Text
                    ББК 32.852.3
УДК 681.527.72
А21
А21 Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-
приемников и мониторов. Справочник./ Сост. Ю.Ф. Авраменко - М.: Издатель-
ский дом "Додэка-ХХГ, К.: "МК-Пресс", 2006. — 544с, ил. (Серия "Элементная
база»")
ISBN 5-94120-126-5
ISBN 966-8806-17-4
В справочнике приведены электрические характеристики мощных биполярных транзисторов,
имеющих высокую скорость переключения. Данные приборы применяются в импульсных источниках
питания различного назначения, в промышленном оборудовании, в бытовой и профессиональной ви-
део- и аудиотехнике. В книге представлены изделия следующих ведущих производителей полупровод-
никовых приборов: FAIRCHILD, HITACHI, MOTOROLA (ON SEMICONDUCTOR), PANASONIC, PHILIPS,
SANKEN, SAMSUNG, SANYO, SHINDENGEN, ST-MICROELECTRONICS, TOSHIBA и ZETEX. Таблица
аналогов полупроводниковых приборов составлена на основании руководства Master Replacement
Guide. Справочник рассчитан на специалистов, занимающихся обслуживанием и ремонтом радиоэлек-
тронной аппаратуры, а также на радиолюбителей.
ББК 32.852.3
ISBN 5-94120-126-5 (ИД "Додэка-ХХГ1)
ISBN 966-8806-17-4 ("МК-Пресс") © "МК-Пресс", оформление,
дизайн обложки, 2006


Содержание 3 Содержание Алфавитный список полупроводниковых при- боров, приведенных в справочнике 10 Мощные транзисторы с высокой скоростью пере- ключения производства FAIRCHILD 23 FJA13009 23 FJAF6806D 23 FJAF6808D 24 FJAF6810 24 FJAF6810D 25 FJAF6812 25 FJAF6815 26 FJAF6820 26 FJAF6910 27 FJAF6916 27 FJAF6920 28 FJD5304D 28 FJE3303 29 FJE5304D 29 FJL6820 30 FJL6825 30 FJL6920 31 FJN13003 31 FJP3305 32 FJP5021 32 FJP5304D 33 FJP5321 33 FJP5355 34 FJP5554 34 FJP5555 35 FJPF13007 35 FJPF13009 36 FJPF3305 36 FJPF5021 37 FJPF5027 37 FJPF5321 38 FJPF5555 38 FJPF6806D 39 KSA1156 39 KSC2233 40 KSC2333 40 ICSC2335 41 KSC2518 41 KSC2751 42 KSC2752 42 KSC3552 43 KSC5026M 43 KSC5027 44 KSC5039F 44 KSC5042F 45 KSC5042M 45 KSC5338D 46 KSC5338DW 46 KSC5367F 47 KSC5386 47 KSC5504D 48 KSC5504DT 48 KSC5801 49 KSC5802 49 KSC5803 50 KSD362 50 KSD363 51 KSD5701 51 KSD5703 52 KSD5707 52 KSE5020 53 Мощные транзисторы с высокой скоростью пере- ключения производства HITACHI 54 2SC1942 54 2SC2928 54 2SC3025 55 2SC3026 55 2SC3322 56 2SC3336 56 2SC3365 57 2SC3658 57 2SC3659 58 2SC4589 58 2SC4692 59 2SC4742 59 2SC4743 60 2SC4744 60 2SC4745 61 2SC4746 61 2SC4747 62 2SC4789 62 2SC4796 63 2SC4797 63 2SC4877 64 2SC4878 64 2SC4879 65 2SC4880 65 2SC4897 66 2SC4927 66 2SC4928 67 2SC4962 67 2SC5058 68 2SC5068A 68 2SC5105 69 2SC5132A 69 2SC5207A 70 2SC5219 70 2SC5250 71 2SC5251 71 2SC5252 72 2SC5447 72 2SC5448 73 2SC5470 73 2SD2294 74 2SD2295 74 2SD2296 75 2SD2297 75 2SD2298 76 2SD2299 76 2SD2300 77 2SD2301 77 2SD2311 78 2SD2337 78 2SD2342 79 2SD2381 79 2SD2491 80 2SD2492 80 Мощные транзисторы с высокой скоростью пере- ключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) 81 BU406 81 BU407 81 BUL44 82 BUL45 82 BUV21 83 BUV22 83 BUV26 84 BUX85 84 MJE13003 85 MJE13005 85 MJE13007 86 MJE13009 86 MJE16002 87 MJE16004 87 MJE16106 88 MJE18002 88 MJE18004 89 MJE18206 89 MJF18002 90 MJF18004 90 MJF18206 91
4 Содержание MJW16212 91 Мощные транзисторы с высокой скоростью пере- ключения производства PANASONIC 92 2SC3506 92 2SC3507 92 2SC3974 93 2SC4420 93 2SC5243 94 2SC5244 94 2SC5244A 95 2SC5270 95 2SC5270A 96 2SC5406 96 2SC5406A 97 2SC5407 97 2SC5412 98 2SC5423 98 2SC5440 99 2SC5478 99 2SC5513 100 2SC5514 100 2SC5515 101 2SC5516 101 2SC5517 102 2SC5518 102 2SC5519 103 2SC5546 103 2SC5552 104 2SC5553 104 2SC5583 105 2SC5584 105 2SC5591 106 2SC5597 106 2SC5622 107 2SC5686 107 2SC5739 108 2SC5779 108 2SC5788 109 2SC5884 109 • 2SC5885 НО 2SC5902 110 2SC5904 111 2SC5905 111 2SC5909 112 2SC5912 112 2SC5913 113 2SC5914 ИЗ 2SC5931 114 2SC5993 114 2SC6012 115 2SD1439 115 2SD1440 116 2SD1441 116 2SD1541 117 2SD1632 117 2SD1729 118 2SD1730 118 2SD1731 119 2SD1732 119 2SD1739 120 2SD1846 120 2SD1849 121 2SD1850 121 2SD2057 122 Мощные транзисторы с высокой скоростью пере- ключения производства PHILIPS 123 BU505 123 BU505D 123 BU505DF 124 BU505F 124 BU506 125 BU506D 125 BU506DF 126 BU506F 126 BU508AF 127 BU508AW 127 BU508DF 128 BU508DW 128 BU1506DX 129 BU1507AX 129 BU1507DX 130 BU1508AX 130 BU1508DX 131 BU2506DF 131 BU2506DX 132 BU2507AF 132 BU2507AX 133 BU2507DF 133 BU2507DX 134 BU2508A 134 BU2508AF 135 BU2508AW 135 BU2508AX 136 BU2508D 136 BU2508DF 137 BU2508DW 137 BU2508DX 138 BU2515AF 138 BU2515AX 139 BU2515DF 139 BU2515DX 140 BU2520A 140 BU2520AF 141 BU2520AW 141 BU2520AX 142 BU2520D 142 BU2520DF 143 BU2520DW 143 BU2520DX 144 BU2522A 144 BU2522AF 145 BU2522AW 145 BU2522AX 146 BU2522DF 146 BU2522DX 147 BU2523AF 147 BU2523AX 148 BU2523DF 148 BU2523DX 149 BU2525A 149 BU2525AF 150 BU2525AW 150 BU2525AX 151 BU2525DF 151 BU2525DW 152 BU2525DX 152 BU2527A 153 BU2527AF 153 BU2527AW 154 BU2527AX 154 BU2527DF 155 BU2527DX 155 BU2530AL 156 BU2530AW 156 BU2532AL 157 BU2532AW 157 BU2708AF 158 BU2708AX 158 BU2708DF 159 BU2708DX 159 BU2720AF 160 BU2720AX 160 BU2720DF 161 BU2720DX 161 BU2722AF 162 BU2722AX 162 BU2722DF 163 BU2722DX 163 BU2725AF 164 BU2725AX 164 BU2725DF 165 BU2725DX 165 BU2727A 166 BU2727AF 166 BU2727AW 167 BU2727AX 167 BU2730AL 168 BU4506AF 168
Содержание 5 BUX87-1100 223 Мощные транзисторы с высокой скоростью пере- ключения производства SAMSUNG 224 KSD5001 224 KSD5002 224 KSD5003 225 KSD5004 225 KSD5005 226 KSD5007 226 KSD5011 227 KSD5013 227 KSD5015 228 KSD5017 228 Мощные транзисторы с высокой скоростью пере- ключения производства SANKEN 229 2SC3678 229 2SC3679 229 2SC3680 230 2SC3830 230 2SC3831 231 2SC3832 231 2SC3833 232 2SC3890 232 2SC3927 233 2SC4020 233 2SC4130 234 2SC4138 234 2SC4139 235 2SC4140 235 2SC4296 236 2SC4297 236 2SC4298 237 2SC4299 237 2SC4300 238 2SC4304 238 2SC4418 239 2SC4434 239 2SC4445 240 2SC4517 240 2SC4517A 241 2SC4518 241 2SC4518A 242 2SC4546 242 2SC4557 243 2SC4662 243 2SC4706 244 2SC4907 244 2SC4908 245 2SC5002 245 BU4506AX 169 BU4506AZ 169 BU4506DF 170 BU4506DX 170 BU4506DZ 171 BU4507AF 171 BU4507AX 172 BU4507AZ 172 BU4507DF 173 BU4507DX 173 BU4507DZ 174 BU4508AF 174 BU4508AX 175 BU4508AZ 175 BU4508DF 176 BU4508DX 176 BU4508DZ 177 BU4515AF 177 BU4515AX 178 BU4515DF 178 BU4515DX 179 BU4522AF 179 BU4522AX 180 BU4522DF.: 180 BU4522DX 181 BU4523AF 181 BU4523AW 182 BU4523AX 182 BU4523DF 183 BU4523DW 183 BU4523DX 184 BU4525AF 184 BU4525AL 185 BU4525AW 185 BU4525AX 186 BU4525DF 186 BU4525DL 187 BU4525DW 187 BU4525DX 188 BU4530AL 188 BU4530AW 189 BU4530AX 189 BU4540AL 190 BU4540AW 190 BU4550AL 191 BUJ101A 191 BUJ101AU 192 ВШ101АХ 192 BUJ103A 193 BUJ103AU 193 ВШ103АХ 194 BUJ105A 194 BUJ105AB 195 BUJ105AX 195 BUJ106A 196 BUJ106AX 196 BUJ202A 197 BUJ202AX 197 ВШ204А 198 ВШ204АХ 198 ВШ205А 199 ВШ205АХ 199 BUJ301A 200 ВШ301АХ 200 BUJ302A 201 BUJ302AX 201 ВШЗОЗА 202 ВШ303АХ 202 BUJ304A 203 BUJ304AX 203 BUJ403A 204 BUJ403AX 204 ВШ403ВХ 205 BUT11 205 BUT11A 206 BUT11AF 206 BUT11AI 207 BUT11AX 207 BUT11APX 208 BUT11APX-1200 208 BUT11F 209 BUT11XI 209 BUT12 210 BUT12A 210 BUT12AF 211 BUT12AI 211 BUT12F 212 BUT12XI 212 BUT18 213 BUT18A 213 BUT18AF 214 BUT18F 214 BUW11AF 215 BUW11F 215 BUW11AW 216 BUW11W 216 BUW13AF 217 BUW13F 217 BUW13AW 218 BUW13W 218 BUW14 219 BUX84 219 BUX84F 220 BUX84S 220 BUX85 221 BUX85F 221 BUX86P 222 BUX87P 222
6 Содержание 2SC5003 246 2SC5071 246 2SC5124 247 2SC5130 247 2SC5239 248 2SC5249 248 2SC5271 249 2SC5287 249 Мощные транзисторы с высокой скоростью пере- ключения производства SANYO 250 2SA1402 250 2SA1403 250 2SA1404 251 2SA1405 251 2SA1406 252 2SA1407 252 2SA1474 253 2SA1475 253 2SA1476 254 2SA1536 254 2SA1537 255 2SA1538 255 2SA1539 256 2SA1540 256 2SA1541 257 2SA1967 257 2SA1968LS 258 2SC3176 258 2SC3591 259 2SC3595 259 2SC3596 260 2SC3597 260 2АС3598 261 2SC3599 261 2SC3600 262 2SC3601 262 2SC3636 263 2SC3637 263 2SC3638 264 2SC3642 264 2SC3643 265 2SC3675 265 2SC3676 266 2SC3685 266 2SC3686 267 2SC3687 267 2SC3688 268 2SC3780 268 2SC3781 269 2SC3782 269 2SC3894 270 2SC3895 270 2SC3896 271 2SC3897 271 2SC3950 272 2SC3951 272 2SC3952 273 2SC3953 273 2SC3954 274 2SC3955 274 2SC3956 275 2SC3995 275 2SC3996 276 2SC3997 276 2SC3998 277 2SC4030 277 2SC4031 278 2SC4123 278 2SC4124 279 2SC4125 279 2SC4256 280 2SC4257 280 2SC4271 281 2SC4291 281 2SC4293 282 2SC4411 282 2SC4423 283 2SC4425 283 2SC4426 284 2SC4427 284 2SC4428 285 2SC4429 285 2SC4430 286 2SC4435 286 2SC4437 287 2SC4440 287 2SC4441 288 2SC4450 288 2SC4451 289 2SC4475 289 2SC4476 290 2SC4478 290 2SC4493 291 2SC4563 291 2SC4572 292 2SC4578 292 2SC4579 293 2SC4630 293 2SC4631 294 2SC4632 294 2SC4633 295 2SC4634 295 2SC4635 296 2SC4636 296 2SC4637 297 2SC4660 297 2SC4710 298 2SC4710LS 298 2SC4769 299 2SC4770 299 2SC4924 300 2SC5041 300 2SC5042 301 2SC5043 301 2SC5044 302 2SC5045 302 2SC5046 303 2SC5047 303 2SC5238 304 2SC5296 304 2SC5297 305 2SC5298 305 2SC5299 306 2SC5300 306 2SC5301 307 2SC5302 307 2SC5303 308 2SC5443 308 2SC5444 309 2SC5450 309 2SC5451 310 2SC5452 310 2SC5453 311 2SC5506 311 2SC5577 312 2SC5578 312 2SC5637 313 2SC5638 313 2SC5639 314 2SC5680 314 2SC5681 315 2SC5682 315 2SC5683 316 2SC5689 316 2SC5690 317 2SC5696 317 2SC5698 318 2SC5699 318 2SC5722 319 2SC5723 319 2SC5776 320 2SC5777 320 2SC5778 321 2SC5791 321 2SC5792 322 2SC5793 322 2SC5794 323 2SC5811 323 2SC5899 324 2SC5900 324
Содержание 7 2SC5932 325 2SC5933 325 2SC5966 326 2SC5967 326 2SC5968 327 2SD1159 327 2SD1876 328 2SD1877 328 2SD1878 329 2SD1879 329 2SD1880 330 2SD1881 330 2SD1882 331 2SD1883 331 2SD1884 332 2SD1885 332 2SD1886 333 2SD1887 333 2SD1908 334 2SD1958 334 2SD2251 335 2SD2252 335 2SD2578 336 2SD2579 336 2SD2580 337 2SD2581 337 2SD2624 338 2SD2627LS 338 2SD2629 339 2SD2634 339 2SD2645 340 2SD2646 340 2SD2648 341 2SD2649 341 2SD2650 342 2SD2658LS 342 2SD2688LS 343 2SD2689LS 343 TS7988 344 TS7990 344 TS7992 345 TS7994 345 TT2138LS 346 TT2140LS 346 ТТ2142 347 TT2170LS 347 TT2190LS 348 ТТ2202 348 Мощные транзисторы с высокой скоростью пере- ключения производства SHINDENGEN 349 2SA1598 349 2SA1599 349 2SA1600 350 2SA1601 350 2SA1795 351 2SA1796 351 2SA1876 352 2SA1877 352 2SA1878 353 2SA1879 353 2SB1282 354 2SB1283 354 2SB1284 355 2SB1285 355 2SB1448 356 2SC4051 356 2SC4052 357 2SC4053 357 2SC4054 358 2SC4055 358 2SC4056 359 2SC4057 359 2SC4058 360 2SC4059 360 2SC4060 361 2SC4148 361 2SC4149 362 2SC4150 362 2SC4151 363 2SC4230 363 2SC4231 364 2SC4232 364 2SC4233 365 2SC4234 365 2SC4235 366 2SC4236 366 2SC4237 367 2SC4580 367 2SC4582 368 2SC4583 368 2SC4584 369 2SC4585 369 2SC4663 370 2SC4664 370 2SC4668 371 2SC4669 371 2SC4833 372 2SC4834 372 2SC4876 373 2SC4914 373 2SC4940 374 2SC4941 374 2SC4978 375 2SC4979 375 2SC4980 376 2SC4981 376 2SC4982 377 2SC5241 377 2SD1022 378 2SD1023 378 2SD1024 379 2SD1025 379 2SD1026 380 2SD1027 380 2SD1788 381 2SD1789 381 2SD1790 382 2SD1791 382 2SD1792 383 2SD1793 383 2SD1794 384 2SD1795 384 2SD2196 385 Мощные транзисторы с вы- сокой скоростью переклю- чения производства ST- MICROELECTRONICS. 386 BU208A 386 BU505 386 BU508A 387 BU508AFI 387 BU508DFI 388 BU808DFI 388 BUF405A 389 BUF405AFP 389 BUF410 390 BUF410A 390 BUF420 391 BUF420A 391 BUF420M 392 BUH1015 392 BUH1015HI 393 BUH1215 393 BUH2M20AP 394 BUH315 394 BUH315D 395 BUH315DFH 395 BUH515 396 BUH515D 396 BUH615D 397 BUH715 397 BUL1101E 398 BUL1102E 398 BUL118 399 BUL1203E 399 BUL1403ED 400 BUL213 400 BUL216 401 BUL310 401 BUL310FP 402
8 Содержание BUL312FH 402 BUL312FP 403 BUL381 403 BUL381D 404 BUL382 404 BUL382D 405 BUL38D 405 BUL39D 406 BUL416 406 BUL49D 407 BUL510 407 BUL57 408 BUL57FP 408 BUL58D 409 BUL59 409 BUL654 410 BUL67 410 BUL742 411 BUL810 411 BUL89 412 BULB128D-1 412 BULB39D 413 BULB49D 413 BULD118D-1 414 BULK128D 414 BULT118 415 BULT118D 415 BUV48C 416 BUV48CFI 416 BUW1015 417 BUW1215 417 BUX48C 418 HD1520FX 418 HD1530FX 419 HD1530JL 419 HD1750FX 420 HD1750JL 420 HD1760JL 421 MD1803DFX 421 MD2310FX 422 MJD47T4 422 MJD49T4 423 MJD50T4 423 S2000AFI 424 SGSF313 424 SGSF313PI 425 SGSF344 425 SGSF464 426 SGSFI464 426 ST13003 427 ST13005 427 ST13007 428 ST13007FP 428 ST13007N 429 ST13007NFP 429 ST1802FH 430 ST1803DFH 430 ST1803DHI 431 ST2001FX 431 ST2009DXI 432 ST2310DXI 432 ST2310FX 433 ST2317DFX 433 ST2408H1 434 ST83003 434 STB13005-1 435 STD13003-1 435 STD13003-T4 436 STD83003-1 436 STD83003-T4 437 STK13003 437 STX13005 438 THD200F1 438 THD215HI 439 THD218DHI 439 THD277HI 440 Мощные транзисторы с высокой скоростью пере- ключения производства TOSHIBA 441 2SC3307 441 2SC3425 441 2SC3657 442 2SC3715 442 2SC3716 443 2SC3884A 443 2SC3885A 444 2SC3886A 444 2SC3887 445 2SC3887A 445 2SC3888 446 2SC3888A 446 2SC3889 447 2SC3889A 447 2SC3892 448 2SC3892A 448 2SC3893 449 2SC3893A 449 2SC4157 450 2SC4288 450 2SC4288A 451 2SC4289 451 2SC4289A 452 2SC4290 452 2SC4290A 453 2SC4531 453 2SC4532 454 2SC4542 454 2SC4560 455 2SC4608 455 2SC4757 456 2SC4758 456 2SC4759 457 2SC4760 457 2SC4761 458 2SC4762 458 2SC4763 459 2SC4764 459 2SC4765 460 2SC4766 460 2SC4806 461 2SC4830 461 2SC4916 462 2SC5048 462 2SC5129 463 2SC5142 463 2SC5143 464 2SC5144 464 2SC5148 465 2SC5149 465 2SC5150 466 2SC5172 466 2SC5266 467 2SC5279 467 2SC5280 468 2SC5331 468 2SC5332 469 2SC5339 469 2SC5353 470 2SC5354 470 2SC5386 471 2SC5387 471 2SC5404 472 2SC5411 472 2SC5421 473 2SC5422 473 2SC5439 474 2SC5445 474 2SC5446 475 2SC5570 475 2SC5587 476 2SC5588 476 2SC5589 477 2SC5590 477 2SC5612 478 2SC5695 478 2SC5716 479 2SC5717 479 2SC5748 480 2SC5855 480 2SC5856 481 2SC5857 481
Содержание 9 2SC5858 482 2SC5859 482 2SD1279 483 2SD1425 483 2SD1426 484 2SD1427 484 2SD1428 485 2SD1429 485 2SD1430 486 2SD1431 486 2SD1432 487 2SD1433 487 2SD1543 488 2SD1544 488 2SD1545 489 2SD1546 489 2SD1547 490 2SD1548 490 2SD1553 491 2SD1554 491 2SD1555 492 2SD1556 492 2SD2089 493 2SD2095 493 2SD2125 494 2SD2253 494 2SD2348 495 2SD2349 495 2SD2428 496 2SD2454 496 2SD2498 497 2SD2499 497 2SD2500 498 2SD2539 498 2SD2550 499 2SD2551 499 2SD2553 500 2SD2559 500 2SD2586 501 2SD2599 501 2SD2638 502 2SD811 502 2SD818 503 2SD819 503 2SD820 504 2SD821 504 2SD822 505 2SD868 505 2SD869 506 2SD870 506 2SD871 507 S2000 507 S2000A 508 S2000AF 508 S2000F 509 S2000N 509 S2055 510 S2055A 510 S2055AF 511 S2055F 511 S2055N 512 Транзисторы с высокой скоростью переключения производства ZETEX ....513 BST39 513 FMMT458 513 FMMT459 514 FMMT497 514 FZT458 515 FZT658 515 FZT857 516 FZTA42 516 Аналоги полупроводнико- вых приборов, приведен- ных в справочнике 517 Типовое использование транзистора с высокой скоростью переключения в схемах строчной развертки 538
10 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике Прибор 2SA1402 2SA1403 2SA1404 2SA1405 2SA1406 2SA1407 2SA1474 2SA1475 2SA1476 2SA1536 2SA1537 2SA1538 2SA1539 2SA1540 2SA1541 2SA1598 2SA1599 2SA1600 2SA1601 2SA1795 2SA1796 2SA1876 2SA1877 2SA1878 2SA1879 2SA1967 2SA1968LS 2SB1282 2SB1283 2SB1284 2SB1285 2SB1448 2SC1942 2SC2928 2SC3025 2SC3026 2SC3176 2SC3307 2SC3322 2SC3336 2SC3365 2SC3425 2SC3506 2SC3507 2SC3591 2SC3595 2SC3596 2SC3597 2АС3598 2SC3599 2SC3600 2SC3601 2SC3636 2SC3637 2SC3638 2SC3642 2SC3643 2SC3657 2SC3658 2SC3659 2SC3675 2SC3676 2SC3678 2SC3679 2SC3680 2SC3685 2SC3686 2SC3687 2SC3688 2SC3715 2SC3716 2SC3780 2SC3781 2SC3782 2SC3830 2SC3831 Производитель SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SANYO SANYO SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN HITACHI HITACHI HITACHI HITACHI SANYO TOSHIBA HITACHI HITACHI HITACHI TOSHIBA PANASONIC PANASONIC SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO TOSHIBA HITACHI HITACHI SANYO SANYO SANKEN SANKEN SANKEN SANYO SANYO SANYO SANYO TOSHIBA TOSHIBA SANYO SANYO SANYO SANKEN SANKEN Стр. 250 250 251 251 252 252 253 253 254 254 255 255 256 256 257 349 349 350 350 351 351 352 352 353 353 257 258 354 354 355 355 356 54 54 55 55 258 441 56 56 57 441 92 92 259 259 260 260 261 261 262 262 263 263 264 264 265 442 57 58 265 266 229 229 230 266 267 267 268 442 443 268 269 269 230 231 Применение Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Схемы динамической фокусировки Схемы динамической фокусировки Общего применения Общего применения Общего применения Общего применения Общего применения Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскад^ы видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Схемы динамической с Схемы динамической с юкусировки оокусировки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Импульсные источники питания Импульсные источники питания
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 11 Прибор 2SC3832 2SC3833 2SC3884A 2SC3885A 2SC3886A 2SC3887 2SC3887A 2SC3888 2SC3888A 2SC3889 2SC3889A 2SC3890 2SC3892 2SC3892A 2SC3893 2SC3893A 2SC3894 2SC3895 2SC3896 2SC3897 2SC3927 2SC3950 2SC3951 2SC3952 2SC3953 2SC3954 2SC3955 2SC3956 2SC3974 2SC3995 2SC3996 2SC3997 2SC3998 2SC4020 2SC4030 2SC4031 2SC4051 2SC4052 2SC4053 2SC4054 2SC4055 2SC4056 2SC4057 2SC4058 2SC4059 2SC4060 2SC4123 2SC4124 2SC4125 2SC4130 2SC4138 2SC4139 2SC4140 2SC4148 2SC4149 2SC4150 2SC4151 2SC4157 2SC4230 2SC4231 2SC4232 2SC4233 2SC4234 2SC4235 2SC4236 2SC4237 2SC4256 2SC4257 2SC4271 2SC4288 2SC4288A 2SC4289 2SC4289A 2SC4290 2SC4290A 2SC4291 2SC4293 2SC4296 2SC4297 Производитель SANKEN SANKEN TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA SANKEN TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA SANYO SANYO SANYO SANYO SANKEN SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO PANASONIC SANYO SANYO SANYO SANYO SANKEN SANYO SANYO SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SANYO SANYO SANYO SANKEN SANKEN SANKEN SANKEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN TOSHIBA SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SANYO SANYO SANYO TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA SANYO SANYO SANKEN SANKEN Стр. 231 232 443 444 444 445 445 446 446 447 447 232 448 448 449 449 270 ^270 271 271 233 272 272 273 273 274 274 275 93 275 276 276 277 233 277 278 356 357 357 358 358 359 359 360 360 361 278 279 279 234 234 235 235 361 362 362 363 450 363 364 364 365 365 j 366 366 367 280 280 281 450 451 451 452 452 453 281 282 236 236 Применение Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной^азвертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады видеоусилителей Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Схемы динамической фокусировки Схемы динамической фокусировки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Схемы динамической фокусировки Схемы динамической фокусировки Выходные каскады видеоусилителей Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания
12 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике Прибор 2SC4298 2SC4299 2SC4300 2SC4304 2SC4411 2SC4418 2SC4420 2SC4423 2SC4425 2SC4426 2SC4427 2SC4428 2SC4429 2SC4430 2SC4434 2SC4435 2SC4437 2SC4440 2SC4441 2SC4445 2SC4450 2SC4451 2SC4475 2SC4476 2SC4478 2SC4493 2SC4517 2SC4517A 2SC4518 2SC4518A 2SC4531 2SC4532 2SC4542 2SC4546 2SC4557 2SC4560 2SC4563 2SC4572 2SC4578 2SC4579 2SC4580 2SC4582 2SC4583 2SC4584 2SC4585 2SC4589 2SC4608 2SC4630 2SC4631 2SC4632 2SC4633 2SC4634 2SC4635 2SC4636 2SC4637 2SC4660 2SC4662 2SC4663 2SC4664 2SC4668 2SC4669 2SC4692 2SC4706 2SC4710 2SC4710LS 2SC4742 2SC4743 2SC4744 2SC4745 2SC4746 2SC4747 2SC4757 2SC4758 2SC4759 2SC4760 2SC4761 2SC4762 2SC4763 2SC4764 Производитель SANKEN SANKEN SANKEN SANKEN SANYO SANKEN PANASONIC SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANKEN SANYO SANYO SANYO SANYO SANKEN SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANKEN SANKEN SANKEN SANKEN TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA SANKEN SANKEN TOSHIBA SANYO SANYO SANYO SANYO SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN HITACHI TOSHIBA SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANKEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN HITACHI SANKEN SANYO SANYO HITACHI HITACHI HITACHI HITACHI HITACHI HITACHI TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA Стр. 237 237 238 238 282 239 93 283 283 284 284 285 285 286 239 286 287 287 288 240 288 289 289 290 290 291 240 241 241 242 453 454 454 242 243 455 291 292 292 293 367 368 368 369 369 58 455 293 294 294 295 295 296 296 297 297 243 370 370 371 371 59 244 298 298 59 60 60 61 61 62 456 456 457 457 458 458 459 459 Применение Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады видеоусилителей Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Схемы динамической с Схемы динамической с Схемы динамической с Схемы динамической с Схемы динамической с Схемылинамической с юкусировки юкусировки юкусировки юкусировки Ьокусировки юкусировки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады видеоусилителей Схемы^инамической фокусировки Схемы динамической фокусировки Схемы динамической фокусировки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Схемы динамической фокусировки Схемы динамической фокусировки Схемы динамической фокусировки Схемы динамической фокусировки Схемы динамической фокусировки Схемы динамической фокусировки Схемы динамической фокусировки Схемы динамической фокусировки Выходные каскады видеоусилителей Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Схемы динамической фокусировки Схемы динамической фокусировки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 13 Прибор 2SC4765 2SC4766 2SC4769 2SC4770 2SC4789 2SC4796 2SC4797 2SC4806 2SC4830 2SC4833 2SC4834 2SC4876 2SC4877 2SC4878 2SC4879 2SC4880 2SC4897 2SC4907 2SC4908 2SC4914 2SC4916 2SC4924 2SC4927 2SC4928 2SC4940 2SC4941 2SC4962 2SC4978 2SC4979 2SC4980 2SC4981 2SC4982 2SC5002 2SC5003 2SC5041 2SC5042 2SC5043 2SC5044 2SC5045 2SC5046 2SC5047 2SC5048 2SC5058 2SC5068A 2SC5071 2SC5105 2SC5124 2SC5129 2SC5130 2SC5132A 2SC5142 2SC5143 2SC5144 2SC5148 2SC5149 2SC5150 2SC5172 2SC5207A 2SC5219 2SC5238 2SC5239 2SC5241 2SC5243 2SC5244 2SC5244A 2SC5249 2SC5250 2SC5251 2SC5252 2SC5266 2SC5270 2SC5270A 2SC5271 ?t;C5279 2SC5280 2SC5287 2SC5296 2SC5297 2SC5298 Производитель TOSHIBA TOSHIBA SANYO SANYO HITACHI HITACHI HITACHI TOSHIBA TOSHIBA SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN HITACHI HITACHI HITACHI HITACHI HITACHI SANKEN SANKEN SHINDENGEN TOSHIBA SANYO HITACHI HITACHI SHINDENGEN SHINDENGEN HITACHI SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SANKEN SANKEN SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO TOSHIBA HITACHI HITACHI SANKEN HITACHI SANKEN TOSHIBA SANKEN HITACHI TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA HITACHI HITACHI SANYO SANKEN SHINDENGEN PANASONIC PANASONIC PANASONIC SANKEN HITACHI HITACHI HITACHI TOSHIBA PANASONIC PANASONIC SANKEN TOSHIBA TOSHIBA SANKEN SANYO SANYO SANYO Стр. 460 460 299 299 62 63 63 461 461 372 372 373 64 64 65 65 66 244 245 373 462 300 66 67 374 374 67 375 375 376 376 377 245 246 300 301 301 302 302 303 303 462 68 68 246 69 247 463 247 69 463 464 464 465 465 466 466 70 70 304 248 377 94 94 95 248 71 71 72 467 95 96 249 467 468 249 304 305 305 Применение Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки
14 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике Прибор 2SC5299 2SC5300 2SC5301 2SC5302 2SC5303 2SC5331 2SC5332 2SC5339 2SC5353 2SC5354 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5406 2SC5406A 2SC5407 2SC5411 2SC5412 2SC5421 2SC5422 2SC5423 2SC5439 2SC5440 2SC5443 2SC5444 2SC5445 2SC5446 2SC5447 2SC5448 2SC5450 2SC5451 2SC5452 2SC5453 2SC5470 2SC5478 2SC5506 2SC5513 2SC5514 2SC5515 2SC5516 2SC5517 2SC5518 2SC5519 2SC5546 2SC5552 2SC5553 2SC5570 2SC5577 2SC5578 2SC5583 2SC5584 2SC5587 2SC5588 2SC5589 2SC5590 2SC5591 2SC5597 2SC5612 2SC5622 2SC5637 2SC5638 2SC5639 2SC5680 2SC5681 2SC5682 2SC5683 2SC5686 2SC5689 2SC5690 2SC5695 2SC5696 2SC5698 2SC5699 2SC5716 2SC5717 2SC5722 2SC5723 2SC5739 2SC5748 Производитель SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA PANASONIC PANASONIC PANASONIC TOSHIBA PANASONIC TOSHIBA TOSHIBA PANASONIC TOSHIBA PANASONIC SANYO SANYO TOSHIBA TOSHIBA HITACHI HITACHI SANYO SANYO SANYO SANYO HITACHI PANASONIC SANYO PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC TOSHIBA SANYO SANYO PANASONIC PANASONIC TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA PANASONIC PANASONIC TOSHIBA PANASONIC SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO PANASONIC SANYO SANYO TOSHIBA SANYO SANYO SANYO TOSHIBA TOSHIBA SANYO SANYO PANASONIC TOSHIBA Стр. 306 306 307 307 308 468 469 469 470 470 471 471 472 96 97 97 472 98 473 473 98 474 99 308 309 474 475 72 73 309 310 310 311 73 99 311 100 100 101 101 102 102 103 103 104 104 475 312 312 105 105 476 476 477 All 106 106 478 107 313 313 314 314 315 315 316 107 316 317 478 317 318 318 479 479 319 319 108 480 Применение Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 15 Прибор 2SC5776 2SC5777 2SC5778 2SC5779 2SC5788 2SC5791 2SC5792 2SC5793 2SC5794 2SC5811 2SC5855 2SC5856 2SC5857 2SC5858 2SC5859 2SC5884 2SC5885 2SC5899 2SC5900 2SC5902 2SC5904 2SC5905 2SC5909 2SC5912 2SC5913 2SC5914 2SC5931 2SC5932 2SC5933 2SC5966 2SC5967 2SC5968 2SC5993 2SC6012 2SD1022 2SD1023 2SD1024 2SD1025 2SD1026 2SD1027 2SD1159 2SD1279 2SD1425 2SD1426 2SD1427 2SD1428 2SD1429 2SD1430 2SD1431 2SD1432 2SD1433 2SD1439 2SD1440 2SD1441 2SD1541 2SD1543 2SD1544 2SD1545 2SD1546 2SD1547 2SD1548 2SD1553 2SD1554 2SD1555 2SD1556 2SD1632 2SD1729 2SD1730 2SD1731 2SD1732 2SD1739 2SD1788 2SD1789 2SD1790 2SD1791 2SD1792 2SD1793 2SD1794 2SD1795 Производитель SANYO SANYO SANYO PANASONIC PANASONIC SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA PANASONIC PANASONIC SANYO SANYO PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO PANASONIC PANASONIC SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SANYO TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC PANASONIC SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN SHINDENGEN Стр. 320 320 321 108 109 321 322 322 323 323 480 481 481 482 482 109 110 324 324 110 111 111 112 112 113 113 114 325 325 326 326 327 114 115 378 378 379 379 380 380 327 483 483 484 484 485 485 486 486 487 487 115 116 116 117 488 488 489 489 490 490 491 491 492 492 117 118 118 119 119 120 381 381 382 382 383 383 384 384 Применение Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной^развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчно^развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Общего применения Выходные каскады строчной развертки Общего применения Общего применения Общего применения Общего применения Общего применения Общего применения Выходные каскады строчно^развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчно^развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Общего применения Общего применения Общего применения Общего применения Общего применения Общего применения Общего применения Общего применения
16 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике Прибор 2SD1846 2SD1849 2SD1850 2SD1876 2SD1877 2SD1878 2SD1879 2SD1880 2SD1881 2SD1882 2SD1883 2SD1884 2SD1885 2SD1886 2SD1887 2SD1908 2SD1958 2SD2057 2SD2089 2SD2095 2SD2125 2SD2196 2SD2251 2SD2252 2SD2253 2SD2294 2SD2295 2SD2296 2SD2297 2SD2298 2SD2299 2SD2300 2SD2301 2SD2311 2SD2337 2SD2342 2SD2348 2SD2349 2SD2381 2SD2428 2SD2454 2SD2491 2SD2492 2SD2498 2SD2499 2SD2500 2SD2539 2SD2550 2SD2551 2SD2553 2SD2559 2SD2578 2SD2579 2SD2580 2SD2581 2SD2586 2SD2599 2SD2624 2SD2627LS 2SD2629 2SD2634 2SD2638 2SD2645 2SD2646 2SD2648 2SD2649 2SD2650 2SD2658LS 2SD2688LS 2SD2689LS 2SD811 2SD818 2SD819 2SD820 2SD821 2SD822 2SD868 2SD869 2SD870 Производитель PANASONIC PANASONIC PANASONIC SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO PANASONIC TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA SHINDENGEN SANYO SANYO TOSHIBA HITACHI HITACHI HITACHI HITACHI HITACHI HITACHI HITACHI HITACHI HITACHI HITACHI HITACHI TOSHIBA TOSHIBA HITACHI TOSHIBA TOSHIBA HITACHI HITACHI TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA SANYO SANYO SANYO SANYO TOSHIBA TOSHIBA SANYO SANYO SANYO SANYO TOSHIBA SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA Стр. 120 121 121 328 328 329 329 330 330 331 331 332 332 333 333 334 334 122 493 493 494 385 335 335 494 74 74 75 75 76 76 11 11 78 78 79 495 495 79 496 496 80 80 497 497 498 498 499 499 500 500 336 336 337 337 501 501 338 338 339 339 502 340 340 341 341 342 342 343 343 502 503 503 504 504 505 505 506 506 Применение Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Общего применения Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки
Алфавитный списхж полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 17 Прибор 2SD871 BST39 BU208A BU406 BU407 BU505 BU505 BU505D BU505DF BU505F BU506 BU506D BU506DF BU506F BU508A BU508AF BU508AFI BU508DFI BU508AW BU508DF BU508DW BU808DFI BU1506DX BU1507AX BU1507DX BU1508AX BU1508DX BU2506DF BU2506DX BU2507AF BU2507AX BU2507DF BU2507DX BU2508A BU2508AF BU2508AW BU2508AX BU2508D BU2508DF BU2508DW BU2508DX BU2515AF BU2515AX BU2515DF BU2515DX BU2520A BU2520AF BU2520AW BU2520AX BU2520D BU2520DF BU2520DW BU2520DX BU2522A BU2522AF BU2522AW BU2522AX BU2522DF BU2522DX BU2523AF BU2523AX BU2523DF BU2523DX BU2525A BU2525AF BU2525AW BU2525AX BU2525DF BU2525DW BU2525DX BU2527A BU2527AF BU2527AW BU2527AX BU2527DF BU2527DX BU2530AL BU2530AW BU2532AL Производитель TOSHIBA ZETEX ST- MICROELECTRONICS MOTOROLA MOTOROLA PHILIPS ST- MICROELECTRONICS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS ST- MICROELECTRONICS PHILIPS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS PHILIPS PHILIPS PHILIPS ST- MICROELECTRONICS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS Стр. 507 513 386 81 81 123 386 123 124 124 125 125 126 126 387 127 387 388 127 128 128 388 129 129 130 130 131 131 132 132 133 133 134 134 135 135 136 136 137 137 138 138 139 139 140 140 141 141 142 142 143 143 144 144 145 145 146 146 147 147 148 148 149 149 150 150 151 151 152 152 153 153 154 154 155 155 156 156 157 Применение Выходные каскады строчной развертки Общего применения Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной^азвертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады стррчной^азвертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной^азвертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной^азвертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки
18 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике Прибор BU2532AW BU2708AF BU2708AX BU2708DF BU2708DX BU2720AF BU2720AX BU2720DF BU2720DX BU2722AF BU2722AX BU2722DF BU2722DX BU2725AF BU2725AX BU2725DF BU2725DX BU2727A BU2727AF BU2727AW BU2727AX BU2730AL BU4506AF BU4506AX BU4506AZ BU4506DF BU4506DX BU4506DZ BU4507AF BU4507AX BU4507AZ BU4507DF BU4507DX BU4507DZ BU4508AF BU4508AX BU4508AZ BU4508DF BU4508DX BU4508DZ BU4515AF BU4515AX BU4515DF BU4515DX BU4522AF BU4522AX BU4522DF BU4522DX BU4523AF BU4523AW BU4523AX BU4523DF BU4523DW BU4523DX BU4525AF BU4525AL BU4525AW BU4525AX BU4525DF BU4525DL BU4525DW BU4525DX BU4530AL BU4530AW BU4530AX BU4540AL BU4540AW BU4550AL BUF405A BUF405AFP BUF410 BUF410A BUF420 BUF420A BUF420M BUH1015 BUH1015HI BUH1215 BUH2M20AP Производитель PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS Стр. 157 158 158 159 159 160 160 161 161 162 162 163 163 164 164 165 165 166 166 167 167 168 168 169 169 170 170 171 171 172 172 173 173 174 174 175 175 176 176 177 177 178 178 179 179 180 180 181 181 182 182 183 183 184 184 185 185 186 186 187 187 188 188 189 189 190 190 191 389 389 390 390 391 391 392 392 393 393 394 Применение Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной^азвертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 19 Прибор BUH315 BUH315D BUH315DFH BUH515 BUH515D BUH615D BUH715 BUJ101A BUJ101AU BUJ101AX BUJ103A BUJ103AU BUJ103AX BUJ105A BUJ105AB BUJ105AX BUJ106A BUJ106AX BUJ202A BUJ202AX BUJ204A BUJ204AX BUJ205A BUJ205AX BUJ301A BUJ301AX BUJ302A BUJ302AX BUJ303A BUJ303AX BUJ304A BUJ304AX BUJ403A BUJ403AX BUJ403BX BUL1101E BUL1102E BUL118 BUL1203E BUL1403ED BUL213 BUL216 BUL310 BUL310FP BUL312FH BUL312FP BUL381 BUL381D BUL382 BUL382D BUL38D BUL39D BUL416 BUL44 BUL45 BUL49D BUL510 BUL57 BUL57FP BUL58D BUL59 BUL654 BUL67 BUL742 BUL810 BUL89 BULB128D-1 BULB39D BULB49D BULD118D-1 BULK128D BULT118 BULT118D BUT11 BUT11A BUT11AF BUT11AI BUT11AX BUT11APX Производитель ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS MOTOROLA MOTOROLA ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS Стр. 394 395 395 396 396 397 397 191 192 192 193 193 194 194 195 195 196 196 197 197 198 198 199 199 200 200 201 201 202 202 203 203 204 204 205 398 398 399 399 400 400 401 401 402 402 403 403 404 404 405 405 406 406 82 82 407 407 408 408 409 409 410 410 411 411 412 412 413 413 414 414 415 415 205 206 206 207 207 208 Применение Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Схемы запуска ^Схемы запуска Схемы запуска Схемы запуска Схемы запуска Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания
20 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике Прибор BUT11APX-1200 BUT11F BUT11X1 BUT12 BUT12A BUT12AF BUT12AI BUT12F BUT12XI BUT18 BUT18A BUT18AF BUT18F BUV21 BUV22 BUV26 BUV48C BUV48CFI BUW1015 BUW11AF BUW11F BUW11AW BUW11W BUW1215 BUW13AF BUW13F BUW13AW BUW13W BUW14 BUX48C BUX84 BUX84F BUX84S BUX85 BUX85 BUX85F BUX86P BUX87P BUX87-1100 FJA13009 FJAF6806D FJAF6808D FJAF6810 FJAF6810D FJAF6812 FJAF6815 FJAF6820 FJAF6910 FJAF6916 FJAF6920 FJD5304D FJE3303 FJE5304D FJL6820 FJL6825 FJL6920 FJN13003 FJP3305 FJP5021 FJP5304D FJP5321 FJP5355 FJP5554 FJP5555 FJPF13007 FJPF13009 FJPF3305 FJPF5021 FJPF5027 FGPF5321 FJPF5555 FJPF6806D FMMT458 FMMT459 FMMT497 FZT458 FZT658 Производитель PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS ST- MICROELECTRONICS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS ST- MICROELECTRONICS PHILIPS PHILIPS PHILIPS MOTOROLA PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS PHILIPS FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD ZETEX ZETEX ZETEX ZETEX ZETEX Стр. 208 209 209 210 210 211 211 212 212 213 213 214 214 83 83 84 416 416 417 215 215 216 216 417 217 217 218 218 219 418 219 220 220 84 221 221 222 222 223 23 23 24 24 25 25 26 26 27 27 28 28 29 29 30 30 31 31 32 32 33 33 34 34 35 35 36 36 37 37 38 38 39 513 514 514 515 515 Применение Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки, промышленное оборудование Выходные каскады строчной развертки, промышленное оборудование Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной^азвертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике 21 Прибор FZT857 FZTA42 HD1520FX HD1530FX HD1530JL HD1750FX HD1750JL HD1760JL KSA1156 KSC2233 KSC2333 KSC2335 KSC2518 KSC2751 KSC2752 KSC3552 KSC5026M KSC5027 KSC5039F KSC5042F KSC5042M KSC5338D KSC5338DW KSC5367F KSC5386 KSC5504D KSC5504DT KSC5801 KSC5802 KSC5803 KSD362 KSD363 KSD5001 KSD5002 KSD5003 KSD5004 KSD5005 KSD5007 KSD5011 KSD5013 KSD5015 KSD5017 KSD5701 KSD5703 KSD5707 KSE5020 MD1803DFX MD2310FX MJD47T4 MJD49T4 MJD50T4 MJE13003 MJE13005 MJE13007 MJE13009 MJE16002 MJE16004 MJE16106 MJE18002 MJE18004 MJE18206 MJF18002 MJF18004 MJF18206 MJW16212 S2000 S2000A S2000AF S2000AFI S2000F S2000N S2055 S2055A S2055AF S2055F S2055N SGSF313 SGSF313PI SGSF344 Производитель ZETEX ZETEX ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD SAMSUNG SAMSUNG SAMSUNG SAMSUNG SAMSUNG SAMSUNG SAMSUNG SAMSUNG SAMSUNG SAMSUNG FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD FAIRCHILD ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA MOTOROLA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA ST- MICROELECTRONICS TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA TOSHIBA ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS Стр. 516 516 418 419 419 420 420 421 39 40 40 41 41 42 42 43 43 44 44 45 45 46 46 47 47 48 48 49 49 50 50 51 224 224 225 225 226 226 227 227 228 228 51 52 52 53 421 422 422 423 423 85 85 86 86 87 87 88 88 89 89 90 90 91 91 507 508 508 424 509 509 510 510 511 511 512 424 425 425 Применение Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Промышленное оборудование Импульсные источники питания Промышленное оборудование Промышленное оборудование Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной^азвертки Выходные каскады строчной^азвертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной^азвертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной^азвертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной^>азвертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады^строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Промышленное оборудование Выходные каскадькггрочной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчнощэазвертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания
