•МГП "РАСКО"»
СПРАВОЧНИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
СВЕРХВЫСОКОЧАС ПЛ НЫЕ
ДИОДЫ
СПРАВОЧНИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ.
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ
Под рс (акцией Б.А. Наливайко
ТОМСК МГП РАСКО”
1992
ББК 32.852.2
П53
УДК 621.382(03)
Б.А. На швайко, А.С. Бер шн, В.Г. Божков, В.В. Вейц, Г.П. Гермогенова, Л.С. Либерман, Г.Л. Приходько,
Л.Ф. Сарафанова, А.К. Шухоеганов
Рецензент: доктор физико-математичееких наук, профеееор А.С. Петров
П53 Полупроводниковые нроиборы. Свсрхвысокочастотные диоды. Справочник /Б.А. Наливайко,
А.С. Берлин, В.Г. Божков и др. Под ред. Б.А. Наливайко.-Томск: МГП "РАСКО”, 1992 - 223 е.: ил.
Приведены впервыеданпые нефункциональному назначению,электрическим параметрам, эксплуатационным характеристикам
серийпо-выпускаемых СВЧ-днодов: смесительных, детекторных, параметрических ограничительных, переключательных,
умножитсльпых, настроечных, генераторных Ганна и лавинно-пролетных. Впервые опубликованы данные о новом классе СВЧ-
диодов - генераторах импульсов тока пнкосекунднои длительности.
Представлены динамические, импульсные, частотные и температурные характеристики диодов; приведены рекомендации
по применению диодов н монтажу их в ЮЛ.
Для диодов отечественного произволе тва приведены прямые и образные таблицы их зарубежных аналогов адреса заводов-
изготовителей.
Для широкого круга специалистов по разработке, производству и эксплуат ации ЮЛ.
2302030300-085
11	046Л)1)-92
120-92
ISBN 5-88276-023-2
©
Наливайко Б.А., Берлин А.С., Божков В.Г., Вейц В.В., Гермогенова
Приходько Г.Л., Сарафанова Л.Ф., Шухоетанов А.К., 1992
Г П , Либерман Л С,
ПРЕДИСЛОВИЕ
Настоящая книга является первым наиболее полным
специализированным справочником по отечественным
сверхвысокочастол ым диодам, в который включены все
отечественные СВЧ-диоды с обозначением по OCT II 336.919-
81, помещены данные по диодам, по разным причинам
снятым с производства, и новым диодам, разработка которых
закончена не позднее 1991 I., поставляемым в виде опытных
или разовых йар<ий. Впервые всправочниквключеныданные
о технических условиях (ТУ) и заводах-изготовитсляхдиодов.
Авторами использована форма представления данных в
виде отдельных справочных листов на ipyiriiy однотипных
диодов, причем объем справочною материала cymeci венно
расширен за счет включения справочных параметров,
отмеченных в тексте звездочками, введения большого
количества предельных эксплуатационных параметров и
характеристик, параметров надежности и сохраняемости.
Для отдельных классов диодов приведены зависимости
минимальной наработки от условий ирежимов экстыуагации,
по позволяет разработчику аппаратуры с максимальной
достоверностью оценить се реальную надежность. Справочные
сведения приведены на основе ТУ на конкретные типы
диодов.
Во "Введении" приведена классификация СВЧ диодов,
система условных обозначений и перечень наиболее
употребимых стандартов.
Диоды в справочнике сгруппированы по
функциональному признаку класса, а номера разделов
совпадают с номером обозначения класса по ОСТ 11 336.919-
81. Внутри класса диоды расположены в цифровой
последовательности класс завершается таблицами зарубежных
аналогов Дополнительный, появившийся в последнее время
класс диодов-генераторов сверхкоротких импульсов тока
(jamp-диодов), нс включенный в ОСТ 11336.919-81, размещен
в разделе 3 Перед справочным материалом в каждом разделе
приводи гея кражос описание принципа действия диодов
данного класса и рекомендации по их применению.
Впервые приводятся прямые и обратные таблицы
зарубежных аналогов, позволяющие с наименьшими
потерями времени найти отечественные диоды, которые
могутбыть использованы при ремонте и настройке импортной
аппаратуры СВЧ- диапазона, количество которой в странах
СНГ стремительно растет Сведения о зарубежных диодах
взяты из сборников D.A.T.A. Book Microwave, DATA
Digest Diodes 1985-1991гг. и каталогов ведущих зарубежных
фирм.
Справочникрассчитан на научных рабошиков, инженеров
и техников, занятых разработкой, ксплуатацией, ремонтом
и наладкой радиоэлектронной аппаратуры СВЧ-диапазона,
а также аспирантов и студентов радиофизических и
радиотехнических специальностей.
Справочник нс заменяет технических условий на
конкретные типы диодов и нс является юридическим
документом для предъявления рекламаций.
Описания принципа действия приборов I и 2 разделов
подготовлены В.Г. Божковым, 3 раздела - ГЛ. Приходько,
4 раздела - А С. Бсрлииым, 5 раздела - Л.С. Либерманом, 6
и 7 (диоды Ганна) - Б.А. Паливайко. 7 раздела (ЛПД)
В.В.Всйц, таблицы аналогов с их описанием по разделам
1,2,4,6,7 (диоды Ганна) - подготовлены 1.11. I ермогеновой,
по 5 разделу - Л.Ф.Сарафановой, по ЛПД - В.В.Вейц.
Справочный магериад но кремниевым ЛПД подготовлен
Б.К. Шухостановым, арсенидогаллисвым ЛПД - В.В.Всйц,
диодам 3 раздела Г.Л. Приходько; в подготовке отдельных
справочных материалов принимали участие А С. Берлин - по
4 разделу, Л .С. Либерман - по 5 разделу, остальной справочный
материал подготовлен Б.А. Наливайко
ВВЕДЕНИЕ
ОСНОВНЫЕ СТАНДАРТЫ
Классификация и система обозначения
СВЧ-диодов
Классификация современных полупроводниковых
приборов по их назначению, физическим свойствам,
основным электрическим параметрам, конструктивно-
технологическим признакам, роду исходного
полупроводникового материала находит отражение всистемс
условных обозначений их типов.
В соответствии с возникновением новых класси-
фикационных групп приборов совершенствуется и система
их условных обозначений, которая за 20 последних лег
трижды претерпела изменения. Система обозначения
современных полупроводниковых приборов установлена
отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81 и базируется на
ряде классификационных признаков этих приборов. В основу
системы обозначений положен буквенно цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полу-
проводниковый материал из которого изготовлен прибор.
Для обозначения исходного материала используются
следующие символы Г и I - для германия и его соединений,
К и 2 - кремния и его соединений, А и 3 соединений галлия
(например, арсенида галлия), И и 4 - соединений индия
(например, фосфида индия).
Второй элемент обозначения - буква, определяющая
подкласс или группу приборов. Д тя обозначения СВЧ-
диодов установлена буква А
Третий элемент обозначения - цифра, определяющая
основные функциональные возможности прибора. Для
обозначения функционального назначения СВЧ-диодов
используются следующие цифры 1 для смеси тельных, 2-
детекторных, 3 - выпрямительных, 4 - параметрических, 5 -
переключательных и ограничительных, 6 - у множительных и
настроечных, 7 - генераторных, 8 - импульсных.
Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый
номер разработки технологического типа прибора, для чего
используются двузначные числа от 01 до 99.
Пятый элемент - буква, условно определяющая
классификацию (разбраковку по параметрам) приборов,
изготовленных по одной технологии. В качестве
классификационной литеры используются буквы кириллицы
(за исключением букв 3,О,Ч,Ы,Ш,1Ц Ю.Я.ЬЪ.Э).
В качестве дополнительных элементов обозначения
используются следующие символы цифры от 1 до 9 служат
для обозначения модификаций прибора, приводящих к
изменению его конструкции, или электрических параметров;
6} ква С-для обозначения сборок в общем корпусе однотипных
приборов, не соединенных электрически или соединенных
одноименными выводами, цифры, написанные через деф>ис,
для обозначения следующих модификаций конструктивного
исполнения бескорпусных приборов. 1-е гибкими выводами
без кристаллоцсржателя, 2 с тибкими выводами на
кристалаодержателс (подложке), 3-е жесткими выводами
безкристаллодержателя (подложки), 4-сжесткими выводами
на кристаллодержателе (подложки), 5-е контактными
площадками без кристаллодержателя (подложки) и без
выводов, 6-е контактными площадками на кщюталло-
держате те без выводов, 9 с балочными выводами (с 1990 г).
Буква Р - после последнего элемента обозначения для
приборов с парным подбором, буква Г с подбором в
четверки, буква К - с подбором в шестерки.
ГОСТ 15133-77
OCT II 336.919-81
ГОСТ 2 730-73
ГОСТ 18472 88
ГОС! 25529-8
ОСТ 11 0394 87
ГОСТ 27703 88
ГОСТ 28146-89
ГОСТ 20215 84
OCT II 336.018-82
ОСТ 11 336.907.0-79
ОСТ 11 336.907.2 79
11риборы полупроводниковые
Термины и определения
Приборы полупроводниковые.
Система условных обозначений.
Обозначения условные,
графические в схемах.
Приборы полупроводниковые.
I Гриборы полупроводниковые.
Основные размеры.
Диоды п олу I ipo волнико вые.
Термин ы,опредсления и буквенные
обовначсния царамезров.
Диоды полупроводниковые
сверх высо ко' ыстотные.
Система параметров
11риборы полупроводниковые.
Общие технические требования
11риборы полупроводниковые.
Общие технические условия
Диолы полупроводниковые СВЧ.
Общие технические условия.
Приборы полупроводниковые
бескорнусные. Общие технические
условия
Приборы полупроводниковые.
Руководство цо применению. Общие
положения.
Генераторные диодыГанна.
Руководство по применению.
Методы измерения параметров СВЧ-диодов
ГОСТ 19656.0-74
ГОСТ 19656 1-74
ГОСТ 19656.2-74
ЮС Г 19656 3 74
ГОСТ 19656 4-74
ГОСТ 19656.5-74
ГОСТ 19656 6-74
ГОСТ 19656.7-74
ГОСТ 19656.9 74
Диоды полупроводниковые СВЧ.
Методы измерения электрических
параметров Общие положения.
Диоды полупроводниковые СВЧ
смесительные и дезекторные Метод
измерения коэффициента стоячей
волны по напряжению.
Диоды полупроводниковые СВЧ
смесительные. Метод измерения
среднего выпрямленного тока
Диоды полупроводниковые СВЧ
смесительные. Метод измерения
выходного напряжения на
промежуточной частоте
Диоды полупроводниковые СВЧ
смесите зьныс. Метод измерения
потерь преобразования
Диоды полупроводниковые СВЧ
смесительные и детекторные. Метол
измерения шумового отношения.
Диоды полупроводниковые СВЧ
смесительные . Метод измерения
нормированного коэффициента
шума.
Диоды полупроводниковые СВЧ
детекторные Метод измерения
чувствительности по току.
Диоды полупроводниковые СВЧ
параметрические и умножитсльные
4
ГОСТ 19656.10 74
ГОСТ 19656.11 74
ГОСТ 19656.12-74
ГОСТ 19656.13 74
ГОСТ 19656.14 74
ГОС! 19656.15 74
ГОСТ 19656.16 74
Метод измерения постоянной
времени и предельной частоты.
Диоды полупроводниковые СВЧ
ограничительные Метой измерения
сопротивления потерь при низком
зиаче.нии СВЧ-мощности.
Диоды полупроводниковые СВЧ
переключательные. Метод
измерения прямого и обратного
сопротивления потерь.
Диоды полупроводниковые СВЧ
смеси тельные Метод измерения
полного входного сопротивления
Диоды полупроводниковые СВЧ
детекторные.Метол измерения
тангенциальной чувствительности.
Диоды полупроводниковые СВЧ
нереключагельные. Метод измерения
критической частоты
Диоды полупроводниковые СВЧ
Метод измерения теплового
сопротивления переход-корпус и
импульсного теплового
сопротивления
Диоды полупроводниковые СВЧ
ограничительные. Метод измерения
пороговой и просачивающейся
мощности
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ПАРАМЕТРОВ
Напряжение
напряжение включения импульсного лавинного
диода.
Urm„	максимально допустимое постоянное
напряжение диода I айна.
UHrm„	максимально допустимое импу тьспое
напряжение диода Ганна.
иир - импульсное рабочее напряжение диода Ганна.
11нрЛПД - импульсное рабочее напряжение ЛПД.
- максимально допустимое обратное мгновенное
напряжение.
- нормируемое постоянное обратное напряжение.
LJ^p постоянное обратное напряжение диода.
' импульсное обратное напряжение диода
^обршах “ максимально допустимое постоянное обратное
напряжение диода.
^обритм " максимально допустимое импульсное
обратное напряжение диода.
U^,	остаточное напряжение импульсного лавинного
диода
UmTr	постоянное пороговое напряжение диода Ганна
" постоянное прямое напряжение диода
U	- импульсное прямое напряжение диода.
Прлцд	- рабочее напряжение ЛПД
U - среднее прямое напряжение диода.
Unjxj6	пробивное напряжение диода.
Up - постоянное рабочее напряжение диода Ганна.
- заряд восстановления диода
Ош " накопленный заряд диода
Ток
I средний выпрямленный ток диода.
LnyvK ' импульсный пусковой ток ЛПД.
1нрЛГ1Я - импульсный рабочий ток ЛПД.
I»pi ‘ импульсный рабочий ток диода Ганна
Е р - постоянный обратный ток диода
I.ZTmu “ максимально допустимый постоянный
обратный ток диода.
1о6рн - импульсный обратный ток диода,
средний обратный ток диода
1п - пороговый ток диода Ганна.
1 постоянный прямой ток диода.
- максимально допустимый постоянный прямой
ток диода.
I импульсный прямой ток диода.
1пришах~ максимально допустимый импульсный
прямой ток диода.
^прср " сРеДний прямой ток диода.
1 к постоянный пусковой ток ЛПД.
I 1ПД - постоянный рабочий ток ЛПД.
постоянный рабочий ток диола I анна
Мощность
Рм - непрерывная входная СВЧ-мощность диода.
- непрерывная выходная СВЧ мощность диода.
Рвыхи - импульсная выходная СВЧ-мощность диода.
Pri - [раничная мощность детекторного диода
Рняр - импульсная мощность ограничения СВЧ диода.
Piriin - минимально различимая мощность сигнала
детекторного диода
Рмт - непрерывная мощность ограничения СВЧ-диода
Рга падающая на диод СВЧ мощность.
Р1ии - импульсная падающая на диод СВЧ мощность.
Р - рассеиваемая мощность СВЧ-диода.
Р я импульсная рассеиваемая мощность СВЧ-диода.
Р^. р - средняя рассеиваемая мощность СВЧ диода
Plg - тангенциальная чувствительность детекторного диода
спектральная плотность мощности амплитудного
модуляционного шума.
G4M - спектральная плотность мощности частотного
модуляционного шума.
Сопротивление, проводимость
тепловое сопротивление.
-	импульсное тепловое сопротивление
тепловое сопротивление переход-среда.
-	тепловое сопротивление переход-корпус.
выходное сопротивление детекторного диода на
видеочастоте.
-	сопротивление ограничительного диода при
высоком значении СВЧ-мощности.
-	выходное сопротивление смесительного диода.
-	сопротивление диода Ганна.
динамическое сопротивление диода
-	дифференциальное сопротивление диода
-	сопротивление нагрузки смесительного диода.
-	сопротивление ограничительного диода при
низком значении СВЧ мощности
-	обратное сопротивление потерь переключатель-
ного диода.
прямое сопротивление потерь переключатель
ного диода
RT
К»
^1(пср-<жр)
^г(пер-кор)
Гвка
Г выт
гг
^аяв
^диф
г™
^обр
5
г	- последовательное сопротивление потерь диода.
г	- шумовое сопротивление СВЧ-диода.
W	волновое сопротвлсние линии передачи
ZM - полное входное сопротивление СВЧ диода.
Z	переходное тепловое сопротивление.
7Ч|кр<жр - переходное тепловое сопротивление переход-
среда.
Z7(lKp.KoW " переходное тепловое сопротивление переход-
корпус.
Емкость
Сд - общая емкость диода.
Скор - емкость корпуса диода.
-	конструктивная емкость диода.
Сяр емкость перехода диода.
-	емкость структуры диода.
Ст тепловая емкость диода.
Время, частота, длина волны
1»«обр “ время обратною восстановления диода.
t^Knp ‘ время прямой) восстановления диода.
' время выключения СВЧ диода.
tM - время задержки диода.
t,„	- время запаздывания обратною напряжения диода.
tM длительность импульса
1„р	- время нарастания прямого тока диода.
Чп ' время спада обратного тока диода.
t„p - время переключения импульсного лавинного диода.
1ф	- длительность фронта импульса.
т	- постоянная времени параметрического диода.
тт - время тепловой релаксации диода.
эффективное время жизни неравновесных
носителей заряда.
-	частота анализа при измерении шумовых
характеристик.
fB - верхнее значение рабочей частоты СВЧ-диода.
Г„	- частота следования импульсов.
1кр	- критическая частота переключательного диода.
fB - нижнее значение рабочей частоты СВЧ-диода.
Г * предельная частота умножительного диода.
fm - промежуточная частота смесительного диода.
рабочий диапазон частот СВЧ-диода
Q - скважность.
Температура
Т - температура окружающей среды.
Тк - температура корпуса.
Тк - максимальная температура корпуса
Г„„ максимальная температура окружающей среды.
Тщп, минимальная температура окружающей среды.
Тоси - температура кристаллодсржагеля.
t „р - температура перехода.
Добротность, потери
Q	- добротность ВЧ тиеда.
La	- потери запирания СВ диода.
I,ip потери пропускания СВЧ диода.
-	потери преобразования смесительного диода.
Прочие параметры и коэффициенты
-	температурный коэффиштент мощности СВЧ-диода.
af - температурный коэффициент частоты СВЧ-диода.
Р, - чуствительность по току детекторного диода.
PG чуствигельность по напряжению детекторного диода
Ц - коэффициент полезного действия СВЧ-диола
Кс	коэффициент перекрытия по емкости
KcrU	коэффициент стоячей волны но напряжению.
-	коэффициен г усиления диода по мощности.
FHOpM ‘ нормированный коэффициент шума
смесительного диода
коги|хрициснт шума усилителя промежуточной
частоты
1.п	последовательная индуктивность диода.
N1U - шумовое отношение смесительного диода,
п	показатель идеальности ВАХ СВЧ-диода.
Зарубежные аналоги отечественных диодов
Широкое развитие отношений с промышленно развитыми
странами привело к все нарастающему потоку в страны CH I
радиоэлектронной аппаратуры, в том числе СВЧ-диапазона
Развитие систем космической связи и телевидения, внедрение
радиолокационной техники в народное хозяйство, развитие
автомобильной электроники и т.п. создало благоприятные
условия для развития и проникновения СВЧ техники в
товары народного потребления, медицину, бытовую
электронику. Ремонт, настройка и эксплуатация импортной
СВЧ-техники часто приводят к необходимости замены
отдельных вышедших из строя СВЧ-элементов, в том числе
СВЧ-диодов.
В настоящий справочник включены таблицы зарубежных
аналогов для диодов, выпускаемых промышленностью СНГ.
В качестве критериев для сравнения и подбора аналогов в
первую очередь являлось совпадение функционального
назначения приборов и соответствие рабочего диапазона
частот, а затем принимались во внимание параметры,
отнесенные к важнейшим в соответствии с OCT 11 0394-87
для смесительных диодов нормированный коэффици
ент шума и потери преобразования;
детекторных - тангенциальная и токовая чуствигельность;
параметрических - постоянная времени (предельная
частота, добротность) и емкость диода;
переключательных прямое сопротивление потерь и
емкость диода;
ограничительных - время восстановления обратного
сопротивления и емкость диода;
умножительиых - предельная частота и емкость диода;
настроечных добротность и емкость диода;
генераторных - выходная мощность и рабочий ток
Вся масса выбранных зарубежных аналогов отечественных
приборов разделена на две группы - полных (прямых) и
косвенных
К полным (прямым) аналогам отнесены приборы,
полностью совпадающие по конструктивному исполнению
и разброс основных параметров не превышает 20% от их
нормированного значения. К косвенным аналогам отнесены
приборы, основные параметры которых отличаются не более
чем на 30% от аналогичных параметров отечественных диодов.
Они имеют отличное от отечественного прибора
конструктивное исполнение конструкцию и тип корпуса,
держателя, размеры кристалла, длину и расположение
выводов (для бескорпусных диодов). При этом особое
внимание обращалось на возможность простой замены
зарубежных диодов отечественными при минимальной
6
доработке узлов крепления их в аппаратуру. С этой целью
в таблицы косвенных аналогов диодов с балочными выводами
включены тиолы в керамических держателях и диоды с
гибкими выводами, размеры которых позволяют
подсоединить их к тем же контактным площадкам
микрополосковой сх -мы без ее изменения. В качестве аналогов
для ряда смесительных диодов использованыкак герметичные,
так и негерметичные диоды в корпусах и держателях,
имеющих соответствующие габаритные и присоединительные
размеры. Бсскорпусные диоды не использовались в качестве
аналогов для корпусных, и наоборот
Для нескольких классов отечественных диодов
(умножительных, настрое тных, Ганна, лавинно-пролетных)
нс удалось найти подходящих полных зарубежных аналогов
из-за полного несоответствия размеров стандартных
отечественных металлокерамических корпусов размерам и
конструкции корпусов международного ряда. Так, например,
большинство зарубежных генераторных диодов
М1пыиметровогодиапазоиад,'|ин волн выпускается в корпусах
свинговым криета-ыодержагелем, втов|юмякакогетествснная
промышленность выпуск таких корпусов не освоила. Кроме
того, выпускаемые отечественной промышленностью диоды
Ганна имеют существенно более высокие рабочие токи при
одинаковой выходной мощности и замена одного диода
другом приводит к необходимости доработки источника
питания. В таблицы включены приборы ведущих в области
полупроводниковой СВЧ-этектроники фирм США, Японии,
Англии, Франции. При составлении таблиц использовались
фирменные каталога, справочники D А. Г.А Book Micro-
wave, D.A.T.A. Digest Diodes и др. за 1985-1991г i. В графе
таблиц "корпуса" использованы наименования корпусов по
D.A.T.A. Books, и используемые в ряде фирменных
каталогов.
Адреса изготовителей СВЧ-диодов
Отечественные предприятия
1.	Завод при НИИ "Пульсар”. 105318, г.Москва.Окружной
просзд,27.
2.	Завод при НИИ "Сапфир". 105058, г. Москва,
Щербаковская, 53.
3.	Завод при НИИ ’Исток". 141120, г. Фрязино,
Московской обл., ул. Вокзальная, 1-а.
4	Завод при НИИПП 634042. г.Томск, ул
Красноармейская, 99-а.
5.	Минский завод полупроводниковых приборов.
220600, г Минск, пл. Казинца.
6.	Завод "Эра". 125057, г Москва, ул Часовая, 28.
7.	Нальчикский завод полупроводниковых приборов.
360033, г. Нальчик.
8.	Томилинский завод полупроводниковых приборов
140070, Томилино Московской обл, ул. Гагарина, 11.
9-	Завод 'Тантал 410033, г. Саратов, пр.50 лет Октября.
10.	Херсонский завод полупроводниковых приборов
325026, г. Херсон, ул. Рабочая, 66.
11.	Завод при НИИ "Салют". 603600, Нижний
Новгород, ул Ларина,7.
Зарубежные фирмы
I.	Advncd Senn.-Advanced Semiconductor,Inc , 7525 Ethel
Ave, No. Hollywood, CA 91605, USA. Telex: 18-2651,
FAX: 818-765-3004
2	Alphaindust "Alpha Idustries, Inc., 20 Sylvan Rd.,
Woburn, MA 01801, USA Telex 949-436
3.	Custom Cpts-Custom Components,Inc., Box 334,
I-ebanon, NJ 8833. Telex.821-399, ГАХ 201/534-5625
4	Farran Tecn.-Farran Technology Ltd., Ballmcollig, Coik,
Ireland.Tclcx: 75603 FTL El
5.	Freq Source - Frequency Sources,Inc., 16 Maple Rd.,
S.Cheimsford, MA 01824, USA Telex: 710-343-6506.
FAX 508-937-3748.
6.	Gmiljlec/GE - General Eelectric Semiconductor Co.,
Bldg, 7, Electronics Park, Syracuse, NY 13221, USA
7.	Hewlett Pkd Hewlett Packard Co./Components Group,
370 W Tnmblc Road, San Jose CA 95131, USA. FAX’
408/435-4892. TWX: 910-373-1267.
8.	Hughes Semi - Hughes Aircraft Co./Hughes
Microelectronics, 500 Superior Ave., PO Box II, Newport
Beach, CA 92658-8903, USA. I AX 714/759 2720. TWX:
910-596-1374 HACSSPD NPBH.
9.	M/ACommSemi - M/A-Comm.Semiconductor Products/
M/A Conun. Semiconductor Div., Burlington Semiconduc-
tor Operations,43 South Ave., Bild. 1, Burlington, MA
01803, USA. Telex 94-94-64. FAX 617-272-8861.
TWX. 710-332-6789.
10	MarconiEIec - Marconi Electronic Dcviccs.Inc., 45 Davids
Drive, Hauppauge, NY 11788, USA. Telex: 275801.
FAX’516-231-7923.
II	MicrowvAssc - Microvawe Associates Ltd Dunstable Bed-
fordshire LU5 4SX, England. Telex: 82295.
12.	MSI Elecs - MSI Electronics. Inc., 34-32 57th St.,
Woodside, NY 11377, USA. Telex: 42-64-07. FAX: 718
397-0972.
13	NEC CotpJA NEC Corporation, 33 1 Shiba 5-chome
Minato-Ku Tokyo, Japan 108.
14	Parametric - Parametric Industries, Inc., 742 MainSt,
Wimchester, MA 01890, USA.
15.	PhilipsComp - Philips International Bv/1 hilips Compo-
nents, Corp. Centre, Building Buf-1, P O. BOX 218,
5600 MD Eindhoven, Till- NETHERLANDS, 040 79 11
11 (NATIONAL), 314 079 11 11 (INTERNATIONAL)
Telex: 35000 P1IICNL.
16.	RaythionCo.-Raythion Company/Scmicoiiductor Division,
350 Ellis St, Mountain View, CA 94039-7016, USA.
Telex: 910-379-6484. FAX 415-966-7620.
17.	SDI lnc,-Adams.-Russell Co.,Inc./SDI Inc, 11 Executive
Park Dr .North Billerica, MA 01862, USA. Telex: 95-15-92
18	Siemens Akt - Siemens Aktiengcsellschaft, Balanstr 73, D-
8000, Munchen 80, West Germany. Telex- 52108-30. FAX:
089-4144-8053.
19.	Space Power - Space Power Electronics,Inc., R.D. 1 Jef-
frey Lane. Gicn Gardner, NJ 08826. USA Telex: 28-92-
30. FAX 201-537-7522.
20.	Texas Instr.-lexas Instrumentsjnc , 13500 N Central
Expwy, PO Box 655474, Dallas, TX 75380-9066, USA.
Telex: 68-29-291
21.	ThmsnCSFFF .Thoriison-CSF/EFCIS, 45 Avenue de
1 'Europe, 78140, Velizy VUlacoublay, France. Telex.
204780 F.
22.	TRW Microwv-TRW Microvawe Inc., 825 Stewart Dr,
Sunnyvale, A 94086, FAX 408/733 7434. USA.
23.	Unitrode.-Unitrode Coiporation, 7 Continental Boulevard,
Merrimack, Nh 03054, FAX: 603/424-3460, USA
24	Varian Ass -Vanan Associa es/Varian Electron Device
Group, 611 Hausen Way, Palo Alto, CA 94303, USA.
1AX 415/424 6591.
/
P A 3 Д Е Л 1: СМЕСИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
Смесительные диоды (СД) предназначены для
преобразования частот СВЧ-сигналов, напряжение которых
прикладывается к диоду. Основная область использования
СД в смесителях супергетеродинных приемников различ-
ного назначения, чувствительность которых существенно
выше, чем детекторных, благодаря исключению влияния
1/f шума и более высокой эффективности преобразования.
Действие смесительного диода основанона нелинейности
прямой ветви его вольт-амперной характеристики. При при-
ложении к такому диоду двух сигналов с различными
частотами а>с и сог (принимаемого сигнала и местного
генератора-гетеродина) в спектре тока СД согласно пред-
ставлению Фурье будет присутствовать бесконечное коли-
чество гармонических составляющих с частотами, явля-
ющимися суперпозицией частот приложенных к диоду
сигналов: псог + то. Благодаря более высокой мощности
гетеродина реальное практическое значение в этом спектре
имеют гармоники гетеродина па>г и си шалы с частотами
шг+ со. (боковые гармоники), амплитуда которых пропор-
циональна мощности принимаемого сигнала.
В наиболее распространенном типе смесителей проме-
жуточная (разностная) частота	= сог - сос ( «с может быть
как больше, так и меньше со,, при этом < сог и ос = сог
В гармонических смесителях (смесителях на гармониках)
шпч = псог " ®с • Очевидно, чтобы повысить эффективность
преобразования смесителя на промежуточную частоту,он
должен бытьсконструи рован (оптимизирован)таким образом,
чтобы уменьшить потери сигнала на боковых гармониках.
Параметры смесительного диодаустанавливаются исходя
из его работы в смесителе на основной гармонике гетеродина [1].
В качестве смссительныхдиодовнаиболееширокоисполь-
зуются диоды на основе контакта металл-полупроводник
(барьера Шоттки) В сантиметровом и более низкочастот-
ных диапазонах предпочтение отдается кремниевым ДБШ
в миллиметровом и более высокочастотных - арсенидо-
 аллиевым и фосфидоиндиевым, имеющим более высокие
предельные частоты.
Конструктивное оформление СД весьма разнообразно: в
коаксиальных, миниатюрных металлокерамических корпу-
сах, керамических и металлокерамических держателях,
кристаллов с балочными выводами (ДБВ), кристаллов с со-
товой структурой рабочего контакта и др ДБВ и кристаллы
с сотовой структурой используются преимущественно в мил-
лиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн.
По принципу действия, применяемым материалам,
конструкции СД весьма близки к детекторным диодам, час го
используются в детекторном режиме и часто описываются
одними и теми же или тесно связанными друг с другом
параметрами.
Система параметров СД содержит несколько блоков,
параметры эквивалентной схемы диода (рис.1.1) - емкость
перехода (Стр), дифференциальное сопротивление перехода
(Rp, последовательное сопротивление диода (г„), после-
довательнаяиндуктивность(1,п),емко стькорпуса(Смср),полная
емкость диода (Сд) и конструктивная емкость диода (Скон) -
емкость между выводами диода при отсутствии контакта с
диодной структурой; параметры ВАХ показатель идеально-
сти п, постоянные прямое (Ц^) и обратное (Ц^р)напряжения
при заданном прямом и обратном токах; как элемент схемы
(устройства) СД характеризуется рабочим диапазоном час
тот, входным сопротивлением (ZK), коэффициентом стоячей
волны по напряжению (KrfJ) и выходным сопротивлением
(£>„); допустимые режимы эксплуатации характеризуются
заданным диапазоном температур с указанием верхних и
нижних значений, величиной постоянного тока смещения а
также максимально допустимыми значениями рассеивае-
мых в диоде импульсной и непрерывной мощностей.
Основными СВЧ-параметрами смесительных диодов,
определяющими их функциональное назначение, являются
потери преобразования и нормированный коэффициент
шума. По существу это параметры однодиодиого смесите-
ля, работающего в так называемом "широкополосном" режиме
(или в "широкополосном" включении), в котором "отфиль-
трованы" все боковые гармоники, за исключением так
называемой зеркальной частоты из-за ее близости к частоте
сигнала: соэ = 2<вг - сос = сог + сос.
Потери преобразования определяются как отношение
мощности сигнала, поступающего па вход смесителя к
мощности, выделенной на нагрузке в цени промежуточной
частоты:
I-прб =
Величина наряду с потерями непосредственно в
нелинейном сопротивлении (Lo)n потерями,обусловленными
паразитными параметрами диода гп и С - (!,,), содержит
потери, обусловленные неидеальным согласованием в цепях
сигнала и ПЧ а также преобразованием энергии сигнала на
боковые гармоники. Предельные (идеальные) потери сос-
тавляют 3 дБ, что связано с преобразованием половины
мощности сигнала в сигнал зеркальной частоты. Наиболь-
ший вклад в потери дает составляющая L, , обусловленная
наличием паразитных параметров диода [2]:
L, = l+rn /Rj+RA (f/U)2
Здесь все обозначения соответствуют обозначениям на
эквивалентной схеме рис.1.1 и l/2n(rnCnelJ-предельная
частота диода Миним альныс потери соо гветствуютусловию
Rj = 1 /е>С„ри равны: L, - 1 +
Очевидно, что при превышении предельной частоты над
рабочей более чем в 10 раз (f^ > 10f) значение L, менее 1 дБ
Реальные значения могут заметно превышать расчетные.
Дополнительные потери обусловлены как правило, труд
неконтролируемыми потерями в смесительной камере.
Шумовые свойства СД характеризуются коэффициентом
шума приемника, включающего смеситель и усилитель
промежуточной частоты (УПЧ) Для определенности
коэффициент шума У ПЧ(Б ) принят равным 1ЛдБ,поэтому
такой коэффициент шума СД называют нормированным [1]:
^ворм = ЧцЛ (Пш + Рувч 1
Здесь пш - шумовое отношение смесительного диода,
определяемое как отношение реального шума диода к
тепловому шуму сопротивления, равного сопротивлению
диода в той же полосе частот при комнатной температуре.
Имитация реального режима работы смесителя в процессе
измерения параметров достигается подачей на диод СВЧ-
мощности гетеродина. Значение Биорм получают обычно
расчетом из независимых измерений и Для измере-
ния используют модуляционный и дифференциальный
методы [1]. Такой подход к определению параметров СД
общепринят, однако не полностью отражает связь параметров
реального смесителя и СД
8
Более реальная связь между параметрами смесителя и
СД достигается при использовании так называемого
радиометрического метода измерения параметров СД (с
помощью радиометрического приемника), где полностью
имитируется реальный режим работы смесителя а в качестве
источника сигнала используется шумовой генератор с
равномерным (белым) спектром сигнала. Последнее означает,
что прием сигнала идет в двухнолосном режиме (ниже и вы-
ше частоты гетеродина). Если потери в одной из полос обоз-
иачитьчерез Lc (и условно рассматривать их как потери в сиг-
нальной полосе), а в другой - через Ьэ(потери в зеркальной по-
лосе), то суммарные или двухполосные потери будут равны [3|:
Lose = (1/LC + 1/LS) ' = L/2 при Lc = L, = L
В том же режимеизмерения коэффициент шума смесителя,
равный отношению мощности шумов на выходе к входной
мощности, приведенной к выходу (т.е. с учетом потерь на
преобразование) равен:
^dsb = N / (N„ / 1-nsB) = 1/2 L пш,
где пш =	/ N„ - шумовое отношение смеси геля,равное
шумовому отношению смесительного диода еслиМш = kToAf.
Можно показать, что шумовое отношение СД связано с
шумовым отношением детекторного диода t и его шумовой
температурой Тя соотношением:
пш = 2/L +(T/TJ(1- 2/L) = 2/L + «(1- 2/L)
Рис. 1.1. Эквивалентная схема смесительного лиода.
При таком определении шумовое отношение СД
учитывает еще одну важную особенность реального режима
работы СД - потери при преобразовании шумов с входа на
выход: шумовое отношение уменьшается с ростом потерь
преобразования Однако коэффициент шума при этом растет,
поэтому необходимо стремиться к минимуму потерь
преобразования
Минимальное значение t и пш соответствует чисто
дробовым шумам диода. При этом
t = 2ql af Rj/4kl71f = n/2, (R, = nkT/ql)
В реальных режимах работы СД значительный вклад в
величину пш, а следовательно и Е наряду с дробовыми
шумами диода дают тепловые шумы его последовательного
сопротивления, а также шумы, обусловленные разогревом
электроновприподаченадиодмощностигетеродина. Помимо
"диодных" шумов существенный вклад могут дать преоб-
разованные па промежуточную частоту тепловые шумы
элементов эквивалентной схемы смесителя и шумы гете-
родина.
Для бескорпусных СД (диоды с балочными и
копланарными выводами, кристаллы с сотовой структурой)
по сложившейся практике последних лет в качестве основных
параметров СД используются:
-	предельная частота диода f ;
-	полная емкость диода, Сд;
-	показатель идеальности ВАХ п ;
-	постоянное обратное напряжение при заданном TOKe,UoV
Диоды с балочными выводами создаются обычно на
структурах i-n-n-типа (а в некоторых случаях n-n-типа) со
сверхтонкими эпитаксиальными п-слоями (0,1 ...0,15 мкм). Это
обстоятельство и малые размеры диаметров контактов (1,5...3
мкм) способствуют достижению высоких (до 10 ТГц) пре-
дельных (а следовательно, и рабочих) частот Максималь-
ные предельные частоты и минимальные паразитные пара-
метры имеют диоды (кристаллы) с сотовой структурой.
Важным показателем качества СД является показатель
идеальности, величина которого ис должна превышать 1,2.
