Text
                    А.И. Аксенов

А.В. Нефедов

ICI

r»
« СОЛОН »

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ

Издание 5-е
доnопненное

Да, я разбираюсь в электронике".
Поэтому и устроился работать

давцом-консультантом

про-

в магазин

электронных компонентов и nрибо-

ей домашней лаборатории. Но самое

вую -

важное

покупатели особенные._

- это люди в нашем магазине.
Мне нравится общаться с лаку-

мы

единомышленники.
они

Мои

любят

-------

"'"--"-"~ро_н_"'~'-'

пателями, помогать им сориентиро-

Единая а~равочная служба:

ров "Чип и Диnм. Здесь я нашел то,

ваться

тел. : (095) 780-9509 (многоканальный)

что искал ;

электронных компонентов и расход-

приборы, инструменты,

конструкторы

-

все, что нужно для мо-

в

таком

большом

выборе

ных материалов, потому что я чувст-

факс:

(095) 631-3145
e-mail: sales@chipdip.ru

Все товары оптом в фирме "ЧИП ИНДУСТРИЯ". Тел./факс: (095) 780-9500 (многоканапьный)

."иn и DИn Aдpecaм<1raJMll08 411п мДмn:
Цектральный. r. Москва. ул. Беrова~ . д. 2 • r. Мос111", ул. Землl!Ж1Й Вал , д. 34 • r. Москва. ул . Гммро!!СWfО, д- 39
г. Москза , ул. Ив.Франко,д. 40, к. 1, стр. 2 • r.Москва, Т.Ц .'Эпектрон~llЗ fl<I Преаю', wесто 6-18
r.Москва Т.Ц. 'СзsелоеQ(Ий" , мостоD-25 • r.C.·Пerepбypr. Кро!iвер!(С-.ийnросn .. д 73,
тел. (812)232-83-06 , 232-59-87.e-mail:chipdip@mail .wplus. пet • г.Вороне•,Леt№Кmйпр-f,Д159
r. Ярославль, np. Леt111~. д 8а, тел. : (0852) 30·15-68. e-maU: chiiн;jip@yaroslavl.ru


