Транзисторы в SMD-исполнениии. Том 2. Справочник - Авраменко Ю.Ф.

Author: Авраменко Ю.Ф.
Tags: автоматика системы автоматического управления и регулирования интеллектуальная техника технология управления оборудование систем управления техническая кибернетика полупроводниковые устройства микроэлектроника транзисторы
ISBN: 978-5-94120-163-1
Year: 2007
Similar
Транзисторы в SMD исполнении. Том 1
Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания TV-приемников и мониторов
Справочник по схемотехнике для радиолюбителя.
Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник
Text
                    ЕНТНАЯ БАЗА <@> ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗАФ ЭЛЕМЕ1
ТРАНЗИСТОРЫ В SMD
ИСПОЛНЕНИИ
-..у—;
7)

NEC, PANASONIC, SANYO, TOSHIBA
Scan & Djvu /
Bookrngolz
www.dodeca.ru
WWW.MK-PRESS.COM

ББК 32.852.3
УДК 681.527.72
А21
А21 Транзисторы в SMD-исполнениии. Том 2. Справочник./ Сост. Ю.Ф. Авраменко - К.:
“МК-Пресс”, М.: Издательский дом “Додэка-ХХГ, 2007. - 640с., ил.
ISBN 978-5-94120-163-1 (ИД “Додэка-XXl”)
ISBN 978-966-8806-12-4 (“МК-Пресс”)
Справочник продолжает новую серию «Элементная база», в которой представлены технические данные на
современные полупроводниковые приборы и интегральные схемы ведущих производителей.
Второй том содержит в себе справочные данные на биполярные транзисторы в SMD-исполнении,
транзисторные сборки разных структур, транзисторные ключи для работы в цифровых схемах и их наборы.
При составлении этого тома использовалась техническая документация следующих производителей: NEC,
PANASONIC, SANYO и TOSHIBA.
ББК 32.852.3
УДК 681.527.72
ISBN 978-5-94120-163-1 (ИД “Додэка-XXl”)
ISBN 978-966-8806-12-4 (“МК-Пресс”)
© МК-Пресс”, оформление, дизайн обложки, 2007
Содержание 3
Содержание
Список полупроводнико-
вых приборов в алфавит-
ном порядке. Том 2 .9
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-46 (EIAJ).
Маркировка по
алфавиту...........28
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-59 (EIAJ).
Маркировка
по алфавиту........28
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-61 (EIAJ).
Маркировка
по алфавиту.........31
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-62 (EIAJ).
Маркировка
по алфавиту.........31
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-63 (EIAJ).
Маркировка
по алфавиту.........31
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-70 (EIAJ).
Маркировка
по алфавиту..........34
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-74, SC-74A
(EIAJ). Маркировка по
алфавиту.............34
Биполярные транзисторы в
корпусах SC-75(EIAJ). Мар-
кировка по алфавиту_..... 34
Биполярные транзисторы
в корпусах SC-8x (EIAJ).
Маркировка
по алфавиту..........39
Биполярные транзисторы в
нестандартных корпусах. 43
Корпуса по стандарту
EIAJ..................53
Нестандартные
корпуса.............56
Транзисторы производст-
ва NEC..............56
Транзисторы производст-
ва PANASONIC........58
Транзисторы производст-
ва SANYO............59
Транзисторы производства
TOSHIBA.............61
Транзисторы производст-
ва NEC..............63
2SC5600..........63
2SC5736..........63
2SC5737..........64
2SC5750..........64
2SC5751..........65
2SC5752..........65
2SC5753..........66
2SC5754..........66
2SC5786..........67
2SC5787..........67
2SC5800..........68
2SC5801..........68
2SD596...........69
2SD780...........69
2SD780A..........70
2SD992-Z.........70
2SD999...........71
2SD1000..........71
2SD1001..........72
2SD1005 .........72
2SD1006..........73
2SD1007..........73
2SD1033..........74
2SD1164-Z........74
2SD1286-Z........75
2SD1583-Z........75
2SD1584-Z........76
2SD1614..........76
2SD1615..........77
2SD1615A.........77
2SD1699........78
2SD1702........78
2SD1950........79
2SD2402........79
2SD2403........80
UPA800TF.......81
UPA801TC.......81
UPA802T........82
UPA803T........82
UPA804TC.......83
UPA805T........83
UPA806T........84
UPA807T........84
UPA808T........85
UPA809T........85
UPA810TC.......86
UPA811T........86
UPA812T........87
UPA813T........87
UPA814TC.......88
UPA821TC.......88
UPA826TC.......89
UPA826TF.......89
UPA827TF.......90
UPA828TD.......90
UPA828TF.......91
UPA831TC.......92
UPA831TD.......93
UPA832TF.......94
UPA833TF.......95
UPA834TF.......96
UPA835TC.......97
UPA835TF.......98
UPA836TF.......99
UPA840TC......100
UPA843TC......101
UPA851TD......102
UPA854TD......103
UPA855TD......104
UPA859TD......105
UPA860TD......106
UPA861TD......107
UPA862TD......108
UPA862TS......109
UPA863TD.......НО
UPA863TS......111
UPA867TS......112
UPA868TS......113
UPA869TD......114
UPA869TS......115
UPA873TC......116
UPA873TD......116
UPA873TS......117
UPA880TS......118
UPA891TC......119
UPA891TD......119
4 Содержание
UPA891TD	119 UPA895TD	120 UPA895TS	120	UN2210	147	UNR32AF	176 UN2211	147	UNR32AL	176 UN221D	148	UNR32AM	177 UN221E	148	UNR32AN	177
Транзисторы производст- ва PANASONIC	121 2SD1030	 121 2SD1119	121 2SD1149	122 2SD1304	 122 2SD1328	 123 2SD1478	 123 2SD1478A	124 2SD1511	124 2SD1679	 125 2SD1823	 125 2SD1824	 126 2SD1938	 126 2SD1979	 127 2SD2210	127 2SD2240J	128 2SD2345	 128 2SD2413	129 2SD2416	129 2SD2441	130 2SD2459	 130 2SD2620J	131 2SD2621	 131 2SD2623	 132 UN2110	133 UN2111	133 UN211D	134 UN211E	134 UN211F	135 UN211H	135 UN211L	136 UN211M	136 UN211N	137 UN211T	137 UN211V	138 UN211W	138 UN211Z	139 UN2112	139 UN2113	140 UN2114	140 UN2115	141 UN2116	141 UN2117	142 UN2118	142 UN2119	143 UN2121	143 UN2122	144 UN2123	144 UN2124	145 UN2154	145 UN212X	146 UN2UY	146	UN221F	149	UNR32AT	178 UN221K	149	UNR32AV	178 UN221L	150	UNR5110	179 UN221M	150	UNR5111	179 UN221N	151	UNR511D	180 UN221T	151	UNR511E	180 UN221V	152	UNR511F	181 UN221W	152	UNR511H	181 UN221Z	153	UNR511L	182 UN2212	153	UNR511M	182 UN2213	154	UNR511N	183 UN2214	154	UNR511T	183 UN2215	155	UNR511V	184 UN2216	155	UNR511Z	184 UN2217	156	UNR5112	185 UN2218	156	UNR5113	185 UN2219	157	UNR5114	186 UN2221	157	UNR5115	186 UN2222	158	UNR5116	187 UN2223	158	UNR5117	187 UN2224	159	UNR5118	188 UN2225	159	UNR5119	188 UN2226	160	UNR5154	189 UN2227	160	UNR5210	189 UNR31A0	161	UNR5211	190 UNR31A1	161	UNR521D	190 UNR31А2	162	UNR521Е	191 UNR31A3	162	UNR521F	191 UNR31А4	163	UNR521К	192 UNR31A5	163	UNR521L	192 UNR31A6	164	UNR521M	193 UNR31А7	164	UNR521N	193 UNR31A9	165	UNR521T	194 UNR31АА	165	UNR521V	194 UNR31AE	166	UNR5112	195 UNR31AF	166	UNR5213	195 UNR31AH	167	UNR5214	196 UNR31AL	167	UNR5215	196 UNR31AM	168	UNR5216	197 UNR31 AN	168	UNR5217	197 UNR31AT	169	UNR5218	198 UNR31 AV	169	UNR5219	198 UNR32 АО	170	UNR9110J	199 UNR32A1	170	UNR9111J	199 UNR32A2	171	UNR911AJ	200 UNR32A3	171	UNR911BJ	200 UNR32A4	172	UNR911CJ	201 UNR32A5	172	UNR911DJ	201 UNR32A6	173	UNR911EJ	202 UNR32 А7	173	UNR911FJ	202 UNR32A8	174	UNR911Ш	203 UNR32A9	174	UNR911LJ	203 UNR32AA	175	UNR911М J	204 UNR32AE	175	UNR911NJ	204
Содержание 5
UNR911TJ			205	UNR92A8J			234	XN01212			263
UNR911VJ			205	UNR92A9J			234	XN01213			263
UNR9112J			206	UNR92AAJ			235	XN01214			264
UNR9113J			206	UNR92AEJ			235	XN01215			264
UNR9114J			207	UNR92AFJ			236	XN01216			265
UNR9115J			207	UNR92ALJ			236	XN01217			265
UNR9116J			208	UNR92AMJ			237	XN0121E			266
UNR9117J			208	UNR92ANJ			237	XN0121F			266
UNR9118J			209	UNR92ATJ			238	XN0121M			267
UNR9119J			209	UNR92AVJ			238	XN1401			267
UNR91A0J			210	UNRF1A0			239	XN1501			268
UNR91A1J			210	UNRF1A1			239	XN01504..........		268
UNR91A2J			211	UNRF1A2			240	XN01509			269
UNR91A3J			211	UNRF1A3			240	XN01531			269
UNR91A4J			212	UNRF1A4			241	XN01558			270
UNR91A5J			212	UNRF1A5			241	XN01601			271
UNR91A6J			213	UNRF1A6			242	XN01602			272
UNR91A7J			213	UNRF1A7			242	XN02211			273
UNR91A9J			214	UNRF1A9			243	XN02212			273
UNR91AAJ			214	UNRF1AA			243	XN02216			274
UNR91AEJ			215	UNRF1AF			244	XN02401			274
UNR91AFJ			215	UNRF1AH			244	XN02501			275
UNR91AHJ			216	UNRF1AL			245	XN02531			275
UNR91ALJ			216	UNRF1AM			245	XN04110			276
UNR91AMJ			217	UNRF1AN			246	XN04111			276
UNR91ANJ			217	UNRF1AT			246	XN04112			277
UNR91ATJ			218	UNRF2A0			247	XN04114			277
UNR91AVJ			218	UNRF2A1			247	XN04115			278
UNR9210J			219	UNRF2A2			248	XN04116			278
UNR9211J			219	UNRF2A3			248	XN04130			279
UNR921AJ			220	UNRF2A4			249	XN04210			279
UNR921BJ			220	UNRF2A5			249	XN04211			280
UNR921CJ			221	UNRF2A6			250	XN04212			280
UNR921DJ			221	UNRF2A7			250	XN04213			281
UNR921EJ			222	UNRF2A8			251	XN04214			281
UNR921FJ			222	UNRF2A9			251	XN04215			282
UNR921HJ			223	UNRF2AF			252	XN04216			282
UNR921LJ		....... 223	UNRF2AK			252	XN0421F			283
UNR921MJ			224	UNRF2AL			253	XN0421L			283
UNR921NJ			224	UNRF2AM			253	XN0421N			284
UNR921TJ			225	UNRF2AN			254	XN0431			285
UNR921VJ			225	UNRF2AT			254	XN04311			286
UNR9212J			226	UNRF2AV			255	XN04312			287
UNR9213J			226	XN01110			255	XN04314			288
UNR9214J			227	XN01111			256	XN04315			289
UNR9215J			227	XN01112			256	XN04316			290
UNR9216J	'		228	XN01113			257	XN04321			291
UNR92I7J			228	XN01114			257	XN04322			292
UNR9218J			229	XN01115			258	XN04381 			293
UNR9219J			229	XN01116			258	XN04382			294
UNR92A0J			230	XN01117			259	XN04390			295
UNR92A1J			230	XN01118			259	XN04401			296
UNR92A2J			231	XN01119			260	XN04402			296
UNR92A3J			231	XN0111F			260	XN04404			297
UNR92A4J			232	XN0111H			261	XN04407			298
UNR92A5J			232	XN0111M			261	XN04482			299
UNR92A6J			233	XN01210			262	XN04501			300
UNR92A7J			233	XN01211			262	XN04502			300
6 Содержание
XN04503			301	2SB1216			335	СРЕЗ 109			364
XN04504			301	2SB1739			335	СРЕЗ 110			364
XN04505			302	2SC5647			..336	СРЕЗ 112			365
XN04506			303	2SC5648			336	СРЕЗ 114			365
XN04509			303	2SC5665			337	СРЕЗ 115			366
XN04556			304	2SC5666			337	СРЕ3116			366
XN04601 			305	2SC5781			338	СРЕЗ 120			367
XN04602			306	2SC5782			338	СРЕЗ 121			.....367
XN04604			307	2SC5783			339	СРЕЗ 122			368
XN04608			308	2SC5847			339	СРЕЗ 123			368
XN04609			309	2SC5964			340	СРЕЗ 140			369
XN04683			310	2SC5979			340	СРЕЗ 143			369
XN04A88			311	2SC5980			341	СРЕЗ 144			370
XN05501 			312	2SC5990			341	СРЕЗ 145			370
XNO5531 			312	2SC5991			342	СРЕЗ 146			371
XN05553			313	2SC5994			342	СРЕЗ 147			371
XN05601 			314	2SC5999			343	СРЕЗ 148			372
XN06111			315	2SC6013			343	СРЕ3205			372
XN06112			315	2SC6014			344	СРЕ3206			373
XN06113			316	SSC6015			344	СРЕ3207			373
XN06114			316	2SC6016			345	СРЕ3209			374
XN06115			317	2SC6017			345	СРЕ3210			374
XN06116			317	2SC6023			346	СРЕ3212			375
XN06UFH			318	2SC6024			346	СРЕ3214			375
XN06211 			319	2SC6025			347	СРЕ3215			376
XN06212			319	2SC6044			347	СРЕ3216			376
XN06213			320	2SC6071			348	СРЕЗ 221			377
XN06214			320	2SC6094			348	СРЕ3222			377
XN06215			321	2SC6095			349	СРЕ3223			378
XN06216			321	2SC6096			349	СРЕ3234			378
XN06401 			322	2SC6097			350	СРЕ3235			379
XN06435			322	2SC6098			350	СРЕ3236			379
XN06501 			323	2SC6099			351	СРЕ3237			380
XN06537			323	2SD1618			351	СРЕ3238			380
XN06542			324	2SD1619			352	СРЕ3239			381
XN06543			325	2SD1627			352	СРЕ3240			381
		2SD1628			353	СРЕ3243			382
		2SD1799			353	СРЕ3244			382
1 ранзисторы производст- ва SANYO	326		2SD1800			354	СРЕ3245			383
08C02SS			326	2SD1801			354	СРЕ3246			383
2SA2124		326	2SD1802			355	СРЕ3247			384
2SA212S	327	2SD1803 			355	СРЕ3248			384
2SA2126			327	2SD1804			356	СРЕ5501			385
2SA21 S3	328	2SD1805 			356	СРЕ5505			386
2SA216Q	328	2SD1806			357	СРЕ5506			387
2SA2192		329	2SD1815			357	СРЕ5514			388
2SA2204		329	2SD1816			358	СРЕ5516			389
2SA2205			330	2SD1817			358	СРЕ5517			390
2SA2207			330	2SD1851			359	СРЕ5518			391
2SA2209		331	2SD2028			359	СРЕ5519			391
2SR1118		331	2SD2176			360	СРЕ5520			393
2SR1119		332	2SD2261 			360	СРЕ5522			394
2SR1201		332	2SD2324			361	СРЕ5541 			395
2SR1202		ззз	2SD2720			361	СРЕ5701 			396
2SR1203		ззз	CPH3004			362	СРЕ6071 			397
2SR1204	334	CPH3105			362	СРЕ6121			398
2SB1215			334	CPH3106			363	СРЕ6122			398
		CPH3107			363	СРЕ6123			399
Содержание 7
СРН6223	399 СРН6516	400 СРН6520	400 СРН6521	401 СРН6526	402 СРН6528	403 СРН6530	404 EC4201KF	405 МСН3105	405 МСН3106	406 МСН3109	406 МСН3143	407 МСН3144	407 МСН3145	408 МСН3205	408 МСН3206	409 МСН3209	409 МСН3211	410 МСН3217	410 МСН3218	411 МСН3219	411 МСН3220	412 МСН3221	412 МСН3222	413 МСН3243	413 МСН3244	414 МСН3245	414 МСН6101	415 МСН6102	415 МСН6103	416 МСН6201	416 МСН6202	417 МСН6203	417	2SD1222	428	MT6L05FS	457 2SD1223	429	MT6L11FS	458 2SD1784	429	MT6L52 АЕ	459 2SD2584	430	MT6L53E	460 2SD2686	430	MT6L54E	461 MT3S03 А	431	MT6L55E	462 MT3S03AFS	431	MT6L55FS	463 MT3S03AS	432	MT6L56E	464 MT3S03AT	432	MT6L57AE	465 MT3S03 AU	433	MT6L57AFS	466 MT3S04A	433	MT6L57AT	467 MT3S04AFS	434	MT6L58AE	468 MT3S04AT	434	MT6L58AFS	469 MT3SO5FS	435	MT6L58AT	470 MT3S05T	435	MT6L61 АЕ	471 MT3S06FS	436	MT6L61 АТ	472 MT3S06S	436	MT6L62AT	473 MT3S06T	437	MT6L63FS	474 MT3S07FS	437	MT6L68FS	475 MT3S07S	438	MT6L71FS	476 MT3S07T	438	MT6L72FS	477 MT3S07U	439	MT6L78FS	478 MT3S08FS	439	RN1101	479 MT3S08T	440	RN1101F	479 MT3S11FS	440	RN1101FS	480 MT3S11T	441	RN1101FT	480 MT3S12FS	441	RN1101MFV	481 MT3S12T	442	RN1102	481 MT3S14FS	442	RN1102F	482 MT3S14T	443	RN1102FS	482 MT3S16FS	433	RN1102FT	483 MT3S16T	444	RN1102MFV	483 MT3S16U	444	RN1103 	484 MT3S18FS	445	RN1103F	484
Транзисторы производст- ва TOSHIBA	418 2SA1213	418 2SA1971	418 2SA2034	419 2SA2058	419 2SA2142	420 2SA2154	420 2SB1667SM	421 2SC2873	421 2SC2982	422 2SC5548	422 2SC5713	423 2SC5886A	423 2SC5906	424 2SC5976	424 2SC6000	425 2SC6026	425 2SC6026MFV	426 2SC6033	426 2SC6061	427 2SD1220	427 2SD1221	 428	МТЗ S18Т	445	RN 1103FS	485 MT3S35FS	446	RN1103FT	485 MT3S35T	446	RN1103MFV	486 MT3S36FS	447	RN1104	486 MT3S36T	447	RN 1104F	487 MT3S37FS	448	RN 1104FS	487 MT3S37T	 448	RN1104FT	488 MT3S41FS	449	RN1104MFV	488 MT3S41T	449	RN1105	489 MT4S03 А	450	RN 1105F	489 MT4S03 AU	450	RN 1105FS	490 MT4S04A	451	RN1105FT	490 MT4S04AU	451	RN1105MFV	491 MT4S06	452	RN1106	491 MT4S06U	452	RN1106F	492 MT4S07	453	RN 1106FS	492 MT4S07U	453	RN1106FT	493 MT4S32U	454	RN 1106MFV	493 МТ6С03 АЕ	454	RN 1107	494 МТ6С04АЕ	455	RN1107F	494 MT6L03 АЕ	455	RN 1107FS	495 MT6L03AT	456	RN1107FT	495 MT6L04AE	456	RN1107MFV	496 MT6L04AT	457	RN1108	496
8 Содержание
RN1108F			497	RN1308			525	RN2103F			554
RN1108FS			497	RN1309			526	RN2103FS			555
RN1108FT			498	RN1310			526	RN2103FT			555
RN1108MFV			498	RN1311			527	RN2103MFV			556
RN1109			499	RN1312			527	RN2104			556
RN1109F			499	RN1313			528	RN2104F			557
RN1109FS			500	RN1314			528	RN2104FS			557
RN1109FT			500	RN1315			529	RN2104FT			558
RN1109MFV			501	RN1316			529	RN2104MFV			558
RN1110			501	RN1317			530	RN2105			559
RN1110F			502	RN1318			530	RN2105F			559
RN111OFS			502	RN1321A			531	RN2105FS			560
RN1110FT			503	RN1322A			531	RN2105FT			560
RN1U0MFV			503	RN1323A			532	RN2105MFV			561
RN1111			504	RN1324A			532	RN2106			561
RN1111F			504	RN1325A			533	RN2106F			562
RN1111FS			505	RN1326A			533	RN2106FS			562
RN1111FT			505	RN1327A			534	RN2106FT			563
RN1111MFV			506	RN1401			534	RN2106MFV			563
RN1112			506	RN1402			535	RN2107			564
RN1112F			507	RN1403			535	RN2107F			564
RN1112FS			507	RN1404			536	RN2107FS			565
RN1112FT			508	RN1405			536	RN2107FT			565
RN1112MFV			508	RN1406			537	RN2107MFV			566
RN1113			509	RN1407			537	RN2108			566
RN1113F			509	RN1408			538	RN2108F			567
RN1113FS			510	RN1409			358	RN2108FS			567
RN1113FT			510	RN1410			539	RN2108FT			568
RN1113MFV			511	RN1411			539	RN2108MFV			568
RN1114			511	RN1412			540	RN2109			569
RN1114F			512	RN1413			540	RN2109F			569
RN1114FT			512	RN1414			541	RN2109FS			570
RN1115			513	RN1415			541	RN2109FT			570
RN1115F			513	RN1416			542	RN2109MFV			571
RN1115FT			514	RN1417			542	RN2110			571
RN1116			514	RN1418			543	RN2110F			572
RN1116F			515	RN1421			543	RN2110FS			572
RN1116FT				515	RN1422			544	RN2110FT			573
RN1117			516	RN1423			544	RN2110MFV			573
RN1117F			516	RN1424			545	RN2111			574
RN1117FT			517	RN1425			545	RN2111F			574
RN1118			517	RN1426			546	RN2111FS			575
RN1118F			518	RN1427			546	RN2111FT			575
RN1118FT			518	RN1441			547	RN2111MFV			576
RN1130F			519	RN1442			547	RN2112			576
RN1130FT			519	RN1443			548	RN2112F			577
RN1131F			520	RN1444			548	RN2112FS			577
RN1131FT			520	RN2101			549	RN2112FT			578
RN1132F			521	RN2101F			549	RN2112MFV			578
RN1132FT			521	RN2101FS			550	RN2113			579
RN1301			522	RN2101FT			550	RN2113F			579
RN1302			522	RN2101MFV			551	RN2113FS			580
RN1303			523	RN2102			551	RN2113FT			580
RN1304			523	RN2102F			552	RN2113MFV			581
RN1305			524	RN2102FS			552	RN2114			581
RN1306			524	RN2102FT			553	RN2114F			582
RN13OT..			525	RN2102MFV			553	RN2114FT			582
		RN2103			554	RN2115			583
Содержание 9
RN2115F			583	RN2307			595	RN2405			606
RN2115FT			584	RN2308			595	RN2406			607
RN2116			584	RN2309			596	RN2407			607
RN2116F			585	RN2310			596	RN2408			608
RN2116FT			585	RN2311			597	RN2409			608
RN2117			586	RN2312			597	RN2410			609
RN2117F			586	RN2313			598	RN2411			609
RN2117FT			587	RN2314			598	RN2412			610
RN2118			587	RN2315			599	RN2413			610
RN2118F			588	RN2316			599	RN2414			611
RN2118FT			588	RN2317			600	RN2415			611
RN2130F			589	RN2318			600	RN2416			612
RN2130FT			589	RN2321A			601	RN2417			612
RN2131F			590	RN2322A			601	RN2418			613
RN2131FT			590	RN2323A			602	RN2421 			613
RN2132F			591	RN2324A			602	RN2422			614
RN2132FT			591	RN2325A			603	RN2423			614
RN2301			592	RN2326A			603	RN2424			615
RN2302			592	RN2327A			604	RN2425			615
RN2303			593	RN2401			604	RN2426			616
RN2304			593	RN2402			605	RN2427			616
RN2305			594	RN2403			605		
RN2306			594	RN2404			606		
10 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
08C02SS	SAN	326	NPN	низкочастотный транзистор общего применения
2SA1213	TOSH	418	PNP	высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах и усили- тельных каскадах
2SA1971	TOSH	418	PNP	высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2034	TOSH	419	PNP	высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2058	TOSH	419	PNP	низкочастотный транзистор для работы в ключевых каскадах и схемах стробоскопических устройств
2SA2124	SAN	326	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2125	SAN	327	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2126	SAN	327	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2142	TOSH	420	PNP	высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SA2153	SAN	328	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2154	TOSH	420	PNP	низкочастотный транзистор для работы в усилительных каскадах
2SA2169	SAN	328	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2192	SAN	329 '	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2204	SAN	329	PNP	высоковольтный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2205	SAN	330	PNP	высоковольтный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SA2207	SAN	330	PNP	транзистор с высокой скоростью переключения для работы в схемах импульсных источников питания
2SA2209	SAN	331	PNP	транзистор с высокой скоростью переключения для работы в схемах импульсных источников питания
2SB1118	SAN	331	PNP	низковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1119	SAN	332	PNP	низкочастотный транзистор
2SB1201	SAN	332	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SB1202	SAN	333	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SB1203	SAN	333	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SB1204	SAN	334	PNP	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1215	SAN	334	PNP	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1216	SAN	335	PNP	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1739	SAN	335	PNP	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SB1667SM	TOSH	421	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах УМЗЧ
2SC2873	TOSH	421	NPN	высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах и усили- тельных каскадах
2SC2982	TOSH	422	NPN	низкочастотный транзистор для усилительных каскадов и стробоскопи- ческих устройств
2SC5548	TOSH	422	NPN	высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5600	NEC	63	NPN	низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5647	SAN	336	NPN	малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5648	SAN	336	NPN	малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5665	SAN	337	NPN	малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5666	SAN	337	NPN	малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5713	TOSH	423	NPN	низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения и схем стробоскопических устройств
2SC5736	NEC	63	NPN	низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5737	NEC	64	NPN	низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5750	NEC	64	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор средней мощности
2SC5751	NEC	65	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор средней мощности
2SC5752	NEC	65	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор средней мощности
2SC5753	NEC	66	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор средней мощности
2SC5754	NEC	66	NPN	высокочастотный транзистор средней мощности
2SC5781	SAN	338	NPN	малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5782	SAN	338	NPN	малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5783	SAN	339	NPN	малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5786	NEC	67	NPN	низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5787	NEC	67	NPN	низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 11
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
2SC5800	NEC	68	NPN	низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5801	NEC	68	NPN	низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
2SC5847	SAN	339	NPN	малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC5886A	TOSH	423	NPN	низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения и схем стробоскопических устройств
2SC5906	TOSH	424	NPN	низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения и схем стробоскопических устройств
2SC5964	SAN	340	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SC5976	TOSH	424	NPN	низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения и схем стробоскопических устройств
2SC5979	SAN	340	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5980	SAN	341	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5990	SAN	341	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5991	SAN	342	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5994	SAN	342	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC5999	SAN	343	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC6000	TOSH	425	NPN	низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения и схем стробоскопических устройств
2SC6013	SAN	343	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC6014	SAN	344	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
SSC6015	SAN	344	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC6016	SAN	345	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SC6017	SAN	345	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SC6023	SAN	346	NPN	малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC6024	SAN	346	NPN	малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC6025	SAN	347	NPN	малошумящий транзистор для работы в радиочастотных схемах
2SC6026	TOSH	425	NPN	низкочастотный транзистор для работы в усилительных каскадах
2SC6026MFV	TOSH	426	NPN	низкочастотный транзистор для работы в усилительных каскадах
2SC6033	TOSH	426	NPN	низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения и схем стробоскопических устройств
2SC6044	SAN	347	NPN	низкочастотный транзистор для работы в БП и ключевых схемах
2SC6061	TOSH	427	NPN	низкочастотный транзистор для преобразователей напряжения и схем стробоскопических устройств
2SC6071	SAN	348	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в БП и ключе- вых схемах
2SC6094	SAN	348	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в БП и ключе- вых схемах
2SC6095	SAN	349	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в БП и ключе- вых схемах
2SC6096	SAN	349	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в БП и ключе- вых схемах
2SC6097	SAN	350	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в БП и ключе- вых схемах
2SC6098	SAN	350	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в БП и ключе- вых схемах
2SC6099	SAN	351	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в БП и ключе- вых схемах
2SD596	NEC	69	NPN	низкочастотный транзистор для работы в составе гибридных ИС
2SD780	NEC	69	NPN	низкочастотный транзистор для работы в составе гибридных ИС
2SD780A	NEC	70	NPN	низкочастотный транзистор для работы в составе гибридных ИС
2SD992-Z	NEC	70	NPN	низкочастотный транзистор
2SD999	NEC	71	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1000	NEC	71	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1001	NEC	72	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1005	NEC	72	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1006	NEC	73	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1007	NEC	73	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1030	PAN	121	NPN	низкочастотный транзистор
2SD1033	NEC	74	NPN	мощный транзистор
2SD1119	PAN	121	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
2SD1149	PAN	122	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
2SD1164-Z	NEC	74	NPN	мощный низкочастотный составной транзистор
2SD1220	TOSH	427	NPN	низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SD1221	TOSH	428	NPN	низкочастотный транзистор для усилительных каскадов
2SD1222	TOSH	428	NPN	низкочастотный транзистор для усилительных каскадов и схем управ- ления
2SD1223	TOSH	429	NPN	низкочастотный транзистор для усилительных каскадов и схем управ- ления		
12 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
2SD1286-Z	NEC	75	NPN	мощный составной транзистор
2SD1304	PAN	122	NPN	низкочастотный транзистор
2SD1328	PAN	123	NPN	низкочастотный транзистор
2SD1478	PAN	123	NPN	низкочастотный составной транзистор
2SD1478A	PAN	124	NPN	низкочастотный составной транзистор
2SD1511	PAN	124	NPN	низкочастотный составной транзистор
2SD1583-Z	NEC	75	NPN	мощный транзистор
2SD1584-Z	NEC	76	NPN	мощный транзистор
2SD1614	NEC	76	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1615	NEC	77	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1615A	NEC	77	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
2SD1618	SAN	351	NPN	низковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1619	SAN	352	NPN	низкочастотный транзистор
2SD1627	SAN	352	NPN	низкочастотный составной транзистор для работы в схемах управле- ния исполнительными устройствами
2SD1628	SAN	353	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах управления исполни- тельными устройствами и преобразователях напряжения
2SD1679	PAN	125	NPN	низкочастотный транзистор
2SD1699	NEC	78	NPN	мощный составной транзистор
2SD1702	NEC	78	NPN	мощный составной транзистор
2SD1784	TOSH	429	NPN	составной транзистор для работы в ключевых схемах, схемах управ- ления исполнительными устройствами и усилительных каскадах
2SD1799	SAN	353	NPN	низкочастотный составной транзистор для работы в схемах управле- ния исполнительными устройствами
2SD1800	SAN	354	NPN	низкочастотный составной транзистор для работы в схемах управле- ния исполнительными устройствами
2SD1801	SAN	354	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SD1802	SAN	355	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SD1803	SAN	355	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах электрического обо- рудования
2SD1804	SAN	356	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1805	SAN	356	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1806	SAN	357	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1815	SAN	357	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1816	SAN	358	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SD1817	SAN	358	NPN	низкочастотный составной транзистор для работы в схемах управле- ния исполнительными устройствами
2SD1823	PAN	125	NPN	низкочастотный транзистор
2SD1824	PAN	126	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
2SD1851	SAN	559	NPN	низкочастотный составной транзистор для работы в схемах управле- ния
2SD1938	PAN	126	NPN	низкочастотный транзистор
2SD1950	NEC	79	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности общего применения
2SD1979	PAN	127	NPN	низкочастотный транзистор
2SD2028	SAN	359	NPN	низкочастотный низковольтный транзистор
2SD2176	SAN	360	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах управления моторами
2SD2210	PAN	127	NPN	низкочастотный транзистор
2SD2240J	PAN	128	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
2SD2261	SAN	360	NPN	низкочастотный составной транзистор для работы в схемах управле- ния исполнительными устройствами
2SD2324	SAN	361	NPN	низковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
2SD2345	PAN	128	NPN	низкочастотный транзистор
2SD2402	NEC	79	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
2SD2403	NEC	80	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
2SD2413	PAN	129	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
2SD2416	PAN	1.29	NPN	низкочастотный составной транзистор
2SD2441	PAN	130	NPN	низкочастотный транзистор
2SD2459	PAN	130	NPN	высоковольтный низкочастотный транзистор
2SD2584	TOSH	430	NPN	составной транзистор для работы в ключевых схемах, схемах управ- ления исполнительными устройствами и усилительных каскадах
2SD2620J	PAN	131	NPN	высоковольтный низкочастотный транзистор
2SD2621	PAN	131	NPN	высоковольтный низкочастотный транзистор
2SD2623	PAN	132	NPN	низкочастотный транзистор
2SD2686	TOSH	430	NPN	составной транзистор для работы в ключевых схемах, схемах управ- ления исполнительными устройствами и усилительных каскадах
2SD2720	SAN	361	NPN	низкочастотный транзистор
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 13
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
СРН3004	SAN	362	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
СРН3105	SAN	362	PNP	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3106	SAN	363	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3107	SAN	363	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3109	' SAN	364	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3110	SAN	364	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3112	SAN	365	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3114	SAN	365	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3115	SAN	366	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3116	SAN	366	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3120	SAN	367	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах управления моторами
СРН3121	SAN	367	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3122	SAN	368	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3123	SAN	368	PNP	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3140	SAN	369	PNP	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3143	SAN	369	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3144	SAN	370	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3145	SAN	370	PNP	Низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3146	SAN	371	PNP	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3147	SAN	371	PNP	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3148	SAN	372	PNP	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3205	SAN	372	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3206	SAN	373	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3207	SAN	373	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3209	SAN	374	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3210	SAN	374	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3212	SAN	375	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3214	SAN	375	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3215	SAN	376	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3216	SAN	376	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3221	SAN	377	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3222	SAN	377	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3223	SAN	378	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3234	SAN	378	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3235	SAN	379	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3236	SAN	379	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3237	SAN	380	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3238	SAN	380	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3239	SAN	381	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3240	SAN	381	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3243	SAN	382	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
14 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
СРН3244	SAN	382	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН3245	SAN	383	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3246	SAN	383	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3247	SAN	384	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН3248	SAN	384	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
СРН5501	SAN	385	PNP	транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5505	SAN	386	PNP	транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5506	SAN	387	PNP/NPN	транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5514	SAN	388	PNP	транзисторная сборка для работы в ключевых схемах
СРН5516	SAN	389	PNP/NPN	транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5517	SAN	390	PNP/NPN	транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5518	SAN	391	PNP/NPN	транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5519	SAN	392	PNP/NPN	транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5520	SAN	393	PNP/NPN	транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5522	SAN	394	PNP/NPN	транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5541	SAN	395	PNP/NPN	транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН5701	SAN	396	PNP + D	транзисторно-диодная сборка для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН6071	SAN	397	PNP/NPN	высокочастотная транзисторная сборка для работы в выходных каска- дах видеоусилителей
СРН6121	SAN	398	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН6122	SAN	398	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН6123	SAN	399	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН6223	SAN	399	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
СРН6516	SAN	400	PNP	низкочастотная транзисторная сборка общего применения
СРН6520	SAN	400	PNP	низкочастотная транзисторная сборка общего применения
СРН6521	SAN	401	PNP/NPN	низкочастотная транзисторная сборка общего применения
СРН6526	SAN	402	PNP/NPN	низкочастотная транзисторная сборка общего применения
СРН6528	SAN	403	PNP/NPN	транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
СРН6528	SAN	404	PNP/NPN	транзисторная сборка для работы в схемах управления исполнитель- ными устройствами
EC4201KF	SAN	405	NPN	низкочастотный транзистор общего применения
МСН3105	SAN	405	PNP	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
МСН3106	SAN	406	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН3109	SAN	406	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН3143	SAN	407	PNP	низкочастотный транзистор
МСН3144	SAN	407	PNP	низкочастотный транзистор
МСН3145	SAN	408	PNP	низкочастотный транзистор
МСН3205	SAN	408	NPN	низкочастотный транзистор
МСН3206	SAN	409	NPN	низкочастотный транзистор
МСН3209	SAN	409	NPN	низкочастотный транзистор
МСН3211	SAN	410	NPN	низкочастотный транзистор
МСН3217	SAN	410	NPN	низкочастотный транзистор
МСН3218	SAN	411	NPN	низкочастотный транзистор
МСН3219	SAN	411	NPN	низкочастотный транзистор
МСН3220	SAN	412	NPN	низкочастотный транзистор
МСН3221	SAN	412	NPN	низкочастотный транзистор
МСН3222	SAN	413	NPN	низкочастотный транзистор
МСН3243	SAN	413	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 15
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
МСН3244	SAN	4174	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН3245	SAN	414	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН6101	SAN	415	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН6102	SAN	415	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН6103	SAN	416	PNP	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН6201	SAN	416	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН6202	SAN	417	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
МСН6203	SAN	417	NPN	низкочастотный транзистор для работы в схемах преобразователей напряжения
MT3S03A	TOSH	431	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S03AFS	TOSH	431	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S03AS	TOSH	432	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S03AT	TOSH	432	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S03AU	TOSH	433	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S04A	TOSH	433	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S04AFS	TOSH	434	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S04AT	TOSH	434	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S05FS	TOSH	435	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S05T	TOSH	435	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S06FS	TOSH	436	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S06S	TOSH	436	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S06T	TOSH	437	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S07FS	TOSH	437	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S07S	TOSH	438	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S07T	TOSH	438	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S07U	TOSH	439	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S08FS	TOSH	439	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S08T	TOSH	440	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S11FS	TOSH	440	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S11T	TOSH	441	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S12FS	TOSH	441	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S12T	TOSH	442	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S14FS	TOSH	442	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S14T	TOSH	443	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S16FS	TOSH	443	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S16T	TOSH	444	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
16 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
MT3S16U	TOSH	444	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S18FS	TOSH	445	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S18T	TOSH	445	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S35FS	TOSH	446	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S35T	TOSH	446	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S36FS	TOSH	447	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S36T	TOSH	447	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S37FS	TOSH	448	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S37T	TOSH	448	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S41FS	TOSH	449	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT3S41T	TOSH	449	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S03A	TOSH	450	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S03AU	TOSH	450	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S04A	TOSH	451	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S04AU	TOSH	451	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S06	TOSH	452	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S06U	TOSH	452	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S07	TOSH	453	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S07U	TOSH	453	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
MT4S32U	TOSH	454	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор для работы в радиочас- тотных схемах
МТ6С03АЕ	TOSH	454	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
МТ6С04АЕ	TOSH	455	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L03AE	TOSH	455	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L03AT	TOSH	456	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L04AE	TOSH	456	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L04AT	TOSH	457	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L05FS	TOSH	457	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L11FS	TOSH	448	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L52AE	TOSH	459	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей	'
MT6L53E	TOSH	460	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L54E	TOSH	461	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L55E	TOSH	462	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L55FS	TOSH	463	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L56E	TOSH	464	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей
MT6L57A	TOSH	465	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах

Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справо'
Прибор	Произв.	Стр.	Структура		Функциональное назначение или особенностшуЖГ^и^
MT6L57AFS	TOSH	466	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L57AT	TOSH	467	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошу^ццх ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах	
MT6L58AE	TOSH	468	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумяиьЖ ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L58AFS	TOSH	469	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L58AT	TOSH	470	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L61AE	TOSH	471	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L61AT	TOSH	472	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L62AT	TOSH	473	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L63FS	TOSH	474	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L68FS	TOSH	475	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L71FS	TOSH	476	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L72FS	TOSH	477	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
MT6L78FS	TOSH	478	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих ВЧ-усилителей, буферных каскадах и генераторах
RN1101	TOSH	479	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1101F	TOSH	479	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1101FS	TOSH	480	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1101FT	TOSH	480	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1101MFV	TOSH	481	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1102	TOSH	481	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1102F	TOSH	482	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1102FS	TOSH	482	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1102FT	TOSH	483	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1102MFV	TOSH	483	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1103	TOSH	484	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1103F	TOSH	484	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1103FS	TOSH	485	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1103FT	TOSH	485	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1103MFV	TOSH	486	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1104	TOSH	486	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1104F	TOSH	487	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1104FS	TOSH	487	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1104FT	TOSH	488	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1104MFV	TOSH	488	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1105	TOSH	489	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1105F	TOSH	489	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1105FS	TOSH	490	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1105FT	TOSH	490	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1105MFV	TOSH	491	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1106	TOSH	491	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1106F	TOSH	492	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1106FS	TOSH	492	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1106FT	TOSH	493	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1106MFV	TOSH	493	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1107	TOSH	494	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1107F	TOSH	494	 NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1107FS	TOSH	495	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1107FT	TOSH	495	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1107MFV	TOSH	496	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1108	TOSH	496	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1108F	TOSH	497	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1108FS	TOSH	497	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1108FT	TOSH	498	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах	j
RN1108MFV	TOSH	498	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1109	TOSH	499	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах	|
RN1109F	TOSH	499	J NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1109FS	TOSH	500	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
18 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
RN1109FT	TOSH	500	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1109MFV	TOSH	501	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1110	TOSH	501	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1110F	TOSH	502	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1110FS	TOSH	502	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1110FT	TOSH	503	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1110MFV	TOSH	503	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1111	TOSH	504	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1111F	TOSH	504	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1111FS	TOSH	505	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1111FT	TOSH	505	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1111MFV	TOSH	506	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1112	TOSH	506	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1112F	TOSH	507	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1112FS	TOSH	507	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1112FT	TOSH	508	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1112MFV	TOSH	508	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1113	TOSH	509	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1113F	TOSH	509	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1113FS	TOSH	510	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1113FT	TOSH	510	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1113MFV	TOSH	511	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1114	TOSH	511	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1114F	TOSH	512	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1114FT	TOSH	512	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1115	TOSH	513	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1115F	TOSH	513	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1115FT	TOSH	514	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1116	TOSH	514	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1116F	TOSH	515	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1116FT	TOSH	515	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1117	TOSH	516	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1117F	TOSH	516	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1117FT	TOSH	517	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1118	TOSH	517	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1118F	TOSH	518	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1118FT	TOSH	518	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1130F	TOSH	519	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1130FT	TOSH	519	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1131F	TOSH	520	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1131FT	TOSH	520	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1132F	TOSH	521	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1132FT	TOSH	521	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1301	TOSH	522	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1302	TOSH	522	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1303	TOSH	523	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1304	TOSH	523	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1305	TOSH	524	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1306	TOSH	524	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1307	TOSH	525	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1308	TOSH	525	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1309	TOSH	526	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1310	TOSH	526	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1311	TOSH	527	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1312	TOSH	527	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1313	TOSH	528	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1314	TOSH	528	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1315	TOSH	529	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1316	TOSH	529	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1317	TOSH	530	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1318	TOSH	530	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1321A	TOSH	531	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1322A	TOSH	531	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1323A	TOSH	532	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1324A	TOSH	532	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1325A	TOSH	533	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1326A	TOSH	533	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1327A 		TOSH	534	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1401		TOSH	534	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 19
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
RN1402	TOSH	535	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1403	TOSH	535	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1404	TOSH	536	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1405	TOSH	536	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1406	TOSH	537	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1408	TOSH	538	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1409	TOSH	538	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1410	TOSH	539	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1411	TOSH	539	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1412	TOSH	540	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1413	TOSH	540	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1414	TOSH	541	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1415	TOSH	541	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1416	TOSH	542	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1417	TOSH	542	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1418	TOSH	543	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1421	TOSH	543	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1422	TOSH	544	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1423	TOSH	544	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1424	TOSH	545	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1425	TOSH	545	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1426	TOSH	546	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1427	TOSH	546	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1441	TOSH	547	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1442	TOSH	547	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1443	TOSH	548	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN1444	TOSH	548	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2101	TOSH	549	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2101F	TOSH	549	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2101FS	TOSH	550	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2101FT	TOSH	550	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2101MFV	TOSH	551	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2102	TOSH	551	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2102F	TOSH	552	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2102FS	TOSH	552	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2102FT	TOSH	553	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2102MFV	TOSH	553	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2103	TOSH	554	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2103F	TOSH	554	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2103FS	TOSH	555	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2103FT	TOSH	555	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2103MFV	TOSH	556	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2104	TOSH	556	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2104F	TOSH	557	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2104FS	TOSH	557	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2104FT	TOSH	558	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2104MFV	TOSH	558	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2105	TOSH	559	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2105F	TOSH	559	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2105FS	TOSH	560	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2105FT	TOSH	560	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2105MFV	TOSH	561	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2106	TOSH	561	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2106F	TOSH	562	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2106FS	TOSH	562	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2106FT	TOSH	563	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2106MFV	TOSH	563	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2107	TOSH	564	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2107F	TOSH	564	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2107FS	TOSH	565	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2107FT	TOSH	565	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2107MFV	TOSH	566	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2108	TOSH	566	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2108F	TOSH	567	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2108FS	TOSH	567	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2108FT	TOSH	568	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2108MFV	TOSH	568	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2109	TOSH	569	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2109F	TOSH	569	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схямах
20 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
RN2109FS	TOSH	570	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2109FT	TOSH	570	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2109MFV	TOSH	571	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2110	TOSH	571	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2110F	TOSH	572	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2110FS	TOSH	572	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2110FT	TOSH	573	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2110MFV	TOSH	573	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2111	TOSH	574	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2111F	TOSH	574	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2111FS	TOSH	575	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2111FT	TOSH	575	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2111MFV	TOSH	576	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2112	TOSH	576	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2112F	TOSH	577	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2112FS	TOSH	577	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2112FT	TOSH	578	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2112MFV	TOSH	578	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2113	TOSH	579	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2113F	TOSH	579	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2113FS	TOSH	580	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2113FT	TOSH	580	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2113MFV	TOSH	581	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2114	TOSH	581	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2114F	TOSH	582	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2114FT	TOSH	582	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2115	TOSH	583	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2115F	TOSH	583	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2115FT	TOSH	584	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2116	TOSH	584	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2116F	TOSH	585	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2116FT	TOSH	585	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2117	TOSH	586	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2117F	TOSH	586	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2117FT	TOSH	587	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2118	TOSH	587	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2118F	TOSH	588	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2118FT	TOSH	588	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2130F	TOSH	589	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2130FT	TOSH	589	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2131F	TOSH	590	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2131FT	TOSH	590	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2132F	TOSH	591	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2132FT	TOSH	591	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2301	TOSH	592	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2302	TOSH	592	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2303	TOSH	593	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2304	TOSH	593	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2305	TOSH	594	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2306	TOSH	594	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2307	TOSH	595	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2308	TOSH	595	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2309	TOSH	596	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2310	TOSH	596	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2311	TOSH	597	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2312	TOSH	597	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2313	TOSH	598	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2314	TOSH	598	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2315	TOSH	599	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2316	TOSH	599	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2317	TOSH	600	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2318	TOSH	600	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2321A	TOSH	601	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2322A	TOSH	601	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2323A	TOSH	602	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2324A	TOSH	602	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2325A	TOSH	603	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2326A	TOSH	603	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2327A	TOSH	604	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 21
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
RN2401	TOSH	604	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2402	TOSH	605	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2403	TOSH	605	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2404	TOSH	606	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2405	TOSH	606	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2406	TOSH	607	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2407	TOSH	607	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2408	TOSH	608	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2409	TOSH	608	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2410	TOSH	609	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2411	TOSH	609	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2412	TOSH	610	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2413	TOSH	610	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2414	TOSH	611	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2415	TOSH	611	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2416	TOSH	612	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2417	TOSH	612	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2418	TOSH	613	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2421	TOSH	613	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2422	TOSH	614	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2423	TOSH	614	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2424	TOSH	615	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2425	TOSH	615	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2426	TOSH	616	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
RN2427	TOSH	616	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2110	PAN	133	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2111	PAN	133	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211D	PAN	134	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211E	PAN	134	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211F	PAN	135	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211H	PAN	135	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211L	PAN	136	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211M	PAN	136	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211N	PAN	137	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211T	PAN	137	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211V	PAN	138	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211W	PAN	138	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN211Z	PAN	139	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2112	PAN	139	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2113	PAN	140	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2114	PAN	140	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2115	PAN	141	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2116	PAN	141	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2117	PAN	142	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2118	PAN	142	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2119	PAN	143	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2121	PAN	143	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2122	PAN	144	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2123	PAN	144	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2124	PAN	145	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN212X	PAN	146	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN212Y	PAN	146	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2154	PAN	145	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2210	PAN	147	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2211	PAN	147	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221D	PAN	148	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221E	PAN	148	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221F	PAN	149	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221K	PAN	149	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221L	PAN	150	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221M	PAN	150	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221N	PAN	151	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221T	PAN	151	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221V	PAN	152	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221W	PAN	152	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN221Z	PAN	153	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2212	PAN	153	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2213	PAN	154	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2214	PAN	154	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах	
22 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
UN2215	PAN	155	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2216	PAN	155	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2217	PAN	156	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2218	PAN	156	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2219	PAN	157	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2221	PAN	157	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2222	PAN	158	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2223	PAN	158	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2224	PAN	159	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2225	PAN	159	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2226	PAN	160	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UN2227	PAN	160	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A0	PAN	161	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A1	PAN	161	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A2	PAN	162	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A3	PAN	162	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A4	PAN	163	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A5	PAN	163	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A6	PAN	164	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A7	PAN	164	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31A9	PAN	165	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AA	PAN	165	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AE	PAN	166	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AF	PAN	166	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AH	PAN	167	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AL	PAN	167	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AM	PAN	168	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AN	PAN	168	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AT	PAN	169	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR31AV	PAN	169	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A0	PAN	170	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A1	PAN	170	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A2	PAN	171	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A3	PAN	171	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A4	PAN	172	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A5	PAN	172	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A6	PAN	173	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A7	PAN	173	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A8	PAN	174	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32A9	PAN	174	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AA	PAN	175	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AE	PAN	175	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AF	PAN	176	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AL	PAN	176	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AM	PAN	177	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AN	PAN	177	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AT	PAN	178	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR32AV	PAN	178	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5110	PAN	179	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5111	PAN	179	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511D	PAN	180	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511E	PAN	180	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511F	PAN	181	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511H	PAN	181	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511L	PAN	182	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511M	PAN	182	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511N	PAN	183	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511T	PAN	183	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511V	PAN	184	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR511Z	PAN	184	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5112	PAN	185	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5113	PAN	185	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5114	PAN	186	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5115	PAN	186	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5116	PAN	187	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5117	PAN	187	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5118	PAN	188	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5119 		PAN	188	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
IUNR5154	PAN	189	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 23
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
UNR5210	PAN	189	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5211	PAN	190	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521D	PAN	190	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521E	PAN	191	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521F	PAN	191	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521K	PAN	192	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521L	PAN	192	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521M	PAN	193	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521N	PAN	193	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521T	PAN	194	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR521V	PAN	194	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5112	PAN	195	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5213	PAN	195	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5214	PAN	196	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5215	PAN	196	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5216	PAN	197	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5217	PAN	197	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5218	PAN	198	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR5219	PAN	198	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9110J	PAN	199	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9111J	PAN	199	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911AJ	PAN	200	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911BJ	PAN	200	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911CJ	PAN	201	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911DJ	PAN	201	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911EJ	PAN	202	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911FJ	PAN	202	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911HJ	PAN	203	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911LJ	PAN	203	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911MJ	PAN	204	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911NJ	PAN	204	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911TJ	PAN	205	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR911VJ	PAN	205	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9112J	PAN	206	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9113J	PAN	206	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9114J	PAN	207	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9115J	PAN	207	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9116J	PAN	208	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9117J	PAN	208	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9118J	PAN	209	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9119J	PAN	209	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A0J	PAN	210	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A1J	PAN	210	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A2J	PAN	211	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A3J	PAN	211	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A4J	PAN	212	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A5J	PAN	212	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A6J	PAN	213	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A7J	PAN	213	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91A9J	PAN	214	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91AAJ	PAN	214	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91AEJ	PAN	215	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91AFJ	PAN	215	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91AHJ	PAN	216	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91ALJ	PAN	216	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91AMJ	PAN	217	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91ANJ	PAN	217	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91ATJ	PAN	218	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR91AVJ	PAN	218	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9210J	PAN	219	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9211J	PAN	219	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921AJ	PAN	220	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921BJ	PAN	220	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921CJ	PAN	221	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921DJ	PAN	221	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921EJ	PAN	222	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921FJ	PAN	222	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921HJ	PAN	223	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921LJ	PAN	223	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах	
24 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
UNR921MJ	PAN	224	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921NJ	PAN	224	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921TJ	PAN	225	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR921VJ	PAN	225	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9212J	PAN	226	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9213J	PAN	226	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9214J	PAN	227	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9215J	PAN	227	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9216J	PAN	228	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9217J	PAN	228	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9218J	PAN	229	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR9219J	PAN	229	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A0J	PAN	230	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A1J	PAN	230	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A2J	PAN	231	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A3J	PAN	231	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A4J	PAN	232	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A5J	PAN	232	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A6J	PAN	233	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A7J	PAN	233	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A8J	PAN	234	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92A9J	PAN	234	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92AAJ	PAN	235	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92AEJ	PAN	235	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92AFJ	PAN	236	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92ALJ	PAN	236	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92AMJ	PAN	237	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92ANJ	PAN	237	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92ATJ	PAN	238	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNR92AVJ	PAN	238	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A0	PAN	239	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A1	PAN	239	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A2	PAN	240	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A3	PAN	240	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A4	PAN	241	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A5	PAN	241	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A6	PAN	242	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A7	PAN	242	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A9	PAN	243	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1AA	PAN	243	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1AF	PAN	244	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1AH	PAN	244	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1A3L	PAN	245	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1AM	PAN	245	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1AN	PAN	246	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF1AT	PAN	246	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A0	PAN	247	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A1	PAN	247	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A2	PAN	248	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A3	PAN	248	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A4	PAN	249	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A5	PAN	249	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A6	PAN	250	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A7	PAN	250	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A8	PAN	251	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2A9	PAN	251	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2AF	PAN	252	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2AK	PAN	252	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2AM	PAN	253	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2AN	PAN	254	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2AT	PAN	254	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UNRF2AV	PAN	255	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
UPA800TF	NEC	81	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA801TC	NEC	81	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA802T	NEC	82	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA803T	NEC	82	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA804TC	NEC	83	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA805'	NEC	83	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA806T	NEC	84	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 25
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
UPA807T	NEC	84	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA808T	NEC	85	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA809T	NEC	85	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA810TC	NEC	86	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA811T	NEC	86	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA812T	NEC	87	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA813T	NEC	87	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA814TC	NEC	88	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA821TC	NEC	88	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA826TC	NEC	89	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA826TF	NEC	89	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA827TF	NEC	90	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA828TD	NEC	90	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA828TF	NEC	91	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA831TC	NEC	92	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA831TD	NEC	93	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA832TF	NEC	94	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA833TF	NEC	95	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA834TF	NEC	96	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA835TC	NEC	97	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA835TF	NEC	98	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA836TF	NEC	99	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA840TC	NEC	100	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA843TC	NEC	101	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA851TD	NEC	102	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA854TD	NEC	103	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA855TD	NEC	104	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA859TD	NEC	105	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA860TD	NEC	106	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA861TD	NEC	107	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA862TD	NEC	108	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA862TS	NEC	109	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA863TD	NEC	110	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA863TS	NEC	111	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA867TS	NEC	112	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA868TS	NEC	113	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA869TD	NEC	114	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA869TS	NEC	115	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA873TC	NEC	116	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA873TD	NEC	116	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA873TS	NEC	117	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA880TS	NEC	118	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA891TC	NEC	119	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA891TD	NEC	119	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA895TD	NEC	120	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
UPA895TS	NEC	120	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
XN01110	PAN	255	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01111	PAN’	256	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01112	PAN	256	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01113	PAN	257	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01114	PAN	257	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01115	PAN	258	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01116	PAN	258	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01117	PAN	259	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01118	PAN	259	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01119	PAN	260	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0111F	PAN	260	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0111H	PAN	261	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0111M	PAN	261	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01210	PAN	262	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01211	PAN	262	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01212	PAN	263	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01213	PAN	263	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01214	PAN	264	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01215	PAN	264	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01216	PAN	265	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01217	PAN	265	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0121E	PAN	266	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0121F	PAN	266	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах	
26 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
XN0121M	PAN	267	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN1401	PAN	268	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN1501	PAN	268	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01504	PAN	268	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01509	PAN	269	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01531	PAN	269	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01558	PAN	270	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN01601	PAN	271	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры
XN01602	PAN	272	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры
XN02211	PAN	273	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN02212	PAN	273	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN02216	PAN	274	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN02401	PAN	274	PNP	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN02501	PAN	275	NPN	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN02531	PAN	275	NPN	биполярная высокочастотная транзисторная сборка для работы в ра- диочастотных схемах
XN04110	PAN	276	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04111	PAN	276	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04112	PAN	277	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04114	PAN	277	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04115	PAN	278	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04116	PAN	278	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04130	PAN	279	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах усиления НЧ- сигналов
XN04210	PAN	279	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04211	PAN	280	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04212	PAN	280	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04213	PAN	281	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04214	PAN	281	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04215	PAN	282	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN04216	PAN	282	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0421F	PAN	283	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0421L	PAN	283	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0421N	PAN	284	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0431	PAN	285	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04311	PAN	286	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04312	PAN	287	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04314	PAN	288	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04315	PAN	289	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04316	PAN	290	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04321	PAN	291	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04322	PAN	292	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04381	PAN	293	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04382	PAN	294	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04390	PAN	295	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры для работы в цифровых схемах
XN04401	PAN	296	PNP	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04402	PAN	296	PNP	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04404	PAN	297	PNP	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04407	PAN	298	PNP	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04482	PAN	299	PNP	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04501	PAN	300	NPN	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04502	PAN	300	NPN	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04503	PAN	301	NPN	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04504	PAN	301	NPN	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04505	PAN	302	NPN	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04506	PAN	303	NPN	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04509 		PAN	303	NPN	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN04556	PAN	304	NPN	биполярная транзисторная низкочастотная малошумящая сборка
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 27
Прибор	Произв.	Стр.	Структура	Функциональное назначение или особенности
XN04601	PAN	305	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN04602	PAN	306	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN04604	PAN	307	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN04608	PAN	308	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN04609	PAN	309	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN04683	PAN	310	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN04A88	PAN	311	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN05501	PAN	312	NPN	биполярная транзисторная низкочастотная сборка общего применения
XN05531	PAN	312	NPN	биполярная транзисторная высокочастотная сборка для работы в ра- диочастотных схемах
XN05553	PAN	313	NPN	биполярная транзисторная низкочастотная сборка общего применения
XN05601	PAN	314	NPN/PNP	биполярная транзисторная сборка с приборами разной структуры об- щего применения
XN06111	PAN	315	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06112	PAN	315	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06113	PAN	316	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06114	PAN	316	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06115	PAN	317	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06116	PAN	317	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN0611FH	PAN	318	PNP	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN06211	PAN	319	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06212	PAN	319	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06213	PAN	320	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06214	PAN	320	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06215	PAN	321	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06216	PAN	321	NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
XN06401	PAN	322	PNP	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN06435	PAN	322	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в радиочастотных схе- мах
XN06501	PAN	323	NPN	биполярная транзисторная сборка общего применения
XN06537	PAN	323	NPN	биполярная транзисторная высокочастотная малошумящая сборка для работы в радиочастотных схемах
XN06542	PAN	324	NPN	биполярная транзисторная высокочастотная сборка для работы в ра- диочастотных схемах
XN06543	PAN	325	NPN	биполярная транзисторная высокочастотная малошумящая сборка для работы в радиочастотных схемах
28 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСАХ
SC-46, SC-59
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 29
Транзисторы в корпусе SC-46
Маркировка	Прибор	Произво- дитель	Структура	Функциональное назначение или особенности
С5999	2SC5999	SAN	NPN	низкочастотный транзистор для работы в ключевых схемах
Транзисторы в корпусе SC-59
Маркировка	Прибор	Произво- дитель	Струк- тура	Функциональное назначение или особенности
D5(1.. 5)	2SD780A	NEC	NPN	низкочастотный транзистор для гибридных ИС
DW(1. 5)	2SD780	NEC	NPN	низкочастотный транзистор для гибридных ИС
DV0...5)	2SD596	NEC	NPN	низкочастотный транзистор для гибридных ИС
1Z(R, S.T)	2SD1030	PAN	NPN	низкочастотный транзистор
1V(R, S)	2SD1149	PAN	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
2A(Q,R, S)	2SD1304	PAN	NPN	низкочастотный транзистор
1D(Q,R, S)	2SD1328	PAN	NPN	низкочастотный транзистор
2N(Q, R)	2SD1478	PAN	NPN	низкочастотный составной транзистор
2O(Q, R)	2SD1478A	PAN	NPN	низкочастотный составной транзистор
N(R, S, T)	2SD1679	PAN	NPN	низкочастотный составной транзистор
3W(S, T)	2SD1938	PAN	NPN	низкочастотный составной транзистор
6A	UN2111	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6M	UN211D	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6N	UN211E	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
60	UN211F	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6P	UN211H	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6Q	UN211L	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
El	UN211M	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
EW	UN211N	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
EY	UN211T	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
FC	UN211V	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
7F	UN211W	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
FE	UN211Z	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6B	UN2112	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6C	UN2113	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6D	UN2114	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6E(Q, R, S)	UN2115	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6F(Q, R, S)	UN2116	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6H(Q, R, S)	UN2117	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6I	UN2118	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6K	UN2119	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
7A	UN2121	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
7B	UN2122	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
7C	UN2123	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
7D		UN2124	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
EV		UN2154	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
7I		UN212X	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
7Y		UN212Y	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
8L(Q, R, S)	UN2210	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8A		UN2211	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8M		UN221D	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8N		UN221E	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
80		UN221F	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8P	UN221K	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8Q		UN221L	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
EL		UN221M	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
EX		UN221N	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
EZ		UN221T	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
FD		UN221V	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
9F		UN221W	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
FF		UN221Z	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8B		UN2212	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8C		UN2213	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8D		UN2214	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8E(Q, R, S)	UN2215	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8F(Q, R, S)	UN2216	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8H(Q, R, S)	UN2217	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8I		UN2218	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8K		UN2219	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
9A		UN2221	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
30 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Маркировка	Прибор	Произво- дитель	Струк- тура	Функциональное назначение или особенности
9В	UN2222	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
9С	UN2223	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
9D	UN2224	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
FZ	UN2225	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
FY	UN2226	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
FW	UN2227	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XY	2SD1851	SAN	NPN	составной транзистор для работы в схемах управления
LT(6, 7, 8)	2SD2028	SAN	NPN	низкочастотный транзистор для работы в усилительных каска- дах
BN	2SD2324	SAN	NPN	низковольтный транзистор для работы в ключевых схемах
MR	MT3S03A	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
АЕ	MT3S04A	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
ХА	RN1401	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХВ	RN1402	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХС	RN1403	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XD	RN1404	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХЕ	RN1405	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XF	RN1406	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХН	RN1407	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XF	RN1406	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XI	RN1408	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XJ	RN1409	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХК	RN1410	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХМ	RN1411	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XN	RN1412	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХР	RN1413	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XQ	RN1414	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XS	RN1415	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XT	RN1416	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
хи	RN1417	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XW	RN1418	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
QA	RN1421	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
QB	RN1422	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
QC	RN1423	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
OD	RN1424	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
QE	RN1425	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
QF	RN1426	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
QG	RN1427	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
К(А, В)	RN1441	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ЦА, В)	RN1442	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
N(A, В)	RN1443	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
С(А, В)	RN1444	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
YA	RN2401	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YB	RN2402	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YC	RN2403	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YD	RN2404	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YE	RN2405	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YF	RN2406	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YH	RN2407	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YF	RN2406	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YI	RN2408	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YJ	RN2409	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YK	RN2410	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YM	RN2411	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YN	RN2412	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YP	RN2413	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YQ	RN2414	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YS	RN2415	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YT	RN2416	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YU	RN2417	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YW	RN2418	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
RA	RN2421	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
RB	RN2422	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
RC	RN2423	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
RD	RN2424	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
RE	RN2425	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
RF	RN2426	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
RG		RN2427	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 31
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСАХ
SC-61, SC-62, SC-63
32 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Транзисторы в корпусе SC-61
Марки- ровка	Прибор	Произво- дитель	Структура	Функциональное назначение или особенности
АС	MT4S06	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
AD	MT4S07	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
АЕ	MT4S04A	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
MR	MT4S03A	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в корпусе SC-62
Маркировка	Прибор	Произво- дитель	Структура	Функциональное назначение или особенности
	2SD1702	NEC	NPN	мощный составной транзистор
1S	2SD2413	PAN	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
1Т	2SD2416	PAN	NPN	низкочастотный составной транзистор
1V	2SD2441	PAN	NPN	низкочастотный транзистор
2С	2SC5713	TOSH	NPN	низкочастотный транзистор
2E(R, S)	2SD2459	PAN	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
ЗН	2SD2686	TOSH	NPN	составной транзистор
AL	2SA1971	TOSH	PNP	высоковольтный транзистор
АХ	2SA2124	SAN	PNP	низкочастотный транзистор
AY	2SA2125	SAN	PNP	низкочастотный транзистор
AZ	2SA2153	SAN	PNP	низкочастотный транзистор
B(W, V, U)	2SD1005	NEC	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
BA(S, Т, II)	2SB1118	SAN	PNP	низковольтный транзистор
BB(R,S, Т, U)	2SB1119	SAN	PNP	низкочастотный транзистор
С(М, L, К)	2SD999	NEC	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
DA(S, Т, U)	2SD1618	SAN	NPN	низковольтный транзистор
DB(R, S, Т, U)	2SD1619	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
DJ	2SD1627	SAN	NPN	низкочастотный составной транзистор
DK(E, F, G)	2SD1628	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
DQ	2SD2176	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
DR	2SD2261	SAN	NPN	низкочастотный составной транзистор
Е(М, L, К)	2SD1001	NEC	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
Е(Х, У, Z)	2SD2402	NEC	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
FH	2SC5990	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
Я		2SC5991	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
FJ	2SC5994	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
G(M, L, К)	2SD1615	NEC	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
G(Q, Р)	2SD1615A	NEC	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
G(X, Y, Z)	2SD2403	NEC	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
Н(М, L, К)	2SD1006	NEC	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
H(R, Q, Р)	2SD1007	NEC	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
НА	2SC5964	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
НВ	2SC6044	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
IK(R, S, Т)	2SD2210	PAN	NPN	низкочастотный транзистор
L(M, L, К)	2SD1000	NEC	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
М(О, У)	2SC2873	TOSH	NPN	высоковольтный транзистор
N(O, У)	2SA1213	TOSH	PNP	высоковольтный транзистор
P(Q, R, S)	2SD1511	PAN	NPN	низкочастотный составной транзистор
QA	2SC6013	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
QB	2SC6014	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
QC	2SC6015	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
QD	2SC6016	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
QE	2SC6094	SAN	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
QF	2SC6095	SAN	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
QG	2SC6095	SAN	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
S(A, В, C)	2SC2982	TOSH	NPN	низкочастотный транзистор
T(Q, R)	2SD1119	PAN	NPN	высоковольтный низкочастотный транзистор
T(R, Q)	2SD1699	NEC	NPN	мощный составной транзистор
V(M, L, K)	2SD1950	NEC	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
X(M, L, K)	2SD1614	NEC	NPN	низкочастотный транзистор средней мощности
XN	2SD1784	TOSH	NPN	составной транзистор
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 33
Транзисторы в корпусе SC-63
Маркировка	Прибор	Про- изво- дитель	Струк- тура	Функциональное назначение или особенности
D992(N, М, L, К)	2SD992-Z	NEC	NPN	мощный низкочастотный транзистор
D1033(M, L, К)	2SD1033	NEC	NPN	мощный низкочастотный транзистор
D1164(M, L, К)	2SD1164-Z	NEC	NPN	мощный низкочастотный составной транзистор
D1286(M, L, К)	2SD1286-Z	NEC	NPN	мощный низкочастотный составной транзистор
D1583(M, L, К)	2SD1583-Z	NEC	NPN	мощный низкочастотный транзистор
D1584(M, L, К)	2SD1584-Z	NEC	NPN	мощный низкочастотный транзистор
A2126	2SA2126	SAN	PNP	низкочастотный транзистор
A2169	2SA2169	SAN	PNP	низкочастотный транзистор
A2192	2SA2192	SAN	PNP	низкочастотный транзистор
A2204	2SA2204	SAN	PNP	высоковольтный транзистор
A2205	2SA2205	SAN	PNP	высоковольтный транзистор
A2207	2SA2207	SAN	PNP	транзистор с высокой скоростью переключения
A2209	2SA2209	SAN	PNP	транзистор с высокой скоростью переключения
B1201(R, S, T, U)	2SB1201	SAN	PNP	низкочастотный транзистор
B1202(R, S, T, U)	2SB1202	SAN	PNP	низкочастотный транзистор
B1203(R, S, T)	2SB1203	SAN	PNP	низкочастотный транзистор
B1204(R, S, T)	2SB1204	SAN	PNP	низкочастотный транзистор
B1215(R, S, T)	2SB1215	SAN	PNP	низкочастотный транзистор
B1216(R, S, T)	2SB1216	SAN	PNP	низкочастотный транзистор
B1739	2SB1739	SAN	PNP	низкочастотный транзистор
C5979	2SC5979	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
C5980	2SC5980	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
C6017	2SC6017	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
C6071	2SC6071	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
C6097	2SC6097	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
C6098	2SC6098	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
C6099	2SC6099	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
D1799	2SD1799	SAN	NPN	низкочастотный составной транзистор
D1800	2SD1800	SAN	NPN	низкочастотный составной транзистор
D1801(R, S,T, U)	2SD1801	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
D1802(R, S,T, U)	2SD1802	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
D1803(R, S,T, U)	2SD1803	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
D1804(R, S, T,)	2SD1804	SAN	NPN	низкочастотный транзистор •
D1805(E, F, G,)	2SD1805	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
D1806	2SD1806	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
D1815(R, S,T,)	2SD1815	SAN	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
D1816(R, S, T,)	2SD1816	SAN	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
D1817	2SD18017	SAN	NPN	низкочастотный составной транзистор
D2720	2SD2720	SAN	NPN	низкочастотный транзистор
A2034	2SA2034	TOSH	PNP	высоковольтный транзистор
A2142	2SA2142	TOSH	PNP	высоковольтный транзистор
C5548	2SC5548	TOSH	NPN	высоковольтный транзистор
C5886A	2SC5886A	TOSH	NPN	низкочастотный транзистор
C6000	2SC6000	TOSH	NPN	низкочастотный транзистор
D1220(R, 0, Y)	2SD1220	TOSH	NPN	низкочастотный транзистор
D1221(0, Y, GR)	2SD1221	TOSH	NPN	низкочастотный транзистор
D1222	2SD1222	TOSH	NPN	низкочастотный составной транзистор
D1223	2SD1222-	TOSH	NPN	низкочастотный составной транзистор
D2584	2SD2584	TOSH	NPN	низкочастотный составной транзистор
34 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСАХ
SC-70, SC -74, SC -74А, SC -75
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 35
Транзисторы в корпусах SC-70
Маркировка	Прибор	Произво- дитель	Структура	Функциональное назначение или особенности
1 V(R, S)	2SD1824	PAN	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
1Z(R, S, Т)	2SD1823	PAN	NPN	низкочастотный транзистор
2V(R, S, T)	2SD2623	PAN	NPN	низкочастотный транзистор
3W(S, T)	2SD1979	PAN	NPN	низкочастотный транзистор
6A	UNR5111	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6B	UNR5112	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6С	UNR5113	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6D	UNR5114	PAN	i PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6E(Q, R, S)	UNR5115	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6F(Q, R, S)	UNR5116	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6H(Q, R, S)	UNR5117	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6I	UNR5118	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6K	UNR5119	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6L(Q, R, S)	UNR5110	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6M	UNR511D	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6N	UNR511E	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
60	UNR511F	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6P	UNR511H	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
6Q	UNR511L	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8A	UNR5211	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8B	UNR5212	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8C	UNR5213	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8D	UNR5214	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8E(Q, R, S)	UNR5215	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8F(Q, R, S)	UNR5216	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8H(Q, R, S)	UNR5217	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8I	UNR5218	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8K	UNR5219	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8L(Q, R, S)	UNR5210	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8M	UNR521D	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8N	UNR521E	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
80	UNR521F	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8P	UNR521K	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
8Q	UNR521L	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
AD	MT3S07U	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
El	UNR511M	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
EL	UNR521M	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
EV	UNR5154	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
EW	UNR511N	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
EX	UNR521N	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
EY	UNR511T	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
EZ	UNR521T	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
FC	UNR511V	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
FD	UNR521V	PAN	NPN	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
FE	UNR511Z	PAN	PNP	маломощный транзистор для работы в ключевых схемах
QA	RN1321A	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
QB	RN1322A	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
QC	RN1323A	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
QD	RN1324A	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
QE	RN1325A	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
QF	RN1326A	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
QG	RN1327A	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
RA	RN2321A	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
RB	RN2322A	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
RC	RN2323A	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
RD	RN2324A	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
RE	RN2325A	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
RF	RN2326A	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
RG	RN2327A	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
T4	MT3S16U	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
XA	RN1301	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XB	RN1302	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XC	RN1303	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XD	RN1304	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XE	RN1305	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XF	RN1306	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
36 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Маркировка	Прибор	Произво- дитель	Структура	Функциональное назначение или особенности
XF	RN1306	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХН	RN1307	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XI	RN1308	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XJ	RN1309	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХК	RN1310	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХМ	RN1311	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XN	RN1312	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХР	RN1313	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XQ	RN1314	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XS	RN1315	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XT	RN1316	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
хи	RN1317	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XW	RN1318	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
YA	RN2301	TOSH '	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YB	RN2302	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YC	RN2303	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YD	RN2304	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YE	RN2305	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YF	RN2306	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YF	RN2306	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YH	RN2307	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YI	RN2308	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YJ	RN2309	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YK	RN2310	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YM	RN2311	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YN	RN2312	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YP	RN2313	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YQ	RN2314	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YS	RN2315	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YT	RN2316	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YU	RN2317	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YW	RN2318	TOSH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
MR	MT3S03AU	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисторы в корпусах SC-74
Маркировка	Прибор	Произво- дитель	Структура	Функциональное назначение или особенности
4А	XN04602	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка с приборами разной структуры
4N	XN05601	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка с приборами разной структуры
4S	XN0611FH	PAN	PNP	транзисторная сборка общего применения
4U	XN05553	PAN	NPN	низкочастотная транзисторная сборка
5С	XN04601	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка с приборами разной структуры
5Е	XN04608	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка с приборами разной структуры	
5F	XN04609	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка с приборами разной структуры
5Н	XN04501	PAN	NPN	транзисторная сборка общего применения
5I	XN04604	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка с приборами разной структуры
5К	XN04401	PAN	PNP	транзисторная сборка общего применения
5L	XN05501	PAN	NPN	транзисторная сборка общего применения
5М	XN05531	PAN	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
5N	XN06501	PAN	NPN	транзисторная сборка общего применения
50	XN06401	PAN	PNP	транзисторная сборка общего применения
5Q	XN04502	PAN	NPN	транзисторная сборка общего применения
5Х	XN04504	PAN	NPN	транзисторная сборка общего применения
5Y	XN04503	PAN	NPN	транзисторная сборка общего применения
5Z	XN06542	PAN	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
6R	XN04112	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
6Т	XN04115	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
6U	XN04116	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
6V	XN06112	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
6W	XN06113	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
6Х	XN06115	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
6Y	XN06116	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
6Z	XN06111	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7Н	XN06537	PAN	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
7Т	XN04312	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7U	XN04316	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 37
Маркировка	Прибор	Произво- дитель	Структура	Функциональное назначение или особенности
7V	XN04322	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7W	XN06435	PAN	PNP	высокочастотная транзисторная сборка
7Х	XN04311	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7Z	XN06211	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8R	XN04212	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8S	XN04213	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8Т	XN04215	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8U	XN04216	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8V	XN06212	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8W	XN06213	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8Х	XN06215	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8Y	XN06216	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
8Z	XN04210	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9U	XN04111	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9V	XN04211	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9Y	XN06543	PAN	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
АА	XN06214	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
АО	XN04509	PAN	NPN	транзисторная сборка общего применения
BI	XN04110	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
ВК	XN04114	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
BR	XN04214	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
СА	XN04314	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
СВ	XN04315	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
СК	XN06114	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
CV	XN04404	PAN	PNP	транзисторная сборка общего применения
CW	XN04381	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
DI	XN0421L	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
DY	XN04390	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
DZ	XN04505	PAN	NPN	транзисторная сборка общего применения
ЕВ	XN04321	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
EN	XN04506	PAN	NPN	транзисторная сборка общего применения
ЕР	XN04556	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в схемах малошумящих усили- телей
ER	XN04683	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка с приборами разной структуры	
ES	XN04407	PAN	PNP	транзисторная сборка общего применения
FI	XN0431	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
FK	XN0421N	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
HL	XN04382	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
IZ	XN04A88	PAN	NPN/PNP	
				транзисторная оборка с приборами разной структуры	
ОЕ	XN0421F	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
OF	XN04130	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
ОН	XN04402	PAN	PNP	транзисторная сборка общего применения
ON	XN04482	PAN	PNP	транзисторная сборка общего применения
38 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Транзисторы в корпусах SC-74A
Марки* ровка	Прибор	Произво- дитель	Структура	Функциональное назначение или особенности
AD	XN01110	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9S	XN01111	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7К	XN01112	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7L	XN01113	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7Q	XN01114	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7М	XN01115	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7N	XN01116	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
OL	XN01117	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
ОМ	XN01118	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7Р	XN01119	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
70	XN0111F	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9Х	XN0111H	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
ЕК	XN0111M	PAN	PNP	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
АС	XN01210	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9Т	XN01211	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9К	XN01212	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9L	XN01213	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9Н	XN01214	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9М	XN01215	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9N	XN01216	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
9Р	XN01217	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
AQ	XN0121E	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
AR	XN0121F	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
ЕМ	XN0121M	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
5V	XN1401	PAN	PNP	транзисторная сборка общего применения
5R	XN1501	PAN	NPN	транзисторная сборка общего применения
5S	XN01504	PAN	NPN	транзисторная сборка общего применения
AN	XN1509	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в усилительных каскадах
9F	XN01531	PAN	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
4Z	XN01558	PAN	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
7S	XN01601	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка с приборами разной структуры
2М	XN01602	PAN	NPN/PNP	транзисторная сборка с приборами разной структуры
90		XN02211	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
АХ	XN02212	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
ВА	XN02216	PAN	NPN	транзисторная сборка для работы в цифровых схемах
7R	XN02401	PAN	PNP	транзисторная сборка общего применения
5W	XN02501	PAN	NPN	транзисторная сборка общего применения
91	XN02531	PAN	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
Транзисторы в корпусах SC-75
Маркировка	Прибор	Произво- дитель	Структура	Функциональное назначение или особенности
AD	MT3S07S	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
AS	MT3S06S	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
MR	MT3S03AS	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
NJ	2SC5666	SAN	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
NL	2SC5847	SAN	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
NM	2SC6025	SAN	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
NK	2SC5665	SAN	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
NX	2SC5647	SAN	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
1Z(R, S, T)	2SD2345	PAN	NPN	низкочастотный транзистор
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 39
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В КОРПУСЕ SC-8x
40 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Транзисторы в корпусе SC-82
Маркировка	Прибор	Произ- води- тель	Струк тура	Функциональное назначение или особенности
АС	MT4S06AU	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
AD	MT4S07AU	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
АЕ	MT4S04AU	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
MR	MT4S03AU	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
U4	MT4S32U	TOSH	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
Транзисто!	ры в корпусе SC-88			
Марки- ровка	Прибор	Произво- дитель	Структура	Функциональное назначение или особенности
34R, 35R	UPA812T	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
37	UPA835TF	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
44R, 45R	UPA811T	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
73R, 74R	UPA813T	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
83	UPA826TF	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
AV	MT6L04AT	TOSH	NPN	высокочастотная малошумящая транзисторная сборка
AW	MT6L57AT	TOSH	NPN	высокочастотная малошумящая транзисторная сборка
АХ	MT6L58AT	TOSH	NPN	высокочастотная малошумящая транзисторная сборка
R(34, 35)	UPA802T	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
R84	UPA827TF	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
R86	UPA828TF	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
RL	UPA800TF	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
Т(73, 74)	UPA803T	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
Т82	UPA805T	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
Т83	UPA806T	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
Т84	UPA807T	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
Т86	UPA808T	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
Т88	UPA809T	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
ТА	MT6L03AT	TOSH	NPN	высокочастотная малошумящая транзисторная сборка
ТЕ	MT6L61AT	TOSH	NPN	высокочастотная малошумящая транзисторная сборка
TF	MT6L62AT	TOSH	NPN	высокочастотная малошумящая транзисторная сборка
V27	UPA834TF	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
V34	UPA832TF	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
V44	UPA833TF	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
V47	UPA836TF	NEC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
Транзисторы в корпусе SC-89
Маркировка	Прибор	Произ- водитель	Структура	Функциональное назначение или особенности
ХА	RN1101F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХВ	RN1102F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХС	RN1103F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XD	RN1104F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХЕ	RN1105F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XF	RN1106F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХН	RN1107F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XI	RN1108F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XJ	RN1109F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХК	RN1110F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХМ	RN1111F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XN	RN1112F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХР	RN1113F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XQ	RN1114F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XS	RN1115F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XT	RN1116F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
хи	RN1117F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XW	RN1118F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
Х2	RN1130F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХЗ	RN1131F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
Х4	RN1132F	TOSH	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
P(R, S)	2SD2240J	PAN	NPN	высоковольтный низкочастотный транзистор
ЗВ	2SD2620J	PAN	NPN	высоковольтный низкочастотный транзистор
6L	UNR9110J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
ЗА		UNR9111J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6Х	UNR911AJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ 41
Маркировка	Прибор	Произ- водитель	Структура	Функциональное назначение или особенности
6Y	UNR911BJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6Z	UNR911CJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6М	UNR911DJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6N	UNR911EJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
60	UNR911FJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6Р	UNR911HJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6Q	UNR911LJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
EI	UNR911MJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6W	UNR911NJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6Y	UNR911TJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
FC	UNR911VJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6В	UNR9112J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6С	UNR9113J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6D	UNR9114J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6Е	UNR9115J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6F	UNR9116J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6Н	UNR9117J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
61	UNR9118J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
6К	UNR9119J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
CD	UNR91A0J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
СЕ	UNR91A1J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
CF	UNR91A2J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
СН	UNR91A3J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
СК	UNR91A4J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
CL	UNR91A5J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
CN	UNR91A6J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
СР	UNR91A7J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
DC	UNR91A9J	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
DE	UNR91AAJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
DL	UNR91AEJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
DN	UNR91AFJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
DU	UNR91AHJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
KV	UNR91ALJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
EF	UNR91AMJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
EK	UNR91ANJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
EN	UNR91ATJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
EP	UNR91AVJ	PAN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
8L	UNR9210J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8A	UNR9211J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8X	UNR921AJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8Y	UNR921BJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8Z	UNR921CJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8M	UNR921DJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8N	UNR921EJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
80	UNR921FJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8P	UNR921HJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8Q	UNR921LJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
EL	UNR921MJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
EX	UNR921NJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
EZ	UNR921TJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
FD	UNR921VJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8B	UNR9212J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8C	UNR9213J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8D	UNR9214J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8E	UNR9215J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8F	UNR9216J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8H	UNR9217J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
81	UNR9218J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
8K		UNR9219J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
KT	UNR92A0J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
FK	UNR92A1J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
FL		UNR92A2J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
FM	UNR92A3J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
FP		UNR92A4J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
HC		UNR92A5J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
HD		UNR92A6J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
HE		UNR92A7J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
HF		UNR92A8J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах	
42 Транзисторы в корпусах по стандарту EIAJ
Маркировка	Прибор	Произ- водитель	Структура	Функциональное назначение или особенности
НК	UNR92A9J	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
HL	UNR92AAJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
КС	UNR92AEJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
KD	UNR92AFJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
KF	UNR92ALJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
КН	UNR92AMJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
KL	UNR92ANJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
KZ	UNR92ATJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
КР	UNR92AVJ	PAN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
Транзисторы в нестандартных корпусах 43
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
В НЕСТАНДАРТНЫХ КОРПУСАХ
44 Транзисторы в нестандартных корпусах
Транзисторы в нестандартных корпусах производства NEC
Корпус Flat-lead 3-pin thin ultra super minimold
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
TV	2SC5600	NPN	низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
TX	2SC5736	NPN	низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
UD	2SC5737	NPN	низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
UE	2SC5786	NPN	низковольтный высокочастотный малошумящий Транзистор
80	2SC5800	NPN	низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус 4-pin super minimold
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение'или особенности
R54	2SC5750	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
R55	2SC5752	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус Flat-lead 4-pin thin type minimold
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
R54	2SC5751	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
R55	2SC5753	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
R57	2SC5754	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
			