Говоря об указаниях по применению и эксплуатации СД,
нужно иметь ввиду, что они достаточно близки для всех
варисторных и варакторных диодов СВЧ, КИЧ и 1154 диапа-
зонов. Однаизпаиболее существенных опасностей при работе
с СД - воздействие на них статического электричества
Опасность пробоя диода тем выше, чем для более высо-
кочастотного диапазона он предназначен, т.к. при этом из-за
уменьшения диаметра перехода устойчивость диода к
различным электрическим воздействиям понижается.
Основные меры предосторожности: применение зазем-
ляющих браслетов и предварительное касание диодной
камеры перед вставлением диода, заземление аппаратуры
Применение спецодежды из антистатического материала и др.
Для диодов в миниатюрных металлокерамических
корпусах допускается, как правило, монтаж с помощью
прижима и пайки. Различные способы крепления выводов
(термокомпрессия, пайка приклеивание) допускаются и для
диодов с балочными выводами. Во избежание повреждения
диодов необходимо пользоваться конкретными режимами,
припоями, флюсами и т.д , указанными в 'ГУ на диод
2А101А,2А101Б
Диоды кремниевые, точечные, смесительные.
Предназначены для применения в прсобразова гелях частоты
СВЧ диапазона. Выпускаются в металлическом корпусе с
коаксиальными выводами типа КД-127 (рис.1.2). Тип диода
и схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе Масса диода нс более 1,5 г Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации диод СВЧ 2A10IA ТРЗ.360.036 ГУ.
Вывод 1
Вывод 2
Электрические параметры
Iffnt
Потери преобразования при
Т=+25° С	2А101А
2Л101Б
Т-б0и+100=С	2А101Л
2Л101Б
Выпрямленный ток
Выходное шумовое отношение
Коэффициент стоячей волны
по напряжению
Выходное сопротивление 2Л101Л
2А101Б
не более 10 дБ
не более 9 дБ
не более 11 дБ
не более 10 дБ
не менее 0,5 мА
нс более 2
не более 3
250...550 Ом
150...300 Ом
Рис.1.3 Зависимости: выпрямленного тока (а), коэффициента
стоячей волны по напряжению (б), потерь преобраз нация (в),
выходного сопротивления (г), выходного шумового отношения
от температуры (д); потерь преобразования (е), выпрямленного
тока (ж), выходного шумового отношения (з) от непрерывной
падающей СВЧ-мощности
Предельнт те эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность
(t„<l мкс, Q>1000)	2А101А
2Л101Б
Импульсная рассеиваемая мощность при
кратковременном воздействии (не более
20 мип)(^£ 1 мкс, Q> 1000)2Л101Л
2А101Б
Мощность плоской части просачивающегося
через разрядник импульса 2А101А
2Л101Б
Энергия одиночного импульса
2А101А
2А101Б
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
Изготовитель’ Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
150 мВт
250 мВт
200 мВт
300 мВт
30 мВт
60 МВт
0,06 эрг
0,2 эрг
-6О...+ 1ОО"С
1000 ч
12 лет
Примечание: СВЧ-параметры измеряются в режиме:
Р = 1 мВт, R - 100 Ом, X “ 8 мм.
пл	пос
2А102А
Диоды кремниевые, точечные, смесительные.
Предназначены для применения в преобразователях частоты
дециметрового диапазона длин воли. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с жесткими вывозами типа
КД-113 (рис.1.4). Тип диода и схема соединения электродов
с выводами приводятся на корпусе. Масса диода нс более 2,5
г. Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской докумептании-диод СВЧ 2Л102А,
1Р3.360.055ТУ
Вывод 1
Вывод2
20,8
Рис. 1.4
Электрические параметры
Потери прет бразования
Выпрям тенный ток
Нормированный коэффициент
шума при Т= * 25°С
Т -60и+100'С
Коэффициент стоячей волны ио
напряжению
Выходное сопротивление
Вывод 1
Вывод 2
не более I 0* дБ
не менее 1.2 мА
нс более 8,5 дБ
7,2.. 9,8 дБ
пе более 1,5
250.450 0м
Предельны: эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность	30 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность	500 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
(не более 10 мин)	6 Вт
Температура окружаюшей среды	60.. +100°С
Минимальная наработка	1000 ч
Срок сохраняемости	12 лет
Примечание СВЧ параметры измеряются в режиме
Рпд= °’5 •1 МВТ’ Кое 100 Ом> *	Ю...15,5 см.
10
ALnp6
Рис. 1.5 Зависимости потерь преобразования от температуры (а),
коэффициента стоячей волны по напряжению от непрерывной
падающей мощности (б)
Изготовитель: Томилинский -завод полупроводниковых
приборов.
2А103А, 2А103Б, 2А103АР, 2А103БР
Диоды кремниевые, точечные, смесительные.
Предназначены для применения в преобразователях частоты
СВЧ-диапазона. Выпускаются в металлостекляппом корпусе
с жесткими выводами типа КД-128 (рис.1.6). Диоды
выпускаются подобранными в пары и обозначаются
2А103АР,2А103БР. Чип диода и схема соединения электродов
с выводами приводятся па корпусе. Масса диода не более
1,65 г. Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкт рекой документации: диод СВЧ 2А103А,
ТРЗ 360 057 ТУ
Электрические параметры
Потери преобразования при
Г +25°С	2А103А
2А103Б
Т=-60 и + ЮО'С 2А103А
2А103Б
Выпрям енный ток
Выходное шумовое отношение
Коэффи! иент стоячей волны
по напряжению
Выходное сопро ивление
не более
не более
нс более
10 дБ
9 дБ
11 дБ
не более 10 дБ
пе менее 0,5 мА
не более 2
не более 3
200.550 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования
Выпрямленный ток
Выходное сопротивление
не более 0,5 дБ
не более 0,05 мА
не более 40 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая
мощность	2А103А 2А103Б	10 мВт 15 мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность при кратковременном воздействии (нс более 10 мин)	2А103А	75 мВт
2А103Б	100 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность (t„= 1 мкс, Q г 1000)	2А103А	150 мВт
2А103Б	250 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при кратковременном воздействии (не более 10 мин, tH= 1 mkc.Q^IOOO) 2А103А	200 мВт
2А103Б	300 мВт
Мощность плоской части просачивающегося через разрядник импульса 2А103А	30 мВт
2А103Б	60 мВ
Энергия одиночного импульса	
2А103А	0,06 эрг
2А103Б	0,2 эрг
Температура окружающей среды	-6О...+ 1ОО“С
Минимальная наработка	1000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечание: СВЧ-параметры измеряются в режиме
Р = 1 мВт, !<.= 100 Ом, X = 8 мм.
ПД	1ЮС
1~п/>б,дБ

Рнс 1 7 Зависимости выпрямленного тока (а), потерь преоб-
разования (6) коэффициента стоячей волны по напряжению в),
выходного сопротивления (г) от температуры
Изготовитель Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
11
2А104А, 2А104АР, КА104А, КА104АР
Диоды кремниевые, точечные, смесительные
Предназначены для применения в преобразователях частоты
дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими
выводами типа КД 121 (рис 1 8). Диоды выпускаются
подобранными в пары и обозначаются 2А104АР, КА104ЛР
Тип диода приводится па этикетке. Маркируются цветными
полосками со стороны положительного вывода: 2А104А -
красной КА104А - синей Масса диода не более 0,15 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ 2Л104А
ТР3.360.0581У; диод СВЧ КА104А, ТР0.И6.025 ГУ.
Вывод 1
Вы вод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при
Т=+25°С
Т=+125°С
Т -60 С
Выпрямленный ток
Нормирован ный
коэффициент шума
Коэффициент стоячей волны
по напряжению
Выходное сопротивление
не более 6,5 дБ
не более 9,0 дБ
не более 7,0 дБ
не менее 0,5 мА
не более 8,5 дБ
не более 1,5
340. 560 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования
Выпрямленный ток
Выходное сопротивление
не более 0,5 дБ
не более 0,1 мА
не более 50 Ом
Рис 1.9. Зависимости потерь преобразования (а), выпрямленного
тока (б), коэффициента стоячей волны но напряжению (в),
выходного шумового отношения (г) от непрерывной падающей
СВЧ-мощности потерьиреобразования (д) выпрямленного тока
(е), коэффициента стоячей волны по напряжению (ж) от
температуры
Предельные ксп |уатационпые данные
Непрерывная рассеиваемая мощность	20 мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность при кратковременном воздействии (не более 10 мин)	150 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность (tK< 1 мкс Q 1000)	400 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при кратковременном воздействии (не более 1 ч) (tH< 1 мкс, Q > 1000)	500 мВт
Мощность тоской части просачивающегося через разрядник импульса	100 мВт
Энергия одиночного импульса	0,5 эрг
Температура окружающей среды	-6О... + 15О“С
Минимальная наработка	10000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечание СВЧ-параметры измеряются в режиме
Рто= 0,5 мВт, R,ioc 100 Ом, X - 8 мм, < 1,5дБ.
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов,
2А105А, 2А105Б, 2А105АР, 2А105БР
Диоды кремниевые, точечные, смесительные.
Предназначены для применения в преобразователях частоты
сантиметрового диапазона длин волн Выпускаются в
металлостекляпном корпусе с жесткими выводами типа КД-
121. Габаритный чертеж соответствует прибору 2А104 (рис. 1.8).
Диоды выпускаются подобранными в пары и обозначаются
2А1О5АР, 2А105БР Тип диода приводится на этикетке.
Маркируются цветным кодом у положительного вывода-
2А105А - двумя красными полосками, 2А105Б - двумя
красными полосками и точкой Масса диода не более 0,15
г Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ 2А105А,
ТР3.36ОО75 ГУ.
12
Электрические параметры
Потери преобразования при
T=125°C	2А105А	не более не более не более		7,0 дБ 6,7 дБ 9,0 дБ
2А1О5Б			
Т--60 и 1 125‘С			
Выпрямленный ток	не	менее	0,8 мА
Выходное шумовое отношение			
2А105А	не	ботее	1,7
2А105Б	нс	более	1,6
Нормированный коэффициент			
шума (расчетный)	2А105А	не	более	10 дБ
2А105Б	не	более	9,0 дБ
Коэффициент стоячей волны по			
напряжению	2Л105Л	не	более	1,7
2А105Б	не	более	1,5
Выходное сопротивление 2А105А	250. 500 Ом		
2А105Б	250. 450 Ом		
Разброс электрических параметров в паре
Примечание: СВЧ-парамегры измеряются в режиме
Р - 10 мВт, II = 100 Ом, Л - 3,2 см.
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
1А106А, 1А106Б, 1А106В, 1А106АР, 1А106БП,
1А106ВР
Диоды германиевые, микросплавные смесительные.
Предназначены для применения в преобразователях частоты
сантиметрового диапазона длин волн Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с жесткими выводами типа
КДЮ-118-2 (рис.1.11). Диоды выпускаются подобранными в
пары и обозначаются 1А106АР 1А106БР, 1А106ВР Тип
диода приводится на этикетке Масса диода не более 0,6 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документацишдиод СВЧ 1A106AJP3 360.074
ТУ.
Потери преобразования
Выпрямленный ток
Выходное сопротивление
не более 0,5 дБ
нс более 0,1 мА
нс бо лее 50 Ом
Вывод 1	Вывод 2
Предельные эксплуатационные танине
Рис. 1.11
Вывод 1
Вы Вод2
Непрерывная рассеиваемая мощность 20 мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
(не более 10 мин)	100 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH< 1 мкс, Q > 1000)	300 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
(не более 5 мин), (tK< 1 мкс, Q > 1000)	500 мВт
Мощность плоской части просачивающегося
через разрядник импульса	100 мВт
Энергия одиночного импульса	0,5 эрг
Температура окружающей среды	-60 ..+125°С
Минимальная наработка	10000 ч
Срок сохраняемости	25 ле г
Рис 1 10. Зависимости. потерь преобразования (а) выпрям синего
тока (6) от непрерывной лапающей СВЧ-мощности выпрям-
ленного тока (в), коя])фипиеита стоячей волны но напряжению
(г) от температуры
Электрические параметры
Потери преобразования при
Т +25’С	1А106А.1А106Б 1А106В	не бо тее 13,5 дБ не более 12,5 дБ
Т=-60 и +125°С	1А106А.1А106Б	не более 15,0 дБ
	1А106В	не более 14,0 дБ
Выпрямленный ток		
	1А106А.1А106Б	не менее 0,1 мА
	1А106В	не менее 0,12 мА
Нормированный коэффициент		
шума	1А106А	не более 22 дБ
	1А106Б.1А106В	не более 19 дБ
Коэффициент стоячей волт ы		
по напряжению	1А106А	не более 1,2
	1А106Б	нс более 3,0
	1А106В	не более 2,0
Выходное сопротивление		150...300 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования	не более 0,5 дБ
Выпрямленный ток	не более 0,05 мА
Выходное сопротивление	не более 25 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая
мощность (Т=-60. +70°С)	6 мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
(не более 5 мин), (Т=-60 +85”С)	30 мВт
Импульсная падающая мощность
(t„5 1 мкс, Q г 1000)	40 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
13
(нс более 5 мип),(1и< 1 мкс, Q > 1000)
Значение допустимого статического
потенциала не более
Энергия одиночного импульса
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Минимальная наработка в облегченном
режиме
Срок сохраняемости
100 мВт
100 В
0,05 эрг
-6О...+85°С
3000 ч
8000 ч
25 лет
Примечание: СВЧ-параметры измеряются в режиме
Рга= 200 мкВт, 1^ =100 Ом, X = 3 см, fm 10 кГц.
2А107А 2А107АР
Диоды кремниевые, микросплавныс. смесительные.
Предназначены для применения в пре гбразоватслях частоты
сантиметрового диапазона длин both Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с жесткими выводами типа
КД-106 (рис.1.14). Диоды выпускаются подобранными в
пары и обозначаются 2Л107АР Тип диода и схема соединения
электродов с выводами приводятся на этикетке Масса диода
не более 0,2 г. Пример записи условного обозначения при
заказе и в конструкторской документации: диод СВЧ
2А107А, ТРЗ.360.085 ТУ.
Вывод 7
Вывод 2
Рис. 114
Электрические параметры
Рис 12. Зона возможных положений зависимостей: выходного
сопротивления (а), потерь преобразования (б), коэффициента
стоячей волны по напряжению (в) выпрямленного тока (г) нор-
мированного коэффициента шума (д) от темперетуры
Потери преобразования
при Т +25°С
Т=-60 и +125“С
Выпрямленный ток
Нормированный коэффициент
шума (расчетный)
Коэффициент стоячей волны
по напряжению
Выходное сопротивление
не более 7,5 дБ
не более 9,0 дБ
не менее 0,3 мА
не более 9,0 дБ
не более 1,5
175 375 Ом
Разброс электрических параметров в таре
Потери преобразования
Выпрямленный ток
Выходное сопротивление
не более 0,5 дБ
нс более 0,05 мА
не более 30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность	20 мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность при
кратковременном воздействии (нс более 3 ч) 50 мВт
Температура окружающей среды	-6О...+ 1ОО°С
Минимальная наработка	15000 ч
Срок сохраняемости	25 чет
Примечания. 1 СВЧ-парамезры измеряются в режиме
Pnj 0,5 мВт, 100 Ом, UCM 0,25 В 2 При установке
диода в диодную камеру следуег предварительно касаться
рукой заземленного устройства. 3. Допускается использование
диодов без внешнего смещения при мощности гетеродина
1.. 1,5 мВт, а также применение диодов при воздействии
импульсной падающей СВЧ-мощности 300 мВт (tMS 4 мкс,
Q г 200) в течение 400 ч при +25’С; при этом значение
нормированного (расчетного) коэффициента шума не
превышает 10 дБ.
Рис 1 13 Зависимость нормированного коэффициента шума от
непрерывной палающей СВЧ мощности
Изготовитель Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
14
Разброс электрических параметров в паре и четверке
Потери преобразования
Выпрямленный ток
Выходное сопротивление
не более 0,5 дБ
нс более 0,05 мА
не более 30 Ом
Элек |рические параметры при работе в
диапазоне частот 1...100 МГц
Рис 1 15. Зависимости выпрямленного тока (а), потерь преоб-
разования (6), выходного сопротивления (и), выходного шумового
отношения (г), нормированного ко зффицнспта шума (д) < тем
пературы
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
2А108А, 2А108АР, 2А108АГ
Диоды кремниевые, микросплавные, смесительные.
Предназначены для применения в преобразователях частоты
сантиметрового диапазона длип волн. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе с жесткими выводами типа
КД-106. Габаритный чертеж соответствует прибору 2А107
(рис. 1.14). Тип диола и схема соединения электродов с
выводами приводятся на этикетке. Диоды выпускаются
подобранными в пары и четверки и обозначаются 2А108АР
и 2А108АГ Масса диода не более 0,2 г Для работы в
диапазоне частот 1...100 МГц диоды выпускаются
одиночными, подобранными в пары и четверки. Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации- диод СВЧ 2А108А, ТРЗ.360.086 ТУ.
Постоянное прямое напряжение
ПРИ U= 0,005мА
I = 0 5 мА
пр
I 10 мА
пр
Постоянное обратное панряжение
Коэффициент шума
Коэффициент передачи
Выходное сопротивление
не менее	0,3 В
не менее	0,55 В
не менее	0,7 В
не менее	0,8 В
нс более	7 дБ
не менее	0,6
50. .180 Ом	
Разброс электрических параметров в паре
Постоянное прямое напряжение
Постоянное обратное напряжение
Выходное сопротивление
не более 15 мВ
не менее 0,5 В
50... 180 Ом
11реде 1Ы1ые эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность
Непрерывная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействий
(не более 15 мин)
Импульсная рассеиваемая мощность
(tM< 1 мкс, Q > 1000, Т=-60...100”С)
Импульсная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
(не более 15 мин), (1и< 1 мкс, Q > 1000)
Напряжение гетеродина д зя диапазона
частот 1...100 МГн при
Т +25 С
Т=+ 85"С в течение 100 ч
Т - 60. .+125 С
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
50 мВт
100 мВт
50 мВт
1 )0 мВт
1 В
1 В
0,4 В
-60...+ 125°С
15000 ч
25 лет
Примечания- 1 СВЧ-параметры измеряются в режиме
Рга= 1 мВз, 1^= 100 Ом. 2. При установке диода в диодную
камеру следует предварительно касаться рукой заземленного
устройства. 3. Допускаются использование диодов с внешним
смешением 0,2 .0,4 В при мощности гетеродина 0,5. .1,0
мВт, а также применение парных диодов в однополярном и
разнополярном режимах.
Электрические параметры
Потери преобразования при
Т=+25С Т бОи+125'С	не более 5,0 дБ не более 6,5 дБ
Выпрямленный ток Нормированный коэффициент	не менее 0,7 мА
шума (расчетный) Коэффициент стоячей волны	не более 6,5 дБ
по напряжению	не б< тее 1,5
Выходное сопр ивление	425...575 Ом
15
!-Прб,дБ
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
2А109А, 2А109АР
Диоды кремниевые, точечные, смесительные.
Предназначены дзя применения в преобразователях частоты
сантиметрового диапазона дтии волн Выпускаются в
металлосгекляппом корпусе с жесткими выводами тина КД
122А (рис.1.17). Диоды выпускаются подобранными в пары
и обозначаются 2А109АР. Тип диода и схема соединения
электродов е выводами приводятся на этикетке. Маркируются
красной точкой у положительного электрода Масса диода не
более 0,15 г. Пример записи условного обозначения при
заказе и в конструкторской документации диод СВЧ
2A109AjTP3. 360.091 1У
>лектрические параметры
О 0,5 1,0 1,5 Рпд,мВт 0 0,5 1,0 1,5 Рп3,мВт
Погсря преобразования при
1 i25c Т=-60 и Н25*С	нс более 6,5 дБ не более 8,0 дБ
Выпрямленный ток 11ормированный коэффициент	не менее 0,9 мА
шума (расчетный) Коэффициент стоячей волны	не более 8,5 дБ
по напряжении	пе более 1,6
Вт сходное сопротивление	220 .380 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Рис.1.16. Зависимости инходного шумового отношения (а),
нормированного коэффициента шума (6), выпрям-тет него тока
(в) потерь преобразования (г), вы дно > сопротивления (д) от
•м 1ера уры, выпрям. ниого тока (е), потерь преобразования
(ж) выходного coupon вления (з), выходного шумового отиоше
иия (и) нормт ровзнного коэффициент а шума (к) от непрерывной
падающей СВЧ мощности
Потери преобразования
Выпрямленный ток
Выходное сопротивление
не более 0,5 дБ
не более 0,1 мА
не более 50 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т от -60 до + 85"С	20 мВт
Т=+125"С	10 мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность при кратковременном воздействии (не более 1 ч)	100 мВт
Импульсная падающая мощность (t„< 1 мкс, Q > 1000,1 =-60...100‘С) Импульсная падающая мощность при кратковременном воздействии	300 мВт
(не более 5 мин), (tM< 1 мкс, Q > 1000) Мощность плоской части просачивающегося	500 мВт
герез разрядник импульса	100 мВг
Энергия одиночного импу тьса	0,3 эрг
Температура окружающей среды	-60...з 125’С
Минимальная наработка	10000 ч
('рок сохраняемости	25 тез
16
П р и м е ч а и и я . 1. СВЧ-параметры измеряются в режиме:
Р 1 мВт, = 100 Ом. 2. Диоды выдерживаютвоздействие
непрерывной СВЧ мощности 150 мВт в течение 10 мин. а
также температуру +150' С в течение 15 мин. 3. Потери
преобразования при уровне ограничения входного сигнала
100 мкВт ухудшаются не более чем на 1 д!>
•чорм*ДБ
		9,0			
		8,5			
		8,0		s'	
		<5			
					
-60 о 60 т°с
а
-60 О 60 Т°С
_____Гвь2, 0 м
					
		.520			
		430		—	’ ——
		440			—
-60	‘0	60 т°с
6,00
6,76
5,50
5,25
0,5 1,0 Рлд,мВт
ок
е
Рис.1.18. Зона возможных положения зависимостей:
нормированного коэффициента шума (а), выпрямленного тока
16 , bi 1ХОДНОГО шу мового отношения (в) поерь иреобраювания
(г), коэффициента стоячей волны по напряжению (д). выходного
сопротивления (е) от температуры, потерь преобразования (ж),
нормированного коэффициента шума (з) от непрерывной
падающей СВЧ-мощности
ИзготовителыТомилипский завод полупроводниковых
приборов.
ЗА110А, ЗА110Б, ЗА110АР, ЗА110БР, АА110А,
АА110Б, АА110АР, АА110БР
Диоды арсепидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные,
смесительные. Предназначены для применения в
преобразователях частоты сантиметрового диапазона длип
волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
жесткими выводами типа КД-106. Габаритный чертеж
соот ветствует прибору 2А107 (рис. 1.14). Диоды выпускаются
подобранными в пары и обозначаются 2А110АР, АА110АР
'1нп диода и схема соединения электродов с выводами
приводятся на этикетке Маркируются кодом: первая цифра
указывает на тип диода (для ЗА110А - цифра 6, для ЗА110Б -
цифра 7). вторая - квартал выпуска диода, третья последняя
цифра) - год выпуска диода. Масса хиода не более 0,15 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ ЗА110А,
1Т3.360.06Х ГУ-диод СВЧ АА110А, аАО.336.Ю2 ГУ
Электрические параметры
Потери преобразования при
1 +25’С	ЗА110А.АА1 ЮА
ЗЛ1ЮБ,АА110Б
Г--60 и + 125’С ЗА1 ЮА,АА1 ЮА
ЗАПОБ.ААНОБ
Выпрямленный ток
1 [ормированпый коэффициент
шума	ЗА1 ЮА, АЛ I ЮА
ЗА1ЮБ.АА1ЮБ
К >ффицмент стоячей волны по
напряжению ЗАПОА.ААНОЛ
ЗЛ1ЮБ,АА1ЮБ
Выходное сопротивление
ЗАНОЛ.ААНОА
ЗА1ЮБ,АА1ЮБ
не более 6,5 дБ
не более 6.0 дБ
не ботее 8,0 дБ
пе более 7,5 дБ
0,9-2,5 мА
не более 8,0 дБ
не более 7,5 дБ
не более 2,0
пе более 1,6
200...500 Ом
210 .490 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования	не более 0,5 дБ
Выпрямленный ток	пе более 0,15 мА
Выходное сопротивление	не более 30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при Т "от -60 до +Ю0”С	50 мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность при кратковременном воздействии (не более 3 ч) при Т 60 ..+85’С Импульсная падающая мощность	100 мВт
(tH< 0,5-1 мкс, Q > 1000, Т=-60...Ю0'С)	200 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность (tH^ 0,5-1 мкс, Q > 1000, Т—60 .,100‘Q Импульсная рассеиваемая мощность при кратковременном во действии	150 мВт
(не более 3 ч), (1^ 1 мкс, Q > 1000) Значение допустимого статического	300 мВт
потенциала, не более Энергия одиночного импульса	100 В
(1и > 3 мс, f 1000 Гц)	0,2 эрг
Энергия выгорания	5 эрг
Температура окружающей среды	-60...+ 125”С
Минимальная наработка	15000 ч
2 СВЧ-приборы
17
Изготовитель Томилинский завод полупроводниковых
приборов
Срок сохраняемости
25 лет
Примечания: 1. Изменение максимально допустимой
непрерывной и импульсной рассеиваемых СВЧ-мощностей в
диапазоне температур окружающей среды от +65 до +125 е С.
линейное со скоростью 0,9 %/"С. 2. Разрешается использование
диодов с внешним положительным смещением, не
превышающим 6,5 В, а также с обратным включением
3 Допускается увеличение частоты повторения импульсов
более 1000 Гц (до 20000), при этом минимальная наработка
сокращается обратно пропорционально частоте повторения
4 СВЧ параметры измеряются в режиме Рга= 3 мВт >. = 2 см,
R* = 100 Ом.
ЗА111А, ЗА111Б. ЗА111АР, ЗА111БР, АА111А,
ААП1Б, АА111АР, АА111БР
Диолы арсепилогаллиепые, планарно-эпитаксиаль тые, с
барьером Шоттки, смесительные Предназначены для
применения в преобразователях частоты сантиметрового
диапазонадлип воли. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с жесткими выводами типа КД-106. Габаритный
чертеж соответствует прибору 2А107 (рис.1.14). Тин диода
и схема соединения электродов с выводами приводятся на
этикетке. Диоды выпускаются иодобраннымивпарыЗАНОАР,
ЗА110БР, АА1 ЮАР, АА110БР - одной полярности, ЗА111ААР,
ЗА111ББР, АА111ААР, АА111ББР - обратной На корпусе
обратной полярности ставится зеленая точка. Масса диода
не более 0,2 г. Пример записи условного обозначения при
заказе и в конструкторском документации диод СВЧ
ЗА111А1ТЗ 360.071 1У диод СВЧ AAI ПА.аАО 336.103 ТУ
Электрические параметры
Рис 1 19. Зависи тости тормированного коэффициента шума (а),
выпрямленного тока (6), выходного сопротивления (в), потерь
преобразования (г) от температуры, потерь преобразования (д),
выпрямленного тока (е), выходного сопротивления (ж),
иормиров иного коэффициента шума (з) от непрерывной пада-
ющей СВЧ мощности
Потери преобразования при
Т=+25’С	ЗА111А, AA11IA
ЗАШЬ, АА111Б
Т=-60’С	ЗА1 палаша
ЗА111Б.АА111Б
Т + 125°С
Выпрямленный ток
Нормированный коэффициент
шума	ЗА111А,АА111А
ЗА111Б,АА111Б
Коэффициент стоячей полны по
напряжению
Выходное сопротивление
не более 6,0 дБ
не более 5,5 дБ
не более 7,0 дБ
не более 6,5 дБ
не более 7,0 дБ
1.0...2,5 мА
не более 7,5 дБ
не более 7,0 дБ
нс более 1,8
300...560 Ом
Разброс электрических параметров в паре
Потери преобразования
Выпрямленный гок
Выходное сопротивление
не более 0,5 дБ
не более 0,15 мА
нс более 30 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность
Непрерывная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
(не ботее 10 мин)
Непрерывная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
(не более 24 ч), при Т=+25'С
Импульсная падающая мощность
(t< 0,5-1 мкс, Q > 1000, Т -6О...+85“С)
Импульсная папаюп ая мощность при
кратковременном воздействии (не более
10 мин) (tH< 1 мкс, Q > 1000, Т=+25°С)
Энергия выгорания
50 мВт
500 мВт
300 мВт
550 мВт
750 мВт
5 эрг
18
Изготовитель. Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
Значение допустимого статического
потенциала не более
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
100 В
-6О...+ 125°С
25000 ч
25 лет
ЗА112А, ЗА112АР, ЗА112АГ, АА112А, АА112Б,
АА112АР, АА112БР, ААП2АГ, АА112БГ
Примечания 1. СВЧ параметры измеряются в режи-
ме: Р 3 мВт X = 2 см. 2. Допускаются использование
диодов с внешним положительным смещением, не
превышающим 0,5 В а также кратковременное (не более 20
мни) воздействие температуры окруающей среды до + 125°С.
Диоды арсенидогаллиевые, планарно эпитаксиальные, с
барьером Шоттки, смесительные Предназначены для
применения в преобразователях частоты сантиметрового
диапазона длин волн в составе гибридных интегральных
микросхем и микросборок, обеспечивающих герметизацию
и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана,
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного
давления Выпускаются в стеклянном корпусе с жесткими
выводами типа КД-1-3 (рис 1.21). Диоды выпускаются
подобранными в пары и четверки и обозначаются
ЗА112АР, ЗА112АГ, АА112АР, АА112АГ. Тип диода и схема
соединения электродов с выводами приводятся на
индивидуальной таре. Отрицательный вывод диода - со
стороны кристалла. Масса диода не более 0,035 г Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СВЧ ЗА112А. ТТЗ.336.023 ТУ, диод
СВЧ ЗА112АР, ЗА112АГ, П 3.336 023 ТУ/Д2, диод СВЧ
АА112А, ТТ3.360.066 ТУ
Вывод 7

6-10
2,8
$-10
Рис. 1 21

Ри 1 20. Зона возможных положений зависимостей
нормированного коэффициента шума (а), выпрямленного тока
(6), потерь преобразования (в), выходного сопротивления (г) от
температуры выходного сопротивления (д), выпрямленного
тс ка (е), отерь преобразования (ж) от непрерывной падающей
СВЧ мощности; предельной рассеиваемой мощности от длины
волны (з)
Вывод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при
Т +25°С
Т=-60'С и+125’С-для ЗА112А
Выпрямленный ток
Нормированный
коэффициент шума
Коэффициент стоячей волны по
напряжению ЗА112А,АА112Г>
АА112А
Выходное сопротивление ЗА112А
АА112А АА112Б
5,0* 5,5* 6,0 дГ»
не более 7 5 дБ
1,0. .1,7*...2,5 мА
6,0» .6,5* 7,0 дБ
1,3*.. .1,55*...1,8
1,1 * 1,2*. 1,3
300 550 Ом
440. .550*.. 640 Ом
Разброс электрических параметров в парах и четверках
Постоянное прямое напряжение
ПРИ	1„р~0,1 и 1,0 мА
1пр 10 мА
Потери преобразования
Выпрямленный ток
Выходное сопротивление
Общая емкость диода (0^=0)
не более 20 мВ
не более 30 мВ
0* .0,25*. 0,5* дБ
0* ..0,15* ..0,25* мА
0*...70*... 140* Он
0*...0,03*...0,07*'пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность
(Т= 60 +85 С)
20 мВт
2
19
Непрерывная рассеиваемая
мощность (Т + 125’С)
Импульсная рассеиваемая мощность
(t„< 1 мкс, Q > 1000,1 -6О...+85°С) ЗА112А
АА112А.АА1 Г2Б
при Т=+125’( ЗА112А
Энергия импульса выгорания для ЗА112А
Значение допустимою статического
потенциала, не более
Температура окружающей среды
Предельная повышенная температура
окружающей среды при кратковременном
воздействии (нс более 20 мин)
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
3,3 мВт
150 мВт
300 мВт
25 мВт
0,5 эрг
200 В
-60...«100’С
+125 ®С
25000 ч
25 лет
Примечания 1 СВЧ-параметры измеряются в режиме
Рш' 3мВт, Х= 3,2см 2 Изменение максимально допустимых
непрерывной и импульсной рассеиваемых СВЧ-мощностей в
диапазоне температур окружающей среды от +85 до +125°С
-линейное 3 Изгиб выводов допускается не ближе 1 мм от
корпуса с радиусом закругления 2 мм. 4 При увеличении
частоты повторения импульсов более 1 кГц минимальная
наработка уменьшается обратно пропорционально частоте
повторения импульсов.
Рис. 1.22 Зависимости выпрямленного тока от температуры (а);
выпрямленного тока (б), потерь преобразования (в), норми-
рованного коэффициента (пума (1), выходного сопротивления (д)
or непрерывн Впадающей СВЧ мощности выпрямленного тока
от напряжег ия (е)
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир”, г.Москва
ЛАНЗА-1, АА113Б-1
Диолы арсепидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шоттки, смесительные. Предназначены для
применения в преобразователях частоты дециметрового
диапазона длин волн в составе гибридных интегральных
микросхем и микросборок, обсспечивюших герметизации» и
защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана,
плесневых грибов инея и росы, пониженного и повышенного
давления. Выпускаются в бескорпусном исп< шепни с
гибкими выводами, без кристаллодержагеля (рис.1.23).
Положительный вывод со стороны плющинки с косым
срезом. Полярность, товарный итак, тип диода, и дата
изготовления наносятся па ярлык,вкладываемый в групповую
лару. Масса диода пе боясс 0,00) г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации-
диод СВЧ АА113А 1 ТГЗ 360.080 ТУ
Вывод 1
Вывод 2
Электрические параметры
Потерн преобразования ЛАНЗА АЛПЗЬ	5,0*..5,5*.6,0 дБ 5,()1Т..5.5У..6,5 дБ
Выпрямленный ток	0,7 ..1,75* 2,5 мА
11ормированный коэффициент шума	АЛ 11 ЗА	6,5*...7,0* 7,5 дБ
АА113Б	6.5*...7,5*...9,0 дБ
Коэффициент стоячей волны по напряжению	1,5* 2,£ .3,5
Сопротивление диода в нулевой точке	не менее КИЮ Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая мощность
(Т=-60...+ 100 С)
Непрерывная падающая мощность
при кратковременном воздействии
(не более 24 ч) при Г +25’С
Импульсная падающая мощность
(Т=-б0...-1100‘С)
Импульсная падающая мощность
при кратковременном воздействии
(не более 10 мин) при Г=+25’С
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Срок сохраняемости в составе ГС
50 мВ1
200 мВт
100 мВт
400 мВт
-60... з 100’С
5000 ч
8 лет
Примечания:!.' СВЧ-параметры измеряются в режиме:
3 мВт, 3,2 см 2 Допускаются использование диодов
в детекторном режиме, а также с внешним положительным
смещением, нс превышающим 0,6 В при меныпей мощности
гетеродина. 3 Изгиб выводов допускается не ближе 0 3 мм от
20
корпуса с радиусом закругления 0,15 мм. 4.( монтированный
в микросхему диол рекоменжуася защищать компаундом (в
качестве кясюшего вещества-компаунда применять лак КО-
815 и и Д 9, НК-9)
Рис. 1.24. Зависимости: выпрямленного тока (а), потерь
преобразования (б), нормированного коэффициента щума (в),
выходного сопротивления (г), выходною шумового отношения
(д) от непрерывной падающей СВЧ-мошности; потерь
преобразования е),н рмированного коэффициента шума (ж) от
емнературы
Изготовитель Завод при НИИ "Сапфир", г. Москва
ЗА114А, АА114А
1ноды арсенидогаллиевые, п ланарно-эпитаксиальные, с
барьером Шоттки, смесительные. Предназначены для
применения в пре<юра ювателях частоты миллиметрового
диапазона длин волн. Выпускаются в металлостсклянном
корпусе с коаксиальными выводами типа КД 127. 1абаритный
чертеж соответствует прибору 2А101 (рис. 1.2). Тип диода и
схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе. Масса диода нс более 1,5 г. Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СВЧ ЗА114А, ФЫО 336.027 ТУ; диод
СВЧ АА114А, аАО.336 054ТУ
Электрические параметры
Потери преобразования при
Т=+25’С
Т=-60 и +125"С
Выпрямленный ток
Нормированный коэффициент
шума
Коэффициент стоячей волны
по напряжению
Выходное сопротивление
не более 7,0 дБ
не более 8,0 дБ
не менее 0,5 мА
не более 9,0 дБ
нс более 2,5
275. 825 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH< 1 мкс, Q > 1000)
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
10 мВт
100 мВт
-60.. +85”С
25000 ч
25 лет
Примечания. 1. СВЧ-параметры измеряются в режиме
Рга- 2 мВт,	400 Ом Д = 8 мм. 2. Допускается использование
диодов в детекторном режиме, а также с внешним током
смещения, не превышающим 0,3 мА
21
Inc 1 25 Зависимости: потерь преобразования (а), выходного
сопротивления (б), выпрямленного тока (в) от температуры,
потерь преобразования оз частоты (г), потерь преобразования (д),
нормированного коэффициента шума (е), выходного со
противления (ж), выпрямленного тока (з) от Непрерывной
падающей СВЧ-мошности: выпрямленного тока от обратного
напряжения (и)
Изготовитель: Томский завод при НИИ полупроводниковых
приборов.