::н:~:::;=ч ;;. •i; . :.!!!Л!:, '';~~!! !!i~~ . щ ::.: .:.: · " __ · ·: . ·:::::: ·: ': ·.. ,.,:,". , i i::t: .~· А~сенов, А. В. Нефедов ;1; :·:::!.!i!ii!i~~M,~f' «Peмвi'jrm». ;;, щш=~ t!Ш!!!ii!!ii!!!~~!Ш!:~,·· :~~=; .. ~:: ."·е ч~: :" i'ш:·;т!:';. ,. ".:~·:~ ·н .tt; '?!.1; .~ . " . ·; А· л · ". ·у "., . · п Р А В;! ~,!' м 1 ш i,;il:i.u :o :;" . ,;!; 611 !ь ·,. 1Е V V · п 1 1 .~!~~~ А :~ •·1~~:В .р п ~iи ' 11!1150 ·. · · · P~'l ,.i'!' ~:::,.,. '1 ;· ::;:!::. ·. .. .... . .}' ". ~!::;:· - :!'j}· ;·:;, ·;; Справq~ ное q,Ь собие ----- ... ~-=~!!~,:!!,. ,;;' :~; "·,:i:i· i= _•. -": .. " " ...... Транзистор;';?/ биполярные ДЦоды ВаJг: ~капы ... . · '· · СтабилитронЬ1 и стабисторы ТирЦ~торы . -;: .. .~;,:::ЛiiПШ!i'':"'''':'''';'":.;; , ", ". "· . '··· . . :: :::: '":.. . . ..::~:.:;:·:,:;,,ii,:f!/j/rtJ,~i~tJ.eкmifipнны~ .приборы ..': · "." . ..; ..." ~-'··=· · !-•<-· -'· ·· :::·· ..•.. ·• · :;;;::;=:;:. ' • •::;::·::·-,,.,· .• ,;,--. ".:":;~;"' · ' :.: . •.• Ан а л' ь;:~. ~ от е ч ·~ -~. ~,.!J;е";я:·: ;-: : :•;" ' ''"""'"'""':·:' ]!: ~~ .,~ .p , r . ~. ~ ~ :11. ·~ ~.х ' : !"П р и 6 о р о в ·•:i i~1iii.i11 ' ··= =1<1i i1:i;~':ii ~i~1ii~:ii~1iii ii'' ::· Издание 5-е, д :рпненное и исправленное ~;; '\)\Ме, р ква co.ho fl';.Пpecc \ :('",·20.05 ::~: .... :~; .;_ ~
УДК ББК 621.397 32.94-5 А42 Серия «Ремонт», выпуск 59 Аксенов А. И., Нефедов А. В. А42 Отечественные полупроводниковые приборы СОЛОН-Пресс, 2005. - 584 с.: ил. - / 5-е изд., доп. и испр. - М.: (Серия «Ремонт») ISBN 5-98003-185-5 В справочном пособии систематизированы в табличной форме в алфавитно-цифровой по­ следовательности данные по основным электрическим параметрам и конструктивному исполне­ нию на отечественные биполярные и полевые транзисторы, выпрямительные диоды, столбы и блоки, варикапы, стабилитроны и стабисторы, тиристоры, светоизлучающие и инфракрасные диоды, линейные шкалы и цифро-буквенные индикаторы, диодные и транзисторные оптопары. По приведенным в книге приборам даны соответствующие аналоги. 5-е издание дополнено рядом биполярных и полевых транзисторов. Удобная форма поиска и восприятия информации об интересующих приборах дает "возмож­ ность пользователю по достоинству оценить приобретенную им книгу. Она будет полезна широ­ кому кругу специалистов и радиолюбителей, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ре­ монтом радиоэлектронной аппаратуры. УДК ББК КНИГА - 621.397 32.94-5 ПОЧТОЙ Книги издательства «СОЛОН-Пресс» можно заказать наложенным платежом по фиксированной цене. Оформить заказ можно одним из двух способов: 1. Послать открытку или письмо по адресу: 123242, Москва, а/ я 20. 2. Передать заказ по электронной почте на адрес: magazin@solon-r.ru. Бесплатно высылается каталог издательства по почте. При оформлении заказа следует правильно и полностью указать адрес, по которому должны быть высланы книги, а также фамилию, имя и отчество получателя. Желате· льно дополнительно указать свой телефон и адрес электронной почты. Через Интернет вы можете в любое время получить свежий каталог издательства «СОЛОН-Пресс». Для этого надо послать пустое письмо на робот-автоответчик по ад­ ресу: katalog@solon-r.ru Получать информацию о новых книгах нашего издательства вы сможете, подписав­ шись на рассылку новостей по электронной почте. Для этого пошлите письмо по адре­ су. news@solon-r.ru. В теле письма должно быть написано слово SUBSCRIBE. По вопросам приобретения обращаться: ООО «Альянс-книга» Тел: (095) 258-91-94, 258-91-95 www.abook.rи ISBN 5-98003-185-5 ©Макет, обложка СОЛОН-Пресс, 2005 ©А. И. Аксенов, А. В. Нефедов, 2005
Содержание 3 Содержание Об этом справочном пособии Алфавитно-цифровой ......................................................... ~ .................................... 4 указатель приборов в справочном пособии ...................................... 6 обозначения и корпуса полупроводниковых приборов .................... 25 РАЗДЕЛ 1. Условные 1.1. Система условных обозначений и классификация полупроводниковых приборов .................... 25 1.2. Корпуса полупроводниковых приборов ........... " ............... "."""" ... " .... " .... "" ..... " ... """ .... "" ... " 27 1.3. Особенности пластмассовых корпусов и бескорпусные полупроводниковые приборы " .. """." 28 1.4. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов .. """""""""""" .... ". 29 1.5. Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов"""""""""""""""""""""" 37 РАЗД ЕЛ 2. Биполярные транзисторы .............................................................................. 43 2.1. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов"""""""""".""""."""."""."" 45 2.2. Параметры биполярных германиевых транзисторов """"""."".".""" .... """"".".""""""".""" 48 2.3. Параметры бипQЛярных кремниевых транзисторов"""""."""""".".""""""".""."""""""""". 72 2.4. Параметры кремниевых сборок ."" ....... ""." .. "" ...... "" .... " ... """ .............. "" ............................ 216 РАЗДЕЛ 3. Полевые транзисторы .................................................................................. 224 3.1. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов .. " ................................................ 230 3.2. Параметры полевых транзисторов .. "" ....... """" .. " .. "" ... "." ... """."."."".""""" .. "" ............ " .. 234 РАЗД ЕЛ 4.1. 4.2. 4.3. 4.4. 4.5. 4. Диоды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5. Тиристоры 278 Виды приборов и основные параметры ... " ............... " ....... ""." ..... " ......... " .................... "" ....... 278 Буквенные обозначения параметров диодов"" ........ "" ............................................. " .............. 281 Параметры диодов, столбов и блоков ... " ......... " ....................................................................... 283 Параметры варикапов ................................................................ ""."."." ... """"."""."."." .... ". 31 О Параметры стабилитронов и стабисторов ." .. """ ... """""""" .. " .. """ ... """"" .. " .... ".""". "" .. 324 РАЗДЕЛ .................................................................................................... 354 5.1. Виды приборов и буквенные обозначения параметров .... "." ..... "." .... "" .. " ......... " ... " ... " ...... " 354 5.2. Параметры тиристоров .... " .......... " .... "" ....... """"""" ..... " .. " .. " .. "." .... "." ... "."" .. " .. "" .. "."." .. 358 РАЗДЕЛ 6. Оптоэлектронные приборы .......................................................................... 372 6.1. Виды приборов и буквенные обозначения параметров ."" .. " ... """" .. "" .. """"".""" .. " .. " .. "". 372 6.2. Параметры светоизлучающих приборов."." ..... " ............... " .. "." .. "." ......... """" .. "" ... " .... "." .. 376 6.3. Параметры линейных шкал ... """ ....... " ....... " .. "" .... "" .............................................................. 380 6.4. Параметры цифро-буквенных индикаторов ............................................................................... 382 6.5. Параметры инфракрасных излучающих диодов ....................................................................... 402 6.6. Параметры диодных оптопар .................................................................................................... 406 6. 7. Параметры транзисторных оптопар ............... " .......... " ............................................................. 412 РАЗДЕЛ 7. Аналоги ......................................................................................................... 416 7 .1. О взаимозаменяемости полупроводниковых приборов .............................. " ............................. 416 7.2. Сокращенные обозначения зарубежных фирм и стран ................ " .......................................... 417 7.3. Буквенные обозначения зарубежных транзисторов" ... """"" .... ""."" .... """ ....... "" .. """ .... "" 418 7.4. Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги .. "" .... """ ... "."."""". "" .... """ ..... " "" 421 7.5. Конструктивное исполнение корпусов зарубежных транзисторов"""" .. """""""".""."." .... " 448 7.6. Буквенные обозначения зарубежных диодов."" .... " ............... """ ... "." ... " .... " ... " .. " .... """." .. 460 7.7. Зарубежные диоды, варикапы, стабилитроны и их отечественные аналоги""." .. """""""."" 465 7.8. Зарубежные тиристоры и их отечественные аналоги"" .. """" ....... "."" .... """".""" ........ ""." 473 7.9. Зарубежные оптоэлектронные приборы и их отечественные аналоги." ... """" ........ "" .... "." .. 474 7.10. Аналоги отечественных транзисторов""""."" .... "" .... " ... " ...... """." .... " ... ".""" .. " ... """."." 475 7 .11. Аналоги отечественных диодов, варикапов и стабилитронов """. """ .. " .. "." .. "" .... """"""" 483 7.12. Аналоги отечественных тиристоров."" ... """ .. ".""" .... "."""" .. "" ......... " ... """." ... "" ...... " .... 486 7 .13. Аналоги отечественных оптоэлектронных приборов .............................................................. 487 Литература Приборы, ................................................................................................................... 488 вошедшие в дополнение ................................................................................... 489
О 4 О 5 5 издании справочного пособия издании справочного пособия Справочное пособие представляет собой компактно сформированные таблицы, содержащие справоч­ ную информацию по каждому типономиналу полупроводникового прибора от условного обозначения с электрическими параметрами, до иллюстрации конструкции корпуса с габаритными размерами и цоколевкой выводов. 5-е издание справочного пособия отличается от предыдущих изданий «Отечественные полупроводниковые приборы. Справочное пособие» тем, что оно дополнено рядом новых биполярных и полевых транзисторов, их аналогами и корпусами. Для удобства пользования в справочном пособии приведены в табличной форме, в алфавитно­ цифровой последовательности зарубежные полупроводниковые приборы и их отечественные прибли­ женные аналоги. Даны сокращенные условные буквенные обозначения зарубежных приборов и фирм, их производящих. Работа со справочным пособием Все приборы, вошедшие в пособие, расположены по классам в порядке последовательного возрастания цифры третьего элемента условного обозначения - цифры, по которой классифицируются полупро­ водниковые приборы по рассеиваемой мощности и предельной рабочей частоте. Стандартизованные корпуса конструкций отечественных приборов с обозначениями и габаритны­ ми размерами приведены в отдельном параграфе. Алфавитно-цифровой указатель приборов, вошедших в книгу, построен на системе условных обозначений полупроводниковых приборов (OCTl 1 336. 919-81). Для определения фирмы изготовителя прибора приводятся их сокращенные обозначения, а также сокращенные обозначения стран изготовителей приборов, которые приводятся в зарубежных каталогах и справочнике «DATA». В справочном пособии систематизированы материалы книг, выпущенных авторами ранее, в частности «Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги», «Полупроводнико­ вые оптоэлектронные приборы», «Бескорпусные полупроводниковые приборы», «Мощные транзисто­ ры», и нескольких десятков статей, посвященных вопросам применения отечественных и зарубежных изделий электронной техники. Приборы, дополнившие это издание Транзисторы Тип прибора КТ220А9 КТ220Б9 КТ220В9 КТ220Г9 КТ3143А КТ3144А КТ3184А9 КТ3184Б9 КТ3193А КТ3193Б КТ3193В КТ3193Г КТ3193Д КТ3193Е КТ3198А9 КТ3198Б9 КТ3198В9 КТ3198Г9 Стр. 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 540 Тип прибора КТ3198Д9 КТ3198Е9 КТ3198Ж9 КТ3198А92 КТ3198Г92 KT3t09A9 КТ3199А91 КТ3199А92 KT320lA9 КТ3201Б9 КТ3201В9 КТ3201Г9 КТ529А КТ530А КТ538А КТ6109А КТ6109Б КТ6109В Стр. 540 540 540 540 540 542 542 542 542 542 542 542 542 542 542 544 544 544 Тип прибора Стр. Тип прибора КТ6109Г 544 КТ738А КТ6109Д 544 544 544 544 544 544 544 544 544 544 544 544 544 546 546 546 546 КТ739А KT613lA КТ6132А КТ6135А9 КТ6135Б9 КТ6135В9 КТ6135Г9 КТ6135Д9 KT614lA9 КТ6141Б9 КТ6142А КТ6142Б КТ678АС КТ731А КТ731Б КТ731В КТ731Г КТ8113А КТ8113Б KT8ll3B КТ8163А КТ8165А КТ8165Б КТ8165В КТ8165Г КТ8166А КТ8166Б КТ8166В КТ8166Г КТ8167А КТ8167Б КТ8167В КТ8167Г Стр. 546 546 546 546 546 546 546 546 546 546 546 546 546 546 548 548 548 548 1
О 5 издании справочного пособия Тип· прибора КТ8167Д КТ8168А КТ8168Б КТ8168В КТ8168Г КТ8168Д КТ8212А КТ8212Б КТ8212В КТ8213А К"r8213Б КТ8213В КТ8214А КТ8214Б КТ8214В КТ8215А КТ8215Б КТ8215В КТ8216А IКТ8216Б КТ8216В КТ8216Г КТ8216А1 КТ8216Б1 КТ8216В1 КТ8216Г1 КТ8217А КТ8217Б КТ8217В КТ8217Г КТ8217А1 КТ8217Б1 КТ8217В1 КТ8217Г1 КТ8218А КТ8218Б КТ8218В КТ8218Г КТ8218А1 КТ8218Б1 КТ8218В1 КТ8218Г1 КТ8219А КТ8219Б КТ8219В КТ8219Г КТ8219А1 КТ8219Б1 КТ8219В1 КТ8219П КТ8224А КТ8224Б КТ8225А КТ8228А КТ8228Б Стр. 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 548 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 550 552 552 552 552 552 552 552 552 552 552 552 552 552 Тип прибора КТ8229А КТ8230А КТ8247А КТ8248А1 КТ8251А КТ8255А КТ8261А КТ8270А КТ8271А КТ8271Б КТ8271В КТ8272А КТ8272Б КТ8272В КТ8290А КТ9106АС-2 КТ9106БС-2 КТД8264А КТД8264А5 АП354А-5 АП354Б-5 АП354В-5 АП355А-5 АП355J?-5 АП355В-5 АП356А-5 АП356Б-5 АП356В-5 АП357А-5 АП357Б-5 АП357В-5 АП358А-5 АП358Б-5 АП358В-5 АП381А-5 КП214А-9 КП383А-9 КП507А КП508А КП509А-9 КП509Б-9 КП509В-9 КП510А9 КП511А КП511Б КП523А КП523Б КП7128 КП7130А КП7130Б КП7130В КП7131А-9 КП7132А КП7133А КП7134А 5 Стр. 552 554 554 554 554 554 554 554 556 556 556 556 556 556 556 556 556 556 556 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 558 560 560 560 560 560 560 560 560 560 560 560 562 562 562 562 562 562 562 Тип прибора КП7135А КП7136А КП7137А КП7138А КП731А КП731Б КП731В КП737А КП737Б КП737В КП737Г КП739А ' КП739Б КП739В КП740А КП740Б КП740В КП741А КП741Б КП742А КП742Б КП743А КП743Б КП743В КП743А1 КП744А КП744Б КП744В КП744Г КП745А КП745Б КП745В КП745Г КП746А КП746Б КП746В КП746Г КП746А1 КП746Б1 КП746В1 КП746Г1 КП747А КП748А КП748Б КП748В КП749А КП749Б КП749В КП750А КП750Б КП750В КП750Г КП750А1 КП750Б1 КП750В1 ' Стр. 564 564 564 564 564 564 564 566 566 566 566 566 566 566 566 566 566 566 566 566 566 568 568 568 568 568 568 568 568 568 568 568 568 568 568 568 568 570 570 570 570 570 570 570 570 570 570 570 570 570 570 570 572 572 572 . Тип прибора Стр. КП751А КП751Б КП751В КП751А1 КП751Б1 КП751В1 1 КП752А 1 КП752Б КП752В КП753А КП753Б КП753В КП771А КП771Б КП771В КП775А КП775Б КП775В КП776А КП776Б КП776В КП776Г КП777А КП777Б КП777В КП778А КП779А КП780А КП780Б КП780В КП780АС1 КП781А КП783А КП784А КП785А КП786А КП787.А КП796А КП936А КП936Б КП936В КП936Г КП936Д КП936Е КП936А-5 КП936Б-5 КП936В-5 КП936Г-5 КП936Д-5 КП936Е-5 КП962А КП962А-5 КП963А КП963А-5 572 572 572 572 572 572 572 572 572 572 572 572 574 574 574 574 574 574 574 574 574 574 574 574 574 574 576 576 576 576 576 576 576 578 578 578 578 578 580 580 580 580 580 580 580 580 580 580 580 580 580 580 580 580
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии 6 Алфавитно-цифровой указатель приборов в справочном пособии Германиевые транзисторы Тип прибора МП9А МО10 МО10А МОlОБ мон МОНА МО13 МП13Б МО14 МП14А МО14Б МП14И MR15 МО15А МО15И МП16 МО16А МО16Б МО16Я1 МО16ЯН МО20А МО20Б МП21В МО21Г МО21Д МО21Е МП25 МО25А МП25Б МО26 МО26А МО26Б 027 027А 028 029 029А 030 МП35 МП36А МО37А МО37Б МП38 МО38А МО39 МО39Б МО40 МО40А МО41 МО41А МО42 МО42А МО42Б Тип Стр. 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 52 52 52 52 52 52 52 52 52 52 52 54 54 54 54 54 прибора ГП08А ГТf08Б ГТ108В ГТ108Г МГТ108А МГТ108Б МГТ108В МГТ108Г МГТ108Д ГТ109А ГТ109Б ГТ109В ГТ109Г ГТ109Д ГТ109Е ГТ109Ж ГТ109И ГТ115А ГТН5Б ГТ115В rтнsr rтнsд ГТ122А ГТf22Б ГТ122В ГТ122Г ГТ124А ГТ124Б ГТ124В ГТ124Г ГТ125А ГТ125Б ГТ125В ГТ125Г ГТ125Д ГТ125Е ГТ125Ж ГТ125И ГТ125К ГТ125Л 0201Э 0201АЭ 0202Э 0203Э 0207 0207А 0208 0208А 0209 0209А 0210 0210А 0210Б Тип Стр. 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 54 .54 54 54 54 54 54 54 54 54 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 56 58 58 58 прибора Тип Стр. прибора Стр. ГТ320Б 60 ГТ320В 60 ГТ321А 60 ГТ321Б ГТ322В 60 60 60 60 60 60 60 60 ГТ322Г 60 ГТ322Д 60 ГТ322Е ГТ309А 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 58 60 ГТ309Б 60 ГТ335Г ГТ309В ГТ335Д ГТ309Г 60 60 ГТ309Д 60 П338Б ГТ309Е 60 60 60 П338В 60 60 tт341В П310Е iIO 60 П346Б 60 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 62 64 64 П346В 64 П311А 60 П362А ГТ3НБ П362Б 64 64 rт311r 60 60 60 rт311д 60 П383Б-2 ГТ3НЕ 60 П383В-2 П3НЖ 0401 ГТ313А 60 60 -60 П402А .,___ ГТ313Б 60 ,П'402Б ГТ313В 60 60 ГТ402В 02fOB 0210Ш 0213 0213А 0213Б 0214 0214А 0214Б 0214В 0214Г 0215 0216 0216А 0216Б 0216В 0216Г 0216Д 0217 0217А 0217Б 0217В 0217Г ГТ305А ГТ305Б ГТ305В П308А ГТ308Б П308В ГТ308Г ГТ310А ГТ310Б ГТ310В ГТ310Г П310Д П3НВ rт311и П320А П321В ГТ321Г ГТ321Д ГТ321Е ГТ322А ГТ322Б ГТ323А ГТ323Б ГТ323В ГТ328А ГТ328Б ГТ328В ГТ329А ГТ329Б ГТ329В ГТ329Г ГТ33Од ГТ33ОЖ ГТ33ОИ ГТ335А ГТЗ35Б ГТ335В П338А ГТ341А П341Б П346А П376А П383А-2 П402 П402Г 64 64 64 64 64 64 64 64 64 64
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии Тип прибора 64 64 64 64 64 64 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 П402Д П402Е П402Ж П402И П403 0403А П403А ГТ403Б ГТ403В П403f П403Д ГТ403Е ГТ403Ж П403И ГТ403Ю ГТ404А ГТ404Б ГТ404В ГТ404f Тип Стр. прибора ГТ404Е ГТ404Ж ГТ404И ГТ405А ГТ405Б П405В ГТ405f ГТ406А 0416 0416А 0416Б 0417 0417А 0417Б 0422 0423 0605 0605А Тип Стр. 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 66 ГТ404Д 7 прибора Тип Стр. прибора 68 68 68 68 68 68 68 68 68 68 68 68 68 70 70 70 70 70 70 0606 0606А 0607 0607А 0608 0608А 0609 0609А ГТС609А ГТС609Б ПС609В ГТ612А-4 ГТ701А П703А ГТ703Б П703В ГТ703f ГТ703Д П705А ГТ705Б ГТ705В П705f П705Д ГТ804А ГТ804Б ГТ804В ГТ806А ГТ806Б П806В П806f ГТ806Д ГТ810А П905А ГТ905Б ГТ906А ГТ906АМ Стр. 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 Кремниевые транзисторы Тип прибора КЕ702А КЕ702Б КЕ702В КТ104А КТ104Б КТ104В KT104f КТ117А КТ117Б КТ117В KT117f КТ118А КТ118Б КТ118В КТ119А КТ119Б КТ120А КТ120Б КТ120В КТ120А-1 КТ120В-1 КТ120А-5 КТ120В-5 КТ127А-1 КТ127Б-1 КТ127В-1 КТ127f-1 КТ132А КТ132Б КТ133А КТ133Б КТ201А КТ201Б КТ201В КТ201Г КТ201Д КТ201АМ Стр. 514 514 514 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 Тип прибора КТ201БМ КТ201ВМ кт201rм КТ201ДМ КТ202А-1 КТ202Б-1 КТ202В-1 кт202r-1 КТ202Д-1 КТ203А КТ203Б КТ203В КТ203АМ КТ203БМ КТ203ВМ КТ206А КТ206Б КТ207А КТ207Б КТ207В КТ208А КТ208Б КТ208В KT208f КТ208Д КТ208Е КТ208Ж КТ208И КТ208К КТ208Л КТ208М КТ209А КТ209Б КТ209В КТ209В2 KT209f КТ209Д Тип Стр. 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 74 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 76 прибора КТ209Е КТ209Ж КТ209И КТ209К КТ209Л КТ209М КТ210А КТ210Б КТ210В КТ211А-1 КТ211Б-1 КТ211В-1 КТ214А-1 КТ214Б-1 КТ214В-1 КТ214Г-1 КТ214Д-1 КТ214Е-1 КТ215А-1 КТ215Б-1 КТ215В-1 KT215f-1 КТ215Д-1 КТ215Е-1 КТ216А КТ216Б КТ216В КТ218А-9 КТ218Б-9 КТ218В-9 KT218f-9 КТ218Д-9 КТ218Е-9 КТ301 КТ301А КТЗ01Б КТ301В Тип Стр. 76 76 76 76 76 76 76 76 76 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 78 прибора ктзо1r КТ301Д КТ301Е КТ301Ж КТ302А 78 78 78 78 78 КТ302Б 7~ КТ302В 78 78 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 82 82 82 82 82 82 кт302r КТ306А КТ306Б КТ306В KT306f КТ306Д КТ306АМ КТ306БМ КТ306ВМ KT306fM КТ306ДМ 0307 0307А 0307Б 0307В 0307f КТ307А-1 КТ307Б-1 КТ307В-1 • Стр. KT307f-1 0308 0309 КТ3101А-2 КТ3101АМ КТ3102А КТ3102Б КТ3102В кт3102r КТ3102Д КТ3102Е
в Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии Тип прибора КТ3102Ж КТ3102И КТ3102К КТ3102АМ КТ3102БМ КТ3102ВМ КТ3102ГМ КТ3102ДМ КТ3102ЕМ КТ3102ЖМ КТ3102ИМ КТ3102КМ КТ3104А КТ3104Б КТ3104В КТ3104Г КТ3104Д КТ3104Е КТ3106А-2 КТ3106А-9 КТ3107А КТ3107Б КТ3107В КТ3107Г КТ3107Д КТ3107Е КТ3107Ж КТ3107И КТ3107К КТ3107Л КТ3108А КТ3108Б КТ3108В КТ3109А КТ3109Б КТ3109В КТ3114Б-6 KT3ll4B-6 KT3ll5A-2 KT3l15B-2 КТ3115Г-2 КТ3115Д-2 KT3ll7A-l KT3ll7A KT3ll7A9 КТ3117Б КТ3117Б9 КТ312А KT312Al КТ312Б КТ312Бl КТ312В КТ312В1 КТ3120А КТ3121А-6 КТ3122А КТ3122Б КТ3123А-2 КТ3123Б-2 КТ3123В-2 КТ3123АМ Стр. 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 82 84 84 84 84 84 84 84 84 84 84 84 490 84 490 84 490 84 490 84 490 84 86 86 86 86 86 86 86 Тип прибора КТ3123БМ КТ3123ВМ КТ3126А КТ3126Б КТ3126А-9 КТ3127А КТ3128А KT3128A-l КТ3128Б-l КТ3128А-9 КТЗ129А-9 КТ3129Б-9 КТ3129В-9 КТ3129Г-9 КТ3129Д-9 КТ313А КТ313Б KT313A-l КТ313Б-l KT313B-l КТ313Г-l КТ3130А-9 КТ3130Б-9 КТ3130В-9 КТ3130Г-9 КТ3130Д-9 КТ3130Е-9 КТ3130Ж-9 КТ3132А-2 КТ3132Б-2 КТ3132В-2 КТ3132Г-2 КТ3132Д-2 КТ3132Е-2 КТ3139А КТ3139Б КТ3139В КТ3139Г КТ314А-2 КТ3140А КТ3140Б КТ3140В КТ3140Г КТ3140Д КТ3142А КТ3145А-9 КТ3145Б-9 КТ3145В-9 КТ3145Г-9 КТ3145Д-9 КТ3146А-9 КТ3146Б-9 КТ3146В-9 КТ3146Г-9 КТЗ146Д-9 ' КТ315А КТ315Б КТ315В КТ315Г КТ315Д КТ315Е 1 Стр. 86 86 86 86 86 86 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 88 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 92 92 92 92 92 92 Тип прибора КТ315Ж КТ315И КТ315Н КТ315Р KT315A-l КТ315Б-1 KT315B-l КТ315Г-1 КТ315Д-1 KT315E-l КТ315Ж-l КТ315И-l KT315Hl KT315Pl КТ3150Б-2 KT315lA-9 КТ3151Б-9 КТ3151В-9 КТ3151Г-9 КТ315lД-9 КТ3151Е-9 КТ3153А-9 КТ3153А-5 КТ3157А КТ316А КТ316Б КТ316В КТ316Г КТ316Д КТ316АМ КТ316БМ КТ316ВМ КТ316ГМ КТ316ДМ КТ3165А КТ3165А-9 КТ3166А КТ3168А-9 КТ3169А-9 КТ3169А9-1 KT317A-l КТ317Б-l KT317B-l КТ3170А-9 КТ3171А-9 КТ3172А-9 КТ3173А-9 КТ3176А-9 КТ3179А-9 1.П3184А9 КТ3184Б9 KT318A-l КТ318Б-l KT318B-l КТ318Г-l КТ318Д-l KT318E-l КТ3180А-9 КТ3186А-9 КТ3187А-9 КТ3187А-91 Стр. 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 92 94 94 94 94 94 94 94 94 94 94 94 94 94 94 94 96 96 96 96 96 96 96 96 96 98 490 490 98 98 98 98 98 98 98 98 98 98 Тип прибора КТ3187В-91 КТ3189А-9 КТ3189Б-9 КТ3189В-9 КТ3191А-9 КТ3191А-91 КТ3192А-9 КТ3196А-9 КТ3197А-9 КТ3198А КТ3198Б КТ3198В КТ3198Г KT319A-l КТ319Б-l KT319B-l КТ321А КТ321Б КТ321В КТ321Г КТ321Д КТ321Е 1 KT324A-l КТ324Б-1 KT324B-l КТ324Г-l КТ324Д-l KT324E-l КТ325А КТ325Б КТ325В КТ325АМ КТ325БМ КТ325ВМ КТ326А КТ326Б КТ326АМ КТ326БМ KT331A-l КТ331Б-l KT331B-l КТ331Г-l KT332A-l КТ332Б-l KT332B-l КТ332Г-l КТ332Д-l КТ333А-3 КТ333Б-3 КТ333В-3 КТ333Г-3 КТ333Д-3 КТ333Е-3 КТ336А КТ336Б КТ336В КТ336Г КТ336Д КТ336Е КТ337А КТ337Б Стр. 98 98 98 98 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 102 104 104 104 104 104 104 104 104 104 104 104 104 104 104
Алфаfwтно-цифровой указатель приборов в пособии Тип прибора Стр. Тип КТ361В КТ340В 104 104 104 104 104 104 104 104 104 104 КТ340Г 104 КТ361М КТ340Д 104 104 104 104 104 106 106 106 106 106 КТ361Н КТ337В КТ339АМ КТ339А КТ339Б КТ339В КТ339Г КТ339Д КТ340А КТ340Б КТ342А КТ342Б КТ342В КТЗ42Г КТ342АМ КТ342БМ КТ342ВМ КТ342ГМ КТ342ДМ КТ361Г КТ~61П КТ361Д КТ36Щ1 КТЗ61Е КТ361Ж КТ361И КТ361К КТ361Л КТ361П КТ361А-2 КТ361А-3 КТ361Б-2 КТ361В-2 КТ361Г-2 КТ361Г-3 КТ36Щ-2 КТ361Д-3 КТ34ЗА )06 КТ361Е-2 КТ34ЗБ 106 106 106 106 106 106 106 106 106 106 106 106 106 106 108 108 108 108 108 108 108 108 108 108 108 108 108 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 КТ361Ж-2 КТ343В КТ345А КТ345Б КТ345В КТ347А КТ347Б КТ347В КТ348А-3 КТ348Б-3 КТ348В-3 КТ349А КТ349Б КТ349В КТ350А КТ351А КТ351Б КТ352А КТ352Б КТ354А-2 КТ354Б-2 КТ355А КТ355АМ КТ357А КТ357Б КТ357В КТ357Г КТ358А КТ358В КТ358В КТ359А-3 КТ359Б-3 КТ359В-3 КТ360А-1 КТ360Б-1 КТ360В-1 КТ361А КТ361А1 КТ361Б / КТ361И-2 КТ361К-2 КТ361Л-2 КТ361М-2 КТ361Н-2 КТ361П-2 КТ363А КТ363Б КТ363АМ КТЗ63БМ КТ364А-2 КТ364Б-2 КТ364В-2 КТ366А КТ366Б КТ366В КТ368А КТ368Б КТ368А-5 КТ368А-9 КТ368Б-9 КТ368АМ КТ368БМ КТ369А КТ369Б КТ369В. КТ369Г КТ369А-1 КТ369Б-1 КТ369В-1 KT369f-1 КТ370А-1 КТ370Б-1 КТ370А-9 КТ370Б-9 КТ371А КТ371АМ КТ372А Тип Стр.. прибора -· 110 110 110 110 110 i 10 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 110 112 112 112 112 112 112 112 112 112 112 112 112 112 112 112 114 114 114 114 114 114 114 114 114 114 114 114 114 114 114 114 116 9 прибора КТ381Г КТ381Д 116 КТ511К9 КТ381Е 116 116 116 118 118 118 118 118 118 118 118 120 120 120 120 120 120 120 120 120 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 122 КТ512А9 КТ372В КТЗ73А КТ373Б КТ373В КТ373Г КТ375А КТ375Б КТ379А КТ379Б КТ379В КТ379Г КТ380А КТ380Б КТ380В КТ381Б КТ381В КТ382А КТ382Б КТ382АМ КТ382БМ КТ384А~ КТ384АМ КТ385А-2 КТЗ85АМ КТ388Б-2 КТ388БМ-2 КТ389Б-2 КТЗ91А-2 КТ391Б-2 КТ391В-2 КТ392А-2 КТ396А-2 КТ396А-9 КТ397А-2 КТ399А КТЗ99АМ КТ501А КТ501Б КТ501В КТ501Г ктsощ КТ501Е КТ501Ж КТ601И КТ501К КI501Л КТ501М КТ502А КТ502Б КТ502В КТ502Г КТ502Д КТ502Е КТ503А КТ503Б ~ КТ503В ктsозr Стр. прибора 116 116 · 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 116 КТ372Б ' Тип Стр. КТ503Д КТ503Е КТ504А КТ504Б КТ504В КТ505А КТ505Б КТ506А КТ506Б КТ509А КТ511А9 КТ5НБ9 КТ511В9 КТ511Г9 КТ51Щ9 КТ511Е9 КТ511Ж9 КТ5НИ9 КТ512Б9 КТ512В9 КТ512Г9 КТ512Д9 КТ512Е9 КТ512Ж9 КТ512И9 КТ512К9 КТ513А9 КТ51ЗБ9 КТ513В9 КТ513Г9 КТ513Д9 КТ514А9 КТ514Б9 КТ514В9 КТ514Г9 КТ514Д9 КТ515А9 КТ515Б9 КТ515В9 КТ516А9 КТ516Б9 КТ516В9 КТ517А КТ517Б КТ517В КТ517Г КТ517Д КТ517Е КТ517А-1 КТ517Б-1 КТ517В-1 КТ517Г-1 КТ517Д-1 КТ517Е-1 КТ517А-9 КТ517Б-9 КТ517В-9 КТ517Г-9 КТ517Д-9 - 122 122 122 122 122 122 122 122 122 124 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 490 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492 492/ 492 492 492 492 492 492
Алфавитно-цифровой_ указатель приборов в пособии 10 Тип прибора КТ517Е-9 КТ519А КТ519Б КТ519В КТ520А КТ520Б КТ521А КТ521Б КТ523А КТ523Б КТ523В KT523f КТ523Д КТ523А9 КТ523Б9 КТ523В9 KT523f9 КТ523Д9 КТ524А КТ524А-5 КТ525А КТ525А-5 КТ526А КТ526А-5 КТ528А9 КТ528Б9 КТ528В9 KT528f9 КТ528Д9 КТ601А КТ601АМ КТ602А КТ602Б КТ602В KT602f КТ602АМ КТ602БМ КТ603А КТ603Б КТ603В КТ603Г КТ603Д КТ603Е КТ603И КТ604А КТ604Б КТ604АМ КТ604БМ КТ605А КТ605Б КТ605АМ КТ605БМ КТ606А КТ606Б КТ607А-4 КТ607Б-4 КТ608А КТ608Б КТ6109А КТ6109Б КТ6109В ' Стр. 492 492 492 492 492 492 494 494 494 494 494 494 494 494 •494 494 494 494 494 494. 494 494 494 496 496 496 496 496 496 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 124 126 126 126 126 126 126 126 126 126 126 126 126 126 126 126 тип Стр. прибора КТ6109Г КТ6109Д КТ610А КТ610Б КТ6102А КТ6103А КТ6104А КТ6105А КТ6107А КТ6108А K'f611A КТ611Б КТ611В KT611f КТ611АМ КТ611БМ КТ6НОА КТ6110Б КТ6110В ' KT6110f КТ6110Д КТ6111А КТ6111Б КТ6111В КТ6111Г КТ6112А КТ6112Б КТ6112В КТ6113А КТ6113Б КТ6113В КТ6НЗГ КТ6113Д КТ6113Е КТ6114А КТ6114Б КТ6114В KT6114f КТ6114Д КТ6114Е КТ6115А КТ6115Б КТ611~В КТ6115Г КТ6115Д КТ6115Е КТ6116А КТ6117А КТ6127А Кt6127Б КТ6127В KT6127f КТ6127Д КТ6127Е КТ6127Ж КТ6127И КТ6127К КТ6128А КТ6128Б КТ6128В KT6128f . Тип прибора КТ6128Д 126 КТ6128Е 126 КТ6129А-9 128 КТ6129Б-2 128 КТ6130А-9 128 КТ6133А 128 КТ6133Б 128 КТ6133В 128 128 КТ61З4А КТ6134Б 128 КТ6134В 128 КТ6135А 128 КТ6135Б 128 КТ6135В 128 КТ6135Г 128 КТ6136А 128 128 КТ6137А КТ6138А 128 КТ6138Б 128 КТ6138В 128 КТ6138Г 128 КТ6138Д 128 КТ6139А 128 КТ6139Б 128 КТ6139В 128 KT6139f 128 КТ6139Д 128 КТ6140А 128 КТ616А 128 КТ616Б· 128 КТ617А 128 КТ618А 128 КТ620А 128 КТ620Б 128 КТ624А-2 130 КТ624АМ-2 130 КТ625А 130 КТ625АМ 130 КТ625АМ-2 130 КТ626А 130 КТ626Б 130 КТ626В 130 KT626f 130 130/ . КТ626Д КТ629А-2 130 КТ629Б·2 130 КТ629БМ-2 130 КТ630А 130 КТ630Б 130 КТ630В 130 KT630f 130 КТ630Д 13Q КТ630Е 130 'КТ630А-5 130 КТ6ЗОБ-5 130 КТ630В-5 130 KT630f-5 130 . КТ632Б 496 КТ632Б-1 496 КТ633А 496 КТ63ЗБ 496 Стр. 496 496 130 130 132 132 132 132 132 132 132 132 132 132 132 496 496 496 496 496 496 496 496 496 496 496 496 496 132 132 132 132 134 134 134 134 134 134 134 134 134 134 134 134 134 134 136 136 136 136 136 136 136 136· 136 136 136 136 . 136 136 136 Тип Стр. прибора КТ634А-2 КТ6З4Б-2 КТ635А КТ635Б КТ637А-2 КТ63~-2 КТ638А КТ638А1 КТ639А КТ639Б КТ639В KT639f КТ639Д КТ639Е КТ639Ж КТ639И КТ639А-1 КТ639Б-1 КТ639В-1 KT639f-l КТ639Д-1 КТ639Е-1 КТ639Ж-1 КТ639И-1 КТ640А-2 КТ640Б-2 КТ640В-2 КТ642А-2 КТ642А-5 КТ643А-2 КТ644А КТ644Б КТ644В KT644f КТ645А КТ645Б КТ646А КТ646Б КТ647А-2 КТ647А-5 КТ648А-2 КТ648А-5 КТ657А-2 КТ657Б-2 КТ657В-2 КТ657А-5 КТ657Б-5 КТ657В-5 КТ659А КТ660А КТ660Б КТ661А КТ662А КТ664А-9 КТ664Б-9 КТ665А-9 КТ665Б-9 КТ666А-9 КТ667А-9 КТ668А КТ668Б , 136 136 138 138 138 138 138 496 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 138 t38 138 140 140 140 140 140 140 140 140 140 140 140 140 142 142 142 142 142 142 142 142 142 142 142 142 144 144 144 144 144 144 144 144 144
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии Тип прибора Стр. Тип прибора К1722А КТ68ЗБ 144 514 144 146. 146 146 146 146 146 146 КТ68ЗВ Н6 КТ734Б ктвsзr КТ734В КТ685Е 146 146 146 146 146 146 146 146 146 146 146 146 КТ685Ж Н6 КТ737В КТ686А 146 146 146 146 146 146 146 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 148 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 КТ737f КТ668В КТ677А КТ680А КТ681А КТ682А-2 КТ682Б-2 КТ682А-5 КТ682Б-5 КТ68ЗА КТ68ЗД КТ68ЗЕ КТ684А КТ684Б КТ684В КТ685А КТ685Б КТ685В КТ685Г КТ685Д КТ686Б КТ686В KT686f КТ686Д КТ686Е КТ686Ж КТ692А КТ695А КТ698А КТ698Б КТ698В KT698f КТ698Д КТ698Е КТ698Ж КТ698И КТ698К 0701 П701А П701Б Пi02 П702А КТ704А КТ704Б КТ704В КТ710А КТ712А КТ7l2Б КТ715А КТ716А КТ716Б КТ716В KT716f КТ719А КТ720А КТ721А КТ72ЗА КТ724А КТ728А КТ729А КТ729Б КТ7ЗОА КТ732А КТ7ЗЗА КТ734А КТ734Г КТ735А КТ735Б КТ735В кттзsr КТ736А КТ736Б КТ736В КТ736f КТ737А КТ737Б КТ740А КТ740А1 КТ801А КТ801Б КТ802А КТ80ЗА КТ805А КТ805Б КТ805АМ КТ805БМ КТ805ВМ КТ807А КТ807Б КТ807АМ КТ807БМ КТ808А КТ808А1 КТ808Б1 КТ808В1 J{T808f1 КТ808АЗ КТ808БЗ КТ808АМ КТ808БМ КТ808ВМ ктsоsrм КТ.809А КТ8101А КТ8101Б КТ8102А КТ8102Б КТ8104А КТ8_105А КТ8106А КТ8106Б КТ8107А Стр. 11 Тип прибора 150 · 1so 150 150 152 152 152 498 498 498 498 498 498 498 498 498 498 498 498 498 498 498 498 . 498 498 500 КТ8107Б 500 КТ8114А 152 152 152 152 152 152 . 152 152 152 154 154 154 154 154 500 КТ8Н4Б 500 500 КТ8121:& 500 154 154 154 154 154 154 154 154 154 154 154 156 156 156 156 156 КТ8121Б-1' КТ8107В КТ8107Г КТ8107Д КТ8107Е КТ8107А2 КТ8107р2 КТ8107В2 KT8107f2 КТ8107Д2 КТ8107Е2 КТ8108А КТ8108Б КТ8108В КТ8108А-1 КТ8108Б-1 КТ8108В-1 КТ8109А КТ8109Б КТ8110А КТ811ОБКТ8110В КТ8111А9 КТ8111Б9 КТ8111В9 КТ8112А КТ8115А КТ8115Б КТ8115В КТ8116А КТ8116Б КТ8116В КТ8117А КТ8Ц7Б КТ8118А КТ812А КТ812:& КТ812В КТ8120А КТ8121А КТ8121А-1 КТ8121А-2 КТ8121Б-2 КТ812ЗА КТ8124А КТ8124Б КТ8124В КТ8125А КТ8125Б КТ8125В КТ8126А КТ8127А КТ8127:& КТ8127В КТ8127А-1 КТ8127Б-1 КТ8127В-1 Тип Стр. 156 156 156 156 156 156 . 156 156: 156 156 156 156 156 156 156 156 156 156 156 156 156 156 500 500 500 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 158 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 160 прибора КТ8129А КТ81ЗОА КТ81ЗОБ КТ81ЗОВ КТ8131А КТ8131Б КТ8131В КТ8134А КТ81ЗSА КТ8136А КТ8136А-1 КТ8137А КТ8138А КТ8138Б КТ8138В ктstзsr КТ8138Д КТ8138Е КТ8138Ж КТ8138И КТ8140А КТ8140А-1 КТ8141А КТ8141Б КТ8141В KT8141f КТ814А КТ814Б КТ814В KT814f КТ814ЗА КТ814ЗБ . КТ814ЗВ КТ814Зf КТ814ЗД КТ814ЗЕ КТ814ЗЖ КТ81433 КТ814ЗИ КТ814ЗК КТ814ЗЛ КТ814ЗМ КТ814ЗН КТ814ЗП КТ814ЗР КТ814ЗС КТ814ЗТ КТ814ЗУ КТ814ЗФ КТ8144А КТ8144Б КТ8145А КТ8145:& КТ8146А КТ8146Б КТ8147А КТ8147Б КТ8149А КТ8149А-1 КТ8149А-2 КТ8150А Стр. 160 162 162 162 162 162 162 500 500 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 162 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 164 166 166
12 Алфавитно-цифровой указатель приб.оров в пособии Тип прибора Тип Стр. прибора < КТ8150А-1 lбб КТ818ВМ КТ8150А-2 166 166 166 166 166 166 166 166 166 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168 500 168 168 168 168 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 170 172 172 КТ818ГМ КТ8154А КТ8154Б КТ8155А КТ8155Б КТ8156А КТ8156Б КТ8157А КТ8157Б КТ8158А КТ8158Б КТ8158В КТ8159А КТ8159Б КТ8159В КТ815А КТ815Б КТ815В КТ815Г КТ8164А КТ8164Б КТ816А КТ816Б КТ816В КТ816Г КТ816А-2 КТ8170А-1 КТ8171А КТ8175А КТ8175Б КТ8175А-1 КТ8175Б-1 КТ8176А КТ8176Б КТ8176В КТ8177А КТ8177Б КТ8177В КТ817А КТ817Б КТ817В КТ817Г КТ817Б-2 КТ817Г-2 КТ8181А КТ8181Б КТ8182А КТ8182Б КТ8183А КТ818ЗБ КТ8183А-1 КТ8183Б-1 КТ8183А-2 КТ8183Б-2. КТ818А КТ818Б КТ818В КТ818Г КТ818АМ КТ818БМ КТ818А-1 КТ818Б-1 КТ818В-1 КТ818Г-1 КТ8196А КТ8197А-2 КТ8197Б-2 КТ8197В-2 КТ8199А КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г КТ819АМ КТ819БМ КТ819ВМ КТ819ГМ КТ819А-1 КТ819Б-1 КТ819В-1 КТ819Г-1 КТ8201А КТ8203А КТ8205А КТ8207А КТ8209А КТ820А-1 КТ820Б-1 КТ820В-1 КТ821А-1 КТ821Б-1 КТ821В-1 КТ822А-1 КТ822Б-1 КТ822В-1 КТ8231А КТ8231А1 КТ8231А2 KT8232Al КТ8232Б1 КТ8233А5 КТ8233Б5 КТ8233В5 КТ8234А5 КТ8234Б5 КТ8234В5 КТ8235А КТ823А-1 КТ82ЗБ-1 КТ823В-1 КТ8240А5 . КТ8240Б5 КТ8240В5 КТ8240Г5 КТ8240Д5 КТ8240Е5 КТ8240Ж5 КТ8241А5 КТ8241Б5 - Стр. 172 172 172 172 172 172 502 502 502 502 502 172 172 172 172 172 172 172 172 ' 172 172 172 172 502 502 502 504 504 172 172 172 172 172 172 172 172 172504 504 504 504 504 504 504 504 506 506 506 506 172 172 172 506 506 506 506 506 506 506 506 506 Тип Стр. прибора Тип прибора КТ837М КТ8242Б5 506 506 506 506 506 506 506 КТ8242В5 506 КТ837Ф КТ8243А5 КТ838А КТ8243Б5 506 506 КТ8243В5 . 506 КТ839А КТ8241В5 КТ8241Г5 КТ8241Д5 КТ8241Е5 КТ8241Ж5 КТ8242А5 КТ8244А5 КТ8244Б5 КТ8244В5 КТ8244Г5 КТ8245А5 КТ8245Б5 КТ8245В5 KT8245f5 КТ8246А КТ8246Б КТ8246В KT8246f КТ8250А КТ8250Б КТ825Г КТ825Д КТ825Е КТ826А КТ826Б КТ826В КТ827А КТ827Б КТ827В КТ828А КТ828Б КТ828В КТ828Г КТ829А КТ829Б КТ829В КТ829Г КТ830А КТ830Б КТ830В ктsзоr КТ834А КТ834Б КТ834ВКТ835А КТ835Б КТ837А КТ837Б КТ837В КТ837Г КТ837Д КТ~37Е КТ837Ж КТ837И КТ837К КТ837Л - 506 506 506 506 506 506 506 506 508 508 508 508 508 508 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 1 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 174 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 КТ837Н КТ837П КТ837Р КТ837С КТ837Т КТ837У КТ838Б КТ840А КТ840Б КТ840В КТ841А КТ841Б КТ841В КТ841Г КТ841Д КТ841Е КТ842А КТ842Б КТ842В КТ844А КТ845А КТ846А КТ846Б КТ846В КТ847А КТ848А КТ850А КТ850Б КТ850В КТ851А КТ851Б КТ851В КТ852А КТ852Б КТ852В КТ852Г КТ853А КТ853Б КТ85ЗВ КТ853Г КТ854А КТ854Б КТ855А КТ855Б КТ855В КТ856А КТ856Б КТ856А-1 КТ856Б-1 КТ857А КТ858А КТ859А КТ862Б КТ862В КТ862Г КТ863А КТ863Б J Стр. 176 176 176 176 176. 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 176 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 178 180 180
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии 13 1 Тип прибора КТ863В КТ864А КТ865А КТ866А КТ866Б КТ867А КТ868А КТ868Б КТ872А КТ872Б КТ872В КТ874А КТ874Б КТ878А КТ878Б КТ878В КТ879А КТ879Б КТ885А КТ885Б КТ886А-1 КТ886Б-1 КТ887А КТ887Б КТ888А КТ888Б КТ890А КТ890Б КТ890В КТ892А КТ892Б КТ892В КТ89ЗА КТ896А КТ896Б КТ897А КТ897Б КТ898А КТ898Б КТ898А-1 КТ898Б-1 КТ899А КТ902А КТ902АМ К'Г903А КТ903Б КТ904А КТ904Б КТ907А КТ907Б КТ908А КТ908Б КТ909А КТ909Б КТ909В КТ909Г КТ9101АС КТ9104А КТ9104Б КТ9105АС КТ9109А Тип Стр. 180 180 180 180 180 180 180 180 180 180 180 180 180 180 180 180 182 1'82 182 182 182 182 182 182 182 182 182 182 182 182 182 182 184 184 184 184 184 184 184 184 184 184 184 186 186 186 186 186 186 186 186 186 186 186 186 186 186 186 186 188 188 прибора КТ9111А КТ9116А КТ9116Б' КТ911А - КТ911Б КТ911В КТ911Г КТ912А КТ912Б КТ913А КТ913Б КТ913В КТ9115А КТ911рБ КТ9120А КТ9121А КТ9121Б КТ9121В КТ9121Г КТ9125АС КТ9126А КТ9127А КТ9127Б КТ9128АС КТ9130А КТ9131А КТ9132АС КТ9133А КТ9134А КТ9134Б КТ9136АС КТ914А КТ9141А КТ9141А-1 КТ9142А КТ9143А КТ9143Б КТ9143В КТ9144А-5 КТ9144А-9 КТ9145А-5 КТ9145А-9 КТ9146А КТ9146Б КТ9146В КТ9147АС КТ9150А КТ9151А КТ9152А КТ9153АС КТ9153БС КТ9155А КТ9155Б КТ9155В КТ9156АС КТ9156БС КТ9157А КТ9160А КТ9160Б КТ9160В КТ9161АС Стр. 188 188 188 188 188 188 188 188 188 188 188 188 508 508 190 190 190 190 190 190 190 190 190 190 190 508 508 192 192 192 192 192 192 192 192 194 194 194 194 194 194 194 194 194 194 508 194 194 194 508 196 196 196 196 510 196 196 196 196 196 196 Тип прибора КТ9164А KT916GA КТ916А КТ916Б КТ9173А КТ9174А КТ9176А КТ9177А КТ9180А КТ9180Б КТ9180В КТ9180Г \ КТ9181А КТ9181Б КТ9181В КТ9181Г КТ9189А-2 КТ9189Б-2 КТ9189В-2 КТ918А-2 КТ918Б-2 КТ9182А КТ9190А КТ9190А-4' КТ9192А-2 КТ9192Б-2 КТ9193А КТ9193Б КТ9193А-4 КТ9193Б-4 КТ919А КТ919Б КТ919В КТ919Г КТ920А КТ920Б КТ920В КТ920Г КТ921А КТ921Б КТ922А КТ922Б КТ922В КТ922Г КТ922Д КТ925А КТ925Б КТ925В КТ925Г КТ926А КТ926Б КТ927А КТ927Б КТ927В КТ928А КТ928Б КТ928В КТ929А КТ930А КТ930Б КТ931А Стр. 196 196 196 196 198 198 198 198 198 198 198 198 198 198 198 198 510 510 510 198 198 198 510 510 512 512 512 512 512 512 198 198 198' 198 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 202 202 202 Тип прибора КТ932А КТ932Б КТ932В КТ9ЗЗА КТ9ЗЗБ КТ934А КТ934В КТ934В КТ934Г КТ934Д КТ935А КТ936А КТ936Б КТ937А-2 КТ937Б-2 КТ938А-2 КТ938Б-2 КТ939А КТ939Б КТ940А КТ940А1 КТ940А9 КТ940Б КТ940Б1 КТ940Б9 КТ940В КТ94ОВ1 КТ940А-5 КТ940Б-5 КТ940В-5 КТ942В КТ94ЗА КТ94ЗБ КТ94ЗВ КТ94ЗГ Кt94ЗД КТ944А КТ945А .КТ945Б КТ945В КТ945Г КТ946А КТ947А КТ948А КТ948Б КТ955А КТ956А КТ957А КТ958А КТ960А КТ961А КТ961А1 КТ961Б КТ961Б1 КТ961В КТ961В1 КТ961Г КТ962А КТ962Б КТ962В КТ96ЗА-2 ' / Стр. 202 202 202 202 202 202 202 202 202 202 202 202 202 204 204 204 204 204 '204 204 512 512 204 512 512 204 512 204 204 204 204 204 204 204 204 204 206 206 514 514 514 206 206 206 206 206 206 206 208 208 208 514 208 514 208 514 208 208 208 208 208
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии 14 Тиn прибора КТ96ЗБ-2 КТ96ЗА-5 КТ96ЗБ-5 КТ965А КТ966А КТ967А КТ969А КТ969А1 КТ969А-5 КТ970А КТ971А КТ972А Стр. 208 208 208 208 208 210 210 514 210 210 210 210 Тип Стр. прибора Тип прибора КТ972Б 21р КТ981А КТ972В КТ98ЗА КТ_97ЗГ 514 514 210 210 514 514 КТ976А 2(0 КТ986А КТ977А 212 212 212 212 КТ986Б КТ972Г КТ97ЗА КТЭ7ЗБ КТ97ЗВ КТ979А КТ980А КТ980Б 212 212 212 212 212 212 212 214 214 214 214 214 КТ98ЗБ КТ98ЗВ КТ984А КТ984Б КТ985АС КТ986В КТ986Г КТ991АС Тип Стр. прибора КТ996А-2 КТ996Б-2 КТ996В-2 КТ996А-5 КТ996Б-5 КТ996В-5 КТ997А КТ997Б КТ997В КТ999А Стр. 214 214 214 214 214 214 214 214 214 214 Кремниевые сборки Тип прибора КТСЗОЗА-2 КТСЗIОЗА КТСЗIОЗБ КТСЗ10ЗА1 КТСЗ10ЗБ1 КТСЗ161АС КТСЗ174АС-2 КТСЗ81Б КТСЗ81В КТСЗ81Г КТСЗ8tд КТСЗ81Е КТСЗ93А Стр. 216 216 216 216 216 216 216 216 216 216 216 216 218 Тип Стр. прибора 218 218 218 218 218 218 218 218 218 218 218 218 218 КТСЗ9ЗБ КТСЗ9ЗА-1 КТСЗ9ЗБ-1 КТСЗ9ЗА-9 КТСЗ9ЗБ-9 КТСЗ94А-2 КТСЗ94Б-2 КТСЗ95А-1 КТСЗ95Б-1 КТСЗ95А-2 КТСЗ95Б-2 КТСЗ95В-2 КТСЗ98А-1 Тип прибора КТСЗ98Б-1 КТСЗ98А94 КТСЗ98Б94 КТС61ЗА КТС61ЗБ КТС61ЗВ КТС61ЗГ КТС622А КТС622Б КТС631А КТС631Б КТС631В КТС631Г Тип Стр. 218 220 220 220 220 220 220 220 220 220 220 220 220 прибора КТ674АС КТ69ЗАС К1НТ251 К1НТ661А К129НТ1А-1 К129НТ1Б-1 К129НТ1В-1 К129НТ1Г-1 К129НТtд-1 К129НТ1Е-1 К129НТ1Ж-1 К129НТ1И-1 Стр. 220 220 222 222 222 222 222 222 222 222 222 222 Полевые транзисторы Тип прибора АПЗ20А-2 АПЗ20Б-2 АПЗ24А-2 АПЗ24Б-2 АПЗ24В-2 АПЗ24Б-5 АПЗ25А-2 АПЗ26А-2 АПЗ26Б-2 АПЗ28А-2 АПЗЗОА-2 АПЗЗОБ-2 АПЗЗОВ-2 АПЗЗОВl-2 АПЗЗОВ2-2 АПЗЗОВЗ-2 АПЗЗ1А-2 АПЗЗ1А-5 АПЗЗ9А-2 АПЗ4ЗА-2 АПЗ4ЗА1-2 АПЗ4ЗА2-2 АПЗ4ЗАЗ-2 АПЗ44А-2 АПЗ44А1-2 АПЗ44А2-2 Стр. 234 234 ·234 234 234 234 234 234 234 236 236 236 236 236 236 236 236 236 236 236 236 236 236 238 238 238 Тип Стр. прибора АПЗ44АЗ-2 АП~44А4-2 АПЗ62А-9 АПЗ62Б-9 АПЗ79А-9 АПЗ79Б-9 АП602А-2 АП602Б-2 АП602В-2 АП602Г-2 АП602Д-2 АП60ЗА-2 АП603Б:2 АП60ЗА-1-2 АП60ЗБ-1-2 АП603А-5 АП60ЗБ-5 АП804А-2 АП604Б-2 АП604В-2 АП604Г-2 АП604А1-2 АП604Б1-2 АП604В1-2 АП604Г1-2 АП605А-2 , 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 238 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 240 Тип прибора Тип Стр. прибора АП967Г-2 АП9ЗОА-2 240 240 240 240 240 240 240 240 242 242 242 242 242 242 242 242 242 242 242 242 242 АП9ЗОБ-2 242 КП10ЗИР1 АП9ЗОВ-2 242 244 244 244 КШОЗКРI АП605А1-2 АП605А2-2 АП606А-2 АП606Б-2 АП606В-2 АП606А-5 АП606Б-5 АП606В-5 АП607А-2 АП608А-2 АП608Б-2 АП608В-2 АП608А-5 АП608Д-5 АП608Е-5 АП915А-2 АП915Б-2 АП925А-2 АП925Б-2 АП925В-2 АП967А-2 АП967Б-2 АП967В-2 АП967Д-2 АП967Е-2 АП967Ж-2 кп101r КП101Д КП101Е КШОЗЕ КП10ЗЕ9 КПIОЗЖ КП10ЗЖ9 КПIОЗИ КП10ЗИ9 КПIОЗК КП10ЗК9 КПIОЗЛ КП103Л9 КПIОЗМ КП10ЗМ9 КП10ЗЕР1 КП10ЗЖР1 КП10ЗЛР1 КП10ЗМР1 КП150 Стр. 244 244 244 244 244 244 244 244 516 244 516 244 516 244 516 244 516 244 516 244 244 244 244 244 244 244
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии 15 • Тип прибора КП201Е-1 КП201Ж-1 КП201И-1 КП201К-1 КП201Л-1 КП202Д-1 КП202Е-1 КП240 КП250 КП301Б КП301В КП301f КП302А КП302Б КП302В КП302f КП302АМ КП302БМ КП302ВМ КП302fМ КП303А КП303А9 КП303Б КП303Б9 КП303В КП303В9 кпзозr КП303f9 КП303Д КП303Д9 КП303Е КП303Е9 КП303Ж КП303Ж9 КП303И КП303И9 КП304А КПЗО!)Д КП305Е КП305Ж КП305И КП306А КП306Б КП306В КП307А КП307А1 "КП307Б ~ КП307Б1 КП307В КП307f КП307f1 КП307Д КП307Е КП307Е1 КП307Ж КП307Ж1 КП308А-1 КП308Б-1 КП308В-1 КП308f-1 КП308Д-1 Тип Стр. 244 244 244 244 244 246 246 246 246 246 246 246 246 246 246 246 246 246 246 246 246 516 246 516 246 516 246 516 246 516 246 516 246 516 246 516 246 248 248 248 248 248 248 248 248 516 248 516 248 248 516 248 248 516 248 516 248 248 248 248 248 прибора кnз~ол КП310Б К0312А КПЗ12Б КП313А КП313Б КП313В КП314А КП322А КП323А-2 КП323Б-2 КП327А КП327Б КП327В КП327f КП329А КП329Б КП340 КП341А КП341Б КП346А-9 КП346Б-9 КП346В-9 КП347А-2 КП350 КП350А КП350Б КП350В КП361А КП364А КП364Б КП364В КП364Г КП364Д КП364Е КП364Ж КП364И КП365А КП365Б КП382А КП401АС КП401БС КП402А КП403А КП440 КП450 КП501А КП501Б КП502А КП503А КП504А КП505А КП510 КП520 КП530 КП540 КП601А КП601Б КП610 КП620 КП630 Тип Стр. 248 248 248 248 248 248 248 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 252 252 252 252 252 .. 252 252 252 516 252 252 252 252 252 252 252 252 252 252 252 254 254 254 254 254 254 254 254 254 254 254 254 254 254 256 256 256 256 256 256 256 КП640 КП704А КП704Б КП705А КП705Б КП705В КП706А КП706Б КП706В КП707А КП707Б КП707В КП707А1 КП707Б1 КП707В1 КП707В2 КП708А КП708Б КП709А КП709Б КП710 КП712А КП712Б КП712В КП717А КП717Б КП717В КП717Г КП717Д КП717Е КП717А1 КП717Б1 КП717В1 КП717Г1 КП717Д1 КП717Е1 КП718А КП718Б КП718В КП718Г КП718Д КП718Е КП718А1 КП718Б1 КП718В1 КП718Г1 КП718Д1 КП718Е1 КП720 КП722А КП723А КП72ЗБ КП723В КП723Г КП724А КП724Б КП725А КП726А КП727А КП727Б КП727В. Тип Стр. прибора . 256 256 256 256 256 256 256 256 256 256 256 256 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 258 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 260 прибора КП727f КП727Д КП727Е КП727Ж КП728А КП730 КП730А КП731А Kll733A КП733Б КП733В-1 КП734А КП734Б КП734В КП734А-5 КП734Б-5 КП735А КП735Б КП735В КП735Г КП740 КП759А-5 КП759Б-5 КП759В-5 КП759Г-5 КП760А-5 КП760Б-5 КП760В-5 КП760Г-5 КП761А-5 КП761Б-5 КП761В-5 КП761Г-5 КП801А КП801Б КП801В КП801Г КП802А КП802Б КП804А КП805А КП805Б КП805В КП809А КП809Б КП809В КП809Г КП809Д КП809Е КП809А1 КП809Б1 КП809В1 КП809Г1 КП809Д1 КП809Е1 КП810А КП810Б КП810В КП812А1 КП812Б1 КП812В1 Стр. 260 260 260 260 262 262 262 262 262 262 262 516 516 516 516 516 516 516 516 516 262 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518. 518 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 264 266 266 266
~фавитно-цифровой указатель приборов в пособии 16' Тип КП81ЗА КП81ЗБ КП81ЗА1 КП81ЗБ1 КП81ЗА1-5 КП81ЗБ1-5 КП814А КП814Б КП814В КП814Г КП814Д КП814Е КП814Ж КП814И КП814К КП814Л КП814М КП814Н КП814П КП814Р КП814С КП814Т КП814У КП814Ф КП817А КП817Б ~ КП817В КП820 кпsзо КП840 КП901А КП901Б КП902А КП902Б КП902В КП90ЗА КП90ЗБ Тип Стр. прибора 266 266 266 266 266 266 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 518 266 266 266 266 266 266 266 266 268 268 КП90ЗВ КП904А КП904Б КП905А КП905Б КП905В КП907А КП907Б КП907В - КП908А КП908Б КП921А КП922А , КП922Б КП922А1 КП922Б1 КП92ЗА КП92ЗБ КП92ЗВ КП92ЗГ КП928А КП928Б КП934А КП934Б КП937А КП937А-5 КП938А КП938Б КП938В КП938Г КП938Д КП944А КП944Б КП945А КП945Б КП946А КП946Б Тип Стр. прибора 268 268 268 268 268 268 268 268 268 268 268 268 268 268 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 270 272 272 272 272 272 272 прибора Тип Стр. прибора КП960Б 272 272 272 272 272 272 272 272 272 272 272 272 272 272 272 272 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274 КП960В 2~4 КПСЗ16Е-1 КП961А 274 274 274 274 КПСЗ16Ж-1 КП948А КП948Б КП948В КП948Г КП951А-2 КП951Б-2 КП951В-2 КП95ЗА КП95ЗБ КП95ЗВ КП-95ЗГ КП95ЗД КП954А КП954Б КП954В КП954Г КП955А КП955Б КП956А КП956Б КП957А КП957Б КП957В КП958А КП958Б КП958В КП958Г КП959А КП959Б КП959В КП960А КП961Б КП961В КП961Г КП961Д КП961Е КП964А КП964Б КП964В КП964Г КП965А КП965Б КП965В КП965Г КП965Д КП971А КП971Б КП97ЗА КП97ЗБ КПС104А КПС104Б КПС104В КПС104Г КПС104Д КПС104Е КПС202А-2 КПС202Б-2 КПС202В-2 кпс202r-2 КПС20ЗА-1 КПС20ЗБ-1 КПС20ЗВ-1 кпс2озr-1 КПСЗ15А КПСЗ15Б КПСЗ16Д-1 КПСЗ16И-1 Стр. 274 274 274 274 274 274 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 276 Диоды, ,столбы, блоки Тип прибора Тип Стр. прибора 283 283 283 283 Д9Ж Д2Е 283 Д9М Д2Ж 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 ДIО Д2Б Д2В Д2Г Д2Д Д2И Д7А Д7Б Д7В Д7Г Д7Д Д7Е Д7Ж Д9Б Д9В Д9Г дзд Д9Е Д9И Д9К Д9Л ДIОА Д10Б Д101 Д101А Д102 Д102А Кд102А Кд102Б Д103 ДIОЗА Кд10ЗА Кд10ЗБ Д104 Тип Стр. 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 283 284 284 284 прибора Д104А Кд104 Д105 Д105А Кд105Б Кд105В Кд105Г Д106 Д106А Кд106А ГД107А ГД107Б Кд109А Кд109Б Кд109В АД110А АД112А ГД11ЗА Кд116А-1 Тип Стр. 284 284 284 284 284 284 284 284 284 284 284 284 285 285 285 285 285 285 285 прибора Кд116Б-1 Кд126А Кд127А Кд128А Кд128Б Кд128В Кд1ЗОАС Д202 КД202А Кд202В Кд202Д КД202Ж Кд202К Кд202М Кд202Р Д203 Кд20ЗА Кд20ЗБ Кд20ЗВ Стр. 285 530 530 530 530 530 530 285 285 285 285 285 285 285 285 285 286 286 286
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии Тип прибора кд2озr КД20ЗД КД20ЗЕ КД20ЗЖ КД20ЗИ КД20ЗК КД20ЗЛ КД20ЗМ Д204 КД204А КД204Б КД204В Д205 КД205А КД205Б КД205В КД205f КД205Д \ КД205Е КД205Ж КД205И КД205К КД205Л Д206 КД206А КД206Б КД206В Д207 Д208 КД208А· КД208А-1 Д209 КД209А КД209Б КД209В КД209А-1 КД209Б-1 КД209В-1 КД209f-1 Д210 КД210А КД210Б КД210В КД210f КД210А1 КД210Б1 КД210В1 КД210f1 Д211 КД212А КД212Б КД212В КД212f КД213А КД21ЗБ КД21ЗВ кд21зr Д214 Д214А Д214Б Д215 Тип Стр. 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 286 287 287 287 287 2&7 287 287 287 287 287 287 287 287 287 287 287 530 530 530 530 287 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 Д215А Д215Б МД217 МД218 МД218А КД221А КД221Б КД221В КД221f КД221А1 КД221Б1 КД221В1 КД221f1 КД221Д1 КД221Е1 КД222А-5 КД222Б-5 КД222В-5 Д223 Д22ЗА Д22ЗБ КД22ЗА Д226 Д226А Д226Е КД226А КД226Б КД226В КД226Г КД226Д КД226Е МД226 МД226А МД226Е КД227fС КД227ЕС КД227ЖС Д229А Д229Б Д229В Д229Г Д229Д Д229Е Д229Ж Д229И Д229К Д229Л Д231 Д231А Д231Б Д232 Д232А Д232Б Д233 Д233Б Д234Б Д237А Д237Б Д237В Д237Е Д237Ж Тип Стр. прибора .• 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 288 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 530 530 530 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 289 2S9 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 17 прибора КД237А КД237Б КД238АС КД238БС КД238ВС КД240А КД240Б КД240В :КД240f КД240Д ·Кд24ОЕ КД240Ж КД240И КД240К КД241А Д242 д242А д242Б Д243 Д24ЗА Д24ЗБ КД24ЗА КД24ЗБ КД24ЗВ КД24Зf КД24ЗД КД24ЗЕ КД24ЗЖ КД244А КД244Б КД244В КД244f Д245 Д245А Д245Б Д246 д246А д246Б д247 Д247Б КД247А КД247Б КД247В КД247f КД247Д КД247Е Д248Б КД248А КД248Б КД248В КД248Г КД248Д КД248Е КД248Ж КД248И КД248К КД249А КД249Б КД249В КД257А кд257Б - Стр. 530 530 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 290 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 291 530 530 530 530 530 530 530 530 530 531 531 531 291 291 Тип Стр. прибора КД257В КД257Г КД257Д КД258А КД258Б КД258В КД258Г КД258Д - КД259А КД259Б КД259В IЩ268А ......... КД268Б КД268В КД268Г КД268Д КД268Е КД268Ж КД268И КД268К КД268Л КД269А КД269Б КД269В КД269Г КД269Д КД269Е КД269Ж КД269И КД269К КД269Л КД270А КД270Б КД270В КД270Г КД270Д КД270Е КД270Ж КД270И КД270К КД270Л КД271А КД271Б КД271В КД271Г КД271Д КД271Е КД271Ж КД271И КД271К КД271Л КД272А КД272Б КД272В КД272Г КД272Д КД272Е КД272Ж КД272И КД272К КД272Л ~ 291 291 291 292 292 292 292 292 531 531 531 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 ' 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292
Алфавитно-.цифровой указатель приборов в пособии 18 Тип прибора КД27ЗА КД27ЗБ КД27ЗВ КД27ЗГ КД27ЗД КД27ЗЕ КД27ЗЖ- КД27ЗИ кд27ЗК КД27ЗЛ КД27ЗАС КД27ЗБС КД27ЗВС КД27ЗГС КД27ЗДС КД27ЗЕС КД275А КД275Б КД275В КД275Г КД275Д КД275Е кд280А кд280Б КД280В КД280Г КД280Д КД280Е КД280Ж кд281А КД281Б КД281В КД281Г КД281Д кд281Е КД281Ж КД281И КД281К кд281Л КД281М КД281Н КД281П КД292АС КД292БС КД2988А КД2988Б КД2988В КД2989А КД2989Б КД2989В КД2989А-1 КД2989Б-1 КД2989В-1 КД2991А КД2994А КД2994Б КД2994В КД2994Г КД2995А КД2995Б КД2995В Тип Стр. 292 292 292 292 292 292 292 292 292 292 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 531 293 293 293 532 532 532 532 532 532 293 293 293 293 293 293 293 293 прибора кд2995Г КД2995Д КД2996А КД2996Б КД2996В КД2997А КД2997Б КД2997В КД2998А КД2998Б КД2998В КД2998Г КД2998Д КД2999А КД2999Б КД2999В ДЗ02 Д303 ДЗО4 ДЗ05 КД401А КД401Б ГД402А ГД402Б ГД403АГД40ЗБ ГД40ЗВ КД407А КД409А КД409А-9 КД409Б-9 КД410А КД410Б КД411А КД411Б КД411В КД411Г КД411АМ КД411БМ КД411ВМ КД411ГМ КД412А КД412Б КД412В КД412Г КД41ЗА КД413Б КД416А КД416Б КД417А КД419А КД419Б КД419В КД419Г КД419Д КД424А КД424В КД424Г КД50ЗА_ _КД50ЗБ КД503В Стр. 293 293 293 293 293 293 293 293 293 293 293 293 293 294 294 294 294 294 2,g.4 294 294 294 294 294 294 294 294 294 294 294 294 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 295 ' 295 295 532 532 296 296 296 Тип прибора КД504А ГД507А ГД508А ГД508Б КД509А КД510А КД512А КД512А1 КД51ЗА КД514А КД514А1 АД516А АД516Г КД518А КД519А КД519Б КД520А КД521А КД521Б КД521В КД521Г КД521Д КД521А2 КД521Б2 КД521А9 КД522А КД522Б КД522А2 КД522Б2 КД522Б9 КД529А КД529Б КД529В КД529Г КД532А ;кд629АС КД636АС КД636БС КД636ВС КД636ГС КД636ДС КД636ЕС КД704АС КД706АС9 КД707АС9 КД708А КД708Б КД708В КД710А КДiНА КД80ЗАС9 КД805А КД805А9 КД808А КД810Х КД811А КД811Б КД811В КД811А-9 КД811Б-9 КД811В-9 Тип Стр. 296 296 296 296 296 296 296 532 296 297 532 297 297 297 297 297 297 297 297 297 297 297 297 297 532 297 297 297 297 532 298 298 298 298 532 298 533 533 533 533 533 533 298 298 298 533 533 533 533 533 298 298 533 298 533 299 299 299 299 299 299 прибора КД812А КД812Б КД812В КД901А-1 КД1JО1Б-1 КД901В-1 КД9{)1Г-1 КД90ЗА КД903Б КД904А-1 КД904Б-1 КД904В-1 КД904Г-.1 КД904Д-1 КД904Е-1 КД906А КД906Б КД906В КД906Г КД906Д КД906Е КД907Б-1 КД1JО7В-1 КД908А КД908АМ КД909А КД910А-1 КД910Б-1 КД910В-1 КД911А-1 КД911А-1 КД912А-3 КД912Б-З КД912В-3 КД91ЗА-З КД914А КД914Б КД914В КД917А КД917АМ КД918Б-1 КД918В-1 КД919А КД921А КД921Б КД922А КД922Б КД922В КД92ЗА КД927А Д1004 Д1005А Д1005Б Д1006 Д1007 Д1008 Д1009 Д1009А Д1011 КДС111А КДС111Б Стр. 533 533 533 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 299 300 300 300 300 300 300 300 300 ' 300 300 301 301 301 301 301 301 301 301 301 301 301 302 533 533 302 302 302 302 534 302 302 302 302 302 302 302 302 303 303 303
Алфавитно-цифровой указатель приборов-в пособии Тип Стр. прибора КДС111В КДС111А2 _ КДС111Б2 КДС111В2 КДСJЗ2А1 КДС132Б1 КДС132В1 КДС1ЗЗА1 КДС1ЗЗБ1 КДС1ЗЗВ1 КДС41ЗА КДС41ЗБ КДС41ЗВ КДС414А КДС414Б КДС414В КДС415А КДС415Б КДС415В КДС52ЗА КД~52ЗБ КДС52ЗВ КДС52ЗГ КДС52ЗАМ КДС52ЗБМ КДС52ЗВМ КДС52ЗГМ КДС525А КДС525Б КДС525В КДС525Г ' КДС525Д КДС525Е КДС525Ж КДС525И КДС525К КДС525Л КДС526А КДС526Б КДС526В КДС627А КДС628А КЦ10ЗА КЦ105В 303 535 435 535 535 535 535 535 535 535 303 303 303 303 303 303 303 303 303 303 303 303 303 304 304 304 304 304 304 304 304 304 304 304 304 304 304 305 305 305 305 305 534 305 Тип прибора КЦ105Г КЦ105В КЦ106А КЦ106Б КЦ106В КЦ106Г КЦ106Д КЦ108А КЦ108Б КЦ108В КЦ109А КЦ109АМ КЦ111А КЦ114А КЦ114Б КЦ117А КЦU7Б КЦ118А КЦ118Б КЦ122А КЦ122Б КЦ122В КЦ201А КЦ201Б КЦ201В КЦ201Г КЦ201Д КЦ201Е КЦ206А КЦ206Б КЦ206В КЦ208А КЦЗ02А КЦ302Б КЦЗО2В к·цзо2r КЦЗОЗА КЦЗОЗБ кцзозв кцзозr кцзозд - КЦЗОЗЕ кцзозж КЦЗОЗИ Тип Стр. 305 305 306 306 306 306 306 306 ' 306 306 306 534 306 306 306 306 306 534 534 534 534 534 306 306 307 307 307 307 534 534 534 307 534 534 534 534 534 534 534 534 534 534 534 534 19 прибора Стр. 534 534 534 534 307 307 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 308 309 309 309 309 309 309 КЦЗОЗК кцзозл кцзозм кцзозн КЦ401А КЦ401Г КЦ402А КЦ402Б КЦ402В КЦ402Г КЦ402Д КЦ402Е КЦ402Ж КЦ402И КЦ40ЗА КЦ40ЗБ КЦ40ЗВ КЦ40ЗГ КЦ403Д КЦ403Е КЦ403Ж КЦ40ЗИ КЦ404А КЦ404Б КЦ404В КЦ404Г КЦ404Д КЦ404Е КЦ404Ж КЦ404И КЦ405А КЦ405Б КЦ405В КЦ405Г КЦ405Д КЦ405Е КЦ405Ж КЦ405И КЦ407А КЦ409А КЦ409Б КЦ409В КЦ409Г КЦ409Д Тип прибора КЦ409Е КЦ409Ж КЦ409И КЦ410А КЦ410Б КЦ410В КЦ412А КЦ412Б КЦ412В КЦ417А КЦ417Б КЦ417В КЦ418А . КЦ418Б КЦ418В КЦ418Г КЦ418Д КЦ419А КЦ419А1 КЦ419А2 КЦ419Б КЦ419Б1 КЦ419Б2 КЦ419В КЦ419В1 КЦ419В2 КЦ419Г КЦ419Г1 КЦ419Г2 КЦ419Д КЦ419Д1 КЦ419Д2 КЦ419Е КЦ419Е1 КЦ419Е2 КЦ419Ж КЦ419Ж1 КЦ419Ж2 КЦ422А КЦ422Б КЦ422В КЦ422Г ГД404АР Стр. 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 309 534 534 534 534 535 Варикапы Тип прибора Д901А Д901Б Д901В Д901Г Д901Д Д901Е Д902. КВ101А КВ102А КВ102Б КВ102В кв102r Стр. 322 322 322 322 322 322 322 310 310 310 310 310 Тип прибора КВ102Д КВ10ЗА КВ10ЗБ КВ104А КВ104Б КВ104В КВ104Д КВ104Е КВ105А КВ105Б КВ106А КВ106Б Стр. 310 310 310 310 310 310 310 310 310 310 310 310 • Тип прибора КВ107А КВ107Б КВ107В КВ107Г КВ109А КВ109Б КВ109В КВ109Г КВ109А-1 КВ109Б-1 КВ109В-1 КВ109Г-1 Стр. 310 310 310 310 310 310 310 310 312 312 312 312 Тип прибора КВ109А-4 КВ109Б-4 КВ109В-4 КВ109Г-4 КВ109Д-4 КВ109Е-4 КВ109Ж-4 КВ109А-5 КВ109Б-5 КВ109В-5 КВ109Г-5 КВ109Д-5 Стр. 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии 20 Тип КВ109Е-5 КВ109Ж-5 КВН О А КВН ОБ КВ110В квноr I(ВНОД КВ110Е КВС111А КВС111Б КВCtttA-2 КВС111Б-2 КВС111В-2 квс111r-2 КВ112А-1 КВ112Б-t КВ113А КВ113Б КВ114А КВ114Б КВ115А КВ115Б КВ115В КВ116А-1 КВ117А КВ117Б - КВ119А КВС120А КВС120Б КВС120А-1 КВ121А КВ121Б Тип Стр. прибора . 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 312 314 314 314 314 314 314 314 314 314 314 314 314 прибора Стр. Тип прибора КВ130А-9 КВ121Б-3 314 314 316 316 316 316 316 КВ121В-3 ~16 КВ135А 316 316 316 316 316 316 316 316 316 316 316 316 316 316 316 316 318 318 318 318 318 318 318 318 КВ13GА КВ121А-1 КВ121Б-1 КВ121А-2 КВ121Б-2 КВ121В-2 КВ121А-3 КВ121А-9 КВ121Б-9 КВ121В-9 КВ122А КВ122Б КВ122В КВ122А-1 КВ122Б-1 КВ122В-1 КВ122А-4 КВ122Б-4 КВ122В-4 КВ122А-9 КВ122Б-9 КВ122В-9 КВ123А КВ126А-5 КВ126АГ-5 КВ127А КВ127Б КВ127В КВ127Г КВ128А КВ128АК КВ129А КВ130А КВ132А КВ131А-2 КВ134А КВ134А-1 КВ136Б КВ136В КВ136Г КВ138А КВ138Б КВ139А КВ140А-1 КВ140Б-1 КВ142А КВ142Б КВ143А КВ143Б КВ143В КВ144А КВ144Б КВ144В. КВ144Г КВ144А-l КВ144Б-1 КВ144В-1 КВ144Г-1 КВ146А КВ148А9 Стр. 318 318 318 318 318 318 318 320 320 320 320 320 320 320. ' 320 520 520 320 320 520 520 520 320 320 320 320 320 320 320 320 320 520 Тип прибора КВ148Б9 КВ148В9 КВ149А 1 КВ149А1 КВ149А2 КВ149А3 КВ149Б · КВ149Б1 КВ149Б2 КВ149Б3 КВ149В КВ149В1 КВ149В2 КВ149В3 КВ149Г3 КВ152А КВ153А-9 КВ154А КВ155А-9 КВ156А-9 КВ157А-9 КВ163А КВ163А9 КВ164А КВ164А9 КВ165А КВ165А9 КВ166А КВ166А9 Стр. 520 520 322 520 520 520 322 520 520 520 322 520 520 520 520 322 322 322 322 .322 322 520 520 522 522 522 522 522 Щ2 Стабилитроны и стабисторы Тип прибора Д219С Д220С Д223С Д808 Д809 Д810 Д811 Д813 Д814А Д814Б Д814В Д814Г Д814Д Д814А1 Д814Б1 Д814В1 Д814П Д814Д1 Д814А2 Д815А Д815Б Д815В Д815Г Д815Д Тип Стр. 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 прибора Д815Е Д815Ж Д816А Д816Б Д816В Д816Г Д816Д Д817А Д817Б Д817В Д817Г Д818А Д818Б Д818В Д818Г Д818Д Д818Е КС102А КС106А КС106А-1 КС107А КС107А1 КС108А КС108Б Стр. 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 324 • 324 324 324 324 324 324 524 524 324 326 524 326 326 Тип прибора КС108В КС113А КС113В КС115А КС119А КС121А КС124Д-1 КС126А КС126Б КС126В КС126Г КС126Д КС126Е КС126Ж КС126И КС126К КС126Л КС126М КС126В1 КС126Г1 КС126Д1 КС127Д-1 КС128А КС128Б Стр. 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 Тип прибора КС128В КС128Г КС128Д КС128Е КС128Ж КС128И КС128К КС128Л КС128М КС128В1 КС128Г1 КС128Д1 КС130Д-1 КС130Д-5 КС133А · КС133Г КС133Д-1 КС136Д-1 КС139А КС139Г КС139Д-1 КС143Д-1 КС147А КС147Г Стр. 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 326 328 328 328 328 328 328 328 328 328 328 328
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии Тип прибора КС156А КС156А9 KC156f КС162А КС162А2 КС162А-З КС164М-1 КС166А КС166Б КС166В КС168А КС168А1 КС168В КС168В2 КС168ВЗ КС170А КС175А КС175Е КС175Ж КС175Ц КС175А-2 КС175Ж-1 КС182А КС182Е КС182Ж КС182Ц КС182А2 КС182Ц-1 КСt90Б КС190В KC190f КС190Д КС191А КС191Б КС191В КС191Е КС191Ж КС191М КС191Н КС191П КС191Р КС191С КС191Т КС191У КС191Ф КС191Ц КС191А2 КС191Ж-1 КС191С1 КС191Т1 КС191У1 КС191Ф1 КС201В KC201f КС207А Тип Стр. 330 524 330 330 330 330 330 330 330 330 330 524 330 332 332 332 332 332 332 332 332 332 332 332 332 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 334 336 336 336 336 336 336 524 524 336 Стр. прибора Тип КС417Е КС212Ж КС212Ц ~38 KC506f КС21ЗБ. 338 338 338 338 338 338 338 340 340 340 340 340 340 524 340 340 340 340 340 340 340 340 340 340 340 340 340 340 340 340 . 340 340 340 340 КС506Д КС207В КС208А КС208Б КС208В КС210Б КС210Е КС210Ж КС210Ц КС210Б2 кс211:Б КС211В KC211f КС211Д КС211Е КС211Ж КС211Ц КС211Ж-1 КС212Е КС21ЗЕ КС21ЗЖ КС213Б2 КС215Ж КС216Ж КС216Ж-1 КС218Ж КС220Ж КС220Ж-1 КС222Ж КС224Ж КС224Ж-1 КС291А КС405А КС405Б КС406А КС406Б КС407А КС407Б КС407В KC407f КС407Д КС407Е КС409А КС410АС КС412А КС41ЗБ КС415А КС417А КС417Б КС417В KC417f КС417Д r Стр. прибора 336 336 336 336 336 336 336 336 336 336 336 336 336 336 338 338 338 338 338 338 КС207Б 21 КС417Ж КС4ЗЗА КС4ЗЗА1 КС4~9А КС439А1 КС447А КС447А1 КС451А КС456А КС456А1 КС468Л КС468А1 КС468А-9 КС482А КС482А1 КС482А-9 КС506А КС506Б КС506В КС507А КС508А КС508Б КС508В KC5_08f КС508Д КС509А КС509Б КС509В КС510А КС510А1 КС511А КС511Б КС512А КС512А1 КС51ЗА КС515А КС515А1 KC515f KC515f1 KC515f-2 КС518А КС518А1 КС520В КС520В1 КС520В-2 КС522А КС522А1 КС52ЗА КС524А1 KC524f KC524f-2 КС527А - 340 340 342 524 342 526 342 526 342 342 526 342 526 342 342 526 342 342 342 342 342 342 342 342 342 342 342 342 342 342 342 344 526 344 344 344 526 344 344 526 344 526 344 344 526 344 526 346 . 346 526 528 528 346 346 346 Тип Стр. прибора КС527А1 КС528А '- КС528Б КС528В KC528f КС528Д КС528Е КС528Ж КС528И КС528К КС528Л КС528М КС528Н КС528П КС528Р КС528С КС528Т КС528У КС528Ф КС528Х КС528Ц КС5ЗОА КС5ЗОА-1 КС531В КС531В1 КС531В-2 КС5ЗЗА КС5ЗЗА1 КС535А КС535Б КС535В KC535f КС536А-1 KC539f KC539f-2 КС547В КС547В-2 КС551А КС551А1 КС568В КС568В-2 КС582А1 KC582f KC582f-2 КС591А КС591А1 КС596В КС596В-2 КС600А КС600А1 КС620А КС6ЗОА КС650А КС680А ' 528 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 346 348 528 348 348 528 348 348 348 348 348 348 348 348 350 350 528 350 350 528 350 350 350 528 350 352 352 528 352 352 352 352
22 Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии Тиристоры Тип прибора КУ101А КУ101Б KY101f KYIOIE КУ102А КУ102Б КУ102В KY102f КУ103А КУ103В КУ104А КУ104Б КУ104В KY104f КУ105А КУ105Б КУ105В KY105f КУ105Д КУ105Е КУ108В КУ108Ж КУ108М КУ108Н КУ108С КУ108Т КУ108Ф КУ108Ц КУ109А КУ109Б КУ109В KY109f КУ110А КУ110Б КУНОВ КУ111А КУ111Б КУ113В KY113f КУ120А КУ120Б КУ120В КУ120А-5 КУ120Б-5 КУ120В-5 КУ121А КУ121Б КУ121В КУ201А КУ201Б КУ201В KY201f КУ201Д КУ201Е КУ201Ж Тип Стр. 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 358 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 360 прибора КУ201И КУ201К КУ201Л КУ202А КУ202Б КУ202В KY202f КУ202Д КУ202Е КУ202Ж КУ202И КУ202К КУ202Л КУ202М КУ202Н КУ203А КУ203Б КУ203В KY203f КУ203Д КУ203Е КУ203Ж КУ203И КУ204А КУ204Б КУ204В КУ208А КУ208Б КУ208В KY208f КУ210А КУ210Б КУ210В КУ211А КУ211Б КУ211В KY211f КУ211Д КУ211Е КУ2НЖ КУ2НИ КУ215А КУ215Б КУ215В КУ216А КУ216Б КУ216В КУ218А КУ218Б КУ218В KY218f КУ218Д КУ218Е КУ218Ж КУ218И Стр. 360 360 360 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 362 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 364 Тип прибора КУ219А КУ219Б КУ219В КУ220А КУ220Б КУ220В KY220f КУ220Д КУ221А КУ221Б КУ221В KY221f КУ221Д КУ222А КУ222Б КУ222В KY222f КУ222Д КУ222Е КУ224А КУ228А1 КУ228Б1 КУ228В1 KY228f1 КУ228Д1 КУ228Е1 КУ228Ж1 КУ228И1 КУ239А КУ239Б КУ240А КУ240Б КУ240В КУ501А КУ502А КУ503А КУ503Б КУ503В КУ601А КУ601Б КУ601В KY601f КУ606А КУ610А КУ610Б КУ610В КУ701А КУ701Б КУ701В KY701f КУ701Д КУ701Е КУ701Ж КУ701И КУ702А Тип Стр. 364 364 364 364 364 364 364 364 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 366 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 368 Стр. прибора КУ702Б КУ702В KY702f КУ702Д КУ702Е КУ706А КУ706Б КУ706В КУ709А КУ709Б КУ709В КУ709А-1 КУ709Б-1 КУ709В-1 КУ709А-2 КУ709Б-2 КУ709В-2 КУ710А КУ710Б КУ710В КУ711А КУ7НБ КУ711В КУ712А КУ712Б КУ712В KY712f КУ712А-1 КУ712Б-1 КУ712В-1 KY712f-1 КУ712А-2 КУ712Б-2 КУ712В-2 KY712f-2 КУ901А КН102А КН102Б КН102В кн102r КН102Д КН102Ж КН102И Д235А д235Б Д235В Д235f Д238А Д238Б Д238В Д238f Д238Д Д238Е ! 368 368 368 368 368 368 368 368 536 536 536 536 536 536 536 536 536 536 536 536 536 536 536 538 538 538 5-38 538 538 538 538 538 538 538 538 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370 370
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии 23 Светоизлучающие приборы Тип Стр. прибора АЛ102А \ ,_АЛ102Б АЛ102В АД102f АЛ102Д АЛ102АМ АЛ102БМ АЛ102ВМ АЛ102fМ АЛ102ДМ АЛ112А АЛ112Б АЛ112В АЛ112f АЛ112Д АЛ112Е АЛ112Ж АЛ112И АЛ112К АЛ112Л 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 376 Тип Стр. прибора 376 377 377 377 377 377 377 377 377 377 377 377 377 ·377 377 377 377 377 377 377 АЛ112М АЛ301А АЛ301Б АЛ307А АЛ307Б АД307В АД307f АЛ307Д АЛ307Е АЛ307Ж АЛ307К АЛ307Н АЛ307АМ АЛ307БМ АЛ307ВМ АЛ307fМ АЛ307ДМ АЛ307ЕМ АЛ307ЖМ АЛ307КМ Тип прибора АЛ307ЛМ АЛ3{)7НМ АЛ307ПМ АЛ310А АЛ310Б АЛ310В АЛ310f АЛ310Д АЛ310Е АЛ316А АЛ316Б АЛ336А АЛ336Б АЛ336В АЛ336f АЛ336Д АЛ336Е АЛ336Ж АЛ336И АЛ336К Стр. 377 377 377 377 377 377 377 377 377 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 Тип прибора АЛ336Н АЛ341А АЛ341Б АЛ341В АЛ341f АЛЗ41Д АЛ341Е АЛЗ41И АЛ341К АЛ360А АЛ360Б КИПд21А-К КИПД21Б-К КИПД21В-К КИПД23А-К КИПД23А1-К КИПД23А2-К КЛ101А КЛ104А Стр. 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 378 379 379 379 379 Линейные шкалы Тип прибора АЛС317А АЛС317Б АЛС317В АЛС317f АЛС343А-5 АЛС345А АЛС345Б АЛС345В АЛС345f Стр. 380 380 380 380 380 380 380 380 380 Тип Стр. прибора АЛСЗ62А АЛС362Б АЛС362В AJJC362f АЛС362Д АЛС362Е АЛС362Ж АЛС362И АЛС362К ' 380 380 380 380 380 380 380 380 380 Тип прибора АЛС362Л Стр. 380 Тип прибора АЛС364А-5 АЛС362М 380 АЛС366А-5 АЛС362Н 380 380 380 380 380 380 380 АЛС367А-5 АЛС362П АЛС362А-1 АЛС362Б-1 АЛС362Д-1 АЛС362Е-1 АЛС362К-1 КИПТ02-50Л-5 КИПТО3А-l0Ж КИПТ03А-10Л Стр. 380 380 381 381 381 381 Цифро-буквенные индикаторы Тип прибора АЛ113А АЛ113Б АЛ113В АЛ113f АЛ113Д АЛ113К АЛНЗЛ АЛ113М АЛ113Е АЛ113Ж АЛ113И АЛ113Н АЛ113Р АЛ113С АЛЗО4А АЛ304Б АЛ304В АЛ304f АЛ305А АЛЗОSБ Стр. 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 Тип прибора АЛ305В АЛ305f АЛ305Д АЛ305Е АЛ305Ж АЛ305И АЛ305К АЛ305Л АЛ306А АЛ306В АЛЗО6В АЛ306f АЛ306Д АЛ306Е АЛ306Ж АЛ306И АЛС311А АЛС312А АЛС312~ АЛС313А-5 Стр. 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 382 384 384 384 384 Тип прибора АЛС314А АЛС318А АЛС318Б АЛС318В АЛС318f АЛС320А АЛС320Б АЛС320В АЛС320f АЛС321А АЛС321Б АЛС322А-5 АЛС323А-5 АЛС324А АЛС324Б АЛС326А АЛС326Б АЛt327А АЛС327Б АЛС328А Стр. 384 386 386 386 386 386 386 386 386 386 386 386 386 386 386 386 386 388 388 388 Тип прибора АЛС328Б АЛС328В АЛС328f АЛС329А АЛС329Б АЛС329В АЛС329f АЛС329Д АЛС329Е АЛС329Ж АЛС329И АЛС329К АЛС329Л АЛС329М АЛС329Н АЛС330А АЛС330Б АЛСЗЗОВ АЛС330f АЛС330Д Стр. 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388 388
Алфавитно-цифровой указатель приборов в пособии 24 Тип прибора АЛС330Е АЛС330Ж АЛС330И АЛС330К АЛС333А АЛС333Б АЛС333В АЛС333Г АЛС334А АЛС334Б АЛС334В АЛС334Г АЛС335А АЛС335Б Тип Стр. прибора 388 388 388 388 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 390 392 392 392 392 392 394 АЛС335В АЛС335Г АЛС337А АЛС337Б АЛС338А АЛСЗ38Б АЛС338В АЛС339А АЛС340А АЛС342А АЛС342Б АЛС348А АЛС354А АЛС355А-5 Тип Стр. прибора АЛС355Б-5 АЛС358А АЛС358Б АЛС359А АЛС359Б АЛС363А КЛЦ201А КЛЦ201Б КЛЦ202А КЛЦ301А-5 КЛЦ302А КЛЦ302Б КЛЦ401А КЛЦ402А Стр. 394 394 394 396 396 396 396 396 396 396 398 398 398 398 Тип Стр. прибора 398 398 398 398 398 398 398 398 400 400 400 КЛЦ402Б КИПВ01А-1/10К-5 КИПЦ01А-1/7К КИПЦО1Б-1/7К КИПЦО1В-1/7К КИПЦ01Г -1/7К КИПЦО1Д-1/7К КИПЦО1Е-1/7К КИПЦ02А-1/7КЛ КИПЦО2Б-1/7КЛ КИПЦ04А-1/8~ Инфракрасные излучающие диоды Тип прибора Тип Стр. прибора 402 402 402 402 402 402 АЛ103А АЛ103Б АЛ106А АЛ106А АЛ106В АЛ107А 402 402 402 402 402 402 АЛ107Б АЛ107В АЛ107Г АЛ108А АЛ109А АЛ115А Тип Стр. прибора Стр. 402 402 402 404 404 404 АЛ118А АЛ119А АЛ119Б АЛ120А АЛ120Б АЛ123А Тип Стр. прибора 404 404 404 404 404 404 АЛ124А АЛС126А-5 АЛ132А АЛ135А АЛ136А-5 АЛ137А Диодные опт·опары Тип прибора АОД101А АОД101Б АОД101В АОД101Г АОД101Д АОД107А АОД107Б АОД107В АОД109А 3-к~н. АОД109Б 3-каи. Тип Стр. 1 406 406 . 406 406 406 406 406 406 406 406 прибора, АОД109В 2-каи. АОД109Г 2•кан. АОД109Д 2-кан. АОД109Е 1-кан. АОД109Ж 1-кан. АОД109И 1-каи. АОД112А-1 АОД120А-1 АОД120Б-1 АОД129А Стр. 406 406 406 406 406 406 406 406 406 406 - Тип прибора АОД129Б АОД130А АОД133А АОД133Б АОД134АС АОД201А-1 АОД201Б-1 АОД201В-1 АОД201Г-1 АОД201Д-1 Стр. 406 408 408 408 408 408 408 408 408 408 Тип прибора АОД201Е-1 АОД202А АОД202Б КОД301А КОД302А КОД302Б КОД302В КОЛ201А ~ Стр. 408 408 408 410 410 410 410 410 Транзисторные оптопары Тип прибора АОТ101АС АОТ101БС AOTIOIBC АОТ101ГС АОТ101ДС АОТ101ЕС АОТ101ЖС АОТ101ИС АОТ110А АОТ110Б Стр. 412 412 412 412 412 412 412 412 412 412 Тип прибора АОТ110В АОТНОГ АОТНОД АОТ122А АОП22Б АОТ122В АОП22Г АОП23А АОП23Б АОП23В Стр. 412 412 412 412 412 412 412 412 412 412 Тип прибора АОТ123Г АОП26А АОТ126Б АОТ127А АОТ127Б АОТ127В АОП27Г АОТ128А АОТ128Б АОТ128В Стр. 412 412 412 414 414 414 414 414 414 414 Тип прибора АОТ128Г АОТ128Д АОТ128Е АОП35А АОТ135Б АОТ136А АОТ136Б Стр. 414 414 414 414 414 414 414
Система условных обозначений и классификация полупроводниковых приборов Раздел 25 Условные обозначения и корпуса_ 1. полупроводниковых приборов 1.1. Система условных обозначений и классификация полупроводниковых приборов Система условных обозначений (маркировка) отечественных полупроводниковых приборов широкого применения основывается на ОСТ 11.336.919-81. Элементы буквенно-цифрового кода отражают следующую информацию: тип исходного материала, из которого ~зготовлен прибор, подкласс прибора, функциональное назначение и конструктивно-тех­ нологические особенности. Первый элемент обозначения. Буква или цифра, обозначает исходный полупроводниковый материал, на ос­ нове которого изготовлен полупроводниковый прибор. Исходный материал Условное обозначение гили к или А или и или Германий или его соединения. 1 2 3 4 Кремний или его соещшения. Соединения галлия (например, арсенид галлия). Соединения индия (например, фосфид индия). Второй элемент обозначения. Буква, определяет подкласс полупроводникового прибора. ,. Подкласс (или группа) приборов Условное обозначение т Транзисторы (за исключением полевых). п Транзисторы полевые. д Диоды выпрямительные и импульсные, магнитодиоды, термодиоды. к Стабилизаторы тока. ц Выпрямительные столбы и блоки. с Стабилитроны, стабисторы и ограничители. в Варикапы. л Излучающие оптоэлектронные приборы. о Оптопары. н Тиристорные д11оды. у Тиристорные триоды. и Туннельные диоды. г Генераторы шума. в Приборы с объемным эффектом (приборы Ганна). А Сверхвысокочастотные диоды. Третий элемент обозначения. Цифра, которая определяет основные функциональные возможности (допу­ стимое значение рассеиваемой мощности, граничную и максимальную рабочую частоту). Условное Назначение прибора обозначение Транзисторы малой мощности (с мощностью рассеяния Рк=О,3 Вт): 1 2 3 низкой частоты (fгр<З МГц) средней частоты (fгр=З".30 МГц) высокой частоты (fгр>ЗО МГц) ~
Раздел 26 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов Усповное Назначение прибора обозначение Транзисторы средней мощности 4 низкой частоты 5 6 средней част_оты ( Рк=О,3 ... 1,5 Вт): высокой и сверхвысокой частот Транзисторы большой мощности 7 низкой частоты 8 средней частоты 9 высокой и сверхвысокой частот ( Рк> 1,5 Вт): Диоды выпрямительные с прямым током, А: 1 2 3 _не более 0,3 0,3 .. .10 Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды) Выпрямительные столбы с прямым током, А: 12 не более 0,3 0,3 .. .10 Выпрямительные блоки с прямым током, А: 3 не более 4 0,3 ... 10 0,3 Стабилитроны, стабисторы и ограничители с напряжением стабилизации, В: мощностью менее О ,3 Вт: 1 2 3 менее 10 10 ... 100 более 100 мощностью 0,3 ...5 Вт: менее 10 10... 100 более 100 4 5 6 мощностью 7 менееlО 8 10 .. .100 более 100 9 5 ... 10 Вт: Варикапы: 1 2 подстроечные умножительные (варакторы) .... Четвертый, пятый и шестой элементы обозначения. Цифры и буквы, которые обозначают порядковый номер разработки технологического типа, а для стабилитронов и стабисторов - напряжение стабилиза­ ции и последовательность разработки. Усповное Назначение прибора обозначение От 01 От А до 999 до Я · Определяет порядковый номер разработки технологического типа. Для стабилизаторов и стабисторов четвертый и пятый элементы определяют напряжение стабили- зации, а шестой элемент - п'оследовательность разработки. · Седьмой элемент обозначения. Буква, которая определяет классификацию приборов по параметрам. Условное Назначение прибора обозначение От А до Я (кроме букв 3, О, Ч) Определяет классификацию (разбраковку) по единой технологии. параметрам приборов, изготовленных по