Корпус 3-pin lead-less minimold
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
В7	2SC5787	NPN	низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Е7	2SC5801	NPN	низковольтный высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус 6-pin Flat-lead thin ultra super minimold
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
7(0, 1)	UPA801TC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
7(2, 3)	UPA804TC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
24	UPA831TC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
37	UPA835TC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
75	UPA810TC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
81	UPA821TC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
83	UPA826TC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
87	UPA814TC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
89	UPA840TC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
2С	UPA843TC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
3F	UPA873TC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
4В	UPA891TC	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
Корпус 6-pin leadless minimold
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
К!	UPA828TD	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
пС	UPA831TD	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
vH	UPA851TD	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
vL	UPA854TD	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
vN	UPA855TD	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
vT	UPA859TD	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
vV	UPA860TD	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
vX	UPA861TD	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
vY	UPA862TD	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
xC	UPA863TD	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
xJ	UPA869TD	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
cP	UPA873TD	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
kH	UPA891TD	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
kP	UPA895TD	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
Транзисторы в нестандартных корпусах 45
Корпус 6-pin super leadless minimold
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
vY	UPA862TS	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
хС	UPA863TS	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
xF	UPA867TS	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
хН	UPA868TS	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
xJ	UPA869TS	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
cP	UPA873TS	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
хК	UPA800TS	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
кР	UPA895TS	NPN	высокочастотная транзисторная сборка
Транзисторы в нестандартных корпусах производства PANASONIC
Корпус SSSMini3__Fl
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
ЗВ	2SD2621	NPN	высоковольтный низкочастотный транзистор
CD	UNR31A0	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
СЕ	UNR31A1	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
CF	UNR31A2	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
СН	UNR31A3	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
СК	UNR31A4	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
CL	UNR31A5	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
CN	UNR31A6	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
СР	UNR31A7	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
DC	UNR31A9	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
DE	UNR31AA	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
DL	UNR31AE	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
DN	UNR31AF	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
EC	UNR31AH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
ED	UNR31AL	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
EF	UNR31AM	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
EK	UNR31AN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
EN	UNR31AT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
EP	UNR31AV	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
FK	UNR32A1	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
FL	UNR32A2	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
FN	UNR32A3	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
FP	UNR32A4	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
HC	UNR32A5	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
HD	UNR32A6	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
HE	UNR32A7	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
HF	UNR32A8	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
HK	UNR32A9	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
HL	UNR32AA	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
КС	UNR32AE	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
KD	UNR32AF	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
KF	UNR32AL	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
KH	UNR32AM	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
KL	UNR32AN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
KT	UNR32A0	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
KP	UNR32AV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
KZ	UNR32AT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
46 Транзисторы в нестандартных корпусах
Корпус ML3-N2
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
1R	UNRF1A0	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
1Р	UNRF1A1	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
3S	UNRF1A2	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
1В	UNRF1A3	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
ЗТ	UNRF1A4	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
2Х	UNRF1A5	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
ЗХ	UNRF1A6	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
ЗУ	UNRF1A7	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
4С	UNRF1A9	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
4D	UNRF1AA	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
4К	UNRF1AF	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
4L	UNRF1AH	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
4Р	UNRF1AL	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
1S	UNRF1AM	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
зк	UNRF1AN	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
1D	UNRF1AT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
4Х	UNRF2A0	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
1Т	UNRF2A1	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
4Y	UNRF2A2	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
1W	UNRF2A3	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
2Y	UNRF2A4	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
1Х	UNRF2A5	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
1Y	UNRF2A6	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
1Z	UNRF2A7	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
4Z	UNRF2A8	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
5С	UNRF2A9	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
5К	UNRF2AF	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
5L	UNRF2AK	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
1С	UNRF2AL	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
2Z	UNRF2AM	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
2С	UNRF2AN	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
5N	UNRF2AT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
5Р	UNRF2AV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
Транзисторы в нестандартных корпусах производства SANYO
Корпус SSFP
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
NH	2SC5648	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
NJ	2SC5782	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
NK	2SC5781	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
NL	2SC5783	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
NM	2SC6024	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
YT	08C02SS	NPN	низкочастотный транзистор общего применения
Транзисторы в нестандартных корпусах 47
Корпус СРНЗ
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
GD	CPH3004	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
АЕ	CPH3105	PNP	низкочастотный транзистор
AF	CPH3106	PNP	низкочастотный транзистор
AG	CPH3107	PNP	низкочастотный транзистор
AJ	CPH3109	PNP	низкочастотный транзистор
АК	CPH3110	PNP	низкочастотный транзистор
AM	CPH3112	PNP	низкочастотный транзистор
АР	CPH3114	PNP	низкочастотный транзистор
AQ	CPH3115	PNP	низкочастотный транзистор
AR	CPH3116	PNP	низкочастотный транзистор
AN	CPH3120	PNP	низкочастотный транзистор
AS	CPH3121	PNP	низкочастотный транзистор
AT	CPH3122	PNP	низкочастотный транзистор
AU	CPH3123	PNP	низкочастотный транзистор
BB	CPH3140	PNP	низкочастотный высоковольтный транзистор
ВС	CPH3143	PNP	низкочастотный транзистор
BD	CPH3144	PNP	низкочастотный транзистор
BE	CPH3145	PNP	низкочастотный транзистор
BN	CPH3147	PNP	низкочастотный транзистор
BP	CPH3148	PNP	низкочастотный транзистор
CE	CPH3205	NPN	низкочастотный транзистор
CF	CPH3206	NPN	низкочастотный транзистор
CG	CPH3207	NPN	низкочастотный транзистор
CJ	CPH3209	NPN	низкочастотный транзистор
CK	CPH3210	NPN	низкочастотный транзистор
CM	CPH3212	NPN	низкочастотный транзистор
CP	CPH3214	NPN	низкочастотный транзистор
CQ	CPH3215	NPN	низкочастотный транзистор
CR	CPH3216	NPN	низкочастотный транзистор
CS	CPH3221	NPN	низкочастотный транзистор
CT	CPH3222	NPN	низкочастотный транзистор
CU	CPH3223	NPN	низкочастотный транзистор
DE	CPH3234	NPN	низкочастотный транзистор
DF	CPH3235	NPN	низкочастотный транзистор
DG	CPH3236	NPN	низкочастотный транзистор
DH	CPH3237	NPN	низкочастотный транзистор
DJ	CPH3238	NPN	низкочастотный транзистор
DK	CPH3239	NPN	низкочастотный транзистор
DL	CPH3240	NPN	низкочастотный высоковольтный транзистор
DN	CPH3243	NPN	низкочастотный транзистор
DP	CPH3244	NPN	низкочастотный транзистор
DQ	CPH3245	NPN	низкочастотный транзистор
DR	CPH3246	NPN	низкочастотный транзистор
DS	CPH3247	NPN	низкочастотный транзистор
DT	CPH3248	NPN	низкочастотный транзистор
48 Транзисторы в нестандартных корпусах
Корпус СРН5
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
ЕА	СРН5501	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
ЕЕ	СРН5505	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
EF	СРН5506	PNP/NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
3U	СРН5514	PNP	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
ЕК	СРН5516	PNP/NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
ЕМ	СРН5517	PNP/NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
EN	СРН5518	PNP/NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
ER	СРН5519	PNP/NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
EW	СРН5520	PNP/NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
EY	СРН5522	PNP/NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
EJ	СРН5541	PNP/NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
РА	СРН5701	-	Транзисторно-диодная сборка, включающая PNP транзистор и диод Шоттки
Корпус СРН6
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
GH	СРН6071	PNP/NPN	биполярная транзисторная высокочастотная сборка
AV	СРН6121	PNP	низкочастотный транзистор
AW	СРН6122	PNP	низкочастотный транзистор
ВА	СРН6123	PNP	низкочастотный транзистор
DA	СРН6223	NPN	низкочастотный транзистор
ЗА	СРН6516	PNP	биполярная транзисторная сборка общего применения
3G	СРН6520	PNP	биполярная транзисторная сборка общего применения
ЗН	СРН6521	PNP/NPN	биполярная транзисторная сборка общего применения
3R	СРН6526	PNP/NPN	биполярная транзисторная сборка общего применения
EL	СРН6528	PNP/NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
EQ	СРН6530	PNP/NPN	биполярная транзисторная сборка для работы в схемах управления
Корпус МСРНЗ
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
АЕ	МСН3105	PNP	низкочастотный транзистор
AF	МСН3106	PNP	низкочастотный транзистор
AJ	МСН3109	PNP	низкочастотный транзистор
AG	МСН3143	PNP	низкочастотный транзистор
АН	МСН3144	PNP	низкочастотный транзистор
AN	МСН3145	PNP	низкочастотный транзистор
СЕ	МСН3205	NPN	низкочастотный транзистор
CF	МСН3206	NPN	низкочастотный транзистор
CJ	МСН3209	NPN	низкочастотный транзистор
CG	МСН3211	NPN	низкочастотный транзистор
СН	МСН3217	NPN	низкочастотный транзистор
CN	МСН3218	NPN	низкочастотный транзистор
СР	МСН3219	NPN	низкочастотный транзистор
СТ	МСН3220	NPN	низкочастотный транзистор
си	МСН3221	NPN	низкочастотный транзистор
CV	МСН3222	NPN	низкочастотный транзистор
CQ	МСН3243	NPN	низкочастотный транзистор
CR	МСН3244	NPN	низкочастотный транзистор
CS	МСН3245	NPN	низкочастотный транзистор
Корпус МСРН6
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
АА	МСН6101	PNP	низкочастотный транзистор
АВ	МСН6102	PNP	низкочастотный транзистор
АС	МСН6103	PNP	низкочастотный транзистор
СА	МСН6201	NPN	низкочастотный транзистор
СВ	МСН6202	NPN	низкочастотный транзистор
СС	МСН6203	NPN	низкочастотный транзистор
Транзисторы в нестандартных корпусах 49
Корпус МСР-4
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
NF	2SC6023	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
Корпус ECSP1208-4-F
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
JA	EC4201KF	NPN	низкочастотный транзистор общего применения
Транзисторы в нестандартных корпусах производства TOSHIBA
Корпус 2-10S2A
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
В1167(0, У, GR)	2SB1167	PNP	низкочастотный транзистор
Корпус 2-3S1A
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
WM	2SA2058	PNP	низкочастотный транзистор
WP	2SC5906	NPN	низкочастотный транзистор
WW	2SC5976	NPN	низкочастотный транзистор
WX	2SC6033	NPN	низкочастотный транзистор
WN	2SC6061	NPN	низкочастотный транзистор
Корпус 2-2N1B
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
AM	MT6C03AE	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
AL	MT6C04AE	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
ТА	MT6L03AE	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
AV	MT6L04AE	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
АК	MT6L52AE	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
WY	MT6L53E	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка	%
ZD	MT6L54E	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
AR	MT6L55E	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка .
AS	MT6L56E	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
AW	MT6L57AE	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
AX	MT6L58AE	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
ТЕ	MT6L61AE	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
Корпус 2-1F1A
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
32	MT6L05FS	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
33	MT6L11FS	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
12	MT6L55FS	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
14	MT6L57AFS	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
15	MT6L58AFS	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
18	MT6L63AFS	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
1К	MT6L68FS	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
1W	MT6L71FS	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
1Х	MT6L72FS	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
55	MT6L78FS	NPN	биполярная малошумящая транзисторная сборка
50 Транзисторы в нестандартных корпусах
Корпус 2-1L1A
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
H(Y, G)	2SC6026MFV	NPN	низкочастотный транзистор
ХА	RN1101MFV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХВ	RN1102MFV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХС	RN1103MFV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XD	RN1104MFV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХЕ	RN1105MFV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XF	RN1106MFV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХН	RN1107MFV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XI	RN1108MFV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XJ	RN1109MFV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХК	RN1110MFV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХМ	RN1111MFV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XN	RN1112MFV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХР	RN1113MFV	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
YA	RN2101MFV	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YB	RN2102MFV	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YC	RN2103MFV	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YD	RN2104MFV	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YE	RN2105MFV	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YF	RN2106MFV	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YH	RN2107MFV	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YI	RN2108MFV	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YJ	RN2109MFV	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YK	RN2110MFV	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YM	RN2111MFV	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YN	RN2112MFV	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YP	RN2113MFV	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
Транзисторы в нестандартных корпусах 51
Корпус 2-1Е1А
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
8(F, Н)	2SA2154	PNP	низкочастотный транзистор
7(F.H)	2SC6026	NPN	низкочастотный транзистор
00	MT3S03AFS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
01	MT3S04AFS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
02	MT3S05FS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
03	MT3S06FS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
04	MT3S07FS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
05	MT3S08FS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
08	MT3S11FS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
09	MT3S12FS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
ОН	MT3S14FS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
ОК	MT3S16FS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
0U	MT3S18FS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
20	MT3S35FS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
21	MT3S36FS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
22	MT3S37FS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
26	MT3S41FS	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
L0	RN1101FS	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
L1	RN1102FS	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
L2	RN1103FS	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
L3	RN1104FS	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
L4	RN1105FS	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
L5	RN1106FS	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
L6	RN1107FS	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
L7	RN1108FS	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
L8	RN1109FS	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
L9	RN1110FS	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
LF	RN1111FS	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
LH	RN1112FS	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
LJ	RN1113FS	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ио	RN2101FS	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
U1	RN2102FS	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
U2	RN2103FS	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
из	RN2104FS	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
U4	RN2105FS	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
U5	RN2106FS	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
U6	RN2107FS	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
U7	RN2108FS	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
U8	RN2109FS	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
U9	RN2110FS	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
UF	RN2111FS	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
ин		RN2112FS	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
UJ		RN2113FS	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
52 Транзисторы в нестандартных корпусах
Корпус 2-1В1А
Маркировка	Прибор	Структура	Функциональное назначение или особенности
MR	MT3S03AT	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
АЕ	MT3S04AT	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
ТК	MT3S05T	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
АС	MT3S06T	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
AD	MT3S07T	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
TH	MT3S08T	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
TR	MT3S11T	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
TJ	MT3S12T	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
ТХ	MT3S14T	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
Т4	MT3S16T	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
ZM	MT3S18T	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
Q2	MT3S35T	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
Q3	MT3S36T	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
Q4	MT3S37T	NPN*	высокочастотный малошумящий транзистор
Q7	MT3S41T	NPN	высокочастотный малошумящий транзистор
ХА	RN1101FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХВ	RN1102FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХС	RN1103FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XD	RN1104FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХЕ	RN1105FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XF	RN1106FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХН	RN1107FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XI	RN1108FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XJ	RN1109FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХК	RN1110FT •	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХМ	RN1111FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XN	RN1112FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХР	RN1113FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XQ	RN1114FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XS	RN1115FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XT	RN1116FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
хи	RN1117FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
XW	RN1118FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
Х2		RN1130FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
ХЗ	RN1131FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
Х4	RN1132FT	NPN	транзистор для работы в ключевых схемах
YA	RN2101FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YB	RN2102FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YC	RN2103FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YD	RN2104FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YE	RN2105FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YF	RN2106FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YH	RN2107FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YI	RN2108FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YJ	RN2109FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YK	RN2110FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YM	RN2111FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YN	RN2112FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YP	RN2113FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YQ	RN2114FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YS	RN2115FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YT	RN2116FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YU	RN2117FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
YW	RN2118FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
Y2	RN2130FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
Y3	RN2131FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
Y4	RN2132FT	PNP	транзистор для работы в ключевых схемах
Корпуса по стандарту EIAJ 53
SC-61	SC—62
+0,1
1,5±0,1
+0.03
0,4-0.06
SC-63
SC-70
54 Корпуса по стандарту EIAJ
SC-74
SC-74A
SC-82
SC-75
SC-82A
SC—88
0,9±0,1
Корпуса по стандарту EIAJ 55
SC-88A
SC-89
10 max.
SC-89 Mod
40.08
0.22-0.07
56 Нестандартные корпуса
USMTF(NEC)
4PSM (NEC)
0,3м)’1	0,59±0,05
FWPTTM(NEC)
+0.1
0,11 -0,05.
0,59±0,05
3PLLM (NEC)
0,5±0,05
+0.1
0,125-0.05
FL3PTTUSM (NEC)
6PLLM (NEC)
Нестандартные корпуса 57
6PsuperLLM (МЕС)
1,О±О,О5
0,7±0,05
г| |о,125±О,О5
6PLLminimold (МЕС)
бРГ-LTTUSminimold (МЕС)
О,55±О,О5
58 Нестандартные корпуса
ML4-N1 (PANASONIC)
ML3-N2 (PANASONIC)
1,Q±0,05
O,6±O.O5
О.З±О,ОЗ
0,05±0,03
SSSMinl3-F1(PANASONIC)
+0,05
+0.05
0,1 —0,02
Нестандартные корпуса 59
CPA (SANYO)
МСР4 (SANYO)
SSFP (SANYO)
CPU (SANYO)
d,
CPI13 (SANYO)
CPH6 (SANYO)
60 Нестандартные корпуса
СРН5 (SANYO)
ECSP1208-4-F (SANYO)
0,75 г |
МСРН6 (SANYO)
МСРНЗ (SANYO)
Нестандартные корпуса 61
2-1В1А (TOSHIBA)
2-1D1A (TOSHIBA)
JD	□_	
J |0,22±0.05
2-3S1A (TOSHIBA)
2-1L1A (TOSHIBA)
^.5±O,O5
| | 0,22±0,05
2-7В6А (TOSHIBA)
2-2НА1А (TOSHIBA)
+0.1
62 Нестандартные корпуса
2-2N1B (TOSHIBA)
2-1F1A (TOSHIBA)
1.6±0.05
1,0±0,05
| |o,2±O,Q5
2-1 El A (TOSHIBA)
2-10S2A (TOSHIBA)
10 ТУР.
Транзисторы производства NEC 63
Особенности
-	Прибор разрабо-
тан для работы в
схемах генерато-
ров.
-	Малая проходная
емкость
-	Маркировка: TV.
Корпус Flat-lead 3-pin thin
ultra super mini-mold
(NEC) _________________
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3| I I
I
I
1,4±0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 10 мА	80	-	160	-
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, 1е= 15 мА	5,5	6,5	-	ГГц
|S21e|z	S-параметр	Vcb = 1 В, 1е=15мА, f=1 ГГц	4,5	5,5	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0MAf= 1 МГц	-	0,8	1,0	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Особенности	Корпус FL3PTTUSM			3| , |	
- Прибор разрабо-	(NEC)			I	ю о
тан для работы в	Вывод	Функциональное		I	6 +|
схемах генерато-		назначение			СМ
ров.	1	База		1Ц 1 гф_	
- Малая проходная	2	Эмиттер		1,Ц±О,1	
емкость.	3	Коллектор			
-	Маркировка' ТХ.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,0	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebox	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hfE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 10 мА	100	-	145	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 1 В, lc = 15 мА	5,5	6,5	-	ГГц
|S21e|2	S-параметр	Vce = 1 В, lc= 15 мА, f = 2 ГГц	4,5	6,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА f = 1 МГц	-	0,22	0,3	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц	-	2,0	3,0	ДБ
64 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	Прибор разрабо-
тан для работы в
схемах генерато-
ров.
-	Малая проходная
емкость.
-	Маркировка: UD.
Корпус FL3PTTUSM
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- , ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5,0	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3,0	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
bfE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 10 мА	70	-	140	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 1 В, lc = 10 мА	10,0	12,0	-	ГГц
|S21ef	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7,0	9,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА f = 1 МГц	-	0,4	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,0	ДБ
Особенности
-	Прибор разрабо-
тан для работы в
выходных каска-
дах ВЧ-
усилителей.
-	Малая проходная
емкость.
-	Маркировка:
R54.
Корпус 4PSM (NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор
2	Эмиттер
3	База
4	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9,0	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6,0	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 20 мА	75	-	150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 3 В, lc = 20 мА	-	15,0	-	ГГц
|S21e|z	S-параметр	Vce = ЗВ, lc = 20 мА, (=2ГГц	10,0	13,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0MAf= 1 МГц	-	0,26	0,5	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = ЗВ, lc = 5 мА, f = 2 ГГц	-	1,7	2,5	-ДБ..
Транзисторы производства NEC 65
Особенности
-	Прибор разработан
для работы в выход-
ных каскадах
ВЧ-усилителей.
-	Малая проходная
емкость.
-	Маркировка: R54.
Корпус FL4PTTM (NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Эмиттер
2	Коллектор
3	Эмиттер
4	База
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9,0	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6,0	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	205	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, 1е = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 20 мА	75	-	150	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 3 В, lc = 20 мА	-	15,0	-	ГГц
|S21e|2	S-параметр	Vce = ЗВ, lc = 20 мА, f= 2 ГГц	10,0	13,5	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5B, le = 0MAf= 1 МГц	-	0,22	0,5	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = ЗВ, lc = 5 мА, f = 2 ГГц	-	1,7	2,5	ДБ
Особенности	Корпус 4PSM (NEC)			2.O+O.2	
- Прибор разработан для работы в выход- ных каскадах	Вывод	Функциональное назначение		1[Т| । г|~П~	
	1	Коллектор		1	см о
ВЧ-усилителей. - Малая проходная емкость.	2	Эмиттер		1	g
	3	База		1	1	1	w*
	4	Эмиттер		*1! 1 ' и' 1	
- Маркировка: R55.				LJ 1 Ц-L	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9,0	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		6,0	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		2,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, 1е = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 30 мА	75	-	150	
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 3 В, lc = 30 мА	-	12,0	-	ГГц
JW_i	S-параметр	Vce = ЗВ, lc = 30 мА,(=2ГГц	8,0	10,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, 1е = 0мА1=1МГц	-	0,46	0,7	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = ЗВ, 1с = 7 мА, f= 2 ГГц	-	1,7	2,5	,.-Дб ...
66 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	Прибор разрабо-
тан для работы в
выходных каска-
дах ВЧ-
усилителей.
-	Малая проходная
емкость.
-	Маркировка:
R55.
Корпус FL4PTTM (NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Эмиттер
2	Коллектор
3	Эмиттер
4	База
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9,0	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6,0	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2,0	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 30 мА	75	-	150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 3 В, lc = 30 мА	-	12,0	-	ГГц
|S2ief	S-параметр	Vce = 3 В, lc = 30 мА, f = 2 ГГц	8,0	10,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА f = 1 МГц	-	0,46	0,7	пФ
NF	Коэффициент шума	Vce = ЗВ, lc = 7 мА, f = 2 ГГц	-	1,7	2,5	ДБ
Особенности
-	Прибор разрабо-
тан для работы в
выходных каска-
дах ВЧ-
усилителей.
-	Малая проходная
емкость.
-	Маркировка:
R57.
Корпус FL4PTTM (NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Эмиттер
2	Коллектор
3	Эмиттер
4	База
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	13,0	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,0	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	735	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 100 мА	40	60	100	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = ЗВ, lc = 100 мА	16,0	20,0	-	ГГц
is21ef	S-параметр	Vce = ЗВ, lc = 100 мА, f= 2 ГГц	5,0	6,5	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА f = 1 МГц	-	1,0	1,5	пФ
Транзисторы производства NEC 67
Особенности
-	Прибор разрабо-
тан для работы в
схемах генерато-
ров.
-	Малая проходная
емкость.
-	Маркировка: UE.
Корпус FL3PTTUSM
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3,0	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	105	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
ЬгЕ	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 5 мА	50	-	100	-
fj	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 20 мА	17,0	20,0	-	ГГц
|S21/	S-параметр	Vcb = 1 В, le = 20 мА, f = 2 ГГц	11,0	13,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА f = 1 МГц	-	0,22	0,3	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц	-	1,4	2,5	ДБ
Особенности
-	Прибор разрабо-
тан для работы в
схемах генерато-
ров.
-	Малая проходная
емкость.
-	Маркировка: В7.
Корпус 3PLLM (NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3’	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3,0	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	105	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0		-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьге	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 5 мА	50	-	100	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 20 мА	17,0	20,0	-	ГГц
|S21e|2	S-параметр	Vcb = 1 В, le = 20 мА, f = 2 ГГц	11,0	13,0		ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА , f = 1 МГц	-	0,22	0,3	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц	-	1,4	2,5	ДБ
68 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	Прибор разрабо-
тан для работы в
СВЧ-диапазоне.
-	Малая проходная
емкость.
-	Маркировка: 80.
Корпус Flat-lead 3-pin thin
ultra super mini-mold
(NEC) ___________________
з| . I	
I i ।	1Л о 6 а.
1,4±0,1	
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 5 мА	100	120	145	-
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 5 мА	3,0	4,5	-	ГГц
is21er	S-параметр	Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 1 ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,6	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц	-	1,9	2,5	ДБ
*3 С	С О fl 4
Особенности
-	Прибор разрабо-
тан для работы в
схемах генерато-
ров с низким
уровнем фазового
шума.
-	Малая проходная
емкость.
Корпус 3-pin lead-less
mini-mold (NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
-	Маркировка: E7.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	140	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 5 мА	100	120	145	
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 15 мА	5,0	6,5	-	ГГц
	S-параметр	Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, 1е = 0мАГ = 1 МГц	-	0,6	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb= 1 В, 1е = 10 мА, f= 2 ГГц	-	1,9	2,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 69
Особенности
-	Высокое значение коэффи-
циента усиления.
-	Комплементарная пара с
2SB624.
-	Маркировка: DV + цифра,
соответствующая значению
hFE-
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	0,7	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 30 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 100 мА Vce = 1 В, lc = 0,7 А	110 50	200	400	
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 6 В, le = 10 мА	-	170	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 6 В, f = 1 МГц	-	12	-	пФ
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,7 A, lb = 70 мА	-	0,22	0,6	В
DV	1	2	3	4	5
_h£L	110 180	135 220	170 270	200 320	250 400
Особенности
- Высокое значение
коэффициента уси-
ления
- Комплементарная
пара с 2SB736.
- Маркировка: DW +
цифра, соответст-
вующая значению
SC-59
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
	3Ы		
	«ч 2
’Ш 2I±L	
2,9±0,2	
hFE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	60	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	0,3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 50 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-		0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 50 мА Vce = 1 В, lc = 0,3 А	110 30	200	400	
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 6 В, le = 10 мА	-	140	-	МГц
Cob		Выходная емкость	Vcb = 6 В, f= 1 МГц	-	7	-	пФ
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,3 A, lb = 30 мА	-	0,15	0,6	В
DW	1	2	3	4	5
hFE	110 180	135 220	170 .270	200 320	250 400
70 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	Высокое значение
коэффициента усиле-
ния
-	Комплементарная
пара с 2SB736A.
-	Маркировка: D5 +
цифра, соответствую-
щая значению hFE.
SC-59
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
		