ЗА115А, ААИ5А
Диоды арсенидогаллиевые планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шоттки, смесительные Предназначены для
применения в преобразователях частоты сантиметрового
диапазона длин волн. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с жесткими выводами типа КД 116 (рис.1.26).
Диоды нс маркируются; товарный знак, тин диода, полярность
и дата изготовления наносятся на ярлык, вкладываемый в
групповую тару Положительный вывод - со стороны фланца.
Масса диола не более 0,05 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации
диод СВЧ ЗА115А, ТТО.336.024 ТУ; диод СВЧ АА115А,
аАО.336.280 ТУ.
Вывод 1
Ф24
*Ц72
45
'Вывод 2
Вывод 1
Вывод 2
Рис. 1.26
Электрические параметры	
Потери преобразования при Т=+25°С	нс более 5,0 дБ
Т+125'С	не более 6,5 дБ
Т---60С	не более 6,0 дБ
Нормированный коэффициент шума	не более 6,0 дБ
Выпрямленный ток	1,2...2,5 мА
Выходное сопротивление	200 ..500 Ом
Коэффициент стоячей волны по напряжению	нс более 1,8
Постоянное прямое напряжение (1^-Ю мА) не более	0.55 В
Постоянное обратное напряжение	не менее 20 В
41J
Последовательное со11ротивлейис
(1^=10 мА)	не более 6 Ом
1-мкость диода (U^ =0)	не более 0,58 пФ
Емкость корпуса диода	не более 0,35 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность
при Т=-60... 185”С
Непрерывная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
(не более 10 мин) при Т -60. ,+85’С
Импульсная рассеиваемая мощность
(1„<1 мкс, f 1000 Гц, Т -60...+85"С)
Импульсная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
(не более 10 мин),(1м< 1 MKC,f 1000Гц)
Максимально допустимая энергия
СВЧ импульсов (1н< 3 нс, f : 1000 Гн)
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
30 мВт
150 мВт
300 мВт
400 мВт
0,3 эрг
-60... । 125’С
10000 ч
15 лет
Примечания' 1. СВЧ-параметры измеряются в режиме*
Р11м = 3 мВт f 9375 ГГц, R, 100 Ом. 2 Допускается
увеличение частоты повторения импульсов до 20к1 ц при
ги<2.10 1 с. 3. Изменение максимально допустимых
непрерывной и импульсной рассеиваемой СВЧ-мощностей
в диапазоне температур окружающей среды от +85 до +125 С
(линейное до 7 мВт непрерывной и до 50 мВт импульсной
мощности). 4 При увеличении длительности импульсов
максимально допустимая импульсная мощность изменяется
обратно пропорционально длительност и импульса
5. Разрешается пайка кторцевой части диода при температуре
нс выше 150X2 в течение 1 мин
22
Электрические параметры
'Вых, O'"1
Потери преобразования
Выпрямленный ток
Нормированный коэффициент шума
Выходное сопротивление
Последовательное сопротивление
(1^=10 мА)
Постоянное прямое напряжение
(^=1 мА)
Постоянное обратное напряжение
(><*,= Ю мкА)
Емкость перехода (LJ=O)
Конструктивная емкость
Энергия выгорания
4,5*,..5,5 дБ
0,8...1,25*...1,6 мА
6,3*...7,0 дБ
250...350*...450 Ом
8* 15* Ом
0,2*...0,39*...0,45* В
3*. .8* В
0,3*...0,4*...0,5* пФ
0,1*...0,15*...0,3* пФ
10*...15* эрг
Параметры в режиме детектирования
Рис.1.27. Зона возможных положений зависимостей:
выпрямленко о тока (а) потерь преобразования (6), выходного
сопротивления (в), нормированного коэффициента шума (г) от
непрерывной падающей СВЧ-мощности, выпрямленного тока
(д), потерь преобразования (с), выходного сопротивления (ж) от
температуры
Рис. 1.28. Зависимости, непрерывной н импульсной рассеиваемых
мощностей от температуры (1-кратковременная импульсная, 2-
длительная импульсная, 3-кратковремеиная непрерывная 4-
длител ная непрерывная) (а), импульсной рассеиваемой мощности
от длительности импульса: 1-при кратковременном воздействии,
2-при длительном (6)
Коэффициент качества (типовое значение) 80 Вт |/2
Дифференциальное сопрот ивление
(типовое значение)	750 Ом
Предельные ксплуата (ионные данные
Henpi рывная рассеиваемая мощность
(Т--60...+85’С)
Импульсная рассеиваемая мощность
(Т=-60...+85°С)
Энергия одиночного импульса
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Срок сохраняемости в составе ГС
150 мВт
500 мВт
0,5 эрг
-60...+125°С
25000 ч
25 лет
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир",г Москва.
2А116А-1
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шоттки, смесительные Предназначены для
применения в преобразователях частоты дециметрового
диапазона длин волн в составе гибридных интегральных
микросхем и микросборок, обеспечивающих герметизацию
и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного
давления Выпускаются в бескорпуспом исполнении с гибкими
выводами на кристаллодержателе (рис. 1.29). Полярность
товарный знак, тип диода, и дата изготовления наносятся на
ярлык, вкладываемый в |рупповую тару. Масса диода нс
более 0,001 г Пример записи условного обозначения при
заказе нв конструкторской документации диод СВЧ 2А116А 1,
aAO.339.I04 ТУ
Примечания:! СВЧ-параметры измеряются в режиме*
1 мВт, X 10 см, R^. 100 Ом 2. При монтаже в ГС диод
устанавливается в разрыв микрополосковой линии 1,0...1,5
мм. Расстояние от места подключения диода к микрополоску
- не менее 0,5мм. Допускаются перевернутый монтаж диода,
изгиб выводов с радиусом закругления 0,15 мм на расстоянии
не менее 0, 3 мм от кристалла, а также пайка с припоем при
температуре нс более 190”С в течение не более 20 с
Присоединение выводов к микрополосковым линиям ГС
рекомендуется производить с помощью импульсной или
ультразвуковой сварки Смонтированный в ГС диод
рекомендуется защищать компаундом типа ЭП-91
3. Разрешается применение диодов в режиме детектирования,
а также в диапазоне длин волн более 10 см и в схемах с
промежуточными частотами 3. .60 МГц.
Вь вод 7
Вывод 2
23
Гвых, Ом	_______1-ПР6.ДБ
-50	0	50	700 Т‘С -50 О 50	700 Т°С
и	к
Рис.1.30. Зона возможных положений зависимостей: потерь
преобразования (а), нормированного коэффициент шума (о),
выпрямленного тока(в), выходного сопротивления (г), вых иного
шумового отношения (д) от н< рсрывной падающей СВЧ-
мошности: нормированного коэффициента шума (е), выпря
мленноготока(ж .выходного шумового отношения (з), выходного
сопротивления (и) потерь преобразования (к) от температуры
Изготовитель Томилинский завод полупроводниковых
приборов
ЗА117А-6, ЗА117Б-6
Диоды арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шоттки, смесительные Предназначены для
применения в преобразователях частоты сантиметрового
диапазона длин воли в составе гибридных интегральных
микросхем и микросборок. обеспечивающих герметизацию
и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана,
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного
дав тения. Выпускаются в бескорпусном исполнении с
жесжимии выводами па крисгаллодержателе (рис.1.31).
Товарный тпнк, тип диода, и дата изготовления наносятся на
ярлык, вкладываемый в групповую тару. Маркируются
цветной точкой у основания плюсовой контактной площадки:
ЗА117А-6 - синей,ЗА117Б-6 - желтой.Масса диода нс более
0,01i. Пример записи условного обозначения при заказе и
в конструкторской докуме1ггаиии: диол СВЧ ЗА117А-6,
aAO.33J.6o5 1У.
Вывод 1
Вывод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при
Т=+25‘С	ЗА117А-6
ЗА117Б-6
Т--60и+125~С ЗА117А-6
ЗА 117 Г» 6
Выпрямленный ток
Нормированный коэффициент
шума	ЗА117А-6
ЗА117Б 6
Коэффициент стоячей волны
по напряжению
Выходное сопротивление
ЗА117А-6
ЗА117Б 6
4,0*.„4,5*...5,0 дБ
4,6*...5,0*...5.5 дБ
не более 5,8 дБ
не более 6,3 дБ
1,2...2,0*...3,0* мА
5,2*...5,6*...6,0 дБ
6,0*...6,3*...7,0 дБ
1,05*...1,4*.„2,0
220. 350* 480 Ом
200.. 350* 500 Ом
Предо >ьиые эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т=-60 .+85'С	ЗА117А-6	25 мВт
ЗА117Б 6	30 мВт
Т=+125°С	10 мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность при кратковременном воздействии (нс более 10 мин) при	
Т=-60 185"С ЗА117А-6	85 мВт
ЗА117Б 6	100 мВт
Г =+125 С	ЗА117А-6	30 мВт
ЗА117Б 6	35 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при	
Т --6О...+85°С	100 мВт
Т 1125“С	35 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при кратковременном воздействии (нс более 10 мин) при	
1 -60 +85'С	200 мВт
Т + 125°С	75 мВт
Температура окружающей среды	-60 +125’С
Минимальная наработка в составе ГС	25000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
Энергия выгорания	10* эрг
24
Примечания I СВЧ параметры измеряются в режиме.
Р1ц 3 мВт, X 3,2 см. 2. Изменение максимально
допустимых непрерывной и импульсной рассеиваем ьс. ВЧ-
мошпостей в диапазоне температур окружающей среды от
+ 85 до + 125°С линейное 3. Допускается применение диолов
Рис 1 32 Зависимость потерь преобразования от данны полны
Рис.1 33. Зона возможных положений мвисимостей: потерь
преобразования (а), выхолноюсопротнвлсиия (б), нормированного
коэффициента шума (в) от непрерывной падающей СВЧ мош
пости; выходного сопротивления (г), нормированного коэф-
фициента шума (л) от напряжения смешения
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов
2А118А, 2А118А-6
Диоды кремниевые планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шоттки, смесительные. Предназначены для
применения в преобразователях частоты дециметрового
диапазона длин волн Выпускаются в металлокерамическом
корпусе с жесткими выводами (рис. 1.34) и в бескорпусном
исполнении в виде кристалла с контактными площадками на
кристаллодержатеде. Габаритный чертеж бескорпусного
прибора соответствует прибору 2А117А 6 (рис. 1 31)
Бескорпусныс диоды предназначены для применения в составе
гибридных интегральных микросхем и микросборок,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от
воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея
и росы, пониженного и повышенного давления. Полярность,
товарный знак, тип диода, и дата изготовления наносятся на
ярлык, вкладываемый в групповую тару. Диоды выпускаются
подобранными в пары и обозначаются 2А118АР.2А118АР 6.
Масса диода нс более 0,001 г (бескорпусныс) и 0,3 г
(корпусные). Пример записи условного обозначения при
заказе и в конструкторской документации диодСВЧ 2А118А.
аАО.339.018 IV.
Электрические параметры
Потери преобразования при
Т=+25°<
Т=-60 и +125
Выпрямленный ток
Нормированный коэффициент
шума (расчетный)
Выходное шумовое отношение
Коэффициент стоячей волны
по напряжению
Выходное сопротивление
Постоянное прямое напряжение
«пр 1 ***)
Постоянное обратное напряжение
(Цр 10 МКА)
Общая емкость
I мкость корпуса
Индуктивность диода
нс более 6,0 дБ
не более 7,0 дБ
0,8. 2,5 мА
не более 7,5 дБ
нс более 1,3
не более 2,0
160 400 Ом
не более 0,5 В
не менее 4 В
не более 0,45 пФ
не более 0,2 пФ
нс более 10 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т-от -60 до +85 С
Т*+125°С
Непрерывная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
(не более 10 мин) при
Т=от -60 до +85‘С
Т + 125’С
50 мВт
10 мВт
150 мВт
30 мВт
25
ЗА119А-6
Импульсная рассеиваемая мощность
(I < 1 мкс, Q > 1000) при
Т от -60 до +85"С
Т-+125’С
Импульсная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
(нс более 10 мин),П < 1 мкс, Q > 1000)
при Т=ог -60 до । 85'С
Г=+125’С
Энергия одиночного импульса
Темперагура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
100 мВт
20 мВт
200 мВ»
40 мВт
0,3 эр»-
-60...+125’С
25000 ч
25 лет
Примечание: СВЧ-параметры измеряются в режиме
Р 1,5 мВт, R, 100 Ом, л - 2 см.
ид	’ пос
Диоды арсенпщиаллисвыс, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шоттки, смесительные. Предназначены для
применения в преобразователях частоты сантиметрового
диапазона длин волн в составе гибридных интегральных
микросхем и микросборок, обеспечивающих герметизацию
и защиту приборов о» воздействия влаги, соляного тумана,
тесневь х »рибов, инея и росы, пониженного и повышенного
давления. Выпускаются в бескорпусном исполнении с
жссткимии выводами на кристаллодержагеле. I абаритный
чергеж соответствует прибору 2А117А-6 (рис. 1.31). Товарный
знак, тит» диода, и ца»а изютовления наносятся на ярлык,
вкладываемый в групповую тару. Масса диода не более 0,01г
Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации, диод СВЧ ЗА119А-6,
аАО.339.055 ТУ
Электрические параметры
11о»ери преобразования при
Т=+25°С
Т -60 и + 125’С
Выпрямленный ток
Нормированный коэффициент
шума
Коэффициент стоячей полны
по напряжению
Выходное сопротивление
Общая емкость
Емкость перехода
Емкость держателя
Индуктивность диода
Последовательное сопротивление
5.0*...5,5*...6,0 дБ
не более 7,0 дБ
0,8.. 1,6*. .2,0* мА
6, * 7,0* .7,5* дБ
1,0* .1,6*. .2,0
200...350*...500 Ом
0,14 .0,2* .0,35 пФ
0,09...0,14*...0,26 пФ
0,05...0,06*...0,09 пФ
1,2...1,5*...1,8 нГн
5* * .15 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при
1 -60..Н85’С
Г= t 125'С
Импульсная рассеиваемая моптность при
Т—бО...-t 85’С
Т з 125’С
Энергия одиночного импульса
Энергия выгорания
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Срок сохраняемости в составе ГС
25 мВт
10 мВт
100 мВт
35 мВт
0,15 эрг
5* эрг
-60. + 125’С
25000 ч
25 лег
Примечания* 1. СВЧ-параметры измеряются в режиме.
= 3 мВт, X = 2 см, Rno( 100 Ом. 2. Изменение
максимально допустимых непрерывной и импульсной
рассеиваемых СВЧ - мощностей в диапазоне температур
окружающей среды от +85 до Н25’ С линейное.
Рис 1.35. Зона возможных положений зависимостей выпрям-
ленного тока (а) нормированною коэффициента шума (6), потере
преобразования (в) от н ^прерывной падающей СВЧ-мощности;
потер, прообразевашя от температуры (г); нормированного
коэффициента шума от частоты (д)
Изготовитель: Томилинский завод полупроводник вых
приборов.
26
Lnp6, дБ
2А120А,КА120А,КА120Б,КА120В
Рис 1.36 Зона возможных положений <авнсимостей
нормированного коэффициента шума (а), потерь преобразования
(6), выходного сопротивления (в) от напряжения смешения,
выпрямленного тока (|), потерь преобразования (д), норми-
рованного коэффициента шума (е), выходного сопротивления
(ж) от непрерывной падающей < .ВЦ-мощности; нормированного
коэффициента шума от частоты (з)
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные,
смесительные. Предназначен дли применения в
преобразователях частоты дециметрового и сантиметрового
щапазопов длин воли. Выпускаются в металлостсклянном
корпусе с гибкими выводами типа КД 1 -3. Габаритный чертеж
соответствует прибору 2А112 (рис.1.21). Тип диода и схема
соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
Отрицательный вывод со стороны кристалла. Масса диода не
более 0,15 г. Пример записи условного обозначения при
заказе и в конструкторской документации: диод СВЧ 2А120А,
аАО .436.068 1У, диод СВЧ КА120А, аАО 336.261 ТУ
Электрические параметры
I [отери преобразования при
Т=+2> °C 2А120А.КА120А
КА120Б
КЛ120В
Т з 125 °C 2Л120А. КА120А
КА 120 Б
КА 120В
2А12ОА.КА12ОА
КА120Б
КА120В
Выпрямленный ток
2Л120А.КА120А
КЛ120Ь,КА120В
I [армированный коэффициент
шума 2А120А.КА120л,КА120Б
КА 120В
Коэффициент стоячей водны
по напряжению 2А120Л,КА120А
КА120Б
КА120В
Выходное сопротивление
Постоянное прямое напряжение
при	I I мА
1пр = 100 мкА
11остоянное обратное напряжение
(1о6р = 1°мкА)
11остедователыюе сопротивление
(U = ЮмА)
Узкость перехода (IJ^ O)
Емкость диода (17^=0)
Пос дело нательная и иду кти вноси»
4,0* 4,3* . 5,5 дБ
нс более 6,0 дБ
не более 7,0 дБ
не более 6,5 дБ
нс более 7,0 дБ
не более 8,0 дБ
нс более 6,0 дБ
не более 6,5 дБ
не более 7,5 дБ
0,5. 2,1 * 2,5 мА
нс менее 2,5 мА
5,2*. .6,2* .7,0 дБ
не более 8,0 дБ
не более 1,8
не более 1,3
не более 2,0
200 600 Ом
0,33*...0,40*...0,45* В
0,25*...0,30*...0,35* В
3* 4* 7» В
4*. .10*...20* Ом
0,05*...0,13*...0,15* пФ
0,1*...0,2*.. 0,25* пФ
1,5*...1,6*...1,7* нГн
Параметры диолов на частоте 1$ 1Гц
Потери преобразования
Нормированный коэффициент
шума
Выпрямленный ток
Выходное сопротивление
5,5*...6,0*...7,5* дБ
4,0»...4,6*...6,0* дБ
1,0*... 1,6*... 1,8* мА
200*...350*. 500* Ом
Пре тельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т от -60 до +40 С	50 мВт
Т=1125 С	25 мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
27
(не более 10 мин) при Т от -60 до +40 С
Т-+125С
Импульсная рассеиваемая мощность
(t < 1 мкс, Q > 1000) при Т-от -60 до МО С
Г«+125"С
Импульсная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
(..V бздсе 5 мнч). (t,< 1 мкс, Q > 1000)
при Г "от -60 до +40’С
Т=4 125(
Значение допустимого статического
потенциала
Энергия выгорания, нс менее
Диапазон рабочих частот
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
И неивность отказов, не более
Срок сохраняем >сти
100 мВ г
50 мВт
100 мВт
50 мВт
200 мВт
100 мВт
не более 3 В
10 эрг
0,3...18 ГГц
-60...Н25 С
25000ч
2-106 1/ч
25 лет
Рис.1 37. Зона в м жных положений зависимостей' потерь
преобразования (а), нормированного коэффициента шума (б),
вт тпрямлетшого тока (в), выходного сопротивления (г), шумового
отношения (л) от непрерывной падающей СВЧ-мощности,
нормированного коэффициента шума от частоты (с); потерь
преобразования (ж), нормированного коэффициента пума (з),
выпрямленного тока (и), выходного сопротивления (к) от
температуры
Примечания. 1. СВЧ-параметры измеряются в режи-
ме: Рм-|,5мВт. Rnis- 100 Ом, f^-9,375 ГГц. f„= 30 МГц.
2. Допускается использование диодов с внешним смещением,
не превышающим 0,3В. 3. Изменение максимально
допустимых непрерывной и импульсной рассеиваемых( В1!
мощностей в диапазоне температур окружающей среды от
+40 до +125"С линейное.
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир", г.Москва.
ЗА121Л, ЗЧ121АР, АА121
Диоды арсеиидоталяиеные, планарно-эпитаксиальные с
барьером Шоттки, смеси тельно-детекторные. Предназначены
* для применения в преобразователях частоты и детекторах
ми тлиметрт вого диапазона длин волн. Диоды выпускаются
подобранными в пары, обозначаются ЗА121 АР, используются
в балансных смесителях. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе типа КД-124, с жесткими выводами (рис.1.38).
Диоды нс маркируются, товарный знак, тип диода, полярность
и дата изготовления наносятся на ярлык, вкладываемый в
трупповуютару. Положительный вывод - со стороны крышки.
Масса диода не более 0,0015 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ ЗА121А, аАО.339.077 ТУ; диод СВЧ ЗА121АР,
аАО.339 077 ТУ, Д/2: диод СВЧ АА121А, аАО.336.316 ТУ.
Вывод 1
Вывод 2
Эт ктриче кие параметры
Потери преобразования при
Т +25"С
Г +85®С и 60°С
Нормированный ко эффициент
шума
Выпрямленный ток
Выходное сопротивление
Коэффициент стоячей войны
по напряжению
Постоянное прямое напряжение
(1^=10 мА) при Т-25’С
3,6*...5,71*...8,0 дБ
нс более 9,0 дБ
5,6*...7,2*. .9,0 дБ
0,3 ...0,77*’... 1,4* мА
200..35 * 600 Ом
2,05* 3,0
0.55 .1,2 В
28
T=-t 125 С
T-60C
Емкость корпуса диода
Последовательная индуктивность
диода
0,5...1,2 В
0,5...1,3 В
0,16 .0,2 пФ
0,3.0,65*... 1,3 нГн
Разброс электрических параметров в парах
Потери преобразования
Выпрямленный ток
Выходное сопротивление
не более 0,8 дБ
не белес 0,1 мА
нс более S0 Ом
Пре тельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая на диод мощность
Импульсная падающая на диод мощность
(R^ =100 Ом, (t S 4 мкс, f = 10000 Гц)
Максимально допустимая энергия
СВЧ-импульсов
Допустимое значение статическою
потенциала
Рабочий диапазон частот
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
15 мВт
100 мВт
6 эрг
15 В
18 - 40 ГГц
-60,..+85°С
50000 ч
25 лет
Примечания:!. СВЧ-параметры измеряются в режиме.
Ряо= 2 мВт, f1OM= 37,5 ГГц, Rj, - 100 Ом. 2 .Допускается
использование диодоввдсгскторном режиме без превышения
предельно допустимых режимов эксплуатации

Рис.1.39 Зона возможных положений хаиисиметтсй'
нормированною коэффициента шума (я), коэффициента стоячей
волны (б), по терт, П|я»браз >вания (в), ныхоттнгио сопротивления
(г), шумового отношения (д), выпрямленного тока (е) от
непрерывной падающей С ВЧ-мошности потерь Преобразованн!
от частоты (ж)
Изготовитель. (омский завод при НИИ полупроводниковых
приборов.
ЗАГ 122А-4, ЗАС122Б 4
Сборки из двухwподобранных арсеиидогаллиевых,
планарно-эпитаксиальных, сбарьсромШоттки смесительных
диодов. Предназначены для применения преобразователях
частоты сантиметрового диапазона длин волн в составе
гибридных интегральных микросхем н микросборок,
обеспечивающих терметизацию и защиту приборов ог
воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея
и росы, пониженного и повышенного давления. Выпускаются
в бескорпусноы исполнении с гибкими выводами на крисгал-
лодсржателс (рис. 1.40). Полярность, схема соединений,
товарный знак и дата изготовления наносятся на ярлык,
вкладываемый в групповую тару. Масса прибора не более
0,012 г. Сборка ЗАС122А-4 обозначается черной точкой па
обратной стороне прибора, ЗАС122Б 4 черной точки не
имеет. Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диодная пара СВЧ ЗАС122А-4
аАО.339.169 ГУ
Электрические параметры
Последовательное сопротивление
потерь (1^ 10 мА)
Нормированный коэффициент
шума	ЗАС122А 4
ЗАС122Б-4
(f= 3.06 ГГц)	ЗАС122Б4
3,0*...7,0*...12 Ом
4,9*. .5,5*...6,5 дБ
4,9*...6,1*...8,0 дБ
5,0*...5,8*,..6,5 дБ
29
Постоянное прямое напряжение
(1^=1	"I”1 Т-+25’С
Т 60 и т 125"С
Постоянное обратное напряжение
(U=10 мкЛ)
Неидснтичность постоянного
прямою напряжения при
Т -*25°С	ЗАС122Л-4
ЗАС122Б-4
Т=-60 и т 125'С ЗАС122Л 4
ЗАС122Б-4
Общая емкость диода
0,6*.„0,67*.„0,75 В
не более 0,85 В
4*	* .20* В
0,015* .0,02 В
0,02*...0,04 В
нс более 0,03 В
нс более 0,05 В
Рис.1.41. Зона возможных положений зависимостей: постоянного
прямого напряжения (а), постоянного образ него напряже шя (б),
неидентичности постоянного прямого напряжения (в),
нормированного коэффициента i уми (г) от емпературы;
нормированного коэффициента шума от непрерывной падающей
СВЧ мощности (л), нормированною коэффициента шума от
частоты (е)
(lJrf = 0 В) ЗАС122А 4
ЗАС122Б-4
Невдентичность общей емкости
ЗАС122А-4
ЗАС122Б-4
0,15...0,21*...0,35 пФ
0,15*...0,4*.„0,5 пФ
0,03* „0,05 нФ
0,04*.„0,1 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность
Импульсная рассеиваемая мощность
(t„< 0,3 мкс, f = 1000 Гц, Т»-60...+ 125’С)
АС122А 4
ЗАС122Б-4
Допустимое значение статического
потенциала
Рабочая частота
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Минимальная наработка в облеггенных
режимах (только для ЗАС122А 4),
(Рт1 2 20 мВт, или < 50 мВт и
Т от -10 до +60°С)в составе ГС
Срок сохраняемости в составе ГС
40 мВт
100 мВт
150 мВт
100 В
12 ГГц
-6О...+ 125°С
25000 ч
40000 ч
25 лет
Примечания: 1. СВЧ-параметры измеряются в режиме:
Рпи= 6 мВт, fKn<= 9,375 ГГц 2. Соединение выводов диодов с
элементами ГС рекомендуется производить не ближе 0,3 мм
от кристал. одержателя методом пайки. 3. Диодная пара
ЗАС122Б 4 рекомендуется для применения па частотах до 4
ГГц
Изготовитель Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
3A123A, ЗА123Б, АА123А, АА123Б
Диоды арсенидоталлиевые, планарно-эпитаксиалытые, с
барьером Шоттки, смссигелыю-детекторные. Предназначены
для применения в преобразователях частоты и детекторах
миллиметрового диапазона длин волн. Выпускаются в
металле керамическом корпусе типа КД 122 с жесткими
выводами (рис. 42). Диоды нс маркируются, товарный знак,
тип диода, полярность и дата изготовления наносятся на
ярлык, вкладываемый в групповую тару. Положительный
вывод со стороны крышки. Масса диода не более 0,01 г.
Приме; записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ 3A123A,
аАО.339.178 'ГУ, диод СВЧ АА123А, аАО.336.378 ТУ.
Электрические параметры
Потери преобразования при
Т от г 15 до +85°С 3A123A.AA123A
ЗА123Б АА123Б
3A123A.AA123A
ЗА123Б АА123Б
Нормированный коэффициент шума
Выпрямленный ток
4,2*.„4,8*.„5,5 дБ
4,2*.„5,0*.„6,0 дБ
не более 7,5 дБ
не более 8,0 дБ
3A123A АА123А 5,2*. 6,2* „7,ОБ
ЗА123Б,АА123Б 5,2*...6,4*...7,5 дБ
Выходное сопротивление
Ко.э<]х))ициент стоячей волны
0,3...1,2*.„2,0 мА
180...340*.„600 Ом
по напряжению
1,1* 2* 3,0
30
Постоянное прямое напряжение
(1 =10 мА) при Т 25 и +85”С
Т -60’С
Чувствительность по току
(!„= 50 мкА, R, Ю Ом,
10 мкВт,^ 37,5 ГГц)
Емкость перехода (Ц^,=0)
Емкость корпуса диода
Последовательная индуктивность
диода
0,6. 1,3 В
0,65...1,5 В
0,8... 1,4* ..2 4* А/Вг
0,01* ..0,02*. .0,03* пФ
0,103* 0,12*...0,15*пФ
0,1...0,12* . 0,3 иГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая на диод
мощность (R* - 100 Ом)	10 мВт
Импульсная падающая на диод мощность
(tK <фмкс, Гн = 10000 Гц)	50 мВт
Мак имально допустимая энергия
СВЧ-импульсов	3 эрг
Допустимое значение статического
потенциала	30 В
Рабочий диапазон частот	18_. 80 ГГц
Температура окружающей среды	-60 .+85°С
Минимальная наработка	50000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
в0 -40	0	40 8ОТ°С
Рис. 1.43. Зона возможных положений зависимостей: потерь
преобразования (а) иорировашюго коэффициента шума (б)
выпрямленного тока (в), выходного сопротивления (г
коэффициента стоячей волны (д), шумового отношения (е) от
непрерывной падающей СВЧ-мощности; зависимость
чувствительности по току оттока смещения (ж); выпря
мленного тока (з), коэффициента стоячей волны (и),’ потерь
преобразования (к) от температуры
Примечания: 1. СВЧ-параметры измеряются в режиме-
Рци 2 мВт ^2,5 ГГц, RH 100 Ом. 2 Допускается
использоваиисдиодов в детекторном режиме без превышения
предельно допустимых режимов эксплуатации, а также при
воздействии падающей импульсной СВЧ-мощности с
длительностью импульса более 0,2 мкс и е частотой
повторения импульсов от 1000 до 20000 Гц при
Изготовитель: Томский завод при НИИ полупроводниковых
приборов.
2А124А-6, 2А124Б-6, 2А124АР-6, 2А124БР-6
пропорциональном уменьшении величины минимальной
наработки
Диоды кремниевые, планарно-.эпитакейальные, с
барьером Шоттки, смесительные Предназначены для
применения в  преобразователях частоты сантиметрового
диапазона длин волн в составе гибридных интегральных
микросхем и микросборок, обеспечивающих герметизацию и
защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышен-
ного давления Выпускаются в бескорпусиом исполнении с
жесткими выводами на кристаллодержателе Габаритный
чертеж соответствует прибору 2А117-А6 (рис. 1.31). Диоды
выпускаются подобранными в пары и обозначаются 2А124АР
Товарный знак, тип диода, и дата изготовления наносятся на
ярлык, вкладываемый в групповую тару. Масса диода не
более 0,01 г. Пример записи условного обозначения при
заказеивконструкторскойдокумснтации: диодСВЧ 2А124А 6Л
аАО.339.226 ТУ; диод СВЧ 2А124АР-6, аАО.339.226 ТУ/Д.
Электрические параметры
Нормированный коэффициент шума
(fm=20Kl n)	2А124А 6
2А124Б-6
(Гм 30 кГц)	2А124А 6
Шумовое отношение	2А124А-6
2А124Б-6
Потери преобразования	2А124А-6
Общая емкость (1)^= 0)
Постоянное прямое напряжение при
1=1 мА
игр
1^=0,1 мА
Ц, 1 мА и Т=-60°С нс более
10*..12 дБ
10*... 14 дБ
7,2*.. 8,0* дБ
2 5* 4 3
2,5*...6,3
5,0* .7,0* дБ
0,18*...0,3 пФ
0,4*...0,5 В
0,25 .0,4* В
0,6 В
31
Приращение постоянного прямого
напряжения
11оследовательнос сопротивление
(!„ Ю мА)
Выходное сопротивление
Выпрямленный ток
0,07* ..0,1 В
13* .25 Ом
280*...420* Ом
0,6* . 1,3* мА
Разброс электрических параметров в паре
Постоянное прямое напряжение
(I 0,1; 1,0; 10 мА)	нс более 20 мА
0(>щая емкость (U - = 0)	не более 0,05 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т= 6О...4 85°С
Т +125“С
Импульсная рассеиваемая мощность
(f = 1 кГц, tH < 1 мкс) при Т—60...+85 С
Т +125°С
Допустимое зиачени** статического
потенциала
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Срок сохраняемости в составе ГС
25 мВт
10 мВт
50 mBi
20 мВт
100 В
-6О...+125“С
25000 ч
25 лет
потерь преобразования (г>, выпрямленного тока (д), норми-
рованного коЯфипнепта шума (е) от температуры, шумового от-
ношения от промежуточной частоты (ж)
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
2А125А-3, 2А125АР-3, 2А125АГ-3
Диоды кремниевые, плаиарно-эпитаксиальиые, с
барьером Шоттки, смесительные. Предназначены для
применения в преобразоваге.гях частоты сантиметрового
диапазона длин both в составе чибридных интетралыгых
микросхем и микросборок, обеспечивающих герметизацию и
защиту приборов от воздействия влаги,соляного тумана,
плесневых трибов, инея и росы, пониженного и повышенного
давления. Выпускаются в бескорпусном исполнении с
балочными выводами без кристаллодержателя (рис.1.45).
Товарный знак, тип диода, и дата изготовления наносятся на
яр тык, вкладываемый в трунповуютару Диоды выпускаются
подобранными г> пары и четверки и обозначаются 2А125АР
3 и 2А125АГ 3 Масса диода не более 0,0003 г Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации- диод СВЧ 2А 25А-3 аАО.339-237 1У) диод
СВЧ 2А125АР-3, аАО.339.237 ГУ/Д2.
Примечания- 1. СВЧ-параметры измеряются в режиме:
Рга=1,5 мВт, Х = 2 см, 1^= 20 кГц, 1^= 1 мА, 100 Ом.
2. Изменение максимально допустимых непрерывной н
импульсной рассеиваемых СВЧ-мощностей в диапазоне
температур окружающей среды от +85 до * 125°С линейное.
Вывод 2	Вь вод 1
Рис 1.45
Вывод 1
Вывод 2
9 зектрическне параметры
Нормированный коэффициент
шума	5,6* .6,6*...7,5 дБ
Потери преобразования	5,25*. 5,7*. 6,3 дБ
Постоянное прямое напряжение
1^=1 «А)
Постоянное обратное
напряжение (Irf. = 10 мкА)
Последовательное сопротивление
(1^=10 мА)
Выходное сопротивление
Общая емкость (Ц^ 0 )
Последовательная индуктивность
(чиповое значение!
0,35 0,46* 0,5 В
2,5*...6,0*...10* В
8*...15*...20 Ом
220*...260*.-.380* О.м
0,1.. 0,17*. 0,25 пФ
0,1 нГи
Рис 1 44 Зона возможных положений зависимости потерь
преобразования (а), выпрямленного тока (б), выходного
сопротивления (в) от непрерывной падающей СВЧ-мощности,
Разброс электрических параметров в парс
Постоянное прямое напряжение
(14 0 мА)	не более 20 мА
(1^=10 мА)	не более 30 мА
Общая емкость (Urfp 0)	не более 0,05 пФ
Преде гьные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при
1 -60...+85“С	20 мВт
32
Т=+125°С
Импульсная рассеиваемая мощность
(f 1 кГц, tK < 1 мкс) при Т =-60. +85
1= 125’С
Диапазон рабочих частот
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе I С
Срок сохраняемости в составе ГС
10 мВт
100 мВт
20 мВт
0,3 ..18 ГГц
-60...+125*0.
25000 ч
25 лет
Примечания:!. СВЧ параметры измеряются в режиме:
Р 2 мВт,	=15 ГГц. 2. Изменение максимально допусти
мых непрерывной и импульсной рассеиваемых СВЧ~
мощностей в диапазоне температур окружающей среды от
+ 85 до ♦ 125“С линейное. 3. Допускается применение диодов
в детекторном режиме в рабочем диапазоне частот.
\ У	________________
О 20 40 60 1Пр,мкА
Рис 146 Зона возможных положений зависимостей норми-
рованного коэффициента шума (а), потерь преобразования (6),
выпрямленного Тока (в) от температуры нормированною
коэффициента шума (г), потерь преобразования (д) выпрям-
ленного тока (е) от непрерывной падающей СВЧ-мощности тан-
генциальной чувствительности от постоянного выпрямленного
тока (ж)
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов
3 СВЧ-приборы
ЗАС127А-4, ЗАС127Б-4
Интегральные диодные четверки арсен идогаллиевые,
соединенные по схеме кольцо", планарно -эпитаксиальные
с барьером Шоттки, смесительные. Предназначены для
применения в сверхширокополосных балансных и двойных
балансных преобразователях частоты дециметрового и
сантиметрового диапазонов длин волн в составе гибридных
интегральных микросхем и микросборок, обесценивающих
герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги,
соляного тумана, плесневых 1рибов, инея и росы, пониженного
и повышенного давления. Выпускаются в бескорпусном
исполнении с гибкими выводамии на кристаллодсржателс
(рис. 1 47) Тип прибора обозначается на обратной стороне
прибора: черной точкой - ЗАС127А-4, на ЗАС127Б-4
маркировка не наносятся. Полярность, схема соединений,
товарный знак, тип диодной четверки и дата изготовления
наносятся на ярлык, вкладываемый в группоьую тару Масса
прибора нс более 0,01 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской доку ментации.
четверка диодная ЗАС127А-4,аАО.339.273 ТУ.