Корпуса полупроводниковых приборов 27 Для наборов· приборов, не соединенных электрически или соединенных по одноименному выводу, после второго элемента обозначения добавляется буква «С». Для сверхвысокочастотных приборов, биполярных и полевых транзисторов с парным подбором после последнего элемента обозначения вводится буква «Р». Для импульсных тиристоров после второго элемента обозначения вводится буква «И». Для бескорпусных приборов после условного обозначения вводится (через дефис) дополнительная цифра, показывающая конструктивное исполнение (модификацию): 1 2 3 4 5 6 9 с гибкими выводами без кристаллодержателя (подлоЖки); с с с с с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке); жесткими (объемными) вы~одами без кристаллодержателя; жесткими (объемными) выводами на кристаллодержателе; контактными площадками без кристаллодержателя (кристалл без выводов); контактными площадками на кристаллодержателе (кристалл без выводов на подложке); микросборки для поверхностного монтажа. Если малые габариты приборов не позволяют использовать буквенное или цифровое обозначение, то на корпус наносится цветная маркировка (точка или цветные полоски). Цветовой код указывается в ТУ. 1.2. Корпуса полупроводниковых приборов Кристаллы полупроводникового прибора устанавливают в металлостеклянные, металлические с про­ ходным изолятором, металлокерамические, керамические с компаундной (пластмассовой) герметиза­ цией и пластмассовые корпуса различных форм и размеров. Металлостеклянный корпус обычно состоит из ножки (фланца) и баллона (колпач~а), герметично соединяемых друг с другом электроконтактной и холодной сваркой или пайкой. Наружньiе металличе- . ские детали корпуса в зависимости от типа прибора могут иметь металлическое (золочение, никели­ рование) или лакокрасочное покрытие. Выводы корпусов могут иметь одно- или двухстороннее расположение и находиться с той стороны, которой прибор прижимается к теплоотводу или шасси (направляться вниз), могут располагаться со стороны, противоположной контактирующей (об~1чно в мощных приборах), например в корпусе КТ-4, а также могут иметь радиальное расположение (обычно у ВЧ и СВЧ-транзисторов). Один из выводов прибора (от базы, эмиттера или коллектора) может быть электрически связан с корпусом или все выводы могут быть электрически изолированы от него. Для улучшения теплоотвода с одновременной электрической изоляцией кристалла от корпуса часто.используется держатель из бериллиевой керамики, напаиваемый на фланец корпуса. Окись бериллия является хорошим изолято­ ром и в то же время обладает высокой теплопроводностью. Габаритные и присоединительные стандартизированы ГОСТ 184 72-88. размеры корпусов отечественных диодов и транзисторов По гаqаритно-присоединительным размерам ряд конструкций корпусов с учетом международной стандартизации взаимозаменяем в нашей стране: • • • металлостеклянный корпус типа КТ-1 с двумя, тремя (аналогичный зарубежный корпус типа ТО-18), четь~рьмя (ТО-72) или пят;ью выводами для транзисторов с рабочей частотой до 1,5 ГГц; металлостеклянный корпус типа КТ-2 (ТО-5, ТО-39) для транзисторов малой и средней мощности (до 15 Вт); металлокерамический корпус типа КТ-4 (ТО-60), имеющий три изолированных вывода, крепя­ щий болт и предназначенный для мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов; • металлокерамические корпуса типов КТ-6, КТ-7 (ТО-61, ТО-63 соответственно) для транзисто­ ров большой мощности (до 200 Вт) с двумя (для низкочастотных транзисторов) или тремя (для • высокочас:;готных транзисторов) изолированными от корпуса выводами; металлостеклянные корпуса типов КТ-8, КТ-9 (ТО-66, ТО-3 соответственно) для транзисторов большой мощности. Корпуса диодов КД-2, КД-4, КД-6 соответствуют по габаритным размерам зарубежным корпусам D0-35, D0-6, S0-45. 500 Корпус типа КТ-9 обычно используется для работы на частотах до 100."150 МГц, типа КТ-4 - до МГц; для работы на более высоких частотах применяются специальные конструкч.ии. На высоких частотах на электрические параметры приборов начинают влиять паразитные параметры корпуса: межэлектродные емкости, емкости электродов относительно корпуса и индуктив­ ности выводов. Для работы на СВЧ (более 1 ГГц) индуктивность выводов должна быть менее 1 нГн.
Раздел 28 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов В отличие от низкочастотных приборов, у высокочастотных выводы делаются короткими, толсты­ ми, широкими и далеко расположенными друг от друга. Были разработаны коаксильный корпус и различные модификации ко.рпуса с полосковыми выводами (для сопряжения с полосковыми линиями). Например, у коаксильного корпуса индуктив­ ность общего .вывода О, 1 нГн, у керамического полоскового корпуса индуктивность эмиттерного вывода 0,275 нГн. Для ВЧ- и СВЧ-транзисторов существуют два способа монтажа кристалла в корпус: для схем с ОЭ (эмиттер электрически связан с корпусом) и с ОБ (общей базой). Наилучшие результаты работы усилительных транзисторов в полосковых корпусах получены в схеме с ОБ (класс С), так как при этом получаются высокие Кур и достигается лучшая стабильность усилителя. Транзисторы, включаемые по схеме с ОЭ, являются оптимальными для генераторов, так как паразитные параметры корпуса оказываются включенными в цепь обратной связи. 1.3. Особенности пластмассовых корпусов и бескорпусные полупроводниковые приборы Полупроводниковые приборы в пластмассовом корпусе имеют меньшую стоимость по сравнению с аналогичными по электрическим параметрам приборами в металлостеклянных корпусах, но более низкий диапазон температур окружающей среды, при которой они могут надежно работать. Герметизация полимерами, применяемая как для маломощных, так и для мощных приборов, осуществляется либо в виде монолитной конструкции (герметизирующий материал контактирует с кристаллом), созданной путем погружения в жидкий полимер, заливкой в формах, литьем, опрессовкой или формовкой, либо_ в виде капсульной конструкции, при которой контакт кристалла с герметизиру­ ющим материалом отсутствует. Герметизация может быть односторонней (для мощных приборов) или двусторонней (для маломощных приборов). · Пластмассовые приборы имеют высокую механическую прочность, вибро- и ударопрочность. Однако пластмассовое покрытие недостаточно герметично, имеет плохой отвод тепла. В ряде случаев при использовании пластмассовых приборов в радиоэлектронной аппаратуре требуется дополнитель­ ная магнитная и электрическая экранировка их корпуса. За рубежом для ма{Iомощных транзисторов наиболее часто используются пластмассовые корпуса типов R0-67 или SOT-54, ТО-92 (отечественный КТ-26), ТО-98, Х-55, для мощных транзисторов типов ТО-220 или SOT-78 (КТ-28), ТО-202 или SOT-128 (КТ-50), ТО-126 или SOT-32 (КТ-27), ТО-218 или SOT-93 (КТ-43). . Для мощных приборов в качестве основания пластмассового корпуса и теплоотвода служит металлическая пластина (например, медная), на которую непосредственно монтируется кристалл прибора и запрессовывается пластмассой. Следует отметить, что транзисторы в корпусах ТО-202 или SOT-128 по сравнению с аналогичными транзисторами в корпусах ТО-126 или SOT-32 им.еют рассеиваемую мощность примерно на 20% больше за счет имеющегося металлического радиатора с площадью поверхности 250 мм 2 , т.е. при эксплуатации в одинаковых режимах температура переходов у них будет примерно на 20% ниже, поэтому прогнозируемый срок их службы выше. Существуют три способа монтажа приборов в аппаратуре: навесной, печатный и поверхностный. Для поверхностного монтажа прим~няются специальные малогабаритные пластмассовые корпуса (например, отечественные КТ-46, КТ-47, аналогичные зарубежным SOT-23, SOT-89, а также SOT-143, SOD-80), которые позволяют более эффективно использовать поверхность платы. Технология поверхностного монтажа (SMT - Surface mount technology) дает возможность при автоматизированном процессе сборки повысить плотность монтажа в 3 раза и уменьшить размеры плат, т.е. уменьшить массогабаритные показатели аппаратуры, исключить технологический процесс изготовления отверстий на печатных платах, сократить время монтажа по сравнению с монтажом на платах со сквозными отверстиями. Бескорпусные приборы в виде кристаллов (пластин) с шариковыми, балочными, проволочными или ленточными выводами, на керамических держателях, в малогабаритных пластмассовых корпусах (КТ-46, SOT-23, SOT-89) применяются в составе гибридных интегральных микросхем. При этом осуществляется общая герметизация всей интегральной микросхемы. Необходимо отметить, что корпуса транзисторов КТ-16-1, КТ-17-1, КТ-18-1, КТ-19-1, КТ26-1, КТ-28-1 имеют два вьщода; КТ-16-2, КТ-17-2, КТ-18-2, КТ-19-2, КТ-28-2 КТ-19В-З - четыре вывода. - три вывода; КТ-19А-3,
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов .1.4. 29 Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов t/J 5,81, 01/,95 - -- ф ~· ~",, 1' ~· t-...'. QJl,•.95 -- - ~"" ·1w 1• °" ~ t/J5,8'1 - tA. '1.!J5 - -- ·w t::!"., ~· 1 11 1 'J J )) t/JS,81 ~ -- !J5 - ., ~ JШ 1 r/J5,8'1 r/Jt.95 ~ ~" - .. ~ t-..." / 1 r/J 5,8'1 f/Jl/,15 - ~. - j\ 1 ~'· -- - ~· ~" 1 ~. ·1111 ·1 t/J S:8'1 IШ - - ф'1.Н ~· ~" ' ffil 1 "" r/J 5,8'1 - t/J '1.15 - н 11 ~" 1 ~11 ~ t/J.9,# - ф, \ -_t/Jl.5 ~11 ~" - ' 1 . 1 ~ ~ кт-1-1'1- ф КТ-1-/7 1 11 J ~ r/J5,8'1 Ф.~ 15 ! "' ,, r/J~8+. нт - КТ-1-9 - ~· ~". !'-. t"i ' / т 111 t/J5,8'1 '/J#•.95 - -- ~· 1 ~· t:!' 11 • 1 11 1J r/J5,81 ~t.95 - - ~· ~" 1. ~· lllШ . 1 ~ фкт-1-12 ф кт-1-15 ф 111.w Ф5,81 t/!_'1,!J5 - -·- ~· " ~ ~ кт-1-и 1 ф'1,95 ~" ф- .. ф 11 ~ ,.ш 1m ' КТ-/-/8 • / - t/JI, ~ _f/Jl,5 -1 - ! С<:) ~",, ~ t-..'. ~ 11 ~_" к.т-2-1 ~ - - . ~~ _t/)9,# - KT-2-J е --- ~ ~" кт-1-J J 111 кт-1-20 • -- ~ ~" - 1 ~· ~ t/J 5,8'1 t/)'1,15 1/ • Шl'I ~ ~" кт-2-2 ~ С<:)' ~ m· "5,8# tf!.'1..95 • 111 IU ·lфШ ' - Сс:1 ·u ~ t-.:" ~j - ".9, +. "J!JI. 5 _- ... ~". . ho;i ' ~" / - ф ~· кт-1-1и - · кт-1-11 -- - gJ#..vь • 1 ) ,' ;,s;n КТ-1-16 - • ... ~ ~ фКТ.;.1-8 ~~ $ ·JW ш фiJ..85 кт-1-1.1 ~" ·1w ' r/JS".81 - $- ~" - 1 ~ кr-1-10 ~ Qj~ ~" m t/J5,8# "".95 - - кт-1-5 ~ ф 1 ~· ~ 'А_Ф,95 кт-1-1 ~· ~" t/J5,8# - rm •1 ф- ~ ~" ~ ф , - ~" KT-f-'1 ~· кт-1-2 ~· 1 1 ф5,8'1 - r/Ji,81/ t/Jl/,15 - кт-1-1 . 8.5_- С<:)' tc:;',, 1 ~l IШ кт-2-'1 ф
30 Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов кт-2-5 кт-t-8 кт-2-.9 кт-2-11 кт-2-12 кт-.1-3 кт-2-1,т КТ-2-/6' кт-2-11t кт-1-17 кт-1-111 кт-2-18 кт-1-1.9 кт-3-1 КТ-3-2
Конструктивное исполнение стандартизованные корпусов транзисторов KT-J-6' кт-J-8 кт-J-9 KT-J-/'1 KT-J-/2 KT-J-/l' KT-J.-/.7 кт-.т-1в кт-в 27,1 " кт-+-2 кт-1-11 КТ-8 (КТ-8А) 31
Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов 32 5 кт-12 ....... " J КТ-!JА КТ-1.l 7. 2 l,S ir ~ ~ ~ ~ о о t..." о КТ-/S КТ-15 ~ S:.' ~ 2,7 КТ-/7 ° кт-11 ....... кт-11 кт-21 rкт-22 J KT-2d KT-2J (KT-2JA) 2,2 (2, 7) 1, 15 (2,2) 10 (13,3) Ц)' ~+--........... ll) (\J. +-......... 'Q КТ-25 КТ-26 (КТ-26А) КТ-28 (КТ-28А) КТ-27 Ц)' - ...,...._.._~ кт-21 4,8 (5,3) а:)'--­ '- D о KT-JD ~ 2,7 KT-Jf ~ ~ ~" 'S. 6,1 KT-J2 ~" -..;:: 'Q ' 6,1 - 7 -
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов ~5,8'1 KT-3J (KT-3JA) 11 - 27, 1 . ' r ~ Cli::I' 1\ 1 ! oio '~ l/ ~ ~ ~" "" '' - -- t/J Ф.15 ф S::," "-= ,, ~ 111 t-..' ' 111 t/JS,8'1 - - -. - .- .1~ 1 ~ "-= ' нw 1, ~\ ~ t/J5,8+ . - ФФ.15 - ~11 ,, ни· 11 ~. ....."' t/J5,8'1 - - tA. ~15 HI 1 t/J5,8'1 1\ ~" , кт:-J+-12 \ ! ~· \с:. J ' ~" t/15,811 t/Jl.J.,95 ... ' ~" "' ~· ~· r/J5,8~ 9J ~•.95 ... - -- $ кт-J~-15 - . ~ШJ~ • -- KT-J'1-/8 -- - - - 1 ' ~" .1 ~1 1• "' ' "" • ф 1 Ф+.15 • "" КТ-31/-6 КТ-3+-9 ... ' ~. ф- . !;:::)' ""' 1 ! ~s;8+ • - ......·~ "-= ' 111 ~~~ ~.f,81 КТ-J+-7 ~" ..... 1 1 1 1 11 t/J 5.8'1 - - ~IJ.95 ... - 1\ . S::,' "-= ' .ШJ ~·v t/J5. 8'1 ~'1,15 ~. - - ,..1~ S::,' "-= ШI 11 ~· t/J o;I+ f;IJ,15 - -- ~" 1 'j 11 ~· t-..' )~ t/J5,8'1 ~1/,15 ... KT-Jl/-//l KT-J'1-fJ кт-J+-11 -- - • КТ-3'1-/9 - ;, ~" ..... ' ~ • • • - ... " ... кт-J+-,; - - - . l'Ш • ф 1\ ~" .....: . '. 11 1 ~· 1 ~",, f/J5,81/ ~ 1\ - ~1 1 ~~.95 1111 ~~./5 ' ~. кт-J+-11 ф ~ • "-= "" --- - 9Jll,l,f .;:а.. 1 ~" ~ КТ-3'1-J ; S::,' ~", 1 t/J~.9.f ... кт-.т+-2 -- - f/J~15 - - ... ' t/J5,8'1 кт-1+-1 )1 ~,f,8~ ... KT-Jl/-8 - f/J+: .95 - - 1 ~ "-= ''IШ 111 ~.' ~$'.8'1 - .- -- f/J_l,85 КТ-3~-Н - ' + ~" .....: 1 ~ 1 t-..' • j 1 11 ~5;8" - 9)9,15 - ... - 1 ~" "' 1 ~· ~ 1•ш'1 11 t/J5,8'1 (/)'1,95 - - -, - КТ-3'1-17 1 1 ~" " нш ~· t:i· Ф5.1'1 Qjlf.95 ........ • • KT-J'1-f'1 - ! 1 ... $- _ - - - 1\ ~" • ~- т11 18 • кт-J+-21J • 33
Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов 34 KT-J5-/ 1 КТ-.15-2 • - - Фt15 KT-JS-1/ КТ-J.f-4' KT-JS-7 KT-J.f-8 - -~5:8~ t{Jlt.15 KT-J.f"-J ~ ~ ~ KT-J.f-6 - • ". 1· 1 1 '] КТ-J5-/IJ 1 t95 - - KT-J.f-.9, КТ-J5-!1 KT-J.f-/2 KT-.l,f-/~ КТ-J5-/.f - 1 " ... КТ-J,f-/.l КТ-35-/6 ·1ш 1Ш КТ-35-11 , #.15 ' КТ-35-18 - ~ j . 1 1 KT-JS-11 КТ-WJ КТ-35-28 КТ-f/ КТ-JТ КТ-#2
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов транзисторов (~~5 ) КТ-43 15,9 (16,5) ' 5 35 KT--;t.3C (KT-43D) КТ-438 (КТ-43А) о <О N о КТ-++ ' ._. 1 -~ ::!t>o.' ....... - ... \ 8,5 -- - КТ-1/6 " 1 5,8 КТ-1/5 - - КТ1!1 7,8 ~ "-f' кт-~ КТ-51 7,2 ·1~~:1 4 кт-п , - 3.3 2,6 " ... ~ " " " ~ " КТ-5'1 КТ-55 о Qi:. ~ 4' ~ ~ 'Q. ~· ~ ~" 4,6 +,1 __ J КТ-56 ... КТ-51 КТ-37 ..... ~ " ' - ... 8,5 - 11 1 3,8 1- КТ-61 . КТ-60 КТ-5"8 -j~ . J,8 - 6,3 (6, - (КТ-61А)
Раздел 36 1. Условнь1е обозначения и корпуса полупроводниковых приборов КТ-63 15 КТ-64 18 46 46 .....,. КТ-65 21 КТ-бб 45 46 КТ-69 ~ t-... _" .....,. [] 30 КТ-71 кт-12 о ~ ......" lc-.i t-... ~" Q а КТ-75' КТ-76 КТ-79 4,3 12 о о кт-вое о N 23 ~1 14 !illclil J <") КТ-82 . 38 а;; 5,1 19 7 21:1:1~ NI . КТ-5 ...,. aD N с:э 22 12,5 20
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов 37 КТ-90 КТ-89 КТ-92 10,28 4,55 2.37 4,55 7,11 hi ;:: -.... aS оО .,, "'~ ,, - ~ ;i "'...; С11; t 3 .,; .... .,; 4.58 1.5. Конструктивное ис11олнение стандартизованных корпусов диодов (кд-1-1) (кд·1А) (кд-1-2) р 30 44 3 22 N 3 IS} (кд-1-з) 10 25 3 ( КД-3 ) 76 (кд-2А) 254 54 58 N' 28 11О N' IS} IS} (кд+1) 54 (кд-зв (КД-ЗС), (КД-ЗGJ) (КД-ЗА) ..... lll ..... IS} ( КД-2 ) (кд+А) 5,8 (7,6) (7,6) 11О N' IS} (кд+в) р 75 25 7 254 <О (кд+2) IS} ( КД-6 ) ( !!lJ.·5 ( КД-5А)) 25 75 (7,5) С") IS} ( КД-6А) ( 30 'О:1' IS} <О ~ IS} IS} 75 7 ~ С") Ц) ...... 12 'О:1' IS} (КД-7А) КД-7) р 26 12 7 7 lt) IS} 11О ~ IS} 25 12 1 JЬ. U} 4,55 ~ ....... ............ "":.N N --!:2.
38 Раздел 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов (КД-78) 14 5 25 (КД-7G) ( КД-7С) . 9 53 (КД-7D J 25 17 52 ( КД-7К) (КД-7Е) 10 25 ( КД·7L) 30 10 9 ( КД-9 ) ( КД-8 ) о о N 26 СХ) 762 ( КД-10) 18 (КД-108) (КД-10А) о ..... N 6,90 5,04 12 5,04 (КД-11А J ( КД-11 ) 10,2 1 11,5 ---- 12,7 1 12,7 11) о 20,3 о ...... ~ о 11 ( КД-12) '<t О) о ф ...... ~ 25,4 ( КД-13) - со ...... о о ('1 . ~ 17 ( КД-14 ) 15 2,5 5 ---Ln. Lt)n====;i1 ::Е .ц=:==:===::ц '<t о ""· ..... 11,5 30 14,04
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов (КД-14А) (@-16А) ( КД-16) 2,5 5 39 · 5 14,5 ""':. "1Т ...: "" ( КД-17) D D D ( КД-20) D D D (КД·20А) ~и~~-. CJ-"--11 ( КД-21) ( КД-23 (КД·23А) J ( КД-25) 08 lt) ..,; 05,5 ( КД-26) 014 (11,5) ( КД-28) ( КД-29 ) 011 3,5 ( КД·29А (КД-298) (КД·29С) ) (КД-29D (КД-29Е} (КД·29GJ) 4,8 ( КД-30 ) 03,2 - eJ ~г о- "" lt) ~ ~~ 457 {12.5) (5,0) ( КД-31) 7,0 (7,0) (7,5) { КД-32) 9 ===О=== ( КД-34 ) qnгllQ ~
Раздел 40 1. Условные обозначения и корпуса полупроводниковых приборов ( КД-35) ( КД-36) ·~tJ з -~· ~ g а~о j~ ?- 4,8 (кд-102) (КД-103) ( кд-104) м_ ...... CSI ~ N CSI 1 06 06 06 1,3 '2,9 1,6 (КД-105) (КД-106) 2 2 (КД-106А) 2 2 2 3,1 2 (кд-1068) ( КД-107) [КД-108] 2 N ...... 1() CSI CSI 0,6 0,5 з 1,1 (кд-109А) (КД-109) ...... ~ N С") CSI 2 CSI 0,6 ( КД-110) С") С") С') C'i CSI CSI 1,5 2 0,6 3,1 1 ...... (кд-1108) C'l CSI С') N CSI 0,75 2,65 N 0,6 (кд-11ос) ..~ С") C'l CSI С") CSI 2 (КД-110А) CSI ...... N <"'t ..... N CSI CSI 0,55 1,5 1,65
Конструктивное исполнение стандартизованных корпусов диодов (КД-111) 41 (кд-113) (кд-112) .. .... ~ 00 Lt) tS1 ,.... ,..: cD tS1 ~ -~ .' ~ tS1 11 -- 11 u 13 20,8 (КД-114) ( КД-118) (КД-116) ..q:_ N tS1 ,.... Lt) ....С"!. '<t. ....~ N ci tS1 tS1 tS1 00 м tS1 tS1 05 06 6,1 1,2 1,2 (кд-119) N ~ ,.... Lt) м N' Lt) N ...; ~ tS1 4,3 ( КД-120) (КД-119А) tS1 1,6 4,3 N м ~ tS1 3 2,6 ( КД-122) (КД-121А) ( КД-121 ) 1,3 8 С') tS1 - 11 ....~· 1 - 11 7,5 tS1 7,5 1,2 - (кд-12#4 ,.... ф C'<i tS1 ci tS1 0,7 - ( КД-124) 1 4,5 - 5,2 ' N tS1 4,5 - , (КД-125А) ( КД-125) (кд-124А) 15 :: (кд-123) (кд-1228) 05 1 С') (") N' tS1 N' tS1 4,5 С') ,...._ ' .... tS1 tS1 ' 4,5 ::: 3,7 со cD tS1
Раздел 42 1. Условнь1е обозначения и корпуса полупроводниковых приборов (КД-128] (КД-127) (КД-126) ....~ ~ t О) t ...tS! ~t in 16,3 (КД-129) f! 16,З ~ (КД-131) (КД-130) 6 - g - -' "t ' ...tS! ~ ' 2,6 - 'll ...- ~ 0,65 2 ( КД-132) (КД-1318) (КД·131А} 5,1 1,1 2 4,4 'll .... - tS! 0,95 5,1 0,65 4,7 [КД-133) ( КД-134) in (") tS! ,.... ' - о t 4,7 -- 1,25 ~ - 5 5,8 О)
Биполярные транзисторы Раздел 2. 43 Биполярные транзисторы J?иполярные транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с двумя p-n переходами,· имеют три 'электрода (эмиттер, база, коллектор) и применяются для усиления, преобразования и переключения электрических сигналов. Среди серийно выпускаемых транзисторов имеются приборы как общего назначения (малошумящие, переключательные и генераторные), так и специализирован­ ные, отличающиеся специфическим сочетанием параметров: для применения в схемах с автоматиче­ ской регулировкой усиления, для работы в микроамперном диаf!азоне токов, двухэмиттерные, однопереходные, сдвоенные и счетверенные, с малой емкостью обратной связи, универсальные (по сочетанию-параметров), комплементарные пары транзисторов, составные и лавинные транзисторы. В связи с тем, что напряжения датчиков контролируемых параметров (например, термопары), изменяются от десятков микровольт до десятков милливольт, то транзисторные модуляторы, преобра­ зующие эти малые напряжения постоянного тока в переменные для последующего усиления, должны иметь хорошие метрологические характеристики. При работе транзистора в качестве модулятора ключевым элементом служиr промежуток коллектор-эмиттер, зависимости от полярности управляющего напряжения, сопротивление приложенного к которого изменяется в одному из p-n переходов транзистора. Различают работу такого ключа в нормальном включении (управляющее напряжение Uy приложено между базой и эмиттером) и инверсном включении (Uy приложено между базой и коллектором). Если Uy приложено, например, в p-n-p транзисторе минусом к базе, то оба перехода транзистора будут смещены в прямом направлении (режим насыщения ключ открыт). При изменении полярности Uy оба перехода смещаются в обратном направлении (режим отсечки - ключ закрыт). В реальном режиме точки пересечения прямых режима насыщения и режима отсечки не совпадают с началом координат. Поэтому промежуток коллектор-эмиттер характеризуется остаточным сопротивлением Rост и напряжением Uост в открытом состоянии, а также сопротивлением Rзакр и остаточным током Iзакр в закрытом состоянии (у идеального ключа Rост=О, Uост=О, Rзакр-ос, Iзакр-0). Остаточные параметры ограничивают значение (уровень) полезной мощности в нагрузке. Следует отметить, что транзисторный ключ в инверсном включении имеет примерно на порядок меньшие значения Uост и Iзакр, чем в прямом включении -(особенно для сплавных транзисторов, у которых площадь коллектора много больше площади эмиттера). Для некоторых транзисторов (например, КТ206, КТ209) нормируются остаточные параметры (Uост~12мВ). Кроме того, разработаны двухэмиттерные транзисторы, которые имеют еще меньшие значения остаточных параметров (например, у KTI 18 Uост менее 0,2 мВ). Транзистор типа КТ339, предназначенный специально для работы в усилителях промежуточной частоты (УПЧ), имеет малую емкость обратной связи, что позволяет обеспечить стабильное усиление без использования внешних дополнительных цепей нейтрализации. Транзисторы типов П328, КТЗ 128 и КТЗ 153А9 предназначены для применения в радиоприемни­ ках с автоматической регулировкой усиления, телевизорах (каскады ПТК и УПЧ), блоках УКВ приемников: за счет смещения их рабочей точки можно регулировать усиление в широком диапазоне. Комплементарные транзисторы (со структурами p-n-p и n-p-n) КТ315 и КТЗбl, ГТ402 и П40З,· П703 и П705, КТ502 и КТ503, КТ664 и КТ665, КТ666 и КТ667, КТ680 и КТ681, КТ719 и КТ720, КТ721 и КТ722, КТ723 и КТ724, КТ814 и КТ815, КТ816 и КТ817, КТ818 и КТ819, КТ8101 и КТ8102, КТ969 и КТ9115, КТ8130 и КТ8131, КТ9144 и КТ9145, КТ9180 и КТ9181 могут использоваться в паре в схемах с дополнительной симметрией. Имеется также группа транзисторов в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа в составе гибридных микросхем (например, малошумящие КТ3129 и КТЗIЗО, КТ682; переключательные КТ3145 и КТ3146; для работы в усилителях, в системах спутниковой связи, ключевых схемах, модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения КТ216, КТ3170А9, КТ3173А9, КТ3179А9, КТ3180А9,КТ3186А9, КТ3187 А9, КТ664 и КТ665; для СВЧ усилителей КТ3168, КТ3169). Транзисторы универсального назначения (например, КТбЗО) имеют оптимальное сочетание пара­ метров и характеристик, удовлетворяющих различным требованиям, что позволяет испольЗовать их в аппаратуре вместо некоторых усилительных и переключательных транзисторов. . Лавинные транзисторы П338 и КТЗ 122 предназначены для работы в режиме электрического пробоя коллекторного перехода. Они применяются в релаксационных генераторах в ждущем или автоколебательном режиме и позволяют получить необходимые быстродействие и амплитуду импуль-
Раздел 2. Бипопярнь1е транзисторы 44 сов при более высоких надежности и стабильности, чем обычные транзисторы, используемые в режиме электрического пробоя. Составные транзисторы представляют собой соединение двух биполярных транзисторов по определенной схеме (например, в схеме Дарлингтона соединены коллекторы, входом служит база первого транзистора, а эмиттером - эмиттер второго, более мощного транзистора). Такие транзисторы функционально соответствуют одному транзистору с высоким коэффициентом передачи тока, примерно - равным произведению коэффициентов передачи составляющих его одиночных транзисторов. Состав· ные транзисторы (например, КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ852, КТ853, КТ972, КТ973, КТ8131, КТ8141, КТ8143, КТ890, КТ894, КТ896, КТ897, КТ898, КТ899, КТ8115, КТ8116, КТ8158, КТ8159) применяются в стабилизаторах напряжения непрерывного и импульсного действия, бескон· тактных электронных системах зажигания в двигателях внутреннего сгорания (например, КТ848), устройствах управления двигателями, в различных усилительных и переключательных устройствах. Для экономичной радиоэлектронной аппаратуры созданы маломощные кремниевые транзисторы с различной структурой, которые могут нормально функционировать в микроамперном диапазоне токов (например, КТ3102, КТ3107, КТ3129, КТ3130). Кроме того, разработаны транзисторЬJ: • высоковольтные для оконечных каскадов строчной развертки черно·белых и цветных телевизо­ • • ров (например, КТ872); импульсные для работы на индуктивную нагрузку (КТ997); для высококачественных усилителей низкой частоты (КТ9115), линейных высокочастотных каскадов класса А и широкополосных усилителей (КТ3109); • для сбалансированных фазоинверсных каскадов высококаче~твенных УНЧ и видеоусилителей • • • • телевизоров (КТ940, КТ969, КТ9115, КТ828, КТ838, КТ846, КТ850, КТ872, КТ893; КТ895 и КТ8138Е, КТ8138И (с демпферным диодом), КТ999; для высокочастотных широкополосных усилителей с мсэ.лой постоянной времени 'tc (КТ368); для строчной и кадровой разверток телевизоров (КТ805, КТ8107, КТ8118, КТ8129, КТ887, КТ888); для УНЧ и кадровой развертки телевизоров (КТ807); для линейных и импульсных устройств (КТЗ 15 - первый отечественный прибор в пластмассовом корпусе); универсальные транзисторы для вычислительных устройств (КТ349, КТ350, КТ351, КТ352); для предварительных каскадов видеоусилителей телевизоров (КТ342); • • • для применения в ключевых схемах, прерывателях, модуляторах и демодуляторах, во входных • каскадах усилителей (КТ201 и КТ203); высоковольтные для строчной развертки телевизоров (КТ808) - при непосредственном вклю­ чении отклоняющих катушек в цепь коллектора они выдерживают импульсы • 800... 1ООО В; для мощных модуляторов (КТ917 и КТ926). Для лИнейных широкополосных усилителей предназначены транзисторы КТ610 (Uп=lO В), КТ912 и КТ921 (Uп=27 В), КТ927, КТ932, КТ936, КТ939 (Uп=28 В), КТ955, КТ956, КТ957, КТ965, КТ966, КТ967, КТ972, КТ980, КТ981 (Uп=12,6 В), КТ9133, КТ9116 (в схемах с общим 1 Эмиттером, Un=28 В). Транзисторы КТl 17, КТl 19, КТ132, КТ133 представляют собой однопереходньа(транзисторы. Транзи­ стор КТ120Б·1 имеет два вывода (используется в качестве диода). ·транзисторные сборки, состоящие из двух транзисторов с согласующими LС-цепями (балансовые транзисторы), КТ985, КТ991, КТ9101, КТ9105 предназначены для построения двухтактных широкополосных усилителей мощности класса С в схеме с общей базой (ОБ). Для построения схем генераторов, усилителей мощности с независимым возбуждением и умно­ жителей используются транзисторы КТ606 (Uп=28 В), КТ607 (Uп=20 В), КТ640 и КТ643 (с ОБ, Uп=15 В), КТ642, КТ647 (Uп=15 В), КТ648 (Uп=lO В), КТ657 (с ОЭ, Uп=15 В), КТ682, КТ996 (Uп=lO В), КТ902, КТ904, КТ907, КТ909, КТ911, КТ913, КТ914, КТ916, КТ922, КТ930, КТ931, КТ934, КТ944, КТ970, КТ971 (Uп=28 В), КТ930 (Uп=ЗО В), КТ918, КТ938 (Uп=20 В), КТ919 (с ОБ, Uп=28 В), КТ920, КТ925, КТ960, КТ963 (Uп=12,6 В), КТ929 (Uп=8 В), КТ937 (с ОБ, Uп=21 В), КТ942, КТ946, КТ948, КТ962, КТ976 (допускает работу на рассогласованную нагрузку), КТ9104 (с ОБ, Un=28 В), КТ945, КТ947 (Uп=27 В), КТ977 (с ОК, Uп=40 В), КТ9142. Транзистор КТ921 В представляет собой высокотемпературный прибор (рабочий диапазон темпе­ ратур -60 ... +200°С). Для видеоусилителей графических дисплеев используется транзистор КТ9141, а для схем фотовспышек - КТ863 и КТ9137.
Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов 45 Транзисторы КТ698, КТб 127, относящиеся к классу биполярных транзисторов со статической индукцией (БСИТ), применяются для работы в качестве переключателя в бесконтактных коммутиру­ ющих устройствах, для управления электродвигателями, для использования в быстродействующих ключевых схемах с низким напряжением насыщения, в пультах дистанционного управления, в тахометрах автомобилей, реле поворотов и блоках питания. Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов 2.1. Ниже приводятся буквенные обозначения параметров транзисторов, соответствующие публикации МЭК 148 и стандартизованные ГОСТ 20003-7 4. Буквенное обозначение по ГОСТ 20003-74 отечественное Iкво Параметр ' международное Обратный ток коллектора lсво - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. Iэво Обратный ток эмиттера lEBO - ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. Iкэо Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол- lcEO лектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы. IкэR Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении кол- kER лектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер. Iкэк Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол- lcES лектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. Iкэv kEV Iкэх lcEX Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении кол- лектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер. Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер. Iк max 1с Максимально допустимый постоянный ток коллектора. lэ max IE max Максимально допустимый постоянный ток эмиттера. Iв max Iв Максимально допустимый постоянный ток базы. max max Максимально допустимый импульсный ток коллектора. Iк, и max lсм Iэ, и max IEM max Максимально Допустимый импульсный ток эмиттера. lкр - Критический ток биполярного транзистора. Uкво проб U(BR) max сво Пробивное напряжение коллектор - база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера. Uэво проб U(BR) ЕВО Пробивное напряжение эмиттер - база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора. Uкэо проб U(BR) СЕО Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы. UкэR проб U(BR) CER Uкэк проб U(BR) CES Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. Uкэv проб U(BR) CEV Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер. Uкэх проб U(BR) СЕХ Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряженин база-эмиттер~и токе коллектор-эмиттер. Uкэо гр U(L) СЕО Граничное напряжение транзистора - напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера. Uсмк Upt Uкэ нас UcE sat Напряжение смыкания транзистора. Напряжение коллектора. насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и
Раздел 46 2. Биполярные транзисторы Буквенное обозначение по ГОСТ 20003·74 отечественное Параметр _международное Uвэ нас UвЕ Uэв пл UЕвп sat Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера. , Плавающее напряжение эмиттер база - - напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера. Uев max Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - база. Uкэmах UeE ·max Максимально допустимое постоянное· напряжение коллектор - эмиттер. Uэв UЕв Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер Uкв max max max база. - Uкэ. и max UeEM max Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор Uкв. и max Uевм Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор Uэв. и max UEBM max Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер р Ptot Постоянная рассеиваемая мощность транзистора. Рср Рлv Средняя рассеиваемая мощность транзистора. Ри Рм Импульсная рассеиваемая мощность транзистора. Рк Ре Постоянная рассеиваемая мощность коллектора. - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом. Рвых Pout Выходная мощность транзистора. Ри max Рм max Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность. Рк max Ре max Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. Рк. т max max эмиттер. - база. - - база. - - Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора. rб rьь. rь Сопротивление базы. rкэ нас reE. sat Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером. Clle, C!lb Входная емкость транзистора для схем с обtцим эмиттером и общей базой Рк ер с max 11 э. с 11 б соответственно. с22э, С22б Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой с22е, с22ь соответственно. Ск Се Емкость коллекторного перехода. Сэ Се Емкость эмиттерного перехода. fгр fт Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с для схем с общим эмиттером. Максимальная частота генерации. fmax fmax fh2lэ, fh2lб fh2le. fh21 ь, tвкл tоп Время включения. tвыкл torr Время выключения. tзд td Время задержки. tнр tг Время нарастания. tpac ts tсп tr Время спада. h1 lэ, h 116 h1 le. h11ь; hie. hiь Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмитте- h21e. h21ь; hre, hrь Статический коэффициент передачи тока транзистора· в режиме малого h12ь; hге, hгь Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого h2lэ, h2Iб h12э, h12б h12e. fые; fыь Предельная частота коэффициента общим эмиттером и общей базой. ' передачи тока транзистора Время рассасывания. ром и общей 'б_азой соответственно. сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов 47 Буквенное обозначение по ГОСТ 20003-74 отечественное Параметр международное h22э, h22б h22e. h22ь; 11ое, hоь схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. 1h2lэ1 1h2Je1 Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте. h11э h1 lE, h1E Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сиrнала для Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером. h2IЭ Н21Е. Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в HFE режиме большого сигнала. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером. У21э У21Е У1 lэ, У1 lб У11е, У11ь; Уiь Yie, У12э, У12б У21э, У21б У22э, У22б Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базовой соответственно. Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого У12е, У12ь; Уге, Угь сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигна­ У21е, У21ь; Yre. Уrь ла для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. У22е, У22ь; Уое, Уоь Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для S1 lэ, S1 lб, S1 lк S1 le, S11ь. S1 lc Sie, Siь, Sic Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. S12э, S12б, S12к S12e, Si2ь. S12c: Sre, Sгь. Src . S22э, S22б, S22к S21э, S21б. S21к схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмитте­ ' ром, общей базой и общим коллектором соответственно. S22e, S22ь, S22c; Soe, Sоь. Soc Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим S21e, S2iь. S21c; Src, Srь. Src Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. и общим коллектором соответственно. - fse, Ку, Р Gp Коэффициент усиления мощности. - GA, Ga Номинальный коэффициент усиления по мощности. Кш F Коэффициент шума транзистора. tк (r'б Ск) 't'c (r'ьь Ск) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте. Токр ТА, Tamb Температура окружающей среды. Тк Те, Tcase Температура корпуса. Тп Tj Температура перехода. Rт, п-с Rthja Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде. Rт, п-к Rthjc Тепловое сопротивление от перехода к корпусу. Rт. к-с Rthca Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде. 't'т, п-к 't'thjc Тепловая постоянная времени переход-корпус. 't'т, п-с 't'thja Тепловая постоянная времени переход 't'т, к-с 't'thca Тепловая постоянная времени корпус fsь, fsc Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 S21ь=l, S21c=l). - - окружающая среда. окружающая среда. (S21e=l,
Раздел 48 2. Биполярные транзисторы Параметры биполярных германиевых транзисторов 2.2. • •• fh21э, ••• fmax, fгр, fh2lб, Ркmах, Тип С тру к ту- прибора ра МП9А П·р·П МП10 п-р-п МП10А п-р-п МП10Б п-р-п мпн п-р-п МПНА п-р-п • т max, Рк, •• Рк, и max, UкБО nроб, • проб, UкэR •• Uкэо проб, UэБО проб, в Iк max, • Iк. и max, мА lкБО, • lкэR, Ii<Эo, мВт Мfц в 150 150 150 150 ~1 • ~1 • ~1 • ~1 • 15 15 30 30 15 15 30 30 20 20 20 20 (150*) (150*) (150*) (150*) зо• (30 в> 30• (30 в> ~2* 15 15 15 15 20 ( 150*) 20 (150*) 30• (30 в> 30* (30 В) 150 150 ' ~2* мкА 30• (30 в) 50* (30 В) 1 ... МП13 р-п-р МП13Б р-п-р МП14 р-п-р МП14А р-п-р МП14Б р-п-р МП14И p·n·p МП15 p-n-p ~.5• ~1 * 15 15 15 15 20 (150*) 20 (150*) 150 150 150 150 ~1 • ~1 • ~1 • ~1 * 15 30 30 30 15 30 30 30 20 20 20 20 ~2· 15 15 15 15 15 15 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) SЗО {15 В) SЗО (15 В) ~1 • ~1 • 15 15 15 15* (100) 15* (100) 15 15 15 15 15 50 (300*) 50 (300*) 50 (300*) 300* 300* S25 (15 В) S25 (15 В) S25 (15 В) s5o• (15 в) s5o• (15 в> МП15А р-п-р МП15И p-n-p 150 150 150 МП16 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 200. 200 200 150 150 МП16А МП16Б МП16Я1 МП16Я11 . S30 (15 В) S30(15B) 150 150 ~2· - ~2· - - (150*) (150*) (150*) (150*) S30 S30 S50 S50 (15 (30 (30 (30 В) В) В) В) - -
nараметрь1 биполярных германиевых транзисторов Ck, rкэ нас, С12э, rБэ нас, • • . пФ 15."45 15 ... 30 15".30 25".50 (5 (5 (5 (5 В; 1 мА) В; В; В; 1 мА) 1 мА) 1 мА) S60 S60 S60 S60 (5 (5 (5 (5 Ом В) В) Кш, дБ • •• Рвых, rб, Ом SlO SlO SlO SIO В) В) (1 Вт 49 'tк, пс • •• tвыкл, ••• НС tпк, tpac, Корпус кГц) МП9, МП10 (1 кГц) (1 кГц) (1 кГц) ~11,7 - 1 1 -25".55 (5 В; 1 мА) 45".100 (5 В; 1 мА) S60 (5 S60 (5 В) В) SlO (1 SlO (1 1 кГц) кГц) мпн ~11,7 Clt:>I~ 1 1 1 ~· 1 -~12 (5 В; 1 мА) 20".60 (5 В; 1 мА) S50 (5 S50 (5 В) В) з /( 5 МП13 $150* Sl2 (1 кГц) ~11,7 - at:>-f--l-rl1'............... ~ 20".4'0 20".40 30".60 20".80 (5 (5 (5 (5 В; В; В; В; 1 мА) 1 мА) 1 мА) 1 мА) 30".60 (5 В; 1 мА) 50".100 (5 В; 1 мА) ·s5o (5 в> S50 (5 В) S50 (5 В) s50 (5 В) S20 s50 (5 В) S50 (5 В) • 1 1 /(~3 - ~11.7 - МП15 $150* Sl50* Sl5 Sl5 Sl5 $6,6 $6,6 1 МП14 Sl50* Sl50* Sl50* .$150* ~11,7 SlO 20".35 (1 В; 10 мА) 30".50 (1 В; 10 мА) 45".100 (1 В; 1 мА) 20".70 (10 В; 100 мА) 10".70 (10 В; 100 мА) 1 МП16 s2000• $1500* $1000* ~11,7 - 1 ~ 1f -- IJ 1 J 1 5
Раздел 50 Ркmах, Тип Структу- прибора ра МП20А МП20Б p-n-p p-n-p • т max, Рк. •• и max, Рк, • •• fh2Jэ, ••• fmax, fгр, fh2Jб, 2. UКБО проб, UКэR проб, •• проб, Uкэо мВт Мfц в 150 150 ~2· 2::1,5* 30 30 UэБО проб, в 30 30 Б~n,олярные транзисторы .. IКБо, Iк max, • Iк. и max, lкэR, 1·· кэо, мА мкА 300• 300• ~50 ~50 (30 (30 В) В) " МП21В p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 150 150 150 150 2::1,5* ;;:::1 • ;;:::1 • 2::0, 7• p-n-p p-n-p p-n-p 200 200 200 2::0.2• 2::0.2• 2::0,5* p-n-p p-n-p p-n-p 200 200 200 2::0.2• 2::0.2• 2::0,5• П27А p-n-p p-n-p 30 30 ;;:::1 • ;;:::1 • П28 p-n-p 30 ;;:::5• МП21f МП21Д МП21Е МП25 МП25А МП25Б МП26 МП26А МП26Б П27 ~ 40 60 60 70 40 40 40 40 300• 300• 300• 300• ~50 ~50 ~50 ~50 (40 (60 (50 (50 В) В) В) В) 40 40 40 40 -- 40 40 300• 400* 400* ~75 ~75 ~75 (40 (40 (40 В) В) В) 70 70 70 70 70 70 300• 400* 400* ~75 ~75 ~75 (70 (70 (70 В) В) В) 5* 5* (О,5к) (О,5к) - 6 6 ~ ~ (5 (5 В) В) 5* (0,5к) - 6 ~ (5 В) 10• 10• 12 12 100• 100• ~ ~ П29 П29А p-n-p p-n-p 30 30 2::5* ;;:::5• - ~4 ~4 (12 (12 В) В)
Параметры 6иполярнь1х германиевых транзисторов h21э, h21э 50."150 (5 В; 25 мА) 80... 200 (5 В; 25 мА) Ck, Сi2э, rкэ нас, пФ Ом - - * rвэ нас, 51 51 Кш, дБ rб, Ом ** 1 Вт Рвых - 51 't'к, пс * fpac, Корпус ** fвыкл, *** НС fпк, - МП20 ~11,7 - ,кфэ J Q:;) 1 ~ 1 J 1 ' ) -- 20.. .100 (5 В; 25 мА) 20... 80 (5 В; 25 мА) 60... 200 (5 В; 25 мА) 30... 150 (5 В; 25 мА) - 51 51 51 51 - 1 - 5 МП21 - ~11,7 - - - ,кфэ J Q:;) ~ 13 ... 25 (20 В; 2,5 мА) 20... 50 (20 В; 2,5 мА) . 30... 80 (20 В; 2,5 мА) 520 (20 В) 520 (20 В) 520 (20 В) 52,2 52 51,8 - J J . 1 1 i МП25 51500*** 51500*** 51500*** ~11,7 - - ·\~)э ' Q:;) ' 1 1 ~ 1 -1.-......J 13 ... 25 (35 В; 1,5 мА) 20... 50 (35 В; 1,5 мА) 30... 80 (35 В; 1,5 мА) 515 (35 В) 515 (35 В) 515 (35 В) 52,2 52,2 51,8 - - МП26 51500*** 51500*** 51500*** ~11,7 - - кф Q:;) 1 1 J ~ ---- 20.. .100 (5 В; 0,5 мА) 20... 170 (5 В; 0,5 мА) - - 510 (1 кГц) 55 (1 кГц) - П27 - ~11,7 - \~)э J Q:;) ~ 20... 200 (5 В; 0,5 мА) - - 55 (1 кГц) 5 J J L-1 1 - П28 ~11,7 - кфэ Q:;) 1 1 j ~ -- 20 ... 50 (0,5 В; 20 мА) 40.. .100 (0,5 В; 20 мА) 520 (6 В) 520 (6 В) 10 10 - - 56000 56000 1 П29 ~11,7 - - - ~ ~ ' 1 1 ~_LJ 1 кфэ
52 Раздел 2. Биполярные транзисторы frp, fh21б, fi:2iэ, ••• fmax, Uкоо проб, мВт мrц в Ркmах, Тип Структу- прибора ра • т max, Рк, •• max, Рк, и UКэR проб, uКЭо проб, пзо р-п-р 30 2':10* 12* МПЗS n-p-n 150 2':0,5* 15 МП36А n-p-n 150 ~1* МП37А n-p·ri П·р·П 150 150 ~1 * МП37Б 150 150 ~2* 150 150 2':0,5* 2':0,5* 15* 15* (lОк) 150 150 ~l* 15* 30* МП38 -мпзsл n-p-n П-р·П МП39 p-n~p МП39Б p-n-p МП40 р-п-р МП40А р-п-р ~1 * ~2* ~1 * Uэво проб, в 12 Iк • lк, max, и max, мА 100* IКБО, IКэR, 1·· кэо, мкА :=;4 (12 В) - 20 (150*) SЗО (5 В) 15 - 20 (150*) S30 (5 В) 30 30 - - 20 (150*) 20 (150*) ~30 ~30 В) В) 15 15 - 20 (150*) 20 (150*) ~0{5 В) ~О (5 В) (10к) 5 5 20 (150*) 20 (150*) ~15 ~15 (5 В) (5 В) (lОк) (lОк) 5 5 20 (150*) 20 (150*) ~15 ~15 (5 В) (5 В) - (5 (5
Параметры бипоЛярных германиевых транзисторов h21э. h21э 80 .. .180 (0,5 В; 20 мА) Кш, дБ Ck, rкэ нас, Сi2э, rвэ нас, rб, Ом пФ Ом ** Вт Рвых, ::;20 (6 В) 10 * - 53 't'к, пс * tpac, ** tвыкл, t~=~HC Корпус пзо 6000 tJ11,7 ,кфэ Q:;) 1 ~ --- 1 13 ... 125 (5 В; 1 мА) - - • - ::;220* МП35 tJ11,7 Q:;) 1 1 ~1 13 .. .45 (5 В; 1 мА) - - ::;1 О (1 кГц) 1~ к 1 1 1 - з б 1 МП36 tJ11,7 Q:;) • ~ 15 ... 30 (5 В; 1 мА) 25 ... 50 (5 В; 1 мА) - - i r - ::;220· ::;220* 1 1 1 МП37 - tJ11,7 - Q:;) ~ 25... 55 (5 В; 1 мА) 45 .. .100 (5 В; 1 мА) - - ::;220* . ::;220* кф ' - 1 J 1 1 кфэ МП38 - tJ11,7 - - кфэ 1 Q:;) ,. ;;:.:12 (5 В; 1 мА) 20... 60 (5 В; 1 мА) ~J ::;50 (5 В) ::;50 (5 В) - ::;12 (1 кГц) - МП39 tJ11,7 - - кфэ ' Q:;) ~1 --- 20 .. .40 (5 В; 1 мА) 20 .. .40 (5 В; 1 мА) ::;50 (5 В) ::;50 (5 В) - - - J 1 МП40 tJ11,7 Q:;) ~ . 1 1 кфэ
Раздел Ркmах, Тип прибора Структура *т Рк, max, ** Рк, и max, мВт МП41 р-п-р МП41А р-п-р МП42 р-п-р МП42А р-п-р МП42Б р-п-р ПЮ8А р-п-р П108Б р-п-р П108В р-п-р пiosr р-п-р МП108А р-п-р МП108Б р-п-р МП108В p-n-p МП108f р-п-р МП108Д p-n-p П109А р-п-р П109Б р-п-р П109В р-п-р П109f р-п-р П109Д р-п-р П109Е р-п-р П109Ж р-п-р fТ109И р-п-р ПНSА р-п-р ПНSБ р-п-р пнsв р-п-р пнsr р-п-р пнsд р-п-р П122А n-p-n П122Б п-р-п П122В n-р-п п122r п-р-п 150 150 fгр, fh21б, ·fh2tэ, Uкво проб, Ui{эR проб, Uэво проб, *** fmax, ** проб, Uкэо в мrц в ~1 ~1 * * - 5 5 5 5 75 75 75 75 75 ~.5* 50 50 50 50 50 150 150 150 150 ~3* ~5* - ~1 * ~1 10 10 10 10 10 (18 (18 (18 (18 (18 10 10 10 10 10 10 10 10 (18 (18 (18 (18 (18 (18 (18 (18 имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) имп.) 5 5 5 5 50 50 50 50 5 5 5 5 5 50 50 50 50 50 - 10 10 10 10 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) ~10(5В) ~10 (5 В) ~10 (5 В) s;lO (5 В) s;lO (5 В) - 20 20 20 20 20 20 20 20 30 30 30 30 30 s;40 (20 В) S:40 (30 В) ~40 (20 В) ( 150*) (150*) (150*) (150*) S:20 s;20 s;20 s;20 * * ~1 * ~1 * ~1 * 20 30 20 30 20 20 20 20 20 20 ~1 * ~1 * ~2* ~2* 35 20 20 20 - ~1 мкА 150* 150* 150* 0,5* 1* 1* 1* * ~1 * ~1 * ~1 * IКэR, 1** кэо, - 75 75 75 75 ~1 мА Iкво, s=l5.(5 В) ~15 (5 В) ~1 * * ~1 * ~1 * ~1 * max, * и max, lк. 20 (150*) 20 (150*) 15* (3к) 15* (3к) 15* (3к) ~1 lк 5 5 ~1.5* ~2* Биполярные транзисторы .15* (lОк) 15* (lОк) 200 200 200 30 30 30 30 30 30 30 30 2. - 20 20 20 20 s;S (5 В) ~5 (5 В) s=5 (5 В) s;5 (5 В) ~2 (1,2 В) ~2 (1,2 В) ~1 (i,5B) ~5 (5 В) ~40 (20 В) ~40 (30 В) (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) ,, J
Параметры 6ипол11рных германиевых тра__н_зисторов rкэ нас, rвэ нас, rб, Ом Ом ** Вт Рвых, * 30 ... 60 (5 В; 1 мА) 50 ... 100 (5 В; 1 мА) 't'к, пс * tpac, Корпус ** tвыкл, *** НС tпк, ::;50 (5 В) ::;50 (5 В) 20 ... 35* ( 1 В; 10 мА) 30... 50* (1 В; 10 мА) 458 ... 100* (1 В; 1О мА) 20... 50 (5 В; 1 мА) 35 ... 80 ( 5 В; 1 мА) 60 ... 130 (5 В; 1 мА) 110... 250 (5 В; 1 мА) Кш, дБ 55 МП41 g51f,7 - ::;20 ::;20 ::;20 50 50 50 50 (50 (50 (50 (50 В) В) В) В) 25 ... 50 (6 В; 1 мА) 35 ... 80 (5 В; 1 мА) 60.. .130 (5 В; 1 мА) 110."250 (5 В; 1 мА) 30".120 (5 В; 1 мА) МП42 ::;2000*** :s;l 500* * * - ::;1000*** ::;6 (1 кГц) . - g5ff,7 - 5000 5000 5000 5000 П108 ::;5000 ::;5000 ::;5000 ::;5000 ::;5000 МП108 - tJ11,7 - " 20... 50 (5 В; 1 мА) 35... 80 (5 В; 1 мА) 60... 130 (5 В; 1 мА) 110."250 (5 В; 1 мА) 20... 70 (5 В; 1 мАО 50.. .100 (5 В; 1 мА) ~100* (1,5 В) 20... 80 (5 В; 1 мА) ::;30 (5 в) ::;30 (5 в> ::;30 (5 в> ::;30 (5 В) ::;40 (1,2 В) ::;40 (1,2 В) ::;30 (5 В) ::; 12 (1 кГц) ::;10000 ::;10000 ::;10000 ::;10000 ::;10000 ::;10000 ::;10000 ::;10000 ~к~з 1 П109 ~J.7 ~ с-.. 20... 80 (1 В; 25 мА) 20••. 80 ( 1 В; 25 мА) 60... 150 (1 В; 25 мА) 60... 150 (1 В; 25 мА) 125... 250 (1 В; 25 мА) 15.. .45 15.. .45 30... 60 30."60 (5 (5 (5 (5 В; В; В; В; 1 мА) 1 мА) 1 мА) 1 мА) 200* 200* 200* 200* П122 ~11,7 -
Раздел 56 Ркmах, Структу- Тип прибора ра *т Рк, max, ** Рк, и max, мВт fгр, fh2\б, fh2tэ, 2. Uкво проб, *** fmax, UкэR проб, uКЭо проб, МГц в Uэво проб, в Биполярные транзисторы Iкво, lк max, * и max, lк, IКэR, IКЭо, мА мкА , П124А р-п-р П124Б р-п-р П124В р-п-р П124Г р-п-р П125А П125Б - р-п-р р-п-р П125В р-п-р П125f р-п-р П125Д р-п-р П125Е p-n-p П125Ж р-п-р П125И p-n-p П125К р-п-р П125Л р-п-р П201Э р-п-р П201АЭ p-n-p П202Э р-п-р П203Э П207 75 75 75 75 ~1 * * ~1 * ~1 * 25 25 25 25 10 10 10 10 100* 100* 100* 100* .s;l5 (15 В) ~15 (15 В) ~15 (15 В) ~15 (15 В) 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 ~1 35 35 35 35 35 35 35 70 70 70 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 300* 300* 30(;* 300* 300* 300* 300* 300* 300* 300* ~15 ~15 ~15 ~15 45 45 - 1,5 1,5 70 70 - - 40** 40** - 25 25 А ~16 мА А ~16 мА - 60** 60** - 25 25 А ~5мА А ~25 мА 40** 40** 25 25 12 12 А ~8 мА А ~мА ~1 * * ~1 * ~1 * ~1 * ~1 * ~1 * ~1 ~1 * * -~1 * ~1 10* 10* Вт ~0.1 * Вт ~.2* 10* 10* Вт ~.1* р-п-р Вт ~.2* p-n-p p-n-p 100* 100* Вт П208 p-n-p р-п-р 100* 100* Вт П208А П207А П209 р-п-р П209А р-п-р 60* 60* Вт Вт Вт ~.1*~ Вт ~.1** - . ~15 .s;l5 .s;l5 ~15 .s;15 ~15 (15 В) (15 В) (15 В) (15 В) (15 В) {15 В) (15 В) (15 В) (15 В) (15 В) А ~О.4 мА А ~.4мА 2А ~О.4 мА 2А .s;0,4 мА
Параметры биполярных германиевых транзисторов rкэ нас, * rвэ нас, Ом 28".56 (0,5 В; О, 1 А) 45".90 (0,5 В; 0,1 А) 71".162 (0,5 В; 0,1 А) 120".200 (0,5 В; О, 1 А) Кш, дБ rб, Ом ** Рвых, Вт 57 't'к, пс * fpac, Корпус ** fвыкл, *** НС fпк, ~О.5 ~О.5 ~О.5 П124 - ~О.5 fll,4 1 l/ернан /Уточки 3 ;~t~~lii~ к$ ...___11. 28".56 (0,5 В; 25 мА) 45".90 (5 В; 25 мА) 71".140 (5 В; 25 мА) 120".200 ,(5 В; 25 мА) :2:28* (0,5 В; 100 мА) 45".90 (5 В; 25 мА) 71""140 (5 В; 25 мА) 25".56* (0,5 В; 100 мА) 45".90* (0,5 В; 100 мА) 71".140* (0,5 В; 100 мА) ~20* ~40* (10 (10 В; В; 0,2 0,2 А) А) П125 tJ11, 7 1.......-· Q::)+--"-m.·......... ~-- 1 ~1.25 П201 ~1.25 21 ~, ~20* (10 В; 0,2 А) ~1.25 ~1.25 1 ~1 } П202 5".15 5".12 П207 ~15 П208 ~15 ~15 ~15 ~з w J( П209
Раздел 58 прибора · Структу- П210 р-п-р П210А р-п-р П210Б р-п-р П210В р-п-р П210Ш р-п-р П213 р-п-р П213А p·n-p П213Б р-п-р П214 р-п-р П214А р-п-р П214Б р-п-р П214В· р-п-р П214Г р-п-р П215 р-п-р П216 р-п-р П216А р-п-р П216Б р-п-р П216В p-n-p П216f р-п-р П216Д р-п-р fгр, fh21б, fh2Iэ, ••• fmax, u& проб·, мВт мrц в 20,1 ** 20,1** 20,1 ** 20,1** 20,1 ** 60** 65** 65 45 64* 25 25 25 25 25 12 12 12 12 12 11,5* Вт 10* Вт 10* Вт 20,2* 20,2* 20,2* 45 45 45 15 10 10 5А 10* Вт 10* Вт 11,5* Вт 10* Вт 10* Вт 20,2* 20,2* 20,2* 20,2* 20,2* 60 60 60 60 60 15 15 15 10 10 БА 20,2* 20,2* 1515 15 15 15 15 15 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А Рк, т ра Биполярн~1е транзисторы • max, •• Рк, и max, Ркmах, ' Тип 2. 60* 60* 45* 45* 60* 10* 30* 30* 24* 24* 24* 24* Вт Вт Вт Вт Вт Вт Uкво проб, UКэR пробt Uэво nроб, в lк • Iк, max, и max, мА А А А А А 5А 5А 5А 5А 5А 5А 5А Iкво, IКэR, 1** кэо, мкА ::;12 мА ~мА (45 В) ::;15 ::;15 мА мА ~мА (65 В) ::;D,15 мА ::;1 мА ::;1 мА ::;D,3 мА ::;D,3 мА ::;D,15 мА :s;l ,5 мА :s;l,5 мА S0,3 мА ::;D,5 мА ::;D,5 мА :s;l,5 мА :s;Z мА ::;2,5 мА Вт ~.2* Вт 20,2* Вт ~0.2* Вт Вт 20,2* 20,2* 80 40 40 35 35 50 50 30* Вт 30* Вт 30* Вт 24 Вт 24 Вт 20,2* 20,2* 20,2* 20,2* 20,2* 60 60 60 60 60 15 15 15 15 15 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А S0,5 мА ::;D,5 мА ::;D,5 мА 75 75 75 ~140 15 15 15 1,5 1,5 0,5 40 (100*) 40 (100*) 40 (100*) S4 (15 В) 20 20 20 20* 3 3 3 3 50 50 50 50 S2 ::;2 ::;2 ::;2 Вт ::;z мА ' П217 р-п-р П217А p·n·p П217Б р-п-р П217В р-п-р П217Г р-п-р П305А р-п-р ПЗОSБ р-п-р пзоsв р-п-р П308А р-п-р П308Б р-п-р П308В р-п-р П308f р-п-р 150 150 150 150 (360**) (360**) (360**) (360**) ~160 ~160 ~90 ~120 ~120 ~120 . (120*) (120*) (120*) (120*) ::;з мА ::,;3 мА - (5 В) (5 В) (5 В) (5 В)
Параметры биполярных германиевых 11)ранзисторов rкэ нас, rвэ нас, rб, Ом Ом ** 1 Вт Рвых * ;c:l5* (2 ~15* (2 ;c:lO* (2 ;c:lO* (2 ;с:15* (.2 В; В; В; В; В; 5 5 5 5 5 Кш, дБ 59 't'к, пс * 1 fpac ** 1 fвыкл Корпус *** НС fпк, А) П210 А) А) А) А) 20 ... 50* (5 В; 1 А) ;с:20* (5 В; 0,2 А) ~ ;с:4О* (5 В; 0,2 А) П213 ~.16 $1,25 20 ... 60* (5 В; 0,2 А) 50... 150* (5 В; 0,2 А) 20".150* (5 В; 0,2 А) ;с:20* (5 В; 0,2 А) $0,3 $0,3 $0,3 $0,3 $0,3 П214 20 ... 150* (5 В; 0,2 А) ;с:16 (0,75 В; 4 А) 20 ... 80 (О, 75 В; 4 А) ;с:10 (3 В; 2 А) ;с:30 (3 В; 2 А) ;с:5 (3 В; 2 А) 15 ... 30 (3 В; 2 А) ~.3 П215, П216 $0,2 $0,2 ~.25 ~.25 $0,25 ;c:l 6 (0,75 В; 4 А) 20 ... 60 (5 В; 1 А) ~20 (5 В; 1 А) ;с:15* (1 В; 4 А) 15 .. .40 (3 В; 2 А) 25 ... 80* (l В; 10 мА) 60 ... 180* (l В; 10, мА) 40 ... 120* (5 В; 5 мА) 20 ... 75* (l В; 10 мА) 50 ... 120* (1 В; 10 мА) 80 ... 200* (l В; 10 мА) 80 ... 150 (l В; 10 мА) П217 $0,5' $0,5 $0,5 $0,25 $0,5 $7 (5 В) $7 (5 В) $5,5 (5 В) $8 $8 $8 $8 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) $50 $50 $6 (1,6 $30 $24 $24 $8 (l,6 $8 (1,6 МГц) МГц) МГц} $300 $300 $300 П305 $400 $1000* $400 $500 $1000* П308 - ~11,7 - ' !
Раздел 60 Тип Структу- прибора ра П309А , П309Б р-п-р р-п-р Uкоо nроб, ** и max, Рк. fh2Iэ, *** fmax, UКэR nроб, ** nроб, Uкэо мВт МГц в 75 75 75 75 75 75 ~120 10 10 10 10 10 10 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 10 10 10 10 10 10 :S5 S:5 :S5 s=5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) 12 12 12 12 12 12 - 10 10 10 10 10 10 :S5 (5 ~5 (5 :S5 (5 ~5 (5 ~5 (5 :S5 (5 В) В) В) В) В) В) 12 12 12 12 12 12 (20 имп.) 12 (20 имп.) 10 2 2 2 2 2 2 2 1,5 50 50 50 50 50 50 50 50 s;5 (5 В) S:5 (5 В) s;5 (5 В) s;5 (5 В) s;5 (5 В) s;5 (12 В) s;5 (12 В) ~5 (10 В) 15 15 15 0,7 0,7 0,7 30 30 30 :S5 (12 :S5 (12 s;5 (12 В) В) В) 20 20 20 3 3 3 150 (300*) 150 (300*) 150 (300*) s;lO (20 s;lO (20 ~10 (20 В) 40** 40** 40** 30** 30** 30** 4 4 4 2,5 2,5 2,5 25 25 25 15 15 15 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 * т max, РК, ~120 ~80 П309Г р-п-р р-п-р П309Е р-п-р П.310А р-п-р П310Б p-n-p П310В р-п-р пз~оr p-n-p П310Д р-п-р П310Е p-n-p 20 (35°С) 20 (35°С) 20 (35°С) 20 (35°С) 20 (35°С) 20 (35°С) пзни n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 150 150 150 150 150 150 150 150 П313А р-п-р П313Б p-n-p П313В р-п-р 100 100 100 П320А р-п-р П320Б р-п-р П320В р-п-р П321А р-п-р П321Б р-п-р П321В p-n-p ПЗНБ пзнв пзнr П311Д ПЗНЕ пзнж • пз21r р-п-р П321Д р-п-р ПЗ21Е p-n-p П322А p-n-p П322Б р-п-р П322В р-п-р пз22r р-п-р П322Д р-п-р П322Е р-п-р / frp, fh2lб, ПЗО9Д П311А Биполярные транзисторы РКmах, р-п-р П309В 2. ~80 ~80 ~80 ~160 ~160 ~120 ~120 ~80 ~80 ~300 ~300 ~450 ~450 ~600 ~50 ~300 ~450 ~300 ~450 ~350 ~80 200 200 200 160 160 160 160 160 160 (20** (20** (20** (20** (20** (20** . 50 50 50 50 50 50 ~120 ~160 Вт) Вт) Вт) Вт) Вт) Вт) . ~60 ~60 ~60 ~60 ~60 ~60 ~80 ~80 ~80 ~50 ~50 ~50 Uэво nроб, в Iк max, * и max, Iк, мА 200 200 200 200 200 200 (2* А) (2* А) {2* А) (2* А) (2* А) (2* А) 10 10 10 5 5 5 Iкоо, l~R, 1** кэо, мкА ~5 ~5 В) В) В) В) В) В) В) ~500 (60 В) :SSOO (60 В) :SSOO (60 В) s;500 (45 В) ~500 (45 В) ~500 (45 В) s;4 (25 В) S:4 (25 В) s;4 (25 В) ~ (15 В) ~4 (15 В) ~ (15 в
Параметры биполярных германиевых транзисторов 61 . .. h21э, h21э 20 ... 70 (5 В; 1 мА) 60... 180 (5 В; 1 мА) 20 ... 70 (5 В;.1 мА) 60 .. .180 (5 В; 1 мА) 20 ... 70 (5 В; 1 мА) 60 ... 180 (5 В; 1 мА) Ck, rкэ нас, Кш.дБ С12э, rвэ нас, rб, Ом пФ Ом • :57,5 :57,5 :57,5 S7,5 :57,5 :57,5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 • В) В) В) В) В) В) •• Рвых, 'tк, ПС • •• taыКJJ, tpac, Вт ••• tпк, НС - :56 (1,6 МГц) s6 (1,6 МГц) - - - - - S500 S500 :51000 SlOOO :51000 SlOOO -15 ... 80* (3 В; 5 мА) 30 ... 180* (3 В; 5 мА) 15 ... 50* (3 В; 5 мА) 30... 80* (3 В; 5 мА) 60 .. .180* (3 В; 5 мА) 20 ... 80* (3 В; 5 мА) 50... 200* (3 В; 5 мА) 100... 300* (3 В; 5 мА) 20 ... 250 (5 В; 5 мА) 20 ... 250 (5 В; 5 мА) 30... 170 (5 В; 5 мА) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) s5 (5' В) :55 (5 В) :54 :54 :55 :::;5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) :::;2,5 (5 :::;2,5 (5 :::;2,5 (5 В) S2,5 :::;2,5 :::;2,5 :::;2,5 :52,5 :::;2,5 :::;2,5 :::;2,5 В) В) В) В) В) В) В) В) В) - :53 :53 :54 S4 :54 :54 - (1,6 МГц) ( 1,6 МГц) (1,6 МГц) (1,6 МГц) ( 1,6 МГц) ( 1,6 МГU.) ~ 1 ~ :5300 :5300 :5300 :5300 :5500 S500 - ПЗ10 fl.t,2 . u ~ ~- ~·=r Ф11 - ~ 1 ~ ' :58 (5 В) В) В) :58,5 :58,5 :58,5 1 ~11 :53,5 :53,5 :::;3,5 :53,5 :53,5 SЗ,5 11 ssoo - - :::;600 :5600 :5600 :5600 :5600 - - 50... 120 (5 В; 1 мА) 20 ... 120 (5 В; 1 мА) 50... 120 (5 В; l мА) 20 ... 70 (5 В; J мА) 50... 120 (5 В; l мА) :::;1,8 :51,8 :::;2,5 :::;2,5 :51,8 :51,8 (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) - Корп. ПЗ20 :5500 S600 - 1 1 1 ~11,7 - - ! 11 1 1 1 ,11,7 . Q::i . ! 1 J 1 11 sбоо· - S4 (1,6 МГц) :54 ( 1,6 МГц) :54 ( 1,6 МГц) :550 S100 :5200 - - . зф ПЗ21 ~ w Зо ... 100 (5 В; 1 мА) зеJ ~ ~w (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) Корп. ПЗ13 с-,, SSO :580 S80 s;80 S80 S80 11 1 Q::i 20 ... 60* (3 В; 0,5 мА) 40 .. .120* (3 В; 0,5 мА) 80... 200* (3 В; 0,5 мА) 20... 60* (3 В; 0,5 мА) 40 .. .120* (3 В; 0,5 мА) 80... 200* (3 В; 0,5 мА) 11 1 ,, :58 (5 зеJ ' ~ - s8 (5 з ПЗ11 ~ со· 20 ... 80* (1 В; 1О мА) 50 ... 160* (1 В; 10 мА) 80... 250* (1 В; l О мА) 6. ~ :575 :540 s75 - з~ • sso• :550* s5o• :550* :575; :550* S100; s50* :5100; :::;50* к 1 s50* - :54,6 :54,6 S4,6 JIU !п ~ - :::;20 :520 :520 :520 :520 :::;20 :::;20 :520 ПЗО9 ~ . 20 ... 70 (5 В; 1 мА) 60 ... 180 (5 В; 1 мА) 20 ... 70 (5 В; 1 мА) 60 ... 180 (5 В; 1 мА) 20 ... 70 (5 В; 1 мА) 60 .. .180 (5 В; 1 мА) Корпус 1 зф6 ПЗ22 ~5.'!_ '":i ~~ -. " h~ ' 1 !1 ......_ 11 з Кораф6 к
Разdеп 62 Uкво проб, UкэR проб, Uэво проб, ** и max, Рк, 1·· h2lэ, *** fmax, uКЭо проб, в мВт МГц в n-p-n n-p-n n-p-n 500 500 500 ~200 ' 20 20 20 2 2 2 1000 1000 1000 :S30 p-n-p p-n-p p-n-p 50 (55°С) 50 (55°С) 50 (55°С) 15* (5к) 15* (5к) 15* (5к) 0,25 0,25 0,25 10 10 10 SlO (15 В) SlO (15 В) SlO (15 В) 10 10 10 10 0,5 0,5 l 0,5 20 20 20 20 S5 S5 s5 S5 10 (20 имп.) 10 (20 имп.) 10 (20 имп.) 1,5 1,5 1,5 20 20 20 S5 (10 В) S5 (10 В) S5 (10 В) 20 20 20 20 20 3 3 3 3 3 прибора ра ПЗ23В ПЗ28А ПЗ28Б ПЗ28В IКБо, IКэR, 1** кэо, frp, fh21б, Структу- ПЗ2ЗБ б#!nолярные транзисторы Ркmах, Тип ПЗ23А • 2. • т max, РК, ... ~200 ~300 ~400 ~300 ~300 lк max, * и max, Iк, мА мкА ~о ~о , ПЗ29А ПЗ29Б ПЗ29В ПЗ29Г пззод пззож пззои ПЗ35А П335Б ПЗЗ5В пззsr ПЗЗ5Д ПЗ38А ПЗЗ8Б пззsв n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 50 (4о·с> 50 (40°С) 50 ·(40°С) 25 (бо с) ~1200 n-p-n n-p-n n-p-n 50 (45°С) 50 (45°С) 50 (45°С) ~500 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 200 200 200 200 200 p-n-p p-n-p p-n-p 0 (45°С) (45°С) (45°С) (45°С) (45°С) 100 100 100 ~1680 ~990 ~700 ~1000 ~500 ~80 ~80 ~&О ~300 ~300 - 20 (8**) 20 (13**) 20 (5**) - 150 150 150 150 150 (250*) (250*) (250*) (250*) (250*) (10 (lO (10 (10 В) В) В) В) SlO SlO SlO SlO SlO 1000 S30 (20 В) S30 (20 В) ~О (20 В) 10 10 10 S5 (lO В) S5 (10 В) S5 (10 В) 1000 1000 ' tl ПЗ41А ПЗ41Б П341В n-p-n n-p-n n-p-n 35 (6О С) 35 (6О 0 С) 35 (60°С) 0 ~1500 10 10 10 ~1980 ~1·500 ... 0,3 0,3 0,5
Пара_метры биnолярных германиевых транзисторов Ck, rкэ нас, Кш,д.Б С12э, rБЭ нас, rб, Ом пФ Ом $30 S30 $30 - • h21э, h21э 20 ... 60 (5 В; 0,5 А) 40". J 20 (5 В; 0,5 А) 80."200 (5 В; 0,5 А) • 'tк, пс • tpac, • •• Рвых, - 63 Вт •• ••• НС tпк, tвыкл, Корпус - - - ПЗ23 -- - , 11, 7 - зф1 Q::i • с-.... 1111 1 1I ~ 20."200* (5 В; 4 мА) 40".200* (5 В; 3 мА) 1О ... 70* (5 В; .3 мА) - Sl,5(5B) Sl,5 (5 В) Sl,5 (5 В) s7 (180 МГц) s7 (180 МГц) s7 (180 МГц) ПЗ28 s5 sJO, SlO ~5,8 ~ ~· "') ..,. ...... ,...,.. /1 ..... 1 (5 (5 (5 (5 В; В; В; В; 5 5 5 5 мА) мА) мА) мА) - - S2 (5 В) S3 (5 В) sЗ (5 В) S2 (5 В) - ~ (400 МГц) s6 (400 МГц) S6 (400 МГц) S5 (400 МГц) S15 s30 S20 Sl5 17 9)7,// -$65,5 ~ ~ , 1<с. -- -и.11 Sl5 Sl5 Sl5 МГц) S30; S50* S50; 550* s8 (400 МГц) $ЗО;s50* s8 (400 - rЩ ~ ~111 ...... 1 1 ~· "".:" - - В) В) В) Sl50* С1::. J 1 J 11 с--,, - ) tнSlнc tнSlнc tнSlнc 11 1 ~11 - э$ ~ - ~ 1 1 1 cii::.· 1 Sl (5 :51 (5 Sl (5 В) В) В) - S4,5 (1 ГГц) :55,5 ( 1 ГГц) s5,5 ( 1 ГГц) 1 1 ' Корп. 1 ПЗ41 :510 :510 SlO 17 9)7,//_ ~ "':)" -165,5 ~ 1 # , !"- - . ~ ПЗЗ8 ~ 15... 300* (5 В; 5 мА) 15... 300* (5 В; 5 мА) 15".300* (5 В; 5 мА) к f/J11,7 - .o:r-, - ~5 ПЗЗ5 sJOO* Sl50* . S2 (5 S2 (5 :52 (5 з ~ ~ 1 1 - к 17 •1"--ir:tr: ·- - ~ ~ ,, 9)7,// ~ S8,5 S8,5 S8,5 S8,5 s8,5 ~/;1 ~5 пззо "':)' 40 ... 70* (3 В; 50 мА) 60".100* (3 В; 50 мА) 40 ... 70* (3 В; 50 мА) 60."100* (3 В; 50 мА) 50.. .l 00* (3 В; 50 мА) - - 1з '~ ...... ~·~ "".:" SЗ (5 В) $3 (5 В) s3 (5 В) к ПЗ29 "':)" 30.. .400* (5 В; 5 мА) 30.. .400* (5 В; 5 мА) 1О" .400* (5 В; 5 мА) К47дф 1 ~ 15".300* 15 ... 300* 15."300* 15."300* з ~ "".:" 8.J::C...- ...... с::: -з ~/;1 ~~~ ~ к
Раздел frp, fh2\б, fh21э, *** fmax, Uкво проб, max, ** Рк. н max, мВт МГц в 50 (55°С) 50 (55°С) 50 (55°С} ~700 20 20 20 Ркmах, Тип Структу- прибора ра p-n-p p-n-p p-n-p П346А П346Б П346В *т Рк. Ui(эR проб, uКЭо проб, ~550 ~550 - 2. Биполярные транзисторы lк max, lк. н rnax, Uэво проб, в мА 0;3 0,3 0,3 - Iкво, li<эR, Ii<Эo, мкА 10 10 10 :510 (20 В) :510 (20 В) :510 (20 В) ' ·- ..• ~2400 5 (55°С) 5 (55°С) 0,2 0,2 10 10 :55 (5 В) :55 (5 В) 35 (85°С) ~1020 7** 0,25 10 :55 (7В) 25 (55°С) 25 (55°С) 25 (55°С) ~2400 П383В-2 n-p-n n-p-n n-p-n 5* ( 1к) 5* (l к) 5* (lк) 0,5 0,5 0,5 10 10 10 :55 (5 В) :55 (5 В) :55 (5 В) П401 ~-n-p П402 p-n-p 100 100 10 10 l 1 20 20 :510 (5 В) :55 (5 В) n-p-n n-p-n 40 40 ~2400 П376А p-n-p ПЗ83А-2 П362А П362Б ' П383Б-2 ~1500 ~3600 ~30 ~о ' . П402А П402Б П402В П402Г П402Д П402Е П402Ж П402И p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 300; 300; 300; 300; 0,3 Вт; 0,3 Вт; 0,3 Вт; 0,3 Вт; 600 600 600 600 0,6 Вт 0,6 Вт 0,6 Вт 0,6 Вт ~l * ~l * ~l * ~1 * ~1 * ~1 * ~1 * ~1 * 25* 25* 40* 40* 25* 25* 40* 40* (О,2к) (О,2к) (О,2к) (О,2к) (О,2к) (О,2к) (0,2к) (0,2к) - 500 500 500 500 500 500 500 500 В) В) В) В) В) ~25(10В) :525 (10 В) :520 :520 :520 :520 :525 (10 (10 (10 (10 (10 :525 (10 В) - П403 П403А. p-n-p p-n-p 100 100 ~100 ~80 10 10 1 1 20 20 ~ . :55 (5 В) :55 (5 В) -
параметры биполярных германиевых транзисторов rкэ нас, Кш.дБ rвэ нас, rб, Ом • Ом 10... 150 (10 10... 150 (10 15 ... 150 (10 В; В; В; 2 2 2 мА) мА) мА) Sl ,3 (5 Sl ,3 (5 Sl ,3 (5 10".200 (3 10... 250 (3 В; В; 5 5 мА) мА) Sl (5 Sl (5 10... 150* (5 В; 2 мА) Sl ,2 (5 В) В) В) • ** 1 Рвых Вт S6 (800 МГц) S8 (800 МГц) s7 (200 МГц) В) В) В) 65 'tк, пс * 1 tpac Корпус •• tвыкл, *** нс tпк. S3 s5,5 s6 S4,5 (2,25 s5,5 (2,25 ГГц) slO S20 П362 ГГц) S3,5 (180 МГц) Sl5 П376 ::}j ... 1 ~.:.___ 1 15".250 (3,2 10... 250 (3,2 15".250 (3,2 В; В; В; 5 5 5 мА) мА) мА) 16 ... 300 (5 В; 5 мА) 16.:.250 (5 В; 5 мА) Sl (3,2 Sl (3,2 Sl (3,2 В) sl5 (5 SlO (5 В) S4,5 (2,25 ГГц) S4 (1 ГГц) s5,5 (2,83 ГГц) В) В) В) фз6 ...._.,. Корп. $10 SlO Sl5 П383 S3500 SlOOO П401, П402 - , 11,7 1 1 1 11 t::...._-'l"I 30 ... 80 ( l В; 3 мА) 60".150 (l В; 3 мА) 30 ... 80 ( l В; 3 мА) 60 ... 150 (l В; 3 мА) 30 ... 80 (l В; 3 мА) 60".150 (l В; 3 мА) 30. "80 (l В; 3 мА) 30".80 ( l В; 3 мА) 30 ... 100 (5 16... 200 (5 В; В; 5 5 мА) мА) 1 П402 r/J11,7 S5 s5 S5 S5 SlO (5 slO (5 В) В) П403 S500 S500 ,11,7 ' 1 t::_11_"'1'1 1 1 к
Раздел 86 fгр, fh21б, fh21э, Ркmах, Тип Структу- прибора ра •т Рк, •• Рк, н ••• fmax, МГц в Вт ~.008** Вт ~.008** 45 45 60 60 60 60 80 80 45 мВт П40ЗА П40ЗБ П40ЗВ П40ЗГ П40ЗД П40ЗЕ П40ЗЖ П40ЗИ П40ЗЮ rТ404А p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 4* 4* 5* 4* 4* 5* 4* 4* 4* n-p-n n-p-n П404В n-р-п П404Г n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 600; 600; 600; 600; 600; 600; 600; 600; p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 П404Б П404Д П404Е П404Ж П404И П405А П405Б П405В П405Г П406А П416 П416А ·П416Б p-n-p p-n-p p-n-p Uкво проб, Ui(эR проб, uКЭо проб, max, max, Вт ~.008** Вт ~.006** Вт ~.006** Вт Вт [, ~.008** ~О.008** Вт ~О.008** Вт ~О.008** UэБО проб, в - Вт ~1 * (О,2к) Вт ~1 * - Вт ~1 25* 25* 40* 40* 100 (360*) 100 (360*) 100 (360*) ~40 ~60 ~80 IКэR, 1** кэо, мкА (45 В) (45 В) (60 В) (60 В) (60 В) (60 В) (80 В) (80 В) (45 В) s25 (10 В) S25 (10 В) S25 (10 В) s25(10B) $25 (10 В) S25 (10 В) $25 (10 В) $25 (10 В) (О,2к) (О,2к) (О,2к) Вт мА Iкво, 500 500 500 500 500 500 500 500 (О,2к) (О,2к) (О,2к) (О,2к) (О,2к) Вт max, • Iк, н max, - 2а 25* 25* 40* 40* 25* 25* 40* 40* * ~l * 0,006** lк $50 $50 $50 $50 $50 S50 $50 $50 S50 * * ~1 * ~l * ~1 * ~1 * ~l * ~1 * ~1 Биполярные транзисторы 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 20 20 20 20 30 20 20 20 300 300 300 300 300 300 300 300 ~l 2. s25 s25 $25 $25 S50 (lO (10 (10 (10 (25 В) В) В) В) 25 20 500 500 - 500 500 1250 12 12 12 3 3 3 25 (120*) 25 (120*) 25 (120*) $3 (10 $3 (10 $3 (10 В) В) 8 8 8 0,7 0,7 0,7 10 10 10 $3 (10 $3 (10 $3 (10 В) В) В) - 20 20 $5 (5 S5 (5 (О,2к) (О,2к) (О,2к) - - В) В) ' П417 П417А П417Б П422 П423 p-n-p p-n-p p-n-p 50 50 50 p-n-p p-n-p 100 100 ~200 ~200 ~200 ~50 ~100 10* 10* (lк) (lк) - В) В) - П605 П605А p-n-p p-n-p 3 3 Вт Вт - - 45 45 1 0,5 1500 1500 s2000 (45 (45 ~2000 В) В)
параметры биполярных германиевых транзисторов rкэ нас, С12э, rвэ нас, пФ Ом - s1 s1 s1 • h21э. h21э ,!; .... 20 ... 60 (5 В; О, 1 А) 50 ... 150 (5 В; 0,1 А) 20".60 (5 В; О, 1 А) 50 ... 150 (5 В; 0,1 А( 50".150 (5 В; О, 1 А) 30* (0,45 А) 20 ... 60 (5 В; О, 1 А) 30* (О,45 А) 30 ... 60 (5 В; О, 1 А) Ck, Кш, дБ • * rб, Ом , , ** Вт Рвых, - - Sl s1 s1 s1 s1 s1 30 ... 80 ( 1 В; 3 мА) 60".150 (l В; 3 мА) 30".80 ( 1 В; 3 мА) 60".150 (l В; 3 мА) 30 ... 80 (l В; 3 мА) 60".150 (1 В; 3 мА) 30. "80 (l В; 3 мА) 60 ... 150 ( 1 В; 3 мА) - S6 S6 S6 S6 S6 S6 S6 S6 - 30".80 (l В; 3 мА) 60".150 (l В; 3 мА) 30".80 (l В; 3 мА) 60."150 (1 В; 3 мА) 50. .. 150 (5 В; 0,1 А) - - - - - - - -- - 67 't'к, пс * tpac, Корпус ** tвыкл, *** НС tnк, П403 - - " ~ ~ -- tJ10 / ! С)) ~ П404 - rJ 11,7 - к ~ ' ~ - 1 - с-.., - ~ ' 1 J1 1 1 1 1 - 1 П405 - ' " 7,5 ~оо Се J11 1 J 11 ) 1 ' S8 (5 В) S8 (5 В) S8 (5 В) ~о S40 S40 - - П416 S500; SlOOO* S500; SlOOO* S500; SlOOO* 164;2 ~ с:... ~- ~ 24 ... 100 (5 В; 5 мА) 65" .200 (5 В; 5 мА) 75."250 (5 В; 5 мА) S5 (5 В) S5 (5 В) S6 (5 В) - - - S400 S400 S400 -- вJ lВНФ ~ 20 ... 80 (5 В; 5 мА) 60".120 (5 В; 5 мА) 90".250 (5 В; 5 мА) rJ12 -- j ' - \ 1--= ' i~ 6. з 11 ) П417 "' (1}11,5 к ~ ~ i f1 JL f ~j 1 эфб ---- 1 24 .. .100 (5 В; 1 мА) 24".100 (5 В; 1 мА) SlO (5 В) SlO (5 В) - SlO (1,6 МГц) SlO (1,6 МГц) - П422, П423 SIOOO S500 164;2 ~ l с:... ~ ~ 1--= ' .._. J 6ф з 1 1 20".60 (3 В; 0,5 А) 40".120 (3 В; 5 А) Sl 30 (20 В) Sl 30 (20 В) ~о S40 - П605 S3000* S4000* ~15,5 1 ~ ot " - u ,.~~_с 2//.8 l (,;. ~6 /J ~ ~ 'Fo о"\ ~ ~ О..1, ~ ~ ~з
68 Раздел Ркmах, Тип прибора Структура *т Рк, fгр, fh21б, fh21э, UкБо проб, *** fmax, Ui{эR проб, u&проб, мВт МГц в max, ** Рк. н max, мкА 300 (600*) 300 (600*) ~ОО-(30 В) :5300 (30 В) 30 30 1,5 1,5 300 (600*) 300 (600*) ~00 (30 В) :5300 (30 В) 30 30 1,5 1,5 300 (600*) 300 (600*) :5300 (30 В) :5300 (30 В) 2,5 2,5 2,5 700* 700* 700* :540 (30 В) :540 (30 В) :540 (30 В) 120 (200*) :55 (12 В) р-п-р П607А p·n·p 1,5 Вт 1,5 Вт ~60 ~60 1,5 Вт 1,5 Вт ~90 ~90 IКэR, 1** кэо, 1,5 1,5 П607 р·П·р мА IКБО, 30 30 35 35 p·n·p . max, * н max, Iк. :52000 (35 В) :52000 (35 В) ~30 П608А в Iк 1500 1500 1,25 Вт 1,25 Вт П608 UэБО проб, Биполярные транзисторы l 0,5 p-n·p p·n·p ~30 П606А П606 2. ' П609 р·П·р p·n·p 1,5 Вт 1,5 Вт ~120 П609А ПС609А 500 (43°С) 500 (43°С) 500 (43°С) ~60 ПС609В p·n·p p·n·p p·n·p ~о 50 50 50 П612А-4 п-р-п 570 ~1500 12 0,2 П701А р·П·р 50* Вт ~.05* 55* (140 имп.) 15 ПС609Б ~120 ~60 . 12 А :56 мА
nараметрЬ1 биполярнь1х германиевЬ1х транзисторов rкэ нас, Кш, дБ СБЭ нас, rб, Ом Ом Р:=х. Вт • 69 'tк, пс • tpac, Корпус ** tвыкл, ••• tпк, НС 20 ... 60 (3 В; 0,5 А) 40 ... 120 (3 В; 5 А) :5130 (20 В) :5130 (20 В) :540 :540 :53000* :54000* 20 ... 80* (3 В; 0,25 А) 60 ... 200 (3 В; 0,25 А) :550 (10 В) :550 (10 В) :510 :510 :53000* :53000* П607 40".120 (3 В; 0,25 А) · 80."240 (3 В; 0,25 А) :550 (10 В) :580 (10 В) :51 о :510 :53000* :53000* П608 40 ... 120 (3 В; 0,25 А) 80 ... 240 (3 В; 0,25 А) :550 (10 В) :580 (10 В) :510 :510 :53000* :53000* П606 ~15,5 ~15,5 П609 ~15,5 1 _ - ~113.~5 -.. 1 ot~~-~ /J 'Fo о"" ~ ~ ~ ~ jO) ~ "~ u J; с _211,8 - 30".200 (3 В; 0,5 А) 50 ... 160 (3 В; 0,5 А) 80".420 (3 В; 0,5 А) :550 (10 В) :550 (10 В) :550 ( 10 В) :53,5 (5 В) :53,2 :53,2 :53,2 :5700* :57_00* :5700* ~.2** Вт 1 ПС609 1// (2 ГГц) - П612 1,6 10* (2 В; 6 А) Wз 6,J П701
Раздел 70 2. Биполярные транз_исторы Ркmах, Тип Структу- прибора ра * т max, Рк, ** н max, Рк, мВт П703А ГТ703Б П703В П703Г П703Д П705А П705Б П705В П705Г П705Д П804А П804Б П804В П806А П806Б П806В П806Г П806Д p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 15* 15* 15* 15* 15* n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 15* 15* 15* 15* 15* p-n-p . p-n-p p-n-p 15* 15* 15* p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p,n-p ' 30* 30* 30* 30* 30* Вт fгр, fh2\б, fh21э, Uкво проб, *** fmax, ** проб, Uкэо МГц в ~.010** Вт ~.010** Вт ~О.010** Вт ~.010** Вт ~О.010** Вт ~О.010** Вт ~.010** Вт ~О.010** Вт ~.010** Вт ~.010 Вт ~10 Вт ~10 Вт ~10 Вт ~10* Вт ~10* Вт ~10* Вт ~10* Вт ~10* Uкэн проб, 20 20 30 30 40 Uэво проб, в max, * н max, lк, 10 10 10 10 10 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 20* 20* 20* 20* 20* 10 10 30 10 10 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 А - 10 10 10 А 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 15 15 15 15 15 А 75 100 120 50 140 IКэн, IКЭо, мА (О,05к) (О,05к) (О,05к) (О,05к) (О,05к) 100** 140** 190** lкво, Iк мкА А :5500 :5500 :5500 :5500 :5500 А А А А :5500 :53,5 мА :53,5 мА :5500 :5500 А А А А - - А А - А А А А - П810А p-n-p 15* П905А П905Б p-n-p p-n-p 6 6 ГТ906А p-n-p П906АМ p-n-p Вт 200 1,4 Вт ~60 Вт ~60 75 60 0,4 0,4 15* Вт; 300** Вт ~30 75 1,4 бА 15* Вт; 300** Вт ~30 75 1,4 бА 10 3 3 А А :520 мА :520 :520 мА :58 мА (75 В) :58 мА (75 В) А ~15 (7* (7* А) А) мА
Параметры биполярных германиевых транзисторов rкэ нас, Кш, дБ rвэ нас, rб, Ом Ом Рвых, Вт • 30 ... 70* (1 В; 50 мА) 50".100* ( l В; 50 мА) 30". 70* (l В; 50 мА) 50".100* ( l В; 50 мА) 20".45* (1 В; 50 мА) •• 71 'tк, ПС • tpac, Корпус •• ••• tнк, НС tвыкл, П703 .S0,2 .S0,2 ::;0,2 .s0,2 .S0,2 30". 70* (1 В; 50 мА) 50". l 00* (l В; 50 мА) 30... 70* ( l В; 50 мА) 50".100* (1 В; 50 мА) 90" .250* ( l В; 50 мА) П705 .S0,6 ::;0,6 .S0,6 .S0,6 .S0,6 27 - 1 1 1 - j\ ~ . 111 ~ 1 ~~ 20" .150* (1 О В; 5 А) 20".150* (10 В; 5 А) 20 ... 150* (10 В; 5 А) .SlOOO .SlOOO .slOOO ~~ 1---" fllfЗ 6" ~ \\\\.@ ~ ~ "":»~~к П804 , _21/,G 1гn ~~ ~~_ i~7 10... 100* 10 ... 100* 10... 100* 10".100* 10".100* (10 А) (10 А) (10 А) (10 А) (10 А) П806 .s0,04 .S0,04 .S0,04 .S0,04 .S0,04 1623,5 ~t~· '-tJ~ ~~ :( ~@~ ~- 15*; (10 В; 5 А) .s0,07 5*мкс П810, П905 6 10 35 ... 100* (70 В; 3 А) 35 ... 100* (70 В; 3 А) 30... 150* (lO В; 5 А) 30... 150* (10 В; 5 А) .S200 (30 .S200 (30 В) В) .S0, 17 .S300; .S300; 4*мкс 4*мкс .s5000* П906 .S5000* П906АМ 6 10_ 0 Е_ -- • 1 .о._ {·О~ ~Vп"~К •1i..n 1~../ , ~ w З ~Эj ~ "
Раздел 72 2.3. Параметры Струк- прибора тура fгр, fh2lб, fh21э, UкБо max, ••• fmax, • max, UкэR • • max, Uкэо МГц в (60°С) (60°С) ~5* (60°С) ~5* (60°С) ~5* 30** 15** 15** 30** 10 10 10 10 300 300 300 300 0,2*** 0,2*** 0,2*** 0,2*** 30 30 30 30 30 30 30 30 100 (l00°C) 100 (l00°C) 100 (l00°C) - 15 15 15 31 31 31 50 50 50 ::;O,l (15 В) ::;O,l (15 В) ::;й,l (15 В) 25 25 0,2*** 0,2*** 20 20 20 20 10 (50*) 10 (50*) - 10 10 10 ~l ~l ~l 60 30 60 10 10 10 10 (20*) 10 (20*) 10 (20*) ::;О,5 ::;О,5 ::;О,5 10 10 - 60 60 10 10 10 10 ::;О,5 10 20 - 60 60 10 10 10 10 • Рк. т max, •• Рк. и max, мВт , КТ104А р-п-р КТ104Б р-п-р КТ104В р-п-р КТ104Г р-п-р КТ117А п-база КТ117Б п-база КТ117В п-база КТ117Г п-база КТ118А р-п-р КТ118Б р-п-р КТ118В р-п-р КТ119А п-база КТ119Б п-база КТ120А р-п-р КТ120Б р-п-р КТ120В р-п-р КТ120А-1 р-п-р КТ120В-1 р-п-р КТ120А-5 р-п-р КТ120В-5 р-п-р Биполярные транзi.Jсторы биполярных кремниевых транзисторов Рк max, Тип 2. 150 150 150 150 ~5* Uэво max, в lкБо, Iк max, IкэR, IКЭо, • Iк. и max, мА мкА ::;1 ::;1 ::;l ::;1 50 50 50 50 50 50 50 50 (l * (l * (l * (1 * А) А) А) А) (30 В) (15 В) (15 В) (30 В) ::;l (30 В) ::;1 (30 В) ~l (30 В) ::;1 (30 В) (60 В) (30 В) (60 В) (60 В) - -
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, сi2э, пФ 9."36 (5 В; l мА) 20 ... 80 (5 В; l мА) 40 .. .160 (5 В; l мА) 15 ... 60 (5 В; l мА) ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) rкэ нас, Ом Кш.дБ Ом rб, Ом .. • нас1 ГБэ . Ку,р, дБ ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 •• Рвых, Вт 73 'tк, ПС .. • нс tpac, tвыкл 1 НС Корпус . КТ104 ::;120* ::;120* ::;120* ::;120* 0,5 ... 0;7 (UБ1Б2=lО В) 0,65 ... 0,9 (UБ1Б2=lО В) 0,5 ... 0,7 (UБ1Б2=lО В) 0,65 ... 0,9 (UБ1Б2=10 В) КТ117 f/J5,81/ 51 3$2 - 100 100 120 1 ::;500** ::;500** ::;500** КТ118 145,Blt ~гffi 62~;, ..,t:J 32 0,5 ... 0,65 (UБ2Б1=lО В) 0,6 ... 0,75 (UБ2Б1=l0 В) КТ119 0,75 ~ Гt. ~, ;~~~' -v 1LL.i 5162 з 20 ... 200 (5 В; l мА) 20 ... 200 (5 В; l мА) 20 ... 200 (5 В; l мА) ::;5 (5 В) ::;5 (5 В) ::;5 (5 В) ::;110 20 ... 200 (5 В; l мА) 20 ... 200 (5 В; l мА) ::;5 (5 В) ::;5 (5 В) ::;50 ::;11 о 1 1\ ::;50 ::;110 \\ КТ120-1 5 ::;5 (5 В) ::;5 (5 В) L\1 КТ120 ::;50 ~ 20 ... 200 (5 В; l мА) 20 ... 200 (5 В; l мА) 0,6 к э КП20-5 J ~ ,, ('~ 1-
Раздел 74 Рк max 1 Тип прибора • т max, Рк, С тру к- •• и max, Рк, тура мВт КТ127А-1 КТ127Б-1 n-p-n n-p-n КТ127В-1 П-р-П- КТ127Г-1 n-p-n КТ132А одноnер. КТ132Б КТ133А однопер. КТ133Б КТ201А КТ201Б КТ201В кт201r КТ201Д КТ201АМ КТ201БМ KT20lBM кт201rм КТ201ДМ n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 0 (6О С) (60°С) 0 (6О С) (60°С) 15 15 15 15 ••• fmax 1 Uкво max, • •• max, Uкэо UкэR max, МГц в ~.1** ~.1** 2::0,1 ** 2::0,1 ** 25 25 45 45 - - 300 300 - - 300 300 - Uэво max, в Биполярные транзисторы Iкво, Iк max, IКэR, 1КЭ0, • и max, lк. мА 3 3 3 3 мкА $1 ::s;l $1 $1 50 50 50 50 А (25 (25 (25 (25 В) В) в) В) 35 35 2* 2* - 35 35 1,5* 1,5* 150 150 150 150 2::10 2::10 2::10 2::1 о 2::10 20 20 10 10 10 20 20 10 10 10 20 20 20 20 20 (100*) (100*) (100*) (100*) (100*) $1 $1 $1 $1 ::;1 (20 (20 (20 (20 (20 150 150 t50 150 150 2::1 о 2::10 2::10 2::10 2::10 20 20 10 10 10 20 20 10 10 10 20 20 20 20 20 (100*) (100*) (100*) (IOO*) (100*) ::;1 Sl $1 $1 Sl (20 В) (20 В) (20 В) (20 В) (20 В) 15 (55°С) 15 (55°С) 15 (55°С) 15 (55°С) 15 (55°С) 2::5 2::5 2::5 2::5 2::5 15 15 30 30 15 10 10 10 10 10 10 (25*) 10(25*) 10 (25*) 10 (25*) 10 (25*) $1 ::;1 $1 ::;1 $1 (15 (15 (30 (30 (15 150 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n * 1 f гр, fh21б fh'21э, 2. (90°С) ' 12 0,2 А А 1 1 А В) В) В) В). В) КТ202А-1 р-п-р КТ202Б-1 р-п-р КТ202В-1 р-п-р КТ202Г-1 р-п-р КТ202Д-1 р-п-р 1 В) В) В) В) В) ' 1 КТ203А р-п-р КТ203:В р-п-р КТ203В р-п-р 150 (75°С) 150 (75°С) 150 (75°С) 2::5* 2::5* 2::5* 60 30 15 30 15 10 10 (50*) 10 (50*) 10 (50*) $1 (60 ::;1 (30 ::;1 (15 В) В) В)
flараметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э Ск, Гкэ нас, Ом Кш.дБ Сi2э, * нас, Ом Гвэ rб, Ом к;.~, дБ ** 1 Вт Рвых пФ 75. 'tк, ПС • 1 НС tpac •• 1 tвыКJ1 Корпус НС ' 15 ... 60 (5 В; 1 мА) 40 ... 200 (5 В; 1 мА) 15" .60 (5 В; 1 мА) 40".200· (5 В; 1 мА) .s5 .s5 .s5 ::;5 (5 (5 (5 (5 В) .S170 .S170 $170 $170 В) В) В) - - - ....... - - КТ127-1 - ~~ir 11 1 ЗбК - 0,56".0,75 0,68 ... 0,82 - 3,5 3,5 - , - КТ132 ~5,81/ ;fi Б2"Э •' .. ·~' 0,56".0,75 0,7".0,85 ' - 2,5 2,5 - - - - КТ133 - Ф5,2 ~ . 20".60 ( 1 В; 5 мА} 30".90 (1 В; 5 мА) 30".90 {1 В; 5 мА) 70".210 (1 В; 5 мА) 30".90 (1 В; 5 мА) 20".60 (1 В; 5 мА) 30".90 (1 В; 5 мА) 30".90 (1 В; 5 мА) 70".210 (1 В; 5 мА) 30".90 (1 В; 5 мА) . ::;20 .s20 .s20 .S20 .S20 .S20 .s20 .S20 $20 .S20 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) - - - - - - - - ::;15 (1 кГц) - - - .sl5 (1 кГц) 1i ::;25 .s25 ::;25 ::;25 $25 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) В) $50 .s50 $50 .s50 $50 - - - - КТ201 - ~5,91/ - 3 - WФ ~ $50 .S25 .S300* $300* .S300* - - !.с') ......" КТ202-1 ~:rr 1 1\ 6 .slO (5 В) $10 (5 В) .SlO (5 В)· 5 ~вr{Щ! ' ~9 (5 В; 1 мА) 30".150 (5 В; J мА) 30" .200 (5 В; 1 мА) кфэ КТ201-М ;; .SlOOO* $1000* $1000* $1000* .. $1000* 1 ~ ~·У!~ ~ 15".70 (5 В; 1 мА) 40".160 (5 В; 1 мА) 15".70 (5 В; 1 мА) 40."160 (5 В; 1 мА) 100."300 (5 В; 1 мА) - к э КТ203 ~5,81/ ;IJ кфэ 5
Раздел 76 Рк max, Тип Струк- прибора тура КТ203АМ р-п-р КТ203БМ р-п-р КТ203ВМ р-п-р • Рк. т max, •• Рк. н max, fгр, fh21б 1 fh21э 1 п-р-п КТ206Б п-р-п КТ207А р-п-р КТ207Б р-п-р КТ207В р-п-р КТ208А р-п-р КТ208Б р-п-р КТ208В р-п-р КТ208Г р-п-р КТ208Д р-п-р КТ208Е р-п-р КТ208Ж p·n-p КТ208И р-п-р КТ208К р-п-р КТ208Л р-п-р КТ208М р-п-р КТ209А р-п-р КТ209Б р-п-р КТ209В р-п-р КТ209В2 р-п-р КТ209Г р-п-р КТ209Д р-п-р КТ209Е р-п-р КТ209Ж р-п-р КТ209И р-п-р КТ209К р-п-р КТ209Л р-п-р КТ209М р-п-р КТ210А р-п-р КТ210Б р-п-р КТ210В р-п-р Uкво max, Биполярные транзисторьt Iкво, Iк max, ••• fmax, • max, UкэR •• max, Uкэо мВт МГц в 150 (75°С) 150 (75"С) 150 (75°С) ;;:::5* 2:5* 2:5* 60 30 15 30 15 10 10 (50*) 10 (50*) 10 (50*) $1 (60 В) :Sl (30 В) ::;1 (15 В) КТ206А 2. Uэво max, в IКэR, IКЭо, • Iк. н max 1 мА мкА . 15 15 2:10 2:10 20* (3к) 12* (3к) 20 12 20 20 :Sl (20 В) ::;l (12 В) 15 15 15 ;;:::5 2:5 2:5 60 30 15 30 15 10 10 (50*) 10 (50*) 10 (50*) ::;О,05 (60 В) 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 ;;:::5 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 20* (lОк) 20 20 30 30* (lОк) 30 45 45 45 60 60 10 10 10 10 10 10 20 20 20 20 20 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) ::;1 ::;1 $1 ::;1 ::;1 :s;l $1 ::;1 ::;1 ::;1 ::;1 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 ;;:::5 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 15 15 1·5 15 30 30 30 45 45 45 60 60 10 10 10 10 10 10 10 20 20 20 20 20 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) :Sl * (15 В) ::;l*(l5B) $l*(l5B) ::;J * (15 В) $1 * (30 В) ::;1 * (30 В) $1 * (30 В) $1* (45 В) ::;1 * (45 В) $1 * (45 В) ::;1 * (60 В) ::;1 * (60 В) 2:10 2:10 2:10 15 30 60 10 10 10 0 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 (6О С) 0 (6О С) 0 (6О С) 0 (6О С) 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (60"С) (60"С) 0 (6О С) 0 (6О С) 0 (6О С) 0 (6О С) (60"С) (35"С) (35"С) (35°С) (35"С) (35°С) (35°С) (35°С) 25 25 25 - 20 (40*) 20 (40*) 20 (40*) ::;й,05 (30 В) ::;О,05 (l 5 В) (20 (20 (20 (20 (20 (20 (20 (20 (20 (20 (20 В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) ::;10 (15 В) ::;10 (ЗОВ) ::;10 (60 В)
, Параметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э Ск, rкэ нас, Ом Кw,дБ Сi2э, rвэ нас, Ом rб, Ом к;.~, дБ Рвых, Вт • пФ ~9 (5 В; l мА) 30... 150 (5 В; 1 мА) 30... 200 (5 В; l мА) .:510 (5 .:510 (5 .:510 (5 . В) В) В) - .:550 .:525 •• SЗОО* .:5300* SЗОО* 77 'tк, ПС • tpac, •• Корпус НС tвым, НС - -- КТ203М ~fl:~ ~ ~- ~ 30... 90* ( 1 В; 5 мА) 70 .. .120* (1 В; 5 мА) S20 (5 .:520 (5 В) В) - - . • - '«') ......... КТ206 - flV 5КЭ ~9 (5 В; 1 мА) 30... 150 (5 В; 1 мА) 30... 200 (5 В; 1 мА) .:510 (5 .:510 (5 .:510 (5 В) В) В) .:5100 .:5100 .:550 SЗОО* SЗОО* .:5300* - КТ207 ' ~~кt с::rкоо5 ~ 20 ... 60* (1 В; 30 мА) 40 ... 120* (1 В; 30 мА) 80... 240* ( 1 В; 30 мА) 20... 60* ( 1 В; 30 мА) 40 ... 120* (1 В; 30 мА) 80...240* ( 1 В; 30 мА) 20... 60* ( 1 В; 30 мА) 40 ... 120* (1 В; 30 мА) 80...240* ( 1 В; 30 мА) 20... 60* ( 1 В; 30 мА) 40 ... 120* (1 В; 30 мА) .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .s50 .:550 .:550 (1 О ( 10 (1 О (1 О (10 ( 10 (10 (10 ( 10 (10 (1 О В) В) 20... 60* (1 В; 30 мА) 40 ... 120* (l В; 30 мА) 80... 240* (1 В; 30 мА) ~200* ( l В; 30 мА) 20 ...60* ( l В; 30 мА) 40 ... 120* (1 В: 30 мА) 80... 240* ( l В; 30 мА) 20...60* (1 В; 30 мА) 40 ... 120* (J В; 30 мА) 80.. .160* (1 В; 30 мА) 20... 60* ( 1 В: 30 мА) 40 ... 120* (1 В: 30 мА) .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 .:550 ( 10 (10 (1 О ( 10 (10 (10 (10 (10 (IO ( 10 (10 (1 О В) В) В) В) В) В) В) В) 80.:.240 (5 80 ... 240 (5 40 ... 120 (5 0.01/ пюч - В; В; В; 1 мА) 1 мА) l мА) S25 (5 .:525 (5 S25 (5 В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .Sl,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51 ,3 .:51,3 .:51,3 .Sl ,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51,3 .:51 ,3 .Sl ,3 .:550 .:550 .:550 - - .:54 ( 1 кГц) .:54 ( 1 кГц) .:54 ( 1 кГц) - - .:55 ( l кГц) .:55 ( 1 кГц) - - .:55 ( 1 кГц) - - - - ~5,81/ - ~~ D~~y ~:-Ч)' - - - - - - - .:55 ( 1 кГц) КТ208 КТ209 ~~~ ~ ~ ~- . • '«') ......... 5 ~ ~ ! ~jf ~t i;;1 КТ210 0.7 0,25 ~~к]: с::) к о о 6 Кпюч 01/ Q,
Раздел Рк max, Тип С тру к- прибора тура КТ211А-1 КТ211Б-1 КТ211В-1 p-n-p p-n-p p-n-p • Рк, т max, •• Рк, и max, fгр, fh2lб, UкБо max, fmax, ••• • max, UкэR •• Uкэо max, мВт МГц в 25 25 25 ;;:.:10 2:10 ;;:.:10 15 15 15 f •• h21э, 2. UэБО max, в 5 5 5 Биполярные транзисторы lкБо, Iк max, 1*К, и max, ' мА 20 (50*) 20 (50*) 20 (50*) IКэR, 1кЭо, мкА ::;10 (15 В) :510 (15 В) :510 (15 В) .. КТ214А-1 (30 В) (30 В) (30 В) (30 В) (30 В) (30 В) 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 80** 80** 60** 40** 30** 20** 30 7 7 7 7 20 50 50 50 50 50 50 (100*) (100*) (100*). (100*) (100*) (100*) :51 :51 :51 ::;1 ::;1 ::;1 50 50 50 50 5Q 50 (100*) (100*) (100*) (100*) (.,100*) (100*) ::;100* :5100* ::;100* ::;100* ::;100* :5100* КТ214Г-1 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p КТ214Д-1 р-п-р КТ214Е-1 p-n-p 50 ·50 50 50 50 50 КТ215А-1 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 50 50 50 50 50 50 2:5 2:5 2:5 2:5 2:5 ;;:.:5 80*' 80** 60** 40** 30** 20** 5 5 5 5 5 5 p-n-p p-n-p p-n-p 75 75 75 2:5 2:5 2:5 60 30 30 30 15 10 10 1010 ::;О,05 50 50 50 50 50 50 ::;1 ::; 1 :51 ::; 1 ::; 1 ::;1 КТ214Б-1 КТ214В-1 КТ215Б-1 КТ215В-1 КТ215Г-1 КТ215Д-1 КТ215Е-1 КТ216А КТ216Б КТ216В (30 (30 (30 (30 (30 (30 В) В) В) В) В) В) ::;О,05 ::; 1 - КТ218А-9 р-п-р КТ218Б-9 КТ218В-9 p-n-p p-n-p КТ218Г-9 р-п-р КТ218Д-9 p-n-p КТ218Е-9 р-п-р 200 200 200 200 200 200 КТ301 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 150 (6О С) 150 (60°С) 150 (60°С) 150 (60°С) 150 (6О С) 150 (60°С) 150 (6О 0 С) 150 (60°С) ;;:::20 2:20 2:20 2:20 2:30 2:30 2:30 2:30 20 20 30 30 30 30 30 20 3 3 3 3 3 3 3 3 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 100 (50°С) 100 (50°С) 100 (50°С) 100 (50°С) - 15 15 15 15 4 4 4 4 КТ301А КТ301Б КТ301В ктзо1r КТ301Д КТЗО1Е КТ301Ж КТ302А КТ302Б КТ302В ктзо2r 0 0 2:5 2:5 ;;:::5 2:5 2:5 2:5 80 80 60 40 30 20 30 7 7 7 7 20 - 1о 10 10 10 (20*) (20*) (20*) (20*) 10 10 10 10 ::;10 ::;10 ::;10 SlO ::;10 (20 :510 (20 slO (30 ::;10 (20 10 10 10 10 ::;1 :51 ::;l ::;1 (15 (15 (15 (15 В) В) В) В) В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов rкэ нас, Ом Кш, дБ rвэ нас, Ом rб, Ом • к;.~, дБ 40 .. .120 (l В; 40 мА) 80 ... 240 (l В; 40 мА) 160.. .480 (l В; 40 мА) ::;20 (5 В) ::;20 (5 В) ::;20 (5 В) •• Рвых, Вт ::;3 ( l кГц) ::;з (l кГц) ::;3 ( l кГц) 79 'tк, ПС • НС tpac, •• tвыкл, Корпус НС КТ211-1 ~Jit ~tj 1 1\ б к э ~20 (5 В; 10 мА) 30 ... 90 (5 В; 10 мА) 40... 120 (5 В; 10 мА) 40 .. .120 (5 В; 10 мА) ~80 (l В; 40 мкА) ~40 ( l В; 40 мкА) ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 (10 ( 10 ( 10 (10 (lO (10 В) ::;60 ::;60 ::;60 ::;60 ::;60 ::;60 В) В) В) В) В) ~1200* КТ214-1 ~1200* 1 ~1200* ~r;~ 11 \ ~1200* ~1200* ~1200* 1 -. 5 ~20 (5 В; 10 мА) 30."90 (5 В; 10 мА) 40 .. .120 (5 В; 10 мА) 40... 120 (5 В; 10 мА) ~80 (1 В; 40 мА) ~40 (l В; 40 мкА) ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 (10 <10 (10 оо (10 В) (lO В) ::;60 ::;60 ::;60 ::;60 ::;60 ::;60 В) В) в> В) к э КТ215-1 ~1200* ~1200* ~1200* 1 ~ ~1200* ~1200* ~1200* ~ 1 1\ 5 ~9 (5 В; l мА) 30 ... 150 (5 В; l мА) 30 ... 200 (5 В; l мА) к э ::;10 ::;1 о КТ216 ~10 j О,95 ~~х ' ~20 (5 В; 10 мА) ~30 (5 В; 10 мА) 40... 120 (5 В; 10 мА) ~40 (5 В; 10 мА) ~80 ( l В; 40 мкА) ~40 (l В; 40 мкА) 20 ... 60 (lO В; 3 мА) 40 ... 120 (10 В; 3 мА) 10... 32 (10 В; 3 мА) 20 ... 60 ( 10 В; 3 мА) 10... 32 (10 В; 3 мА) 20 ... 60 (10 В; 3 мА) 40 ... 120 (10 В; 3 мА) 80".300 (lO В; 3 мА) 110... 250 (l В; O, l l мА) 90 ... 150 (3 В; 2 мА) 110.,.250 (l,5 В; 0,5 мА) 200 ... 800 (3,5 В; 5 мА) КТ218-9 ::;15 ::;15 ::;15 ::;15 ::;15 ::;15 ::;10 ::;10 ::;10 ::;10 ::;10 ::;10 ::;10 ::;10 (lO (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) В) В) В) В) - КТ301 ::;300 ::;300 ::;300 ::;300 ::;300 ::;300 ::;300 ::;300 ::;2000 ::;2000 ::;2000 ::;;2000 ::;7 ( 1 кГц) ::;7 ( l ::;7 ( l ::;7 ( 1 1- 1 КТ302 кГц) кГц) кГц} ~7,4 : l/ернон /vточко · 9 ~!-~m::~ кф
Раздел 80 Рк max, Тип Струк- прибора тура • т max1 Рк, •• fгр1 fh21б 1 fh21э, 2. UкБо max, • max, UкэR UэБо max, в Iк max 1 • н max, Iк, Iкоо, IКэR, Рк, н max, ••• 1 fmax Uкэо max, мВт МГц в n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 150 (90"С) 150 (go·c> 150 (go·c> 150 (go·c> 150 (go·c> ~300 15 15 15 15 15 4 4 4 4 4 30 30 30 30 30 (50*) (50*) (50*) (50*) (50*) $0,5 (15 ::;О,5 ( 15 ::;D,5 ( 15 $0,5 (15 ::;О,5 (15 КТ306БМ n-p-n n-p-n КТ306ВМ п-р-п КТ306ГМ n-p-n n-p-n 150 150 150 150 150 15 15 15 15 15 4 4 4 4 4 30 30 30 30 30 (50*) (50*) (50*) (50*) (50*) ::;D,5 (15 В) ::;D,5 (15 В) ::;D,5 (15 В) ::;О,5 ( 15 В) ::;D,5 (15 В) 80* 80* 80* 60* 80* 3 3 3 3 3 30 30 15 30 15 (120*) ( 120*) (120*) (120*) (120*) :;;20 $20 $20 $20 $20 20 20 20 20 (50*) (50*) (50*) (50*) $0,5 (l о ::;О,5 (10 ::;О,5 (10 $0,5 (10 КТ306А КТ306Б КТ306В КТ306Г КТ306Д КТ306АМ КТ306ДМ П307 (go·c> (go·c> (go·c> (go·c> (go·c> ~500 ~300 ~500 ~200 ~300 ~500 ~300 ~500 ~200 n-p-n n·p-n n-p-n n-p-n n-p-n 250 250 250 250 250 ~20 n-p-n n-p-n n·p·n n-p-n 15 15 15 15 ~250 250 250 ~20 П309 n-p-n n-p-n КТ3101А-2 n-p-n КТ3101АМ n-p-n П307А П307Б П307В П307Г КТ307А-1 КТ307Б-1 КТ307В-1 КТ307Г-1 П308 ./ ~20 ~20 ~20 ~20 ~250 ~250 ~250 •• Биполярные транзисторы 10* l О* 10* 10* (3к) (3к) (3к) (3к) 4 4 4 4 мА ' 1·· кэо, мкА (80 (80 (80 (60 (80 В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) в) В) В) В) ~20 120* 120* 3 3 -30 (120*) 30 (120*) $20 (120 В) $20 (120 В) 100 (45°С) ~4000 15 2,5 20 (40*) ::;D,5 (15 В) 100 ~4000 15 2,5 20 ::;D,5 (15 В)
Параметрь1 6иполярн1:»1х кремниевь1х транзисторов· Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ ·сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом пФ 20 ... 6а* (1 В; 4а".12а• (1 В; 2а.~.1аа* (1 В; 4а".2аа• ( 1 В; за".15а* (1 В; lамА) lамА) lамА) 1амА) lамА) =:;5 S5 S5 S5 S5 (5 (5 (5 (5 (5 В) =:;за В) В) sза •• Рвых, Вт 'tк, ПС • НС tpac, •• tвыкл, Корпус нс sЗа* :SЗа* =:;за• В) В) 81 sЗа* s5aa s5aa sЗа* sзоо · КТ306 3~ 5 2а".6а* ( 1 4а".12а• (1 2а".1аа* (1 4а."2аа• (1 за."15а* (1 В; 1амА) В; lамА) В; lамА) В; lамА) В; lамА) S5 S5 S5 =:;5 S5 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) В) 16" .50* (20 В; 1а мА) За".9а* (2а В; 1а мА) 5а."15а* (2а В; 1а мА) 5а. "15а* (2а В; 1а мА) 15" .5а* (2а В; 1а мА) sза. sЗа* =:;за sЗа* =:;за• =:;За* s5ao S500 =:;За* sзоо КТ306М =:;150 s2aa П307 ~11,7 sзза s25a S25a ~' •'' ~2а ~4а ~4а ~8а (1 (1 (1 (1 В; В; В; В; la la l.a la мА) мА) мА) мА) S6 S6 S6 S6 (1 (1 (1 (1 В) В) В) В) 1 sЗа* s2a s2a s2a s2a 1 1 КТ307-1 =:;За* sЗа* =:;За* t;lt 5КЗ за."9а* (2а В; la мА) 16".5а* (2а В; 1а мА) sзза П308 S200 -. ~, f ~ 11,7_ ' 1 - ~ б~З ~.~~~ ~ к З5".заа ( 1 В; 5 мА) Sl ,5 (5 В) З5".заа ( 1 В; 5 мА) s;l ,5 (5 В) ~8** (1 ГГц) S4,5 (2,25 ГГц) sla КТ3101-2 S4,5 (1 ГГц) sla КТ3101М
Раздел 82 fгр1 fh2Jб, fh2Iэ, Рк max, Тип прибора Структура КТ3102А п-р-п КТ3102Б п-р-п КТ3102В п-р-п КТ3102Г п-р-п КТ3102Д п-р-п КТ3102Е п-р-п КТ3102Ж п-р-п КТ3102И п-р-п КТ3102К п-р-п КТ3102АМ п-р-п КТ3102БМ п-р-п КТ3102ВМ п-р-п КТ3102ГМ п-р-п КТ3102ДМ п-р-п КТ3102ЕМ п-р-п КТ3102ЖМ п-р-п КТ3102ИМ п-р-п КТ3102КМ п-р-п * т max, Рк, ** и Рк, 2. Uкво max, * max, UкэR Uэво maX, Биполярные транзисторы Iкво, Iк max, IКэR, * и max, Iк, *** fmax, ** max, Uкэо мВт МГц в 250 250 250 250 250 250 250 250 250 ~150 50 50 50 20 30 20 50 50 30 5 5 5 5 5 5 5 5 5 100 100 100 100 100 100 100 100 100 (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) 250 250 250 250 250 250 250 250 250 ~150 50 50 30 20 50 20 50 50 30 5 ~ 5 5 100 100 100 100 100 100 100 100 100 (200*) (200*)' (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) ~200 30 30 30 15 15 15 3,-5 3,5 ·3,5 3,5 3,5 3,5 10 10 10 10 10 10 ~1000 15* (lОк) 2,5 20 (40*) =:;О,5 (15 В) 20 (40*) =:;О,5 (15 В) max, (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) КТ3104А р-п-р КТ3104Б р-п-р· КТ3104В р-п-р КТ3104Г р-п-р КТ3104Д р-п-р КТ3104Е р-п-р 15 15 15 15 15 15 КТ3106А-2 п-р-п 30 (S0°C) ~150 ~150 ~300 ~150 ~300 ~200 ~200 ~00 ~150 ~150 ' ~300 ~150 ~300 ~200 ~200 ~200 - ~200 ~200 ~200 ~200 ~200 (35°С) - в s·· 5 5 5 5 1** кэо, мА мкА =:;О,05 (50 В) =:;О,05 (50 В) S0,015 (30 В) S0,015 (20 В) S0,015 (30 В) =:;О,015 (20 В) S0,05 (50 В) S0,05 (50 В) S0,015 (30 В) =:;О,05 (50 В) =:;О,05 (50 В) =:;О,015 (30 В) =:;О,015 (30 В) =:;О,015 (30 В) =:;О,015 (30 В) =:;О,05 (50 В) ~О.05 (50 В) =:;О,015 (30 В) =:;1 =:;1 =:;1 =:;1 =:;1 В) В) В) В) (30 (30 (30 (15 (15 ~1 (15 В) В) ' КТ3106А-9 п-р-п 100 ~1000 15* (lОк) 3 КТ3107А р-п-р р-п-р КТ3107В р-п-р КТ3107Г р-п-р 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 ~200 КТ3107Б 50 50 30 30 30 25 25 50 30 25 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 300 (360*) 300 (360*) 300 (360*) ~250 60* (lОк) 45* (lОк) 45* (lОк) 5 5 5 КТ3107Д р-п-р КТ3107Е р-п-р КТ3107Ж р-п-р КТ3107И р-п-р КТ3107К р-п-р КТ3107Л р-п-р КТ3108А р-п-р КТ3108Б р-п-р КТ3108В р-п-р ~00 ~200 ~200 ~200 ~200 ~200 ~00 ~00 ~200 ~250 ~300 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) 200 200 200 =:;О,1 (20 В) =:;О,1 (20 В) ~О.1 (20 В) =:;О,1 (20 В) (20 В) (20 В) (20 В) (20 В) =:;О,1 (20 В) SO,l SO,l SO,l SO,l SO,l (20 В) . =:;О,2 (60 В) =:;О,2 (45 В) S0,2 (45 В) v
83 Пара·метры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * НС tpac, пФ ** Рвых, 100... 200 (5 8; 2 мА) 200".500 (5 8; 1 мА) 200".500 (5 8; 2 мА) 400".1 ООО (5 8; 2 мА) 200".500 (5 8; 2 мА) 400".1 ООО (5 8; 2 мА) 100".250 (5 8; 2 мА) 200".500 (5 8; 2 мА) 200".500 (58; 2мА) =:;6 (5 8) S6 (5 8) =:;6 (5 8) =:;6 (5 8) =:;6 (5 8) =:;6 (5 8) $6 (5 8) =:;6 (5 8) $6 (58) - $10 (1 SlO (1 =:;10 .(1 $10 (1 =:;4 (1 =:;4 (1 - - 100".200 (5 8; 2 мА) 200".500 (58; 2мА) 200".500 (58; 2мА) 400".1 ООО (5 8; 2 мА) 200... 500 (58; 2мА) 400."1 ООО (5 .8; 2 мА) 100."250 (5 8; 2 мА) 200".500 (5 8; 2 мА) 200... 500 (58; 2мА) =:;6 $6 =:;6 =:;6 $6 =:;6 S6 $6 $6 - 15".90 (1 8; 2 мА) 50".150 (1 8; 2 мА) 70" .280 ( 1 8; 2 мА) 15".90 (1 8; 2 мА) 50".150 (1 8; 2 мА) 70".280 ( 1 8; 2 мА) =:;25 =:;25 =:;25 =:;25 =:;25 =:;25 (58) (58) (58) (58) (58) (58) (58) (58) (58) (5 (5 (5 (5 (5 (5 8) 8) 8) 8) 8) В) Вт кГц) кГц) кГц) $10 (l кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) =:;4 (1 кГц) $4 (1 кГц) - - ' $8 $8 $8 $8 $8 =:;8 (6 (6 (6 (6 (6 (6 МГц) МГц) МГц) МГц) МГц) МГц) . Корпус НС $100 $100 $100 $100 =:;1·00 $100 $100 $100 $100 кГц) кГц) кГц) - - $100 $100 $100 $100 $100 $100 ** tвыкл, $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 $100 КТ3102 ~rj кфз 'с')"' ~ ~m 5 КТ3102М ~f-µщ_ ~ m~ ~ КТ3104 $800 $800 $800 $800 $800 $800 - 0,7 0,8 ,..... ·ir ,., /l\ct)1 . ~ ' 5КЭ ~40 (5 В; 5 мА) =:;2 (5 8) - =:;2 (120 МГц) ~... - КТ3106-2 1,[5 0,95 ~х 11\ 5КЗ ~40 (5 8; 5 мА) $2 (5 8) - $2 (120 МГц) КТ3106-9 $10 3 0,95 ~~х 1 . 8) 8) $20 $20 $20 $20 $20 $20 $20 $20 $20 $20 $10 (1 кГц) $10 (l кГц) $10 (1 кГц) $10 ( 1 кГц) $10 (1 кГц) =:;4 (1 кГц) =:;4 (1 кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) =:;4 (1 кГц) S5 (10 8) =:;5 (10 8) =:;5 (10 8) =:;25 $25 $25 =:;6 (100 МГц) $6 (100 МГц) =:;6 (100 МГц) 70".140 (5 8; 2 мА) 120".220 (5 8; 2 мА) 70... 140 (5 8; 2 мА) 120".220 (5 8; 2 мА) 180."460 (5 8; 2 мА) 120".220 (5 8; 2 мА) 180."460 (5 8; 2 мА) 180".460 (5 В; 2 мА) 380".800 (5 В; 2 мА) 380".800 (5 В; 2 мА) S7 =:;7 S7 =:;7 =:;7 =:;7 =:;7 =:;7 =:;7 =:;7 50... 150 (1 В; 10 мА) 50".150 (l 8; 1О мА) 100."300 (1 8; 10 мА) (10 (10 (10 (IO (10 (10 (10 (10 (10 (10 8) 8) 8)· 8) 8) В) 8) В) - КТ3107 - =:;250 =:;250 $250 ~t]i:µщ l.t-) ~ ~ ~· ' ~ КТ3108 ~5,81/ 5 ~tj зфк "j ~ ~-
Раздел 84 Рк max, Тип Струк- прибора тура * ** Рк, и max, Рк, т max, р-п-р КТ3109Б р-п-р КТ3109В р-п-р КТ3114Б-6 п-р-п КТ3114В-6 п-р-п 170 170 170 25 25 fh21э, ** *** fmax, Uкво max, * UкэR max, ** Uкэо max, Uэво max, в Биполярнь1е транзисторы ~800 (40°С) (40°С) ~800 30 25 25 3 3 3 50 50 50 5 5 1 1 15 15 1 1 1 1 8,5 8,5 8,5 8,5 0 (100°С) ~4300 ~4300 1** кэо, мА (40°С) (1ОО С) IКэR, * и max, lк, в ~800 Iкво, lк max, МГц мВт КТ3109А fгр, fh2Jб, 2. мкА ::;;О,1 ::;;О,1 ::;;О,1 ::;;О,5 ::;;О,5 (20 (20 (20 (5 (5 В) В) В) В) В) КТ3115А-2 п-р-п КТ3115Д-2 n-p-n n-p-n n-p-n 70 (70°С) 70 (70°С) 50 (85°С) 50 (85°С) ~5800 КТ3115В-2 ~5800 10* (1 к) 10* (1 к) 7* (1 к) 7* ( 1к) КТ3117А-1 n-p-n 500 ~200 60 4 400 (0,8* А) ::;;10 (60 В) КТ3117А n-p-n n-p-n 300 (800**) 300 ~200 60 75 4 4 400 (800*) 400 (0,8* А) ::;;10 (60 ::;;10 (75 В) 225 225 225 ~120 ~120 20 35 20 4 4 4 30 (60*) 30 (60*) 30 (60*) ::;;10 (20 ::;;10 (35 ::;;10 (25 В) КТ312В n-p-n n-p-n n-p-n КТ3120АМ n-p-n 100 ~1800 15 3 20 (40*) ::;;О,5 В) КТ3115Г-2 КТ3117Б КТ312А КТ312Б ~5800 ~5800 ~200 ~80 ::;;О,5 (10 В) (10 В) ::;;О,5 (7 В) ::;;О,5 (5 В) ::;;О,5 1 (15 В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС Сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * НС tpac, пФ ~15 ~15 ~15 (10 В; 10 мА) (10 В; 10 мА) (10 В; 10 мА) =:;1 (10 В). =:;1 (10 В) =:;1 (10 В) 15 ... ВО (3 В; 1 мА) 15 ... ВО (3 В; 1 мА) =:;О,44 =:;О,44 =:;15 (5 В; 5 мА) =:;15 (5 В; 5 мА) =:;15 (5 В; 5 мА) 70".150 (5 В; 5 мА) =:;О,6 40".200 (5 В; 0,2 А) 85 ~15** (О,В ГГц) ~13** (О,В ГГц) ~13** (О,В ГГц) (3 В) (3 В) (5 В) (5 В) (5 В) =:;О,6 (5 В) =:;О,6 =:;О,6 =:;10 (10 ** Р-еых, =:;6 (ВОО МГц) =:;7 (ВОО МГц) ~В** В) (2,25 ГГц) Корпус НС =:;6 =:;10 =:;10 КТ3109 МГц) =:;в КТ3114-6 МГц) =:;в =:;В (ВОО МГц) =:;2 (400 =:;3 (400 ~5** (5 ГГц) ~5** (5 ГГц) ~4.4** (5 ГГц) Вт ** tвыкл, =:;4,6 (5 ГГц) =:;4,4 (5 ГГц) =:;5,7 (5 ГГц) =:;2,5 (2,25 ГГц) =:;1,2 =:;3,В КТ3115-2 =:;3,В =:;3,В =:;3,В ~@, (") ll') '& <:)} =:;ВО* - з 53 КТ3117-1 ~fi:~_ l.t-) ~~ 40 ... 200* (5 В; 0,2 А) 100... 300* (5 В; 0,2 А) =:;10 (10 В) =:;10 (10 В) =:;1,2 =:;1,2 Wlll =:;ВО* ~- • ~... КТ3117 =:;ВО* '15,81/ 6 ~ зфк &q' "..... !"'".)' 10... 100* (2 В; 20 мА) 25".100* (2 В; 20 мА) 50 ... 2ВО* (2 В; 20 мА) ~40 (1 В; 5 мА) ~5 ~5 ~5 (10 В) (10 В) (10 В) =:;2 (5 В) ~10** ~40 ~500; ~100* ~40 ~500;~130* ~40 =:;500; =:;130* (400 МГц) ~2 (400 МГц) ~в КТ312 ~7,1/ КТ3120 о 2,7
86 Раздел Рк max, Тип Струк- прибора ·тура fгр, fh2lб, fh21э, Uэво max, *** fmax, ** max, Uкэо в мВт МГц в 12 ** и Рк, max, n-p-n 25 2:100 КТ3122А n-p-n n-p-n 150 (750**) 150 (750**) - Биполярные транзисторы Uкво max, * max1 UкэR * т max, Рк, КТ3121А-6 КТ3122Б 2. 35* 35* • lк, и max, мА 2 (2к) 100 (l * 100 (l* IКэе, IКЭо, мкА 10 - (2к) Iкво, lк max, А) А) Sl (IO В) Sl (12 Sl (12 В) В) - КТ3123А-2 КТ3123Б-2 КТ3123В-2 КТ3123АМ КТ3123БМ КТ3123ВМ КТ3126А p-n-p p-n-p p-n-p 150 150 150 5000 5000 3500 15 15 10 3 3 3 30 (50*) 30 (50*) 30 (50*) S25 (15 В) =:;25 (15 В) S25 (10 В) p-n-p p-n-p p-n-p 150 150 150 5000 5000 3500 15 15 10 3 3 3 30 (50*) 30 (50*) 30 (50*) S25 (15 ·s25 (15 =:;25 (10 2:500 2:500 20 20 3 3 20 20 Sl (15 =:;1 (15 В) В) 2:450 35 3 30 =:;1 (15 В) 2:600 20 3 25 =:;1 (15 В) КТ3126Б p-n-p p-n-p КТ3126А-9 p-n-p КТ3127А p-n-p 150 150 (30°С) (3о·с) 11 о 1оо (З5°С) - 1 В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов ~30 (5 8; 2 мА) 87 Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, * нас, Ом rвэ rб, Ом * НС tpac, пФ к;.~, дБ ~1 (5 8) ~8** (1 ГГц) ** Рвых, ~2 Вт Корпус ** tвыкл, НС (1 ГГц) КТ3121-6 ~~"'; ы 40 (10 8; 10 мА) 40 (10 8; 10 мА) 40 (10 8; 10 мА) 40 <io 8; 10 мА) 40 (10 8; 10 мА) 40 (10 8; 10 мА) ~7 ~7 (10 8) (10 8) ~1 ~1 ~1 (10 8) (10 8) (10 В) ~1.2(108) ~1.2 (10 8) ~1.2(108) - ~ ::'\з ..d ~- - 1,Ч - КТ3122 tн< 1 tн< 1,5 ~5** (1 ГГц) ~5** (1 ГГц) ~5** (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) 3 (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) ~5** (1 ГГц) ~5** (1 ГГц) ~5** (1 ГГц) 2,4 (1 ГГц) 3 (1 ГГц) 2,4 (l ГГц) 25 ... 100 (5 8; 3 мА) 60 ... 180 (5 В; 3 мА) ~2.5 ~2.5 (10 8) (10 8) ~120 25 ... 100 (5 8; 3 мА) ~2.5 (10 8) ~120 25 ... 150 (5 8; 3 мА) ~1 (10 8) КТ3123-2 ~10 ~10 ~10 КТ3123М ~10 ~10 ~10 КТ3126 ~120 КТ3126-9 ~5 (l ГГц) КТ3127 ~ з ~· ф6 ~.J-....J~l:;t;:;SKopn. L-. 1 1 К
Раздел 88 Тип Струк- прибора тура КТ3128А p-n-p 2. Рк max, * fгр, fh2lб, Uкво max, * т max, Рк, ** и max, Рк, th'21э, * max, UкэR Uэво max, *** fmax, *"' max, Uкэо в мВт МГц в 100 (35°С) ~800 40 Биполярные транзисторы Iкво, lк max, IКэR, IКЭо, * и max, lк. мА 3 мкА 20 :Sl (15 В) : p-n-p p-n-p 300 300 ~800 КТ3128Б-1 ~800 40 40 4 4 30 (0,8* А) 30 (0,8* А) :SO, l (20 В) :SO, l (20 В) КТ3128А-9 p-n-p 100 ~650 35 3 20 :Sl (15 В) КТ3128А-1 . КТ3129А-9 КТ3129Б-9 КТ3129В-9 КТ3129Г-9 КТ3129Д-9 КТ313А КТ313Б КТ313А-1 · КТ313Б-1 КТ313В-1 ктЗ1зr-1 КТ3130А-9 КТ3130Б-9 КТ3130В-9 КТ3130Г-9 КТ3130Д-9 КТ3130Е-9 КТ3130Ж-9 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 75 75 75 75 75 (100**) (100**) (100**) (100**) (100**) ~200 ~200 ~200 ~200 ~200 p-n-p p-n-p 300 ( 1000*) 300 (1000*) ~200 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 300 300 300 300 (1000*) (1000*) (1000*) (1000*) ~200 100 100 100 100 100 100 100 ~150 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n ~200 ~200 ~200 ~200 ~150 ~150 ~300 ~150 ~300 ~150 (200*) (200*) (200*) (200*) (200*) :Sl :Sl Sl :Sl :Sl (50 (50 (30 (30 (20 В) 50 50 30 30 20 5 5 5 5 5 100 100 100 100 100 60 60 5 5 350 (700*) 350 (700*) 60 60 50 30 5 5 5 5 350 350 350 700* :S0,5 :S0,5 :S0,5 S0,5 (50 (50 (50 (50 В) В) 50 50 30 20 30 20 30 5 5 5 5 5 5 5 100 100 100 100 100 100 100 :SO, l :SO,l sO,l :SO, l SO,l :SO, l SO,l (50 (50 (30 (20 (30 (20 (30 В) В) В) В) В) В) :S0,5 (50 В) :S0,5 (50 В) В) В) В) В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э 15".150 (5 В; 3 мА) 89 Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, "' нас, Ом rвэ rб, Ом "' НС tpac, пФ к;~Р• дБ =:;1 (IO В) ~14** (0,2 ГГц) ** Рвых, Вт $34* ..... tвыкл, · Корпус НС КТ3128 $5 ~5,8 ~ ! ~ ~· "' ~·~t_J 35."150 (10 В; 3 мА) 25".200 (l О В; 3 мА) Sl (10 В) $1 (10 В) ~15** (0,2 ГГц) ~15** (0,2 ГГц) =:;5 (0,2 ГГц) =:;5 (0,2 ГГц) з 'Корл.ф6 к КТ3128-1 $5 $5 ~5,2 ' ~f kt~t С"-1 ~ 11 ~·~ш ~· 15".150 (IO В; 3 мА) $1 (10 В) - =:;5 (200 МГц) - КТ3128-9 0,95 J ~*Х 30."120 (5 В; 2 мА) 80".250 (5 В; 3 мА) 80".250 (5 В; 2 мА) 200".500 (5 В; 2 мА) 200".500 (5 В; 2 мА) =:;10 $10 $10 $10 $10 30. "120 ( 1О В; 1 мА) 80".300 (l О В; 1 мА) В) В) В) $20 $20 $20 $20 $20 - - $12(108) $12 (10 В) $3,3 $3,3 - $120* $120* (10 (IO (IO (10 (IO В) В) - КТ3129-9 -- 0,95 J ~*Х КТ313 rJ5,81/ ;fi КФ,З 30".120 (10 В; 1 мА) 80".300 (10 В; 1 мА) 200" .520 ( 1О В; 1 мА) 400" .800 ( 1О В; 1 мА) $12 =:;12 $12 =:;12 (10 (10 (10 (IO В) В) В) В) $3,3 $3,3 $3,3 $3,3 - КТ313-1 $120* $120* $120* $120* ~EJ:~_" l.t-) ~ Wlll ~· ' ~ / 100".250 (5 В; 2 мА) 200".500 (5 В; 2 мА) 200".500 (5 В; 2 мА) 400".1000 (5 В; 2 мА) 200".500 (5 В; 2 мА) 400".1 ООО (5 В; 2 мА) 100".500 (5 В; 2 мА) $12 $12 $12 =:;12 =:;12 $12 =:;12 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) В) В) В) - - - - =:;10 (1 кГц) =:;10 (1 кГц) =:;10 (l кГц) $10 (1 кГц) $10 (1 кГц) =:;4 (1 кГц) =:;4 (1 кГц) - - - \ КТ3130-9 J 0,95 ~*Х
Раздел 90 max, * т max, Рк. ** и max, Рк. fгр, fh2Jб, fh2'1э, *** fmax, max, * max, UкэR ** Uкэоmах, мВт МГц в 70 70 70 70 ~5.5 ГГц Рк Тип Струк- прибора тура КТ3132А-2 n-p-n n-p-n n-p-n n-p·n n-p·n n-p-n КТ3132Б-2 КТ3132В-2 КТ3132Г-2 КТ3132Д-2 КТ3132Е-2 70 70 2. Uкво (lк) (lк) (lк) (lк) (lк) Uэво max, в Биполярные транзисiпоры lк max, * и max, lк, мА S0,5 (10 S0,5 (10 S0,5 (10 =:;О,5 (10 S0,5 (10 =:;О,5 (10 8,5 8,5 8,5 8,5 8,5 8,5 ~150 20 32 32 32 5 5 5 5 200 200 200 200 ~300 55 4 60 (70*) . ~5.5 ГГц ~5.5 ГГц ~5.5 ГГц (85°С) ~5.5 ГГц (85°С) ~5.5 ГГц (lк) IКэR, 1** кэо, мкА 1 1 1 1 1 1 10* 10* 10* 10* 10* 10* Iкво, В) В) В) В) В) В) ,_ КТ3139А n-p-n n-p-n n·p·n n-p-n КТ3139Б КТ3139В КТ3139Г ~150 200 200 200 200 ~150 ~150 =:;О,02 (20 В) S0,001 (32 В) S0,001 (32 В) =:;О,05 (32 В) - КТ314А-2 n-p-n 500 =:;О,075 (55 В) - КТ3140А 200 200 200 200 200 ~150 КТ3140Д p·n·p p-n-p p·n-p p-n-p p-n·p КТ3142А n-p-n ~150 20 32 32 32 20 5 5 5 5 5 200 200 200 200 200 360 ~500 40 4,5 200· 500* n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 200 200 200 200 200 ~125 КТ3146Д-9 р·П·р 200 200 200 200 200 ~125 КТ3146Г-9 p·n·p p·n·p p·n·p p·n·p КТ3140Б КТ3140В КТ3140Г КТ3145А-9 КТ3145Б-9 КТ3145В-9 КТ3145Г-9 КТ3145Д-9 КТ3146А-9 КТ3146Б-9 КТ3146В-9 , ~150 ~150 ~150 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ~125 ;::::125 ;::::125 32* 45* 45* 45* 45* (О,_1 к) (О, 1к) (О,lк) 32* 45* 45* 45* 45* (О, 1к) (0,lк) (О,lк) (О,lк) (0,lк) (О,lк) (О,lк) 1 =:;О,02 (20 В) (32 В) S0,001 (32 В) S0,05 (32 В) =:;О,02 (20 В) =:;О,001 S0,4 (20 В) ' 5 5 5 5 5 200 200 200 200 200 =:;О,02 (32 В) Sl (45 В) =:;1 (45 В) =:;О,05 (45 В) S0,05 (45 В) 5 5 5 5 5 200 200 200 200 200 S0,02 (32 В) =:;1 (45 В) =:;1 (45 В) S0,05 (45 В) S0,05 (45 В) --
Параметры биполярных кремниевых транзисторов 15 ... 150 15 ... 150 15 ... 150 15 ... 150 20 ... 150 70 ... 150 (7 (7 (7 (7 (7 (7 В; В; В; В; В; В; 3 3 3 3 3 3 мА) мА) мА) мА) мА) мА) s5,5 s5,5 s5,5 s5,5 s5,5 s5,5 (7 (7 (7 (7 (7 (7 В) В) В) В) В) В) ~6** (3,6 ГГц) ~4** (3,6 ГГц) ~5** (5 ГГц) ~7** (4 ГГц) ~8, 1** (2,25 ГГц) ~8,1** (2,25 ГГц) 91 s2,5 (3,6 ГГц) s4,8 (3,6 ГГц) s4,8 (3,5 ГГц) s3,6 (3,4 ГГц) s2 (2,25 ГГц) s2,5 (2,25 ГГц) КТ3132-2 ~@, C\i" l.t) 30 ... 120 (5 В; 0,25 мА) ::;4,5 s4,5 s4,5 s4,5 (IO (10 (10 (10 В) s5o s85** $270*;Sl30*** В) В) В) s5o s5o s5o s85** s85** s85** s270* s270* s270* slO (5 В) slO • О)' з '& ~200 (5 В; 0,2 мА) ~60 (5 В; 2 мА) ~120 (5 В; 2 мА) 100... 310 (5 В; 2 мА) · 53 КТЗ139 0,95 j ~*Х КТ314-2 s80;s300* ~~~ 11 \ 5 ~200 (5 В; 2 мА) ~60 (5 В: 2 мА) 120.. .460 (5 В; 2 мА) 100... 310 (5 В; 2 мА) ~200 (5 В; 2 мА) 40 ... 120 ( l В; 10 мА) s6,5 s6,5 s6,5 s6,5 s6,5 (10 (lO (10 (10 (lO В) В) В) В) В) s4(10B) s50 s5o s5o s5o s5o s25 s85** s85** s85** s85** s85** s270*; s400** s270* s270* s270* s270* sl3*; sl8** ~ к э КТ3140 0,95 j ~*Х КТ3142А 115,81/ ;fi ~200 (5 В; 2 мА) (5 В; 2 мА) 120... 460 (5 В; 2 мА) 100... 310 (5 В; 2 мА) 120.. .460 (5 В; 2 мА) ~60 sl 1 Sl 1 sl 1 sl 1 sl 1 s5o s5o s50 s5o s50 Sl 100* sl 100* sl 100* sl 100* sl ГОО* ~60 (5 120.. .460 100... 310 120 .. .460 В; 2 мА) (5 В; 2 мА) (5 В; 2 мА) (5 В; 2 мА) s12 Sl2 Sl2 s12 Sl2 s5o so s5o s5o s5o sl 100* sllOO* sllOO* Sl 100* sl 100* 5 КТ3145-9 ~~ :~ к ~200 (5 В; 2 мА) кфз 6 КТ3146-9 j 0,95 ~*Х
Раздел 92 Рк max, * т max, Рк, f гр, fh2lб, 2. Uкво max, fh2Iэ, * max, UкэR Uэво max, *** fmax, ** max, Uкэо в МГц в (250*) (250*) (250*) (250*) (250*) (250*) 100 100 150 150 ~250 25 20 40 35 150 150 150 150 150 150 100 100 150 150 ~250 КТ315Р1 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n КТ3150Б-2 p-n-p КТ3151А-9 Тип Струк- прибора тура ** н max, Рк, мВт КТ315А КТ315Б КТ315В KT315f КТ315Д КТ315Е КТ315Ж КТ315И КТ315Н КТ315Р КТ315А-1 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 150 150 150 150 150 150 ~250 ~250 - ~250 ~250 40* 35* 20* 60* 35* 35* ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 - (lОк) (lОк) (IОк) (lОк) (lОк) (lОк) Бип_олярные транзисторы Iкво, Iк max, IКэR, * и max, Iк, 1*" кэо, мА мкА 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 100 100 100 100 100 100 50 50 100 100 s0,5 (10 В) s0,5 (10 В) ~.5 (10 В) s0,5 (10 В) $0,6 (10 В) ~.6 (10 В) S0,6 (10 В) s0,6 (10 В) s0,6 (10 В) s0,5 (10 В) 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 s0,5 s0,5 s0,5 S0,5 s0,5 s0,5 s0,5 s0,5 s0,5 s0,5 ~250 120 (65°С) ~1200 35* (lОк) 4 30 (50*) s0,5 (40 В) 200 200 200 200 200 200 ~100 КТ3151Е-9 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n ~100 80* 80* 60* 40* 30* 20* 5 5 5 5 5 5 100 100 100 100 100 100 sl (100 В) sl (90 В) ::;;1 (80 В) sl (60 В) ::;;1 (30 В) sl (30 В) КТ3153А-9 n-p-n 300 ~250 60 5 400 (О,6* А) КТ315Б-1 КТ315В-1 KT315f-1 КТ315Д-1 КТ315Е-1 КТ315Ж-1 КТ315И-1 КТ315Н1 КТ3151Б-9 КТ3151В-9 KT3151f-9 КТ3151Д-9 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 ~100 ~100 ~100 ~100 ~ ' (10 (10 (10 (lo (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) 25 20 40 35 40 35 15 60 20 35 В) В) В) В) В) В) s0,05 (45 В) 1 ~- - КТ3153А-5 n-p-n 300 ~250 60 5 О.4 А (0,6* А) ~.05 (45 В) КТ3157А p-n-p 200 ~60 250* ( lОк) 5 30 (lOO*) ~.1 (200 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов 93 Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ С12э, rБэ нас, Ом rб, Ом пФ к;.~, дБ Раых, Вт 30 ... 120* (10 В; 1 мА) 50 ... 350* ( 10 В; 1 мА) 30 ... 120* (10 В; 1 мА) 50 ... 350* ( 10 В; 1 мА) 20 ... 90* (10 В; 1 мА) 50 ... 350* ( 10 В; 1 мА) 30 ... 250* (10 В; 1 мА) ~30* (l О В; 1 мА) 50 ... 350* ( 10 В; 1 мА) 150 ... 350* (10 В; 1 мА) $7 (10 В) $7 (10 В) $7 (10 В) $7 (10 В) $7 (10 В) $7 (10 В) $10 (10 В) $10 (10 В) $7 (10 В) $7 (10 В) $20 $20 $20 $20 $30 $30 $25 $45 $5,5 $20 $40* $40* $40* $40* $40* $40* $300 $500 $500 $500 $1000 $1000 $800 $950 $1000 $500 КТ315 20 ... 90 (10 В; 1 мА) 50 ... 350 ( 10 В; 1 мА) 20... 90 (10 В; 1 мА) 50 ... 350 (10 В; 1 мА) 20 ... 90 (10 В; 1 мА) 20 ... 90(108; 1 мА) 30 ... 250 (10 В; 1 мА) 30 (10 В; 1 мА) 50 ... 350 ( 10 В; 1 мА) 150... 350 ( 10 В; 1 мА) $7 $7 $7 $7 $7 $7 $7 $7 $7 $7 $20 $20 $20 $20 $20 $20 $20 $20 $40* $40* $40* $40* $40* $40* $40* $40* $300 $300 $300 $300 $300 $300 $300 $300 КТ315-1 60 .. .180* (5 В; 2,5 мА) $2 (10 В) • (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 • В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) $25 • •• 'tк, ПС • •• tвыКJJ, Корпус tpac, НС НС $30;$30* - (6~2 - . КТ3150-2 ~20 (5 В; 10 мА) 30... 90 (5 В; 10 мА) 40 .. .120 (5 В; 10 мА) 40 .. .120 (5 В; 10 мА) ~80 (5 В; 10 мА) ~40 (5 В; 10 мА) $15 $15 $15 $15 $15 $15 В) В) В) В) В) В) $60 $60 $60 $60 $60 $60 100... 300 (5 В; 2 мА) $4,5 (10 В) $2,6 $400* КТ3153-9 100... 300 (5 В; 2 мА) $4,5 ( 10 В) $2,3 $400* КТ3153А-5 $3 (30 В) $60 ~50* (20 В; 25 мА) (10 (10 (lO (lO (10 (10 КТ3151-9 j 0,95 ~~х КТ3157
Раздел 94 Рк max, * fгр, fh21б, UкБо max, * т max, , Рк, ** н max, Рк. *"' fh21э, *** fmax, "' max, UкэR ** max, Uкэо мВт мrц в n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 150 (90°С) 150 (90°С) 150 (90°С) 150 (90°С) 150 (90°С) ~600 150 150 150 150 150 (85°С) (85°С) (85°С) ~600 (85°С) ~600 КТ316ДМ n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n (85°С) ~800 КТ3165А p-n-p 160 (55°С) ~750 КТ3165А-9 p-n-p 100 1060 КТ3166А n-p-n 15 ~400 Тип Струк- прибора тура КТ316А КТ316Б КТ316В KT316f КТ316Д КТ316АМ КТ316БМ КТ316ВМ KT316fM ~800 ~800 ~600 ~800 ~800 ~800 2. UэБО max, в Биполярные транзи~торы Iк max, * и max, Iк, мА IКБО, IКэR, 1** кэо, мкА 10* 10* 10* 1О* 10* (3к) (3к) (3к) (Зк) (Зк) 4 4 4 .4 4 50 50 50 50 50 .~О.5 ~О.5 ~О.5 ~О.5 ~О.5 10* 10* 10* 10* 10* (3к) 4 4 4 4 4 50 50 50 50 50 ~О.5 ~О.5 40 3 30 ~О.1 40 5 30 0,5 - 1 - 15* (3к) (3к) (3к) (3к) (lк) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) ~О.5 (10 В) ~О.5 (10 В) ~О.5 (10 В) (20 В) 1 КТ3168А-9 n-p-n КТ3169А-9 p-n-p 180 (55°С) 200 ~3000 15* ~750 (lОк) 40 1 2,5 28 (56*) ~.5 (15 В) 3 30 ~.1 (20 В)
95 Параметры биполярных кремниевых транзисторов 20 ... 60* (l В; 10 мА) 40 ... 120* (l В; 10 мА) 40 ... 120* (l В; 10 мА) 20 ... 100* (l В; 10 мА) 60 ... 300* (l В; 1О мА) 20 ... 60* (l В; 10 мА) 40 ... 120* (l В; 10 мА) 40 ... 120* (l В; 10 мА) 20 ... 100* (l В; 10 мА) 60 ... 300* (l В; 10 мА) ~3 ~3 ~3 -~3 ~3 ~3 ~3 ~3 ~3 ~3 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) ~40 ~10* ~40 ~10* ~40 ~15* В) ~40 ~150 В) ~40 ~150 В) ~40 ~10* В) ~40 ~10* В) ~40 ~15* В) ~40 ~150 В) ~40 ~150 КТ316 115,81/ ;IJ ~rj:~_ ~ В; (lO 3 ~О.65 мА) (10 В) ~& (l ГГц) 5 КТ316М &1-) ~25* кфз Ш111 ~3 ~' • ~... КТ3165 с-., \с')" 'Q о ~25 (lO В; мА) 3 ~3 7 2,7 КТ3165А-9 0,95 j ~*Х 280 ... l ООО* (5 В; O, l мА) КТ3166 rif 42 ~Jj:~_ &1-) ~ 60 ... 180 (5 В; 5 мА) ~I.5 (5 В) ~7** (l ГГц) ~3 (1 ГГц) ~10 Ш111 ~' • ~... КТ3168А-9 j 0,95 ~*Х ~25 (l В; 3 мА) ~О.6 (10 В) ~13** (0,8 ГГц) ~6 (800 МГц) КТ3169-9 j 0,95 ~*Х .
Раздел_2. Биполярные транзисторы 96 Рк max, Тип Струк- прибора тура * т max, Рк, ** н Рк, max, fгр1 fh21б1 fh2lэ 1 *** fmax, UкБО max, * max, UкэR ** Uкэо мВт мrц в UэБО max, в max, КТ3169А9-1 p-n-p 200 ~750 40 з КТ317А-1 n-p-n n-p-n n-p-n 15 15 15 ~100 5 5 5 3,5 3,5 3,5 КТ317Б-1 КТ317В-1 ~100 ~100 lкБо, Iк max, * н max, Iк. мА 30 (0,6* IКэR, 1** кэо, мкА А) 1'5 (45*) 15 (45*) 15 (45*) ~0.1 ~1 ~1 ~1 (20 (5 (5 (5 В) В) В) В) . КТ3170А-9 n-p-n 250 ~300 0,1(208) 40 4 30 4 530 ~О.1 (12 В) 4,5 200* ~0,4 (20 В) . КТ3171А-9 p-n-p 200 ~150 15 КТ3172А-9 n-p-n 200 ~500 20* ' ~ КТ3173А-9 p-n-p 200 ~200 30 5 530 ~О.1 (20 В) КТ3176А-9 n-p-n 200 ~150 35 5 500 ~О.1 (35 В)
Параметры биполярных кремниевых транЗисторов h21э, h21э ~25 (10 В; 3 мА) 97 Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС Сi2э, * нас, Ом rБэ rб, Ом * НС tpac, пФ к;.~, дБ ** Вт Рвых, ** tвыКJJ, НС ~0.6 (10 В) ~13** (800 МГц) ~6 (800 МГц) - Корпус . . КТ3169-91 s 0,95 ~~х 25 ... 75 (l В; 1 мА) 35 ... 120 (l В; 1 мА) 80 ... 250 (l В; 1 мА) ~11 ~11 (l В) (l В) ~11 (1 В) - ~30 ~30 ~о ~130* КТ317-1 ~130* w~ ~130* ( ..>; ,, /1\:::: б к з ~100 (10 В; 7 мА) ~2 (lO В) - - - КТ3170-9 s О,95 ~*Х ~50* (2 В; 100 мА) ~15 (15 В) - ~1.5 ~20 КТ3171А-9 s 0,95 ~щi;tjl]:_ - ~40 (l В; 10 мА) ~3 (10 В) - ~1 ~45 КТ3172-9 s 0,95 ~*Х 50... 500 (5 В; 30 мА) ~10 (10 В) ~ - ~1.5 КТ3173-9 ~20** s 0,95 ~щi;tjl]:_ ' ~60 (10 В; 150 мА) ~15 (10 В) - ~1.2 - КТ3176-9 s ' - 0,95 ~*Х
_Раздел 98 55 .Sl (100 В) (45*) (45*) (45*) (45*) (45*) (45*) .S0,5 .s0,5 .s0,5 .s0,5 .s0,5 .s0,5 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) В) 5 50 .Sl (150 В) ~4 ГГц 20 20 20 2,5 2,5 2,5 50 50 .50 .sO,l (10 В) .sO,l (lOB) .sO,l (lOB) 200 ~4.4 ГГц 20 2 25 .S0,1 (lOB) n-p-n n-p-n n-p-n 200 90 200 ~4600 20; 12* 18; 12* 20 2 2 2 20 10 25 n-p-n n-p-n n-p-n 225 225 225 300 300 300 50 6 50 50 6 100 100 100 КТ3179А-9 n-p-n 200 ~150 150 5 КТ318А-1 15 15 15 15 15 15 ~430 КТ318Е-1 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n ~350 lo· 10 10 10 10 10 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 КТ3180А-9 p-n-p 200 ~150 150 КТ3186А-9 300 90 250 ~б ГГц ~3,2 ГГц КТ3186В-9 n-p-n n-p-n n-p-n КТ3187А-9 n-p-n КТ3187А-91 КТ318Б-1 КТ318В-1 KT318f-1 КТ318Д-1 КТ3186Б-9 КТ3187Б-91 КТ3187В-91 КТ3189А-9 КТ3189Б-9 КТ3189В-9 2. Биполярные транзисторы ~430 ~430 ~350 ~350 ~3200 ~3000 6 20 20 20 20 20 20 В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов ~65* (5 В; 10 мА) :5:3 99 КТ3179-9 :5:33 0,95 j ~*Х 30... 90 (l В; 10 мА) 50... 150 (l В; 10 мА) 70 ... 280 (l В; 10 мА) 30... 90 (l В; 10 мА) 50 ... 150 (l В; 10 мА) 70... 280 ( 1 В; 1О мА) :5:3,5 :5:3.5 :5:3,5 :5:4,5 :5:4,5 :5:4,5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) :5:27 :5:27 :5:27 :5:27 :5:27 :5:27 В) В) :5:15* :5:15* :5:15* :5:10* :5:10* :5:10* КТ318-1 1 ~ 1 ~ ~ • 5 ~90* (5 В; 1О мА) 1\ 1 ...... ....... к з КТ3180-9 :5:33 0,95 j ~*Х ~60 (5 В; 15 мА) ~40 (3 В; 2 мА) ~35 (5 В; 10 мА) :5:0,9 ,(8 :5:0,9 (8 :5:0,9 (8 В) В) В) ~8** ~6** ~6** (2 (2 (2 ГГц) ГГц) ГГц) :5:3,5 (2 ГГц) :5:3 (2 ГГц) :5:4 (2 ГГц) КТ3186-9 ~~ =~ к ~40 (10 В; 14 мА) :5:0,9 (10 В) ~12** (0,8 ГГц) :5:2 (0,8 ГГц) 6 КТ3187-9 0,95 j ~~х ~40 (lO В; ~40 (3 В; ~40 (5 В; 14 мА) 2 мА) 5 мА) ~12** ~12** ~12** (0,8 ГГц) (0,8 ГГц) (0,8 ГГц) :5:2 (0,8 ГГц) :5:2 (0,8 ГГц) :5:2,5 (0,8 ГГц) КТ3187-91 j 0,95 ~~х 110... 220 200 .. .450 420 ... 800 6 6 6 10 10 10 КТ3189-9 ~~t
Раздел 100 2. Биполярные транзисторы КТ3191А-9 p-n-p 200 ~4500 15** 2 25 S:O,l (20 В) КТ3191А-91 p-n-p 200 ~4500 15** 2 25 s:O, 1 (20 В) КТ3192А-9 p-n-p • 200 800 40 3 30 0,1 КТ3196А-9 p-n-p 225 250 40 5 200 10 КТ3197А-9 n-p-n 225 200 60 6 200 10 КТ3198А n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 280 280 300 300 280 300 300 4600 4600 4000 4000 3000 - 6000 6500 15* 15* 15* 15* 20 20 20 2,5 2,5 2,5 2,2 2,5 3 2,5 25 25 50 35 30 100 50 n-p-n n-p-n n-p-n 15 15 15 5 5 5 3,5 3,5 3,5 15 15 15 60 60 60 45 45 45 4 4 4 4 4 4 КТ3198Б КТ3198В KT3198f КТ3198Д КТ3198Е КТ3198Ж КТ319А-1 КТ319Б-1 КТ319В-1 КТ321А КТ321Б КТ321В KT321f КТ321Д КТ321Е p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 210 210 210 210 216 210 (20** Вт) (20** Вт) (20** Вт) (20** Вт) (20** Вт) (20** Вт) ~100 ~100 ~100 ~60 ~60 ~о ~60 ~60 ~60 200 200 200 200 200 200 (2* А) (2* А) {2* А) (2* А) (2* А) (2* А) S:l S:l S:l s:O, 1 (60 s:O, l (60 s:O, 1 (60 S:O,l (45 s:O,l (45 s:O, 1 (45 В) В) В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевы~ транзисторов ~20 (10 В; 14 мА) ~0,9 (10 В) ~16** (0,5 ГГц) ~2.4 (0,5 101 ГГц) КТ3191-9 ~~t ~20 (10 В; 14 мА) ~0,9 (10 В) ~16** (0,5 ГГц) ~2.4 (0,5 ГГц) КТ3191-91 1 s 0,95 ~~х 20 КТ3192-9 6 ~~* 9-=r-r _ш 100... 300 КТ3196-9 2 s 0,95 ~*Х КТ3197-9 1,5 100... 300 ~~* 9-=r-r _ш_ ~16** (0,5 ГГц) (0,5 ГГц) 14** ;;::11 ** (0,8 ГГц) ~10** (0,8 ГГц) ~12** (0,8 ГГц) ~13** (0,8 ГГц) 40 40 25 40 ~12** ~20 (1 В; 2 мА) ~50 (10 В; 20 мА) ~60 (8 В; 15 мА) 15 ... 55 (1 В; 1 мА) 45 ... 90 ( 1 В; 1 мА) 80... 200 (1 В; 1 мА) ~11 (1 В) ~11 (1 В) ~ll(lB) ~2,4 (0,5 ГГц) 2 1,9 1,6 ~4 (0,8 ГГц) ~2 (0,8 ГГц) ~1.8 (0,8 ГГц) КТ3198 о ~30 ~130* ~30 ~130* ~30 ~130* КТ319-1 ~rf9 Цj ~tZК 6 эк 20 ... 60* (3 В; 0,5 А) 40 .. .120* (3 В; 0,5 А) 80... 200* (3 В; 0,5 А) 20 ... 60* (3 В; 0,5 А) 40 .. .l 20* (3 В; 0,5 А) 80... 200* (3 В; 0,5 А) ~80 ~80 ~80 ~80 ~80 ~80 (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) (10 В) ~3,6 ~1000* ~3,6 ~1000* ~3,6 ~1000* ~3.6 ~1000* ~3,6 ~1000* ~3,6 ~1000* 2,7 КТ321 1
Раздел 102 - Рк max, Тип Струк- прибора тура КТ324А-1 1 п-р-п КТ324Б-1 п-р-п КТ324В-1 rt-p-n КТ324Г-1 п-р-п КТ324Д-1 п-р-п КТ324Е-1 п-р-п КТ325А п-р-п КТ325Б п-р-п КТ325В п-р-п КТ325АМ п-р-п КТ325БМ п-р-п КТ325ВМ п-р-п * т max, Рк, fгр, fh2lб, fh2lэ 1 2. Uкво max, Биполярные транзисторы lкво, lк max1 IкэR, 1~<Эо, * max, UкэR Uэ1ю max, *** fmax, ** max, Uкэо в мВт МГц в 15 15 15 15 15 15 ~800 10 10 10 10 10 10 4 4 4 4 4 4 20 20 20 20 20 20 (50*) (50*) (50*) (50*) (50*) (50*) S0,5 (10 В) S0,5 (10 В) ~.5 (10 В) · S0,5 (10 В) S0,5 (10 В) S0,5 (10 В) 225 (85°С) 225 (85°С) 225 (85°С) ~800 15* (3к) 15* (3к) 15* (3к) 4 4 4 30 (60*) 30 (60*) 30 (60*) S0,5 (15 В) S0,5 (15 В) S0,5 (15 В) 15* (Зк) 15* (3к) 15* (3к) 4 4 4 30 (60*) 30 (60*) 30 (60*) S0,5 (15 В) S0,5 (15 В) S0,5 (15 В) 15* (lООк) 1§* (lООк) 5 5 50 50 S0,5 (20 В) S0,5 (20 В) 15* (lООк) 15* (lООк) 5 5 50 50 S0;5 (20 В) ~.5 (20 В) ** и max, Рк, 225 (85°С) 225 (85°С) 225 (85°С) ~800 ~800 ~600 ~600 ~600 ~800 ~1000 ~800 ~800 ~1000 * и max, lк, мА мкА r' КТ326А р-п-р КТ326Б р-п-р 200 (30°С) 200 (30°С) ~250 ~400 . КТ326АМ р-п-р КТ326БМ р-п-р 200 (30°С) 200 (30°С) ~250 ~400 КТ331А-1 п-р-п КТ331Б-1 п-р-п КТ331В-1 п-р-п КТ331Г-1 п-р-п 15 15 15 15 ~250 ~50 ~250 ~400 15* (lОк) 15* (lОк) 15* (lОк) 15* (lОк) 3 3 3 3 20 20 20 20 S0,2 (15 В) S0,2 (15 В) ~.2 (15 В) S0,2 (15 В) (50*) (50*) (50*) (50*) - КТ332А-1 п-р-п КТ332Б-1 п-р-п КТ332В-1 п-р-п КТ332Г-1 п-р-п КТ332Д-1 п-р-п 15 15 15 15 15 ~250 ~250 ~50 ~500 ~500 15* 15* 15* 15* 15* (lОк) (lОк) (lОк) (lОк) (lОк) 3 3 3 3 3 20 20 20 20 20 (50*) (50*) (50*) (50*) (50*) ~.2 (15. В) (15 В) (15 В) (15 В) (15 В) S0,2 S0,2 S0,2 S0,2
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * НС tpac, Рвых, Вт ** tвыкл, НС пФ 20 ... 60 (l В; 10 мА) 40.. .120 (l В; l О мА) 80... 250 (l В; l О мА) 40" .120 (l В; 10 мА) 20" .80 (1 В; 10 мА) 60" .250 (1 В; 10 мА) 103 S2,5 S2,5 S2,5 S2,5 S2,5 ,s2,5 (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) •• Sl80; :5180; S:l 80; Sl80; :5180; Sl80; S30 S30 S30 S30 S30 S30 Корпус КТ324-1 SlO* SlO* s;lQ* ~t SlO* SlO* SlO* 6 30... 90* (5 В; 10 мА) 70 ... 210* (5 В; 10 мА) 160.. .400* (5 В; 10 мА) S2,5 (5 В) S2,5 (5 В) S2,5 (5 В) КТ325 Sl25 Sl25 Sl25 fl9,ll _ . ~. ~ 30".90* (5 В; 10 мА) 70".21 О* (5 В; 10 мА) 160".400* (5 В; 10 мА) S2,5 (5 S2,5 (5 S2,5 (5 В) В) В) 20." 70* (2 В; l О мА) 45".160* (2 В; 10 мА) ~ (5 В) S5 (5 В) 20".70* (2 В; 10 мА) 45".160* (2 В; 10 мА) S5 (5 S5 (5 В) 20."60 (5 В; l мА) 40."120 (5 В; l мА) 80."220 (5 В; l мА) 40 ... 120 (5 В; l мА) 55 S5 S5 S5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) 20 ... 60 (5 В; l мА) 40".120 (5 В; l мА) 80... 220 (5 В; l мА) 40".120 (5 В; l мА) 80... 220 (5 В; l мА) S5 S5 55 S5 S5 (5 В) (5 В)' В) (5 В) (5 (5 В) В) кз 1 ! l1 1 j t 1 5@·0к з 1· Sl25 Sl25 Sl25 КТ325М S30 S30 S450 S450 КТ326 S30 S30 S450 S450 КТ326М S:l20 Sl20 Sl20 Sl20 КТЗЗ1-1 S300 S300 5300 S300 S300 КТ332-1 S:4,5 S4,5 S4,5 S4,5 (100 МГц) (100 МГц) ( 100 МГц) ( 100 МГц) S8 (100 МГц) S8 (100 МГц) s;8 ( l 00 МГц) :58 (100 МГц) S8 (100 МГц) о,о l(opn.
Раздел 104 Рк max,~ Uкво max, ** и max, Рк, frp 1 fh2J6, ** 1 , f h21э fmax *** 1 мВт МГц в n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 15 15 15 15 15 15 ~450 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 50 50 50 50 50 50 ~250 Тип Струк- прибора тура КТ333А-3 КТ333Б-3 КТ333В-3 КТ333Г-3 КТ333Д-3 ,КТ333Е-3 КТ336А КТ336Б КТ336В КТ336Г КТ336Д КТ336Е * т max, Рк, ~450 ~450 ~350 ~350 ~350 ~250 ~250 ~450 ~450 ~450 2. * max, UкэR Uэво max, ** max, Uкэо в Биполярные mранзисторы Iк max 1 * и max, Iк, мА Iкво, IКэR, 1** кэо, мкА 20 20 20 20 20 20 (45*) (45*) (45*) (45*) (45*) (45*) :50,4 :50,4 :50,4 :50,4 :50,4 :50,4 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) (3к) 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 (3к) (3к) (3к) (3к) (3к) (3к) 4 4 4 4 4 4 20 20 20 20 20 20 (50*) (50*) (50*) (50*) (50*) (50*) :50,5 (10 ~О.5 (10 :50,5 (10 :50,5 (10 :50,5 (10 :50,5 (10 13) 4 4 4 30 30 30 10* 1О* 10* 10* 10* 10* (3к) (3к) (3к) (3к) (3к) 10* 10* 10* 1О* 10* 10* В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) ' 150 (60°с) 150 (6О С) 150 (6О С) ~500 КТ337В p-n-p p-n-p p-n-p КТ339АМ n-p-n 250 (55°С) КТ337А КТ337Б 0 ~600 0 ~600 6* (lОк) 6* (lОк) 6* (lОк) ~300 40 4 25 ·с> ·с> ;;::300 crc) ~450 40 25 40 40 40 4 4 4 4 4 ·25 25 25 25 25 15 20 15 15 15 5 5 5 5 5 50 50 50 (200*) 75 (500*) 50 ~300 35 30 25 ~300 60* (lОк) 5 5 5 5 50 (300*) 50 (300) 50 (300) 50 (300*) ~1 (6 В) ~1 (6 В) ~1 (6 В) :51 (40 В) ~ КТ339А КТ339Б КТ339В КТ339Г КТ339Д КТ340А КТ340Б КТ340В КТ340Г КТ340Д КТ342А КТ342Б КТ342В КТ342Г n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 260 250 260 250 250 (55 (55 (55 (55 (55 ·с> ·с> ~250 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 150 150 150 150 150 (85°С) (85°С) (85°С) (85°С) (85°С) ;;::300 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 250 250 250 250 ~250 ~250 ~300 ~300 ~300 ~300 ~250 ~300 :51 :51 :51 :51 :51 (40 (40 (40 (40 (40 В) В) В) В) В) :51 (15 В) :5J (20 В) :51 (15 В) ~1 (15 В) :51 (15 В) :50,05 :50,05 :50,05 :50,05 (25 (20 ( 1О (60 В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э 30 ... 90 (1 В; 10 мА) 50 ... 150 (1 В; 10 мА) 70 ... 280 (1 В; 1О мА) 30."90 (1 В; 10 мА) 50 ... 150 (1 В; 10 мА) 70."280 (l В; 1О мА) Ск, Гкэ нас, Ом Кш, дБ Сi2э, rБэ нас, Ом rб, Ом пФ к** у,р, дБ $3,5 $3,5 $3,5 $4,5 $4,5 $4,5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) $27 В) ~7 В) $27 $27 $27 $27 В) В) В) ** Рвых,· ' - - Вт 105 'tк, ПС * tpac 1 Корпус НС t:~кл, НС $15* $15* $15* $25* $25* 525* КТ333-3 ~~кt с::)' К о о.Jб, к.пюч 0,01/ / 20 ... 60 (l В; 1О мА) 40".120 (1 В; 10 мА) ~80 (l В; 10 мА) 20... 60 (1 В; 1О мА) 40."120 (1 В; 10 мА) ~80 (1 В; 10 мА) $5 $5 $5 $5 $5 $5 (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) $30 $30 $30 $30 $30 $30 - - $30* $30* $50* $15* $15* $15* КТ336 ~~эL 5 c:::i' о~ к ,Клюl/ ~30* (0,3 В; 10 мА) ~50* (0,3 В; 1О мА) ~70* (0,3 В; 1О мА) $6 (5 В) $6 (5 В) $6 (5 В) $20 $20 S:20 - - $25* $28* $28* 0,04 КТ337 ~5,811 э ~·1 5$К ч-; w .,....._ ,..._ '~ ~" ...::: ~25* (10 В; 7 мА) $2 (5 В) - - КТ339М $25 ~fi:tщ1 ~ ~ ~25* ~15* ~25* ~40* ~15* ( 10 (10 (10 (l О (10 В; В; В; В; В; 7 7 7 7 7 мА) мА) мА) мА) мА) $2 $2 $2 $2 $2 - (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) - - - - - $25 $25 $50 $100 $150 ф1/1 ~' . ~ ........... КТ339 ~5,81/ - ~-'[j бфк ,..._ j ~, 100".300* (1 В; 1О мА) ~100* (l В; 1О мА) ~35* (2 В; 0,2 А) ~16* (2 В; 0,5 А) ~40* (2 В; 0,2 А) $3,7 (5 В) $3,7 (5 В) $3,7 (5 В) $3,7 (5 В) $6 (5 В) ::;20 $25 $2 $1,2 $30 - - - '$45; $10* $40; $15* $85; $15* $85; $15* $150; $75* . 100."250* (5 В; 1 мА) 200".500* (5 В; l мА) 400 ... 1000* (5 В; 1 мА) 50."120* (5 В; 1 мА) $8 $8 $8 $8 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) $10 $10 $10 $10 - $200 $300 $700 - КТ340 i15,8// ;fi кфз 5 КТ342 i15,8// ;fi кфз 5 '
Раздел 106 •• и max, Рк. • •• fь21э, ••• fmax, max, max, u** КЭО max, мВт МГц в ~250 35 30 25 Ркmах 1 Тип Струк- прибора тура КТ342АМ п-р-п КТ342БМ п-р-п КТ342ВМ п-р-п KT342fM п-р-п КТ342ДМ п-р-п . • т max, Рк, 250 250 250 250 250 fгр, fь216, Uкво * UкэR в • Iк. max, и max, мА 50 50 50 50 50 (300*) (300*) (300*) (300*) (300*) (lОк) (lОк) 17* (lОк) 17* (lОк) 9• (lОк) 4 4 4 50 (150*) 50 (150*) 50 (150*) (lОк) (lОк) 5 5 5 200 (300*) 200 (300*) 200 (300*) 15* (lОк) 9* (lОк) 6* (lОк) 4 4 4 50 (110*) 50 (110*) 50 (110*) 3,5 3,5 3,5 15 (45*) 15 (45*) 15 (45*) ~300 ~150 max, Iк 5 ·5 5 5 5 ~300 ~150 Uэво 2. Биполярные транзисторы 30* 25* Iкво, Ii<эR, 1·· кэо, мкА S0,05 (25 S0,05 (20 ~.05 (10 S0,05 (30 S0,05 (25 В) В) В) В) В) - КТ343А р-п-р КТ343Б р-п-р КТ343В р-п-р КТ345А p-n·p КТ345Б р-п·р КТ345В p·n·p КТ347А р-п-р КТ347Б р-п-р КТ347В р-п-р КТ348А-3 п-р-п КТ348Б-3 п-р-п КТ348В-3 п-р-п 150 150 150 (75°С) (75°С) ~300 (75°С) ~300 ~300 300 (600**) 300 (600**) 300 (600**) ~350 150 (75°С) i5o (75°С) 150 (75°С) ~500 15 15 15 ::::.100 ' ~350 ~350 ~500 ~500 ~100 ~100 20* 20* 20* 5* 5* 5* (lОк) (3к) (3к) (3к) Sl (10 В) Sl (lO В) Sl (7 В) ~.5 (20 S0,5 (20 ~.5 (20 В) В) В) Sl (15 В) ~1 (9 В) ~l (6 В) Sl (5 ~l (5 Sl (5 В) В) В) - КТ349А р·п-р КТ349Б р·п-р КТ349В р-л-р ~ 200 200 - 200 (З5°С) ~300 (35°С) ~300 (35°С) ~300 15* 15* 15* (lОк) (lОк) (lОк) 4 4 4 50 (100*) 50 (100*) 50 (100*) Sl (10 sl (10 Sl (10 В) В) В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС * С12э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * 1 НС tpac ** 1 Вт Рвых ** 1 НС tвыкл пФ 100... 250* (5 В; 2 мА) 200 ... 500* (5 В; 2 мА) 400 ... 1000* (5 В; 2 мА) 100... 250* (5 В; 2 мА) 200 ... 500* (5 В; 2 мА) 107 ~8 ~8 ~8 (5 (5 (5 ~8 (5 ~8 (5 В) В) В) ~10 ~10 ~10 В) В) ~10 ~10 - Корпус ' КТ342М ~200 ~300 ~700 - ~EW:~ . 1о1') ~" ~ ;;:::30* (0,3 В; 10 мА) ;;:::50* (0,3 В; 10 мА) ;;:::30* (0,3 В; 10 мА) ~6 ~о ~6 (5 В) (5 В) ~6 (5 В) ~30 ~30 - • ~ ........... КТ343 ~10* ~20* ~10* ~5,811 - - - з ~·~ -- 5$К ч-)" 1 ,..., ,, ~",, - :?:20* (1 В; 100 мА) ;;:::50* (1 В; 100 мА) :?:70* (1 В; 100 мА) ~15 ~15 ~15 (5 В) (5 В) (5 В) ~3 ~3 ~3 - - КТ345 ~70* ~70* ~70* . ~Вi:µщ !."':)" 30 .. .400* (0,3 В; 10 мА) 30 .. .400* (0,3 В; 10 мА) 50 .. .400* (О,3 В; 10 мА) ~6 ~6 ~6 (5 В) (5 В) (5 В) ~30 ~о ~30 - - ~ • ""' ~ ........... КТ347 ~25* ~25* ~40* ~5,81/ -- з 5$К ,~~ . ._ ~rч-)" ~~~ - 25 ... 75 ( l В; 1 мА) 35 ... 120 (1 В; l мА) 80 ... 250 (1 В; 1 мА) ~ll(lB) ~ll(lB) ~11 (1 В) ~30 ~30 ~30 - КТ348-3 ~130* ~130* ~130* ~~кt f::SKooб к.пюч 20... 80* (l В; 10 мА) 40 ... 160* (1 В; 10 мА) 120... 300* (l В; 10 мА) ~6 ~6 ~6 (5 В) (5 В) (5 В) ~30 ~30 ~30 - - КТ349 - - 0.01/ . "~2 ~вr~ . 1о1') ~" ~ ~5,811 -- ~·~ -ч-)" 1 ,..._ 1\ ~" / • з ~ ........... 5$К
.Раздел 108 Рк max, Тип Струк- прибора тура • т max, Рк. •• Рк, н max, мВт КТ350А p-n-p 300 (ЗО С) 0 2. "' fгр, fh2lб, Uкво max, fh2°Iэ, ••• 1 fmax "' max, UкэR Uэво max, ** max, Uкэо в Мfц в ~100 20 Биполярные транзисторы Iкво, Iк max, Ii<эR, • н max, Iк. 1** кэо, мА мкА 600* ~i (10 В) 5 5 400* 400* ~l 20 20 5 5 200* 200* ~l 5 ' / / КТ351А КТ351Б p-n-p p-n-p 300 (30°С) 300 (30°С) ~200 ~200 15* (lОк) 15* (lОк) ~l (10 В) (10 В) , КТ352А КТ352Б p-n-p p-n-p 300 300 (30°С) ~200 (30°С) ~200 ~l (10 (10 В) В) , 30 30 10* (3к) 10* (Зк) 4 4 10 (20*) 10 (20*) ~О.5 ~1500 ~О.5 (10 В) (10 В) 225 (85°С) ~1500 15* (Зк) 4 30 (60*) ~О.5 (15 В) n-p-n 225 (85°С) ~1500 15* (3к) 4 30 (60*) ~О.5 (15 В) p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 100 (50°С) 100 (50°С) 100 (50°С) 100 (50°С) ~300 6* 6* 20* 20* 3,5 3,5 3,5 3,5 КТ354Б-2 n-p-n n-p-n КТ355А n-p-n КТ355АМ КТ357А КТ354А-2 КТ357Б КТ357В KT357f ~1100 ~300 ~300 ~300 40 40 40 40 ~5 (80*) (80*) (80*) (80*) (6. В) ~5 (6 В) ~5 (20 В) ~5 . (20 В)
Параметры биnОЛЯJJ'!ЫХ кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * НС tpac, ** Вт Рвых, ** tвыкл, НС пФ 20 ... 200* ( l В; 0,5 А) ~70 (5 В) 20 ... 80* ( l В; 0,5 А) 50 ... 200* ( l В; 0,3 А) ~О (5 (5 В) ~1.5 В) ~2.25 25 ... 125* (l В; 0,2 А) 70 ... 300* ( l В; 0,2 А) ~15 (5 :S:l5 (5 В) ~3 В) ~3 40".200 (2 В; 5 мА) 90 ... 360 (2 В; 5 мА) 80 ... 300* (5 В; 10 мА) 109 ~20 ~1.3 ~1.3 ~2 Корпус КТ350 КТ351 КТ352 ~150* (5 В) (5 В) (5 В) ~5.5 ~10* ~5 ~10* ~30 (60 МГц) ~60 КТ354-2 КТ355 99,11 0 К 1!15~ IJ J 3 ~ - - " t "1 ] 1 80 ... 300* (5 .В; 10 мА) 20". l 00* 60."300* 20 .. .100* 60 ... 300* (0,5 (0,5 (0,5 (0,5 В; В; В; В: 10 мА) 10 мА) 10 мА) 10 мА) ~ (5 В) ~7 (5 (5 (5 (5 ~7 ~7 ~7 В) ~5.5 ~30 (60 МГц) ~60 КТ355М :S:l 50* КТ357 В) :s:зо ~50* В) :s:30 В) :s:зо :S:l 50* :S:250* о,о Корп.
{10 Раздел Рк max 1 Тип Струк- прибора тура КТ358А KT358:S КТ358В n-p-n n-p-n n-p-n * т max, Рк, ** и max, Рк, - мВт 100 100 100 fгр, fh2lб 1 2. Uкво max, fh2Jэ 1 f max, *** * max, UкэR Uэво max, ** max, Uкэо в МГц в ~80 15 30 15 (50°С) (50°С) ~120 (50°С) ~120 Биполярные транзисторы Iкво, Iк max 1 Ii<эR, * и max, Iк, 1** кэо, мА мкА 30 (60*) 30 (60*) 30 (60*) ~10 3,5 3,5 3,5 29 20 20 ~О.5 5 4 4 20 (75*) 20 (75*) 20 (75*) ~l ~l ~l (25 (20 (20 В) В) В) ~l (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) 4 4 4 ~10 ~10 В) (15 (30 (15 В) В) КТ359А-3 КТ359Б-3 КТ359В-3 КТ360А-1 КТ360Б-1 КТ360В-1 n-p-n n-p-n n-p-n p-n-p p-n-p p-n-p ~300 15 15 15 10 10 10 ~300 ~300 (55°С) (55°С) (55°С) ~300 ~400 ~400 15* 15* 15* (3к) (3к) (3к) 25 20 20 ~О.5 ~О.5 (15 (15 (15 В) В) В) ' КТ361П p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p КТ361А-2 p•ll-p КТ361А-3 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p КТ361А КТ361А1 КТ361Б КТ361В КТ361Г КТ361Г1 КТ361Д КТ361Д1 КТ361Е КТ361Ж КТ361И КТ361К КТ361Л КТ361М КТ361Н КТ361Б-2 КТ361В-2 КТ361Г-2 КТ361Г-3 КТ361Д-2 КТ361Д-3 КТ361Е-2 КТ361Ж-2 КТЗ61И-2 КТ361К-2 КТ361Л-2 КТ361М-2. КТ361Н-2 КТ361П-2 150 (35°С) 150 150 150 (35°С) ~250 (35°С) ~250 (35°С) ~250 ~250 150 150 (35°С) (35°С) ~250 ~250 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 ~250 ~150 150 150 ~250 ~150 150 ~250 ~250 ~250 ~250 ~150 ~300 ~250 ~150 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 ~150 ;?;250 ~250 ;:::250 ~250 ~250 ;?;250 ~150 ' ~300 25 25 20 40 35 35 40 40 35 10 15 60 20 40 45 50 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 50 100 50 50 50 100 50 50 50 50 50 50 100 100 50 50 25 25 20 40 35 35 40 40 35 10 15 60 20 40 45 50 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 100 100 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 100 100 50 50 ~1 ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~1 ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~l ~1 ~l ~1 ~l ~l (10 (10 (10 (10 (lO (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (lO В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) -
Параметры биполярных кремниевых транзисторов_ 10.. .100* (5,5 В; 20 мА) 25".100* (5,5 В; 20 мА) 50".280* (5,5 В; 20 мА) 30".90 (1 В; 10 мА) 50".150 (1 В; 10 мА) 70".280 (1 В; 10 мА) 111 Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС * С12э, * нас, Ом rвэ rб, Ом * НС tpac, пФ к;.~, дБ ::;5 (10 ::;5 (10 ::;5 (10 В) В) ** Рвых, Вт ::;40 ::;40 ::;40 В) ::;5 (5 В) ::;70 ::;70 ::;70 :S5 (5 В) ::;5 (5 В) ::;6 (20 ::;6 (20 ::;б (20 МГц) МГц) МГц) ** 1 tвыкл Корпус НС ::;500 ::;500 ::;500 КТ358 ::;100 ::;100 ::;100 КТ359-3 ::;450; ::; 100* ::;450; ::;200• ::;450; ::;200• КТ360-1 • 20".70 (2 В; 10 мА) 40".140 (2 В; 1О мА) 80" .240 (2 В; 1О мА) ::;5 (5 В) ::;5 (5 В) ::;5 (5 В) ::;35 ::;35 ::;35 ~t 5КЗ 20."90 (10 В; 1 мА) 20 ... 90 (10 В; 1 мА) 50".350 (10 В; 1 мА) 40".160 (1 О В; 1 мА) 50."350 ( 1О В; 1 мА) 100. "350 (1 О В; 1 мА) 20".90 (10 В; 1 мА) 20 ... 90 (10 В; 1 мА) 50".350 (1 О В; 1 мА) 50".350 ( 1О В; 1 мА) ~250 (1 О В; 1 мА) 50."350 (1 О В; 1 мА) 50".350 (1 О В; 1 мА) 70".160 (10 В; ·1 мА) 20".90 (10 В; 1 мА) 100... 350 (10 В; 1 мА) 20".90 (1 О В; 1 мА) 20".90 (10 В; 1 мА) 50" .350 (1 О В; 1 мА) 40".160 (10 В; 1 мА) 50. "350 (1 О В; 1 мА) 100... 350 (1 О В; 1 мА) 20".90 (10 В; 1 мА) 20".90 (10 В; 1 мА) 50" .350 (1 О В; 1 мА) 50" .350 ( 1О В; 1 мА) 250 (10 В; 1 мА) 50".350 (1 О В; 1 мА) 50 ... 350 (1 О В; 1 мА) 70... 160 (10 В; 1 мА) 20".90 (10 В; 1 мА) 100... 350 (1 О В; 1 мА) ::;9 (10 В). ::;9 (10 В) ::;9 (10 В) '5,7 (10 В) ::;7 (10 В) ::;7 (10 В) '5,7 (10 В) ::;7 (10 В) ::;7 (10 В) ::;9 (10 В) ::;9 (10 В) ::;7 (10 В) ::;9 (10 В) ::;7 (10 В) ::;7 (10 В) ::;7 (10 В) ::;9 ::;9 ::;9 ::;7 ::;7 ::;9 ::;7 ::;9 ::;7 ::;9 ::;9 ::;7 ::;9 ::;7 ::;7 ::;7 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) ::;20 ::;20 ::;20 ::;20 ::;20 ~о ::;40* ::;40* ::;40* ::;40• ::;40* ::;40* ::;50 ::;50 ::;50 ::;50 ~50 ::;1000 :SlOO ::;1000 ::;500 ::;5о ::;50 ::;20 ::;20 ::;20 ::;20 ~о ::;20 ::;50 ~50 ::;50 ::;50 ::;20 ::;20 '5,500 ::;500 ::;500 ::;1000 ::;500 ::;500 ::;250 ::;40* :S40* :S40* :S40* :S40* :S40* :S500 :S500 :S500 :SlOOO :S500 :S500 :S250 :S250 :SlOOO· :SlOO :SlOOO :S500 КТ361, КТ361·1 ;tmt 5КЗ КТ361-2, КТ361-3 ~5,2 '
Раздел 112 Тип Струк- прибора тура КТ363А р-п-р КТ363Б р-п-р 2. Рк max, * т max, Рк, * frp, fh2\б, f h2\э, ** Uкво max, * max, UкэR Uэво max, ** и max, Рк. *** fmax, ** max, Uкэо в мВт мrц в 150 150 (45°С) (45°С) ~1200 (lк) (lк) Iкво, Iк max, IКэR, * и max, lк. 1** кэо, мА мкА 4,5 4,5 30 (50*) 30 (50*) ~0.5 ~О.5 (15 В) (15 В) 4,5 4,5 30 (50*) 30 (50*) ~О.5 ~.5 (15 В) (15 В) 25 25 25 5 5 5 200 (400*) 200 (400*) 200 (400*) ~1 ~1 ~1 15 15 15 4,5 4,5 4,5 10 (20*) 20 (40*) 45 (70*) ~О.1 (15В) ~O.l ~О.1 (15 (15 В) В) ~.5 ~О.5 (15 (15 В) В) 15* 12* ~1500 Биполярные транзисторы \ 1 КТ363АМ КТ363БМ р-п-р р-п-р 150 150 (45°С) (45°С) ~1200 15* 12* ~1500 (lк) (lк) 1 КТЗ64А-2 р-п-р КТ364Б-2 р-п-р КТ364В-2 р-п-р 30 30 30 ~250 ~250 ~250 (25 (25 (25 В) В) В) . КТ366А n-p-n КТ366Б п-р-п КТ366В n-p-n КТ368А п-р-п КТ368Б п-р-п 30 30 30 (70°С) (70°С) (70°С) ~1000 ~1000 ~1000 225 225 (65°С) (65°С) ~900 ~900 15 15 4 4 30 (60*) 30 (60*) 225 (65°С) ~900 15* 4 30 (60*) 0,5 (15 ~900 15* 15* 4 4 30 (60*) 30 (60*) 0,5 (15 ' КТ368А-5 п-р-п КТ368А-9 n·p·n КТ368Б-9 п-р-п 100 100 ~900 В) О,5(15В) В)
113 Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС * С12э, * нас, Ом rвэ * Ом tб, * НС tpac, пФ к;.~, дБ ** Вт Рвых, ** НС tвыкл, 20 ... 120* (5 В; 5 мА) 40 ... 120* (5 В; 5 мА) ~2 ~2 (5 В) (5 В) ~35 ~50 ~35 ~75 20 ... 120* (5 В; 5 мА) 40 ... 120* (5 В; 5 мА) ~2 (5 В} ~2 (5 В) ~35 ~50 ~5 ~75 20 ... 70* (1 В; 0,1 А) 40 ... 120* (l В; 0,1 А) 80 ... 240* ( 1 В; О, 1 А) ~15 ~15 ~15 ~30 ~500; ~150* ~30 ~500; ~180* ~о ~500; ~230* (5 В) (5 В) (5 В) Корпус КТ363 КТ363М КТ364-2 J 1 ~tir т бКЗ 50... 200 ( 1 В; 1 мА) 50 ... 200 ( 1 В; 5 мА) 50 ... 200 (l В; 15 мА) 50 ... 300* (5 В; 10 А) 50... 300* (5 В; 10 мА) ~l.l ~1.8 (0,1 В) (0,1 В) ~3.3 (0.1 в> ~1,7 (5 В) ~о ~60;~50* ~25 ~60; ~80* ~16 ~60; ~120* ~3.3 (60 МГц) КТ366 ~15 ~1.7 (5 В) КТ368 ~15 з r-:i \.r)1 ......,,, - Корп. ф 5 ti..._·_"""'. 50 .. .450 (l.B; 10 мА) ~1.7 (5 В) ~3.3 (60 МГц) ~15 (10 50 ... 300 ( 1 В; 1О 50 ... 300 (l В; 1О ~1.7 (5 В) ~1.7 (5 В) ~3.3 (60 МГц) ~15 ~15 (10 мА) мА) мА) (10 мА) мА) КТ368А-5 КТ368-9 к
Раздел 114 КТ368АМ . п-р-п КТ368БМ п-р-п КТ368ВМ п-р-п КТ369А п-р-п КТ369Б п-р-п КТ369В n-p-n KT369f п-р-п КТ369А-1 п-р-п КТ369Б-1 п-р-п КТ369В-1 п-р-п KT369f-1 n-p-n КТ370А-1 р-п-р КТ370Б-1 225 (65°С) 225 (65°С) 225 (65°С) ~900 50 50 50 50 ~200 50 50 50 50 15 15 р-п-р (50°С) Биполярные транзисторы 30 (60*) 30 (60*) 30 (60*) '.5,0,5 (15 В) '.5,0,5 (15 В) '.5,0,5 (15 В) 15 15 15 4 4 4 45 45 65 65 4 4 4 4 250 250 250 250 (400*) (400*) (400*) (400*) '.5,7 (45 В) '.5,7 (45 В) '.5,10 (65 В) '.5,10 (65 В) 45 45 65 65 4 4 4 4 250 250 250 250 (400*) (400*) (400*) (400*) 5,7 (45 В) '.5,7 (45 В) '.5,10 (65 В) '.5,10 (65 В) ~1200 15* (1 к) 12* (lк) 4 4 15 (30*) 15 (30*) '.5,0,5 (15 '.5,0,5 (12 1000 1000 15* ( 1к) 12* (lк) 4 4 15 (30*) 15 (30*) '.5,0,5 (15 '.5,0,5 (12 В) 10 3 20 (40*) 5,0,5 (10 В) 3 20 (40*) '.5,0,5 (10 В) ~900 ~900 ~200 ;:::200 ~200 ~200 ~200 ~200 ~200 ~1000 КТ370А-9 р-п-р КТ370Б-9 р-п-р 30 30 КТ371А п-р-п 100 (б5°С) ~3000 КТ371АМ n-p-n 100 (85°С) ~3000 (50°С) 2. 1О* (3к) В) В) В)
Параметры -биполярных кремниевых транзисторов 30... 240 (1 В; 10 мА) ~1.2 (5 В) ~5 (400 МГц) 115 ~15 КТ371М
Раздел 116 2. Биполярнь1е транзисторы -- fгр, fh2lб, fh'21э, Uкво max, * т max, Рк. * max, UкэR Uэво max, ** и max, Рк, *** fmax, ** max, Uкэо в мВт МГц в ~2400 Рк max, Тип Струк- прибора тура КТ372А п-р-п КТ372Б n-p-n n-p-n 50 (I00°C) 50 (100°С) 50 (100°С) n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 150 150 150 150 КТ372В КТ373А КТ373Б КТ373В КТ373Г , ~3000 ~2400 (55°С) ~350 (55°С) (55°С) ~300 ~300 (55°С) ~50 n-p-n n-p-n 200 (400**) 200 (400**) 25 25 25 25 ~50 КТ379Г n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n ~300 ~200 КТ375А КТ375Б КТ379А КТ379Б КТ379В . КТЗSОА р-п-р КТ380Б р-п-р ктзsов р-п-р 15 15 15 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 15 15 15 15 15 15* 15* 15* (lОк) (IОк) 30* 25* 10* 60* (IОк) ~300 ~300 ~300 мА 3 3 3 IКэR, 1** кэо, мкА 10 10 10 S0,5 (15 S0,5 (15 S0,5 (15 (200*) (200*) (200*) (200*) s0,05 S0,05 S0,05 s0,05 В) В) В) 5 5 100 (200*) 100 (200*) (IОк) (lОк) (IОк) (IОк) 5 5 5 5 30 30 30 30 17* (lОк) 17* (lОк) 9* (IОк) 4 4 4 10 (25*) 10 (25*) 20 (25*) Sl (10 В) Sl (10 В) Sl (7 В) 25 25 25 25 25 6,5 6,5 6,5 6,5 6,5 .15 15 15 15 15 0,03 (5 В) 0,03 (5 В) о.аз (5 в> 0,03 (5 В) 0,03 (5 В) 15 15 3 3 20 (40*) 20 (40*) (IОк) (IОк) (lОк) 60 30 30* 25* 10* 60* (100*) (100*) ( 100*) (100*) (25 (20 (10 (25 В) В) В) В) 50 50 50 50 ~250 ~250 * и max, Iк. Iкво, 5 5 5 5 ~250 ~300 (IОк) Iк max, Sl (60 Sl (30 S0,05 s0,05 s0,05 S0,05 В) В) (30 (25 (10 (60 В) В) В) В) "' КТ381Б КТ381В ктзs1r КТ381Д КТ381Е КТ382А п-р-п КТ382Б n-p-n 100 100 (65°С) (65°С) ~200 ~00 ~200 ~200 ~1800 ~1800 S0,5 (15 S0,5 (15 В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ * Ом tб, * НС tpac, пФ ~10* ~10* ~10* (5 (5 (5 В; В; В; 10 10 10 мА) ~1 мА) ~1 мА) 100 ... 250 (5 В; 1 мА) 200 ... 600 (5 В; 1 мА) 500 .. .1,000 (5 В; 1 мА) 500 ... 125 (5 В; 1 мА) 10 ... 100* (2 В: 20 мА) 50 ... 280* (2 В; 20 мА) 117 (5 В) (5 В) ~1 (5 В) ~10** (1 ГГц) (1 ГГц) ~10** (1 ГГц) ~10** ~8 ~8 (5 В) (5 В) ~8 (5 В) ~8 (5 В) ** Рвых, ~.5 ~5.5 ~5.5 Вт (1 ГГц) (1 ГГц) (1 ГГц) ** tвыкл, НС ~9 ~9 ~10 ~200 ~10 ~00 ~700 ~20 ~200 (10 В) (10 В) ~о ~00 ~о ~00 (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) ~10 (5 В) ~6 (5 В) ~6 (5 В) ~30 100 ... 250 (5 В; 1 мА) 200 ... 500 (5 В; 1 мА) 400 ... 1000 (5 В; 1 мА) 50 ... 125 (5 В; 1 мА) ~8 ~8 ~8 ~8 30 ... 90 (0,3 В; 10 мА) 50... 150 (0,3 В; 10 мА) 30... 90 (0,3 В; 10 мА) ~6 КТ372 ~9 ~10 ~5 ~5 Корпус КТ373 КТ375 КТ379 ~10 ~10 ~20 10* 20* 10* ~о ~о КТ380 1 ~~ ~ /( ~40 ~30 ~20 ~20 ~20 (5 (5 (5 (5 (5 В; В; В; В; В; 10 10 10 10 10 мкА) 3 \ КТ381 мкА) мкА) мкА) мкА) 1 $ ~~ 3 40 ... 330 (1 В; 5 мА) 40 ... 330 ( 1 В; 5 мА) f ~2 ~2 (5 В) (5 В) ~9** ~5** (400 (400 МГц) МГц) ~3 (400 МГц) ~.5 (400 МГц) ~15 ~10 /( КТ382 \
Раздел 118 КТ382АМ 100 100 (85°С) ~1800 (85°С) ~1800 КТ382БМ n-p-n n-p-n КТ384А-2 n-p-n 300 КТ384АМ-2 n-p-n 300 . 15 15 2. Биполярные транзисторы 3 3 20 (40*) 20 (40*) ~О.5(15В) ~О.5 (15 В) ~450 30* (5к) 4- 300 (500*) ~10 (30 В) ~450 30* (5к) 4 300 (500*) ~10 (30 В) / КТ385А-2 n-p-n 300 ~200 60 4 300 (500*) ~10 (60 В) КТ385АМ-2 n-p-n n-p-n 300 300 ~200 КТ385БМ-2 ~00 60 60 4 4 300 (500*) 300 (500*) ~10 ~10 (60 (60 В) В) КТ388Б-2 р-п-р ~250 50 4,5 250 ~ (50 В) КТ388БМ-2 р-п-р ~250 50 4,5 250 ~2 (50 В) 300 0 (8О С) 300
119 Параметры биполярных кремниевых транзисторов 40 ... 330 ( l В; 5 мА) 40 ... 330 (1 В; 5 мА) 30 ... 180* (1 В; 0,15 А) ~2 ~2 ·~4 (5 В) (5 (10 В) В) ~9** ~5** (400 МГц) (400 МГц) ~3 (400 МГц) ~4.5 (400 МГц) ~15 КТ382М ~10 ~15* ~4 КТ384-2 ~-~ / 1\ t ~ 1 ока 30 ... 180* (1 В; 0,15 А) ~4 (10 В) ~4 . ~15* КТ384М J 1 -~ ~ К53 20 ... 200* ( 1 В; О, 15 А) ~4 (10 В) ~5 ~60* КТ385-2 ~Щ"' 11\-~ 1,1 5КЗ 20 ... 200* ( 1 В; О, 15 20 ... 100'" (1 В; 0,15 А) А) ~4 ~4 (10 В) (10 В) ~5 ~60* ~5 ~60* КТ385М 1 J -~ ~ К53 25 ... 100* (1 В; 0,12 А) ~7 (10 В) ~5 60;~60* КТ388-2 ~~t 1' \ ~ 5 25 ... 100* (1В;0,12 А) '5.7 ( 10 В) ~5 к э КТ38SБМ-2 60;~60* ~~t 11 \ 5 к э ~
Раздел 120 * ** Рк, и max, fгр, fh'21б, ** fh2lэ, *** fmax, Uкво max, * UкэR max, ** Uкэо max, мВт мrц в ~450 25* (lк) Рк max, Тип Струк· прибора тура КТ389Б·2 р-п-р Рк, т max, 300 (8О С) 0 2. Uэво max, в Биполярные транзисторы Iкво, Iк max, * Iк, IКэR, ** и max, Iкэо, мА мкА ~1 (25 В) 4,5 300' 2 2 1 10 10 10 ~О.5 (10 В) ~О.5 (10 В) ~О.5 (7 В) ~О.5 (40 В) ~5000 п-р-п 70 (85°С) 70 (85°С) 70 (85°С) ~4000 15 15 10 КТ392А·2 р-п-р 120 (65°С) ~300 40* (5 к) 4 10 (20*) КТ396А·2 n-p-n 30 (50°С) ~2100 15 3 40 ~О.5 КТ396А·9 n-p-n 100 ~2100 15 3 40 ~О.5 (15 В) КТ397А·2 п-р-п 120 (90°С) ~500 40* (lОк) 4 10 (20*) КТ399А п-р-п 150 (55°С) ~1800 15** 3 20 ~40*) КТ391А·2 КТ391Б·2 n-p-n n-p-n КТ391В·2 ~5000 ' ' ~1 (15 В) (40 В) ~О.5 (15 В)
121 Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС Сi2э, * нас, Ом rвэ rб, Ом * НС tpac, пФ к;.~, дБ :510 (10 В) :53 h21э, h21э 25 ... 100* (1 В; 0,2 А) ** Рвых, ** tвыКJJ, Вт - Корпус НС КТ389-2 :525*; :5180 ~it "' 11 \ 6 /( ~20 ~20 (7 В; 5 мА) (7 В; 5 мА) ~20 (7 В; 5 мА) :50,7 (5 В) :50,7 (5 В) :50, 7 (5 В) - - :54,5 (3,6 ГГц) :55,5 (3,6 ГГц) :56 (3,6 ГГц) --l 1,4 з КТ391-2 :53,7 :53,7 :53,7 l~@. з '& . з б 40".180* (5 В; 2,5 мА) :52,5 (5 В) :550 4,5 (100 МГц) КТ392-2 :5120 ~it "' 11\ 6 /( ' 40".250 (2 В; 5 мА) :51,5 (5 В) :511 * - :515 --l 1,4 з КТ396-2 . ~~~! б 40".250 (2 В; 5 мА) :52 (5 В) - - /( э ~ КТЗ96-9 :515 0,95 J ~~х " 40" .300 (5 В; 2 мА) :51,3 (5 В) :525* - . 1 КТ397-2 :540 ~~J 11 \ 5 ~40* (1 В; 5 мА) :51,7(5В) ~11,5** (0,4 ГГц) :52 (400 МГц) к з ~ . КТ399 :58 ~5,8 ~ з l\r:)I \.(')' ...... 11 r<')- 1 Корлф5 к
122 Раздел Рк max, Тип Струк- прибора тура КТЗ99АМ * Рк, т max, ** Рк, и max, п-р-п * f гр, fh2Iб, ** fh2Iз, *** fmax, 2. .Биполярные транзисторы Uкво max, * UкэR max, ** Uкэо max, мВт Мfц в 150 (55°С) ~1800 15** Uэво max, в 3 Iкво, Iк max, * ** Iкэо, lкэR, * Iк, и max, мА 30 (60*) мкА :50,5 (15 В) " КТ501А р-п-р КТ501Б р-п-р КТ501В р-п-р KT501f р-п-р КТ501Д р-п-р КТ501Е р-п-р КТ501Ж р-п-р КТ501И р-п-р КТ501К р-п-р КТ501Л р-п-р КТ501М р-п-р КТ502А р-п-р КТ502Б р-п-р КТ502В р-п-р KT502f р-п-р КТ502Д р-п-р КТ502Е р-п-р КТ50ЗА п-р-п КТ50ЗБ n-p-n КТ50ЗВ п-р-п КТ50Зf п-р-п КТ50ЗД КТ50ЗЕ n-p-n n-p-n КТ504А п-р-п КТ504Б п-р-п КТ504В п-р-п КТ505А р-п-р КТ505Б р-п-р КТ506А п-р-п КТ506Б п-р-п 350 350 350 350 350 350 350 350 350 350 350 (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) (35°С) ~5 ~5 ~5 ~5 ~5 ~5 ~5 ~5 ~5 ~5 ~5 15* 15* 15* 30* 30* 30* 45* 45* 45* 60* 60* (IОк) (IОк) (IОк) (lОк) (lОк) (lОк) (lОк) (lОк) (IОк) (lОк) (lОк) 10 10 10 10 10 10 20 20 20 20 20 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 (500*) (500*) (500*} (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) (500*) S1*(15B) :51* (15 В) :51 * (15 В) :51 * (30 В) :51 * (30 В) :51 * (30 В) Sl * (45 В) :51* (45 В) :51 * (45 13) Sl* (60 В) :51 * (60 В) В) В) 350 350 350 350 350 350 5... 50 5... 50· 5 ... 50 5... 50 5... 50 5... 50 40 40 60 60 80 90 .5 5 5 5 5 5 150 150 150 150 150 150 (300*) (300*) (300*) (300*) (300*) (300*) :51 :51 Sl :51 :51 :51 350 350 350 350 350 350 5... 50 5... 50 5 ... 50 5... 50 5 ... 50 5... 50 40 40 60 60 80 100 5 5 5 5 5 5 150 150 150 150 150 150 (300*) (300*) (300*) (300*) (300*) (300*) Sl (40 В) :51 (40 В) :51 (60 В) :51 (60 В) :51 (80 В) :51 (100 В) 1 (1 О*) Вт 1 (1 О*} Вт 1 (10*) Вт ~20 400; 350* 200* (0,1 к) 275* (0,lк) 6 6 6 1 (2*) А) 1 (2*) А 1 (2*) А :5100 (400 В) :5100 (250 В) :5100 (300 В) 1 (5*) Вт 1 (5*) вт ~20 300* (0,lк) 250* (0,1 к) 5 5 1 (2*) А 1 (2*) А ~100 (300 В) :5100 (250 В) 0,8 (10*) Вт 0,8 (10*) Вт ~10 800 600 5 5 2 (5*)А 2 (5*) А :5200 (600 В) :5200 (600 В) ~о ~20 ~20 ~10 \ , (40 (40 (60 (60 (80 (90 В) В) В) В) ~ -
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, 5 мА) :51, 7 (5 В) 20 ... 60* ( 1 В; 30 мА) - 40 ... 120* (1 В; 30 мА) 80 ... 240* ( 1 В; 30 мА) 20 ... 60* (1 В; 30 мА) 40... 120* (1 В; 30 мА) 80... 240* (1 В; 30 мА) 20 ... 60* (1 В; 30 мА) 40 ... 120* (l В; 30 мА) 80... 240* ( 1 В; 30 мА) 20 ... 60* (1 В; 30 мА) 40 ... 120* (1 В; 30 мА) В; (5 (5 (5 (5 (5 (5 40 ... 120 80... 240 40 ... 120 80... 240 40 ... 120 40 ... 120 (5 В; 10 мА) (5 В; 10 мА) (5 В; 10 мА) (5 В; 10 мА) (5 В; 10 мА) (5 В; 10 мА) В; В; В; В; В; 10 10 10 10 1О 10 мА) 40 ... 120 80... 240 40 ... 120 80... 240 40 .. .120 40 ... 120 мА) мА)-· мА) мА) мА) 15 ... 100* (5 В; 0,5 А) 15 ... 100* (5 В; 0,5 А) 15 ... 100* (5 В; 0,5 А) Кш, дБ Ом Ом к;.~, дБ пФ ~40* (1 В; rкэ нас, Ом • нас, rвэ • С12з, :550 :550 :550 :550 :550 :550 :550 :550 :550 :550 :550 (10 (10 ( 10 (10 ( 10 (10 (IO (10 (10 (10 (10 В) В) В) :550 :550 :550 :550 :550 :550 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) :550 :550 :550 :550 :550 :550 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) В.) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) :530 (10 В) :530 (10 В) :530 (10 В) ~11,5* * (0,4 ГГц) :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 :51,3 • rб, ** Вт Рвых, 123 'tк, ПС • •• tвыКJJ, Корпус tpac, НС НС :52 (4000 МГц) КТ399М КТ501 :54 ( 1 кГц) :54 (1 кГц) :54 (1 кГц) :560 :560 :560 :560 :560 :560 :5320* :5320* :5320* :5320* :5320* :5320* КТ502 :560 :560 :5580* :5580* :5580* :5580* :5580* :5580* КТ503 :56Р :560 :560 :560 :52 :52 :52 КТ504 :52700* :52700* :52700* 149,4 - <о~ f1'· ф i.c:r.J-1'~~к :. з ~......_::-~~fi f 25 ... 140* (10 25 ... 140* (10 В; В; 0,5 0,5 А) А) :570 (5 :570 (5 В) В) :53,6 :53,6 5 КТ505 :52600* :52600* 149,11 ~ r ' ~ с-. 30... 150* (5 30... 150* (5 В; В; 0,3 0,3 А) А) :540 (5 В) :540 (5 В) :52 :52 IJI 1 / 111 1 КТ506 :51560* :51560* 149,11 ~ ~ r 1 IJI 1 с-._,,_11.... 11 1кф··з 5
Раздел 124 • •• fh2Iэ 1 ••• 1 fmax fгр, fh2lб1 Рк max, Тип Струк- прибора тура • т max, Рк, •• Рк, и max, p-n-p Uкво max, • •• Uкэо max, UкэR max, Uэво max, в Биполярные транзисторы Iк max, • Iк. и max, мА Iкво, • lкэR, 1** кэо, МГц в ~10 500 5 20 :55 (500 В) ~40 100* 3 30 :550 (50 В) ~40 100* 3 30 (2,8*) Вт (2,8*) Вт (2,8*) Вт (2,8*) Вт ~150 120 120 80 80 5 5 5 5 75 75 75 75 120 120 5 5 75 (500*) 75 (300*) 30* (lк) 30* (lк) 15* (lк) 15* (lк) 10* ( lк) 10* (1 к) 30* (lк) 3 3 3 3 3 3 3 300 250* (1 к) 5 5 мВт КТ509А 2. 300; 1* Вт мкА ~ Вт КТ601А n-p-n 0,25 (0,5*) КТ601АМ n-p-n 0,5 KT60ZA КТ602Б n-p-n n-p-n КТ602В п-р-п КТ602Г п-р-п 0,85 0,85 0,85 0,85 КТ602АМ n-p-n n-p-n 0,85 (2,8*) 0,85 (2,8*) Вт Вт ~150 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 0,5 Вт (50°С) 0,5 Вт (50°С) 0,5 Вт (50°С) 0,5 Вт (50°С) 0,5 Вт (50°С) 0,5 Вт (50°С) 0,5 Вт (50°С) ~00 КТ602БМ КТ603А КТ603Б КТ603В КТ603Г КТ603Д КТ603Е КТ603И Вт ~150 ~150 ~150 ~150 ~200 ~200 ~200 ~200 ~200 ~200 300 300 300 300 300 300 300 (500*} (500*) (300*) (300*) s;300* (100 В) s70 (120 В} :570 (120 В) :570 (80 В) . :570 (80 В) :570 (120 В) :570 (120 В) (600*) (600*) (600*) (600*) (600*) (600*) (600*) :510 (30 В) :50 (30 В) :55 (15 В) :55 (15 В) :51 (IO В) s;l (10 В) :510 (30 В) 200 200 :550 (250 В) :550 (250 В) ' КТ604А КТ604Б п-р-п n-p-n 0,8 (3*) 0,8 (3*) Вт ~40 Вт ~40
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, h21э, h21э Сi2э, пФ 10 .. .100 (10 В; 0,1 мА) :52,9 (100 В) 125 rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * НС tpac, lОк ** Рвых, Вт ** tвыКJJ, Корпус НС КТ509 :5500 ~9/1 со" ! е <Q'-J-'I~~к .' • з ~" с-. JI J 111 1 5 " ;::16 (20 В; 10 мА) :515 (20 В) КТ601 :5600 ~11,7_ 1 ;::16 (20 В; 1О мА) :515 (20 В) 20 ... 80 (1 О В; 1О мА) ;::50 (10 В; 10 мА) 15 ... 80 (10 В; 10 мА) ~50 (10 В; 10 мА) :54-(50 В) :54 (50 В) :54 (50 В) :54 (50 В) 20 ... 80 (1 О В; 1О мА) ~50 (10 В; 10 мА) :54 (50 :54 (50 10 ... 80* (2 В; .15 А) ~60* (2 В; 0,15 А) 10 ... 80* (2 В; 0,15 А) ~60* (2 В; 0,15 А) 20 ... 80* (2 В; О, 15 А) 60 ... 200* (2 В; О, 15 А) ~20* (2 В; 0,35 А) :515 :515 :515 $15 :515 :515 :515 10 .. .40* (40 В; 20 мА) 30".120* (40 В; 20 мА) :57 (40 :57 (40 (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) В) В) В) В) В) :5600 КТ601М :560 :560 :560 :560 :5300 :5300 :5300 :5300 КТ602 :560 :560 :5300 :5300 КТ602М :57 :57 :57 :57 :57 :57 :53,4 :5100** :5100** :5100** :5100** :5100** :5100** :5100** КТ603 ~11,7_ 1 ~11,7_ 1 - 5 . !~ 1Jm1 . Q:) з 1 ~, qo~_Jw J В) В) к КТ604 ~11,7_ - Q:):: 1 1 ~ 5~3 ~:~J~il ~