22 Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике Прибор SGSF464 SGSFI464 ST13003 ST13005 ST13007 ST13007FP ST13007N ST13007NFP ST1802FH ST1803DFH ST1803DHI ST2001FX ST2009DXI ST2310DXI ST2310FX ST2317DFX ST2408HI ST83003 STB13005-1 STD13003-1 STD13003-T4 STD83003-1 STD83003-T4 STK13003 STX13005 THD200FI THD215HI THD218DHI THD277HI TS7988 TS7990 TS7992 TS7994 TT2138LS II214UL5 112142 1 121^01.5 1I219UL5 ТТ2202 Производитель ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS ST- MICROELECTRONICS SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO SANYO 1 SANYO Стр. 426 426 427 427 428 428 429 429 430 430 431 431 432 432 433 433 434 434 435 435 436 436 437 437 438 438 439 439 440 344 344 345 345 346 346 347 347 348 348 Применение Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Импульсные источники питания Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки Выходные каскады строчной развертки
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 23 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD гор дгш импульс- Корпус ТО-ЗР KrubAiWPBiri^ ЫРЫ тоаюистсо /для ямнръьснык тсуочцитп рмтшш к схем угта «1*я моторами ' Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat Cob fT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 7 В, 1с = 0 В Vce = 5 В, Ic = 5,0 А Vce = 5 В, Ic = 8,0 А 1с = 5,0 A, lb= 1,0 А 1с = 12,0А, lb = 3,0A 1с = 5,0А, Ib = 1.0 А lc = 8,0A, Ib = 1,6А Veb = 10 В, f= 0,1 МГц Vce =10 В, lc = 0,5A RI = 15,6Om Мин. зна- чение - - - - - - - - О> 00 - — - 4 - Тип. зна- чение - - - - - - - - — - — 180 - 0,7 Макс, значе ние 700 400 9 12,0 24,0 6,0 130 1,0 40 30 1 3 1.2 1.6 - - - Еди- ницы В В В А А А Вт мА В В в в пФ МГц МКС Д.ГШ ВЫХОДНЫХ КАСКАДОВ СТр нот развертки тело- Корпус TO-3PF Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоро- стью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc lebo lebo hFE Vce sat Vbe sat VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 1,0 А Vce = 5 В, lc = 4,0A lc = 4,0A, Ib = 1,0 А 1с = 4,0А, Ib = 1,0 А IF = 4,5 А RI = 50 Ом Мин. значе- ние - - - - - - - 40 8 4 - - - - Тип. значе- ние - - - - - - - - : - - - 0,2 Макс, значе- ние 1500 750 6 6,0 12,0 50 10 200 7 5 1,5 2 - Еди- ницы В В В А А Вт мкА мА В В В МКС
24 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD Корпус TO-3PF Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоро- стью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры ° о с с Т\ 1 2 ) 3 > [ Г Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, 1с = 0 В Vce = 5B, lc= 1,0А Vce = 5 В, Ic = 6,0 А 1с = 6,0А, 1Ь=1,5А |С = 6,ОА, Ib = 1,5А If =6,0 А RI = 50 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - 40 7 5 - - — - Тип. значе- ние - - - - - - - - — - - — 0,2 Макс, значе- ние 1500 750 6 10,0 20,0 60 10 250 8 3 1,5 2 - Еди- ницы В В В А А Вт мкА мА В В В МКС FJAF8810 ЗЭРТКУ ;Ч*ОН? Корпус TO-3PF Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Voe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер^ Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 1,0 А Vce = 5 В, Ic = 6,0 А lc = 6,0A, Ib = 1,5 А 1с = 6,0А, Ib = 1,5 А RI = 50 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - 40 10 5 _ _ - Тип. значе- ние - - - _ - - - - - _ _ 0,2 Макс, значе- ние 1500 750 6 10,0 20,0 60 10 1,0 8 3 1,5 - Еди- ницы В В В А А Вт мкА мА В В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 25 Корпус TO-3PF Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоро- стью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Колпектор Эмиттер^ Изолированный О Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ip Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5B,lc=1,0A Vce = 5 В, Ic = 6,0 А lc = 6,0 A, lb= 1,5 А 1с = 6,0А, 1Ь=1,5А IF =6,0 А RI = 50 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - 40 7 5 - - — - Тип. значе- ние - - - - - - - - — - - — 0,2 Макс, значе- ние 1500 750 6 10,0 20,0 60 10 250 8 3 1,5 2 - Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В В МКС % f Корпус TO-3PF Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo-1500 В. - Малое напряжение насыщения Vce sat = 3 В. Предельно допустимые и основные электрические параметры ° о ' о 1 2 3 ' I Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hpE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - _ Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, 1с = 0 В Vce = 5 В, lc= 1,0 А Vce = 5 В, Ic = 8,0 А lc = 8,0 A, lb = 2,0A lc = 8,0 A, lb = 2,0A RI = 30 Ом Мин. зна- чение _ _ - - _ - - _ 10 5 _ - - Тип. значе- ние _ _ - - _ - _ _ - _ _ 0,2 Макс, значе- ние 1500 750 6 12,0 24,0 60 10 1,0 40 8 3 1,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МКС
26 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD С ЫРЫ транзистор imvi вы кед. Корпус TO-3PF /каскадов строчной раз Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Малое напряжение насыщения Vce sat = 3 В. Предельно допустимые и основные электрические параметры Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo Hfe Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 1,0 А Vce = 5 В, lc= 10,0 А lc = 10,0 A, lb = 2,5A |С= 10,0 A, lb = 2,5 A RI = 25 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 5 - - - Тип. значе- ние - - - - - - - - — - - 0,2 Макс, значе- ние 1500 750 6 15,0 25,0 60 ' 10 1,0 8 3 1,5 - Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МКС Корпус TO-3PF Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. - Малое напряжение насыщения Vce sat = 3 В. Предельно допустимые и основные электрические параметры 0 о с с nV 1 2 > з > [ г Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 1,0 А Vce = 5 В, Ic = 8,5 А Vce = 5 В, Ic = 11,0 А Ic = 11,0 A, lb = 2,75A Ic = 11,0A, lb = 2J5A RI = 20 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - _ 8 6 5,5 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - _ - _ - 0,2 Макс, значе- ние 1500 750 6 20,0 30,0 60 10 1,0 10 8,5 3 1,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 27 Корпус TO-3PF Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1700 В. - Малое напряжение насыщения Vce sat = 3 В. Предельно допустимые и основные электрические параметры Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5B, lc=1,0A Vce = 5 В, Ic = 6,0 А 1с = 6,0А, tb = 1,5А lc = 6,0A, Ib = 1,5А RI = 33 Ом Мин. значе- ние - - - - - - - - 10 7 - - - Тип. значе- ние - - - - - - - - — - - 0,3 Макс, значе- ние 1700 800 6 10,0 20,0 60 10 1,0 10 3 1,5 - Еди ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МКС Корпус TO-3PF Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1700 В. - Малое напряжение насыщения Vce sat = 3 В. Предельно допустимые и основные электрические параметры в о с ( 1 2 э Т> 3 > [ Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмитте^-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5B, lc= 1,0 А Vce = 5 В, Ic = 8,5 А lc= 10,0 A, lb = 2,5A 1с = 10,0А, lb = 2,5A RI = 25 Ом Мин. значе- ние - — - - - - _ _ 10 6 _ _ - Тип. значе- ние - _ - - _ - _ - - _ 0,3 Макс, значе- ние 1700 800 6 16,0 30,0 60 10 1,0 9 3 1,5 - Еди ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МКС
28 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD Корпус TO-3PF Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1700B. - Малое напряжение насыщения Vce sat = 3 В. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный ° о с о 1 2 3 > ( Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5B, lc = 1,0А Vce = 5 В, Ic = 8,5 А Vce = 5B, Ic = 11,0А »с = 11,0 A, lb = 2,75A Ic = 11,0A, lb = 2,75A RI = 20 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - - 8 6 5,5 - - - Тип. значе- ние - - - - - - - - - - - 0,15 Макс, значе- ние 1700 800 6 20,0 30,0 60 10 1,0 10 8,5 3 1,5 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МКС Корпус D-PACK Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Встроенный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Л Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Ibp Pc Iceo lebo hFE Vce sat Vbe sat VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - - - Т = 25°С Vce = 400 В, Ib = 0 В Veb =12 В, lc = 0B Vce = 5 В, 1с=10мА Vce = 5 В, Ic = 2,0 А lc = 2,5A,lb = 0,5A lc = 2,5A, lb = 0,5A IF =2,0 А Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - - - - - 10 8 _ - - - Тип. значе- ние - - - - - - - - - - - - - - 0,2 Макс, значе- ние 700 400 12 4,0 8,0 2,0 4,0 30 250 1,0 40 1,5 1,3 2,5 - Еди- ни- цы В В В А А А А Вт мкА мА В В В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 29 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с вы- сокой скоростью переключения. Корпус ТО-126 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat Cob h Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 9 В, Ic = 0 В Vce = 2 В, Ic = 0,5 А Vce = 2B,lc=1,0A lc = 5,0A, Ib = 0,1 А Ic = 1,5 A, lb = 0,5 А 1с = 0,5А, Ib = 0,1 А 1с = 1,0А, lb = 0,25A Vcb = 10 В. f =0,1 МГц Vce = 10 В, lc = 0,5A RI = 125Om Мин. значе ние - - - - - - - - 8 5 — — - 4 - Тип. значе- ние - - - - - - - - — — — 21 - 0,7 Макс, зна- чение 700 400 9 1,5 3,0 0,75 20 10 21 0,5 3 1,0 1,2 - - - Еди- ницы В В В А А А Вт мкА В В В В пФ МГц МКС FJE53CJ4D тор дя Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Встроенный диод. Корпус ТО-126 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор •о* Предельно допустимые и основные электрические Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Ibp Pc Iceo lebo hFE Vce sat Vbe sat VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса параметры Условия - - - - - - - Т = 25°С Vce = 400 В, Ib = 0 В Veb =12 В, lc = 0B Vce = 5 В, 1с=10мА Vce = 5 В, Ic = 2,0 А lc = 2,5A, lb = 0,5 А lc = 2,5A, lb = 0,5A IF =2,0 А Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - - - - _ 10 8 _ _ - - Тип. зна- чение - - _ - - - - - - _ : _ _ _ 0,2 Макс, зна- чение 700 400 12 4,0 8,0 2,0 4,0 30 250 100 40 1,5 1,3 2,5 - Еди- ницы В В В А А А А Вт мкА мкА В В В МКС
30 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD Корпус ТО-264 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. - Малое напряжение насыщения Vce sat = 3 В. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5B, lc= 1,0А Vce = 5 В, Ic = 8,5 А Vce = 5 В, Ic = 11,0 А Ic = 11,0A, lb = 2,75A lc = 11,0 A, lb = 2,75 А RI = 20 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - - 8 6 5,5 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 0,15 Макс, значе- ние 1500 750 6 20,0 30,0 200 10 1,0 10 8,5 3 1,5 - Еди- ницы В В В А А Вт мкА мА В В МКС Корпус ТО-264 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Малое напряжение насыщения Vce sat = 3 В. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 1,0 А Vce = 5 В, 1с = 12А 1с=12,0А, lb = 3,0A 1с = 12,0А, Ib = 3,0 А RI = 17Om Мин. значе- ние - - - - - - - - 10 6 _ - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 0,15 Макс, значе- ние 1500 750 6 25,0 35,0 200 10 1,0 9 3 1,5 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 31 Корпус ТО-264 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1700 В. - Малое напряжение насыщения Vce sat = 3 В. Предельно допустимые и основные электрические параметры Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc= 1,0 А Vce = 5 В, Ic = 8,5 А Vce = 5 В, Ic = 11,0 А Ic = 11,0 A, lb = 2,75A Ic = 11,0A, lb = 2,75A RI = 20 Ом Мин. значе- ние - - - - - - - - 8 6 5,5 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 0,15 Макс, зна- чение 1700 800 6 20,0 30,0 60 10 1,0 10 8,5 3 1,5 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МКС Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой ско- ростью переключения. Корпус ТО-92 Вывод 1 2 3 Назначение Эмиттер Коллектор База Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Ibp Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat fT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э ^аничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - _ - Т = 25°С Veb = 9 В, 1с = 0 В Vce = 2 В, Ic = 500 мА Vce = 2B,lc = 1,0A lc = 0,5A, Ib = 0,1 А lc = 1,0 A, lb = 0,25A lc= 1,5 A, lb = 0,55A lc = 0,5 A. lb = 0,1 А Ic = 1,0A, lb = 0,25A Vce = 10 В, lc = 0,1 А RI = 125Om Мин. значе- ние - - - - _ - _ - - 9 5 - - 4 - Тип. зна- чение - - - - _ - _ - _ - - - _ - Макс, зна- чение 700 400 9 1,5 3,0 0,75 1,5 1,1 10 21 0,5 1,0 3,0 1,0 1,2 _ 0,7 Еди- ни- цы В В В А А А А Вт мкА В В В в в МГц МКС
32 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-220 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение Эмиттер Коллектор База Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ip Ib Pc Icbo lebo hFE Vce_sat Vbe_sat fT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Vcb = 700 В, le = 0 В Veb = 9 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 1,0 А Vce = 5 В, Ic = 2,0 А Ic = 1,0 A, lb = 0,2A 1с = 2,0А, lb = 0,5 А 1с = 4,0А, lb= 1,0А |С=1,ОА, Ib = 0,2А lc = 2,0A, lb = 0,5 А Vce = 10 В, lc = 0,5A RI = 125Om Мин. значение - - - - - - - - - 19 8 - _ 4 - Тип. зна- чение - - - - - - - - - _ - _ - - Макс, зна- чение 700 400 9 4,0 8,0 2,0 75 1,0 1,0 35 40 0,5 0,6 1,0 1,2 1,6 - 0,9 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА мкА В В В В В МГц МКС Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-220 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение Эмиттер Коллектор База Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Cob fT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0,6 А Vce = 5 В, Ic = 3,0 А 1с = 3,0А, lb = 0,6A lc = 3,0A, lb = 0,6A Vcb = 10 В, f= 1,0 МГц Vce = 10 В, lc = 0,5A RI = 125Om Мин. значе- ние - - - - - - - - - 15 8 _ _ _ - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - _ _ 80 18 - Макс, значе- ние 800 500 7 5,0 10,0 2,0 50 10 10 50 0,5 1,2 _ _ 0,9 Еди ни- цы В В В А А А Вт мкА мкА В В пФ МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 33 Корпус ТО-220 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Широкая область безопасной работы. Корпус ТО-220 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Л Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Ibp Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - - - Т = 25°С Veb=12B,lc = 0B Vce = 5 В, Ic = 2,0 А Ic = 0.5 A, Ib = 0,1 А lc = 2,5A, Ib = 0,5 А 1с = 0,5А, Ib = 0,1 А lc = 2,5 A, Ib = 0,5 А If =2,0 А Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - - - - 8 _ — - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - _ — - 0,2 Макс, зна- чение 700 400 12 4,0 8,0 2,0 4,0 70 100 40 0,7 1,5 1,1 1,3 2,5 - Еди- ницы В В в А А А А Вт мА В В В В В МКС Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Ibp Pc lebo hFE Vce sat Vbe sat Cib Cob fT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Входная емкость Выходная емкость Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - - - Т = 25°С Veb = 7 В, 1с = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0,6 А Vce = 5 В, Ic = 3,0 А 1с = 3,0 А, 1Ь = 0,6А 1с = 3,0А, 1Ь = 0,6 А Veb = 10 В, f= 1,0 МГц Veb = 10 В, f= 1,0 МГц Vce = 10 В, Ic = 0,6 А Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - _ - - - _ - _ 15 8 _ _ - _ _ - Тип. зна- чение - - _ _ - - _ - - _ _ 1400 65 14 - Макс, зна- чение 800 500 7 5,0 10,0 2,0 4,0 100 10 40 1,0 1,5 2000 100 _ 0,3 Еди- ницы В В В А А А А Вт мкА В В пФ пФ МГц МКС
34 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Широкая область безопасной работы. Корпус ТО-220 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О 1 2 J Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ip Ib Pc lebo hFE Vce sat Vbe sat fT toN Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время включения Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Veb=12B, lc = 0 В Vce = 2 В, Ic = 0,8 А Vce = 2 В, Ic = 2,5 А 1с = 2,5А, lb = 0,8A lc = 2,5A, lb = 0,8A Vce = 10 В, lc = 0,2A - Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - - - 15 7 - - 4 - - Тип. зна- чение - - - - - - - - _ - - - - - Макс, зна- чение 900 440 14,5 5,0 7,5 2,5 50 1,0 _ 0,4 1,2 - 1,1 0,3 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА В В МГц МКС МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Широкая область безопасной работы. Корпус ТО-220 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры о J Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo пре Vce sat Vbe sat Cob t0N Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Время включения Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb=1050B, le = 0B Veb=15B, lc = 0 В Vce = 5 В, lc = 0,1 A Vce = 3 В, Ic = 0,8 А lc = 3,5A, Ib = 1,0 А lc = 3,5A, Ib = 1,0 А Vcb = 10B, f= 1,0 МГц - R = 100Om Мин. зна- чение - - - - - - - - 45 20 _ - - - Тип. зна- чение - - - - - - _ - - _ - 45 - - Макс, зна- чение 1050 400 15 4,0 8,0 70 1,0 1,0 100 50 1,5 1,5 2,0 0,3 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мА В В пФ МКС МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 35 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Широкая область безопасной работы. Корпус ТО-220 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О Предельно допустимые и основные электрические параметры 1 2 J Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc lebo hFE Vce sat Vbe sat Cob toN Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Время включения Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Veb=12B. lc = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0.01 А Vce = 3 В, Ic = 0.8 А lc = 3,5 A ,lb= 1.0 А 1с = 3,5А, Ib = 1,2 А Vcb = 10B. f= 1.0 МГц - R = 100 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - 10 20 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 45 - - Макс, зна- чение 1050 400 14 5.0 10,0 75 1.0 40 1,5 1,2 - 2.0 0,3 Еди- ницы В В В А А Вт мкА В В пФ МКС МКС Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус TO-220F Вывод 1 2 3 Корпус Назначение Эмиттер Коллектор База Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat Cob fT Tf Параметр Напряжение коллектор^база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - _ - - - _ Т = 25°С Veb = 9 В, Ic = 0 В Vce = 5 В. Ic = 2.0 А Vce = 5 В, lc = 5.0A Ic = 2,0 A, Ib = 0,4 А 1С = 5,0 A, Ib = 1,0 А |С = 8,ОА, lb = 2,0 А 1с = 2,0А. Ib = 0,4 А |С = 5,0A lb= 1.0A Vcb = 10B. f = 0.1 МГц Vce = 10 В, lc = 0,5A RI = 25 Ом Мин. зна- чение - _ - - - _ - - 8 5 - - - 4 - Тип. зна- чение - _ - - - _ - - - - - 110 _ - Макс, зна- чение 700 400 9 8,0 16,0 4,0 40 1,0 60 30 1,0 2,0 3,0 1,2 1.6 - _ 0,7 Еди- ницы В В В А А А Вт мкА В В В В В пФ МГц МКС
36 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус TO-220F Вывод 1 2 3 Корпус Назначение Эмиттер Коллектор База Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ip Ib Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat Cob fT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 5,0 А Vce = 5 В, Ic = 8,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,0 А lc = 8,0A, Ib = 1,6 А lc = 12,0 A, lb = 3,0A lc = 5,0 A, lb = 1,0 А 1с = 8,0А, lb= 1,6А Vcb = 10B,f=0,1 МГц Vce = 10 В, lc = 0,5A RI = 15,6Om Мин. зна- чение - - - - - - - - 8 5 - — - 4 - Тип. зна- чение - - - - - - - - : - — 180 - - Макс, зна- чение 700 400 9 12,0 24,0 6,0 50 1,0 40 30 1,0 1,5 3,0 1,2 1,6 - - 0,7 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мА В В В В В пФ МГц МКС Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус TO-220F Вывод 1 2 3 Корпус Назначение Эмиттер Коллектор База Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat fT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 9 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc= 1,0 А Vce = 5 В, lc = 2,0A 1с = 2,0А, lb = 0,5 А lc = 4,0A, Ib = 1,0А lc= 1.0 A, lb = 0,2 А 1с = 2,0А, lb = 0,5 А Vce =10 В, lc = 0,5A RI = 125Om Мин. значе- ние - - - _ - - - 19 8 - - 4 - Тип. зна- чение - - - _ - - - _ : - - _ - Макс, значе- ние 700 400 9 4,0 8,0 2,0 30 1,0 35 40 0,6 1,0 1,2 1,6 _ 0,9 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА В В В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства FAIRCHILD 37 Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус TO-220F Вывод 1 2 3 Корпус Назначение Эмиттер Коллектор База Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Cob fT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0,6 А Vce = 5 В, Ic = 3,0 А lc = 3,0 A, lb = 0,6A IC = 3,0A, lb = 0,6A Vcb = 10 В, f= 1,0 МГц Vce =10 В, lc = 0,6A RI = 50 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - - - 15 8 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - — - - 80 15 - Макс, зна- чение 800 500 7 5,0 10,0 2,0 40 10 10 50 0,5 1,2 - - 0,3 Еди ни- цы В В в А А А Вт мкА мкА В В пФ МГц МКС Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус TO-220F Вывод 1 2 3 Корпус Назначение Эмиттер Коллектор База Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры t 1 'О° ) ^ О о ) J 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc lebo Ире Vce sat Vbe sat Cob fT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0,2 А Vce = 5 В, lc= 1,0 А lc = 1,5A, lb = 0,3A Ic = 1,5 A, lb = 0,3 А Vcb = 10 В, f= 1,0 МГц Vce = 10 В, lc = 0,2A RI = 200 Ом Мин. зна- чение - - - _ _ - - _ 10 8 _ _ - - - Тип. значе ние - - - _ - - - _ - _ _ 60 15 - Макс, зна- чение 1100 800 7 3,0 10,0 1,5 40 10 40 2 1,5 - - 0,3 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА В В пФ МГц МКС
38 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Широкая область безопасной работы. Корпус TO-220F Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Ibp Pc lebo hFE Vce sat Vbe sat Cib Cob fr Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Входная емкость Выходная емкость Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - - - Т = 25°С Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0,6 А Vce = 5 В, Ic = 3,0 А lc = 3,0A, lb = 0,6A 1с = 3,0А, lb = 0,6A Veb =10 В, f= 1,0 МГц Vcb = 10B, f= 1,0 МГц Vce =10 В, lc = 0,6A Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - - - - 15 8 - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - : - - 1400 65 14 - Макс, зна- чение 800 500 7 5,0 10,0 2,0 4,0 100 10 40 1,0 1,5 2000 100 - 0,3 Еди- ни- цы В В В А А А А Вт мкА В В пФ пФ МГц МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Широкая область безопасной работы. Корпус TO-220F Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc lebo hFE Vce sat Vbe sat Cob toN Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Время включения Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Veb =12 В, lc = 0B Vce = 5 В, Ic = 0,01 А Vce = 3 В, Ic = 0,8 А lc = 3,5A, lb=1,0A 1с = 3,5А, lb= 1,2А Veb = 10 В, f= 1,0 МГц - R = 100Om Мин. значе- ние - - - - - - - 10 20 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 45 - - Макс, зна- чение 1050 400 14 5,0 10,0 75 1,0 40 1,5 1,2 _ 2,0 0,3 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА В В пФ МКС МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 39 .: IP I «У if-Шйаый NFN трамзистор для эылодных каскадов строчкой разео Корпус TO-220F Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 1,0 А Vce = 5 В, Ic = 4,0 А 1с = 4,0А, Ib = 1,0 А lc = 4,0A, lb= 1.0A IF = 4,5A RI = 50 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - 40 8 4 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - — - - - - Макс, зна- чение 1500 750 6 6,0 12,0 40 10 200 7 5 1,5 2 0,2 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мА В В В МКС Корпус ТО-126 Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоро- стью переключения. - Низкое напряжение насыщения. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1 2 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc lebo hFE Vce sat Vbe sat fT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - _ Т = 25°С Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 0,1 A Ic = 0,1 A, lb = 0,01 А Ic = 0,1 A, Ib = 0,01 А Vce = 10 В, lc = 0,5A RI = 1,5kOm Мин. значе- ние - - - - _ _ - - 30 _ - 4 - Тип. зна- чение - - - - _ _ - - _ - 0,7 Макс, зна- чение 400 400 7 0,25 0,5 1,0 1 10 200 1 1,2 - - Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА В В МГц МКС KSA1156 ПРЕ N 30 60 R 40 . 80 О 60 120 Y 100 .200
40 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD Корпус ТО-220 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор. - Напряжение пробоя Vcbo = 200 В. - Низкое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор ЯРЫ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Широкая область безопасной работы. Корпус ТО-220 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры J Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat fr Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Условия - - - - Т = 25°С Vcb=170B, le = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А Vce = 5 В, Ic = 4,0 А 1с = 4,0А, lb = 0,4A lc = 4,0A, lb = 0,4 А Vce = 5 В, Ic = 0,5 А Мин. зна- чение - - - - - - 30 20 - - - Тип. зна- чение - - - - - - 40 - - 10 Макс, зна- чение 200 60 5 4,0 40 10 150 1 1,5 - Еди- ни- цы В В В А Вт мкА В В МГц Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc Icbo lebo Пре Vce sat Vbe sat t0N Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время включения Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Vcb = 400 В, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 0,1 А Vce = 5 В, lc = 0,5A lc = 0,5 Alb = 0,1 А lc = 0,5 Alb = 0,1 А - R = 300 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - - - 20 10 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - _ 80 - - - - Макс, зна- чение 500 400 7 2,0 4,0 1,0 15 10 10 - 1 1,2 1,0 1,0 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА мкА В В МКС МКС KSC2333 ПРЕ R 20 . 40 О 30. 60 Y 40 80
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 41 Корпус ТО-220 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc Icbo lebo hPE Vce sat Vbe sat t0N Tf KSC2335 hFE Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время включения Время спада импульса R 20 40 О 30 60 Y 40. 80 Условия - - - - - - Т = 25°С Vcb = 400 В, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0,1 А Vce = 5 В, Ic = 3, А lc = 3,0 A, lb = 0,6 А 1с = 3,0А, lb = 0,6A - R = 50 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - - - 20 10 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 80 - - - - Макс, зна- чение 500 400 7 7,0 15,0 3,5 40 10 10 — 1 1,2 1,0 1,0 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА мкА В В МКС МКС Корпус ТО-220 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс, зна- чение Еди- ницы Vcbo Напряжение коллектор-база 500 Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 400 Vebo Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный 4,0 Ток коллектора импульсный 8,0 Ток базы 1,0 Рс Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С 40 Вт Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 400 В, le = 0 В 10 мкА lebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 В 10 мкА hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,3 А Усе = 5 В, 1с = 1,5,А 20 10 80 Vce_sat Напряжение насыщения К-Э lc= 1,5 A, lb = 0,3A Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc=1,5A,lb = 0,3A 1,5 Время включения 1,0 Tf KSC2518 Время спада импульса R = 75 Ом 0,7 20 40 30 60 40 80
42 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с вы- сокой скоростью переключения. Корпус ТО-ЗР Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры U 1U 2U 3L Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ip Ib Pc lebo hFE Vce sat Vbe sat fT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса KSC2751 hFE N 15 . 30 R 20 40 О 30 60 Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc= 10,0 А lc= 10,0 A, lb = 2,0A lc= 10,0 A, lb = 2,0 A Vce = 10 В, lc = 0,5A RI = 15Om Мин. зна- чение - - - - - - - - 7 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 15 - Макс, зна- чение 500 400 7 15,0 30,0 7,5 120 10 - 1 1,5 - 7 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА В В МГц МКС оборудовании Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоро- стью переключения. ! TpatOWcTuD Д«1Н ИСПО Корпус ТО-126 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о Предельно допустимые и основные электрические параметры 1 2 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat toN Tf KSC2752 hFE Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время включения Время спада импульса R 20 40 О 30 60 Y 40 80 Условия - - - - - - Т = 25°С Vcb = 400 В, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0,3 А Vce = 5 В, Ic = 0,05 А 1с = 0,ЗА, lb = 0,06 А Ic = 0,3 A, lb = 0,06A lc = 0,3A, lb = 0,06A RI = 500 Ом Мин. зна- чение - - _ - - - - - - 10 20 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - - _ Макс, зна- чение 500 400 7 0,5 1,0 0,25 1 10 10 80 1 2 2,5 1 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА мкА В В МКС МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 43 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-ЗР Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc lebo hFE Vce sat Vbe sat Cob fr Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса KSC3552 hFE N 10 20 R 15 30 О 20 40 Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 4,0 А 1с = 6,0А, Ib = 1,2 А lc = 6,0A, Ib = 1,2 А Vcb = 10B, f= 1,0 МГц Vce = 10 В, lc = 0,5A RI = 50 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - - 8 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 215 15 - Макс, зна- чение 1100 800 7 12,0 30,0 6,0 150 10 - 2 1,5 - - 0,3 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА В В пФ МГц МКС Корпус ТО-126 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высо- кой скоростью переключения. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat toN fT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время включения Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса KSC5026M hFE N 10 20 R 15 30 О 20 40 Условия - - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0,1 А Vce = 5 В, Ic = 0,5 А lc = 0,75A, Ib = 0,15 А lc = 0,75A, lb = 0,15 А lc = 0,3 A, lb = 0,06 А Vce = 10 В, Ic = 0,1 А RI = 400 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - - - 10 8 _ - - _ _ Тип. зна- чение - - _ - - - - - _ - _ - _ 15 _ Макс, зна- чение 1100 800 7 1,5 5,0 0,8 20 10 10 40 2 1,5 0,5 _ 0,3 Еди- ни- цы В В в А А А Вт мкА мкА В В МКС МГц МКС
44 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD Кь-^униевый НРЫ згщтзхсмэльный транзистор дл» лспе оборудовании Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-220 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ip Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat t0N fT Tf KSC5027 hFE Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время включения Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса N 10 . 20 R 15 30 О 20 40 Условия - - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0,2 А Vce = 5 В, lc= 1,0 А lc= 1,5 A, lb = 0,3 А lc= 1,5 А, 1Ь = 0,ЗА 1с = 0,ЗА, lb = 0,06A Vce = 10 В, lc = 0,2A RI = 200 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - - - 10 8 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - _ - - - 15 - Макс, зна- чение 1100 800 7 3,0 10,0 1,5 50 10 10 40 2 1,5 0,5 - 0,3 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА мкА В В МКС МГц МКС Корпус TO-220F Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc lebo hFE Vce sat Vbe sat Cob fr ION Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость L Граничная частота эффективного усиления Время включения Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0,3 А 1с = 2,5А, lb = 0,5 А 1с = 2,5А, lb = 0,5 А Veb =10 В, f= 1,0 МГц Vce = 10 В, lc=0,1 A lc = 2,5 Alb = 0,5 А RI = 60 Ом Мин. зна- чение - - - _ - - - - 10 _ - - _ _ - Тип. зна- чение - - - - _ - _ - 40 10 - - Макс, зна- чение 800 400 7 5,0 10,0 3,0 30 10 _ 1,5 2 - _ 1 0,8 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА В В пФ МГц МКС МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 45 Корпус TO-220F Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Малая выходная емкость. - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Cob fT Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Граничная частота эффективного усиления Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 900 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0,01 А Ic = 0,02 A Ib = 4,0 тА Ic = 0,02 A Ib = 4,0 тА Vcb = 100 В, f= 1,0 МГц Vce = 10 В Мин. зна- чение - - - - - - - - 30 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 40 2,8 Макс, зна- чение 1500 900 5 0,1 0,3 6 10 10 - 5 2 - - Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мкА В В ПФ МГц ьреаднйовый ШУН гшзнзрный транзистор для импульсных источников п^тэни; Корпус ТО-126 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высо- кой скоростью переключения. - Малая выходная емкость. - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о 1 2 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Cob fT Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Граничная частота эффективного усиления Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 900 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0,01 А Ic = 0,02 A Ib = 4,0 mA Ic = 0,02 A lb = 4,0 mA Vcb = 100 В, f= 1,0 МГц Vce = 10 В Мин. зна- чение - - - - - - _ - 30 - _ - - Тип. зна- чение - _ - - - - _ - - - _ 40 2,8 Макс, зна- чение 1500 900 5 0,3 5 10 10 - 5 2 - - Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мкА В В пФ МГц
46 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Встроенный диод. Корпус D-PACK Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические i Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Ibp Pc Iceo lebo hFE Vce sat Vbe sat VF toN Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время включения Время спада импульса параметры Условия - - - - - - - Т = 25°С Vce = 450 В, Ib = 0 В Veb=10B, lc = 0 В Vce = 1 В, Ic = 2,0 А Vce = 2,5 В, 1с=1,0А 1с = 2,0А, lb = 0,4A 1с = 2,0А, lb = 0,4 А IF =2,0 А 1с = 2,0А, lb = 0,4A RI = 150Om Мин. зна- чение - - - - - - - - - - 6 18 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 9 25 0,47 0,9 0,95 100 90 Макс, зна- чение 1000 450 12 5,0 10,0 2,0 4,0 75 100 10 _ 0,75 1 1,5 150 150 Еди- ницы В В В А А А А Вт мкА мА В В В НС НС Корпус ТО-220 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Встроенный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Ibp Pc Iceo lebo hFE Vce sat Vbe sat Vp bN Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Пэдение напряжения на прямосмещенном диоде Время включения Время спада импульса Условия - - - - - - - Т = 25°С Vce = 450 В, Ib = 0 В Veb=10B, lc = 0 В Vce = 1 В, Ic = 2,0 А Vce = 2,5 В, 1с=1,0А 1с = 2,0А, lb = 0,4A 1с = 2,0А, lb = 0,4A IF =2,0 А 1с = 2,0А, lb = 0,4 А RI = 150Om Мин. зна- чение - - - - - - - - - - 6 18 _ _ - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 9 25 0,47 0,9 0,95 100 90 Макс, зна- чение 1000 450 12 5,0 10,0 2,0 4,0 75 100 10 — 0,75 1 1,5 150 150 Еди- ницы В В В А А А А Вт мкА мА В В В НС НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 47 Корпус TO-220F Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Малая выходная емкость. - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Ibp Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Cob t0N Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Время включения Время спада импульса Условия - - - - - - - Т = 25°С Vcb = 1600B, le = 0 В Veb=12B, lc = OB Vce = 3 В, Ic = 0,4 А Ic = 1,0 A, lb = 200 mA lc = 0,5A, lb = 50,0 mA Vcb = 10B, f= 1,0 МГц lc = 1.0 A, lb = 0,2A RI = 250 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - - - - 12 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - - 40 - 90 Макс, зна- чение 1600 800 12 3,0 6,0 2,0 4,0 40 20 20 35 2,5 1,5 - 0,5 0,5 Еди- ни- цы В В В А А А А Вт мкА мкА В В пФ МКС МКС Корпус TO-3PF Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный ° о с с nV 1 2 з. ( г Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc= 1,0 А Vce = 5 В, Ic = 5,0 А 1с = 5,0А, lb= 1,2 А lc = 5,0A, Ib = 1,2 А IF =6,0 А lc = 4,0A, RI = 50Om Мин. зна- чение - - - - - - - 40 8 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - : - _ 0,2 Макс, зна- чение 1500 800 6 7,0 16,0 50 10 250 22 8 4,2 1,5 2 - Еди- ницы В В В А А Вт мкА мА В В В МКС