Электрические параметры
Последовательное сопротивление
потерь каждого диода (I 10 мА)
ЗАС127А 4
ЗАС127Б-4
Нормированный коэффициент
uivMa(Piu 5 мВт, f= 9,375 ГГц)
ЗАС127А-4
ЗАС127Б-4
Постоянное прямое напряжение
каждого диода (1	1 мА) при
1=+25°С
Т 60'С
Т=+125*С
Исиденти’шесть постоянного
прямого напряжения диодов
ЗАС127А 4
ЗАС127Б-4
Общая емкость каждого диода
(Ц*	0 В) ЗАС127А 4
ЗАС127Б 4
Неидентичиость общей емкости
диодов
4* 6* 12 Ом
4* 8*.. 15 Ом
5,3*...6,0*...6,5 дБ
5,6*...6,4*...7,5 дБ
0,5...0,7*...0,75 В
0,5...0,85 В
0,4 0,75 В
0,002*. .0,01* ..0,02 В
0,01*...0,022*...0,03 В
0,15-0,22* 0,35 нФ
0,15...0,22*...0,45 пФ
0* .0,03* 0,05 пФ
33
Предельные эксплуатационные данные
Непрерыв тая рассеиваемая мощность при
T=-6O..J85"C
Т=+ 125'С
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH<0,3MKc,f -1000 Гц) при
Т 60.. 185’С
Т + 125'С
Рабочий диапазон частот
Допустимое значение статического
потенциала
Температура жружающе-й среды
Минимальная наработка в составе ГС
Минимальная наработка в составе ГС в
облетченном режиме (Рти<< 75 мВт или
Р < 150 мВтД < 1 мкс, f < 1000 Гц,
Т=-10...+50°С)
Срок сохраняемости в составе ГС
150 мВт
50 мВт
300 мВт
100 мВт
0,3... 12 ГГц
30 В
-60...+125”С
25000 ч
40000 ч
25 лет
Примечания; 1. Изменение максимально допустимых
непрерывной и импульсной рассеиваемых СВЧ-мощностей в
диапазоне температур окружающей среды от +85 до л 125"С
линейное. 2 В широкополосных камерах, работающих на
частотах до 12 ГГц, допускается ис ограничивать нижнюю
частоту рабочего сигнала.
Т=-.-60 и +85°С
Рис. 1.48. Зона возможных положений зависимостей норми-
рованного коэффициента шума от непрерывной падающей СВЧ-
мощности (а); нормированного коэффициента шума (6),
постоянного прямого напряжения (в), неидентичпости посто-
янного прямого напряжения <г) от температуры
Изготовитель 1<>ми тиски» завод полупроводниковых
приборов
ЗА129А, ЗА129Б, АА129А, АА129Б
Диоды арсен идогаллисвые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шоттки, смесительно-детекторные Предназначены
для применения в преобразователях частоты и детекторах
миллиметрового диапазона длин волн. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе типа КД-122А с жесткими
выводами (рис. 1.49). Диоды не .маркируются, товарный
знак, тип диода, полярность и дата изготовления наносятся
на ярлык, вкладываемый в групповую тару Положительный
вывод - со стороны крышки. Масса диода не более 0,002 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ ЗА129А,
аАО.339.336 1У- диод СВЧ АА129А, аАО.336.569 ТУ.
Э. тектрн 1еские параметры
Потери преобразования при
Т +25°С
3 А129 А, АА129А
ЗА129Ь,АА129Б
ЗА129А АА129А
ЗА129Б.АА 29Б
Нормированный коэффициент
шума при
Т= +25’С
4,8*...5,4*...6,5 дБ
5,6*...6,0*...7,5 дБ
нс менее 7,5 дБ
не менее 8,5 дБ
Т- -60 и +85’С
А129А.АА129А
ЗА129Б.АА129Б
ЗА129А.АА129А
ЗА129Б.АА129Б
Выпрямленный ток
Выходное сопротивление
Коэффициент стоячей волны
по напряжению
Постоянное прямое напряжение
(1 5 мА) при Т '+25°С
Т=-60’С
Т-+85°С
Чувствительность по току
(Icu 100 мкА 1<„
Р„, 10 мкВт,
Т +25 С
f
ИЗЫ
Т=-60 и +85”С
Емкость диода
Последовательная
100 Ом,
95 ГГц) при
ЗА129А,АА129А
ЗА129Ь АА129Ь
3A12SA АА129А
ЗА129Ь,АА129Б
индуктивность
диода
Последовательное сопротивление
6,6*...7,4*....8,5 дБ
7,6*...8,1*...9,5 дБ
не менее 9,5 дБ
не менее 10,5 дБ
0,6 1,78* . 2,4 мА
180.400* .700 Ом
1,05*... 1,31*...3,0
0,6...1,25 В
0,6 1,5 В
0,5.. 1,2 В
1,0. 3,6* 5,2* А/Вт
0,6. 3,4* ..5,0* А/Вт
не менее 0,8 А/Вт
не менее 0,4 А/Вт
не более 0,08 пФ
не более 0,25* нГц
не более 25* Ом
34
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ-мощность 7 мВт
Импульсная падающая на диод мощность
(t„ < 0,3 мкс, f 1000 Гц)	25 мВт
Допустимое значение статического
потенциала	30 В
Рабочий диапазон частот	80... 120 I Гц
Температура окружающей среды	-60...+85‘С
Минимальная наработка	25000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечания 1 СВЧ-параметры измеряются в режиме.
Рм- 3,5 мВт, Гюм= 95 ГГц, R, 100 Ом 2. Допускается
испо льзование диодов в смесительном режиме в диапазонах
частот от 25 до 80 ГГц, от 120 до 140 ГГц и детекторном
режиме в диапазоне частот от 25 до 180 ГГц.

-80 -40	0	40 80 Т°С
Рис. 1.50 Зависимости потерь преобразования (а , н< рмированного
коэффициента пгума (б) от непрерывной падающей С ВЧ мощнос-
ти; потерь преобраз вания в\ нормированного коэффициента
шума (г) от температуры
О
2	4	6 Рп$,мВт
з
35
Рис 1 *>1 Зона возможных положений зависимостей: выпрям
денного тока (а), ко зффицнепта стоячей волны (6), выходного
сопротивления (в', шумового oi ношения (г) от непрерывной
падающей СВЧ-мощности, чувствительности по току от тока
смешения начастоте95 ГГн (л) выпрямленноготока (е), выходно) о
сопротивления ж , чувствительности по току (з) шумового
отношения (и), коэффициента стоячей волны (к) от температуры,
чувствительности ио току (л), потерь преобразования (м) от
частоты
Изготовитель: Томский тавод при НИИ полупроводниковых
приборов
3A130AC-3, ЗА130БС-3
Интегральные пары последовательно соединенных
арсенидо таллиевых, планарно-эпитаксиальпых, с барьером
Шоттки, смесительных диодов. Предназначены для
применения в преобразователях частоты сантиметрового и
миллиметрового диапазонов длин волн в составе гибридных
интегральных микросхем и микросборок, обеспечивающих
герметизацию и защиту приборов от воздействия влатм,
соляного тумана плесневых трибов, инея и росы, пониженного
и повышенного давления. Выпускаются в бескорнусном
исполнении с балочными выводами без кристаллодержателя
(рис. 1.52). Полярность, схема соединений, товарный знак и
дата изготовления наносятся на ярлык,вкладываемый в
групповую тару. Масса прибора не более 0,001 г. Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: пара диодная СВЧ 3A130AC-3, aAO.339.428
ТУ
Рис. 132
Электрические параметры
Последовательное сопротивление
каждого диода (1	10 мА)
3A13OAC-3
ЗА130БС-3
Нормированный коэффициент
шума прибора	ЗА130АС 3
ЗА130БС-3
Нормированный коэффи циент
шума каждого диода в паре
3A13OAC 3
Постоянное прямое напряжение
«V1 мА)
Неидепгичность постоянного
прямого напряжения при
Т-+25С	3A13OAC-3
ЗА130БС-3
Общая емкость каждого диода
(Uo6p = 0B)	3A130AC-3
ЗА13ОБС 3
Неи тептичность обшей емкости
Выходное сопротивление
Выпрямленный ток
6,3*...7.4*.„9,0‘ дБ
0.55 0,68“ 0,80 В
0,006* .0,02 В
0,008* ,0,03 В
0,05 ..0,09*...0,15 пФ
0,10...0,15*...0,20 пФ
0,01*...0,05 пФ
220*.. 250*....380* Ом
1,8. 2.0 2,3 мА
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при
1=-60...*25’С
Т-» 125 С
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH < 0,3 мкс, f = 1000 Гц, 1 -60 +25’С)
3A13OAC-3
ЗА130Б :-з
Т=+125°С
Рабочая частота
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Минимальная наработка в составе ГС в
облептенных режимах при Рто < 10 мВт
Срок сохраняемости в составе ГС
150 мВт
40 мВт
240 мВт
300 мВт
60 мВт
30 ГГц
60 ..+ 125’ С
25000 ч
50000 ч
25 лет
Примечания: 1. СВЧ-параметры измеряются в режиме
Р^ = 6 мВт, f„M=15 ГГц, R^ lOO Ом. 2. Изменение
максимально допустимых непрерывной и импульсной
рассеиваемых СВЧ-мощностей в диапазоне температур
окружающей среды от +25 до + 125°С линейное. 3. Допускается
эксплуатация приборов в сосгаве негерметизированных ГС и
ваппаратуре, защищенных от непосредственного воздействия
влаги, испытываемых в режиме с относительной влажностью
до 98% при температуре 40 + 2 С в течение 4 суток.
5* .8* 12 Ом
5* .9*...15 Ом
5,2*...6,3*...7,0 дБ
6,25*...6,8*...8,0 дБ
36
'100 О
-100
о
700 Т‘С
Постоянное обратное напряжение
(,овр=1° МКА)
Выходное сопротивление
Последовательное сопротивление
потерь (1^=10 мА)
Тангенциальная чувствительность
Общая емкость (U^— 0)
1 Госледовательная индуктивность
диода
1* .3* -5* В
220* 260* .380* Ом
8*. ,11*...16 Ом
52.5*...49,5*,..46,5*дБи
0,08*...0,11*...0,13 пФ
не более 0,1 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Рис Л 53. Зона возможных положений зависимостей постоянного
прямого напряжения (а), неидентичпости постоянного прямого
напряжения для 3AC13OA-3 (6), неидентичност и постоянного
прямого напряжения (в) от температуры для ЗЛСЛЗОБ-З; нор-
мированного к >эффнциснташумао! частоты для ЗАТ ЛЗОА-З(г),
для ЗАС130Б-3 (л)
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
2А131А-3
Диоды кремниевые, планарно-эпигаксиальные, с
барьером Шоттки смесительные Предназначены для
применения в преобразователях частоты сантиметрового
диапазона длин волн в составе гибри пых интегральных
микросхем и микросборок, обеспечивающих герметизацию
и защиту приборов от воздействия влаги,соляного тумана,
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного
давления. Выпускаются в бескбрпусном исполнении с
балочными выводами без кристаллодержателя (рис 1 54)
Товарный знак, тип диола, и дата изготовления наносятся на
яр1ык, вкладываемый в групповую тару. Масса диода не
более 0.0003 г. Пример записи условного обозначения при
заказе и в конструкторской документации диодСВ’12А131А 3
аАО. 339.4 35 ТУ.
Рис. 1.54
Этектрическнс параметры
Потери преобразования	4.9*. .5,6* .7,5* дБ
Нормированный коэфф гциент
шума	5,3* 6 6* .7,5 дБ
Выпрямленный ток	1,3*... 1,6*... 1,9* мА
Постоянное прямое напряжение (I = ] мА )
"PM Т +25"С	0,1 0 44* .0,5 13
Т -60 и+125°С	0,1 0,6 В
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т=-60...+25"С
Т=+125-С
Импульсная рассеиваемая мощность
(f 1 кГц, t„ 1 мкс) при
Т=-бО- +25‘С
Т=+125’С
Рабочий диапазон частот
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Минимальная наработка в облегченном
режиме в составе ГС (Р_с“50 мВт)
Срок сохраняемости в составе ГС
100 мВт
20 мВт
300 мВт
60 мВт
до 18 ГГц
-60...+ 125'С
25000 ч
50000 ч
25 лет
Примечания 1. СВЧ параметры измеряются в режиме
Р =2 мВт, Х=2см 2 Изменение максимально допустимых
непрерывной и импульсной рассеиваемых СВЧ-мощностей в
диапазоне температур окружающей среды от + 25 до + 125'С
линейное. 3. Диоды могут быть использованы подобранными
в пары и четверки

Рис 155 Зона возможных положений зависимостей потерь
преобразования (а) нормированного коэффициента шума (б) от
непрерывной падающей СВЧ мощности потерь преобразования
от температуры (в)
Изготовитель Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
37
* 2А132А, 2А132АР, 2А132АГ, 2А132А-5,
2А132АР-5, 2А132АГ-5, КА132А, КА132Б,
КА132В, КА132А-5, КА132Б-5
Диоды кремниевые, планарно-эпигаксиальные, с
барьером Шоттки, смесительные Предназначены для
применения в преобразователях частоты дециметровою
диапазона длин воли. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе типа КД 106 с жесткими выводами (рис. 1.14) и в
бескорпусном исполнении в виде кристалла с контактными
площадками без кристаллодсржателя (рис. 1.56) Бескорпусные
диоды предназначены для применения в составе гибридных
интегральных микросхем и микросборок, обеспечивающих
герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги,
соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного
и повышенного давления Полярность, товарный знак, тип
диола, и дата изготовления наносятся на яр лык, вкладываемый
в групповую тару. Диоды выпускаются подобранными впары
и четворки и обозначаются 2А132АР, 2А132АР-5 и 2А132АГ,
2А132АГ-5. Масса диода не безлес 0,001 г (бескорпусные) и
0,3 г (корпусные). Пример записи условного обозначения
при заказе и в конструкторской документации диод СВЧ
2А132А, аАО.339-472 1У; диод ( ВЧ 2А132А-5.аАО 339 473
ГУ, диод СВЧ КА132А, аАО.336.663 ТУ, диод СВЧКА132А-5
аАО 336.664 ТУ.
(на fm=20 кГц) 2А132А,
2А132А 5 KA 132А
КА132Ь,КА132А 5
(на fm 30 МГц) 2А132А,
2А132А-5
Выходное шумовое отношение
2А132А.2 АI32 А- 5, КА 132 А
КА132Б.КА132А-5
Коэффициент стоячей волны по
напряжению
Постоянное прямое напряжение (1
при Т=ь25и +155’С
Т=-60’С
Постоянное прямое напряжение
при Т г25 и 1155 С
2А132А,2А132А-5,
КА132А,КА132А-5
Т -60°С 2A132A.2AI32A 5
KAI32A.KA132A 5
Последовательное сопротивление
(1„р=10 мА)
Выходное сопротивление
Емкость перехода (Ц^=0 В)
Общая емкость диода
2Л132А,КА132А.
КА132Б КА 132В
8,5*...9,5*...1О дБ
нс более 14 лБ
5,5‘...6,5»...7* дБ
2,0*.. 2,5*. 3,0
не более 6,0
пе более 1,6
-1 мА)
пр	'
0.3*...0,38*...0,5 В
не более 0,6 В
(1пр=0,1 мА)
0,25*...0,35*...0,4 В
не более 0,25 В
не более 0,45 В
20* .25* Ом
200*. .350*...500* Ом
0,15*...0,25*...0,5 пФ
0,35* 0,45*...0,5* пФ
Рис. 1.56
Электрические параметры
Потери преобразования при	
Т=+25’С	2А132А КА132А, КА132В, 2AI32A-5, КА132А-5	4,5* . 5,О*...5,5 дБ КА132Б	не более 5,0 дБ
Т=-60“С	2А132А, КА132А, КА132В, 2А132А-5, КА 132А-5	не более 6,0 дБ КА132Б	не более 5,5 дБ
т-t 155“С	2А132А KAI32A, КА132В, 2А132А 5, КА132А 5	ие более 6,5 дБ КА132Б	ие более 6,0 дБ
Выпрямленный ток	1,5 1 8* 2,0* мА	
Нормированный коэффициент
шума
Разброс электрических параметров в парах и четверках
Постоянное прямое напряжение
(1^,= 1 мА)	не более 20 мВ
Предельные эксплуатационные тайные
Непрерывная рассеиваемая
мощность
при Т=от -60 до +35 С
Т= +85°С
Импульсная рассеиваемая мощность
(tMS0,5 1 мкс, Q > 1000) при Т= -60 +85’С
Максимальная входная
мощность сигнала
Рабочий диапазон частот
Допустимое значение статического
потенциала
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Минимальная наработка в обличенных
режимах в составе ГС (Т=+25‘С,
Р= 5 мВт, f =1000 1ц, tK=l мкс)
Срок сохраняемости в составе ГС
100 мВт
60 мВт
250 мВт
100..200 мкВт
0,3. .12 ГГц
4 В
-6О...+155°С
25000 ч
50000 ч
25 лет
Примечания 1. СВЧ-параметры измеряются в режиме-
Рш=1,5мВг, 100 Ом, f,„=9,375 ГГц, fm 20 кГц 2
Допускае тся применение диодов на частотах до 18 ГГц со
снижением значений основных параметров. 3. Снижение
максимально допустимых непрерывной и импульсной
рассеиваемых СВЧ- мощностей в диапазоне температур
окружающей среды от +35 до т155°С линейное до нуля. 4
Д ля монтажа диодов в ГС используются контактные площадки
1,2,3, вывод к которым присоединяется методом
термокомпрессии. Повторное присоединение вывода к одной
и той же контактной площадке не допускается.
38
Рнс.1.57. Зона возможных положений зависимостей, потерь
преобразования (а), нормированного коэффициента шума (о),
выпрям; енпого тока (в^, выходного сопротивления (г) от
непрерывной падающей CB’J мощности; потерь преобразования
(д), нормированного коэффициента шума (el выпрямленного
тока (ж) выхотного шумового отношения (з) от температуры;
тангенциальной чувствительности (н), выходного сопротивления
на видеочастоте к от постоянного выпрямленного тока
Рис. 1,58. Зависимость выходного шумового отношения от про-
межуточной частоты
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир", г Москва.
3A133A, ЗА133Б
Диоды арсенидогаллиевые, планарно эпитаксиальные, с
барьером Шоттки, смесительно- тетекторныс. Предназначены
для применения в преобразователях частоты и детекторах
миллиметрового диапазона длин волн. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе типа КД-122Б с жесткими
выводами (рис. 1.59) Диоды не маркируются, товарный знак,
тип диода, полярность и дата изготовления наносятся иа
ярлык, вкладываемый в (рупновую тару Положительный
вывод - со стороны крышки Масса диода ие более 0,0015 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации’ диод СВЧ 3A133A
аАО.339.475 ТУ.
Рис. 1-59
Вывод 1
Вывод 2
Электрические параметры
Потери преобразования при
Т- +25°С	3A133A
ЗА133Б
Т= 60 и +85’С	3A133A
ЗА133Б
Нормированный коэффициент
шума при Т=+25 С 3A133A
ЗА133Б
Т= 60 и +85°С 3A133A
ЗА133Б
Выпрямленный ток
Выходное сопротивление
Коэффициент стоячей волны
по напряжению
Постоянное прямое напряжение
(1^=5 мА) при
Т +25 С
Т=-60“С
Т=+85“С
5,9*...7,о*...7,5 дБ
7,0*...7,7*...8,5 дБ
не менее 8,5 дБ
не менее 9,5 дБ
8,0*...9,0*8...9,5 дБ
9,2*... 10,0*... 10,5 дБ
не менее 10,5 дБ
не менее 11,5 дБ
0,5. 1,8* 2,7 мА
100 320* 700 0м
1,05*... 1,6*...3.0
0,6...1.25 В
0,6. 1 5 В
0,5...1,2 В
39
Чувствительность по току
(1ск- 100 мкА: Ки= 100 Ом,
1’та^10 мкВт) на f„u=(140+2) ГГц
при Т +25"С	ЗА133А.ЗА133Б
Т=-60 и +85“С	3A133A ЗА133Б
Дифференциальное сопротивление
Тангенциальная чувствительность
(1^ 100 мкА и 1^=140 ГГц)
Емкость диода
Последовательная индуктивность
диода
1,0. 2,0* ..3 8’ГА/Вт
не менее 0,6 А/Вт
100...340* .500 Ом
35...39*. 4?лБ/мВт
0,08* 0,1* пФ
0,05*...0,1* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ-мощность
(Г\, =100 Ом)	7 мВт
Импульсная падающая на диод мощность
(Кд 100 Ом, t <0,3 MKC,f = 1000 Гц,
Р 3,5 мВт, 3)	25 мВт
Допустимое течение статическою
потенциала	15 В
Рабочий диапазон частот	до 180 ГГц
Температура окружающей среды	-60. ,+85°С
Минимальная наработка	25000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
2 6 10 Рп3,мВт 40 80 120
Примечания: 1 Запрещается хранение диода бел
индивидуальной упаковки 2. СВЧ-параметры нормированы
на частоте 140 ГГц, при падающей непрерывной СВЧ-
мощности 5 мВт и сопротивлении нагрузки по постоянному
току 100 Ом 3 Допускается использование диодов при
воздействии импульсной СВЧ мощности 150 мВт при <
100 мс и частоте повторения не более 15 кГц в аппаратуре
разового действия, а также применение диодов с частотой
следования импульсов от 1 до 20 кГц с пропорциональным
уменьшением минимальной наработки от 25000 до 1250 ч.
4. При эксплуатации аппаратуры в условиях длительного
воздействия повышенной влажности необходимо применять
меры по защите диода от непосредственного воздействи
повышенной влажности
!-прб,дБ
0 100 200 300 1с„,мкА
,А/Вт
Рис 160. Зависимости: потерь преобразования (а), нормирован
кого коэффициента шума (о) от непрерывной палаюшей СВЧ-
мощностн, потерь преобразования (в), нормированного коэф-
фициента шума (г) от температуры
40
гвьх^М
Рис 1 61. Зона возможных положений зависимостей' выходного
сопротн1С1ення(а). выпрямленного тока(б). коэффициента стоячей
волны (в) от непрерывной падающей СВЧ-мощностн; норми-
рованного коэффициента шума (г), потерь преобразования (д),
чувствительности по току (е) от частоты; потерь преобразования
(ж), чувствительности по току (з), тангенциальной чув-
ствительности (н) от тока смешения на частоте 140 ГГц; выпрям-
ленного тока (к), дифференциального сопротивления (л), вы
ходного сопротивления (м) чувствительности но току (и), коэф-
фициента стоячей волны (о) от температуры
Изготовитель: Томский завод при НИИ полупроводниковых
приборов.
3A134A-6, 3A134AP-6, ЗА134АГ-6
Диоды арсенидогаллиевые, планарно эпитаксиальные, с
барьером Шоттки, смесительные Предназначены для
применения в преобразователях частоты метрового и
дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных
интегральных микросхем и микросборок, обеспечивающих
герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги,
соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы пониженного
и повышенного давления Выпускаются в бескорпусном
исполнении с жесткими выводами на кристаллодсржатслс
Габаритный чертеж соответствует прибору 2А117А б (рис.
1 31). Товарный знак, тип диода и дата изготовления наносятся
на ярлык, вкладываемый в групповую тару Маркируются
черной точкой у основания плюсовой контактной площадки.
Диоды выпускаются подобранными в пары и четверки и
обозначаются 2А134АР-6 и 2А134АГ 6. Масса диода не более
0,01 г. Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации диод СВЧ 3A134A-6,
аАО 339.532 ТУ
Электрические параметры
Нормированный коэффициент
шума
Потери преобразования
Постоянное прямое напряжение
(1=1 мА) при Т=+25 и +85°С
Т -60°С
4,8* ..5,5*...7,0 дБ
3,5*...3,8*...4,5* дБ
0,52*...0,64*...0,8 В
ие более 0,85 В
Постоянное обратное напряжение
(Lr.P 10 мкЛ>
Последовате гьное сопротивление
потерь (11гр • 10 мА)
Выходное шумовое отношение
Общая емкость диода (Ц^-0 В)
не менее 10 В
2,0*...3,0*...9,0 Ом
1,02*. .1,25* .1,6
0.2...0.63* .0,8 пФ
Разброс электрических параметров в паре
Постоянное прямое напряжение
(Ц, 1.0 мА)
(I = 10 мА)
Общая емкость (1<бр= 0)
не более 20 мВ
не более 30 мВ
не более 0,05 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность Импульсная рассеиваемая мощность	100 мВт
(t, S 1мкс, f =1000Гц) Допустимое значение статического	300 мВт
потенциала	30 В
Выпрямленный ток	25 мА
Температура окружающей среды	-6О...+85°С
Минимальная наработка	25000 ч
Минимальная наработка в облегченных режимах (Рга 50 мВт, Т +25°С)	50000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечание: СВЧ-параметры измеряются в режиме
50 мВт, Гюм = 4 ГГц
Рис 1 f> Зона возможных положений зависимостей
нормированного коэффициента шума на частоте 3 6 ГГц) а)
потерь преобразования (на частоте 9,375 ГГц) (б) от непрерывной
падающей ( ВЧ-мошпости
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов
3A135A-3, ЗА135Б-3
Интегральные диодные четверки, соединенные по
мостовой схеме, кремниевые, планарно-эпитаксиальные, с
41
барьером Шоттки, смесительные Предназначены для
применения в сверхширокополосных балансных и двойных
балансных преобразователях частоты дециметрового,
сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн в
составе гибридных интегральных микросхем и микросборок,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от
воздействия влага, соляного тумана, плесневых грибов, инея
и росы, пониженного и повышенного давления выпускаются
в бескорпусном исполнении с балочными выводами без
кристаллодержатсля (рис. 1.63). Полярность, схемасоединений
товарный знак, тип диодной четверки и дата изготовления
наносятся на ярлык,вкладываемый в групповую тару Масса
прибора не более 0,001 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкп рекой документации.
четверка диодная 3A135A-3, аАО.339.541 ТУ
(R^ 100 Ом) при Т=-60...+35 С
I -+125С
Импульсная рассеиваемая мощность
(t„ < 0,3 мкс, f 1000 Гц™ 100 Ом)
при	Т=-60...+35'С
'1=+125"С
Допустимое значение статического
потенциала
Рабочий диапазон частот
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Минимальная наработка в составе I С в
облегченном режиме при снижении
мощности относительно нормы в 2 раза
Срок сохраняемости в состав^ 1 С
300 мВт
60 мВт
500 мВт
100 мВт
5 В
0,3 - 30 ГГц
-60...+ 125°С
25000 ч
40000 ч
25 лет
Примечание: Изменение максимально допустимых
непрерывной и импульсной рассеиваемых СВЧ-мощностей в
диапазоне температур окружающей среды от +35 до + 125X2
линейное.
Электрические параметры
Последовательное сопротивление
потерь каждого диода (1^ 10 мА)
3A135A-3
3A135B-3
5* .7* .12 Ом
6* 10* .15 Ом
Нормированный коэффициент
шума (Рга 3 мВт и fmM 15 ГГц)
3A135A-3
ЗА135Б-3
5,0*. .6,5* . 7,5 дБ
5,9* 7,3* . 8,5 дБ
Нормированный коэффициент
шума на диод
Постоянное прямое напряжение
каждого диода (I 1 мА) при
Т=+25°С
Т =-60...125°С
Постоянное обратное напряжение
каждого диода
5,3* 6,6*. 7,5* дБ
0,65...0,77*...0,95 В
0,6... 1,0 В
3,5* 10* . 17* В
Неидентичность постоянного
прямого напряжения диодов (I 5 мА) при
Т +25°С	3A135A 3	0,005* ..0,012* .0,03 В
ЗА135Б-3
Т=-60 125°С	3A135A-3
ЗА135Б-3
Общая емкость каждого диода
(U 0 В) 3A135A 3
ЗА135Б-3
Неидентичность общей емкости
диодов
Типовая индуктивность прибора
0,01*...0,032*...0,04 В
0,005* .0,015* .0,04 В
0,01*...0,038*...0,05 В
0,05...0,1*—0,15 пФ
0,05...0,15*...0,20 пФ
0,015-0,05 пФ
0,05 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность
		0,4		
		0,3		
				0,2		
		0,1	ЗА 135	<1-3
г норн, дБ
д
-100 ~50 О S0 100 Т°С
Рис 1 64. Зона возможных положений зависимостей:
нормированного коэффициента ш ума от непрерывной падающей
СВЧ-мощности (а); постоянного прямого напряжения (6), не-
идентнчности постоянного прямого напряжения для 3A135A-3
(в), нецдентичности постояв ного прямою напряжения для
ЗА135Б-3 (г), нормированною коэффициента шума (д) от
температуры; нормированного коэффициента шума от частоты
сигнала (е)
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
3A136A, ЗА136Б
Диоды арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шоттки, смесительно-детекторные. Предназначены
для применения в преобразователях частоты и детекторах
миллиметрового диапазона длин волн. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе типа КД-122Б с жесткими
выводами. Габаритный чертеж соответствует прибору 3A133
(рис. 1.59). Диоды не маркируются, товарный знак, тип
диода, полярность и дата изготовления наносятся на ярлык,
вкладываемый в групповую тару. Положительный вывод - со
стороны крышки Масса диода не более 0,0015 г. Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СВЧ 3A136A аАО.339 547 ТУ
Электрические параметры
Потери преобразования при
Т=+25°С	3A136A
ЗА136Б
Т-+85 и -60"С	3A136A
ЗА136Б
Т + 125’С	3A136A
ЗА136Б
Нормированный коэффициент
шума при Т=+25°С	3A136A
S 136Б
Т=+85 и 60’С	3A136A
ЗА136Б
ыпрямленный ток
Выходное сопротивление
Коэффициент стоячей
волны по напряжению
Чувствительность по току на
С=37,5 ГГц (Р 10 мкВт,
1^= 10 Ом, 1см= 50-100 мА)
Тангенциальная чувствительность
на f 140 ГГц I	40 мА
37,5 ГГц	20 мА
3,7*...4,0*...5,5 дБ
3,5*...3,75*...5,0 дБ
6,0 дБ
5,5 дБ
6,5 дБ
6,0 дБ
4,5*...6,0*...7,5 дБ
4,42*...5,6*...6,5 дБ
8,0 дБ
7,0 дБ
0,6. 1,35* . 1,7* мА
200.395*...6О0 Ом
1,0*...1,35*...2,5
1,0. 3,0*. 8,5* А/Вт
35*...38*. 40* дБ/мВ
45* 50* 55* дБ/мВт
Постоянное прямое напряжение
(1=5 мА) при Т=+25°С
Т=-60’С
Т=+125"С
Постоянное обратное напряжение
(1^= 10 мкА) не менее
Общая емкость диода (П^- 0 В)
Показатель идеальности вольт-
амперной характеристики
0,5.. 1,25 В
0,5.. 1,5 В
0,4...1,2 В
5 В
0,06*...0,08*...0,1* пФ
1,0*. .1,14*...!,21*
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность
(R* =50 Ом) при 1 =-60. ..л 85’С	100 мВт
Т=+125’С	50 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH< 0,5 мкс, f =1000 Гц 1^-50 Ом)
при	'Г -60... 12)’С	200	мВт
Т=+125’С	100	мВт
Допустимое значение статического
потенциала	15 В
Температура окружающей среды	-60	. + 125’С
Минимальная наработка	25000 ч
Минимальная наработка в облегченном
режиме при Т=35°С и < 50 мВт	50000 ч
Срок сохраняемости	25 лег

43
Lnpg, дБ
Рии 1 65. Зона > можных положений зависимостей выпрям-
ленного тока fa), потерь преобразования (б), коэффициента
стоячей волны (в), выходного сопротивления (г), нормнроваино
го коэффициента шума (д), шумового отношения (е) от непре
рывной падающей СВЧ-мошностн; шумового отношения от тока
смешения на частоте 3 ГГц (ж), потерь преобразования (з),
чувствительности по току (и), нормированного коэффициента
шума (к) от частоты, выпрямленного тока (л), потерь преобра-
зования (м) от температуры.
Изготовитель' Томский завод при НИИ полупрово никовых
приборов
3A137A, ЗА137Б, 3A137AP, ЗА137БР, ЗА137АГ,
ЗА137БГ, 3A137A-5, ЗА137Б-5
Диоды арсенидогаллиевые, плаиарно-эпитаксиальныс,
сотовой структуры, с барьером Шоттки, смесительно-
детекторные. Предназначены для применения в
преобразователях частоты и детекторах сантиметрового
диапазона длин волн. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе типа КД 106 с жесткими выво ими (рис. 1.14) и в
бескорпусном исполнении в виде кристалла с контактными
площадками сотовой структуры без кристаллодержатсля
(рис. 1.66). Бескорпусныс диоды предназначены для
применения в составе гибридных интегральных конструкций,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов ог
воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея
и росы, пониженного и повышенного давления. Диоды не
маркируются, товарный знак, тип диода, полярность и дата
изготовления наносятся наярлык, вкладываемый в групповую
тару. 11оложигсльный вывод - со стороны контакта меньшего
размера. ; (иоды выпускаю гея подобранными в пары и четверки
и обозначаются соответственно 2А137АР и 2А137АГ. Масса
диода не более 0,001 г. Пример записи уставного обозна1 е
ния при заказе и в конструкторской документации: диод
СВЧ 3A137A-5, аАО.339.622 ТУ; диод СВЧ 3A137A,
аАО.339.696 ТУ.
Рис. 1.66
Вывод 7
Вывод 2
'Электрические параметры
Нормированный коэффициент шума при
Т=+25 и -60’С
5,0*.5,3?..6,5 дБ
нс ботсс 6,5 дБ
нс более 7,5 дБ
Т=т 125'С
3A137A.3A137A-5 4,5* .4 8* .5,5 дБ
ЗА137Б.ЗА137Б 5
3A137A 3A137A-5
ЗА137Б ЗА137Б-5
Потери преобразования при
Т=+25 и -60’С
3,4*...3,6*...5,0 дВ
Т -I 125°С
0,02...0,07* ..0,15 пФ
0,28...0,33*...0,36 пФ
0,28...0,ЗЗЛ..0,39 пФ
0,45*...0,55*...0,6 В
О,45*.-..О,65 В
0,25*...0,60 В
3A137A.3A137A 5
ЗА137Б.ЗА137Б-5 3,8* 4 1* .5,5 дБ
3A137A,3A137A 5 нс более 5,5 дБ
ЗА137Б.ЗА137Б-5 не более 6,0 дБ
Емкость перехода (LK 0 В)
3A137A.3A137A-5 0,02...0,07*...0,1 пФ
ЗА137Б.ЗА137Б-5
Общая емкость диода (U. = 0 В)
3A137A
ЗА137Б
Постоянное прямое напряжение
(1^=1 мА) при Т=+25"С
Г=-60’С
Т=+ 125'С
Постоянный обратный ток
(0^=0,5 В) при I +25'С
Т«=-60’С
I *-125’С
Послед твательнос сопротивление
(1^-10 мА) ЗА137А,ЗА137А-5
ЗА137Б ЗА137Б 5 2,0* 5,0* .15 Ом
Выходное сопротивление при
1 +25’С
Г + 125 и -60‘С
Предельная частота
3A13 А-5
ЗА137Б 5
Показатель идеальности ВАХ
пе более 5 мкА
нс более 10 мкА
не более 20 мкА
1 0* .4,0* 10 Ом
200 .500 Ом
200. 520 Ом
470 600* 3500* ГГц
200.450* 2500* ГГц
1,0*...1,4*...1,7*
44
Разброс электрических парамиров в парах и четверках
Постоянное прямое напряжение
(1^ 1,0 мА)	не более 20 мА
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т OI -60 до +35T3
Импульсная рассеиваемая мощность при
Т от 60 до +35°С
Допустимое значение статического
потенциала
Рабочий диапазон частот
Минимальная наработка в составе ГС
Минимальная наработка в составе ГС в
облегченном режиме при снижении
мощности относительно нормы в 2 раза
Температура окружающей среды
Срок сохраняемости в составе ГС
80 мВт
80 мВт
1 В
0,3... 18 ГГц
25000 ч
50000 ч
-бО... + 125'С
25 лет
Примечания. 1. СВЧ параметры измеряются в режиме
Рш= 1 мВт, ^„=15 ГГн, f 30 МГц, Г ч 1,5 дБ 2 Сни-
жение максимально допустимых непрерывной и импульсной
рассеиваемых СВЧ мощностей в диапазоне температур
окружающей среды ог г35 до + 125"С линейное до 25 мВт.
3 При проведении регулировочных работ разрешается
кратковременное воздействие непрерывной и импульсной
СВЧ-мощности нс более 100 и 300 мВт соответственно при
времени воздействия не более 30 мин в интервале
температур от -60 до +85 С. 4. Допускается применение
диодов в детекторном режиме, при подаче постоянного
прямого смещения не более 0,5 В, а также в диапазоне
частот до 30 ГГц без гарантии СНЧ-парамегров
Рис. 1.67. Зависимости потерь преобразования (а), нормированного
коэффициента шума (б) от температуры, потерь преобразования
(в), нормированного коэффициента шума (г) от' непрерывной
падающей СВЧ-мощностн; выходного сопротивления на
видеочастоте (д), чувствительности по току (е), тангенциальной
чувствительности (х) от постоянного прямого тока.