Раздел 126 - Тип Струк- прибора тура КТ604АМ п-р-п КТ604БМ п-р-п "' • fгр, fh2lб, Uкво max, * "max, Рк, ** Рк, и max, fh2°Iз, *** fmax, * max, UкэR ** Uкэо max, мВт мrц в 0,8 (3*) Вт 0,8 (3*) Вт ~40 250* (lк) 300 Рк max, ~40 2. Uэво max, в 5 5 Биполярнь1е транзисторы Iк max, • Iк, и max, мА 200 200 Iкво, • •• Iкэо, lкэR, мкА :520* (250 В) :520 (250 В) - КТ605А п-р-п КТ605Б п-р-п КТ605АМ п-р-п КТ605БМ п-р-п , 0,4 Вт (100°С) 0,4 Вт (1 ОО 0 С) ~40 0,4 Вт ( 1ОО 0 С) 0,4 Вт ( 1ОО 0 С) ~40 ~40 ~40 300 300 5 5 100 (200*) 100 (200*) :550.* (250 в) :550* (250 В) 300 300 5 5 100 (200*) 100 (200*) :520* (250 В) :520* (250 -8) -.. КТ606А п-р-п КТ606Б n-p-n КТ607А-4 п-р-п КТ607Б-4 2,5 Вт (40°С) 2,5 Вт (40°С) 1,5 1,5 п-р-п ~350 60 ~300 60 4 4 400 (800*) 400 (800*) :51,5* (60 В) :51,5* (60 В) Вт ~700 Вт ~700 40 30 4 4 150 150 :51 (30 В) :51 (30 В) 60 60 4 4 400 (800*) 400 (800*) :510 (60 В) :510 (60 В) 40, 40 40 40 40 5 5 5 5 5 500 500 500 500 500 :50,1 :50,1 :50,1 :50,1 :50,1 - КТ608А п-р-п КТ608Б п-р-п КТ6109А р-п-р КТ6109Б р-п-р КТ6109В р-п-р KT6109f p-n-p КТ6109Д р-п-р 0,5 Вт 0,5 Вт . 625 625 625 625 625 ~200 ~200 -
f 27 Параметры биполярных кремниевь1х транзисторов rкэ нас, Ом • нас, rвэ Ом к;.~, дБ 10 .. .40* (40 В; 20 мА) 30".120* (40 В; 20 мА) S7 (40 В) S7 (40 В) S400 S400 1О .. .40* ( 40 В; 20 мА) 30".120* (40 В; 20 мА) S7 (40 S7 (40 В) S400 S400 В) Кш, дБ 'tк, ПС rб, Ом Р:~х, Вт t~ac, НС ** tвыКJJ, Корпус НС КТ604М КТ605 S250 S250 - 1611,7 1 5 ' !~ ~·' • 1 w11· · . · з j Q;:)I ~~L.JIШIJ 1О" .40* (40 В; 20 мА) 30. "120* (40 В; 20 мА) -~15* (10 В; ~15* (IO В; 0,10 А) 0,10 А) S7 (40 S7 (40 В) В) goo SlO (28 В) SlO (28 В) S5 S5 КТ605М ~250 S400 к 5250 ~.8** ~.6** (400 МГц) (400 МГц) КТ606 SlO Sl2 ;: ....---,....;,~ М5 ш 1 ~ ! ~~пr S4 (10 В) S4,5 ( 10 В) 20."80* (5 В; 0,2 'А) 40".160* (5 В; 0,2 А) Sl5 (10 Sl5 (10 В) В) ~4** ~3** (l ГГц) (1 ГГц) S2,5 s2,5 ~l ** ~l ** (l ГГц) (l ГГц) Sl8 S25 КТ607-4 Sl20* Sl20* КТ608 / 1611,7_ 1 64."91 78".112 96".135 112".166 144".202 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 t:rmr - КТ6109 6
Раздел 128 Струк- прибора тура Биполярные транзисторы fгр, fh2lб, fh21э, Uкво max, * т max, Рк, * max, UкэR Uэво max, ** и max, Рк, *** fmax, ** max, Uкэо в мВт МГц в ~1000 26 26 4 4 110 140 5 5 1500 1500 :50,1 :50,1 Рк max, Тип 2. Вт (50°С) Вт (50°С) Iкво, Iк max, * и max, Iк, мА IКэR, . 1** кэо, мкА В) В) КТ610А п-р-п КТ610Б n-p-n КТ6102А р-п-р КТ6103А п-р-п КТ6104А п-р-п р-п-р 1000 1000 - КТ6105А - 300 300 5 5 150 150, :50,1 :50,1 КТ6107А n-p-n p-n-p 1000 1000 - 500 500 5 5 130 130 ~О.1 200 200 180 180 3 3 3 3 100 100 100 100 :5200 :5200 :5100 :5100 200 200 4 4 100 100 :5100 (180 В) :5100 (180 В) - 40 40 40 40 40 5 5 5 5 5 500 500 500 500 500 :50, 1 :50,1 :50,1 :50, 1 :50,1 450 450 450 450 150 150 150 150 50 50 50 50 5 5 5 5 100 100 100 100 :50,05 :50,05 :50,05 :50,05 450 450 450 100 100 100 50 50 50 5 5 5 100 100 100 :50,05 :50,05 :50,05 400 400 400 400 400 400 700 700 700 700 700 700 30 30 30 30 30 30 5 5 5 5 5 5 50 50 50 50 50 50 :50,05 :50,05 :50,05 :50,05 :50,05 :50,05 КТ6108А -КТ611А п-р-п КТ611Б п-р-п КТ611В п-р-п КТ611Г п-р-п КТ611АМ п-р-п КТ611БМ п-р-п КТ6110А п-р-п КТ6110Б n-p-n КТ6110В п-р-п КТ6110Г п-р-п КТ6110Д п-р-п КТ6111А n-p-n n-p-n 1,5 1,5 ~700 -- 1000 1000 (3*) (3*) (3*) (3•) Вт Вт Вт Вт ~60 0,8 (3*) 0,8 (3*) Вт Вт ~60 0,8 0,8 0,8 0,8 625 625 625 625 625 ~60 ~60 ~60 ~60 - - - 1 :50,5 (26 :50,5 (26 300 300 :50, 1 (180 в) ( 180 В) (150 В) (150 В) ' КТ6111Б КТ6111В п-р-п КТ6111Г п-р-п КТ6112А р-п-р КТ6112Б р-п-р КТ6112В р-п-р КТ611ЗА КТ6113Б n-p-n n-p-n КТ6113В п-р-п КТ6113Г КТ6113Д n-p-n n-p-n КТ6113Е п-р-п ' --
параметры биполярных кремниевых,транзисторов h21э, • h21э Ск, • С12э, пФ 50 ... 300* (lO В; 0,15 А) 20 ... 300* (10 В; 0,15 А) rкэ на~:, Ом • rвэ нас, Ом к;.~, дБ :54,l (10 В) :54,1 (10 В) <5 <5 80 ... 250 80... 250 <5 <5 80 ... 250 80 ... 250 <5 <5 :55 :55 :55 :55 (40 В) (40 В) (40 В) (40 В) • •• Рвых, rб, Ом 6 (0,2 6 (0,2 80 ... 250 80 ... 250 10 .. .40* (40 В; 20 мА) 30 ... 120* (40 В; 20 мА) 10 .. .40* (40 В; 20 мА) 30... 120* (40 В; 20 мА) Кш.дБ 129 .•• 'tк, ПС - Kopnyc tpac 1 НС Вт tвыкл, НС ГГц) ГГц) :555 :522 КТ610 КТ6102, КТ6104, КТ6107 КТ6103, КТ6105, КТ6108 :5400 :5400 :5400 :5400 :5200 :5200 :5200 :5200 КТ611 ~11,7_ - 1 - -1~ Q::)---·-.... 5. . .~ ~._1~1~ 10.. .40* (40 В; 20 мА) 30 .. .120* (40 В; 20 мА) :55 (40 В) :55 (40 В) :5400 :5400 к КТ611М :5200 :5200 КТ6110, КТ6111 64 ... 91 78 ... 112 96 .. .135 112 ... 166 144 ... 202 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 60 .. .150 100 ... 300 200 ... 600 400 .. .1000 <3· <3 <3 <3 < 10 < 10 < 10 < 10 (l (l (l (l кГц) кГц) кГц) кГц) кГц) кГц) кГц) 60 .. .150 100... 300 200 ... 600 - <7 <7 <7 < 10 (l < 10 (l < 10 (l 28 .. .45 39 ... 60 54 ... 80 72 .. .108 97 .. .146 132 .. .198 - <10 <10 <10 <10 <10 <10 - - - - КТ6112, КТ6113 ~[j:~ ~· 1.1') ~ ' • ~ .........
, Разд!Уf 2. Биполярные транзисторы 130 КТ6114А п-р-п КТ6114Б n-p-n n-p-n n-p-n КТ6114В KT6114f КТ6114Д п-р-п КТ6114Е n-p-n КТ6115А р-п-р КТ6115Б р-п-р КТ6115В p-n-p KT6115f р-п-р КТ6115Д p-n-p p-n-p KT6t1SE 1000 1000 1000 700 700 700 1000 1000 1000 1000 1000 1000 100 100 100 . 100 100 100 б 40 40 40 40 40 40 6 6 6 6 6 1500 1500 1500 1100 1100 1100 :50,1 :50, 1 :50,1 :50, 1 :50,1 40 40 40 40 40 40 6 6 6 6 6 6 1500 . 1500 1500 1100 1100 1100 :50, 1 :50, 1 :50,1 :50, 1 :50,l ::;;О,1 ::;;О,1 p-n·p p-n-p . 625 625 >100 >100 160 130 5 5 600 600 :50,05 :50,01 n-p-n n-p-n 625 625 >100 >100 180; 160* 160; 140* 5 КТ6117Б 600 600 :50,05 :50, 1 ·КТ6127А р-п-р р-п-р КТ6127Е p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p КТ6127Ж р-п-р КТ6127И КТ6127К p-n-p p-n-p ~150 90 70 50 30 20 10 120 160 200 4 4 КТ6127В (6 Вт**) (6 Вт**) (6 Вт**) (6 Вт**} (6 Вт**) (6 Вт**) (6 Вт**} (6 Вт**) (6 Вт**) ~150 КТ6127Б 4 4 4 4 4 4 КТ6129А-9 р-п-р 700 ~4500 20; 15* 3 100 КТ6129Б-2 p-n-p 1 Вт ~250 50 4,5 1000 КТ6116А КТ6116Б КТ6117А KT6127f КТ6127Д 600 600 600 6ОЬ 600 600 600 600 600 ~150 ~150 ~150 ~150 ~150 ~150 ~150 5 4 2 2 2 2 2 2 2 2 2 (8*) (8*} (8*) (8*} (8*} (8*) (8*) (8*) (8*) :520 (90) :520 (70) :520 (50) :520 (30) :520 (20) :520 (10) :520 (120) :520 (160) :520 (200) :50,1 (IOB) s5 (50 В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов 85 .. .160 120 ... 200 160 ... 300 85 .. .160 120... 200 160... 300 КТ6114 85 ... 160 120... 200 160... 300 85 ... 160 120... 200 160... 300 КТ6115 60... 240 40 .. .180 80 ... 250 (5 60 ... 250 (5 В; В; ~30* (5 В; ~30* (5 В; ~30* (5 В; ~50* (5 В; ~50* (5 В; ~50* (5 В; ~50* (5 В; ~30* (5 В; ~30* 131 (5 В; 20 ... 150* (10 10 10 500 500 500 500 500 500 500 500 500 В; мА) мА) мА) мА) мА) мА) мА) мА) мА) мА) ~74 ~74 ~74 ~74 ~74 ~74 мА) ~74 50 мА) 25 ... 150 (5 В; 0,2 А) ~25 КТ6116 ~8 КТ6117 (5 В) ~0,15 ~250* (5 В) -~0.15 ~250* (5 В) ~О.15 ~250* В) В) ~0,15 ~250* ~0,15 ~250* В) В) В) В) ~0,15 ~250* ~0.2 ~250* (5 (5 (5 ~74 (5 ~74 (5 (5 ~l.45 ~8 (lo (lO ~0.2 ~250* ~0,25 ~250* В) В) КТ6127 КТ6129-9. ~2 90* КТ6129Б-2
, 132 Тип прибора • Рк max, Рк, т max, ) Рк, н max, • •• Структура frp, fh2Jб, Uкво max, fh21з, UкэR max, Uкэо max, •• ••• fmax • •• 1 мВт МГц в Раздел 2. Биполярные транзисторы Iкво, lк max, Uэво max, IКэR, • lк, н max, в 1·· кэо, мА мкА КТ6130А-9 n-p-n 700 ~4000 15* - 100 - КТ6133А p-n·p p-n-p p-n·p 1000 1000 1000 ~100 25* 25* 25* - 1200 1200 1200 - КТ6133Б КТ6133В ~100 ~100 - . ' КТ6134А n-p·n КТ6134Б П·р·П КТ6134В п-р-п КТ6135А П·р·П КТ6135Б п-р-п КТ6135В n-p·n КТ6135Г П·р·П КТ616А n-p-n КТ616Б П·р·П ~100 1000 1000 1000 ~100 ~100 800 800 800 800 - 0,3 0,3 ~100 ~100 ~100 Вт ~00 Вт ~00 - 1200 1200 1200 400* 300• 200• 100* - 500 500 500 500 20• 20• 4 4 25* 25* 25* ~100 - - - - 400 (600*) 400 (600*) Sl5 (10 Sl5 (10 В) В) КТ617А ' n-p-n 0,5 Вт ~150 30 4 400 (600*) 300 5 100 ~ (30 В) ' КТ618А n-p·n 0,5 Вт . ~40 - "' ~50* (250 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов , Ск, h21з, h21э Сi2з. Кш, дБ Ом rб, Ом • нас, rвэ к;.~, дБ пФ - ~20 rкэ нас, Ом - •• Рвых, - Вт 133 'tк, ПС • •• tвыкл, Корпус tpac, НС НС - КТ6130-9 ~~ =~ 6 к -- - 85 .. .160 120".200 160".300 - - - - - КТ6133 ~It~ ~' 14') t§' - 85".160 120".200 160".300 - - - КТ6134 - ~IJ:~--~ - - - - - - - - - В; В; 0,5 0,5 А) А) Sl5 (10 Sl5 (10 В) В) Sl,2 Sl,2 - . ~ ~EW:~ ~ (1 (1 ~' КТ6135 ~ ~40* ~25* ~ ........ - - ~ 50".500 50".500 50".500 50".500 • • ~' . ~ _... КТ6'16 S50* Sl5* 115,81/ ;fi - ~30* (2 В; 0,4 А) Sl5 (lO В) S7 - кфз 5 КТ617 Sl20 ~t]f $ ~ ~ ~30* (40 В; l мА) S7 (40 В) - - - КТ618 :5fl$
Раздел _.134 Тип Струк- прибора тура КТ620А р-п-р КТ620Б р-п-р КТ624А-2 n-p-n • 24 Биполярные транзисторы IКБО, Рк max, fгр, fh21б, Uкво max, • max, UкэR UэБО max, ** и max, Рк, *** fmax, Uкэо max, в .мВт МГц в ~200 ;:::200 50 50 3 4 400 400 g> (50 В) :::;5 (50 В) ;:::450 30 4 1000 (1300*) :::;100 (30 В) •• fh2Jэ, • т max, Рк, 0,225 Вт 0,5 Вт l , Вт .. . Iк max, IКэR, 1** кэо, * и max, lк, мА мкА . КТ624АМ-2 n-p-n · l Вт ~450 30 4 l ООО (1300*) :::;100 (30 В) КТ625А n-p-n 1 Вт ~200 40* (5к) 5 1000 (1300*) :::;30 (60 В) n-p-n n-p-n 1 l Вт ;:::200 ;:::200 60 60 5 5 1ООО (1300*) 1000 :::;зо (60 В) . КТ625АМ КТ625АМ-2 Вт :::;30 (60 В) ,. КТ626А р-п-р КТ626Б р-п-р КТ626В р-п-р КТ626Г р-п-р КТ626Д р-п-р КТ629А-2 р-п-р КТ629Б-2 р-п-р 6,5 6,5 6,5 6,5 6,5 0 Вт (6О С) ;:::75 Вт Вт Вт Вт ~75 (6О С) 0 (6О С) 0 (6О С) 0 (6О С) 0 0 l Вт (8О С) 1 Вт (8О 0 С) ~45 ~45 . ~45 ;:::250 ~250 20* (О;lк) 20* (О,lк) 4 4 4 4. 4 500 (1500*) 500 (1500*) 500 (1500*) 0,5 (1,5*) А 0,5 (1,5*) А ~10 (30 В) ~150 (30 В) :::;1 мА (80 В) ~150 (20 В) :::;150 (20 В) 50 50 4,5 4,5 1000 1000 ~5 (50 В) :::;5 (50 В) 45 60 80 . .
135 Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Сi2э, rБэ нас, Ом •• д Б Ку,р, пФ 100* (10 В; 10 мА) 30... 100• (5 в; 0,2 А) Кw,дБ • Ом rб, •• Рвых, Вт 'tк, ПС • •• tеыкл, Корпус: tpac, нс· НС КТ620 ~2.5 ~2.5 ~100• ~11,7_ ~. (::)~' - ' 5~3 1Jm 1 • • 1 1 ~~uJW 30.. .180* (0,5 В; 0,3 А) ~15 (5 В) ~9 ~18 к КТ624 ~~~k ~и: . /1\ 6К3 30 .. .180* (0,5 В; 0,3 А) ~15 (5 В) ~9 ~18 КТ624М J 1 -f:i ~ КбЗ 20 ... 200* (l В; 0,5 А) ~9 (lO В) ~2.4 ~60 КТ625 ~~ if ''\~о 6 20 ... 200* (l В; 0,5 А) 20 ... 200 ( l В; 0,5 А) ~9 ~9 (lO (10 В) В) ~2.4 ~60 ~1.3 ~60 к з КТ625М J -J:i КбЗ 40 ... 260* (2 В; О, 15 А) 30.. .100* (2 В; О, 15 А) 15 .. .45* (2 В; 0,15 А) 15 ... 60* (2 В; 0,15 А) 40 ... 250* (2 В; О, 15 А) 25 ... 150* (5 В; 0,5 А) 25 ... 150* (5 В; 0,2 А) ' ~150 (10 В) ~150 (lO В) ~150 (lO В) ~150 (lO В) ~150 (10 В1 ~25 ~25 (lO В) (lO В) ~00 КТ626 ~500 ~500 ~500 ~500 90* КТ629А-2 2,2 1,5 ~~,~W fj к э
Раздел 136 КТ629БМ-2 р-п-р l КТ630А n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n о,8.Вт ~50 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 ~50 КТ630Б КТ630В КТ630Г КТ630Д КТ630Е КТ630А-5 КТ630Г-5 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n КТ632Б p-n-p КТ632Б-1 p-n-p ~Т630Б-5 КТ630В-5 Вт Вт. Вт ~50 Вт 250 Вт ~50 Вт ~50 800 800 800 800 0,5 Вт 350 350 ~250 ( 45°С) ~50 ~50 ~50 ~50 120 120 150 100 60 60 7 7 7 5 5 5 120 120 150 100 7 7 7 1000 1000 1000 1000 (2000*) (2000*) (2000*) (2000*) lQOO (2000*) 1000 (2000*) l l А А 5 1А 1А (2* (2* (2* (2* ~5 (50 В) ~l (90 (90 (90 (40 (40 (40 В) В) ~l ~l ~1 ~1 ~l А) ~100 ~100 А) ~100 А) ~100 А) В) В) В) В) (120 В) (120 В) (120 В) (100 В) (lк) 5 100 (350*) ~l (120 >200 >200 120* 120* (lк) (lк) 5 5 100 (350*) 100 (350*) ~1 (40°С) ~l (l20B) (120 В) 30 30 4,5 4,5 200 (500*) 200 (500*) ~10 ~10 30 30 3 3 150 (250*) 150 (250*) (40°С) КТ633А n-p-n n-p-n 1,2 1,2 Вт ~500 Вт ~500 n-p-n n-p-n 1,2 1,3 Вт ~1500 Вт ~1500 КТ634Б-2 1000 4,5 120* р-п-р КТ634А-2 (lк) Биполярные транзисторы ~200 КТ632В-1 КТ633Б 50* 2. (30 (30 В) В) В) ~0,5 мА (30 В) ~1 мА (30 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов 25 ... 150* (l ,2 В; 0,5 А) В) 525 (lO 137 КТ629М 90* 52 ~~ ~д 1,5 11 \ 5 40 ... 120* (10 В; 150 мА) 80 ... 240* (lO В; 150 мА) 40 ... 120* (10 В; 150 мА) 40 ... 120* {10 В; 150 мА) 80 ... 240* (10 В; 150 мА) 160 ... 480* (lO В; 150 мА) 515 515 515 515 515 515 В) (10 (10 (10 (10 (lO (lO В) В) В) В) В) ~5* 52 52 52 52 52 52 ~5* ~5* ~5* ~5* ~5* к э КТ630 5500** 5500** 5500** 5500** 5500** 5500** ~9/i кфз. ~ с-.. 6 40 ... 120 80... 240 40 ... 120 40 ... 120 (10 В; 0,1 А) (l О В; O, l А) (lO В; 0,1 А) (10 В; O, l А) ~50 (l В; l мА) 50... 350 (l В; l мА) 150 ... 450 (10 В; l мА) 40 ... 140 (l 20 .. .160 (l В; В; 10 10 мА) мА) 515 515 515 515 (10 В) (lO В) (lO В) (lO В) КТ630-5 53,3 53,3 53,3 53,3 1 ~mт 55 (20 В) 525 5100 55 (20 55 (20 В) 525 525 5100 2000* КТ632-1 530* 530* КТ633 В) 54,5 (lO ~4.5 (lO В) В) 52,5 (15 В) 53 (15 В) 56 (20 мГц) 56 (20 мГц) 55 55 ~l.4** ~l.4** (5 (5 0,32 ГГц) ГГц) ~.2** ~.45** (5 ГГц) (5 ГГц) 52 53,5
Раздел 138 Тип Струк- прибора тура КТ635А КТ635Б КТ637А-2 КТ637Б-2 Рк max, РК. т max, • 2. Биполярные транзисторы - fгpt fh2Jб, fh21э, UкБо max, • max, UкэR UэБО max, ** н max, Рк, f*** max, ** max, Uкэо в мВт МГц в 2:200 2:250 60 5 5 1 (1,2*)А 1 (l,2*) А 2:1300 2:800 30 30 2,5 2,5 200 (300*) 200 (300*) 500 ~00 110 5 100 (350*) 1 (12,5*) Вт 1 (12,5*) Вт 1 (12,5*) Вт 1 (12,5*) Вт 1 (12,5*) Вт 1 Вт (35°С) 1 Вт (35°С) 1 Вт (35°С) ~80 45 45 45 60 60 100 100 30 5 5 5 5 5 5 5 5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 45 45 45 60 60 100* 100* 30 5 5 5 5 5 5 5 5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 3 3 3 60 60 60 ~о.5 мА g),5 мА 2:3800 25 25 25 - 20 2 60 ~l мА • n-p-n n-p-n 0,5 0,5 n-p-n n-p-n 1,5 1,5 Вт Вт Вт Вт •• - ~о Iк max, IКБО, IКэR, lк. н max, 1** кэо, мА мкА SЗО SЗО .(60 (60 В) В) ~О. 1 мА (30 В) ~2 мА (30 В) / КТ638А п-р-п ~О.1 мА В) (110 ~ КТ639А р-п-р КТ639Б р-п-р КТ639В р-п-р КТ639Г р-п-р КТ639Д р-п-р КТ639Е р-п-р КТ639Ж р-п-р КТ639И р-п-р КТ639А-1 р-п-р КТ639Б-1 р-п-р КТ639В-1 р-п-р КТ639Г-1 р-п-р КТ639Д-1 р-п-р КТ639Е-1 р-п-р КТ639Ж-1 р-п-р КТ639И-1 р-п-р КТ640А-2 КТ640В-2 n-p-n n-p-n n-p-n КТ642А-2 п-р-п КТ640Б-2· , - 500 500 500 500 500 500 500 500 ~80 2:80 ~80 ~80 ~80 ~80 ~80 Вт) Вт) Вт) 2:80 Вт) ~80 (3о•• Вт) ~80 (3о•• Вт) (30** Вт) (3о•• Вт) ~80 (30** (30** (30** (30*"' ~80 ~80 2:80 ~80 о.6 Вт (6О 0 С) ~3000 о.6 Вт (6О С) . 0.6 Вт (6О 0 С) ~3800 0 500 А А (2* (2* (2* (2* (2* (2* (2* (2* А) А) g),l (30 В) g),l (30 В) ~o.i (30 В) g),l (30 В) g),l (30 В) g),l (30 В) g),l (30 В) g),1 (30 В) А А А А А А А А (2* (2* (2* (2* (2* (2* (2* (2* А) А) А) А) А) А) А) А) g),l (30 g),l (30 g),l (30 ~О.1 (30 g),l (30 g),l (30 g),l (30 g),1 (30 А А А А А А А) А) А) А) А) А) g),5 мА В) В) В) В) В) В) В) В) (25 (25 (25 (20 В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов 139 Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ С12э, rвэ нас, Ом rб, Ом пФ к;~, ДБ • • 25 ... 150* (1 В; 0,5 А) 20".150* (1 В; 0,5 А) :::;15 (10 :::;10 (10 30".140* (5 В; 50 мА) 30".140* (5 В; 50 мА) :::;4,5 (15 В) :::;4,5 (15 В) 50".350 (1 В; 10 мА) :::;8 (20 В) В) •• Рвых, Вт :::;1 :::;1 В) 'tк, пс • •• tвыкл, Корпус tpac, НС НС КТ635 :::;58; :::;60** :::;58; :::;60** ~.5** (3 ГГц) ~.25** (3 ГГц) КТ637-2 ~25 (1 * мкс) КТ638 С'-.11. ·~" ~ ~" . 40".100* (2 В; 0,15 А) 63".160* (2 В; 0,15 А) 100".250* (2 В; -О, 15 А) 40".100* (2 В; О, 15 А) 63".160* (2 В; 0,15 А) 40."100* (2 В; 0,15 А) 60".100* (2 В; 0,15 А) 180".400* (2 В; 0,15 А) :::;50 40".100 (2 В; 0,15 А) 40".160 (2 В; 0,15 А) 90".160 (2 В; 0,15 А) 40".100 (2 В; 0,15 А) 63".160 (2 В; 0,15 А) 40."100 (2 В; 0,15 А) 63".160 (2 В; 0,15 А) 180."400 (2 В; 0,15 А) :::;50 (10 В) :::;50 оо В) ~50 (10 В) ::;50 ( 10 В) ~50 (10 В) ~50 (10 В) ~50 (10 В) ~50 (lo В) ~50 ~50 ~50 (10 В) (10 В) (10 В) ~200* :::;200• оо в) ~О (10 В) :::;50 (10 В) ~50 (10 В) ~50 (10 В) ~200* :::;200• ~200* :::;200* ~оо· ~200* (5 В; 5 мА) ~15* (5 В; 5 мА) ~15* (5 В; 5 мА) ~1.3 ~1.3 (15 В) (15 В) :::;1,3 (15 В) ~1.1 (15 В) КТ639-1 ~200* ~200* ~200* ~00* ~200* ~200* ~оо· :::;8 (6 ~15* КТ639 ~200* ~6** (7 ГГц) ~6** (7 ГГц) ~6** (7 ГГц) ~3.5** (8 ГГц) ГГц) ~. 1** (7 ГГц) ~. 1** (7 ГГц) ~О.08** (7 ГГц) ~. l ** (8 ГГц) КТ640-2 0,6 1 1 КТ642-2
Раздел 140 frp, fh'21б, Рк max, Тип прибора КТ642А-5 •• и max, Рк, •• fh2lз, ••• fmax, Uкво max, UкэR max, Uкэо max, мВт МГц в ' К, т max, р• Структура n-p-n 500 • •• 2. UэБо max, в Биполярные транзисторы Iк max, • Iк, и max, мА Iкво, IКэR, 1·· кэо, мкА - 20 2 60 ~l мА (20 В) - 25 3 120 ~1 мА (25 В) 60 60 40** 40** 5 5 5 5 60 40 4 4 60 40 40 18 / КТ643А-2 l, l n-p-n Вт (50°С) . , Вт ~200 Вт ~00 КТ644А р-п-р КТ644Б р-п-р КТ644В р-п-р КТ644Г p-n-p КТ645А П·р·П П·р-n 0,5 (l *) 500 Вт КТ645Б КТ646А 1 (2,5*) 1 Вт 1 Вт В,т КТ646В n-p·n n-p-n n-p-n КТ647А-2 П·р·П КТ646Б 1 (12,5*) 1 (12,5*) 1 (12,5*) 1 (12,5*) , . 560 Вт Вт ~00 ? ~200 ~200 ~00 ~200 ~200 ~200 - ~.l ~.l ~О.1 ~.1 (50 (50 (50 (50 В) В) В) В) 0,3 А; 0,6* А 300 (600*) ~10 (60 (40 В} ~10 4(5) 4 4 1 А; l,2_*A 1 А; 1,2* А 1 А; 1,2* А ~10 ~10 ~10 (60 (40 (40 В) В) В) 2 90 ~l мА 0,6 0,6 0,6 0,6 А; А; А; А; 1*А 1*А 1*А 1*А В) (18 В) ~ КТ647А-5 n-p-n 560 - 18 2 90 ~1 мА (18 В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом С12з, rБэ нас, Ом к;.~, дБ • пФ Кш, дБ • •• 1 Рвых rб, Ом Вт 141 'tк, ПС • •• 1 tвыкл Корпус tpac 1 нс НС Sl,l (15 В) ~3,5** (8 ГГц) ~О. 1** (8 ГГц) - КТ642-5 0,45 0,1 ~ют Sl,8 (15 В) ~О.48** (7 ГГц) КТ643-2 '\ 40 ... 120* (10 В; 0,15 А) 100 ... 300* (10 В; 0,15 А) 40 ... 120* (10 В; 0,15 А) 100... 300* (IO В; 0,15 А) S8 (IO В) S8 (IO В) S8 (10 В) ~ (10 В) S2,7 S2,7 $2,7 S2,7 Sl80* Sl80* Sl80* Sl80* КТ644 ~ ~ ~, -Е~ _7:8 ,, 11~"' ~'Utl ~ Q;)" 20 ... 200* (2 В; О, 15 А) ~80 (10 В; 2 мА) S5 (10 В) S5 (IO В) S3,3 Sl20;S50* КТ645 40 ... 200* (5 В; 0,2 А) 150... 200* (5 В; 0,2 А) 150... 300* (5 В; 0,2 А) SlO (10 В) SlO (10 В) SlO (IO В) Sl,7 Sl,2 S0,06 Sl20;S60* Sl20;S60* Sl20;S60* КТ646 Sl,5 (15 В) ~3** (10 ГГц) 0,2** (1 О ГГц) КТ647-2 Sl,5(158) ~3** (10 ГГц) 0,2** (IO ГГц) КТ647-5 0,45 3 6 0,1 ~ют
Раздел·2. Биполярные транзисторы 142 Рк max, Тип Струк- прибора тура КТ648А-2 n-p-n • т max, Рк, fгр, fь21б, tь21з, Uкво max, Рк, и max, ••• fmax, • max, UкэR • • max, Uкэо мВт МГц в •• 420 - Uэво max, в Iкво, Iк max, IКэR, • и max, Iк, 1·· кэо, мА мкА 2 60 ~1 мА 18 2 60 ~1 мА (18 В) 12* 12* 12* 2 2 2 60 60 60 ~1* мА (12 В) ~1* мА (12 В) $l*мА(12В) 2 2 2 60 60 60 $1 *мА (12 В) ~1 * мА (12 В) ~1 * мА (12 В) 18 (18 В) r - n-p-n 420 n-p-n n·p-n n-p·n 375 (6о·с> 375 (60°С) 375 (6О 0 С) ~3 ГГц 375 375 375 ~3 ГГц КТ657В-5 n·p-n n-p-n n-p-n ~3 ГГц 12* 12* 12* КТ659А n-p·n 1 Вт ~300 60 6 1,2 А $0,5 мА (60 В) КТ660А n-p·n n·p-n Вт ;::200 КТ660Б Вт ~200 50 30 5 5 0,8 0,8 А А ~1 (50 В) $1 (30 В) КТ661А p·n·p ~200 60 5 КТ648А-5 ,. КТ657А-2 КТ657Б-2 КТ657В-2 КТ657А-5 КТ657Б-5 0,5 0,5 0,4 Вт (l ,8* Вт) ~3 ГГц ~3 ГГц ~3 ГГц 0,3 А; 0,6* А $0,01 мА (50 В)
параметры биполярных-кремниевых транзисторов 143 ' Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ Ом пФ rБэ нас, Ом к;.~, дБ • С12э, ~1.5 (10 В) ~3** (12 ГГц) • rб, 'tк, ПС Р::х, Вт 0,04** (12 ГГц) * 1 НС tpac Корпус ** 1 НС tвыкл - КТ648-2 - - 60".200 (~ В; 30 мА) 35 ... 70 (6 В; 30 мА) · ~1.5 (10 В) ~l.t ~l .l ~I.l (15 (15 (15 В) В) В) ~3** ~8** ~8** ~8** (12 (2 (2 (2 ГГц) ГГц) ГГц) ГГц) ~.04** ~.05** ~О.05** ~.05** (12 ГГц) (2 (2 (2 ГГц) ГГц), ГГц) КТ648-5 - КТ657-2 i~~ з '& з 6 - 60... 200 (6 В; 30 мА) 35 ... 70 (6 В; 30 мА) ~l.l ~l .l ~l.l (15 (15 (15 В} В) В) ~8** ~8** ~8** (2 (2 (2 ГГц) ГГц) ГГц) ~О.05** ~О.05** ~.05** (2 (2 (2 ГГц) ГГц) ГГц) - КТ657-5 0,1 0,5 ~шт ~35* (1 В; 0,3 А) ~lO(IOB) ~9 ~О** КТ659 {49/i ~~r~~'· Flкф··з 111111 ~ с-........__111 111 110... 220* (10 200 .. .450* (10 В; В; 0,2 0,2 А) А) ~10 (10 SlO (10 В) В) КТ660 ~1 ~1 '65,2 100... 300* (10 В; 0,15 А) ~8 (10 В) ~150** КТ661 1 6 '
Раздел 144 Рк Тип Струк- прибора тура КТ662А p-n-p max, • т max, Рк, •• Рк, и max, fгр, fь21б, •• fь21з, ••• fmax Uкво max, •• max 1 • UкэRmax, 1 Uкэо мВт МГц в 0,6 Вт {3* Вт) ~00 60 Uэво в 5 2. Биполярные транзисторы max, Iк • Iк, IКБо, max, и max, IКэR, IКЭо, мА А; 0,4 мкА 0,6* S0,01 мА (50 В) А • КТ664А-9 КТ664Б-9 КТ665А-9 КТ665Б-9 120 100 5 5 1 А (1,5* А) 1 А {1,5* А) ~10 ~10 (100 (100 ~50 120 100 5 5 1 А {1,5* А) 1 А (1,5* А) ~10 ~10 (100 В) (100 В) ~О.1 мА p-n-p p-n-p 300 (1 *Вт) 300 (1 Вт) ~50 n-p-n n-p-n 300 (1 * iт) 300 (1 *Вт) ~50 ~50 В) В) ' КТ666А-9 n-p-n 300 (1 *Вт) ~60 300 5 20 (50*) КТ667А-9 p·n·p 300; 1*Вт ~40 300 5 20; 50* (300 В) ' SO,l (300 В) f ' КТ668В p·n-p p·n·p p·n·p КТ680А n-p-n КТ668А КТ668Б 0,5 0,5 0,5 Вт ~00 Вт ~200 Вт ~00 50 50 50 5 5 5 ~120 30 5 0,1 0,1 0,1 ~15 нА (30 В) ~15 нА (30 В) ~15 нА (30 В) А А А i 350 (85°С) 0,6 А (2* А) ~10 (25 В)
J1араметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ rб, Ом пФ rБэ нас, Ом к;.~, дБ • С12з, 100... 300* (IO В; 0,15 А) ~8 (IO В) •• Рвых, Вт 145 'tк, ПС • НС tpac, •• tвыкл, Корпус НС ~200** ~3.2 КТ662 r 1 lкф··з ~· с-.. 40... 250 (2 В; О, 1 А) 40 ... 250 (2 В; О, 1 А) 40 ... 250 (2 40.-:250 (2 В; О, 15 А) В; 0,15 А) ~5 ~5 (5 (5 В) В) ~2.3 ~700** ~2.3 f;;700** ШU'I , rм1• ..._....., .....11 ~25 (5 В) ~25 (5 В) 5 КТ665-9 - 1/,6 . 1.6 ~i~~, (J: ~·4q ~ ~ 6 448 ~50 (10 В; 5 мА) 3 '/ o.ss ~5_ _1,5 ~о КТ666А-9 - 1/,6 1.6 ~f~Ф~ ()- ~·4* q. ·~ ·я , 3 ""' • ~5_ 448 ~50 (10 В; 5 мА) O.Si 1,5 ~80 КТ667А-9 _1/,6 - . ~~ ,~ ~ ....~ ,~ ~1,6 ' ь.. ""--::_..,+.;i-tttмн,ttt11"11·:!:t"5 448 75 .. .140 (5 В; 2 мА) 125 ... 250 (5 В; 2 мА) 220 .. .475 (5 В; 2 мА) 85 ... 300* (1 В; 0,5 А) ~6.5 ~6.5 ~6.5 ~.5 ~10 (lкГц) ~10 (lкГц) 3""' ' O.Si 1.5 1,5 КТ668 ~10 (lкГц) КТ680 4*
Раздел 146 КТ681А p-n-p 350 (85°С) ~120 КТ682А-2 n-p-n n-p-n 350 350 ~4.4 ГГц КТ682А-5 п-р-п КТ682Б-5 n-p-n 350 350 КТ68ЗА КТ68ЗЕ n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 1,2 (8*) 1,2 {8*) 1,2 {8*) 1,~ {8*) 1,2 {8*) 1,2 {8*) КТ684А p-n-p ~40 р-п-р Вт ~40 КТ684В p-n-p p-n-p 0,8 0,8 0,8 0,8 Вт КТ684Б Вт ~40 Вт ~40 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 Вт ~200 Вт ~200 Вт ~200 Вт ~200 Вт ~350 Вт ~250 Вт ~250 КТ682Б-2 КТ68ЗБ КТ68ЗВ КТ68ЗГ КТ683Д КТ684Г КТ685А КТ685Д p-n-p p-n-p p-n-p ·p-n-pp-n-p КТ685Е р-п-р КТ685Ж р-п-р КТ685Б КТ685В КТ685Г КТ686А p-n-p КТ686Б р-п-р КТ686В КТ686Г КТ686Д КТ686Е КТ686Ж p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p·n-p 0,625 0,625 0,625 0,625 0,625 0,625 0,625 (1,4*) (1,4*) (1,4*) (1,4*) {1,4*) (1,4*) (1,4*) 5 10 1 1 ~4,4 ГГц 10 ~4.4 ГГц 10 10 - ~4.4 ГГц Вт Вт Вт Вт Вт Вт · 30 ~50 ~50 ~50 ~50 ~50 ~50 Вт ~100 Вт Вт Вт ~100 Вт ~100 Вт Вт ~100 ~100 ~100 ~100 7 7 7 5 5 5 45* (lк) 60* (lк) 100* (lк) 30 5 5 5 5 60 60 60 60 30 30 30 5 5 5 5 5 5 5 (О) (О) {О) {О) (О) {О) {О) Биполярные транзист.оры А 0,6 (2* А) 5 5 5 5 5 5 5 510 (25 В) В) 51 (10 В) 51 (10 50 50 150* (Зк) 120* (3к) 120* (3к) 100* (3к) 60* (3к) 60* (3к) 50* 50* 50* 30* 30* 30* 30* 2. 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; r А; 1А 1А 1А 1А 2* 2* 2* 2* 2* 2* {1,5* {1,5* {1,5* {1,5* 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 А А А А А А А А А А А А А А) А) А) А) А В) 51 51 51 51 51 51 В) (90 (90 (90 (40 (40 (40 А А А А А А) А) А) А) А) А) А) В) В} В) В) В) В) 50,1 (30 В) g),l· (30 В) 50,1 (30 В) 50,1 (30 В) 50,02 50,01 50,02 50,01 50,02 50,02 50,02 А {1,5* (1,5* (1,5* (1,5* (1,5* (1,5* (1,5* 51 (10 51 (10 (50 В) (50 В) (50 В) (50 В) (25 В) (25 В) (25 В) 50,1 (45 50,1 (45 50,1 (45 ~О.1 (25 ~О.1 (25 50, 1 (25 50, 1 (25 В) В) В) В) В) В) В)
Параметр&~ биполярных кремниевых транзисторов 85 ... 300* (1 В; 0,5 А) 147 ~0,5 ~0,9 КТ681 40 .. .45 (7 В; 2 мА) 80... 120 (7 В; 2 мА) (10 (10 В) "?::.7*~ ~0,9 В) "?::.7** (3,6 ГГц) ~4 (3,6 S4 (3,6 40 .. .45 (7 В; 2 мА) 80 ... 120 (7 В; 2 мА) ~0,9 ~0,9 (10 (10 В) В) "?:.7** (3,6 ГГц) "?:.7** (3,6 ГГц) ~4 (3,6 ГГц) ГГц) ГГц) КТ682-2 4 (3,6 ГГц) (3,6 ГГц) КТ682-5 . 0,4 0,1 6шт 40 .. .120* (10 В; 0,15 А) 80... 240* (10 В; 0,15 А) 40 .. .120* (10 В; 0,15 А) 40 ... 120* (10 В; 0,15 А) 80 ... 240* (10 В; 0,15 А) 160.. .480* (10 В; 0,15 А) 40 ... 250* 40 .. .160* 40 ... 160* 180.. .400 (2 (2 (2 (2 В; О, 15 В; 0,15 В; 0,15 В; О, 15 А) А) А) А) 40 ... 120* (10 В; 0,15 А) 40 ... 120* (10 В; 0,15 А) 100... 300* (10-В; 0,15 А) 100... 300* (10 В; О, 15 А) 70 ... 200* (1 В; О, 15 А) 40 .. .120* (1 В;' 0,3 А) 100... 300* (1 В; 0,3 А) 100... 250* 160.. .400* 250 ... 630* . 100... 250* 160... 400* 250 ... 630* 100... 250* (1 В; 0,1 А) (1 В; 0,1 А) ( 1 В; О, 1 А) (1 В; 0,1 А) (1 В; 0,1 А) ( 1 В; О, 1 А) (1 В; 0,1 А) ~15 В) ~3; ~6.6* ~8* ~500** ~15 В) ~3; ~6.6* ~8* ~500** В) ~3; ~6.6* S8* ~500** В) ~: ~6.6* ~8* ~500** В) ~3; ~6.6* ~8* ~500** В) ~3; ~6.6* ~8* S500** В) В) В) В) ~1 (10 (10 ~15 (10 ~15 (10 Sl5 (10 ~15 (10 ~50 ~50 ~50 ~50 (10 (10 (10 (10 КТ684 ~1 ~1 ~1 В) ~2.6 S80* ~8(IOB) ~2.6 ~80* S8 (10 В) ~8 (10 В) ~12 (10 В) ~2.6 ~80* S2,6 ~80* ~2.6 S80* ~12 ~12 S2,6 S2,6 ~150 S8 (10 ~12 ~12 ~12 ~12 ~12 ~12 ~12 (IO В) (10 В) (10 (10 (10 (10 (10 (10 (10 В) В) В) --- В) В) В) В) КТ683 Sl,4 ~1.4 ~1.4 ~1.4 Sl,4 ~1",4 ~1.4 КТ685 Sl50 КТ686
Разде.r.~ 148 fгр, tь21б, fь21з 1 Рк max 1 Тип Струк- прибора тура ' * т max, Рк, 2. Биполярные транзисторы UКБо max 1 * max, UкэR Uэво max, *** 1 fmax ** max, Uкэо в мВт МГц в ** н max 1 Рк. Iк max, * н max, Iк, 'мА IКБО, IКэR, 1** кэо, мкА p-n-p 1 Вт ~200 40 5 1А ~О.1 (30 В) КТ695А n-p-n 450 ~300 30 4 30 ~О.1 (30 В) КТ698А n-p-n n-p·n n-p-n n-p-n n·p-n n-p·n n-p·n n-p·n n·p-n 600 600 600 600 600 600 600 600 600 ~150 90* 70* 50* 30* 12* 12* 120* 160* 200* 4 4 4 4 4 4 4 4 4 2А n-p-n n-p-n n·p·n 1О* Вт (50°С) 1О* Вт (50°С) 10* Вт (50°С) КТ692А . КТ698Б КТ698В КТ698Г КТ698Д КТ698Е КТ698Ж КТ698И КТ698К П701 П701А П701Б ~150 ~150 ~150 ~150 ~150 ~150 ~150 ::::150 ::::20* ~20* ~20* 2А 2А 2А 2А 2А 2А 2А 2А 2 (8О С) 2 (8О С) 2 (8О С) 0 40 60 - 35 0 0 о,5 А А 0,5 0,5 А ~20* (90 В) ~О* (70 В) ~20* (50 В) ~О* (30 В) ~О* (12 В) ~20* (12 В) ~20* (120 В) ~20* (160 В) ~20* (200 В) ~О.1 мА ~О.1 мА (40 В) (60 В) ~О.1 мА (35 В) ' П702 П702А n·p·n n-p-n 40* Вт (50°С) 40* Вт (50°С) ~4 ~4 60* 60* 3 3 2А ~5 мА 2А ~5 мА 500* (1000 имп.) 400* (700 имп.) 400* (500 имn.) 4 4 4 2,5 (4*) А 2,5 (4*) А 2,5 {4*) А 3000* (О,Оlк) 5 5 (7,5*) А (70 В) (70 В) . 15* Вт (50°С) 15* Вт (50°С) 15* Вт (50°С) ~3 КТ704В n-p-n n-p-n n-p-n КТ710А П·р·П 50* Вт (50°С) - КТ704А КТ704Б ~3 ~3 ~5* мА (1000 В) ~5* мА (700 В) ~5* мА (500 В) ~2 мА (3000 В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, Скэ нас, Ом Кw,дБ 'tк, пс Сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * 1 НС tpac ** 1 Вт Рвых ** 1 НС tвыкл пФ ~20 (1 В; 0,5 А) 149 В) S20 (30 Sl 4 Корпус КТ692А S90** !9/1 _ ! е CQ".f..'~~~K .'. З ~ 1 JI JI 1 C(:)j r c-......___1ll JI 1 50 ... 200 ( 1О В; 1 мА) ~О* (5 В; 1 А) ~20* ~50* (5 В; 1 А) (5 В; 1 А) ~50* (5 В; 1 А) ~50* (5 В; 1 А) ~50* (5 В; 1 А) ~30* (5 В; 1 А) ~30* (5 В; 1 А) ~30* (5 В; 1 А) Sl ,5 (10 В) ~74 (5 В) (5 В) (5 В) s74 S74 S74 S74 S74 S74 s74 S74 (5 (5 (5 В) В). В) (5 В) (5 (5 В) В) 10.. .40* (10 В; 0,5 А) 15":60* (1 О В; 0,2 А) 30... 100* (10 В; 0,2 А) 5 КТ695А S0,12 S0,12 S0,12 S0,12 S0,12 S0,12 S0,12 S0,15 S0,17 КТ698 S245* S245* S245* S245* S245* :S245* S245* S245* S245* П701 Sl4 ~~к, ~К..!'~ ~ ~ IV U~ ~;}5 ~f ~5* (10 В; 1,1 А) ~10* (10 В; 1,1 А) 10... 100* (15 В; 1 А) 10... 100* (15 В; 1 А) ~10* (15 В; 1 А) ~3.5 (10 В; 4 А) S50 (20 :S50 (20 S50 (20 В) В) В) S2,5 S4 П702 S2,5 S2,5 S2,5 КТ704 S0,9 КТ710 30000* -rw27,1 . . . ~ ..;; ~
Раздел :150 Рк max, Тип С'tрук- прибора тура 1 * т max, Рк, ** и max, Рк, мВт КТ712А КТ712Б p-n-p p-n-p 1,5 (50*) 1,5 (50*) Вт Вт fгр 1 fh2lб, fh2'iз 1 2. Uкво max, *** fmax, * max1 UкэR ** max, Uкэо МГц в ~3 ~3 200 160 5 5 ~.4.5 5000 5 U:Эво max1 в Биполярные-транзисторы Iкво, Iк max, IКэR, IКЭо, * и max, Iк, мА 10 {15*) 10 (15*) мкА А А Sl мА (200 В) Sl мА Jl60 В) - КТ715А n-p-n 75* Вт (50°С) 2А Sl мА В) (5000 ... . КТ716А КТ716Б КТ716В КТ716Г КТ719А КТ720А n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n p-n-p 1 Вт 1 Вт 1 Вт 1 Вт (60 (60 (60 (60 10* 10* Вт*) Вт*) Вт*) Вт*) ~6 ~6 ~6 ~6 Вт ~3 Вт ~3 100 80 60 45 5 5 5 5 ВА 120 120 5 5 1,5 А 1,5 А SO,l SO,l SO,l SO,l ВА ВА ВА мА мА мА мА - ~ КТ721А КТ722А КТ72ЗА КТ724А 120 120 5 5 1,5 1,5 А 5 5 10 10 А ~3 120 120 ~.5 60 7 15 А n-p-n p-n-p 25* 25* Вт ~3 Вт ~3 n-p-n p-n-p 60* 60* Вт ~3 Вт n-p-n 115* А А . - - ...__ КТ728А Вт S0,7 мА (60 В)
параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом • С12э, • нас, rвэ к;.~, дБ пФ ~500* ~400* (5 (5 В; В; А) А) 2 2 Ом Кш, дБ • Ом rб, •• Рвых, Вт 151 'tк, ПС • нс tpa.c, •• tвыкл, :корпус НС КТ712 ~1 ~1 10,7 lc')I~ ~ 1~ т .1 ~г-m ' ~15 (10 В; ~750 (5 ~750 (5 ~750 !5 ~750 (5 А) 0,2 В; В; В; В; 5 5 5 5 А) А) А) А) 150 150 150 150 ЭК6 r D ~15 ~7500* КТ71& ~7000* КТ716 В) g),4 g),4 g),4 ~7000* (5 В) ~О.4 ~7000* (5 В) (5 В) (5 ~7000* ~· ;-т//,8 i ~r.m ЭК6 ~20 (2 (2 ~20 1 В; В; 0,15 0,15 А) А) КТ719, КТ720 ~1.2 ~l.2 !'ос ~ / ::::. - -Е[7 1 1·8 ,_ tm со 11' 11 c-.~. U I 111 ~О ~О (2 (2 В; В; 1 А) 1 А) КТТ21, КТ722 g),6 g),6 ~ ' -ЕЭ::::. -~ - i·8 - ,, 1~11 ~~)111 ~20 ~О (5 В; 5 А) (5 В; 5 А) g),4 з 6 tm со ~ КТ723, КТ724 ~О.4 . 10,7 20".70 (5 В; 4 А) g),3 з t КТ728 6
152 Раздел Рк max, Тип Струк- прибора тура • т max, Рк, •• Рк, и max, мВт КТ729А КТ729Б n-p-n n-p-n 150* 150* Вт Вт • fгр 1 fh2lб, 2. Uкво max, •• fh2lэ, ••• fmax, • max, UкэR Uэво max, Uкэо max, в Мfц в ~.2 ~.2 50 100 •• Бипопярные,rhранзисторы Iк max, • Iк, и max, мА 5 7 Iкво, IКэR, IКЭо, мкА 20А S2 мА (50 В) S5 мА (100 В) А S2 мА (140 В) 30 А , КТ7ЗОА n-p-n 150* Вт ~.2 160 7 ~10 2,5 2,5 2А ~10 80* (О,lк) 60* (О,lк) 2А 10* мА (80 В) 10* мА (60 В) 5А S60 мА (150 В) 16 . КТ801А КТ801Б 5* Вт (55°С) 5* вт (55°С) n-p-n n-p-n ' КТ802А n·p-n 50* Вт ~10;~0 150; 180 3; 5 n-p-n 60* Вт ~о 60* (О,lк) 4 Вт ~20 Вт ~20 60* (160 имп.) 60* (135 имn.) 5 5 5 (8*) А 5 (8*) А Sl5* мА (60 В) Sl5* мА (60 В) 5 5 5 5 (8*) А 5 (8*) А 5 (8*) А Sl5* мА (60 В) Sl5* мА (60 В) Sl 5* мА (60 В) ,, КТ80ЗА 10 А SS* мА (70 В) КТ805А КТ805Б .n-p-n n-p-n 30 30 • 1 КТ805АМ КТ805БМ КТ805ВМ n-p-n n-p-n n-p-n 30* вт (50°С) 30* Вт (50°С) 30* Вт (50°С) ~20 ~20 ~20 60* (160 имп.) 60* (135 имп.) 60* (135 имл.)
параметры биполярных кремниевь1х транзисторов Ск, rкэ нас, Ом С12э, rвэ нас, Ом • • к;.~, дБ пФ 15... 60* (4 В; 15 А) 15 ... 60 (4 В; 10 А) Кш, дБ • •• Рвых, rб, Ом Вт 153 'tк, пс • •• tрыкл, Корпус tpac, НС нс ~.13 КТ729 ~.14 ~ffi:ii]~ .~1 ~27,1 ~Dlf · 15... 60* (4 В; 8 А) 15 ... 50* (5 В; 1 А) 30... 150* (5 В; 1 А) S0,17 КТ730 S2 S2 КТ801 ~ 1 /( f6 16 - - 1 - :· ==,~r=1~ 1sз ~ . 6 ~~~1 ~15* (10 В; 2 А) 1 к КТ802 Sl 1623,5 -~ -~~~ ~,10... 70* (10 в; 5 А) ~15* ~15* (10 (10 В; В; 2 2 А) А) s250 (20 В) S0,5 ~.5 Sl90** ~~~ - 1 ..................:: ~-- ~-- ктsоз кrsos Sl --~15* ~15* ~15* (10 (10 (10 В; В; В; 2 2 2 А) А) А) ~.5 Sl Sl,25 КТ805М 10,7 r
Раздел 154 max, * т max, Рк. ** и max, РК, * fгр, fь21б, *** fmax, ** Uкэоmах, мВт МГц в 10* Вт (70°С) 10* Вт (70°С) 25 100* 100* 1О* Вт (70°С) 10* Вт (70°С) 25 25 Рк Струк· Тип прибора тура КТ807А п-р-п КТ807Б п-р-п КТ807АМ п-р-п КТ&О7БМ п-р-п ** fь21э, ~5 Uкво * UкэR 100* 100* max, max, (lк) (lк) Uэво 2. Бипопярнь1е транзисторы Iкво, Iк max, * и max, lк, max, в ltGR, 1** кэо, мА мкА А 4 4 0,5; 1,5* 0,5; 1,5* 4 4 0,5 (1,5*) 0,5 (1,5*) А А А :5;5* :5;5* мА мА (100 (100 В) В) S5* мА-(JОО В) :5;5* мА (100 В) - КТ808А n-p-n КТ808АЗ п-р-п КТ808БЗ п-р-п 50* Вт (50°С) 70* 70* ~7.2 120* (250 имп.) 4 Вт 28 Вт ~8 130 100 5 5 10 (15*) А 10 (15*) А :5;2* мА (130 В) S2* мА (100 В) ~8 130* (250 имп.) 100* (160 имп.) 80* ( 1.35 имп.) 70* (80 имп.) 5 5 5 5 10 А 10 А 10 А 10 А S2* мА (120 В) S2* мА (100 В) S2* мА (100 В) 22* мА (70 В) 25,1 400* (О,Оlк) 4 Вт 210 210 200 160 6 6 16 А (25* А) 16 А (25* А) Sl мА (200 В) Sl мА (160 В) Вт 210 Вт ~10 200 160 6 6 16 А (25* А) 16 А (25* А) ~1 мА Sl мА 10 - SЗ* мА А (120 В) 1 . КТ808АМ п-р-п КТ808БМ п-р-п КТ808ВМ п-р-п ктsоsrм n-p-n 60* Вт (50°С) 60* Вт (50°С) 60* Вт (50°С) 60* Вт (50°С) 28 ~8 28 1 - КТ809А п-р-п 40* КТ8101А n-p-n n-p-n 2 2 p-n-p p-n-p 2 2 КТ8101:& КТ8102А КТ8102Б Вт (50°С) Вт; Вт; Вт; Вт; 150* 150* 150* 150* Вт 3 А; 5* А SЗ* мА (400 В) (200 В) (180 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом С12э, Свэ нас, Ом пФ к;.~, дБ • • Кw,дБ • •• Рвых, rб, Ом Вт 155 'tк, пс • НС tpac, •• Корпус tвыкл, НС 15 .. .45*·(5 В; 0,5 А) 30... 100* (5 В; 0,5 А) КТ807 15 .. .45* (5 В; 0,5 А) 30.. .100* (5 В; 0,5 А) КТ807М 1О ... 50* (3 В; 6 А) S500 (10 20 .. .125 (3 20... 125 (3 В; В; 2 2 А) А) S500 (100 S500 ( 100 В) В) В) S2000* КТ808 S2000* S2000* КТ808-З 10,7 r 20... 125* 20".125* 20 .. .125* 20."125* (3 В; 2 А) (3 В; 2 А) (3 В; 2 А) (3 В; 2 А) 15... 100* (5 ~20* ~20* (10 (10 В; В; В; 2 А) 2 А) 2 А) S500 (100 ~00 (100 S500 (100 S500 (100 В) В) В) Sl50 (20 S0,33 S0,33 S0,33 S0,33 S2000* S2000* S2000* S2000* КТ808М В) S0,75 S4000* КТ809 SOOO (5 В) SlOOO (5 В) S3,3 В) SЗ,3 КТ8101, КТ8102 15,9 - 5 /. l т--~~ ~О* ~О* (10 (10 В; В; 2 2 А) А) slOOO (5 SlOOO (5 В) В) S3,3 S3,3 1 ! -
Раздел 156 Uкво max, UкэR max, Рк, и max, • •• fh21э, ••• fmax, мВт Мfц в Рк max, Тип Струк· прибора тура • Рк, т max, •• fгр, fh2lб, • •• Uкэо max, 2. Uэво max, в Биполярные транзисторы Iкво, Iк max, IКэR, • Iк. и max, 1·· кэо, мА мкА КТ8104А p-n-p 150 Вт 2:::10 350 5 20 А (25 А*) ~О.7 мА (350 В) КТ8105А п-р-п 150 Вт 2:::10 200 5 20 А (25 А*) ~о. 7 мА (350 В) - ' КТ8106А n-p-n КТ8106Б п-р-п КТ8107А п-р-п КТ8107Б п-р-п КТ81078 n-p-n КТ8107Г п-р-п КТ8107Д п-р-п КТ8107Е п-р-п КТ8107А2 п-р-п КТ81'07Б2 п-р-п КТ810782 п-р-п КТ8107Г2 п-р-п КТ8107Д2 п-р-п КТ8107Е2 п-р-п КТ8108А п-р-п КТ8108Б п-р-п КТ81088 п-р-п КТ8108А-1 п-р-п КТ8108Б-1 п-р-п КТ81088-1 п-р-п 2 Вт; 125* Вт 2 Вт; 125* Вт ;?: 1 90* 60 5 5 20 А (30* А) 20 А (30* А) 100* Вт 125* Вт 50* Вт 100 Вт 100 Вт 100 Вт 2:::7 2:::7 2:::7 2:::7 2:::7 2:::7 1500 (700*) 1500 (700*) 1500 (600*) 1500 1200 1000 5 5 5 6 6 6 8 А (15* А) 5 А (7,5* А) 5 А (8* А) 10 А 10 А 10 А SO, 7 мА (1500 ~О.7 мА (1500 S0,7 мА (1500 S0,7 мА (1500 s0,7 мА (1200 S0,7 мА (1000 100* Вт 125* Вт 50* Вт 100* Вт 100* Вт 100* Вт ~7 2:::7 2:::7 >7 >7 >7 1500 (700*) 1500 (700*) 1500 (600*) '1500 1200 1000 5 5 6 6 6 8 А (15* А) 5 А (7,5* А) 5 А (8* А) 10 А 10 А 10 А S0,7 s0,7 S0,7 S'JJ, 7 s0.7 s0,7 70* Вт 70* Вт 70* Вт 2:::15 2:::15 2:::15 850 850 900 5 5 5 5 (7*) 5 (7*) 5 (7*) 0,5 мА (850 В) 0,5 мА (850 В) 0,5 мА (900 В) 70* Вт 70* Вт 70* Вт 15 15 15 850 850 900 5 5 5 5 (7*) А 5 (7*) А 5 (7*) А S0,5 мА (850 В) S0,5 мА (850 В) s0,5 мА (850 В) 80* Вт 80* Вт 2:::7 2:::7 350 300 5 5 7 А (10* А) 7 А (10* А) S3 мА (350 В) S3 мА (300 В) 2 Вт; 60* Вт 2 Вт; 60* Вт 2 Вт; 60* Вт 2:::20 2:::20 2:::20 500 500; 400** 500; 350** 5 5 5 7 А (14* А) 7 А (14* А) 7 А (14* А) slOOO (500 2:::1 5 мА мА мА мА мА мА (1500 (1500 (1500 ( 1500 (1200 (1000 В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) В) '~ КТ8109А п-р-п КТ8109Б п-р-п КТ8110А п-р-п КТ8110Б п-р-п КТ81108 п-р-п В) SlOO (400 В) SlOO (400 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, Скэ нас, Ом С12э, Свэ нас, Ом • пФ 1000 (5 ~1000 В; 5 А) к;.~, дБ Кш, дБ • •• Рвых, rб, Ом Вт 'tк, пс • •• 1 tвыкл Корпус tpac 1 НС НС КТ8104, КТ8105 <0,2 (5 В; 5 А) 750... 18000 (10 В; 5 А) 750".18000 (10 В; 5 А) • 157 <0,2 S700 (10 В) :5700 (10 В) S0,4 S0,4 КТ8106 S4500** S4500** ~ 15,9 5 ~IJ~ i 6 ~.25* ~.25* (5 В; 4,5 А) (5 В; 4,5 А) 8."12* (5 В; 1 А) S0,22 S0,65 :50,22 к з S3500* S3500* S3500* КТ8107 S3500* S3500* S3500* КТ8107-2, КТ8108 15,9 5 ~.22 S0,4 ~.4 ~.25* ~2,2,5* (5 В; 4,5 А) (5 В; 4,5 А) 8 ... 12* (5 В; 1 А) S0,22 S0,65 ~22 <О,22 <0,4 <0,4 ~t) ~t1~ ~- ,, 27,1 10... 50 (5 В; 0,5 А) 40 ... 80 (5 В; 0,5 А) 10... 50 (5 В; 0,5 А) S75 (15 В) S75 (15 В) S75 (15 В) S0,4 S0,4 S0,4 S3000* S3000* 10... 50* (5 В; 0,5 А) 40 ... 80* (5 В; 0,5 А) 10... 50* (5 В; 0,5 А) S75 (5 В) S75 (5 В) S75 (5 В) S0,4 S0,4 S0,4 3* 3* 3* ..s . . /( SЗООО* КТ8108-1 мкс мкс мкс ~"- ; - т//,8 .... , i ~:-m ЭК6 1 ~150* ~150* (5 В; 2,5 А) (5 В; 2,5 А) ~.75 :53* S0,75 SЗ* мкс КТ8109 мкс ~.-; Т"'в а:дn · 15 ... 30* (5 В; 0,8 А) 15 ... 30* (5 В; 0,8 А) 15 ... 30* (5 В; 0,8 ,А) ~.2 S0,2 ~.2 6КЭ КТ8110 :52500* :52500* :52500* 10,7 1 - lc')j~ /фj ! c.<:r_ ..,... , i ~~ ' ЭК6 r
Раздел 158 * fгр 1 fh2lб1 ** fh2Jэ, Ркmах, Тип прибора * Рк, т max, ** Рк, и max, Структура мВт '- КТ8112А П·р·П КТ8Н4А П·р-П КТ8114Б П·р·П КТ81148 n-p-n n·p·n KT8114f КТ8Н5А p-n·p КТ8115Б р-п-р КТ81158 р-п-р КТ8116А п-р-п КТ8116Б п-р-п КТ81168 n-p·n КТ8117А n-p·n КТ8117Б п-р-п 1 l Вт; 10* 125* 125* 100* 100* Вт *** fmax, мrц в - Вт Вт Вт 65* 65* 65* Вт ~4 Вт ~4 Вт ~4 65* 65* 65* Вт ~4 Вт ~4 Вт ~4- 100* 100* Биполярные транзисторы max, * max, ** Uкэо max, ~20 Вт Uкво 2. UкэR (lк) Uэво max, * lк, и max, в (l ,5* А; 15* 15* 15* 15* 1500* 1200* 1200* 1500* 6 6 6 8 8 8 8 100 80 60 5 5 5 8 (16*) 8 (16*) 8 (16*) 100 80 60 5 5 5 Вт ~5 Вт ~5 700 500 8 8 ~15 900 5 мкА А 0,5 & IКэR, 1** кэо, мА 5 400* Iкво, Iк max, А; А; А; А А А А А А А А А А (16* (16* (16* А) А) А) 10 (20*) 10 (20*) А А 8 8 8 - А) ~.1 мА мА ~.l мА SO,l мА SO,l (1500 (1200 (1200 (1500 В) В) В) В) ~.2 мА (100 В) S0,2 мА (80 В) S0,2 мА (60 В) S200 (100 В) S200 (80 В) s200 (6о·в> Sl Sl мА мА (400 (400 В) В) ' КТ8118А 50* п-р-п Вт 3 А (lO* А) SlO (800 В) . КТ812А п-р-п КТ812Б п-р-п КТ8128 п-р-п 50* 50* 50* Вт (5О С) Вт (50°С) Вт (50°С) 0 ~3 ~3 ~3 400* 300* 200* (О,Оlк) (О,Оlк) (О,Оlк) 7 7 7 8 8 8 А; А; А; 12* 12* 12* А А А S5* S5* S5* мА мА мА (700 (500 (300 В) В) В)
Параметр&~ биполярных кремниевых транзисторов ~300 (5 В: 0,05 А) 159 КТ8112 S40 r 8.. .40* (5 В; 0,7 А) ~(?* (5 В; 0,03 А) ~* (5 В; 0,03 А) 8.. .40* (5 В: 0,7 А) S0,25 S0,25 S0,25 S0,25 tcn=0,5 tcn=0,5 tcn=0,5 tcn=0,5 МКС КТ8114 МКС 5 МКС МКС «(') ~" .... о 6КЗ 1О .. .40* (5 В; 0,2 А) Sl,3 S2,5* мкс КТ8118 10,G5 1/,8 r ~4* (2,5 В; 8 А) ~4* (2,5 В; 8 А) ~10* (5 В; 5 А) SlOO (100 SlOO (100 SlOO (100 В) В) В) S0,3 S0,3 S0,3 tcnSl,3 tcnSl,3 tcnSl,3 МКС КТ812 МКС МКС -~~ ..s . ~
Раздел 160 2. Биполярные транзисторы В) КТ8120А п-р-п 60* Вт ~20 600; 450** 5 8 А (16* А) SlOO (450 КТ8121А п-р-п 75* Вт ~7 5 8 А (10* А) s;2000 (700 В) КТ8121Б п-р-п 75* Вт ~7 1500; 700*; 400** 1500; 600*; 400** 5 8 А (10* А) s;2000 (600 В) КТ8121А-1 п-р-п 75* 75* Вт ~7 -8 8 (10* (10* А) ~7 5 5 А Вт 1500; 700* 1500; 600* А) S2000 (700 В) S2000 (600 В) Вт ~7 ~7 5 5 8 8 А Вт 1500; 700* 1500; 600* А КТ8121Б-1 п-р-п КТ8121А-2 п-р-п КТ8121Б-2 п-р-п 75* 75* КТ8123А п-р-п 25* Вт ~5 200 5 2 А (3* А) КТ8124А п-р-п Вт ~10 n-p-n n-p-n Вт ~10 Вт ~10 400 400 330 5 5 5 7 КТ8124Б 60* 60* 60* 65* 65* 65* Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 100 80 60 5 5 5 6 (10*) 6 (10*) 6 (10*) 80* 80* Вт ~4 Вт ~4 700; 400** 600; 300** 9 9 8 (16*) 8(16*)А А Sl Sl мА (700 (600 56* 56* 56* Вт 1500* (100 Ом) 1200* (100 Ом) 1500* (100 Ом) 5 5 5 5 (7,5*).А 5 (7,5*) А 5 (7,5*) А s;0,9 s;0,6 s;0,9 мА мА мА ( 1500* (1800* (1500* В) В) В) Вт Ом) Ом) Ом) 5 5 5 5 (7,5*) 5 (7,5*) 5 (7,5*) А s;0,9 s;0,6 s;0,9 мА (1500* (1800* (1500* В) мА мА Вт КТ81248 КТ8125А п-р-п КТ8125Б п-р-п КТ81258 n-p-n КТ8126А1 п-р-п КТ8126Б1 п-р-п КТ8127А п-р-п КТ8127Б п-р-п КТ81278 п-р-п КТ8127А-1 п-р-п, КТ8127Б-1 п-р-п КТ81278-1 п-р-п 56* 56* 56* КТ8129А п-р-п 60* Вт Вт Вт Вт 1500* (100 1200* (100 1500* (100 1500 5 7 7 А А А А (10* (10* (15* (15* (15* 5А А) А) S2000 (700 S2000 (600 S50 (150 В) В) В) А) А) А) А А А А А s;0,4 мА (100 В) s;0,4 мА (80 В) s;0,4 мА (60 В) мА В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов. ~10* А) ~О.25 ~2* мкс 8...60* (5 В; 2 А) ~0,25 ~3* мкс 8... 60* (5 В; 2 А) ~О.75 SЗ* мкс 8 ... 60* (5 В; 2 А) 8... 60* (5 В; 2 А) ~О.25 ~3* мкс ~О.75 ~*мкс 8 ... 60* (5 В; 2 А) 8... 60* (5 В; 2 А) ~0,25 ~3* мкс ~О.75 ~3* мкс ~40* (5 В; 161 0,2 (10 В; 0,4 А) ~10* 5 А) 5 А) ~10* (5 В; 5 А) ~10* (5 (5 В; В; ~2 КТ8120, КТ8121, КТ8121-1 t КТ8121-2 КТ8123, КТ8124 ~0.2 ~1.5* мкс ~О.17 ~1.3* мкс ~О.2 ~1.5* мкс 6КЭ 15 ... 75* (4 В; 3 А) 15 ... 75* (4 В; 3 А) 15 ... 75* (4 В; 3 А) ~0,25 ~О.25 ~О.5 В; В; В; ~О.22 35* (5 35* (5 35* (5 0,5 0,5 0,5 А) А) А) ~35* (5 В; 0,5 А) ~6* (5 В; 0,03 А) ~6* (5 В; 0,03 А) ЩGS ~0,25 8... 60* (5 В; 2 А) 8... 60* (5 В; 2 А) ~0,5 ~1.1 ~1.1 ~0.22 ~1. 1 ~1.1 t КТ8125, КТ8126 1,7* 1,(* мкс мкс tcn=0,7 tcn=0,7 tcn=0,7 МКС tcn=0,7 tcn=0,7 tcn=0,7 МКС КТ8127 МКС МКС КТ8127-1 МКС 5 МКС 6КЗ ~2.25* (5 В; 4,5 А) ~1..1 КТ8129
Раздел 162 Тип Струк- прибора тура Рк max, frp, 1ь21б, Uкво max, fь21э, UкэR max, • •• max, Uкэо мВт мrц в 40 60 80 5 5 5 4 4 4 А; 40 60 80 5 5 5 4 4 4 А; 600 5 10 • •• и max, Рк. •• ••• fmax, 1 Вт; 20* 1 Вт; 20* 1 Вт; 20* Вт ~25 Вт ~25 Вт ~25 1 Вт; 20* 1 Вт; 20* 1 Вт; 20* Вт ~5 Вт ~25 КТ8131В n-p-n n-p-n n-p-n Вт ~25 КТ8136А n-p-n 60* КТ8130Б КТ8130В КТ8131А КТ8131Б Биполярные транзисторы Рк, т max, p-n-p p-n-p p-n-p КТ8130А 2. Вт - Iкво, Iк max, Uэво max, IКэR, IКЭо, • Iк. и max, В- мА А; А; А; А; мкА 8* 8* 8* А 8* 8* 8* А А А А А ~100 ~100 ~100 (40 В) (60 В) (80 В) ~100 ~100 ~100 (40 В) (60 В) (80 В) (15 А*) - 5 10 А (15 А*) - 9 1,5 А (3 А*) 500; 400** 450 400** 700; 400** 700; 400** 400; 200** 400; 200** 7 10 7 А; 14* А 7 А; 14* А 4 А; 8* А 8 А; 16* А 7 А; 14* А 7 А; 14* А 600; 350** 700; 400** 6 9 400 400 А , КТ8136А-1 n-p-n 60* Вт - n-p-n 40* Вт ~4 600 с демпферным ДИОДОМ между ко.11.nектором и змиттером КТ8137А 700* . ~1 мА (700 В) , КТ8138А КТ8138Б КТ8138В KT8138f КТ8138Д KT813SE n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n, с 50* 40* 75* 80* 60* 60* Вт 20 Вт - Вт ~4 Вт ~4 Вт ~10 Вт ~10 60* 80* Вт ~10 Вт ~4 n-p-n n-p-n 60* 60* Вт ~10 Вт ~10 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 60* 60* 60* 60* Вт ~7 Вт ~7 Вт ~7 Вт ~7 ~О.01 мА (500 В) $0,1 мА (450 В) мА мА мА мА (700 В) (700 В) (400 В) (400 В) 10 А; 16* А 8 А; 16* А ~1 мА ~1 мА (600 В) (700 В) 6 6 7 А (10 А*) 7 А (10 А*) ~1 100 80 60 45 - 8 А (12* А) 8А (12* А) 8A(l2*A) 8 А (12* А) 40* (О,lк) 50* (О,lк) 70* (О, lк) 100* (О,lк) 5 5 5 5 9 9 6 6 ~1 ~1 ~1 ~1 ДИОДОМ КТ8138Ж КТ8138И n-p-n n-p-n, с ДИОДОМ КТ8140А КТ8140А-1 ~1 (400 (400 В) В)~ с демпферным диодом между коллектором и змиттером КТ8141А КТ8141Б КТ8141В KT8141f КТ814А КТ814Б КТ814В KT814f 1 (10*) Вт 10* Вт 10* Вт 10* Вт p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p - ~3 ~3 ~3 ~3 1,5(3*)А l,5(3*)A 1,5 (3*) А 1,5 (3*) А ' ~О.2 (100 В) ~О.2 (80 В) ~О.2 (60 В) ~О.2 (45 В) ~О.05 мА (40 В) ~О.05 мА (40 В) ~О.05 мА (40 В) ~О.05 мА (40 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов 750".15000* (3 В; 0,2 А) 750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) 750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) :S200 (10 В) :S200 (10 ]?) :S200 (10 В) 750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) 750 .. .15000* (3 В; 0,2 А) 750 ... 15000* (3 В; 0,2 А) :slOO (10 В) :slOO (10 В) :slOO (10 В) 10... 50* (5 В; 0,8 А) rкэ нас, Ом Кш, дБ * нас, Ом rвэ * Ом rб, к;.~, дБ ** Вт Рвых, 163 'tк, ПС * tpac, Корпус НС ** НС tвыкл, КТ8130, КТ8131 КТ8136, КТ8136-1 :S0,25 _ 70,G5 _ r l / , 8 :f~ ~ ....... , f i с.. ~·Jn 6КЭ 10... 50* (5 В; 0,8 А) s;0,25 tcn:S0,2 КТ8136-1 МКС _ 70,G5 t 8 .. .40* (2 В; 0,5 А) :S4* ~10* ~10* (5 В; 4 А) (5 В; 4 А) 8... 40* (5 В; 2 А) 5 ... 30* (5 В; 5 А) ~10* (5 В; 5 А) ~10* (5 В; 5 А) :S0,2 s;0,2 s;0,25 :S0,4 s;0,2 :S0,2 ~О* (5 В; 2 А) 5 ... 30* (5 В; 5 А) :S0,4 s;0,25 ~10* (5 В; 5 А) ~10* (5 В; 5 А) :S0,2 :S0,2 мкс :s2,5* мкс :s2,5* Ml:<C :S4* мкс :SЗ* мкс tcn ';S; О, 75 МКС tcn :S О, 75 МКС tcn :S О, 7 МКС КТ8137 КТ8138 _ 70,G5 1/,8 ~ ~~r i - ~r-f'tf ' 6КЭ :SЗ* мкс КТ8140, КТ8141 _ 70,G5 ~' ~ ....... , r i ~750* ~750* ~750* ~750* (3 (3 (3 (3 В; В; В; В; 3 3 3 3 А) А) А) А) ~40* (2 В; 0,15 А) ~40* (2 В; 0,15 А) ~40* ~30* (2 В; 0,15 А) (2 В; 0,15 А) :Sl20 :Sl20 :Sl20 :Sl20 S60 :S60 :S60 :S60 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) В) В) В) В) . :S0,66 S0,66 S0,66 :S0,66 :Sl ,2 :Sl ,2 Sl,2 Sl,2 5,8** 5,8** 5,8** 5,8** мкс мкс ~~ ' 6КЭ мкс мкс КТ814 t
Раздел 164 Рк max, Тип Струк- прибора тура * Рк, т max, ** Рк. и max, мВт КТ814ЗА КТ814ЗБ КТ814ЗВ КТ814ЗГ КТ814ЗД КТ814ЗЕ КТ814ЗЖ КТ81433 КТ814ЗИ КТ814ЗК КТ8143Л КТ814ЗМ КТ814ЗН КТ814ЗП КТ8143Р КТ814ЗС КТ814ЗТ КТ814ЗУ КТ814ЗФ КТ8144А КТ8144Б * frp, fь21б, Uкво max, fь21э, UкэR max, ** *** fmax, МГц - n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 11-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* 175* Вт Вт - n-p-n n-p-n 175* 175* Вт ~5 Вт ~5 Вт ~10 Вт ~10 Вт ~5 Вт ~5 Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт - - - - * ** Uкэо max, 2. Биполярные транзисторы Iкво, Iк max, Uэво max, IКэR, 1** кэо, * Iк. и max, в мА в мкА 120; 90** 120** 180** 400; 240** 90** 120** 180** 400; 240** 120; 90** 120** 180** 400; 240** 100** 150** 400; 200** 90** 120** 180** 400; 240** 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6· 6 6 6 6 6 25 А; 40* А 25 А; 40* А 25 А; 40* А 25 А; 40* А 32 А; 50* А 32 А; 50* А 32 А; 50* А 32 А; 50* А 40 А; 63* А 40 А; 63* А 40 А; 63* А 40 А; 63* А 50 А; 125* А 50 А; 125* А 50 А; 125* А 63 А; 150* А 63 А; 150* А 63 А; 150* А 63 А; 150* А 800 600 8 8 25 25 А 700 500 8 8 15 15 А 800 600 8 8 15 15 А (40* (40* А) (20* (20* А) (25* (25* А) А А А (20* (20* А А) ~5* мА (90 В) ~5* мА (120 В) ~5* мА (180 В) ~5* мА (400 В) ~5* мА (90 В) ~5* мА (120 В) ~5* мА (180 В) ~5* мА (400 В) ~*мА (90 В) ~5* мА (120 В) (180 В) ~5* мА (400 В) ~5* мА (100 В) ~5* мА (150 В) ~5* мА (400 В) ~*мА (90 В) ~5* мА (120 В) ~5* мА (180 В) ~*мА (400 В) ~*мА 1 мА (800 В) 1 мА (600 В) - ~5 мА ~5 мА (700 В) (500 В) А) ~1 мА ~1 мА (800 (600 В) В) А) А) ~1 мА ~1 мА (700 (500 В) В) n-p-n n-p-n 100* 100* n-p-n n-p-n 150* 150* n-p-n n-p-n 100* 100* Вт ~5 КТ8147Б Вт ~5 700 500 8 8 10 10 КТ8149А p-n-p 115* Вт ~4 70; 60** 7 15 А; 30* А ~1 мА (70 В) КТ8149А-1 p-n-p 90* ~3 70; 60** 7 15 А; 30* А ~1 мА (70 В) КТ8145А КТ8145Б КТ8146А КТ8146Б КТ8147А Вт А А) -
165 Параметры биполярных кремниевых транзисторов ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 (3 ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* ~15* (З В; В; В; В; В; В; В; 20 20 20 20 20 32 32 32 32 32 35 35 35 35 35 35 40 40 40 В; В; В; В; В; В; В; В; В; В; В; В; ~4* (5 В; ~4* (5 В; Ск, rкэ нас, Ом Кw,дБ 'tк, пс * С12э, * нас, Ом rвэ * Ом Сб, * НС tpac, пФ к;.~, дБ ** Вт Рвых, ** НС tвыкл, А) А) А) А) А) А) А) :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 :S0,08 А) А) А) А) А) А) А) А) А) А) А) А) 20 А) 20 А) ~10* (1 В; ~10* 5 А) (1 В; 5 А) Корпус КТ8143 1300* 1300* 1300* 1300* . 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1300* 1700* 1700* 1700* :S0,25 :S0,25 :S2,5* :S2,5* :S0,2 :S0,2 1,7* 1,7* 15,9 ~· IJ --4----5 5 и~ п ~ 6КЗ мкс о КТ8144 мкс КТ8145 мкс мкс 10,7 1 ~г-m ЗК6 ' ~5* (5 В; 15 А) ~5* (5 В; ~5* ~5* (1,5 (1,5 15 В; В; 8 8 :S0,15 :SO, 15 А) А) А) - :S0,2 :S0,2 - 1,7* 1,7* мкс 1,7* 1,7* мкс r КТ8146, КТ8147, КТ8149 мкс мкс ~5r\j .~f ~ 27,/ 1":) • 20 .. .150* (4 В; 4 А) 20 .. .150* (4 В; 4 А) - :S0,27 - 1 - КТ8149-1 :S0,27 ' 15,9 5 /~~ l ::" ....,.:т-11==1~ с-., ~ к
Раздел 166 Рк max, Тип Струк- прибора тура * Рк, т max, ** Рк, и max, мВт Вт 2. Биполярные транзисторы * ** fh2Jэ, *** fmax, Uкво max, МГц в ~3 70; 60** 7 10А;15*А ~4 70; 60** 7 15 А; 30* fгр, fh2Jб, * max, UкэR ** Uкэо max, Uэво max, в - ltGR, * lк. и max, IКЭо, мА мкА Sl мА (70 В) А Sl мА (70 В) 30* А ::;;1 мА (70 В) А; 15* А Sl мА (70 В) 30 30 А; 60* 60* А 50 50 А; 80* 80* А КТ8149А-2 p-n-p 75* КТ8150А n-p-n 115* КТ8150А-1 n-p-n 90* Вт ~3 70; 60** 7 15 А; КТ8150А-2 n-p-n 75* Вт ~3 70; 60** 7 10 Вт ~5 ~5 600; 450** 500; 400** 8 8 Вт ~5 Вт ~5 600; 450** 500; 400** 8 8 - 330; 150** 200** 6 6 1500 1500 7 7 Вт lкво, lк max, . - КТ8154А КТ8154Б КТ8155А КТ8155Б КТ8156А КТ8156Б КТ8157А КТ8157Б n-p-n n-p-n 175* 175* n-p-n n-p-n 175* 175* n-p-n n-p-n 60* 60* n-p-n n-p-n 150* 150* Вт Вт Вт Вт ~5 Вт ~5 ' А; А; А А А А (15* (15* ::;;2 мА (600 В) ::;;2 мА (500 В) - 8А - 8А 10 10 ::;;1 мА (600 В) Sl мА (500 В) А) А) 3 мА (1500 В) 3 мА (1500 В)
Параметры ~иполярных кремниевых транзисторов 167 Ск, rкэ нас, Ом Кw,дБ 'tк, ПС * С12э, * нас, Ом rвэ * Ом Сб, пФ к;,;, дБ ** Вт Рвых, * НС tpac, ** НС tвыкл, Корпус . 20 .. .100* (4 В; 4 А) КТ8149-2 :S0,27 _ 10,G5 _ rl/,8 ~\ ~ ....... i с-.. 1!11-.· ~ 6КЭ --~·· jl 20 ... 150* (4 В; 4 А) 20 .. .150* (4 В; 4 А) :S0,27 КТ8150 :S0,27 КТ8150-1 15,9 20 .. .100* (4 В; 4 А) КТ8150-2 :S0,27 ~· ....... с-.. :i - 1700* 1700* , 5 _ 10,G5 1*1i -т"'в ~" 6КЭ КТ8154, КТ8155 s 27,1 ·.~~ ~roii]i -~_.!!. з ~orur КТ8156 ~8* ~8* (5 В; 1 А) (5 В; 1 А) :S0,12 :S0,25 2* 2* мкс мкс КТ8157 -kк •
Раздел 168 КТ8158А КТ8158Б КТ8158В КТ8159А КТ8159Б КТ8159В n-p-n n-p-n n-p-n 125* 125* 125* Вт p-n-p p-n-p p-n-p 125* 125* 125* Вт Вт Вт Вт Вт 2. Биполярные транзисторы 60 80 100 5 5 5 12 12 12 А 60 80 100 5 5 5 12 12 12 А 40* (0,lк) 50* (О,lк) 70* (О,lк) 100* (О,lк) 5 5 5 5 700 600 9 9 5 5 5 5 ::;;400 (60 В) ::;;400 (80 В) $400 (100 В) А А ::;;400 (60 В) ::;;400 (80 В) $400 (100 В) А А • КТ815А n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 10* Вт ~3 10* Вт ~3 10* 10* Вт ~3 Вт ~3 n-p-n n-p-n 75* 75* Вт ~4 Вт ~4 КТ816Г p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 25* 25* 25* 25* КТ816А-2 p-n-p КТ8170А-1 КТ8170Б-1 КТ815Б КТ815В КТ815Г КТ8164А КТ8164Б Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 40* (lк) 45* (lк) 60* (lк) 100* (lк) 25* Вт ~3 40* n-p-n n-p-n 40* 40* Вт ~4 Вт ~4 КТ8175А n-p-n 20* Вт КТ8175Б n-p-n 20* Вт КТ8175А-1 n-p-n 20* Вт КТ8175Б-1 n-p-n 20* Вт КТ816А КТ816Б КТ8168 (lк) 5- 1,5 1,5 1,5 1,5 (3*) (3*) (3*) (3*) А А А А 4А 3 (6*) А (6*) А (6*) А (6*) А А (6* ::;;О,05 мА ::;;О,05 мА ::;;О,05 мА ::;;10 ::;;10 4А 3 3 3 3 ::;;О,05 мА А) мА мА (40 В) (40 В) (40 В) (40 В) (700 В) (600 В) ::;;о, 1 мА ::;;О, 1 мА (25 В) (45 В) ::;;О, 1 мА (60 В) ::;;O,l мА (100 В) ~100 (25 В) ::;;1 мА (700 В) ::;;1 мА (600 В) А 700 600 9 9 1,5 1,5 700*; 400** 600*; 300** 9 1,5 (3*) 9 1,5 (3*) А 700*; 400** 600*; 300** 9 1,5 (3*) А 9 1,5 (3*) А А А
Параметры бипf.Шярных кремниевых транзисторов 169 2500 2500 2500 КТ8158 2500 2500 2500 КТ8159 · ~40* (2 ~40* (2 ~40* (2 ~30* (2 В; В; В; В; 5 70,GS t 0,15 О, 15 О, 15 0,15 А) А) А) А) ::;;60 (5 ::;;60 (5 S60'(5 ::;;60 (5 В) В) В) В) ::;;1,2 ::;;1,2 ::;;1,2 Sl,2 КТ815 КТ8164 10 ... 60* 10... 60* 70,GS t ~25* ~25* ~25* ~25* ~200* (2 (2 (2 (2 В; В; В; В; 1 А) 1 А) 1 А) 1 А) ( 1 В; 0,03 А) В) ::;;О,6 КТ816, КТ816-2, В) В) В) ::;;О,б КТ8170-1, КТ8175 S60 (10 В) S0,6 ::;;60 S60 S60 S60 (10 (10 (10 (10 ::;;О,6 S0,6 ~ ....... ~ ..... ..:' 5... 25* (2 В; 1 А) 5... 25* (2 В; 1 А) ~ 8 .. .40 (2 В; 1 А) ::;; 1 3000* 8 .. .40 (2 В; 1 А) Sl 3000* 8.. .40 (2 В; 1 А) ::;; 1 3000* 8.. .40 (2 В; 1 А) ::;; 1 3000* КТ8175-1 70,GS t
170 , Рк max, Тип Струк- прибора тура * т max, Рк, ** и max, Рк, мВт fгр, fь21б, fь21э, МГц в Вт ~з Вт ~з Вт ~з p-n-p p·n-p p-n-p 40* 40* 40* Вт ~3 Вт ~ Вт ~з n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 25* 25* 25* 25* Вт ~з Вт ~З- Вт ~з Вт ~з n-p-n n-p-n 25* 25* Вт ~з КТ817Г-2 Вт ~з КТ8181А n-p-n 50* Вт - КТ8176В КТ8177А КТ8177Б КТ8177В КТ817А КТ817Б КТ817В КТ817Г КТ817Б·2 * max, UкэR ** max, Uкэо 40* 40* 40* КТ8176Б КТ8181Б n-p·n 50* Вт - КТ8182А n-p-n 60* Вт - КТ8182Б n-p-n 60* Вт - 2. Биполs~рные транзисторы Uкво max, *** fmax, n·p-n n-p·n n-p-n КТ8176А Раздел Iкво, Iк max, Uэво max, IJGR, * и max, Iк, в. 1** кэо, мА мкА - ЗА 60 80 100 . 5 5 5 ЗА 60 80 100 5 ЗА 5 5 ЗА 40* (lк) 45* (lк) 60* (lк) 100* (lк) 5 5 5 5 З З З З (6*) А (6*) А (6*) А (6*) А 45* (lк) 100* (lк) 5 5 З З (6*) (6*) А g),l А ::;;О,1 мА 700*; 400** 600*; 300** 9 4 (8*) А 9 4 (8*) 700*; 400** 600*; 9 8 (16*) А - 9 8 (16*) А - ЗА - ЗА . sO, 1 мА (25 В) SO,l мА-(45 В) SO,l мА (60 В) SO,l мА (100 В) мА (40 (40 В) В) - - - А ЗОО** КТ818ЗА n-p-n 56* Вт - 1500; 700** - 8А;15*А 56* Вт - 1200; 600** - 8 А - 56* Вт - 1500; 700** - 8А;15*А - 56* Вт - 1200; 600** - 8 А; 15* А - 56* Вт - 1500; 700** - 8 А; 15* А - 56* Вт - 1200; 600** - 8 А; 15* А - (15*) (15*) (15*) (15*) А с диодом - н резнетором КТ818ЗБ n·p·n с диодом А; 15* н резнетором КТ818ЗА-1 n·p-n с диодом н резнетором КТ818ЗБ-1 n-p·n с диодом н резиетором КТ818ЗА-2 n-p-n с диодом н резнетором КТ818ЗБ-2 n-p-n е ДИОДОМ и резнетором - КТ818А КТ818Б КТ818В КТ818Г p-n-p p-n-p p-n-p p-n•p 60* 60* (60* 60* Вт ~з Вт ~з Вт ~з Вт ~з " 40* (О,lк) 50* (О,lк) 70* (О,lк) 90* (О,lк) 5 5 5 5 10 10 10 10 А А А ::;;1 ::;;1 ::;;1 ::;;J мА мА мА мА (40 (40 (.40 (40 В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевь1х транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Сi2э, rБэ нас, Ом к;.~, дБ пФ Кш, дБ • •• Рвых, tб, Ом Вт 171 'tк, ПС • •• tвыКл 1 tpac, НС Корпус НС ~25* (4 В; 1 А) ~25* (4 В; 1 А) ~25* (4 В; 1 А) КТ8176, КТ8177 ~25* (4 В; 1 А) ~25* (4 В; 1 А) ~5* (4 В; 1 А) ~5* ~5* ~25* ~5* ~100* (2 В; 1 А) (2 В; 1 А) (2 В; 1 А) (2 В; 1 А) (5 В; 50 мА) ~100* (5 В; 50 мА) ~60 (10 В) ~60 (10 В) ~60 (10 В) ~60 (10 В) ~60 ~60 (10 В) (10 В) ~О.6 ~О.6 КТ817, КТ817-2 ~0,6 ~О.6 ~о.ов ~О.08 10."60* (5 В; 1 А) ~О.25 3000* 10 ... 60* (5 В; 1 А) ~О.25 3000* 8.. .40* (5 В; 2 А) ~О.4 3000* 8.. .40* (5 В; 2 А) ~0,4 3000* ~5* (5 В; 3 А) ~0,17 3000* ~5* (5 В; 3 А) ~О.17 3000* ~О.17 3000* ;;::5* (5 В; 3 А) КТ8181, КТ8182 70,G5 КТ8183 КТ8183-1 15,9 ' ~5* (5 В; 3 А) ;;::5* (5 В; 3 А) ~О.17 3000* ~О.17 3000* 5 КТ8183-2 с изолированными выводами 15,9 ~5* ~15* (5 В; 3 А) (5 В; 5 А) ~20* (5 В; 5 А) ;::::15* (5 В; 5 А) ~12* (5 В; 5 А) ~1000 (5,В) ~1000 (5 В) ~1000 (5 В) ~1000 (5 В) ~0,17 3000* ~О.27 ~2500** ~О.27 ~2500** ~О.27 ~2500** ~О.27 ~2500** КТ818 5
Раздел 172 f гр, Ркmах, Тип Струк- прибора тура •• р-п-р КТ818БМ р-п-р мrц в Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 40* (О,lк) 50* (0,1 к) 70* (0,1 к) 90* (О,lк) 5 5 5 5 15 15 15 15 40* (0,1 к) 50* (О,lк) 70* (О, 1к) 90* (0,1 к) 5 5 5 5 15 (20*) А 15 (20*) А 15 (20*) А 40* (О, 1к) 50* (0,1 к) 70* (О, 1к) 100* (О,lк) 5 5 5 5 10 10 10 10 (15*) (15*) (15*) (15*) 40* (0,1 к) 50* (О, 1к) 70* (О, 1к) 100* (О,lк) 5 5 5 5 15 15 15 15 (20*) А (20*) А (20*) А (20*}. А max, КТ818ВМ р-п-р KT818fM р-п-р КТ818А-1 р-п-р КТ818Б-1 р-п-р КТ818В-1 р-п-р KT818f-1 р-п-р 100* 100* 100* 100* 100* 100* 100* 100* Iкво, ••• fmax, fh2lз, мВт КТ818АМ Uкво Биполярные транзисторы max, max, •• max, Uкэо • т max, Рк, Рк, и • fh2lб, 2. Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3- Вт· ~3 • UкэR Uэво в max, Iк m;ix, • Iк, и max, Ii<эR, 1·· кэо, мА мкА (20*) А (20*) А (20*) А (20*) А 15(20*)А ~1 ~1 ~1 ~1 мА мА мА мА (40 В) (40 В) (40 В) (40 В) ~1 мА ~1 мА ~1 мА (40 В) (40 В) (40 В) ~1 мА (40 В) КТ819А КТ819Б КТ819В KT819f КТ819АМ КТ819БМ КТ819ВМ KT819fM n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 1,5 1,5 1,5 1,5 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 2 2 2 2 60* 60* 60* 60* Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 100* 100* 100* 100* Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт; Вт; Вт; Вт; Вт; Вт; Вт; Вт; А ~1 мА (40 В) А ~1 мА ~1 мА ~1 мА (40 (40 (40 ~1 ~1 ~1 ~1 (40 В) (40 В) (40 В) (40 В) А А мА мА мА мА В) В) В) \ КТ819А-1 КТ819Б-1 КТ819В-1 KT819f-1 n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 2 2 2 2 Вт; Вт; Вт; Вт; 100* 100* 100* 100* Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 А А А ~1 мА А ~1 мА 40* (0,1 к) 50* (О, lк) 70* (О, lк) 90* (О, 1к) 5 5 5 5 50* (О,lк) 70* (О, lк) 100* (О,lк) 5 5 5 0,5 (1,5*) 0,5 (1,5*) 0,5 (1,5*) А ~О А ~30 А ~О 50* (О, lк) 70* (О, lк) 100* (О,lк) 5 5 5 0,5 (1,5*) 0,5 (1,5*) 0,5 (1,5*) А А ~30 ~30 А ~30 45* (О,lк) 60* (О,lк) 100* (О,lк) 5 5 5 2 (4*) 2 (4*) 2 (4*) 45* (О, 1к) 60* (О, 1к) 100* (О,lк) 5 2 (4*) 2 (4*) 2 (4*) 15 15 15 15 (20*) (20*) (20*) (20*) ~1 мА ~1 мА (40 (40 (40 (40 В) В) В) В) , КТ820А-1 Вт ~3 Вт ~3 р-п-р 10* 10* 10* Вт ~3 n-p-n n-p-n n-p-n 10* 10* 10* Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 р-п-р КТ820Б-1 р-п-р КТ820В-1 КТ821А-1 КТ821Б-1 КТ821В-1 (40 В) (40 В) (40 В) (40 (40 (40 В) В) В) , КТ822А-1 р-п-р КТ822Б-1 р-п-р КТ822В-1 р-п-р 20* 20* 20* КТ82ЗА-1 n-p-n n-p-n n-p-n 20* 20* 20* КТ82ЗБ-1 КТ82ЗВ-1 Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт ~3 Вт :?::3 Вт ~3 5 5 А ~50 А ~50 А А А А В) В) ~О (40 (40 (40 ~50 ~50 ~50 (45 (45 (45 В) В) В) В)
Параметрь1 биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом С12э, rвэ нас, Ом пФ к;.~, дБ • ~15* В; А) (5 (5 В; 5 5 А) В; А) ::;;1000 SlOOO 51000 SlOOO (5 (5 (5 :?::12* (5 В; В; В; В; 5 5 5 5 А) А) А) А) SlOOO SlOOO s;lOOO SlOOO ~15* ~О* ~15* ~12* В; В; В; В; 5 5 5 5 А) А) А) А) (5 5 ~О* (5 В; 5 А) ~15* ~12* ~15* ~О* ~15* (5 (5 (5 (5 • Кш, дБ • •• Рвых, tб, Ом Вт 173 'tк, ПС • •• tвыкл, Корпус tpac, НС НС (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) S0,27 s;0,27 S0,27 S0,27 52500** S2500** S2500** S2500** КТ818М (5 В) (5 В) (5 В) (5 В) S0,4 S0,4 S0,4 S0,4 ::;;2500** S2500** 52500** 52500** КТ818-1 S0,4 s;0,4 50,4 s;0,4 ::;;2500** S2500** 52500** ::;;2500** КТ819 15,9 ~15* (5 В; 5 ~О* (5 В; 5 :?::15* (5 В; 5 ~12* (5 В; 5 А) А) А) А) ~40* (2 В; 0,15 А) :?::40* (2 В; 0,15 А) :?::30* (2 В; 0,15 А) S65 (5 S65 (5 S65 (5 В) В; В; В; 540 (5 S40 (5 S40 (5 В) :?::40* (2 :?::40* (2 :?::30* (2 ~5* ~5* ~5* (2 (2 (2 0,15 0,15 0,15 В; В; В; А) А) А) 1 А) 1 А) 1 А) В) В) В) В) Sl 15 (10 5115 (10 Sl 15 (10 В) В) В) г--'" (2 (2 (2 В; В; В; 1 А) 1 А) 1 А) 575 (10 S75 (10 S75 (10 В) В) В) D ЗК5 S0,4 S0,4 S0,4 S0,4 52500** S2500** 52500** S2500** КТ819М ::;;1 51 s;l Sl S2500** 52500** 52500** S2500** КТ819-1 КТ820-1, КТ821-1 Sl Sl Sl 51,2 51,2 ::;;1,2 S0,6 S0,6 S0,6 - - s;0,6 S0,6 S0,6 - - ~25* ~25* ~5* 11,8 ~··~ vw ' :?::15* (5 В; 5 А) ~О* (5 В; 5 А) ~15* (5 В; 5 А) ~12* (5 В; 5 А) ;- vv 10,7 '1' 5 КТ822-1, КТ823-1 ~Щ л/ \з 11 -
Раздел 174 • •• fh2lэ, ••• fmax, • •• max, Uкэо мrц в Вт ~4 Вт ~4 Вт ~4 90 60 30 Рк max, Тип Струк-· прибора тура • т max, Рк, •• и max, Рк, мВт KT825f КТ825Д КТ825Е p-n-p p-n-p p-n-p 125* 125* 125* f гр, fh2lб, 2. Бипопярнь1е транзисторы Uкво max, UкэR max, Uэво max, в 5 5 5 - Iкво, Iк max, • lкэR, • Iк. и max, 1** кэо, мА 20 (30*) 20 (30*) 20 (30*) мкА А А А ~1 *мА ~1* мА ~1 *мА (90 В) (60 В) (30 В) -- КТ826А КТ826Б КТ826В 15* Вт (50°С) 15* Вт (50°С) 15* Вт '(50°С) n-p-n n-p-n n-p-n ~6 ~6 ~6 700* (0,01 к) 700* (О,Оlк) 700* (О,Оlк) 5 5 5 1А 1А 1А ~2 мА мА ~2 мА 100* (1 к) 80* (lк) 60* (lк) 5 5 5 20 (40*) А 20 (40*) А 26 (40*) А ~з· мА (100 В) SЗ* мА (80 В) ~3* мА (60 В) 800* (0,01 к) 600* (0,01 к) 800* (О,01 к) 600* (О,Оlк) 5 5 5 5 5 5 5 5 (7,5*) (7,5*) (7,5*) (7,5*) А А А А ~5 мА (1400 В) ~5 мА (1200 В) ~5 мА (800 В) ~5 мА (600 В) 100* (lк) 80* (lк) 60* (lк) 45* (lк) 5 5 5 5 8 8 8 8 (12*) А (12*) А (12*) А (12*) А S2 (700 В) (700 В) (700 В} ' КТ827А КТ827Б КТ827В КТ828А КТ828Б КТ828В KT828f КТ829А КТ829Б КТ829В KT829f n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 1~5* 125* 125* Вт ~4 Вт ~4 Вт ~4 50* Вт (50°С) 50* Вт 50* Вт (50°С) 50* Вт 60* 60* 60* 60* ~4 ~4 ~4 ~4 Вт ~4 Вт ~4 Вт ~4 Вт ~4 ~1.5* мА (100 В) ~1.5* мА (80 В) ~1.5* мА (60 В) ~1.5* мА (60 В) ~ КТ830А КТ8ЗОБ КТ8ЗОВ ктsзоr КТ834А КТ834Б КТ834В КТ835А КТ835Б Вт p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 5* 5* 5* 5* n-p-n n-p-n n-p-n 100* 100* 100* p-n-p p-n-p . 25* 25* ~4 Вт Вт Вт ~4 . ~4 ~4 Вт ~4 Вт ~4 Вт ~4 Вт ~1 Вт *1 35 60 80 100 500* 450* 400* (О,lк) (О,lк) (О,lк) 30 45 5 5 5 5 2 А; 4* А 2 А; 4* А 2 А\ 4* А 2 А;' 4* А 8 8 8 15 (20*) А 15 (20*) А 15 (20*) А 4 4 ЗА 7,5 А ~100 (35 В) (60 В) ~100 (80 В) ~100 (100 В) ~100 SЗ* мА (500 В) (450 В) ~3* мА (400 В) SЗ* мА ~.1 мА ~.15 (30 В) мА (45 В)
Параf,Аетрь1 биполярных кремниевых транзисторов ~750* ~750* ~750* (10 В; 10 А) (10 В; 10 А) (10 В; 10 А) 10 .. .120* (JO В; 0,1 А) 5... 300* (1 О В; О, 1 А) 5... 120* (10 В; 0,1 А) 750 ... 18000* (3 В; 1О А) 750 ... 18000* (3 В; 10 В) 750 ... 18000* (3 В; 1О А) ~2.25* ~2.25* ~.25* ~.25* (3 В; (3 В; ~750* (3 В; ~750* (3 В; rкэ нас, Ом rвэ нас, Ом пФ к;.~, дБ ~600 ~600 ~600 ~25 ~5 ~5 (10 (10 (10 • •• Рвых, tб, Ом ~О.4 ~.4 ~О.4 В) В) В) ·~5 В). В) В) ~О.2 - 3 А) 3 А) 3 А) 3 А) Кш, дБ • (10 В) (10 В) (10 В) (100 (100 (100 ~400 ~400 ~400 (5 В; 4,5 А) (5 В; 4,5 А) (5 В; 4,5 А) (5 В; 4,5 А) ~750* ~750* Ск, С12э, • h21э, h21э ~5 ~5 ~О.2 ~О.2 50,66 . ~О.66 ~О.66 ~.66 5120 ~О.57 ~1·20 ~О.57 ~120 ~О.57 ~120 ~.57 - Вт 175 iк, ПС • tpac, •• tвыкл, Корпус нс НС - ~4.5** мкс - tcn~l500 - ~4.5* мкс - 510* - - КТ825, КТ826 ~4.5** мкс ~4.5** мкс tcn~700 tcn~700 ~№~ .~! ~~. V,1 ..:r . - КТ827, КТ828 ~4.5* мкс ~4.5* мкс :№ '~! 27,1 -... ~10* ~10* ~ ~10* КТ829 - 70,G5 O)j ~ -~л с.... ~О* ~20* (1 (1 (1 (1 В; В; В; В; - 1 А) 1 А) 1 А) 1 А) ~1.2 ~1.2 ~1.2 ~1.2 - ~1000* 99// ~1000* ~1000* ((:) j~ . '1ф 11 J11 к ~, ~.13 ~О.13 ~.13 - . - ~ 5100 (150 В) ~100 (150 В) ~100 (150 В) -r 1/,8 КТ830 51000* ((:)" 150... 3000* (5 В; 5 А) 150 ... 3000* (5 В; 5 А) 150... 3000* (5 В; 5 А) к '1 ~ ~20* о о 63 ·-.-· """:. ~ ~w ~20* к 1 111 tcn~l,2 МКС ]1 з 5 КТ834 tcn~l.2 мкс tcn~l,2 МКС '.~! ~r1~~ 27,1 • ff::)' 1 • 1 к ~5* (1 В; 1 А) 1'0... 100* (5 В; 2 А) ~soo оо В) ·~800 оо в> ~О.35 50,8 - - КТ835 _ 70,G5 0)1 1 ~ - ~ -т -~п с.... ~- 1/,8
176- Раздел Рк max, Тип Струк- прибора тура • т max, Рк. •• н max, Рк, мВт КТ837Ф p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n·p p-n-p p-n-p КТ838А n-p-n КТ838Б n-p-n КТ837А КТ837Б КТ8З7В КТ8371' КТ837Д КТ837Е КТ837Ж КТ837И КТ837К КТ837Л КТ8З7М КТ837Н КТ837П КТ837Р КТ837С КТ837Т КТ837У 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 12,5* • •• ••• fmax, f гр, fh2lб, fh2lэ, ~1 Вт ~1 Вт ~1 Вт ~1 Вт ~l Вт ~1 Вт ~1 Вт ~1 Вт ~1 Вт ~1 Вт ~l Вт ~1 Вт ~1 Вт ~1 Биполярные транзисторы Uкво max, • •• max, Uкэо UкэR max, мrц Вт 2. в - во 1·· кэо, мА 5 5 5 5 5 5 5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 7,5 15 15 15 15 15 15· 15 15 15 5 5 80 80 80 60 60 60 45 45 45 80 • IКЭR, • Iк. н max, в - Iкво, Iк max, Uэво max, - -... мкА А ~О.15 мА ~О.15 мА ~О.15 мА А ~О.15 А ~О.15 А А ~О.15 ~О.15 ~О.15 А ~0,15 А А А А ~О.15 А ~О.15 А А ~О.15 ~О.15 ~О.15 А 50,15 А ~О.15 А ~О.15 ~О.15 (80 В) (80 В) (80 В) мА (60 В) мА (60 В)мА (60 В) мА (45 В) мА (45 В) мА (45 В) мА (80 В) мА {80 В) мА (80 В) мА (60 В) мА (60 В) мА (60 В) мА (45 В) мА (45 В) мА (45 В) Вт ~1 Вт ~1 Вт ~1 Вт ~1 80 60 60 60 45 45 45 Вт (90°С) ~3 1500 5; 7 5 (7,5*) А ~1 *мА (1500 В) Вт ~3 1200 5; 7 5 (7,5*) А ~1 * мА (1200 В) 5 10 А / ~1 мА (1500 В) 12,5* А А ~ КТ839А n-p-n 50* Вт ~5 1500 КТ840А n-p-n n-p·n n-p-n 60* 60* 60* Вт ~8 Вт ~8 Вт ~8 400*; 900 350*; 750 800; 375* КТ840Б КТ840В n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p·n 3 (50*) Вт 3 (50*) Вт 3 (50*) Вт 100* Вт 100* Вт 50* Вт КТ842В p-n-p p-n-p p-n-p 3 (50*) Вт 3 (50*) Вт 100* Вт КТ844А n-p-n 50* КТ845А n-p-n КТ846А n-p-n n-p-n n-p-n КТ841А КТ841Б КТ841В - КТ841Г -КТ841Д КТ841Е КТ842А КТ842Б КТ846Б КТ846В КТ847А КТ847Б · ~10 . 5 5 5 6 (8*) А 6 (8*) А 6 (8*) А 10{15*)А ~мА (15*) А (15*) А (15*) А (15*) А (15*) А ~мА 600 400 600 200 500 800 5 5 5 5 5 5 10 10 10 10 10 ~7 300 200 200 5 5 5 5 (10*) 5 (10*) 5 (10*) Вт (50°С) ~7.2 250* (0,01 к) 4 10 (20*) 40* Вт (50°С) ~4.5 400* (О,Оlк) 4 Вт (90°С) ~2 Вт (95°С) ~2 Вт (95"С) ~2 1500* (О,01 к) 1200 1500 5; 7 5; 7 5; 7 650* (О,01 к) 650* (О,Оlк) 8 8 520 400 15 15 12,5* 12,5* 12,5* n-p-n n-p-n 125* 125* ~10 ~10 ~7 ~5 ~7 ~20 ~20 Вт ~15 Вт ~10 ~мА мА ~мА (900 (750 (800 53 В) В) В) (600 В) (400 В) ~З-мА (600 В) ~мА (200 В) ~мА (500 В) ~3 мА (800 В) А ~1 мА А ~1 мА А ~1 мА (300 (200 (200 А ~3* мА (250 5 (7,5*) А ~3* мА (400 В) 5 (7,5*) 5 (7,5*) 5 (7,5*) А ~1 * мА А ~1 * мА А ~1 * мА 15 (25*) А 15 (25*) А 5 5 мА мА В) В) В) (1500 (1200 (1500 (650 (650 В) В) В) В) В) В) ' КТ848А КТ848Б n-p-n n-p-n 35* 35* Вт (1ОО С) 0 ~3 0 ~3 Вт (1ОО С) - 15 15 А А ~3* мА (400 В) ~3* мА (400 В)
Параметрь1 бипопярньtх кремниевь1х транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кw,дБ r.6,Ом пФ rБэ нас, Ом к;.~, дБ • С12з, h21з, h21э - 1О .. .40* (5 В; 2 А) 20".80* (5 В; 2 А) 50".150* (5 В; 2 А) 10.. .40* (5 В; 2 А) 20 ... 80* (5 В; 2 А) 50... 150* (5 В; 2 А) 10.. .40* (5 В; 2 А) 20... 80* (5 В; 2 А) 50-... 150* (5 В; 2 А) 10.. .40* (5 В; 2 А) 20 ... 80* (5 В; 2 А) 50... 150* (5 В; 2 А) 10.. .40* (5 В; 2 А) 20... 80* (5 В; 2 А) 50 .. .150* (5 В; 2 А) 10.. .40* (5 В; 2 А) 20 •.. 80* (5 В; 2 А) 50 ... 150* (5 В; 2 А) - ~.8 ~.8 :::;;о,8 ~.3 :::;;О,3 ~.3 ~.25 ~.25 ~.25 ~.8 :::;;О,8 ~.8 ~.3 :::;;о,3 ~.з :::;;О,25 :::;;О,25 - ~.25 ~4* (5 В; 3,5 А) 170 (10 В) :::;;1,1 ~4* (5 В; 3,5 А) 170 (10 В) :::;;1t1 А) 240 (10 В) :::;;О,375 •• 1 Рвых - - Вт 177, 'tк, ПС • 1 tpac •• tвыкл, НС :::;;10* мкс; tcn:::;;l ,5 :::;;10* мкс ~5* (10 В; 4 10... 60* (2,5 В; 8 А) ~10* (2,5 В; 8 А) 10... 100* (2,5 В; 8 А) ~12* ~12* ~12* ~О* ~О* ~10* ~15* ~15* ~20* (5 (5 (5 (5 (5 (5 (4 (4 (4 В; В; В; В; В; В; 5 А) 5 А) 5 А) 5 А) 2 А) 5 А) В; В; В; 10... 50* (3 15 ... 100* (5 А) А) 5 5 5 В; А) 6 В; А) 2 А) . - :::;;О,75 :::;;О,75 ~.24 :::;;300 оо в) :::;;300 (10 В) :::;;300 оо в> :::;;300 оо в) :::;;300 (10 В) :::;;300 оо в) 250 (10 250 (10 250 (10 В) В) В) :::;;300 оо в> :::;;45 (200 В) - - :::;;о,4 - ~.75 - :::;;О,3 ~.3 ~.3 :::;;о,3 :::;;о,3 ~.3 :::;;О,36 :::;;О,36 :::;;О,44 Корпус НС :::;;10* мкс; tcn:::;;l ,5 КТ837 10,7 1 1 т 1*1i 1с') j ~ 5ct -.~ ~ ....... IJ,8 - ~ КТ838,КТ839,КТ840 ,~!) ~№~ ~· V,I ..:r . .к tсп:::;;О,6 tсп~.6 :::;;3500* :::;;1000* :::;;1000* :::;;1000* :::;;1000* :::;;1000* :::;;1000* 800* . 800* 800* КТ841, КТ842, КТ844 . . --№~ ~t) ~ ~ 27,/ О) ..:r ~ • . - 1 к :::;;200 :::;;О,22 - :::;;1, 1 :::;;1, 1 - :::;;4000* КТ845, КТ846, КТ847, :::;;12000* :::;;12000* :::;;12000* ~№~"~!т 27,/ ~ ' 8... 25* (3 8... 25* (3 ~О* _~20* (5 (5 В; В; В; В; 15 15 15 15 А) А) А) А) :::;;200 (400 :::;;200 "(400 - В) ~.1 В) ~.1 :::;;0,2 ~.2 . :::;;2000* КТ848 - / - :::;;2000* :::;;3000* - - - 1 • 11 к
Раздел 178 f гр, fh2lб, f h21э, •• Рк max, Тип Струк- прибора тура • •• и max, Рк, Рк, т max, ••• fmax, КТ850А КТ850В КТ851А КТ851Б КТ851В КТ852А КТ852Б КТ852В KT852f Бипопярнь1е транзисторы Uкво max, . UКэR max, Uэво max, КЭО max, в u•• Iкво, Iк max, "?:.20 "?:.20 5 5 5 2 (3*) 2 (3*) 2 (3*) А А 2 (3*) 2 (3*) 2 (3*) Вт Вт ~о 250 300 180 p-n-p p-n-p p-n-p. 25* 25* 25* Вт "?:.20 "?:.20 "?:.20 250 300 180 5 5 5 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 50* 50* 50* 50* Вт "?:.7 "?:.7 "?:.7 "?:.7 100 80 60 45 5, 5 5 5 Вт Вт Вт Вт Вт ' кэо,. мкА Вт 25* 25* 25* 1·· мА в n-p-n n-p-n n-p-n • IКЭR, • Iк, и max, мrц мВт КТ850Б 2. А В) В) А А А ~100 ~500 ~500 В) В) В) (4*) (4*) (4*) (4*) А А А А (12*) (12*) (12*) {12*) А 2,5 2,5 2-;5 2,5 В) ::;100 (250 ~500 (300 ~500 (180 (250 (300 (180 ~1 мА ~1 мА ~1 мА ~1 мА (100 В) (80 В) (60 В) (45 В) КТ85ЗА КТ85ЗБ КТ85ЗВ КТ85Зf КТ854А КТ854Б КТ855А КТ855Б КТ855В КТ856А КТ856Б КТ856А-1 КТ856Б-1 "?:.7 "?:.7 "?:.7 "?:.7 100 80 60 45 5 5 5 5 8 8 8 8 "?:.10 "?:.10 600 400 5 5 10 (15*) 10 (15*) "?:.5 "?:.5 "?:.5 250 150 150 5 5 5 5 (8*) 5 (8*) 5 (8*) "?:.10 "?:.10 800 700 Вт 10 10 Вт "?:.10 p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 60* 60* 60* 60* Вт n-p-n n-p-n 60* 60* Вт p-n-p p-n-p p-n-p 40* 40* 40* Вт n-p-n n-p-n . 75* 75* Вт n-p-n n-p-n 50* 50* Вт 60* Вт Вт Вт Вт Вт Вт Вт 5 5 10 800 600 5 5 10 250 6 7 (10*) ~ А А А А ~3 мА мА (600 (400 В) В) А А ~1000 ~1000 В) В) А ~1000 (250 (150 (150 мА (800 В) А 10А;12*А А; 12* А S3 S3 S3 В) мА (бОО В) ~3 мА S3 мА (800 (600 В) В) А ~5 мА (250 В) А ~1 мА (400 В) ~1 мА (800 В) 10А;12*А А; ::;200 (100 в) ::;200 (80 В) ::;200 (60 В) ~00 (45 В) 12* А . КТ857А n-p-n . КТ858А n-p-n 60* Вт "?:.10 400 6 7 (10*) КТ859А n-p-n 40* Вт "?:.10 800 10 3 (4*) КТ862Б n-p-n n-p-n .. n·p-n 50* 50* 50* Вт Вт "?:.20 "?:.20 "?:.20 450 600 (350**) 600 (400**) 5 5 5 КТ862В KT862f Вт . 1 15 10 10 - А; А; А; А 25* 15* 15* А А А ::;2,5 мА (300 В) S3 мА (600 В) S3 мА (600 В)
Параметрь1 биполярных кремниев_ых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом • С12э, • нас, rвэ Ом к;.~, дБ пФ Кш, дБ • •• Рвых, rб, Ом Вт 179 'tк, ПС • tpac, •• tвыкл, НС 40".200* (10 В; 0,5 А) ~О* (10 В; 0,5 А) ~20* (1 О В; 0,5 А) S35 (5 В) :s;35 (5 В) :s;35 (5 В) 1500* 1500* 1500* 40."200* (10 В; 0,5 А) 20".200* (1 О В; 0,5 А) 20."200* (10 В; 0,5 А) 40 (5 В) 40 (5 В) 40 (5 В) 1400* 1400* 1400* ~5QO* ~500* (4 В; 2 А) (4 В; 2 А) ~1000* (4 В; 1 А) ~1000* (4 В; 1 А) ~750* ~750* ~750* ~750* ~20* (3 (3 (3 (3 В; В; В; В; 3 3 3 3 А) А) А) А) :s;28 :s;28 :s;28 :s;28 (5 (5 (5 (5 :s;120 :s;l20 :s;l20 :s;l20 (5 (5 (5 (5 В) В) :s;l,25 В) :s;l,25 :s;l,25 В) ~1.25 В) :s;0,66 В) В) В) ~.66 ~О.66 ~О.66 В) ~.4 В) ~О.4 200 (10 В) 200 (10 В) 200 (10 В) :s;0,5 ~20* (4 В; 2 А) (4 В; 2 А) 200 (10 200 (10 ~20* ~20* ~15* (4 В; 2 А) (4 В; 2 А) (4 В; 2 А) КТ850, КТ851, КТ852 2000** 2000** 2000** 2000** 3300** 3300** 3300** 3300** КТ853, КТ854, КТ855 tcn=700 tcn=700 ~О.5 ~О.5 10... 60* (5 В; 5 А) \il0 ... 60* (5 В; 5 А) :s;lOO (90 :s;lOO (90 В) :s;0,3 ~.3 :s;2* :s;2* мкс В) 10."60* (5 В; 5 А) 10... 60* (5 В; 5 А) :s;lOO (90 :s;lOO (90 В) ~.3 ~о.3 :s;2* :s;2* мкс В) Корпус НС КТ856 мкс КТ856-1 мкс 15,9 .....--~+::--i 5 ~~ ::::" "':rij::=t~ с.,. ~ ~~ ~и~ о к з ~7.5* (1 В; 3 А) :s;0,33 :s;2500* КТ857, КТ858, КТ859 70,G5 ~10* (5 В; 5 А) :s;0,2 :s;2500* ::f' -, 1*1i -т"'в с... ~10* (10 В; 1 А) 12".100* (5 В; 8 А) 12 ... 50* (5 В; 5 А) 12".50* (5 В; 5 А) :s;l,5 S3500* SЗОО ~.13 :s;lOOO* ~50 :s;0,29 :s;0,29 ~ООО* (30 В) (10 В) :s;250 (10 В) ~ООО* ~-r-lrr 6КЗ КТ862