48 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD Корпус D-PACK Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Встроенный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Символ Vcbo Vceo Vebo Ic <P Ib Ibp Pc Iceo lebo hFE Vce sat Vbe sat fT VF toN Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы постоянный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время включения Время спада импульса Условия - - - - - - - Т = 25°С Vce = 600 В, Ib = 0 В Veb=12B, lc = 0 В Vce = 1 В, Ic = 2,0 А Vce = 2,5B, lc= 1,0 А 1с = 2,0А, lb = 0,4A lc = 2,0A, lb = 0,4A Vce = 10 В IF= 1,0 А 1с = 2,0А, lb = 0,4A RI = 150Om Мин. зна- чение - - - - - - - - - - 4 12 - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 6 18 0,5 0,85 11,0 0,83 100 90 Макс, зна- чение 1200 600 12 4,0 8,0 2,0 4,0 75 100 10 - 1,5 1,2 - 1,3 150 150 Еди- ницы В В В А А А А Вт мкА мА В В МГц В НС НС Кремнистый Ы9Ы дмффулиснтый плзнзриьгк транзис? ючиикоэ питания Корпус ТО-220 Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Встроенный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Символ Параметр Условия Мин. зна- чение Тип. зна- чение Макс. значе ние Еди- ницы Vcbo Напряжение коллектор-база 120 0 Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 600 Vebo Напряжение эмиттер-база 12 Ток коллектора постоянный 4,0 IP Ток коллектора импульсный 8,0 Ток базы постоянный 2,0 Ibp Ток базы импульсный 4,0 Рс Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С 75 Вт Iceo Обратный ток коллектора Усе = 600 В, Ib = 0 В 100 мкА lebo Обратный ток эмиттера Veb=12B, lc = 0 В 10 мА hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 1 В, lc = 2,0A Усе = 2,5 В, lc= 1,0 А 4 12 6 18 Vce sat Напряжение насыщения К-Э lc = 2,0A, lb = 0,4A 0,5 1,5 Vbe sat Напряжение насыщения Б-Э lc = 2,0A, lb = 0,4A 0,85 1,2 fT Граничная частота эффективного усиления Усе = 10 В 11,0 МГц Падение напряжения на прямосмещенном диоде lF=1,0A 0,83 1.3 Время включения 1с = 2,0А, lb = 0,4A 100 150 Tf Время спада импульса RI = 150Om 90 150 не
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 49 Корпус TO-3PF Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия — - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, 1е = 0 В Veb = 4 В, 1с = 0 В Vce = 5 В, Ic = 1,0 А Vce = 5 В, Ic = 5,0 А lc = 5,0A, lb= 1,2 А lc = 5,0A, lb=1,2A If =6,0 А Ic = 4,0 A, RI = 50Om Мин. зна- чение — - - - - - - 40 10 4 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 150 0 800 6 8,0 16,0 50 10 250 30 7 5 2 2 0,2 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мА В В В МКС Корпус TO-3PF Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В. - Малое напряжение насыщения Vce_sat = 3 В. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, 1с = 0 В Vce = 5 В, Ic = 1,0 А Vce = 5 В, Ic = 6,0 А 1с = 6,0А, Ib = 1,5 А 1с = 6,0А, lb= 1,5 А RI = 33 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - - 15 7 - - - Тип. зна- чение - - - - - - _ _ - - _ 0,1 Макс, зна- чение 1500 800 6 10,0 30,0 60 10 1.0 48 10 3 1,5 0,3 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МКС
50 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD Корпус TO-3PF Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. - Малое напряжение насыщения Vce sat = 3 В. Предельно допустимые и основные электрические параметры о J Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic «P Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5B,lc = 1,0A Vce = 5 В, Ic = 8,0 А lc = 8,0A, lb = 2,0 А lc = 8,0A,lb = 2,0A Ic = 1,0 A, RI = 28,6Om Мин. зна- чение - - - - - - - - 15 5,5 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - : - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 12,0 24,0 70 10 1,0 40 8,5 3 1,5 0,3 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МКС Особенности: - Мощный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-220 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение Эмиттер Коллектор База Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры о J Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat fT Tf KSD362 hFE Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса N 20 50 R 40...80 О 70 140 Условия - - - - Т = 25°С Vcb = 100BJe = 0B l_ Veb = 9 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 5,0 А lc = 5,0A, lb = 0,5A IC = 5,0A, lb = 0,5 А Vce =10 В, lc = 0,5A - Мин. зна- чение - - - - - - - 20 - - 10 - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 150 70 8 5,0 40 20 10,0 140 1 1,5 - 0,9 Еди- ни- цы В В В А Вт мкА мкА В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD 51 Особенности: - Мощный транзистор с высокой скоро- стью переключения. Корпус ТО-220 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение Эмиттер Коллектор База Коллектор О 1 2 J Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat h Tf KSD363 Ире Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - Т = 25°С Vcb = 250 В, le = 0 В Veb = 9 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 1,0 А lc= 1,0 A, Ib = 0,1 А lc= 1,0 A, Ib = 0,1 А Vce = 10 В, lc = 0,5A - N 20 50 R 40 .80 О 70 .140 Y 120 240 Мин. зна- чение - - - - - - - 20 - - 10 - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 300 120 8 6,0 40 20 10,0 240 1 1,5 - 0,9 Еди- ни- цы В В В А Вт мкА мкА В В МГц МКС Корпус TO-3PF Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры 0 о с о п 1 2 3 . И [ г Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер^ Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0,5 А Vce = 5 В, Ic = 2,5 А lc = 2.5A, lb = 0,8 А 1с = 2,5А, lb = 0,8 А IF=3,5A 1с = 3,0А, RI = 66,7Om Мин. зна- чение - _ - - - - - 40 10 2,5 _ _ - - Тип. зна- чение - _ - - - - - - : - - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 3,5 10,0 50 10 250 30 5 1,5 2 0,4 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мА В В В МКС
52 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD Корпус TO-3PF Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Малое напряжение насыщения Vce_sat = 5 В. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, 1с = 0 В Vce = 5 В, 1с = 1,0А Vce = 5B,lc = 8,0A lc = 8,0A, Ib = 1,8 А 1с = 8,0А, Ib = 1,8А RI = 33,3 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - - 15 5,3 - - - Тип. зна- чение - - - _ - - - - : - - 0,1 Макс, зна- чение 1500 800 6 10,0 30,0 70 10 1,0 40 7,3 5 1,5 0,3 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МКС Корпус TO-3PF Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Малое напряжение насыщения Vce_sat = 5 В. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры 0 о с с ¥\ 1 . 2 3 I Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat fT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, 1с = 0 В Vce = 5 В, Ic = 1,0 А Vce = 5 В, lc = 3,0A 1С = 4,0 A, lb = 0,8A 1С = 4,0 A, Ib = 0,8 А Vce =10 В, lc = 0,1 A RI = 50 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - 10 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - : - - 3 - Макс, зна- чение 1500 800 6 6,0 16,0 60 10 1,0 30 15 5 1,5 - 0,4 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства FAIRCHILD 53 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с вы- сокой скоростью переключения. Корпус ТО-126 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Cob t0N fT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Время включения Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 0,3A Vce = 5 В, 1с = 1,5А lc= 1,5A, lb = 0,3A lc= 1,5 A, lb = 0,3 А Vcb = 10 В, f= 1,0 МГц 1с = 0,ЗА,1Ь = 0,06А Vce =10 В, lc = 0,3A RI = 400 Ом Мин. зна- чение - - - - - - - - 15 8 - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - — - - 50 - 18 - Макс, зна- чение 800 500 7 3,0 6,0 1,0 30 10 10 50 1 1,5 - 0,5 - 0,3 Еди- ни- цы В В в А А А Вт мкА мкА В В пФ МКС МГц МКС KSE5020 ПРЕ R 15 30 О 20 .40 Y 30.. 50
54 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью пере- ключения. - Низкое напряжение насыще- ния. - Неизолированный корпус. - Прибор снят с производства. Корпус ТО-3 Вывод 1 2 Корпус Назначение База Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic >P Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat FT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 600 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5B, lc = 1,0 А 1с = 2,5А, lb = 0,8A 1с = 2,5А, lb = 0,8A 1с = 2,0А lc = 2,75A,lb = 0I6A Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 8 - - 3 - Макс, зна- чение 1500 800 6 3,0 6,0 50 10 0,5 - 5 1,5 - 1,0 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МГц МКС Корпус ТО-3 Вывод 1 2 Корпус Назначение База Эмиттер Коллектор Особенности: - Высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переключения. - Низкое напряжение насы- щения. - Неизолированный корпус. - Прибор снят с производст- ва. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc Icbo lebo b-E Vce sat Vbe sat FT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С L Vcb = 1200 В, le = 0B Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5B,lc = 3,0A lc = 2,5 A, lb = 0,8 А 1с = 2,5А, lb = 0,8A lc = 2,0A lc = 3,0A,lb = 0,6A Мин. зна- чение - - - - - — - - - 7 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1500 800 7 5,0 7,0 2,5 80 100 0,5 - 5 1,5 _ 1,0 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА мА В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 55 Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью пере- ключения. - Низкое напряжение насыще- ния. - Неизолированный корпус. - Прибор снят с производства. Корпус ТО-3 Вывод 1 2 Корпус Назначение База Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat FT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Vcb=1200B, le = 0B Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 3,0 А 1С = 5,0 А, 1Ь = 1,25А 1с = 5,0А, Ib = 1,25 А lc = 2,0A 1с = 5,0А, Ib = 1,0 А Мин. зна- чение - - - - - - - - - 7 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1500 800 6 5,0 6,0 2,5 50 100 0,5 - 2 1,5 - 4,0 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА мА В В МГц МКС Корпус ТО-3 Вывод 1 2 Корпус Назначение База Эмиттер Коллектор Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью пере- ключения. - Низкое напряжение насы- щения. - Неизолированный корпус. - Прибор снят с производства. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat FT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Vcb = 1500B, le = 0B Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 3,0 А 1с = 5,0А, lb= 1,25 А 1с = 5,0А, 1Ь=1,25А lc = 2,0A 1с = 5,0А, Ib = 1,0 А Мин. зна- чение - - - - - - - - - 7 - _ - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - _ 3 - Макс, зна- чение 1700 800 6 5,0 6,0 2,5 50 100 0,5 - 2 1,5 _ 4,0 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА мА В В МГц МКС
56 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Низкое напряжение насыщения. - Неизолированный корпус. Корпус ТО-ЗР Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Эмиттер Коллектор Коллектор 1U 2U Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ton Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время включения Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Vcb = 750 В, le = 0 В Vce = 650 В, Rbe = « Vce = 5 В, Ic = 3,0 А lc=1,5A,lb = 0,3A Ic = 1,5A, lb = 0,3A lc = 3,0A, lb = 0,6A lc = 3,0A, lb = 0,6A Мин. зна- чение - - - - - - - — 7 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - — - - - - - Макс, зна- чение 900 800 7 5,0 10,0 2,5 80 100 - 1 1,5 1 1 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА В В МКС МКС Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Низкое напряжение насыщения. - Неизолированный корпус. Краыктэы^ MPN диффузионный т%}ш:*тугоу для иадлупьсных ясюч: Корпус ТО-ЗР Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Эмиттер Коллектор Коллектор iU 2U з Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ton Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время включения Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Vcb = 400 В, le = 0 В Vce = 350 В, Rbe = ~ Vce = 5 В, lc= 15 А |С = 7,5А, Ib = 1,5 А 1с = 7,5А, lb= 1,5А lc=15A, lb = 3,0A lc= 15A, lb = 3,0 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - _ - - - Макс, зна- чение 500 400 10 15 25 7,5 100 50 - 1 1,5 0,5 0,5 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА В В МКС МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 57 ^ницоый Ы&Ы диффу.~<ж>ьяый транзистор дгш импульсных игл очников пч1йн;ш Корпус ТО-ЗР чение Э Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Низкое напряжение насыщения. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Эмиттер Коллектор Коллектор 2 U 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ip Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ton Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время включения Время спада импульса Условия - - - - - - Т = 25°С Vcb = 400 В, le = 0 В Vce = 350 В, Rbe = « Vce = 5 В, Ic = 10 А lc = 5,0A, Ib = 1,0А lc = 5,0A, Ib = 1,0 А 1с = 10А, lb = 2,0A lc= 10 A, lb = 2,0A Мин. зна- чение - - - - - - — 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - — - - - - - Макс, зна- чение 500 400 10 10 20 5,0 80 50 - 1 1,5 1 1 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА В В МКС МКС Корпус ТО-3 Вывод 1 2 Корпус Назначение База Эмиттер Коллектор Особенности: - Высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переключения. - Низкое напряжение на- сыщения. - Неизолированный корпус. - Встроенный демпферный диод - Прибор снят с производ- ства. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1200 В, le = 0 В Veb = 6 В, Ic = 0 В Vce = 5B, lc= 1,0 А 1с = 5,0А,1Ь=1,25А lc = 5,0A,lb=1,25A lc = 2,0A lc = 5,0 Alb = 1,0 А Мин. зна- чение _ - _ - - - _ - - - - - Тип. зна- чение _ _ _ _ - - _ _ 8 _ _ 3 - Макс, зна- чение 1500 800 6 5,0 6,0 50 500 0,5 50 2 1,5 _ 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МГц МКС
58 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI Корпус ТО-3 Вывод 1 2 Корпус Назначение База Эмиттер Коллектор Особенности: - Высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переключения. - Низкое напряжение на- сыщения. - Неизолированный корпус. - Встроенный демпферный диод - Прибор снят с производ- ства. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat FT Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1500B,le = 0B Veb = 6 В, Ic = 0 В Vce = 5B, Ic = 1,0 А lc = 5,0A, lb= 1,25 А lc = 5,0A, lb = 1,25 А lc = 2,0A 1с = 5,0А, Ib = 1,0 А Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 8 - - 3 - Макс, зна- чение 1700 800 6 5,0 6,0 50 500 0,5 50 2 1,5 - 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МГц МКС Корпус TO-3PFM Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С lc= 10,0 мА, Rbe=« 1е=10,0мА, lc = 0 Vcb = 1500B,Rbe = 0B Vce = 5B, lc= 1,0 А lc = 8,0A, lb= 1,6 А 1с = 8,0А, lb= 1,6А 1с = 7,0А, 1Ь=1,4А Мин. зна- чение - - - - - - 800 5 _ 8 _ - Тип. зна- чение - - - - - - - - - _ - 0,2 Макс, зна- чение 1500 800 5 10,0 20,0 50 - _ 500 38 5 1,5 0,5 fif В в в А А Вт В В мкА В В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 59 Корпус TO-3PFM Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с=10,0мА, Rbe=« le=10,0MA, lc = 0 Vcb = 1500B, Rbe = 0B Vce = 5B,lc=1,0A lc = 10,0A,lb = 2,0A lc = 10,0A, lb = 2,0A lc = 8,0A, lb= 1.4A Мин. зна- чение - - - - - - 800 5 - 8 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 1500 800 5 12,0 20,0 50 - - 500 35 5 1,5 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС мй ЫРЩ диффузионный вяанарный трэшйсор дни вьаодных каскадов разз£р~»ки тепе£«зиош«ых приемников ш мпки1Ороа Корпус ТО-ЗР Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. - Встроенный демпферный диод. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices Ире Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - _ - - - Т = 25°С 1с=10,0мА, Rbe=« le = 400 мА, Ic = 0 Vcb = 1500B, Rbe = 0B Vce = 5B,lc=1,0A lc = 5,0A, lb= 1,25 А lc = 5,0A, Ib = 1,25 А lc = 5,0A, Ib = 1,0 А Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - _ - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 6,0 16 50 _ - 500 25 2 1,5 0,4 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС
60 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 1ц*% jp«% д •**£ д .#j Кремнмееьш ЫРЫ диффузионный гшанзрный транзистор для выхосш 16ййзйоииых преемников и мониторов Корпус ТО-ЗР Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Встроенный демпферный диод. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор U 2LJ з[ Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с = 10,0мА, Rbe=« le = 400 мА, Ic = 0 Vcb = 1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А lc = 5,0A, lb= 1,25 А lc = 5,0 A, lb= 1,25 А lc = 5,0A, Ib = 1,0А Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 6,0 16 50 - - 500 25 2 1,5 0,4 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный тран- зистор с высокой скоростью пе- реключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. - Встроенный демпферный диод. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Vf Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С lc = 10,0 мА, Rbe=» le = 400 мА, Ic = 0 Vcb = 1500B,Rbe = 0B Vce = 5 В, lc = 1,0A lc = 5,0A, lb= 1,25 A lc = 5,0A,lb=1,25A IF = 6A lc = 5,0A, lb = 1,0A Мин. зна- чение - - - - - 800 6 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 6,0 16 50 - - 500 25 2 1,5 2 0,4 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 61 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo-- 1500B. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с = 10,0мА, Rbe=« le= 10 мА, lc = 0 Vcb = 1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,0А Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А IC = 5,0A, lb= 1,0А, F = 64 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - 7 - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - 0,2 Макс, зна- чение 1500 800 6 6,0 16 50 - - 500 30 5 1,5 0,4 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры о =п Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с=10,0мА, Rbe=« 1е=10мА, lc = 0 Vcb = 1500B,Rbe = 0B Vce = 5B, lc= 1,0А lc = 7,0A, Ib = 1,4А 1с = 7,0А, lb= 1,4 А lc = 7,0A, lb= 1,4 А Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - 8 - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - _ _ _ - Макс, зна- чение 1500 800 6 6,0 20 50 - - 500 38 5 1.5 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС
62 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI **> О1 f4 J§ *f 4 ^У Кромниеэый NhN диффузионный траи^^ггор д^н выход #й%Э W^#" « ** I нестки телевй'гионньгх приемнкков и уонитороз входных каскадов ctpd^hop раз- Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Ic = 10,0 мА, Rbe =« 1е = 10мА, lc = 0 Vcb = 1500 В, Rbe = 0 В Vce = 5 В, lc = 1,0 А lc = 8,0A, lb= 1,6А lc = 8,0A, lb= 1.6A lc = 7,0A, Ib = 1,4 А Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 10 20 50 - - 500 30 5 1,5 0,3 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. Корпус TO-3PL Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер^ Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Ic = 10,0 мА, Rbe =« 1е = 10мА, lc = 0 Vcb = 1500 В, Rbe = 0 В Vce = 5B, lc= 1,0 А lc= 16,0 A, lb = 4,0A lc=16,0A, lb = 4,0A lc = 10,0 A, lb = 2,0A, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - _ - 800 6 - 10 _ _ - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - _ _ - Макс, зна- чение 1500 800 6 25 30 150 _ - 500 33 5 1,5 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 63 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1700 В. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С lc= 10,0 мА, Rbe=« le= 10 мА, lc = 0 Vcb = 1700B,Rbe = 0B Vce = 5B, Ic= 1,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,0 А, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 900 6 - - - - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - — Макс, зна- чение 1700 900 6 6,0 16 50 - - 500 35 5 1,5 0,6 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1700 В. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры о Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с = 10,0мА, Rbe=« 1е=10мА, lc = 0 Vcb = 1700B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А lc = 7,0A, Ib = 1,4 А lc = 7,0A,lb=1,4A lc = 7,0A, lb=1,4A, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - _ - _ - - 900 6 - _ _ - — Тип. зна- чение - - _ - - - _ _ - _ - — Макс, зна- чение 1700 900 6 8,0 20 50 _ - 500 35 5 1,5 0,6 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС
64 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI т ЫРЫ диффузионный транзистор для евизионных приемников и адониторое ix касклдов строчной з Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo=1500B. - Встроенный демпферный диод. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О 2 3 Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Vf Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффиуиент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С lc = 10,0 мА, Rbe=°° le = 400 мА, Ic = 0 Vcb=1500B, Rbe = 0B Vce = 5B,lc = 1,0A lc = 7,0A, Ib = 1,4 А lc = 7,0A, lb= 1,4 А IF = 8 А lc = 7,0A, lb = 1,4А, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 8,0 20 50 - - 500 25 5 1,5 3 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт В В мкА В В В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Встроенный демпферный диод. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О J Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Vf Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С 1с = 10,0мА, Rbe=« le = 500 мА, Ic = 0 Vcb=1500B,Rbe = 0B Vce = 5B,lc = 1,0A lc = 8,0A, lb=1,6A lc = 8,0A, lb=1,6A IF = 10 A lc = 7,0A, lb = 1,4 A, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - _ _ — _ — Тип. зна- чение - - - - - - - - - _ _ _ _ — Макс, зна- чение 1500 800 6 10 20 50 - - 500 25 5 1,5 3 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт В В мкА В В В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 65 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1700 В. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный о ж 2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic ip Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices Ире Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с = 10,0мА, Rbe=« le= 10 мА, lc = 0 Vcb = 1700B, Rbe = 0B Vce = 5 В, lc= 1,0 А lc = 8,0A, lb = 2,0A Ic = 8,0 A, lb = 2,0A 1с = 7,0А, Ib = 1.4 А, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 900 6 - - - - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - — Макс, зна- чение 1700 900 6 10 20 50 - - 500 35 5 1,5 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС евыи ЫРЫ диффузионный гранзисгор дг*г* вьшодналх каскадов строчь Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1700 В. Корпус TO-3PL Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с=10,0мА, Rbe=« 1е=10,0мА, lc = 0 Vcb = 1700B, Rbe = 0B Vce = 5 В, lc = 1,0 А 1с = ЮА, lb = 2,5A lc = 10 A, lb = 2,5A lc = 8,0A, lb= 1,4 А, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 900 6 - _ _ - — Тип. зна- чение _ - - - - - _ - - _ _ _ — Макс, зна- чение 1700 900 6 12 20 100 - - 500 35 5 1,5 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС
66 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI Кремниевый NPN диффузионный гра върш* телевизионных приемникоа и Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. Корпус TO-3PL Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hF£ Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С lc= 10,0 мА, Rbe=« le= 10,0 mA, Ic = 0 Vcb=1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А lc=14A, lb = 3,5A lc = 14A, lb = 3,5A Ic = 10 A, lb = 2,0A, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 20 25 150 - - 500 38 5 1,5 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Корпус TO-3PFM Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О |=П Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Vf Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С lc= 10,0 мА, Rbe=« le = 500 мА, Ic = 0 Vcb = 1500B, Rbe = 0B Vce = 5B, lc=1,0A lc = 6,0A, lb= 1,2 А lc = 6,0A, Ib = 1,2 А IF = 8A 1с = 6,0А, Ib = 1,2 А, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - - - — Тип. зна- чение - - - - - - _ - - - - - _ - Макс, зна- чение 1500 800 6 8,0 18 50 _ _ 500 25 5 1,5 2 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт В В мкА В В В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 67 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. ■ Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. Корпус TO-3PL Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - Т = 25°С 1с = 10,0мА, Rbe=« le= 10,0 мА, lc = 0 Vcb=1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А IC = 12 A, lb = 3,0A Ic = 12 A, lb = 3,0 А lc = 8,0A, Ib = 1,4А, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - — Макс, зна- чение 1500 800 6 15 20 150 - - 500 38 5 1,5 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1700 В. - Встроенный демпферный диод. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О тФ Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Vf Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса параметры Условия _ - - - - Т = 25°С 1с=10,0мА, Rbe=« le = 500 мА, Ic = 0 Vcb= 1700B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,0 А IF = 6A lc = 5,0A, lb = 1,0 А, F= 15,75 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - _ _ - — Тип. зна- чение - _ - - - - - - - - _ _ - — Макс, зна- чение 1700 800 6 6,0 16 50 - - 500 25 5 1,5 2 0,6 Еди- ницы В В В А А Вт В В мкА В В В МКС
68 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1700 В. Корпус TO-3PL Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP PC V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с=10,0мА, Rbe=« 1е=10,0мА, lc = 0 Vcb = 1700B, Rbe = 0B Vce = 5B, lc= 1,0 А Ic = 10 A, lb = 2,5A lc= 10 A, lb = 2,5A lc = 8,0A, Ib = 2,0 А, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 900 6 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 1700 900 6 12 20 150 - - 500 35 5 1,5 0,3 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с вы- сокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с=10,0мА, Rbe=« 1е = 10,0мА, lc = 0 Vcb=1500B,Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А Ic = 7 A, Ib = 1,7 А lc = 7A, Ib = 1,7 А lc = 7,0 A, lb= 1,7 А, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - _ — Тип. зна- чение - - - - - - _ - - - _ _ 0,2 Макс, зна- чение 1500 800 6 12 20 50 _ - 500 38 5 1,5 0,4 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 69 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ip Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с = 10,0мА,Р.Ье=« le= 10,0 мА, lc = 0 Vcb = 1500B, Rbe = 0B Vce = 5B,lc = 1,0A lc = 10A, lb = 2,5A lc = 10 A, lb = 2,5 А lc = 7,0A, lb= 1.4 А, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - 0,2 Макс, зна- чение 1500 800 6 12 20 50 - - 500 35 5 1,5 0,4 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Корпус TO-3PFM Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. ■ Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О =п Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo _V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Vf Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - _ _ - - Т = 25°С lc = 10,0 мА, Rbe=°° le = 400 мА, Ic = 0 Vcb = 1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,25А lc = 5,0 A, lb= 1,25 А IF = 6A 1с = 5,0А, Ib = 1,0 А, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение _ _ _ _ - 800 6 _ _ _ - — Тип. зна- чение - _ _ - _ - _ - _ _ _ - - 0,2 Макс, зна- чение 1500 800 6 8,0 16 50 _ _ 500 25 5 1,5 2 0,4 Еди- ницы В В В А А Вт В В мкА В В В МКС
70 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI Кремниевый NI'N диффузионный транзистор для выходных \ шзэертш телевизионных f*p»ajvmWK03 и мониторов Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с=10,0мА, Rbe=« le= 10,0 мА, lc = 0 Vcb = 1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, lc = 5,0A lc = 6,0A, Ib = 1,6 А lc = 6,0 A, Ib = 1,6 А 1с = 6,0А, 1Ь=1,5А, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - 8 - - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - 0,2 Макс, зна- чение 1500 800 6 10 20 50 - - 500 30 5 i_ 1.5 0,4 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Корпус TO-3PFM Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1700 В. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О ш 1 2 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Vf Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С lc=10,0MA,Rbe=« le = 500 мА, Ic = 0 Vcb = 1700B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А lc = 6,0A, Ib= 1,5А lc = 6,0A, lb= 1.5A IF = 8A 1с = 6,0А, lb= 1,5А, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - _ _ - 900 6 - 6 - - - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - - 0,15 Макс, зна- чение 1700 900 6 8,0 16 50 - - 500 25 5 1,5 2 0,3 Еди- ницы В В В А А Вт В В мкА В В В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 71 Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. ■ Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В. - Встроенный демпферный диод. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Vf Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С lc= 10,0 мА, Rbe=« le = 600 мА, Ic = 0 Vcb = 1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 5,0 А lc = 5,0A, lb= 1,25 А lc = 5,0A, lb= 1,25 А IF = 8A lc = 5,0 A, Ib = 1,0 А, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - 4 - - - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - - 0,2 Макс, зна- чение 1500 800 6 8,0 16 50 - - 500 7 5 1,5 2 0,4 Еди- ницы В В В А А Вт В В мкА В В В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br]ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с=10,0мА, Rbe=« le= 10,0 мА, lc = 0 Vcb = 1500 В, Rbe = 0 В Vce = 5 В, Ic = 5,0 А lc = 7,0 A, Ib = 1,8 А lc = 7,0A,lb=1,8A lc = 6,0A, Ib = 1,5 А, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение _ _ - - 800 6 - 5 _ _ - Тип. зна- чение _ - - - - - - - - _ - _ 0,2 Макс, зна- чение 1500 800 6 12 24 50 _ - 500 9 5 1,5 0,4 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС
72 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI &*%£ ъ*$-ъ?&«ъг &* ушу?*ш телевизионных i Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ip Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hpE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С lc = 10,0MA,Rbe=« le= 10,0 мА, !с = 0 Vcb=1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 8,0 А lc= 10,0 A, lb = 3,0 А lc= 10,0 A, lb = 3,0 А |С = 7,ОА, lb = 2,0A, F = 31,5 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - 3 - - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - 0,15 Макс, зна- чение 1500 800 6 15 30 50 - - 500 6 5 1,5 0,3 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Корпус TO-3PFM Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О та Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V{br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Vf Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с = 10,0мА, Rbe=« le = 400 мА, Ic = 0 Vcb=1500B,Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 5,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,25 А lc = 5,0A, lb= 1,25 А IF = 8A lc = 4,0 A, Ib = 1,0 А, F = 64 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - 4 _ - - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - _ - - 0,15 Макс, зна- чение 150 0 800 6 8,0 16 50 _ - 500 6 5 1,5 2 — Еди- ницы В В В А А Вт В В мкА В В В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 73 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - Т = 25°С lc = 10,0 мА, Rbe =°° le = 10,0 мА. Ic = 0 Vcb = 1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, lc = 6,0A lc = 6,0A, Ib = 1,6 А lc = 6,0 A, Ib = 1,6 А 1с = 5,0А, Ib = 1,3А, F = 64 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 700 6 - 3,5 - - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - 0,15 Макс, зна- чение 1500 700 6 10 20 50 - - 500 6,5 5 1,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Ic = 10,0 мА, Rbe =« le= 10,0 мА, lc = 0 Vcb=1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 10 А lc=12,0A, lb = 4,0A lc= 12,0 A, Ib = 4,0 А lc = 8,0A, lb = 2,0 А, F = 64 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 700 6 - 3,5 _ _ — Тип. зна- чение - - - - - - - - - _ - 0,15 Макс, зна- чение 1500 700 6 20 40 50 _ - 500 6,5 5 1,5 — Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС
74 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI /§ Коемииевый ЫрН хшФфу ILJi&jUSf «4 вертки 1т&ш:тонпы%щ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. Н'зОННЫИ ТрЗНЗ^СТОр fijm ОЫХОШгЫХ К.^СКо/ДОВ С~&'.;М?* Корпус ТО-ЗР Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1U 2 U 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с=10,0мА, Rbe=« le= 10,0 мА, lc = 0 Vcb = 1500B,Rbe = 0B Vce = 5 В, lc = 0,3A lc = 2,5A, lb = 0,8 А 1с = 2,5А, lb = 0,8A lc = 2,75A, lb = 0,6A Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 3,0 10 50 - - 500 30 5 1,5 1 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В. - Встроенный демпферный диод. Корпус ТО-ЗР Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices пре Vce sat Vbe sat Vf Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С 1с = 10,0мА, Rbe=« le = 350 мА, Ic = 0 Vcb=1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А lc = 4,5A, lb= 1,2 А lc = 4,5A, lb= 1,2А IF = 6A 1с = 4,0А, Ib = 0,8 А Мин. зна- чение - _ - _ _ - 800 6 - - _ - - - Тип. зна- чение - _ _ - - - - - - _ - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 5,0 16 50 _ - 500 20 5 1,5 3 1 Еди- ницы В В В А А Вт В В мкА В В В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 75 К»е?>^ниеоыи ЫРЫ диффузионный транзистор для выходных кзскздое строчном р«?.~ | Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. Корпус ТО-ЗР Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ip Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices Ире Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с=10,0мА, Rbe=« le= 10,0 мА, lc = 0 Vcb=1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А |С = 4,5А, Ib = 1,2 А lc = 4,5A, Ib = 1,2 А lc = 4,0A, Ib = 0,8 А Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 5,0 16 50 - - 500 30 5 1,5 1 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. Корпус ТО-ЗР Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры 1U 2[J 3L Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic 'P Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices Пре Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С lc= 10,0 мА, Rbe=ee le= 10,0 мА, lc = 0 Vcb = 1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А lc = 5,0 A, Ib = 0,9 А Ic = 5,0 A, lb = 0,9A 1с = 4,0А, lb = 0,8A Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - _ - _ - - Макс, зна- чение 1500 800 6 6,0 16 50 - - 500 30 5 1,5 1 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС
76 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI ;«скадо-в строч Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. Корпус ТО-ЗР Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1U 2 Предельно допустимые и основные электрические параметры Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С 1с = 10,0мА, Rbe=« 1е = 10,0мА, lc = 0 Vcb = 1500B,Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А lc = 5,0A, lb= 1,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,0 А 1с = 5,0А, Ib = 1,0 А Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 6,0 16 50 - - 500 30 5 1.5 0,8 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo-1500 В. - Встроенный демпферный диод. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О л Предельно допустимые и основные электрические Символ Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Vf Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С 1с=10,0мА, Rbe=« le = 300 мА, Ic = 0 Vcb = 1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 0,3 А lc = 2,5A, lb = 0,8A lc = 2,5A, lb = 0,8A IF = 3A 1с = 2,75А, lb = 0,6A Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 _ _ - _ _ - Тип. зна- чение - - - - - - - _ _ _ - _ _ - Макс, зна- чение 1500 800 6 3,0 10 40 - _ 500 30 5 1,5 2,2 0,8 Еди- ницы В В В А А Вт В В мкА В В В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 77 Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Встроенный демпферный диод. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О 2 3 Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ip Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Vf Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С lc = 10,0 мА, Rbe=« le = 350 мА, Ic = 0 Vcb=1500B, Rbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 1,0 А Ic = 4,5 A, Ib = 1,2 А lc = 4,5A, lb= 1,2 А IF = 6A lc = 4,0A, Ib = 0,8 А Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 5,0 16 50 - - 500 20 5 1,5 3 1,0 Еди- ницы В В В А А Вт В В мкА В В В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. ■ Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С lc= 10,0 мА, Rbe=°° 1е=10,0мА, lc = 0 Vcb = 1500 В, Rbe = 0 В Vce = 5 В, lc= 1,0 А 1с = 5,0А, lb= 1,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,0 А Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - - - Тип. зна- чение _ - - - - - - - - _ - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 6,0 16 50 - - 500 30 5 1,5 1,0 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС
78 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP PC V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С lc = 10,0 мА, Rbe=« 1е=10,0мА, lc = 0 Vcb=1500B, Rbe = 0B Vce = 5,0B, lc= 1,0 А lc = 4,5A, lb= 1,2А lc = 5,0A, Ib = 1,0А lc = 4,0A, lb = 0,8A Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 1500 800 6 5,0 16 50 - - 500 30 5 1,5 0,8 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС Особенности: - Мощный низкочастотный транзистор. Комплементарная пара с 2SB1530. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 200 В. Корпус TO-220FM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры о 1 U2" 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Icbo hFE Vce sat Vbe sat Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э 2SD2337 hFE В 60 120 С 100 200 D 160 . 320 Условия - - - - - Т = 25°С Ic = 50,0 мА, Rbe =« le = 5,0 мА, Ic = 0 Vcb = 120B, le = 0 Vce = 4,0 В, Ic = 50 мА Vce = 10,0 В, 1с = 500мА Ic = 500 мА, Ib = 50 мА lc = 5,0A, Ib = 1,0 А Мин. зна- чение - - - - - - 150 6 - 60 60 - _ Тип. зна- чение - - - - - - - _ - - - _ Макс, зна- чение 200 150 6 2,0 5,0 1,5 - _ 1,0 320 3 1 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI 79 Особенности: - Мощный низкочастотный транзистор. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 150 В. Корпус ТО-ЗР Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Icbo Ире Vce sat Vbe sat Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э 2SD2342 hFE В 60 120 С 100 200 Условия - - - - - Т = 25°С Ic = 50,0 мА, Rbe =« le = 5,0 мА, Ic = 0 Vcb = 120B, le = 0 Vce = 5,0 В, lc= 1,0 А Vce = 5,0 В, Ic = 5 А Ic = 5,0 A, lb= 1,0 А 1с = 5,0А, Ib = 1,0А Мин. зна- чение - - - - - - 80 6 - 60 22 - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - — - - Макс, зна- чение 150 80 6 6,0 10 50 - - 10 200 1,5 1 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. Корпус TO-3PFM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc V(br)ceo V(br)ebo Ices hFE Vce sat Vbe sat Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Ic = 10,0 мА, Rbe =« !е = 10,0мА, lc = 0 Vcb = 1500B, Rbe = 0B Vce = 5,0 В, lc = 0,3A lc = 2,5A, lb = 0,8A lc = 2,5A, Ib = 0,8 А 1с = 2,75А, Ib = 0,6 А, F= 15,75 кГц Мин. зна- чение - - - - - - 800 6 _ _ _ _ - Тип. зна- чение - - - - - - - _ - _ _ - — Макс, зна- чение 1500 800 6 3,0 10 50 - _ 500 30 5 1,5 1 Еди- ни- цы В В В А А Вт В В мкА В В МКС
80 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI Особенности: - Мощный высоковольтный низкочастот- ный транзистор. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 160B. Корпус TO-220FM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Pc V(br)ceo V(br)ebo Icbo hFE Vce sat Ft Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Граничная частота эффективного усиления 2SD2491 hFE В 60 120 С 100 ..200 D 160 320 Условия - - - - Т = 25°С 1с=1,0мА, Rbe=« le = 10,0 мкА, Ic = 0 Vcb = 140B, le = 0 Vce = 5,0 В, lc= 10 мА Vce = 5,0 В, Ic = 1 мА Vce = 5,0 В, 1с=10мА Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А Мин. зна- чение - - - - - 160 5 - 60 30 - - Тип. зна- чение - - - - - - - - — - 140 Макс, зна- чение 160 160 5 100 8 - - 10 320 2 - Еди- ни- цы В В В мА Вт В В мкА В МГц ый ЫРЫ Особенности: - Мощный высоковольтный низкочастот- ный транзистор. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 200. Корпус TO-220FM Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры о Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Pc V(br)ceo V(br)ebo Icbo Пре Vce sat Ft Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение пробоя эмиттер-база Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Граничная частота эффективного усиления 2SD2492 пре В 60 .120 С 100 200 D 160 320 Условия - - - - Т = 25°С Ic = 1,0 мА, Rbe =» 1е=10,0мкА, lc = 0 Vcb = 140B, le = 0 Vce = 5,0 В, 1с=10мА Vce = 5,0 В, Ic = 1 мА Vce = 5,0 В, 1с=10мА lc = 5,0A. Ib = 1,0А Мин. зна- чение - - - - - 200 5 - 60 30 _ - Тип. зна- чение - - - - - - - - . - _ 140 Макс, зна- чение 200 200 5 100 8 _ _ 10 320 2 _ Еди- ни- цы В В В мА Вт В В мкА В МГц
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) 81 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Низкое напряжение насыщения. Корпус ТО-220АВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О U 2U 3L Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vceo Vcbo Vebo Ic Ic Ib Pc lebo Vce sat Vbe sat fT Co Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - t = Юме - Т = 25°С Veb = 6 В, Ic = 0 В lc = 5 A, lb = 0,5 A lc = 5A, Ib = 0,5 А - Vcb=10B, le = 0B Индуктивная нагрузка lc = 5A, lb = 0,5A Мин. зна- чение - - - - - - - - - - 10 - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 80 — Макс, зна- чение 200 400 6 7,0 15 4,0 60 1,0 1 1,2 - - 0,75 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мА В В МГц пФ МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Низкое напряжение насыщения. Корпус ТО-220АВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры О 1U 2U 3[_ Сим- вол Vceo Vcbo Vebo Ic ■с Ib P. Ieh9 Vce_sat Vbe sat fi Co Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - t= Юме - Т = 25°С Veb = 6 В, Ic = 0 В lc = 5A, lb = 0,5A Ic = 5 A, Ib = 0,5 А - Veb = 10 В, le = 0B Индуктивная нагрузка lc = 5A,lb = 0,5A Мин. зна- чение - - - - - - - _ _ - 10 - — Тип. зна- чение - - - _ - - - _ _ _ - 80 — Макс, зна- чение 150 330 6 7,0 15 4,0 60 1,0 1 1,2 _ _ 0,75 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мА В В МГц пФ МКС
82 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) Кс^шшевый МРЫ траг-систор-дня импульсных источников питание и йусшоых схо?/: осв%ти-~ тельных гтчборос* Корпус ТО-220АВ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Низкое напряжение насыщения. - Способность работы при температуре + 125° без ухудшения параметров. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О 1M2U 3 Сим- вол Vceo Vcbo Vebo Ic Ic Ib Pc lebo Vbe_sat Vce_sat hFE Co Ci Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Напряжение насыщения Б-Э Напряжение насыщения К-Э Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Выходная емкость Входная емкость Условия - - - - t=10MC - Т = 25°С Veb = 9 В, Ic = 0 В Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА 1с = 1,0А, 1Ь = 200мА Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА |С = 1,0 А, 1Ь = 200мА Vce = 5 В, Ic = 0,2 А Vce = 1 В, lc = 1,0 А Vcb = 10B, le = 0B Veb = 8 В Мин. зна- чение - - - - - - - - _ — 14 8 - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 0,85 0,92 0,2 1,25 _ 38 380 Макс, зна- чение 400 700 9 2,0 5,0 1,0 50 100 1,1 1,25 0,5 0,6 34 14 60 600 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мкА В В В В пФ пФ Корпус ТО-220АВ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Низкое напряжение насыщения. - Способность работы при температуре +125° без ухудшения параметров. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О 1 2 3 Сим- вол Vceo Vcbo Vebo Ic Ic Ib Pc lebo Vce_sat Vbe_sat hFE Co Ci Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Выходная емкость Входная емкость Условия - - - - t=10MC - Т = 25°С Veb = 9 В, Ic = 0 В lc = 1,0 А, 1Ь = 200мА 1с = 2,0А, 1Ь = 400мА Ic = 1,0 А, 1Ь = 200мА Ic = 2,0 A, Ib = 400 мА Vce = 5 В, Ic = 0,3 А Vce = 1 В, Ic = 2,0 А Veb = 10 В, le = 0B Veb = 8 В Мин. зна- чение - - - - _ - - _ : - 14 7 - - Тип. зна- чение - - _ - - _ - - 0,175 0,275 0,84 0,89 - 50 920 Макс, зна- чение 400 700 9 5,0 10 2,0 75 100 0,25 1,2 1,25 34 14 75 1200 Еди- ни- цы В В В А LA А Вт мкА со со В В пФ пФ
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) 83 Корпус ТО-204АЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой ско- ростью переключения. ■ Низкое напряжение насы- щения. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vceo Vcbo Vebo Ic Ic Ib Pc Iceo lebo Vce_sat Vbe sat hFE Ton Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Время включения Время спада импульса Условия - - - - t = 10 мс - Т = 25°С Vec=160B Veb = 5 В Ic = 12 A, Ib = 1,2 А lc = 25 A, lb = 3,0A Ic = 25 A, lb = 3,0A Vce = 2B,lc=12A Vce = 4 В, Ic = 25 А Резистивная нагрузка Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - - - - _ - 20 10 - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - — - - - - Макс, зна- чение 200 250 7 40 50 8,0 250 3,0 1,0 0,6 1,5 1,5 60 1 0,4 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мА мА В В В МКС МКС НРЫ ?ПИ'1ТОр iXUb ИСТОЧНИКОВ ПИ'ГЗИИП И ПУСКОВЫМ CXUM i Корпус ТО-204АЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой ско- ростью переключения. - Низкое напряжение насы- щения. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vceo Vcbo Vebo Ic Ic Ib Pc Iceo lebo Vce_sat Vbe sat hFE Ton Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Время включения Время спада импульса Условия - - - - t=10MC _ Т = 25°С Vec = 200 В Veb = 5 В |С = 10 A, lb= 1,0 А lc = 20A, lb = 2,5A lc = 40A, lb = 4,0 А Vce = 4 В, lc= 10 А Vce = 4 В, Ic = 20 А Резистивная нагрузка Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - _ - _ : . 20 10 _ - Тип. зна- чение - - _ - - - _ _ : . : _ - Макс, зна- чение 250 300 7 40 50 8,0 250 3,0 1,0 1 1,5 1,5 60 0,8 0,35 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мА мА CD CD в МКС МКС
84 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Низкое напряжение насыщения. Корпус ТО-220 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О о Предельно допустимые и основные электрические параметры 1U2U Уз J Сим- вол Vceo Vcbo Vebo Ic Ic Ib Pc Iceo lebo Vce_sat Vbe sat Ton Tf Ton Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время включения Время спада импульса Время включения Время спада импульса Условия - - - - t=10MC - Т = 25°С Vec=180B Veb = 5 В lc = 6,0A, lb = 0,4A lc = 12 A, Ib = 1,2 А lc = 12 A, Ib = 1,2 А Резистивная нагрузка Резистивная нагрузка Индуктивная нагрузка Индуктивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - - - - _ - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - — - - - - - Макс, зна- чение 90 l_ 180 7 20 30 4,0 85 3,0 1,0 0,6 1,5 2 0,6 0,15 2 0,15 Еди- ни- цы В В В А А А Вт мА мА В В В МКС МКС МКС МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Низкое напряжение насыщения. Корпус ТО-220 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры О о 1U2U U3 J Сим- вол Vceo Vcbo Vebo Ic Ic Ib Pc lebo hFE Vce_sat Vbe sat Ton Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время включения Время спада импульса Условия - - - - t=10MC - Т = 25°С Veb = 5 В Vce = 5B, Ic = 0,1 А lc = 0,3A, lb = 0,03A lc = 1,0 A, lb = 0,2A lc= 1,0A, lb = 0,2A Резистивная нагрузка Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - - - 30 - - _ - Тип. зна- чение - - - _ _ - - _ _ : - 0,3 0,3 Макс, зна- чение 450 1000 5 2,0 3,0 0,75 50 1,0 50 0,8 1 1,1 0,5 - Еди- ни- цы В В В А А А Вт мА В В В МКС МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) 85 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-225АА Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vceo Vebo Ic Ib Pc lebo Vce_sat Vbe_sat Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Условия - - - - Т = 25°С Veb = 9 В, 1с = 0 В Vce = 2 В, Ic = 0,5 А Vce = 2 В, lc= 1,0 А lc = 0,5A, Ib = 0.1 А Ic = 1,0 A, lb = 0,25A Ic = 1,5 A, Ib = 0,5 А |С = 0,5 A, Ib = 0,1 А lc= 1,0 A, lb = 0,25 А Мин. зна- чение - - - - - - 8 5 - _ Тип. зна- чение - - - - - - — - _ Макс, зна- чение 400 9 1,5 0,75 40 1,0 40 25 0,5 1 3 1 1,2 Еди- ни- цы В В А А Вт мА CD CO CD CD CD Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-220АВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры О 1U 2U 3 Сим- вол Vceo Vebo Ic Icm Ib Ibm Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat Cob Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 9 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 1,0 А Vce = 5 В, Ic = 2,0 А lc= 1,0 A, lb = 0,2 А lc = 2,0A, Ib = 0,5 А lc = 4,0A, Ib = 1,0 А lc= 1,0 A, lb = 0,2A lc = 2,0A, lb = 0,5 А Veb = 10 В, f= 0,1 МГц Мин. зна- чение - - - - - - - _ 10 8 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - _ - - - 65 Макс, зна- чение 400 9 4,0 8,0 2,0 4,0 75 1,0 60 40 0,5 0,6 1 1,2 1,6 - Еди- ни- цы В В А А А А Вт мА В В В В В пФ
86 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-220АВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vceo Vebo Ic Icm Ib Ibm Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat Cob Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 9 В, 1с = 0 В Vce = 5 В, Ic = 2,0 А Vce = 5 В, Ic = 5,0 А 1с = 2,0А, 1Ь = 0,4А lc = 5,0A, Ib = 1,0 А 1с = 8,0А, lb = 2,0A lc = 2,0A, lb = 0,4A 1с = 5,0А, Ib = 1,0 А Veb = 10 В, f= 0,1 МГц Мин. зна- чение - - - - - - - ел оо - — - Тип. зна- чение - - - - - - - - — - — 80 Макс, зна- чение 400 9 8,0 16 4,0 8,0 80 100 40 30 1 2 3 1,2 1,6 - Еди- ни- цы В В А А А А Вт мкА со со со со со пФ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-220АВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры О 1 2 3 Сим- вол Vceo Vebo Ic Icm Ib Ibm Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat Cob Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Выходная емкость Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 9 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 5,0 А Vce = 5 В, Ic = 8,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,0 А 1с = 8,0А, lb= 1.6A lc= 12 A, Ib = 3,0 А lc = 5,0A, lb=1,0A lc = 8,0A, Ib = 1,6А Veb = 10 В, f = 0,1 МГц Мин. зна- чение - - - - - - - - 8 6 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - : = : 180 Макс, зна- чение 400 9 12 24 6,0 12 100 1,0 40 30 1 1,5 3 1,2 1,6 - Еди- ни- цы В В А А А А Вт мА В В В со со пФ
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) 87 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-220АВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О 1 U 2 U 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vceo Vebo Ic Icm Ib Ibm Pc lebo hFE Vce_sat Vbe sat Tf Cob Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Выходная емкость Условия - _ - - - - Т = 25°С Veb = 6 В, 1с = 0 В Vce = 5 В, Ic = 5,0 А 1с= 1,5 A, lb = 0,2 A 1с = 3,0А, Ib = 0,4 А lc = 3,0A, lb = 0,4A Резистивная нагрузка Veb = 10 В, f= 0,1 МГц Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 — - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - — - 0,13 200 Макс, зна- чение 450 6 5,0 10 4,0 8,0 80 1,0 - 1,0 2,5 1,5 - - Еди- ни- цы В В А А А А Вт мА CD CD В МКС пФ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-220АВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры О 11 2 I 3 Сим- вол Vceo Vebo Ic Icm Ib Ibm Pc lebo hFE Vce_sat Vbe sat Tf Cob Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Выходная емкость Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 6 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 5,0 А Ic = 1,5 A, lb = 0,2A lc = 3,0 A, lb = 0,4A |С = 3,ОА, Ib = 0,4 А Резистивная нагрузка Veb =10 В, f = 0.1 МГц Мин. зна- чение - - - - - - - - 7 : _ - - Тип. зна- чение - - - - - - - _ - : _ 60 200 Макс, зна- чение 450 6 5,0 10 4,0 8,0 80 1,0 - 1,0 2,5 1,5 _ - Еди- ни- цы В В А А А А Вт мА В В В НС пФ
88 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-220АВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vceo Vebo Ic Icm Ib Ibm Pc lebo hFE Vce_sat Vbe sat Tf Cob Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Выходная емкость Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 6 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 8,0 А lc = 2,5A, lb = 0,25A 1с = 5,0А, lb = 0,5A 1с = 5,0А, lb= 1,0 А Резистивная нагрузка Vcb = 10 В, f = 0,1 МГц Мин. зна- чение - - - - - - - - 6 _ - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 13 — - 30 300 Макс, зна- чение 400 6 8,0 16 6,0 12 100 10 22 0,9 2 1,5 125 - Еди- ни- цы В В А А А А Вт мкА В В В НС пФ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-220АВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры О 1 U 2 U 3 Сим- вол Vceo Vebo Ic Icm Ib Ibm Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat Tf Cob Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Выходная емкость Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 9 В, Ic = 0 В Vce = 1 В, Ic = 1,0 А Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА lc = 1,0 A, lb = 0,2 А Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА lc = 1,0 A, Ib = 0,2 А Индуктивная нагрузка, Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА Vcb = 10 В, f= 1,0 МГц Мин. зна- чение - - - - - - - - 6 - : - - Тип. зна- чение - - - - - - - _ 8 0,2 0,25 0,825 0,92 125 35 Макс, зна- чение 450 9 2,0 5,0 1,0 2,0 50 100 _ 0,5 0,5 1,1 1,25 20 60 Еди- ни- цы В В А А А А Вт мкА В В В В НС пФ
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) 89 SfI%#IU i % Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. приборов Корпус ТО-220АВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vceo Vebo Ic Icm Ib Ibm Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat Tf Cob Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Выходная емкость Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 9 В, Ic = 0 В Vce = 1 В, Ic = 2,0 А lc= 1,0 A, lb= 100 мА lc = 2,0A, lb = 0,4 А Ic = 1,0 А, 1Ь=100мА |С = 2,ОА, Ib = 0,4 А Резистивная нагрузка, lc = 2,5,4A, 1Ь = 500мА Vcb = 10B, f= 1,0 МГц Мин. зна- чение - - - - - - - - 6 : — - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 11 0,25 0,3 0,82 0,92 275 50 Макс, зна- чение 450 9 5,0 10 2,0 4,0 75 100 - 0,5 0,45 1,1 1,25 400 65 Еди- ни- цы В В А А А А Вт мкА В В В В НС пФ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-220АВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры О 11 2 _ 3 Сим- вол Vceo Vebo Ic Icm Ib Ibm Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat Tf Cob Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Выходная емкость Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 9 В, 1с = 0 В Vce = 5 В, Ic = 1,0 А lc= 1.3 А, 1Ь=130мА 1с = 310А, 1Ь = 0,6А 1С = 1.3 A, lb = 130 мА 10 = 3,0 А, 1Ь = 0,6 А Индуктивная нагрузка, Veb = 10 В, f= 1.0 МГц Мин. зна- чение - _ - _ - - - - 18 - : _ - Тип. зна- чение _ - _ - - - - - 45 0.3 0.4 0.77 0,91 150 - Макс, зна- чение 600 10 8,0 16 5.0 9,0 100 100 _ 0,75 0,75 1 1,1 200 200 Еди- ни- цы В В А А А А Вт мкА В В В В НС пФ
90 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. Корпус ТО-220АВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О Предельно допустимые и основные электрические параметры 2 U з Сим- вол Vceo Vebo Ic Icm Ib Ibm Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat Tf Cob Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Выходная емкость Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 9 В, Ic = 0 В Vce = 1 В, Ic = 1,0 А Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА Ic = 1,0 A, lb = 0,2A Индуктивная нагрузка, Ic = 0,4 A, Ib = 40 мА Vcb = 10B, f= 1,0 МГц Мин. зна- чение - - - - - - - - 6 — — — - Тип. зна- чение - - - - - - - - 8 0,2 0,25 0,825 0,92 125 35 Макс, зна- чение 450 9 2,0 5,0 1,0 2,0 25 100 - 0,5 0,5 1,1 1,25 20 60 Еди- ни- цы В В А А А А Вт мкА В В В В НС пФ Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. Корпус ТО-220АВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры О 1 2 3 Сим- вол Vceo Vebo Ic Icm Ib Ibm Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat Tf Cob Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Выходная емкость Условия - - - - - _ Т = 25°С Veb = 9 В, Ic = 0 В Vce = 1 В, Ic = 2,0 А lc = 1,0 А, 1Ь=100мА 1с = 2,0А, lb = 0,4A lc= 1,0 А, 1Ь=100мА |С = 2,ОА, lb = 0,4A Резистивная нагрузка, Ic = 2,5,4 A, Ib = 500 мА Veb = 10 В, f= 1,0 МГц Мин. зна- чение - - - - - _ - _ 6 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 11 0,25 0,3 0,82 0,92 275 50 Макс, зна- чение 450 9 5,0 10 2,0 4,0 35 100 _ 0,5 0,45 1,1 1,25 400 65 Еди- ни- цы В В А А А А Вт мкА В В В В НС пФ
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA) 91 Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. Корпус ТО-220АВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О U 2 U з L Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vceo Vebo Ic Icm Ib Ibm Pc lebo hFE Vce_sat Vbe_sat Tf Cob Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Выходная емкость Условия - - - - - - Т = 25°С Veb = 9 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 1,0 А lc= 1,3 А, 1Ь=130мА lc = 3,0A, lb = 0,6A Ic = 1,3 А, 1Ь=130мА 1с = 3,0А, lb = 0,6A Индуктивная нагрузка, Vcb= 10 В, f= 1,0 МГц Мин. зна- чение - - - - - - - - 18 — - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 45 0,3 0,4 0,77 0,91 150 - Макс, зна- чение 600 10 8,0 16 5,0 9,0 40 100 - 0,75 0,75 1 1,1 200 200 Еди- ни- цы В В А А А А Вт мкА В В В В НС пФ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. Корпус ТО-247АЕ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vces Vebo Ic Icm Ib Ibm Pc lebo hFE Vce_sat Vbe sat Tf Cob Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Ток базы Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Время спада импульса Выходная емкость Условия - - - - - - Т = 25°С Vce = 1500 В, Vbe = 0B Vce = 5 В, Ic = 10 А 1с = 5,5А, lb = 2,2A 1с = 3,0А, lb = 0,4A lc = 5,5A, lb = 2,2 А Индуктивная нагрузка, Vcb=10B, f= 1,0 МГц Мин. зна- чение - - - - - _ - _ 4 : - - - Тип. зна- чение - - - - - _ - _ 6 0,15 0,14 0,9 200 180 Макс, зна- чение 1500 8 10 15 5,0 10 150 250 10 1 1 1,5 350 350 Еди- ни- цы В В А А А А Вт мкА В В В НС пФ
92 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC ЫРЫ ДИффу-'Н Корпус TOP-3F Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vces Vceo Vebo Ic Ib Pc hFE Vce sat Vbe sat Ft Ton Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время включения Время спада импульса Условия Эмиттер отключен Эмиттерный переход закорочен База отключена Коллектор отключен - - Т = 25°С Vce = 5 В, lc = 2,0A lc = 2,0A, lb = 0,4 А Ic = 2,0 A, lb = 0,4A Vce = 5 В, Ic = 0,2 А lc = 2A lc = 2A Мин. зна- чение - — - - - - - 6 - - - - - Тип. зна- чение - — - - - - - - - - 4 - - Макс, зна- чение 1000 1000 800 7 3,0/6,0 2 70 - 1.5 1,5 - 1 0,5 Еди- ни- цы В В В В А А Вт В В МГц МКС МКС Корпус TOP-3F Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vces Vceo Vebo Ic Ib Pc hFE Vce sat Vbe sat Ft Ton Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время включения Время спада импульса Условия Эмиттер отключен Эмиттерный переход закорочен База отключена Коллектор отключен - - Т = 25°С Vce = 5 В, lc = 3,0A Ic = 3,0 A, lb = 0,6 А |С = 3,0 A, lb = 0,6A Vce = 5 В, Ic = 0,5 А lc = 3A lc = 3A Мин. зна- чение - - - - - - - 6 - _ - - - Тип. зна- чение - - - - - _ - - - _ 6 _ - Макс, зна- чение 1000 1000 800 7 5,0/10 3 80 - 1,5 1,5 _ 1 0,5 Еди- ни- цы В В В В А А Вт В В МГц МКС МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 93 Корпус TOP-3F Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo. -Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vces Vceo Vebo Ic Ib Pc hFE Vce sat Vbe sat Ft Ton Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время включения Время спада импульса Условия Эмиттер отключен Эмиттерный переход закорочен База отключена Коллектор отключен - - Т = 25°С Vce = 5 В, lc = 4,0A lc = 4,0A, Ib = 0,8 А 1с = 4,0А, lb = 0,8 А Vce = 10 В, lc = 0,5A lc = 4A lc = 4A Мин. зна- чение - — - - - - - 8 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 20 - - Макс, зна- чение 800 800 500 8 7,0/15 4 80 - 1,0 1,5 - 1 0,3 Еди- ни- цы В В В в А А Вт В В МГц МКС МКС Корпус TOP-3F Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения - Высокое напряжение пробоя Vcbo. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vces Vceo Vebo Ic Ib Pc hFE Vce sat Vbe sat Ft Ton Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время включения Время спада импульса Условия Эмиттер отключен Эмиттерный переход закорочен База отключена Коллектор отключен - - Т = 25°С Vce = 5 В, Ic = 0,8 А 1с = 0,8А, lb = 0,16 А !с = 0,8 A, lb = 0,16 А Vce = 5 В, lc = 0,15 А lc = 0,8A lc = 0,8A Мин. зна- чение - — - - - - - 8 - - _ _ - Тип. зна- чение - — - - - - - _ - - 10 _ - Макс, зна- чение 900 900 800 7 3,0/5,0 1 70 _ 1,5 1,5 _ 0,7 0,3 Еди- ни- цы В В В в А А Вт В В МГц МКС МКС
94 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 3 шт^т UtH тщщ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Корпус TOP-3L Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic ib Pc hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vce = 5 В, lc = 10,0 А Ic = 10 A, lb=2,8A Ic = 10 A, Ib =2,8 А Vce = 10 В, lc = 0,1 А Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 3 0,12 Макс, зна- чение 1700 1700 6 15/30 10 200 12 3 1,5 - 0,2 Еди- ни- цы В В В А А 5т В В МГц МКС Корпус TOP-3L Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb=1000B, le = 0B Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 10,0 А lc= 10 A, Ib =2,8 А lc= 10 A, Ib =2,8 А Vce = 10 В, lc = 0,1 A Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 _ - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - _ _ _ 3 0,12 Макс, зна- чение 1500 1500 6 20/30 10 200 1,0 50 12 3 1,5 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 95 Корпус TOP-3L Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. -Низкое напряжение насыщения -Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. -Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb=1000B, le = 0B Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc= 10,0 А lc= 10 A, lb=2,8A Ic = 10 A, lb=2,8A Vce = 10 В, lc = 0,1 А Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 0,12 Макс, зна- чение 1600 1600 6 20/30 10 200 1,0 50 12 3 1,5 - 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: -Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. -Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. ■ Высокая надежность. -Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hpE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - _ - - - Т = 25°С Vcb = 1000B, le = 0B Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 6,0A 1с = 6,0А. Ib =1,5 А 1с = 6,0А, Ib =1,5 А Vce = 10 В, lc = 0,1 A Резистивная нагрузка Мин. зна- чение _ - - - _ - - - 5 - _ _ - Тип. зна- чение _ - - _ _ - _ - _ - _ 3 0,12 Макс, зна- чение 1500 1500 5 12/20 8 120 50 50 12 3 1,5 _ 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц МКС
96 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC )Ш2Ш}p'ff<Л г>; Корпус ТОР-ЗЕ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры V 2\) 3^ Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc lebo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb= 1000 В, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 6,0 А 1с = 6,0А, Ib =1,5А lc = 6,0A, Ib =1,5А Vce = 10 В, Ic = 0,1 А Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 0,12 Макс, зна- чение 1600 1600 5 12/20 8 120 50 50 12 3 1,5 - 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о 2\) 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc lebo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1000B, le = 0B Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 7,0A Ic = 7,0 A, Ib =1,75 А 1с = 7,0А, Ib =1,75 А Vce = 10 В, Ic = 0,1 А Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - _ - - _ - 5 - - _ - Тип. зна- чение - - - _ _ - _ _ _ _ - 3 - Макс, зна- чение 1600 600 5 14/20 8 100 50 50 12 3 1.5 _ 0,3 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 97 Корпус ТОР-ЗЕ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. -Высокое напряжение пробоя. -Низкое напряжение насыщения ■ Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. -Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры о°о V 2У з\) Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc lebo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1500B, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 7,0 А |С = 7,ОА, Ib =1,75 А lc = 7,0A, Ib =1,75 А Vce = 10 В, lc = 0,1 A Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1600 600 5 14/20 8 100 1,0 50 12 3 1,5 - 0,3 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: ■ Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о \) з\} Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc lebo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективногсгусиления Время спада импульса Условия - - - - _ Т = 25°С Vcb = 1500B, le = 0B Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 7,0 А lc = 7,5A, Ib =1,88 А 1с = 7,5А, Ib =1,88 А Vce = 10 В, lc = 0,1 A Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - 5 _ _ - - Тип. зна- чение - - _ _ _ - - - _ _ _ 3 - Макс, зна- чение 1700 600 5 15/20 8 100 1,0 50 12 3 1,5 _ 0,3 Еди- ни- цы В В в А А Вт мА мкА В В МГц МКС
98 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о°о TV - 2 з 4-~- Г Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat rt Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1700B,le = 0B Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 2,5 А lc = 2,5A,lb = 0,625A lc = 0,5A, lb = 0,625A Vce = 10 В, Ic = 0.1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1700 600 5 4,0/8,0 3 50 1,0 50 12 3 1,5 0,3 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о°о Т~1Г гУ з Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1500B, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 2,5 А |С = 10 A, lb = 2,8A Ic = 10 A, Ib = 2,8 А Vce = 10 В, lc = 0,1 A - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - _ - - Тип. зна- чение _ - _ _ - - _ _ - - _ 3 - Макс, зна- чение 1700 600 5 15/30 10 50 1,0 50 12 3 1,5 _ 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 99 Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: -Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. -Высокое напряжение пробоя. -Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. -Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о У 2\) гц Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1500B, le = 0B Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 7,5A lc = 7,5A, lb= 1,88 А 1с = 7,5А, Ib = 1,88 А Vce = 10 В, Ic = 0,1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1700 600 5 15/25 7,5 60 1,0 50 12 3 1,5 - 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: -Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. -Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о У 2\) Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1500B, le = 0B Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5B,lc = 7,0A Ic = 7,0 A, Ib = 1,75 А lc = 7,0A, lb= 1,75 А Vce = 10 В, Ic = 0,1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - _ - - Тип. зна- чение - _ - - _ - - - _ - _ 3 - Макс, зна- чение 1700 600 5 14/25 7,5 60 1,0 50 12 3 1,5 _ 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
100 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC Корпус ТОР-ЗЕ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры \) 2\) 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1500B, le = 0B Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5B,lc = 5,5A lc = 5,5 A, Ib = 1,38 А 1с = 5,5А, Ib = 1,38 А Vce = 10 В, Ic = 0,1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1700 600 5 13/23 5,0 60 1,0 50 12 3 1,5 - 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективно(тгусиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1500B, le = 0B Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 6,5 А lc = 6,5A, Ib = 1,63 А 1с = 6,5А, Ib = 1,63А Vce = 10 В, Ic = 0,1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - _ _ - _ - - _ 3 - Макс, зна- чение 1700 600 5 11/20 3,5 40 1,0 50 10 3 1,5 _ 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 101 Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. -Высокое напряжение пробоя. ■ Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. -Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о ) 2\) 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb=1500B, le = 0B Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 8,5A lc = 8,5 A, Ib = 2,13 А lc = 8,5A, lb = 2,13 А Vce =10 В, Ic = 0,1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1700 600 5 17/27 8,0 65 1,0 50 10 3 1,5 - 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о I 2V 3 Р Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - _ - Т = 25°С Vcb=1500B, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 10,0 А lc= 10,0 A, lb = 2,5 А lc = 10,0 A, lb = 2,5 А Vce =10 В, Ic = 0,1 А - Мин. зна- чение - - - _ _ - _ _ 5 - _ _ - Тип. зна- чение - - - _ _ - _ _ _ - _ 3 - Макс, зна- чение 1700 600 5 20/30 8,0 70 1,0 50 10 3 1,5 _ 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
102 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC *^ CJ if* I? ij; 4 7 Кремниевый MPfJ диффузионный транзистор для выходным каскадов ci А?^ %^ %^^ %J %J i f ве%¥~ш телевизионных приемников \а мониторов Корпус ТОР-ЗЕ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Встроенный демпферный диод. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры о°о У 2 £ Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb=1700B,le = 0B Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 4,5 А lc = 4,5 A, lb = 0,9A lc = 4,5A, lb = 0,9A Vce = 10 В, Ic = 0.1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1700 1700 5 6/12 3,0 40 1,0 50 10 3 1,5 - 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Встроенный демпферный диод. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo пре Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1500B, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 5,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,0 А 1с = 5,0А, Ib = 1,0 А Vce = 10 В, lc = 0,1 А - Мин. зна- чение _ - - _ - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение _ - - _ _ - - - _ _ _ 3 - Макс, зна- чение 1500 1500 5 7/14 3,5 40 1,0 50 10 3 1,5 - 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 103 Корпус ТОР-ЗЕ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Встроенный демпферный диод. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb=1700B, le = 0B Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 6,0 А lc = 6,0 A, Ib = 1,2 А lc = 6,0A, Ib = 1,2 А Vce = 10 В, Ic = 0,1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1700 1700 5 8/16 3,0 40 1,0 50 10 3 1.5 - 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. ■Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о°о тп 2 3 F г Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - _ Т = 25°С Vcb=1700B, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 10,0 А lc = 10,0 A, lb = 2.5A lc = 10,0 A, lb = 2,5A Vce = 10 В, Ic = 0.1 А - Мин. зна- чение - _ - - - - _ _ 6 - _ _ - Тип. зна- чение - - _ _ _ _ _ - - _ 3 - Макс, зна- чение 1700 600 7 18/30 8,0 70 1,0 50 12 3 1,5 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