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир” г Москва
3A138A-3, ЗА138Б-3, 3A138B-3
Диоды арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шоттки, смесительно детекторные. Предназначены
для применения в преобразователях частоты и ; етекторах
миллиметрового диапазона длин волн в составе гибридных
интегральных микросхем и микросборок, обеспечивающих
герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги,
соляного тумана плесневых грибов, инея и росы, пониженного
и повышенного давления Выпускаются в бескорпусном
исполнении с балочными выводамии без кристалле держателя
(рис. 1.68). Полярность, товарный знак, тип диода, значение
конструктивной емкости и дата изготовления наносятся на
ярлык, вкладываемый в групповую тару Масса диола не
более 0,001 г. Пример записи условного обозначения при
заказе и в конструкторской документации диод
СВЧ 3A138A 3, аАО 339.655 ТУ
45
0,18
Рис 1.68
Электрические параметры
Предельная частота	
3A138A-3	1400 .2200.!..2500* ГГц
ЗА138Ь 3	1800 ..2400*. .4000* ГГц
3A138B 3	2800 .3500*. 6000* ГГц
Последовательное сопротивление	
потерь (1^=10 мА) 3A138A-3	3...4 !. 8 Ом
ЗА138Б-3	’ 4*...8* 10 Ом
3A138B-3	4» . 8*. .12 Ом
Общая емкость диода (U^ = 0 В) 3A138A 5	
	0,016*...0,03* ..0,04 пФ
ЗА138Б-3	0 012* ...0,025* ..0,03 пФ
3A138B 3	0,01*...0,015* .0,025 пФ
Емкость перехода	
(U. 0 В)	3A138A-3	0,013*...0,02* 0,025пФ
ЗА138Б-3	0,004*..0,01* 0,012*пФ
3A138B-3	0,001*..0,005* 0,007ЪФ
Показатель идеальности ВАХ	1,1*..1,14* .1,2
Постоянное обратное напряжение (1^  10 мкА) при Т=+25 и +125°С	
	3,0...4,0* . 10* В
Т—60”С	не менее 2,0 В
Постоянное обратное напряжение	
(1^-1 мкА)	не менее 2,0 В
Потери преобразования (типовое	
значение)	3A138A-3	5,5 дБ
ЗА138Б-3	8,0 дБ
3A138B 3	7,0 дБ
Нормированный коэффициент шума (типовое значение)	
3A138A-3	7,0 дБ
ЗА138Б 3	10,0 дБ
3A138B 3	9,0 дБ
Чувствительность по току (типовое значение)	
3A138A-3	5,0 А/Вт
ЗА138Б 3	4,0 А/Вт
3A138B 3	5,0 А/Вт
Выпрямленный ток (типовое значение)	
3A138A-3	1,0 мА
ЗА138Б 3	0,8 мА
3A138B 3	1,15мА
Выходное сопротивление	
3A138A 3	250* 400* 700* Ом
3A138B-3,3A138B-3	150*. 400*. 600* Ом
Коэффициент стоячей волны по	
напряжению 3A138A-3	1 1* .1,35* 2,5*
3A138E-3.3A138B-3	1,5* 2,0* .3, •
Импульсная СВЧ мощность,
подводимая к диоду 3A138A 3	200 1000* мВт
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при	20 мВт
Т=-60.+35°С	3A138A-3	
ЗА138Б-3	15 мВт
3A138B-3	10 мвт
Т=+125°С	3A138A 3	15 мВт
ЗА138Б-3	10 мВт
3A138B 3	5 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность (tH < 0,3 мкс, Г = 1000 Гц) при	
Т=-60...+35 С 3A138A-3	100 мВ 
ЗА138Б-3	50 мВт
3A138B 3	25 мвт
Т=+125"С	3A138A-3	20 мВт
ЗА138Б 3	15 мВт
3A138B 3	10 мВт
Рабочий диапазон частот 3A138A-3	25 - 80 ГГц
ЗА138Б-3	25 - 180 ГГц
3A138B-3	25 - 300 ГГц
Максимально допустимый прямой	
ток смещения	1 мА
Допустимое значение статического	
потенциала	30 В
Температура окружающей среды	-бО...+ 125'’С
Минимальная наработка	25000 ч
Минимальная наработка в облегченных режимах при Т=+25”С и Pptc=10 мВт для 3A138A-3 Ррк= 7 мВт для ЗА138Б-3	
Рр^ 5 мВт для 3A138B-3	50000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечания: 1. Изменение максимально допустимых
непрерывной и импульсной рассеиваемых СВЧ-мощноск.
в диапазоне температур окружающей среды от+35 до + 125°С
линейное 2. При tH > 0,3 мкс максимально допустимая
импульсная мощность снижается пропорционально
увеличению длительности импульса 3. Допускается
применение диодов при частоте следования импульсов до 20
кГц, при этом величина минимальной наработки уменьшается
пропорционально увеличению частоты. 4. Справочные СВЧ
параметры измерены в режимах: для 3A136A-3 на Гюн=37,5
ГГц,Р =2 мВт, R*= 100 Ом, для А138Б-3, ЗА 138В-3 на
140 ГГц, 5мВт, R* 100 Ом
________	Э ----UI------------------1---
1 3 Рпв,мВт 7 3 Рпд,мВт 1 з Р„д,мВт
46
Рис. 1.69. Зона возм >жных положений зависимостей: потерь
преобразования для диодов 3A138A-3 (а), потерь преобразования
для диодов 3A138B-3 (б), коэффициента шума для диодов
3A138A-3 (в), коэффициента пума для диодов 3A138B-3 (г) от не-
прерывной падающей СВЧ мощности; выходного сопротивления
(д), чувствительности по току (е) от температуры.
80 О
во т;с
Рис 1 70. Зависимости: чувствительности по току от тока смеще-
ния (б), потерь преобразования от температуры (а)
Изготовитель Томский завод при НИИ полупроводниковых
приборов.
2А139АС-4, 2А139БС-4
Интегральные диодные четверки, соединенные по схеме
"кольцо', кремниевы , планарно эпитаксиальные, с барьером
Шоттки, смесительные Предназначены для применения в
сверхширокополосных балансных и двойных балансных
преобразователях частоты дециметрового диапазона длин
волн в составе гибридных интегральных микросхем н
микросборок, обеспечивающих герметизацию и защиту
приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых
грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими вывода
мии на кристаллодержателе Габаритный чертеж соответствует
прибору 3АС 127А 4 (рис.1 47) Тип прибора обозначается на
обратной crop не прибора зеленой точкой - 2А139АС-4,
краснойточкой 2А139А< 4 Полярность, схема соединений,
товарный знак, тип диодной четверки, дата изготовления
наносятся на ярлык, вкладываемый в групповую тару.Масса
прибора не более 0,002 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации:
четверка диодная 2А139АС 4, аАО.339.721ТУ
Электрические параметры
Общая емкость диода (U . = 0 В)
2А139АС 4
2Л139БС-4
Нсцдентичность общей емкости
диодов
Постоянное прямое напряжение
(I 1 мА) при Т +25°С
2А139АС-4
2А139БС-4
Т—60 и + 125"С
Неидентичность постоянных
прямых напряжений диодов в
четверке при Т_+25°С и
I =10 мА
пр
I = 1 мА
Т -60 и + 125"С и I 10 мА
пр
I = 1
пр
Последовательное сопротивление
потерь каждого л иода в четверке
(I 10 мА) 2А139АС-4
2А139БС 4
Нормированный коэффициент
шума каждого диода в четверке
(Рга 1 мВт, на 3 ГГц)
0,17...0,4*...0,5 пФ
0,17...0,4*...0,45 пФ
0,05* . 0,1 пФ
280 410* .430 мВ
280 400* 450 мВ
200... 5 50 мВ
не более 25 мВ
10*...20 мВ
нс более 35 мВ
не более 30 мВ
4* .5 Ом
нс более 7 Ом
не более 6 дБ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т -60..Л85'С
Т=+125"С
Импульсная рассеиваемая мощность
(t 5 1 мкс,Г 1000 1ц) при Г 60...+85‘C
Т=+125"С
Рабочая частота
Прямой ток смещения
Допустимое значение статического
потенциала
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Минимальная наработка в составе IС в
облегченных режимах при Ррк=0,5 Рт11
Срок сохраняемости в составе ГС
150 мВт
60 мВт
500 мВт
100 мВт
3 ГГц
1 мА
5 В
-60...+ 125’С
25000 ч
50000 ч
25 лет
Примечание: Изменение максимально допустимых
непрерывной и импульсной рассеиваемых СВЧ-мошностсй в
диапазоне температур окружающей среды от +Й5 до + 125°С
- линейное.
47
Рис. 1.71. Зона возможных положений зависимостей: потерь
преобразования (а), нормированного коэффициента шума (б) от
температуры; потерь преобразования (в), нормированного
коэффициента шума (г) от непрерывной падающей СВЧ-
мощности
Общая емкость диода (ОЛр = 0 В)
ЗА 140 \ 3
ЗА14 Б-3
Конструктивная емкость
Постоянное обратное напряжение
(1^ = 10 мкА)
Потери преобразования 3A14OA-3
ЗА14ОБ-3
Нормированный коэ<]и1>иниснт
шума	3A140A-3
ЗА140Б-3
Выпрямленный ток 3A140A-3
ЗА140Б-3
Ра брос постоянного прямого
напряжения (1^ 1 мА)
0,02* . 0,07* .0,1 пФ
0,03*...0,12*...0,13 нФ
0,007*...0,02*...0,03* пФ
2,5...5,0* .9,0* В
3,4*...4,4*...5,6 дБ
4,б*...5,8*...6,5 дБ
4,9*...6,0*...6,5 дБ
5,5*...7,0*...7,5 дБ
3,0*...3,9*...4,3 мА
2,0*...2,9*...3,4 мА
20 ..60 мВ
Пре гс тытые эксн.театационпые данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при
1 -60 .+35°С	50 мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Рнс.1.72. Зависимость предельной импульсной рассеиваемой
мощности от длительности импульса.
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
прибг ров.
3A140A-3, ЗА140Б-3
Диоды арсенцдо-галлиевые, планарно эпитаксиальные,
с барьером Шоттки, смесительные. Предназначены для
применения в преобразователях частоты и детекторах
миллиметрового диапазона длин волн в составе гибридных
интегральных микросхем и микросборок, обеспечивающих
герметизацию и защиту приборов от воздействия влага,
соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного
и повышенного давления. Выпускаются в бескорпусном
исполнении с балочными выводами без кристаллодержатетя
(рис 1.73). Товарный знак, тип диода и дата изготовления
наносятся на яр лык, вкладываемый в групповую тару. Масса
диода не более 0,0005 г. Пример записи условного обозначения
при заказе и в конструкторской документации
диод СВЧ 3A140A-3, аАО.339.732 ТУ.
кратк врс\ енном воздействии (не более
10 мин) при Т -6О...+35’С	75 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH < 0,3 мкс, f = 1000 Гц, Т=-60„ +35°С)	100 мВг
Рабочий диапазон частот, нс более	40 11 ц
Прямой ток смещения	10 мА
Допустимое значение ста ичсского
потенциала	2,5 В
Температура окружающей среды	6О...т-125°С
Минимальная наработка в составе ГС 50000 ч
Минимальная наработка в облегченных
режимах в составе ГС (Р 0,5Р J 75000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечания: 1 Изменение максимально допустимых
непрерывной и импульсной рассеиваемых СВЧ-мощностей в
диапазоне температур окружающей среды от +35 до + 150“С
линейное до нуля 2 При tM> I мкс максимально допустимая
импульсная мощность изменяется пропорционально
квадратному корню из длительности импульса.
Электрические параметры
Постояное прямое напряжение		при
Т=+25 С	ЗА140А 3	0,6...0,74*...0,8* В
	ЗА140Б-3	0,6. 0,72* .0,9* В
Т=+125’С	ЗА140А 3	0,5...0,69* .0,8* В
	ЗА140Б-3	0,5...0,66*...0,8* В
Т=-60’С	3A140A-3	0,6. .0,78* .0,9* В
	ЗА140Б 3	0,6...0,75* .0,9* В
Последовательное сопротивление
потерь(1 =10 мА) 3A140A-3
ЗА140Б 3
3* . 5* .8 Ом
3* 7.* 10 Ом
-50 О 50 7-,° С
48 Рнс.1 74. Зонаво можных положений зависимостей потерь преоб-
раэовання (а), нормированного коэффициента шума (О), выпрям-
ленного тока (в) от непрерывной падающей СВЧ мощности
потерь преоб а вання (г), нормированного коэф ни н тшума
от частоты (д); прямого напряжения от температуры (е)
Постоянное обратное напряжение
(UP =10 мкА)	6,4...8,5* ..10,5 В
Предельные эксплуатационные данные
Рис 1.75. Зависимость минимальной наработки от темпера уры
окружающей среды при 27 мВт
Непрерывная рассеива мая мощность при
Т=-60...+ 120’С	50 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
(tM<0,5 мкс.Г 1000 Гц,) при Т= -6О..+ 12О°С 120 мВт
Прямое напряжение (1пр-10 мА)	1 В
Допустимое значение статического
потенциала	15 В
Температура окружающей среды	-60. .+ 125°С
Минимальная наработка	25000 ч
Срок сохраняемости	25 тст
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
ЗА141А
Диоды арсепидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Ilk гтки, смесительно-детекторные. Предназначены
для применения в преобразователях частоты и детекторах
миллиметрового диапазона длин волн. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе типа КД-122Б с жесткими
выводами. Габаритный чертеж соответствует прибору 2А133
(рис. 1.59). Диоды не маркируются, товарный знак, тип диода,
полярность и дата изготовления наносятся на ярлык,
вкладываемый в групповую тар Положительный вывод - со
стороны крышки. Масса диода нс более 0,0015 г. Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СВЧ ЗА141А, аАО.339.778 ТУ
Электрические параметры
Потри преобразования на
Lm= (140±5) ГГц	5,0* . .6,0*
U (95+5) ГГц	5,0* ..5,5*
Нормированный коэффициент шума
на L (140+5) ГГц	7,8* ...8,5*
(95±5) ГГц	7,2* 7,8*
Выпрямленный ток на
...7,5 дБ
6 7* дБ
...9,5 дБ
.8,5* дБ
f»x= (140±5) ГГц
Выходное сопротивление на
(кж (140±5) ГГц
f,™=(95±5) ГГц
Коэффициент стоячей волны по
1,2 ...2,5* .3,2* дБ
100 . 380* .500 Ом
390* . 430* 450* Ом
напряжению на (140±5) ГГц
Чувствительность по току
Р 10 мкВт,Клос=100 Ом,
100 мкА) на 1^= (140±5) ГГц
U=(95±5) Пц
Тангенциальная чувствительность
(Г/ ЮОмкА) на (14015)11 ц
Постоянное прямое напряжение
(1=1 мА) при Т=25‘С
Т-+ 125’С
1,25* 1,5* .2,5
2. 2,8* . 4,9* А/Вт
2,8* 3,7* .6,1* А/Вт
35.. 41*.. 47* дБ/мВт
0,55...0,7*...0,95 В
0,55...0,85 В
Т -60’С
Общая емкость диода (U^ = 0 В)
Последовательное сопротивление
потерь (I,ip = 10 мА)
П казатель идеальности ВАХ
0,65. .1,05 В
0,65 .0,11 пФ
не более 20 Ом
не более 1,2
О 100 200 3001сы,мкА
4 СВЧ-приборы
49
Рис.176. с на возможных положений зависимостей
выпрямленного тока (а), коэффициент стоячей волны (6J
нормированного коэффициента шума (в) от непрерывной
падающей В мощности; потерь преобразования (г) чув-
ствительности по току (д), нормировав юго коэффициента шума
(е) от температуры чувствительности по току (ж) потерь
преобразования и нормированного коэффициента шума (з) от
частоты, чувствительности по току (и), тангенциальной
чувствительности (к) от тока смещения
Рис. 177 Зависимости минимальной наработки от температуры
окружающей среды (а), минимальной наработки от температуры
окружающей среды при различных знач ишх импульсной
рассеиваемой мощности при tB= 0,5 мкс и f 1000 Гц (б); потерь
преобразования (в), выходного сопротивления (г) от непрерыв-
ной падающей СВЧ-мощности
Изготовитель: Томский завод при НИИ полупроводниковых
приборов
ЗА142А-5, 4А142А-5
Диоды арсенидогаллиевые (ЗА142А 5) и
фосфидоиндиевые (4А142Л-5), планарно-эпитаксиальные,
сотовой структуры, с барьером Шоттки, смесительно-
детекторные. Предназначены для применения в
преобразователях частоты и детекторах миллиметрового и
субмиллиметрового диапазонов длин волн волноводной или
гибридно-интегральной конструкции, обеспечивающих
герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги,
соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, понижен-
ного и повышенного давления. Выпускаются в бескорпусном
исполнении в виде кристалла с контактными площадками
сотовой структуры без кристаллодержателя (рис. 1.78). Диоды
не маркируются, товарный знак, тип диода, полярность и
дата изготовления пат осята на ярлык, кладываемый в
групповую тару. Положительный вывод со стороны контакта
меньшего размера. Масса диода не более 0,001г. Пример
записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документациищиод СВЧ ЗА142А-5 или
4А142А-5 АЕЯР 432131.012 ТУ.
Вывод 1
Вывод2
Рис. 1.78
Электрические параметры
Емкость перехода (U,tp = 0 В)
ЗА142А 5
4А142А-5
Постоянное прямое напряжение
(I = 10 мкА) при
Т=-60...+85°С	ЗА142А 5
4А142А-5
Т=-19б°С	ЗА142А-5
4А142А-5
Последовательное сопротивление
потерь (I =10 мА) ЗА142А 5
4А142А-5
Показатель идеальности ВАХ
ЗА142А-5
4А142А 5
Предельная частота ЗА142А-5
4А142А-5
Постоянное обратное напряжение
(I. = 10 мкА)	ЗА142А-5
(1<вр= 100 мкА) 4А142А 5
3,8*...4,0*...6,0 фФ
4,3*...5,0*...8,0 фФ
0,65...0,71*...1,0 В
0,2*.-.0,31*.-0,5 В
не более 1,3 В
не более 0,8 В
5,5*...7,0*...15 Ом
8,0*...15*...20 Ом
1,01*...1,13*...1,25
1,10*.. 1,23* ..1,30
4500...4700* ..5000* ГГц
1500...2300* .3200*ГГц
3,0. .5,1* .7 6* В
2,0. 2,8 4,0* В
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность
ЗА142А-5	5	мВт
4AI42A-5	3	мВт
Постоянный прямой ток	5	мА
Допустимое значение статическою
потенциала	15 В
Температура окружающей среды	196 ..+85”С
Энергия активации механизмов отказа
ЗА142А 5	1,3 эВ
4А142А-5	1,0 эВ
50
Минимальная наработка
Срок сохраняемое!и
15000 ч
25 лет
Примечание: Прижимную иглу, применяемую для
подключения к контактной площадке сотовой структуры,
рекомендуется изготавливать из вольфрамовой проволоки
диаметром 12 .15 мкм.
Рис. 1.79. Зависимости, показателя идеальности вольтамперной
характеристики от температуры (а); минимальной наработки от
температуры и режимов эксплуатации для диодов ЗА142А 5 (6),
для диодов 4А142А-5 (в).
Изготовитель- Томский завод при ПИИ полупроводниковых
приборов.
3A143AC-3, ЗА143БС-3, 3A143BC-3
Интегральные диодные пары арсенидогаллиевые,
планарно -эпитаксиальные, с барьером Шоттки, смесительно-
детекторные. Предназначены для применения в
преобразователях частоты и детекторах миллиметрового
диапазона длин волн в составе гибридных интегральных
микрос: ем и микросборок, обеспечивающих герметизацию
и защиту приборов от воздействия влаги,- соляного тумана,
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного
давления. Выпускаются в бескорпусном исполнении с
балочными выводамии без кристаллодержателя (рис. 1.80).
Полярность, схема соединений, товарный знак, тип диодной
пары, зг ачение конструктивной емкости и дата изготовления
наносятся на ярлык, вкладываемый в групповую тару. Масса
прибора не более 0,002 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации:
пара диодная ЗА143АС-3,А1.ЯР 432131. )37 ТУ.
Электрические параметры
Предельная частота 3A143AC-3
ЗА143БС-3
3A143BC 3
Последовательное сопротивление
потерь (I =10 мА) 3A143AC-3
ЗА143БС-3
3A143BC 3
Общая емкост ь диода (U-, = 0 В)
3A143A 5-3
ЗА143БС-3
3A143BC 3
Емкость перехода (U - = ( В
3A143AC-3
ЗА143БС 3
3A143BC-3
Показатель идеальности ВАХ
3A143AC-3
ЗА143БС 3
3A143BC-3
Постоянное обратное напряжение
(I. = 10 мкА) при
Т +25 и + 125’С
Т=-60’С
Постоянное прямое напряжение
(I = I мА) 3A143AC-3
ЗА143БС-3
3A143BC-3
Разность постоянных прямых
напряжений диодов в паре
1 мА
1400..2700*...3700*ГГц
1800...3100* ..5700* ГГц
2600...44 00* 9700* ГГц
1,6*...3,6*...8 Ом
2,8*...5,1*...10 Ом
4*...6,3*... 12 Ом
0,017* .0,022*. 0,04 пФ
0,017*..0,019*..0,035 пФ
О,О11*..О,О15*..О,О25пФ
0,011* .0,015* .0,035 *пФ
0,009*...0,01*...0,015*пФ
0,002*...0,006*...0,01’пФ
1,15*...1,18*...1,25
1,1*...1,15*...1,25
1,09*...1,13*...1,25
3,0...5,5*...6,8* В
не менее 2,0 В
650...770*. 800 мВ
650...750*. 850 мВ
700...760...900 мВ
не более 15 мВ
Пределыные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т=-60...+125’С	3A143AC-3
ЗА143БС-3
3A143BC-3
Импульсная рассеиваемая мощность
30 мВт
20 мВт
15 мвт
4*
51
(t* 5 0,3 мкс, f = 1000 Гц) T=-60.. +125’С
3A143AC-3	140 мВт
ЗА143БС-3	90 мВт
3A143BC-3	60 мвг
Рабочая частота	300 ГГц
Прямой ток смещения Допустимое значение статического	1 мА
потенциала	15 В
Температура окружают й среды	-60 + 125’С
Минимальная н р ботка в составе ГС	25000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
Рис. 1.81. Зона возможных положений зависимостей: потерь
преобразования (а), нормированного коэффициента шума (б) от
частоты.
Р/Р (0,3 мкс)
Рис 1.82. Зависим и максимально допустимой импульсной
рассеиваем й СВЧ-мощности от длительности (. ВЧ импульса
при постоянной скважности (а), минимальной наработки от
температуры окружают й среды и предельно допустимых режимо
ксплуатации (о) Цифрами обозначено отношение реалы ой
падающей на ди л СВЧ мощности к максимально допустимой.
Изготовитель Томский завод при НИИ полупроводниковых
приборов.
2А144А
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные, с барьером
Шоттки, смесительные Предназначены для применения в
преобразователях частоты сантиметрового и длинноволновый
части миллиметрового диапазонов длин волн в составе
гибридных интегральных микросхем и микросборок,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от
воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея
и росы пониженного и повышенного давления Выпускаются
в стеклянном корпусе с жесткими выводами типа КД-1-2
(рис. 1.83). Тип диода и схема соединения электродов с
выводами приводятся на индивидуальной таре Отрицательный
вывод диода - со стороны кристалла. Масса диода не более
0,035г. Пример записи условного обозначения при заказе и
в конструкторской документации: диод СВЧ 2А144А,
АЕЯР 432130.056 ТУ
Рис. 1.83
Электрические параметры
Потери преобразования
(Г = 15 ГГц, Р 0,3 мВт) при	
Т—+25 и -60"С	4,8* . 5 8* ..6,0 дБ
Т +125’С Нормированный коэффициент шума (1^= 15 ГГц, Рг= 0,3 мВт)	не более 6,5 дЬ
при	Т= +25 и -60"С	6,0*...6 5 *..7,0 дБ
Т=+125’С Постоянное прямое напряжение	не более 8,5 дБ
(1пр=1,0 мА при Т=+25 и + 125’С	0,19* 0,25*.,.0,3 В
Т=-60’С Нормированное постоянное обратное напряжение	нс более 0,35 В
(1,^= 15 мкА) Постоянное обратное напряжение	не менее 2 В
(1^= 15 мкА> Постоянный обратный ток	1,6» 4* 10* В
(Ч* = 2 В) Последовате ьное сопротивление	0,15*...5,0*...16* мкА
потерь (I = 1,0 мА) Емкость перехода диода	5* 12 15 Ом
(Ц* = 0,2 В)	0,13*...0,14*.. 0,17* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при
1= 60. .+85’С	100 мВт
Т=+ 125’С	25 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность (t„ < 1 мкс, Q й 1000, Т=-60...+ 85’С)	100 мВт
при Т=+125’С	25 мВт
Диапазон рабочих частот Значение допустимого статического	0,3 ..30 ГГц
потенциала	10 В
Температура окружающей среды Максимаитьно допустимая температура	-60...+125’С
кристалла	+ 125С
52
Минимальная наработка
Минимальная наработка в облегченных
режимах (Р — 0,5?^, Т=+25"С)
Срок сохраняемости
25000 ч
50000 ч
25 лет
Примечание: 1 СВЧ-параметры измеряются в режим
Рш; 0,3 мВт, 15 11 н. 2. Изменение максимально
допустимых непрерывной и импульсной рассеиваемых СВЧ-
мощностей в диапазоне температур окружающей среды от
+85 до +125”С линейное. 3. Вывод рекомендуется изгибать
не б иже 3 мм от корпуса с радиусом закругления 2 мм.
4, Допускается изгибать выводы на расстоянии от корпуса
менее 2 мм в условиях, исключающих передачу усилия на
корпус. 5. Разрешается применение диодов в условиях
воздействия инея и росы в составе аппаратуры при условии
не менее двукратного покрытия лаком
Рис. 1.84. Зависимость выпрямленного тока от непрерывной пала
юшей СВЧ мощности
Изготовитель: Завод при НИИ “Сапфир”, г.Москва.
2А145А, 2А145Б, 2А145В, 2А145А-5, 2А145Б-5,
2А145В-5, 2А145А-9, 2А145Б-9, 2AI45B-9
Диоды кремниевые, планарно эпитаксиальные, с барьером
Шоттки, смесительные Предназначены для применения в
коаксиальных и волноводных конструкциях доплеровских
преобразователей частоты сантиметрового и длинноволновой
части миллиметрового диапазонов длин волн, а такж в
составе гибридных интегральных микросхем и микросборок,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от
воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея
и росы, пониженного и повышенного давления Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами типа
КД 106 (2А145А), в виде кристалла на керамическом
кристаллодержателе (2А145А 9) и в виде кристалла с
контактными площадками без кристаллодержателя (2А145А
5) (рис.1 85) Габаритный чертеж 2А145А соответствует
прибору 2А107 (рис 1.14), габаритный чертеж 2А145А-9 -
прибору 2А117А 6 (рис 131) Тип диода и схема соединения
электродов с выво ами приводятся на индивидуальной таре.
Масса диода не более 0 3 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 2А145А, АЕЯР 432130.069 ТУ.
Рис 1.85
8контактов ФО,01
Электрические параметры
Погори преобразования
(^"*15 ГГц, Рг=1,5 мВт) при
Т-+25 и -60 С 2Л145А.2А145В
2А145Б
Т=+ 125'С	2А145А.2А145В
2А145Б
Нормированный коэффициент
шума (1^ 15 ГГц, Рг= 1,5 мВт,
fm=!0 кГц) при
Г +25 и -60°С	2А145А,2А145Б
2А145В
Т + 125”С	2А145А.2А145Б
2А145В
Постоянное прямое напряжение
(1=1,0 мА)при Т=+25 и + 125*С
Т=-60“С
Постоянное обратное напряжение
(1^ 10 мкА)
Постоянный обратный ток
= 2 В)
Последовательное сопротивление
потерь (1^ 10 мА)
Выходное шумовое отношение
(1^=1 мА, fm= 10 кГц)
Выпрямленный ток (f„M_15 ГГц)
Выходное сопротивление
Емкость перехода диода
(^=0,2 В
Емкость диода (С^О В)
4,3*...5,5*...6,0 дБ
4,3*...5,5*...6,5 дБ
не более 6,5 дБ
не более 7,0 дБ
8,5* .9.0*. 10 дБ
9,0*...11*...12 дБ
не более 11 дБ
не более 13 дБ
0,33* ..0,35*. .0,4 В
не более 0,45 В
5,0.7,0*. .9 0* В
0,5*. .0,7* 1,0* мкА
6* .10*...15 Ом
1,5. 1,7..2,0
1,75* 1 85* 2,8* мА
170. .190* . 260 Ом
0,13* .0,25* .0,35* пФ
0,35* . 0,55*...0,65* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т=-60...+85 (
Т + 125°С
Импульсная рассеиваемая мощность
(t„S 1 мкс, f = 1000, Т=-60...+85°С)
при Т=+125”С
Диапазон рабочих частот
Значение допустимого статического
потенциала
Температура окружающей среды
Максимально допустимая температура
кристалла
Минимальная наработка
Минимальная наработка в облегченных
режимах (Р O.SP^.T +25°С)
Срок сохраняемости
100 мВт
40 мВт
250 мВт
100 мВт
0,3. 30 ГГц
10 В
-60 .,+125‘С
+ 125С
25000 ч
50000 ч
25 лет
Примечание 1 СВЧ параметры измеряются в режиме
Рш= 1,5 мВт, = 15 ГГц, = 10 кГц. 2. Изменение
максимально допустимых непрерывной и импульсной
рассеиваемых СВЧ-мощностей в диапазоне температур
окружающей среды от +85 до +125“С линейное 3. Допускается
подавать на диод прямое смещение до 0,4 В а также
эксплуатация диодов при температуре до 150“С
53
Рис.1 86 Зависимость потерь преобразования (а), нормированного
коэффициента шума (б) от температуры выходного шумового
отношения от промежуточной частоты (в).
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир", г.Москва
(U , = 0 В) 2А146АС-4
2А146БС-4
Неидентичность обшей емкости
диодов между "плечами" (13^=0 В)
Последовательное сопроти вленне
потерь в "плече" (1^ = 1 мА)
2А146А2-4
2А146БС-4
Потери преобразования
(FTOM=3 ГГц, Рг=1 мВт на диод)
2А146АС-4
2А146БС 4
0,07‘...( 08*. .0,25 пФ
0,08*...0,09*...0,30 пФ
0,02*...0,10 пФ
5*. .8*... 14 Ом
5* 8* 16 Ом
3*...3,6*...4,5 дБ
3* 3,6* 5,0 дБ
Нормированный коэффициент
шума (f^ 3 ГГц, Рг=1 мВт на диод)
2А146АС-4	4,5* .5,0*...5,5* дБ
2А146БС-4	4,5* 5,0*. .6,0* дБ
Предельные эксплуатационные данные
2А146АС-4, 2А146БС-4
Интегральные диодные восмерки по два диода в "плече",
соединенные в кольцо, кремниевые, планарно-
эпитаксиальные с барьером Шоттки, предназначенные для
применения в балансных смесителях с повышенной
помехоустойчивостью и низким уровнем продуктов
преобразования сигналов высших порядков дециметрового
диапазона длин волн выполненных в виде гибридных
интегральных микросхем и микросборок, обеспечивающих
герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги,
соляного тумана плесневых грибов, инея и росы,
пониженного и повышенного давления Выпускаются в
бсскорпусном исполнении с балочными выводами на
кристаллодержателе. Габаритный чертеж соответствует
прибору ЗАС127А-4 (рис.1 47) Полярность, схема соединений,
товарный знак, тип диодной восмерки и дата изготовления
наносятся на ярлык, вкладываемый в групповую тару
Маркировка точка на держателе 2А14бАС-4-серая,2А146БС-4
- синяя. Масса прибора не более 0,01 г. Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации восмерка диодная 2А146АС-4
АЕЯР 432130.081 ТУ
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т=-60...+35’С
Т=+125‘С
Импульсная рассеиваемая мощность
(tM S0,3 мкс,f =4000 Гц) при Т=-60...+35°С
Т=+125°С
Диапазон рабочих частот
Максимально допустимый постоянный
прямой ток при Т—60. .+35 С
Т=+125'С
Допустимое значение статического
потенциала
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Минимальная наработка в составе ГС в
облепенных режимах (при Рр.с=0,5Рр<сти(
Т=»25 С)
Срок сохраняемости в составе ГС
75 мВт
15 мВт
150 мВт
30 мВт
0,3 - 3,0 I Гц
18 мА
8 мА
5 В
-60...+125'С
25000 ч
50000 ч
25 лет
Примечание - Изменение максимально допустимых
непрерывной и импульсной рассеиваемых СВЧ-мошностей
и постоянного прямого тока в диапазоне температур
окружающей среды от +35 до + 125'С линейное.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение
диодов в "плече (1=1 мА)при
Т-+25'С
Т=-60'С
Т=+125'С
Неидентичность постоянных
прямых напряжений диодов
между соседними ’плечами"
(I 1 мА) при Т=+25'С
Т=-60'С
Общая емкость диодов в "плече"
0,7-0,85* .1,1 Ом
0,7... 1,2 Ом
0,55 .1,1 Ом
нс более 0,02 мВ
не более 0,03 мВ
Рис 1 87 Зона возможных положений зависимостей потерь пре-
образования от непрерывной падающей СВЧ мощности (а);
потерь преобразования (6), нормированного коэффициента шума
(в) от температуры нормированного коэффициента шума от
частоты (г).
54
Рис.1.88. Зависимости: выпрямленного тока (а), потерь преобра-
зования (6) от частоты; выпрямленною тока от непрерывной
падающей СВЧ-мощности (в>
Изготовитель- Завод при НИИ Сапфир", г.Москва.
3A147A-3, ЗА147Б-3, 3A147B-3
Диоды арсенидо-галлиевые, планарно эпитаксиальные,
с барьером Шоттки, смесительные. Пред газиачены для
применения в преобразователях частоты и детекторах
миллиметрового диапазона длин волн в составе гибридных
интегральных микросхем и микросборок, обеспечивающих
герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги,
соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного
и повышенного давления. Выпускаются в бескорпусном
исполнениис балочными выводами без кристаллодержателя
(рис.1 89) Полярность, товарный знак, тип диода и дата
изготовления наносятся на ярлык, вкладываемый в групповую
тару Масса диода не более 0,0001 г Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации
диод СВЧ ЗА147А 3 АЕЯР.43210.086 ТУ.
Рис. 189
Вывод2
Вывод 1
Электрические араметры		
Предельная частота ЗА 147А 3	не менее	3000 ГГц
ЗА147Б-3	не менее	1200 ГГц
3A147B-3	нс менее	800 ГГц
Последовательное сопротивление потерь (I 10 мА) 3A147A-3	не более	15 Ом
ЗА147Б-3	не более	12 Ом
ЗА147В 3	не более 8 Ом	
Общая емкость диода (U^ =•= 0 В) 3A147A-3		
	че более 0,01 пФ	
ЗА147Б-3
3A147B-3
Показатель идеальносгиВАХ
Постоянное обратное напряжение
(Lp= 5 мкА>
не более 0,02 пф
не более 0,05 пФ
не более 1,2
не менее 3,0 В
Предельные эксп. уатациониые данные
Непрерывная	рассеиваемая мощность при
Т -60...+85”С	3A147A-3	10	мВт ЗА147Б- 3	20	мВт 3A147B-3	30	мвг
Т=+125°С	3A147A-3	5 мВт ЗА147Б-3	1 ) мВт 3A147B-3	15 мВт Импульсная рассеиваемая мощность t < 0,3 мкс, f = 1000 Гц) при	
Т=-6О...+85”С	3A147A-3	25 мВт ЗА147Б-3	50 мВт ЗА147В 3	100 мВт
Т=+125°С	.3A147A-3	10	мВт ЗА147Б-3	15	мВт 3A147B-3	20	мВт
Допустимое значение ста ического
н аала
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Минимальная наработка в облегченных
режимах при Т т25°С
Р = 10 мВт для 3A138A-3
Р =7 мВт для ЗА138Б-3
Р***— 5 мВт для 3A138B-3
р*с
Срок сохраняемости
30 в
-60...+ 125‘С
25000 ч
50000 ч
2 5 лет
Примечания: 1. Изменение максимально допустимых
непрерывной и импульсной рассеиваемых СВЧ-мощностей в
диапазоне температур окружающей среды от +85 до +125°С
линейное. 2. При tM>0,3 мкс максимально допустимая
импульсная мощность снижается пропорционально
увеличению длительности импульса. 3 Допускается
применение диодов при частоте следования импульсов до
20 кГц, при этом величина минимальной наработки
уменьшается пропорционально увеличению частоты.
11
9
7
5	а
2	4	6	8 РпЗ'МВт
55
Рис. 190 Зона возможных положений зависимостей: потерь
преобразования для диодов 3A147A-3 (а), потерь преобразования
для диодов ЗА147В 3 (6), коэффициента шума для диодов
3A147A-3 (в), коэффициента шума для диодов 3A147B-3 (г) от
иепрерывиой паваюшей СВЧ-мощности
Изготовитель- Завод при НИИ "Салют", г. Нижний Новгород.