Раздел 180 2. Биполярнь1е mранзисторь1 - Рк max, Тип Струк- прибора тура КТ86ЗА КТ86ЗБ КТ86ЗВ r.-p-n n-p-n n-p-n • •• н max, Рк, Рк, т max, f гр, • fh2lб, ** fh2lз, Uкво max, * max, UкэR ••• fmax, ** max, Uкэо мВт мrц в 50* Вт 50* Вт 50* Вт 24 24 24 30 30 IКэR, • Iк, и max, в 1·· кэо, мА мкА ~1 мА ~1 мА ~1 мА 10 А 10 А 10 А 5 5 5 1~0 Iкво, Iк max, Uэво rгал, (30 В) (30 В) (30 В) 1 - --- - - - - - - - КТ864А n-p-n -11JC* Вт 215 200 6 КТ865А p-n-p lOC · .DT 215 200 6 --' С_\ n-p-n n-p-n 30* Вт 30* Вт 25 25 200; 100** 200; 80** 4 4 15 А; 20* А 1 15 А; 20* А 225 200 7 25 А (40* А) 28 900 750 5 5 6 (8*) А 6 (8*) А ~3 мА (900 В) ~3 мА (750 В) 1500; 700* 1500; 700* 1200; 600* 6 6 6 8 (15*) А 8 (15*) А 8 (15*) А ~1 мА (1500 В) ~1 мА (1500 В) 150; 100* (О,Оlк) 150; 120* (О,Оlк) 5 30 А; 50* А ~3 мА 5· 30 А; 50* А . ~3 мА (150 В) 900* (0,01 к) 800* (0,01 к) 600* (0,01 к) 5 6 6 25 (50*) А 25 (50*) А 25 (50*) А ~3 мА (900 В) ~мА (800 В) ~мА (600 В) КТ866А КТ866Б 10 (15*1 "· ~100 (200 В) ~100 (200 --в: -- ' 1 ' 1 ~25 мА ~25 мА \ 100 В) llOO В) ·- КТ867А n-p-n 100* КТ868А n-p-n n-p-n 70* Вт 70* Вт 100*· Вт 100* Вт 100* Вт 27 КТ872В n-p-n n-p-n n-p-n . КТ874А n-p-n 75* Вт 220 КТ874Б n-p-n 75* Вт 220 КТ878А n-p-n n-p-n n-p-n КТ868Б КТ872А КТ872Б КТ878Б КТ878В Вт 150* Вт 2 Вт; 100* Вт 2 Вт; 100* Вт ~8 ~7 27 210 210 210 - ~3 (250 В) ~1· мА (1200 В) (150 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, Сi2э, пФ ~100* (2 В; 5 А) ~70* (2 В; 5 А) ~70* (2 В; 5 А) 181 Скэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС * нас, Свэ rб, Ом * НС tpac, Ом к;.~, дБ ** Рвых, Вт ** tвыкл, Корпус НС КТ863 :S0,06 :SO,l :SO,l _70,G5 -тlt,8 ~ 1*1i - ~·un ~ 40 ... 200* ( 4 В; 2 А) ::;300 (5 В) :S0,6 40... 200* (4 В; 2 А) :S300 (5 В) ::;О,3 :S400 (10 В) :S400 (10 В) :S0, 15 :S0,15 ~15* 110 В; 10 А) ~15* (10 В; 10 А) . 6КЭ КТ864,КТ865 КТ866 :S450** :S450** 212 ~10* (5 В; 20 А) :S400 (10 В) :S0,075 1,3* мкс КТ867 . j,~f ., . -"~~ lli °' . 27,1 ~ ~ ~ к 10... 60* (5 В; 0,6 А) 10... 100* (5 В; 0,6 А) :Sl 00 (80 В) :Sl 00 (80 В) :S0,75 :S0,75 КТ868, КТ872 :S3500* :S3500* 15,9 ~). j ~6 ~6 ~6 (5 В; 30 мА) (5 В; 30 мА) (5 В; 30 мА) :Sl25 (15 В) :Sl25 (15 В) :Sl25 (15 В) :S0,22 ::; 1, 1 ::; 1, 1 200 (100 В) :S0,04 0,5* мкс 10.. .40* (5 В; 30 А) 200 (100 В) :S0,04 0,5* 12 ... 50* (5 В; 10 А) 12 ... 50* (5 В; 10 А) 12 ... 50* (5 В; 10 А) :S500 (10 В) :S500 (10 В) :S500 (10 В) · :SO,l :SO,l :SO,l ::" ":n;:::::::i:=::И с-.. ~ • :S7500* :S7500* :S7500* 15 ... 50* (5 В; 30 А) 5 ~·. ~ ~: ~ "к з КТ874 мкс ::;3000* :S3000* :S3000* КТ878 ,~f ·~~~~. 27,1 ~ - 1 к
Раздел 182 ' Рк max, Тип Струк- приб.ора тура * т max, Рк, ** Рк, и max, п:р-п КТ879Б п-р-п КТ885А П•р-Л КТ885Б п-р-п Uкво max, * max, UкэR ** max, Uкэо . fmax, *** МГц в Вт ~10 Вт ~10 200 200 150* Вт 150* Вт ~15 мВт КТ879А fгр, fh2lб, fi;2'1э, 250* 250* ~15 2. Биполярные транзисторы 400* (О,Оlк) 500* (О,Оlк) Iк max, Uэво max, * и max, lк, в . мА Iкво, IКэR, 1КЭ0, мкА 6 6 50 А; (75*) А 50 А; (75*) А SЗ мА (200 В) S3 мА (200 В) 5 5 40 (60*) А 40 (60*) А Sl мА (500 В) S1 ~А (500 В) ., КТ886А-1 ' 75* 75* п-р-п КТ886Б-1 п-р-п КТ887А р-п-р КТ887Б р-п-р 3 3 Вт; Вт; Вт ~10,5 Вт ~10,5 75* 75* Вт ~15 Вт ~15 1400*{0,Оlк) 1000*(0,Оlк) 7 7 10 А; (15*) А 10 А; (15*) А SO,l мА (1000 В) S0,5 мА (1000 В) 700 600 5 5 2 А; (5*) А 2 А; (5*) А S0,25 мА (700 В) S0,25 мА ~600 В) 7 7 100 (200*) 100 (200*) SIO (900 В) SlO (600 В) - КТ888А р-п-р КТ888Б p-n-p КТ890А n-p-n КТ890Б п-р-п КТ890В п-р-п КТ892А п-р-п КТ892Б п-р-п КТ892В п-р-п 0,8 0,8 Вт; Вт; 120* 120* 120* 100* 100* 100* 7* 7* Вт вт Вт Вт Вт Вт Вт ~15 Вт ~15 900 600 40 40 40 650 500 350 5 5 5 8 8 8 350* (О,Оlк) 400* (О,Оlк) 300* (0,01 к) 5 5 5 20 20 20 А А А 15 (30*) А 15(30*)А 15 (30*) А ' ·t~ 0,5** мА (350 В) 0,25** мА (350 В) 0,25** мА (350 В) s3 мА (350 В) S3 мА (400 В) S3 мА (300 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, * С12э, 183 Скэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, пс * нас, Свэ rб, Ом * НС tpac, ** Вт Рвых, ** НС tвыкл, Ом пФ к;.~, дБ ~20* ~15* (4 В; 20 А) (4 В; 20 А) $800 (10 В) S800 (10 В) S0,06 SO,l 1,2* 1,2* ~12* ~12* (5 В; 20 А) (5 В; 20 А) S200 (100 В) S200 (100 В) S0,08 S0,08 S2000* S2000* 6".25* (5 В; 4 А) 6."25* (5 В; 4 А) Sl35 (10 В) Sl35 (10 В) S0,25 S0,25 2,5* 2,5* Корпус / мкс КТ879 мкс КТ885 мкс КТ886-1 мкс 15,9 ,--~;:-t 5 j /~~ ::" r-..;:r11=t=I (',с 20".120* (9 В; 1 А) ,;оо."120* (9 В; 1 А) ,, 1 30".120* (30 В; 30 мА) 30".120* (30 В; 30 мА) 350 (10 В) 350 (10 В) Sl,5 Sl,5 S5* s5* S50 :SSO S3* S3* t::! 1 мкс КТ887 мкс мкс КТ888 мкс {49,11 - - ~. r' кфз ~.µ=:и;;111~JI~, С'& ~200* (5 В; 5 А) ~00* ~00* (5 В; 5 А) (5 В; 5 А) 1 '1111 б КТ890 ·so.23 S0,22 S0,2 15,9 5 l ~300* (10 В; 5 А) ~300* (10 В; 5 А) ~300* ( 10 В; 5 А) / S0,225 S0,225 S0,225 tcnS4 ~кс tcnS4 МКС tcnS4 МКС КТ892
Разоел 2. Биполярные транзисторы 184 fгр 1 fh2lб, fh'21э, Рк max, Тип Струк- прибора тура * т max1 Рк, ** Рк, и max1 мВт КТ89ЗА 120* п-р-п Uкво max, f max, *** * max, UкэR ** max, Uкэо МГц в - Вт Uэво max, в , 800* (0,Оlк) 5 90* (lк) 60* (lк) 5 5 Iкво, lк max, IКэR, IКЭо, * и max1 lк, мА 6 А; 8* мкА А ~1 * мА (800 В) , ' КТ896А р-п-р КТ896Б р-п·р , 2 Вт; 125* Вт 2 Вт; 125* Вт ~4 ~4 - 20 А (30* А) 20 А (30* А) , • КТ897А п-р-п КТ897Б- п-р-п 3 3 Вт; Вт; 150* 150* Вт Вт ~10 ~10 350 200 5 5 ~250 ~250 20 А (30* А) 20 А (30* А) (350 В) (200 В) ' ~ " КТ898А п-р-п КТ898Б п-р-п 1,5 1,5 Вт; Вт; 125* 125* 350 200 5 5 20 А_(30* А) 20 А (30* А) - 350 200 5 5 20 А (30* А) 20 А (30* А) - ~10 ~8 160 5 8А(15*А) Вт ~10 Вт ~10 - КТ898А-1 п-р-п КТ898Б-1 п-р-п КТ899А п-р-п 1,5 Вт; 60* Вт 1,5 Вт; 60* Вт 40* Вт ~10 - ~1 (160В) 1 КТ902А п-р-п 30* Вт (50°С) ~35 65 (110 имп.) 5 5А ~10 мА (70 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Кw,дБ Ск, Скэ нас, Ом "' С12э, Свэ нас, Ом rб, Ом "' НС tpac, к;.~, дБ р вых, "'"' Вт tвыкл, НС пФ 10 ... 20* 750 ... 18000* (10 В; 5 А) 750 ... 18000* (10 В; 5 А) 185 ~700 (10 В) ~700 (10 В) "' "' 'tк, ПС Корпус "'"' ~.6 '~2* мкс КТ893 ~.4 ~4500** КТ896 ~О.4 ~4500** _15,9 l 1 ~400* ~400* (5 (5 В; В; 5 5 ~400* (5 (5 В; В; 5 А) 5 А) ~400* А) А) ~О.23 КТ897 ~.23 ~О.23 КТ898 ~О.23 ~400* (5 В; 5 А) ~400* (5 В; 5 А) 15,9 (5 В; 5 А) КТ898-1 ~.23 с изолированными выводами ~.26 (10 В; 2 А) . ~00 (10 В) ~1; ~7** 5 КТ899 15,9 ~15* 5 ~О.23 15,9 ~1000* 5 ~О** (10 МГц) КТ902 5
Раздел 186 Рк max, Тип Ст рук- прибора тура КТ902АМ П·р-П frp, fh2lб, 2. Uкво max, Биполярные транзиGmоры Iкво, Iк max, * т max, Рк. ** Рк. и max, ti;21э, * max1 UкэR Uэво max, f max, *** ** max, Uкэо в IКэR, мВт МГц в 30* Вт (50°С) ~35 65 (110 имп.) 5 5А 30* Вт (60**) 30* Вт (60**) ~120 60 (80 имп.) 60 (80 имп.) 4 4 3 (5*) А 3 (5*) А ~10* мА (70 В) ~10* мА (70 В) 5* Вт (40°С) 5* Вт (40°С) ~350 60* (О,lк) 60* (О,lк) 4 4 0,8 (1,5*) А 0,8 (1,5*) А ~1.5* мА (60 В) ~1.5* мА (60 В) 4 4 1 (3*) А 1 (3*) А ~·мА (60В) ~·мА (60 В) * и max1 Iк. 1** кэо, мА мкА ~10 мА (70 В) \ КТ903А п-р-п КТ903Б П·р·П КТ904А п-р-п КТ904Б п-р-п ~120 ~300 ' КТ907А п-р-п КТ907Б п-р-п 13,5* 13,5* Вт ~350 Вт ~300 60* (О,lк) 60* (О,lк) КТ908А П·р·П КТ908Б п-р-п КТ909А п-р-п КТ909Б' п-р-п КТ9098 П·р·П КТ909Г п-р-п 50* Вт (50°С) 50* Вт (50°С) ~30 27* Вт 54* Вт 27* Вт 54* Вт ~350 ~30 ~500 ~300 ~450 100* (0,01 к) 60* (О,25к) 60* 60* 60* 60* (0,Оlк) (О,01 к) (О,Оlк) (О,Оlк) 5 5 3,5 3,5 3,5 3,5 10 10 2 4 2 4 ~25* мА (100 В) ~50* мА,.(60 В) А А (4*) (8*) (4*) (8*) А А А А 30* 60* 30* 60* мА мА мА мА (60 (60 (60 (60 В) В) В) В) 1 КТ9101АС п-р-п 128* Вт ~350 50 4 КТ9104А п-р-п Вт ~00 КТ9104Б п-р-п 10** 23** Вт ~600 50 50 4 4 7А 1,5 А 5А ~о мА (50 В) ~10 мА ~о мА (50 В) (50 В)
Параметры биполярн"1х кремниевых транзисторов ~15* (10 В; 2 А) 187 Ск, Скэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, * нас, Ом Свэ rб, Ом * 1 НС tpac пФ к;.~, дБ s3oo (10 в) Sl;~7** ** Рвых, ~20* * Вт ** 1 tвыкл Корпус НС (l О МГц) КТ902М . .1-1. . . .~.. . . . "~ " j~ ~1 ~.Ul 111 15 ... 70* (10 В; 2 А) 40 ... ·180* (10 В; 2 А) S180 (ЗО·В) Sl80 (30-В) ::;;1,15; ~3** Sl,25;.~3** ~10** ~10** (50 МГц) (50 МГц) э 6 КТ903 1123,5_ е!~t=1~Ь:ЛД~ ((({[~ (j~~ -- ~10* ~l О* (5 В; 0,25 А) (5 в; 0,25 А) Sl2 (28 В) Sl2 (28 В) S5; ~2.5** S5; ~2** ~3** ~2.5** (400 МГц) (400 МГц) КТ904, КТ907 , ~10* ~10* , (5 В; 0,4 А) (5 В; 0,4 А) S20 (30 В) $20 (30 В) S4; ~** S4; ~1.5** 8... 60* (2 В; 1О А) ~20* (4 В; 4 А) S700 (10 В) S700 (10 В) $0,15 S0,25 S30 S60 S35 S60 (28 В) (28 В) (28 В) (28 В) Sl50 (28 В) - S0,3; ~1.7** S0,18; ~1,75** $0,3; ~1.2** S0,18; ~1,5** ~5.5** ~8** ~6** 11 ;: w (400 МГц) (400 МГц) , КТ9101 S45 с-.. te:) ~ 5,8 - - $20 (28 В) S40 (28 В) ~8** ~7** ~5** (0,7 ГГц) ~20** (0,7 ГГц) 6 КТ909 ~[] - ~rmт КТ908 20** (500 МГц) 40** (500 МГц) 15** (500 МГц) ~30** (500 МГц) (0,7 ГГц) '1 ~ ~L)iпr $2600* $2600* ~100** М5 к к ' ~5 1 .... -t 18,2 з .. з КТ9104 $20 S20 б ~[j s.в_ ~ к~з ~--+-= ~ - 24 -
Раздел 188 Рк max, Тип Струк- прибора тура frp, fh2lб, 2. Биполярные транзисторы UкБО max, * т max, Рк, ** Рк. и max,· fhZ!э, *** fmax, * max, UкэR ** Uкэо max, мВт МГц в lкю, lк max, UэБО max, IКэR, IКЭо, * и max, lк, в мА мкА - КТ9105АС п-р-п 133* Вт ~660 50* (0,01 к) 4 16 А ::;;120* мА (50 В) КТ9109А п-р-п 1120** Вт ~360 65 4 29* А ::;;60 мА (65 В) v п-р-п 200** Вт ~200 120 4 10 А ::;;100 мА (100 В) КТ9116А п-р-п 55* (0,Оlк) 55* (О,Оlк) 4 4 4А п-р-п 46* Вт 76,7* Вт ~240 КТ9116Б 10 А ::;;30 мА (55 В) ::;;100 мАi (55 В) КТ911А п-р-п З* Вт ~750 КТ9НБ п-р-п п-р-п КТ9НГ п-р-п 3* Вт 3* Вт 3* Вт ~600 КТ9НВ 55 55 40 40 3 3 3 3 0,4 0,4 0,4 0,4 КТ912А п-р-п КТ912Б п-р-п 70* (0,Оlк) 70* (0,Оlк) 5 5 20 А 20 А ::;;50* мА (70 В) ::;;50* мА (70 В) КТ913А п-р-п КТ913Б п-р-п КТ913В п-р-п 55 55 55 3,5 3,5 3,5 0,5 (1 *)А 1 (2*) А 1 (2*) А ::;;25* мА (55 В) ::;;50* мА (55 В) ::;;50* мА ( 55 В). КТ9111А ~230 \ 30* Вт (85°С) 30* Вт (85°С) 4,7* Вт (55°С) 8* Вт (70°С) 12* Вт ~750 ~600 ~90 ~90 ~900 ~900 ~900 - А А А А ::;;5 ::;;5 ::;;5 ::;;5 мА мА мА мА (55 (55 (40 (40 В) В) В) В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов. Ск, Сi2э, пФ ~160* (5 В; 0,1 А) ~240 189 Скэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * НС tpac, (28 В) ~5** ** Рвых, ~100** Вт (0,5 ГГц) ** tвыкл, Корпус НС ~12 КТ9105 .<Р. ~IJ- ~K-n 1 ... (50 В) ~3.5** (820 МГц) ~500** (820 МГц) ь 5 ~=-(tc):::!:::13 ""-+--+- 23, 2 8,5 ~140 W..Y с... КТ9109 5,8 ~10* (10 В; 5 А) ~150 (50 В) 2::10** ~150** - 24 (80 МГц) КТ9111 ~~ '& lr , (5 В; 0,5 А) (5 В; 0,5 А) ~55 (28 В) ~155 (28 В) ~25** ~10** ~5** (225 МГц) ~15** (225 МГц) ~ ~з ~··С!\:) 6 ~·· 12,5 ~25 КТ9116 ~30 .::t [] 1 - 8,J 10 ... 50* (10 В; 5 А) 20".100* (10 В; 5 А) ~10* (10 В; 0,5 А) ~10* (10.В; 0,5 А) ~10* ( 10 В; 0,5 А) ~200 ~200 (28 В) (28 В) (28 В) (28 В) (27 (27 В) В) ~6 (28 В) ~12 (28 В) ~14 (28 В) ~5; ~2.5** ~5; ~2.6** ~5; ~2.2** ~5; ~2.2** ~1**(1,8ГГц) ~1 **.(l ГГц) ~25 ~.8** (l ,8 ГГц) ~.8** (1 ГГц) ~100 ~О.12; ~10** ~70** ~О.12 ~70** ~l.l; ~2** ~l.l; ~2** ~l.l; ~2** (30 (30 ~25 КТ911 ·~50 МГц) КТ912 МГц) ~3** ~18 ~5** (1 ГГц) (1 ГГц) ~10** (1 ГГц) ~15 ~15 з J5,8 ;::' [~н . ~10 ~10 ~10 ~10 к 1.(-) • ' В.J ~20* ~20* _з г 6 КТ913
Раздел 190 1 Рк max1 Тип Струк- прибора тура * т max, Рк, ** Рк, и max, 50* р-п-р Вт UкБО max, * max, UкэR ** Uкэо max, *** fmax, Мfц мВт КТ9120А fгр 1 fh2lб 1 fh'2'1э, 2. Биполярные транзисторы UэБО max, в в 1 ~50 45* (О,lк) 5 lк max, * и max, Iк, мА IКБО, IКэR, IКЭо, мкА 12 (30*) А :SO,l мА (45 В) - КТ9121А п-р-п 92** Вт - 42 3 9,2* А :Sl5 мА (42 В) КТ9121Б n-p-n 46** Вт - 42 3 4,6* А :S7,5 мА (42 В) КТ9121В п-р-п 11,5** Вт - 42 3 1,15* А :S2,5 мА (42 В) KT9121f п-р-п 130** Вт - 42 3 13* А :S22 мА (42 В) ~660 55* (10 Ом) 4 4А :S60* мА (55 В) ~100 100* (0,Оlк) 4 30 А :S200* мА (100 В) - 65 3 38* А :S60* мА (65 В) - 65 3 19* А :S30* мА (65 В) ~200 50* (10 Ом) 4 18 А :SlOO* мА (50 В) ~200 250 6 150 :Sl мкА (250 В) - КТ9125АС 60* Вт (40°С) п-р-п ' .. , КТ9126А п-р-п 330* Вт (50°С) . Вт КТ9127А п-р-п КТ9127Б п-р-п 524** Вт КТ9128АС п-р-п 180* Вт (50°С) КТ9130А п-р-п 1151 ** 10* Вт
параметры биполярных кремниевых транзисторов ~40* (1 В; 4 А) :S1900 (10 В) 191 :S0,75 КТ9120 :S500* 11,8 т 14') ~ ~ ,.. а ЗК6 ~6.4** ~35** (2,3 ... 2, 7 ~6.4** КТ9121 ГГц) ~17** (2,3 ... 2,7 ГГц) ~ ~4** ~6.4** (2,3".2,7 ГГц) ~12,5** ~50** (2,3".2,7 ГГц) :Sl 10* (5 В; 0,5 А) :S70 (28 В) ~6** (500 МГц) ~50** (500 МГц) КТ9125 :S20 8,5 ~10* (10 В; 5 А) :S500 (50 В) ~13**; :S0,05 ~500** ( 1,5 МГц) КТ9126 ...... "А &, 1 ~ :::S~aк '1 ..... , 8.J 12,5 ~5.6** ~550** (1,025".1, 15 ~6.2** КТ9127 ГГц) ~250** (1,025".1,15 ГГц) 4,6 :SlOO* (5 В; 0,5 А) 10 .. .45 (9 В; 20 мА) :S430 (28 В) :S6 (10 В) 7** ( 175 МГц) ~200** (175 МГц) :S30 КТ9128 КТ9130 :S50 / з 'JS,8
Раздел 192 Ркmа.х, Струк- Тип прибора 1 тура * Рк, т max, ** Рк, и max, мВт * fгр 1 fh21б1 ** fh21э, *** fmax 1 Uкоо 2. Биполярные транзисторы ma.x, * UкэR max, ** Uкэо max, Uэоо в МГц в ~225 55* (О,Оlк) 4 max, Iк max 1 * Iк. и max 1 мА IКэR, 1** кэо, мкА ~00* мА (55 В) КТ9133А п-р-п 130* КТ9134А п-р-п 2600** Вт ~600 50 3 78* А ~120 мА (50 В) КТ9134Б п-р-п 2100** Вт ~600 50 3 71 *А ~120 мА (50 В) КТ9136АС п-р-п 700** ~300 60 4 30* А ~140 мА (60 В) КТ914А р-п-р 7* Вт ~300 65 4 0,8 (1,5* А) 2* мА (65 В) КТ9141А п-р-п 3* Вт ~1 ГГц 120 3 300 ~100 (120 В) 120 3 400 ~.1 (120 В) 55 3 15 Вт 16 А Iкоо, \ ' Вт " КТ9141А-1 n-p-n 5* КТ9142А п-р-п 72* Вт Вт ~1 ГГц - А ~100 мА (55 В)
193 /1ераметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ * С12э, пФ rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом ** 1 Вт Рвы.х :Sl60 (28 В) ~7.5** ~30** (1,4 ... 1,6 (1,4 ... 1,6 (500 Корпус НС :SЗО КТ9133 :S20 КТ9136 ГГц) ~800** ~6** ~7** МГц) (225 ** tвыкл, ~1000** ~6** :S260 (45 В) 'tк, ПС * 1 НС tpac МГц) ~500** ГГц) (500 МГц) -т-----..6 ~· к)f _з ~[~ ~ , к ""hk-- э ф 5,8 10... 60* (5 В; 0,25 А) :Sl2 (28 В) :Sl 2 ~2.5** (400 МГц) 18,2 КТ914 :S20 М5 , : LJ ~в ~,L_)ru1 15 .. .45* (5 В; 50 мА) :S2,5 (10 В) 6. КТ9141 (C)j ! ec:i".J-l:~~K ~ IJIJll ф .' Э 111111 15 .. .45* (5 В; 50 мА) ~10 (5 В; 0,5 А) :S2,5 (10 В) :S70 (28 В) /j КТ9141-1 ~6** 50** (860 МГц) КТ9142 5,8 18,2
Раздел 194 Тип Струк- прибора тура КТ9143А КТ9143Б КТ91438 КТ9144А-5 КТ9145А-5 Рк max, * fгр1 fh2lб, * т ma.x, Рк, fh21з, ** ** н max1 Рк, 1*** ma.x, мВт МГц в 75 75 75 p-n-p p-n-p p-n-p 3* 3* 3* Вт ~1500 Вт ~1500 Вт ~1000 p-n-p n-p-n 5* 5* Вт ~30 Вт ~50 Uкво ma.x, * ma.x, UкэR u·· КЭО UэБО ma.x, в max1 500 500 2. - Биполярные транзисm()ры Iк ma.x 1 * н ma.x, Iк, мА Iкво, IКэR, · 1** кэо, мкА 3 3 3 100 (300*) 100 (300*) 100 (300*) ~1 *мА (50 В) ~1 *мА (50 В) ~l *мА (50 В) 5 5 50 (100*) 50 (100*) ::;1 (500 В) Sl (500 В) 50 (100*) 50 (100*) ::;1 (500 В) ~1 (500 В) КТ9144А-9 КТ9145А-9 p-n-p n-p-n 0,3 0,3 Вт; l *Вт 1* Вт Вт; ~30 ~50 500 500 5 5 3 19* А ~о мА (50 В) 3 3 13* А 3,3* А ~33 мА (50 В) ~мА (50 В) 4 БА ~5* мА (40 В) - n-p-n 380** Вт - 50 КТ91468 n-p-n n-p-n 260** Вт 65** Вт - 50 50 КТ9150А n-p-n - 40* (10 Ом) КТ9146А ' КТ9146Б 50* Вт -- - - . КТ9151А n-p-n 280* Вт КТ9152А n-p-n 246* Вт ~230 - 55 3 33 А 55 3 24 А ::;150* мА (55 В) ~00 мА (55 В)
Гlараметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, h21э ~20* (5 В; 50 мА) 20 ... 60* (5 В; 50 мА) ~20* (5 В; 50 мА) Ск, rкэ нас, Ом Сi2э, rБэ нас, Ом пФ •• д Б Ку,р, s3 (10 s3 (10 s4 (10 В) В) В) .. 195 Кш, дБ 'tк, ПС rб, Ом * 1 НС tpac Рвых 1 Вт tвыкл 1 НС •• - - Корпус •• - КТ9143 -~9/1 - Се) r ~· 11111 ~~u 111 Ч)" , - ~О* (10 В; 10 мА) 20 ... 150 (10 В; 10 мА) - SlOO slOO - - кфэ КТ9144-5, КТ9145-5 . 0,3 0,5 - 20 ... 150 (10 20 .. .150 (10 В; В; 10 10 мА) мА) ~шт КТ9144-9, КТ9145-9 S60 slOO '" 4.Б 1Б ~~i~- ~ ~· 1~ 5 q. ~48 ~200** ~6** (1,55 0,11 ~ o.ss ~5- 1,5. 3 ГГц) КТ9146А Б1 i :- э 1 i -- " - э Бi.1 - fJ - - Н.5 ~6** ~130* * ~7** ~35** (1,55 ГГц) (1,55 ГГц) КТ9146 (Б, В) -.----, Г 1- Б ~ КДJ -~' L -+-........- ,' '- JI\,,. r! Ч-' э j' 211,5 - 4,6_ ~10* (5 В; 0,5 А) s42 (25 В) ~8,5** (860 МГц) ф8** (860 МГц) КТ9150 ~ N К ~ К~ u - - - ~ ~10* (5 В; 0,5 А) S350 (28 В) ~7** (230 МГц) ~00** (230 МГц) ~10* (5 В; 0,5 А) ~100 В) ~6** (860 МГц) ~100** (860 МГц) (28 - Б ~ ln_ э 197 КТ9151, КТ9152 Б
Раздел 196 2. Биполярные транзисторы \ Uкво max, Рк, и max, fгр 1 fh21б, fh2Iэ 1 **"' fmax, мВт МГц в Рк max, Тип Струк- прибора тура • т max, Рк. •• • max, UкэR •• Uкэо max, UэБО max, в Iкво, Iк max, IJ<эR, 1** . кэо, * и max 1 Iк. мА мкА - 50* (10 Ом) 4 10 А ~60* мА 43* Вт 100* Вт - 50 50 3 3 4А 15 А ~25* мА (50 В) ~25* мА (50 В) Вт - 50 3 24 А ~25* мА (50 В) КТ9153БС п-р-п 94* КТ9155А п-р-л КТ9155Б п-р-п КТ91558 п-р-п 181 * Вт (50 В) ' КТ9156БС - 94* п-р-п - Вт 50* (10 Ом) 3 ~100 30 5 5 (10*) А ~60 140* (10 Ом) 140* (10 Ом) 140* (10 Ом) 4 4 4 30 А 30 А 30 А 60 4 25 А 10 ~60* мА А (50 В) ~ . КТ9157А п-р-п 1,2 Вт; 10* Вт 465* Вт (50°С) 465* Вт (50°С) 465* Вт (50°С) КТ9160А п-р-п КТ9160Б п-р-п КТ91608 п-р-п КТ9161АС п-р-п КТ9164А п-р-п - КТ9166А п-р-п 60* 700* Вт ~60 ~60 - Вт - .45 - - - 15 ~10 (30 В) ~200* мА (140 В) ~200* мА (140 В) ~200* мА (140 В) ~280 мА (60 В) - А КТ916А п-р-п КТ916Б п-р-п 30* 30* Вт ~1100 Вт ~900 55* (0,01 к) 55 3,5 3,5 2 (4*) А 2 (4*) А ~25* мА ~40* мА (55 В) (55 В)
-;,,, , _· f1№аметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, * С12э, пФ ~10* (5 В; 0,5 А) Sбб (28 rкэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС rБэ нас, Ом к;.~, дБ * Ом tб, ** 1 Вт Рвых * 1 ·ИС tрас В) (5 (5 В; ~35 А) ~35 (28 (28 В) В; 0,5 0,5 А) ~10* ~10* (5 В; 0,5 А) ~5 (28 В) ~10* (5 В; 0,5 А) ~66 (28 В) В) ~6.5** (860 МГц) ~6** (860 МГц) ~5** МГц) (860 ~6** (1 Корпус ** 1 НС tвыкл ~50** ~7** (615 ... 840 ~10* 197 ГГц) ~15** ~50** (1 ·~-]-~_ -t_ ·с ~ ~ з 'к~ 6 ·= 1 .... к - _!_ .... 6 ' ф 5,8 МГц) (860 ~50** _________ МГц) МГц) (860 (860 ~100** КТ9153, КТ9155 МГц) 18,2 КТ91558 ГГц) КТ9156 -.----....-.3 к~ 6 ~ ' 1 1- ~ K-_L .... 6 ' ф 18,2 140."450* (1 В; 0,5 10... 30* (10 20 ... 50* (1 О 40 ... 90* ( 10 В; В; В; 30 30 30 А) А) А) А) ~150 ~700 ~700 ~700 (5 В) (60 (60 (60 В) В) В) ~О.25 ~15** ~15** ~15** (1,5 (1,5 (1,5 КТ9157 МГц) МГц) МГц) ~700** (1,5 (1,5 (1,5 ~700** ~700** МГц) КТ9160 МГц) к МГц) э о о э ... ..... ~О* (5 В; 0,5 ~7** А) ~6** (500 (1090 МГц) МГц) ~500** ~300** (500 (1090 МГц) .. о МГц) КТ9161, КТ9164 ~50* (1 В; 4· А) о ~О.Об - см. КТ9156 КТ9166 _70,G5-rl/,8 ~~ - i ~~" 6КЭ 35* (5 35* (5 В; В; 0,25 0,25 А) А) ~20 ~20 (30 (30 В) В) ~.8; ~2.25** ~20** ~.8; ~1.85** ~16** (1 (1 ГГц) SlO ГГц) ~10 КТ916 ~ ин1'"•~~::t'~~·к ' 1 ~g 12,1_ з 2. ,5
Раздел 198 Тип Струк- прибора тура КТ9173А Рк maxr * т maxr Рк, ** Рк, и max, * fгpr fh2lбr мВт 140* П·р-П Вт 2. UкБо maxr * max, UкэR UэБО max, *** fmax, ** max, Uкэо в МГц в fh2Iэ, - 55* (10 Ом) Биполярные транзисторы IКБо, Iк ;.ах, ' IкэR, * * и maxr Iк, IКЭо, мА мкА 4 14 А :S250* мА (55 В) 3 30 А Sl50* мА (55 В) " КТ9174А 400* П·р·П Вт - - 55* (10 Ом) - ' - КТ9176А р-п-р 10* Вт ~90 40 5 3 (7*) А :Sl (30.В) КТ~177А n-p·n 10* Вт ~90 40 5 3 (7*) А Sl (30 В) КТ9180А р-п-р КТ9180Б р-п-р 12,5*Вт ~100 ~100 12,5*Вт ~100 КТ9180Г p-n·p p·n·p 12,5*Вт ~100 40 60 80 100 5 7 7 7 3 3 3 3 КТ9181А П·р·П l 2,5*Вт ~100 КТ9181Б П·р·П 12,5*Вт ~100 КТ9181В П·р·П 12,5*Вт ~100 КТ9181Г П·р·П 12,5*Вт ~100 40 60 80 100 5 7 7 7 -3 3 3 3 КТ918А-2 п-р-п 30 30 2,5 2,5 55* (10 Ом) 3 45 45 45 45 3,5 _3,5 3,5 3,5 КТ9180В - 1,5 Вт; l 2,5*Вт Вт ~800 Вт ~1000 КТ918Б-2 П·р·П 2,5* 2,5* КТ9182А П·р·П 300* Вт КТ919А КТ919Б n·p·n n·p·n КТ919В П·р-П КТ919Г п-р-п 10* Вт 5* Вт 3,25* Вт 10* Вт / - ~1350 ~1350 ~1350 ~1350 . А А А А (7* (7* (7* (7* А) А) А) А) А (7* А) А (7* А) А (7* А) А (7* А) 250 250 24 А 0,7 (l,5*) А 0,35 (0,7*) А 0,2 (0,4~) А 0,7 (l,5*) А - 51 (30 В) Sl (60 В) Sl (80 В) Sl (100 В) :Sl (30 В) Sl (60 В) :Sl (80 В) :Sl (100 В) :S2 мА (30 В) :S2 мА (30 В) S200 мА (55 В) :SlO мА (45 В) :S5 мА (45 В) :S2 мА (45 В) 510 мА (45 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов ~20* (5 В; 0,5 А) 199 Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2з, пФ rБэ нас, Ом к;.~, дБ * Ом tб, * 1 НС tpac ** 1 Вт Рвых ** 1 НС tвыкл ;5;230 (28 В) ~10** МГц) (230 ~50* * (225 Корпус МГц) КТ9173 ' - _с> __ з ~K·n ~к~~ 1 " 60.. .400* (2 В; 1 А) 60 .. .400* (2 В; 45 (10 В) (230 МГц) ~300** (230 МГц) КТ9174 КТ9176, КТ9177 ;5;0,25 1 А)' i~~ 11' /1 S0,25 Q) 1 ~ U1 111 60".400* (2 В; 1 А) 50".250* (1 В; О, 15 А) 50. "250* (1 В; О, 15 А) 50".250* ( 1 В; О, 15 А) 3 23,2 8,5 ~4** (~ г 6 L ti 3 6 КТ9180, КТ9181 s0,25 ~.4 ~.4 ~ ;5;0,4 60".400* (2 В; 1 А) 50".250* (1 В; О, 15 А) 50".250* (1 В; О, 15 А) 50".250* (1 В; 0,15 А) :::. - S0,25 -Е~ • i·BI 11' /1 ~ UI 111 ~.4 S0,4 ~ Q) С\е" ~.4 S4,2 (15 ;5;4,2 (15 В) В) ~·· ~2** ~3** ;5;10 (28 В) ;5;6,5 (28 в) s5 (28 В) s:12 (28 В) (860 МГц) ~.25** (3 ГГц) ~.5** (3 ГГц) ~150** (860 МГц) ~3.5** (2 ГГц) ~1.6** (2 ГГц) ~.8** (2 ГГц) ~3** (2 ГГц) . S2,2 S2,2 S2,2 S2,2 КТ9182 КТ919 з 6
Раздел 200 Ркmа.х, Тип Струк- прибора тура КТ920А п-р-п КТ920Б n-p-n КТ9208 п-р-п КТ920Г п-р-п КТ921А п-р-п КТ921Б п-р-п КТ922А п-р-п КТ922Б п-р-п КТ9228 п-р-п КТ922Г il-p-n КТ922Д п-р-п КТ925А п-р-п КТ925Б п-р-п ·КТ9258 п-р-п КТ925Г п-р-п КТ926А п-р-п КТ926Б п-р-п fгр1 fh21б1 f h21э, •• Uкоо ••• 1 fma.x ma.x, max, •• max, Uкэо мВт МГц в 5* Вт (50°С) 10* Вт (50°С) 25* Вт (50°С) 25* вт (50°С) ~400 36 36 36 36 12,5* Вт (75°С) 12,5* Вт (75°С) ~90 8* Вт (40°С) 20* Вт ( 40°С) 40* Вт ( 40°С) 20* Вт (40°С) 40* Вт ( 40°С) ~300 ~300 • т Рк. •• и Рк. 5,5* 11 * 25* 25* Вт Вт Вт Вт ma.x, max, • UкэR ~400 ~400 ~350 ~90 ~300 ~300 ~250 ~500 (40°С) (40'С) ( 40°С) ~450 ~500 ~450 50* Вт (50°С) 50* Вт (50°С) ~51 83,3* Вт (75°С) 83,3* Вт (75°С) 83,3* Вт (75°С) ~105 ~51 ~ Uэоо ma.x, в 4 4 4 4 Биполярные транзисторы Iк max 1 • Iк, и max, мА 0,25 (1 *) А 1 (2*) А 3 (7*) А 3 (7*) А - Iкоо, IКэR, IКЭо, мкА S2* мА (36 В) ~4* мА (36 В) ~7 ,5* мА (36 В) ~7.5* (36 В) 3,5 А 3,5 А SlO* мА (70 В) ~10* мА (70 В) (1,5*) А (4,5*) А (9*) А (4,5*) А (9*) А ~5* мА (65 В) ~20* мА (65 В) 65* (О, 1к) 65* (О, 1к) 4 4 65* 65* 65* 65*. 65* (О, 1к) (0,1 к) (О, 1к) (О, 1к) (О, 1к) 4 4 4 4 4 36* 36* 36* 36* (О, 1к) (О, 1к) (О, 1к) (О, 1к) 4 4· 3,5 3,5 0,5 (1 *) А 1 (3*) А 3,3 (8,5*) А 3,3 (8,5*) А 150* (О,Оlк) 150* (О,Оlк) 5 5 15 (25*) А 15 (25*) А ~25* мА ~25*_мА 70* (Ок) 70* (Ок) 70* (Ок) 3,5 3,5 3,5 10 (30*) А 10 (30*) А 10 (30*) А ~О* мА (70 В) ~40* мА (70 В) ~40* мА (70 В) 60 60 75 5 5 5 О,8(1,2*)А 0,8 (1,2*) А 0,8 (1,2*) А :::;;5 (60 В) ~5 (60 В) ~1 (60 В) 30* (О, 1к) 3 0,8 (1,5*) А ~5* мА (30 В) 1 ( 40°С) 2. 0,8 1,5 3 1,5 3 ~40* мА (65 В) ~20* мА (65 В) ~40* мА (65 В) ~7 мА (36 В) ~12 мА (36 В) ~30 мА (36 В) ~30 мА (36 В) (150 В) (150 В) - КТ927А п-р-п КТ927Б п-р-п КТ9278 п-р-п ~105 ~105 - КТ92аА п-р-п КТ928Б п-р-п КТ9288 п-р-п 0,5 Вт; 2* Вт 0,5 Вт; 2* Вт 0,5 Вт; 2* Вт ~50 ~250 ~250 1 • КТ929А п-р-п 6* Вт (40°С) ~700 '
Параметры биполярных кремниевых транзисторов 201 Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, rБэ нас, Ом к:.~, дБ rб, Ом fpac, НС пФ 515 525 575 575 В) В) В) В) (lO (lO (10 (10 '?:.7** '?:.4,5** '?:.3** '?:.3** ** Рвых, • Вт '?:.2** (l 75 МГц) '?:.5** ( 175 МГц) '?:.20** ( 175 МГц) '?:.15** (l 75 МГц) ** fвыкл, Корпус НС 520 520 520 520 КТ920 ~ij~~,,~~-~~·~: ь~~ ~2--7--;-. - ,8 12,2 '?:.10* (lOB; l (lO В; l ~10* А) А) В) В) 550 (20 550 (20 51,8; '?:.8** 51,8; '?:.5** '?:.12,5** (60 '?:.12,5** (60 МГц) МГц) КТ921 522;5300* 522;5300* ,._ 515 535 565 535 565 '?:.8* (5 В; '?:.17* (5 0,2 В; 0,2 А) А) 515 530 560 560 В) В) В) В) В) (28 (28 (28 (28 (28 (12,6 (12,6 ( 12,6 (12,6 В) В) В) В) 10... 60* (7 В; 15 А) 10".60* (5 В; 5 А) . '?:.10** '?:.5,5** '?:.4** '?:.5** '?:.3,5** '?:.5** (l 75 МГц) '?:.20** (175 МГц) '?:.40** (l 75 МГц) '?:.17** (l 75 МГц) '?:.35** (175 МГц) 520 520 525 520 525 '?:.6,3** '?:.5** '?:.3** '?:.2,5** 2** (320 МГц) 5** (320..МГц) 20* * (320 МГц) 15** (320 МГц) 520 535 540 540 КТ922, КТ925 КТ926 50,17 50,25 с-.'' ,._,, ll!U ILUIK " 1 ~. '?:.15* (6 '?:.25* (6 '?:.40* (6 В; В; В; 5 А) 5 А) 5 А) 5190 (28 5190 (28 5190 (28 В) В) В) 50,07; '?:.13,4** 50,07; '?:.13,4** 50,07; '?:.13,4** '?:.75* (20 МГц) '?:.75* *,(20 МГц) '?:.75** (20 МГц) 1 1 1 1 1 • 1 ~ ·з t::: L.ftr ' 19,5 КТ927 зr ~~~Е~ ДцоtJ 20".100* (5 В; 150 мА) 50".200* (5 В; 150 мА) 100".300* (5 В; 150 мА) 512 (10 512 (10 512 (lO В) В) В) 53,3 53,3 53,3 КТ928 5250* 5250* 5250* {J9,11 - ~ 1кфз ~.J_!;$J=11=1~ 1 ('.&,, '?:.25* (5 В; О. 7 А) 520 (8 В) '?:.8** '?:.2** (l 75 МГц) 525 1111 КТ929 5
Раздел 2()2 прибора С тру.к· тура fh'2'1з, Uкво max, *** _fmax, UКэR max, u** КЭО max, мВт Мfц в ~450 ~00 50* (О, lк) 50* (О,lк) 4 4 6* 6* А ~О* мА (50 В) SlOO* мА (50 В) ~250 60* (О,Оlк) 4 15 А SЗО* мА (60 В) ~40 80 60 40 4,5 4,5 4,5 80 60 4,5 4,5 * ** Рк, и max, Рк, т max, КТ930Б n-p-n n-p-n 75* Вт (40°С) 120* Вт (40°С) КТ931А n-p-n 150** КТ932А р-п-р КТ932Б p-n-p p-n-p КТ9ЗОА КТ932В Биполярные транзисторы frp, fh2lб, Рк max, Тип 2. Вт (40°С) 20* Вт (50°С) 20* Вт (50°С) 20* Вт (50°С) ~60 ~40 Uэоо max, в Iкво, Iк max, IКэR, 1** кэо, * Iк. и max, мА А 2А 2А 2А мкА :Sl,5* мА (80 В) Sl ,5* мА (60 В) :Sl,5* мА (40 В) - "' КТ9ЗЗА р-п-р КТ933Б p-n-p 5* 5* Вт (50°С) 0 Вт (5О С) ~75 ~75 ... КТ934А n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n·p-n КТ934Б КТ934В КТ934Г КТ934Д 7,5* 15* 30* 15* 30* Вт Вт Вт Вт Вт 0,5 -0,5 А А S0,5* мА (80 В) S0,5* мА (60 В) ' ~500 ~500 ~500 ~450 ~450 60* (0,Оlк) 60* (О,Оlк) 60* (О,Оlк) 60* (О,Оlк) 60* (О,Оlк) 4 4 4 4 4 -0,5 А 1А 2А S7,5* мА (60 В) Sl5* мА (60 В) SЗО* мА (60 В) Sl5* мА (60 В) SЗО* мА (60 В) 20 (30*) А SЗО* мА (80 В) 2А 1А . КТ935А n-p-n 60* Вт (50°С) ~51 80* (О,Оlк) 5 КТ936А n-p-n 28* Вт (75°С) - 60 3,5 3,3 А SlO* 3,5 10 А SЗО* мА - мА (60 В) , . ' КТ936Б n-p-n 83,3* Вт (75°С) - 60 (60 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов h21э, hz1э 40* (5 В; 0,5 А) 50* (5 В; 0,5 А) 203 Ск, Скэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, rб, Ом * НС fpac, пФ rБэ нас, Ом к;.~. дБ S80 (28 В) Sl 70 (28 В) ;;::5** ;;::3,5** ** Рвых, Вт ~40** (400 ;;::75** (400 МГц) МГц) ** fвыкл, Корпус НС КТ930, КТ931 8 ' 11 6 ~,,~[~lз 25* (5 В; А) 0,5 S240 (28 В) 0,18; ~3.5** ~80** (175 МГц) ~~r~~ ~. 18 К' ;;::15.* (3 ;;::30* (3 ;;::40* (3 В; ~15* (3 ;;::30* (3 25 .......7 --+11111;- А) А) А) s300 (20 В) S300 (20 В) S300 (20 В) Sl Sl Sl КТ932 В; В; 1,5 1,5 1,5 В; В; 0,4 0,4 А) А) S70 (20 В) .s70 (20 В.) sЗ,75 КТ933 S3,75 {49/1 - ~~ ! ф r.а"ц~~к :. з ~ с-... / JI 1 11111 IJ . 5 ' 50* (5 В; 0,1 А) 50* (5 В; 0,15 А) 50* (5 В; 0,25 А) S9 (28 В) Sl6 S32 Sl6 S32 (28 В) (28 В) (28 В) (28 В) 2; ~6** 1; ;;::4** 0,5; ;;::3** ~3,3** ;;::2,4** ;;::3** (400 МГц) ;;::12** (400 МГц) ;;::25** (400 МГц) ~10** (400 МГц) ;;::20** (400 МГц) КТ934 S20 S20 S20 S25 S25 """-+-___._.... 20 ... 100* (4 В; 15 А) S800 (10 В) S0,066 КТ935 S700** 11 LJti ~1. Шк j ~ N В; 1 1 1 1 : 1 1 t::: 1 19,5 А) КТ936А ~· (3 В; 0,1 А) КТ936Б ;;::6* (3 0,1 з ~2;;...;..'j_,~ - ,8 11.2 б~~ о . к ~ . 3 5 1J.6
Раздел 204 Струк- Тип КТ937А-2 тура. n-p-n n-p-n КТ937Б-2 Биполярные транзисторы frp, fh2lб, Uкво max, * т max, Рк, ** н max, Рк, fh2Iэ, *** fmax, * max, UкэR ** max, Uкэо мВт Мfц в 6500 6500 25 25 2,5 2,5 250 450 S2 мА (25 В) S5 мА (25 В) Вт ~2000 Вт ~1800 28 28 2,5 2,5 180 180 Sl мА (28 В) Sl мА (28 В) 30* (О,Оlк) 30* (О,Оlк) 3,5 3,5 400 400 S2 мА (30 В) S2 мА (30 В) Рк max, прибора 2. 3,6* 7,4* Вт Вт Uэво max, в Iкво, lк max, * н max, Iк, мА IКэR, 1** кэо, мкА .. .. КТ938А-2 КТ938Б-2 КТ939А КТ939Б n-p-n n-p-n 1,5* 1,5* n-p:n n-p-n 4* 4* Вт ~2500 Вт ~1500 , . .... КТ940А КТ940Б КТ9408 n-p-n n-p-n n-p-n 1,2 (10*) Вт 1,2 (10*) Вт 1,2 (10~) Вт ~90 ~90 ~90 300* (lОк) 250* (lОк) 160* (lОк) 5 5 5 0,1 (0,3*) А 0,1 (0,3*) А 0,1 (0,3*) А S0,05 мА (250В) S0,05 мА (200 В) S0,05 мА (100 В) 5 5 5 100 (300*) 100 (300*) 100 (300*) s50 нА (250 В) S50 нА (200 В) s50 нА (100 В) 3,5 . КТ940А-5 КТ940Б-5 КТ9408-5 n-p-n n-p-n n-p-n 10* 10* 10* Вт ~90 Вт ~90 Вт ~90 300 250 160 n-p-n 25* Вт ~1950 45 ' КТ9428 1,5 (3*) А S20 мА (45 В) - КТ943А КТ943Б КТ9438 KT943f КТ943Д n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n 25* 25* 25* 25* 25* Вт ~30 Вт ~30 Вт ~30 Вт ~30 Вт ~30 45 60 100 100 100 2 2 2 2 2 5 5 5 5 5 1 (6*) А (6*) А (6*) А (6*) А (6*) А S0,1 мА (45 В) S0,1 мА (60 В) S0,1 мА (100 В) Sl мА (100 В) Sl мА (100 В)
Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш, дБ 'tк, ПС Сi2э, rБэ нас, Ом rб, Ом * НС tpac, •* дБ Ку,р, пФ s5,5 (20 S7,5 (20 В) В) ** Рвых, Вт ;:::1,6** (5 ;:::3,2** (5 S4 (20 В) S4,5 (20 В) 40 ... 200* (12 В; 0,2 А) 20" .200 (12 В; 0,2 А) 205 ;:::1 ** (5 ;:::1 ** (5 ГГц) ГГц) ГГц) ГГц) ** tвыкл, Корпус НС 0,78 0,6 КТ937-2 S2 S2 КТ938-2 S5,5 (12 В) s6 (12 В) КТ939 ~ 'нtнsa~:t' ~~·к '$,.' ТЧ'j. , ... j ' S,9 12, 1 - - ;:::25* (10 ;:::25* (10 ;:::25* (10 В; В; В; 30 40 30 мА) мА) мА) 4,2 (30 В) 4,2 (30 В) 4,2 (30 В) ;:::25* (1 О В; 30 мА) ~25* (10 В; 30 мА) ;:::25* (10 В; 30 мА) S25 (28 S33 S33 S33 КТ940 S40 S40 S40 КТ940-5 В) ;:::8** (2 ГГц) S3 • 20,5 КТ942 19,3 - 40" .200* (2 В; О, 15 А) 40".160* (2 В; 0,15 А) 40".120* (2 В; 0,15 А) 20".60* (2 В; 0,15 А) 30".100* (2 В; 0,15 А) S0,6 S0,6 S0,6 Sl,2 Sl,2 КТ943 з
Раздел 206 fгр, fh21б, Рк max, Тип Струк- прибора тура ** , fh2lэ, f max, *** ** н max, Рк. n-p-n КТ944А * т max, Рк. мВт мrц 55* Вт (90°С) ~105 2. Uкво max, UкэR max; Uэво max, ** max, Uкэо в в 100* (0,Оlк) 5 _9м) 5 Биполярные транзисторы Iкво, Iк max, IК:эR, IКЭо, * н max, Iк. мА мкА 12,5 (20*) А S80* мА (100 В) s;25* мА (150 В) ' КТ945А 50* Вт (50°С) n-p-n ~51 150* (10 15 (25*) А ~ КТ946А n-p-n КТ947А n-p-n Вт ~720 50 3,5 Вт (50°С) ~75 100* (0,Оlк) 5 37,5* 200* 2,5 (5*) А 20 (50*) А S50 мА (50 В) SlOO* мА (100 В) ' ' КТ948А КТ948Б n-p-n n-p-n КТ955А n-p-n 40* 20* Вт ~1950 Вт ~1950 20* Вт (1ОО С) 0 ~100 70* 45 45 2 2 2,5 (5*) А 1,25 (2,5*) А S35 мА (45 В) S15 9 (45 В) (0,Оlк) 4 6А SlO мА (60 В) . КТ956А КТ957А - Вт ( 100°С) n-p-n 70** n-p-n 100** Вт ооо•с) ~100 100* (О,Оlк) ~100 60* (О,Оlк) 4 15 А S80* мА (100 В) 4 20 А SlOO* мА (60 В)
Параметры биполярных кремниевь1х транзисторов 10 ... 80* (5 В; 10 А) S350 (28 В) 10 ... 60* (7 В; 15 А) S200 (30 В) s50 (lO 10 ... 80* (5 В; 20 А) s850 (27 В) В) S0,25; ~10** ~100** 207 МГц) (30 Sl,l * so,11 ~4** ~10** КТ944 ~27** мкс КТ945 (1 МГц) ~250** (1,5 КТ946 МГц) КТ947 -_" С&') ~ lt') с-.; CN S30 (28 Sl7 (28 В) В) ~6.S** ~15** ~6.5** ~8** (2 ГГц) (2 ГГц) КТ948 ~ ~ 10 ... 80* (5 В; 1 А) S75 (28 В) ~20** ~20** (30 МГц) 10 ... 80* (5 В; 1 А) S400 (28 В) ~20** ~100** (30 МГц) 10... 80* (5 В; 5 А) s600 (28 В) ~17** ~125**. (30 МГц) КТ955 КТ956, КТ957 8,J 12,5
Раздел 208 Тип Струк- прибора тура КТ958А п-р-п fгр, fh'21б, Uкво max, ** и max, Рк, fh21з, ** *** fmax, * max, UкэR ** max, Uкэо мВт Мfц в 85** Вт (40°С) ~300 Рк max, * т max, Рк, 2. Биполярные транзисторь1 1 Uэво max, в Iкво, Iк max, IКэR, IКЭо, * и max, Iк, мА мкА 36* (О,Оlк) 4 10 S25* мА (36 В) ~600 36* (О,Оlк) 4 7А ~50 ~50 100* (lк) 80* (lк) 60* (lк) 40* (lк) 5 5 5 5 1,5 (2*) А l,5(2*)A 1,5 (2*) А 2 (3*) А 50 50 50 4 4 4 - 18 18 1,5 1,5 210 185 Sl Sl мА - 18 18 1,5 1,5 210 185 Sl Sl 36* (О,Оlк) 4 4А SlO* А - КТ960А n·p-n КТ961А п-р-п КТ961Б п-р-п КТ9618 п-р-п КТ961Г n-p-n КТ962А n-p-n КТ962Б п-р-п КТ9628 n·p-n 70** Вт (40°С) 1 (12,5*) 1 (12,5*) 1 (12,5*) 1 (12,5*) Вт Вт Вт Вт 17** Вт (40°С) 27** Вт (40°С) 66** Вт (40°С) \ ~50 ~50 ~750 ~750 ~600 1,5 2,5 S20* мА (36 В) SlO SlO SlO SlO (60 В) (60 В) (60 В) (60 В) S20 мА (50 В) S20 мА (50 В) SЗО мА (50 В) А А 4А КТ963А-2 п-р-п КТ963Б-2 n·p-n КТ963А-5 п-р-п КТ963Б-5 п-р-п 1,1 * l, l * Вт l, l * l, l * Вт 32* Вт Вт Вт В) мА (18 (18 мА мА (18 (18 В) В) В) , КТ965А n·p-n ~100 мА (36 В) (36 В) /' ' КТ966А / п-р-п 64* Вт ~100 36* (О,Оlк) 4 8А S23* мА
Параметры бип~ярных кремниевых транзисторов ~10* (8 В; 0,5 А) В) S180 (12 0,16; ~4** ~40** 209 МГц) ( 175 КТ958, КТ960 12 6 з В) Sl20 (12 О, 16; ~2.5** 40 ... 100* (2 В; О, 15 А) 63 ... 160* (2 В; О, 15 А) 100... 250* (2 В; О, 15 А) 20 ... 500* (2 В; 0,15 А) ~40** МГц) (400 12,5 КТ961 Sl ~1 ~1 ----~ Sl *т ~ S20 (2& S35 (28 S50 (28 В) В) ~3,5** ~10** ~20** В) ~3** ~40** ~4** (1 ГГц) (1 ГГц) ( 1 ГГц) КТ962 Sl5 Sl4 Sl l , со О)' '& - ~~ ~ ~~ з '\ -" • 1 ~ ' ;• 6,5 11,8 - 1,5-(5 1,5 (5 В) В) ~3** ~3** (10 (10 ГГц) ГГц) ~0.8** ~0.5** (Ю ( 10 ГГц) ГГц) КТ963-2 1,5 (5 1,5 (5 В) В) ~3** ~3** (10 (10 ГГц) ГГц) ~.8** ~0.8** ( lO (10 ГГц) ГГц) КТ963-5 0,45 6 2 ,1 "' 0,08 ~шт 10 ... 60* (5 В; 1 А) slOO (12,6 В) ~13** ~20** (30 МГц) КТ965 В) ~16** ~40** (30 МГц) КТ966 s250 (12,6
Раздел 210 Тип Струк- прибора тура Рк max, * Рк, т max, frp, n·p-n КТ969А n·p-n ** Рк, и max, ' Uкво max, ** *** fmax, мВт КТ967А fh2tб, 2. fh21з, * ** Uкэо max, Мfц в UкэR max, Uэво max, в Биполярные транзисторы Iк max, * Iк. и max, мА 100** Вт ~180 36* (0,Оlк) 4 1 (6*) Вт ~60 300 5 100 (200*) ~60 300 5 100 (200*) ~00 ~20 50* (0,Оlк) 50* (0,Оlк) 4 4 13 17 А 5 5 5 5 4* 4* А 5 5 5 5 4* 4* 15 А Iкво, IКэR, 1** кэо, мкА ~О* мА (36 SQ,05 (200 В) В) ' КТ969А-5 n-p-n 6* КТ970А n-p-n n·p·n 170** 200** КТ971А Вт Вт Вт А S50 нА (200 В) 100* мА (50 В) S60* мА (50 В) '- КТ972А n-p-n n-p-n n-p-n n·p-n 8* 8* 8* 8* KT973f p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p 8* 8* 8* 8* КТ976А n-p-n КТ972Б КТ972В KT972f КТ973А КТ973Б КТ9738 75** Вт ~200 Вт ~200 Вт ~200 Вт ~00 Вт ~200 Вт ~200 Вт ~200 Вт ~200 Вт (40°С). ~750 1 60* 45* 60* 60* 60* 45* 60* 60* (lк) (lк) (lк) oi<> (lк) (lк) (lк) (lк) 50 ' 4 Sl *мА Sl * мА Sl * мА Sl * мА (60 (45 (60 (60 2А Sl * мА Sl* мА Sl * мА Sl *мА (60 В) (45 В) (60 В) (60 В) 6А S60 мА (50 В) А 2А 2А А А 2А В) В) В) В) 1
·параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, 'tк, ПС rб, Ом tpac 1 НС к;.~, дБ Рвых 1 Вт tвыкл, НС ... пФ 10... 100* (5 В; 5 А) Кш, дБ rвэ нас, Ом rкэ нас, Ом Сi2э, h21э, h21э S500 (12,6 В) 211 ~18** ' ... ...... ~90** (30 МГц) ... Корпус ...... - - КТ967 ...... ....... 11 '& - 8.J 50... 250* ( l О В; 15 мА) ~1.8 (30 В) - ~60 ю~ ~'~ 6 , . .... ~ 1 КТ969 ~· ~ ---- i ~1 1 " ~1 l,Q "'U 11 1 ~50* (10 В; 15 мА) - - ~70 э J5,8 12,5 - к - ~ э 6 КТ969-5 0,57 0,35 ~ют 180 (28 В) (28 В) ~330 ~4** ~3** ~100** (400 МГц) Sl50** (175 МГц) ~5 КТ970, КТ971 ~40 -~[-1 D ~750* (3 В; 1 А) ~750* (3 В; 1 А) 750 ... 5000 (3 В; 1 А) 750... 5000 (3 В; l А) ~750* ~750* (3 В; 1 (3 В; 1 750 ... 5000 (3 В; 750... 5000 (3 В; ~3. ~200* S3 S3 ~200* ~1.9 ~00* 1 КТ972 ~00* А) А) 1 А) 1 А) ~оо· ~оо· ~200* s200* КТ973 ж· i~ -, ~ ~1i;;I'i:;:;/l;t)I ~ ~ Utllil S70 (28 В) ~·· ~О** (1 ГГц) s25 КТ976 э 6
., 212 Раздел Ркmах, Тип Струк- прибора тура ... Рк. т ...... Рк. н f гр, max, max, n-p-n КТ979А n-p-n 200** Вт (85°С) 75* fmax 1 мrц в ~600 50 3 50 3,5 ... - Вт Биполярные транзисторы Vкво max, UкэR max 1 ...... Uкэо max, ... ... fh2Jэ, ... ...... мВт КТ977А ... fh2lб, 2. Uэво Iк max, ... Iк. в Iкво, max, н max 1 IКэR, 1"'"' кэо, мА ··- 8* 5 А; мкА А 10* А :::;;25 мА (50 В) ::s;J 00 мА (50 В) ::s;lOO ::s;lOO мА мА (100 (100 . КТ980А КТ980Б n-p-n n-p-n 300* 300* Вт ~150 Вт ~150 100* 100* (О,Оlк) (О,Оlк) 4 4 15 15 А А В) В) . - КТ981А n-p-n КТ983А n-p-n n-p-n n-p-n 8,7* Вт 13* Вт 22,5* Вт n-p-n n-p-n 1,4* 4,7* Вт ~720 КТ984Б Вт ~720 КТ985АС n-p-n 105* Вт КТ983Б КТ983В КТ984А 70* Вт ~1200 ~900 ~750 - ~660 36* (0,Оlк) 4 10 40* 40* 40* (О,Оlк) 0,5 А lA (О,Оlк) 4 4 4 65 65 4 4 7* А 16* А (О,Оlк) 4 17 50* (О,Оlк) А :::;;50* мА В) (36 :::;;5* мА (40 В) :::;;8* мА (40 В) :::;;18* мА (40 В) 2А мА ::s;ВО мА :::;;30 :::;;120* А ' . (65 (65 мА В) В) (50 В)
213 Параметры биполярных кремниевых транзисторов Ск, rкэ нас, Ом Кш.дБ 'tк, ПС Сi2э~ rБэ нас, Ом к;.~, дБ rб, Ом * НС tpac, пФ ** Рвых, Вт ** tвыкл, Корпус НС ~50** (l ,5 ГГц) КТ977 ~6** ~50** (1,3 ГГц} КТ979 ~5** (30 МГц) ~5** (80 МГц) ~250** (30 МГц) ~250* (80 МГц) КТ980 ~5** ~50** КТ981 •.. ~15* (10 В; 5 А) ~10 (10 В; 5 А) 10 ... 90* (5 ~20* ~10* ~10* В; 5 А) (5 В; 0,5 А) (5 В; 0,5 А) (5 В; 0,5 А) В) S450 (50 S450 (50 В) S400 (12,6 В) S8 (28 В) S12 (28 В) S24 (28 В) ~4** ~3,6** ~3.2** (80 МГц) ~.5** (860 МГц) ~1 ** (860 МГц) ~3.5** (860 М~ц) - КТ983 . - ~~ ... 1 со О)' - ~rw:a ~ 1 1 - '& 6 ·к 6) 11,8 S35 (30 S80 (30 В) В) ~5** ~4** ~75** (820 МГц) ~50** (820 МГц) 2. з ,з КТ984 S20 S20 -(~ к 6 з ~[~ :: - ( - f S.8- - S270 (28 В) ~3,5** ~125** (0,4 ГГц) ) - - 2~ КТ985 S21 ~IJ -в,s - .,,.' С"'8 - о_ _з 1К.г1 г К.У L ,, () 23.2 6 (j з
Раздел 214 * max, UкэR Uэво max, ** и max, Рк, f гр, fh2lб1 fh2°lэ 1 f max, *** ** max, Uкэо в мВт МГц в Рк max, Тип Струк- прибора тура КТ986А КТ986Б п-р-п КТ986Г n-p-n n-p-n n-p-n КТ991АС n-p-n КТ986В * т max, Рк, . 2. Биполярнь1е транзисторы - 910** Вт 910** Вт 910** Вт 910** Вт 67* - Вт ~600 Uкво max, Iк max, * и max, Iк. мА 50 50 50 50 3 3 3 3 26* А 26* А 26* А 26* А 50 4 3,7 А Iкво, li(эR, IКЭо, мкА ~60 мА ~50 мА ~50 мА S40 мА (50 В) (50 В) (50 В) (50 В) S50 мА (50 В) - КТ996А-2 n-p-n КТ996Б-2 п-р-п КТ996В-2 п-р-п 2,5* 2,5* 2,5* Вт ~4 ГГц Вт ~4 ГГц Вт ~4 ГГц 2,5 2,5 2,5 200 (0,3* А) 200 (0,3* А) 200 (0,3* А) 20 20 20 2,5 2,5 2,5 200 (0,3* А) 200 (0,3* А) 200 (0,3* А) S5 мА (20 В) S5 мА (20 В) s5 мА (20 В) 5 5 5 10 (20*) А 10 (20*) А 10 (20*) А SlO мА (45 В) ~10 мА (45 В) SlO мА (60 В) 5 50 (100*) SO,l (250 В) 20 20 20 - ~1 *мА Sl *мА ~1 *мА (20 В) (20 В) (20 В) ' КТ996А-5 КТ996В-5 n-p·n n·p·n n-p·n КТ997А П-р·П КТ997Б КТ997В КТ999А КТ996Б-5 2,5* . 2,5* 2,5* Вт ~4 ГГц Вт ~4 ГГц Вт ~4 ГГц n·p·n n-p·n 50• Вт 50* Вт 50,* Вт ~51 ~51 45 45 60 n-p·n 1,6 Вт; 5* Вт ~о 250. ~51
параметры биполярных кремниевь1х транзисторов ~·· 3,8 4 5 5 ~6** ~7** ~7** S75 (28 В) ~·· 215 ~350** КТ986 (l ,4 ... 1,6 ГГц) ~300** (l ,6 ГГц) ~350** (l,6 ГГц) ~350** (0,8 ГГц) ~55** (0,7 ГГц) з КТ991 S6,8 / ~35* (10 А) (lO В) (10 В) S2,3 (10 В) ~35* ~70* (10 В; 0,1 А) (10 В; 0,1 А) (10 В; O, l А) S2.3 (10 В) ~.3 (10 В) ~.3 (10 В) ~35* (10 В; 0,1 А) ~70* (10 В; 0,1 А) ~35* В; O, l ~.3 ~.3 5,8 18,2 КТ996-2 ~. 11 ** (650 МГц) КТ996-5 ~. 11 ** (650 МГц)
Раздел 216 2.4. Параметры Струк- пр:ибора тура КТСЗОЗА-2 р-п-р, Биполярные транзисторы кремниевых сборок max 1 max, ** Рк. н max, f rp1 fh2lб1 fh'2'1э, f max *** 1 мВт Мfц 500 (50°С) ~300 Рк Тип 2. * t Рк, UКБо max, max, ** max, Uкэо * UкэR Uэво max, в max1 *lк, н max, - li(эR, IКЭо, мА в , 45* ( lОк) IКБо, lк мкА 100 (500*) S0,5 (45 В) п-р-п . КТСЗ10ЗА р-п-р КТСЗ10ЗБ р-п-р КТСЗ10ЗА1 р-п-р КТСЗ10ЗБ1 р-п-р КТСЗ161АС 1 п-р-п, 2 р-п-р 15* (15к) 15* (15к) 5 5 20 (50*) 20 (50*) ~200 (15 В) ::;;200 (15 в) ~00 15* (15к) 15* (15к) 5 5 20 (50*) 20 (50*) ~О.2 мА (15 В) s0,2 мА (15 В) ~400 12 4 200 SlO (12 В) 300 (55°С) 300 (55°С) ~600 300 300 ~600 300 ~600 ' ) п-р-п 150 600 10 1 7,5 Sl (IO В) КТСЗ81Б n-p-n КТСЗ81В п-р-п КТСЗ81f n-p-n 15 15 15 15 15 - 25 25 25 25 25 6,5 6,5 6,5 6,5 6,5 15 15 15 15 15 S30 (5 В) S30 (5 В) SЗО (5 В) S30 (5 В) S30 (5 В) КТС3174АС-2 . КТСЗ81Д п-р-п КТСЗ81Е n-p-n • 1 1 -
Параметры кремниевых сборок 40 ... 180 (5 В; l мА) S8 (5 В) 217 ~0,7* S20 КТС303 S80 61 40 ... 200 (l В; 1 мА) 40 ... 200 ( 1 В; l мА) S2,5 (5 S2,5 (5 В) В) 560 S60 55 (60 МГц); ~.9* s5 (60 МГц); ~.8* /( з \ " rJ9,ll SЗ** 6 IК\З КТС3103 580 S80 \11 61 31. ~ti Nl~~ S5** ~ ~ о Kf о 62 40" .200 ( 1 В; 1 мА) 40".200 (1 В; 1 мА) S2,5 (5 52,5 (5 В) В) ~0,9* S60 S60 ~0,8* КТС3103-1 S80 S80 1 1!'1 ~4 5 / ~О 8 (1 В; 0,1 А) КТС3161 S8 К3-Б2 К1 Б1 \ ЭЗ Б1 ~ ~-----::tiif ~"JWiill.....+...+.-r~-W.~ ~ ~80 (5 В; 3 мА) 0,65 (6 В) SЗ (IOO К1 К2 К2 Э1 Э2 БЗ Б1 19.5тш МГц) КТС3174 ;J,2 ~1p:i ~ c:::r 9,5 ~40 ~30 ~20 ~20 ~20 (5 (5 (5 (5 (5 В; В; В; В; В; 10 10 1О 10 10 мкА) мкА) мкА) мкА) мкА) Sl,5 (5 В) Sl,5 (5 В) Sl,5 (5 В) 51,5 (5 В) Sl,5(5B) s5 s5 S5 s5 ~.9*; ~0,85*; КТС381 S4** S4** 1 ;;::О,85*; SЗ** ~0,9* с... ~ 5 1 з к ~ \
Раздел 218 Тип Струк- прибора тура Рк max, * t max, Рк, р** К. н frp 1 fh2lб1 1h'2'1э, max, мВт КТСЗ9ЗА р-п-р КТСЗ9ЗБ p·n-p 20 20 (45°С) (45°С) UКБО max, *** fmax1 * max 1 UкэR ** max, Uкэо МГц в ~500 ~500 10* 15* (lОк) (IОк) Uэво max, в 2. Биполярные транзисторы IКБО, lк max, IКэR, IКЭо, * и max, Iк, мА мкА 4 4 10 (20*) 10 (20*) SO,l (10 S0,2 (15 В) В) 4 4 10 (20*) 10 (20*) SO,l (10 (15 В) ~.2 В) SO,l (10 S0,2 (15 В) В) S0,5 (45 S0,5 (10 В) В) КТСЗ93А-1 КТСЗ93Б-1 p·n-p p-n·p ~500 20 20 lO (15 ~500 ' ~ КТС39ЗА-9 p·n-p р-п-р 20 20 ~500 КТС39ЗБ-9 КТСЗ94А-2 p-n-p p-n-p 300* 300* ~300 n-p-n n-p·n 30 30 ~300 n-р·П 150 (500**) 150 (500**) 150 (500**) ~300 КТСЗ94Б-2 КТСЗ95А-1 КТСЗ95Б-1 КТСЗ95А-2 КТСЗ95Б-2 n·p·n КТСЗ95В-2 n-р·П 10 15 ~500 ~300 ~300 ~300 ~300 4 4 10 (20*) l о (20*) 45* 45* (lОк) (lОк) 4 4 100 100 45* 45* (lОк) (lОк) 4 4 20 20 45* 45* 45* (lОк) (lОк) (lОк) 4 4 4 100 100 100 - -- S0,5 (45 S0,5 (lO В) В) S0,5 (45 В) 45* (lОк) 45* (lОк) , . КТСЗ98А-1 П·р·П КТСЗ98Б-1 n·p·n 30 30 (85°С) (85°С) ~1000 ~1000 10* 10* (lОк) (lОк) 4 4 10 (20*) 10 (20*) so:5 (10 S0,5 (10 В) В)
параметры кремниевых сборок Ck, Сi2э, h21э, h'21э . 40".180 (l 30... 140 (l В; В; l l пФ мА) S2 (5 S2 (5 мА) 219 rкэ нас, Кш.дБ 'tк, пс * нас, rвэ ·h21э1/h'21э2, лu:б, мв * 1 НС tpac Ом В) В) S60 S60 , S6 (60 S6 (60 МГц); ~.9* МГц); ~.8* Корпус ** 1 НС tвыкл КТСЗ93 S80 S80 к, з, 6, ... 1 \1/ Т'' 1q' ooq ....: 1 .... 1 ... • f':)' 40... 180 (l в; l мА) 30 ... 140 (l В; l мА) S2 (5 s2 (5 В) В) S60 S60 S6 (60 S6 (60 МГц) МГц) 62 1 ' • lиl Зz t.5'l' ~ JL КТСЗ93-1 S80 S80 к, з, 6, 1 '\ 1 / ju,~~ JL . 40... 180 (l 30... 140 (l В; В; l l мА) мА) S2 (5 S2 (5 В) В) S60 S60 S6 (60 Sб (60 МГц) МГц) S80 S80 КТСЗ93-9 1 11! ~· s~ :@ !lэ 5 40 ... 120 (5 В; l мА) 100... 300 (5 В; l мА) ~ ~ (10 (10 В)' sзо В) S30 SlO** - - 4 КТСЗ94-2 ~~ /I\ 6 40... 120 (5 В; l мА) ~350 (5 В; l мА) ~ (10 S8· (lO В) В) S30 S30 SlO** - 8 - к.з ~ 1 КТСЗ95-1 1 ~ ~ ~ ~ (10 (10 (lO В) В) В) S30 sзо S230 SlO** - - - к ~~ /I\ В; В; l l мА) мА) Sl,5 (5 :Sl,5 (5 В) В) - 0,8 ... 1,25*; Sl,5** 0,9 ... l,l*; SЗ** S50 s50 \ з КТСЗ95-2 6 к з 40 ... 250 ( l 40 ... 250 ( l f ~~ .. 40 ... 120 (5 В; l мА) 100... 300 (5 В; l мА) ~350 (5 В; l мА) - ~ 1 - КТСЗ98-1 m-6 ~ -к 'а
Раздел 220 max, max, ** Рк. н max, f rp, fh2lб, fh2'1э, *** fmax, max, max, ** max, Uкэо мВт МГц в' 30 30 ~l ГГц Рк Тип Струк- прибора тура КТСЗ98А94 n·p-n КТСЗ98Б94 п-р-п КТС61ЗА КТС61ЗБ КТС61ЗВ КТС61ЗГ n-p·n n-p-n n-p-n - n-p-n КТС622А p-n·p КТС622Б р-п-р * t Рк. - 800 800 800 800 ~200 (50°С) ~200 (50°С) ~200 0,4 (10**) 0,4 (10**) * UкэR (lОк) (lОк) 10* 10* 60 60 40 40 ~200 Вт Вт Биполярные транзисторы Uкво ~l ГГц (50°С) (50°С) 2. ~00 45* 35* ~00 (lк) (lк) Uэво IКБО, lк max, * н max, lк. max, в li<эR, 1** кэо, мА мкА 10 (20*) l о (20*) 4 4 В) S0,5 (10 S0,5 (10 s8 S8 S8 S8 (800*) (800*) (800*} (800*) (60 (60 (40 (40 В} В) 4 4 4 4 400 400 400 400 4 4 400 (600*) 400 (600*) SlO (45 S20 (35 l (l,3*) А l (l,3*)A l (l,3*) А 1 (l,3*) А s200 (30 В) S50 (30 В) S50 (60 В) S200 (60 В) В) В) В) В) В) . КТС631А Вт (55°С) :2:350 Вт (55°С) ~350 Вт (55°С) Вт (55°С) ~350 КТС631Г n·p·n n·p-n n-p·n n-p-n КТ674АС р-п-р 900 КТ69ЗАС n-p-n 600 КТС631Б КТС631В 4 4 4 4 - ~350 30 30 60 60 4 4 4 4 ~50. 40 5 150 5 - 0,2 А (0,5* А) 150 (200*) • ' - S0,05 (30 В) SlO* (120 В)
Параметры кремниевых сборок Ck, * С12э, пФ 40 ... 250 ( 1 В; 1 мА) 40 ... 250 ( 1 В; 1 мА) :s;l,5 (5 :s;l,5 (5 221- rкэ нас, * rвэ нас, Ом В) Кw,дБ h21э1/h'21э2, дU:J, мВ 0,8 ... 1,25* 0,9 ... 1,1 * В) 'tк, пс • •• tвыкл, Корпус tpac, НС НС :s;50 :s;5o КТС398-94 !дl 6' она ~ ;люча 1,25_ ~" J~5 'dl' - Б 25 ... 100* 40".200* 20":120* 50."300* (5 В; 0,2 А) (5 В; 0,2 А) (5 В; 0,2 А) (5 В; 0,2 А) 25."150* (5 ~10* В; 0,2 А) (5 В; 0,2 А) (10 (10 (10 (10 В) :s;15 (10 :s;l5 (10 :s;15 :s;l5 :s;l5 :s;l5 В) :s;2,5 :s;2,5 :s;2,5 В) ~.5 В) :s;3,25 В) :s:;З,25 В) К Э :s;lOO* :s;l 00* :s;lOO* :s;lOO* :s;l20* ::;:;200* КТС622 21 -~ '" fJ ~ 12 i 5~11 2 6~10 7 'а& g 1'5~ 1G 20... 115* (1В;0,3 20 .. .125* (l В; 0,3 20".125*·. (1 В; 0,3 20".115* (1 В; 0,3 75 (1 В; 10 мА) А) А) А) А) (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) :s;2,8 ::;:;12 :s;12 :s;4,4 (15 В) :s;25 :s;l5 :s;t5 :s;15 :s;l5 ~.8 :s;40; :s;40; :s;40; :s;40; -- :s;ЗО* :s;ЗО* :s;бО* :s;бО* :s;30 КТС674АС !ос о....,.,.~...,,.._~......,.,~,.,,-'""'~ -]", - q. ._!!..6х2,5•15 2.25max (71//JьlBoiJoA) о,5таr ~40 (5 В; 0,1 А) КТС693АС !ос Li.,..eт,....,.._,..,._,.,"....,,_,"-""""....'""'~ --'- ~f -q. .,..!l.6x2,5•15 Z25max (71//JьlВоВоА) О,5тах J ~ ; К6З ЗбК mrtimmrhrhrh 1~ 1 1 8 ~1.-----·:;-- ~ ?б:t.ЧJ~'i'r 19.5тох
Раздел 222 max, * Рк. t max, ** и max, Рк, fгр 1 fh21б 1 fh21э, *** 1 fmax max, * UкэR max, ** max, Uкэо мВт мrц в 400 (50°С) ~200 45* (lк) Рк Тип Струк- прибора тура К1НТ251 п-р-п Uкво Uэво max, в 2. Биполярнь1е транзисторы Iкво, lк max 1 * и max, Iк, IКэRt IКЭо, мА , 4 мкА ~6 мА (45 В) 400 (800*) - . К1НТ661А n-p-n 100 (50°С) - 300 - ~30 (250 В) 5 (lO*) . ' К129НТ1А-1 п-р-п К129НТ1Б-1 п-р-п К129НТ1В-1 п-р-п K129HT1f-1 п-р-п К129НТЩ-1 п-р-п К129НТ1Е-1 П-р·П К129НТ1Ж-1 п-р-п К129НТ1И-1 п-р-п 15 15 15 15 15 15 15 15 (85°С) (85°С) (85°С) (85°С) (85°С) (85°С) (85°С) (85°С) ~50 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 ~250 15 15 15 15 15 15 15 15 4 4 4 4 4 4 4 4 - 10 10 10 10 10 1о 10 10 (40*) (40*) (40*) (40*) (40*) (40*) (40*) (40*) ~.2 ~О.2 ~О.2 ~О.2 ~О.2 ~.2 ~О.2 ~О.2 (15 (15 '(15 (15 (15 (15 (15 (15 ' В) В) В) В) В) В) В) В)
223 Параметрь1 кремниевых сборок h21э, h!нэ ~1 О* (5 В; 0,2 1 А) • Ck, С12э, пФ rкэ нас, • rвэ нас, Ом $15 (10 В) ::;5 Кw,дБ h21~1/h21э2, дU:б', мВ - 'tк, пс • •• tвыкл, Корпус tpac, НС НС КtНТ251 $200* j : J 13 rЬ1=' ~]~~~ :r в " ~ ~~ 1g а Q::J ())" i::s а 7'8 fs-. 6 ~5* - (5 В; 10 мА) ::;1000 - 2 ' ())" - :: == fa 1 l:SI ,7~j =~ fl( ~н~1• 27 -~ 7J ов 1r_ (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 В) В) В) В) В) В) В) В) - - - ~.85*; .$3** ~.85*; $3** ~.85*; $3** - ~.75*; $15** ~.75*; $15** ~.75*; $15** ~.85*; $3** ~.75*; $15** - : i ~12 -CiJ ~rа ". 6,5 ::;4 $4 ::;4 ::;4 ::;4 ::;4 ::;4 ::;4 ~ 10 7~ g К1НТ661 Q::J 20 ... 80 (5 В; 1 мА) 60 ... 80 (5 В; 1 мА) ~80 (5 В; 50 мкА) 20... 80 (5 В; l мА) 60... 80 (5 В; l мА) ~80 (5 В; 50 мкА) 40... 160 (5 В; l мА) 40... 160 (5 В; l мА) 5 5~11 2 6 10 7 g К129НТ1 з 6 к \ 1/ 1 ~re~t -
Раздел 224 Раздел 3. 3. Полевь1е транзисторы Полевые транзисторы Принцип действия полевых транзисторов основан на использовании эффекта внешнего электрического поля для. управления проводнмостью. Их еще называют униполярнымиt так как перенос тока осуществл~ется носителями заряда одного типа (в отличие от биполярных транзисторов, где носите­ лями заряда являются дырки и электроны). Особенностями полевых транзисторов являются высокое входное сопротивление, малые шумы, повышенная температурная стабильность, квадратичность переходной (проходной) характеристикиt что позволяет получать малый уровень перекрестных и модуляционных помех по сравнению с биполярными транзисторами. Полевые транзисторы по принципу действия подразделяются на транзисторы с управляющим p-n переходом и МДП-транзисторы (в частности, МОП-транзисторы, имеющие структуру металл-окисел­ полупроводник). Управляющим электродом служит затвор. В транзисторах с управляЮщим переходом затвор отделен от канала между стоком и истоком p-n переходом. В МОП-транзисторах (их называют также транзисторами с изолированным затвором), затвор отделен от канала исток-сток тонким слоем диэлек11Jика. В ка-честве диэлектрика используются пленки двуокиси кремния, нитрида кремния и окиси алюминия. В зависимости от типа исходного материала полевые транзисторы имеют каналы n-типа или р-типа. Например, (носители зарядов МОП-транзисторы с каналом n-типа основаны на электронной проводимости электроны), а с каналом р-типа - ,..,_ на дырочной проводимости. У n-канаЩ:~ных приборов ток канала тем меньше, чем меньше потенциал затвора, "а к выводу истока прикладывается больший отрицательный потенциал, чем к выводу стока (т.е. полярность напряжения стока положи­ тельная), а у р-канальных - наоборот. Существуют два основных режима работы полевых транзисторов: обеднения (проводимость канала может быть увеличена или уменьшена в зависимости от полярности приложенного напряжения Uзи) и обогащения (проводимость канала может быть увеличена в результате приложенного на.пряже­ ния Uзи определенной полярности). У транзисторов обедненного типа при напряжении, на затворе Uзи=О протекает небольшой ток, а транзисторы обогащенного типа закрыты при значениях Uзи, близких к нулю. Такие приборы соответственно называются нормально открытыми и нормально закрытыми. В 'частностиt полевые транзисторы с управляющим p-n переходом являются нормально открытыми; они закрываются (т.е. ток стока имеет минимальное значение) п·ри определенном напря­ жении, называемом напряжением отсечки. По конструктивно-технологическим признакам. полевые транзисторы подразделяются на приборы с встроенным и индуцированным каналами. Встроенный канал создается технологическими приемами, а индуцированный канал наводится в поверхностном слое полупроводника в результате воздействия поперечного электрического поля. В транзисторах со встроенным каналом (например, КПЗО5, КПЗIЗ) уменьшение тока на выходе осуществляется подачей на затвор· напряжения с полярностью, соответствующей знаку носителей заряда в канале (для р-канала Uзи>О, для n-канала Uзи<О), что вызывает обеднение канала носителями заряда. При изменении полярности напряжения на затворе произойдет обогащение канала носителями и выходной ток увеличится. Такие прИборы могут работать в режимах обеднения и обогащения. В транзисторах с индуцированным каналом при 1 Uз=О В канал отсутствует и только при напряжении, равном пороговому, образуется (индуцируется) канал. Такие приборы работают только в режиме обогащения (нормально закрытый прибор). В полевых транзисторах с управляющим p-n переходом канал существует только при Uз=Ot т.е. они имеют встроенный канал, но могут работать только в режиме обеднения носителями заряда (нормально открытый прибор). Выходные вольт-амперные характеристики полевых транзисторов (зависимость тока стока от напряжения на стоке при различных напряжениях на затворе) подобны характеристикам усилительных ламповых пентодов. В отличие от транзисторов с управляющим p-n переходом (у них рабочая область находится между О и Uзизап>, МДП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при любом значении напряжения на. затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора. В графических обозначениях транзисторы с индуцированным каналом имеют штриховую линию в обозначении канала, а со встроенным каналом направлена к каналу - канал n-типа, от канала - - сплошную; стрелки определяют тип канала: канал р-типа.
225 Полевые транзисторы В МОП-транзисторах иногда делается четвертый вывод (кроме выводов истока, стока и затвора) от подложки, которая, как и затвор, может выполнять управляющие функции, но от канала она отделена только p-n переходом. Обычно вывод подложки соединяется с выводом истока. Если же требуется иметь два управляющих электрода, то используются МОП-транзисторы с двумя затворами (МОП-тетроды КП32~, КП327, КП346, КП350). Они имеют малую емкость обратной связи, не - требуют цепей нейтрализации и более устойчивы к паразитным колебаниям. Транзистор КП306 имеет нормированную квмратичность переходной характеристики менее 2,5 В при ослаблении комбиниро­ ванных составляющих третьего порядка не менее 80 дБ. Графическое обозначение полевых транзисторов. - С Тип канаJiа KJiacc прибора p-n нормально открытый нормально закрытый (с обеднением) (с обеднением) (с обогащением) затвором Транзистор с двумя затворами (тетрод) з4:~ з_J~~ Зt~i2 з_J~z зJ=~ Транзистор с одним р-канал С изоJiированным затвором нормально открытый Транзистор с одним n-канал пер·еходом затвором 3 затворами (тетрод) .,_с J_J~~ з _Jt:l..и ._с з2 _,fi_c з1 -1 ~_Jl-C з1 _J~н ._с _Js=~ 3_j~~ 3~52 1 и Транзистор с двумя L--C а_J~и з_J...,п и t-н ~_Ji-C з,_J~и Слой окисла между затвором и подложкой очень тонкий, поэтому МОП-транзисторы чувствитель­ ны к действию статического электричества, которое может привести их к пробою. Для их защиты между затворами и подложкой иногда включают защитные диоды (стабилитроны). МОП-транзисторы имеют более высокий коэффициент шума на низких частотах по сравнению с полевыми транзисторами .с p-n переходом, поэтому они используются в малошумящих усилителях на высоких частотах. Среди мощных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом необходимо отметить транзисторы со статической индукцией (например, КП801 ). Они имеют выходные характеристики, подобные ламповому триоду: хорошие параметры переключения и линейность; в области токов, используемых в усилителях звуковой частоты, у них отсутствует тепловая нестабильность, так как при больших токах стока температурный коэффициент имеет отрицательное значение; низкий уровень шумов; низкое выходное сопротивление, что хорошо согласуется энергетически с низкоомной нагруз­ кой. Рассмотрим назначение некоторых конкретных типов полевых транзисторов. АП320 (А-2, Б-2) - бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные с барьером Шатки полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применения в малошумящих СВЧ усилителях (Кш::;4,5-6 дБ на температур окружающей среды АП325А-2 - 8 ГГц, Ку,р~З дБ) в составе ГИС. Диапазон рабочих -60 ... +85°С. бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные с барьером Шотки полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш::;2 дБ на АП328А-2 - 8 ГГц) в составе ГИС. бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные с барьером Шотки поЛевые транзисторы с двумя затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения во gходных каскадах малошумящих СВЧ усилителей (Кш::;4,5 дБ на 8 ГГц, Ку,р~9 дБ) в составе ГИС. АП362А9 - арсенидгаллиевые полевые транзисторы с каналом n-типа в корпусе для поверхно­ стного монтажа. Предназначены для применения в малошумящих усилительных и преобразовательных СВЧ устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +7О 0 С. АП379А9 арсенидгаллиевые пщ1евые транзисторы с двумя затворами и каналом n-типа в корпусе для поверхностного монтажа. Предназначены для применения в приемно-усилительных телевизионных устройствах (включая спутниковое телевидение) на частотах рабочих температур окружающей среды 100."2000 МГц. Диапазон -60 ... + 70°С. АП602 (А2-Д2) бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены
Раздел 226 3. Полевь1е транзисторы - для применения в усилителях мощности, генератора?С и преобразователях частоты в диапазоне частот 3... 12 ГГц 60 ... +85°С. в герметизированной аппаратуре. Диапазон рабочих температур окружающей среды - · АП603 - арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобра­ зователях частоты в составе ГИС с напряжением питания АП605 полевые - В и на частотах до 8 12 ГГц. бескорпусные на керамическом кристаллодержателе арсенидгаллиевые планарные транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в малошумящих СВЧ усилителях в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +85°С. АП606 арсенидгаллиевые планарные полевые транЗисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах и преобразователях частоты до 12 ГГц в составе ГИС с АП608 арсенидгаллиевые напряжением питания, 8 В. планарные полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа. П,Редназначены для применения в выходных каскадах СВЧ усилителей и генераторов в составе ГИС с напряжением питания АП967 - 7 В в диапазоне частот до 26 и 37 ГГц. арсенидгаллиевые полевые транзисторы с барьером Шотки и каналом n-типа с внутренними цепями согласования. Предназначены для применения в широкополосных СВЧ усилите­ лях мощности в составе гис с напряжением питания КП101 на основе (f-E) - малошумящие p-n перехода и каналом 8 в. диффузионно-планарные (ДП) полевые транзисторы с затвором n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП103 (Е-М) основе p-n - -45 ... +85°С. малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на перехода и каналом р-типа. Пр·~дназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды · КП201 -55 ... +85°С. (Е-Д-1) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с· затвором на основе p-n перехода и каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окружа­ ющей среды -40... +85°С. КП202 (Д-Е-1) - бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перех9да и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением в составе гибридных интегральных микросхем. Диапазон рабочих температур окружа­ ющей среды КП301 -40 ... +85°С. (Б-f) - малошумящие планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей и нелинейных малосигнальных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих темпе­ ратур окружающей среды -45 ... +70°С. КП302 (A-f, АМ~fМ) высокочастотные малошумящие планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в широкополосных усилителях на частотах до 150 МГц, в переключающих и коммутирующих устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 1ОО С. КП303 (А-И) - высокочастотные малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисто­ ры с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением (КП303Г в зарядочувствительных 0 усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии). Диапазон рабочих температур окружающей среды -40... +85°С. КП304А - диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и индуци­ рованным каналом р-типа. Предназначены для применения в переключающих и усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85°С. КП305 (Д-И) - высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +125°С.
Полевые транзисторы КП306 (А-В) 227 малошумящие СВЧ диффузионно-п.Ланарны~ полевые транзисторы с двумя - изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каск.адах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружа­ ющей среды -60 ... + 125°С. КП307 (А-Ж) - малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением (КП307Ж - в зарядочувствительных .усилителях и устройствах ядерной спектроскопии). Диапазон рабочих температур окружающей среды -40 ... +85°С. КП308 (А-Д) бескорпусные (с гибкими выводами) малошумящие эпитаксиально-планарные - полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения: КП308 (А-В) - во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока; КП308 (Г-Д) - в коммутаторах, переключающих устройствах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП310 (А, Б) - -60 ... +85°С. малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро­ ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в приемно-передающих устройст­ вах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 125°С. КП312 (А, Б) - малошумящие СВЧ эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилителях и преобразовательных каскадах СВЧ диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +l00°C. КП313 (А-В) малошумящие СВЧ диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолиро­ - ванным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП314А p-n - -45 ... +85°С. малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в охлаждаемых каскадах предваритель­ ных усилителей устройств ядерной спектрометрии. Диапазон рабочих температур окружающей среды -170 ... +85°С. КП322А основе p-n - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с двумя затворами на перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и смесительных каскадах высокочастотного диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП323 (А-2, Б-2) -. -60 ... +85°С. бескорпусные (на керамическом кристаллодержателе) с полосковыми выводами и приклеиваемой керамической крышкой эпитак~иально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в малошумящих усилительных каскадах на частотах до 400 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +70°С. КП327 (A-f) - кремниевые планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затвора­ ми (МДП-тетрод), защитными диодами и каналом n-типа. Предназначены для работы в селекторах телевизоров метрового и дециметрового _диапазонов для улучшения чувствитель~ости, избирательно­ сти и глубины регулирования сигналов с малыми перекрестными искажениями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85°С. КП329 (А, Б) - высокочастотные малошумящие полевые транзисторы на основе p-n перехода с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей на частотах до 200 МГц и в переключательных и коммутирующих устройствах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 1ОО С. КП341 (А, Б) - малошумящие планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +125°С. КП346 (А9, Б9) - малошумящие СВЧ планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с двумя 0 изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей. Транзисторы имеют корпус КТ-48, предназначенный для поверхностного монтажа. Диапа­ зон рабочих температур окружающей среды -60 ... +85°С. КП347А2 - малошумящий полевой транзистор МОП-типа с двумя изолированными затворами, двумя защитными диодами и каналом n-типа. Предназначен для работы во входных каскадах радиопри­ емников в составе ГИС. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85°С. КП350 (А-В) диффузионно-планарные полевые. транзисторы с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и
Раздел преобразовательных каскадах СВЧ (на частотах до ющей среды -45 ... +85°С. (АС, БС) - КП401 700 3. полевые транзисторь1 МГц). Диапазон рабочих температур окружа­ сборка из двух комплементарных пар эпитаксиально-планарных МДП-тран­ зисторов {1-й и 3-й транзисторы с n:каналом; 2-й и 4-й транзисторы с р- каналом). Предназначены для работы в переключающих и-,импульсных устройствах Диапазон рабочих температур окружающей среды -45".+85°С. КП402А - полевой ДМОП-транзистор с каналом р-типа. Предназначен для работы в высоко­ вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП403А - -60 ... + 70°С., полевой ДМОП-транзистор с каналом n-типа. Предназначен для работы в высоко- вольтных усилителях. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП601 (А, Б) -60. "+ 70°С. _ сверхвысокочастотные малошумящие средней мощности планарные полевые - транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы во входных и выходных каскадах усилителей, генераторах и преобразователях высокой частоты. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60... +85°С. КП704 (А, Б) - эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания, в выходных· каскадах графических дисплеев и быстродействующих импульсных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП705 (А-В) -45". +85°С. , мощные МДП-полевые транзисторы с вертикальной структурой и каналом - n-типа .. Предназначены для работы в переключающих и импульсных устройствах, вторичных источни­ ках электропитания. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40". +85°С. КП707 (А-В) мощные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульс­ ных и непрерывных вторичных источниках электропитания и схемах управления электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП709 (А, Б) - -60". + 1ОО"С. мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах, импульсных вторичных источниках электропитания телевизоров и схемах управления 0 электродвигателями. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45." + 1ОО С. КП712 (А-В) мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом р-типа. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60". + 1ОО"С. КП801 с затвором (A-f) - мощные эпитаксиально-планарные со статической индукцией транзистора (СИТ) на основе p-n перехода и каналом n-типа. Имеют характеристики, подобные ламповому триоду. Предназначены для работы в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей аппарату­ ры. По сравнению с МДП-транзисторами СИТ характеризуются более высокой линейностью и крутизной и низким сопротивлением насыщения. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40".+85°С. КП802 (А, Б) мощные высоковольтные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с каналом n-типа. Предназначены для работы в преобразователях постоянного напряжения, к:Лючевых и линейных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60". +85°С. КП804А - эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих импульсных и переключательных устрой­ ствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60." +85°С. КП805 (А-В) мощные МДП-полевые транзисторы. с каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных вторичных источниках электропитания. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП901 (А, -60". +85°С. Б) мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60".+125°С. КП902 (А-В) - мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены дл5.1 работы в приемно-передающих устройствах на частотах до 400 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45". +85°С. КП903 (А-В) мощные планарно-эпитаксиальные транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для работы в приемно-передающих устройствах на частотах до 30 МГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60". 1ОО С. + 0
Полевь1е транзисторы КП904 (А, Б) 229 мощные планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и - индуцированным каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных, nреобразовательных и генераторных каскадах в диапазонах коротких и ультракоротких волн. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +125°С. КП905 (А, Б) - мощные СВЧ планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до 1,5 ГГц. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40 ... +85°С. КП907 (А, Б) мощные СВЧ полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом - n-типа. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах на частотах до Диапазон рабочих температур окружающей среды -40 ... +85°С. 1,5 ГГц. . КП908 (А, Б) - планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для прИменения в СВЧ усилителях и генераторах в диапазоне частот до .2,25 ГГц и быстродействую.щих переключательных устройствах наносекундного диапазона. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40 ... +85°С. КП921А - мощный эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Предназначен для применения в быстродействующих переключаю­ щих устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85°С. КП923 (A-f) мощные полевые транзисторы с изолированным затвором и ~аналом n-типа. Предназначены для применения в СВЧ усилителях и генераторах с выходной мощностью 17 ... 50 Вт на частоте 1 ГГц. · КП928 (А, Б) мощные генераторные СВЧ эпитаксиально-планарные полевые МДП-транзи­ - сторы. Предназначены для работы в генераторах и усилителях мощности сигналов на частотах до 400 МГц, а также в импульсных и быстродействующих переключающих устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды КП937 (А, А-5) -60 ... + 125°С. мощные планарные полевые транзисторы с - p-n переходом и вертикальным каналом n-типа. Предназначена для применения во вторичных источниках электропитания, преобразо­ вателях напряжения, ИМf!ульсных генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... + 125°С. КП938 (А-Д) мощные эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с - p-n переходом и вертикальным каналом n-типа. Предназначены для применения в импульсных вторичных источниках электропитания, схемах управления электродвигателями, в мощных коммутаторах и усилителях низкой частоты. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +125°С. КП944 (А, Б) мощные эпитаксиально-планарные МДП-транзисторы с каналом р-типа. Предназначены для применения в схемах управления накопителями ЭВМ на жестких и гибких магнитных дисках. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45 ... +85°С. КП945 (А, Б) мощные МДП-транзистпры с каналом n-типа. Предназна.чены для применения - в импульсных и переключательных схемах. КП951 (А2-В2) . бескорпусные на металлокерамическом держателе мощные эпитаксиально­ - планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в СВЧ усилителях И генераторах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60 ... +85°С. КПС104 (А-Е) сдвоенные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные полевые транзисто­ - ры с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих дифференциальных и операционных усилителей низкой частоты и усилителей постоянного тока с высоким. входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45... +85°С. КПС202 (A2-f2) - · сдвоенные бескорпусные планарно-эпитаксиальные ионно-легированные малошумящие полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназна­ чены для применения во входных каскадах усилителей, дифференциальных и операционных усилите­ лей низкой частоты, а также усилителей постоянного тока с высоким входным сопротивлением (например, в медико-биологической аппаратуре и малошумящих балансных каскадах). При монтаже транзисторов не допускается использование материалов, вступающих в химическое взаимодействие с защитным покрытием. Должна быть исключена возможность соприкосновения выводов с кристаллом (минимальное расстояние от места Изгиба выводов до кристалла 1 мм, радиус закругления не менее 0,5 мм). При монтаже тепловое сопротивление кристалл-корпус должно быть не более З 0 С/ мВт. При пайке выводов (на расстоянии не менее 1 мм) и при заливке компаундами нагрев кристалла не должен превышать + 125°С. Диапазон рабочих температур окружающей среды -40... + 70°С.
