ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ
ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ АН УССР
ВС. ФОМЕНКО
ЭМИССИОННЫЕ
СВОЙСТВА
МАТЕРИАЛОВ
поавочник
ИЗДАНИЕ ЧЕТВЕРТОЕ,
ПЕРЕРАБОТАННОЕ
И ДОПОЛНЕННОЕ
КИЕВ
«Н А У К О В А ДУМКА»
1981
УДК 537.533.( •"' я -
В справочнике приведены параметры электронной
эмиссии (работа выхода электрона и постоянная Ричард-
сона) для простых веществ и химических соединений, а
также характеристики адсорбционных систем, в которых
в качестве адсорбента и адсорбата выступают как хими-
ческие элементы, так и различные соединения. Системати-
зированы экспериментальные и теоретические результаты,
полученные многими исследователями. Для каждого па-
раметра указан литературный источник.
Рассчитан на обширный круг исследователей и прак-
тиков, работающих в области физики твердого тела, элек-
троники, технической физики, вакуумного материало-
ведения.
Ответственный редактор
И. Я. ДЕХТЯР
Рецензенты
Д. А. ГОРОДЕЦКИЙ, В. Г. ЛИТОВЧЕНКО
Редакция справочной литературы
00001-144
Ф	о. БЗ-5-33-81 2108000000
М221(04)-81
© Издательство «Наукова думка», 1981
Предисловие
Большое количество информации по вопросам создания и
изучения электродных материалов, публикуемое в науч-
ной литературе, отвечает запросам бурно развивающейся
техники. Эмиссионные свойства материалов изучаются в
двух направлениях: 1) уточнение имеющихся данных,
ставшее возможным в связи с успехами в области техноло-
гии получения чистых и сверхчистых веществ и материа-
лов, и получение новых данных в более жестких условиях
эксплуатации электронных устройств и приборов (высо-
кие и низкие температуры, сверхвысокий вакуум и раз-
личные агрессивные и инертные среды, интенсивная ион-
ная и электронная бомбардировка, разные виды облуче-
ний и т. п.); 2) расширение круга объектов исследования
для отбора материалов с оптимальными свойствами, обес-
печивающими заданную плотность тока эмиссии, стабиль-
ность электронной эмиссии во времени и устойчивость
против ионной бомбардировки.
Сведения об эмиссионных свойствах материалов, в
частности о работе выхода электрона, приведены в различ-
ных литературных источниках: монографиях, статьях в
журналах и сборниках, препринтах и т. п., что затруд-
няет доступ к ним специалистов широкого круга. Кроме
того, многие опубликованные в этих источниках данные
устарели или требуют критического отношения в связи
с недостаточной чистотой исследованных объектов и не-
совершенством методик измерения. Одной из первых по-
пыток систематизации данных о работе выхода электрона
был справочник автора «Эмиссионные свойства материа-
лов» («Наукова думка», 1961, 1964 и 1970 гг.; переизда-
ния — США, 1966 и 1972 гг., Япония — 1973 г.). Однако
со времени выпуска последнего издания справочника ко-
личество сведений об эмиссионных свойствах материалов
и требования к их достоверности настолько возросли,
что появилась необходимость в значительной переработке
и дополнении его. В настоящем справочнике автором ис-
пользованы кроме материалов предыдущих изданий (в том
числе зарубежных) данные о новых классах веществ, ком-
позиционных электродных материалах, тонко- и толсто-
пленочных системах, опубликованные за последние годы
в научно-технической литературе.
Как и в предыдущих изданиях, основой структуры
справочника является Периодическая система элементов
Д. И. Менделеева: вещества и материалы расположены
в порядке возрастания атомного номера химических эле-
ментов; сведения о монокристаллах выделены в отдель-
ные таблицы. Сокращения, обозначения эмиссионных
параметров и нумерация формул в таблицах соответству-
ют принятым во введении.
При выборе приведенных в таблицах рекомендуемых
значений ср для химических элементов автор учитывал до-
стоверность эксперимента — чистоту и совершенство струк-
туры объекта исследования, условия эксперимента, точ-
ность методики, время измерений, воспроизводимость ре-
зультатов; теоретический расчет — качество использован-
ной при теоретическом расчете модели, строгость выбора
исходных посылок; количественную оценку — исполь-
зование различных эмпирических и полуэмпиричсских
соотношений. Для химических соединений и композицион-
ных материалов приведены лишь все доступные автору
сведения о работе выхода электрона с возможно более
полной характеристикой объекта исследования и условий
эксперимента. Рекомендовать какие-либо из этих значе-
ний как наиболее достоверные представляется затрудни-
тельным в связи с отсутствием в публикациях комплекса
сведений о фазовом составе этих соединений и материа-
лов, наличии областей гомогенности в них, степени акти-
вирования, влиянии температурной обработки на состав
поверхности, предыстории образцов и др.
Собственно справочному материалу предпослано вве-
дение, в котором автор ставил своей целью в сжатой форме
изложить подходы исследователей к трактовке электрон-
ной эмиссии, а также показать связь физико-химических
свойств твердого тола с такой характеристикой поверх-
ности, как работа выхода электрона.
Для более детального ознакомления с направлениями
исследований, изложенными во введении, читатель может
использовать приведенный автором обширный список
литературы, опубликованной до января 1979 г.
В. Фоменко

Введение
Работа выхода электрона ср определяется минимальной
энергией, необходимой для перемещения его с поверхнос-
ти Ферми в твердом теле при температуре, равной абсо-
лютному нулю, в точку пространства, где поле практиче-
ски равно нулю.
Вопрос о природе ср изучался многими исследователя-
ми. В эмиссионно-адсорбционных процессах определяю-
щую роль играет состояние поверхности (здесь и далее
предполагается, что поверхность не загрязнена чужерод-
ными атомами и ее фазовый состав неизменен). Понятие
«состояние поверхности» включает не только определение
химической природы поверхностных атомов, законы их
движения и взаимного расположения, но и конфигурацию
валентной подоболочки, т. е. электронное состояние та-
ких атомов. При этом структурно-геометрические факто-
ры ответственны за электростатический двойной слой на
поверхности, а характеристики межатомного электронного
взаимодействия — за обменный и корреляционный вкла-
ды в величину поверхностного потенциального барьера.
До середины 60-х годов XX в. большинство исследова-
телей (см., например, обобщающие работы Л. Н. Добре-
цова [252—254J) при интерпретации эмиссионных харак-
теристик исходили из определяющей роли структурно-
геометрических факторов поверхностного слоя, необосно-
ванно отрицая влияние его электронного строения. Это
приводило к утверждению, что работа выхода электрона
является характеристикой не вещества, а лишь плотности
и характера упаковки атомов поверхности, причем не
учитывалось, что изменение ретикулярной плотности от-
ражает изменение электронного состояния атомов и ха-
рактера их взаимодействия.
Действительно, поскольку поверхностные атомы нахо-
дятся в иных условиях, по сравнению с внутренними,
можно ожидать изменений в расположении атомов на по-
верхности. Характер перестройки зависит от многих фак-
торов и определяется активностью атомов, числом ближай-
ших соседей, энергией взаимодействия. Но главным оста-
ется тип химической связи атомов в решетке кристалла.
Взаимосвязь ф со структурными характеристиками вторич-
на, поскольку кристаллическая структура (в том числе
размер атома) есть функция электронной подсистемы,
являющейся основой любых межатомных взаимодействий
[1023|.
Дж. Бардин [945[, а позднее Т. Лоукс и П. Катлер
[1540J, исходя из расчета формы поверхностного потен-
циального барьера, установили, что основной вклад в
его величину вносят обменные и корреляционные эффекты,
а не электростатический двойной слой. Относительно ма-
лая величина электростатического двойного слоя свиде-
тельствует о незначительном изменении электронных вол-
новых функций в приповерхностной области по сравнению
с объемом. К этому же выводу пришел Г. Хэгструм [1288,
1290), теоретически п экспериментально (с использованием
Оже-процессов) показавший, что функции плотности со-
стояний электронов зоны проводимости внутри металла
и на его поверхности существенно не отличаются. Этот
вопрос нельзя считать решенным. Перспективным для
его решения является метод электронно-позитронной ан-
нигиляции в объеме и па поверхности твердого тела
[24561.
Попытки установления зависимости значения ф от рас-
положения элементов в Периодической системе, а следова-
тельно, и от различных атомных свойств металлов (в част-
ности, плотности и коэффициента сжимаемости) предпри-
нимались начиная с 30-х годов (сводка таких работ приве-
дена, например, Б. М. Царевым [828)). Отмечая совпаде-
ние кривых зависимости работы выхода электрона и плот-
ности d элементов от их порядкового номера, Б. М. Царев
тем не менее считал, что, поскольку ф является свойством
поверхности металла, a d представляет объемные свойства,
можно ожидать лишь статистической взаимосвязи между
Ф и d для поликристаллнческих поверхностей. Для от-
дельных граней кристаллов такая связь должна быть
между ф и поверхностной плотностью атомов на рассма-
триваемой плоскости кристалла. Так как вопрос теорети-
ческого расчета или оценки работы выхода электрона для
веществ и материалов все еще далек от окончательного раз-
решения, основную информацию об их эмиссионных свой-
ствах исследователи получают экспериментальным путем.
Существует ряд методов экспериментального опре-
деления работы выхода электрона из твердого тела, раз-
личающихся способом энергетического возбуждения эле-
ктрона.
При термоэлектронном (ТЭ) методе работа выхода
определяется по температурной зависимости эмиссионного
тока, вызванного нагревом вещества. Результаты изме-
рений интерпретируются с помощью уравнения Ричард-
сона:
j = I/S (1 — г) AT2 exp (—e(pa/kT),	(I)
где j — плотность тока, эмитируемого с площади S при
температуре катода Т; г — усредненный по энергиям эле-
ктронов коэффициент их отражения от потенциального
барьера на границе твердое тело — вакуум; А — посто-
янная Ричардсона; е — заряд электрона; ф0 — работа
выхода электрона при Т — 0 К; k — постоянная Больц-
мана. Величина еф0 не зависит от температуры, если теп-
лоемкость электронов внутри эмиттера принимается рав-
ной нулю [662]. В противном случае работа выхода явля-
ется функцией температуры.
Для металлических катодов определение термоэлек-
тронных констант методом прямой Ричардсона (по наклону
прямой в координатах 1g //Г2 и 5040/7, построенной по
экспериментальным данным для плотности тока насыще-
ния при температуре Т) дает удовлетворительные резуль-
таты, однако в случае неметаллических катодов на прямой
Ричардсона могут наблюдаться изломы и значения ср, по-
лученные по наклону этой прямой, в разных температур-
ных интервалах существенно отличаются от значений ф7,
6
Введение
вычисленных из теоретического уравнения термоэлектрон-
ной эмиссии твердого тела (уравнение Ричардсона — Дсш-
мана):
/ = (1 — г) А0Т’2 ехр (—вфг/АТ),	(2)
где Aq = 4nrnek“/h3 — 120,4 А - см~2 • К~2 — универсаль-
ная постоянная, выражаемая «мировыми» константами и
одинаковая для всех твердых тел.
Величина фу называется эффективной работой выхода
и в соответствии с зонной моделью электронной структуры
твердого тела (при отсчете энергии электрона от дна зоны
проводимости) вычисляется из соотношения
фу. = Хо — Ер.	(3)
В предположении почти свободных электронов Хо можно
трактовать как одинаковую для всех электронов прово-
димости среднюю потенциальную энергию связи в решет-
ке, а Ер — каких максимальную кинетическую энергию
(энергию Ферми).
Термоэмиссия полупроводниковых катодов описыва-
ется уравнением
/ ~ СТ’7* ехр [— (*/2g + H/feT)],	(4)
где эмпирическая постоянная; q — энергия ионизации
примесных атомов полупроводника (внутренняя часть
работы выхода); р — внешняя часть работы выхода. Это
уравнение выведено впервые Т. П. Козляковской для ок-
сидного катода.
Уравнение (2) указывает на очень резкий, экспонен-
циальный рост величины / при повышении температуры.
Экспериментальное определение постоянной Ричардсона
часто дает значения, отличающиеся от теоретического на
много порядков в ту или иную сторону. Эти отклонения
для простых веществ (химических элементов) объясняют-
ся отражением электронов от поверхности эмитирующего
тела (в случае А < Ао) [662] и температурной зависимо-
стью ф (при А > Ао) [94, 99, 662]. Температурная зависи-
мость работы выхода электрона в зоммерфельдовском
приближении обусловлена уменьшением концентрации
электронов в металле, связанным с тепловым расшире-
нием тела, что, в свою очередь, понижает уровень электро-
химического потенциала и, следовательно, увеличивает
работу выхода. Значительное отклонение эксперименталь-
ных значений А от теоретического Ао для различных эмит-
теров (Ag, Cs, Mo, Ni, Ta, W, Cr, Pt, Nb, A12OS, BaO, ZrO2)
объяснено [1927] эрозией материала катода в процессе ра-
боты, для чего значения параметра А были сопоставлены
с теплотой атомизации на 1 моль (A//dT) для эмитирующей
поверхности.
Вариации А в уравнении Ричардсона в пределах 15—
350 А • см~2  К~2 для разных металлов, значительно
превышающие ошибки эксперимента, связываются [741]
с неточностью формул, описывающих термоэлектронную
эмиссию и в явном или неявном виде учитывающих равно-
весие электронного газа внутри и вне металла. Такое до-
пущение считается (741] несправедливым при отборе тока,
так как сквозь металл проходит поток электродов, рассеи-
вающихся из-за столкновений с атомами решетки, и для
описания термоэлектронной эмиссии предлагается урав-
нение Ричардсона — Дешмана с поправочным множите-
лем, входящим в постоянную А. Полученные для некото-
рых металлов (Pd, Ni, Cs, Li, Pt, Mo) экспериментальные
значения А удовлетворительно согласуются с теоретиче-
ским, а наблюдаемое в ряде случаев расхождение обус-
ловлено либо температурной зависимостью ф (для W),
либо отсутствием точных данных о длине свободного про-
бега электронов в зонах реальной формы (для Ag, Au, Си).
В работе [1442] аномальные значения А для некоторых
соединений, в частности соединений редкоземельных и пе-
реходных металлов с бором и углеродом, объясняются
степенью вырождения энергетических полос, возникаю-
щих из незаполненных d- или f-подуровней.
В настоящее время и теория, и эксперимент позволяют
принять для всех катодов в уравнении термоэлектронной
эмиссии значение А = Ао= 120,4 А • см~2 • К“2 (полу-
ченное так называемым методом полного тока [1316]). Тог-
да из выражения (2) следует
<рг = kT/e In •	(5)
Между величинами ф0 и А, входящими в уравнение Ричард-
сона, фг и Ао из теоретического уравнения термоэмиссии
существуют простые соотношения
ф/’ — фо
(6)
А = A0S (1 — г) ехр--------г
гъ
(7)
Зная температурную зависимость работы выхода ф = f (Т),
можно легко вычислить параметры ф0 и А, не прибегая к
графическим построениям.
Следует отметить большую неопределенность в вопро-
се измерения и трактовки величины температурного коэф-
dy
фициента работы выхода-^,для различных катодных ма-
териалов. Даже для таких хорошо изученных эмиттеров,
как монокристаллы переходных металлов, практически
dtp
отсутствуют данные по ~~ (исключение
составляют воль-
фрам и ниобий), а имеющиеся (зачастую противоречи-
вые) сведения не всегда объясняются достаточно убеди-
тельно. Для металлоподобных же соединений, в частности
карбидов и боридов переходных металлов, отсутствует яс-
d®
ность не только в величине, но и в знаке (см., например,
(810]) и нередко одни и те же исследователи на одном сое-
динении получают как положительный, так и отрицатель-
« «Ф
ныи знак
di
В работе [816] показано, что величина температурного
коэффициента работы выхода электрона существенно за-
висит лишь от внутреннего эффекта колебаний атомов и
основного эффекта теплового расширения. Влияние же
остальных факторов пренебрежимо мало. На основании
d®
этих предположении и результатов измерении для ос-
новных граней монокристалла Nb ({100}; {ИО}; {111} и
{112}) авторы работы [250] делают вывод о решающем
значении внутреннего электростатического эффекта коле-
баний атомов для граней (НО), {112} и {100}, поскольку
знак для них отрицателен. В то же время для грани
** J
{111} существенную роль играет эффект теплового расши-
рения, что приводит к сглаживанию атомного рельефа
грани, а знак становится положительным. Такое из-
dl
менение знака объясняется этими авторами с точки зре-
ния модели Смолуховского [1834], согласно которой вели-
чина сглаживающего диполя для грани {111} является наи-
большей.
Одна из разновидностей ТЭ метода — рентгеновский
метод (РМ) [1581], при котором значение <р определяется
по рентгеновским спектрам тормозного излучения. Суть
Введение
7
этого метода заключается в следующем: эмитированные с
катода электроны, ударяясь об анод, образуют спектр тор-
мозного излучения. В простейшей модели изохромата тор-
мозного излучения несет информацию о плотности неза-
полненных состояний в полосе проводимости. Экспери-
ментируя с различными катодами, но с одним и тем же ано-
дом, получают изохроматы, отличающиеся друг от друга
разностью уровней Ферми. Используя в качестве эталона
катод с известной работой выхода, можно определить ф
электрона для исследуемого катода.
Работа выхода электрона при нагреве катода может
быть измерена калориметрическим методом (КМ). Если
анодное напряжение равно нулю, то мощность накала ка-
тода расходуется на излучение. При эмиссии электроны
уносят с катода определенную долю энергии и катод ох-
лаждается. Баланс энергии описывается уравнением
= ^пзл +	(8)
где Wu, Wqj — соотвечственно энергия накала ка-
тода, излучения и термоэмиссии. Энергию, расходуемую
на термоэмиссию, можно представить в виде суммы:
«7ф = 1 («<р + Q,	(9)
где / — ток эмиссии, а Vo— средняя кинетическая энергия
одного электрона, равная 2kT!e (Т — температура элек-
тронного газа). Из выражений (8) и (9) следует
/ («Р + vo) -	- ^нзл = Аф. (10)
Для восстановления температурного баланса катода сле-
дует увеличить на Д№, т. е. на ту часть энергии, ко-
торая уносится эмитирующими электронами. Зависимость
AW7 = f (/) изображается прямой, по углу наклона ко-
торой можно определить величину (еф + Vo).
При эффузионном (ЭФ) методе измерения работы вы-
хода используется температурная зависимость равновес-
ного давления электронного газа над эмиттером. Явление
термоэмиссии можно рассматривать как испарение элек-
тронов из эмиттера, подобно термическому испарению
атомов или молекул. Равновесие между эмиссией термо-
электронов и их конденсацией наступает при наличии над
поверхностью эмиттера электронного газа определенной
плотности, аналогичной плотности насыщенного пара при
испарении атомов или молекул. Рассмотрение системы
эмиттер — равновесный электронный газ с точки зрения
термодинамики дает возможность получить выражение
(2). Такой подход, без учета свойства электронов внутри
эмиттера, требует знания характеристик газа над эмитте-
ром, которые могут быть эффективно исследованы методом
электронно-позитронной аннигиляции на поверхности
эмиттера [245в].
Метод поверхностной ионизации (ПИ) основан на из-
мерении работы выхода электрона в процессе термически
равновесной десорбции атомов или молекул с поверхности
твердого тела в виде положительно или отрицательно за-
ряженных ионов. Наиболее распространена положитель-
ная поверхностная ионизация, при которой происходит
тепловая десорбция атомов металлов (чаще всего щелоч-
ных — Li, Na, К, Rb, Cs), адсорбированных на поверхнос-
ти тугоплавких металлов в виде ионов, несущих положи-
тельный заряд. Работа выхода электрона входит в формулу
Саха — Ленгмюра, выражающую степень поверхностной
ионизации сц_ как отношение числа ионов п_|_ к числу ней-
тральных атомов па, испаряющихся с одной и той же по-
верхности металла за одинаковый промежуток времени:
а+ — n_Jna = ехр [е (<р — Vi)/kT], (11)
где VL — ионизационный потенциал атомов, испаряющих-
ся с поверхности при температуре 7’; Л_|_ — отношение
статистических сумм для состояний положительного иона
и нейтрального атома при той же температуре.
Метод контактной разности потенциалов (КРП) осно-
ван на измерении разности потенциалов между катодом и
анодом, работа выхода электрона которого известна:
^конт ~ Фа Фк»	(12)
где VKOHT — контактная разность потенциалов; фа, фк —
работа выхода для анода и катода соответственно. По из-
вестным VKOHT и фа можно вычислить работу выхода элек-
трона катода:
Фк — ^копт Фа-	(13)
Для определения работы выхода фотоэлектронным
(ФЭ) методом используется уравнение Эйнштейна
£макс = hv~ Av0’	В4)
где Емакс—максимальная энергия эмитированного эле-
ктрона; hv — энергия возбуждающего кванта; Av0— мини-
мальная энергия кванта, при которой возможна электрон-
ная эмиссия (энергия, определяющая красную границу
фотоэффекта для данного эмиттера).
При определении работы выхода автоэлектронным
(АЭ) методом измеряют плотность тока эмиссии у, возни-
кающего при создании у поверхности катода сильного
(Е > 10е В • см-1) ускоряющего электрического поля, [н
строят полулогарифмическую зависимость
Ig//E2 = f(I/E).	(15)
Попытки теоретического вычисления работы выхода
электрона для чистых металлов (в основном щелочных) с
относительно простым и хорошо изученным электронным
строением и почти сферической поверхностью Ферми пред-
принимались еще в 30-е годы. Достаточно полный истори-
ческий обзор по расчетам ф приведен в работе [873]. В чис-
ле первых работ по изучению эмиссионных свойств метал-
лической поверхности были исследования Я. И. Френкеля
[811, 1206[, применившего для оценки значения ф и высо-
ты потенциального барьера на поверхности теорему вири-
ала и указавшего на возможную связь работы выхода и
теплоты сублимации. В 1932 г. И. Е. Тамм и Д. И. Блохин-
цев [1890, 1891] с помощью упрощенной модели, • прене-
брегая двойным электрическим слоем на поверхности и
считая, что работа выхода обусловлена только взаимодей-
ствием вырываемого электрона с нонами и электронами ре-
шетки, определяли ф как разность энергий нейтральной
решетки и решетки с одним удаленным электроном. Для
щелочных металлов получены значения ф, согласующиеся
с экспериментальными. Позднее этот подход был уточнен
Дж. Вигнером и Е. Бардиным [945, 1977—19801 для кван-
товомеханической и П. Гомбашем [204] для квантовоста-
тистической моделей.
Расчеты Дж. Вигнера и Е. Бардина имеют очень важ-
ное значение для понимания природы электронной эмис-
сии. Предложенное ими выражение для энергий обмена и
корреляции в однородном электронном газе большой (ме-
таллической) плотности [1977, 1979, 1980] было затем ис-
пользовано [1978] в уравнении для металла при 0 К, из
которого с помощью дифференцирования по электронной
плотности можно вычислить работу выхода электрона.
В этой модели величина ф состояла из нескольких слагае-
мых, характеризующих прочность связи в объеме металла:
1) энергии «отщепления»; 2) энергии ионизации; 3) собст-
венной энергии сферически распределенного заряда; 4)
оставшихся (после взаимных сокращений при преобразова-
ниях) частей энергий — Ферми, обмена и корреляции. Кро-
ме того, в расчетах использовался дипольный член, харак-
теризующий вклад поверхности в работу выхода.
Дж. Найроп |1642’ на основе зоммерфельдовской
модели в приближении свободных электронов рассчитал
8
Введение
значения <р для некоторых металлов (в основном ще-
лочных и щелочноземельных) и их оксидов, удовлетвори-
тельно согласующиеся с экспериментальными резуль-
татами.
За последнее десятилетие проведены обширные ис-
следования на основе различных моделей электронной
структуры твердого тела, посвященные теоретическим рас-
четам работы выхода электрона. Серия интересных работ
выполнена с помощью модели нейтральной орбитальной
электроотрицательности (НОЭ), в которой используется
допущение [1004, 1445, 1688], что поверхностные атомы
металла сохраняют до некоторой степени индивидуаль-
ный характер (это подтверждается, в частности, резуль-
татами исследования электронной структуры с помощью
метода электронно-позитронной аннигиляции [245а]. Вол-
новые функции, описывающие состояние электронов на по-
верхности, аппроксимируются в непосредственной близос-
ти от поверхностного атома волновой функцией изолиро-
ванного атома. Следовательно, на поверхности имеются
некоторые атомные орбитали или их комбинации, учиты-
вающие асимметрию окружения атомов и соответствующие
определенному поверхностному атому металла. Исполь-
зование такой идеи дало возможность [1524] интерпрети-
ровать электронную эмиссию как переход электрона из ло-
кализованной электронной конфигурации атома твердо-
го терн в свободное состояние и считать, что энергией акти-
вации в этом процессе выступает нейтральная орбиталь-
ная электроотрицательность, равная работе выхода элек-
трона (под НОЭ в этом случае понимается не электроот-
рицательность изолированного атома в общепринятом
смысле этого слова, лишенная четкого физического смысла
[782], а потенциальная энергия электрона на связующей
орбитали атома, являющаяся результатом взаимодействия
всех участвующих в связи атомов и электронов решетки).
Были вычислены значения (р как для чистых переходных
металлов (поли- и монокристаллов) [999, 1276, 1277, 1849],
так и для адсорбционных систем: поликристаллический
металл (адсорбент) — цезий (адсорбат) при оптимальном
покрытии поверхности [1525].
Электронная эмиссия с поверхности твердого тела
представлена [1329] в термах исходного состояния, явля-
ющегося суперпозицией отдельных волн, источником ко-
торых служат остовы эмитирующих ионов. В теории мно-
гократного рассеяния этого исходного состояния ионными
остовами твердого тела (теория «дифракционных эффек-
тов») используется представление об угловом моменте, что
позволяет рассчитывать интенсивность электронной эмис-
сии по направлениям относительно поверхности. Эта тео-
рия описывает только чистые поверхности или поверхнос-
ти с упорядоченными адсорбированными слоями. В рас-
четах применяется теория возмущения обратным рассея-
нием, разработанная ранее для описания дифракции мед-
ленных электронов [1678]; это рассмотрение допускает
процедуру итерации, позволяющую быстро устанавливать
сходимость. В рамках этих же представлений могут трак-
товаться поверхности произвольной комплексности с за-
данной трансляционной симметрией. Теория может приме-
няться в случае когерентного эмитирования несколькими
илн многими ионными остовами путем суммирования ам-
плитуд каждого отдельного остова перед расчетом интен-
сивности. Такой подход позволяет описывать не только
Оже-эмиссию и фотоэмиссию из ионных состояний, но и
фотоэмиссию с валентных состояний поверхности.
В работе [1557] на основе модели «желе» [1497, 1499],
в которой используется распределение электронной плот-
ности у поверхности металла, выведена модифицированная
формула Ланга — Кона для ср и показано, что <р относится
к основной квантовомеханической энергии частицы объема
металла. Работа выхода рассматривается как суммар-
ная энергия, необходимая для перехода электрона с
поверхности в бесконечность, а с учетом релаксации —
для изменения основной энергии объема металла.
Модель «желе» и метод псевдопотенциала были ис-
пользованы [79] для квантовостатистического описания
электронной системы металла в поле дискретно располо-
женных ионных остовов. Такая электронно-ионная систе-
ма учитывает межионные, межэлектронные и ионно-элек-
тронные взаимодействия. Последние описываются локаль-
ным псевдопотенциалом. Выражения для энергии связи
в металле и работы выхода электрона содержат, по сравне-
нию с аналогичными выражениями, полученными на ос-
нове модели «желе», дополнительные члены, учитывающие
наличие ионов и структуру металла. М. Дубейко и С. Оль-
шевски [1133] определили кваптовостатистическим ме-
тодом значения ф для металлов до атомного номера 40,
однако точность расчетов, проведенных в различных при-
ближениях, не превышала 1 эВ. Т. Шнейдер [1796] при
вычислении значения ф для некоторых металлов (Li, Na,
Rb, Cs, Mg и Al) на основе теории псевдопотенциала опре-
делял энергию электрона внутри кристалла. Рассматри-
вая только внутреннюю часть работы выхода (без учета
поверхностного вклада), он считал эту энергию совпадаю-
щей с работой выхода.
Внутренняя работа выхода фвн вычислялась [2082]
для металлов на основе модели ячеек Вигнера — Зейтца.
Результаты расчетов с использованием выражения для
энергии электронного газа в приближении локальной
плотности для Cs, Rb, Na и К были близкими к получен-
ным на основе модели «желе». Сделанные авторами этой
работы выкладки позволяют вычислять, по их мнению,
фвц для металлов с ОЦК, ГЦ К и ГПУ решеткой.
По результатам расчетов распределения концентраций
электронов в поверхностной зоне металла (для одного и
двух электронов проводимости на атом) определены центры
тяжести электронного и ионного избыточных зарядов в
поверхностной зоне, а также вычислен дипольный момент
этих зарядов, что позволило с учетом характерных разме-
ров диполя и величины зарядов определить наружную
(внешнюю) работу выхода электрона для вольфрама
[2083].
Теоретический расчет ф для металлов выполнен [1664]
с помощью потенциальной модели Шау [1807], базирую-
щейся при описании структуры поверхности на уменьше-
нии плотности электронов проводимости и изменении по-
стоянной решетки. Параметры этой модели определяются
требованиями минимума поверхностной энергии.
Результаты вычисления ф для большого числа переход-
ных металлов методом самосогласованного поля с исполь-
зованием модели свободных электронов приведены в рабо-
те [1829].
На основе статистической электронной теории |314]
С. Н. Задумкиным и другими [315, 819, 820] проведены
теоретические расчеты зависимости ф от формы и размеров
частиц эмиттера.
В середине 50-х годов изучение качественной зависи-
мости ф от электронного строения твердого тела было на-
чато Г. В. Самсоновым и его сотрудниками. Первоначаль-
но величина ф (использовались литературные сведения для
переходных металлов и их соединений с неметаллами) свя-
зывалась с главным квантовым числом d-подоболочки и ко-
личеством электронов на ней, а в случае соединений — еще
и с ионизационным потенциалом атома неметалла [710, 720,
721]. Однако такой подход оказался недостаточно коррект-
ным, поскольку характеристики изолированного атома не
учитывали особенностей конденсированного состояния. Ис-
следования были продолжены в работах [648, 722, 724—726,
733, 1251, 1771, 1772]. Закономерности изменения термо-
эмиссионных свойств переходных металлов и различных
классов тугоплавких соединений на их основе рассматри-
вались с учетом особенностей электронного строения и
химической связи в твердом теле; при этом принималось,
что работа выхода определяется преимущественно потен-
циальной энергией связи электрона с электронным кол-
Введение
9
лективом остова кристаллической решетки. Основанием
для такого подхода послужили полученные результаты
экспериментального изучения ср для различных классов
тугоплавких соединений и сплавов на основе d-металлов —
карбидов, боридов, силицидов, нитридов. Эти исследова-
ния показали существование корреляции между величи-
ной работы выхода и объемными свойствами твердого тела
(температурой плавления, модулем упругости, коэффи-
циентом термического расширения, микротвердостью),
характеризующими прочность межатомного взаимодей-
ствия. «Объемная» концепция работы выхода электрона
развивалась в рамках конфигурационной модели вещества
[728], в которой важная роль в формировании свойств от-
водится внутриатомным корреляционным эффектам; влия-
ние последних сравнимо с межатомным взаимодействием
в твердых телах с относительно узкими энергетическими
зонами, к которым относятся переходные металлы и соеди-
нения на их основе. Кроме того, приповерхностные слои
по сравнению с объемом характеризуются большими меж-
атомными расстояниями и меньшей концентрацией нело-
кализованных электронов [1807]. Это свидетельствует о
сужении зон в направлении к поверхности и, следователь-
но, возрастающем влиянии внутриатомных электронных
корреляций.
Использование представлений о конфигурационной ло-
кализации валентных электронов позволило однозначно
интерпретировать эмиссионно-адсорбционные свойства ту-
гоплавких соединений. В качестве примера можно привес-
ти карбиды переходных металлов IV, V групп Периоди-
ческой системы. Изучение термоэмиссионных свойств кар-
бидных фаз предельного состава и в областях их гомоген-
ности [733, 1772] показало существенные различия кон-
центрационных зависимостей работы выхода для MeIVC
и MevC (MeIV, Mev — переходные металлы IV и V групп)*
Эти различия, а также уменьшение значения ф в пределах
группы для стехиометрических составов обусловлены пе-
рераспределением в карбидах связей Me—Me (d—d-элек-
тронные взаимодействия, характеризуемые вкладом d5-
электронпых конфигураций) и Me—С (spd-гибридизация, ха-
рактеризуемая вкладом зрЗ-конфигураций). Аналогичная
точка зрения на работу выхода электрона как одну из ха-
рактеристик прочности химической связи в твердом теле
была позднее высказана Е. М. Савицким [124, 685, 702,
703] при обсуждении свойств поли- и монокристалличе-
ских катодных материалов.
Во всех упоминавшихся расчетах не учитывалась,
однако, анизотропия ф в различных кристаллографических
направлениях, которая, помимо электронной структуры,
определяется плотностью упаковки атомов в различных
кристаллографических плоскостях. Е. М. Савицкий [692,
698] считает, что экспериментальные данные об эмиссион-
ных свойствах монокристаллов тугоплавких и редких
металлов позволяют предположить максимальную работу
выхода в вакууме с наиболее плотноупакованных плос-
костей, а именно: {110} —для ОЦК, {111} —для ГЦК
и (1000) — для гексагональных структур. В среде щелоч-
ных металлов наблюдается обратная картина — работа
выхода для этих граней минимальна. Анизотропия термо-
эмиссионных свойств металлических кристаллов достигает
в вакууме 25—30%, а в среде щелочных металлов — 70%;
в последнем случае она определяется еще и потенциалом
ионизации щелочного металла. Эмиссионные Свойства зави-
сят также от субструктуры монокристаллов: чем мельче
блочная структура и больше угол разориентировки между
блоками, тем ближе значение ф данной кристаллографи-
ческой плоскости к среднему значению работы выхода элек-
трона поликристалла.
С этой точки зрения наибольший интерес представ-
ляют результаты работ, в которых ф рассматривается для
различных граней металлических монокристаллов с по-
мощью моделей электронной структуры твердого тела.
Вполне естественно, что полученные результаты не всегда
совпадают из-за различия использованных моделей и мето-
дик расчета, тем не менее они важны для создания общей
теории электронной эмиссии твердого тела.
Одним из первых структуру поверхности металла
(ОЦК структуру вольфрама) иа основе модели ячеек (s-
полиэдров), имеющих в центре выбранный атом, а в вер-
шинах— ближайшие к нему соседние атомы, рассматри-
вал Р. Смолуховский [1834]. В ОЦК структуре это призмы,
пирамиды и усеченные пирамиды. В соответствии с моде-
лью Вигнера — Бардина работа выхода состоит из объем-
ной составляющей и составляющей, обусловленной двой-
ным слоем на поверхности металла. Анизотропия флй/т
вызвана неодинаковым вкладом этих слоев на различных
гранях. Этот вклад — результат двух противоположных
явлений — расплывания заряда за пределы s-полиэдра и
обратного стекания («заглаживания»), уравнивающего
электронно-ионную поверхность. Последний эффект обу-
словлен меньшими или большими «просветами» из-за более
или менее плотной расстановки ионов на поверхности ре-
шетки («рыхлостью» верхнего слоя грани) и оценивается
аналитически из условия минимума суммы кинетической
и потенциальной энергий электронов. Р. Смолуховским
сделаны следующие выводы: работа выхода ф^(./т пропор-
циональна плотности упаковки атомов в поверхнос-
тном слое данной кристаллографической грани; удельная
поверхностная энергия олл/т уменьшается с увеличением
nhklm’ т* е> ^hkim ~
Анизотропия работы выхода электрона трактовалась
также в рамках моделей НОЭ [1276] и «желе» [1497, 1499],
модели квазисвободных электронов, в которой сопостав-
ляется поведение поверхностных интенсивно взаимодей-
ствующих свободных атомов [895, 896]. В работе [124] по-
казана возможность использования поляризационной части
энергии взаимодействия точечного заряда с поверхностью
металла для вычисления ф щелочных металлов по разным
кристаллографическим направлениям.
В работе [1718] для расчета фл^т используются вол-
новые функции электронов в предположении их нера-
венства нулю только вдоль направлений, связывающих
ближайшие соседние атомы в металлической решетке; при
этом принимается, что вдоль этих направлений электроны
движутся свободно. В расчетах не учитываются электрон-
но-электронные и электронно-остовные взаимодействия.
Работа выхода определяется как количество энергии, тре-
буемое для перемещения электрона из точки на внутрен-
ней поверхности кристалла в точку на его внешней поверх-
ности. Учитывается вклад электрического двойного слоя,
потенциал которого зависит от геометрии поверхности,
и игнорируются поверхностные состояния электронов.
Предполагается, что двойной поверхностный слой обуслов-
лен наличием конечного потенциального барьера па поверх-
ности кристалла; электронные волновые функции могут
проникать сквозь этот барьер и экспоненциально затухать
вне кристалла.
Вычислениями работы выхода электрона для переход-
ных металлов в приближении сильной связи d-электронов
показано, что правильный порядок величины ф может быть
получен и без учета дипольного слоя у поверхности [898],
так как вклад d-электронов в дипольный слой пренебрежи-
мо мал, по крайней мере для середины ряда переходных
металлов. Неодинаковые значения	обусловлены
только дипольным слоем, создаваемым s-электронами. (Ре-
зультаты последних исследований электронной структуры
методом электронно-позитронной аннигиляции указывают
на структурность двойного электрического слоя — об
этом свидетельствует наличие в нем различных электрон-
ных групп с отличающимися предельными значениями
энергий электронов [245в].)
10
Введение
Статистический метод использован при определении
зависимости ф окрестных (соседствующих) граней от их
ориентации относительно основного кристаллографическо-
го направления [1461, 14661. Применение модели квази-
свободных электронов [8961 для объяснения свойств со-
седствующих граней позволило предложить соотноше-
ние
Ф(ф) = ф (0) (1 — Аф2),	(16)
где ф (0) и ф (ф) — работа выхода соответственно основ-
ной и соседствующей кристаллографических граней; ф —
угол между поверхностью кристалла и ближайшей гранью
с меньшим кристаллографическим индексом; k — функция
атомных и кристаллографических констант.
Расчет значения ф для грани {НО) щелочных метал-
лов -на основе модели «желе» проведен в приближении
случайных фаз [1666J с использованием теории электронной
плотности у поверхности [1326, 1452, 1497, 1499, 15001;
вклад ионов и электронной неоднородности учтен введе-
нием в расчет соответственно значения простого псевдо-
потенциала и различных форм диэлектрических
функций.
Развитие квантовомеханической теории [949, 1247,
1834, J9781 существенно снизило [816] значение различ-
ных Иипирических и полуэмпирических оценок работы вы-
хода электрона. Однако разработанные теории еще недо-
статочно совершенны и не дают возможности рассчитать ф
для сложных соединений. Поиск таких расчетов тем более
необходим, что очень трудно отдать предпочтение какому-
либо из значений ф, полученных для одного и того же веще-
ства в различных работах с применением разных ме-
тодов.
Несмотря на сильную зависимость работы выхода
электрона от состояния поверхности, большинство совре-
менных исследователей полагают, что принципиально оп-
ределяющей является электронная структура твердого те-
ла, которая обусловливает особенности электронного
строения приповерхностных слоев атомов, фактически
осуществляющих эмиссию электронов. Это подтверждают
многочисленные эмпирические и полуэмпирические зави-
симости между работой выхода электрона и физико-химичес-
кими свойствами твердого тела. Как известно, последние
определяются спецификой электронного строения. Работа
выхода электрона — одна из важнейших энергетических ха-
рактеристик поверхности — связана со свойствами, характе-
ризующими термодинамическую устойчивость кристалли-
ческих структур и энергию межатомного взаимодействия
в них.
Работа выхода электрона сопоставлялась с атомным
номером [8281, атомным объемом [949, 1755, 17561, коэф-
фициентом сжимаемости [1002, 1003, 10721, энергией крис-
таллической решетки [237), первым ионизационным потен-
циалом атома и плотностью упаковки атомов на гранях
кристалла [1765), поверхностным натяжением [237, 313,
500, 622, 1207], электроотрицательностью [1250), потен-
циалом нулевого заряда и атомным радиусом [134, 135].
Обнаружено также влияние ф на кинетические характе-
ристики процессов (перенапряжение водорода [422, 994J
и энергию активации высокотемпературного окисления ме-
таллов [1943)). Установление подобных зависимостей (да-
лее метод определения работы выхода при помощи расче-
тов и описанных соотношений именуется теоретическим
методом (ТМ)) представляет интерес как для оценки оп-
ределенных параметров катода, так и для трактовки тер-
модинамики и кинетики некоторых поверхностных и кон-
тактных явлений на границе раздела твердое тело —
вакуум.
Расчеты работы выхода электрона для поликристал-
лов, проведенные на основе статистической модели Тома-
са— Ферми, показали [6711, что для металлов с куби-
ческой решеткой ф является универсальной функцией од-
ного параметра, определяемого валентностью металла и
постоянной решетки:
Ф = — {dE!dn)V T 4- Дф,
(17)
где dEldn. — объемная составляющая ф (Е — энергия
кристаллической решетки металла); Дф — поверхностная
составляющая ф (изменение работы выхода, обусловлен-
ное перераспределением электронной плотности на по-
верхности металла, с учетом потенциала двойного слоя).
В результате ряда математических преобразований равен-
ство (17) принимает вид
0,45g3
rs
I,105ag2
0,115 —
rs .	2,2 lae3 0,458g2 \
a I 2	r J *
“J \ r	rs j
(18)
где rs = Rjn ,л (Rs— радиус s-сфер в кубическом крис-
талле, п — число валентных электронов в изолированном
атоме металла); е — заряд электрона; а — боровский ра-
диус; А —эмпирическая константа.
Некоторые исследования посвящены изучению связи
Ф с поверхностным натяжением 6. Предложена [5001 фор-
мула, связывающая эти две величины:
б = 444,5ф//?а — ПО,
(19)
где R — радиус атома. Позднее [501] это уравнение было
уточнено с помощью введения вместо R величины, харак-
теризующей кристаллическую структуру твердого тела в
момент перед плавлением и учитывающей изменение сво-
бодного объема, а также вычисления постоянных коэффи-
циентов при подборе данных по ф и б для металлов одина-
ковой степени чистоты:
3 ф
5 JiNa ’
(20)
где а — параметр решетки; N — число Авогадро.
В работе [313) предполагается, что б прямо пропорцио-
нально высоте полного потенциального барьера ф, поверх-
ностной концентрации ф плоских ячеек кристаллической
решетки и обратно пропорционально координационному
числу f в поверхностном слое:
6 = афф2/Л	(21)
Коэффициент а подбирается по наиболее точным резуль-
татам измерения б. Уравнение (21) можно получить из
(19), если в нем ф заменить ф, a R2 — произведением a2f.
Известна [3151 и другая формула, устанавливающая
зависимость б от ф:
б= 1,15 - 10’(гОМЛ‘ф,	(22)
где D — плотность; А — атомная масса; г — число сво-
бодных электронов, приходящихся на атом металла. Это
соотношение хорошо выполняется для элементов 1а под-
группы Периодической системы, кроме лития, и Па под-
группы, кроме бериллия; его можно применить и к дру-
гим металлам, если в качестве г брать среднее значение
химической валентности атома.
В развитие этих представлений рассмотрена [318]
ячеистая модель расплава, основанная на следующих пред-
положениях: 1) каждому атому соответствует ячейка Виг-
нера— Зейтца (s-сфера); 2) электронная концентрация —
аддитивная величина; 3) расплав имеет регулярную струк-
туру. Для бинарного расплава, характеризующегося зна-
Введение
11
чениями работы выхода электрона (р и поверхностного на
тяжения 6, установлено соотношение
1 [ г1х1
6 = Ь.	,	(23)
Фг / Угхг У/з
\ + о2х2 /
где индексы 1 и 2 относятся к компонентам бинарного спла-
ва; х — концентрация компонента; г — электронная кон-
центрация; v — мольный объем раствора. При zt = Zi с
учетом равенства = v это соотношение преобразуется
к виду
— §оэ/з < ---------
\ Ф1
(24)
Результаты проведенного по этой формуле расчета ср для
систем Ga — in, Ga — Zn и Ga — Hg удовлетворительно
совпадают с полученными экспериментально. Максимальные
отклонения расчетных величин от экспериментальных дан-
ных, достигающие 5%, наблюдаются вблизи эквимоляр-
ной концентрации и, по-видимому, связаны с заменой в
уравнении (24) парциальных молярных величин их зна-
чениями для чистых компонентов. По мнению авторов этой
модели, хорошего совпадения расчетных и опытных дан-
ных следует ожидать для расплавов с участием элементов
подгрупп 1а и Па, для которых развита электронно-ста-
тистическая теория.
В работе (238J предложено соотношение между рабо-
той выхода ф и поверхностным натяжением 6
ср = 9,6л/?26/г,	(25)
где R — радиус атома; г — число свободных электронов
на атом металла.
Параметр ср связывается с поверхностным натяжением
6, приближенно принимаемым равным свободной энергии
электронного газа на поверхности, и с энергией Е решетки
металла [237]. Работа выхода рассматривается как изме-
нение свободной поверхностной энергии:
со
(р = f 6 (s) ds,	(26)
So
где s0 — площадь поверхности металла, приходящаяся
па один электрон. С помощью преобразований это выраже-
ние приводится к виду
а
Ф= 1,885 • 1Q-3/?2— •	(27)
Под энергией решетки здесь понимается полусумма пер-
вого и второго ионизационных потенциалов атома плюс
теплота его сублимации. Следовательно:
6 ~ 123Z?//?.	*	(28)
Отсюда с помощью выражения (27) находим
Ф = 0.232Е.
(29)
Для разбавленных амальгам натрия, калия и цезия,
находящихся при комнатной температуре в жидком со-
стоянии, обнаружена линейная зависимость между ф и
поверхностным натяжением 6 [535]:
<р = 3,56 • tO-3^	(30)
Здесь Ro и Rg — атомный радиус ртути и щелочного ме-
талла соответственно. Это соотношение выполняется лишь
в области сравнительно небольших концентраций металла-
добавки, где ф и б определяются адсорбцией щелочного
металла на ртути.
Для вычисления ф некоторых металлов и химических
соединений использованы изотермы поверхностного натя-
жения [630]. Формула
G = 8,064 • Ю^о^-’ф17’	(31)
связывает ф с поверхностной энергией о и предельной
прочностью металла на разрыв G при 0 К [285].
Связь поверхностной энергии а при температуре плав-
ления с работой выхода для жидких металлов описывает-
ся зависимостью [286]
/Тцл	\
о = 6,779 • ф1^’ V CiPi&Ti -f- p«Q ,	(32)
\ и	/
где R — эмпирический коэффициент, равный единице для
всех металлов, за исключением галлия и ртути (для них
он принимается равным двум); Тпл — температура плавле-
ния; Q — скрытая теплота плавления; рж — плотность
расплава; рг-, С[ — плотность и удельная теплоемкость
i-ro компонента соответственно.
Зависимость между ф и энергией кристаллической
решетки представлена [1247] выражением
Ф = 5Q/3,	(33)
где Q — теплота сублимации.
В работе [317] ф связывается с числом свободных элек-
тронов, приходящихся на атом металла, г и энергией Фер-
ми Ер}
Установлен [54] характер функциональной зависи-
мости поверхностных свойств, в частности работы выхода,
от электронной концентрации, выражаемой через основ-
ные характеристики плазменных колебаний электронов
твердого тела. Для металлов IV—VI периодов обнаруже-
на линейная зависимость ф от энергии плазмона Лсо0, при-
чем наклон прямой ф = / (ha>c) одинаков для всех перио-
дов:
Ф= 1,8 4-х/9Л<й>0-	(35)
Основным фактором, определяющим значение ф, является,
по-видимому [54], эффективная концентрация электронов,
участвующих в коллективных колебаниях.
Установлена [225] взаимосвязь ф с энергией активации
самодиффузии Е:
£=18-^--	(36)
Здесь г — радиус диффундирующего иона; г — число сво-
бодных электронов, приходящихся на атом; R — атомный
радиус.
В работах [622, 1207] предложено выражение для по-
тенциала нулевого заряда е:
в = е0 4- ф,	(37)
где — константа.
Рассмотрены различные численные соотношения для
работы выхода электрона (величины, определенной с по-
мощью потенциала нулевого заряда) в электрохимических
процессах [232, 929, 1207, 1904, 1905]. Роли работы выхо-
да в этих процессах посвящен обзор [1908].
Установлена [134] зависимость между нормальным
электродным потенциалом Е и ф:
Е = Ео 4- А ехР #ф,	(38)
где Ео — 4,25 (для всех водных растворов); А и В — кон-
станты.
12
Введение
В работе [827] <р связана с изобарно-изотермическим
потенциалом AZ°:
<p = 0,415AZ°.	(39)
Работа выхода для сплава, равновесного с газовой
фазой, представлена в виде суммы [630]:
Ф = ф, _ -In S ,VMe( exp 2	~ ф<)  +
м	*
PT I V,	2Ф1 ~ аМе+АТ
1 In S AL exp	’ /
+ 2	A. --------nr-------
(40)
где <рг — работа выхода для чистого металла — основного
компонента сшава. Второй член равенства отражает влия-
ние на <р металлических, а третий — неметаллических доба-
вок. В правую часть уравнения входят только характеристи-
ки электронейтральных пар частиц, поддающиеся термоди-
намическому определению. В идеальном растворе вели-
чины срп а/ постоянны, в реальном
Нвз S Раз — RT In ft;
<h = az°— RT Info ,	(41)
ф; = ф?-4-«т1пл.
где р.вз— химические потенциалы взаимодействия ионов;
fi — коэффициенты активности электронейтральной груп-
пировки в сплаве (Ме°, МеС1, МеО ...). Считая фь функ-
циями состава, можно учесть неидеальность раствора.
В ряде исследований установлена связь ф с электро-
отрицательностью х элемента. Л. Паулингом [643, 1676]
электроотрицательность определяется как способность
атома, входящего в состав молекулы, к присоединению или
отдаче электронов и представляется как полусумма пер-
вого ионизационного потенциала атома I и его электрон-
ного сродства Е:
х=1/2(/4-£).	(42)
Предложенное В. Горди и В. Томасом [1250] соотношение
х = аф 4- b	(43)
(а и b — эмпирические константы) дало возможность по
электроотрицательности элемента вычислить его ф. Этот
метод оценки был уточнен и применен [1697] в расчетах
ф для металлов при допущении, что работа выхода электро-
на равна энергии Ферми:
ф «2,69(0,21*5 4-0,77),	(44)
где х$ — электроотрицательность, определяемая [1774] как
отношение средних электронных плотностей атома металла
и гипотетического изоэлектронпого атома инертного газа.
Между х$ и электроотрицательностью х Паулинга суще-
ствует соотношение
х = 0,21 xs 4-0,77.	(45)
В работе [214] ф связывалась не только с электроотри-
цательностью, но и с ковалентным радиусом металличе-
ского атома RK:
Ф = х 4-	— 0,2.	(46)
Rk
Детальный анализ соотношений между ф и электро-
отрицательностью элемента проведен в работе [2119].
На основе модифицированной формы соотношения
Горди — Томаса с использованием некоторых параметров
химической связи предложена полуэмпирическая модель
(«модель возмущения») для предсказания ф бинарных сое»
динений состава АВ [2019]. Согласно этой модели, фАВ
определяется в первую очередь свойствами элемента А
с меньшей работой выхода фА, «возмущенного» элементом
В с большей фв:
Фав = Фл + (1Л l/dA) [ (2фА — ФВ — 0,34)/(фА 4-
4- Фв — 0,68)],
(47)
где dA — длина простой ковалентной связи в молекуле эле-
мента А. Уточнение «модели возмущения» привело к «ад-
сорбционной модели» [2020], в которой использована анало-
гия поверхности рассматриваемого бинарного соединения
с адсорбционной системой металл — газ. Величина фАВ
определяется более высоким значением фв элемента В,
которое снижается на величину Дф при «адсорбции» эле-
мента А на элементе В:
Фав = Фв — °.^А <°>74Фв “ 0,44фА — 0,64),	(48)
где rik — ионный радиус элемента А. Вычисления [2019,
2020] для боридов редкоземельных металлов, карбидов,
сульфидов, оксидов, силицидов, нитридов, пленочных
систем показали удовлетворительное согласие с экспери-
ментальными данными.
В работе [2086] показана линейная корреляция значе-
ний ф и электроотрицательности по Мюлликену («абсо-
лютной электроотрицательности) для металлов и неметал-
лов, которая учитывает также величину ионизационных
потенциалов и электронного сродства в основных состоя-
ниях атомов. Для пленочной системы установлено [1588]
эмпирическое соотношение между поверхностным потен-
циалом U, работой выхода электрона адсорбента и электро-
отрицательностью адсорбента х:
(7 = 0,29 (ф — 3,15х).	(49)
На основании анализа экспериментальных данных о рабо-
те выхода для пленочных систем и вычисленных значений
электроотрицательности элементов, составляющих эти
системы, сделан [425] следующий вывод: по мере возраста-
ния отношения электроотрицательностей химических эле-
ментов, составляющих пленочную систему, уменьшается
работа выхода электронов этой системы; если это отноше-
ние меньше единицы, то ф системы всегда больше ф состав-
ляющих ее химических элементов; если отношение больше
единицы, то ф пленочной системы меньше работы выхода
компонентов.
Результатами исследования концентрационных за-
висимостей ф для некоторых двойных металлических спла-
вов показано [446], что при введении коэффициента k, рав-
ного отношению электроотрицательностей исходных ком-
понентов (k = xi!xz, где xf-и х2— электроотрицательность
менее и более электроотрицательного металла соответ-
ственно), и учете кристаллографических данных металлов-
компонентов и имеющихся в исследуемой системе соеди-
нений можно предсказать ряд особенностей в характере
изотерм ф для таких сплавов. При k < 0,85, т. е. при рез-
ком различии Xj и х2, в системе образуется целый ряд ме-
таллических соединений, а изотерма работы выхода имеет
минимум в области состава, соответствующего соединению,
обладающему кристаллической решеткой с большей удель-
ной свободной поверхностной энергией. При k -> 1 раз-
личие в электрохимических свойствах металлов-компонен-
тов уменьшается, их способность к образованию металли-
ческих соединений снижается н изотермы ф спрямляются.
Уравнение, приведенное в работе [1765], учитывает
максимальную плотность о упаковки атомов на стабили-
зированной грани кристалла и первый ионизационный по-
тенциал / атома:
Ф= 1,58-f-2,47а/.	(50)
Введение
13
Применимость соотношения, устанавливающего связь
между ф, порогом эмиссии валентной полосы Ео и шириной
запрещенной зоны Eg [1575]:
Ь'о=ф + ^§/3,	(51)
была проверена на примере вырожденных полупроводников
л-типа — цезированных Ge, GaSb, InSb, InAs [1784].
Расчет температурной зависимости ф для широкозон-
ного ионного полупроводника с поверхностными донор-
ными уровнями на примере ВаО в широком диапазоне из-
менения его объемных и поверхностных параметров пока-
зал [419] целесообразность использования выбранной мо-
дели (по одному донорному уровню в объеме и на поверх-
ности) для объяснения свойств поверхности оксида —
чистой и в потоке атомов бария.
Уравнения, предложенные в работе [136], основы-
ваются на соотношениях
/ D \п
Ф = m —- zl
\ /
ь
Ф — а Ч---,
v R
(52)
(53)
где D — плотность; А — атомная масса элемента; г —
число свободных электронов, приходящихся на атом ме-
талла; R — атомный радиус металла; а и Ь, т и п — эм-
пирические коэффициенты, значения которых различны
для разных периодов системы элементов.
При полуэмпирическом методе расчета работы выхода
электрона для бинарных сплавов состава АРВ? [162] ис-
пользуются экспериментальные значения ф компонентов
и плотности р соединений:
<Раа
(54)
Для металлопленочных систем предложено [359] со-
отношение между изменением работы выхода Дф при ад-
сорбции и дифференциальной теплотой адсорбции q:
Q — Qk । ® ",	д >
да 8л,еа да
где а — концентрация адатомов; QK — ковалентная ин-
тегральная теплота адсорбции; Мо — начальный диполь-
ный момент; а — поляризуемость адатомов; е — заряд
электрона. Соотношение получено вычислением потенци-
альной энергии совокупности диполей, образующих двой-
ной электрический слой, при условии постоянства а. Фор-
мула, применимость которой проверена для системы W —
Cs, может быть использована для вычисления теплоты ад-
сорбции пленочных систем из концентрационных зависи-
мостей ф.
Для описания зависимости ф от концентрации адато-
мов и температуры при покрытии вольфрама торием ис-
пользована дипольная теория адсорбции [790]:
Ф = фо — 2леЛ4о,	(57)
где фо—работа выхода электрона адсорбента; е—заряд
электрона; М и о — соответственно дипольный момент и
концентрация адатомов. Однако ввиду необходимости
подгонки ряда параметров теории эта расчетная формула
должна рассматриваться как аппроксимационная.
При совместной адсорбции на поверхности твердого
тела двух химических элементов в условиях равновесия
работа выхода электрона системы описывается следующей
зависимостью [2081]:
I	ei	б?	\
Ф = Фо + (ф|	+ ф2 “Б----Фо М (О) -[-
\	“	0	/
где
+ V *>. (0) F't (в)
i=l
(58)
Ер — энергия Ферми; V — объем, приходящийся па фор-
мульную единицу; kf — переводной коэффициент, равный
36,46. Для случая пА — пв = 1 (п — число металлических
электронов) аддитивная работа выхода фад рассчитана с
учетом суммарной электронной плотности и средневзвешен-
ного значения С. При расчете по наиболее активной ком-
поненте А сплава получается факт:
Теоретический расчет ф для угольных частиц и гра-
фита на основании экспериментальных данных определе-
ния микроволновым методом степени ионизации водород-
ацетиленового окислительного пламени при атмосферном
давлении проведен в работе [1815].
где Фо, Ф1, Фз — работа выхода адсорбента и адсорбатов
соответственно; 0, 0Х и 02— степень покрытия поверхности
адатомами соответственно полная и каждым адсорбатом
в отдельности; М (0), Ь (0), F' (6)— функции, зависящие
от степени покрытия поверхности.
Классическая теория сил зеркального отображения
была использована [1126] для расчета ф диэлектриков на
проводящей подложке:
qz /1 — k \
— 4а 1 4~	’
Здесь q — заряд диполя с плечом a; k — диэлектрическая
постоянная массивного диэлектрика.
Увеличилось количество работ, авторы которых стре-
мятся проанализировать имеющиеся сведения для опреде-
ления наиболее достоверного значения ф химических эле-
ментов. К ним относятся публикации Г. Михаэлсона
[1586, 2085], цикл исследований С. Тразатти [1903, 1904],
работы А. Фрумкина [1207], Б. Конвея и Дж. Бокриса
[1091] и некоторые другие.
Наш краткий обзор не охватывает, естественно, всех
теорий и моделей, используемых при рассмотрении элек-
тронной эмиссии. Подробно они описаны в оригинальных
и обзорных статьях и монографиях, приведенных в списке
литературы.
ПРОСТЫЕ ВЕЩЕСТВА
ПОЛИКРИСТАЛЛЫ
Ф. эВ	А, А"СМ~2«К““2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления, ф	Примечания	Литература
			3. Литий Li		
1,40	—	300	КРП	Эталон — ртуть (<pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
2,28		—	ФЭ		[510, 1651
					1724]
2,32 ± 0,03				—	КРП	Средняя работа выхода для пятнистой поверх- ности. Эталон — вольфрам (<pw принята рав- ной 4,55 эВ)	[916]
2,34 — 2,38	—	—	ФЭ	—	[767]
2,35	—		тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1503]
2,39	—	—	КРП	—•	[828]
2,39			тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1586]
2.4	—	—	тэ	—	[2012]
2,42	  11		ФЭ	—	[1799]
2,49	—	—	тм	Вычислено по (52)	[136]
2,49	—	—	КРП	—	[916]
2,49		—	тэ	—	11715]
2,9	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[2085]
3,10			тм	Вычислено по (50)	[1765]
3,11	—	—	тм	Рассчитано методом самосогласованного поля на основе модели свободных электронов	[1829]
3,45	—	—•	тм	Рассчитано па основе потенциальной модели Шау	[1664]
2,38	—		—	Рекомендуемое значение	—
			4. Бериллий Be		
3,10		300	КРП	Эталон — ртуть ((pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
3,17	—		ФЭ	—	[1799]
3.30	—•	—	ФЭ		[1865]
3,37	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1586]
3,66 ± 0,05	——		КРП	Пленки бериллия напылены при Р = 10-8 мм рт. ст. и выдержаны в кислороде при ро* ~ 5  10—7 мм рт. ст. Эталон — золото (<рАи	[1129]
				принята равной 5,22 ± 0,05 эВ)	[1989]
3,67	—*	—	тэ	Очищенная от цезия поверхность в присутствии паров цезия	
					[1829]
3,75	—	—	тм	Рассчитано методом самосогласованного поля на основе модели свободных электронов	
					
3,75 — 8-10~5 Г	—	900—1200	тэ	Измерено на обезгаженной при Р = 10~9 мм рт. ст. тонкой фольге чистотой 99,7%	[1988]
3,89	—	—	КРП	Тонкая пленка бериллия. Эталон — алюми- ний (<jpA1 принята равной 4,08 эВ)	[1818]
3,9		—	тэ	—	[2012]
Поликристаллы
15
Продолжение
ср« эВ	At А-см 2-К 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
3,905 ± 0,05	—	—	КРП	Эталон — золото (фАи принята равной 4,695 эВ)	[1818]
3,92		—	тэ	—	[828]
3,92	—•	—	ФЭ	—	[510, 767, 1562]
3,92	—		КРП		[828]
3,92	—	—	тм	Вычислено по (52)	[ 136]
4,1	—	—	КРП	Бериллий испарен на хорошо очищенную W- п од ложку	[594]
4,21	—	—	тм	Рассчитано на основе потенциальной модели Шау Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1664]
4,98	—	—	тм		[2085]
4,98 ±0,10	— — -		ФЭ	Слои бериллия высокой чистоты испарены на слюду или Cu-подложку. Метод изотерми- ческих кривых Фаулера	[1273]
~5,0		—	АЭ	Толстые слои бериллия на W-монокристалле	[427]
5,08 ±0,08	—	—	КРП	Пленки бериллия напылены при Р = 10~8 мм рт. ст. Эталон — золото (<рАи принята равной 5,22 ± 0,05 эВ)	[1129]
6,73	—	—	тм	а-Фаза. Вычислено по (50)	[1765]
3,92	—	—	—	Рекомендуемое значение	—
5. Бор В
3,8 ±0,1 4,3 ±0,1	—	—	тэ ФЭ	Метод задерживающего поля ' в сферических конденсаторах	Р-Ромбоэдриче- ский бор	[43]
4,38	22	1550—1855	тэ	Толстый слой па Ag-подложке		[2005]
4,4—4,6	—	—	ФЭ	—.		[440, 925]
4,45	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-		[2085]
4,5 4,5 4,5	—	—	тм тэ	ных данных То же Рекомендуемое значение		[1586] [828]
6. Углерод С
3,41	—	—	тэ	Измерено на плоских образцах алмаза при Р < 10“6 мм рт. ст.	[1760]
3,88	—	отот.	тэ		[1504]
3,93	5,93	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1503, 1740]
4,00	60,2		тэ	» » »	[788]
4,00	—	0	тэ		[Н41]
4,1	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1503]
4,3	—	—	КРП	—	[828]
4,30	*	1100—1400	тэ	Метод полного тока	[273]
4,30—4,81	—	—	ФЭ		[767]
4,34	30	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[510, 1728]
4,35	—	—	тэ	—	[1239]
4,39	—			тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586] [2012]
4,4	—			тэ			
4,4	«от*			КРП		[1331]
4,45		от*	тэ	—	[1495]
4,48	18,6	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1109, 1740]
4,52	35	0	тэ	» » »	[1385]
4,55	—		КМ			[1521]
4,81	—	0	ФЭ			[510, 1495]
4,82	—	—	ФЭ	Интегральная работа выхода	|1760]
16
Простые вещества
Продолжение
Ф, эВ	At А "См 2-К“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
	4,84 5,0	—	—	тэ тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[978] [2085]
	8,5	—	—	тм	Частицы угля размером 10—100 нм. Рассчитано по результатам определения ми-	[1815]
					кроволновым методом степени ионизации во- дородо-ацетиленового окислительного пла- мени при атмосферном давлении	
	4,7		—	—	Рекомендуемое значение	—
Рис. 1. Зависимость работы выхода, измеренной
методом КРП, от толщины слоя углерода на молиб-
дене (/) и на молибдене, покрытом серебром (2)
[2087].
Рис. 2. Изменение во времени автоэмиссиопного
тока с углеродных волокон при фиксированных
потенциалах [941]: a-----*1,5 кВ; б-----0,8 кВ.
Рис. 3. Зависимость временя жизни автоэмиттеров
из графитовых волокон от давления в приборе [942].
			11. Натрий Na		
1,55	—	—	ТМ	Вычислено на основе зоммерфельдовской мо- дели в приближении свободных электронов	[1642]
1,60	—	300	КРП	Эталон — ртуть	принята равной 4,50 эВ)	[1438]
1,8	—	—	—	—•	[1642]
1,82 1,97	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1503]
	——	——	тм	Оценено с использованием излучения Не — Ne-лазера	1	[1893]
2,01					
	—	—	тм	Оценено с использованием излучения | GaAs-лазера	J	
					
2,06		—	ФЭ		[1799]
2,09	—	—	тэ	Измерено на плоских образцах при Р <	[1760]
				< 10~6 мм рт. ст.	
2,137 ±0,003	—	82	ФЭ	—	[1215]
2,177 ±0,004	—	206	ФЭ		[1214]
2,2	—-	—	тэ		[2012]
2,217± 0,004	—	300	ФЭ		[1214]
2,25	—	—	ФЭ	Пленка толщиной 120,7 нм, осажденная в сверхвысоком вакууме. На поверхности име-	[1972]
2,25				ется примесь серы	[974]
	—	—	ФЭ		
2,26	9 11 ~		КРП	—	[1673]
2,27	—			тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1586]
2,28	—			ФЭ	—	[1571]
2,28	—	—	тэ	—	[1715]
2,29		—	ФЭ	Толстые слои натрия на алюминии	[1562]
2,29	—			ФЭ		[510]
2,33			ФЭ		[767]
2,33 ±0,05		— 		ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на пленках, полученных в сверхвы- соком вакууме	[1737]
2,34 2,35				КРП 1 ТЭ [	—	[828]
2,35	—	—	тм	Вычислено по (52)	[1361
2,36 ±0,02		293	ФЭ	Отожженные при Т = 293 К пленки толщи- ной более 100 монослоев на кварце. Метод изотермических кривых Фаулера	[1649, 1650]
Поликристаллы
17
Продолжение
ф, эВ	А, А-см—2-К- 2	Темпера- турный интервал измерений,К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
2,38		298	ФЭ	Твердый) Измерено методом изотермических	
2,38	—		ФЭ	Жидкий кривых Фаулера при Р = 10~8 мм	[534]
				рт. ст.	
2,40	—	——	ФЭ		[1019]
2,45 ±0,04	—•	80	ФЭ	Отожжено при\ Пленки толщиной более 100	
				Т = 293 К	монослоев на кварце. Метод	[1649]
2,45 ±0,05	—	80	ФЭ	Осаждено из изотермических кривых Фау-	
				газовой фазы лера	
2,46	—	—	ФЭ	—•	[1724]
2,47	—		ФЭ	— —	[1651]
2,52	—		тм	Вычислено по (18)	[671]
2,55		—-	тм	Вычислено по (50)	[1765]
— 2,75	—	—	ФЭ	Пленка толщиной 120,7 нм, осажденная в	[1972]
				сверхвысоком вакууме	
2,75	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	|2085]
				ных данных	
2,85	1 	—	тм	Рассчитано на основе потенциальной модели	[1664]
				Шау	
2,93	* 	—	тм	Рассчитано методом самосогласованного поля	[1829]
				на основе модели свободных электронов	
2,35	—		—	Рекомендуемое значение	
12. Магний Mg
2,7
2,74
<3,0
3,19
3,2
3,33
3,35
3,46
3,46
3,46
3,5
3,55
3,58
3,59
3,60
3,62
3,63
3,64
3,64
3,66
3,66
3,66
3,67 ±0,02
3,68
3,69
3,70
3,70
3,7
3,78
3,79
300
тм
ФЭ
ФЭ
ФЭ
тм
тм
тм
тэ
ФЭ
тэ
КРП
КРП
ФЭ
ФЭ
ФЭ
тм
ТЭ 1
КРП/
тм
ФЭ
ФЭ
ФЭ
ФЭ
ФЭ
тм
тм
тм
КРП
ФЭ
Предложено на основании анализа литератур-
ных данных
Рассчитано методом самосогласованного поля
на основе модели свободных электронов
Вычислено по (52)
Предложено на основании анализа литератур-
ных данных
Эталон — ртуть (<pHg принята равной 4,50 эВ)
Чистый магний	}
Вычислено на основе зоммерфельдовской мо-
дели в приближении свободных электронов
Предложено на основании анализа литератур-
ных данных
Пленка толщиной 100 нм, испаренная на кварц
при Р ог 10“6 мм рт. ст.
Вычислено по (50)
Рассчитано на основе потенциальной модели
Шау
Вычислено по (46)
[1503]
[1799]
[1427]
[1419]
[1642]
[1829]
[136]
[1586]
[828]
[907]
[2012]
[1183]
[1438]
[1053]
[1054]
[1642]
[828]
[2085]
[1216]
{1339]
[1055]
[510, 15621
[767]
[1765]
[1664]
[214]
(913]
[1055]
2 1590
18
Простые вещества
Продолжение
<р, эВ	А А-см“2-К—2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления <р	Примечания	Литература
3,905 ±0,05	—	—	КРП	Пленка на стекле. Эталон — вольфрам (<pw принята равной 4,55 эВ)	[913]
3,64	—	—	—-	Рекомендуемое значение	—
			13. Алюминий А1		
2,98	* »		ФЭ		[1545]
3,0	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1503]
3,00	—	—	ТЭ	—	[2012]
3,38	—	300	КРП	Эталон — ртуть ((pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
3,43	—	—	ФЭ	—-	[1297]
3,44	——	—	тм	Рассчитано па основе потенциальной модели Шау	[1664]
3,5	—	—	ФЭ	Пленка алюминия толщиной около 100 нм на	[2080]
				подложке из полированной нержавеющей ста- ли. Определено по порогу фотоэмиссии при	
					
				Р = 2 • 10“5 мм рт. ст.	
3,57	—		ФЭ	Интегральная работа выхода	[1760]
3,64	—	—	тм	Рассчитано методом самосогласованного поля на основе модели свободных электронов	[1829]
3,66			тм	Вычислено по (50)	[1765]
3,70	—		ФЭ	—	[744]
3,74	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1586]
				ных данных	
3,82	—		тм	Вычислено по (18)	|671)
3,9	 ~~	—	КРП	——	[1183]
4,0	—	—	ФЭ	Испаренная на стекло пленка	[1182]
4,08 4,08	—		ФЭ) КРП/	—	[1019]
4,09 ±0,05	—		КРП	Средняя работа выхода пятнистой поверхнос- ти. Эталон — золото (<рАц принята равной	[1818]
				4,695 эВ)	
4,1	—	—	ФЭ	—-	[1884]
4,1	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1569]
4,13	—	—	ФЭ	—	[1419]
4,16	—-	—	тм	Вычислено по (46)	[215]
4,17±0,05	—•	—	КРП	Пленка толщиной около 100 нм испарена на грань {lllJSi	|1894] [1903]
4,19	—	—*	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	
					
4.19-4,20	—-	—	ФЭ	—	[1839]
4,19 ±0,03		300	КРП	Толстая многослойная пленка, напыленная . в вакууме на стекло. Эталон — хорошо обез- гаженный листовой вольфрам (ср^у принята равной 4,54$ эВ)	[1343, 1746]
4,2	—		тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных; определено по графику: работа выхода — атомный номер	[1091] [1672]
4,20	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	
					
4,20		—	ФЭ	—	[1746, 1868]
4,2—4,3		—»	ФЭ	Метод изотермических кривых Фаулера	[П
4,21	—	—	тэ	—	[828]
4,21 ±0,05	——	—-	ФЭ	Тонкие слои алюминия	[42]
4,22	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[930]
4,23	—	—	КРП	——	[828]
Поликристаллы
19
Продолжение
Ф, эВ	А, А-см—2-К~ 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,24 ±0,03		300	КРП	Толстая многослойная пленка, напыленная в вакууме на листовой вольфрам. Эталон — хорошо обезгаженный листовой вольфрам (<pw принята равной 4,54б эВ)	[1343]
4,24 ±0,03			КРП	Пленка алюминия испарена на вольфрам. Сред- няя работа выхода пятнистой поверхности. Эталон — поликристаллический вольфрам (<pw принята равной 4,55 эВ)	[1590]
4,25	—	—	ФЭ	—	[767]
4,25	—	—	тм	Вычислено по (52)	[136]
4,26±0,02		——	КРП	Эталон — грань {310JW. Измерено на сверх- чистой пленке	[2076]
4,27 ±0,02	—	—	ФЭ	Пленка алюминия толщиной 5 нм на кварце- вой подложке	[953]
4,28	—•	——	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[2085]
4,28 ±0,01	—	—	ФЭ	Пленка на кварце	[1149]
4,3	—	—	тм	Вычислено по (46)	[214]
4,30			ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на пленке, испаренной при Р < 5 X X 10~10 мм рт. ст.	[1203]
4,34	—	—	КРП	—	[1895]
4,36	—	—	ФЭ	—	[1225]
4.69		—	КРП	Эталон — алюминии (фА] принята равной 4,08 эВ). Тонкая пленка алюминия	[1818]
4,25		—•		Рекомендуемое значение	——
Ряс. 4. Температурная зависимость работы
выхода, измеренной методом КРП, для по-
верхности алюминия, подвергнутой различ-
ной обработке [1480]: 1 — нагрев травленого
образца; 2 — охлаждение в вакууме; <3 —
электронная бомбардировка: 4 — нагрев
после электронной бомбардировки: 5 — ад-
сорбция ^воды; 6 — нагрев после адсорбции
воды.
9>,зв
4/ -
_____________।____________________I_______________
200	400 Т,К
Рис. 5. Зависимость работы выхода при ФЭ от темпе-
ратуры отжига в течение 0,5 ч чистой Al-плеики [1203].
1,12	—	—
3,59	8,0	0
3,6	—	—
4,0—4,3	0,2—10	—
4,02 ±0,02	5,6±3,3	1373—1623
4,1	—	—
4,2	—	—
4,2		—
4,3	—	—
4,37-4,67	—	—
4,4 ±0,1		—
4,5		523
14. Кремний Si
ТЭ	—
ТЭ	Метод прямой Ричардсона
ТЭ	“ 
ТЭ	Измерено методом прямой Ричардсона при Р ~ Ю~10 мм рт. ст.
ТЭ	Имеются небольшие примеси алюминия, фос- фора и др. Метод прямой Ричардсона. Среднее из 6 измерений
ТМ	Предложено на основании анализа литера- турных данных
КРП	Образец кремния с проводимостью р-типа. Эталон — вольфрам (<pw принята равной 4,54 эВ)
тэ	Совершенно безднелокационный кремний
КРП	—
ФЭ	—
ФЭ	Аморфные пленки толщиной порядка 102 нм
КРП	—
[1092]
[1021]
[2012]
[1041]
[1165]
[1586]
[1585]
[78]
[828]
[440, 797]
[1685]
[1825]
2
20
Простые вещества
Продолжение
ф, эВ	А, А • см~2 • К-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,5	—	—	КРП	। Эталон — Си2О кФсицО принята равной 4,9 эВ)	[1585]
4,5 4,6	—	6231 1023)	ФЭ	—	[1825]
4,6	38		тэ	Измерено методом прямой Ричардсона при Р < 10“10 мм рт. ст. на цилиндрических об- разцах, ось которых совпадает с направлением грани {111} монокристалла	[ 1042] [2105]
4,60 ±0,05	—	—-	КРП	Эталон — платина. Измерено на полирован- ных пластинах кремния марки КЭФ-0,5	
					[1087]
4,72 ±0,05	 ’1		АЭ	Толстая пленка, напыленная на вольфрам при Т = 295 К	
					
4,80	—	—•	ФЭ	—	[767]
4,8	—	—,	КРП	Образец кремния с проводимостью п-типа. Эталон — вольфрам (cpw принята равной	[1585]
				4,54 эВ)	[214] [2110]
4,8		——•	тм	Вычислено по (46)	
4,85	—		КРП	Образец кремния с проводимостью п-типа	
4,85	——	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
5,1	—	11 |и	АЭ	—	[1617]
4,8	—	—	—	Рекомендуемое значение	
9,ЭВ
2,5___1_____________I_____I__________।
О	1	25	49	Ю0	t,MUH
Рис. 6. Зависимость работы выхода, измерен-
ной методом КРП, для кремния, легирован-
ного литием, от продолжительности выдержка
образца после очистки [1494].
Рис. 7. Температурная зависимость работы выхода, измеренной методом КРП,
для образцов кремния р- и п-типа [9371:
а — p-Si с различной проводимостью (О — совершенная поверхность, д — по-
верхность разрушена в процессе скола);
б — р- и n-Si с проводимостью 0,7 Ом~1 • см (Д) и 0,05 Ом““1 • см (О);
в — легированный кремний: 1 — образцы n-типа с проводимостью 0.1 —
0,7 Ом * • см, 2 — образцы p-типа с проводимостью 300 Ом 1 • см.
16. Сера S
6,02
ТМ
Оценено по уравнению (43) с использованием
величины электроотрицательности серы
(2,47 ед. Полинга)
(2020)
Поликристаллы
21
Продолжение
ф. эВ	А, А «см 2-К 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания
Лит ература
19. Калий К
0,5-14
1,05
1,60
1,61
2,0
2,11
2,12
2,137 ±0,003
2,15
2,177 ±0,004
2,177 ±0,004
2,18
2,2
2,21
2,216 ±0,004
2,217 ±0,004
2,22
2,24
2,24
2,24
2,24
2,26
2,27
2,28
2,28
300
82
206
204
300
300
2,28
2,29
2,30
2,3
2,30
2,30 ±0,02
298
298
2981
337/
ТМ
КРП
тэ
ФЭ
тм
ФЭ
КРП
тм
ФЭ
КРП
АЭ
тэ
тм
КРП
ФЭ
тэ
ФЭ
КРП
тм
тэ
ФЭ
тм
ФЭ
ФЭ
ФЭ
ФЭ
тм
тм
ФЭ
2,39
2,39 ±0,01
ФЭ
ФЭ
2,55
2,76
2,22
2,2
тм
тм
Вычислено на основе зоммерфельдовской мо- 
дели в приближении свободных электронов.
Эталон — ртуть принята равной 4,50 эВ)
Измерено на плоских образцах при Р <
< 10—6 мм рт. ст.
Вычислено по (50)
Предложено на основании анализа литератур-
ных данных
Пленка на стекле. Метод изотермических кри-
вых Фаулера
Вычислено по (18)
Пленка на стекле. Метод изотермических кри-
вых Фаулера
Вычислено по (52)
Вычислено по (53)
Жидкий Измерено методом изотермических
Твердый кривых Фаулера при Р = 10~8 мм
рт. ст.
Р = 10~9 мм рт. ст.
Метод изотермических кривых Фаулера
Вычислено по (46)
Предложено на основании анализа литера-
турных данных
Измерено на твердых и жидких слоях калия
высокой чистоты, осажденных на стекло в
сверхвысоком вакууме, методом изотермиче-
ских кривых Фаулера
Покрытие толщиной 2—3 моноатомных слоя
на полированном стекле. Р= 1(Г~10мм рт. ст.
Пленка чистотой 99,97% на стекле. Измере-
но методом изотермических кривых Фаулера
при Р — 1О“10 мм рт. ст.
Рассчитано на основе потенциальной модели
Шау
Рассчитано методом самосогласованного по-
ля на основе модели свободных электронов
Рекомендуемое значение
20. Кальций Са
ФЭ
Пленка массовой толщиной 5,5 нм, терми-
чески испаренная при Р КГ"11 мм рт. ст.
на подложку из SiO2. Найдено по кривым
энергетического распределения электронов
[1642]
[1438]
[1760]
[1382]
[1765]
[1865]
[1215[
[1586]
[1214]
[1215]
[1287]
[609, 1215,
2012J
[671J
[1215]
[1214]
[828]
[1018, 1651,
1724]
[828]
[136]
[1715]
[510, 767,
1572]
[136]
[534, 538]
[1560]
[5Н]
[214]
[1750, 2085]
[1511, 1650]
[2108]
[ЮН]
[1664]
[1829]
[2129]
22
f Простые вещества
Продолжение
ф, эВ	А, А-см 2-К	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
2,24	6,02		ТЭ	Метод прямой Ричардсона	(767]
2,24	60,2		ТЭ	» » »	(1137
2,24			ТЭ		(1832
2,24	—		тэ	Измерено на плоских образцах при Р < < 10~6 мм рт. ст.	[1760]
2,26	—	—	ФЭ	Металлическая поверхность подвергнута воз- действию кислорода	[1732]
2,4—2,5	—	—	АЭ	—	(528]
2,42 2,5 2,50	—	—	ФЭ ТМ	Вычислено на основе зоммерфельдовской мо-> дели в приближении свободных электронов)	[1799] [1642]
2,55			ФЭ	Пленка массовой толщиной 3 нм термически напылена при Ро^10~11мм рт. ст. на под- ложку из SiO2. Найдено по кривым энергети- ческого распределения электронов	[2129]
2,70	—•	—	' тм	а-Фаза. Вычислено по (50)	[1765]
2,7	—	—	ФЭ	—	[510]
2,706		—	ФЭ		[1395]
2.71		—•	КРП		[828]
2,75	—.	—	тм	Вычислено по (52) и (53)	[136]
2,76	—	—	ФЭ	—	[1967]
9,76	—.	——	тэ	а-Фаза	[828]
2,76	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1586]
2,«47	—		тм	Вычислено по (18)	[671]
2,87	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
2,87 ±0,06	——	——	ФЭ	Слои кальция толщиной 2,5—5,5 нм на кварце. Измерено методом изотермических кривых Фаулера при Р = 1О"~10 мм рт. ст.	[1222]
2,9			ФЭ	—.	[1832]
2,9	—	—	тм	Вычислено по (46)	[214]
2,96	——		ФЭ	—	[767]
2,98	—		ФЭ	Пленка массовой толщиной более 10 нм тер- мически испарена при Р 10“11 мм рт. ст. на подложку из SiO2. Найдено по кривым энергетического распределения электронов	[2129]
3,02 3,11	0,12		тэ	Метод прямой Ричардсона	[1140, 1740]
	—	——	тм	Рассчитано .методом самосогласованного поля на основе модели свободных электронов	[1829]
3,2 3,20 3,21 3,33			__	тэ		[2012]
	—	- -	ФЭ	—	[1731]
	—	- -	ФЭ	—	]1529]
	-—	300	КРП	Эталон — ртуть (cpHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
3,7 ±0,3			ФЭ	Пленка толщиной 6—8 мкм на кварце, испа- ренная при Р = 5 • 1О~10 мм рт. ст. Измерено методом изотермических кривых Фаулера в электрическом поле напряженностью Е = = 9850 В • см-1	(1223]
2,80	—	—	—	Рекомендуемое значение	—
Рис. 8. Зависимость работы выхода от
толщины напыленного слоя кальция:
а — измерено методом ФЭ на пленках,
напыленных в сверхвысоком вакууме
Г1221 ];
б — измерено методом КРИ на слоях,
напыленных hi кварц [1751J.
Поликристаллы
23
Продолжение
Ф, эВ	А А.см~2-К“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
21. Скандий Sc
3,1264-8,0.10“5Т
3,15
3,2
3,23
3,3
3,33
3,33
3,4
3,44
3,45
3,5
3,5 ±0,15
3,57
3,6
3,3
1150—1500
1200
ТЭ
ТМ
тм
тм
тм
тм
тм
тм
тм
тэ
тм
ФЭ
тм
тм
Измерено на фольге при Р = 10“7 им рт. ст.
Вычислено по (52)
Вычислено по (43)
То же
Найдено по графику: работа выхода — атом-
ный номер
То же
а-Фаза. Вычислено по (50)
Вычислено по (53)
0-Фаза. Вычислено по (50)
Эффективная работа выхода
Предложено на основании анализа литера-
турных данных
Поликристаллические пленки толщиной около
100—200 нм на подложках из оптически про-
зрачного кварца. Измерено методом изотер-
мических кривых Фаулера при Р = 10“10 мм
рт. ст.
Вычислено по (18)
Вычислено по (46)
Рекомендуемое значение
[684
[136
[1250
[1268
[101, 15861
[828]
[1765]
(133)
[1765]
[227]
[2085]
[1148]
[671]
[214]
W----------------
#1---------1----
1000	1200 Т,К
Рио. 9. Температурная зависимость работы выхода
при ТЭ для скандия [2078].
22. Титан Ti
2,4	—	—	тм	Предложено н турных данных	а основании анализа литера-	[1503]
2,2—3,5 2,7—3,9 3,0—4,2	—	—	КРП КРП КРП	Свеженапылен- ная пленка Пленка через 30—60 мин после напыле- ния Свеженапыленн при Р — 10~6 (фАп принята	Пленки на Ag-подложке. Р — 10~7 мм рт. ст. Эталон — серебро (фАб при- нята равной 4,30 эВ) ая пленка на Аи-подложке мм рт. ст. Эталон — золото эавной 5,30 эВ)	[1Ю1]
3,10—4,36		300	ФЭ	Измерено на ленте при	мм рт. ст.		[1559]
3,5—3,6		•—м	ФЭ	Пленка на Ni-подложке		[1555]
3,52	—	——-•	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая по- верхность)		[1317]
3,52—3,81		90	ФЭ	Дисперсная отожженная пленка толщиной около 7 нм на стекле. Измерено при Р < < 10~9 мм рт. ст.		[1874]
3,65 ±0,05			АЭ	0-Фаза. Пленка на W-острие		[910]
3,7	—	——	тэ	Очищенная от цезия поверхность в присут- ствии паров цезия		[1989]
3,7-4,7		——	КРП	Пленка на Au-подложке. Р = 2 • 10“9 мм рт. ст. Измерено через 30—60 мин после напыления. Эталон — золото (фАи принята равной 5,30 эВ)		[1Ю1]
24
Простые вещества
Продол кение
ф. эВ	А А.см~2-К—2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
3,72			ФЭ	Поверхность обработана и очищена ионной бомбардировкой в тлеющем разряде инертно- го газа при Р ~ 10 мм рт. ст.	(853—855)
3,77—5,5	—•	900—1170	ТЭ	Измерено на проволоке из ₽-Ti при Р 10~' мм рт. ст.	[1665]
3,78	—	—	тм	Вычислено по (53)	1136]
3,81	—	—	тм	а-Фаза. Вычислено по (50)	(1765]
3,83		—	тм	Вычислено по (52)	1136]
3,86	——		ФЭ	Чистый дуктильный титан	|876]
3,87	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 383 К)	(1317]
3,88	—	—	тм	Вычислено по (46)	(215]
3,9		—	тм	Го же	[214]
3,9			тэ		[2012]
3,92		—	ФЭ	—	[767]
3,95		——	ФЭ	а-Фаза	(1799]
3,95	——		тэ	—	(1474]
3,95	—	1450	тэ	Пленка 0-Ti на графитовой подложке	[1392]
3,95	44	0	ЭФ	Эмиттер — стенки графитовой камеры, по- крытые распыленным титаном	[1391]
3,96 ±0,04		—	АЭ	Измерено на ультрачнетом титане методом задерживающих потенциалов при Р < 2 X X 10~1С мм рт. ст.	[1195)
3,99	—	—	тм	Вычислено по (18)	[671]
4,0	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	(1569]
4,00 ±0,05	—	1  	АЭ	а-Фаза. Пленка на Re-острие	[910]
4,01—МО-5 Т		1400—1800	тэ	—	(271]
4,09		—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586]
4,09	——•	—	тэ	—	[828]
4.10	— —	1100—1400	тэ	Метод полного тока	[273]
4,10	— —	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[ 1903]
4,14	—	300	КРП	Эталон — ртуть (q)Hg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,16	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1672]
4,17	—	—	ФЭ	Пленка на Ni-подложке	(1733]
4,17	—	—	ТЭ		[768, 1520]
4,2—5,6	——	——	КРП	Свеженапыленная пленка на Аи-подложке. Р = 2 • 10“9 мм рт. ст. Эталон — золото (срАи принята равной 5,30 эВ)	[П01]
4,23	—	—	КРП	Эталон — поликристаллический вольфрам (cpw принята равной 4,54 эВ)	[1016]
4,33	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
4,33 ±0,1			ФЭ	Поликристаллические пленки толщиной около 100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотер- мических кривых Фаулера при Р = Ю“10 мм рт. ст.	[1148]
4,45	—		ФЭ	—	[1559]
5,14—6,9-10“4Т	—	1100—1585	тэ	Тонкая фольга чистотой 99,6%, обезгаженпая при Р= 10“9 мм рт. ст.	[1988]
5,2—5,8		1100—1400	тэ	Измерено на проволоке из 0-Ti методом пол- ного тока при Р < 10“7 мм рт. ст.	[1665]
5,26—1,035-1О'3 Т	—	1100—1585	тэ	Компактные образцы чистотой 99,6%	[ 1988]
3,95	—	-	—	Рекомендуемое значение	—
Поликристаллы
25
Продолжение
Ф. эВ	А, А • см“2 • К“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
23. Ванадий V
3,77 3,78	—	0	ФЭ ФЭ	__	[1799] [767]
3,79		—>	тэ	—	|439[
4.10	—-	—	тм	Вычислено по (52)	[136]
4.11	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера-	[1586, 1672]
4,12			тэ	турных данных	[828, 1474]
4.12	50	0	ЭФ	Эмиттер — стенки графитовой камеры, по-	[1391]
4,15	—	—	тм	крытые распыленным ванадием Вычислено по (50)	[1765]
4,17 ±0,04	—		АЭ	Измерено на ультрачистом ванадии методом	[1195]
4.18			тм	задерживающих потенциалов при Р < 2 X X Ю-10 мм рт. ст. Вычислено по (53)	[136]
4,2 4.3	—	—	тм тм	Вычислено по (46) Предложено на основании анализа литера-	[214] [2085]
4,3 ±0,1	—	—	ФЭ	турных данных Поликристаллические пленки толщиной около	[1148]
4,33			ТМ	100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотер- мических кривых Фаулера при Р = 1О~10 мм рт. ст. Вычислено по (18)	[671]
4,44	—		тм	Предложено на основании анализа литера-	[1903]
4,44	—	300	КРП	турных данных Эталон — ртуть (cpHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,12		•—-	—	Рекомендуемое значение	—
3,57			24. X ТЭ	ром Сг Очищенная от цезия поверхность в присутст-	(1989)
3,72				—	ФЭ	вии паров цезия	[767]
3,84			ФЭ	Технический хром	[876]
3,90 ±0,04	—	1100—1400	ТЭ	Измерено методом полного тока при Р =	[1988]
4,13			ТМ	= 10“9 мм рт. ст, на компактных образцах чистотой 99,99% 0-Фаза, Вычислено по (53)	[136]
4,18	* »		ФЭ	—	[1419]
4,19		77	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая по-	[1317]
4,2 ±0,1			__	АЭ	верхность) Сферический электронный проектор	[256]
4,36	—	—-	тм	у-Фаза. Вычислено по (53)	[136]
4,37	—	300	ФЭ	—	[440, 510,
4,38	—	300	КРП	Эталон — ртуть (<pHg принята равной 4,50 эВ)	1318, 1732] [1438]
4,38	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[930]
4,4	—	—	ФЭ	ных данных Диспергированная пленка толщиной 0,7—1 нм	[641]
4,4		—	ФЭ	на стекле Пленка на кварце	[397]
4,4	—		тм	Вычислено по (46)	[214]
4,40	—	—	ФЭ		[1839]
4,42	—	—	тм	а-Фаза. Вычислено по (50)	[1765]
4,14	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про-	[1317]
4,45		—	тм	грета при Т — 373 К) Предложено на основании анализа литератур-	[1672]
4,49	—			тм	ных данных а-Фаза. Вычислено по (53)	[136]
26
Простые вещества
Продолжение
ф, эВ	А А«см 2-К~2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,5	—	——	ТМ	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[2085]
4,5±0,15			ФЭ	Поликристаллические пленки толщиной около 100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотерми- ческих кривых Фаулера при Р = 10“10 мм рт. ст.	[1148]
4,51	—		КРП	—	[1495]
4,51	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586]
4,51	—	—	ФЭ	—	[907, 1495]
4,56	—	—•	тм	Вычислено по (18)	[671]
4,58 ±0,02	60±2	0	ЭФ	Эмиттер — стенки графитовой камеры, по- крытые хромом электролитически или распы- лением	[1391, 1474]
4,59	—•	—	тэ		[1495]
4,59	—	—	тм	у-Фаза. Вычислено по (53)	[136)
4,60	48	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[510, 1939]
4,6	—-	—	тэ	—	[440, 2012]
4,62	—	—	тэ	—	[828]
4,65	——	90	КРП	Эталон — вольфрам (<pw принята равной 4,54 эВ)	[1467]
4,68	—	—	ФЭ	—	[1509]
4,7	—		тэ	—	[1467]
4,70			тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1903]
5,05 ±0,04		—	АЭ	Измерено на ультрачистом хроме методом за- держивающих потенциалов при Р < 2 X X КГ"10 мм рт. ст.	[1195]
4,58			25. Мар	Рекомендуемое значение ганец Мп	
3,35	—•		ТМ	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1672]
3,54±0,04			АЭ	Пленка марганца, термически напыленная в вакууме на подложку из нержавеющей стали. Измерено методом задерживающих потенциа- лов при Р <Z 2 • 1О“10 мм рт. ст.	[1195]
3,76	•	0	ФЭ	—	[767, 1799]
3,8	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1569]
3,82		77	ФЭ	Неупорядоченная структура (пепрогретая по-	[1317]
3,83	—	—	тэ	UVU yVilvzw 1 Dy	[828, 1474]
3,83	34	0	ЭФ	Эмиттер — стенки графитовой камеры, покры- тые марганцем электролитически или распы- лением	[1391]
3,88		—	—	—	[1299]
3,90	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[ 1903]
3,95	—	—	тм	То же	[1586]
4,08	—	м*	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 373 К)	[1317]
4,1		—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[2085]
4,1 ±0,2			ФЭ	Поликристаллические пленки толщиной около 100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотерми- ческих кривых Фаулера при Р = 1О“10 мм рт. ст.	[1148]
Поликристаллы
27
Продолжение
Ф, эВ	А, А-см-"2’К“2	Темпера- турный интервал	Метод опреде-	Примечания	Литература
		измерений.К	леиия ф		
4,14	—	300	КРП	Эталон — ртуть (<pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,24 ±0,02			ФЭ тм	Измерено на пленках а-Мп толщиной 20— 30 нм, испаренных на кварц при комнатной температуре и	10~9 мм рт. ст.	[1292]
4,28	—	—1		у-Фаза. Вычислено по (53) ]	
4,34	—		тм	у-Фаза. Вычислено по (52) >	[136]
4,44	—	—	тм	р-Фаза. Вычислено по (53) J	
4,5	—		тм тм	Определено по графику: работа выхода — атомный номер	[2085]
4,52	—	—		а-Фаза. Вычислено по (52)	[136]
3,83	—	—	—	Рекомендуемое значение	
			26. Железо Fe		
3,50	—	—	ТЭ	Очищенная от цезия поверхность в присут- ствии паров цезия	[1989]
3,7		—	ТМ	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1503]
3.91	—	300	ФЭ	—	[1967]
3,92	—	—	! ФЭ	—	[1966]
3,99	«««	—	ТМ	«Электрохимическая» работа выхода электро-	[131]
				на, вычисленная с учетом изменения потен- циала нулевого заряда при адсорбции воды	
4,0->4,7			ФЭ	Изменение значения <р тонких пленок a-Fe при изменении давления в приборе от 10~7 до 10 мм рт. ст.	[1292]
4,04		0	ТЭ	—	[767, 1127,
					1817]
4,06		78	ФЭ	Пленка па стеклянной подложке	[1628]
4,11		—	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая по- верхность)	[1228] [1317, 1479,
4,12		—	ФЭ	То же	
					1871]
4,13		77—90	ФЭ	Измерено на пленках с неупорядоченной струк- турой (непрогретой поверхностью) толщиной 10 нм при Р = 10~10 мм рт. ст.	[1873]
4,16 4,16 ±0,02	—	—-	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая по- верхность)	[1645, 1870]
	—-	373	КРП	Пленка на стекле. Эталон — поликристалли- ческий вольфрам (<pw принята равной 4,54& эВ)	[1746]
					
4,2	—	—	ФЭ	Интегральная работа выхода	[1760]
4,23 ±0,05	1,5	0	тэ	у-Фаза. Метод прямой Ричардсона	[1938]
4,31	60,2	0	ЭФ	Эмиттер — стенки графитовой камеры, по- крытые y-Fe электролитически или распыле-	[1474]
				нием	
4,33		—	тэ	—	[828]
4,36	—	293	ФЭ	Пленка на стеклянной подложке	[1628]
4,36	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586] [1207]
4,40	—	—	ТМ	То же; определено по графику: работа выхо- да — атомный номер	
					
4,40	—	300	КРП	Эталон — ртуть (<pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438, 1495]
4,40	—	—	тэ	—	[1495]
4,44 4,45	—	—	тм тм	Вычислено по (53) 1 Вычислено по (52) J "	[136]
4,45		—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных; определено по графику: работа	[1091]
				выхода — атомный номер	
4,46	——	—	тэ	a-Фаза. Найдено по изменению электронных и ионных токов в точке перехода a-Fe -* y-Fe	[1321]
4,47			тэ	a-Фаза	[1817]
28
Простые вещества
Продолжение
ф, эВ	А, А >см 2-К	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,47 ±0,09 4,48 ±0,06 4,5 4,5	—	1500 0	ТЭ тэ КРП	Эффективная работа выхода для компактных образцов чистотой 99,99% 0-Фаза. Метод прямой Ричардсона	[1988] [1938] [1299] [1331]
4,5	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[2085]
4,5 ± 0,15			ФЭ	Поликристаллические пленки толщиной около 100—200 нм на подложке из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотер- мических кривых Фаулера при Р — 10~10 мм рт. ст.	[1148]
4,51 4,51 4,53	—	1 1 1	тм тм тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных Вычислено по (46) а-Фаза. Вычислено по (53)	[930] [215] [136]
4,55	—	—	тэ	у-Фаза. Найдено по изменению электронных и ионных токов в точке перехода a-Fe -> y-Fe	[1321]
4,56	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 393 К)	[1479, 1871]
4,6	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1569]
4,6	—	—•	тэ	—•	[2012]
4,6 ±0,2 4,62 ±0,01		1300	тэ ФЭ	Жидкое железо с примесями кремния, фосфо- ра, углерода, марганца (сотые доли процента), кислорода (0,004%), водорода (0,003%). Эффективная работа выхода 0-Фаза	[557] [1051]
-4,63	—	300	ФЭ	—	[510, 1732]
4,63	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 393 К)	[1317]
4,63	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1672]
4.65 4,68 ±0,01	—	—	тм ФЭ	То же у-Фаза	[1903]
4,70 ±0,01	—	300	ФЭ	Спектрально чистое железо, содержащее а-, 0- и у-фазу н переходные фазы в интервале 300—1243 К	[1051]
4,7 ±0,1			ФЭ	Пленка чистотой 99,999% термически напылена на подложку из нержавеющей стали. Измерено методом изотермических кривых Фаулера при Р — Ю”10 мм рт. ст.	[897]
4,703	—	—	ФЭ		[1495]
4.71		*—-	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 373 К)	[1645, 1870]
4,71 ±0,02		—	ФЭ	Измерено на пленках a-Fe толщиной 20—30 нм, испаренных на кварц при комнатной темпера- туре и Р 10~9 мм рт. ст.	[1292, 1293]
4,72		—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 373 К)	[1228]
4,72 ±0,07 4,75—4,77		300	ФЭ ФЭ	Измерено на прокатанных лентах при Р = = 10“8 мм рт. ст.	[1046] [767]
4,76	705	1643—1763	ЭФ	Эмиттер—стенки металлической камеры, покры- тые железом электролитически. Изменения <р при фазовом переходе a-Fe -+ y-Fe не наблюда- лось	[1568]
4,77		0	ФЭ		[510, 1238]
4,77 4,77 4,77 4,8		0	тэ КРП тм ФЭ	а-Фаза Вычислено по (18)	[1817] [828] [671| [990J
Поликристаллы
29
Продолжение
Ф, эВ	А-см 2»К	Темпера- турный интервал измерений,К	Метол опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,85 ±0,04	—	—	АЭ	Измерено на ультрачистом железе методом задерживающих потенциалов при Р < 2 X X 10~10 мм рт. ст.	[1195]
4,92	—	—	ТМ	а-Фаза. Вычислено но (50)	[1765]
4,95	—'  1	—	РМ	Эталон — Au-фольга. Р 10“8 мм рт. ст.	|1171]
5,035	—	—	тм	Вычислено на основании данных по перена- пряжению водорода	[2136]
4,31			27. Ко	Рекомендуемое значение бальт Со	
3,90		300	ФЭ	—	[1967]
4,09	—	—	ФЭ	—	[1495]
4,12	—	—	ФЭ	Кубическая структура	[767, 1046]
4,12	—	300	ФЭ	Гексагональная структура. Измерено после обезгаживания в течение 700 ч	[1048]
4,12		—	ФЭ	—	[1787]
4,12—4,25	—•	—	ФЭ	—	[1047]
4,16	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[930]
4,18	—		тм	То же	[1586]
4,2		—’	КРП	—	[828]
4,21	—	300	КРП	Эталон — ртуть (срНд принята равной 4,50 эВ)	[1438, 1495]
4,25	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[ 1672]
4,25		—	ФЭ	Гексагональная структура	[767]
4,25	—	300	ФЭ	Кубическая структура. Измерено после обез- гаживания в течение 700 ч	[1048]
4,25	—	—	ФЭ	—	[1925]
4,28	——	—	ФЭ	Гексагональная структура	[1046]
4,3	—		тэ	—	[2012]
4,40	—	—	—	—	[1299]
4,40		—	тэ	—	[1833, 1938, 2013]
4,41	60	0	ЭФ	Эмиттер — стенки графитовой камеры, покры- тые кобальтом электролитически или распыле- нием	[828, 1391, 1474]
4,41		—	тэ	—	[1495]
4,41 ±0,10	41	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[510, 1938]
4,47	—	—	тм	Вычислено по (46)	[215]
4,48	—	—	тм	Вычислено по (53)	[136]
4,5	—-	—-	ФЭ	—-	[2033]
4,55	—	—	ФЭ		[510]
4,56	—	—-	тм	Вычислено по (52)	[136]
4,60	—	77	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая по- верхность)	[1317]
4,70	—		тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1903]
4,87	—	—	тм	Вычислено по (18)	[6711
4,89 ±0,04			ФЭ	Измерено на пленках а-Со толщиной 20—30 нм, испаренных на кварц при комнатной темпера- туре и Р 10-9 мм рт. ст.	[1292, 1293]
4,92 ±0,04		—	АЭ	Измерено на ультрачистом кобальте методом задерживающих потенциалов при Р < 2 X X Ю""10 мм рт. ст.	[1195]
4,97	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 393 К)	[1317]
5,0			тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
30
Простые вещества
Продолжение
ф, эВ	А, А-см 2-К 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
5,0 ±0,1	—	——	ФЭ	Поликристаллические пленки толщиной около 100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотерми- ческих кривых Фаулера при Р = 1О~10 мм рт. ст.	[1148]
5,44	—	—-	ТМ	Вычислено по (50)	[1765]
4,41			28. Нр	Рекомендуемое значение жель Ni	
2,77	26,8	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[1740, 1787]
3,60	—	450—1200	тэ	Измерено тем же методом при Р = 10“5 мм рт. ст. на никеле чистотой 98,0%	[2135]
3,67	—	—	ФЭ	—	[1545[
4,06	—•	300	ФЭ	—	[1967|
4,12	—		ФЭ	Интегральная работа выхода	[1760]
4,2			ФЭ	Аморфная пленка, полученная термическим напылением никеля чистотой 99,999% на под- ложку из нержавеющей стали. Измерено мето- дом изотермических кривых Фаулера при Р = = 10“10 мм рт. ст. после отжига пленки при Т = 300 К	[897]
4,32		300	КРП	Эталон — ртуть (<рНй принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,37	—-	90	КРП	Эталон — вольфрам (cpw принята равной 4,54 эВ)	[1467[
4,39 ±0,02			ФЭ	Пленка напылена при Т = 573 К и Р < < 10“9 мм рт. ст. на очищенный и полирован- ный кристалл NaCI. Указанное значение (р имеют 25% эмитирующей поверхности	[9391
4,4±О,1			ФЭ	Аморфная пленка напылена на подложку при Т = 20 К. Измерено методом изотермических кривых Фаулера при Р = 1О~10 мм рт. ст.	[8971
4,41 ±0,02	"  "	1170—1250	тэ	Измерено методом полного тока на фольге, обезгаженпой при Р = 10“9 мм рт. ст.	[1988]
4,47 ±0,06			ФЭ	Пленка напылена при Т = 573 К и Р < < 10“9 мм рт. ст. на очищенный и полирован- ный кристалл NaCI. Указанное значение (р имеют 75% эмитирующей поверхности	[939]
4,5	—		тм	Вычислено по (53)	[136]
4,5		—	тм	—	[1000]
4,50 ±0,02	120±5	0	ЭФ	Эмиттер — стенки графитовой камеры, покры- тые никелем электролитически или распыле- нием	[1474]
4,54	—		КРП	—	[1495]
4,54	—	—	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая по- верхность)	[1801]
4,54 ±0,02	—	—	ФЭ	Пленки напылены при Т — 77 К и Р < < 10—9 мм рт. ст. па пирекс	[939]
4,55	—	—	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая по- верхность)	[1801]
4,56	—		ФЭ	Поверхность обработана и очищена ионной бомбардировкой в тлеющем разряде инертного газа при Р ш 10 мм рт. ст.	[853—855]
4,56—4,99	—	—	ФЭ	Напыленный на подложку слой	[940]
4,56—5,17			ФЭ	Пленки получены термическим напылением никеля па стеклянные подложки при Р — — 10“10 мм рт. ст. Значение ф зависит от тем- пературы подложки (78—573 К) при напыле- нии	[1624, 1628]
4,57	—	—	тм	Вычислено по (52)	[136]
Поликристаллы
31
П родолженое
Ф, эВ	А, А»см““2«К*“2	Темпера- турный интервал измерений,К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,58	— ~	—	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая по- верхность)	[1428, 1742]
4,59		77	ФЭ	То же	[1228, 1742, 1873]
4,6			тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных; определено по графику: работа выхода — атомный номер	[1091]
4,6	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1569]
4,60	—	——	ФЭ	Неупорядоченная структура (пепрогретая по- верхность)	[1228, 1428]
4,61		—	ФЭ	То же	[1428, 1645, 1742. 1870]
4,61	—	—	ТЭ	—	[828]
4,61 ±0,05	30	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1938]
4,63 4,65±0,02 4,67 ±0,02	—	0	тэ ФЭ ФЭ	» » » Поверхность обработана в тлеющем разряде при pNe = 27 мм рт. ст.	, То же при р^= 12 мм рт. ст.	1И27] [577J
4,7	—	973	ТЭ	а-Фаза. Измерено при Р = 10~9 мм рт. ст. на образцах, полученных электронно-лучевой плавкой. Эффективная работа выхода	[2147]
4,73	“*	—	ТМ	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1903]
4,73 ±0,03		300	КРП	Пленка напылена в вакууме на стекло. Эталон — поликристаллическнй вольфрам (cpw принята равной 4,546 эВ)	[1746]
4,76		—•	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 195 К)	[1428]
4,79	—	—*	КРП	Эталон — поликристаллическнй вольфрам (<pw принята равной 4,54 эВ)	[1016]
—4,8			тэ	Очищенная от цезия поверхность никеля мар- ки «Driver — Harris, А» в присутствии паров цезия	[1352]
4,8±0,1 4,82 ±0,04	—	—	тэ ФЭ	Проволока чистотой 99,97% диаметром 2,54 • 10-4 м Пленка напылена на пирекс при Т = 273 К] и Р < 10“9 мм рт. ст. Указанное значение ф имеют 3% эмитирующей поверхности	[2132]
4,82 ±0,04			ФЭ	Плеика напылена па вакуумно-очищенную}- слюду при Т = 593 К и Р < 10“9 мм рт. ст. Указанное значение ф имеют 2% эмитирующей поверхности	[939]
4,83	——	—-	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[930]
4,84	50	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1050]
4,84			тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586]
4,87	—	0	ФЭ	Спектрально-чистый никель	[1732]
4,87	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 293 К)	[1801]
4,87 ±0,04			ФЭ	Пленка напылена на пирекс при Т = 573 К и Р < 10~9 мм рт. ст. Указанное значение у имеют 3% эмитирующей поверхности	[939]
4,89	—		ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т — 293 К)	[1801)
4,90 ±0,02	—	78	ФЭ	Пленка на стеклянной подложке	[1627]
4,91	——		тэ	—	[767]
4,91			тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1672]
32
Простые вещества
П родолжение
Ф, эВ	А, А-см~2-К~2	Темпера- турный интервал	Метод опреде-	Примечания	Литература
		измерений, К	лення <р		
4,93 ±0,02	—	—	ФЭ	Пленка напылена на вакуумно-очишенную слюду при Т — 593 К и Р < 10“9 мм рт. ст. Указанное значение <р имеют 13% эмитирую- щей поверхности	[939]
4,95	—	* —	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 293 К)	[1428]
4,95 ±0,03			ФЭ	Пленка напылена на очищенную на воздухе слюду при Т = 593 К и Р < 10“9 мм рт. ст. Указанное значение ф имеют 8% эмитирую- щей поверхности	[939]
4,96	—	300	КРП	Эталон — вольфрам (cpw принята равной 4,54 эВ)	[1009]
4,9х—5,03			ФЭ	" —	[767]
5,0	27	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[229]
5,0	—	—•	ФЭ	—	[989]
~5	—	—	ФЭ	Метод изотермических кривых Фаулера	[2035]
5,0	—	—	тэ	—	[2012]
5,00 ±0,02	——	——	ФЭ	Пленка напылена на пирекс при Т = 273 К и Р < 10"9 мм рт. ст. Указанное значение (р имеют 45% эмитирующей поверхности	[939]
5,01	—	-	ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на пленке, испаренной при	5Х X 10“10 мм рт. ст.	[1203]
5,01		0	ФЭ	—	[510, 1238]
5.01		—	ФЭ	—	[1193]
5,01 ±0,04		—	ФЭ	Пленка напылена на пирекс при Т = 523 К и Р < 10“9 мм рт. ст. Указанное значение <р	[939]
				имеет 1% эмитирующей поверхности	
5,02	—	—	тм	Вычислено на основании данных по перенапря- жению водорода	[2136]
5,02	—-	—	—	—	[1299]
5,03	1380	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[510, 767,
					1200]
5,03	—.	—	КРП	—	[828]
5,03		—	тэ	Р-Фаза	[1763]
5,04		—	ФЭ	—	[1495]
5,04±0,04		—	ФЭ	Пленка напылена на пирекс при Т, равной 523 и 573 К, и Р < 10~9 мм рт. ст. Указанное значение <р имеют 2% эмитирующей поверх-	[939]
				кости	
5,05	—	623	ФЭ	—	[1050]
5,05	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т ~ 373 К)	[1645, 1870]
• 5,06	—	—	ФЭ	То же	[1742, 1801]
5,06	—	300	ФЭ	Измерено на ленте	[1050]
5,06 ±0,04	—	—	ФЭ	Пленка на пирексе, отожженная при Т = = 523 К.	[939]
				Указанное значение (р имеют 5% эмитирую- щей поверхности	
5,09	—	—	тм	р-Фаза. Вычислено по (50)	[1765]
5,1	—	300	АЭ	—	[1146]
5,10	——	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 373 К)	[1228]
5,1 ±0,3	—	—	АЭ	Ni-покрытие на W-стержне. Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[1153]
5,12±0,02	—	570	ФЭ	Пленка на стеклянной подложке	[1627]
Поликристаллы
33
Продолжение
Ф, эВ	А А-см""2’К 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
5,12 ±0,02 5,12±0,02 5,145 5,15 5,15±0,1 5,16±0,02 5,17±0,02 5,20 5,20 5,20 ±0,02 5,20 ±0,02 5,22—5,27 5,22 ±0,02 5,23 5,24 5,24 5,25 5,28 5,30 ±0,02 5,32 ±0,02 5,34 ±0,02		300 1180 373 0 1150	ФЭ ФЭ ФЭ ТМ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ АЭ ФЭ ФЭ тэ тэ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ	Пленка на вакуумно-очищенной	Напыление слюде. Указанное значение (р	проводи- имеют 85% эмитирующей по-	лось при верхности	Т — 593 К Пленка на очищенной на воз- и Р < духе слюде. Указанное зиаче-	< |0“9 мм ние (р имеют 92% эмитирующей рТ. ст. поверхности Пленка напылена в вакууме при комнатной температуре Предложено иа основании анализа литератур- ных данных Поликристаллические пленки толщиной около 100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотер- мических кривых Фаулера при Р = 10“*° мм рт. ст. Пленка напылена при Т = 273 К. Напыле- Указанное значение ф	ние па имеют 52% эмитирующей по-	пирекс верхности	; проводи- Пленка отожжена при Т = 273 К. лось при Указанное значение <р	р < jq—9 имеют 67% эмитирующей по-	мм рт.ст. верхности	1 Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 373 К) Измерено на ленте Пленка напылена при Т — 523 К. Напыле- Указанное значение (р	ние на имеют 48% эмитирующей	пирекс поверхности	проводи- Пленка напылена при Т — 573 К. лось при Указанное значение ср	р < 10“9 имеют 95% эмитирующей	мм рт.ст. поверхности Пленка на стеклянной подложке. Р ш 10~10 мм рт. ст. Пленка напылена на пирекс при Т = 523 К и Р < 10“9 мм рт. ст. Указанное значение (р имеют 5% эмитирующей поверхности Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 473 К) Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т — 423 К) То же Пленка напылена при Т = 523 К. Указанное значение ф имеют 50% эмитирующей по-	Напыле- верхности	ние на Пленка отожжена при Т = 523 К- пирекс Указанное значение ф имеют	проводи- 28% эмитирующей поверхности	лось ПРИ Пленка напылена при Т — 523 К. Р <:10~~9 Указанное значение ф имеют	мм рт. ст. 94% эмитирующей поверхности	[939] [908] [2085] [1148] [939] [1428] [1050] [939] [1334] [939] [1742] [980] [1050, 1200} [1228] [1428] [939]
3 1590
34
Простые вещества
Продолжение
ф. 9В	О 2 to	Темпера- турный интервал измерений. К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
6^7-Ь10"3Т 4,50	—	1380—1500	ТЭ	Обезгаженная в вакууме фольга Рекомендуемое значение	[1988]
Рис. 10. Зависимость работы выхода при
ФЭ от энергии фотонов для никеля (41].
Рис. 11. Зависимость работы выхода при
ФЭ от температуры отжига Ni-пленок:
а — пленки толщиной 3 — 80 нм напылены
на стеклянные подложки при Т — 77 К
(1953] (с учетом данных [1043, 1743, 1875]).
б — пленки отожжены в течение примерно
0,5 ч (1203J.
29. Медь Си
3,32 3,85	—“	0	тм тэ	Рассчитано методом самосогласованного поля на основе модели свободных электронов	(1829] (1955]
3,87	—-	—	ФЭ	Слои толщиной до 6 нм па кварце. Измерено	(1220]
				методом изотермических кривых Фаулера в сильных электрических полях (£ < 5 • 103 В X	
				X см'1) и Р 10~8 мм рт. ст.	
4,0	*—‘	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1503]
4,0	—	—	ФЭ	Пленки толщиной не менее 50 нм термически	[1076]
				напылены на аморфную подложку	
4,07	—	300	ФЭ	—	[1545]
4,1	—	—	тэ	—	[2012]
4,18	—	300	ФЭ	—	[1967]
4,19	—	78	ФЭ	Покрытие на W-проволоке	(1628]
4,2		—	КРП	—	(1331 ]
4,22	—	—	КРП	Эталон — золото, откалиброванное по сверх- чистой ртути ((pHg принята равной 4,50 эВ)	[541]
4,22±0,01		—	КРП	Электролитическая листовая медь марки В-3 чистотой 99,99% приготовлена электроосаж- дением из раствора H2SO4—CuSO4.	[2067]
				Измерено методом вибрирующего конденсатора после нагрева до Т = 753 К	
4,26	4,6	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[906]
4,29	 		ФЭ	—	[767]
4,29	—	—	тэ	—	(828J
4,29 ±0,04 4,35	—	—	КРП	Пленка на стекле. Средняя работа выхода пятнистой поверхности. Эталон — поликрис- талл и чески й вольфрам	[917] (1207]
	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных; определено по графику: рабо-	
					
				та выхода — атомный номер	[1183]
4,35	——	300	КРП	Эталон — серебро (<pAg принята равной 4,63 эВ)	
					
4,36 4,36	—				ТЭ) ФЭ]	—	(1495]
4,38	65	0	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[1243]
4,39		—•	тм	Вычислено по (53)	(136]
4.39	—	77	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая	[1228]
4,39ь	—	77—90	ФЭ	поверхность^ То же. Измерено на пленках толщиной 10 нм при Р = 1О~10 мм рт. ст.	[1873] [1645, 1870]
4,40	—	 	ФЭ	То же	
4,40	60,2	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[767]
4,4	—		ТЭ	Твердая медь	[88]
Поликристаллы
35
Продолжение
ф« эВ	Л. А • см 2 • К 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
— 4,4	—	—	ТЭ	Очищенная от цезия поверхность меди марки «G.E.O.F.H.C.» в присутствии паров цезия	[1352}
4,41 £0.02		1100—1300	тэ	Измерено на компактных образцах, обезга- женных при Р — 10~9 мм рт. ст., методом пол- ного тока	[1988]
4,42		—-	тэ	Очищенная от цезия поверхность в присут- ствии паров цезия	[1989]
4,43	—		КРП	Эталон —серебро (<pAg принята равной 4,31 эВ)	[1324]
4,45	——	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[930]
4,45	—	—	тм	То же; определено по графику: работа выхо- да — атомный номер	[1091]
4,46	—	300	КРП	Эталон — ртуть (фн? принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,4 6 ±0,03	—	300	КРП	Пленка напылена на стекло. Эталон — барий (Фва принята равной 2,52 эВ)	{917]
4,47	—	90	КРП	Электролитический осадок на никеле. Эталон — вольфрам (ipw принята равной 4,54 эВ)	[1467]
4,47	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586]
4,48		—	тм	То же	[1672]
4,48	—	300	КРП	Измерено на осадке, снятом в вакууме после многочасовой выдержки. Эталон — сереб- ро (<pAg принята равной 4,63 эВ)	[1183]
4,49 ±0,02			КРП	Электролитическая листовая медь марки В-3 чистотой 99,99% приготовлена электроосаж- дением из раствора H2SO4—CuSO4. Измере- но методом вибрирующего конденсатора после обезгаживания при Т = 1173 К, Р — 10~7 мм рт. ст.	[2067]
4,50	по	0	ЭФ	Эмиттер — стенки графитовой камеры, покры- тые медью	[1392]
~4,5		—	ФЭ	Метод изотермических кривых Фаулера	[2035]
4,5	—	—	ФЭ	—	[1476]
4,5			тм	Вычислено по (46)	[214]
4,5		—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1569]
4,51		—	тм	Вычислено по (52)	[136]
4,51 ±0,03	——	—	КРП	Пленка на стекле. Средняя работа выхода пятнистой поверхности. Эталон — вольфрам	[1746]
4,51—4,68	—	—	ФЭ	—	[1510]
4,52	—	293	ФЭ	Покрытие на W-проволоке	[1628]
4,52 ±0,02	—	78	ФЭ	Пленка на стеклянной подложке	[1627]
4,54	—		ФЭ	—	[1839]
4,55	—	—	АЭ		[1146]
4,55	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1903]
4,55 ±0,05	—	—	КРП	Пленка толщиной около 100 нм напылена на грань {111} Si	[1894]
4,56	—	—	тэ	—-	[89]
4,56	—	—	КРП	—	[1495]
4,59		—	КРП	Эталон — серебро (q>Ag принята равной 4,31 эВ)	[1608]
4,59		300	КРП	Термически напыленный на вольфрам слой меди. Эталон — вольфрам (<pw принята равной 4,54 эВ)	[1590]
4,60 ±0,02	—		КРП	Пленка на вольфраме. Средняя работа выхода пятнистой поверхности. Эталон — поликри- сталлический вольфрам	[1590]
4,61			ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на пленке, испаренной при Р 5 • 1О~10 мм рт. ст.	[1203]
3
36
Простые вещества
П родолжение
Ф, эВ	А, А-см 2-К~~2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,64 ±0,02	—	—	КРП	Эталон — грань {310JW. Измерено на сверх- чистой пленке	[2076]
4,65	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
4,65 ±0,05			ФЭ	Поликристаллические пленки толщиной около 100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотерми- ческих кривых Фаулера при Р — Ю-"10 мм рт. ст.	[1148]
4,67	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 343 К)	[1317]
4,7		—	—	—	[1299]
4,70	—	—	ФЭ	Измерено в счетчике Гейгера — Мюллера в среде водорода	[1381]
4,70	—	—	тм	Вычислено с использованием потенциала ну- левого заряда	[1904, 1905]
4,75	—	300	КРП	Эталон — серебро (<pAg принята равной 4,63 эВ)	[1324]
4,76	—	—-	ФЭ	—	[1799]
4.86	—	—	КРП	—	[1324]
4,87	—	—	ФЭ	—	[1419] [1608]
4,89	—	300	КРП	Эталон — серебро (<pAg принята равной 4,63 эВ)	
4,905	—	—	тм	Вычислено на основании данных по перена- пряжению водорода	[2136]
4,94	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 348 К)	[1645, 1870]
4,95	—	-—	тм	Вычислено по (50)	[1765]
5,02 ±0,09	—	77	ФЭ	Пленка напылена при Т — 77 К. Средняя ра- бота выхода пятнистой поверхности	[1873]
5,11	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 333 К)	[1228]
5,24	—	—	КРП	—	[828]
5,5	—		тэ	Расплавленная медь	[88]
4,40	——	—	—	Рекомендуемое значение	
Рис. 12. Зависимость работы выхода при
ФЭ от температуры отжига в течение при-
мерно 0.5 ч Си-пленки [1203].
30. Цинк Zn
3,08 3,28		—	ФЭ ФЭ	—	[1545] [1635]
3,32	——	—	ФЭ	——	[1120]
3,4	—	•—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1503]
3,40	—	—	КРП	—	[1643]
3,50	—	—	тм	Рассчитано методом самосогласованного по- ля на основе модели свободных электронов	[1829]
3,57	—-	•—	ФЭ	—	[1120]
3,60	——	—	ФЭ	—	1297]
3,66	•—	300	КРП	Эталон — ртуть (<pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
3,68	—	—	ФЭ	Интегральная работа выхода	[1760]
f
Поликристаллы.
37
Продолжение
Ф. эВ	А, А-см~2-К—2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
3,74	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литера- турных данных	г 1586]
3,89	—		ФЭ	—	[1967]
3,95		—“	тм	Предложено па основании анализа литера- турных данных	[930]
4,04	—	—	тм	Вычислено по (53)	]136]
4,1	—	—	тм	Вычислено с использованием потенциала нулевого заряда	[232]
4,11	—	““	КРП	Эталон — серебро (<рАс принята равной 4,31 эВ)	[1183]
4,11 ±0,03	—	——	КРП	Пленка на стекле. Эталон — поликрнсталли- ческий вольфрам (q>w принята равной 4,55 эВ)	(914)
4,12	—	——	тм	Рассчитано на основе потенциальной модели Шау Вычислено по (52)	[1664]
4,18	—	—	тм		[136]
4,2	—	—	тм	Вычислено по (46)	[214]
4,22	——		КРП	Эталон — серебро (<pAg принята равной 4,31 эВ)	[1324]
4,24		——	КРП	—	[5l!\2?930] [767]
4,24	—	—	ФЭ	—	
4,25	—	—	ФЭ		
4,26		11	тэ		[828]
4,27	—	——	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1672]
4,28 ±0,02		—	КРП	Эталон—барий (срВа принята равной 2,52 эВ)	[914]
4,3	—		тэ	—	[2012]
4,30	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1903]
4,307	—	—	ФЭ	—	(1868]
4,31	—	11	тм	Вычислено по (46)	[215]
4,33	—		тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[2085]
4,33	'  1	-	ФЭ	Для упорядоченной и неупорядоченной струк- тур (прогрев поверхности при Т = 373 К не влияет на работу выхода)	[1645, 1870]
4,33		77—90	ФЭ	Неупорядоченная структура. Измерено на пленках толщиной 10 нм при Р = 10~*° мм рт. ст.	[1873]
4.33,	—	—	ФЭ	Для упорядоченной и неупорядоченной струк- тур (прогрев поверхности при Т — 293 К не влияет на работу выхода)	[1868]
4,34	—	—-	ФЭ	То же при Т = 383 К	[1645, 1870]
4,474	—	—	тм	Вычислено на основании данных по перена-^ пряжению водорода	[2136]
4,65	—	—	КРП	—	[1324]
5,35			тм	Вычислено по (50)	[1765]
4,24			31. raj	Рекомендуемое значение 1лий Ga	
3,56	—	—	тм	Рассчитано методом самосогласованного по- ля на основе модели свободных электронов	[1829]
3,7	—	—	тм	Вычислено по (52)	[136]
3,80	—	300	КРП	Эталон — ртуть (фНя принята равной 4,50 эВ)	[1438]
3,94	—	—	тм	Вычислено по (53)	[136]
3,96	—		гэ	—	[828]
3,96	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	fl 586]
4,0			тм	Вычислено в использованием потенциала ну- левого заряда	[232]
38
Простые вещества
Продолжение
ф, эВ	А, к - см 2.к 2	Темпера- турный интервал измерений,К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4.0	—	—	ТМ	«Электрохимическая» работа выхода электро- на, вычисленная с учетом изменения потенци- ала нулевого заряда при адсорбции воды	[131]
4,02	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[930J
4.1	—	—	тм	То же	(1569J
4,12	—	—	тэ	—	[1799]
4,15		—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных; определено по графику: работа выхода — атомный номер	11091]
4,16	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1672]
4,2	—	—•	тм	То же	[2085]
4,20	1	—	тм	То же; определено по графику: работа выхо- да — атомный номер	[1207]
4,20	—	—	ФЭ	—-	[767]
4,20 ±0,03	—	—	КРП	Галлий марки ГЛ-000 чистотой 99,9998%. Эталон — тантал	[627]
4,30	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1903]
4,34	—	—	КРП	Галлий чистотой 99,9998%. Эталон—ртуть (q?Hg. принята равной 4,50 эВ)	[677]
4,35 ±0,05	—	473	ФЭ	Галлий марки ГЛ-000	[822, 823]
4,38 ±0,05	—	573	ФЭ	Измерено на расплаве методом изотермических кривых Фаулера	[30]
4,39 ±0,06			КРП	Галлий марки ГЛ-000 чистотой 99,9998%. Эталон — тантал (<рТа принята равной 4,21 ± 0,06 эВ). Р = 10~9 мм рт. ст.	[874]
4,44	——	—	тм	Вычислено по (46)	[215]
4,45	—		ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т < 273 К)	[1645, 1870]
3,96	—	—	—	Рекомендуемое значение	—
Рис. 13. Зависимость плотности тока прн АЭ (взрывная эмис-
сия) от средней нвпряженпосгн электрического поля для гал-
лия марки Ga-00 [813]. Определено по осциллограммам.
32. Германий Ge
4,29 4,43	—	—_	ФЭ тэ	Германий с проводимостью п-типа	[1967] [1835]
4,43	—	—	АЭ	> » » »	[764]
4,50	'—	300	КРП	Эталон — ртуть (<рНй принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,5	—-		ФЭ	—	[1825]
4,55	—-	—	ФЭ	—	[767]
4,56	——	—	ТМ	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586]
4,6	—		КРП	—	[1331]
4,66—4,80		—	КРП	Среднее значение работы выхода для пятнистой поверхности	[925]
4,73	—	—•	ФЭ	—	[1799]
4,76	—	—	ТЭ	—	[828]
4,76		—	КРП	Эталон — вольфрам (<pw принята равной 4,55 эВ)	[585]
4,77	—	—	ФЭ	Полированная поверхность	[1965]
Поликристаллы
39
/7 родолжение
Ф. ЭВ	Д, А2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,8	—	—	КРП	Германий термически напылен на хорошо очи- щенную W-подложку	[594]
4.8	—	—	тм	Вычислено по (46)	[214}
4,8	—	—	тэ	—	[2012}
4,80	—		ФЭ	—	[440, 925, 1121, 1724}
4 84—4,98	—	293	ФЭ	Пленка напылена при Т = 293 К	[925]
4,90	—	—	тэ	Германий с проводимостью р-типа	[1835]
4,90 ±0.05	—	—	АЭ	» » » »	[764]
4.98	—	—	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая по- верхность)	[1477]
5,0		——	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	]2085]
5,0	—	—	ФЭ	Пленка напылена при’Р = 5 • 10~10 мм рт. ст. Метод изотермических кривых Фаулера	[1876]
5.04	—	—•	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 293 К)	[1477]
5,8		—	АЭ	Германий с проводимостью п-типа	[1163]
4,76			—	Рекомендуемое значение	 —
Рис. 14. Температурная зависимость работы выхода
для германия с проводимостью п-типа [90]:
1 — метод КРП: 2 — метод ТЭ (полного тока).
33. Мышьяк As
3,75
4,66
4,72
4,79
5,11
5.11
5.11
5,17
5,17 ±0,04
5,2
5,11
ТМ
ФЭ
ФЭ
ФЭ
ТЭ
ФЭ
ТМ
ФЭ
ФЭ
ТМ
Предложено на основании анализа литера-
турных данных
Мышьяк испарен на медь, никель, тантал и
графит
Термически напыленные кристаллические
слои на никеле, молибдене, платине, ниобии,
плавленом кварце, графите и Ni—Fe—Cu-
сплаве
Упорядоченная структура
Предложено на основании анализа литера-
турных данных
Серый мышьяк
Испаренные в вакууме пленки аморфного мы-
шьяка толщиной 70—200 нм
Определено по графику: работа выхода —
атомный номер
Рекомендуемое значение
[2085}
11885}
[926}
[828]
[1799}
[1586}
[767}
[1713]
[2085}
34. Селен Se
4,42
4,62
4,72
300
КРП
ФЭ
Т э
Эталон — ртуть ((pHg принята равной 4,50 эВ)
[1438}
[1297}
[828}
40
Простые вещества
Продолжение
эВ	А А.2. К“ 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,72	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586]
4,89	—		ФЭ	Гексагональная структура	[767]
5,11	—	—	ФЭ	—	[1799]
5,9	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
5,9			ФЭ	Определено по кривым энергетического распре- деления фотоэлектронов для кристаллическо- го селена и разупорядоченной пленки селена, напыленной в вакууме на нержавеющую сталь	[2093]
4,72	—	——	——	Рекомендуемое значение	—
37. Рубидий Rb
2,0		—	•••	ФЭ		[1952]
2,04		——	—	ТМ	Вычислено по (50)	[1765]
2,06		—	—	тм	Вычислено по (18)	[671]
2,09		—		ФЭ	——	[1018]
2,09		—	—	тэ	—•	[768, 1715]
2,1			—	ФЭ		[510]
2,11			—	тм	Вычислено по (52)	[136]
2,13		—	—	ФЭ]		[767]
2,13		——	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1586]
					ных данных	
2,14			—	тм	Вычислено по (53)	[136]
2,16			—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[2085]
					ных данных	
2,16		—-	—	тэ		[2012]
2,16		—	298	ФЭ	Твердый Измерено методом изотермических	Г534 5381
2,16		—		ФЭ	Жидкий кривых Фаулера при Р — 10~8 мм	
					рт. ст.	
2,16		—	298	ФЭ	Метод изотермических кривых Фаулера	[511]
2,16		——	298	ФЭ	Тот же метод, Р = 10~9 мм рт. ст.	[1560]
2,16		—	—	ФЭ	—	[1651]
2,16		—	'—	КРП	—	[828]
2,16—2,19		——	—	ФЭ		[510, 1724]
2,17		—		ТЭ		[828]
2,17		—•	313	ФЭ	Метод изотермических кривых Фаулера	[511]
2,21		—	—	ФЭ	Покрытие толщиной 2—3 моноатомных слоя	[2108]
					па полированном сгекле. Р — КГ-10 мм рт. ст.	
2,21 ±0,05		—	77	ФЭ	Толстая пленка химически чистого рубидия,	|1681]
					полученная термическим испарением в вакууме	
					на подложку из оптически полированного	
					стекла	
2,261 ±0,015		—	140	ФЭ	Пленка рубидия чистотой 99,9% напылена на	[1294]
					кварц при Р = 1О~10 мм рт. ст.	
2,3		—	 »	тм	Вычислено по (46)	[214]
2,54			—	тм	Рассчитано на основе потенциальной модели	[1664]
					Шау	
2,71				тм	Рассчитано методом самосогласованного поля	|1829]
					на основе модели свободных электронов	
2,16		—	—	—	Рекомендуемое значение	•—ч
%ЭВ						
2J	-					
						
			Рио. 15. Температурная зависимость работы выхода при ФЭ			
2,2	i	I	1 .	।	для пленки	рубидия чистотой 99.9%, напыленной на кварц 11294 ].	
	150	200		250	7,К			
Поликристаллы,
41
Продолжение
ф, эВ	> £ ’l to	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
38. Стронций Sr
2,06 2,2	—	—	ФЭ тэ	Мономолекулярный слой на подложке	[11301 [1597]
2,24	—	—	ФЭ	—	[1799]
2,25	—	—	ФЭ	—-	[767]
2,3—2/	—	—	АЭ	—	[528]
2,35			ТМ	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1586]
2,4	—	—	ТЭ	•••	[2012]
2,46	—	—	тм	Вычислено по (50)	[1765]
2,59			—•	тм	Вычислено по (53)	[136]
2,59				тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
2,59	—	—	тэ	——	[2092]
2,6	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1104]
2,6 2,6	—-«		ТЭ1 КРП/	—	[828]
2,6	—	—	ФЭ	Тонкий слой, полученный испарением при Р 10“® мм рт. ст.	[1315]
2,61	—-1		тм	Вычислено по (52)	[136]
2,7	—	—	тм	Вычислено по (46)	[214]
2,71	—	—	тм	Вычислено по (18)	[671]
2,74	—	——	ФЭ	—-	[1054]
2,74	—	—	тэ	Измерено в термоэмиссионном микроскопе	[1104]
2,35			—	Рекомендуемое значение	—
Рис. 16- Зависимость работы выхода при ФЭ
щины плевки стронция, напыленной на кварц
от тол-
[1224Й.
39.
Иттрий
2,0	——	—	тм	Вычислено по (43)	[1259]
2,954 4- 2 - Ю“5 Т	—	1150—1500	тэ	Измерено на фольге при Р — 10“7 мм рт. ст.	[684]
2,99	—	—*	тм	Вычислено по (50)	[1765]
3,07	—	—	тм	Вычислено по (43)	[1268]
3,1	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
3,1±0,15			ФЭ	Поликристаллические пленки толщиной около 100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотерми- ческих кривых Фаулера при Р = 1О“10 мм рт. ст.	[1148]
ЗЯ		—	тм	Вычислено по (46)	[214]
3,27	—	—	тм	Вычислено по (53)	[136]
3,3	—	—	тм	Найдено по графику: работа выхода — атом- ный номер	[101, 828, 1586]
3,33	—	—	тм	Вычислено по (18)	[671]
3,54	  ™	—	тм	Вычислено по (52)	[136]
3,3	—	—	—	Рекомендуемое значение	—
42
Простые вещества
Продолжение
ф, эВ	А А.см**"2.К“ 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
3,47			40. Цир ТМ	коний Zr а-Фаза. Вычислено по (50)	[1765]
3,57	40	0	тэ	Измерено на цирконии, содержащем кислород	[1932]
3,60		300	КРП	(Zr : О — 83 : 17, ат.), методом прямой Ри- чардсона а-Фаза. Эталон — ртуть (<pHg принята равной	[1438]
3,7	—	мм	тм	4,50 эВ) Вычислено по (46)	[214]
3,70 ±0,05	40	1350—1850	тэ	Р — 10~8 мм рт. ст.	[291]
3,73	—-	300	ФЭ		[1731]
3,74	—		тм	Вычислено по (52)) Вычислено по (53)/	[136]
3,77	—	—	тм		
3,78	120	0	тэ	Поверхность очищена бомбардировкой ионами	[1932]
3,79			тм	благородных газов; метод прямой Ричардсо- на Вычислено по (18)	[671]
3,8	—	—	тэ	—	[1298]
3,80	—	——	тэ	—-	[276]
3,80 ±0,05		1350—1850	тэ	Эффективная работа выхода при Т = 1500 К.	[291]
3,82—1,5-10“а Т	--	1400—1900	тэ	d<p/dT = 4 • 10"5 эВ • К'1	[271]
3,84	—		тэ	^>1	[828]
3,84		300	ФЭ	—	[1799]
3,84	—		тм	Предложено на основании анализа литера-	[1586]
3,9		1620	тэ	турных данных Эффективная работа выхода	[260]
3,91	—	—	ФЭ	—	[1328]
3,95		1100—1400	тэ	Метод полного тока	[273]
3,96	—	—	ФЭ		[1495]
4,0	—	—-	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1750]
4,00			ФЭ	ных данных	[1733]
4,05	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[2085]
4,05±0,1	—	—	ФЭ	ных данных Поликристаллические пленки толщиной около	[1148]
4,1			тэ	100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотерми- ческих кривых Фаулера при Р = 1О~10 мм рт. ст.	[2012]
4,1	3500	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[2014]
4,12	330	—	тэ	> » »	[662, 767]
4,12	—-	0]	тэ	—	[2043]
4,13	330		тэ	Измерено на компактном дуктильном цирко-	[876, 2042]
4,15		-мм	КРП	нии методом прямой Ричардсона	[828]
4,16		—	тэ	—	[1495]
4,21	1260	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1932]
4,33	—	—	ФЭ	—	11559]
4,50	з-ю»	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[2042]
	—	2000	тэ	В постоянном режиме / = 0,7 А • см-2, в им-	[2014]
3,9	—	—	—	пульсном — / = 2,0 А • см“2 Рекомендуемое значение	
3,81			41. Ни ТМ	обий Nb Рассчитано методом самосогласованного поля	[1829]
3,90±0,05	—	— —	пи	на основе модели свободных электронов Эффективная работа выхода пятнистой поверх-	[1785]
3,93+5-10-5 Т	—	1400—2100	тэ	ности в сильном поле	[271]
Поликристаллы
43
Продолжение
ф, эВ	А, А-см 2-К~“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
3,95	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литера-	[1091}
				турных данных; определено по графику; рабо-	
				та выхода — атомный номер	
3,95 ±0,02	—	1370—2070	ТЭ	Измерено методом полного тока при Р 5 X	[189, 190]
				X 10“"9 мм рт. ст.	
3,96	—	—	тэ	 -	[8291
3,96	57	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[767, 1404,
					1934]
3,97	—	—	КРП		[828]
3,97 ±0,07	—	—	РМ	Поликристаллнческая проволока. Эталон —	[1581]
				вольфрам	
3,98	—		тэ	—	[8281
3,98	—	1873	тэ	Эффективная работа выхода	[233]
3,99	—	—	ФЭ	—	[767]
3,99	—	—	тэ	—	[1495]
3,99	—		тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1586, 1672]
				ных данных	
4,0	—	—	тм	То же	[1569]
4,0	—	—	тэ	—	[2012, 2014]
4.0	—	—	тэ	Измерено на расплаве методом прямой Ричард-	[1249]
				сона	
4,00	—	450—1200	тэ	Измерено на ниобии чистотой 98,0% методом	[2135]
				прямой Ричардсона при Р = 10“5 мм рт. ст.	
4,00±0,07		—	тэ	Измерено на образцах в форме таблеток мето-	[520]
				дом прямой Ричардсона	
4,01	—	1673—2273	тэ	Измерено на ниобии марки НВЧ методом пол-	[226]
				ного тока	
4,01	—	— —	—	—	[1299]
4,01э	37,2	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1726]
4,02±0,07	250	1450—1750	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона при	[687]
				Р = КГ*8 мм рт. ст.	
4,03	—	—	тэ	/Метод прямой Ричардсона	[699]
4,05	—	—	тэ	—	[276
4,05	—	—	тм	Вычислено по (18)	671
4,1		—	тм	—	[1000
4,1	——	— М	тм	Вычислено по (46)	[214]
4,1	—	—	тэ	Очищенная от цезия поверхность в присут-	[1991]
				ствии паров цезия	
4,13±0,06	69±2	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1622]
1,15	—	1973	тэ	а-Фаза. Измерено при Р = 10“9 мм рт. ст.	[2147]
				на образцах, полученных электронно-лучевой	
				плавкой. Эффективная работа выхода	
4,18		—	тм	Вычислено по (52)	[136]
4,19	—	1100—1200	тэ	Поликристаллическая лента	[483]
4,19±0,04	—	1050—2100	тэ	Измерено на поликристаллической ленте чис-	[1990]
				тотой 99,4% при Р — 10~9 мм рт. ст. (выход	
				граней на поверхность: 70% (100} + 20%	
				(211})	
4,20	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера-	[1903]
				турных данных	
4,22		—	тм	Вычислено по (53)	[136]
4,23	—	—	тм	Рассчитано на основе модели квазисвободных	[896]
				электронов для поликристалла (выход граней	
				на поверхность: 70% {100} +20% {211})	
4,3	—	’—	тм	Предложено на основании анализа литера-	[2085]
				турных данных	
4,3	—	2200	тэ	Эффективная работа выхода	[555]
4,3±0,15	—		ФЭ	Поликрисгаллические пленки толщиной око-	[1148]
				ло 100—200 нм на подложках из оптически	
				прозрачного кварца. Измерено методом изотер-	
				мических кривых Фаулера при Р — 1О~10 мм	
	1			рт. ст.	
44
Простые вещества
Продолжение
ф, эВ	А А-см 2.К	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,37 ±0,03	—	300	КРП	Эталон — вольфрам (ipw принята равной 4,54 эВ). Р = 10“9 мм рт. ст.	[1341, 1343J
4,41	—	——	КРП	Эталон — поликристаллический вольфрам (ф^. принята равной 4,54 эВ)	[1016]
3,99			42. Мо	Рекомендуемое значение лнбден Мо	
2,28+0,86-Ю“3 Т	—	1673—2273	ТЭ	Молибден марки ЦМ2А с примесью тантала (до 1%)	[226]
3,92	—•	—	тм	Рассчитано методом самосогласованного поля на основе модели свободных электронов	[1829]
3,97 ±0,02	 1	— ""	КРП	Измерено после 6-часовой обработки поверх- ности в тлеющем разряде аргона. Эталон — тантал (фТа принята равной 4,1 эВ)	[32]
4,02 4,04±0,02	—		тэ ФЭ	Метод прямой Ричардсона Поверхность обработана в разряде.^ рАг = 12 мм рт. ст.	[699] [577]
4,06 ±0,02		—	ФЭ	То же. pNe = 27 мм рт. ст.	
4,08	61,0		тэ	Метод прямой Ричардсона	[1501, 1502]
4,08	 	—	КРП	—	[1643]
4,08	——	——	тм	Вычислено по (50)	[1765]
4,10	—	300	КРП	Эталон — вольфрам (<pw принята равной 4,54 эВ)	[1643]
4,1	—	—*•	тэ	Толстый слой молибдена на подложке, охлаж- денной до температуры жидкого азота	[469]
4,12	—	300	ФЭ	—	[1053]
4,14	—	0	ФЭ	—	[1026, 1027]
4,15	55	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[510, 662, 767, 876, 1026, 1027]
4,15	—	0	ФЭ	—	[510]
4,15 ±0,05	—	——	АЭ	, Измерено на чистом молибдене при Р = == 1О~10 мм рт. ст.	[1858]
4,16	——	—	КРП	—	[828, 1923]
4,16		1873	тэ	Эффективная работа выхода	[233]
4,17	51	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	|1935]
4,19	—	0	тэ	» » »	[1266]
4,19—4,29	—	——•	ФЭ	—	[767]
4,20	—	—-	—-	—	[1299]
4,2	—	——	тэ	Толстый слой молибдена на подложке, нагре- той до Т = 800 К	[469]
4,20		—	АЭ	Измерено на проволоке методом прямой Фау- лера — Нордгейма при Р < 10~1Q мм рт. ст.	[972, 2072]
4,20	—.	—	ТЭ	—	[273]
4,2	—	—	ТМ	Вычислено по (46)	[214]
4,2		—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1569]
4.2	— —		тм	То же; определено по графику: работа выхо- да — атомный номер	[1091]
4,2		—	тэ	—	[768, 1715, 2013]
4,2			ФЭ	Усредненное по поверхности значение	[120, 121]
4,20 ±0,01		—	АЭ	Усредненное по поверхности значение. Ме- тод прямой Фаулера — Нордгейма	[1073]
4,20 ±0,02	55	0	ТЭ	Измерено на чистом молибдене методом прямой Ричардсона	[2015]
4,20 ±0,03		300	КРП	Поликристаллический листовой молибден. Эталон — хорошо обезгаженный листовой вольфрам (<pw принята равной 4,54й эВ)	|	[1343]
Поликристаллы
45
П родолжение
ф, эВ	л, А • см 2 • К 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Мет од опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,21	—	—	ФЭ	Поверхность очищена электронной бомбарди- ровкой	[856J
4,21 ±0,02	 	—	ПИ	ПИ молекул RbCI на Мо-проволоке	[814]
4,21 ±0,04		300	КРП	Толстая многослойная пленка напылена в ва- кууме на стекло. Эталон — хорошо обезгажен- ный листовой вольфрам (<pw принята равной 4,545 эВ)	{1343]
4,21 ±0,07	—		РМ	Поликристаллическая проволока. Эталон — вольфрам	[1581]
-4,22	—		ФЭ	Поверхность очищена электронной бомбарди- ровкой и отожжена при Р = 1О“10 мм рт. ст.	[1077]
4,23	» 1 		тэ	—  	[1266]
4,23	241	1623—1923	ЭФ	Эмиттер—стенки полой камеры из спектрально- чистого молибдена	[1567]
4,23	—	—	ФЭ	—	[1495]
4,24		—	ТЭ	—	[828]
4,24	—		тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1672]
4,25			тм	Рассчитано на основе модели квазисвободных электронов для поликристалла (выход граней на поверхность: 70% {100} ±-20% {211})	[896]
4,25—4,7	—	1900—2100	тэ	На поверхности имеются разные кристалло- графические ориентации. Метод полного тока	[261]
4,26	43		тм	Расчетные значения для рекристаллизованно- го покрытия, полученные из термоэмиссион- ных экспериментов	[1094, 1213]
4,27		—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586]
4,28	107	0	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[1935]
4,29			ТЭ	—	[1495]
4,29 ±0,02	—	1750—1850	пи	ПИ молекул CsI на Мо-ленте	[1786]
4,29 ±0,06	—	*•—	тэ	Измерено на молибдене вакуумно-дуговой плавки после многократной прокалки и очист- ки	[1420]
4,3	—	—	АЭ	Измерено методом прямой Фаулера — Норд- гейма при Р 1(Г~10 мм рт. ст.	[1485]
4,3	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1503]
4,3	—	—	тэ	Рекристаллизованная проволока	[335]
4,3		1100—1200	тэ	Поликристаллическая лента	[483]
4.3	—	—	тэ	Измерено на расплаве методом прямой Ричард- сона	[1249]
4,3	—	—	ФЭ	—	[1473]
4,30	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1903]
4,30	96	—	ТЭ	—	[1935]
4,30		—	КРП		[1495]
4,30 ±0,02	•—	1373—2073	ТЭ	Измерено методом полного тока при Р 5 X X 10~9 мм рт. ст.	[190]
4,30 ±0,07	—	—	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона на об- разцах в форме узких полосок	[520]
4,3—4,4	—	—	тэ	Очищенная от цезия поверхность в присут- ствии паров цезия	[1991]
-4,31	—	—	тэ	Измерено на плоских образцах методом пря- мой Ричардсона при Р = 6 ♦ 10~7 мм рт. ст.	[944]
4,31	—		тэ	То же при Р < 10~6 мм рт. ст.	[1760]
4,32		0	тэ	—	[887]
4,33	24,6	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1204]
4,33	38	—	тэ	» » >	[1393]
4,33	—	90	КРП	Эталон — вольфрам (cpw принята равной 4,54 эВ)	[1467]
4,33		—-	ФЭ	Интегральная работа выхода	[1760]
46
Простые вещества
Продолжение
<р, эВ	А, А-см~2-К—2	Темпера- турный интервал измерений. К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,33 ± 0,07	~60	1900—2320	ТЭ	Измерено на поликристаллических проволоках методом прямой Ричардсона	[322]
4,34	—	1873	тэ	Эффективная работа выхода, вычисленная автором настоящей работы по данным [1432]	—
-4,34	—	300	ФЭ	—	[1732]
4,36	39		тэ	Метод прямой Ричардсона^	
4,36	39		тм	Расчетные значения, вы- 1 Рекристаллизо- чнсленные с учетом поля [ ванное покрытие	[1094, 1213]
				пятен	J	
4,36		—	КРП	Эталон — поликристаллическнй вольфрам (q>w принята равной 4,54 эВ)	[1016]
4,37	115		тэ	Метод прямой Ричардсона	[510]
4,37 ±0,02	115		тэ	Тот же метод. Коммерческий молибден	[2015]
4,38	60,2	~ 1 	тэ	Тот же метод	[1501 ,1502}
4,38	175	—	тэ	» » »	[1935]
4,38	—	0	тэ	—	[2042]
4,38—4,42	—	—	тэ	Плавленный в вакууме молибден марки МЧВП. Значение <р зависит от режима термообработ-	[192]
				ки	
4,39	323	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1740, 1851]
4,39		1673—2273	тэ	Измерено методом полного тока на молибдене марки МЧ	[226]
4,39 ±0,02	—	—	пи	ПИ молекул КС1 на Мо-проволоке	[814]
4,40	—	—	тэ	—	[2012]
4,40		2100	км	 	[ 1478]
4,40	—	—	тм	Вычислено по (18)	[671]
4,4	—	—	тм	—	[1000]
4,4 ±0,02				—	КР11	Измерено па плоских образцах методом Андер- сона прн Р = КГ-12 мм рт. ст.	[245]
4,41	60	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[229]
4,41	—	1000	ФЭ	Измерено на проволоке диаметром 0,13 мм в диапазоне длин волн А = 297—238 нм. У по-	[1393]
				верхности катода Е — 0,8—142 кВ • см-”1	
4,42	—	-—	тм	Вычислено по (52)	[136]
4,44 4,44	60,21 338 J	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1138]
4,45 4,46	—	2473	тэ	Эффективная работа выхода, вычисленная ав- тором настоящей работы по данным [1432]	—
	—	—	тм	Вычислено по (53)	[136]
4,48	——	300	КРП	Эталон — ртуть (cpHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,58—2.1-10~4Т	—	1190—2050	тэ	Измерено на поликристаллической ленте при	[1990]
4,59				Р = 10“9 мм рт. ст. (выход граней на поверх- ность: 70% {100} ±-20% {211})	
	—	——	км	—	[1521]
4,6 4,6 ±0,15		—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
	—	—	ФЭ	Поликристаллические пленки толщиной около	[1148]
				100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотерми- ческих кривых Фаулера при Р = 1О~10 мм рт.	
					