104 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC Корпус ТОР-ЗЕ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры о°о У 2 U 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1700B, le = 0B Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 8,0 А lc = 8,0A, lb = 2,0A lc = 8,0A, lb = 2,0 А Vce = 10 В, Ic = 0,1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 6 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1700 600 7 16/30 8,0 65 1,0 50 12 3 1,5 - 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о°о T~L J 2 3 Г Г Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb=1700B, le = 0B Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic =11,0 А Ic =11,0 A, lb = 2,75A 1С =11,0 A, lb = 2,75A Vce = 10 В, lc = 0,1 А - Мин. зна- чение _ - _ _ - - _ - 6 _ _ _ - Тип. зна- чение - - _ _ - - _ _ _ _ _ 3 - Макс, зна- чение 1700 600 7 22/30 11,0 70 1,0 50 12 3 1,5 _ 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC I OS Корпус TOP-3L Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1000B, le = 0B Veb = 7 В, Ic - 0 В Vce = 5 В, lc = 8,5 А lc = 8,5A, Ib =2,13 А |С = 8,5 A, Ib =2,13 А Vce =10 В, lc = 0,1 A Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - - - 6 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 0,12 Макс, зна- чение 1500 600 7 17/30 8,0 150 1,0 50 12 3 1,5 - 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус TOP-3L Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - _ Т = 25°С Vcb = 1500B, le = 0 В Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 10,0 А Ic = 10,0 A, lb=2,5A Ic = 10,0 A, lb=2,5A Vce= 10 В Ic = 0,1 А Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - _ _ - _ - 7 _ - - - Тип. зна- чение - - - _ - - - - - _ _ 3 0,12 Макс, зна- чение 1500 600 7 20/30 8,0 150 1,0 50 14 3 1,5 _ 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
106 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о о о TV 2 ■Е г Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - L_ Т = 25°С Vcb=1700B, le = 0 В Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic =10,0 А Ic =10,0 A, Ib = 2,5 А Ic =10,0 A, lb = 2,5A Vce =10 В, lc = 0,1 A - Мин. зна- чение - - - - - - - - 6 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1700 600 7 20/30 11.0 70 1,0 50 12 3 1,5 - 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус TOP-3L Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo Iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1700B, le = 0B Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 11,0 А Ic = 11,0 A, Ib =2,75 А Ic = 11,0 A, lb=2,75A Vce= 10B, Ic = 0,1 А Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - _ - - _ - 6 - _ _ - Тип. зна- чение - - - _ _ - _ _ _ - _ 3 0,12 Макс, зна- чение 1700 600 7 22/30 11,0 200 1,0 50 12 3 1,5 . 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 107 Корпус ТОР-ЗЕ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Встроенный демпферный диод. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры о°о У 2\) tAJ Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-3 Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1500B, le = 0B Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic =4,0 А |С = 4,0 A, lb = 0,8A |С = 4,ОА, lb = 0,8 А Vce = 10 В, Ic = 0,1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1500 600 7 6,0/12 3,0 40 1,0 50 9 3 1,5 - 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о у зу р Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - _ _ Т = 25°С Vcb = 2000 В, le = 0 В Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 10,0 А 1С =10,0 A, lb = 2,5A lc = 10,0 A, lb = 2,5 A Vce = 10 В, lc = 0,1 A - Мин. зна- чение - - - - - _ _ 5 - - - - Тип. зна- чение - - - _ - - _ _ _ _ - 3 - Макс, зна- чение 2000 600 7 20/30 11,0 70 1,0 50 9 3 1,5 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
108 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC Особенности: - Высокая скорость переключения. - Низкое напряжение насыщения - Изолированный корпус. питания тслесизионныл приемников и ВШ Корпус TO-220D Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Icp Pc Icbo lebo hFE Vce sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база (эмиттер откл ) Напряжение коллектор-эмиттер (база откл ) Напряжение эмиттер-база (коллектор откл ) Ток коллектора Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 60 В, le = 0 В Veb = 6 В, Ic = 0 В Vce = 4 В, 1с=1,0А lc = 3,0A, lb = 0,375A Vce = 10 В, Ic = 0,1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 120 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 180 - Макс, зна- чение 60 60 6 3,0 6,0 20 100 1,0 320 0,5 - 0,15 Еди- ни- цы В В В А Вт мкА мА В МГц МКС 2SC5739Q:hFE=120...250 2SC5739P:hFE=160...320 Особенности: - Высокая скорость переключения. - Низкое напряжение насыщения - Изолированный корпус. Корпус TO-220D Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры о 1 2 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Icp Pc Icbo lebo hFE Vce sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база (эмиттер откл ) L Напряжение коллектор-эмиттер (база otwiJ Напряжение эмиттер-база (коллектор откл) Ток коллектора Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 50 В, le = 0 В Veb = 6 В, Ic = 0 В Vce = 2 В, Ic =1,0 А |С = 5^0 A, Ib = 0,25 А Vce = 10 В, Ic = 0,1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - 200 _ _ - Тип. зна- чение - - - _ - - _ _ 150 - Макс, зна- чение 50 50 6 10,0 20,0 25 100 1,0 _ 0,5 _ 0,15 Еди- ни- цы В В В А Вт мкА мА В МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 109 Особенности: - Высокая скорость переключения. - Низкое напряжение насыщения. Корпус МТ-4-1А Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1 2 3| Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Icp Pc Icbo lebo hFE Vce sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база (эмиттер откл) Напряжение коллектор-эмиттер (база откл ) Напряжение эмиттер-база (коллектор откл ) Ток коллектора Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 60 В, le = 0 В Veb = 6 В, Ic = 0 В Vce = 4 В, Ic =1,0 А Ic = 3,0 A, lb = 0,375A Vce= 10 В, lc= 0,1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 120 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 180 - Макс, зна- чение 60 60 6 3,0 6,0 15 100 1,0 320 0,8 - 0,15 Еди- ни- цы В В В А Вт мкА мА В МГц МКС 2SC5788Q:hFE= 120...250 2SC5788P: hFE = 160.. 320 Корпус ТО-220Н Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Встроенный демпферный диод. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - Т = 25°С Vcb = 1500 В, le = 0B Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic =2,0 А Ic = 2,0 A, Ib = 0,5 А Ic = 2,0 A, lb = 0,5 А Vce = 10 В, lc = 0,1 A - Мин. зна- чение _ - - _ _ - - _ 5 _ - _ - Тип. зна- чение _ - - _ _ - - _ _ - - 3 - Макс, зна- чение 1500 600 5 4,0/6,0 2,0 30 1,0 50 10 2,5 1,5 _ 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
110 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 2SC5885 НРН ш Корпус ТО-220Н Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Встроенный демпферный диод. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер^база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1500B. le = 0B Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic =3,0 А 1с = 3,0А, lb = 0,75A 1с = 3,0А, lb = 0,75A Vce = 10 В, lc=0,1 A - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1500 600 5 6,0/9,0 3,0 30 1,0 50 10 2,5 1,5 - 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Встроенный демпферный диод. - Неизолированный корпус Предельно допустимые и основные электрические параметры о Л Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1700 В, le = 0 В Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic =4,5 А lc = 4,5A, Ib = 1,13А 1с = 4,5А, Ib = 1,13А Vce = 10 В, lc = 0,1 A - Мин. зна- чение - - - - _ - - - 5 _ _ - - Тип. зна- чение - - - - _ - - - - _ - 3 - Макс, зна- чение 1700 600 7 9,0/14 3,0 40 1,0 50 10 3,0 1,5 _ 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 111 Корпус ТОР-ЗЕ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор [_ Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры О V 2\) 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1700B, le = 0B Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 8,5A lc = 8,5 A, Ib = 2,13 А lc = 8,5A, Ib = 2,13 А Vce =10 В, Ic = 0,1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - L - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1700 600 7 17/27 8,0 65 1,0 50 12 3,0 1,5 - 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Ньзкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о У 2V 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/ импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - _ _ Т = 25°С Vcb = 1700B, le = 0B Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc= 10,0 А lc = 10,0A, lb = 2,5A lc= 10,0 A, lb = 2,5A Vce = 10 В, lc = 0,1 A - Мин. зна- чение - - - _ _ - - - 5 _ _ _ - Тип. зна- чение _ - - _ — - - - _ _ 3 - Макс, зна- чение 1700 600 7 20/30 8,0 70 1,0 50 12 з.о 1,5 _ 0,2 I If В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
112 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC приемников и Корпус ТОР-ЗЕ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры \) 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc lebo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb=1500B, le = 0 В Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5B,lc = 7,5A lc = 7,5A,lb=1,88A lc = 7,5 A, Ib = 1,88 А Vce =10 В, ic = 0.1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1500 600 7 15/25 5,0 50 1,0 50 10 2,5 1,5 - 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Встроенный демпферный диод. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор О U 2У 3\) Л Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc lebo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1500B, le = 0B Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 5,0 А 1с = 5,0А, lb= 1,25 А Ic = 5,0 A, Ib = 1,25 А Vce =10 В, Ic = 0.1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - _ - - - _ 3 - Макс, зна- чение 1500 600 7 10/15 3,0 40 1,0 50 10 2,5 1,5 _ 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 113 Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Встроенный демпферный диод. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о У 2\) Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo Пре Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Veb = 1500 В, le = 0B Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 3,0 А lc = 3,0A, lb = 0,75A lc = 3,0A, Ib = 1,75А Vce = 10 В, lc = 0,1 A - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1500 600 5 6,0/9,0 3,0 40 1.0 50 10 2,5 1,5 - 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Встроенный демпферный диод. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о £ Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb=1000B, le = 0 В Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 6,0 А lc = 6,0A, lb= 1,5 А 1С = 6,0 A, Ib = 1.5 А Vce= 10 В, lc = 0,1 A Резистивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - _ - 5 _ - - - Тип. зна- чение - - _ - - - _ _ _ _ 3 - Макс, зна- чение 1500 600 7 12/22 5,0 40 50 1.0 10 2,5 1,5 _ 0,2 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МГц МКС
114 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о 3U Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb=1700B, le = 0B Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 7,5 А lc = 7,5A, Ib = 1,88 А lc = 7,5A, Ib = 1,88 А Vce =10 В, lc = 0,1 А - Мин. зна- чение - - - - - - - - 5 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1700 600 7 15/25 3,0 60 1,0 50 10 3,0 1,5 - 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Особенности: - Высокая скорость переключения. - Низкое напряжение насыщения - Изолированный корпус. Корпус TO-220D Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры 1 2 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Icp Pc Icbo lebo hFE Vce sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база (эмиттер откл) Напряжение коллектор-эмиттер (база откл ) Напряжение эмиттер-база (коллектор откл ) Ток коллектора Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb=180B, le = 0B Veb = 6 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic =0,1 А lc = 1,0 A, Ib = 0,1 А Vce = 10 В, lc= 0,1 А - Мин. зна- чение - - _ - - - - - 60 - _ - Тип. зна- чение _ - _ - _ - _ - - - 130 - Макс, зна- чение 180 180 6 1,5 3,0 20 100 100 240 0,5 0,1 Еди- ни- цы В В В А Вт мкА мкА В МГц МКС 2SC5993Q:hFE = 60...140 2SC5993P:hFE= 120...240
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 115 Корпус ТОР-ЗЕ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Встроенный демпферный диод. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о tip А Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1700B, le = 0 В Veb = 7 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 7,0A Ic = 7,0 A, Ib = 1,75 А lc = 7,0 A, Ib = 1,75 А Vce = 10 В, lc = 0,1 A - Мин. зна- чение - - - - - - - - 7 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - Макс, зна- чение 1700 600 7 15/24 3,0 60 1,0 50 12 3,0 1,5 - 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мА мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. ■ Высокое напряжение пробоя. - Широкая область безопасной рабо- ты - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vces Vebo Ic Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - Эмиттерный пере- ход закорочен - - - Т = 25°С Vcb = 750 В, le = 0 В Vce = 10 В, lc = 2,0A lc = 2,0A, lb = 0.75 А lc = 2,0A, Ib = 0,75 А Vce = 10 В, lc = 0,5A Vce = 10B,lc = 0,5A - Мин. зна- чение - - - - _ - _ 4 - - - - - Тип. зна- чение - - - _ _ - _ _ - - 2 - - Макс, значе- ние 1500 1500 5 3,0/10 3,5 50 50 12 5 1.5 2,2 0,7 Еди- ницы В В В А А Вт мкА В В МГц В МКС
116 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC Корпус ТОР-ЗВ Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя. - Широкая область безопасной рабо- ты. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vces Vebo Ic Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - Эмиттерный пере- ход закорочен - - - Т = 25°С Vcb = 750 В, le = 0 В Vce = 10 В, lc = 2,5A lc = 2,5A, Ib = 0,8 А lc = 2,5A, Ib = 0,8 А Vce = 10 В, lc = 0,5A Vce = 10 В, lc = 0,5A - Мин. зна- чение - — - - - - - 4 - - - - - Тип. значе ние - — - - - - - - - - 2 - - Макс, зна- чение 1500 1500 5 3,5/13 3,5 65 50 15 5 1,5 2,2 0,8 Еди- ницы В В В А А Вт мкА В В МГц В МКС Корпус ТОР-ЗВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя. - Широкая область безопасной рабо- ты. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vces Vebo Ic Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - Эмиттерный пере- ход закорочен - - - Т = 25°С Vcb = 750 В, le = 0 В Vce = 10 В, lc = 3,0A lc = 3,0A, lb= 1.0A 1с = 3,0А, Ib = 1,0 А Vce = 10 В, lc = 0,5A Vce = 10 В, lc = 0,5A - Мин. зна- чение - - - - - - - 4 - - - _ - Тип. зна- чение - - - - - - - _ _ - 2 _ - Макс, зна- чение 1500 1500 5 4,0/15 3,5 70 50 15 1 1,5 _ 2,2 0,75 Еди- ницы В В В А А Вт мкА В В МГц В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 117 Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя. - Широкая область безопасной рабо- ты. - Встроенный демпферный диод. Корпус ТОР-ЗС Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vces Vebo Ic Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса параметры Условия - Эмиттерный переход закорочен - - - Т = 25°С Vcb = 750 В, le = 0 В Vce = 10 В, lc = 3,0A lc = 2,0A, lb = 0,75 А 1с = 2,0А, lb = 0,75A Vce = 10 В, lc = 0,5 А Vce = 10 В, lc = 0,5A - Мин. зна- чение - - - - - - - 4 - - - - - Тип. зна- чение - — - - - - - - - - 2 - - Макс, зна- чение 1500 1500 5 3,0/10 3,5 50 50 12 1 1,5 - 2,2 0,75 Еди- ницы В В В А А Вт мкА В В МГц В МКС Корпус ТОР-ЗС Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя. - Широкая область безопасной рабо- ты. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры t^Q * Сим- вол Vcbo Vces Vebo Ic Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/ импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - Эмиттерный переход закорочен - - - Т = 25°С Vcb = 750 В, le = 0 В Vce = 10 В, lc=3,0A lc = 3,0A, Ib = 1,0 А Ic = 3,0 A, Ib = 1,0 А Vce = 10 В, lc= 1,0 А Vce =10 В, lc = 0,5A - Мин. зна- чение - - - - - - - 5 - _ _ - - Тип. зна- чение - - - - - - - _ - _ 2 - - Макс, зна- чение 1500 1500 5 4,0/15 3,5 70 50 15 1 1,5 _ 2,2 0,75 Еди- ницы В В В А А Вт мкА В В МГц В МКС
118 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 117 Кремниевый ЫРЫ диффузионный транзистор для а вертки телевизионных прг^р^никое vt мониторов скддон строчк Корпус ТОР-ЗВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя. - Широкая область безопасной рабо- ты. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Л Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 750 В, le = 0 В Vce = 10 В, lc = 0,5A lc = 3,0 A, lb = 0,8A 1с = 3,0А, Ib = 0,8 А Vce = 10 В, lc = 0,5A Vce = 10 В, lc = 3,5A - Мин. зна- чение - - - - - - - 5 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 2 - - Макс, зна- чение 1500 700 7 3,5/10 1,5 60 10 25 8 1,5 - 2,0 0,8 Еди- ницы В В В А А Вт мкА В В МГц В МКС Корпус ТОР-ЗВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя. - Широкая область безопасной рабо- ты. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Л Символ Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 750 В, le = 0 В Vce = 5B, lc= 1,0А lc = 4,0A, Ib = 1,0 А lc = 4,0A, Ib = 1,0 А Vce =10 В, lc = 0,5A lc = 5,0A - Мин. зна- чение - - - - _ - _ 5 _ - _ _ - Тип. зна- чение - - - _ _ - _ - _ - 2 _ 0,2 Макс, зна- чение 1500 700 7 5,0/10 2,0 100 10 25 8 1,5 _ 2,3 - Еди- ницы В В В А А Вт мкА В В МГц В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 119 Корпус ТОР-ЗВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя. - Широкая область безопасной рабо- ты. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 750 В, le = 0 В Vce = 5 В, Ic = 1.0 А Ic = 5,0 A, lb= 1,2 А lc = 5,0A, Ib = 1,2А Vce = 10 В, 1с=1,0А lc = 5,0A - Мин. зна- чение - - - - - - - 5 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 2 - 0,2 Макс, зна- чение 1500 700 7 6,0/18 2,5 100 10 25 8 1,5 2,3 - Еди- ницы В В В А А Вт мкА В В МГц В МКС Корпус ТОР-ЗВ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. -Высокое напряжение пробоя. - Широкая область безопасной рабо- ты - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 750 В, le = 0 В Vce = 5 В, lc= 1,0 А lc = 6,0A, Ib = 1,4А Ic = 6,0 A, Ib = 1,4 А Vce = 10 В, lc= 1,0 А 1с = 5,0А - Мин. зна- чение - - - - - - _ 5 _ _ - _ - Тип. зна- чение - - - - - - _ - _ _ 2 _ 0,2 Макс, зна- чение 1500 700 7 7,0/20 3,0 100 10 25 8 1,5 - 2,3 - Еди- ницы В В В А А Вт мкА В В МГц В МКС
120 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC WPH ДМФф\/ЖО»иЫ Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Широкая область безопасной работы. Корпус ТОР-ЗС Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vces Vebo Ic Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - Эмиттерный пере- ход закорочен - - - Т = 25°С Vcb = 750 В, le = 0 В Vce = 5 В, lc= 1,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,2 А lc = 5,0 A, Ib = 1,2 А Vce = 10 В, lc= 1,0 А - Мин. зна- чение - — - - - - - 6 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 2 0,2 Макс, зна- чение 1500 1500 7 6,0/18 2,5 100 10 30 8 1,5 - - Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА В В МГц МКС Корпус ТОР-ЗС Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя. - Широкая область безопасной рабо- ты. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vces Vebo Ic Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - Эмиттерный переход закорочен - - - Т = 25°С Vcb = 750 В, le = 0 В Vce = 10 В, lc = 3,0A lc = 3,0 A, lb = 0,8A lc = 3,0A, Ib = 0,8 А Vce = 10 В, lc = 0,5 А lc = 3,5A - Мин. зна- чение - — - - - - _ 4 - - _ - - Тип. зна- чение - - - - - - _ _ - - 2 _ 1,5 Макс, зна- чение 1500 1500 7 3,5/10 1,5 60 10 _ 8 1,5 _ 2 - Еди- ницы В В В А А Вт мкА В В МГц В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC 121 Корпус ТОР-ЗС Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. -Высокое напряжение пробоя. - Широкая область безопасной рабо- ты - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vces Vebo Ic Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Условия - Эмиттерный переход закорочен - - - Т = 25°С Vcb = 750 В, le = 0 В Vce = 10 В, lc = 6,0A lc = 6,0A, Ib = 1,4 А 1с = 6,0А, Ib = 1,4 А Vce = 10 В, 1с=1,0А lc = 7,0A - Мин. зна- чение - — - - - - - 4,5 - - - - - Тип. зна- чение - — - - - - - - - - 2 - - Макс, зна- чение 1500 1500 7 7,0/20 3,0 120 10 - 8 1,5 - 2,3 0,8 Еди- ницы В В в А А Вт мкА В В МГц В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя. - Широкая область безопасной работы. Корпус ТОР-ЗС Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vces Vebo Ic Ib Pc Icbo hpE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - Эмиттерный пере- ход закорочен - - - Т = 25°С Vcb = 750 В, le = 0 В Vce = 5 В, lc = 6,0A 1с = 6,0А, Ib = 1,5 А lc = 6,0A, Ib = 1,5 А Vce = 10 В, lc= 1,0 А - Мин. зна- чение - — - - - - _ 4,5 _ _ _ - Тип. зна- чение - — - _ _ - _ _ _ _ 2 - Макс, зна- чение 1500 1500 7 7,0/20 3,0 120 10 - 8 1,5 _ 0,8 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА В В МГц МКС
122 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя. - Широкая область безопасной рабо- ты. - Встроенный демпферный диод. Корпус TOP-3F Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 2 3 Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vces Vebo Ic Ib Pc Icbo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/ импульсный Ток базы импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса параметры Условия - Эмиттерный переход закорочен - - - Т = 25°С Vcb = 1500B, le = 0 В Vce = 10 В, lc=5,0A lc = 5,0A, Ib = 1,2 А lc = 5,0A, Ib = 1,2 А Vce =10 В, lc= 1,0 А lc = 6,0A Индуктивная нагрузка Мин. зна- чение - - - - - - - 4,5 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 2 - - Макс, зна- чение 1500 1500 7 5,0/20 4,0 100 300 15 8 1,5 - 2,3 0,8 Еди- ницы В В В А А Вт мкА В В МГц В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 123 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя: Vceo = 700 В. - Неизолированный корпус. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор □ Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Vce sat Ic sat Ic Icm Ib Ibm hFE fT Ptot Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы импульсный Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Граничная частота эффективного усиления Мощность, рассеиваемая на коллекторе Время спада импульса при индуктивной нагрузке Условия Vbe = 0 V - Ic = 2А Ib =0,9 А - - - - - |С = 0,1 A, Vce = 5 В Ic = 0,1 A, Vce = 5B Т = 25°С - Мин. зна- чение - - - - - - - - 6 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 13 7 - 0,9 Макс, зна- чение 1500 700 1,0 2 2,5 4,0 2 4 30 - 75 - Еди- ницы В В В А А А А А МГц Вт МКС Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключе- ния - Высокое напряжение пробоя: Vceo = 700 В. - Встроенный демпферный диод. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры 1 2 3 Сим- вол Vcesm Vceo Vce sat Vf Ic sat Ic Icm Ib Ibm hFE fT Ftot Tf Параметр Напряжение коллектор^эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Напряжение насыщения К-Э Падение напряжения на прямо смещенномлиоде Коллекторный ток насыщения Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Граничная частота эффективногоусиления Мощность, рассеиваемая на коллекторе Время спада импульса при индуктивной нагрузке Условия Vbe = 0 V _ lc = 2A, Ib =0,9 А I = 2 А - _ - - - Ic = 0,1 A,Vce = 5B lc = 0,1 A, Vce = 5B Т = 25°С - Мин. зна- чение _ _ - _ _ _ _ - - 6 - - - Тип. зна- чение _ _ - _ _ _ - 2 4 13 7 - 0,9 Макс, зна- чение 1500 700 1,0 1,8 2 2,5 4,0 А А 30 - 75 - Еди- ницы В В В В А А А МГц Вт МКС
124 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Высоковольтный транзистор с вы- сокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя: Vceo = 700 В. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic sat Ic Icm Ib Ibm Vf hFE fT Ptot Tj Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Коллекторный ток насыщения Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Падение напряжения на прямо смещенном диоде Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Граничная частота эффективного усиления Мощность, рассеиваемая на коллекторе Температура перехода Условия Vbe = 0 V - - - - - - - lc = 0,1 A,Vce = 5B Ic = 0,1 A, Vce = 5B Т = 25° - Мин. зна- чение - - - - - - - - 6 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 13 7 - - Макс, зна- чение 1500 700 2 2,5 4,0 2,0 4,0 1,8 30 - 20 150 Еди- ницы В В А А А А А В МГц Вт °С Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя: Vceo = 700 В. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Vce sat Ic sat Ic Icm Ib Ibm !ife fT Ptot Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер^ отключ. базой) Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Граничная частота эффективного усиления Мощность, рассеиваемая на коллекторе Время спада импульса при индуктивной нагрузке Условия Vbe = 0 V - lc = 2Alb=0,9A - - - - - Ic = 0,1 A, Vce = 5B Ic = 0,1 A,Vce = 5B T = 25°C - Мин. зна- чение - - - - - - - - 6 - - - Тип. зна- чение - - - - - - 2 4,0 13 7 - 0,7 Макс, зна- чение 1500 700 1,0 2 2,5 4,0 А А 30 20 - Еди- ницы В В В А А А МГц Вт МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 125 Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Высоковольтный транзистор с высо- кой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя: Vceo = 700 В. - Неизолированный корпус. Предельно допустимые и основные электрические параметры L_J 1 J2|J3 Сим- вол Vcesm Vceo Vce sat Ic sat Ic Icm Ib Ibm Ptot hFE Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Время спада импульса при индуктивной нагрузке Условия Vbe = 0 V - lc = 3A, Ib =1,33 А - - - - - Т = 25°С lc = 0,1 A, Vce = 5B - Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - 3 5 - 13 0,7 Макс, зна- чение 1500 700 1,0 3 5,0 8,0 А А 100 30 - Еди- ницы В В В А А А Вт МКС Особенности: - Высоковольтный транзистор с вы- сокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры LJ 2LJ3 А Сим- вол Vcesm Vceo Vce sat Vf Ic sat Ic Icm Ib Ibm Пре Ptot Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Напряжение насыщения К-Э Падение напряжения на прямо смещенном диоде Коллекторный ток насыщения Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Мощность, рассеиваемая на коллекторе Время спада импульса при индуктивной нагрузке Условия Vbe = 0 V - lc = 3A, Ib =1,33 А I = ЗА - - - - - Ic = 0,1 A,Vce = 5B Т = 25°С - Мин. зна- чение - - - - - _ - - - - - - Тип. зна- чение - - - 1.5 - _ _ - - 13 - 0,9 Макс, зна- чение 1500 700 1,0 - 3,0 5,0 8,0 3,0 5,0 30 100 - Еди- ницы В В В В А А А А А Вт МКС
126 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Высоковольтный транзистор с вы- сокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Vce sat Vf Ic sat Ic Icm Ib Ibm hFE Ptot Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)^ Напряжение насыщения К-Э Падение напряжения на прямо смещенном диоде Коллекторный ток насыщения Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Мощность, рассеиваемая на коллекторе Время спада импульса при индуктивной нагрузке Условия Vbe = 0 V - lc = ЗА Ib =1,33 А I = ЗА - - - - - Ic = 0,1 A, Vce = 5B Т = 25°С - Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 13 - 0,7 Макс, зна- чение 1500 700 1,0 2,2 3 5,0 8,0 3,0 5,0 30 20 - Еди- ницы В В В В А А А А А Вт МКС Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя: Vceo = 700 В. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Vce sat Ic sat Ic Icm Ib Ibm Ptot hFE Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Время спада импульса при индуктивной нагрузке Условия Vbe = 0 V - Ic = ЗА Ib =1,33 А - - - - - Т = 25°С lc = 0,1 A, Vce = 5B - Мин. зна- чение _ - - _ _ - _ _ - - - Тип. зна- чение - - - _ _ _ _ _ - 6,0 0,7 Макс, зна- чение 1500 700 1,0 3,0 5,0 8,0 3 5 20 13 - Еди- ницы В В В А А А А А Вт МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 127 Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя: Vceo = 700 В. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 4,5А, 1Ь=1,6А F =16 кГц Ic sat = 4,5 A, F =16 кГц Ic = 100 mA, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 4,5 0,7 13,0 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 34 1,0 - - 30,0 Еди- ницы В В А А А А Вт В А МКС Особенности: - Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя: Vceo = 700 В. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)^ Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 4,5А, Ib =1,6 А F =16 кГц lc_sat = 4,5A, F =16 кГц lc= 100 mA, Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - _ 4,5 0,7 13,0 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 125 1,0 _ 30,0 Еди- ницы В В А А А А Вт В А МКС
128 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Высоковольтный транзистор с вы- сокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ptot Vce sat Ic sat Ib Ibm Vf Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (сотключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Ток базы Ток базы, пиковое значение Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - Т = 25°С |С = 4,5А, Ib =1,6 А F =16 кГц - - 1 = 4,5 А Ic sat = 4,5 A, F =16 кГц lc = 100 mA, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - 4,5 4 6 1,6 0,7 13,0 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 34 1,0 - А А 2,0 - 30,0 Еди- ницы В В А А Вт В А В МКС Особенности: - Высоковольтный транзистор с высо- кой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор А Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ptot Vce sat Ic sat Ib Ibm Vf Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Ток базы Ток базы, пиковое значение Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - Т = 25°С lc = 4,5A, Ib =1,6 А F =16 кГц - - 1 = 4,5 А Ic sat = 4,5 A, F =16 кГц lc=100mA,Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - _ - - - - Тип. зна- чение - - - - - - 4,5 - _ 1,6 0,7 13,0 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 125 1,0 - 4 6 2,0 - 30,0 Еди- ницы В В А А Вт В А А А В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 129 Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Icm Ib Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 3,0А, lb = 0,79A - 1 = 3,0 а Icm = 3,0 А, 1Ь = 0,67А - 1с = 3,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 3,0 1L6 0,4 55 5,5 Макс, зна- чение 1500 700 5 8 8 3 32 5,0 - 2,0 0,6 - 7,5 Еди- ницы В В А А А А Вт В А В МКС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ptot Vce sat Vce sat Ic sat Ib Ibm Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Ток базы Ток базы, пиковое значение Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - Т = 25°С Ic = 4 A, Ib =0,95 А lc = 4A, Ib =0,8 А Р = 16кГц - - Ic sat =4 A, F = 16Kr"LL Ic = 4 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - _ - - Тип. зна- чение - - - - - - _ 4 - _ 0,25 7,0 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 45 1,0 5,0 4 6 0,5 9,0 Еди- ницы В В А А Вт В В А А А МКС
130 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS мниевый ЫРЫ диффузионный транзистор дян выгодных телевизионных при^ушикслз и допито роб Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой ско- ростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic lem Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 4,0А, lb = 0,8A - - lcm = 4,0A, F = =16 кГц - lc = 4,0A, Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 4,0 1,7 0,4 45 5 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 45 5,0 - 2,0 0,6 - 7 Еди- ницы В В А А А А Вт В А В МКС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic lem Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базойХ Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 4,5A, lb=1,1 A - lem = 4,5 A, Ib =1,1 Ic = 4,5 A, Vce = 1 В Мин. зна- чение - - _ - - - - _ - - - Тип. зна- чение - - - - - - - _ 4,5 0,4 5,5 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 35 1,0 _ 0,6 7,0 Еди- ницы В В А А А А Вт В А МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 131 Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 4,5А, Ib =1,1 А - 1 = 4,5 А Icm = 4,5 А, 1Ь=1,1 - Ic = 4,5 A, Vce = 1 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 4,5 1,6 0,4 33 5,5 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 35 1,0 - - 0,6 - 7,0 Еди- ницы В В А А А А Вт В А В МКС Ом Кремккеаый ЫРН диффузионный транзис/ор для выходны* каскаде Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой ско- ростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер^с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - _ - Т = 25°С 1с = 3,0А, lb=0,79A - - Icm = 3,0 A, Ib =0,67 _ Ic = 3,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - _ _ - - - - - _ - _ - Тип. зна- чение - - _ _ _ _ - - 3,0 1,6 0,25 55 5,5 Макс, зна- чение 1500 700 5 8 3 5 45 5,0 _ _ 0,5 _ 7,5 Еди- ницы В В А А А А Вт В А В МКС Ом
132 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой ско- ростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Ib Ibm Icm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток базы Ток базы, пиковое значение Ток коллектора, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 3,0A, lb=0,79A - - Icm = 3,0 A, Ib =0,67 - Ic = 3,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 3,0 1,6 0,25 55 5,5 Макс, зна- чение 1500 700 5 3 5 8 45 5,0 - 2.0 0,5 - 7,5 Еди- ницы В В А А А А Вт В А В МКС Ом Кремниевый л;Ргч д^'р-фузистчый транзйсюр длч вы- каскадов строчной Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 4,0А, lb=0,95A F = 16kCi4 Icm = 4,0 A, F = 16kI"m lc = 4,0A, Vce = 5B Мин. зна- чение - _ _ - _ - _ - _ - Тип. зна- чение - _ _ - - _ - _ 4,0 0,25 7 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 45 1.0 _ 0,5 9 Еди- ницы В В А А А А Вт В А МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 133 %f Кремниевый ЫРЫ диффузионный трзнзистс-р для выходных каскадов строчной | *" развеглки телевизионных приемников и мониторов I Особенности: Корпус SOT399 - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 4,0A, Ib =0,95 А Р = 16кГц Icm = 4,0 A, F = 16 кГц Ic = 4,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - 4,0 0,25 7 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 45 1,0 - 0,5 9 Еди- ницы В В А А А А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой ско- ростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный чин—I Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe Пре Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер^ отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление^езистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 4,0А, lb=0,8A Р = 16кГц 1 = 4,0 А Icm = 4,0 А, Р = 16кГц _ Ic = 4,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - _ _ - - - _ 4,0 1,7 0,25 45 7 Тип. зна- чение - - _ - _ - - _ _ _ _ - Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 45 5,0 2,0 0,5 _ 9 Еди- ницы В В А А А А Вт В А В МКС Ом
134 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление^езистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 4,0A, Ib =0,8 А Р=16кГц - Icm = 4,0 A, F = 16kI~m - Ic = 4,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - 4,0 1,7 0,25 45 7 Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 45 5,0 - 2,0 0,5 9 Еди- ницы В В А А А А Вт В А В МКС Ом IU2508A вьн:п»ш телевизионных пршатитов « мщ для выходных й раз- Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. Корпус SOT93 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 4,5A, lb=1,1 A - Icm = 4,5 A, Ib =1.1 lc = 4,5A, Vce=1 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - _ _ - - - - 4,5 0,4 5,5 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 125 5,0 _ 0,6 7,5 Еди- ницы В В А А А А Вт В А МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 135 Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 4,0A, lb=0,95A - Icm = 4,0 A, F = 16 кГц lc = 4,0A, Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 4,5 0,25 7 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 45 1,0 - 0,5 9 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения - Малое напряжение насыщения. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Ib Ibm Icm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток базы Ток базы, пиковое значение Ток коллектора, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - _ Т = 25°С lc = 4,5A, Ib =1,12А Р = 16кГц Icm = 4,5 A, F = 16 кГц Ic = 4,5 A, Vce = 1 В Мин. значе- ние - - - - - _ - _ - - Тип. зна- чение - - - - - - - _ 4,5 0,4 5,5 Макс, зна- чение 1500 700 8 4 6 15 125 1,0 _ 0,6 7,0 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС
136 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 4,5A, Ib =1,1 А - Icm = 4,5 А, 1Ь=1,1 lc = 4,5A, Vce=1 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 4,5 0,4 5,5 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 45 1,0 - 0,6 7,0 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT93 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - _ _ - - Т = 25°С 1с = 4,5А, Ib =1,12 А - 1 = 4,5 А, Icm = 4,5 А, 1Ь=1,1 - lc = 4,5A, Vce=1 В Мин. значе- ние - - _ - - - - - - _ - - - Тип. зна- чение - - _ - - - - 4,5 1,6 0,4 33 5,5 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 125 1,0 - 2,0 0,6 7,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 137 Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Л Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С Ic = 4,5 A, Ib =1,12 А - 1 = 4,5 А Icm = 4,5 А, 1Ь=1,1 - Ic = 4,5 A, Vce = 1 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 4,5 1,6 0,4 33 5,5 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 45 1,0 - 2,0 0,6 - 7,0 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор А Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - _ _ - Т = 25°С |С = 4,5А, Ib =1,12 А 1 = 4,5 А - Icm = 4,5 A, F = 16кГц - Ic = 4,5 A, Vce = 1 В Мин. значе- ние _ _ - _ _ - - _ _ _ _ - - Тип. зна- чение _ _ _ _ _ _ - _ 4,5 1,6 0,4 33 5,5 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 125 1.0 _ 2,0 0,6 - 7,0 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом
138 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С Ic = 3,0 A, lb=0,79A - - Icm = 4,5 А, 1Ь=1,1 - Ic = 4,5 A, Vce = 1 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 3,0 1,6 0,4 33 5,5 Макс, зна- чение 1500 700 8 15 4 6 45 5,0 - 2,0 0,6 - 7,0 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - _ - Т = 25°С 1с = 4,5А, lb=0,9A F = 56 кГц Icm = 4,5 A, F = 56 кГц Ic = 4,5 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - _ _ - _ _ - - Тип. зна- чение - - - - _ _ - 4,5 0,2 8,2 Макс, зна- чение 1500 800 9 20 5 7,5 45 5,0 _ 0,4 10,8 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 139 Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С |С = 4,5А, lb=0,9A F = 56 кГц Icm = 4,5 A, F = 56kI~4 Ic = 4,5 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 4,5 0,2 8,2 Макс, зна- чение 1500 800 9 20 5 7,5 45 5,0 - 0,4 10,8 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой ско- ростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe Пре Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - _ Т = 25°С 1с = 4,5А, lb=0,9A F = 56 кГц 1 = 4,5 А Icm = 4,5 A, F = 56 кГц - lc = 4,5A,Vce = 5B Мин. значе- ние - - - - _ - - - _ _ - Тип. зна- чение _ - - - _ _ - 4,5 0,2 46 8 Макс, зна- чение 1500 800 9 20 5 7,5 45 5,0 _ 2,2 0,4 _ 10,2 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом
140 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe Ире Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С IC = 4,5A, lb=0,9A F = 56 кГц - Icm = 4,5 A, F = 56kI~4 - |С = 4,5 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 4,5 0,2 46 8 Макс, зна- чение 1500 800 9 20 5 7,5 45 5,0 - 2,2 0,4 - 10,2 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. Корпус SOT93 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 6,0A, Ib =1,2 А - Icm = 6,0 A, Ib =0,85 Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - _ - - Тип. зна- чение - - - - _ - _ 6,0 0,2 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 125 5,0 _ 0,35 9,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 141 Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 6,0A, Ib =1,2 А Icm = 6,0 A, Ib =0,85 Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 6,0 0,2 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 45 5,0 - 0,35 9,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 6,0А, Ib =1,2 А - Icm = 6,0 A, Ib =0,85 Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - _ - - _ - - Тип. зна- чение - - - - _ - - _ 6,0 0,2 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 125 5,0 _ 0,35 9,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС
142 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 6,0A, lb=1,2A - Icm = 6,0 A, Ib =0,85 Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 6,0 0,2 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 45 5,0 - 0,35 9,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT93 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базь^ пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 6,0A, lb=1,2A - - Icm = 6,0 A, Ib =1,0 - Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние _ - - - - - - _ _ - - _ 7,0 Тип. зна- чение _ - _ _ - _ - - 6,0 0,35 50 - Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 125 5,0 _ 2,2 0,5 9,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 143 Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 6,0A, Ib =1,2 А - - Icm = 6,0 A, Ib =1,0 - Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 6,0 - 0,35 50 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 45 5,0 - 2,2 0,5 - 9,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 6,0 A, Ib =1,2 А - - Icm = 6,0 А, 1Ь=1,0 - Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - _ - Тип. зна- чение - - - - - _ - - 6,0 - 0,35 50 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 125 5,0 _ 2,2 0,5 _. 9,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом
144 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой ско- ростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 6,0А, Ib =1,2 А - - Icm = 6,0 A, Ib =1,0 - Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 6,0 0,35 50 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 45 5,0 - 2j2 0,5 - 9,5 Ьди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. Корпус SOT93 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 6,0А, 1Ь=1,76А Icm = 6,0 A, Ib =0,7 lc = 6,0A, Vce = 5B Мин. значе- ние - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - 6 9 - - 6,0 1,7 7 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 А А 125 5,0 _ 2,0 8 Еди- ни- цы В В А А Вт В А МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 145 Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 6,0A,lb=1,2A - Icm = 6,0 A, F =64 кГц Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 6,0 0,16 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 45 5,0 - 0,22 8,0 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 6,0А, Ib =1,2 А F = 64 кГц Icm = 6,0 А, Р = 64кГц Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - _ _ - Тип. зна- чение - - - - - - - - 6,0 1,7 - Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 125 5,0 _ 2,0 10 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС
146 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 6,0A( Ib =1,2 А - Icm = 6,0 A, F =64 кГц Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 6,0 0,16 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 45 5,0 - 0,22 8,0 Еди- ни- цы L В В А А А А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой ско- ростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm - Ib(av) -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Среднее значение Т = 20 мс - Т = 25° 1с = 6,0А, ГЬ =1,2 А - Icm = 6,0 A, F =64 кГц Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - _ - - 6 - - 6,0 0,16 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 150 _ 45 5,0 - 0,22 8,0 Еди- ни- цы В В А А А А мА А Вт В А МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 147 Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 6,0А, Ib =1,2 А - 1 = 6,0 А Icm = 6,0 A, F =64 кГц - lc = 6,0A,Vce = 5B Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 6,0 - 0,12 50 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 45 5,0 - 2,2 0,25 - 8,0 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 5,5А, Ib =1,1 А F = 64 кГц Icm = 5,5 А, Р = 64кГц lc = 5,5A,Vce = 5B Мин. значе- ние - - - - - - - _ - - - Тип. зна- чение - - - - - - - _ 5,5 0,15 8,0 Макс, зна- чение 1500 800 11 29 7 10 45 5,0 _ 0,3 10,3 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС
148 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 5,5A, lb=1,1 A F = 64 кГц Icm = 5,5 А, Р = 64кГц Ic = 5,5 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 5,5 0,15 8,0 Макс, зна- чение 1500 800 11 29 7 10 45 5,0 - 0,3 10,3 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой ско- ростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat lc_sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивлениерезистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 5,5A, Ib =1,1 А F =64 кГц 1 = 5,5 А, Icm = 5,5 A, F=64 кГц - 1с = 5,5 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - _ 5,5 - 0,15 46 7,5 Макс, зна- чение 1500 800 11 29 7 10 45 5,0 - 2,2 0,3 _ 10,8 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 149 Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой ско- ростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 5,5А, Ib =1,1 А F =64 кГц 1 = 5,5 А, Icm = 5,5 A, F =64 кГц - 1с = 5,5 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - 5,5 - 0,12 46 7,5 Макс, зна- чение 1500 800 11 29 7 10 45 5,0 - 2,2 0,25 - 10,8 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT93 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - _ - Т = 25°С |С = 8,0А, Ib =1,6А - Icm = 8,0 А, 1Ь=1,1 Ic = 8,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - _ - - - _ - - Тип. зна- чение - _ - - _ _ - - 8,0 0,2 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 125 5,0 _ 0,35 10 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС
150 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 8,0А, Ib =1,6 А - Icm = 8,0 А, 1Ь=1,1 1с = 8,0А, Vce = 5B Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 8,0 0,2 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 45 5,0 - 0,35 9,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Кремниевый UPt4 диффузионным транзистор для выходных кас Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База ^_ Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V _ - - - - Т = 25°С lc = 8,0A, Ib =1,6 А - Icm = 8, А, 1Ь=1,1 Ic = 8,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - _ - _ - - - - — - - Тип. зна- чение - _ _ _ - _ - - 8,0 0,2 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 125 5,0 _ 0,35 9,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 151 Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 8,0А, 1Ь=1,6А Icm = 8,0 А, 1Ь=1,1 Ic = 8,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 8,0 0,2 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 45 5,0 - 0,35 9,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Ts Rbe hpE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямо смещенном диоде Время восстановления Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 8,0A, lb=1,6A - 1 = 8,0 А Icm = 8,0 A, Ib = 1,1 А - lc = 8,0A,Vce = 5B Мин. значе- ние - - - - - - - _ _ - _ _ - Тип. зна- чение - - - - - - - _ 8,0 1,6 3,0 55 7 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 45 5,0 _ 2,0 4,0 _ 9,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом
152 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS НрйАЛниевь;й ЫРЫ диффузионный *рз«2И*.-тор дш» ^ыхсднь!*" ка?;нздий развертки телевизионных пркзмнмков с большими дийгсналими ЭЛТ Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Ts Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время восстановления Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 8,0А, Ib =1,6 А - 1 = 5,5 А lcm = 8,0A, lb=1,1 A - Ic = 8,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 8,0 - 3,0 55 7 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 125 5,0 - 2,2 4,0 - 9,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой ско- ростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Ts Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время восстановления Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 8,0А, Ib =1,6 А 1 = 5,5 А Icm = 8,0 A, Ib = 1.1 А - 1с = 8,0А, Vce = 5B Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 8,0 - 3,0 55 7 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 45 5,0 - 2,2 4,0 _ 9,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 153 Корпус SOT93 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 6,0A, Ib =1,2 А - Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 6,0 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 125 5,0 9,0 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А 4tJH диффузионный грзялистор дня выходных каскадов стро- Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой}^ Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - _ Т = 25°С lc = 6,0A, Ib =1,2 А - lc = 6,0A,Vce = 5B Мин. значе- ние - - - - - _ - - - - Тип. зна- чение - _ - - - _ - _ 6,0 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 45 5,0 _ 9,0 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А
154 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с откл базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 6,0А, Ib =1,2 А - Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 6,0 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 125 5,0 - 9,0 Еди ни- цы В В А А А А Вт В А Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - _ _ - Т = 25°С lc = 6,0A,lb=1,2A - !с = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - _ _ _ - _ - - Тип. зна- чение _ - - _ - _ - - 6,0 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 45 5,0 - 9,0 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А
Мощные транзисторы с высхжой сжоростью переключения производства PHILIPS 155 Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой ско- ростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 8,0А, Ib =1,6 А F = 64 кГц I = 8A - lc = 8,0A,Vce = 5B Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 6,0 1,6 55 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 45 5,0 - 2,0 - 10,0 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В Ом Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 8,0A, Ib =1,6 А F = 64 кГц I = 8 А - Ic = 8,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - _ _ - Тип. зна- чение - - - - - - - _ 6,0 1,6 55 7,0 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 45 5,0 _ 2,0 _ 10,0 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В Ом
156 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Л Л S йрешшееый NPN диффузионный транзистор дня выходных каекздоо %##*% Е изз«0ртки т<шещс*шнны* Ррнемниксв с большими диагоналями ЭЛТ Корпус SOT430 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры > о < 2| 3 Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 9,0А, Ib =1,64 А - Ic sat = 9,0 A, Ib =1,3 Ic = 9,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 9,0 3,5 8 Макс, зна- чение 1500 800 16 40 10 15 125 5,0 - 4,5 10 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС 11)2531 телевизионных псшеадн^адв с большими д Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts Пре Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 9,0 А, 1Ь=1,64А - lc_sat = 9,0A, lb=1,1 Ic = 9,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - _ _ - - _ _ - - Тип. зна- чение - - - _ _ - - _ 9,0 3,5 8,0 Макс, зна- чение 1500 800 16 40 10 15 125 5,0 _ 4,5 10,0 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 157 Корпус SOT430 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры > о с 1U 2U 3 Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 7,0А, Ib =1,17 А - Ic sat = 7,0 A, F = 82 кГц Ic = 7,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 7,0 1,4 9,0 Макс, зна- чение 1500 800 16 40 10 15 125 5,0 - 1,8 12,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts tVE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - _ _ - Т = 25°С 1С = 7,0 A, Ib =1,1 А F = 82 кГц Ic sat = 7,0 A, F = 82 кГц Ic = 7,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - _ - _ - - - - _ - Тип. зна- чение - _ _ _ _ - - 7,0 1,4 9,0 Макс, зна- чение 1500 800 16 40 10 15 125 5,0 1,8 12,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС
158 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Корпус SOT199 Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Ts hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 4,0А, 1Ь=1,ЗЗА Р = 16кГц l = 8 А Ic sat = 4,0 A, F = 16 кГц lc = 4,0A,Vce=1 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 4,0 1,6 4,8 6 Макс, зна- чение 1700 825 8 15 4 6 45 1,0 - 2,0 5,5 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Ts Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время установления параметры Условия Vbe = 0 V - - - - Т = 25°С lc = 4,0A, lb=1,33A Я = 16кГц I = 8 А Ic sat = 4,0 A, F = 16 кГц Мин. зна- чение - _ - - — _ - - - - - Тип. зна- чение - _ - - - - _ 4,0 1,6 4,8 Макс, зна- чение 1700 825 8 15 4 6 45 1,0 - 2,0 5,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 159 Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Ts Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время установления Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 4,0А, 1Ь=1,ЗЗА Р = 16кГц 1 = 4,0 А Ic sat = 4,0 A, F = 16 кГц - lc = 5,5A,Vce = 1 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 4,0 1,6 4,8 45 6 Макс, зна- чение 1700 825 8 15 4 6 45 1,0 - - 5,5 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Ts Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время^становления Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - Т = 25°С 1с = 4,0А, 1Ь=1,ЗЗА Р = 16кГц 1 = 4,0 А Ic sat = 4,0 A, F = 16 кГц - lc = 5,5A,Vce = 1 В Мин. значе- ние — _ _ - _ _ - - _ - - - - Тип. зна- чение - _ _ - _ _ - - 4,0 1,6 4,8 45 6 Макс, зна- чение 1700 825 8 15 4 6 45 1,0 _ 5,5 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом
160 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS *%f% Ц jp Креыныцъът ПРЫ диффузионной траюшггор для выходных каскадов kjff^T* iitpiKVf телевизионных г«р?-1е«'1й<ой Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic lem Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С lc = 5,5A, Ib =1,38 А Р = 16кГц Ic sat = 5,5 A, F = 16 кГц Ic = 5,5 A, Vce = 1 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 5,5 7,4 5,5 Макс, зна- чение 1700 825 10 25 14 20 45 1,0 - 8,5 7,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic lem Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - _ - - - Т = 25°С 1с = 5,5А, Ib =1,38 А F = 16 кГц Ic sat =5,5 A, F = 16KTy lc = 5,5A, Vce=1 B- Мин. значе- ние - - _ - - - - _ - - - Тип. зна- чение - - _ _ - - - _ 5,5 7,4 5,5 Макс, зна- чение 1700 825 10 25 14 20 45 1,0 _ 8,5 7,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 161 Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры l\ Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Ts Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время установления Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 5,5А, Ib =1,38 А F = 16K|-y 1 = 5,5 А Ic sat = 5,5 A, F = 16KfM - Ic = 5,5 A, Vce = 1 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 5,5 - 7,4 65 6 Макс, зна- чение 1700 825 10 25 10 14 45 1,0 - 1,6 8,5 - 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Ts Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время установления Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Т = 25°С 1с = 5,5А, 1Ь=1,38А Р=16кГц 1 = 5,5 А Ic sat = 5,5 А, Р = 16кГц - lc = 5,5A, Vce=1 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - _ _ - Тип. зна- чение - - - - - - - - 5,5 _ 7,4 65 5,5 Макс, зна- чение 1700 825 10 25 10 14 45 1,0 - 1,6 8,5 _ 7,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А В МКС Ом
162 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер^ Изолированный Кремниевый НРЫ диффузионный транзистор дли выгодных нзскздой строчн рззварт$щ мониторов Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm - Ib(av) -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Среднее значение Т = 20 мс Т = 25°С lc = 4,5A, Ib =1,0А F = 64 кГц Ic sat = 5,5 A, F = 16 кГц lc = 4,5A, Vce = 1 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - — - - - 4,5 2,9 7 Макс, зна- чение 1700 825 10 25 10 14 150 6 45 1.0 - 3,6 10 ЬДИ- ни- цы В В А А А А мА А Вт В А МКС Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm - Ib(av) -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллекторамиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия - - - - - - Среднее значение Т = 20 мс - Т = 25°С lc = 4,5A, Ib =1,0 А F = 64 кГц lc_sat = 5,5A, Р = 16кГц Ic = 4,5 A, Vce = 1 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - _ - - - _ - - 4,5 2,9 7 Макс, зна- чение 1700 825 10 25 10 14 150 6 45 1,0 _ 3,6 10 Еди- ни- цы В В А А А А мА А Вт В А МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 163 y^l^1*! *J в*5! jC Щкирлншёвып НРЫ диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной Лж I A*e=i«#s ^ развертки мониторов Особенности: Корпус SOT199 - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. I корпус | изолированный | [j |j [J x^ Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm - Ib(av) -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Ts Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время установления Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Среднее знач Т = 20 мс - Т = 25°С IC = 4,5A, Ib =1,0 А - 1 = 4,5 А Icm = 4,5 A, Ib = 0,7 А - 1с = 4,5 A, Vce = 1 В Мин. зна- че- ние - - - - - - - - - - - - - - - Тип. зна че- ние - - - - - - - - - 4,5 1,6 5,8 65 7 Макс зна- че- ние 1700 825 10 25 10 20 150 20 45 1,0 - - 6,5 - 10 Ед ин иц ы В В А А А А мА А Вт В А В МКС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -lb(av) -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Ts Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время установления Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Среднее знач Т = 20 мс - Т = 25°С 1с = 4,5А, Ib =1,0 А - 1 = 4,5 А Icm = 4,5 А, 1Ь = 0,7А - 1с = 4,5 A, Vce = 1 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - _ _ - _ - - Тип. зна- чение - - - - _ - - - - _ 4,5 1,6 5,8 65 7 Макс, зна- чение 1700 825 10 25 10 20 150 20 45 1,0 _ 6,5 10 Еди- ни- цы В В А А А А мА А Вт В А В МКС Ом
164 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Щ Ф #•% «V £% #*"* M Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Кремниевый Ы^Ы диффузионный транзистор для пыхсдных каскадов стрс Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm - Ib(av) -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Среднее значение Т = 20 мс - Т = 25°С 1с = 7,0А, Ib =1,75 А F= 16 кГц Ic sat = 7,0 А, Р = 16кГц Ic = 7,0 A, Vce = 1 В Мин. зна- чение - - - - - - — - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - — - - - 7,0 2,9 6 Макс, зна- чение 1700 825 12 30 12 20 200 9 45 1,0 3,6 8,5 Еди- ни- цы В В А А А А мА А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm - Ib(av) -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - Среднее значение Т = 20 мс - Т = 25°С Ic = 7,0 A, Ib =1,75 А F=16kH4 Ic sat = 7,0 A, F = 16 кГц lc = 7,0A, Vce= 1 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - _ - - Тип. зна- чение - - - - - - - _ - - 7,0 2,9 6 Макс, зна- чение 1700 825 12 30 12 20 200 9 45 1,0 _ 3,6 8,5 Еди- ни- цы В В А А А А мА А Вт В А МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 165 Корпус SOT199 Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcesm Ic Icm Ib Ibm - Ib(av) -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Ts Rbe hFE Параметр ^Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время установления Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - Среднее значение Т = 20 мс - Т = 25°С 1с = 7,0А, Ib =1,75А F = 16 кГц I = 7 А Ic sat = 7,0 А, Р = 16кГц - lc = 7,0A, Vce=1 В Мин. зна- чение - - - - - — - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 7,0 1.4 5,8 70 5,8 Макс, зна- чение 1700 12 30 12 20 200 9 45 1,0 - 2,2 6,5 - 7,8 Еди- ни- цы В А А А А мА А Вт В А В МКС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры л Сим- вол Vcesm Ic Icm Ib Ibm -lb(av) -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Ts Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время установления Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - Среднее значение Т = 20 мс - Т = 25°С Ic = 7,0 A, Ib =1,75 А F = 16 кГц I = 7 А lc_sat = 7,0A, Р = 16кГц - Ic = 7,0 A, Vce = 1 В Мин. зна- чение - - - - - — - - - - - - _ - Тип. зна- чение - - - - - — - - - 7,0 1.4 5,8 70 5,8 Макс, зна- чение 1700 12 30 12 20 200 9 45 1,0 - 2,2 6,5 _ 7,8 Еди- ни- цы В А А А А мА А Вт В А В МКС Ом
166 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT93 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm - Ib(av) -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts I">fe Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Среднее значение Т = 20 мс - Т = 25°С Ic = 5,0 A, Ib =0,91 А - IC.sat = 5,0 A, lb=0,9A Ic = 5,0 A, Vce = 1 В Мин. зна- чение - - - - - - — - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - — - - - 5,0 2,2 8 Макс, зна- чение 1700 825 12 30 12 25 200 25 125 1.0 - 11 Еди- ни- цы В В А А А А мА А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm - Ib(av) -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Среднее значение Т = 20 мс - Т = 25°С |С = 5,ОА, Ib =0,91 А F = 64 кГц Ic sat = 5,0 A, F = 64 кГц lc = 5,0A, Vce=1 В Мин. зна- чение - - - - - _ - - - _ - - 8 Тип. зна- чение - - - - - _ - - - _ 5,0 2,5 - Макс, зна- чение 1700 825 12 30 12 25 200 25 45 1,0 _ _ 11 Еди- ни- цы В В А А А А мА А Вт В А МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 167 Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm - Ib(av) -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Времугустановления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Среднее значение Т = 20 мс - Т = 25°С Ic = 5,0 A, Ib =0,91 А - Ic sat = 5,0 A, Ib =0,9 А Ic = 5,0 A, Vce = 1 В Мин. зна- чение - - - - - - — - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - — - - - 5,0 2,2 8 Макс, зна- чение 1700 825 12 30 12 25 200 25 125 1,0 - - 11 Еди- ни- цы В В А г А А А мА А Вт В А МКС Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm - Ib(av) -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Среднее значение Т = 20 мс - Т = 25°С 1с = 5,0А, Ib =0,91 А F = 64 кГц Ic sat = 5,0 A, F = 64 кГц Ic = 5,0 A, Vce = 1 В Мин. зна- чение - - - - _ _ - - - _ _ - Тип. зна- чение - - - - _ - - - - _ 5,0 2,5 8 Макс, зна- чение 1700 825 12 30 12 25 200 25 45 1.0 _ 11 Еди- ни- цы В В А А А А мА А Вт В А МКС
168 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS нь^я 1;р»еч!?икогм: большими диагоналями Э11Т Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT430 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор о 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm - Ib(av) -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Ts hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время установления Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Среднее значение Т = 20 мс - Т = 25°С 1с = 9,0А, Ib =1,8 А F = 32 кГц Ic sat = 9,0 A, F = 32 кГц Ic = 9,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 5,0 3,5 7,5 Макс, зна- чение 1700 825 16 40 10 15 200 10 125 1,0 - 4,5 9,5 Еди- ни- цы В В А А А А мА А Вт В А МКС Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С |С = 3,0 A, lb=0,75A F= 16 кГц F = 16 кГц, Ic sat = 3,0 А Ic = 3,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 3,0 300 5,5 Макс, зна- чение 1500 800 5 8 3 5 4 45 3,0 - 450 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт В А НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 169 Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С 1с = 3,0А, lb=0,75A F = 16 кГц Р = 16кГц, Ic sat = 3,0 А Ic = 3,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 3,0 300 5,5 Макс, зна- чение 1500 800 5 8 3 5 4 45 3,0 - 450 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт В А НС Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - _ - - Т = 25°С 1с = 3,0А, lb=0,75A F= 16 кГц F = 16 кГц, Ic sat = 3,0 А lc = 3,0A,Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - _ _ - _ - - Тип. зна- чение - - _ - _ _ _ - - 3,0 300 5,5 Макс, зна- чение 1500 800 5 8 3 5 4 32 3,0 450 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт В А НС
170 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Символ Vcesm Vceo Ic Icrfi Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 3,0A,lb=0,75A Р = 16кГц 1 = 3,0 А Р=16кГц, Ic sat = 3,0 А - Ic = 3,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 3,0 1,55 300 30 5,5 Макс, зна- чение 1500 800 5 8 3 5 4 45 3,0 - 1,9 400 - 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт В А В НС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С 1с = 3,0А, lb=0,75A Р = 16кГц 1 = 3,0 А F= 16 кГц, Ic sat= 3,0 А - lc = 3,0A,Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - _ _ _ - - Тип. зна- чение - - - - _ _ - - 3,0 1,55 300 30 5,5 Макс, зна- чение 1500 800 5 8 3 5 4 45 3,0 1,9 400 _ 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт В А В НС Ом
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 171 Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоро- стью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 3,0A,lb=0,75A Р = 16кГц 1 = 3,0 А F= 16 кГц, lc_sat= 3,0 А - Ic = 3,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 3,0 1,55 300 30 5,5 Макс, зна- чение 1500 800 5 8 3 5 4 32 3,0 - 1,9 400 - 7,3 Еди ни- цы В В А А А А А Вт В А В НС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 4,0A, Ib =1,0 А Р=16кГц^ = 56кГц F = 16kH4, lc_sat = 4,0A F = 56 кГц, Ic sat = 4,0 A Ic = 4,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - _ - - _ _ - - _ - : - Тип. зна- чение - _ _ - _ _ - - _ 4,0 300 210 6,7 Макс, зна- чение 1500 800 8 15 4 6 5 45 3,0 450 7,3 Еди ни- цы В В А А А А А Вт В А НС
172 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства PHILIPS V Кремняевый KPN диффузионный транзистор для аыхздных каскадов строчной рзз- Корпус SOT399 Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С 1с = 4,0А, Ib =1,0 А F = 16 кГц, Р = 56кГц F = 16 кГц, Ic sat = 4,0 А F = 56 кГц, Ic sat = 4,0 А lc = 4,0A,Vce = 5B Мин. значе ние - - - - - - - - - - — - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 4,0 300 210 5,7 Макс, зна- чение 1500 800 8 15 4 6 5 45 3,0 - 450 7,3 Еди ни- цы В В А А А А А Вт В А НС Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер 1с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 4,0A, Ib =1,0 А Р = 16кГц, Р = 56кГц F=16kI~I4, lc_sat = 4,0A F = 56 кГц, Ic sat = 4,0 A Ic = 4,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - _ - - _ - - - Тип. зна- чение - - - - - _ _ - - 4,0 300 210 5,7 Макс, зна- чение 1500 800 8 15 4 6 5 32 3,0 - 450 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт В А НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 173 Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Л Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С 1с = 4,0А, Ib =1,0 А Р = 16кГц I = 4 А Р = 16кГц, lc_sat = 4,0A - Ic = 4,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 4,0 1,7 300 30 5,7 Макс, зна- чение 1500 800 8 15 4 6 5 45 3,0 - 2,1 400 - 7,3 Еди ни- цы В В А А А А А Вт В А В НС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 4,0A, Ib =1,0 А F=16kI"m I = 4 А Р = 16кГц, Ic sat = 4,0 А - Ic = 4,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - _ - - - - 4,0 1,7 300 30 5,7 Макс, зна- чение 1500 800 8 15 4 6 5 45 3,0 - 2,1 400 - 7,3 Еди ни- цы В В А А А А А Вт В А В НС Ом
174 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства PHILIPS скадов строчном гшиемнмше и м Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоро- стью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icrn Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С 1с = 4,0А, Ib =1,0А Р = 16кГц I = 4A F = 16 кГц, lc_sat = 4,0A - Ic = 4,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 4,0 1,7 300 30 5,7 Макс, значе- ние 1500 800 8 15 4 6 5 32 3,0 - 2,1 400 - 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт В А В НС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 5,0 А, 1Ь=1,25А F=16kI"m F = 64 кГц F = 16 кГц, Ic sat = 5,0 А F = 64 кГц, Ic sat = 4,0 А Ic = 5,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - _ _ - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 5,0 4,0 350 170 5,7 Макс, значе- ние 1500 800 8 15 4 6 5 45 3,0 - 480 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт В А НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 175 Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 5,0 A, Ib =1,25 А Р = 16кГц F = 64 кГц F= 16 кГц, Ic sat = 5,0 А F = 64 кГц, Ic sat = 4,0 А Ic = 5,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - — — - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 5,0 4,0 350 170 5,7 Макс, значе- ние 1500 800 8 15 • 4 6 5 45 3,0 — 480 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт В А НС Корпус SOT186A Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С 1с = 4,0А, Ib =1,0 А F = 16kI~m F = 64 кГц Р = 16кГц, lc_sat=5,0A F = 64 кГц, lc_sat = 4,0 А Ic = 5,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - _ - - - - - 5,0 4,0 350 170 5,7 Макс, значе- ние 1500 800 8 15 4 6 5 32 3,0 : 480 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт В А НС
176 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)^ Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 5,0A, Ib =1,25 А Р = 16кГц I = 5 А F = 16 кГц, Ic sat =5,0 А - Ic = 4,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 5,0 1,85 300 25 5,7 Макс, значе- ние 1500 800 8 15 4 6 5 45 3,0 - 2,2 400 - 7,3 ьди- ни- цы В В А А А А А Вт В А В НС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер ^с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 5,0 A, Ib =1,25 А F= 16 кГц I = 5A F = 16 кГц, Ic sat = 5,0 А - lc = 4,0A,Vce = 5B Мин. зна- чение - - _ - - _ - - - - - _ - Тип. зна- чение _ - _ - _ - - _ 5,0 1,85 300 25 5,7 Макс, значе- ние 1500 800 8 15 4 6 5 45 3,0 - 2,2 400 _ 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт В А В НС Ом
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 177 Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоро- стью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С |С = 5,ОА, Ib =1,25 А Р = 16кГц I = 5 А F = 16 кГц, Ic sat= 5,0 А - Ic = 4,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 5,0 1,85 300 25 5,7 Макс, зна- чение 1500 800 8 15 4 6 5 32 3,0 - l_ 2,2 400 - 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт В А В НС Ом Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С 1с = 6,0А, 1Ь=1,5А F = 16kI~L4 F = 64 кГц F = 16 кГц, Ic sat = 6,0 А F = 64 кГц, lc_sat = 5,0 А Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - — - - Тип. зна- чение - _ - - - - - - - 6,0 5,0 360 230 5,7 Макс, зна- чение 1500 800 9 20 5 7,5 6 45 3,0 : 500 7,3 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт В А НС
178 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Корпус SOT399 Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С |С = 6,ОА, Ib =1,5 А Р = 16кГц F = 64 кГц Р=16кГц, Ic sat = 6,0 А F = 64 кГц. lc_sat = 5.0 А Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - — — - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 6,0 5,0 360 230 5,7 Макс, зна- чение 1500 800 9 20 5 7,5 6 45 3,0 — 500 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А НС Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce_sat Ic sat Vf Tf Rbe Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер^с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С 1С = 5,0 А, 1Ь=1,25А Р = 16кГц I = 6 А Р = 16кГц, Ic sat = 6,0 А - Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - — - - - - - Тип. значе- ние - - - - - - - L — 6,0 1,7 Не нор- миров 45 5,7 Макс, значе- ние 1500 800 9 20 5 7,5 6 45 3,0 _ 2,0 Не нор- миров _ 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А В НС Ом
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 179 Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat Ic sat Vf Tf Rbe Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 5,0A,lb=1,25A Р = 16кГц I = 6 А Р = 16кГц, Ic sat = 6,0 А - Ic = 6,0 A, Vce = 5 В Мин. значе- ние - - - - - - - - - - - - - - Тип. значе- ние - - - - - - - - - 6,0 1,7 Не нор- миров 45 5,7 Макс, значе- ние 1500 800 9 20 5 7,5 6 45 3,0 - 2,0 Не нор- миров - 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А В НС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 7,0A, lb=1,75A F = 16 кГц F = 64 кГц F = 16 кГц, Ic sat = 7,0 А F = 64 кГц, Ic sat = 6,0 А Ic = 7,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - — - - : - - Тип. зна- чение - - - - - - - 7,0 6,0 285 170 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9,0 6 45 3,0 - 400 230 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А НС