Раздел 230 КПС203 3. Полевь1е транзисторы сдвоенные бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя (Al-fl) - малошумящие планарно-диффузИ:онные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах высокоточных и малошумящих дифференциальных 11 операционных усилителей и малошумящих балансных каскадах с высоким входным сопротивлением. При монтаже и пайке расстояние от края транзистора до места изгиба должно быть не менее 1 мм, радиус изгиба - не менее 0,5 мм, расстояние до места пайки - не менее 1,5 мм. Не допускается нагрев транзисторов ·свыше + 125°С. Диапазон рабочих температур окружаю­ щей среды -45 ... +85°С. КПС315 _(А, Б) сдвоенные планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе, p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах диффе­ ренциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе рабочих температур окружающей среды КПС316 -60 ... +100°С. (Дl-Иl) сдвоенные с гибкими выводами. Диапазон бескорпусные с гибкими выводами без кристаллодержателя планарно-эпитаксиальные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей и балансных каскадов с высоким входным сопротивлением. Типономинал прибора указывается на индивидуальной или групповой таре. Диапазон рабочих температур окружающей среды 3.1. -40". +85°С. Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов Буквенные (публикация обозначения параметров полевых транзисторов в соответствии со стандартом МЭК 747-8, 1984 г.) приводятся ниже. Буквенное обозначение по отечественное fOCT 19095-73 международное Параметр \ Iз la Ток затвора (постоянный). lз отс lasx Ток отсечки ·затвора. lз пр IGF Прямой ток затвора. Iз ут Iass Ток утечки затвора. Iзио Iaso Обратный ток перехода затвор-исток. lзсо Обратный ток перехода затвор-сток. Iи IGDO ls Ток истока (постоянный). Iи нач ISDS Начальный ток истока. Iи ост lsDx Остаточный ток истока. 1с ID Ток стока (постоянный). 1с нагр IDSR Ток стока при нагруженном затворе. 1с нач IDSS Начальный ток стока. 1с ост IDSX Остаточный ток стока. Iп Iв, Ток подложки. Uзи Uas Напряжение затвор-исток (постоянное). Uзи обр UGSR UGS(OFF), UGS(off) Обратное напряжение затвор-исток (постоянное). Uзи отс . - Iu Напряжение отсечки транзистора - и истоком (полевого транзистора с . напряжение между затвором p-n переходом и с изолирован- - напряжение между затво- ным затвором. Uзи пор Uзи пр Uз проб Uasт. Uas(th), UGSF U(BR) GSS Uas(тo) Пороговое напряжение транзистора ром и истоком (у полевого транзистора с изолированным затвором. Прямое напряжение затвор-исток (постоянное). Пробивное напряжение затвора - напряжение пробоя затвор-нс- ток при замкнутых стоке и истоке. Uзп Uав, Uau Напряжение затвор-подложка (постоянное).
Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов Буквенное обозначение по ГОСТ отечественное 231 19095-73 Параметр международное Напряжение затвор-сток (постоянное). Uзе Uao Uип Usв, Uеи Uos Uеп Uов. Uз1-Uз2 Ua1-Ua2 Напряжение затвор-затвор (для приборов с несколькими затворами). Реи Pos Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом s gms Крутизна характеристики. Rзи ras, Rзе ГGD, Гgd Сопротивление затвор-сток. Rзео rass. rgss Сопротивление затвора (при Rеи ГDS; Гds Сопротивление сток-исто~. Rеи отк ГDS(ON), Гds(on), ГDS оп Сопротивление сток-исток в открытом состоянии Реи, т max Напряжение исток-подложка (постоянное). Usu Напряжение сток-исток (постоянное). Напряжение сток-подложка (постоянное). Uou (постоянная). Сопротивление затвор-исток. Гgs между стоком и истоком или Uos=O Uds=O). заданном напряжении сток-~сток. Rеи закр ГDS(OFF), Гds(orr), ГDS orr и истоком транзистора при ~ Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии между стоком сопротивление - в открытом состоянии в закрытом сопротивление - состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток. Сзио Емкость затвор-исток Cgso - емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току щ:тальных выводах. Сзео Cgdo Емкость затвор-сток ' - емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах. ' Сеио Cdso Емкость сток-исток - емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах. С11и, Свх, и С12и ,, Ciss, C11ss Входная емкость транзистора емкость между затвором и исто- - ком. Crss, C12ss Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току. С22и Coss, C22ss - емкость между стоком и исто- ком. - С22с Выходная емкость транзистора Cods, C22ds Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыкании на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по переменному току). --...-...... (в g1 lи giss, g1 ls Активная g22и goss, g22s Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в составляющая входной проводимости транзистора схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе). схеме'с общим истоком при коротком замыкании на входе). У11и Yis, Y11s Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе). - У12и Угs, Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе). У21и Yrs, Y21s Y12s - Полная проводимость прямой передачи транзистора (в общим истоком при коротком Yrc=grc+gьrs=ID/Uas; на НЧ 1Yrs1 =grs). замыкании на схеме с выходе; У22и Yos. Y22s Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замыкании на входе). Ку,.Р Gp Коэффициент усиления по мощности.
' 232 Раздел З. полевые транзисторы Буквенное обозначение по ГОСТ отечественное 19095-73 Параметр международное fY2lи fYfs Частота отсечки в схеме с общим истоком. Еш Uп Шумовое напряжение транзистора. Кш F Коэффициент шума транзистора. ID Температурный коэффициент тока стока. a.rds Температурный коэффициент сопротивления сток-исток. tвкл ton Время включения транзистора. tвыкл toff - - Время выключения транзистора. td(on) Время задержки включения. tзд,выкл td(off) Время задержки выключения. tнр tr Время нарастания tcn tr Время спада tзд,вкл / Для сдвоенных полевых транзисторов: 1з(ут)l,-lз(ут)2 Iass1-Io.ss2 Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изолированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для полевых транзисторов с p-n переходом) 1с нач l / 1с нач2 Ioss 1/ Ioss2 Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток Uзю-Uзи2 Uas1-Uas2 Разность напряжения затвор-исток 1ЛUзю-Uзи2)1 / лт 1Л(Uas1-Uas2)1 / ЛТ Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя значениями температуры g22и 1-g22и2 gosl-gos2 Разность выходных проводимостей в режиме малого сигнала ·в схеме с общим истоком g2lиl / g2l и2 gfsl / grs2 Отношение полных проводимостей прямой малого сигнала в схеме с общнм истоком передачи в режиме
234 Раздел З. полевые транзисторы 3.2. Параметры ' полевых транзисторов Реи max, Тип Структура прибора мВт • Реи т max, Вт Uзи отс, Uеи max, uЗи пор, • max, Uзе в в - • max, Uзи в lc, 1 1с. и, Ie нач, • 1с ост, мА мА Параметры арсенидrаллиевых полевых транзисторов АПЗ20А-2 С n-каналом 80 80 АПЗ20Б-2 - 4; 8* 4; 8* 5 5 - - • С n-каналом АПЗ24А-2 АПЗ24Б-2 АПЗ24В-2 ,,,," 80 80 80 - 4 4 4 3 3 3 - - - АПЗ24Б-5 С n-каналом 80 - 4 3 - - АПЗ25А-2 С барьером Шотки, 25 4 2 6* 4,5 - - 30 30 - 2,5; -5,5* 2,5; 5,5* 4 4 - - с n-каналом ! , \ АПЗ26А-2 АПЗ26Б-2 Сп-каналом
235 Параметры полевых транзисторов S, Rси отк, Ом • Ку,Р, дБ мА/В "'* в ДРuв~:: тв зи,м Кш, дБ • Uш, мкВ *"' 1-г;:;- "' f"'"' МГ fвыкл, НС р Корпус ц дUзи/дт*"'"', ·...~....----========.ь....=м-к_в_1_·с__..._====-=======-=---==-=----=1~ . ЕшQ,,..:_в, Кл-vrц tвкл, НС ' ~ Параметры арсевидrал.nilевых полевых транзисторов 5... 16 5... 16 0,18; 0,15* 0,15*; 0,18** ~3* ~5* ~6* ~6* ~6* (8 ГГц) (8 ГГц) $4,5 (8 ГГц) $6 (8 ГГц) ( 12 ГГц) ( 12 ГГц) (12 ГГц) $1,5 (12 ГГц) $2 (12 ГГц) $2,5 (12 ГГц) АП320-2 j 9,5 ~6* ~5 (1,5 В; 10 мА) ~8 ~8 (2 (2 В; В; 8 8 мА) мА) ( 12 ГГц) ~4.5* (8 ГГц) ~3* (17,4 ГГц) ~3* (17,4 ГГц) $2 (12 ГГц) АП324-5 $2 (8 ГГц) "-~4,5 (17,4 ГГц) ~5,5 (17,4 ГГц) АП326-2 l/J -
Раздел З. Полевые транзисторы 236 Реи max, Тип Структура прибора мВт * т max, Реи Вт С барьером lllотки, АП328А-2 50 Uзи отс, Uеи max, UЗи пор, * max, Uзе в в * max, Uзи в k, Ic, и, мА Ie нач, lc ост, мА 6 4; 6 - - -6* -6* -6* -7* -7* -7* - - - 2,5 ... 5 4 с двумя затворами " .~ сп-каналом - АПЗЗОА-2 С барьером lllотки, АПЗЗОБ-2 сп-каналом 30 30 30 100 100 100 АПЗЗОВ-2 АПЗЗОВ1-2 АПЗЗОВ2-2 АПЗЗОВЗ-2 АП331А-2 С барьером lllотки, - - 3; 3; 3; 5; 5; 5; - - - - - 5; -8* - - - 2,5 ... 5 5; 8* 4 - ~100 250 - 5,5; -7* - - - 35 35 35 35 2 ... 4 2 .. .4 2 .. .4 2 .. .4 3,5; 3,5; 3,5; 3,5; 3 3 3 3 - 250 - . - сп-каналом АП331А-5 Сп-каналом АП339А-2 С ,барьером lllотки, 250 (70°С) (3 В) сп-каналом , ... АП343А-2 С барьером lllотки, АП343А1-2 сп-каналом АП343А2-2 АПЗ43АЗ-2 - . -6* -6* -6* -6* - ~О (2 В) (2 В) ~20 (2 В) ~О (2 В) ~О
Параметры полевых транзисторов 237 Rси отк, Ом S, к;,Р, дБ· Cttи, Сi2и, мА/В ** *"' - '?.7 (4 В; 8 мА) '?.4 (4 В; 8 мА) * 1;*, МГц tвыкл, НС "' Uш,мкВ лuЗИ"', мв Е~*, нВNrц Q**"', Кл лuзи/лт**"', '?.9* (8 ГГц) S4,5 (8 ГГц) - Рвых, Вт С22и, пФ tвкл, НС Кш, дБ Корпус мкв1·с АП328-2 ~2,15 ~-t GЗ-=:(t 1 c::i~ 1 _f_/ lt) О)" '1 !n (___ (31 ~ 9,5 '?.5 (5 кГц) '?.5 (5 кГц) '?.5 (5 кГц) '?.20 (5 кГц) '?.20 (5 кГц) '?.20 (5 кГц) '?.3* (17,4 ГГц) '?.3* (25 ГГц) '?.б* (25 ГГц) '?.8* (17,4 ГГц) '?.8* (17,4 ГГц) '?.8* (17,4 ГГц) - - - '?.15 (5 кГц) - '?.8* (10 ГГц) '?.0,03** (10 ГГц) sб (25 ГГц) S4,5 (25 ГГц) S3,5 (25 ГГц) s2 (17,4 ГГц) Sl,5 (17,4 ГГц) Sl (17,4 ГГц) S2,5 (10 ГГц) - АПЗЗО-2 - //.J - ~ф 1 с ~i~ - и7' АП331-2 ~ф с 1 4,55 ~ ., с . ~1~ ,. - '?.15 (4 В; 40 мА) - '?.5,5* (10 ГГц) '?.0,03** (10 Гfц) s2,5 (10 ГГц) - ~t i: ;1 ~, ~ и7' АП331-5 0,5 0,17 ~шт _ '?.10 (5 кГц) - '?.5* (17 ,4 ГГц) '?.0,015** (17,4 ГГц) S4 (17,4 ГГц) - АП339-2 ~· с 1 с ~1~ '?.10 '?.20 '?.20 '?.20 (q (5 (5 (5 кГц) кГц) кГц) кГц) ' - '?.8,5* (12 ГГц) '?.8,5* (12 ГГц) ~8.5* ( 12 ГГц) '?.8,5* (12 ГГц) s2 (12 ГГц) Sl,5 (12 ГГц) Sl,l (12 ГГц) S0,9 ( 12 ГГц) - //.J ., и7' АП343-2 ~ ~2,15 ~t j\ 14') О)" р ~t !n Г3--:(1 1 c::i~ _L) С_ ~ (3' - 9,5
Р~здел 238 АП344А-2 АП344А1-2 С барьером Illотки, с n-каналом АП344А2-2 АП344АЗ-2 АП344А4-2 100 100 100 100 100 4,5; -7* 5; -7* 5; -7* 5; -7* 5; -7* 4 90 90 4,5; -7* 4,5; -4,5* -4 4 10; 6* 8; -8* 3. полевые транзисторы 4 4 4 4 АП362А-9 С двумя затворами, АП362Б-9 n-каналом АП379А-9 С двумя затворами АП379Б-9 с n-каналом 240 240 АП602А-2 С n-каналом 900 7 3,5 ~220 (3 В) АП602Б-2 900 7 3,5 ~180 (3 В) АП602В-2 900 7 3,5 ~110 (3 В) АП602f-2 1800 7,5 3,5 ~440 (3 В) АП602Д-2 1800 7,5 3,5 ~360 (3 В) АП603А-2 С барьером Illотки, 2,5* 3,5 400; 5* 2,5* 3,5 400; 5* 2,5* 3,5 400; 5* 2,5* 3,5 400; 5* с n-каналом АП603Б-2 А.П603А-1-2 С барьером Illотки, с л-каналом АП603Б-1-2
параметры полевых транзисторов ~15 ~40 ~40 ~40 ~40 ~15 ~20 (5 (5 (5 (5 (5 кГц) кГц) кГц) кГц) кГц) (3 В; 20 мА) (3 В; 20 мА) 239 ~15 (1 ГГц) Sl (4 ГГц) s:0,7 (4 ГГц) S0,5 (4 ГГц) S0,3 (4 ГГц) S0,3 (1 ГГц) ~9* (1 ГГц) ~9* ( 1 ГГц) Sl (1 ГГц) Sl (1 ГГц) ~10 (4 ГГц) ~10 (4 ГГц) ~10 (4 ГГц) ~10 (4 ГГц) АП344-2 ~2,15 ~ G3=:t~ф ~-~t с:Л. АП362-9 J ~ ~ ~ . .N ~20 ~20 (5 В; 10 мА) (5 В; 10 мА) ~16* (О,8 ГГц) ~16* (О,8 ГГц) ~14* (1750 МГц) Sl ,4 (1 ГГц) Sl,4 (1 ГГц) $2, 1 ( 1750 МГц) с и с и ~ ~ ~ ~- 20... 100 (2 В) ~0,18** (12 ГГц) ~2,6* (12 ГГц) 20... 80 (2 В) ~. 1** (12 ГГц) АП602 11,4 J,J ~3* 20... 70 (2 В) 40... 200 (2 В) 40... 160 (2 В) ~50 ~80 (3 В; 0,4 А) (3 В; 0,4 А) ~50 (3 В; 0,4 А) (12 ГГц) ~0,2** (8 ГГц) ~3* (8 ГГц) ~.4** (10 ГГц) ~2,6* ( 10 ГГц) ~0,5** (8 ГГц) ~3* (8 ГГц) ~ ,..._- $4 ~3* (12 ГГц) ~0,5** ( 12 ГГц) $4; ~3*; ~1 ** 0,24 $4 0,24 ИаркироВка 9 0,24 ~3* (12 ГГц) ~О.5** ( 12 ГГц) ~80 (3 В; 0,4 А) $4 ~3* (12 ГГц); ~1 ** АП603-2 АП603-1-2 Маркиро8ко 0,24 3ат6ор Исток
240 Раздел \ Реи Тип Структура прибора max, мВт * т max, Реи Вт Uзи отс, Uеи * пор, Uзи uЗе max, max; * Uзи,mах, в 3. полевые транзисторы lc, Ie нач, * 1с ост, мА 1ё.и, в в - - 3,5 3,5 - 400; 5* 450; 5* мА АП603А-5 С n-каналом АП603Б-5 С n-каналом 2,5* 2,5* АП604А-2 С n-каналом 900 - 7 -3 - - АП604Б-2 С n-каналом 900 - 7 -3 - - АП604В-2 С n-каналом 500 - 7 -3 - - АП604f-2 С n-каналом 500 - 7 -3 - - - 8 8 8 8 -3 -3 -3 -3 - - s5,5 6; -4* - - ~150 450 - 6; -8* - - - 450 - 6; -8* - - - ' - ' АП604А1-2 С n-каналом АП604Б1-2 С n~каналом АП604В1-2 С n-каналом АП604f1-2 С n-каналом 900 900 500 500 АП605А-2 С барьером lllотки, 450 (3 В) с n-каналом ~ " АП605А1-2 С n-каналом АП605А2-2 - 2* - 8 -3,5 - 160; 5* 2* - 8 -3,5 - 160; 5* 2* - 8 -3,5 - 160; 5* 2* - 8 -3,5 - 160; 5* АП606Б-5 2* - 8 . -3,5 - 160; 5* АП606В-5 2* - 8 -3,5 - 160; 5* АП606А-2 С барьером lllотки, с n-каналом АП606Б-2 ' АП606В-2 - АП606А-5 С барьером lllотки, с n-каналом ' .
Параметрь1 полевых транз'исторов Cttн, Сi2и, S,мА/В ** пФ с 22и, 241 Rси отк, Ом Кш, дБ к;.Р, дБ U~,мкВ Е~*, нвNrц Q***, ~ ** Вт Рвых, ЛU3н, мВ ~50 ~80 (3 (3 В; В; А) А) 0,4 0,4 tвкл, НС * • fвыкл, НС . 1;*, МГц ЛUзи/ лт***, Корпус 0 мкВ/ С АП603-5 0,24 0,24 0,77 0,34 ~шт 20.. .40 (3 В; О, 1 А) 15 .. .40 (3 В; 0,1 ~3* (17,4 ГГц) ~.2** ( 17 ,4 ГГц) ~3 (17,4 ГГц) ~.125** (17,4 ГГц) А) 10... 20 (3 В; 50 мА) 10... 20 (3 В; 50 В; 30 9 А ~3* (17,4 ГГц) ~.075** (17,4 ГГц) ~3* ( 17,4 ГГц) ~.005** (17,4 ГГц) мА) ~.2** (17,4 ГГц) ~.125** (17,4 ГГц) ~.075** (17,4 ГГц) ~.05** (17,4 ГГц) 20 .. .40 (3 В; О, 1 А) 15 .. .40 (3 В; 0,1 А) 10... 20 (3 В; 50 мА) 10... 20 (3 В; 50 мА) ;;::30 (4 АП604-2 Наркщю/Jка мА) АП604-1-2 (8 ГГц) (8 ГГц) ~.1 ** (8 ГГц) ~.5 (8 ГГц) ~6* (8 ГГц) ~.1 ** (8 ГГц) ~7* (8 ГГц) ~.15** (8 ГГц) ~ (8.ГГц) ~.5 АП605-2 ~8* ~70 (3 В; ~90 (3 В; ~100 (3 В; 0,25 А) 0,25 А) 0,25 А) 3 (5 В) 3 (5 В) 3 (5 В) ~4* (12 ГГц) ~.4** (12 ГГц) ~6* (12 ГГц) ~.4** (12 ГГц) ~5* (12 ГГц) ~.75** (12 ГГц) //.J АП605 (At-2, А2-2) //.J ~1.5 (8 ГГц) АП606-2 tн=lOO _ tн=lOO Наркщdка 9 А_ -;;J6i. -_. tн=lOO ~.-- nr l....Lt • "'!~ ~ ,... U\....: _. С)) / 1 ..,_' J "':i .~ сток 1~ 'Cil~ -_2,5 ru,.~ д ~70 (3 В; 0,25 А) 3 (5 В) ~4* ~.4** ~90 (3 ~100 (3 В; 0,25 А) 3 (5 В) (12 tн=lOO АП606-5 tн=lOO Исток / ГГц) ~* ~.4** В; 0,25 А) 3 (5 В) (12 ГГц) (12 ГГц) ~. 75** (12 ГГц) ~5* tн=lOO ~ с::)' ... ·lli· ••• ~--.. Сток/ о, 75_ Затlор
Раздел 242 _, - Тип прибора Структура Реи max, мВт • Реи т max, Uзи отс, ·С n-каналом lc, в 8 5 - - - - - - • max, Uзс в в - 3,5* • Полевые транзисторы ic. и, uЗи пор, Вт АП607А-2 Uеи max, 3. Uзи max, мА le нач, 1с ост, мА :SlбOO; S5* / 0,6* - - -3 АП608Б-2 1,1 * - - -3 АП608В-2 1* - - - - -3 -3 - АП608А-2 С барьером Шотки, с n-каналом Aii608A-5 С барьером Шотки, 30 с n-каналом АП608Д-5 30 АП608Е-5 АП915А-2 С барьером Шотки, АП915Б-2 с n-каналом АП925А-2 С n-каналом АП925Б-2 АП925В-2 С барьером Шотки, АП930Б-2 с n-каналом АП930В-2 - -3 10 - 12* 12* - 7 7 -5 -5 - - 5 5 - ~3.6 А (3 В) 7* - 9 9 9 5 - ЗА 21* 21* 21* - 8 8 8 -5 -5 -5 - :S4,5; :Sl 5* S4,5; S15* S4;5; Sl5* 7* 16* ' АП930А-2 -· -3 / - - ЗА ,
Параметры полевых транзисторов S, мА/В ~80 243 Rси отк, Ом Кш, дБ С11н, Сi2н, к;,Р, дБ С22н, пФ Рвых, Вт U~,мкВ Е~·, нВNfц ЛU3н*, мВ Q***, Кл •• •• tвкл, НС • tвыкл, НС 1;•, Мfц лuзи/лт•••, Корпус мкВ/"С ~1 ** (10 ГГц); ~4.5* (3 В) АП607-2 ft,$ ~15 (3 В; 50 мА) ~3.5* (26 ГГц) ~.1 ** (26 ГГц) ~4* (26 ГГц) ~.15** (26 ГГц) ~20 (3 В; 100 мА) ~20 (3 В; 100 мА) ~4* (26 ГГц) ~.15** (26 ГГц) ~15 (3 В; 50 мА) ~4* (37 Гц) ~.03** (37 ГГц) ~3.5* (37 ГГц) ~.15** (37 ГГц) ~4* (37 ГГц) ~15 (3 В; 50 мА) ~15 (3 В; 50 мА) ~.01 * ~350 ( 1,5 В; 0,5 А) ~300 (1,5 В; 0,5 А) - - АП608-2 АП608-5 (37 ГГц) _ ~5** (8 ГГц); ~3* ~3** (8 ГГц); ~3* - - АП915-2 1 r _!1 ' ... - м ,, -+·. =· 3 ~1 ~ D, 1 ;;,:; 1 3,1 -- - ~500 (3 В; 1,8 А) ~500 (3 В; 1,8 А) - ~500 (3 В; 1,8 А) - - ~2** (3,7".4,2 ГГц) ~7* (3,7 .. .4,2 ГГц) ~5** (3,7 .. .4,2 ГГц) ~4.5** (4,3 .. .4,8 ГГц) - - - - -- 1• ~ ~ . ~" 3,1 - ~1000 (3 В; 4 А) ~1000 (3 В; 4 А) - ~5** (5,7 ... 6,3 ГГц) ~7.5** (5,7 ... 6,3 ГГц) ~10** (5,7 ... 6,3 ГГц) - - 1 _!1 ~ : 3 с ·= -т·· = ir,6 -- - - 21.2 - .AiI930-2 - - 21.2 -- АП925-2 Dl ~1000 (3 В; 4 А) с е ,21 r Q) ~~, ,._ D, 1-' 5,75 - j ,._ 't:t'"~ С\1 : 3 е 1, -т· ii,6 -- с ;:; 2s.6 -
Раздел 244 Реи max, 3..полевые транзисторы Uзи отс, Uси max, uЗи пор, uЗс max,· в в 14* - 8 -5 - - 14* - 8 -5 - АП967В-2 7* - 8 -5 - - АП967f-2 7* - 8 -5 - - АП967Д-2 7* - 8 -5 - - АП967Е-2 14* - 8. -5 - АП967Ж-2 14* - 8 -5 - - 0,15 ... 2 0,3 .. .4 0,5 ... 5 Тип Структура прибора мВт • т max, Реи Вт • max, Uзи в lc, lc нач, lc ост, мА 1с. и, мА -АП967А-2 С барьером Шотки, с п-каналом, АП967Б-2 \ с внутренними цепями согласования Параметры кремниевых полевых тран.зисторов . . ~ кп101r С р-~ пе~ходом 50 50 50 5 6 6 10 10 10 10 10 10 2 5 5 7 12 21 38 66 120 0,4 ... 1,5 0,5 ... 2,2 0,8 ... 3 1,4 .. .4 2 ... 6 2,8 ... 7 10 10 12 10 12 10 - - 0,3 ... 2,5 0,35 ... 3,8 0,8 .. .1,8 1... 5,5 1,8 ... 6,6 3".12 7 12 2.1 38 66 120 0,4".1,5 0,5 ... 2,2 0,8 ... 3 1,4 .. .4 2 ... 6 2,8 ... 7 10 10 12 10 12 10 - - 0,3 ... 2,5 0,35 ... 3,8 0,8 ... 1,8 1... 5,5 1,8 ... 6,6 3 .. .12 пМОП 150* 2*".4* 100 :1:20 38 (140*) С р-п переходом 60 60 ~1.5 - КП201И-1 60 ~3 КП201К-1 60 60 ~4 -0,5 -0,5 -0,5 -0,5 -0,5 - КП101Д и р-каналом КП101Е С р-п переходом КП103Е КП103Ж КП103И и р-каналом · КП103К КП103Л КП103М КП103ЕР1 КП103ЖР1 С р-п переходом и р-каналом КП103ИР1 КП103КР1 КП103ЛР1 КП103МР1 КП150 КП201Е-1 КП201Ж-1 КП201Л-1 и р-каналом ~.2 ~6 10; 10; 10; 10; 10; 15* 15* 15* 15* 15* - - - А ~5* мкА (100 В) 0,3".0,65 0,55."1,2 1... 2.1 1,7... 3 3 ... 6
245 Параметры полевых транзисторов S, мА/В Rси отк, Ом Кш, дБ к;,Р, дБ U~,мкВ Е~*, нВNrц С1 lн, Сi2н, •• С22н, •• Рвых, пФ Вт о•••, Кл дUЗн*, мВ tвкл, НС • tвыкл, НС •• r fp 'м ц Корпус дUзи/дт•••, мкВ/•с АП967-2 ~1· ~4** (5,9 ... б,4 ГГц) ~5** (3,7 .. .4,2 ГГц) . - 12,2 ~1· ~** 1 ~· (3,7 .. .4,2 ГГц) (4,3 .. .4,8 (3,4 ... 3,9 и ~1· Н-С 18 Параметры кремниевых полевых транзисторов ~.3 (5-в) 0,4 ... 2,4 (5 В) 0,5 ... 2,8 (5 В) 0,8."2,б (5 В) 1... 3 (5 В) 1,8...3,8 (5 В) 1,3 .. .4,4 (5 В) S20; :S8* S20;S8* 0,4 ... 2,4 0,5 ... 2,8 0,8 ... 2,б 1... 3 1,8... 3,8 1,3 .. .4,4 S20;S8* ~13• 103 (25 В; 25 А) S2800; 1100** ~.4 (10 В) ~.7 (10 В) ~.8 (10 В) ~1.4 (10 В) ~1.8 (10 В) S20;~* ~;SВ* S20;SS* ~;SВ* S20;S8* ~;SВ* S20; :S8* S20;SS* S20;S8* S20;SS* ~;SВ* S20;S8* ~;SВ* S20;$8* ' '1--~3 1J (3,4 ... 3,9 ГГц) :SlO; :S0,4** :SlO; S0.4** SlO; S0.4** 1 с1 Dc-.. -;Э--t-- ~~ 1 ГГц) ~4** (5,6 ... 6,2 ГГц) ~.15 (5 В) ~.4 (5 В) ~ 1 ГГц) ~1· ~5** 1 - J,6 ~6* ~** . 1 ~б* ~2** • ::;.-t-::Je!E§-:-..,1 1 :S4 (1 :S7 (1 :S7 (1 кГц) кГц) :S3 :S3 :S3 :S3 :S3 :S3 (1 кГц) (1 (1 (1 (1 (1 кГц) кГц) кГц) кГц) кГц) :S3 :S3 :S3 :S3 :S3 :S3 (1 кГц) (1 кГц) (1 кГц) (1 кГц) (1 кГц) ( 1 кГц) КП101 кГц) 3** 3** 3** 3** 3** 3** :S3 :S3 :S3 :S3 :S3 (1 кГц) ( 1 кГц) (1 кГц) (1 кГц) (1 кГц) f 5.8 ....... КП103Р -5;2 . tсп=81 :S0,055 КП103 КП150 КП201-1 1
Раздел З. Полевые транзисторы 246 Реи max, Тип Структура прибора мВт • т max, Реи Вт Uзи отс, Uси max, uЗи пор, · UЗе max, в в • Uзи max, в Ic, lc, и, le нач, lc ост, мА мА КП202Д-1 С р-п переходом КП202Е-1 и р-каналом 60 60 0,4 ... 2 1".3 15; 20* 15; 20* 0,5 0,5 - КП240 пМОП 125* 2."4* 200 ±20 18 (72*) КП250 пМОП 150* 2 ... 4* 200 ±20 30 (120*) 51,5 1,1."3 А А :s;25* мкА (200 В) :s;25* мкА (200 В) - КП301Б С изолированным затвором, 200 2,7".5,4* 20 30 15 :s;D,5 мкА (15 В) 200 2,7."5,4* 20 30 15 :s;D,5 мкА (15 В) 200 2,7".5,4* 20 30 15 :s;D,5 мкА (15 В) 300 300 300 300 1".5 2,5."7 3".1 о 2".7 20 20 20 20 10 10 12 10 24 43 300 300 300 300 1".5 . 2,5". 7 3".10 2."7 20 20 20 20 10 10 12 10 24 43 200 200 200 200 200 (' 200 200 200 0,5 ... 3 0,5".3 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 30* 25; 30* с имдуцированным кпзоtв р-каналом кпзо1r КП302А С р-п переходом КП302Б и п-каналом КП302В кпзо2r КП302АМ С р-п переходом КП302БМ и n-каналом КЦ302ВМ кпзо2rм КПЗОЗА С р-п переходом КПЗОЗБ и п-каналом кпзозв кпзозr кпзозд КПЗОЗЕ - кпзозж кпзози КП304А С изолиро·ванным затвором и индуцированным каналом р-типа 200 1".4 58 58 58 0,3".3 0,5".2 2::5* 25; 25; 25; 25; 25; 25; 25; 25; :s;24; :s;43; 533; 565; 6* 6* 6* 6* - 524; 543; 533; 565; 6* 6* 6* 6* 30 30 30 30 30 30 30 30 20 20 20 20 20 20 20 20 52,5; 5* :s;2,5; 5* 55; 5* 512; 5* $9; 5* :s;20; 5* 53; 5* 55; 5* 30 30 (60*) - :s;D,2 мкА
ПарамеmрЬ! поле,вь1х транзисторов S, С11н, Сi2н, С22н, пФ мА/В ~.65 247 Rси отк, Ом Кw,дБ к;,Р, дБ Рвых, Вт U~,мкВ Е:, нВNrц дUЗн, мВ о···, Кл •• tвкл, НС • tвыкл, НС 1;·, мrц Корпус дUзи/дт•••, мкв1·с КП202-1 :S6; :S2* :S6; ~· ~1 о.в - ~ ~.9· 103 (25 В; 11 А) :Sl300; 130** - КП240, КП250 tсп=36 :S0,18 0.5 ........ 27,1 ~12 • 103 (25 В; 18 А) ~.5; 1... 2,6 (15 ~800; 780** s1 *; tсп=62 ~.085 ~.5 ~.5*~ (100 МГц) ~ !i ~lf 1 КП301 100** В; 5мА) 2... 3 (15 В; 5мА) 0,5 ... 1,6 (15 В; 5мА) ~5,8 ~.5; :Sl *; ~.5; :Sl *; ~.5** ~.5* :S9,5 (100 МГц) 100** ~.5 МГц) 100** ( 100 t-:> "'f-1--~~ _&_Vn ' u u З~JJlZ ~_,_no 5... 12 (7 В) 7.. .14 (7 В) 7... 14 (7 В) 5... 12 (7 В) 7... 14 (7 В) 7 ... 14 (7 В) 1.. .4 1.. .4 2... 5 3... 7 (10 (10 (10 (10 В) В) В) В) ~.6 (10 В) ~4(10В) 1.. .4 (10 2... 6 (10 ~4 (10 В; В) В) 10 мА) :S20;:S8* :S20;:S8* :S20; :S8* :S20;:S8* :S20; ~· :S20;:S8* :S20; :S8* :S20; :S8* ~ (1 кГц) :Sl50 :SlOO :Sl50 ~ :Sl50 SlOO :Sl50 S6;~* :S2* :S2* :S2* s2* :S2* S2* s9; s2*; s6** КП302 :S4; :S5* S4; :S5* :S4;SS* :S4; :S5* :S4; :S4; S4; S4; '69.2 S5* :S5* S5* S5* КП302М ~5,84 ~О** (20 Гц) :S20** (1 кГц) :S20* * ( 1 кГц) :S(6. 10·17)*** S4 (100 МГц) S4 (100 МГц) :SlOO** (1 кГц) :SlOO** (1 кГц) s6; s2* :S6; S6; :S6; s6; :S6; :S6; (1 кГц) с кпзоз -5.8 КП304 SIOO ~5,8 ' и
-Раздел 248 Реи max, Тип прибора мВт Структура • т max, Реи Вт Uзи отс, UЗи пор, . полевые транЗ'исmоры / Uc~ max, • max, Uзи ' Uзе max, в 3. в в Ic, le нач, ~с.и, Ic ~ст, мА мА 150 ~6 15; :1: 15* :1: 15 15 - КПЗО5Е 150 ~ 15; ± 15* ±15 15 - КПЗО5Ж 150 ~6 15; :1: 15* ±15 15 - КПЗО5И 150 ~ 15; :1: 15* :1: 15 . 15 - 150 s4 20 20 20 S0,005 150 150 $4 $6 20 20 20 20 20 20 S0,005 S0,005 250 250 250 250 250 250 250 0,5 ... 3. 1... 5 1... 5 1,5".6 1,5".6 S2,5 S7 27 27 27 27 27 27 27 25 25 25 25 25 25 25 $~ 30* 30* 30* 30* 30* 30 30 30 30 30 20 20 20 20 20 Sl Sl,6 КПЗО5Д С изолированным затвором и п-каналом КПЗО6А С двумя изолированными затворами и КПЗО6Б КПЗО6В п-каналом " КПЗО7А С р-п переходом КПЗО7Б и п-каналом КПЗО7В " КПЗ07Г КПЗО7Д КПЗО7Е КПЗО7Ж 25; 25; 25; 25; 25; 25; 25; 27* 27* 27* 27* 27* 27* 27* sl5 Sl5 24 8."24 s5 $25 ' КПЗОSА-1 С р-п переходом КПЗОSБ-1 и п-каналом КПЗОSВ-1 КПЗОSГ-1 КПЗОSД-1 КПЗ10А С изолированным затвором КПЗ10Б и каналом п-типа КПЗ12А С р-п переходом КПЗ12Б и п-каналом - 25; 25; 25; 25; 25; 60 60 60 60 60 0.2 ... 1.2 0,3."1,8 0,4 ... 2.4 1."6 1... 3 80 80 - 8; 10* 8; 10* 10 10 20 20 SS; SO,l * S5; S0,1 * 100 100 2... 8 0,8".6 20; 25* 20; 25* 25 25 25 25 S25 S7 S3 - , 75 ~6 15; 15* 10 15 - КПЗ1ЗБ 75 ~6 15; 15* 10 15 - КПЗ1ЗВ 75 ~ 15; 15* 10 15 - КПЗ1ЗА С изолированным затвором и п-каналом
Параметры полевых транзисторов S, мА/В С11н, Сi2н, С22н, пФ 249 Rси отк, Ом Кш, дБ к;,Р, дБ Uw,мкВ •• Рвых, • E:i•, нВ/../fц Вт о•••, дuЗИ, мв 5,2".10,5 (10 В; 5 мА) 4... 8 (10 В; 5 мА) 5,2 ... 10,5 (10 В; 5 мА) 4".10,5 (10 В; 5 мА) 4... 8 (Uз2и=lО В) . 4 ... 8 (Uз2и=lО В) 4... 8 (Uз2и=IО В) s5; :S0,8* ~13* - 55; 50,8* S5; S0,8* ~13* 1;·, мrц /. мкв/·с - - (250 МГц) КП305 ' S7 ,5 (250 МГц) - ~· lt)' " - - S5; S0,07* - S6 (200 МГц, 800** S5; S0,07* S5; S0,07* - :S6 (200 и - Sб (200 зфП/Юd. /(Opfl. 1 ~~ ...... ' 11 - с КП306 Uз2и=IО В) МГц) МГц) . ;,5,8~ - - 55; 50,8* Корпус дUзи .дт··· , S7 ,5 (250 МГц) МГц) (250 KJI tвкл, НС • tвыкл, НС -_s,в'! - 800** 800** 1"',) ~ ..... 31 з,фffом. ·----- ~. ~ 4 ... 9 (10 В) 5... 10 (10 В) 5... 10 (10 В) 6."12(1ОВ) 6".12 (10 В) 3 ... 8 (10 В) 4... 14 (10 В) S5; S5; S5; S5; S5; S5; s5; s20** (1 кГц) $2,5** ( 100 кГц) S2,5** (100 кГц) ~6 (400 МГц) 56 (400 МГц) $20* * ( 1 кГц) 5(4. 10" 17 )*** - Sl ,5* Sl ,5* SI ,5* Sl ,5* Sl ,5* Sl ,5* 51 ,5* - - с КП307 ~5)! - с ~ ,..;u 10u ифз V')~ V') j 1 ...,11 1.. .4 (10 В) 1.. .4 (10 В) 2 ... 6,5 (10 В) - s6; S6: S6; S6: 56; s2** S2** $2** · S2** S2** - S20** ( 1 кГц) S20* * ( 1 кГц) S20** (1 кГц) - $250 s250 - S20; $20* 520;520* S2,5; 50,5* s2,5; :S0,5* ~5* ~5* (1 ГГц) (1 ГГц) / :S6 (1 ГГц) S7 ( 1 ГГц) КП308-1 Jt~! 1 , 3... 6 (5 В; 5 мА) 3".6 (5 В; 5 мА) Корп. - 12 КП310 (6_5,811 - ~· ~· 1 'с') 4 ... 5,8 (15 В) 2 ... 5 (15 В) .... 1 54; Sl * 54; Sl * ~2* ~2* (400 (400 МГц) МГц) 54 (400 МГц) 56 (400 МГц) - с r ~ - - 1 ифз 11 ПoiJn. КП312 ttt ~ ~m 10 4,5 ... 10,5 (10 В; 5 мА) 4,5 ... 105 (10 В; 5 мА) 4,5 .. .10,5 (10 В; 5 мА) 57; S0,9* ~10* (250 МГц) 57 ,5 (250 МГц) 300** s7; 50,9* ~10* (250 МГц) 57 ,5 (250 МГц) 300** 57; 50,9* ~10* (250 МГц) 57 ,5 (250 МГц) 300** ;, КПЗ13 J :tbl ~ зис
Раздел З. Полевь1е траю.исrnоры 250 Реи max, ·Тип прибора uЗи лор, в в - 25 30 20 2,5 ... 20 200 2,2 .. .12 20 20 - ~2 100 100 0,74 ... 6 0,74 ... 6 20 20 25 25 12 12 3 .. .12 3 ... 12 200 200 200 200 52,7 52,7 18 18 14; 16* 14; 16* 6 6 5 5 30 30 30 30 SlO SlO S17 517 • Реи т max, Вт КПЗ14А С p-n переходом . Uеи max, Uзе max, Uзи отс, мВт Структура 200 uЗи max, в lc, lc, и, le нач, Iсост, мА мА и п-каналом ' КПЗ22А С двумя затворами, с р-п переходом и п-каналом КПЗ2ЗА-2 С КПЗ2ЗБ-2 КПЗ27А p-n переходом и п-каналом С двумя изолированными 1 КПЗ27Б затворами и защитными ди- КПЗ27В одами, с n-каналом КПЗ27f - КПЗ29А С р-п переходом и n-каналом 250 250 ~1.5 КПЗ29Б ~1.5 50 40 45 35 - пМОП 125* 2 .. .4* 400 :1:20 10 (38*) - КПЗ40 ~1 ~1 А 525* мкА (400 В) ! КПЗ41А С p-n переходом 150 (6о·с> S3 15; 15* 10 150 (6о·с> S3 15; 15* 10 и каналом n-типа КПЗ41Б . r -· 520 530
251 Параметрьl полевых транзисторов S, ~4 мА/В (10 В) С11и, Сi2и, С22и, пФ Rси отк, Ом Кш, дБ к;,Р, дБ Рвых, Вт U~,мкВ Е~·, нВNrц ЛU3н, мВ о···, Кл •• tвкл, НС • tвыкл, НС 1;•, МJ:ц Корпус лuзи/лт•••, мкв;·с ~100** :S6: :S2* КП314 Ф//,75 ~ 3 с-ек н 3,2 ... 6,3 (10 В) :S6 (250 МГц) :S6; :S0,2* КП322 ~9,11 - J, ~ . о поил. J 2 о о и 4".5,8 (10 В) 4".5,8 (10 В) ~11 ~11 ~.5 ~.5 (10 В; 10 мА) (10 В; 10 мА) (10 В; 10 мА) (10 В; 10 мА) ~3 ~1 (10 В) (10 В) :S4; :Sl ,2* :S4; :Sl,2* :S2,5 :S2,5 $2,5; :Sl ,6* :S3,6; :SЗ* :S6 :S6 :S5** :S5** ~12* (0,8 ~18* (250 ~12* (0,8 ~18* (0,2 ГГц) МГц) ГГц) ГГц) :Sl500 :Sl500 КП323-2 400** 400** :S4,5 (0,8 ГГц) :S3 (0,2 ГГц) :S4,5 (0,8 ГГц) :S3 (0,2 ГГц) :S20** $20** КП327 КП329 200** 200** 1 ~7.7. 103 (50 В; 6 А) :Sl400; 130* :S0,55 КП340 tcn=24 27, 1 -1 ~ J i! - ~___...1 11 '~;::~· Ио 30 ~ \V . 1 15".30 (5 В) :SS; 1*; 1,6** 18 ... 32 (5 В) :SS; 1*; 1,6** 2,8 (400 МГц) :Sl,2** (100 кГц) 1,8 (200 МГц) :Sl ,2** (100 кГц) КП341
Раздел 252 Реи max, Тип Структура прибора мВт ·-- • Реи т max, Вт КП346А-9 С двумя изолированными Uзи отс, Uеи max, uЗи пор, UЗе maxr в 200 - 200 в ' • Uзи max, в 3. nолееые тра1:1зисторы Ic, le нач, 1с ост, мА 1ё. и, • мА 14; 16• 10 30 2... 20 - 14; 16• 10 30 S20 200 - 14: 16• 10 30 2... 20. 200 3 14 5 - S5 пМОП 150• 2.. .4• 400 ±20 14 (56•) С двумя изолированными 200 0,17 ... 6 15 15 30 SЗ,5 200 0,17 ... 6 15 15 30 SЗ,5 200 0,17 ...6 15 15 30 SЗ,5 200 200 200 200 200 200 200 200 0,5 ...3 0,5 ... 3 1.. .4 30 30 30 30 0,5 ... 2,5 0,5 ... 2,5 1,5...5 3.. .12 3...9 5... 20 0,3 ...3 1,5...5 затворами КП346Б-9 и п-каиалом КП346В-9 КП347А-2 С п-каналом, с двумя изолированными затворами, с двумя защитными диодами кпзsо КП3SОА А S25• мкА (400 затворами и встроенным КП3SОБ п-каналом КП350В КП364А С р-п переходом, КП364Б п-каналом КП364В КП364Г КП364Д КП364Е КП364Ж КП364И КП36SА С р-п переходом, КП36SБ п-каналом КП382А пМОП, с двумя затворами - 25; 25; зо• S8 25;3о•. 30 S8 0,3 ...3 0,5 .. ;2 25; 30• 25; 30• 25; 30• 30 30 30 20 20 20 20 20 20 20 20 150 150 -0,4 ...-3 -0,4 ...-3 20 20 20 20 - - - 2,7 15 - - S8 зо• 25;3о• 25; 30• . 4,5 ... 20 12... 35 S20 ' - В)
253 Параме~еы полевых транзисторов Rси отк, Ом S, мА/В Uw,мкВ Рвых, Вт Е~*, иВ/vГц •• (10 В; 10 мА) s2,6; sо.оз5•; s1,3•• 2:10 (10 В; 10 мА) SЗ; ~.035*; мА) s1,5•• S2,6; s0.оз5•; ~12 (10 В; 10 • к;,Р, дБ дU3н*, мВ ~12 Кw,дБ ГГц) ;;::15• (0,8 (200 SЗ,5 (0,8 • 1;•, МГц Корпус дUзи/дт•••, мкВ/•с ГГц) ГГц) S4,5 (800 МГц) МГц) Sl ,9 (200 МГц) . S13 (0,8 ~1 Q···. Кл tвклr НС tвыкл, НС КП346-9 s1.з•• и ~10 (10 8; 10 мА) SЗ,5 (10 8) 0,04• 2:18• (200 МГц) S2,5 (200 МГц) с КП347А-2 1,8 •f ~ jl g n -ifu О) . UL --- ,с - rз1 32 ~10• 103 (25 8; 25 А) S0,3 КП350 tcn=47 ~pf 27,1 - - i - ~ (~ 1~ \ ~\v 1 2:6 (10 В; 10 мА) s6; ~.07"'; s6 (400 МГц) S5 (100 МГц) S8 (400 МГц) КП350А sб•• ;;::6 (10 8; 10 мА) 2:6 (10 8; 10 мА) S6; s0,07*; s6•• S6; S0,07*; sб•• ~~в~ to:t \(')'•'.J--~~ ..... , _ ....." ~ - ;;..: "!2 1".4(108) 1".4(108) 2... 5 (10 8) 3."7 (10 8) ~.6 (10 8) 2:4 (10 8) 1".4(108) 2".6 (10 8) sзо•• (20 Гц) s20•• (l кГц) S20** (l кГц) S6;S2 S6;S2 s6;S2 s6; S2 S6;S2 S6;S2 S6;S2 S6;S2 11 ll 11 11 КП364 1 ~4 (100 МГц) ~4 (100 МГц) ~100•• (1 кГц) s100•• (l кГц) КП365 - 155,2 - 2:10 2:13* 3
Раздел 254· КП401АС Сборка из четырех 3. nолевь1е транзисторы 420 ~.8 30 20 3 (1 и 3) 420 ~.8 30 20 1 (2 транзисторов и КП401БС 1 и 3 с n-каналами, 2 и 4 с р-каналами КП402А С р-каналом (0,8 ... 2,8) 200 150 $60 С n-каналом (О,8 ... 2,8) 200 300 $60 КП403А ~ 4) КП440 nМОП 125* 2 .. .4* 500 ±20 8 (30*) А $25* мкА (500 В) КП450 nМОП 150* 2 .. .4* 500 ±20 12 (52*) А 525* мкА (500 В) С изолированным затвором 500 500 500 1... 3* 1... 3* 1... 3* 240 200 200 ±20 ±20 ±20 180 180 180 10 мкА 10 10 мкА 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 700 i,5 ... 2,5* -1,8 ... -0,7* 0,6 ... 1,2* 0,6 ... 1,2* 0,6 .. .l,2* 0,8 ... 2* 0,8 ... 2* 0,8 ... 2* 0,4 ... О,8* 400 240 240 240 200 50 50 60 8 ±10 ±10 ±10 ±10 ±10 ±10 ±10 ±10 ±10 120 150 250 250 250 1400 1400 1400 500 1 1 1 КП501А КП501Б и n-каналом КП501В КП502А КП503А С изолированным затвором и n-каналом КП504А КП504Б КП504В КП505А КП505Б КП505В КП505Г мкА мкА мкА мкА 1 мкА l мкА l мкА l мкА 1 мкА 1 мкА КП510 nМОП 43* 2 .. .4* 100 ±20 5,6 (20*) А $25* мкА (100 В) КП520 nМОП 60* 2 .. .4* 100 ±20 9,2 (37*) А $25* мкА (100 В)
параметры полевых транзисторов ~280 (1 и 3) ~130 (2 и 255 $1,2 (n-кан.); $2,5 (р-кан.) $2 (n-кан.); $5 (р-кан.) 4) КП401 1,5 ~,...... ~60 (25 В; О, 1 А) __ ,5 16 6ы8тJо8 О.52 ____;. КП402А, КП403А $20 ~5,2 ~60 (25 В; О, 1 А) -~ $6 ~ ~" ..... !!"$ ~5.3 ~9.3 (25 (25 В; В; 5 А) 7,75 А) $1300; 120• $2600; 120•• $0,85 $0,4 ~ ....: КП440, КП450 tсп=20 27,1 N ...... tсп=44 !'"';i """ ~100 КП501 10 10 15 ~100 ~100 Р5,2 -~ ~ ~- ~ ..... ~.1 А/В ~.14 А/В ~.14 А/В ~.14 А/В ~.14 А/В ~.5А/В ~.5А/В ~.5 А/В ~.5А/В ~1300 (50 В; 3,4 180; 15• $0,54 ~ КП502, КП503, 28 20 8 8 8 0,3 0,3 0,3 1,2 А) ~ КП504, КП505 tJ5,2 ~~ tt) ~ КП510, КП520 tcn=9,4 1/,8 70,65 ~2700 (50 В; 5,5 А) 360; 150•• $0,27 tсп=20 ~ ~" ..... 3 с 2.5 и 1,15 2.5 1,9 1, 1
256 Раздел з. /lолевые транзисторы Рен max, Тип мВт Структура прибора • т max, Реи Вт nМОП КП530 вв• • пор, Uзи Uзи отс, Uеи max, UЗе max, в в 2.. .4• 100 lc, • max, Uзи в ±20 le нач, 1с:. и, • 1 lсост мА А 14 (56•) ~25* мкА мА (100 В) ' КП540 КП601А КП601Б nМОП С p-n 150• переходом и n-каналом 500; 2• 500; 2• Вт Вт 2.. .4• 100 ±20 28 ( llO*) 4 ... 9 6 ... 12 20; 20• 20; 20• 15 15 - А ~25• мкА (100 В) ~400 ~400 КП610 nМОП 36• 2 ... 4• 200 ±20 3,3 (lO•) А ~5· мкА (200 В) КП620 nМОП 50• 2.. .4• 200 ±20 5,2 (18•) А ~25• мкА (200 В) КП630 nМОП 2.. .4• 200 ±20 9 (36•) ~5* мкА (200 В) ~25* мкА (200 В) \ 74• - nМОП 125• 2.. .4• 200 ±20 18 (72•) КП704А С изолированным затвором, КП704Б с n-каналом 75• 75• 1,5 ... 4• 1,5 .. .4• 200 200 ±20 ±20 10 10 КП705А С n-каналом 125• 125• 125• - 1000; 1010• 800; 840* 30 30 30 5,4 5,4 5,4 КП640 КП705Б КП705В - КП706А nМОП КП706Б КП706В КП707А С изолированным затвором, КП707Б с n-каналом КП707В soo; - - воо• А; А; А; А; А; А А . 30• 30• А ~о.в А ~· 6• 7• 7• А ~7; ~10· А ~7; ~10• А ~15; ~5· - 100• 100• 100• - 500 400 400 30 30 30 100• 100• 100• ~5 ~5 ~5 400 600 750 20 20 20 22 22 22 А А А 25• А 16,5• А 12,5• А l; 4• (500 1; 4• (400 1; 4* (400 ~5; ~1· ~5; ~1· ~5; ~·· В) В) В)
Параметры полевых транзисторов S, Rси отк, Ом Кш, дБ С1 lи, С12и, к;,Р, дБ Uш,мкВ С22и, пФ Рвыхr Вт ,Е~·. нВNГц • мА/В 257 •• • ЛU3н, мВ ~5100 (50 В; А) 8,4 Q**•, - ~.16 670; 60* Кл tвклr НС • tвыклr НС 1;•, МГц Корпус дUзи/дт•••, мкв/·с КП530, КП540 tcn=24 :r - '1,8 1!>65 .,, v 1 ~ fJJPr_JI - 11 ~ ~8700 В; (50 А) 17 ~О.077 1700; 120* - 1 tсп=43 - ~6 ~6 (400 (400 МГц) МГц) - 1 ~ ~" ~6* - 11)" Со" ~ ~6* - "''"" 1 Q::1 и 31111 '~ ~ 40."87 (10 В) 40 ... 87 (10 В) , 1,15 с-11111 ~ 11 2.5 - КП601 - tJ9,2 " фс ' r "' ~~. ~ ~· ~800 В; (50 2 А) ~1.5 140; 15* 1, 1 1,9 2.5 - ' 1• 1 3 1 -кп&lО, КП629, КП630, tcn=8,9 КП640, КП704 ~1500 ~3800 В; (50 (50 В; А) 3,1 3,4 А) ~.8 260; 30* ~.4 950; 76* - tсп=13 tсп=25 (50 В; 11 А) ~О.18 1600; 130* - tсп=40 -. 11)" IЯ 1000... 2500 (1 1000... 2500 (1 ~1000 ~1000 ~1000 (30 (30 (30 В; В; В; 2 2 2 А) А) А) А) А) ~О.35 ~О.5 250** 250** 1500 (50 1500 (50 1500 (50 В); В); В); ~4.3 ~3.3 20* 20* 20* ~3.3 - - ~100; ~100* ~100;~100* ~ ~" - 1 З~lllJJ IJtИ 'с;) ~ С-1'1 1, 15 11 1 - 2.S ~60; ~80* КП705 ~60; ~80* - 27.f ·л3 ~ ~\ ~) - 11 ' А) А) А) 2500; 300** 2500; 300** 2500; 300** 0,65 0,44 0,6 - КП706 70; 100* 70; 100* 70; 100* 1 ' j\ , t:: ... ' ~з ~ з L , с (20 (20 (20 В; В; В; 3 3 3 А) А) А) ~1600 ~1600 ~1600 (25 (25 (25 В); ~45* В); ~45* В); ~45* ~1 ~2.5 ~3 - ~80* ~ и 3+ ~ 6.3 -~1600 ~1600 ~1600 1,1 - ~60;~0* _, 2 2 2 1,9 2.5 tf::i' В; В; В; - - 1 ~ -, N .... 2300 (30 2300 (30 2300 (30 ... Q::1 Со" w j vfJ.JPr_JI , - ,, 1 ~ ~6700 '1,8 :r, 70,65 1 т L. и 21.5 КП707 ~80* ~80* 27.f с N~·л~ ; ~ \~~/
Раздел 258_ 3. полевые транзисторы 60* 60* 55* 2... 5 2... 5 2... 5 400 600 750 ±20 ±20 ±20 4 (16,5*) А 3 {12,5*) А S25* мкА (400 В) ~25* мкА (600 В) S25* мкА (750 В) nМОП 50* 2 .. .4,5 800 ±20 3,5 (9*) А ~25* мкА (800 В) С изолированным затвором 75* 75* 2 .. .4,5* 2 .. .4,5* 500 500 ±20 ±20 75* 75* 75* 75* 75* 2 .. .4 2 .. .4 2 ... 5 2 ... 5 2 ... 5 600 600 600 500 500 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 4,5 А; 18* А 4,5 А; 14* А 3,5 А; 16* А 4,5 А; 18* А 4 А; 14* А ~о.5 ~О.5 ~О.25 (20 В) S0,25 (20 В) S0,25 (20 В) nМОП 36* 2 .. .4 400 ±20 2 (6*) А ~25* мкА (400 В) КП712А С изолированным затвором, КП712Б с р-каналом 50* 50* 50* -2 ... -5 -2 ... -5 -2 ... -5 -80 -100 -100 ::1:20 ±2Q 10 ±20 8А КП707А1 nМОП КП707Б1 КП707В1 КП707В2 КП708А КП708Б и n-каналом КП709А С изолированным затвором, КП709Б с n-каналом КП709В КП709f КП709Д КП710 КП712В КП717А nМОП 170* 170* 170* 170* 170* 170* 350 400 350 400 350 400 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 15 15 13 13 11 11 А А 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 125* 125* 125* 125* 125* 125* 500 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 9,6 А 9,6 А 8,3 А 8,3 А 10 А 10 А 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* КП717В1 КП717Г1 КП717Д1 КП717Е1 КП718Е А 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* КП717Б1 КП718Д 10 А 15 А 15 А 13 А 13 А 11 А 11 А КП717Е КП718В 0,5 0,5 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 КП717Г КП718Г А 350 400 350 400 350 400 КП717Д КП718Б А 150* 150* 150* 150* 150* 150* КП717В КП718А 4,5 4,5 nМОП КП717Б КП717А1 б (25*)·А nМОП 450 500 450 500 450 А А А А
параметры полевых транзисторов 259 ~1600 ~1600 (20 В; 3 А) (20 В; 3 А) ~1600 (20 В; 3 А) $2600; 95* $2600; 95* $2600; 95* $1 $2,5 53 $80** 580** 580** ~1600 (20 В; 3 А) $1600; 95* 52,8 $80** КП707-1, КП707-2 и 1,15 2.5 ~2000 ~2000 (25 (25 В; В; 2 2 А) А) ~2000 (25 В; 2 А) - ~2000 (25 В; 2 А) 51500 (25 В; 2,5 А) $1500 (25 В; 2,5 А) 51500 (25 В; 2,5 А) ~1 (50 В; 1,2 ~2000 ~2000 А) (4 В; 2 А) (4 В; 2 А) ~1800 (4 В; 2 А) КП708, КП709, КП710 5650;$70* 5650;$70* $0,75 $1 5650 (25 В); $70* $650 (25 В); $70* $950 (25 В) $950 (25 В) $950 (25 В) 54,6 $2 $2,5 $1,5 $2 $50 550 $30; l~O* $30; 150* $30; 150* 170; 6,3* $0,36 tсп= 11 $0,25 $0,3 $0,4 130; 350* 130; 350* 130;350* 51800 (25 $1800 (25 $1800 (25 В); В); В); 100* 100* 100* 1, 1 КП712 (',/ ~ ~" С'-. а 3 ~~ 3 8 • 10 8000 7000 7000 6000 6000 0,3 0,3 0,35 0,35 0,4 0,4 КП717 27.f --ISP ~ ~ ~ 3 8 • 10 8000 7000 7000 6000 6000 КП717-1 0,3 0,3 0,35 0,35 0,4 0,4 15,9 5 &n -s:.· -. о зси 2700 2700 2700 2700 2700 2700 0,6 0,6 0,8 0,8 0,5 0,5 КП718 27.f ~~ ~ ~ ~
Раздел З. полевые транзисторы 260 КП718А1 nМОП КП718Б1 КП718В1 КП718Г1 КП718Д1 КП718Е1 125* 125* 125* 125* 125* 125* 450 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 400 ±20 500 450 500 450 500 9,6 9,6 А 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* А 8,З А 8,З А 10 10 А А З,3 (lЗ*) А мкА КП720 nМОП 50* КП722А nМОП 125* 200 ±20 22 А 0,25* КП723А nМОП 150* 150* 150* 150* 60 50 60 50 ±20 ±20. ±20 ±20 З5 А 0,25* 0,25* 0,25* 0,25* 125* 125* 600 500 ±20 ±20 6А 6А 0,25* 0,25* 500 ±20 lЗ А 0,25* КП723Б КП723В КП723Г КП724А nМОП КП724Б 2.. .4 З5 А З5 А З5 А КП725А nМОП 125* КП726А nМОП 75* 75* 2 .. .4* 2 .. .4* 600 600 ±20 ±20 4 А; 16* А 4,5 А; 18* А nМОП 40* 90* 90* 90* 75* 2 .. .4 2 .. .4 2 .. .4 2 .. .4 2 .. .4 50 50 50 50 50 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 14 А 2,6 А З,З А 90* 90* 2.. .4 2 .. .4 50 50 ±20 ±20 2,6 КП726Б КП727А КП727Б КП727В КП727Г КП727Д КП727Е КП727Ж nМОП - ЗА 4А ЗА А 525* (400 0,25* (600 0,25* (600 50,25* 50,25* 50,25* 50,25* 50,25* 50,25* 50,25* В) В) В)
параметры полевых транзисторов 2700 2700 2700 2700 2700 2700 261 0,6 0,6 0,8 0,8 0,5 0,5 КП718-1 5 Cn "5!:t-' "" ~1700 (50 В; 2 А) 490; 47• Sl,8 КП720, КП722 tсп=15 -N 0,12 9000 о зси ~ 10000 10000 10000 10000 0,028 0,028 0,035 0,035 2000 1,2 1 2000 КП723, КП724 1/,8 1,9 0,4 7800 2500 (25 2500 (25 В; В; ~300 ~1000 ~1000 ~1500 ~100 ~1000 ~1000 2,8 2,8 А) А) Sl050 Sl050 S2 Sl,6 sO,l S4 S3 S2 S3 S3 S4 1, 1 КП725 Sl50* Sl50* КП726, КП727 (А-Д) 1,9 КП727 (Е, Ж) 1,1
Раздел З. полевые транзисторы 262 Реи max, Тип прибора мВт Структура • т max, Реи Вт КП728А пМОП 75* КП730 пМОП 74* Uзи отс, Uеи max, • Uзи max, uЗи пор, • max, Uзе в в - 800 ±20 400 ±20 2".4 . в lc, le нач, lc OCTt мА ~с.и, мА ЗА 5,5 (22*) S0,25* S25* мкА (400 В) А ' КП730А Биполярный· 200* 3".5,5 Uкэ=1200 Uзэ=±20 Iк=45 ::;25* (1200 В) (90*) А транзистор с изолированным затвором с п-каналом КП731А Биполярный 160* 3."5,5 Uкэ=600 Uзэ=±20 Iк=40 А S25* (600 В) А 1,5(6*)А SO,l * SO,l * SO,l * so.1• (80*} транзистор с изолированным затвором с п-каналом КП733А пМОП КП733Б КП733Г КП733Д 125* 125* 125* 125* 2 .. .4* 1".2* 2."4* 2".4* 400 400 600 650 1* 2".4* 550 ±20 ±20 1,5 (6*) ±20 5* 4* ±20 А А ~ КП733В-1 · пМОП ±20 500 (2000*) SO,l * (550 В) КП740 пМОП 125* 2".4 400 ±20 10 (40*) А ::;25* мкА (400 В)
263 параметры полевых транзисторов S, • С11н, С12н, мА/В Кw,д:Б к;,Р, д:Б Uw,мкВ Рвых, Вт Е~*, иВNfц •• u••• д зи, с22н, пФ· - ~1000 Rси отк, Ом мВ • Q"., Кл tвкл, НС • tвыкл,.ИС 1;•, Мfц дUзи/дт•••, мкв/·с - sз Корпус - КП728 -5 - 15,9 -_" ' ~ jl ...... l ~ C'lf ~ - ~900 (50 В; 3,3 А) ::;2600; 95* - Sl п ~и~ ~~ зси КП730 tcn=l5 , 70.65 :! ~34._;sт- ,,,.. " 1 ' / 1 j Qa ~ ~" Со"' '~ 3· '!>t-"' ~ ...... С· (100 В; 25 А) ::;2400; 28* Uкэн=SО,116 - - и 1,15 1,9 _2.5 - 2.5 ~7500 (100 В; 24 А) Sl500; 20* Uкэн=sО,15 - -_" ~ ...... S410* ~ - ~500 S400; 15* S400; 15* ::;400; 15* ~400; 15* SЗ,6 SЗ,6 S4,4 ~5 [ ~ r~: ~ .. , -.. (20 В; 1 А) (20 В; 1 А) (20 В; 1 А) (20 В; 1 А) 5 C'lf ~ ~", ~500 ~500 ~500 п зси - 1,1 КП730, КП731 ::;480* 15,9 _ ~200 - - ... _ ..... с-... 1/,8 КП733 tcnS80 tcnS80 tcnS80 tcnSSO - /' 1,.Jt ' Qa 1/,8 '!р.65 - ~3,6, :! !1 ",1 - - - ~ ~" Со"' ..... ' • 1 ~ 31UI '!>t-"' 'Q ..... с..- 1 с-... 1 ~500 (20 В; 1 А) Sl50** (25 В); Sl5* (25 В); SlO - 1,15 1,9 _2.5 11 2k_ - .... и 1 _1,1 - - КП733-1 tcnS80 fJ5,2 - ;~ С"'1 iq ~-~ изс ~5800 (50 В; 6 А) Sl400; 120* S0,55 - tсп=24 КП740 1/,8 :! • '!р.65 ~J.6i,", 1 .,., ...'" " - ...... 1 ,,,.., 1 Qa ~ ~" Со"' ..... 1 • !.i) 1 3~1U ~ 'Q С-8-1 1 с-... ""-1 11 2k_ 1 - и 1,15 1 2.5 1,9 - 1, 1
Раз&т З. Пол~вые транзисторы 264 Реи max, Тип прибора Uзи пор, Uеи max, Uзе max, в в 60* 60* 100* 100* -30 -30 -30 -30 75; 110* 75; 90* 110; 150* 140; 180* -35 -35 -40 -40 40* 40* -25 -28 500; 535* 450: 480* -35 -30 мВт Структура • Реи т max, Вт КП801А С р-п переходом и КП801Б п-каналом КП801В . КП801Г КП802А С р-п переходом и КП802Б п-каналом , Uзи отс, • • lc, u*ЗИ max, ~с.и, в мА - 5А 4500 4500 3500 3000 5А 8А 8А 2,5 2,5 le нач, lc ост, мА А 0,5* 0,5* А 1 КП804А С изолированным затвором, 2* ::;4* 20 60 ~О.25; lA ::;1 * сп-каналом КП805А КП805Б 60* 60* 60* ::;4* ::;4* ::;4* 600; 600* 600; 600* 500; 500* пМОП 100* 100* 100* 100* 100* 100* 150* 1,5 ... 5 400 500 600 700 800 750 400 пМОП 50* 50* 50* 50* 50* 50* С изолированным затвором, сп-каналом КП805В КП809А КП809Б КП809В КП809Г КП809Д КП809Е КП809К КП809А1 КП809Б1 КП809В1 КП809rt КП809Д1 КП809Е1 КП810А Биполярный со КП810Б статической индукцией, КП810В п-канал 50* 50* 50* - - . 400 500 600 700 800 750 1500 1300 1100 . ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 - ±20 ±20 ±20 5 5 5 4А ~1; ~3* 4А 4А ::;1; ::;3* ::;1; ::;3• 9,6 (35*) А 9,6 (35*) А 9,6 (35*) А 9,6 (35*) А 9,6 (35*) А 9,6 (35*) А 20* А ::;1 мА (400 В) ::;О,25; ::;1 * ::;О,25; ::;1 * ::;О,25; ::;1 * ::;О,25; ::;1 * ::;О,25; ::;1 * ::;О,25; ::;1 * 9,6 9,6 9,6 9,6 9,6 9,6 (35*) (35*) (35*) (35*) (35*) (35*) 7А 7А 5А ' А А А А А А ::;О,25; ::;О,25; ::;О,25; ::;О,25; ~О.25; ::;О,25; - ::;1 * Sl * ::;1 * ::;1 * ::;1 * ::;1 *
265 Параметры полевых транзисторов С11н, Сi2н, С22н, пФ S,мА/В Rси отк, Ом Кш, дБ к;.Р, дБ Ц:,мкВ Е~*, нВNrц Q***, Кл ** в Т Рвых, ЛU3н, мВ ~00 ~450 ~800 ~00 ~800 ~800 (15 В; 4 А) (15 В; 3 А) (20 В; 4 А) (20 В; 4 А) (20 (20 В; В; 3,5 3,5 tвкл, НС * tвыкл, НС 1;*, мrц лuзи/лт***, Корпус мкв/·с КП801 $2,2 $4,4 $2,2 $2,2 А) А) КП802 $80;$30* $80;$30* 27,1 ~ ~800 (l О В; 0,8 А) $200 (25 В) $25*; $100** !i КП804 $0,6 с f)8,5 ~,!-;~~:з ифJ ~ I• $l....___ ,, ~2500 ~2500 ~2500 (20 В; 2 А) (20 В; 2 А) (20 В; 2 А) $1300 (20 В); $40* $1300 (20 В); $40* $1300 (20 В); $40* $130** ~ 1 1 _1 !) КП805 $180; $220* $180; $220* $180;$220* /J,8 10.7 ~- т _j··r ИС3 ~1500 ~1500 ~1500 ~1500 ~1500 ~1500 ~1500 А) А) А) А) А) А) А) $3000; $3000; $3000; $3000; $3000; $3000; $3000; $220* $220* $220* $220* $220* $220* $220* $0,3 $0,6 $1,2 $1,5 $1,8 $2,5 $0,15 tc11$lOO tc11$lOO tc11$lOO tc11$lOO tc11$lOO tc11$lOO tcr1$lOO (20 В; 3 А) (20 В; 3 А) ~1500 (20 В; 3 А) ~1500 (20 В; 3 А) ~1500 (20 В; 3 А) ~1500 (20 В; 3 А) $3000; $3000; $3000; $3000; $3000; $3000; $220* $220* $220* $220* $220* $220* $0,3 $0,6 $1,2 $1,5 $1,8 $2,5 tc11$lOO tc11$lOO ~1500 ~1500 (20 (20 (20 (20 (20 (20 (20 В; В; В; В; В; В; В; 3 3 3 3 3 3 3 0,2 0,2 0,2 tсп$100 КП809 - №~\J ~ 27.f - 'Л~ 3И КП809-1 15,9 5 tcn$l 00 tc11$lOO tсп$100 200 200 200 КП810 _15,9 ~......__и11 ~ $l..~ 1 ~ зси 5
. Раздел З. Полевые транзисторы 266 КП812А1 пМОП 60 60 60 ±20 ±20 ±20 150* 150* 150* 2,1 .. .4 2,1 ... 4 2,1 .. .4 200 200 200 ±20 ±20 ±20 22 (88*) 22 (88*) 125* 125* 2,1 .. .4 2,1 .. .4 200 200 ±20 ±20 22 (88*) А 22 (88*) А S0,25*(200 В) S0,25*(200 В) 125* 125* 2,1 .. .4 2,1 .. .4 200 200 ±20 ±20 22 (88*) 22 (88*} А А S0,25*(200 В) S0,25*-(200 В) пМОП 50* 74* 125* 2.. .4 2.. .4 2.. .4 500 500 500 ±20 ±20 ±20 2,5 (8*) А 4,5 (18*) А 8 (32*) А S0,25*(500 В) S0,25*(500 В) :S0,25*(500 В) С изолированным затвором 20* 70; 85* 30 4А ~OO;S50* G изоли~ованным затвором и п-каналом КП813f КП813А1 С изолированным затвором КП813Б1 и п-каналом КП813А1-5 С изолированным затвором КП813Бt-5 и п-каналом КП820 КП830 КП840 КП901А S0,25*(60 В) S0,25*(60 В) S0,25*(60 В) 2.. .4* 2.. .4* 2.. .4* КП812В1 КП813А КП813Б 50 (200*) л35 (68*) А 30 (120*) А 125* 80* 70* КП812Б1 А А: 20А ~О.25*(200 В) ::;О,25*(200 В) S0,25*(200 В) и индуцированным КП901Б п-каналом 20* 70; 85* 30 4А ~OO;S50* КП902А С изолированным затвором 3,5* 50 30 200 SlO; S0,5* КП902Б 3,5* 50 30 200 SlO; :S0,5* КП902В 3,5* 50 30 200 SlO; S0,5* и п-каналом
Параметры полевых транзисторов 267 ~15000 (25 В; 31 А) ~5500 (25 В; 24 А) ~9300 (25 В; 18 А) 1900; 920** 640; 360** 1200; 600** S0,028 S0,035 S0,05 tcn=92 tcn=42 tcn=52 КП812-1 ~9000 (20 В; 10 А) ~9000 (20 В; 1О А) ~9000 (20 В; 10 А) 2700; 540** 2700; 540** 2700; 540** so,12 S0,12 S0,06 fcnS140 tcnS140 tcnS140 КП813 ~5500 ~5500 2700; 540** 2700; 540** S0,12 S0,18 tcnS140 tcnS140 КП813-1 (20 В; 1О А) (20 В; 1О А) . 15,9 ....---~~ 5 - о зси ~5500 (20 В; 1О А) ~5500 (20 В; 10 А) ~1500 (50 В; 1,5 А) ~2500 (50 В; 2, 7 А) ~4900 (50 В; 4,8 А) 2700; 540** 2700; 540** s-;o, 12 S0,18 tcnS140 tcnS140 КП813-5 360; 92** 610; 160** 1300; 310** S3 Sl,5 S0,85 tcn= 16 tcn= 16 tcn=20 КП820, КП830, КП840 '1,8 1,9 50... 160 (20 В; 0,5 А) 60 ... 170 (20 В; 0,5 А) SlOO;SlO* 10... 25 (20 В; 50 мА) 10... 25 (20 В; 50 мА) 10... 25 (20 В; 50 мА) Sl 1; S0,6*; Sl 1** SlO* ~7* (100 МГц) ~10** (100 МГц) ~.7** (100 МГц) КП901, КП902 S6 (250 МГц) Sl 1; S0,6*; Sl 1** ~6,6* (250 МГц) ~0.8** (60 МГц) ~0,8** (60 МГц) Sl 1; S0,8*; Sl 1** ~0,8** (60 МГц) S8 (250 МГц) 1, 1
Раздел КП903А С p-n переходом 3. Полевые транзисторы ~0,05* 6* . 5 ... 12 20; 20* 15 700 S700; КП903Б 6* 1... 6,5 20; 20* 15 700 S480; S0,05* КП903В 6* 1... 10 20; 20* 15 700 S600; S0,05* 75* 75* 70; 90* 70; 90* 30 30 5А ЗА S350;S200* S350;S200* 4* 60; 70* ±30 350 ~О; Sl* КП905Б 4* 60; 70* ±30 350 ~О; Sl* КП905В 4* 60; 70* ±30 350 ~О; Sl* 11,5* 60; 70* ±30 2,7 А SlOO; SlO* КП907Б 11,5* 60; 70* ±30 1,7 А SlOO; SlO* КП907В 11,5* 60; 70* ±30 1,3 А SlOO; SlO* и n-каналом КП904А С изолированным затвором КП904Б и индуцированным n-кана­ лом КП905А С изолированным затвором и n-каналом КП907А С изолированным затвором и n-каналом " КП908А С изолированным затвором КП908Б и индуцированным 3,5* 3,5* 40; 50* 40; 50* 20 20 15* 45 40 (имп.) 280 200 S25; S0,5* ~5; S0,2* п-каналом КП921А С изолированным затвором 10 А S2,5 (40 В) и индуцированным каналом КП921Б n-типа 15* 2... 8 40 ±40 КП922А С изолированным затвором и индуцированным n-кана­ КП922В лом 60* 60* 60* 2 ... 8* КП922Б 100 100 100 ±30 ±30 ±30 2 ... 8* 2... 8* 7А 10 10 10 S2,5 (40 А 2 А 2 А 2 В)
Параметры полевых транзисторов 85 ... 140 (8 В) Sl8 50... 130 (8 В) Sl8 60 ... 140 (8 В) Sl8 269 ~.09** (30 МГц); $10; ~7.6* ~О,09* (30 МГц); SlO; ~7,6* ~.09** (30 МГц); SlO; ~7,6* s5** (100 кГц) КП903 ~· (100 кГц) -- s5** (100 кГц) - ~50** (60 МГц) ~30** (60 МГц) ~13* (60 МГц) 250 ... 510 250 ... 510 s300 (30 В) s300 (30 В) 18 ... 39 В; 50 мА) 18 ... 39 (20 В; 50 мА) 18 ... 39 (20 В; 50 мА) S7; S0,6*; S4** ~1 **; ~8* Sl 1; S0,6*; S4** ~6* (1 Sl3; S0,8*; S6** ~4* (l ГГц) с & и КП904 (1 ГГц) КП905, КП907 (20 110... 200 (20 В; 0,5 А) 100... 200 (20 В; 0,5 А) 80.. .110 (20 В; 0,5 А) ~24 ~24 (20 В; 80 мА) (20 В; 80 мА) SЗ* ГГц) S6,5 ( 1ООО МГц) (25 В) ~4** (1 ГГц) S2;S2* S3* (25 В) ~3** (1 ГГц) S2;S2* SЗ* В) (25 ~.5 (25 В); S0,6* S6,5 (25 В); S0,6* ~5** (0,4 ГГц) ~l ** (1,76 ГГц) $25 S2;S2* КП908 3
Раздел 270 3. Полевые транзисторы 100 100 100 100 ±30 ±30 ±30 ±30 100* 50; 60* 20 12 КП923Б 100* 50; 60* 20 8А S50;S50* КП923В 50* 50; 60* 20 6А S25;S25* КП923Г 50* 50; ЬО* 20 4А ::;25;S25* 250* 50; 60* 25 21 А ::;150;:5:150* 250* 55; 65* 25 16 А Sl50;Sl50* 450 300 5 5 10 (15*) 10 (15*) КП922А1 С изолированным затвором КП922Б1 и индуцированным КП922В1 п-каналом КП922Г1 КП923А С изолированным затвором 60* 60* 60* 60* 2... 8* 2... 8* 2... 8* 2... 8* 10 А 10 А 10 А 10 А 2 2 2 2 S50;S50* А и п-каналом КП928А С изолированным затвором и каналом п-типа КП928Б КП934А Со статической индукцией, КП934Б с каналом п-типа 40* 40* КП937А С р-п переходом и 50* -15 450; 475* 20 17,5 А 50* -15 450; 475* 20 17,5 А 500; 500; 450; 400; 300; -5 -5 -5 -5 -5 А А п-каналом КП937А-5 С р-п переходом и п-каналом КП938А С р-п переходом и КП938Б п-каналом КП938В КП938Г КП938Д 50* 50* 50* 50* 50* 500* 500* 450* 400* 300* 12 12 12 12 12 А А А А А S3* $3* :5:3* $3* S3*
271. Параметры полевых транзисторов 1000... 2100 1000 ... 2100 1000 ... 2100 1000 ... 2100 (1 (1 (1 (1 А) А) А) А) ~2000 (20 В) ~0.2 S2000 (20 В) S2000 (20 В) S2000 (20 В) S0,4 Sl s0,17 SlOO; ~100* SlOO; SlOO* SlOO; SlOO* SlOO; SlOO* КП922-1 и 1,15 2. 5 1,9 .......... 1,1 ~~ ~1000 (20 В; 3 А) S400 (10 В) ~50** (1 ГГц); КП923 ~4* ~700 (20 В; 3 А) S400 (10 В) ~25** (1 ГГц) ~550 (20 В; 2 А) S220 (10 В) Sl; ~25** (1 ГГц) ~350 S220 (10 В) S3; ~17** (l ГГц} :2:4* ~4* 3ат6оР. ~4* (20 В; 2 А) 1800 (20 В; 3 А) 530 (10 В); 50* 1800 (20 В; 3 А) 530 (10 В); 50* S0,4; ~6,2* ~250** (0,4 ГГц) S0,4; :2:6* (0,4 ГГц) ~200** h21э=l0 ... 80 (5 А) h21э=10 ... 80 (5 А) SO,l SO,l 20* (5 В; 5 А) ~0,07 SlOO; ~500* SlOO; S2500* КП934, КП937 N-№27.1;:s ..... - -+---+--+ ~ ~ :2:20* (5 В; 5 А) h21~20* h21~20* (5 (5 h21э220* (5 h21э~20* (5 h21~20* (5 В; В; 5 5 В; 5 В; 5 В; 5 А) А) А) А) А) КП937-5 S0,07 S0,07 S0.07 SO,l sO,l SO,l S200 S200 S200 S200 S200 КП938 N№27.t ;:s ..... ~ ~ -+---+---1-
Раздел З. полевые транзисторы 272 Реи max, Тип Структура прибора Uзи отс, Uеи max, Uзи пор, Uзе max, в в С изолированным затвором 30* -1,5 ... -4,5 30* • lc, в lc. и, lc ост, мА 50; 50* 20 15 А S0,5; Sl * -1,5 ... -4,5 60; 60* 20 10 А S0,5; Sl * 30* 1,5.. .4,5 50; 50* 20 15 S0,5; Sl * 30* 1,5.. .4,5 70; 70* 20 10 А 15 15 мВт • Реи т max, Вт КП944А - • • Uзи max, мА Ie нач, и р-каналом КП944Б - КП945А С изолированным затвором А и n-каналом КП945Б КП946А БСИТ КП946Б n-канал КП948А БСИТ - КП948Б n-канал КП948В КП948f 40* 40* - 400 200 5 5 20* 20* 20* 20* - 400 300 370 250 5 5 5 5 5А - 36; 41* 36; 41 * 36; 41 * 20 20 20 600 600 600 ' - А S0,5; ~1 * - А 5А 5А 5А - / КП951А-2 С изолированным затвором, КП951Б-2 с n-каналом КП951В-2 3* 3* 3* S6* sб·Sб* Sl; S2* S2; S4* S2;S8* , КП95ЗА- БСИТ КП95ЗБ n-канал КП95ЗВ КП95Зf КП95ЗД КП954А БСИТ КП954Б n-канал КП954В КП954f ' 50* 50* 50* 50* 50* - 450 300 450 300 450 5 5 5 5 5 15 15 15 15 15 40* 40* 40* 40* - 150 100 60 20 5 5 5 5 20 20 20 20 А А А А А А А А А - - - .
Параметры полевых транзисторов S, • С1 lи, С12и, мА/В_ С22и, пФ ;::.3000 <10 В; 4 А) ~3000 (10 В; 4 А) 273 Rси отк, Ом Кш,дБ к;,Р, дБ • Uw,MKB Рвых, Вт Е~*, нвNrц Q***, К.л •• лuЗИ*, мВ 700 (20 В; 1 МГц) 80* (20 В) 700 (20 В; 1 МГц) 80* (20 В) tвкл, НС • tвыкл, НС 1;•, мrц дUзи/дт***, Корпус мкв/•с ~.3 - 90; 120* ~.4 - 90; 120* КП944, КП945 - 2,35 0,5 ~ G,6 5.2 --_, - ' '~ - ' IQ' ~ ~300 ~2300 (3 В; 2 А) (3 В; 2 А) - ~.l 600 (25 В; 1 МГц) 150* 600 (25 В; l МГц) 300** ~.15 - 60; 180* - ~ :, - с - 0,1 0,1 - КП946, КП948 80 80 :r • 10.65 ~ - 0,15 0,15 0,15 0,15 - lt)" 80 80 80 80 - ~ ~ - "" 1,Jt '1,8 - .... "1 ~ ~" , j С'1 -э-" ...... i:D 3 ~ с - ~3** (0,4 ГГц) (0,4 ГГц) ~15** (0,4 ГГц) ~5** - 1,15 25 - 20 _, - 'lJJ 1 i ..,а ' /~, ' ~ ~ J а1 1 1 а\ 1Е 0,15 КП9БЗ 100** 100** 100** 100** КП954 0,03 0,03 0,025 0,025 50; 50; 50; 50; 1 _~ ~. 'и~ 1 с 'и. 50** 50** 50** 50** 50** 150; 150; 150; 150; 150; 1,1 1,9 КП951 . 0,06 0,06 0,06 0,06 0,064 !о- и 2.5 ~200 (10 В; 0,5 А) ~500 (10 В; 1,5 А) ~1000 (lO В; 3 А) - 0.8 1/,57 1 11'" - f~дs rи i\I 1}1 60; 180* • 15,9 5 l С'1 ~ ~~ 1 3-lfHllfН'И c...rw 1,15 1 ~;;...- ., .... 1-11. 2.5_ - т 2. 5 1.~,9~._1,..._1_
Раздел З. Полевые транзисторы 274 Реи max, Тип прибора Структура мВт • т max, Реи Вт КП955А БСИТ КП955Б n-канал 70* 70* Uзи отс, Uеи max, Uзи пор, Uзе max, в в ... - lc, • в lc. и, 5 5 20 20 Uзи max, • 700 450 Ie нач, Ic ост, мА мА - А - А ' КП956А БСИТ КП956Б n-канал КП957А БСИТ КП957Б п-канал КП957В - 10* 10* - 10* 10* 10* - - 350 200 5 5 2А 800 800 700 5 5 -5 1А - 2А - lA 1А 1 КП958А БСИТ КП958Б п-канал КП958В КП958f КП959А БСИТ КП959Б п-канал КП959В КП960А БСИТ КП960Б р-канал КП960В КП961А БСИТ КП961Б п-канал КП961В КП961f КП961Д КП961Е КП964А БСИТ КП964Б р-канал КП964В КП964f 70* 70* 70* 70* - 150 100 60 20 7* 7* 7* - - 7* 7* 7* - - 5 5 5 5 30 А 30 А 30 А 20 А - 220 200 120 5 5 5 200 200 200 - - 220 200 120 5 5 5 200 200 200 - 10* 10* 10* 10* 10* 10* - 120 80 60 40 20 10 5 5 5 5 5 5 5А 5А 5А 5А 5А 5А - 40* 40* 40* 40* - 150 100 60 20 5 5 5 5 - - - - . 20 - - - - А - 20А 20 А 20А - 1 "
Параметры полевых транзисторов 275 Rси отк, Ом S, мА/В Кш,дБ к;.Р, дБ • Uw,MKB Рвых, Вт Е~*, нВ/vfц дUЗн, мВ Q***, К.л •• 0,04 0,003 tвкл, НС • 1;•, мrц tвыкл, НС Корпус дUзи/дт***, мкв/·с КП955 100; 100** 100; 100** 15,9 5 IJU~ tn к ;:(' ~ U а зси 0,6 0,6 100; 50** 100; 50** 0,8 0,8 0,8 80; 50** 80; 50** 80; 50** 0,02 0,02 0,02 0,02 80; 80; 80; 80; КП956, КП957 КП958 100** 100** 100** 100** 15,9 tn' ;:(__ 5 '1 ~~ исз 57 57 57 200** , 200** 200** КП959 57 150** 150** 150** КП960 57 57 0,16 0,13 О, 11 0,10 0,10 0,8 40; 40; 40; 40; 40; 40; 100** 100** 100** 100** 100** 100** КП961 0,93 0,03 0,025 0,025 50; 50; 50; 50; 100** 100** 100** 100** КП964 :5- fJJ.6. ~-t._,в_ 10,55 ,.........,.....н.,.--,"'""'1 _,, 1,3.....rт....,..~--­ ,,,... j~ 3 и --- -- С'1 1."3.1---.,,.4'11Ш :i '<:!' с 1,15 2.5_-__,.__-Е--2.,,_5 1.'--,9,..._,.......,-,..;..1,_1-
Раздел З. Полевые транзисторы 276 Реи max, Тип Структура прибора мВт • т max, Реи Вт Uзи пор, Uеи max, Uзе max, в· в Uзи отс, • • Ie, lc. и, • Uзи max, в мА le нач, 1с• ост, мА , КП965А БСИТ КП965Б р-канал КП965В КП965f КП965Д КП971А БСИТ КП971Б п-канал КП97ЗА БСИТ КП97ЗБ п-канал КПС104А Сдвоенные, с р-п переходом КПС104Б и п-каналом 10* 10* 10"' 10* 10* - - 250 160 120 60 20 5 5 5 5 5 100* 100* - 900 800 5 5 100* 100* - 700 600 5 5 - 5А 5А 5А 5А 5А ' - 0,25".1,5 0,25".1,5 0,35 ... 1,5 1,1".3 25; 30* 25; 30* 30 30 - 1".20 1."20 25; 25; 25; 25; 25 25 25 25 - 15; 15; 15; 15; 20* 20* 20* 20* 0,5 0,5 0,5 0,5 КПС203В-1 30 (55°С) 30 (55°С) 30 (55°С) кпс2озr-1 ЗО (55°С) 0,2".2 0,2".2 0,4".2 1".3 15; 15; 15; 15; 20* 20* 20* 20* 300 300 1".5 0,4".2 60 60 60 60 0,3".2,2 0,3."2,2 1,3".4 2,5".6 КПС202Б-2 и п-каналом КПС202В-2 кпс202r-2 КПС20ЗА-1 Сдвоенные, с р-п переходом КПС20ЗБ-1 и р-каналом КЦСЗ15А · КПС315Б Сдвоенные, с р-п переходом и каналом п-типа - А 0,5 0,5 0,5 0,5 0,4".2 0,4".2 0,4".2 1."3 Сдвоенные, с р-п переходом А - 60 60 60 60 КПС202А-2 30 30 Sl,5 Sl,5 Sl,5 S3 30* 30* 30* 30* 30* 30* КПС104Е - - 25; 25; 25; 25; 25; 25; КПС104f А А S0,8 S0,8 S0,8 S0,8 S0,8 s0,8 0.2 ... 1 0,2".1 0,4 ... 2 0,4".2 0,8".3 0,8."3 КПС104Д 25 25 - 45 45 45 45 45 45 КПС10~В - -30; -30; -30; -30; -30; -30; 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 - КПСЗ16Д-1 Сдвоенные, с р-п переходом КПСЗ16Е-1 и канаЛО!\1 п-типа КПСЗ16Ж-1 КПСЗ16И-1 25* 25* 25* 25* - ,
Параметры полевых транзисторов 277 Rси отк, Ом к;,Р, дБ S, мА/В •• Рвых, Вт лuЗИ, мв Кш, дБ • Uw, мкВ Е~*, нвNrц Q***, К.л tвкл, НС • 1;•, мrц tвыкл, НС дUзи/дт***, мкВ/"С 40; 40; 40; 40; 40; 0,8 0,6 0,6 0,4 0,4 0,04 0,04 Корпус КП965 200** 200** 200** 200** 200** КП971, КП973 200 150• -r--~15.+:,9"81 - 5 D 1'".о. j, ::... ".:r11;:::::8===t 0,03 0,03 150 150 с-..,~ i tn '$!......._____. 1 р._ '~ ~ зси ~.35 (tO В) ~.35 (10 В) ~.65 (10 В) ~1 (10 В) ~1 (10 В) ~.65 (10 В) S4,5; S4,5; S4,5; S4,5; S4,5; S4,5; ~.5 (5 В) ~.5 (5 В) ~.65 (5 В) ~1 (5 В) ~.5 (10 В) ~.5 (10 В) ~.65 (10 В) ~1 (10 В) Sl,5* Sl ,5* Sl,5* Sl,5* Sl ,5* Sl,5* S6; s2* S6;S2* S6;S2* S6; s2* S6 S6 S6 S6 (1 О (10 (10 (10 В); В); В); В); S2* S2* S2* S2* S0,4* (1 О Гц) Sl * (10 Гц) КПС104 S20*** s50*** Sl50*** Sl50*** SlOO*** Sl50*** S20*** SlO*** SlO*** S30*** S30*** 30** 30** 30** 30** КПС202-2 S40*** S40*** Sl50*** Sl50*** КПС203-1 S30*** S30*** S50*** S50*** SЗО*** slO*** SlO*** S30*** S30*** S5*(10Гц) Sl * (10 Гц) S5* (10 Гц) S2,5* (10 Гц) Sl2* (10 Гц) - С1 з, и 1 ~2.8 (5 В) ~1 ... 5 (5 В) ~.5 ~.5 ~.5 ~.5 (5 (5 (5 (5 В; В; В; В; 0,3 0,3 0,3 0,3 мА) мА) мА) мА) S8 (10 В) S8 (10 В) S6 S6 S6 S6 (10 В); S2* (10 В); S2* (10 В); S2* (1 О В); s2* S30*** s30*** SЗО***; 60** S30***; 60** s50*** s50*** s50*** S50*** S40*** S40*** S40*** S40*** 0,8 - - Н2 __ 2 - --с2 --з 6- КПС315 ~9,5 КПСЗ16
Раздел 278 Раздел 4. 4. Диоды Диоды Виды приборов и основные параметры 4.1. Диоды по функциональному назначению подразделяются на выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, варикапы. Выпрямительные диоды используются для преобразования переменного тока промышленной частоты 50 Гц". 50 кГц в постоянный (например, КД102, КД106, КД204, КД212). Работу выпрямительных диодов характеризуют следующие основные параметры: • максимально допустимое обратное напряжение Uобр.mск любой формы и периодичности, которое может быть приложено к диоду; • • • • максимально допустимый постоянный прямой ток Inp.mcк; постоянное прямое напряжение при заданном прямом токе Unp; обратный ток утечки lобр при заданном обратном напряжении; рабочая частота fд, при которой обеспечиваются заданные токи, напряжение и мощность. Если частота переменного напряжения, приложенного к диоду, превышает fд, то потери в диоде резко возрастают и он нагревается. В состав параметров всех диодов входят также диапазон температур окружающей среды Т и максимальная температура корпуса Т к. В качестве выпрямительных используются диоды не только на основе p-n переходов (полупровод­ ник-полупроводник), но и на основе переходов металл-полупроводник, так называемые диоды с барьером Шатки, отличающиеся более высокими быстродействием и рабочими токами и меньшими значениями напряжений в прямом направлении, например КД238, КД2991, КД2998, КД419 (для преобразования сигналов диапазона ПЧ в схеме линейного детектора). Диоды с барьером Шатки для импульсных устройств являются практически безынерционными, так как перенос заряда в них обусловлен только основными носителями. Для работы на более высоких частотах используются универсальные диоды, например КД401, КД407 (для детектирования сигналов до 300 кГц), КД409 (для селекторов телевизоров на частоты до 1 МГц), КД410 (для строчной развертки телевизоров), КД416 (для формирования импульсов с частотой 500 кГц), КД248 (для источников вторичного электропитания). В качестве выпрямительных диодов используются КД241 (демпфер в оконечных каскадах строч­ ной развертки телевизоров), КД226 (обеспечивает требования "мягкого" восстановления, поэтому у него нормируется скорость спада обратного тока восстановления 1 А/ мкс), КД223 (для автотрактор­ ных генераторов для работы в диапазоне температур -60".+150°С), КД2994 (для ВИП и систем телефонной связи, в частности для аппаратуры МТ 20/25). Выпрямительные диоды выпускаются в стеклянных (Д2, Д9, ГДl 13), металлостеклянных (Д7, Д101, КД202-КД210, Д226), металлопластмассовых (КД212, КД213) и пластмассовых (КД106, КД109, КД208, КД209) корпусах. Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов при переключении (малую инерционность). При переключениях диода из прям9го направления на обратное (запирающее) накопленные носители зарядов обуславливают протекание через диод обратного тока, который может в течение некоторого времени значительно превышать статический обратный ток. Этот процесс называется переходным процессом запирания или процессом восстановления обратного сопротивления диода. При переключениях диода из запирающего направления в прямое имеет место переходный процесс установления прямого сопротивления диода. Такие диоды используются в каче~тве ключевых элементов схем с сигналами малой длительности. Наименьшее время переключения имеют диоды с выпрямляющим переходом металл-полупроводник. Основные параметры импульсных диодов: • время обратного восстановления диода tвос, обр интервал времени от момента подачи импульса обратного напряжения, когда ток через диод равен нулю, до момента, когда обратный ток диода уменьшается до заданного значения; • заряд восстановления диода Qвос - полный заряд диода, выте-кающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока 1-ta заданное обратное напряжение;
Видь~ приборов и основные параметры • 279 - время прямого восстановления диода tвос,пр время, в течение которого напря?f<ение на диоде ·ii устанавливается от нуля до установившегося значения; • максимальный ток восстановления loбp.max наибольший обратный ток через диод после - переключения напряжения на нем с прямого направления; • • постоянное прямое напряжение Uпр; емкость диода Сд; максимально допустимые значения обратного напряжения Uoбp.max и прямого тока Iпр. Примерами импульсных диодов являются КДl 16 max. (для гашения ЭДС самоиндукции электромагнит- ного реле и преобразования переменного напряжения), КДI 26, КДl 27 (для строчной развертки видеокамер), КД247, КД257, КД258 (со скоростью спада обратного тока 5-6 А/мкс), КД424 и КД805 (для импульсных и выпрямительных схем телевизоров), КД 411 (для цветных телевизоров), КД412 (для цепей регулирования вторичных источников электропитания, инверторов и прерывателей), КД503, КД509, КД5l2, КД5l3 (для быстродействующих устройств наносекундного диапазона), КД504 (для ограничения и модуляции импульсов), ГД507, ГД508 (для быстродействующих формирователей . импульсов), КД922 и КД923 (для преобразования переменного напряжения высокой частоты). Во многих случаях применения возникает проблема идентичности параметров диодов, подобран­ ных в одну группу или пару (особенно при разработке быстродействующих схем). Основным парамет­ ром, по которым должна быть обеспечена аналогичность диодов, является прямое падение напряжения (иногда и значение емкости). Обратный ток при этом не играет существенной роли, так как в быстродействующих схемах для кремниевых диодов значение обратного сопротивления много больше нагрузки. Для обеспечения идентичности диодов при работе в широком диапазоне токов и температур требуется их подбор в нескольких точках вольт-амперных характеристик. Например, выпускаются сдвоенные диоды КД205, два диода с общим катодом (ОК) КД704, два последовательно соединенных диода КД629 (для АТС МТ-20), КДС413 - диодные сборки из 12 диодов с ОК, КДС414 - диодные сборки из 12 диодов с общим анодом (ОА), КДС415 - диодные сборки из шести изолированных диодов (для применения в дешифраторах, диодных функциональных преобразователях и умножителях), КД238 - сборка из двух диодов с барьером Шотки с ОК (для ВИП в качестве выходного двухтактного выпрямиtеля со средней точкой), КД901 - матрицы из одного (группа Al ), двух (гр. Бl ), трех (гр. Bl) и четырех (гр. Гl) диодов с общим катодом; КД904 - матрицы из одного (гр. Al), двух (гр. Бl), трех (гр. Bl) и четырех (гр. El) диодов с ОА; КД908 - матрицы из восьми диодов с ОК; КД910 матрицы из одного (гр. Al ), двух (гр. Бl) и трех (гр. Bl) диодов; КД911 - матрицы из одного, двух или трех диодов с ОК; КД9l2, КД9l3 соответственно с ОА и ОК; КД917 бескорпусные матрицы с шариковыми выводами из трех диодов - - матрицы из восьми диодов с ОА в корпусе для микросхем. Принцип действия варикапа основан на свойстве емкостей p-n перехода изменять свое значение при изменении внешнего смещения. Изменяя напряжения на варикапе, подключенном к колебательному контуру, можно обеспечить дистанционное и безынерционное управление резонансной частотой контура в перестраиваемых генераторах и синтезаторах частот. Таким образом, варикап представляет собой малогабаритный электронный конденсатор переменной емкости, управляемый напряжением. По функциональному назначению и технологии изготовления приборы этого класса подразделя­ ются на: варикапы общего назначения с резкой зависимостью емкости от напряжения, высоковольтные матрицыj умножительные, а также высокодобротные варикапы с резкой зависимостью емкости от напряжения; варикапы для телевизоров и аппаратуры всеволнового диапазона с очень резкой зависи­ мостью емкости от напряжения. Основными параметрами варикапов являются: • номинальная Сном, минимальная Cmin и максимальная Cmax емкости между выводами при номинальном, максимальном и минимальном напряжениях смещения; • номинальная добротность Qном - отношение реактивного сопротивления варикапа к полному сопротивлению потерь при номинальном напряжении; • коэффициент перекрытия по емкости Кс емкостей; • температурный коэффициент емкости ас в (ТКЕ) - .отношение значений максимальной и минимальной - относительное изменение емкости варикапа при заданном смещении в интер~але температур; • максимально допустимые напряжения Umax - максимальное мгновенное значение переменного напряжения, при котором сохраняется заданная надежность и мощность Ртах.
Раздел 280 4. Диоды В варикапах имеется взаимосвязь между некоторыми параметрами: увеличение Кс однозначно приводит к уменьшению Qв и пробивного напряжения Uпроб. Из множества выпускаемых варикапов необходимо отметить КВ 127 (со сверх резкой проводимо­ стью для АМ-устройств), КВ130 -(для селекторов каналов на полевых транзисторах с большим коэффициентом перекрытия), КВ142 (с большим коэффициентом перекрытия по емкости для диапазо­ нов ДВ, СВ и КВ приемников), КВ138 (для блоков УКВ радиоприемников), КВ136 (для схем управления кварцевых генераторов), КВ129А9, КВ1ЗОА9, КВ134А9 (для поверхностного монтажа), КВ139 (для диапазонов СВ, ДВ и растянутых диапазонов КВ с управляющим напряжением до 5 В, для малогаба­ ритных радиоприемников с электронной настройкой), КВ144 (для селекторов каналов кабельного телевидения), КВ101 (для радиокапсул медицинской аппаратуры), КВlоЗ·, КВ106 (для схем умножения частоты и частотной модуляции), КВС.111 (сдвоенные с общим катодом, для перестройки блоков УКВ радиоприемников), КВ112А-1, KBl 14, KBl 16, КВ126 (для гибридных микро.схем), КВ102, КВ104, КВ105, КВ107, КВ109, KBl 10, KBl 13, KBl 15 (подстроечные для подстройки контуров резонансных усилителей), КВ 11 7 (подстроечные с большим коэффициентом перекрытия по емкости и резкой зависимостью емкости от напряжения), КВ 119 (подстроечные для настройки широкополосных усили­ телей), КВС120 (КВС120В - сборки из трех варикапов, КВС120Б - сборки из двух варикапов с общим катодом) для электронной настройки приемников, КВ 121, КВ 123 (подстроечные для селекторов телевизионных каналов с электронным управлением), КВ122 (подстроечные для селекторов телевизи­ онных каналов дециметрового диапазона с электронным управлением), КВ 127 (подстроечные для электронной настройки приемников), КВ 128 · (подстроечные для блоков УКВ автомобильных приемни­ ков и магнитол), КВ129 (подстроечные для схем частотных модуляторов), КВ132 (подстроечные для ЧМ-трактов приемно-усилительной аппаратуры), КВ134, КВ135 (подстроечные для избирательных цепей радиоприемников). Следует отметить и варикапы, выпускаемые в пластмассовых корпусах: КВ121, КВ122, КВ123, КВ127, КВlЗО, КВ132, КВ134, КВ135 и др. Стабилитроны напряжения от имеют на протекающего вольт-амперной характеристике участок со слабой зависимостью тока, поэтому уровень напряжения на них остается постоянным при изменении тока в широких пределах. Рабочий участок вольт-амперной характеристики стабилитронов находится в области электрического пробоя p-n. перехода. Стабилитроны подразделяются на: стабилит­ роны общего назначения, термокомпенсируемые и аттестуемые прецизионные. Стабилитроны общего · назначения используются прежде всего в стабилизаторах и ограничителях постоянного тока или импульсного напряжения, термокомпенсированные и преци~ионные - в качес'!:ве источников эталон­ ного или опорного напряжения. в устройствах, где необходима высокая точность стабилизации уровня напряжения. Основными параметрами стабилитронов являются: • • • • • номинальное напряжение стабилизации Uст; динамическое rдин и статическое rстат сопротивления; температурный коэффициент напряжения стабилизации аuст (при постоянном токе стабилиза­ ции); мощность рассеяния Рпр; номинальный сток стабилизации Iст.ном - ток, при котором определяются значения классифи­ кационных параметров; • минимальный ток стабилизации Icт.min (при токах меньше Icт.min увеличивае.тся дифференциаль­ ное сопротивление, пробой становится неустойчивым и резко возрастают микроплазменные шумы); • максимально допустимый ток стабилизации Icт.max рассеиваемой мощностью. - определяется максимально допустимой Для снижения аuст (в термокомпенсированных стабилитронах) в корпусе размещаются последо­ вательно соединенные p-n переходы, работающие в прямом направлении, с равными по значению, но противоположными по знаку температурными коэффициентами стабилизации (КС211, КСБ 15, КС596). В качестве источников опорного напряжения могут использоваться не только дискретные, но и интегральные стабилитроны. Прецизионные интегральные стабилитроны превосходят классические дискретные прецизионные стабилитроны по основным параметрам и имеют ряд· эксплуатационных преимуществ (не требуется прецизионное поддержание рабочих режимов по температуре окружающей среды и току стабилизации). Основные недостатки дискретных прецизионных стабилитронов (высокое
Буквенные обозначения параметров диодов 281 rст, зависимость аuст от Iст) устраняется в интегральных стабилитронах с помощью схемотехнических решений. , Интегральные стабилитроны в зависимости от используемого опорного элемента создаются на основе как электрического пробоя обратносмещенного термокомпенсации, так и прямосмещенных стабилитроны, имеющие Ucт:::l ,2 ... 2,5 В, p-n p-n перехода с использованием эффекта переходов. Низковольтные интегральные прецизионные изготовляются по совмещенной технологии с лазерной подгонкой тонкопленочных резисторов на кристалле ИС, обеспечивающей режим оптимальной компен­ ,сации и гарантирующей высокое значение аuст. Для изготовления стабилитронов с Uст=8 В используется стандартная технология ИС, не требующая лазерной подгонки. Совместная реализация принципов термокомпенсации и термостабили­ зации кристалла ИС позволила создать стабилитроны с аuст=10"4 ... 10" 5 %/ 0 С. Базовые серии интег­ ральных стабилитронов позволяют создать на их основе источники опорного напряжения с широким спектром номинальных значений Uст: 1,2; 2,4; 5; 7,5; lOB. Стабисторы являются разновидностью стабилитронов; для стабилизации напряжения до здесь используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики 4.2. p-n перехода. Буквенные обозначения параметров диодов Буквенное обозначение по ГОСТ отечественное 25529-82 Параметр международное Общие параметры диодов Iпр IF Постоянный прямой ток. Iпр, и IFM Импульсный прямой ток. Iпр, ер IF(AV) Средний прямой ток. lобр IR Постоянный обратный ток. lобр, и IRM Импульсный обратный ток. lобр, вое IRR Обратный ток восстановления. Uпр UF Постояюrое прямое напряжение. Uпр, и UFM Импульсное прямое напряжение. Uпр, ер UF(AV) Среднее прямое напряжение. Uобр UR Постоянное обратное напря,жение. Uобр, и URM Импульсное обратное напряжение. Uпроб U(BR) Пробивное напряжение. Uпр, вое UFR Напряжение прямого восстановления. Uпр, и, вое UFRM Импульсное напряжение прямого восстановления. Рпр PF Прямая рассеиваемая мощность. Ри Рм Импульсная рассеиваемая мощность. Рер р Средняя рассеиваемая мощность. Робр PR Обратная рассеиваемая мощность. Гдиф r Дифференциальное сопротивление. Гп Гs Последовательное сопротивление потерь. Re Rth Тепловое сопротивление. Rеи R(th)P Импульсное тепловое сопротивление. Rепер-окр Rthja Тепловое сопротивление переход-среда. Rепер-кор Rthje Тепловое сопротивление переход-корпус. Сд Ctot Общая емкость. Спер Cj Емкость перехода. - 1 В