				ст.	
5,02 ±0,05	—		пи	Поликристаллические проволоки	[322]
4,3		1 		Рекомендуемое значение	—
Рис. 17. Температурная зависимость ра-
боты выхода прн ТЭ для молибдена [62].
Рис. 18. Зависимость работы аыхода при
ТЭ от времени испытания при Т = 1900 К
для цилиндрического Mo-эмиттера. Эмит-
тер получен осаждением из газовой фазы
на W-подложку [1933].
Поликристаллы
47
Продолжение					
Ф« эВ	А, А • см—2 • К—	Темпера- турный интервал	Метод опредс-	Примечания	Литература
		измерений,К	лення <р		
			43. Технеций Тс		
4,4	—	—	ТМ	Определено по графику: работа выхода — атомный номер	[1586]
4,67	—	—	ТМ	Вычислено по (18)	[671]
4,7	—	—	тм	Определено по графику: работа выхода — атомный номер	[2085]
4,88 ±0,05	——		тм	Вычислено с использованием величины элек- троотр и цател ьности	[1906]
			44. Рутений Ru		
4,50—4,89		—	ФЭ	Покрытие на W-проволоке. Значение <р за- висит от температуры отжига покрытия (78—	[1628]
				573 К)	
4,51-*5,11	—	—	ФЭ	Пленки напылены при Т = 78 К, Р = 5 X X 10“10 мм рт. ст. на подложки из кварца или	[1014]
				пирекса. Работа выхода изменяется при прогреве в ин- тервале температур 78—873 К	
4,52	—	—	тэ	 	[828]
4,52	—	300	КРП	а-Фаза. Эталон — ртуть ((pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,52	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[930, 1586,
				ных данных	1672]
4,55 ±0,05	—	—	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона при	]1707, 1708]
				Р — 10“8 мм рт. ст. на слоях рутения, плаз- менно-напыленных на тантал или молибден	
4,57 ±0,05	—	—	тэ	«Чистая» поверхность в присутствии паров цезия	[1707]
4,60	—	—	тм	а-Фаза. Вычислено по (50)	[1765]
4,64	—	973	тэ	а-Фаза. Измерено при Р = 10“9 мм рт.ст. на образцах, полученных электронно-лучевой плавкой. Эффективная работа выхода	[2147]
4,66		—	тм	Вычислено по (52))	[136]
4,67		—	тм	Вычислено no (53)/	
4,68	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[699]
4,68	—	1600	тэ	Эффективная работа выхода	[691]
4,68	—	—	тм	Вычислено по (18)	[671]
4,68±0,07	—	—	тэ тм	Измерено методом прямой Ричардсона на об- разцах плоской и сферической форм	[520] [2085]
4,71	—-	—		Предложено на основании анализа литератур- ных данных	
					
4,730 ±0,010	—	—	КРП	Поликристаллическая фольга. Средняя работа выхода пятнистой поверхности. Эталон — по-	[1750]
				ликристаллический вольфрам (<pw принята равной 4,55 эВ)	
4,75	—		тэ	—	[480]
4,77-1,2- 10“5Т		1600—2000	тэ	—	[271]
4,80	—	—	КРП	—	[828]
4,80		—	тм	Предложено па основании анализа литератур-	[1903]
				ных данных	
4,83 ±0,03		—	ФЭ	Пленка на пирексе отожжена при Т = 373 К	[1015]
4,865 ±0,005	—	—	КРП	Пленка на вольфраме. Средняя работа выхода^ для пятнистой поверхности. Эталон — поли-	[1750]
				кристаллический вольфрам (<pw принята рав- ной 4,55 эВ)	
48
Простые вещества
Продолжение
Ф, эВ	А, А • см 2 • К~"2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,89			ТЭ	Чистая поверхность	[1353]
5,10±0,05	—		ФЭ	Пленка на кварце отожжена при Т > 700 К	[1015]
4,60		—	—	Рекомендуемое значение	—
				в			
	В						
47						Рис. 19. Температурная зависимость работы	
		4,6				выхода при АЭ для Ru-острня [14681.	
4fi							
4,5	1 1		4.4		1		1	1		1	 _	
	Ю0 500 700 900		' 0	200		400 600	ЯПП ТК	Иис* zu‘ зависимость раооты выхода при Фс ОсД/ /гп	от температуры получения Ru-пленок [1015].	
					45. Родий Rh		
4,52		—	300		КРП	Эталон — ртуть (<pj.Ig принята равной 4,50 эВ)	[1438, 1495]
4,57		—			тм	Предложено на основании анализа литера-	[930]
						турных данных	
4,57		—	293		ФЭ		[510, 1128]
4,58		—	>1370		тэ	Метод прямой Ричардсона	[1128]
4,6		—	—-		тэ		[2012]
4,62		—			тм	P-Фаза. Вычислено по (50)	[1765]
4,64		—-	—		тм	Вычислено по (53)	[136]
4,65		—	.—		тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1586, 1672]
						ных данных	
4,7		—			тм	Вычислено по (52)	[136]
4,72		—	—		тэ	—	[828]
4,74		720	0		тэ	Метод прямой Ричардсона	[1522]
4,74		—	—		тм	Вычислено по (18)	[671]
4,75		—	400		ФЭ	—	[767, 1128]
4,75 4,75			—		ТЭ1 ФЭ/	—	[1495]
4,8		—	—		тэ	-—	£1833, 2013]
4,8		—			АЭ	—	[528]
4,80		33	е		тэ	Метод прямой Ричардсона	[510, 767,
							1937]
4,87—5,11		—	—		ФЭ	Пленки, полученные испарением родия на	[1624, 1628]
						стеклянные подложки при Р — 1О“"10 мм рт. ст.	
						Значение <р зависит от температуры подложки	
						при напылении (78—373 К)	
4,88—5,18			—		АЭ	Те же пленки. Значение <р зависит от темпе-	[1629]
						ратуры отжига пленок (78—458 К)	
4,9		100	0		тэ	Метод прямой Ричардсона	[I960]
4,92		—*	510—920		ФЭ	—	[1128]
4,98			—		тм	Предложено на основании анализа литератур-	[2085]
						ных данных	
4,98 ±0,02		—	78		ФЭ	Пленка на стеклянной подложке	[1627]
4,99		—	—		тм	Вычислено с использованием потенциала ну-	[1904, 1905]
						левого заряда	
5,0		—	—		тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1569]
						ных данных	
5,0		——	—		тм	То же; определено по графику: работа вы-	[1091]
						хода — атомный номер	
5,0		—	—		ФЭ	Пленка толщиной 8 нм на кварце. Найдено	[1691]
						по кривым энергетического распределения	
						электронов	
5,0		—	—		ФЭ	Пленка толщиной около 80 нм нанесена в вы-	[1766]
						соком вакууме на кварц	
Поликристаллы
49
Продолжение
<р, эВ	А А-см-2-К-2	Темпера- турный интервал измерений,К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
5,00 ±0,03	—	—	ФЭ	Измерено на тщательно обезгаженных фольге и проволоке чистотой 99,9% методом изотер- мических кривых Фаулера при Р = 10~9— 5 • 10~10 мм рт. ст.	[74]
5,1—5,2		——	тм	Предполагаемое значение для пленок, напы- ленных при Т = 78 К	[1015]
5,18	—	—	ФЭ	Пленка напылена на стеклянную подложку при Т = 458 К Измерено на проволоке чистотой 99,9% мето- дом прямой Ричардсона	[1628]
~ 5,2 ± 0,1		—	тэ		[793]
5,25	—		тэ	Чистая поверхность	[1353]
4,75	— '	— ""	—	Рекомендуемое значение	—
Рис. 21. Зависимость работы выхода при ФЭ от температуры
прогрева родия в течение 1 ч (фольга чистотой 99,9% и проволо-
ка марки ОЧ) [74, 375].
3,4
3,59
4,01
4,47
4,49
4,52
4,54
4,54±0,2о
4,60±0,15
4,68
4,72
4,73
4,77
4,80
4,80
4,80
4,82
4,82
46. Палладий Pd
—	1000	тэ	Эффективная работа выхода	[171]
—		КРП	При нагреве на атомно-чистой поверхности'	
			палладия образуются сульфиды	[1306]
	—	КРП	Атомно-чистая поверхность при Р = (2—4) X '	
			X 10~10 мм рт. ст.	
—	—	тм	Вычислено по (46)	[215]
*—	300	КРП	Эталон — ртуть ((pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
	—	тм	Вычислено по (53)1	
		тм	Вычислено по (52)J	[130]
	—	РМ	Определено из анализа фотоэлектронных рент-	[2094]
			геновских спектров	
—	—	ФЭ	Фольга прогрета при Т = 1173 К при Р —	[1388]
			= 10“9 мм рт. ст.	
—	—	КРП	Измерено на палладии чистотой 99,99% в ва-	[579]
			кууме после полировки. Эталон — золото	
—	—	тм	Вычислено по (50)	[1765]
—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[930]
			ных данных	
—	—	тм	Вычислено по (18)	[671]
—	—	КРП	Измерено на воздухе^	
			после полировки	Чистота палладия	
—	—	КРП	Измерено в вакууме / 99,99%. Эталон —	
			после шлифовки	золото	[579]
—	450—1200	тэ	Измерено на палладии чистотой 99,9% мето-	[2135]
			дом прямой Ричардсона при Р = Ю-”5 мм рт.ст.	
—	—	ФЭ	—	[907]
	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1586]
			ных данных	
4 1590
50
Простые вещества
П р одолжение
Ф, эВ	А, А-см 2-К	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,83	—		ФЭ	Фольга прогрета при Т == 1173 К и выдержа- на в среде водорода при = 10-4 мм рт. ст.	[1388]
4,86		—-	КРП	Измерено на палладии чистотой 99,99% в ва- кууме после высокотемпературного отжига. Эталон — золото	[579]
4,9	—	—	тэ	—	[2012, 2013]
4,90—5,22		—	ФЭ	Пленки на стеклянной подложке. Значение ср зависит от температуры отжига пленок (78— 583 К)	[1628]
4,95	—	—	КРП	Измерено на палладии чистотой 99,99% на воздухе после шлифовки. Эталон — золото	[5791
4,95	—	77	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая по- верхность) Пленки толщиной 40—70 нм термически напы- лены на обезгаженный тантал. Р = 10“® мм рт. ст.	[1645, 1870]
4,95 ±0,05	—	-—	ФЭ		[1388]
4,96	—	300	КРП	Слой напылен в вакууме. Эталон — серебро (cpAg принята равной 4,63 эВ)	[1234]
4,97	—	690	ФЭ	—	[1026]
4,97—4,99	——.		ФЭ	—	[767]
4,98		—	—	—	[1299]
4,98	—	—	КРП	—	[828]
4,98	—	——	АЭ		[1057]
4,98	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1672]
4,99	—	0	ТЭ	—-	[1026]
4,99	60	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[662, 767]
4,99	—	—	ТЭ	—	[1833]
5,00		—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1903]
5,01	—		тм	Вычислено с использованием потенциала нуле- вого заряда	[1904, 1905]
5,1	—.	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1569]
5,1	—	—"•	тм	То же; определено по графику: работа выхо- да — атомный номер	[1091]
5,12	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
5,13			ФЭ	Пленки толщиной 40—70 нм термически напы- лены на обезгаженный тантал и выдержаны в среде водорода при = 2 • 10“4 мм рт. ст.	[1388]
5,20	—	11	ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на пленках, испаренных при Р < 5 • 1О“"10 мм рт. ст.	[1203]
5,21	—		КРП	Измерено на палладии чистотой 99,99% на воздухе после высокотемпературного отжига. Эталон — золото	[579]
5,22	—	—	тм	Вычислено на основании данных по перенапря- жению водорода	[2136]
5,40		—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 388 К)	[1645, 1870]
5,5 9,эВ 5fl- 4/L	_J	1  200	400		2 1 Г,К	ФЭ Рис. 22. 3< отжига Pd (8—12 нм) ны	шисимость работы выхода при ФЭ от температуры пленок, напыленных па кварц: 1 — тонкие пленки [12011; 2 — толстые пленки (25—100 нм), отожжеи- е в течение примерно 0,5 ч [1201, 1203].	[2034]
Поликристаллы
51
П родолжение
ф, эВ	А д •	• К“"2	Темпера- турный интервал	Метод опреде-	Примечания	Литература
		измерений, К	ления ф		
5,55 ±0,1 4,8	—	—	ФЭ	Поликристаллические пленки толщиной около 100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотерми- ческих кривых Фаулера при Р — 10"10 мм рт. ст.	[1148]
	——		—	Рекомендуемое значение	
			47. Серебро Ag		
3,09		<1233	ТЭ	—	[1955]
3,19	—		ТМ	Рассчитано методом самосогласованного поля на основе модели свободных электронов	[1829]
3,56	0,76		ТЭ	Измерено методом прямой Ричардсона после обезгаживания в течение 1200 ч	[906]
3,56—4,33	—	—	ТЭ	—	[876]
3,67		300	ФЭ	—	[1545]
3,85	—	—	ФЭ	Интегральная работа выхода	[1760]
3,94	—	—	КРП	Атомно-чистая поверхность. Р = (2—4) X X 1О“10 мм рт. ст.	[1306]
3,94 ±0,01		—	ФЭ	Гранулярная пленка обработана при Т, рав- ной 373 и 473 К	[878]
3,99	—	1	тм	«Электрохимическая» работа выхода электрона	[131]
				вычислена с учетом изменения потенциала ну- левого заряда при адсорбции паров воды	
4,0	—	—	КРП	Серебро чистотой 99,99%. Эталон — остекло- ванный металлический электрод с <р = 4,44 эВ	[73]
4,0		—	ФЭ	—	[1475]
4,0	—	—	тм	Вычислено с использованием потенциала нуле- вого заряда	[232]
4,00	—	—	тэ	—	[1495]
4,00	—		тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных; определено по графику: работа выхода — атомный номер	[1207]
4,0 ±0,15	—	—-	ФЭ	Поликристаллические пленки толщиной около 100—200 нм на подложках из оптически про-*	b Ц148)
				зрачного кварца. Измерено методом изо- термических кривых Фаулера при Р =	
				= Ю"10 мм рт. ст.	
4,01 ±0,01	—		ФЭ	Гранулярная пленка прогрета при Т = 373 К	[878]
4,06	60,2	11	тэ	Метод прямой Ричардсона	[767]
4,08	60,2	—	тэ	> » »	[1243]
4,1	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1503]
4,1-4,75	—	—	ФЭ	 “	[1199]
4,13	—	—	тм	Вычислено по (46)	[215]
4,18		—	тм	Вычислено по (50)	[1765]
4,18—4,37	—	—	ФЭ	Покрытие на W-проволоке. Значение ф зави- сит от температуры отжига покрытия (78— 485 К)	[1628]
4,18—4,37	—	—	АЭ	Пленки испарены при Р = 1О~10 мм рт. ст. на стеклянные подложки. Значение ф зависит от температуры отжига пленок (78—485 К)	[1629]
4,18±0,01	—	—	ФЭ	Гранулярная пленка прогрета при Т = 373 К	[878]
4,2	—	—	тм	Вычислено по (46)	[214]
4,20		—	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая по- верхность)	[1645, 1870] [1963]
4,21	—	—	КРП	—	
4,22		77	ФЭ	Пленка напылена на подложку. Неупорядо- ченная структура (непрогретая поверхность)	[1873]
4,23	—	—	ФЭ	То же	[892]
4,26	—	—	тм	Вычислено по (53)	[136]
4
52
Простые вещества
Продолжение
ф. эВ	А, А*см—-К 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- лении ср	Примечания	Литература
4,26	—	•—	ТМ	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
4,26 ±0,02	—	—	ФЭ	Тонкие пленки на кварце. Метод изотермиче- ских кривых Фаулера	[1145]
4,28	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1586]
4,29	—	—	тм	Вычислено по (52)	(136]
4,29 ±0,02	—	—	КРП	Капля серебра. Эталон — вольфрам	[1671]
4,29±0,02		300	КРП	Листовое серебро. Эталон — хорошо обезга- жепиый листовой вольфрам (q?w принята рав- ной 4,54б эВ)	[1343]
4,3	—	—	ФЭ	Работа выхода электрона из серебра в NaCI	[980]
4,30	—	300	КРП	Эталон — барин (<рВа принята равной 2,52 эВ)	(918]
4,30	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1903]
4,30±0,02		300	КРП	Толстая многослойная пленка напылена в ва- кууме на стекло. Эталон — хорошо обезга- женный листовой вольфрам (<pw принята рав- ной 4,545 эВ)	[1343]
4,31	—	300	КРП	Эталон — вольфрам ((pw принята равной 4,54 эВ)	[1590]
4,31	107	—	ЭФ	Эмиттер — стенки графитовой камеры, покры- тые серебром	[1392]
4,31	—	300	КРП	Эталон — барий (фВа принята равной 2,52 эВ)	[918]
4,31	—	—	ФЭ	—	[1746]
4,32±0,03		300	КРП	Толстая многослойная пленка напылена в ва- кууме на листовой вольфрам. Эталон — хо- рошо обезгаженный листовой вольфрам (q>w принята равной 4,54в эВ)	[1343]
4,32 ±0,05	—	—	КРП	Пленка на вольфраме. Эталон — вольфрам	[1590]
4,33	—	—	КРП	При нагреве атомно-чистой поверхности на ней образуются оксид и сульфид серебра	[1306]
4,33 ±0,05	—	—	КРП	Эталон — вольфрам (<pw принята равной 4,56 эВ)	[912]
4,36		—	РМ	Эталон — Au-фольга. Р он 10“8 мм рт. ст.	[1171]
4,38	—	—	КРП	—	[1495]
4,39		—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 293 К)	[1645, 1870]
4,39 ±0,05			КРП	Пленка серебра спектральной чистоты (99,999%) толщиной 20—30 нм напылена па подложку. Эталон — тонкий слой золота (<рАи принята равной 5,30 ± 0,01 эВ). Р = 1,5 X X 10“9 мм рт. ст.	[1035]
4,4	—	—	КРП	Отожженные пленки, осажденные на стекло в сверхвысоковакуумной системе с Hg-откачкой. Эталон — ртуть	[1197]
4,41—4,68	—	—	ФЭ	—	[1839]
4,41 ±0,01		 '	ФЭ	Упорядоченная структура. Пленки термически напылены на поверхность плавленого кварца и молибдена	[980]
4,41 ±0,05	—	—	КРП	Пленка толщиной около 100 нм термически на- пылена па грань {111} Si	[1894]
4,44		300	КРП	Эталон — ртуть (<pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,44	——•	—	ФЭ	Пленка напылена на подложку. Упорядочен- ная структура (поверхность прогрета при Т = = 300 К)	[ 1873]
4,44 ±0,01		300	КРП	□Толстая многослойная пленка напылена в ва- кууме на листовой тантал. Эгалон — хорошо обезгаженный листовой вольфрам (q?w приня- та равной 4,546 эВ)	[1343]
4,45	—	—	КРП	—	[828]
Поликристаллы
53
Продолжение
Ф, эВ	А, А • см	• К	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод ’опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,45			КРП	Эталон — барий	[911]
4,46		90	КРП	Эталон — барий (фВа принята равной 2,52 эВ)	[912, 1731]
4,46±0,02			КРП	Эталон — грань {310}W. Измерено на сверх-	[2076]
				чистой пленке	
4,47	—•	—	КРП	—	(915]
4,48	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про-	[892]
				грета при Т = 295 К)	
4,48		300	КРП	Эталон — серебро (<pAg принята равной	[1183]
				4,63 эВ)	
4,5	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[930, 1569]
				ных данных	
4,50	—	—	КРП	—	[1331]
4,50—4,52	—	—	ФЭ	—	[797]
4,50±0,02	—	—	ФЭ	Пленка испарена на массивную Ag-подложку	[980]
4,5! ±0,02	——	—*	ФЭ	Пленка напылена на слюду при Т = 298 К	[1145]
4,55	—	—	тэ	—	[828]
4,55	—	—	ФЭ	Окисленное серебро чистотой 99,99%	[73]
4,56	—	873	ФЭ	—	[1998]
4,58	—	—	ФЭ	Испаренная в вакууме пленка	[1862, 1866]
4,6	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера-	[1091]
				турных данных; определено по графику: рабо-	
				та выхода — атомный номер	
4,60	—	—	КРП	Окисленное серебро чистотой 99,99%. Эта-	[73]
				лон — остеклованный металлический электрод	
				с <р = 4,44 эВ	
4,60	—	450—1200	тэ	Измерено на серебре чистотой 99,9% методом	[2135]
				прямой Ричардсона при Р — КГ"5 мм рт. ст.	
4,61	—	300	ФЭ	—	[1022]
4,63	—	—	ФЭ	—	[1495]
4,65	—	293	ФЭ	Метод Дю-Бриджа	[1998]
4,68		300	ФЭ	—	[1863]
4,68	—	—	ФЭ	Пятнистая поверхность	[980]
4,7	—	—	тэ	—.	[2012]
4,7	—	—	КРП	Окисленная поверхность	[1183]
4,70		—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1672]
				ных данных	
4,72			ФЭ	Отожженная пленка, напыленная на слюду	[1145]
				при Т = 425 К. Метод изотермических кривых	
				Фаулера	
4,72	—	—	КРП	Измерено на серебре чистотой 99,99% в ваку-	[579]
				уме после полировки. Эталон — золото	
4,73	—	—	—	—	[1299]
4,73	—	293	ФЭ	—	[767, 1998]
4,74		0	ФЭ	—	[5Ю]
4,74	—	—	КРП	Измерено на серебре чистотой 99,99% па возду-	[579]
				хе после полировки. Эталон — золото	
4,758	—	—	тм	Вычислено на основании данных по перена-	[2136]
				пряжению водорода	
<4,76	—	—	ФЭ	Слой серебра испарен па грань {100} моно-	[1074]
				кристалла серебра. Нагрев до слабо-красного	
				свечения увеличивает значение <р до 4,76 эВ	
4,77			КРП	После шлифовки Измерено в вакууме на	
4,78	—	—	КРП	После высокотем- серебре чистотой 99,99%.	f S7Q1
				пературного от- Эталон — золото	
				жига	
4,78	—	300	ФЭ	—	[1862]
4,79	—		КРП	После шлифовки Измерено на воздухе.	
4,82	——	—	КРП	После высокотем- Чистота серебра 99,99%.	fi7Ql
				пературного от-	Эталон — золото	p/yj
				жига	
4,97	—	—	ФЭ	—	[1419|
4,3		—		Рекомендуемое значение	——
54
Простые вещества
Продолжение
Ф, эВ	А, А-см-2. К- 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
3,36			48. Ка ТМ	дмий Cd Рассчитано методом самосогласованного поля	[1829]
3,6	—	—	ТМ	на основе модели свободных электронов Предложено на основании анализа литератур-	[15691
3,6	—-	—	ТМ	ных данных То же; определено по графику: работа выхо-	[10911
3,68	——	—	ФЭ	да — атомный номер	[1799J
3,73	—		ФЭ	—	[15451
3,9	—	—	ТМ	Вычислено по (52)	[1361
3,92	—	—	ТЭ	—	[8281
3,92	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литератур-	[15861
3,93			ТМ	ных данных Вычислено по (53)	[136)
3,94	—		ФЭ	-—	[12971
3,96	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литератур-	[930]
3,97	—-	—	тм	ных данных То же	[1903]
4,0	—	—	тм	Вычислено с использованием значения потен-	[232]
4,00	—	300	КРП	циала нулевого заряда Эталон — ртуть (фН(? принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,0	—	—	КРП	Эталон — серебро (фА . принята равной 4,3 эВ)	[1234]
4,0	—	—	тм	Вычислено по (46)	[214, 215]
4,01	—	—	КРП	Эталон — золото, откалиброванное по сверх- чистой ртути (9Hg принята равной 4,50 эВ)	[447, 541]
4,04	—	—	КРП		[1183]
4,04	—		тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1672]
4,06	—	—	КРП	ных данных Эталон — серебро (фА принята равной	[1324]
4,07	—	—	ФЭ	4,31 эВ)	[1001]
4,08	—	—	ФЭ	—	[767]
4,08 4,08	—-»	—	ФЭ КРП	Упорядоченная структура КРП между кадмием, испаренным на тантал,)	[519]
4,099	—	——	ФЭ	и барием (фВа принята равной 2,52 эВ)	[1868]
—4,1	—		ФЭ	—	[8761
4,1	—	—	тэ		[2012]
4,10	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1207]
4,10	—	—	тм	ных данных; определено по графику: работа выхода — атомный номер Рассчитано на основе потенциальной модели Шау	[1664]
4,12	•Г*.	—	тм	Вычислено е использованием значения потен-	[1904, 1905]
4,22				тм	циала нулевого заряда Предложено на основании анализа литера-	[2085]
4,22 ±0,01		300	КРП	турных данных Толстая многослойная пленка напылена в ва-	[919, 1343]
4,32			тм	кууме на листовой тантал. Эталон — хорошо^ обезгаженный листовой вольфрам (ф^ принята равной 4,54ь эВ) Вычислено на основании данных по перенапря-	[2136]
4,47	—		тм	жению водорода	\ Вычислено по (50)	[1765]
4,49	—	—	КРП	—	[1324]
4,1	—	—	——•	Рекомендуемое значение	-—
Поликристаллы
55
Продолжение
Ф, эВ	А А-см—2-К“2	Темпера- турный интервал измерений,К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
3,44			49. № ТМ	1ДИЙ In Рассчитано методом самосогласованного поля	(1829]
3,6			ТМ	на основе модели свободных электронов Вычислено по (52) и (53)	[136]
3,6	—	—	тм	Вычислено по (43)	[1250]
3,82 ±0,05 3,825 ±0,01 3,85 ±0,01	—	—	ФЭ ФЭ ФЭ	Оценено по спектральной зависимости кван-} тового выхода путем сравнения токов насы- щения In- и Аи-фотокатодов Измерено на массивных цилиндрических об- разцах высокой чистоты методом сферических конденсаторов при Р = 10~7 мм рт. ст. Пленка на кварцевой подложке. Средняя ра-	[653] [966]
3,97 4,0	—	—	тм тм	бота выхода для пятнистой поверхности в сла- бом электрическом поле Вычислено по (46) Определено по графику: работа выхода —	[215] (828, 1586]
4,05		298	КРП	атомный номер Эталон — золото, откалиброванное по сверх-	[444, 447,
4,05			-	тм	чистой ртути (фНс принята равной 4.50 эВ). Измерено в среде инертного газа Определено по графику; работа выхода —	539, 541] [1207]
4,03	—	—	тм	атомный номер Предложено на основании анализа литератур-	[1903]
4,08±0,01			ФЭ	ных данных Измерено методом изотермических кривых	[1489]
ф 4,08 ±0,04		473	ФЭ	Фаулера на пленках индия, полученных тер- мическим испарением на стеклянную подлож- ку в сверхвысоковакуумной системе с ртутной откачкой. Значение <р не зависит от степени и качества вакуума при получении пленок (5 • 10~10, 2 ♦ 1(Г“10, <10~10мм рт. ст. в си- стеме с ртутной откачкой и 10~7 мм рт. ст. в системе с масляной откачкой), а также от ка- чества пленок (свеженапыленные или «соста- ренные» при Р он 5 • 10~н мм рт. ст. в тече- ние 18 ч) Индий марки Ин-00	(822, 823]
4,1 4,12		—	тм тм	Вычислено по (46) Предложено на основании анализа литера-	1214] [2085]
4,12 ±0,02		—	ФЭ	турных данных Пленка толщиной 25 нм на кварце. Метод изо-	[1677]
4,16	—		тм	термических кривых Фаулера Вычислено с использованием значения потен-	[1904, 1905]
-4,6	 	—	ФЭ	циала нулевого заряда Измерено методом изотермических кривых Фа-	[1489]
4.88			тм	улера на пленке индия, полученной термиче- ским испарением на стеклянную подложку в высоком вакууме и экспонированной на воз- духе при атмосферном давлении Рассчитано на основе потенциальной модели	(1664)
3.8	—	—	—	Шау Рекомендуемое значение	—
3,42			50. 0 ФЭ	лово Sn	[1419]
3,45	—	—	ТМ	Рассчитано методом самосогласованного поля	[1829]
3,62		—	ФЭ	на основе модели свободных электронов	[1545]
56
Простые вещества
Продолжение
ф> эВ	А А-см 2-К“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
3,8		.	—	ТМ	Предложено на основании анализа литера-	(1503]
				турных данных	
3,87	—	—	ФЭ	—	[1297]
4,09	—	300	КРП	Эталон — ртуть (фНд принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,1	—	—	тм	Вычислено по (46)	[214]
4,1	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1569]
				ных данных	
4,11		__	тм	То же	[1586]
4,13	—		тм	Вычислено по (46)	[215]
4,17	—.		КРП	Эталон — золото, откалиброванное по сверх-	[447, 539]
				чистой ртути (фНй принята равной 4,50 эВ)	
4,21	—		КРП	—	[1324]
4,21	——	—	ФЭ	Жидкое олово	[1244]
4,25	—	—	КРП	Эталон — серебро (<pAg принята равной 4,31	[1183]
				эВ)	
4,28	—		КРП	у-Фаза	[828]
4,28		—	ФЭ	»	[1199]
4,29	——		тм	Предложено на основании анализа литера-	[930]
				турных данных	
4,3	—	298	ФЭ	Пленка олова чистотой 99,999% толщиной	[1702]
				около 50 нм испарена на металлическую под-	
				ложку. Измерено методом изотермических	
				кривых Фаулера при Р 5 ♦ 1О“"10 ммрт. ст.	
4,3	—	—	тм	Вычислено с использованием значения потен-	[232]
				циала нулевого заряда	
4,31	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про-)	
				грета при Т = 260 К)	19561
4,33		77	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая	
				поверхность)	
4,35	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера-	[1903]
				турных данных	
437	—	——	тм	То же; определено по графику: работа выхо-	[1207]
				да — атомный номер	
4,38	—		КРП	0-Фаза	[828]
4,38	—	—	ФЭ	Гексагональная структура	[767]
4,38	——	мм	ФЭ	у-Фаза	1244]
4,39			ФЭ	р-Фаза	1199]
4,39	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера-	[1672]
				турных данных	
4,39—4,28	—		ЭФ	—	[828]
4,4			.	тэ	—	[2012]
4,4	—	298	ФЭ	Пленка олова чистотой 99,999% толщиной око-	[1702]
				ло 50 нм испарена на металлическую подлож-	
				ку. Найдено по кривым энергетического рас-	
				пределения электронов при Р С 5 • 1О“"10 мм	
4,42	—	—	КРП	рт. ст. Эталон — алюминий (фА1 принята равной	[1818]
				4,08 эВ). Тонкая пленка	
4,42	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера-	[2085]
				турных данных	
4,425 ±0,050	—	—	КРП	Средняя работа выхода для пятнистой поверх-	[1818]
				ности. Эталон — золото (фАи принята равной	
				4,695 эВ)	
4,468	—	—	тм	Вычислено на основании данных по перена-	[2136]
				пряжению водорода	
4,50	—	—	ФЭ	0-Фаза	[1244]
4,51		—	ФЭ	Тетрагональная структура	[767]
4,51	—	—	ФЭ	а-Фаза	[440]
4,64	—	—	КРП	—	[1324]
4,38		—		Рекомендуемое значение	
Поликристаллы
57
Продолжение
ф. эВ	А, А-см1- 2-К‘~"2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
51. Сурьма Sb
4,0 4,01			тэ ФЭ	—	[2012] [1587J
4,05	—	«—	ФЭ	р-Фаза	[767]
4,05			тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных; определено по графику: ра- бота выхода — атомный номер	[1207]
4,08	—•	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586]
4,08		—	КРП	—	[828]
4,14	—	—	КРП	Эталон — ртуть ((pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,18	—	—	КРП	Эталон — золото, откалиброванное по сверх- чистой ртути (cpHg принята равной 4,5 эВ)	[539, 541]
4,3	—	—	тм	Вычислено по (46)	[214]
4,48	——	—	тм	То же	[215]
4,49	—		ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая по- верхность)	[1887]
4,55	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
4,56	—		тм	То же	[1672, 1903]
4,60	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т > 473 К)	[1887]
4,60	* "**“	 1	ФЭ	Кристаллические слои термически напылены на никель, молибден, платину, ниобий, кварц, графит	[926]
4,08	—			Рекомендуемое значение			
52. Теллур Те
4,04 4,7	—		ФЭ тм	Вычислено по (46)	[440, 797] [214]
4,70		300	КРП	Эталон — ртуть (<pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,73	—	—	КРП	—	[828]
4,73	—	——	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1586]
4,76	—	—	ФЭ	—	[925]
4,85				—	ФЭ	Разупорядоченная пленка Определено по теллура напылена в вакуу- кривым энерге- ме на нержавеющую сталь тического рне-	[2093]
4,95		—	ФЭ	кристаллический теллур	пределения фото- электронов	
4,95			—•	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
5,0	—	—	ФЭ	Спектрально-чистый теллур	[1886]
5,00 ±0,05	—	—	ФЭ	Тонкие слои на кварце и никеле	[41]
-5,1	—		ФЭ	Пленка на кварцевой подложке	[152]
4,73			53.	Рекомендуемое значение Иод I	
2,78 ±0,03 5,41 ±0,02			—	ФЭ ФЭ	Ромбический 1 Метод задерживающих потен- Моноклинный J циалов	[1969]
6,3	—	—	тм	Вычислено для молекулярных кристаллов без учета диполь-дипольного взаимодействия	[1547]
6,75 ±0,02			ФЭ	Измерено на аморфном иоде методом задер- живающих потенциалов	[1969]
58
Простые вещества
Продолжение
<р, эВ	л. А • см“2"К“*2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления Ф
Примечания
Литература
55. Цезий Cs
(1,1-1,4)+ „		—	—	тэ	—		[1400]
(1,3—3,9). 10“					Измерено		
1,38		—•	—	тэ		на плоских образцах при Р <	[1760]
					< 10 мм рт. ст.		
1,8		—	—	тэ		—	[2012]
1,8			—	тэ	Слой на	W-поликристаллической нити	]965]
1,8		—	——	КРП		—	[1331]
1,8		—	—	АЭ	Толстый слой на гранях монокристалла воль-		[623]
1,8				тэ	фрама Слой на W-монокристаллической нити		[401]
1,8		—		ФЭ			[1952]
1,81		—	—	тэ		—	[768]
1,81		162		тэ	Метод прямой Ричардсона		[510, 662,
							767, 1436]
1,84=1=0,01			300	КРП	Толстая	многослойная пленка напылена в	[1343]
					вакууме на листовой вольфрам. Эталон — хо- рошо обезгаженный листовой вольфрам (<pw принята равной 4,54й эВ)		
							
1,86		—	—	тм	Вычислено по (53)		[136]
1,87			—	КРП		—	[828]
1,87—1,96		—-	—	ФЭ		—	[510, 1724]
1,88		—		тм	Вычислено по (52)		[136]
1,89		—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных		[1586] [510, 1651]
1,9		—		ФЭ		——	
1,9		—	—	тм	Вычислено по (46)		[214]
1,9 ±0,1		—	—	АЭ	Слой на	микромонокристалле вольфрама	[529]
1,92			—	АЭ			[1287]
1,93			—	КРП		—	[828]
1,93		—	—	ФЭ		—	[767]
1,94			—	ФЭ		—	[1572]
1,94		——	—	тм	Вычислено по (50)		[1765]
1,95		—	298	ФЭ	Твердый	Измерено методом изотермических	[534, 538]
1,95		 1		ФЭ	Жидкий	кривых Фаулера при Р = 10”8 мм рт. ст.	
							
1,95		— м	298	ФЭ	Р = 10 9 мм рт. ст.		[1560]
1,96			—	ФЭ		—	[1018]
1,97		—	—	тм	Вычислено по (18)		[671]
2,0 ±0,1		—	—	ФЭ	Чистый цезий		[897]
2,14		—	——	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных		[2085] [2108]
2,14		—	—	ФЭ	Пленка на полированном стекле. 0 = 2—3.		
					Р = 10“	10 мм рт. ст.	
2,14±0,05		—	77	ФЭ	Массивные слои чистого цезия получены при		[1010]
					Р 10“	° мм рт. ст.	
2,64		*—	—	тм	Рассчитано методом самосогласованного поля на основе модели свободных электронов		[1829]
1,81			—	—	Рекомендуемое значение				
56. Барий Ва
1,73 1,90		300	КРП тэ	Эталон — ртуть ((pHg принята равной 4,50 эВ) Мономолекулярный слой на подложке	[1438] [1597]
2,1	60	 “	тэ	Метод прямой Ричардсона	[767]
2,1	—	—	АЭ	Пленка напылена на вольфрам	[343]
2,1—2,2	—	—	АЭ	—	[528]
2,11	60	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[662]
2,11	—	—	ТЭ	—	[1724]
Поликристаллы
59
Продолжение
Ф, эВ	А, А-см-2-К-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
2,29	—		ТМ	Предложено на основании анализа литера- турных данных	(1586)
2,3	—	—	КРП	—’	[1331]
2,3	—	—	ФЭ	Измерено на слоях толщиной 10—100 нм мето- дом изотермических кривых Фаулера	[523]
2,30	—	—*	тм	Вычислено по (50)	(1765]
2,35		—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	(1750]
2,35+0,03	—	300	КРП	Толстая многослойная пленка напылена в ва- кууме на стекло. Эталон — хорошо обезга- женный листовой вольфрам (<pw принята рав- ной 4,546 эВ)	(1343]
2,39 ±0,05	—	—	КРП	Толстый слой испарен на W-ленту. Эталон — вольфрам (<pw принята равной 4,52 эВ)	(9Н]
2,4	—	—	тэ	—	[2012]
2,4	——	—	тм	Вычислено по (46)	[214]
2,42±0,05		90	КРП	Толстая многослойная пленка напылена в вакууме на листовой вольфрам. Эталон — хо- рошо обезгаженный листовой вольфрам (<pw принята равной 4,546 эВ)	[911, 1343]
2,48	—	—	ФЭ	—	[1571]
2,49		—	ФЭ	—•	(510, 1056]
2,5	—	—	КРП	Испарен на хорошо очищенную W-подложку	[594]
2,5	—-	—	тэ	—	[816]
-2,5	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[411]
2,5	—	—	АЭ	—	(764]
2,5	—	—	тм	Вычислено по (52)	[136]
2,51	—	—	ФЭ	—	[1056]
2,52	—	—	ФЭ	'—	[1395]
2,52	—		КРП		[828]
2,52	—	—	КРП	Эталон — цинк	[914]
2,53	—	—	тм	Вычислено по (53)	[136]
2,55		—	ФЭ	—.	[767]
2,65	—•	—•	тм	Вычислено по (18)	[671]
2,66±0,01		300	КРП	Толстая многослойная пленка напылена в ва- кууме на листовой тантал. Эталон — хорошо обезгаженный листовой вольфрам (tpw приня- та равной 4,545 эВ)	[918, 1343]
2,7	—*	—•	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[2085]
2,70	—	—	ФЭ	•—	[1864]
2,49	——	—	—	Рекомендуемое значение	—
57. Лантан La
2,50 2,71 2,72		—	КРП тм тм	Эталон — Au-электрод, откалиброванный по сверхчистой ртути (cpHg принята равной 4,50 эВ). Измерено в среде азота с примесью кислорода (—0,001%) « Ап33 i Вычислено по (50) р-Фаза J	'	[2148] [1765]
3,0	—	—	тм	Вычислено по (46)	[214]
3,20	—	—	тэ	Толстое покрытие (0 > 2) на грани (0001) Re. Метод прямой Ричардсона	[368]
3,21	—		тм	Вычислено по (53)	[136]
3,26	—		тм	Вычислено по (18)	[671]
3,28	—		тм	Вычислено по (52)	[136]
3,3	 	—-	тм	Определено по графику: работа выхода — атомный номер	[101, 828]
60
Простые вещества
П р одолжение
ф, эВ	А, А«см"~2 'К-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления <р	Примечания	Литература
3,3	—	——	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[1200]
3,3	—	0	ТЭ	—	[1800]
3,3	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586]
3,30	'  —	—	тм	Рассчитано методом самосогласованного поля на основе модели свободных электронов	[1829]
3,5	—		тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
3,5±0,2			ФЭ	Поликристаллические пленки толщиной около 100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотерми- ческих кривых Фаулера при Р = 1О~10 мм рт. ст.	[1148]
3,3		—	—	Рекомендуемое значение	—
58. Церий Се
2,6
2,6
2,62
2,7
2,84
2,84
2,9
2,9 ±0,2
2,98
3,07
3,20
2,7
0	ТЭ
-	ТМ
-	КРП
—	тм
—	тм
300	ФЭ
—	тм
—	ФЭ
тм
ФЭ
тэ
Определено по графику: работа выхода —
атомный номер
Эталон — Au-электрод, откалиброванный по
сверхчистой ртути ((pHg принята равной
4,50 эВ). Измерено в среде азота с примесью
кислорода (—0,001%)
Предложено на основании анализа лите а-
турных данных
Определено по графику: работа выхода —
атомный номер
а-Фаза
Предложено на основании анализа литератур-
ных данных
Поликристаллические пленки толщиной около
100—200 нм на подложках из оптически про-
зрачного кварца. Измерено методом изотер-
мических кривых Фаулера при Р = 1О“”10 мм
рт. ст.
а-Фаза. Вычислено по (50)
Толстое покрытие (0 > 2) на грани (0001) Re.
Метод прямой Ричардсона
Рекомендуемое значение
[1800]
(8281
[2148]
11586]
|Ю1]
[1731]
[2085]
[1148]
[1765]
[767]
[368]
59. Празеодим Рг
2,67	11		КРП	Эталон — Au-электрод, откалиброванный по сверхчистой ртути (<pHg принята равной 4,50 эВ). Измерено в среде азота с примесью кислорода (—0,001%)	[2148]
2,7	—		тм	Определено по графику: работа выхода — атомный номер	[101, 828]
2,7	—	0	тэ	а-Фаза	[1800]
2,7			тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1586]
2,81	—	——»	тм	а-Фаза. Вычислено по (50)	[1765]
2,7	—	—	—	Рекомендуемое значение	—
Поликристаллы
61
Продолжение
Ф, эВ	А, А-см"“2-К'“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
t 2,50		-	60. На КРП	эдим Nd Эталон — Au-электрод, откалиброванный по	[2148]
2,92	—	—	ТМ	сверхчистой ртути (<pHg принята равной 4,50 эВ). Измерено в среде азота с примесью кислорода (—0,001%) Вычислено по (50)	[1765]
3,1 ±0,05	—	*—	АЭ	Р = 10~9 мм рт. ст.	[546]
3,2	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литератур-	[2085]
3,2±0,25		—	ФЭ	ных данных Поликристаллические пленки толщиной около	[Н48]
3,3		0	тэ	100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотер- мических кривых Фаулера при Р = 10~10 мм рт. ст.	[1800]
3,3	—	—	тм	Определено по графику: работа выхода —	[101, 828]
3,3			тм	атомный номер Предложено на основании анализа литератур-	[1586]
3,2	—	—	—	ных данных Рекомендуемое значение	—
61. Прометий Рт
3,07
ТМ I Оценено по (43)
| [1268]
62. Самарий Sm
2,52	—	—
-2,6		-
2,7	—	
2,7 ±0,3	—	—
3,2		0
3,2	—	—
3,2	—	—
2,7	—	—
КРП
ФЭ
ТМ
ФЭ
тэ
тм
тм
Эталон — Au-электрод, откалиброванный по
сверхчистой ртути (<pHg принята равной
4,50 эВ). Измерено в среде азота с примесью
кислорода (~0,001 %)
Термически напыленная пленка
Предложено на основании анализа литератур-
ных данных
Поликристаллические пленки толщиной около
100—200 нм иа подложках из оптически про-
зрачного кварца. Измерено методом изотер-
мических кривых Фаулера при Р = 10“10 мм
рт. ст.
Определено по	графику:	работа выхода —
атомный номер Предложено на	основании	анализа литератур-
ных данных Рекомендуемое	значение	
[2148]
[1029]
[2085]
[1148]
[1800]
[828]
[1586]
2,5
2,5 ±0,3
63. Европий Ей
ТМ	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[2085]
ФЭ	Поликристаллические пленки толщиной около 100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотер- мических кривых Фаулера при Р = 10“10 мм рт. ст.	[1148]
62
Простые вещества
Продолжение
ф, эВ	А А-см“2-К	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
2,54 2,78	—	—	ТМ КРП	Оценено по (43) Эталон — Au-электрод, откалиброванный по сверхчистой ртути (q>Hg принята равной 4,50 эВ). Измерено в среде азота с примесью кислорода (—0,001%)	[1268] [2148]
64. Гадолиний Gd
2,90 ±0,06 2,9 ±0,1	 —	—	КРП ФЭ
3,07				тм
3,1	—	—	тм
3,1		—	ФЭ
3,1 ±0,15		-—	ФЭ
3,17	—	1100—140	тэ
3,2 ±0,3		—	АЭ
3,1	•—	—--	—
Ультрачистые поликристаллические текстури-
рованные образцы (грань (0001) направлена
параллельно поверхности). Эталон — платина
Измерено методом изотермических кривых
Фаулера при Р = 5 • 10~9 мм рт. ст. на очи-
щенных и обезгаженных образцах гадолиния
марки ГМ-0
Оценено по (43)
Предложено на основании анализа литера-
турных данных
Поликристаллические пленки толщиной около
100—200 нм на подложках из оптически про-
зрачного кварца. Измерено методом изотерми-
ческих кривых Фаулера при Р — 1О“"10 мм
рт. ст.
Эффективная работа выхода при Т ~ 1300 К;
dytdT — 5 • 10~5 эВ • К“’. Измерено мето-
дом полного тока на пол и кристаллическом
диске чистотой 99,9%
Покрытие на W-стержне. Метод прямой Фау-
лера — Нордгейма
Рекомендуемое значение
11714)
[2084)
[1268]
[2085]
[988]
[1148]
[485]
[1153]
		65.		Тербий ТЬ		
3,0	—	—	тм		Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[2085]
3.0-4- 0.1	 1	—	ФЭ		Измерено методом изотермических кривых Фа- улера при Р = 5  10~9 мм рт. ст. на очищенных и обезгаженных образцах тербия марки ТеМ-0	[2084]
3,09		—	тм		Оценено по (43)	[1268]
3,15		1100—1400	тэ		Эффективная работа выхода при Т — 1300 К; dqldT = IO-4 эВ . К-1. Измерено методом полного тока на поликристаллическом диске чистотой 99,5%	[485]
3,15	—	—	—		Рекомендуемое значение	—
66. Диспрозий Dy
3,09	—	—	тм	Оценено по (43)	[1268]
3,25		1100—1400	тэ	Эффективная работа выхода при Т = 1300 К; dyldT = 8 • 10“5 эВ • К-1. Измерено мето- дом полного тока на поликристаллическом диске чистотой 99,9%	[485]
3,25			—	Рекомендуемое значение	—
Поликристаллы
63
Продолжение
ф. эВ	А, А • см 2 • К	*7 емпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления Ф	Примечания
Литература
3,09	  '	
3,22	—	1100—1400
3,22	—	— -
67. Гольмий Но
ТМ	Оценено по (43)	[1268]
тэ	Эффективная работа выхода при Т = 1300 К; dyldT — 8 • 10“5 эВ • КГ1. Измерено мето- дом полного тока на поликристаллическом диске чистотой 99,7%	[485]
—-	Рекомендуемое значение	II *
2,975+6,5-10“5 Т	—	1150—1500
—3,1	-	-
3 12	__ ___________
3*25	—	1100—1400
3,25
3,10	—	1100—1400
3,12			
3,15	—	—
3,10		—
2,59	——	
2,6 ±0,05	—	—
3,14				
3,3		——
68. Эрбий Ег
тэ	Измерено на фольге при Р = 10~7 мм рт. ст.	[684]
ФЭ	Термически напыленная пленка	]1029]
тм	Оценено по (43)	[1268]
тэ	Эффективная работа выхода при Т = 1300 К; dy/dT = 8 • 10~б эВ • К-"1. Измерено мето- дом полного тока на поликристаллическом диске чистотой 99,8%	[485]
—	Рекомендуемое значение	—
69. Тулий Тт
ТЭ
ТМ
ТЭ
Эффективная работа выхода при Т = 1300 К;
dq/dT = 8 • 10~5 эВ • К-1. Измерено мето-
дом полного тока на поликристаллическом
диске чистотой 99,7%
Оценено по (43)
Толстое покрытие (0 > 2) на грани (0001) Re.
Метод прямой Ричардсона
Рекомендуемое значение
70. Иттербий Yb
ТМ	Оценено по (43)
АЭ	Р — 10~9 мм рт. ст.
71. Лютеций Lu
ТМ
ТМ
[485)
[1268]
[368]
[1268]
[1367]
Оценено по (43)	[1268]
Предложено на основании анализа литератур- [2085]
ных данных
		72. Гафний Hf			
3,20			ФЭ	Гексагональная структура	[767]
3,5	—	—	тэ	—	[962, 2012]
3,52	—	—-	тм	Вычислено по (53)	[136]
3,53				ФЭ	Кубическая структура	[767]
3,53			—	КРП	—•	[828]
3,53	14,5	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[662, 2042]
3,53			—	тэ	—	[2043]
3,53			—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586]
3,54		—-	тм	Вычислено по (52)	[136]
3,60	22,9	—	тэ	Метод прямой Ричардсопа	[1289]
3,65	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1750]
3,7	—	—•	тм	Вычислено по (46)	[214]
64
Простые вещества
Продолжение
<р, эВ	А, А -см-2-К-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
3,75 ±0,1		мша	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[1682J
3,82	—	—	тм	Вычислено по (18)	[671]
3,9			тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[20851
3,9±0,1			ФЭ	Поликристаллические пленки толщиной около 100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотер- мических кривых Фаулера при Р = 1О~10 мм рт. ст.	[11481
3,91	2,05	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1289]
3,93—1-Ю~5Т	—	1600—2100	тэ	—	12711
3,97		—	тэ	Чистая поверхность	[13531
4,0—4,12	•—	1620	тэ	Эффективная работа выхода для поверхности с различным набором граней	[2601
5,09	4,75-10*	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[20421
3,53	—	—	—	Рекомендуемое значение	
9>ЗВ
Рис. 23. Температурная зависимость работы выхода при ТЭ
для гафния [276]: 1 — необезгаженный образец; 2 — образец
прогрет при Т =* 1900 К в течение 1 сут; 3 — образец прогрет
при Г = 2100 К в течение 2 сут.
73. Тантал Та
3,14 3,58	1,ЗЬ ю-3	—	тэ тэ	Метод прямой Ричардсона	[1860] [1109, 1740]
3,75 ±0,05		—	КРП	Измерено на отожженной фольге при Р =	[6941
				= 10-8—10“"9 мм рт. ст. Эталон — золото (<рАц	
				принята равной 4,55 эВ)	
3,80	—	—	тм	Рассчитано методом самосогласованного поля	[18291
				на основе модели свободных электронов	
3,84—4,12	—	—	тэ	Измерено на плоских образцах при Р <	[1760]
				< 10~6 мм рт. ст.	
3,90 ±0,04	30	—а.	тэ	Проволока обезгажена вспышкой при Т ~	[1659]
				= 2273 К	
3,93	— 1	——	ФЭ	Интегральная работа выхода	[17601
3,96	—	300	КРП	Эталон — ртуть ((pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,0	—		тм	Вычислено по (46)	[214]
4,03		1473—1773	тэ	—-	[1602]
4,04	34		тэ	Метод прямой Ричардсона	[828, 1501,
					1502, 1740]
4,05	—	300	ФЭ	—	[1053]
4,05	—	—	тм	Вычислено по (18)	[671]
4,07	15,5	1100—1700	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	(1210]
4,07	60,2	0	тэ	» » »	[1138]
4,08	—		км	——	[14781
4,08 ±0,04	31±2	—	тэ	Метод'прямой Ричардсона	[16221
4,09	—	1673—2273	тэ	Измерено методом полного тока на тантале	[226]
				марки ТВЧ	
4,09	—	—	тэ	—	[14951
4,10	37,2	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1049]
4,10	«—		КРП	—	[828]
4,1	—		тэ	—	[2012]
4,1	60	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	1662]
Поликристаллы
65
Продолжение
Ф, эВ	А, А • см“"2 • К“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,10=^0,02				——	ПИ	ПИ молекул RbCl и КС1 на Та-проволоке	1814]
4,11		—	ФЭ	—	[510]
4,12	—	—	АЭ		[205]
4,12	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1586]
4,12		—	ТЭ	—	[440]
4,12	37	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[829]
4,12	60	1  “	тэ	» » »	[229, 510,
					1832]
4,12	—	—	ФЭ	—	[1495]
4,12		300	ФЭ	—	[1731]
4,12 ±0,07	—	—	РМ	Поликристаллическая проволока. Эталон — : вольфрам	[1581]
4,12—4,16	—	—	ФЭ	—	[767]
4,13	—	0	ФЭ		[1049, 1199]
4,13		——	тэ	Измерено после выдержки при Т = 2200 К в течение 1000 ч	[1048]
4,13	—	—	тэ	Измерено на расплаве методом прямой Ричард-	[1249]
				сона	
4,13		—	КРП	—	[828]
4,13		—	тм	Вычислено по (52)	[136]
4,13	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1672]
4,14±0,1 4,15	—	—	ФЭ	Пленка напылена на стекло при Р = 10~11 мм рт. ст. Метод изотермических кривых Фаулера	[961]
	— —	—	ФЭ	—	[1048]
4,15 4,16		—	тм	Рассчитано на основе модели квазисвободных электронов для поверхности монокристалла с выходом 70% грани {211}	[896]
			ФЭ	Эффективная работа выхода пятнистой поверх- ности в сильном электрическом поле	[1270]
					
4,16	—	300	ФЭ	—	[1048]
4,16	—	90	КРП	Эталон — вольфрам (cpw принята равной 4,54 эВ)	[1467]
4,17	85	— •	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1049]
4,17 4,18	2,95		пи	ПИ атомов стронция. Эффективная работа вы- хода для пятнистой поверхности в сильном эле- ктрическом поле	[1968]
			тэ	Метод прямой Ричардсона	[1841]
4,18	—	973	ФЭ	—	[1048]
4,19	—	—	тм	Вычислено по (46)	[215]
4,19	—	—	—	—	[1299]
4,194=0,02	55±5‘	0	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[H9I]
4,2	—	—	тм	Вычислено по (53)	[136]
4,2		—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1569]
4,20 +3,5-10-6?	—	1500—2100	тэ		[271]
4,22 4,22±0,02	—		тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1903]
	—	300	КРП	Поликристаллический листовой тантал. Эта- лон — хорошо обезгаженный листовой воль- фрам (<pw принята равной 4,545 эВ)	[1343]
					
					
4,23±0,03	—	—	пи	ПИ атомов бария. Эффективная работа выхода для пятнистой поверхности в сильном электри-	[1968]
				ческом поле	
4.24 4,24	—	2250	ТЭ 1 KMf	—	[1478]
4,23 4,25	—		тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[2085]
		—	ТЭ	«Чистая» поверхность в присутствии паров цезия	11991}
					
4,25	—		тэ	—	[276]
S <590
66
Простые вещества
Продолжение
Ф, эВ	А. А-см“"2-К“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления <р	Примечания	Литература
4,25	—	1100—1200	ТЭ	Поликристаллическая лента. Метод полного тока	[483]
4,25	—		КРП	Тантал прокален при Т = 1900 К	[1313]
4,25 ±0,05		1100—1200	ТЭ	Измерено методом полного тока на поликрис- таллической ленте чистотой 99,95% (выход на поверхность 70% грани {211})	[1990]
4,28	—	—	КРП	—	[1495]
4,3	<—	—	тм	—	[10001
4,3	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1503]
4,3-4,4		1900—2100	тэ	Эффективная работа выхода при Т = 1980 К. Измерено методом полного тока	[261]
4,3 ±0,1	—	—	ФЭ	Фольга толщиной 0,01 мм прогрета при Т = - 2273—2573 К	[1388]
4,33 ±0,03	-90	1700—2230	тэ	Метод прямой Ричардсона	[322]
4,35	——	450—1200	тэ	Измерено на тантале чистотой 99,9% методом прямой Ричардсона при Р — 10“5 мм рт. ст.	[21351
4,38	—			КРП	Эталон — вольфрам (<pw принята равной 4,54 эВ)	[1016]
4,4	—	2200	тэ	Эффективная работа выхода	[555]
4,51	<—	—	км	—	[1521]
4,6—4,75			тэ	Непрокаленный тантал. На поверхности имеет- ся значительная доля граней с ориентацией {110}	[1558]
4,77	—	-—-	КРП	Эталон — вольфрам (<pw принята равной 4,67 эВ)	[1962]
4,8			тэ	Измерено методом прямой Ричардсона на фоль- ге, отожженной в течение 2 ч при Т = 2000 К и ро„ Ю~5 мм рт. ст.	[848]
4,88 ±0,05	—	—	пи	Измерено на поли кристаллических проволоках методом ПИ индия	[322]
4,12	—	—	—	Рекомендуемое значение	—
Рис. 24. Температурная зависимость работы выхода для тан-
тала [90]: 1 — метод КРП; 2 — метод ТЭ (полного тока).
74. Вольфрам W
3,91
4,2
4,2
4,25
4,25
4,28
4,33
ТМ
ТМ
АЭ
АЭ
ТЭ
ТЭ
ФЭ
Рассчитано методом самосогласованного поля
на основе модели свободных электронов
Вычислено по (46)
Н = 10 кЭ] АЭ в магнитном поле. Острие
Н = 15 кЭу прокалено при Т = 2500 К, Р =
I = 10~9 мм рт. ст. Напряжение
} между анодом и катодом более 6 кВ
Измерено на плоских образцах методом пря-
мой Ричардсона
Слои, полученные осаждением из газовой фа-
зы (с использованием WFe), электрохимически
полированы (с применением NaOH) и отожже-
ны при Т = 2170 К в течение 20 ч
Неупорядоченная структура (непрогретая по-
верхность)
(1829]
(214]
(Н9]
(279]
(1814]
[1872]
Поликри сталлы
67
Продолжение
Ф, эВ	А, А-см~2*К~“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления <р	Примечания	Литература
4,35	—	77—90	ФЭ	Измерено на пленках толщиной 10 нм при Р =	[1873J
4,35		—	АЭ	= 10~10 мм рт. ст. Неупорядоченная структура (непрогретая поверхность) АЭ в магнитном поле. Острие прокалено при	1И9]
4,35—4,4			ФЭ	Т = 2500 К, Р = 10~9 мм рт. ст. Напряжен- ность магнитного поля Н = 15 кЭ, напряже- ние между анодом и катодом менее 6 кВ Измерено в режиме непрерывной откачки пос-	1857}
4,35—4,65			ТЭ	ле обработки поверхности ионной бомбарди- ровкой в тлеющем разряде при рАт = 12 мм рт. ст. Эмиссия вольфрама, покрытого платиной, при	|456]
4,36		—	ФЭ	больших собирающих полях Неупорядоченная структура (непрогретая по-	[1300]
4,36	мм.	—	ТМ	верхность) Вычислено по (46)	[215]
4,38	—	300	КРП	Образец обезгажен при Т = 1100 К. Эта-	[1438]
4,38	—.		КРП	лон — ртуть ((pHg принята равной 4,50 эВ)	[1495]
4,38	65	—	тм	Расчетные значения, полученные из термо-	[1094, 1213]
4,39			ТЭ	эмиссионных экспериментов для рекристал- лизованного покрытия Слои, полученные осаждением из газовой фазы	[1814]
4,4—4,55	- —	1790	тэ	(с использованием WFe), отожжены при Т — = 2170 К в течение 20 ч Эффективная работа выхода	1261]
4,40	43,6		тэ	Метод прямой Ричардсона	[1841]
4,40	40	0	тэ	» » »	[I620J
(4,40 ±0,05)—3-10~5Т	—	1900—2400	тэ	Газофазное покрытие на проволоке	[290]
4,40	«а»	—	тм	Вычислено по (18)	[671]
4,42	— —	— —	тм	а-Фаза. Вычислено по (50)	[1765]
4,42	—		КРП	—	[1923]
4,42 ±0,02	—		ФЭ	Измерено в отпаянном приборе после обработ-	[857]
4,44		0	км	ки поверхности ионной бомбардировкой в тлеющем разряде при рАг = 4—7 мм рт. ст. Данное значение — среднее для 12 приборов	[1478]
4,45	38	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1620]
4,46	39		тэ	Тот же метод. Имеются примеси	[1621]
4,46	—		тэ	Среднее по поверхности значение для поверх-	[1281]
4,46	—		км	ности с набором граней от {001} до {112}	[1194]
4,4 6 ±0,09	—	—	км	—	[1196]
4,47	—	—	тэ	Поликристаллы с преимущественной ориента-	[1838]
4,47 4,47	62 62	—	тэ тм	цией {ПО}, полученные газофазным осажде- нием WClfl в водороде. Неотожжснное электро- полированное покрытие Метод прямой Ричардсона^ Расчетные значения, вы- Рекристаллизо-	[1094, 1213] [1521]
4,48	-		км	численные с учетом поля ванное покрытие пятен	
4,48	58,9	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1125]
4,49	—	—	ФЭ	——	[510]
4,49±0,02	—		ФЭ	—	[924]
4,5	—	—	АЭ	—	[224, 342,
4,5	—		АЭ	Измерено методом прямой Фаулера — Норд-	[576, 623, 1086] [1485, 1836]
4,5	—	—	КРП	гейма на чистом вольфраме	[1331]
5
68
Простые вещества
Продолжение
Ф, эВ	л, А>см—2-К—2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,5	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литератур- ных данных; определено по графику: работа выхода — атомный номер	(1091]
4,5	—	—	ТЭ	—	[439, 1147, 2013]
4,5	—		тэ	Измерено на расплаве методом прямой Ричард- сона	[1249]
4,5	—	2363	тэ	Прессованный спеченный диск пористостью 43%. Эффективная работа выхода	[1454]
4,5	—•	—	тэ	«Чистая» поверхность в присутствии паров це- зия	[1991]
4,50	—	—	АЭ	Измерено на проволоке чистотой 99,99% ме- тодом прямой Фаулера — Нордгейма	[1883]
4,50	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1569, 1586]
4,50	—	—	тэ	Газофазное полированное покрытие, получен- ное при разложении WFe, на Мо-подложке	[59, 60]
4,50	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[699]
4,50	—	—	тэ	а-Фаза	[2012]
4,50	40	—	тэ	Статический режим Измерено методом пря-	
4,50	50	—	тэ	Импульсный режим мой Ричардсона на воль- фраме марок ВЧ и ВА	[769]
4,50	60,2	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[2041]
4,50 + 0,01	—	—	АЭ	Усредненное по острию значение. Метод пря- мой Фаулера — Нордгейма	[1073]
4,5007	—	—	тэ	—	[1495]
4,51			тэ	Поликристаллы с преимущественной ориента- цией {100}, полученные газофазным осажде- нием WFe в водороде. Неотожженное шлифо- ванное и электрополировапное покрытие	[1838]
4,51—4,53	—	—	тэ	Измерено на плоских образцах при Р < < 10“6 мм рт. ст.	[1760]
4,52		—	—	—	[1299]
4,52	— -		-	АЭ	Р = 10~10 мм рт. ст.	[638]
4,52		- —	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[2017]
4,52			КМ	Образец прогрет при Т — 2270 К	[1105]
4,52	——		КРП	—	[828]
4,52		—	ТМ	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1503]
4,52	—	1100—1200	ТЭ	Измерено методом полного тока на поликри- сталл и ческой ленте	[483]
4,52					тэ	—	[1803]
4,52	60,2	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[788, 829, 16391
4,52	72		тэ	» » »	[510, 1729|
4,52	84	0	тэ	» » »	[1727, 1729]
4,52			ФЭ	Интегральная работа выхода	[1760]
4,52 ±0,07	——	1150—2200	тэ	Измерено методом полного тока на поликрис- таллической ленте чистотой 99,995% (выход граней на поверхность: 96% {100}	4% (Ш))	[1990]
4,52—4,54	—	—	ФЭ	Измерено в отпаянном приборе	[857]
4,53			РМ	Эталон — Au-фольга. Р = 10—8 мм рт. ст.	[Н71]
4,53	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1672]
4,53	—	2300	тэ	Эффективная работа выхода	[437]
4,53	22	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1204]
4,53	55	0	тэ	» » »	[1802]
4,53	60,2	0	тэ	» » »	[1138, 1204]
4,53±0,05	90	—	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона на про- волоке, «состаренной» переменным током при Т = 2400 К в течение 200 ч	[361]
4,53 -f- I • 10~5 Т		1600—2300	тэ		[271]
Поликристаллы
69
Продолжение
ф, эВ	А,	Темпера- турный интервал	Л Метод опреде-	Примечания	Литература
		измерений, К	ления ф		
4,54	—	—	АЭ	Измерено на отожженном образце методом прямой Фаулера — Нордгейма при Р = — 1О“10 мм рт. ст.	[1657]
4,54	—	—	КРП	—	[828]
4,54	—	1100—1700	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[1210]
4,54	—	—	ТЭ	Газофазное покрытие иа Та-проволоке. Метод прямой Ричардсона	|1327]
4,54			ТЭ	—	[1833]
4,54		—	ФЭ	—	[510, 1495]
4,54	—	0	ФЭ	* •	[1945]
4,54	52	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1621]
4,54	60—100	300	тэ КРП	» » »	[510, 662, 767, 876]
4,545	-—			Прокаленный листовой вольфрам	[1340]
4,54±0,07	53	’—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[345]
4,55	—		пи	ПИ молекул RbCl на W-проволоке	|814|
4,55	—	- - 	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1903, 2085]
4,55	—	—	тэ	Вольфрам сверхвысокой чистоты	[60]
4,55	—	2100	тэ	Эффективная работа выхода. Измерено после обезгаживания при Т = 2300 К в течение	[133]
				25—30 ч	
4,55	—	1800—2470	тэ	Измерено на проволоке методом полного тока	[476]
4,55	—	—	тэ	—	[768]
4,55	—	1900—2100	тэ	—	[1822]
4,55		*	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 403 К)	[1872]
4,55	75	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1937]
4,55	90	0	тэ	»	»	3»	[1405]
4,55 ±0,01		—	тэ	Поликрметаллическая лента	[1044]
4,55±0,02		300	КРП	Толстая многослойная пленка напылена в ва- кууме на стекло. Эталон — хорошо обезга- женный листовой вольфрам ((pw принята рав- ной 4,546 эВ)	|1343]
4,55±0,07	—	—	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона на об- разцах в форме таблеток	[520]
4,55 ±0,1		—	пи	ПИ атомов серебра и меди при Р = 10-9 мм рт.	[1957]
				ст.	
4,55—4,57	—	—	ФЭ	—	[767]
4,53—4,66		293—429	тэ	—	[593]
4.56	4,9	—	тэ	Метод задерживающих потенциалов	[1319]
4,56		—	тэ	—	[1584]
4.56	—	—	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	11439]
4,56	—	—	тм	Вычислено по (52)	(136|
4,565	—	—	ФЭ	—	[1478]
4,57	—	2200	тэ	Эффективная работа выхода. Измерено после	[133)
				обезгаживания при Т — 2300 К в течение 25—30 ч	
4,57	—	—	тэ	Полированная поверхность вольфрама чисто-ч гой 99,94%	1	|59)
4,58	—	—	тэ	Газофазное сглаженное покрытие на Мо-под-1 ложке, полученное при использовании WFgl	
					
4,58		0	тэ	—	[887, 2042]
4,58	80	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[229]
4,58	—	—	тэ	» » »	[886]
4,58 ±0,01	—.	—	пи	Эффективная работа выхода пятнистой поверх- ности в сильном электрическом поле	[1968]
4,58±0,03	— 100	2100—2600	тэ	Измерено на поликристаллических проволо- ках методом прямой Ричардсона	[322]
4,58 ±0,05		2300	тэ	Поликристаллическая проволока. Эффектив- ная работа выхода	[436]
70
Простые вещества
Продолжение
<р. эВ	А, А-е.м~2-К~2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
(4,58-* 4,72) ±0,02	—	—	ТЭ	Поликристаллическнй вольфрамовый слой на подложке из {110} Мо, полученный осажде- { ,нием из газовой фазы (с использованием WFg). Тепловая обработка в интервале температур 2100—2500 К приводит к росту значения <р и преобразованию преимущественной ориен- тации из {100} в {110}	[2146]
4,59	140	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1936]
4,59	 		тэ	Сглаженная поверхность вольфрама чистотой 99,94%	[59]
4,59		—	тэ	Слои, полученные осаждением из газовой фа- зы (с использованием WFe), подвергнуты элек- трохимическому травлению (с применением NaOH) и. отжигу при Т = 2170 К в течение 20 ч	{1814]
4,59		—	тэ	Поликристаллы с преимущественной ориен- тацией {100}, полученные газофазным осажде- нием WFe в водороде. Покрытие шлифовано и стожжено при Т = 2350 К в течение 3 ч	[1838]
4,59 ±0,04	—	—	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона на чис- той поверхности монолитного вольфрама	[1709]
4,59 ±0,3	——	2000	тэ	Поликристаллы с преимущественной ориен- тацией {100}, полученные осаждением из га- зовой фазы. Средняя работа выхода	[1272]
4,6	—	—	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона на по- ликристаллической нити	[1104]
4,6	—	—	тэ	Эффективная работа выхода	[590]
4,6		* "**"	тэ	Слои, полученные осаждением из газовой фазы (с использованием WClg), подвергнуты электро- химическому травлению (с применением NaOH) и отжигу при Т = 2170 К в течение 20 ч	[1814]
4,6		-	АЭ	АЭ в магнитном поле. Острие прокалено при Т = 2500 К, Р = Ю~9 мм рт. ст. Напряжен- ность магнитного поля Н = 10 кЭ, напряже- ние между анодом и катодом менее 6 кВ	[И9]
4.6	—	—	пи	ПИ молекул КС1 на W-проволоке	[814]
4,6		—	тм	—	[1000]
4,6		__	тм	Вычислено по (53)	[136]
4,60		2700	тэ	* 1	[1478]
4,60	—	300	ФЭ	—	[1731]
4,60	—		ФЭ	Измерено в режиме непрерывной откачки	[857]
4,60±0,04	—	—	тэ	Измерено на проволоке методом прямой Ри- чардсона	[325]
4,62	—		тэ	Тот же метод	[1892]
4,63	212	—	тэ	Измерено тем же методом после прокалки при Т = 3100 К	[1936]
4,63			—	тэ	Слои, полученные осаждением из газовой фа- зы (с использованием WCle), отожжены при Т = 2170 К в течение 20 ч	[1814]
4,63	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 438 К)	[1300]
4,63 ±0,05	160	1900—2400	тэ	Газофазное покрытие на проволоке. Метод прямой Ричардсона	[290]
4,65 ±0,01	«—	—	пи	ПИ атомов титана при Р = 10~9 мм рт. ст.	[1957
4,65±0,05			тэ	Метод прямой Ричардсона	[1066]
4,66	* ~ 	—	тэ	Поликристаллы с преимущественной ориента- цией {100}, полученные газофазным осажде- нием WC16 в водороде. Неотожженное покрытие	[1838]
4,67		2600	тэ	Эффективная работа выхода, вычисленная ав- тором настоящей работы по данным {1803]	—
4,67			тэ	Слои, полученные осаждением из газовой фазы (с использованием WFe), подвергнуты электро- химическому травлению (с применением Na2CO3) и отжигу при Т=2170К в течение 20 ч	[1814]
Поликристаллы
71
/7 родо лжение
ф, sB	А, А «см 2-К*""2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,68	—	—	ТЭ	Газофазное травленое покрытие, полученное с использованием WFe, на Мо-подложке	[59]
4,69	—	—	тэ	Поликристаллы с преимущественной ориен- тацией {100}, полученные газофазным осажде- нием WFr в водороде. Неотожженное покрытие	[1838]
4,69	—	—	тэ	Чистая поверхность	[1353]
—4,7	—	' 	тэ	Газофазное покрытие, полученное с использо- ванием WFe	[1813]
4,~	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1530]
4,7		2200	тэ	Эффективная работа выхода	[555]
4,7->4,8	—	2223	тэ	Изменение значения <р для газофазных по- крытий толщиной 20 мкм в течение 770 ч	[2025]
4,71			тэ	Поликристаллы с преимущественной ориента- цией {100}, полученные газофазным осажде- нием WFg в водороде. Неотожженное, слабо- электрополированное покрытие	[1838]
4,71	—	—	тэ	Измерено на проволоке, «состаренной» током при Т = 2200 К в течение 100 ч	|1944]
4,72			тэ	Слои, полученные осаждением из газовой фазы (с использованием WClg), подвергнуты элек- трохимическому травлению (с применением Na2CO3) и отжигу при Т = 2170 К в течение 20 ч	[1814]
4,73	—	2100	тэ	Эффективная работа выхода поверхности, обез- гаженной при Т = 2300 К в течение 3—4 ч	[133]
4,74	204	——	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1640]
4,75		——	тэ	Травленая поверхность вольфрама чистотой 99,94%	[59]
4,75		2073	тэ	Измерено на газофазном покрытии толщиной 40 мкм после ресурсных испытаний в течение 8600 ч	[2025]
4,75	—	2200	тэ	Эффективная работа выхода поверхности, обез- гаженной при Т = 2300 К в течение 3—4 ч	[133]
4,77			тэ	Эмиссионные покрытия получены при газо- фазном осаждении WFe в водороде. Работа выхода измерена после ресурсных испытаний в цезиевом термоэлектронном преобразовате- ле энергии при Т = 1700 К в течение 250 ч	[1362]
4,78			тм	Рассчитано на основе модели квазисвободных электронов для поверхности, содержащей 95% грани {100}	[896]
4,78			тэ	Слои, полученные осаждением из газовой фазы (с использованием WCle), подвергнуты элек- трохимической полировке (с применением NaOH) и отжигу при Т = 2170 К в течение 20 ч	[1814]
4.79	—	—	ФЭ	Измерено на проволоке, «состаренной» током при Т = 2200 К в течение 100 ч	[1944]
—4,8		* "	тэ	Измерено на газофазном покрытии после об- работки поверхности электротравлением или бомбардировкой ионами аргона	[1813]
4,8	—•	2173	тэ	Газофазное покрытие толщиной 20 мкм выдер- жано в течение 1000 ч	[2025]
4,83	—	- - 	тэ	Слои, полученные осаждением из газовой фазы (с использованием WFe), подвергнуты элек- трохимической полировке (с применением NaOH)	[1814]
4,84			тэ	Эмиссионные покрытия получены при газо- фазном осаждении смеси WFe—WClg в водо- роде. Работа выхода измерена после ресурс- ных испытаний в цезиевом термоэлектрон- ном преобразователе энергии при Т = 2000 К в течение 4000 ч	[1362]
72
Простые вещества
Продолжение
ф« эВ	At А .см‘“'2-К"-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления <р	Примечания	Литература
4,88	—	—	ТЭ	Поликристаллы с преимущественной ориента- цией {110} получены газофазным осажде- нием WCle в водороде. Покрытие шлифовано и отожжено при Т = 2600 К в течение 3 ч	[1838]
4,88 ±0,02			тэ	Цилиндрические поликристаллы с преимуще- ственной ориентацией {100} получены газофаз- ным осаждением WFe в водороде. После трав- ления на поверхности — набор граней с ори- ентацией {100} и {110}	[1997]
4,90 ±0,05	180		тэ	Измерено методом прямой Ричардсона на про- волоке марки ВА-3, «состаренной» постоянным током при Т = 2400 К в течение 200 ч	[361]
4,91			тэ	Эмиссионные покрытия получены при газо- фазном осаждении WCle в водороде. Работа выхода измерена после ресурсных испытаний покрытий в цезиевом термоэлектронном пре- образователе энергии при Т = 2000 К в те- чение 4000 ч	[1362]
4,95	—	——	тэ	При использо-4 Слои, полученные осаждени- вании WCle	ем из газовой фазы, подверг-	riot
4,96			тэ	При использо- нуты электрохимическому вании WFe	травлению с применением ' N а2СО3	1101*1
4,98			тэ	Поликристаллы с преимущественной ориента- цией {100}, полученные газофазным осажде- нием WFe в водороде. Химически травленое покрытие	[1838]
5,0			тэ	Эмиссионные покрытия получены при газо- фазном осаждении WCle в водороде. Работа выхода измерена после ресурсных испытаний покрытий в цезиевом термоэлектронном пре- образователе энергии при Т — 2030 К в те- чение 3600 ч	[1362]
5,0			тэ	Слои, полученные осаждением из газовой фазы (с использованием смеси WC1«—WFe), под- вергнуты электрохимическому травлению (с применением NaOH)	[1814]
>5,0			тэ	Поликристаллы с преимущественной ориен- тацией {100}, полученные газофазным осаж- дением WFe в водороде. Неотожженное покры- тие	[1838]
5,01	—	—	тэ		[1196]
5,03			тэ	Поликристаллы с преимущественной ориента- цией {110}, полученные газофазным осажде- нием WCle в водороде. Шлифованное и элек- трополированное покрытие	[1838]
5,05 ±0,05		—	пи	Поликристаллическая проволока	[436]
5,08			тэ	Слои, полученные осаждением из газовой фа- зы (с использованием WC16), подвергнуты элек- трохимической полировке (с применением NaOH)	[1814]
5,1-53			тэ	Непрокаленный вольфрам. На поверхности эмиттера имеется до 35% граней с ориента- цией {110}	[1558]
5,13-^5,10			тэ	Плоские поликристаллы с преимущественной ориентацией {110}, полученные газофазным осаждением WFe в водороде. Работа выхода изменяется по мере прогрева в вакууме при Т = 1980 К в течение 150 ч	[1997]
5,14	«Мм	—	тм	Вычислено на основании данных по перенапря- жению водорода	[2136]
5,14±0,03	—	——	пи	Поликристаллическая проволока	[322]
5,14±0,05	—	—	пи	» »	[325]
Поликристаллы
73
Продолжение
Ф. эВ	Л А»см~“~ К.	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
5,16 5,16 5,3 5,3 5,524-1,6-10~4 Г 5,7—5,8 6,76±0,04 4,54	1	1 Hill 1	1	1	1000—3600 77—1300	ТЭ тэ АЭ АЭ ТМ ТЭ ПИ ФЭ КРП	Поликристаллы с преимуществен- ной ориентацией {100}, полу- ченные газофазным осаждением Шлифо- WFe в водороде	ванные Поликристаллы с преимуществен-/ покрытия ной ориентацией {ПО}, полу- ченные газофазным осаждением WCle в водороде АЭ с W-острия при нулевом покрытии в об- ласти, соответствующей десорбции ионов це- зия с поверхности То же при десорбции ионов калия Расчет внешней работы выхода электрона иде- ализированного вольфрама в модели «желе» Метод прямой Ричард-} Окисленная поли- сона	• кристаллическая —	проволока Плотность тока эмиссии, стимулированной из- лучением рубинового лазера, / а* 2 • 104 А X X ем~2 dyldT = (11 ± 1) • 10“5 эВ • К-Измерено на плоских образцах методом Кельвина при Р = 1О“10 мм рт. сг. Рекомендуемое значение	[1838] [1792] [1791] [38J [325] [1692] [1346]
Рнс. 25. Температурная
зависимость работы выхода
при ТЭ для вольфрама
162].
Рис. 26. Зависимость времени жизни W-автоэмнттеров от давления
в приборе [942].
Ю~7 Ю'8 ЯГ3 PtММр/Ш1
75. Рений Re
3,98	—	1620	тм	Рассчитано методом самосогласованного поля на основе модели свободных электронов		[1829]
4,15	—		тэ	Поверхность, возможно, загрязнена	Эффек-	
4,35	—	1620	тэ	——	тивная работа	[260]
4,45—5,2	—	1900—2100	тэ	DDlAUAa Эффективная работа выхода для поверхности		1261]
			тм	с набором граней различной ориентации		
4,53	—	—		Вычислено по (18)		[671]
4,6	—	—	тэ	Листовой рений		[1618]
4,6—4,8		1980	тэ	Эффективная работа выхода		[261]
4,66^=0,01	—	—	ФЭ	—		[1821]
4,7	—	—	тэ	——		[2012]
4,72	—•	—•	тм	Вычислено по (53)		[136]
4,74	720	•—	тэ	Измерено на ренированной W-проволоке (элек- тролитическое покрытие) методом прямой Ри-		[1522]
4,74				чардсона		
	——	—	ФЭ	—		[1534]
74
Простые вещества
Продолжение
<р, эВ	А, А-см-2 -К“"2	Темпера- турный интервал измерений,К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,75	700	—	ТЭ	Измерено на ренированной W-проволоке (элек-	[550]
				тролитическое покрытие), предварительно про-	
				гретой до Т = 2500 К, методом прямой Ри-	
				чардсона	
4,75—4,80		—	ТЭ	—	[1209]
4,77	350		тэ	Измерено на ренированной W-проволоке, пред-	[759]
				варительно прогретой до Т = 2600 К, методом	
				прямой Ричардсона	
4,8	—•	—	тэ	«Чистая» поверхность в присутствии паров це-	[1991]
				ЗИЯ	
4,8	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[411]
4,8	—	—	АЭ	—	[625]
4,80	52	—	ТЭ	Измерено на проволоке методом прямой Ри-	[1584, 1820,
				чардсона	1822]
4,81	—	—	тм	Вычислено по (52)	[1361
4,85	—	1500	тэ	Эффективная работа выхода	[271, 276]
4,85-»-0,05	66±20	—	тэ	Измерено на ленте методом прямой Ричардсона	[909]
4,87	—	2300	тэ	Эффективная работа выхода	J437J
4,89	195	—	тэ	Измерено на ренированной W-проволоке	[830]
				(покрытие из газовой фазы) методом прямой	
				Ричардсона	
4,9	—	—•	тм	—	J1000]
4,9	—	—	тэ	Измерено на Re-катоде термоэлектронного	[1812]
				преобразователя тепловой энергии после ре-	
				сурсиых испытаний в течение 2000 ч	
4,9	—	—	АЭ	Измерено методом прямой Фаулера — Норд-	[1485]
				гейма при Р = 1О“"10 мм рт. ст.	
4,9±0,1	—		тэ	—	[679]
4,93	—		тэ	——	[1753]
4,93±0,02	74 ±21	1688—2294	тэ	Измерено на плоских образцах при Р = 2 X	[1975]
				X 10“*10— 7 • 10~9 мм рт. ст.	
4,93 ±0,04	180—250	1750—2400	тэ	Измерено на рекристаллизованных проволоках	[321, 322]
				методом прямой Ричардсона	
4,94	—	—	КРП	—•	[828]
4,95		—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1903]
				ных данных	
4,95±0,10		—	тэ	Эффективная работа выхода для пятнистой по-	[1059]
				верхностн в сильном электрическом поле	
4,96	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[2085]
				ных данных	
4,96	—	1100—1200	тэ	Поликристаллическая лента	[4831
4,96	—	1673—2273	тэ	Метод полного тока	[226]
4,96		1800—2470	тэ	Тот же метод для проволоки	[476]
4,96 ±0,05	। —	1325—2250	тэ	Тот же метод для поликристаллической ленты	[1990]
				чистотой 99,99%	
4,97	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера-	[1672]
				турных данных	
4,97	—	0	ФЭ	—	[11611
4,97±0,03	—	—	тэ	Проволока предварительно прогрета до Т =	[26]
				= 2600 К	
4,98—5,01	——	—	ФЭ		[767]
4,99 ±0,05	—	2300	тэ	Поликристаллическая проволока. Эффектов-	[436]
				ная работа выхода	
~5	——	—	АЭ	Покрытие на W-проволоке	[287]
5,0		—	АЭ	—	[946]
5,00	—	—	КРП	—-	[828]
5,0 ±0,1	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1682]
5,05	—	1873	тэ	Эффективная работа выхода	[233]
5,09	152	—	тэ	Измерено на ренированной W-проволоке,^	
				предварительно прогретой до Т — 2700 К, I	[884, 88о]
				методом прямой Ричардсона	|	
5,1	•—	0	тэ		 *	
Поликристаллы
75
Продолжение
ф, эВ	А, А-см 2«К 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
5,1	—	—	ТЭ	Измерено на расплаве методом прямой Ричард- сона	[1249]
5,1	200	—	тэ	Газофазное покрытие на вольфраме. Метод прямой Ричардсона	[662, 885]
5,1	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1586]
5,1 ±0,05	—		КРП	Измерено на отожженной фольге при Р = = 10“8—10“9 мм рт. ст. Эталон — золото (срАи принята равной 4,55 эВ)	[694]
5,17 ±0,02				—	пи	ПИ атомов стронция. Эффективная работа вы- хода для пятнистой поверхности в сильном электрическом поле	[1968]
5,2±0,1	—	—	пи	ПИ атомов серебра и меди. Р = 10“9 мм рт. ст.	[1957]
5,21 ±0,02	—	—	пи	ПИ атомов бария. Эффективная работа выхода для пятнистой поверхности в сильном поле	[1968]
5,38^0,03	—	—	пи	Измерено на рекристаллизованной проволоке методом ПИ атомов индия	[321]
5,39 ±0,05	—	—	пи	То же	[436]
5,40±0,05	—	—	пи	ПИ атомов магния 1 Рекристаллизованные	
5,43 ±0,02	—	—	пи	ПИ атомов серебра ] проволоки	
5,43±0,03	—	—	пи	Измерено на рекристаллизованной проволоке методом ПИ атомов индия	[322]
5,46 ±0,02	—	—	пи	То же для атомов кальция	[321]
5,0	—	—		Рекомендуемое значение	—
76. Осмий Os
4,55	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1586, 1672]
4,55	" 1 “	300	КРП	ных данных Эталон — ртуть (cpHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,6—4,8	—		тэ	«Чистая» поверхность в присутствии паров	[1991]
4,65	—		тм	цезия Вычислено по (46)	[215]
4,66	—	—	тм	Вычислено по (18)	[671]
4,7	—	—	тэ			[2012, 2013]
4,7	—	—	км			[1093]
4,7	—	—•	КРП		[828]
4,78	—	615	КРП	Эталон — ВаО	1	fROj 1
4,83	—	1477	тэ	Эффективная работа выхода]	
4,83	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера-	[ 1903, 2085]
4,9		—	тм	турных данных Вычислено по (53)	[136]
4,9—5,0	—	—	тм	Предполагаемое значение для пленок, напылен-	[1015]
4,91	—		тм	ных при Т = 78 К Вычислено по (50)	[1765]
4,99	—	—	тм	Вычислено по (52)	[136]
5,1	—	—	тм		[1000[
5,1	—	—	тм	Определено по графику: работа выхода —	[2085]
5,16	—	—	тэ	атомный номер Чистая поверхность	[1353]
5,93	—	—	ФЭ	—	[2036]
5,93±0,05	—		ТЭ	Покрытие на пористом вольфраме	[1693]
5,93-3,9- 10~4Т	—	1400—1650	тэ	Поликристаллическая лента чистотой 95%	[1990]
4,7	—	—	—	Рекомендуемое значение	——
4,02			77. Ир ТМ	идий 1г Рассчитано методом самосогласованного поля	[1829]
4,57	—	300	КРП	на основе модели свободных электронов Эталон — ртуть (срн принята равной 4,50 эВ)	[828, 1438]
76
Простые вещества
/7 родолжение
ф, эВ	Д А «см-"2-К-2	Темпера- турный ингервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,57	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[930, 1586, 1672}
4,68	—	—	тм	Рассчитано на основе модели квазисвободных электронов. На поверхности — 80% грани (1111 Вычислено по (46)	[896}
4,78	—	—	тм		[215}
4,86	«—	—	тм	Вычислено по (53)	[136J
4,90—5,16		*—	ФЭ	Пленки на стеклянной подложке. Значение ф зависит от температуры подложки (293— 589 К)	[1628}
4,91	—	—	тм	Вычислено по (52)	[136}
4,97	—		тм	Вычислено с использованием потенциала ну- левого заряда	[1904, 1905}
5,00	—	—	АЭ	Усредненное по острию значение для кристал- лизованной проволоки	[1628}
5,10±0,07	—		тэ	Измерено на таблетках методом прямой Ри- чардсона	{520}
5,14±0,04			КРП	Измерено на очищенной и отожженной пласти- не чистотой 99,9% при Р = 10“9 мм рт. ст. Эталон — остеклованный молибден	[443}
5,17	—		ФЭ	Пленка на стеклянной подложке при Т = 78 К	[1628)
5,2	—	—	тэ	«Чистая» поверхность в присутствии паров цезия	[1991}
5,26	—	1600	тэ	Эффективная работа выхода	[621]
5,27	——		тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[2085}
5,27 ±0,05	—“	1300—2100	тэ	Поликристаллическая лента чистотой 99,9% (выход граней на поверхность: 80% {111} 4- 4- 15% {100}) Метод полного тока	11990}
5,3	—	—	тэ	—	[2013J
5,3	100	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[I960}
5,3		—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1569}
5,31	—	—-	тэ	Чистая поверхность	[1353}
5,33	—	—	КРП	Эталон — ВаО	[621}
5,35	—	—	тэ	—	[1992}
5,4		—	тэ	Измерено на проволоке методом прямой Ри- чардсона	[324}
5,4	—		тэ	—	[1833}
5,4	—	—	тм	—	[1000}
5,40		—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[699}
5,50	—	—	ФЭ	—	[2036}
—5,8			пи	ПИ атомов индия и алюминия на поликристал- лической (на поверхности — около 80% грани {111}) ленте, подвергнутой длительному про- греву с циклическим изменением низких и высоких температур	[1996}
4,7	—		тэ	Рекомендуемое значение	- -
78. Платина Pt
3,0—4,6 3,87	1,36-10-2	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1642] [1537]
3,9	——	1000	тэ	Эффективная работа выхода	[171]
3,9	—	—	ТМ	Вычислено на основе зоммерфельдовской моде- ли в приближении свободных электронов	[1642}
4,02	—	>1700	тэ	Нестабильное значение ф после отжига Pt-про- волоки при Т — 1860 К в течение 120 ч. Ме- тод прямой Ричардсона	[1460]
4,08	53,8	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1738, 1740]
4,09		300	ФЭ	Непрокаленная в вакууме платина	11545}
Поликристаллы '
77
17 родолжение
Ф, эВ	А, А «см-2-К-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Прнмеча пня	Литература
4,18	30,1	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[1759, 1860]
4,23	51,6	—	тэ	» » »	[1740, 1787]
4,27—4,28	—	—	тэ	Измерено на плоских образцах при Р < < 10“6 мм рт. ст.	[1760]
4,31	4,46-10“2	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1537]
4,4	—		тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1503]
4,4	—	—	ФЭ	Интегральная работа выхода	[1760]
4,52	—	300	КРП	Эталон — ртуть (<pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,57	 “	•—	тэ	—	[I860]
4,65	—	—	тм	Вычислено по (53)	[136]
4,65±0,05	—	—	КРП	Платина марки ПЛ-2 отожжена в водороде. Эталон — остеклованный молибден	[807]
4,67	—	—	тм	Вычислено по (46)	1215)
4,67—4,77		—	КРП	Поверхность предварительно очищена элек- тронной бомбардировкой. Эталон — вольфрам (0>w принята равной 4,52 эВ)	[1643]
4,72	92,8		тэ	Измерено методом прямой Ричардсона на тща- тельно обезгаженной проволоке после отжига при Т = 1860 К в течение 144 ч, а затем при Т = 1925 К в течение 12 ч	[1460]
4,72	—	—	тэ	—	[1764]
4,79	—	300	КРП	Эталон — вольфрам (<pw принята равной 4,54 эВ)	[1643]
4,82				—	КРП	Эталон — серебро (<pAg принята равной 4,31 эВ)	[1234]
4,83	—	—	КРП	Измерено на платине чистотой 99,99% в ваку- уме после полировки. Эталон — золото	[579]
4,87	——				тм	«Электрохимическая» работа выхода электро- на вычислена с учетом изменения потенциала нулевого заряда при адсорбции паров воды	[131]
4,89			тм	Вычислено по (50)	[1765]
4,9			тм	Вычислено по (52)	[136]
4,91	—	—	КРП	Измерено на платине чистотой 99,99% на воз- духе после полировки. Эталон — золото	[579]
4,97—5,3	—	—	ФЭ		[1024]
4,99	• » -	—	тэ	—	[I860]
-5,0	—		пи	ПИ атомов калия	[834]
5,00	—	—	КРП	Измерено на платине чистотой 99,99% в ваку- уме после шлифовки. Эталон — золото	[579]
5,03	—	—	тм	Вычислено с использованием потенциала ну- левого заряда	[1904, 1905]
5,034-4,2- ЮГ^Т	—	1600—1950	тэ	Фольга обезгажена при Р = 10~9 мм рт. ст.	[1988]
5,08	—	0	тэ	—	[И41]
5,08	11,5	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1140, 1740]
5,08	21,9		тэ	» » »	[1109, 1740]
5,08	60,2	—	тэ	» » »	[788]
5,08	432,5	—	тэ	Тот же метод; Pt-проволока отожжена при Т = 1860 К в течение 140 ч	[1460]
5,1	—	—	тэ	«Чистая» поверхность в присутствии паров цезия	[1991]
5,10	—	—	КРП	—	[1495]
5,10		—	КРП	Измерено на воздухе после\ шлифовки	Эталон — золото.	
5,14	—	—	КРП	Измерено в вакууме после > Чистота плати- высокотемпературного от- ны 99,99% жига	J	[579]
5,14	—	300	КРП	Измерено на снятом в вакууме осадке. Эта- лон — серебро (<pAg принята равной 4,63 эВ)	[1234]
5,18		—	КРП	Измерено на платине чистотой 99,99% на воз- духе после высокотемпературного отжига. Эталон — золото	[579]
78
Простые вещества
Продолжен ие
ф, эВ	А, А • см • К	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
5,2	—	—	КРП	Платина испарена на хорошо очищенную W- подложку	[594]
5,2	——	——	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных; определено по графику: работа выхода — атомный номер	[1091]
5,2	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1569]
5,2	—	—	ФЭ	—	[2032]
5,22	28,8	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1841]
5,27	64	0	тэ	Измерено тем же методом на проволоке марки А-64	[1164]
5,29	—•	—	ФЭ		{907]
5,29	—		тэ	—	[1925]
5,29		—-	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1586]
5,30	——	—	тм	То же; определено по графику: работа выхо- да — атомный номер	[1207]
5,3		—	тэ		[2012]
5,30	—	—	тэ	—	[1495]
5,3	—	-—	КРП	—	[1331]
5,3±0,15			ФЭ	Листовая платина чистотой 99,99% обезга- жена прогревом электронной и ионной бом- бардировкой до Т ~ 1400 К при Р = 10“10 мм рт. ст. Определено из анализа энергетического спектра фотоэлектронов	[1638]
5,32	—		—	—'	[1299]
5,32	—	—	АЭ	Усредненное по острию значение определено методом прямой Фаулера — Нордгейма	[1625]
5,32	—	78	АЭ	То же для кристаллизованной проволоки при Р = 10—1° мм рт. ст.	[1628, 2124, 2125]
5,32	—	—-	КРП	—	[828]
5,32	—	—	ТМ	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	|930]
5,32	—	—	ТЭ	—	[1052, 1107]
5,32	——-		ФЭ	Измерено на чистой платине методом изотерми- ческих кривых Фаулера	[1527]
5,32	100—160	—•	ТЭ	Измерено на проволоке методом прямой Ри- чардсона	[1164]
5,32	132	—	ТЭ	Измерено методом прямой Ричардсона после тщательного обезгаживания при Т = 2000 К	[510, 1973]
5,36	—	300	КРП	Эталон — вольфрам (cpw принята равной 4,67 эВ)	[828, 1643, 1644]
5,36	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1672]
5,36	——	—	тм	Вычислено на основании результатов изучения перенапряжения водорода	[2136]
5,40	130	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1164]
5,40	170±20	0	тэ	» » »	[1925]
5,40	— ~~	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1903]
5,44—6,37	——	—	ФЭ	—	[767]
5,45	—	—	АЭ	Свежеиспаренная при Т = 80 К пленка. Ме- тод прямой Фаулера — Нордгейма	[1625]
5,45	‘—-	450—1200	тэ	Измерено на платине чистотой 99,9% методом прямой Ричардсона при Р = 10~5 мм рт. ст.	[2135]
5,45	—	—	ФЭ	Пленка испарена при Р = 10“10 мм рт. ст. па стеклянную подложку, находящуюся при Т = 78 К	[1624]
5,45±0,02	—	—	ФЭ	Метод задерживающих потенциалов	[1969]
5,46	4,93	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1740, 1986]
5,46	—.	1566	тэ	Эффективная работа выхода	|621]
5,48	—	77	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая по- верхность)	[1734]
Поликристаллы
79
Продолжение
ф, эВ	А, А • см	• К 2	Темпера - турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
5,50	—	—	ТЭ	Чистая поверхность	[ 1353]
5,55	“ 	—	ФЭ	—	[1495]
5,59	4- 10s	<1700	тэ	Проволока отожжена при Т — 1860 К в тече- ние 120 ч	[1460]
5,62±0.02	—	78	ФЭ	Пленка на стеклянной подложке	[1627]
5,63	•—		ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т = 295 К)	[1734]
5,63			АЭ	Измерено методом прямой Фаулера — Норд- гейма на пленке, отожженной при Т = 300 К	[1625]
5,63					ФЭ	Пленка испарена при Р = 10“10 мм рт. ст. на стеклянную подложку, находящуюся при Т = = 293 К	[1624]
5,64			ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на пленке, испаренной при Р < 5 X X Ю“"10 мм рт. ст.	[1203]
5,65	—	—	РМ	Эталон'—Au-фольга. Р — 10“8 мм рт. ст.	[1171]
5.65		— —	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[2085]
5,65±0,1			ФЭ	Поликристаллические подложки толщиной около 100—200 нм на подложках из оптически прозрачного кварца. Измерено методом изотермических кривых Фаулера при Р = = 10“10 мм рт. ст.	[1148]
5,68	3,56-104	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1739, 1740]
5,68	—	373	ФЭ	Измерено на пленке	[1013]
5,69—5,72			ФЭ	Покрытие на W-проволоке. Значение ср зависит от температуры отжига покрытия (373— 573 К)	[1628]
5,7		—	ФЭ	Обезгажено при Т = 1473 К, Р = 2 X X 10~10 мм рт. ст.	[516]
5,7±0,05		298	ФЭ	Фольга марки ОЧ тщательно обезгажена про- гревом в вакууме	[517]
5,70±0,07			ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на платине чистотой 99,99%, прогре- той при Т = 1400—1600 К, Р=(1—5) X X 10“10 мм рт. ст.	[2068]
5,72		573	ФЭ	Измерено на пленке	[1013]
5,72	—		АЭ	Измерено методом прямой Фаулера — Норд- гейма на пленке, отожженной при Т ~ 600 К	[1625]
5,79±0,09		—	тэ	—	[1833]
5,9	__	—	км	—	[1954]
6,0	32	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[229]
6,05	840	—	тэ	» » >	[1740, 1986]
6,17		—	КРП	Эталон — ВаО	(621)
6,2	—	300	ФЭ	—	[1732]
6,27	1,7’ 104	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[510, 662, 767, 1025]
6,30	——	—	ФЭ		[510]
6,35	—	300	ФЭ	—	[1024]
6,71	1,45-107	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1501, 1502, 17401
5,32	—•	—	—	Рекомендуемое значение	
Рис. 27. Зависимость работы выхода при ФЭ
от температуры отжига пленки платины в
течение примерно 0,5 ч [1203].
Рис. 28. Температурная зависимость работы
выхода, измеренной методом ПИ атомов на-
трия. для Pt-проволок чистотой 99.99%
[2075].
80
Простые вещества
Продолжение
Ф» эВ	А> А-см—2-К~2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
79. Золото Au
2	—	—	ФЭ	Эмиссия стимулирована лазерным излучением] с длиной волны 1 = 347,2 нм	>	[1539]
3			—.	ФЭ	То же, X = 694,3 нм	J Рассчитано методом самосогласованного поля	
3,19			—	тм		[1829]
				на основе модели свободных электронов	
3,2	—	1000	тэ	Эффективная работа выхода	[171]
4,0—4,58	—	—	тэ	——	[906]
4,17 ±0,01	—	—	ФЭ	Гранулярная пленка прогрета до 7 = 373 К	[878]
4,2	—	—	ФЭ	Пленка термически напылена на стекло	[1182]
4,21	—		ФЭ	Гранулярная пленка прогрета до Т ~ 463 К	[878]
4,23	60,2	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[767|
4,24		«—	КРП	—	[1306]
4,25	100	0	ЭФ	Эмиттер — стенки полой камеры, покрытые зо-	[1392]
				лотом	
4,26	— —	—	ФЭ	Прогрето до Т — 613 К[ Гранулярные	[878]
4,27		—	ФЭ	Прогрето до Т = 523 К] пленки	
4,28	—	—	тэ		[1495]
4,29	—	11	тэ	Легировано молибденом	[906]
4,31	—	—	КРП	Эталон — серебро (tpAg принята равной 4,31 эВ)	[1234]
4,31	—	—	тм	Вычислено по (53)	Ц36]
4,32	40	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1243]
4,33	—	—	тм	Вычислено по (52)	[136]
4,42	 	—	КРП	Атомно-чистая поверхность особочистого зо- лота. Р = (2—4) • 10“10 мм рт. ст.	[1306]
4,45	-—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1091]
				ных данных; определено по графику: работа выхода — атомный номер	
4,46	—	300	КРП	Эталон — ртуть (<pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,55	—	—	ФЭ	Окисленное золото	[807]
4,55	—	—	КРП	—	[1495]
4,58	——		тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586]
4,6	—	—	тм	Вычислено по (46)	[214]
4,63	—	300	КРП	Измерено на снятом в вакууме осадке. Эта- лон — серебро (фдй принята равной 4,63 эВ)	[1234]
4,64	—		КРП	Поликристаллическая непрогретая лента. Эта- лон — поликристаллический вольфрам	[1512]
4,65	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[411]
4,68 ±0,03	—	—	КРП	Пленка на стекле. Эталон — вольфрам	[1746]
4,69	—	—	тм	Вычислено по (46)	[215]
4,70	—	—	ФЭ	—	[1746]
4,7	—			тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1569]
4,71	—	—	тм	То же	[930, 1672]
4,71	—			ФЭ	Интегральная работа выхода	[1760]
4,71 ±0,02	—	—	КРП	Пленка на стекле. Эталон — вольфрам	[1342|
4,72	—	0	ФЭ	—	[1861]
4,73	—	—	ФЭ	—	[1199]
4,73	—	1013	ФЭ	—	[1599]
4,74	—	—	тм	Вычислено по (50)	[1765]
4,76	—	300	ФЭ	—	[1862]
4,78	—	—	ФЭ	—	[1495]
4,78		——	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1903]
4,8	—	—	тм	Вычислено на основе электрохимических со- отношений	[1907]
4,8			—	ФЭ	Эмиссия пленок стимулирована излучением ру- бинового лазера	[1538, 1539]
4,82				—		—	[1299]
Поликристаллы
81
Продолжение
Ф, эВ	л, А • см 2 • К 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
4,82		293	ФЭ		[1199, 1599
4,82 4,83±0,02	 1		тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных; определено по графику: рабо- та выхода — атомный номер	[1207]
	—		КРП	Упорядоченная структура. Эталон — барий (фВа принята равной 2,52 эВ)	[921]
4,85	—	—	КРП	Эталон — барий (срВа принята равной 4,35 эВ). Вычислено по данным [789]	[1903]
4,86—4,92	—	—	ФЭ		[1998]
4,89	—	0	ФЭ		[1199]
4,89±0,06 4,9			КРП	Прогретая поликристаллическая лента выдер- жана в парах ртути при pHg = 2 ' Ю~~9мм рт. ст. Эталон — поликристаллическнй воль- фрам	[1512]
	—	—	тэ	—	[2012]
4,9		—	ФЭ	—	[1475]
4,9	—	—	ФЭ	Окислено на воздухе	[1623]
4,9	—		КРП	Поликристаллическая пленка толщиной около 100 нм на Ag-подложке получена испарением в масляной вакуумной системе	[1591]
4,90	—	—	ФЭ	—	[510)
4,92			КРП	—	[828]
4,94	— "		КРП	Измерено на воздухе\ Чистота золота после шлифовки	1 99,99%. Эталон —	[579]
4,95 4,97±0,02	—	—	КРП	Измерено па воздухе ( золото после полировки 1	
					
	—		КРП	Пленка на тантале. Эталон — вольфрам	[921]
5	—	—	ФЭ	Эмиссия стимулирована лазерным излучением с длиной волны X = 1060 нм	[1539]
5,0 5,00	—		ФЭ	Чистая пленка испарена на стеклянную под- ложку в сверхвысоком вакууме	[1631]
	— 	——	КРП	Измерено на золоте чистотой 99,99% в вакууме после шлифовки. Эталон — золото	[579]
					
5.04-0,3			тэ	Работа выхода электрона центра эмиссии зо- лотых островковых пленок массовой толщиной 3—5 нм на стеклянной подложке. Р = 10“8 мм	[ПЗ]
				рт. ст.	
5,05	*	—	КРП	Измерено на золоте чистотой 99,99% в ваку- уме после полировки. Эталон — золото	[579]
5,06	—	—	ФЭ	—	[1419]
5,06—5,34	—	——	ФЭ	Покрытие на W-проволоке. Значение <р зави- сит от температуры отжига покрытия (78—	[1628]
				573 К)	
5,1	—	—	КРП	Измерено в вакууме на золоте чистотой 99,99% после высокотемпературного отжига. Эталон —	[579]
5,1				золото	
	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[2085]
5,1					
	—	—	ФЭ	—	[1839]
5,1 5,10±0,05	—	—	ФЭ	Пленки на кварце	[397]
	11	—	КРП	Пленка толщиной около 100 нм испарена на грань {lll}Si	[1894]
5,1 ±0,1					
			ФЭ	Поликристаллические пленки толщиной около 100—200 нм на подложках из оптически про- зрачного кварца. Измерено методом изотер- мических кривых Фаулера при Р = 1О~10 мм	[1148]
					
					
				рт. ст.	
5,13		—	КРП	Измерено на золоте чистотой 99,99% на возду- хе после высокотемпературного отжига. Эта-	[579]
				лон — золото	
5,16	—	450—1200	тэ	Измерено на золоте чистотой 99,9% методом прямой Ричардсона при Р = 10—5 мм рг. ст.	[2135]
6 1590
82
Простые вещества
Продолжение
		Темпера-	Метод опреде- ления <р		
Ф, эВ	А, А-см—?-К—2	турный интервал нтмереиий,К		Примечания	Литература
5,2	—		ФЭ	Чистое золото	[1623]
5,20+0,05		——	КРП	Поликристаллическая лента прогрета до высо- кой температуры. Эталон — поликристалли- ческий вольфрам	[1512]
5,22 5,22±0,05	—			тэ КРП	Пленка на стекле. Эталон — вольфрам]	[1360]
5,25±0,05	 “	—	АЭ	—	[574J
5,28 ±0,02	—	78	ФЭ	Пленка на стеклянной подложке	[1627]
5,28±0,02	—	—	КРИ	Пленка на рении. Эталон — вольфрам. Р = = 10~10 мм рт. ст.	[1749]
5,3	—	—	КРП	Отожженные пленки осаждены на стекло в	[1197]
				сверхвысоковакуумной системе с Hg-откачкой. Эталон — ртуть	
					
5,30	—	323	ФЭ	Пленка спектрально-чистого золота	[1769]
5,32	—	— 	тм	Предложено на основании анализа литератур-	[1750]
				ных данных	
5,36	——	—	ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на пленке, испаренной при Р 5 X X 1О~10 мм рт. ст.	[1203]
5,37±0,02	—	—	КРП	Измерено на сверхчистой пленке относительно грани |3I0}W	[2076]
5,38	—	323	ФЭ	Пленка спектрально-чистого золота спечена при Т = 473 К	[1769]
5,45	—	—	АЭ	Пленка на стеклянной подложке. Р = 10~10 мм рт. ст.	[1334]
4,30	—	—	—	Рекомендуемое значение	—
Рис. 29 Зависимость работы выхода при
ФЭ от температуры отжига пленки золота
в течение примерно 0,5 ч [1203].
Ртуть Hg
Рис. 30. Зависимость работы выхода для
островковых пленок золота от среднего
размера d островков [114j: 1 — метод ФЭ.
2 — теоретический расчет. Островковые
пленки весовой толщиной 0,04 —10 им
осаждены и а проводящую подложку.
4,318	——	—	тм
4,48 ±0,02	—	—	КРП
4,49	__		тм
4,49	—	—	тм
4,49	—	—	ФЭ
4,49±0,01	—	273	ФЭ
4,50		300	КРП
4,5	—	—	тэ
4,5	—	—	тм
4,50	-		- —	ФЭ
4,50			тм
Вычислено по результатам изучения перена-
пряжения водорода
Ртуть марки Р-1. Эталон — железо. Приведен-
ное значение — среднее для 28 измерений
Вычислено по (46)
Предложено на основании анализа литератур-
ных данных
Жидкая и твердая фазы
Найдено по кривым энергетического распре-
деления электронов
Эталон — ртуть (<Рц& принята равной 4,50 эВ)
Предложено на основании анализа литератур-
ных данных; определено по графику: работа
выхода — атомный номер
«Электрохимическая» работа выхода электро-
на, вычисленная с учетом изменения потен-
циала нулевого заряда при адсорбции паров
воды
[2136]
[582]
[215]
[2085]
[5Н]
[1096]
[1438]
[2012]
[1091]
[1058]
[131]
Поликристаллы
83
Продолжение
ср, эВ	л, Л-см-'2-К~2	Темпера- турим» интервал измерений. К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Лшсратура
4.50	-—	-—	ТМ	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1569, 1903]
4,50±0,03	—	—	КРП	Ртуть марки Р-I трижды дистиллирована в вакууме. Эталон — тантал	[627]
4,51	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[930]
4,52	—	—	тм	То же	[1586]
4,52		—	тм	Вычислено с использованием значения потен- циала нулевого заряда	|232]
4,52	 		ФЭ	—	[510, 527]
4,52	—		ФЭ	Измерено на пленке	[1752]
4,52	—	—	КРП		|828]
4,53	—	—	ФЭ	—	[767, 1291, 1425]
4,53	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1672]
4,53	—	—-	тм	То же; определено по графику: работа выхо- да — атомный номер	[1207]
4,57	—	300	КРП	—	[1438]
—	—		тм	dyldT = —6,6 • 10“4 эВ • К-"1. Найдено по потенциальным кривым Hg-элсктродов с по- стоянными отрицательными зарядами	[2122]
4,52	—				Рекомендуемое значение	—
81. Таллий Т1
3,0 3,03	—	—	ТМ тм	Оценено по (43) а-Фаза. Вычислено по (50)	[1250] [1765]
3.40	—	—-	тм	Рассчитано методом самосогласованного поля па основе модели свободных электронов	[1829]
3,6	—	—	тэ	—	[876]
3,68	—	 “	ФЭ	а-Фаза	[767, 1866]
3,7	——	—	тм	Вычислено по (46)	[214]
3,7	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1569]
3,70	—	—	тм	То же; определено по графику: работа выхо- да — атомный номер	[1091, 1207]
3,76	—		тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[930, 1586]
3,84	—	—	тм	То же	[ 1903, 2085]
3,84	—	300	КРП	Эталон — ртуть (фНс принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,0	—	—	тм	Вычислено с использованием значения потен- циала нулевого заряда	[232]
4,02	—	—	тм	То же	[1904, 1905] [1672]
4,05	—	—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	
4,07	—	—	тм	Вычислено по (46)	[215]
4,23	 *	—-	тм	Вычислено по результатам изучения перена- пряжения водорода	[2136]
3,7			82. Св	Рекомендуемое значение инец РЬ	
3,31	—	—	тм	Вычислено по (50)	[1765]
3,50	—	—	тм	Рассчитано методом самосогласованного поля на основе модели свободных электронов	[18_9[
3,79	—о		тм	Вычислено но (46)	1215]
3,83±0,02	——	—	КРП	Средняя работа выхода пятнистой поверхно- сти. Эталон — поликристаллическнй вольфрам ((pw принята равной 4,55 эВ)	[920]
6
84
Простые вещества
Продолжение
«Р. эВ	А Л -см-2-К-2	Темпера- турный интервал измерений К	Метод опреде- ления <р	Примечания			Литература
3,92 3,94 3,97 3,98 3,983± 0,004 3,995±0,004 4,0 4,0 4,0 4,00 4,00 4,01 4,01 4,013 ±0,004 4,02 4,02 4,02 4,03 4,04 4,1 4,13 4,13 4,14 4,15 4,18 4,2 4,25 4,25 4,25+0,05 4.36 4,58 4,0 3,7 3,92	1 1 11 11	III 1 Illi	1 11 1 1 11	1 111 1 1 1 1	1 1 1	II	300 20 20 298 20	КРП КРП ФЭ тм ФЭ ФЭ тэ тм тм КРП ФЭ КРП тм ФЭ ФЭ КРП тм ФЭ тм тм тм тм ФЭ ФЭ тм тм тм ФЭ КРП РМ КРП 83. Ви тм тм	Эталон — ртуть (cpHg прин Предложено на основании ных данных Отожжено при Т = 90 К Предложено на основании ных данных Предложено на основани турных данных; определе бота выхода — атомный 1 Эталон — золото, откалиб чистой ртути (<pHg принял Измерено в среде инертно Упорядоченная структура Эталон — ртуть. Вычислен Предложено на основани» турных данных Пленка напылена при Т = при Т = 250 К. Средняя пятнистой поверхности в ском поле Неупорядоченная структур, верхность) Предложено на основани турных данных Упорядоченная структура грета при Т — 250 К) Предложено па основании ных данных Вычислено по (46) «Электрохимическая» рабо на, вычисленная с учетом потенциала нулевого зарз паров воды Вычислено по результата» пряжения водорода Вычислено с использовапи циала нулевого заряда То же Предложено на основании ных данных Пленка толщиной около 10 пылена на грань {lll}Si Эталон — Au-фольга. Р = Рекомендуемое значение смут Bi Предложено на основании ных данных Вычислено по (46)	ята равной 4,50 эВ; анализа литератур Пленка напылена при Т = 20 К Средняя работа /выхода для пят 1нистой поверхно сти в слабом элек трическом поле анализа литератур- и анализа литера- <о по графику: ра- юмер рованное по сверх- а равной 4,50 эВ) го газа о по данным [1680)' 1 анализа литера- 20 К и отожжена забота выхода для слабом электриче- з (непрогретая по- и анализа литера- (поверхность про- анализа литератур- та выхода электро- изменения значения 1да при адсорбции л изучения перена- ем значения потен- анализа литератур- 0 нм термически на- 10~8 мм рт. ст. анализа литератур-		[1183] [1438] [1545] [930] [956] [2012] [1569] [1091] [444, 447] [917] [1903] [956] [828] [1586] [956] [1672] [214] [1311 [2136] [1297] [767] [1904, 1905] [232] [2085] [2110] [1894] [Н71] [828] [1503] [215]
Поликристаллы
85
П родолжение
ф. эВ	At А-см—2-К“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литературе
4,00	—	—	ФЭ	—	[876]
4,12		—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных; определено по графику: ра- бота выхода — атомный номер	[1207]
4,14	—	—	ФЭ	—	[1297]
4,17	—	300	КРП	Эталон — ртуть ((pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
4,2		—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1569]
4,22 ,		—•	тм	То же	[2085]
4,22	—	—	ФЭ	Неупорядоченная структура (непрогретая по- верхность)	[893, 1869, 1873]
4,22—4,25	—	—•	ФЭ		[1414]
4,23	—	20	ФЭ	Пленка напылена при Т = 12 К и отожжена при Т = 270 К	[956]
4,245	—	—	ФЭ	Упорядоченная структура (поверхность про- грета при Т — 388 К)	[1869]
4,25	—	—	ФЭ	То же, Т = 363 К	' [893]
4,26		—	ФЭ	—	1926]
4,28	—	—	КРП	—	[828]
4,28	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586]
4,29	—	—	тм	То же	[930, 1903]
4,29	—	293	ФЭ		[1873]
4,3	—	—	тм	Вычислено с использованием значения потен- циала нулевого заряда	[232]
4,3	—	—	тм	Вычислено по (46)	[214]
4,311 4,32/	—	—“	ФЭ		[1732]
4,32	——	298	КРП	Эталон — золото, откалиброванное по сверх- чистой ртути (<pHg принята равной 4,50 эВ). Измерено в среде инертного газа	[444, 447]
4,34	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1672]
4,34 ±0,05	—	573	ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на расплаве	[30]
4,34±0,05	—	—	ФЭ	Измерено тем же методом па висмуте марки Bi-000	[823]
4,36	—	—	тм	Вычислено с использованием значения потен- циала нулевого заряда	[1904, 1905]
4,4	—	—	ФЭ		[5Ю]
4,44			ФЭ	—	[1865]
4,46	—	—	ФЭ	— М	[1950]
4,6	—	—	тэ		[2012]
4,62	—	— 	ФЭ		[767]
4,76—5,06	—	—	ФЭ	—	[1949]
4,4	—		—	Рекомендуемое значение	—
84. Полоний Ро
4,6
4,8
1,5
1,8
3,2
ТМ	Определено по графику: работа выхода —	[1586]
атомный номер
ТМ	Оценено по (43)	[1250]
87. Франций Fr
ТМ	Определено по графику: работа выхода —	[1586]
атомный номер
ТМ	Оценено по (43)	[1250]
I
88. Радий Ra
ТМ [ Оценено по (43)
I [1250]
86
Простые вещества
Продолжение
Ф, эВ	А А-см~2-К—2	Темпера- турный интервал измерений,К	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литература
2,7	- 1		89. Актиний Ас		
			ТМ	Оценено по (43)	[1250]
			90. Торий Th		
2,55	5,62	—	ТЭ	Импульсный режим. Покрытие толщиной	
2,67	2,63		ТЭ	Статический	25—40 мкм на металли- режим	ческих подложках. Ме- тод прямой Ричардсона	[1303]
2,94			ТЭ	Измеоено на плоских образцах при Р < < 10-”6 мм рт. ст.	(1760]
3,0	—	—	КРП	Торий напылен на вольфрам	[343]
3,01	—	—	ФЭ	Поверхность тория подвергнута воздействию кислорода	[1732]
3,29	—	—	ФЭ	—	[767, 1020]
3,3	60	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[229]
3.3	•—	—	тэ	—	[909]
3,31 ±0,02	—	—	тэ	Торий напылен на вольфрам	[343]
3,35	—	0	тэ	Поверхность эмиттера зачищена наждаком	[2043]
3,35	—			тэ	—	[101, 1495]
3.35	60,2	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[767, 2042]
3,35	—-	—	КРП		[512]
3,36	—		тэ	Чистый компактный торий	[876]
3,38	70	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[510, 662, 90491
3,38	—	300	ФЭ	__	[1731]
3,38	—	—	КРП	—	[828]
3,39	—	—	ФЭ	—	[1733]
3,4		—	тм	Предложено на основании анализа литератур- ных данных	[1503, 2085]
3.4	—		тэ	Толстый слой тория на W-подложке	[1169]
3,4	—	—	тэ	—	[2012]
3.4	800	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[2014]
3,41			тм	Предложено на основании анализа литера- турных данных	[1586]
3,42	—	—	АЭ	Толстый слой горня на вольфраме	[342]
3,44±0,01		300	КРП	Толстая многослойная пленка напылена в ва- кууме на листовой вольфрам. Эталон — хоро- шо обезгаженный листовой вольфрам (<pw при- нята равной 4,54., эВ)	[1343]
3,455±0,012		—	КРП	Пленка тория напылена в вакууме. Эталон — вольфрам	принята равной 4,560 эВ)	[1748]
3,46	—	300	КРП	Эталон — ртуть (<рн„ принята равной 4,50 эВ)	[1438]
3,46	—	—	КРП		[1495]
3,47	—•	 1 	ФЭ	-	[1733]
3,51 ±0,05	—	—	тэ	—	[1297, 1305, 1733, 2043]
3,52	—		ФЭ	—	[1495]
3.57	—	300	ФЭ	—	[1297]
3.65	—	0	ФЭ	__	[1799]
3,68	—	—	ФЭ		[876, 1799]
3,71		—	тм	Предложено на основании анализа литератур^ ных данных	[1750]
3,71 ±0,01		300	КРП	Поликристаллический листовой торий. Эта- лон — хорошо обезгаженный листовой воль- фрам (<Pw принята равной 4,545 эВ)	[1343]
3,728±0,010			КРП	Фольга. Эталон — вольфрам (tpw принята равной 4,560 эВ)	[1748]
Поликристаллы
87
П родолжение
Ф, эВ	А. А.см“2.К—2	Темпера- турный интервал измерений,К	Метод опреде- ления <р	Примечания	Литература
		2000	ТЭ	В постоянном режиме / = 9 А • см-2, в им-	[2014]
3,30	—	—	—	пульсном — / — 20 А • см“2 Рекомендуемое значение	—
3,3			91. Прот; ТМ	1ктиний Ра Определено по графику: работа выхода —	[1586]
2,94-2,3-10-4 Т			92. 1 ТЭ	атомный номер /ран U	[1280]
3,080±0,05	—•		КРП	Поверхность фольги, возможно, была пятнис-	[1747|
3,19±0,01		300	КРП	той и состояла из металлического урана и его оксида. Эталон — вольфрам (<pw принята рав- ной 4,560 эВ) Поликристаллическнй листовой уран. Эта-	[1343]
3,203±0,013			КРП	лон — хорошо обезгаженный листовой воль- фрам (<pw принята равной 4,545 эВ) Пленка напылена в вакууме. Эталон — воль-	[1747]
3,24	—				КРП	фрам (<pw принята равной 4,560 эВ)	[828]
3,25	——	—	ФЭ	Поверхность урана подвергнута воздействию	[1732]
3,27	67	—	тэ	кислорода Метод прямой Ричардсона	[1328]
3,27±0,05	~6	0	тэ	» » »	[768]
3,28	—	—	ФЭ	—	[767]
3,39±0,01	—	1043—1095	ФЭ	y-U (объемноцентрированная решетка)	[1208]
3,47		—•	ТЭ	—	[101]
3,47±0,01		300—938	ФЭ	a-U (орторомбическая решетка)	[1208]
3,47 ±0,03	114±12	—	тэ	Пленка на W-лепте (0 = 15—200). Метод	[1717]
3,50	— 	—	тм	прямой Ричардсона Предложено на основании анализа литератур-	[1750]
~ 3.5+0.03		—	АЭ	ных данных Измерено на a-U методом прямой Фаулера —	[776]
3,52 ±0,01		938—1043	ФЭ	Нордгейма при Р — 5 • 10“9 мм рт. ст. 0-U (тетрагональная решетка)	[1208]
3,53±0,01	—	1323	КРП	Измерено в точке фазо- Пленка толщиной	
3,58±0,01	- —	1223	КРГ1	вого перехода P-U -+	несколько моносло- y-U	ев испарена в сверх- Измерено в точке фазо- высоком вакууме на	[948]
3,63±0,01 3,63	—	<1223	КРП тм	вого перехода a-U -> полнкристалличе- -> р-U	скую W-фольгу Предложено иа основании анализа литера-	[2085|
3,63		300	ФЭ	турных данных	[768, 1731]
3,74	—	—	тм	Предложено на основании анализа литера-	[1586]
4,07+0,07	875	1203	тэ	турных данных Метод прямой Ричардсона	[1717]
4,32	—	300	КРП	Эталон — ртуть (<pHg принята равной 4,50 эВ)	[1438]
3,3	—	—	—-	Рекомендуемое значение	—
88
Простые вещества
МОНОКРИСТАЛЛЫ*
Индекс грани	Ф, эВ	А А-см“2- К—2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{001} {011 {100} {ПО} {111} {112} {116} (ЮО) (П1)	3.	Литий Li -	-	ТМ	-	[1718] 2,40	—	—	ТМ Рассчитано по РЭП** (для эффек- [1499] тивного атомного радиуса гс = 2,00) 2,61	—	—	ТМ	Вычислено па основе модели НОЭ	[1276] 3,30	—	—	ТМ	Рассчитано по РЭП (для гс — 1,06)	[1499] 2,31	—	—	ТМ	Вычислено в ПСФ *** (с учетом вли-	[1666] яния ионов) 2,40	—	—	ТМ	Рассчитано по РЭП (для гс = 2,00)	[1499] 2,75	—	—	ТМ	При вычислениях использована ди-	[1666] электрическая функция из [1902] 2,78	—	—	ТМ	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276] 2,90	—	—	ТМ	При вычислениях использована ди- электрическая функция из [1900] (с учетом влияния ионов) 2,96	—	_	ТМ	То же из [1824] 3,10	—	—	ТМ	Вычислено в ПСФ	110001 3,12	—	—	ТМ	При вычислениях использована ди- электрическая функция из [1823] (с учетом влияния ионов) 3,55	—	—	ТМ	Рассчитано по РЭП (для гс = 1,06)	[1499] 3,93	—	—	ТМ	При вычислениях использована ди-	\ электрическая функция из [1900] 3,99	—	—	ТМ	То же из [1824]	J	[1666] 4,24	—	_	ТМ	То же из [1823] 6,68	—	_	ТМ	То же из [1356]	) 2,30	—	—	ТМ	Рассчитано по РЭП	(для ге = 2,00)	[1499] 2,58	—	—	ТМ	Вычислено на основе	модели НОЭ	[1276] 3,25	—	—	ТМ	Рассчитано по РЭП	(для г0 = 1,06)	[1499] —	—	ТМ Вычислено на основе модели НОЭ	[1276] 5. Бор В 4,30±0,05	—	—	ФЭ Полированные, травленые и отож- [1806] женные образцы Р-ромбоэдрическо- го бора. Измерено методом задержи- вающих потенциалов при Р = — 10“"9 мм рт. ст. Приведенное зна- чение — среднее для 15 измерений 4,45	—	—	ТЭ Измерено методом прямой Ричард-	[2] сона при Р = (2—3)- 1О“10 мм рт. ст. 6. Углерод С 4,7—4,8	—	—	ТМ Значение ф алмаза принято близким [1556] к значению ф графита (4,7 эВ) и уг- лерода (4,8 эВ) —6,0	—	298	ФЭ	Р = 10“"8 мм рт. ст.	Полупровод- -—6,1	—	298	ФЭ	Образец выдержан	никовые ал-	[1956] в течение нескольких мазы с прово- недель при Р = 6 X димостыо X Ю-4 мм рт. ст.	р-типа
* При составлении таблицы использовались данные [870].
•• Распределение электронной плотности у поверхности металла.
Приближение случайных фаз.
Монокристаллы
89
Продолжение
Индекс грани	ф, эВ	Л А-см—2-К~2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
11. Натрий Na
{001} {011} {100} {ПО} {111}	2,3551 2,464} 2,38 2,75 2,87 2,93 3,10 3,22 3,43 3,44 3,44 3,46 3,61 3,64 5,93 2,65	II II III 1 II II 1 II	—	тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм	Рассчитано на основе модели квази- свободных электронов Рассчитано по РЭП Вычислено в ПСФ (с учетом влия- ния ионов) То же (без учета влияния ионов) Рассчитано по РЭП При вычислениях использована ди- электрическая функция из [1902] То же из (1900) (с учетом влияния ионов) То же из [1824] То же из [1900] (без учета влияния ионов) То же из [1824] То же из [1823] (с учетом влияния ионов) То же из [1823] (без учета влияния ионов) То же из [1356] Рассчитано по РЭП		[1718] [896] [1499] [1666] [1499] [1666] [1499]
			12. Магний Mg				
(0001)	|	4,05	|	-	-	тм	Рассчитано по РЭП		[1499]
			13. Алюминий AI				
{100} {110}	3,38±0,07 4,175±0,052 4,20 4,20±0,03 4,41 ±0,03 3,65 3,80 4,06±0,03 4,28 ±0,02	—	—	ФЭ тм тм ФЭ ФЭ тм ФЭ ФЭ ФЭ	Измерено на спектрально-чистом об- разце в сферических конденсаторах методом задерживающего потенциа- ла. Эталон — серебро Рассчитано на ЭВМ по эксперимен- тальным результатам ФЭ Рассчитано по РЭП Измерено на цилиндрических образ- цах чистотой 99,999% при Р = = 1О“10 мм рт. ст. Измерено на образцах, очищенных отжигом и бомбардировкой ионами аргона, методом изотермических кри- вых Фаулера при Р = 10“10 мм рт. ст. Рассчитано по РЭП Измерено на спектрально-чистых образцах в сферических конденсато- рах методом задерживающего потен- циала. Эталон — серебро Измерено на цилиндрических образ- цах чистотой 99,999% при Р = = 1О"“10 мм рт. ст. Измерено на образцах, очищенных отжигом и бомбардировкой ионами аргона, методом изотермических кри- вых Фаулера при Р = 10“10 мм рт. ст.		[744] [1429] [1499] [1149] [1263] [1499] [744] [1149] [1263]
90
Простые вещества
Продолжение
Индекс । рани	Ф. эВ	А, А-см 2-К"”2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния <р	Примечания				Литература
{Ш}	3,11 ±0,10 4,05 4,24 ±0,02 4,26±0,03	—	—	ФЭ ТМ ФЭ ФЭ	Измерено на спектрально-чистых об- разцах в сферических конденсаторах методом задерживающего потенциа- ла. Эталон — серебро Рассчитано по РЭП Измерено на образцах, очищенных отжигом и бомбардировкой ионами аргона, методом изотермических кривых Фаулера при Р — 10”10 мм рт. ст. Измерено на цилиндрических образ- цах чистотой 99,999% прн Р = = 1О~10 мм рт. ст.				[744] [1499] [1263] [1149]
{100} {110} {III)	4,3 4,46 4,91 ±0,05 5,11 3,17±0,05 3,76±0,05 4,12±0,05 4,14 ±0,05 4,3 4,73 4,85 -3,2 4,04±0,05 4,054-6-10~4 Т 4,07±0,05 4,1 ±0,1 4,184-3,3-10”4 Т ~4,2 4,55 ±0,01 4,55±0,01 4,58 4,60 4,60±0,13 4,60±0,13	оо со -	о	$	£ III	। 333 I I IZ I и ।	।	2			 )	о О	14. Крем 1250—1400 1400—1625 1400—1625 <1100 1300—1600 1080—1600 1335—1638 >1100	ний Si ТЭ ЛЭ КРП ФЭ тэ тэ тэ тэ ФЭ АЭ тэ тэ тэ тэ тэ КРП тэ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ КРП ФЭ'	Образец с провс травлен раствс дистиллировав вакууме до Т грань {113} W Образец с про мостью 4 Ом”1 Образец с про мостью р-типа Обычный образ Образец с пр Метод прямой 1 Образец с пре Метод прямой Ричардсона Измерено на оч ных плоских о( мой Ричардсо! Измерено на с мостью п- и р мм рт. ст. Эта. Измерено на о( тью р-типа мет сона После очистки нагрет до Т = Образец огож» Образец с пров Образец с пр Эталон — moi вольфрам Прогретый обр димостью 200 С ности возможн проводимостью	>днмос эром 1ОЙ во = 155 води- • см води- ец ОВОДИЛ эичард >водим Грань водим ОЧИЩ( до Т ищенн Эразца ia збразц -типа дон — 5разце ОДОМ г образе 1000 щн одимос ОВОДИЛ чокрис азец р )м”1 • а плеь о-тип:	ть HJ де 0 Л F юс со ОС о ОС !Н ы: X ах П[ П с ipj ц' < .ть юс та -т с& 1К 1	ю p-типа про- - — HNO3 в и нагрет в К. Эталон — 4етод прямой ’ичардсона ггыо р-типа. иа гью л-тнпа бразца с про- лью р-типа з нагревом 1600 К < и отожжен- методом пря- с проводи- >и Р= 10“9 ?ань {100} W проводимое- змой Ричард- Образцы с  проводимо- стью р-типа >ю р-типа| :тыо р-типа. ллический ипа с прово- 4. 11а поверх- а кремния с	[901] [2040] [901] [1032] [1039] [901] [1032] [2040] [355] [323] [635] [843] [1040] [355] [904] [1227] [1032] [904] [903]
Монокристаллы
91
Предо лжение
Индекс грани	ф, эВ	А, А -см~2-К 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{111}	4,67—4,74	—	——	КРП	—	[1122J
	4,72±0,03 4,73 ±0,02 4,73±0,07	—	—	ФЭ ФЭ ФЭ	Образец с проводимостью р-типа протравлен раствором HF — HNO3 в дистиллированной воде и нагрет в вакууме до Т = 1550 К Отожженный образец с проводи- ) мостыо 2000 Ом-1 • см получен ка- 1 тодным распылением	| Образец с проводимостью n-типа J	[1159] [903]
	4,74 ±0,05			крп	Образец с проводимостью р-типа про- травлен раствором HF — HNO3 в дистиллированной воде и нагрет в вакууме до Т — 1550 К. Измерено методом Кельвина относительно гра- ни {113} W	[901]
	4,74 ±0,1		—	ФЭ	Образец с проводимостью р-тина очи- щен нагревом до высокой температу- ры в высоком вакууме	[904]
	4,77±0,05 4,80 4,83 4,83±0,07		—	ФЭ АЭ КРП ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на образце, про- гретом при Т = 1600 К, Р = 1О“10 мм рт. ст. Образцы с проводимостью р- и п- типа. Эталон — монокристалли- ческий вольфрам Образец р-типа с проводимостью около 200 Ом-1 • см	[1902] [2040] [903]
	(4,84—4,88) ± 0,14	—	—	КРП	Измерено на термически очищен- ном образце с проводимостью р-ти- па относительно вольфрама и угле- рода	[635]
	4,85 ±0,02	 —	—	ФЭ	Слаболегированный образец очищен в ультравысоком вакууме (Р < 5 X X КГ11 мм рт. ст.)	[1269]
	4,85±0,05 4,86±0,07			КРП ПИ	Образец с проводимостью n-типа очи- щен при Р = 5 • 10“н мм рт. ст. Эталон — грань {110} W ПИ атомов лития Термически очи-	[1894]
	4,87 ±0,03 4,90±0,10 -4,9	—	——	ПИ ПИ пи	ПИ атомов натрия щенные образцы ПИ атомов индия с проводимостью р-типа Образцы с проводимостью п-типа. ПИ атомов натрия, лития, индия	[635] [323]
	4,9 4,92±0,07	—	—	тэ ФЭ	Измерено в сверхвысоком вакууме Образец с проводимостью р-типа	[1490] [903]
	5,15±0,02	—	—	ФЭ	Очищенный образец с проводимостью р-типа	[1490]
	5,15 ±0,08	— 	—	ФЭ	Очищенный образец с проводимос- тью п-типа	[903]
{112}	5,4 3,86±0,05 3,92±0,05	0,2±0,061 0,3±0,1 |	1250—1400	ФЭ тэ	Сколотая в сверхвысоком вакууме (Р < 10~10 мм рт. ст.) грань образца с проводимостью р-типа Образец с проводи- мостью 4 Ом"-1 • см	[1783]
	4,Ю±0,05 4,4±0,1	1±0,3 1±0,3	1400—1625 1400—1625	тэ тэ	Образец с проводи- Метод прямой мостью р-типа	Ричардсона Обычный образец	[1039]
92
Простые вещества
Продолжение ,
Индекс грани		ф, эВ		Л А • см 2 • К—	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния <р		Примечания		Литература
	(112) 113} 114} 122} 133} 155}	4,94 1 4,88 4,90 4,90 4,85 4,80		—	—	АЭ		—		(2040]
	541}	3,67 ±0,05 3,74±0,05 4,17±0,0б 4,34=0,1		0,04±0,0П 0,1 ±0,03/ 2±0,6 2±0,8	1250—1400 1400—1625 1400—1625	ТЭ ТЭ ТЭ		Образец с проводи- мостью 4 Ом-1 • см Образец с проводи- мостью р-типа Обычный образец	Метод прямой Ричардсона	[1039]
		3,96				ТЭ		Измерено на монокристалле методом прямой Ричардсона при Р = = (2—3) • 10—10 мм рт. ст.		[2]
Рис. 31. Температурная зависимость работы
выхода, измеренной методом КРП, для гра-
ни {111} S1 с проводимостью p-типа (а—в) и
п-типа (г) [937 ]:
а:	1 — свежетравленая и прогретая до Т =
— 1450 К поверхность. 2 — термически очищен-
ная поверхность. 3 — выдержанная во влаж-
ной среде и прогретая до Т = 1300 К по-
верхность;
б:	/ — свежетравленая и прогретая до Т =
= 1000 К поверхность; 2 — термически очищен-
ная поверхность; 3 — прогретая до Т ~
— 1000 К и выдержанная иа воздухе по-
верхность;
в — грань, полученная сколом (О — образцы
с проводимостью 300 Ом см, Д — образцы
с проводимостью 0,05 Ом 1• см);
? — грань, полученная сколом (Q — об-
разцы с проводимостью 0,7 Ом 1 - см. Д —
образцы с проводимостью 0,1 Ом *• см).
Рис. 32. Зависимости работы выхода при ФЭ
от температуры отжига грани {111} Si Г11621.
Образец очищен нагревом электронной бомбар-
дировкой при Т ess 1300 К, Р « 8  Ю”"1’ мм
рт ст.
9>Эв
Монокристаллы
93
Продолжение
Индекс грани	Ф, эВ	Л А - см 2-К 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния <р	Примечания	Литература
15. Фосфор Р
{Ш}	<1,34 1,41	—	—		КРП КРП	Значение, усред- ненное для пят- нистой поверх- ности Образец активи- рован	Эталон — неочи- щенный поли- кристаллический тантал (срТа при- нята равной 3,56 эВ)		[1430]
			19.	Калий К					
{001} {он} {100} {110} {111}	2,2141 2,278/ 2,03 2,40 2,39±0,01 2,64 2,75 2,75 2,84 2,86 2,97 3,02 3,03 3,15 5,14 2,35	1 1 11 Illi 1 1 1 1 1 1 1	1 1 1 1 1 1 1 Illi 1111		тм тм тм ФЭ тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм	Рассчитано на основе модели квази- свободных электронов Рассчитано по РЭП Ориентированные на стекле слои Метод изотермических кривых Фау- лера Вычислено в ПСФ (с учетом влия- ] ния ионов) То же (без учета влияния ионов) J Рассчитано по РЭП При вычислениях использована ди- электрическая функция из [1824] (с учетом влияния ионов) То же из [1900] То же из [1823] То же из [1824] (без учета влия- ния ионов) То же из [1900, 1902] То же из [1823] То же из [1356] Рассчитано по РЭП			[1718] [896] [1499] [1511] [1666] [1499] [1666] [1499]
			20. Кальций Са						
{100}	2,55	—			тм	Рассчитано на основе модели квази- свободных электронов			[896]
23. Ванадий V
{100}	~3,95 4,28	-		КРП тм	Эталон — напыленный на поверх- ность слой серебра. Р ~ 1О~10 мм рт. ст. Вычислено на основе модели НОЭ	[1459] [1276]
	4,46	76	—	тэ	Измерено на плоских образцах мето- дом прямой Ричардсона	[757, 758]
{ПО}	4,97	—	—--	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
	5,00	1100	—	тэ	Измерено на плоских образцах ме- тодом прямой Ричардсона	[757, 758]
{111}	4,11	—	—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
	4,19	30	—	тэ	Измерено на плоских образцах ме- тодом прямой Ричардсона	[757, 758]
{112}	4,50	—	—-	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
{ПО}	3,95	320	—	тэ	Измерено на плоских образцах мето- дом прямой Ричардсона	[757, 758]
	4,11	——•	—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
94
Простые вещества
Продолжение
Индекс грани	ф, эВ	Л. А>см ~ К~2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
24. Хром Сг
{100} {110} {111 {112} {116}	* 1 """ > 00 О 00 ш ю 00 Г- оо СР СО со •’* со 11111		—	—	тм	Определено по графику: работа вы- хода — статистический вес атомов со стабильными электронными кон- фигурациями, образующими данную грань		[648]
				26. Железо Fe				
{ОН}	5,1			—	КРП	Метод Андерсона		[147]
{100}	4,17±0,03		—	77	КРП	Очищенный в вакууме	образец со-	[1819]
						держит примеси — углерод (0,02%),		
						марганец (0,03%), фосфор (0,009%), серу (0,016%). Эталон — воль-		
						фрам (cpw принята равной 4,49 ±		
						± 0,02 эВ)		
	4,51—4,88				ФЭ	Измерено на образце,	содержащем	[1914, 2089]
						примеси — кремнии, марганец, медь,		
						углерод, азот, методом	изогермиче-	
						ских кривых Фаулера.	Зиачение ср	
						зависит от режима обработки крис-		
						талла (электронная и	ионная бом-	
						бардировка, отжиг) и	вакуумных	
						условий (Р = 10~3—10	-Эмм рт. ст.К	
	(4,51—5,10) ±0,07		—	—	ФЭ	Измерено на плоских образцах a-Fe		[1446]
						методом изотермических кривых Фа- улера при Р ~ 10~9 мм рт. ст. Зна-		
						чение ср зависит от режима очистки образца (отжиг и бомбардировка		
						ионами аргона)		
	(4,67±0,02) —		—	—	ФЭ	Значение ср зависит от	температуры	[1918]
	-(5,21 ±0,03)					термообработки образцов в интерва-		
						ле температур 723— 973 К, опреде- ляющей состав эмитирующей по-		
						всрхности		
	4,88±0,07		-—	—	ФЭ	Измерено на атомно-чистой поверх-		[1446]
						ности a-Fe методом изотермических		
						кривых Фаулера		
{Ш}	4,31 ±0,05		—	—	ФЭ	Стабильное значение ср^		
						при экспонировании атомно-чистой поверх-	Измерено	
								
						ности в остаточном га-	па плоских	
						зе при комнатной тем-	образцах а-	
						пературе	Fe методом	
	(4,64—4,96) :	h 0,02	—	—.	ФЭ	Значение ср зависит от режима очистки образ-	изотермиче- ских кри-	[1447]
						цов (отжиг и бомбар-	вых Фауле-	
						дировка ионами арго-	ра при Р — п	
						на)	~ 10“9	
	4,81 ±0,02		—	—	ФЭ	Атомно-чисгая поверх-	мм рт. ст.	
						ность		
9>ЭВ
___|__|__1___I__L_
673 773	673	7]К
Рис. 33. Зависимость работы выхода^ при ФЭ
от температуры отжига грани {100} Fe [1917].
Монокристаллы
95
Продолжение
Pin деке грани	«р, эВ	А, А-см—2-К~2	Темпера- турный интервал измерений. К	Метод опре- деле- ния <р	Примечания	Литература
28. Никель Ni
{100}	4,89±0,03 4,89±0,03	900	—	тэ ФЭ	Метод прямой Ричардсона Измерено на цилиндрическом образ- це, обезгажеином при Т = 1200 К,	[403] [1961]
	4,9	——	—	КРП	Р — 10”9—10~10 мм рт. ст. Эталон — поликристаллический ни-	(46]
	4,95 ± 0,05	—	—-	КРП	кель (<pNi принята равной 4,61 эВ) Образец полирован, протравлен и	[1669]
	5,08 5,1 5,12 5,20 5,22 5,22 5,22+0,04 5,53±0,05	—	—	ФЭ тэ	очищен ионной бомбардировкой. Эталон — грань {100} Си (Ф^юс^Си принята равной 4,59 эВ) Измерено на неотожженном образ- це после бомбардировки ионами ар- гона	[Н75]
		1 II III	—	ФЭ тм ФЭ ФЭ ФЭ тэ	Измерено после отжига при Т — 1 = 623 К в течение 4 мин	J Вычислено на основе модели НОЭ Измерено после отжига при Т = = 1023 К в течение 30 мии Образец очищен нагревом электрон-	[1276] [1175] [940] [939] [1856]
{НО}	4,64±0,03	1300	—	тэ	ной бомбардировкой до Т = 1400 К Метод прямой Ричардсона	[403]
	4,84	—.	—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
{111}	5,04+0,02 4.57±0,05		—	ФЭ пи	ПИ атомов рубидия	[939] [834]
	5,22+0,03 5,27±0,04	1800	—	тэ АЭ	Метод прямой Ричардсона Измерено методом задерживающих	[403] [1195]
	5,35 5,35+0,05 5.56	1 1 1	—	ФЭ ФЭ тм	потенциалов при Р < 2 • 1О~10 мм рт. ст. Вычислено на основе модели НОЭ	[940] [939] [1276]
{113}	4,54+0,04	3000	—	ТЭ	Измерено на сферическом образце,	[406]
	‘PfHlp			АЭ	полученном высоковакуумной бести- гельной зонной плавкой, методом прямой Ричардсона при Р = = 10“9 мм рт. ст. Определено по относительной яркос-	[46]
	»Ф{Ю0} ч>(110}> > ф{130}				ти пятен	
29. Медь Си
{018}	4,76—2-10~4 Т	—	373—1273	тэ	Измерено на образце чистотой 99,999% при Р= 10~10— 10“п мм рт. ст.	[1283]
{ЮО)	3,96		—	ФЭ	Термически напыленные слои	[1926]
	4,07		—	КРП	—	[1797]
	4,27		—	ФЭ	Измерено при Р = Ю~9 мм рт. ст..' после отжига при Т = 770 К в те- чение 70 ч	[1076]
	4,43		—	КРП	—	[1797]
	4,458	—	—	КРП	Измерено методом Кельвина на ци- линдрических образцах чистотой 99,999%	[2131]
96
Простые вещества
Продолжение,
			Темпера-	Метод		
Индекс грани	Ф, эВ	Л А • см—2 • К~2	турный интервал	□пре- деле-	Примечания	Литература
			намерений, К	НИЯ ф		
{100}	4,59±0,03	—	—	ФЭ	Измерено на образцах чистотой 99,999%, очищенных ионной бомбар-	[1217, 1218]
					дировкой и прогревом при Т = 970 К	
					в ультравысоком вакууме, методом изотермических кривых Фаулера	
	4,64	—	—	ФЭ	Те же образцы подвергнуты только прогреву при Т = 1073 К в течение	[1218]
					300 ч	
	4,75±0,1			КРП	Измерено на образцах чистотой 99,999%, очищенных ионной бомбар- дировкой, при Р = 10~10 мм рт. ст. Эталон — поликристаллическое золото (<рАи принята равной 5,4 эВ)	[998]
	4,77±0,05	—	—	ФЭ	Электрополированная грань кристал- ла чистотой 99,9999%	[1898J
{100}~6° {100}	4,76—2,4-10~4 Т\ 4,83—2,4-10-4 Т)	—	373—1273	тэ	Измерено на образце чистотой 99,999% при Р = Ю-10— 10“”	[1283]
	4,99				мм рт. ст.	
		—-	——	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
	5,10±0,0& 5,155±0,054		—	тэ	Образец очищен нагревом электрон- ной бомбардировкой до Т= 1100 К	[1856]
		—	——	КРП	Эталон — золото (фАц принята рав- ной 4,7 эВ)	[Н12]
	5,6					
			—	тм	Рассчитано самосогласованным ме- тодом с использованием базисных	[1226]
						
	5,61				функций основных состояний атом- ных орбиталей меди	
		—	300	ФЭ	Измерено после отжига при Р <	[1919]
					< 5 • Ю"-4 мм рт. ст. в течение 1500 ч	
			293—973	тэ	При Т = 600 К dcp/dT = —1,38 X X 10~5 эВ • К-1. Измерено на вы- сокочистой меди при Р 10““9	[985]
{410}					мм рт. ст.	
	4,23	—	—	ФЭ	Измерено при Р = 10““9 мм рт. ст. после отжига при Т = 770 К в те-	[1076]
						
	4,400				чение 70 ч	
			—	КРП	Измерено методом Кельвина на ци- линдрических образцах чистотой 99,999%	[2131]
						
						
	4,45—1,7. Ю-4 т	—	373—1273	тэ	Измерено на образце чистотой 99,999% при Р = Ю“10—10~н	[1283]
	4,47				мм. рт. ст.	
		—	"	ФЭ	Измерено на образцах чистотой 99,999%, прогретых при Т = 1073 К в течение 300 ч в ультравысоком ва-	[1218]
						
	4,48±0,03				кууме, методом изотермических кри- вых Фаулера	
		—	"	ФЭ	Измерено на тех же образцах после бомбардировки ионами неона и от-	[1217, 1218]
						
					жига	
	4,65		__	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
	4,7±0,1	*  	—	КРП	Измерено на образцах чистотой 99.999%, очищенных ионной бом-	[998]
					бардировкой, при Р — 1О~10 мм рт. ст. Эталон — поликристаллическое зо- лото (фАц принята равной 5,4 эВ)	
	4,92 ±0,019				—	КРП	Эталон — золото (фАи принята рав- ной 4,7 эВ)	[1Н2]
Монокристаллы.
97
Продолжение
Индекс грани	Ф. эВ		А, А-см-2-К—2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания		Литература
{НО)	—			293—973	ТЭ	При Т = 600 к	dqldT = —5,2 X	[985]
						X 10“4 эВ  К”1.	Измерено на	
						высокочистой меди при Р <		
						<10 9 мм рт. ст.		
{111}	4,20		—	—	ФЭ	Термически напыленные слои		[1926]
	4,50		—	—	ФЭ	Измерено при Р =	= 10 9 мм рт. ст.	[1076|
						после отжига образцов при Т =		
						= 770 К в течение	70 ч	
	4,632		—	—	КРП	Измерено методом	Кельвина на ци-	[2131)
						линдрических образцах чистотой		
						99,999%		
	4,86		—	300	ФЭ			[1919]
	4,9		—	—	КРП	Метод Андерсона		[147]
	4,94±0,03		—	—	ФЭ	Измерено на образцах чистотой 99,999%, очищенных ионной бомбар-		[1217, 1218J
						дировкой и прогревом при Т = 970 К		
						в ультравысоком	вакууме, методом	
						изотермических кривых Фаулера *		
	4,95			— М	ФЭ	Те же образцы подвергнуты только		[1218]
						нагреву при Т = 300 ч	1073 К в течение	
	4,98		—	—	ФЭ			[1919]
	4,98-8- 10'5Т			373—1273	тэ	Измерено на образце чистотой		[1283]
						99,999% при Р мм рт. ст.	= 1О~10 — 10“п	
	5,25±0,1		—	—	КРП	Измерено на образцах чистотой 99,999%, очищенных ионной бомбар-		[998]
						дировкой, при Р =	= 10 w мм рт. ст.	
						Эталон — поликристаллическое зо- лото (<рАи принята равной 5,4 эВ)		
	5,32		—	—>	тм	Вычислено на основе модели НОЭ		[1276]
	5,54±0,012		—	'—	КРП	Эталон — золото ( ной 4,7 эВ)	Фди принята рав-	[И12]
	—		—	293—973	тэ	При Т = 600 К	dyldT — —3,4 X	[985]
						X Ю-4 зВ - К”1.	Измерено на	
						высокочистой меди при Р <		
						<10 мм рт. ст.		
{112}	4,53±0,03		—		ФЭ	Измерено на образцах чистотой 99,999%, очищенных ионной бомбар-		[1217, 1218]
						дировкой и прогревом при Т = 970 К		
						в ультравысоком	вакууме, методом	
						изотермических кривых Фаулера		
	4,54-1,6- 10“4Т							
О о СО СЧ Л L СМ — см	4,62—1,1 • Ю”4? 4,60—1,9 • Ю-4 Т\		—	373—1273	тэ	Измерено на образцах чистотой 99,999% при Р = 1О“10 — 10“n мм рт. ст.		[1283]
{124}	4,52-1,4- 10~47							
{210}	4,370 1					Измерено методом	Кельвина на ци-	[2131]
{211}	4,438 /		-—	—	КРП	линдрических образцах чистотой		
						99,999%		
	—		—	293—973	тэ	При Т = 600 К dqhdT =—6,5 X	Измерено на вы-	
						X 10-4 эВ • К-1	сокочистой меди	
{221}	—		—	293—973	тэ	При Т= 600 К	при Р < 10~9	[985]
						dyldT = —4,0 X . X Ю"4 эВ • К-1	мм рт. ст.	
7 1590
98
Простые вещества
Продолжение
Индекс грани	Ф. эВ	и, А-см~2 К-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{233} ~2°	4,61 — 1,4 • 10“47\				Измерено на образцах чистотой	
{234}«1 {234} ~5 / {236}	4,56—1,3 • IO”4? 4,47—2 • \(Г*Т	—	373—1273	ТЭ	99,999% при Р = Ю-10 — 10-н мм рт. ст.	[1283]
{311} {345} {356}	4,418 4.54—1,3 • Ю-4?) 4,47—7,6 • 1С"5 TJ	—	373—1273	КРП ТЭ	Измерено методом Кельвина на ци- линдрических образцах чистотой 99,999% Измерено на образцах чистотой 99,999% при Р = 10“10 — 10“11 мм рт. ст.	[2131] [1283]
		Ф{100}—ф{111}== =0,463 эВ	—	—-	КРП	КРП между двумя гранями моно- кристалла. Измерениям мешали за- грязнения	[1754]
	4,541	—		ФЭ	Сферический кристалл. Значение ф не зависит от кристаллографических направлений	[1465]
	4,544±0,010			ФЭ	Сферический кристалл (расплав кап- ли меди на W-ленте) при Р < < 10~9 мм рт. ст. Приведенное зна- чение — среднее для 141 измерения	[1464]
Рис. 34. Термоэмиссионные свойства моно*
кристалла меди [1218]:
а — температурная зависимость работы выхо-
да (измерения выполнены в процессе охлаж-
дения от Т - 1073 К): 1 — очищенная грань
Л 10k 2 — очищенная пзань {111}; 3— грань
{111} после нагрева и бомбардировки нонами
неона в течение 7 ч;
б — зависимость работы выхода от времени
ыагрева прн Т = 1073 К: 1 - грань {100}.
2— грань {110}; 3 — грань {111}.
(0001)	3,63	—	—	ФЭ	Измерено на базисной плоскости, сколотой в сверхвысоком вакууме, методом изотермических кривых Фа-	[1600]
	4,15						тм	улера Рассчитано по РЭП	[1499]
	4,26	——	—	ФЭ	—	[1440]
	4,9±0,06	—	—	КРП	Очищенная поверхность	[2090]
——	/(0001): :/(1010|=2 : 1	—	"—•	ФЭ		[1535]
32. Германий Ge
{111}
(4,01—4,07)±0,05
900—1050 ТЭ
Измерено на полированных, про-
травленных и очищенных образцах
методом полного тока при Р —
10“6 мм рт. ст.
[2074]
Монокристаллы
99
Продолжение
Индекс грани	Ф, эВ	А А-см—2- К-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{111} (111) {001} {011} {100} {110} {111} {100}	—4.1 4,11 4,58 4,61 4,65 ±0,02 ~4,7 4,74 4,75 4,80±0,04 4,80±0,05 4,95 3,75 ±0,05 2,177 1 2.230 J 2,01 2,10 2,35 2,20 2,63 2,65 2,71 2,81 2,83 2,93 2,94 2,96 3,04 4,96 2,05 2,30 2,43	1 Illi 1 Illi 1	1	1 1 1 1 1 1 II 1	1 1 1 1 1 1 1 1	1	1073—1173 33. Мышь 37. Рубид! 38. Строки	ТЭ ФЭ ФЭ КРП ФЭ пи ФЭ КРП ФЭ КРП ФЭ як As ФЭ !й Rb ТМ тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм ий Sr тм	Измерено на образцах с проводимо- стью р- и n-типа методом прямой Ри- чардсона Образец с проводимостью р-типа Тот же образец очищен нагревом до Т = 450 К Найдено по кривым энергетического распределения электронов с граней для очищенной поверхности Измерено на образцах с проводимо- стью р- и n-типа методом ПИ атомов лития и натрия Образец с проводимостью р-типа очи- щен прогревом до Т = 450 К Очищенный образец с проводимо- стью п-типа То же Измерено па сколотом образце с проводимостью р-типа методом Кельвина Очищенный образец с проводимо- стью п-типа Определено по кривым энергетиче- ского распределения фотоэлектронов с граней. Р = 10“9 мм рт. ст. Рассчитано на основе модели квази- свободных электронов Для гс = 2,61 } Для гс =2,13 } Рассчитано по РЭП Для гс — 2,61 J Вычислено в ПСФ (с учетом влияния ионов) Рассчитано по РЭП (для гс= 2,13) Вычислено в ПСФ При вычислениях использована ди- электрическая функция из {1824} (с учетом влияния ионов) То же из [1900} То же из [1824] (без учета влияния ионов) Тоже из [1900, 1902] То же из [1823] (с учетом влияния ионов) То же из [1823] (без учета влияния ионов) Тоже из [1356] пЛп* ? ~	I Рассчитано по РЭП Для гс — 2,13 ] Рассчитано на основе модели квази- свободных электронов	[841] [1301] [1227] [1241] [2127] [841] [1241] [1301] [1241] [1301] [2091] [1718] [896] [1499] - [1666] [1499] [1666] [1499] [896]
7
100
Простые вещества
Продолжение
Индекс грани	Ф, эВ	А, А .см~~2- К-’2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
39. Иттрий Y
(0001) (1124)	3,47 3,62 3,27 3,28	500 1 100 /	1400 1250—1500 1400	тэ тэ тэ	Эффективная работа выхода Метод прямой Ри- чардсона Эффективная работа выхода		Измерено на плоских образ- цах, выращен- ных зонной , бестигельной перекристал- лизацией, при Р = 10“9 мм рт. ст.	[704, 705}
			41. Ниобий Nb					
(001}	4,02	—	—	тэ	Измерено на кристаллизованной про- волоке методом прямой Ричардсона			[1515]
{100}	3.87±0,01 3,90	40±20		АЭ ТЭ	Метод прямой Ричардсона			[970] [12]
	3,90±0,05	36=4=10		тэ	Тот же метод для	полусферических		[И]
					образцов			
	3,95±0,03	90±20	—	тэ	Тот же метод для	спектрально-чис-		[657]
					тых образцов. Р =	=	0 9 мм рт. СТ-.'	
	4,00	—	—	КРП	Эталон — поликристаллический вольфрам (<pw принята равной 4,60 эВ)			[247]
	4,00	—-_	—	тэ	Метод прямой Ричардсона			[699]
	4,00		‘—	тэ	Измерено на цилиндрических образ-			[248]
					цах тем же методом			
	4,00±0,02	15	—	тэ	Измерено на полусферических об- разцах тем же методом			[67] [1276]
	4,07			тм	Вычислено на основе модели НОЭ			
	4,18=1=0,02		——	ФЭ	Образец очищен нагревом электрон-			[1856]
					ной бомбардировкой		до Т = 2100 К	
			300—1600	КРП	ckp/d'T = —5 • 10“	-5	эВ • К-1. Из-	[250]
					мерено на прокаленных образцах			
					методом Андерсона X 10“10 мм рт. ст.		при Г 5 X	
{110}	4,09	—		ФЭ	Измерено после			
	4,33			ФЭ	ионной бомбарди- ровки атомно-чис- той поверхности Атомно-чистая по-	Метод изотерми- ческих кривых Фаулера		[1652]
					верхность			[2140]
	4,57	—	—	тэ	Сферические и плоские образцы про- калены постоянным током при Р =			
								