		см 6 •н со см*
’ш	2tL	
	2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	80	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	80	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	0,3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 60 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 50 мА Vce = 1 В. lc = 0,3 А	110 30	200	400	
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 6 В, le = 10 мА	-	140	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 6 В, f = 1 МГц	-	7	-	пФ
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,3 A, lb = 30 мА	-	0,15	0,6	В
D5	1	2	3	4	5
Ьре	110 180	135 220	170 270	200 320	250. 400
Особенности
-	Комплементарная пара с
2SB962-Z.
-	Прибор разработан для ис-
пользования в ключевых схемах
и усилительных каскадах, а так
же в составе гибридных ИС.
-	Маркировка: D992 + буква N,
М, L или К, в зависимости от
значения параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	30	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	10	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 0,5 В, 1с = 0,1 А	35	-	200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 2,0 A, lb = 40 мА	-	0,3	0,5	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 2 A, lb = 40 мА	-	0,95	1,8	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 100 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	55	-	пФ
R	Сопротивление встроенного резистора	-	-	1	-	кОм
D992	N	М	L	К
J2e£_	35 80	60 120	80 120	100 200
Транзисторы производства NEC 71
Особенности
-	Прибор разработан для
использования в выход-
ных каскадах усиления
НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара
с 2SB798.
-	Маркировка: С + буква,
соответствующая значе-
нию параметра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Функциональное* назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
4,5±0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo *	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1.5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 30 В, le = 0		-	0.1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
I'Ve	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 100 мА	90	200	400	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 1,0 A, lb= 100 мА	-	0,21	0,4	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	1с = 1,0 A, lb= 100 мА	-	1.0	1.2	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 6 В, le = 10 мА	-	130	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 6 В, le = 0, f = 1 МГц	-	22	-	пФ
С	М	L	К
hFE	90...180	135 .270	200 .400
Особенности
-	Прибор разработан для
использования в выход-
ных каскадах усиления
НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара
с 2SB799.
-	Маркировка: L + буква,
соответствующая значе-
нию параметра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
4.5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	0,7	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1.0	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 60 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hfE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 100 мА	90	200	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,5 A, lb = 50 мА	-	0,12	0,4	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 0,5 A, lb = 50 мА		0,9	1,2	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 6 В, le = 10 мА	-	110	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 6 В, le = 0, Т=1МГц	-	13	-	пФ
Г L | М I L | К I
K-lqn 180 1135 270 I 200 400]
72 Транзисторы производства NEC
							
							
-	Прибор разработан для использо- вания в выходных каскадах усиле- ния НЧ-сигналов. -	Комплементарная пара с 2SB800. - Маркировка: Е + буква, соответ- ствующая значению параметра hFE.	Вывод	Функциональное назначение					8 6 +i о
	1	База					
	2	Коллектор					
	3	Эмиттер					
	Корпус	Коллектор		\ 1 /	.			
			и. Ш. II,				
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	80	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	80	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	300	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				0,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 80 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 50 мА	90	200	400	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,3 A, lb = 30 мА	-	0,3	0,6	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 0,3 A, lb = 30 мА	-	0,86	1,2	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 6 В, 1е=10мА	-	140	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 6 В, le = 0, f = 1 МГц	-	7	-	пФ
Е	М	L	К
Иее	90 180	135 270	200 400
Особенности
-	Прибор разработан для использо-
вания в выходных каскадах усиле-
ния НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SB804.
-	Маркировка: В + буква, соответ-
ствующая значению параметра hFE.
SC-62
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
4.5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. зна- че- ние	Макс, зна- че- ние	Еди ни- цы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	100	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	80	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1,0	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1.5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 100 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 100 мА	90	200	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,5 A, lb = 50 мА	-	0,15	0,5	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 0,5A, lb = 50 мА		0,9	1,5	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 5 В, le = 10 мА	-	160	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 6 В, le = 0, f=1 МГц	-	12	-	пФ
В	W	V	и
hFE	90. 180	135 270	200 .400
Транзисторы производства NEC 73
Особенности
-	Прибор разработан для использо-
вания в выходных каскадах усиле-
ния НЧ-сигналов.
-	Комплементарная пара с 2SB805.
-	Маркировка: Н + буква, соответ-
ствующая значению параметра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
4.5±0.1
	и		4,0±0,25 I
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	100	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	100	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	0,7	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1,2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =100 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0		-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 100 мА	90	200	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,5 A, lb = 50 мА	-	0,14	0,6	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 0,5 A, lb = 50 мА	-	0,88	1,5	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, le = 10 мА	-	90	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	10	-	пФ
Н	М	L	К
Ьре	90 180	135 270	200. .400
Особенности
- Прибор разработан
для использования в
выходных каскадах
усиления НЧ-сигналов.
- Комплементарная
пара с 2SB806.
- Маркировка: Н + бук-
ва, соответствующая
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
4,5±О,1
значению параметра
hFE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	120	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	120	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	0,7	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1,2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =120 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 100 мА	90	200	400	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,5 A, lb = 50 мА	-	0,14	0,6	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 0,5 A, lb = 50 мА	-	0,88	1,5	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, le = 10 мА	-	90	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb= 10В, le = O,f= 1 МГц	-	10	-	пФ
Н I R	Q	Р
МЭР 180	135 .270	200 400
74 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	Комплементарная пара с 2SB768.
-	Прибор разработан для использо-
вания в выходных каскадах кадровой
развертки ТВ-приемников.
-	Маркировка: Е) 1033 + буква М, L
или К, в зависимости от значения
параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	' Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
6,5±О,2г		CM ??
		