Прямая таблица полных аналогов смесительных диодов
Тип диода Тип диода Материал Корпус Фирма
(отечеств.) (зарубежн.)	изготовитель
2А104А	РКО601	Si	DO-7	Parametric
2А104А	1N831	Si	DO-7	Alphaindust
2А105А	РКО606	Si	DO-7	Parametric
АА112А	АМН9001-01	Si	DO 35	Advncd Semi
АА112А	АМН9002-01	Si	DO 35	Advncd Semi
АА112А	АМН9003-01	Si	DO 35	Advncd Semi
АА112А	AML9002-01	Si	DO 35	Advncd Semi
АА112А	AML9003-01	Si	DO-35	Advncd Semi
АА112А	AML9OO4-O1	Si	DO-35	Advncd Semi
АА112А	АММ9001-01	Si	DO-35	Advncd Semi
АА112А	АММ9002-01	Si	DO-35	Advncd Semi
АА112А	АММ9003-01	Si	DO 35	Advncd Semi
АА112А	АММ9004-01	Si	DO 35	Advncd Semi
АА112А	АММ9005-01	Si	DO-35	Advncd Semi
АА112А	МА40103	Si	DO-35	M/ACommSemi
АА112А	МА40104	Si	DO-35	M/ACommSemi
АА112А	МА40153	Si	DO-35var	M/ACommSemi
АА112А	МА40154	Si	DO 35var	M/ACommScmi
АА112А	МА415О5	Si	DO-35var	M/ACommSemi
АА112А	МА41506	Si	DO-35 var	M/ACommSemi
АА112А	МА41507	Si	DO 35var	M/ACommSemi
ДА112А	МА41508	Si	DO-35 var	M/ACommSemi
АА112А	МА415О9	Si	DO-35 var	M/ACommSemi
АА112А	МА4Е183	Si	DO-35	M/ACommSemi
АА112А	МА4Е184	Si	DO 35	M/ACommSemi
АА112А	ML4O1O3	Si	DO-34	MicrowvAssc
АА112А	ML40104	Si	DO-34	MicrowvAssc
АА112А	ML40108	S	DO 34	MicrowvAssc
AA112A	Ml.40138	Si	DO-34	M егоwvAssc
AA112A	ML40139	Si	DO-34	MicrowvAssc
AA112A	ML4O153	Si	DO 34	MicrowvAssc
AA112A	ML40154	Si	DO-34	MicrowvAssc
AA112A	P0804	Si	DO-35	Parametric
AA112A	P0804A	Si	DO-35	Parametric
AA112A	P0804B	Si	DO-35	Parametric
AA112A	P0804C	Si	DO-35	Parametric
AA1I2A	P0892	s>	DO-35	Parametric
AA112A	P0892A	s	DO-35	Parametnc
AA112A	P0892B	Si	DO-35	Parametric
AA112A	PFM800	GaAs DO-35		Parametric
AA112A	PFM801	GaAs DO-35		Parametric
AA112A	PK0806	Si	DO-35var	Parametric
AA112A	PK0807	Si	DO-35 var	Parametric
AA112A	PK0809	Si	DO 35var	Parametric
AA112A	PK0810	Si	DO-35var	Parametric
AA112A	PKM9O5	Si	Axial-3	Parametric
AA112A	PKM906	Si	Axial 3	Parametric
AA112A	PKM907	Si	Axial-3	Parametric
AA112A	PM0806	Si	DO-35var	Parametric
AA112A	PM0807	Si	DO-35var	Parametric
AA112A	PM0808	Si	DO-35var	Parametric
AA112A	PMO8O9	Si	DO-35var	Parametric
AA112A	PM0810	Si	DO-35var	Parametnc
AA112A	SDM33OO-O11	Si	DO-35var	SD1 Inc
AA112A	SDM43OO-O11	Si	DO-35var	SDI Inc.
АА112Б	AMH9001-01	Si	DO-35	Advncd Semi
АА112Б	AMH9OO2-O1	Si	DO-35	Advncd Semi
АА112Б	AMH9003-01	S	DO-35	Advncd Semi
АА112Б	AML9002-01	Si	DO-35	Advncd Semi
АА112Б	AML9003-01	Si	DO-35	Advncd Semi
АА112Б	AML9OO4-O1	Si	DO-35	Advncd Semi
АА112Б	AMM9001-01	Si	DO-35	Advncd Semi
АА112Б	AMM9002-01	Si	DO-35	Advncd Semi
АА112Б	AMM9OO3-O1	Si	DO-35	Advncd Semi
АА112Б	AMM9004-01	Si	DO-35	Advncd Seim
АА112Б	AMM9005-01	Si	DO-35	Advncd Semi
АА112Б	MA40103	S	DO-35	M/ACommSemi
АА112Б	MA40104	Si	DO-35	M/ACommSemi
АА112Б	MA40153	Si	DO-35var	M/ACommSemi
АА112Б	MA40154	Si	DO-35var	M/ACommSemi
АА112Б	MA415O5	Si	DO-35var	M/ACommSemi
АА112Б	MA415O6	Si	DO-35var	M/ACommSerm
АА112Б	MA415O7	Si	DO-35var	M/ACommSemi
АА112Б	MA41508	Si	DO-35var	M/ACommSemi
АА112Б	MA415O9	Si	DO-35var	M/ACommSemi
АА112Б	MA4E183	Si	DO 35	M/ACommSemi
АА112Б	MA4E184	Si	DO-35	M/ACommSemi
АА112Б	ML4O1O3	Si	DO-34	MicrowvAssc
АА112Б	ML40104	Si	DO-34	MicrowvAssc
АА112Б	MIAO 108	Si	DO 34	MicrowvAssc
АА112Б	ML40138	Si	DO-34	MicrowvAssc
АА112Б	ML40139	Si	DO-34	MicrowvAssc
АА112Б	ML4O153	Si	DO-34	MicrowvAssc
АА112Б	ML40154	Si	DO 34	MicrowvAssc
АА112Б	P0804	Si	DO-35	Parametnc
АА112Б	P0804A	Si	DO-35	Parametric
АА112Б	P0804B	Si	DO 35	Parametric
АА112Б	P0804C	Si	DO-35	Parametric
АА112Б	P0892	Si	DO-35	Parametric
АА112Б	P0892A	Si	DO-35	Parametnc
АА112Б	P0892B	Si	DO 35	Parametric
АА112Б	PFM800	GaAs DO-35		Parametric
56
АА112Б	PFM801	Ga?	is DO-35	Parametric
АА112Б	РК0806	Si	DO-35var	Parametric
ААН2Б	РК0807	Si	DO-35var	Parametric
АА112Б	РК0809	Si	DO-35var	Parametric
ЛЛН2Б	РК0810	Si	DO-35var	Parametric
АА112Б	РКМ905	Si	Axial-3	Parametric
ЛЛ112Б	РКМ906	Si	Axial 3	Parametric
АА112Б	РКМ907	Si	Axial-3	Parametric
ЛЛ112Б	РМ0806	Si	DO-35var	Parametric
ЛА112Б	РМ0807	Si	DO-35var	Parametric
АА112Б	РМ0808	Si	DO-35var	Parametric
АЛ112Б	РМ0809	Si	DO-35var	Parametric
АЛ112Б	РМ0810	Si	DO-35var	Parametric
АА112Б	SDM33OO-O11	Si	DO-35var	SDI Inc.
ЛА112Б	SDM4300-011	Si	DO-35var	SD1 Inc
ЛАНЗА-1	DMB678OA	Si	130-011	Alphaindust
ЛАНЗА 1	DMB6780	Si	130-0H	Alphaindust
ЛАНЗА	DMB3000A	S	295-011	Alpha indust
ЛАИ ЗА-1	DMB3000	Si	295-011	Alphaindust
ЛАНЗА-1	DMF3068A	Si	295-011	Alphaindust
ЛАНЗА 1	DMF3068	Si	295-011	Alphaindust
ЛАНЗА 1	DME3O55	Si	130 011	Alphaindust
ЛАИЗА 1	DME3057	Si	295 011	Alphaindust
.ЛАНЗА-1	DMJ6786	Si	130-011	Alphaindust
ЛАНЗА-1	DMJ3151	Si	295-011	Alphaindust
ААНЗА-1	DMK6583	Si	295-011	Alphaindust
ЛАН ЗА-1	5082-2209	Si	C-2	Hewlett Pkd
ЛАНЗА 1	5082-2794	Si	C 2	Hewlett Pkd
ЛА113А-1	DCI534E	Si	09	Marconi I lec
ЛАНЗА 1	DC1534F	Si	09	MarconiFlcc
АА113А-1	МА40078	Si	137	M/ACommSemi
ЛАНЗА 1	МА40 '6	Si	137	M/AC ommSemi
ЛАНЗА 1	МА40077	Si	213	M/АС о mmSc mi
ЛАНЗА 1	МА40079	Si	213	M/ACommScmi
ЛАП ЗА-1	МА40086	Si	137	M/ACommSc mi
МП ЗА 1	МА40084	Si	137	M/ACommSemi
ЛАН ЗА-1	МА40087	Si	213	M/ACommSemi
ЛАНЗА 1	МА40 85	Si	213	M/ACommSemi
ЛАНЗА 1	МА40091	Si	137	M/ACommSemi
ЛАНЗА-1	МА40092	Si	213	M/ACommScmi
ЛАНЗА 1	МА40093	Si	137	M/AC oi nmSemi
ААНЗБ-1	МА40094	Si	213	M/ACommSemi
ЛА113Б 1	DMB678OA	Si	130-011	Alphaindust
ЛАП ЗБ-1	DMB6780	Si	130-011	Alphaindust
ЛАН ЗБ 1	DMB3000A	Si	295-011	Alphaindust
ЛАП ЗБ-1	DMB3000	Si	295-011	Alphaindust
АА113Б-1	DMF3068A	Si	295 OH	Alphaindust
АЛ113Б-1	DMF3068	Si	295-011	Alphaindust
ЛАНЗБ-1	DMF3O55	Si	130 OH	Alphaindust
ЛАП ЗБ-1	DME3057	Si	295-011	Alphaindust
ЛА113Б-1	DMJ6786	Si	130-011	Alphaindust
ЛАП ЗБ-1	DMJ3151	Si	295-011	Alphaindust
ЛАП ЗБ-1	DMK6583	Si	295 OH	Alphaindust
ААНЗБ-1	5082-2209	Si	C-2	Hewlett Pkd
ЛЛНЗБ-1	5082 2794	Si	C-2	Hewlett Ikd
ААНЗБ-1	DC1534E	Si	09	MarconiElec
АА113Б-1	DC1534F	Si	09	Marconi Elec
АА113Б 1	МА40078	Si	137	M/ACommScnu
ААНЗБ-1	МА40076	Si	137	M/A( ommSemi
ААНЗБ-1	МА40077	S	213	M/ACommSemi
ААНЗБ-1	МА40079	Si	213	M/A( ommSemi
ЛАИ ЗБ-1	МА40086	Si	137	M/ACommSemi
ААНЗБ-1	МА40084	Si	137	M ACommSeini
ЛА113Б 1	МА40087	Si	213	M/ACominScini
ААНЗБ-1	МА40085	Si	213	M/ACommSemi
ААНЗБ-1	МА40091	Si	137	M/ACommSemi
ЛЛНЗБ-1	МА40092	Si	213	M/ACommScmi
ААНЗБ-1	МА40093	Si	137	M/ACommSemi
ААНЗБ-1	МЛ40094	Si	213	M/ACommSemi
2А116А 1	DC1519	Si	09	MarconiElec
2А116А-1	DMF5O79	Si	325-011	Alphaindust
2А116А 1	DMF5845	Si	A427	Alphaindust
2А116А-1	11МГ4365	Si	364-011	Alphaindust
2А116А-1	DMJ6784	Si	Л427	Alphaindust
2А116А-1	DMJ6785	Si	325-011	Alphaindust
2Л116Л 1	DMJ3I53	Si	364-011	Alphaindust
ЗАН7А-6	DC1301	GaAsTO-122		MarconiElec
ЗА117А 6	DC 1301С	tiaAsTO 122		MarconiElec
ЗА117А-6	SDM2310-901	Si	TO-122	SDI Inc.
ЗА117А 6	SDM2370 901	Si	TO-122	SDI Inc.
ЗА117А-6	SDM3310-901	Si	TO-122	SDI Inc.
ЗА117Б-6	ВАГИ	Si	TO-122	PhilipsElcc
ЗД117Б-6	СО96509	Si	TO-122	Custom Cpts
ЗА117Б-6	DC1506E	Si	TO-122	MarconiElec
ЗА117Б-6	DC1506F	Si	TO 122	MarconiElec
ЗАН7Б-6	DC15O6G	Si	TO-122	MarconiElec
ЗАН7Б-6	DC 1596	s	TO 122	MarconiElec
ЗЛП7Б-6	SDM2300-901	Si	TO-122	SDI Inc.
ЗА117Б-6	SDM3300-901	Si	TO-122	SDI Inc.
ЗА117Б-6	SDM4300-901	Si	TO-122	SDI Inc.
ЗА119А-6	SDM2400-901	Si	TO-122	SDI Inc
ЗАН9А-6	SDM2410-901	Si	TO-122	SDI Inc
ЗАН9А 6	SDM247O-901	Si	TO-122	SDI Inc
ЗА119А-6	SDM 3400-901	Si	TO-122	SDI Inc.
ЗЛ119А-6	SDM4400-901	Si	TO 122	SDI Inc.
ЗА119А-6	DC1323	Si	TO 122	MarconiElec
ЗА119А-6	DC 1524	Si	TO-122	MarconiElec
ЗА119А-6	DC 1585	Si	TO-122	MarconiElec
2А12ОА	AMI19001-01	Si	DO 35	Advncd Semi
2А120А	АМН9002-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А120А	АМН9003-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А120А	AML9001-01	Si	DO 35	Advncd Semi
2А120А	AML9002-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А120А	AML9003-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А120А	AML9004-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А120А	АММ9001-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2Л120А	AM М 9002 01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А120Л	AMM9OO3-O1	Si	DO-35	Advncd Semi
2А120А	AMM9004-01	Si	DO 35	Advncd Semi
2Л12ОА	AMM9005-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2Л120А	AMP9001-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А120Л	AMP9002-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А120А	ЛМР9003-01	Si	DO 35	Advncd Senu
2А12ОА	MA40103	St	DO-35	M/ACommSemi
2А120А	MA40104	St	DO-35	M/ACommSemi
2А120А	MA40153	Si	DO 35var	M/ACommSe mi
2А12ОА	MA40154	Si	DO-35var	M/ACommSemi
2Л120А	MA41505	Si	DO-35var	M/ACotnmSemi
2Л120А	МЛ41506	Si	DO 35var	M/ACotnmScmi
2А120А	MA415O7	Si	DO-35var	M/ACommScmi
2А12ОЛ	MA41508	Si	DO-35var	M/ACommSemi
2А120А	МЛ41509	Si	DO-35var	M/AConunSemi
2А120А	MA4F183	Si	DO 35	M/ACommSem
2А120А	MA4E184	Si	DO-35	M/ACommSemi
2А120А	M140103	Si	DO-34	Micro wvAssc
2А120А	MD40104	Si	DO 34	MicrowvAssc
2AI20A	MIAO 108	Si	DO 34	MicrowvAssc
2AI20A	MIA0138	Si	DO 34	Micro wvAssc
57
2А120А	ML40139	Si	DO 34	Micro wvAssc
2А120А	ML4O153	Si	DO-34	Micro wvAssc
2А120А	MIAO 154	Si	DO-34	Micro wvAssc
2А120А	P0804	Si	DO-35	Parametric
2А120А	P0804A	Si	DO-35	Parametric
2А120А	P0804B	Si	DO-35	Parametric
2А120А	P0804C	Si	DO-35	Parametric
2А120А	P0892	Si	DO-35	Parametric
2А120А	P0892A	Si	DO 35	Parametric
2А120А	P0892B	Si	DO-35	Parametric
2А120А	PFM800	Si	DO 35	Parametric
2 Al 20А	PFM801	Si	DO-35	Parametric
2A120A	PFM802	Si	DO-35	Parametric
2A120A	PK0806	Si	DO-35var	Parametric
2A120A	PK0807	Si	DO-35var	Parametric
2A120A	PK0809	Si	DO 35var	Parametric
2A120A	PK0810	Si	DO-35var	Parametric
2A120A	PM0806	Si	DO-35var	Parametric
2A120A	PM0807	Si	DO-35var	Parametric
2A120A	PM0808	Si	DO-35var	Parametric
2A120A	PMO8O9	Si	DO-35var	Parametric
2A120A	PM0810	Si	DO-35var	Parametric
2A120A	SDM33OO-O11	Si	DO-35var	SDI Inc.
2A120A	SDM331O-OU	Si	DO-35var	SDI Inc.
2A120A	SDM4300-011	Si	DO-35var	SDI Inc.
3A123A	MA40408	GaAs	120	M/ACommSemi
ЗЛ123А	DMK4058	GaAs	247-001	Alphaindust
ЗА123Б	MA40408	GaAs	120	M/ACommSemi
ЗА123Б	DMK4058	GaAs	247-001	Alphaindust
3A124A-6	SDM4400-901	Si	TO-122	SDI Inc.
3A124A-6	DC1524	Si	TO-122	Marco niElec
3A124A-6	DC1585	Si	TO-122	Marconi Elec
ЗА124Б-6	SDM4400-901	Si	TO-122	SDI Inc
ЗА124Б-6	DC1524	Si	TO-122	MarconiElec
ЗА124Б-6	DC1585	Si	TO-122	MarconiElec
2A125A-3	D5600	Si	M577	Alphaindust
2A125A-3	D5600A	Si	M577	Alphaindust
2A125A 3	DC 1306	GaAs M792a		MarconiElec
2A125A-3	DMB4501	Si	M577a	Alphaindust
2A125A-3	DMB4501A	Si	M577a	Alphaindust
2A125A 3	DME5600	Si	M577b	Alphaindust
2A125A-3	DME5600A	Si	M577b	Alphaindust
2A125A-3	DME6507	Si	M577a	Alphaindust
2A125A-3	DMF5600	Si	M577b	Alphaindust
2A125A-3	DMF5600A	Si	M577b	Alphaindust
2A125A-3	DMJ6778	Si	M577b	Alphaindust
2A125A-3	DMK66O5	GaAs 174 001		Alphaindust
2A125A 3	DMK6605A	GaAs 174-001		Alphaindust
2A125A-3	HSCH5314	Si	A329	Hewlett Pkd
2A125A-3	HSCH5334	Si	A329	Hewlett Pkd
2A125A-3	MA40131	Si	965	M/ACommSemi
2A125A-3	MA40133	Si	965	M/ACommSemi
2A125A-3	MA40135	Si	965	M/ACommSemi
2A125A 3	MA40287	Si	990	M/ACommSemi
2A125A-3	MA40288	Si	990	M/ACommSenu
2A125A-3	MA40289	Si	990	M/ACommSemi
2A125A-3	MA40415	GaAs 1010		M/ACommSemi
2A125A 3	TXVW5314	Si	A329	Hewlett Pkd
2A125A-3	TXVW5334	Si	A329	Hewlett Pkd
3AC127A-44 DME4750		Si	295 002	A ph indust
3AC127A 44 DME4756		Si	132-002	Alphaindust
3AC127A 44 PMF4745A		Si	295-002	Alphaindust
3AC127A-44 DMF5829A		Si	132-002	Alphaindust
3AC127A-44 DMJ6788		Si	132-002	Alphaindust
3AC127A-44	MA40435	Si	227	M/ACommSemi
3AC127A-44	MA40446	Si	227	M/ACommSemi
3AC127A-44	MA40496	Si	963	M/ACommSemi
ЗАС127Б-44	DMF4745	Si	295-002	Alphaindust
ЗАС127Б-44	DMF5829	Si	32-002	Alphaindust
ЗАС127Б-44	DMJ3087	Si	295-002	Alphaindust
2A131A-3	D5600	Si	M577	Alpha! ndust
2A131A-3	D56OOA	S	M577 .	Alphaindust
2A131A-3	DC 1306	GaAs M792a		MarconiElec
2A131A 3	DMB4501	Si	M577a	Alphaindust
2A131A 3	DMB4501A	Si	M577a	Alphaindust
2A131A-3	DM I-56OO	Si	M577b	Alphaindust
2A131A-3	DME5600A	S	M577b	Alphaindust
2A131A 3	DME6507	Si	M577a	Alphaindust
2A131A-3	DMI-5600	Si	M577b	Alphaindust
2A131A 3	DMF56OOA	Si	M577b	Alphaindust
2A131A-3	DMJ6778	Si	M577b	Alphaindust
2A131A 3	DMK66O5	GaAs 174-001		Alphaindust
2A131A-3	DMK6605A	GaAs 174-001		Alphaindust
2A131A 3	HSCH5314	Si	A329	Hewlett Pkd
2A131A-3	HSCII5334	Si	A329	Hewlett Pkd
2A131A 3	MA40131	Si	965	M/ACommSemi
2A131A-3	MA40133	Si	965	M/ACommSerru
2A131A 3	MA40135	Si	965	M/ACommSemi
2A131A-3	MA40287	Si	990	M/ACommSemi
2A131A-3	MA40288	Si	990	M/ACommSemi
2A131A-3	MA40289	Si	990	M/ACommSemi
2A131A 3	MA40415	GaAs 1010		M/ACommSemi
2A131A-3	TXVW5314	Si	A329	Hewlett Pkd
2A131A-3	IXVW5334	Si	A329	Hewlett Pkd
2A132A-5	CMB7602	Si	270- 804	Alphaindust
2A132A-5	DMG6413A	Si	270-805	Alpha naust
2A132A-5	DMG6413B	Si	270-805	Alphaindust
2A132A-5	MA40137	Si	135	M ACommSemi
2A132A-5	MA40138	Si	135	M/AC ommSemi
2A132A-5	MA40139	Si	135	M/ACommSemi
2A132A-5	MA40413	GaAs 135		M/ACommSemi
3A134A-6	DC1508F	Si	TO 122	MarconiElec
3A134A 6	DC15O8G	Si	TO 122	MarconiElec
3A134A-6	DC1508H	Si	TO-122	MarconiElec
3A134A-6	DC1571E	Si	TO 122	MarconiElec
3A134A-6	DC1571F	Si	TO-122	MarconiElec
3A134A-6	D 1571G	Si	TO-122	MarconiElec
3A135A-3	DME3O31	Si	M1141	Alphaindust
3A135A-3	DMJ4768	S	M1141	Alphaindust
3A135A 3	DMF3078	Si	M1141	Alphaindust
3A135A-3	DMF3078A	Si	M1141	Alphaindust
ЗА135Б-3	DME3031	Si	M1141	Alphaindust
ЗА135Б-3	DMJ4768	Si	M1141	Alphaindust
ЗА135Б 3	DMF3078	Si	M1141	Alphaindust
ЗА135Б-3	DMF3078A	Si	M1141	Alphaindust
ЗА137Б-5	CMB76O1	Si	270 804	Alphaindust
ЗА137Б 5	CMB7601A	Si	270-804	Alphaindust
ЗА137Б-5	CMK7704	GaAs 270-807		Alphaindust
3A137A-5	CMK7704A	GaAs 270-807		Alphaindust
ЗА137Б 5	DMG6414	Si	270-805	Alphaindust
ЗА137Б-5	DMG6414A	Si	270-805	Alpha niust
ЗА137Б-5	DMG6414B	Si	270-805	Alphaindust
ЗА137Б-5	MA40120	Si	135	M/ACommSemi
ЗА137Б-5	MA40170	Si	135	M ACommSemi
ЗА137Б-5	MA4E192	Si	135	M ACommSemi
ЗА138Б-3	APX378	GaAs Cl 16		EhmsnCSFEFC
2Al 39AC 44	5082 2271	Si	C 4	Hewlett Pkd
2A139AC 44	5082-2291	Si	C 4	Hewlett Pkd
58
2А139АС-44 A2S544	Si	M994	TRW Miciowv
2А139АС-44 A2S545	Si	M994	TRW Microwv
2А139АС-44 A2S554	Si	M994	TRW Microwv
2А139АС-44 A2S555	Si	M994	TRW Microwv
2А139АС 44 A2S564	Si	M994	TRW Microwv
2А139АС-44 A2S567	Si	M994	TRW Microwv
2А139АС-44 DME3038	Si	C238	Alphaindust
2А139АС-44 DME3043	Si	C232	Alphamdust
2А139АС-44 DMJ4007	Si	132-002	Alphaindust
2А139БС 44 A2S544	Si	M994	TRW Microwv
2А139БС-44 A2S545	Si	M994	TRW Microwv
2А139БС-44 A2S554	Si	M994	TRW Microwv
2А139БС-44 A2S555	Si	M994	TRW Microwv
2А139БС 44 A2S564	Si	M994	1RW Microwv
2А139БС-44 A2S567	Si	M994	TRW Microwv
2А139БС-44 МА40431	Si	227	M/ACommSemi
2А139БС-44 МА40432	Si	228	M/ACorrunSemi
2А139БС-44 МА40441	Si	227	M/ACommScmi
2А139БС-44 МА40442	Si	228	M/AConunSemi
2А139БС-44 МА40491	Si	227	M/ACommSemi
2А139БС-44 МА40492	Si	228	M/ACommSemi
3A140A-3 DC 1338	GaAs A329		MarconiElec
3A14OA-3 DC1339	GaAs A329		Marco niElec
3A140A-3 DMK6606	GaAs 174-001		Alphaindust
3A140A-3 DMK6606A	GaAs 174 >01		Alphaindust
3A140A-3 МА40416	S	1010	M/ACommScmi
ЗА140Б-3 DC1338	GaAs A329		MarconiElec
ЗА14ОБ-3 DC1339	GaAs A329		Marco niElec
ЗА140Б-3 DMK6606	GaAs 174 001		Alphaindust
ЗА140Б-3 DMK6606A	GaAs 174-001		Alphamdust
ЗА140Б-3 МА40416	Si	1010	M/AC ommSemi
ЗА142А-5 SD016	GaAs чип		Farran Tech
ЗА142А-5 SD017	GaAs чип		Farran Tech
ЗА142А 5 SD018	GaAs чип		Fanan Tech
3A143AC-33 АР380	GaAs C103		ThmsnCSFEFC
3A143AC-33 АР381	GaAs Cl 03		ThmsnCSFEFC
ЗА143БС-33 АР380	GaAs Cl 03		ThmsnCSFEFC
ЗА143БС-33 АР381	GaAs Cl 03		ThmsnCSFEFC
3A143BC-33 АР380	GaAs C103		ThmsnCSFEFC
3A143BC 33 АР381	GaAs Cl 03		ThmsnCSFEFC
2А144А	SDM2400-011	Si	DO-35var SDI Inc	
2А144А	SDM2410-011	Si	DO-35var SDI Inc	
2А144А	SDM2470-011	Si	DO 35var SDI Inc	
2А144А	SDM3400-011	Si	DO-35var SDI Inc	
2А144А	SDM4400-011	Si	DO-35var SDI Inc	
2А144А РКМ910	Si	Acsial-3	Parametric
2А144А РКМ911	Si	Acsial 3	Parametric
2А144А РКМ912	Si	Acsial-3	Parametric
2А144А РКМ913	Si	Acsial -3	Parametnc
2А144А РКМ914	Si	Acsial-3	Parametric
2А144А	АМН 1601-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А144А	АМН 1602-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А144А	AML1601-01	Si	DO 35	Advncd Semi
2А144А	AML1602-01	Si	DO 35	Advncd Semi
2А144Л	AML1603-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А144А	AML1604-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А144А	АММ1601 01	Si	DO 35	Advncd Semi
2А144А AM М1602-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А144А АММ1603-01	Si	DO-35	Advncd Seim
2А144А	АМР1601-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А144А	АМР1602-01	Si	DO-35	Advncd Semi
2А146АС-44 МА40482-226 Si		226	M/ACommSemi
2А146АС-44 МА40482-227 Si		227	M/ACommSenu
2А146АС-44 МА40482-228 Si		228	M/ACommSemi
2A146AC 44 MA40482-226 Si			226	M/ACommSemi
2A146AC 44 MA40482 227 Si			227	M/ACommSemi
2A146AC-44 MA40482-228 Si			228	M/ACommSemi
3A147A 3	DC1346	GaAs	107	MarconiElec
ЗА147Б-3	APX376	GaAs	C102	ThmsnCSFEFC
ЗА147Б 3	APX377	GaAs	Cl 02	ThmsnCSFEFC
ЗА147Б-3	DMK4784	GaAs	366-001	A phaindust
ЗА147Б-3	DMK4791A	GaAs	174 001	Alphaindust
ЗА147Б 3	MA40417	GaAs	1010	M/ACommSemi
3A147B 3	APX376	GaAs	C102	ThmsnCSFEFC
3A147B-3	APX377	GaAs	C102	ThmsnCSFEFC
3A147B-3	DC1338	GaAs	107	MarconiElec
3A147B-3	DC1339	GaAs	107	MarconiElec
3A147B-3	DMK4791	GaAs	174-001	. Alph ndust
3A147B-3	DMK6606	GaAs	174 001	Alphaindust
3A147B-3	DMK6606A	GaAs	174-001	Alph indust
3A147B-3	HSCH 5310	GaAs	07	Hewlett Pkd
3A147B-3	HSCH-5330	GaAs	07	Hewlett Pkd
3A147B-3	MA40416	GaAs	1010	M/ACommSemi
3A147B-3	MA40417	GaAs	1010	M/ACommSemi
Обратная таблица полных аналогов смесительных диодов
Тип диода (зарубежн.)	Тип диода (отечеств.)	Тип диода (зарубежн.)	Тип диода (отечеств.)
1N831	2А104А	МА40078	АА 13Б-1
5082-2209	ААИЗА 1	МА40079	АА113А-1
5082-2209	ААИЗБ-1	МА40079	АА113Б-1
5082-2271	2А139АС-4	МА40084	АА113А-1
5082-2291	2А139АС-4	МА40084	АА113Б-1
5082-2794	АА113А-1	МА40085	ААИЗА-1
5082-2794	АА113Б-1	МА40085	ААИЗБ-1
A2S544	2А139АС-4	МА40086	АА113А-1
A2S544	2А139БС 4	МЛ40086	ААИЗБ-1
A2S545	2А139АС-4	МА40087	ААИЗА 1
A2S545	2А139БС 4	МА40087	ААИЗБ-1
A2S554	2А139АС-4	МА40091	ААИЗА-1
A2S554	2А139БС-4	МА40091	ААИЗБ-1
A2S555	2А139АС-4	МА40092	АА1 ЗА-1
A2S555	2А139БС 4	МА40092	ААИЗБ-1
A2S564	2А139АС-4	МА40093	ААИЗА 1
A2S564	2А139БС-4	МА40093	ААИЗБ-1
A2S567	2А139АС-4	МА40094	ААИЗБ-1
A2S567	2А139БС 4	МА40094	ААИЗБ-1
АМН 1601-01	2AI44A	МА40103	АА112А
АМН 1602-01	2А144А	МА40103	ААИ2Б
АМН9001-01	АА112А	МА40103	2А120А
АМН9001-01	АА112Б	МА40104	ААИ2А
АМН9001-01	2А12ОА	МА40104	АА112Б
АМН9002 01	АА112А	МА40104	2А120А
АМН9ОО2-О1	АА112Б	МА40120	ЗА137Б-5
АМН9002 01	2А120А	МА40131	2А125А-3
АМН9003-01	АА112А	МА40131	2А131А-3
АМН9003-01	АА112Б	МА40133	2А125А-3
АМН9003-01	2А120А	МА40133	2А131А-3
AML1601-01	2А144А	МА40135	2А125А-3
AML1602-01	2А144А	МА40135	2А131А-3
AMI 1603 01	2А144А	МА40137	2А132А-5
AML1604 01	2А144А	МА40138	2А132А-5
AML9001-01	2А120А	МА40139	2А132А-5
AML9002-01	АА112А	МА40153	ААИ2А
AML9002-01	АА112Б	МА40153	АА112Б
AML9002-01	2А120А	МА40153	2А120А
59
AML9003-01	AA112A	MA40154	АА112А	DC15C6F	А117Б-6	MIAO 108	АА112Б
AML9003-01	АА112Б	MA40154	АА112Б	DC1506G	ЗА117Б-6	MIA0108	2A120A
AML9003-01	2A120A	MA40154	2A120A	DC1508F	ЗА 134 A 6	М1А0138	AA112A
AML9004-01	AA112A	MA40170	ЗА137Б-5	DC1508G	ЗА 134 A 6	ML40138	AA112B
AML9OO4-O1	АА112Б	MA4O287	2A125A-3	DC15O8H	3A134A-6	ML40138	2A120A
AML9OO4-O1	2A120A	MA40287	2A131A-3	DC1519	2A116A-1	М1А0139	AA112A
АММ16О1-О1	2A144A	MA40288	2A125A-3	DC1524	3A119Л-6	MI АО J 39	ЛЛ112Б
АММ16О2 01	2A144A	MA4O288	2A131A-3	DC 1524	3A124A-6	ML40139	2A120A
ЛММ1603-01	2A 44A	MA4O289	2A125A-3	DC 1524	ЗА124Б-6	MIAO153	AA112A
АММ9ОО1-О1	AA112A	MA4O289	2A131A 3	DC1534E	АА113А 1	М1АО153	АА112Б
АММ9001-01	АА112Б	MA40408	3A123A	DC1534E	АА113Б-1	ML40153	2A120A
АММ9ОО1-О1	2A120A	MA40408	ЗА123Б	DC 15341	АА113Л 1	ML40154	AA112A
АММ9002-01	АА112А	MA40413	2A132A-5	DC1534F	АА113Б-1	MIAO 154	АА112Б
АММ9002-01	АА112Б	MA40415	2A125A-3	DC1571F	3A134A-6	ML401M	2A120A
АММ9002-01	2A120A	МЛ40415	2A13IA-3	DC 157 IF	3A134A-6	P0804	AA112A
АММ9ООЗ-О1	AA112A	MA40416	3A140A-3	DC1571G	3A134A 6	P0W14	АА112Б
АММ9ООЗ-О1	АА112Б	MA4O416	ЗА140Б 3	DC 1585	3A119A-6	P08 4	2А12ОЛ
АММ9003-01	2A12OA	MA4O416	3A147B 3	DC 1585	3A124A 6	P(8 4A	АА112А
АММ9004-01	АА112Л	MA4O417	ЗА147Б-3	DC1585	ЗЛ124Б-6	P0804A	ЛЛ112Б
АММ9004 01	АА112Б	MA40417	3A147B-3	DC 1596	ЗА117Б-6	P0804A	2A12OA
АММ9004-01	2A120A	MA4043I	2А139БС-4	DMB3000	AA113Д 1	P0804B	АА112Л
АММ9ОО5 01	AA112A	MA40432	2А139БС-4	DMB3000	АА113Б-1	P0804B	АА112Б
АММ9005-01	АА112Б	MA40435	3AC127A-4	DMB3000A	AA113A 1	P0804B	2A120A
АММ9005-01	2A120A	MA40441	2А139БС 4	DMB3000A	АА113Б 1	P0804C	AA112A
АМР1601-01	2A144A	MA40442	2А139БС-4	DMB45O1	2A125A 3	Р01Ю4С	АА112Б
АМР1602-01	2A144A	MA40446	3AC127A 4	DMB4501	2A131A-3	P0804C	2A120A
АМР9001-01	2A12OA	MA40482 226	2A146AC-4	DMB4501A	2A125A 3	P0892	АА112А
АМР9002-01	2A12OA	MA4O482 226	2A146AC-4	DMB4501A	2A131A-3	P0892	АА112Б
АМР9ООЗ-О1	2A12OA	MA4O482 227	2A146AC-4	DMB6780	AA113A 1	P0892	2A120A
АР380	3A143AC-3	MA4O482 227	2A146AC-4	DMB6780	АА113Б 1	P0892A	АЛ112А
АР38О	ЗА143БС 3	MA40482-228	2A146AC-4	DMB6780A	AA1I3A-1	Р0892Л	ЛЛ112Б
АР380	3A143BC-3	MA40482-228	2A146AC-4	DMB6780A	АА113Б-1	P0892A	2A120A
АР381	3A143AC-3	MA40491	2А139БС4	DME3031	3A135A-3	1*08928	АА112Л
АР381	ЗА143БС 3	MA40492	2А139БС-4	DME3031	3A1351.-3	P0892B	АА112Б
АР381	3A143BC-3	MA40496	3AC127A-4	DMF3038	2A139AC 4	P0892B	2A120A
АРХ376	ЗА147Б-3	MA415O5	AA112A	DM I 3043	2A139AC 4	PFM800	AA112A
АРХ376	3A147B-3	MA415O5	АА112Б	DMT3055	AA113A 1	РГМ800	АА112Б
АРХ377	ЗА147Б 3	MA41505	2A120A	DME3055	АА113Б-1	PF M 800	2А120Л
АРХ377	3A147B 3	MA41506	AA112A	DMT3O57	AA113A-1	PFM801	АА112А
АРХ378	ЗА138Б-3	MA41506	АА112Б	DME3057	АА113Б 1	РГМ801	АА112Б
BATH	ЗА117Б-6	MA415O6	2A12OA	DME4750	ЗАС127Л-4	PFM801	2A120A
CMB7601	ЗА137Б 5	MA41507	AA112A	DME4756	ЗЛС127Л4	РГМ802	2A120A
CMB7601A	ЗА137Б-5	MA41507	АА112Б	DME5600	2А125Л 3	PK0806	AA112A
CMB7602	2A132A-5	MA41507	2A120A	DMF5600	2A131A-3	PK0806	ААП2Б
CMK77O4	ЗА137Б-5	MA41508	AA112A	DMF5600A	2A125A-3	PKO8O6	2A120A
CMK7704A	3A137A-5	MA41508	АА112Б	DME5600A	2A 31A 3	PK0807	АА112А
CO96509	ЗА117Б-6	MA41508	2A120A	DME6507	2A125A-3	PK0807	АА112Б
D5600	2A125A 3	MA415O9	AA112A	DME6507	2A131A-3	PK0807	2A120A
D5600	2A131A 3	MA415O9	АА112Б	DMF3068	AA113A-1	PK0809	AAI12A
D56OOA	2A125A-3	MA41509	2A12OA	DMF3O68	АА113Б-1	PK0809	АА112Б
D5600A	2A131A 3	MA4E183	AA112A	DMF3O68A	AA113A-1	PK0809	2A120A
DC1301	ЗА117А 6	MA4E183	АА112Б	DMF3068A	АА113Б-1	PK0810	АА112А
DC1301C	3A117A-6	MA4E183	2A120A	DMF3078	3A135A-3	PK0810	AA112Б
DC1306	2A125A-3	MA4E184	AA112A	DMF3078	ЗА135Б-3	РК08Ю	2A120A
DC 1306	2A131A-3	MA4E184	АА112Б	DMF3078A	3A135A 3	PKM905	AA112A
DCI323	3A119A 6	MA4E184	2A120A	DMI-3078A	ЗА135Б-3	PKM905	АА112Б
DC1338	3A140A-3	MA4E192	ЗА137Б-5	DMI 4365	2А116А-1	PKM906	AA112A
DC1338	ЗА140Б-3	MIAO 103	AA112A	DMT4745	ЗАС127Б 4	PKM906	АА112Б
DC1338	3A147B-3	MIAO 103	АА112Б	DMF4745A	3AC127A-4	PKM907	АА112А
DC1339	3A140A 3	MIA0103	2A120A	DMF5079	2A116A-1	PKM9O7	АА112Б
DC1339	ЗА14ОБ-3	MIAO] 04	AA112A	DMF56OO	2A125A 3	PKM910	2A144A
DC1339	3A147B-3	MIAO 104	АА112Б	DMF56OO	2A131A 3	PKM911	2A144A
DC1346	3A147A 3	MIAO 104	2A12OA	DMF56OOA	2A125A 3	PKM912	2A144A
DC1506E	ЗА117Б 6	ML40108	AA112A	DMF56OOA	2A131A 3	PKM913	2A144A
60

DMF.5829	ЗАС127Б-4	РКМ914	2Л144А	Прямая таблица косвенных аналогов смесительных диодов				
DMF5829A	ЗЛС127А 4	РКО601	2А104А					
DMF5845	2А116Л-1	РКО606	2AI0SA	Тип диода	Тип диода Материал		Корпус	Фирма
DMG6413A	2A132A-5	РМ0806	АА112А	(отечеств.	) (зарубежн )			изготовитель
DMG6413B	2A132A-5	РМ0806	АА112Б					
DMG6414	ЗА137Б-5	РМ0806	2А120А	2А104А	РКО801	Si	DO-35	Parametric
DMG6414A	ЗА137Б-5	РМ0807	АА112А	2А104А	РМО801	Si	DO-35	Parametric
DMG6414B	ЗА137Б-5	РМ0807	АЛ112Б	2А104А	МА41500	Si	DO-35	Micro wvAssc
DMJ3087	ЗАС127Б-4	РМО8О7	2А120А	2А1О5А	РКО806	Si	DO-35	Parametric
DMJ3151	AA113A 1	РМ0808	АА112Л	2А105А	РМО806	Si	DO 35	Parametric
DMJ3151	ААНЗБ-1	РМ0808	АЛ112Б	2А405А	DMA5O92	Si	DO-35	Alphaindust
DMJ3153	2A116A-1	РМ0808	2Л12ОА	2АЮ5А	D55O4	Si	DO-35	Alpha ndust
DMJ4007	2A139AC 4	РМО8О9	АА112А	2А1О5А	МА41505	Si	DO-35	Micro wvAssc
DMJ4768	3A135A-3	РМ0809	ААН2Б	2А1О5А	Р0804	Si	DO-35	Parametric
DMJ4768	ЗА135Б-3	РМО8О9	2А120А	2А105А	Р0892	Si	DO-35	Parametric
DMJ6778	2А125Л 3	РМ0810	АА112А	2А1О7А	MA41221D	Si	A421	M/ACommSenu
DMJ6778	2A131A 3	РМО81О	ААН2Б	2А108А	МА40001	Si	A421	M/ACommScmi
DMJ6784	2А116А 1	РМО81О	2А12ОА	2А108А	РК5101	Si	F54a	Parametric
DMJ6785	2A116A-1	SD016	ЗА142А 5	2AI08A	РК51О2	Si	Г54а	Parametric
DMJ6786	ААНЗА-1	SDO17	ЗА142Л-5	2А1О8А	РК5103	Si	F54a	Parametric
DMJ6786	ААНЗБ-1	SDO18	ЗА142А-5	2А108А	Р1903	Si	A421	Parametric
DMJ6788	ЗАС127Л-4	SDM2300-901	ЗА117Б 6	2А108А	Р1903А	Si	A421	Parametric
DMK4O58	3A123A	SDM231O-9O1	ЗА117А-6	2А108А	Р1921С	Si	A421	Parametric
DMK4O58	ЗА123Б	SDM2370-901	ЗА117А 6	2А108А	Р1921Е	Si	A421	Parametric
DMK4784	ЗА147Б-3	SDM24OO-O11	2А144А	2А1О9А	МА415О5	Si	Alad	M/ACommSemi
DMK4791	3A147B-3	SDM24OO-9O1	ЗА119А-6	2А109А	ML40139	Si	DO 34	MicrowvAssc
DMK4791A	ЗА147Б-3	SDM2410-011	2А144А	2А109А	РК0806	Si	DO-35var Parametric	
DMK6583	AA113A-1	SDM2410-901	ЗАН9А-6	2А109А	РМ0806	Si	D0-35var Parametric	
DMK6583 .	ААНЗБ-1	SDM2470-011	2А144Л	2А109А	Р0804	Si	D0-35var Parametric	
DMK6605	2А125А 3	SDM2470-901	ЗАН9А-6	2А109А	Р0892	Si	DO-35var Parametric	
DMK6605	2Л131А-3	SDM3300-011	АА112А	ЗА1 ЮА	МА40012	Si	A421	M/ACommSemi
DMK6605A	2А125А-3	SDM3300 ОН	АА112Б	ЗА110А	MA41221D	Si	100	M/ACommScmi
DMK6605A	2А131А-3	SDM3300-0H	2А120А	ЗА110А	МА41221Е	Si	100	M/ACommSemi
DMK6606	ЗА14ОА 3	SDM33OO 901	ЗА117Б 6	ЗА110А	Р1907	Si	F85	Parametric
DMK6606	ЗА14ОБ-3	SDM3310-0H	2А120А	ЗА110А	Р1907А	Si	F85	Parametric
DMK6606	3A147B-3	SDM331O-9O1	ЗА117А-6	ЗА1 ЮА	Р1907В	Si	F85	Parametric
DMK6606A	3A140A-3	SDM3400-011	2А144А	ЗА110А	Р1978В	Si	F85	Parametric
DMK6606A	ЗА140Б-3	SDM34OO-9O1	ЗАН9А 6	ЗА1 ЮА	Р1978С	Si	F85	Parametric
DMK6606A	ЗА147В 3	SDM4300-011	АА112А	заноа	P1978D	Si	F85	Parametric
HSCH-5310	3A147B-3	SDM4300-011	АА112Б	ЗА110А	SDM4400 102 Si		A421	SDI Inc.