					= 10 5 мм рт. ст.			
					Измерено методом	прямой Ричард-		
					сона при Р — 10“	8 мм рт. ст.		
	4,65±0,07	3150	1450—1750	тэ	Измерено на плоских образцах тем			[520, 687]
					же методом при Р	=	10 мм рт. ст.	
	4,67	__			тэ	Тот же метод			[699]
	4,76	__			тм	Вычислено на основе модели НОЭ			[1276]
	(4,79->4,60) ±0,04	(1914-> -*608)±10	—	тэ	Уменьшение эмиссионных парамет- ров, определенных методом прямой			[143]
					Ричардсона, при	увеличении вре-		
					мени прокалки образцов от 50 до			
					140 ч постоянным	током при Т =		
					= 2300 К			
	4,80	__			КРП	Эталон — поликристаллический			[247]
					вольфрам (ф’у/	принята равной		
					4,60 эВ)			
Монокристаллы
101
Продолжении
Индекс грани	ф, эВ	А, А-см 2- К—-’	Темпера- турный интервал измерении, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
(НО)	4,80	—	—	ТЭ	Измерено на цилиндрических об- разцах методом прямой Ричардсона	|2481
	4,80	300±20	—	тэ	Тот же метод	ОТ
	4,80 ± 0,02	—	1370—2070	тэ	Измерено методом полного тока при Р ~ 5 • 10~9 мм рт. ст.	[189, 1901
	4,80±0,03	185	—	тэ	Измерено на полусферических об- разцах методом прямой Ричардсона	[67]
	4,80±0,04	2534	—	тэ	Образцы прокалены переменным то- ком при Т — 2300 К в течение 100 ч. Тот же метод	[143]
	4,80±0,05	80±20		тэ	Измерено на спектрально-чистых образцах при Р — 10-9 мм рт. ст. тем же методом	[657]
	4,82±0,05	—	——	тэ	То же	[15]
	4,84 ±0,05		—•	пи	Измерено на сферических образцах методом ПИ атомов натрия	[9]
	4,85			тэ	Сферические н плоские образцы про- калены постоянным током при Р = = 10“6—10“7 мм рт. ст. Измерено методом прямой Ричардсона при Р = — Ю~~8 мм рт. ст.	[2140]
	4,87	—	—	тэ	Измерено на кристаллизованной про- волоке тем же методом	[1515]
	4,9 ±0,05	300±20	—	тэ	Тот же метод для полусферических образцов	[11)
			300—1600	КРП	d<p/dT = —3,2 • 10“° эВ • К”1. Из- мерено на прокаленных образцах ме- тодом Андерсона при Р 5 X X 10~10 мм рт. ст.	[250]
{111}	3,85	—	—	КРП	Эталон — поликристаллический вольфрам (tpw принята равной 4,60 эВ)	(247]
	3,85	—	—•	тэ	Измерено на цилиндрических образ- цах методом прямой Ричардсона	[248]
	3,85			тэ	Сферические и плоские образцы про- калены постоянным током при Р = = 10~6—10“7 мм рт. ст. Измерено методом прямой Ричардсона при Р = = 10-"8 мм рт. ст.	[2140]
	3,88		—	тэ	Тот же метод	]699]
	3,88	39	—	тэ	Тот же метод для плоских и сфери- ческих образцов	[695[
	3,88	50±20	—	тэ	Тот же метод	[12]
	3,88 ±0,03	13	—	тэ	Тот же метод для полусферических образцов	[67]
	3,88±0,03	15±20	’—	тэ	Тот же метод для спектрально-чистых образцов	(6571
	3,88±0,05	46±10	—	тэ	Тот же метод для полусферических образцов	(И)
	3,88±0,07	30	1450—1750	тэ	Тот же метод для плоских образцов. Р = 10“8 мм рт. ст.	(520, 687]
	3,90±0,05		—	пи	Измерено на сферических образцах методом ПИ атомов натрия	[9]
	3,94	—-		тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
	4,09			ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера после ионной бом- бардировки атомно-чистой поверх- ности	[1652, 1653|
102
Простые вещества
П родолжение
Индекс грани	ф, эВ	А, А-см 2-	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{111} {112} {ИЗ} {116} {310} {335}	4,14 4,36 4,66 4,20 4,30 4,33 4,35 4,45 4,45 ±0,05 4,47±0,02 4,63 4,29 3,70±0,03 3,94 3,95 1 4,18 ] 4,09—4,7 4,55	170±20 172±20 175 ~5	300—1600 - 1 6 00	ТЭ тэ ФЭ КРП тм КРП тм тэ тэ тэ тэ тэ КРП тэ тэ тм тэ ФЭ ФЭ	Сферические и плоские образцы про- калены постоянным током при Р = — 10~5 мм рт. ст. Измерено мето- дом прямой Ричардсона при Р = — 10~®мм рт. ст. Измерено на кристаллизованной про- волоке тем же методом Измерено на атомно-чистой поверх- ности методом изотермических кри- вых Фаулера dyldT = 5,5 • 10“5 эВ • К-1. Из- мерено на прокаленных образцах методом Андерсона при Р <=* 5 X X 10“10 мм рт. ст. Определено по графику: работа вы- хода — статистический вес атомов со стабильными электронными конфи- гурациями, образующими данную грань Эталон — поликрисгаллический вольфрам (<pw принята равной 4,60 эВ) Вычислено на основе модели НОЭ Измерено на цилиндрических об- разцах методом прямой Ричардсона Тот же метод Тот же метод для полусферических образцов То же Измерено на кристаллизованной про- волоке методом прямой Ричардсона dcp/dT = —1,4 • 10~5 эВ . К-1. Из- мерено на прокаленных образцах методом Андерсона при Р ~ 5 X X 1О*“10 мм рт ст. Измерено па кристаллизованной про- волоке методом прямой Ричардсона Измерено на спектрально-чистых об- разцах тем же методом при Р = = 10~9 мм рт. ст. Вычислено на основе модели НОЭ Измерено на кристаллизованной про- волоке методом прямой Ричардсона Измерено после ионной бомбарди-	м рорки атомно-	мических	кон- чистой поверхности	ф ₽ Атом но-чиста я по-	3	Е верхность	[2140] [1515] [1652, 1653] [250] [648] [247] [1276] [248] [12] [Н] [67] [1515] [250] [1515] [657] [1276] [1515| [1652]
42. Молибден Мо
(001}	4,5±0,1	—	—	тэ	Измерено на монокристаллических нитях методом прямой Ричардсона	[1213]
(011}	5,0		—	КРП	Метод Андерсона	[147]
{100}	3,94	—	—	тэ	—	[578]
	3,94—4,02				тэ	—	[299]
	4,26±0,05	—		пи	ПИ атомов цезия	[834]
	4,27±0,02	—	—	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[1017]
Монокристаллы
103
Продолжение
Индекс грани	ф, эВ	А, А • см“2 • К-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{100}	4,33±0,03	32±10	1 —	ТЭ	Плоские образцы прокалены посто- янным током при Т — 1980 К в те- чение 260 ч	[140]
	4,35 4,35±0,С5	—*	1400—2200	тэ тэ	Метод прямой Ричардсона 'Гот же метод 1	[699] [838]
7	4,35±0,05	—	—	пи	ПИ атомов хлора J	
	4,35 ±0,05 4,354-0,05			пи пи	ПИ атомов брома ПИ атомов иода	1	[836] [842]
	4,35±0,05		—	тэ	Монокристаллическая лента ]	
	4,35±0,07	—	1600—1900	тэ	Измерено на плоских образцах ме- тодом прямой Ричардсона	[683]
	4,35±0,07	2200	—	тэ	Измерено на образце в форме узкой полоски тем же меюдом	[520]
	4,37 ±0,03	42±Ю	-—	тэ	То же после прокалки постоянным током при Т = 1980 К в течение 25 ч	[140]
	4,38	—	—	АЭ	—	[1879]
	4,38 ±0,03	57±10		тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на плоском образце после про- калки переменным током при Т = ~ 1980 К в течение 90 ч	[140]
	4,39±0,03	215±74		тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на плоских образцах при Р = = 10 мм рт. СТ.	[5]
	4,40	——	—»	АЭ	—	[970]
	4,40	110	—	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на цилиндрических образцах	[757]
	4,40±0,02	125± 10	—	тэ	То же	[656, 871]
	4,40±0,03	“ ~~	—	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на плоских образцах	[363, 364, 784]
	4,40±0,04		1943	тэ	Грань монокристалла чистотой 99,999% механически полирована и прогрета при Т = 2800 К. Эффек- тивная работа выхода	[899]
	4,40±0,05	230±20	—	тэ	Измерено мет ;дом прямой Ричардсо- на на плоских образцах	[4]
	4,43±0,05	250±20		тэ	Измерено тем же методом на крупных полусферических образцах, очищен- ных нагревом до Т = 2400 К	[7, 10—12]
	4,44	—	—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276, 1849]
	4,44 ±0,03	—	—	пи	ПИ атомов натрия	[363, 364, 7Я41
	4,45	—	—	АЭ	Измерено методом прямой Фауле- ра — Нордгейма на травленой про- волоке при Р 1О“10 мм рт. ст.	1 Оъ J [972, 2072]
	45	100	1770—2170	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона при Р = 5 • 10~7 — 10~6 мм рт. ст.	[472]
	4,5 ±0,05	800 ±10	—	тэ	Измерено тем же методом на плоских образцах, прогретых в течение при- мерно 150 ч	[141]
	4,5±0,1	118±30	—	тэ	Измерено тем же методом на моно- кристаллической пи ГН	[1094]
	4,52±0,03	305±10		тэ	Измерено тем же методом на плоских образцах, прокаленных переменным током при Т = 1980 К в течение 40 ч	[140]
	4,53±0,02	—	—ч	ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на цилиндрических образцах чистотой 99,99?о	[971]
	4,60±0,04		1789	тэ	Измерено на кристаллизованных и термически стабилизированных плос- ких дисках. Эффективная работа вы- хода	[1387]
104
Простые вещества
Продолжение
Индекс грани	Ф, эВ	> о £ я 1 N3	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания		Литература
{100}	4,67±0,03			ФЭ	—		[1570]
{110}	4,18 4,20—4,29	—	—	ТЭ ТЭ			[5781 [299]
	4,7 ±0,05	850 ± 10		тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на плоских образцах, прогре- тых в течение примерно 150 ч		[141]
	4,75			тэ	Сферические и плоские образцы про- калены постоянным током при Р = = 10“э мм рт. ст. Измерено тем же методом при Р = 10~8 мм рт. ст.		[2140]
	4,8—4,9 4,90			тэ тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на сферическом образце Тот же метод		(41 [699]
	4,90±0,04		1789	тэ	Измерено па кристаллизованных и термически стабилизированных плос- ких дисках. Эффективная работа выхода		[1387]
	4,90 ±0,05	350 ±20	—	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на полусферических образцах		[Ю Н]
	4,9±0,07	—	1600—1900	тэ	Измерено тем же методом на плоских образцах		[683]
	(4,90—5,20) ± 0,02	80—190		тэ	Измерено тем же методом на плоских образцах, полученных зонной плав- кой. Значение ср зависит от длитель- ности прокалки образцов		[139]
	4,91			тэ	Сферические и плоские образцы про- калены постоянным током при Р = = IO-6—10~7 мм. рт. ст. Измерено методом прямой Ричардсона при Р = = 10~8 мм рт. ст.		[2140]
	4,94	-—	—	тэ	Тот же метод для сферических об- разцов		[13, 14]
	4,94±0,03		—	тэ	Измерено тем же методом на образ- цах, обезгаженпых при Т = 2100— 2400 К в течение 50 ч		[2058]
	4,95 ±0,02		’—	ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на цилиндрических образцах чистотой 99,99%		[971]
	4,95±0,05	350±20	—	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на крупных полусферических образцах, прогретых до Т = 2400 К		[7, 12]
	4,95±0,07	1000	—	тэ	Тот же метод для образцов в форме узких полосок		(520[
	5,00	—	—.	АЭ	Метод прямой Фаулера	— Нордгейма	[2072]
	5,0±0,02			КРП	Измерено методом на плоских образцах = 10“12 мм рт. ст.	Андерсона при Р =	[245]
	5,00±0,02	—	1370—2070	тэ	Измерено методом полного тока при Р 5 • 10"“9 мм рт. ст.		[189, 190]
	5,00 ±0,03 (5,00->4,87) ±0,03	308 ±20 (963->515)± ±10	—	тэ тэ	Измерено методом пря сона на чистом хорошо < образце Уменьшение значения ср при увеличении вре- мени выдержки образ- цов после прокалки постоянным током при Т = 2000 К от 20 до 70 ч	мой Ричард- эбезгаженном Метод пря- мой Ричард- сона	[681] [142]
Монокристаллы
105
Продолжение
Индекс грани	ф, эВ	А, А-см 2-К 2	Темпера- турный интервал измерений. К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{НО}	(5,00-*5,10)±0,03	(1460—► -*8015)±10	—	ТЭ	Увеличение значения Ф при увеличении вре- мени выдержки об-	Метод пря- разцов после прокал- мой Ри- ки переменным током чардсопа при Т = 2000 К от 60 до 100 ч	1142]
	5,00 ±0,05	•	—	ТЭ	Измерено на прокаленных в течение 100 ч образцах	[2069]
	5,00 ±0,05	—	——	ТЭ	Измерено методом прямой Ричард- сона при Р = 10“9 мм рт. ст.	[15]
	5,00 ±0,05 5,00 ±0,05			ТЭ ТЭ	То же для зонно-плавленых поли- рованных и травленых образцов, прокаленных в течение 300 ч	[2139, 2142] [108]
	5,00 ±0,05	125± 15		тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на образцах цилиндрической формы	[656, 871]
	5,05 ± 0,05	540	—	тэ	То же при Р= (3—5)  10“9 мм рт. ст.	[751, 757]
	5,1 5,10±0,03	794	1770—2270	тэ тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона при Р — 10“6 мм рт. ст. Тот же метод	[472] [364, 784]
	5,10± 0,03 5,10 ±0,05 5,12±0,03 5,13 ±0,03	400 270 ±20 242 ±83	III 1	тэ тэ тэ пи	Тот же метод для плоских образцов, прокаленных при Т = 2300 К. Р = = 10“9 мм рт. ст. То же » » ПИ атомов натрия	[308, 363] [4] [5] [308, 363, 364, 784]
	5,23	—	—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
{111}	5,4 ±0,2	—	—	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на монокристаллических нитях	[1094, 1213]
	(3,95—4,19) ±0,02 4,00	1—70		тэ АЭ	Измерено тем же методом на плоских образцах, полученных зонной плав- кой. Значение ф зависит от длитель- ности прокалки образцов	[139| |1879]
	4,10	—	—	тэ	Измерено методом прямой Ричардсо- на на сферических образцах	[13, 14]
	4,10	25	—	тэ	Тот же метод для плоских и сфериче- ских образцов	[695]
	4,10±0,02 4,10 ±0,03	60± 10		тэ тэ	Тот же метод для цилиндрических образцов Тот же метод	[656, 871] [364, 784]
	4,10± 0,03 4,10 ±0,03	65		тэ пи	Тот же метод для плоских образцов, прокаленных при Т = 2300 К ПИ атомов лития	[308, 363] [304]
	(4,10-* 4,40) ±0,03	(73-*384) ± ±10		тэ	Увеличение значения ф при увели- чении времени прокалки образцов переменным током при Т = 2000 К от 60 до 100 ч. Метод прямой Ричардсона	[142]
	4,10±0,05	—	——	тэ	Полированные образцы прокалены в течение 100 ч	[2069]
	4,10±0,05			тэ	Измерено на зонно-плавленых поли- рованных образцах, прокаленных в течение 40, 150 и 320 ч, методом пря- мой Ричардсона при Р 3 X X 10“9 мм рт. ст.	[2139, 2142]
	4,10±0,05	180 ±20	—-	тэ	Тот же метод для крупных полусфе- рических образцов, нагретых до Т = 2400 К	[7, 10—12]
106
Простые вещества
Продолжение
Индекс грани	ф, эВ	о S 1 i. to. X 1 to	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния <р	Примечания	Литература
{111}	4,12±0,05	—	—	КРП	Измерено на диске при Р = 10“8— 10—9 мм рт. ст. Эталон — золото (<рАи принята равной 4,55 эВ)	[694]
	4,12—4,17	—	—	тэ	—	[299]
	4,13			тэ	Сферические и плоские образцы про- калены постоянным током при Р = — Ю"6—10~7-мм рт. ст. Измерено методом прямой Ричардсона при Р = = 10“8 мм рт. ст.	[2140]
	4,13±0,03	—	—	пи	ПИ атомов натрия	[308, 363. 364, 784]
	4,14±0,04	50	~~ —	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на цилиндрических образцах при Р = (3—5) • 10“9 мм рт. ст.	[751, 757]
	4,15 ±0,05	140 ±20	—	тэ	Тот же метод для плоских образцов	[4]
	4,16 ±0,02	145±28	—	тэ	То же; Р = 10-9 мм рт. ст.	[5]
	4,17 ±0,03		—	пи	ПИ атомов лития	[308, 784]
	4,18	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[699]
	4,19	—	—	АЭ	Измерено методом прямой Фаулера — Нордгейма на травленой проволоке при Р < 10“10 мм рт. ст.	[972]
	4,20	—	—	АЭ	Тот же метод	[2072]
	4,2	63	1870—2270	ТЭ	Измерено методом прямой Ричард- сона при Р = 5 • 10~7 мм рт. ст.	[472]
	(4,25->4,46)±0,03	(96-*280)± ±10		тэ	Увеличение значения <р при увели- чении времени выдержки образцов после прокалки постоянным током при Т = 2000 К от 20 до 70 ч	[142]
	4,27	—	—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276, 1849]
	4,3	 —	——	КРП	Измерено методом Кельвина на чис- тых образцах при Р— (1—5) X X Ю“10 мм рт. ст.	[605]
	4,3 ±0,03	68 ±13	—	тэ	Измерено на полуцилиндрических образцах методом прямой Ричардсо- на. Угол разориептировки грани составляет 8—9°	[2153]
	4,3 ±0,1	25± 10	—	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на монокристаллических нитях	[1094]
	4,3 ±0,1	——		тэ	То же	[1213]
	4,35 ±0,04		1789	тэ	Кристаллизованные и термически стабилизированные плоские диски. Эффективная работа выхода	[1387]
	(4,49 ± 0,06)(4,67 ± ±0,02)			ФЭ	Измерено методом цилиндрических конденсаторов на монокристалли- ческих проволоках. Значение ф уве- личивается при адсорбции на по- верхности остаточных газов	[1951]
	4,55 ±0,02	—	—	ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на цилиндрических образцах чистотой 99,99/6	[971]
	4,58			тэ	Сферические и плоские образцы про- калены постоянным током при Р — = Ю-5 мм рт. ст. Измерено методом прямой Ричардсона при Р — 10“8 мм рт. ст.	[2140]
	4,60±0.05			тэ	Образцы, травленные 10%-ным рас- твором КОИ, прокалены в течение 150 и 320 ч	[2139, 2142]
Монокристаллы
107
Продолжение
Индекс грани	Ф, эВ	л, А-см-2-К-2	Темпера- турный интервал измерений,К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{Ш}	4,7	—	1820—2270	ТЭ	Измерено методом прямой Ричард- сона при Р = 10“5 мм рт. ст.	[472]
	4,8 ±0,05	900± 10		тэ	Тот же метод для плоских образцов, прогретых в течение примерно 150 ч	[141]
	5,00 ±0,05			тэ	Образцы, травленные 10%-ным рас- твором КОН, прокалены в течение 40 ч	[2139, 2142]
	5,00 ±0,05	—	—	тэ	Те же образцы прокалены в течение 100 ч	[2069]
	5,5	—	—	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[993]
			1550—1950	ТЭ	Среднее	значение	dq/dT = = —(10,35 ± 0,05) • 10~5 эВ - К-1. Измерено методом Шелтона на элект- рополированных плоских образцах при Р = КГ11 мм рт. ст.	[2144]
{112}	4,36 ±0,03	—		ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на цилиндрических образцах чистотой 99,99%	[971]
	4,50 ±0,04		1789	тэ	Рекристаллизованные и термически стабилизированные плоские диски. Эффективная работа выхода	[1387]
	4,5 ±0,1	85 ±35	—	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на монокристаллических нитях	[1094]
	4,5±0,1	—	—	тэ	То же	[1213]
	4,55 ±0,05	100± 10	—	тэ	Тот же метод для цилиндрических образцов	[656, 871]
	4,55 ±0,05	280 ±20	1 	тэ	Тот же метод для крупных полусфе- рических образцов, прогретых до Т = 2400 К	[7, 10—12]
	4,60 ±0,03	90	— —	тэ	Тот же метод для плоских образцов	[363]
	4,60 ±0,03	—	—	тэ	» » » » » »	[364]
	4,60 ±0,05	80	—	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на цилиндрических образцах при Р = (3—5) • 10“9 мм рт. ст.	[751, 757]
	4,63 ±0,03	—	—	пи	ПИ атомов натрия	[363, 364]
	4,71	 	— М	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
{114}	4,18±0,07	——-	1600—1900	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на плоских образцах	[683]
	4,18 ±0,07	195	—	тэ	Тот же метод для образцов в форме узких полосок	[520]
	4,50 ±0,04			ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на цилиндрических образцах чистотой 99,99%	[971]
{116)	—4,00	—	—	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на цилиндрических образцах	[656, 871]
	4,02 ±0,04	40	—	тэ	То же при Р =. (3-5)-10“9 мм рт. ст.	[751, 757]
	4,2±0,1	17±8	—	тэ	Измерено тем же методом на моно- кристаллических нитях	[1094]
	4,2±0,1	—	—	тэ	То же	[1213]
	4,27	—-	—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
{211}	4,51		—	АЭ	—	[1879]
	4,58	 "	 ~	АЭ	Измерено методом прямой Фаулера — Нордгейма на травленой проволоке при Р < 10“’° мм рт. ст.	[972]
	4,60	—	—	АЭ	Тот же метод	[2072]
(310J	4,71 4.13)	-	—	АЭ	Измерено методом прямой Фаулера—	[1849]
{321}	4,14/			АЭ	Нордгейма на травленой проволоке при Р < 10“10 мм рт. ст.	[972]
108
Простые вещества
Продолжение
Индекс грани	Ф, эВ	А, А-см~2- К-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{332}	4,55 ±0,02	—	-—	ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на цилиндрических образцах чистотой 99,99%	[971]
Рис. 35. Температурная зависимость ра-
боты выхода при ТЭ для грани {111} Мо.
Измерено в различных вакуумных усло-
виях:
а — Р- (1—4) • 10~7 мм рт. ст. (1921
б-Р = 5 • 10 7 (/) и 10 5 (2) мм рТ ст
[4721
44. Рутений Ru						
(0001)	5,04 ±0,07	—	1600	тэ	Крупные образцы получены зонной плавкой. Эффективная работа выхода	[691]
	5,40	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[699]
(юТо)	5,40±0,07	1300	—•	тэ	Измерено тем же методом на крупных образцах, полученных зонной плав- кой	[520, 689, 691]
	4,6 ±0,1			ФЭ	Измерено по кривым энергетического распределения фотоэлектронов на образцах, обезгаженных при Р ~ 3 • 1О“10 мм рт. ст.	[1005]
	5,08 ±0,05	—	1600	ТЭ	Крупные образцы получены зонной плавкой. Эффективная работа выхода	[691]
	5,14		—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[699]
	5,14 ±0,05	180	——	тэ	Измерено тем же методом на крупных образцах, полученных зонной плав- кой	[691]
(1124)	5,14 ±0,07	180	——	тэ	То же	[520, 689]
	4,52	—	—	тэ	Тот же метод	[699]
	4,52 ±0,05	120	—	тэ	Тот же метод для крупных образцов, полученных зонной плавкой	[691]
	4,52 ±0.07	120	——	тэ	Тот же метод для сферических и плоских образцов	[520]
	4,55 ±0,05	—	1600	тэ	Крупные образцы получены зонной плавкой. Эффективная работа выхода	[691]
	4,55 ±0,07	50	47. Сереб|	тэ 30 Ag	Измерено методом прямой Ричард- сона на крупных образцах, получен- ных зонной плавкой	[689]
{100}	4,30		—	ФЭ	Термически напыленные слои	[1926]
	4,62	—	—	КРП	—	[1343]
	4,62 ±0,03	——		КРП	Средняя работа выхода. Эталон — вольфрам	[915]
Монокристаллы
109
Продолжение
Индекс грани	Ф, эВ	А, А-см К	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{100}	4,64 ±0,02	—	—	ФЭ	Образцы очищены электронной и ион- ной бомбардировкой	[1145]
	4,79	—	300	КРП	Эталон — барий (<рВа принята рав- ной 2,52 эВ)	[915]
	4,81 ±0,01		0	ФЭ	—	[П74]
{110}	4,52 ±0,02	—	“ —	ФЭ	Образцы очищены электронной и ион- ной бомбардировкой	[1145]
{111)	3,98	—	—	ФЭ	Термически очищенные слои	[1926]
	4,55	—	—--	КРП	Метод Андерсона	[147]
	4,702 ±0,017	—	—	тм	Рассчитано на ЭВМ по результатам ФЭ-экспериментов	[1429]
	4,74 ±0,02			ФЭ	Измерено методом изотермических кривых Фаулера на цилиндрических образцах чистотой 99,9999%, очи- щенных многократным нагревом электронной и ионной бомбардиров- кой	[1144]
	4,75 ±0,01	—	0	ФЭ		[Н74]
Рис. 36. Зависимость работы выхода от поверхностной плотности атомов на гранях
{100} (4,64 эВ), {110} (4,52 эВ) и {111} (4,74 эВ) для монокристалла серебра Г1145]:
1— значения ф измерены методом ФЭ; 2 — значения <р рассчитаны по теории [1497,
14991.
			49. Индий In			
(001)	4,20			КРП	Толстая пленка индия напылена на грань {001} W. Структура определе- на методом ДМЭ. ф измерена мето- дом Андерсона при Р = 5 • 10“10 мм рт. ст.	[2065]
			51. Сурьма Sb			
(Н1)	4,260	—•	—	ФЭ	Измерено на сколотой поверхности методом задерживающего поля в сфе- рических конденсаторах при Р = = 10“6 — 10~7 мм рт. ст.	[44]
52. Теллур Те
	4,78	—		ФЭ	Сколотая поверхность монокристал- ла полупроводника р-типа с кон- центрацией носителей 1014—1016 см-3	[41]
{001} ОН {100}	1,8811 1,929] 1,90		55. Цез»	|й Cs ТМ ТМ	Рассчитано на основе модели квази- свободных электронов	[1718] [896]
110
Простые вещества
Продолжение
Индекс грани	Ф, эВ	А А-см““2- К—2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
(100} (110) (111)	1,90 2,30 2,25 2,58 2,60 2,64 2,74 2,75 2,81 2,82 2,87 2,90 4,71 1,80 2,20	Illi III II II 1 III	III 1 II II III Illi	ТМ тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм	Для гс = 2,93 Для гс = 2,16 Рассчитано по РЭП Для гс = 2,93 Вычислено в ПСФ (с учетом влияния ионов) Рассчитано по РЭП (для гс = 2,16) Вычислено в ПСФ При вычислениях использована ди- электрическая функция из [1824) (с учетом влияния ионов) То же из [1900) То же из [1824) (без учета влия- ния ионов) То же из [1900, 1902) То же из [1823] (с учетом влияния ионов) То же из [1823] (без учета влияния ионов) То же из [1356] Для Гс = 2Д6 } Рассчита"° по РЭП	[1499] [1666] [1499] [1666] [1499]
		56. Бари		й Ба		
{100}	|	2,48	—-	— I тм 60. Неодим Nd		Рассчитано на основе модели квази- свободных электронов	[896]
(0001)	3,30		—	КРП	Толстая пленка a-Nd напылена на грань {100} W. Структура определена методом ДМЭ	[87, 2065]
73. Тантал Та
{001}	4,10 4,18±0.06)			АЭ	Измерено на микромонокристалли- ческой проволоке методом прямой Фаулера — Нордгейма при Р < < 10~9 мм рт. ст.	[263]
{010}	4,22±0,06} 4,78_L0.08J	—	—•	АЭ	Тот же метод	[82]
{ОН}	4,95	—		АЭ	Тот же метод для микромонокрис- таллической проволоки. Р < < 10~9 мм рт. ст.	[263]
{100}	4,08		-—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
1	J	4,12±0,05	110±20	—.	ТЭ	Измерено на полусферических об- разцах методом прямой Ричардсона	[6, 11, 12]
	4,15=1=0,02	~ 10	—	ТЭ	Тот же метод	[656, 871]
	4,164=0,05	122±26	1500—1730	тэ	Измерено на очищенной и электро- полированной ленте методом Шел- тона	[1186]
	4,174=0,05	127±10	“—	тэ	Измерено на крупных плоских об- разцах методом прямой Ричардсона	[376—378, 380]
	4,20±0,04			ПИ	Измерено на плоских образцах, ори- ентированных с точностью 2°, мето- дом ПИ атомов натрия при Р си 10~9 мм рт. ст.	[381]
{110}	4,43±0,05	195±20		тэ	Измерено на крупных полусфериче- ских образцах, нагретых до Т = -- 2400 К, методом прямой Ричард- сона	[8]
Монокристаллы
111
Продолжение
Индекс
грани
Ф, эВ
А,
А’СМ 2- К ~
Темпера-	Метод
турный	опре-
интервал деле-
язмереннй, К ния ф
Примечания
Литература
{110)	4,63 ±0,01	—	—	тэ	Тот же метод для механически поли-		[954]
					рованной грани. Р = рт. ст.	4 • 10 мм	
	4.73	—	—	тэ	Тот же метод для плоских образцов		[279]
	4,74 ±0,02	—	—	ФЭ	Измерено методом изотермических		[997]
					кривых Фаулера после	ионной бом-	
					бардировки и отжига образцов при		
					7^970 К		
	4.75		—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ		[1276]
	4,75±О,О6	—	—	тэ	—		[1636]
	(4,76-> 4,62) ±0,04	(413->	—	тэ	Уменьшение значения		
		->307) ±10			<р при увеличении вре- мени прокалки образ-		
							
					цов постоя иным током при Т =2300 К от 50 до 140 ч	Метод пря- мой Ричард-	[143]
	4,78 ±0,04	478	-	тэ	Образцы прокалены переменным током при Т =- z300 К в течение 100 ч	сона	
	4,80 ±0,02	30 ±10	—	тэ	Тот же метод		[656, 871]
	4,80 ±0,03	—-	—	тэ	» » »		[784]
	4,80 ±0,03 4,80 ±0,03	650	—	тэ	Тот же метод для плоских образцов, прокаленных при Т = 2400 К		[308]
		—-	—	пи	ПИ атомов лития		[304]
	4,82 ±0,05	110± 10	——	тэ	Измерено на плоских	крупных об-	[376—378,
					разцах методом прямой Ричардсона		380]
	4,83 ±0,05	195±20	—	тэ	Тот же метод для полусферических		[6, 11. 12]
					образцов		
	4,84 ±0,04		"  	пи	Измерено на плоских образцах, ори-		[381]
					ентированных с точностью 2°, мето- дом ПИ атомов натрия при Р 10~'		
					мм рт. ст.		[308, 784]
	4,85 ±0,03		—	пи	ПИ атомов лития на разцах	плоских об-	
							
	4,85 ±0,05		—	пи	ПИ атомов натрия на образцах	сферических	[9]
	4,94	—	—	КРП	Образец в форме лепты		[1180]
{111)	3,94	—	—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ		[1276]
	3,95	*	—	АЭ	Измерено на микромонокристалли- ческой проволоке методом прямой		[263]
					Фаулера — Нордгейма	при Р <	
					< 10“9 мм рт. ст.		[6, 11, 12]
	3,98 ±0,05	56 ±20	—	ТЭ	Измерено на полусферических об-		
					разцах методом прямой	Ричардсона	[656, 871]
	4,00 ±0,02	~10	—	тэ	Тот же метод для крупных образцов		
	4,00 ±0,04	1 ~	—	пи	Измерено на плоских образцах, ори- ентированных с точностью 2°, мето-		[381]
					дом ПИ атомов натрия си 10“9 мм рт. ст.	При Р Csi	
	4,00±0,05	102± 10	—.	пи	ПИ атомов натрия на образцах	сферических	[9]
	4,02 ±0,02		—	тэ	Измерено методом прямой Ричардсо- на на штабике, полученном зонной		[379]
							
					плавкой, при Р 10	мм рт. ст.	[376—378,
	4,02 ±0,05	Ю2± 10	-—	тэ	Тот же метод для крупных плоских		
	4,04				образцов		380|
		—		тэ	Измерено на диске методом задержи-		[1319]
					вающего потенциала		
112
Простые вещества
Продолжение
		л.	Темпера-	Метод			
Индекс грани	Ф, эВ	А-см~2- К~2	турный интервал	оп ре- деле-	Примечания		Литература
			измерений, К	НИЯ ф			
{111}	4,08 ±0,03	4±Ю	—	ТЭ	Образец прокален пе- ременным током при	Измерено на	
					Т = 2100 К в течение	плоских об-	
					90 ч	разцах мето-	[140]
	4,14±0,03	4± 10	 —	тэ	Образец прокален по- стоянным током при 7=2100 К в течение 25 ч	дом прямой Ричардсона	
	4,15	—	—	тэ	Тот же метод для плоских образцов		[279]
	4,28 ±0,03	19± 10	—	тэ	Образец прокален пе- ременным током при	Измерено на	
					Т = 2100 К в течение	плоских об-	
					40 ч	разцах мето-	[140]
	4,46 ±0,03	75± 10	—	тэ	Образец прокален по-	дом прямой	
					стоя иным током при 7=2100 К в течение	Ричардсона	
							
					260 ч		
{112}	4,3—4,4		—	тэ	Тот же метод		[656, 871]
	4,31	—		тм	Вычислено на основе	модели НОЭ	[1276]
	4,40 ±0,05		«и»	АЭ	Метод прямой Фаулера	— Нордгейма	[82]
	4,40 ±0,05	70 ±20	—	тэ	Измерено на полусферических об-		[6, 11. 12]
					разцах методом прямоГ	Ричардсона	
	4,7 ±0,05	1000 ±20	—	тэ	Измерено тем же методом на окис- ленной поверхности при Р = 3 X		[849]
					X 10 7 мм рт. ст.		
	4,8 5,7		>1500) <1500/		Измерено на отожженной текстури-		
		—		тэ	рованной фольге тем же методом при Р = 2 • 10“9 мм рт. ст.		[848]
{116}	~3,90	—		тэ	Тот же метод	модели НОЭ	[656, 871]
	3,94	-	—	тм	Вычислено на основе		[1276]
{121}	4,35 ±0,05				АЭ	Метод прямой Фаулера	— Нордгейма	[82]
{130}	3,96 ±0,04	—	—	ФЭ	Неотожженный обра-	Метод изо-	
					зец		
	4,57 ±0,02	——	—	ФЭ	Образец подвергнут	термических	[997]
					ионной бомбардиров-	кривых Фау-	
					ке и отжигу при 7 г-970 К	лера	
{211}	4,30	—	—	АЭ	Измерено на микромонокристалли- ческой проволоке методом прямой		[263]
					Фаулера — Нордгейма	при Р <	
					< 10“9 мм рт. ст.		[1808]
	4,352±0,01	—	—	ТЭ	Измерено на кристаллизованной про- волоке методом прямой Ричардсона		
							
			74. Вольфрам W				
{ооп	4,44	—	'—-	тэ	Найдено по кривым энергетического распределения электронов с различ-		[1371]
					ных граней		
	4,52		—	тэ	—		[1141, 1639]
	4,54		 -	АЭ	Р = 10“10 мм рт. ст.		[1630]
	4,56	156	 	ТЭ	Метод прямой Ричардсона		[1318]
	4,56	—	—	тэ	Тот же метод для пятнистой поверх-		[1826]
					ности		
	4,6			пи	ПИ атомов лантана и неодима на тек-		[367]
					стурированной ленте		[1281]
	4,60 ±0,05	—	—	тэ	Рекристаллизованная лента. Эффек-		
					тивная работа выхода		
	4,6±0,1		—	АЭ	Измерено на монокристаллической		[1213]
					нити методом прямой	Ричардсона	
Монокристаллы
113
Продолжение
Индекс грани	Ф, эВ	А, А - ср 2 • К	Темпера- турный интервал измерений. К	Метод опре- деле- ния <р	Примечания	Литература
{001}	4,93 + 0,06	—	—	АЭ	Измерено методом прямой Фауле- ра — Нордгейма	при	Р = =	мм рт. СТ.	[1314}
{010}	4,47	—	—	АЭ	То же	|638j
{011}	4.6	—	—	АЭ	» »	{16301
	5,09		—	ТЭ	Найдено по кривым энергетического распределения электронов с различ- ных граней	11371}
						
						
	5,2	—	—	ТЭ	—	[1231}
	5,26	—	—	тэ	Измерено на пятнистой поверхности методом прямой Ричардсона	[1826J
	5,35			КРП	Эталон — поликристаллический вольфрам (<pw принята равной 4,55 эВ;	[610}
	5,35	—	—	КРП	Метод Андерсона	[147|
	5.5	—	—	АЭ	Метод прямой Фаулера—Нордгейма	[474)
	5,60 ±0,05	——	—	АЭ	Тот же метод. Р = 10“10 мм рт. ст.	[182J
	5,6 ±0,1	—	—	АЭ	Тот же метод	[181, 745}
	5,70—5,99	—	—	АЭ	» » »	[1607]
	5,79	—	—	АЭ	Р = 10—1(1 мм рт. ст.	[638]
	(6,28 ±0,08)—(5,32 ±	—		АЭ	Тот же метод. Р = 10“10 мм рт. ст.	[1314}
	±0,10)					
{012}	4,34	—	—	АЭ	Тот же метод	[1607]
	4,35 ±0,06	—	—	АЭ	Тот же метод. Р = 10~10 мм рт. ст.	[122|
	4,36±0,04	—	—	АЭ	То же	11314}
	<4,39		—	АЭ	Тот же метод. Поле в проекторе при- нято за гиперболическое	[1132]
(013)	4,30		90	АЭ	Измерено на плоских образцах тем же методом	[2С07]
	4,31	—	—	АЭ	Тот же метод	[16071
	4,34 ±0,04	-—	 —	АЭ	Тот же метод. Р = 10“10 мм рт. ст.	[13141
	4,35		—	АЭ	—	[1333, 1350J
	5,19±0,16			АЭ	Найдено по кривым энергетического распределения электронов с различ- ных граней	[19311
{016}	4,43 ±0,04	—	-—	АЭ	Измерено методом прямой 4 ауле- ра — Нордгейма	при	Р =.	[1314]
					= 10“’° мм рт. ст.	
{021}	4,2 ±0,1 5,76	——	——	АЭ АЭ	Тот же метод	[745] [224]
{023}	4,29 ±0,06	—	—	АЭ	Измерено методом прямой Фауле- ра — Нордгейма	при	Р =	[122}
					= 10“10 мм рт. ст.	
	4,4		—	АЭ	Р = 10“10 мм рт. ст.	[1630}
	4,58 ±0,06	——	—	АЭ	Измерено методом прямой Фауле- ра — Нордгейма	при	Р = = 10“10 мм рт. ст.	11314] [1281]
						
{025}	4,55±0,05		—	ТЭ	Рекристаллизованная лента. Эффек- тивная работа выхода	
(100)	4,15 ±0,02		2000—2400	ТЭ	Измерено методом полного тока на образцах, отожженных после’облу- чения электронами с энергией до 2,3 МэВ при плотности тока в пучке 2,5 • 1013 эл • см“2-с-1. Интеграль- ная доза облучения составила 2,8 X X 1018 эл • см-2	(478)
	4,31—4,33	—	2200—2450	ТЭ	Измерено на плоских образцах тем же методом	[1470}
1	1					
8 1590
114
Простые вещества
Продолжение
Индекс грани	ф, эВ		А, А-см -К	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{100)	4,44—2-Ю”6 4,45±0,05 4,48 4,50 4,5-4,7 4,52 4,52		105	1700—2000	ТЭ тэ тэ КРП тэ тэ тэ	Монокристалл выращен на W-npo- волоке Измерено на нитевидных образцах методом полного тока Образец получен зонной очисткой Эталон — поликристаллический вольфрам (cpw принята равной 4,54 эВ) Покрытие нанесено из газовой фазы (с использованием WFe) Измерено методом прямой Ричард- сона на пятнистой поверхности Сглаженная поверхность монокрис- таллического прутка, полученного зонной плавкой	[1371] [212] [60] [1016] [679] [1826] [59]
	4,52—6,1 • 10-5 4,53 4,53±0,05 4,53 ±0,05 4,53 ±0,05 4.53±0,05 4,54 4,54 4,55 4,55 4,55 4.55 4,55 ±0,05 4,56 4,56 4,56 4,56 ±0,04 4,57 ±0,14 4,58±0,02 4,59±0,2 4,6 4,6 4,60 4,60 4,60	т	394 ±95 100 117 117 156 152±27	2100 2123—2723 2200	тэ тэ пи пи тэ тэ тэ тэ АЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ пи АЭ тэ тэ АЭ АЭ пи тэ тэ	Найдено по кривым энергетического распределения электронов с различ- ных граней Измерено после обезгаживания при Т — 2300 К в течение 25—30 ч. Эф- фективная работа выхода ПИ атомов брома ПИ атомов иода 1 Монокристалли- —	/ ческая лента Измерено на плоских образцах ме- тодом прямой Ричардсона Полированная поверхность моно- кристаллического прутка, получен- ного зонной плавкой Измерено методом прямой Ричард- сона на электрополированпой грани крупного плоского образца Измерено после обезгаживания при Т = 2300 К в течение 25—30 ч. Эф- фективная работа выхода Измерено методом прямой Ричард- сона при Р — 10~п мм рт. ст. Измерено тем же методом на тексту- рированной отожженной ленте Измерено тем же методом на нитевид- ных образцах Тот же метод Тот же метод для пятнистой поверх- ности То же ПИ атомов стронция и лантана Найдено по кривым энергетического распределения электронов с различ- ных граней Измерено на плоских образцах мето- дом прямой Ричардсона при Р = — 10~9 мм рт. ст. Тот же метод Метод прямой Фаулера — Нордгейма Определено по относительной яо- кости пятен ПИ молекул КС1 на текстурирован- ной отожженной ленте Метод прямой Ричардсона Измерено в термоэмиссионном мик- роскопе	[1827] [133] [836] |842] [1470] [59] [1838] [3, 1735] [133] [881] [522] [212, 851] [1318] [816, 1619] [1620] [1736] [1931] [5] [1033] [224, 2027] [964] [522] [699] [283, 1136]
Монокристаллы
115
Продолжение
Индекс гран»	ф» эВ	А, А-см -К 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
(100J	4,6±0,01	—	——	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[748]
	4,60 ±0.03	—		ТЭ	Метод прямой Ричардсона	|784)
	4,6 ±0,04	—	—	ТЭ	—	[29]
	4,60 ±0,05	127 ± 10	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[871]
	4,60 ±0,05 4,6±0,1 4,6 ±0,1	—	—	ТЭ пи тэ	Измерено тем же методом при Р = = 2 ‘ 10“10 мм рт. ст. на фольге чн. * тотой 99,05%, подвергнутой длитель- ной термической обработке ПИ атомов калия	1 Метод прямой Ричардсона /	[847] [839]
	4,6 ±0,1	130±40	—	тэ	Тот же метод для монокристалличес- кой нити	[1094]
	4,61 ±0,05			тэ	Измерено на зоипо-плавленых поли- рованных образцах, прокаленных в течение 150 ч, тем же методом при А ~ 3 • 10~9 мм рт. ст.	[2139, 2142]
	4,62	—	—	тэ	Измерено в термоэмиссионном мик- роскопе	[1104]
	-4,63			тэ	Слой толщиной около 100 мкм осаж- ден из газовой фазы на молибден. Ме- тод прямой Ричардсона	[9441
	4,63 ±0,02	—•	——•	тэ	Образец очищен нагревом электрон- ной бомбардировкой до Т — 2100 К	[1856]
	4,64	—	—	ФЭ	Метод изотермических кривых Фау-	[1513]
	4,645 ±0,05	——	—	КРП	Эталон — поликристаллическнй вольфрам (<pw принята равной 4,550 эВ)	[992]
	4,65		—	АЭ	—	[1086]
	4,65	—	—	КРП	Метод Кельвина	[1775]
	4,65		—	КРП	Измерено на лепте	[1180]
	4,65 ±0,02		—	КРП	Эталон — поликристаллическнй вольфрам (<pw принята равной 4,55 эВ)	[1413, 1776]
	4,65 ±0,02	238 ±75	—	тэ	Измерено на плоских образцах мето- дом прямой Ричардсона	[1450]
	4,65 ±0,02	—	1400—2200	тэ	Измерено на плоских образцах в ну- левом электрическом поле	[1449]
	4,65 ±0,02	—	2000—2400	тэ	Измерено на отожженных образцах методом полного тока	[478]
	4,66	—	—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
	4,66 ±0,02		—	тэ	Измерено на образцах в форме по- лосок методом прямой Ричардсона	[760|
	4,66 ±0,03	—	—	ПИ	ПИ атомов натрия	[784]
	4,66 ±0,06	—	—	тэ	Эффективная работа выхода	[783]
	4,67±0,04			КРП	Измерено после 24-часовой выдержки в среде кислорода при Т = 2500 К и ро = 10“6 мм рт. ст.	[1344]
	4,70	— —	•		АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгей- ма. чтена зависимость электриче- ского поля от угла расхождения	[1793]
	4.71	—	—	АЭ	—	[1350]
	4,75	—	2200	тэ	Измерено после обезгаживания при Т = 2300 К в течение 3—4 ч. Эф- фективная работа выхода	[133]
	4.76±0,05		-—	тэ	Измерено на крупных образцах ме- тодом прямой Ричардсона	[779]
	4,77		—	АЭ	—	[623]
	4,80			тэ	Травленая поверхность монокрис- таллического прутка, полученного зонной плавкой	[59]
8'
116
Простые вещества
Продолжение
Индекс грани	Ф. эВ	л, А .см“2 -К~2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния Ф	Примечания		Литература
{100}	4,80±0,05	—	—	ТЭ	Тот же образец, отожженный в те- чение 150 ч. Измерено методом пря- мой Ричардсона при Р ~ 3 • 10~9 мм рт. ст.		(2139, 2142]
	4,82	—	2100	ТЭ	Измерено после обезгаживапия при Т = 2300 К в течение 3—4 ч. Эф- фективная работа выхода		[133]
	4,89	—	— —	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма		[1514]
	4,90	—		АЭ	Тот же метод для отожженного об- разца при Р = 1О“10 мм рт. ст.		[1657]
	4,97 5,2		—	АЭ АЭ	Определено по относительной яр- кости пятен		[1981] [1333]
	6,25 ->6,14		400->865	ТЭ	Изменение значения в среде кислорода мм рт. ст. • с)	ф при нагреве (т = 4 • 10“5	[1П8]
	-—•	'—•	77—1300	КРП	dqldT = (9,1 ±0,4) • Ю“5 эВ • К-1. Измерено на плоских образцах мето- дом Кельвина при Р = 1О"|0мм рт. ст.		[1346]
{110}	(4,42—4,45) ±0,01-> ->(4,28—4,12)±0,01 4,58 4,60±0,03		1575—2080 1840—2140	ТЭ ТЭ ПИ	Уменьшение эффективной работы вы- хода электрона при у-облучении об- разца ПИ молекул NaCl		[678] [887, 1799] [1185]
	4,60±0,08	—	—	АЭ	Для упрощения расчетов использо- валась температурная зависимость		[33, 34]
	4,63±0,05 4,67 ±0,05	—	—	ТЭ ТЭ	Метод полного тока Метод прямой Ри- чардсона	Нитевидные • монокрис- таллы	[212, 851]
	4,68	—	—	АЭ	Определено по относительной яр- кости пятен		[1981]
	4,68	—	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона		[1318]
	4,68	15	—	ТЭ	Тот же метод для пятнистой поверх- ности		[1620]
	4,7—5,05	—	—	тэ	Покрытие нанесено из газовой фазы (с использованием WCle)		[2023]
	4,72 4,78	9,7		тэ тэ	Измерено на пятнистой поверхности методом прямой Ричардсона Тот же метод		[1826] [1079]
	4,78	—	—	тэ	Покрытие нанесено из газовой фазы (с использованием WCIe). Поверх- ность частично ориентирована в плос- кости {110}		[826]
	4,8 4,82	—	—	тэ пи	Покрытие нанесено из газовой фазы (с использованием WC16) ПИ атомов бария		[1330] [760]
	4,82—6,30	—		АЭ	Измерено иа отожженном образце методом прямой Фаулера — Норд- гейма при Р — 10“10 мм рт. ст.		[1657]
	4,83—4,01	—	2200—2450	тэ	Измерено на плоских дом полного тока	образцах мето-	[1470]
	4,9	—	  	АЭ	Определено по относительной яр- кости пятен		[964]
	4,9	——	—	ТЭ	Покрытие нанесено из газовой фазы (с использованием WCle)		[1354]
	4,9	650	—	тэ	Метод прямой Ричардсона		[129]
ч	4,90		2100	тэ	Измерено после обезгаживания при Т = 2300 К в течение 3—4 ч. Эффек- тивная работа выхода		[133]
Монокристаллы
117
Продолжение
Индекс грани	Ф, эВ	А. А «см • К	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{110}	4,9—5,0	—	—"•	ТЭ	Покрытие нанесено из газовой фазы (с использованием WCL)	[1361]
	4,90 ±0,05	—	——	тэ	Образец прокален при Т = 2300 К, Р = 5 • 10~а мм рт. ст.	[39]
	4,95	—	2200	тэ	Измерено после обезгажявания при Т == 2300 К в течение 3—4 ч. Эф- фективная работа выхода	[133]
	4,95	—	—	тэ	Образец получен зонной плавкой	[60]
	4,95±0,04	—	—	тэ	—	[29]
	~5,0	—	—-	тэ	Покрытие нанесено из газовой фазы (с использованием WClc)	[796, 2024]
	5,00			тэ	Сферические и плоские образцы, про- каленные постоянным током при Р = = !0~° мм рт. ст. Измерено методом прямой Ричардсона при Р = Ю~ 6 мм рт. ст.	[2140]
	5,0—5,5	—	—	АЭ	Определено по относительной яр- кости пятен	[1147]
	5,0±0,2	—	—	ТЭ	Измерено на монокристаллической нити методом прямой Ричардсона	[1094, 1213]
	5,03 ±0,02	200 ±10		тэ	Измерено на полосках, прокаленных до Т = 2800 К, тем же методом при Р = (1—2) • 10~9 мм рт. ст.	[306]
	5,05	—	—	тэ	Измерено в термоэмиссионном мик- роскопе	[283, 1136]
	5,05	 1 м	——	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1716]
	5,05 ±0,02			КРП	Образец получен зонной плавкой. Измерено после 100-часового отжига при Т = 2500 К и затем — 3-часо- вого при Т = 3000 К. Эталон — со- старенная поликристаллическая W- лента (<Pw принята равной 4,55 эВ)	[1344]
	5,06		2123—2723	тэ	Напыленный слой. Метод прямой Ричардсона	[1838]
	5,09		2000	тэ	Монокристалл выращен на W-npo- волоке. Эффективная работа выхода электрона определена по кривым энергетического распределения электронов с различных граней	[1371]
	5,10±0,01			КРП	Образец обезгажен при Р = = 10“10 мм рт. ст. Эталон — поли- кристаллическая W-фольга (cpw при- нята равной 4,55 эВ)	[1345]
	5,11	—	—	ФЭ	Метод изотермических кривых Фау- лера	[1513]
	5,13		2123—2723	тэ	Измерено методом прямой Ричардсо- на на механически полированной и отожженной при Т = 2800 К в тече-‘ ние 3 ч грани	[1838]
	5,13±0,02		—	КРП	Эталон — поликристаллический вольфрам (cpw принята равной 4,55 эВ)	[1413]
	5,14		—	тэ	Измерено на диске, отожженном в ва- кууме при Т = 2673 К в течение 3 ч, методом прямой Ричардсона	[1837]
	>5,14	—	—W	пи	ПИ атомов натрия и калия	[372, 869]
	5,14 ±0,03			пи	ПИ атомов натрия	[308, 784]
	5,141 ±0,07			КРП	Эталон — поликристаллический - вольфрам (cpw принята равной 4,550 эВ)	[992]
118
Простые вещества
Продолжение
Индекс грани	ф. эВ	А, \ см—2 -К-'-	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{110}	5,15	— -		КРП	Метод Кельвина	(1775}
	5,15	—	2200	тэ	Измерено после обезгаживания при Т = 2300 К в течение 25—30 ч. Эф- фективная работа выхода	1133]
	5,15 ±0,02	—			КРП	Эталон — поликристаллический вольфрам (cpw принята равной 4,55 эВ)	(1776)
	5,15 ±0,03	—	—	КРП	Измерено после 24-часового отжига в среде кислорода при Т = 2500 К, = Ю-6 мм рт. ст.	(1344)
	5,18	—	2100	тэ	Измерено после обезгаживания при Т = 2300 К в течение 25—30 ч. Эф- фективная работа выхода	(133)
	5,18±0,08 5,20	—	—	КРП АЭ	Средняя работа выхода электрона кристаллоориентированной ленты	(1185) (1086)
	5,21 ±0,04 5,22 5,22	1	1 1	2288 2123—2723 2123—2723	тэ тэ тэ	Г рань образца чистотой 99,999% ме- ханически полирована и прогрета при Т = 2800 К. Эффективная работа выхода Электрополированная грань] Метод крупного плоского образца прямой То же после отжига при Ричард- Т = 2400 К в течение 16 ч сона	(899) |1838)
	5,22 ±0,02		2200—2800	тэ	Измерено на чистых отожженных образцах методом полного тока. Эф- фективная работа выхода при Т — = 2300 К. dq)/dT = —(2,30 ± 0,09) х X IO""4 эВ • К-1	(1471)
	5,25 5,25	—	1100	КРП ПИ	Образец обезгажен прогревом до Т = = 2500 К. Эталон — грань {100} W (T{!oo}w принята равной 4,6 эВ) ПИ атомов натрия	|1551] (1364)
	5,25 ±0,02 5,27 ±0,05	—	—	тэ тэ	Образец очищен нагревом электрон- ной бомбардировкой до 7= 2100 К Эффективная работа выхода	(1856) (1364)
	5,27 ±0,07	3000	—	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на образцах в форме таблеток	(520)
	5,28 ±0.03	—	—	ПИ	Измерено при Р = 10~мм рт. ст. на образцах в форме полосок. ПИ атомов лития	(303, 305:
	5,29			тэ	Сферические и плоские образцы, про- каленные постоянным юком при Р = = 10~е—10~7 мм рт. zr Измерено методом прямой Ричардсона при Р = = 10~8 мм рт. ст.	(2140)
	5,3	—	—	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[2027]
	5,30			АЭ	Определено комбинированным мето- дом прямой Фаулера — Нордгейма и энергетического распределения электронов с граней	(1741)
	5,30	—		КРП	Эталон — поликристаллический вольфрам (cpw принята равной 4,60 эВ)	(247)
	5,30	—	1600	пи	ИИ атомов бария па прокаленном при Т = 2800 К образце	[760|
Монокристаллы
119
Продолжение
Индекс грани	Ф. эВ	А, А «см 2 -К“2	Темпера* туриый интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния <р	Примечания	Литература
(110}	5,30 5,30		—	ПИ ТЭ	Измерено на ци- ПИ атомов лития линдрических об- Метод прямой	разцах при Р —	(307]
	5,30 5,3 5,3 ±0,02 5,30 ±0,02 5,30 ±0,03 5,30 ±0,03 5,30±0,03	Illi III	—	тэ тэ КРП тэ тэ пи тэ	Ричардсона	= (1—2) • 10~9 мм рт. ст. Метод прямой Ричардсона Измерено на плоских образцах ме- тодом Андерсона при Р = 10~12 мм рт. ст. Метод прямой Ричардсона » » » ПИ атомов лития Измерено методом прямой Ричард-	[699] [177] [245] [301] [7841 [302, 306] [302, 303,
	5,30 ±0,03 5,30 ±0,05	540	—	тэ тэ	сона на образцах в форме полосок при Р = 10“9 мм рт. ст. Тот же метод. Образцы прокалены при Т = 2800 К Измерено на зонно-плавленых поли-	305] [308] [2139, 2142]
	5,30 ±0,05 5,3±0,06 5,30±0,06 5,3 ±0.07 5,33 ±0,03 5,33 ±0,03	490 ±50 300	1700—2000	тэ тэ тэ тэ тэ тэ	рованных и травленых образцах, прокаленных в течение 150 ч, мето- дом прямой Ричардсона при Р ~ ~ 3 • 10“9 мм рт. ст. Измерено тем ж*» методом на образ- цах в форме полосок Тот ж ° метод Эффективная работа выхода Измерено методом прямой Ричард- сона при Р — 10“9 мм рт. ст. Тот же метод Тот же метод для крупных образцов	[760] [246] [783] [686] [362] [778, 779] [1450]
	5.33 ±0,04	207 ±50	—	тэ	То; же метод для плоских образцов	
	5,33 ±0.04	—	1400—2200	тэ	Измерено па плоских образцах в ну-	[1449]
	5,35		—	АЭ	левом электрическом поле' Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[1899]
	5,35 ±0,05 (5,36—5,40)±0,01-> ->(4,95—5,05) ±0,01 5,37	200—300	2000—2500	тэ тэ тэ	Метод прямой Ричардсона Уменьшение эффективной работы выхода электрона при высокотемпе- ратурном электронном облучении образцов «Чистая» поверхность в присутствии	[871] [678] [1079]
	5,39 ±0,02 5,4	183±44	—	тэ АЭ	паров цезия Измерено на плоских образцах мето- дом прямой Ричардсона при Р = = 10“"9 мм рт. ст.	[5] [3, 1735]
	5,4	—			тэ	Метод прямой Ричардсона	[1451]
	5,43±0,13		2300—2800	пи	ПИ атомов кальция и стронция	[1735]
	5,50	——	—	тм	Вычислено па основе модели НОЭ	[12761
	5,5±0,2 5,52 ±0,05		—	АЭ пи	Метод прямой Фаулера — Нордгейма ПИ атомов стронция и лантана	[748| [1736j
	5,54 ±0,06 5,6 5,6—5,8	—	—	АЭ АЭ ЛЭ	Измерена методом прямей Фауле- ра — Нордгейма при Р = 10“10 мм . \)Т. ст. Определено по кривым энергетиче-	[122] [224] [1741]
	5,70		—	АЭ	ского распределения электронов с различных граней	[1132]
1.20
Простые вещества
Продолжение
Индекс грани	7	Ф, эВ	А, А • см-2 • К~2	Темпера турный интервал измерений. К	Метол 1 п ре деле- ния ц.	Примечания	•Литература
{110}	5,7—5,99 5,75 ±0,02 5,8	1733 ±188	2200—2800
	5,80	- -	90
	5 83	—	
	5,96	—	—
	6,0	—	—
	6,0	—	—
	6,0		
	6,00	—	1600—2500
	6,00	—	—
	6,5	—	 "
	~7.0		
	7,1—7,2	—»	—
	—	—	77—1300
{111}	3,25 ±0,02	—-	1360
	3,9		
	4,07 ±0,02	— 1»	2340
4,14 ±0,05
4,2±0,1
4,24 ±0,05
4,26 ±0,05
4,3	—	—
4,30-1-3 • 10~5 Т	—	1700—2000
4,3 ±0,1	—	—
4,32	——	—
4,35	—"*	—-
4,35 ±0,02	—	2000—2400
АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[1607]
ТЭ	Измерено па чистых отожженных об-	11471]
АЭ	разцах методом прямой Ричардсона Метод прямой Фаулера — Нордгей-	[1132]
АЭ	ма. Поле в проекторе принято за ги- перболическое Тот же метод для плоских образцов	[2007]
АЭ	Тот же метод	[1514]
АЭ	—	[2029]
АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	]1606]
АЭ	1с г ж>- метод. При определении зна-	[1793]
АЭ	чения ф учтена зависимость магнит- ного поля от угла расхождения	[2029]
ПИ	ПИ атомов бария	[760]
ПИ	ПИ атомов алюминия	[1607]
АЭ	Р = 1О~10 мм рт. ст.	[1630]
АЭ	Измерено с учетом поля пятен	[2031]
А*)	—-	[2030]
КРП	dq/dT = (6,3 ±0,6) • КУ-5 эВ • К“’.	[1346]
ТЭ	Измерено на плоских образцах мето- дом Кельвина при Р = 1О“10 мм рт. ст. Отожженные образцы облучены	[478]
АЭ	электронами с энергией до 2,3 МэВ при плотности тока в пучке 2,5 X X 1013 эл • см-2 • с*"1. Интегральная доза облучения составила 2,8 х X Ю18 эл • см-2. Эффективная ра- бота выхода	[224]
ТЭ	Отожженные образцы облучены элек-	[478]
ТЭ	тронами с энергией до 2,3 МэВ при плотности тока в пучке 2,5 х X 1013 эл • см~~‘ • с-1. Интеграль- ная доза облучения составила 2,8 X X 1018 эл • см“2. Эффективная ра- бота выхода Образец прокален при Т = 2300 К	[39]
АЭ	и Р — 5 • 10~~8 мм рт. ст. Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[748]
ТЭ ТЭ	Метод прямой 1 Ричардсона 1 Нитевидные моно- Метод полного | кристаллы	[212, 851]
ТЭ ТЭ АЭ	тока	J Найдено по кривым энергетическо- го распределения электронов с раз- личных граней То же для монокристалла, выра- щенного на W-проволоке Для упрощения расчетов использова-	[1371] [33, 34]
ФЭ	лась темпериту, иая зависимость АЭ Средняя работа выхода электрона	[1847]
КРП	Эталон — поликристаллический	[247]
ТЭ	вольфрам (ф^ принята равной 4,60 эВ) Измерено на отожженном образце	[478]
методом полного тока
Монокристаллы
121
Продолжение
Индекс грани	Ф. эВ	А, А-см~2- К 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{Н1}	4,37 ±0,07	250	—	ТЭ	Измерено методом прямой Ричард- сона на образцах в форме таблеток	[520]
	4,38	54	 —	тэ	Тот же метод для пятнистой поверх- ности	[1826]
	('4,38—4,40) ±0,02	110—118	—	тэ	Тот же метод для образцов в форме полосок. Р = 10~9 мм рт. ст.	[303]
	4,38+4,9 • 10~5Т	——-		тэ	Найдено по кривым энергетического распределения электронов с различ- ных граней	[1827]
	4,39	—	—	ЛЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[1607]
	4,39	——		тэ	Метод прямой Ричардсона	[1318]
	4,39	35		тэ	Тот же метод для пятнистой поверх- ности	[816, 1619]
	4,39			тэ	Сферические и плоские образцы про- калены постоянным током при Р = — |0-ъ— Ю“7 мм рт. ст. Измерено ^методом прямой Ричардсона при Р = = 10~8 мм рт. ст.	[2140]
	4,4	—	—	АЭ	—	[3, 623, 1735]
	4,40	—-	——	АЭ	—	[1086, 1333, 1656]
	4,40	——	—	АЭ	Определено по относительной яр- кости пятен	[964]
	4,4	—	—	ТЭ	—	(1771
	4,40	—	—.	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[699]
	4,40 4,40 ±0,02		——	тэ пи	Гит же метод Для цилиндрических образцов. Р = (1—2) • 10~9 мм рт. ст. ПЙ атомов лития 1	[307]
	4,40 ±0,02			тэ	г	[302]
	4,40 ±0,02	—	—-.	тэ	Метод прямой Ричардсона	[301]
	4,4 ±0,02		——	тэ	» » »	[246]
	4,4 ±0,02	110—118	—	тэ	Измерено тем же методом при Р — — (1—2) • 10~9 ммрт. ст. на полос- ках, прокаленных при Т = 1800 К	[305]
	4,40 ±0,02	П6±10	«К»	тэ	То же	[306]
	4,40 ±0,02	122+10	—	тэ	Тот же метод	]871]
	4,40 ±0,02	130+10	—	тэ	Тот же метод для образцов в форме полосок	[760]
	4,40 ±0,03	—	—•	тэ	Тот же метод	(362, 784]
	4,40 ±0,03	65		тэ	Измерено тем же методом на плоских образцах, прокаленных при Т = — 2800 К, при Р = 10~9 мм рт. ст.	[308]
	4,40 ±0,03	122	—	тэ	Тот же метод для крупных образцов	[778, 779]
	4,40 ±0,05			тэ	Измерено на зонно-плавленых поли- рованных образцах, прокаленных в течение 40 и 150 ч, методом прямой Ричардсона при Р ~ 3 • 10~9 мм рт. ст.	[2139, 2142]
	4,40 ±0,05	——	—	АЭ	Измерено методом прямой Фауле- ра — Нордгейма при Р = 10~10 мм рт. ст.	[182]
	4,40 ±0,06	—	—	АЭ	То же	[122]
	4,4±0,1	““ 1				тэ	Измерено на монокристаллической нити методом прямой Ричардсона	[1213]
	4,4 ±0,1	50 ±30		тэ	То же	[1094]
	4,41	—	90	АЭ	Измерено на плоских образцах мето- дом прямой Фаулера — Нордгейма	[2007]
	4,42		2100	тэ	Измерено после обезгаживания при Т = 2300 К в течение 25—30 ч. Эф- фективная работа выхода	[133]
122
Простые вещества
Продолжение
Индекс грани	ф, эВ	сч 1 _f см * CJ <	Темпера- турный интервал измерений,К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{Ш}	4,42 ±0,03		—	ПИ	ПИ атомов натрия	[308, 784]
	4,43			АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгей- ма. При определении значения ф уч- тена зависимость магнитного поля от угла расхождения	[1793]
	4,43 ±0,03	139±24		ТЭ	Измерено на плоских образцах ме- тодом прямой Ричардсона при Р = = 10~9 мм рт. ст.	[5]
	4,43 ±0,05	32	—	ТЭ	Тот же метод	[1079]
	4,44 ±0,03	—	—	ПИ	ПИ атомов лития	[308, 784]
	4,44 ±0,03	—	—	пи	ПИ атомов натрия	[362]
	4,45	—	—	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[2027]
	4,45	—	—	ТЭ	Образец получен зонной плавкой	[60|
	4,45 ±0,02	—	—	КРП	Эталон — поликристаллическнй вольфрам (фде принята равной 4,55 эВ)	[1776]
	4,45 ±0,05		—	АЭ	Измерено методом прямой Фауле- ра — Нордгейма при Р = 1О“10 мм рт. ст.	[1314]
	4,46		2200	ТЭ	Измерено после обезгаживания при Т — 2300 К в течение 25—30 ч. Эф- фективная работа выхода	[133]
	4,47	—	—	ТМ	Вычислено па основе модели НОЭ	[1276]
	4,47 ±0,02	—	—	ТЭ	Образец очищен нагревом электрон- ной бомбардировкой до Т = 2100 К	[1856]
	4,48	—	—	ТЭ	Полированная поверхность моно- кристаллического прутка, получен- ного зонной плавкой	[59]
	4,49		—	АЭ	Р = 1О“10 мм рт. ст.	[638]
	4,49		—	ПИ	Измерено на цилиндрических образ- цах методом ПИ атомов лития при Р = (1—2) • 10~9 мм рт. ст.	[307|
	4,49 — 0,04		2300—2800	ПИ	ПИ атомов кальция и стронция	[1735]
	4,50	—	—	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[1899]
	4,50			—•	ТЭ	Сглаженная поверхность монокрис- таллического прутка, полученного зонной плавкой	[59]
	4,5	но	——	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[129]
	4,50 ±0,03	—	—	ПИ	Измерено на образцах в форме по- лосок методом ПИ атомов лития при Р = 10—° мм рт. ст.	[303, 306]
	4,51	—	—	АЭ	»	[2016]
	4,54	——	2123—2723	ТЭ	Измерено на электрополированной грани крупного плоского образца методом прямой Ричардсона	[1838]
	4,56			АЭ	Измерено на отожженном образце методом прямой Фаулера — Норд- гейма при Р = 1О“10 мм рт. ст.	[1657]
	4,58	—	—	КРП	Эталон — грань {110} W (фр10}\у принята равной 5,10 эВ)	[1920]
	4,60 ±0,02	—		КРП	Эталон — поликристаллическнй вольфрам	принята равной 4,55 эВ)	[1413]
	4,64	—	—	АЭ	Определено по относительной яр- кости пятен	[1981]
	4,68	—	—	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[1514]
	4,73			ТЭ	Сферические и плоские образцы про- калены постоянным током при Р — =. 10“6 мм рт. ст. Измерено методом прямой Ричард- сона при Р = 10~6 мм рт. ст.	[2140]
Монокристаллы
123
Продолжение
Индекс грани	ф. эВ	А, А-см“2- К“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	•Литература
{Ш}	4,76 4,78	—	2200) 2100/	ТЭ	Измерено после обезгаживания при Т = 2300 К в течение 3—4 ч. Эффек- тивная работа выхода	[I33J
	4,83 ±0,38	—	——	АЭ	Найдено по кривым энергетического распределения электронов с различ- ных граней	[1931]
	4,85 ±0,05			ТЭ	Измерено иа зонно-плавленых образ- цах, травленных раствором КОН и прокаленных в течение 150 ч, мето- дом прямой Ричардсона при Р ~ 3 • 10"“9 мм рт. ст.	[2139, 2142]
	4.98 ±0,02	—	1800—2300	ТЭ	Газофазное покрытие (с использо- ванием WCle). Эффективная работа выхода	[1531]
	5,23 ±0,05			ТЭ	Измерено на зонно-плавленых об- разцах, травленных раствором КОН и прокаленных в течение 40 ч, мето- дом прямой Ричардсона при Р ~ 3 • 10~9 мм рт. ст.	[2139, 2142]
	5,3	—	—	АЭ	Р = 10~10 мм рт. ст.	[1630]
{112}	4,50	—	0	ФЭ	—	[1579]
	4,5 ±0,05	—	—	ТЭ	Нитевидные монокристаллы	[212, 851]
	4,53 ±0,05	—-	—	ТЭ	Измерено на крупных образцах ме- тодом прямой Ричардсона	[779]
	4,57—5-10"& Т		1700—2000	ТЭ	Монокристалл выращен на W-npo- волоке. Температурная зависимость построена на основании результатов измерений методом прямой Ричард- сона и, по мнению автора работы [1371], возможно, является непра- вильной	[1371]
	4,65	118—133	—	ТЭ	Измерено тем же методом на пятнис- той поверхности	[1826]
	4,65—4,68	—	—	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[1607]
	4,66—8- 10“5 Т	—	1700—2000	ТЭ	Монокристалл выращен на W-npo- волоке. Найдено по кривым энерге- тического распределения электронов с различных граней	[1371]
	4,68	——	2100	ТЭ	Измерено после обезгаживания при Т = 2300 К в течение 3—4 ч. Эф- фективная работа выхода	[133]
	4,69	125	—	ТЭ	Измерено методом прямой Ричард- сона на пятнистой поверхности	[816, 1619, 1620]
	4,69	—		тэ	Тот же метод	[1318]
	4,7±0,1		—	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[745]
	4,7±О,1	180±70	——	ТЭ	Измерено на монокристаллической нити методом прямой Ричардсона	[1094]
	4,7±0,1	—	—	ТЭ	То же	[1213]
	4,71	—		тэ	Измерено тем же методом на «чистойэ поверхности в присутствии паров це- зия	[1079]
	4.71 ±0,05	—	—*	тэ	Рекристаллизованная лента. Эф- фективная работа выхода	[1281]
	4,72		2100	тэ	Измерено после обезгаживания при Т — 2300 К в течение 25—30 ч. Эф- фективная работа выхода	[133]
	4,74-6,7-10^ Т			тэ	Найдено по кривым энергетического распределения электронов с различ- ных граней	[1827]
124
Простые вещества
Продолжение
Индекс грани	ф, эВ	л, А-см 2-К—2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{112} {112"} {ИЗ} {114}	4,77±0,01 4,8 4,8 4,80 4,8 4,8 4,80 ±0,02 4,80 ±0,05 4,85 4,89 ±0,15 4,9 ±0,2 4,93 4,94 4,95 4,98 ±0,02 5,04 5,1 5,12 ±0,07 5,24 ±0,05 5,25 5,3 5,27 4,18 4,235 4,46±0,05 4,50 4,54 ±0,0! 4 55 4,55 ±0,05 4,59 4,66 ±0,03 4,71 ±0,01 5,00 ±0,02 4,4 4,40 ±0,05	СО	О 1	1 1 1 1 1+i 7ii 1 1 1 1 1 I । । । । । ।	।	||	। I | I । ।	।	ill о	о	90 1800—2300 110 т 1800—2300	КРП АЭ АЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ ТЭ ЛЭ АЭ АЭ АЭ ТМ АЭ ТЭ АЭ АЭ АЭ ТЭ ПИ ТЭ ТЭ КРП КРП АЭ АЭ ФЭ ТЭ ТЭ ФЭ КРП КРП ТЭ ТЭ тэ	Образец обезгажен при Р = 10~10 мм рт. ст. Эталон — поликристал- лическая W-фольга (cpw принята равной 4,55 эВ) Определено по относительной яр- кости пятен Метод прямой Фаулера — Нордгейма Тот же метод для плоских образцов Измерено на плоских образцах ме- тодом прямой Ричардсона при Р = = 10“9 мм рт. ст. Тот же метод Найдено по кривым энергетического распределения электронов с различ- ных граней Метод прямой Фаулера — Нордгейма Определено по относительной яр- кости пятен Вычислено на основе модели НОЭ Газофазное покрытие (с использо- ванием WC16). Метод полного тока Метод прямой Фаулера — Нордгейма Р = 1О~10 мм рт. ст. Метод прямой Фаулера — Нордгейма Эффективная работа выхода 1 ПИ атомов натрия	] Измерено на химически травленом образце методом прямой Ричард- сона Угол разориентировки] * S (Изи»1*™'"0 риентирован- грани {113] о	ными граня- То же; 6°	м„ Измерено методом прямой Фауле- ра — Нордгейма при Р = 1О~10 мм рт. ст. Средняя работа выхода электрона Эффективная работа выхода То же для рекристаллизованной лен- ты Метод изотермических кривых Фау- лера Измерено после 100-часового отжи- га при Г = 2500 К и затем 3-часо- вого — при Т = 3000 К Измерено после 24-часового отжига / при Т = 2500 К и pQt = 10~'’ I мм рт. ст.	' Газофазное покрытие (с использо- ванием WC16). Метод полного тока Метод прямой Ричардсона	1 Рекристаллизованная лента. Эф- > фекгивная работа выхода	J	[1345] [964] [1899] (20071 [3, 1735] [177] [5] [871] [1086] [1931] [748] [1981] [1276] [623, 638] [1531] [1514] [1630] [1314] [1364] [1231] [1364] [1543] [1314] [1333| [1156—1158] [1333] [1281] [1513] [1344] [1531] [1281]
Монокристаллы
125
Продолжение
Индекс грани	ф, эВ		А, А «см 2 • К 2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{Н4}	4,42 ±0,05		—	—	АЭ	Измерено методом прямой Фауле- ра — Нордгейма при Р = 10“10 мм	[13141
						рт. ст.	
{115}	4,35 ±0,05		—	—	ТЭ	Рекристаллизованная лента. Эф- фективная работа выхода	[12811
{116}	4,2				АЭ	Определено по относительной ярко-	[9641
						ста пятен	
	4,20		—		АЭ	—	[1656]
	(4,20—4,31) Н- ЗХ		—	1700—2000	ТЭ	Монокристалл вырашен па W-npo-	[1371]
	X Ю~5 Т					волоке. Найдено по кривым энерге- тического распределения электронов с различных граней. Разброс значе- ний (р обусловлен различием усло- вий термообработки кристалла	
	4,26		—		АЭ	—	[1350]
	4,29		40		ТЭ	Измерено на пятнистой поверхности методом прямой Ричардсона	[1826]
	4,3		—		АЭ	—	[224]
	4,3		—	—	АЭ	( Р = 10“10 мм рт. ст.	[1630]
	4,30			—	АЭ	—	[1333]
	4,30		—	™ 	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[16071
	4,30 ±0,03		115		ТЭ	Измерено па крупных образцах ме- тодом прямой Ричардсона	[778, 779]
	4,3±0,05		—		ТЭ	Измерено на нитевидном кристалле тем же методом	[212, 851]
	4,3 ±0,1		—	—	ТЭ	То же	[1213]
	4,3 ±0,1		35± 15	—	ТЭ	» »	[1094]
	4,32 ±0,02		115± 10	—	ТЭ	Тот же метод	[871]
	4,32 ±0,05		—	—	ТЭ	Измерено на нитевидных монокрис- таллах методом полного тока	[212, 851]
	4,32 ±0,06		—	—	АЭ	Измерено методом прямой Фауле- ра — Нордгейма при Р — 1О“10	[1314]
						мм рт. ст.	
	4,36 ±0,05		—	—	ТЭ	Рекристаллизованная лента. Эффек- тивная работа выхода	[1281]
	4.39		—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1318]
	4,39		53	—	тэ	Тот же метод для пятнистой поверх-	[816, 1619,
						ности	1620]
	4.47		—	—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
	4,49		—	—	АЭ	Определено по относительной ярко-	[1981]
						сти пятен	
	(5,28—4,39)-(-4,9 X		—	——	тэ	Найдено по кривым энергетического	[1827]
	X ю-5 Т					распределения электронов с различ- ных граней	
{119}	4,56 ±0,05		—	—	тэ	Рекристаллизованная лента. Эффек- тивная работа выхода	[1281]
{121}	4,82 ±0,06		—	—	АЭ	Измерено методом прямой Фауле- ра - Нордгейма при Р = 10-10	[122]
						мм рт. ст.	
	4,90 ±0,05		—	—	АЭ	То же	[182]
(122}	4,30 ±0,04			•—	АЭ	» »	[1314]
	4,35		—	—	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[1607]
	4,40		—	—	АЭ	 *	[2016]
	4,5		’—	—	АЭ	Метод прямой Фаулера - Нордгейма	[474]
{123}	4,50 ±0,06		’—	—	АЭ	Тот же метод. Р = 10~10 мм рт. ст.	[1314]
	4,52		—	—	АЭ	Тот же метод	[1607]
{124}	4,35±0,051						
{133}	4,68 ±0,07		—	— —	АЭ	Тот же метод. Р — 10 мм рт. ст.	[1314]
{134}	4,74 ±0,07.						
{210}	4,45		—	—	АЭ	Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[2027]
126
Простые вещества
Продолжение
Индекс грани	Ф, эВ	А, А*см~2*К 5	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
{210} (211) {221} {223} {227} {229} {233} {ЗЮ} {311} {321} {334} {611} {650}	4,46—4,49 4,54 ±0,05 4,50 4,77 ±0,22 4,87 4,91 5,18 4,50 4,70 ±0,05 4,43±0,05) 4,34 ±0,05/ 4,41 ±0,05 4,46 4,24 ±0,05 4,27—4,29 4,31 4 4,31 ±0,07 4,31 ±0,07 4,35 4,45 4,15 ±0,07 4,18 4,54 4,61 4,62 ±0,04 4,26 4,64—4,71 5,02 ±0,02 5,30 ±0,02	—	ГО i±	Illi III llllllll^l II 1	1	1	|	I 1 1 1+ | СлЭ	to	~ to	ОС	— to	2200—2450 0 1 2200—2450 0 2200—2450 2200—2800 2200—2800	ТЭ тэ ФЭ КРП АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ ТЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ АЭ ЛЭ КРП ТЭ ФЭ АЭ КРП ТЭ ФЭ АЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ ТЭ	Метод полного тока Плоские об- Метод прямой Ри- • разцы чардсона Эталон — поликристаллическнй вольфрам (<pw принята равной 4,55 эВ) Метод прямой Фаулера — Норд- гейма. При определении значения ср учтена зависимость электрического поля от угла расхождения Определено по кривым энергетиче- ского распределения электронов с различных граней Измерено на отожженном образце методом прямой Фаулера — Норд- гейма при Р — 10“10 мм рт. ст. Тот же метод. При определении зна- чения ср учтена зависимость электри- ческого поля от угла расхождения Измерено методом Фаулера — Норд- гейма при Р = 1О~10 мм рт. .ст. Рекристаллизованная лента. Эффек- тивная работа выхода Измерено методом прямой Фауле- ра — Нордгейма при Р = К)—10 мм рт. ст. Тот же метод Метод прямой	Плоские Ричардсона	". Метод полного тока	к Метод прямой Фаулера — Нордгейма Эталон — поликрис- Рекристал- таллический вольфрам лизованная Р = 2 • 10^9 мм рт. ст. лента Определено по относительной яр- кости пятен Рекристаллизованная лента. Эта- лон — поликристаллическнй воль- фрам Измерено методом прямой Фауле- ра — Нордгейма при Р = 10“10 мм рт. ст. То же То же для отожженного образца Измерено на плоских образцах ме- тодом полного тока Эффективная работа вы- хода электрона при Т = = 2300 К. dqidT == Чистые = - (1,20 ± 0,07) - IO'4 7°™’ гъ	1	tlolv UV эВ - К	„	разцы Метод прямой Ричард- сона	[1470] [1579] [1776] [1793] [1741] [1657] [1793] [1314] [1281] [1314] [1607] [1470] [1607] [1086] [1544] [1579] [1981] [1544] [1543] [1156] [1657] [1314] [1657] [1470] [1471]
Монокристаллы
127
П родолжение
Индекс грани	Ф, эВ	А, А-см”2К~2	Темпера- турный интервал измерений. К	Метод опре- деле- ния ср	Примечания		Литература
{750} (1090) (1091) (15152)	4,89 ±0,02 5,13±0,02 5,10±0,02 5,56 ±0,02 4,72—4,79 5,08 ±0,02 5,54 ±0,02 4,65—4,69 5,05 ±0,02 5,44 ±0,02	412±33 1228± 140 1249 ±87 842±101	2200—2800 2200—2800 2200—2800 2200—2800 2200—2450 2200—2800 2200—2800 2200—2450 2200—2800 2200—2800	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Эффективная работа вы- хода электрона при Т = = 2300 К. dy/dT = — —(1,06 ± 0,07) • 10-4 эВ • К'1 Метод прямой Ричард- сона Эффективная работа вы- хода электрона при Т = = 2300 К. dqldT = = -(2,00 ± 0,10) • 10”4 эВ • К“’ Метод прямой Ричард- сона Измерено на плоских об{ тодом полного тока Эффективная работа вы- ' хода электрона при Т = = 2300 К. dqldT = = — (2,02 ± 0,06) • 10“4 эВ . К”1 Метод прямой Ричард- сона Измерено на плоских обра дом полного тока Эффективная работа вы- хода электрона при Т = = 2300 К. dq/dT = = — (1,68 ± 0,10) • Ю“4 эВ • К*"1 Метод прямой Ричард- сона	Чистые . отожжен- ные об- разцы >азцах ме- Ч истые отожжен- ные об- разцы зцах мето- Ч истые отожжен- ные об- разцы	114711 [1470] 11471J [1470J [147Ц
75. Рений Re
(0001)	5,09	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона. 80% по-	[679]
	5,15±0,10 5,15±0,10		—	пи тэ	верхности составляют грани с раз- ориентировкой 10° ) Кристалл и- ПИ атомов лантана,	|	зованная	лен- церия и тулия	1	та, «соста- Метод прямой	Ри-	|	ренная»	про- чардсона	1	нэевом	при } Т = 2500 К	[368]
	5,28	—	—	тэ	Измерено в термоэмиссионном мик- роскопе. 80% поверхности составля- ют грани с разориентировкой 10°	[679]
	5,53	—	—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[12/6]
	5,53 ±0,03	790±120		тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона при Р = 10“9 мм рт. ст. на об- разцах, прокаленных при Т — = 2500 К в течение 20 ч	[591]
	5,59	—	—	тэ	Рекристаллизованная фольга получе- на прокаткой зонно-плавленого ре- ния. Усредненное по поверхности значение ср	[1974]
(1000)	5,59 ±0,05	199±49	1688—2294	тэ	Измерено па плоских образцах при Р_ 2 • 1О“10—7 • 10~9 мм рт. ст.	[1975]
	5,оЗ ± 0,03	790 ±120	—	тэ	Измерено методом прямой Ричардсо- на при Р = 10“9 мм рт. ст.	[655]
Простые вещества
Рис. 37. Распределение работы выхода по
различным кристаллографическим направ-
лениям для монокристалла вольфрама
[1281].
Рис. 38. Зависимость работы выхода при
ЛЭ от температуры отжига перед измере-
нием для монокристаллического 117-острия
[1607]: 1 — грань {011}; 2 — грань {112}.
Рис. 39. Температурная зависимость ра-
боты выхода при АЭ для различных гра-
ней монокристалла вольфрама C1878J:
/ — грань {116}; 2 — грань {130}: 3 —
грань {111}; 4 — грань {100}: 5 — грань
{112}; 6 — грань {НО}.
Рис. 40. Температурная зависимость ра-
боты выхода при ТЭ для различных гра-
ней монокристалла вольфрама [280]: / —
грань {111}; 2 — грань {100}; 3 — грань
{НО}.
Рис. 41. Зависимость работы выхода эмит-
тера (электрополнрованный вольфрам с
преимущественной ориентацией {110}) от
температуры коллектора (оки ленный мо-
либден) [1532J:	1 — чиПБ’й вольфрам;
2 — окисленный вильЬрам.
Рис. 42. Изменение работы выхода прн
ТЭ (метод полного тока) во времени для
W-монокристалла [3201: 1 — эффективная
работа выхода прн Т = 2000 К для ци-
линдрического катода, ось которого сов-
падает с направлением {111}. Катод про-
грет постоянным током при Т ~ 2200 К в
течение 150 ч н переменным током прн
Т = 2000 К (20 ч) и Т = 2200 К (400 ч); ,
2 — эффективная работа выхода при Т »
2300 К для цилиндрического катода, ось
которого отклонена от направления {111}
па 7s Катод прогрет постоянным н пере-
менным токами при Т = 2300 К.
Монокристаллы
129
Продолжение
Индекс грани	ф, эВ		я, А-см—2 -К—2		Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
(1010)	5,05 ±0,04		140		—	ТЭ	Тот же метод для сферических об-	[404, 405}
						тм	разцов	
(юГо)	5,20				—		Вычислено на основе модели НОЭ	[1276]
	5,15±0,02		76±21		1688—2294	тэ	Измерено на плоских образцах ме-	[1975]
							тодом прямой Ричардсона при Р — = 2 • 10—10—7 • 10“9 мм рт. ст.	
(ЮН)	5,04 ±0,04		120		—	тэ	Тот же метод для сферических об-	[404, 405]
							разцов	
(10Й)	5,75		—			АЭ	—	[625]
	5,37 ±0,03		119± 49		1688—2294	ТЭ	Измерено на плоских образцах мето-	[1975]
							дом прямой Ричардсона при Р = = 2 • 10_,°—7 • 10—9 мм рт. ст.	
(1100)	5,14±0,03		290 ±50		—	тэ	Измерено тем же методом при Р = = 10“9м рт. ст. па плоских образ-	[591]
								
							цах, прокаленных при Т — 2500 К в течение 20 ч	
	5,15±0,03		290 ±50		—	тэ	Измерено тем же методом при Р =	[655]
(1120) (1121)	4,80 ±0,04 4,70 ±0,04		3201 110			тэ	= 10-9 мм рт. ст. Измерено на сферических образцах	[404, 405]
(П24)	4.72 + 0.04		по.				тем же методом	
(2110)	5,071							
(2111) (2112)	4,82 5.27		—		—	АЭ	-—	[625]
(2113)	4,84 ±0,03		14±3		—	ТЭ	Измерено методом прямой Ричард-	[655]
							сона при Р = 10“9 мм рт. ст.	
	4,84 ±0,03		14±3		—	тэ	То же для плоских образцов, прока-	1591]
							ленных при Т = 2500 К в течение 20 ч	
			77. Иридий 1г		
{100}	5,20	—	—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ
	5,37	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона
	5,37 ±0,05	—	1900	тэ	Плоский образец. Эффективная ра- бота выхода
	5,50 ±0,05	310	—	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на образцах в форме таблеток
И10}	5,67 5,70 ±0,05	—		АЭ АЭ	Кристаллизованная проволока Измерено методом прямой Фауле- ра — Нордгейма при Р < 3 • КГ11 мм рт. ст.
	4,83±0,05	—	I960	ТЭ	Плоский образец. Эффективная ра- бота выхода
	4,84	—	—	ТМ	Вычислено на основе модели НОЭ
	4,85	—	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона
-{110} {по; {ill}	4,85 ±0,05 4,85 ±0,07	150 150	___	тэ тэ	Тот же метод для плоских образцов То же
	5,0		—	АЭ	Кристаллизованная проволока
	5,42 ±0,02	—	—	ТЭ	Образец очищен нагревом электрон- ной бомбардировкой до Т - 1700 К
	5,56		—	ТМ	Вычислено на основе модели НОЭ
	5,74 ±0,06			—	тэ	Измерено на текстурированной леп- те методом прямой Ричардсона
	5,75 ±0,05	—	-	пи	ПИ атомов висмута	„Н°т ”а»
	5,75 ±0,05	—	—	тэ	J ленте чистотой “	99,96%
	5,76 ±0,02	—	—	тэ	Образец очищен нагревом электрон- ной бомбардировкой до Т — 1700 К
	5,79	— —	  	АЭ	Кристаллизованная проволока
9 1590
[1276]
[699]
1696]
[520, 696]
[1628]
[2071]
[696]
[1276]
[699]
[696]
[520]
[1628]
[1856]
[1276]
[326]
[330]
[1856]
[1628]
130
Простые вещества
Продолжегше
Индекс грани	Ф. эВ	еч 1 X < 7 2 О <	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
(111)	5,79 ±0,03	—	—	ПИ	Измерено па текстурированной лен- те методом ПИ атомов висмута	[326]
	5,8	—	—	тэ	Измерено на текстурированной лен- те методом полного тока	[2134]
	5,80	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[699]
	5,80 ±0,03	—	—	тэ	» » »	[327]
	5,80 ±0,05	-—-	—•	АЭ	Измерено методом прямой Фауле- ра — Нордгейма при Р < 3 • 10“п	[2071]
					мм рт. ст.	
	5,8 ±0,05	—	1440	ПИ	ПИ атомов индия	[792]
	5,85 ±0,04	—	—	КРП	Измерено на иридии чистотой 99,999%. Эталон — вольфрам	[1896]
{210}	5,0)					
{321}	5,4	—	—	АЭ	Кристаллизованная проволока	[1628]
{331}	5,4}					
			78. Платина Pt			
{100}	5,7±0,1	—	—	ФЭ	Образец обезгажен при Р^З- 1О~10 мм рт. ст. Найдено по кривым энер-	[1005]
					гетического распределения электро- нов с различных граней	
	5,8		78	АЭ	Кристаллизованная проволока. Из- мерено методом прямой Фаулера — Нордгейма при Р = 10~10 мм рт. ст.	[1628, 2124]
	5,81	—	78	АЭ	То же. Р = 10“9 мм рт. ст.	[2125]
	5,84		—	АЭ	Тот же метод	[1625]
В окрестное-	5,4	—	78	ЛЭ	Измерено па кристаллизованной про-	[2125]
ти {110}					волоке тем же методом при Р = 10 ‘ мм рт. ст.	
{НИ	4,54		—	ТМ	Рассчитано на основе модели квази- свободных электронов	[896]
	4,77 ±0,1	—	—	ПИ	ПИ атомов натрия)	гоод)
	4,82 ±0,05	—		ПИ	ПИ атомов калия /	[осн]
	5,5±0,1			ФЭ	Пластина чистотой 99,99% предва- рительно прогрета. Найдено по кри- вым энергетического распределения электронов с различных граней	[1081]
	5,79		—	тэ	—	[1150]
	5,9		78	АЭ	Кристаллизованная проволока. Из- мерено методом прямой Фаулера — Нордгейма при Р = 1О~10 мм рт. ст.	[2124]
	5,93		—	АЭ	Тот же метод	[1625]
	5,99		78	АЭ	Измерено на кристаллизованной про- волоке тем же методом при Р = 10~9	[2125]
					мм рт. ст.	
{210}	5,1	—	—	ТЭ	«Чистая» поверхность в присутствии паров цезия	[1989]
	5,17 5,2) 5,5]		78	АЭ	Кристаллизованная проволока. Из- мерено методом прямой Фаулера — Нордгейма при Р=10—9 мм рт. ст.	[2125]
(311}			78	АЭ	То же при Р = 1О~10 мм рт. ст.	[1628, 2124]
{320}	5,22		—	АЭ	Тот же метод	[1625]
{321}	5,4		78	АЭ	Кристаллизованная проволока. Из- мерено тем же методом при Р = = 10~10 мм рт. ст.	[1628, 2124]
{331}	5,12	—-	—	АЭ	Тот же метод	[1625]
{755}-{533}	5,7	—•	78	АЭ	Кристаллизованная проволока. Из- мерено тем же методом при Р = Ю-*	[2125]
					мм рт. ст.	
Монокристаллы
131
Продолжение
Индекс грани	Ф, эВ	А. А • см 2- К-2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечание	Литература
79. Золото Au
(1001 (ПО)	4,02 5,471 5,37/	—	—	ФЭ ФЭ	Термически	напыленный	слой	[1926] [21091
(111)	4,12 5,31	—	—	ФЭ ФЭ	Термически	напыленный	слой	(1926] [2109]
82. Свинец РЬ
{100}	3,95	—	—	тм	Для гс	= 1,12		
	4,50	—	—	тм	Для гс	= 1,47		
{НО)	3,80		—	тм	Для гс и гс —	= 1,12 1,47	Рассчитано по РЭП	[1499]
{1Н}	3,85	—	—	тм	Для гс	= 1,12		
	4,15	—	—	тм	Для гс	= 1,47		
83. Висмут Bi
(111)	4,500 Ф(111) — Ф(ПП " = 0,36 эВ	—	—	ФЭ КРП	Измерено на плоскости скола мето- дом задерживающего поля в сфери- ческих конденсаторах при Р = = 10~6—10~7 мм рт. ст. Образцы содержат примеси		[44] [1487]
			90. Торий Th				
{ЮО)	3,52	1	—	—	тм	Рассчитано на основе модели свободных электронов	квази-	[896]
9*
ХИМИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ
ГИДРИДЫ
Гидрид	ср, эВ	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
1ЛН	4,3—44 ^4,6	КРП КРП	При экспонировании на воздухе! Кристаллы гидрида лития. Эталон— Свежесколотая поверхность J золото (<рДц принята равной 4,92 эВ)	147]
БОРИДЫ
ПОЛИКРИСТАЛЛЫ
Борид	Ф, эВ	А, А«см—К	Температур- ный интервал измерений, К	Me год <>п ре- '.е С НИ». <j	Примечания	Литература
Индивидуальные бориды
СаВв	2,86	2,6	—	ТЭ	Измерено на порошке методом прямой Ричардсона		[1492, 1493]
ScB2	2,29	~10“5	—	ТЭ	То же		[808]
	2,90 i 0,05	4,6 ±2,1	—	ТЭ	» »		[462]
ScBe	3,76	—	1600	ТЭ	Порошок. Эффективная р	абота выхода	[717]
	2,96	4,6	—	ТЭ	Измерено на порошке методом прямой Ри-		1716]
					чардсона		
	2,96+2,3-10~4 T	—	—-	ТЭ	-		[463]
TiB2	3,80	—	1100—1400	ТЭ	Метод полного тока		[273]
	3,88	884	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона		[457]
	3,95	35,5	—	ТЭ	» » »		[710]
	4,08+8,0-10-5 7"	—	1300—2100	ТЭ	Горячепрессованные образцы химического состава (% по массе): Ti 69,7; Воб 31,2		[503]
VB,	3,88	—	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона		[7Ю]
	3,95	35,5	—	ТЭ	» » »		[457]
	3,98—1,8-10“4 T	—	1300—2100	ТЭ	Горячепрессованные образцы химическо- го состава (% по массе): V 70,4; Впбщ29,2		[503]
Сг4В	2,46+4-10~4 T	—	1300—1460	ТЭ	Химический состав (% по	Измерено па	
					массе): Сг 91,6; Воб1Ц5,8	горячепрес-	
Cr3B2 СгВ“	2,72+3-10“4 T 3,02+4,6-10-4 T	——	1300—1540 1300—1680	ТЭ ТЭ	То же: Сг 87,8; Вобщ12,0 То же: Сг 81,9; Вобщ!7,4	сованных образцах при Р =	[503, 729]
Сг3В4	3,12+8-IO-5?		1300—1800	ТЭ	То же: Сг 78,9; Вобщ21,5	= 10^	
СгВ2	3,18+1-10~4T	—	1300—2000	ТЭ	То же: Сг 70.2; Вобщ29,0	мм рт. ст.	
	3,36		—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона		[710]
	3,36	48	—	ТЭ	» » »		[457]
Fe2B	2,84+2,0 10-4 7’	—	1300—1650	ТЭ	Химический состав (% по ' массе):	Горячепрес-	1 САО1
					Fe 91,1; Вобщ8,8	сованные	[50J ]
FeB	2,95+4,0-10“4 T	—	1300—1700	ТЭ	То же: Fe 83,8; Вобщ6,2	образцы	
Бориды
133
Продолжение
Борид	Ф, эВ	A, A • cm	• К ~	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	' Литература
SrB6	1,02+2,01 • IO-3 T 2,67 2,67+2,5-10-4 T 4,38	0,14	1150—1500 1000—1500	ТЭ тэ тэ тэ	Спеченные таблетки Метод прямой Ричардсона Измерено методом полного тока на плав-	[987] [1492, 1493] [463] [2107]
yb2 yb4 YB.	2,54+4,6- 10“4 T 2,08 2,38 2,76+2,22-10“4 T 3,2+2,5- IO"4 T 1,87	4,47-10“2 0,1 1,6-10“2	1500—2000 1530—1890 1530—1890	тэ тэ тэ тэ тэ тэ	леных образцах, отожженных при Т = = 1800 К в течение 8 ч Порошок Измерено на компактных неактивиро- ванных образцах методом прямой Ри- чардсона Измерено на компактных активирован- ных образцах тем же методом Порошок » Измерено на компактных активированных	[545] [465] [571] [543, 545] [465]
	2,22 2,22+1,8- IO""4 T	15	—	тэ тэ	образцах методом прямой Ричардсона Измерено па порошке тем же методом То же. Температурная зависимость вы-	[459, 462] [298,
	2,22+2,18-10~47’ 2,52	—	1700	тэ тэ	числена по данным [460] Порошок. Эффективная работа выхода	543] [463] [794]
	2,78+2,075 -IO-4 T 2,91+7,70-10~4 T 3,45	1,77	1000—1800 1600—1790	тэ тэ тэ	вычислена по данным [459] Порошок » Измерено на компактных неактивиро-	[298] [571] [465]
	3,57+3,5- IO-4 T		1500—1890	тэ	ванных образцах методом прямой Ричард- сона Спеченные металлокерамические таблетки	1740)
	3,58+1,8- IO""4? 3,58+4,0- IO”4 T 4,21+1,6-IO"4?	—	1660—1710 1660—1710 1680—1950	тэ тэ тэ	состава (% по массе): Y 57,1; В 42,8 Порошок » Спеченные металлокерамические таблетки	[543] [545] [740]
yb12	3,78+4-10“4 T		1650—2000	тэ	прокалены при Т = 1780 К в течение 15 ч. Состав (% по массе): Y 57,1; В 42,8 Горячепрессованные образцы	[732]
	4,6	—	1670—1730	тэ	Измерено на порошке методом полного	1571]
ZrB	5,36—5,0-10~4 T 3,5	—-	1670—1730 2000	тэ тэ	тока То же Эффективная работа выхода вычислена	[543, 545] [272]
ZrBa	4,48 3,53	35-103	—	тэ ФЭ	по данным [1245] Метод прямой Ричардсона Образец активирован Порошок на Та-	[1245]
	3,6	—	—	ФЭ	Образец не активи- подложке. Метод	1497]
	3,60 3,65	—	1100—1400 1800	тэ тэ	рован	изотермических кривых Фаулера Метод полного тока Порошок на Та-подложке. Эффективная	[273] [497]
	3,67	0,5		тэ	работа выхода Измерено на порошке методом прямой	[457]
	3,67+2,0-10~4 T 3,69+1,8-IO”4?		1300—2100	тэ тэ	Ричардсона Горячепрессованмыс образцы химического	[463] [503]
	3,701 4.48 J	—	—	тэ	состава (% по массе): Zr 80,7; ВОбщ 19,1 Порошок	[710]
134
Химические соединения
Продолжение
Борнд	Ф« эВ	A, A-gm~2-K 2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
ZrB12 NbjB2 NbB NbjB4 NbBa MoB2 Mo3B6 BaB6 LaB e	4,16+1,3. IO-4 T 3,35+1,0-10-4 Г 3,58+1,0-10~4 T 3,88+8,0-IO-5 T 3,65 4,03+1,6-IQ—4 T 3,38 4,14 3,70+1-10-’ T 3,95 1,38+1,59-IQ—3 T 3,15 3,45 3,45+7,5-10~5 T 1,75—4,52 2,3->2,7 2,31 ±0,05 2,4 2,41+1,3. IO”4? 2,43+0,85-10“’ T 2,47+5,74- IO”4 T 2,50+1,0-IO"*4 T 2,54+1,0-10-’ Г 2,56 2,56 2,57+1,3-10"4? 2,61 ±0,05 2,62 2,62 2,64	16 40 41	1400—2100 1300—1850 1300—2000 1300—2000 1300—2100 1300—2100 1100—1400 1150—1500 2073->1773 1150—1500 1600 1773 1773 1700	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ АЭ тэ тм тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Горячепрессованные образцы Химический состав (% по массе):	г Nb 92 5- R 72	Горячепрес- 2!	’ ’ Вобщ7,2	сованные То же: Nb 89,5; B^IOJ образцы То же: Nb 86,5; 8^13,3 Порошок Горячепрессованные образцы химического состава (% по массе): Nb 81,0; В^щЮ.б Порошок 3» Измерено при Р = 10—3 мм рт. ст. на го- рячепрессованных образцах химического состава (% по массе): Мо 79,3; ВОбщ 20,7 Метод полного тока Спеченные таблетки Метод прямой Ричардсона Борид напылен на поликристаллическое W-острие. Измерен? методом прямой Фа- улера — Нордгейма при Р — 10“10 мм рт. ст. Значение <р зависит от режима температурной обработки борида Спеченный порошок борида на Re-под- ложке прогрет при Р = 2 . 10“5 мм рт. ст. в течение 20 мин. Метод прямой Ричард- сона Рассчитано с использованием модифици- рованной для борида модели металличе- ской поверхности (модель «желе» 11829]) Измерено на горячепрессованном высоко- плотном стержне методом прямой Ричард- сона Порошок чистого борида с избытком \ лантана	1 Порошок особочисгого борида стехио-| метрического состава	’ Спеченные таблетки Порошок чистого борида стехиометри-) ческого состава Порошок технического борида Прессованный катод. Эффективная ра- бота выхода Спеченный в среде аргона катод из порош- ка чистого борида с избытком лантана. Эффективная работа выхода Порошок чистого борида с избытком бора Тонкая пленка борида термич.ски напы- лена на обезгаженную Та-проволоку. Ме- тод прямой Ричардсона Спеченный в среде аргона катод из порош- ка особочистого борида стехиометрическо- го состава. Эффективная работа выхода Покрытие из газовой фазы на Та-прово- локе. Метод прямой Ричардсона Прессованный катод. Эффективная ра- бота выхода	[732) [503] [7Ю] [503| [7Ю] [715] [503, 729] [273] [987] [707] [1422, 1492] [463] [1417] [1349] [2022] [888] [297] [987] [297] [464| [466] [297] [1658, 1659] [466] [1327] [464]
Бориды
135
Продолжение
Борид	<р. эВ		А. А-см-2 К-2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
LaBe	2,66		—	1773	ТЭ	Спеченный в среде аргона катод из порош-	[466]
						ка чистого борида стехиометрического со- става. Эффективная работа выхода	
	2,66		29	——	тэ	Метод прямой Ричардсона	[462, 1492, 1493] [434,
	2,664-2,0-10-4	т		1500—1675	тэ	Спеченные металлокерамические таблетки	
						химического состава (% по массе): La 67,9; В 32,1	740]
	2,67		—	——	ФЭ	Порошок на Та-подложке. Измерено па активированном образце методом изо- термических кривых Фаулера	1497]
	2,68			—	АЭ	—	[288]
	2,68		—	—	ТЭ	Измерено на горячепрессованных образ- цах методом прямой Ричардсона	[7071
	2,68		73	—.	тэ	Измерено на порошке тем же методом	[459]
	2,68 ±0,07		—	—	РМ	Покрытие из порошка на проволоке. Эта- лон — вольфрам	[1581]
	2,684-1,4-10-4	т	—	—	тэ	—	[463]
	2,7		—	——	АЭ	Радиус закругления острия составляет 100—600 нм. Р = 10—9 мм рТ. Ст.	[1999]
	2,7		—		ТЭ	Эффективная работа выхода	[590]
	2,7		—	1273	тэ	Эффективная работа выхода. Измерено на спеченных и плавленых образцах	[2097]
	2,7		—	 —	тэ	Катафоретическое покрытие на рении	[1036]
	2,70		240	—	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона на пористом эмиттере, спеченном из сфе- рического порошка борида	[2120]
	2,74		—	1780	тэ	Прессованный катод. Эффективная ра- бота выхода	[464]
	2,74		——	—	ФЭ		[НЮ]
	2,76		50,0	2000	тэ	Метод прямой Ричардсона	[588]
	2,77—3,35		——	—	ФЭ	Поверхность очищена нагревом и под- вергнута действию остаточных газов	(584]
	~2,8		—	1470—2070	ТЭ	Метод полного тока	[12П]
	2,80		—	1860	тэ	Прессованный катод. Эффективная ра- бота выхода	[464]
	2,83		——	1850	тэ	Эмиссия в вакууме	| Спеченные	
	2,84		—	1720	тэ	Эмиссия в разряде	J таблетки. Эф- при рАг = 0,1 мм рт. ст. { фективная ра-	[159]
						1 бота выхода	[2107]
	2,84—2,95		—-	1000—1500	тэ	Измерено методом полного тока на плав- леных образцах, отожженных при Т —	
							
						= 1800 К в течение 8 ч	
	2,86		—	1700	тэ	Вычислено по данным | Эффективная [1493]	| работа	[794]
	2,87		—	1700	тэ	Вычислено по данным ] выхода [1853]	»	
	2,92		—	1773	тэ	Спеченный в вакууме катод из порошка чистого борида с избытком бора. Эффек- тивная работа выхода	[466]
	2,99			1700	тэ	Химический состав (% по массе): Вобщ 31,14; Всвоб 0,45; С 0,57; О2 0,14. Эффек- тивная работа выхода вычислена автором настоящей работы по данным [496]	
	~3		—	—	ФЭ	Покрытие из порошка на Та-подложке. Измерено в неактивированном состоянии	[497]
						методом изотермических кривых Фаулера	
	3,1 ±0,25		—	773	крп	Измерено методом Кельвина на спечен- ных и, (Плавленых образцах	[209/]
136
Химические соединения
Продолжение
Борид	ф. эВ	А, А-см~2-К~2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
LaBe	3,20	—	1970	ТЭ	Горячепрессоваиная таблетка. Эффектив- ная работа выхода	[809]
	3,3±0,15 3,75 ±0,25 3,83 ±0,25		298 298	ТЭ КРП КРП	Покрытие на Re-проволоке. Метод прямой Ричардсона Плавленые образцы 1 Измерено мето- Спеченные образцы j дом Кельвина	[1682] [2097]
	4,0—4,8	—	2073 1823 1823 1823	тэ тэ тэ тэ	Спеченный порошок борида на Re-под- ложке без предварительного прогрева. Из- мерено методом прямой Ричардсона при Р = Ю"45 — 2 • 10“5 мм рт. ст. В вакууме j = 5 А • см—2 При p,Hj = 0,01 мм рт. ст. Цилиндриче- 1 ~ 167 А • см—2	ский полый При рАг == 3 • 10—4 мм рт. катод ст. j = 26,7 А • см—2	[1349] [1233]
	—	—	2073	тэ	При ускоряющем напряжении 1,2 кВ / = 17 А • см-2	[2021]
	—	—	«ж	ФЭ	При эмиссии, стимулированной излуче- нием рубинового лазера, /	4. 10* А • см"2	[1692]
LaB|2	2,16	—	—	ТЭ		[617,
CeBe	2,00+1,04-1О'"3? 2,19+7,15-1 Q^T 2,59 2,59+2,3-10~4 Т	3,6		тэ тэ тэ тэ	Порошок получен при Т = 1773 К| То же при Т = 1973 К	j Метод прямой Ричардсона	715] [644] [1492, 1493] [463]
	2,93	—	—	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона на горячепрессованных образцах	[707]
	2,93	— 580	—	тэ	Измерено тем же методом на порошке	[459]
	3,05	—	1273	тэ	Эффективная работа выхода. Измерено на спеченных и плавленых образцах	[2097]
	3,05+6,46- 10~5 Т	—	—	тэ	Порошок борида синтезирован при Т = = 2073 К	[644]
	3,06—3.14		1000—1500	тэ	Измерено методом полного тока на плав- леных образцах, отожженных при Т == = 1800 К в течение 8 ч	[2107]
	3,20+1,31-1 О'4 Т	—	—	тэ	Порошок борида синтезирован при Т = = 1873 К	[644]
	3,25 ±0,25	——	773	КРП	Измерено методом Кельвина на спечен- ных и плавленых образцах	[2097]
	3,30	—	1700	тэ	Эффективная работа выхода. Вычислено по данным [1493]	[794]
	4 ±0,25	—	298	КРП	Измерено методом Кельвина на спечен- ных и плавленых образцах	[2097]
СеВ18	2,20—2,24	—	—	тэ	—	[617, 715]
РгВв	2,60+4,58-10“4 Т 2,66+3,83- Ю”4 Т 2,66+4,33-10~4 Т	—	—	тэ тэ тэ	Порошок получен при Т = 1873 К\ То же при Т = 1973 К	> То же при Т = 2073 К	*	[644]
	3,08—3,21 3,12		1000—1500	тэ ФЭ	Измерено методом полного тока на плав- леных образцах, отожженных при Т = = 1800 К в течение 8 ч	[2107] [1110]
	3,22+2,34-IO"4?		—	тэ	Порошок получен при Т = 1773 К	[644]
	3,35	—	1700	тэ	Эффективная работа выхода вычислена по данным [459]	[794]
	3,46 3,46+2,5- Ю-4 Т	-300	—	тэ тэ	Измерено на порошке методом прямой Ричардсона	[459| 1463]
Бориды
137
- - *
Продолжение
Борид	ф, эВ	A, A-cm-2-K—2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- нна ф	Примечания	Литература
NdB,	1,914-1,00. IO”3 T	—	—	ТЭ	Порошок получен при Т = 1873 Кт	
	2,66+6,53- Ю**4 T			ТЭ	То же при Т = 1773 К	
	2,734-3,92-10~4 T	—		ТЭ	То же при Т = 2073 К	[644J
	3,004-1,42-10“4 T	—	—	тэ	То же при Т = 1973 К	
	3,15—3,27	—	1000—1500	тэ	Измерено методом полного тока на плав-	(2107)
j					леных образцах, отожженных при Т =	
					= 1800 К в течение 8 ч	
	3,31	—	1700	тэ	Эффективная работа выхода вычислена по	[794]
					данным [4591	
	3,97	-420	' —	тэ	Измерено на порошке методом прямой Ри-	[4591
					чардсона	
	3,974-1,6-10“4 T		—-	тэ	— -	[463|
	4,57	——	—	ФЭ	—	[НЮ)
SmB6	2,734-2,25-10“4T	—	1100—1500	тэ	Порошок на 1г-кер не 1	[2941
	2,864-1,75.10“4T	—	1100—1500	тэ	Порошок на W-керне J	
	3,7		1700	тэ	Эффективная работа выхода вычислена по	[794]
					данным [715J	
	4,4	—	——	тэ	'—	[713]
EuBe	2,734-2,9- IO"4 T	—	1100—1500	тэ	Порошок на W-керне	[2941
	3,0	1,45	—	тэ	Измерено на порошке методом прямой	[461]
					Ричардсона	
	3.324-1.56-10“4T	—	1200—2000	тэ	Порошок на 1г-керне	(294]
	4,03	—	1000—1500	тэ	Измерено методом полного тока на плав-	[2107]
					леных образцах, отожженных при Т =	
					= 1800 К в течение 8 ч	
	4,35—4,6	—	1700	тэ	Эффективная работа выхода вычислена	[794]
					по данным (7151	
	4,9	1000—5000	—	тэ	Измерено на порошке методом прямой	[7121
					Ричардсона	
GdB4	1,45	10“3	—	тэ	То же. Образец активирован	[465]
	2,54-4,0-10“4 T	—	1560—1730	тэ	Порошок	[543, 5441
GdB.	1,55	8-IO-4		тэ	Измерено на компактных активированных	(4651
					образцах методом прямой Ричардсона	
	1,834-9,9-10”4 T		1510—1600	тэ	Порошок	[543,
						544]
	2,05+4,0- IO-4 T	—	ж—	тэ	—	(463|
	2,05+4,75-IO"*4 T	—	——	тэ	Порошок. Вычислено по данным [4591	[543]
	2,06	0,84	—	тэ	Смесь двух фаз — тетра- и гексаборида.	[459,
					Измерено на порошке методом прямой	4621
					Ричардсона	
	2,55	9,3	—	тэ	Измерено на неактивированном порошке]	
					тем же методом	[4651
	2,58	10,0		тэ	Тот же метод. Образец активирован	
	2,59+2,15- IO-4 T	—	1000—1500	тэ	Порошок на W- и 1г-кер не	[294]
	2,78	—	1700	тэ	Эффективная работа выхода вычислена по	[794]
					данным [4591	
	3,44	19,55		тэ	Измерено на компактных активированных	[465]
					образцах методом прямой Ричардсона	
	4,6	—		ФЭ	—	[584]
TbB4	2,99	120,4	——	тэ	Измерено па порошке методом прямой	[632]
					Ричардсона	
	3,1	120,4		1 	тэ	То же	[714]
	3,26	—	1300	тэ	Эффективная работа выхода	[794]
TbBla	4,50	—	1770—1990	тэ	Горячепрессованные образцы. Эффектив-	[732]
					ная работа выхода при Т = 1900 К.	
					d(₽/dT~ 1 • IO-4 эВ- К~"'	
DyBe	3,53	25,1	—	тэ	Измерено на порошке методом прямой Ри-	[459]
					чардсона	
138
Химические соединения
Продолжение
Борид	ф, эВ	А-см 2 -К- 2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	m а Й о. о> S Ч
DyB,	3,534-1,5. 10“’ Т	-—	—	ТЭ	—	[463]
DyBla	3,504-5-10“4 Т		1650—1960	тэ	Горячепрессованные образцы	[732]
НоВ6	3,42	13,9	—	тэ	Измерено на порошке методом прямой Ричардсона	[459]
	3,424-1.6-1О-4 Т	—	—	тэ	—	[463)
НоВ12	3,674-4-10"4 Т	—	1750—2000	тэ	Горячепрессованные образцы	[732]
ЕгВв	3,37	9,9	—	тэ	Измерено на порошке методом прямой	[459]
					Ричардсона	
	3,37+2,3.10~4 Т	—	—	тэ	—	[463]
	3,74 3,95+2,5- I0’4 Т	—	1700	тэ	Эффективная работа выхода вычислена по данным [459]	[794]
ЕгВ12		—	1770—2000	тэ	Горячепрессованные образцы	[732]
TmB6	2,75+3,3-10’4?	—	1100—1800	тэ	Порошок	[293]
	3,38	—	—	тэ	Смесь двух фаз — тетра- и гексаборида.	[463]
					Измерено на порошке методом прямой Ричардсона	
	3,50	—	1900	тэ	Порошок той же смеси. Эффективная ра- бота выхода	[717]
ТплВ12	3,12+6-10“4 Т	—	1680—1930	тэ	Горячепрессованные образцы	[732]
YbB6	3,13	2,5	—	тэ	Измерено на порошке методом прямой	[459]
					Ричардсона	
УЬВ12	3,13+3,0-10“1Т	—	—	тэ	—	1463]
	3,84+2-10“4 Т	— М	1700—1960	тэ	Горячепрессованные образцы	[732]
LuBe	3,0	0,36	—	тэ	Измерено на порошке методом прямой	[459]
				тэ	Ричардсона	
	3,0+1,6.10“4Т	—	—		—	[463]
LuBia	3,77+2,8-1О-4 Т	—	1550—1950	тэ	Горячепрессованные образцы	[732]
HfB2	3,54+2,1 • 10~4 Т	—	1300—2100	тэ	Гор яче прессов а иные образцы химического	[503]
	3,85	__	2200	тэ	состава (% по массе): Hf 89,0; Вобщ10,9 Порошок. Эффективная работа выхода	[555]
ТаВ	2,89	10	—.	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1245]
	2,90±0,05	0,01	—	тэ	Объект изучения — зона взаимодействия Та-проволоки с покрытием из LaB6	[1659]
						
	3,3	—	2000	тэ	Эффективная работа выхода вычислена по данным [1245]	[272]
ТаВ»	2,8 —2,9	—	1600—1800	тэ	—	[554]
	3,22	6,4-103	—	тэ	Измерено на компактных активирован-	[125,
				тэ	ных образцах методом прямой Ричардсона	128]
	3.3	—	—		Термодиффузионное борное покрытие на Та-подложке. Измерено методом прямой	[128]
						
					Ричардсона после активирования	[125,
	3,66	1,6.104	—	тэ	Измерено тем же методом на прессован-	
					ных таблетках в дезактивированном со- стоянии (при нагреве до Т > 2000 К)	128]
	3,9±0,1	t	—	тэ	Очищенная от цезия поверхность в при- сутствии паров цезия	[1994] [503]
	4,06+1,4- Ю-4?	—	1300—2100	тэ	Горячепрессованные образцы химического состава Та : В^щ— 89,1 : 10,8 (мол.)	
						
	4,32	—	—	тэ	Борид без примесей	{1993]
	4,4	—		тэ	Термодиффузионное борное покрытие на Та-подложке. Измерено методом прямой	[128]
					Ричардсона в дезактивированном состоя- нии (при нагреве до Т > 1800 К)	
WB,	2,62	-	—	тэ		[710]
W2B3	2,95		—	АЭ	—	[288]
	3,79+1,2-1 О’4 7		1300—2200	тэ	Измерено при Р = 10—^мм рт. ст. на го-	[503,
					рячепрессованных образцах химического состава (% по массе) : W 86,7; Вобщ12,6	729]
WBX	3,35+2,3-10“ 4 Т	—	—	тэ	«Очистившаяся» от гексаборида в процес- се измерения W-лента	[294]
Бориды
139
Продолжение
Борид	Ф» эВ	Ay A-см-2-K—5	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
ThBe ив, иВ; ив12 Борид цермиш- ме галла TiB3 — ZrB2 TiB, — NbBa TiB2—Mo5B6 TiBa—ZrB2—W2B5 ZrB2—LaBe SrBe—LaBe BaBtf—LaBe	2,86 2,92 2,924-2,0*10“4 T 3,34-0,2. 10”1 Tj 3,4—0,8*10"”4 7/ 2,894-2,38-10”4 T 3,274-6,3-IO”4 T 2,64 2,89 4,034-1,2- IO**4 T 3,984-1,0-IO-4 7 3,874-9,0-IO”5 T 4,074-1.0* Ю-4 T 4,094-1,0- IO-4 T 4,084-1,2.10-4 T 4,094-1,1* Ю^4 T 4,044-1.2* IO”4? 3,034-1,4* IO”4 T 2,97 3,17 3,47 3,97 2,45±0,05 2,7—2,8 2,77 2,834-5,48* IO”4 r 2,114-9,68* IO”4 7 2,104-9,82. IO”4 T 2,634-5,12* IO”4 T 3.224-8,70* 10”5 T 2,564-4,67* IO”4 7 3,184-1,33- IO”4 T 2,474-6.04* Ю”47 1,894-1,07*10^ T 2,194-8,24* IO”4? 1,004-1,69* 10”3 7 1,754-1,16* IO”*3 T 2,754-6,35. lO"^ r 3,49—1,79* 10”4 7 2,344-6,78- 10”4 T 4,45-9,62- IO”4 T 1,914-8,91-IO”4 7	<5 0 Io 1 1 II	'i 1 1 Illi 1 1 1 II 1 1 1 1	1 1 1 1 1 1 1 1 l|l 1 1 1 1	1750—1940 эжные боридн! 1300—2100 1300—2100 1300—2100 1300—2100 1300—2100 1300—2100 1300—2100 1300—2100 1300—2100 1800 1700 1150—1500 1150—1500 1150—1500 1150—1500 1150—1500 1150—1500 1150—1500 1150—1500 1150—1500 1150—1500 1150—1500 1150—1500 1150—1500 1200—13301 1330—1500/ 1200—13501 1350—1500/ 2073	ТЭ ТЭ ТЭ тэ тэ тэ ые сила ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ ФЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Порошок Измерено на порошке методом прямой Ричардсона Порошок » Горячепрессованные образцы 1ВЫ Измерено на порошке методом прямой Ричардсона То же TiBj : ZrB2 =1:3 (мол.) ) TiB2 : ZrBa =1:1 (мол.) TiBa : ZrB2 = 3:1 (мол.) TiBa : NbB2 = 1:3 (моли TiB2 : NbBa =1:1 (мол.) TiB2 : NbB2 = 3:1 (мол.) Горячепрес- _ ’	,?	.0	' сованные TiB2 : Mo2B5 =1:3 (.мол/ образцы TiB2 : Mo2B6 =1:1 (мол. TiBj : Mo2B5 =1:3 (мол.) 1 TiB2 : ZrB2 : WaB6 = 85,5 : 12 ; 2,5 (мол.) TiB2 : ZrBa : WaB5 = 86,Oj: 9 : 5,0 (мол.) TiBa : ZrB2 : W2B5 = 86,5 : 6 : 7,5 (мол.) TiB2 : ZrB2 : W2B6 = 87,0 : 3 : 10,0 (мол., J Метод изотермических > Порошок на кривых Фаулера	Та-подложке. Эффективная работа 1 Содержание выхода	LaBu состав- / ляет 10% Эффективная работа выхода вычислена автором настоящей работы по данным 1496] SrBd : LaB6= 9 : 1 (мол.) SrBe : LaB0 = 4:1 (мол.) SrBe : LaBfl =7:3 (мол.) SrB6 : LaBe = 3:2 (мол.) SrBe : LaB6 =1:1 (мол.) SrBe : LaBe = 2:3 (мол.) SrBfi : LaB6 = 3:7 (мол.) SrB6 : LaB6 = 1 : 4 (мол.) SrBe : LaBd= 1 : 9 (мол.)  Спеченные BaBe : LaBe = 9 : 1 (мол.) таблетки ВаВ6 : LaB6 = 4 : 1 (мол.) BaBe : LaBa = 7:3 (мол.) BaBe : LaBe = 3:2 (мол.) ВаВ6 : LaB6 =1:1 (мол.) ВаВ6 : LaB6 = 2:3 (мол.) ВаВ8: LaB0=7 : 13 (мол.). При ускоряющем напряжении 1,2 кВ / = 19 А • см”2	[708] [1492, 1493} [463] [1280] [296] [732] [1493| [458] [503, 504] [715[ [497] [987] [2021]
140
Химические соединения
Продолжение
Борид	Ф* эВ	At А. см-2. К—2	Темпера- турный интервал измерений. К	Метод опре- деле- ния <р	Примечания	Литература
ВаВ6—LaB6 LaBfj—CeBe W2B5—BaSi4 ^ао,5^0.589 ^0,9^04^6 ^А),зРго*7®в La0j3NdQj7B6 ^а0,8^0,1^С0.]^е 1^0.9^0,05 ^0,05^6 LaB,—Ti LaBe—Mo LaB6—La LaBe—Ta LaBa—W	3,044-1,21.10~4 T 1,774-1,09. io-3 T 2,904-3,65-10~4 T 2,58 2,34-4,3.10-4 T 3,334-4,5- 10~4 T 3,644-4,0- IO-5 T 2,774-1,6. IO"4 T 2,3 23 L9 2,26 2,594-3,5. IO"*4 T 2,484-3,5- IO-4 T Бориды редкоз 2,2 2,44 2,64 1,784-5,72-10“< T 2,27 2,52 1,814-5,27-10-* T 2,18 2,42 2,57 2,60 2,67	Мне 120 10 емельных и 33,2 31,4	1150—1500 1150—1500 1150—1500 )гокомпонентн 1480—1775 1625—1910 1435—1720 1700 1700 1550—1875 1500—1850 переходных № 1450) 1650 1840) 1420—1870 1770 1870 1600 1420—1870 1770 1870 1530) 1700/ 1773 1840 1770	ТЭ тэ тэ тэ тэ ые бор, ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ тэ тэ тэ (еталло) тэ тэ ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	BaBe : LaB0 = 3:7 (мол.) BaBe : LaB6 =1:4 (мол.) • Спеченные BaBe : LaBe =1:9 (мол.) таблетки Измерено методом прямой Ричардсона на горячепрессованном образце LaB6: СеВв =1:1 (мол.) W2B5 : BaSi4 = 9:1 (мае.) ады La : Y : В = 17,3 : 42,7 : : 40,0 (мае.)	Спеченные La: Y : В = 39,1 : 24,2 : металлокера- : 36,3 (мае.)	мические La : Y : В = 62,3 : 4,8 :	таблетки : 32,6 (мае.) Измерено в ин- тервале темпера- Метод прямой	тур 1250—1600	К Ричардсона	На образцах, Эффективная	полученных ду- работа выхода	говой плавкой	в среде аргона Метод прямой	Измерено на Ричардсона	™их Ха выхода ^2,6Тб,3^. *зГ,2 (мае7) Спеченные ме- La’: Y : Sc : В = 63,2< : 1,4 : 2,7 : 32,4 (мае.) ские таОлетки । с различными добавками Прессованный катод с содержанием ти- тана до 10% по массе. Эффективная ра- бота выхода Спеченные таблетки с содержанием мо-' либдена 10% по массе То же. Метод прямой Ричардсона _2 Такие же образцы. / = 9,0 А • см ) То же. / = 25,0 А • см а	J Прессованный катод. Эффективная работа выхода Спеченные таблетки с содержанием тан- тала 10% по массе То же. Метод прямой Ричардсона Такие же образцы. / = 9,0 А • см-2| То же. / = 25,0 А • см”3	J Прессованный катод с содержанием воль- фрама до 10% по массе. Эффективная ра- бота выхода. Спеченный в среде аргона катод. Эффек- тивная работа выхода Прессованный катод с содержанием воль- фрама до 10% по массе. Эффективная ра- бота выхода Спеченные таблетки с содержанием вольфрама до 10% по массе, j = = 10,0 А • см-2	[9871 [7Н| [883] [740] [1766] [434] [464] [158] [284] [464] [158] [284] [464] [466] [464] [284]
Бориды
141
Продолжение
Борид	ф, эВ	A, A • cm-2 • K—2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
LaB,. - W		—	1870	ТЭ	То же. / = 25,0 А -см-2	[2841
LaB6—Re	1,66+6,25-10“4T 2,12	17,8	1420—1870	тэ тэ	Спеченные таблетки с содержанием ре-] пия 10% по массе	) То же. Метод прямой Ричардсона	1	[158]
LaBfl—1г	2,7 2,72	—	1850 1720	тэ тэ	Эмиссия в вакууме ] Такие же образцы. Эмиссия в разряде при [Эффективная рАг = 0,1 мм рт. ст. работа выхода	[159]
	2,77 2,98 3,06	—	1450] 1650} 1770) 1770	тэ тэ	Прессованный катод с содержанием ири- дия до 10% по массе. Эффективная работа выхода / = 0,8 А • см “ ] Спеченные таблетки	[464]
		—	1870	тэ	i = 2,5 А • см~2 1с содержанием	[284]
LaBe—Pt LaB6—GdPO4—Ti	2,00 ±0,08 2,40—2,6	3,2	1770 1870 1340—1800	тэ тэ тэ тэ	j = ]5 А • см-2 (металла 10% по i лп л	—2 массе / = 40 Л • см	1 В составе имеется 13% GdPO4 и 2% Ti. Метод прямой Ричардсона	Таблетки, Те же образцы. Метод	спеченные полного тока	из порошка	[132]
LaB6—GaPO4—Ti GdBfl—В GdB,—Gd2O8	2,43 ±0,08 2,65—2,7 2,58+1,28-10~3T 3,5—1,1 -IO-4 T	3 III	1420—1850 1630—18101 1510—1870)	тэ тэ тэ	В составе имеется 13%	LaBe на фос- GaPO4 и 2% Ti. Метод фатных прямой Ричардсона	связках Те же образцы. Метод полного тока Порошок	[544]
TaB3—Pt—Ce	3,5		2273	тэ	Диспенсериые катоды в форме таблеток, по- лученных методом порошковой металлур- гии. Атомная доля платипы 1—20%, це- рия— 1 —2,5%. Эффективная работа выхода	[1706[
____1_
г
—1-
1400
j
1500
—I______L
1600
W
4,4	~~ ~
---1--1-!__!—!----
‘ 650 1150 1650 T,K
Рис. 43. Температурная зависимость работы вы-
хода при ТЭ для:
а — боридов щелочноземельных металлов (ста-
бильное состояние эмиссии) [295]: 1 —СаВ»; 2—
SrBfl; 3 — ВаВ6;
б — боридов железа [502]: 1 — FeB; 2 — Fe2B.
Рис. 44. Температур-
ная зависимость ра-
боты выхода при ТЭ
для образца ZrB2,
полученного методом
порошковой метал-
лургии [735].
при ТЭ от атомной
Рис. 4 5. Зависимость эффективной работы выхода
доли бора в системе Zr — В [1311].
Рис. 46. Температурная зависи-
мость работы выхода при ТЭ для
сплавов системы LaBc — ScB,
[1910] с различной молярной долей
ScB.-/— 0; 2 — 10; 3 — 20; 4 — 30;
5 — 40; 6 — 50%.
142
Химические соединения
, । .....l । 1ИЧ.1 . t i.iiiJ IUM
fll .1.11.»» ......I I 4.J .UM
XT6 XT5 10~* XT3 PtMMpm.cm.
I/Jo.%	J//o,%
80-
О

s
40
0

Рис. 47. Влияние газов на термоэмиссию
LaB, при различной температуре борида
[1211J (70 — ток эмиссии до напуска га-
за, 7 — после напуска): а — азот: / — 1370; 2 — 1470 К;	
б — аргон: 1 — 1370;	2 — 1470;	3 —
1570 К; в — водород: J — 1470; 2 — 1570;	3 —
1670 К; г — воздух: / — 1470; 2 — 1570;	3 ~
1670 К; д — кислород: 1 — 1570; 2 — 1710;	3 —
V — txnuwJupvM* * 1UZV* л — < / Д V, и “
1840 К*
е — СО,: 1 — 1470: 2 — 1570; 3 — 1670 К.
Jlllllul i |||.щ| IIII1J I. I,mJ Q
X)'s Ю'5	XT* Р,ммрт.ст. Ю'7 XTS
LtllllJ.H HI..1 lllioj lIMI.ll 1 .....
XT*	Ю'4Римрт.ст.
x“»n.l . чпи! III.H.J I n.ml iiim Q
XT7 XT* XT5 Ю'4 Р,ммртсп XT7
Рис. 48. Температурная зависимость работы выхода при ТЭ
для катодов из LaB,, активированных в различных режимах
[4771: 1 — прогрев при Т = 1673 К в течение 20 ч (стабильное
состояние эмиссии); 2 — прогрев при Т =• 1673 К в течение
5 мни; 3 — прогрев при Т = 1803 К в течение 5 мин. Давление
остаточных газов в приборе Р = 5-10—® мм рт. ст.
Рнс. 49. Зависимость эффективной работы выхода при ТЭ от
природы металла-присадки (Me) в металлокерамических спла-
вах LaB, + Ме и СеВ, 4- Me [ill] при различной атомной доле
металла-присадки в сплаве: / — СеВ, 4- 0,5% Me; 2 — СеВ, 4*
4- 10% Me; 3 — LaB, 4- 0,5% Me; 4 — LaB, 4- 10% Me.
Рис. 50. Зависимость работы выхода при ТЭ для сплавов си-
стемы LaB, — ScB, [740]:
а — от температуры: / — Lag g Scq 2В, (/'— нагрев, 1" — ох-
лаждение); 2 — La Sc, В,; 3 — La Sc В,;
0»4	0»1	0*5
б — от времени в процессе охлаждения катода из Lag gScg^B,:
1 — 1750; 2 — 1725; 3 — 1695 К.
Рис. 51. Температурная зависимость ра-
боты выхода при ТЭ для сплавов LaB,
с тугоплавкими соединениями — TiC,
NbC, WC, TiB, (/) и никелем (0,3 и
0,7%) (2) [738].
SsMff 40 OOCuatp^
Y6B6
Рис. 52. Зависимость эффективной рабо-
ты выхода при Т = 1700 К от моляр-
ной доли LaB, в сплавах систем LaB, —
SmB, (/) и LaB, — YbB, (2) [852J.
Рис. 53. Температурная зависимость ра-
боты выхода при ТЭ для сложных бо-
ридов:
а — двойного La(Na) В,, полученного
электролизом [719];
б — порошкасмеси ТтВ, 4- ТтВ4, нане-
сенного на вольфрам и тантал [717]:
в — WB — LaB, с различным содержа-
нием WB [515]: 1 — 100, 2 — 95, 3 —
90%.
Бориды
143
3.0-
__I__t—J—1—I—J—।__L
0 20 W 60
Э&
»
3J}-
Phc. 54. Изменение работы выхода прн
ТЭ в процессе отжига боридов при Т =
=1800 К и Р= 10 9 мм рт. ст. [2107]: 1 —
La В/, 2 — СеВ,; 3 — РгВ,> 4 — NdBe.
Рис. 55. Изменение эффективной работы
выхода при ТЭ в системах [2107]:
а — ЕнВ, — LaB0 (ф — Т = 1523 К»
о — Т = 1323 К);
б — SrBe— LaB. (ф — Т == 1698 К. О —
Т = 1323 К).
МОНОКРИСТАЛЛЫ
Борид	Индекс грани 1	_____	Ф, эВ	л А-см—2-К~2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
ВаВ6	{100)	2,9 ±0,05	—	—	ТЭ		[20461
	(100) (100	3,4 ±0,05 3,4 ±0,1	—	300	АЭ АЭ	Образцы выращены из расплава	[2117] [2046]
LaB6	{001}	2,4 ±0,1			ФЭ	Измерено на плоских зонно-плавле- ных образцах, очищенных прогревом при Т os' 1573—1773 К бомбардиров- кой электронами и ионами аргона. Определено по спектрам фото- возбужденных вторичных электро- нов	[20991
	{001}	2,8			АЭ	Измерено на плавленом образце, прогретом в вакууме при Т ~ 1073 К в течение 30—40 мин	[21001
	{100}	2,28 ±0,03	—	300	ТЭ	Измерено методом задерживающего потенциала на плоских образцах, выращенных из расплава	[1882]
	{100}	(2,3—2,6) ±0,1	—	300	АЭ	Зонно-плавленые образцы	[2046, 2117]
	(100)	2,4 ±0,2			ТЭ	Измерено методом прямой Ричард- сона при Р ан 2 • 10~7 мм рт. ст. на плоских зонно-плавленых образ- цах	[20221
	{100} 100}	2,434 2,47 ±0,05			ТМ тэ	Вычислено на основе модели НОЭ	[21071 [2046]
	{100}	2,47 ±0,06	14	1700—2000	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона на плоских образцах, выращен- ных из расплава	[18821
	{100}	2,6 ±0,05		300	АЭ	Зонно-плавленые образцы	[21171
	{100}	(2,85—2,89) ± ±0,03	48—86		тэ	Измерено иа плоских зонно-плавле- ных образцах методом прямой Ри- чардсона. Эмиссионные параметры зависят от режима термообработки образцов (Т = 1473—1673 К, время 5—20 ч) и вакуумных условий изме- рения (Р = (1,5—7) • 10“®ммрт. ст.)	[2098]
	{100) (100) (100)	2,86 ±0,03 3,8 ~4,8	82	1173—1473	тэ тэ тэ	Измерено при Р = 2 • 10”8 мм рт. ст. тем же методом на таких же об- разцах, прогретых при Т — 1473 К в течение 20 ч Поверхность окислена при комнатной темпе- Образцы — ратуре	пластинки Поверхность сильно	толщиной окислена при Т —	0,1 мм = 1273 К	[1660,1661, 2098] [2121]
	{100}			1500	тэ	Плоские образцы, выращенные из рас- плава. Плотность тока термоэмиссии / = 0,16 А • см-2	[18821
	{100}		—	1545	тэ	Такие же образцы. / = 5 А • см“2	[17941
	{100}	—.	—	2000	тэ	Такие же образцы. / = 33 А • см-2	[1882[
	{110}	2,358		—	тм	Вычислено на основе модели НОЭ	[21071
144
Химические соединения
Продолжение
Борид	Индекс грани	<р. эВ	А, А»см~2-К	Температур- 2 иый интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания		Литература
LaB6	{НО}	2,5	60	-	ТЭ	Метод прямой	Измерено в интер- вале температур	
	{110} {110}	2,6 (2,65—2,68) ±	14—57	1700	тэ тэ	Ричардсона Эффективная работа выхода Измерено на ш	1370—1720 К на плоских образцах, выращенных из расплава ’оских зонно-плавле-	[1766} [2098]
	{110}	±0,03 2,68 ±0,03	56	1173—1473	тэ	ных образцах методом прямой Ри- чардсона. Эмиссионные параметры зависят от режима термообработки образцов (Т = 1473—1673 К; время 1—25 ч) и вакуумных условий изме- рения (Р = (1,5—8)«10—8 мм рт. ст.) Измерено при Р == 2 • 10“8 мм рт. [1660, 1661,		
	{110}	2,74	~14		тэ	ст. тем же методом па таких же об- разцах, прогретых при Т = 1573 К в течение 15 ч Измерено тем же методом на об-		2098] [2107]
	(110}	2,8±0,05		300	АЭ	разцах, полученных дуговой плавкой Зонно-плавленые образцы		[2117]
	{110}	—	•—	1545	тэ	Для образцов,	выращенных из рас-	[1794]
	{111}	2,27			тм	плава, при Р 5 • 10 7 мм рт. ст. / = 50 А • см~2 Вычислено на основе модели НОЭ		[2107]
	111} {111}	2,64 ±0,05 2,8 ±0,1	—	300	тэ АЭ	Зонно-плавленые образцы		[2046] |2046, 2117]
	{111}	3,36 ±0,20	71	1173—1473	ТЭ	Измерено при	Р = 2 • 10 8 мм рт.	[1660, 1661,
	{111}	3,6±0,2			КРП	ст. методом прямой Ричардсона па зонно-плавленых образцах, прогре- тых при Т = 1573 К в течение 15 ч Измерено на таких же образцах при		2098] [2098]
	{321}	2,3±0,2			тэ	Р = 5 • 10“10 мм рт. ст. Эталон — напыленная Au-пленка (ipAu при- нята равной 5,1 эВ) Измерено методом прямой Ричард-		[2022]
	{510}	-		1545	тэ	сона при Р 2 • 10~7 мм рт. ст. на плоских зонно-плавленых об- разцах Для плоских образцов, выращенных		[1794]
	{1231}	2,3 ±0,2			т	т	тэ	из расплава, при Р ~ 5 • 10“7 мм рт. ст. j = 2,5 А • см-2 Измерено методом прямой Ричард-		[2022]
LaQ 3Nd0 7В6	{ПО}	1,7	20		тэ	сона при Р ан на плоских зонш Тот же метод	2 • Ю—' мм рт. ст. э-ллалленых образцах Измерено в интер- вале температур	
	{110}	1,96	—	1700	тэ	Эффективная	1250—1750 К на об-	[1766]
СсВ6	{001}	3,0	-	— 	АЭ	работа выхода Измерено на пла	разцах, выращен- ных из расплава влеком образце, про-	[2100]
	{100} {100}	2,26 ±0,05 2,37 ±0,05	—	—	тэ тэ	гретом в вакууме при Т 1073 К в течение 30—40 мин Измерено методом прямой Рнчардсо-		[2046] [2117]
	{100} UCO)	2,437			тм	на на образце, выращенном из рас- плава Вычислено на основе модели НОЭ		[2107]
		2,5±0,05	—	300	АЭ	Образцы выращены из расплава		[2117]
	{100} {110} {111}	2,5±0,1 2,3581 2,2791	—	 —	АЭ ТМ	Вычислено на основе модели НОЭ		[2046] [2107]
Бориды
145
Продолжение
Борид	Индекс грани	Ф, эВ	О S 1 ьэ * я	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
РгВв	{001} {100} 110 (111)	3,4 2,438) 2,360 2,281)	—	—	АЭ ТМ	Измерено на плавленых образцах, прогретых в вакууме при Т си си 1073 К в течение 30—40 мин Вычислено на основе модели НОЭ	[2100} [2107J
NdBe	{001} {100} {110 111	3,3 2,440) 2,361 2,283)	—	—	АЭ ТМ	Измерено на плавленых образцах, прогретых в вакууме при Т си 1073 К в течение 30—40 мин Вычислено па основе модели НОЭ	[21001 [2107]
SmBe	{001} {100} {100} {100}	4,4 3,14 ±0,05 4,3±0,05 4,3±0,1	—	300	АЭ ТЭ АЭ АЭ	Измерено на плавленых образцах, прогретых в вакууме при Т си си 1073 К в течение 30—40 мин Образцы выращены из расплава	[21001 [2046] [2117] [20461
У,эв
3ft
УзВ
г
Рис. 56. Температурная зависимость работы выхода при ТЭ
для различных граней монокристаллов [2117]:
а) грань {100} монокристаллов ВаВ, (a), LaB, (б); СеВ, (з),
SmB, (г), выращенных из расплава;
б) различные грани монокристалла LaB,: а— грань {100} мо-
нокристалла, выращенного из расплава; б — г — соответ-
ственно грани {100}, {НО}, {111} зонпо-плавленого образца,
1 — неотожженные образцы; 2 — образцы подвергнуты дли-
тельному отжигу при Т = 1700 К.
±___________
2
Рис. 57. Зависимость работы выхода при ФЭ от экспозиции
грани {001} LaB, в кислороде [2099].