Г .*»		
1	1 1	1 1	1 1	1 1	2 3		CM . d •H in in
	' О Е t cig	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	200	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	150	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =150 В, le = 0	-	-	50	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 4 В, lc = 0	-	-	50	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 400 мА	40	100	200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,5 A, lb = 50 мА	-	0,2	1,0	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 0,5 A, lb = 50 мА	-	0,88	1,5	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, le = 400 мА	-	10	-	МГц
D1033	М	L	К
Ьре	40 80	60 ..120	100 .200
Особенности
-	Прибор разработан для исполь-
зования в ключевых схемах и
усилительных каскадах, а так же
в составе гибридных ИС.
-	Маркировка: D1164 + буква М,
L или К, в зависимости от значе-
ния параметра hFE
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	150	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	60	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	8	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				4	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 60 В, le = 0	-	-	10	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	1,0	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 1,0 А	2000	-	30000	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc= 1,0 A, lb= 1,0 мА		-	-	1,5	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 1,0 A, lb = 1,0 мА	-	-	2	В
R1	Сопротивление встроенного резистора	-	-	10		кОм
R2	Сопротивление встроенного резистора	-	-	500	-	кОм
Ton	Время включения	1с = 1,0 А, 1Ь1 =-1Ь2= 1,0 мА Vcc = 50 В, RI = 50 Ом	-	0,5	-	мкс
Tot	Время выключения		-	1,0	-	мкс
D1164	М	L	К
hFE	2000 5000	4000 .10000	8000...30000
Транзисторы производства NEC 75
Особенности
-	Комплементарная пара с 2SB963-Z.
-	Прибор разработан для использова-
ния в ключевых схемах и усилитель-
ных каскадах, а так же в составе гиб-
ридных ИС.
-	Маркировка: D1286 + буква М, L
или К, в зависимости от значения
параметра hFE.
Корпус SC-63 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	I Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	60	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	8	В
lc	Ток коллектора	-		-	1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 60 В, le = 0	-	-	10	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	1.0	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 0,5 А	2000	-	30000	
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,5 A, lb = 0,5 мА		-	1,5	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 0,5 A, lb = 0,5 мА	-	-	2	В
R1	Сопротивление встроенного резистора	-	-	30		кОм
R2	Сопротивление встроенного резистора	-	-	1		кОм
Ton	Время включения	lc = 0,5 А, Ib1 = -!Ь2 = 0,1 мА Vcc = 50 В, RI = 100 Ом	-	0,5		мкс
Tot	Время выключения		-	1,0	-	мкс
D1286	М	L	К
hFE	2000 5000	4000 10000	8000 30000
Особенности
-	Прибор разработан для использо-
вания в ключевых схемах и усили-
тельных каскадах, атак же в соста-
ве гибридных ИС.
-	Маркировка: D1583 + буква М, L
или К, в зависимости от значения
параметра hFE
Корпус SC-63 (E1AJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		5	В
lc	Ток коллектора	-			2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	10	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0		-	10	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 0,5A	800	-	3200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc= 1,0 A, lb = 10 мА	-	0,18	0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 100 мА	-	270	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	20	-	пФ
D1583	М	L	К
hFE	800. 1600	1000 . 2000	1600 3200
76 Транзисторы производства NEC
Особенности		Корпус SC-63 (EIAJ)		<М 	 2?							
- Прибор разработан для исполь- зования в ключевых схемах и уси- лительных каскадах, атак же в составе гибридных ИС. - Маркировка: D1584 + буква М, L или К, в зависимости от значения		Вывод	Функциональное назначение					ю			
											
											
		1	База								
		2	Коллектор			I	I 1	1 1	1 1	_	1 1	2 3		см о* +1 ю ю			
		3	Эмиттер								
		Корпус	Коллектор								
параметра hFE						0 L-J • QE И ! t "Z					
Предельно допустимые и основные элект			Т 1 эические параметры				т				
Символ	Параметр		Условия		Мин. зна- чение		Тип. зна- чение		Макс, значе- ние		Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-		-		-		60		В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-		-		-		60		В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-		-		-		7		В
lc	Ток коллектора		-		-		-		3		А
Icp	Ток коллектора импульсный								5		А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе		Т = 25°С		-		-		2		Вт
Icbo	Обратный ток коллектора		Vcb = 60 В, le = 0		-		-		10		мкА
lebo	Обратный ток эмиттера		Veb = 5 В, lc = 0		-		-		10		мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ		Vce = 5 В, lc = 0,5A		800		-		3200		-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э		1с = 2,0 A, 1b = 20 мА		-		0,18		0,5		В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания		Vcb = 5 В, 1е=100 мА		-		120		-		МГц
Cob	Выходная емкость		Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц		-		20		-		пФ
D1584	М	L	К
Ьре	800. 1600	1000...2000	1600... 3200
Особенности
-	Прибор разработан для ис-
пользования в ключевых схемах
и усилительных каскадах, а так
же в составе гибридных ИС.
-	Комплементарная пара с
2SB1114.
-	Маркировка: X + буква, соот-
ветствующая значению пара-
метра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	40	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 30 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 100 мА	135	350	600	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 2,0 A, lb = 50 мА	-	0,3	0,5	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 2,0 A, lb = 50 мА	-	0,95	1,2	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = 50 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f = 1 МГц	’ -	28	-	пФ
X	М	L	К
! hFE	135 270	200 . 400	300. 600
Транзисторы производства NEC 77
Особен - Прибс НИЯ В KJ ных кас ридных - Комп; - Маркр вующа>	пости	Корпус SC-62 (EIAJ) 								—
	>p разработан для использова-	вывод фУнкЦиональное	[	] imup.nkiY cypmhy u vcunuTPTTk-	назначение		1	J						
	жадах, а так же в составе гиб-	1	База					«п сч	' 6 +1 о d"	
	ИС '	2	Коллектор					
	1ементарная пара с 2SB1115.	3	Эмиттер						
	тппк-я- G + fivk-Ra гпптпетст-	Корпус	Коллектор					
	значению параметра hFE.		о	га		
						
предельно допустимые и основные элект		рические параметры				
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 60 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, 1с = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, 1с = 100 мА	135	290	600	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 1,0 A, lb = 50 мА	-	0,15	0,3	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	1с= 1,0 A, lb = 50 мА	-	0,9	1,2	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 2 В, le = -100 мА	80	160	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f= 1 МГц	4	19	-	пФ
G	М	L	К
hFE	135. .270	200. 400	300 600
Особенности		Корпус SC-62 (EIAJ)						4.5±0.1				
-	Прибор разработан для использа- вания в ключевых схемах и усили- тельных каскадах, а так же в составе гибридных ИС. -	Комплементарная пара с 2SB11 15А.		Вывод		Функциональное назначение			f			1		I	4,О±О,25 I		
		1		База								
		2		Коллектор								
		3		Эмиттер								
		Корпус		Коллектор					Ж			
- Маркировка: G + буква, соответст- вующая значению параметра hFE. Предельно допустимые и основные элект			рические параметры			1га						
Символ	Параметр.		Условия				Мин. зна- чение		Тип. зна- чение	Макс, значе- ние		Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-				-		-	120		В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-				-		-	60		В
VebQ	Напряжение эмиттер-база		-				-		-	6		В
lc	Ток коллектора		-				-		-	1		А
Jcp	Ток коллектора импульсный									2		А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе		Т = 25°С				-		-	2		Вт
Icbo	Обратный ток коллектора		Vcb =120 В, le = 0				-		-	0,1		мкА
lebo	Обратный ток эмиттера		Veb = 6 В, lc = 0				-		-	0,1		мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ		Vce = 2 В, lc = 100 мА				135			400		-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э		1с= 1,0 A, lb = 50 мА				-		0,15	0,3		В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э		lc = 1,0 A, lb = 50 мА				-		0,9	1,2		В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания		Vce = 2 В, !е = -100 мА				80		160	-		МГц
Cob	Выходная емкость		Vcb = 10 В, le = O,f= 1 МГц				-		19	-		пФ
G	Q	Р
hFE	135 270	200. .400
78 Транзисторы производства NEC
ОгпБрнмлстм	Knnnvr	ПГ1Д.П						4,5±О.1									
- Прибор разработан для использования в ключе- вых схемах и усилитель- ных каскадах, а так же в составе гибридных ИС. - Маркировка: Т + буква, соответствующая значе- нию параметра hFE. Предельно допустимые и о		Вывод 1	Функциональное назначение База				[				ю <4 о +1 о sf					
		2	Коллектор												
		3	Эмиттер											tr	Z		
		Корпус	Коллектор												
		сновные элект		1ЛП рические параметры					£						
Символ	Параметр			Условия					Мин. зна- чение			Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы	
Vcbo	Напряжение коллектор-база			-					-			-	100	В	
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер			-					-			-	80	В	
Vebo	Напряжение эмиттер-база			-					-			-	8	В	
lc	Ток коллектора			-					-			-	0,8	А	
Icp	Ток коллектора импульсный												1,2	А	
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе			Т = 25°С					-			-	2	Вт	
Icbo	Обратный ток коллектора			Vcb = 60 В, le = 0					-			-	10	мкА	
lebo	Обратный ток эмиттера			Veb = 5 В, lc = 0					-			-	1,0	мА	
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ			Vce = 2 В, lc = 0,3 А					4000			-	50000	-	
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э			lc = 0,5 A, lb = 1,0 мА					-			0,9	1,2	В	
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э			lc = 0,5 A, lb =1,0 мА					-			1,5	2	В	
R	Сопротивление встроенного резистора			-					-			1	-	кОм	
Ton	Время включения			lc = 0,5 А, Ib1 = -Ib2 = 0,1 мА Vcc = 40 В, RI = 80 Ом					-			0,5	-	мкс	
Tof	Время выключения								-			1,0	-	мкс	
Т	R	Q
hFE	4000 12000	8000 50000
Особенности
-	Прибор разработан для
использования в ключевых
схемах и усилительных кас-
кадах, а так же в составе
гибридных ИС.
-	Маркировка: Т + буква,
соответствующая значению
параметра hFE.
Корпус SC-62
(EIAJ)
Вывод	Функционалы назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
4,5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	60 ±10	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	60 ±10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	8	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	0,8	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1,2	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 60 В, le = 0	-	-	10	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 0,5A	4000	-	50000	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,5 A, lb= 1,0 мА	-	0,9	1,2	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 0,5 A, lb = 1,0 мА	-	1,5	2	В
R	Сопротивление встроенного резистора	-	-	1	-	кОм
Ton	Время включения	1с = 0,5А,1Ь1 = -Ib2 = 0,1 мА	-	0,5		мкс
Tof	Время выключения	Vcc = 40 В, RI = 80 Ом	-	1,0	-	мкс
Т	F	Е
hFE	4000 12000	8000 50000
Транзисторы производства NEC 79
Особенности
-	Высокое значение
коэффициента усиле-
ния.
-	Маркировка: V +
буква, соответствую-
щая значению пара-
метра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	15	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	2	А
Icp	Ток коллектора импульсный				3	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 30 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 1 А	800	1500	3200	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 1,0 A, lb= 10 мА	-	0,18	0,3	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	1с = 1,0 А, 1Ь=10мА	-	0,83	1,2	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = 500 мА	150	350	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = O,f = 1 МГц	-	26	35	пФ
V	М	L	К
hFE	800 1600	1200 2400	2000 .3200
Особенности
-	Прибор разработан для
использования в ключе-
вых схемах и усилитель-
ных каскадах.
-	Комплементарная пара с
2SB1571.
-	Маркировка: Е + буква,
соответствующая значе-
нию параметра hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	30	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				8	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 50 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 2 А	100	200	400	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 3,0 A, lb= 150 мА	-	0,14	0,3	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 3,0 A, lb= 150 мА	-	0,88	1,2	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, le = 500 мА	-	170	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	60	-	пФ
Е	X	Y	Z
Ьре	100 200	160 .320	200 .400
80 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	Прибор разработан
для использования в
ключевых схемах и
усилительных кас-
кадах.
-	Комплементарная
пара с 2SB1572.
-	Маркировка: G +
буква, соответст-
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Корпус	Коллектор
вующая значению
параметра hFE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	80	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	80	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	3	А
Icp	Ток коллектора импульсный				5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 80 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 1 А	100	200	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 2,0 A, lb = 100 мА	-	0,15	0,3	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 2,0 A, lb = 100 мА	-	0,89	1.2	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 10 В, le = 300 мА	-	130	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	30	-	пФ
G	X	Y	Z
Ьре	100 200	160. 320	200 400
Транзисторы производства NEC 81
Особенности	Корпус SC-88 (EIAJ)			2,0±0,2	. 6		I 5	.4
- Прибор разработан	Вывод	Функциональное		эй гй 1|~Н		1			
для использования в		назначение					I	
схемах малошумя- щих усилителей. - Маркировка: RL.	1	Коллектор Т г1		1	1	1	—	тм (/		
	2	Эмиттер Тг1		1	1	1	6 н			
	3	Коллектор Тг2		1	1	1	с4			
	4	Эмиттер Т г2		1	1	1			I 2	
	5	База Тг2		“Й 5Ш 6Ш		I 1		I 3
	6	База Тг1		LU LLJ	LU—				
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 5 мА	80	-	200	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 3 В, lc = 5 мА	5,5	8,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 10 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,7	-	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц	-	1,9	3,2	ДБ
Особенности
-	Прибор разработан
для использования в
схемах малошумящих
усилителей.
-	Маркировка: 7 + циф-
ра, соответствующая
значению параметра
hFE.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
Корпус
6PFLTTUSminimold
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	Эмиттер Тг2
5	База Тг2
6	База Тг1
ву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	230	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =15 В, 1е = 0	-	-	1	мкА
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = Ю мА	-	-	0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	70	-	250	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	3,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,7	1,5	пФ
|S21e|z	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	7,0	9,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = ЗВ, 1с = 7мА, f=1 ГГц	-	1,2	2,5	ДБ
7	0	1
I'Ve	70 140	125 250
82 Транзисторы производства NEC
I
I
Особенности
-	В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора 2SC4227.
-	Маркировка: R + двух-
значное число, соответ-
ствующее параметру
hFE.
Корпус SC-88 (E1AJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Т г1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	Эмиттер Тг2
5	База Тг2
6	База Тг1
2.0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1.5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, 1е = 0	-	-	0,8	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,8	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	70	-	240	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	4,5	7,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	-	0,9	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	-	1,4	1,7	ДБ
R	34	35
Ьре	70 150	110 ..240
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два высокочастот-
ных транзистора
2SC4570.
- Маркировка: Т + двух-
значное число,соответ-
ствующее параметру
hFE-
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	Эмиттер Тг2
5	База Тг2
6	База Тг1
2.0±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	0,16	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = 10 мА	-	-	0,5	В
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 5 мА	60	-	200	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 5 мА	3,0	5,5	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f = 1 ГГц	-	0,7	0,9	пФ
Т	73	74
hFE	69 120	100 200
Транзисторы производства NEC 83
Особенности
-	В состав сборки
входят два высоко-
частотных транзи-
стора 2SC5004.
-	Маркировка: 7 +
цифра, соответст-
вующая параметру
hFE-
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
Корпус
6PFLTTUSminimold
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	Эмиттер Тг2
5	База Тг2
6	База Тг1
1,5±O,1
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	60	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе , суммарная	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =15 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = Ю мА	-	-	0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 5 мА	60	-	120	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 5 мА	3,0	5,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,7	0,9	пФ
iW	S-параметр	Vcb = 5 В, le = 5 мА, f = 1 ГГц	5	-	-	ДБ
7	2	3
hFE	60 120	100 200
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора 2SC4958.
- Маркировка: Т82.
ао±о.2
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Т г1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	Эмиттер Тг2
5	База Тг2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе , суммарная	Т = 25°С	-	-	0,12	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 5 мА	75	-	150	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	-	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,3	0,5	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = ЗВ, le = 3 мА, f = 2 ГГц	-	2,5	4,0	ДБ
84 Транзисторы производства NEC
Особенности	Корпус SC-88 (EIAJ)			2.0+0.2	.6	.5	.4	
-	В состав сборки вхо- дят два малошумящих транзистора 2SC4959. -	Маркировка. Т83.	Вывод	Функциональное назначение				
				й й ।11 зН гМ ihl	6 +1 (Ч	-A Vs ГАЧ
	1	Коллектор Тг1		। । । । । । । । ।		
	2	Эмиттер Тг1				
	3	Коллектор Тг2				
	4	Эмиттер Т г2				
						
	5	База Тг2				
	6	База Тг1		111	и з	111			
						
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 5 мА	75	-	150	-
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	-	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Особенности	Корпус SC-88 (E1AJ)		2,0±0,2		। 5	.4
- В состав сборки вхо- дят два малошумящих	Вывод Функциональное назначение		зЙ	?Й		1 6		Va	
транзистора 2SC5179.	1	Коллектор Тг1		1	1	1	_	Тг1		
- Маркировка: Т84.	2	Эмиттер Тг1 3	Коллектор Т г2		1/1	1	6	/ +! ।	 <м		
	4	Эмиттер Тг2		1	1	1			1 3
	5	БазаТг2		“Ш 5Ш Ч	I 1	1 2	
	6	БазаТг1			—		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc		Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	0,06	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 7 мА	70	-	140	-
h-	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 7 мА	-	13	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,6	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 2 В, le = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,0	ДБ
Транзисторы производства NEC 85
Особенности
-	В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора 2SC5184.
-	Маркировка: Т86.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	Эмиттер Тг2
5	База Тг2
6	База Тг1
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	180	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 20 мА	70	-	140	-
is21er	S-параметр 1	Vce = 2 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц	7	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,3	2,0	ДБ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	9	11	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,8	пФ
Особенности
-	В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора 2SC5193.
-	Маркировка: Т88.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Т г1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	Эмиттер Тг2
5	База Тг2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0		-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 3 мА	80	-	160	-
|S2ie|2	S-параметр 1	Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	2,5	3,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,7	2,5	ДБ
Ь	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =1 В, le = 3 мА	4,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 1 В, 1е = 0мА, f = 1 МГц	-	0,75	0,85	пФ
86 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	В состав сборки
входят два высо-
кочастотных тран-
зистора 2SC5006.
-	Маркировка: 75.
Внимание! При-
бор чувствителен
к статическому
электричеству.
Корпус
6PFLTTUSminimold
ЩЕС)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	База Тг2
3	Коллектор Т г2
4	Эмиттер Т г2
5	Эмиттер Тг1
6	База Тг1
1.5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе , суммарная	Т = 25°С	-	-	230	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 15 В, 1е = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, hFE = 10 мА	-	-	0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	70	-	140	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	3,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,7	0,9	пФ
is2ier	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	7,0	9,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	-	1.2	2,5	ДБ
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два высокочастот-
ных транзистора
2SC4228.
- Маркировка:
44R(hFE =80 .160),
45R (hFE = 125 . 250).
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Т г1
2	База Тг2
3	Коллектор Тг2
4	Эмиттер Т г2
5	Эмиттер Тг1
6	База Тг1
2,0±0,2 зА гА iM	
1	1	1 i	i	i	6
	+1
	
i i i	ci
“Ш =ш =a_	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 5 мА	80	-	200	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 3 В, lc = 5 мА	5,5	8,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 10 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,7	-	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц	-	1,9	3,2	ДБ
Транзисторы производства NEC 87
Особенности
-	В состав сборки
входят два высоко-
частотных транзисто-
ра 2SC4227.
-	Маркировка:
34R(hFE =70...150),
35R(hFE =110...240).
SC-88
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	БазаТг2
3	Коллектор Тг2
4	Эмиттер Тг2
5	Эмиттер Тг1
6	База Тг1
и основные
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-			1,5	В
lc	Ток коллектора				65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, 1е = 0	-	-	0,8	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,8	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	70	-	240	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 3 В, lc = 7 мА	4,5	7,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	-	0,9	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3B, le = 7 мА, f = 2 ГГц	-	1,4	2,7	ДБ
ПплА ЛИ V V  ЛЛ'Т'И	т/лплгил Qf”1 QQ /IPT А				2.0±0J2			
-	В состав сборки входят два высоко- частотных транзисто- pa 2SC4570. -	Маркировка: 73T(hFE=60 120), 74Т (hFE =100...200).	AXWpii y V Вывод 1 2 3 4 5 6	Фун кционал ьное назначение Коллектор Тг1 База Тг2 Коллектор Тг2 Эмиттер ТГ2 Эмиттер Тг1 База Тг1					°	13	14 Trl4^/
				30_2@L10E 1	1	1 i i i i i i i i i	2 й		
				“Й 5Й 6Й_			I 1	2	। 3
							
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора				30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	0,16	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =15 В, 1е = 0			0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb=1 В, 1с = 0		-	0,1	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 5 мА, Kfe = Ю мА	-		0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 5 мА	60	-	200	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 5 В, le = 5 мА	-	5,5	-	ГГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 5 В, le = 0, f=1 ГГц	-	0,7	0,9	пФ
88 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	В состав сборки
входят два высоко-
частотных транзи-
стора 2SC5195.
-	Маркировка: 87.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
честву.
Корпус
6PFLTTUSminimold
(NEC)___________
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	База Тг2
3	Коллектор Тг2
4	Эмиттер Тг2
5	Эмиттер Тг1
6	База Тг1
1,5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-		-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	230	мВт
icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 3 мА	80	-	160	-
ISaief	S-параметр 1	Vce=1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,7	2,5	ДБ
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 3 мА	4,5	5,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 1 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,7	0,8	пФ
Особенности	Корпус - В состав сборки вхо-	6PFLTTUSminimold лят лва высокочастот-						1.5±0,1						
						зГП 2|Т| i|i		О н о ю	। 6	 [5	4			
	 								1					
ных транзистора 2SC5006. - Маркировка: 81. Внимание! Прибор чувствителен к стати- ческому электричест- ву.		Вывод	Функциональное назначение									
		1	Коллектор Тг1									
		2	Эмиттер Тг1									
		3	Коллектор Тг2									
												