HSCII 5330	3A147B-3	SDM4300-011	2А120А	ЗА1ЮБ	С207516	Si	A421	Custom Cpts
HSCH5314	2А125А-3	SDM4300-901	ЗА117Б 6	ЗА110Б	DMF6107A	Si	A421	Alphaindust
HSCH5314	2А131А 3	SDM4400-011	2А144А	ЗА110Б	МА40013	Si	A421	M/ACommSemi
HSCH5334	2А125А-3	SDM4400-901	ЗА119А-6	ЗА110Б	MA41221F	Si	100	M/ACommSemi
HSCH5334	2А131А-3	SDM4400-901	ЗА124А 6	ЗА11ОБ	PFM193	Si	F82	Parametric
MA40076	ААНЗА-1	SDM4400-901	1А124Б-6	ЗА111А	A2S275	Si	A421	TRW Microwv
MA40076	АА113Б 1	TXVW5314	2А125А-3	ЗА1НА	С207509	Si	A421	Custom Cpts
MA40077	ААНЗА-1	TXVW5314	2А131А 3	ЗАН1А	DC1501E	Si	F51c	MarconiElec
MA40077	ААПЗЬ-1	TXVW5334	2A12SA 3	ЗА111А	DC1593	Si	F51c	MarconiElec
MA40078	ААНЗА-1	TXVW5334	2А131А-3	ЗАН1А	МА40006	Si	A421	M /ACommSerru
				ЗА111А	МА41220С	Si	A421	M/ACommSemi
				ЗА111А	МА41220Е	Si	A421	M/ACommSemi
				ЗА111А	Р1906	Si	A421	Parametnc
				ЗА111А	Р1906А	Si	A421	Parametnc
				ЗА111А	Р1923С	Si	A421	Parametnc
				ЗА1НА	Р1923Е	Si	A421	Parametnc
				ЗА111Б	A2S108	Si	A421	TRW Microwv
				ЗА111Б	A2S623	Si	A421	TRW Microwv
				ЗА111Б	A2S714	Si	A421	TRW Microwv
				ЗАН1Б	С207009	Si	A421	Custom Cpts
				ЗА111Б	С207509	Si	A421	Custom Cpts
				ЗА111Б	DC1501E	Si	F51c	MarconiElec
				ЗА111Б	DC1501F	Si	F51c	MarconiElec
				ЗА111Б	МА40102	Si	F82	M /ACommSemi
61
ЗАШБ	МА41220Е	Si	A421	M/ACommSemi	3A11SA	A2S714	Si	A421	TRW Microwv	
ЗАШБ	MA41220F	Si	A421	M/ACommSemi	3AH5A	BAV96A	Si	F82	PhilipsElec	
ЗАШБ	МА4Е182	Si	F82	M/ACommSemi	ЗА115Л	BAV96B	Si	F82	PhilipsElec	
ЗАШБ	MIAO 102	Si	F82	MicrowvAssc	3A115A	BAV96C	Si	F82	PhilipsElec	
ЗАШБ	ML4O119	Si	F82	MicrowvAssc	3A115A	BAV96D	Si	J 82	PhilipsElec	
ЗА111Б	ML40152	Si	F82	MicrowvAssc	3A115A	C207009	Si	A421	Custom Cpts	
ЗАШБ	Р1906А	Si	A421	Parametric	3A115A	C2O75O9	Si	A421	Custom Cpts	
ЗАШБ	Р1923Е	Si	A421	Parametric	3A115A	DC1331	GaAs	A42I	MarconiElec	
ЗАШБ	SDM33OO-3O1 Si			SDI Inc	3A115A	DC 1593	Si	F51c	MarconiElec	
АА113А-1	DMB6781A	Si	325-011	Alphamdust	3A115A	IIP5082 2295	Si	Л421	Hewlett Pkd	
ААИЗА-1	DMB6781	Si	325-011	Alphaindust	3A115A	HP5082-2711	Si	A421	Hewlett Pkd	
ААИЗА-1	DMF4035A	Si	325-011	Alphamdust	3A115A	HP5082 2713	Si	A421	Hewlett Pkd	
ААИЗА-1	DMF4035	Si	325-011	Alphamdust	3A115A	MA4L.180	Si	F82	M/ACommSemi	
ААИЗА-1	DME3005	Si	325-011	Alphaindust	3A115A	MA4E181	Si	F82	M/ACommScnu	
ААИЗА-1	DMJ6789	Si	325-011	Alphamdust	3A115A	MA4E182	Si	F82	M/AC ommSemi	
ААИЗА-1’	5082-2202	Si	H 2	Hewlett Pkd	ЗАИ5А	MA40100	Si	F82	M/AC ommSemi	
ААИЗА-1	5082-2785	Si	H-2	Hewlett Pkd	ЗЛ115А	MA40101	Si	F82	M/ACommSemi	
ААИЗА 1	МА40127	Si	186	M/ACommSemi	3A115A	MA40102	Si	F82	M/ACommSemi	
ААИЗА-1	МА40128	Si	186	M/ACommSemi	ЗАИ5А	MA4O151	Si	A421	M/ACommScmi	
ААИЗА 1	МА40177	Si	186	M/ACommSemi	ЗА 1 ISA	MA40152	Si	A421	M/ACommScmi	
ААИЗА-1	МА40178	Si	186	M/ACommSemi'	3A115A	MA4O155	Si	A42	M/ACommSemi	
ААИЗА 1	МА4Е198	Si	186	M/ACommSemi	3A115A	MA41220C	Si	A421	M/AComniSemi	
АА113Л-1	МА4Е199	Si	186	M/ACommSemi	3A1I5A	MA412201.	Si	A421	M/ACommSemi	
ААИЗБ-1	DMB6781A	Si	325-011	Alphamdust	3A115A	MA41220F	Si	A421	M/ACommSemi	
ААИЗБ-1	DMB6781	Si	325-011	Alphaindust	3AI15A	MA41220G	Si	Л421	M/ACommSemi	
АА113Б-1	DMF4O35A	Si	325 011	Alphamdust	3A115A	М1Д0100	Si	182	MicrowvAssc	
ААИЗБ-1	DMF4035	Si	325-011	Alphaindust	3A115A	ML40101	Si	F82	M icrowvAssc	
ААИЗБ-1	DME3005	Si	325-011	Alphaindust	ЗАИ5А	ML40102	Si	F82	MicrowvAssc	
ААИЗБ-1	DMJ6789	Si	325-011	Alphaindust	3A115A	M140117	Si	F82	Mi rowvAssc	
ААИЗБ-1	5082-2202	Si	H 2	Hewlett Pkd	3A115A	ML40118	Si	F82	MicrowvAssc	
ААИЗБ-1	5082-2785	Si	H-2	Hewlett Pkd	3A115A	MI40119	Si	F82	MicrowvAssc	
ААИЗБ-1	МА40127	Si	186	M/ACommSemi	3A115A	M140151	Si	F82	MicrowvAssc	
ААИЗБ-1	МА40128	Si	186	M/ACommSemi	3A115A	MI40152	Si	F82	MicrowvAssc	
ААИЗБ-1	МА40177	Si	186	M/ACommSemi	3A115A	Pl 906	Si	A421	Parametric	
АА113Б 1	МА40178	Si	186	M/ACommScmi	3A115A	P1906A	Si	A421	Parametric	
ААИЗБ-1	МА4Е198	Si	186	M/ACommSemi	3A115A	P1906B	Si	A421	Parametric	
ААИЗБ-1	МА4Е199	Si	186	M/ACommSemi	3A115A	P1906C	Si	A421	Parametric	
ЗА114А	DMA5353B	Si	DO-37	Alphaindust	3A115A	P1906E	Si	A421	Parametnc	
ЗАИ4А	DMA5353C	Si	DO-37	Alphamdust	3A115A	P1923F	Si	A42I	Parametnc	
ЗА114А	D5353B	Si	DO-36	Alphamdust	3A115A	P1923G	Si	A421	Parametnc	3
ЗА114А	D5353C	Si	DO-36	Alphamdust	3A115A	PI M190	GaAs	F82	Parametric	3
ЗА114А	1N53	Si	DO-36	Alphamdust	ЗА 1 ISA	P1M191	GaAs	F82	Parametric	3
ЗА114А	1N53A	Si	DO-36	Alphaindust	ЗА 1 ISA	PK5106	Si	F54a	Parametric	3
ЗА 114 А	1N53B	Si	DO 36	Alphaindust	3A115A	PK51O7	Si	F54a	Parametnc	3
ЗА114А	1N53C	Si	DO-36	Alphamdust	3A115A	PK51O8	Si	F54a	Parametnc	3
ЗА114А	1N53D	S	DO-36	Alphamdust	3A115A	PK51O9	Si	F54a	Parametnc	3
ЗАИ4А	МА494	Si	DO-36	M ACommSe	ЗАИ5А	PK5110	Si	F54a	Parametric	3
ЗА114А	МА494А	Si	DO-36	M /ACommSemi	3A115A	SDM23OO-3O1 Si		F115	SDI Inc	3
ЗА114А	МА494В	Si	DO-36	M/ACommSemi	3A115A	SDM23IO-3O1 Si		A421	SDI Inc	3
ЗАИ4А	МА494С	Si	DO-36	M/ACommSemi	3A115A	SDM2310-102S1		Fl 15	SDI Ir.c	3
ЗА114А	MA494D	Si	DO-36	M/ACommSemi	3A115A	SDM2370-301 Si		A421	SDI Inc	3
ЗА115А	МА40006	Si	A421	M/ACommSemi	3A115A	SDM2370 102 Si		Fl 15	SDI Inc	3.
ЗА115А	МА40007	Si	A421	M/ACommSemi	A115A	SDM4300-102 Si		F115	SDI Inc	3.
ЗА115А	МА40008	Si	A421	M/ACommSemi	ЗАП 5 A	SDM33OO-3O1 Si		A421	SDI Inc	3.
ЗА115А	МА40009	S	A421	M/ACommScmi	3A115A	SDM4300-301 Si		Г115	SDI Inc	3<
ЗАИ5А	A2S106	Si	A421	TRW Microwv	3A115A	DC 1304	GaAs	F51c	MarconiFlec	z
ЗА115А	A2S108	S	A421	TRW Microwv	3A115A	DC 150 IE	Si	F51c	MarconiElec	2,
ЗАИ5А	A2S274	Si	A421	FRW Microwv	3A115A	DC1501F	Si	F51c	MarconiElec	21
ЗАИ5А	A2S275	Si	A421	TRW Microwv	3AI15A	DC1501G	Si	F51c	MarconiElec	21
ЗА115А	A2S621	Si	A421	TRW Microwv	3A115A	DC1577E	Si	Г51С	MarconiElec	2i
ЗАИ5А	A2S622	Si	A421	IRW Microwv	3A115A	DC1577F	Si	Г51с	MarconiElec	2i
ЗА115А	A2S623	Si	A421	TRW Microwv	ЗАИ5А	DC1577G	Si	F51c	MarconiElec	21
ЗА115А	A2S711	Si	A421	TRW Microwv	2A118A	C207516	Si	A421	Custom Cpts	21
ЗА115А	A2S713	Si	A421	TRW Microwv	2АИ8А	MA40012	Si	A42I	M/ACommSemi	21
62

2А118А	МА40013	Si	A421	M/ACommSemi
2А118Д	MA41221D	Si	A421	M/ACommSerru
2А118А	МА41221Е	Si	A421	M/ACommSemi
2А118А	MA41221F	Si	A421	M/ACommSemi
2А118А	Pl 907	Si	A421	Parametric
2Л118А	Р1907А	Si	A421	Parametric
2А118Л	Р190713	Si	A421	Parametric
2А118А	Р1978В	Si	A421	Parametric
2А118А	Р1978С	Si	A421	Parametric
2А118А	P1978D	Si	A421	Parametric
2А118А	PI М193	Si	F82	Parametric
2А118А	DC1546	Si	51	MarconiElec
ЗА121А	МА40408	GaAs	120	M/ACommSemi
ЗА121А	DMK4058	GaAs	247-001	Alphaindust
ЗАС122А-4	DME3022	Si	325-012	Alphaindust
ЗАС122А-4	DME3025	Si	364-012	Alphaindust
ЗАС12.2А 4	DMF4526A	Si	364-012	Alphaindust
ЗАС122А 4	DMF6704A	Si	325-012	Alphaindust
ЗАС122А-4	DMJ3090	Si	325-012	Alphaindust
ЗАС122А-4	DMJ4760	S	364-012	Alphaindust
ЗАС122А 4	МЛ40420	GaAs	270	M/ACommSemi
ЗАС122А-4	МЛ4Е204Н 27S1		270	M/ACominScmi
ЗАС122А-4	MA4E204L 27 Si		270	M/ACommSemi
ЗАС122А 4	МА4Е204М-27 Si		270	Vf/ACommSeini
1АС122Б-4	DMF4526	Si	364 012	/ Alphaindust
ЗАС122Б 4	DMF6704	Si	325-012	/ Alphaindust
2А125А 3	DC1323	GaAs	10-122	MarconiElec
2AI25A-3	DC 1524	Si	ГО-122	MarconiElec
2А125А-3	DC1585	Si	TO 122	MarconiElec
1АС127А-4	DME4790	Si	364-002	Alphaindust
1АС127А 4	DME6557	Si	325-002	Alphaindust
ЗАС127А-4	DMF3074A	Si	364-002	Alphaindust
5АС127А-4	DMF5080A	Si	325-002	Alphaindust
ЗАС127А-4	DMJ3108	Si	364-002	Alphaindust
5АС127А4	МА40419	GaAs		M/ACommSemi
ЗАС127А-4	МА40284	Si	227	M/ACommSemi
ЗАС127А 4	МА4О285	Si	963	M/ACommSemi
5АС127А 4	МА40286	Si	963	M/ACommSemi
5АС127Б-4	DMF3074	Si	364-002	Alphaindust
ЗАС127Б-4	DMl‘5080	Si	325-002	Alphaindust
ЗАС127Б-4	DMJ6669	Si	325-002	Alphaindust
1Л129А	TGD0623-SPC GaAs		MELI 1	Texas Instr
ЗА129А	TGD0623-SPMGaAs		MELF-1	Texas Instr
ЗА129А	TGD0624-SPC GaAs		MELF-1	Texas Instr
ЗА129А	TGD0624-SPM GaAs		MELF-1 Texas Instr	
'А129А	TGD0683-SPC	GaAs	MELF-1 Texas Instr	
ЗА129А	TGD0683-SPM GaAs		MELF-1 Texas Instr	
1А130АС-3	HSCH-5510		04	Hewlett Pkd
3A130AC-3	HSCH-5530		04	Hewlett Pkd
13130 AC-3	HSCH-5511		04	Hewlett Pkd
3A13OAC-3	HSCH-5531		04	Hewlett Pkd
1А13ОБС-3	HSCH-5510		04	Hewlett Pkd
'А130БС-3	HSCH-5530		04	Hewlett Pkd
ЗАЗЗОБС-З	HSCH 5511		04	Hewlett Pkd
5А13ОБС 3	HSCH 5531		04	Hewlett Pkd
2А131А-3	DC1323	GaAs	TO 122 MarconiElec	
2А131А-3	DC1524	Si	TO-122 MarconiElec	
2А131А-3	DC 1585	Si	TO-122 MarconiElec	
2А132А	A2S106	Si	A421	TRW Mi rowv
2А132А	A2S108	Si	A421	TRW Microwv
А132А	A2S274	Si	A421	TRW Mi rowv
Л132А	A2S275	Si	Л421	TRW Microwv
Л132А	A2S621	Si	A421	TRW Microwv
Al 32 А	A2S622	Si	A421	TRW Microwv
2 Al 32 A	A2S623	Si	A421	TRW Microwv
2A132A	A2S711	Si	Л421	TRW Microwv
2A132A	A2S713	Si	A421	TRW Microwv
2A132A	A2S714	Si	A421	TRW Microwv
2A132A	BAV96A	Si	Г-82	PhilipsElec
2A132A	BAV96B	Si	F82	PhihpsElec
2A132A	BAV96C	Si	F82	PhilipsElec
2A132A	BAV96D	Si	F82	PhilipsElec
2A132A	C207009	Si	A421	Custom Cpts
2A132A	C207509	Si	A421	Custom Cpts
2A132A	D5223F	Si	A421	Alphaindust
2A132A	DC1304	GaAs	F51c	MarconiElec
2A132A	DC1501E	Si	F51c	MarconiElec
2A132A	DC1501F	S	F51c	MarconiElec
2A132A	DC1501G	Si	F51c	MarconiElec
2A132A	DC1577E	Si	F51c	MarconiElec
2A132A	DC1577F	Si	F51c	MarconiElec
2A132A	DC1577G	Si	F51e	MarconiElec
2A132A	DMC5506A	Si	A421	Alphaindust
2A132A	DMF6037B	Si	F27g	Alpha ndust
2A132A	DMF6106B	Si	A421	Alphaindust
2A132A	DMF6130	Si	A421	Alphaindust
2 Al 32 A	HP5082-2711	Si	A421	Hewlett Pkd
2A132A	HP5082 2713	Si	A421	Hewlett Pkd
2A132A	MA40006	Si	A421	MACommSemi
2A132A	MA40007	S	A421	MACommSemi
2A132A	MA40008	Si	A421	M/ACommSemi
2A132A	MA40009	Si	A421	M/ACommSemi
2A132A	MA40100	Si	F82	M/ACommSemi
2AI32A	MA40101	S	F82	M/ACommSemi
2A132A	MA40102	Si	F82	M /ACommSemi
2A132A	MA40150	Si	A421	M/ACommSemi
2A132A	MA40151	Si	A421	M/ACommSemi
2A132A	MA40152	Si	A421	M/ACommSemi
2A132A	MA41220C	Si	A421	M/ACommSemi
2A132A	MA41220E	Si	A421	M/ACommSemi
2A132A	MA41220F	Si	A421	M/ACommSemi
2A132A	MA41220G	Si	A421	M/ACommSemi
2A132A	MA4E180	s	F82	M/AConunSemi
2A132A	MA4E181	Si	F82	M/ACommSemi
2A132A	MA4E182	Si	F82	M/ACommSeiru
2A132A	ML40100	Si	F82	MicrowvAssc
2A132A	ML40101	Si	F82	Micro wvAssc
2A132A	ML4O1O2	s	F82	Mi rowvAssc
2A132A	ML40U7	Si	F82	MicrowvAssc
2A132A	ML40U8	s	F82	Micro wvAssc
2A132A	ML40119	Si	F82	MicrowvAssc
2A132A	MM0151	Si	F82	MicrowvAssc
2A132A	MIAO 152	Si	F82	MicrowvAssc
2A132A	P19O6	Si	A421	Parametric
2A132A	P1906A	Si	A421	Parametn
2A132A	P1906B	Si	A421	Parametn
2A132A	P1906C	Si	A421	Paramet nc
2A132A	P1923C	Si	A421	Parametnc
2A132A	P1923E	Si	A421	Parametn
2A132A	P1923F	Si	A421	Parametnc
2A132A	P1923G	Si	A421	Parametric
2A132A	PFM190	GaAs	182	Parametr c
2A132A	PFM191	GaAs	F82	Parametric
2A132A	PFM192	GaAs	F82	Parametnc
2A132A	SDM4300-102	Si	A421	SDI Inc.
3A133A	TGD0623 SPC GaAs		MELF 1 Texas Instr	
3A133A	TGD0623 SPMGaAs		MELF-i Texas Instr	
3A133A	TGD0624 SPC GaAs		MELF 1 Texas Instr	
63
3A133A	TGD0624-SPMGaAs		MFLF 1 Texas Instr
3A133A	TGD0683-SPC GaAs		MELF-1 Texas Instr
3A133A	TGD0683 SPMGaAs		MELF-1 Texas Instr
3A136A	1GDO623-SPC GaAs		MLL1-1 Lcxas Instr
3AI36A	TGD0623-SPMGaAs		MELF-1 lexas Instr
3A136A	TGD0624-SPC GaAs		MEEF-1 Texas Instr
3A136A	TGD0624-SPMGaAs		MELF-1 Texas Instr
3A136A	TGD0683-SPC GaAs		Mi l F-l Texas Instr
3A136A	TGD0683-SPM GaAs		Mi'Ll 1 Texas Instr
3AI38A-3	DC 1338	GaAs	107	Marconillec
3A138A 3	DC 1339	GaAs	107	MarconiElec
3A138A-3	DMK6606	GaAs	174-001 Alphaindust
3A138A-3	DMK6606A	GaAs	174-001 Alphaindust
3A138A-3	MA40416	GaAs	1010 M/AConnnScnii
ЗА138Б-3	APX376	GaAs	C102 ThinsnCSFEFC
ЗА138Б-3	APX377	GaAs	C102 ThmsnCSFEFC
ЗА138Б-3	DMK4784	GaAs	366-001 Alphaindust
ЗА138Б-3	DMK4791	GaAs	174-01 1 Alphaindust
ЗА138Б-3	DMK4791A	GaAs	174-001 Alphaindust
ЗА138Б-3	HSCH-5310	GaAs	07	Hewlett Pkd
ЗА138Б-3	USCH 5330	GaAs	07	1 lewlctt Pkd
ЗА138Б-3	MA40417	GaAs	1010 М/At ommSemi
3A138B-3	DC 1346	GaAs	107	MarconiElec
2А139АС-4	5082-2231	Si	H 4	Hewlett Pkd
2А139АС-4	5082 2263	Si	H 4	Hewlett Pkd
2Л139АС-4	DME3O44	S	C229 Alphaindust
2Л139АС 4	DMJ6668	Si	325-002 Alphaindust
2А139БС 4	MA40430	Si	226 M/ACommSemi
2А139БС4	MA40440	Si	226 M/ACommScmi
2А139БС 4	MA40490	Si	226 M/AComniSeini
2А145А	MA40183	Si	119 M/AComniSeini
2А146АС-4	MA40430	Si	226* M/ACommSemi
2А146АС-4	MA40440	Si	226* M/ACommSemi
2АГ46АС 4	MA40490	Si	226* M/ACommSemi
2А146АС 4	MA40431	Si	227* M/ACommSemi
2AI46AC-4	MA40441	Si	227* M/ACommSemi
2А146АС-4	MA40491	Si	227* M/ACommSemi
2AI46AC-4	MA40432	Si	228* M/ACommSenii
2А146АС 4	MA40442	Si	228* • M/ACommSemi
2А146ЛС-4	MA40492	Si	228* M/AComniSeini
2А146АС 4	DMT5847A	Si	132-002* Alphaindust
2А146АС-4	DMF5847	Si	132-002* Alphaindust
2А146АС-4	DMF3038	Si	132-002* Alphaindust
•Монолитные четверки		диодов	
Обратная таблица косвенных аналогов смеси тельных диодов
1 и п диода ^жрубежн.)	1 ин диода (or счес гв.)	Тип диода (зарубежи.)	Тин диола (отечеств.)
1N53	3A114A	MA40I52	2Л132А
1N53A	3AII4A	МЛ4О155	ЗА115А
1N53B	ЗЛ114А	МЛ40177	ААНЗА-1
IN536	3A1I4A	МА4О177	ААНЗБ-1
1N53D	3AI14A	МА40178	ААНЗА-1
5082-2202	ЛАНЗА 1	МА40178	ЛЛНЗБ-1
5082-2202	ЛАП ЗБ-1	МЛ40183	2Л145Л
5082-2231	2А139АС-4	МА40284	ЗАС127Л-4
5082-2263	2Al39АС 4	МЛ40285	ЗАС127А 4
5082-2785	ЛАНЗА 1	МЛ40286	ЗЛС127А 4
5082-2785	ААНЗБ-1	МЛ40408	ЗЛ121А
A2S1O6	ЗА115А	МА40416	3A138A-3
A2SIO6	2А132Л	МА40417	3A138I.-3
A2S1O8	ЗЛН1Б	МЛ40419	ЗАС127А 4
A2S1O8	ЗЛ115А	МЛ40420	ЗАС122А-4
A2S108	2AI32A	МЛ40430	2AI39БС-4
A2S274	ЗА115Л	МА40430	2А146ЛС-4
A2S274	2А132Л	МА40431	2А146ЛС-4
A2S275	ЗА111Л	МА40432	2А146АС-4
A2S275	ЗА115А	МА40440	2Л139БС-4
A2S275	2Л132А	МЛ4О440	2А146ЛС-4
A2S621	ЗА115А	МЛ40441	2А146АС-4
A2S621	2А132А	МЛ40442	2А146ЛС-4
A2S622	ЗА115Л	МА40490	2А139БС-4
A2S622	2А132Л	МА40490	2А146АС-4
A2S623	ЗАН1Б	МЛ40491	2А146Л<-4
A2S623	ЗЛН5А	МЛ4О492	2А146ЛС-4
A2S623	2AI32A	МА41220С	ЗЛ1НА
A2S711	ЗЛН5А	МА41220С	ЗЛ115Л
A2S711	2А132Л	МА41220С	2А132А
A2S713	ЗА115А	МА41220Е	ЗА111А
A2S713	2Л132А	МЛ41220Е	ЗЛ111Б
A2S714	ЗЛ1НБ	МЛ41220Е	ЗЛН5А
A2S714	ЗА115Л	МЛ41220Б	2А132А
A2S714	2А132А	MA41220F	ЗА111Б
APX376	ЗЛ138Б-3	MA41220F	ЗА115Л
ЛРХЧ77	ЗА138Б-3	MA41220F	2А132А
BAV96A	3AIL5A	MA41220G	ЗЛ115Л
BAV96A	2А132Л	MA41220G	2Л132Л
BAV96B	ЗЛ115А	MA41221D	2А107А
BAV96B	2А132А	MA41221D	ЗА! ЮЛ
BAV96C	ЗА115А	MA41221D	2А118Л
BAV96C	2А132А	MA4I221F	ЗА1 ЮЛ
BAV96D	ЗЛН5А	МЛ41221Е	2А118А
BAV96D	2Л132А	MA41221F	ЗА110Б
C207009	ЗА111Б	MA41221F	2Л118А
G207009	2AI32A	МЛ41500	2А104Л
C207009	ЗА1I5A	МА41505	2А1О5А
C2O75O9	ЗА! НА	МА41505	2А1О9А
C207509	ЗЛ111Б	МЛ494	ЗА114А
C207509	2Л132Л	МА494А	ЗА114А
C207509	ЗЛ115Л	МЛ494В	ЗА114А
C2O7516	ЗЛ110Ь	МЛ494С	ЗАН4А
C2O7516	2А118Л	MA494D	ЗЛ114А
D5223I	2А132А	МЛ4Г180	ЗА115А
D5353B	ЗЛ114А	МЛ41180	2А132А
D5353C	ЗА114А	МЛ41 181	ЗА115А
D5504	2А1О5А	MA4I 181	2А132А
DC 1304	ЗЛ115Л	МА4Е182	ЗА111Б
64
DC 1304	2Л132А	МА4Е182	3A115A
DC 1323	2A125A 3	MA4EI82	2Л132Л
DC 1323	2А131Л 3	MA4I198	ААИЗА I
DC1331	3A115A	MA4I198	ААИЗБ-1
DC 1338	3A138A 3	MA4I199	AA1I3A-1
DC 1339	3A138A 3	МА4Е199	ААИЗБ-1
DC 1346	3A138B-3	МА4Е204Н-27	3AC122A-4
DC 150 IE	ЗАША	MA4E204L-27	3AC122A-4
DC1501E	ЗА111Б	МА4Е204М 27	ЗАС122Л 4
DC1501E	ЗА115Л	MIAO 100	3A115A
DC150IE	2A132A	MU0100	2A132A
DC1501F	ЗА111Б	MIA0101	3A115A
DC1501F	3A115A	М140101	2A132A
DC1501F	2A132A	Ml ДО 102	ЗАШБ
DC1501G	3A115A	ML4O1O2	ЗА115А
DC1501G	2A132A	ML40102	2Л132А
DC 1524	2A125A-3	ML40117	ЗА115А
DC 1524	2А131Л 3	ML40117	2А132Л
DC 1546	2A118A	ML40118	ЗА115А
DC1577E	3A115A	ML40118	2А132А
DC1577E	2A132A	ML40119	ЗАШБ
DC1577F	3A115A	MLA0119	ЗАША
DC1577F	2A132A	ML40119	2А132А
DC1577G	3A115A	ML4O139	2А109А
DC1577G	2A132A	ML4O151	ЗА115А
DC 1585	2A125A-3	ML40151	2А132А
DC 1585	2A131A 3	ML4O152	ЗАШБ
DC1593	ЗА111А	ML40152	ЗАША
DC 1593	3A115A	ML40152	2А132Л
DMA5092	2AIO5A	Р0804	2А1О5А
DMA5353B	3AI14A	Р0804	2А109А
DMA5353C	3AI14A	1'0892	2А105А
DMB6781	AA1I3A-1	1'0892	2А109Л
DMB6781	ААИЗБ-1	Pl 903	2А108А
DMB6781A	ААИЗА-1	Р1903А	2А108А
DMB6781A	АА113Б-1	Pl 906	ЗАША
DMC5506A	2A132A	Pl 906	ЗА115А
DME3005	ЛАНЗА 1	Pl 906	2А132А
DME3005	ААИЗБ-1	P1906A	ЗАША
DME3O22	3AC122A-4	Pl 906л	ЗАШБ
DMF.3O25	ЗАС122A 4	Pl 906A	ЗАИ5Л
DML3044	2А139АС-4	P19O6A	2А132А
DME4790	ЗАС127А 4	P1906B	ЗА115А
DME6557	ЗАС127А 4	P1906B	2А132А
DMF3038	2А146АС-4	P1906C	ЗАША
DM I 3074	ЗАС127Б-4	P1906C	2А132А
DMI 3O74A	ЗАС127А 4	P1906E	ЗАША
DMF4035	ААИЗА-1	Pl 907	ЗА110А
DMF4035	ААИЗБ 1	Pl 907	2А118А
DMF4035A	ААИЗА-1	P1907A	ЗА110А
DMF4O35A	ААИЗБ-1	Pl 907A	2AII8A
DMF4526	ЗАС122Б 4	PI907B	ЗА110Л
DMF4526A	ЗАС122А-4	Pl907В	2А118А
DMF5O8O	ЗАС127Б-4	P1921C	2Л1О8А
DMI 5O8OA	ЗАС127А-4	P1921E	2А108А
DM F 5 847	2А146АС 4	P1923C	ЗАША
DMF5847A	2А 46АС-4	P1923C	2А132А
DMF6037B	2А132А	P1923E	ЗАША
DMF6106B	2А132Л	P1923E	ЗАШБ
DMF6107A	ЗАПОЕ	P1923F	2А132А
DMF6130	2А132А	P19231	ЗАША
DMF6704	ЗАС122Б 4	P1923F	2А132А
DMF6704A	ЗАС122А-4	P1923G	ЗАША
DMJ3090	ЗАС122А 4	P1923G	2Л132А
DMJ3108	ЗАС127А-4	Р1978В	ЗА НОЛ
DMJ4760	ЗАС 122А 4	Р1978В	2А118А
DMJ6668	2Л139АС-4	Р1978С	злнол
DMJ6669	ЗАС 127 Б 4	Р1978С	2А118А
DMJ6789	ААИЗА-1	P1978D	злнол
DMJ6789	ААИЗБ I	P1978D	2А118А
DMK4058	ЗЛ121Л	РГМ190	ЗА 5А
DMK4784	ЗА 138 Б-3	PFM190	2А132А
DMK4791	ЗА138Б-3	PFM191	ЗА115А
DMK4791A	ЗА138Б-3	PFM19I	2А132А
DMK6606	3A138A-3	PFM192	2А132А
DMK6606A	ЗА 138А 3	PFM193	ЗА110Б
НР5О82-2295	ЗАША	PFM 93	2А118А
НР5082-27П	ЗАША	РК0806	2А109А
НР5082-2711	2А132А	РК5101	2А108А
НР5082 2713	ЗА115А	РК5102	2А108А
НР5082-2713	2А132Л	РК5103	2А108А
IISCH-5310	ЗА138Б-3	РК5 06	ЗАША
HSCII 5330	ЗА138Б-3	РК51О7	ЗАША
HSCH-551O	ЗА 1ЗОЛС-3	РК51О8	ЗАША
IISCII 5510	ЗЛ130БС-3	РК51О9	ЗА115А
HSCII-5511	3A130AC-3	РК5110	ЗАША
HSCII-5511	ЗА130БС-3	РКО801	2А104А
HSCH 5530	ЗА 1 ЗОЛС-3	РКО806	2А105А
HSCH-5530	ЗЛ130БС-3	РМ0806	2А1О9А
HSCH-5531	ЗА 1 золе 3	РМО801	2А104А
HSCIJ 5531	ЗА130БС-3	РМО806	2А105А
МА40001	2А108А	SDM2300-301	ЗАША
МА40006	ЗАША	SDM2310 102	ЗАША
МА40006	ЗА115А	SDM2310-301	ЗАША
МЛ40006	2А132А	SDM2370 102	ЗАША
МА40007	ЗАША	SDM2370-301	ЗА115А
МА40007	2А132А	SDM3300 301	ЗАШБ
МА40008	ЗАША	SDM33OO-3O1	ЗАША
МА4 1008	2А132А	SDM4300 102	ЗА115А
МА40009	ЗАША	SDM43OO-1O2	2А132А
МА40009	2Л132А	SDM4300 301	ЗАША
МА40012	ЗА ПОЛ	SDM4400-102	заиоа
МА40012	2А118А	TGD0623 SPC	ЗА129А
МА40013	ЗА110Б	TGD0623 SPC	3A133A
МЛ40013	2А118А	TGD0623-SPC	3A136A
МА40100	ЗАША	TGD0623 SPM	ЗА129А
МА40100	2А132А	TGDO623-SPM	3A133A
МА40101	ЗА 115А	1GD0623-SPM	3A136A
МА40101	2А132А	TGD0624-SPC	ЗА129А
МА40102	ЗАШБ	TGD0624 SPC	3A133A
МА40102	ЗА115А	TGD0624-SPC	3A136A
МА40102	2А132А	TGD0624-SPM	3AI29A
МА40127	ААИЗА 1	TGD0624 SPM	3A133A
МА40127	АЛНЗБ-1	TGD0624-SPM	3A136A
МА40128	ААИЗА-1	TGD0683-SPC	ЗА129А
МА40128	ААИЗБ 1	TGD0683 SPC	3A133A
МА40150	2А132А	TGD0683 SPC	ЗАВ .А
МА40151	ЗАША	TGD0683-SPM	ЗА129А
МА4О151	2А132А	TGD0683 SPM	ЗА 133А
МЛ40152	ЗА115А	1GD0683 SPM	ЗА 136А
5 СВЧ-приборы
65
РАЗДЕЛ 2: ДЕТЕКТОРНЫЕ ДИОДЫ
тсризуют показателем идеальности
Детекторные диоды (ДД) предназначены для преобра-
зования СВЧ-сигнала в сигнал постоянного тока (как пра-
вило, импульсного СВЧ-сигнала в видеоимпульс). Они
используются в приемниках СВЧ прямого усиления (итак
называемых детекторных приемниках), но наиболее широко
применяются в.измсрите.гьной технике СВЧ, приборах для
индикации и измерения параметров сигналов СВЧ.