Ю 1590
146
Химические соединения
КАРБИДЫ
ПОЛИКРИСТАЛЛЫ
Карбид	ф, эВ	А. А-см“2 К-2	Температур- ной интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
Индивидуальные карбиды
SiC	3,5	64	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[2014)
	3,95	—	1700	ТЭ	Порошок. Эффективная работа выхода	[495]
	4,02	—	1743	ТЭ	Прессованный стержень. Эффек- тивная работа выхода	[382]
	4,02		1700	ТЭ	Высокодисперсный порошок хи- мического состава (% по массе): С?бщ2,96; Ссвоб<0,88; Sloe„ 66,23; SiCBO6 5,5. Эффективная работа	[496]
					выхода	
	4,37+1,2- IO"-4 T	•—*	1500—2100	ТЭ	Измерено на компактных образ- цах химического состава (%): SiC 94—95; Ссво6 0,5; Si < 5.	[194]
					Р ~ Ю-в мм рт. ст.	
	4,5		—	ТЭ	a-SiC	[399]
	4,8—4,9	——	—	АЭ	Волокна fJ-SiC	[1481]
	5,1	—	—	ТЭ	₽-SiC	[399]
		——	2000	ТЭ	В постоянном режиме / — = 0,2 А • см—2, в импульсном — / = 0,4 А - см-2	[2014]
TiCj 6	3,72+1,7-10-4 T\				Порошок карбида нестехиомет-	
TiC0,7	3,71+1,7-10“4Tj			ТЭ	рического состава на W-подложке	[650]
TiC0>73	4,05 ±0,05	—	300	КРП	Горячепрессованные образцы не- стехиометрического состава. Эта-	[629]
	4,05—2,5-IO”4 T				лон — вольфрам (cpw принята равной 4,45 эВ)	
T*^0,79		—	1400—2020)	ТЧ	Горячепрессованные образцы не- ’	[628]
	4,15—2,5-10~47’	—	1450—2060J	1 о	стехиометрического состава	
TiCOt8	3,64+1,7-10 -^T	—	—	ТЭ	Порошок карбида нестехиометри-	[650]
TiCo,83					ческого состава на W-подложке	
	4,28—2,0-10~4 T	—	1425—2000]		Горячепрессованные образцы не-	[628]
1'^0,89	4,37—1,6-1 Q~4T	•—<•	1450—2050/	i о	стехиометрического состава	
TiC-o.g	3,53+2,2-IO"4?	—	—	ТЭ	Порошок карбида нсстсхиомст- рическою состава на W-подлож- ке Горячепрессованные образцы не-	[650]
T’Co,96	4,38-1,0-10~47	—	1500—2050	тэ		[628]
					стехиометрического состава	
TiC	2,06	115	1800—2400	тэ	Метод прямой Ричардсона	[384]
	2,35	2,5	—	тэ	Тот же метод. Порошок на W-npo-	[1245]
					волоке	
	2,72	—	——	АЭ	—	[288]
	3,25	—	—	тэ	Газофазное покрытие на Та-про- волоке. Метод прямой Ричардсона	[1327]
	3,32	3,96	1400—1800	тэ	Тот же метод	. [384]
	3,35	2,5	0	тэ	Тот же метод для порошка	[1285]
	3,46+2-IO"4? 3,6+l,l-10“4T		1300—1750] 1750—22001	тэ	Порошок	[ЮО]
	3,6 3,66+2,5- IO-4 T	—	1800	тэ	Эффективная работа выхода элек- трона вычислена по данным 11245)	[272]
		—	—	тэ	Порошок па W-подложке	[650]
	3,85	—	1100—1400	тэ	Метод полного тока	[273]
	4,12		1800	тэ	Эффективная работа выхода	[1376]
	4,15	—	1800	тэ	»	»	э	[384]
Карбиды
147
Продолжение
Карбид	ф, эВ	Л, A-cm“*2-K— 2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
TiC VCo.72 ^O),77 VCq.82 VC0,87 VC Ni3C ZrC-oji ^rC0,75 ^C0,£0 ^r^-0,88 ^r^0,90 ZrCQ 97 ZrC	4,20±0,05 4,34 ±0,04 3,99 4,03 4,04 4,07 4,20 ±0,05 3,85 4,84 5,10—6,8-10“4 T 5,10—6,6-10“4T 5,17—6.7-10“4T 4,39 5,10—6,0-10-4 T 4,52—2,8-10“4Т 2,1 2,18 2,18 2,3 2,60 2,7 2,86 2,96 3,0 3,00 3,1 3,1 ±0,1 3,2±0,l 3,2±0,l 3,244-2- IO-4 T 3,244-2-IO"4 T 3,3 3,32 3,4±0,l	0,31 0,2 1,12 0,15 88,15 14 0,7 36 0,5±0,l 3±2 8±2 17 16±6	300 1600 1600—2150'j 1630—2150 1660—2120 1650—2150 300 1300—2100 1600— 2060ч 1550—2050 1570—2050 1800 1570—2050] 1550—2020/ 0 2000 1500—2500 1300—2000 1300—2800 2000 1570—2070	КРП тэ тэ КРП тэ ФЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Плоские горяче- Метод Ан-	прессованные об- дерсона	разцы химического Эффектив- > состава (% по мас- ная работа	се): Т| 78,9; Cn6lII выхода	19>2. Ссвоб 0>73 Горячепрессованные образцы не- стехиометрического состава. Эф- фективная работа выхода при Т = 1800 К; d<p/dT~ 10“4 эВ • К“’ Те же образцы. Эталон — воль- фрам (<pw принята равной 4,45 эВ) Измерено на порошке методом полного тока Карбид образуется на поверхнос- ти Ni-монокристалла в результа- те диффузии углерода из объема кристалла Горячепрессованные образцы не- стехиометрического состава То же. Эффективная работа выхо- да Горячепрессованные образцы не- стехиометрического состава Порошок. Эффективная работа выхода Порошок на W-подложке. Метод прямой Ричардсона Тот же метод для порошка на Та- подложке Тот же метод Тот же метод для порошка на Та-ленте -Тот же метод Тот же метод для порошка на Та-ленте Тот же метод для порошка на Та- ленте с подслоем из MoSi2 Тот же метод для газофазного по- крытия на Та-проволоке Тот же метод для горячепрсссо- ванных образцов Плавленные в среде аргона образцы	Метод Спеченные образцы	прямой пористостью 8%	Ричард- Спеченные образцы	сона пористостью 15% Порошок Пиролитическое покрытие па вольфраме Эффективная работа выхода вы- числена по данным [1245] Измерено на прессованном стерж- не методом прямой Ричардсона Тот же метод для спеченных об- разцов пористостью 44%	[736] [628] [629] [100] [1961] 1628] [1376] [628] [590] [7Ю] [1245] [2014] [588] [207] [384] [494] [207] [1327] [1097] [127] [100] [556] [373] [1710] [127]
10*
148
Химические соединения
Продолжение
Карбид	ср, эВ	А, А-см~2-К~2	Температур- ный интервал измерении, К	Метод опре- деле- ния Ф	Примечания		Литература
ZrC	3,49 3,5 3,58 3,6 3,62 ±0,01 3,64 3,7 3,7 3,7 3,7 3,70 3,72 3,75 3,78 3,8 3,8 3,80 3,80 3,9 3,9 3,95 ±0,04 4,0 4,00 4,01 ±0,05 4,02 4,2	32 134 140 360	1800 2370 2150 2000 2320 2300 1700 1935 1935 1100—1400 2000 2470 2350 1600 1800 300 1935 1400—2100	ТЭ АЭ ТЭ ТЭ КРП ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ КРП тэ тэ	Порошок на Та-подл фективная работа выхо Горячепрессованная та( фективная работа выхс Порошок на W-подл) фективная работа вых< Электрофоретическое на карбидированном Эталон — молибден (с; нята равной 3,01 эВ). = 10~9— 1О~10 мм рт. Вычислено по данным [100] для порошка на W-подложке Вычислено по данным [553] для порошка на Та-подложке Вычислено по данным [1690] для плавленых образцов Измерено на прессова летках методом прямо сона Очищенная от цезия п в присутствии паров Карбид без примесей Эффективная работа вы трона, вычисленная зе стоящей работы по да! ты [496], для карбида xi состава (% по массе): 11,75;	1,15; Оат 0, Спеченные образцы пористостью 15% Спеченные образцы пористостью 8 и 44% Измерено на плавлены методом прямой Рича[ Спеченный стержень Метод полного тока Эффективная работа в Эффективная работа bi численная по данным порошка на W-ленте Порошок на Та-подл< фективная работа выхс Горячепрессованные ш разцы. Эффективная f хода Измерено на плавлены; методом прямой Ричаг Эффективная работа в Измерено на горячепре плоских образцах ме* дерсона Эффективная работа в образцов, плавленных аргона Электрофоретическое пс W-нити. Метод прямо сона	ожке. Эф- да элетка. Эф- зда эжке. Эф- эда покрытие тантале. Рмо ПР”- Р = ст. Эффек- тивная работа выхода нных таб- й Ричард- оверхность цезия [хода элек- пором на- ным рабо- дмического Zr 86, Собщ 43; N 1,48 Эффек- тивная работа выхода х образцах щсона ыхода яхода, вы- [553], для эжке. Эф- эда юские об- >абота вы- х образцах щсона ыхода ссованных годом Ап- ыхода для в среде жрытие на й Ричард-	[494] [288] [809] [555] [13391 [373] [28] [1994] [1993] [127] [1689] [91] [273] [806] [373] [91] [736] [1099] [384] [736] [127] [1888]
Карбиды
149
Продолжение
Карбид	ф, эВ	A, A • cm-2 • K—2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния, ф	Примечания	Литература
ZrC Nb3C ^ЬС0>72 NbCo.ei NbC0j88 NbCo,9i NbC0>99 NbC MoaC MoC СеСа HfCQ,62 HfCo.n ^^0,80 ^^0,90 HfCot95	5,5—7,7-1О-4 T 4,32—1,80-10-4 T 4,45—1,7-Ю-4 T 4,44—1,6-10-4 T 4,37—1,8-10-4 T 4,30—1,7- Ю-4 T 4,21 ±0,05 4,25—1,9-Ю-4 T 2,24 3,50 3,58 3,70 ±0,05 3,70 ±0,1 3,83 4,05 4,07±0,04 4,1 4,1— 2.5-10-4 T 4,14 ±0,05 3,80 3,85 4,3 4,74 3,80 2,49 2,52-|-6. Ю-4? 2,63+6- Ю-4 T 2,75+6-10-4 T 3,00+5-10-4 T 4,15	1 1 1 1 1 1 1 1 1	II	III	1	1 1 s 1 1 1 3 1	1 1 1 1 1 1 1	1 1 cr.	1	2000 1500—2040 1450—2020 1470—2050 1450—20501 1425—2050 1425—2025/ 300 1425—2025 1500 2370 1700 1600 2450 1450—2200 300 1100—1400 1465 1800 1380 1500—2000'j 1500—20001 1500—20301 1500—2030 J 1800	ТЭ ТЭ ТЭ КРП ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ КРП тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Порошок на Та-подложке. В по- стоянном режиме / = 1,0 А • см-2, в импульсном — / = 5 А • см-2 Горячепрессоваиные образцы Горячепрессованные	образцы нестехиометрического состава Такне же образцы. Эталон — вольфрам (<pw принята равной 4,45 эВ) Такие же образцы Измерено на порошке методом прямой Ричардсона Тот же метод для газофазного по- крытия на Та-проволокс Порошок. Эффективная работа вы- хода Х“да 1 Образны получе- Ричардсона Горячепрессованные образцы. Эф- фективная работа выхода Эффективная работа выхода, вы- численная автором настоящей ра- боты по данным [496], для кар- бида химического состава (% по массе): Nb 88,57; Собщ11,62; Ссаоб 1,3; ОаТ 0,43 Ориентировочное значение эф- фективной работы выхода элек- трона для горячепрессованных плоских образцов Порошок на W-подложке. Эффек- тивная работа выхода Порошок Ориенгировочное значение <р, из- меренной методом Андерсона, для горячепрессованных плоских об- разцов Метод полного тока Карбид получен диффузионным насыщением молибдена углеро- дом. Эффективная работа выхода вычислена по данным [1795] Очищенная от цезия поверхность в присутствии паров цезия Карбид без примесей Эффективная работа выхода Порошок на Та-подложке. Эф- фективная работа выхода Горячепрессованные образцы пе- стехиометрического состава Такие же образцы. Эффективная работа выхода	[2014] [628] [629] [6281 [808] [1327] [717] [835] [809] [736] [91] [ЮО] [736] [273] [1057] [1994] [1993] [1376] [634] [628| [1376]
150
Химические соединения
Продолжение
Карбид	ф. эВ	А, А-см~2-К~2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
Н^0.98 HfC ТаСо,73 ТаС082 ^а^о,85 ТаС~09О ^а^0.91 ТаСо.эв ТаСо,99 ТаС	3,054-5-10“4 Т 2,04 2,984-5-10-4 Т 3,0 3,0 3,25 3,40 3,424-1,75-1 О'4 Т 3,6±0,1 3,63 ±0,05 3,66 3,80 ±0,04 3,85 3,93 4,0 4,15 4,17—1,8-10 ~4 Т 4,31— 2,0-1О"-4 Т 4,30 ±0,05 4,46—2,5-1 О'4 Т 3,80 ±0,05 3,80±0,1 4,37-2,0-10-4 Т 4,22 ±0,06 4,18-2,0-Ю-4? 3,05 3,14 3,17±0,06	10-5 0,3 1,8 -15—30 20 40 165 2,1 0,30 0,22 ± ±0,10	1500—2000 1550 1300—2100 2370 1600 2200 1920 1300—2100 1700 1520—20801 1490—20801 300 1500—2000 1500—2030 1500—2060 0 0 1600—2250	ТЭ ТЭ ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ КРП тэ тэ тэ тэ КРП, ФЭ тэ тэ тэ тэ	Такие же образцы Измерено на порошке методом прямой Ричардсона Порошок Порошок на Та-ленте 1 Метод пря- Порошок на Та-ленте > мой Рн- с подслоем из MoSi2 J чардсона Порошок. Эффективная работа выхода Газофазное покрытие на Та-про- волоке. Метод прямой Ричард- сона Порошок Измерено на спеченном образце методом прямой Ричардсона Тот же метод для прессованного образца Горячепрессованные образцы. Эф- фективная работа выхода То же Порошок на W-подложке. Эф- фективная работа выхода Спеченные образцы. Эффективная работа выхода Измерено на массивном дисковом катоде методом прямой Ричард- сона Эффективная работа выхода элек- трона, вычисленная автором на- стоящей работы по данным [4961, для карбида химического состава (% по массе): НГ 93; 0^7,7; Ссвоб 0,90; Оэт 0,17; N 0,34 Горячепрессоваиные образцы не- стехиометрического состава Те же образцы. Эталон — воль- фрам (<pw принята равной 4,45 эВ) Те же образцы Эффективная	Образцы полу- работа выхода	чеиы карбиди- Метод прямой	рованием Та- Ричардсона	ленты Горячепрессованные образцы не- стехиометрического состава Образцы получены карбидирова- иием Та-дисков в смеси азота и н-гептана. Эталон — молибден (<РМо принята равной 4,50 ± 0,03 эВ). Измерения методами КРП и ФЭ дали одинаковое значение, среднее для трех образцов Горячепрессованные образцы не- стехиометрического состава Измерено на порошке методом прямой Ричардсона Тот же метод. Образец обезга- жсн при Т = 2000 К Измерено тем же методом на кар- бидированной Та-проволоке	[6281 [808J [239J [207] [717] [1327] [100] [127] [126] [8091 [736] [555] [127] [1374] [628] [629] [628] [835] [628] [957] [628] [1245] [1152]
Карбиды
151
Продолжение
Карбид	ф, эВ	А, А-см~2- К-2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания		Литература
ТаС	(3,21 ± 0,05)-*		1250—1550	ТЭ	Та-лспта карбидирована в парах		[2060J
	~*(3,87±0,1)				бензола. Эффективная работа вы- хода изменяется в указанном ин- тервале температур		[1327]
	3,40	——	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона для га- зофазного покрытия на Та-про-		
							
					волоке		
	3,64	—	2200	ТЭ	Эффективная работа выхода, вы- численная по данным [12451, для порошка на W-подложке		[272]
	3,77	—	2370	тэ	Горячепрессованные образцы. Эф- фективная работа выхода		]809]
	3,8	—	2400	ТЭ	Порошок на W-подложке. Эф- фективная работа выхода		[91]
	3,98—1,5-10'4?	—	1350—2200	тэ	Порошок		[ЮО]
	4,15	—	1800	тэ	Горячепрессованные образцы. Эф- фективная работа выхода		[1376]
	4,20 ±0,04	—	1600	тэ	То же		
	4,38 ±0,05	—	300	КРП	Измерено на горячепрессованных плоских образцах методом Ан-,		[736]
					дерсона		
	4,4	—	2400	тэ	Спеченный стержень. Эффектив- ная работа выхода		[91]
	4,5±0,1	—*	——*	тэ	Измерено методом прямой Ри- чардсона на Та-ленте, отожжен-		[840]
					ной в парах бензола		
w,c	2,6	—	— 	АЭ	—		[288]
	4,05	—	—	тм	Рассчитано с использованием изо- терм поверхностного натяжения		[6301
	4,27—4,34	—	—	АЭ	Измерено методом прямой Фау- лера — Нордгейма при Р ш		1203]
					ой 10“*" мм рт. ст.		
	4,42	—	—	АЭ	—		[342]
	4,58±0,08	190		ТЭ	Метод прямой Ричардсона. При- веденное значение — среднее для четырех измерений		[345]
WC	3,6	2,7	—	ТЭ	Карбид получен нагревом W- проволоки в среде СН4 при Т =		[1712]
					= 2370 К. Тот же метод		
	3,60	—-	1465	ТЭ	Карбид получен диффузионным насыщением вольфрама углеро-		[272]
					дом. Эффективная работа выход; вычислена по данным [17951		
	3,834-2,5.10“4 Т 6,7±0,1		—	тэ	Порошок		[239]
			—	пи	ПИ атомов серебра		[780
ThC,	3,0	—	——	КРП	Эталон — вольфрам ((pw принята равной 4,5 эВ)		[589]
	3,2	100		тэ	Смесь порошков тория и графита (Th : С = 1 : 2, мол.) припечена к Та-подложке. Измерено методом прямой Ричардсона		[2014]
	3,2	-200	—	тэ	Измерено на порошке тем же ме- тодом		[1245]
	3,5	-550	——	тэ	То же		[595]
		—	2000	тэ	Смесь порошков тория и графита		[2014]
					(Th : С — 1 : 2, мол.) припечена к Та-подложке. В постоянном ре- жиме / = 3,2 А • см—2, в импульс-		
					ном —[/ = 10 А • см —2		
uC	2,70	30	—	тэ	Порошок на Та-подложке. Метод прямой Ричардсона		[494]
152
Химические соединения
Продолжение
Карбид	ф, эВ	<4, А - см—К~2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
ис	2,9—3,6	—	—	КРП	Электрофоретическое покрытие на W-проволоке. Р < 3 • 10~9 мм рт. ст.	(9911
	2,94	33	—	тэ	Измерено на порошке методом прямо» Ричардсона	[1279}
	2,94±-1,1.10~4 Т	—	—	тэ	Порошок па Ir-, Re- и W-подлож- ке	[1280)
	3,21	—	1800	тэ	Порошок на Та-подложке. Эф- фективная работа выхода	[494]
	3,3±0,1	113±33	—	тэ	Порошок на W-проволоке. Ме- тод прямой Ричардсона	[1712]
	3,4->3,2	—	1500—2000	тэ	Температурное изменение эф- фективной работы выхода элек- трона для спеченного образца	[802|
	3,8	160	1400—2100	тэ	Электрофоретическое покрытие на W-ннти. Метод прямой Ричард- сона	[1888]
	3,97 ±0,015	—	—	КРП	Эталон — вольфрам (cpw принята равной 4,52 эВ)	[1338]
	3,97—4,57	7,3-10*		тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона при Р = (0,5—1,5) • 10“6 мм рт. ст. на образцах с относи- тельной плотностью 90%, содер- жащих 5,2% углерода	[967]
	4,57	7,3-10*	—	тэ	Измерено на плавленых образцах тем же методом	[1689]
иЦ,05	-3,3	—	1500—1600	тэ	Электрофоретическое покрытие на W-проволоке. Метод полного тока	[1431]
ис2	3,9	—	1600—2000	тэ	Измерено на спеченных образцах методом пол ного тока Карбид осажден на W-проволоку. Метод прямой Ричардсона	[802]
РиС	3,4	404	—	тэ		[1711]
Карбиды металлов и неметаллов с различными добавками
SiC-}-Ti (Th) SiC-±Y	3,18 3,44		1743 1743	ТЭ ТЭ	Прессованные из SiC стержни с содержанием металла до 10% по массе. Эффективная работа вы- хода То же		[382, 496] [496]
SiC-f-Mo	3,45 1 3,37 J	—	1743	ТЭ	» »		[382]
SiC4-Hf	3,40) 3,30 J	—	1743	ТЭ	» »		1496]
	3,53	—	1743	ТЭ	» »		(382)
SiC4-Ta	3,66	—	1743	ТЭ	» »		|496]
SiC4-C	3,80		1500 1		SiC : С = 79 : 21 (мае.).	Эффек-	[806]
	3,86	—	2100 J	1 С/	тивная работа выхода '		
TiC+Nb	4,88—4-10-47’	—	1600—2070	ТЭ	TiC : Nb — 3 : 1 (мол.)		[83,
	4,7—3,5< IO“4 T	—	1570—2100	ТЭ	TiC : Nb = 1 : 1 (мол.)		730, 1774)
	4,74—3,7-10“4 T	«MB	1580—2100	ТЭ	TiC : Nb = 1 ; 3 (мол.)		1 / / OJ
TiC+Mo	3,96—1 • 10“4 T	—	1600—2100	ТЭ	TiC : Mo — 3:1 (мол.)		[83, 1773]
	4,55-3- IO"4 T	—	1550—2100	ТЭ	TiC : Mo = 1 : 1 (мол.)	1	
	4,85—3,9-IO”4 T	——	1600—2100	ТЭ	TiC : Mo = 1 : 3 (мол.)		1
TiC±-W	4,25—2-IO"*4 T	——	1750—2100	ТЭ	TiC : W =3:1 (мол.)		[83,
	4,2—1,6-10“4T	—	1700—2050	ТЭ	TiC : W =1:1 (мол.)		730,
	4,95-4-10“4 T	—*"	1650—2050	ТЭ	TiC : W =1:3 (мол.)		1773]
Карбиды
153
Продолжение
Карбид	Ф, эВ	A, A - cm 2- K~2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература I
ZrC-f-Y Zr+C+Y ZrC+Nb ZrC-f-Mo ZrC+W ZrC—Pt—Ce WC4-M0 (^’^0,6)0,25 (^^)o475 (Т>Со,е)о,4 (WC)06	3,87 ±0,04 4,12±0,04 5,32 ±0,05 3,70 ±0,04 4,56 ±0,04 5,60 ± 0,05 3,70 ±0,01 4,56 ±0,04 5,42 ±0,05 4,17—2-10~4T 4,10—2,4. IO-4 T 4,15—2-10“4 T 4,26—2,4. IO-4 T 4,44—4,0. IO”4 T 4,60—4,0- IO“4 T 3,95— 1 -10—4 T 4,6-3- 10“4 T 4,9—4-10~l T 4,3 4,90—3,67-10—4 T 4.40—2.3- 10~4 T 5,0—4,5-10~4 T 3,51+4,0. IO’4?] 3,66+2,7.10~4 Tj	•x 0 0 1	1	1	1	1	1	1	1	1	1 1 1 1 I 1 1 1 1 1	III	1	2000 300 300 2000 300 300 2000 300 300 1800—2150 1700—2075 1750—2150 1600—2100 1600—2100 1600—2100 1700—2100 1650—2100 1750—2100 2283 1600—2100 1600—2100 1600—2100 ные карбиды	ТЭ тэ КРП тэ тэ КРП тэ тэ КРП тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Эффективная работа выхода. Р = 10~6 мм Рт-	В сос- Интерполиро-	таве ванное значе-	0 5У пне	ИТ- Измерено ме- г А	трия тодом Андерсо- г на при Р = =10~8 мм рт. ст. Эффективная работа выхода. Р= 10~6 мм	Образцы рт. ст.	в сос. получены Интер полиро- таве методами ванное значе- 	порошке-' ние	ит.	вой ме- Измерено мето- ТрПЯ таллур- дом Андерсона	гии при Р = 10“8 мм рт. ст. Эффективная работа выхода. Р = 10“6 мм рт. ст.	В сос- Интерполиро-	гаве ванное значе- около ние	2% Измерено мето- YC дом Андерсона при Р = 10“8 мм рт. ст. ZrC : Nb = 3 :| (мол.) ZrC : Nb — 1:1 (мол.)  ZrC : Nb = 1 : 3 (мол.) ZrC : Mo = 3:1 (мол.) ZrC : Mo =1:1 (мол.) > ZrC : Mo =1:3 (мол.). ZrC : W =3:1 (мол.) ] ZrC : W =1:1 (мол.) J ZrC : W = 1 : 3 (мол.) J Диспенсерные катоды^ в форме таблеток, полученных методом порошковой металлургии. Атом- ная доля Pt 1—20%, Се—1— 2,5% WC : Мо = 3 : 1 (мол.) WC : Мо = 1 : 1 (мол.) - WC : Мо = 1 : 3 (мол.). Порошок на W-подложке	1734] (83, 730, [1773] 11773] [83] [1706] [1773] [650]
154
Химические соединения
Продолжение
Карбид	ф, эВ	А, А - см-2-К—2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
«3	_	т	Jp й. *	t	Ш	- m И ° о	c5J? о	ооо о	с о о о‘ Ь;	л, * м. о"	оо in	сы О и О О О У О’ о о о О и О и и о о	Г? Г? Г? О	^’^’о	§ уу “I У^	-у '—	;>;>!>:> н	_,;_>о—>	о	г? л ю Й f io ч> s Д ч’ ю ю n Й .г ю ю n '''	"	*•"' ''"’' О	'"”'	г""7	• о* о* 3 ° о о* о- 3 о- о’ о' о- й о о о о £ *	‘°- Ю S	М 7777 -2.-® -SS- Ъ	оГ-^^о 7?	Г—	— — 2	&	У S 0 0-0 О о" О - О о’ о О о О О Р О —-О (J О U (J	U О Л О	<3>. УУиУУУУоУУУУуУУУУУ^рРрД	ЙЙМЙ	-f	I СТ HhohHhhCHhHHHbHhhh ——-	'—' '—	•—- ^-	у	(j .д	3,714-3,0.1 о-4 т} 3,904-2,0-10-4 Т 3,784-2,7-Ю^4 7 3,894-2,3-10”4 Т 3,784-2,7 -Ю”4? 3,754-2,2- 10-4 Т 3,844-2,0-10-4 Т 3,414-5,0- IO"4 Т 3,454-4,5- КГ4 Т 3,744-3,0-10”4 Т 3,724-2,7-10-4 Т 3,894-2,0- IO""4 Т 3,844-2,5-10~4 Т 3,544-3,3-10~4 Т 3,834-2,7. IO""4 Т 3,874-2,5-10"4 7 3,934-2,2-10~4 7 3,254-4,4-10-4 7 3,814-2,4-10^7 3,824-2,0-10”4 7 3,884-2,5-10“4 7 3,864-2,0-10-4 Т; 4,0 4,01 4,2 3,5 3,8 3,1 3,28 3,28 3,3->3,45 3,32 3,5 4,1 4,3 2,94-2,3-10^7 3,5-> 4,6 4,4 3,15	14401 25 J 160 12 3 1010 6,6.104	1800 1800 1400—2100 1800 1500—2100 2200 2100 1870—2170 2250 1830	ТЭ ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Порошок на W-подложке Горячепрессованные образцы. Эф- фективная работа выхода То же Измерено на прессованных об- разцах методом прямой Ричард- сона Электрофоретическое покрытие на W-нити. Тот же метод Измерено на прессованных образ- цах тем же методом Тот же метод	)п Эффективная работа 1 °Р0Ш0К на выхода	р-подложке Температурное изменение эффек- тивной работы выхода для спе- ченных образцов Эффективная работа выхода Порошок на подложке из карбида вольфрама. Эффективная работа выхода Измерено на прессованных образ- цах методом прямой Ричардсона Тот же метод для плавленых об- разцов Значение ср возрастает по мере накопления урана на поверхно- сти эмиттера Порошок на графитовой подлож- ке. Эффективная работа выхода Порошок на подложке из карбида вольфрама. Эффективная работа выхода	[650] [1375] [1376] [28] [1888] [1099] [494] [802] [1363] [555] [28] [1689] [1280] [826] [91] [555]
Карбиды
155
Продолжение
Карбид	Ф» эВ	-4. А • см  К	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
Hf0tlw0>9c
Hf0>2W0,8C
НГ0,з^7С
Hfo,4Wo, 6С
Hfo.5Wo.5C
Hf0.6w0>4c
Hfo.7wo.3c
Hf0i8W0>2C
(TaC)o>8(UC)o>2
(ThC)0> 2(UC)08
(UC)o 8(\'Ь)0>2
(HC)o,gWOt2
3,24+5,2- IO”4 T
3,67+2,9-IO-4T
4,05+8,6- IO-5T
4,04+5,0-10“5T
4,1+4,6- 1O“5T1
4,17+4,0-10^5 7J
4,04+5,0-10“5 7)
3,16+3,4-IO-47J
3,45
3,6
3,27
4,0
—	——	тэ тэ тэ	Фазовый состав: твердый 1 раствор типа NaCI и WC Фазовый состав: твердый раствор типа NaCI и сле- ды WC Твердый раствор типа NaCI	. Поро- шок	[239]
-—	2100	тэ	Порошок на подложке из вольфрама. Эффективная выхода	карбида работа	[555]
200	—	тэ	Измерено па прессованных образ- цах методом прямой Ричардсона		[28]
90	J 380—1960	тэ	Измерено методом прямой Ричард- сона при напряженности элек- трического поля 23 кВ • см-1		[882]
617	—	тэ	Измерено па прессованных цах тем же методом	образ-	[28]
Многокомпонентные системы
(UC)Oj 8 (ThC)0, og(ZrC)o,32 (UC)o 4(ThC)0,o4 (^rQo,56	3,0 2,5	0,81 0,017		—	ТЭ
(f^Qo.2 (ThC)o,o2(ZrC)o,78	3,8	45,7 .			
(W2C)Q 9(BaSi4)Q j	2,00+2,24- IO-4T)				ТЭ
(WC)0>9(BaSi4)0>1’	1,71+4,6- 10~47j				
(UC)0,g(BaCa)0,j	1.66+6,1-10-^7	—		—	ТЭ
Измерено на прессованных образ-
цах методом прямой Ричардсона
[28]
[883]
[1280]
%ЭВ
5р-
a

4.8
4.6
4	8	12/16 20/24
т~ । -I |-- + '-г
10 20 50 40 50 tp
4РХ
J-. — 1
5 15 25 55 45 55 О.мкм
Рис. 58. Эмиссионные свойства SiC
[742]:
a — изменение работы выхода во
времени после травления образцов:
1 — поверхность промыта дистил-
лированной водой и спиртом: 2 —
поверхность покрыта травителем —
расплавленной смесью КОН +
+ KNO3 (1 : 4):
б — зависимость работы выхода
размеров зерна порошка SiC;
в — зависимость работы выхода
окисляемостн карбида с проводи-
мостью п-типа (/) и р-типа (2);
е—-зависимость работы выхода от времени термообработки образцов с проводимостью р-типа на воздухе при Г= 1573 К;
d — температурная зависимость работы выхода для нагретых на воздухе образцов с проводимостью п-типа (/) и р-ти-
па (2).
Работа выхода измерена методом КРП.
У>ЭВ
от
от
156
Химические соединения
Рис. 60. Температурная зависимость плот»
ностн тока термоэмнссин для карбидов и
материалов на их основе:
а — по данным [498j: / — ZrC — 1г; 2 —.
ZrC; 3 — ZrC — Pt;
б — по данным [3831: / — ZrC; 2 —•
ZrC — Pt; 3 — ZrC — Ir;
в — по данным [383] для TIC.
Рио. 61. Влияние водорода (а) |5591 п
кислорода (б, в) [2115] на термоэмиссию
ZrC:
а — зависимость тока эмиссии карбида от
давления водорода при температуре като-
да 1250 (/), 1385 (2), 1640 (<?) К;
б — зависимость эффективной работы вы-
хода при Т = 1530 К (/) и Г = 1550 К
(2) от времени после экспонирования кар-
бида в кислороде при oq, < 3 • 10“~5 мм
рт. ст.;
в — зависимость работы выхода от экспо-
зиции карбида в кислороде прн Т = 1300 К
'« РО, == 5 • I 0~7 мм рт< ст. t т — j J3Q к
и pq^ =1,-3-10 6 мм рт< ст (2), Т •=
<= 1560 К и pQt ~ 8 • 10 мм рТе ст. (з).
Рис. 62. Термоэмиссиоииые свойства сплавов системы ZrC —W [428]5
а — изменение во времени плотности тока эмиссии прн Т = 2300 К
для сплавов с содержанием вольфрама 98 (/), 95 (2), 75 (3), 45 (4)t
20 (5)% по массе и чистого ZfCq 93 (5);
б — зависимость эффективной работы выхода при Т = 2300 К от со-
держания вольфрама, % по массе. Работа выхода определена после ре-
сурсных испытаний в течение 100 ч
Карбиды
157
Рис. 63. Зависимость эффективной работы выхода в системе Me—С (Me — Zr. Nb)
от атомной доли углерода:
а, б — система Zr — С: a — по данным [1311]; б — по данным [1310]; в — система
Nb — С [1311, 1312]. Т = 2273 К.
Рис. 64. Термоэмиссионныс свойства Т1С [2077]:
a — зависимость эффективной работы выхода при Т = 1800 К для TiC от массовой до-
ли титана или углерода;
б •— температурная зависимость плотности тока эмиссии для Т1С (7) и TjC4-Ti(2).
Рис. 65. Термоэмиссионные свойства металлокерамических
сплавов ZrC — Re:
a — температурная зависимость работы выхода для сплава, со-
держащего 0,5 (/), 50 (2) и 95 (3) % по массе рения [454, 558];
б — зависимость эффективной работы выхода при Т ~ 1700 К
от аюмной доли рения [558].
<Р.ЭВ
12001400 1600 1800 Т,К
9>3б
Рис. 66. Температурная
зависимость работы вы-
хода при ТЭ для ТаС
[2060] Карбид получен
карбидизацией Та-лепты
в среде бензола.
Рнс. 67. Влияние кислорода на термоэмиссию ТаС [845]:
a — зависимость эффективной работы выхода при Т=
— 1350 К от времени при pq = 10~6 мм рт. ст.;
б — зависимость работы выхода от температуры нагре-
ва ТаС в кислороде прн pq* =10—® мм рт. ст.
гр~
/Z7L1 I 
1500 1700 1900 Т.К
Рис. 68. Температурная
зависимость работы вы-
хода при ТЭ для горяче-
прессованного образца
ThC, [1236].
Рис. 69. Зависимость эффективной
от
работы выхода при Т = 1950 К
молярной доли ZrC() 82 в системах сложных карбидов Zr—Nb «—С
(о) и Zr — Та — С (б) [1311].
Ч>ЗВ
О
У>эВ
40

3,8
КОО 1600
J___14/71----
Т,К 1400
%ЗВ
4,0
3.8
___।
о
Рис. 70. Термоэмиссионные свойства спла-
ва TiC — ZrC [6161:
a — температурная зависимость работы
выхода при Р = 10 8 — 10 7 мм рт. ст.
(/); р^, равном 5-10 7 (2), 10 6 (3) и
5.10—® (4) мм рт. ст.;
б — температурная зависимость работы
выхода при pQt, равном 7 • 10—7 (/) и
10—(2) мм рт. ст.;
в — завнсимость эффективной работы вы-
хода при Т = 1475 К от парциального
ill а Ш	давления азота.
Ю ^РММрШШ. Измерено на горячепрессованном образце
‘ г	сплава эквимолярного состава.
1600
Т,К /О'8	Ю'7
158
Химические соединения
Рис. 71. Температурная зависимость работы выхода при ТЭ для сложных карбидов [718]:
а — ТаС — ZrC с молярным соотношением 60 : 40 (/), 90 : 10 (2), 30 : 70 (3);
б — NbC — HfC с молярным соотношением 33 : 67 (/), 57,2 : 42,8 (2), 88 : 12 (3);
в — ТаС —HfC с молярным соотношением 33,3 : 66,7 (/), 88 : 12 (2), 57,2 : 42,8 (3).
Измерено на горячепрессованных образцах.
МОНОКРИСТАЛЛЫ
Карбид	Индекс грани	Ф, эВ	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литерату- ра
SiC TiC	(0001) {111} {111} {111} {ПТ} {100} {100}—{111} {100} {100} {100}	4,30 4,38 ±0,1 4,6±0,1 5,05—5,15 5,1—5,2 4,32 4,4 4,5 4,62 ~7,0 2,3 2,60—2,70 2,6 2,7 4,28—2-10“4Т	КРП тэ пи АЭ АЭ КРП ТЭ,ФЭ КРП КРП ФЭ тэ АЭ АЭ АЭ ТЭ	Измерено при Р = 10~9 мм рт. ст. на монокристаллах n-типа с концентрацией примесей (1—5) • 1018 см“л. Эта- лон — вольфрам (ф^у принята равной 4,40 эВ) Метод прямой Ричардсона	Монок	млы ПИ атомов натрия, калия	„ г	п-типа и цезия Образец экспонирован в кислороде	] при Т = 300 К. т = 5 • 10—7 мм рг. ст. • с > о^°кна То же. т = 2 • 10 'мм рт. ст. • с	) Монокристаллы а-гсксагонального SiC n-типа с примеся- ми железа, алюминия, титана, ванадия, кальция, никеля Измерено после электронной бомбардировки в вакууме на монокристаллах a -SiC (политип 6/7) n-типа, легиро- ванных азотом с концентрацией 1017 —1019 см—3 На поверхности имеется 1 Монокристаллы а-гексаго- избыток атомов углерода 1 нального SiC p-типа (вюрт- Образец содержит приме- [ цита). си алюминия и железа J р _ ю~9 мм рТ. ст. Монокристаллы a -SiC (политип 6/7) n-типа, легирован- ные азотом с концентрацией 1017—1019 см—3 Измерено методом прямой Фаулера — Нордгейма при Р = 10“10 мм рт. ст. Монокристалл получен электроиск- ровой обработкой спеченных заготовок. Острие с радиу- сом закругления около 10“5 см прогрето при Т — 2373 К Образец отожжен при Острие изготовлено электро- Т = 1873—1973 К	химическим травлением из Образец отожжен при кристаллической заготовки. Т = 2073 К	Измерено методом прямой Фа- улера — Нордгейма при Р = = 10—10 мм рт. ст. Пиролитический карбид состава (% по массе): Ti 80,6— 80,8; Собщ 18,8—19,0; Ссаоб 0,2—0,3 получен газофаз- ным осаждением. Текстурированная поверхность с пре- имущественной ориентацией грани	[194] [374] [1481] [1123] [786] [1123] [786] [1804] [1482, 1857] [1804] [734]
Нитриды
159
Продолжение
Карбид	Индекс грани	ф, эВ	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литера- тура
^Г^0,84	{100}	3,49	КРП
	{100}	3,54—2,45-10~5Т	ТЭ
ZrC	{100}	4,82-4,3- Ю~4Т	ТЭ
^ЬСО>86	{100} {100}	3,95-6,48- 10”3Т 4,0j	ТЭ КРП
	{102} {102}	3,95-2,93- 10“5Т 4,1а	ТЭ КРП
Измерено методом Образцы состава (% по массе): Zr
Андерсона при
300 К
Измерено при
Т < 2000 К
89,1; С0<5щ 10,70; Ссвоб 0,80 получе-
ны плавлением компактных поли-
кристаллических образцов в плазме
смеси аргона и гелия
Пиролитический карбид состава (% по массе): Zr88,6—
88,9; Собщ 11,2—11,4; Ссвоб 0,1—0,2 получен газофазным
осаждением. Текстурированная поверхность с преиму-
щественной ориентацией грани
Измерено при Т < 2000 К
Измерено методом
Андерсона при Т = 300 К
Измерено при Т < 2000 К
Измерено методом
Андерсона при Т — 300 К .
Образцы состава (% по
массе): Nb 89,6; Собщ 9,95
получены плавлением ком-
пактных пол икр металличе-
ских образцов в плазме
смеси аргона и гелия
[747]
[734]
[747]
Рис. 72. Зависимость работы выхода^
измеренной методом КРП, от темпера-
туры окисления кремниевой (/) н угле-
родной (2) стороны монокристалла SiC
[742].
5>ЭВ
----1	I	I	I_______________
1500	1600	1700	1В00 Т,К
Рис. 73. Температурная зависимость работы выхода при ТЭ для монокристал-
лов карбидов переходных металлов [2059]: 1 — грань {102} NbCg gg; 2—
грань {100} NbCg gS; 3 ~ грань {100} ZrCg^.
НИТРИДЫ
Нитрид	ф, эВ	А, А • см “X ХК—2	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Литература
BN A1N TIN	6,4 11,50 11,8 12,60 8,7 ±0,3 2,92 3,45 3,75 3,75 ±0,05 (3,87 ±0,05)— —1,1 -10“4 т	120,4 500	2000 1350—1700	ТМ тм тм тм ФЭ тэ тм тэ тэ тэ	Рассчитано методом ортогонали- зированных плоских волн [612] Рассчитано итерированным рас- ширенным методом Хюккеля	Гексагональный Рассчитано методом сильной свя- НИТРИД 6°Ра зи [1131] Рассчитано расширенным мето- дом Хюккеля [1325] Измерено на компактном образце методом изотерми- ческих кривых Фаулера 6-Фаза. Метод прямой Ричардсона] Рассчитано с использованием изотерм поверхностного натяжения Порошок. Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона	1 Газофазное покрытие на проволоке /	[2038] [2073] [709] [630] [717] [290]
160
Химические соединения
Продолжение
Нитрид	Ф, эВ	A, A • cm 2x xk—*	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания			I Литература
TiN	4,09	2476	——	ТЭ	Горячепрессованные плоские образцы. Метод прямой			[1322]
					Ричардсона			
ZfNojs	3,29±0,05	——	1200—1650	ТЭ	Эффективная работа выхода при Т = 1500 К; dy/dr =. 7,5Х X 10~5 эВ • К~'			
								
	3,30 ±0,05	56	1200—1650	тэ	Метод прямой Ричардсона	Газофазное		ГПП1 1
ZrN089	3,88± 0,05	—	1400—1620	тэ	Эффективная работа выхода	покрытие на		[291]
					при Т = 1500 К: dyidT ~ 5 X	проволоке		
					X 10-5 эВ • К"1			
	3,90 ±0,05	100	1400—1620	тэ	Метод прямой Ричардсона			
ZrN	2,92	120,4	—	тэ	» » »			[709]
	3,90	—	1900	тэ	Порошок. Эффективная работа выхода			[717]
	3,97	202	—	тэ	Измерено на горячепрессованных плоских			[1322]
					образцах методом прямой Ричардсона			
	4,13±0,05	160	—	тэ	Тот же метод	1 Газофазное покрытие			
	(4,17±0,05)—	—	1500—1860	тэ	—	/на	проволоке		[290]
	-5,7- 10“5T							
NbN	3,92	—	1950	тэ	Порошок. Эффективная работа выхода			[717]
AgN3 HfN	4,9 3,83	115	—	тэ тэ	Измерено на горячепрессованных плоских образ-			[334] [1322]
					цах методом прямой Ричардсона			
	3,85—3,90	—	1700	тэ	Предполагаемое значение эффективной работы вы-			[809]
	(4,14 ±0,05)—				хода электрона			
		—	1350—1800	тэ	Газофазное покрытие на проволоке			
	—1- 10~4T 4,18+0,05	400	1350—1800	тэ	То же. Метод прямой Ричардсона	4		[290]
ThN	3,1	 -w	—	ФЭ	—			[1733]
UN	3,l±2,l-10”4T	-—	—	тэ	Порошок на W-проволоке			[1280]
Рис. 74. Температурная зависимость работы выхода при ТЭ для
нитридов переходных металлов:
_ покрытие иа подложке из порошка TiN (/), VN (2), ZrN (3), NbN
(4), TaN (5) [727J.
6 — покрытие из порошка ZrN на подложке — после тренировки в
вакууме (/) и после работы в среде цезия (2) [803];
в — газофазное нитридное покрытие толщиной 70—100 мкм в потоке
атомов цезия 10й см 2 . с I [290]: 1 — ZrN; 2 — HfN; 3 — TiN.
Оксиды
161
оксиды
ПРОСТЫЕ ОКСИДЫ
ПОЛИКРИСТАЛЛЫ
Оксид	Ф. эВ	X сч 1 Зеч < х	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деления <р	Примечания	Литература ।
ВеО MgO А1,Оз S50, СаО ScjjOj TiO TiO2	2,86 3,8 3,8—4,7 I 4,7 J 4,7 2,73 3,1 3,1-4,4 3,30 3,30 2,86 3^->3,8 3,8 3,9 4,4 ~4,7 4,7 5,08 ±0,02 ~8,0 5.00 5,0 (1,32±0,07)+(4,5± ±1,0)-10”4Т 1,6±0,2 1,77 1,8 1,8 (1,86±0,03)+(6,5± ±1,0)-10“‘4Т 1,9 2,0—5,4- 10~4Т 2,37 2,5 2,52 2,53 3,8 4,04 2,96—3,1 3,42 3,7	1 1 1 1 1 1 1 1 1 II	1 III II Illi ill II II	Illi II III	1400 1400 1400 650->420 1400 2000 0 0 1250—1440 770 1000 1400 1300—2000 2000	ТМ тэ тэ тм тэ тм тм АЭ тм тэ пи тэ ФЭ тэ тэ тэ тэ КРП тэ тэ тэ ФЭ тэ тм тэ тэ тм тэ	Вычислено по (59) Эффективная работа выхода Эффективная работа выхода Вычислено по (59) Эффективная работа выхода Вычислено на основе зоммерфельдов- ской модели в приближении свободных электронов Вычислено по (59) Паста оксида чистотой 99,998% припе- чена в вакууме к травленой отожженной поверхности грани {112} W. Измерено методом прямой Фаулера — Нордгейма при Р = 1О~10—КГ"12 мм рт. ст. Вычислено на основе зоммерфельдов- ской модели в приближении свободных электронов Эффективная работа выхода Алундовое покрытие на W-спирали. ПИ атомов бария Слой толщиной около 15—20 мкм на W-ленте. Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Оксид оптимально активирован в потоке атомов бария Метод прямой Ричардсона > » » Эталон — хорошо очищенная W-под- ложка. Оксид активирован Покрытие на Pt-керне. Оксид получен разложением карбопата, приготовленно- го из дважды перекристаллизованного и осажденного карбоната аммония Эффективная работа выхода } Вычислено на основе зоммерфельдов- ской модели в приближении свободных электронов Эффективная работа выхода Порошок. Эффективная работа выхода электрона при Т = 1700 К Вычислено по (59) Эффективная работа выхода	(11261 [1841} [828] [1841] [1126] [1841] [828] [1642] [1126] [1924] [1642] [1841] 152] [828] 150] [1700] [828 [1841 [65] [1577] [1166] [594] [1642] [65] [986] [818] [1357] [1642] [1841] [93] [828] [1126] [2095]
11 1590
162
Химические соединения
Продолжение
Оксид	Ф, эВ	X CM 1 s о CM < x	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература 
TiO2	3,87	0,458	1750—2000	ТЭ	Образец активирован 1 Метод прямой	[92]
	6,21	4,08-IO5	—	тэ	Образец не активирован J Ричардсона	
FeO	3,85	—	—	—	—	[828]
Fe2O3	3,4	•—	—	тм	Вычислено на основе зоммерфельдов- i	
					ской модели в приближении свобод- I,	[1642]
					ных электронов	j	
	3,8		-			
Со2О3	5,65	—	——	тэ	— М	[334]
NiO	4,2	—	—	—		
	4,3	—	—	тм	Вычислено на основе зоммерфельдов- |	116421
					ской модели в приближении свобод- 1	
					ных электронов	'	
	5,55	—	—	—	—	[828]
Cu,0	4,9	—	—	ФЭ	—	[1604]
	5,15	—	—	ФЭ		1767]
CuO	1,8	—	—	—		
	2,08	—	—	тм	Вычислено на основе зоммерфельдов- ]	116421
					ской модели в приближении свободных 1	
					электронов	>	
	4,35	—	—	—	—	[828]
	5,34	—	—	ФЭ	—	[767]
ZnO	1,28—1,32	—	450—600	тэ	Топкий слой порошка набрызган или	[1840]
					термически напылен на Ni-подложку	
	4,2	—	—	тэ	—	[334]
	4,4±0,l	—	—	РМ	Слой оксида толщиной 10 мкм нанесен	[2056]
					пульверизацией на Ni-подложку. По-	
					крытие прогрето в вакууме при Т =	
					= 773 К. Эталон — Аи-коллсктор	
	4,57	—	293	КРП	Пленка на стекле. Эталон — поликри-	[775]
					сталличсский вольфрам (<pw принята	
					равной 4,5 эВ)	
RbjjOg	(0,9—1,2)->(2,2—2,6)	—	293—973	ЭФ	Изменение работы выхода электрона с	[766]
					повышением температуры	
SrO	1,254-6,5-1 O'4?	—	—	тэ	Молярная концентрация примесей евро-	[1253]
					пия и самария 0,01—0,05%. Измерено	
					на пятнистой поверхности в сильном	
					электрическом поле	
	1,27	10~3	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1166]
	1,35—1,82	—	—	тэ	Оксид содержит примеси европия или	[1252]
					самария	
	(l,37±0,03)+(4,5±	—	 " 	тэ	Оксид оптимально активирован в потоке	[65]
	±l)-10-47’				атомов бария	
	1,4	—	0	тэ	—	[986]
	1,44	—	—-	тэ	Рассчитано по данным ФЭ для покрытия	[1634]
					на Ni-ксрис	
	1,58—7,5-10”4?	—	1250—1400	тэ	Покрытие па Pt-кер не. Оксид получен	[818]
					разложением карбоната марки ЧДА	
	(l,6±0,08)+(7±l)x		—	тэ	—	[65]
	X10“4r					
	1,7	—	—	ФЭ	Тонкие пленки стронция экспонированы	[1315]
					в среде кислорода при рОг = 4 X	
					X Ю--1 мм рт. ст.	
	2,03	—	640)			
	2,07		770	ФЭ		
	2,12		1050 J			[1357]
	2,12		1000	тэ	Эффективная работа выхода	
	2,24		—	тм	Вычислено на основе зоммерфельд овской	[1642]
					модели в приближении свободных е,лек.	
					ронов	
	2,58	—	0	ФЭ		[1634]
	2,58		1000	ФЭ	—	[2014]
Оксиды
163
Продолжение
Оксид	Ф, эВ	X <N 1 £ о см < L < X	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания		Литература
	2,0	—	—	ТЭ	Электрофорезное покрытие на 1г- или		[1646]
					Кп-нити		
	2,0	0,55	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона		
	2,0 ±0,1	209	—	тэ	Оксид активирован при Т — 1723— 1773 К. Вычислено по (4)		[493]
	2,4	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона. Вычислено		[2014]
			1600		по данным 120951		
	2,8	—		тэ	Эффективная работа выхода		[493]
	3,0	—	1800	тэ	» » »		[499]
	3,06	—	1800	тэ	Оксид чистотой 99,8% (примесь других РЗМ не превышает 0,2%). Эффективная		—
					работа выхода вычислена автором на стоящей работы по данным [496]		
	3,16	—	1900	тэ	Эффективная работа выхода		[2095]
	3,5	—	1700	тэ	» » »		[794]
	3,87	—	1300—2000	тэ	Порошок. Эффективная работа выхода		[93]
			1500—1900		при Т = 1660 К		
ZrO2	3,1	—		тэ	Катафорезпое покрытие на 1г-проволоке		[1542]
					активировано прогревом при 1 =		
			1700—2000		= 2300 К. Метод прямой Ричардсона		
	3,12	0,363		тэ	Оксид активирован. Тот же метод		[92]
	3,9	—	2000	тэ	Эффективная работа выхода		[2095]
	3,96	—	1400—2000	тэ	Порошок. Эффективная работа выхода		[93]
					при Т = 1700 К		
	4,11	2,81	1400—1700	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона		[92[
	4,14		1800		на активированном оксиде		
		—		тэ	Оксид стабилизирован 15% по массе		—
					У20з. Эффективная работа выхода вы-		
					числена автором настоящем работы по		
	4,2				данным [496]		
		—	2000	тэ	Эффективная работа выхода		[1841]
	4,2—4,57	—	—	—	——		[828]
	5,80	7,26-10?	—	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона		[92]
МоО3	4,25				на неактивированном оксиде		
		—		—	—		[828]
1п2О3	4,8	—	—	ФЭ	——		[1182]
Cs2O	0,7 ±0,1	—	—	ФЭ	Полупроводник л-типа		[1912]
	0,95	—•	400	ФЭ	—		[2014]
	0,99—1,17	—	—	—	—		[828]
ВаО	0,95+0,90-10“ 3Т	—		ЭФ	Образцы полупроводника п-типа кри- сталлизованы из расплава		[424]
	0,97	—	—	тэ	Рассчитано по данным ФЭ для слоя на		[1634]
	0,99	о			Ni-керне		
		10“2	0	тэ	Напыленный катод. Метод прямой Ри- чардсона		[1166]
	1,0						
		—	—	—			[1444f
	1,00	—	—	ФЭ	—		[767}
	1,1	2-10“2	0	тэ	Метод прямой Ричардсона		[1167}
	1,1	—	0	тэ	—		[986]
	1,1	—	—	тэ	Пористое покрытие		|1612|
	(1,20 ±0,06)+	—	—	тэ	Оксид оптимально активирован в потоке		[65]
	+ (5,2±1)-10~4Т				атомов бария		
	1,3	ю-1	0	тэ	Метод прямой Ричардсона		[1173]:
	1,32—7,5-10“4Т	—	870—1230	тэ	Покрытие на Pt-кернс. Оксид получен		[818]
					разложением спектрально-чистого кар- боната		
	1,35—1,82	—	—	тэ	Оксид содержит примеси лантана, гадо- линия, неодима, эрбия, лития, фтора,		[1252]
					висмута		
	1,4			тэ	Припеченное плотное покрытие		[1612].
11
164
Химические соединения
Продолжение
Оксид	ф, эВ	X <м I Зсч < X	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
ВаО	(1,40 ±0,05)+ +(7±0,5)-10“47’	—	—
	1,44	0,026	—
	1,57	—	640
	1,60 ±0,08	—	0
	1,6+4-IO"4?	—	—
	1,63	—	—
	1,65		770 \
	1,66	—	1050/
	1,66	—	1000
	1,7—2,0		—
	1,93	—	—•
	2,0-2,7	__	—
	2,4	—	—
Ьа2О3	2,5	—	—
	2,8		
	2,8±0,2	96	—
	3,10		1700
	3,16		1700
	3,25	——	1900
	3,81	—	1600
	4,20	—	1300—2000
СеО2	2,3	—	—
	2,75		1800
Рг$О11	3,21		1700
	1,9	—	
	2,8	0,22	
	2,8 ±0,2	220	
	2,97	-	1800
	3,1	—	1850
	3,48	——	1700
Nd2O3	3,68 2,0	—	1600
	2,3	0,99	— 
	2,3 ±0,2	246	—
	3,0		1850
	3,06	—	1673
	3,30			1600
	3,3	—	1700
Pm2O3	-3,33	—	1700
ТЭ	——	[65]
ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[927]
ФЭ	—»	[1357]
КРП	Эталон — вольфрам	[64]
ТЭ	Молярная концентрация примесей лан-	[1253]
	тана, гадолиния, неодима, эрбия, евро-	
	пия 0,01—0,05%. Измерено на пятни-	
	стой поверхности в сильном электриче-	
	ском поле	
ФЭ	Активированное покрытие на Ni-керне	[1632, 1634]
ФЭ		Г 1 ОС*71
тэ	Эффективная работа выхода )	[1357]
тм	Вычислено на основе зоммерфельдов-	П £491
	ской модели в приближении свободных	
	электронов	
ФЭ	—	[1686]
тм	Рассчитано с использованием изотерм	[630]
	поверхностного натяжения	
тэ	Метод прямой Ричардсона. Вычислено	[2014]
	по данным [2095]	
тэ	Метод прямой Ричардсона	
тэ	Вычислено по (4) для оксида, активи- 1	
	рованного прогревом в интервале тем- [	
	ператур 1573-—1623 К	J	
тэ	Эффективная работа выхода	[794]
тэ	» » »	[97]
тэ	» » »	[2095]
тэ	» » »	[493]
тэ	Порошок. Эффективная работа выхода	[93]
	при Т = 1800 К	
тэ	Метод прямой Ричардсона. Вычислено	[2014]
	по данным {2095/	
тэ	Эффективная работа выхода	[2095]
тэ	» » »	[97, 794]
тэ	Метод прямой Ричардсона. Вычислено	[2014]
	по данным [2095]	
тэ	Тот же метод	
тэ	Вычислено по (4) для оксида, активи-	17941
	рованного прогревом в интервале	
	температур 1673—1773 К	
тэ	Эффективная работа выхода	[499]
тэ	» » »	[2095]
тэ	» » »	[97, 794]
тэ	» » »	[794]
тэ	Метод прямой Ричардсона. Вычислено	[2014]
	по данным [2095]	
тэ	Тот же метод	
тэ	Вычислено по (4) для оксида, активи-	Г7941
	рованного прогревом в интервале тем-	
	ператур 1773—1823 К	
тэ	Эффективная работа выхода	(2095]
тэ	Эффективная работа выхода вычислена	[101]
	по данным [1098]	
тэ	Эффективная работа выхода	[493]
тэ	» » »	[97, 794]
тм	Предполагаемое значение эффективной	[97]
	работы выхода	
Оксиды
165
Продолжение
Окснд	ф, эВ	X CM 1 5 CM *3^ < x	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деления <р	Примечания	Литература
Sm2O3	2,38	—	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона. Вычислено	[2014]
					по данным [2095]	
	2,8	0,33	—	тэ	Тот же метод	
	2,8 ±0,1	55	—	тэ	Вычислено по (4) для оксида, активи- 1	I4Q3I
					рованного прогревом в интервале |	
					температур 2023—2123 К	J	
	3,1	—	1850	тэ	Эффективная работа выхода	[2095]
	3,21	——	1700	тэ	» » »	[97, 794]
	3,57		1600	тэ	» » »	1493]
Eu2Os	2,48	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона. Вычислено	[2014]
					по данным [2095]	
	2,6	0,11		тэ	Тот же метод	)	
	2,6 ±0,2	22	—	тэ	Вычислено по (4) для оксида, активи- |	14931
					рованного прогревом в интервале тем- |	
					пер ату р 1723—1823 К	J	
	3,38	—	1700	тэ	Эффективная работа выхода	[97, 794]
	3,5	—	1850	тэ	» » »	[2095]
	3,60	—	1600	тэ	» » » |	Г ЛАО)
Gd,Oa	2,1	0,66	—	тэ	Метод прямой Ричардсона J	
	2,18	—	—	тэ	Тот же метод. Вычислено по данным	[2014]
					[2095]	
	2,2±0,l	274	—	тэ	Вычислено по (4) для оксида, активи- j	
					рованного прогревом при Т = 1723 К 1	[493]
	2,82	—	1600	тэ	Эффективная работа выхода	|	
	3,1	—	1850	тэ	»	»	»	J	[2095]
	3,11	—	1673	тэ	Эффективная работа выхода. Вычислено	[Ю1|
					по данным [1098]	
	3,29	—	1700	тэ	Эффективная работа выхода	[97, 794]
Tb»O,	2,1	0,22	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	
	2,3±0,l	197	—	тэ	Вычислено по (4) для оксида, активи-	14931
					рованного прогревом при Т = 1823 К '	
	2,94	—	1600	тэ	Эффективная работа выхода	
	3,3	—	1700	тэ	» » »	[97,794]
DVoOo	2,1	0,96	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	\	
2 3	2,25±0,15	406	—	тэ	Вычислено по (4) для оксида, активиро- 1	[4931
					ванного прогревом в интервале темпе- [	
					ратур 1723—1823 К	J	
	2,28	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона. Вычислено	[2014]
					по данным [2095]	
	2,75	—	1600	тэ	Эффективная работа выхода	[493]
	3,0	—	1850	тэ	» » »	[2095]
	3,18	—	1700	тэ	» » »	[97]
HOoOo	2,3	0,33	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	
	2,4 ±0,1	66	—	тэ	Вычислено по (4) для оксида, активи-	
					рованного прогревом в интервале тем-	[493]
					ператур 2073—2173 К	
	3,20	—	1600	тэ	Эффективная работа выхода	
	3,24	—	1700	тэ	» » »	[97]
Er»O<	2,4	0,76	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	
	2,4 ±0,2	88	—	тэ	Вычислено по (4) для оксида, активи-	
					рованного прогревом в интервале	[493|
					температур 2023—2123 К	
	3,0	—	1600	тэ	Эффективная работа выхода	
	3,33	—	1700	тэ	» » »	[97,794]
Tm2O3	3,27		1700	тэ	» » »	[97]
YbaO3	2,7	1,42		тэ	Метод прямой Ричардсона	]	
	2,7±0,l	121	—	тэ	'Вычислено по (4) для оксида, активи- >	[493]
					рованного прогревом при Т — 1723 К 1	
	2,75	—-	—	тэ	Метод прямой Ричардсона. Вычислено	[2014]
					по данным [2095]	
	3,3	—	1600	тэ	Эффективная работа выхода	[493]
	3,3	—	1850	тэ	» » »	[2095’
	3,39	—	1700	тэ	» » »	[97i
166
Химические соединения
Продолжение
		X СЧ I				03 СХ
		1 2	Температур-	к ~ О X	Примечания	
Оксид	ф, эВ	Q CM • |	ныв интервал			я Q,
			измерений, К			аз
		< X				
LllgOg	2,3	0,11	—.	тэ	Метод прямой Ричардсона	i	
	2,4 ±0,2	187		тэ	Вычислено по (4) для оксида, активи- 1 рованного прогревом в интервале тем- ( ператур 1823—1923 К '	[493]
	3,26	—	1700	тэ	Эффективная работа выхода	[97]
	3,86	—	1600	тэ	» » »	(493]
Hf02	2,0	—	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	[2095]
	2,82	0,49	1500—1900	тэ	Измерено тем же методом на активи- рованном оксиде	[92]
	3,13	—	1800	тэ	Спеченные из порошка образцы. Эффек- тивная работа выхода	[499]
	3,6	—	1900	тэ	Эффективная работа выхода	[2095]
	3,60	—	1300—2000	тэ	Порошок. Эффективная работа выхода при Т = 1500 К	[93]
	3,76	—	1300—1500	тэ	Оксид активирован 1 Метод прямой	[92]
	5,84	9.25-106	—	тэ	Оксид не активирован J Ричардсона	
Та.О, W0a	4,651 4,96/	—	—	—	—	[828]
wo3	6,15	—		КРП	Вольфрам прокален в течение несколь- ких часов в среде кислорода при — 10“7 мм рт. ст. Эталон — поликри-	[1016]
					сталлический вольфрам (qpw принята равной 4,54 эВ)	
ThO2	1,66	1,1.10-5	1350—1650	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона на активированном оксиде	(92]
	2,1-±6- ю~47	—	—	тэ	Вычислено по данным [191] для порошка на металлическом (Re, Мо, Та, Nb)	[463]
					керне	
	2,55 2,55	3,3 3,3	18001 0 /	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1245]
	2,57	7,9	0	тэ	» » »	[1958]
	2,60	2,45	2000	тэ	» » »	[588]
	2,6	—		тэ	» » »	[2014]
	2,67	5,62	0	тэ	» » »	[1304]
	2,7	—	—	тэ	Эффективная работа выхода	[590]
	2,71	21	1200—1350	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона на активированном оксиде	(92|
	2,74		——	тэ	Вычислено по (4)	[2014]
	2,8	160	—	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона для покрытия на W-ленте. 6 = 20	[561]
	2,8	—	—	ФЭ	—	[1733]
	3,06	—	1100—2000	тэ	Порошок. Эффективная работа выхода электрона при Т = 1300 К	[92]
	3,06	—	1800	тэ	Чистота оксида 99,8%. Эффективная работа выхода электрона вычислена авто- ром настоящей работы по данным [496]	
	3,07	—	1763	тэ	Эффективная работа выхода вычислена по данным [1098]	[101]
	3,1	—	1900	тэ	Эффективная работа выхода	[2095]
	3,4	—	1700—1800	тэ	Катафорезное покрытие толщиной около 12 мкм на 1г-ленте. Метод полного тока	[1258]
	4,7		——	—	—	[828]
	6,32	4,07-107	—	тэ	Измерено методом прямой Ричардсона	[92]
		—			на неактивированном оксиде	
uo2	3,094-2,1-IO”4?	—	—	тэ	Порошок	[1280]
Оксиды
167
Рис. 76. Зависимость работы выхода от
времени окисления свежей поверхности
магния [1230].
Рис. 75. Зависимость работы выхода при
ФЭ от экспозиции т в кислороде свежена-
пылениой Ве-пленки [1273J.
Рис. 77. Температурная зависимость работы выхода
при ТЭ для оксидов щелочноземельных металлов до
(/—3) и после (4—6) напыления на них атомов ба-
рия (при потоке 3,3 • Юп см 2 • с Ь [65]: /, 4 —
ВаО: 2, 5 — SrO; 3, 6 — СаО.
Рис. 79. Влияние электронной
бомбардировки на температур-
ную зависимость работы выхода
при ТЭ для SrO (/. /') и SrO -f-
4-Ba (2, 2'} [37]: I в 2 —необлу-
ченные образцы (по данным
[651); Г и 2' — образцы, под-
вергнутые бомбардировке элект-
ронами в течение 6 мин при
плотности тока 2 мА -см~*2 и
энергии электронов 600 эВ.
Рис. 78. Температурная зависимость работы выхода
при ТЭ для оксидов щелочноземельных металлов —
СаО (а) и SrO (б) — до (/) и после (2—4) напыления
па них молекул ВаО (при потоке 9 • 10п см - X
X с *) [66]. Кривые 2—4 соответствуют различным
циклам напыления.
Рнс. 80. Зависимость рас-
пределения работы выхода
при ТЭ на поверхности ВаО
от состояния катода [1848]:
а — измерено до <старення»
катода:
б — измерено после «старе-
ния» катода отбором тока
эмиссии при Т — 1200 К в
течение 48 ч.
Измерено методом прямой
Ричардсона, оксид нанесен
на подложку пульвериза-
цией.
Рис. 81. Температурная за-
висимость работы выхода
при ТЭ (стабильное со-
стояние эмиссии) для окси-
?1ов металлов 111—IV групп
941: 1 — Sc,©,; 2 — TiO.:
3 — Y Os; 4 — ZrO., 5 —
,La„O,; 6 — Hf©,.
168
Химические соединения
Рнв. 82. Температурная зависимость плот*
вост тока термоэмнссни для оксидов
тория (/) и иттрия (2) [284].
Рве. 83. Зависимость работы выхода ври
Т “ 1023 К от парциального давления
кислорода в системе Fc — О (Д — окисле-
ние, О —> восстановление железа) [1641].
Работа выхода определена методом КРП
(эталон — платина) для а - Fe (/j, Fej_ХО
(//), Fe,O« (III). Давление кислорода при-
ведено в атмосферах.
Рис. 84. Зависимость эффек-
тивной работы выхода при
ТЭ от атомной доли кисло-
рода в системе Zr — О:
а — по данным [1311];
б — по данным [1310] при
Т < 1780 К (/) и Т >
> 1780 К (2);
в — по данным [1609].
Рис. 85. Изменение работы выхода при АЭ для эпитаксиального слоя се-
ребра 11399];
а _ Ag-слой экспонирован в кислороде при Т, равной 273 (/), 373 (2), 473
(3) К:
б — предварительно окисленный слой восстановлен молекулярным водоро-
дом прн Т — 273 К. Окисление проводилось кислородом прн Т, равной 273
(/), 373 (2), 473 (3) К и pQt == IO-1 мм рт. ст. / — окисление, II — восста-
новление;
в — предварительно окисленный слой восстановлен молекулярным водородом
при Т — 273 К- Окисление проводилось при Т == 273 К оксидом азота (Tw q =
«» 1,7 • Ю* L) (/) и кислородом (Tq4 = 3-10* L) (2). I — окисление, //а—
восстановление.
Рис. 86. Зависимость работы выхода
прн ФЭ от экспозиции в кислороде
Сз-пленок [1262].
МОНОКРИСТАЛЛЫ
Окснд	Индекс грани	ф, эВ	Метод определе- ния ф	Примечания		Литерату- ра
MgO	—	3,55+3,0- Ю-4?	ТЭ	Очищенный монокристалл		[1850]
TiO2	(110)	3,7	КРП	Образец прогрет при Т = 593 К	Измерено при Р <	
	(ПО)	5,51	КРП	Чистая поверхность	< 10~10 мм рт. ст. Эта- лон — платина	[996]
veo13	(ОТО)	-6,1	КРП	При бомбардировке электронами с энергией 70 эВ V2O5 -> -> VeOls. Эталон — золото (срАи принята равной 5,22 ± ± 0,05 эВ)		[1267'
VA	(010)	4,5±0,2	КРП	^.Образец очищен при Р — 1О~10 мм рт. ст, Эталон — кремний		[1184]
Оксиды
169
Продолжение.
Оксид	Индекс грани	ф, эВ	Метод оп- ределе- ния ф	Примечания	Литера- тура
VA NiO Cu»O ZnO NbO CeO,	(010) {125} {Ш} (0001) (0001) (oooT) (0001) (loTb) {100} {111}	6,712 ±0,083 5,43—1,2- 10^T 4,76 ±0,06 3,15±0,15 5,01 3,91 4,85±0,15 5,0 ±0,2 6,45 -9,45 2,2 ±0,11 2,6 ±0,1 J	КРП тэ КРП АЭ АЭ АЭ ФЭ ФЭ ТМ АЭ	Образец очищен при Р = 10“10 мм рт. ст. Эталон — золото (ф Au принята равной 5,22 ± 0,05 эВ) Точность измерения в интервале температур 1500—1800 К составляет ±0,02 эВ Эталон — молибден Измерено методом прямой Фаулера — Нордгейма при Р — 10~~10 мм рт. ст. Игольчатые монокристаллы Измерено методом прямой Фаулера — Нордгейма при Р = = 10“10 мм рт. ст. Образец очищен прогревом при Т= 300 К, Р < 10~10мм рт. ст. Определено по спектру аргона, введенного в NbO-матрицу Рассчитано в предположении, что заряд иона ниобия равен (+1), а иона кислорода — (—1) Измерено на нитевидных монокристаллах методом прямой Фаулера — Нордгейма при Р = 5 • 1О“10 мм рт. ст.	[1267} [15541 [9341 [15651 [15641 [1565J [17011 [1940} [770, 7721
Рис. 87. Температурная зависи-
мость работы выхода при ТЭ для
грани {110} различных образцов
монокристаллов ВаО (/—S) и SrO
(4—6) [423].
СМЕШАННЫЕ ОКСИДЫ
Оксид	Ф« эВ	А, А-см~2Х X К“2	Температур- ный интер- вал измере- ний, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
(Са, Sr)O (Са, Sr, Ва)О SnOo-SbOs BaO-J-SrO-f-CaO ВаО-|~СаО	-1,6 1,10 ±0,05 1,3 1,47 (1,15±0,03)+(4,5± ±0,5). Ю-4? (1,1 ±0,03)4-(4,5± ± 0,5). IO”4? 5,15±0,02 1,9	4,64	770 1025 565—750 600—1000 0	ТЭ ТЭ км тэ тэ тэ КРП тэ тэ тэ	СаО : SrO = 3:2 (мол.) Эффективная работа выхода Р = 10“8 мм рт. ст. Молекулярно-напыленная пленка окси- дов состава 10 : 43 : 47 на сапфировой подложке. Эффективная работа выхода электрона при Т = 900 К Покрытие на Pt-кер не Катод в Покрытие на керне из Ni-спла- ва с присадкой кальция	„ (0,06%)	J баРия Покрытие на стекле Измерено методом прямой Ричардсона на смеси состава ВаО : SrO : СаО = = 43 : 43 : 14 Максимум эмиссии при составе ВаО: SrO : СаО = 47 : 43 : 10 Максимум эмиссии при ВаО : СаО = = 3:2	(453) [641 [1610J [4201 [6191 [9381 [20181 [12651 [1264J
170
Химические соединения
Продолжение
Оксид	Ф, эВ	X сч 1 Z О(М < X	Температур- ный интер- вал измере- ний, К	Метод опре- деления Ф	Примечания		Литература
(Ba, Sr) О	0,98		.	——	ТЭ	Рассчитано по данным измерений ФЭ		[1634]
					для покрытия на Ni-керне		
	1,09	1,09	 '	тэ	Катод прогрет при Т = 1073 К в тече- ние 458 ч без пропускания тока. Метод		[1397]
					прямой Ричардсона		
	1,2	~1		тэ	Тот же метод		[829]
	1,20 ±0,05	—	0	КРП	Эталон — вольфрам		[64]
BaO+SrO	0,71	7-10“2	0	тэ	Метод прямой Ричардсона		[1674]
	0,93	5-10“2	0	тэ	Тот же метод для оптимально активиро-		[1703]
					ванной смеси		
	1,01	4,8-10“2	0	тэ	Тот же метод		[1286]
	1,02	10~2	0	тэ	» > »		[1443]
	1,04	Ю-3	0	тэ	> > »		[1456]
	L1		0	тэ	—		[1065,
							1596,
							1809]
	1,14	9-10~2	0	тэ	Метод прямой Ричардсона		[1675]
	1,2	—	0	тэ	—		[2010]
	1,24	1,2-10—2	0	тэ	Метод прямой Ричардсона		[1372]
	1,3	10-3	0	тэ	» » »		[1Н9]
	1,37	— М	0	тэ			[1705]
	1,4		0	тэ	—		[2018]
	1,42	1,8- IO'1	0	тэ	Метод прямой Ричардсона		[1842]
	1,5		1000	тэ	Эффективная работа выхода		[2096]
	1,51	ОМ»	0	тэ	—		[1106]
	1,8		1000	ФЭ	—		[2014]
	2,1	1,1	0	тэ	Измерено на неактивироваиной смеси		[1703]
					методом прямой Ричардсона		[1976]
	—	—	—	тэ	Максимум эмиссии при ВаО = 3:7	: SrO =	
							
	—«		——	тэ	То же при ВаО : SrO =7:13	-	[1264]
Y2O3—HfO8	2,87	—	1800	тэ	Смесь оксидов состава Y2O3	HfO2 =	[787]
					= 1:1 (мол.) представляет собой твер- дый раствор. Образцы спечены из порош-		
					ка. Эффективная работа выхода		
La 2O3-|-Pr 2O3±-	3,03	—	1673	тэ	Состав (%): La2O3 45,5; Рг2Оз 11; NdaO3		|Ю1]
+NanO3-|-0KCHAH					38; прочие оксиды 5,5. Эффективная ра-		
прочих РЗМ					бота выхода вычислена по (1098]	данным	
(Ьа2Оз4-Рг2Оз4~	2,98	—	1673	тэ	Состав (%): смесь оксидов РЗМ 70, ThO2		(102)
4-Nd2O3-j-					30. Эффективная работа выхода	вычисле-	
-[-оксиды прочих					на по данным [1098]		
P3M)+ThOt					Состав (%): СегОз 45; La2Os 25; Nd2O3		
Ce.,O34-La2O3-[- 4-Nd,O3+PrA+	3,34	—	1673	тэ			|Ю2]
					17,9; Pr2O3 5,7; оксиды РЗМ 8,9. Эффек-		
4- оксиды прочих					тивная работа выхода вычислена по		
РЗМ	2,93	--	1673	тэ	данным [1098] Состав (%): Gd2O3 50; LaaO3 50	Эффек-	
Gd2O3-j-La2O3	2,99	—	1673	тэ	Состав (%): Gd2O8 75; La2O3 25	тив-	
						ная ра- бота выхода вычис- лена по данным [1098]	[101]
							
							
рГб°ц—Т1102	2,93	—	1800	тэ	Смесь оксидов состава Рг0Оп	ThO2 =	[499]
					= 1:1 (мол.) представляет собой твер- дый раствор. Образцы спечены из по-		
					рошка. Эффективная работа	выхода	
Оксиды
171
Продолжение
Оксид	<Р. эВ	А, А -см 2Х ХК“2	Темпера- турный интервал измере- ний. к	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
SrrioOg + Gd2O3-|- + оксиды прочих РЗМ	3,39		1673	ТЭ	Состав (%): Sm2O3 47; Gd2O3 25; оксиды РЗМ 28. Эффективная работа выхода вычислена по данным [1098]	[102]
Рис. 88. Зависимость эффектив-
ной работы выхода прч ТЭ в си-
стеме YjO3 — La, О, от молярной
доли 1.3,0, [499].
СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ
Оксид	Ф« эВ	А, А • см 2х х к-2	Температур- ный интер- вал измере- ний, К	Метод опре- деления Ф	Примечания	Литература
Никелиат лития
NiO.LiOa	(4,6—4,9) ±0,03	—.		КРП	Спеченные таблетки. Эталон — зо- лото	[1647]
			Алюминаты			
ЗВаО-0,5СаО-А1аО3 2,5ВаО 1,5СаО’А12О3 ЗВаО- 1,5СаО’А1аО3 ЗВаО«А12О3	1,31 Ц-5,5 X ХЮ~4Т 1,40+5,1 X ХЮ“4Г 1,63+4-10-4 Г 2,0 2,1—2,7 1,67+3,2 X X ю~4 Т 1,30+5,55 X ХЮ-4? 1,37+4,76 X Х10~4Т 1,7 2,36 2,36	0,2 0,31 2,4 2,3 0,19 0,47 1,8	1000— 1600 1300 1000 1273	ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Пористость покрытия импрегниро- ваиного катода 45% То же 30% Распределительный катод Прессованный катод. Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Пористость покрытия импрегниро- ванного катода 17% То же 25% j То же 22% | Метод прямой Ричардсона Катафорезное покрытие на W-ленте. Эффективная работа выхода То же для активированного алюми- ната	[1030] [979] [613] [157] [258, 441] [1523] [979] [258, 441] [507] [509]
			Скандаты			
BaO-Sc.,0.1 2BaOCaO-2Sc2Q3 3BaO-2Sc2O3	3,01 -1,8/ -1,3-1,4	—	1373	тэ тэ	Покрытие на металлическом керне. Эффективная работа выхода Покрытие на металлическом керне. Измерено методом прямой Ричардсо- на для хорошо активированного ка- тода	[877] [5081
172
Химические соединения
Продолжение
Оксид	Ф, эВ		X 1 5=4 < < X	Температур- ный интер- вал измере- ний, К	Метод опре- деления ф	Примечания		Литература
ЗВаО-25с2О3	-2,0		—	1373	ТЭ	Покрытие на металлическом керне. Эффективная работа выхода		[877]
	2,05		——	1000	тэ	Катафорезное покрытие на W-ленте. Эффективная работа выхода		[507] [509]
	2,05		—	1273	тэ	До же для активированного катода		
				Титанаты				
ВаО-ТЮ Fe2O3«TiO2	4,48 ±0,03] 4,58 ±0,03				-	КРП	Спеченные таблетки. Эталон — золо-		[1647]
ZnO’TiO2	4,37±0,03							
	4,2-5,1		—	—	КРП	Керамика на основе монокристаллов		[324]
						титаната бария, легированных лан- таном (атомная доля до 0,2%). Эта-		
						лон — золото. Значение ср зависит от температуры, состава газовой		
						среды и степени легирования		
				Ниобаты				
Li2O« Nb2OB	1,1		——	—	тэ	Минимальная работа	выхода для	[2151]
						монокристаллического	ниобата	
	1,1 ±0,1		—	600—1000	тэ	Образцы прогреты 1 при Т 1300 К в 1	Измерено ме-	
						электрическом поле 1	то дом	
						напряженностью	прямой Ри-	[771]
						5 кВ • см-1	чардсона при	
	1,8 ±0,1		—	>1000	тэ	Значение <р не зависит	Р « 10~7 мм	
						от знака напряженнос- ти поля	рт. ст.	
	2,2±0,l		—	—	тэ	Вычислено по (4) для образцов, прогретых при Т > 1000 К		[773]
	2,7 ±0,1		 	600—1000	тэ	Измерено методом прямой Ричардсо-		[771]
						на при Р 10 7 мм	рт. ст. на об-	
						разцах, прогретых при Т 1300 К в электрическом поле напряжен-		
						ностью —5 кВ • см 1		
5BaO-Nb206	2,42		——	1200	тэ	Эффективная работа выхода		[96]
Иттербиат бария
ЗВаО2¥Ь2О3	|	3,0			1 ТЭ	1 Покрытие на металлическом керне. 1	[877]
			|	1373		1 Эффективная работа выхода	|	
Га фиаты бария
2BaO-HfO2	1,57 2,20	7,5-10-1	1250	ТЭ ТЭ	Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода
3BaO-HfOa	1,49	5,4.10-1	<—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона
	2,18	—	1250	ТЭ	Эффективная работа выхода
5BaO-HfO2	1,42	1,15-10“’	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона
	2,17	—	1250	ТЭ	Эффективная работа выхода
7ВаО«Н1О2 a	1,35	6,4-10“2	——	ТЭ	Метод прямой Ричардсона
	2,16	—	1250	ТЭ	Эффективная работа выхода
Танталаты
[98]
3BaO-SrO-CaO-Ta2O6
2BaO-2SrO»CaO«Ta2O5
2,551
2,51)
1200
Эффективная работа выхода
[96]
Оксиды
173
Продолжение
Оксид	<P. эВ	X о сч •€ х	Температур- ный интер- вал измере- ний, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
ВаО« 3SrO- СаО- Та2О5 4SrO«CaO’Ta2O6 СаСМВаО-Та2О8 2ВаО- SrO- 2СаО- Та2О5 BaO-2SrO-2СаО-Та,О5 3SrO-2CaO-Ta2O8 BaO-SrO-3CaO-Ta2O5 2SrO-3CaO- Та2О5 ЗСаО ’ 2ВаО • Та2О5 SrO-4CaO*Ta2O8 4СаО-ВаО* Та2О8 5СаО«Та2О5 4BaO«SrO«Ta2Os 3BaO-2SrO-Ta2O8 2BaO-3SrO-Ta208 BaO-4SrO-Ta2O8 5SrO-Ta2O6 BaO-Ta2O8 2BaO-Ta2O8 3BaO-Ta2O8 4BaO*Ta2O8 4,5BaO- Ta2O5 5BaO-Ta2O5 7BaO-Ta2Ob 9BaO-Ta2O5 7BaO-3Ta2O8 3BaO-7Ta2O8	2,66) 2,83 2,63 2,66 2,67 2,99 2,62 3,05 2,69 3,06 2,78 2,98 2,48 2,51 2,60 2,63 2,82 3,18 2,75 2,48 2,51 2,44 1,08 1,10 1,15 1,22 2,15 2,16 2,16 2,25 2,39 2,72 2,79 2,36» 2,37 2,71 3,49/	2,09-10“5 1,07-10“5 7,0-10*^ 1,0-10“3	1200 900 1000 1273 900 1200 1200 1200 1200	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Эффективная работа выхода Покрытие, спеченное п на воздухе	* Покрытие,	е спеченное	Метод пря- в водороде	J	мой ричард. Покрытие,	сона спеченное п		 на воздухе	°Р ок Покрытие, спеченное в	к водороде Покрытие, спеченное в водороде. По- рошок на Та-керне. Эффективная работа выхода Катафорезное покрытие на W-ленте. Эффективная работа выхода То же для активированного состоя- ния Покрытие из порошка на Та-керне, спеченное на воздухе. Эффективная работа выхода Эффективная работа выхода Покрытие,	спеченное	Порошок на на воздухе	W-керне. Покрытие, спеченное	Эффектив- в водороде	ная работа выхода Эффективная работа выхода	196] [951 (951 [304] [309] [95] [96] [95] [96]
Вольфраматы
0,5СаО-2,5ВаО- WO3	1,18 2,38	3,80-IO"4	1100	тэ тэ	Метод прямой Ричардсона «Эффективная работа выхода
BaOSrO-CaO- WO3	1,52	4,07- 10~3		тэ	[Метод прямой Ричардсона
	2,50	——	1100	тэ	Эффективная работа выхода ,
(951
174
Химические соединения
Продолжение
Оксид	Ф, эВ	X СЧ 1 5 04 ** L < X	Температур- ный интер- вал измере- ний, К	Метод опре- деления q>	Примечания	Литература
2SrOCaOWO3 CaO-2BaO-WO3 !,5SrO-l,5CaO-WO3 1,5СаО-1,5ВаО-WO3 SrO-2CaO-WO3 2CaO-BaO-W03 3CaOAVO3 2,5BaO-0,5SrO-WO3 2BaO-SrO-WO3 1.5BaO-l,5SrO-W03 BaO-2SrO-WO3 3SrO-WO3 BaO-WO3 2BaO-WO3 3BaO-WO3 2BaO- WOH-BaO- WO3 3BaO- WOt-|-2BaO. WO3 BaCO3-j-4BaO-W03	1,58 2,88 1,33 2,40 1,68 3,00 1,55 2,70 1,77 3,17 1,99 2,89 2,13 3,36 1,11 2,3a 1,25 2,37 1,49 2,61 1,82 2,83 1,85 3,19 2,27 3,34 1,85 2,76 1,02 1,10 1,18 1,20 1,25 2,42 2,52 2,52 2,55 2,82 1,94 3,05 1,75 2,55 1,32 2,08	1,35-10“4 1,35-10“* 1,26-10“4 4,26-10“4 5,75-10“5 8,70-10“3 2,82-10“4 2,57-IO”4 7,60-10“4 6,76-10“4 4,80- IO”3 9,14-10“5 1,66-10“3 9,77-10“3 3,99-10“5 1,09-10—3 1,13-10“3 1,07-10~5 3,39-10“5 3,55-10“3 2,40-10“2 3,98-10“2	1100 1100 1100 1100 1100 1100 1100 1100 1100 1100 1100 1100 1100 1100 1100 1200 1200 1200 1200 1100 1100 1100	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Покрытие, Cn^.nnnt Порошок в водороде	% Покрытие, спеченное	н	Метод на воздухе	прямой Покрытие,	Ричард- спеченное	сона в водороде Порошок Покрытие, » W спеченное	н на воздухе Эффективная работа выхода » » » Покрытие,	1	1 спеченное п	к 1 на воздухе	на	Эффек. Покрытие,	керНе	тивная спеченное	р	работа в водороде	J Покрытие из порошка на W-керне, спеченное на воздухе	i Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода	[95] [96] [95]
Оксиды
175
77 родолжение
Оксид	ф, эВ	X сч 1 2 о сч т L	Темпера- турный ин- тервал из- мерений, К	Метод опре- деления <р	Примечания		Литература
ВаСО34-5ВаО- WO3	1,33	8,52-10~2		ТЭ	Метод прямой Ричардсона		
	2,00	—	1100	тэ	Эффективная работа выхода		[95]
BaC03+9BaO-W03	1,27	4,81-1 О’"1	 	тэ	Метод прямой Ричардсона		
	1,80	—	1100	тэ	Эффективная работа выхода		
Ренаты бария
Ba0-Re207	1,69 2,94	1,1 • io—3	1250	ТЭ ТЭ	Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода		
2BaO-Re2O7	1,43 2,68	1,1-10~3	1250	ТЭ ТЭ	Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода		
3BaO-Re2O7	1,57 2,57	1,1-10-1	1250	ТЭ ТЭ	Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода		[98]
5BaO-Re2O7	1,67 2,44	1,15-10—2	1250	ТЭ ТЭ	Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода		
7BaO-Re2O7	1,51 2,38	7,4-10—2	1250	ТЭ ТЭ	Метод прямой Ричардсона Эффективная работа выхода		
Рис. 89. Температурная зависимость работы выхода при ТЭ для:
а — прессованно-пропитанного алюминатного катода (алюминат состава ЗВаО •
• 0,5 СаО • A1?OS) на основе обычного (/) и сферического (2) порошка вольфрама
[676];
б — импрсгнированных катодов разных типов (обозначены различными точками) на
основе пористой вольфрамовой матрицы, пропитанной смесью алюминатов бария и
кальция [1282].
Рис. 90. Температурная зависимость работы	Рис. 91. Температурная зависимость ра-
выхода при ТЭ для ниобата бария состава	боты выхода при ТЭ для гафната бария
5ВаО • NbtO» [96].	состава 2ВаО - НЮ, [98].
176
Химические соединения
Рис. 92. Температурная зависимость
работы выхода при ТЭ для танга-
лата бария состава 5ВаО • TtOt:
а — по данным [95]: покрытие на воль-
фраме спечено в водороде (/) и на воз-
духе (2); покрытие на тантале спечено
в водороде (2) и на воздухе (4);
б — по данным [96].
Рис. 93. Концентрационная зависимость
эффективной работы выхода при Т =
= 1200 К для танталатов бария состава
(ВаО)д • (TatO.)m [96].
Рис. 94. Температурная зависимость ра-
боты выхода прн ТЭ для основного воль-
фрамата бария состава ЗВаО • WO, [951:
а — катод активирован при температуре
1600 (/), 1600 с отбором тока (2), 1700
(3), 2000 (4) К;
б — катод изготовлен по различной тех-
нологии: покрытие на вольфраме спечено
в водороде (/) и на воздухе (2); покрытие
на тантале спечено в водороде (3) и на воз-
духе (4).
X 10—7мм рт. ст. для вольфраматов состава W 4* Ва^Сад 55 WO,
й	Рис. 95. Термоэмисснонные свойства
и	вольфраматов бария:
,	4	а — зависимость работы выхода от содер-
2,	——	— жання щелочноземельного металла (Me)
7"*	в вольфраматах [1788]: 1 — ВахСа3_ XWO.,
2 — BaxSr3_xWO,;
।	б — температурная зависимость работы
rm тк выхода для вольфраматов [1788]: 1 —
1,13 /J/J	w _f_ BaaCa0 55WO,. ЗА1 (7:3,	об.),
2 — BajCaQggWO,;
в — температурная зависимость работы выхода при различных
значениях парциального давления воздуха р для вольфраматов
[1788,	1789]: W 4- Ba2Ca0<55WO.  Al (7 : 3, об.):	1 — р “
= 3* 10—7 мм рт. ст.; 2—р=2- 10—6мм рт. ст.; W 4- Ba^CagssWO,
(9:1, об.): 3 — р = 3 • 10—7 мм рт. ст.; 4 — р = 2-10—6 мм
рт. ст.;
г — температурная зависимость работы выхода при Р 2 X
содержании вольфрама [1788]: 1 — 0, 2 — 10, 3 — 20, 4 — 30, 5 — 70*
6 — 90% по объему; д — температурная зависимость работы выхода при Р == 3 • 10 7мм рт. ст. для вольфраматов состава
4- BajCag ssWO, • Al с содержанием алюминия [1788]: J — 0, 2 — 3, 3 — 6% по объему.
W 4-
Рис. 96. Зависимость плотности тока термоэмиссии от содержания
вольфрамата в системе W — Ba2CaWO( [1790].
0	30	ООО,%	900 1000 UQD 1200 Т,К
Рнс. 97. Температурная зависимость работы выхода при ТЭ для
рената состава 7ВаО • Rc2OT [98].
Алюминиды
177
ГАЛОГЕНИДЫ
Галогенид	Ф, эВ	Метод определе- ния ф	Примечания	Литера- тура
Ag2F NaCl КС1 FeCl3 AgCl SnCl2 CsCl AgBr CsBr KI Agl CsI BiOCl BiOBr BiOI	-5,49 -5,54 — 4,2 3 5 7—8 8,0 6,6 4,0—5,28 4,79 ±0,07 -2,25—2,35 7,4—7,7 3,7—5,14 2,9 7,1 7,1 2 4 4,25 6—7 7,0 3,0—4,92 2 -2,45—2,6 3,2—3,5 4 6 6,1 6,5 6,5 6,4±011] 6,3±0,l 6,0±0,l	ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ КРП тм ФЭ ФЭ тэ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ тм тэ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ	Найдено по кривым энергетического Кристаллы получены элек- распрсделения электронов	тролизом водного раствора Определено по порогу фотоэмиссии фторида серебра Эмиссия стимулирована лазерным ] излучением с длиной волны л = 1 = 347,2 нм	I -г То же, X = 694,3 нм	Тонкая и™аРа«вая "”“ва То же, А = 1060 нм	1 Проводящее покрытие на пирексе. Измерено при Р= 10“10 мм рт. ст. Эталон — золото (срАи принята равной 4,83 ± 0,07 эВ) Оценочная величина, полученная на основании данных экспери- ментов по адсорбции цезия на хлорированном W-монокристалле Определено по порогу фотоэмиссии Толстый слой на Al-подложке } Определено по порогу фотоэмиссии Эмиссия стимулирована лазерным излучением) с длиной волны £ = 347,2 нм	нал пленка То же, X = 694,3 нм	яая пленка Слой напылен на подложку с А1-покрытием Эмиссия тонкой испаренной пленки стимулирована лазерным излучением с длиной волны X = 1060 нм Эмиссия тонкой испаренной пленки стимулирована лазерным излучением с длиной волны А = 347,2 им Оценочная величина, полученная на основании данных экспери- ментов по адсорбции цезия па иодированном W-монокристалле Эмиссия стимулирована лазерным излучением с длиной волны л = 694,3 нм	Тонкая испарен- То же, А = 1060 нм	ная пленка —1  Определено по порогу фотоэмиссии Толстый слой на А1-подложке Монокристаллы оксигалогенидов висмута	[1424] [767] [1539] [61] [767] [1037] [1179] [659] [767] [1] [659] [1539] [984] [1539] [767] |1539] [1179] UJ [1539] [659] [1] (76]
АЛЮМИНИДЫ
Алюминид	Ф 1300 к, эВ	dy/dl, эВ-К-1		Примечания	Литература
v5ai8	3,66	4,33-10“3]			
Zr5Al3	2,93			Спеченный на подложке порошок обезгажен прогре-	
ZrAl3	3,30	1,93-10“3		вом при Т = 1400—1500 К Измерено методом полно-	[269]
NbAl3	3,42	4,3-10“'’		го тока при Р — 10 мм рт, ст. _	
T-AI3	3,06				
12 15*о
178
Химические соединения
Рис. 98. Температурная зависимость работы выхода при ТЭ
для алюминидов VsAle (/); NbAl, (2), ZrAi, (3); ZrtAla (4); TaAl,
(5). Покрытие из порошка на подложке прогрето при Т =- 1500 К
в течение 24 ч [269].
СИЛИЦИДЫ
Силицид	ф, эВ	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
Ti5si3 TiSi TiSia VBSb Cr3Si Cr5Si3 CrSi CrSi2 Fe«Si:« Ge0.46S10,54 ^eO.3^’o,7 ^eo,2^io,8 YSi2 ZrSi2	3,67+2-KT4 7 3,69 ±0,06 3,71 3,81+4,20-10~4 T 3,99 ±0,06 3,95 3,97+1-10~4T 4,10 4,18±0,06 4,05+1,2-10-4 T 4,15 2,35+6,33-10-4 T 4,06 3,49—5,8-10~5T 3,78-1,2-10~4 T 4,02 4,47] 4,42} 4,45) 3,26-7,5-10-4 T* 3,95-5-10“4 T 3,95 4,57	1500—1850 300 300 1500—1850 300 1100—1400 1500—1850 300 300 1530—1980 300 1100—1400 300 1200—1400] 1200—14501 300 1100—1600] 1200—1900) 1100—1400 300	ТЭ КРП КРП тэ КРП тэ тэ КРП КРП тэ КРП тэ КРП тэ КРП ФЭ тэ тэ КРП	Спеченные в вакууме образцы со- става (% по массе): Ti 72,8—74,1; Si 25,2—26,0 Образцы того же состава. Эталон— вольфрам То же Спеченные в вакууме образцы со- става (% по массе): Ti 62,1—64,0; Si 35,7—36,7 Образцы того же состава. Эталон — вольфрам Метод полного тока Спеченные в вакууме образцы соста- ва (% по массе): Ti 46,2; Si 52,9 Те же образцы. Эталон —вольф- рам Спеченные в вакууме образцы соста- ва (% по массе): Ti 46,1; Si 53,2. Эталон — вольфрам Такие же образцы состава (% по массе): V 75,9; Si 23,7 Те же образцы. Эталон — вольф- рам Порошок Спеченные в вакууме образцы соста- ва (% по массе): Сг 75,2; Si 24,0. Эталон — вольфрам Порошок Спеченные в вакууме образцы соста- ва (% по массе): Fe 76,4; Si 23,5. Эталон — вольфрам Эпитаксиальные кристаллические пленки толщиной 1—50 мкм на подложках из {111} Si. Р = 10“9 мм рт. ст. Порошок Метод полного тока Спеченные в вакууме образцы соста- ва (% по массе): Zr 62,4; Si 37 3. Эталон — вольфрам	[731,739] [647] [731,739] [739] [647, 739] [273] [739] [647] [731] [292] [731] [292] [731] [1227] [292] [273] [739]
» Среднее для данного интервала температур значение коэффициента работы выхода.
Пниктиды
179
Продолжение
Силицид	Ф, эВ	Температур- ный интервал измерений, К	Метод опре- деления <р	Примечания	Литература
NbSi2	4,34—5,25- IO”4 T	1300—1700	ТЭ	Порошок	[292J
MoSio	3,55	1100—1400	ТЭ	Метод полного тока	[273J
л	3,7	1663—1700	ТЭ	» » »	[496]
	4,02—5-10“~4 T	1100—1800	ТЭ	Порошок	[292J
	4,7-2,8	—	ТЭ	Очищенная от цезия поверхность в	[1994J
				присутствии паров цезия	
	4,73		тэ	Силицид без примесей	[1993]
HfSi2	4,51	•	КРП	Спеченные в вакууме образцы соста-	[739]
				ва (% по массе): Н1 75,2; Si 23,6.	
				Эталон — вольфрам	
TaSL	4,28—3,8-1 O'4 T	1400—1900	тэ	Порошок	[292]
	4,7	——	тэ	Очищенная от цезия поверхность в	[1994]
				присутствии паров цезия	
	4,71	—	тэ	Силицид без примесей	[1993]
WSi2	4,04—4,67-10~4 71	1200—1800	тэ	Порошок	[292]
	4,05	——	тэ	Очищенная от цезия поверхность в	[1994]
				присутствии паров цезия	
	4,62	—	тэ	Силицид без примесей	[1993]
(WS i g)Oj 9 (BaSi 4)0 д	2,154-1,1-10"4 T	—	тэ	—	[883]
ReSi2	4,02—2,67- 10~4 T	1200—1900	тэ	Порошок	[292]
USi2	3,014-2,1-lO^4?)		тэ	»	[1280]
USi3	3,224-1,1 -IO"4 TJ				
9,эВ
ЗА
Рис. 99. Температурная зависимость работы выхода при ТЭ
для силицидов переходных металлов CraSi (/), CrSi (2), CrSi, (3),
VSi» (4), ReSia (5). Измерено на покрытиях из порошков [292]. jp
&\_______________
1000 1200	1400	1600 1800 TtK
ПНИКТИДЫ
ПОЛИКРИСТАЛЛЫ
Пниктид	ф, эВ	Метод определе- ния ф	Примечания	Литература
GaAs	Ы-1,2	КРП	Арсениды Эпитаксиальные пленки арсенида, активированного цезием и кислородом. Пленки прогреты в сверхвысо- ком вакууме	[448]
12*
180
Химические соединения
Продолжение
Пниктид	ф, эВ	Метод определе- ния ф	Примечания			Литература
GaAs ^aO,82^nO,lS^S GaAs— Al, rGa_As д'" Л	A	4,10->3,90 4,15 4,3->4,24 4,36 4,5 4,69 1,05 ±0,02 (1,12—1,25)±0,02	ТЭ тэ ФЭ ФЭ КРП ФЭ КРП КРП ФЭ	Полупроводник л-типа. изменении концептраци] до ~ 1019 см-3 Полупроводник р-типа Полупроводник п-типа. изменении концептраци! до ~1019 см-3 Полупроводник р-типа Эпитаксиальные пленкг цезием и кислородом, bi Измерено методом Кель мм рт. ст. Р st Ю~8 мм рт. ст. Оптимально активиро- ванный катод «Состаренный» про- гревом в интерва- ле температур 373— 473 К в течение не- скольких минут ка- тод Оптоэлектронный холо режиме / = 3 А • см" = 0,4 А • см“2	Значение ф изменяется при д носителей тока от 4 • 1016 Значение ф изменяется при д носителей тока от 4 • 1015 арсенида, активированной сращены на грани {100} GaA. вина при Р ~ (1—5) • 10“1 Метод Кельвина. Эталон — система Gain As Cs, значение ф которой опрс делено по длинноволновой границе фотоэффекта диый катод. В импульсное -2 , в статическом — ] =	3 S. 0 к. 4 1	[40] (6051 [13011 [2066J [17791
Стибиды
Na ,Sb	3,2	ФЭ	| Пленка на W-ленте	(1121
Na-Sb	2,0	ФЭ	Пленка толщиной 1,0—2,0 мкм на стекле	[13731
Na2KSb	1,8	ФЭ	•—	[1846]
	1.9	ФЭ	•—	[663]
	2,0	ФЭ	—	[601]
CsNa2KSb	1,1 —1.2	ТЭ	•—	[663]
	(14—1,4)4- +(1,3—3,9)  10~3 T	ТЭ	——	[1400]
				
	1,2	ФЭ	—	[1846]
	(1,37—1,4)+ +(2—4) • 10-3 T	ТЭ	Измерено в интервале температур 293—343 К	[1401]
	1.5	ФЭ	•—	[601, 663]
	-1,55	ФЭ		[1854]
Sb—Rb—Na Sb—Na—Cs	1,81 1,5 J	ФЭ	— -	[240]
MggSbj	3,8	ФЭ	Пленка на W-ленте	[Н2]
KCsRb2Sb	1.8	ФЭ	•—	[1143]
K2CsSb	1,32	ТЭ	—	[1142]
	l,52±0,01	ТЭ	Эффективная работа выхода 1 Измерено при Т =	[1078]
	1,56±0,03	КРП	— / = 298 К	
	1,80	ФЭ	—1 '	[И42]
Sb-K	(1,1—1,4)+ +(1,3—3,9) -IO-3 T	ТЭ	——	[1400]
	1.6	ФЭ	Пленка толщиной 1,0—2,0 мкм на стекле	[1373]
Cu3Sb	4,13	TM	Вычислено по (55) 1	Г1691
	4,26	TM	Вычислено по (54) /	110ZJ
Cu2Sb	4,16	КРП	Эгалон — золото, откалиброванное по сверхчистой ртути (ф^ принята равной 4,5 эВ)	[541]
Zn ,Sb2	3,661	КРП	Соединения получены сплавлением особочистых ме-	[539, 540]
Zn4Sb3	3,78]		таллов в вакууме с последующей термообработкой для	
			получения равновесной структуры. Эталон — сверх- чистая ртуть (<pHg принята равной 4,50 эВ)	
	3,79	КРП	То же	[540]
Пниктиды
181
Продолжение
Пниктид	<p, эВ	Метод определе- ния <p	Примечания			Литература
Zn4Sb3	3,91	ТМ	Вычислено по (55) 1			1 1 АОЭ
	3,97	тм	Вычислено по (54) /			
ZnSb	3,94	крп	Эталон — сверхчистая 4,50 эВ)	ртуть (<pHg принята	равной	[539, 540[
	3,97	тм	Вычислено по (55) 1			
	4,06	тм	Вычислено по (54) )			[162]
GaSb	4,85 ±0,08	ФЭ	Полупроводник /г-типа	Найдено по кривым	энерго-	
	5,0 ±0,05	ФЭ	Полупроводник р-типа	тического распределения		[1928]
				электронов		
(Cst Rb)3Sb	0,16+3,65-10-3 T	тэ	Измерено в интервале температур 293—323 К			[358]
	(1,1-1,4) +	тэ		—		[1400]
	+(1,3—3,9)-10“3T l,23+(2—4)-IO""3 T	тэ				[1401]
	1.4-1,7	тэ	Полупроводник р-типа			[389]
	1,40—1,76	тэ	Метод прямой Ричардсона			[388]
	— 1,65	ФЭ		—.		[358]
Sb—Rb	1.4	ФЭ	Пленка толщиной 1,0—2,0 мкм на стекле			[1373]
Sb—Rb—Cs	1,25	тэ	Фотокатод сенсибилизирован кислородом			[1402]
CdSb	4,04	тм	Вычислено по (55)1 Вычислено по (54)/			[162]
	4,19	тм				
InSb	3,74 ±0,2 3,94±0,13	ФЭ] тэ/		—•		[1805]
	4,04 4,10	тм тм	Вычислено по (55)1 Вычислено по (54) /			[162]
	4,42 ±0,05	КРП	Эталон — золото (<рАи принята равной 4,92 эВ)			[396]
	4,57	ФЭ	Р — 10~8 мм рт. ст.			[1301]
SnSb	4,17 4,18	тм тм	Вычислено по (55)1 Вычислено по (54)/			[162]
Cs3Sb	I I Re- сл cn	ТЭ) ФЭ/		—		[1595]
	— 1,6	тэ	Полупроводник р-типа			[1060]
	1,65	тэ	Тот же образец при адсорбции на его поверхности >			
			атомов цезия			
	1,9	ФЭ		—		[601J
Cs.jSb	— 1,5	тэ	Слои Cs—Sb в условиях их равновесия с		парами	[1060]
			цезия			
Cs—Sb	(1,1-1,4) + +(1,3—3,9). IO""3 T	тэ				[1400]
	1,2	ФЭ	Пленка толщиной 1,0—2,0 мкм на стекле			[1373]
	(1,2—1,3) + (2—4) X	тэ	Измерено в интервале температур 293—343 К			[1401]
	X10“3T					
	1,45	тэ				[2011]
	1,45—1,6	ФЭ		—		[663]
	1,65	тэ		—		[1038]
	1,8	тэ		—		[2011]
	1,9	ФЭ		—		[1038]
	1,9—2,0	ФЭ		—		[1484]
	2,05	ФЭ	Кубическая решетка			[1844 1845]
	2,6	ФЭ		—		[1942]
	1,43	ФЭ	X = 404,6 нм. Толщина	слоя около 530 нм		
	1,46	ФЭ	X = 404,6 нм. Толщина	слоя около 120 нм		
	1,46	ФЭ	X = 313 нм |			
	1,47	ФЭ	X = 280,5 нм } Толщина слоя около 530 нм			[ЗЮ1
	1,49	ФЭ	X = 248,2 нм )			
	1,55	ФЭ	X = 313 нм )			
	1,55	ФЭ	X = 280,5 нм > Толщина слоя около 120 нм			
	1,59	ФЭ	X — 248,2 нм )			
182
Химические соединения
Продолжение
Пниктид	Ф. эВ	Метод оп- ределе- ния Ф	Примечания	Литература
ln,Bil Inbi }	4,15	КРП
CssBi	1,5	ФЭ
	1,65—1,7	ФЭ
Висмутиды
Измерено в среде инертного газа. Эталон — золото, откалиброванное по сверхчистой ртути (<pHg принята равной 4,50 эВ)	[444]
—	[1075]
Пленка на стекле	[608]
МОНОКРИСТАЛЛЫ
Пниктид
Индекс
грани
Ф. эВ
Метод
определе-
ния ф
Примечания
Литера-
тура
Фосфиды
Gap	[110} {HO}	4,3±0,02 5,83-0,02	ФЭ ФЭ	Образец с проводимостью n-типал Найдено по кривым Образец с проводимостью p-типа энергетического рас- } пределения электро-	[2127]
				нов с граней для очи-	
				' щенной поверхности	
	{111}	3,1 ±0,2	КРП	Образец с проводимостью n-типа с концентрацией носите-	[U13]
				лей 1018 см~3 легирован теллуром. Эталон — титан (<pTi	
				принята равной 4,4 эВ)	
InP	{100}	4,61	КРП	Эталон — неочищенный поликристаллический тантал	[1430]
				(<р1а принята равной 3,56 эВ)	
	{110}	4,65 ±0,1	ТЭ	Грань сколота в высоком вакууме	[1188]
	{110}	5,29	КРП	Грань очищена прогревом в высоком вакууме. Эталон —	[1430]
				неочищенный поликристаллический тантал (<рТа принята	
				равной 3,56 эВ)	
	{110}	5,69	ФЭ	Грань сколота в высоком вакууме	[1188]
				Арсениды	
GaAs	{100}	4,38 ±0,05	ФЭ	Образец с проводимостью Измерено методом задержи-	
	{100}	4,60 ±0,05	ФЭ	Р’типа	вающих потенциалов при Образец с проводимостью „ _ ]п-8 мм п_ „ n-типа	г ~ 10 мм Рт* ст>	[2003]
	{110}	4,05 ±0,03	ФЭ	Найдено по кривым энергетического распределения элек-	[2126]
				тронов с граней для очищенной поверхности образца с	
				проводимостью п-типа	
	{110}	4,45±0,l	ФЭ	Измерено на образце с проводимостью n-типа методом	[2003]
				задерживающих потенциалов при Р — 10~8 мм рт. ст.	
	{110}	(4,65—5,35) ±0,03	ФЭ	Работа выхода зависит от степени очистки образца с про-	[2128]
				водимостью p-типа. Найдено по кривым энергетического	
				распределения электронов с граней	
	{110}	4,66 ±0,05	КРП	Измерено на образце с проводимостью n-типа методом	[1240]
				Кельвина	
	(110}	4,71	ТЭ	Обра ей очищен	[1242]
	{110}	4,76	ФЭ	Измерено на образце с проводимостью n-типа методом	[2001,
				задерживающих потенциалов при hv — 5,8 эВ	2002]
	(no)	5,20 ±0,01	ФЭ	Грань сколота в вакууме	[1552]
	{110}	5,47	ФЭ	Средняя работа выхода очищенного образца	[1242]
	{111}	5,13	ФЭ	Измерено на образце с проводимостью n-типа методом	[2001,
				задерживающих потенциалов при hv ~ 5,8 эВ	2002]
In As	(110}	4,90	ТЭ	Средняя работа выхода очищенного образца	[1242]
	{110}	4,9±0,05	ФЭ	Грань сколота при Р 10~1и мм рт. ст.	[1190]
	(110}	5.31	ФЭ	Средняя работа выхода очищенного образца	[1242] АР
Халькогениды
183
Продолжение
Пниктид	Индекс грани	Ф, эВ	Метод определе- ния <р	Примечания	Литера- тура
AlSb GaSb InSb	{110} {100} 1110} {110} {110} {110} 110} {110} {НО {111} {111} {111} {1П} {111} Г1П}	4,86 4,0 4,01 ±0,02 4,55 ±0,02 4,76 4,76 4,57 4,77 4,77 4,39—4,40 4,41 4,41—4,43 4,51—4,53 4,56 4,58—4,59	ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ТЭ) ФЭ} КРП ТЭ) ФЭ} КРП КРП КРП КРП КРП КРП	Стибиды Сколотая грань образца с проводимостью р-типа Образец с проводимостью р-типа Образец с проводимостью} Найдено по кривым энерге- n-типа	тического распределения Образец с проводимостью электронов с граней для р-типа	очищенной поверхности Средняя работа выхода сколотой грани очищенного образца Сколотая грань монокристалла Средняя работа выхода сколотой грани очищенного образца Образцы отожжены в водороде. Р = 3 • 10—8 мм рт. ст. Эталон — золото Образцы в форме дендритов и пластинок. Эталон — золото (<рАи принята равной 4,92 эВ) Образцы протравлены смесью кислот HNO3, HF, CH3C00H (5 : 3 : 3). Р = 2- 10~5 мм рт. ст. Эталон — золото Измерено при Р — 3 • 10~8 мм рт. ст. методом КРП относительно золота на образцах, отожженных в водо- роде Образцы в форме дендритов и пластинок. Эталон — золото (фАи принята равной 4,92 эВ) Образцы протравлены смесью кислот HNO3, HF, СН3СООН (5:3: 3). Измерено при Р = 2 • 10“5 мм рт. ст. методом КРП относительно золота	[11871 (1781] [2127] [1242] [1302] [1242] [178] 1179] [178] (179] [178]
Рис. 100. Температурная зависимость работы выхода прн ФЭ
для грани {110} GaAe (1124]: 1 — образцы л-типа с концентрацией
носителей 2,7 • 1017 см 3; 2 — образцы п-типа с концентрацией
носителей 1,7 • 101* см 3; д — образцы р-тнпа с концентрацией
носителей 10*’ см—3: 4 — образцы р-типа с концентрацией носи-
телей 3,6 • 10° см
ХАЛЬКОГЕНИДЫ
ПОЛИКРИСТАЛЛЫ
Халькогенид	Ф, эВ	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
ZnS *	5,02 5,1 5,14 5,40	КРП КРП КРП КРП	Сульфиды Рекристаллизованная пленка	} Прогретая при Т = Перекристаллизованная пленка	| = 293 К пленка на Пленка сульфида	активирована	медью I стекле. и хлором	Эталон — поликри- Пленка сульфида	активирована	мар-	сталлический воль- ганцем	фрам (<pw принята равной 4,5 эВ)	[774, 775]
184
Химические соединения
Продолжение
		Л		св
		с*. _		Р*
Халькогенид	ф, эВ	° к * Е	Примечания	CJ о.
		е г		
				н
		^5 ф		
		< с*		
As2S3
AgAsS2
AsSbS3
MoS2
6,2
5,4
6,0
4,55 ±0,1
4,90±0,15
ФЭ
ФЭ
ФЭ
ФЭ
ФЭ
Ar,S
Ag3SbS3
CdS
BaS
PrS
Pr2S3
NdS
Nd2S3
EuS
GdS
Gd2S3
HgS
ThS
3,00—4,68
4,9
5,0
4,0-4,1
4,15
4,750—4,869
4,870—5,100
4,95—4,975
5,102—5,125
7,0
7,2
2,05±0,15
2,6
0,58-|-2,l.IO”3 T
0,734-2,02.10“3 T
0,794-1,86. io-3 T
0,924-1,78-IO-3 T
3,10—3,90'
3,08—3,84
3,09—3,89 '
3,14—3,93
3,1 ±0,3
0,804-2,19. io-^t
0,654-1,87- IO""3 T
5,9
3,4
KPI I
ФЭ
ТЭ
ТЭ
КРП
КРП
КРП
КРП
ФЭ
ФЭ
ТЭ
ТЭ
ТЭ
ТЭ
АЭ
ТЭ
ТЭ
ФЭ
ТЭ
Тонкая пленка (~ 50 им) стеклообразного полупроводника на
подложке из CdSe
Аморфная (стеклообразная) структура смитита получена резким
охлаждением расплава. Определено по спектральному распре-
делению квантового выхода
Тонкая пленка (—50 нм) стеклообразного полупроводника на
подложке из CdSe
Имеются примеси магния, кремния, железа и марганца (до
0,05% по массе), а также серебра и меди (до 0,005% по массе)
Атомно-чистая поверхность напыленного слоя сульфида (моди-
фикация 2/7). Определено по кривым энергетического распреде-
ления фотоэлектронов методом задерживающего поля в сфери-
ческих конденсаторах
Эталон — платина)
Метод изотермн- Кристаллы пираргирита очищены и прогре-
ческих кривых ты при Т = 523 К, Р — 10“7 мм рт. ст.
Фаулера
Измерения проведены Пленка прогре-
без возбуждения пленки та на воздухе
(в темноте)	• при Т = 773 К в
Пленка возбуждена течение 30 мин
лампой накаливания J
Измерено в темноте
Пленка возбуждена
лампой накаливания
Нетермообрабо-
танная пленка
Пленка на стек-
лянной подлож-
ке. Эталон —
золото (<рЛи при-
нята равной 4,92
эВ)
Толщина пленки около 500 нм
Средняя работа выхода пятнистой поверхности
На поверхности имеется пленка серы. Метод прямой Ричардсона
Измерено на спеченных образцах в интервале температур 1200—
1700 К
То же
Покрытие на W-стержпе. Метод прямой Фаулера — Нордгейма
Измерено в интервале температур 1250—1550 К 1 Спеченные
То же 1200—1450 К	J образцы
Толщина пленки около 500 нм
Электролитический осадок на вольфраме. Метод прямой Ричард-
сона (А = 100 А • см-2 • К“2)
[603J
[202J
[603J
(1983)
(2088)
[767)
[130)
[867)
[77)
[640)
(1782)
[1810)
(1256)
[1257)
[548)
(549)
(1153)
(1683)
(1810)
[1304)
Рис. 101. Температурная зависимость работы
выхода при ТЭ для сульфидов РЗМ:
по данным [548]: а — LaS; б -* LatSs; в —
CeS; г — Ce,S, :
по данным [549]: д — NdS; е — NdfS,; ж —•
PrSi з — Pr,S,.
Халькогениды
185
Продолжение
Халькогенид	Ф, эВ	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
Селениды
NiSe	5,3	ТЭ	Ni-пленка толщиной 500 нм термически напылена на стекло и обработана парами селена. Метод задерживающих потенциалов	[935]
ZnSe	6,8	ФЭ	Толщина пленки около 500 им	[1810]
CdSe	5,9 ±0,1	ФЭ	Легированная медью пленка толщиной около 1,5 мкм термиче- ски напылена в вакууме и подвергнута активационному отжигу	(602, 603]
HgSe	4,04 ±0,08 4,39±0,06	тэ тэ	Полированная поверхность свежесколотых образцов ) Неполированная поверхность	J	[2000]
Теллуриды
Rb2Te	3,6 ±0,2	ФЭ	Активированная пленка на тантале. Метод изотермических кри- вых Фаулера		[2070]
GdTe	6,0	АЭ	Полупроводник р-типа		[1778]
ВаТе	2,1	ТЭ	Минимальная работа выхода		
	~3.2	ТЭ	«Состаренная» при высокой температуре поверхность	•	[1034]
	3,9	тэ	Максимальная работа выхода		
Рис. 102. Зависимость работы выхода при ФЭ от энергии фо-
тонос [41]:
а — HgSe с различной концентрацией носителей (/, 2);
б — GaAs: / — образцы р-типа с концентрацией носителей 5 X
X 10” см 3; 2 — образцы л-типа с концентрацией носителей
4 • 10” см 3 — образцы п-типа о концентрацией носителей
3,5 • 1017 см 3; 4 _ образцы n-тнпа с концентрацией носителей
6.5 . 10“ и 10”—10“ см"“:
в — InAs.
МОНОКРИСТАЛЛЫ
Соедине- ние	Индекс грани	Ф, эВ	Метод определе- ния ф	Примечания	Литерату- ра
GaS		5,8±0,l	ФЭ	Сульфиды	[1984]
AgAsSa	(100)	5,7	ФЭ	Сколотая грань кристалла смитита. Найдено по спектральному	[202]
ZrSa MoS2		4,951 4,45/	ФЭ	распределению квантового выхода	[1603]
CdS	—	— 1,5	АЭ		[1369]
PbS	{100}	3,5±0,2	КРП	Грань сколота при Р = 1О“10 мм рт. ст. Эталон — золоченая	[1654]
	{100}	3,8±0,l	ФЭ	медь (<рСи принята равной 4,5 эВ) Сколотая грань очищенного образца. Средняя работа выхода	[1655]
BiaS3	—-	5,3	АЭ	пятнистой поверхности Игольчатые монокристаллы полупроводника л-типа с прово-	[2133]
GaSe		5,3±0,l	ФЭ	димостью 0,005—0,001 Ом-1 • см, выращенные методом хими- ческих газотранспортных реакций. Измерено методом прямой Фаулера — Нордгейма при Р = 10“9 мм рт. ст. Селениды	[1984]
NbSe2	—	5,4	ФЭ	Базовая плоскость кристалла сколота при Р = 10 мм рт. ст.	[1985]
	—	4,35	ФЭ	——•	[1603]
186
Химические соединения
Продолжение
Соедине- ние	Индекс грани	ф, эВ	Метод определе- ния ф	Примечания			Литерату- ра
Sb2Se3	(001)	1 - 5 4,204=0,01	ФЭ ТЭ)	Образцы с проводимостью p-типа подвергнуты 20-кратной зонной			[583] [799]
PbSe	(001) {001}	4,854=0,01 4,144=0,01	ФЭ/ тэ	очистке Образцы с проводимостью р-типа			
	{001 {001} {001}	4,154=0,01 4,28 ±0,01 4,304=0,01	тэ ФЭ ФЭ	Образцы с проводимостью п Те же образцы Образцы с проводимостью	-типа Измерено при Р = КГ"8 мм рт. ст. методом задерживающего		[800]
GaTe МоТе2 PbTe	{100}	4,6 ±0,1 4,30 4,40 5,14±0,2	ФЭ ФЭ ФЭ КРП	р-типа Теллуриды а-Фаза 1 P-Фаза / Образцы с проводимостью р-	поля в сферических конденса- торах и n-типа сколоты в вакууме. Этг	1-	[1984] [1603] [1261]
Bi2Te3	(0001)	5,30	ФЭ	лон — золото (<рАц принята равной 4,7 эВ) Р 10“8 мм рт. ст.			[1301]
СПЛАВЫ
ПОЛИКРИСТАЛЛЫ
Сплав	ф, эВ	A, A-cm”2 X X K~2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
В—Si—С Na3Cs Na—Hg AlMgSi AiMgSr ALLa e Al2Ce K—Hg Ti—Re Ti5Re24	3,80—3,90 3,95 ±0,1 ~1,8 3,88-^3,57 6,5) 6,5/ 2,75 2,84 3,78—3,82 3,80 ±0,07 2,70 3,75 ±0,07 3,78—3,80 3,86-» 2,92 3,914-4- 10""6r 4,13—21O-5T	II 1	1 1	1 1 1 1 1 1	III	1	1700 1600 183 1300—1475 1100—1300 1150—1350 1300—1475 1100—1300 1100—1300 — » 1400—1800 1300—1600	ТЭ тэ ФЭ ФЭ ФЭ тэ тм тэ тэ тэ тэ тэ ФЭ ТЭ ТЭ	Образец состава: В^щ 1,5—6; Ссвоб 5—14; SiCBO6 3Ф SiC 77—80% по массе. Эффективная работа выхода Образец состава: Вобщ 2,5; Ссвоб 13,5; SiCBo6 4; SiC 80% по массе. Эффективная работа выхода Измерено методом изотермических кривых Фауле- ра при Р = Ю”8—10~9 мм рт. ст. Изменение значения <р прн увеличении атомной доли натрия от 0,0037 до 0,736%. Разбавленная амальгама Лента Метод полного тока Измерено на плавленых Вычислено по (48) • таблетках при Р = 5х /Метод полного тока х 10“9 мм рт. ст. Атомная доля лантана в сплаве составляет 33,3%. Метод полного тока Измерено тем же методом на плавленых таблетках при Р = 5 • 10~9 мм рт. ст. Атомная доля церия в сплаве составляет 33,3%. Метод полного тока Измерено тем же методом на плавленых таблетках при Р = 5 • 10“4 мм рт. ст. Изменение значения <р при увеличении атомной доли калия от 0,000184 до 1,495%. Разбавленная амальгама Твердый раствор. Атомная доля рения составля- ет 12% Интер металл ид (Х-фаза)	[496] [495] [538] [533] [572] [706] [520] [706] [520] [706] [533] [271]
Сплавы
187
Продолжение
Сплав	ф, эВ	А, А. см-2 X X K—2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	1 Литература
Сг—V—Y—В Ni—А14Ва(2%) Ni—А14Ва(5%) Ni—А14Ва(8%) Ni—А14Ва(10%) Ni—Си Ni—СинВа(2%) Ni—Си13Ва(5%) Ni—Си13Ва(8%) Ni—Си13 Ва (Ю%) Ni—Sr Ni—Sr—Ba Nil7Y2 Ni—Sn3Ba(2%) Ni— Sn..Ba(5%) Ni—Sn,Ba(8%) Ni—Sn3Ba(10%) Ni—Ba Ni—BaO Ni—BaO—BeO Ni—Ва2ВезО5 Ni—BaO—MgO Ni—BaO— Ai2O3 Ni6La CuBe CuMg Си—Ni (0,3%)	4,28 4,30 4,36 4,40 1,70—2,40] 1,60—2,35 1,55—2,03 | 1,52—2,01] 4,62 1,57—2,45) 1,60—2,50 1,63—2,58 1,65—2,60 I 2,6 2,2 3,22 3,85 3,85 ±0,07 1,52—2,58] 1,72—2,52 1,76—2,62 ' 1,76—2,65] 2,3 2,92 3,47 ±0,07 3,53 3,53 3,53 ±0,07 4,2 3,7—3,8 4,61	1111	1	1	1	1 1 11 1	1	1 1 1 1 1 1 1 11 1 1 Illi	1640] 1420 1 1490 1570 673—1023 300 673—1023 1073 1073 1150—1500 1250—1500 673—1023 1073 970—1270 970—1270 970—1270 970—1270 970—1270 970—1270 1200—1450 1050—1300 973 1050—1300 300	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тм тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тм тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Плоские образцы получены из слитков вакуумно- го дугового переплава. Эффективная работа вы- хода. Сплав содержит 1—3% ванадия, 0,2—0,5% иттрия, 0,02—0,05% бора Измерено па металлокерамических сплавах мето- дом полного тока. Состав приведен в массовых долях Твердый раствор. Атомная доля меди составляет 0,3% Измерено на металлокерамических сплавах мето- дом полного тока. Состав приведен в массовых долях Эффективная работа выхода. Сплав содержит 0,1% стронция Эффективная работа выхода. Сплав содержит 0,15% стронция и 0,1% бария Вычислено по (48) Измерено на плавленых образцах методом полного тока Тот же метод. Атомная доля иттрия в сплаве составляет 10,5% Измерено на металлокерамических сплавах мето- дом полного тока. Состав приведен в массовых долях Эффективная работа выхода. Сплав содержит 0,2% бария / = 5 • IO”3—9 - 10“2 А • см~2. Ni : BaO = 3 : 1 (об.) / = 10~7 — 9 • Ю-4 А • см-2. Ni: BaO : ВеО = 13 : 5 : 2 (об.)	~ ,А_7 1П_4 .	_9	Состав спечен- /.7" tP	‘	ных металло- Ni : ВааВе3О5 17 : 3 (об.)	керамических / == 10 —3 • 10-"4 А • см-2.	сплавов при- Ni : Ва2Ве3О5 = 3:1 (об.)	веден по ших- / = 2 • 10-3—5 • 10“2 А • см“2. те Ni : BaO : MgO = 13 : 5 : 2 (об.) 1 = Ю-З-З • 10“2 А см"2. Ni : ВаО : А12О3 = 13 : 5 : 2 (об.) J Вычислено по (48) Метод полного тока Тот же метод для плавленых таблеток Измерено при Р = 10—9 мм рт. ст. на сплаве, полученном электронио-лучевой плавкой. Эффективная работа выхода Метод полного тока. Атомная доля лантана в сплаве составляет 16,6% Образец активирован Твердый раствор. Состав приведен в атомных долях	[36] [45] [1767, 1768] [45] [785] [706] [124, 520, 702] [45] [785] [798] [706] [124, 702] [706] [2147] [520] 11811] [492] (1767, 1768]
188
Химические соединения
П родолжение
Сплав	<p, эВ	X CM 1 < < X	Темпера- турный интервал измерений, К		Метод опре- деления <р	Примечания				Литература
Си—Ni (50%) Си—Ni (90%)	4,6 4,7 4,6 5,0	—			ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ	Образец отожжен при Г = 923 К Образец не отожжен Образец отожжен при Т = 923 К Образец не отожжен		Состав при веден в атом ных долях. Сплавы на- , пилены на подложку. Метод изо- термических кривых Фау		[2035]
Си—Cd Cu2Cd Cu4Cd3 CuCd3 Cui Zn-Hg Zr—Re Zr2Re ZrRe2 ZrsRea4 Nb—Ti (6,5%) Nb—Ti (9,0%) Nb—Ti(9,5%) Nb—Ti (13,5%) Nb-Ti(14,5%) Nb—Ti (15,5%) Nb—Hf Nb—Ta Nb—Re Nb—Re (73%) Nb—Re (78%) Nb—Re (88%) Mo—Ti—Zr Mo—Rh Mo—Rh (49%) Mo— Rh (65%)	4,00 4,02] 3,96 3,90 J 5,0 4,59->4,47 3,784-1,5- 10“5T 3,834-4- 10~5T 4,11—1 - 10_'5T 4,46—1-10~5T 4,08 3,98 3,96 4,41 4,39 4,31 2,964-3- IO”4? 3,654-6-10-5T 3,944-5- io-4? 4,35 ±0,07 4,33—4,42 (4,33—4,42) ± ±0,07 4,33—4,42 3,6—3,7 3,92—4,12 4,50 ±0,05 4,38 ±0,07 4,50 4,50±0,05 4,50 ±0,07	Illi 1	1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 11	11	1 1 1 1 1	II	1400—18 1300-17 1400—19 1500—20 1741 1626 1650 1610 1526 1370 1200—16С 1700—20( 1400—20 1450-18 1973 1450—18 1550—18 1173—18 1300—16 1625—18 1973 1600	00 00 00 00 )01 ю/ 00 00 00 20 73 00 50	КРП КРП ФЭ ФЭ ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	у-Фаза Фольга Значение доли ртуз кривых d Твердый ляет 3% Интернет Интер мет Интермет Эффектив Состав nf Твердый ляет 1% Твердый ляет 15% Интер мет; Интернета дено в = 10-9 м трон но-л у хода Интермет; дено в ато Интер мет; ведено в Метод по Тот же м содержите Мо : (Ti 4 режима т Метод по Интермет ведено в Тот же ин долях. Из ве, пол Эффектив) Тот же иг долях. Э<| Тот же и разцах м<	Эталон — золото, откал . сверхчистой ртути (<pHg п 4,50 эВ) <р уменьшается при увели1 ги от 0 до 30,4%. Метод и >аулера раствор. Атомная доля ре аллид (о-фаза) аллид (фаза Лавеса) аллид (Х-фаза) на я работа выхода, шведен в атомных долях заствор. Атомная доля гас] эаствор. Атомная доля тан ьчлид (Х-фаза). Метод пс 1ллид (Х-фаза). Содержание массовых долях. Измере м рт. ст. на сплаве, пол чевой плавкой. Эффективн, 1ллид (Х-фаза). Содержание иных долях. Метод полной 1ллид (Х-фаза). Содержани кассовых долях. иного тока етод. Р 5 • 10~9 мм рт :я 0,1—0,3% циркония - Zr) « 99 : 1. Значение ермообработки сплава иного тока галлид (е-фаза). Содержаhj атомных долях. Метод пол терметаллид. Состав привел 	Q мерено при Р = 10 мм р ученном электронно-лучег чая работа выхода ггерметаллид. Состав приве )фективная работа выхода нтерметаллид. Измерено г гтодом прямой Ричардсош	Лера иброванное ринята равно! чепии атомно! зотсрмически; •ния состав- « )пия состав- , тала состав- >лного тока рения приве :но при Р = ученном элек- зя работа вы- рения приве- > тока е рения при- ст. В сплаг р зависит О1 <е родия при- кого тока хен в массовы it. ст. на спл< юй плавкой. ?ден в атомпы ia плоских о( а	то 4 1» ► je X а- X	[5411 [5721 [3571 [271J [2061] [2711 [124] [2147] [5201 [702] [190] [192] [1241 [520] [2147] [700] [520]
Сплавы
189
17 родолжение
Сплав	ф. эВ	X сч 1 Я гм О С? < X	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
Мо—Rh(67%)	4,50 ±0,05	—	1300—1600	ТЭ	Измерено методом полного тока на таких же об- разцах. Состав приведен в массовых долях	[702]
Мо—Rh (68%) Мо—Rh (80%)	4,47 ±0,07 4,55 ±0,07	—-	1600—1850) 1575—1825)	тэ	Измерено методом полного тока на таких же образ- цах. Состав приведен в атомных долях	[520]
Мо—Re	4,55 ±0,07	•—	1550—1875	тэ	Интерметаллид (о-фаза). Тот же метод	[124]
Mo—Re (5%)	4,12		1600—1950	тэ	Эффективная работа выхода при Т= 1700 К. Из- мерено на катаных лентах при Р = (2 — 4) X X 10~9 мм рт. ст. Содержание рения приведено в атомных долях	[688]
Мо—Re (10%)	4,074-7,5- Ю-5 Т	——	1500—1900	тэ	Измерено на проволоке при Р = 3 • 10“”' мм рт. ст. Содержание рения приведено в массовых долях	[451]
Мо—Re (20%)	4,13	——	—	тэ	Сплав марки МР-20ВП. Содержание рения приве- дено в массовых долях	[832]
Мо—Re (30%)	4,134-8,6-Ю-5?1	•—	1500—1850	тэ	Измерено на проволоке при Р= 3 • 10—7 мм рт. ст.	[451]
	4,15		1600—1950	тэ	Эффективная работа вы-	Измерено па ката- хода при Т = 1700 К	ных лентах при Р =	
	4,17		1600—1950	тэ	Эффективная работа вы-	== (2 — 4) • 10—9мм рт. хода при Т = 1750 К	ст. Содержание рения приведено в атомных долях	[688]
	4,22+4,0-10-5 Т	—	1500—2000	тэ	Измерено на проволоке при Р = 3 • 10“7 мм рт. ст. Содержание рения приведено в массовых долях	[451]
Мо—Re (40%)	4,25		1600—1950	тэ	Эффективная работа выхода при Т = 1750 К. Из- мерено на катаных лентах при Р = (2 — 4) X X 10“9 мм рт. ст. Содержание рения приведено в атомных долях	[688]
	4,39— 7,3-10~5 Т	-—	1500—2050	тэ	Измерено на проволоке при Р — 3 • 10—7 мм рт. ст. Содержание рения приведено в массовых долях	[451]
Мо—Re (47%)	4,25 4,4		 	тэ тэ	Сплав марки МР-47ВП. Содержание рения приве- дено в массовых долях Тот же сплав	[832] [795]
	4,62 5,4	——	1673—2273	тэ тэ	Тот же сплав. Метод полного тока Тот же сплав	[226] ]646]
Мо—Re (50%)	4,27	—		1600—1950	тэ	Эффективная работа выхода при Т — 1750 К. Из- мерено на катаных лентах при Р — (2 — 4) . 10~9 мм рт. ст. Состав приведен в атомных долях	[688]
	4,59-2,3-10~4 Т	—	1500—1950	тэ	Измерено на проволоке при Р — 3 • 10“7 мм рт. ст. Состав приведен в массовых долях	[451]
Мо—Re (61%)	(4,50—4,60) ± ±0,07	•—	1600—1820	тэ	Интерметаллид (о-фаза). Метод полного тока. Со- став приведен в атомных долях	[520]
Мо—Re (75%)	4,42—4,68		1550—1850	тэ	Интерметаллид (о-фаза). Тот же метод. Состав при- веден в массовых долях	[702]
Мо—1г	4,65 ±0,07	—	1450—1900	тэ	Интерметаллид (е-фаза). Тот же метод	[124]
Мо—Ir (54%)	(4,47—4,68) ± ±0,07	—	1600—1900	тэ	То же. Состав приведен в атомных долях	[520]
Мо—Ir (70%)	4,33—4,68	—	1450—1900	тэ	Интерметаллид (е-фаза). Тот же метод. Состав приведен в массовых долях	[702]
Мо—Pt—Се	4,51		2151	тэ	Эффективная работа выхода. Диспенсерный катод в форме таблетки, полученной методом порошковой металлургии. Атомная доля платины составляет 1—20%, церия — 1—2,5%	[1706]
Мо—LaBe (Ю%)	—	—	1770 1870	тэ тэ	Плотность тока термоэмиссии 'j Прессованный ка- / = 10,0 А • см-2	1 тод. Состав приве- Плотность тока термоэмисси и | деи в массовых до- / = 23 А • см'2	) лях	[284]
Ru6La	3,12	——-	973	тэ	Измерено при Р = 10~9 мм рт. ст. на сплаве, полу- ченном электронно-лучевой плавкой. Эффективная работа выхода	[2147]
190
Химические соединения
Продолжение
Сплав	Ф, эВ	X СЧ 1 a» < X	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания				Литература 1
Ru—Та (6 %)	4,33— 2,2-1 Q~4T	—	1600—2000	ТЭ	Твердый раствор		1 Состав приведен в атом-		[271]
Ru—Та (45 %)	6,17—6,6-IO-4 Г	—	1700—2100	тэ	Интерметаллид (р.-фаза)		/ ных долях		
Rh—Ва	2,20	—	1300	тэ	Твердый раствор.	Rh :	Ва = 49 : 1	(ат.). Эффек-	[277]
	4,5				тивиая работа выхода; dyldT < 5 •			Ю~4 эВ • К-1	
Pd—С		—	1500	тэ	Эффективная работа выхода. Pd : С =			= 49 : 1 (мае.)	[171]
Pd—Ag	3,91 2,55—2,65	——	—	КРП	Измерено на атомно-чистой поверхности при Р — — (2 — 4) • 1О“10 мм рт. ст. Pd : Ag = 3 : 2 (ат.)				[1306]
Pd —Ba		—	1100	тэ	Эффективная работа		выхода активированного		[2052]
					сплавного катода, f	__	2-10 'мм	рт. ст.	
Pd—Ba (2%)	2,50	—	1300	тэ	Твердый раствор.	Эффективная работа выхода;			[277]
					dcp/dT < 5 • КГ4 эВ -		К • Соста	в приведен в	
					атомных долях				
Pd—Ba (5%)	— 2,1	—	—	тэ	Сплав активирован	нагревом до Т =		= 1300 К	[27]
Cd3Cu4	4,13			тм	Вычислено по (55)				
	4,17	——		тм	Вычислено по (54)				
CdCu2	4,08		—	тм	Вычислено по (55)				[162]
	4,18				—	тм	Вычислено по (54)				
In-Pb	-4,20	—	298	КРП	а-Фаза. Эталон —	золото, откалиброванное по			[444]
					сверхчистой ртути (<рн		принята равной 4,50 эВ).		
					Измерено в среде инертного газа				
Cs—Hg	3,61^2,67	—	—	ФЭ	Разбавленная амальгама. Изменение			работы выхо-	[533]
					да при изменении атомной доли цезия от 0,0000007				
					до 0,00605%				
Hf—Nb	3,904-2- 10~5T	—	1500—2100	тэ	Твердый раствор. Hf:		Nb = 19 ; 1	(ат.)	[271]
1-1 f—Ce	3,02+0,07		1100—1400	тэ	Hf : Се = 9 : 1 (мае.) ] Метод прямой Ричардсо-				
Hf-Er	3,23 ±0,07	——	1100—1400	тэ	Hf : Ег = 4 : 1 (мае.) / на				[ОУо]
Hf-Ta	3,87+3,5-IO-6 T	—	1500—2100	тэ	Твердый раствор. Hf : Та = 99 : 1 (ат.)				[27Ц
Hf—W	3,85	—	—	тэ	Твердый раствор. Hf :1		(V = 9 : 1 (ат.) 1		[268]
HfWa	4,23	— —	—	тэ	Интерметаллид				
Hf—Re	3,86+3-10—°7’			1500—2100	тэ	Твердый раствор. Hf:		Re == 19 : 1	(ат.) 1	
Hf2Re	4,09—6- IO-5 T		1400—2000	тэ	Интерметаллид (о-фаза)				Г971 1
HfRe2	4,15—5-10~5T				1400—1900	тэ	Интерметаллид (фаза Лавеса)				
HfbRe24	4,40—2 • 10~6 71	—	1400—2000	тэ	Интерметаллид (Х-фаза)				
Ta—Ca—La	1,80	0,39	—	тэ	/Га : (Ca + La) = 9	1 (мае.),		Измерено	
	1,80				Ca : La == 1 : 3 (мае.)			методом пр я-	
Ta—Ca—		0,75		тэ	Та : (Ca + La + Си,		9 : 1 (мае.),	мой Ричард-	
La—Cu					Ca : La : Си = 1 : 3	: 3 (мае.)		сона на про-	
Ta—Ca—	1,80	0,83		тэ	Та : (Ca + La + Аи	) =	9 : 1 (мае.),	питанной	[Ob/U J
La—Au					Ca : La : Au = 1 : 3	: 6 (мае.)		Та-матрице	
Ta—Nb	3,99+6- IO'5 T	 	1500—2100	тэ	Та : Nb = 67 : 33 (ат.)				
Ta—Ru	6,02-6- 10-4T	—	1700—2100	тэ	Та : Ru = 87 : 13 (ат.)				
Ta—Hf	2,95+3-1 O'4 T 3,67+5- IO-5 T	—	1200—17001 1800—2000/	тэ	Та : Hf = 97 : 3 (ат.)		Твердый раствор		[271]
Ta-W	4,18+5-10“5 T	—	1500—2100	тэ	Та : W - 4 : 1 (ат.)				
Ta—Re	4,11+7-10“5 T	—	1500—2100	тэ	Та : Re = 9 : 1 (ат.)				
Ta—LaBe		 	1770	тэ	Плотность тока / =	8,0	А • см~2 । Прессованный		
	——	—	1870	тэ	/ = 22 А • см-2		1 катод. | Та : LaBe =		[284]
								= 9:1 (мае.)	
W—Ca—La	2,01	1,73		тэ	Измерено методом г	[рямой Ричардсона на пропи-			[890]
					танной W-матрице. Ca : La = 1:3	W •	(Ca + La) =	= 9:1 (мае.),	
Сплавы
191
Продолжение
Сплав	Ф, эВ	X СЧ 1 у <N < X	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература i
W—Ni—ВаО ВНБ-3 W—Y-Zr W—Zr W—Nb W—Mo W—La W—La—Al W(88,2%) - La (8,2%) — Zr (3,6%) W (90%) — La (8%)- Zr (2%) W (90%) — La (8,2%) - Zr(l,8%) W — La — Hf W — La — Pt W—La-Th W—Gd—Zr W—Hf	2,77—3,04 2,76—3,01 2,79—3,13 3,01—3,28 2,71 3,54 3,74 3,97 4,71 4,17 4,20 4,32 4,41 4,39 2,284-3,1 - 10-4 T 2,45 2,51 2,47 2,45 2,56 2,52 2,45 2,76 2,79 2,50 3,51+1,25-10—47’	4,65 1,39 5,51 7,20 7,80 8,80 5,30 18,31 30,1 34,3 4,90	1244—1460 1244—1460 1244—1570 1354—1570 1800 1800 1800 1800 1800 1800 1800 1800 2073 1100—1650 1300—1900	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Массовая доля ВаО 2%	Массовая доля То же 4%	никеля 3%	Измерено мето- То же 6%	дом полного то- ка па спеченных Спеченная в водороде механичес- металлокерами- кая смесь вольфрама, никеля и ческих сплавах пероксида бария W : Y : Zr = 90 : 8,2 : 1,8 (мае.). Измерено мето- дом прямой Ричардсона на пропитанной W-матри- це Твердый раствор вольфрама в цирконии. Р — 5 • 10“2 мм рт. ст. Сплавы Такой же твердый раствор.	на основе Р = 10 мм рт. ст.	вольфра- Следы циркония на вольфраме.	ма леги- Р = IO"4 мм рт. ст. Оксиды циркония на вольфраме.	9 “ ₽ Р = 760 мм рт. ст. Твердый раствор вольфрама	п уКа в ниобии. Р = 10~4 мм рт. ст.	занных Такой же твердый раствор.	давлени- Р = 5 • 10-2 мм рт. ст.	ях. Эф- Такой же твердый раствор.	фективная Р ~ 10 мм рт. ст.	работа Оксиды ниобия на вольфраме.	выхода Р = 760 мм рт. ст.	1 Сплав получен дуговой плавкой. W : Мо = 49 : 1. Эффективная работа выхода Измерено на компактных образцах, полученных вакуумной пропиткой W-катода лантаном Метод прямой Ричардсона. W : La = 91,8 : 8,2 (мае.) W : La : Al = 90 : 7,3 : 2,7 (мае.). Измерено ме- тодом прямой Ричардсона на пропитанной W-мат- рице Измерено тем же методом на пропитанной W-мат- рице. Состав приведен в массовых долях То же W : La : Hf = 90 : 6,5 : 3,5 (мае.) Измерено ме- W : La : Pt = 90 : 8,0 : 2,0 (мае.) годом прямой Ричардсона на пропитан- ной W-матри- це Измерено методом прямой Ричардсона на пропи- танной W-матрице То же. W : La : Th = 92 : 5 : 3 (мае.) То же. W : Gd : Zr = 90 : 8,2 : 1,8 (мае.) | Твердый раствор. W : Hf = 97 : 3 (ат.)	[365] [890] [514] [1362] [123] [118, 889, 890] [890] [118, 889, 890] [890] [890] [889] [ИЗ] [890] [271]
192
Химические соединения
Продолжение
Сплав	ф. эВ	X сч 1 п < X	Темпера- турный интервал измерений, К	Метол опре- деления <р	Примечания	Литература
W-Ta W—Та (10%) W—Re W-Re (5%) W-Re (10%) W-Re (19%)	4,44 4,48 4,62 4,64 2,57+9- КГ*4 Т 4,45 4,45 4,55 4,69 4,55+2,0-10~5 Т 4,58 2,53 2,59 2,75 2,84 3,22 4,77 2,25 2,38 2,52	0,22 0,31 0,40 0,60 2,0 382 0,053 0,097 0,27	1800 1800 1800 1800 1400—2000 1790 1790 2073 1500—2300 1800—2470	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Следы тантала на вольфраме.	Сплавы на осно- Р = 10“4 мм рт.ст,	ве вольфрама ле- Твердый раствор вольфрама	тированы элект- в тантале. Р = 5 • 10-2 мм	роискровым спо- рт. ст.	собом при ука- Следы тантала на вольфраме.	занных давлени- Р — 10 мм рт. ст.	ях. Эффектив- Оксиды тантала на вольфра-	ная работа выхо- ме. Р = 760 мм рт. ст.	да Твердый раствор. Состав приведен в атомных до- лях Твердый раствор рения в вольфраме Эффектив- о-Фаза	ная рабо- та выхода Твердый раствор. Состав приведен в атомных до- лях Сплав получен дуговой плавкой. Эффективная работа выхода Твердый раствор. Состав приведен в атомных долях Измерено па проволоке. Эффективная работа выхода Образец отожжен прн Т = 2020 К в течение 20 ч, при Т = 2060 К в те- чение 8 ч и при Т =2090 К в тече- ние 10 ч Образец отожжен при Т — 1900 К в течение 30 ч “₽ата=?™Г. Карбида-, лрн Т 2 30 К ровано течение 7 ч, при И.., т __ Т ~ 2180 К в те- чепге 7 ч и при Т = 2200 К в те- чение 6 ч Измерено непо- средственно после	Измерено методом ОбвазецР°отожжен	« РичаР*с°- Образец_ °™жжен	на на w_Re. течение 5 ч и при	проволоке, карби- Т - 2300 К в те-	Дированной в сре- С’Н’- Зиачение °пР Г - 2°Ж	Sa”a0IcSa Хние1оТКВ|	"““Л Образец отожжен) Карбиди- при Т — 2042 К в 1 ровано течение 22 ч	при Т — Образец отожжен = 1800 Kl прн Т = 2160 К в течение 10 ч и при 7’ = 2090 К в те- чение 20 ч Образец отожжен при Т = 2120 К в течение 20 ч	[514] [271] [261] [1370] [1362] [271] [476] [1594]
Сплавы
193
Продолжение
Сплав	Ф. эВ	X 1 < L < X	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
W—Re (19%) W—Re (20 %) W—Re (25 %) W—Re (26 %)	2,62 2,62 2,86 3,86 4,52 4,63 4,68±0,07 5,04 ±0,07 4,63 4,77 4,80 4,82 3,60 3,78 3,99 4,77 2,64 2,74 2,98 3,43 3,69	0,28 0,16 1,4 4,8 16,7 16 17 28 188 0,19 0,18 0,51 0,48 4,4	1800—2470 2300 2073 21471 2126 J	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ пи тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Измерено непо- ) срелственно после Изме₽сн0 методам "Р”мой = ытк R Ричардсона на W — Re- ъчение 6 ч пои пР™°локе' карвидироваиной У ” on к в те при 1600 К в среде С.Н., Зна- '	in „	чение ф зависит от режима Г-2150 К в теме- °тжига сплава п(х:ле каР‘ ние 13 ч	бидироваиия Образец отожжен прн Т = 2200 К в течение 6 ч и при Т = 2260 К в те- чение 7 ч Образец отожжен при Т = 2320 К в течение 6 ч и при Т = 2360 К в те- чение 5 ч Образец отожжен при Т = 2390 К в течение 10 ч	1 Измерено на проволоке методом полного тока Эффективная работа выхода Измерено на прово- локе. ПИ атомов индия	Состав приведен в атомных долях Д1етод прямой Ричардсона. Состав приведен в атомных долях Сплав получен методом порошковой металлургии. Эффективная работа выхода Образцы получены газофазным осаждением. Эф- фективная работа выхода Образец отожжен при) Т = 2090 К в течение 4 ч и при Т -- 2140 К в течение 6 ч Измерено непосредствен- но после карбидирова- Карбида- ния	ровано Образец отожжен при при Т = Т — 2240 К в течение 3 ч = 1600 К и при Т = 2060 К в те-	Измерено ме- чение 18 ч	тодом прямой Образец отожжен при	Ричардсона Т = 2420 К в течение	на W—Re- 15 ч	проволоке, Образец отожжен при]	карбидиро- Т ~ 2040 К в течение 20 ч	ванной в сре- Образец отожжен при	де СзН8. Зна- Т = 1900 К в течение	чение <р зави- 40 ч и при Т = 2000 К в	сит от режи- течение 9 ч	ма отжига Образец отожжен при	сплава после Т = 2090 К в течение Карбиди- карбндиро- 20 ч и при Т = 2140 К в (ровано вания течение 20 ч	при Т — Измерено непосредствен- =1800 К но после карбидирования Образец отожжен при Т = 2260 К в течение 10 ч	[1594] [476] [436] [П25] [ 1362] [1386] [1594]
13 ’590
194
Химические соединения
Продолжение
Сплав	Ф, эВ	A, A -cm-2 X X K~2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
W—Re (26%) W—Re (27 %)	I	4,73 4,7±0,15 4,62 4,68±0,07 4,92 ±0,07 5,6	177	2300 2300	ТЭ ЛЭ тэ тэ пи тэ	Образец отожжен при Т = 2330 К в течение 8 ч и при Т ~ 2460 Кв течение 5 ч Эффективная работа выхода. Состав приведен в атомных долях То же	) Измерено на проволоке. Со- ПИ атомов индия > став приведен в атомных до- J лях Сплав марки ВР-27ВП. Состав приведен в мас- совых долях	[470] [437] [436] [646]
W—Re (30 %)	4,74 4,74 ±0,02	—	1800—2470 1800—2470	тэ тэ	Измерено на проволоке методом полного тока То же	[476] [4751
W—Re (40 %)	4,98 4,98 ±0,02		1800—2470 1800—2470	тэ тэ	Измерено на проволоке тем же методом То же	[476] [475]
W—Re (47 %)	4,30 ±0,05	—	2007	тэ	Эффективная работа выхода, измеренная на обез- гажепных образцах при Р = 10—8 мм рт. ст.	[2137]
W—Re (50 %) W—Re (60 %)	4,95) 4,93 J 4,93 ±0,01	—	1800—2470 1800—2470	тэ тэ	Измерено на проволоке методом полного тока То же	[476] [475]
W—Re (70%) W—Rc (80%) W—Re (90%)	5,59—3,6-1 О^Г 4,93) 4,94 4,95 J	—	1700—2200 1800—2470	тэ тэ	Интерметаллид (о-фаза). Состав приведен в атом- ных долях Измерено на проволоке методом полного тока	[271] [476]
W—Os W—Pt—Ce	1,68->1,9 5,35	—	2273	тэ тэ	Изменение (р в течение 5000 ч для пропитанного W-катода Диспенсерный катод в форме таблетки, получен- ной методом порошковой металлургии. Атомная доля платины составляет 1—20%, церия— 1— 2,5%. Эффективная работа выхода	[1855] [1706]
W- Th W—Th—Zr W—Th—La W—Th—Hf W(90%)- Th (9,5%)- Hf (0,5%) W— ZrHa—La W—ZrHa—Th	2,66 3,15 2,70 2,68 2,76 2,69 2,88 2,69 2,73 2,68 2,9	2,52 11,01 22,51 30,10 12,4 12,24 22,51	1500 1600 1500—2000 1500—2000 1500—2000	тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Пропитанная торием W-матрица. Метод прямой Ричардсона В статическом режиме для пропитанного W-катода / =	2—3 А • см-2 W :	Th	: Zr =	90 :	8,2	:	1,8	(мае.)	Измерено ме- W :	Th	: Zr =	90 :	9,5	:	0,5	(мае.)	тодом прямой W :	Th	: La =	90 :	3,0	:	7,0	(мае.)	Ричардсона на пропитан- ной W-матри- це Измерено методом прямой Ричардсона на пропитан- ной W-матрице Эффективная работа выхода. Тот же катод Измерено методом прямой Ричардсона на пропи- танной W-матрице. Состав приведен в массовых долях Атомная доля ZrH2 3,6%, лантана — 3,2%. Метод полного тока Измерено методом прямой Ричардсона на пропи- танной W-матрице Метод полного тока	[889, 890] [890, 891] [235, 1134] [890] [889] [891] [8901 [890, 891] [889] [890, 891]
W-YB„ (1%)	2,70+4,2- КГ4 T 3,45	—	1650—1950 1800	тэ тэ	Порошок сплава на W-нити. Состав приведен в массовых долях Компактные образцы того же состава пористо- стью 16,3%. Эффективная работа выхода	[431] [468]
W-YB, (5%)	2,76+3,3- 10“4 T	—	1650—1950	тэ	Порошок сплава на W-нити. Состав приведен в массовых долях	[431]
Сплавы
195
Продолжение
Сплав	ф, эВ	X 1 < X	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Лите ратура
W—YBe (5%) W-YB6(15%) W- YBe (50%) W—LaBe W—ThBe(l%) W—ThBe(10%) W—ThBe(50%) w—W2C— ThH2 W—BaSi4 W-Y2O3 W—Y8O3(1%) W-YaO3 (3%) W—Y2O3 (5%) W—Y3O3(10%) W—YaO3(15%) W—Y2O3(20%) W- Y2O3(50%) W — ZrO2 W (94,72) — La2O3 (0,28) W (94,40)— La2O3 (0,28) W (98,28)— La3O3(l,72) W (98,73) — La2O3(l,27) W (99,435 ) — La2Os (0,565) W (99,72) — La2O3 (0,28)	3,36 2,91+3,1-10-4 T 3,45 3,48+2,06- IO-"4?1 3,85 2,85) 3,04 2,91J 2,5 1,81+4,7-IO"4 T 3,02—3,58 3,4 3,01—3,35) 2,96—3,28/ 3,3 2,92—3,22 3,2 2,90—3,16 3,1 3,0 3,08 3,97 2,55+2- IO-4 T 2,35+2- IO”4 T 1,72+8- IO-4? 2,53+2- IO-4 T 2,73+1 • Ю^4 T 2,61+2- IO-"4 T	2,5 2,3 100	1800 1650—1950 1800 1650—1950 1800 1770 1870 1700 1700 1773 1473—1973 1773 1473—1973 1773 1473—1973 1773 1473—1973 1773 1773 1200—1800 1200—1800	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Компактные образцы того же состава пористо- стью 36%. Эффективная работа выхода Порошок сплава на W-нити. Состав приведен в массовых долях Компактные образцы того же состава пористо- стью 51,4%. Эффективная работа выхода Порошок сплава на W-нити. Состав приведен в мас- совых долях Компактные образцы того же состава пористо- стью 40,5%. Эффективная работа выхода Плотность тока термоэмиссии Прессованный ка- / = 5,0 А • см“2	> тод. W : LaB6 = / = 12,0 А • см~2	J = 9:l (мае.) Порошок сплава на W-нити. Эффективная работа выхода. Состав приведен в массовых долях W : W2C : ThH2 = 89,5 : 10 : 0,5. Метод прямой Ричардсона W : BaSi4 = 9:1 (мае.) Прессованный металлокерамический катод. При увеличении содержания оксида в сплаве от 1 до 50% при анодном напряжении 1 кВ значе- ние j увеличивается от 0,1 до 1 А • см-2 Измерено на компактных образцах металлокера- мического сплава методом полного тока при Р 10~7 мм рт. ст. Спеченный диск пористостью 42%. Эффективная работа выхода. Состав приведен в массовых долях Измерено па компактных образцах металлокера- мических сплавов методом полного тока при Р <=£ 10—7 мм рт. ст. Спеченный диск пористостью 44%. Эффективная работа выхода. Состав приведен в массовых долях Измерено на компактных образцах металлокера- мического сплава методом полного тока при Р=^ 10~7 мм рт. ст. Спеченный диск пористостью 47%. Эффективная работа выхода. Состав приведен в массовых долях Измерено на компактных образцах металлокера- мического сплава методом полного тока при Р =* =£ 10~7 мм рт. ст. Пористость образца 51% Спеченные диски. Эф- фективная работа вы- Пористость образца 58% хода. Состав приведен в массовых долях Импульсный режим \ W : ZrO2 = 98,5 : 1,5. Статический режим J Метод прямой Ричардсона Механическая смесь. Состав приведен в мо- лярных долях Твердый раствор La2O3 в вольфраме. Составы приведены в молярных долях	(468] [431] [468] [431] [468] [284] [431] [1246] [883] [1454] [597, 598] [1454] [597, 598] [1454] [597, 598] [1454] (597. 598] [1454] [769] [430]
13
196
Химические соединения
Продолжение
Сплав	ф. эВ	А, А -см X X К-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф
W—La А (30%) W—СеО2 W—РгвОн W—Nd2O3 W—Nd2O3(30%) W—Sm2O3 W—Sm2O3(l %) W—5шД(3%) W—Sm2O3(5%) W— Sm2O3(10%) W—Eu2O3 W—Gd2O3 W-(Gd2Os 4- La2O3) W - Dy2O3 W—EroO.,(5 %) W-Tm“A(5 %) W—Tm2O;(I0%) W—Lu2O3 W-Lu2O3(5%) W— Lu2O3(10%) W—HfO2 W—ThO2 W—ThO2“B Re—Sc(0,8%) Re—Sc(4—9%) Se(22—39%) Re—Ti Re—Y (2%) Re—Y (4%) Re,Y Re—Zr Re-Mo Re—Ru (20%) Re-Ru (50%)	2,444-2,00-10“4T 2,564-1,33-IO”4?1 2,83 ~4,1 2,424-2,0-10~4 T 3,07 2,46+4,4-10-4 T 2,014-6-10“47’ 2,554-2,00 X X 10“4 T 3,4-» 2,7 3,14—3,6 ] 3,31—3,57 3,13—3,331 3,8 3,1 —3,36) 3,08—3,31/ 2,84 3,84 2,2 3,0 3,3—3,4 2,85—2,9) 3,784-6 10”5 T’ 3,08 2,59+3-10“4 T 3,2 3,9 3,95 3,46+1,1 • 10“4 T 4.35 4,45 4,801 4,74/	0,316 18,6 0,3	1300 1250—1650 1300—1620 1300—1600 1300 1280—1650] 1300—16001 1250—1550 1250—1550) 1300—1670 1400 1400 1373—1973 1373—1973 1500 1500 1600 1370 1370 1200 1300—1600 1400 1100—1500 1400 1620 1620 1300—1900 1900—2100 1900—2100 1973	ТЭ тэ тэ тэ тэ АЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ АЭ ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ
Примечания
В статическом режиме / = 1,4 А • см 2
W : СеО2 = 99 : 1 (мае.)
W : РгвОп = 99 : 1 (мае.)	Порошок сплава
W : NdaOs = 99 : 1 (мае.). Эф-	па W-пити
фективная работа выхода;
dqldT < 10“5 эВ X К-1
В статическом режиме j = 0,5 А • см~2
Образец активирован прогревом при Т = 2400 К
Порошок сплава на W-нити. Состав приведен в
массовых долях
Порошок сплава на W-нити. W : Еи2О3 = 99 :
: 1 (мае.)
/ = 0,4 А • см-2. W : Gd2O3 = 7 : 3]
> = 0,86 Л - см“2. W : (Gd2O3 4- Статиче-
4- La2Os) = 7:3; GdaO3 : LaA = ский режим
= 3:1 (мае.)	J
Измерено на прессованных катодах методом пря-
мой Ричардсона. Значение ф уменьшается при
увеличении содержания оксида от 5 до 10%
Измерено на компактных образцах металло-
керамических сплавов методом полного тока при
Р 10~7 мм рт. ст.
Образец активирован прогревом до Т = 1800 К
Измерено на компактных образцах металлокера-
мических сплавов методом полного тока при Р с~
10~7 ММ рт. СТ.	1 (
Импульсный режим 1 W : НЮ2 = 99 : 1.
Статический режим f Метод прямой Ричардсона
Метод прямой Ричардсона ‘
В импульсном режиме
/ = 0,8 А • см-2
То же j — 2,0 А • см-2
W : ThO2 : В = 97,5 : 2 ; 0
W : ThO2 : В = 95 : 4 : 1
W : ThO2= 24 : 1
,5 В статическом
! жиме / = 0,4
'А • см-2
ре-
Литой сплав. Эффективная работа выхода.
Состав приведен в атомных долях
Твердый раствор. Re : Ti = 99 : 1 (ат.)
Твердый раствор. Состав приведен в атомных
долях. Эффективная работа выхода
Интерметаллид. Состав приведен в массовых долях
Твердый раствор. Эффективная работа выхода
Твердый раствор циркония
в рении (интерметаллид)	Эффективная работа
Твердый раствор рения в	выхода
цирконии
Твердый раствор. Re : Zr = 99 : 1 (ат.)
Твердый раствор рения ’
в молибдене
а-Фаза
Эффективная работа вы-
хода
Измерено при Р — 10—9 мм рт. ст. на сплавах,
полученных электронно-лучевой плавкой. Эффек-
тивная работа выхода. Состав приведен в массовых
долях
[2361
(429J
(2361
[473J
[4321
(429)
[236J
[19481
(597,
598J
[473]
(597,
598J
[769]
[4551
[2361
[2271
[271]
[49]
(673]
(49]
[260]
[271]
[261]
[2147]
Сплавы
197
Продолжение
Сплав	Ф, эВ	X CN 1 < Lr < x	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления <р	Примечания	Литература
Re—Gd Re—Tb Re-Dy Re—Ho Re—Er Re—Tm Re—Lu Re—Hf Re—Hf (1%) Re—Ta Re—Ta (1 %) Re—W(l%) Re—Pt—Ce Re—Th ReaTh Re3Th — ReaY Re2Th — Re2U Re- U Re—YBrt(l %) Re—YBe(20 %) Re—YBe(50 %) Re— YBe(70 %) Re—YBe (95 %) Re — LaBe Re — La2O3 Re — CeO2 Re — Eu2O3 Os—La Os—Th Os—LaBe Ir—La (0,5 %)	2,774-1,0-10“ *7 2,624-2,5.10“4 T 2,514-3,0.10“* 7 2,434-4,0-IO"4 7 2,684-2,5-10“4 7 2,594-2,0-10”4 7 2,814-3,0-10^7 3,8—3,9 3,85 4,0 4,0 3,534-1,15X X10“47 4,55 4,65 4,724-2.10“5 T\ 4,834-1-10“5 7 J 4,78 3,06—3,25 3,09 3,19 3,19 3,24 3,17 3,67) 3,47 3,78 3,85 3,64 1 2,444-1-IO"4 7 1,314-8,9. IO”4 T 2,56 1,684-6- IO”4 T 3,20—2,3.10”4 7 2,61-f-6-IO-5 7 3,08 2,634-4-10-5 7	1 1	1	11 1 1 11 1 1	1	1	1111	1 1	1 1 1 1	1	111	1 1 1 1 1 1 1 1	1100—1500 1100—1500 1100—1500 1100—1500 1100—1500 1100—1500 1100—1500 1620 1620 1620 1620 1300—1900 1980 1980 1500—2300 2006 1800—1900 1600 1400 1400 1400 1400 1700 1770 1870 1200—1450' >1450 1300—1450 >1450 1300—1700 1600 1770 1870	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Re : Gd = 95,6 : 4,4 (мае.) Re : Tb = 19 : 1 (мае.) Re : Dy = 24: 1 (мае.) Re : Но — 97 : 3 (мае.)	Интерметаллид Re : Er = 19,5: 0,5 (мае.) Re : Tm = 97 : 3 (мае.) Re : Lu = 24 : l (мае.) Твердый раствор гафния в рении (сг-фаза) То же (возможно, Х-фаза) Эффективная работа То же (фаза Лавеса)	|выхода Твердый раствор рения 1 в гафиии	J Твердый раствор. Состав приведен в атомных долях Твердый раствор рения 1 Эффективная в тантале	> работа Предположительно Х-фаза ) выхода Твердый раствор. Состав приведен в атомных долях Диспенсерный катод в форме таблетки, получен- ной методом порошковой металлургии. Атомная доля платины 1—20%, церия—1—2,5%. Эф- фективная работа выхода Эффективная работа выхода вычислена автором настоящей работы по данным [496] Твердый раствор. Re : Th = 49 : 1 (ат.). Эффек- тивная работа выхода; dyldT < 10“° эВ • К-1 Твердый раствор. Эффективная работа выхода Re2Th : Re2Y = 3:1 (мол.)) Твердый раствор. Re2Th : Re2U =3:1 (мол.) 1 Эффективная ра- Re : U = 49 : 1 (ат.)	J бота выхода Покрытие из порошка на подложке. Эффективная работа выхода. Состав приведен в массовых долях Плотность тока термоэмиссии Прессованный / = 7,5 А • см”2	катод. Re : LaBe = / — 17 А • см”2	=9:1 (мае.) Порошок сплава с содержанием оксида 1 % по мас- се на W-нити. Р = КГ-8 мм рт. ст. Твердый раствор. Os : La = 99,5 : 0,5 (ат.) Твердый раствор. Os : Th = 49 : 1 (ат.). Эффектив- ная работа выхода; dtyldT < 10“5 эВ • К-1 Плотность тока термоэмиссии Прессованный / = 6,0 А  см“2	катод-Os : LaBe = / = 13 А - см“2	= 9 : I (мае.) Твердый раствор. Состав приведен в атомных до- лях	[673] [260] [271] [261] [271] [1706] [275] [49] [431] [284] [216] [138] [275] [284] [138]
198
Химические соединения
Продолжение
Сплав	ф. эВ		1	— - — A, A • см-2 X X K-2	Темпера- турный интервал измерений. К	Метод опре- деления ф	Примечания			Литература
Ir—La (6 %)	2,57			1100—1500	ТЭ	Эффективная работа выхода при Т = 1300 К;			1674]
						d<p/dT= 1  10~4 эВ • К	Измерено на катаных		
						лентах при Р = 10 мм рт. ст.		Состав приведен	
						в массовых долях			
[r2La	2,6—2,7				тэ	Фаза Лавеса, полученная методом бестокового диф-			[2152]
						фузионного насыщения в расплавленных солевых средах. Прогрев при Т > 1700 К приводит к ука-			
									
						заниому минимальному стабильному значению			
lr-Ce (0,4 %)	~3		—	—	ЛЭ	После термообработки сплава на его поверхности имеется оптимальное покрытие церия. Состав при-			[8011
						веден в массовых долях			
Ir—Се (9 %)	2,57		I*	1100—1500	тэ	Состав приведен в массо-			
						вых долях.			
						dy/dT = 5 • 10~5 эВ • К~	Эффективная работа		
Ir—Pr	2,55		1 1	1100—1500	тэ	1г : Рг = 91 : 9 (мае.).	выхода при Т =		
						dy/dT = 1 • 10“4эВ - К~‘,		= 1300 К. Измерено	[674]
Ir—Nd	2,60		—	1100—1500	тэ	Ir : Nd = 23 : 2 (мае.).	на катаных лентах		
						dyldT = 1 • 10~4 эВ • К-1	при Р — 10~8		
Ir—Sm	2,54		——	1100—1500	тэ	Ir : Sm = 47 : 3 (мае.).	мм рт. ст.		
						dyldT = 2 - 10“4 эВ • К"1}			
Ir—Th	3,844-4-1	0-5 ?			тэ	.Твердый раствор. Ir : Th =	49 :	1 (ат.)	[275]
Ir—LaBe			—	1770	тэ	Плотность тока термоэмиссии ]		Прессованный	
						j — 10,0 А • см "		катод.	[284]
	—		—	1870	тэ	/ = 27 А • см~2		1г : LaBe = = 9:1 (мае.)	
Pt—C	4,6		—	1600	тэ	Pt : С = 49 : 1 (мае,). Эффективная работа выхо-			[171]
						да			
Pt—Ca	3,0]								
Pt—Sr	2,3			—	тэ	Сплав на Pt-подложке			[950]
Pt—Ba	2,2j								
	2,3		—	—	тэ	Измерено в термоэмиссионном микроскопе			[489]
	—		—	1323—1373	тэ	Металлосплавной катод на Mo-керне обеспечивает			[336]
						отбор тока до 2 А см”2 при толщине эмитирую- щего слоя 200—250 мкм и длительности импульса			
						от 10 до 1000 мкс			
Pt—Ba(0,3 %)	3,0->2,I5			1000	тэ	Изменение эффективной работы выхода при про-			[199]
						греве сплава при Т = 1000 К			
Pt—Ba (1,3 %)	3,5		__	——	АЭ	Измерено после прогрева острия		при Т = 1850 К.	[352]
						Состав приведен в массовых	долях.		[277]
Pt—Ba (2 %)	2,20			1300	ТЭ	Твердый раствор. Эффекта	вная работа выхода;		
						d<p/dT< 5 - 10~4эВ • К“~*.	Состав приведен в		
Pt—Ba (5 %)						атомных долях			
	2,1			1000	ТЭ	Эффективная работа выхода			(199)
Pl-La	3,984-2.1	0-5 T				ТЭ	Твердый раствор. Pt : La =	= 99,5 : 0,5 (ат.)		[138]
Pt—w	4,24				1200—2000	тэ	Проволока из сплава № 479			
						Sigmund Cohn Corp., Mount Vernon, New York. Вычислено по эксперимен-			
									
						тальным данным (метод		[Pt : W = 23 : 2	[1332]
						прямой Ричардсона), приве-			
						денным в [1901]			
	4,49—4,55		-MW	1000—1750	пи	Измерено на ленте методом			
						ПИ атомов калия			
	4,5		—	—	пи	Измерено на ленте методом Pt : W = 23 : 2	ПИ	атомов натрия.	[1987]
Сплавы
199
Продолжение
Сплав	ф, эВ	A, A • cm~2 x x K~2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
Pt—W Pt—Th Pt—LaB6 Au—Ba Au5Ba Au2Ba AuBaa Au—Pt	4,505-4,63 5,26 3,94-6- IO-5 T 2,20 3,3 3,3 >3,5 4,0 3,18±0,l1 3,19 ±0,05 5,34->5,38 5,34->5,64 5,35 ->5,34 5,35->5,43 5,36->5,45 5,36->5,75 5,37->5,44 5,37->5,45 5,37->5,48	—	1000—1750 1100—2000 1770 1870 1100 ****	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ АЭ КРП ФЭ АЭ тэ КРП ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ	Измерено на ленте методом прямой Ричардсона Измерено на нити, предвари- тельно прогретой в токе ме-	Pt : W = 23 « 2 тана, методом прямой Ричард- сона. Вычислено по экспери- ментальным данным, приведен- ным в [1488] Твердый раствор. Pt : Th = 49 : 1 (ат.) Плотность тока / = ] _ с л Л	—2	Прессованный катод. =	п Л	-2	р‘; LaB« =9:1 <мас-> / = 16,0 А • см ) Твердый раствор. Au : Ва = 49 :1 (ат.). Эффективная работа выхода; dq>/dT < 5 • 10~4 эВ • К-1 Интерметаллид Бинарный слой Au—Ва напылен на W-леиту и прогрет в интервале температур 250—900 К Интерметаллид Метод прямой Ричард-	Золотое покрытие на- сона	несено электролитиче- Метод Андерсона. Дан-	ским способом на Мо- ное значение — среднее	ленту в приборе с ок- из 14 измерений	сидным катодом Пленка, полученная одновременным термичес- ким напылением платины и золота, отожжена при Т = 573 К. Изменение значения <р при увеличении атомной доли платины в сплаве от 15 до 88% Пленка, полученная термическим напылением платины на золото, отожжена при Т = 473 К. Изменение значения <р при увеличении атомной доли платины в сплаве от 12 до 93% Измерено после откачки СО и прогрева пленки при Изменение значения Т = 573 К в течение 16 ч <р при увеличении Измерено после выдержки атомной доли пла- в среде СО при рсо== (тины в сплаве от = 10-5-10-^ мм рт. ст. н 15 до 88% комнатной температуре в течение 1 дня Изменение значения <р при уве- личении атомной доли плати- ны в сплаве от И до 95%. Зо- ИЛ Z1 лото напылено на платину.	иапылен- Изменение значения ф при уве-	«	' личении атомной доли плати-	и ны в сплаве от 12 до 93%.	и Платина напылена на золото Пленка, полученная термическим напылением золота на платину, отожжена при Т = 473 К. Изменение значения ф при увеличении атомной доли платины в сплаве от 11 до 95% Измерено после выдержки в Изменение зна- среде СО при рсо = 10"5— чения ф при уве- 10*-4 мм рт. ст. и комнат- . личенни атомной ной температуре в течение доли платины в 2 дней	сплаве от 15 до . То же в течение 4 дней	88%	’	[1332] [275] [284] [277] [861] [763] [861] [746] [1012]
200
Химические соединения
Ы
2р~
zp-
15 i ।	> 11
' 0 20 40 60 Ск,%
выхода or
состава сплава:
Рис. 103. Зависимость
а — система Na — К [534].
б — система Ti — Hf [685];

4^
44-
работы
Измерено методой ФЭ при Т = 298 К;
е — система Ti — W [208]. Определено
N
э гспериментально и рассчитано по формуле ф* = 2 ^(фр где ф* — ра-
<=1
бота выхода смеси фаз* —• доля тока* отдаваемая пятнами (-го типа*
Ф^ — работа выхода пятен того же типа; г — система TI — Re пос-
ле обработки при Т = 1600 К в течение двух суток (/) и после об"
работки при Т — 1900 К в течение 2 ч (2) [270]; д — система Ni — Al
- .---.	---- —-------------—...----------- и отожженных при Т = 618 К в течение 16 ч (2) пленках: е —» си-
стема Ni — У 1520 J; ж — система Ni — La [520J; з — система Rb — Cs [534J. Измерено методом ФЭ при Т = 298 К; и — система
Zr — Мо [278]. Эффективная работа выхода при Т = 1500 К; « — система Zr — Re [2761. Эффективная работа выхода прн Т. равной
1700 (/} п 2200 (2) К; л — система Мо — Rh [5201; м — система Мо —- W [274]. Эффективная работа выхода при Т = 1500
К измерена на образцах* прогретых при Т = 2000 К в течение 50 ч (/)и при Т = 2300 К в течение 15 ч (2); н — система Мо — Re
[520, 685, 690J; о — система Hf — Sc [685]; п — система Hf — Nb [276]. Эффективная работа выхода прн Т« равной 1700 (/)
[1202]. Измерено методом ФЭ на свежесублимнрованных (/)
стема Ni — У 1520]; ж — система Ni — La [520 J; з — сист<
Сплавы
201
Продол жение
Сплав	Ф, эВ	A, A - cm ~ x x к-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления <р	Примечания				Литература
Au—Pt	5,41-*5,51	— 1	——	ФЭ	Измерено после выдержки		1		
					в среде СО при рсо		1		
					— Ю— 5—10~4 мм рт.	ст. и			
	5,42-*5,58			ФЭ	Т = 373 К в течение 16 ч Свеженапылснная пленка по-		| Изменение	значе-	
					лучена одновременным тер- мическим напылением пла- тины и золота		пин при увели- чении атомной до-		
							ли платины в		[1012]
	5,43-*5,53	—	—	ФЭ	Измерено после выдержки		сплаве от 88 %	ю до	
					в среде СО при рс0 =	10“°—			
					10~4 мм рт. ст. и Т= течение 80 ч	373 Кв			
Au—Hg	4,55	—	300	ФЭ	Амальгама				[1360,
									1512,
	1,67								1749]
Hg2Na		' 	—	тм	Вычислено по (55)				
	3,70	—	—*	тм	Вычислено по (54)				
HgNa	1,88	—		тм	Вычислено по (55)				
	3,32	 —	—	тм	Вычислено по (54)				
Hg2Na3	1,99	—	—	тм	Вычислено по (55)				
	3,15		—	тм	Вычислено по (54)				
Hg2K	1.96	—	—	тм	Вычислено по (55)				[162]
	3,68	—-	—	тм	Вычислено по (54)				
Hg7K5	2,08	1	—	тм	Вычислено по (55)				
	3,50	—	—	тм	Вычислено по (54)				
HgK	2,13	—	—	тм	Вычислено по (55)				
	3,31	—		тм	Вычислено по (54)				
Hg2Rb	1,45	—	298	ФЭ	Измерено методом изотермических кривых			Фау-	[538]
	3,96				лера при Р — 10 1 —	-10 у мм	рт. ст.		
Hg—In		——	—	КРП	Насыщенная амальгама. Эталон — ртуть			(<₽Hg	[677]
	2,57-* 1,95				принята равной 4,50 эВ)				
Hg—Cs		——	298	ФЭ	Изменение значения	ср при увеличении атомной			[533]
Hg-Ti					доли цезия от 2,1 до 100%				
	4,04	—	—	КРП	Насыщенная амальгама. Эталон — ртуть			(4>не	[677]
NH4Hg	2,76—2,90				принята равной 4,50 эВ)				[767]
		—		ФЭ	Амальгама аммония				
PbNa	2,07		—	тм	Вычислено по (55)1 Вычислено по (54)1				Г1691
Pb—Na	3,13	—	—-	тм					[ 1 OZ j
	3,58-*2,29	—	298)		Изменение значения ср при изменении атомной до-				[533]
	3,67-*2,57	—	603]	ФЭ	ли натрия от 0,00040 до 0,0760				
Рис. 104. Температурная зависимость работы выхода при ТЭ
для LaGet. Образцы получены спеканием компонентой с после-
дующим сплавлением и среде аргона [633].
и 1600 (2) К* измерена на образцах» прогретых прн Т — 2000 К в течение суток: р — система Hf — W [268]. Определено экспе»
N
риментально и рассчитано по формуле <р*= S f^tp^ где ф* — работа выхода смеси фаз» — Доля тока? отдаваемая пятнами 4-го
/=1
типа, (pj — работа выхода пятен того же типа: с — система Hf —> Re [276]. Эффективная работа выхода при Т =*• 1700 К измерена
на образцах» прогретых прн Т = 1700 К в течение суток (/) и прн Т = 2100 К в течение суток (2); m — система Та — Nb [833];
у — система Та — Ru [482]; ф — система Та — Hf [833]; х — система Та — W. Эффективная работа выхода при Т => 1600 К из-
мерена н.. образцах, прогретых прн Т = 2000 К в течение 50 ч (/) [274, 278] и при Т = 2300 К в течение 15 ч (2) [274]; ц — система
Та _ Re [833]; ч — система W — Re [276]. Эффективная работа выхода при Т. равной 1700 (/) и 2200 (2) К; ш —* система
Re — Ru [520]; щ — система Pt —• Ва [197, 200]. Эффективная работа выхода при Т = 1000 К.
Содержание компонентов приведено в атомных (а, я—д, з—м, п—ч) и массовых (б, е, ж, п, о) долях.
202
Химические соединения
Рис. 105. Зависимость работы выхода от
состава поверхности, определенного ме-
тодом Оже-электроиной спектроскопии,
для сплаваСи— Ni [1889].
О 20 40 60 Св;,7о
9,эВ
О 20 40 60 0^,%
____I___I__1—J_____I
О 2D 40 60 Сзв,7*
_____I____I____1___I____L 4,ООХ__I____I___I—J______L
О 20 40 60 См,°/о 0 20 40 60 Cse,%
Рис. 106. Зависимость работы выхода
при Т = 670 К от содержания хрома
в равновесных пленках сплава Сг —
Ли [1897].
I I I_____________I_____L
О 20 40 60 CSn, %
Рнс. 107. Концентрационная зависи-
мость работы выхода, измеренной
методом КРП, в системах- а — Cd —
Bi [445—447]; б — Cd — Zn [446,
54 0]; в — Bi — Sb [445, 4461; г —
TI — Pb [446]; d — Sn — Pb [445,
446]; e — Sn — Sb [446, 539]; ж —
1 n — Sn [446]; з — In — TI [446]; u —
In — Sb [446, 539]; к — in — Bi [444,
446]; л — Cd — Sb [446, 540]; м —
Cu — Cd [446, 5411; н — Sb — Zn [539,
540]; о — Cd— Zn — Sb [540]; n — Cu —
In [541]; p — Cu — Sb [541]; —
Sb — In [539]; m — In — Pb [44 4].
Содержание компонентов приведено в
атомных (а—с) и массовых (т) долях.
Р
У,Э8
да
'4,1
40
4,2-______________________
L яо[____।____।___1-1
О 20 40 60 Cse,7o 0 20
16,7
40 60 Cpgt7o .
Рис. 108- Зависимость работы выхода при ФЭ для амальгам от атом-
ной доли щелочного металла:
а — по данным [512]: / — Na, 2 — К. 3 — Сз;
б — по данным [513]: Cs. Т = 298 К.
1_________।
2J0X---1----1---1----1---LPZ7 _
О 20 40 60 СКЛ О
-J_____I____L
20 40 60
Рис. 109 Зависимость работы выхода при ФЭ от атомной доли калия в
системе Na — К [ 1650]-
в — натрий и калий одновременно напылены при Г = 80 К;
б — пленки синтезированы при Т == 293 К (/) н охлаждены до Т —
= 80 К (2).
Сплавы
203
---1-1--1-1-1	/51-1-1--1_I__L ____I_iiii
0 20 40 60 CM,% 0 20 40 60 CCs,7o 0 20 40 60 Ca,7o
2,0\----1-----1-----1----1----l
0 20 40 60 CK,%
0 20 40 60 Ccs,°/a
Рис. 110. Изотерма работы выхода при
ФЭ для систем:
а — К — Rb. Т = 298 К [538. 1560]:
б — Rb — Cs. Т <=» 298 К [538, 1560J:
в — К — Cs. Т равна 298 (/) и 183 (2) К
[536, 538, 1560];
г — Na — Rb. Т = 298 К [536. 538, 1560];
д — Na — К. Т равна 298 н 183 К [538.
1560];
е — Na — Cs. Т равна 183 (/) и 298 (2) К
[536, 538, 1560];
ж — Hg — Rb. Т = 298 К [538, 15601;
з — Hg — К. Г = 298 К [537, 1560];
и — Ga — Bi. Т = 573 К [30, 393, 821,
823, 824];
к — Ga — Hg [393];
л _ Ga — TI, Т «= 523 К [393, 825];
я1— по данным [542]: 1 — In — Na; 2 —
In — К; 3 — In — Rb; 4 — In — Cs. Ha
осн абсцисс приведено содержание ще-
лочного металла в сплаве; кик' —
Ga — In. 7 = 473 К: н — эксперимент
[821 — 824] (/ — метод Фаулера; 2 — метод
задерживающего поля): к' — теоретичес-
кий расчет [318] (I — по формуле (23);
2 — по Формуле (24));
о — Sri — Hg [6071;
п — TI — К. Т = 298 К [537].
Содержание компонентов приведено в
атомных долях.
4/1-
4^1 i'iii
О 20 40 60 сВ!;%
4#-^ к
3,0_______1_।__.
О 204060С^7о
д
Рис. 111. Зависимость работы выхода при ФЭ (Для Т = 298 К) от атомной доли
металла в системах [512];
а — Hg — Cd «— К при Сор равной 0.0 (/), 5,0 (2), 7,9 (31%;
б — Hg — Cd — Cs при Cqj, равной 0,0 (/), 5,0 (2), 9,0 (3)%;
t — Hg — Cd — К при Ск, равной 0,00020 (/), 0.001 (2), 0.2 (3), 0,26 (4), Ь5 (5)%:
г — Hg — Cd — Cs при Cqs. равной 0,000030 (/), 0,000080 (2). 0,000110 (3),
0.000140 (4), 0,000280 (5). 0,000510 (6), 0,00130 (7), 0,00350 (3). 0,00600 (9)%.
204
Химические соединения
Рис. Ц2. Температурная зависимость ра-
боты выхода при ТЭ для сплавов:
а — по данным [276]: / — W — Hf (3%);
2 — Re — Hf (1%), 3 — Nb — Hf (1%),
4 — Ta — Hf (3%);
6 - Nb — Tl (20%) [2061):
e — W — Ta [274 b с содержанием воль-
фрама: / — 40, 2 — GO, 3 — 74, 4 — 85,
5 — 94, 6 — 98%;
a — W —• Mo [274 J, с содержанием воль-
фрама; t — 27, 2 — 62. 3 — 83, 4 — 87,
5-93, 6-97%:
0 -* Ta —• Ru [482], с содержанием руте-
ния: 1 — 59, 2—13, 3 — 82%;
e — по данным [1706]:	1 — W — Pt
(30%); 2 — W — Pt (12,5%); 3 — W —
Pt (5%); 4 — V/ — Pt (1%);	5 - W -
Pt (12,5%) — Ce (2,5%);	6 — ZrC —
Pt (19,5%)—Ce (2,5%); 7 — Re — Pt
(20%) - Ce (5%):
ж —Re—Th (6%) (система активирована)
[195 J;
з—з" — по данным [49]: я — ResTh
после прогрева прн Т = 1800 К в течение
5 ч (/) и прн Т = 2200 К в течение 10 ч
(2); з' — ИегУ после прогрева при Т =
= 1400 К в течение 4 ч (/) и при Т = 1900 К
в течение 24 ч (2); з" — ResTh — Re-Y
(25%) после прогрева прн Т= 1600 К в
течение 4 ч (7) и при Т = 2000 К в течение
4 ч (2); s*' — Re.Th — Re,U (25%) после
прогрева при Т — 1600 К в течение 2 ч
(/) и при Т = 1900 К в течение 1 ч (2);
« — по данным 1785]: / — Ni — Sr
(0,15%) — Ba (0,1%);	2 — Ni — Ba
r (0.2%);
к — поданным [7771: 7 — Ni—Al (1,0%)—
Ba (0.6%);	2 — Ni - Cu (6,07%) — Ba
(0,58%);
i, л' — по данным 1.360] (системы акти-
вированы): л — на основе платины: 7 —
Pt — Ва (1,5%); 2 — Pt — Be (0,5%);
j _ Pt _ Sr (1.0%);	4 - Pt — Ca
(0,7%); 5 - Pt —Mg (0,5%), л' — на
основе палладия: I — Pd — Ba (1,5%);
2 — Pd — Sr (1.0%); 3 - Pd — Be (0,5%);
4 — Pd — Ca (0.6%); 5 — Pd — Mg (0,5%);
м — AusBa [746];
н — Mo — Pt, с содержанием платины
[62]: 1 — 5. 2— 10. 3 — 15%;
j — RcZr (~1% Zr) [413 J: /, 3 — катод
активирован при T as 1900 К в течение
40—60 мин, 2, 4 — активированный катод
подвергнут ионной бомбардировке,
nt п' —расплав Fe — S с исходным содер-
жанием серы 7 (л) и 0,1 (л')% [557]. Раз-
ные кривые сняты для образцов, прошед-
ших различную термообработку Значения
Ф для системы Fe — S с исходным содер-
жанием серы 15, 10, 2 и 0,5% совпадают
со значениями, полученными для образца
с содержанием серы 7%. Содержание ком-
понентов на а—г, е — приведено в атом-
ных, на з—з" — в молярных, на к—л* —•
в массовых долях.
9>эв
5^2-
S33_______________
'mm m 2000
Рис 113. Температурная за-
висимость работы выхода, из-
меренной методом ПИ атомов
натрия, для проволок сплава
Pt — W (8%) (сплав № 479 Sig-
mund Kohn Со) [2075 J
Рис. 114, Температурная зависимость работы
выхода при ФЭ для двойных соединений систем
[1560J: 1 —К — Cs (33,5); 2 — Rb — Na (78,35);
3 _ Na — К (38,8); 4 — Na — Cs (32,4); 5 —
Na — Cs (25,1); 6 — Hg — К (1.83). Содержа-
ние компонентов приведено в атомных долях,
Сплавы
205

Рис. 116. Зависимость эффек-
тивной работы выхода при Т =
= 1650 К от времени прогрева
при Т == 2000 К сплава Re —
2г с атомной долей цирко-
ния 0.18% [228]
Рис. 115. Термоэмиссионные свойства сплава Pd — Ва:
a — изменение эффективной работы выхода при Г = 1100 К в процессе обезгажи-
вания Pd — Ва-катода в вакууме (в течение 0—3 ч) и водороде (в течение 3 — 5 ч)
прн pj-j = 10—* мм рт. ст. [282];
б — зависимость работы выхода от температуры прогрева сплава Pd — Ва (1.5%) в
течение 10 мии [281];
е — зависимость работы выхода от времени бомбардировки сплава Pd — Ва
(1.5%) ионами аргона при Т = 1200 К и плотности тока ионов, равной 5 • 10 7 (/),
2 • 10—’(2) и 2  10—» (3) А • см—’ [196].
Рис. 117. Зависимость эффективной работы выхода при Т = 1000 К от времени
активирования сплава Pt — Ва:
a — сплав с содержанием барня 0,3% [197]. Активирование проводилось нагре-
вом при указанных температурах. К;
б — сплав с содержанием бария о% [200].
Рис. 118. Температурная зави-
симость работы выхода при ТЭ
для сплавов переходных метал-
лов с боридами: 1 — Re — YB,
(10%). 2 — Re — GdB4 (10%);
3 — W — Y В4 (10%) Содержа-
ние компонентов приведено в
массовых долях [798].