		4	База Тг2		эш «ц		1					
		5	Эмиттер Тг2									
		6	База Тг1									
Предельно допустимые и основные элект				рические параметры								
Символ	Параметр			Условия			Мин. зна- чение			Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база			-			-			-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер			-			-			-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база			-			-			-	3	В
lc	Ток коллектора						-			-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе , суммарная			Т = 25°С			-			-	230	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора			Vcb =10 В, le = 0			-			-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера			Veb = 1 В, lc = 0			-			-	1	мкА
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э			lc = 5 мА, hFE = Ю мА			-			-	, 0,5	В
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ			Vce = 3 В, lc = 7 мА			70			-	140	-
fl	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания			Vcb = 3 В, le = 7 мА			3,0			4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость			Vce = ЗВ, 1е = 0мА, f=1 МГц			-			0,7	1.5	пФ
NF	Коэффициент шума			Vcb = ЗВ, 1е = 7мА, f=1 ГГц			-			1.2	2,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 89
Особенности
-	В состав сборки
входят два высоко-
частотных транзи-
стора 2SC5100.
-	Маркировка: 83.
Внимание! Прибор
чувствителен к
статическому
электричеству.
Корпус
6PFLTTUSminimold
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Т г2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе , суммарная	Т = 25°С	-	-	230	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-		0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	75	-	150	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	-	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = ЗВ, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
|S21e|2	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 2 ГГц	7	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1.5	2,5	ДБ
Особенности
- В состав сборки вхо-
дят два высокочастот-
ных транзистора
2SC5100.
- Маркировка: 83.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Т г2
6	База Тг1
2.0±0.2
ву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	2	В
lc	Ток коллектора	-		-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-		0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	75	-	110	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 10 мА	-	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
90 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	В состав сборки вхо-
дят два высокочастот-
ных транзистора
2SC5179.
-	Маркировка: R84.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Т г1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
2,0±0,2
ву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	10	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	0,06	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
h₽E	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 7 мА	70	-	140	-
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 7 мА	-	13	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,6	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 2 В, le = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1.5	2,0	ДБ
Особенности	Knnnvc 6PIЛ .minimnld					1,2±0,05						
- В состав сборки	(NEC)					2Г				| 6	 | 5		4
входят два высоко-	Вывод	Функциональное назначение			I		1 1|	1		Тг1 х+х Л	Тг2	
частотных транзи-												
стора 2SC5436.	1	Коллектор Т г1							ю	,	у v	Л		
- Маркировка: kL.	2	Эмиттер Т г1							о О			
Внимание! При- бор чувствителен	3	Коллектор Тг2							+1	I 1	Г2		I 3
	4	База Тг2										
	5	Эмиттер Тг2	“L		J	5L	J ®|	1				
к статическому	6	База Тг1	L,		□	L	rJ	L,					
электричеству.												
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	180	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-		0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 20 мА	70	-	140	-
|S21ef	S-параметр 1	Vce = 2 В, lc = 20 мА, f= 2 ГГц	8,5	10	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1.4	2,0	ДБ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	9	14	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,8	пФ
Транзисторы производства NEC 91
Особенности
-	В состав сборки вхо-
дят два высокочастот-
ных транзистора
2SC5184.
-	Маркировка: R86.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Т г1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Т г2
6	База Тг1
2,О±О,2
ВУ-
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе, суммарная	Т = 25°С	-	-	180	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 20 мА	70	-	140	-
is21er	S-параметр 1	Vce = 2 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц	7	8,5	-	ДБ
|S2,e|2	S-параметр 2	Vce= 1 В, lc = 10мАЛ=2ГГц	6,0	7,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 2 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,3	2,0	ДБ
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 2 В, le = 20 мА	9	11	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 2 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,8	пФ
92 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	В состав сборки
входят два малошу-
мящих транзистора
Tr 1 - 2SC5006 и
Тг2 - 2SC5007.
-	Маркировка: 24.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
честву.
з
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе , суммарная	Т = 25°С	-	-	230	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	70	-	140	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	3,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,7	1,5	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	-	1,2	2,5	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	0,8	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,8	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	70	-	150	-
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	4,5	7,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,45	0,9	пФ
|S21e|z	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	10,0	12,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	-	1,4	2,7	ДБ
Транзисторы производства NEC 93
Особенности
-	В состав сборки
входят два малошу-
мящих транзистора
Tr 1 - 2SC5006 и
Tr2 - 2SC5007.
-	Маркировка: пС.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
Корпус 6PLLminimoId
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Т г1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
1,2±0,05
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе , суммарная	Т = 25°С	-	-	210	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	70	-	140	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	3,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,7	1,5	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	-	1,2	2,5	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, le = 0	-		0,8	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,8	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	70	-	150	
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	4,5	7,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	-	0,9	пФ
|S21e|2	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	10,0	12,0	-	ДБ
NF		Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	-	1,4	2,7	ДБ
94 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	В состав сборки входят
два малошумящих тран-
зистора Tr 1 - 2SC4226 и
Tr2 - 2SC4959.
-	Маркировка: V34.
Внимание! Прибор чув-
ствителен к статиче-
скому электричеству.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = ТО В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	100	-	145	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	3,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,7	1,5	пФ
|S21el'	S-параметр	Vcb = ЗВ, le = 7 мА, f=1 ГГц	7,0	9,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	-	1,2	2,5	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	75	-	150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = ЗВ, le = 10 мА	-	12,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	-	0,7	пФ
|S21ef	S-параметр	Vcb = ЗВ, le = 10 мА, f = 2 ГГц	7,0	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 95
Особенности
-	В состав сборки входят
два малошумящих тран-
зистора Tr 1 - 2SC5193 и
Tr2-2SC4959.
-	Маркировка: V44
Внимание! Прибор чув-
ствителен к статиче-
скому электричеству.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	База Т г2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 3 мА	100	-	145	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 20 мА	-	9,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce =1 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,75	0,85	пФ
|S21ef	S-параметр	Vcb= 1 В, lc = 3 мА, f= 1 ГГц	2,5	3,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = ЗВ, lc = 7 мА; f = 2 ГГц	-	1,5	-	ДБ
	Tr2							
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	75	-	150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 10 мА	-	12,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	-	0,7	пФ
iW	S-параметр	Vcb = ЗВ, lc = 10 мА, f= 2 ГГц	7,0	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = ЗВ, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
96 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	В состав сборки входят
два малошумящих тран-
зистора Tr 1 - 2SC4227 и
Tr2 - 2SC4226.
-	Маркировка: V27.
Внимание! Прибор чув-
ствителен к статиче-
скому электричеству.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Т г1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	База Тг2
5	Эмиттер Т г2
6	База Тг1
2.О±О.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, 1е = 0	-	-	0,8	мкА
Icbo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,8	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc -7 мА	70	-	150	-
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 7 мА	4,5	7,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,45	0,9	пФ
|S21ef	S-параметр	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	10,0	12,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, le = 7 мА, f = 1 ГГц	-	1,4	2,7	ДБ
Tr2	‘						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1,0	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	100	-	145	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = ЗВ, 1е=10мА	3,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,7	1,5	пФ
|S21e|2	S-параметр	Vcb = 3 В, lc = 7 мА, f = 1 ГГц	7,0	9,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, lc = 7 мА, f = 1 ГГц	-	1.2	2,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 97
Особенности
-	В состав сборки
входят два малошу-
мящих транзистора
Tr 1 - 2SC5010 и
Tr2 - 2SC5006.
-	Маркировка: 37.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
честву.
Корпус
6PFLTTUSminimoId
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	75	-	150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = ЗВ, 1е = 10 мА	-	12,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = ЗВ, 1е = 0мА, f= 1 МГц	-	-	0,7	пФ
|S21e|2	S-параметр	Vce = ЗВ, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7,0	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = ЗВ, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, 1е = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	70	-	140	
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, lc = 7 мА	3,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость •	Vcb = ЗВ, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,7	1,5	пФ
NF		Коэффициент шума	Vcb = ЗВ, lc = 7 мА, f= 1 ГГц	-	1,2	2,5	ДБ
98 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора Tr 1 -
2SC5010 иТг2-
2SC5006.
-	Маркировка: 37.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
2,0±0,2
ВУ-
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	75	-	150	-
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 10 мА	-	12,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	-	0,7	пФ
|S21ef	S-параметр	Vce = ЗВ, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7,0	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = ЗВ, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	12	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	70	-	140	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, lc = 7 мА	3,0	4,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = ЗВ, 1е = 0мА, f=1 МГц	-	0,7	1,5	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, lc = 7 мА, f = 1 ГГц	-	1,2	2,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 99
Особенности
-	В состав сборки входят
два малошумящих тран-
зистора Tr 1 - 2SC5193 и
Tr2 - 2SC4959.
-	Маркировка: V47.
Внимание! Прибор чув-
ствителен к статиче-
скому электричеству.
Корпус SC-88 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	База Т г2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ире	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	75	-	150	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 10 мА	-	12,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
|S21ef	S-параметр	Vce = ЗВ, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7,0	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 3 мА	100	-	145	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, lc = 3 мА Vcb = 3 В, lc = 20 мА	4,0	4,5 9,0	-	ГГц ГГц
|S21e|z	S-параметр	Vce= 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	2,5	3,5 6,5		ДБ ДБ
Cre	Проходная емкость	Vcb = 1 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,75	0,85	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb= 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц Vcb = ЗВ, lc = 7 мА, f = 2 ГГц	-	1,7 1,5	2,5	ДБ ДБ
100 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	В состав сборки
входят два малошу-
мящих 1ранзисюра
Tr 1 -- 2SC5010 и
Tr2 - 2SC5007
-	Маркировка' 89.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
	Тг 1							
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		9		В__
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-		30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	180	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc - 10 мА	75	-	150	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = ЗВ, 1е=10мА	10,0	12,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
|S21e|'	S-параметр	Vce = ЗВ, lc = 10 мА, (=2ГГц	7,0	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1.5	2,5	ДБ
		Tr2							
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1.5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	65	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 10 В, 1е = 0	-	-	0,8	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,8	мкА
Ирг	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	70	-	150	-
h	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, lc = 7 мА	4,5	7,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = ЗВ, le = 0 мА, f=1 МГц	-		0,9	пФ
|S2l/	S-параметр	Vce = 3 В, lc = 7 мА, f = 1 ГГц	10,0	12,0		ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 3 В, lc = 7 мА, f = 1 ГГц	-	1.4	2,7	ДБ
Транзисторы производства NEC 101
Особенности
- В состав сбор-
ки входят два
малошумящих
транзистора
Тг 1 - 2SC5603
и Тг2 - 2SC5600.
- Маркировка:
2С.
Внимание!
Прибор чувст-
вителен к ста-
Корпус
6PFLTTUSminimold
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
1,5±O,1
тическому
электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,2	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,2	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 5 мА	60	90	150	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 5 мА	12,0	13,5	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,25	0,5	пФ
|S21e|2	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц	8,5	10,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = ЗВ, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
Jc		Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc		Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
Ьге	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 5 мА	100	-	160	
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, lc = 5 мА Vcb =1 В, lc = 15 мА	3,5 5,5	5,0 6,5	-	ГГц ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 0,5 В, 1е = 0мА,(=1 МГц	-	0,8	1,0	пФ
|S21e|2	S-параметр	Vce =1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц Vce= 1 В, lc = 15 мА, f= 2 ГГц	3,5 4,5	4,0 5,5	-	ДБ ДБ
NF		Коэффициент шума	Vcb= 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
102 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	Прибор предназначен для
работы в схемах генерато-
ров, в качестве генератора с
низким уровнем фазового
шума используется транзи-
стор Тг 2, транзистор Tr 1
используется в буферном
каскаде.
-	В состав сборки входят
два малошумящих транзи-
стора Tr 1 - 2SC5737 и
Tr2 - 2SC5736.
-	Маркировка: vH.
Внимание! Прибор чувст-
вителен к статическому
электричеству.
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Т г1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	База Т г2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	* 0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 10 мА	70	110	140	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 10 мА	10,0	12,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
|S21ef	S-параметр	Vce =1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7,0	9,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,0	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	3	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	190	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 5 мА	100	112	145	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, lc = 5 мА Vcb =1 В, lc = 15 мА	4,5 5,5	5,0 6,5	-	ГГц ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 0,5 В, 1е = 0мА, f = 1 МГц	0,45	0,59	0,75	пФ
|S21ef	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц Vce = 1 В, lc = 15 мА, f = 2 ГГц	3,5 4,5	4,0 6,0		ДБ ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 103
Особенности
- Прибор предназначен для
работы в схемах генерато-
ров, в качестве генератора с
низким уровнем фазового
шума используется транзи-
стор Тг 2, транзистор Tr 1
используется в буферном
каскаде.
-	В состав сборки входят
два малошумящих транзи-
стора Tr 1 - 2SC5435 и
Tr2 - 2SC5745.
-	Маркировка: vL.
Внимание! Прибор чувст-
вителен к статическому
электричеству.
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	180	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	75	110	150	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 3 В, le = 10 мА	10,0	12,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
|S21e|2	S-параметр	Vce = 3 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7,0	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = ЗВ, lc = 3 мА, f = 2 ГГц		1,5	2,5	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	1.5	В
Jc		Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc		Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	190	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0		-	0,1	мкА
Ьре		Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 10 мА	100	-	145	
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, lc= 10 мА	4,0	5,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	0,65	0,75	0,85	пФ
lW	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	3,0	4,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb= 1 В, !с= 10мА,Г=2ГГц	-	2,0	3,0.	ДБ
104 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор предназначен для
работы в схемах генерато-
ров, в качестве генератора с
низким уровнем фазового
шума используется транзи-
стор Тг 2, транзистор Тг 1
используется в буферном
каскаде.
-	В состав сборки входят
два малошумящих транзи-
стора Тг 1 - 2SC5737 и
Tr2 - 2SC5745.
-	Маркировка: vN.
Внимание! Прибор чувст-
вителен к статическому
электричеству.
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-		0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 10 мА	70	-	140	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 10 мА	10,0	12,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
|S21ef	S-параметр	Vce =1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7,0	9,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb =1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,0	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	15	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	190	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 10 мА	100	-	145	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =1 В, lc = 10 мА	4,0	5,5	-	ГГц
|S21e|z	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	3,0	4,5	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vcb = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	0,65	0,75	0,85	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	-	2,0	3,0	ДБ
Транзисторы производства NEC 105
Особенности
- Прибор предназначен для
работы в схемах генерато-
ров, в качестве генератора с
низким уровнем фазового
шума используется транзи-
стор Тг 2, транзистор Tr 1
используется в буферном
каскаде.
-	В состав сборки входят
два малошумящих транзи-
стора Tr 1 - 2SC5737 и
Tr2 - 2SC5676.
-	Маркировка’ vT.
Внимание! Прибор чувст-
вителен к статическому
электричеству.
Корпус 6PLLminimokl
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 10 мА	70	110	140	-
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 10 мА	10,0	12,0	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vcb = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
|S21ef	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7,0	9,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1.5	2,0	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
Jc		Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc		Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	190	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,2	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,2	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 10 мА	100	-	160	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, 1с = 10 мА	4,0	5,5	-	ГГц
lW	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	2,5	4,0	-	ДБ
NF		Коэффициент шума	Vcb = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	-	1.8	3,0	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vcb = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,9	1,2	пФ
106 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор предназначен
для работы в схемах
генераторов, в качестве
генератора с низким
уровнем фазового шума
используется транзи-
стор Тг 2, транзистор
Tr 1 используется в
буферном каскаде.
-	В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора Tr 1 -
2SC5435 иТг2-
2SC5786.
-	Маркировка: vV.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
ВУ-
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
, Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	180	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 10 мА	75	-	140	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 3 В, lc = 10 мА	10	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f.= 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
is2,.|z	S-параметр	Vce = 3 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 3 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3,0	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1.5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	105	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 5 мА	50	75	100	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 20 мА	17,0	20,0	-	ГГц
|S2,ef	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц	11,0	13,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,22	0,3	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц	-	1.4	2,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 107
Особенности
- Прибор предназначен
для работы в схемах ге-
нераторов, в качестве
генератора с низким
уровнем фазового шума
используется транзистор
Тг 2, транзистор Тг 1 ис-
пользуется в буферном
каскаде.
-	В состав сборки входят
два малошумящих тран-
зистора Тг 1 - 2SC5185 и
Tr2 - 2SC5787.
-	Маркировка: vX.
Внимание! Прибор чув-
ствителен к статиче-
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Т г2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
скому электричеству.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 10 мА	70	-	110	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 1 В, lc = 10 мА	10	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,8	пФ
is21ef	S-параметр	Vce =1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7	9	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 1 В, lc = 3 мА, f= 2 ГГц	-	1,5	2,0	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3,0	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	35	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	105	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 5 мА	50	75	100	-
h	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 20 мА	17,0	20,0	-	ГГц
|S21ef	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц	11,0	13,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,22	0,3	пФ
NF		Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц	-	1,4	2,5	ДБ
108 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	Прибор предназначен
для работы в схемах
генераторов, в качестве
генератора с низким
уровнем фазового шума
используется транзи-
стор Тг 2, транзистор
Tr 1 используется в бу-
ферном каскаде.
-	В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора Tr 1 -
2SC5435 иТг2-
2SC5800.
-	Маркировка: vY.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Т г1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	База Т г2
5	Эмиттер Т г2
6	База Тг1
5ш ci
ВУ-
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	180	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
I'Ve	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 10 мА	75	-	110	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 3 В, lc = 10 мА	10	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
is21ef	S-параметр	Vce = 3 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 3 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	192	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	100	120	145	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 15 мА	5,0	6,5	-	ГГц
|S21ef	S-параметр	Vce =1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,6	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц	-	1,9	2,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 109
Особенности
-	Прибор предназначен
для работы в схемах гене-
раторов, в качестве гене-
ратора с низким уровнем
фазового шума использу-
ется транзистор Тг 2,
транзистор Tr 1 использу-
ется в буферном каскаде.
- В состав сборки входят
два малошумящих тран-
зистора Tr 1 - 2SC5435 и
Tr2 - 2SC5800.
-	Маркировка: vY.
Внимание! Прибор чув-
ствителен к статическо-
му электричеству.
Корпус 6PsuperLLM
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
1,O±O.O5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	180	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 10 мА	75	-	110	-
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 3 В, lc = 10 мА	10	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
iW	S-параметр	Vce = ЗВ, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 3 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc		Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc		Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	192	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	100	120	145	-
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 15 мА	5,0	6,5	-	ГГц
|S21e|2	S-параметр	Vce =1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,6	0,8	пФ
NF		Коэффициент шума	Vcb = 1 В, !е = 10 мА, f = 2 ГГц	-	1,9	2,5	ДБ
ПО Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор предназначен
для работы в схемах
генераторов, в качестве
генератора с низким
уровнем фазового шума
используется транзи-
стор Тг 2, транзистор
Тг 1 используется в бу-
ферном каскаде.
-	В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора Тг 1 -
2SC5436 иТг2-
2SC5800.
-	Маркировка: хС.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
ву.
Корпус 6PLL mini mold
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Т г1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 10 мА	70	110	140	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce =1 В, lc = 10 мА	10	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
|S21ef	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7,0	9,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,3	2,0	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	192	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	100	120	145	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le= 15 мА	5,0	6,5	-	ГГц
|S2iel2	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,6	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le - 10 мА, f = 2 ГГц	-	1,9	2,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 111
Особенности
- Прибор предназначен
для работы в схемах ге-
нераторов, в качестве
генератора с низким
уровнем фазового шума
используется транзистор
Тг 2, транзистор Tr 1 ис-
пользуется в буферном
каскаде.
-	В состав сборки входят
два малошумящих тран-
зистора Tr 1 - 2SC5436 и
Tr2-2SC5800.
-	Маркировка: хС.
Внимание! Прибор чув-
ствителен к статиче-
скому электричеству.
Корпус 6PsuperLLM
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Т г2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 10 мА	70	110	140	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce =1 В, lc = 10 мА	10	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
|S21ef	S-параметр	Vce= 1 В, lc = 10 мА, (=2ГГц	7,0	9,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce =1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,3	2,0	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
_lc		Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc		Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	192	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	100	120	145	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 15 мА	5,0	6,5	-	ГГц
|S21e|2	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 5 мА, f = 2 ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,6	0,8	пФ
NF		Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц	-	1,9	2,5	ДБ
112 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	Прибор предназна-
чен для работы в
схемах генераторов с
низким уровнем фа-
зового шума.
-	В состав сборки
входят кремниевый
транзистор с высо-
ким значением коэф-
фициента усиления
Tr 1 (2SC5435) и
кремний-
германиевый Тг 2
(NESG2107M33).
-	Маркировка: xF.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
Корпус 6PsuperLLM
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
1,5±O,1
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
	Тг1							
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	6	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	110	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 10 мА	75		150	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 3 В, lc = 10 мА	10	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 3 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0»4	0,7	пФ
|S21ef	S-параметр	Vce = ЗВ, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7	8,5	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce = 3 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,5	2,5	ДБ
	Tr2							
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	13	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,0	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	110	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 5 мА	140	180	220	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =1 В, le = 20 мА	-	17,0	-	ГГц
|S21elZ	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц	-	10,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 1 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,5	0,7	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 5 мА, Г=2ГГц	-	0,9	1,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 113
Особенности
-	Прибор предназна-
чен для работы в схе-
мах генераторов с
низким уровнем фазо-
вого шума.
-	В состав сборки вхо-
дят кремниевый тран-
зистор с высоким
значением коэффици-
ента усиления Тг 1
(2SC5436) и кремний-
германиевый Тг 2
(NESG2107M33).
-	Маркировка: хН.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
Корпус 6PsuperLLM
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
тическому электри-
честву.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	5	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	3	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	2	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	30	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	90	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 10 мА	70	110	140	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 1 В, lc = 10 мА	10	12	-	ГГц
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,4	0,7	пФ
|S21e|2	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 10 мА, f = 2 ГГц	7,0	9,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce =1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	1,3	2,0	ДБ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	13	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,0	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	в
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	110	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 5 мА	140	180	220	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 20 мА	-	17,0	-	ГГц
|S21e|2	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц	-	10,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 1 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,5	0,7	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц	-	0,9	1,5	ДБ
114 Транзисторы производства NEC
Особенности
- Прибор предназначен для
работы в схемах генерато-
ров с низким уровнем фа-
зового шума.
- В состав сборки входят
кремниевый транзистор с
высоким значением коэф-
фициента усиления Tr 1
(NESG2046M33) и крем-
ний-германиевый Тг 2
(2SC5800).
- Маркировка: xJ.
Внимание! Прибор чувст-
вителен к статическому
электричеству.
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		13	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-			1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	40	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	190	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, 1е = 0		-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 2 мА	140	180	220	-
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce = 1 В, lc = 15 мА	15	18	-	ГГц
|S?1e|2	S-параметр	Vce=1 В, lc = 15 мА, f = 2 ГГц	11,0	13,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce=1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	0.8	1,5	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 1,0 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,2	0,4	пФ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	13	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	190	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb=1 В, !с = 0	-	-	0,6	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	100	120	145	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb=1 В, 1е=15мА	5,0	6,5	-	ГГц
|S2iel"	S-параметр	Vce=1 В. lc = 15 мА, f = 2 ГГц	4,5	5,5	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц		0,6	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb=1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц	-	1,9	2,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 115
Особенности
- Прибор предназна-
чен для работы в
схемах генераторов с
низким уровнем фа-
зового шума.
-	В состав сборки
входят кремниевый
транзистор с высо-
ким значением коэф-
фициента усиления
Тг 1 (NESG2046M33)
и кремний-
германиевый Тг 2
(2SC5800).
-	Маркировка. xJ.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
честву.
Корпус 6PsuperLLM
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	13	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	40	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	190	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 2 мА	140	180	220	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce =1 В, lc = 15 мА	15	18	-	ГГц
is2ier	S-параметр	Vce = 1 В, lc = 15 мА, f = 2 ГГц	11,0	13,0	-	ДБ
NF		Коэффициент шума	Vce = 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	0,8	1,5	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce =1,0 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,2	0,4	пФ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	13	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
Jc		Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc		Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	190	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	100	120	145	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 15 мА	5,0	6,5	-	ГГц
|S21e|Z	S-параметр	Vce =1 В, lc = 15 мА, f = 2 ГГц	4,5	5,5	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,6	0,8	пФ
NF		Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц	-	1,9	2,5	ДБ
116 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	В состав сборки
входят два мало-
шумящих транзи-
стора 2SC5800.
-	Маркировка: 3F.
Внимание! При-
бор чувствителен
к статическому
электричеству.
Корпус
6PFLTTUSminimoId
(NEC) __________
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	Эмиттер Тг2
5	База Тг2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 5 мА	100	-	145	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 5 мА	3,0	4,5	-	ГГц
is21er	S-параметр	Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 1 ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,6	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц	-	1,9	2,5	ДБ
Особенности
-	В состав сборки вхо-
дят два малошумящих
транзистора 2SC5800.
-	Маркировка: cP.
Внимание! Прибор
чувствителен к стати-
ческому электричест-
ву-
Корпус 6PLLminimold
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	Эмиттер Тг2
5	База Т г2
6	База Тг1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	члА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 5 мА	100	-	145	-
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =1 В, le = 5 мА	3,0	4,5	-	ГГц
|S2ie|2	S-параметр	Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 1 ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,6	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц	-	1,9	2,5	ДБ
Транзисторы производства NEC	117
Особенности
-	В состав сборки
входят два мало-
шумящих транзи-
стора 2SC5800.
-	Маркировка: cP.
Внимание! При-
бор чувствителен
к статическому
электричеству.
Корпус
6PsuperLLM (NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Т г2
4	Эмиттер Тг2
5	База Т г2
6	База Тг1
1,0±0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 5 мА	100	-	145	-
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 5 мА	3,0	4,5	-	ГГц
|S21ef	S-параметр	Vcb = 1 В, le = 5 мА, f= 1 ГГц	3,0	4,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,6	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 10 мА, f = 2 ГГц	-	1,9	2,5	ДБ
118 Транзисторы производства NEC
Особенности
-	Прибор предназна-
чен для работы в схе-
мах генераторов с
низким уровнем фазо-
вого шума.
-	В состав сборки вхо-
дят два кремний-
германиевых транзи-
стора - Тг 1 '
(NESG2046M33) и
Тг 2 NESG2046M33).
- Маркировка: хК.
Внимание! Прибор
чувствителен к ста-
тическому электри-
честву.
Корпус
6PsuperLLM (NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
з	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Тг1
1,O±O,O5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Тг 1						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	13	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-		-	40	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	110	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 2 мА	140	180	220	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vce =1 В, lc = 15 мА	15	18	-	ГГц
|S21ef	S-параметр	Vce =1 В, lc = 15 мА, f = 2 ГГц	11,0	13,0	-	ДБ
NF	Коэффициент шума	Vce= 1 В, lc = 3 мА, f = 2 ГГц	-	0,8	1,5	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 1,0 В, le = 0 мА, f=1 МГц	-	0,2	0,4	пФ
Tr2						
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	13	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	110	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,1	мкА
hfE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 5 мА	140	180	220	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 20 мА	-	17,0	-	ГГц
is21er	S-параметр	Vce =1 В, lc = 20 мА, f = 2 ГГц	-	10,0	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 1,0 В, le = 0 мА, f = 1 МГц	-	0,5	0,7	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц	-	1,9	1,5	ДБ
Транзисторы производства NEC 119
Особенности
- В состав сборки
входят два мало-
шумящих транзи-
стора 2SC5600.
- Маркировка: 4В.
Внимание! При-
бор чувствителен
к статическому
электричеству.
Корпус
6PFLTTUSminimold
(NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	База Т г1
1,5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =1 В, lc = 5 мА	100	-	160	-
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb= 1 В, le = 15 мА	5,5	6,5	-	ГГц
|S21e|2	S-параметр	Vcb = 1 В, le = 15 мА, f = 1 ГГц	4,5	5,5	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vce = 0,5 В, le = 0 мА, f= 1 МГц	-	0,8	1,0	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, le = 5 мА, Т=2ГГц	-	1.5	2,5	ДБ
Особенности	Корпус 6PLLminimold						+0.07 1,2 -0.05						
- В состав сборки входят два малошумящих тран- зистора 2SC5600. - Маркировка: кН. Внимание! Прибор чув- ствителен к статиче- скому электричеству.		(NEC) Вывод	Функциональное назначение			зГП гГП 11'1	о 6 +1 о	Г Ц Т.1 Jk ~fer2				
							1	.	Г— !	!	1 !	•	!						
		1	Коллектор Тг1									
		2 3	Эмиттер Тг1 Коллектор Т г2					I 1	I 2	I				I 3
		4	База Т г2									
		5	Эмиттер Тг2			“Ы 5Ы 							
		6	База Тг1									
Предельно допустимые и основные электрические параметры -												
Сим- вол	Параметр			Условия			Мин. зна- чение		Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы	
Vcbo	Напряжение коллектор-база			-			-		-	9	В	
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер			-			-		-	5,5	В	
Vebo	Напряжение эмиттер-база			-			-		-	1.5	В	
lc	Ток коллектора			-			-		-	100	мА	
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе			Т = 25°С			-		-	200	мВт	
Icbo	Обратный ток коллектора			Vcb = 5 В, le = 0			-		-	0,6	мкА	
lebo	Обратный ток эмиттера			Veb = 1 В, lc = 0			-		-	0,6	мкА	
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ			Vce =1 В, lc = 5 мА			100		-	160	-	
Ь	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания			Vcb =1 В, le = 15 мА			5,5		6,5	-	ГГц	
|S21e|2	S-параметр			Vcb = 1 В, 1е=15мА, f=1 ГГц			4,5		5,5	-	ДБ	
Cre	Проходная емкость			Vce = 0,5 В, le = 0 мА f = 1 МГц			-		0,8	1,0	пФ	
NF	Коэффициент шума			Vcb = 1 В, le = 5 мА, f = 2 ГГц			-		1,5	2,5	ДБ	
120 Транзисторы производства NEC
Особенности	Корпус 6PLLminimold						+0,07 1,2 -0.05						
- В состав сборки входят два малошумящих тран- зистора. - Маркировка: кР. Внимание! Прибор чув- ствителен к статиче- скому электричеству.		(NEC) Вывод	Функциональное назначение			зГП гГП i|'|	—	г ч				
						!	!	i !	!	i ‘	!	i !	!	i	in О О +1 О					
		1	Коллектор Тг1									
		2 3	Эмиттер Тг1 Коллектор Т г2					I 1	I2	I				3
		4	База Т г2			рГ.у .т.т- -. 1									
		5	Эмиттер Тг2		-ш									
		6	База Тг1									
Предельно допустимые и основные электрические параметры												
Сим- вол	Параметр			Условия			Мин. зна- чение		Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы	
Vcbo	Напряжение коллектор-база			-			-		-	9	В	
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер			-			-		-	5,5	В	
Vebo	Напряжение эмиттер-база			-			-		-	1,5	В	
lc	Ток коллектора			-			-		-	100	мА	
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе			Т = 25°С			-		-	190	мВт	
Icbo	Обратный ток коллектора			Vcb = 10 В, le = 0			-		-	0,6	мкА	
lebo	Обратный ток эмиттера			Veb = 1 В, lc = 0			-		-	0,6	мкА	
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ			Vce = 3 В, lc = 7 мА			100		120	145	-	
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания			Vcb = 1 В, 1е=15мА			5,0		6,5	-	ГГц	
is21ef	S-параметр			Vcb = 1 В, 1е=15мА, f=1 ГГц			4,5		5,5	-	ДБ	
Cre	Проходная емкость			Vcb = 3 В, le = 0 мА f = 1 МГц			-		0,6	0,8	пФ	
NF	Коэффициент шума			Vcb = 1 В, 1е = 10 мА, f= 2 ГГц			-		1,0	2,5	ДБ	
Особенности
- В состав сборки
входят два мало-
шумящих транзи-
стора.
- Маркировка: кР.
Внимание! Прибор
чувствителен к
статическому
электричеству.
Корпус
6PsuperLLM (NEC)
Вывод	Функциональное назначение
1	Коллектор Тг1
2	Эмиттер Тг1
3	Коллектор Тг2
4	База Тг2
5	Эмиттер Тг2
6	БазаТН
1,O±O.O5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Сим- вол	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	9	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	5,5	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	1,5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	110	мВт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, le = 0	-	-	0,6	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 1 В, lc = 0	-	-	0,6	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 3 В, lc = 7 мА	100	120	145	-
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 1 В, le = 15 мА	5,0	6,5	-	ГГц
|S21ef	S-параметр	Vcb= 1 В, 1е= 15 мА, f=1 ГГц	4,5	5,5	-	ДБ
Cre	Проходная емкость	Vcb = 3 В, le = 0 мА f=1 МГц	-	0,6	0,8	пФ
NF	Коэффициент шума	Vcb = 1 В, 1е=10мА, (=2ГГц	-	1,0	2,5	ДБ
Транзисторы производства PANASONIC 121
Особенности
-	Малое напряжение
шумов.
-	Малое напряжение
насыщения.
-	Маркировка: 1Z + бук-
ва, соответствующая
значениям hEE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	15	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	400	1000	2000	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1,0 мА	-	0,05	0,2	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le =-1 мА	-	120	-	МГц
1Z	R	S	т
Hfe	400 800	600 1200	1000 2000
Особенности
-	Прибор разработан для
использования в выход-
ных каскадах усиления
НЧ-сигналов.
-	Малое напряжение
насыщения.
-	Маркировка: Т + бук-
ва, соответствующая
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
значениям hFE
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	40	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	3	А
Icp	Ток коллектора импульсный				5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vce =10 В, lb = 0			0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 500 мА'	230		600	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 3A, lb= 100 мА	-	-	1,0	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 6 В, le = -50 мА	-	150	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 20 В, le = O,f= 1 МГц	-	-	50	пФ
Т	Q	R
Ьре	230 380	340 600
122 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Высокое значение
напряжения Vebo
- Малое напряжение
насыщения.
-	Маркировка: IV +
буква, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|4-|	
	<4 О й
’Й 2Й_	
2,9±О,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	100	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	100	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	15	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 60 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Vce = 60 В, lb = 0	-	-	1,0	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	400	-	1200	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1,0 мА	-	0,05	0,2	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	100	-	МГц
1V	R	S
hFE	400 800	600 1200
Особенности
-	Встроенный стабили-
трон.
-	Малое напряжение
насыщения.
-	Маркировка: 2А +
буква, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	20 ±ЗВ	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20 ±3 В	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	7	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =10 В, 1е = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	1с=100 мА, 1Ь = 10мА	-	-	0,5	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = -2 мА	-	150	-	МГц
2А	Q	R	S
hFE	160...260	210.340	290 ..460
Транзисторы производства PANASONIC 123
Особенности
-	Прибор разработан для
работы в усилительных
каскадах и ключевых
схемах.
-	Малое напряжение
насыщения.
-	Маркировка- 1D +
буква, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	12	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 25 В, le = 0	-	-	100	нА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 500 мА	200	-	800	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, lb = 10 мА	-	-	0,4	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 100 мА, lb = 50 мА	-	-	1,2	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = -50 мА	-	200	-	МГц
1D	R	S	т
Ьре	200 350	300 500	400 800
Особенности
-	Прибор разработан для
работы в усилительных
каскадах и ключевых
схемах.
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка- 2N +
буква, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
pic2 Dari +RES 6
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	25	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				0,75	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 25 В, le = 0	-	-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 4 В, lc = 0	-	-	100	нА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 500 мА	4000	-	20000	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 500 мА, lb = 0,5 мА	-	-	2,5	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -50 мА	-	200	-	МГц
2N	Q	R
hFE	4000 10000	8000..20000
124 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Прибор разработан для
работы в усилительных
каскадах и ключевых
схемах.
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 20 +
буква, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		60	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора		-	-	500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				0,75	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 25 В, le = 0		-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 4 В, lc = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 500 мА	4000	-	20000	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 500 мА, lb = 0,5 мА	-	-	2,5	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -50 мА	-	200	-	МГц
20	Q	R
±££.	4000 10000	8000 ..20000
Особенности
-	Прибор разработан для
работы в усилительных
каскадах и ключевых
схемах.
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: Р + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
pic2 Dari +RES
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	100	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	80	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 25 В, le = 0	-	-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 4 В, lc = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =10 В, lc = 500 мА	4000	-	40000	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 1 A, lb = 1,0 мА	-	-	1,8	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	1с = 1 A, lb = 1,0 мА	-	-	2,2	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, !е = -50 мА	-	150	-	МГц
R	Сопротивление встроенного резистора		-	200	-	Ом
Р	Q	R	S
hFE	4000. 10000	8000...20000	16000 . 40000
Транзисторы производства PANASONIC 125
Особенности
-	Встроенный стабили-
трон.
-	Малое напряжение
насыщения.
-	Маркировка: N 4- бук-
ва, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	18 ±5 В	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	18 ±5 В	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	, 5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				1000	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,2	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 5 В, le = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 0,5 мА	200	-	800	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 500 мА, lb = 20 мА	-	0,13	0,4	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 0,5 A, lb = 50 мА	-	-	1,2	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	170	-	МГц
N	R	S	т
Ьре	200 350	300 500	400 . 800
Особенности
- Малое напряжение
насыщения.
-Маркировка: 1Z + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	15	В
lc	Ток коллектора	-		-	50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	100	нА
hFe	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	400	1000	2000	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1,0 мА	-	0,05	0,2	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	120	-	МГц
1Z	R	S	т
hF^	400 800	600.. 1200	1000 2000
126 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Высокое значение напряжения
Vebo
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: IV + буква, соот-
ветствующая значениям hFE..
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
....зРГ~
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	100	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	100	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	15	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 60 В, le =,0	-	-	0,1	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Vce = 60 В, lb = 0	-	-	1.0	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	400	-	1200	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1,0 мА	-	0,05	0,2	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	100	-	МГц
1V	R	S
hFE	400 800	600. .1200
Особенности	Корпус SC-59 (EIAJ)		зШ		
-	Прибор разработан для работы в усилительных кас- кадах и ключевых схемах. - Малое напряжение насы- щения. -	Маркировка: 3W или 3W + буква, соответствующая значениям hFE	Вывод	Функциональное назначение			см 6 S см’
	1	База			
	2	Эмиттер			
	3	Коллектор		’Й 2Й_ 2,9±0,2	
					