180 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 7,0A, lb=1,75A F=16kI""m F = 64 кГц Р=16кГц, Ic sat = 7,0 А F = 64 кГц, Ic sat = 6,0 А Ic = 7,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - : - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 7,0 6,0 285 170 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9,0 6 45 3,0 — 400 230 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А НС Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 7,0 A, lb=1,75 A Я=16кГц F = 64 кГц I = 7A F = 16 кГц, lc_sat = 7,0 A - Ic = 7,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - _ - - - - - - : - - _ - Тип. зна- чение - - _ - - - - - - 7,0 6,0 - 285 50 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 6 45 3,0 - 2,2 400 _ 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А В НС Ом
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 181 Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - _ - _ Т = 25°С 1с = 7,0А, Ib =1,75 А F = 16kI"m F = 64 кГц I = 7 А Р = 16кГц, lc_sat = 7,0A - Ic = 7,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - _ - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 7,0 6,0 - 285 50 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 10 25 6 9 6 45 3,0 2,2 400 - 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А В НС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С 1с = 8,0А, lb=2,0A F= 16 кГц F = 70 кГц F= 16 кГц, Ic sat = 8,0 А F = 70 кГц, Ic sat = 6,5 А Ic = 9,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - : : Тип. зна- чение - - - - - - - - - 8,0 6,5 300 140 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 11 29 7 10,0 7 45 3,0 - 400 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А НС
182 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS развертки телевизионных при<*лшикет и момнт- :аскапов ст Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С Ic = 8,0 A, lb=2,0A F= 16 кГц F = 70 кГц F = 16kH4, Ic sat = 8,0 А F = 70 кГц, lc_sat = 6,5 А Ic = 9,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - _ _ - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 8,0 6,5 300 140 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 11 29 7 10,0 7 125 3,0 _ 400 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А НС Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf пре Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С 1С = 8,0 A, lb=2,0A Р = 16кГц F = 70 кГц Р = 16кГц, Ic sat =8,0 А F = 70 кГц, Ic sat = 6,5 А lc = 9,0A,Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - _ - - - - : - Тип. зна- чение - - - _ _ _ - - - 8,0 6,5 300 140 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 11 29 7 10,0 7 45 3,0 : 400 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 183 Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С |С = 8,ОА, lb=2,0 A Р=16кГц F = 70 кГц I = 8A F= 16 кГц, Ic sat = 8,0 А - lc = 7,0A,Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - — - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 8,0 6,5 - 300 46 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 11 29 7 10 7 45 3,0 — 2,2 400 - 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А В НС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер 1с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - — - - Т = 25°С 1с = 8,0 A, Ib =2,0 А F = 16 кГц F = 70 кГц I = 7A Р=16кГц, Ic sat = 8,0 А - lc = 7,0A, Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - _ - - - - : - _ - - Тип. зна- чение - - - - _ - - - - 8,0 6,5 - 300 46 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 11 29 7 10 7 125 3,0 2,2 400 _ 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А В НС Ом
184 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS О I Кремиа&вьт ЫРН диффузионный транзистор цгт выходных каскадов строчной раззсрткй телевизионных приемников Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Vf Tf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 8,0 A, lb=2,0A F = 16 кГц F = 70 кГц I = 7 А F = 16 кГц, Ic sat = 8,0 А - lc = 7,0A, Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - : - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 8,0 6,5 - 300 46 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 11 29 7 10 7 45 3,0 — 2,2 400 - 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А В НС Ом III Кремниевый ЫРЫ диффугшоиный транзмстэр /шя выходные каокздов строчной развертки тзпаем^монньш приемников и мониторов Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С 1с = 9,0А, lb=2,25A F = 16 кГц F = 70 кГц Р = 16кГц, Ic sat = 9,0 А F = 70 кГц, lc_sat = 7,0 А Ic = 9,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - : - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 9,0 7,0 400 0,15 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12,0 7 45 3,0 : 550 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 185 Корпус SOT430 Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значе- ние Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 9,0 A, lb=2,25A F = 16kI"i4 F = 70 кГц Р = 16кГц, lc_sat = 9,0A F = 70 кГц, Ic sat = 7,0 А Ic = 9,0 A, Vce = 5 В Мин зна- чение - - - - - - - - - _ — - Тип значе- ние - - - - - - - - - 9,0 7,5 Не нор- миров 5,8 Макс значе- ние 1500 800 12 30 8 12,0 7 125 3,0 - Не нор- миров 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А НС Корпус SOT429 Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значе- ние Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С 1с = 9,0А, lb=2,25A F = 16kR4 F = 70 кГц F = 16 кГц, Ic sat = 9,0 А F = 70 кГц, Ic sat = 7,0 А Ic = 9,0 A, Vce = 5 В Мин зна- чение — - _ - - - _ - - : - - Тип значе- ние - - _ - - - _ - - 9,0 7,5 Не нор- миров 5,8 Макс значе- ние 1500 800 12 30 8 12,0 7 125 3,0 - Не нор- миров 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А НС
186 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS лрш/гшс*еый ЫРМ шффчтонпъ,т трантсгоа дня выходных кзскэдоь развертки телевизионные преемников ы мониторов Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью пе- реключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 9,0 A, lb=2,25A F = 16 кГц F = 70 кГц F = 16kR4, Ic sat = 9,0 А F = 70 кГц, Ic sat = 7,0 A Ic = 9,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - — — - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 9,0 7,0 400 0,15 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12,0 7 45 3,0 — 550 7,3 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А НС Особенности: - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Vf Rbe hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер {с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 9,0A, lb=2,25A F = 16kR4 F = 70 кГц I = 9 А - Ic = 9,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - _ - - Тип. зна- чение - - - - - - _ - _ 8,0 Не нор- миров _ 50 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 7 45 3,0 : 2,2 _ 7,6 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А В Ом
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 187 Корпус SOT430 Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоро- стью переключения. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Vf Tf Rbe Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С lc = 9,0A, lb=2,25A Р=16кГц F = 70 кГц I = 9 А F = 16 кГц, Ic sat= 9,0 А F = 70 кГц - Ic = 9,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - — - — - - Тип. значе- ние - - - - - - - - - 9,0 Не нор - 400 Не нор 50 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 7 125 3,0 — 2,2 550 - 7,6 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт В А В НС Ом Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. i HPH диффушонный тран/i Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Vf Tf Rbe Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С 1С = 9,0 A, Ib =2,25 А Р=16кГц F = 70 кГц I = 9 А F = 16kH4, Ic sat =9,0 А F = 70 кГц - Ic = 9,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - _ - - - - - Тип значе- ние - _ - - - _ _ - _ 9,0 Не нор - 400 Не нор. 50 5,8 Макс зна- чение 1500 800 14 30 8 12 7 125 3,0 - 2,2 550 _ 7,6 Еди- ницы В В А А А А А Вт В А В НС Ом
188 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS % разо^рпш гояеоизиоииык приемников и pcmsi Особенности: Корпус SOT399 - Новое поколение высоковольт- ных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Встроенный демпферный диод. Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm -Ibm Ptot Vce sat lc_sat Vf Tf Rbe Ире Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Обратный ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса Сопротивление резистора Rbe Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 V - - - - - - Т = 25°С |С = 9,ОА, Ib =2,25 А F = 16 кГц F = 70 кГц I = 9 А Р = 16кГц, Ic sat = 9,0 А F = 70 кГц - Ic = 9,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - — - - - Тип. значе- ние - - - - - - - - - 9,0 Не нор - 400 Не нор 50 5,8 Макс, зна- чение 1500 800 12 30 8 12 7 45 3,0 ~ 2,2 550 - 7,6 Еди- ни- цы В В А А А А А Вт L А В НС Ом Корпус SOT430 Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор > о < Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf Ире Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С lc= 10,0 A, lb=2,22 A F = 32 кГц F = 90 кГц F = 32 кГц, lc_sat = 9,0 А F = 90 кГц, Ic sat = 8,0 А Ic = 10,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - _ - _ - - - - - Тип. значе- ние _ _ _ _ _ - _ 9,0 8,0 200 120 6,6 Макс, зна- чение 1500 800 16 40 10 15 125 3,0 - 260 8,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 189 Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf пре Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С 1С = 10,0 A, Ib =2,22 А F = 32 кГц F = 90 кГц F = 32 кГц, Ic sat = 9,0 А F = 90 кГц, lc_sat = 8,0 А lc= 10,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - _ - Тип. зна- чение - - - - - - - - о о сгГ оо" 200 120 6,6 Макс, зна- чение 1500 800 16 40 10 15,0 125 3,0 — 260 8,5 Еди- ницы В В А А А А Вт В А НС Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT399 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С 1с = 10,0А, lb=2,22A F = 32 кГц F = 90 кГц F = 32 кГц, lc_sat = 9,0 А F = 90 кГц, Ic sat = 8,0 А lc=10,0A,Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - _ - - - Тип. зна- чение - - - - _ _ - _ 9,0 8,0 200 120 6,6 Макс, зна- чение 1500 800 16 40 10 15,0 125 3,0 - 260 8,5 Еди- ницы В В А А А А Вт В А НС
190 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Корпус SOT430 Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С Ic=16,0A, lb=4,0A F = 32 кГц F= 110 кГц F = 32 кГц, Ic sat= 16,0 А F= 110 кГц, lc_sat = 8,0 А lc= 16,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - — - - Тип. значе- ние - - - - - - - - 16,0 8,0 Не норми- ров 5,35 Макс, зна- чение 1500 800 25 40 10 15 125 3,0 — - 6,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А НС Корпус SOT429 Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С 1с = 16,0А, lb = 4,0A F = 32 кГц F= 110 кГц F = 32 кГц, Ic sat =16,0 А F = 110 кГц, Ic sat = 8,0 А lc = 16,0A, Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. значе- ние - - - _ _ - - - 16,0 8,0 Не норми ров 5,35 Макс, зна- чение 1500 800 25 40 10 15 125 3,0 - - 6,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 191 Корпус SOT430 Особенности: - Новое поколение высоковольтных тран- зисторов с высокой скоростью переклю- чения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор > о 1 И 2 3 Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat lc_sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С 1с = 20,0А, lb = 5,0 А F = 32 кГц F= 130 кГц F = 32 кГц, Ic sat= 16,0 А F = 130 кГц, Ic sat = 8,0 А Ic = 20,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - _ - - Тип. значе- ние - - - - - - - - 20,0 8,0 Не нор- миров 5,35 Макс, зна- чение 1500 800 30 40 10 15 125 3,0 : - 6,5 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А НС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf пре Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С 1с = 0,2А, lb = 0,02A 1с = 0,2А, lb = 0,02A Ic = 0,2 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 0,25 40 16 Макс, зна- чение 700 700 400 0,5 1 0,2 0,3 42 1,0 100 20 Еди- ни- цы В В В А А А А Вт В НС
192 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS \g в в~"ч.%^ кия, преобразователей, схем управлений Особенности: Корпус SOT533 - Высоковольтные транзисторы с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf Ире Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С Ic = 1,0 A, lb = 0,02A |С= 1,0A, lb = 0,02A Ic = 1 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 0,32 50 11 Макс, зна- чение 700 700 400 1,5 3 0,75 1,5 50 1,0 70 14 Еди- ни- цы В В В А А А А Вт В НС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С lc = 0,2 A, lb = 0,02 А lc = 0,2A, lb = 0,02A 1С = 1 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - _ - - 40 32 Макс, зна- чение 700 700 400 0,5 1,0 0,2 0,3 26 1,0 100 - Еди- ни- цы В В В А А А А Вт В НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 193 Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1 2МЗ Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С 1С = 3 A, Ib = 0,6 А 1с = 2,0А, lb=0,4A Ic = 2 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 0,25 33 16 Макс, зна- чение 700 700 400 4 8 2 4 80 1,0 80 20 Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT533 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat If hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - _ - Т = 25°С lc = 3A, lb = 0,6A lc = 2,5A, lb=0,4A Ic = 2 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - _ - - _ - - Тип. зна- чение - - - - - _ _ - 0,25 46 16 Макс, зна- чение 700 700 400 4 8 2 4 50 1,0 60 20 Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС
194 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Кр?миу»ееьш НРН диффузионный транзистор «лм Гф*юбйазо8зтлз11вй; схйм управления моторзм^ Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С - 1с = 2,0А, lb=0,4A Ic = 2 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 0,25 33 16 Макс, зна- чение 700 700 400 4 8 2 4 26 1.0 80 20 Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Ib Ibm Icm Ptot Vce sat Tf hpE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база^с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток базы Ток базы, пиковое значение Ток коллектора, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - _ - _ - Т = 25°С 1С = 4 А, 1Ь = 0,8А 1с = 5,0 A, Ib =1,0 А Ic = 4 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - _ - - _ _ - - _ - Тип. зна- чение _ _ _ _ _ _ _ - 0,3 20 11 Макс, зна- чение 700 700 400 8 4 8 16 80 1,0 50 15 Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 195 Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT404 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор YTF Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Ib Ibm Icm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток базы Ток базы, пиковое значение Ток коллектора, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С 1с = 4А, Ib = 0,8 А 1с = 5,0А, lb=1,0A Ic = 4 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 0,3 20 11 Макс, зна- чение 700 700 400 8 4 8 16 125 1,0 50 15 Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база ^с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С lc = 4A, lb = 0,8A lc = 5,0A, Ib =1,0 А Ic = 4 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - _ - - _ - Тип. зна- чение - - - - _ - _ - 0,3 20 11 Макс, зна- чение 700 700 400 8 16 4 8 32 1,0 50 15 Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС
196 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Символ Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf пре Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером^ Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С lc = 6A, Ib = 1,2 А 1с = 5,0А, Ib =1,0 А Ic = 6 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 0,4 20 10 Макс, зна- чение 700 700 400 10 20 5 10 80 1,0 50 15 Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические i Символ Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С lc = 6A,lb = 1,2A lc = 5,0A, Ib =1,0 А Ic = 6 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - _ - _ _ _ - _ _ - Тип. зна- чение _ _ _ _ _ _ _ - 0,4 20 10 Макс, зна- чение 700 700 400 10 20 5 10 26 1,0 50 15 Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 197 Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база^с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С lc= 1,0 A, lb=0,2A |С = 1,0 A, lb=0,2A Ic = 4 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 88 - Макс, зна- чение 850 850 450 2 3 0,75 1 40 1,0 150 35 Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Символ Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - _ - - - _ Т = 25°С lc= 1,0 A, Ib =0,2 А lc=1,0A,lb=0,2A Ic = 4 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение _ - _ - - - _ - _ - - Тип. зна- чение _ _ _ _ _ - _ - - 88 - Макс, зна- чение 850 850 450 2 3 0,75 1 18 1,0 150 35 Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС
198 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор ZJ 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Символ Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С - lc = 2,5A, lb=0,5A Ic = 4 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 0,29 88 12 Макс, зна- чение 850 850 450 6 10 2 4 100 1,5 150 - Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С - lc = 2,5A, lb=0,5A Ic = 4 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - _ _ - - - - Тип. зна- чение - - - _ - _ - - 0,29 88 12 Макс, зна- чение 850 850 450 6 10 2 4 32 1,5 150 - Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 199 Коемуиеаый Ы1-гЫ Диффузионный г ран:* исто р дпя 11рлобпз:юБЗгел$ей, схем управлении моторам;* Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор □ 1 J2LI3 Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С lc = 5,0A, Ib =1,0 А lc = 6,0A, Ib =1,2 А Ic = 1 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - Макс, зна- чение 850 850 450 8 12 4 6 125 1,5 300 35 Еди- ницы В В В А А А А Вт В МКС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С 1с = 5,0А, Ib =1,0 А lc = 6,0A, lb=1,2A Ic = 1 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение _ - - - - - - - - _ - Макс, зна- чение 850 850 450 8 12 4 6 32 1,5 300 35 Еди- ницы В В В А А А А Вт В МКС
200 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS BUJ301A бразоватилей, Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор L J 1J2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf пре Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С lc = 0,2A, lb=0,02A lc = 0,2A, lb=0,02A 1с = 0,01 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 145 - Макс, зна- чение 1000 1000 500 0,5 1.0 0,2 0,3 42 1.0 160 35 Еди- ницы В В В А А А А Вт В МКС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf Пре Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С lc = 0,2A, lb=0,02A 1с = 0,2А, Ib =0,02 А Ic = 0,01 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 145 - Макс, зна- чение 1000 1000 500 0,5 1,0 0,2 0,3 42 1,0 160 35 Еди- ницы В В В А А А А Вт В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 201 Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор J 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С lc = 1,0 A, Ib =0,2 А lc= 1,0 A, lb=0,2A Ic = 0,1 A, Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 145 - Макс, зна- чение 1000 1000 500 2,0 3,0 0,75 1,0 50 1,0 160 35 Еди- ни- цы В В В А А А А Вт В МКС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при^езистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - _ Т = 25°С Ic = 1,0 A, lb=0,2A lc = 1,0 A, lb=0,2A Ic = 0,1 A,Vce = 5B Мин. зна- чение _ _ - - - - _ - - _ - Тип. зна- чение _ _ - - - - _ - - 145 - Макс, зна- чение 1000 1000 500 2,0 3,0 0,75 1,0 18 1,0 160 35 Еди- ни- цы В В В А А А А Вт В МКС
202 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 1-^1 НРк диффузионный транзистор длк гепсй. схем упр^шь?н^-я ?-«огарзмк Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор _| 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С Ic = 3 A, Vce = 5 V lc = 2,5A, Ib =0,5 А Ic = 3 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 0,25 145 12 Макс, зна- чение 1000 1000 500 5 10 2 4 100 1,5 160 - Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf Пре Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С Ic = 3 A, Vce = 5 V lc = 2,5A, lb=0,5A Ic = 3 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение _ - - - - - _ - - - - Тип. зна- чение _ - - - _ _ _ - 0,25 145 12 Макс, зна- чение 1000 1000 500 5 10 2 4 32 1,5 160 - Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 203 Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при индуктивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С lc = 4A, lb = 0,8A lc = 5,0A, Ib =1,0 А Ic = 4 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - _о,з 25 11 Макс, зна- чение 1000 1000 500 6 10 2 4 100 1,0 50 15 Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при индуктивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В _ - - - - _ Т = 25°С lc = 4A, lb = 0,8A 1с = 5,0А, Ib =1,0 А Ic = 4 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - _ - - _ _ - - - _ - Тип. зна- чение - _ _ - _ _ _ - 0,3 25 11 Макс, зна- чение 1000 1000 500 6 10 2 4 32 1,0 50 15 Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС
204 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS BUJ403А -n-*.^™-^J^X^lZX^Z^^Zl^ймпуя Особенности: Корпус SOT78 (ТО220-АВ) q- - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С 1С = 2 A, Ib = 0,4 А 1с = 2,5А, lb=0,5A Ic = 3 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 0,15 170 15,5 Макс, зна- чение 1200 1200 550 6 10 3 5 100 1,0 300 - Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ. эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - _ - - Т = 25°С Ic = 2 A, Ib = 0,4 А 1с = 2,5А, Ib =0,5 А Ic = 3 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - _ _ _ - - _ _ - Тип. зна- чение - - - - _ _ _ - 0,15 170 15,5 Макс, зна- чение 1200 1200 550 6 10 3 5 32 1,0 300 - Еди- ницы В В В А А А А Вт В НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 205 Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Vebo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Напряжение эмиттер-база (с отключ коллектором) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - - - Т = 25°С Ic = 2 A, lb = 0,4A lc = 2,5A, lb=0,5A Ic = 2 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - 18 - - - - - 0,14 140 21 Макс, зна- чение 1200 1200 525 - 6 10 3 5 32 1,0 203 25 Еди- ницы В В В В А А А А Вт В НС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой)^ Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - _ - - Т = 25°С - Ic sat = 2,5 A, Ib =0,5 А Ic = 0,5 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - _ - - - _ _ 20,0 Тип. зна- чение - _ - _ _ - - 1,5 - Макс, зна- чение 850 400 5 10 2 4 100 _ 0,8 35,0 Еди- ницы В В А А А А Вт В мс
206 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - lc_sat = 2,5 A, Ib =0,5 А Ic = 0,5 A, Vce = 5 В Ic = 5 мА, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - 20 18 Тип. зна- чение - - - - - - - 3,5 - Макс, зна- чение 1000 450 5 10 2 4 100 - 0,8 35 35 Еди- ницы В В А А А А Вт А мс Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - lc_sat = 2,5A,lb=0,5A Ic = 0,5 A, Vce = 5 В Ic = 5 мА, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - _ - - - - - 20 18 Тип. зна- чение - - - - _ _ - - 2,5 _ — Макс, зна- чение 1000 450 5 10 2 4 20 1,5 _ 0,8 35 35 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 207 анзистор д моторами Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Усовершенствованная версия высо- ковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения BUT11. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры 2U3 Символ Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при индуктивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С lc = 2,5A, lb=0,33A - Ic sat = 2,5 A, Ib =0,5 А 1с = 0,5 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип зна- чение - - - - - - - - 2,Ь 0,08 22 Макс зна- чение 1000 450 5 10 2 4 100 1.Ь - 0,15 35 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер^с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - _ _ Т = 25°С - - Ic = 0,5 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение _ _ _ _ _ _ _ _ _ - Тип. зна- чение _ - - _ _ _ _ 2,5 150 20 Макс, зна- чение 1000 450 5 10 2 4 32 1,5 _ _ 35 Еди- ни- цы В В А А А А Вт В А НС
208 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - - Т = 25°С Ic = 3,0 A, lb=0,6A - Ic sat = 2,5 A, lb=0,5A Ic = 2,5 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 3,5 145 13,5 Макс, зна- чение 1000 1000 450 5 10 2 4 32 1,5 - 160 17 Еди- ницы В В А А А А Вт Б А НС Особенности: - Новое поколение высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vcbo Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-база (с отключ эмиттером) Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - _ Т = 25°С 1с = 2,0А, lb=0,4A Ic sat = 2,5 A, Ib =0,5 А Ic = 0,5 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - _ - - _ - Тип. зна- чение - - - - - - _ - _ 170 30,0 Макс, зна- чение 1200 1200 550 6 10 3 5 32 1,0 300 47,0 Еди- ницы В В А А А А Вт В НС
Мощные транзисторы с высюкой скоростью переключения производства PHILIPS 209 Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf Ире Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - Ic sat = 2,5 A, Ib =0,5 А Ic = 0,5 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 20,0 Макс, зна- чение 850 400 5 10 2 4 20 1,5 3,0 0,8 35,0 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - Ic sat = 2,5 A, Ib =0,5 А 1с = 0,5А, Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 2,5 80 22 Макс, зна- чение 1000 450 5 10 2 4 32 1,5 - 150 35 Еди- ницы В В А А А А Вт В А НС
210 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор □ j Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - - lc=1,A,Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 20 Макс, зна- чение 850 400 8 20 4 6 125 1,5 6 0,8 35 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор □ 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - Ic sat = 2,5 A, Ib =0,5 А 1с = 1,А, Vce = 5B Мин. зна- чение _ - - - _ - _ _ - - Тип. зна- чение _ - _ - - _ - - _ - 20,0 Макс, зна- чение 1000 450 8 20 4 6 120 1,5 5 0,8 35,0 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 211 I I jC,#*%l преоб счшл управления? Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hpE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - - lc=1,0A,Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 20,0 Макс, зна- чение 1000 450 8 20 4 6 23 5,0 5 0,8 35,0 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Усовершенствованная версия высоко- вольтных транзисторов с высокой скоростью переключения BUT12. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры □ 1 2 3 Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf . hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при индуктивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - Т = 25°С lc = 5,0A,lb=0,86A - Ic sat = 5,0 A, Ib =1,0 А lc=1,0A,Vce = 5B Мин. зна- чение _ _ - _ - - - - - - Тип. зна- чение _ - - _ - - _ 5,0 _ 20 Макс, зна- чение 1000 450 8 20 4 6 110 1,5 _ 0,3 35 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс
212 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf Пре Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - - 1с = 1,0 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 20,0 Макс, зна- чение 850 400 8 20 4 6 23 6,0 6 0,8 35,0 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс ЫРЫ диффузионн ранзистор для Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Усовершенствованная версия высоко- вольтных транзисторов с высокой ско- ростью переключения BUT 12. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при индуктивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С 1с = 5,0А, 1Ь=0,86А - lc_sat = 5,0A, Ib =1,0 А lc=1,0A, Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 5,0 - 20 Макс, зна- чение 1000 450 8 20 4 6 33 1,5 _ 0,3 35 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 213 Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор LJ 2J3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - - lc=1,A,Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 20,0 Макс, зна- чение 850 400 6 12 3 6 110 1,5 4 0,8 35,0 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 2LJ3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - _ _ _ - Т = 25°С - - - lc = 1,A,Vce = 5B Мин. зна- чение _ _ _ _ _ _ - - - - - Тип. зна- чение - _ _ _ - - _ - _ 20,0 Макс, зна- чение 1000 450 6 12 3 6 110 1,5 4 0,8 35,0 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс
214 Мощные транзисторы с высокой сжоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hF£ Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - - Ic = 0,5 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 20,0 Макс, зна- чение 1000 450 6 12 3 6 33 1,5 4 0,8 35,0 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - - Ic = 0,5 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - _ _ - - - - - _ - Тип. зна- чение - - - _ - - - - - - 20,0 Макс, зна- чение 850 400 6 12 3 6 33 1,5 4 0,8 35,0 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 215 Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной рабо- ты. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - - Ic = 0,5 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 20 Макс, зна- чение 1000 450 5 10 2 4 32 1,5 2,5 0,8 35 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной рабо- ты. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 - _ - - - Т = 25°С - - - Ic = 0,5 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение _ - — - - - - - - _ - Тип. зна- чение _ _ _ _ - - - - _ 20 Макс, зна- чение 850 400 5 10 2 4 32 1,5 3 0,8 35 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс
216 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. ис-up дар Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - - Ic = 0,5 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 20 Макс, зна- чение 1000 450 5 10 2 4 100 1,5 2,5 0,8 35 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - - Ic = 0,5 A, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 20 Макс, зна- чение 850 400 5 10 2 4 100 1,5 3,0 0,8 35 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 217 Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной рабо- ты. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Ic sat hFE Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Время спада импульса при резистивной нагрузке Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - Ic = 20 мА, Vce = 5 В 1с = 1,5мА, Vce = 5B - Мин. зна- чение - - - - - - - - - 10 10 - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 18 20 - Макс, зна- чение 1000 450 15 30 6 9 37 1.Ь 8 35 35 0,8 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной рабо- ты. Корпус SOT199 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Ib Ibm Icm Ptot Vce sat Ic sat hFE Tf Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер^с отключ базой) Ток коллектора Ток базы Ток базы, пиковое значение Ток коллектора, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Коллекторный ток насыщения Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Время спада импульса при резистивной нагрузке параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - Ic = 20 мА, Vce = 5 В 1с = 1,5мА, Vce = 5B - Мин. зна- чение _ _ - _ _ _ - _ - 10 10 - Тип. зна- чение _ _ - _ _ - _ - 18 20 - Макс, зна- чение 850 400 15 6 9 30 37 1,5 10 35 35 0,8 Еди- ницы В В А А А А Вт В А мс
218 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS йь«й N^M диффузионный транзистор шл импульсные; ^еточ'никоо гштй- Особенности: Корпус SOT429 - Высоковольтные транзисторы с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - lc = 10 A, Ib = 5 В lc=1,5A,Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 80 20 Макс, зна- чение 1000 450 15 30 6 9 175 1,5 150 35 Еди- ницы В В А А А А Вт В НС Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT429 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - |С = 1ОА, Ib = 5 В lc = 1,5A,Vce = 5B Мин. зна- чение - - - _ - - - - - - Тип. значе ние - - - - - - _ 80 20 Макс, зна- чение 850 400 15 30 6 9 175 1,5 150 35 Еди- ницы В В А А А А Вт В НС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 219 Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT82 Вывод 1 2 3 Назначение База Коллектор Эмиттер ) С УТЛ 1 J2U3 ]| Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - Ic = 300 mA, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 50 Макс, зна- чение 1000 450 0,5 1 0,2 0,3 20 0,4 100 Еди- ницы В В А А А А Вт мс Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор J 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFe Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - lc= 100 mA, Vce = 10 В Мин. зна- чение _ - - _ - - - - _ - Тип. зна- чение - - - _ _ - - - 0,4 50 Макс, зна- чение 800 400 2 3 0,75 1 40 1 _ 100 Еди- ницы В В А А А А Вт В мс
220 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS зый MPN ятфту:таниый транзистор для импульсных и сточек ко в пгп Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - Ic = 100 mA, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 50 Макс, зна- чение 800 400 2 3 0,75 1 18 1 0,4 100 Еди- ницы В В А А А А Вт В мс Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT428 Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор г—п Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - lc= 100 mA, Vce = 5B Мин. зна- чение - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - 50 Макс, зна- чение 800 400 2 3 0,75 1 50 0,4 100 Еди- ницы В В А А А А Вт мс
Мощные транзисторы с высокой сжоростью переключения производства PHILIPS 221 Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 2МЗ Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - - lc = 100 mA, Vce =10 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 50 Макс, зна- чение 1000 450 2 3 0,75 1 40 1 0,4 100 Еди- ницы В В А А А А Вт В мс Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высо- кой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT186A Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - _ - - Т = 25°С - - lc = 100mA,Vce = 5B Мин. зна- чение _ _ - _ _ - _ - - Тип. зна- чение _ - - _ _ - - _ _ 50 Макс, зна- чение 1000 450 2 3 0,75 1 18 1 0,4 100 Еди- ницы В В А А А А Вт В мс
222 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS SC' W0& 1Соеыи-!1№вьш ЫРН диффузионный транзистор дпй импульсных «^сточникоп 'нпаиил, пре- - VI обрззователс?й, схем управления роторами Корпус SOT82 Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Вывод 1 2 3 Назначение База Коллектор Эмиттер ) С 1U2U3L Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Icm Ib Ptot Vce sat lebo Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Обратный ток эмиттера Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ параметры Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - Ic = 0 mA, Veb = 5 В Ic = 200 mA, Ib = 20 mA Ic = 50 mA, Vce = 5 В Мин. зна- чение - - - - - - - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - 50 Макс, зна- чение 800 400 0,5 1 1 0,2 42 1 1 0,28 125 Еди- ницы В В А А А А Вт В мА мс Особенности: - Высоковольтные транзисторы с высокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT82 Вывод 1 2 3 Назначение База Коллектор Эмиттер Предельно допустимые и основные электрические параметры ) ( ш 1 2 3 ] Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot Vce sat lebo Tf hFE Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Напряжение насыщения К-Э Обратный ток эмиттера Время спада импульса при резистивной нагрузке Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Условия Vbe = 0 В - - - - - Т = 25°С - Ic = 0 mA, Veb = 5 В Ic = 200 mA, Ib = 20 mA - Мин. зна- чение - - - - _ - - _ - _ - Тип. зна- чение - - - _ _ - - _ _ _ 50 Макс, зна- чение 1000 450 0,5 1 0,2 0,3 42 1 1 0,28 125 Еди- ницы В В А А А А Вт В мА мс