О 20	40	60 во Сшв±,%
Рис. 119. Термоэмисснонные свойства сплавов
системы W - LaB, [723]:
a — температурная зависимость работы выхода
для сплавов с молярной долей вольфрама 99 (/);
97 (2). 95 (3), 90 (4). 70 (5) и 50 (6)%;
б — зависимость эффективной работы выхода
при Т = 1700 К от молярной доли LaB, в сплаве.
Рис. 120. Зависимость ра-
боты выхода при ТЭ от мас-
совой доли оксидов в спла-
вах на основе LaB, [863]:
/ — система LaB, — А1гО,.
Температура спекания спла-
ва 2470 К,
2,3 — система LaB, — У,О3.
Температура спекания спла-
ва 2270 (2) и 2470 (3) К.
Рис. 121. Термоэмиссионные свойства
сплава Мо — UO/
a — температурная зависимость работы
выхода при различном содержании в спла-
ве молибдена (1,2 — 95; 3, 4 — 25%) и
различном парциальном давлении воздуха
(/. 3 — 3 • 10—’. 2, 4 — 2 • 10— • м.м
рт. ст.) [1788];
б — температурная зависимость работы
выхода при различном содержании в спла-
ве молибдена: / — 5, 2 — 30, 3 — 50, 4 —
75%. Парциальное давление воздуха
3	10—7 мм рт. ст. [1788];
в — зависимость плотности тока эмиссии
прн Т = 1903 К от содержания в сплаве
оксида [1789. 1790].
206
Химические соединения
Рис. 124. Зависимость работы
выхода при ТЭ от температуры
обезгаживания вспышкой ка-
тода W — ThO, (состав 99 : 1)
[1379]. Работа выхода опреде-
лена методом прямой Ричард-
сона.
Рис. 122. Зависимость плотно»
сти тока термоэмиссии от со-
держания в сплаве W — UOt —
BaO компонента BaO — UO,
при содержании ВаО 75 (/) и
60 (2)% по общему [1789].
<Р,ЭВ
?fl\— -_________।_____L
2100 2300 2500 Т,К
Рис. 123. Зависимость плотно-
сти тока эмиссии от времени
для сплавов системы W — Y,Og
состава 1 : 99 (/), 5 : 95 (2),
10 : 90 (3), 20 : 80 (4), 50 : 50
(5); I и 7/ — температура ка-
тода Тк = 1773 К. Ill и IV —
Тк = 1973 К: / и HI — без
анодного напряжения; II и
IV — при постоянном анодном
напряжении 500 В [1454].
Рис. 125. Термоэмиссионные свойства сплавных керметкатодов [2841:
а — изменение во времени плотности тока эмиссии при Т = 1670 К для катодов на основе оксидов вольфрама с содержанием
смеси оксидов лантана и гадолиния 4 (7). 10 (2) и 30 (3) %:
б— изменение во времени плотности тока эмиссии при Т ~ 1570 К для катодов на основе вольфоама с содержанием LaH, 4 (7), 10
(2) и 30 (3)%:
в — изменение во времени плотности тока эмиссии при Т = 1640 К для катодов с присадкой активатора (ThO,) и восстановителя
(В): 1 — 4% ThO,; 2 — 0.4% ThO, + 1% В: 3 - ThO3 ± 0.3% В; 4 — ThO, -f- 0.5% В; 5 - 4% ThO, + 1% В;
г — зависимость максимального тока эмиссии керметкатодов. спеченных при Т = 2070 К и содержащих добавки соединений РЗМ:
7 — W +• La,O3. катод прогрет при Т — 2100 К. эмиссия измерена при Т = 1570 К: 2 — W 4- Lail,, катод прогрет прн Т = 2100
К, эмиссия измерена при Т— 1570 К, 3 — W + [Gd,Od (0,75) + La.O, (0.25)], катод прогрет при Т = 2100 К. эмиссия изме-
рена при Т = 1670 К; 4 — W 4- [Gd,Os (0,75) 4- La,О, (0,25) J. катод не прогрет, эмиссия измерена при Т — 1670 К;
о — изменение во времени плотности тока эмиссии при Т = 1570 К для катодов на основе вольфрама с содержанием La,О, 4 (7),
10 (2) и 30 (3)%.
МОНОКРИСТАЛЛЫ
Сплав	Индекс грани	ф, эВ	А, А -см-2 X ХК“2	Метод опреде- ления ф	Примечания	Литера- тура
Mo—Zr Mo — Nb (5%) Mo—Nb (41 %)	{100} {100} {111} {111}	2,94 ± 0,02 4,26 + 0,02 4,20 4,12	560 87	АЭ АЭ ТЭ	На поверхности частично ад- Mo : Zr = 99 : 1. сорбирован цирконий	 Метод прямой Фау- Чистая поверхность	лера — Нордгейма Измерено на плоских и сферических образцах мето- дом прямой Ричардсона. Состав приведен в атомных долях	[1017] [695]
Wo—Rh (65 %)	(0001) (0001) (1012)	4.80 ±0,05 4,87±0,07 4,46±0,07	230) но/	ТЭ ТЭ	е-Фаза.Эффективная работа выхода при Т = 1600 К. Состав приведен в атомных долях е-Фаза. Измерено методом прямой Ричардсона в интервале температур 1300—1900 К. Состав приве- ден в атомных долях	L	(701) (520,700]
Сплавы
207
Продолжение
Сплав	Индекс грани	ф, эВ	А, А -сы XK"	X <N I/?	Метод опреде- ления ф	Примечания				Литера- тура
Мо—Rh (65%) Мо—Rh (67 %) Мо—Re (12,5 %) Мо—Re (27 %) Мо—Re (27%) Мо—Re (42 %) Ag — Au Та—Мо (20 %) W-Rh (2%) W—Rh (2%) W—Та W-Re W—Re (1%)	(10'12) (1124) (1124) (0001) (10l2) (1124) {ICO) {110} {111} {100} {110} {111} {100} {100} {110} {111} {100} {111) {111} {100} {100} {100} {100} {110} {110} {110} {100} {110} {111} (100} {100} {100} {100} {100}	4,47±0,051 4,23 ±0,051 4,30 ±0,07 4,80 ±0,05 4,47 ±0,05 4,23±0,05 4,40 5,03 4,40 4,36 5,05 4,35 4,10—4,36 4,10—4,36 5,05 ±0,05 4,00—4,35 4,42 4,45 4,38 4,38 ±0,04 4,70 ±0,05 5,38 ±0,05 4,77 4,78 5,9-6,4 4,80 4,85 5,15 3,50 4,08 4,80 4,59 4,54	170 110) 720 160 150) 850 HO. 150± 28—1 850 ±1 22—1 180) 210/ 43 43 ± 540 1,8-К 30—5 30—5 IO4— 1 1—3 130 100	► 20 50 00 10 5 )e 0 0 05	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ КРП тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	е-Фаза. Эффективная = 1600 К. Состав приве е-Фаза. Измерено методе тервале температур 130( в атомных долях Измерено методом полш тока в интервале темпе 1500—1900 К То же 1500—1800 К То же 1300—1500 К Твердый раствор. Изме методом прямой Ричардсе Состав приведен в массо Измерено на плоских об; чардсона. Состав приведе Состав приведен в атом) электрона, измеренная м зависит от времени прог с* 2000 К. То же в интервале 60— Те же образцы прогреты 2000 К в течение 50- Значение <р зависит от I прогрева (30—180 ч) те? цов при Г 2000 К Твердый раствор. Изме, методом прямой Ричардсе Состав приведен в массо] Пленка на слюдяной под, выхода электрона от сост <Р = fPAg+ °-91 х2> где х — атомная доля зо Измерено па плоских об] чардсона при Р = (1—5) Состав приведен в массо! Образцы прогреты при Т = 2200 К в течение 40 и 50 ч То же в течение 20 ч То же в течение 10 ч j Образцы нагреты до Т с Стабильное значение ф после прокалки образце! при Т — 1730 К в течеъ Образцы прокалены при > 1800 К Эффективная работа вых при 7 = 1980 К То же при Т= 1800 К То же при Т = 1820 К W : Та =99 : 1 (мае.), к Ричардсона при Р= (1- Те же образцы. Эффекта выхода при Т= 1500 К То же при Т = 1800 К Измерено методом прям 10—11 мм рт. ст. Измерено тем же методо 1850—2250 К. Состав при	работа вы ден в атом >м прямой )—1900 К. эго 1 м зратур I фа I bcj 1 ДО. )ено на п? эна при Р = вых долях эазцах мете ш в массов шх долях, етодом пря эева (70— 320 ч при Т -350 ч времени с же образ эено на пл »на при Р = зых долях ложке. Зав ава выраж лота на пог эазцах мете • 10—8 мм зых долях Тот же м  Состав п пых доля? - 1800 К в 1ие 50 ч т > ода ) 1 Сост । в ма Измерено м -5) • 10~8 вная работ ой Ричар; м в интерв веден в мае	хо нь Ри С ITC за] дег ля. юс = 1 >дс ых р мо 30( ос = 1 ИС1 ае' iep >до рт етс РИ1 с 1 ь ав ссс ете мм ча ico ал хо	да при Т = IX долях чардсона в ин- остав приведен рметаллид (е- . Состав при- в массовых к ких образцах О-8 мм рт. ст. м прямой Ри- долях абота выхода й Ричардсона, ) ч) при Т Os' Метод прямой Ричардсона ких образцах О-8 мм рт. ст. тмость работы гея формулой хиости сплава м прямой Ри- '. ст, >д. веден в атом- 'от же !етод приведен )ВЫХ долях эдом прямой рт. ст. на при Р — е температур вых долях	[701J [520,7001 [124,702[ [756] [757] [755] [750] [755] [756, 757] [1172] [754, 757] [750] [749] [757] [754] [757] [881] [757]
208
Химические соединения
Продолжение
Сплав	Индекс грани	ф, эВ	А, А -см-2Х ХК~2	Метод on реде- ления ф	Примечания	Литера- тура
W—Re (1%)	{100}	4,54	100	ТЭ	Твердый раствор. Измерено тем же методом. Состав приведен в атомных долях	[752]
W—Re (2%)	{100}	4,56	130	тэ	Измерено тем же методом при Р	10—11 мм рт. ст. Состав приведен в атомных долях	[881]
\V—Re (5%)	{100}	4,52	11	тэ	Измерено тем же методом при Р = (1—5) X X 10~8 мм рт. ст. в интервале температур 1750— 2050 К. Состав приведен в массовых долях	[754,757]
W—Re (5%)	{100} {100}	4,10±0,05 4,52 ±0,04	11—12	тэ тэ	Образцы прогреты при	з Т ~ 1900—2100 К в тече- 1 Тот же метод, ние 300 ч	> Состав приведен То же при Т == 2200 К	в атомных долях в течение 40 и 50 ч	/	[750]
%ЗВ
4JB- о о
о
4,6	°
Рис. 127 Фотоэмиссионные свойства грани {100} Fe — Si (с атомной до-
лей кремния 5,59%) 11916]
а — зависимость работы выхода от способа обработки грани: / — исход-
ный образец; 2 — обезгаживание; 3 — первая ионная бомбардировка; 4 —
отжиг: 5 — вторая ионная бомбардировка; 6 — отжиг; 7 — третья ионная
бомбардировка; 3 — отжиг, 9 — четвертая ионная бомбардировка; 10 — от-
жиг; // — пятая ионная бомбардировка; 12 — отжиг. Образец отожжен
прн Т = 720 К в течение 20 мни;
б — зависимость работы выхода от температуры отжига.
П____________I—
673	773
Рис. 126. Температурная зависимость
работы выхода при ФЭ для механи-
чески полированной грани {100} Fe —
Si (2.89% по массе). Измерено после
ионной бомбардировки образца [1913].
О 20 40 60 80С„в,% 0 20 40 60 600^%
Рис. 128. Термоэмиссионные свойства моно-
кристаллов сплава Мо — Nb:
а — изменение работы выхода в основных
фазовых областях сплава (5201: / — грань
{100}; 2 — грань {11 1};
б — зависимость эффективной работы выхода
при Т = 1650 К от состава сплава для грани
{111} [695, 697].
Содержание компонентов сплава приведено
в атомных долях
Рис. 129. Температурная зависимость работы выхода прн ТЭ для монокристаллов
плавов W — Та [280J: 1 — 1рачь{110} U — Га (4,/%f; 2- грон., {j00}
W — Та (4%); 3 - грань {111} W - Та (4%); 4 — грань {100} W - Та (9%).
Рис. 130. Температурная зависимость работы
выхода при ТЭ для монокристаллов сплава
W — Os (1%) [753]: / — грань {110}; 2 и
3 — грань {111} (2 — охлаждение, 3 — на-
грев); 4 — грань {100}.
Материалы на основе неорганических и органических соединений
209
Материал
Аквадаг
Графит
Пирографит
МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ НЕОРГАНИЧЕСКИХ
И ОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ
ф. эВ
Примечания
Материалы на основе неорганических соединений
4,40 ±0,05	«—В	ФЭ
4,6	—.	ФЭ
4,74 ±0,05	—	КРП
4,85 ±0,08	—	КРП
1,59	—.	тэ
2,64	—	тэ
3,4	10	тэ
3,5	14	тэ
3,5	20	тэ
3,93	—	тэ
4,1		тэ
4,35	—	тм
4,36	45	тэ
4,38+0,01	—	ФЭ
4,39	15	тэ
4,60	46	тэ
4,62	60	ЭФ
4,62	150	тэ
4,65	240	тэ
4,67	220	тэ
4,7			ФЭ
4,83	170	ЭФ
4,90	—	тэ
5,2	—	тэ
8,3		тм
9,31	—	тм
10,5	—	ТМ]
4,0	20	тэ
4,30+5,60 X		тэ
xio-5T		
4,31 + 1,03х	—	тэ
хю~4т		
4,38		КРП
Пленка на стекле
Пленка на стекле прогрета при Т = 773 К
Проводящее покрытие на пирексе. Эталон — золото (фАи при-
нята равной 4,83 ± 0,07 эВ). Р = 10 10 мм рт. ст.
Измерено методом прямой Ричардсона
Графит с присадкой
бария (20%)
Графит без присадки
Спектрально-чистый графит пропитан
3,33% -ным раствором Y2O3
Спектрально-чистый графит пропитан
2,92%-ным раствором ацетата лития
Спектрально-чистый графит с покрыти-
ем из LaB6
Графит повышенной чистоты
Эффективная работа выхода
Рассчитано по результатам определения
в условиях работы графитовых элек-
тродов в щелочной плазме в канале
МГД генератора (на поверхности гра-
фита имеется покрытие из поташа
К2СО3)
Измерено на ци-
линдрических об-
разцах методом
прямой Ричардсона
микроволновым ме-
тодом степени ионизации водородо-ацетиленового окислитель-
ного пламени при атмосферном давлении
Измерено на электрографите марки Е2170 методом прямой Ри-
чардсона
Измерено методом сферических конденсаторов при длине вол-
ны %, равной 239,9 и 230,2 нм, Р— 10“ 8 мм рт. ст., 7'=298 К
Измерено на электрографите методом прямой Ричардсона
Измерено методом прямой Ричардсона на электрографите, обез-
гаженном при Т = 2500 К
Эмиттер — стенки полой камеры из графита. Т = 0 К
Электрографит марки AGX ( Метод прямой
Электрографит марки G91	) Ричардсона
Измерено на электрографите марки EYI методом прямой Ри-
чардсона
Эмиттер — внутренние стенки полой графитовой камеры. Из-
мерено в интервале температур 1785—2000К
Измерено методом прямой Ричардсона в интервале температур
450—1200 К при Р = 10~5 мм рт. ст.
Измерено на плоских графитовых образцах при Р < 10“6 мм
рт. ст.
Плоская двухмерная сетка
Рассчитано для периодических класте-
fioB расширенным методом Хюккеля
612]
Рассчитано итерированным расширенным
методом Хюккеля [1325]
Метод прямой Ричардсона
Образец отожжен под давлением	Пирографит
получен
Необработанный изотропный графит	химическим
газофазным
Сколотый образец	осаждением
Плоская двухмер-
ная сетка
[1182]
[925]
[1037]
[1592]
[596]
[1592]
[91]
[1815]
[876]
[658]
[1021]
[1384]
[1009,
1390]
[876]
[1472]
[1182]
[2154]
[2135]
[1760]
[1095]
[2039]
[596]
[618,
747]
14 «5ТО
210
Химические соединения
Продолжение
Материал	ф, эВ	X о 1 < * < х	Метод опре- деления ф	Примечания			Литература
Пирографит	4,44	—•	КРП	Образец подвергнут электролитическому i			
				травлению		Пирографит получен	
	4.25-Н.38Х	 	тэ	Необработанный образец с ориентацией		химическим газо-	|618,
	Х10“4Т			базисной плоскости со — 0		фазным оса ж де-	747}
	4.24	—	КРП	св = 90 1 Образец механически		иием	
	4,26	—	КРП	со = 60 / шлифован			
	4,58	—	КРП	со = 45 ] Образец подвергнут			
	4,62	-—	КРП	со — 30*1 электролитическому			
	4,6Я	—	КРП	о=0 J травлению			
Материалы угле-	3,1—4,34		тэ	Горячепрессованные плоские образцы различных фракций кре-			[2048}
родные компози-				кингового кокса на связке из среднетемпературного пека. Из-			
ционные на основе				мерено методом прямой Ричардсона в интервале температур			
кокса марки KHIIC				1300—1750 К при Р = 10 ьмм	рт. ст. Работа выхода зависит		
				от температуры обработки образцов в интервале температур			
				1773—2773 К в течение 10—11	ч		
	3,14—4,22	—	тэ	Измерено на тех же образцах методом полного тока. Значение <р			[2150]
				при Т = 300 К, полученное экстраполяцией температурной			
				зависимости <р, зависит от указанных выше параметров			
	4,45—4,57	—	ФЭ	Измерено при Р = 10 ь мм рт.	ст. на образцах, полученных		[319]
				по той же технологии			
Стеклоуглерод	4,75	—	ФЭ	Чистая полированная поверхность			[1182]
Стекло							
марки «Kimble	3,58	0,288	тэ	Метод прямой Ричардсона! Натрисвые	волокпа			
	4,16		тэ	Метод полного тока	нанесены коаксиально на метал-			[995]
				лическую проволоку			
сви нецс од ержа шее	5,4	—	ФЭ	Стекло восстановлено водородом			[572]
Г\сиаМИ1\С1 высокоглинозе-	4,4		тэ	Керамика содержит 4% СаО. Метод прямой Ричардсона			[1541]
мистая цирконие-							
вая стеатитовая	14,2	—	тэ	Тот же метод			
	14,23	—	пи	Рассчитано по кривым Пашена при ионизации аргона			[58]
	14,26	—	пи	То же при ионизации СО2			
Слюда	~4,8	—	ФЭ				[767]
Алюмосиликат	1,25—1,28	—	тэ	Имеется присадка молибдена.			
цезия				Т = 570—590 К			
	1,32- -1,34	—	тэ	Имеется присадка вольфрама.	Молярная доля присадки		
				Т = 620—630 К	не превышает 1%. Метод		[386]
	1,34—1,36	—.	тэ	Имеется присадка рения.	полного тока		
				Т = 635—640 К			
	1,35—1,38	—.	тэ	Имеется присадка меди.			
				Т = 620—640 К			
	3,20—3,60	»	1,	тэ	Покрытие на керне. Измерено методом полного тока при Т =			[385]
				= 1273—1473 К			
Катализаторы	3,70—4,47	—	ФЭ	Прессованные из порошка таблетки. Значение <р зависит от со-			[1843]
				става (серебро с добавками ВаСО	3, пероксида и формиата бария		
				и стронция), технологии изготовления и температуры измерения			
				(523—623 К)			
Сплав марки	4,95	—	КРП	Эталон — поликристаллическиГ(	вольфрам (<pw принята равной		[1016]
«Vacon 70»				4,54 эВ)			
Сталь нержавею-	2,0	 	ФЭ	Эмиссия стимулирована лазерным излучением с длиной вол-)			
щая				ны А = 347,2 нм			[1539]
	3—4	—	ФЭ	То же X — 694,3 нм			
	3,5		тэ	Очищенная от цезия поверхность в присутствии паров цезия			[1989]
	4,26	—	КРП	Эталон — поликристаллический	вольфрам	(<pw принята рав-	[1016]
				пой 4,54 эВ)			
	4,4	—	ФЭ	Чистая полированная поверхность			[1182]
	4,7—5,6	—	КРП	Сталь марки 304. Эталон — золото (срАи принята равной 5,32 ±			[1100]
				±0,1 эВ)			
	4,76-^3,87 Х-^	—	тэ	Образцы обезгажены при	Т = Ю50-	-1400 К, Р =	[1988]
	ХЮ-4?			= 10“9 мм рт. ст.			
Материалы на основе неорганических и органических соединений'
211
Продолжение
Материал	<р, эВ	X Сч 1 У сч 1 < X		Метод опре- деления <р	Примечания	Литература
Сталь нержавеющая Проволока свароч- ная стальная марки Св-08А Св-08ГА Св-ЮХМ Св-0,8Г2С Флюсы сварочные марки АН-348А ЛН-22 АН-60 КВС-19 Шлаки жидкие угольные	5,0 5,0 3,63 3,83 4,15 4,26 2,64—2,71 2,67 3,14 3,31 2,92—3,01 2,97 3,05 3,16 3,39—3,40 2,98 3,05 3,35—3,49 3,40 2,3 2,5 2,6 2,8 2,8 3,0 3,1 3,2 1,45 1,82	7,0 12 24 65] 0,06 0,11 0,03 0,11 0,25 0,12 0,06 0,41 1,44Х хю- 2-10-	-4 3	ФЭ ФЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Эмиссия стимулирована лазерным излучением с длиной волны X = 1060 нм Проволока очищена прогревом при Т = 1273 К в течение 1 ч. Измерено методом прямой Ричардсона при Р = 5 • 10~6 мм рт, ст. 1014—1158 К Исходное состояние флюса Шлак, собранный со шва при сварке ста- ли МСт. 3 Флюс переплавлен угольной дугой в графитовом тнгле		 *т* __ । • пд 107Л ел	Измерено в укзззП’ о—iz/	ном температурном Исходное состояние флюса	интервале методом Шлак, собранный со	шва	при	сварке	полного тока	при стали МСт. 3	р __ in—5 Флюс переплавлен угольной	дугой	в	иа ГР_ФHjT267>^_V	товленных	методом Флюс переплавлен угольной дугой в л^пгии*080^ метал’ графитовом тигле	уР и Шлак, собранный со шва при сварке ста- ли МСт. 3	1 Г= 1292—1470 К Исходное состояние флюса	* Состав шлака: СаО 25,98; SiO2 17,03; А1аО3 5,30; CaF2 26,53; Fe2O3 1,40; К2О 2,63; МпО2 1,83; TiO, 11,58; Na2O 2,77% по массе Состав шлака: СаО 27,38; SiO2 15,02; А12О3 7,62; CaF2 21,48; Fe2O3 1,33; К2О 2,05; МпО2 1,37; TiO2 15,81; Na2O 2,37% по массе Состав шлака: СаО 28,31; SiO2 15,95; А12О3 8,03; CaFa 15,62; Fe2O3 1,12; К2О 1,86; МпО2 1,35; TiO2 19,16; Na2O 2,43% по массе Состав шлака: СаО 21,09; SiO2 22,90; А12О3 Измерено ме- 1,65;	CaF2	12,72;	Fe2O3	3,50;	К2О	2,96; МпО2	тодом прямой ‘5,51;	TiO2	21,40;	Na2O	2,70% по	массе	Ричардсона	в Сослав шлака: СаО 24,04; SiO2 22,58; А12О3 интервале 1,15;	CaF2	31,02;	Fc2O3	2,15;	К2О	2,69; МпО2	температур 2,57;	TiO2	5,91; Na2O 2,81%	по массе	1073—1473	К Состав шлака: СаО 19,80; SiO2 23,09; А12О3 0,82; CaF2 23,55; Fe2O3 3,50; К2О 2,24; МпО2 4,38; TiO2 13,49; Na2O 2,87% по массе Состав шлака: СаО 29,25; SiO2 20,57; Л12О3 1,32; CaFa 24, 30; Fe2O3 3,85; К2О 2,19; МпО2 4,82; TiO2 14,21; Na2O 2,90% по массе Состав шлака: СаО 25,59; SiO2 20,40; А12О3 1,86; CaF2 25,71; Fe2O3 3,22; К2О 2,37; МпО2 4,41; ТЮ2 4,15; NaaO 3,16% по массе Состав шлака: SiO2 53,3; А12О3 36,7% по	Измерено тем массе	же методом Состав шлака: СаО 2,3; SiO2 51,0; А12О3 28,5; до Т ~ 2270 К. Fe2O3 7,1; К2О 0,4; MgO 7,1; TiOa 0,4; NaaO Слой шлака 3,2% по массе	} нанесен на	[1539] [201] [525] [654]
14
212
Химические соединения
Продолжение
Материал	ф, эВ	А, А «см X X К-2	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
Шлаки угольные силикатные Вода Водные растворы ферроцианидов нат- рия и лития Клатраты молеку- лярные нитридо- борные B8N8Hle B1oN1oH12 Bf3N10Hia Bj2N13H12	2,03 2,36 1,73 1,85 2,03 2,15 2,27 2,41 2,48 2,55 2,69 2,69 2,80 3,05 3,27 6,09—6,13 6,2 11,71 12,775 11,61 12,67 11,52 12,678 11,6 12,762 11,49 12,598	0,0804 0,0607	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ ФЭ ФЭ тм тм тм тм тм тм тм тм тм тм	Состав шлака: СаО 1,4; SiOa 54,8; А1аО3	металлический 20,5; Fe2O3 5,5; К2О 0,7; MgO 11,2; TiO2	катод-подо- 0,8; NaaO 5,1% по массе	греватель Состав шлака: СаО 11,0—17,0; SiO2 36,0— 40,1; А12О3 20,6—24,0; Fe2O3 18,0—19,2; К2О 0,4; MgO 5,0—5,7; TiOa 0,4; NaaO 2,6% по массе Твердый шлак состава: СаО 58,63; SiO2 27,10; А12О8 11,10; CaFa 3,17% по массе Твердый шлак состава: СаО 53,13; SiO2 31,64; А1аО3 11,69; CaFa 3,54% по массе Твердый шлак состава: СаО 50,86; SiO2 33,28; А12О3 11,89; CaF23,97% по массе Твердый шлак состава: СаО 46,50; SiO3 38,24; А12О3 12,36; CaF2 2,90% по массе	Метод прямой Твердый шлак состава: СаО 42,75; SiO2 42,48; Ричардсона А1аО3 11,10; CaF3 3,67% по массе Жидкий шлак (расплав) состава: СаО 53,13; SiO2 31,64; А1аО3 11,69; CaF2 3,54% по массе Жидкий шлак (расплав) состава: СаО 50,86; SiO2 33,28; А12О3 11,89; CaF2 3,97% по массе Твердый шлак состава: СаО 37,36; SiO2 47,18; А1о03 11,87; CaFa 3,59. Измерено тем же мето- дом в интервале температур 1319—1436 К Жидкий шлак (расплав) состава: СаО 46,50; SiO2 38,24; А1Д 12,36; CaF2 2,90% по массе м	й Твердый шлак состава: СаО 33,35; SiO2 52,34; ™етод прямой А12О3 11,87; CaF2 3,44% по массе	Ричардсона Жидкий шлак (расплав) состава: СаО 42,75; SiOa 42,48; А12О3 11,10; CaF2 3,67% по массе Жидкий шлак (расплав) состава: СаО 37,36; SiO2 47,18; А12О3 11,87; CaF2 3,59% по массе. Измерено тем же методом в интервале температур 1460—1622 К Жидкий шлак (расплав) состава: СаО 33,35; SiO3 52,34; А12О3 11,87; CaF2 3,44% по массе. Тот же метод Итерированный расширенный метод Хюккеля [1325] Расширенный метод Хюккеля [612] Итерированный расширенный метод Хюккеля Расширенный метод Хюккеля Итерированный расширенный метод Хюккеля Расширенный метод Хюккеля Итерированный расширенный метод Хюккеля Расширенный метод Хюккеля Итерированный расширенный метод Хюккеля Расширенный метод Хюккеля	[1684] [652] [651] [652] [651] [652] [767] [НИ] [2038]
Материалы на основе неорганических и органических соединений
213
Рис. 131. Зависимость работы выхода при ТЭ
ст температуры обработки образцов из коксо-
пековых композиций на основе пиролизного
кокса [53]. Работа выхода измерена методом
прямой Ричардсона.
9>ЭВ U
г	*
2
«4	।	-л
1250	1350	1450 Т,К
$ЭВ
>1 i
1300	1400 TtK
Рис. 132. Температурная зависимость работы выхода при ТЭ
для сварочных стальных проволок [201]:
а:	/ — марки Св-08А состава: С 0,07; Мп 0,80; Si <0,10; Сг <
< 0,10; S 0,012; Р 0,021%; 2 — марки Св-08ГА* состава: С 0,09;
Мп 1,00; Si 0,03; Сг < 0,10; Ni < 0,10; S 0,018; Р 0,017%; 3 —
марки Св-08ГА состава: С 0.10; Мп 1,20; Si < 0,10; Сг < 0,10;
Ni < 0,10; S 0,016; Р 0,019%; 4 — марки Св-10ХМ состава:
С 0,08; Мп 0,57; S1 0,20; Сг 0,93; Ni 0,15; Мо 0,47; S 0,025; Р 0,024;
Си 0,21%;
6:	5 — марки Св-08Г2С состава: С 0,10; Мп 2,00; Si 0,95; Сг 0,20;
Ni 0,10; S 0,014; Р 0,021%. Проволока легирована микродобавками
циркония;
6	— марки Св-08Г2С состава: С 0,08; Мп 1*89; Si 0,70; Сг 0,05;
Ni 0*05; S 0,012; Р 0,024; Си 0,09%.
Работа выхода измерена методом прямой Ричардсона.
Продолжено?
Материал	ф* эВ	А, Д.см—2 X X К-2	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
Материалы на основе неорганических соединений, включающих органическую составляющую
Ионные радикалы бензонитрил-ще- лочных металлов: натрия рубидия цезия	4,92±0,02 5,01 ±0,02 4,95 ±0,02 5,05 ±0,02 5,04±0,02 5,11 ±0,02	III II 1	ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ	После экспонирования в среде водорода при Рн2 = Ю мм рт. ст- в течение 100 мин Свеженапыленная пленка После экспонирования в среде водорода при pHj( = 10 мм рт. ст. в течение 100 мин Свеженапыленная пленка После экспонирования в среде водорода при = 10 мм рт. ст. в течение 100 мин Свеженапыленная пленка	. Пленки на стекле	[1423]
Автокомплекс	5,5	Mi	ггериал ФЭ	ы на основе органических соединений Найдено по кривым энергетического распределения] фотоэлект-		[312]
АК-4* Антрацен	4,71 ±0,05	ж»	КРП	ронов Монокристалл на Ag-подложке. Эталон — графит		|1463]
Антрацен — пиро- меллитовый диан- гидрид Антрацен —1,3, 5-	4,9—5,6 5,64 5,65 5,26 5,60 *♦>	—	ФЭ ТМ ФЭ ФЭ	Монокристалл Кристалл неионного комплекса		[155] [1547] [1546] [951]
тринитробензол Антрацен — TCNQ*** Аурин	5,03 5,4 1		ФЭ	Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек-		[155]
1,2-Бензантрацен 1,2-Бензантрацен — TCNQ Бензидин Бензидин — TCNQ	5,68 5,76 5,00 5,10 4,81 ±0,02	11 1 11	ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ КРП	тронов Монокристалл Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек- тронов Кристаллический неионный комплекс) Кристалл	J Из раствора СНС13 ] Осаждено из раствора на подложку при		[1546] [312] [951] [1463]
	4,97 ±0,01	—	КРП	Из раствора СН2С12 ) Т 343 К. Эталон — г	рафит	
214
Химические соединения
Продолжение
Материал	Ф,- эВ	X \ сч 1 о су < X	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
Бензидин—TCNQ Виолантрен Виолантроп н — Гексан Декациклен 1,6-Диэмииопирен 1,6-Диамипопи- рен — п-броманпл 1,6-Диаминопи- рен — TCNQ 1,6-Диаминопи- рен — о-хлоранил 1,6-Диамипопи- рен — л-хлора нил 1,2:5,6-Либснзант- рацен 9,10-Дибромантра- неи DBP ****. DDQ ***** (DBP)2-DDQ DDQ 1,Г-Диметил- 10-фенил-2,2'-карбо- цианинбромид п-Дихлорбензол З.З'-Диэтилтиа- карбоцианнн Изовиолантрон Индантрен желтый золотисто- оранжевый Индантрен Индапгрон fJ-Каротнн Кватеррилеи Комплексы с пере- носом заряда виолантрен-цезий изовиола 11 трен-це- ЗИЙ калий-о-хлоранил натрий-о-хлора- нил	5,03 4,48 ±0,08 4,49 ±0,02 4,50 4,50 4,53 5,20 4.60±0,03 4,66 ±0,01 5,32 8,5 5,40 4,71 4,65 **| 4,58 4,88 4.39 5,69 4,6 4,58-tO,04 4,58 ± 0,06 4,63 4,60±0,01 4,60 ±0,02 4,621 4,75/ 4,6 7,22 5,0 4,62 ±0,01 5,2—5,61 5,3—5,8/ 4,76 5,26 5,5 4,46 4,76 4,9 5,2 2,95±0,15) 2,90 ±0,10] 5,351 5,50/	1	1	1 1 1 1	1 1 1	1	1 II	1	1 111 1 1	1	1	1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1	ФЭ КРП КРП КРП ФЭ ФЭ ФЭ КРП КРП ФЭ тм ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ тм КРП КРП ФЭ КРП КРП ФЭ ФЭ тм ФЭ КРП ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ	Кристаллический неионный комплекс Эталон — золото 1 Монокристалл на Эталон — графит J Ag-подложке Пленка на Си-подложке, термически напыленная в вакууме ('То же Эталон — графит 1 Монокристалл на Эталон — золото J Ag-подложке Кристалл Кристаллический ионный комплекс / J Монокристалл Осаждено на подложку при Т 343 К. Эталон — графит Пленка на Cu-подложке, термически напыленная в вакууме Осаждено на подложку при Г oi 343 К. Эталон — графит Пленка на Cu-подложке, термически напыленная в вакууме Пленка па подложке	< Пленка на подложке Монокристалл на Ag-подложке. Эталон — графит Пленка на Cu-подложке, термически напыленная в вакууме Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек- тронов Пленка на Cu-подложке, термически напыленная в вакууме	1951] [1463] [1462 [1323 1307 [1426 [1463] [1434] [1547] [1426] [951] [1546] [1547, 1548] [1462] [1463] [1323] [1462] [1463] [1323] [1615, 1616] [1547] [1615, 1616] [1463] [155] [1448] [1434] [153] [1307] 1378] 1377] 1548] [16] [1548]
Материалы на основе неорганических и органических соединений
215
Продолжение
		X сч	& ~ е-			сз сх
Материал	ф, эВ	А, А«см~ X К”"2	О ж Ч® 2 «	Примечания		<3 О. V
			(У			X е;
Комплексы с пере- носом заряда						
натрий-антрацен	3,0	—	ФЭ	—		[1563]
перилен-цезий	з,оо±о,ю		ФЭ	Определено по спектральной зависимости квантового выхода, аппроксимированной кубической зависимостью		[16]
Коронен	4,70	— •	ФЭ	Пленка на Cu-подложке, термически напыленная в вакууме		[1323]
	5,15	—	ФЭ	Кристалл		[951]
	5,2	—	ФЭ	 1 —		[952]
Красители	5,4					[505]
ализарин голубой		—	ФЭ	Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек-		
	5,5\			тронов		
бурый Бисмарка			ФЭ			[1548]
Виктория голубая чистая 30	5,00}					
						
индиго голубой	5,4]			! Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек-		[505]
индиго красный	5,0}	—	ФЭ	тронов		
кристаллический	3,4	—	ФЭ	«Двухпротонная» работа выхода		[1616]
фиолетовый	3,45		ФЭ			[1548]
	5,0	—	ФЭ	—		[505,
						1434]
	5,1	—	ФЭ	«Однопротонная» работа выхода		[1616]
кристаллический фиолетовый (С!)	3,34	—	ФЭ	«Двухпротонная» работа выхода «Однопротонная» работа выхода		
	5,1	——	ФЭ			
кристаллический	<3,5	—	ФЭ	«Двухпротонная» работа выхода		
фиолетовый (Вг)					Пленка на подложке	[1615]
	5,0		ФЭ	«Однопротонная» работа выхода		
кристаллический	3,48	—	ФЭ	«Двухпротонная» работа выхода		
фиолетовый (оАс)	5,2	—	ФЭ	«Однопротонная» работа выхода		
малахитовый	3,6		ФЭ	«Двухпротонная» работа выхода 1		[1616]
зеленый	5,2	—	ФЭ	«Однопротонная» работа выхода		
	5,2	—	ФЭ	—		[505]
метиленовый голубой	5,18	—-	ФЭ	—		[1434]
	5,2	—	ФЭ	—		[1548]
	5,4		ФЭ	Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек-		[505]
				тронов		[767]
фуксин	5,26	—	ФЭ	—		
фуксин основной	5,6	—	ФЭ	«Однопротонная» работа выхода		[1616]
хинолин синий	4,5	—	ФЭ	Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек-		[505]
				тропов		
Криптоцианин	4,2—4,3	 	ФЭ	Пленка па подложке		[1615,
						1616]
Мероциапин	5,6	—	ФЭ	Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек-		[505]
				тронов		[1546]
Нафтален	6,76	—»	ФЭ	Монокристалл		
	6,84	—	тм	—		[1547]
Нафтацен	3,4	—	ФЭ	—		[1699]
	5,25	'«И	ФЭ			[155]
	5,26	—	ФЭ	Монокристалл		[1546]
	5,28	—	ФЭ	—		[1378]
	5,30	—	тм	—		[1547]
Пентацен	5,31 4,33	—	ФЭ ФЭ	Кристалл Пленка на Cu-подложке, термически напыленная в вакууме		[951] [1307]
	5,06	—	ФЭ			[1378]
	5,08	—	ФЭ			[1426]
Перилен	5,1 4,54	—	ФЭ ФЭ	Пленка на Cu-подложке, термически напыленная в вакууме		[155] [1448]
	4,63±0,04	•"—	КРП	Монокристалл на Ag-подложке. Эталон — золото		[1463]
216
Химические соединения
Продолжение
Материал	ф. эВ	А, А-см-2 X х к-2	Метод опре- деления <р	Примечания	Литература
Перилей Перилен — дициано - метилентринитро- флюорен Перилен — пиро- меллитовый диан- гидрид Перилен — 1,3,5- тринитробензол Перилен — TCNQ Перилен — о-хлор- анил Перилен —• «-хлор- анил Пииакриптол зе- леный Пинациаиол Пинацианолхлорид Пирантрен Пирантрон Пирен Пирен — 1,3,5- тринитробензол Пирен — TCNQ Полимер (раствори- тель) ацетилцеллюлоза (ацетон) поливинилацетат (ацетон) поливинилбути- раль (этанол) поливинилкарба- зол (толуол) поливиниловый спирт (вода) поливинилхлорид (бензол) полиметилмета- крилат (дихлорэтан) полистирол (ди- хлорэтан) полистирол (толуол) Полифталоцианин меди	5,39 5,40 5,65 ±0,05 5,23 5,16 5,54**: 5,50** 5,35 5,40 5,2] 4,9] 4,6 4,47±0,07 4,4 7 ±0,07 4,50 4,52 5,6—5,8 5,81 5,60] 5,70) 6,1) 6,4 6,7 5,8 6,0 6,0 5,88 5,9 6,0 7,0 5,2	III	1	1	1 1 1 1 1 1 1 1	1	1	11	1	1	ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ КРП КРП КРП ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ	Кристалл Максимальное значение <р (с учетом загиба энергетических зон) для поликристаллического слоя толщиной 1 мкм, напыленного на Мо-подложку. Определено по спектральной зависимости ква- нтового выхода, аппроксимированной кубической зависимостью Кристаллический неионный комплекс Пленка, осажденная из спиртового раствора на Ni-подложку. Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек- тронов Пленка на подложке Эталон — золото 1 Монокристалл на Ag-подложке Эталон — графит J Пленка на Cu-подложке, термически напыленная в вакууме Кристалл Монокристалл Кристаллический неионный комплекс Пленки полимеров толщиной около 10~3 — 10~4 см нанесены на подложку То же » » » » » »	[1426] [951] [19] [951] [154] [1615, 1616] [1463] [1462] [1323] [951] [1546] [951] [156] [781] [156] [781] [156] [952]
Материалы на основе неорганических и органических соединений
217
Продолжение
Материал	ф, эВ	А, А -см-2 X х к~2	Метод опре- деления ф	Примечания	1 Литература
Промазин П рома зин гидрохло- рид Раствор, содержа- щий сольватирован- ные электроны Резерпин Родамин В Родамин 6G Рубрен Сенсибилизатор фотографический Смола фенолформ- альдегидная N, N, N', N'-Тет- раметилбензиден TMPD****** TMPD — п-брома- нил TMPD — п-хлора- нил TMPD—TCNQ (кристаллизовано из п-ксилена) TMPD—TCNQ (из глицилуксусной кислоты) N,N,N',N'-TeTpa- метилбензиден — 1,3,5-тринитро- бензол Тетратиотетрацен (ТТТ) ТТТ—TCNQ Тетрацен TCNQ Фенантрен Феносафранин	~5,4< ~1 5,2 5,1 5,7 5,10 4,8 4,76 4,71] 4.63J 4,87) 4,88 4,861 4,72 4,72 1,4—3,8 2,5—4,0 2,7 ±0,1 3,6 4,15 4,24 4,24±0,04 4,32 4,4 4,56 4,70±0,10 4,75 ±0,10 4,75 ±0,05 4,30 4,51 ±0,09 5,2 5,38 5,40±0,05 5,01 ±0,06 6,45 5,4	1	1	1 1 1 1 1 1	1	1	1	1 11 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1	1 1 1 111 1 1	ФЭ тэ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ КРП ФЭ ФЭ ФЭ ТЭ1 ФЭ] ФЭ ФЭ тэ ФЭ КРП ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ КРП ФЭ ФЭ ФЭ КРП ФЭ ФЭ	Раствор металлического натрия в гексаметилтриамиде фосфора. Измерено в диапазоне 0,004—0,18 н. концентраций при Т~ = 281,7—289,2 К Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек- тронов Кристалл 3-Аллил-3'-этил-5,6'-диметил-4-кето-5(1-дигидрохинолиден-4- этилиден)-тиазалинооксацианинбромид Смола прогрета при Т = 3273 К. Эталон — золото (<рАи принята равной 4,83 эВ) Кристалл ) Ионный комплекс Кристалл Неионный комплекс Цезированная поверхность. Значение <р зависит от режима це- зирования 0—1 | Стабилизированная поверхность с адсорбирован- 0 — 0,5 J ными на ней атомами натрия Слой чистого тетратиотетрацена толщиной около 1000 нм на- пылен на Мо-подложку Пленка на Cu-подложке, термически напыленная в вакууме Монокристалл на Ag-подложке. Эталон — графит Пленка на Cu-подложке, термически напыленная в вакууме Слой напылен на Мо-подложку Пленка напылена в вакууме Игольчатые кристаллы ион-радикальной соли (ТТТ)+ (TCNQ)7f на подложке, покрытой аквадагом. Найдено по кривым энерге- тического распределения фотоэлектронов Пленка на Cu-подложке, термически напыленная в вакууме Монокристалл на Ag-подложке. Эталон — графит Определено с учетом изгиба энергетических зон Монокристалл на Ag-подложке. Эталон — графит Монокристалл Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек- тронов	[1548] [947] [1548] [505] [153] [951] [505] [2049) [951] (951} [18] [17] [18] [1448] [1463] [1307] [18] [1378] [17] [24] [20] [1307] [1463] [312] [1426] [25] [1463] [1546] [505]
218
Химические соединения
Продолжение
Материал	ф. эВ	X сч 1 й < X	Метод опре- деления <р	Примечания	! Литература 1
Фенотиазим	—4,8	——	ФЭ	—-	[1548]
	4,99 ±0,05	—	ФЭ	——	[1426]
Фталоцианин	4,08 ±0,05		крп	Покрытие осаждено на подложку ] при Т oz 343 К	У Эталон — графит	
					[1463]
	4,41 ±0,08	—	КРП	Монокристалл на Ag-подложке J	
	5,05—5,22	—	ФЭ		[1434]
	5,12	—	ФЭ	Кристалл	[951]
	5,15		ФЭ	Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек-	[155,
				тронов	1426]
	5,20	—	ФЭ	—	[1698]
	6,0	—	ФЭ		[153]
Фталоцианин				Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек-	
алюминия	5,0 1		ФЭ		[155]
железа	4,85]			тропов	
	4,95	—	ФЭ	—	[1426]
кальция	5,00	—	ФЭ		[1434]
магния	4,75	—	ФЭ	Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек- тронов	[155]
	4,96	—	ФЭ	—	[1698]
меди	4,56 ±0,06	—	КРП	Покрытие осаждено на подложку при Т ~ 343 К. Эталон — графит	[1463]
	5,00		ФЭ	Р-Фаза	[1698]
	5,0	—	ФЭ	Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек- тронов	[155]
натрия	4,94	—	ФЭ	—	[1434]
никеля	4,95		ФЭ	—	[1426]
полимерный	5,10	—	ФЭ	Кристалл	[951]
свинца	5,00	——	ФЭ	—	[1434]
цинка	6,0	—	ФЭ	 —	[153]
Хлорофилл «а»	4,8	—	ФЭ	Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлек- тронов	[155]
Хлорпромазин	-4,71		ФЭ		[1548]
Хлорпромазингид-	—5,2/				
рохлорид Хризен	5,73		ФЭ	^Монокристалл	[1546]
Хризен — 1,3,5- тринитробензен	5,50**	—	ФЭ	Кристаллический неионный комплекс	[951]
Цианин	5,22	——	ФЭ	—	[767]
Эритрозин	5,5	—	ФЭ	—	[153,
					1615]
Этиопорфирин	5,29	—	ФЭ		[1426]
* N, N'-Диэтил—М'-(2,4-динитробепзол)—л-фенилендиамин.
Для данного образца велики эффекты объемного заряда в фотопроводимости.
••• Тетрациан-п-хинодиметан.
*••• Дибензофеноциан.
♦•••• 2,3-Дихлор-5,6-днцяаи-п-бензохинон.
•••••• N, N, N', N-Тетраметил-л-фе.чилендиамин.
АДСОРБЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ
СИСТЕМА АДСОРБЕНТ (ПОЛИКРИСТАЛЛ) —
АДСОРБАТ (ПРОСТОЕ ВЕЩЕСТВО)
Адсорбент —
адсорбат
ф. эВ
X		<Ь
1	Темпера-	£•&
	турный	О «
	интервал	
< L	измерений^ К	и 5*
< X		< =1
Примечания
ПРОСТЫЕ АДСОРБЕНТЫ
Be—Cs	1,94	-—	—	ТЭ	Оптимальное и монослойное покрытия	[1989]
С—Cs	1,37	10,0	—	ТЭ	Оптимальное покрытие при — 10“6—10“2 мм рт. ст. Метод прямой Ричардсона	1518]
Si—Cs,0	2,0	— '	—	ТЭ	Графит в парах цезия	[91]
	1,0-1,1	—	•—	ФЭ	Толстый слой цезия и кислорода	[1355]
Ti—Cl	4,40	—	—	КРП	—	[1031]
Ti—Cs	1,07	0,10		ТЭ	Оптимальное покрытие при Pq. = 10~6—10“2 мм рт. ст. Метод прямой Ричардсона	[518]
	1,32	—	—.	ТЭ	Оптимальное покрытие	[1989]
	1,35	—	475—545	ТЭ	Титан окислен воздухом	[467]
	1,44	—	—	ТЭ	Монослойное покрытие	[1989]
	1,65—1,78	—	580—715	ТЭ	Метод полного тока	[467]
	1,78)			TM	Оптимальное покрытие. Вычислено на основе мо-	[1525]
V—Cs	1,79]				дели НОЭ	
Cr—Cs	1,71	—		ТЭ	Оптимальное покрытие	[1989]
	1,79			TM	Оптимальное покрытие. Вычислено на основе мо- дели НОЭ	[1525]
	1,82	—		ТЭ	Монослойное покрытие	[1989]
Mn—0	6,5	—	—	КРП	—	[828]
	>6,5		—	КРП	—	[193]
Mn—Cs	1,80		—	TM	Оптимальное покрытие. Вычислено на основе мо- дели НОЭ	[1525]
Fe—Ы	4,83			I» »	КРП	—-	[1031]
Fe—Cs	1,79	——	—	TM	Оптимальное покрытие. Вычислено на основе мо- дели НОЭ	[1525]
	1,82			—•	ТЭ	Оптимальное покрытие!	[1989]
	1,84	—	—	ТЭ	Монослойное покрытие ]	
	3,2±0,l	—	—	ФЭ	Цезированная Fe-пленка	[897]
Co—H	4,24			КРП	 1	[1031]
Co—Cs	1,79	—	—	TM	Оптимальное покрытие. Вычислено на основе модели НОЭ	[1525]
Ni-H	4,98			КРП		[1031]
Ni—H2	(4,09—4,16) ±		—	ФЭ	Значение ср системы зависит от равновесного дав-	[241]
Ni—N	±0,01				ления газа (10~2—10—3 мм рт. ст.). Адсорбент — пленка на кварце. Измерено методом изотермиче- ских кривых Фаулера	[1624]
	4,53—4,98	—	78	ФЭ	Монослойное покрытие. Значение <р зависит от температуры стеклянной подложки (78—573 К)	
						
					при напылении на нее пленки никеля	[193,
Ni—0	6,34			КРП	—	
						828]
	6,36	—-		КРП	—	[1009]
Ni—Xe	4,08±0,02	— 1 	78 1		Монослойное покрытие. Адсорбент — пленка ме-	[1627[
	4,47 ±0,02		570]	Ч/С7	талла на стеклянной подложке	
220
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент— адсорбат	Ф, эВ	X г_лэ-v V	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания			Литература
Ni—Cs	1,35	—	— 480	ФЭ	Минимальная работа выхода	при Тс- 313 К		11761)
	1,37	—	—	АЭ	Оптимальное покрытие			[1881)
	1,42 ±0,05	——	—-	ТЭ	Минимальная работа выхода	при Tqc. o' 333 К		11761)
	1,45—1,55	—	—	ТЭ	То же при	= 650 — 750 К. Адсорбент			[1352)
					никель марки «Driver-Harris,	А», прогретый при		
					Т = 1240 К (50 мин) и Т = 1300 К (10 мин)			
	1,5	—	—	ТМ	Оптимальное покрытие			[1000}
	1,6	—	—	ТЭ	» »			[1989)
	1,61 ->1,43	—	—*	ТЭ	Изменение работы выхода электрона после вы- держки при комнатной температуре в течение			[796)
					месяца			
	1,65	2,09		ТЭ	Оптимальное покрытие при	Рс& = IO”6 — 10	Г2	[518)
					мм рт. ст. Метод прямой Ричардсона			
	1,79			тм	Оптимальное покрытие. Вычислено на основе мо-			[1525}
					дели НОЭ			
	1,8	—	' 1	АЭ	Толстый слой			[1881)
	1,8	—	—	ФЭ	Цезированная Ni-пленка, испаренная на Ct подложку при Р = 1О~10 мм рт. ст.		1-	[1533)
	2,4	—-	—	ТЭ	Монослойное покрытие			(1989)
	3,0±0,1	—	—	ФЭ	Цезированная Ni-пленка отожжена при Т = '			
					— 500 К		►	[897[
	3,7±0,l	—	*—	ФЭ	Ni-пленка цезирована при Т -	= зоо к	J		
Ni—Ва	1,52	——	—	КРП	р = (2—4) • 10~10 мм рт. ст.			[1306)
	2,6	*—	—	ФЭ	—			(1864)
Си—Хе	3,89 ±0,02	——	78	ФЭ	Монослойное покрытие. Адсорбент — пленка ме-			[1627[
					талла на стеклянной подложке			
	——	—	948	КРП	Адсорбент — никелевая проволока чистотой			[2132}
					99,97% диаметром 2,54 • 10	* м, обезгаженная		
					вспышкой при Т = 1400 К.	При	= 412 К		
					плотность тока увеличилась в	течение часа от		
					0,041 до 0,13 А • см“2			
Си—Cs	1,55			ФЭ	Оптимальное покрытие. Найдено по кривым энер-			[9731
	1,64				гетического распределения (	ютоэлектронов		
		—	—	тэ	Минимальная работа выхода			[1989}
	1,64	—-	—	тэ	Монослойное покрытие			
	1,8	—*	—	ФЭ	Цезированная Cu-пленка, испаренная при Р = = 1О~"10 мм рт. ст. на Си-подложку			[ 1оЗЗ|
Си—Ва	3,35 ±0,05		мм	АЭ	—в			[858)
	3,35 ± 0,05		—•	тэ	Образец прогрет при Т — 873	-973 К		[862)
Ge—Cs	-1,4	—	мм»	тм	Вычислено по (51)			[1784}
Ge—Ва	2,2		—	АЭ	Минимальная работа выхода			(1835|
	2,2	—	—	ЛЭ	Оптимальное покрытие бария на германии с прово-			[764)
					димостью р-типа			[1254}
Zr—О	5,2	3,7 X	мм	тэ	Метод прямой Ричардсона			
		X104						[1031)
Zr—Cl	4,27		мм •	КРП				
Zr—Y	3,2 ±0,03	—	—	тэ	Минимальная работа выхода!			
Zr—Y, О	3,25 ±0,03) 3,15±0,03J		—	тэ	Монослойное покрытие			[490}
	3,15 ±0,03	—1*	—	тэ	Минимальная работа выхода			[1525}
Zr—Cs	1,76	——	——	тм	Оптимальное покрытие. Вычислено на основе			
					модели НОЭ			(5181
	3,93	1013	—	тэ	Оптимальное покрытие при	Рез = Ю-6-10-2		
					мм рт. ст. Метод прямой Ричардсона			
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
221
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Ф, эВ		X CM 1 ?7 < x	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления <р	Примечания		Литература
Zr—Ва	2,3 ±0,03		—	——	ТЭ	Минимальная работа выхода	1	
Zr—Ва, О	2,4 ±0,03 2,15± 0,03	1	—•	—	тэ	Монослойное покрытие	|	
Zr—La	2,15±0,03 2,8 ±0,03		—	—	тэ	Минимальная работа выхода	>	[490]
Zr—La, О	2,9 ±0,03 2,75 ±0,03		—		тэ	Монослойное покрытие		
	2,8 ±0,03		—		тэ	Минимальная работа выхода		
Zr—W	3,0—3,2		•—	—	тэ	0W= 1-10		[866]
Nb—Sc	3,22 ±0,03		—	•—	тэ	Минимальная работа выхода		
Nb—Sc, 0	3,3 ±0,03 2,65 ±0,03		—	—	тэ	Монослойное покрытие		[490]
Nb—Y	2,9 ±0,03 3,03 ±0,03		—	—	тэ	Минимальная работа выхода		
	3,03 3,14			1100—1200 1100—1200	тэ тэ	Оптимальное покрытие! г 1 Метод полного тока Толстый слои	J		[483]
Nb—Y, 0	3,16±0,03 2,7 ±0,03 1		—		тэ	Монослойное покрытие		[490]
	2,85 ±0,03		—	 	тэ	Минимальная работа выхода^		
Nb—Cs	1,02		0,05		тэ	Оптимальное покрытие при	Pcs = 10”6—10-2	[518]
						мм рт. ст. Метод прямой Ричардсона		
	1,44				тэ	Оптимальное покрытие ( 6 —	0,7)	[1991]
	1,55		—		тэ	Оптимальное покрытие		[679]
	1,63		—		тэ	Сильноцезированная поверхность (в > I)		[1991]
	1,7			—	тм	Оптимальное покрытие		[1000]
	1,78		—		тм	Оптимальное покрытие. Вычислено на основе		[1525]
						модели НОЭ		
	—		—	—	тэ	При оптимальном покрытии / = 10“4 А • см-2	и	= 373 К	[1351]
Nb—Ba	2,2 ±0,03		•—	—	тэ	Минимальная работа выхода!		
Nb—Ba, 0	2,3 ±0,03 1,96 ±0,03		—•	—	тэ	Монослойное покрытие		
Nb—La	1,96 ±0,031 2,75±0,03J		—	—	тэ	Минимальная работа выхода ;		[490]
Nb—La, 0	2,9 ±0,031 2.5+0.03		•—	—	тэ	Монослойное покрытие		
	2,6 ±0,03				тэ	Минимальная работа выхода		[2135]
Nb—Au	4,20		— —	450—1200	тэ	На ниобий чистотой 98,0%	напылена пленка	
						золота чистотой 99,9% толщиной 50 нм. Измерено		
Mo—H,						методом прямой Ричардсона рт. ст.	при Р — 10~° мм	
	4,51		—	« 	АЭ	Мономолекул яр ное покрытие.	Р=Ю~10ммрт. ст.	[1858]
Mo—H, Cs	1,32—1,4		—	—	тэ	Эффективная работа выхода		[ 1589]
Mo—N2	4,3		—	—	ФЭ	csj 10—8 мм рт. ст.		[1077]
Mo—0	4,6		—-	—	АЭ	Степень покрытия поверхности \ Метод прямой		[1485]
						6— 0,35	1 Фаулера —	
	4,8		—	—	АЭ	е—0,6	| Нордгейма	
	5,3		—	—	АЭ	6^ 0,7		
Mo—O2	4,34		—	—	ФЭ	pQ*	10“8 мм рт. ст.		[1077]
Mo—0, Cs	5,15		—	—	АЭ	Мономолекулярное покрытие, рт. ст.	Р = ю-’° мм	[1858] [1485]
	1,00—1,81		•—	—	АЭ	Значение ф системы зависит от степени покрытия		
						поверхности кислородом (6 си	0,35—0,6) и цези-	
Mo—0, Ba						ем. Метод прямой Фаулера —	Нордгейма	
	1,354-4,75 X		—	1100—1700	тэ	—		[259]
	XlO”4?							
Mo—Na	4,3-* 2,64		— 	•—	тэ	При напылении натрия на рекристаллизованную Мо-проволоку ф достигает постоянного для дан-		[335]
						нои температуры значения		
222
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Ф. эВ	А, А - см—X X К“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления <р	Примечания				Литература
Мо—К Мо—Sc Mo—Sc, О Мо—Sr Мо—Y Мо—Y, 0 Мо—Cs Мо—Ва Мо—Ва, 0 Мо—La Мо—La, 0 Мо—Th Тс—Cs <	1,76 ±0,05 2,14±0,05 3,2 ±0,03 3,34 ±0,031 2,65 ±0,03 J 3,0 ±0,03 2,35 3 3,0 3,0 ±0,03 3 21 3,26 ±0,03/ 2,7 ±0,03 J 2,9 ±0,03 1,22 1,4 1,43 1,47—1,55 1.54 1 1,58 ±0,02 1,61 1,66 1,68 ±0,05 1,77 1,78 1,78 1,82 2,2 ±0,03 2,4 ±0,03 1,96 ±0,03 1,98 ±0,03 2,4 2,68 ±0,03 2,96±0,03) 2,45 ±0,03/ 2,5 ±0,03 2,58 2,58 2,59 2,59 2,6 1,78	1 1 1 1 1 1 1 11111ч II 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 II 1 1 1 1 1 III"	| з |1 О	78 78 1100—1200 1100—1200 0 1100—1700	АЭ ЛЭ ТЭ ТЭ ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ |ТМ АЭ тэ ЛЭ тэ КРП тэ тэ тэ тэ ТМ АЭ ЛЭ тэ тэ тэ тэ тэ АЭ тэ тэ тэ тэ ФЭ тэ тэ тэ ТМ	Минимальная работа] выхода	1 Толстый слой	J Минимальная работа bi Монослойное покрытие Минимальная работа bi Монослойное покрытие Толстый слой. pSr — = 3 мм рт.ст. Оптимальное покрытие Минимальная работа bi Толстый слой Монослойное покрытие Минимальная работа вы Оптимальное покрытие мм рт. ст. Метод прямой Оптимальное покрытие Минимальная работа вь лера — Нордгейма Минимальная работа в каленный молибден мар Оптимальное покрытие »	» »	» Оптимальное покрытие Оптимальное покрытие Силыюцезированпая по Оптимальное покрытие модели НОЭ Толстый слой. Метод i гейма Толстый слой При оптимальном покр = 4 • 10~3 А • см~2 Минимальная работа i Монослойное покрытие Л1инимальная работа вы Монослойное покрытие Усредненное по острию ном покрытии Минимальная работа вы Монослойное покрытие Минимальная работа Метод прямой Ричардсо! Метод прямой Ричардсе Оптимальное покрытие Метод прямой Ричардсе Оптимальное покрытие модели НОЭ	Усре ТОД Норд ыход> ыходг Изи • сио дходг хода при Рич (хода ыход ки «С (0 ~ верхь . Bi 1рямс ытии 1ЫХО/ хода значе хода выхо, ча )на )па . Вь	дн rei 1 1 40] ни 1 ар . ? а. i. 0 юс дч: )Й и (3’ »И1 Да 141	ено по острию. Ме- >ямой Фаулера — йма 1 )ено в термоэмис- ом микроскопе = 10“6— КП2 цсона 4етод прямой Фау- Адсорбснт — про- s.» .7) :ть (0 > 1) ислено на основе Фаулера — Норд- = 373 К / = fe <р при оптималь- <слено на основе	|983, 2054] [490] (900] [483] [490] 1483] [490] [518] [1000] [1485] [1352] [1881] [679] 1245] [1991] [35] [880] [1991] [1525] [1485] [1881] [1351] [490] [530] [490] [101, 662, 767, 828, 1254] [767] [1724] [1210] [2014] [1525]
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
223
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Ф, эВ	X СЧ 1 ?7 < X < X	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература 1
Ru—Sc Ru—Sc, О Ru—Y Ru—Y, 0 Ru—Cs Ru—Ba Ru—Ba, 0 Ru—La Ru—La, 0 Rh-C Rh—N Rh—Xe Rh—Cs Rh—Ba Pd—0 Pd-Cs Pd—Ba Ag—0, Cs Ag—Cs	3,19±0,03 3,3 ±0,03 1 3,08 ±0,03) 3,19±0,03) 2,98 ±0,03) 3,25 ±0,03) 2,92 ±0,03) 2,96 ±0,03 1,78 2,22 ±0,03 2,36 ±0,03) 2,05 ±0,03) 2,08±0,03l 2,65^:0,03) 2,9 ±0,03] 2,55 ±0,03) 2,65 ±0,03 ~4,7±0,i 4,85—4,94 3,90 ±0,02 1,78 2,1—2,2 6,04 1,51 1,77 2,7 0,6 0,745—0,955 0,75 0,75—0,8 0,75—0,8 0,8 0,855—0,96 0,95 0,95 0,95—1,23 1,0 1,06 1,1 4-(2-4) X X10“3 T (LI-1,4) + 4-(1,3—3,9) X xio~3 т 1,91—1,96 1,96—1,97 1.2—1,75	II! 1	1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1	1 1 1 1 I	1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 1	78 78 300 1000 293—343	ТЭ ТЭ тэ тэ тэ тм тэ тэ тэ тэ тэ тэ ФЭ ФЭ тм ЛЭ КРП тэ тм тэ тэ тэ тэ тэ ФЭ ФЭ [ФЭ тэ ФЭ ФЭ тэ ФЭ тэ тэ ФЭ ФЭ ФЭ	Минимальная работа выхода Монослойное покрытие Минимальная работа выхода Монослойное покрытие Минимальная работа выхода. Оптимальное покрытие. Вычислено на основе мо- дели НОЭ	" Минимальная работа выхода Монослойное покрытие Минимальная работа выхода Монослойное покрытие Минимальная работа выхода Измерено методом прямой Ричардсона на поликри- сталлической проволоке чистотой 99,9%, прогре- той в парах бензола до Т ~ 1900 К в течение 3— 5 ч Монослойное покрытие. Значение <р системы зависит от температуры стеклянной подложки (78—373 К) при напылении на нее пленки родия Монослойное покрытие. Адсорбент — пленка ме- талла на стеклянной подложке Оптимальное покрытие. Вычислено на основе мо- дели НОЭ Оптимальное покрытие Измерено после прогрева системы до Т = 435 К. Эталон — серебро (<pAg принята равной 4,63 эВ) Оптимальное покрытие Оптимальное покрытие. Вычислено на основе мо- дели НОЭ Монослойное покрытие. Эффективная работа вы- хода Значение ср системы зависит от степени активиро- вания	[4901 [1525) [4901 [7931 [16241 [1627] [1525} [5281 [1234) [6791 [1525} [1711 [663, 11021 [663} [1457} [663J [1309J [18461 [663] [1151} [663] [14571 [1441] [1102, 1151] [1401] [1400] [663] [18671 [18521
224
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Ф, эВ	А, А-см-2 X X K"2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания				Литература
Ag—Cs	1,65 1,56	—	—	ФЭ ФЭ	Оптимальное покрытие. Найдено по кривым энергетического распределения фотоэлектронов				1973]
Ag—Ва		—	—			—			[1383]
In—С	4,12 ±0,02		—	ФЭ	Топкие пленки, термически напыленные на квар-				[1677]
					цевые подложки при	р =	3	10“у мм рт. ст.,	
					покрыты слоем угля толщиной			25 им. В диапазоне	
					8—45 нм значение <р не зависит			от толщины пленок	
					индия				
Ва—Ва	1,66	—	——	ФЭ		-— ]			Г7А71
	2,1	60	—	тэ	Метод прямой Ричардсона]				[/О/j
Hf-0	5,1	5,5 X	0	тэ	» » »				[1254]
		X104							
Hf—Y	3,2 ±0,03	—	—	тэ	Минимальная работа	выхода			
Hf—Y, О	3,25 ± 0,031 3,15 ±0,03/	•—.	—	тэ	Монослойное покрытие				[490]
	3,15 ±0,03	—-	—	тэ	Минимальная работа	выхода			
Hf—Cs	1,78	—	 11  	тм	Оптимальное покрытие. Вычислено на основе мо-				[1525]
					дели НОЭ				
	3,62	101’	—	тэ	Оптимальное покрытие при			Рс== 10“6—10“2	1518]
					мм рт. ст. Метод прямой Ричардсона				
Hf—Ba	2,3±0,03			тэ	Минимальная работа	выхода			
Hf—Ba, 0	2,4 ±0,03) 2,15±0,03j	—	—	тэ	Монослойное покрытие				
Hf—La	2,15±0,03i 2,8 ±0,03/	——-	——	тэ	Минимальная работа	выхода			[490]
Hf—La, 0	2,9 ±0,03) 2,75 ±0,03/	" -	—	тэ	Монослойное покрытие				
	2,8±0,03	1 1 	—.	тэ	Минимальная работа	выхода			
Hf-Hf	3,53	1,45	—	тэ	Метод прямой Ричардсона				1767]
Ta—H Ta—N	4,531 4,50/	—	—	КРП		—			11031]
Та—К	1,73 ±0,05		78	АЭ	Минимальная работа	Усреднено по острию. Me-			[983,
					выхода	• тод прямой Фаулера —			2054]
	2,26 ±0,05	—	78	АЭ	Толстый слой	Нордгейма			
Ta-Sc	3,22 ±0,03	—	—	тэ	Минимальная работа	выхода)			
Ta—Sc, 0	3,3 ±0,03) 2,65 ±0,03/	—	—	тэ	Монослойное покрытие				[490]
	2,9 ±0,03	—-	—	тэ	Минимальная работа выхода				
Ta—Y	3,02	—	1100-1200	тэ	Оптимальное покрытие				[483]
	3,03 ±0,03	—	—.	тэ	Минимальная работа выхода				[490]
	3,16	—	1100—1200	тэ	Толстый слой				[483]
Ta-Y, 0	3,16±0,03) 2,7 ±0,03/	—	—	тэ	Монослойное покрытие				[490]
	2,85 ±0,03		—	тэ	Минимальная работа	выхода,			[2135]
Ta—Ag	3,51	—	450-1200	тэ	Пленка серебра чистотой 99,9% толщиной 50 нм				
					напылена на тантал	чистотой		98,0%. Измерено	
					методом прямой Ричардсона			при Р — 10“5	
					мм рт. ст.				
Ta—Cs	1.11	0,15	—	тэ	Оптимальное покрытие при			Pcs= Ю“6—10“2	1518)
					мм рт. ст. Метод прямой Ричардсона				
	1,31		—	тэ	Минимальная работа выхода				[279]
	— 1,3	—		тэ	Тантал длительно прогрет]		Минимальная рабо-		
					при Т = 1290 К		та	выхода.	[1352]
	1 36			тэ	Тантал прогрет вспышкой		Адсорбент — тантал		
					при Т = 2500 К		марки «Fansteel Т-99»		
	1,6			—	АЭ	Оптимальное покрытие				[205]
	1,69	——	—	ТЭ	Оптимальное покрытие (6			0,7)	1	[1991]
	1,70		——	тэ	Силыюцезированпая	поверхность (6 > 1)/			
	L7		—	тм	Оптимальное покрытие				[1000]
	1,78	__	—	тм	Оптимальное покрытие. Вычислено на основе мо-				[1525]
					дели НОЭ				
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
225
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	ф, эВ		Af A cm 2 X X K“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания		Литература
Та—Cs	—		—	—	ТЭ	При оптимальном покрытии и = Ю-3 А • см~2	та = 373 К j =	[1351]
Та—Ва	2,2 ±0,03		—	—	ТЭ	Минимальная работа выхода		
Та—Ва, 0	2,3 ±0,03 1,96 ±0,03		—	—	тэ	Монослойное покрытие		
Та—La	1,96 ±0,03 2,75 ±0,03	•	•—	—	тэ	Минимальная работа выхода		[490]
Та—La, О	2,9 ±0,03 2,5 ±0,03		—	—	тэ	Монослойное покрытие		
	2,60 ±0,03		—	—	тэ	Минимальная работа выхода		
Та—Th	2,5		1,5		тэ	Метод прямой Ричардсона		12014)
	2,52		0,5	—	тэ	» » »		[101,
								828]
	2,52		1,5	—	тэ	» » »		(1724)
	2,52		—	1100—1700	тэ	Оптимальное покрытие		[1210]
	3,53		—	—-	тэ	—		[1602]
W—Н	5,80				КРП	—		[193,
								828]
W-H.K	1,80		—	—	КРП	—		[828,
								1008]
W—Li	1,83		—	—	ФЭ	—		[1383]
	2,16		•—•		тм	Рассчитано с использованием костного натяжения	изотерм поверх-	[630]
W—Li, Cs	2,18) 1,61 J		—	—	тэ	Оптимальное покрытие. Эффективная работа вы- хода		[831]
W—Be	2,30—4,90		—	—	АЭ	Измерено при Р < 1О~10 мм рт. ст. Значение <р системы зависит от времени напыления бериллия, температуры и времени прогрева вольфрамового		[Н15]
						острия, наличия или отсутствия электрического		
						поля при напылении		
	2,6—3,0		—	—	АЭ	Пленка бериллия на W-острие. Средняя работа выхода при Р ~ 10~7 — 10“8мм рт. ст.		[1108]
	4,50		—		тэ	1 W		]338]
	4,53		—	—	КРП	Толстая пленка		[337]
W-C, Yb	4,56			—	тм	Рассчитано с использованием постного натяжения	изотерм поверх-	[630]
	2,6			—	АЭ	Толстый слой иттербия на карбидированном вольф-		[547]
W—N	6,88		—	—	КРП	yam.		[1031]
W—Na	4,50—5,33 4,62—5,01		——	80	АЭ	Значение <р системы зависит от поверхности азотом	степени покрытия	[1777]
W—0			—	—	тэ	Значение <р системы зависит от степени покрытия		[1170]
	4,7—5,8					поверхности кислородом		[1485]
			—	—	АЭ	То же (0	0,35—0,7)		
	5,34		—	300	ФЭ	-—		[1507]
	5,65		—	—	тэ			[1170]
	6,20		—	—	КРП	Моноатомное покрытие на хорошо очищенной		[594]
						W-подложке		
	6,24		—	300	ФЭ	—		[1725]
	6,27				тэ			[1007]
	6,28		—-	—	КРП	а		[193,
								828]
	6,3		—	—	АЭ	Монослойное покрытие		[1439]
	6,4		—	——	АЭ	Оптимальное покрытие		[573]
W—0, Na	9,22		5-1011	0	ТЭ	Метод прямой Ричардсона		[1254]
	1,72 1				КРП			[828,
W-0, к	1,76 /			- -				1008]
W—0, Cs	0,72		0,003	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона		[828,
								1435,
								1506]
15 1590
226
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	ф, эВ	А, А «см-2 X х к—2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления <р	Примечания	Литература
W—О, Cs W—О, Ва W—F W-F, Cs W—F, Ва W—Ка W- -Si W—S W-Ar W-K	1,10—1,42 1,15 1,2—1,95 1,23 ±0,03 1,35—1,43 1,35 1,36 1,37 1.4 1,44 1.44 1.3 1.34 1,34 1,38 +3,9 х Х10“4 Т 4,88—5,14 5,8 1,03—1,35 1,45 1,6 2,1 2,5 1.95 1,76 1,82 2,0—2,2 4,77 4,82 4,9 ±0,1 5,26 3,63 3,7 4,10 4,3 1,50	0,18	1050 1050 300 0 1100—1700 1200 500 500 300 300 ^1200 20 25 20 4,2	ТЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ тэ КРП тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ АЭ АЭ ЛЭ АЭ АЭ КРП ТМ тэ АЭ АЭ АЭ ТЭ АЭ АЭ АЭ АЭ ТМ	Оптимальное цезиевое покрытие на системе W — О с различной степенью покрытия вольфрама кис- лородом Минимальная работа выхода Значение <р системы зависит от степени покрытия поверхности кислородом (0 сх 0,35 — 0,7) и цезием _ ММ РТ‘_СТ’	Минимальная ра- Ро,	Ю мм рт. ст. gQTa выхода оде- ленного вольфра- мового кристалла. Время экспони- рования в кисло- роде 15 мин T’os = 423 К Минимальная работа выхода окис- T'qs = 393 К ленного вольфрама в парах цезия. = 373 К  Адсорбент — вольфрамовая нить, прокаленная в кислороде при Т = = 1100 К, pOt = 0,1—0,2ммрт. ст. Метод прямой Ричардсона Эталон — вольфрам (<pw принята равной 4,54 эВ) Метод прямой Ричардсона » » » Значение ср системы зависит от степени покрытия поверхности вольфрама фтором Монослойное покрытие Оптимальное цезиевое покрытие на системе W — F с различной степенью покрытия вольфрама фтором Оптимальное покрытие Монослойное покрытие Оптимальное покрытие • Монослойное покрытие Оптимальное покрытие J Рассчитано с использованием изотерм поверхност- ного натяжения Покрытие на вольфрамовой нити, прокаленной постоянным и переменным токами. Метод пря- мой Ричардсона Кремний испарен на\ То'Т Наверх- ности имеется избы- фаУлеРа - Нордгейма ток кремния Толстый слой. Метод прямой Фаулера — Нордгей- ма Максимальная работа выхода. Метод полного тока рАг < Ю-10 мм рт. ст. Монослойное покрытие рАг	Ю—10 мм рт. ст. Толстая пленка (0	5) Рассчитано с использованием изотерм поверхност- ного натяжения	[1170] [165] [1485] [2141] [2138] [2014] [828] [1507] [2014] [662, 828, 1744] [1723] [259] [1170] [2004] [1170] [626] [1007] [630] [361] [1883] [354| [165] [1155] [1248] [1155] [1248| [630]
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
227
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	<p, эВ	A, A • см-2 X X K“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления <р	Примечания				Литература
W—К	1,56	——	I i			ТЭ					(1287]
	1,64	—	—	КРП					(1007]
	1,71	—	—	тэ	Вычислено по данным [ 1433]				[1724]
	1,76	—	——	тэ					[1573]
	2,0	—	—	тэ	Минимальная работа выхода				[609]
W—Са	2,24	—	* 	тэ					[1137]
	2,40	—	—	тэ					[526]
W—Sc	3,05	—	—•	АЭ	Усредненное по острию значение । при оптималь-				[530]
	3,2				ном покрытии				
		—	—	тэ	Минимальная работа выхода				[213]
	3,2 ±0,03	—		тэ	Минимальная работа выхода				
W—Sc, О	3,34 ±0,031 2,65 ±0,03 J	—		тэ	Монослойное покрытие		>		[490]
	3,0 ±0,03	—	—	тэ	Минимальная работа выхода J				
W—Ti	3,65	—	—	АЭ	Монослойное покрытие fl-Ti				[977]
	3,65 ±0,06		—	АЭ	Толстый слой				[309]
	3,7	—	—	АЭ	Толстый слой (0 >1)				[264]
	3,9	—	—	ЛЭ	Толстый слой титана на W-острие. Метод прямой				[346]
					Фаулера — Нордгейма				
	3,95	—	—	АЭ	Минимальная работа выхода				[977|
W—Ti, Ge	4,90 ±0,06	—	—	АЭ	Равновесное покрытие германия (0 = 1) на систе-				[309]
					ме W — Ti				
W—Cr	4,00 ±0,07	—	—	АЭ	Метод равного тока эмиссии1				
	4,10 ±0,08	——	——	АЭ	Метод прямой Фаулера	—	) Толстая пленка			[580]
	4,52				Нордгейма				
W—Ni		—	—	АЭ	Двух- и трехслойное покрытие				
									
	4,83	——	—	АЭ	Монослойное покрытие				[1828]
W—Cu	4,20		—	АЭ	Двухслойное покрытие				
	4,30	—	—	АЭ	Трехслойное покрытие				
	4,83	—		АЭ	Монослойное покрытие.				
W—Ga	4,65 ±0,1	—		АЭ	Средняя работа выхода	при максималь-		Метт	
	4,75±0,l	—	——-	АЭ	ном покрытии W-острия после диффу- зии Максимальная работа выхода			прямой Фауле- ра —	[1633]
								Норд-	
							<	гейма	
W—Se	5,12	—	—	ТЭ	Максимальная работа выхода. Метод полного тока				[165]
	5,4	—	—	АЭ	Монослойное покрытие				[163]
W—Se, Cs	1,2		—	АЭ	Минимальная работа выхода				[165]
W—Br	4,1 ±0,1	—	—	АЭ	Оптимальное покрытие (0 = 0,1—0,2)1				[1135]
	5,5	—	—	ЛЭ	Монослойное покрытие		J		
W—Kr	3,32	—	20	АЭ	рКг = 10 ° мм рт. ст. Метод прямой Фаулера —				[1155]
					Нордгейма				
W—Rb	1,62			ТМ	Получено графической экстраполяцией				1587]
	1,70			ФЭ	Оптимальное покрытие	(0 = 0,6)			[1295]
W—Sr	2,20	——	——	тэ					[527,
									1597,
									1724]
	2,6 3,0	—	<2000 1 2000 J	тэ	pSr = 10“2 мм рт. ст.				[1103, 1104]
W—Y	2,6	—	—	АЭ	Усредненное по острию значение ср при оптималь-				[530]
					ном покрытии				[101,
	2,70	7,0	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона				
									662,
									767,
									828,
•									1140,
									1724]
	2,7	8	—	ТЭ	» » »				[2014]
15
228
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	<p, эВ	X СЧ h < it 4 X	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания					Литература
W—Y	2,70			500	ТЭ	Оптимальное покрытие					(636J
	2,8	—	300	АЭ	» »					[745]
	2,92	—	1200	АЭ	Оптимальное покрытие					[394]
	2,94	—	1050—1200	ТЭ	»	в					[485]
	3,0	—	1100—1200	ТЭ	в	»					[483]
	3,0 ±0,03				—	ТЭ	Минимальная работа выхода					(490]
	3,15	—	300	АЭ	Значение <р одинаково для оптимального покры-1					
					тия и толстого слоя					[394]
	3,15	——	1200	АЭ	Толстый слой					
	3,2	—	1050—1200	ТЭ	» »					[745]
	3,25	—	1050—1200	ТЭ	» »					[485]
	3,26		1100—1200	ТЭ	» »					1483]
W—Y. 0	3,26 ±0,03) 2,7 ±0,03 J	—	—	ТЭ	Монослойное покрытие		►			[490]
	2,9 ±0,03	—	—	ТЭ	Минимальная работа выхода					[1083]
W—Zr	2,8 ±0,1	—	1050	АЭ						[2014]
	3,1	5		ТЭ	Метод прямой Ричардсона					[864]
	3,11	—.	—	ТЭ		—				[767]
	3,14	—	——	ФЭ		—				[101,
	3,14	5,0		ТЭ	Метод прямой Ричардсона					662,
										767,
										828,
			•							1140,
										1724]
	3,14—3,28	330	w—	тэ	» » »					[876]
	3,15	5,0		тэ	»	в	»					[1137]
	3,67 ±0,03	—	—-	АЭ	0 - 0,5					[1083]
	3,84 ±0,03	—	  J	АЭ	Толстый слой					[1083,
										1086]
	3,87			КРП	»	в					[1775]
	4,04 ±0,03	—,	>1050	АЭ		—-““				[1083]
W—In	4,35 ±0,1	—		АЭ	Усредненное по острию значение]					
					Ф для максимального	покрытия,				
					полученного в результате		диф-			
					фузии индия по поверхности					
	4,63 ±0,1	—		АЭ	Максимальная работа выхода				Метод прямой	
W—Sn	4,85 ±0,1		——	АЭ	Усредненное по острию значение				 Фаулера —	]1633]
					<р для максимального	покрытия,			Нордгейма	
					полученного в результате		диф-			
					фузии олова по поверхности					
	5,10±0,l	—	—	АЭ	Л1аксимальная работа выхода					
W—Те	4,71			ТЭ	Максимальная работа	выхода.		Метод полного		[165]
					тока					
W—Те, Cs	1,3		300	АЭ	Максимальная работа	Метод прямой Фаулера —				
					выхода	' Нордгейма. Р == 2 • 10~9				[449]
	1,55			300	АЭ	Толстый слой цезия	мм рт. ст.				
W—I	4,9	MW		АЭ	Монослойное покрытие					[1135]
W—Xe	3,00	—	20	АЭ		—				
	3,12		791	до	рХе = 5 • 10 мм рт. ст. Метод					[1155]
	3,78		85 J	АС?	прямой Фаулера — Нордгейма					
W—Cs	1,0—1,2	—	—	тэ	Минимальная работа выхода для окисленной воль-					[2123]
					фрамовой поверхности в парах цезия					
	1,1	—	—•	тэ	Оптимальное покрытие					[590]
	1,36	3,26	—	тэ	Метод прямой Ричардсона					[828,
										1507,
										1724]
	1,36	—	—	тэ					1	[767.
										1506,
										1508]
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
229
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	ф, эВ	X сч 1 5*7 < х	Темпера- турный интервал измерений. К	Метод опре- деления <р	Примечания	Литература
W—Cs	1,36			ФЭ		17671
	1,38	3,26	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	Ц254]
	1,38	—	 	тэ	Средняя минимальная работа выхода поликристал-	[15051
					лической W-нити в парах цезия	
	1,41	3,55	—	тэ	Оптимальное покрытие при — 10~6— 10~2 мм	1518]
					рт. ст. Метод прямой Ричардсона	
	1,42	—		АЭ	Оптимальное покрытие	[165]
	1,43	—	—	АЭ	Монослойное покрытие	
	1,43	—	—	АЭ	Минимальная работа Р = 10—7 мм рт. ст.	[471]
					выхода	
	1,44	—	300	КРП	Эталон—вольфрам (<pw принята равной 4,54 эВ)	[1507]
	1,45	—	—	АЭ	Минимальная работа выхода. Метод прямой Фау-	[1485]
					лера — Нордгейма	
	1,5	—	—>	ТЭ	Средняя минимальная работа выхода	[623]
	1,50	—	—яиа	АЭ	—	[1287]
	1,5	3		ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[2014]
	1,52	—	—яиа	АЭ	Оптимальное покрытие	[1881]
	1,52 ±0,03	—	—	ТЭ	Минимальная работа выхода для вольфрамового	[2141]
					кристалла в парах цезия	
	1,53		—	АЭ	Оптимальное покрытие. Р =	
					== 2 • 10~s — 8 • 10—9 мм рт. ст.	[471]
	1,6			АЭ	Минимальная работа выхода	
	1,6			ТМ	Оптимальное покрытие	[1000]
	1,60	—	—	ТЭ	Оптимальное покрытие (6 ~ 0,7)	[1991]
	1,6—1,7			АЭ	Оптимальное покрытие. Р = 10-9 мм рт. ст.	[626]
	1,6-1,7		«чм*	ТЭ	Минимальная работа выхода. Адсорбент — дли-	[1352]
					тельно прогретая при Т = 1330 К W-проволока	
					марки «G. Е. Туре 218»	
	1,6±0,1		—1*	АЭ	Усредненная по острию минимальная работа вы-	[529]
					хода для микромонокристалла вольфрама в потоке	
					атомов цезия	
	1,62	-		АЭ	Оптимальное покрытие. Р = 2 • 10—9 мм рт. ст.	[471]
	1,62			ТЭ	—	[960]
	1,64	—-	300	КРП	Эталон — вольфрам (<pw принята равной 4,54 эВ)	[1892]
	1,64			тэ	Сильноцезированная поверхность (0 > 1)	[1991]
	1,69 ±0,2		•••	тэ	Средняя минимальная работа выхода для W-труб-	[518]
					кн в парах цезия	
	1,70	—		тэ	Оптимальное покрытие	[437]
	1,70			тэ	Оптимальное покрытие (0 = 0,67)	
	1,7		мам*	тэ	Средняя минимальная работа выхода для поли-	[1892]
					кристаллической нити в парах цезия	
	1,70	-		тэ	Минимальная работа выхода для обезгаженной	[2138]
					при Т = 2200 К вольфрамовой нити в парах	
					цезия	
	1,70	— -	300	ФЭ		[1573]
	1,71			тэ	Оптимальное покрытие	[35]
	1'71			тэ	Оптимальное покрытие. Эффективная работа вы-	1831)
					хода	
	1,72—>1,47			тэ	Изменение работы выхода после 3-недельной вы-	[1679]
					держки при комнатной температуре	
	1,77	-		тм	Оптимальное покрытие. Вычислено на основе мо-	[1525]
					дели ПОЭ	
	1,78		296	КРП	Измерено на W-фольге методом Кельвина	(1517)
	1,78 ±0,01		300	КРП	Оптимальное покрытие (0 = 0,77) на W-фольге.	[1516]
					Эталон — «состаренный» вольфрам (cpw принята	
					равной 4,55 эВ)	
	1,79	-		АЭ	Толстый слой. Р = 2 • 10~* мм рт. ст.	[471]
	1,80	—	.	-1	АЭ	Толстый слой	[1485,
						1881]
230
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент — адсорбат		X 7	Темпера-	i g-e-		СО о.
	ф, эВ	?|	турный интервал	О к « х n X	Примечания	н я о.
		< SJ	измерений. К	Р ф ф ?.		ф
		-чГ X		s 8		
\V—Cs	1,8	-		АЭ	Толстый слой. Р = 8 • 10“9 мм рт. ст.	[471]
	1,8	—	—	ТЭ	Средняя минимальная работа выхода для W-нити в парах цезия	[401]
	1,82 ±0,01	—		КРП	Монослойное покрытие на W-фольге. Эталон — «состаренный» вольфрам (cpw принята равной	[1516]
					4,55 эВ)	
	1,85	—	—	АЭ	Монослойное покрытие. Р = 10“9 мм рт. ст.	[626]
	1.86	—	—	АЭ	Толстый слой. Р = 2 • 10“9 мм рт. ст.	[437,
						471]
	—			ТЭ	При оптимальном покрытии и Tq. = 373 К / = = 7 • 10—3 А  см-!	[1351]
W—Ва	1.10	—	—	ФЭ	—	[767]
	1,56	—	0	ТЭ	—	[1254, 1744] [662,
	1,56	1,5	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	
						828,
						1724,
						1744]
	1,6	1,5	—	ТЭ	» » »	[2014]
	1,60	—		тэ	Оптимальное покрытие	[172,
						173,
						1287]
	1,63	—	—	АЭ	—	[1287]
	1,66	2,5	—	ТЭ	Метол прямой Ричардсона	[828,
						1154]
	1,66		—	тэ	 —	[767]
	1,68	—	—	АЭ	—-	[1605]
	1.72	3	,—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[1358]
	1,75 4-3,33 X	—	823—1273	ТЭ	—"	[300]
	Х10~4 Т					
	1,81	—	—	тм	Рассчитано с использованием изотерм поверхност-	[630]
					ного натяжения	
	1,90	—	——	тэ	—	[550,
						1597]
	2,01	100	0	тэ	Метод прямой Ричардсона	[1744]
	2,01	—	1270	тэ	Оптимальное покрытие. Вычислено автором насто- ящей работы по данным [261]	—-
	2,07	—	0	тэ		[960]
	2,08	—		тэ	—	[266]
	2,1			АЭ	Оптимальное покрытие. Р — 10—9 мм рт. ст.	[349,
	2,1 ±0,05					626]
		—	«ма	ЛЭ	То же	[350]
	2,1 ±0,1		—	АЭ	Монослойное покрытие	[353]
	2,1—2,2	—	—	ТЭ	Оптимальное покрытие	[144,
						267,
						339,
	2,2 ±0,03					343]
		—		тэ	Минимальная работа выхода!	ГДОЛ]
	2,4 ±0,03	—	—	тэ	Монослойное покрытие	J	
	2,5	—	—	АЭ	» »	[349]
	—	—	708—1520	АЭ	Значение <р системы зависит от температурного	Ц922]
	4,20->2,18				интервала и кинетики покрытия поверхности барием:	
					при изменении начальной степени покрытия 0,08 -> 1,23	
						
W—Ва, О	4,50->2,11				то же при конечной степени покрытия 0 -> 1,12	
	1,9—2,5	—	—	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[828,
	1,96 ±0,03					1744]
		—	——	ТЭ	Минимальная работа выхода 1	[490]
	1,98 ±0,03	—	—	ТЭ t	Монослойное покрытие	J	
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
231
Продолжение
		X 7	Темпера-	и	
Адсорбент — адсорбат	<р, эВ		турный интервал	О К	Примечания
		< и	измерений, К		
		< X			
W—Ва, Ва	1,86	4,1	—	тэ	Метод прямой Ричардсона	1828, 1744]
W—La	2,2±0,1	—	—	АЭ	Оптимальное покрытие	1203, (Я1 £1
	2,23 4-3, IX		1000—1600	ТЭ	W-катод пропитан лантаном. Измерено после	
	хю-4?1				прогрева при Т — 2100 К в течение 4 ч. Тем-	
					пературная зависимость <р вычислена автором	
					настоящей работы по экспериментальным дан-	
					ным [186]	
	2,3	3,8	1000—1600	ТЭ	W-катод пропитан лантаном. Измерено методом	[186]
					прямой Ричардсона после прогрева при Т =	
					= 2100 К в течение 4 ч	
	2,40			АЭ	Оптимальное покрытие. Р = 10—10 мм рт. ст.	[638]
	2,47 4- 2,2 х		1000—1600	ТЭ	W-катод пропитан лантаном. Измерено после про-	—
	Х10-4 Т				грева при Т = 1400 К в течение 4 ч. Температур-	
					ная зависимость q> вычислена автором настоящей	
					работы по экспериментальным данным [186]	
	2,49	——	—	АЭ	Мопослойное покрытие. Р — 10—10 мм рт. ст.	[638]
	2,5	10	1000—1600	ТЭ	W-катод пропитан лантаном. Измерено методом	
					прямой Ричардсона после прогрева при Т =	
					= 1400 К в течение 4 ч	[186]
	2,5 ±0,05	10±4	1000—1600	ТЭ	Оптимальное покрытие на гладком вольфраме.	
					Метод прямой Ричардсона	
	2,6			АЭ	Оптимальное покрытие	[637]
	2,6—2,9		1600—1900	ТЭ	Оптимальное покрытие на пористом вольфраме.	[186]
					Метод прямой Ричардсона	
	2,65		1100—1300	ТЭ	Оптимальное покрытие, полученное напылением	[487]
	2,68 ±0,03			ТЭ	Минимальная работа выхода	[490]
	2,7	8		ТЭ	Метод прямой Ричардсона	[2014]
	2,71	8,0	0	тэ	» » »	[101,
						662,
						767,
						828,
						1140,
						1254,
						1724]
	2,71	•в»	«мм	ФЭ		[767]
	2,75	—	—	АЭ	Толстый слой	[637]
	2,75	—	1517	ТЭ	Эффективная работа выхода для пористого W-ка-	[123]
					тода, пропитанного лантаном, после прогрева	
					при Т = 2100 К в течение 4 ч	
	2,794-1,4 X	—	1000—1600	тэ	Такой же катод. Измерено непосредственно после	—
	хю-4?1				пропитки. Вычислено автором настоящей работы	
					по экспериментальным данным [186]	
	2,8	26	1000—1600	тэ	Такой же катод. Измерено <	
					непосредственно после про- Метод прямой ри.	[186]
	2,8 ±0,05	26±6	1000—1600	тэ	Толстый слой на гладком чардсона	
					вольфраме	
	2,83	—	1517	тэ	Эффективная работа выхода для пористого W-ка-	[123]
					тода, пропитанного лантаном, после прогрева при	
					Т = 1400 К в течение 4 ч	
	2,96	—	1100—1300	тэ	Толстый слой. Метод полного тока	[487]
	2,96 ±0,03	—	—	тэ	Монослойное покрытие	[490
	3,00	—	1517	тэ	Эффективная работа выхода для пористого W-ка-	[123
					тода, пропитанного лантаном, непосредственно	
					после пропитки	
w-uo	2,45 ±0,03	—	—	тэ	Монослойное покрытие лантана 1	
	2,5 ±0,03	—	—	тэ	Минимальная работа выхода	[	
W—Се	2,70	——	1100—1300	тэ	Оптимальное покрытие. Метод полного тока	1487]
	2,7	8	— -	тэ	Метод прямой Ричардсона	[2014]
232
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Ф, эВ	А, Л cm~2 x x к-2	Темпери- ту рный интервал измерений, К	Метод опре- деления	Примечания				Литература
W—Се	2,71	8,0	0	ТЭ	Метод прямой Ричардсона				[101,
									662,
									767,
									828,
									1140,
									1724]
	2,8	—	—-	АЭ	Оптимальное покрытие]				16471
	2,92	— w	—.	АЭ	Толстый слой				[ОО/J
	2,97	—	1100—1300	ТЭ	Толстый слой. Метод полного тока				[487]
W—Рг	2,6	—	—-	ТЭ	Минимальная работа	выхода			1213]
	2,70 2,96	—	1100—1300 1100—1300	ТЭ тэ	Оптимальное покрытие Толстый слой	j Метод полного	тока		(487]
W—Nd	2,7	—	—	АЭ	Оптимальное покрытие.	Р = 10 9 мм рт. ст.			[546]
	2,74 3,0	—	1100—1300 1100—1300	тэ тэ	Оптимальное покрытие Толстый слой	1 Метод полного	тока		[487]
W—Sm	2,7	—	——	ТЭ	.Минимальная работа выхода				(213)
	2,72		1100—1300	тэ	Оптимальное покрытие-				
	2,85	—	1100—1300	тэ	Толстый слой				
W—Eu	2,42		1100—1300	тэ	Оптимальное покрытие	Метод полного	тока		[487]
	2,7—2,8	—	1100—1300	тэ	Толстый слой. Оценоч- ное значение				
W—Gd	2,89		1050—1200	тэ	Оптимальное покрытие				
	3,20	—	1050—1200	тэ	Толстый слой				
W—Ho	2,92 3,20		1050—1200 1050—1200	тэ тэ	Оптимальное покрытие Толстый слой	1 Тот же метод			[485]
W— Er	2,99	—	1050—1200	тэ	Оптимальное покрытие				
	3,20	—	1050—1200	тэ	Толстый слой				
W—Yb	2,5	—	— м	АЭ	Оптимальное покрытие.	Р = 10 w мм рт. ст.			[546]
	2,8	—	—	тэ	Минимальная работа выхода				[213]
W—Lu	3,14 3.38	—	1050—1200 1050—1200	тэ тэ	Оптимальное покрытие ] Толстый слой	j	Метод полного	тока		[485]
W—HI	3,70 ±0,03	—	1500—2000	тэ	Порошок гафния на вольфраме	Тот же метод			[ЮЗ]
	3,98—4,01	—	1900	тэ	Газофазное покрытие				(556]
W—W	4,52	—•	2200—2760	тэ	Пиролитическое покрытие на W-проволоке. Me-				
					тод полного тока				
	4,54	60—	1	—	тэ	Метод прямой Ричардсона				[767]
		100							
W—Pt	5,2±0,l	—		АЭ	Монослойное покрытие				И.5Ч1
W—Pt, Ba	2,1 ±0,1	—	——	АЭ	Минимальная работа выхода/				
W—Au	4,92	—	—	АЭ	0=2				[1828]
	5,12	—	1	—	АЭ	Монослойное покрытие				
	5,2		—	АЭ					[575]
	5,2	—	——	АЭ	0 > 1				[576]
	5,23		—	АЭ	0 = 3				]1828]
	5,3	—	—	АЭ	Монослойное покрытие				[1836]
	6,3	—	—	АЭ	Измерено после адсорбции кислорода на золоте				[574]
W—Au, Ge	4,5	——	—	АЭ	Измерено после прогрева	системы до Т =	1500 К]		
	5,2		—	АЭ	Измерено после миграции германия по вольфра-				[576]
	2,62				му, покрытому золотом				
W—Th		3,0	0	ТЭ	Метод прямой Ричардсона				[1139]
	2,62	—	——	ФЭ					[7671
	2,63	—	0	ТЭ	Метод прямой Ричардсона				[101,
									662,
									767,
									828,
									829,
									1139,
									1724,
	2,63								1822]
		—	—	ТЭ	Минимальная работа выхода				[1020,
							1		1210]
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
233
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	<f. эВ	А, Л см-'2 X X K~2	Темпера- турный интервал измерений,К	Метод опре- деленна Ч	Примечания				Литература
W—Th	2,66	5,0	0	ТЭ	Метол прямой Ричардсона				[1254)
	2,67		—-	тэ			—		[1803]
	2,69	7,0	—	тэ	Метол прямой Ричардсона				[1435,
				тэ					15061
	2,7	4,0	—			»			[2014|
	2,77	6,5	—	тэ	» »	»			[1727, 1 79Q1
	2,8 ±0,1		—-	тэ	Измерено на торированном вольфраме тем же ме-				1 / zy| [16821
					тодом				
	2,86	—	300	КРП					[1727, 1729] [1020]
	2,86	15,6	0	тэ	Метод прямой Ричардсона				
	3,0			тэ	Минимальная работа выхода				[343]
	3,08	—	300	КРП					[1507]
	3,20	—	2000	тэ	Эффективная работа	выхода		вычислена автором	 —
					настоящей работы по экспериментальным данным (18031 с применением таблиц [13961				
	3,3	—	—	тэ	Минимальная работа	выхода			[3431
	3,4 ±0,1	—	—	тэ	Монослойное покрытие		на W-нити. Работа вы-		[402]
					хода, измеренная методом прямой Ричардсона,				
					не зависит от состояния		подложки		
	4,6 ±0,1	—		тэ	Торированный вольфрам отожжен при Т 2600 К				[1682]
					в течение нескольких часов.			Гот же метод	
W—и	2,8	3	—	тэ	Тот же метод				[2014]
	2,84	3,2		тэ	» » »				[101,
									662,
									767,
									828,
									1140,
									1724]
	3,41 ±0,01	—		тэ	Оптимальное покрытие				[948]
W—а-и	3,37 ±0,03	—	295	АЭ	» »				
	3,60 ±0,03	—	295	АЭ	Толстый слой				
W—р-и	3,31 ±0,03	—	1000	АЭ	Оптимальное покрытие		>		[10821
	3,53 ±0,03	—	1000	АЭ	Толстый слой				
W -у-U	3,19±0,03	—	1200	АЭ	Оптимальное покрытие				
	3,38±0,01	——	—-	ТЭ	> »				[948]
	3,43 ±0,03	—	1200	АЭ	Толстый слой				[1082]
Re—Н	5,451		77	Д О	Усредненное по острию		значение. Метод прямой		[1380]
Re—N	4,49/		/ /		Фаулера — Нордгейма				
Re—О	5,5—6,5	—		АЭ	Значение ср зависит от степени			покрытия поверх-	[1485]
					ности кислородом (0		0,35-	-0,7)	[1380]
	6.8	—.	77	АЭ	Усредненное по острию значение. Метод прямой				
					Фаулера — Нордгейма				
Re—О, Cs	1,25	—	—	АЭ	Минимальная работа!				
					выхода	6	>о ~ 0,35		[1485]
	1,78		—	АЭ	Толстый слой				
Re—О, Ва	1,1 -± 7,25 x	—	1100—1700	ТЭ					[259]
	X10“‘ T								
Re—К	1,72 ±0,05		—	АЭ	Минимальная работа	Измерено методом прямой			[2053]
					выхода	Фаулера — Нордгейма			
	2,18 ±0,05	•—	—	АЭ	Толстый слой	при Р		< 10 10 мм рт. ст.	
Re—Sc	3,19 ±0,03	—	—	ТЭ	Минимальная работа выхода				
Re—Sc, 0	3,32 ±0,031 3,0 ±0,03 J	—	—	ТЭ	Монослойное покрытие				[490]
	3,15 ±0,03			ТЭ	Минимальная работа	выхода J			
Re—Y	2,96 2,98	—	1050—1200 1300	ТЭ ТЭ	Оптимальное покрытие}		Метод полного тока		[485]
	2,98		1100—1200	ТЭ	Оптимальное покрытие		на поликристаллической		[483]
					Re-ленте. Тот же метод				
	2,98 ±0,03	—	—	ТЭ	Минимальная работа выхода				[490]
234
Адсорбционные системы
Продолжение
		X CM	Темпера-	|е.			со 	а
Адсорбент — адсорбат	ф, эВ	A-cm" к-2	турный интервал измерений, К	Метод о деления	Примечания		а о
		•€ x					
Re—Y	3,20		1050—1200	ТЭ	Толстый слой на поликристаллической подложке.		[485]
					Метод полного тока		
	3,26	—	1100—1200	тэ	Толстый слой на поликристаллической ленте.		[483]
	3,26 ±0,031 2,9 ±0,03/ 2,96 ±0,03				Метод полного тока		
Re- Y, О		—	—	тэ тэ	Монослойное покрытие) Минимальная работа выхода	J		[490]
							
Re—Y, La	(2,92—3,54) ±	—	1673—1923	тэ	Значение ф металлокерамических сплавов зависит.		
	±0,03				от содержания активной добавки (2—10%), со- отношения иттрия и лантана (3 : 7; 1 : 1; 7 : 3) и1		[661]
			1673—1923		температуры измерения		
Re-Y, Ce	(3,2—3,33) ±	—•		тэ	То же; Y : Се = 1:1		
	±0,03						
Re—Xe	3,8	—	77	АЭ	Работа выхода, измеренная методом прямой Фау- лера — Нордгейма, усреднена по острию		[1380] [35]
Re—Cs	1,20	—	—>	тэ	Оптимальное покрытие		
	1.4	—	—	АЭ	» »		[1485]
	1,4	—		ТМ	» »		[1000]
	1,45	—	—	АЭ	» »		[1881]
	1,47	—	—-	ТЭ	» »		[679]
	1,51	—	—	АЭ	Оптимальное покрытие	(0	0,7)	)	[1991]
	1,56		—	АЭ	Сильноцезированная поверхность (0 > I) /		
	1,61 ±0,02	—	—	ТЭ	Оптимальное покрытие)	Адсорбент — обезгажеп-	[2055]
	1,64 ±0,02	—	—	ТЭ	Толстый слой	ные сферические образ-	
						цы	
	1,65	—	—	ТЭ	Оптимальное покрытие		[437]
	1,75	—	——	АЭ	Толстый слой		[1485]
	1,77		—	АЭ	» »		[1881]
	1,77	—	—	ТМ	Оптимальное покрытие, дели НОЭ	Вычислено на основе мо-	[1525]
	1,91	266,1	—	ТЭ	Оптимальное покрытие	при Pq. = 10~6—10“2	[518]
					мм рт. ст. Метод прямой Ричардсона		[1351]
	—	—	—	ТЭ	При оптимальном покрытии и	373 К i =		
					= 5  КГ3 А • см-2		
Re—Ba	2,28 ±0,02 2,3	—	—	ТЭ	Минимальная работа выхода. Адсорбент — обез- гаженные сферические образцы		[2055]
		—	—	ТЭ		—	[550]
	2,42 2,52 ±0,02	——	1270	ТЭ	Оптимальное покрытие.]Вычислено автором настоя- щей работы по данным [261]		—
		—	—	ТЭ	Толстый слой на обезгаженных сферических образ-		[2055]
					цах		
Re—La, 0	2,55 ±0,02 2,65 ±0,03			ТЭ тэ	Монослойное покрытие 1 Минимальная работа выхода/		[490]
Re—Gd	2,90	—	1300	тэ	**		
	2,95		1050—1200	тэ	Оптимальное покрытие		
	3,20		1050—1200	тэ	Толстый слой		
Re—Tb Re—Dy	2,951 2,90/	—	1300	тэ			
	2,92	—	1050—1200	тэ	Оптимальное покрытие		
	3,25	—	1050—1200	тэ	Толстый слой		
Re—Ho	2,93	—	1050—1200	тэ	Оптимальное покрытие	Редкоземельный металл	Г4Я51
	2,95	—	1300	тэ		напылен на поликрн-	
	3,20	—	1050—1200	тэ	Толстый слой	сталлическую подложку.	
Re—Er	2,98		1050—1200	тэ	Оптимальное покрытие	Метод полного тока	
	3,00	—	1300	тэ	—		
	3,18	——	1050—1200	тэ	Толстый слой		
Re—Tm	2,85	—	1300	тэ			
	2,86		1050—1200	тэ	Оптимальное покрытие		
	3,10	—	1050—1200	тэ	Толстый слой		
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
235
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Ф, эВ	X 7 < & < X	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания •	Литература
Re—Lu Re—Th Os—Sc Os—Sc, 0 Os—Y Os—Y, 0 Os—Cs Os—Ba Os—Ba, 0 Os—La Os—La, 0 Ir—H2 Ir—Li Ir-C Ir—0., Ir—Ca Ir—Sc Ir—Sc, 0 Ir—Y Ir—Y, 0 Ir—Xe Ir—Cs	3,17 3,20 3,35 2,58 2,58 3,10 3,15 3,15 3,16 3,19 ±0,03 3,3± 0,031 3,08 ±0,03] 3,19 ±0,03) 2,98 ±0,03 J 3,25 ±0,031 2,92 ±0,03/ 2,96 ±0,03 1,44 1,5 1,78 2,22 ±0,03 2,36 ±0,03) 2,0o ±0,03 2,08 ±0,031 2,65 ±0,03/ 2,9±0,03i 2,55 ±0,03/ 2,65 ±0,03 5,00 ±0,02 5,29 ±0,04 2,80 4,4—4,5 5,74 ±0,06 6,21 ±0,04 3,0±0,l 3,19±0,03 3,3 ±0,03) 3,08 ±0,03/ 3,19±0,03 2,98 ±0,03 3,25 ±0,031 2,92 ±0,03/ 2,96 ±0,03 5,00 1,49-1,54 1,5 1,5 1,5 1.77	1,4 75	1050—1200 1300 1050—1200 1373—1573 10731 298/ 298) 1073/ 515—640	ТЭ тэ тэ тэ тэ тм тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тм тм тэ тэ тэ тэ тэ КРП тэ тэ КРП АЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ АЭ тэ АЭ тм тэ тм	Оптимальное покрытие^ Редкоземельный металл —	напылен на поликристал- Толстый слой	лическую подложку. Ме- тод полного тока Метод прямой Ричардсона Минимальная работа выхода Расчетное значение^ Минимальная работа выхода Монослойное покрытие. С ростом концентра- ции тория па поверхности рения значение <р до-  стирает 3,3 эВ и перестает зависеть от толщины слоя. Метод прямой Ричардсона Минимальная работа выхода Монослойное покрытие Минимальная работа выхода • Монослойное покрытие Минимальная работа выхода Работа выхода одинакова для оптимального по- крытия (0 ~ 0,7) и сильноцезированной поверх- ности (0^1) Оптимальное покрытие Оптимальное покрытие. Вычислено на основе мо- дели НОЭ Минимальная работа выхода Монослойное покрытие Минимальная работа выхода • Монослойное покрытие Минимальная работа выхода рн — Ю“4 мм рт. ст. Эталон — остеклованный молибден Монослойное покрытие Монослойное покрытие. Эффективная работа выхода. ро — КГ-3 мм рт. ст. Эталон — остеклованный молибден Оптимальное покрытие Минимальная работа выхода Монослойное покрытие Минимальная работа выхода » » » Монослойное покрытие Минимальная работа выхода Усредненное по острию значение для монослойпо- го покрытия Метод полного тока Минимальная работа выхода Оптимальное покрытие Минимальная работа выхода Оптимальное покрытие. Вычислено на основе мо- дели НОЭ	1485) (101, 1822J [1618] [1275] [909] [490] [1991] [1000] [1525] [490] [443] [1992] [791] [443] [528] [490] [1626] [467] [435] [1000] [435] [1525]
236
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Ф, эВ	А, А -см X X K~2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания			Литература
1г—Cs	1,79				ТЭ	Оптимальное покрытие (0		0,7)	1	[1991J
	1,86	—		тэ	Сильноцезированная поверхность (0 > 1) /			
Ir—Ва	1,78 4-4,29 X	—	723—1273	тэ	—			[3001
	xio-5 T							
	2,22 ±0,03	—		тэ	Минимальная работа выхода!			f А ЛАЛ
	2,36 ±0,03	—		тэ	Монослойное покрытие			[4УО]
	2,4±0,l	—		АЭ	Оптимальное покрытие			[528J
[г—Ва, О	2,05 + 0,03			тэ	Монослойное покрытие			
	2,08 ±0,03	—	——	тэ	Минимальная работа выхода			
1г—La	2,65 ±0,03	—	—	тэ	» » »			14901
Ir—La, О	2,9 ±0,031 2,55 + 0,03]	——“	—	тэ	Монослойное покрытие			
	2,65 ±0,03	—		тэ	Минимальная работа выхода ,			
Pt—Н	1,6	~!,18x	—	тэ	Измерено после отжига проволоки при Т — 1800 К			[1460]
		xio~9			в течение 15 мин			
	4,24			КРП	—			[193,
								828]
Pt-H8	4,21	—	300	ФЭ				[1644]
	4,83	—	78	ЛЭ	= 2 • 10~7 мм рт. ст.	Адсорбент — кристал-		
	5,08	—	78	АЭ	Pilt = 2 • 10 мм рт. ст.	лизованная платино-		
	5,44	—	300	АЭ	рНз = 2 • 10~7 мм рт. ст.	вая проволока. Метод прямой Фау-		[2125]
						лера — Нордгейма. Усреднено по острию		
	5,5	—	270	ФЭ	Толстый слой водорода на	подложке.		[1527]
					Напыление проводилось при Т =		— 78 К с последую-	
					щим прогревом пленки до	Т =	= 400 К	
	5,55	—	298	ФЭ	т = 1 • Ю"-3 мм рт. ст. • мин		Тщательно очи-	
	5,76	—	298	ФЭ	т = 1 • 10—с мм рт. ст. • мин		щенная платино-	
							вая фольга марки ОЧ экспонирована	[517]
							в водороде	
Pt—Da	5,0	—	35	ФЭ	Оптимальное покрытие. Напыление проводилось			[1527]
			1		при Т ~ 4,2 К с последующим прогревом пленки			
					до Т = 400 К			
Pt—Na	4,67		80	АЭ	Усреднено по кристаллине-			
	4,94		80	АЭ	скому острию Адсорбент — свежеиспа-			
					репная при Г = 80 К плен-	Метод прямой Фау-		[1624,
					ка платины	лера — Нордгейма		1625]
	5,33	—	80	АЭ	Адсорбент — отожженная при Т = 300 К пленка			
					платины	1		
Pt—0	5,7		НО	ФЭ	Слабоадсорбированный кислород (0 ~ 0,6) на			[1638]
					Pt-фольге чистотой 99,99%			
	6,27		300	КРП	Измерено после нагрева платины в среде кислоро-			[1234]
					да до Т = 435 К. Эгалон —	- серебро (фА„ принята		
					равной 4,63 эВ)			[1637,
	6,3			273	ФЭ	Сильноадсорбированный кислород (0= 0,4) на			
					Pt-фольге чистотой 99,99%			1638]
	6,55		300	КРП	Эталон — вольфрам (cpw принята равной 4,67 эВ)			[193,
								828,
								1644]
	8,46	—	0	тэ	—			[1254]
Pt—o2	5,95	—	298	ФЭ	т = 10“5 мм рт. ст. • мин	Тщательно очищен-		
	>6,2	—	298	ФЭ	т = I0-4 мм рт. ст. • мин	ная платиновая фоль-		
						га	марки ОЧ экспо-	[5171
						нирована в кисло-		
						роде		
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
237
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Ф. эВ	X СЧ < * 4 X	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
Pt—Na	2,08	—		ФЭ		[1383]
	2,10	—	—	ФЭ	—	[767]
Pt—к	1,60	—		ФЭ	—	[1383]
	1,62	—		ФЭ	—.	[767]
	1,68	*—	—	ТЭ	Оптимальное покрытие	[1573]
Pt—Rb	1,56	*—•	*—•	ФЭ	—	[1383]
	1,57	—	—	ФЭ	—	[767]
Pt—Хе	4,67 ±0,02	—	78	ФЭ	Монослойное покрытие. Адсорбент — металли- ческая пленка на стеклянной подложке	[1627]
Pt—Cs	1,38	—	*—•	ФЭ	—	[1383]
	1,59		—	тэ	Оптимальное покрытие (6	0,7)	[1991]
	1,60			тэ	Оптимальное покрытие	[1573]
	1,64—1,71	—	550—715	тэ	Метод полного тока	[467]
	1,66	—	—	тэ	Сильноцезированная поверхность (в > 1)	[1991]
	1,77	*—	—-	тм	Оптимальное покрытие. Вычислено на основе мо- дели НОЭ	[1525]
Pt—Ba	1,9 2,05 2,45	—	300 300	тэ тэ тэ	Минимальная работа выхода] Толстый слой (0 > 2)	/	[550] Ц98]
	2,6	—	1000	тэ	Монослойное покрытие. Эффективная работа вы- хода	[171]
	3,28±0,05		—-	тэ	Измерено после прогрева системы при Т 1600 К	[862]
	3,28 ±0,5	—		КРП	Эталон — вольфрам	принята равной:4,52 эВ)	[859]
	3,3	—	—	КРП	Измерено после прогрева бинарных слоев бария и платины, нанесенных на W-ленту, до Т 1700 К	[763]
Au—C	4,05	—	 «	КРП	Р = (2—4) • 10“10 мм рт. ст.	[1306]
Au—О	5,66		300	КРП	Измерено после нагрева золота в среде кислорода до Т — 435 К. Эталон — серебро (<pAg принята равной 4,63 эВ)	[1234]
	6,46	—	—	КРП	—	[193, 828]
Au—Xe	4,76±0,02		78	ФЭ	Монослойное покрытие. Адсорбент — металли- ческая пленка на стеклянной подложке	[1627]
Au—Cs	1,8	—	—	ФЭ	Цезированная Au-плепка, испаренная на Си-под- ложку при Р — 10“10 мм рт. ст.	[1533]
Au—Ba	3,6		—“	ФЭ	Цезированная Au-пленка, термически напылен- ная на стеклянную подложку в сверхвысоком вакууме	[1631]
	~2,3		-	1200	тэ	Пленка состава (6—7) : 1 толщиной 70—90 нм на W-подложке. Эффективная работа выхода	[615]
	2,8	—	1000	тэ	Монослойное покрытие. Эффективная работа вы- хода	[171]
	3,35 ±0,05	* —		тэ	Измерено после прогрева в интервале температур 550—1200 К	[862]
	3,35 ±0,05	——		АЭ		[858]
Bi—Ag, 0, Cs	1,05		—	тэ		
	1,25 1,5		—	ФЭ ФЭ	Измерено при X — 700 нм[ Измерено при А, = 420 нм)	[600]
	1,5	—	—-	ФЭ	—	[601]
СЛОЖНЫЕ АДСОРБЕНТЫ
Бориды
Т1В2—Cs
VB2—Cs
ZrB,—Cs
NbB2—Cs
1,25)
1,30
1,30
1,30 J
Оптимальное покрытие на горячепрессованном об-
разце
[503,
737]
238
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	ф, эВ	Л. А - см-2 X X К-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
LaBe— Cs HfBo—Cs TaB2—Cs [TiB2-±ZrB2]—К	0,8 1,45) 1,30/ 1.55 1-0,07 1,66 1,5	1	1 1 1 1	700—850	ТЭ тэ тэ тэ тэ	Оптимальное покрытие. Адсорбент — покрытие из порошка на металлическом керне Оптимальное покрытие на горячепрессованном образце То же	1 Монослойное покрытие/ Оптимальное покрытие. TiB2 : ZrB2 =1:1	(590J [503, 737] [19941 [735]
Карбиды
TiC— Os	2,20	17,40	1300—2000	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	1		ГЧЯ41
	3,05	—	1800	ТЭ	Эффективная работа выхода/			[«50* J
ZrC—Cs	1,0	—		ТЭ	Оптимальное покрытие			[5901
	1,0	—		ТЭ	Адсорбент — стержень, спеченный из порошка			
					карбида			гоп
	1,1		2350	ТЭ	Адсорбент — покрытие из порошка карбида на			
					Та-подложке			
	1,60			—	ТЭ	Оптимальное покрытие)			Г1QQ41
	1,68	—		ТЭ	Монослойное покрытие/			[ к	J
	3,7			1350—1750	ТЭ	Эффективная работа выхода			[373]
ZrC—Os	2,49	36,12	1300—2000	ТЭ	Метод прямой Ричардсона			
	3,30	——	1800	ТЭ	Эффективная работа выхода/			[OO4J
NbC—Cs	1,2	—	2450	ТЭ	Адсорбент — покрытие из	порошка карбида на		[91]
					W-подложке			
Mo2C—Cs	1,45			—.	ТЭ	Оптимальное покрытие)			Г1OQ41
	1,48			—.	ТЭ	Монослойное покрытие/			
Ta2C—Cs	1,4	—	—-	АЭ	Оптимальное покрытие			[205]
TaCo,98—Cs	1,40 ±0,02	—		КРП	Минимальная работа выхода			[9571
TaC-Cs	0,8	—	2300	ТЭ	Адсорбент — стержень, спе-			
					ченный из порошка карби-			
					да	Эффективная работа		ГО11
	0,9	*	2400	ТЭ	Адсорбент — покрытие из	выхода		J
					порошка карбида на W-			
					подложке			
UCi.05—Cs	2,1	—.	—	ТЭ	То же			11431}
[ZrC UC]—Cs	1,1	—	2250	ТЭ	Адсорбент — продукт испарения сплава на W		Гв	[911
					коллектор. Эффективная работа выхода			
				Нитриды				
ZrNo,73—Cs	2,60 ±0,05 2,96 ±0,05	1	1200—1600 1200—1600	ТЭ ТЭ	Метод прямой Ричардсона' Эффективная работа вы- хода при Т = 1500 К; dqldT = 2 - 10~4 эВ -Г1			
ZrNo,89—Cs	2,20 ±0,05	2	900-1600	ТЭ	Метод прямой Ричардсона	. Цезий	имплантиро-	
	2,54 ±0,05		900—1600	ТЭ	Эффективная работа вы- хода при Т = 1500 К; dq/dT = 1,5 • 10~4эВ-К~1	ван в	нитрид	[2911
Оксиды
А12О3—Cs	1,3—1,4	—	——
	1,5—1,8	—	>600
ТЭ
ТЭ
Снльпоцсзированная) Адсорбент — природно-
поверхность	окисленный алюминий чис-
—	тотой 99%
[19951
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
239
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	<P. эВ	A, A-cm~2 X XK-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания		Литература
А12О3—Ва СаО—Ва ZnO—(Н -± На) ZnO—К ZnO—Cs SrO—Ва AgaO—Cs SnO2.SbaO3—Hg	—2,0 -3,85 1,3-1,4 4,42 >1,5 1,3 ±0,3 1,13—1,15 0,75 0,75 1,0 5,45 ±0,03	12 12—16 9,8 X X10~2	293 400	ТЭ тэ тэ КРП тэ РМ тэ тэ ФЭ ФЭ КРП	Минимальная работа^ выхода Толстый слой Концентрация атомов ставляет 1,5 • I016 с* сона Адсорбент — оксидна Эталон — пол и криста принята равной 4,5 Адсорбент — слой ок подложку То же. Эталон — Au Концентрация атомог ставляет 1,5 • 1016 см на Метод прямой Ричард Монослойное покрыт]	Адсорбент — покрытие из , А1гО3 на W-ленте. ТВа = = 553 К бария на поверхности со- 2. Метод прямой Ричард- я пленка на стекле, ллический вольфрам (<pw эВ) сида, набрызганного на Ni- -электрод j бария на поверхности со- ~2. Метод прямой Ричардсо- сона| че	[50] [620] [775] [1840] [2056] [620] [767] [1458] [938]
BaO—Ba WaO—Cs W2O—Ba	1,00—1,05 0,71 0,71 1,1	10—20 10“3 3-10~’	—	тэ тэ ФЭ тэ	Концентрация атомов бария на поверхности со- ставляет 1,5 • 1016 см*-2. Метод прямой Ричард- сона Тот же метод| Метод прямой Ричардсона		[620] [767] [767, 8281
ThO,—Cs e	1,0	—	—	тэ	Оптимальное покрытие		[590]
Силициды
MoSi2—Cs	1,75	—		ТЭ	Оптимальное	покрытие'		
	1,83	—	—	ТЭ	Монослойное	покрытие		
TaSi,—Cs	1,47	—	—	ТЭ	Оптимальное	покрытие		119941
	1,51	—		ТЭ	Монослойное	покрытие		1 • >
WSi2—Cs	1,47	——	—-	ТЭ	Оптимальное	покрытие		
	1,51	—	—	ТЭ	Монослойное	покрытие.		
Пниктиды
GaAs—Cs	-1,5 1,51	——	—	ФЭ КРП	Степень покрытия поверхности цезием 6 < 0,5 Адсорбент — эпитаксиальная пленка арсенида, вы-
GaAs—Cs, 0 In As—Cs ]	1,2/				ращенная на грани (100) монокристалла GaAs
GaSb—Cs) InSb—Cs J	-1,4	—	—	TM	Вычислено по (51)
GaSb—Cs, 0	1,25	—	——	ФЭ	Адсорбент — полупроводник р-типа. Найдено по кривым энергетического распределения электронов
^n0,3^a0,7^S Cs, 0	0,7±0,l			ТЭ	Адсорбент — полупроводник р-типа. Концен- трация носителей (дырок) в материале ка- тода составляет 1,3 • 1019 см-3
[1491,
[605]
[1784]
[1928]
[1982]
240
Адсорбционные системы
П опдалжение
Адсорбент — адсорбат	Ф. эВ	X сч 1 < X	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
ZnS—Н ZnS—Н2 ZnS—(Н Н- Н>) ZnS—О ZnS—О2 ZnS—(О 4- О2) Ni-сплав—Cs [Мо—UO2J—Cs [Pd—С[—Ва [Pd—Ag]—Pd	4,5 5,10 4,32 4,93 5,10 6,02 6,1 6,14 6,40 5,22 5,24 5,3 5,34 5,60 5,84 1,35 1,64 1,40 1,64 1,6 2,4 4,50	—	714) 943/ 665) 939/ 1000	Сульф КРП КРП КРП КРП КРП КРП КРП КРП КРП КРП КРП КРП КРП КРП КРП Спла ТЭ ТЭ ТЭ тэ тэ КРП	иды Перекристаллизо- ванный сульфид Сульфид активи- рован медью и	Поверх ноет-) хлором	ная концен- Рекристаллизо-	трация во- ваиный сульфид	Со" Сульфид активи-	^хосм-г рован медью и хлором	Адсорбент — Сульфид активи-	прокаленные рован марганцем	сульфидные Рекристаллизованный суль-	пленки на стек- фид	ле. Ми ним ал ь- Нерекристаллизованный суль-	ная работа вы- фид	хода. Эталон — Сульфид активирован медью	поликристал- и хлором	лический воль- Сульфид активирован марган-	фрам (Т\ь при- дам	пята равной Рекристаллизо-	4,5 эВ) ванный сульфид Сульфид активи- рован медью и хлором Перекристаллизо- ванный сульфид Сульфид активи-	Pq2 — 0,3 рован медью и	мм рт. ст. хлором Сульфид активи- рован марганцем Сульфид активи- рован медью и хлором вы Адсорбент — проволока сплава марки «Inconel 600» диаметром 2,54 • 10~4 м, обезгаженная вспышкой при Т = 1385 К в течение 10 мин Адсорбент — проволока сплава марки «Hastel- loy X» диаметром 3,86 • 10^4 м, обезгаженная вспышкой при Т = 1400 К в течение 45 мин Подложка обезгажена) вспышкой при Т = Минимальная работа вы- = 2123 К в течение хода керметного покры- 15 мин	тия на вольфрамовой под- Подложка прокалена ложке в условиях адсорб- при Т= 1473 — 1573 ции цезия К в течение 20 ч Монослойное покрытие. Эффективная работа выхо- да. Содержание углерода в сплаве — 2% по массе На поверхности сплава имеется слой атомно-чис- того палладия. Атомная доля серебра в сплаве составляет 40%	[774, 775) [2132] [2123) [171] [1306]
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
241
Продолжение
Адсорбент- адсорбат	Ф, эВ	A, A-cm-2 x X K~2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
[Pd—Ba J—Ha [Pd—Ba]—Na	2,50—2,60) 2,7—2,75 J	——	1100	ТЭ	Измерено после кратковременной выдержки акти- вированного сплава в газовой среде при Т= — 1100 К и р с^ 10~1 мм рт. ст.	[2052]
[W—Mo]—Cs	——	——	—	тэ	При оптимальном покрытии / = 2 • 10“"3 А • см-2. W : Мо = 1:1 (мае.)	[1351]
Сплав BP-20—Cs	1,27	—	——	тэ	Оптимальное покрытие. Адсорбент — сплав со- става W : Re = 4 : 1	[35]
[W-Re]—Cs	1,47—1,48		—	тэ	Оптимальное покрытие. Адсорбент — сплав со- става W : Re = 3 : 1	[1386]
	1,50 ±0,03	—	——	тэ	Оптимальное покрытие. Адсорбент — сплав, со- держащий 47% рения	[2136]
Сплав	1,4			АЭ	Минимальная работа выхода) Атомная доля ре-	
BP-27 — Cs	1,58 1,86	—	—	ТЭ АЭ	Оптимальное покрытие	ни я в сплаве со- Толстый слой	, ставляет 27%	[437]
[W—Rej—Ba	2,59	—	1270	ТЭ	Оптимальное покрытие. Эффективная работа вы- хода вычислена автором настоящей работы по дан- ным [261]	* 1
[W—Pt)—Ba	2,1 ±0,05			АЭ	Оптимальное покрытие. Р = 10~9 мм рт. ст.	[350]
[Re-Y— La]—Ir	2,75 ±0,03	—	1660	ТЭ	Эффективная работа выхода. Измерено в активи- рованном состоянии при Р си 10~7 мм рт. ст.	[2113]
[Re—Au]—Ba	3,6	—	—	ТЭ	Измерено методом прямой Ричардсона после про- грева системы в интервале температур 850—1500 К	[411]
[Pt—C]—Ba	2,4	—	1000	ТЭ	Монослойное покрытие. Эффективная работа выхо- да. Массовая доля углерода в сплаве составляет 2%	[171]
Нержавеющая сталь — Cs	1,4-1,5 1,52 1,60	—	—	ТЭ тэ тэ	Минимальная работа выхода. Адсорбент — нержа- веющая сталь марки «Allegheny Ludlum Type 304», на поверхности которой возможна оксидная плен- ка толщиной 2—5 нм Оптимальное покрытие! Адсорбент — сталь Монослойное покрытие] марки 304	[1352] [1989]
Сталь 1X18H9T — Cs	1,41	4,68	——	тэ	Оптимальное покрытие при pQ. = 10~6— 10“2 мм рт. ст. Метод прямой Ричардсона	[518]
Рис. 133. Эмиссионные свойства адсорбционных систем
с кальцием в качестве адсорбата:
a — зависимость работы выхода, измеренной методом
КРП, от толщины покрытия прн напылении кальция на
графит (/) и на молибден (2) [1751];
б — зависимость работы выхода от степени покрытия ©•
монослоев, поверхности графита кальцием Г1751]. Тео-
ретический расчет проведен на основе модели [1274].
16 >590
Рнс. 134. Температурная за-
висимость плотности тока
термоэмиссии для про-
стых веществ н химических
соединений в потоке атомов
бария интенсивностью около
5 • 1013см~г -с“1 [273]:
a — MoSi, (/), Мо, В, (2),
С (3), Mo,C (4), Мо (5);
б — Ti (/), TiSi, (2), TIC
(J), TiB, (4), Mo (5);
в — Zr (/), ZrSi, (2), ZrC (5),
ZrBj (4), Mo (5).
242
Адсорбционные системы
Рис. 137. Зависимость pa6oi
выхода прн АЭ от времени а
сорбции кислорода на р-(
[675J: I — адсорбция без пол
2 — адсорбция при отрицател
ном потенциале па аноде 8,5 к!
в течение 18 мин.
5. Температурная зависимость работы выхода при
г скандия [2078]: / — в вакууме и при плотности
атомов цезия 10х* см*-* • с 2 — после бомбарди-
ровки ионами цезия.
. Зависимость средней работы выхода от времени
темы Ni — Н [1970]. Изморено методом АЭ при
К и = 5-10 * — 2 • 10—7 мм рт. ст. методом
Фаулера — Нордгейма (/) и по отношению напря-
женностей поля (2).
№
4,0
3,0
2.0
О 12
24	36 t,w О
/<?	36 t,MUH
Рис. 139. Зависимость работы выхода при
АЭ от времени
н
напыления бария Hd p-Ge (а)
л-Ge (б) [7Ь4].
Рис. 140. Температурная зависимость
работы выхода при ТЭ для иттрия в
потоке атомов цезия различной плот-
ности до и после бомбардировки по-
верхности ионами цезия [2078].
Рис. 141. Зависимость работы выхода при ТЭ от степени покрытия в. мо-
нослоев, цезием (д) и барием (б) поверхности вольфрама (7), молибдена (2),
ниобия (3) [110].
Рис. 142. Зависимость работы выхода системы Nb — Та от степени
покрытия 0, монослоев, поверхности танталом Минимум работы вы-
хода соответствует степени покрытия 0 = 0,9 [1622].
Рис. 143. Изменение работы выхода при АЭ в процессе адсорбции
водорода на Мо-острие [1073].
Рис. 144. Зависимость работы выхода от степени покрытия 8, моно-
слоев, поверхности молибдена бором [1598, 1663]. Кривая — теоретиче-
ская зависимость, точки — экспериментальные данные (измерено
методом АЭ).
Рис. 146. Зависи-
мость работы вы-
хода при АЭ от
времени напыле-
ния германия на
молибден [2044].
Рис. 145. Зависимость работы выхода при АЭ от степени покрытия 0,
монослоев, поверхности молибдена кремнием (усреднено по острию)
[1088]: 1 — вычислено по уравнению Фаулера — Нордгейма; 2 — вы-
числено по уравнению Клейна [1439].
Рис. 147. Зависи-
мость работы вы-
хода, усреднен-
ной по острию,
при АЭ от сте-
пени покрытия 6*
монослоев, по-
верхности молиб-
дена селеном (а)
[10891 и теллуром
(б) [1090, 2104].
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
243
Рис. 148. Термоэмиссионпые свойства си-
стемы Мо — Cs:
a — температурная зависимость работы
выхода при peg, равном 1,6 • 10 • (1),
1,6 • 10*“’ 12) и 0,15 (.?) мм рт. ст. [351;
б — зависимость работы выхода от степени
покрытия ©, моиослоев, поверхности мо-
либдена цезием [35 ];
в — зависимость работы выхода от кон-
центрации атомов цезня на поверхности
поликрнсталлического молибдена, про-
шедшего различную термообработку
[245J: прогретого при Т = 1973 К в течение 10 ч (/); прогретого при Т = 2273 К
9эВ
4fi
01—I------1----1	। t
470	970	1270	1670	2070	T,k
узд
3,0
0	0,4 Од 1,2 8
в
9,ЭВ
3,0
2J0
О 2. 4п,Ю*с/гг
_	„  - -	----- -- течение 2 ч (2); окисленного кислородом и про-
гретого при Т = 2273 к в течение 3 ч, при Т == 2373 К в течение 2 ч и при Т = 2373 К в течение 4 ч (3).
Рис. 149. Зависимость работы выхода
при АЭ от времени напыления лан-
тана на молибден [530].
Рис. 150. Зависимость работы выхода
от степени покрытия 0, монослоев,
поверхности молибдена ртутью 11880].
Рис. 151. Температурная зависимость
работы выхода при АЭ для Ru-острия,
полностью покрытого водородом прн
экспозиции т = 0,5/. и Г = 300 К. На
осн абсцисс указаны температуры, до
которых нагревалось острие в течение
60 с перед снятием характеристик Фа-
улера — Нордгейма (последние изме-
рялись при Т = 300 К) 11469].
300 400 600 600 Т,К
Рис. 152. Темпера-
турная зависимость
работы выхода при
АЭ в процессе ад-
сорбции кислорода
на Ru-острис при
Т = 300 К [1468].
Рис. 153. Зависи-
мость работы выхода
при ФЭ от темпера-
туры десорбции водо-
рода с пленки пал-
ладия [242]. Работа
выхода измерена ме-
тодом изотермических
кривых Фаулера.
%38
О 40 вО 120 160 t,c

Рис. 155. Изменение во времени работы выхода при АЭ на различных этапах напыления рутения на тан-
тал и тепловой обработки системы 1560]: 1 — исходный образец (чистый тантал): 2 — рутений напы-
лен на холодное (Т — 300 К) острие, система прогрета прн Т = 1200 К в течение 5 с; 3 — система про-
грета в течение 30 с при той же температуре; 4 — на острие допылен рутений, система прогрета при Т cs
~ 1000 К, 5 — проведено дальнейшее допыление, приведшее к образованию «нагромождений» рутения;
tf — острие прогрето при Т= 1200 К в течение нескольких десятков секунд, а затем при Т = 1700 К в
течение 10 с.
Рис. 154. Зависи-
мость работы выхода
при АЭ ог времени
напыления хрома на
тантал [257].
4/1_______I
О	50	1>С
Рис. 156. Зависимость работы
выхода системы Та — Cs от сте-
пени покрытия 0, монослоев, по-
верхности тантала цезием
[1278]: точки — эксперимен-
тальные данные [1178], кри-
вая — теоретический расчет.
Рис. 158. Зависимость работы выхода при АЭ от времени в про-
цессе напыления бериллия на вольфрам [1696].
Рнс. 157. Зависимость средней
работы выхода при АЭ от экс-
позиции вольфрама в среде во-
дорода прн комнатной темпера-
туре [1947]: О — водооод ад-
сорбцирован на чистом воль-
фраме, • — вольфрам с коад-
сорбированными ртутью и ии-
дидом натрия экспонирован и
водороде, А — вольфрам, по-
крытый монослосм ртути,
экспонирован в парах иодида
натрия (при рна|=8,32- 10*“’
мм рт. ст.) в течение 240 с.
Рис. 159. Зависимость работы выхода от степени покрытия 0, моиослоев, поверхности воль-
фрама адсорбатом [1192]: / — система W — В; 2 — система W — Cs; 3 — система W — Si,
4 — система W — Th. Кривые — теоретический расчет на основе модели [1274], точки — экс-
периментальные данные работ [1192] (для системы W — В), [1881] (для системы W — Cs),
[1087] (для системы W — Si), [1169] (для системы W — Th).
16
244
Адсорбционные системы
Рис. 160. Зависимость работы вы-
хода прн ЛЭ от числа испаряемых
доз N углерода из поверхность
вольфрама [976J.
Рис. 161. Зависимость средней ра-
боты выхода при ЛЭ от экспози-
ции вольфрама в азоте при ком-
натной температуре [1947]: 1 —
азот адсорбирован на чистом
вольфраме; 2 — вольфрам с ко-
адсорбированнымн ртутью и ио-
дидом натрия экспонирован в
азоте.
Рис. 162. Эмиссионные свойства системы W — Ог:
а —- зависимость средней работы выхода при АЭ от экспозиции вольфрама в кислороде при комнатной температуре [1947]: / —
кислород адсорбирован иа чистом вольфраме; 2 — вольфрам с коадсорбнрованными ртутью и иодидом натрия экспонирован
в кислороде;
й — зависимость работы выхода от температуры [1957]: pq* = 3  КГ-’ мм рт. ст. Работа выхода определена методом ПИ атомов
кальция (>) и серебра (О) на поверхности вольфрама;
в — зависимость работы выхода при ТЭ от давления кислорода прн фиксированных температурах подложки [1260]: / — 1900;
2 ~ 2000; 3 — 2100; 4 — 2200 К;
г — зависимость работы выхода прн АЭ от времени в процессе напыления кислорода на вольфрам при фиксированных температурах
подложки [165]; 1 — 460; 2 — 560; 3 — 830; 4 — 1240; 5 — 1370 К.
Рис. 163. Эмиссионные
свойства системы W —
О. Cs;
а — зависимость работы
выхода от экспозиции
cucTeMbiW — Cs в кисло-
роде [604];
б — зависимость работы
выхода при АЭ от вре-
мени напыления цезия
на вольфрам с различ-
ным начальным покры-
тием его поверхности
кислородом	О)
[1611]: / —чистый воль-
фрам; 2 — &W____о — 0,35;
3 — 6^___о гг 0,5; 4 —
= о-7-
Рис. 164. Температурная
вависимость средней ра-
боты выхода прн АЭ
для системы W — Na.
Измерено в процессе тер-
мической десорбции
натрия с загрязненной
поверхности вольфрама
[1946].
Рис. 165. Зависимость средней ра-
боты выхода при АЭ от числа доз
Л’ алюминия, нанесенного_ иа по-
верхность вольфрама [1578].
Рис. 166. Эмиссионные свойства системы W — Si:
а — зависимость работы выхода при АЭ от степени покрытия 0, монослоев, поверхности вольфрама
кремнием, конденсированным при Т = 78 К н затем нагретым до температуры 460 (/), 525 (2),
580 (3). 640 (4) н 990 (5) К [1398];
б — температурная зависимость работы выхода при АЭ для покрытия кремния (0 = 4), конденси-
рованного иа вольфраме и нагретого в течение 30 с до указанной температуры [1398];
в — зависимость работы выхода при АЭ от времени напыления кремния на вольфрам [354];
г — зависимость средней работы выхода при АЭ от времени напыления кремния на вольфрам при
температуре подложки 300 (J), 500 (2), 750 (5) и 1050 (4) К [182].
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
245
1800	2200	2600 Т~К
Рис. 167. Температурная
зависимость работы выхода
прн ТЭ для вольфрама в па-
рах серы при р§ , равном
10—’ (/), 5  10~« (2), 10~1
(5) мм рт. ст. и чистого
вольфрама (4) [164].
Рис. 169. Эмиссионные свойства
УЭВ	системы W — Т1:
a — зависимость работы выхода
от времени и степени покрытия
0 при адсорбции титана на воль-
фраме [977]: 1 — теоретический
расчет на основе модели [1274];
2 — экспериментальные дан-
ные;
—— б — зависимость работы вы-
-— хода от степени покрытия 0,
t,C монослоев, поверхности воль-
фрама. Напыление титана про-
водилось при Т == 293 К [910];
в — изменение средней работы выхода при АЭ в процессе
напыления титана на вольфрам [160].
Рнс. 168. Зависи-
мость работы выхода
от степени покрытия
0. монослоев, по-
верхности вольфрама
калием [1278]: кри-
вая — теоретический
расчет, "точки —
экспериментальные
данные [1791 i-
Рис. 170. Зависимость работы выхода
при АЭ от степени покрытия 0, моно-
слоев, поверхности вольфрама ато-
мами железа (/) и кобальта (2) [161].
--------1	1	1----------Г
0,5	1,0	1,5 д
Рис. 171. Эмиссионные свойства системы
W — Ni:
a —• зависимость работы выхода при АЭ
от количества никеля, кондеисироваиного
и диффундирующего по W-острию [1409];
б — зависимость работы выхода при АЭ
от степени покрытия 0, монослоев, по-
верхности никелем прн температуре W-
подложки 900 (/) и 1150 (2) К [1757];
в — зависимость работы выхода при АЭ от
количества п атомов никеля, адсорбиро-
ванных на поверхности вольфрама [1407 J.
Рис. 172. Эмиссионные свой-
ства системы W — Си:
а, а’ — зависимость работы вы-
хода прн АЭ от степени покры-
тия 0. монослоев, поверхности
вольфрама медью прн различ-
ных температурах подложки
[1062]: а — в процессе терми-
ческого испарения при 700 (/)
и 870 (2) К; а' — в процессе
испарения полем при 400 (/) и
600 (2) К;
б — изменение средней работы
выхода прн АЭ в процессе ад-
сорбции меди на вольфраме
U 0631;
в — зависимость работы выхода
при АЭ от концентрации атомов
меди на поверхности вольфрама
[1406];
г — зависимость средней ра-
боты выхода при АЭ от вре-
мени напыления меди на воль-
фрам [16951.
246
Адсорбционные системы
Рнс. 173. Эмиссионные свойства системы
W — Ge:
а — зависимость работы выхода при АЭ
от времени напыления германия на воль-
фрам [2044];
б — зависимость работы выхода при АЭ
от степени покрытия 0, монослоев, поверх-
ности вольфрама германием при темпера-
туре подложки 395 (/) и 460 (2) К [1398].
Рис. 174 Эмиссионные свойства системы
W — Se:
а — изменение средней работы выхода при
АЭ в процессе адсорбции селена на воль-
фраме [1089];
б — зависимость работы выхода при АЭ от
степени покрытия 6. монослоев, в процессе
напыления селена на W-острне. Измерено в
ннгервале температур 300—1070 К при по-
токе атомов селена 1010—101<! см - • с * [164,
1651;
в — зависимость работы выхода от времени
напыления селена на вольфрам прн темпе-
ратуре подложки 830 (Г), 1270 (/ и 2'}, 1370
{2,3'}, 1620 (3) К. Напыление селена проводи-
лось в электрическом поле (/'—3') н без
него {1—3} [165].
Рис. 175. Изменение во времени ра-
боты выхода при одновременном на-
пылении цезия и селена на воль-
фрам. = 300 К, Tge = 440 К,
Tqs = 380 К 11651 Измерено мето-
дом АЭ.
Рис. 176. Зависимость работы вы-
хода поликристаллической W-фольги
от интегрального потока молекул бро-
ма [1413]. Измерено методом КРП:
/ — метод Кельвина; 2 — метод за-
держивающего потенциала.
Рнс. 177. Зависимость работы выхода
от степени покрытия 0, монослоев,
поверхности вольфрама рубидием
[1296]: 1 — экспериментальные дан-
ные (метод ФЭ); 2 — теоретический
расчет на основе модели [1274].
Рис. 178. Зависимость работы аыхода
прн АЭ от степени покрытия 0, моно-
слоев, поверхности вольфрама строн-
цием [1550].
Рис 179. Зависимость работы вы-
хода при АЭ от времени напы-
ления на вольфрам скандия (/),
иттрия {2} и лантана (3) [530].
Рис. 180. Зависимость работы
выхода при АЭ от средней сте-
пени покрытия 0, монослосв. в
процессе адсорбции палладия
на вольфраме при Tyj =» 800 К
[2103].
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
247
Рис. 181. Эмиссионные свойства системы W — Ag:
a — зависимость работы выхода при АЭ от степени покрытия 8. монослоев, поверхности вольфрама серебром при Т. равной 330
</). 450 (Г), 740 (2) и 785 (2') К. в процессе термического испарения (/, 2) и испарения полем (/', 2') [10621;
б — зависимость работы выхода при АЭ от времени в процессе термической десорбции чистого (/) и окисленного (2) серебра с по-
верхности вольфрама при Т = 880 К £10641;
в — зависимость работы выхода при АЭ от концентрации атомов серебра, адсорбированных ва поверхности вольфрама прн Т =
= 298 К [1408];
а — изменение средней работы выхода при АЭ от степени покрытия 0, монослоев, поверхности вольфрама серебром. Напыление про-
водилось при Т = 920 К [1859].
Рис. 182. Зависимость работы выхода от времени для систем W — Sb (/), W —
Cs (2), W — Sb, Cs (3—6) [1416]. В последней системе происходит диффузия
цезия в покрытие сурьмы на вольфраме в течение 15 (3), 30 (4), 60 (5) и 90 (6) с,Темпе-
ратура подложки Т = 77 К-
Рис. 183. Эмиссионные свойства си-
стемы W — Те:
а, а' — зависимость работы выхода при
АЭ от степени покрытия 0, монослоев,
поверхности вольфрама по данным
11090] (а) и [2104] (а');
б — зависимость работы выхода при
АЭ от времени напыления теллура па
поверхность вольфрама при темпера-
туре подложки 300 (/), 900 (2) и 1200
(3) К [449].
Рис. 184. Зависимость сред-
ней работы выхода при АЭ
от экспозиции вольфрама в
парах иода при комнатной
температуре [19471: О— нод
напылен на чистый воль-
фрам;  и 0 — вольфрам с
коадсорбирова иными ртутью
иЦиодидом натрия экспони-
рован н парах иода.
Рис. 186. Эмиссионные свойства системы
W — Cs;
a — температурная зависимость работы выхода
при Pqs* равном 1,6 - 10 6 (/), 1,в . Ю 3 (2) и
0,15 (3) мм рт. ст. [35];
б, б' — зависимость работы выхода от степени по-
крытия 0, монослоев, поверхности цезием по дан-
ным [35] (6) и [12781 (б'): / —теоретический
расчет, 2 — экспериментальные данные работы
в — зависимость работы выхода при АЭ от кон-
центрации атомов цезия на поверхности воль-
фрама [1792]: / — средняя работа выхода; 2 —
эффективная работа выхода, вычисленная из
экспериментов по десорбции.
Рис. 185. Температурная
зависимость работы вы-
хода при ТЭ для системы
W — I, Cs [56]. Поток
атомов цезия 2 х
X 10’* см—2 • л—1
(TQg = 348 К), молекул
иодида цезия 2 • 101г —
2 • 10“ см—2 - с“>•
О 0J0 0,20
248
Адсорбционные системы
Рис. 187. Эмиссионные свойства системы W — Ва:
а — зависимость средней работы выхода от равновесного покрытия бария на поверхности вольфрама
[1793J. Измерено методом АЭ: кривая приведена автором работы [1793] по результатам термоэмис-
сионных измерений, проведенных в работе [960]*,
б—зависимость работы выхода при ТЭ от степени покрытия в, монослоев, поверхности вольфрама
барием. Измерено методом прямой Ричардсона при Т = 1100 К [1198];
в — изменение во времени работы выхода при ТЭ для системы [W — Ва) — Ва (на поверхности
вольфрама находился предварительно нанесенный слой бария). Измерено методом прямой Ричард-
сона при температуре подложки Т — 1100 К [1198];
г — зависимость средней работы выхода прн ТЭ от степени покрытия 0, монослоев* барием поверх-
ности вольфрама [1597]. Пунктирная кривая построена поданным работы [960].
О 05 1,0 (5 8