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	25	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	300	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 50 В, le = 0	-	-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Vce = 25 В, lb = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 4 мА	500	-	2500	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 30 мА, lb = 3,0 мА	-	-	0,1	В
b	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, 1е = -1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f= 1 МГц	-	4,5	-	пФ
3W	S	т
Иге	500. 1500	800...2500
Транзисторы производства PANASONIC 127
Особенности
-	Прибор разработан для работы в
усилительных каскадах и ключевых
схемах.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: 3W + буква, соответ-
ствующая значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	1LJ		
		6 +1 М*
		
	2,0±0,2 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	25	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	300	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 50 В, le = 0	-	-	100	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Vce = 25 В, lb = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 4 мА	500	-	2500	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 30 мА, lb = 3,0 мА	-	-	0,1	В .
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f=1 МГц	-	-	4,5	пФ
3W	S	т
hpE	500 1500	800. 2500
Особенности
-	Прибор разработан для работы в
усилительных каскадах и ключе-
вых схемах.
-	Малое напряжение насыщения.
-	Маркировка: IK + буква, соответ-
ствующая значениям hFE
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
4.5±0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	12	В
lc	Ток коллектора	-	-		0,5	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1.0	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb =	10 В, le = 0	-	-	1	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 500 мА	200	-	800	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 0,5 A, lb = 20 мА	-	-	0,4	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 0,5 A, lb = 50 мА	-		1.2	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -50 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 10 В, le = 0, f=1 МГц	-	-	10	пФ
IK	R	S	т
Ире	200 350	300 ..500	400. .800
128 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Прибор разработан для исполь-
зования в схемах усиления НЧ-
сигналов.
-	Низкий уровень шумов.
-	Комплементарная пара с
2SB1463J.
-	Маркировка: Р + буква, соответ-
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|,|	
1 i i	tf) О 6 +1
iHJ 1 2[Ч_	
l-pj	1 - - +О.О5 1.6 -0.03	
ствующая значениям hFE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	150	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	150	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vce = 100 В, lb = 0	-	-	1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 10 мА	130		330	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 30 мА, lb = 3 мА	-	-	1	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 10 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f = 1 МГц	-	4	-	пФ
NV	Напряжение шума	Vce = 10 В, lc= 1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	-	150	мВ
Р	R	S
hFE	130 220	185 .330
Особенности
-	Малое напряжение
шумов.
-	Малое напряжение
насыщения.
-	Маркировка: 1Z + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-75 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	40	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	15	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	50	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 20 В, le = 0	-	-	100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	400	1000	2000	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1,0 мА	-	0,05	0,2	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	120	-	МГц
1Z	R	S	т
»hFE	400 ..800	600... 1200	1000...2000
Транзисторы производства PANASONIC 129
Особен - Высок напряж - Малое насыще - Марк!	hocth	Корпус SC-62 (EIAJ)			45±<м					
	:oe значение	Вывод фУнкЦиональное	("	I р.ния Vrhn	д назначение		L	J						
	напряжение	1	База			ю см 6 •н о г			
	н и я /	2	Коллектор					
	тонка- 1S	3	Эмиттер	I I					
						
						
предельно допустимые и основные элект		рические параметры				
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	400	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	400	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				200	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, lc = 30 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 50 мА, lb = 5,0 мА	-	0,05	1,5	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 50 мА, lb = 5,0 мА	-	-	1,5	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 30 В, le = -20 мА	-	40	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb = 30 В, le = 0, f = 1 МГц	-	-	7	пФ
Особенности
-	Встроенные компо-
ненты.
-	Малое напряжение
насыщения.
-Маркировка: 1Т
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	=60 В	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	=60 в	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 25 В, le = 0	-	-	1000	нА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 4 В, lb = 0	-	-	2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc= 1000 мА	6500	-	40000	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = 1,0 A, lb= 10 мА	-	-	1,8	В
Vbe sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 1,0 A, lb = 10 мА	-	-	2,2	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В; le = -50 мА	-	150	-	МГц
130 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Прибор разработан для
работы в усилительных
каскадах.
-	Малое напряжение
насыщения.
-	Маркировка: IV
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
4,5±0.1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	10	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	10	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-			7,5	В
lc	Ток коллектора	-		-	1,0	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом)	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 7 В, 1е = 0		-	1	мкА
bFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 1 В, lc = 400 мА	200	-	700	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 1,0 A, lb = 25 мА	-	0,17	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 6 В, le = -50 мА	-	190	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb=10B, 1е = 0Л=1МГц	-	50	-	пФ
Особенности
-	Прибор разработан для
использования в схемах
усиления НЧ-сигналов.
-	Малое напряжение
насыщения.
-	Маркировка: 2Е + бук-
ва, соответствующая
Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Коллектор
3	Эмиттер
значениям hFE
4,5±0,1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	150	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	150	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	1.0	А
Icp	Ток коллектора импульсный				1,5	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vce = 75 В, lb = 0	-	-	0,1	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, 1с = 100 мА Vce = 2 В, lc = 500 мА	120 40	-	340	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 500 мА, lb = 25 мА	-	0,11	0,3	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 0,5 A, lb = 25 мА	-	0,8	1,2	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 50 мА	-	90	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0,f=1 МГц	-	12	20	пФ
2Е	R	S
hFE	120 240	170. .340
Транзисторы производства PANASONIC 131
Особенности
-	Прибор разработан для
использования в схемах
усиления НЧ-сигналов.
-	Малое напряжение насы-
щения.
-	Малое напряжение шумов.
-	Маркировка: ЗВ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	100	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	100	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	15	В
lc	Ток коллектора	-	-		20	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,125	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 60 В, le = 0	-	-	0,1	мкА
Iceo	Обратный ток эмиттера	Vce = 60 В, lb = 0	-	-	1.0	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	400	-	1200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1 мА	-	-	0,2	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le =-2 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	4	-	пФ
NV	Напряжение шума	Vce = 10 В, lc = 1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	80	-	мВ
Особенности
-	11рибор разработан для
использования в схемах
усиления НЧ-сигналов.
-	Малое напряжение
насыщения.
-	Малое напряжение
шумов.
-	Маркировка: ЗВ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	100	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	100	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	15	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	20	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				50	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,1	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 60 В, le = 0			0,1	мкА
Ibeo	Обратный ток эмиттера	Vce = 60 В, lb = 0	-	-	1.0	мА
tv	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 2 мА	400	-	1200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА. lb = 1 мА	-	-	0,2	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, le = 0, f=1 МГц	-	4	-	пФ
NV	Напряжение шума	Vce = 10 В, lc = 1 мА, Gv = 80 дБ, Rg = 100 кОм	-	80	-	мВ
132 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Прибор разработан для
работы в усилительных
каскадах и ключевых
схемах.
-	Малое напряжение
насыщения.
-	Маркировка: 2V +
буква, соответствующая
значениям hFE.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		25	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	12	В
lc	Ток коллектора				500	мА
Icp	Ток коллектора импульсный				1	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	0,15	Вт
Icbo	Обратный ток коллектора	Vcb = 25 В, le = 0	-		100	нА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 2 В, lc = 500 мА	200	-	800	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = 100 мА, lb = 20 мА	-	0,14	0,4	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	lc = 100 мА, lb = 50 мА	-	-	1,2	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -50 мА	-	200	-	МГц
Cob	Выходная емкость	Vcb =10 В, 1е = 0, (=1МГц	-	-	10	пФ
2V	R	S	т
hFE	200..350	300...500	400...800
Транзисторы производства PANASONIC 133
Особенности	Корпус SC-59 (EIAJ)					R1
-	Встроенный резистор. -	Маркировка: 6L + бук- ва, соответствующая значениям hFE.	Вывод	Функциональное назначение		’Й 2Й_	см СО см	
	1	База				
	2	Эмиттер				
	3	Коллектор				
				2.9±0,2		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е=1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
6L	Q	R	S
hFE	160 260	210 340	290 460
Особенности
- Встроенные
резисторы.
- Маркировка:
6А
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		-6	В
lc	Ток коллектора		-		-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,5	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	35	-	-	
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-		-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е=1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1			10		кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
134 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: 6М.
Корпус SC-59 (E1AJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-		-6	В
lc	Ток коллектора			-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	30	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-		47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности	Корпус SC-59 (EIAJ)			зЩ		ri R2
-	Встроенные рези- сторы. -	Маркировка: 6N	Вывод	Функциональное назначение			см 6 8 см	
	1	База				
	2	Эмиттер				
				’й 2Й_ 2,9±0,2		
	3	Коллектор				
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. зна- чение	Макс, значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 135
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 60
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности	Корпус SC-59 (EIAJ)		зЩ			R1 R2
-	Встроенные рези- сторы. -	Маркировка: 6Р	Вывод	Функциональное назначение		2±_	см (Ч	
	1	База				
	2	Эмиттер				
	3	Коллектор				
				2,9±0,2		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	*	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
b-	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-		2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
136 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 6Q.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное ' назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база			-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	4,7	-	кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EI
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	зЩ		
		СМ о* §
’В	1	2Й_	
	2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	г	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,2	мА
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 137
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: EW
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2,9±0,2
СМ
8
со
СМ*
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,2	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е=1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: EY
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-6,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
Ь	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е=1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
138 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности	Корпус SC-59 (EIAJ)		
- Встроенные рези-	Вывод Функциональное		
сторы.	назначение	о 41	R1
- Маркировка: FC.	1	База	СО СМ*	
	2	Эмиттер 3	Коллектор	’Й 2Й	]	R2
		2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0		-	-2,0	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	6	-	20	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА		-0,07	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	2,2	-	кОм
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 7F.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,1	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	80	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
<T	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е=1 мА	-	80	-	МГц
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	100	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 139
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: FE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,4	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	60	-	200	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
Гт	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм

Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 6В
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	6 •Н со С4
’Ш 2Й_	
2.9±0.2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-		-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	—	-	•22	-	кОм
140 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: 6С.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-		-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	V<Je = -5OB, lb = 0			-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb =-6 В, 1с = 0	-	-	-0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	80			
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА			-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6D.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	зШ		
		сч S 3
	2Ш_	
	2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	в
lc	Ток коллектора	-	-		-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0		-	“0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА		-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le= 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-		10		кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	—	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 141
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 6Е + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з£т
’Й 2 2.9±0,2	Й	сч о* а <ч*
		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
<T	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
6Е	Q	R	S
Ьее	160 260	210 340	290 460
Особенности	Корпус SC-59 (EIAJ)			зЩ		R1
-	Встроенный резистор. -	Маркировка: 6F + бук- ва, соответствующая значениям hFE	Вывод	Функциональное назначение				
					(Ч 6 +1 со сч*	
	1	База				
	2	Эмиттер				
				’Й 2Й_		
	3	Коллектор				
				2,9±0,2		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-			-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		-6	В
lc	Ток коллектора	-	-		-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,01	мА
hfE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА		-	-0,25	В
Гт	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
6F	Q	R	S
hFE	160 ..260	210 .340	290 460
142 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 6Н +
буква, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В. lc = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le= 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
6Н	Q	R	S
hFE	160 260	210 340	290. .460
Особенности	Корпус SC-59 (EIAJ)			зЩ		R1	/1/ R2
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: 61	Вывод	Функциональное назначение		’Ш 2й_	см 6 Н со <м‘	
	1	База				
	2	Эмиттер				
	3	Коллектор				
				2,9±0.2		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	20	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	0,51	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	5,1	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 143
Особенности	Корпус SC-59 (EIAJ)			зЩ		R1	/«X R2
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: 6К	Вывод	Функциональное назначение		2й_	СМ 6 +1 со сч	
	1	База				
	2	Эмиттер				
	3	Коллектор				
				2,9±0.2		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-1,5	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	1	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 7А
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
. зЩ .	
	(Ч 6 S <ч
’Й 2Й_	
2.9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-1.0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-5,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -100 мА	40	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -100 мА, lb = 5,0 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 50 мА	-	200	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	2,2	-	кОм
144 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 7В
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2,9±0.2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, 1с = -100 мА	50	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -100 мА, lb = -5,0 мА	-	-	-0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 50 мА	-	200	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	4,7	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 7С.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, 1с = -100 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -100 мА, lb = -5,0 мА	-	-	-0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 50 мА	-	200	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10 .	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 145
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 7D
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, 1с = -100 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -100 мА, lb = -5,0 мА	-	-	-0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 50 мА	-	200	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка- EV
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зСГ
<ч
о
41
СО
СЧ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-30	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-3	В
lc	Ток коллектора	-		-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -30 В, lb = 0	-		-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -3 В, lc = 0	-	-	-0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	80	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -50 мА, lb = -0,33 мА	-	-	-1,2	В
f?	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1,0 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10		кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
146 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 71.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора		-	-	-500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-2,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-5,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, 1с = -100мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 50 мА	-	200	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	0,27	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	5	-	кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 7Y
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	2.8±О.2
«Й 2±_	
2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-2,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-5,0	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -100 мА	50	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -50 мА, lb = 5,0 мА	-	-	-0,2	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 50 мА	-	200	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	3,1	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	4,6	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 147
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 8L + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-		-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,01	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
8L	Q	R	S
Ьре	160 .260	210 340	290 460
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 8А
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное' назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,5	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	35	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
148 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: 8М.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин, значение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	30	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			10		кОм
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: 8N.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	60	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le =-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			22		кОм
Транзисторы производства PANASONIC 149
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: 80
SC-59
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	
	§
’Й 2Й_	
2.9±0.2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	30	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150 .	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			10		кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 8Р
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2.9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0		-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0		-	1.0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	20	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le =-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			4,7		кОм
150 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: 8Q
Корпус SC-59 (E1AJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			4,7		кОм
Особенности
-	Встроенные ре-
зисторы.
-	Маркировка: EL.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-		47		кОм
Транзисторы производства PANASONIC 151
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: ЕХ.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	
	2,8±0.2
’Й гЙ_	
2.9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,2	мА
I"Ife	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В '
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-		47		кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: EZ
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le =-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-		47		кОм
152 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: FD.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|Л
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	6	-	20	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 1,5 мА		0,04	0,25	В
tr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-		2,2		кОм
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 9F.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-		100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = —1 мА	-	100	-	МГц
R2	Сопротивление резистора R2	-		100		кОм
Транзисторы производства PANASONIC 153
Особенности	Корпус SC-59 (EIAJ)	зЩ
- Встроенные рези-	Вывод Функциональное	<ч
сторы.		назначение	6 +1
- Маркировка: FF	1	База		со см
	2	Эмиттер	
	3	Коллектор	’Й 2Й	
		2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,4	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	60	-	200	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-		22		кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы
-	Маркировка- 8В
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	60	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			22		кОм
154 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 8С.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные элекпгрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	' 50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			47		кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 8D.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
_____зШ
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	80	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le =-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			47		кОм
Транзисторы производства PANASONIC 155
Особенности	Корпус SC-59 (EIAJ)		зШ			
- Встроенный резистор. - Маркировка: 8Е + бук- ва, соответствующая	Вывод	Функциональное назначение			8	R1 /•/
	1	База			со см	
	2	Эмиттер				
значениям hFE	3	Коллектор		’Ш 2Ш_		
				2.9±О,2		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
8Е	Q	R	S
Ьре	160 260	210 340	290 460
Особенности	Корпус SC-59 (EIAJ)					R1
-	Встроенный резистор. -	Маркировка: 8F + бук- ва, соответствующая значениям hFE	Вывод	Функциональное назначение				
					см 6 +1 со см*	
	1	База				
	2	Эмиттер				
				’Ш 2й_		
	3	Коллектор				
				2,9±0,2		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le с -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
8F	Q	R	S
hFE	160 260	210 340	290 460
156 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности	Корпус SC-59 (EIAJ)			зШ		R1
-	Встроенный резистор. -	Маркировка: 8Н + буква, соответствующая значениям hFE	Вывод	Функциональное назначение		*й	СМ +1 со сч	
	1	База				
	2	Эмиттер				
	3	Коллектор				
				2.9±0,2		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le =-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
8Н	Q	R	S
hFE	160...260	210.. 340	290. 460
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 81.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	2,0	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	0,51	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			5,1		кОм
Транзисторы производства PANASONIC 157
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 8К.
Корпус SC-59 (EIAJ)	
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	
	° <0 сч
гй_	
2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	1,5	мА
IVe	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	1	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			10		кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 9А
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	5,0	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, 1с=100мА	40	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, lb = 5,0 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -50 мА	-	200	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			2,2		кОм
158 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 9В
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 100 мА	50	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, lb = 5,0 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -50 мА	-	200	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			4,7		кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 9С.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0 '	-	-	1,0	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 100 мА	60	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, lb = 5,0 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le =-50 мА	-	200	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			10		кОм
Транзисторы производства PANASONIC 159
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 9D
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	500	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =10 В, 1с=100 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 100 мА, lb = 5,0 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le =-50 мА	-	200	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			10		кОм
Особенности	Корпус SC-59 (EIAJ)	зЩ	
- Встроенный ре-	Вывод Функциональное	сч	
зистор.	назначение	6	R1	/рХ
- Маркировка: FZ	1	База	«0 <4	
	2	Эмиттер 3	Коллектор	’Й 2Й		
•		2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	600	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 30 В, lb = 0	-	-	1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	1,0	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =10 В, 1с=100мА	100	-	600	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 50 мА, lb = 2,5 мА	-	-	0,08	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le =-50 мА	-	200	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
160 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: FY
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	600	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 30 В, lb = 0	-	-	1.0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	1.0	мкА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 100 мА	100	-	600	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 50 мА, lb = 2,5 мА	-	-	0,08	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = -50 мА	-	200	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: FW.
Корпус SC-59 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	20	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	5	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	600	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	200	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 30 В, lb = 0	-	-	1,0	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 5 В, lc = 0	-	-	1.0	мкА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc= 100 мА	70	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 50 мА, lb = 2,5 мА	-	-	0,08	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, 1е = -50 мА	-	200	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1		-	6,8	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	6,78	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 161
Особенности
- Встроенный
резистор.
- Маркировка:
CD
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,1	мА
Иге	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка- СЕ
SSSMini3-Fl
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3| ! I	
I I I	О 6 +1 см
1[|] ' 2[П	
1,2±О,О5	
R1
R2
L		
и основные
Предельно
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	35	-		
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
162 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: CF
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-		100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: СН
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,1	мА
Ьге	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	80	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 163
Особенности	Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)	3| i I	
- Встроенные рези-	Вывод Функциональное		 1	1 "" 	Ч Ю 1	°.	
сторы.		назначение	;	о	R1
- Маркировка: СК	1	База		+1	
	2	Эмиттер		
	3	Коллектор	ii1i	1 al! i	
		“Г"	1	1	 1,2±О,О5 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности	Корпус	SSSMini3-Fl (Panasonic)	3| I I	
- Встроенный ре-	Вывод	Функциональное	I	°.	
зистор.		назначение	:	о	ri
- Маркировка: CL	1		База		+I см	
	2	Эмиттер	I	*1	
	3	Коллектор	’111 ' гНГ—	
			1	1	1	 1,2±О,О5 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-		-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
164 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенный ре-
зистор.
-	Маркировка: CN
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,01	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
Особенности	Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)	3| , I	
- Встроенный ре-	Вывод Функциональное	1	°.	
зистор.		назначение	।	9	ri Л/
- Маркировка: СР	1	База	 2	Эмиттер	+1 i	<4	
	3	Коллектор	«Ш ' 2Щ__	
		1.2±О,О5 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 165
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: DC
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo ,	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-1,5	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 2мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	1	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности	Корпус SSSMini3-Fl (Р		anasonic)	3| 1 1		R1	/</ R2
-	Встроенные рези- сторы. -	Маркировка: DE	Вывод	Функциональное назначение		1 I i	ю О о +1 <4	
	1	База				
	2	Эмиттер				
	3	Коллектор		iHJ 1 2|Ч_		
				UfJ	‘-Г1— 1,2±О,О5		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	80	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	100	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	100	-	кОм
166 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези
сторы.
-	Маркировка: DL.
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3| i I		R1 R2
1 i i	О 6 л	
1 2[|l 1,2±0,05		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 2мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: DN
SSSMini3-Fl
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з| i	|	<л
1 1 1		о 6 н сч
illl '	2Щ_	
1 1,2±О,О5		
L		
и основные
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	30	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1		-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	- .	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 167
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: ЕС
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
i ।	О О й г-
	—'
1.2±О.О5 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-1,0	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
Гт	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности	Корпус	SSSMini3-Fl (Р	anasonic)	з| । 1		
- Встроенные рези- сторы.	Вывод	Функциональное назначение			О 6	R1
- Маркировка: ED	1	База		।	+1 см	
	2	Эмиттер		।		
	3	Коллектор		1Й 1 <]_		R2 I
				1.2±О,О5 _		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-2,0	мА
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	20	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
Гт	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	4,7	-	кОм
168 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: EF
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
1,2±O,O5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности	Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)	3| , I		
- Встроенные рези-	Вывод Функциональное	1	ю о	
сторы.		назначение		о	R1	//
- Маркировка: ЕК	1	База	 2	Эмиттер	1	+1 (М	
	3	Коллектор	1[Ч ' 2LL		
		1.2+0.05 _		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, lc = 0	-	-	-0.2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
Ь	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 2мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 169
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EN
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	400	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы
- Маркировка: ЕР
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з| i |	ю
I I I	о о +1 СЧ V—
1Ш 1	
1.2±О,О5 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	6	-	20	- _
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	2,2	-	кОм
170 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенный ре-
зистор.
- Маркировка: КТ
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
			ю
I i i		о 6 а
i|!| 1	г|!]_	
1 1,2±0,05 _		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
hfE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le =-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
Особенности
- Встроенные
резисторы.
- Маркировка:
FK
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3|  I	ю
1 i i	О 6 +1 см
1|Ч ' 2Щ_	
1 1,2±О,О5 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,5	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	35	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10		кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 171
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: FL
Корпус SSSMini3-F1 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,2	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	60	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
F	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: FN
Корпус SSSMini3-F1 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce= 10 В, 1с = 5мА	80	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
172 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: FP
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
i ।		11» О 6 +1 СЧ V"
’Ш	1 гЩ_	
	1 1,2±0,05.	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le =-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
- Встроенный ре-
зистор.
- Маркировка: НС.
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	О
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, 1е = -2мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 173
Особенности
- Встроенный ре-
зистор.
- Маркировка: HD.
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|	
	
till	411
1,2±О,О5 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-		50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-		80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-		0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0		-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
Особенности
- Встроенный ре-
зистор.
- Маркировка: НЕ
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-			50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-		0,01	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-		0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
174 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: HF.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-		80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0			2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1			0,51	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	5,1	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: НК
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, lc = 0	-	-	1,5	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc= 5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, !е = -2мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	1	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 175
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: HL
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	100	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	100	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: КС
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
176 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: KD
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	30	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: KF
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
1,2±0,05
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = -2мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	4,7	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 177
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: КН
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка- KL
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hre	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-		4,7		кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
178 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: KZ
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: КР.
Корпус SSSMini3-Fl (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	6	-	20	
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-		2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	2,2	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 179
Особенности
-	Встроенный рези-
стор.
-	Маркировка: 6L +
буква, соответст-
вующая значениям
hFE
Корпус SC-70 (E1AJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|-|	
	6 +1 сч*
И 2,0±0,2 .	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
6L	Q	R	S
hFE	160 260	210 340	290 460
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6А
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|-|	
	6 +1 сч
й и 2,0±0,2 .	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,5	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	35	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
180 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры
-	Маркировка: 6М
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
30
	6 +1 ci
а и 2,0±0,2	.	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hfE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: 6N
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зИ	
	6 +1 сч
и < 2,О±О,2	—
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	60	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 181
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 60
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-		-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-1,0	мА
Иге	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности	Корпус SC-70 (EIAJ)			зИ		R1	Zx'
-	Встроенные рези- сторы. -	Маркировка: 6Р	Вывод	Функциональное назначение				
					6 +1 (Ч	
	1	База				
	2	Эмиттер				R2
	3	Коллектор		’И <		
						