Раздел 282 Буквенное обозначение по ГОСТ 25529-82 4. Диоды Параметр международное отечественное Скор Cease Емкость корпуса. Qвое - Заряд восстановления. Qнк Qs н акопленныи заряд. tвое, обр trr Время обратного восстановления. tвое, пр trr Время прямого восстановления. / " Параметры выпрямитепьных диодов Iпр, и. п IFRМ Повторяющийся импульсный прямой· ток. Iвп, ер lo Средний выпрямленный ток. IF(RМS) Действующий прямой ток. Inp, уд IFSM Ударный прямой ток. Inpr l(OV) Ток перегрузки. lобр, и, п IRRМ Повторяющийся импульсный ток. lобр, ер IR(AV) Uобр. и, р URWM Рабочее импульсное обратное напряжение. Uобр. и, п URRМ Повторяющееся импульсное обратное напряжение. Uобр, и, нп URSM Неповторяющееся импульсное обратное напряжение. Uпор U(TD) Пороговое- напряжение. Рпр, ер PF(AV) Средняя прямая рассеиваемая мощность. Робр, ер PR(AV) Средняя обратная рассеиваемая мощность. Робр, и, п PRRМ Повторяющаяся импульсная обратная рассеиваемая мощность. Iпр. д ) - / Средний обратный ток. Параметры стабипитронов Iет Iz Ток стабилизации стабилитрона. Iет, и Izм Импульсный ток стабилизации стабилитрона. Iет min Iz min Минимально допустимый ток стабилизации стабилитрона. Iет max Iz max Максимально допустимый ток стабилизации стабилитрона. Uет Uz Напряжение стабилизации стабилитрона. fет rz аuет auz; Sz Дифференциальное сопротивление стабилитрона. - Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона. бuет; Лuет бuz Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона. Основные параметры варикапов, шумовых диодов и стабисторов Qв Q,M Добротность варикапа. Кс - Коэффициент перекрытия по емкости варикапа. Uш Unz - ls Ток стабилизации стабистора. - IL Предельный ток стабистора. - Us Напряжение стабИлизации стабистора. UL Предельное напряжение стабистора. - als Температурный коэффициент тока стабилизации стабистора. \ Постоянное напряжение шумового диода.
Параметры диодов, столбов и блоков 283 4.3. Параметры диодов, столбов и блоков Uобр max, Тип прибора в Ucitsp и max1 в Inp max 1 мА l",f· ер max 1 мА Inp, и max 1 мА fд max1 кГц Uпр. В, не бо.nее lобр, мкА не бо.nее (при 1пр 1 мА) (при Uобр 1 В) 1 (5) 1 (9) 1 (2) 1 (4,5) 1 (4,5) 1 (2) 1 (2) 100 (10) 250 (30) 250 (50) 250 (50) 250 (100) 250 (150) 250 (100) 3 3 3 3 3 3 3 100 (50) 100 (100) 100 (150) 100 (200) 100 (300) 100 (350) 100 (400) - - - - tвос, обр1 мкс Сд, пФ (при Корпус Uобр1 В) / Д2Б Д2В д2r Д2Д Д2Е Д2Ж Д2И Д7А Д7Б Д7В Д7Г Д7Д Д7Е Д7Ж Д9Б Д9В Д9Г Д9Д Д9Е Д9Ж Д9И Д9К Д9Л Д9М Д10 Д10А Д10~ 10 30 50 50 100 150 100 16 25 16 16 16 8 16 100 100 100 100 100 100 100 50 100 150 200 300 350 400 300 300 300 300 300 300 300 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 10 30 30 30 30 50 100 30 30 100 40 20 30 30 20 15 30 30 15 30 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 1 (90) 1 (10) 1 (30) 1 (60) 1 (30) 1 (10) 1 (30) 1 (60) 1 (30) 1 (60) 250 (10) 250 (30) 250 (30) 250 (30) 250 (30) 250 (50) 120 (100) 60 (30) 250 (30) 250 (100) 10 10 10 16 16 16 100 100 100 1,5 (3) 1,5 (5) 1,5 (8) 100 (10) 200 (10) 200 (10) 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 (300) (300) (300) (300) (300) (300) (300) 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 (1,5) (1,5) (1,5) (1,5) (1,5) (1,5) (1,5) - - Д2 7,5_ -1 1~ '& --::: •*• Д7 ~I~e ' Д9 чt аеЮ - 9,5 .U..e Д10 7,5 1 ~ '& ---".*. 1 ---, 1~ Д101 Д101А 75 75 - 30 30 2 (2) 1 (1) 10 (75) 10 (75) - - Д101 ~ie~I:~ Д102 Д102А 50 50 - 30 30 2 (2) 1 ( 1) 10 (50) 10 (50) - - Д102 ~t~:~ КД102А КД102Б 250 300 50 50 - 1 20 1 (100) 1 (100) 0,1 (250) 1 (300) - - КД102 =Jf}=~t / Попярность Д103 Д10ЗА 30 30 30 30 - 2 (2) 1 (1) 30 (30) 30 (30) - - Д103 ~te~:~
214 Раздел Uобр max, 'lип в прибора Uсiбрн max, Inp max, мА In,l>. ер max. мА 1.пр. и max, мА в КД10ЗА КД103Б 50 50 50 50 fд max, кГц 20 20 lобр, мкА Unp• В, не более не более (при Inpo мА) (при Uобр, В) l (100) 1,2 ( 100) 0,5 (50) 0,5 (50) tвос. обро мкс l 4 4. Диоды Сд, пФ (при Корпус Uобро В) 20 (5) 20 (5) / КД103 =~i:=~t / Попярность Д104 Д104А 100 100 30 30 150 150 2 (2) l ( l) 5 (100) 5 (100) 0,5 0,5 ().,7 (l) 0,7 (0,3) Д104 4в~:~ КД104 300 . 50 20 l (10) 3 (300) 3 - КД104 =4}=~1 / попярность Д105 Д105А 100 100 150 150 30 30 2 (2) l (l) 5 (75) 5 (75) 0,5 0,5 0,7 (l) 0,7 (0,3) ~i4:~ f КД105Б КД105В КД105Г 400* 800* 800* 300 300 300 l l l l (300) l (300) l (300) 100 (400) 100 (600) 100 (800) Д105 - - КД105 - 1~ --- \(') Д106 Д106А 100 100 30 30 150 150 2 (2) l (l) 5 (30) 5 (30) 0,5 0,5 0,7 (l) 0,7 (0,3) 7 - ...... ...... -- Д106 4~:~ КД106А 100* 300; 3* А l l (300) 10 (100) 0,385 КД106 74".153 (5) 1 \(') ГД107А ГД107Б 15 25 20 20 - l (10) 0,4 (1,5) 20 (10) 100 (20) - - 7 -- - -- ... '"' -- ГД107 ~=f eeJ~ 7.5~Э=е
параметры диодов, столбов и блоков Uобр max1 Тип в прибора u:isp и max, в КД109А КД109Б КД109В 100* 300• 600* Inp max 1 мА fд max, l".f• ер max1 мА кГц Inp. и max 1 мА - 300 300 300 285 Uпр, В, 1обрr мкА не бо.nее не бо.nее (при Inp1 мА) (при Uобр, В) 1 (300) 1 (300) 1 (300) 100 (100) 100 (300) 100 (600) tвос, обрr мкс Сд, пФ (при Корпус Uобр, В) - - 10 3 '--- - КД109 - ~ , АДНОА 30 10 1000 1,5 (10) 5 (20) АД110 с:-.. ~ '' - 15,5 - 29 АД112А 50 300 1 - 3 (300) 100 (50) - - с:: r~ ,..... i:::= - АД112 ~1~~ в ti 4J ГД113А 115* 15 - 1 (30) 250 (80) - - rднз 7,5_ ' - * '-1 ~ 1 ---, . '& . г-- '~ КД116А-1 КД116Б-1 100 50 25 100 - S0,95 (25 мА) Sl (25 мА) 1 (100 В) 0,4 (50 В) вl,5 S4 - КД116-1 01,0 cilft Д202 100 400 20 1 (400) 500 (100) - - Д202 ~ ..... ,,_ t:-"1~1D --.ЦIL..:.::J ~ 35 кд202А кд202В кд202Д кд202Ж кд202К кд202М КД202Р Д203 50* 100* 200• 300• 400* 500* 600* 5А 5А 1,2 1,2 1,2 1,2 1,'2 1,2 1,2 200 400 20 5А 5А 5А 5А 5А 0,9 0,9 0,9 0,9 0,9 0,9 0,9 (5 (5 (5 (5 (5 (5 (5 А) А) А) А) А) А) А) 1 (400) 800 (50) 800 (100) 800 (200) 800 (300) 800 (400) 800 (500) 800 (600) - - 500 (200) - - - - - - - кд202 37 ~ - "& - ~ - .г-1119.r А. LJl111' l:t Д203 1 ..... _.__ ,,_ ~ - dlг:;l ~1~ 35 -- - -
286 Раздел Uобр max, Ти'п прибора в u.:ip и max, в Inp max, мА l'f, ер max, мА Iпр. и max, мА fд max, кГц lобр, мкА Uпр, В, не бoJJee не бoJJee (при Inp, мА) (при Uобр, В) 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А 1 1 1 1 1 1 (5 А) 1 (10 А) 1 (5 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1 (10 А) 1,5 мА (800 В) 1,5 мА (800 В) 1,5 мА (1000 В) 1,5 мА (1000 В) 1,5 мА (400 В) 1,5 мА (600 В) 1500 (600) 1500 (800) 1500 (800) 1500 (1000) 1500 (1000) КД203М 420 560 560 1000 720 800 800 1000 1000 400 600 Д204 300 400 20 1 (400) 500 (300) КД203А кд203Б КД203В кд203Г кд203Д кд203Е кд203Ж кд203И кд203К КД203Л - tвос, обр, мкс 4. Диоды Сд, пФ (при- Корпус Uобр, В) - - - КД203 f ' ~ г:r: 1 _,~ LJ,_ с-.... ~ '& L/7 - ~ Д204 - '[, 35 ' кд204А КД204Б КД204В 400* 200• 50* 400 600 1А 1,4 (600) 1,4 (600) 1,4 (600) 1 1 1 150 (400) 100 (200) 50 (50) - 1,5 1,5 1,5 - - F=l'lilГ'::l . F=liJIL.::J - - ~ - кд204 ....... f""""""9 "'---- 111.,..1 Q) ~ .... N lllN~ о. п.,.- _20.32 -l1,5 ~ Д205 400 400 1 (400) 20 500 (400) - - Д205 . Ejf11D ~ ~ 1111 "'11 '""' -- 35 КД205А кд205Л 500 400 300 200 100 500 600 700 100 200 500 500 500 500 500 300 500 300 700 700 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 Д206 100 400 1 кд205Б кд205В КД205Г КД205Д КД205Е КД205Ж кд205И КД205К , 1 (500) 1 (500) 1 (500) 1 (500) 1 (500) 1 (300) 1 (500) 1 (300) 1 (700) 1 (700) 100 100 100 100 100 100 lQO 100 100 100 1 (100) 50 (100) (500) (400) (300) (200) (100) (500) (600) (700) (100) (200) - - - - КД205 ~:~~1r ~~ Д206 ~r*e3 КД206А КД206Б КД206В 400 500 600 10 А 10 А 10 А 1 1 1 1,2 (1000) 1,2 (1000) 1,2 (1000) 700 (400) 700 (500) 700 (600) 10 10 10 - кд206 ~ ~ N ..,;;: ~а '& Д207 200 400 1 1 (100) 50 (200) - 11.~ 20 - \.., ~ " 1:'LJ ' ~ [, Д207 - -- '*" с--. .....: - 'S. '~ -- g .- ~~
Параметры диодов, столбов и блоков Тип прибора Uобр max, в UC:Sp и max, -в Д208 300 Inp max, мА 1".f, ер m8 x, мА Inp, и max 1 мА 400 fд max, кГц l 287 Uпр. В, lобр, мкА не бо.nее не бо.nее (при Inp, мА) (при Uобр, В) l ( l 00) 50 (300) tвос, обрt мкс - Сд, пФ (при Корпус Uобр, В) - Д208 ~r~E3 КД208А 100 1,5 А l (1000) l 100 (100) - - КД208 7 - " - -- -- ~ '"" '~ КД208А-1 100 1,5 А l (l А) 100 (100 В) - - КД208-1 l .1_1' - -к -- ~ 1.1') ~~ 5 Д209 400 400 l ( 100) l 50 (400) - у r\._ '& - Д209 ~r~E3 кд209А кд209Б кд209В 400 600 800 700 500 500 l (700) l (500) l (500) l l l 100 (400) 100 (600) 100 (800) - - КД209 7 '~ -- ~ кд209А-1 КД209В-1 кд209Г-1 400 600 800 1000 700 7,00 500 200 l (0,7 l (0,7 l (О,5 l (0,2 А) А) А) А) 30 (400 В) 30 (600 В) 30 (800 В) 50 (1000 В) - - l l l l КД209-1 1.1') ~~ ~-/ - '& 500 400 l l ( l 00) 50 (500) - - 1' - к JI \. . Д210 --- ,_., '"" ,, ' кд209Б-1 - ~ 5 - Д210 ~r~~E3 КД210А КД210Б КД210В кд210Г Д211 800 800 1000 1000 600 5А 10 А 5А 10 А 400 l l l l l l 2 2 2 (10 (10 (10 (10 А) А) А) А) l (100) 4,5 мА (800) 4,5 мА (800) 4,5 мА (1000) 4,5 мА ( 1000) 50 (600) - - - - КД210А - ~i 11,5 20 -d ...,......-QI.. -- -=t--,.. 1-1 j ~ ' Д211 ~r~~E3 -
Раздел 288 Тип Uo6pmax1 в прибора U~p и max, в КД212А КД212Б КД212В КД212Г lnpmaxt мА In,f, ер max1 мА lnp, и maxt мА 1А 1А 1А 1А 200 200 100 100 fд maxt кГц 100 100 100 100 Uпр, В, lобр1 мкА не бо.nее не бо.nее (при Inp 1 мА) (при Uобр, В) 1 (1 А) 1,2 (1 А) 1 (1 А) 1,2 ( 1 А) 50 (200) 100 (200) 100 (100) 100 (100) tвос, обр1 мкс Сд, пФ (при Корпус Uo6p1 В) 0,3 0,3 0,5 0,5 45 45 45 45 (100) (100) (100) (100) 550 550 550 550 (100) (100) (100) (100) КД212 4 ~f . КД213А кд21ЗБ КД213В кд21зr 200 200 200 100 10 10 10 10 А А А А 1 (10 А) 1,2 (10 А) 1,2 (10 А) 1,2 (10 А) 100 100 100 100 200 200 200 200 (200) (200) (200) (100) 0,3 0,17 0,5 0,3 КД213 rJfl/ /::) ~ Д214 Д214А Д214Б 10 10 100 100 100 А А 5А 1,2 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 1,1 1,1 1,1 3 3 3 мА мА мА (100) (100) (100) - С>1 - " "-" t'8 ,_ , Д215Б 200 200 200 10 10 А А 5А 1,2 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 1,1 1,1 1,1 3000 (200) 3000 (200) 3000 (200) - 1 ( 100) 1 50 (800) - "" - LL - 100 100 1 ( 100) 1,1 (100) 1 1 50 (1000) 50 (1200) - ~ tt - ----- 1.А ·- 1000 1200 = = 18 ~ - мд218А :t мд217 - мд218 R= 1= 1:::: гr - 'S. 100 1:::: - - Д215 "-" t'8 800 ... п ~ МД217 "" - ... :._Q 'S. Д215А t:::lt::I Д214 ~ Д215 4. Диоды ~ ~ ~ 10 МД218 -- 18 - -- - ,-- ..... - ) КД221А КД221В КД221Г 100 200 400 600 0,7 0,5 0,3 0,3 А А А А 1,4 (0,7 1,4 (0,5 1,4 (О,3 1,4 (0,3 1 1 1 1 А) А) А) А) 50 (100) 50 (200) 100 (400) 150 (600) 1,5 1,5 1,5 1,5 - ~ <О КД221В1 КД22tn КД221Д1 КД221Е1 700 500 300 300 700 300 1 1 1 1 1 1 -- ~ '""' . --- - ' 100 200 400 600 100 400 7 1 С") кд221А1 10 КД221 'S. КД221Б1 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 ' ~. КД221Б ~ ~.....:- (0,7 (0,5 (0,3 (0,3 (0,7 А) А) А) А) А) (О,3 А) 50 (100 В) 50 (200 В) 100 (400 В) 100 (600 В) 50 (100 В) 100 (400 В) 1,5 1,5 1,5 1,5 1,8 1,8 - КД221-1 - ~ &1 !__ -- к }\ -'\.. Jt 5
Параметры диодов, столбов и блоков Uобр max1 Тип в прибора u:isp и max1 в Iпр maxi мА l",f· ер max1 мА Iпр, и max 1 мА fд max1 кГц 20 30 40 2А 2А 2А - Д223Б 50 100 150 50 50 50 - КД223А 200 КД222А-5 кд222Б-5 КД222В-5 Д223 Д223А 2 А; 50 А* 1,5 289 Uпр, В, 1обр 1 мкА не бо.nее не бо.nее (при 1пр 1 мА) (при Uобр, В) 0,55 (2 0,55 (2 0,55 (2 А) А) А) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1,3 (6 А) 2 2 2 tвос. обр1 мкс Сд, пФ (при - - 1 (50) 1 ( 100) 1 (150) - - 10 (200) - - мА мА мА (20 (30 (40 В) В) В) · Корпус Uобр, В) КД222-5 0,5 ~[] J Д223 ~i~:~ КД223 9,65 -N <О - '& Д226 Д226А Д226Е КД226А- КД226Б КД226В КД226Г КД226Д КД226Е МД226 МД226А МД226Е - 1 (300) 1 (300) 1 (300) 50 (400) 50 (300) 50 (200) - 2А 50 50 50 50 50 50 1,4 (1,7 А) 1,4 (1,7 А) 1,4 (1,7 А) 1,4 (1,7 А) 1,4 (1,7 А) 1,3 (1 А) 50 (100) 50 (200) 50 (400) 50 (600) 50 (800) 10 (600) 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 300 300 300 1 1 1 1 (300) 1 (300) 1 (300) 50 (400) 50 (300) 50 (200) - - - - 300 300 300 100 200 400 600 800 600 1,7 1,7 1,7 1,7 1,7 400 300 200 - 1 1 1 400 300 200 А А А А А Д229Б Д229В Д229Г Д229Д Д229Е Д229Ж Д229И Д229К Д229Л Д231 Д231А Д231Б 200 400 100 200 400 400 100 200 300 400 400 400 400 400 300 400 700 700 700 700 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 (400) 1 (400) 1 (400) 1 (400) 1 (400) 1 (400) 1 (700) 1 (700) 1 (700) 1 (700) 50 (200 )" 50 (400) 200 (100) 200 (200) 200 (300) 200 (400) 200 (100) 200 (200) 200 (300) 200 (400) 300 300 300 IOA . 10 А l, I 1,1 l, 1 1 (!О А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (300) 3000 (300) 3000 (300) 5А - - _\ 1" - КД226 - 9,65 - - --- ~r~e3 - - 1.А '"' Д226 - \ Д229А --,, -- - N сО ·~ '& ~- МД226 J ~r~e3 Д229 -~ ,, - -~· ~l 1~:· , . . - - - 35 - Д231 ~ '& - - ... " "'-с:-... "" ·- - .ГJ. ...-. = - 1 1- = ;;; ~
Раздел 290 Uобр max, Тип в прибора U~p и max, Inp max, мА 1",f, ер max, мА Inp, и max 1 мА в Д232 Д232А Д232Б кГц 1, 1 1,1 1,1 IOA IOA 400 400 400 fд maxt 5А Uпр, В, lобр, мкА не бо.nее не бо.nее (при Inp• мА) (при Uобр, В) 1 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (400) 3000 (400) 3000 (400) tвос, обрt мкс - Сд, пФ (при Uобр, В) Корпус - Д232 "" -- ,, ~ r-...~ .-1 с:-... '& - Д2ЗЗБ IOA 500 500 l, l 1,1 5А 1 (10 А) 1,5(5А) 3000 (500) 3000 (500) - - u·- '& \W 1,1 1,5 (5 А) 3000 (600) - - -t:: "" - " ~ -~ - г:[ ... tJ... -Q 1:: j= r-...~ с:-... '& 1:: ' Д237Б Д237В Д237Е Д237Ж 200 400 600 200 400 300 300 100 200 200 1 1 1 1 1 1 (300) 1 (300) 1 (100) 1 (200) 1 (200) 50 50 50 50 50 (200) (400) (600) (200) (400) - - - 200 (25) 200 (25) 200 (25) $0,25 S0,25 $0,25 $0,25 S0,25 S0,25 - ~ Д234 - Д237А о ,::: г[. 1::. - 1J' 1:: - ,::: - с:-... 5А ... "" -r-...~ 600 ~ 1::. Д233 ~ Д234Б - ... .:!. - ' Д233 4. Диоды Д237 ~IE3~e3 ' КД238АС КД238БС КД238ВС КД240А КД240Б КД240В КД240Г КД240Д КД240Е КД240Ж КД240И КД240К КД241А 25* 35* 45* 7,5; 75* 7,5; 75* 7,5; 75* А А 2А 200* 400* 600* 200* 400* 600* . 200* 400* 600* 1500* А 20 20 20 20 20 20 1 1 1 2А 2А !А 1А 1А 2* А 2* А 2* А 2 А; 5* 10".200 10... 200 10... 200 А 20 0,65 (7,5 0,65 (7,5 0,65 (7,5 А) А) А) 1,45 (3 А) 1,45 (3 А) 1,45 (3 А) 1,35 (1,5 А) 1,35 (1,5 А) 1,35 (1,5 А) 1,15 (3 А) 1,15 (3 А) 1,15 (3 А) 1,4 (2 А) <lмА (25) < lмА (35) <!мА (45) 30 30 30 30 30 30 30 30 30 (200 В) (400 В) (600 В) (200 В) (400 В) (100 В) (200 В) (400 В) (600 В) 1 (1500) $1,5 КД238, КД240 ' - 4,8 10,65 т т 1 °'"""" ~~ - JW с-., ..;::,.~ 1 о 'А1КА2 КД241А F2~ Д242 Д242А Д242Б 100 100 100 10 10 А А 5А 1,1 1, 1 1, 1 l,25 (10 А) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (100) 3000 (100) 3000 (100) - - ::з 10 Д242 " ~ r-...~ "" - r:!. '& ... ' Д24ЗА Д24ЗБ 200 200 200 IOA 10 А 5А 1, 1 l, l 1,1 1,25 (10 А) 1 (!О А) 1,5 (5 А) 3000 (200) 3000 (200) 3000 (200) - ..,, 1:: - 1I' 1:: с:-... Д243 ~ - R. j= Д243 ~ ~ r-...~ с:-... ,, '& "" _п .... - -u - = = R. = tt ;;;; ::::J
Параметры диодов, столбов и блоков Uобр max, Тип прибора в Uc':isp и max, в КД24ЗА КД24ЗБ КД243В КД243Г КД243Д КД24ЗЕ КД24ЗЖ КД244А КД244Б КД244В КД244Г Inp max, мА 1",f, ер max, мА Inp, и max, мА 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 50 100 200 400 600 800 1000 100 100 200 200 6* 6* 6* 6* 6* 6* 6* 10 10 10 10 А А А А А А А А fд maxr кГц 1 1 1 1 1 1 1 200 200 200 200 А А А 291 Uпр, В, не более lобр, мкА не более (при Iпр, мА) (при Uoбpr В) tвос, обрt мкс Сд, пФ (при (1 А) (1 А) (1 А) (1 А) (1 А) (1 А) ( 1 А) 10 (50)' 10 (100) 10 (200) 10 (400) 10 (600) 10 (800) 10 (1000) - - 1,3 (10,А) 1,3 ( 10 А) 1,3 (10 А) 1,3 (lQ А) 100 (100) 100 (200) 100 (100) 100 (200) 0,05 0,035 0,05 0,035 - l, l l, l 1,1 l, l l, l l, l l, l Корпус Uобр, В) КД243 ~i ",Е; JЕЗ КД244 ~ 1/.8 10,Ь -- v ~i ' 1 Ш'№ Д245 Д245А Д245Б 300 300 300 - 10 10 А l, l 1,1 1,1 А 5А l,25(10A) 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (300) 3000 (300) 3000 (300) - Д245 -, - "" ~ "'h "- с-.... = = q, Q = :Т ~ ' Д246А Д246Б 400 400 400 10 10 А 1,1 1,1 l, l А 5А 1,25 (10 А) . 1 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (400) 3000 (400) 3000 (400) - - Д246 //// - ~ ~ "'h с-.... -_, - ГJ L~, ' Д247Б 500 500 10 А 1,1 l, l 5А 1,25 (10 А) 1,5 (5 А) 3000 (500) 3000 (500) - - - - "'h с-.... 'S. КД247Е 100 200 400 600 800 50 Д248Б 600 кд247В КД247Г КД247Д 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 1 А; 30• 30• 30* 30• 30• 30• А А А А А А 5А А) 5 (100) 5 (200) 5 (400) 5 (600) 5 (800 В) 5 (50 В) Sl50 Sl50 Sl50 Sl50 S250 Sl50 - А) 3000 (600) - - 150 150 150 150 150 150 1,3 1,3 1,3 1,3 1,3 1,3 (1 (1 (1 (1 (1 (1 А) 1,1 1,5 (5 А) А) А) А) ' " //// ' , 'S. 15* А - 1,5 (5 А) 2 (200) <250 - КД257Б 400 3 А; 15* А - 1,5 (5 А) 2 (400) <250 - КД257В 600 3 А; 15* А - 1,5 (5 А) 2 (600) <250 - КД257Г 800 3 А; 15* А - 1,5 (5 А) 2 (800) <300 - КД257Д 1000 3 А; 15* А - 1,5 (5 А) 2 (1000) <300 - ~ ::t Д248 с-.... А; = ~i ЕЭlЕ; JЗЕ3 "'h 3 = кд247 ~ 200 п"'" Li = -- КД257А ~ //// ~ КД247Б = Д247 ~ КД247А ..... - ,::= 'S. Д247 -- - r:r. 'S. Д246 D - 1...1 ц_ "..... t::l = = j= КД257 ::>С: 25.4 :::1~ :::J 7 со С") \S1
Раздел 29-2 Uoop maxt Тип в прибора U~рн mix, в lпр maxt мА 1"/· ер maxt мА lпр, и maxt мА fд max, кГц не бoJiee loop, мкА не бoJiee (при Iпро мА) (при Uoop~ В) Uпр, В, tвос, обр, мкс Сд, пФ (при Корпус Uoopt В) КД258А 200 ЗА; 7,5* А - 1,6 (З* А) 2 (200) <250 - КД258 КД258Б 400 ЗА; 7,5* А - 1,6 (З* А) 2 (400) <250 - . КД258В 600 ЗА; 7,5* А - 1,6 (З* А) 2 (600) <250 - КД258Г 800 ЗА; 7,5* А - 1,6 (З* А) 2 (800) <ЗОО - А - 1,6 (З* А) 2 (1000) ЗА; ЗОО* А 250* А - 0,65 (ЗА) 0,75 (ЗА) 0,85 (ЗА) 0,85 (ЗА) 0,9 (ЗА) 0,9 (ЗА) 0,95 (ЗА) 0,95 (ЗА) 1 (ЗА) 1,1 (З.А) 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 2 мА 2 мА 2 мА ЗА; 1000 КД268А КД268Ж 25 50 75 100 150 200 250 КД268И зоо КД268К З50 КД268Л 400 КД269А КД269Ж 25 50 75 100 150 200 250 КД269И зоо 5А КД269К З50 5А КД269Л 400 5А КД270А КД270Ж 25 50 75 100 150 200 250 КД270И зоо КД270К З50 КД270Л 400 КД271А КД271Ж 25 50 75 100 150 200 250 КД268Б КД268В КД268Г КД268Д КД268Е КД269Б КД269В КД269Г КД269Д КД269Е КД270Б КД270В КД270Г КД270Д КД270Е КД271Б КД271В КД271Г КД271Д КД271Е 7,5* ЗА; ЗА; ЗА; 200* А 150* А ЗА - ЗА ЗА - ЗА - ЗА - ЗА 5 5 5 5 А; 450* А А; ЗОО* А А; 240* 210* А; А А 5А 5А 5А 7,5 7,5 7,5 7,5 А; А А; А 850* 700* А; 600* А; 525* 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А 7,5 А А А 10 А; 1000* А 10 А; 800* А 10 А; 700* А 10 А; 600* А 10 А 10 А 10 А 10 А 10 А - - КД271И зоо КД271К З50. КД271Л 400 IOA - КД272А 25 КД272Б 50 КД272В 15 А; 1400* А 15 А; 1200* А 15 А; 1000* А 15 А; 800* А 15 А 15 А 15 А 15 А 15 А 15 А - КД272Ж 75 100 150 200 250 КД272И зоо КД272К 350 400 КД272Г КД272Д КД272Е КД272Л КД273А КД273Ж 25 50 75 100 150 200 250 КД273И зоо КД27ЗК З50 КД27ЗЛ 400 КД273Б КД273В КД273Г КД273Д КД273Е 20 А; 1800* А 20 А; 1500* А 20 А; 1400* А 20 А; lЗОО* А 20 А 20 А 20 А 20 А 20 А 20 А - - - <ЗОО З мА - З мА - 0,65 (5 А) 0,75 (5 А) 0,85 (5 А) 0,85 (5 А) 0,9 (5 А) 0,9 (5 А) 0,95 (5 А) 0,95 (5 А) 1 (5 А) 1,1 (5 А) 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 2 мА 2 мА 2 мА - З мА - З мА - 0,65 (7,5 А) 0,75 (7,5 А) 0,85 (7,5 А) 0,85 (7,5 А) 0,9 (7,5 А) 0,9 (7,5 А) 0,95 (7,5 А) 0,95 (7,5 А) 1 (7,5 А) 1,1 (7,5 А) 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 2 мА 2 мА 2 мА - З мА - 0,65 (10 А) 0,75 (10 А) 0,85 (10 А) 0,85 (10 А) 0,9 (10 А) 0,9 (10 А) 0,95 (10 А) 0,95 (10 А) 1 (10 А) 1,1 (10 А) 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 2 мА 2 мА 2 мА З мА 0,65 (15 А) 0,75 (15 А) 0,85 (15 А) 0,85 (15 А) 0,9 (15 А) 0,9 (15 А) 0,95 (15 А) 0,95 (15 А) 1 (15 А) 1, 1 (15 А) 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 2 мА 2 мА 5 мА 5 мА 5 мА 0,65 (20 А) 0,75 (20 А) 0,85 (20 А) 0,85 (20 А) 0,9 (20 А) 0,9 (20 А) 0,95 (20 А) 0,95 (20 А) 1 (20 А) 1,1 (20 А) 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 1 мА 2 мА 2 мА 5 мА 5 мА 5 мА З мА З мА З мА - - - - / А 1.1') -- ['\_ - ~~ & КД258Д 4. Диоды - - 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 }._~ у 5 КД268 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 - ~ ~ 10,Ь //,8 v ~i фl~ g А к КД269 10,Ь ~ ~ _ ~i ж1ш т g А к ' //,8 КД270 10,Ь - _ v ~ ~ ...... 1 ж1ш к //,8 g А КД271 - 10,Ь //,8 v ~i ~ Ж1Ш к g А КД272 10,Ь ~ . t ~i ж1ш к А - //,8 v g КД273 1D,b ~ • , ~i ж1ш к А //,8 т g
Параметры диодов, столбов и блоков Uобр maxt Тип в прибора U~p и maxt в КД2988А КД2988Б КД2988В 800 600 400 lпр maxt мА lп/, ер max, мА lпр, и maxt мА 15 15 15 А; А; А; 100* 100* 100* А А А Uпр, В, loop, мкА не бoJiee не бoJiee (при lпр, мА) (при Uoбpt В) 1,6 (15 А) 1,5 (15 А) 0,1 0,1 0,05 fд max, кГц 293 - 1,4(15А) tвос. обро мкс 0,3 0,3 0,3 С4 , пФ (при Корпус Uoop, В) - КД2988 10,!J - - -" !.fJ ~ ' i Ж'~ КД2991А 45* 60 А 0,7 (60 А) 10... 200 50 мА (35 В) - - 1Г D КД2991 г-1 .... . ~- - " ) 1 .... 1...-L с-... с-.. "&. 1/7 КД2994А 200 20 А 1,3 (20 А) 200 100 (100) 0,05 - КД2994 10,!J - , !.fJ ~ ~ i Ш1W КД2995А КД2995Б КД2995В КД2995Г КД2995Д КД2995Е 50* 70* 100* 150* 200* 100* 25 А 25 А 25 А 25 А 25 А 25 А 20".200 20".200 20".200 20".200 20."200 10."200 1,1 1,1 1,1 1,1 1,1 1,1 (30 А) (30 А) (30 А) (30А) (30 А) (30 А) 10 (50 В) 10 (70 В) 10 (100 В) 10 (150 В) 10 (200 В) 10 (100 В) S0,05 S0,05 S0,05 S0,05 S0,05 S0,01 - - D КД2995 --. -............... lh.- н1 ..... t-""""" 111• "'J ...-- !1.5 - - -КД2996А КД2996Б КД2996В 50* 70* 100* 50 А 50 А 50 А 20... 200 20".200 20".200 1 (50 А) 1 (50 А) 1 (50 А) 25 (50 В) 25 (70 В) 25 (100 В) S0,06 ~О.06 S0,06 - КД2997А кд2997Б, КД2997В 200; 250* 100; 200* 50; 100* --- кд2998А КД2998В КД2998Г кд2998Д 15* 20* 25* 35* 30* - - .. 200 200 200 1 (30 А) 1 (30 А) 1 (30 А) 200 (200) 200 (100) 200 (50) S0,2 S0,2 S0,2 - 30 30 30 30 30 А А А А А ~. lt"""""" 20,32 - ' КД2998Б .111."J " 11,~ 30 А; 100* А 30 А; 100* А 30 А: 100* А 20,32 ~ c--i 'tl. - lh.- ____. - -_,.- КД2996 ~ . 1Г ~ N 'tl. - КД2997 d~ 28 ......._ 28 ~ ~ --! -10".200 10."200 10".200 10."200 10".200 0,6 0,6 0,7 0,7 0,7 (30 (30 (30 (30 (30 А) А) А) А) А) 20 20 20 20 20 мА мА мА мА мА {15 (20 (25 (35 (30 В) В) В) В) В) - - КД2998 - r---1 -- .". ..... ,,,...,_ n••"'~ " 11,5 - 20.32 - - ~ N 'tl.
Раздел 294 Тип Uoop max1 в прибора U.it,p и max1 в КД2999А 200; 250* 100; 200* 50; 100* КД2999Б КД2999В lпр max 1 мА fд max1 lnJ," ер max1 мА lnp, и max 1 мА кГц 20 А; 100* А 20 А; 100* А 20 А; 100* А Uпр1 В, lобр1 мкА не бoJiee не бoJiee (при 1пр 1 мА) (при Uoop1 В) 1 (20 А) 1 (20 А) 1 (20 А) 200 (250) 200 (200) 200 (100) 100 100 100 tвос, обр1 мкс s;0,2 . ::>0,2 s;0,2 4. Диоды Сд, пФ (при Корпус Uoop1 В) - КД2999 ~~ 28 28 ~ ~ -- ~ --- ,_ - ! Д302 Д303 Д304 Д305 200 150 100 50 1А 1 1 1 1 ЗА 5А 10 А 0,3 (! А) 0,35 (3 А) 0,3 (5 А) 0,35 (10 А) 800 (200) 1000 (150) 2000 (IOO) 2500 (50) - - Д302-Д305 20,J ~' --.;: ~.1:: "& КД401А 75* 75* 30 30 1 (5) 1 (10) 150 150 5 (75) 5 (75) 2 2 ГД402Б 15 15 30 30 60 МГц IОМГц it езi3 0,45 (15) 0,45 (15) 50 (10) 50 (10) - t:Г~ ....... КД401 1 (5) 1,5 (5) - ГД402А - ~" R= С()1 КД401Б !1,5_ - - 0,8 (5) 0,5 (5) i 12 ~еа ГД402 7.S ~= еэ31~5=еа ГД403А ГД403Б ГД403В 5 5 5 5 5 5 465 465 465 0,5 (5) 0,5 (5) 0,5 (5) - - - ГД403 it езi3 ' КД407А 24 50 (50."300) - 0,5 (24) - 12 1 (5) Eiea КД407 МГц ~ЕЭ~ЕЗ ; 7,S ' КД409А 24 50 (50 ... 300) - 0,5 (24) - 2 (15) КД409 МГц -- ~1~ N ~ ' F --'- -КД409А-9 КД409Б-9 40 40 100; 500* 50; 500* - 1,2 (0,1 А) 1 (0,1 А) 0,5 (40 В) 0,5 (40 В) ,- 1 1,5 - , ~ " КД409-9 J О,95 ~~х
295 Параметры диодов, столбов и блоков Uoop max, Тип в прибора U~p н max, в КД410А КД410Б 1000 600 Iпр maxt мА Iп/· ер max, мА Iпр. н max, мА 50 50 fд max, кГц - Uпр, В, Ioop, мкА не бoJiee не более (при Iпр, мА) (при Uoop, В) 2 (50) 2 (50) 3 мА (100) 3 мА (100) fвос. обрt мкс 3 3 С 4 , пФ (при Корпус Uoop, В) - КД410 - ()5 ~~= ·- КД4НА КД4НБ КД4НВ КД411f 700* 600* 500* 400* 2А 2А 2А 2А 30 30 30 30 1,4 (1 А) 1.4 (1 А) 1,4 (1 А) 2 (1 А) 700 700 700 700 (700) (600) (500) (400) 25 25 - - КД411 - - s::::= 1"' ::J D - - i:::::=J[] ('\ а: КД4НАМ КД4НБМ КД411ВМ КД411ГМ КД412А КД412Б КД412В КД4J2Г 700* 750* 600* 500* 1000* 800* 600* 400* 2А 2А 2А 2А 20* 20* 20* 20* А А А А 30 30 30 30 20 20 20 20 1,4 (1 А) 1,4 (1 А) 1,4 (1 А) 2 (1 А) 2 2 2 2 (10 (10 (10 (10 А) А) А) А) 300 300 300 300 (700) (750) (600) (500) 100 (!'ООО) 100 (800) 100 (600) 100 (400) 0,5 0,5 1,5 1,5 1,5, 1,5 1,5 1,5 - r..... ' _""&. - 20* 20* 100 100 МГц МГц 1 (20) 1 (20) - - " '~ -- 915-- -- КД412 ~ 11,5 24 24 -.- -----=-- --- = il@jg! 10,2 t КД413Б ~ КД411М ~1 КД413А 5 18 -- 20,3 11 КД413 0,7 0,7 ~ \.t) t__ ----' _" --, "&. ~- 1 КД416А КД416Б 400 200 300; 15* А 300; 15* А 0,5 0,5 3 (15 А) 3 (15 А) 400 (400) 200 (200) - ос::: . КД417А 24 20 - - 1 (20) - - КД416 - --- J - 1 1~ ---SU 5 18 ~ КД417 0,4 ~ , \.t) _" _ _ .J ~ "&. L - r 1 КД419А КД419Б КД419В КД419Г КД4J9Д 15 30 50 15 10 10 10 10 10 10 400 400 400 400 400 МГц МГц МГц МГц МГц 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 (1) (1) (1) (1) (1) 10 10 lO 10 10 (15) (30) (50) ( 15) (10) - <1,5 <1,5 <1,5 <2 <1,0 < Ч:. _" "&. КД424А КД424Б КД424В 250 200 150 350 (2* А) 350 (2* А) 350 (2* А) IОМГц 10 МГц 10 МГц 1,1 (300) 1,1 (300) 1,1 (300) 0,1 (250) 0,1 (200) 0,1 (150) <1000 <1000 <1000 <10 <10 <10 КД419 ~ _J --, i г--- КД424А ~t ES1E 5,~ JES
Раздел 296 Uoop max, в Тип прибора U~p и max1 в КД503А КД503Б 30 30 lnp max1 мА lп/, ер max1 мА кГц lпр, и max1 мА 350 350 20 20 Ioop1 мкА U11p1 В, не бoJiee не бoJiee (при Inp1 мА) (при Uoop1 В) 1 (!О) 1,2 (10) 10 (30) !О (30) fд max, МГц МГц tвос, обр, мкс 0,01 0,01 4. Диоды Сд, пФ (при Корпус Uoop1 В) 5 2,5 i КД503А, Б 7,5 ~=еэ~еа КД503В 10 - 10 (2 А*) - <1,3 (10) <1 (10) <50 КД503В <6 ~t ЕЭ\; _," КД504А 40 - 240 1,2 (!()()) 2 (40) - 20 (5) - КД504 ~ieзi( ~" ГД507А 20 - 16 0,5 (5) 50 (20) 0,1 0,8 (5) ГД507 i 7,5 ~еэ~еа • ГД508А 8 10; 30* - ГД508Б 8 10; 30* - 0,75 (10 мА) 0,65 (10 мА) 60 (8 В) - 100 (8 В) - 0,75 (0,5 В) 0,75 (0,5 В) "' ГД508 ~=еэ~еа ; 7,5 , КД509А 50 100 - 1,1 (0,1 А) 5 (50 В) 0,004 ~4 (О В) КД509 - 1/.11 -- 1 С"/ . -- '3.. ~- ' КД510А 50 200 - 1,1 (0,2 А) 5 (50 В) ~О.004 ~4 (О В) . КДSJО -- -- С"/ '3.. КД512А 15 20 - 1 ( 1) 5 (15) 0,001 - 1 1 (5) "'." -- ~- КД512 ~= еа41 ~ Dзеа ; КДSJЗА 50 100 - 1,1 (100) 5 (50) 0,004 7,5 КД513 4 2,5 4,11 T~r&
Параметры диодов, столбов и блоков Uoop max, Тип прибора в UC:,p и max, в КД514А 10 lпр max 1 мА. fд max, lп/, ер max, мА lпр, и max, lltA кГц - 10 297 Uпр, В, loop, мкА не более не более (при Inp, мА) (при Uoop, В) 1 (10) 5 (6) tooc, обрt мкс - Сд, пФ (при Корпус Uoop, В) КД514 0,9 f 7,5 ~=ЕЭ~ЕЗ АД516А АД516Г 10 10 - 2 2 1,5 (2) 1,5 (2) 2 (10) 2 (10) 0,001 0,001 АД516 0,5 0,35 ~ ~ Е --- а6 ~ КД518А - - 100; 1,5* А 0,57 (1) - - - КД518 - КД519А КД519Б 30 30 ~~ - 30 30 1,1 (100) 1,1 (100) 5 (30) 5 (30) - КД519 4,0 2,5 - t ~еэ~ез ; 7,5 ! КД520А 15 - 20 1 (20) 1 (15) 0,004 КД520 3,0 (5) ~ ~ \.t) --~ . ~· . КД521А КД521Б КД521В КД521Г КД52Щ 75 60 50 30 12 - 50 50 50 50 50 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (75) 1 (60) 1 (50) 1 (30) 1 (12) 0,004 0,004 0,004 0,004 0,004 4,0 4,0 4,0 4,0 4,0 г-- КД521 (0) (О) (О) (О) (О) L J" ---, ...... ···- с-... '& J,8 КД521А2 КД521Б2 75 50 - 50 50 1 (50 мА) 1 (50 мА) 1 (75 В) 1 (75 В) 4 4 НС НС - КД521-2 4 4 , ' '=" с;,., N N r -- - \. , " -КД522А КД522Б 30 50 - 100 100 1,1 (100) 1.1 (100) 2 (30) 5 (50) 0,004 0,004 4,0 (О) 4,0 (О) -~ КД522 ' с-... '& ...... ···- - J,8 -- КД522А2 КД522Б2 30 50 100 100 ' - 1,1 (100 мА) 1,1 (100 мА) 1 (30 В) 1 (50 В) 4 4 НС нс КД522-2 4 4 , с;,., ' N ~ r -~ \.. -- - " j -~
Раздел 298 _IJoбp max, Тип в прибора u~ и max, в lnp max, мА lп/, ер max. мА lпр, и max, мА fд max, кГц loop, мкА не бо.пее (при lпр, мА) (при Uoop, В) 1,5 мА (2000 В) 1,5 мА (2000 В) 1,5 мА {1600 В) 1,5 мА (1600 В) 2 - 3 - 3 - 0,1 (90) - S35 (0) КД529А 2000 8А 5 3,5 (20 А) КД529Б 2000 8А 5 3,5 (20 А) (20.А) КД529В 1600 8А 5 3,5 КД529Г 1600 8А 5 3,5 (20 А) 90 200; 800* - 1 (200) КД629АС Сд, пФ Unp, В, не бо.nее tвос, обр, мкс (при Корпус Uoop, В) КД529 - r- - -- //О . i3= . - 2 ~ ~ '4':1 - О,95 ... & 1 ~е ,_.t:p 1 ljl К2 А1 . - 100; 500* 1,3 (100) <3 (70) ~45* х КД704 <1,5(0) j К1,~ ~Е . . . . . :" А1 { КД706АС9 70 100; 1,5* - А 1 (100 мА) 2,5 (70 В) 2,5 llC О,95 - '4':1 А c-.ie _.t:p 1 qJ К2 А1 - А 1 (100 мА) 2,5 (70 В) 2 нс j - - К1,А2 1 ~Е 50 200; 1,5* А - - 1,1 (0,2 мА) 1 (50 В) - 4 х КД707-9 1,8 - КД80ЗАС9 • j 1 100; 1,5* 12 А2 К1,А2 70 1 КД706-9 2,4 - КД707АС9 ~ КД629 К1,А2 70 а ' - j КД704АС 4. Диоды ~_.t:p 1 ql А1 К2 О.95 х КДSОЗ-9 j - О,95 кщх ~l:i . . . . : " А1 КД805А 75 200; 450* 1 МГц 1 (100) ~5 (75) ~4 S2 А2 12 • КД805 ~-t Е31Е 5,~ Je КД808А 25; 30* 200; 500* - 0,4 (10) 0,5 (25) ~5 SIO КД808 ~i Е31~ 5,~ Jез
Параметры диодов, столбов и бnоков Uoop max, Тип в прибора * и max1 Uoop в КДSНА КДSНБ кдsнв lпр max, мА ln,f, ер max 1 мА lпр, и max, мА fд lt13Xt кГц, 299 Uпр, В, не более (при lnp, мА) loop, мкА не более (при Uoop, 1 (50 мА) 1 (100 мА) 1 (50 мА) 75 50 50 В) tвос, обрt мкс 4 НС 4 НС 4 нс С 4, пФ (при Uoop, Корпус В) кдsн 3 3 3 ......._ ..... КДSНА-9 КДSНБ-9 КДSНВ-9 КД901А-1 Кд901Б-1 КД901В-1 КД901Г-1 КД90ЗА КД90ЗБ 1 (50 мА) 1,1 (100 мА) 1 (50 мА) 75 50 50 10 10 10 10 5; 5; 5; 5; 20 20 100* 100* 100* 100* IОМГц IОМГц IОМГц IОМГц 0,7 0,7 0,7 0,7 (1) (1) (1) (1) 1,2 (75) 1,2 (75) 75 75 4 нс 3,7 3 3 3 КДSН-9 4 нс 4 НС (10) (10) (10) (10) 520 :$;20 :$;20 :$;20 :$;4 (0,1) :$;4 (0,1) :$;4 (0,1) 54(0,1) КД901 0,5 (20) 0,5 (20) 150 150 150 (5) 150 (5) 0,2 0,2 0,2 0,2 1,0 1,0 - ~ КД903 ....... ~ag 1 j_ ~afO 2.8 КД904А-1 КД904Б-1 КД904В-1 КД904Г-1 КД904Д-1 КД904Е-1 КД906А КД906Б КД906В КД906Г КД906Д КД906Е 10; 10; 10; 10; 10; 10; l 2* 12* 12* 12* 12* 12* 75 50 30 75 50 30 5; 5; 5; 5; 5: 5; 100* 100* 100* 100* 100* 100* 100 100 100 100 100 100 10 МГц IОМГц IОМГц IОМГц IОМГц 10 МГц 100 100 100 100 100 100 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 (l) (1) (1) (1) (1) (1) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 (lO) (10) (10) (10) (10) (10) 2 (75) 2 (50) 2 (30) 2 (75) 2 (50) 2 (30) :$;JO :$;10 510 :$;10 :$;10 510 :$;2(0,1) 52 (0,1) 52 (0,1) 52 (0,1) :$;2 (0,1) 52 (0,1) 20 20 20 40 40 40 КД904 1 КД906 (5) (5) (5) (5) (5) (5) . ••• • •• • ......•
Раздел 300 Uoop max, Тип в прибора U~нmax, в КД907Б-1 КД907Г-1 40; 60* 40; 60* lпpmax, мА lп/· ер max, мА lпр. н max, мА fд max, кГц IОМГц 50; 700* 50; 700* IОМГц Uпр, В, не бoJiee (при lпр, мА) 1 (50) 1 (50) loopr мкА не бoJiee (при Uoop, В) tвос. обр, мкс 5 (40) 5 (40) 4. Диоды Сд, пФ (при Uoop1 :s;5 :s;5 Корпус В) (О) КД907-1 (О) V7/l1 l" ~ КД908А 40; 60* 200;-1,5* А КД908АМ 40;60* 200; 1,5* А КД909А 40 200 IОМГц 1,2 (200) 5 (40) sзо :s;5 <о> 1,2 (200) 1 (40) ~20 :s;S (О) 1,2 (200) 10 (40) 70 5 КД908 КД909 .••• ....... •• •• ....... КД910А-1 КД910Б-1 КД910В-1 5* 5* 5* 10* 10* 10* 0,8 (1) 0,8 (1) 0,8 (1) 0,5 (5) 0,5 (5) 0,5 (5) :s;l,5 :s;l,5 :s;l,5 (О,1) КД910-1 (О,1) (О,1) 7 ~ v'Q 1 К/19/ОА-1 КД91Оi-1 1 2 12 J uш КД911Б-1 5 5 10 10 0,6 (0.05) 0,6 (0.05) 0,5 (5) 0,5 (5) ~160 :s;160 " ~ 2 КД911А-1 ---п 1 ::: '10,01/ J КД9108-1 1 2 J" 00
Параметры диодов, столбов и блоков Uобр max, Тип в прибора U~нmax, в КД912А-З l11pmax, мА 1"/· ер max, мА lпр, и ma~, мА КД912В-З 5 5 5 3,5; 10* 3,5; 10* 3,5; 10* КД91ЗА-З 10 5; 200* КД912Б-З fд 111ах, кГц 10 10 10 МГц МГц МГц IОМГц 301 Uпр. В, lобр, мкА не бoJiee не бoJiee (при lпр, мА) (при Uобр, В) 0,5 (0,05) 0,5 (0,05) 0,5 (0,05) 0,2 (5) 0,2 (5) 0,2 (5) 0,48 (О.О!) 0,2 (10) tвос. обр. мкс $10 Сд, пФ (при Uoop, Корпус В) $1,8 (0,1) $1,8 (0,1) $1,8 (О,1) КД912 $4 (0,1) КД913 ~~1~~~160.25 0,04 К/IЮЧ КД914А КД914Б КД914В 20 20 20 1 (5) 1 (5) 1 (5) 20 20 20 1 (20) 1 (20) 1 (20) КД914 - 8,2 5) - • схемы включения см. КДС526 КД917А 40 КД917АМ 40; 60* КД918Б-1 40 40 КД918Г-1 200 200; 1,5* 50 50 А 10 10 МГц МГц 1,2 (200) 5 (50) 10 40 (0,05) 1,2 (200) 1 (40) $40 $6 (О) 1 (50) 1 (50) 5 (40) 5 (40) КД917 $6 (О) $6 (О) КД918 1111 1112 '6 ..... , ГЧ'у rli ,!, 5 1 "~- ~.J17 - !' t.2 t.3 !" ~ КД918Г-1
Раздел 302 Uобр max, Тип в прибора U~p и max, в КД919А lnp max, мА lnf, ер max, мА lnp, и max, мА 40 100 fд max, кГц - Unp, В, Ioop, мкА не более не более (при Inp, мА) (при Uoop, В) 1,35 (100) 1 (40) fвос, обр, мкс 100 Сд, пФ (при Корпус Uoop, В) КД919 6 ( 10) MDDD_~j; ~2,8 «:> "":)' ' КД922А КД922Б КД922В 18 21 10 50 35 10 lОМГц 1 (50) 1 (35) 1 ( 10) lОМГц lОМГц 0,5 (15) 0,5 (15) 0,5 (10) - 22 ~ 1 ...... "-'1 ' 100 0,7 МГц 1 (100) 5 (10) - 1 ::--, - ~ 14 - КД922 1 1 1 ~ КД923А 4. Диоды L r - КД923 3,6 ~i "l"; J"' Д1004 2 кВ 100 100 (2 кВ) 5 (100) 1 - - Д1004 М5 ' 14 Д1005А Д1005Б 4 4 кВ кВ 50 1_00 1 1 100 (4 кВ) 100 (4 кВ) 5 (50) 10 ( 100) - 57 ~ - Д1005 М5 тп* 'Б~fl 1" Д1006 6 кВ 100 1 100 (6 кВ) 10 (100) - m:s~roo - Д1006 М5 Д1007 8 кВ 75 1 100 (8 кВ) 10 (100) - . Д1008 10 кВ 50 1 10 (100) - - 100 ( 10 кВ) - - тп*l;I 1" Д1007 М5 10:;;1 1" Д1008 М5 Д1009 Д1009А 2 кВ 1 кВ 300 300 1 1 2,6 (300) 1,5 (300) 100 (2 кВ) 100 (! кВ) - - тп* ;~rl 1" Д1009 ~1~11: 2om"Н.tPl.2A * !/~ ~fl ~ • - , ..... ,.. 1 - /f _,,.,, 70 Y"L :.t
Параметры диодов, столбов и блоков Uобр mвх, Тип прибора • в Uобр и mвх, в Д1011 500 Inp mвх, мА lnf, ер mвх 1 мА Inp. и max 1 мА fд 1nвх 0 кГц 300 303 U11p, В, lобро мкА не более не более (при Inpo мА) (при Uобро В) 1,5 (300) 100 (500) fвос, обро мкс Сд, пФ (при Корпус Uобр, В) Д1011 - ~t#ill ~ -* 2omd~l/,2 , - 1 КДС111А КДС111Б КДС111В КДС413А КДС413Б КДС413В КДС414А КДС414Б КДС414В КДС415А КДС415Б КДС415В 300 300 300 200 200 200 20 20 20 1.2 (100) 1,2 (100) 1,2 (100) КДС111 3 (300) 3 (300) 3 (300) J 7,5 20; 30• 20; 30• 20; 30• 10; 100"' 10; 100"' 10; 100• 0,75 (1) 0,75 (1) 0,75 (1) 0,01 (10) 0,01 (10) 0,01 (10) 0,04 0,04 0,04 3 (О) 3 (О) 20: 30• 20; 30• 20; 30• 10; 100* 10; 100* 10; 100* 0,75 (1) 0,75 (1) 0,75 (1) 0,01 (10) 0,01 (10) 0,01 (10) 0,04 0,04 0,04 3 (О) 3 (О) 3 (О) 20; 30• 20: 30• 20; 30• 10; 1оо• 10; 100* 10; 100* 0,75 (1) 0,75 (1) 0,75 (1) 0,01 (10) 0,01 (10) 0,01 (10) 0,04 0,04 0,04 3 (О) 3 (О) 3 (О) JiV 3 (0) КДС415 - 1,2 а-О,О" с.: _ _ _ _ _ _ с:ас::а ----~ ~" 11111f\I \l\I • С'-., ' _ - ~·0.G uonono-..:.;..;~~ КДС523А 50 20 1 (20) 5 (50) 4 2 (0,1) КДС523А, Б КДС523Б 50 20 1 (20) 5 (50) 4 2 (0,1) ..,tг=ьа G;J КДС523В 50 20 1 (20) 5 (50) 4 2 (0,1) КДС523Г 50 20 1 (20) 5 (50) 4 2 (0,1) 'Н:d _g_ 2 о---+1>1,,._--о 1 о [)! J ol/ КДС523В, Г ~rn //о J о 20 1 о ()f ()f ()f l>f 1 о5 oG 07 08
Раздел 304 Uобр max, Тип В прибора U~p и mвх, в ln11 max, мА 1,~" ер mвх 9 мА lnp. и max, мА ~ fд mвxt кГц Uпр, В, не более (при Inp, мА) Ioop, мкА 11е более (при Uобр, В) tooc, обр, мкс 4. Диоды Сд, пФ (при Корпус Uобр, В) КДС523АМ 50 20 1 (20) 5 (50) 4 нс 2 (0,1) КДС523БМ 50 20 1 (20) 5 (50) 4 1/С 2 (0,1) КДС523ВМ 50 20 1 (20) 5 (50) 4 нс 2 (0,1) КДС523ГМ 50 20 1 (20) 5 (50) 4 нс 2 (0.1) КДС523М 2о К] 1о К] oJ ol/ !~!1 ~11Ef lf о ~ Jо 2о 7о КДС525А 15 20; 200* ::>0,9 (2) SI (10) S5 llC S8 (5) КДС525Б 15 20; 200* ::>0,9 (2) ::>1 ( 10) ::;;5 нс s8 (5) КДС525В 15 20; 200* ::>0,9 (2) ::>1 ( 10) ::;;5 нс ::>8 (5) КДС525Г 15 20; 200* ::>0,9 (2) ::>1 ( 10) s5 нс S8 (5) КДС525Д 15 20; 200* g),9 (2) ::>1 ( 10) S5 нс S8 (5) КДС525Е 20 20; 200* ::>0,9 (5) ::>1 (20) ::>5 НС S8 (5) КДС525Ж 20 20; 200* ::>0,9 (5) SI (20) ::>5 нс s8 (5) КДС525И 20 20; 200* ::>0,9 (5) ::>1 (20) s5 нс S8 (5) КДС525К 20 20; 200* s0.9 (5) SI (20) S5 нс S8 (5) КДС525Л 20 20; 200* g),9 (5) ::>1 (20) ::>5 нс ::>8 (5) о5 06 i;.1 ~ ~ 07 ов КДС525 - - /f.ДС525А - КДС5255 21 ~"' IJ 21S::S1" !J J 12 J 12 = ~ ~ 11>1 ~~и~= 1~ ~ ~ь 7 01<3 ~g 6о!СЗ 8 КДС5258 ~g 8 J(ДС525Г 21~1'11~11/ 13 2 . 1J /, 12 12 " 11 ~11 10 5 о t43 10 7 ~9 g 8 7ot43 В КДС525Д 1 КДС525Е 11/ 2~'"2m1J 13 J 12 J ~о~ ~~5" б~ 7 1 08 КДС525Ж 2~1J11/ J п 11 19 7о~ ~8 КДС525Н 1~11/ 1J 2 о й· . ~б ~11 1/ o!Эif ~11 10 10 ) 1 2 5 7 КДС525К ~ 7о~ ~J КДС525Л ::S1" 11/ 2 1J TJ 12 J 12 11 'lolilal ~11 10 10 g 6:#:1 6 7 08
параметры диодов, столбов и блоков Uобр anaxt Тип в прибора * и maxo Uоб11 в КДС526А КДСБ26Б 15 15 l11p max, мА 1,~" с11 max 9 мА Inp. " 111ах, мА U11p, В, Ioop, мкА не более 11е более (при Inpt мА) (при Uобр, В) - fд ll13Xt кГц 305 20 - 1 (5) 20 - l (5) fooc, обро МКС 5 - 5 СА, nФ (при Корпус Uобр, В) нс КДСБ26 5 НС - 5 ', ~ ....; КДСБ26В 15 20 - 1 (5) - 5 нс 5,J 8,2_ j 5 • ' ~vvv КАС526А - 1 :"" ...... ...... 2 :, J :, ...... 1.А 4: 1.А '""' 5с 6: 1.А "" Kl,C52GI 1._ 1.А ·~ ....... 2: 3~ 5: '""' 6-" 1:-" 1.А N КДС5268 ...... ...... 2Jc 5: \,. КДС627А 50 200 - 1,3 (200) 2 (50) 40 КДС627 5 ' ~ - 1.А N '11 с::& 816 са С1 1 1 •8С1- -т- le 6,5 - КДС628А 50 200 - l,3 (200) 5 (50) ..... 50 'J.S КДС628 32 - 1= С1 са" ~ , - == §= 10~" ·==12 ' 1 ~=11 _7,8 ~ -- - КЦ105В 6000 КЦ10БГ 7000 8500 КЦ105В 100 75 50 10 !О 10 7 (100) 7 (75) 7 (50) 100 (6000) 100 (8000) 100 (10000) 3 3 3 - КЦ105 //О 10 ~f=WT _2,5 ~
Раздел 306 Uобр max1 Тип прибора в tJ~~~x, в КЦ106А КЦ106Б 4000 6000 КЦ106В 8000 КЦ106Г 10000 2000 КЦ106Д ' Inpmax1 мА In,f• ер max1 мА lnp. и max, мА 10 10 10 10 10 f~ max1 кГц 20 20 20 20 20 Unpr В, lобр1 мкА не более не более (при Inp1 мА) (при Uобр, В) 25 25 25 25 2& (10) (10) (10) (10) (10) Сд, пФ tвос, обр1 мкс 4. Диоды (при Корпус Uобр1 В) 5 (4000) 5 (6000) 5 (8000) 5 (10000) 5 (2000) 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 - КЦ106 ~11: ~г22 ' ., КЦ108А 2000 100 50 <6 (180) <150 (2000) 0,9 КЦ108Б 4000 100 50 <6 (180) <150 (4000) 0,6 ... 0,9 - КЦ108В 6000 100 50 <10 (180) <150 (6000) 0,6".0,9 - КЦ108 - ~t - КЦ108(А,5) е9 ·f&GЗ t Ф5 ~ езеfh9=е:з КЦ10ВВ ~t е9-f&сз 70 ~i ei-~e КЦ109А 6000* 300 - 7 (300) 10 (6000) 1,5 - КЦ109 О) "& \Г/'1 rt ---\.1 \L.J.. 1111 KЦlllA 3000 20 1 12 (1) 0,1 (3000) - - КЦ114А 4000 КЦ114Б 6000 50; 1000* 50; 1000* 10 10 <22 (50) <22 (50) KЦlll i;t &J*~ " <10 (4000) <10 (6000) 2,5 2,5 - - :г- 5 КЦ114 ~Efft~ 22 КЦ117А КЦ117Б 10000 12000 1,3 А ЗА - <35 (10) <35 (10) <1 (10000) <1 (12000) <300 <300 - ~ КЦ117 ~~~ ~· С1 c:r 19,5 КЦ201А КЦ201Б 2000 4000 500 500 1 1 3 (500) 3 (500) ·100 (2000) 100 (4000) - - - о ,5 КЦ201 м~t1_ 18
Параметры диодов, столбов и блоков Uобр max, Тип прибора в u.:,p и max, в lnp mвх, мА fд max, ln,l" ер max, мА lnp, и max, мА кГц 307 lобр, мкА Un 1" В, не более не более (при Inp, мА) (при Uoop, В) fooc, обр, мкс Сд, пФ (при КЦ201Д 6000* 8000* 10000* 500 500 500 1 1 1 6 (500) 6 (500) 6 (500) 100 (6000) 100 (8000) 100 (10000) - - КЦ201Е 15000* 500 1 10 (500) 100 (15000) - - КЦ201В КЦ201Г КЦ208А 7.5 кВ - 300 S9 (0,3 А) 100 (8 кВ) - Корпус Uобр, В) - КЦ201 ~~tlt_ КЦ201 ~m КЦ208 -sr-~1 13 КЦ401А 500* 400 1 2.5 (400) 500 (500) - - КЦ401А Ф>А1 Аз - 1 1 С:) -11 j_ t~ ~JO~ К2 Кз 6 Схема соеоиненин iJnя gоRоития напряжения с:х:: КЦ401Г 500* 500 2,5 (500) 1 500 (500) - - КЦ401Г 6'6 1, 1' f?@ " f? ! о ~ "'5 •/ 1о ~ ~·~~ 50 5 4 з 2 ~ -- - Схемы соеоинениu u11я моста ~~ 1 G 6 - 5 6 t11я go8011meAя - -- 5 напряжения ~ь G 5 J 1'
Раздел 308 Uобр max1 Тип прибора в u* . обр и max, в КЦ402А КЦ402Б КЦ402В КЦ402Г КЦ402Д КЦ402Е КЦ402Ж КЦ402И 600* 500* 400* 300* 200* 100* 600* 500• lnp rnax1 мА lnf, ер max, мА ' lnp. и max, мА 1000 1000 1000 1000 1000 1000 600 600 fA max, кГц 5 5 5 5 5 5 5 5 Unp, В, 1обр 1 мкА не более не более (при Inp, мА) (при Uобр, В) $4 (1000) $4 (1000) $4 (1000} $4 (1000} $4 (1000} $4 (1000) $4 (600) $4 (600) $125 (600) s125-(500) $125 (400) $125 (300) $125 (200) $125 (100) $125 (600) $125 (500) tвос, обр, мкс 4. Диоды СА, пФ (при Корпус Uобр, В) КЦ402 - :а: ,..,, КЦ403А КЦ403Б КЦ403В КЦ403Г КЦ403Д КЦ403Е КЦ403Ж КЦ403И 600* 500* 400* 300* 200* 100* 600* 500* 1000 1000 1000 !ООО 1000 1000 600 600 5 5 5 5 5 5 5 5 4 (1000} 4 (1000} 4 (1000} 4 (1000) 4 (!ООО) 4 (1000) 4 (600) 4 (600) 125 125 125 125 125 125 125 125 + КЦ403 (600) (500) (400) (300} (200) (100) (600) (5(!)0) :: f :f :::: ~: КЦ404А КЦ404Б КЦ404В КЦ404Г КЦ404Д КЦ404Е КЦ404Ж КЦ404И 600 500 400 300 200 100 ' 600 500 1000 1000 !ООО 1000 1000 1000 600 600 5 5 5 5 5 5 5 5 4 (!ООО) 4 (!ООО} 4 (1000} 4 (1000} 4 (1000) 4 (1000} 4 (600) 4 (600) 125 125 125 125 125 125 125 125 t:t КЦ404 (600) (500) (400) (300) (200) ( 100) (600) (500) +~l l~• +~! l~I КЦ405А КЦ405Б КЦ405В КЦ405Г КЦ405Д КЦ405Е КЦ405Ж'~ КЦ405И 600 500 400 300 200 100 600 500 1000 1000 1000 1000 1000 1000 600 600 5 5 5 5 5 5 5 5 4 (1000} 4 (1000} 4 (!ООО} 4 (1000} 4 (1000} 4 (1000} 4 (600) 4 (600) 125 125 125 125 125 125 125 125 (600) (500) (400) (300) (200) ( 100) (600) (500) КЦ405 asL:z ~/~Fl о " -а+ - .
Параметры диодов, столбов и блоков Uoop max, Тип в прибора U~p н max, в КЦ407А 400* lnp max, мА lnf, ер max, мА lnp, и max, мА 500; З* А fд max, кГц 20 309 Unp, В, Ioop, мкА не более не более (при Inp• мА) (при Uoop, В) 2,5 (200) 5 (400) fвос, обр 1 мкс 5 Сд, пФ l (при Корпус Uoop, В) - КЦ407А !11 (кamoDJ, Точка 0 -1 to IJ.51 - - ЗА КЦ409В 600* 500*. 400* КЦ409Г ЗОО* ЗА КЦ409Д 200* 100* 200* 100* ЗА 50* 100* 200* ЗА КЦ409А КЦ409Б КЦ409Е КЦ409Ж КЦ409И КЦ410А КЦ410Б КЦ410В ЗА ЗА ЗА 6А 6А ЗА ЗА 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 (ЗООО) (ЗООО) (ЗООО) (ЗООО) (ЗООО) (ЗООО) (6000) (6000) 1,2 (ЗООО) 1,2 (ЗООО) 1,2 (ЗООО) з (600) з (500) 3 (400) з (ЗОО) з (200) з (100) з (200) з (100) 50 (50) 50 (100) 50 (200) - - а•--- о я ~ О 1 CICICI - -а 52 - 17 - КЦ410 ~rы 1 35 КЦ412Б КЦ412В 50* 100* 200* IA IA IA - 1,2 (500) 1,2 (500) 1,2 (500) 50 (50) 50 ( HIO) 50 (200) - - КЦ412 - ~~я_ 25 КЦ417А КЦ417Б КЦ417В 600 400 200 1 А; 4* А 1 А; 4* А 1 А; 4* А З 5 5 5 (1 А) З (1 А) З (1 А) 15 (600) 15 (400) 15 (200) - - 10 КЦ417 ,.... \l) ' N "w + -- - 11 15 5 u u LJ ц D D DD D КЦ418А КЦ418Б КЦ418В КЦ418Г КЦ418Д 50 100 200 400 800 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 А А А А А 0,05".1 0,05".1 0,05".1 0,05".1 0,05".1 2,3 (ЗА) 2,З (ЗА) 2,З (ЗА) 2,З (ЗА) 2,З (ЗА) 50 (50 В) 50 (100 В) 50 (200 В) 50 (400 В) 50 (800 В) - - - КЦ418 \(') С'1 - .... - + uu ... ~ D DD D _35 - ' КЦ419А 2А КЦ419В2 50 50 50 100 100 100 200 200 200 КЦ419Г зоо 2А КЦ419Г1 '300 5А КЦ419Г2 зоо 10 А КЦ419Д 400 400 400 500 500 500 600 600 600 2А КЦ419А1 КЦ419А2 КЦ419Б КЦ419Б1 КЦ419Б2 КЦ419В КЦ419В1 КЦ419Д1 КЦ419Д2 КЦ419Е КЦ419Е1 КЦ419Е2 КЦ419Ж КЦ419Ж1 КЦ419Ж2 5А 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 10 А 1 БА !ОА 2А 5А 10 А 2А 5А 10 А 5А 10 А 2А 5А 10 А 2А 2 (2 А) 2 (5 А) 2 (10 А) 2 (2 А) 2 (5 А) 2 (10 А) 2 (2 А) 2 (5 А) 2 (10 А) 2 (2 А) 2 (5 А) 2 (!О А) 2 (2 А) 2 (5 А) 2 (10 А) 2 (2 А) 2 (5 А) 2 (!О А) 2 (2 А) 2 (5 А) 2 (10 А) 2 (50 В) 2 (50 В) - 2 (50 В) 2 (100 В) 2 (100 В) 2 (100 В) 2 (200 В) 2 (200 В) 2 (200 В) 2 (ЗОО В) 2 (ЗОО В) 2 (ЗОО В) 2 (400 В) 2 (400 В) 2 (400 В) 2 (500 В) 2 (500 В) 2 (500 В) 2 (600 В) 2 (600 В) 2 (600 В) - ~ КЦ409 D DD D КЦ412А J - 1 КЦ419 - - о 28,5 05,2 ~- / t:=: 21,7 ~ GJ 1.в-Н. 1 gJ
Раздел 4. ДиодЬ1 310 4.4. Параметры варикапов Сд, пФ Тип прибора Qв мин. Uобр, В fизм, Мfц - 12 4 10 4 4 4 4 4 10 10 10 10 10 40 40 40 100 40 4 4 4 4 4 50 50 50 50 50 32 48 4 4 10 10 50 40 4 4 50 50 90 106 128 128 95 120 144 192 192 143 4 4 4 4 4 1... 10 1".10 1".10 1... 10 1".10 100 100 100 100 150 4 4 4 4 4 10 10 10 10 10 400 400 600 600 4 4 1 1 500 500 4 4 1 1 20 15 50 35 4 4 1."10 1".10 40 60 4 4 50 50 10 10 30 30 40 40 65 65 2... 9 6... 18 2."9 6."18 1".10 1".10 1."10 1... 1о 20 20 20 20 - - 10 10 - 10 2,3 2· 8 8 2,8 2,3 16 17 25 25 3 3 1."10 1".10 1".10 1."10 300 300 160 160 3 3 3 3 50 50 50 50 мин. макс. Uобр, В КВ101А 200 240 0,8 КВ102А 14 19 25 19 19 23 30 40 30 30 18 28 КВ102Б КВ102В кв102r КВ102Д КВ10ЗА КВ103Б КВ104А КВ104Б КВ104В КВ104Д КВ104Е КВ105А КВ105Б КВ106А КВ106Б КВ107А КВ107Б КВ107В KB107f КВ109А КВ109Б КВ109В KB109f fизм, Мfц 10
параметры варикапов lобр, мкА (при Uобр, В) 1 (4) Uобр, В 311 Рпр, Вт '(при Тнзм, •с) аса, 11·с т, ·с Корпус (при Uобр, В) ' -5 ... +55 4 КВ101 . _ фJ,J 1 (45) 1 (45) 1 (45) 1 (45) 1 (80) 45 45 45 45 80 90 90 90 90 90 мВт мВт мВт мВт мВт КВ102 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 _ J,5 , 10 (80) 10 (80) 80 80 5 (-40 ... +70) КВ103 -40 ... +85 -40 ... +85 - 20 11,5 ~ 5 5 5 5 5 (45) (45) (45) (45) (45) 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 45 45 80 80 45 (40) (40) (40) (40) (40} КВ104 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 ~ _.:!."!. 1" --- ~ '&. , //.8 20 (90) 20 (90) 90 50 0,15 (50) 0,15 (50) -40 ... +100 -40 ... + 100 5 • 104 (4) КВ105 19 20 (120) 20 (90) 120 90 7 (75) 5 (75) -60 ... + 100 -60 ... +100 100 5,5 ... 16 13 ... 31 5,5 ... 16 13 ... 31 0,1 (-40 ... +50) 0,1 (-40 ... +50) О, 1 (-40 ... +50) О, 1 ( -40". +50} -40 ... +70 -40".+70 -40 ... +70 -40 ... +70 100 100 100 ~0.5 ~.5 ~О.5 ~0.5 (25) (25) (25) (25) 25 25 25 25 5 5 5 5 мВт мВт мВт мВт (50) (50) (50) (50) -40... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 КВ106 20 11,5 КВ107 ~5,8 ~ (500+300). 10·6 (3) (5оо+зоо> • 10·6 (3) (500+300) • 10·6 (3) (500+300) • 10"6 (3) 1 :1 ш КВ109
312 Раздел Сд, пФ Тип прибора Qв мин. макс. Uобр, В fнзм, Мfц мин. 2,24 2 1,9 8 2,74 3,1 17 25 25 25 3 50 50 50 50 300 300 160 160 2,24 2 1,9 8 7 2 1,8 2,74 2,3 3,1 17 16 2,3 2,8 - КВ109Д-5 2,24 2 1,9 8 7 КВ109Е-5 2 - КВ109Ж-5 1,8 2,74 2,3 3, 1 17 16 2,3 2,8 - 10 14,4 / 17,6 12 14,4 17,6 18 21,6 26,4 18 21,6 26,4 4 4 4 4 4 4 1... 1о 1... 10 1... 10 1... 1о 1... 1о 1... 1о 29,7 29,7 36,3 36,3 4 4 1 1 29,7 29,7 33 33 36,3 36,3 36,3 36,3 - 9,6 12 14,4 18 4 4 54,4 54,4 81,6 81,6 4 4 КВ109А-1 КВ109Б-1 КВ109В-1 KB109f-1 4. Диоды 2.3 \ Uoop, В fизм, Мfц 3 3 3 3 50 50 50 50 - - ,_ КВ109А-4 КВ109Б-4 КВ109В-4 KB109f-4 КВ109Д-4 КВ109Е-4 КВ109Ж-4 КВ109А-5 КВ109Б-5 КВ109В-5 КВ109f-5 КВНОА КВН ОБ квн о в квноr квн од КВ110Е КВС111А КВС111Б КВС111А-2 КВС111Б-2 КВС111В-2 KBC111f-2 КВ112А-1 КВ112Б-1 КВ11ЗА КВ11ЗБ - - - ' - 300 300 160 160 30 450 300 300 300 160 160 30 450 300 - - - - - - - - 300 300 300 150 150 150 4 4 4 4 4 4 50 50 50 50 50 50 200 150 4 4 50 50 200 150 200 150 - - - 1 1 200 200 4 4 50 50 1 1 300 300 - 10 10 - - , / КВ114А КВ114Б 54,4 54,4 81,6 81,6 4 4 . 1 1 1 300 300 - 10 10
параметры варикапов 313 =-=r=============-================-=========-==-=--============-- i;==================;==========o;==~=--~--=--=·~·-.=· lобр, мкА U ~ 8 Р11 11 , Вт 1 J (25) (25) (25) (25) 25 25 25 25 0,5 0,5 0,5 0.5 0,5 0,02 0,02 28 28 28 28 28 28 28 0,5 0,5 0,5 0.5 0,5 0,02 0,02 28 28 28 28 28 28 28 1 (45) 1 (45) 1 (45) 1 (45) 1 (45) 1 (45) 45 45 45 45 45 45 1 (30) l (30) 30 30 - асв, 1/ С 0 L________<п_р_и_u_о_б_Р•_в_.>_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ ( u----"-Р_и_u_о_бр_,_в_)-+-------+--(п_р __"_т__11_:~_·с_) s;0,5 s;0,5 s;0,5 s;0,5 Т, ·с ~~ КВ109-1 1 д ~...._-_.... J--.1L_ _ \).,+----~--т КВ109-5 0.1 (-60 ... +50) 0,1 (-60 ... +50) О, 1 (-60 ... +50) 0,1 (-60 ... +50) 0,1 (-60 ... +50) 0,1 (-60 ... +50) КВ110 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +85 -40 ... +100 -40 ... +100 500• 10"6 (4) 500. 10"6 (4) КВС111 7,2 2,8 ! - 30 30 30 30 1 (25) 1 (25) 25 25 О, 1 (50) O, l (50) -40 ... +85 -40 ... +85 500• 10"6 (4 ... 25) 500· 10"6 (4 ... 25) КВ112-1 1,2 ,'' - 8 10 (150) 10 (115) 150 115 0,1 (-60 ... +50) 0,1 (-60 ... +50) -40 ... +85 -40 ... +85 J 500. 10"6 (4) 6 500 • 1о· <4 > кв нз 7,2 J ~-*-~ 1 1 l~ 11 · 1 10 (150) 10(115) 150 115 -40 ... +85 -40 ... +85 КВ114 2 ' g 1/ ' ---11
Раздел 314 Qв Сд, пФ Тип прибора КВ115А КВ115Б КВ115В мин. макс. 100 100 100 700 700 700 4. Диоды Uобр, В о о о fнзм, МГц Uобр, В мин. - - - - - fнзм, МГц - - ' 168 КВ116А-1 252 1 100 1 1 1 - КВ117Б 26,4 26,4 39,6 39,6 3 3 1.. .10 1... 10 180 150 - 1 1 КВ119А 168 252 1 1".10 100 1 1 КВ117А ' 1 ' ' 230 230 320 320 1 1 1".10 1".10 100 100 1 1 1 1 КВС120А-1 230 320 1 1."10 100 1 1 КВ121А 4,3 4,3 6 25 25 1."10 1".10 200 150 25 25 50 50 25 25 50 50 200 150 3 3 50 50 КВС120А КВС120Б . КВ121Б КВ121А-1 КВ121Б-1 4,3 4,3 6 6 6 -
315 nараметрь1 варикапов lобр, мкА (при Uобр 1 В) • 0,1 (50) 0,05 (50) 0,01 (50) Pnp, Uобр, В Вт (при Тнзм, "С) - 100 100 100 Т, ·с -40".+85 -40".+85 -40".+85 асв, 1/"С Корпус (при Uобр 1 В) - КВ115 ,.... '&,, -v-- --...;; 9 - 15 0,5 (10) - 10 -40".+85 - ~ " ...... -. 2 • l 0"3 ( 1) КВ116 ' о!,2 ~w-= о 1 1 (25) 1 (25) О, 1 О, 1 25 25 (50) (50) -40".+100 -40".+100 600· 10·5 (3) 600· 10"6 (3) КВ117 ~i el> .i"' / 1 (10) - 12 -40."+85 - КВ119 ~i el> .i"' 0,5 (30) 0,5 (30) 32 32 - . - -45 ... +85 -45".+85 - КВС120 r/J9/I ' ~i 0,5 (30) 32 - -45".+85 - jl -! . КВС120·1 А 11 (кamoDJ Точка D ~1 (() ~- 1fs1 0,5 (28) 0,5 (28) 30 30 - -40".+100 -40". + 100 - - КВ121 ~Ф~t·~(; 0,5 0,5 28· 28 - - 1_ - t"iiJ КВ121·1 с.,. t'.I" "' " д --, ,--
316 Раздел прибора КВ121А-2 КВ121Б-2 КВ121В-2 КВ121А-З КВ121Б-З КВ121В-З КВ121А-9 КВ121Б-9 КВ121В-9 КВ122А КВ122Б КВ122В Qв Сд, пФ Тип мин. макс. 4,3 4,3 4,3 б 4,3 4,3 4,3 б Uобр, В б б б б 4,3 4,3 4,3 б 2,3 2 1,9 2,8 2,3 3, 1 б б 4. Диоды fнзм 1 МГц Uобр, В мин. fнзм 1 МГц - - 200 150 240 - - - - 200 150 240 - - - - 200 150 240 - - 25 25 25 1 1 1 450 450 300 25 25 25 50 50 50 > КВ122А-1 КВ122Б-1 КВ122В-1 2,24 2 1,9 2,74 2,3 3,1 25 25 25 50 50 50 450 450 300 . 3 3 3 50. 50 50 - КВ122А-4 КВ122Б-4 КВ122В.-4 КВ122А-9 КВ122Б-9 КВ122В-9 КВ12ЗА 2,24 2 1,9 2,74 2,3 3 - - 450 450 300 - - 2,24 2 1,9 2,74 2,3 3,1 25 25 25 50 50 50 450 450 300 3 3 3 50 50 50 2,6 3,8 25 1.. .1 о 250 25 50 -
параметры варикапов lобр, мкА Р11р, Вт Uобр, В (при Uобр, В) 0,5 0,5 0,02 317 (при Тнзм, "С) - 30 30 30 асв, 1/"С т, ·с Корпус (при Uобр, В) - - КВ121-2 Nftщ1 !.(')~ ' ~ 0,5 0,5 0,02 30 30 30 - - S0,5 S0,5 S0,02 28 28 28 - - S0,02 S0,05 S0,05 28 28 28 - - - S0,2 (28) S0,02 (28) S0,2 (28) 28 28 28 - - - - ~-- КВ121-З - - ~r EЗ1J6.rE3 - КВ121-9 - ~~х КВ122 - - О.95 j - - - . .::а-' Ф111 - - 1 ~Ф-t·~с f""fit КВ122-1 . д ,, с.,. _ с.--.г ~ - __J ---. ,.-- ' - - - 0,2 0,02 0,2 30 30 30. 0,2 0,02 0,2 28 28 28 - - - 28 - -40 ... + 100 (500+300). 10"6 (25) 0,05 (25) - - КВ122-4 - - - - ~r ЕЗ1;,6.rЕ3 - - КВ122-9 - - ~~х КВ123 11,// J . О.95 j с-., &. 1 L_ - ,, - ..----
Раздел 318 Сд, пФ Тип прибора КВ126А-5 KB126Af-5 КВ127А КВ127Б КВ127В КВ127Г КВ128А КВ128АК КВ129А КВ129Б 4. Диоды Qв мин. макс. Uобр, В fнзм, МГц мин. Uобр, В fнзм 1 МГц 2,6 2,6 3,8 3,8 25 25 1".10 1".10 200 200 25 25 50 50 230 230 260 230 280 360 320 320 1 1 1 1 1".10 1".10 1".10 1".10 140 140 140 140 1 1 1 1 10 10 10 22 22 7,2 1,5 28 28 10,8 - 1 1 3 25 1".10 1".10 1".10 1".1 о 300 300 50 45 - 50 50 50 50 10 - КВ132А 3,7 38 4,5 - 12 1,6 1".10 1".10 300 300 4 50 50 КВtЗОА-9 3,7 4,5 12 1".1 о 300 - 50 450 520 - - 130 - - 18 22 1".10 400 4 50 - 400 - - КВ1ЗОА КВ131А-2 КВ134А , 1 - КВ134А-1 18 22 -
параметры варцкапов loop, мкА (при Uобр, В) Uобр, В 319 Рпр, Вт (при т нэм, •с) т, ·с асв, t/•c Корпус (при Uобр, В) ~ 0,5 (25) 0,5 (25) 28 28 -60 ... +100 -60 ... + 100 800 • 1о- 6 (4) 800 • 1о- 6 (4) КВ126-5 ~ +-+...,.,.,.-t-. c:::i- •• С1 аО,7 0,5 0,5 0,5 0,5 КВ127 (30) (30) (30) (30) 32 32 32 32 -60 ... +100 -60 ... +100 -60 ... + 100 -60 ... +100 0,05 (10) 0,05 (10) 0,005 (8) 0,005 (8) 1·2 12 25 25 -60 ... +100 -60 ... +100 -60... + 100 -60 ... +100 s;0,05 «28) s;0,005 (5) 28 12 -60 ... + 100 -60 ... + 100 КВ130 s;0,05 (28) 28 -60 ... +100 КВtЗО-9 0,25 14 0,05 (10) 23 0,05 23 800 • i о- 6 800 • i о- 6 800• 10"6 800. 10"6 (4) (4) (4) (4) КВ128 1 КВ131-2 -60 ... +100 КВ134 КВ134-1
Раздел 320 Сд, пФ Тип прибора { 4. Диоды Qв макс. Uобр, В fнзм, МГц мин. Uобр, В fнзм, МГц 486 594 1 1... 10 150 1 1 l7,l 19,8 17, 1 19.8 18,9 24,2 18,9 24,2 4 4 4 4 10 10 10 10 400 400 500 500 4 4 4 4 40 40 40 40 КВ138Б 14 17 18 21 2 2 10 10 200 200 3 3 50 50 КВ139А 500 620 1 10 160 1,5 1 300 300 - 1 1 110 110 90 90 28 28 28 28 50 50 50 50 - 110 110 100 100 28 28 28 28 50 50 50 50 - 100 10 50 • КВ135А КВ136А КВ136Б КВ136В КВ136Г мин . ' КВ138А , КВ142А КВ142Б 60 70 85 115 10 10 28 28 .28 28 - ' КВ144А 2,6 КВ144Б 2,8 КВ144В 2.6 2,8 3 . 3,2 3 3,2 КВ144Г-1 2,6 2,8 2,6 2,8 3 3,2 3 3,2 28 28 28 28 КВ146А 10 16 10 КВ144Г КВ144А-1 КВ144Б-1 КВ144В-1 -- - - 1
параметры варикапов lобр, мкА (при Uобр, В) 0,05 (10) Uобр, В 13 321 Рнр, Вт \ асв, 11·с (при Uобр, В) т, ·с (при Тнзм, •с) - Корпус - -60 ... + 100 КВ135 , "·" 2,5 т~в / 0,02 0,02 0,02 0,02 (25) (25) (25) (25) - 30 30 30 30 - -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... +125 4 • 10-4 4 • 10-4 4. 10"4 4 • 10·4 -60 ... +100 -60 ... +lOO в· 10·4 (2) (4) (4) (4) (4) ' 0,05 (5) 0,05 (5) - 12 12 - ' КВ136 ~i el"; Jsa КВ138 8. 10·4 (2) :Ф-I·{# t~ 0,5 (12) 16 0,6 мВт (100) -60 ... + 100 8 • 10·4 (3) КВ139 "·" 2,5 T~Ifi: ' 0,05 (32) 0,05 (32) 32 32 - -60 ... +100 -60 ... +100 4,3 • 10·4 ( о 4,3 • 104 (l) ~I~t·f~t~ . S0,01 ~0.01 ~0.01 ~О.01 32 32 32 32 - - - КВ142 - - - КВ144 - 1 !/.// '\З.. - -- -- С"1 j' ~О.01 S0,01 S0,01 ~О.01 32 32 32 32 - - - КВ144-1 - - - ' ~i~-t·f; t~ ' ~О.05 15 - - - КВ146 ~ 'S. ...···-~ J,8
Раздел 322 Сд, пФ Тип прибора Qв мин. Uобр, В fнзм, МГц - - 450 350 450 400 28 28 28 28 50 50 50 50 - - 340 - - 2,25 - - 455 - - 2,5 3 - - 260 - - 2,9 3,4 - - 245 - - l ,85 2,4 2,9 2,25 2,9 3,4 28 28 28 l 450 300 200 - - 25 30 25 30 25 30 - 4 4 4 4 4 4 50 50 50 50 50 50 30 4 50 Uoop, мин. макс. КВ149Г 1,9 1,8 2,2 2 2,35 2,4 2,8 2,4 28 28 28 28 КВ152А l ,85 2,25 КВ153А-9 1,85 КВ154А КВ155А-9 КВ149А КВ149Б КВ149В 4. Диоды В fнзм, МГц ., КВ156А-9 КВ157А-9 КВ158А-9 1 1 1 Д901А Д901Б Д901В Д901Г Д901Д Д901Е Д902 22 22 28 28 34 34 32 32 38 38 44 4 4 4 44 4 10 10 10 10 6 12 4 50 4 4 10 10
Параметры варикапов lобр, мкА (при Uобр, В) Uобр, В 323 Рпр, Вт (при Тизм, "С) т, ·с асв, t/•c Корпус (при Uобр, В) - S0,02 S0,02 S0,02 S0,02 30 30 30 30 - - - - КВ149 - 11,// - 1 L_ с-./ г- 'tЭ. 1 0,02 30 - - - КВ152 ~i 0,02 30 - - - 03 l.J.б~iE3 КВ153-9 J 0,95 ~~х 0,02 30 - - - КВ154 ~; 0,02 30 - - - еэ~с; J"" КВ155-9 ' 0,95 J ~~х SO,l (30) S0,01 (30) so.01 (30) 30 30 30 - 1 (80) 1 (45) 1 (80) 1 (45) 1 (80) 1 (45) 80 45 80 45 80 45 250 250 250 250 250 250 10 (25) 25 - - (25) (25) (25) (25) (25) (25) -60 ... + 125 -60".+125 -60".+125 -60".+125 -60".+125 -60".+125 -40".+ 100 - 200· 10"6 200. 10"6 200. 10·6 200 • 10·6 200 • 10"6 200. 10-6 - КВ156А-9, КВ157А-9 КВ158А-9 ~~1 (45) (45) (45) (45) (45) (45) Д901 ~ l.t) ~ 'S. j -"' 11 1 11-r.::J. !1.L..v-- 12 - Д902 ~t47:a."
Раздел 324 4.5. Параметры стабилитронов и стабисторов Uст, В Тип прибора д219С Д220С Д223С 4. Диоды мин. иом. - 0,57 0,59 0,59 макс. - Uпр, В аUст, о/о/•с БUст, о/о - - - - 0,07 0,08 0,09 0,095 0,095 ±1 ±1 ±1 ±1 ±1 ±1 ±1 ±1 ±1 ±1 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) 1 (50) - - Iст, мА 1 1 1 (при Iпр, мА) 7 8 9 10 11,5 7 8 9 10 11,5 - 8,5 9,5 10,5 12 14 8,5 8,5 10,5 12 14 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 - - 8,5 9,5 10,5 12 14 - Д814Д1 7 8 9 10 11,5 - 0,07 0,08 0,09 0,095 0,095 - Д814А2 7 7,7 8,5 - 0,07 ±1 - 6,2 7,5 - 9, 1 11 13,3 16,4 19,8 1А 1А 1А 500 500 500 500 0,045 0,05 0,07 0,08 0,09 0,10 О, 11 4 4 4 4 4 4 4 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 (500) (500) (500) (500) (500) (500) (500) 24,2 29,5 36 43 51,5 150 150 150 150 150 0,12 0.12 0,12 0,12 0,12 5 5 5 5 5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 (500) (500) (500) (500) (500) 61,5 75 90 110 50 50 50 50 0,14 0,14 0,14 0,14 6 6 6 6 1,5 1,5 1,5 1,5 (500) (500) (500) (500) 10 +0,020 ±0,11 - Д808 Д809 Д810 Д811 Д813 Д814А Д814Б Д814В дst4r Д814Д Д814А1 Д814Б1 Д81481 Д814П Д815А Д815Б Д815В Д815f Д815Д Д815Е Д815Ж Д816А Д816Б Д816В Д816f Д816Д Д817А Д817Б Д817В Д817f Д818А Д818Б Д818В "Д818f Д818Д Д818Е КС106А-1 5 6,1 7,4 9 10,8 13,3 16,2 , - 0,07 0,08 0,09 0,095 ·О,095 - 50,5 61 74 90 - - 9 10,35 7,65 8,1 8,55 8,55 8,55 9 9 9 9 9 9,9 9,45 9,45 9,45 10 10 10 10 10 -0,029 ±0,01 ±0,005 ±0,002 ±0,001 ±0,13 ±0,12 ±0,12 ±0,12 ±0,12 - 2,9 3,2 3,5 0,5 -0,13 - - 19,6 24,2 29,5 35 42,5 - ,
Параметры стабилитронов и стабисторов lст, мА rст, Ом (при Iст, мА) т, ·с Корпус - -60 ... + 120 -60 ... +120 -60 ... + 120 Д219-Д223 33 29 26 23 20 40 36 32 29 24 0,28 0,28 0,28 0,28 0,28 0,34 0,34 0,34 0,34 0,34 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... + 125 -60 ... +125 -60 ... + 125 -60 ... + 125 -60 ... +125 -60 ... + 125 -60 ... +125 -60 ... +125 - - Рпр, Вт мин. макс. - 1 1 1 50 50 50 12 (1) 18 (1) 25 (1) 30 (1) 350 (1) 6 (5) 10 (5) 12 (5) 15 (5) 18 (5) 3 3 3 3 3 3. 3 3 3 3 325 6 (5 мА) 10 (5 мА) 12 (5 мА) 15 (5 мА) 18 (5 мА) - - 20 (5) 3 40 0,34 -60 ... +125 0,6 (1 А) 0,8 (1 А) 1 (1 А) 1,8 (500) 2 (500) 2,5 (500) 3 (500) 50 50 50 25 25 25 25 1,4 А 1,15 А 950 800 650 550 450 8 8 8 8 8 8 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... + 125 -60 ... +125 7 (150) 8 (150) 10 (150) 12 (150) 15 (150) 10 10 10 10 110 230 180 150 130 110 5 5 5 5 5 -60 ... + 130 -60 ... +130 -60 ... +130 -60 ... + 130 -60 ... +130 5 5 5 5 90 75 60 50 5 5 5 5 -60 ... +130 -60 ... +130 -60 ... + 130 -60 ... + 130 35 40 45 50 (50) (50) (50) (50) - 8 - 1 ~tеh ~ПЭ-зе Д808-Д814 ,..... 3 3 3 3 3 3 33 33 33 33 33 33 3 500 (0,275) 0,01 33 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 -60 ... +125 -60 ... +125 -60 ... + 125 -60 ... +125 -60 ... + 125 -60 ... + 125 -60 ... +125 0,5 0,002 -60 ... + 125 - ...... - оп ~ g 15 - Д814-1, Д814А-2 д.__ _ CN __J с-.,- ~ ~ 1 ' ' Д815, Д816 J7 - - ~ '&. "" R- "г-111~ !"')' -- L..JI~ t:f= Д817 J7 t2 '&., 70 (3) 18 (10) 1°8 (10) 18 (10) 18 (10) 18 (10) 18 (10) - --- "Q. - - г;;:; - i..:..::..1~ 111f R= t:t= Д818 ,..... "Q. 1 -- -... -g оп - ~ 15 КС106-1 ~.5;2 . -- -., *
Раздел 326 Uст, В Тип, прибора мин. КС107А - КС108А - КС108Б КС108В ном. . макс. аUст, %/"С БUст, % - Iст, мА 0,7 - 10 -0,3 6,4 6,4 6,4 - 7,5 7,5 7,5 ±0,002 ±0,001 ±0,0005 1,43 - 10 10 -0,42 -0,3 ± 1,3 ± 1,3 ± 1,3 Unp, В Inp, мА) (при мВ мВ мВ - - - - - - 10 -0,3 - - 7,9 - 0,25 ±0,5 - 2,4 2,6 - 0,075 ±1,5 - 2,7 3 3,3 3,9 4,7 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 -' - 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 -0,075 -0,075 -0,075 -0,05 -0,01 0,03 0,06 0,06 0,07 0,08 0,09 - КС126Д1 - 3,6 4,3 5,1 - 5 5 5 - КС127Д-1 2,5 2,7 2,9 - КС128А - 2,7 3 3,3 3,9 4,7 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 - 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 - КС128Д1 - 3,6 4,3 5,1 - 5 5 5 - КСtЗОД-1 2,8 3 3,2 - КСНЗА кснзв - 1,25 1,3 КС115А - 1,45 - 3 КС119А - 1,9 - КС121А 7,1 7,5 КС124Д·1 2,2 КС126А - КС126Б КС126В KC126f КС126Д 1, 17 - - КС126М - КС12681 - КС126Е КС126Ж КС126И КС126К КС126Л KC126f1 КС128Б КС128В KC128f КС128Д КС128Е КС128Ж КС128И КС128К - КС128Л КС128М КС12881 KC128f1 0,075 0,075 4. Диоды ±3,5 - - - - - - - - ±1,5 - - - ±1,5 - - - '
Параметры стабилитронов и стабисторов 327 . Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) - Рпр, Вт мин. макс. 1 100 Sl5 (7,5 мА) Sl5 (7,5 мА) Sl5 (7,5 мА) 3 3 3 10 S80 (1 мА) 12 (10) 1 1 - - - т, ·с Kopnyc -60 ... + 125 КС107, КС113 0,070 0,070 0,070 -60 ... + 125 -60 ... + 125 -60 ... + 125 100 100 0,18 - -60 ... + 125 -60 ... + 125 3 0,23 -60 ... + 125 10 10 ;r;:- _,.... ~t - it...::... ~ g - - 15 tl. .i"' 11 КС115 д CN с-.," I L___ ~ "l. " " 15 (10) 1 100 - КС119 -60 ... + 125 - - "'&. -- 0,5 35 - 0?25 120 (5мА) 120 (5мА) 120 (5мА) 120 (5мА) 100 (5мА) 50 (5мА) 35 (5мА) 30 (5мА) 20 (5мА) 20 (5мА) 30 (5мА) 1 1 1 1 1 1 2 3 5 6 7 120 (5мА) 115 (5мА) 75 (5мА) - 180 (3) 120 (5мА) 120 (5мА) 120 (5мА) 120 (5мА) 100 (5мА) 50 (5мА) 35 (5мА) 30 (5мА) 20 (5мА) 20 (5мА) 30 (5мА) 21 0,05 135 125 115 95 85 70 64 58 53 47 43 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 - 0,45 0,45' 0,45 0,25 18 0,05 135 125 115 95 85 70 64 58 53 47 43 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 0,45 120 (5мА) 115 (5мА) 75 (5мА) - - 0,45 0,45 0,45 180 (3) 0,25 17 0,05 - -60 ... +125 - - g 15 r -- КС121, КС124-1 -60 ... + 125 д 1 180 (3) - ..... ..... -15 (5) КС108 1 CN ~ _ }...._ __J ---.. ~ _ г--- ~ КС126, КС126-1, КС127-1 - - д CN с-.," ~ .--.J }....__ ---.. г--- j, - - -60 ... + 125 - КС128, КС128-1 -- ;ЧQО 3,7 (5) - КС130-1 -60 ... + 125 ,. CN д L с-.,~ ~ " "
Раздел 328 прибора ' Uст, В Тип мин. ном. макс. Iст, мА аUст, %/"С бUст, % 4. Диоды Uпр, В (при Inp, КС130Д-5 2,8 - 3,21 3 - ±0,5 - КС133А - 3,3 - -0, 11 - 1 (50) мА) 2,95 - 3,65 10 5 КС133Д-1 3, 1 3,3 3,5 - 0,075 ± 1,5 180 (3) КС136Д-1 3,4 3,6 3,8 - 0,07 ± 1,5 ...._ кс1ззr - - ' КС139А - 3,3 - 10 -0,1 - 1 (50) KC139f 3,5 - 4,3 5 - - - КС139Д-1 3,7 3,9 4,1 - 0,005 ±0,5 - КС143Д-1 4 4,3 4,6 - 0,06 ± 1,5 - КС147А - 4,7 - 10 -0,09 - 1 (50) KC147f .4,2 - 5,2 5 - - -
Параметры стабилитронов и стабисторов Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) мин. макс. 0.2 16,7 65 (10) 150 (5) 3 1 81 37,5 0,25 15 0,05 180 (3 мА) 329 Рнр, Вт т, ·с Корпус 0,050 -60."+125 КС130-5 0,3 -60 ... +125 -60 ... + 125 КС133 -60".+125 КС133-1, КС136-1 -60".+125 I N+---c-.,1 ' 125 мВт 0,05 • 180 (3) 0,25 14 0,05 А " - ~ ~ ' 60 (10) 3 79 0,3 КС139А -60".+ 125 " '&. - -- -.... - 150 (5) 32 125 мВт g 15 -60".+125 KC139f 180 (3) 0,25 13 0,05 -60."+ 125 КС139-1 180 (3) 0,25 12 0,05 -60".+ 125 КС143-1 56 (10) 3 58 0,3 -60."+ 125 КС147А "1~ - '&.,-- -.......... ....L.---lf-1.1- - g 15 150 (5) 26,5 125 мВт -60".+ 125 - ~ KC147f -
Раздел 330 Uст, В Тип прибора мин. ном. макс. аUст, %/"С бUст, % Iст, мА 4. Диодь1 Uпр, В (при Iпр, мА) - 5,6 - 10 ±0,05 - 1 (50) 5 - 6,2 5 - - - КС162А - 6,2 - 10 ±0,06 ±1,5 КС162А2 5,8 - 6,6 5 ±0,01 1,5 КС162А-3 5,8 6,2 6,6 5 ±0,01 1,5 - КС164М-1 6 - 6,7 1,5 ±0,005 ±0,1 - 6,6 6,6 6,6 - 7,5 7,5 7,5 ±0,002 ±0,00l ±0,0005 КС156А КС156Г - 0,25 (5 1 мА) 1 КС166А КС166Б КС166В - - ±1,4 ±1,4 ± 1,4 мВ мВ мВ -~ КС168А - 6,8 - 10 ±0,06 КС168В - 6,8 - 10 ±0,05 - ±1,5 - 1 (50) -
331 Параметры стабилитронов и стабисторов Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) 46 (10) мин. макс. 3 55 Р11 11 , Вт т, ·с Корпус 0,3 -60 ... +125 КС156А -... - "''&.1 ,--- - ...... g ~ 15 100 (5) 1 125 мВт 1 22,4 - KC156f -60".+125 ~t BttlE3 35 ( 10) 3 22 0,15 КС162 -55."+ 100 q " 31Г 35 (10 - мА) - - - КС162А-2 11,// - 1 -- -- CN ~ '\ 50 (5) 3 0,15 22 КС163А-3 -60 ... +125 д CN ~' ~~ 1 $120 (1,5 мА) 0,5 0,020 3 L ,- -,. ~ КС164-1 -60."+125 1,7 ~ 1 ~~ lI ....... 1 \ $20 (7,5 $20 (7,5 $20 (7,5 мА) мА) мА) 28 (10) 3 3 3 3 0,070 0,070 0,070 10 10 10 0,3 45 КС166 -60".+125 -60".+125 -60".+125 ~i 81:дЕ3 КС168А -60".+125 "' --'&. 1-- ..... -g """ --28 (10) 3 0,15 20 -- -55".+100 - - 15 КС168В ~t -
· Раздел 4. Диоды 332 Uст, В Тип прибора мин. ном. аUст, %/•с макс. Iст, мА бUст, ·КС168В2 6,3 - 7,3 5 0,05 1,5 КС168ВЗ 6,3 6,8 7,3 5 0,05 1,5 % Unpr В (при Iпр, мА) 0,27 (5 мА) - КС170А 6,65 7 7,35 10 ±0,01 ±1,5 - КС175А - 7,5 - 5 ±0,04 ± 1,5 - 7, 1 7,1 7,5 7,5 7,9 7,9 5 4 ±0,1 0,07 ± 1,5 - - КС175Е КС175Ж - - КС175Ц ~2 (50 мА) 0,3 (5 мА) 7,1 7,5 7,9 0,5 +0,065 ± 1,5 КС175А-2 7 - 8 5 0,04 1,5 КС175Ж-1 6,8 7,5 8,3 4 0,07 ±1,5 - КС182А - 8,2 - 5 ±0,05 ±1,5 - 8,2 8,2 9 9 5 4 ±0,1 0,08 ± 1,5 - КС182Е КС182Ж 7,4 7,4 - -
Параметры стабилатронов и стабисторов Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) 35 (5 мА) мин. Рпр, 'Вт 333 т, ·с Корпус макс. - - - - КС168В-2 //,// 1 сч / "" ' 45 (5) 20 3 0,15 ~ _, с-." "" 16 (5) 20 3 3 0,15 0,15 18 '---- -.. г-- ~ КС170 -55 ... + 100 -55 ... +100 ~- КС168В-З -60 ... +125 с..., 20 (10) L_ -- SEt КС175А gвr 40 (4) 17 17 3 0,5 0,125 125 мВт -60 ... + 125 -60 ... +125 КС175Е ~~ЕЗ~ЕЗ ' ~k --I 7 20 (0,1 мА) 0,1 17 0,125 КС175Ц -60 ... +125 ~ ~ с..., • ---,, с-." ts. 16 (5 мА) - - - - г--- ~ КС175А-2 11,.t сч ~- -- ts. ~- '~ 40 (4) 0,5 125 мВт 17 КС175Ж-1 -60 ... + 125 ~ с..., с-." ts. 14 (5) . 3 17 0,15 -55 ... +100 ~ - -.. '---- 1 КС182А / " :тт ' 40 (4) 3 0,5 11 15 15 0,125 125. мВт -60... +125 -60 ... +125 КС182Е ~i~E] -~1 ... 1
.334 Uст, В Тип прибора КС182Ц аUст, %/"С 8Uст, % мин. ном. макс. Iст, мА 7,8 8,2 8,6 0,5 +0,070 ± 1,5 Раздел .4" Диоды Urrp, В (при Iпр, мА) ~2 (50 мА) 0,33 (5 мА) - КС182А2 7,6 - 8,8 5 0,05 1,5 КС182Ц-1 7,8 8,2 8,6 0,5 0,065 ±3 - КС190Б 8,5 8,5 8,5 8,5 9 9 9 9 9,5 9,5 9,5 9,5 10 10 10 10 ±0,005 ±0,002 ±0,001 ±0,0005 - - КС190В 1 КС190Г КС190Д \ КС191А - 9,1 - 5 ±0,06 ±1,5 - КС191Б 8,7 8,7 - 9,6 9,6 5 5 ±0,010 ±0,010 10 10 - 8,6 8,6 9, l 9, l 9,6 9,6 5 4 ±0,1 0,09 1,5 - КС191Ф 8,65 8,65 8,65 8,65 8,65 8,65 8,65 8,65 9, l 9, l 9,1 9,1 9, l 9,1 9, 1 9,1 9,55 9,55 9,55 9,55 9,55 9,55 9,55 9,55 10 10 10 10 10 10 10 10 ±0,005 ±0,002 ±0,001 ±0,0005 ±0,005 ±0,0025 ±0,001 ±0,0005 ±0,05 ±0,05 ±0,05 ±0,05 ±2 мВ ±2 мВ ±2 мВ ±2 мВ - КС191Ц 8,6 9, 1 9,6 0,5 +0,080 КС191В КС191Е КС191Ж КС191М КС191Н КС191П КС191Р КС191С КС191Т КС191У - ± 1,5 ~2 (50 мА)
335 Параметры стабилитронов и стабисторов ' ~ Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) 20 (0,1 мА) мин. макс. 0,1 15 Рпр, Вт т, ·с Корпус 0,125 -60... +125 КС182Ц д ~ с-..,~ - ts. - 14 (5 мА) - - - ~ L " " КС182-2 0,1 2,5 0,02 1 1 -- сч '1Э.. ,, г-- кt1s2ц-1 -45 ... +85 1 ~ - с-..,~ J ' (10) (10) (lO) (10) 5 5 5 5 15 15 15 15 0,1 0,1 0,1 0,1 ~ L__ r " ts. 15 15 15 15 КС190 -60 ... +125 -60 ... + 125 -60 ... +125 -60 ... +125 ""&., ~ ,_ - -- 1--- ..... .,____, - ~. - ~ 9 15 18 (5) 3 15 0,15 15 15 0,15 0,15 11 " :mт ' 3 3 КС191 (Б, В) -55 ... +100 -55 ... + 100 -......... -- ,...,_' "&. f - 9 40 (4) 3 0,5 14 14 0,125 125 мВт -60 ... +125 -60 ... + 125 18 (10) 18 (10) 18 (10) 18 (10) 70 (3) 70 (3) 70 (3) 70 (3) 5 5 5 5 3 3 3 3 15 15 15 15 20 20 20 20 0,15 0,15 0,.15 0,15 0,2 0,2 0,2 0.2 -60 ... + 100 -60 ... + 100 -60 ... +100 -60 ... +100 -60 ... +100 -60 ... +100 -60 ... + 100 -60 ... + 100 0,1 14 0,125 -60 ... +125' 20 (0,1 мА) ~~- - - - 15 -- - - КС191А -55 ... + 100 . 15 (lОмА) 15 (lОмА) . //,// ,, 820 (0,1) - КС191 (Е, Ж) ~41. 1 .ГЕ3 КС191 ""&. --- -- - .... ...... ~ 9 15 - - КС191Ц ~ ~ _ с-..,~ ts. 5,11 ~ ,----.. ~ __J
336 Раздел Uст, В Тип прибора мин. ном. макс. Iст, мА аUст, %/"С бUст, % КС191А2 8,5 - 9,7 5 0,05 1,5 КС191Ж-1 8,2 9,1 10 4 0,09 ±1 КС191С1 9,1 9,1 9,1 9,1 - КС191Ф1 - - 10 10 10 10 ±56 мВ ±28 мВ ±11 мВ ±6 мВ КС207А - 10 11 12 - 5 5 5 0,09 0,092 0,095 - 10 11 12 - 5 5 5 - КС191Т1 КС191У1 КС207Б КС207В КС208А КС208Б КС208В - - - 10 10 10 10 - 4. Диоды U11p, В I11p, мА) (при 0,36 (5 мА) - - мВ мВ - мВ - мВ - - - - - \ - 10 - 5 ±0,07 ±1,5 КС210Ж 9 9 10 10 11 11 5 4 ±0,1 0,09 ±1,5 КС210Ц 10,5 10 10,5 0,5 +О,085 ± 1,5 КС210Б2 9,3 - 10,7 5 0,07 1,5 КС2НБ 17 9,3 9,9 9,9 ll 11 11 11 12,6 11 12, l 12, l 10 10 10 10 +0,02 -0,02 - КС2ЮБ КС210Е - - - - КС211В КС211Г КС211Д (О,01 (0,005' 1 - - ~2 (50 мА) 0,4 (5 мА) - -
параметры стабилитронов и стабисторов Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) 18 (5 мА) мин. - 337 т, ·с Рпр, Вт Корпус макс. -. - - КС191А-2 qц i - -- -- ~ '1Э.. j ~ 40 (4) 0,5 14 125 мВт КС191Ж-t -60."+125 д ~ ~ ' 70 70 70 70 (3 мА) (3 мА) (3 мА) (3 мА) 3 3 3 3 15 15 15 15 0,15 0,15 0,15 0,15 -55 ... +100 -55 ... + 100 -55 ... +100 -55 ... +100 . " ts. L...___ r KC19t-t -...... - "' --- - ~ '&. 9 - 15 30 (5 мА) 30 (5 мА) 30 (5 мА) 0,5 0,5 0,5 40 36 32 ' - 0,45 0,45 0,45 - КС207 1 - -- ('... N' -- "& _5,2 30 (5 мА) 30 (5 мА) 30 (5 мА) - 40 36 32 - 0,45 0,45 0,45 КС208 - - ~go -.~ ' 22 (5) 3 14 0,15 3,7 !$) КС210Б -55 ... +100 11 4 :mт 40 (4) 3 0,5 13 13 0,125 125 мВт -60 ... +125 -60... + 125 КС210 (Е, Ж) ~t l. .ie 1 20 (0,1 мА) 0,1 12,5 0,125 КС210Ц -60 ... +125 ~i e1Ef: 5/1 1с Э8'f 22 (5 мА) - - .....,. - J:эа КС210Б-2 //.4 - . 1 1 L -- ~ r-- ts. 11 30 30 30 30 (5) (5) (5) (5) 5 5 5 5 33 33 33 33 0,28 0,28 0,28 0,28 -60 ... +100 -60 ... + 125 -60 ... +125 -60 ... +125 КС2НБ-Д -- 32 ~ 1 .i ш 9 т
Раздел 338 Uст, В Тип прибора аUст, %/"С бUст, % Uпр, В (при Iпр, мА) мин. ном. макс. Iст, мА КС211Ж 10,4 10,4 11 11 11,6 11,6 5 4 ±0,1 0,092 ± 1,5 КС211Ц 10,4 11 11,6 0,5 +О,085 ± 1,5 КС211Ж-1 9,9 11 12 4 0,09 ±1 - КС212Е 10,8 10,8 12 12 13,2 13,2 5 4 ±0,1 0,095 ± 1,5 - КС211Е КС212Ж 4. Диоды - - - ) ~2 (50 мА) \ КС212Ц КС213Б 11,4 12 - 13 12,6 0,5 +О,085 ±1,5 5 ±0,08 ±1,5 ~ (50 мА) - КС213Е КС213Ж 12,3 12,3 13 13 13,7 13,7 ±0,1 0,095 5 4 - - ±1,5 \ КС213Б2 12, 1 - 13,9 5 0,08 1,5 КС215Ж 13,5 15 16,5 2 0,1 ± 1,5 - 0,52 (5 мА) КС216Ж 15,2 16 16,8 2 0,1 ±1,5 - 14 16 18 2 0,1 ±1 - 1 КС216Ж-1 . " 1
Параметры стабилитронов и стабисторов Iст, мА rст, Ом (при Iст, мА) 40 (4) 20 (0,1 мА) т, ·с Корпус 0,125 125 мВт -60".125 ·60".125 КС211 (Е, Ж) 0,125 -60".+ 125 Pnp, мин. макс. 3 0,5 12 12 0,1 11,2 339 Вт ~i~~s КС211Ц д 1:'1 ' ~ 1 с:-ч~ ---.. ~ г-:-- ' 40 (4) 0,5 12 125 мВт КС211Ж-1 -60".125 д 1:'1 1 с:-ч~ " ~ ' 40 (4) 3 0,5 11 11 0,125 125 мВт мА) 0,1 10,6 0,125 ~ie121s КС212Ц -60".+ 125 д 1:'1 ---.. ~ 0,15 10 . 3 ~ 1 с:-ч~ 25 (5) ..._ r КС212Е -60".125 -60".+125 - 20 (0,1 - ,.-- КС213Б -55".+100 11 " :mm 40 (4) 10 10 3 0,5 125 125 мВт мВт -60".+125 -60."+125 25 (5 мА) - - - КС213 (Е, Ж) ~te121s - КС213Б-2 //.// ' . -- 1:'1 ~ ~- ' 70 (2) 0,5 8,3 125 мВт -60."+ 125 КС215Ж, КС216Ж 70 (2) 0,5 7,3 125 мВт -60 ... + 125 ~t et ~i"" 70 (2) 0,5 7,8 125 мВт -60".+ 125 КС216Ж-1 7 oi 1:'1 с:-ч~ а. д - __ 1 )___ I ~
Раздел 340 4. Диоды - Uст, В Тип прибора мин. , ' аUст, %/•с ном. макс. Iст, мА <>Uст, % Uпр, В (при Iпр, мА) КС218Ж 16,2 18 19,8 2 0,1 ± 1,5 - КС220Ж 19 20 21 2 0,1 ± 1,5 - КС220Ж-1 18 20 22 2 0,1 ±1 - , КС222Ж 19,8 22 24,2 2 0,1 ± 1,5 - КС224Ж - 22,8 24 25,2 2 0,1 ±1,5 - 22 24 26 2 0,1 ±1 - 5,89 5,9 6,2 6,2 6,51 6,51 0,5 0,5 0,002 0,005 0,1 ±0,1 - 7,7 9,4 8,2 10 8,7 10,6 15 12,5 - 3,3 3,9 4,7 5,1 6,8 3,6 3,5 4,1 5 5,4 7,2 3,8 20 20 20 20 18,5 20 - КС407Е 3,1 3,7 4,4 4,8 6,4 3,4 0,05 ±1,5 КС409А 5,3 - 5,9 5 - 1,5 КС410АС 7,79 8,2 8,61 10 ~О.065 5,8 6,2 6,6 5 ~.Об ' КС224Ж-1 КС405А КС405Б КС406А КС406Б КС407А КС407Б КС407В КС407Г КС407Д КС412А - - - - - - - - - - ± 1,5 ~1 (10 ~ КС413Б 4,1 4,3 4,5 - 0,01; -0,05 ± 1,5 - КС415А 2,3 2,4 2,5 - 0,06; -0,09 ±1,5 - КС417А 5,2 5,8 6,4 7 7,7 8,5 9,4 - 6 6,6 7,2 7,9 8,7 9,6 10,6 - - КС417Б КС417В КС417Г КС417Д КС417Е КС417Ж - - - - - - - - - - - ' - -...._ - мА)
Параметры стабилитронов и стабисторов 11:т, мА Сет, Ом (при Iст, мА) 341 т, ·с Корпус мВт -60 ... +125 КС218Ж, КС220Ж 125 мВт -60 ... +125 125 мВт -60 ... +125 Рпр, Вт мин. макс. 70 (2) 0,5 6,9 125 70 (2) 0,5 6,2 70 (2) 0,5 6,2 ~t ЕЭ11 }3ЕЭ КС220Ж-t ,, ~ с-.," д , 1 ----.. а. ,--- ~ 70 (2) 0,5 5,7 125 мВт -60 ... +125 КС222Ж, КС224Ж 70 (2) 0,5 5,2 125 мВт -60 ... +125 ~t ЕЭq/:зЕЭ 70 (2) 0,5 5,2 125 мВт -60 ... + 125 КС224Ж-t, КС405 200 (