Рис. 190. Изменение во вре-
мени средней работы' выхода
прн АЭ для системы W — Се
при температуре подложки 77
(7), 300 (2), 520 (3) и 1060 (4)
К [639].
Рис.?!89. Эмиссионные свойства системы W — La
[20501:
а —> зависимость работы выхода от степени покры-
тия в, монослоев, поверхности вольфрама атомами
лантана при температуре подложки 77 (7), 300 и
1200 (2) К.
б — температурная зависимость равновесной работы
выхода.
Измерено методом КРП (вариант Андерсона) при
Р яг 10—И мм рт. ст.
5>Эв
5,2
5,0
4,8
8
5,3
5,1
4,8
5,2b
4j№
9,31'
4,6
45
8
О
$зв
У
9,эВ °R
и
4А
О
5Р
150
650
1150
1650 6 К
Рнс. 188. Зависимость
работы выхода адсорб-
ционных систем от сте>
пени покрытия 0, моно-
слоев, поверхности воль-
фрама адсорбатом [452]:
7 — W — Cs: 2 — W —
La; 3 — W — La, Cs
(в последнем случае при-
ведена зависимость мини-
мальной работы выхода
системы от степени по-
крытия поверхности ато-
мами лантана).
0 100 200 t,c
Рис. 191. Зависи-
мость работы выхода
при АЭ от времени
адсорбции платины
иа поверхности воль-
фрама [348].
5,0-
6
Рис. 192. Эмиссионные свойства системы
W — Ли:
а, а' — зависимость работы выхода при АЭ от
степени покрытия О. монослоев, поверхности
вольфрама золотом [1062]: а — в процессе
термического напыления при Т, равной 300
(7), 410 (2), 600 (5), 750 (4) К; а' — в процес-
се испарения полем при Т, равной 300 (7),
500 (2), 600 (3) К:
б — зависимость средней работы выхода при
АЭ от степени покрытия 6, монослоев, золотом
поверхности вольфрама (7) и рения (2) [2051];
в — температурная зависимость работы выхо-
да прн АЭ для различных степеней покрытия
поверхности вольфрама золотом [10611: 7 —
г — изменение средней работы выхода при
АЭ в процессе адсорбции золота на поверхнос-
ти вольфрама [14101.
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (простое вещество)
249
Рио. 193. Эмиссионные свойства системы W — Hg:
а о- зависимость работы выхода прн АЭ от степени по-
крытия 0, моиослоев, поверхности вольфрама ртутью
[1880 j;
б — изменение средней работы выхода при АЭ от тем-
пературы эмиттера в процессе десорбции ртути с по-
верхности вольфрама [1946].
Рис. 194. Эмиссионные свойства системы W — РЪ:
л - зависимость работы выхода при АЭ от времени напыления свинца на вольфрам
[20451;
б —. зависимость средней работы выхода при АЭ от концентрации атомов свинца
на поверхности! вольфрама при Т, равной 526 (/) и 730(2) К [1411].
Рис. 196. Изменение средней работы вы-
хода во времени для системы W — U
[1084]. Измерено методом КРП относи-
тельно чистого вольфрама в процессе ад-
сорбции водорода для толщины покрытия
урана равной 8 (а) и 12 (б). На ри-
сунке указано остаточное давление во-
дорода.
Рио. 195. Зависимость работы выхода от
степени покрытия 0. моиослоев, поверх-
ности вольфрама торием [12781: кривая —
теоретический расчет, точки — экспери-
ментальные данные работы [1020].
4,6\_________I—
0	0,4
Q0 П,Ю'*СМ-г
Рис. 199. Зависимость работы
выхода от степени покрытия ти-
таном поверхности рения. На-
пыление титана проводилось
при Г = 293 К [910].
Рис. 200. Зависимость работы вы-
хода от степени покрытия молибде-
ном поверхности рения [1622].
Рис. 197. Изменение средней
работы выхода при АЭ в про-
цессе экспонирования рения в
потоке молекул азота прн
TRe = 80 К и TNt = 300 К
[1536].
Рис. 198. Зависимость
работы выхода прн АЭ
от концентрации атомов
калия на поверхности
рения [2053].
250
Адсорбционные системы
Рис. 201. Эмиссионные свойства системы Re — Cs [35]:
а — температурная зависимость работы выхода при рапном
1,6	10”6 (/), 1.6- 10~3 (2) и 0,15 (3) мм рт. ст.,
б — зависимость работы выхода от степени покрытия цезием
поверхности рения.
Рис. 203. Зависимость работы выхода
при ТЭ от степени покрытия поверхно-
сти атомами бария в отсутствие адсор-
бированного кислорода (/) и при сов-
местной адсорбции с кислородом (2)
в системах Os — О, Ва (я) и 1г —
О, Ва (б)	[491]. Работа выхода
определена методом Ричардсона.
Рис 202. Зависимость
работы выхода от степе-
ни покрытия торием по-
верхности рения [1278]:
кривая — теоретический
расчет, точки — экспери-
ментальные данные ра-
боты [909].
Рис. 204. Зависимость работы вы-
хода прн ТЭ от времени напыления
атомов самария на поверхность
иридия при температуре подложки
1705 (/), 1500 (2), 1200 и 1115 (3) К
[2112].
Рнс. 205. Температурные зависимости работы выхода прн ТЭ для оксида каль-
ция в парах бария [1235]:
а — зависимость работы выхода от температуры катода при Tga, равной 297 (/)#
481 (2), 537 (3). 590 (4), 638 (5), 690 (5),740 (7). 752 (3) и 790 (9) К;
б — зависимость работы выхода от температуры резервуара с барием при Тсао
равной 750 (/), 800 (2), 850 (3), 900 (4) и 950 (5) К.
Рис. 206. Температурная зависи-
мость работы выхода при ТЭ для
YjOj в потоке атомов цезия раз-
личной плотности [2079].
2,0\_____I________।	।	-I-
600 1000	1200 КОО Т,к
Рис. 207. Зависимость минималь-
ной работы выхода при ТЭ от
давления паров цезия для алю-
мосиликата (А1,О, : SIO, ==1:1,
мае.) иа W-спирали в парах це-
зия [51].
Рис 208. Зависимость работы вы-
хода при ТЭ для тройного ок-
сида ВаО • СаО SrO от времени
выдержки оксида в парах калия
[341]. Работа выхода определена
методом прямой Ричардсона.
Рнс. 209. Температурная зависи-
мость работы выхода при ТЭ для
ZrBt в вакууме (/) и парах калия
прир;{, равном 10 4(2), ЬЗ- 10~2
(3) и 6 • 10“'2 (4) мм рт. ст. [735].
Рие. 210. Температурная
вависимость плотности тока
термоэмнссии для систем
TiC — Os (я) [383, 2077] и
ZrC — Оз (б) [383].
16001800 Г,к
Рис. 211. Изменение во вре-
мени эффективной работы
выхода при Т = 1950 К для
системы ZrNpgy — Cs. Ни-
трид получен газофазным
химическим осаждением на
проволоку, поток атомов це-
зия составляет 4 • 101» см
X в-1 [291].
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
251
Рнс. 212. Изменение работы выхода при ТЭ
в процессе обработки сплавного Pd — Ва-
катода в водородном разряде при Р =
«= 10 1 мм рт. ст., U = 25—50 В, I =
= 200—250 мА [2052].
Рис. 213. Эмиссионные свойства системы (W — Re] — Cs [351:
a — температурная зависимость работы выхода при pqs, равном 1,6 • 10 6	(/),
1,6 • 10—(2) и 0,15(3) мм рт.ст.;
б— зависимость работы выхода от степени покрытия поверхности сплава цезием.
670 1070 1470 1870 Ttk О Ц4 Цв в

6,2\-f
О 20	40 0,нм
Рис. 214. Зависимость работы выхода при ТЭ
от времени активирования катодов н сплава
Re — У — La с пленкой иридия толщиной
7 (/), 10 (2), 16 (3) мкм иа поверхности [2113].
Рис. 215. Зависимость работы выхода при ФЭ
в системе CdSe (адсорбент) — стеклообразный
полупроводник (адсорбат) от толщины слоя
стеклообразного полупроводника [805].
Рис. 216. Зависимость работы выхода от
экспозиции системы Gat___х Inx As — Cs, О
в кислороде [604].
СИСТЕМА АДСОРБЕНТ (МОНОКРИСТАЛЛ) —
АДСОРБАТ (ПРОСТОЕ ВЕЩЕСТВО)
Адсорбент — адсорбат	Индекс грани адсорбента	ф, эВ	год опре- (ення ф	Примечания	га О. >. 1- <0 о. <и
					
			ед < ЕС		
Простые адсорбенты
Si—О,	{111)			5,28 ±0,04		ФЭ	Измерено после экспонирования при pQ* — 10“7—		[902J
							10-5 мм рт. ст. в течение нескольких часов		
Si—Cs	{100)			1,1		КРП	Минимальная работа выхода )	Эталон — p-Si (<pp.Si	
		100}		1,3		КРП	Монослойное покрытие	[	принята равной 4,9	[1335]
Si—Cs, О		100		0,85		КРП		эВ)	
		100} 100}		~l,0 1,06		ФЭ ТЭ	Метод прямой Ричардсона }		[1566]
Fe—С	{110}			5,0]					
Fe—N Fe—0		110} 110}		4,9 5,3 f		ФЭ	—		[2062]
Fe—S	{110}			5,2 1					
Fe—Ba		011} ,011}		2,0 2,05		КРП КРП	Т = 77 К 1 Т = 3Q0 К 1 Оптимальное покрытие		[147]
Ni—0		100}		5,40—5.47)		КРП	Значение <р зависит отструк-'		
		110}		5,03—5,141		I\rl 1	туры пленки кислорода		
		in		6,001					
Ni—S		100}		5,73				Эталон — соответству-	
		110} 111}		5,29 5,65	►	КРП	——	ющая чистая грань монокристалла нике-	[959]
Ni—Se		100}		5,35				ля	
		110}		5,10					
		{111		5,21—5,43		КРП	Значение <р зависит от		
							структуры пленки селена		
Cu—N		{100}		4,59		ФЭ		Адсорбент — элек-	
		100		4,75		ФЭ	Разупорядоченная структура	трополированная	[1898]
Cu—0		{100		4,83		ФЭ		грань кристалла чис-	
Cu—S	{100]			5,05				тотой 99,9999%	
252
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Индекс грани адсорбента	Ф, эВ	Метод опре- деления ср	Примечания	Литература
Cu—S Си—Ва Zr—Cs Nb—Li Nb—Sc Nb—Sc, 0 Nb-Y Nb—Y, 0 Nb—Cs Nb—Ba Nb—Ba, 0 Nb—Ba, Cs Nb—La Nb—La, О	{100} (по (111} (210} (211} {311} (111} {Ш} {110} 110} 111 111} 112} 112} 100} 100} 110} 110 100 100 (100} {100 {НО ПО 100} 100} 100} (100} (110) {110} {111} {111} (111 {112} {Н2 {112} (112 100 (100} {100} (100} {110} (ио (но} {110} (110} (111} {111 (112} (112} (юо) (100} ПО 100} 100} {НО 110 (100} {100}	5,161 5,070 5,067 5,075 5,083 5,078 2,25 2,36 >1,5 2,0 2,35—2,40 2,0 2,10 1,80 2,10 3,05 ±0,03 3,4 ±0,03 3,0 ±0,03 3,3 ±0,03) 2,5 ±0,03/ 3,0 ±0,031 3,0 ±0,03/ 3,1 ±0,03 3,0 ±0,03 3,3 ±0,031 2,6 ±0,03/ 2,8 ±0,03 1,66 ±0,03 1,76 ±0,03 1,54 ±0,03 1,78 ±0,03 1,73 ±0,03 1,78 ±0,03 1,80 ±0,03 1,55 ±0,03 1,60 ±0,03 1,78 ±0,03 1,82 ±0,03 2,00 2,04 2,3 ±0,03 2,4 ±0,03 2,1 ±0,03 2,3 ±0,03 2,32 ±0,05 2,37 2,40 2,32 2,34 2,27 2 31 2,05±0,03 2,1 ±0.03 1,70 ±0,05 2,6 ±0,03 2,8 ±0,03 2,55 ±0,03 2,6 ±0,03) 2,4 ±0,03/ 2,5 ±0,03	КРП КРП КРП тэ КРП КРП КРП КРП КРП КРП тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Измерено методом Кельвина на образцах цилиндри- ческой формы чистотой 99,999% при монослойном покрытии поверхности серой Т — 300 К 1 Г =77 К / Оптимальное покрытие Цезированная поверхность монокристалла Оптимальное покрытие Толстый слой	о	 Оптимальное покрытие ^он-воликристалличе- Толстый слой	скии в_ольФрам (<pw принята Оптимальное покрытие равной 4,60 эВ) Толстый слой Минимальная работа выхода Монослойное покрытие Минимальная работа выхода Монослойное покрытие Минимальная работа выхода • Монослойное покрытие Минимальная работа выхода Монослойное покрытие Минимальная работа выхода Оптимальное покрытие 1 Толстый слой	/ Оптимальное покрытие Толстый слой Оптимальное покрытие Толстый слой » » Оптимальное покрытие »	* 1 Толстый слой / » » Оптимальное покрытие} Измерено на полусфериче- Толстый слой	} ских образцах в интервале J температур 1000—1250 К Минимальная работа выхода Монослойное покрытие	1 Адсорбент — плоские Минимальная работа выхода 1 образцы Монослойное покрытие	J Оптимальное покрытие » » Измерено на полусфериче- Толстый слой ₽	'ских обРазца!< в интервале Оптимальное покрытие «мператур 1000-1250 К Толстый слой Минимальная работа выхода 1 Монослойное покрытие	/ Минимальная работа выхода » » » Монослойное покрытие Минимальная работа выхода Адсорбент — плоские Монослойное покрытие	образцы Минимальная работа выхода	[2131] [147] [1840] [247] [490] [11, 12] [11, 12, 15, 391] [Н, 12] [И, 12, 391] [392] [Н, 12] [392] [11, 12] [392] [68] [490] [15] [68] [490] [15] [490]
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
253
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Индекс грани адсорбента		Ф. эВ	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
Nb—Рг	{100}		2,50 ±0,02	ТЭ	Минимальная работа выхода	
	{100}		2,94 ±0,02	тэ	Монослойное покрытие	
		[110} {110	2,87 ±0,02 3,15 ±0,02	тэ тэ	Минимальная работа выхода Монослойное покрытие	>	“±„а±	
		{111	2,88 ±0,03	тэ	Минимальная работа выхода ' J »	* р	[71}
		1111	2,98 ±0,03	тэ	Монослойное покрытие	скон формы	
	{112}		2,77 ±0,03	тэ	Минимальная работа выхода	
	{112}		3,01 ±0,03	тэ	Монослойное покрытие	
Мо—О, Cs	{110}		1,32	тэ	Минимальная работа выхода	[13, 14]
		110}	1,32 ±0,05	тэ	» » »	[2058}
		[111}	1,37	тэ	»	»	в	[13, 14]
Мо—Cl		100	5,5	пи	Монослойное покрытие. ПИ молекул КС1	[844]
		[100}	5,50 ±0,10	пи	ПИ молекул КС1, RbCl, CsCl. Моноатомная пленка	[244, 845]
Мо-К		{011}	1,70 ±0,05	АЭ	Минимальная работа выхода	
		011}	2,50 ±0,05	АЭ	Толстый слой	
		400}	1,85 ±0,05	АЭ	Минимальная работа выхода Измерено методом	
		[100	2,20 ±0,05	АЭ	Толстый слой	прямой Фаулера —	19831
		,111	1,98 ±0,05	АЭ	Минимальная работа выхода Нордгейма при Т =	
		111	2,40 ±0,05	АЭ	Толстый слой	— 78 К	
		112}	1,98 ±0,05	АЭ	Минимальная работа выхода	
		[112	2,25 ±0,05	АЭ	Толстый слой	
Мо—Вг		100}	5,45 ±0,15	ПИ	ПИ молекул CsBr. Моноатомная пленка	[244, 845]
Мо—Sr	{100}		1,8	ТЭ	Минимальная работа выхода при TSr = 830 К-	
					Поверхность молибдена загрязнена электроотри-	[899]
					дательными компонентами	
		100}	2,59	ТЭ	Монослойное покрытие	
Мо—I		100}	4,65 ±0,20	ПИ	Моноатомная пленка. ПИ молекул CsI	[244, 845]
Мо—Cs		100	1,66 ±0,03	ТЭ	Оптимальное покрытие	[7, 11, 12]
		100}	1,75 ±0,03	ТЭ	Толстый слой	[11, 12]
		110}	1,58 ±0,03	ТЭ	Оптимальное покрытие	[7, 11-
						14, 681, ПАЕО1
		110}	1,76 ±0,03	ТЭ	Толстый слой	ZUJOJ [Н, 12,
	{	110}	1,78 ±0,02	КРП	» »	681] [245]
	{	111}	1,34	КРП	Измерено методом Кельвина при Р = (1—5) • 1О“10	[605]
					мм рт. ст.	
	/	111}	1,71 ±0,03	тэ	Оптимальное покрытие	[7, 11-
	{111}		1,78 ±0,03	тэ	Толстый слой	14] [11, 12]
	{111}		1,9	ФЭ	Толстый слой. Измерено при Р ~ 2 • 10~9 мм рт. ст.	[2064]
					методом изотермических кривых Фаулера на образ-	
					цах, обезгаженных при Т	1700—1800 К в течение	
					более 70 ч	
	{112}		1,60 ±0,03	тэ	Оптимальное покрытие	[7, 11, 12]
	{112}		1,74 ±0,03	тэ	Толстый слой	[11,12]
Мо—Cs, О		111}	1,15	КРП	Р = (1—5) • 1О~10 мм рт. ст. Метод Кельвина	[605]
Мо—Ва		011}	2,1	КРП	Оптимальное покрытие при температуре кристалла	[147]
					77 и 300 К	
	{110}		2,26 ±0,05	тэ	Оптимальное покрытие	[15, 681]
	{110		2,3	КРП	» »	[106,551]
	1	110}	2,55 ±0,05	тэ	Толстый слой	[681]
		110}	2,7	КРП	Монослойное покрытие	[106,551]
	{111}		2,30 ±0,1	тэ	Метод прямой Ричардсона (А = 60 А • см“2 • К~2)	[Я
	—		2,3 ±0,1	тэ	Толстый слой. Значение <р системы не зависит от кри-	[5]
					сталлографической ориентации подложки	
Мо—Ва, Cs		по	1,72 ±0,04	тэ	Минимальная работа выхода	[15]
		110}	1,72 ±0,05	тэ	» » » |	
		110}	1,83 ±0,05 I	тэ	Толстое покрытие	J	[681]
254
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Индекс грани адсорбента	Ф, эВ	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
Мо—La Мо—Gd Ag—Cs Ag—Ва Ta—Na Та-К Та Cs	{110} {110 {110 {НО {110} {111} {111} (пи 110} {110} {011} {011} {100} (100} {110} {110} {111} {111} {112 112} {100} {100} {100} {100} {100} {110 {110} {110} {110} {110} {110} {110} {110} {111} {111} {111} {111} {П1 {111} {111} {111} {112} {112}	2,8 3,00 3,1 3,2 3,4 — 1,8 2,35 2,6 2,29 2,46 1,71 ±0,05 2,60 ±0,05 2,02 ±0,05 2,30 ±0,05 1,92 2,26 1,93 ±0,05 2,20 ±0,05 2,02 ±0,05 2,30 ±0,05 1,60 ±0,04 1,60 ±0,05 1,62 ±0,03 (1,65—1,70)± ±0,04 1,72 ±0,03 1,40 ±0,04 1,40 ±0,05 1,41 (1,44—1,50) ± ±0,04 1,54 ±0,03 1,76 1,78 ±0,03 2,00 1,48 1,68 ±0,03 1,73 ±0,03 1,75 ±0,02 1,75 ±0,04 1,75 ±0,05 1,78 ±0,03 (1,80—1,84) ± ±0,04 1,56 ±0,03 1,66 ±0,03	КРП КРП КРП КРП КРП ФЭ КРП КРП КРП КРП АЭ АЭ АЭ АЭ КРП КРП АЭ ЛЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ тэ тэ тэ КРП тэ КРП тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Оптимальное покрытие 1 Монослойное покрытие J Минимальная работа выхода Оптимальное покрытие I Монослойное покрытие / Адсорбент — монокристаллическая Ag-пленка на стеклянной или слюдяной подложке т — 300 К 1 г = 77 к 1 Оптимальное покрытие Оптимальное покрытие ) Адсорбент — монокристал- Монослойное покрытие / лическая лента Минимальная работа выхода \ Измерено методом Толстый слой	1 прямой Фаулера — Минимальная работа выхода | Нордгейма при Т = Толстый слой	} = 78 К Оптимальное покрытие 1 Адсорбент — монокристал- Монослойное покрытие / лическая лента Минимальная работа выхода Измерено методом Толстый слой	1 прямой Фаулера — Минимальная работа выхода I Нордгейма при Т — Толстый слой	J = 78 К Минимальная работа выхода Эффективная работа выхода. Поток атомов цезия на поверхность составляет 1011—1013 см-2 • с-1 (в^ 1) Эффективная работа выхода при Т ~ 550 К и опти- мальном покрытии поверхности Толстый слой Толстый слой Минимальная работа выхода Эффективная работа выхода. Поток атомов цезия на поверхность составляет 1011—1013 см~“2 - с-1 (О — ~ 1) Минимальная работа выхода Толстый слой Эффективная работа выхода при Т ~ 550 К и опти- мальном покрытии поверхности Оптимальное покрытие на монокристаллической лен- те Толстый слой Монослойное покрытие па монокристаллической лен- те Минимальная работа выхода Эффективная работа выхода при Т 550 К и опти- мальном покрытии поверхности Толстый слой Монослойное покрытие Минимальная работа выхода Эффективная работа выхода. Поток атомов	и я на поверхность составляет 10й—1013 см-2 - с— (0 1) Толстый слой » > Эффективная работа выхода при Т 510 К и опти- мальном покрытии поверхности Толстый слой	[108, 551| [1481 [107, 551} [1941} [147] [1180] [983] [1180] [983] [380] [376,377] [8, 11,12] [380] [111 [380] [376, 377] [279] [380] [8,11, 12] [1180] [11.12] [1180] [279] [8, 11, 12] [И1 [379} [380} [376,377] [12] [380] [8, 11, 12} [11,12]
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
255
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Индекс грани адсорбента	ф, эВ	Метод опре- деления ф	Примечання	Литература
Та—La Та—La, О W—Li W—Be W—n2 w-o2 W—0, Li W-0, Sr W-0, Cs W—Si W—Si, Ba W-C12 W-CI2, Cs w—к W—Sc	{НО) {110} {НО} {110} 110} {110} {Ш} {100} {110} {100} {110} {100} {100} {100} {100} {100} {100} {100} {100} {НО} {110} {112} {100} {111} {011} {100} {100} {100} {100} {100} {100} {110} {110} {110} {111} {111} 112 {112} {100} 100 1100 {100} {100} {110} {110 {110 {110}	2,45 ±0,03 2,6 ±0,031 2,4±0,03j 2,42 ±0,03 3,2 3,3 2,65 4,8 ±0,05 4,68) 5,281 6,75 6,451 -2,0 1,70 2,59 1,12 <1,5 1,95 2,05 2,20 1,15 -1,2—1,25 1,3 5,0 4,8±0,1 1,8 5,281 —2,25] 1,78 1,88 2,01 2,05 1,65 1,7 2,55 1,77 2,05 1,95 2,25 1,74 2,50 3,3 3,48 3,48 ±0,03 3,56 ±0,03 3,50 3,5 3,5 ±0,03 3,62 ±0,03	ТЭ тэ тэ крп КРП КРП АЭ крп КРП тэ тэ КРП тэ тэ тэ КРП КРП тэ КРП КРП АЭ АЭ крп АЭ крп крп ЛЭ АЭ АЭ АЭ ЛЭ АЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ АЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ АЭ ТЭ ТЭ	Минимальная работа выхода Адсорбент _ плоскне Монослойное покрытие	> образцы Минимальная работа выхода ' Оптимальное покрытие Эталон — поликристалличе- Толстый слой	ский вольфрам (<pw принята »	»	равной 4,60 эВ) Очень толстые слои бериллия на W-монокристалле Монослойное покрытие. Эталон—грань {100} W (Tpoojw пРинята равной 4,6 эВ) Минимальная работа выхода То же при р0 = 4,3 • 10~7 мм рт. ст. То же при pOf = 6 • 10“10 мм рт. ст. Минимальная работа выхода » » » т = КГ° мм рт. ст. • с 1 Образец экспонирован в r	Z	> кислороде. Максималь- т — 1,о • 10 мм рт. ст. • с} ное значение <р Монослойное покрытие Минимальная работа выхода То же в интервале температур 600—800 К Минимальная работа выхода Максимальная работа выхода. Плотность покрытия при температуре кристалла 298 и 613 К составляет 5 • 10й см-2 Толстый слой кремния (в = 2). Измерено методом пря- мой Фаулера — Нордгейма при Р= 10—10 мм рт. ст. Минимальная работа выхода при Т — 298 К. 6Si = = 0,3 Мономолекулярное покрытие хлора. Эталон — грань {100} W(<p|IOOjW принята равной 4,65 эВ). Изме- рено при Т = 300 К Оптимальное покрытие при 7’w = 77 К Оптимальное покрытие } Адсорбент — монокристал- Монослойное покрытие j лический диск ТОЛСТЫЙ СЛОЙ	}		„ 'Г __ и v Оптимальное покрытие J ‘ Р	Р W	К Толстый слой Оптимальное покрытие Толстый слой	Измерено при	— 77 К Оптимальное покрытие Толстый слой Усредненная минимальная работа выхода для пленки калия на W-монокристалле Система экспонирована в кислороде Толстый слой Оптимальное покрытие Минимальная работа выхода 1 Адсорбент — плоские Монослойное покрытие	J образцы Оптимальное покрытие » » Минимальная работа выхода 1 Адсорбент — плоские Монослойное покрытие	J образцы	{490} {247} 1351J [1551J (48} [1104] (1116, 1117} [29} [1069} [1116, 1117} [4I8J [1171 [4181 [85J [1831 [20631 [1179] [801 (11801 [80J [98IJ [801 [6241 (4841 [1681 [484] [4901 [4841 [168} [490J
256
Адсорбционные системы
л
Продолжение
Адсорбент *- адсорбат	Индекс грани адсорбента	<р, эВ	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
W—Sc W—Sc, О W—V W—Сг W—Си W—Ge W—Вга W—Кг W—Rb W—Y	{110} {111 111} 111} {111} {111} {121 {121} 100} 100} 110} (110 {012} {023} (110 {ИИ (121} {001} {001} {011} {ОН} {100} {ЮО} {100} {100} (110} {НИ {121} {110} {111} {100} {100} 100 110 по (111 111 112 112} 100} 100} 100 100 100 100 100} 100} 100 100} (110} {110} {110} {110}	3,7 3,0 3,05 3,1 3,2 3,2 3,3 3,5 2,48 ±0,03 2,9 ±0,03 3,4 ±0,03 3,45 ±0,03 3,81 ± 0,06s 3,86 ±0,06 4,42 ±0,06 3,88 ±0,06 4,01 ±0,06} 3,8 4,0 3,8 4,0 3,8 ±0,1 3,8 ±0,1 4,7 ±0,1 4,7 ±0,1 5,20 ±0,06'1 4,32 ± 0,06 > 4,38 ±0,06} 4,5 4,1 5,47 2,61 3,93 2,51 3,96 2,55 3,85 2,96 3,85 1,50 2,05 2,62 3,1 3,2 3,2 3,25 3,25 ±0,03 3,38 ±0,03 3,4 3,36 3,36 ±0,03 3,4 3,5	АЭ АЭ ТЭ АЭ ТЭ АЭ АЭ АЭ тэ тэ тэ ТЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ КРП КРП АЭ АЭ ТЭ ТЭ КРП АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ ФЭ ФЭ ТЭ АЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ ТЭ АЭ ТЭ ТЭ АЭ АЭ	Толстый слой	) Оптимальное покрытие / » » Толстый слой Оптимальное покрытие »	» »	» 1 Толстый слой	J Монослойное покрытие Минимальная работа выхода Адсорбент — плоские Монослойное покрытие	образцы Минимальная работа выхода Толстый слоя. Метод прямой Фаулера — Нордгейма Метод прямой Фаулера — Норд- гейма Метод равного тока Среднее значение работы вы- Метод пря.юй	хода. Р — 5 • 1О~10 мм рт. ст. Фаулера — Норд- гейма Метод равного тока Измерено в сверхвысоком вакууме Толстый слой Система экспонирована при ро = 5 • 10~8 1 мм рт. ст.	| Измерено в техническом вакууме и на воздухе) Толстый слой. Метод прямой Фаулера — Нордгейма 4=16 А • см~2 • К~2 1м	- п .	, „ .	_о „_9 } Метод прямой Ричардсона 4 = 1,3 А - см -К2} Монослойное покрытие. Эталон — грань {100} W (T{ioo}w принята равной 4,65 эВ). Т = 300 К Толстый слой Монослойное покрытие Толстый слой Монослойное покрытие Толстый слой Монослойное покрытие Толстый слой Монослойное покрытие Оптимальное покрытие (0 = 0,6) 1 Монослойное покрытие	] Система экспонирована в кислороде Оптимальное покрытие 1 Толстый слой	J Оптимальное покрытие \ Минимальная работа выхода 1 Адсорбент — плоские; Монослойное покрытие	j образцы Толстый слой Оптимальное покрытие Минимальная работа выхода. Адсорбент — плоский образец Оптимальное покрытие » »	U68] 1484} 1168] 1213] ]2И| 1168] [490] [122] [105] [109] 1Ю4] [Ю9] ]122] [129] [1179] [1514] [1295] [484] [209] [188,210] [484] [490] [188,210] [484] [490] [209] [188,210]
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
257
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Индекс грани адсорбента	ф, эВ	Метод опре- деления ф	Примечания	Литерат} ра
W—Y W—Y, О W—Zr W—In W-I2 W—12, Cs W-Xe W—Cs	{ИО) {НО} {111} {Hl) {111} {111} {111} {Hl {Hl} {Hl} {Hl} {112} 112} {112} {116} {116} {116} {100} {100} {HO} {HO} {100} {100} {100} {110} {110} {110} {111} {112} {310} {001} {100} {100} {100} {001} {011} {iio; {111} {111} {112} {116} {023} {100} {100} {100} {100} {100} {100} !1001 {100)* {100} {100}	3,53 ±0,03 3,7 2,57 2,62 2,7 2,8 2,8 2,85 2,9 2,9 3,0 2,8 3,1 3,3 2,9 3,0 3.2 2,62 ±0,03 2,75 ±0,03 3,30 ±0,03 3,34 ±0,03 2,62 3,75 3,87 ±0,03 2,8—3,1 4,33 4,46 ±0,03] 3,88 ±0,03 3,92 ±0,031 3,65 ±0,03 J 4,20 4,25 4,731 -2,45 J 3,2) 4,0 J 5,0} 3,3 ±0,1 4,3] 4,2 3,2] 3,8) 1,35 1,5 1,58 1,60 1,65 1,65 1,76 1,77 1,77 1,78	ТЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ АЭ КРП АЭ ТЭ КРП АЭ КРП КРП КРП АЭ ФЭ АЭ АЭ ТЭ КРП АЭ АЭ АЭ АЭ ТЭ тэ тэ	Монослойное покрытие па плоском образце Толстый слой Температура острия Tw = 1200 К А Оптимальное по- Tw = 300 К	J крытие Оптимальное покрытие »	» »	» »	» Толстый слой Толстый слой. 7\у равна 300 и 1200 К Толстый слой Оптимальное покрытие Толстый слой »	2 Оптимальное покрытие Толстый слой » » Монослойное покрытие	) Минимальная работа выхода 1 Адсорбент — плоские Монослойное покрытие	1 образцы Минимальная работа выхода J Монослойное покрытие Толстый слой » » Значение <р системы в интервале температур 900— 1800 К зависит от режима напыления циркония на вольфрам Толстый слой » » Толстый слой (0 > 1,5). Измерено методом Андерсо- на при Р — 5 • 1О~10 мм рт. ст. Оптимальное покрытие) Эталон — грань {100} W Мономолекулярное по- {Tpoojw принята равной крытие иода	4,65 эВ). Т = 300 К Монослойное покрытие Оптимальное покрытие » » Оптимальное покрытие. Эталон — грань {100} W (<fyi00}w принята равной 4,62 эВ) Оптимальное покрытие 2	» Толстый слой » » Оптимальное покрытие Оптимальное покрытие для нитевидного и крупного сферического монокристаллов Максимальное значение <р	1490] 1188, 209, 210] {394] 1188,210] [209] 1213] [484) 1188,210] [394] |209] [209, 210] [210] 1-09] 1188, 209, 210] {188, 210] 1209] [490] [865] [1775] [1086] 1413] [1775] [1086] [2065] [1179] [1630] [2026] [1630] [176] [29] [1П4, 1117] [1881] [623] [176] [1881] [208, 1180] [664] [1069]
17 '590
258
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Индекс грани адсорбента	Ф. эВ	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
W—Cs * W-Cs, О W—Cs, CL W—Cs, I2“ W—Ba	{100) {100} {100} {100} {100} {100} {100} {110} {110} {110} {110} {110} {110} {110} {110} {ПО} {110} {110} 1110} {110} {110} {110} {110} {111} (111 (Ill) {111} {111} {111} {111 {112} {112} {112} {112} {H2} {112} {112} {112} {112} {100} {100} {100} {011} {011} {100} {100} {110} {110} {HO}	1,79 1,795 1,795 ±0,01 1,80 1,82 1,82 ±0,01 2,06 1,45 1,47 1,5 1,55 ±0,02 l,654±0,055 1,67 1,68 1,73 1,75 1,80 1,955 1,975 2,0 2,07±0.01 2,1 2,18 1,5 1,57 1,8 1,80 1,81 1,83 1,95 1,2 1,55 1,57 1,74 1,75 1,769 ±0,063 1,78 1,85 2,0 1,17 5,201 4,90} 1,9 2,0 2,5 ±0,03 2,52 ±0.05 1,66 ±0,06 2,2 ±0,03 2,20 ±0,05	ТЭ КРП крп КРП тэ КРП ЛЭ тэ АЭ ЛЭ КРП тэ тэ тэ тэ тэ тэ КРП КРП АЭ КРП АЭ АЭ АЭ АЭ ЛЭ ТЭ ТЭ ТЭ АЭ АЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ АЭ АЭ КРП КРП КРП КРП ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ	Толстый слой на крупном сферическом монокристалле Измерено методом Кельвина при Т = 296 К Оптимальное покрытие. Измерено методом Кельвина при Т = 300 К Монослойное покрытие. Эталон — грань {100} W (q^ioojw принята равной 4,62 эВ) Монослойное покрытие Монослойное покрытие. Измерено методом Кельвина при Т = 300 К Толстый слой Минимальная работа выхода при TCs=720 К. Поверх- ность адсорбента загрязнена сильноэлектроотрица- тельными компонентами Оптимальное покрытие »	» »	» в	» Оптимальное покрытие на крупном сферическом образце Оптимальное покрытие на нитевидном монокристалле Толстый слой на крупном сферическом образце Минимальная работа выхода при потоке атомов це-' зия на поверхность 2,3 • 1015 см-2 • с-1 Монослойное покрытие Измерено методом Кельвина при Т = 296 К Тот же метод. Т = 300 К. Оптимальное покрытие Толстый слой Измерено методом Кельвина при Т = 300 К. Моно- слонное покрытие Толстый слой »	» Оптимальное покрытие »	в 1 Толстый слой } Толстый слой на крупном сферическом образце Оптимальное покрытие на нитевидном и крупном сферическом монокристаллах Толстый слой »	в Оптимальное покрытие (6 — 0,5—0,7) Оптимальное покрытие » » Оптимальное покрытие на нитевидном монокристалле Оптимальное покрытие на крупном сферическом об- разце Оптимальное покрытие Толстый слой на крупном сферическом образце Толстый слой » » Минимальная работа выхода. Эталон — грань {100} W (T{ioo}W принята равной 4,62 эВ) Монослойное покрытие. Эталон — грань {100} W (<P{loo}w принята равной 4,65 эВ). Т — 300 К Т -	 77 К 1 Т = 300 К 1 Оптимальное покрытие Монослойное покрытие Толстый слой	41 Минимальная работа выхода То же в интервале температур 1000—1100 К	[208,664} [1517] [1518] [1114, 1117] [1180] [1518] [623] [899] |1881] [176, 623} [245] [1079] [208, 664] [664] [208, 664] [899] [1517] [1518] [623] [1518] [176] [1881] [176] [623] [664] [208, 664} [208] [176] [969] [176] [623] [664] [208, 664] [1079] [208, 664] [623] [176] [1114] [1179] [147] [490] [488] [783] [490] [488}
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
259
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Индекс грани адсорбента	Ф, эВ	Метод опре- деления <p	Примечания	Литература
W—Ва W—Ва, О W-La W-La, Li W—La, 0 W—Ce W—Pr W—Nd W—Sm	{ИО) {111} {100} {110} {110} {110} {010} {010} {011} {011} {100} {100) {100} {100} {110} {110} {110} {110} {110} {111} {111} {111} {111} {112} {112} {116} {116} {100} {100} {100 {110} {110} (JOO) {100 {110} {110} {111} {111} {116} {116} {111 {111) {001} {111}	2,45 ±0,03 2,15 ±0,05 2,3 ±0,1 1,96 ±0,03 l,96±0,05 2,1 ±0.03 2,15±0,03 2,40 2,78 3,02 3,30 2,6 2,7 ±0,03 2,9 ±0,03 3,1 2,75 2,9 2,9 ±0,03 3,1 ±0,03 3,2 2,36 2,4 2,63 2,9 2,50 2,90 2,5 2,8 2,65 2,4 ±0,03 2,45 ±0,03 2,8 ±0,03 2,8±0,03 3,1 3,3 2,8 2,9 2,2 2,5 2,5 2,6 2,6 2,6 3,30 2,7	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ АЭ АЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ КРП тэ тэ тэ тэ АЭ тэ АЭ ТЭ ЛЭ ЛЭ тэ тэ КРП тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ АЭ КРП АЭ 1	Монослойное покрытие на плоском монокристалле Минимальная работа выхода в интервале температур 1000—1100 к Толстый слой. Значение <р системы нс зависит от кристаллографической ориентации поверхности ад- сорбента Монослойное покрытие на плоских монокристаллах Минимальная работа выхода при монослойном покры- тии поверхности барием Монослойное покрытие	} Адсорбент — плоские Минимальная работа выхода } образцы Оптимальное покрытие Монослойное покрытие Оптимальное покрытие Монослойное покрытие Оптимальное покрытие. Метод прямой Ричардсона Минимальная работа выхода 1 Адсорбент — плоские Монослойное покрытие	J образцы Толстый слой. Метод прямой Ричардсона Минимальная работа выхода Оптимальное покрытие. Метод прямой Ричардсона Минимальная работа выхода \ Адсорбент — плоские Монослойное покрытие	/ образцы Толстый слой. Метол прямой Ричардсона Оптимальное покрытие Оптимальное покрытие. Метод прямой Ричардсона Монослойное покрытие Толстый слой. Метод прямой Ричардсона Оптимальное покрытие 1 Монослойное покрытие J Оптимальное покрытие 1	Ричардсона Толстый слои	J	н	г Минимальная работа выхода при плотности покрытия поверхности лантаном и литием 5 • 1014 см“2 Монослойное покрытие	Л		 ..	>	„ Адсорбент — плоские Минимальная работа выхода о<разЦЫ Монослойное покрытие	* Минимальная работа выхода Оптимальное покрытие Толстый слой	Метод прямой Ричардсона Оптимальное покрытие	г	' Толстый слой Оптимальное покрытие. Тот же метод Толстый слой Оптимальное покрытие Тот же метод Толстый слой Оптимальное покрытие Оптимальное покрытие. Измерено методом прямой Фаулера — Нордгейма при Р	Ю—9 мм рт. ст. Толстый слой (0 > 1,5). Измерено методом Андерсо- на при Р = 5 • 10—10 мм рт. ст. Оптимальное покрытие. Измерено методом прямой j Фаулера — Нордгейма при Р 10~9 мм рт. ст.	(490] [488] [5] [490] [488] [490] [638] [187, 188] [490] [187, 188] 1148] [187, 188] [490] [187, 188] [638] [187, 188, 213] [638] [187, 188] [638] [187, 188] [48] [490] [188] [188,213] [188] 1213] [211] [2065] [211]
17
260
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент — адеорбат	Индекс грани адсорбента	<p, эВ	Метод опре- деления ср	Примечания	Литература
W—Ей W-Gd W-Dy W—Но W—Er W—Yb W—Pt \V—Th ।	{100} {100} {110} {110} {111) {in; {116 {116 {100 {1001 {100} {100} {100 {110} {110} {110} {110} {110} {111} {111) {III} {111} {111) {111} {112) {112} {112} {116} {116} {116} {116} {116} {П6} {III} {011} {100} {100} {100} {110} {110} {110} {110} {111} ,111} {Ill} {111}	2,7 2,8 2,7 2,8 2,4 2,6 2,4 2,5 3,0 3 1 3,3 3,4 3,5 3,3 3,3 3,4 3,5 3,6 2,4 2,5 2,6 2,7 2,7 2,9 2,8 3,1 3,5 2,6 2,7 2,8 2,9 3,0 3,2 2,60 ±0,05 2,96 ±0,05 2,80±0,05) 2,8 6,0 3,25 3,35 3,40 3,25 3,30 3,35 ~3,4 2,95 3,15 3,20 ~3,4	ТЭ ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ АЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ ТЭ АЭ АЭ ТЭ ЛЭ ТЭ АЭ ТЭ АЭ ЛЭ АЭ АЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ КРП ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ '1Э тэ тэ	Оптимальное покрытие Толстый слой Оптимальное покрытие Пптнмя^п^ип^ ппкпитйр Эффективная работа выхода Оптимальное покрытие т	г Толстый слой Оптимальное покрытие Толстый слой Оптимальное покрытие	’ » » Толстый слой Оптимальное покрытие ] Толстый слой	> Оптимальное покрытие) »	» »	» Толстый слой » » Оптимальное покрытие » » Толстый слой » » Оптимальное покрытие Толстый слой Оптимальное покрытие Толстый слой Оптимальное покрытие1 Толстый слой	J Оптимальное покрытие » » Толстый слой » » Усредненное по острию значение <р для оптимального покрытия на монокристалле. Р С 3 • 10“9 мм рт. ст. Оптимальное покрытие Эталон — поликристаллический вольфрам (q>w при- нята равной 4,55 эВ) Минимальная работа выхода Измерено после выключения т, _	„	, источника тория	Измерено в сфернче- Толстый слой	гермоэлектрон- Минимальная работа выхода "° Измерено после выключения S оад“ляемогв ТОРПЯ источника тория	У,УУ6/О Толстый слой Измерено методом прямой Ричардсона в интервале температур 1300—1500 К Минимальная работа выхода! ^е"°пJ„±₽"4ne’ Ис мерено после выключения	р оэ J1?011 источника тория	ном пРоектоРс’ Чисто- Толстый слой	99,998%ЛЯеМОГ° Измерено методом прямой Ричардсона в интервале температур 1300—1500 К	(188] (209] [188, 2I0J [188, 209,210] [188] [209] [188,210] [188] [188, 209, 210] [188] [188,210] [188] [188,210] [209] [209,210] [2Ю] [209] [188] [188,210] [209] (188,210] [209] [2149] (2И] [6Ю] [581] [246] [581] [246]
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
261
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Индекс грани адсорбента	q>, эВ	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
W—Th W-U Re—К Re—Cs Re—Ba Re—La Re—Ce Re—Tm] Ir-C Ir—Xe Ir—Au	{112} {112} {112} {100} {100} {100} {100} {100} {ПО} {110} {110} {110} {111} {112} {113} {113} {113} {113} {116} (0001) (0001) (0001) (0001) {111} {111} {nil 111) {111 {100} -{110 {111} {210} {321) »{53I}-{731) {Ill}	3,15 3,25 3,30 3,73 ±0,02 3,73 ±0,03 3,78 ±0,03 3,80 ±0,03 3,88 ±0,03 3,90 ±0,03 3,90 ±0,03 4,00 ±0,03 4,04 ±0,03 3,04 ± 0,031 3,70 ± 0,03 3,60 ±0,03 3,66 ±0,03 3,66 ±0,03 3,67 ±0,03 3,57 ±0,03 1,85 — 1,4 1,48—1,6 2,20 3,10 4,5 4,5 4,5 ±0,1 4,5 ±0,1 4,55 5,67 ±0,05) 5,0 5,79 ±0,05 5,0 5,4 4,9 5,60 ±0,04	ТЭ тэ тэ КРП ФЭ тэ КРП АЭ ФЭ КРП тэ АЭ ТЭ ФЭ КРП АЭ КРП ТЭ АЭ КРП ТЭ ПИ тэ пи тэ КРП АЭ КРП	Минимальная работа выхода! Измерено после выключения 1 „ ° источника тория	ном пРоектоРе' Чист°- Толстый слой	™	° Тория Метод Кельвина в1Тфа3у°лТИЧеСК“Х К₽И’ Монослойное покрытие Монослойное покрытие. Метод Кельвина Толстый слой Монослойное покрытие. Метод изотермических кри- вых Фаулера Монослойное покрытие. Метод Кельвина Монослойное покрытие Толстый слой Метод изотермических кривых Монослойное покры- Фаулера	тие Метод Кельвина Толстый слой Минимальная работа выхода. Измерено в интервале температур 78—1500 К Оптимальное покрытие на поверхности, около 80% площади которой занимают грани (0001) с разориенти- ровкой 10° Минимальная работа выхода при адсорбции цезия на отдельных гранях монокристалла рения Минимальная работа выхода. Измерено в интервале температур 78—1500 К Монослойное покрытие редкоземельного металла. Метод прямой Ричардсона ПИ атомов индия и бария 1 Углеродное покрытие на Метод полного тока	j текстурированной ленте ПИ атомов индия Определено по результа- Ir-лента отожжена в па- там измерения Аф	рах бензола при науглероживании поверхности кристалла Монослойное покрытие. Метод прямой Фаулера — Нордгейма Толщина пленки золота 6,5 нм. Эталон — вольфрам	[581] [1513] [1775] [1085] [1513] [1513, 1775] [1513] [1085] [1513] [1085] [2143] [679] [609] 12143] [368] [2134] [330] [1626] [1893]
262
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент— адсорбат	Индекс грани адсорбента	ф, эВ		Метод опре- деления <р		Примечания				Литература
Р1-н2 Pt—N, Pt—Сь	{100) {100) В окрестности {110} В окрестности {НО) {111} {Н1) {111) {210} {210} {100} 111) {320} {331} {210} {210}	5,21 5,44 5,17 5,50 5,38 5,43 5,92 4,80 5,31 5,53 5,59 4,45 4.36J 1,59 1,66	►		АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ 1		= 2 • 10 7 мм рт. СТ. 2	Q — 2 • 10 мм рт. ст. = 2 • IO"7 мм рт. ст. рн = 2 • 10~9 мм рт. ст. = 2 • 10~7 мм рт. ст. рн = 2 • 10~9 мм рт. ст. = 2 • 10“7 мм рт. ст рено при Т = 300 К рн = 2 - 10~7 мм рт. ст. *	п = 2 • 10 мм рт. ст. Измерено методом прямой прн Т = 80 К Оптимальное покрытие 1 Монослойное покрытие }	Измере- но при 7= 78 К . Изме- Измере- но при 7= 78 К Фаулер	Адсорбент — кристалли- зованная пла- тиновая прово- лока. Метод прямой Фауле- ра — Нордгей- ма а — Нордгейма	[2125] [1625] [1989]
СЛОЖНЫЕ АДСОРБЕНТЫ
Бориды
LaBe—Cs	{100}	1,39	АЭ	1 Адсорбент — зонно-плавленный монокристалл. Минимальная работа выхода при Т = 300 К. Состав поверхности системы определен методом Оже-электропной спектроскопии: В 48; С 6,4; Cs 11,2; La 28; О2 6,1 ат. доли	[2117]
Оксиды
ZnO—О
ZnO—С'
(0001)
(ООО Г)
АЭ Метод прямой Фаулера — Нордгейма	[1565]
ТЭ Цезированная поверхность монокристалла	[1840]
Пниктиды
GaP— Cs	{111A}	l,3±0,l l,3±0,l	ТЭ ФЭ	Сколотая на воздухе грань монокристалла, легиро- ванного цинком с концентрацией 5 • 1017 см-3. Перед цезированием грань прогрета до Т = 1023 К Оптимальное покрытие на выращенном эпитаксиаль- но монокристалле фосфида высокой чистоты	[255] <1189]
InP—Cs	JUO}	1,4	ФЭ		[1188]
GaAs—Cs	{100}	1,60	ФЭ	Адсорбент — грань монокристалла с проводимостью n-типа. Р = 10“8 мм рт. ст.	[2003|
	{HO}	l,20±0,01	ФЭ	Оптимальное покрытие на сколотой в вакууме грани адсорбен га	[1552]
	{110}	-1,55	ФЭ	Адсорбент — грань монокристалла с проводимостью n-типа. Р = 10-8 мм рт. ст.	[2003]
GaAs—Cs, О		<1,4	ФЭ	Адсорбент—сколотая поверхность грани монокрис- талла с проводимостью р-типа	[1911]
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
263
Продолжение
Адсорбент- адсорбат	Индекс грани адсорбента	ф, эВ	Метод опре- деления ф	Примечания	Литература
GaAs—Cs, О	—	1,4-1,0	ФЭ	Адсорбент — сколотый в сверхвысоком вакууме моно-	[1394]
Al Sb— Cs	{ПО}	1,37	ФЭ	крисгалл GaAs, легированный цинком с концентра- цией 4 • 1019 см“3. Значение <р цезированной поверх- ности зависит от количества циклов обработки цезием и кислородом Адсорбент — монокристалл с проводимостью р-типа	[764]
GaSb—Cs GaSb—Cs, 0	{100} {100}	1,7 -1,2—1,3	ФЭ ФЭ	Оптимальное покрытие (поверхностная кон- центрация атомов цезия составляет око- Адсорбент — полупровод- ло 1015 см-2)	ник р-типа Поверхность моно- кристалла окислена 1	[1781]
Рис. 217. Зависимость работы выхода при ФЭ от экспо-
зиции в молекулярном кислороде монокристалла алюми-
ния: 1 — грань {100}; 2 — грань {110}; 3 — грань {111}.
ТА| = 298 К. PQt = 1,5 . 10—8 мм рт. ст. 11219].
Рис. 218.'Зависимость работы выхода прн ФЭ от степени покрытия цезием поверхности
грани {111} монокристаллов германия (7) и кремния (2). Грань очищена при Р < 2 X
X Ю Ю мм рт. ст.; 0Q. = I прн концентрации атомов 8 • 101* см—[905].
Рис. 220. Эмиссионные свойства адсорбцион-
ных систем с участием в качестве адсорбента
монокристалла никеля. Измерено методом
КРП относительно грани {100} монокристал-
ла меди: а) по данным [1669]: a — зависи-
мость работы выхода от времени напыления
цезия на грань {100} Ni; б —зависимость ра-
боты выхода от экспозиции грани {100} Ni в
молекулярном кислороде; в — изменение рабо-
ты выхода при цезированин поверхности систе-
мы {100} Ni—О. Экспозиция монокристал-
ла никеля в кислороде т равна 0«). 3.5 (xh
20 (О) и 250 (Д) L; г— изменение работы выхо-
да при цезированин поверхности систем {100}
Ni — О (О) н {100} N1 — N1O (х) (в послед-
нем случае поверхность монокристалла оки-
слена подогревом);
2,0
1,0\_____I_____!-----1------1--
О	5 . 10	15 t.MUH
a)
Рис. 219. Зависимость работы выхода от концент-
рации атомов бария на монокристаллических
подложках [14G ] при Т, равной 77 (а) и 300 (б)
К: / — грань {011} W; 2 — грань {011} Мо;
3 — грань {111} Си: 4 — грань {111} Ag: 5 —
грань {011} Fe.
«л»*’6*8’5*5
••ЗХдДдДддДДДДДД
264
Адсорбционные системы
Рнс. 221. Зависимость работы выхода
от степени покрытия в, монослоев, в
системе {111} Ni — Na [1498]: 1 — те-
оретический расчет с использованием
модели [1496, 1499]; 2 — эксперимен-
тальные данные работы [12291.
Рис. 222. Эмиссионные свойства си-
стемы с участием грани {111} Ge [2101J:
а — зависимость работы выхода от
степени покрытия поверхности моно-
кристалла различными адсорбатами:
1 — система {111} Ge — К; 2 — си-
стема {111} Gc — К, Os; 3 — систе-
ма {111} Ge — К. Оя после прогрева
прн Т = 470 К в течение 1 мин;
б — зависимость работы выхода от
концентрации атомов адсорбата на
поверхности грани: / —• система {111} Ge — К; 2 — система
Рис. 220	(окончание):	б) по	данным
11670]:	а — изменение	работы	выхода
при окислении поверхности системы {100}
Ni — Cs в процессе цезирования при
®Cs’ равной 0,14 (I) и 0,29 (2); б —зависи-
мость работы выхода от экспозиции в кисло-
роде поверхности систем {100} Ni — Cs (/) и
{100} W — Cs (2).
{Ill}
система
Измерено
Ge — К,
методом КРП.
{Ill} Ge — К. О (экспозиция т = 6 • 10 ® L); 3
О (т =- 3 • I0—5 L).
Эталон — поликристаллический
{Ill} Ge — К.
германий.
Рио. 223. Изменение во временн работы выхода системы при адсорбции атомов лнтия на гранях монокристалла ниобия [248]»
{110} (а), {111} (б) и {112} (в) при времени напыления дозы лития 30 (/) и 15 (2) с. Измерено методом КРП прн Тыь = 300 К.
Рис. 224. Зависимость работы выхода си-
стемы {112} Nb — Li от времени окисления
кислородом [248]: 1 — система {112} Nb — О;
2 — система {112} Nb — Li; 3 — система {112}
Nb — О, Li. Измерено методом КРП.
Рис. 225. Изменение во времени работы вы-
хода системы при адсорбцнн атомов магния
на гранях монокристалла ннобня [248] {110}
(/). {111} (2) н {112} (3). Измерено методом
Крп при Тьд, = зоо к.
Рис. 226. Изменение во времени работы выхо-
да при ТЭ для системы {100} Nb — Be при
равной 1405 (/) я 1430 (2) К [70].
Рио. 227. Изменение во времени работы выхода при ТЭ
в процессе адсорбции атомов бария на гранях моно-
кристалла ниобия {100} (/), {111} (2),{110} (3) и {112}
(4). Tjsjjj равна 1095 (1—3) и 990 (4) К [68].
Рао. 228. Зависимость работы выхода от временя на-
пыления бария на грань {100} Nb. Скорость потока ато-
мов бария 1,7 • 101* см • с 1, оптимальная концент-
рация на грани 3,55 • 1 О’* см 2. Измерено методом
КРП при давлении паров барня, соответствующем
ТВа = 300 К. и TNb, равной 300 (/), 600 (2), 700 (3),
1000 (4), 1200 (5) и 1400 (5) К [438].
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
265
9,эВ
Рнс. 229. Зависимость работы выхода системы от степени покрытия барием грани {110} монокристаллов Nb (/), Мо
(2) и W (3) [145]. Измерено методом КРП при температуре кристалла Т = 300 К. Принято, что Ь == 1 в максимуме ра-
боты выхода.

3,0
2,0-
3,0
Рис.
Ва,
230. Зависимость работы выхода от поверхностной концентрации атомов бария и цезия в системе {100} Nb —•
Cs [438]. Поверхностная концентрация (в единицах 1 О’* см-2) составляет 0 (/), 2,3 (2), 4,6 (4), толстый слой
(3). Ва-пленкп отожжены при Т, равной 1000 (2 н 4) и 850 (3) К.
^2
1
О
0,2	0,4	0,6 0,8	1,0	1,2
В
Рис. 232. Изменение работы выхода прн АЭ в процессе адсорбции водорода на гра-
нях монокристалла молибдена [1073]: 1 — грань {111}; 2 — грань {001}; 3 — грань
{011}; 4 — усреднено по острию.
Рио. 233. Зависимость работы 'выхода от темпера-
туры для системы {100} Мо — О» при pQtt равном
10—8 (/), 2 • 10—6 (2), 6 • 10“6 (3), 3 • 10—5 (4) мм
рт. ст. [837].
Рис 234. Зависимость работы выхода при АЭ от поверхностной концентрации молекул кнсуюрода на гранях {100} (а), {110} (б),
{111} (в), {112} (г) монокристаллов вольфрама (/) и молибдена (2) [1561].
Рис.
хода
235.
при
Температурная зависимость работы вы-
ТЭ для системы {110} Мо — О, Cs
[2058].
236. Эмиссионные свойства систем с участием
качестве адсорбента грани {110} Мо [642]:
Рнс.
в
a — система {110} Мо — Na: 1 — зависимость рабо-
ты выхода, измеренной методом КРП, от концентра-
ции адсорбированных атомов натрия прн Т — 300 К:
2 — температурная зависимость работы выхода
прн ТЭ в потоке атомов натрия 4,8 • 10’1 см—2« с Ц
б — система {100} Мо — Ва: 1 —> зависимость работы выхода, измеренной мето-
дом КРП, от концентрации адсорбированных атомов бария при Т = 300 К;
2 — температурная зависимость работы выхода при ТЭ в потоке атомов бария
2.6 . 10й см—2 • с— к
266
Адсорбционные системы
Рис. 237. Изменение работы выхода при
АЭ в процессе адсорбции атомов кремния
на гранях монокристалла молибдена
[1088]: {113} (/, 2). {100} (3. 4}. 1, 3 —
определено методом прямой Фаулера —
Нордгейма; 2, 4 — вычислено по урав-
нению Клейна [1439].
%ЭВ
. . .
О 1 2nfi'actr2
Рис. 239. Зависимость
работы выхода системы
от конценграции атомов
калия, адсорбированных
на поверхности грани
{100} Мо (текстурирован-
ная Мо-фольга, подверг-
нутая длительной терми-
ческой обработке) [850].
Работа выхода опреде-
лена методом ПИ.


43

-
Рис. 240. Зависимость
работы выхода системы
при ТЭ от концентрация
атомов калия, адсорби-
рованных на поверхно-
сти грани {100} Мо (/) и
окисленной поверхности
грани {112} Та (2) [849].
Рис. 241. Адсорбционные свойства систем (011} W — Си
н{011}Мо —Си [146]:
а — зависимость работы выхода от времени при адсорб-
ции атомов медн на грани {011} монокристаллов воль-
фрама (/ и /') и молибдена (2 и 2'). Кривые / и 2 полу-
чены при = 300 К, /' и 2'— при 77 К.Стрелкой
показано увеличение значения <р в процессе отжига пле-
нок медн на вольфраме н молибдене при Т = 300 К в
течение 1 мин; б — зависимость равновесной работы
выхода от температуры для систем {011} W—Си (/) и {011}
Мо — Си (2) при потоке атомов меди 6-10** см 2 • с
Работа выхода определена методом КРП
Рис. 238. Зависимость работы выхода при
АЭ от концентрации атомов калия, ад-
сорбированных на гранях {!!!}(/), {011}
(2), {112} (3). {100} (4) монокристаллов
молибдена (а) и тантала (б) [983].
О

2,0 п,Ю'15сн‘г
Рис. 244. Зависимость работы вы-
хода прн АЭ от степени покрытия
теллуром различных граней моно-
кристалла молибдена [2104]: 1 —
усреднено по острию; 2 — грань
{112}; 3 — грань {100}; 4 — грань
{111}; 5 — грань {110}.
Рис. 242 Изменение работы вы-	Рис. 243. Изменение работы выхода при
хода прн АЭ в процессе адсорбции	адсорбции атомов стронция и лантана на
оелена на гранях монокристалла	грани {011} монокристаллов молибдена
молибдена (10891 {100} (ф), {110}	и вольфрама [150];
(х), {111} (А). {112} (О).	а — зависимость работы выхода от степени
покрытия стронцием поверхности грани
монокристаллов молибдена (/) и вольфра-
,	,	ма (2);
о — зависимость работы выхода от температуры прн динамически равновесных покры-
тиях стронция, соответствующих различным температурам кристалла молибдена.
Поток атомов стронция на поверхность монокристалла составляет 5 • 10“ см-2 • с~"Ч
в — зависимость работы выхода от поверхностной концентрации атомов лантана на
грани {011} монокристаллов вольфрама (/) н молибдена (2);
г — зависимость работы выхода от температуры кристалла при динамически равно-
весных покрытиях лантана, соответствующих различным температурам кристаллов,
на грани {011} монокристаллов вольфрама (Z) и молибдена (2). Поток атомов лантана
на поверхность кристалла составляет 1,5 . 10‘* (/) и 1,7 • 10“ (2) см~2 • с-1.
Работа выхода измерена методом КРП.
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
267
Рис. 245. Зависимость работы выхода
от концентрации атомов цезия на гра-
ни {110} монокристаллов вольфрама (/)
н молибдена (2) 1245]. Работа выхода
определена методом КРП.
П,10'*СМ’г
Рис. 246. Зависимость работы выхода
от концентрации атомов бария на гра-
ни {011} Мо [11771 при Т, равной 300
(О). 77 (с отжигом) (х), 77 (без отжига)
(•) К.
Рис. 247. Зависимость работы выхода от
времени напыления атомов лютеция на
грань {110} Мо [552]: / — лютеций напы-
лен на холодный (Т = 300 К) кристалл;
2 — система прогрета до Т = 800 К.
ЦэВ
Рнс. 250 Зависимость работы выхода от
поверхностной концентрации атомов ще-
лочных металлов на грани {110} Та [1180]
прн Гуа = 300 К: 1 — система Та — Na;
2 — система Та — К:	3 — система
Та — Cs.
4/7
3ft
9>эВ
4.0
%ЭВ
5,05-
a
оо
дар б
Рнс. 251. Изменение во времени работы
сорбции атомов празеодима на грани {100}
2J0
О 2
-J->--1--'--
46 п,Ю~*аг2
выхода при
Та [69 ] при
(/), 1400 (2), 1450 (3). 1500 (4), 1550 (5)
ТЭ в процессе ад-
Т fa, равной 1380
К.
4,65
Ю t,MUH
4
Рис. 252. Зависимость работы
выхода от концентрации моле-
кул водорода (•) и дейтерия (О)
на поверхности граней{110}(а)
н {100} (б) монокристалла воль-
фрама при Tyj = 300 К 11694].
°.
О
5,04-
cP
8°
—1_________* - -
10* Ю'5п,сггг
Рнс. 253. Изменение
работы выхода прн
АЭ в процессе экспо-
нирования граней
{121} (2). {001} (2).
{011} (3) монокри-
сталла вольфрама в
потоке атомов водо-
рода [10731.
4/1____I—__t I I_____ ।
0 2 4 6 n,l0a(rf
Рнс. 254. Зависи-
мость работы выхода
от концентрации мо-
лекул водорода на
гранях {100} (/),{! 10}
(2), {112} (5) моно-
кристалла вольфрама
11348]. Измерено ме-
тодом КРП. Эта-
лон — полнкристал-
лический вольфрам.
Рис. 255. Изменение
работы выхода и си-
стемах {100} W — Cs
(/) н {100} W — Н ,
Cs для монослой-
ного покрытия по-
верхности кристалла
водородом (2) в про-
цессе адсорбции ато-
мов цезия 11668]. Из-
мерено методом КРП.
268
Адсорбционные системы

#0
47
зр-
123 45
4Р
400
3,0
2Р
W-
3,0-
У,Эд
5PV
9,эВ
4.0
зр
^1----1----1-----!----1----L-----
0	2	4	6	8	t,MUH
600 600 Г, К 400 600 800 Т,К
Рис, 257. Зависимость равновесной работы вы-
хода для граней монокристалла вольфрама от нх
температуры при различных потоках атомов ли-
тия на поверхность [567]:
а — грань {110}: 1 — 1,2 • 10**;
2 — 2,7 • 1 О**» см~2 - с”1:
б — грань {111}: 1 — 2,1 • 101а;
2 — 2,5 • 10“ см”2 - с—1;
400 600 Т,К
в — грань {100}: 1 — 10“;
2 — 7,5 • IO’» см—2 • с—1.
Измерено методом КРП.
Рис. 256. Изменение работы выхода в
процессе напыления цезия на систему
{100} W — Н прн различных степенях по-
крытия поверхности кристалла водородом
[1070]: 1 — 2,25; 2 — 1,25; 3 — 0,56; 4 —
0,28; 5 — 0L.
Wk
5,0
2,0-
0
4Р
з,о
—I । I ।
0,4 Q8 в

Рис. 259. Зависи-
мость работы выхода
от степени покрытия
граней {100}	(7) и
вольфрама [1278].
,---- теоретический расчет, точки —
экспериментальные данные работы [175].
лнтнем поверхности
{111}(2) монокристалла
Кривые — теоретическ
Рис. 258. Зависимость работы выхода от концентрации атомов лития на гранях
монокристалла вольфрама [567]:
а — измерено методом КРП для граней {110} (7), {112} (2), {111} (5) и {100} (4)-,
б — система {110} W — Li при Тщ, равной 77 и и 3) и 300 (2) К. Измерено методами
КРП (/ и 2) и АЭ (3).
Рис. 260. Зависимость работы выхода от
_	концентрации атомов лития на гранях
- -  j	монокристалла вольфрама [177]:
а — грань /110}* 1 — чистый вольфрам;
2 - 7'w = »600 К; з - rw « 1450 К;
,	4 — Tw = 1200 К:
20 П,Ю'*&Г2 б — грани {И 1} (7 и 2) И {! 12} (3 и 4Y, 1 и
3 — чистый вольфрам; 2 — 7\у== 1200 К;
4 ~ ТЫ = 1650 к.
Рнс. 261. Зависи-
мость работы выхода
от концентрации ато-
мов цезия (7), калия
(2), натрия (3) и ли-
тия (4) Jhа поверхно-
сти грани {ill} W
[569]. Измерено ме-
тодом КРП при
TW = 77 К.
Рис. 262. Эмиссион-
ные свойства системы
{112} W — Li [15761:
а — зависимость ра-
боты выхода от кон-
центрации адсорби-
рованных атомов ли-
тия: 7 — метод КРП
при Т *= 300 К; 2 —
метод КРП прндТ »
— 77 К; 3 — метод
АЭ при Т «= 77 К;
б — зависимость
равновесной работы
выхода от температуры кристалла прн потоке атомов
/	9,3 • 10“; 2 — 6 • 10»° см—2 - с
лития на поверхность:
—1
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
269
Рис. 263. Изменение работы
выхода при АЭ в процессе на-
пыления бериллия на различ-
ные грани монокристалла воль-
фрама [16961: / — грань {110};
2 — грань {111}: 3 — грань
{211}:	4 — усреднено по
острию.
Рис. 264. Изменение работы выхода при экспониро-
вании в азоте различных граней W-монокристалла:
а — по данным [1347]: 1 — грань {100}; 2 — грань
{116}: 3 — грань {111}; 4 —грань {112}; 5 — грань
{ПО}; 6 — поликристаллическая фольга;
б — по данным [1345]: 1 — грань {112}; 2 — грань
{ИО};
в — изменение работы выхода граней монокристал-
ла вольфрама прн нагреве после экспонирования в
_________________потоке молекул азота 10*» см-2 [1347]: 1 — грань
10s Я? О,СМ~г____{100}; 2 — грань {111}.
Измерения (а и б) проведены методом КРП. Эта-
лон — поликристаллический вольфрам.
М-
О 400 800 1200 №00 Т.К
Рис. 265. Зависимость ра-
боты выхода при АЭ от
температуры нагрева граней
{100} (/), {111} (2), {21 Г} (3),
{110}	(4) монокристалла
вольфрама в среде кислорода
в течение 60 с [969].
8 N

Ч>эВ
5.3
5,1
Ц9
$Эв
<?эВ
6Д
5.0
8
Рис. 266. Влияние молеку-
лярного кислорода на ра-
боту выхода различных гра-
ней монокристалла воль-
фрама:
а) по данным [1160]: а —
грань {100}; б — грань {112};
в — грань _{11!}; г — грань
{110} при равной 1900
(/), 2050 (2) и 2200 (3) К:
б) по данным [1532]. Эмит-
тер — электрополнрованный
вольфрам с ..Г________________________ -	...
в) по данным [936]. Грань {100} подвергнута различной термической обработке
ро> = Ю—Омм рт. ст.; 2— выдержка в течение 72 ч при pQt= Ю—6 мм рт. ст. с последующим прогревом в среде кислорода в течение
10 ч: з _ выдержка в течение 120 ч при Pq*— 10“ь мм рт.ст. с последующим прогревом в среде кислорода в течение 30 ч;
е) по данным [2006]: 1 — зависимость работы выхода от числа N доз напуска кислорода для граней {110} (а), {211} (б), {111} (в). {310}
(е): 2 — соедняя работа выхода поликрнсталлической поверхности вольфрама в кислороде.
5,0
4.L
ХГ8 Ю'7 р,ммрт.ст.
Ю~7 р,ммpm.cm.
в)
преимущественной ориентацией {110} при Т, равной
1О'в
N
1890 (/), 2050 (2)
при Т = 1200 К:
и
1
г)
2175 U>
— выдержка в течение 24 ч при
К;
(е); 2 — средняя работа выхода поликрнсталлической поверхности вольфрама
Рис. 267. Зависимость работы вы-
хода от времени экспонирования
граней {100} (/) и {110} (2) моно-
кристалла вольфрама в молеку-
лярном пучке кислорода постоян-
ной интенсивности при Т-щ —
=300 К [340].
Рис. 268. Зависимость работы вы-
хода от температуры для адсорб-
ционной системы {100} W — О, прн
PQjt равном 5 • 10—9(/)1 Ю—7	(2),
9 • 10“~7 (3) и 2 • 10“5 (4) мм рт
ст. [60].
1600	2200
270
Адсорбционные системы
Рнс. 269. Зависимость работы
выхода при АЭ от времени на-
пыления атомов цезия на чи-
стые и покрытые кислородом
грани монокристалла вольфра-
ма [i486]:
а — грань {011}; б — грань
{111}, е — грань {112}; г —
грань {001}, д — окрестности
грани {001}; 1 — система W —
Cs прн Т = 300 К; 2 — система
W — О, Cs при 7 = 300 К;
3 — система W — О, Cs при
7 = 750 К.
Рис 270. Влияние цезия на эмис-
сионные свойства чистой и окис-
ленной поверхностей монокристал-
ла вольфрама:
а — изменение работы выход при
ФЭ в процессе напыления атомов
цезия на чистую и окисленную по-
верхности грани {100} W [1071];
I — чистая поверхность; 2 — экс,'
позиция в кислороде Tq — 2L;
3 тО1 = 3L;
б, в — зависимость работы выхода
от степени покрытия поверхности
цезием ©Qs1 моиослоев, в системе
{112} W — О. Cs (б) и кислоро-
дом 0Q, моиослоев, в системе {112}
W — Cs, О (в) [1667]: б — eCs
равно 0 (7) ,0,5 (2) и 1.5 (3); в — ©q
равно 0,3 (?) и 0,5(2).
Рис. 271. Эмиссионные свойства системы
{110} W — О. La [119]:
а — зависимость работы выхода от степени
покрытия в процессе адсорбции лантана на
чистой (?) и покрытой различными дозами ки-
слорода (2, 3) гранях при 7\у = 300 К;
б — изотермы десорбции лантаиа с чистой (?)
и покрытой кислородом (2, 3) граней моно-
кристалла вольфрама прн Т, равной 1000
(/), 1180 (//), 1360 (///), 1450 (/У), 1500 (V),
1560 (У/), 1600 (У//). 1700 (У///) н 1780
(IX) К- Начальное покрытие поверхности
лантаном ©j d » 2
Измерено методом КРП.
Рнс. 272. Зависимость работы выхода от
поверхностной концентрации атомов нат-
рия на различных гранях монокристалла
вольфрама:
а — грань {011} Измерено методом КРП
при температуре кристалла 77 (/), 300 (2),
77 с предварительным прогревом прн Т =
=-- 300 К (3) К [563];
б — грани {НО} (/), {112} (2), {100} (3),
{111} (4) [416]:
в— грань {112}. Измерено методом КРП
при температуре кристалла 77 (/), 300 (2),
400 (3) К 1565].
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
271
Рис. 273. Зависимость равновес-
ной работы выхода от температуры
кристалла при потоке атомов на-
трия иа грань {112} W 1,35 • 10**
(/) и 1,35 - I0»1 (2) см—2 • с—1
1565].
Рис. 275. Влияние кислорода на эмиссионные свойства системы {112} W — Na:
a — система {112} W — Na, О, (10671: 1 — напыление на вольфрам 0,5 монослоя на-
трия. затем 0,5 монослоя кислорода; 2 — напыление на вольфрам 0,5 монослоя кислорода,
затем 0,5 монослоя натрия. Измерено методом ЛЭ;
б — система {112} W — Na, О 1Ю681 Эталон — грань {! 12} W при 6jsja, равном 0,25 (/),
0,5 (2) и 0,8 (5). Измерено методом КРП
Рис. 274. Зависимость работы вы-
хода от степени покрытия поверх-
ности натрием в системах {112}
W — О, Na (/) и {112} W — Na
(2) [1070].
Рис. 275. Изменение работы
выхода при АЭ в процессе
адсорбции алюминия на гра-
нях {001} (/) и {111} (2)
монокристалла вольфрама
[1578].
Рис. 277. Изменение работы
выхода прн АЭ в процессе
адсорбции атомов кремния
на гранях {111} (/), {100} (2),
{112} (3). |116} (4), {113} (5>
н {110} (&) монокристалла
вольфрама [1437].
Рнс. 278 Зависимость ра-
боты выхода при ЛЭ от
времени напыления атомов
кремния на грань {011} W
11811: 1 — чистая грань.
2—6 — грань покрыта слоем
бария различной концентра-
ции; a — изменение работы
выхода грани {011} W при
адсорбции атомо бария.
Цифрами показаны точки, в
которых снимал иск. кривые
1—6
Рис. 279. Зависи-
мость работы выхода
при ЛЭ от времени
адсорбции атомов
кремния на гранях
{011} (а), {111} (б),
{121}	(в) монокри-
сталла вольфрама
при температуре под-
ложки 300 (/), 500
(2), 750 (3) и 1050 (4)
К [182].
Рис. 280. Эмиссионные свойства системы {100} W — Si [861:
a — зависимость работы выхода от времени конденсации атомов кремния
при равной 298 (1) и 613 (2) К;
б — зависимость работы выхода от температуры отжига пленок кремния,
сконденсированных на грани {100} W прн Т\у, равной 298 (/) и 613 (2) К-
Измерено методом КРП при Р — (3 — 5) • 10 Ю мм рт. ст.
272
Адсорбционные системы
Рис. 281. Эмиссионные свойства системы {ПО}
W — S1 [84 J.
а — зависимость работы выхода от степени покры-
тия поверхности 6, мопослоеп, кремнием прн Г =
=298 К.
б — зависимость работы выхода от температуры от-
жига пленок кремния при начальной степени по-
крытия поверхности грани в. мопослоеп, 0,15 (/)*
0,25 (2), 0,35 (3). 0.40 (4), 1.0 (5), —3.00 (6) и ~5.00 (7).
Измерено методом КРП.
Рис. 282. Зависимость работы выхода прн АЭ от
степени покрытия поверхности в, монослоев,
при совместной адсорбции атомов бария и крем-
ния на грани {121} W [184]:
а — система {121} W — Si, Ва при фиксиро-
ванной степени покрытия поверхности кремнием
0 (/). 0.2 (2), 0.5 (3):
б — система {121} W — Ва, Si при фиксиро-
ванной степени покрытия поверхности барием
0 (/). 0,15 (2), 0,25 (3) и 1 (4).
Рис. 283. Изменение во времени работы выхода прн АЭ в процессе
адсорбции атомов хлора на гранях {110} (а) и {211} (б) монокристалла
вольфрама (1320J:
а —	= 2 . ю 9 мм рт. ст.; б — равно 5 • 10 9 (/), 10 ®
(2), 10—9 (3), 6 • 10—9 (4) и 4 • 10—9 (5) мм рт. ст.
Рис. 284. Зависимость работы вы-
хода от поверхностной концентра-
ции молекул хлора ца гранях мо-
нокристалла вольфрама [1413]:
1 — поликристаллический воль-
фрам; 2 — грань {10ЭД; 3 — грань
{110}; 4	{111}.
Ряс. 285. Зависимость работы выхода при АЭ от концентрации атомов калия на гра-
нях монокристалла вольфрама [982]: а — грань {001}. б — грань {110}; в — грань
{111}; г — грани {112} (о) н {121} (•).
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
273
Рис. 286. Зависимость работы выхода от
концентрации атомов калия на грани {100}
W во данным [847] (измерено методом ПИ)
(а) и [1180] (б).
Рис.
хода
ЛИЯ
от
____ на
W [566].
287. Зависимость работы вы*
концентрации атомов ка-
поверхности граны {11.2}
Измерено
методом
Рис. 288. Зависимость
работы выхода от кон-
центрации атомов скан-
дия на поверхности гра-
ней монокристалла воль-
фрама [486]: /,	/' —
— грань {100}; 3, 3' —
грань {*111}. Кривые 1—3 сняты на чистом
вольфраме, Г—3' — при совместной адсорб-
молскулярным кислородом.
грань {ПО}; 2, 2'
ции
с
Дт___________।________।---------1
3	30	60 tjfUH
Рис. 290. Эмиссионные свойства системы {011} W — Fe [146]:
а — изменение во времени работы выхода прн равной 300
(/) и 77 (2) К. Стрелками а—в показано увеличение значения <р
при отжиге пленок железа: а — при Т — 300 К в течение 3 мин;
б, в — при Т— 800 К в течение 15 с;
б — зависимость равновесной работы выхода от температуры
в потоке атомов железа 1,2 • 1011 см 2- с ’ при повышении
(/) и понижении (2) температуры.
Измерено методом КРП.
Рис. 289. Изменение работы выхода при АЭ в процессе напыле-
ния атомов титана на поверхность различных граней монокрис-
талла вольфрама:
а — грань {001}, температура напыления Т = 860 К, поток ато-
мов титана ~101я см мин [2008];
б — грани {111} (/) и {021} (2) [160].
Рис. 291. Зависимость работы
выхода при АЭ от степени по-
крытия 0, монослоев, никелем
поверхности термически очи-
щенного монокристалла воль-
фрама [1409].
Рис. 292. Зависимость работы выхода при АЭ от степени по-
крытия 6, монослоев, медью поверхности граней монокристалла
вольфрама [2057];
а — грань {110} при Т, равной 78 (/) и 350 (2) К:
б — грань {111} прн Г, равной 500 (/) и 700 (2) К;
в — грань {211} при Т, равной 600 (/) и 700 (2) К;
г — грань {310} при Т, равной 550 (/) и 650 (2) К.
18 ’590
274
Адсорбционные системы

4,5
47
х 4Д
9 I
41
$?33
5.0
4,0
40 9
4/
4^
47
4,5 ~
0
Т,К
200	400 600
10	15 t,MUH
Рис. 294. Зависимость ра-
боты выхода от степени по-
крытия германием 0, моно-
4,5
слоев, поверхности грани
{100} W [84] Измерено ме-
тодом КРП при 7w = 298 К.
?зВ
49
Рис. 293. Изменение
атомов меди
эмиссионных свойств системы при адсорбции
___ .	.. на гранях монокристалла вольфрама-
а — зависимость средней работы выхода от степени покрытия 0, моно
слоев, поверхности грани {100} W («толстые» покрытия) [1063],
б — зависимость средней работы выхода от степени покрытия 0, мо-
нослоев, поверхности грани {100} W («тонкие» покрытия) [1063];
в — изменение работы выхода системы {100} W — Си прн Т-щ, рав
ной 600 (/) и 700 (2) К L1063];
з — зависимость работы выхода от температуры для монослойных
медных покрытий на гранях {100} (7) я {111} (2) монокристалла воль-
фрама при — 78 К [1063],
д — зависимость работы выхода от времени напыления атомов меди на
поверхность граней {100} (7), {110} (2), {111} (3) и {211} (4) монокри-
сталла вольфрама [1695].
Измерено методом АЭ.
о 0,5 w 1,5 8 О 10	8
Рис. 295. Зависимость работы выхода
при АЭ от степени покрытия селеном ©,
монослоев, поверхности грани {100} W
[1089].
Рис 296. Зависимость работы выхода от
концентрации молекул брома на поверх-
ности граней {100} (7), {110} (2), {111} (5)
монокристалла вольфрама [1413].
Рис. 298 Зависимость работы выхода от
концентрации атомов стронция на поверх-
ности грани {011} W [387]. 1 — Тт^ = 5 К
(система отожжена при Т = 300—400 К);
2 — Tw - 290 К, 3 — Tw = 5 К (без
отжига).
Рис. 299 Зависимость работы выхода от
степени покрытия стронцием 0, мопослоев,
поверхности грани {100} W [1278] кри-
вая — теоретический расчет, точки —
экспериментальные данные [1597].
40
3,0
№
40
степени покрытия рубидием
W [1296]	7 — эксперимен-
Рис. 297 Зависимость работы выхода от
0, монослоев, поверхности грани {100}
тальные данные (метод ФЭ), 2 — теоретический расчет на основе мо-
дели [1274]
5,0
oj
J_______L__	____i-.-I-
6 n,10~14CMz О 0,4
Рис 300 Эмиссионные свойства системы {ИО}
W — Sr [4 17]*
а — зависимость работы выхода от степени покрытия
©, монослоев, поверхности 1 — измерено методом
КРП при Т, равной 77 и 300 К; 2 — измерено мето-
дом АЭ,
б — зависимость динамически равновесной работы
выхода от температуры кристалла для грани {110} W
в потоке атомов стронция
Рис. 301. Зависимость работы выхода от концентра-
ции атомов стронция на поверхности грани {112} W
[570]. Измерено методом КРП.
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
275
Рис. 302. Изменение работы выхода при адсорбции атомов иттрия на гранях монокристалла вольфрама.
a—a" — зависимость работы выхода от концентрации атомов иттрия на различных гранях кристалла: a — данные [169] для
граней {111} (у), {100} (2), {112} (3) и {110} (4), а' — данные [481] для граней {110} (7 и 4), {100} (2 и 5), {111} (3 и 6) Кривые 4, 5
и 6 сняты при совместной адсорбции с кислородом; а" — данные [169] для системы {110} W — Y при	равной 77 (7), 300 (2)
700 (3) и 900 (4) К,	,	.
б — температурная зависимость работы выхода для системы {110} W — Y [169]. Поток атомов иттрия 9 • 101’ см 2 с
Рис 303. Эмиссионные свойства системы
{011} W — Ag [146]:
а — зависимость работы выхода от вре
мени адсорбции серебра при Tyj, равнои
300 (7) н 77 (2) К Стрелкой показано уве-
личение значения ср при отжиге пленки се-
ребра в течение 1 мин при Т = 300 К;
б — зависимость равновесной работы вы-
хода от температуры при потоке атомов
серебра 7.5 • 101а см—• с—L
Рис 304. Изменение работы выхода во
времени при адсорбции атомов серебра на
гранях {111} (7), {100} (2) и {110} (3) моно-
кристалла вольфрама [1455]. Измерено
методом КРП.
Рис. 305. Изменение эмиссионных свойств при адсорбции атомов сурьмы на
поверхности граней монокристалла вольфрама
а — зависимость работы выхода от времени напыления сурьмы на грань {100}
W при комнатной температуре (/) и при Т= 423 К (2) [219],
б зависимость работы выхода при АЭ от поверхностной концентрации сурьмы
на грани {110} W [218].
Рис. 306. Зависимость ра-
боты выхода при АЭ от сте-
пени покрытия 0, моносло-
ев, теллуром поверхности
граней {111} (1), {100} (2),
{112} (3), {110} (4) монокри-
сталла вольфрама [2104].

Рис. 307. Зависимость ра-
боты выхода от концентра-
ции молекул иода на по-
верхности вольфрама [1413]
1 — поликристаллический
вольфрам, 2 — грань {100};
3 — грань {НО}, 4 — грань
{111} монокристалла
Рис. 308. Зависимость работы выхода от
концентрации атомов цезия на грани {011}
W 1 — система {011}W — Cs [610, 1176],
2 — система {011} W — Pt, Cs [610].
18*
276
Адсорбционные системы
Р ис. 309. Зависимость Работы выхода от концентрации атомов цезия на поверхности различных граней монокристалла вольфрама:
а — данные 118161 для граней {110} (/), {100} (2), {211} (3), {111} (4), {115} (5) и {103} (6). Измерено методом АЭ;
б — данные 1145] для граней {100} (/). {ПО} (2), {111} (3) и {112} (4). Измерено методом КРП При Tyj == 77 К;
в — данные [1180] для системы {100JW — Cs;
г — данные [170] для системы {100} W — Cs. Измерено методом КРП;
д — данные [568] для системы {111} W — Cs- Измерено методом КРП.
Рнс. 310. Зависимость работы выхода при
АЭ от степени покрытия цезием 0, моносло-
ев. поверхности граней {110} (/), {100} (2),
{211} (5), {111} (4), {115} (5) и {103} (6)
монокристалла вольфрама [ 18161.
Рис. 312. Расчетная зависимость работы
выхода системы W — Cs, Ва от степени
покрытия атомами цезия 0, моиослоев,
поверхности различных граней монокри-
сталла вольфрама пру различных на-
чальных степенях покрытия атомами ба-
рия 0Ва [57]:
а — грань {110}. Поверхностные плот-
ности адсорбированных атомов бария и
цезия прн монослойном покрытии приняты
равными 5,6 -10й и 5,5 • 101* см—2
Рис. 311. Зависимость
работы выхода от вре-
мени напыленю атомов
цезия на поверхность
грани {100} W [1070].
соответственно, 0Ва равна 0 (/), 0,1 (2),
,	ими гг	к	0,2(3),0,32(4),
о — грань {100}. Поверхностные плотности адсорбированных атомов барня н цезия при монослойном
покрытии приняты равными 5,2 . 10й и 4,8 • 10й см~2 соответственно, 0Ва равна 0 (/), 0,21 (2), 0,53
(3). 0,86 (4).
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
277
бария на различных гранях монокристалла!
поверхностной концентрации атомов
вольфрама:
a — грань {011} [11771: I — при = 77 К; 2 — при Г^, равной 77 (с отжигом системы) и 300 К;
6 — I — грань {100} [145, 8041; 2 — грань {110} [145, 5621; 3 — грань {111} [145]; 4 — грань {112} [145];
а — грань {110} [221]: 1 — общий вид зависимости прн Тщ = 77 К; 2 — начальная часть этой кривой (координаты указаны сверху
и справа); 3 — общий внд зависимости при 7\у = 300 К;
г — грань {113} [174]: / — экспериментальные данные (метод КРП); 2 — теоретический расчет;
д — грань {112} [564]. Измерено методом КРП прн Т^, равной: 1 — 77, 2 — 300; 3 — 900 К.
Рис. 314. Зависимость работы выхода при АЭ от степени покрытия барием А, монослоев, поверхности
граней монокристалла вольфрама [1793]:
a — равновесное покрытие на гранях {НО} (/) и {221} (2),
б — равновесное покрытие на гранях {100} (/) н {111} (2);
в— равновесное (/) и неравновесное (2) покрытия на грани {211}.
Рис. 315. Зависимость
работы выхода от степе-
ни покрытия барием О*
монослоев, поверхности
грани {110} W [222].
Измерено методом КРП.
Рнс. 316. Зависимость работы выхода от
температуры кристалла при адсорбции ато-
мов бария на гранях монокристалла воль-
фрама:
a — грань {100} [804]: 1 — измерено при
понижении температуры: 2 — ."измерено
при повышении температуры. Поток ато-
мов бария 1,2 • 10'2 см с 1;
б—б"'— грань {110} [868]. Грань прогре-
та при Т = 900 К в течение 2 (/), 4 (2), 6
(3) мин. Степень покрытия поверхности ба-
рием 0ва равна 0,5 (б), 0,8 (б*), 1,5 (б"Ь 2
(б"’), монослоев;
в — грань {112} [5641. Приведены значе-
ния равновесной работы выхода прн по-
токе атомов бария 101*	(/) н 1,15 • 10й
(2)	см~2- с"-1.
278
Адсорбционные системы
Рнс. 317. Зависимость работы выхода от времени напыле-
ния барня на поверхность граней {100} (а) н {110} (б) моно-
кристалла вольфрама [438]. Измерено методом КРП прн раз-
личных температурах кристалла и давлении паров барня.
соответствующем 7ga ™ 300 К-’
а — оптимальная концентрация атомов барня на поверхно-
сти грани {100} 5 • 10** см 2; температура кристалла:
1	— 300; 2 — 500; 3 — 700; 4 — 1000; 5— 1200 К:
б — оптимальная концентрация атомов бария на поверхно-
сти грани {110} 4,6 • 10“ см 2; температура кристалла:
1 — 300. 2 — 600; 3 —900; 4 — 1000; 5 — 1200 К.
Поток атомов барня 1,7-1011 см-2 • с—
Рис. 318. Изменение эмиссионных
свойств прн адсорбции атомов барня
и цезия на поверхности граней моно-
кристалла вольфрама [438]:
а — зависимость работы выхода от
поверхностной концентрации атомов
бария и цезия на грани {100}. Концен-
трация атомов бария (в единицах
10“ см—2) составила 0 (/), 2 (2), 5(3),
8 (4). 12 (5). Ba-покрытие отожжено
при Т, равной 750 (2), 1100 (5), 730
(4 и 5) К:
б — зависимость работы выхода от по-
верхностной концентрации атомов ба-
рня и цезия на грани {110}. Концен-
трация атомов бария (в единицах
10“ см ) составила 0 (/), 0,75	(2);
2	(3), 3.2 (4), 4,7 (5), 30 (б);
в — температурная зависимость работы
Поток атомов цезия 3 в'кря’см-”2-с*“"1.
цах 10“ см-2
выхода для системы {110} W — Ва, Cs.
Концентрация атомов бария (в еднни-
) составила 0 (/), 0,75 (2), 2 (3), 3,2 (4), 4,7 (5), 30 (6).
Рис. 319 Эмиссионные свойства системы {100}
W — La:
а. а' — зависимость работы выхода от концен-
трации атомов лантана на поверхности грани:
а — измерено методом КРП при Tw = 1200 К
[230]; а' — измерено методом КРП прн 7у/_
равной 300 (/), 650 (2), 900(3), 1200 (4). 1350 (5)К
[231];
б — зависимость равновесной работы выхода
грани {100} монокристалла от температуры при
потоке атомов лвнтана на поверхность 8,3 • 10“
(/). 8,3 - 1О‘° (2), 5,8 - 10“ (3) см—2 . с—1 [231].
Рис. 32 0. Зависимость работы выхода от
концентрации атомов лантана на поверх-
ности грани {112} W Измерено методом
КРП: а — по данным Г151 ]; б — по дан-
ным [223].
Рнс. 321. Зависимость работы выхода при АЭ от
степени покрытия неодимом (а) и иттербием (б)
0, моиослоев, поверхности граней монокристалла
вольфрама [3661: 1 — усреднено по острию; 2 —
грань {001}; 3 — грань {111}.
Рнс. 322. Эмиссионные свой-
ства системы {100} W — Nd
[87]:
а — зависимость работы вы-
хода от времени напыления
и концентрации атомов не-
одима на грани;
б — зависимость работы
выход а от температуры от
жига Nd-пленок.
Измерено методом КРП*
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
279
Рнс. 323. Зависимость работы выхода при АЭ
от степени покрытия (->, монослоев, золотом
различных граней монокристалла вольфрама:
а) по данным [1410]: а — усреднено по
острию (/), грань {100} (2), грань {310} (3),
грань {211} (4): б — грань {211}, равна
380 (.') п 580 (2) К: • — усреднено по острию
(Ji. грань {110} (2);
б) по данным [2102]: а — грань {100} при
= 605 К: б — грань {211} при Туу, рав-
ной 78 (/), 205 (2) я 540 (3) К; в — грань {110}
при 7\у, равной 78 (/), 160 (2) и 420 (3) К.
-1----1___I—£_J_____I____
W 200 J00 400 500
Рис. 324. Зависимость
работы выхода от темпе-
ратуры при адсорбции
атомов золота на гранях
{123} (/) и {110} (2—4)
монокристалла вольфра-
ма в процессе нагрева
кристалла в течение 6 с
[2102]. Степень покрытия
поверхности золотом
в равна 0,5 (/ и 2)#
1 (3) и 1,3 (4) монослоев.
Рис. 326. Зависимость работы выхода при АЭ от степени покрытия в, монослоев
атомами свинца поверхности граней {111} (а) и {112} (б) монокристалла вольфрама
при Ту/ = 80 К[э75].
Рис. 325. Зависимость работы выхода от
концентрации атомов свинца на поверхно-
сти различных граней монокристалла воль-
фрама:
а, а' — грань {100} по данным 1220] (а) и
[1411] (а'). Измерено методом АЭ при Ту/.
равной 463 (/) и 843 (2) К:
б— грань {110} (1411 ]. Измерено методом
АЭ при Ту/, равной 78 (/), 290 (2), 370
(3)’, 424 (4) и 658 (5) К:
в — грань {211} [1411]. Измерено методом
АЭ при Ty/f равной 526 (/) и 730 (2) К.
Рио. 327. Зависимость работы выхода прн АЭ от времени
напыления атомов висмута на монокристаллическое
W-острие [185].
Рнс. 328. Изменение эмиссионных свойств при адсорбции атомов тория
на поверхности различных граней монокристалла вольфрама:
а — зависимость работы выхода от степени покрытия 0, монослоев, и
концентрации атомов тория, адсорбированных на граня {011} W Изме-
рено методом КРП прн температуре отжига адсорбированных пленок 78
(/), 600 (2) и 1200 (3) К [611]:
б —» зависимость работы выхода прн ТЭ от концентрации атомов тория на
гранях {100} (/) и {411} (2)11169].
280
Адсорбционные системы
Ряс. 329. Изменение работы выхода в
процессе адсорбции остаточных газов
на гранях монокривталла вольфрама.
Измерено методом КРП прн Р = Б х
X 10 Ю мм рт. ст. для граней {100} (/),
{110} (2) и {111} (3) [1455].
Рис. 330. Изменение работы выхода
при АЭ в процессе экспонирования
ориентированного Re-острия (грань
(0001)) в потоке молекул азота. TRe —
= 80 К* Ги, = 300 К (15361
Рис. 331. Эмиссионные свойства
системы (1010) Re— К [2111]:
а — зависимость'работы выхода от
концентрации атомов калия на по-
верхности при TRe, равной 245 (/)
и 300 (2) К:
б — зависимость равновесной ра-
боты выхода системы от темпера-
туры кристалла.
Измерено методом КРП; поток ато-
мов калия на поверхность состав-
ляет 1,2 • 10” см с 1.
Рис. 332. Зависимость работы вы-
хода от времени напыления ато-
мов церия на грань (0001) Re при
равной 1060 и 1240 (/), 1400
(2) н 1460 (3) К [368].
Рис. 333. Изменение работы выхода при АЭ в процессе
адсорбции атомов золота на гранях монокристалла рения
[2051]:
а)	грань (1010): а —• зависимость работы выхода от степени
покрытия поверхности грани 0, монослоев, прн Тди= 400 К;
б — зависимость работы выхода от степени покрытия
поверхности грани 0, монослоев, при TRe, равной 670 (/),
730 (2) и 940 (3) К;
б)	зависимость работы выхода от степени покрытия по-
верхности грани (1011) О, монослоев, прн TRe< равной 550
_	(/), 625 и 700 (2) и 850 (3) К;
в)	грань (1120): а, а* — зависимость работы выхода от сте-
пени покрытия поверхности грани 0. монослоев, прн Tr^
равной 78 (/). 350 (2), 375 < Г < 410(5), 410 (4), 425 (5), 440
(5), 475 (7) К; б — зависимость работы выхода от темпера-
туры при 0Аи. равной 0.25 (/)# 0.5 (2)# 0,75 (3), 1.0 (4);
г)	грань (1122): а —зависимость работы >ыхода от степени
покрытия 0, монослоев, поверхности золотом при малых
значениях 0: б — зависимость работы выхода от степени
покрытия 0. монослоев, поверхности золотом для «толстых»
покрытий прн 420 (/), 750 (2) и 850 (3) К) в — зависимость
работы выхода от температуры при монослойном покрытии
(©Au = 1): г — зависимость работы выхода от температуры
для «толстого» покрытия (0Дц — 5).
Рнс. 334. Зависимость работы выхода от вре-
мени напыления атомов углерода на поверхность
грани {111} 1г:
а — по данным [327 ]. Измерено методом ПИ
атомов цезия по ионному (/) и электронному (2)
току, зависимость получена в результате обра-
ботки кривых задержки ионов Cs“b 13);
б — по данным [328, 329]. Измерено методом ПИ
атомов висмута (/) и методом ТЭ (2).
1г [333]: I — система
Рис. 335. Зависимость работы выхода от концентрации атомов углерода и бария на поверхности грани {111}
{111} 1г—С, Ва (газ): 2 — система {111} 1г—Ва. Измерено методом ПИ атомов цезия.
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (простое вещество)
281
Рис. 336. Эмиссионные свойств системы
{111} 1г — Ва:
А — зависимость работы выхода при ТЭ от
концентрации атомов барня при Т <
< 800 К [332];
б — зависимость работы выхода от вре-
мени нанесения барня на поверхность по-
током постоянной плотности [331]. Изме-
рено методом ПИ при Tjr> равной 1625
(/), 1535 (2) и 940—770 (3) К-
Рис. 337. Зависимость работы выхода от
концентрации атомов хрома на поверх-
ности грани fill} 1г (а) и ориентирован-
ной пленки {111} Au (б) [1897].
Рис. 338. Зависимость работы выхода от
времени напыления атомов РЗМ на по-
верхность {111} монокристаллической
1г-леиты [369 ]:
a — система {111} Ir—La при Т^г, рапной
1265 и 1310 (/). 1415 (2). 1510 (3) К. Изме-
рено методом ТЭ;
б — система {111} 1г—La. Измерено при
Т — 1830 К методами ТЭ (О) и ПИ атомов
иттербия (ф);
в — система {111} 1г—Yb при Т|г, равной
1025 и 1085 (/), 1225 (2). 1310 (3> К. Изме-
рено методом ТЭ;
г — система {111} Ir —Yb, О». Измерено
методом ТЭ при Pq (мм рт. ст.) и Т|г (К),
равных соответственно 2 • 10 6 и 1625 (/>.
8 • 10—6 и 1625 (2), 8 • 10—6 и 1540 (3),
2 -10—б и 1625 (4). Кривая 4 снята при работающем источнике иттербия н напуске кислорода до указанного давления;
д—д” — влияние давления кислорода PQt на временную зависимость работы выхода прн ТЭ для системы {111} Ir—Yb при раз-
личных температурах адсорбента: д —• PQt = 7 • 10 ? мм рт. ст.; 7*jr равна 1490 (/), 1415 (2), 1310 (3)» 1225 (4) и 1160 (5) К- Кри-
вые 4 и 5 сняты без напуска кислорода; д' — pqs = 3 • 10 мм рт. ст.; 7"jr равна 1490 (/),< 1540 (2), 1595 (3), 1660 (4) и 1705 (5)
К; д" pq8 — 8 • 10-мм рт. ст.; Т|г равна 1595 (/), 1660 (2), 1705 (3), 1750 (4) и 1775 (5) К.
Рис. 339. Зависимость работы выхода от тем-
пературы кристалла при адсорбции молекул
кислорода на поверхностях предварительно
нагретых в течение 60 с граней монокристалла
платины [15261:
a — грань {100}:
б — грань {111}. Измерено при Tpt = 20K
после повторной адсорбции слоя О», пред-
варительно прогретого при Т — 400 К: I —
начальный слой О2; 2 — повторная адсорбция.
ионов цезия на поверхность
грани {111} GaP [1113]. Изме-
рено методом КРП.
Рис. 341. Зависимость работы выхода от сте-
пени покрытия поверхности 0, монослоев,
грани {110} GaAs атомами цезия (/) и натрия
(2) [586 ]. Адсорбент — монокристалл с про-
водимостью р-тнпа, легированный цинком до
концентрации 3 • 101* см 3. Измерено ме-
тодом ПИ.
$ЭВ
W
о о
441	।
Ю'6
О о °
—1_____1_____I
КГ7 р,ммртст
Рие. 342. Зависимость работы выхода прн ФЭ от парциального
давления кислорода на поверхности грани {100} сплава Fe—Si
(атомная доля кремния 5,59%) [1915]. Измерено прн комнатной
температуре после выдержки при каждом значении давления кис-
лорода в течение 3 мин.
282
Адсорбционные системы
СИСТЕМА АДСОРБЕНТ (ПОЛИКРИСТАЛЛ) —
АДСОРБАТ (ХИМИЧЕСКОЕ СОЕДИНЕНИЕ)
Адсорбент —
адсорбат
ф. эВ	А, А • см*~2 X х К-2	Темпера- турный интервал измерений,К	Метод опре- деле- ния <р	Примечания	Лите- рату- ра
ПРОСТЫЕ АДСОРБЕНТЫ
С—Ва, ВаО	1,99	—	—	ТЭ	Активировано нагревом в интервале тем- ператур 1073—1173 К	[532]
А1—А12О3	1,2		—	ФЭ	—	[1580]
	1,6			КРП	Слои А18О3 термически выращены на гра- нице с алюминием (алюминий прогрет на воздухе или в среде кислорода при Т=723 К в течение 40 ч)	[1271]
	1,64	—			КРП	Пленка оксида толщиной 45 нм получена окислением алюминия в кислородной плаз-	[1308]
					ме	
	<3,9±0,2		—	ТЭ ТЭ	Толщина пленки оксида 1 Метод прямой составляет 200 нм	/ Ричардсона	[1066]
	4,3±0,l	—			То же 3 нм	
Al—А12О8, Al				АЭ	Пленочный катод типа «сэндвич». Тол- щина слоев: А12О3 — 7,5, наружного слоя А1 — 10 нм. Плотность тока эмиссии с катода / £— 10“4 А*см~2	[1080]
Al—А12О8, Me				АЭ	Такой же катод. Толщина слоев: А12О3 —	[Н81]
					6,0, Me 30—40 нм (Me—Al; Cr; Ti). / « —г 10—2 A • cm~2	
Al—A12O3, Ag	3,8		—	ТЭ	Такой же катод. Толщина слоев: Al —	[1580]
				ТЭ	— 100, А12О3 — 10, Ag — 50 им. Метод прямой Ричардсона	
						
Al—A12O3, Cs	l,4±0,l	—	—		Толщина пленки оксида составляет 3 нм.	[1066]
					Минимальная работа выхода при Tq. = — 343 К. Метод прямой Ричардсона	
						
Al- AlaOa, Ba	-1,4	—	—	КРП	Толщина пленки оксида около 100 нм. Минимальная работа выхода. Эталон —	[894]
					тантал	
Al—A1SO3, Pt				АЭ	Пленочный катод типа «сэндвич». Толщи- на слоев: А12О3 — 7,5, Pt — 10 нм. / =* Ю-^4 А • см-2	[1080]
Al—A12O8, Au		——	—	АЭ	Такой же катод. Толщина слоев: А1аО3 — 6,7—15, Au 20—30 нм. / = 1,6 . 10~5 АХ	[1418]
					X см“2	
			—	АЭ	Такой же катод. Толщина слоев: А12О8 — 6, Au 10 нм. / — 2 • 10~3 А • см-2	[Н81]
Al—Alo03, Au,	2,6	—	—	ФЭ	—	[521]
“Ba Al—BaO	1,80			ТЭ	Образец активирован	[531]
Al—CsF	2,9	^M.	—	ФЭ	Толщина пленки 2,5 нм ) .... Толщина пленки 2 нм ±£"“аЛЬ"аа Толщина пленки 7 нм J ₽ ®ота выхода	
Al—CsCl	3,2			ФЭ		[659]
Al—CsBr	3,7	MM.	—	ФЭ		
Al—CsI	3,71 3,5 J	—	—	ФЭ	Минимальная работа выхода	[1]
	3,5	—		ФЭ	То же. Толщина пленки 6 нм	[659]
Al—n-GaAs	0,73—0,74	-6—10	77—400	ТЭ	Измерено после облучения^ Диоды Шотт-	
					потоком быстрых нейтро- 1 ки> Метод нов 3,6 • 1014 см-’	| прямой Ри-	[1006]
	0,73—0,77	9,1—19,1	77—400	ТЭ	Измерено до облучения j чардсона	
Si—Ba, BaO	2,07	—	—	ТЭ	Система активирована прогревом в интер- вале температур 1073—1173 К	[532]
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (химическое соединение)
283
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Ф, эВ	A, A • cm 2 X X K“2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Лите- рату- ра
Ti—ВаО Сг—ВаО Fe—СО Fe—ВаО Со—СО Ni—С6Н6 Ni—С6Н8 Ni—СБН10 Ni—NHa Ni—SrO Ni—ВаО Ni—BaO, SrO Ni-сплав—BaO N {(марганцовис- тый) — BaO Ni—GaAs Ni—BaS Cu—BaO Ga—H2O Zr—BaO	1,58 1,54 1,7 1,72 4,4 -+ 1,8 4,84 ±0,02 1,61 1,83 5,04 ±0,01 (4,12—4,26) ± ±0,01 (4,15—4,35)± ±0,01 (4,16—4,30) ± ±0,01 (4,50—4,60) ± ±0,01 2,0 1,27 1,32 1,35 1,20 1,15 1,062—1,240 1,503—1,830 1,36 0,81 2,1 2,2 1,34 1,62 3,92 1,48 1,5	о p o о 00 II 1 1 1	1 1 Ц 881 1 1 I	1	1	1	1	III	1 1 1 1 1 1 j	296—463 296—463 296—463 0 0 0 0	ТЭ тэ ФЭ тэ ФЭ ФЭ тэ тэ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ КРП тэ тэ	То же Оптимальное покрытие Система активирована прогревом в интер- вале температур 1073—1173 К Работа выхода уменьшается по мере напы- ления оксида Адсорбент — поликристаллическая плен- ка металла, напыленная на подложку при Р = 10“9 мм рт. ст. Поток молекул газа составляет I022 см~2 Система активирована прогревом в интер- вале температур 1073—1173 К То же Адсорбент — поликристаллическая плен- ка металла, напыленная на подложку при Р= 10~9мм рт. ст. Поток молекул газа составляет 10м см-2 Значение ф системы зави- сит от равновесного дав- ления газа (Р = 3,70 X Адсорбент — X 102—0 мм рт. ст.) и тем- пленка метал- пер ату ры подложки	ла чистотой То же. Р = 2,35 • 102 — 99,99%. Ме- 0 мм рт. ст.	тод изотерми- ческих кри- То же. Р = 1,80-102—0 мм вых Фаулера рт. ст. Значение ф системы зависит от равновес- ного давления газа (Р = 10—2 — 10~3 мм рт. ст.). Адсорбент—металлическая пленка на кварце. Метод изотермических кривых Фаулера Толстая пленка (0 = 10—30). Минималь- ная работа выхода Толстая пленка (0 = 27). Минимальная работа выхода Система активирована прогревом в интер- вале температур 1073—1173 К То же Измерено после 1000 ч работы	Метод прямой Работа выхода зависит - Ричардсона от степени активирова- ния покрытия	1 Система активирована Диод Шоттки. Метод прямой Ричардсона Тот же метод » » » Система активирована » » Эталон — тантал Система активирована Толстая пленка (0 = 10—30). Минималь- ная работа выхода	[5311 [1337J [3971 [5311 (641) [1293] [5311 [13371 [1293] [2431 [2411 [1596] [1762] [13371 [531] [828] [53Ц [1284] [1255] [1256] [13371 [531] [627] [1337] [1596]
284
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Ф, эВ	A, A-cM X X K~2	Темпера- турный интервал измерений,К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания		Лите- рату- ра
Zr*—-ВаО	1,63	—				ТЭ	Система активирована		(531)
Мо—NH3	2,40		—	АЭ	7 Мо “ К ] Монослойное покрытие.		[2072}
	3,20	—	—	АЭ	Гдо = 300 К / Метод прямой	Фаулера —	
					Нордгейма		
Мо—СО	4,78	—w	—•	ФЭ	рСо = l^""5 мм Рт- ст-		[1077}
Мо—СаО Мо—SrO	2,1 I 1,15/		0 1	ТЭ	Толстая пленка (0 = 10—30)	. Минималь-	[1596]
	1,2—1,1		550—9001		ная работа выхода		
Мо—ВаО	1,0	—		ТЭ	То же (0 =г 8—9)		[1613]
	1,1 1,2—1,0		0 1 550—900/	ТЭ	То же (0 = 10—30)		[1596]
	1,22	—	0	ТЭ	Тонкая пленка на поверхности		[1367]
	1,39		—•	ТЭ	Система активирована		[531]
	1,40		——	тэ	» »		[1337]
	1,70		—	ФЭ	Толстая пленка (0	8—9). Минимальная		[1613]
	2,0—2,1			КРП	работа выхода		
		—	—		На поверхности имеется примесь бария		[1923]
	2,4	—	——	тэ	Усредненное по поверхности	значение ф	[120,
				тэ	для монослойного покрытия		121]
Мо—ThO2	2,9	1,0	1340—2040		Измерено на металлокерамических таблет- ках методом прямой Ричардсона		[2037]
							
Мо—CsF, Cs	1,38 ±0,05	—	—	тэ			[880]
Мо—MoSi2	3,86—3,91	—	—’	КРП	Толщина покрытия составляет 5— а		
	4,49—4,56	—	—	КРП	25 мкм	1 Система прогрета в интервале темпера- | тур 1600—2100 К в течение 8 ч	)		[1923]
Ru—СО	5,92 ±0,1	*—	——	ФЭ	Рсо ~ Ю"”4 мм Рт- ст- Адсорбент — R 11- пленки на подложках из кварца или пи-		[1014]
					рекса		
Pd-C6Hfl	(4,26—4,70) ± ±0,01	—	296—463	ФЭ	Значение ф системы зависит от равновесного давления га- за (Р = 4,55 • 102—0 мм рт.	Адсор- бент — пленка ме- талла чис- тотой	
					ст.) и температуры подлож-		
					ки 1	>99,99%.	[243]
Pd—C6H8	(4,06—4,20) ±	—*	296—463	ФЭ	То же. Р = 3,50 • 10а—0	Метод	
	±0,01				мм рт. ст.	изотер-	
Pd-GAo	(4,20—4,34) ±	—	296—463	ФЭ	То же. Р = 3,25 • 103—0	мических	
	±0,01 1,66				мм рт. ст.	кривых Фаулера	
Pd—Ba, BaO		—-	•отот	тэ	Система активирована прогревом в интер-		[532]
					вале 1073—1173 К		
Ag—N,0	(4,0I~>4,I9) ±	—	——	ФЭ	Адсорбент — гранулярная	серебряная	[878]
	±0,01				пленка		
Ag—A1A	1,8	—	—	ФЭ	—		[1580]
Ag—(Ag, Cs2O, Cs), Cs	0,89	—	——	тэ	Измерено на активированном фотокатоде методом прямой Ричардсона после несколь-		[933]
					ких циклов прогрева до Т	= 400 К и	
	0,6				охлаждения до комнатной температуры		[1045]
—Cs,CsaO,Cs		—	—	тэ	Сложный активированный фотокатод на		
	0,75				Ag-подложке. Метод прямой Ричардсона		[1458]
		9,8-Ю-12	373—443	тэ	То же		
	0,95	—-	—	ФЭ	Сложный активированный фотокатод на		[1045]
Ag—BaO					Ag-подложке		
	1,32	——	—от	тэ	Система активирована		[531]
Sn—GaAs	0,75	—	ота	тэ	Диод Шоттки. Метод прямой Ричардсона		[1648]
Ta—SrO	1,3		0	тэ	Толстая пленка = Ю—30), Минималь-		[1596]
					ная работа выхода		
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (химическое соединение)
285
Продолжение
Адсорбепт — адсорбат	Ф, эВ	A, A • cm 2 X X К”2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Лите- рату- ра
Ta-Y2O3 Та —ВаО Та—ThOa W-ThC W—СО W—NO W—SiO3 W—CaO W—SrO W—BaO W—BaO, UO2 W-WO3 W—ThO2 W-F, Ba, CsF	2,48 3,03 1,15 1,2 1,3—1,0 1,48 1,58 1,69 3,04 3,08 2,934-2,15x xio-4T 5,10 5,18 4,50-5,31 -4,9 2,11 1,0 4,49—5,14 1,1 1,2-1,0 1,34 1,36 1,9—2,0 2,03 2,23 2,39 2,56 9,22 1,5 1,6 2,4 2,5 2,5 2,5 1,15 1,15	_	сл 1 1 g Sb	5 1	1	[	1 1 1 1 1 HI 1 1	1 1	1 1 S 1 1 1 1 1 1	1 S	1400 0 600—900 1400 1750—2350 80 0 1570—1919 0 550—900 1100 1100 1100 1100 0 0 0 0	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ ФЭ тэ тэ тэ тэ КРП АЭ АЭ тэ пи тэ тэ тэ тэ КРП тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ АЭ АЭ	Метод прямой Ричардсона Система оп- Эффективная работа вы- тимально ак- хода	тивирована Толстая пленка (0 = 10—30). Минималь- ная работа выхода То же (0	8—9) То же (0 = 10—30) Система активирована » » Толстая пленка (0	8—9). Минимальная работа выхода Метод прямой Ричардсона ] Система оп- Эффективная работа вы- > тимально ак- хода	J тивирована Матрица из W-дендритов заполнена ThC— W-эвтектикой Мономолекул яр ное покрытие на травле- ном вольфраме То же. Эталон — поликристаллическнй вольфрам (<pw принята равной 4,71 эВ) Значение <р системы зависит от давления газа и времени экспонирования образца Измерено методом прямой Фаулера — Нордгейма для 0sjOj = 5—6 Толстая пленка (0 = 10—30). Минималь- ная работа выхода ПИ атомов стронция Толстая пленка (0 — 10—30). Мини- ] мальная работа выхода	> Система активирована » » На поверхности имеется примесь бария W-катод пропитан смесью оксидов ВаО, UOa-CgaQ — = 16,2%	Эффективная работа Такой же катод.	выхода зависит от СВаО = 16,5%	содержания ВаО Такой же катод.	(^ВаО* % п0 массе) СваО = 17,5% Такой же катод. ^ВаО = 1»5% Метод прямой Ричардсона >	»	» »	»	» Тот же метод. На поверхности имеется примесь бария Катод активирован кратко- Метод пря- временным нагревом до	мой Ричард- Т = 2880 К	сона Система активирована нагревом до Т = = 2150 К- Тот же метод Монослойное покрытие р _	9 Минимальная работа	„ г	рт. ст, выхода	, 1	[371] [1596] [1613] [1596] [1337] [531] [1613] [371] [1237] [1136] [283, 1136] [1777] [81] [1596] [932] [1596] [531] [1337] [1923] [1232] [767] [1582] [1583] [561] [1959] [1582] [626]
286
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	ф, эВ	А, А см X X K-2	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Лите- рату- ра
W—WSL Л W—CdS W—ThS W—BaAu6 Re—CO Re—Y2O3 Re—ThO2 Ir—ThO2 Pt—BeO Pt—B2O3 Pt—CO Pt—CO2 Pt—MgO Pt—A12O3 Pt—SiO, Pt—CaO Pt—Sc2O3 Pt—TiO2 Pt—Fe2O3 Pt—Co2O3 Pt—NiO Pt—CuO Pl—SrO Pt—Y2O3 Pt—ZrO2 Pi—Cs2CO3 Pt—Cs2CO3, Ag Pt—BaO Pt—BaO, SrO Pt—La2O3 Pt—CeO2 Pt—Gd,O3 Pt—ThO2	3,9—4,02 4,67—4,83 -5,1 3,4 3,3 5,62 2,41 3,09 2,21 2,99 6,2 1,88 3,94 4,51 5,6 -5,2 3,19 3,31 3,00 3,90 4,75 2,52 3,33 3,52 4,24 3,82 4,06 4,19 1,76 1,86 1,9 3,71 2,95 3,10 2,98 3,80 -1,05—1,15 -1,2 -2,0 -1,13 1,37 1,68 1,71 3,44 1,51—1,89 3,10 3,02 2,43 2,89	100 0,6 0,2 6.107 4,56-10—6 360 1 13,2) 1,1-Ю-5 1,02-Ю3 2,09-10“5 16,21 12,3 129] 249 13.5 1 2,04 J 1,16- 10-2l 2,17-Ю-2 9.1 -10-2 1,55-10-8/ 4,07 258 1 8,22-10-2 J 14,8 2,90- Ю-2 3,80 2,88 272 3,03 -Ю-21 8,62-10“2 1,65 -Ю-6| 1,54-10-4]	77 1400 1400 0 0 <475 450	КРП КРП АЭ ТЭ АЭ АЭ ТЭ ТЭ ТЭ ТЭ тэ тэ тэ ФЭ ФЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ ФЭ ФЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Толщина покрытия составляет 5— 25 мкм Система прогрета в интервале температур 2050—2120 К в течение 7 ч Толщина покрытия составляет около 3 нм Метод прямой Ричардсона Р = (1—2) • 10“9 мм рт. ст. Усредненное по острию значение <р, изме- ренное методом прямой Фаулера — Норд- гейма Метод прямой Ричардсона Система Эффективная работа выхода оптималь- Мстод прямой Ричардсона но активи- Эффективная работа выхода рована Метод прямой Ричардсона в	»	» »	в	» 0 = 0,4 ] Адсорбент — фольга чистотой 0^0,1/ 99,99% Метод прямой Ричардсона »	»	» в	в	» »	»	» в	»	» Метод прямой Ричардсона »	»	3» »	»	» Толстая пленка (0 = Ю—30). Минималь- ная работа выхода Метод прямой Ричардсона »	»	в »	в	» В	В	В Измерено после длительного прогрева подложки Измерено после прогрева в интервале температур 823—873 К Измерено после прогрева до Т — 673 К Серебро термически напылено при Т = — 400 К Система активирована Метод прямой Ричардсона Система активирована Метод прямой Ричардсона в	в	» »	»	»	[1923] (765] 11304] [344] [1380] [371] [1960] [1403] [1841] [1637, 1638] [1403] [1841] [1403] [1841] [1403] [1841] [1403] [1841] [1596] [1403] [1841] [1403] [1841] [1028] [1337] [1841] [531] [1403] [931] [1403]
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (химическое соединение)
287
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	ф, эВ	ь X* * s 1 1 X	Темпера- турный интервал измерений, К	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Лите- рату- ра
Pt—ThO2 Pt—BaS Au—BaO Au—BaF2 Au—n-GaAs Au—HCOOH	3,18 2,1 1,2 1,8 1,81 1,90 2,1 2,93 ±0,08 2,93 ±0,08 2,6 0,83-0,91 0,85—0,92 (4,26-^4,29) ± ±0,01	5,7-10"1 4,4-103 28—170 42—100	77—400 77—400	ТЭ тэ ФЭ ФЭ тэ тэ КРП КРП тэ ФЭ ФЭ тэ ФЭ	Метод прямой Ричардсона » » » Толщина покрытия на диспергированной пленке золота составляет 70—80 нм Оптимальное покрытие Система активировала » » Адсорбент — пленка золота толщиной 8 нм. Р = 2 • 10“9 мм рт. ст. Измерено после прогрева в интервале температур 700—750 К Толщина покрытия на диспергированной пленке составляет 70—80 нм Измерено после облучениях Диоды	1 потоком быстрых нейтро- Шоттки. Ме- нов интенсивностью 3,6 X тод прямой X Ю14 см-2	Ричардсона Измерено до облучения Значение <р изменяется в процессе адсорб- ции муравьиной кислоты на гранулиро- ванной пленке золота	[1841] [1256] [370] [397] [1337] [531] [400] [860] [862] [370] [1006] [878]
СЛОЖНЫЕ АДСОРБЕНТЫ
Борид
LaBe—ВаО I 2,27—2,07
ФЭ | Оптимальное покрытие
| [584]
Карбиды
В4С—Ва, ВаО	1,72 ч
TiC—Ва, ВаО	1,61
ZrC—Ва, ВаО	1,29
Мо2С—Ва, ВаО	1,57
W2C—Ва, ВаО	1,79
Система активирована прогревом в интер-
вале температур 1073—1173 К
Оксиды
ВеО—Ва, ВаО А12О3—Ва, ВаО SiO,—Ва, ВаО TiO2—Ва, ВаО Сг2О3—Ва, ВаО Fe2O3—Ва, ВаО Си2О—Ва, ВаО SnO2 • Sb2O3— 2н/	1,851 1,84 2,10 1,93 2,28 1,57 2,04 5,49 ±0	• ,02	—			ТЭ КРП	Система активирована прогревом в интер- вале температур 1073—1173 К Монослойное покрытие	[532] [938]
Та2О5—Ва, ВаО	1,82		—			тэ	Система активирована прогревом в интер- вале температур 1073—1173 К	[532]
W.O— ВаО	1,01 — 1,1		—	—-	ФЭ	Активировано	[767]
Wa6—Ва, ВаО	2,43		———	—— —	тэ	Система активирована прогревом в интер- вале температур 1073—1173 К	[532]
288
Адсорбционные системы
Продолжение
Адсорбент —
адсорбат
Темпера»
гуриый
интервал
измерений. К,
Метод
опре-
деле-
ния ф
Примечания
Лите-
рату-
ра
Силициды
TiSi2—Ва, ВаО
ZrSijj-Ba, ВаО
MoSis—Ва, ВаО
TaSi2—Ва, ВаО
WSi2—Ва, ВаО
1,95)
1,85
1,38
2,53—2,58
1,621
1,44]
2,5—2,58
ZnS—Pd, Cs2O	1,0—1,1
Хромоберил-
лиевая бронза —
Ва,ВаО
Нихром —Ва,
ВаО
Никельмолиб-
деновый сплав—
Ва, ВаО
Серебрянопал-
ладиевый
сплав — Ва, ВаО
Reo,8O Nbo,2O—
Н2О
Платинонике-
левый сплав —
ВаО, SrO
Платиноникеле-
вый сплав —
ВаО, IrO
Платиноиридие-
вый сплав —
СаО
Платиноиридие-
вый сплав —
SrO
Платиноиридие-
вый сплав —
ВаО
Платиноиридие-
вый сплав —
ВаО, SrO
Сплав золота с
палладием —
Ва, ВаО
1,70
1,49
1,52
1,32
9,4
1,00
1,37
1,00
1,77
1,77
1,27
1,27
1,0-1,1
Сплав золота с
платиной — Ва,
ВаО
1,03
1,03
1,91
2,2
1,77
1,60
1,65
1,75
ТЭ	Система активирована прогревом в интер- вале температур 1073—1173 К	[532]
КРП		[1923]
тэ	Система активирована прогревом в интер- вале температур 1073—1173 К	[532]
КРП	—	[1923]
Сульфид
АЭ	Тонкопленочный катод типа «сэндвич»: на пленку палладия толщиной 3—5 нм на- несены слои цезия, окисленные в процессе нанесения (6 = 2—3). Минимальная ра- бота выхода	[18773
Сплавы
—		-	тэ	Система активирована прогревом в ин- тервале температур 1073—1173 К				[532]
—			тэ	То же. Ag : Pd	= 1:1			
6- 10м		>2000	тэ	Метод прямой Ричардсона				[1770]
Ю”2			тэ	Тот же метод. Система активирована				[767, 828]
2,45				тэ	Тот же метод				[828]
—		—	ФЭ	Система активирована				[767]
10~4—10~2				тэ ФЭ	Метод прямой Ричардсона				
10-4—Ю-2			тэ	Метод прямой Ричардсона				
«  1				1 —		Система ак-		[767]
10 —ю~2 1						тивирована		
		—	тэ	Метод прямой Ричардсона				
10-3—10'2								
—		—	ФЭ	—				
-—-			тэ	Au : Pd = 9 : 1				
—		’—	тэ	Au : Pd = 4 : 1	Система активирована			
—			тэ	Au : Pd = 7 : 3	прогревом	в интервале		[532]
—		—	тэ	Au : Pd = 3 : 2	температур 1073—			
			тэ	Au : Pd = 1:1	1173 К			
			тэ	Au : Pt = 9 : 1				
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (химическое соединение)
289
Продолжение
Адсорбент — адсорбат	Ф, эВ	А, А-см-X X К~2	Темпера- турный интервал измерений, К 1	Метод опре- деле- ния ф	Примечания	Лите- рату- ра
Перилен — ТЦХД* Псрилен — ТЦХД, ттт**	4,80 ±0,1 5,50—5,60 5,75 <2,6		Органические	соедин ФЭ ФЭ ФЭ ФЭ	ения Стабилизированное	) состояние системы.	| 6 > 1 Измерено по ки-	Адсообент	_	по. нетическим энер-	Адсор ент	по гиям электронов	-^кристаллические Значение Ф полу- ЕЛ™ "*Р?ле"а л чено кубической	толи} ои	не	бо- аппроксимацией спектральной зави- А симости квантово- го выхода у поро- га эмиссии На систему перилен — ТЦХД напылено небольшое количество молекул (~3,85х X 1013 см”2) ТТТ	[19]
* ТЦХД — тетрацианхиподиметан.
•• ТТТ — тетратнотетрацеи.
Рис, 343. Зависимость
работы выхода системы
А1 — А1аО3 от концентра-
ции адсорбированных
атомов цезия 1955]. Тол-
щина слоя А12Оа 3 нм,
7"С5 = 420 К Измерено
методом КРП.
Рис. 345. Зависимость работы выхода
от толщины слоя S1O8 на поверхности
кремния [2105]. Оксид получен окисле-
нием кремния водяным паром при
Т = 1173 К. Измерено методом КРП.
Рис 344. Зависимость ра-
боты выхода при ФЭ от тол-
щины пленки галогенидов
цезия на поверхности ме-
таллов: 1 — система AI —
СзВг [1, 6591: 2 — система
Al — Csl [1, 659, 660]; 3 —
система А1 — CsCl [659];
4 — система А1 — CsF[659]

&
47Z7 670 870 ЮТО TtK
?зВ
4-6
421-
W- 670 870 то Т,к

5,0
470
670 Т,К
Рнс. 346. Изменение работы
выхода при АЭ в процессе
адсорбции газов на поверх
ности никеля при Т — 293 К:
а) система Ni — С2Нг [1971]:
а — зависимость работы вы-
хода от времени адсорбции
газа при ₽ctHt’ PaBf,OM 5 X
X 10—8 (/), 10—7 (2) мм рт.
ст.; а" — то же для никеля,
предварительно отожжен-
ного в среде ацетилена при
РС,На — 8 ' '0 & мм Рт- ст.;
б
выхода
ложки,
тельно
тилена
мм рт. ст. в течение 1-Ю мин;
б) система Ni — С2 Н । fl 970 J:
а — зависимость работы вы-
хода от времени адсорбции
газа прн = Ю~8 мм
рт ст Измерено методом
прямой Фаулеоа — Норд-
гейма (/) и по отношению
напряженностей поля 12);
мм рт ст.;
подложки (2). Перед измере-
течсние 2 мин в
зависимость работы
от температуры под-
Никель предвгри-
отожжен а среде ане-
"Ри ОС-Н, = ‘ °—7
РС2Н4 “ 10 5
и температуры
О
в) система Nl — С2Нв
ниямн никель экспонирован в среде этана при Рсгн,. равном 10—8н jq—5 мм рт. ст. и Т — 293 К. а Затем нагрет в
— зависимости работы выхода от температуры
[1971 I. Зависимость работы выхода от времени адсорбции газа (/)
подложки при
19 1590
указанном на рисунке интервале температур.
9а
n
X
П
Ф
£
<r
Рис 317 Диаграммы изменения работы выхода при ТЭ в процессе адсорбции бария и ВаО на поверхностях образцов молибдена, покрытых сплавами
Ge — Ni (25%) (a), Sn — Ni (28%) (6), Sn — Ni (30%) — Ge (40%) (а) и золотом (г) [645].
Система адсорбент (поликристалл) — адсорбат (химическое соединение)
291
Рнс. 348. Зависимость работы выхода, измеренной
методами КРП и ТЭ, от времени напыления ВаО на
Mo-ленту, подогреваемую в процессе напыления до тем-
пературы 300 (/), 1000 (2), 1100 (3), 1 170 (¥). 1210(5),
1270 (5), 1290 (7) К [410].
Рнс 349. Зависимость работы выхода при ЛЭ от
температуры подложки в адсорбционной системе
Ru — СО [1468]:
a — кривая снята пои Г^и, равной 230 н 300 К,
точки слева от кривой — при Tj^u = 100 К;
б — кривые сняты прн Три = 230 К (/) и после
резкого повышения температуры от 230 до 425 К с
последующим снижением до 230 К (2).
Рис 350 Эмиссионные свойств» системы Ru —
Н, СО [1469]-
a — зависимость работы выхода Ru-острня, по-
крытого СО, от экспозиции в водороде (точки) и
Ru-острня, покрытого водородом, от экспозиции
в СО (кривая).
б — зависимость работы выхода от температуры
Ru-острня. частично покрытого СО (полностью
покрытое газом острие нагпеаалось в геченне
60 с при Т — 4 10—430 К) и водородом, при
Т = 300 К
Измерено методом АЭ.
Рис. 351. Измерение работы вы-
хода прн экспонировании поли-
кристалл нческого вольфрама р ьо-
токе NO при комнатной темпера-
туре [1921]. Измерено методом
КРП. Эталон — поликристалличес-
кая W-фольга.
Рнс. 352 Изменение работы вы
хода при экспонировании поли-
кристаллического вольфрама н по-
токе СО [1920]. Измерено методом
КРП. Эталон — грань {110} W
Рис. 353. Зависимость работы выхода при АЭ для W-острня от числа доз N СО 1968J:
a — доза длительностью 30 с направлена на чистое острие (Tyj = 20 К);
б — первоначально чистое острие (7\^ = 20 К) прогрето до Г = 200 К после напуска каждой дозы: 1 —
непосредственно после напуска: 2 — после 60-секундного прогрева острия;
в — доза длительностью 60 с направлена на первоначально чистое острие (Т\у = 20 К), прогретое до Т = 300 К
после напуска каждой дозы: 1 — непосредственно после напуска; 2 — после прогрева острия.
г — доза длительностью 60 с направлена на первоначально чистое острие (Туу = 20 К), прогретое до Т =»
= 400 К после напуска каждой дозы: 1 — непосредственно после напуска; 2 — после прогрева острия;
д — доза длительностью 60 с направлена на острие, нагретое до Т = 200 К:
е — доза длительностью 60 с направлена па острие, нагретое до Т = 303 К.
ж — зависимость работы выхода от числа дот N СО, направленных (/) и адсорбированных (2) на W-острпе.
400 К. Кривая 2 построена с использованием значений коэффициентов соударений, позволяющих по
числу направленных на острие молекул определить число адсорбированных.
Л
Острие нагрето до Т —
19*
292
Адсорбционные системы
Рис. л54 Зависимость работы выхода,
измеренной методом КРП, от времени на-
пыление ВаО на W-ленту, подо! реваемую
в процессе напыления до 7'\^, ранной 300
(/). 800 (2), 870 (.3). 980 (4), 1100 (5). 1300
(6), 14 10 (7) К [408].
Рис. 355. Эмиссионные свойства системы W — Nal:
а — изменение во времени средней работы выхода в процессе адсорбции Nal на
вольфраме при Т ~ 300 К Г194С>];
б — зависимость средней работы выхода ог экспозиции вольфрама в парах Nal
[1917].
в — изменение работы выхода в процессе термической десорбции Nal с вольфрама.
Время напыления Nal 210 с 11946].
Измерено методом ЛЭ.
вольфрам, покрытый слоем ртути при комнатной температуре, • — рту|ь адсорбирована иа
в зависимость средней работы выхода в процессе десорбции Nal и ртути с вольфрама 11946]: / —
W — 11g,	3 - система \V — Hg, Nal.
Измерено методом ЛЭ.
Рнс. 356. Эмиссионные свойства
системы W — Hg, Nal
а — зависимость средней работы
выхода от времени напыления
Nal при совместной адсорбции
Nal и ртути на поверхности
вольфрама при Т\ц — 300 К
[1946],
б — зависимость средней ра-
боты выхода от экспозиции
вольфрама в парах Nal и ртугп
(1917]. О — Nal напылен на
Nal, покрывающем ьольФрам.
система \V — Nal, 2 — система
Рнс. 157 Эмиссионные свойства сложной адсорбционной системы
[1947 ].
а — зависимость средней работы выхода от экспозиции вольфрама
(с коадсорбнронанными ртутью и Nal) в парах воды i ри комнатной
температуре 1 — вода адсорбирована на чистом вольфраме, 2 — си-
стема W — Hg, N.il. Н;О.
б — зависимость средней работы выхода от температуры вольфрама.
Измерено прн 7\у = 300 К после отжига вольфрама при каждой тем-
пературе в течение 60 с 1 — система W — Hg, Nal, Ns; 2 —
системы W — Hg. Nal, H.O и W — Hg, Nal, O,
Измерено методом АЭ.
<РэВ
20-
’’Ло
$ЗВ
15
5?зВ
a
%3B

уэв
J,<?0
L
4,,02
3,92
0
Рис.
хода
a
200 400 000
/
600 Т,К
1,0
300
500
700
4,22-
___________
0,5р 10 2мм mem	О
работы выхода при ФЭ or давления в процессе адсорбции
---------	“	296 К [879]:
: 373 К;
0,5
1,0 рЮ^ммрюст.
МИрШ'-гп
Рис 360 Зависимость
муравьиной кислоты НСООН на различных подложках при Т -
а — подложка — гранулярная Ag-г.ленка, прогретая прн Т
б -- то же при Т = 523 К:
в — подложиi — гранулярная Аи-пленка
358. Зависимость работы вы-
при ТЭ от температуры для
W-эмиттера в потоке
ной интенсивности-
4,4 - 10";
4,3 . 10";
4,1 • 10"*;
4,2 •
2 — 8,8
4 — 8,3
6 — 8.0
1017 см~~
Csl различ-
[55]:	-
10";
Ю1»;
10"*;
• с“ 1
1 —
3 —
5 —
7 —
Рис. 359. Зависимость работы вы-
хода при ТЭ от температуры под
ложки в процессе адсорбции окси-
да бария и бария на различных
подложках [6211:
— системы Pt — ВаО и Os -
ВаО (/); 1г — ВаО (2)_,
— системы 1г —
и Pt — ВаО,
a
ВаО, Ва
Ва (2).
(П
6
Рис. 361.
висимость
боты выхода
при ФЭ от тол-
щины пленки
в процессе
адсорбции CsF
на поверхно-
сти Nal (/} и
Nal на по-
верхности CsF
(2) [1528].
Зя-
ра-
Система адсорбент (монокристалл) — адсорбат (химическое соединение)
293
СИСТЕМА АДСОРБЕНТ (МОНОКРИСТАЛЛ) —
АДСОРБАТ (ХИМИЧЕСКОЕ СОЕДИНЕНИЕ)
Адсорбент- адсорбат	Индекс грани ад- сорбента	ф, эВ	Метод определе- ния ф	Примечания						Литера- тура
Si—СО Si—NO Мо—NH3 Мо—СО Мо—А12О3 Мо—SiO2 Rh—СО Та—SiO Та—ВаО W—СО W—СО2 W—NO W—ВаО Pt—СО Pt—NO GaAs—CsF	{Ш}1 {Ill}/ {100} {100} {110} {110} {111} {111} {211} {211} {100} {HUI {Ш}1 {111} {111} {001} {001} {010} {010} {011} {011} {112} {112} {121} {121} {ИО} {ПО} {НО} {НО} {100} {100} {НО} {100} {100} {110} {100} {100}	4,77 ±0,05 2,50 3,35 2,75 3,8 2,65 3,30 2,70 3,60 5,27 ±0,05 6.0 5,1 -5,5 4,15±0,06 5,28±0,07 4,20±0,07 5,10±0.08 4,72 ±0,07 5,35 ±0,08 4,38 ±0,06 5,18±0,06 4,32 ±0,04 5,12 ±0,07 1,9 2,4 3,2 3,5 5,1 5,75) 5,45/ 5,15 6,2 2,1—2,2 5,8±0,1] 6,1±0,1] -1,0	ФЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ ФЭ АЭ ФЭ ФЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ АЭ КРП КРП КРП КРП КРП КРП ФЭ ФЭ КРП ФЭ ФЭ	Рокс Ю тмо = 200 I ГМо = 300 F ТМо = 200 1 ТМо = 300 Ь Т’мо = 200 * тМо = 300 1 ТМо = 200 I тМо = 300 I Монослойное Толстое noKf гейма Л1онокриста»г т = 1,95 • 1 Толщина пл Монокриста-' комнатной ti рт. ст. • с 1 < 0 <7 0 > 8 1 < в < 7 © > 8 1 < 0 < 7 0 > 8 1 < © < 7 0 > 8 1 < 0 < 7 © > 8	1 Минимальна прогретой п Непрогретая Система про Непрогретая Эталон — по 4,71 эВ) Толстый ело равной 4,6  Монокриста.' 71. Мопокриста/ т ~ 5L Толстый ело ной 5,14 эВ) Обезгажепна т — 5 • 10“с кого распред На сколотые с проводимое	N ( С » с > )Ы [Л 0“ ен [Л ем •Л я ЭИ сг гр с лг й >в л гл й. я .V ел [ :ti	ш рт. ст. Метод изотермич Монослойное покрытие, ра — Нордгейма покрытие тие (0 = 7—8) Метод пр; экспонирован в среде СС 4 мм рт. ст. • с. ки СО около 15 нм экспонирован в среде СС пературе. т = 9,75 • 10~' 1етод прямой Фаулера — работа выхода системы, Т= 1150 К тс тема ета при Т = 1000 К I g истема	/ [кристаллический вольфра СО. Эталон — грань (10 ) экспонирован в среде СС экспонирован в среде NC Эталон — грань {110} W грань экспонирована в IM рт. ст.  с. Найдено пс ення электронов j сверхвысоком вакууме ио п-типа напылены слои (	eci Мс IMO ) п м Н 1 ( м 0} ^2- ). (ч к гр 2sF	<их [ТОД й Ф ри м орд 'о л с 0 - 1 ,(Pw W о • ф< сг ’{ПО сре; рив >ани ра	кривых Фаулера прямой Фауле- аулера — Норд- Найдено по кривым энерге- тического рас- пределения фотоэлектронов гейма :тый слой	1 = 4—5)	1 принята равной (<P{ioo}W принята предел ено по УФ этоэлектронным [ектрам |W принята рав- ie оксида при ым энергетичес- монокристалла зличной толщины	[902] [2072] [1570] [993] [963] [82] [442] [283] [1551] [2130] [409] [1005] [1212]
294
Адсорбционные системы
451---i_j—l__Lj——l_i—
Q 20	40	60	80	%
О £5 50	75t, HUH	20	60 t.MUH
Рнс. 362. Зависимость работы вы-
хода от степени покрытия 0, мо-
нослоев. поверхности пт а н и {100}
Мо молекулами СО 115/0] На го-
ризонтальной оси приведены доли
чистой поверхности.
Рис 363. Изменение работы вы-
хода граней монокристалла вольф-
прн экспонировании в потоке
О [19201: / —грань {100}. 2 —
грань {111}: 3 — грань {112}; 4 —
грань {НО}. Определено методом
КРП.
Рнс. 365. Зависимость работы выхода от сте-
пени покрытия поверхности 0, монослоев,
грани {116} W молекулами ВаО [412]: 1, 2 —
измерено методом КРП для поверхностей,
ориентированных под углом 6 (/) и 11 (2)° к
грани {’1г}. 3 — измерено методом ТЭ для
поверхности, ориентированной под углом 11'
к грани {11ь}.
Рис 366 Зависимость работы выхода при АЭ
от времени напыления Bi:Sa на монокрисгал
лическое W-острие Llbb]:
а — температура источника пап
[лення равна 850 (/) и 1000 (2) К;