				2,0±0,2 _		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		—6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0		-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-1,0	мА
hfE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30	-	-	
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
182 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6Q
Корпус SC-70 (E1AJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
.и	
	6 +1 сч*
й 2t£L 2,0±0,2 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	4,7	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: EI
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
tr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 183
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EW.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зИ	
	6 +1 ci
'й < 2,0±0.2 .	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: EY.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
.и	
	2 СМ
и 2.0+0.2 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo \	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0			-0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	400	
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le= 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
184 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: FC
SC-70
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	О +I сч
’И 2Й_ 2,0±0,2	—
L		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-2,0	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	6	-	20	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-0,07	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-		2,2		кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы
-	Маркировка: FE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,4	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	60	-	200	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 185
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6В
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зН	
	6 +1 см’
•ш <	
2,0±0,2 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	60	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	. -	кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6С
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
_____>1—1
п 2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0		-	-0,1	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, 1с = -5мА	80	-	-	
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47		кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
186 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 6D
iS
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
43
г 2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	V 80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
f?	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 6Е + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е=1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
6Е	Q	R	S
Ьее	160 260	210 340	290 460
Транзисторы производства PANASONIC 187
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 6F + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
6F	Q	R	S
Ьре	160 260	210 340	290 460
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 6Н +
буква, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е=1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
6Н	Q	R	S
hFE	160 260	210 340	290 .460
188 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 61
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
____3Н
*0 *0
,	2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	в
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-2,0	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	0,51	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	5,1	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 6К
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|—|	
	2,1±0,1
й 2,0±0,2 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo		Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
о	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
	 Iceo		Обратный ток коллектора	Vce = -50 В. !Ь = 0	-	-	-0,5	мкА
1 lebo		Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-1,5	мА
Ivc		Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30	-	-	-
7ce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0.3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
	Сопротивление резистора R1	-	-	1	-	кОм
	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 189
Особенности
- Встроенные резисто-
ры
- Маркировка: EV
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-30	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-30	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-3	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -30 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -3 В, Ic = 0	-	-	-0,1	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -50 мА, lb = -0,33 мА	-	-0.5	-1,2	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1,0 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 8L + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
8L	Q	R	S
Hfe	160 260	210 340	290 460
190 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8А
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	6 +1 <ч
'й <	
п 2,О±О,2 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,5	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	35	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8М.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	зН				
	6 +I сч
'В 2,О±О,2 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 191
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 8N
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	з|—|	
		О +1 СМ
’й	2И_	
	2,0±0,2 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 80
Корпус SC-70 (E1AJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	1,0	мА
hfE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	30	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
192 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 8Р
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	1,0	мА
I'Ve	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	4,7	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 8Q
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	зЦ .....	
		6 +1
		сч'
а	2Й_	
	2,0±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	20	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	4,7	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 193
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: EL
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	О* +1
	Л
й <	
2.0±0.2 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: ЕХ
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2,О±О,2 ,
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80		400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150		МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-		4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
194 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: EZ.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: FD.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	2,0	мА
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	6	-	20	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 1,5 мА	-	0,04	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	2,2	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 195
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка* 8В
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	О +1 СЧ
'И 2t±L	
2,0±0,2 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	60		-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 8С
Корпус SC-70 (E1AJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-		0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,1	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80		-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА			0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
196 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8D.
SC-70
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зЦ	
	О +1 ci
2.040.2 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
, Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, 1Ь = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6B, lc = 0	-	-	0,2	мА
thFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, 1с = 5мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = -2мА	-	150	-	МГц
i R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 8Е + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зО
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, !Ь = 0	-	-	0,5	мкА
1ebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6B,!c = 0	<	-	-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce =10 В, 1с = 5мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = -2мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
8Е	Q	R	S
hFE	160...260	210...340	290...460
Транзисторы производства PANASONIC 197
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 8F + бук-
ва, соответствующая
значениям hFE.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
8F	Q	R	S
hFE	160 260	210 340	290 ..460
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 8Н +
буква, соответствующая
значениям hFE
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. ( значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-		100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le =-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
8Н	Q	R	S
hFE	160 260	210 ..340	290 .460
198 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 81.
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
2,0±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	20	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	0,51	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	5,1	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 8К
Корпус SC-70 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	150	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	1,5	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	1	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 199
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка. 6L.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	•	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le= 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
Особенности	Корпус	SC-89 (EIAJ)	3|||	
- Встроенные рези-	Вывод	Функциональное	.	о	
сторы.		назначение	i	6	R1	/1/
- Маркировка: 6А	1	База	н I	1	1 ф	
	2	Эмиттер	11' 1	1 5»!' г ”	R2
	3	Коллектор	’Ч-| 2U	 * _ +0.05	
			1.6 -0,03	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
Ic	Ток коллектора	-	-		-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,5	мА
Ьге	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	35	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			10		кОм
200 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 6Х
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,1	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb ='-10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	100	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			100		кОм
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 6Y.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	100	-	кОм
I
Транзисторы производства PANASONIC 201
Особенности
-	Встроенный ре-
зистор.
-	Маркировка: 6Z.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-		-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0		-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 2мА	-	150	-	МГц
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47		кОм
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: 6М
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
згГт
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база				-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-			-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0		-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивлениелэезистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			10		кОм
202 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности Корпус SC-89 (EIAJ) . з|~нГ
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: 6N.	Вывод	Функциональное назначение		। i i	1П о 6 2	R1	Л/*
	1	База				
	2	Эмиттер		1.б^8:оз _		R2
	3	Коллектор				
						
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-		-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic =-5 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-		-0,25	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			22		кОм
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: 60
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3[iT
in I
о
?;
ф
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора		-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-1,0	мА
tlFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le= 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			10		кОм
Транзисторы производства PANASONIC 203
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: 6Р.
Корпус SC-89
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3|il	ю о 6 +1 <0	R1
1 1 i		
4 _ +0,05 1.6 -0,03	—	R2
и основные
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			10		кОм
Особенности
-	Встроенные резисторы.
-	Маркировка: 6Q
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0		-	-2,0	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1		-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			4,7		кОм
204 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: EI.
SC-89
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
* _ +О.О5
1.6 -0,03
R1
R2
L		
и основные
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -О',3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-		47		кОм
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка; EW.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е=1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-		47		кОм
Транзисторы производства PANASONIC 205
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: EY.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
। i i		10 о 1
ТГ	J ' 4Т	
п	Г	1 , _ +О.О5	
	1.6 -0,03	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-			-6	В
tc	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0.5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-		-0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-		-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-		22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-		47		кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: FC
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
।	0.05
i	S.
|Щ 1 гЩ_	
« - +0,05 1.6-0.03 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-		-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0			-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	6	-	20	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -1,5 мА			-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-		2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-		2,2		кОм
206 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: 6В
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0.5	мкА
lebo	Обратный ток эмиТтера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Особенности
-	Встроенные резисторы.
-	Маркировка: 6С.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-		-О.5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-		-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	. -	47	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 207
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 6D
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-		-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е=1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 6Е.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0		-	-0,01	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е=1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
208 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 6F
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зГи
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-		-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 6Н.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база			-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0		-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-		-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 209
Особенности
-	Встроенные резисторы.
-	Маркировка: 61.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-		-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора		-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le= 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	0,51	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	5,1	-	кОм

Особенности
-	Встроенные резисторы.
-	Маркировка: 6К.
SC-89
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
« _ +0.05
1.6 -0,03
и основные
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-1,5	мА
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	1	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
210 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: CD.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. Значе- ние	Тип. Значе- ние	Макс. Значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0		-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 2мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: СЕ.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,5	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	35	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = —10 мА, lb = -0,3 мА	-		-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 2мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 211
Особенности
- Встроенные
резисторы.
- Маркировка:
CF
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
lc	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	60	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 2мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Особенности
- Встроенные
резисторы.
- Маркировка:
СН.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-		-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,1	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	1с = -10 мА, lb =-0,3 мА			-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 2мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47		кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
212 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: СК.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-		-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности	Корпус	SC-89 (EIAJ)		3| i I		
- Встроенный резистор. - Маркировка: CL	Вывод	Функциональное назначение		1 I	in о 6	R1
	1	База		i	+i ID	
	2	Эмиттер		i|!| 1 г|!|		
	3	Коллектор		Ч-*	*-r- * _ +О.О5 1.6-0,03 _	—	
						
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0		-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 213
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: CN.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваёмая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм

Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: СР
SC-89
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3|il	
I 1 i	in о 6 •н ф
1Щ 1 2[Ч_	
1 « _ +О.О5 1.6 -0,03	
и основные
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-			-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		-6	В
Ic	Ток коллектора	-		-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА		-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	'Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
214 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности	Корпус SC-89 (EIAJ)	
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: DC.	Вывод	Функциональное назначение
	1	База
	2	Эмиттер
	3	Коллектор
зГТ
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-1,5	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 2мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	1	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: DE
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
। i i	1П О 6 +1 ф
l[!j ' 2[Д_	
- _ +О.О5	
1.6 -0,03	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-		-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0		-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 2мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	100	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	100	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 215
Особенности	Корпус SC-89 (EIAJ)		
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: DL.	Вывод	Функциональное назначение	
	1	База	
	2	Эмиттер	
	3	Коллектор	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		-6	В
Ic	Ток коллектора		-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-		-0,2	мА
bFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	60	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА			-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	/	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: DN.
Корпус SC-89 (E1AJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3li I	
1	Ю О
1 I	о S.
>Щ ' г[1	
, _ +О.О5 1.6 -0.03	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-1.0	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА			-0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
216 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: DU
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: KV.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0		-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	20		-	
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	4,7	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 217
Особенности
-	Встроенные резисторы.
-	Маркировка: EF.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0.5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 2мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенные резисторы.
-	Маркировка: ЕК
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер'	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	400	
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7		кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
218 Транзисторы производства PANASONIC
ВЦ
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: EN
Корпус SC-89
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
« - +0,05
1.6 -0,03
и основные
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА			-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22		кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: ЕР
SC-89
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
«	+0,05
1.6 -0,03
R1
R2
L		
и основные
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база				-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер				-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база				-6	В
Ic	Ток коллектора	-			-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0			-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0			-2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	6		20	
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА			-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-		2,2		кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	2,2	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 219
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 8L
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0		-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,1	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: 8А
Корпус SC-89 (EIAJ)
PMCZRES
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора		-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-		0,5	мА
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	35	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			10		кОм
220 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 8Х
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,1	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	100	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			100		кОм
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 8Y
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	100	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 221
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 8Z.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	2,0	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47		кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 8М
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	30	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb= 10 В, 1е = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			10		кОм
222 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 8N.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер			-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0		-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce= 10 В, lc = 5 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1		-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			22		кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 80.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
। i i	in о 6 8
iLjj 1 2[!L	
« - +O.O5	
1.6 -0.03	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора		-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0		-	1,0	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			10		кОм
Транзисторы производства PANASONIC 223
Особенности	Корпус SC-89 (EIAJ)		3| i I			
-	Встроенные рези- сторы. -	Маркировка: 8Р.	Вывод	Функциональное назначение		1 i	in о d	R1	/1/
	1	База		i	S	
	2	Эмиттер				
	3	Коллектор				
				l-f-i	1 i.»±&8S .		
						
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-		100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	1.0	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			10		кОм
Особенности
-	Встроенные резисторы.
-	Маркировка: 8Q
SC-89
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
и основные
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-			50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	2,0	мА
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2			4,7		кОм
224 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: EL
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-		47		кОм
Особенности
-	Встроенные резисторы.
-	Маркировка: ЕХ
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	400	
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-		47		кОм
Транзисторы производства PANASONIC 225
Особенности	Корпус SC-89 (EIAJ)	
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: EZ	Вывод	Функциональное назначение
	1	База
	2	Эмиттер
	3	Коллектор
3| i I	
1 i i	in о 8 ф.
Ё	
« _ +О.О5 1.6 -0.03	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-		47		кОм
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: FD
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
। i i		1П о б +1 ф
’Ш	1 2[Ч_	
	1 . _ +О.О5 1.6 -О.ОЗ	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-	-	6	В
Ic	Ток коллектора		-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	2,0	мА
Ьге	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	6	-	20	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 1,5 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-		2,2		кОм
226 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 8В
SC-89
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|;|		
1 1 • i		in о 6 S.
	J 1 2Ш_	
	1 . _ +О.О5 1.6-0,03 _	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	60		-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le =-1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 8С
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3| i I		
1 i i		ю о 6 -н ф
’Ш	1 2Ш_	
	- _ +0,05 1.6 -0,03	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0		-	0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА			0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 227
Особенности	Корпус SC-89 (EIAJ)		
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: 8D.	Вывод	Функциональное назначение	
	1	База	
	2	Эмиттер	
	3	Коллектор	
। i ।	Ю О i
1 4П_	
1 « _ +0.05 1.6 -0.03	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	4 Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 8Е.
Корпус SC-89 (EIAJ)
PHC2RES base
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-		0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА			0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
228 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 8F.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-			50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В ,lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le =-2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 8Н
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
Ь	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
R1 w	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 229
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 81
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
slil	
I i i	10 О 6 +1 ф
1Й ' 2Щ_	
« _ +О.О5 1.6 -0.03	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	2,0	мА
IVe	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	lc = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	0,51	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	5,1	-	кОм
Особенности
- Встроенные резисторы.
- Маркировка: 8К
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
зГТ
। i i		1П о ?; ф
«ш	1 2Щ_	
	1 , _ +0.05 1,6 -0.03	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		- '	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0			1,5	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	30			
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА		-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, 1е = -1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	1	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
230 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: КТ.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора		-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0		-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: FK.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-		-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,5	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	35	-		
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 231
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: FL
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0		-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0		-	0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = -2мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Особенности
-	Встроенные резисторы.
-	Маркировка: FN
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0		-	0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
232 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: FP.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: НС
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 233
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: HD.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
‘1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
з|П		
1 1 i		Ю О 6 +1 ф
’Щ	' 2Щ_	
	1 - +О.О5 1.6 -0.03	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: НЕ
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Jceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0		-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
234 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: HF
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база			-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-			50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора		-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	20	-		
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, 1е-2мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	0,51	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	5,1	-	кОм
Особенности	Корпус SC-89 (EIAJ)	з|; I	
- Встроенные рези-	Вывод Функциональное	I	о	
сторы.	назначение	i	6	
- Маркировка: НК.	1	База	+I I	i	I Ф	
	2	Эмиттер	11 ’ I • *14 ”	R2
	3	Коллектор	4 _ +О.О5	
		1.6 -0,03	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-			50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	6	В
Ic	Ток коллектора	-			80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	1,5	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160		460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	1	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 235
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: HL.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
3| 11		
1 i i		in о S ф
iT	J ' 2Щ_	
п	« _ +0.05 1.6 -0,03	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,1	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	100	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	100	-	кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: КС
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	• Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-		0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-		0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-		0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le =-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1		-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
236 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: KD
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = 2мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности	Корпус SC-89 (EIAJ)			3| i I		R1 R2
-	Встроенные резисто- ры. -	Маркировка: KF	Вывод	Функциональное назначение		1 1 i	1Л О d +i ф	
	1	База				
	2	Эмиттер		iPj 1 2pJL		
	3	Коллектор				
				1 « - +0,05 1,6 -0.03		
						
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0		-	2,0	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	4,7	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 237
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: КН
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
। i i	Ю О 6 Ь!
' 2Й_	
1 « _ +0,05 1.6 -0.03	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-		-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le =-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора'Р1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: KL.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-		0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
238 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные резисто-
ры.
-	Маркировка: KZ
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-		0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: КР.
Корпус SC-89 (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	125	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0		-	2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	6		20	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	2,2	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 239
Особенности
- Встроенный резистор.
-Маркировка: 1R.
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. Значе- ние	Тип. Значе- ние	Макс. Значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 2мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
-Маркировка: 1Р.
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-			-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-			-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-		-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0			-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0			-0,5	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	35	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
240 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 3S.
ML3-N2
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
0,1+0,05
з
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В. Ic = 0	-	-	-0,2	мА
Ире	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 1В
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,1	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 241
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: ЗТ.
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 2мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 2Х
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0 .	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
242 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: ЗХ.
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-		-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7-	-	кОм
з
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: ЗУ.
ML3-N2
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	2а
	6
	+1
	
	L о
	Г1
О,1±О,О5	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 243
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 4С
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	
	6
	1 -Н
	: Ф
	L о
	2:
0,1±0.05	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора		-	-	—80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-1,5	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	1	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
- Маркировка: 4D
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. Значе- ние	Тип. Значе- ние	Макс. Значе- ние'	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-		-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	j -6	В
Ic	Ток коллектора			-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0			-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е=1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	100	-	кОм
244 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 4К
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb--6 В, Ic = 0	-	-	-1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -J0 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R1/R2	Отношение сопротивлений резисторов	-	-	0,47	-	-
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 4L
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R1/R2	Отношение сопротивлений резисторов	-	-	0,22	-	-
Транзисторы производства PANASONIC 245
Особенности	Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3			—	2q
- Встроенные рези- сторы. - Маркировка: 4Р	Вывод	Функциональное назначение		S.	
	1	База			1 w
	2	Эмиттер		О,1±О,О5	
	3	Коллектор			
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток'коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-		-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0		-	-0,1	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R1/R2	Отношение сопротивлений резисторов	-	-	1,0	-	-
Особенности
- Встроенные*рези-
сторы.
- Маркировка: 1S
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
СИМВОЛ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база _	-	-		“6	В
Ic	Ток коллектора	-	-		-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-		100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce ° -50 В, lb = 0	-		-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-		-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic а -5 мА	80		-	-
Vce__sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic --10 мА, lb = -0,3 мА	-		-0,25	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R1/R2	Отношение сопротивлений резисторов	-	-	0,047	-	-
246 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: ЗК
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	—6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	400	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 2 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R1/R2	Отношение сопротивлений резисторов	-	-	0,1	-	
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
-Маркировка: 1D
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е = 2мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R1/R2	Отношение сопротивлений резисторов	-	-	0,47	-	-
Транзисторы производства PANASONIC 247
Особенности
-	Встроенный резистор.
-	Маркировка: 4Х
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. Значе- ние	Тип. Значе- ние	Макс. Значе- ние	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	Т50	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-Маркировка: 1Т
Корпус ML3-N2
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	2^’
	6
	+1
	ф
	„ 6
	1	
О.1±О,О5	
з
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		6	В
Ic	Ток коллектора	-			80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,5	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	35	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = -2мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-		10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
248 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 4Y
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
О,1±О.О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Особенности
- Встроенные резисто-
ры.
- Маркировка: 1W.
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3			>0*079*0 ’ <4
Вывод	Функциональное назначение		
1	База		
2	Эмиттер		О,1±О,О5
3	Коллектор		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,1	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 249
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 2Y.
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер			-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора		-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0		-	0,2	мА
hfE		Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
-Маркировка: IX
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-		-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	50	В .
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-			6	В
Ic	Ток коллектора	-		-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0			0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0		-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА		-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
250 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности	Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3			2 О 6 +1 ф	
- Встроенный резистор. - Маркировка: 1Y.	Вывод	Функциональное назначение			
	1	База			1_
	2	Эмиттер		0,1±0,05	
	3	Коллектор			
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
Особенности
- Встроенный резистор.
-Маркировка: 1Z
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-		6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0			0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 251
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 4Z.
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-		0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le =-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	0,51	-	кОм
R1/R2	Отношение сопротивлений резисторов	-	-	0,1	-	-
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 5С
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
	2о 6 3 1 °
О,1±О.О5	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-		50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0		-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	1,5	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	1	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
252 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 5К.
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3			2а 6 S 1°'
Вывод	Функциональное назначение		
1	База		
2	Эмиттер		О,1±О,О5
3	Коллектор		
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	1,0	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R1/R2	Отношение сопротивлений резисторов	-	-	0,47	-	-
Особенности
- Встроенные рези-
сторы.
- Маркировка: 5L
Корпус ML3-N2 (Panasonic) 3
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	1,0	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R1/R2	Отношение сопротивлений резисторов	-	-	2,13	-	-
Транзисторы производства PANASONIC 253
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 1С
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	'Ток коллектора	-		-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-		0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	2,0	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	20	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R1/R2	Отношение сопротивлений резисторов	-	-	1,0	-	-
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 2Z
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
O,1±O,O5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R1/R2	Отношение сопротивлений резисторов	-	-	0,047	-	-
254 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 2С
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
О,1±О.О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	400	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le =-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1		-	4,7	-	кОм
R1/R2	Отношение сопротивлений резисторов	-	-	0,1	-	
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 5N
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
О,1±О,О5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-		50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	400	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R1/R2	Отношение сопротивлений резисторов	-	-	0,47	-	-
Транзисторы производства PANASONIC 255
Особенности
-	Встроенные рези-
сторы.
-	Маркировка: 5Р
Корпус ML3-N2 (Panasonic)
Вывод	Функциональное назначение
1	База
2	Эмиттер
3	Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	80	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	100	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	»	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	6	-	20	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R1/R2	Отношение сопротивлений резисторов	-	-	1,0	-	-
Особенности
-	В состав сборки
входят два транзи-
стора UN1110.
-	Маркировка: AD
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	БазаТр 1
2	Эмиттер
3	База Тр. 2
4	Коллектор Тр 2
5	Коллектор Тр 1
2,910,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ний	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-			-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0		-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
Ьее	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	<	кОм
256 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	В состав сборки
входят два транзи-
стора UN 1111.
-	Маркировка: 9S.
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База Тр. 1
2	Эмиттер
3	База Тр. 2
4	Коллектор Тр. 2
5	Коллектор Тр 1
Оз____ЕК
	Ч<1 <4
Ш’	
2,910.2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0		-	-0,5	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	35	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности Корпус SC-74A (EIAJ) Д5______________|_|ц
- В состав сбор- ки входят два транзистора UN1112. - Маркировка: 7К.	Вывод	Функциональное назначение		Ш’	+0.2 2.8-О.З	*-1	1 !	! ।	1-1 R1 U	П Tr 2	Tr 1
	1	БазаТр. 1				
	2	Эмиттер				
	3	БазаТр 2				
	4	Коллектор Тр 2		2,910,2		I	I
	5	Коллектор Тр 1			4	'5	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	60	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
f?	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le= 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 257
Особенности	Корпус SC-74A (EIAJ)			□з Ц,		31.R2, t	1 2	I 1 R1U	U Tr2VV	Tr1
-	В состав сборки входят два транзи- стора UNI 113. -	Маркировка: 7L.	Вывод	Функциональное назначение		й’ Й2Й!	4-0.2 2.8-0.3	
	1	БазаТр. 1				
	2	Эмиттер				
	3	База Тр. 2				
	4	Коллектор Тр 2		2,9±0,2	I	I	
	5	Коллектор Тр. 1			4	5	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-		-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,2	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le= 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности	Корпус SC-74A (EIAJ)			□ з	Uu	—	3 | R2	| 2	11 R1 П	/V\ П Tr2	Tr1 I	I
-	В состав сборки входят два транзи- стора UN 1114. -	Маркировка: 7Q.	Вывод	Функциональное назначение			+0.2 2.8-О.З	
	1	БазаТр 1				
	2	Эмиттер				
				й1 EW 2,910.2		
	3 4	База Тр. 2 Коллектор Тр 2				
	5	Коллектор Тр. 1			4	5	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-		-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0			-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0		-	-0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	80	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротйвление резистора R2	-	-	47	-	кОм
258 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	В состав сборки
входят два транзи-
стора UNI 115.
-	Маркировка: 7М.
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	БазаТр 1
2	Эмиттер
3	БазаТр 2
4	Коллектор Тр 2
5	Коллектор Тр. 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора			-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0		-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160		460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-		-0,25	В
	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
Особенности
-	В состав сборки
входят два транзи-
стора UNI 116.
-	Маркировка: 7N.
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	База Тр. 1
2	Эмиттер
3	База Тр. 2
4	Коллектор Тр 2
5	Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база				-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер				-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база				-6	В
Ic	Ток коллектора			-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0			-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0			-0,01	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА			-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 259
Особенности
-	В состав сборки
входят два транзи-
стора UN 1117.
-	Маркировка: OL
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	БазаТр 1
2	Эмиттер
3	База Тр. 2
4	Коллектор Тр 2
5	Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
Особенности	Корпус SC-74A (EIAJ)			д5 Un		"'ф> Tr	™
-	В состав сборки входят два транзи- стора1ЛЧ1118. -	Маркировка: ОМ	Вывод 1 2 3	Функциональное назначение БазаТр 1 Эмиттер База Тр. 2		Ш’ Ш2Й!	+0.2 2.8-о.э	
	4	Коллектор Тр 2		2,910,2	1д	'5	
	5	Коллектор Тр 1				
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база		-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора		-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-		-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0		-	-2,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 Б, Ic = -5 мА	20	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
It	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	0,51	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	5,1	-	кОм
260 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности
-	В состав сборки
входят два транзи-
стора UN1119.
-	Маркировка: 7Р
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	БазаТр. 1
2	Эмиттер
3	База Тр. 2
4	Коллектор Тр. 2
5	Коллектор Тр 1
2,9±0,2

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-			—6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-1,5	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30			-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	1	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности	Корпус	SC-74A (EIAJ)				3 I R2	| 2_	11
-	В состав сборки входят два транзи- стора UNI 11F. -	Маркировка: 70	Вывод	Функциональное назначение			+0.2 2,8—0,3	-ср1	
	1	База Тр. 1					
	2	Эмиттер					
	3	База Тр. 2		Ш’ Ш2№			
	4	Коллектор Тр 2		2,9±0,2		I4	l5
	5	Коллектор Тр 1					
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база			-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер		-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-		-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-1,0	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30			-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-		-0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, le = 1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	4,7	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 261
Особенности	Корпус SC-74A (EIAJ)			д5 и.	—	3 I R2	I 2		 11 'л	' к
-	В состав сборки входят два транзи- стора UN 111Н. -	Маркировка: 9Х	Вывод	Функциональное назначение			<Mq 6 О +<i ci	
	1	БазаТр. 1				
	2	Эмиттер				
				Н’ 2,9±0,2		
	3 4	База Тр. 2 Коллектор Тр. 2				
	5	Коллектор Тр 1				
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-	-	-0,5	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, Ic = -5 мА	30	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fi	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е=1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Особенности	Корпус	SC-74A (EIAJ)		1Л		3 | R2	| 2	. |1
-	В состав сборки входят два транзи- стора UN 111М. -	Маркировка: ЕК.	Вывод	Функциональное назначение			4-0.2 2.8-О.З		
	1	База Тр. 1					
	2	Эмиттер				Tr2	
	3	БазаТр 2		Ш’			
	4	Коллектор Тр 2		2.9±0.2		l4	|5
	5	Коллектор Тр. 1					
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	-50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	-50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	-6	В
Ic	Ток коллектора		-		-100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = -50 В, lb = 0	-	-	-0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = -6 В, Ic = 0	-		-0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = -10 В, lc = -5 мА	80	-	-	
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = -10 мА, lb = -0,3 мА	-	-	-0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = -10 В, 1е=1 мА	-	80	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	2,2	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
262 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности	Корпус SC-74A (EIAJ)		-□в			I—|«		|3	| 2	11
- В состав сборки входят два транзи- стора UN 1210. - Маркировка: АС	Вывод	Функциональное назначение				+0.2 2.8-ОЛ		
	1	БазаТр 1						
	2	Эмиттер						
	3	БазаТр 2		И’ И2	й!		Tr2	I г"1
	4	Коллектор Тр 2		2,9±0,2			I .	и
	5	Коллектор Тр 1					4	5
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le =-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
Особенности
-	В состав сборки
входят два транзи-
стора UN1211.
-	Маркировка: 9Т
Корпус SC-74A (EIAJ)
РИС2 Sbor2 PANAS
Вывод	Функциональное назначение
1	БазаТр 1
2	Эмиттер
3	БазаТр 2
4	Коллектор Тр 2
5	Коллектор Тр 1
Р»	Ц*»	
	+0.2 2,8—0,3
Ш' Н2 й?	
2,9+0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,5	мА
hpE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	35	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 263
Особенности
-	В состав сборки
входят два транзи-
стора UN 1212.
-	Маркировка: 9К.
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	БазаТр 1
2	Эмиттер
3	БазаТр 2
4	Коллектор Тр 2
5	Коллектор Тр 1
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	НапряжениЬ коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-		-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, lc= 5 мА	60		-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb =10 В, le =-2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	22	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	22	-	кОм
Особенности
-	В состав сборки
входят два транзи-
стора UN 1213.
-	Маркировка: 9L.
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	БазаТр. 1
2	Эмиттер
3	База Тр. 2
4	Коллектор Тр 2
5	Коллектор Тр 1
2,9±0,2
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-		50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база		-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fy	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	47	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
264 Транзисторы производства PANASONIC
Особенности	Корпус SC-74A (EIAJ)			д5 I4.		3 L R2,  I 2	Д1 R1 U /СЛ\ /х\ П Тг2	™
-	В состав сборки входят два транзи- стора UN 1214. -	Маркировка: 9Н	Вывод 1 2 3	Функциональное назначение БазаТр 1 Эмиттер БазаТр 2		Ш’ й2 ®	с!	
	4	Коллектор Тр 2		2,9±0.2		1	1	1	।
	5	Коллектор Тр 1			4	'5	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база			-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,2	мА
Ьре	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	80	-	-	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fr	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, le = -2 мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
R2	Сопротивление резистора R2	-	-	47	-	кОм
Особенности	Корпус SC-74A (EIAJ)			П* 1Л	—	
-	В состав сборки входят два транзи- стора UN1215. -	Маркировка: 9М	Вывод	Функциональное назначение		И’ Й2Й!	ci	
	1	БазаТр 1				
	2	Эмиттер				
	3	БазаТр 2				
	4	Коллектор Тр. 2		2,9±О,2	1 .	L	
	5	Коллектор Тр. 1			4	5	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. значе- ние	Тип. значе- ние	Макс, значение	Еди- ницы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	-	-	-	50	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	-	-	-	50	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	-	-	-	6	В
Ic	Ток коллектора	-	-	-	100	мА
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	-	-	300	мВт
Iceo	Обратный ток коллектора	Vce = 50 В, lb = 0	-	-	0,5	мкА
lebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 6 В, Ic = 0	-	-	0,01	мА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 10 В, Ic = 5 мА	160	-	460	-
Vce sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 10 мА, lb = 0,3 мА	-	-	0,25	В
fT	Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	Vcb = 10 В, 1е = -2мА	-	150	-	МГц
R1	Сопротивление резистора R1	-	-	10	-	кОм
Транзисторы производства PANASONIC 265
Особенности
-	В состав сборки
входят два транзи-
стора UN1216.
-	Маркировка: 9N
Корпус SC-74A (EIAJ)
Вывод	Функциональное назначение
1	БазаТр 1
2	Эмиттер
3	БазаТр 2
4	Коллектор Тр. 2
5	Коллектор Тр. 1
Да Цц	
	
	ч
	<ч*
Ш1 Ш2 Ы!	
2,9±0,2	
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ	Параметр	Условия	Мин. зна- чение	Тип. значе- ние	Макс, значени