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS 223 Особенности: - Высоковольтные транзисторы с вы- сокой скоростью переключения. - Малое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Корпус SOT78 (ТО220-АВ) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор J 1 2 3 j Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcesm Vceo Ic Icm Ib Ibm Ptot lebo hFE Cob Параметр Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ базой) Ток коллектора Ток коллектора, пиковое значение Ток базы Ток базы, пиковое значение Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Выходная емкость Условия Vbe = 0 В - - _ - - Т = 25°С Ic = 0 mA, Veb = 5 В Ic = 50 , Vce = 5 В Ic = 20 mA, Vce = 5 В Vcb= 100 В, f= 1 МГц Мин. зна- чение - - - _ - - - - 26 26 - Тип. зна- чение - - - - - - - - 50 50 4,7 Макс, зна- чение 1100 700 0,5 1 0,2 0,3 46 1 125 150 - Еди- ницы В В А А А А Вт мА пФ
224 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG %М ^7\Щчл€%Щ Кремниевый НРЫ транз^сгор дня пытдныж каскадоп скромное рз'.шоргки тг-лопшумои- Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Встроенный демпферный диод. Корпус ТО-ЗР Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ip Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямосмещенном диоде Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 0,5A lc = 2,5A, lb = 0,8A lc = 2,5A, lb = 0,8A Vce = 10 В, lc = 0,5A If =3,5 А RI = 66,7 Ом, |С = 3,ОА, lb = 0,8A Мин. зна- чение - - - - - - - 40 8 - - - - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - — Макс, зна- чение 1500 800 7 3,5 10,0 80 10 130 - 8 1,5 - 2 0,4 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мА В В МГц В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью пере- ключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo-1500 В. - Встроенный демпферный диод. Корпус ТО-ЗР Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические i Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямо смещенном диоде Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 1,0 А 1с = 4,0А, lb = 0,8A lc = 4,0A, Ib = 0,8 А Vce = 10 В, lc= 1,0 А If =5,0 А RI = 50 Ом, 1с = 4,0А, lb = 0,8A Мин. зна- чение - - - - - - - 40 8 - - - _ — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - — Макс, зна- чение 1500 800 7 5,0 16 120 10 130 - 5 1,5 _ 2 0,4 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мА В В МГц В МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG 225 Корпус ТО-ЗР Особенности: - Мощный высоковольтный транзи- стор с высокой скоростью переклю- чения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Л Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ip Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft VF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямо смещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 1,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,0А lc = 5,0A, Ib = 1,0 А Vce = 10 В, lc= 1.0 А IF =6,0 А RI = 40 Ом, 1с = 5,0А, Ib = 1,0А Мин. зна- чение - - - - - - - 40 8 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 - — Макс, зна- чение 1500 800 7 6,0 16 120 10 130 - 5 1,5 - 2 0,4 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МГц В МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с вы- сокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В. Корпус ТО-ЗР Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия _ _ - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 0,5A lc = 2,0A, lb = 0,6 A 1с = 2,0А, lb = 0,6 А Vce = 10 В, lc = 0,5A RI = 100Om, lc = 2,0A, lb = 0,5A Мин. зна- чение _ - - _ - - _ _ 8 - - _ - Тип. зна- чение _ _ _ _ - - _ _ _ - - 3 - Макс, значе- ние 1500 800 7 2,5 10 80 10 1,0 _ 8 1,5 _ 0,4 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МГц МКС
226 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG W^Cj ^% СЛЛД Кремниевый Ы?Ы транзистор дгш выгодных каскадоо строчной рв:шсртки Особенности: Корпус ТО-ЗР - Мощный высоковольтный транзистор с вы- сокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В. Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 0,5A lc = 2,5A, Ib = 0,8 А Ic = 2,5 A, lb = 0,8A Vce = 10 В, lc = 0,5A RI = 66,7 Ом. lc = 3,0A, lb = 0,8A Мин. зна- чение - - - - - - - - 8 - - - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 — Макс, зна- чение 1500 800 7 3,5 10,0 80 10 1,0 - 8 1,5 - 0.4 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МГц МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с вы- сокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В. Корпус ТО-ЗР Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5B, lc = 1,0 А lc = 5,0A, lb= 1,0 А lc = 5,0A, lb= 1,0А Vce = 10 В, lc= 1,0 А RI = 40 Ом, 1с = 5,0А, Ib = 1,0А Мин. зна- чение - - - - - - - - 8 - _ - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - _ - 3 — Макс, зна- чение 1500 800 7 6,0 16 120 10 1,0 - 5 1,5 - 0,4 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мА В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG 227 "ра»аистор дг»р выходных «.аскадом строчное развертки ткле^ли Корпус TO-3PF Особенности: - Мощный высоковольтный тран- зистор с высокой скоростью пе- реключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный ° о с с М7 1 2 ) 3 t Г Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ip Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat VF Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Падение напряжения на прямо смещенном диоде Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc = 0,5A lc = 2,5 A, lb = 0,8A Ic = 2,5 A, lb = 0,8A IF= 3,5 А Vce = 10 В, lc = 0,5A RI = 66,7 Ом, Ic = 3,0 A, lb = 0,8 А Мин. зна- чение - - - - - - - 40 8 - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - - 3 Макс, зна- чение 1500 800 7 3,5 10,0 50 10 130 - 8 1,5 2 - 0,4 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мА В В В МГц МКС Корпус TO-3PF Особенности: - Мощный высоковольтный тран- зистор с высокой скоростью пе- реключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. - Встроенный демпферный диод. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft vF Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Падение напряжения на прямо смещенном диоде Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 4 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc= 1,0 А Ic = 5,0 A, lb= 1.0 А Ic = 5,0 A. Ib = 1,0 А Vce =10 В, lc= 1,0 А lF=6,0A RI = 40Om, Ic = 5,0 A, Ib = 1,0 А Мин. зна- чение - — _ - _ - _ 40 8 - - - _ - Тип. зна- чение - - - _ _ - - _ - - 3 - Макс, зна- чение 1500 800 7 6,0 16 60 10 130 _ 5 1,5 - 2 0,4 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мА В В МГц В МКС
228 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo=1500B. Корпус TO-3PF Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный о J Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, Ic = 0,5 А lc = 2,5A, Ib = 0,8 А Ic = 2,5 A, lb = 0,8A Vce =10 В, lc = 0,5A RI = 66,7 Ом, lc = 3,0 A, lb = 0,8A Мин. зна- чение - - - - - - - - 8 - - - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 — Макс, зна- чение 1500 800 7 3,5 10,0 50 10 1,0 _ 8 1,5 _ 0,4 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мА В В МГц МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. Корпус TO-3PF Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic IP Pc Icbo lebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В, le = 0 В Veb = 5 В, Ic = 0 В Vce = 5 В, lc= 1,0 А lc = 5,0A, Ib = 1,0А 1с = 5,0А, Ib = 1,0 А Vce = 10 В, Ic = 1,0 А RI = 40Om, lc = 5,0A, Ib = 1,0 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 8 - - - — Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 •~ Макс, зна- чение 1500 800 7 6,0 16 60 10 1,0 - 5 1.5 - 0,4 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мА В В МГц МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 229 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, Ic = 1,0 А lc = 1,0 A, Ib = 0,2 А lc = 1,0A, lb = 0,2A Vce = 12 В, le = 0,3A Vce =10 В, F = 1 МГц RI = 250 Ом, Ic = 1 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 6 50 - Макс, зна- чение 900 800 7 3,0/6,0 1,5 80 100 100 30 0,5 1.2 - - 1,0 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 2Ц 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, Ic = 2,0 А lc = 2,0 Alb = 0,4 А lc = 2,0 Alb = 0,4 А Vce = 12Ble = 0,5A Vce =10 В, F = 1 МГц RI = 250 Ом, Ic = 2 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - _ - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 6 75 - Макс, зна- чение 900 800 7 5,0/10 2,5 100 100 100 30 0,5 1,2 _ _ 1,0 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
230 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, Ic = 3,0 А 1с = 3,0А, !Ь = 0,6 А 1с = 3,0А, lb = 0,6A Vce = 12 В, le = 2,0A Vce = 10 В, F = 1 МГц_ RI = 83 Ом, Ic = 3 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 6 105 - Макс, зна- чение 900 800 7 7,0/14 3,5 120 100 100 30 0,5 1,2 - 1,0 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Корпус МТ-25(ТО-220) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 600 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 600 В Veb =10 В Vce = 4 В, lc = 2,0A lc = 2,0A, lb = 0,4A lc = 2,0A, Ib = 0,4 А Vce = 12 В, le = 0,5A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 100Om,Ic = 2A Мин. зна- чение - - _ _ - - - - 10 - _ - _ - Тип. зна- чение - - _ - - - - _ - - 8 45 - Макс, зна- чение 600 500 10 6,0/12 2,0 50 1000 100 30 0,5 1,3 _ _ 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 231 Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 600 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 600 В Veb = 10B Vce = 4 В, Ic = 5,0 А lc = 5,0 A, lb= 1,0 А 1с = 5,0А, Ib = 1,0 А Vce = 12 В, le= 1,0 А Vce = 10 В, F^1 МГц RI = 40 Ом, Ic = 2 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 8 105 - Макс, зна- чение 600 500 10 10/20 4,0 100 1000 100 30 0,5 1,3 - - 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Корпус МТ-25(ТО-220) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия _ - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb=10B Vce = 4 В, Ic = 3,0 А lc = 3,0A, lb = 0,6A lc = 3,0A, lb = 0,6A Vce = 12 В, le = 0,5A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 66,2Om, lc=3A Мин. зна- чение _ _ _ - _ - _ 10 - _ _ - - Тип. зна- чение _ _ - _ _ - _ _ _ - 10 50 - Макс, зна- чение 500 400 10 7,0/14 2,0 50 100 100 30 0,5 1,3 _ _ 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
232 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность Предельно допустимые и основные электрические параметры 2U 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb= 10B Vce = 4 В, Ic = 7,0 А Ic = 7,0 At lb= 1.4A Ic = 7,0 А, 1Ь=1,4А Vce = 12 В, le= 1,0 А Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 28,5lc = 7A Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 10 105 - Макс, зна- чение 500 400 10 12/24 4,0 100 100 100 30 0,5 1,3 - - 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Корпус FM-20(TO-220F) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный о 1U2LJ U3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb= 10B Vce = 4 В, Ic = 3,0 А lc = 3,0A, lb = 0,6A lc = 3,0A, lb = 0,6A Vce = 12Ble = 0,5A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 66,2Om, lc = 3A Мин. зна- чение - - - - - - - _ 10 _ _ _ - Тип. зна- чение - - - - _ - _ _ _ _ - 10 50 - Макс, зна- чение 500 400 10 7,0/14 2,0 30 100 100 30 0,5 1,3 _ 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 233 Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, Ic = 5,0 А |С = 5,ОА, Ib = 1,0А 1с = 5,0А, Ib = 1,0А Vce = 12B, le= 1.0A Vce = 10 В, F = 1 МГ^ RI = 50 Ом, Ic = 5 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 6 105 - Макс, зна- чение 900 550 7 10/15 5,0 120 100 100 28 0,5 1,2 - - 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Корпус МТ-25(ТО-220) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения ■ Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hpE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия _ - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, lc = 0,7A lc = 0,7A, Ib = 0,14 А lc = 0,7A, Ib = 0,14 А Vce = 12 В, le = 0,3A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 357Om, Ic = 0,7A Мин. зна- чение _ _ _ _ _ - _ _ 10 _ _ _ _ - Тип. зна- чение _ _ _ - _ - _ _ _ _ _ 6 40 - Макс, зна- чение 900 800 7 3,0/6,0 1,5 50 100 100 30 0,5 1,2 _ _ 1 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
234 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN Корпус FM-20(TO-220F) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические i Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса тараметры Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb= 10 В Vce = 4 В, Ic = 3,0 А lc = 3,0A, lb = 0,6 А lc = 3,0A, lb = 0,6 А Vce = 12 В, le = 0,5A Vce =10 В, F = 1 МГц RI = 67 Ом, Ic = 3 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - _ - 15 50 - Макс, зна- чение 500 400 10 7,0/14 2,0 30 100 100 30 0,5 1.3 - - ЕДИ- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц^ пФ МКС 2SC41- Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1 J 2U 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ • Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективно1тгусиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb=10B Vce = 4 В, Ic = 6 А lc = 6,0A, lb=1,2A lc = 6,0A, lb=1,4A Vce = 12 В, le = 0,7A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 33,3Om, Ic = 6A Мин. зна- чение - _ - _ - - _ 10 _ _ - _ - Тип. зна- чение - _ _ _ - _ _ _ _ _ _ 10 85 - Макс, зна- чение 500 400 10 10/20 4,0 80 100 100 30 0,5 1,3 _ _ 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 235 Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1J 2U 3[ Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb=10B Vce = 4 В, Ic = 8 А lc = 8,0 A, lb= 1,6 А 1с = 8,0А, Ib = 1,6 А Vce = 12B, le= 1,5А Vce = 10 В, F=1Mfi4 RI = 25 Ом, Ic = 8 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 10 85 - Макс, зна- чение 500 400 10 15/30 5,0 120 100 100 30 0,5 1,3 - - 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС 2SC414! РЫ диффузионный гтттрньт транзистор дня т Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1 J 2U 3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного^силения Выходная емкость Время спада импульса Условия - _ _ - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb=10B Vce = 4 В, Ic = 10 А lc = 10,0 Alb = 2,0 А lc = 10,0 Alb = 2,0 А Vce=12Ble = 2,0A Vce = 10 В, F = 1Mru RI = 20Om, Ic = 10 А Мин. зна- чение - _ - - - - _ - 10 - _ - _ - Тип. зна- чение - _ _ - - - _ - - - _ 10 165 - Макс, зна- чение 500 400 10 18/36 6,0 130 100 100 30 0,5 1,3 _ _ 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
236 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN Корпус FM-100(TO-3PF) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный О I ГГ-Г Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb=10B Vce = 4 В, Ic = 6 А lc = 6,0A, lb= 1,2 А lc = 6,0A, Ib = 1,4 А Vce =12 В, le = 0,7A Vce =10 В, F = 1 МГц RI = 33 Ом, Ic = 6 А Мин. зна- чение - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 10 85 - Макс, зна- чение 500 400 10 10/20 4,0 75 100 100 30 0,5 1,3 - - 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Корпус FM-100(TO-3PF) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb=10B Vce = 4 В, Ic = 7,0 А lc = 7,0Alb= 1.4A lc = 7l0Alb=1,4A Vce=12Ble=1,0A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 28,5lc = 7A Мин. зна- чение - - - _ - - _ _ 10 - - _ - - Тип. зна- чение _ _ - _ - - _ _ _ _ - 10 105 - Макс, зна- чение 500 400 10 12/24 4,0 75 100 100 30 0,5 1,3 _ 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 237 Корпус FM-100(TO-3PF) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb= 10B Vce = 4 В, Ic = 8 А lc = 8,0A, Ib = 1,6 А lc = 8,0A, lb= 1,6А Vce =12 В, le= 1,5 А Vce = 10 В, F= 1МГц RI = 25 Ом, Ic = 8 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 10 85 - Макс, зна- чение 500 400 10 15/30 5,0 80 100 100 30 0,5 1,3 - - 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Корпус FM-100(TO-3PF) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, Ic = 1,0 А lc= 1,0 Alb = 0,2 А lc= 1,0 Alb = 0,2 А Vce=12Ble = 0,3A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 357Om, Ic = 1,0 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - _ - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - 6 50 - Макс, зна- чение 900 800 7 3,0/6,0 1.5 70 100 100 30 0,5 1,2 _ _ 1 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
238 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN Корпус FM-100(TO-3PF) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, Ic = 2,0 А 1с = 2,0А, lb = 0,4A lc = 2,0 A, Ib = 0,4 А Vce =12 В, le = 0,5A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 125Om, Ic = 2A Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 6 75 - Макс, зна- чение 900 800 7 5,0/10 2,5 75 100 100 30 0,5 1,2 - - 1,0 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Корпус FM-20(TO-220F) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, lc = 0,7A lc = 0,7A, Ib = 0,14 А lc = 0,7A, lb = 0,14 А Vce = 12 В, le = 0,3A Vce =10 В, F = 1 МГц RI = 357 Ом, Ic = 0,7 А Мин. зна- чение _ _ _ - - - - - 10 _ _ _ _ - Тип. зна- чение _ _ _ _ - - _ - _ _ _ 15 50 - Макс, зна- чение 900 800 7 3,0/6,0 1.5 70 100 100 30 0,5 1,2 _ _ 0,7 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 239 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Корпус FM-20(TO-220F) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный о ТШ1Г 1LJ2U U3 Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb = 10B Vce = 4B,lc=1,5A Ic = 1,5A, lb = 0,3A Ic = 1,5 A, lb = 0,3A Vce = 12B, le = 0,3A Vce=10B, F = 1 МГц RI = 133Om, Ic = 1,5A Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - _ - - _ - - - 20 30 - Макс, зна- чение 500 400 10 5,0/10 2,0 30 100 100 30 0,5 1,3 - - 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор тт Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo tVE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb=10B Vce = 4 В, Ic = 8 А lc = 8,0A, Ib = 1,6 А lc = 8,0A, Ib = 1,6А Vce =12 В, le = 1,5 А Vce = 10 В, Р = 1МГц RI = 25 Ом, Ic = 8 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 10 135 - Макс, зна- чение 500 400 10 15/30 5,0 120 100 100 25 0,7 1,3 - - 0,15 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
240 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN Корпус FM-100(TO-3PF) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры о Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc lebo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, Ic = 0,7 А Ic = 0,7 A, Ib = 0,14 А 1с = 0,7А, lb = 0,14 А Vce = 12 В, le = 0,3A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 357Om, Ic = 0,7A Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 15 50 - Макс, зна- чение 900 800 7 3,0/6,0 1,5 60 100 100 30 0,5 1,2 - - 0,7 Еди- ни- цы В В В L_ A А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Корпус FM-20(TO-220F) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный о шг 1U2U U3 Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc lebo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, lc= 1,0 А Ic = 1,0 A. lb = 0,2A lc=1,0A,lb = 0,2A Vce = 12 В, le = 0,25A Vce = 10 В, F= 1 МГц RI = 250Om, Ic= 1,0 А Мин. зна- чение - - - _ - - _ _ 10 - _ _ _ - Тип. зна- чение - - - _ - _ _ - - - 6 35 - Макс, зна- чение 900 550 7 3,0/6,0 1,5 30 100 100 30 0,5 1.2 _ _ 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 241 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Корпус FM-20(TO-220F) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo Ире Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, lc= 1,0 А Ic = 1,0 A, lb = 0,2 А |С= 1,0 A, lb = 0,2A Vce =12 В, le = 0,25A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 250Om, Ic= 1,0 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 6 35 - Макс, зна- чение 1000 550 7 3,0/6,0 1.5 30 100 100 30 0,5 1,2 - - 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Корпус FM-20(TO-220F) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, lc= 1,8 А Ic = 1,8 A, lb = 0,36A lc = 1,8 A, lb = 0,36A Vce = 12 В, le = 0,25A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 250Om, Ic = 1,0 А Мин. зна- чение _ _ - - - - - - 10 _ - _ _ - Тип. зна- чение _ - - - - - - - _ _ - 6 50 - Макс, зна- чение 900 550 7 5,0/10 2,5 35 100 100 25 0,5 1,2 _ _ 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
242 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN Корпус FM-20(TO-220F) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib PC Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4B, 1с=1,8А Ic = 1,8 A, lb = 0,36 А 1с = 1,8А, lb = 0,36A Vce =12 В, le = 0,25A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 250Om, Ic = 1,0 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 6 50 - Макс, зна- чение 1000 550 7 5,0/10 2,5 35 100 100 25 0,5 1,2 - - 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Корпус FM-20(TO-220F) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 600 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, Ic = 3,0 А lc = 3,0A, lb = 0,6A lc = 3,0 A, lb = 0,6A Vce = 12 В, le = 0,55A Vce = 10 В, F = 1 MFll RI = 67Om, Ic=3,0A Мин. зна- чение - - _ - - - _ - 10 _ _ - _ - Тип. зна- чение - - - - - - _ - _ _ 10 55 - Макс, зна- чение 600 400 7 7,0/14 2,0 30 100 100 25 0,7 1,3 - _ 0,15 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 243 Корпус FM-100(TO-3PF) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры о 1U 2U 3L I Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb = 7 В Vce = 4 В, Ic = 5 А lc = 5,0 A, lb= 1,0 А 1с = 5,0А, Ib = 1,0 А Vce = 12 В, le= 1,0 А Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 50 Ом Ic = 5 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 6 105 - Макс, зна- чение 900 550 10 10/20 5,0 80 100 100 28 0,5 1,2 - - 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Корпус FM-20(TO-220F) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - _ _ Т = 25°С Vcb = 500 В Veb =10 В Vce = 4 В, Ic = 1,5 А lc= 1,5 A, lb = 0,3 А lc= 1,5 A, lb = 0,3A Vce = 12 В, le = 0,3A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 133Om, Ic= 1,5 А Мин. зна- чение _ - - _ _ - _ _ 10 - - - - Тип. зна- чение _ - - _ _ - _ _ _ _ _ 20 30 - Макс, зна- чение 500 400 10 5,0/10 2,0 30 100 100 30 0,5 1,3 _ 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
244 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Корпус МТ-МО(ТО-ЗР) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, lc = 7,0A lc = 7,0A, Ib = 1,4 А lc = 7,0A, lb= 1,4 А Vce = 12 В, 1е=1,5А Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 35,7Om, Ic = 7,0 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 6 160 - Макс, зна- чение 900 600 7 14/28 /.0 130 100 100 25 0,5 1,2 - 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Корпус FM-20(TO-220F) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 600 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективногсгусиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 600 В Veb =10 В Vce = 4 В, lc = 2,0 А lc = 2,0A, lb = 0,4A lc = 2,0 A, lb = 0,4A Vce = 12 В, le = 0,5A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 100Om, Ic = 2A Мин. зна- чение - - - - - - _ 10 _ _ _ _ - Тип. зна- чение _ - - - - - - _ - 8 45 - Макс, зна- чение 600 500 10 6,0/12 2,0 30 1,0 100 30 0,5 1,3 _ 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мА мкА В В МГц пФ МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 245 Корпус FM-20(TO-220F) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор^ Эмиттер Изолированный Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, Ic = 0,7 А 1с = 0,7А, Ib = 0,14 А lc = 0,7A, Ib = 0,14 А Vce = 12 В, le = 0,3A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 357 Ом, Ic = 0,7 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 6 40 - Макс, зна- чение 900 800 7 3,0/6,0 1,5 35 100 100 30 0,5 1,2 - - 1 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Корпус FM-100(TO-3PF) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры о I Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - _ Т = 25°С Vcb = 1200 В Veb = 6 В Vce = 5 В, Ic = 1 А lc = 5,0A, Ib = 1,2 А lc = 5,0A, Ib = 1,2 А Vce = 12 В, le = 0,5A Vce =10 В, F=1 МГц RI = 50Om, Ic = 4A Мин. зна- чение - - - _ - - - _ 8 - - _ _ - Тип. зна- чение _ - - _ - - _ _ _ _ _ 4 100 - Макс, зна- чение 1500 800 6 7,0/14 3,5 80 100 100 _ 5 1,5 _ _ 0,2 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
246 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN Кремниевый НРН диффузионный плайарньш п> питания 34 вьшот*ых каехадое строчной разверт ДНЯ игУПуПЬС1'?Ь!Х ИСТОЧ: иэионньрд приемников Корпус FM-100(TO-3PF) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo= 1500B. - Встроенный демпферный диод. - Низкое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1200B Veb = 6 В Vce = 5 В, Ic = 1 А lc = 5,0A, Ib = 1,2 А 1с = 5,0А. Ib = 1,2 А Vce =12 В, le = 0,5A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 33,3Om, Ic = 6A Мин. зна- чение - - - - - - - - 8 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 100 - Макс, зна- чение 1500 800 6 7,0/14 3,5 80 100 100 - 5 1,5 - - 0,2 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 500 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb =10 В Vce = 4 В, Ic = 7 А Ic = 7,0 А. 1Ь=1,4А lc = 7,0A, lb= 1,4 А Vce = 12 В, le = 1,0 А Vce =10 В, Я=1МГц RI = 28,5Om, Ic = 7A Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - _ _ - - Тип. зна- чение - - - - _ - _ - - _ 10 105 - Макс, зна- чение 500 400 10 12/24 4,0 100 100 100 30 0,5 1,3 _ _ 0,5 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 247 Корпус FM-100(TO-3PF) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo =1500 В. - Низкое напряжение насыщения. - Широкая область безопасной работы. Предельно допустимые и основные электрические параметры о 1U 2LJ 3L J Символ Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 1200B Veb = 6 В Vce = 5 В, Ic = 1 А lc = 8,0A, lb = 2,0A lc = 8,0A, lb = 2,0A Vce = 12 В, le = 0,5A Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 33,3Om,Ic = 6A Мин. зна- чение - - - - - - - - 8 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 3 100 - Макс, зна- чение 1500 800 6 10/20 5,0 100 100 100 - 5 1,5 - - 0,2 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Корпус FM-20(TO-220F) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 600 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры О 1 J2U U3 Символ Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - _ - - Т = 25°С Vcb = 500 В Veb =10 В Vce = 4 В, lc= 1,5 А lc= 1,5 A, lb = 0,3 А lc=1,5A,lb = 0,3A Vce = 12 В, le = 0,3A Vce = 10 В, F=1 МГц RI = 133Om, ic= 1,5 А Мин. зна- чение - _ _ - - - _ 10 _ _ - _ - Тип. зна- чение - _ _ _ - - - _ _ _ - 20 30 - Макс, зна- чение 600 400 10 5,0/10 2,0 30 L 100 10 30 0,5 1,3 _ _ 0,3 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
248 Мощные транзисторы с высхжой скоростью переключения производства SANKEN Корпус МТ-25(ТО-220) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4 В, Ic = 1,0 А Ic = 1,0 A, lb = 0,2 А Ic = 1,0A, lb = 0,2A Vce = 12 В, le = 0,25A Vce =10 В, F = 1 МГц RI = 250Om, Ic= 1,0 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 6 35 - Макс, зна- чение 900 550 7 3,0/6,0 1,5 50 100 100 30 0,5 1,2 - - 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Кр^ытл&вый НРН диффузионный пленарный транзи ор mm Ийллу.» i'CTo imtvuM). Корпус FM-20(TO-220F) Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 600 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный о 1J2U U3 Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 600 В Veb = 7 В Vce = 4 В, !с = 1,0 А lc = 1,0 A, Ib = 0,2 А Ic = 1,0 A, Ib = 0,2 А Vce = 12 В, le = 0,3A Vce=10B,F = 1 МГц RI = 200Om, Ic= 1,0 А Мин. зна- чение - - - - - - - - 20 _ - - - - Тип. зна- чение - - - - - - _ - _ _ _ 6 50 - Макс, зна- чение 600 600 7 3,0/6,0 1,5 35 100 100 40 0,5 1,2 _ 0,5 Еди- ни- цы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN 249 Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 300 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Корпус FM-20(TO-220F) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Изолированный о Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo Ире Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 300 В Veb = 7 В Vce = 2 В, Ic = 2,5 А lc = 2,5A, lb = 0,5A 1с = 2,5А, lb = 0,5 А Vce = 12 В, !е = 0,5А Vce = 10 В, F = 1 МГц RI = 60Om, Ic = 2,5A Мин. зна- чение - - - - - - - - 10 - - - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - - - - 10 45 - Макс, значе- ние 300 200 7 5,0/10,0 2,0 30 100 100 30 1 1,5 - - 0,1 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС Особенности: - Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения. - Высокое напряжение пробоя Vcbo = 900 В. - Низкое напряжение насыщения - Широкая область безопасной работы. - Высокая надежность. Корпус МТ-ЮО(ТО-ЗР) Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор 1J 2U 3[ Предельно допустимые и основные электрические Символ Vcbo Vceo Vebo Ic Ib Pc Icbo iebo hFE Vce sat Vbe sat Ft Cob Tf Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора постоянный/импульсный Ток базы Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Граничная частота эффективного усиления Выходная емкость Время спада импульса параметры Условия - - - - - Т = 25°С Vcb = 800 В Veb = 7 В Vce = 4B,lc=1,8A lc= 1,8 A, lb = 0,36 А lc= 1,8 A, lb = 0,36A Vce = 12 В, le = 0,35A Vce =10 В, F=1 МГц RI = 250Om, Ic= 1,8 А Мин. зна- чение - _ - - - - - - 10 - _ _ - - Тип. зна- чение - _ - - - - _ _ - - _ 6 50 - Макс, значе- ние 900 550 7 5,0/10 2,5 80 100 100 30 0,5 1.2 _ 1,0 Еди- ницы В В В А А Вт мкА мкА В В МГц пФ МКС
250 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO Особенности: - Для применения в схемах широкополосных усилителей. - Комплементарная пара с транзистором 2SC3596. гшо-^етср дня выходных каснлдов r«- Корпус ТО126 JEDEC Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор с> о 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Pc Icbo lebo hFE fT Vce sat Vbe sat Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора пост /имп Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Граничная частота эффективного усиления Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э параметры Условия - - - - Тс = 25° С Vcb = 60 В, le = 0 Veb = 2 В, Ic = 0 \ Vce = 10B, 1с = 50мА tee = 10 В, 1с = 250мА Vce = 10 В, Ic = 0,1 А 2SA1402/2SC3596 hFE (Ic = 50 мА) С 40 80 D 60 .120 Е 100 .200 с = 100мА, 1Ь=10мА с = 100мА, 1Ь=10мА F 160 320 Мин. зна- чение - - - - - - - 40 20 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - : 700 - - Макс, значе- ние 80 60 4 300/600 8 0,1 0,1 320 - 0,8 1,0 Еди- ницы В В В мА Вт мкА мкА МГц В В Особенности: - Для применения в схемах широкополосных усилителей. - Комплементарная пара с транзистором 2SC3597. Корпус ТО126 JEDEC Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор с> о 1 2 3 Предельно допустимые и основные электрические Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Icp Pc Icbo lebo hFE fT Vce sat Vbe sat Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Граничная частота эффективного усиления Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э параметрь Условия - - - - - Тс = 25° С Vcb = 60 В, le = 0 Veb = 2 В, Ic = 0 Vce = 10 В, 1с = 50мА Vce= 10B, 1с = 400мА Vce = 10 В, lc = 0,1 A 1с=100мА, 1Ь=10мА lc= 100 мА, 1Ь=10мА 2SA1403/2SC3597 hFE (Ic = 50 mA) С 40 80 D 60. 120 Е 100 200 F 160..320 Мин. зна- чение - - - _ - - - - 40 20 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - : 800 _ - Макс, значе- ние 80 60 4 500 1000 10 0,1 0,1 320 _ 0,8 1,0 Еди- ницы В В В мА мА Вт мкА мкА МГц В В
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 251 Корпус ТО126 JEDEC Особенности: - Для применения в схемах широкополосных усилителей. - Комплементарная пара с транзистором 2SC3598. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Icp Pc Icbo lebo hFE fT Vce sat Vbe sat Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Граничная частота эффективного усиления Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Условия - - - - - Тс = 25° С Vcb = 80 В, le = 0 Veb = 2 В, Ic = 0 Vce = 10 В, Ic = 10 мА Vce =10 В, 1с=150мА Vce = 10 В, lc = 0,05A Ic = 50 мА, Ib = 5 мА Ic = 50 мА, Ib = 5 мА 2SA1404/2SC3598 hFE (Ic = 50 mA) С 40 80 D 60 120 Е 100 200 F 160.. 320 Мин. зна- чение - - - - - - - - 40 20 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - — 500 - - Макс, значе- ние 120 120 4 200 400 8 0,1 0,1 320 - 0,8 1,0 Еди- ницы В В В мА мА Вт мкА мкА МГц В В ппьтлнчевык эгштакскзиьный гшакарныи- РЫР транзистор ai деоусилителей телевизионных пшемншков выходных «зехадое ви- Корпус ТО126 JEDEC Особенности: - Для применения в схемах широкополосных усилителей. - Комплементарная пара с транзистором 2SC3599. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор с> о о Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Icp Pc Icbo lebo hFE fT Vce sat Vbe sat Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Граничная частота эффективного усиления Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Условия - - - - - Тс = 25° С Vcb = 80 В, le = 0 Veb = 2 В, Ic = 0 Vce = 10 В, Ic = 50mA Vce = 10 В, 1с = 250мА Vce = 10 В, Ic = 50 мА Ic = 70 мА, Ib = 7 мА Ic = 70 мА, Ib = 7 мА 2SA1405/2SC3599 hFE (Ic = 50 мА) С 40. 80 D 60 ..120 Е 100 200 F 160.. 320 Мин. зна- чение - - - - - - - - 40 20 - _ _ Тип. зна- чение - _ _ - - - _ _ - 500 _ _ Макс, значе- ние 120 120 4 300 600 8 0,1 0,1 320 _ 0,8 1,0 Еди- ницы В В В мА мА Вт мкА мкА МГц В В
252 Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO деоусилителей те ксизль-ным гшанзрный PNP левизионных приемников Корпус ТО126 JEDEC Особенности: - Для применения в схемах широкополосных усилителей. - Высокая граничная частота эффективного усиления (fT= 400МГц). - Высокое напряжения пробоя. - Комплементарная пара с транзистором 2SC3600. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Icp Pc Icbo lebo hFE fT Vce sat Vbe sat Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Граничная частота эффективного усиления Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Условия - - - - - Тс = 25° С Vcb = 150B, le = 0 Veb = 2 В, Ic = 0 Vce =10 В, 1с=10мА Vce =10 В, 1с = 60мА Vce = 10 В, 1с = 30мА Ic = 30 мА Ib = 3 мА Ic = 30 мА Ib = 3 мА 2SA1406/2SC3600 hFE (Ic = 50 mA) С 40 80 D 60 120 Е 100 200 F 160. 320 Мин. зна- чение - - - - - - - - 40 20 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - : 400 - - Макс, значе- ние 200 200 4 100 200 7 0,1 0,1 320 - 0,8 1,0 Еди- ницы В В В мА мА Вт мкА мкА МГц В В Корпус TO126JEDEC Особенности: - Для применения в схемах широкополосных усилителей. - Комплементарная пара с транзистором 2SC3601. Предельно допустимые и основные электрические параметры Вывод 1 2 3 Корпус Назначение База Коллектор Эмиттер Коллектор оао Сим- вол Vcbo Vceo Vebo Ic Icp Pc Icbo lebo hFE fT Vce sat Vbe sat Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора Ток коллектора импульсный Мощность, рассеиваемая на коллекторе Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Граничная частота эффективного усиления Напряжение насыщения К-Э Напряжение насыщения Б-Э Условия - - - - - Тс = 25° С Vcb=150B, le = 0 Veb = 2 В, Ic = 0 Vce = 10 В, lc= 10 мА Vce = 10 В, 1с=100мА Vce = 30 В, Ic = 50 мА Ic = 50 мА, Ib = 5 мА Ic = 50 мА, Ib = 5 мА 2SA1407/2SC3601 hFE (Ic = 50 мА) С 40 80 D 60 120 Е 100 200 F 160 .320 Мин. зна- чение - - - - - - - - 40 20 - - - Тип. зна- чение - - - - - - - - — 400 - - Макс, значе- ние 200 200 4 150 300 7 0,1 0,1 320 - 0,8 1,0 Еди- ницы В В В мА мА Вт мкА мкА МГц В В
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO 253 Корпус ТО-220АВ JEDEC Особенности: - Для применения в схемах широкополос- ных усилителей. - Комплементарная пара с транзистором 2SC3780. Предельно допустимые и основные элек