б — диаграмма изменения работы выхода при прогреве системы при Р = 5 • 10 1° мм рт. ст
Рис. 364. Зависимость работы выхода от вре-
мени напыления ВаО на грани монокристал-
ла вольфрама при различных температурах
кристалла [414]:
а — грань {110} прн 300 (/) и 800 (2) К;
б — грань {113} при 300 (/) и 1100 (2) К;
в — грань {116} при 300 (/) и 800 (2) К.
Рис. 367 Сравнение результа-
тов, полу'енных методами
Кельвина (/) и задерживающих
потенциалов с использованием
переменного тока (2), при ад-
сорбции этилена С1Н4 на 1ранн
{100} W при Tw = 300 К
11614J.
Рис. 368. Зависимость ра-
боты выхода от концентра-
ции молекул НаО. адсорби-
рованных на поверхности
Pt-плеики, ориентирован-
ной в плоскости {110} I 14 12].
Измерено методом КРП.
Рис. 369 Зависимость
работы выхода при ФЭ
от энергии падающего
кнанта для активирован-
ной адсорбционной си-
стемы {111} р-ИаАь —
ВаО [390].
ОКСИДНЫЕ КАТОДЫ
СВОЙСТВА РАЗЛИЧНЫХ ВАРИАНТОВ КАТОДОВ
Катод	Ф, эВ	А, А - см 2Х X к—2	Метод опреде- ления (Г	Примечания	Лите- рату- ра
Импрегнпро- ванный	0,757	—	ТЭ	Покрытие на Ni-керне. Карбонат состава ВаСО3 : : SrCO3 : СаСО3 = 53 : 42 : 5 химически металлизи- рован высокодисперсным никелем	[21J
	1,0—1,25 1,05(0,91)* 1,11—1,43 (0,98—1,28)	—	тэ тэ тэ	Спеченная Ni-матрица пористостью около 50% пропитана раствором (Ва, Sr) СО-,-q) активированного катода, определенная методом прямой Ричардсона, зависит от режима активирования Состав поверхности: (ВаО, SrO) Sr	Работа выхода катода марки Состав поверхности: «Sonde» на Ni-керне в интер- (BaO, SrO) Ва	вале температур 700—1200 К	[9431
	1,60—1,90(1,37—1,74) 2,00 (2,00)		тэ тэ	Состав поверхности: зависит от режима активиро- SrO—Ва	вания, определяющего состав Состав поверхности: поверхности SrO—Sr	1	[1632]
	1,23		тэ	Ni-матрица пропитана тройным карбонатом (Ва, Sr, Са) СО, состава Ва : Sr : Са = 57 : 39 : 4 (мае.). Из- мерено методом прямой Ричардсона для активиро- ванного состояния катода	[1453,
	1,25	26	тэ	Матрица пропитана карбонатом (Ва, Sr) СО3. Тот же метод	[1368|
	1,3	—	тэ	Покрытие карбоната (Ва, Sr, Са) СО., на Ni-керне. Тот же метод	[1415|
	-1,5		тэ	Спеченная Ni-матрица пропитана при высокой темпе- ратуре расплавом Ва (ОН)2. Значение ip активирован- ного катода определено тем же методом. Время жизни ка года t < 600 ч при съеме статической плотности тока эмиссии / си 2 А см-2	[9231
	1,5344-5,6-10~4 Т		тэ	Вольфрамовые штабики пройдтаны различными ак- тивными составами. Изменение молярной доли СаО и SiO2 от 0,1 до 0,5% в составе трехбариевого алюмината не влияет на эмиссионную способность катода	[251}
	-1,6		тэ	Катафорезное покрытие толщиной 25—35 мкм и плот- ностыо 1,8 г • см-3 состава СаСОа : SrCO3 : ВаСО3 = - 10 : 43 : 47. Эффективная работа выхода электрона при Т = = 1000 К в активированном стабильном состоянии	[ЗЦ
	1,6—1,7 1,68	15,4	тэ тэ	Матрица пропитана карбонатом (Ва, Sr, Са) СО3. Эффективная работа выхода при Т =s 870 К	[63, 479J [13971
	1,72—2,67	— —	тэ	Пористость покрытия 25—35%. Работа выхода, определенная методом прямой Ричард- сона, зависит от технологии изготовления катода	[928J
	1,8—1,9		тэ	Матрица пропитана карбонатом (Ва, Sr, Са) СО3 (присадка ВаСО3 составляет 16%). Эффективная ра- бота выхода при Г = 970 К	[63, 479J
296
Оксидные катоды
Продолжение
Катод	ф. эВ 		А, А • см-2Х X К~2	Метод опреде- ления ф	Примечания	Лите- рату- ра
Импрегниро-	!	1,8 4-1,4-КГ"4 Т	—	тэ
ванный			
	2,0-2,2	—	тэ
	2,8	—	тэ
	—	—	тэ
Л-Катод	1,37	0,6	тэ
	1.65	10,3	тэ
	1,67	—-	тэ
	1,68 Ч- 3,24 • 10—4 Т		тэ
	1,8	—	тэ
	1,91 (1,56)	100 (0,6)	тэ
	1,96—2,09		КРП
	2,07(1,7)	100 (3,0)	тэ
М-Катод	(1,12±0,02)4-(4,4±	—	тэ
	±0,3)- ю~4 г		
	(1,18±0,02) 4-	—-»	тэ
	4- (3,94-0,1)- IO-4?'		
	(1,18±0,03) 4-	—	тэ
	4- (3,90±0,1)-10“4 Т		
Металлизи-	1,37->1,28	—	тэ
рованный			
оксидный			
	1,59 ->1,43		тэ
Металлока-	1,48	2,3)	
пиллярный	1,53	4,5	тэ
	1,60	9 J	
	1,70	1	тэ
	1,86(1,53)	100(4,5)1	тэ
	1,86(1,60)	100 (9,0)/	
	1,88(1,48)	100 (2,3)	тэ
	1,99	106	тэ
	2,15(1,70)	100(1,0)	тэ
	2,80	100	тэ
Металлопо-	1,6—1,8	—-	тэ
ристый	1,9-2,2		тэ
Пористая Ni-матрица пропитана смесью состава: (Ва, Sr) СО3 29%; Ni 70%, ZrH3 1% Матрица пропитана карбонатом (Са, Sr) СО3. Эффек- тивная работа выхода при Т =1020 К Пористая Ni-матрица пропитана смесью состава: (Ва, Sr) СО3 29%, Ni 70%; ZrHa 1%. Метод задержи- вающего поля Покрытие толщиной 50 мкм и плотностью 2,5—2,8 г X X см~3 состава СаСО3 : SrCO3 : ВаСО3 = 5 : 45 : 50 (мае.) на кернах из различных сплавов. Импульсная эмиссия (А • см-2) зависит от материала керна:			[958] [63, 479[ [958] [606]
Керн	Температура, К		
	1023	1123	
Ni—W—Zr Ni—Re—Zr Ni—W—V Метод прямой Рич< » » Метод прямой Рич. Метод прямой Рича Молекулярно-напылс из смеси карбонатов стронция и кальция сено на керны из Ni- температур 450—105 Катод с моле Ва : Sr : Са = 47 : 4( вале температур 55С Катод с молекуляр! 0,5— 5,2 мкм на керн интервале температ) Эффективная работа выхода при Т = = 550 К То же при Т = = 750 К Вольфрамовый като, полнителем Катод с Ba(Sr)C( Тот же метод » » » Вольфрамовый кап и. из ВаСО3 4- Sr. То Вольфрамовый капи. из SrCO3 4“ Ва. Тот i Вольфрамовый катод 1 метод I Тот же метод Спечс Эффективная става работа выхо- смесь да	роваь	6,2 6,9 13,1 трдсона » ардсона рдсона -ННЫЙ оксидный в (60—80%) и о в соотношении 4 сплавов. Изморе 0 К кулярно-напыле! 3:10 (мол.). Изг )—1050 К о-напылепным с с из сплава НИК гр 450—1050 К Катод состава (Ва : Sr : Са = металлизирова! чсние <р зависи таллизации и мере увеличен! ' 0 до 4,6% по м а с Ва—Ме-на- )3-наполнителем члярный катод т же метод тлярный катод же метод с ториевым напол »ниая металличе W : Re = 1 : ю ЗВаО • 2Sc2O3	20,0 21,5 >40,0 :атод. Покрытие ксидов бария, 1 : 43 : 10 нане- но в интервале шым	слоем, нервно в интер- :лоем толщиной А-1. Измерено в [Ва, Sr, Са) СО3 50 : 45 : 5) 1 платиной. Зпа- т от степени ме- уменьшается по <я последней от ассе 1 Метод прямой j Ричардсона с наполнителем с наполнителем нителем. Тот же ская губка со- 4 пропитана . Катод активи-	[1366] [1397] [1780] [1704] [1519] [1366] [75] [1745] [433] [262] [180] [22] [14211 [1438] 11421] [1049] [1438] [1421] [356]
Оксидные катоды
297
Продолжение
Катод	Ф, эВ		А, А - См 2Х X к~2	Метод опреде- ления ф	Примечания				Лите- рату- ра
Оксидный Спеченный Ториево-ок- сидный Торирован- ный вольф- рам марки «ВТ» Торирован- ный вольф- рам Хэлла	1,00—1,50 (1,03 ±0,05)4-6,3: (1,1±0,03)-Н4,5± ±0,5)-10~4Т (1,15±0,03)+(4,5: ±0,5) •10~47’ 1,254-8,0-10~4 Т 1,34-8,0-10-4 Т 1,754-4,2-10"4 Г 1,14-6,0-10”4 т 1,484-3,5-10“4 Т 1,524-2,5- IO-4 Т 1,25 2,5, 2,62 2,67 2,55 2,55 2,17 3,00 2,63 2,85 2,85 2,90 1,00 1,215	X •	0,01—5 2,5 7,5 2,63 5,62 3,5 0,06 3,16 3 4 17 15 0,85	ТЭ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ тэ	Работа выхода, и: на, зависит от ст Суспензия па Ni боната (Ва, Sr, ( 30% связки (негг эмиссия в стаци( интервале темпер Керл—Ni-сплав садкой 0,06 % ка. Керн—платина На поверхности имеется ВаО На поверхности имеется ВаО 4~ 4- Ва Метод прямой Ри Статический реж Импульсный реж Статический реж1 Импульсный реж1 Спеченное керам» жим. Импульсный реж Статический реж Измерено методоа/ ной вольфрамово Поликристалличе Та же нить с осаж фазы вольфрамом Измерено методол ной вольфрамово Измерено после Метод прямой Ри	?ме| епс -КС[ За) 1ТИЕ эна| ату с ЛЫ1 Q на П. Зн ма со чар им им 4M j 4M j 1чес им им I П[ й п ска ден с ! П[ й п Ю0 [чар	>енная методом прямой Ричард ни активирования катода >не. Состав суспензии: 70% кг СОз (Ва : Sr : Са = 45 : 51 : 4) гный фоторезист KTFR). Термг эном и импульсном режимах р 780—1140 К при-) Покрытие H3(Ba,Sr,Ca)( ия [ Катод находится в пс J токе атомов бария 1ой ВаСО3 марки «о. с. ч. 13- керне из платины марк П-99,93. Катод прогрет при Т = 1123 К в течение 80—100 ачение ф катода зависит от реж[ активирования, определяюгцег став поверхности дсона Система активирована nporpi вом в интервале температу 2000—2100 К- Измерено тем » методом в интервале тсмперг тур 1800—2100 К- Спеченнс покрытие на Та-керне Катафорезное покрытие на таллическом керне :кое покрытие. Импульсный р( >ямой Ричардсона на торироваи роволоке я нить диаметром 150 мкм ным на поверхность из газовой текстурой {100} >ямой Ричардсона на торирован роволоке 00 ч работы | >дсона	J	со- ip- н э- в ). э- -2» и 1. 1- 0 2- Р ,е 1- >е te- 1- -	[1421] [1259] (619J 1761] [116] [2009] [193, 743] [2009] [769] [1421] [1964] [1421] [828]
♦ В скобках указаны параметры катодов после активирования
СРАВНЕНИЕ СВОЙСТВ ОКСИДНЫХ КАТОДОВ СО СВОЙСТВАМИ
НЕКОТОРЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СИСТЕМ
Катод	Температу- ра, К	Плотность тока термоэмнсснн /, Л - см~~г. а режиме		Примечания •	Литера- тура
		статичес- ком	им- пульс- ном		
Спеченный; слой металлизирован соткой или Ni-порошком	1150	0,350	—	Грубая шероховатая поверхность	
Ламельный; слой набрызган	1150	0,400	—	Гладкая поверхность	|1358]
Ламельный; слой металлизирован сеткой или Ni-порошком	1150	0.600	—	Шероховатая поверхность	
Ячеистый (трубчатый)	1150	0,600	30	Гладкая с отверстиями поверх- ность	
298
Оксидные катоды
Продолжение
Катод	Температу-	Плотность тока термоэмиссин /, А-см—1, в режиме				Примечания		Литера-
	Ра, К '	статичес- ком		им- пульс- ном				тура
Полый, с отверстием диаметром 0,3 мм Полый, с кольцевым отверстием диаметром до 0,75 мм Полый, тороидальный со щелью 0,12 мм Импре! нированный никелевый »	вольфрамовый Карби дированный торированный W Торцовый губчатый оксидно-нике- левый катод W—Ва, типа «а fa^ot» W—Ва, прессованный ThO2, спеченный на Та W, покрытый Th Jr, покрытый Th	1170 1500 1300—1350 1120 1170 1073 1170 1293 1343 1270 1280 1800 1320—1370 1800 1400 1550 1950 1800 1800	Малая 70 25 2,0 3,5 ~1 2,0 1,5 3,0 1,5 2,0 0,4 2—15 >10 I 5 2 0,31 0,1/		10 -по 100 (до 220) ю|	Спеченная Ni-м состава Ni (70% Срок службы катода 6000 ч То же 3000 ч Пористость като натами Ва и Са, То же 45% Эмиссия зависн слоя Очень гладкая п Гладкая поверх	атрица пропитана смесы 1 — (Ва, Sr) СО3 (30%) Пористая Ni-матрица пре питана смесью: Ni 70% (Ва, Sr) СО3 29%; ZrH2 1 да, пропитанного алюми- составляет 20% т от состава эмитирующег оверхность ность	о >- % о	11483, 16О1| [1549] [1909] [958] [1909] [680] [1358] [1359] [1909]
ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИИ НА СВОЙСТВА КАТОДА * [592]
Способ нанесения оксидного покрытия	Рабочая темпера- тура, К	Плотность тока тер- моэмнеенн /. А • см 2	Напря- женность поля у ка- тода, 10* В см—*	Способ нанесения оксидного покрытия	Рабочая темпера- тура. к	Плотность тока тер- моэмиссии /. А-ом~2	Напря- женность поля у ка- тода, 10* В • см *
Пульверизация, плотность	1080	21,4	3,46	1 Плазменное напыление;	1100	20,4	8,9
покрытия 0,9 г-см"3	1000	16,6	4,67	плотность покрытия	1040	15,1	11,5
	900	7,25	6,75	3,9 г-см-3	1000	12,6	14,5
	820 740	2,51 0,81	8,8 12,75		900 790 730	3,72 2,09 1,35	17,8 21 25
* Оксидный катод на керне из никеля марки НИКА (сплав никеля с 0,12% кальция). Толщина оксидного покрытия 30 мкм.
ВЛИЯНИЕ АКТИВАТОРОВ НА ЭМИССИЮ ОКСИДНЫХ КАТОДОВ [284]
Акти- ватор	Температурная устойчивость	Влияние на эмиссию	Примечание
Mg	При содержании 0,06% заметно испаряется; при содержании 0,07% наблюдается утечка в цепи катод — подогреватель	Увеличивает	Испарение магния приводит к умень- шению эмиссии
Оксидные катоды
299
Продолжение
Акти- ватор	Температурная устойчивость	Влияние на эмиссию	Примечание
А1	Не испаряется	Эмиссия увеличивается при содержании алюминия 0,1 %, при больших содер- жаниях она уменьшается	Увеличение содержания алюминия приводит к ухудшению сцепления покрытия с керном
Si	> »	Оптимум эмиссии наблюдается при со- держании кремния 0,05%	Рекомендуется для изготовления кер- нов катодов в приборах с малым сроком службы
Zr	—	Увеличивает	— 
W	Не испаряется	Малоэффективно	При чает большую механическую проч- ность кернам катодов
РЕКОМЕНДУЕМЫЕ РЕЖИМЫ РАБОТЫ ОКСИДНЫХ КАТОДОВ [284]
Плотность тока тер- моэмиссии ;, А-см 2	Рабочая температу- ра, К	Предельный срок службы, ч	Плотность токо тер- моэмиссии /. А-см 2	Рабочая температу- ра. к	Предельный срок службы, ч
Непрерывный режим токоотбора	j			Импульсный режим токоотбора		
0,05	1000—1040	20000	'	3,0	1000—1040	10000
		1	5,0	1000—1040	5000
0,15	1000—1070	5000	6,0*	1070—1100	3000
		1	10,0*	1070—1100	2000
0,20	1070—1100	3000	2,5**	1070—1100	3000
			4,0**	1070—1100	2000
0,30	1070—1100	2000			
• Длительность импульса — микросекунды.
Длительность импульса — сотни микросекунд.
АЛЮМОСИЛИКАТНЫЕ ПРЕССОВАННЫЕ КАТОДЫ
Катод	Состав, %	Температур- ный интервал измерений, К	Ф. эВ	Плотность тока эмис- сии j. А • см-2	Примечания		Литература
Барнй- молибде- новый Барий- вольфра- мовый	(0,5CaO-3BaO-Al2O3-0,5SiO2); Мо (0,5СаО-ЗВаО-AI2O3-0,5SiO2) 10; W90 (0,5СаО-ЗВаО- WOJ 9,5; W 90; AI 0,5 (0,5СаО-ЗВаО-Ai2O3); W	1333 1333 1163 1263 1333 1473 -1523	2,0—2,5	2—4) 4,6 / 1 1 4 101 40	Метод прямой Ри чардсона Измерено в режиме ограничения про- странственного за- ряда. dyldT = = (3—4) - Ю-4 эВ-К^1. Катод подвергнут ион- ному травлению для удаления по- верхностных слоев, дсформирова иных механической об- работкой dqldT = 8,5- 10“4 эВ X К~’. Катод покрыт осмием с по- мощью ионно-плаз- менного распыле- ния		[116] [682] [2145J
300
Оксидные катоды
П роди лже ние
Катод	Состав, %	Температур- ный интервал измерений, К	Ф, эВ	Плотность тока эмис- сии /, . 	> А см -	Примечания		Литература
Барий- вольфра- мовый Барий-	(0,5СаСО3 • ЗВаСО3 • А12О3), W (0,5СаО-ЗВаО- А12О8• 0,5SiO2) 10; Re 90	1400 1400 1100— 1550 1333	(1,47 ±0,03) ±- + (4.4±0,3)- IO-4 Т	~5 ~40 0,4—0,5)	Стати- ческий режим Им- пульс- : нын ре- жим	Пори- стость W-губки около 30%	(1593] [614]
рениевый На алю- мосили- катной основе	(0,5СаО-ЗВаО- А1„О3) 10; Re 90 (0,5СаО-ЗВаО- WO3) 9,5; Re 90; Al 0,5 2SiOa • A12O3 • B2O3 • MoO3	1333 1333	6,94 ±0,02	I 2—3	Метол ПИ ребра	атомов се-	[682] [780]
ОКСИДНЫЕ ТЕРМОКАТОДЫ С ЗАЩИТНЫМИ МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ ПОКРЫТИЯМИ
Покрытие	Толщина пленки, мкм	Ф, эВ	Температур- ный интервал измерений, К	Примечания	Лите- рату- ра
А1	0,3—0,8	2,3	1093	Эффективная работа выхода карбонатного катода с термически напыленной дисперсной пленкой. Значение <р не зависит от толщины пленки	[506]
Ti Сг Ru Тя	0,3 0,3—0,8 0,3—0,8 0,3 0,3 0,6 0,6 0,001 0,6 0,6 0,3	1,94-3,3-10-4 Т 2,11 2,5/ 1,374-6-10~’ Т ’l 1,514-4,5-10-4 Т 1,534-5,5-10~4Т 1,124-6,5- 10~4 Т J 1,38 0,754-8,5 -Ю”1 Т\ 0,914-8-10~4 Т ) 1,64-4,2-Ю”4 Г	820—1070 1093	Эффективная работа выхода карбонатного катода с термически напыленной дисперсной пленкой. Значение (р не зависит от толщины пленки Распределительные каюды на основе	[166] [506]
1 а Re Os Ir			1000—1600 1000—1600 780—1120	0,5 СаО • ЗВаО • А1гО3. Вычислено автором настоящей работы по данным [613] Метод прямой Ричардсона Распределительные катоды на основе 0,5 СаО • ЗВаО • А12О3. Вычислено автором настоящей работы по данным [613]	[599] [166]
Pt	0,6 0,3	1,534-5,5-10-4 Т] 1,564-4,5-10-4 Т/	1000—1600	Распределительные катоды иа основе 0,5СаО • ЗВаО • А12О3. Вычислено автором настоящей работы по данным [613]	—
Рис 370 Термоэмиссноиные свойства тройного карбоната (Rd, Sr.
Са) СО, (50 . 15 5) с добавкой lnaO (.23);
а — зависимость работы выхода от содержания 10,0,;
б — зависимость работы выхода от температуры при содержании 1пгО,
0(/), 2(2), 5(5), 10(^> и 15(5)%.
Оксидные катоды
301
Рис, 371 Зависи-
мость работы рыхиа
при ТЭ от времени
прогрева оксидного
катода при Т, рав-
ной 620 (/), 660 (2),
690 (3), 720 (4), 770
(5) К 1137].
Рис. 372. Зависимость работы выхода при
ТЭ от времени активирования оксидного
катода (керн — сплав НИКА) при Т.
равной 1 1 10 (/). 1170 (2), 1190 (3). 1220
(4), 1240 (5). 1270 (6) К 1421].
Рис 373 Изменение во времени работы выхода для оксидного катода на
основе ВаО в потоке атомов бария 4 • 10“ см - -с * при температуре ка-
тода, равно! 375 (7), 465 (2), 510 (3)^611 (4) К [761]. Измерено методом
Рис. 374. Зависимость плотности тока
термоэмиссни оксидного ьатода (покрытие
жвимоляриого состава (Ва, Sr) О на
Ni-керне) от толщины оксидного слоя.
Средняя глубина пор составляет 110 мкм
[2116].
Рнс. 375. Зависимость эффективной работы при Т, равной 750 (/) и 550 (2) К, для оксидного
катода состава (BaSrCa) СО3 (50 : 45 : 5), металлизированного платиной, от степени метал-
лизации Ср| (% по массе) активного слоя. Для восстановления платины использован 0,4%-ный
раствор формалина [22].
Рис. 376 Изменение плотности тока термоэмиссин в непрерывном режиме при испытаниях на
долговечность диодов с оксидными карбонатными катодами. На поверхность оксидных катодов
термически напылены дискретные (а) и сплошные (д') антиэмнссионные металлические пленки
титана (/), алюминия (2) и хрома (3) [506].
Рнс. 377. Зависимость плотности тока термоэмиссин от темпе-
ратуры оксидного катода с непокрытой поверхностью (но дан-
ным (415]) и поверхностью, покрытой различными защитными
металлическими пленками толщиной 0,3 мкм 1166]: 1 — непо-
крытый катод: 2 — катод с пленкой иридия после работы при
Т = 920 К в течение 2000 ч; 3 — катод с пленкой алюминия после
работы прн Т = 1070 К в течение 2000 ч; 4 — катод с пленкой
титана после работы при Т — 1070 К в течение 1500 ч.
пытаниях диодов на
карбонат,
Рис. 379 Зависимость плотности тока термоэмиссин от температуры для рашчных
металлов, находящихся в потоке продуктов нспавення пропитанного алюминатного
Ku.тода состава W — ЗВаО • 0,5СаО • А1.О, (90: 10, мае ) [2114]:
a — Мо образны Температура алюминатною катода в процессе испарения: 1 — 1273,
2 — 1358, 3 — 1463 К.
б — образцы: 1 — тантал, 2 — молибден; 3 — сплав РН-8 на основе ниобия с вольф-
рамом (6%) и цирконием (2%), 4 — сплав Мо — Ilf, 5 — азотированный молибден.
Рис 378. Термоэмиссионные свойства ме-
таллизированных никелем оксидных ка-
тодов [217]:
a — зависимость работы выхода от темпе-
ратуры при содержании в слое никеля.
1 — по данным [817]; 2 — 1,13; 3 — 1.96;
4 — 2.56; 5 — 2,93: 6 — 9,13%;
б — зависимость эффективной работы вы-
хода при Т = 1120 К от содержания в
слое никеля,
в — стабильность работы выхода прн не-
долговечность (Т = 1090 — 1 120 К; / = 1 А • см Катод — тройной
металлизированный 2,04% никеля, прокален в водороде. Разные типы точек отно-
сятся к различным диодам.
302
Оксидные катоды
Рис. 381. Зависимость эффективной работы выхода
при Т = 620 К от толщины покрытия М-катода
[180]. Структура катода: окислы щелочноземельных
металлов на керне из сплава НИКА-1.
Рис. 380. Эмиссионные свойства покрытий
нз сплавов в условиях их запыления
активным веществом с оксидного катода
[395h
а — зависимость работы выхода при ТЭ от
температуры для покрытий из сплавов
Au—Ti (4 — 10%) (/) и Au —Pt (2) иа
Мо-проволоках без предварительного про-
грева перед измерением;
б — зависимость работы выхода при ТЭ от
температуры для покрытия из сплава
Au — Ti: 1 — без предварительного про-
грева: 2 — после прогрева при Т = 970 К;
3 — после прогрева при Т = 1020 К; 4 —
после прогрева при Т — 1070 К;
в — зависимость работы выхода при ТЭ от
температуры для покрытия из сплава
Au—Pt: / — без предварительного про-
грева; 2 — после прогрева при Т = 1140 К;
3 — после прогрева при Т = 1200 К:
г — диаграмма изменения работы выхода,
измеренной методом КРП, для покрытия
из сплава Au—Ti при различных режи-
мах термообработки активного слоя и
различной степени запыленности поверх-
ности барием;
д — диаграмма изменения работы выхода,
измеренной методом КРП, для покрытия
из сплава Au — Pt при различных ре-
жимах термообработки активного слоя и
различной степени запыленности поверх-
ности барием.
о о
о
1,3\________I________I--------1--------1-------!----
О 1	2	3	4 d.MKM
Рис. 382. Зависимость эффективной работы выхода при Т = 620 К от типа керна оксидного катода
[167], Измерено после достижения катодом эмиссионной активности: 1 — платина; 2 — электролити-
ческий никель; 3 — никель вакуумной плавки марки НВ: 4 — тантал и электролитический никель с
пленкой платины толщиной 1 мкм на поверхности; 5 — электролитический никель, легированный ба-
рием; б — никель марки НО, легированный барием.
1,6
1,4
12
о
е ©
°° оС£
L-	I 	<	, I	I	I.
1	2	3 &	5	6
Типкеина
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1.	Адамчук В. К., Прудникова Г. В.— Учен. зап.
Ленингр. ун-та, 1974, № 371,Вопр. электрон, твердо-
го тела, сб. 5, с. 11—17.
2.	Адирович Э. И., Гольдштейн Л. М.— Физика твердо-
го тела, 1967, 9, № 4, с. 1258—1260.
3.	Азизов У. В., Шуппе Г. И.— Физика твердого тела,
1965, 7, № 7, с. 1970—1973.
4.	Азизов У. В., Вахидов У. В., Султанов В. М. и др.—
Физика твердого тела, 1965, 7, Хе 9, с. 2759—2762.
Б. Азизов У. В. Выращивание крупных монокристаллов
вольфрама методом порошковой металлургии и эмис-
сионные и адсорбционные характеристики граней моно-
кристаллов вольфрама и молибдена : Автореф. дис. ...
канд. физ.-мат. наук.— Ташкент, 1968.— В надзаг.:
Ташкент, ун-т.
6.	Азизов У. В., Карабаев Т. А., Михайлов С. М.— Изв.
АН УзССР. Сер. физ.-мат. наук, 1971, Хе 2,
с. 66.
7.	Азизов У. В., Карабаев Т. А.— Изв. АН УзССР. Сер.
физ.-мат. наук, 1972, Хе 2, с. 81.
8.	Азизов У. В., Карабаев Т. А.— Изв. АН УзССР. Сер.
физ.-мат. наук, 1972, Хе 3, с. 78.
9.	Азизов У. В., Исламова Т., Азизова Д. и др.— Науч,
тр. / Ташкент, ун-т, 1973, Хе 447. Физика, с. 92—97.
10.	Азизов У. В., Азизова Д., Карабаев Т. А.— Науч,
тр. / Ташкент, ун-т, 1973, № 447. Физика, с. 159—163.
11.	Азизов У. В., Карабаев Т. А., Азизова Д. и др.— В кн.:
Эмиссионная электроника. Рязань : Моск, рабочий,
1974, с. 137—142.
12.	Азизов У. В., Азизова Д., Карабаев Т. А.— Науч,
тр. / Ташкент, ун-т, 1974, Хе 459, с. 34—37.
13.	Азизов У. В., Карабаев Т. А., Михайлова Т. И. и др.—
В кн.: XVI Всесоюз. конф, по эмис. электрон. ; Крат,
содерж. докл. Махачкала, 1976, ч. 1, с. 81—82.
14.	Азизов У. В., Карабаев Т. А., Михайлова Т. И. и др.—
Изв. АН СССР. Сер. физ., 1976, 40, Хе 8, с. 1728—1730.
15.	Азизова Д., Азизов У. В., Карабаев Т. А. и др.— В кн.:
XV Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат, со-
держ. докл. Киев, 1973, ч. 1, с. 24.
16.	Александров В. В., Белкинд А. И., СумровВ. В.— Изв.
АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн, наук, 1974, Хе 2,
с. 114—117.
17.	Александров В. В., Александрове. Б., Белкинд А. И.—
Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн, наук, 1974, № 4,
с. 23—32.
18.	Александров В. В., Белкинд А. И.— Изв. АН ЛатвССР.
Сер. физ. и техн, наук, 1975, № 2, с. 30—40.
19.	Александров В. В., Белкинд А. И.— Изв. АН ЛатвССР.
Сер. физ. и техн, наук, 1975, № 5, с. 53—57.
20.	Александров В. В., Александров С. Б., Балоде Д. Р.
и др.— Докл. АН СССР, 1977, 232, Хе 4, с. 825—827.
21.	Александров Е. М., Сироткин Г. Д.— Изв. АН СССР.
Неорган. материалы, 1969, 5, № 6, с. 1034—1037.
22.	Александров Е. М., Сироткин Г. Д., Козловская Г. П.
и др.— Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1974,
10. Хе 2, с. 350—353.
23.	Александров Е М., Козловская Г. П., Рогожки-
на Г. Д. — Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1976,
12, Хе 5, с. 859—862.
24.	Александрове. Б., Белкинд А. И.— Изв. АН ЛатвССР.
Сер. физ. и техн, наук, 1969, Хе 1, с. 59.
25.	Александров С. Б., Белкинд А. И., Александров В. В.
и др.— Полупроводники и их применение в электро-
технике, 1971, Хе 5, с. 231—249.
26.	Алексеев Н. И., Каминский Д. Л.— Журн. техн, физи-
ки, 1964, 34, Хе 8, с. 1521—1525.
27.	Алексеев Ю. В., Каничева И. Р.— Изв. АН СССР. Сер.
физ., 1976, 40, Хе 12, с. 2586—2591.
28.	Алексеева 3. М., Гундоров В. В., Кобылкин А. Н.—
В кн.: Физико-химия сплавов и тугоплавких соеди-
нений с торием и урано’м М. : Наука, 1968, с. 160—165.
29.	Алло Т., Десплатт Д.— В кн.: Термоэмиссионное
преобразование энергии. М. : Атомиздат, 1971, с. 78.
30.	Алчагиров Б. Б., Хоконов X. Б., Задумкин С. Н.—
Инж.-физ. журн., 1974, 40, № 5, с. 558—559.
31.	Амирханов Т., Красинькова М. В., Мойжес Б. Я.—
Журн. техн, физики, 1976, 46, Хе 4, с. 785—790.
32.	Ананьин В. С., Белкин А. М., Гусев А. М. и др.—
Электрон, техника. Сер. Электровакуум, и газоразряд.
приборы, 1975, Хе 8, с. 17—22.
33.	Андреев И. С.— Журн. техн, физики, 1952, 22, Хе 9,
с. 1428—1441.
34.	Андреев И. С.— Журн. техн, физики, 1953, 23, № 5,
с. 849—852.
35.	Андреева М. И., Борисов В. Л., Фюков В. К.— Тр.
Ленингр. политехи, ин-та, 1970, №311. Физ. электрон.,
с. 3—10.
36.	Андрейкин В. А., Инденбаум С. В., Кирсанов Г. В.
и др.— В кн.: Сплавы редких металлов с особыми
физико-химическими свойствами. М. : Наука, 1975,
с. 156—157.
37.	Андронов А. Н., Малышев С. В., Рузаев А. Д.— Изв.
АН СССР. Сер. физ., 1971, 35, № 5, с. 1052—1055.
38.	Антропов Г. М., Кузнецова Т. Д., Мягков К. Г.—
В кн.: XVI Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат,
содерж. докл. Махачкала, 1976, ч. 1, с. 118—119.
39.	Арифов У. А., Рахимов Р. Р„ Джуракулов X.— Физи-
ка твердого тела, 1968, 10, № 4, с. 1166—1172.
40.	Арсеньев-Гейль А. И., Ван Бао-кунь.— Физика твер-
дого тела, 1961, 3, Хе 12, с. 3621—3627.
41.	Арсеньева-Гейль А. Н.— Учен. зап. Лениигр. ун-та,
1968, Хе 336. Вопр. электрон, твердого тела, сб. 1,
с. 60.
42.	Арсеньева-Гейль А. Н., Прудникова Г. В.— Учен. зап.
Ленингр. ун-та 1970, Хе 354. Вопр. электрон, твердого
тела, сб. 3, с. 27.
43.	Арсеньева-Гейль А. Н„ Березин А. А., Мельнико-
ва Е. В.— Физика твердого тела, 1975, 17, Хе 8,
с. 2448—2449.
44.	Архипов А. Н., Иванов Г. А., Налетов В. Л.— В кн.:
Полупроводники и диэлектрики. Л. : Ленингр. лед.
ин-т, 1974, с. 34—38.
304
Список литературы
45.	Арцыхович В, Ф., Редега К. П., Тарасюк А. И. и др.—
Электрон, техника. Сер. Материалы, 1976, № 6,
с. 11—14.
46.	Асадуллин Р., Шуппе Г. Н.— Журн техн, физики,
1954, 24, № 2, с. 205—215.
47.	Астафьева Л. В., Гаврилов Ф. Ф., Двинянинов Б. Л.
и др.— Изв. вузов. Физика, 1972, № 5, с. 163—164.
48.	Бабкин Г. В., Гупало М. С., Медведев В. Д. и др.—
В кн.: XVI Всесоюз. коиф. по эмис. электрон. : Крат,
содерж. докл. Махачкала, 1976, ч. 1, с. 86—87.
49.	Бадаева Т. А., Дашевская Л И., Дулташев О. К.
к' и др.— Электрон, техника. Сер. Электрой. СВЧ, 1967,
№ 8,: с. 135—139.
50.	Базанов В. Г., Баньковский Н. Г., Чадаева И. А.—
Жури. техи. физики, 1975, 45, № 7, с. 1524—1526.
51.	Базанов В. Г., Баньковский Н. Г., Солодухина В. А.—
Тр. Ленингр. политехи, ии-та, 1975, № 345. Физ.
электрон., с. 53—55.
52.	Базанов В. Г., Баньковский Н. Г., Иванов Г. Ф. и др.—
Тр. Леииигр. политехи, ии-та, 1975, № 345. Физ. элек-
трон., с. 58—60.
53.	Байтингер Е. М., Шулепов С. В.— В кн.: Вопросы
физики твердого тела. Челябинск : Челяб. пед. ин-т,
1976, сб. 6, с. 29—34.
54.	Бакулин Е. А., Бредов М. М.— Физика твердого тела,
1977, 10, № 3, с. 891—893.
55.	Баньковский Н. Г.— Тр. Лениигр. политехи, ин-та,
1970, № 311. Физ. электрон., с. 10.
56.	Баньковский Н. Г., Шигалев В. Д.— Тр. Ленингр.
политехи, ин-та, 1975, № 345. Физ. электрон., с. 50—52.
57.	Баньковский Н Г., Дорошков Д. Г.— Физика твердого
тела, 1977, 19, № 9, с. 1847—1849.
58.	Баранцева О. Д.— Изв. вузов. Физика, 1973, № 4,
с. 132—134.
59.	Батзис П., Демни Д., Шмид X.— В кн.: Термоэмис-
сиоииое преобразование энергии. М. : Атомиздат, 1971,
с. 68. '
60.	Батзис П.— В кн.: Термоэмиссиоииое преобразование
энергии. М. : Атомиздат, 1971, с. 91.
61.	Бахтин В. И.— В кн.: XV Всесоюз. конф, по эмис.
электрон. : Крат, содерж. докл. Киев, 1973, ч. I,
с. 147.
62.	Бахтияров Р. С., Булгак Л. В., Шишкин Б. Б.—
В ки.: Сплавы редких металлов с особыми физическими
свойствами. М. : Наука, 1974, с. 200—204.
63.	Бейкер И., Гейнс Г.— В кн.: Техника электронных
ламп. М. : Изд-во иностр, лит., 1963, с. 9.
64.	Бейнар Д. С., Никонов Б. П.— Радиотехника и элек-
трон., 1964, 9, № 10, с. 1832—1839.
65.	Бейнар Д. С., Никонов Б. П.— Радиотехника и элек-
трон., 1965, 10, № 3, с. 476—483.
66.	Бейнар Д. С., Никонов Б. П.— Радиотехника и
электрон., 1967, 12, № 5, с. 867—871.
67.	Бекбаулиев Б., Смирнов Б. Г.— Тр. конф, по электрон,
технике, 1970, № 7. Эмис, электрон., с. 59—65.
68.	Бекбаулиев Б., Смирнов Б. Г.— Изв. АН УзССР.
Сер. физ.-мат. наук, 1973, № 1, с. 52—55.
69.	Бекбаулиев Б., Смирнов Б. Г., Смирнова Н. Б.—
Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат. наук, 1974, № 4,
с. 66—67.
70.	Бекбаулиев Б., Смирнов Б. Г., Смирнова Н. Б.— Науч,
тр. / Ташкент, ун-т, 1974, № 459, с. 47—51.
71.	Бекбаулиев Б., Смирнов Б. Г., Смирнова Н. Б. и др.—
РЖ. Физика, 1975, № 4, 4Ж 585.
72.	Белкинд А. И., Александров С. Б.— Жури. физ. хи-
мии, 1970, 44, Xs 12, с. 3075—3077.
73.	Беляева М. Е., Далиш Т. В., Бурштейн Р. X.— Элек-
трохимия, 1968, 4, Xs 7, с. 862.
74.	Беляева М. Е., Ларин Л. А., Далиш Т. В.— Электро-
химия, 1976, 12, Xs 4, с. 567—570.
75.	Бенда Г.— В кн.: Эффективные термокатоды. М. ;
Л. : Госэиергоиздат, 1958, т. 1, с. 256.
76.	Бенца В. М., ШтилихаМ. В., Чепур Д. В. и др.—
Физика твердого тела, 1972, 14, № 3, с. 787—789.
77.	Бибик В. Ф.— Укр. физ. журн., 1962, 7, Xs 6, с. 643—
651.
78.	Бибик В. Ф., Борзяк П. Г., Зыков Г. А. и др.— Физи-
ка твердого тела, 1973, 15, Xs 1, с. 220—222.
79.	Бигун В. И.— Вести. Льв. ун-та. Сер. физ., 1974,
№ 9, с. 33—36.
80.	Блащишин Р., Блащишинова М„ Менцлевский Р.—
В ки.: XV Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат,
содерж. докл. Киев, 1973, ч. 1, с. 28.
81.	Бобев Д., Мирева 3., Боядисийска М.— Изв. Ин-та
електрон. Бълг. АН 1972, № 6, с. 35.
82.	Бобев Д. С., Георгиев Г. Д.— В кн.: Первая нац. коиф.
по биомед. физике и технике. София, 1972, с. 1—4.
83.	Богомол И. В. Исследование условий получения и
свойств керметов из тугоплавких карбидов со связкой
из тугоплавких металлов : Автореф. дис. ... каид.
техи. наук.— Киев, 1973. В надзаг.: АН УССР, Ин-т
пробл. материаловедения.
84.	Бойко Б. А., Городецкий Д. А., Ясько А. А.— Физи-
ка твердого тела, 1973, 15, Xs 11, с. 3145—3153.
85.	Бойко Б. А., Городецкий Д. А.— В кн.: XVI Всесоюз.
конф, по эмис. электрон.: Крат, содерж. докл. Ма-
хачкала, 1976, ч. 1, с. 16—17.
86.	Бойко Б. А., Городецкий Д. А.— Физика твердого
тела, 1976, 18, Xs 11, с. 3185—3191.
87.	Бойко Б. А., Городецкий Д. А.— Укр. физ. жури.,
1977, 22, № 7, с. 1184—1190.
88.	Большов В. Г., Добрецов Л. Н.— Докл. АН СССР,
1954, 98, Xs 2, с. 193—196.
89.	Большов В. Г.— Жури. техи. физики, 1956, 26, Xs 6,
с. 1150—1162.
90.	Большое В.. Г.— Радиотехника и электрон., 1960,
5, Xs 8, с. 1241—1245.
91.	Большов В. Г.— Жури. техи. физики, 1966,36, № 2,
с. 331—337.
92.	Бондаренко Б. В.— Науч. докл. высш, школы. Радио-
техника и электрон., 1959, Xs 2, с. 330—335.
93.	Бондаренко Б. В., Царев Б. М.— Радиотехника и
электрон., 1959, 4, Xs 6, с. 1059—1060.
94.	Бондаренко Б. В.— Физика твердого тела, 1960, 2,
Xs 9, с. 2140—2151.
95.	Бондаренко Б. В., Остапченко Е. П., Царев Б. М.—
Радиотехника и электрон., 1960, 5, № 8, с. 1246—1253.
96.	Бондаренко Б. В., Ермаков С. В., Царев Б. М.—
Радиотехника и электрон.. 1960, 5, № 9. с. 1553—
1555.
97.	Бондаренко Б. В., Ермаков С. В., Царев Б. М.— Вопр.
радиоэлектроники. Сер. Электрон., 1961, Xs 4, с. 89.
98.	Бондаренко Б. В., Ермаков С. В., Царев Б. М.— Ра-
диотехника и электрон., 1961,6, № 10, с. 1773—1775.
99.	Бондаренко Б. В., Царев Б. М.— Тр. Моск, физ.-
техн. ин-та, 1962, № 8, с. 14—20.
100.	Бондаренко Б. В., Ермаков С В.— Радиотехника
и электрон., 1962, 7, Xs 12, с. 2099—2101.
101.	Бондаренко Б. В.\ Царев Б. М.— В ки.: Вопросы
теории и применения редкоземельных металлов. М. :
Наука, 1964, с. 86—91.
102.	Бондаренко Б. В., Царев Б. М.— В ки.: Вопросы
теории и применения редкоземельных металлов. М. :
Наука, 1964, с. 92—101.
103.	Бондаренко Б. В., Цукров Ф. Г.— Радиотехника и
электрон., 1965, 10, Хв 5, с. 971—972.
104.	Бондаренко Б. В., Махов В. И., Дозлов А. М.— Физи-
ка твердого тела, 1969, 11, Хе 12, с. 3574—3576.
105.	Бондаренко Б. В., Макуха В. И.— Радиотехника
и электрон., 1970, 15, № 7, с. 1494—1501.
106.	Бондаренко Б. В., Махов В. И.— Физика твердого
тела, 1970, 12, Xs 7, с. 1912—1914.
107.	Бондаренко Б. В., Махов В. И.— Физика твердого
тела, 1970, 12, Хе 7, с. 1915—1917.
Список литературы
305
108.	Бондаренко Б. В., Махов В. И.— Физика твердого
тела, 1970, 12, № 7, с. 2073—2075.
109.	Бондаренко Б. В.— В кн.: XV Всесоюз. коиф. по
эмис. электрон. ; Крат, содерж. докл. Киев, 1973,
ч. 2, с. 70.
110.	Бондаренко В. Д„ Лошкарев А. И., Ульмас-
баев Б. Ш.— Теплофизика высоких температур, 1970,
8, № 1, с. 211—213.
Ill.	Бондаренко В. П. Исследование условий получения
и некоторых физических свойств сплавов на основе
боридов редкоземельных металлов : Автореф. дис. ...
канд. техн. наук.— Киев, 1968.— В надзаг. : Киев,
политехи, ин-т.
И2.	БорзякП. Г., Мирошниченко Л. С., Федорович Р. Д.—
Физика твердого тела, 1961, 3, № 6, с. 1778—1785.
113.	Борзяк П. Г., КулюпинЮ. А., Непийко С. А. и др.—
Изв. АН СССР. Сер. физ., 1976, 40, № 12, с. 2609—
2615.
114.	Борзяк П. Г., Катрич Г. А., Самойлов В. С.— В кн. :
Диспергированные металлические пленки. Киев :
ОНТИ Ин-та пробл. материаловедения АН УССР,
1976, с. 90—96.
115.	Боуман М.— В кн.: Преобразование тепла и хими-
ческой энергии в электрическую в ракетных системах.
М. : Изд-во иностр, лит., 1963, с. 128.
116.	Бочков В. Д., Павлов М. Б., Полякова А. А.—
Электрон, техника. Сер. Электровак. и газоразряд.
приборы, 1972, № 9, с. 63—73.
117.	Бронштейн И. М., Хинич И. И.— В кн.: XVI Все-
союз. конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл.
Махачкала, 1976, ч. 1, с. 149.
118.	Будинчевич А.— Радиотехника и электрон., 1967,
12, № 7, с. 1255—1260.
119.	Бурибаев ИШишкин Б. Б.— Физика твердого тела,
1970, 12, № 11, с. 3309—3311.
120.	Бурибаев И. Исследование влияния электронного
энергетического спектра металлов на локальные и
интегральные эмиссионные характеристики : Авто-
реф. дне. ... канд. физ.-мат. наук.— М., 1971.— В над-
заг.: Моск. ун-т.
121.	Бурибаев И.— Науч. тр. Ташк. ун-т, 1974, № 463.
Вопр. физики и физики атмосферы, с. 11—15.
122.	Бурмистрова О. П., Владимиров Г. Г., Шакиро-
ва С. А.— Физика твердого тела, 1976, 18, № 9,
с. 2712—2715.
123.	Буров И. В., Гарное А. В., Горбатый И. А. и др.—
Электрон, техника. Сер. Электрон. СВЧ, 1967, № 8,
с. 146.
124.	Буров И. В., Литвак Л. И.— В кн.: Физико-химия
редких металлов. М. : Наука, 1972, с. 106—117.
125.	Бурханова В. X.— В кн.: Материалы науч. конф. асп.
Среднеаз. гос. ун-та : Естеств. науки. Ташкент:
Изд-во Среднеаз. ун-та, 1967, с. 90—93.
126.	Бурханова В. X., Чекина В. А.— В кн.: Материалы
науч. конф. асп. Среднеаз. гос. ун-та : Естеств. науки.
Ташкент : Изд-во Среднеаз. ун-та, 1967, с. 93.
127.	Бурханова В. X., Горбатый Н. А., Чекина В. А.
и др.— Научн. тр. Ташк. ун-т, 1968, № 332. Физика,
с. 64—71.
128.	Бурханова В. X., Горбатый Н. А., Султанов В.М.
и др.— Журн. техн, физики. 1968, 38, № 8, с. 1356—
1361.
129.	Бурханова В. X., Горбатый Н. А.— Изв. АН СССР.
Сер. физ., 1971, 35, № 2, с. 291—292.
130.	Бурцев П. И., Самойлов В. С., Цивилева И. М.—
Укр. физ. журн., 1976, 21, № 11, с. 1908—1910.
131.	Бурштейн Р. X., ШурмовскаяН. А., Калии Т. В.
и др.— Электрохимия, 1977, 13, № 6, с. 799—803.
132.	Быстров Ю. А., Вихрев Ю. И., Львов Г. В. и др.—
Изв. Ленингр. электротехн. ин-та, 1969, № 83, с. 13.
133.	Вараксин Б. П., Титков А. С.— Журн. техн, физи-
ки, 1976, 46, № 8, с. 1665—1669.
1/4 20 ’590
134.	Васенин Р. М.— Жури. физ. химии, 1953, 27, № 6,
с. 878—888.
135.	Васенин Р. М.— Журн. фнз., химии, 1956, 30, № 3,
с. 629—638.
136.	Васенин Р. М.— Научн. тр. Моск, технол. ин-та легк.
пром-сти, 1958, № 11, с. 208—228.
137.	Васильев В. П., Князева И. М., Пайн С. Л.— Научи,
тр. Ташк. ун-т, 1971, № 393. Физика, с. 254.
138.	Васильева Е. В., Дюбуа Б. Ч„ Ермолаев Л. А. и др.—
Радиотехника и электрон., 1966, 11, .4° 6, с. 1150—
1151.
139.	Вахабова М — Науч. тр. Бух. пед. ин-та, 1969, № 18,
с. 302—309.
140.	Вахабова М. А., Сытая Е. П.— Научн. тр. Ташк.
ун-т, 1974, № 463. Вопр. физики и физики атмо-
сферы, с. 16—19.
141.	Вахабова М. А., Камилова Р. Д.— Изв. АН УзССР.
Сер. физ-мат. иаук, 1975, № 5, с. 57—59.
142.	Вахабова М. А., Сытая Е. П.— Изв. АН УзССР. Сер.
физ.-мат. наук, 1976, № 6, с. 49—52.
143.	Вахабова М. А., Сытая Е. П.— Науч. тр. / Ташкент,
ун-т, 1976, № 499. Физика, с. 48—50.
144.	Ведула Ю. С., Гаврилюк В. М.— Укр. физ. журн.,
1958, 3, № 5, с. 632—650.
145.	Ведула Ю. С., Коноплев Ю. М., Медведев В. К. и др.
Работа выхода, термическая устойчивость и атомная
структура адсорбированных электроположительных
пленок на металлических монокристаллах.— Jiilich,
FRG : Kernforschungsanlage Jiilich GmbH, 1972.—
Preprint Gl36 - 3rd Int. Conf. Thermionic Electr.Power
Generat.
146.	Ведула Ю. С., Наумовец А. Г.— Укр. физ. журн.,
1973, 18, № 6, с. 1000—1006.
147.	Ведула Ю. С. Адсорбция и диффузия атомов бария и
тория на поверхности металлических монокристал-
лов : Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук.— Киев,
1973.— В надзаг.: АН УССР, Ин-т физики.
148.	Ведула Ю. С., Наумовец А.Г., Федорус А. Г.—'.В кн.:
XVI Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж.
докл. Махачкала, 1976, ч. 1, с. 5—6.
149.	Ведула Ю. С.— Письма в Журн. техн, физики, 1977,
3, № 3, с. 117—119.
150.	Ведула Ю. С., Гончар В. В., Наумовец А. Г. и др.—
Физика твердого тела, 1977, 19, № 9, с. 1569—1576.
151.	Ведула Ю. С., Медведев В. К-, Наумовец А. Г. и др.—
Укр. физ. журн., 1977, 22, № 11, с. 1826—1834.
152.	Весельницкий И. М.— Приборы и техника экспери-
мента, 1965, № 6, с. 157.
153.	Вилесов Ф. И., Теренин А. Н.—Докл. АН СССР.
1960, 133, № 5, с. 1060—1063.
154.	Вилесов Ф. И., Теренин А. Н.— Докл. АН СССР,
1960, 134, № 1, с. 71—73.
155.	Вилесов Ф. И., Заерубский А. А., Гарбузов Д. 3.—
Физика твердого тела, 1963, 5, № 7, с. 2000—2006.
156.	Вилесов Ф. И., Заерубский А. А., Сухов Д. А.— Физи-
ка твердого тела, 1969, 11, № 11, с. 3409—3410.
157.	Вирин Д. Л., Ненашева Л. В.— Электрон, техника.
Сер. Электрон. СВЧ, 1977, № 9, с. 64—68
158.	Вихрев Ю. И., Львов Г. В., Савченко В. П. и др.—
Изв. Ленингр. электротехн. ин-та, 1971, № 104,
с. 132.
159.	Вихрев Ю. И., Потсар А. А.—Изв. Ленингр. электро-
техн. ин-та, 1972, № 117, с. 58—66.
160.	Владимиров Г. Г.— Физика твердого тела, 1968,
10, № 4, с. 1207—1213.
161.	Владимиров Г. Г., Зубенко Ю. В., КучкаревХ.О.—
Вести. Ленингр. ун-та, 1976, № 16, с. 87—91.
162.	Волков В. М., Малов Ю. И.— Жури. физ. химии,
1971, 51, № 10, с. 2669—2671.
163.	Волков Н. В., Гуськов Ю. К-, Кононова 3. Н. и др.—
В кн.: XV Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат,
содерж. докл. Киев, 1973, ч. 1, с. 84.
306
Список литературы
164.	Волков Н. В., Гуськов Ю. К-> Кононова 3. Н. и др.—
Журн. техн, физики, 1974, 44, № 1, с. 224—225.
165.	Волков Н. В., Гуськов Ю. К., Кононова 3. Н. и др.
Исследование адсорбции простых пленок халькоге-
нов и пленок халькоген-цезий на вольфраме и молиб-
дене.— Обнинск : Физ.-энерг. ии-т, 1975.— (Пре-
принт ФЭИ-565. См. также [670]).
166.	Володин Ю. А., Дружинин А. В.— Электрон, техни-
ка. Сер. Электрон. СВЧ, 1972, № 4, с. 44.
167.	Володин Ю. А., Дружинин А. В., Князев А. Я. и др.—
В кн.: XV Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат,
содерж. докл. Киев, 1973, ч. 1, с. ПО.
168.	Воронин В. Б.— Физика твердого тела, 1967, 9, № 8,
с. 2242—2246.
169.	Воронин В. Б., Наумовец А. Г.— Изв. АН СССР.
Сер. физ., 1971, 35, № 2, с. 355—358.
170.	Воронин В. Б., Наумовец А. Г., Федорус А. Г.—
Письма в ЖЭТФ, 1972, 15, № 9, с. 523—525.
171.	Воронин Ф. И., Степанов Л. А.— Электрон, техника.
Сер. Электрон. СВЧ, 1970, № 2, с. 121.
172.	Гаврилюк В. М.— Изв. АН СССР. Сер. физ., 1956,
20, № 9, с 1071—1075.
173.	Гаврилюк В. М.— Укр. физ. журн., 1956, 1, № 1,
с. 73—80.
174.	Гаврилюк В. М., Медведев В. К.— Физика твердого
тела, 1962, 4, № 9, с. 2372—2381.
175.	Гаврилюк В. М., Медведев В. К-— Физика твердого
тела, 1966, 8, № 6, с. 1811—1818.
176.	Гаврилюк В. М., Наумовец А Г., Федорус А. Г.—
Журн. эксперим. и теорет. физики, 1966, 51, № 5,
с. 1332—1340.
177.	Гаврилюк В. М., Медведев В. К.— Физика твердого
тела, 1967, 9, № 1, с. 344.
178.	Галаев А. А.— В кн.: Поверхностные явления в рас-
плавах. Киев : Наук, думка, 1968, с. 299—302.
179.	Галаев А. А., Саблин-Яворский А. Д.— Завод, лаб.,
1969, 35, № 3, с. 294—296.
180.	Галанина 3. Н., Дружинин А. В., Кондрашен-
ков Ю. А.— В кн.: XV Всесоюз. коиф. по эмис. элек-
трон. : Крат, содерж. докл. Киев, 1973, ч. 1, с. 111.
181.	Гарифуллин Н. М., Зубенко Ю. В.— Физика твердого
тела,1975, 17, № 12, с. 3645—3647.
182.	Гарифуллин Н. М., Зубенко Ю. В.— Вести. Лениигр.
ун-та, 1976, № 10. Физика, химия, вып. 2, с. 59—66.
183.	Гарифуллин Н. М., Зубенко Ю. В.— В кн.:
XVI Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат, со-
держ. докл. Махачкала, 1976, ч. 3, с. 66.
184.	Гарифуллин Н. М., Зубенко Ю. В.— В кн.: XVI Все-
союз. конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл.
Махачкала, 1976, ч. 3, с. 67—68.
185.	Гарифуллин Н. М., Зубенко Ю. В., Я год кин В. М.—
Радиотехника и электрон., 1976, 21, № 11, с. 2438—
2439.
186.	Гарное А. В., Горбатый Н. А., Султанов В. М.—
Науч. тр. / Ташкент, ун-т, 1968, № 332. Физика,
с. 57—63.
187.	Гарное А. В., Горбатый Н. А.— Тр. конф, по элек-
трон. технике, 1970, № 7. Эмис, электрон., с. 66—70.
188.	Гарное А. В., Горбатый Н. А., Карпачев Б. И.—
Изв. АН СССР. Сер. физ., 1971, 35, №2, с. 341—344.
189.	Гвердцители И.Г., Кудзиев А. Г., Кучеров Р. Я. и др.
Исследование влияния работы выхода материала кол-
лектора на электрические характеристики ТЭП в ду-
говом режиме.— Julich, FRG: Kernforschungsanlage
Jfllich GmbH, 1972.— Preprint Fi3o-3rd Int. Conf.
Thermionic Electr. Power Generat.
190.	Гвердцители И. Г., Коробова И. Л., Кучеров Р. Я-
и др.— Журн. техи. физики, 1976, 46, №3, с. 544—
551.
191.	Гейнс Г., Голдуотер Д.р Хейтер В.— В кн.: Электрон-
ные сверхвысокочастотные приборы со скрещенными
полями.— М. : Изд-во иностр, лит., 1961, т. 1, с. 106.
192.	Геращенко С. С., Догадаев Р. В., Мартынов В. Л.—
Теплофизика высоких температур, 1974, 12, № 5, с.
1019—1026.
193.	Герман Г., Вагенер С. Оксидный катод.— М. ; Л. :
Гостехиздат, 1949.
194.	Гнесин Г. Г., Олейник Г. С., Охремчук Л. Н. и др.—
Порошковая металлургия, 1970, № 5, с. 67—72.
195.	Гнучев Н. М., Каничева И. Р., Кирсанова Т. С.—
Электрон, техника. Сер. Электрон. СВЧ, 1970, № 11,
с. 133—135.
196.	Гнучев Н. М., Каничева И. Р., Кирсанова Т. С.—
Электрон, техника. Сер. Электрон. СВЧ, 1970, № 12,
с. 131—133.
197.	Гнучев Н. М., Кирсанова Т. С.— Электрон, техника.
Сер. Электрон СВЧ, 1975, № 12, с. 68—74.
198.	Гнучев Н. М., Кирсанова Т. С.— Тр. Ленингр. поли-
техи. ин-та, 1975, № 345. Физ. электрон., с. 27—
29.
199.	Гнучев Н. М., Кирсанова Т. С.— В кн.: XVI Всесоюз.
конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл.
Махачкала, 1976, ч. 3, с. 119—120.
200.	Гнучев Н. М., Кирсанова Т. С.— Изв. АН СССР,
Сер. физ., 1976, 40, № 8, с. 1731—1736.
201.	Гобарев Л. А., Мазель А. Г., Пумпурс В. М. и др.—
Автомат, сварка, 1977, № 2, с. 31—34.
202.	Головач И. И., Сливка В. Ю., Матяшовский В. В.
и др.— Физика твердого тела, 1976, 18, № 11,
с. 3313—3317.
203.	Голубев О. Л., Шайхин Б. М., Шредник В. И.— Пись-
ма в Журн. техн, физики, 1975, 1, № 15, с. 714—718.
204.	Гомбаш П. Статистическая теория атома и ее приме-
нение.— М. : Изд-во иностр, лит., 1951, с. 335.
205.	Горбатый Н. А., Рябченко Е. М.— Физика твердого
тела, 1965, 7, № 4, с. 1150—1156.
206.	Горбатый Н. А., Хашимова С.— Физика твердого
тела, 1966, 8, № 5, с. 1441—1448.
207.	Горбатой И. А., Львов Г. В., Передерий В. А. и др.—
Изв. АН СССР. Сер. физ., 1966, 30, № 12, с. 1942—
1949.
208.	Горбатый Н. А., Решетникова Л. В., Султа-
нов В. М.— Физика твердого тела, 1968, 10, .Ks 4,
с. 1185—1192.
209.	Горбатый Н. А., Карпачев Б. И.— Физика твердого
тела, 1969, 11, № 5, с. 1406—1408.
210.	Горбатый Н. А., Карпачев Б. И.— В кн.: Редкозе-
мельные металлы и сплавы. М. : Наука, 1971, с. 88—
95.
211.	Горбатый Н. А., Гарное А. В., Газизов Р. Ф.— В кн.:
XV Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж.
докл. Киев, 1973, ч. 1, с. 18.
212.	Горбатый Н. А., Чекина В. А.— Изв. АН СССР. Сер.
физ., 1974, 38, № 2, с. 230—233.
213.	ГорбатыйН. А., Гарное А. В., Карпачев Б. И. и др.—
Изв. АН СССР. Сер. физ., 1974, 38, № 2,
с. 260—264.
214.	Гордиенко Н. А., Антропов Б. И.— Укр. хим. жури.,
1970, 36, № 12, с. 1285—1286.
215.	Гордиенко Н. А.— В кн.: Тр. I Укр. респ. конф, по
электрохимии. Киев : Наук, думка, 1973, ч. 1,
с. 61—67.
216.	Гордиенко С. П., Кондратов И. Я-, Подчерняева И. А.
и др.— Радиотехника и электрон., 1970, 15, № 9,
с. 2002.
217.	Горностаева П. Д., Киселев А. Б., Турсунме-
тов К. А.— Электрон, техника. Сер. Электрон. СВЧ,
1972, № 11, с. 66—74.
218.	Городецкий Д. А., Ясько А. А.— Физика твердого
тела, 1971, 13, Xs 5, с. 1298—1302.
219.	Городецкий Д. А., Ясько А. А.— Физика твердого
тела, 1971, 13, Xs 11, с. 3462—3464.
220.	Городецкий Д. А., Ясько А. А.— Физика твердого
тела, 1972, 14, Xs 3, с. 746—748.
Список литературы
307
221.	Городецкий Д. А., Мельник Ю.А — Физика твердого
тела, 1974, 16, Xs 9, с. 2781—2783.
222.	Городецкий Д. А., Горчинский А. Д., Максимен-
ко В. И. и др.— Физика твердого тела 1976, 18,
Xs 4, с. 1196—1198.
223.	Городецкий Д. А., Шевляков С. А.— Укр. физ. журн.,
1976, 21, Xs 10, с. 1633—1638.
224.	Гофман И. И.— Докл. АН УзССР, 1962, Xs 6, с. 26.
225.	Гришкова В. П., Крюк В. И., Розенман Г И.— В ки.:
XVI Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат, со-
держ. докл. Махачкала, 1976, ч. 3, с. 148.
226.	ГродкоВ. А., ТарасовБ. А., Зайцев В. М. и др.—
В ки.: Исследование и применение сплавов рения.
М. : Наука, 1975, с. 92—94.
227.	Гуенин А. А., Хамидов О. X.— Радиотехника и
электрон., 1967, 12, Xs 12, с. 2270.
228.	Гуенин А. А., Душина О. В., Кирсанова В. И. и др.—
В кн.: Рений в новой технике. М. : Наука, 1970,
ч. 2, с. 138—141.
229.	Гудэ Ж. Промышленная электроника— М. ; Л.:
Госэнергоиздат, 1960.
230.	Гупало М. С., Медведев В. К., Палюх Б. М. и др.—
В кн.: XVI Всесоюз. конф, по эмис. электрон.: Крат,
содерж. докл. Махачкала, 1976, ч. 1, с. 88—89.
231.	Гупало М. С., Медведев В. К., Смерека Т. П. и др.—
Физика твердого тела, 1977, 19, Xs 10, с. 2955—2959.
232.	Гуревич Ю. Я.— Физика твердого тела, 1969, 11,
Xs 10, с. 2976—2980.
233.	Гуськов Ю. К., Пащенко В. П„ Сибир Е. Е.— Изв.
АН СССР. Сер. физ., 1964, 28, Xs 9, с. 1537—1540.
234.	Гутман Ф., Лайонс Л. Органические полупроводни-
ки.— М. : Мир, 1970.
235.	Даас Д.— В кн.: Техника электронных ламп. М. :
Изд-во иностр, лит., 1963, с. 280.
236.	Дадли К., ЛесенскийЛ.— В кн.: Техника электрон-
ных ламп. М. : Изд-во иностр, лит., 1963, с. 250.
237.	Демченко В. В., Хомутов Н. Е.— Тр. Моск, хим.-
технол. ин-та им. Д. И. Менделеева, 1962, Xs 39,
с. 115.
238.	Демченко В. В.— Физика металлов и металловедение,
1966, 21, Xs 4, с. 634—636.
239.	Денбновецкая Е. Н., Лавренко В. А., Подчерняе-
ва И. А. и др.— Порошковая металлургия, 1971,
Xs 4, с. 42—45.
240.	Денисов В. П., Климин А. И.— В кн.: XVI Всесоюз.
конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл. Ма-
хачкала, 1976, ч. 2, с. 14—15.
241.	Денисов Г. И., Ягодовский В. Д., Калягин В. А.—
М., 1975.— Рукопись деп. в ВИНИТИ, Xs 2413—75
Деп. (см. также [407]).
242.	Денисов Г. И., ЯгодовскийВ. Д., Калягин В. А.—
Кинетика и катализ, 1977, 18, Xs 3, с. 700—703.
243.	Денисов Г. Н., Калягин В. А., Ягодовский В. Д.
и др.— Кинетика и катализ, 1977, 18, Xs 3, с. 704—
709.
244.	Деркач Ю. Ф. Некоторые особенности положительной
поверхностной ионизации в пороговой области : Ав-
тореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук.— Харьков,
1	1976.— В надзаг.: АН УССР, Физ-техн. ин-т низких
температур.
245.	Дехтяр И. Я-> Силантьев В. И., Шевченко Н. А.
и др.— Укр. физ. журн., 1976, 21, Xs 3, с. 500—505.
245а. Дехтяр И. Я-— В кн.: Металлы, электроны, ре-
шетка. Киев : Наук, думка, 1975, с. 228—252.
2456.	Дехтяр И. Я-, Адонкин В. Т., Мадатова Э. Г.
и др.— Письма в ЖЭТФ, 1977, 26, Xs 4, с. 305—309.
245в. Дехтяр И. Я., Адонкин В. Т., Сахарова С. Г. и др.—
ФТТ, 1979, 21, Xs 6, с. 1852—1854.
246.	Дикова Л. К., Сытая Е. П., Шуппе Г. Н.— Физика
твердого тела, 1966, 8, Xs 3, с. 936—938.
247.	Дикова Л. К., Стригущенко И. В.— Тр. конф, по эле-
ктрон. технике, 1970, Xs 7. Эмис, электрон., с. 98—106.
20+ ’/< ’590
248.	Дикова Л. К., Стригущенко И. В., Шуппе Г. Н.___
Тр. Ряз. радиотехн. ин-та, 1972, Xs 37. Физ. явления
в газах и твердых телах, с. 102—116.
249.	Дикова Л. К-, Лифанов А. И.— В кн.: Эмиссионная
электроника. Рязань : Моск, рабочий, 1974, с. 163—
165.
250.	Дикова Л. К., Стригущенко И. В.— Радиотехника
и электрон., 1975, 20, № 8, с. 1752—1753.
251.	Дмитриева В. Н., Марычева 3. Н., Шапкин В. Ф.
и др.— Электрон, техника. Сер. Электрон. СВЧ,
1969, Xs 1, с. 159—166.
252.	Добрецов Л. Н. Электронная и ионная эмиссия.—
М. ; Л. : Гостехиздат, 1950.
253.	Добрецов Л. Н., Мацкевич Т. Л.— Журн. техн, фи-
зики, 1966, 36, Xs 8, с. 1449—1458.
254.	Добрецов Л. Н., Гамаюнова М. В. Эмиссионная элек-
троника.— М. : Наука, 1966.
255.	Добромыслов М. В., Капица М. Л., Немченок Р. Л.
и др.— Тр. Ленингр. политехи, ин-та, 1975, Xs 345.
Физ. электрон., с. 67—69.
256.	Драндаров Н.— В кн.: XV Всесоюз. конф, по эмис.
электрон. : Крат, содерж. докл. Киев, 1973, ч. 2,
с. 72.
257.	Драндаров Н. Д.— Изв. АН СССР. Сер. физ., 1974,
38, Xs 2, с. 354—358.
258.	Дружинин А. В.— Радиотехника и электрон., 1962,
7, Xs 9, с. 1547—1555.
259.	Дружинин А. В., Мельников А. И., Некрасов В. И.—
Радиотехника и электрон., 1967, 12, Xs 5, с. 862—
866.
260.	Дружинин А. В., Куприянова Т. А.— Радиотехника
и электрон., 1967, 12, Xs 7, с. 1261—1264.
261.	Дружинин А. В.— Радиотехника и электрон., 1967,
12, Xs 7, с. 1265—1269.
262.	Дружинин А. В., Кондрашенков Ю. А.— Радиотех-
ника и электрон., 1973, 18, Xs 7, с. 1531—1533.
263.	Дръндаров Н.— Изв. Ин-та електрон. Бълг. АН,
1972, Xs 6, с. 5.
264.	Дръндаров Н.— Изв. Ин-та електрон. Бълг. АН,
1974, Xs 7, с. 29—33.
265.	Дръндаров Н., Кънев В. Изв. Ин-та електрон. Бълг.
АН, 1974, № 7, с. 35—41.
266.	Дюбуа Б. Ч., Попов Б. Н.— Вопр. радиоэлектроники.
Сер. Электрон., 1958, Xs 10, с. 118.
267.	Дюбуа Б. Ч., Попов Б. Н.— Радиотехника и электрон.
1960, 5, Xs 8, с. 1233—1240.
268.	Дюбуа Б. Ч., Пекарев А. И., Попов Б. Н. и др.—
Радиотехника и электрон., 1962, 7, Xs 9, с. 1566—
1573.
269.	Дюбуа Б. Ч., Култашев О. К-— Радиотехника и элек-
трон., 1964, 9, Xs 9, с. 1725—1727.
270.	Дюбуа Б. Ч., Култашев О. К-, Цыганова И. А.—
Радиотехника и электрон., 1964, 9, Xs 11, с. 2061—
2065
271.	Дюбуа Б. Ч., Култашев О. К-— В кн.: Поверхност-
ные явления в расплавах и возникающих из них
твердых фазах. Нальчик : Кабард.-Балк. кн. изд-во,
1965, с. 433—437.
272.	Дюбуа Б. Ч., Новикова Т. М., Степанов Л. А.— Вопр.
радиоэлектроники. Сер. Электрон., 1965, Xs 3, с. 162.
273.	Дюбуа Б. Ч., Степанов Л. А.— Радиотехника v
электрон., 1965, 10, Xs 12, с. 2200—2203.
274.	Дюбуа Б. Ч., Култашев О. К-, Горшкова Л. В.—
Физика твердого тела, 1966, 8, Xs 4, с. 1105—1109.
275.	Дюбуа Б. Ч., Ермолаев Л. А., Култашев О. К.—
Радиотехника и электрон., 1966, 11. Xs 6, с. 1149—
1150.
276.	Дюбуа Б. Ч., Култашев О. К-— Физика металлов и
металловедение, 1966, 21, Xs 3, с. 396—402.
277.	Дюбуа Б. Ч., Ермолаев Л. А., Есаулов Е. П. и др.—
Радиотехника и электрон., 1967, 12, Xs 8, с. 1523—
1524.
308
Список литературы
278:	Дюбуа Б. Ч., Степанов Л. Л.—Электрон, техника.
Сер. Электрон. СВЧ, 1973, № 7, с. 70—73.
279.	Дюбуа Б. Ч., Култашев О. К-, Соловьев В. И.— В кн.:
Эмиссионная электроника. Рязань : Моск, рабочий,
1974, с. 154—158.
280.	Дюбуа Б. Ч., Соловьева Г. С., Рождественский В. М.
и др.— Физика твердого тела, 1975, 17, № 5,
с. 1503—1505.
281.	Дюбуа Б. Ч., Сытник А. Д.— Электрон, техника.
Сер. Электрон. СВЧ, 1976, № 3, с. 81—83.
282.	Дюбуа Б. Ч., Сытник А. Д.— Электрон, техника.
Сер. Электрон. СВЧ, 1976, № 6, с. 68—71.
283.	Дюмон Ф., Морис Д.— В кн.: Термоэмиссионное
преобразование энергии. М. : Атомиздат, 1971, с. 84.
284.	Евстигнеев С. И., Ткаченко А. А. Катоды и подогре-
ватели электровакуумных приборов.— М. : Высш,
школа, 1970.
285.	Егиев В. Г.— Журн. физ. химии, 1971, 45, № 11,
с. 2871—2874.
286.	Егиев В. Г.— В кн.: Поверхностные явления в жид-
костях. Л. : Ленингр. ун-т, 1975, с. 103—108.
287.	Елинсон М. И., Горьков В. А., Васильев Г. Ф.—
Радиотехника и электрон., 1958, 3, № 3, с. 307—312.
288.	Елинсон М. И., Кудинцева Г. А.— Радиотехника и
электрон., 1962, 7, № 9, с. 1511—1518.
289.	Елинсон М. И., Кудинцева Г. А., Ку люпин Ю. А.
и др. Ненакаливаемые катоды.— М. : Сов. радио,
1974.
290.	Еремеев М. А., Нешпор В. С., Новиков А. Б. и др.—
Журн. техн, физики, 1974, 44, № 10, с. 2159—2167.
291.	Еремеев М. А., Нешпор В. С., Новиков А. Б. и др.—
Жури. техн, физики, 1977, 47, № 9, с. 1957—1964.
292.	Ермаков С. В., Царев Б. М.— Радиотехника и элек-
трон., 1962, 7, № 12, с. 2102—2104.
293.	Ермаков С. В.— Радиотехника и электрон., 1964,
9, № 1, с. 180—181.
294.	Ермаков С В., Царев Б. М.— Радиотехника и
электрон., 1965, 10, № 5, с. 972—975.
295.	Ермаков С. В.— Радиотехника и электрон., 1966,
11, № 4, с. 774—775.
296.	Ермаков С. В., Царев Б. М.— Атом, энергия, 1966,
20, № 5, с. 439—440.
297.	Ермаков С. В., Мамедов Ф. Г., Меерсон Г. А. и др.—
Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1967, 3, № 5,
с. 808—812.
298.	Ермаков С. В., Мамедов Ф. Г., Меерсон Г. А. и др.—
Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1967, 3, № 6,
с. 1094—1095.
299.	Есарев Г. И., Левченко Н. Е., Салауров М. П.— В кн.:
Монокристаллы тугоплавких и редких металлов.
М. : Наука, 1969, с. 179—181.
300.	Жадан А. И., Царев Б. М.— Радиотехника и элек-
трон., 1964, 9, № 2, с. 355—356.
301.	Жанабергенов К. Ж-, Сытая Е. П.— Тр. конф, по
электрон, технике, 1970, № 7. Эмис, электрон.,
с. 71—80.
302.	Жанабергенов К- Ж., Сытая Е. П.— Изв. АН КазССР.
Сер. физ.-мат. наук, 1970, № 4, с. 62.
303.	Жанабергенов К. Ж., Сытая Е. П.— Изв. вузов СССР.
Физика, 1970, № 6, с. 7—11.
304.	Жанабергенов К. Ж.— Изв. вузов СССР. Физика,
1971, № 12, с. 146—148.
305.	Жанабергенов К. Ж-, Сытая Е. П.— Науч. тр. /
Ташкент, ун-т, L971, № 393. Физика, с. 237.
306.	Жанабергенов К. Ж., Сытая Е. П.— Науч, тр./Таш-
кент. ун-т, 1971, № 393. Физика, с. 247.
307.	ЖанабергеновК. Ж.— В кн.: Материалы I Респ. науч,-
метод. конф, преподавателей физики, методики физики
и астрономии пед. вузов Казахстана. Алма-Ата : Каз.
пед.-ин-т, 1972, с. 42.
308.	Жанабергенов К. Ж., ИмангуловаН. Г., Сытая Е. П.—
В кн.: Структура и свойства монокристаллов туго-
плавких металлов. М. : Наука, 1973, с. 207—
211.
309.	Жебровски А. Д., Владимиров Г. Г.— Физика твердо-
го тела, 1975, 17, № 5, с. 1484—1486.
310.	Желудева Г. А.— Вести. Моск, ун-та. Физика и астро-
номия, 1962, № 5, с. 3—9.
311.	Журн. физ. химии, 1975, 49, № 7.
312.	Заерубский А. А., Вилесов Ф. И.— Физика твердого
тела, 1971, 13, № 8, с. 2300—2308.
313.	Задумкин С. Н.— Журн. физ. химии, 1953, 27, № 4,
с. 502—504.
314.	Задумкин С. И., Царашаев А. А.— Физико-химия и
механика материалов, 1965, 1, № 2, с. 139—141.
315.	Задумкин С. Н., Егиев В. Г.— Физика металлов и
металловедение, 1966, 22, № 1, с. 121—122.
316.	Задумкин С. Н., Хоконов X. Б.— Физика металлов
и металловедение, 1967, 23, № 3, с. 565—568.
317.	Задумкин С. Н., Хоконов X. Б., Калмыков В. А. и др.—
В кн.: Тр. III сессии Сев.-Кавк, совета по коорди-
нации и планированию н.-н. работ. Новочеркасск :
Новочеркас. политехи, ин-т, 1968.
318.	Задумкин С. Н., Ибрагимов X. И., Хоконов X. Б.—
Журн. физ. химии, 1977, 51, № 1, с. 133—137
319.	Закотнов В. В., Кудараускас И. А., Кузнецов В. П.
и др.— В кн.: Вопр. физики твердого тела. Челя-
бинск : Челяб. пед. ин-т, 1976, сб. 6, с. 35—40.
320.	Закурдаев И. В., Черняк Е. А.— В кн.: Эмиссионная
электроника. Рязань : Моск, рабочий, 1974, с. 46—51.
321.	Зандберг Э. Д., Тонтегоде А. Д.— Жури. техн, фи-
зики, 1965, 35, № 2, с. 325—331.
322.	Зандберг Э. Д., Тонтегоде А. Д.— Журн. техн, фи-
зики, 1965, 35, № 8, с. 1501—1503.
323.	Зандберг Э. Д., Палеев В. И. — Журн. техн, физики,
1965, 35, № 11, с. 2092—2098.
324.	Зандберг Э. Д., Тонтегоде А. Д.— Журн. техн, физи-
ки, 1968, 38, № 4, с. 737—741.
325.	Зандберг Э. Д., Расулев У. X.— Журн. техн, физики,
1968, 38, № 10, с. 1793—1797.
326.	Зандберг Э. Д., Тонтегоде А. Д.— Физика твердого
тела, 1970, 12, № 4, с. 1124—1127.
327.	Зандберг Э. Д., Тонтегоде А. Д., Юсифов Ф. К.—
Журн. техн, физики, 1971, 41, № 11, с. 2420—2427.
328.	Зандберг Э. Д., Тонтегоде А. Д., Юсифов Ф. К-~
В кн.: Структура и свойства монокристаллов туго-
плавких металлов. М. : Наука, 1973, с. 216—222.
329.	Зандберг Э. Д., Тонтегоде А. Д., Юсифов Ф. К-—
В кн.: Эмиссионная электроника. Рязань : Моск, ра-
бочий, 1974, с. 112—118.
330.	Зандберг Э. Д., Рутьков Е. В., Тонтегоде А. Д.—
Журн. техн, физики, 1975, 45, № 9, с. 1884—1891.
331.	Зандберг Э. Д., Рутьков Е. В., Тонтегоде А. Д.—
Журн. техн, физики, 1976, 46, № 12, с. 2610—2616.
382.	Зандберг Э. Д„ Рутьков Е. В., Тонтегоде А Д.—
Физика твердого тела, 1977, 1®, № 2, с. 373—378.
333.	Зандберг Э. Д„ Рутьков Е. В., Тонтегоде А. Д.
и др.— Физика твердого тела, 1977, 19, № 6,
с. 1665—1670.
334.	Захаров Ю. А., Савельев Г. Г.— Кинетика и катализ,
1966, 7, № 1, с. 55—61.
335.	Захарова М. Д.— Науч. тр. / Бух. пед. ин-т, 1967,
№ 2, с. 112.
336.	Зильберман М. М., Ильин В. И., Калашникова 3. В.
и др.— Электрон, техника. Сер. Электрон. СВЧ,
1975, № 10, с. 47—52
337	Зингерман Д. П., Ищук В. А., Морозовский В. А.—
Физика твердого тела, 1960, 2, № 1, с. 9.
338.	Зингерман Д. Ц., Ищук В. А., Морозовский В. А.—
Физика твердого тела, 1961, 3, № 4, с. 1044—1053.
389.	Зингерман Д. П., Ищук В. А.— Физика твердого
тела, 1962, 4, ,4s 8, с. 2212—2213.
340.	Зингерман Д. П., Ищук В. А., Крутилиня Т. А.—
Физика твердого тела, 1965, 7, № 8, с. 2569—2571.
Список литературы
309
341.	Злупко В. Н., Романчук И. Т., Савчин Л. С.— М.,
1975.— Рукопись деп. в ВИНИТИ, № 2219—75 Деп.
(См. также [668]).
342.	Зубенко Ю. В., Сокольская И. Л.— Радиотехника и
электрон., 1960, 5, № 8, с. 1327—1337.
343.	Зубенко Ю. В., Сокольская И. Л.— Физика твердого
тела, 1961, 3, № 5, с. 1561—1565.
344.	Зубенко Ю. В., Сокольская И. Л.— Радиотехника и
электрон., 1962, 7, № 9, с. 1467—1473.
345.	Зубенко Ю. В., Сокольская И. Л.— Журн. техн, фи-
зики, 1962, 32, № 3, с. 378—380.
346.	Зубенко Ю. В.— Радиотехника и электрон., 1963,
8, Ns 7, с. 1239—1245.
347.	Зубенко Ю. В.— Физика твердого тела, 1964. 6, № 1,
с. 123—127.
348.	Зубенко Ю. В., Сокольская И. Л.— Изв. АН СССР.
Сер. физ., 1966, 30, № 5, с. 901—902.
349.	Зубенко Ю. В.— Учен. зап. Ленингр. ун-та, 1968,
№ 345. Вопр. электрон, твердого тела, сб. 2, с. 61.
350.	Зубенко Ю. В., Коняева А. С.— В кн.: XIV Всесоюз.
конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл. Таш-
кент, 1970, секция 1, с. 34.
351.	Зубенко Ю. В., Маринова Ц. С.— Учен. зап. Ле-
нингр. ун-та, 1970, № 354. Вопр. электрон, твердого
тела, сб. 3, с. 3.
352.	Зубенко Ю. В., Есаулов Н. П.— Физика твердого тела,
1970, 12, № 3, с. 852—855.
353.	Зубенко Ю. В., Коняева А. С.— Учен. зап. Ленингр.
ун-та, 1974, № 370. Вопр. электрон, твердого тела,
сб. 4, с. 89—93.
354.	Зубенко Ю. В., Маринова Ц. С.— Bulg. J. Phys.,
1974, 1, N 1, р. 70—79.
355.	Зыков Г. А., Находкин Н. Г.— Изв. АН СССР. Сер.
физ., 1971, 35, № 5, с. 1070—1074.
356.	Зыкова Е. В., Кучеренко Е. Т., Юдинская И. В.—
Электрон, техника. Сер. Электровакуум, и газо-
разряд. приборы, 1972, № 9, с. 56—62.
357.	Ибрагимов X. И., Нальгиев А. Г.-М., Сагов Б. Б.—
М., 1975.— Рукопись деп. в ВИНИТИ, № 1014—
75 Деп. (См. также [311, с. I860]).
358.	Иедличка М., Вилим П.— Радиотехника и электрон.,
1966, 11, № 10, с. 1837—1845.
359.	Илларионов С. В., Коновалов И. Д.. Тишин Е. А.—
Радиотехника и электрон., 1973, 18, № 5, с. 1097.
360.	Ильин В. И., Есаулов И. И., Казаков А. И.— Элек-
трон. техника. Сер. Электрон. СВЧ, 1971, № 4, с. 138.
361.	Имангулова Н. Г., Сытая Е. И.— Тр. конф, по элек-
трон. технике, 1970, № 7. Эмис, электрон, с. 81—90.
362.	Имангулова И. Г., Сытая Е. И.— Изв. АН УзССР.
Сер. физ.-мат. наук, 1973, № 2, с. 45—48.
363.	Имангулова И. Г., Сытая Е. И.— Изв. АН УзССР.
Сер. физ.-мат. наук, 1973, № 5, с. 70—71.
364.	Имангулова И. Г., Сытая Е. И.— Науч. тр. / Таш-
кент. ун-т, 1974, № 463. Вопр. физики и физики атмо-
сферы, с. 21—24.
365.	Инкин В. В., Туманов А. И., Файфер С. И. и др.—
Электрон, техника. Сер. Материалы, 1977, № 5,
с. 10—16.
366.	Ионов И. И., Маринова Ц. С.— Физика твердого тела,
1971, 13, № 3, с. 674—681.
367.	Ионов И. И., Маринова Ц. С., Икшинский Б. В.—
Физика твердого тела, 1972, 14, № 11, с. 3181—3185.
368.	Ионов И. И., Медведев Б. К-— Физика твердого тела,
1974, 16, № 9, с. 2651—2655.
369.	Ионов И. И., Медведев Б. К-— Физика твердого тела,
1975, 17, № 3, с. 800—805.
370.	Иофис Н. А., Пароль И. В., Шарапова Т. Л.— В кн.:
Диспергированные металлические пленки. Киев :
ОНТИ Ин-та физики АН УССР, 1972, с. 297—
307.
371.	Каганович М. В., Макарова Р. А.— Радиотехника и
электрон., 1962, 7, № 9, с. 1579—1584.
20+'/Г
372.	Кадыров Р. М., Сытая Е. И., Шуппе Г. И.— Тр.
Среднеазиат. ун-та, 1957, № 91. Физика, с. 5.
373.	Казанцев А. И., Крачино Т. В., Мацкевич. Т. Л.—
Радиотехника и электрон., 1964, 9, № 8, с.' 1440—
1446.
374.	Кайшева Л. И.— Физика твердого тела, 1972, 14,
№ 8, с. 2438—2439.
375.	Калиш Т. В., Беляева М. Е., Ларин Л. А.— В кн.:
XVI Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат, со-
держ. докл. Махачкала, 1976, ч. 3, с. 150—151.
376.	Камилова Р. Я-, Сытая Е. И.— В кн.: XIV Всесоюз
конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл. Таш-
кент, 1970, секция 2, с. 17.
377.	Камилова Р. Я., Сытая Е. И.— Тр. конф, по электрон,
технике, 1970, № 7, Эмис, электрон., с. 91—97.
378.	Камилова Р. Я-, Сытая Е. И.— Докл. АН У.-.сСР,
1970, № 5, с. 20.
379.	Камилова Р. Я-> Шамсиев М.— Изв. вузов СССР. Фи-
зика, 1970, № 6, с. 143—145.
380.	Камилова Р. Я., Сытая Е. П.— Изв. АН УзССР. Сер.
физ.-мат. наук, 1971, № 2, с. 34.
381.	Камилова Р. Я-— Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат.
наук, 1976, № 1, с. 80—82
382.	Кан X. С., Кульварская Б. С.— Изв. АН СССР. Сер.
физ., 1969, 33, № 3, с. 439—444.
383.	Кан X. С., Кульварская Б. С.— Журн. техн, физики,
1973, 43, № 6, с. 1269—1274.
384.	Кан X. С., Кульварская Б. С.— В кн.: XV Всесоюз.
конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл. Киев,
1973, ч. 1, с. 139.
385.	Кан X. С., Кульварская Б. С., Карасева Т. К- и др.—
Изв. АН СССР. Сер. физ., 1976, 40, № 8, с. 1667—
1671.
386.	Кан X. С., Кульварская Б. С., Третьякова М. Г.—
Письма в Журн. техн, физики, 1977, 3, Ns 7, с. 330—
332.
387.	Канаш О. В., Наумовец А. Г., Федорус А. Г.— Журн.
эксперим. и теорет. физики, 1974, 67, Ns 5, с. 1818—
1826.
388.	Канев В., Нанев К-, Петрова Р.— Радиотехника и
электрон., 1965, 10, Ns 2, с. 393—396.
389.	Канев В., Нанев К.— Изв. Ин-та електрон. Бьлг.
АН, 1966, Ns 2, с. 7.
390.	Капица М. Л., Немченок Р. Л., Пальтс Т. Н.— Тр.
Ленингр. политехи, ин-та, 1973, № 328. Физ. элек-
трон., с. 68—71.
391.	Карабаев Т. А., Халиков Ш. М., Азизова Д. и др.—
Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат. наук, 1970, Ns 4,
с. 49.
392.	Карабаев Т. А.— Науч. тр. / Ташкент уь-т, 1970,
Ns 379, с. 79—84.
393.	Карамурзов Б. С., Коков М. Б., Алчагиров Б. Б.—
В кн.: Физическая химия поверхности расплавов.
Тбилиси : Мецниереба, 1977, с. 126—134.
394.	Карпачев Б. И., Горбатый Н. А.— Науч. тр. / Таш-
кент. ун-т, 1971, Ns 393. Физика, с. 205.
395.	Картузова И. А., Кузьменко А. С., Черный М. М.
и др.— Электрон, техника. Сер. Электровакуум, и
газоразряд. приборы, 1975, Ns 10, с. 81—87.
396.	Касьян В. А., Утусикова Н. Г.— Учен. зап. / Кишин.
ун-т, 1961, Ns 49, с. 112.
397.	Катрич Г. А., Сарбей О. Г.— Физика твердого тела,
1961, 3, Ns 6, с. 1629—1637.
398.	Катрич Г. А., Самойлов В. С.— В кн.: Дисперги-
рованные металлические пленки. Киев : ОНТИ Ин-та
физики АН УССР, 1972, с. 319—324.
399.	Катрич Г. А., Мирошниченко Л. С., Самойлов В. С.
и др.— В кн.: XV Всесоюз. конф, по эмис. электрон. :
Крат, содерж. докл. Киев, 1973, ч. 2, с. 30.
400.	Катрич Г. А., Самойлов В. С.— В кн.: XV Всесоюз.
конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл. Киев,
1973, ч. 2, с. 35.
310
Список литературы
401.	Захаров О. Термоэмиссионные н адсорбционные свой-
ства рекристаллизованных проволок вольфрама (по
торию и цезию) : Автореф. дис. ... канд. физ.-мат.
наук.— Ташкент, 1966.— В надзаг.: Среднеаз. ун-т.
402.	Кахаров О.— Науч. тр. / Бух. пед. ин-т, 1967, № 2,
с. 102.
403.	Катетов А., Горбатый Н. А.— Физика твердого те-
ла, 1968, 10, № 7, с. 2135—2140.
404.	Катетов А., Горбатый Н. А.— Изв. вузов СССР.
Физика, 1969, Xs 7, с. 37—41.
405.	Катетов А., Горбатый Н. А.— Физика твердого тела,
1969, 11, № 2, с. 493—495.
406.	Катетов А., Горбатый Н. А.— Тр. конф, по элек-
трон. технике, 1970, Xs 7, Эмис, электрон., с. 52—54.
407.	Кинетика и катализ, 1975, 16, № 6, с. 1630.
408.	Кирсанова Т. С., Шульман А. Р., Дементьева А. В.—
Физика твердого тела, 1962, 4, № 9, с. 2615—2617.
409.	Кирсанова Т. С., Шульман А. Р., Герасимова А. П.—
Физика твердого тела, 1962, 4, Xs 9, с. 2617—2620.
410.	Кирсанова Т. С., Шульман А. Р.— Физика твердого
тела, 1964, 6, Xs 1, с. 282—289.
411.	Кирсанова Т. С., Жуковский А. Н.— Тр. Ленингр.
политехи, ин-та, 1970, Xs 311. Физ. электрон., с. 59.
412.	Кирсанова Т. С., Немченок Р. Л., Осинин А. А.— Тр.
конф, по электрон, технике, 1970. Xs 7. Эмис, элек-
трон., с. 44—51.
413.	Кирсанова Т. С., Пахомова Л. Н.— Тр. Ленингр.
политехи, ин-та, 1973, Xs 328. Физ. электрон.,
с. 56—60.
414.	Кирсанова Т. С., Тумарева Т. А., Иванова Н. А. и др.
В кн.: Эмиссионная электроника. Рязань : Моск
рабочий, 1974, с. 119—126.
415.	Киселев А. Б., Никонов Б. П.— Радиотехника и
электрон., 1967, 12, Xs 5, с. 872—876.
416.	Клименко Е. В., Медведев В. К.— Физика твердого
тела, 1968, 10, Xs 7, с. 1986—1990.
417.	Клименко Е. В., Наумовец А. Г.— Физика твердого
тела, 1973, 15, Xs 11, с. 3273—3279.
418.	Клименко Е. В., Наумовец А. Г.— В кн.: XVI Все-
союз. конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл.
Махачкала, 1976, ч. 1, с. 85.
419.	Князев А. Я.— Электрон, техника. Сер. Электрон.
СВЧ, 1972, Xs 9, с. 54—66.
420.	Князев A. Я-> Дружинин А. В.— В кн.: XVI Всесоюз.
конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл. Ма-
хачкала, 1976, ч. 1, с. 187.
421.	Князева И. М., Васильев В. П.— Электрон, техника.
Сер. Электрон. СВЧ, 1972, № 4, с. 54.
422.	Кобозев Н. И.— Журн. физ. химии, 1952, 26, Xs 1,
с. 112—134.
423.	Ковалев Н. Н., Сорокин О. В.— Изв. АН СССР. Не-
орган. материалы, 1972, 8, Xs 1, с. 111—116.
424.	Ковалев Н. Н., Сорокин О. В.— Электрон, техника.
Сер. Электровакуум, и газоразряд. приборы, 1975,
Xs 3, с. 75—79.
425.	Ковтуненко П. В.— Тр. Моск, хим.-технол. ин-та
им. Д. И. Менделеева, 1962, Xs 39,с. 67.
426.	Коган Б. И., Названова В. А., Солодов Н. А.— В кн.:
Рубидий и цезий. М. : Наука, 1971, с. 161.
427.	Комар А. П., Савченко В. П., Шредник В. Н.— Радио-
техника и электрон., 1960, 5, Xs 8, с. 1211—1217.
428.	Комозынский П. АОстровский Е. К., Калинина Н. Г.
и др.— Журн. техн, физики, 1976, 46, Xs 3, с. 552—
557.
429.	Кондратов И. Д., Подчерняева И. А., Фоменко В. С.—
Порошковая металлургия, 1967, № 9, с. 79—83.
430.	Кондратов И. Я., Подчерняева И. АСамсонов Г. В.
и др.— Электрон, обраб. материалов, 1968, Xs 3,
с. 65—70.
431.	Кондратов И. Я- Исследование условий и технологии
получения катодных материалов на основе тугоплав-
ких металлов и соединений : Автореф. дис. ... канд.
техн. наук.— Киев, 1969.— В надзаг.: АН УССР, Ин-т
проблем материаловедения.
432.	Кондратов И. Я-, Подчерняева И. А., Самсонов Г. В.
и др.— Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1970,
6, Xs 1, с. 156—157.
433.	Кондрашенков Ю. А., Галанина 3. Н., Дружи-
нин А. В.— Электрон, техника. Сер. Электрон. СВЧ,
1974, Xs 6, с. 55—62.
434.	Кондрашов А. И., Симан Н. И., Подчерняева И. А.—
Порошковая металлургия, 1977, Xs 8, с. 62—74.
435.	Коновалов Н. Д., Макуха В. И.— Физика твердого
тела, 1967, 9, Xs 9, с. 2686—2692.
436.	Коновалов Н. Д., Кузнецов В. А., Царев Б. М.— Жури,
техн, физики, 1969, 39, Xs 6, с. 1110—1114.
437.	Коновалов Н. Д., Кузнецов В. А.— Радиотехника и
электрон., 1972, 17, Xs 1, с. 216.
438.	Коноплев Ю. М., Наумовец А. Г., Федорус А. Г.—
Физика твердого тела, 1972, 14, № 2, с. 326—333.
439.	Конструкционные материалы.— М. : Сов. энцикло-
педия, 1963, т. 1.
440.	Конструкционные материалы.— М. : Сов. энциклопе-
дия, 1965, т. 3.
441.	Коппола П., Юз Р.— В кн.: Эффективные термокато-
ды. М. ; Л. : Госэнергоиздат, 1960, т. 2, с. 371.
442.	Кораблев В. В., Ионов В. В.— В кн.: XVI Всесоюз.
конф, по эмис. электрон. ; Крат, содерж. докл. Ма-
хачкала, 1976, ч. 2, с. 120—121.
443.	КорначеваГ. М„ Шурмовская Н. А.— Электрохимия,
1976, 12, Xs 6, с. 992—994.
444.	Корольков В. А., Малов Ю. И., Марков А. А.— Фи-
зика металлов и металловедение, 1975, 40, Xs 6,
с. 1312—1314.
445.	Корольков В. А., Малов Ю. И., Марков А. А.— Элек-
трохимия, 1976, 12, Xs 4, с. 595—597.
446.	Корольков В. А. Исследование работы выхода электро-
на в зависимости от концентрации компонентов не-
которых двойных сплавов : Автореф. дис. ... канд.
хим. наук.— М.., 1977.— В надзаг. : АН СССР, Ин-т
общ. и неорган. химии.
447.	Корольков В. АМалов Ю.И., Марков А. А.— Завод,
лаб., 1977, Xs 11, с. 1377—1378.
448.	Коротких В. Л., Коринфский А. Д.— В ки.:
XVI Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат, со-
держ. докл. Махачкала, 1976, ч. 2, с. 93—94.
449.	Костиков Ю. И., Волков Н. В., Гуськов Ю. К- и др.—
Журн. техи. физики, 1977, 47, Xs 3. с. 625—
628.
450.	Котельников Р. Б., Башлыков С. Н., Галиакбаров 3. Г.
и др. Особо тугоплавкие элементы и соединения (спра-
вочник).— М. : Металлургия, 1969.
451.	Котляр А. А., Ямпольский А. М., Тираспольский В. И
и др.— В кн.: Рений в новой технике. М. : Наука,
1970, ч. 2, с. 97—103.
452.	Крайз М. Б., Лошкарев А. И., Ульмасбаев Б. Ш.—
Докл. АН УзССР, 1970, Xs 1, с. 21.
453.	Красинькова М. В., Мойжес Б. Я-, Шкляр А. Г.—
Радиотехника и электрон., 1966, 11, Xs 9, с. 1666—
1673.
454.	Крачино Т. В., Мацкевич Т. Л., Вильк Ю. Н.— В кн.:
Некоторые вопросы кристаллохимии тугоплавких
соединений. Киев : ОНТИ Ин-та проблем материало-
ведения АН УССР, 1974, с. 112—120.
455.	Кронин Л.— В кн.: Оксидный катод. М. : Изд-во
иностр, лит., 1957, с. 433—437.
456.	Круглова М. Д., Сокольская И. Л.— Жури. техн,
физики, 1949, 19, Xs II, с. 1292—1300.
457.	Кудинцева Г. А., Царев Б. М., Эпельбаум В. А.—
В кн.: Бор : Тр. конф, по химии бора и его соедине-
ний. М. : Госхимиздат, 1958, с. 106—111.
458.	Кудинцева Г. А., Эпельбаум В. А., Царев Б. М.—
В ки.: Бор. : Тр. конф, по химии бора и его соедине-
ний. М. : Госхимиздат, 1958, с. 112—119.
Список литературы
311
459.	Кудинцева Г. А., Царев Б. М.— Радиотехника и
электрон., 1958, 3, № 3, с. 428—429.
460.	Кудинцева Г. А., Полякова М. Д., Самсонов Г. В.
и др.— Физика металлов и металловедение, 1958, 6,
№ 2, с. 272—275.
461.	Кудинцева Г. А.— Вопр. радиоэлектрои. Сер. Элек-
трон. 1960, № 4, с. 193—198.
462.	Кудинцева Г. А., Нешпор В. С., Самсонов Г. В. и др.—
В ки. : Высокотемпературные металлокерамические
материалы. Киев : Изд-во АН УССР, 1962, с. 109—
112.
463.	Кудинцева Г. А., Мельников А. И., Морозов А. В. и др.
Термоэлектронные катоды.— М. ; Л. : Энергия, 1966.
464.	Кудинцева Г. А., Кузнецова Г. М„ Никулов В. В.—
Радиотехника и электрон., 1967, 12, № 5, с. 857—
861.
465.	Кудинцева Г. А., Кузнецова Г. М., Бондаренко В. П.
и др.— Порошковая металлургия, 1968, № 2,
с. 45—53.
466.	Кудинцева Г. А., Кузнецова Г. М., Мамедов Ф. Г.
и др.— Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1968,
4, № 1, с. 49—53.
467.	Кудинцева Г. А., Никулов В. В.— Электрон, техника.
Сер. Электрон. СВЧ, 1969, № 12, с. 157—158.
468.	Кудинцева Г. А., Кондратов И. Д., Кузнецова Г. М.—
Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1970, 6, № 7,
с. 1335—1336.
469.	Кузнецов В. А., Царев Б. М.— Физика твердого тела,
1967, 8, № 9, с. 2524—2528.
470.	Кузнецов В. А., Кукавадзе Г. М., Суворов А. Л.—
В ки.: Рений в новой технике. М. : Наука, 1970,
ч. 2, с. 108—112.
471.	Кузнецов В. А.— Физика твердого тела, 1971, 13,
№ 6, с. 1715—1722.
472.	Кузнецов В. А., Засорин И.Ц., Беломытцев Ю. С. и др.
Исследование физико-мехаиических свойств моно-
кристаллических молибдена и вольфрама и электри-
ческих характеристик ТЭП.— Julich, FRG : Kernfor-
schungsanlage Jiilich GmbH, 1972.— Preprint Dla0.
3rd Int. Conf. Thermionic Electr. Power Generat.
473.	Кузнецов В. А., Суворов А. Л.— Изв. АН СССР. Ме-
таллы, 1973, Xs 5, с. 246—247.
474.	Кузнецов В. А., Шешин Е. П.— Радиотехника и элек-
трон., 1975, 20, Xs 7, с. 1550—1553.
475.	КузнецовЮ. Г., Зеликман А. Н., Котляр А. А.—
В кн.: Рений в новой технике. М. : Наука, 1970,
ч. 2, с. 128—136.
476.	Кузнецов Ю. Г. Получение рениевых покрытий
на вольфраме и исследование их некоторых физиче-
ских свойств : Автореф. дис. ... канд. техн. наук.—
М.,	1971.— В надзаг.: Моск, ин-т стали и
сплавов.
477.	Кузнецова Г. М., Кудинцева Г. А.— Изв. АН СССР.
Сер. физ., 1973, 37, Xs 12, с. 2508—2512.
478.	Кузьмин В. А., Кучеров В. С., Ли Д. С.— В кн.:
XVI Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат, со-
держ. докл. Махачкала, 1976, ч. 1, с. 156—157.
479.	Кулешова Т. Ф., Никонов Б. П.— В кн.: Рений. М. :
Наука, 1964, с. 186—192.
480.	Култашев О. К., Макаров А. П.— В ки.: XIII Все-
союз. конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж.
докл. М., 1968, с. 15.
481.	Култашев О. К., Макаров А. П.— Физика твердого
тела, 1970, 12, Xs 8, с. 2316—2320.
482.	Култашев О. К., Макаров А. П.— Физика металлов
и металловедение, 1970, 30, Xs 5, с. 924—928.
483.	Култашев О. К., Макаров А. П., Степанова 3. А.—
Электрон, техника. Сер. Электрон. СВЧ, 1970, Xs 11,
с. 156—157.
484.	Култашев О. К., Макаров А. П.— В кн.: XIV Все-
союз. конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл.
Ташкент, 1970, секция 2, с. 10.
485.	Култашев О. К., Рожков С. Е.— В кн.: Редкоземель-
ные металлы и их соединения. Киев : Наук, думка,
1970, с. 66—76.
486.	Култашев О. К., Макаров А. П.— Изв. АН СССР
Сер. физ., 1971, 35, Xs 2, с. 351—354.
487.	Култашев О. К., Рожков С. Е.— В кн.: Редкоземель-
ные металлы и сплавы. М. : Наука, 1971, с. 57____59.
488.	Култашев О. К., Макаров А. П.— В кн.: XV Все-
союз. конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл.
Киев, 1973, ч. 1, с. 27—28.
489.	Култашев О. К., Новикова Т. М., Соловьев В. И._
В кн.: XVI Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат,
содерж. докл. Махачкала, 1976, ч. 1, с. 103—104.
490.	Култашев О. К-, Макаров А. П., Рожков С. Е.— Изв.
АН СССР. Сер. физ., 1976, 40, Xs 12, с. 2478— 2483.
491.	Култашев О. К., Макаров А. П.— Электрон, техника.
Сер. Электрой. СВЧ, 1977, Xs 6, с. 87—89.
492.	Кульварская Б. С. Дис. и автореф., 1955 (цит. по
[519]).
493.	Кульварская Б. С., Марченко В. Б., Степанов Г. В.—
Радиотехника и электрон., 1958, 3, Xs 8, с. 1005—
1009.
494.	Кульварская Б. С., Гродко В. А., Маркарьян Б. Н.
и др.— Радиотехника и электрон., 1963, 8, Х° 4
с. 675—679.
495.	Кульварская Б. С., Реков А. И., Серебренникова В. Е.
и др.— Теплофизика высоких температур, 1968, 6,
Xs 1, с. 73—77.
496.	Кульварская Б. С., Реков А. И., Серебренникова В. Е,
и др.— В кн. : Материалы для канала МГД-генерато-
ра. М. : Наука, 1969, с. 205—218.
497.	Кульварская Б. С.— Жури. техн, физики, 1971, 41,
Xs 7, с. 1481—1485.
498.	Кульварская Б. С., Кан X. С.— Радиотехника и
электрон., 1972, 17, Xs 8, с. 1772—1774.
499.	Кульварская Б. С.— Письма в Жури. техн, физики,
1975, 1, Xs 6, с. 296—298.
500.	Кунин Л. Л.— Докл. АН СССР, 1951, 78, Xs 1, с. 93.
501.	Кунин Л. Л.— Теория металлург, процессов, 1965,
№ 40, с. 67.
502.	Куницкий Ю. А., Марек Э. В.— Порошковая метал-
лургия, 1971, Xs 3, с. 56—69.
503.	Куницкий Ю. А. Исследование термоэмиссионных
свойств боридов переходных металлов : Автореф.
дис. ... канд. техн. наук.— Киев, 1971.— В иадзаг.:
АН'УССР, Ин-т пробл. материаловедения.
504.	Куницкий Ю. А., Фоменко В. С.— Теплофизика вы-
соких температур, 1974, 12, № 4, с. 910—912.
505.	Курбатов Б. Л., Вилесов Ф. И.— Докл. АН СССР,
1961, 141, Xs 6, с. 1343—1346.
506.	Кухтин А. М„ Клевцов В. А., Чистяков М. А.—
Электрон, техника. Сер. Электровакуум, и газораз-
ряд. приборы, 1972, Xs 12, с. 64—68.
507.	Кучеренко Е. Т., Королева 3. П., Персиянинова С. Н.
и др.— Электрон, техника. Сер. Газоразряд. приборы,
1970, Xs 4, с. 86.
508.	Кучеренко Е. Т., Макосеевская Л. Н.— Вести. Киев,
ун-та. Сер. физ., 1972, Xs 13, с. 104.
509.	Кучеренко Е. Т., Королева 3. П., Персиянинова С. Н.
и др.— Вести. Киев, ун-та. Сер. физ., 1973, Xs 14,
с. 105—108.
510.	К эй Дж., Лэби Т. Таблицы физических и химических
постоянных.— М. : Физматгиз, 1962.
511.	Лазарев В. Б., Малов Ю. И.— Физика металлов и
металловедение, 1967, 24, Xs 3, с. 565—566.
512.	Лазарев В. Б., Семенченко В. К., Малов Ю. И. и др.—
В кн.: Поверхностные явления в расплавах. Киев :
Наук, думка, 1968, с. 258—269.
513.	Лазарев В. Б., Малов Ю. И., Шарлатан Г. А.— В кн.:
Физическая химия поверхностных явлений при высо-
ких температурах. Киев : Наук, думка, 1971, с. 57—61.
514.	Лазаренко Б. Р., Бакал С. 3., Подчерняева И. А.
312
Список литературы
и др.— Электрон, обраб. материалов, 1971, № 6,
с. 26—27.
515.	Лапшов Ю. К., Подчерияева И. Л., Самсонов Г. В
и др.— Порошковая металлургия, 1968, № 1,
с. 68—76.
516.	Ларин Л. А., Воронина Г. Ф., Калиш Т. В.— В кн.:
Тез. докл. V Всесоюз. совещ. по электрохимии. М.:
ВИНИТИ, 1975, т. 1, с. 225.
517.	Ларин Л. А., Воронина Г. Ф.— В кн.: XVI Всесоюз.
конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл. Ма-
хачкала, 1976, ч. 3, с. 152.
518	Лебедев С. Я-, Стависский Ю. А.— Изв. АН СССР.
Сер. физ., 1964 , 28, № 9, с. 1499—1503.
519	Лепешинская В. Н., Лебедева В. А.—Журн. техн,
физики, 1957, 27, № 6, с. 1240—1247.
520.	Литвак Л. Н. Физико-химическое изучение термо-
эмиссионных свойств некоторых металлов и сплавов ;
Автореф. дис. ... канд. техн. наук.— ГА., 1974.—
В надзаг. : АН СССР, Ин-т металлургии.
521.	Лифшиц Т. М., Мусатов А. Л — Письма в ЖЭТФ,
1966, 4, № 8, с. 295.
522.	Логинов М. В., Митцев М. А.— Журн. техн, физики,
1975, 45, № И, с. 2406—2409.
523.	Лясников В. И., Арсеньева-Гейль А. Н.— Учен. зап.
Ленингр. ун-та, 1970, № 354. Вопр. электрон, твер-
дого тела, сб. 3, с. 30.
524.	Магомедов X. А., Гираев М. А., Гасанов Н. Г. и др.—
В кн.: XVI Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат,
содерж. докл. Махачкала, 1976, ч. 1, с. 94.
525.	Мазель А. Г., Гобарев Л. А., Пумпурс В. М.— Сва-
роч. пр-во, 1971, № 3, с. 7—9.
526	Макуха В. И.— Радиотехника и электрон., 1961,
6, № 2, с. 339—341.
527.	Макуха В. И.— Радиотехника и электрон., 1961, 6,
№ 2, с. 342—343.
528.	Макуха В. И., Царев Б. М.— Физика твердого тела,
1966, 8, № 5, с. 1417—1427.
529.	Макуха В. И.— Физика твердого тела, 1967, 9, № 1,
с. 150—156.
530.	Макуха В. И., Царев Б. М.— Электрон, техника.
Сер. Электрон. СВЧ, 1967, № 8, с. 140—145.
531.	Малев М. Д.— Науч. докл. высш, школы. Радиотех-
ника и электрон., 1959, № 2, с. 336.
532.	Малев М. Д. Термоэмиссия сетки в электровакуумных
приборах : Автореф. дис. ... канд. техн. наук.— ГА.,
1960. В надзаг.: Моск, энерг. ин-т.
533.	Малов Ю. И. Исследование фотоэлектрических свойств
некоторых металлических расплавов и образующихся
из них твердых фаз : Автореф. дис. ... канд. хим.
наук.— Киев, 1967. В надзаг. : АН УССР, Ин-т пробл.
материаловедения.
534.	Малов Ю. И., Лазарев В. Б., Салов А. В.— Изв.
АН СССР. Сер. хим., 1970, № 9, с. 2121—2122.
535.	Малов Ю. И., Лазарев В. Б.— В кн.: Физическая хи-
мия поверхностных явлений в расплавах. Киев :
Наук, думка, 1971, с. 45—57.
536.	Малов Ю. И., Шебзухов М. Д.— Электрохимия,
1973, 9, № 6, с. 815—817.
537.	Малов Ю И., Шебзухов М. Д.— Электрохимия,
1974, 10, № 1, с. 95—97.
538.	Малов 10. И., Лазарев В. Б., Шебзухов М. Д.— Науч,
тр. Моск, ин-та стали и сплавов, 1976, Ns 89. Поверх-
ност. явления в полупроводниках, с. 15—23.
539.	Малов Ю. И., Марков А. А., Корольков В. А.— Элект-
рохимия, 1976, 12, .4s 11, с. 1740—1742.
540.	Малов Ю. И., Марков А. А., Корольков В. А.— Журн.
физ. химии, 1977, 51, № 6, с. 1510—1512.
541.	Малов 10. И., Корольков В. А., Марков А. А.— Элект-
рохимия, 1977, 13, .4» 8, с. 1243—1245.
542.	Малов Ю. И., Шебзухов М. Д.— В кн.: Физическая
химия поверхности расплавов. Тбилиси : Мецииере-
ба,' 1977, с. 200—205.
543.	Манелис Р. М., ГришинаЛ. П., Рунов А. Д.— Радио-
техника и электрон., 1966, 11, .4s 11, с. 2098—2100.
544.	Манелис Р М., Меерсон Г. А., Гришина Л. П.—
Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1967, 3, .4s 1,
с. 54—60.
545.	Манелис Р. М., Телюкова Т. М., Гришина Л. П.—
Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1970 , 6, .4° 6,
с. 1184—1185.
546.	Маринова Ц. С., Зубенко Ю. В.— Физика твердого
тела, 1970, 12, .4° 2, с. 516—519.
547.	Маринова Ц. С., Зубенко Ю. В.— Физика твердого
тела, 1971, 13, № 3, с. 769—771.
548.	Марченко В. И., Самсонов Г. В., Фоменко В. С.—
Радиотехника и электрон., 1963,8, .4° 6, с. 1076—1081.
549.	Марченко В. И., Самсонов Г. В., Фоменко В. С.—
Журн. техн, физики, 1964, 34, № 1, с. 128—130.
550.	Марчук Ц. М.— Радиотехника и электрон., 1957,
2, № 12, с. 1479—1490.
551.	Махов В. И.— В кн.: XIV Всесоюз. конф, по эмис.
электрон. : Крат, содерж. докл. Ташкент, 1970, сек-
ция 1, с. 26.
552.	Махов В. И., Бондаренко Б. В.— Физика твердого 
тела, 1970, 12, Ns 12, с. 3661—3663.
553.	Мацкевич Т. Л., Крачино Т. В.— Журн. техн, фи-
зики, 1962, 32, № 2, с. 220—223.
554.	Мацкевич Т. Л., Крачино Т. В., Казанцев А. П.—
Радиотехника и электрон., 1962, 7, Ns 11, с. 1972—
1973.
555.	Мацкевич Т. Л., Крачино Т. В., Казанцев А. П.
и др.— Журн. техн, физики, 1964, 34, № 11, с. 2021 —
2027.
556.	Мацкевич Т. Л., Крачино Т. В., Вильк Ю. Н. и др.—
Журн. техн, физики, 1968, 38, Ns 8, с. 1379—1384.
557.	Мацкевич Т. Л., Попов Д. С.— Изв. АН СССР. Ме-
таллы, 1971, Ns 6, с. 213—216.
558.	Мацкевич Т. Л., Крачино Т. В., Вильк Ю. Н.— Журн.
техн, физики, 1973, 43, Ns 7, с. 1554—1559.
559.	Мацкевич Т. Л., Крачино Т. В.— Изв. АН СССР,
сер. физ., 1976, 40, Ns 8, с. 1672—1676.
560.	Машинский Ю. П., Михеева Е. В., Протопо-
пов О. Д.— В кн.: Эмиссионная электроника. Рязань :
Моск, рабочий, 1974, с. 143—145.
561.	Медведев В. К-, Птушинский Ю. Г.— Укр. физ. журн.,
1961, 6, Ns 4, с. 478—485.
562.	Медведев В. К.— Физика твердого тела, 1968, 10,
№ 11, с. 3469—3471.
563.	Медведев В. К., Наумовец А. Г., Федорус А. Г.— Фи-
зика твердого тела, 1970, 12, Ns 2, с. 375—385.
564.	Медведев В. К., Смерека Т. П.— Физика твердого
тела, 1973, 15, Ns 3, с. 724—732.
565.	Медведев В. К., Смерека Т. П.— Физика твердого
тела, 1973, 15, Ns 5, с. 1641—1643.
566.	Медведев В. К-, Якивчук А. И.— Физика твердого
тела, 1974, 16, № 4, с. 981—988.
567.	Медведев В К., Смерека Т. П.— Физика твердого
тела, 1974, 16, № 6, с. 1599—1605.
568.	Медведев В. К., Якивчук А. И.— Физика твердого
тела, 1975, 17, Ns 1, с. 14—22.
569.	Медведев В. К., Якивчук А. И. Структура и электрон-
но-адсорбционные свойства пленок щелочных эле-
ментов на грани {111} монокристалла вольфрама:
Препринт Ин-та физики АН УССР. Киев, 1975.
570.	Медведев В. К., Якивчук А. И.— Укр. физ. журн.,
1975, 20, Ns 11, с. 1900—1908.
571.	Меерсон Г. А., Журавлев Н. Н., Манелис Р. М. идр.—
Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1966, 2, № 4,
с. 608—616.
572.	Меламид А Е., Хачатрян Ж. X., Гужов А. А.—
Журн. прикл. спектроскопии, 1972, 16, Ns 2, с. 351.
573.	Милешкина И. В., Сокольская И. Л.— Учен. зап. Ле-
нингр. ун-та, 1968, № 345. Вопр. электрон, твердого
тела, сб. 2, с. 86.
Список литературы
313
574.	Милешкина Н. В., Сокольская И. Л.— Учен. зап.
Ленингр. ун-та, 1970, № 354. Вопр. электрон, твер-
дого тела, сб. 3, с. 11.
575.	Милешкина Н. В.— Вести. Моск, ун-та, 1971, № 16.
Физика и химия, вып. 3, с. 143.
576.	Милешкина Н. В.— Учен. зап. Ленингр. ун-та,
1974, № 370. Вопр. электрон, твердого тела, сб. 4,
с. 94—98.
577.	Милованова Р. А., Чистяков П. Н.— Журн. техн,
физики, 1963, 33, № 3, с. 356—359.
578.	Милованова Р. А., Чистяков П. Н.— Тр. Моск, инж.-
физ. ин-та, 1966, № 3. Физ. электрон., с. 44.
579.	Минц Р. И., Кортов В. С., Мелехин В. П. и др.—
Изв. вузов. Физика, 1970, № 7, с. 37—42.
580.	Мирева 3. Д., Бобев К. С.— Укр. физ. журн., 1975,
20, № 3, с. 426—430.
581.	Миржалилов М. М., Султанов В. М., Султано-
ва К. А.— Науч. тр. / Ташкент, ун-т, 1976, № 499.
Физика, с. 41—43.
582.	Миролюбова Н. С., Шурмовская Н. А., Бур-
штейн Р. X.— Электрохимия, 1968, 4, № 7, с. 844.
583.	Мирошниченко Л. С.— Укр. физ. журн., 1961, 6,
№ 5, с. 705—706.
584.	Мирошниченко Л. С.— Радиотехника и электрон.,
1961, 6, № 4, с. 673.
585.	Митчелл Е., Митчелл Д. Полупроводниковые мате-
риалы.— М. : ИЛ, 1954.
586.	Митягин А. Ю.— Физика твердого тела, 1977, 19,
№ 10, с. 2927—2931.
587.	Михайлов Г. С., Кутовая Л. А., Поспелов Л. А.—
Радиотехника и электрон., 1960, 5, № 10, с. 1658—
1662.
588.	Михайловский Б. И.— Укр. физ. жури., 1962, 7,
Хе 1, с. 75—77.
589.	Михайловский Б. И., Марченко Р. И.— Радиотехни-
ка и электрон., 1963, 8, № 4, с. 680—683.
590.	Михайловский Б. И.— Изв. АН СССР. Сер. физ.,
1964, 28, № 9, с. 1504—1507.
591.	Михеева Е. В., Протопопов О. Д., Шейнберг Б. Н.
и др.— Тр. коиф. по электрон, технике, 1968, № 4.
Катод, техника, с. 181—195.
592.	Мойжес Б. Д., Рутштейн С. Ш.— Журн. техн, фи-
зики, 1971, 41, № 10, с. 2203—2210.
593.	Моргулис Н. Д.— Жури. физ. химии, 1934, 5, № 4/5,
с. 236.
594.	Моргулис И. Д.— Физика твердого тела, 1959, 1,
№ 7, с. 1125—1132.
595.	Моргулис Н. Д., Корчевой Ю. П.— Атом, энергия,
1960, 9, № 1, с. 49—51.
596.	Морозов Ю. М., Кульварская Б. С., Кап X. С.— Изв.
АН СССР. Сер. физ., 1969, 33, № 3, с. 435—438.
597.	Мороков В. И., Файфер С. И., Ионов В. И. и др.—
В кн.: Некоторые вопросы кристаллохимии туго-
плавких соединений. Киев : ОНТИ Ин-та проблем
материаловедения АН УССР, 1974, с. 109—111.
598.	Мороков В. И., Файфер С. И., Ионов В. И. и др.—
Электрон, техника. Сер. Материалы, 1975, № 5, с.
22—24.
599.	Москвичев Ю. В., Фокин И. Т.— Тр. Ряз. радиотехн.
ин-та, 1973, № 35, с. 106—108.
600.	Мостовский А. А., Воробьева О. В., Майская К. А.—
Физика твердого тела, 1959, 1, № 4, с. 643—647.
601.	Мостовский А. А., Воробьева О. В., Ступин-
ский Г. Б.— Физика твердого тела, 1963, 5, № 11,
с. 3325—3327.
602.	Мостовский А. А., Захарова Н. Б., Дтлинко И. И.
и др.— В кн.: XVI Всесоюз. конф, по эмис. электрон. :
Крат, содерж. докл. Махачкала, 1976, ч. 3, с. 136—137.
603.	Мостовский А. А., Федорова Г. А., Дтлинко И. И.
и др.— Bkh.:’XVI Всесоюз. конф, по.эмис. электрон.:
Крат, содерж. докл. Махачкала, 1976, ч. 3, с. 138—
139.
604.	Мусатов А. Л., Быков В. А., Коротких В. Л.— Радио-
техника и электрон., 1973, 18, № 10, с 2210__________
2211.
605.	Мусатов А. Л., Коротких В. Л., Коринфский А. Д._
Изв. АН СССР. Сер. физ., 1976, 40, № 12, с 2523_
2527.
606.	Набоков Ю. И., Нам Б. П., Иванов В. И. и др.—
Электрон, техника. Сер. Материалы, 1972, № 7
с. 17—23.
607.	Нальгиев А. Г.-М., Ибрагимов X. И., Саввин В. С.—
М., 1975.— Рукопись деп. в ВИНИТИ, № 991—75
Деп. (См. также [311, с. 1857]).
608.	Нанев К-, Николов Б.— Изв. Ин-та електрон. Бълг
АН, 1971, № 5, с. 29.
609.	Наумовец А. Г.— Физика твердого тела, 1963, 5,
№ 8, с. 2294—2302.
610.	Наумовец А. Г., Федорус А. Г.— Физика твердого
тела, 1968, 10, № 3, с. 801—808.
611.	Наумовец А. Г., Федорус А. Г.— В кн.: XVI Всесоюз.
конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл. Ма-
хачкала, 1976, ч. 1, с. 9—10.
612.	Нахмансон М. С., Смирнов В. П.— Физика твердого
тела, 1971, 13, № 3, с. 905—906.
613.	Некрасов В. И., Дружинин А. В.— Радиотехника и
электрон., 1970, 15, № 2, с. 411—413.
614.	Некрасов В. И., Гулякова В. Е.— Электрон, техника.
Сер. Электрон. СВЧ, 1972, № 8, с. 78—81.
615.	Немченок Р. Л., Страковская С. Е.— Радиотехника
и электрон., 1964, 9, № 4, с. 761—762.
616.	Нечипоренко Е. П., Кириллов В. С., Сафонов В. И.—
Теплофизика высоких температур, 1975, 13, № 4,
с. 870—872.
617.	Нешпор В. С., Самсонов Г. В.— Журн. физ. химии,
1958, 32, № 6, с. 1328—1332.
618.	Нешпор В. С., Подчерняева И. А., Симан Н. И. и др.—
В кн.: Конфигурационные представления электронно-
го строения в физическом материаловедении. Киев :
Наук, думка, 1977, с. 88—94.
619.	Никонов Б. П., Бейнар К- С.— Радиотехника и элект-
рон., 1970, 15, № 6, с. 1272—1282.
620.	Никонов Б. П.— Физика твердого тела, 1973, 15,
№ 5, с. 1481—1488.
621.	Никулов В. В., Кудинцева Г. А.— Радиотехника и
электрон., 1969, 14, .4s 3, с. 516—521.
622.	Новаковский В. М., Хкше Е. А., Левин А. И.—Журн.
физ. химии, 1955, 29, .4° 10. с. 1847—1853.
623.	Овчинников А. П., Царев Б. М.— Физика твердого
тела, 1966, 8, № 5, с. 1493—1497.
624.	Овчинников А. П.— Физика твердого тела, 1967,
9, № 2, с. 628—633.
625.	Овчинников А. П.— Физика твердого тела, 1967, 9,
№ 7, с. 1911.
626.	Овчинников А. П., Царев Б. М.— Радиотехника и
электрон., 1970, 15, As 4, с. 876—877.
627.	Осипова Е. В., Шурмовская Н. А., Бурштейн Р. X.—
Электрохимия, 1969,5, № 10, с. 1139—1140.
628.	Охремчук Л. Н. Исследование термоэмиссионных
свойств карбидов переходных металлов IV—V групп
в областях их гомогенности : Автореф. дис. ... канд.
техн. наук.— Киев, 1971. В надзаг.: АН УССР, Ин-т
пробл. материаловедения.
629.	Охремчук Л. НПодгрушко Н. Ф., Подчерняева И. А.
и др.— Радиотехника и электрон.. 1972, 17, Xs 1,
с. 205—206.
630.	Павлов В. В.— В кн.: Физическая химия поверхност-
ных явлений при высоких температурах. Киев ; Наук,
думка, 1971, с. 11—16.
631.	Павлов В. В.— В кн.: Физико-химические исследова-
ния металлургических процессов. Свердловск : Урал,
политехи, ин-т, 1976, вып. 4, с. 56—72.
632.	Падерно Ю. Б., Серебрякова Т. И., Самсонов Г. В.—
Докл. АН СССР, 1959, 125, Xs 2, с. 317—318.
314
Список литературы
633.	Падерно Ю. Б., Гончарук А. Б., Макарченко В. Н.—
Доп. АН УРСР, 1965, Ns 1, с. 56—58.
634.	Падерно Ю. Б., Фоменко В. С., Подчерняева И. А.
и др.— Журн. техн, физики, 1965, 35, № 10, с. 1860—
1862.
635.	Палеев В. И., Каратаев В. И., Зандберг Э. Я.—
Журн. техн, физики, 1966, 36, № 8, с. 1459—1468.
636.	Палюх Б. М., Сиверс Л. Л.— Физика твердого тела
1968, 10, № 7, с. 2018—2021.
637.	Палюх Б. М„ Смерека Т. П., Якивчук А. И.— В кн.:
XIV Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат,
содерж. докл. Ташкент, 1970, секция 1, с. 42.
638.	Палюх Б. М., Якивчук А. И.— Физика твердого тела,
1970, 12, № 9, с. 2720—2723.
639.	Палюх Б. М., Смерека Т. П.— Физика твердого тела,
1971, 13, № 3, с. 776—780.
640.	Панов В. П.. Кортов В. С., Полежаев И. И. и др.—
Физика и техника полупроводников, 1975, 9, № 8,
с. 1600—1602.
641.	Пастушенко Л. А., Федорович Р. Д.— В кн.: Диспер-
гированные металлические пленки. Киев : ОНТИ
Ин-та физики АН УССР, 1972, с. 279—286.
642.	Пастырский Я. А.— Физ. электрон., 1975, Ns II,
с. 88—91.
643.	Паулинг Л. Природа химической связи. М.; Л. :
Госхимиздат, 1947.
644.	Пешее П., Сурнев Л.— Докл. Бълг. АН, 1966, 19,
Ns 6, с. 515.
645.	Пилипков Ю. С.— Электрон, техника. Сер. Электрон.
СВЧ, 1972, № 3, с. 71—75.
646.	Поварова К. Б., Амосов В. М., Тылкина М. А. и др.—
В кн.: Рений в новой технике. М. : Наука, 1970, ч. 2,
с. 85—89.
647.	Подгрушко Н. Ф., Подчерняева И. А., Фоменко В. С.
и др.— В кн.: Конфигурационная локализация элект-
ронов в твердом теле. Киев : Наук, думка, 1975,
с. 247—250.
648.	Подчерняева И. А., Самсонов Г. В., Фоменко В. С.—
Изв. вузов. Физика, 1969, Ns 6, с. 42—47.
649.	Подчерняева И. А., Симан Н. И., Фоменко В. С.—
В кн.: Низкотемпературная плазма и технология не-
органических веществ. Новосибирск : Наука, 1971,
с. 54—57.
650.	Подчерняева И. А., Симан Н. И., Фоменко В. С.
и др.— В кн.: Электронное строение и физические
свойства твердого тела. Киев : Наук, думка, 1972,
ч. 2, с. 156—160.
651.	Покровский В. В., Калмыков В. А., Агеев П. Я-~~
В кн.: Поверхностные явления в расплавах. Киев :
Наук, думка, 1968, с. 256—259.
652.	Покровский В. В., Калмыков В. А., Каляева С. С.
и др.— В кн.: Поверхностные явления в распла-
вах. Киев : Наук, думка, 1968, с. 269—272.
653.	Попов П. С., Махотенко А. И.— Изв. вузов. Физика,
 1968, Ns 7, с. 141—143.
654.	Походня И. К., Швачко В. И., Стародубцев Л. В.
и др.— Автомат, сварка. 1972, Ns 11, с. 1—4.
655.	Протопопов О. Д., Михеева Е. В., Шейнберг Б. Н.
и др.— Докл. АН УзССР, 1966, Ns 6, с. 21.
656.	Протопопов О. Д., Михеева Е. В., Шейнберг Б. И.
и др.— Физика твердого тела, 1966, 8, Ns 4, с. 1140—
1146.
657.	Протопопов О. Д., Стригущенко И. В.— Физика
твердого тела, 1968, 10, Ns 3, с. 943—945.
658.	Проциков Е. В.— В кн.: Материалы 4-й науч. конф,
аспирантов. Ростов н/Д : Рост. н/Д ун-т, 1962, с. 70.
659.	Прудникова Г. В., Адамчук В. К; Скорняков Ю. Ф.
и др.— Изв. АН СССР. Сер. физ., 1974, 38, № 2,
с. 306—310.
660.	Прудникова Г. В., Адамчук В. К.— Учен. зап. Ле-
иингр. уи-та, 1974,’Ns 370. Вопр. электрон, твердо-
го тела, сб. 4, с. 61—76.
661.	Редёга К. П., Тарасюк А. И.— Электрон, техника.
Сер. Материалы, 1977, Ns 8, с. 3—5.
662.	Рейман А. Л. Термоионная эмиссия.— М. ; Л. :
Гостехиздат, 1940.
663.	Рейхель Г., Иедличка М. Фотоэлектронные катоды.—
М. : Энергия, 1968.
664.	Решетникова Л. В. Исследование эмиссионных и ад-
сорбционных характеристик слоев цезия на гранях
нитевидного и сферического монокристаллов вольфра-
ма : Автореф. дис. ... каид. физ.-мат. наук.— Таш-
кент, 1970. В надзаг.: Ташк. ун-т.
665.	РЖ Физика, 1974, 11 Ж452.
666.	РЖ Физика, 1975, 1 Ж814.
667.	РЖ Физика, 1975, 7 Ж611.
668.	РЖ Физика, 1975, 11 Ж625.
669.	РЖ Физика, 1975, 12 Ж626.
670.	РЖ Физика, 1976, 4 Ж472.
671.	Рзянии Б. Ф.— Теплофизика высоких температур,
1973, 11, Ns 1, с. 34—38.
672.	Ривьере X.— В кн.: Поверхностные свойства твердых
тел. М. : Мир, 1972, с. 193.
673.	Рожков С. Е., Култашев О. К.— Радиотехника и
электрон., 1968, 13, Ns 3, с. 570—571.
674.	Рожков С. Е., Култашев О. К., Дашевская Л. И.—
Радиотехника и электрон., 1969, 14, Ns 5, с. 936—
937.
675.	Розова Т. Т., Иванов В. Г., Фурсей Г. И.— Физика
твердого тела, 1975, 17, Ns 1, с. 64—66.
676.	Росновская Л. А., Гаврилова Г. А., Шатрова С. Г.—
Электрон, техника. Сер. Электрон. СВЧ, 1971,
Ns 7, с. 92—96.
677.	Ротенберг 3. А., Левина С. Д.— Электрохимия,
1969, 5, Ns 10, с. 1141.
678.	Руденко Н. В. Термоэлектронная эмиссия как метод
изучения дефектообразования в процессе высоко-
температурного радиационного и механического воз-
действия на моно- и поликристаллы вольфрама:
Автореф. дис. ... канд. хим. наук.— М., 1970. В над-
заг.: АН СССР, Ин-т физ. химии.
679.	Рухлов П.— В кн.: Термоэмнссионное преобразование
энергии. М. : Атомиздат, 1971, с. 151.
680.	Рыбас К. П., Павлов В. К., Телепаев Б. Н.— Приборы
и техника эксперимента, 1973, Ns 6, с. 121—123.
681.	Сабиров С. Т., Низамутдинова Ш.— Науч. тр. /
Ташкент, ун-т, 1974, Ns 459, с. 52—55.
682.	Савицкий Е. М., Тылкина М. А., Поварова К- Б.
Сплавы рения.— М. : Наука, 1965.
683.	Савицкий Е. М., Буров И. В., Литвак Л. И. и др.—
Журн- техн, физики, 1966, 36, № 7, с. 1310—1312.
684.	Савицкий Е. М„ Терехова В. Ф., Маслова Э. В.—
Радиотехника и электрон., 1967, 12, № 7, с. 1320—
1321.
685.	Савицкий Е. М., Буров И. В., Литвак Л. Н.— В кн.:
Теоретические и экспериментальные методы исследо-
вания диаграмм состояния металлических систем.
М. : Наука, 1969, с. 214.
686.	Савицкий Е. М., Бурханов Г. С., Баранов Л. Г.
и др.— В ки.: Монокристаллы тугоплавких и редких
металлов. М. : Наука, 1969, с. 50—58.
687.	Савицкий Е. М., Буров И. В., Литвак Л. Н. и др.—
В кн.: Монокристаллы тугоплавких и редких метал-
лов. М. : Наука, 1969, с. ПО—112.
688.	Савицкий Е. М., Буров И. В., Литвак Л. И.— Журн.
техн, физики, 1969, 39, Ns 4, с. 713—715.
689.	Савицкий Е. М., Буров И. В., Литвак Л. Н. и др.—
В кн.: XIV Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат,
содерж. докл. Ташкент, 1970, секция 2, с. 21.
690.	Савицкий Е. М., Буров И. В., Литвак Л. И.—
В кн.: Рений в новой технике. М. : Наука, 1970, ч. 2,
с. 136—141.
691.	Савицкий Е. М., Литвак Л. Н., Буров И. В. и др.—
Докл. АН СССР, 1970, 192, Ns 4, с. 783—786.
Список литературы
315
692.	Савицкий Е. М.— Изв. АН СССР. Металлы, 1970,
№ 2, с. 49—71.
693.	Савицкий Е. М., Терехова В. Ф., Литвак Л. Н. и др.—
Электрон, техника. Сер. Материалы, 1970, № 3,
с. 3—6.
694.	Савицкий Е. М., Буров И. В., Заболотный В. Т.
и др.— Электрон, техника. Сер. Материалы, 1970,
Хе 5, с. 3—5.
695.	Савицкий Е. М., Буров И. В., Литвак Л. Н. и др.—
В кн.: Монокристаллы тугоплавких и редких метал-
лов. М. : Наука, 1971, с. 74—77.
696.	Савицкий Е. М„ Буров И. В., Литвак Л. И. и др.—
В кн.: Монокристаллы тугоплавких и редких метал-
лов. М. : Наука, 1971, с. 81—85.
697.	Савицкий Е. М., Литвак Л. И., Буров И. В.— Журн.
техн, физики, 1971, 41, .Me 11, с. 2431—2432.
698.	Савицкий Е. М., Бурханов Г. С. Монокристаллы туго-
плавких и редких металлов и сплавов.— М. : Наука,
1972.
699.	Савицкий Е. М.— Вести. АН СССР, 1973, № 1,
с. 68—76.
700.	Савицкий Е. М., Буров И. В., Литвак Л. Н. и др.—
Жури. техн, физики, 1973, 43, .Me 4, с. 818—820.
701.	Савицкий Е. М., Буров И. В., Литвак Л. Н. и др.—
В кн.: Структура и свойства монокристаллов туго-
плавких металлов. М. : Наука, 1973, с. 211—216.
702.	Савицкий Е. М„ Буров И. В., Литвак Л. Н.— В кн.:
Сплавы редких металлов с особыми физическими свой-
ствами. М. : Наука, 1974, с. 192—200.
703.	Савицкий Е. М., Буров И. В., Литвак Л. Н.— Докл.
АН СССР, 1974, 218, № 4, с. 818—820.
704.	Савицкий Е. М., Терехова В. Ф., Буров И. В. и др.—
Изв. АН СССР. Сер. физ., 1976, 40, № 8, с. 1726—
1727.
705.	Савицкий Е. М., Терехова В. Ф„ Буров И. В. и др.—
В кн.: XVI Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат,
содерж. докл. Махачкала, 1976, ч. 1, с. 124.
706.	Савицкий Е. М., Буров И. В., Литвак Л. Н. и др.—
В кн.: XVI Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат,
содерж. докл. Махачкала, 1976, ч. 1, с. 145—146.
707.	Самсонов Г. В., Гродштейн А. Е.— Журн. физ. хи-
мии, 1956, 30, № 2, с. 379—382.
708.	Самсонов Г. В., Зорина О. Н.— Жури, неоргаи. хи-
мии, 1956, 1, № 10, с. 2260—2263.
709.	Самсонов Г. В., Уманский Я. С. Твердые соединения
тугоплавких	металлов.— М. : Металлургиздат,
1957.
710.	Самсонов Г. В., Нешпор В. С., Кудинцева Г. А.—
Радиотехника и электрон., 1957, 2, Хе 5, с. 631—
636.
711.	Самсонов Г. В., Нешпор В. С., Серебрякова Т. И.—
Инж.-физ. жури., 1959, 2, .Me 2, с. 118—120.
712.	Самсонов Г. В., Дзегановский В. П., Семашко И. А.—
Кристаллография, 1959, 4, № 1, с. 119—120.
713.	Самсонов Г. В., Журавлев Н. Н., Падерно Ю. Б.
и др.— Кристаллография, 1959, 4, № 4, с. 538—541.
714.	Самсонов Г. В., Падерно Ю. Б., Серебрякова Т. И.—
Кристаллография, 1959, 4, Хе 4, с. 542—544.
715.	Самсонов Г. В., Марковский Л. Я., Жиеач А. Ф. и др.
Бор, его соединения и сплавы.— Киев : Изд-во АН
УССР, 1960.
716.	Самсонов Г. В. Тугоплавкие соединения (справоч-
ник).— М.: Металлургиздат, 1963.
717.	Самсонов Г. В., Фоменко В. С., Падерно Ю. Б.— Укр.
физ. журн., 1963, 8, Хе 6, с. 700—708.
718.	Самсонов Г. В., Фоменко В. С., Падерно Ю. Б. и др.—
Теплофизика высоких температур, 1964, 2, № 5,
с. 730—735.
719.	Самсонов Г. В., Оболончик В.А., Падерно Ю. Б.и др.—
Журн. прикл. химии, 1964, 37, Хе 9, с. 1872—1878.
720.	Самсонов Г. В., Падерно Ю. Б., Фоменко В. С.—
Укр. физ. журн., 1965, 10, № 6, с. 622—629.
721.	Самсонов Г. В., Падерно Ю. Б., Фоменко В. С.—
В кн.: Высокотемпературные неорганические соеди-
нения. Киев : Наук, думка, 1965, с. 108—115.
722.	Самсонов Г. В., Шлюко В. Я.— Укр. физ. журн.,
1966, 11, Хе 4, с. 437—438.
723.	Самсонов Г. В., Лапшов Ю. К., Подчерняева И. А.
и др.— Порошковая металлургия, 1966, Хе 6,
с. 17—23.
724.	Самсонов Г. В., Падерно Ю. Б., Фоменко В. С.—
Журн. техн, физики, 1966, 36, Хе 8, с. 1435—1448.
725.	Самсонов Г. В., Фоменко В. С., Подчерняева И. А.—
Журн. техн, физики, 1967, 37, Хе 12, с. 2245—2246.
726.	Самсонов Г. В., Фоменко В. С., Подчерняева И. А.—
В ки.: Поверхностные явления в расплавах. Киев :
Наук, думка, 1968, с. 252—256.
727.	Самсонов Г. В., Фоменко В. С., Верхоелядова Т. С.—
В кн.: Химия и физика нитридов. Киев : Наук, дум-
ка, 1968, с. 162—167.
728.	Самсонов Г. В., Прядко И. Ф., Прядко Л. Ф. Конфи-
гурационная модель вещества.— Киев : Наук, думка,
1971.
729.	Самсонов Г. В., Фоменко В. С., Кунацкий Ю. А.—
Радиотехника и электрон., 1971, 16, Хе 7, с. 1304—
1305.
730.	Самсонов Г. В., Богомол И. В., Охремчук Л. Н. и др.—
Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1973, 9, Хе 6,
с. 1064—1066.
731.	Самсонов Г. В., Фоменко В. С., Подгрушко Н. Ф.
ma in.— Доп. АН УРСР. Сер. Б, 1973, Хе 12, с. 1102—
1105.
732.	Самсонов Г. В., Охремчук Л. Н„ Подчерняева И. А.
и др.— Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1974,
10, Хе 2, с. 270—272.
733.	Самсонов Г. В., Фоменко В. С., Подчерняева И. А.
и др.— Порошковая металлургия, 1974, Хе 10, с. 74—
82.
734.	Самсонов Г. В., Калинина Н. Г., Нешпор В. С.
и др.— Порошковая металлургия, 1975, Хе 8,
с. 68—71.
735.	Самсонов Г. В., Куницкий Ю. А.— Радиотехника и
электрон., 1975, 20, Хе 12, с. 2640—2642.
736.	Самсонов Г. В., Симан Н. И., Подчерняева И. А.
и др.— Журн. техн, физики, 1976, 46, Хе 2, с. 393—
397.
737.	Самсонов Г. В., Куницкий Ю. А.— Укр. физ. жури.,
1976, 21, Хе 2, с. 203—206.
738.	Самсонов Г. В., Кондрашов А. И., Охремчук Л. Н.
и др.— Порошковая металлургия, 1976, Хе 4, с. 89—
91.
739,	Самсонов Г. В., Охремчук Л. Н., Подгрушко Н. Ф.
и др.— Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1976,
12, Хе 5, с. 850—853.
740.	Самсонов Г. В., Кондрашов А. И., Охремчук Л. Н.
и др.— Порошковая металлургия, 1977, Хе 1, с. 21—
28.
741.	Сапогин Л. Г.— В кн.: Исследование систем. Влади-
восток, 1973, вып. 2, с. 116—133.
742.	Сатанов В. И., Преснов В. А.— Электрон, техника.
Сер. Упр. качеством и стандартизация, 1971, Хе 1,
с. 27—32.
743.	[Сб.]: Магнетроны сантиметрового диапазона.— М.:
Сов. радио, 1957.— Т. 2.
744.	Серочинска-Вояс Б.— Физика твердого тела, 1968,
10, № 3, с. 693—702.
745.	Сиверс Л. Л. Исследование некоторых адсорбционных
и эмиссионных свойств пленок иттрия на монокри-
' сталле вольфрама и отдельных его гранях : Автореф.
дис. ... канд. физ.-мат. наук.— Львов, 1970. В над-
заг.: Львов ун-т.
746.	Силин В. А., Шишкин Ю. Г., Черный М. М.— Учен,
зап. Ленингр. ун-та, 1970, № 354. Вопр. электрон,
твердого тела, сб. 3, с. 99.
316
Список литературы
747.	Симан Н. И. Эмиссионно-адсорбционные свойства
тугоплавких углеродсодержащих электродных мате-
риалов : Автореф. дис. ... канд. техн. наук.— Киев,
1977. В надзаг.: АН УССР, Ин-т пробл. материалове-
дения.
748.	Смирнов Б. Г., Шуппе Г. Н.— Журн. техн, физики,
1952, 22, № 6, с. 973—980.
749.	Смирнов Б. Г., Смирнова Н. Б., Бекбаулиев Б. и др.—
Науч. тр. / Ташкент, ун-т, 1976, № 499. Физика,
с. 100—103.
750.	Смирнова Н. Б., Смирнов Б. Г., Михайлов С. М.
и др.— Физика твердого тела. 1969, 11, .№ 4, с. 962—
964.
751.	Смирнова Н. Б.— Тр. конф, по электрон, технике,
1970, № 7. Эмис, электрон., с. 55—58.
752.	Смирнова Н. Б., Смирнов Б. Г., Михайлов С. М.
и др.— Физика твердого тела, 1970, 12, № 4, с. 1277—
1279.
753.	Смирнова Н. Б., Шуппе Г. Н., Бабушкин О. Л.—
'‘Изв. вузов СССР. Физика, 1971, № 12, с. 138—140.
754.	Смирнова Н. Б., Смирнов Б. Г., Сытая Е. П.— Науч,
тр. / Ташкент, ун-т, 1971, № 393. Физика, с. 230.
755.	Смирнова Н. Б., Смирнов Б. Г., Михайлов С. М.
и др.— В кн. Монокристаллы тугоплавких и редких
металлов. М. : Наука, 1971, с. 78—81.
756.	Смирнова И. Б.— Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат.
наук, 1972, № 6, с. 65.
757.	Смирнова Н. Б. Работа выхода основных граней мона-
кристаллов твердых растворов на основе вольфрама
и молибдена Автореф. дис.... канд. физ.-мат. наук.—
Ташкент, 1972. — В надзаг.: Ташкент, ун-т.
758.	Смирнова Н. Б., Смирнов Б. Г., Масагутова Р. Г.
и др.— В кн. : Эмиссионная электроника. Рязань :
Моск, рабочий, 1974, с. 103—105.
759.	Смородинова М. И., Сытая Е. П.— Тр. Среднеазиат.
ун-та, 1959, № 148. Физ.-мат. науки, с. 9.
760.	Смородинова М. И. Исследование поверхностной диф-
фузии Ва на гранях крупного монокристалла вольфра-
ма : Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук.— Таш-
кент, 1967. В надзаг. : Ташкент, ун-т.
761.	Соколов А. М., Никонов Б. И.— Изв. АН СССР. Сер
физ., 1976, 40, № 12, с. 2472—2477.
762.	Сокольская И. Л.— Изв. АН СССР. Сер. физ., 1966,
30, № 12, с. 1966—1973.
763.	Сокольская И. Л., Шишкин Ю. Г.— Учен. зап.
Ленингр. ун-та, 1968, № 336. Вопр. электрон, твер-
дого тела, сб. 1, с. 126.
764.	Сокольская И. Л., Иванов В. Г., Фурсей Г. Н.— Учен,
зап. Леиингр. ун-та, 1968, № 345. Вопр. электрон.
' твердого тела, сб. 2, с. 114.
765.	Сокольская И. Л., Хатапова Р. М.— Физика твердо-
го тела, 1969, И, № 12, с. 3434—3437.
766.	Сорокин О. В.— Радиотехника и электрон., 1969. 14,
№ 8, с. 1534.
767.	Справочник химика.— М.; Л. : Госхимиздат, 1951,
т. 1, с. 292.
768.	Справочник по редким землям.— М. : Мир, 1965.
769.	[Справ. пособие]: Свойства и применение металлов и
сплавов для электровакуумных приборов.— М. :
Энергия, 1973.
770.	Стригущенко И. В.— В кн.: XVI Всесоюз. конф, пе
эмис. электрон. : Крат, содерж. докл. Махачкала,
1976, ч. 3, с. 62.
771.	Стригущенко И. В., Дмитриев С. Г., Силантье-
ва О. В.— Письма в Журн. техн, физики, 1977, 3,
№ 8, с. 357—360.
772.	Стригущенко И. В.— Физика твердого тела, 1977,
19, № 6, с. 1904—1906.
773.	Стригущенко И. В., Дмитриев С. Г., Силантье-
ва О. В.— Физика твердого тела, 1977, 19, № 7,
с. 2001—2005.
774.	Стыров В. В., Толмачев В. М.— В кн.: XVI Всесоюз.
конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл. Ма-
хачкала, 1976, ч. 1, с. 101—102.
775.	Стыров В. В., Толмачев В. М.— Изв. АН СССР. Сер.
физ., 1976, 40, № 12, с. 2616—2620.
776.	Суворов А. Л.— Атом, энергия, 1977, 42, № 4,
с. 280—285.
777.	Судаков Ю. С., Смирнов В. А., Гугнин А. А. и др.—
Электрон, техника. Сер. Электрон. СВЧ, 1976, № 6,
с. 72—77.
778.	Султанов В. М.— Радиотехника и электрон., 1964,
9, № 2, с. 317—320.
779.	Султанов В. М., Шуппе Г. Н.—Изв. АН УзССР. Сер.
физ.-мат. наук, 1965, № 5, с. 49.
780.	Сумин Л. В.— Журн. техн, физики, 1975, 45, № 9,
с. 1896—1903.
781.	Сухов Д. А., ВилесовФ. И.— Химия высоких энергий,
1975, 9, №? 2, с. 184—185.
782.	Сыркин Д. К.— Успехи химии, 1962, 31, № 4,
с. 397—416.
783.	Сытая Е. П., Смородинова М. И., И мангу лова Н. Г.—
Физика твердого тела, 1962, 4, .4° 4, с. 1016—1020.
784.	Сытая Е. П., Имангулова Н. Г., Жанабергенов X. Ж.—
В кн.: XV Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат,
содерж. докл. Киев, 1973, ч. 1, с. 25.
785.	Тараш И. Л.— Электрон, техника. Сер. Электрой.
СВЧ, 1971, № 1, с. 128.
786.	Таращенко Д. Т., КатричГ. А., Мирошниченко Л. С.
и др.— Радиотехника и электрон., 1974, 19, № 1,
с. 217—218.
787.	Телков Ю. Диплом, работа. Моск, хим.-технол. ин-т
им. Д. И. Менделеева, 1960 (цит. по [499]).
788.	Техническая энциклопедия.— М. : Гостехиздат, 1930,
т. 6, с. 241.
789.	Тишин Е. А., Царев Б. М.— Физика твердего тела,
1968, 10, № 7, с. 2196—2197.
790.	Тишин Е. А.— Журн. техн, физики, 1976, 46, № 5,
с. 1057—1059.
791.	Тонтегоде А. Д., Зандберг Э. Д.— Журн. техн, физи-
ки, 1970, 40, № 3, с. 626—630.
792.	Тонтегоде А. Д., Юсифов Ф. Ц.— Журн. техн, физи-
ки, 1971, 41, № 8, с. 1717—1722.
793.	Тонтегоде А. Д., Юсифов Ф. К.— Журн. техн, физи-
ки, 1973, 43, № 5, с. 1049—1058.
794.	Тригубенко В. А., Царев Б. М.— Радиотехника и
электрон., 1961, 6, № 11, с. 1900—1905.
795.	Тылкина М. А., Савицкий Е. М.— В кн. : Рений в
новой технике. М. : Наука, 1970, ч. 2, с. 5—21.
796.	Уилсон В.—В кн. : Термоэмиссионное преобразование
энергии М. : Атомиздат, 1971, с. 18
797.	Файнштейн С. М.— Завод, лаб., 1948, 14, № 1, с. 64.
798.	Файфер С. И., Жданов С. М., Бусол Ф. И. и др.—
Порошковая металлургия, 1973, № 2, с. 101—107.
799.	Федориненко П. М.— Вкн.: Физика конденсирован-
ных сред. Ростов н/Д : Изд-во Рост. н/Д ун-та, 1969
(1970), с. 91—94.
800.	Федориненко П. М., Попов П. С.— В кн.: Физика
конденсированных сред. Ростов н/Д : Изд-во Рост.
н/Д ун-та, 1969 (1970), с. 94.
801	Федорова Е. Г., Вяткин Н. Н., Ивченко В. А. и др.—
В кн.: Сплавы редких металлов с особыми физико-
химическими свойствами. М. : Наука, 1975, с. 99—
102.
802.	Федорус А. Г., Марчук П. М.— В кн.: Высокотем-
пературные неорганические соединения. Киев : Наук,
думка, 1965, с. 274—277.
803.	Федорус А. Г., Марчук П. М.— Укр. физ. журн.,
1966, 11, № 4, с. 411—415.
804.	Федорус А. Г., Коноплев Ю. М., Наумовец А.. Г.—
Физика твердого тела, 1969, 11, № 1, с. 207—209.
805.	Федосеенко С. И., Адамчук В. Ц.— В кн.: XVI Все-
союз. конф, по эмис. электрон. : Крат, содерж. докл.
Махачкала, 1976, ч. 3, с. 134—135.
Список литературы
317
806.	Фехретдинов Ф. А., Белевич И. С., Кудинцева Г. А.
и др.— Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1971,
7, № 8, с. 1457—1458.
807.	Фокина Л. А., Шурмовская И. А., Бурштейн Р. X.—
Электрохимия. 1969, 5, № 2, с. 225.
808.	Фоменко В. С.— Радиотехника и электрон., 1961,
6, № 8, с. 1406.
809.	Фоменко В. С. Термоэмиссионные свойства некоторых
тугоплавких соединений : Автореф. дис. ... канд. техн,
наук.— Киев, 1965. В надзаг.: АН УССР. Ин-т пробл
материаловедения.
810.	Фоменко В. С., Подчерняева И. А. Эмиссионные и ад-
сорбционные свойства веществ и материалов (справоч-
ник).— М. : Атомиздат, 1975.
811.	Френкель Я- И. Волновая	механика.— Л. ; М.:
Гостехиздат, 1934, с. 307—310.
812.	Фурсей Г. Н.— Журн. техн, физики, 1964, 34, № 7,
с. 1312—1316.
813.	Фурсей Г. И., Жуков В. М.— Журн. техн, физики,
1974, 44, № 6, с. 1280—1286.
814.	Хаджимухамедов X., Шуппе Г. Н.— Изв. АН УзССР.
- Сер. физ.-мат. наук, 1957, № 2, с. 55—63.
815.	Хаши нова С.— В кн.: Материалы науч. конф, аспи-
". рантов Среднеазиат. ун-та. Ташкент : Изд-во Средне-
азиат. ун-та, 1967, с. 99.
816.	Херине К-, Никольс М. Термоэлектронная эмиссия.—
М.: Изд-во иностр, лит., 1950.
817.	Ходневич С. П.— Электрон, техника. Сер. Электрон.
СВЧ, 1970, № 4, с. 119.
818.	Ходневич С. П., Киселев А. Б.— Электрон, техника.
Сер. Электрон. СВЧ, 1972, № 7, с. 23—32.
819.	Хоконов X. Б., Задумкин С. Н.— В кн.: Рост и несо-
вершенство металлических кристаллов. Киев : Наук,
думка, 1966, с. 304.
820.	Хоконов X. Б., Задумкин С. Н., Алчаеиров Б. Б.—
В кн.: Физика конденсированных сред. Ростов н/Д:
" Изд-во Рост. н/Д ун-та, 1969, (1970), с. 40.
821.	Хоконов X. Б., Задумкин С. Н., Алчаеиров Б. Б.
и др.— Изв. Сев.-Кавказ, науч, центра высш, школы.
Сер. естеств. наук, 1973, № 2, с. 60—65.
822.	Хоконов X. Б., Задумкин С. И., Алчаеиров Б. Б.—
Докл. АН СССР, 1973, 210, № 4, с. 899—902.
823.	Хоконов X. Б., Задумкин С. Н., Алчаеиров Б. Б.—
Электрохимия, 1974, 10, № 6, с. 911—916.
824.	Хоконов X. Б., Задумкин С. Н.— Изв. АН СССР.
Металлы, 1975, № 2, с. 189—191.
825.	Хоконов X. Б., Задумкин С. Н., Карамурзов Б. С.—
В ки.: Поверхностные явления в жидкостях. Л. :
Изд-во Ленингр. ун-та, 1975, с. 103—108.
826.	Холланд Д., Я тс М., Шварцер Д. и др.— В кн.:
Термоэмиссионное преобразование энергии. М. :
Атомиздат, 1971, с. 119.
827.	Хомутов Н. Е.— Журн. физ. химии, 1962, 36, № 12,
с. 2721—2726.
828.	Царев Б. М. Контактная разность потенциалов.— М. :
Гостехиздат, 1955, с. 166.
829.	Царев Б. М.— Радиотехника и электрон., 1957, 2,
№ 6, с. 675—687.
830.	Царев Б. М.— В кн.: Тр. конф, по электрон. СВЧ.
М. ; Л. : Госэнергоиздат, 1959, с. 236.
831.	Царев Б. М.— Радиотехника и электрон., 1965,
10, № 9, с. 1555—1573.
832.	Цыганова И. А., Тылкина М. А., Савицкий Е. М.—
В кн.: Рений в новой технике. М. : Наука, 1970,
ч. 2, с. 45—49.
833.	Цыганова И. А., Тылкина М. А.— Вкн.: Физико-хи-
мия редких металлов. М. : Наука, 1972, с. 93—
97.
834.	Bat' :овскийЭ. Ф., Пятигорский Г. М., Птицын Г. В.—
Журн. техн, физики, 1965, 35, ,4s 6, с. И32—
1138.
835.	Чайковский Э. Ф., Власенко В. А., Розенберг Т. Б.—
Монокристаллы, сцинтилляторы и орган, люминофо"
ры, 1968, № 3, с. 62—70.
836.	Чайковский Э. Ф., Мельник Л. Г., Пятигор-
ский Г. М.— Монокристаллы и техника, 1970 № 1
с. 129.	’ ’
837.	Чайковский Э. Ф., Власенко В. А.— Монокристаллы и
техника, 1970, № 1, с. 142—144.
838.	Чайковский Э. Ф., Мельник Л. Г.— Монокристаллы и
техника, 1970, № 1, с. 145.
839.	Чайковский Э. Ф., Деркач Ю. Ф.— Монокристаллы и
техника, 1970, № 2, с. 119—125.
840.	Чайковский Э. Ф., Власенко В. А.— Монокристаллы и
техника, 1970, № 2, с. 147—151.
841.	Чайковский Э. Ф., КайшеваЛ. И.— Монокристаллы
и техника, 1970, № 3, с. 108—114.
842.	Чайковский Э. Ф., Мельник Л. Г., Пятигор-
ский Г. М.— Журн. техн, физики, 1970, 40, № 1,
с. 225—228.
843.	Чайковский Э. Ф., Цайшева Л. И., Литвинен-
ко М. Л.— Монокристаллы и техника, 1971, № 5,
с. 101.
844.	ЧайковскийЭ. Ф., Пятигорский Г. М., Деркач Ю. Ф.—
В кн. XV Всесоюз. конф, по эмис. электрон. : Крат,
содерж. докл. Киев, 1973, ч. 1, с. 63.
845.	Чайковский Э. Ф., Власенко В. А.— Электрон, техни-
ка. Сер. Электровакуум, и газоразряд. приборы,
1975, № 4, с. 100—102.
846.	Чайковский Э. Ф., Пятигорский Г. М., Деркач Ю. Ф.—
Физика твердого тела, 1975, 17, № 8, с. 2403—2404.
847.	Чайковский Э. Ф., Пятигорский Г. М., Деркач
Ю. Ф.— Журн. техн, физики, 1976, 46, № 4,
, с. 814—819.
848.	Чайковский Э. Ф., Сотников В. Т., Ковтун Е. Д.—
Письма в Журн. техн, физики, 1976, 2, № 18,
с. 860—862.
849.	Чайковский Э. Ф., Деркач Ю. Ф., Ковтун Е. Д.—
Изв. АН СССР. Сер. физ., 1976. 40, № 12, с. 2450—
2452.
850.	Чайковский Э. Ф., Ковтун Е. Д., Деркач Ю. Ф.—
Монокристаллы и техника, 1976, № 14, с. 153—156.
851.	Чекина В. А., Горбатый Н. А.— В кн.: Эмиссионная
электроника. Рязань : Моск, рабочий, 1974, с. 85—
92.
852.	Черепиц В. Т., Васильев М. А., Косячков А. А. и др.—
Порошковая металлургия, 1977, № 10, с. 22—25.
853.	Чистяков П. Н., Милованова Р. А.— Журн. техн,
физики, 1961, 31, № 6, с. 746—748.
854.	Чистяков П. И., Милованова Р. А.— Журн. техн,
физики, 1963, 33, № 3, с. 356—359.
855.	Чистяков П. И., Милованова Р. А.— В кн.: Тр. VII
Междунар. конф, по явлениям в ионизир. газах. Бел-
град, 1965, т. 1, с. 216.
856.	Чистяков П. Н., Милованова Р. А.— Журн. техн, фи-
зики, 1972, 42, Ng 10, с. 2161—2163.
857.	Чистяков П. И., Милованова Р. А., Лыткин В. В.—
Журн. техн, физики, 1974, 44, № 1, с. 228—230.
858.	Шишкин Ю. Г., Сокольская И. Л.— Радиотехника и
электрон., 1960, 5, № 8, с. 1218—1224.
859.	Шишкин Ю. Г.— Радиотехника и электрон., 1964,
9, № 11, с. 2058—2060.
860.	Шишкин Ю. Г.— Физика твердого тела, 1965, 7,
№ 8, с. 2286—2291.
861.	Шишкин Ю. Г.— Вести. Ленингр. ун-та, 1966, № 16,
с. 58.
862.	Шишкин Ю. Г.— Учен. зап. Ленингр. ун-та, 1968,
№ 345. Вопр. электрон, твердого тела, сб. 2, с. 122.
863.	Шлюко В. Я-, Морозов В. В., Бесов А. В. и др.— По-
рошковая металлургия, 1974, № 7, с. 29—33.
864.	Шредник В. И.— Изв. АН СССР. Сер. физ., 1958,
22, № 5, с. 594—604.
865.	Шредник В. Н.— Физика твердого тела, 1961, 3,
№ 6, с. 1750—1761.
318
Список литературы
866.	Шредник В. Н. Дис.— Физ.-техн, ин-т АН СССР.—
Л., 1965, (цит. по [556]).
867.	Шуба Ю. А.— Журн. техн, физики, 1956, 26, № 5,
с. 1129—1135.
868.	Шульман А. Р., Кирсанова Т. С., Белова В. М.—
Радиотехника и электрон., 1971, 16, Ле 10, с. 2003—
2004.
869.	Шуппе Г. Н., Сытая Е. П., Кадыров Р. М.— Изв.
АН СССР. Сер. физ., 1956, 20, Ле 10, с. 1142—1150.
870.	Шуппе Г. Н. Электронная эмиссия металлических
кристаллов.— Ташкент : Изд-во Среднеазиат. ун-та,
1959.
871.	Шуппе Г. Н.— Изв. АН СССР. Сер. физ., 1966, 30,
№ 12, с. 1935—1941.
872.	Шуппе Г. Н.— Тр. конф, по электрон, технике, 1970,
№ 7. Эмис, электрон., с. 3—22.
873.	Шуппе Г. Н.— В кн.: Эмиссионная электроника. Ря-
зань : Моск, рабочий, 1974, с. 3—44.
874.	ШурмовскаяН. А., Егорова Е. М., Карпачева Г. М.—
Электрохимия, 1976, 12, № 4, с. 590—591.
875.	Экспресс-информ. : Прямое преобразование тепловой
и хим. энергии в электр., 1977, № 24, с. 9—13.
876.	Эспе В. Технология электровакуумных материалов.—
М.; Л. : Госэнергоиздат, 1962.— Т. 1.
877.	Юдинская И. В., Паромова М. В., ЛыковаЛ. Н. и др.—
Изв. АН СССР. Неоргаи. материалы, 1975, 11, № 10,
с. 1805—1808.
878.	Дгодовский В. Д., Зубарев Ю. А., Денисов Г. Н.—
Жури. физ. химии, 1973, 57, № 12, с. 3077—3080.
879.	Дгодовский В. Д., Денисов Г. И., Степанов В. М.—
Жури. физ. химии, 1973, 57, № 12, с. 3081—3084.
880.	Aarnodt R„ Brown L., Nichols В.— J. Appl. Phys.,
1962, 33, N 6, p. 2080—2085.
881.	Abe у A.— J. Appl. Phys., 1968, 39, № 1, p. 120—127.
882.	Abrams R., Jamerson F.— J. Appl. Phys., 1961, 32,
N 9, p. 1783—1784.
883.	Affleck J.— In : Adv. Electron. Tube Techn.— Oxford
etc.: Pergamon press, 1961, p. 137—139.
884.	Agte C., Alterthum H., Becker K. et al.— Naturwissen-
schaften, 1931, 19, N 5, S. 108—109.
885.	Agte C., Alterthum H., Becker K. et al.— Z. anorg.
und allg. Chem., 1931, 196, N 2, S. 129—159.
886.	Ahearn A.— Phys. Rev., 1933, 43, N 12, p. 1058.
887.	Ahearn A.—Phys. Rev., 1933, 44, N 4, p. 277—
286.
888.	Ahmed H., Broers A.— J. Appl. Phys., 1972, 43, N 5,
p. 2185—2192.
889.	Albert M., Atta M., Fatmi H. et al.— Прямое преобра-
зование тепловой энергии в электр. и топлив, элемен-
ты, 1968, Ле 2, с. 96.
890.	Albert М., Atta М.— Metals and Mater., 1967, 1, N 2,
p. 43—49.
891.	Albert M., Atta M., Gabor D.— Brit. J. Appl. Phys.,
1967, 18, N 5, p. 627—633.
892.	Albien K-— Unveroffentlicht.— Цит. no [1875].
893.	Albien K.— Diplomarbeit. Hannover,	1959.— Цит.
no [1873].
894.	Albrecht H., Muz E.— Прямое преобразование тепло-
вой энергии в электр. и топлив, элементы, 1967, № 8,
с. 125—130.
895.	Albrecht Н.— Dissertationsschrift. Universitat Rostock,
1970.— Цит. по [896].
896.	Albrecht Я,—Phys, status solidi (a), 1971, 6, N 1,
p. 135—142.
897.	Alder H., Campagna M., Siegmann H.— Phys. Rev.
B, 1973, 8, N 5, p. 2075—2082.
898.	AllanG., Lannoo M.— Vide, 1975, 30, N 176, p. 48—
49.
899.	Alleau T.— Rep. Thermion. Convers. Spec. Conf.
Carmel (U. S. A.), 1969, p. 1—9.
900.	Alleau T.— Ber. Keniforschungsanlage Jtilich, 1969,
N 3, S. 54—56.
901.	Allen F.— J. Phys, and Chem. Solids, 1959 8, p. 119—
121.
902.	Allen F., Eisinger J., Hagstrum H. et al.— J. Appl.
Phys., 1959, 30, N 10, p. 1563—1571.
903.	Allen F., Gobeli G.— Phys. Rev., 1962, 127, N I.
p. 150—158.
904.	Allen F., Gobeli 6.—J. Appl. Phys., 1964, 35, N 3,
p. 597—605.
905.	Allen F., Gobeli G.— Phys. Rev., 1966, 144, N 2,
p. 558—575.
906.	Ameiser I.— Z. Phys., 1931, 69, N 1/2, S. 111—140.
907.	American institute of physics handbook.— 2nd ed.—
New York : McGraw-Hill Book co., 1963. Sec. 9.
908.	Anderson J., Klemperer D.— Proc. Roy. Soo., 1960,
A 258, N 1294, p. 350—376.
909.	Anderson J., Danforth W.. Williams A.— J. Appl. Phys.
1963, 34, N 8, p. 2260—2265.
910.	Anderson J., Thompson N.— Surface Sci., 1971, 26,
N 2, p. 397—414.
911.	Anderson	P.— Phys.	Rev.,	1935,	47,	N	12,	p.	958—964.
912.	Anderson	P.— Phys.	Rev.,	1936,	49,	N	4,	p.	320—323.
913.	Anderson	P.— Phys.	Rev.,	1938,	54,	N	9,	p.	753—757.
914.	Anderson	P.— Phys.	Rev.,	1940,	57,	N	2,	p.	122—127.
915.	Anderson P.— Phys. Rev., 1941, 59, N 12, p. 1034—
1041.
916.	Anderson P.— Phys. Rev., 1949, 75, N 8, p. 1205—
1207.
917.	Anderson P.— Phys. Rev., 1949, 76, N 3, p. 388—390.
918.	Anderson P.— Phys. Rev., 1952, 88, N 3, p. 655—658.
919.	Anderson P.— Phys. Rev., 1955, 98, N 6, p. 1739—
1740.
920.	Anderson P., Hunt A.— Phys. Rev., 1956, 102, N 2,
p. 367—368.
921.	Anderson P.— Phys. Rev., 1959, 115, N 3, p. 553—554
922.	Antula J.— Solid-State Electron., 1966, 9, N 8,
p. 825—826.
923.	Apelbaum J.— In : Proc. 3rd Nat. Conf. Tube Techn.
New York : Univ, press, 1958, p. 56—59.
924.	Apker L., Taft E., Dickey J.— Phys. Rev., 1948, 73,
N 1, p. 46—50.
925.	Apker L., Taft E., Dickey J.— Phys. Rev., 1948, 74,
N 10, p. 1462—1474.
926.	Apker L„ Taft E., Dickey J.— Phys. Rev., 1949, 76,
N 2, p. 270—272.
927.	Apker L.— Phys. Rev., 1950, 78, N 3, p. 352.
928.	Araki Y.— J. Appl. Phys. Jap., 1961, 30, N 4,
p. 278—283.
929.	Argade S., Glleadi E.— In: Electrosorption. New
York : Plenum press, 1967.
930.	Argade S. Ph. D. Thesis.— Univ. Pennsylvania, 1968.—
Цит. no [1904].
931.	Arnold H.— Phys. Rev., 1920, 16, N 1, p. 70—82.
932.	Asano M., Harada T., Kubo K.— Bull. Inst. Atom.
Energy, Kyoto Univ., 1976, 50, Ле 9, p. 62.
933.	Asao S.— Proc. Phys, and Math. Soc. Jap., 1940,
22, N 2, p. 448—486.
934.	Assimos J., Trivich D.— Phys, status solidi (a), 1974,
26, N 2, p. 477—488.
935.	Azuma K., Kobayashi A.— J. Res. Inst. Catal., Hok-
kaido Univ., 1956, 4, N 2, p. 152—159.
936.	BacalM., Desplat J., Alleau T.— J. Vac Sci. and Tech-
no!., 1972, 0, N 2, p. 851—856.
937.	Bachmann R.— Phys, kondens. Materie, 1968, 8, N 1,
S. 31—57.
938.	Bajpai R., КПа H., Azuma K.— Thin Solid Films,
1975, 26, N 1, L5—L6.
939.	Baker B., Johnson B., Maire G.— Surface Sci., 1971,
24, N 2, p. 572—586.
940.	Baker B., Johnson B.— J. Vac Sci. and Technol., 1972,
9, N 2, p. 930—933.
941.	Baker F., Osborn A., Williams J.— Nature, 1972,
239, N 5367, p. 96—97.
Список литературы
319
942.	Baker F., Osborn A., Williams J.— J. Phys. D, 1974,
7, N 15, p. 2105—2115.
943.	Balas W., Dempsey J., Rexer E.— J. Appl. Phys.,
1955, 26, N 9, p. 1163—1165.
944.	Baling A., Musiata I., Betin N. et al.— Rev. roum.
phys., 1974, 19, N 7, p. 713—716.
945.	Bardeen J.— Phys. Rev., 1936, 49, N 9, p. 653—663.
946. BarnesG.— Phys. Rev., 1955, 97, N 6, p. 1579—1583.
947. Baron B., Delahay P., Lugo R.— J. Chem. Phys., 1970,
53, N 4, p. 1399—1405.
948.	Barry D., Hopkins B., Sargood A.— Surface Sci., 1967,
7, N 3, p. 365—379.
949.	Bartelink E.— Physica, 1936, 3, N 4, p. 193—204.
950.	Batey H.— Proc. IEE, 1961, B108, N 40, p. 468—469.
951.	Bailey M., Lyons L.— Mol. Cryst. 1968, 3, N 3,
p. 357—374.
952.	Batley M., Lyons L.— Unpublished.— Цит. no [234].
953.	Batt R., Mee C.— J. Vac. Sci. and Technol., 1969, 6,
N 4, p. 737—740.
954.	Battles P.— Прямое преобразование тепловой энергии
в электр. и топлив, элементы, 1968, № 7, с. 99—
103.
955.	Bauer К-, Bloss W.— Прямое преобразование тепло-
вой энергии в электр. и топлив, элементы, 1967, № 8,
с. 130—134.
956.	Baumann F.— Z. Phys., 1960, 158, N 5, S. 607—622.
957.	Baxter W.— J. Appl. Phys., 1971, 42, N 7, p. 2682—
2688.
958.	Beck A., Cutting A., Brisbane A. et al.— Nature,
1954, 174, N 4439, p. 1010—1011.
959.	Becker G., Hagsirum H.— Surface Sci., 1972, 30, N 3,
p. 505—524.
960.	Becker J.— Trans. Faraday Soc., 1932, 28,
p. 148—151.
961.	Bauder U„ Alex R„ Fromm E.— Thin Solid Films,
1977, 46, N 3, p. 229—237.
962.	Becker J.— Rev. Mod. Phys., 1935, 7, N 2, p. 95—128.
963.	Braun W., Neumann M., Iwan M., Koch K.— Phys,
status solidi (b), 1978, 90, N 2, p. 525—533.
964.	Becker J.— Bell Syst. Techn. J., 1951, 30, N 4,
p. 907—932.
965.	Becker J.— Phys. Rev., 1926, 28, N 2, p. 341—361.
966. Bedos R.— C. r., 1964, 259, N 10, p. 1695—1697.
967. Beinton K — AERE-R 4011. Harwell, 1962,—Цит.
no [450].
968.	Bell A., Gomer R.— J. Chem. Phys., 1966, 44, N 3,
p. 1065—1080.
969.	Bell A., Swanson L., Crouser L.— Surface Sci., 1968,
10, N 2, p. 254—274.
970.	Bell A., Bennette C., Strayer R. et al. Single Crystal
Clean Work Functions and the Behavior of Various
Adsorbates on Metal Surfaces.— NASA-Lewis Contract
№ NAS-3-11820 : Field Emission Corp., McMinnville,
Oregon, 1970.— Цит. no [972, 1856].
971	Berge S., Gartland P„ Slagsuold B.— Surface Sci.,
1974, 43, N 1, p. 275—292.
972.	BergeretG., Abon M.,'Tardy B. etal.— J. Vac. Sci. and
Technol., 1974, 11, N 6, p. 1193—1194.
973.	Berglund C., Spicer W.— Phys. Rev., 1964, 136,
N 4A, p. 1044—1064.
974.	BerkesZ.— Matem. Fiz. Lapok. Budapest, 1934, 41,
S. 131—161.
975.	Bermond J., Felts B., Drechsler M.— Surface Sci., 1975,
49, N 1, p. 207—220
976.	Bettier P., Bennum D., Case C.— Surface Sci., 1974,
44, N 2, p. 360—376.
977.	Bhatia C., Sinha M.— Surface Sci., 1974, 43, N 2,
p. 369—384.
978.	Bhatnagar A.— Proc. Nat. Acad. Sci. India, 1944, A14,
p. 5—11.
979.	Biala Z., Szczerski W.— Pr. Przem. Inst, elektron.,
1966, 7, N 3/4, p. 179—190.
980.	Blackmer L., Farnsworth H.— Phys. Rev., 1950, 77,
N 6, p. 826—829.
981.	Blaszczyszyn R., Mailankowna M., Mechlewski R.,
Nikliborc J.— Acta phys. pol., 1966, 29, N 3, p. 403—
405.
982.	Blaszczyszyn R., Blaszczyszyn M., Meclewski R.—
Surface Sci., 1975, 51, N 2, p. 396—408.
983.	Blaszczyszyn M.— Surface Sci., 1976, 59, N 2, p. 533—
540.
984.	Blechschmidt D., Skibowski M., Steinmann W.— Phys,
status solidi, 1970, 42, N 1, p. 61—70.
985.	Blevis E., Crowell C.— Phys. Rev., 1964, 133, N 2A,
p. A580—A584.
986.	Blewett J.—J. Appl. Phys., 1939, 10, № 10, p. 668—679
987.	Bliznakov G., Tsolouski I., Peshev P.— Rev. int. hautes
temp, et rfefract., 1969, 6, N 3, p. 159—164.
988.	Blodgett A., Spicer W., Yu A.— In : Proc. Int. Conf.
Optical Properties and Electron. Structure of Metals
and Alloys : Paris, 1965. Amsterdam : North-Holland,
1966, p. 246—256,—Цит. no [1714].
989.	Blodgett A., Spicer W.— Phys. Rev., 1966, 146, N 2,
p. 390—402.
990.	Blodgett A., Spicer W.— Phys. Rev., 1967, 158, N 2.
p. 514—523.
991.	Blott B., Hopkins B.— Brit. J. Appl. Phys., 1965,
16, N 8, p. 1215—1216.
992.	Blott B., Lee T.— J. Sci. Instrum., 1969, 2, N 2,
p. 785—788.
993.	Bobev K-, Gaidarova V.— Phys, status solidi (a), 1974,
23, N 2, p. K129—K133.
994.	Bockris J.— Trans. Faraday Soc., 1947, 43, N 298,
p. 417—428.
995.	Bode W., Fletcher P.— J. Appl. Phys., 1969, 40, N 10,
p. 3927—3930.
996.	Boer J. de, Krusemeyer H., Jaspers N.— Rev. Sci.
Instrum., 1973, 44, N 8, p. 1003—1008.
997.	Bogglo J., Farnsworth H.— Surface Sci., 1964, 1, N 4,
p. 399—406.
998.	Boggio J.—J. Chem. Phys., 1972, 57, N 11, p. 4738—
4742.
999.	Bohdansky J.— Прямое преобразование тепловой
энергии в электр. и топлив, элементы, 1969, № 3.
с. 124—130.
1000.	Bohdansky J.— В кн.: Термоэмнссионное преобразо-
вание энергии. М. : Атомиздат, 1971, с. 58.
1001.	Bomke Я.—Ann. Phys., 1931, 10, N 5, S. 579—615.
1002.	Bomke H.— Z. Phys., 1934 , 90, N 7/8, S. 542—550.
1003.	Bomke H.— Z. Phys., 1934, 91, N 5/6, S. 400—409.
1004.	Bond G.— Discuss Faraday Soc., 1966, N 41, p. 200—
214.
1005.	Bonzel H., Fischer T.— Surface Sci., 1975, 51, N 1,
p. 213—227.
1006.	Borrego J., Gutmann R., Ashok S.— Appl. Phys. Lett.,
1977, 30, N 3, p. 169—172.
1007.	Bosworth R., Rideal E.— Proc. Roy. Soc., 1937,
A162, N 908, p. 1—31.
1008.	Bosworth R.—Proc. Roy. Soc., 1937, A162, N 908,
p. 32—49.
1009.	Bosworth R.— Trans. Faraday Soc., 1939, 35, N 3,
p. 397—402.
1010.	Boutry G., Evrard R., Richard J.— C. r., 1964. 258,
N 1, p. 143—146.
1011.	Boutry G., Dormont H., Evrard R. et al.— C. r., 1965,
261, N 2, p. 383—386.
1012.	Bouwman R., Sachtler W.— J. Catal., 1970, 19, N 2,
p. 127—140.
1013.	Bouwman R., van Keulen H., Sachtler W.— Ber.
Bunsenges. phys. Chem., 1970, 74, N 3, S. 198—204.
1014.	Bouwman R., Sachtler W.— Ber. Bunsenges. phys.
Chem., 1970, 74, N 12, S. 1273—1277.
1015.	Bouwman R., Sachtler W.— Surface Sci., 1971, 24,
N 1, p. 140—148.
320
Список литературы
1016.	Bradke М. von—Work Function Measurements at
Simulated Collector Conditions of Thermionic Dio-
des.— Jiilich, FRG : Kernforschungsanlage Jiilich
GmbH, 1972.— Preprint G51. 3rd Int. Conf. Thermio-
nic Electr. Power Generat.
1017.	Bradley R., D’Asaro L.— J. Appl. Phys., 1959, 30,
N 2, p. 226—233.
1018.	Brady J.— Phys. Rev., 1932, 41, N 5, p. 613—626.
1019.	Brady J., Jacobsmeyer V.— Phys. Rev., 1936, 49,
N 9, p. 670—675.
1020.	Brattain IF., Becker J.— Phys. Rev., 1933, 43, N 6,
p. 428—450.
1021.	Braun A., Busch G.— Helv. phys. acta, 1947, 20,
N 1, p. 33—36.
1022.	Brewer A.— J. Amer. Chem. Soc., 1934, 56, N 9,
p. 1909—1913.
1023.	Brewer L.— Science,	1968,	161,	N 3837, p.	115—122.
1024.	du Bridge L.— Phys.	Rev.,	1928,	31, N	2, p.	236—243.
1025.	du Bridge L.— Phys.	Rev.,	1928,	32, N	6, p.	961—966.
1026.	du Bridge L., Roehr	IF.—	Phys.	Rev.,	1932, 39, N 1,
p. 99—107.
1027.	du Bridge L., Roehr W.— Phys. Rev., 1933, 42, N 1,
p. 52—57.
1028.	Briere T., Sommer A.— J. Appl. Phys., 1977, 48, N 8,
p. 3547—3550.
1029.	Broder. G.— Phys, kondens. Mater., 1972, 15, N 3,
S. 171—190.
1030.	Brodie I., Jenkins R.— J. Appl. Phys., 1956, 27, N 4,
p. 417—418.
1031.	Breeder J., van Reijen L., Sachtler IF. et al.— Z.
Elektrochem., 1956, 8, N 8, S. 838—847.
1032.	Broudy R.— Phys. Rev. B, 1970, 1, N 8, p. 3430—
3438.
1033.	Brown A., Neelands L., Farnsworth H.— J. Appl.
»-• Phys., 1950, 21, N 1, p. 1—4.
1034.	Brown H. Dis. doct.— Univ. Missouri, 1963.— Цит.
no [1719].
1035.	Briinger W., Klein M.— Surface Sci., 1977, 62, N 1,
p. 317—320.
1036.	Buckingham J.— Brit. J. Appl. Phys., 1965, 16,
N 12, p. 1821—1832
1037.	Burns J., Yelke E.— Rev. Sci. Instrum., 1969, 40,
N 9, p. 1236—1237.
1038.	Burton J.—Phys. Rev., 1947, 72, N 6, p. 531 (A) —
532 (A).
1039.	Burton L., Madjud A.— J. Phys, and Chem. Solids,
1971,32, N 11, p. 2621—2629.
1040.	Burton L.— J. Appl. Phys., 1976, 47, N 3, p. 1189—
1191.
1041.	Busch G., Madjud A.— Phys, kondens. Mater., 1965,
4, N 2, S. 131—160.
1042.	Busch G., Wullschleger J.— Phys, kondens. Mater.,
1970, 12, N 1, S. 47—71.
1043.	Busse H. Dis.— Techn. Univ. Hannover, 1962.— Цит.
no [1953].
1044.	Camp M., Lecchini S.— Proc. Phys. Soc., 1965, B85,
N 546, p. 815—817.
1045.	Campbell M.—Phil. Mag., 1931, 12. N 75, p. 173—
185.
1046.	Cardwell A.— Proc. Nat. Acad. Sci., 1928, 14, N 6,
p. 439—445.
1047.	Cardwell A.— Phys. Rev., 1931, 38, N 11, p. 2033—
2040.
1048.	Cardwell A.— Phys. Rev., 1931, 38, N 11, p. 2041—
2048.
1049.	Cardwell A.— Phys. Rev.,	1935, 47,	N	8,	p.	628—630.
1050.	Cardwell A.— Phys. Rev.,	1949, 76,	N	1,	p.	125—127
1051.	Cardwell A.— Phys. Rev.,	1953, 92,	N	3,	p.	554—556.
1052.	Carreker R.— J. Appl Phys., 1950,	21, N 12,
p. 1289—1296.
1053.	Cashman R., Huxford W.— Phys. Rev., 1935, 48,
N 9, p. 734—741.
1054.	Cashman R., Bassoe E.— Phys. Rev., 1938, 53, N 11
p. 919 (A).
1055.	Cashman R.— Phys. Rev., 1938, 54, N 11, p. 971.
1056.	Cashman R., Bassoe E.— Phys. Rev., 1939, 55, N 1,
p. 63—69.
1057.	Caspary E., Krautz E.— Techn.-wiss. Abh. Osram-
Ges., 1963, 8, S. 210—216.
1058.	Cassel H., Sdhneider IF.— Naturwissenschaften, 1934,
22, N 27, S. 464—465.
1059.	Cassuto A., Pentenero A., Le Goff P.— C. r., 1965,
260, N 7, p. 1974—1976.
1060.	Caulfield H., Chapman R.— J. Appl. Phys., 1966,
37, N 13, p. 4927—4935.
1061.	Cetronio A., Jones J.— Surface Sci., 1973, 40, N 2,
p. 227—248.
1062.	Cetronio A., Jones J.— Surface Sci., 1974, 44, N 1,
p. 109—128.
1063.	Cetronio A., Jones J., Roberts E.— Surface Sci., 1975,
52, N 3, p. 473—488
1064.	Cetronio A., Jones J.— Thin Solid Films, 1976, 35,
N 1, p. 113—126.
1065.	Champeix R.— Ann. Radioelectr., 1946, 1, N 2,
p. 208—235.
1066.	Chapman R.— J. Appl. Phys., 1964, 35, N 10,
p. 2832—2843.
1067.	Chen J —J. Appl. Phys., 1970, 41, N 12, p. 5008—
5011.
1068.	Chen J., Papageorgopoulos C.— Surface Sci., 1971,
26, N 2, p. 499—508.
1069.	Chen J., Papageorgopoulos C.— Solid State Communs,
1972, 11, N 8, p. 999—1002.
1070.	Chen J.— J. Franklin Inst., 1974, 298, N 4, p. 255—
269.
1071.	Chen-Show Wang— J. Appl. Phys., 1977, 48, N 4,
p. 1477—1479.
1072.	Chittum J.— J. Phys. Chem., 1934,38, N 1, p. 79—84.
1073.	Chrzanowski E.— Acta phys. pol., 1973, A44, N 5,
p. 711—729.
1074.	Clarke E., Farnsworth H.— Phys. Rev., 1952, 85, N 3,
p. 484—485.
1075.	Clerc H., Wallis G.—Ann. Phys., 1957, 19, N 6/8,
S. 344—352.
1076.	Clerc J., Giraud G., Roussenq J.— C. r., 1971, AB272,
N 24, p. B1346—B1349.
1077.	Clewley J., Crowell A., Juenker D.— J. Vac. Sci. and
Technol., 1972, 9, N 2, p. 877—881.
1078.	Coates P.— J. Phys. D, 1972, 5, N 8, p. 1489—1498.
1079.	Coggins J., Stickney R.— Surface Sci., 1968, 11, N 3,
p. 355—369.
1080.	Cohen J.— J. Appl. Phys., 1962, 33, N 6, p. 1999—
2000.
1081.	Collins D., Lee J., Spicer W.— Surface Sci., 1976, 55,
N 2, p. 389—402.
1082.	Collins R„ Blott B.— Surface Sci., 1968, 9, N 1.
p. 1—17.
1083.	Collins R., Blott B.— Surface Sci., 1968, 1©, N 3,
p. 349—368.
1084.	Collins R., Blott B.— Surface Sci., 1968, 11, N 1,
p. 149—152.
1085.	Collins R„ Blott B.— J. Phys. D, 1971, 4, N 1,
p. 102—113.
1086.	Collins R„ Blott B — J. Phys. D, 1971, 4, N 1,
p. 114—117.
1087.	Collins R.— Surf. Sci., 1971, 26, N 2, p. 624—636.
1088.	Collins R., Riwanga C.— Surface Sci., 1975, 49, N 1,
p. 349—355.
1089.	Collins R., Riwanga C.— Surface Sci., 1976, 61, N 2,
p. 491—503.
1090.	Collins R., Riwanga C.— Surface Sci., 1977, 64, N 2,
p. 778—784.
1091.	Conway B., Bockris J.— J. Chem. Phys., 1951, 26,
N 3, p. 532—541.
Список литературы
321
1092.	Conwell Е.— Proc. IRE, 1952, 40, N 11, p. 1327—
1337.
1093.	Cooke H., Richardson 0.—London, Edinburgh and Dub-
lin Phil. Mag. and J. Sci.,Ser. 6, 1913,25, N 148, p.
624—643.
1094.	Coomes E., Girouard F.— In : Rep. Thermionic Conv.
Spec. Conf. Cleveland (USA), 1964, p. 47—52,—
(Цит, no [1079]).
1095.	Corbato F.— In : Proc. 3rd Conf, on Carbon. London :
Pergamon press, 1959, p. 173—178.— Цит. no [2039].
1096.	Cotti P., GUntherodt H.-J., Munz P. et al.— Solid
State Communs, 1973, 12, N 7, p. 635—638.
1097.	Cranston F.— Los Alamos Sci. Lab. New Mexico.—
Цит. no [115].
1098.	Cronin L„ Apelbaum J.— IRE Intern. Conv. Rec.,
1957, pt. 3, p. 120—123.
1099.	Danforth IF., Williams A.— J. Appl. Phys., 1961,
32, N 6, p. 1181—1184.
1100.	D’Arcy R., Surplice N.— Surface Sci., 1973, 34, N 2,
p. 193—211.
1101.	D’Arcy R., Surplice N.— Surface Sci., 1973, 36, N 2,
p. 783—787.
11@2.	Davey J.— 3. Appl. Phys., 1957, 28, N 9, p. 1031—
1034.
1103.	David J., Floret F., Kassibrakis G.— In: Abstrs 2nd
Int. Conf. Solid Surfaces. Kyoto (Jap.), 1974, p. 287.
1104.	David J., Denisot J., Floret F. et al.— Jap. J. Appl.
Phys., Suppl. 2, 1974, pt. 2, p. 745—748.
1105.	Davisson C., Germer L.— Phys. Rev., 1922, 2®, N 4,
p. 300—330.
1106.	Davisson C., Germer L.— Phys. Rev., 1924, 24, N 6,
p. 666—682.
1167.	De&k M.— Brown Boveri Mitt., 1966, 53, N 8, p. 466—
468.
1108.	Decker U., Mollenstedt G., Wurster E.— Z. Phys.,
1969, 229, N 3—5, S. 316—320.
1109.	Deininger F.—Ann. Phys., 1908, 25, S. 285—308.
1110.	Dekker R., Stebbins D.— J. Appl. Phys., 1955, 26,
N 8, p. 1004—1006.
1111.	Delahay P., Chartier P., Nemec L.— J. Chem. Phys.,
1970, 53, N 8, p. 3126—3135.
1112.	Delchar T.— Surface Sci., 1971, 27, N 1, p. 11—20.
1113.	Derrien J., D’Avitaya F., Glachant A.— Surface Sci.,
1975, 47, N 1, p. 162—166.
1114.	Desplat J. Variation du travail de sortie du W{ 100} par
adsorption d’oxygene, de cesium et co-adsorption
d’oxygene et de cesium.— Julich, FRG : Kernfor-
schungsanlage Julich GmbH, 1972.— Preprint G77.
3rd Int. Conf. Thermionic. Electr. Power Generat.
1115.	Dworecki Z.— Acta Univ, wratisl. Math. Fiz. Astron.,
1977, 29, N 380, p. 57—62.
1116.	Desplat J.—Surface Sci., 1973, 34, N 3, p. 588—596.
1117.	Desplat J. — In : Abstrs 2nd Int. Conf on Solid
Surfaces. Kyoto (Jap.), 1974, p. 194.
1118.	Desplat J.— С. E. N. Saclay : private communic.—
Цит. no [1553].
1119.	Detels F.— Jhr. drahtlosen Telegr. und Teleph., 1927,
10, N 1, S. 52.
1120.	Dillon J.—Phys. Rev., 1931, 38, N 3, p. 408—415.
1121.	Dillon J., Farnsworth H.— J. Appl. Phys., 1957, 28,
N 2, p. 174—184.
1122.	Dillon J., Farnsworth H.— J. Appl. Phys., 1958, 29,
N 8, p. 1195—1202.
1123.	Dillon J., Schlier R., Farnsworth H.— J. Appl. Phys.,
1959, 39, N 5, p. 675—679.
1124.	Dinan J., Galbraith L., Fischer T.— Surface Sci.,
1971, 26, N 2, p. 587—604.
1125.	Dionne G.— J. Chem. Phys., 1967, 46, N 3, p. 1212—
1213.
1126.	Dionne G.—J. Appl. Phys., 1973, 44, N 12, p. 5637.
1127.	Distler W., Monch G.— Z. Phvs., 1933, 84, N 56,
S. 271—275.
1128.	Dixon E.— Phys. Rev., 1931, 37, N 1, p. 60—69,
1129. Dixon R., Lott L.— J. Appl. Phys., 1969, 40, N 12.
p. 4938—4939.
1130.	Dopel R.— Z. Phys., 1925, 33, S. 237—245.
1131.	Doni E., Parravicini G.— Nuovo cim., 1969, 64, N 1
p. 117—144.
1132.	Drechsler M., Muller E.— Z. Phys., 1953, 134, N 2,
S. 208—221.
1133.	Dubejko M., Olszewski S.— Phys, status solidi, 1966
16, N 2, p. 399—404.
1134.	Dudley K„ Driscoll T.— In: Proc. 6th Nat. Conf.
Tube Techn. New York : Univ, press, 1962.
1135.	Duell M., Moss R.— Trans. Faraday Soc., 1965. 61,
N 514, p. 2262—2272.
1136.	Dumont F., Maures J.— Прямое преобразование теп-
ловой энергии в электр. и топлив, элементы, 1969,
№ 2, с. 149—156.
1137.	Dushman S.— Phys. Rev., 1923, 21, N 6, p. 623—
636.
1138.	Dushman S., Rowe H., Ewald J. et al.— Phys. Rev.,
1925, 25, N 3, p. 338—360.
1139.	Dushman S., Ewald J.— Phys. Rev., 1927, 29, N 6,
p. 857—870.
1140.	Dushman S., Dennison D., Reynolds N.— Phys. Rev.,
1927, 29, p. 903.
1141.	Dushman S. Thermal emission of electrons : Int. Criti-
cal Tables.— New York : McGraw-Hill Book co, 1929,
vol 6, p. 53—54.
1142.	Dvorak M.— In : 3rd Czechosl. Conf. Electron, and'
Vacuum Phys. Trans. Prague, 1967, p. 345.
1143.	Dvorak M.— In: 4th Czechosl. Conf. Electron, and
Vacuum Phys. Trans. Prague, 1968, p. 307.
1144.	Dweydari A., Mee C.— Phys, status solidi (a), 1973,
17, N 1, p. 247—250.
1145.	Dweydari A., Mee C.— Phys, status solidi (a), 1975,
27, N 1, p. 223—230.
1146.	Dyke W. Thesis.— Univ. Washington, Seattle, 1946.—
Цит. no [1586].
1147.	Dyke W., Troian J., Dolan W. et al.— J. Appl. Phys.,
1954, 25, N 1, p. 106—112.
1148.	Eastman D.— Phys. Rev. B, 1970, 2, N 1, p. 1—2.
1149.	Eastment R., Mee C.— J. Phys. F, 1973, 3, N 9,
p. 1738—1745.
1150.	Eberhagen A.— Fortschr. Phys., 1960, 8, N 5/6,
S. 245—294.
1151.	Eckart F.— Ann. Phys., 1955, 16, N 5—8, S. 322—330.
1152.	Eckstein B., Forman R.— J. Appl. Phys., 1962, 33,
N 1, p. 82—87.
1153.	Eckstein W., Georg R., Hetland W. et al.— Z. Natur-
forsch., 1970, 25a, N 12, S. 1981.
1154.	Eglin J.— Phys. Rev., 1928, 31, N 6, p. 1127.
1155.	Ehrlich G., Hudda F.— J. Chem. Phys., 1959, 30,
N 2, p. 493—512.
1156.	Eisinger J.— J. Chem. Phys., 1957, 27, N 5, p. 1206—
1207.
1157.	Eisinger J.— J. Chem. Phys., 1958, 28, N 1, p. 165—
166.
1*158	. Eisinger J.— J. Chem. Phys., 1959, 29, N 5, p. 1154—
1160.
1159.	Eisinger J. — J. Chem. Phys., 1959, 30, N 4, p. 927—
930.
1160.	Engelmaier W., Stickney R.— Surface Sci., 1968, 11,
N 3, p. 370—394.
1161.	Engelmann A.— Ann. Phys., 1933, 17, N 2,S. 185—207.
1162.	Erbudak M., Fischer T.— Phys. Rev. Lett., 1972,
29, N 11, p. 732—735.
1163.	Ernst L.— Phys, status solidi, 1967, 24, N 1, p. 177—
181.
1164.	Ertel A.—Phys. Rev., 1950, 78, N 3, p. 353—354.
1165.	Esaki L.— J. Phys. Soc. Jap., 1953, 8, N 3, p. 347—
349.
322
Список литературы
1166	Espe W.— Wiss. Veroff. Siemens-W., 1=926—27, 5,
’ S. 46—61.	L
1167.	Espe W.~ Z. techn. Phys., 1929, 10, N 11. S. 489—
495.
1168.	Espe W.~ Exp. Techn. Phys., 1964, 12, N 1, S. 1—14.
1169.	Estrup P., Anderson J., Danforth W.— Surface Sci.,
1966, 4, N 3, p. 286—298.
1170.	Evans B., Swanson L., Bell A.— Surface Sci., 1968,
11, N 1, P- 1—18.
1171.	Evans S.— Chem. Phys. Lett., 1973, 23, N 1, p. 134—
138.
1172	Fain S., McDavid J.— Phys. Rev. B, 1974, 9, N 12,
p. 5099—5107.
1173.	Fan H.— J. Appl. Phys., 1943, 14, N 10, p. 552—560.
1174.	Farnsworth H., Winch R.— Phys. Rev., 1940, 58, N 9,
p. 812—819.
1175.	Farnsworth H., Madden H.— J. Appl. Phys., 1961,
32, N 10, p. 1933—1937.
1176.	Fedorus A. G., Naumovts A. G.— Surface Sci., 1970,
21, N 2, p. 426—439.
1177.	Fedorus A. G., Naumovets A. G., Vedula Yu. S.—
Phys, status solidi (a), 1972, 13, p. 445—456.
1178.	Fehrs D., Stickney R.— Rep. 26th Ann. Conf. Phys.
Electron.— Mass. Inst. Technol., Cambridge, 1966.
Цит. no [1278].
1179.	Fehrs D., Stickney R.— Surface Sci., 1969, 17, N 2,
p. 298—315.
1180.	Fehrs D., Stickney R.— Surface Sci., 1971, 24, N 1,
p. 309—331.
1181.	Feist W.— In: Adv. in Electronics and Electron Phy-
sics : Suppl. 4. Electron Beam and Laser Beam Tech-
nology. New York; London: Acad, press, 1968,
p. 1—59.— Цит. no [289].
1182.	Feuerbacher B., Fitton B.— J. Appl. Phys., 1972,
43, N 4, p. 1563—1572.
1183.	FiandaF., Lange E.— Z. Elektrochem., 1951, 55, N 3,
S. 237_______244.
1184.	Fiermans L., Vennik J.— Surface Sci., 1971, 24, N 2,
p. 541—554.
1185.	Fine J., Madey T., Scheer M.— Surface Sci.. 1965,
3, N 3, p. 227—233
1186.	Finn R., Nicholson D., Trischka J.— Surface Sci.,
1973, 34, N 3, p. 522—546.
1187.	Fischer T.— Phys. Rev., 1965, 139, N 4A, p. A1228—
A1233.
1188.	Fischer T.— Phys. Rev., 1966, 142, N 2, p. 519—523.
1189.	Fischer T.— Phys. Rev., 1966, 147, N 2, p. 603—
607.
1190.	Fischer T., Allen F., Gobeli G.— Phys. Rev., 1967,
163, N 3, p. 703—711.
1191.	Fiske M.— Phys. Rev., 1942, 61, N 7/8, p. 513—519.
1192.	Flaim T., Ownby P.— Surface Sci., 1972, 32, N 3,
p. 519—526.
1193.	Flechon J., Mas M.— C. r., 1969, AB269, N 25,
p. B1316—B1319.
1194.	Fleming G., Henderson J.— Phys. Rev., 1939, 56,
N 8, p. 853(A).
1195.	Fukuda Y., Elam W., Park R.— Phys. Rev. B. 1977,
16, N 8, p. 3322—3329.
1196.	FlemingG., Henderson J.— Phys. Rev., 1940, 58, N 10,
p. 887—894.
1197.	Ford R., Pritchard J.— Trans. Faraday Soc., 1971,
67, N 577, p. 216—221.
1198.	Forman R.— J. Appl. Phys., 1976, 47, N 12, p. 5272—
5279.
1199.	Fowler R.— Phys. Rev., 1931, 38, N 1, p. 45—57.
1200.	Fox G., Bowie R.— Phys. Rev., 1933, 44, N 5,
p. 345—348.
1201.	Franken P., Bouwman R., Nieuwenhuys B. et al.—
Thin Solid Films, 1974, 20, N 2, p. 243—249.
1202.	Franken P., Ропес V.— J. Catal., 1974, 35, N 3,
p. 417—426.
1203.	Franken P., Ропес V.— Surface Sci., 1975, 53, N I,
p. 341—350,
1204.	Freitag H., Kruger F.— Ann. Phys., 1934, 21, N 7,
S, 697—742.
1205.	Frenkel J.— Z. Phys., 1924, 26, S. 117—138.
1206.	Frenkel J.— Z. Phys., 1928, 49, N 1/2, S. 31—45.
1207.	Frumkin A. N.— Sven. Kem. Tidskr., 1965, 77,
N 6/7, S. 300—322.
1208.	Fry R., Cardwell A.— Phys. Rev., 1962, 125, N 2,
p. 471—474.
1209.	Gaines G., Gonser B. Rhenium.— Amsterdam — New
York: Elsevier Publ. co., 1962.— Цит. no [812].
1210.	Gallagher Ch.— Phys. Rev., 1944, 65, N 1/2, p. 46—50.
1211.	Gallagher H.— J. Appl. Phys., 1969, 40, N 1,
p. 44—51.
1212.	Garbe S.— Phys, status solidi (a), 1970, 2, N 3,
p. 497—501.
1213.	Gardner F., Girouard F., Boeck W. et al.— Surface Sci.,
1971, 26, N 2, p. 605—623.
1214.	Garron R., Testard D.— C. r., 1961, 253, N 17,
p. 1770—1771.
1215.	Garron R., Liberman M., Testard D.— C. r., 1961,
253, N 25, p. 2882—2883.
1216.	Garron R.— C. r., 1964, 258, N 5, p. 1458—1460.
1217.	Gartland P., BergeS., SlagsvoldB.— Phys. Rev. Lett.,
1972, 28, N 12, p. 738—739.
1218.	Gartland P., Berge S., Slagsvold B.— Phys, norv.,
1973, 7, N 1, p. 39—49.
1219.	GartlandP.— Surface Sci., 1977, 62, N 1, p. 183—196.
1220.	Gaudart L.-— C. r., 1969, AB269, N 3, p. B129—B132.
1221.	Gaudart L., RivoiraR.— Appl. Opt., 1971, 10, N 10,
p. 2336—2343.
1222.	Gaudart L., Rivoira R.— C. r., 1972, AB272, N 14,
p. B855—B858.
1223.	Gaudart L., Rivoira R.— Appl. Opt., 1973, 12, N 8,
p. 1897—1903.
1224.	Gaudart L., Renucci P., Rivoira R.— C. r., 1975,
AB281, N 14, p. B281—B284.
1225.	Gaviola E., Strong J.— Phys. Rev., 1936, 49, N 6,
p. 441—443.
1226.	Gay J., Smith J., Arlinghaus F.— Phys. Rev. Lett.,
1977, 38, N 10, p. 561—564.
1227.	GergelyG., Peisner J., Rapitany E.— Acta phys. Acad,
sci. hung., 1972, 31, N 4, p. 361—366.
1228.	Gerlach J. Dis.— Hannover, 1960.— Цит. no [1873].
1229.	Gerlach R., Rhodin T.— Surface Sci., 1970, 19, N 2,
p. 403—426.
1230.	Gesell T., Arakawa E.— Surface Sci., 1972, 33, N 2,
p. 419—421.
1231.	Gienapp H.— Z. angew. Phys., 1960, 12, N 6, S. 254—
257.
1232.	Gifford F., Hill R.— J. Appl. Phys., 1967, 38, N 5,
p. 2261—2268.	'
1233.	Goebel D., Crow J., Forrester A.— Rev. Sci. Instrum.,
1978, 49, N 4, p. 469—472.
1234.	Giner J., Lange E.— Naturwissenschaften, 1953,
40, N 19, S. 506.
1235.	Glascock H.— Surface Sci., 1972, 29, N 1, p. 291—
296.
1236.	Glascock H.— Rev. Sci. Instrum., 1972, 43, N 4,
p. 698—699.
1237.	Glascock H.— Rev. Sci. Instrum., 1976, 47, N 1,
p. 90—91.
1238.	GlasoeG.— Phys. Rev., 1931, 38, N 8, p. 1490—1496.
1239.	Glockler G., Sausville J.— J. Electrochem. Soc., 1949,
95, N 5, p. 292—294.
1240.	Gobeli G., Allen F.— Bull. Amer. Phys. Soc., 1963,
8, N 3, p. 198.
1241.	Gobeli G., Allen F.— Surface Sci., 1964,2, p. 402—408.
1242.	Gobeli G., Allen F.— Phys. Rev., 1965, 137, N 1A,
p. A245—A254.
1243.	Goetz A.— Z. Phys., 1927, 43, N 8. S. 531—562.
Список литературы
323
1244.	Goetz А.— Phys. Rev., 1929, 33, N 3, p. 373—385.
1245.	Goldwater D., Haddad R.— J- Appl. Phys., 1951, 22,
N 1, p. 70—73.
1246.	Goldwater D., Danforth IF.— In: Proc. 3rd Nat. Conf.
Tube Techn. New York : Univ, press, 1958.
1247.	Gombas P.— Nature, 1946, 157, N 3994, p. 668—669.
1248.	Gomer R.— J. Phys. Chem., 1959. 63, N 4, p. 468—
472.
1249.	Gordon IP., Chapman G.— Surface Sci., 1973, 39,
N 1, p. 121—135.
1250.	Gordy IP., Thomas IP.—J. Chem. Phys., 1956, 24,
N 2, p. 439—444.
1251.	Gorjachev Yu. M., Podtchernjaeva I. A.— Phys, status
solidi(b), 1972, 56, N 2, p. 443—451.
1252.	Gorman J., Minden H. Final Techn. Rept., Apr. 1961—
Sept. 1962. New York : Electron. Tube Div., Sperry
Gyroscope co.— Clearing-House Feder. Sci. and Techn.
Inform. AD-298295: Great Nick. 1962.
1253.	Gorman J.— J. Appl. Phys., 1962, 33, N 11, p. 3170—
3177.
1254.	Gorlich P. Die Lichtelektrischen Zellen.— Berlin;
Gottingen : Akad. Verl., Springer Verl., 1951.
1255.	Grattidge IP., John H.— Phys. Rev., 1951, 81, N 2,
p. 320.
1256.	Grattidge IP., John H.— J. Appl. Phys., 1952, 23,
N 10, p. 1145—1151.
1257.	Grattidge IP., John H.— Phys. Rev., 1952, 85, N 2,
p. 389.
1258.	Gray H., Harris F., Pankey T. ei al.— Rev. Sci.
Instrum., 1972, 43, N 8, p. 1113—1115.
1259.	Gray H., HaasG.— Rev. Sci. Instrum., 1973, 44, N 11,
p. 1616—1617.
1260.	Greaves IP., Stickney R.— Surface Sci., 1968, 11, N 3,
p. 395—410.
1261.	Green M., Lee M., Miles R.— Surface Sci., 1968, 12,
N 2, p. 403—404.
1262.	Gregory P., ChyeP., Sunami H. et al.— J. Appl. Phys.,
1975, 46, N 8, p. 3525—3529.
1263.	Grepstad J., Gartland P., Slagsvold B.— Surface Sci.,
1976, 57, N 1, p. 348—362.
1264.	Grey L.— Nature 1950, 165, N 4202, p. 773—774.
1265.	Grey L.— Nature, 1951, 167, N 4248, p. 522.
1266.	Grover H.— Phys. Rev., 1937, 52, N 9, p. 982—
986.
1267.	Grymonprez G., Fiermans L., Vennik J.— Surface
Sci., 1973, 36, N 1, p. 370—372.
1268.	Gschneidner R. A compilation of the physical properties
of the rare-earth, scandium and ittrium metals.—
In: Amer. Soc. Metals — Atomic Energy Commis.
Sympos. Rare-Earth and Relat. Metals. Chicago, Ill.,
1959.
1269.	Guichar G., Sebenne C., Garry G. et al.— Surface Sci.,
1976, 58, N 2, p. 374—378.
1270.	Gumnick J., Juenker D.— J. Appl. Phys., 1960, 31,
N 1, p. 102—108.
1271.	Gundlack R.- H.— In: Proc. Int. Symp. Basic Probl.
' Thin Film Phys. Goettingen : Van den Hoeck and
Ruprecht, 1966.— Цит. no [922].
1272.	Gunther B.— Прямое преобразование тепловой энер-
гии в электр. и топлив, элементы, 1971, № 6, с. 111—
115.
1273.	Gustafsson Т., Brodln G., Nilsson P.-О.— J. Phys.
F, 1974, 4, N 12, p. 2351—2358.
1274.	Gyftopoulos E., Levine J.— J. Appl. Phys., 1962, 33,
N 1, p. 67—73.
1275.	GyftopoulosE.— J. Appl. Phys., 1964, 35, N 2, p. 464.
1276.	Gyftopoulos E.— In : Rep. 2nd Int. Conf. Thermionic
Electr. Power Generat.— Stresa, Italy, 1968.— Цит.
no [872].
1277.	Gyftopoulos E., Hatsopoulos G.— Прямое преобразо-
вание тепловой энергии в электр. и топлив, элементы,
1969, № 2, с. 134—139.
1278.	Gyftopoulos Е., Steiner D.~— Прямое преобразование
тепловой энергии в электр. и топлив, элементы
1970, № 6, с. 137—149.
1279.	Haas G., Jensen J.— J. Appl. Phys., 1960, 31 N 7
p. 1231—1233.
1280.	HaasG., Jensen J.— J. Appl. Phys., 1963, 34, N 12
p. 3451—3457.
1281.	Haas G., Thomas R.— J. Appl. Phys., 1969, 40, N 10
p. 3919—3924.
1282.	HaasG., Gray H., Thomas R.— J. Appl. Phys. 1975
46, N 8, p. 3293—3301.
1283.	HaasG., Thomas R.— J. Appl. Phys., 1977, 48, N 1
p. 86—93.
1284.	Hackam R., Harrop P.— IEEE Trans. Electron Devi-
ces, 1972, ED—19, N 12, p. 1231—1238.
1285.	HaddadR., GoldwaterD., Morgan H.—J. Appl Phys
1949, 20, N 11, p. 1130.
1286.	Hadley C.— J. Appl. Phys., 1953, 24, N 1, p. 49—52
1287. Haefer R — Z. Phys., 1940, 116, N 9/10, S. 604—623.
1288.	Hagstrum H.— Phys. Rev., 1954, 96, N 2, p. 336—365.
1289.	Hagstrum H.— J. Appl. Phys., 1957, 28, N 3
p. 323—328.
1290.	Hagstrum H.— Phys. Rev., 1961, 122, N 1, p. 83—113.
1291.	Hales W.— Phys. Rev., 1928, 32, N 6, p. 950—960.
1292.	Hall G., Mee C.— Phys, status solidi (a), 1971, 5,
N 2, p. 389—395.
1293.	Hall G., Mee C.— Phys, status solidi (a), 1972, 12,
N 2, p. 509—515.
1294.	Hall T., Mee C.— Phys, status solidi (a), 1974, 21,
N 1, p. 109—113.
1295.	Hall T., Mee C.— In: Abstrs 2nd Int. Conf. Solid
Surfaces. Kyoto, Jap., 1974, p. 286.
1296.	Hall T., Mee C.— Jap. J. Appl. Phys. Suppl. 2. 1974,
pt. 2, p. 741—744.
1297.	Hamer R.— J. Opt. Soc. Amer., 1924, 9, N 3, p. 251—
257.
1298.	Handbook of chemistry and physics.— 37th ed. Cleve-
land, Ohio : Chem. Rubber Publ. co, 1956.
1299.	Handbook of chemistry and physics.— 49th ed.—
Cleveland, Ohio : Chem. Rubber Publ. co, 1968.—
Цит. no [1798].
1300.	Handorff A. Diss.— Hannover, 1960.— Цит. no [1873].
1301.	Haneman D.— J. Phys, and Chem. Solids, 1959, 11,
N 3/4, p. 205—214.
1302.	Haneman D.— J. Phys, and Chem. Solids, 1960, 14,
N 1, p. 162—168.
1303.	Hanley T.— J. Appl. Phys., 1948, 19, N 6, p. 583—
589.
1304.	Hanley T.— J. Appl. Phys., 1950, 21, N 11,
p. 1193—1194.
1305.	Hansen M. Constitution of binary alloys.— 2nd ed.—
New York : McGraw-Hill co, inc., 1958.
1306.	Haque C., Fritz J.— In : Proc. 19th Ann. Holm Semi-
nar on Electr. Contact Phenomena. Chicago, Ill., 1973,
p 111—117. (См. также [665]).
1307.	Harada Y., Inokuchi H.— Bull. Chem. Soc. Jap.,
1966, 39, N 7, p. 1443—1448.
1308.	Hartman T.— J. Appl. Phys., 1964, 35, N 11,
p. 3283—3294.
1309.	Hartmann W.— Fernseh Hausmitt., 1943, 2, N 6.
S. 157—167.
1310.	Haufler G., Mayer R., Goretzki H.— Прямое преобра-
зование тепловой энергии в электр. и топлив, эле-
менты, 1970, № 12, с. 133—138.
1311.	Haufler G., Goretzki Н„ Jucker J. Electron Work
Function Change of Interstitial Compounds of the
4a and 5a Metals in Dependence on the Nonmetal
Content.— Jiilich. FRG Kernforschungsanlage Jiilich
GmbH, 1972.— Preptint GR 3rd Int Conf. Ther-
mionic Electr. Power Generat
1312.	Haufler G. Goretzki H.— Forsch. Ingenieurw., 1972,
38, N 5, S. 157—158.
324
Список литературы
1313.	Heinze W.~Z. Phys., 1938, 109, S. 459—471.
1314.	HellwigS. Block J-—Z. Phys. Chem., N. F., 1973,
83, N 5/6 S. 269—286.
1315.	Helms C., Spicer IF.— Phys. Rev. Lett., 1972, 28,
N 9, p. 565—569.
1316.	Hensley E.— J- Appl. Phys., 1961, 32, N 2, p. 301—
308.
1317.	Hermann. A. Dis.— Hannover, 1960.— Цит. no [1873].
1318.	Herring C., Nichols M.— Rev. Mod. Phys., 1949, 21,
N 2, p. 185—270.
1319	HigashiguM Y., Son P., Miyake M. et al.— Technol.
,-# Repts Osaka Univ., 1970, 20, N 951, p. 607—615.
1320.	Hilaire L., Whalley L.— Surface Sci., 1972, 32, N 1,
p. 253—257.
1321.	Hill R., Stefanakos E„ Tinder R.— J. Appl. Phys.,
1971, 42, N 11, p. 4296—4298.
1322.	Hirabayashi M.— J. Vac. Soc. Jap., 1977, 20, N 1,
p. 25—35.
1323.	Hirooka T., Roehl M., Aihara J. et al.— Bull. Chem.
Soc. Jap., 1969, 42, N 6, p. 1481—1486.
1324.	Hirschberg R., Lange E.— Naturwissenschaften, 1952,
39, N 6, S. 131.
1325.	HoffmanR.— J. Chem. Phys., 1963, 39, N 6, p. 1397—
1412.
1326.	Hohenberg P., h'ohn W.— Phys. Rev. B, 1964, 136,
N ЗВ, p. B864—B871.
1327.	Hojo H., Nakayama R.— J. Vac. Soc. Jap., 1976,
19, N 9, p. 312—317.
1328.	Hole W., Wright R.— Phys. Rev., 1939, 56, N 9,
p. 785—787.
1329.	HollandB.— J. Phys. C, 1975, 8, N 17, p. 2679—2687.
1330.	Holland J., Ray J.— In: Rep. Thermionic Conv.
Spec. Conf. Palo Alto, California, 1967.— Цит. no
[1361].
1331.	Holm R., Holm E. Electric Contacts Handbook.—
Berlin etc.: Springer, 1958.
1332.	Holmlid L., Olsson J.— Surface Sci., 1976, 55, N 2,
p. 523-544.
1333.	Holscher A.-- J. Chem. Phys., 1964, 41, N 2, p. 579—
580.
1334.	Holscher A.— Surface Sci., 1966, 4, N 1, p. 89—102.
1335.	Holtom R., Gundry P.— Surface Sci., 1977, 63, N 1,
p. 263—273.
1336.	Honig J., Sinha A., Wahnsiedler W. et al.— Phys,
status solidi (b), 1976, 73, N 2, p. 651—654.
1337.	Honig R.— RCA Rev., 1957, 18, N 2, p. 195—204.
1338.	Hopkins B.— Nature, 1962, 193, N 4816, p. 668—669.
1339.	Hopkins B., Ross R.— Proc. Phys. Soc., 1962, B79,
N 508, p. 447—448.
1340.	Hopkins B., Riviere J.— Proc. Phys. Soc., 1963, B81,
N 521, p. 590—591.
1341	Hopkins B., Ross R.— Brit. J. Appl. Phys., 1964,
15, N 1, p. 89—92.
1342.	Hopkins В., Mee C., Parker D.— Brit. J. Appl. Phys.,
1964, 15, N 7. p. 865—866.
1343.	Hopkins B., Riviere J.— Brit. J. Appl. Phys., 1964,
15, N 8, p. 941—946.
1344.	Hopkins B., Pender R.— Brit. J. Appl. Phys., 1966,
17, N 2, p. 281—282.
1345.	Elopkins B., Usami S.— J. Appl. Phys., 1968, 39,
N 7, p. 3500—3501.
1346.	Hopkins B., Lee T., Williams C.— J. Appl. Phys.,
1969, 40, N 4, p. 1728—1732.
1347	Hopkins B„ Usami S.— In; The structure and chemi-
stry of solid surfaces. New York ets. : Wiley Inc.,
1969, p. 67—1.
1348.	Hopkins B., Usami S.— Surface Sci., 1970, 23, N 2,
p. 423— 426.
1349.	Hosoki S., Yamamoto S., Hayakawa R. et al.— Jap.
J. Appl. Phys., Suppl. 2, 1974, pt. 1, p. 285—288.
1350.	Houston J. Thesis.— Mass. Inst Technol., Mass.,
Cambridge, 1955.— (Цит. no [1750]).
1351.	Houston J.— Bull. Amer. Phys. Soc., 1961, 6, N 4,
p. 358—359.
1352.	Houston J., Dederick P.— In: Rep. Therm. Conv.
Spec. Conf. Cleveland, Ohio, 1964, p. 77—86.
1353.	Houston J.— In.: Final rep. contract N AF-19,
1968, 628—4339,— (Цит. no [1830]).
1354.	Howard R., van Someren L., Yang L.— In: Rep.
Therm. Conv. Spec. Conf. Palo Alto, Cal., 1967.—
Цит. no [1361].
1355.	Howorth J., Holtom R., Harmer A. et al.— Appl.
Phys. Lett., 1972, 21, N 7, p. 316—317.
1356.	Hubbard J.— Proc. Roy. Soc., 1957, A243, N 1234,
p. 336—352.
1357.	Huber 7/. Dis.: Univ. Berlin, 1941.— (Цит. no [193]).
1358.	Huber H., Charles D.—Vide, 1954, 9, N 54, p. 234—
243
1359.	Huber H., Freitag J.— Vide, 1954, 9, N 54, p. 310—
316.
1360.	Huber E.— Appl. Phys. Lett., 1966, 8, N 7, p. 169—
171.
1361.	Hudson R., Tagami T., Yang L.— Прямое преобра-
зование тепловой энергии в электр. и топлив, эле-
менты, 1969, № 5, с. 130—134.
1362.	Hudson R., Horner М„ Yang L.— Прямое преобра-
зование тепловой энергии в электр. и топлив, элемен-
ты, 1971, № 5, с. 124—134.
1363.	Hugh A., Garvin L.— Adv. Energy Conv. Int J., 1962,
2, N 3, p. 375.
1364.	Hughes F., Levinstein H., Raplan R.— Phys. Rev.,
1959, 113, N 4, p. 1023—1028.
1365.	Hughes R., du Bridge L. Photoelectric phenomena.—
New York : Longmans, 1932.
1366.	Hughes R., Coppola P.— J. Appl. Phys., 1952, 23,
N 11, p. 1261—1262.
1367.	Hull A.— Phys Rev., 1939, 56, N 1, p. 86—93.
1368.	Hung C.— J. Appl. Phys., 1950, 21, N 1, p. 37—44.
1369.	HusainS., Walsh D.— Electron. Lett., 1966,2, N 12,
p. 440—441.
1370.	Husmann O.—J. Appl. Phys., 1966, 37, N 13,
p. 4662—4670.
1371.	Hutson A.— Phys. Rev., 1955, 98, N 4, p. 889—901.
1372.	Huxford W.— Phys Rev., 1931, 38, N 3, p. 379—395.
1373.	Imamura S.— J. Phys. Soc. Jap., 1959, 14, N 11,
p. 1497—1505
1374.	Ingold J.—J. Appl. Phys., 1961, 32, N 12, p. 2651.
1375.	Ingold J., Blue E., Ozeroff W.— Adv. Energy Conv.
Int. J., 1962, 2, N 3, p. 363—373.
1376.	Ingold J.— J. Appl. Phys., 1963, 34, N 7, p. 2033—
2039.
1377.	Inokuchi H.— In: Organic Crystal Symp. Ottawa,
1962.— Цит. no [234].
1378.	Inokuchi H., Harada Y., Maruyama Y.— In: 29th
Paper on 3rd Organic Crystal Symp. Chicago, Ill.,
1965.— Цит. no [234]
1379.	Ishikawa R., Tobuse H.— Jap. J. Appl. Phys., 1976,
15, N 8, p. 1571—1572.
1380.	Ishizuka R.— J. Res. Inst. Catal. Hokkaido Univ.,
1967, 15, N 2, p. 95—110.
1381.	Ito R.— J. Phys. Soc. Jap., 1951, 6, N 1, p. 188—191.
1382.	IvesH.— J. Opt. Soc. Amer., 1924, 8, N 4, p. 551—
580.
1383.	Ives H., Olpin A.—Phys. Rev., 1929, 34, N 1,
p. 117—128.
1384.	Ivey H.— Phys. Rev., 1949, 76, N 4 p. 567.
1385.	Ivey H.— Цит. no [1390].
1386.	Jacobson D., Campbell A.— Прямое преобразование
тепловой энергии в электр. и топлив, элементы,
1971, № 6, с. 98—104.
1387.	Jacobson D., Campbell А.— Metallurg. Trans., 1971,
2, N 11, p. 3063—3066
1388.	Jaeckel R., Wagner B.— Vacuum, 1963, 13, N 12,
p. 509—511.
Список литературы
325
1389.	Jain S., Krishnan К-— Phys. Rev., 1949. 76. N 1,
p 33.
1390.	Jain S., Krishnan K-— Proc. Roy. Soc., 1952. A213,
N 1113, p. 143—157.
1391.	Jain S., Krishnan K-— Proc. Roy. Soc., 1952, A215,
N 1123, p. 431—437.
1392.	Ja n S., Krishnan K-— Proc. Roy. Soc., 1953, A2I7,
N 1131, p. 451—461.
1393.	Jaklevic R., Juenker D.— J. Appl. Phys, 1962, 33,
N 2, p. 562—568.
1394.	James L., Moll J., Spicer IP.— In : Gallium arsenide :
Proc. 2nd Intern. Symp., Dallas, Tex., 1968. London,
lr69, p. 230—237.
1395.	Jamison NCashman R.— Phys. Rev., 1936, 50,
N 7, p. 624—631.
1396.	Jansen C., Loos es R.— Philips Res. Repts, 1953, 8,
N 2, p. 81—91.
1397.	Jansen C., Venema A,, Weekers T.— J. Appl. Phys.,
1966, 37, N 6, p. 2234—2245.
1398.	Janssen A., Jones J.— Surface Sci., 1974, 41, N 1,
p. 257—276.
1399.	Janssen M., Moolhuysen J,, Sachtler IP.— Surface
Sci., 1974, 44, N 2, p. 553—574.
1400.	Jedlicka M.— Slaboproudy obz., i967, 28, N 3,
p. 176—181.
1401.	Jedlicka M.— In : 3rd Czechosl. Conf. Electron, and
Vacuum Phys. Trans. Prague, 1967, p. 337.
1402.	Jedlicka M., Viltm P.— Sb. pr. electrovak. oboru,
1968, N 6, p. 27
1403.	Jentzsch F.— Ann. Phys., 1908, 27, S. 129—156.
1404. Jepsen R.— RCA Rev., 1947, 8, N 2, p. 301—311.
1405. Johnson M., Vick F.— Proc. Roy. Soc., 1937, A158,
p. 55—68.
1406.	Jones J.— Proc. Roy. Soc., 1965, A284, N 1399,
p. 469—487.
1407.	Jones J.—Nature, 1966, 211, N 5048, p. 479—481.
1408.	Jones J.— Surface Sci., 1972, 32, N 1, p. 29—44.
1409.	Jones J., Martin A.— Surface Sci., 1974, 41, N 2
p. 559—580.
1410.	Jones J., Jones N.— Thin Solid Films, 1976, 35, N 1,
p. 83—97.
1411.	Jones J., Roberts E.— Surface Sci., 1977, 62, N 2,
p. 415—430.
1412.	Jowett C., Dobson P„ Hopkins B.— Surface Sci., 1969,
17, N 2, p. 474—481.
1413.	Jowett C., Hopkins B.— Surface Sci., 1970, 22, N 2,
p. 392—410.
1414.	Jupnik H — Phys. Rev., 1941, 60, N 12, p. 884—889.
1415.	Kai J., Koitabashi M., Watanabe K. et al.— J. Vac.
Sci. and Technol., 1971, 8, N 1, p. 363—366.
1416.	Kanev V., Bobev K., Mireva Z.— Докл. Бълг. АН,
1972, 25, № 8, с. 1029—1032.
1417.	Kanitkar Р., Dharmadhikari С., Joag D. et al.— J.
Phys. D, 1976, 9, N 14, p. L16&—L166.
1418.	Kanter H., Feibelman W.— J. Appl. Phys., 1962,
33, N 12, p. 3580—3588.
1419.	Kar S.— Solid-State Electron.. 1975.	18, N 2,
p. 169—181.
1420.	Kascak T., Williams R., Kroeger E.— Прямое преоб-
разование тепловой энергии в электр. и топлив,
элементы, 1971, № 8, с. 98—103.
1421.	Katz Н., Rau К.— Frequenz, 1951, 5, N 7, S. 192—
196.
1422.	Katz Н,— J. Appl. Phys., 1953, 24, N 5, p. 597—603.
1423.	Kawamura H., Inokuchi H.— Bull. Chem. Soc. Jap.,
1972, 45, N 3, p. 710—713.
1424.	Kawamura H., Shirotani I., Hirooka T. et al.— Chem.
Phys. Lett., 1972, 15, N 4, p. 594—595.
1425.	Kazda C.— Phys. Rev., 1925, 26, N 5, p. 643—654.
1426.	Kearns D., Calvin M.— J. Chem Phys., 1961 34,
N 6, p. 2026—2030.
1427.	Kenty C.— Phys. Rev., 1933, 43, N 9, p. 776 (АД
21 1590
1428.	Kern D. Unveroffentlicht.— Цит. no [1873].
1429.	Kerr I., Mee C.— Comput. Phys. Communs, 1974,
7, N 7, p. 419—427.
1430.	Keun-Ho Chang, Meijer P.— J. Vac. Sci. and Technol
1977, 14, N 3, p. 789—796.
1431.	Kidd P.— J. Appl. Phys., 1965, 36, N 1, p. 14—17.
1432.	Kieffer R., Sedlatschek K.— Molybdan-Dienst., 1961,
N 12, S. 1.
1433.	Killian T.— Phys. Rev., 1926, 27, N 5, p. 578—587.
1434.	King P., Lyons L. Unpublished.— Цит. no [234].
1435.	Kingdon K-— Phys. Rev., 1924, 24, N 5, p. 510—
522.
1436.	Kingdon K-— Phys. Rev., 1925, 25, N 6, p. 892.
1437.	Kiwanga C., Collins R.— Phys, status solidi (a),
1974, 23, N 1, p. 200—214.
1438.	Klein O., Lange E.— Z. Elektrochem., 1938, 44, N8
S. 542—562.
1439.	Klein R.— J. Chem. Phys., 1953, 21, N 7, p. 1177—
1181.
1440	Kluge W., Sleyskal H.— Z. Phys., 1940, 116, N 7/8,
S. 415—435.
1441.	Kluge W.— Z. Naturforsch., 1964, 19a, N 5, S. 595—
601.
1442.	KmetkoE.— Phys. Rev., 1959, 116, N 4, p. 895—896.
1443.	Kniepkamp H., Nebel C.— Wiss. Veroff. Siemens —
W., 1932, 11, N 2, S. 75—87.
1444.	Knoll M., Ollendorf F., Rompe R. Gasentladungsta-
bellen.— Berlin : Springer, 1935.
1445.	Knor Z., Milller E.— Surface Sci., 1968, 10, N 1,
p. 21—31.
1446.	Kobayashi H., Kato S.— Surface Sci., 1968, 12, N 2,
p. 398—402.
1447.	Kobayashi H., Kato S.— Surface Sci., 1969, 18, N 2,
p. 341—349.
1448.	Kochi M., Harada Y., Inokuchi H.— Bull. Chem.
Soc. Jap., 1967, 40, N 3, p. 531—536.
1449.	Koenig D. Doct Dis.— Berkeley Univ., Cal., 1966.—
Цит. no [1721].
1450.	Koenig D., Pigford T.— Bull. Amer. Phys. Soc.,
1966, 11, N 4, p. 636.
1451.	Koenig P.— Mass. Inst. Technol. Conf. 1966.— Цит.
no [1530].
1452.	Kohn W., Sham L.— Phys. Rev., 1965, 140, N 4A,
p. Al 113—Al 138.
1453.	Koitabashi M., Sana K-— Mitsubishi Denki Labor.
Repts, 1969, 10, N 1, p. 61—82.
1454.	Koitabashi M„ Sano K-— Mitsubishi Denki Labor.
Repts, 1973, 14, N 1/4, p. 53—74.
1455.	K°laczkiewicz J., Sidorski Z.— Surface Sci., 1977, 63,
N 1, p. 501—506.
1456.	Koller L.— Phys. Rev., 1925, 25, N 5, p. 671—676.
1457.	Koller L.— J. Opt. Soc. Amer., 1929, 19, N 3,
p. 135—145.
1458.	Koller L.— Phys. Rev., 1929, 33, N 6, p. 1082.
1459.	Komolov S. A., Chadderton L.— Radiat. Eff., 1976.
31,	N 1, p. 1—6.
1460.	Kondo K.— Repts Inst. Sci. and Technol., Univ.
Tokyo, 1947, N 2, p. 24—26.
1461.	Korner W.— Vide, 1973, 28, N 167, p. 174—175.
1462.	Kotani M., Akamatu H. Private communic.— Цит.
no [1323].
1463.	Kotani M., Akamatu H.— Discuss Faraday Soc.,
1971, N 51, p. 94—101.
1464.	Kohler P., Menzel E.— Z. Naturforsch.. 1965, 20a,
N 9, S. 1223—1225.
1465.	Kohler P.— Z. angew. Phys., 1966, 21, N 3, S. 191—
196.
1466.	Korner W.— Phys, status solidi (a), 1974, 22, N 2,
p. 523—534.
1467.	Kosters H.— Z. Phys., 1930, 66, N 11/12, S. 807—826.
1468.	Kraemer K-, Menzel D. —Ber. Bunsenges. phys. Chem.,
1974, 78, N 6, S. 591—598.
326
Список литературы
1469.	Kraemer К., Menzel D.— Вег. Bunsenges. phys. Chem.,
1975, 79, N 8, S. 649—653.
1470.	Krahl-Urban B., Wagner H. Work function dependence
on crystal orientation for W. with special emphasis to
the variation near the {110} orientation.— Jiilich,
FRG : Kernforschungsanlage Jiilich GmbH, 1972.—
Preprint G116-3rd Int. Conf. Thermionic Electr. Power
Generat
1471.	Krahl-Urban B., Niekisch E., Wagner H.— Surface
Sci., 1977, 64, N 1, p. 52—68.
1472.	Кгатйг J.— Elektrotechn. obzor, 1954, 43, N 2,
p. 95—103.
1473.	Kress K., Lapeyre G.— In : Proc. Electron. Density
States Sympos. Gaithersburg, Md. : Nat. Bur. Stand.,
1969.— Цит. no [1148].
1474.	Krishnan K-, Jain S.— Nature, 1952, 170, N 4331,
p. 759.
1475.	Krolikowski W. Techn. Rep. N 5218—1.— Stanford
Electronics Labor., 1967.— Цит. no [1148].
1476.	Krolikowski W., Spicer W.— Phys. Rev., 1969, 185,
N 3, p. 882—900.
1477.	Kruel M. Unveroffentlicht.— Цит. no [1873].
1478.	Kruger F., Stabenow G.— Ann. Phys.. 1935, 22, N 8,
S. 713—734.
1479.	Krieger G. Dissert.— Hannover, 1960.— Цит. no
[1873].
1480.	Krylova I. V-, Svitov V. I.— Phys, status solidi (a),
1976, 35, N 2, p. KI 19— K121.
1481.	Kudo J., Nakamura S., Kuroda T.— Jap. J. Appl.
Phys., 1975, 14, N 1, p. 52—58.
1482.	Kumashiro Y., Shimizu H., Itoh A.— Appl. Phys.
(Jap.), 1976, 45, N 7, p. 607—615.
1483.	Kumpfer B., Brett H.— IRE Int. Conv. Rec.. 1954,
Pt. 3, p. 66—69.
1484.	Kunze C.— Ann. Phys., 1960, 6, N 1/2, S. 89—106.
1485.	Kuroda T., Nakamura S.— Mem. Inst. Sci. and Ind.
Res., Osaka Univ., 1968, 25, N 1, p. 49—61.
1486.	Kuroda T., Yagi H., Nakamura S.— Mem. Inst. Sci.
and Ind. Res., Osaka Univ., 1969, 26, N 1, p. 87—100.
1487.	Kurzke H., Rottgardt J.— Z. Phys., 1936, 100,
N 11/12, S. 718—725.
1488.	Kwei G., Norris J., Herschbach D.— J. Chem. Phys.,
1970, 52, N 3, p. 1317—1331.
1489.	Laar J. van, Scheer J.— Philips Res. Repts, 1960,
15, N 1, p. 1—6.
1490.	Laar J. van, Scheer J.— Philips Res. Repts, 1962,
17, N 2, p. 101—124.
1491.	Laar J. van.— Acta electron., 1973, 16, N 3, p. 215—
227
1492.	Lafferty J.—Phys. Rev., 1950, 79, N 6, p. 1012.
1493.	Lafferty J.— J. Appl. Phys., 1951, 22, N 2, p. 299—
309.
1494.	Lagiies M.— Surface Sci., 1974, 45, N 2, p. 432—440.
1495.	Landolt-Bornstein. Zahlenwerte und Funktionen aus
Physik, Chemie, Astronomie, Geophysik und Tech-
nik.— Berlin etc., 1959.— Sechte Auflage, 1959, 11,
N 6, S. 913.
1496.	Lang N.— Solid State Communs, 1969, 7, N 15,
p. 1047—1049.
1497.	Lang N„ Kohn W.~ Phys. Rev B, 1970, 1, N 12,
p. 4555—4568.
1498.	Lang N.— Solid State Communs, 1971, 9, N 13,
p. 1015—1019.
1499.	Lang N., Kohn W.— Phys. Rev. B, 1971, 3, N 4,
p. 1215—1223.
1500.	Lang N. —In: Solid State Phys., — New York:Acad.
press, 1973, 28, p. 225.— Цит. no [1666].
1501.	Langmuir I.— Phys. Z., vereinigt mit dem Jahr. Radio-
aktivitat und Elektronik, 1914, 15, S. 516—526.
1502.	Langmuir I.— Phys. Rev., 1913, 2, N 6, p. 450—
486.
1503.	Langmuir I.— Trans. Amer. Electrochem. Soc., 1916,
29, p. 125—182.
1504.	Langmuir I.— Цит. no [1740].
1505.	Langmuir I., Kingdon K-— Science, 1923, 57. N 1463.
p. 58—60.
1506.	Langmuir I., Kingdon K.— Proc. Roy. Soc., 1925,
A107, p. 61—79.
1507.	Langmuir I., Kingdon K-— Phys. Rev., 1929, 34,
N 1, p. 129—135.
1508.	Langmuir I.— J. Amer. Chem. Soc., 1932, 54, N 7,
p. 2798—2832.
1509.	Lapeyre G., Kress K-— Phys. Rev., 1968, 166, N 2,
p. 589—598.
1510.	Blanc-Lapierre A.— C. r., 1942, 215, p. 321—323.
1511.	Lapp O., Neumann K-—Z. Naturforsch., 1969, 24a,
N 4, S. 596—601.
1512.	Lawson R., Carter G.— Appl. Phys. Lett., 1966, 9,
N 2, p. 85—87.
1513.	Lea С., Mee C.—J. Appl. Phys., 1968, 39, N 13,
p. 5890—5896.
1514.	Lea C., Gomer R.— J. Chem. Phys., 1971, 54, N 8,
p. 3349—3359.
1515.	Leblanc R., Vanbrugghe B., Girouard F.— Can. J.
Phys., 1974, 52, N 17, p. 1589—1593.
1516.	Lee T., Blott B., Hopkins B.— Прямое преобразова-
ние тепловой энергии в электр. и топлив, элементы,
1968, № 2, с. 112—116.
1517.	Lee Т., Hopkins В., Blott В.— J. Appl. Phys., 1969,
40, N 9, р. 3825—3827.
1518.	Lee Т., Blott В., Hopkins В.— J. Phys. F, 1971, 1,
N 3, p. 309—319.
1519.	Lemmens H., Jansen C., Loosjes R.— Philips Techn.
Rev., 1950, 11, N 12, p. 341—350.
1520.	Lepkowski W., Holladay J. TML Rep. N 73, 1957.—
Titanium Metallurgical Laboratory, Battelle Memori-
al Inst., Columbia, Ohio.— Цит. no [1715].
1521.	Lester H.— London, Edinburgh and Dublin Phil.
Mag. and J. Sci. Ser. 6, 1916, 31, N 183, p. 197—221.
1522.	Levi R., Espersen G.— Phys. Rev., 1950, 78, N 3,
p. 231—234.
1523.	Levi R.— J. Appl. Phys., 1955, 26, N 5, p. 639.
1524.	Levine J., Gyftopoulos E.— Surface Sci., 1964. 1, N 2,
p. 171—193.
1525.	Levine J., GyftopoulosE.— Surface Sci., 1964, 1, N 4,
p. 349—360.
1526.	Lewis R., Gomer R.— Surface Sci., 1968, 12, p. 157—
176.
1527.	Lewis R., Gamer R.— Surface Sci., 1969, 17, N 2,
p. 333—345.
1528.	Lewowski T., Grygorczyk R., Kisiel W.— Surface Sci.,
1977, 64, N 2, p. 732—736.
1529.	Liben I.— Phys. Rev., 1937, 51, N 8, p. 642—647.
1530.	Lieb D., Donaker A., Rufeh F.— Прямое преобразо-
вание тепловой энергии в электр. и топлив, элемен-
ты, 1971, № 5, с. 82—88.
1531.	Lieb D., Rufeh F.— Прямое преобразование тепло-
вой энергии в электр. и топлив, элементы, 1972,
№ 6, с. 164—170.
1532.	Lieb D., Rufeh F. The Utilization of Tungsten Oxides
for Additive Thermionic Converters.— Julich, FRG :
Kernforschungsanlage Jiilich GmbH, 1972.— Pre-
print F46 3rd Int. Conf. Thermionic Electr. Power
Generat.
1533.	Lindau I., W allden L.— Phys, scr., 1971, 3, N 2,
p. 77—86.
1534.	Lindberg E.— Z. Phys., 1928, 50, N 1/2, S. 82—96.
1535.	Linder E.— Phys. Rev., 1927, 30, N 5, p. 649—655.
1536.	Liu R., Ehrlich G.— J. Vac. Sci. and TechnoL, 1976,
13, N 1, p. 310—313.
1537.	Lockrow L.— Phys. Rev., 1922, 19, N 2, p. 97—113.
1538.	Logothetis E., Hartman P.— Phys. Rev. Lett., 1967,
18, N 15, p. 581—583.
Список литературы
327
1539.	Logothetis Е., Hartman Р.— Phys. Rev., 1969, 187,
N 2, p. 460—474.
1540.	Loucks T., Cutler P.— J. Phys, and Chem. Solids,
1964, 25, N 1, p. 105—113.
1541.	Loup J.-P., Anthony A.-M.— Rev. Int. halites
temp, et refract., 1964, 1, N 1, p. 15—20.
1542.	Loup J.-P., Gutknecht J., Anthony A.-M.— C. r., 1969,
AB269, N 18, p. B918—B920.
1543.	Love H„ Dyer G.— Can. J. Phys., 1962, 40, N 12,
p. 1837—1840.
1544.	Love H., Wilson J.— Can. J. Phys., 1967, 45, N 1,
p. 225—227.
1545.	Lukirsky P., Prilezaev S.— Z. Phys., 1928, 49, N 3/4,
S. 236—258.
1546.	Lyons L., Morris G.— J. Chem. Soc., London, 1960,
N 12, p. 5192—5199.
1547.	Lyons L., Mackie J.— Proc. Chem. Soc., 1962, p. 71.
1548.	Mackie J. Phil. Doct. Thesis.— Univ. Sydney, 1963.—
Цит. no [234].
1549.	MacNair D., Lynch R., Hannay N.— J. Appl. Phys.,
1953, 24, N 10, p. 1335—1336.
1550.	Madey T., PetrauskasA., CoomesE.— J. Chem. Phys.,
1965, 42, N 2, p. 479—485.
1551.	Madey T., Yates J.— Nuovo cim. Suppl., 1967, 5,
N 2, p. 483—505.
1552.	Madey T., Yates J.— J. Vac. Sci. and Technol., 1971,
8, N 1, p. 39—44.
1553.	Madey T., Czyzewski J., Yates J. - Surface Sci., 1975,
49, N 2, p. 465—496.
1554.	Madjid A., Martinez J.— Phys. Rev. Lett., 1972,
28, N 20, p. 1313—1315.
1555.	Magee C. Quart. ReptN 7 (DRI-2395).— Denver Res.
Inst., Univ. Denver, Colorado, 1967.— Цит. no [1101].
1556.	Maguire H.— Phys, status solidi (b), 1976, 76, N 2,
p. 715—726.
1557.	Mahan G., Schaich W.— Phys. Rev. B, 1974, 10, N 6,
p. 2647—2651.
1558.	Maier E., Frohlich G., Mayer R. I—V—characteri-
stics of a plane parallel cesium diode with tantalum
and tungsten emitter.— Julich, FRG : Kernforschungs
anlage Julich GmbH, 1972.— Preprint F28 - 3rd Int..
Conf. Thermionic Electr. Power Generat.
1559.	Malamud H., Krtimbein A.— J. Appl. Phys., 1954,
25, N 5, p. 591—592.
1560.	Malov Ju. I., Shebzukhov M. D., Lazarev V. B.—
Surface Sci., 1974, 44, N 1, p. 21—28.
1561.	Maly R.— Jap. J. Appl. Phys., Suppl. 2, 1974, pt. 1,
p. 293—296.
1562.	Mann M„ du Bridge L.— Phys. Rev., 1937, 51, N 2,
p. 120—124.
1563.	Marchetti A., Hearns D. Paper 17 on 3rd Organic
Crystal Symp.— Chicago, Ill., 1965.— Цит. no [234].
1564.	Marien J., Leysen R., van Hove H.— Phys, status
solidi (a), 1971, 5, N 1, p. 121—130.
1565.	Marien J.— Phys, status solidi (a), 1976, 38, N 2,
p. 513—522.
1566.	Martinelli R.— J. Appl. Phys., 1974, 45, N 3,
p. 1183—1190.
1567.	Mathur S.— Proc. Nat. Inst. Sci. India, 1953, 19,
N 2, p. 1ЭЗ—163.
1568.	Mathur S.— Proc. Nat. Inst. Sci. India, 1953, 19,
N 2, p. 165—168.
1569.	Matthews D. Phil Doct. Thesis.— Univ. Pennsylva-
nia, 1965.— Цит. no [1904].
1570.	Matthews L.— Surface Sci., 1971, 24, N 1, p. 248—
254.
1571.	Maurer R.— Phys. Rev., 1940, 57, N 7, p. 653—658.
1572.	Mayer H.— Ann. Phys., 1937, 29, N 2, S. 129—
159.
1573.	Mayer //.— Ann. Phys., 1938, 33, N 5, S. 419—444.
1574.	McHugh J.— Int. J. Mass. Spectrom. and Ion Phys.,
1969, 3, N 3/4, p. 267—276.
1575.	Mead C.— Solid State Electron, 1966 9 N 11
p. 1023—1033.	’	’
1576.	Medvedev V. K., Naumovets A. G., Smereka T. P.__
Surface Sci., 1973, 34, N 2, p. 368—384.
1577.	Mee C., Vick F.— Brit. J. Appl. Phys., 1961 12,
N 12, p. 698—704.
1578.	Melmed A., Carroll J., Mechlewski R.— Surface
Sci., 1974, 45, N 2, p. 649—656.
1579.	Mendenhall C., De Voe C.— Phys. Rev., 1937, 51,
N 5, p. 346—349.
1580.	Mentalecheta Y., Delacote G-., Schott M.— C. r., 1566,
AB262, N 13, p. B892—B895.
1581.	Merz H.— Phys, status solidi (a), 1970, 1, N 4,
p. 707—713.
1582.	MesnardG.— Compt. rend., 1950, 231, N 16, p. 768—
770.
1583.	Mesnard G.— J. Phys. Radium, 1953, 14, N 3,
p. 179—191.
1584.	Metals Handbook.— Novelty, Ohio : Amer. Soc. Me-
tals, 1961, 8th ed„ vol. 1, p. 1220.
1585.	Meyerhof W.— Phys. Rev., 1947, 71, N 10, p. 727—
735
1586.	Michaelson H.— J. Appl. Phys., 1950, 21, N 6,
p. 536—540.
1587.	Middel V.— Z. Phys., 1937, 105, N 5/6, S. 358—377.
1588.	Mignolet J.— Bull. Soc. chim. belg.. 1956. 65, N 11,
p. 837—846.
1589.	Missman R., Gehman B.— В кн.: Термоэмиссионное
преобразование энергии. М. : Атомиздат, 1964, т. 1,
с. 175—179.
1590.	MitchellЕ., Mitchell J.— Proc. Roy. Soc., 1951, A210,
N 1100, p. 70—84.
1591.	Mitchinson J., Pringle R.— Appl. Phys. Lett., 1970,
17, N 8, p. 326—327.
1592.	Mitkowski E.— Pomiary. Automat, kontr., 1974, 20,
N 3, p. 107—108.
1593.	Mitra N.— J. Phys. D, 1971, 4, N 1, p. 39—46.
1594.	Miyake M., Sano T. Thermionic Characteristics of
Carburized Tungsten-Rhenium Alloys.— Jfllich,
FRG : Kernforschungsanlage Julich GmbH, 1972.—
Preprint G40- 3rd Int. Conf, on Thermionic Electr.
Power Generat.
1595.	Miyazawa H.— J. Phys. Soc. Jap., 1953, 8, N 2,
p. 169—175.
1596.	Moore G., Allisson H.— Phys. Rev., 1950, 77, N 2,
pi 246—257.
1597.	Moore G., Allisson H.— J. Chem. Phys., 1955, 23,
N 9, p. 1609—1621.
1598.	Moore R., Ownby P.— Jap. J. Appl. Phys., Suppl.
2, 1974, pt. 2, p. 71—74.
1599.	Morris L.— Phys. Rev., 1931, 37, N 10, p. 1263—
1268.
1600.	Mosteller L., Huen T., Wooten F.— Phys. Rev., 1969,
184, N 2, p. 364—366.
1601.	Mueller G.— Trans. IRE, 1953, PGED-4, p. 33—36.
1602.	Munich R., La Berge W., Coomes E.— Phys. Rev.,
1950, 80, N 5, p. 887—891.
1603.	Murray R., Williams R.— Phil. Mag., 1974, 29, N 3,
p. 473—492.
1604.	Muto T., Yamashita J.— J. Phys. Soc. Jap., 1947,
2, N 1, p. 187—190.
1605.	MUller E.— Z. Phys., 1936, 102, N 11/12, S. 734—761.
1606.	Muller Е,— Z Phys., 1943, 120, N 5/6, S. 261—
269.
1607.	Muller Е,— J. Appl. Phys. 1955, 26, N 6, p. 732—
737.
1608.	Myers H.— Proc. Phys. Soc., 1953, 66, N 402B,
p. 493—499.
1609.	Nagel H., Goretzki H., Mayer R. et al.— Z. Metallk.,
1969, 60, N 5, S. 460—465.
1610.	Nagy L.— In: Proc. Sympos. Electron, and Vacuum
Phys. Budapest, Hungary, 1962, p. 229—237.
21
328
Список литературы
1611.	Nakamura S., Ruroda T.— Mem. Inst. Sci. and Ind.
Res., Osaka Univ., 1967, 24, N 1, p. 83—90.
1612.	Narita S.— J. Appl. Phys., 1952, 23, N 5, p. 599.
1613.	NaritaS — J. Phys. Soc. Jap., 1954, 9, N 1, p. 22—27.
1614.	Nathan R., Hopkins B.— J. Phys. E, 1974, 7, N 10,
p. 851—854.
1615.	Nelson R.— J. Mol. Spectrosc., 1961, 7, N 6, p. 439—
448.
1616.	Nelson R.— J. Opt. Soc. Amer., 1961, 51, N 11,
p. 1186—1191.
1617.	Neumann H.— Ann. Phys. (DDR), 1966, 18, N 3/4,
S. 145—158.
1618.	Nexon B., Gaines G.— In: Rep. on XI Meet. Electro-
chem. Soc., 1957.— Цит. no [762].
1619.	Nichols	M.— Phys.	Rev.,	1940,	57, N	4, p. 297—306.
1620	Nichols	M.— Phys.	Rev.,	1941,	59, N	11, p. 944 (A).
1621.	Nichols	M.— Phys.	Rev.,	1950,	78, N	1, p. 158—161.
1622.	Niehaus	W., Coomes E.—	Surface Sci.,	1971, 27, N 2,
p. 256—266.
1623.	Nielsen P.— Phys. Rev. B, 1974, 10, N 4, p. 1673—
1682.
1624	Nieuwenhuys B., Van Aardenne O., Sachtler W.—
Thin Solid Films, 1973, 17, N 1, p. S7 —Sil.
1625	Nieuwenhuys B., Sachtler W.— Surface Sci., 1973,
34, N 2, p. 317—336.
1626.	Nieuwenhuys B., Sachtler W.— Surface Sci., 1974, 45,
N 2, p. 513—529.
1627.	Nieuwenhuys B., Van Aardenne 0., Sachtler W.— Chem.
[Phys., 1974, 5, N 3, p. 418—428.
1628.	Nieuwenhuys B., Bouwman R., Sachtler W.— Thin
Solid Films, 1974, 21, N 1, p. 51—58.
1629.	NieuwenhuysВ.— Surface Sci., 1975, 49, N 1, p. 363—
365.
1630.	Nikliborc J., Dworecki Z.— Acta phys. pol., 1967, 32,
N 6, p. 1023—1024.
1631	Nilsson P., Norris S., Wallden L.— Solid State Corn-
muns, 1969, 7, N 23, p. 1705—1707.
1632.	Nishibori E., Kawamura H.— Proc. Phys.-Math. Soc.
Jap., 1940, 22, N 2, p. 378—384.
1633.	Nishikcrwa 0., Saadat A.— Surf. Sci., 1976, 60, N 2,
p. 301—324.
1634.	Nisibori E., Kawamura H., Hirano R.— Proc. Phys.-
Math. Soc. Jap., 1941, 23, N 1, p. 37—43.
1635.	Nitszche A.— Ann. Phys., 1932, 14, N 4, S. 463—480.
1636.	Norris IF.—J. Appl. Phys., 1964, 35, N 3, p. 467—
469.
1637.	Norton P.— Surface Sci., 1974, 44, N 2, p. 624—628.
1638	Norton P.— Surface Sci., 1975, 47, N 1, p. 98—114.
1639	.. Nottingham W.— Phys. Rev., 1935, 47, N 10,
p. 806 (A).
1640.	Nottingliam W.— Phys. Rev., 1936, 49, N 1, p. 78—
97.
1641.	Nowotny J., Sikora I.— Bull. Acad. pol. sci. Ser.
sci. chim., 1975, 23, N 12, p. 1045—1051.
1642.	Nyrop J.— Phys. Rev., 1932, 30, N 6, p. 967—976.
1643.	Oatley C.— Proc. Roy. Soc., 1936, A155, N 885,
p. 218—234.
1644.	Oatley C.— Proc. Phys. Soc., 1939, 51, p. 318—328.
1645.	Ober H. Dis.— Hannover, 1959.— Цит. no [1873].
1646.	Odier P., Loup J.-P., Anthony A.-M.— C. r., 1971,
AB272, N 22, p. B1263—B1266.
1647.	Oettel H.— Hermsdorf, techn. Mitt., 1970, 10, N 30,
S. 951—958
1648.	Ohura J., Takeishi Y.— Jap. J. Appl. Phys., 1970,
9, N 5, p. 458—467.
1649	Oirschot T. Van, Sachtler IF.— Surface Sci., 1971, 27,
N 3, p. 611—624.
1650.	Oirschot T. van, Den Brink M. van, Sachtler W.—
Surface Sci., 1972, 29, N 1, p. 189—202.
1651.	Olpin A.— 1931.— Цит. no [1365]
1652.	Oman R. Doct. Dis.— Brown Univ., 1963.— Цит.
no [1720].
1653.	Oman R., Dillon J.— Surface Sci., 1964 2, p. 227—
235.
1654.	Oman R.— J. Appl. Phys., 1965, 36, N 6, p. 2091—
2092.
1655.	Oman R., Priolo M.— J. Appl. Phys., 1966 37, N 2,
p. 524—527.
1656.	van Oostrom A.— Phys. Lett., 1963, 4, N 1, p. 34—36.
1657.	van Oostrom A.—Philips Res. Repts Suppl., 1966,
N 1, p. 1—102.
1658.	OshimaC., Horiuchi S., Kawai S.— In : AbstrsVI Int.
Vacuum Congr. Kyoto, Jap., 1974, p. 49.
1659.	Oshima C., Horiuchi S., Rawai S.— Jap. J. Appl.
Phys. Suppl. 2, 1974, pt. 1, p. 281—284.
1660.	Oshima C., Kawai S.— Appl. Phys. (Jap.), 1976, 45,
N 7, p. 600—606.
1661.	Oshima C., Kawai S.— J. Vac. Soc. Jap., 1977, 20,
N 1, p. 46—54.
1662.	Oswald R., Callcoit T.— Phys. Rev. B, 1971, 4, N 12,
p. 4122—4129.
1663.	Ownby P., Moore R.— J. Less-Common Metals, 1976,
47, N 6, p. 107—112.
1664.	Paasch G., Eschrig W., John IF.— Phys, status solidi
(b), 1972, 51, N 1, p. 283—293.
1665.	Paddock A., Magee C. Intern. Rept. (unnumbered).—
Denver Res. Inst., Univ. Denver. Colorado, 1966.—
Цит. no [1101].
1666.	Pant M., Das M.— J. Phys. F, 1975, 5, N 7, p. 1301—
1306.
1667.	Papageorgopoulos C., Chen J.— J. Vac. Sci. and Tech-
nql., 1972, 9, N 2, p. 570—574.
1668.	Papageorgopoulos C., Chen J.— J. Phys. C, 1973, 6,
N 14, p. L279—L282.
1669.	Papageorgopoulos C., Chen J.— Surface Sci., 1975.
52, N 1, p. 40—52.
1670.	Papageorgopoulos C., Chen J.— Surface Sci., 1975,
52, N 1, p. 53—61.
1671.	Parker D. Phil. Doct. Thesis.— Univ. Southampton,
1966.—Цит. no [1750].
1672.	Parsons R. Handbook of Electrochemical Constants.—
London; Butterworth, 1959.— Цит. no [1904].
1673.	Patai E.— Z. Phys., 1930, 59, N 9/10, S. 697—699.
1674.	Patai E„ Frank G.— Z. techn. Phys., 1935, 16. N 9.
S. 254—262.
1675.	Paled E., Tomaschek Z.— Kolloid.-Z., 1936, 74, N 3,
S. 253—265.
1676.	Pauling L.— J. Amer. Chem. Soc., 1932, 54, N 9,
p. 3570—3582.
1677.	Peisner J., Roboz P., Barna P.— Phys, status solidi
(a), 1971, 4, N 3, p. K187—K191.
1678.	Pendry J.— J. Phys. C, 1971, 4, N 18, p. 3095—3106.
1679.	Perdew J.—In: Rept. Therm. Conv. Spec. Conf.—San
Diego, USA, 1965.— Цит. no [796].
1680.	Perkins R., Andersen T.— In: Modern aspects of elec-
trochemistry / Ed. J. Bockris and Conway. London:
Butterworth, 1969, vol 5, p. 203.
1681.	Perrin R.— C. r., 1968, AB267, N 1, p. B58—B60.
1682.	Persky A., Greene E., Ruppermann A.— J. Chem.
Phys., 1968, 49, N 5, p. 2347—2357.
1683.	Peshev P., Bliznakov G., Toshev A.— J. Less-Common
Metals, 1968, 14, N 4, p. 379—386.
1684.	Petersen C., Ure R.— In : Proc. 15th Sympos. Engin.
Aspects of Magnetohydrodyn.— Philadelphia,	Pa,
1976, 11.5/1—11.5/4.—Цит. no [875].
1685.	Peterson C., Dinan J., Fischer T.— Phys. Rev. Lett.,
1970, 25, N 13, p. 861—864.
1686.	Philipp H.— Phys. Rev., 1954, 96, N 3, p. 827.
1687.	Phillips IF. Some observations on uranium carbide
alloy/tungsten compatibility.— Julich, FRG : Kern-
forschungsanlage Julich GmbH, 1972.— Preprint
El02-3rd Int. Conf. Thermionic Electr. Power Generat.
1688.	Pickup R., Trapnell B.— J. Chem. Phys., 1956, 25,
N 1, p. 182.
Список литературы
329
1689.	Pidd R., Grover G., Roehling D. et al.— J. Appl.
Phys., 1959, 30, N 10, p. 1575—1578.
1690.	Pidd R., Grover G., Salmi E. et al.— J. Appl. Phys.,
1959, 30, N 12, p. 1861—1865.
1691.	Pierce D„ Spicer IP.— Phys. Rev. B, 1972, 5, N 6,
p. 2125—2130.
1692.	Pittaway L., Smith J., Fletcher E. et al.— J. Phys.
D, 1968, 1, N 6, p. 711—719.
1693.	Platinum Metals Rev., 1967, 11, N 4, p. 147.—Цит.
no [426].
1694.	Plummer E., Bell A.— J. Vac. Sci. and Technol.,
1972, 9, N 2, p. 583—590.
1695.	Polanski J., Sidorski Z.— Surface Sci., 1973, 40,
N 2, p. 282—294.
1696.	Polanski J., Sidorski Z., Zuber S.— Acta phys. pol.,
1976, A49, N 3, p. 299—305.
1697.	Poole R., Williams D., Riley J. et al.— Chem. Phys.
Lett., 1975, 36, N 3, p. 401—403.
1698.	Pope M.— J. Chem. Phys., 1962, 36, N 10, p. 2810—
2811.
1699.	Pope M., Burgos J.— In ; Paper 23 on 3rd Organic
Crystal Symp.— Chicago, 111., 1965.— Цит. no [234].
1700.	Powell R. Techn. Rept. N 5220—1 (SU-SEL-67-032),
Contract N DA 31/124 ARO (d) 430/, U. S. Army
Res. Office, Durham N. C., 1967.— Цит. no [1831].
1701.	Powell R., Spicer W., McMenamin J.— Phys. Rev.
B, 1972, 6, N 8, p. 3056—3065.
1702.	Powell R., Spicer IP.— Surface Sci., 1976, 55, N 2,
p. 681—689.
1703.	du Pre F., Hutner R., Rittner E.— Phys. Rev., 1950,
78, N 5, p. 567—571.
1704.	du Pre F., Rittner E.— Phys. Rev., 1951, 82, N 4,
p. 573.
1705.	Prescott C., Morrison J.— J. Amer. Chem. Soc., 1938,
60, N 12, p. 3047—3053.
1706.	Preuss E.— Прямое преобразование тепловой энергии
в электр. и топлив, элементы, 1970, № 12, с. 138—
144.
1707.	Psarouthakis J., LongJ., HuntingtonR.— Bull. Amer.
Phys. Soc., 1966, 11, N 4, p. 636.
1708.	Psarouthakis J., Huntington R.— Surface Sci., 1967,
7, N 3, p. 279—292.
1709.	Psarouthakis J.— Surface Sci., 1969, 17, N 2, p. 316—
332.
1710.	Quart. Stat. Repts of the Last Plasma Thermocouple
Development Progr. for Period Ending March 20,
1960.— Прямое преобразование тепловой энергии
в электр. и топлив, элементы, 1964, № 9, с. 145.
1711.	Quart. Stat. Repts of the Last Plasma Thermocouple
Development Progr. for Period Ending Sept. 20,
1960.— Прямое преобразование тепловой энергии в
электр. и топлив, элементы, 1964, Ns 9, с. 161.
1712.	Quart. Stat. Repts of the Last Plasma Thermocouple
Development Progr. for Period Ending March 20,
1961.— Прямое преобразование тепловой энергии
в электр. и топлив, элементы, 1964, № 9, с. 178.
1713.	Raisin С., Robin Л—С. г., 1973, АВ276, N 5,
р. В195—В198.
1714.	Ramey R., Katzberg S.— J. Chem. Phys., 1970, 53.
N 4, p. 1347—1348.
1715.	Rare Metals Handbook.— London : Chapman and
Hall, Ltd, 1961, 2nd ed.
1716.	Rasor N., Warner C.— J. Appl. Phys., 1964,
35, N 9, p. 2589—2600.
1717.	Rauh E., Thorn R.— J. Chem. Phys., 1959, 31, N 6,
p. 1481—1485.
1718.	Rawlings P., Reiss H.— Surface Sci., 1973, 36, N 2,
p. 580—593.
1719.	Ref. : Dis. Abstrs, 1964, 24, N 4, p. 1222.
1720.	Ref. : Dis. Abstrs, 1964, 24, N 11, p 3808.
1721.	Ref. : Dis. Abstrs, 1967, B27, N 10, p. 3627.
1722.	Ref. : Dis. Abstrs, 1967, B27, N 12, p. 4064—4065.
1723.	Reimann A. Thermionic emission.— New York :
Wiley, 1934.
1724.	Reimann A. Thermionic emission.— London : Chap-
man and Hall, Ltd., 1934, p. 37.
1725.	Reimann A.— Phil. Mag., 1935, 20, N 134 , 0.594—
607.
1726.	Reimann A., Grant C.— Phil. Mag., 1936, 22, N 145,
p. 34—48.
1727.	Reimann A.— Proc. Roy. Soc., 1937, A163, N 915,
p. 499—510.
1728.	Reimann A.— Proc. Phys. Soc., 1938, 50, p. 49G—500.
1729.	Reimann A — Phil. Mag., 1938, 25, N 171, p. 834—
848.
1730.	Rein R., Fukuda H., Win H. et al.— In: Quantum
Aspects of Heterocyclic Compounds in Chemistry and
Biochemistry.— Proc. Jerusalem Symp. : Israel Acad,
of Sci. and Humanity, 1969, p. 86—115.— Цит. no
[2038].
1731.	Rentschler H., Henry D., Smith K.— Rev. Sci. In-
strum., 1932, 3, N 12, p. 794—802.
1732.	Rentschler H., Henry D.— J. Opt. Soc. Amer., 1936,
26, N 1, p. 30—34.
1733.	Rentschler HHenry D— Trans. Amer. Electrochem.
Soc., 1945, 87, p. 289—298.
1734.	Reusmann G.— Unveroffentlicht.— Цпт. no [1873].
1735.	ReynoldsF.— J. Chem. Phys., 1963, 39, N 4, p. 1107—
1114.
1736.	Reynolds F.— Surface Sci., 1969, 14, N 2, p. 327—
339.
1737.	Richard J., Saget P., Boutry G.— C. r., 1970, AB271,
N 22, p. B1098—Bl 100.
1738.	Richardson O.— Phil. Trans., 1903, A20I, p. 497—
549.
1739.	Richardson O.— Phil. Trans., 1908, A207, p. 1—64.
1740.	Richardson O. The Emission of Electricity from Hot
Bodies.— New York ; London : Longmans and Green
co, 1921.
1741.	Richter L., Gomer R.— Surface Sci., 1976. 59. N 2,
p. 575—580.
1742.	Richter U. Unveroffentlicht.— Цит. no [1873].
1743.	Richter U. Dis.— Techn. Univ. Hannover, 1963.—
Цит. no [1953].
1744.	Ride J., Harris N. Thermionic emission.— London,
1934.
1745.	Rittner E., Ahlert R.— Phys. Rev., 1952, 85, N 2,
p. 390.
1746.	Riviere J.— Proc. Phys. Soc., 1957. 70. N 451B,
p. 676—686.
1747.	Riviere J.— Proc. Phys. Soc., 1962, B80, N 513,
p. 116—123.
1748.	Riviere J.— Proc. Phys. Soc., 1962, B80, N 513,
p. 124—129.
1749.	Riviere J.— Appl. Phys. Lett., 1966, 8, N 7, p. 172.
1750.	Riviere J.— In : Solid state surface science / Ed.
M. Green. New York : Marcel Dekker, 1969, vol. 1,
p. 179. (См. рус. пер. в [672]).
1751.	Robrieux B„ Faure R., Rivoira R.— C. r., 1976.
AB282, N 19, p. B463—B466.
1752.	Roller D., Jordan W., Woodward C.— Phys. Rev.,
1931, 38, N 3, p. 396—400.
1753.	Ronald W. UCRL—16662, 1967 : U. S. Atomic energy
commission.— Цит. no [1903].
1754.	Rose B.— Phys. Rev., 1933, 44, N 7, p. 585—
588.
1755.	Rother F., Bomke H.— Z. Phys., 1933, 86, N 3/4,
S. 231—240.
1756.	Rother F., Bomke H — Z. Phys., 1934, 87, N 11/12,
S. 806—809.
1757.	Roux H., Piquet A., Uzan R. et al.— Surface Sci.,
1976, 59, N 1, p. 97—114.
1758.	Rowe H., Dushman S., Kidner C.— Phys. Rev., 1923,
21, N 2, p. 207—208.
330
Список литературы
1759.	Roy S.— Proc. Indian Assoc. Cult. Sci., 1924, 9,
N 1, p. 61.
1760.	RoyS.— Proc. Roy. Soc., 1926, 112, N A762, p. 599—
630.
1761.	Rump B., Gehman B.— J. Appl. Phys., 1965, 36,
N 8, p. 2352—2357.
1762.	Russel P., Eistenstein A.— J. Appl. Phys., 1954, 25,
N 8, p. 954—961.
1763.	Sachtler W. Dis.— Techn. Hochsch. Braunschweig,
1952.— Цит. no [1765].
1764	Sachtler W.— Rec. trav. chim. Pays-Bas, 1953, 72,
N 9/10, S. 897—898.
1765.	Sachtler W.— Z. Elektrochem., 1955, 59, N 2,
S. 119—122.
1766.	Schmidt P., Joy D.— J. Vac. Sci. and Technol. 1978,
15, N 6, p. 1809—1810.
1767.	Sachtler IP., Dorgelo G.— J. Catal., 1965, 4, N 6,
p. 654—664.
1768.	Sachtler W., Jongepier R.— J. Catal., 1965, 4, N 6,
p. 665—671.
1769.	Sachtler IP., Dorgelo G., Holscher A.— Surface Sci.,
1966, 5, N 2, p. 221—229.
1770.	Sahm P.— Surface Sci., 1968, 9, N 1, p. 133—136.
1771.	Samsonov G. V., Fomenko V. S., Podtschernjaeva I. A.—
Rev. Int. hautes temp, et refract., 1970, 7, N 1, p. 69—
72.
1772.	Samsonov G. V., Fomenko У. S., Podtschernjaeva I. A.
et al.— Rev. Int. hautes temp, et refract., 1974, 11,
N 4, p. 269—276.
1773.	Samsonov G. V., Bogomol I. IP., Odiremtsch.uk L. N.
et al.— Rev. Int. hautes temp, et refract., 1975, 12,
N 3, p. 251—254.
1774.	Sanderson R.— J. Chem. Educ., 1952, 29, N 11,
p. 539—544.
1775.	Sargood A.— Phil. Doct. Thesis.— Univ. Southamp-
ton, 1969.— Цит. no [1085, 1086].
1776.	Sargood A., Jowett C., Hopkins B.— Surface Sci.,
1970, 22, N 2, p. 343—356.
1777.	Sato M.— Jap. J. Appl. Phys., 1977, 16, N 4,
p. 653—654,
1778.	Savage IP.— J. Appl. Phys., 1962, 33, N 11, p. 3198—
3200.
1779.	Schade H., Nelson H., Rressel H.— Appl. Phys. Lett.,
1971, 18, N 10, p. 413—414.
1780.	Schaefer D., White J.— J. Appl. Phys., 1952, 23,
N 6, p. 669—674.
1781.	Schaefer D.— J. Appl. Phys., 1969. 40, N 1, p. 445—
-	446.
1782.	Scheer J., van Laar J.— Philips Res. Repts, 1961,
16, N 4, p. 323—328.
1783.	Scheer J., van Laar J.— Philips Res. Repts, 1962,
17, N 2, p. 101—124.
1784.	Scheer J., van Laar J.— Solid State Communs, 1967,
5, N 4, p. 303—306.
1785.	Scheer M., Fine J.— J. Chem. Phys., 1965, 42, N 10,
p. 3645—3648.
1786.	Scheer M., Klein R., McKinley J.— Surface Sci.,
1972, 30, N 2, p. 251—262.
1787.	Schlichter W.— Ann. Phys., 1915, 47, N 13, S. 573—
640.
1788.	Schmidt D., Ondracek G., Gebhardt E.— Прямое пре-
образование тепловой энергии в электр. и топлив,
элементы, 1968, № 12, с. 87—94.
1789.	Schmidt D.— Forsch. Ingenieurw., 1972, 38, N 5,
S. 153—157.
1790.	Schmidt D., Nazare S.— In : Rept 10—5 on IVth
Europ. Symp. for Powder Metallurgy.— Grenoble,
France: Soc. Franc. Metallurgie, 1975.
1791.	Schmidt L., Gomer R.— J. Chem. Phys., 1965, 42,
N 10, p. 3573—3598.
1792.	Schmidt L., Gomer R.— J. Chem. Phys., 1965, 43,
N 6, p. 2055—2063.
1793.	Schmidt L.— J. Chem. Phys., 1967, 46, N 10,
p. 3830—3841.
1794.	Schmidt P., Joy D., Longlnotti L. et al.— Appl. Phys.
Lett., 1976, 29, N 7, p. 400—401.
1795.	Sdineider P.— Vacuum, 1962, 12, N 6, p. 293—299.
1796.	Schneider T.— Phys, status solidi, 1969, 32, N 1.
p. 323—329.
1797.	Schreiner S.— Rept N UCRL-16699, 1966. Lawrence
Radiat. Lab. Цит. no [1112].
1798.	Schroeer J., Rhodin T., Bradley R.— Surface Sci.,
1973, 34, N 3, p. 571—580.
1799.	Schulze R.— Z. Phys., 1934, 92, N 3/4, S. 212—227.
1800.	Schumacher E., Harris J.— J. Amer. Chem. Soc.,
1926, 48, N 12, p. 3108—3114.
1801.	Schwandt G.— Unveroffentlicht.— Цит. no [1837].
1802.	Seifert R., Phipps T.— Phys. Rev., 1939, 56, N 7,
p. 652—663.
1803.	Seiffarth W.— Siemens-Z., 1961, 35, N 9, S. 670.
1804.	Senzaki K-, Kumashiro Y.— Jap. J. Appl. Phys.
Suppl. 2, 1974, pt. 1, p. 289—292,
1805.	Seroczyrcska-Wojas B.— Acta phys. pol., 1969, 36,
N 3, p. 353—364.
1806.	Seroczynska-Wojas B.— Phys, status solidi (a), 1975,
30, N 1, p. K73—K79
1807.	Shaw R — Phys. Rev., 1968, 174, N 3, p. 769—781.
1808.	Shelton H.— Phys. Rev., 1957, 107, N 6, p. 1553—
1557.
1809.	Shephard A.— Brit. J. Appl. Phys., 1953, 4, N 3,
p. 70—75.
1810.	Shevchik N., Tejeda J., Langer D. et al.— Phys, status
solidi (b), 1973, 60, p. 345—355.
1811.	Schwetzoff V., Robin S., Vodar B.— J. Phys Radium,
1952, 13, N 6, p. 369—370.
1812.	Shimada K- Out-of-core Evaluations of Uranium Nit-
ride-fueled converters.— Julich, FRG : Kernforschung-
sanlage Julich GmbH, 1972.— Preprint Еи. 3rd Int.
Conf. Thermionic Electr. Power Generat.
1813.	Shroff A., Imbert F., Roux F. et al.— Прямое преобра-
зование тепловой энергии в электр. и топлив, эле-
менты, 1972, № 1, с. 149—154.
1814.	Shroff A., Letourneux Р., Delval G. Improvement of
Chemical Vapor Deposition of Tungsten and Molyb-
denum for Thermionic Conversion.— Julich, FRG:
Kernforschungsanlage Julich GmbH, 1972.— Pre-
print D97. 3rd Int. Conf. Thermionic Electr. Power
Generat.
1815.	Shuler K-, Weber J.— J. Chem. Phys., 1954, 22, N 3,
p. 491—502.
1816.	Sidorski Z., Pelly 1., Gomer R.— J. Chem. Phys.,
1969, 50, N 6, p. 2382—2391.
1817.	SiljeholmG.— Ann. Phys., 1931, 10, N 2, S. 178—222.
1818.	Simmons J.— Phys. Rev. Lett., 1963, 10, N 1, p. 10—
12.
1819.	Simon R — Phys. Rev., 1959, 116, N 3, p. 613—617.
1820.	Sims C.—Mater, and Methods, 1955, 41, N 3, p. 109—
111.
1821.	Sims C. et al. Investigation of Rhenium : WADC
Techn. Rept 54—371, Suppl. 1, ASTI A Document
AD 97301,57.— Office Techn. Serv., U. S. Depart.
Commerse : Washington, 1956.— Цит. no [1715].
1822.	Sims C.— Metals Eng. Quart., 1961, N 1, p. 109.—
Цит. no [1168].
1823.	Singwi K-, Tosi M., Land R. et al.— Phys. Rev.,
1968, 176, N 2, p. 589—599.
1824.	Singwi K-, Sjolander A., Tosi M. et al.— Phys. Rev.
B, 1970, 1, N 3, p. 1044—1053.
1825.	Smith A.—Phys. Rev., 1949, 75, N 6, p. 953—958.
1826. Smith G.— Phys. Rev., 1954, 94, N 2, p. 295—308.
1827. SmithG.— Phys. Rev., 1955, 100, N 4, p. 1115—1116.
1828. Smith G — Surface Sci., 1973, 35, N 2, p. 304—318.
1829. Smith J.— Phys. Rev., 1969, 181, N 2, p. 522—529.
1830.	Smith J., Smith A.— Прямое преобразование тепло-
Список литературы
331
вой энергии в электр. и топлив, элементы, 1971,
№ 6, с. 105—111.
1831.	Smith Т.— J. Appl. Phys., 1975, 46, N 4, р. 1553—
1558.
1832.	Smithells С. Metals reference book.— 2nd ed.— New
York : Interscie Publ., 1955.— Vol 2.
1833.	Smithells C. Metals reference book.— 3rd ed.— Lon-
don: Butterworth, 1962.
1834.	Smoluchowski R.— Phys. Rev., 1941, 60, N 9, p. 661—
674.
1835.	Sokolskaya I. L., Ivanov G. V., Fursey G. N.— Phys,
status solidi, 1967, 21, N 2, p. 789—795.
1836.	Sokolskaya I. L., Mileshkina N. V., Bakhtizin R. Z.—
Phys, status solidi (a), 1972, 14, N 2, p. 417—
422.
1837.	Someren L. van — In: Rep. Therm. Conv. Spec. Conf.—
Carmel, Cal., 1969,— Цит. no [1530].
1838.	Someren L. van.— Surface Sci., 1970, 20, N 2,
p. 221—234.
1839.	Sommer A. Photoemissive materials.—New York:
Wiley, 1968.
1840.	Sommer A., Briere T.— Appl. Phys. Lett., 1976, 29,
N 2, p. 89—90.
1841.	Spanner H.— Ann. Phys., 1924, 75, S. 609—633.
1842.	Sparks I., Philipp H.— d. Appl. Phys., 1953, 24,
N 4, p. 453—461.
1843.	Spath H., Mayer R„ Torkar R.—J Catal., 1974,
35, N 1, p. 100—114.
1844.	Spicer W.— Phys. Rev., 1958, 112, N 1, p. 114—122.
1845.	Spicer W.— d. Appl. Phys., 1960, 31, N 12, p. 2077—
2084.
1846.	Spicer W.— RCA Rev., 1961, 22, N 1, p. 71—81.
1847.	Stafford D„ Weber A.— d. Appl. Phys., 1963, 34,
N 9, p. 2667—2670.
1848.	Stanier B., Mee C.— d. Electron, and Control, 1964,
16, N 5, p. 545—553.
1849.	Steiner D., Gyftopoulos E.— In: Proc. 27th Ann. Conf.
Phys. Electron.— Mass. Inst. Technol., Cambridge,
Massachusetts, 1967, p. 160.— Цит. no [972, 1277].
1850.	Stevenson J., Hensley E.-— J. Appl. Phys., 1961, 32,
N 2, p. 166—172.
1851.	Stoekle A.—Phys. Rev., 1916, 8, N 5, p. 534—560.
1852.	Stolte C., Vilms J., Archer R.— Solid-State Electron.,
1969, 12, N 12, p. 945—954.
1853.	Stout V— In: Proc. 4th Nat. Conf. Tube Techn.—
New York : Univ, press, 1959, p. 178—179.
1854.	Stratonov O., Jedlicka M.— Ceskosl. casop. fys.,
1960, A10, N 5, p. 425—429.
1855.	Stratum A. van, Ruin P.— J. Appl. Phys., 1971, 42,
N 11, p. 4436—4437.
1856.	Strayer R., Mackie W., Swanson L.— Surface Sci.,
1973, 34, N 2, p. 225—248.
1857.	Senzaki R., Rumashiro Y.— Bull. Electrotehn. Lab.
(Jap.), 1977, 41, N 8, p. 593—599.
1858.	Sugata E., Rim Hyun Woo, Cheng Rap Soon —Jap.
J. Appl. Phys., 1969, 8, N 1, p. 127—128.
1859.	Sugata E., Takeda R.— Phys, status solidi., 1970,
38, N 2, p. 549—557.
I860.	Suhrmann R.— Z. Phys., 1923, 13, S. 17—34.
1861.	Suhrmann R.— Z. Phys., 1925, 33, S. 63—84
1862.	Suhrmann R.— Z. Elektrochem., 1929. 35, N 9,
S. 681—686.
1863.	Suhrmann R., Schallamach A.— Z. Phys., 1932, 79,
N 3/4, S. 153—160.
1864.	Suhrmann R., Deponte R.— Z. Phys., 1933, 86, N 9/10,
S. 615—634.
1865.	Suhrmann R., Schallamach A.— Z. Phys., 1934, 91,
N 11/12, S. 775—791.
1866.	Suhrmann R., Csesch H.— Z. phys. Chem., B, 1935, 28,
N 3, S. 215—235.
1867.	Suhrmann R., Dehmelt F.-W.— Z. Phys., 1941, 118,
N 11/12, S. 677—694.
1868.	Suhrmann R., Pietrzyk J.— Z. Phys 1944 122
N 9/12, S. 600—613.
1869.	Suhrmann R., Wedler G., Dlerk E.— Z Phvs 1958
153, N 1, S. 96—105.	y ’’
1870.	Suhrmann R., Ober H., Wedler G.— Z phvs Chem
N. F„ 1961, 29, N 5/6, S. 305—316.
1871.	Suhrmann R., Rri'iger G., Wedler G.— Z. phys Chem
N. F., 1961, 30, N 1/2, S. 1—16.
1872.	Suhrmann R., Mata Arjona A., Wedler G._ Z. Ele-
ktrochem., 1961, 65, N 9, S. 786—788.
1873.	Suhrmann R., Wedler G.— Z. angew. Phys 1962
14, N 2, S. 70—74.
1874.	Suhrmann R., Hermann A., Wedler G.— Z. phys
Chem. N. F„ 1962, 35, N 1/3, S. 155—178.
1875.	Suhrmann R., Rem D., Wedler G.— Z. phys. Chem
N. F., 1963, 36, N 2, S. 165.
1876.	Suhrmann R., Rruel M., Wedler G.— Z. Phys. 1963
173, N 1, S. 71—77.
1877.	Swank R.—J. AppL Phys., 1970, 41, N 2,p. 778— 781.
1878.	Swanson L., Crouser L.— Phys. Rev., 1967, 163, N 3,
p. 622—641.
1879.	Swanson L., Crouser L.— In: 14th Field Emission
Symp., Washington, 1967,— Цит. no [972].
1880.	Swanson L., Strayer R., Davis L.— Surface Sci
1968, 9, N 2, p. 165—186.
1881.	Swanson L., Strayer R.— J. Chem. Phys., 1968, 48,
N 6, p. 2421—2442.
1882.	Swanson L., Dickinson T.— Appl. Phys. Lett., 1976
28, N 10, p. 578—580.
1883.	Swenson O., Sinha M.— J. Vac. Sci. and Technol ,
1972, 9, N 2, p. 942—946.
1884.	Sze S.— In: Physics of Semiconductor Devices. New
York : Wiley, 1969, p. 469.— Цит. no [1929].
1885.	Taft E., Apker L.— Phys. Rev., 1949, 75, N 8,
p. 1181—1182.
1886.	Taft E., Apker L.— J. Opt. Soc. Amer.. 1953. 43. N 2.
p. 81—83.
1887.	Taft E., Apker L.— Phys. Rev., 1954, 96, N 6,
p. 1496—1497.
1888.	Takada Y., Imoto S., Sana T.— J. Atomic Energy Soc.
Jap., 1962, 4, N 8, p. 525—529.
89.	Takasu Y., Ronno H., Yamashina T.— Surface Sci.,
1974, 45, N 1, p. 321—324.
1890.	Tammlg., BlochinzevD.— Z. Phys., 1932, 77, N 11/12,
S. ПЬ—ТП.
1891.	Tamm Ig., Blothinzev D.— Phys. Z. S. U., 1933, 3,
N 2, S. 170—205.
1892.	Taylor J., Langmuir I.— Phys. Rev., 1933, 44, N 6,
p. 423—458.
1893.	Teich M., Wolga G.—• J. Opt. Soc. Amer., 1967,
57, N 4, p. 542—543.
1894.	Thanailakis A.— J. Phys. C, 1975, 8, N 5, p. 655—
668.
1895.	Thein L — Phys. Rev., 1938, 53, N 4, p. 287—292.
1896.	Thomas R — J. Appl. Phys., 1970, 41, N 13, p. 5330—
5334.
1897.	Thomas R„ HaasG.— J. Appl. Phys., 1972, 43, N 12,
p. 4900—4907.
1898.	Tibbets G., Burkstrand J., Tracy J.— Phys. Rev. B,
1977, 15, N 8, p. 3652—3660.
1899.	Todd C., Rhodin T.— Surface Sci., 1974, 42, N 1,
p. 109—138.
1900.	Toigo F., Woodruff T.— Phys. Rev. B. 1970. 2. N 10,
p. 3958—3966.
1901.	Touw T„ Trischka J.— J. Appl. Phys., 1963, 34,
N 12, p. 3635—3636.
1902.	Toya T.— J. Res. Inst. Catal., Hokkaido Univ.,
1961, 8, N 3, p. 209—263.
1903.	Trasatti S.— Chim. Ind. Milan, 1971, 53, N 6,
p. 559—564.
1904.	Trasatti S.— J. Electroanal. Chem., 1971, 33, N 3,
p. 351—378.
332
Список литература
1905.	Trasatti S.— J. Chem. Soc. Faraday Trans., 1972, 68,
N 2, p. 229—236.
1906.	Trasatti S.— Surface Sci., 1972, 32, N 3, p. 735—738.
1907.	Trasatti S.—-J. Electroanal. Chem., 1974, 54. N 1,
p. 19—24.
1908.	Trasatti S.— In : Advances in electrochemistry and
electrochemical engineering. New York : Wiley, Inc.,
1977, vol 10, p. 213—321.
1909.	Trodden W., Jenkins R.— J. Electron, and Control,
1964, 16, N 4, p. 407—423.
1910.	Tsolovski IPeshev P.— Докл. Бълг. АН, 1972, 25,
№ 2, с. 209—212.
1911.	Turnbull A., Evans G.— Brit. J. Appl. Phys., 1968,
DI, N 2, p. 155—160.
1912.	UebbingJ., JamesL.— J. Appl. Phys., 1970, 41, N 11,
P. 4505—4516.
1913.	Ueda R., Shimizu R.— Phys, status solidi (a), 1972,
12, N 1, p. K43—K45.
1914.	Ueda R., Shimizu R.— Technol. Repts Osaka Univ.,
1972, 22, N 2, p. 419—427.
1915.	Ueda R„ Shimizu R.— Appl. Phys. Lett., 1973, 22,
N 8, p. 393—395.
1916.	Ueda R., Shimizu R.— Phys, status solidi (a), 1973,
18, N 1, p. 329—336.
1917.	Ueda R., Shimizu R.— Jap. J. Appl. Phys., 1973,
12, N 12, p. 1869—1873.
1918.	Ueda R., Shimizu R.— Surface Sci., 1974, 43, N 1,
p. 77—87.
1919.	Underwood N.— Phys. Rev., 1935, 47, N 6, p. 502—
505.
1920.	Usami S.— J. Phys. Soc. Jap., 1971, 30, N 4,
p. 1076—1082.
1921.	Usami S., Nakazima T., Ohno R.— Bull. Faculty
Eng., Yokohama Nat. Univ., 1974, 23, N 2, p. 233 —
238.
1922.	Utsugi. H., Gomer R.— J. Chem. Phys., 1962, 37,
N 8, p. 1706—1719.
1923.	Vacz I.— Magy. tud. akad. Mfisz. tud. oszt.' kozl.,
1961, 28, N 1/4, p. 69—88.
1924.	Vanselow R.— Appl. Phys., 1973, 2, N 5, p. 229—235.
1925.	Velzer H. van — Phys. Rev., 1933, 44, N 10, p. 831—
836.
1926.	Vernier P., Coquet E., Boursey R.— Czech. J. Phys.
B, 1969, 19, N 7, p. 918—922.
1927.	Vijh A., Lenfant P.— Can. J. Phys., 1973, 51, N 1,
p. 111—113.
1928.	Viljoen P., Jazzar M., Fischer T.— Surface Sci., 1972,
32, N 3, p. 506—518.
1929.	Viswanathan C., Loo R.— Appl. Phys. Lett., 1972,
21, N 8, p. 370—372.
1930.	Voe C. de.— Phys. Rev., 1936, 50, N 5, p. 481—485.
1931.	Vorburger T., Penn D., Plummer E.— Surface Sci.,
1975, 48, N 2, p. 417—431.
1932.	Wahl A.—Phys. Rev., 1951, 82, N 4, p. 574—575.
1933.	Wahl G., Demny J., Batzies P. Out of Pile Investiga-
tions on Uranium Dioxide-Fueled Tungsten Coated
Molybdenum Emitters.—Julich, FRG: Kernforschungs-
anlage Jiilich GmbH, 1972.— Preprint Ei8. 3rd Int.
Conf. Thermionic. Electr. Power Generat.
1934.	Wahlin H., Sordahl L.— Phys. Rev., 1934, 45, N 12,
p. 886—889.
1935.	Wahlin H., Reynolds J.— Phys. Rev., 1935, 48, N 9,
p. 751—754.
1936.	Wahlin H„ Whitney L.— Phys. Rev., 1936, 50, N 8,
p. 735—738.
1937.	Wahlin H., Whitney L.— J. Chem. Phys., 1938, 6,
N 10, p. 594—597.
1938.	Wahlin H.— Phys. Rev., 1942, 61, N 7/8, p. 509—
512.
1939.	Wahlin H.— Phys. Rev., 1948, 73, N 12, p. 1458—
1459.
1940.	Wahnsiedler W. Unpublised.— Цит. no [1336].
1941.	Wallden L., Gustafsson T.-—Phys. Scr., 1972, 6.
N 1, p. 73—80.
1942.	Wallis G.— Ann. Phys. 1956, 17, N 6/8, S. 401—416.
1943.	Ward A., Bharucha N.— Rec. trav. chim. Pays-Bas,
1953, 72, N 8, S. 735—738.
1944.	Warner A.— Proc. Nat. Acad. Sci., 1927, 13, N 1,
p. 56—60.
1945.	Warner A.— Phys. Rev., 1931, 38, N 10, p. 1871—1875.
1946.	Washimi H.— New Nippon Electr. Techn. Rev., 1974,
9, N 1, p. 18—28 (см. также [666]).
1947.	Washimi H.— New Nippon Electr. Techn. Rev., 1975,
10, N 1, p. 18—27 (см. также [669]).
1948.	Watanabe R., Awazu R.— Mitsubishi Denki Lab.
Repts, 1973, 14, N 1/4, p. 45—52.
1949.	Weber A.— Phys. Rev., 1938, 53, N 11, p. 895—899.
1950.	Weber A., Eisele L.— Phys. Rev., 1941, 59, N 5,
p. 473 (A).
1951.	Weber A., Zepf T.— Surface Sci., 1969, 14, N 1,
p. 247—265.
1952.	Weber R.— In : Proc. 27th Ann. Conf. Phys. Electron.
—Mass. Inst. Technol., Cambridge, Massachusetts,
1967.— Цит. no [1662].
1953.	Wedler G., Wolfing C., Wissmann P.— Surface Sci.,
1971, 24, N 1, p. 302—308.
1954.	Wehnelt A., Liebreich H.— Phil. Trans., 1913, A15,
N 6, p. 1057.
1955.	Wehnelt A., Seiliger S.— Z. Phys., 1926, 38, N 6/7,
S. 443—464.
1956.	Wei W„ Leivo W.— Carbon, 1975, 13, N 5, p. 425—
427.
1957.	Weiershausen W.— Ann. Phys., 1965, 15, N 7, S. 30.
1958. Weinreich M.— Rev. gen. elec., 1945, 54, N 3, p. 243.
1959. Weinreich O.— J. AppL Phys., 1949, 20, N 12, p. 1256.
1960. Weinreich O.— Phys. Rev.. 1951, 82, N 4, p. 573.
1961. Weiser C.— Surface Sci., 1970, 20, N 1, p. 143—156.
1962. Weissler G„ Rotter R.— Phys. Rev., 1948, 73, N 5,
p. 538 (A) — 539 (A).
1963.	Weissler G., Wilson T.— J. Appl. Phys., 1953, 24,
N 4, p. 472—475.
1964.	Weissman I.— J. Appl. Phys., 1965, 36, N 2, p. 406—
411.
1965.	Welch G.— J. Opt. Soc. Amer., 1927, 14, p. 233.
1966.	Welch G.— Phys. Rev., 1928, 31, N 4, p. 709 (A).
1967. Welch G.— Phys. Rev., 1928, 32, N 4, p. 657—666.
1968. Werning J. Thesis UCRL-8455, 1958.— Lawrence
Radiation Laboratory, Univ. California, Berkeley.—
Цит. no [1750].
1969.	WestD.— Can. J. Phys., 1953, 31, N 5, p. 691—701.
1970.	Whalley L., Davis B., Moss R.— Trans. Faraday Soc.,
1970, 66, N 576, p. 3143—3155.
1971.	Whalleu L., Davis B., Moss R.— Trans. Faraday Soc.,
1971, 67, N 584, p. 2445—2453.
1972.	Whitefield R., Brady J.— Phys. Rev. Lett., 1971,
26, N 7, p. 380—383.
1973.	Whitney L.— Phys. Rev., 1936, 50, N 2, p. 1154—
1157.
1974.	Wichner R., Pigford T.— In : Proc. Thermionic Conv.
Spec. Conf. Houston. Texas, 1966, p. 405.— Цит. no
[1574].
1975.	Wichner R. Doct. Dissert.— Univ. California, Berke-
ley, 1966.— Цит. no [1722].
1976.	WidellE., Hellar R.— J. Appl. Phys., 1950, 21, N 11,
p. 1115—1118.
1977.	Wigner E.— Phys. Rev., 1934, 46, N 11, p. 1002—
1011.
1978.	Wiener E., Bardeen J.— Phys. Rev., 1935, 48, N 1.
p. 84—87.
1979.	Wigner E.— Phys. Rev., 1936, 49, N 9, p. 696—700.
1980.	Wigner E.— Trans. Faraday Soc., 1938, 34, N 5,
p. 678—685.
1981.	Wilkinson M.— J. Appl. Phys., 1953, 24, N 9,
p. 1203—1209.
Список литературы
333
1982.	Williams В.— Appl. Phys. Lett., 1969, 14, N 9,
p. 273—275.
1983.	Williams R., McEvoy A.— Phys, status solidi (b),
1971, 47, N 1, p. 217—224.
1984.	Williams R., McEvoy A.— Phys, status solibi (a),
1972, 12, N 1, p. 277—286.
1985.	Williams R., McEvoy A.— J. Vac. Sci. and Technol.,
1972, 9, N 2, p. 867—870.
1986.	Wilson H.— Phil. Trans., 1903, A202, p. 243—275.
1987.	Wilson R„ Ivanetich R. Rept UCRL-11606, 1964,—
Lawrence Radiation Laboratory, Univ. California,
Berkeley.— Цит. no [1332].
1988.	Wilson R.— J. Appl. Phys., 1966, 37, N 6, p. 2261—
2267.
1989.	Wilson R.— J. Appl. Phys., 1966, 37, N 8, p. 3161 —
3169.
1990.	Wilson R.— J. Appl. Phys., 1966, 37, N 8, p. 3170—
3171.
1991.	Wilson R.— J. Appl. Phys., 1966, 37, N 11, p. 4125—
4131.
1992.	Wilson R., Wolf E.— 3. Appl. Phys., 1966, 37, N 12,
p. 4458—4462.
1993.	Wilson R., McRee W.— J. Appl. Phys., 1967, 38, N 4,
p. 1716—1718.
1994.	Wilson R.— J. Appl. Phys., 1968, 39, N 5, p. 2306—
2310.
1995.	Wilson R.— Surface Sci., 1973, 38, N 1, p. 261—264.
1996.	Wilson R.— J. Appl. Phys., 1973, 44, N 5, p. 2130—
2132.
1997.	Wilson V., Danko J.— Прямое преобразование тепло-
вой энергии в электр. и топлив, элементы, 1971,
№ 5, с. 76—82.
1998.	Winch R.— Phys. Rev., 1931, 37, N 10, p. 1269—1275.
1999.	Windsor E.— Proc. 1EE, 1969, 116, N 3, p. 348—350.
2000.	Wojas J.— Acta phys. poL, 1967, 31, N 4, p. 745—
758.
2001.	Wojas J.— Phys, status solidi. 1969. 33, N 2,
p K121—K124.
2002.	Wojas J.— Acta phys. poL, 1969, 35, N 6, p. 1025—
1028.
2003.	Wo/as J.— Phys, status solidi (a), 1973, 15, N 1,
p. K53 — K56.
2004.	Wolf E.— In: Rep. on 25th Ann. Conf. Phys. Elect-
ron.— Mass. Inst. Technol., Cambridge, Massachu-
setts, 1965.— Цит. no [1170].
2005.	Wolff E.— J. Appl. Phys.. 1974, 45, N 9, p. 3840—
3843.
2006.	Workowski C., Czyzewski J.— Acta phys. poL, 1969,
36, N 6, p. 1095—1097.
2007.	Workowski C.— Acta phys. poL, 1972, A42, N 1,
p. 9—18.
2008.	Workowski C.— Acta phys. poL, 1976, A49, N 6,
p. 699—707.
2009.	Wright D.— Nature, 1947, 160, N 4056, p. 129—130.
2010.	Wright D.— Proc. Phys. Soc., 1949, B62, p. 188—203.
2011.	Wright D. Semiconductors.— London : Methuen, 1950.
2012.	Wright D.— J. Brit. IRE, 1951, 11, N 3, p. 381—
392.
2013.	Wright D.— In: Paper 1404. Radio Sect., 1952.— Цит.
no [1015].
2014.	Wright D.— Proc. IEE, 1953, 100, N 65, p. 125—139.
2015.	Wright R.— Phys. Rev., 1941, 60, N 6, p. 465—467.
2016.	Wysocki J.— Acta phys. poL, 1972, A42, N 2,
p. 129—145.
2017.	Wysocki J., Rleint Ch.— Phys, status solidi (a), 1973,
20, N 1, p. K57 — K59.
2018.	Yarnaka E.— J. Appl. Phys., 1952, 23, N 9, p. 937—
940.
2019.	Yamamoto S., Susa R., Rawabe U.— J. Chem.
Phys., 1974, 60, N 10, p. 4076—4080.
2020.	Yamamoto S., Susa R., Rawabe U. et al.— Jap. J.
Appl. Phys., Suppl. 2, 1974, pt. 2, p. 209—212.
2021.	Yamanouchi R., Wagatsuma Y., Shibayama R.— J-
Vac. Soc. Jap., 1975, 18, N 1, p. 3—8.
2022.	Yamauchi H., Takagi R., Yuito I. et al.— Appl. Phys.
Lett., 1976, 29, N 10, p. 638—640.
2023.	Yang L., Hudson R.— In: Chem. Vapor Deposit.
Refract. Metals Conf. Gatlinburg, Tennessee, 1964.—•
Цит. no [679].
2024.	Yang L., Hudson R.— In: Thermionic Conv. Spec.
Conf. Houston, Texas, 1966.— Цит. no [1361].
2025.	Yang L., Hudson R.— In: Chemical vapor deposition
refractory metals, alloys and compounds / Ed. by
A. Schaffhauser. Danville, Ill. : Interstate Printers
1967, p. 329,— Цит. no [1687].
2026.	Yates J., Erickson N.— Surface Sci., 1974, 44, N 2,
p. 489—514.
2027.	YoungP., Gomer R.— J. Chem. Phys., 1974, 61, N 12,
p. 4956—4972.
2028.	Young R. kS4\k Document N 94853, 1956.— Цит.
no [1192].
2029.	Young R., Muller E.— J. Appl. Phys., 1962, 33, N 1,
p. 91—95.
2030.	Young R., Clark H.— Appl. Phys. Lett., 1966, 9,
N 7, p. 266—268.
2031.	Young R., Clark H.— Phys. Rev. Lett., 1966, 17,
N 7, p. 351—353.
2032.	Yu A. Techn. ReptN 5215—1.1967.—Stanford Elect-
ron. Lab.— Цит. no [1148].
2033.	Yu A., Spicer W.— Phys. Rev., 1968, 167, N 3.
p. 674—686.
2034.	Yu A., Spicer W.— Phys. Rev., 1968, 169, N 3,
p. 497—507.
2035.	Yu R., Helms C., Spicer W. et al.— Phys. Rev. B,
1977, 15, N 4, p. 1629—1639.
2036.	Zalm P., Stratum A. van.— Philips Techn. Rev.,
1966, 27, N 3/4, p. 69—75.
2037.	Zelechowski B.— IEEE Trans. Electron. Devices,
1967, ED-14, N 12, p. 859—860.
2038.	Zunger A.— J. Phys. C, 1974, 7, N 1, p. 76—95.
2039.	Zunger A.—J. Phys. C, 1974, 7, N 1, p. 96—106.
2040.	Zuther G., Rdster H., Becherer G.— Ann. Phys., 1971,
26, N 3, S. 193—200.
2041.	Zwikker C.— Physica, 1925, 5, N 8—9, p. 249—260.
2042.	Zwikker C.— Proc. Roy. Acad. Sci. Amsterdam..
1926, 29, p. 792—802.
2043.	Zwikker C.— Phys. Z„ 1929, 30, N 18, S. 578—580.
2044.	Zebrowski J.— Acta phys. poL, 1973, A44, N 2,
p. 201—209.
2045.	Zebrowski J.— Acta phys. poL, 1976, A50, N 3,
p. 307—314.
2046.	* Swanson L.— In : 23rd Int. Field Emission Symp.
Penna. State Univ., 1976.— Цит. no [2047].
2047.	Nakamura S.— J. Vac. Soc. Jap., 1977, 20, N 1,
p. 11—16.
2048.	Шулепов С. В., Байтингер E. M.— В кн.: Радиофи-
зика и исследование свойств вещества. Омск : Ом.
пед. ин-т, 1976, с. 95—98.
2049.	Honda Н., Sanada Y., Furuta Т.— Carbon, 1967,
5, N 4, р. 415—416.
2050.	Гупало М. С., Смерека Т. П., Бабкин Г. В. и др.—
Физ. электрон., 1977, вып. 14, с. 64—69.
2051.	ColesS., Jones J.— Surface Sci., 1977, 68, p. 312—327.
2052.	Ситник А. Я-, Переварюха С. H.— Электрон, тех-
ника. Сер. Электрон. СВЧ, 1977, Ns 12, с. 98—102.
2053.	Dqbrowski А.— Acta phys. pol., 1977, A52, N 1,
p. 55—59.
2054.	Blaszczyszyn M. Dis.— Wroclaw, 1975.— Цит. no
[2053].
* Последующая литература внесена после составления
рукописи справочника.
334
Список литературы
2055.	Азизов У. В., Азизова Д., Карабаев Т. А.— Тр. Таш-
кент. ун-та, 1977, № 525. Исслед. по физике твердо-
го тела, с. 31—35.
2056.	Powell R., Spicer W.— J- Appl. Phys., 1977, 48,
N 10, p. 4311—4314.
2057.	Jones J., Roberts E.— Surface Sci., 1977, 69, N 1,
p. 185—204.
2058.	Саттаров X., Михайлова T., Карабаев Т. А.— Тр.
Ташкент, ун-та, 1977, № 525. Исслед. по физике
твердого тела, с. 20—23.
2059.	ГорячевЮ. М., Подчерняева И. А., Симан Н. И.
и др.— Журн. техн, физики, 1978, 48, № 3, с. 546—
550.
2060.	Чайковский Э. Ф., Сотников В. Т., Власенко В. А.—
Журн. техн, физики, 1978, 48, № 3, с. 613—614.
2061.	Takatori К-, SanoT., Miyake М., Fomenko V. Ther-
mionic emission Characteristics of Nb—Ti-Alloys.—
Rep. H 18 on 1977 Ann. Meet. Atom. Energy
Soc. Jap., April 1977 : Kinki Univ., Osaka, Japan.
2062.	Broden G., Gafner G., Bonzel H.— Appl. Phys., 1977,
13, N 4, p. 333—342.
2063.	Гарифуллин H. M., Зубенко Ю. В.— Деп. рукописи.
Естеств. и точ. науки, техника, 1977, № 3, с. 125.
2064.	Бурибаев И., Талипов Н.— Тр. Ташкент, ун-та,
1977, № 525. Исслед. по физике твердого тела,
с. 24—26.
2065.	Бойко Б. А. Структура, электронные и динамические
свойства тонких пленок некоторых веществ на по-
верхности монокристалла вольфрама : Автореф.
дис. ... канд. физ.-мат. наук.— Киев, 1978.— В над-
заг. : Киев. ун-т.
2066.	Мусатов'A. Л., Коротких В. Л.— Физика твердого
тела, 1978, 20, № 3, с. 734—739.
2067.	Миролюбова Н. С., Астахов И. И., Шурмовская Н. А.
и др.— Электрохимия, 1978, 14, № 2, с. 306—308.
2068.	Воронина Г. Ф., Ларин Л. А., Калит Т. В.— Элек-
трохимия, 1978, 14, № 2, с. 297—299.
2069.	Имангулова Н. Г., Сытая Е. П.— Тр. Ташкент,
ун-та, 1977, № 525. Исслед. по физике твердого тела,
с. 8—11.
2070.	Денисов В. П., Климин А. И.— Радиотехника и
электрон., 1978, 23, Ns 2, с. 407—410.
2071.	Derochette J.-М., Marien J.— Phys, status solidi (a),
1977, 39, N 1, p. 281—289.
2072.	A bon M., Bergeret G.. Tardy B.— Surface Sci., 1977,
68, p. 305—311.
2073.	Pastrnak J., Trukhin A.— Czechosl. J. Phys., 1977,
27, N 6, p. 715—718.
2074.	Tallaj N., Buyle-Bodin Al.—Surface Sci., 1977, 69,
N 2, p. 428—436.
2075.	Datz S., Taylor E.— J. Chem. Phys., 1956, 25, N 3,
p. 389—394.
2076.	Barnes S., Singer K-—J- Phys. E, 1977, 10, N 7,
p. 737—740.
2077.	Кан X. С., Кульварская Б. C.— Журн. техн, физики,
1978, 48, № 4, с. 780—783.
2078.	Еремеев М. А., Стефановская Е. М., Федори-
нов В. П.— Тр. Ленингр. политехи, ин-та, 1977,
№ 356. Физ. электрон., с. 70—72.
2079.	Еремеев М. А.. Сыроваров В. П., Стефановская Е. М.
и др.— Тр. Ленингр. политехи, ин-та, 1977, № 356.
Физ. электрон., с. 72—75.
2080.	Kisiel W.— Acta Univ. Wratisl. Math. Fiz. Astron.,
1976, 19, N 271, p. 59—65.
2081	Баньковский H. Г., Коротков К- Г.— Физика твердо-
го тела, 1977, 19, № 9, с. 1847—1849.
2082.	Резник А. И., Руденко Н. В.— В кн.: Физическая
электроника (учеб, пособие). Алма-Ата : Каз. ун-т,
1976, с. 3—36.
2083.	Антропов Г. М., Кузнецова Т. Д., Мягков К- Г.—
В кн.: Физическая электроника (учеб, пособие).
Алма-Ата ; Каз. ун-т, 1976, с. 51—Й.
2084.	Немченок Р. Л., Страховская С. Е., Титен-
ский А. И.— Физика твердого тела, 1969, 11, Ns 9,
с. 2692—2694.
2085.	Michaelson Н.— J. Appl. Phys., 1977, 48, N 11,
р. 4729—4733.
2086.	Chen Е., Wentworth W., Ayala J.— J. Chem. Phys.,
1977, 67, N 6, p. 2642—2647.
2087.	Robrieux B., Faure R., Dussaulcy J.-P.— C. r.,
1974, 278AB, N 4, p. B659—B662.
2088.	McMenamin J., Spicer W.— Phys. Rev. B, 1977,
16, N 12, p. 5474—5487.
2089.	Ueda K-, Shimizu R.— Jan. J. Appl. Phys., 1972.
11,	N 6, p. 916—917.
2090.	Baker J., Blakeley J.— Surface Sci., 1972, 32, N 1,
p. 45-77.
2091.	Raisin C., Pinchaux R.— Solid State Communs, 1975,
16, N 7, p. 941—944.
2092.	Alleau T.— In: Surface Phenomena in Thermionic
Emitters, Round Table Conf.— Inst. Techn. Phys. :
Julich Nucl. Res. Establ., Julich, Germany, 1969,
p. 54.— Цит. no [2085].
2093.	Williams R., Polanco J.—J. Phys. C, 1974, 7, N 15,
p. 2745—2759.
2094.	Schultes K-, Ebel M.— J. Electron. Spectrosc. and
Relat. Phenom., 1976, 8, N 6, p. 449—458.
2095.	Wyler E., Todd F., McMaster R.— Unpublished,
1950.— Цит. no [2014].
2096.	Heinze W., Wagener S.— Z. Phys., 1938, 110,
S. 164—188.
2097.	Berrada A., Mercurio J., Etourneau J. et al.— Surface
Sci., 1978, 72, N 1, p. 177—188.
2098.	OshimaC., Bannai E., Tanaka T., Kawai S.—J. Appl.
Phys., 1977, 48, N 9, p. 3925—3927.
2099.	Aono M., Tanaka T., Bannai E., Kawai S.— Appl.
Phys. Lett., 1977, 31, N 5, p. 323—325.
2100.	Okano H., Futamoto M., Hosoki S., Kawabe U.— J.
Vac. Soc. Jap., 1977, 20, N 4, p. 127—135.
2101.	Surnev L. N., Tsanov T. V.— Докл. Бълг. АН, 1977,
30, N 12, p. 1709—1712.
2102.	Jones J., Roberts E.— Thin Solid Films, 1978, 48,
N 2, p. 215—228.
2103.	Roux H., Piquet A., Prolong G. et al.— Surface Sci.,
1978, 71, N 2, p. 375—386.
2104.	Collins R., KiwangaC.— Surface Sci., 1978, 71, N 1,
p. 185—190.
2105.	Мажулин А. В., Понявина С. C.— M., 1977.— Руко-
пись деп. в ВИНИТИ № 572—77 Деп. (См. также
[2106]).
2106.	Деп. рукописи.— Естеств. и точ. науки, техника,
1978, № 1, с. 109.
2107.	Berrada A., Mercurio J., Etourneau J. et al.—
J. Less-Common Met., 1978, 59, N 1, p. 7—25.
2108.	Boutry G.-A., Dormont H.—Philips Techn. Rev., 1969,
30, N 8/9/10, p. 225—230.
2109.	Potter H. Ph. Doct. Thesis.— Cornell Univ., 1970
(unpublished).—Цит. no [2085].
2110.	Thanailakis A.— Inst. Phys. Conf. Ser., 1974. 22.
p. 59.— Цит. no [2085].
2111.	Лах X. И., Стасюк 3. В.— Физика твердого тела,
1978, 20, № 7, с. 1989—1991.
2112.	Абдуллаев Р. М., Тонтегоде А. Я., Юсифов Ф. К-—
Физика твердого тела, 1978, 20, № 8, с. 2343—2356.
2113.	Григорьев А. Т.— Электрон, техника. Сер. Электрон.
СВЧ, 1978, № 6, с. 65—67.
2114.	Дружинин А. В., Парфентьев Л. В.— Электрон,
техника. Сер. Электрон. СВЧ, 1978, № 5, с. 73—79.
2115.	Мацкевич Т. Л.— Журн. техн, физики, 1978, 48,
№ 8, с. 1714—1719.
2116.	Soukup R.— J. Appl. Phys., 1977, 48, N 3, p. 1098—
1100.
2117.	Swanson L., McNeely D.— Surface Characterization
and Electron Emission Characteristics of BaB6, LaB6,
Список литературы
335
СеВ6 and SmB6.— World Electrotechn. Congr., June
1977, Moscow.— Section 5A, Paper 38, p. 1—26.—
Рус. пер. в [2118].
2118.	Экспресс-информ. : Прямое преобразование тепло-
вой и хим. энергии в электр., 1978, № 26, с. 12—
19.
2119.	Michaelson Я.—IBM J. Res. and Devel., 1978, 22,
N 1, p. 72—80.
2120.	Pelletier J., Pomot C — In: Proc. 13th Int. Conf.
Phenom. loniz. Gas, 1977, Berlin, DDR. Rept. 0108.
p. 16—17.
2121.	Goldstein B., SzostakD.— Surface Sci., 1978, 74, N 2,
p. 461—478.
2122.	Trasatti S.— Appl. Surface Sci., 1978, 1, N 3,
p. 341—346.
2123.	Bradke M. von, Henne R., Auer H., Halder I. Electro-
de Development for Thermionic Energy Converters
and Their Compatibility for Low Temperature Appli-
cation.— World Electrotechnical Congress, June 1977,
Moscow. Section 5A, Paper 39, p. 1—17.
2124.	Nieuwenhuys B„ MeijerD., Sachtler W — Phys, status
solidi (a), 1974, 24, N 1, p. 115—122.
2125.	Nieuwenhuys B.— Surface Sci., 1976, 59, N 2,
p. 430—446.
2126.	Balkanski M.— In: Collect. Abstrs, Int. Conf, on Solid
Films and Surfaces, July 1978, Tokyo, p. B124 —
B125.
2127.	Guichar G. These.— Universite Pierre et Marie Curie.
Paris, 1978.— Цит. no [2126].
2128.	Guichar G., Sebenne C., Garry G., Balkanski M.— In:
Proc. Xlllth Int. Conf. Phys. Semicond. 1976, Roma,
p. 710.— Цит. no [2126].
2129.	Armand L., Bouillot J., Gaudart L.— In: Collect.
Abstrs, Int. Conf, on Solid Films and Surfaces,
July, 1978, Tokyo, p. B184.
2130.	Bhattacharya A., Broughton J., Perry D.— Surface
Sci., 1978, 78, N 3, p. L689—L693.
2131.	Peralta L., Margot E., Berthier YOudar J.—
J. Microsc. Spectrosc. Electron., 1978, 3, N 2, p. 151—
156.
2132.	Manda M., Jacobson D.— J. Energy, 1978, 2, N 1,
p. 59—61.
2133.	Набитовия И. Д., Сухорский Ю. С., Бигун Г. И.,
Бандривчак И. В.— Физ. электрон., 1978, № 16,
с. 82—84.
2134.	Абдуллаев Р. М., Тонтегоде А. Я., Юсифов Ф. К-—
Физика твердого тела, 1978, 20, № 11, с. 3217—
3224.
2135.	Илатовский В. А., Дмитриев И. Б., Комисса-
ров Г. Г.— Жури. физ. химии, 1978, 52, № 10,
с. 2551—2553.
2136.	Шлыгин А. И — Учен. зап. Дальневост, ун-та,
1970, 42. Соврем, аспекты электрохимии, с. 17—21.
2137.	Азизов У. В., Эгамбердиев Б., Карабаев Т. А____
Науч. тр. / Ташкент, ун-т, 1978. № 550 Эмис,
электрон., с. 11—13.
2138.	Азизов У. В., Карабаев Т. А., Саттаров X. М.___
Науч. тр. / Ташкент, ун-т, 1978, № 550. Эмис, элек-
трон., с. 13—15.
2139.	Имангулова Н. Г., Сытая Е. П.— Науч. тр. / Таш-
кент. ун-т, 1978, № 550. Эмис, электрон., с. 49___53.
2140.	Вахабова М. А., Федоренко 3. Л.— Науч. тр. / Таш-
кент. ун-т, 1978, № 550. Эмис, электрон., с. 64—67.
2141.	Бурибаев И., Платонов В. Ф., Холов А.— Науч,
тр. / Ташкент, ун-т, 1978, № 550. Эмис, электрон
с. 100—106.
2142.	Имангулова Н. Г., Сытая Е. П.— В кн.: XVII Все-
союз. конф, по эмис. электрон, (янв. 1979 г.) : Тез.
докл. Л., 1978, с. 144—145.
2143.	Стасюк 3. В., Пастырский Я- А., Козак М. М.—
В кн.: XVII Всесоюз. конф, по эмис. электрон, (янв.
1979 г.) : Тез. докл. Л., 1978, с. 66.
2144.	Горбатый Н. А., Азизова Д. X., Чумаченко А. Ф.—
В кн.: XVII Всесоюз. конф, по эмис. электрон, (янв.
1979 г.): Тез. докл. Л., 1978, с. 146—147.
2145.	Гурков Ю. В., Дружинин А. В.— В кн.: XVII Все-
союз. конф, по эмис. электрон, (янв. 1979 г.) : Тез.
докл. Л., 1978, с. 182—183.
2146.	Антропов Г. М„ Галкин В. В., Крылов А. Г., Мяг-
ков К- Г.— В кн.: XVII Всесоюз. конф, по эмис.
электрон, (янв. 1979 г.): Тез. докл. Л., 1978, с. 205.
2147.	Савицкий Е. М., Буров И. В., Литвак Л. Н.— В кн.:
XVII Всесоюз. конф, по эмис. электрон, (янв.
1979 г.) : Тез. докл. Л., 1978, с. 206—207.
2148.	Малов Ю. И., Онищенко А. В.— В кн.: XVII Все-
союз. конф, по эмис. электрон, (янв. 1979 г.) : Тез.
докл. Л., 1978, с. 210—211.
2149.	Решетникова Л. В., Юлдашева М. Х.~ В кн.:
XVII Всесоюз. конф, по эмис. электрон, (янв.
1979 г.): Тез. докл. Л., 1978, с. 452—453.
2150.	Байтингер Е. М., Сергеев С. И.— В кн.: XVII Все-
союз. конф, по эмис. электрон, (янв. 1979 г.) : Тез.
докл. Л., 1978, с. 212—213.
2151.	Дмитриев С. Г., Ждан А. Г., Кумварская Б. С.
и др.— В кн.: XVII Всесоюз. конф, по эмис. элек-
трон. (янв. 1979 г.) : Тез. докл. Л., 1978, с. 214—215.
2152.	Логинов Л. В., Наумкин А. П., Королев С. В. и др.—
В кн.: XVII Всесоюз. конф, по эмис. электрон,
(янв. 1979 г.) : Тез. докл. Л., 1978, с. 219—220
2153.	Бекмухамбетов Е. С., Джаймурзин А. А., Иман-
беков Ж- Ж.— Журн. техн, физики. 1979, 49, № 1,
с. 125—129.
2154.	Maihur S.— Proc. Nat. Inst. Sci. India, 1953, 19, №2,
p. 169—171.
Алфавитный указатель
Автокомплекс АК-4 213
Аквадаг 209
Актиний 86
Алюминаты 171
Алюминиды 177
Алюминий:
монокристалл 89
поликристалл 18
Алюмосиликат цезия 210
Антрацен 213
Арсениды:
монокристаллы 182
поликристаллы 179
Аурин 213
Барий:
монокристалл НО
поликристалл 58
Бензантрацен 213
Бензидин 213
Бериллий 14
Бор:
монокристалл 88
поликристалл 15
Бориды:
монокристаллы 143
поликристаллы 132
Броманил 217
Ванадий:
монокристалл 93
поликристалл 25
Виолантрен 214
Виолантрон 214
Висмут:
монокристалл 131
поликристалл 84
Впсмутиды 182
Вода 212
Водные растворы ферроцианидов 212
Вольфрам:
карбидированный торированный
298
монокристалл 112
поликристалл 66
торированный 297
Вольфраматы 173
Гадолиний 62
Галлий 37
Галогениды 177
Гафнаты бария 172
Гафний 63
Гексан 214
Германий:
монокристалл 98
поликристалл 38
Гидриды 132
Гольмий 63
Графит 209
Декациклен 214
Диаминопирен 214
Диаигидрид 213
Дибензантрацен 214
Дибромаптрацен 214
Диспрозий 62
Дихлорбензол 214
Диэтилтиакарбоцианнн 214
Европий 61
Железо:
монокристалл 94
поликристалл 27
Золото:
монокристалл 131
поликристалл 80
Изовиолантрон 214
Индантрен 214
Индантрон 214
Индаптрон 214
Индий:
монокристалл 109
поликристалл 55
Иод 57
Ионные радикалы металлов 213
Иридий:
монокристалл 129
поликристалл 75
Иттербиат бария 172
Иттербий 63
Иттрий:
монокристалл 100
поликристалл 41
Катализаторы 210
Катод:
алюмосиликатный прессованный
299, 300
барий-вольфрамовый 299, 300
барий-молибденовый 299
барий-рениевый 300
импрегнированный 295, 296, 298
ламельный 297
Л-катод 296
М-катОд 296
металлизированный оксидный 296
металлокапиллярный 296
металлопористый 297
оксидный 297, 298, 299
оксидный с защитным покрытием
300
полый 298
спеченный 297
ториево-оксидный 297
торцовый 298
Хэлла 297
ячеистый 297
Кватеррилен 214
Керамика:
высокоглиноземистая циркониевая
210
стеатитовая 210
Клатраты 212
Кобальт 29
Комплексы с переносом заряда 214
Коронен 215
Красители 215
Кремний:
монокристалл 90
поликристалл 19
Криптоцианин 215
Кадмий 54
Калий:
монокристалл 93
поликристалл 21
Кальций:
монокристалл 93
поликристалл 21
Карбиды:
монокристалл 158
поликристалл 146
Каротин 214
Лантан 59
Литий;
монокристалл 88
поликристалл 14
Лютеций 63
Магний:
монокристалл 89
поликристалл 17
Марганец 26
Материалы углеродные 216
Медь:
монокристалл 95
поликристалл 34
Мероцианин 215
Модель:
Вигнера — Бардина 7
диффракционных эффектов 8
«•желе» 8
Алфавитный указатель
337
Зоммерфельда 6
зонная 6
квазисвободных электронов 9
квантовомеханическая 10
квантовостатистическая 8
конфигурационной локализации
валентных электронов 9
Найропа 7
нейтрально-орбитальной электро-
отрицательности (НОЭ) 8
Смолуховского 9
Тамма — Блохинцева 7
Томаса — Ферми 10
Френкеля 7
Шау 8
Шнейдера 8
Молибден:
монокристалл 102
поликристалл 44
Мышьяк:
монокристалл 99
поликристалл 39
Натрий:
монокристалл 89
поликристалл 16
Нафтален 215
Нафтацен 215
Неодим:
монокристалл ПО
поликристалл 60
Никели ат лития 171
Никель:
монокристалл 95
поликристалл 30
Ниобаты 172
Ниобий:
монокристалл 100
поликристалл 42
Нитриды 159
Оксиды:
простые
монокристаллы 168
поликристаллы 161
сложные 171
смешанные 169
Олово 55
Осмий 75
Палладий 49
Пентацен 215
Перилен 215
Пинакриптол 216
Пинациаиол 216
Пинацианолхлорид 216
Пирантрен 216
Пирантрон 216
Пирен 216
Пирографит 209
Платина:
монокристалл 130
поликристалл 76
Пниктиды:
монокристаллы 182
поликристаллы 179
Полимеры 216
Полифталоцианин меди 216
Полоний 85
Постоянная Ричардсона 6
Празеодим 60
Проволока сварочная 211
Промазин 216
Промазингидрохлорид 217
Прометий 61
Протактиний 87
Работа выхода электрона 5
анизотропия 9
внешняя 8
внутренняя 8
методы определения
автоэлектронный (АЭ) 7
калориметрический (КМ) 7
кантактнои разности потенциа-
лов (КРП) 7
поверхностный ионизации
(ПИ) 7
полного тока 6
прямой Ричардсона 5
рентгеновский (РМ) 6
теоретический (ТМ) 10
термоэлектронный (ТЭ) 5
АВ9
фотоэлектронный (ФЭ) 7
эффузионный (ЭФ) 7
температурная зависимость 6
температурный коэффициент 6
электрохимическая 11
эффективная 6
Радий 85
Раствор с сольватированными элек-
тронами 217
Резерпин 217
Ренаты бария 175
Рений:
монокристалл 127
поликристалл 73
Родамин 217
Родий 48
Ртуть 82
Рубидий:
монокристалл 99
поликристалл 40
Рубрен 217
Рутений:
монокристалл 108
поликристалл 47
поликристаллы 186
Сталь нержавеющая 211
Стекло:
марки «Kimble Р-6» 210
свинецсодержащее 210
Стеклоуглерод 210
Стибиды:
монокристаллы 183
поликристаллы 180
Стронций:
монокристалл 99
поликристалл 41
Сульфиды:
монокристаллы 185
поликристаллы 183
Сурьма:
монокристалл 109
поликристалл 57
Таллий 83
Тантал:
монокристалл 110
поликристалл 64
Танталаты 172
Теллур:
монокристалл 109
поликристалл 57
Теллуриды:
монокристалл 186
поликристалл 185
Тербий 62
Тетраметилбензиден 217
Тетратиотетрацен 217
Тетрацен 217
Технеций 47
Титан 23
Титанаты 172
Торий:
монокристалл 131
поликристалл 86
Тринитробензен 218
Тринитробензол 213
Тулий 63
Самарий 61
Свинец:
монокристалл 131
поликристалл 83
Селен 39
Селениды:
монокристаллы 185
поликристаллы 185
Сенсибилизатор фотографический 217
Сера 20
Серебро:
монокристалл 108
поликристалл 51
Силициды 178
Скандаты 171
Скандий 23
Слюда 210
Смола фенолформальдегидная 217
Сплавы:
монокристаллы 206
Углерод:
монокристалл 88
поликристалл 15
Уравнение:
Козляковской 6
Ричардсона 5
Ричардсона — Дешмана 6
Саха — Ленгмюра 7
Эйнштейна 7
Уран 87
Фенантрен 217
Феносафранин 217
Фенотиазин 218
Флюсы сварочные 211
Фосфиды 182
Фосфор 93
Франций 85
Фталоцианин 218
Халькогениды:
монокристаллы 185
поликристаллы 183
Хлоранил 217
Хлорофилл 248
33b
Алфавитный указатель
Хлорпромазин 218
Хлорпромазиигидрохлорид 218
Хризен 218
Хром:
монокристалл 94
поликристалл 25
Цезий:
монокристалл 109
поликристалл 58
Церий 60
Цианин 218
Цинк:
монокристалл 98
поликристалл 36
Цирконий 42
Шлаки:
жидкие 211
силикатные 212
угольные 211
Электроотрицательность 12
абсолютная (по Мюлликену) 12
по Паулингу 12
Эрбий 63
Эритрозин 218
Этиопорфирин 218
Оглавление
Предисловие ...	. .................. 	3
Введение........... ...	4
Простые вещества ....	....	14
Поликристаллы ....................... 14
Монокристаллы ....................... 88
Химические соединения . .	132
Гидриды .................................... 132
Бориды ...............................  132
Поликристаллы	• 132
Монокристаллы		143
Карбиды .................................... 146
Поликристаллы		 146
Монокристаллы • •		158
Нитриды .................................... 159
Оксиды ..................................... 161
Простые оксиды	. .	161
Поликристаллы	... 161
Монокристаллы	.	.168
' Смешанные оксиды	169
Сложные оксиды .	171
Галогениды ....	177
Алюминиды ...	. .	177
Силициды ................................... 178
Пниктиды .................................. .179
Поликристаллы ......................... 179
Монокристаллы...........................182
Халькогениды ...................... .... 183
Поликристаллы ................. ... 183
Монокристаллы ..........................185
Сплавы ..................... . .	186
Поликристаллы . .	186
Монокристаллы ............................206
Материалы на основе неорганических и органических
соединений .	..........................209
Адсорбционные системы ...	.	. 219
Система адсорбент (поликристалл)—адсорбат
(простое вещество) .....................219
Система адсорбент (монокристалл)—адсорбат
(простое вещество) .....................251
Система адсорбент (поликристалл)— адсорбат
(химическое соединение).................282
Система адсорбент (монокристалл) — адсор-
бат (химическое соединение).............293
Оксидные катоды . .	295
Свойства различных вариантов катодов 295
Сравнение свойств оксидных катодов со свой-
ствами некоторых пленочных систем . . . 297
Влияние технологии на свойства катода [592] 298
Влияние активаторов на эмиссию оксидных
катодов [284] ..........................298
Рекомендуемые режимы работы оксидных ка-
тодов [284] ............................299
Алюмосиликатные прессованные катоды	299
Оксидные термокатоды с защитными метал-
лическими покрытиями ...................300
Список литературы ......................... ...	303
Алфавитный указатель............................336
ВЛАДЛЕН СТЕПАНОВИЧ ФОМЕНКО
ЭМИССИОННЫЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ
Справочник
Печатается по постановлению ученого совета
Института проблем материаловедения АН
УССР и решению редакционной коллегии
справочной литературы АН УССР
Научный редактор В. Н. Калинин
Редактор 3. П. Ч е р н ю к
Редактор-библиограф Е. Н. Межерицкая
Оформление художника В. Г. Самсонова
Художественный редактор А. В. Косяк
Технический редактор И. А. Ратнер
Корректоры М. Т. Кравчук, Р. С. Коган
Информ, бланк № 3124.
Сдано в набор 18.02.80. Поди, в печ. 12.08.81. БФ
00155. Формат 84X108/^. Бумага типогр. № 3. Лит.
гарн. Вне. леч. Уел. печ. л. 35,7. Усл. кр.-отт. 35.7.
Уч.-нзд. л. 37,31. Тираж 4000 экз. Заказ 1590 Це-
на 2 руб. ГО коп.
Издательство «Наукова думка», 252601, Киев, ГСП.
Репина, 3.
Отпечатано с матриц головного предприятия РПО
«Полиграфкнига», 252007. Киев-57. Довженко, 3. в
Киевской книжной типографии ичучной книги,
252004. Киев-4. Репина, 4. Зак. 1-625,