Действие детекторного диода (Дг1) основано на
нелинейности прямой ветви его вольт-амперной
характеристики (нелинейности сопротивления) Подача на
такой диод гармонического сигнала U Л cos cot вызывает
появление в его цепи периодически изменяющегося тока
I = f(t), в спектре которого,согласно представлению Фурье,
содержатся не только основная и более высокие гармоники
частоты сигнала, нои постоянная составляющая тока, которая
и является полезным видеосигналом, подлежащим выделе -
нию. Во мноп1х случаях на ДД наряду с гармоническим СВЧ-
сигналом подается носгояииое смешение (UJ для согласования
диода с источником сиптала. В :>юм с учае полезный сигнал
представляет собой приращение постоянного тока AI I 1о,
где 1о - ток, вызванный смещением I Jo
Для детектирования СВЧ-сигналов используются
полупроводниковые диоды на основе р п перехода
(обращенные диоды), контакта мсталл-полунроводник (диоды
с барьером Шоттки), омического контакта малой площади
(диоды на горячих носителях), а в последние годы - диоды на
основе структур n‘ i р* i п” со сверхтонкой р‘-областью
(десятки А°) и толщиной i-областей 1000 А (так называемые
PDB или планарно-легированные диоды).Наиболее широко
исподьзуются диоды с барьером Шоттки (ДБШ), отли-
чающиеся высоким быстродействием (из-за отсутствия
неосновных носителей заряда), технологической и
конструктивной простотой. Причем, если в дециметровом и
сантиметровом диапазонах предпочтение отдается кремнию,
как более дешевому и совершенному материалу тля ДД, то в
миллиметровом и субмиллимстрово.м диапазонах (КВЧ и
ГВЧ-диапазоны) используются материалы группы А3В5
(арсенид галлия, фосфид индия)}отличающиеся значительно
более высокой подвижностью носителей заряда, большей
предельной, а значит и рабочей частотой
Конструктивно ДД выполняются в коаксиальных
миниатюрных металлокерамических корпусах и керамичес-
ких держателях. В СВЧ-и КВЧ диапазонах часто использу-
ются бескорпусиые диоды с балочными выводами с более
низкой паразитной емкостью. И наконец, в ГВЧ-диапазоне
предпочтение отдают кристаллам с сотовой структурой с
минимальной паразитной емкостью. Вывод к выпрям-
ляющему контакту в этом случае осуществляют прижимом
упругой металлической проволоки (из вольфрама, фосфо-
ристой бронзы, сплава AuNi) с заостренным до нескольких
микрометров концом. Детекторные диоды характеризуются
большим количеством параметров [1].
Условно их можно разделить на несколько групп.
1.	Параметры, характеризующие эквивалентую схему
диода, рис. 2.1: С емкость перехода; гп -последовательное
сопротивление диода; Бп - последовательная индуктивность;
Сж - емкость корпуса. К этому классу параметров можно
отнести также полную емкость диода (Сд) и его конструк-
тивную емкость (Скон) - емкость между выводами диода при
отсутствии контакта с диодной структурой.
2.	Вольт-амперную харак|ернстику (ВАХ) диода харак
n = (q/kT) (dU/dlnl)
(q - заряд электрона; к постоянная Больцмана; I - температу-
ра), прямым падением напряжения при заданном токе (U^)
и обрагиым напряжением (Ц^,) при заданном обратном
токе.
3.	Как элемент схемы ДД характеризуется рабочим
диапазоном частот, значением коэффициента стоячей во ны
по напряжению (К^,,), входным сопротивлением и
вндеосоирогив гением гвкд = R 4 гп , где R = 1/wC^ .
4.	К параметрам, определяющим эффективность пре-
образования СВЧ сигнала в сигнал постоянного тока,
относятся: чувствительность по току р, = I / Рга, где Рто -
падающая на диод СВЧ-мощность .'предполагается, что
па юшая мощность целиком поглощается и диоде),
чупыпителыюегь по напряжению ( (\ AV/ Piu = I гиш/
ита1Пегггшальнаячувствительность(Р ). Последггяяучитывает
наличие собственных шумов ДД и определяется как значение
импульсной мощности СВЧ-сигнала, при которой верхняя
граница полоски шумов на экране индикатора (в схеме
измерения, содержащей источник сигнала-диод-усилигель-
индикатор) при огсугсгвии СВЧ-сигнала совпадает с нижней
границей по тоски шу мов при наличии этого сигнала.
Эго наглядная и достаточно удобная, хотя и отчасти
субъективная характеристика
Характерце гикам и, ио лобными Pw, являются Рп<ч,- поро-
говая мощность (гглн номинальный обнаружимый сигнал^
соответствующая отношению сипгал/шум, равному единице,
т. е. условию. iN Al где iN - шумовой ток ДД; и эквива-
лентная шумовая мощность Р - пороговая мощность, отне-
сенная к единичной (1 Гц) полосе пропускания видеоусили-
теля. Очевидно,
‘U iN /Рг> а Ртш=
При «том: Plf = 2,5 P^Af)172 (2].
Можно отметить еще одну характеристику ДД подобного
типа, в последнее время утратившую свое значение: Мл
добротаостьиликоэффициегп'качссгва детекторного диода:
4 = Р.г„ш/ К*Пг>,
где RA - некоторое постоянное сопротивление, которое
характеризует долю шумов детектора, вносимую уси штелем;
t - шумовое отношение диода.
5.	Важной характеристикой ДД при испо гьзоваиии его в
измерительной технике является динамический диапазон
или диапазон квадратичиосги. Верхний предел квадратичности
Pw соответствует мощности СВЧ сигнала, при котором
линейная зависимость между I и Pru отклоняется на заданную
величину. Нижним ггределом квадратичности принято считать
величину Р = Р . Обычно этот параметр не нормируется и
целиком определяется параметрами ВАХ, эквивалентной
схемы и режимом работы (величиной постоянного сме-
шения) [2].
Наконец, как и для каждого диода_существует группа па-
раметров, характеризующих допустимые режимы и условия
эксплуатации: допустимый диапазон рабочих температур,
импульсных и непрерывных рассеиваемых вдиоде мощностей
и ряд друг ггх.
Совокупность перечистгегшых выше парамстровбезусловно
является избыточной и отражает интересы отдельных групп
разрабоггиков К числу основных т.арамегров, определяю
66
тих функциональное назначение ДД и подлежащих
обязательному включению в раздел "основные параметры"
ТУ. относят чувствительное п> но току и тангенциальную
чувствительность. Их аналитическое выражение имеет вил
Р, • q/2nkT (1 + г„ /RJ  [1 *- r„ /R, + КД
Р1е 2,5(Af)1/J2nkT/q[4nkTt/RJl1«[l+гп /RJ ’[1 + r„ /R +
R/r„ (f/U)T.
Здесь Г11ред = 1/(2л гп С1кр) - предельная частота, a t - шумовое
отношение диода, которое определяется как отношение
реального шума диода к тепловому шуму сопротивления, рав-
ного сопротивлению диода в той же полосе частот при
комнатой темнерагуре:
I i2Nrw/4kT(AD^
Its ДД основной составляющей шума является фликкер - (или
1/1) шум Обычно t значительно превышает единицу.
Рис- 2 I Эквивалентная схема детекторного диода
Очевидно,чтоР,и Р являются "интетралытымн” характе-
ристиками (зависят от совершенства ВАХ, параметров гп и
Спер» шумовых свойств диода), отражающими качество диодов
в целом. Для использования ДД в измерительной технике, где
уровень измеряемых сигналов достаточно велик, достаточным
является знание чувствительности по току.
Для диодов с балочными выводами и кристаллов (чипов),
когда измерение СВЧ-параметров Невозможно, допускается,
согласно 0(1 11 0494-87, использовать совокупность
параметров, постоянное прямое напряжение диода (Ц,);
общая емкость диода (Сд ); последовательное сопротивле-
ние потерь (гп )
По сложившейся практике наиболее важными
параметрами считают предельную частоту диода. Г наряду
с Сжр и г„ (для которых задаются верхние пределы), Сд и
показатель идеальности ВАХ - п Предельная частота
определяет, по существу, максимальную рабочую частоту
эффективной работы диода. Достижение высокой предельной
частоты требует использования сверхтонких (0,1...0.15мкм)
эпитаксиальных слоев полупроводника и малых размеров
диаметров перехода (1,5..3 мкм) Диоды с балочными
выводами обычно создаются на структурах с потуизолирующей
подложкой i-ifn-типа и содержат дополнительно вы-
соколегированный буферный тГ-слоп, облегчающий
формирование высококачественною омическою контакта
Очень важной характсрисшкой ДД является показатель
идеальности ВАХ и, тесно связанный с величиной НЧ
шумов тиола Основные пути уменьшения п - тщательная
предварительная обработка поверхности полупроводника,
совершенствование процессов нанесения металлических и
1И гчектричсских слоев на поверхность полупроводника
оптимизация конструкции диода.
Все детекторные диоды условно можно разделить на два
класса: работающие со смещением и без смещения. Большин
ство из них (на основе п-GaAs и п Si) требует подачи
смещения в силу специфики контактов металл полупровод-
ник. В то же время наличие цепей смешения усложняет
конструкцию детекторов и увеличивает уровень ПЧ*шумов
Рекомендации по применению и эксплуатации для
дегекторпых диодов как и для всех варисторных и варакторных
диодов СВЧ-. КВЧ- и ГВЧ-диапазонов идентичны. Одна из
наиболее существенных опасностей при работе с ними
воздействие на них статическою электричества. Опасность
пробоя диода тем выше, чем для более высокочастотного
диапазона он предназначен, так как при этом из-за умснь
шеиня диаметра перехода устойчивость диода к различным
электрическим воздействиям понижается Основные меры
предосторожности: применение заземляющих браслетов и
предварительное касание диодной камеры перед вставле-
нием диода, затем леиие аппаратуры, применение спецодежды
из антистатическою материала и др.
Д тя диодо в в м инна пор ных мегалло керам ических корпусах
рекомендуется монтаж методом прижима и пайки Различ-
ные способы крепления (термокомпрессия, пайка, прикле-
ивание) допускаются и для диодов с балочными выводами. Во
избежание повреждения диодов желательно пользоваться
конкретными режимами привоями, флюсами и т.д ,
укатанными в 1У на диол.
2А201А
Диод кремниевый, точечный, детекторный Предназначен
для детектирования ст налов в дециметровом и сантиметро-
вом диапазонах длин волн. Выпускается в металлостеклян-
ном корпусе типа КД 121. I абаритный чертеж соответствует
прибору 2А104 (рис. 1.8). Гии диода приводится па этикетке.
Маркируется красной точкой у положите тытого вывода.
Масса диода пе более 0.15 г. Пример записи условною
обозначения при заказе и в конструкторской документации
диод СВЧ 2А201А, ТРЗ 360 058 ТУ.
Электрические параметры
Чувствительное гь по току при
Т +25"С
Г +125 С
Г 60'С
Добротность
Коэффициент стоячей волны по
напряжению
Дифференциальное сопротивление
50 мкА)
не менее 6 5 A/Bi
3,25...9,75 А/Вт
4,55...8,40 A/Bi ;
не менее 80 Вт'у"
нс более 1,5
400...1000 Ом
11ре (е |ьные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СНЧ-мошносгь
Импульсная рассеиваемая С'ВЧ-мощносгь
(f 1000 Гц, tH< 1мкс)
Импульсная рассеиваемая мощность при
кра 1 ковременном воздсйсищи
(пе более 20 мин)
Температура окружающей среды
Температура окружающей среды при кратко-
временном воздействии (нс бо ice 20 мин)
20 mBi
300 мВт
500 мВ1
60 +125 С
т 15(ГС
5’
67
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
25000 ч
25 лет
Примечание: СВЧ- параметры нормированы при
R <30 Ом, Р =5 мкВт. I 50 мкЛ, л ~ 8 см
пос	' га	nj‘
Рнс.2 2. Зона возможных положений зави им тетей чувстви-
тельности по току (а), добротности (6), коэффициента стоячей
волны по напряжению (в), тифференииалыюго сопротивления
(г) от тока; чувствительности по току (д), коэффициента стоячей
волны по напряжению (е) от температуры
Из отопитель: Т мининский завод полупроводниковых
приборов.
2А202А
Диод кремниевый, точечный, детекторный. Предназна-
чен для детектирования си! налов в сантиметровом диапазоне
длин волн. Выпускается в металлостеклянном корпусе типа
КД-121 Габаритный чертеж соответствует прибору 2А1О4
(рис. 1.8). Тип диода приводится на -ликстке. Маркируется
двумя красными точками у положительного вывода. Масса
диода нс более 0,15 г. Приме] >аписи условного обозначения
при заказе и в конструкторской документации диод СВЧ
2А202А ТРЗ.360.075 1У.
Электрические параметры
Чувствительность по току при
1 -»25"С
1 =• 125 С
Г=-60"С
) (обротность
Ко (ффипиен г стоячей волны по
напряжению
Дифференциальное сопротивление
(1^-50 мкА)
нс менее 2,5 А/Вг
1,25 ..3,75 A/В i
1,75...3,25 А/В
не менее 40 Вт” '
не более 1,5
40 ...1000 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность 20 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ-мошность
(f 1000 Гц, tH < 1мкс)	300 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при
кратковременном воздействии
(не более 5 мин)	500 мВт
Температура окружающей среды	-60...+125°С
1емнервтура окружающей среды при кратко-
временном воздействии (не более 10 мин) + 150"С
Минимальная нарабо|ка	1000 ч
Срок сохраняемости	10 лет
II р и м е ч а н и е: СВЧ-царамсгрЫ нормированы при
R < 30 Ом Р = 10 мкВт, I
ПОС	> пд
50 мкА, 'К —3,2 см.
Кети
Рис.2 3. Зона возможных положений зависимостей чувстви-
тельности по току (а) коэффициента стоячей волны по напря-
жению (б) от температуры; чувствительности по току (в), доброт-
ности (г) от тока
Изготовитель: Гомилинский завод полупроводниковых
приборов.
68
2А203А, 2А203Б
Диоды кремниевые, микросплавные, детекторные.
Предназначены для детектирования сигналов в сантиметровом
диапазоне длин волн. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе типа КД-106 с жесткими выводами Габаритный
чертеж соответствует прибору 2А1О7 (рис 1.14) Тип диода
приводится на этикетке. Маркируются условным кодом
цифрой 4 2А203А, цифрой 5 -2А203Б. Масса диода не более
0,2 г. Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации, диод СВЧ 2А203А,
ТРЗ.360.093 ТУ
Электрические параметры
Чувствительность по току при		
Т=+25 и -60’С	2А2ОЗА	не менее 3,8 А/Вт
	2А203Б	не менее 2,8 А/Вт
Т=+125’С		не менее 1,5 А/Вт
Добротность	2А203А	не менее 120 Вт 1/7
	2А203Б	не менее 100 Вт 1/2
Коэффициент стоячей волны по		
напряжению		
	2А203А	не более 1,8
	2А2ОЗБ	нс более 2,5
Дифференциальное сопротивление		
(1^, 50 мкА)		1000...2000 Ом
Предельные эксплуатационные данные
Рис.2 4 Зона возможных положений зависимостей шумового
сопротивления (а), дифференциального сопротивления (б) коэф-
фициента стоячей волны по напряжению (в), чувствительности
по току (г) от тока; чувствительности по току от температуры (л);
предельной рассеиваемой мощности от сопротивления иагрутки (е)
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность
(R^ < 1000 См) при Т= 4-25 и -60’С
Т=+125’С
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность
при < 1000 Ом и кратковременном
воздействии (не более 3 ч)
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность
(Г = 1000 Гц, t„< 1мкс, R^ < 10 кОм)
Значение допустимого статического
потен циала
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
20 мВт
5 мВт
50 мВт
100 мВт
5 В
-60...+125’С
15000 ч
25 тет
Примечания. 1. СВЧ параметры нормированы при
< 30 Ом, Р =10 мкВт, 20 мкА, >. = 2 см. 2 При Т от
*25 до +125’С максимально допустимая непрерывная
рассеиваемая СВЧ -мощность изменяется по линейному
закону. 3 Допускается применение диодов при прямом токе
не более 100 мкА
Изготовитель Гомилинский завод полупроводниковых
приборов.
АА204А-6, АА204В-6
Диоды арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шоттки, СВЧ-дстекторные. Предназначены для
применения в режиме линейного детектирования сигналов
сантиметрового диапазона длин волн в составе гибридных
интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и
защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумане,
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного
давления Выпускаются в бсскорнусном исполнении на
керамических держа гелях с жесткими выводами Габаритный
чертеж соответствует прибору 2А117 (рис.1 31). Тин диода
приводится на групповой таре. Масса диода нс более 0,01 т
Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации диод СВЧ АА2О4А 6,
аАО 336 040 ТУ
Электрические параметры
Чувствительность по току	не менее 3,5 A/Bi
Дифференциальное сопротивление 900* ..2000 Ом
Выходное шумовое отношение не бо ice 2.0
Тангенциальная чувствительность
(расчетная) при
I 100 мкАД1„м г МГц, г =500 Ом
I = 20 мкАЛГгом 1 Ml n, г^ 900 Ом
Коэффициент качества
Коэффициент стоячей волны по
напряжению АА204А-6
АА207В 6
нс менее 48* дБм
не менее 54* дБм
нс менее ПО В г 7
нс бочее 2,4
нс более 1,3
69
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность при
1 60 и +85 С	20 мВт
Т=+ 125 С	10 мВг
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность
при кратковременном (не более 10 мин)
воздействии при Т 60 и + 85 С	50 мВт
1+125’С	20 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ-мощность
(f = 1000 Гц, + < 1мкс) при
Т=-60 и »85’С	100 мВт
Т t 125’С	50 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ-мощносгь
при кратковременном (пе более 10 мин)
воздействии при Т 60 и +85‘С	250 мВт
Т=+125’С	150 мВт
Допустимое значение статического
потенциала	50 В
Температура окружающей среды	60 . t 125’С
Минимальная наработка в составе 1С	50000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	15 лет
барьером Шоттки детекторный. Предназначен для детек-
тирования сигналов в дециметровом и сантиметровом
диапазонах длин волн в составе гибридных интетральных
микросхем обеспечивающих герметизацию и защиту приборов I
от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов,
инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорнусном исполнении на держателях с
жесткими выводами. 1 абаритный чертеж соответствует
прибору 2А117 (рис.1.31) I ин диода приводится на группо-
вой таре. Обозначается желтой точкой у основания отрица-
тельной контакт пой площадки, у основания положительной
контактной площадки ставится синяя точка. Масса диода не
более 0,01 г. Пример записи условного обозначения при зака-
зе и в конструкторской документации диод СВЧ 3A206A*f
аАО.339.038 ТУ
)лектрические параметры
Примечания: 1. СВЧ параметры нормированы при:
R < 30 Ом Р 10 мкВт. 1 = 20 мкА, X. 3.2 см. 2. При Т
от +85 до + 125’С максимально допустимые непрерывная и
импульсная рассеиваемые СВЧ- мощности изменяются по
линейному закону. 3 Допускается применение диодов в
смесительном режиме со значением нормированного коэф-
сг
Чувствительность по току при
Т= +25’С
Т + 125‘С
Т=-60’С
Коэффициент стоячей волны по
напряжению
Дифференциальное сопротивление
(1^ 20 мкА и fH= 1000 Гц)
Выходное шумовое отношение
Тангенциальная чувствительность
Общая CMKocib
Емкость перехода
Емкость держателя
Индуктивность диода
Последовательное соиротивлепие
3,5. 4.8*...8,5* А/Вт
нс менее 2,5 А/Вт
не менее 3,0 А/Вт
1,03*...1,3*...2,4
1200*...1450*...2000 Ом
0,6 ..0,75* 1,5
54-56,5* 58* дБм
0.I4...0,2*...0,35 нФ
0,09...0,14*...0,26 пФ
0,05...0,06*...0,09 пФ
1,2...1,5*..1,8 нГн
5* ..7* 15* Ом
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность при
Рис.2.5 Зона возможных положений зависимостей чувстви
теяыюстц по току (а), добротности (6), дифференциальною
сопротивления (в) от токи
Т 60 и +85 С	25 мВт
Т=+125’С	10 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ-мошность
(I 1000 Гц, tH < 1 мкс) при Т 60 и < 85°С	100 мВт
1=+125С.	50 мВт
Температура окружающей среды	-60...+ 125’С
Минимальная наработка в составе ГС	25000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
Примечания: 1. СВЧ параметры нормированы при
Rnoc < 30 Ом, 1’^ 10 мкВт, 1^= 20 мкА,Л=3,2 см, f„-1000 Гц
2. При Г от +85 до +125*С максимально допустимые
непрерывная и импульсная рассеиваемые СВЧ-мощности
изменяются по линейному закону
Изготовитель: ГомилннскиЙ завод полупроводниковых
приборов
ЗА206А-6
Диод арсенидоталлиевый, планарно-эпитаксиальный с
70
Рис 2.6. Зона возможных положений зависимостей' коэффициеи
та стоячей волны по напряжению от температуры (а), коэф-
фициента стоячей волны по напряжению (6), тангенциальной
чувствительности (в), дифференциального сопротивления (г)
чувствительности по току (л) от тока
Изготовитель Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
2А207А-6, 2А207АГ-6, 2А207АР-6, КА207А-6
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные, с
барьером Шоттки СВЧ-выпрямительные Предназначены
для применения в режиме линейного детектирования сигна-
лов дециметрового диапазона длин волн в составе гибрид-
ных интегральных микросхем, обеспечивающих герметиза-
цию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного
тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и по-
вышенного давления Выпускаются в бескорпусном
исполнении на держателях с жесткими выводам и и Габарит-
ный чертеж соответствует прибору 2А117 (рис.1 31) Тип
диода приводится на групповой таре Масса диода нс более
0,01 г Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации диод СВЧ 2А207А-6,
аАО.339.506 ТУ, диод СВЧ двойка 2А2О7АР 6 (четверка
2А207АГ 6), аАО.339.596 ТУ/Д2 диод СВЧ,аАО.336.733 ТУ
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение
(1=1 мА) при Т =+25'С
Т=+125’С
Т -60°С
Постоянное прямое напряжение
(I = 0,1 мА) при Т +25"С
Т=+125С
Т=-60“С
Постоянное обратное напряжение
(I. = 10 мкА) при Т=+25°С
Т -60 и + 125”С
Общая емкость диода
Коэффициент передачи
Динамический диапазон сигналов
0,3...0,33* .0,35 В
не менее 0,35 В
не менее 0,45 В
0,2...0,25* .0,28* В
не менее 0,2 В
нс менее 0,25 В
8. 9* 10* В
не менее 6 В
0,2* 0,4* 0,6 пФ
70*...90*...95* %
не менее 19* дБ
Разброс постоянного прямого напря
жения при поставке с подбором в
пары или четверки (1^ 1 мА) не более 20 мВ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ-мощность при
Т=-60 и +60С Т + 125°С	90 мВт 25 мВт
Рабочий диапазон частот Допустимое значение статического	0,3 - 3 ГГц
потенциала	5 В
Температура окружающей среды	60.. 4 125°С
Минимальная парабгока Минимальная наработка в облегченном	25000 ч
режиме (Рпы= 45 мВт, R,t 10 кОм.Т +25 С)	50000 ч
Срок сохраняемости	25 лег
Примечания: 1 Допускается применение диодов в
детекторном режиме при величине прямого тока смешения
не превышающем 100 мА. 2. При Т от г60 до +125 С
максимально допустимая непрерывная падающая СВЧ-
мощность изменяется по линейному закону 3 Рекомендуемое
защитное покрытие-лак ЭП-91.
Рис.2.7 Зависимость коэффициента передачи от падающей мощ-
ности
Изготовитель: Завод при ПИИ "Сапфир", г Москва
ЗА208А, АА208А
Диоды арсенидогаллиевые планарно-эпитаксиальные с
барьером Шоттки, СВЧ выпрямительные. Предназначены
для применения в режиме преобразования мощности СВЧ
дециметрового диапазона длин волн в мощность постоянного
тока Выпускаются в металлокерамическом корпусе типа
КД-1-2 с гибкими выводами. Габаритный чертеж соответствует
прибору ЗА112 (рис.1 21) Полярность-минус со стороны
кристалла. Тип диода приводится на групповой таре. Масса
диода не более 0 035 г. Пример записи условного обозначе
ния при заказе и в конструкторской документации диод СВЧ
ЗА208А, аАО.339.507ТУ, диод СВЧ АА208А, аАО.336.729 ТУ.
Э гектрнческие параметры
Выпрямленный ток (Р =0,5 Вт
250 Ом)
Постоянное прямое напряжение
(I =1 мА) при Т +25“С
Т»=+125°С
Т=-6ОС
Постоянное прямое напряжение
(1,„ 0,1 мА) при Т Т25 С
1=+125’С
41 41,5* 44* мА
0,6...0,65*...0,8* В
не более 0,8 В
не более 0,9 В
0,4...0,45*.„0,6* В
нс более 0,6 В
71
Т 6()'С
Постоянное обратное напряжение
(U 10 мкА>
Общая емкость диода
КП I выпрямления (R^ 250 Ом,
Рт= 0,5 Вт, Кети < 1,3, Т- т-25 С)
не более 0,65 В
20...25*...40* В
0,25*...0,3*...0,6 пФ
нс менее 85 %
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ-мощность
при	Г«-60 и +85С	0,5 Вт
Рабочий диапазон часюг	0.3 - 3 ГГц
Допустимое значение статического
потенциала	10 В
Зсмпература окружающей среды	-60...+125’С
Минималг тая наработка	25000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
(Примечания: I. Допускается применение диодов в
диапаюпе частот от 3 до 15 ГГц. 2. При Т от +85 до + 125’С
максимально допустимая непрерывная падающая СВЧ
мощность изменяется по линейному такоиу уменьшаясь до
нуля. 3 Максимальная растягивающая си та нс более 2,5 П
(0,25 кге), минимальное расстояние места изгиба вывода от
корпуса не менее 3 мм, минимальное расстояние от корпуса
до места пайки- Змм.
Рис.2.8. Зона во тможных положений зависимостей КПД выпрям-
ления от падающей СВЧ мощности (а), последовательного
сопротивления (6) и частоты (в)
Изготовитель Завод при НИИ "Сапфир", г.Москва.
2А209А-3, 2А209Б-3
Диоды кремниевые, планарно-энигаксиалытые, с барье-
ром Шоттки, детекторные. Предназначены для детектирова-
ния сигналов в дециметровом и сантиметровом диапазонах
длин волн в составе гибридных интегральных микросхем,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от
воздействия влати,соляного тумана, плесневых грибов, инея
и росы, пониженного и повышенного давления. Выпускаются
в бескорпусном исполнении без крисгаллодержатсля с
балочными выводам ии. 1абаритный чертеж соответствует
прибору ЗА140 (рис. 1.73). Тип диода приводится на группо-
вой таре Масса диода нс более 0,3 г Пример записи услов-
ного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СВЧ 2А209А-3, АЕЯР 432130.082 ТУ.
Электрические параметры
Тангенциальная чувствительность	
(fKm= 15 ГГц, I = 20 мкА, 1,5 МГц) 2А209А 3	50. .53* .55* дБм
2А209Б-3	45 .52* 54* дБм
Общая емкость диода (IJ. 0 В) 2А209А-3	0,03* 0,1* .0,12 пФ
2А209Б-3	0,12* 0,13* ..0,15 нФ
Последовательное сопротивление потерь	10*...20*...26 *Ом
Постоянное прямое напряжение (I =1,0 мА) при Т-+25 и+125°С	0,1*...000...0,25 В
Т-60С	не более 0,30 В
Нормированное постоянное обратное напряжение	0,4*..1,0* .2,5* В
Чувствительность по току	пе менее 1 5* Л/В
Предельные эксплуата шинные данные
Постоянный прямой ток	10 мА
Непрерывная расссива мая СВЧ-мощность (1^=100 Ом) при Т=-60 и т-85 С	60 мВт
Т =+125 С	25 мВт
Кратковременная (не более 10 мин) непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность (1^=100 Ом) при Т=-60 и + 85°С	100 мВт
Т +125’С	35 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность (f = 1000 Гц, ги < 1 мкс, 1^=100 Ом) при Т=-60 и +85° С	100 мВт
Г г 125" С	35 мВт
Допустимое значение статического потенциала	10 В
Диапазон рабочих частот	0,3 - 26 ГГц
Температура окружающей среды	-60. . +125’С
Минимальная наработка в составе ГС	25000 ч
Минимальная наработка в составе ГС в облегченных режимах (при Р _0,5Р	, Т=+25°С)	5(000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
II р и м е ч а п и я: 1. СВЧ-параметры нормированы при:
1^= 100 Ом, Рга=Ю мкВт,11ф-20 мкА, Гюи“15 ГГц. 2. При I
от +85 до + 125’С максимально допуешмые непрерывная и
импульсная рассеиваемые СВЧ мощности изменяются по
линейному закону
72
Рис.2 9 Зона возможных положений явисимоститангснциальной
чувствительности от тока
Рис 2 10 Зависимость прямого напряжения от температуры
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
Прямая таблица полных аналогов детекторных диодов
Тип диода (отечеств.)	Тип диода (зарубежн.)	Материал	Корпус	Фирма изготовитель
2Л2О1А	MA4I23	Si	DO-7	M/ACoinmSem
АА204А-6	DC132I	GaAs	TO-122	MarconiElec
АА204А-6	DC 1516	Si	TO-122	MarconiElec
ЛА204А-6	DCI553	Si	TO-122	MarconiElec
АА204А-6	DC3O12	Ge	TO 122	MarconiElec
АА204А-6	ССО955О9	Si	10-122	Custom Cpts
АА204Б-6	DCI321	GaAs	TO-122	MarconiElec
АА204Б-6	DC1516	Si	TO-122	MarconiElec
АА204Б-6	DC 1553	Si	TO-122	MarconiElec
АА204Б-6	DC3012	Ge	TO-122	MarconiElec
АА204Б-6	ССО955О9	Si	TO-122	Custom Cpts
ЗЛ206А 6	DC 1321	GaAs	TO-122	MarconiElec
ЗА206А-6	DC1516	Si	TO-122	MarconiElec
ЗА206А-6	DC1553	Si	TO 122	MarconiElec
ЗА2О6А 6	DC3012	Ge	TO-122	MarconiElec
ЗА206А-6	ССО955О9	Si	TO-122	Custom Cpts
2А209А-3	DDB4504	Si	A329b	TRW Microwv
Обратная таблица полных аналогов детекторных диод* в
Тип диода (зарубежн.)	Тип диода (отечеств.)	Тип диода (зарубежн.)	Тип диода (отечеств.)
CCO955O9	АА204А-6	DC 1553	АА204А-6
CC095509	АА204Б-6	DC1553	АА204Б-6
CC095509	ЗА206А 6	DC 1553	ЗА206А-6
DC1321	АА204А-6	DC3012	АА204А 6
DC1321	АА204Б-6	DC 3012	АА204Б-6
DC1321	ЗА206А-6	DC3012	ЗА206А 6'
DC1516	АА204А-6	DDB4504	2А209А-3
DC1516	АА204Б-6	МА4123	2А201Л
DC1516	ЗА206А-6		
Прямая таблица косвенных аналогов детекторных диодов
Тип диода Тип диода Материал Корпус Фирма
(отечеств.) (зарубежн )	изготовитель
2А201А	МА41510	Si	Alad	M/ACoHimScmi
2A20IA	PD0806	Si	A lad	Parametnc
2А203А	МА40205	Si	F82	M/AConunSenu
2А203А	МА40029	Si	F32f	M/ACommScmi
2А203А	МА40028	Si	F32f	M/ACommSemi
2А203А	МА40206	Si	F82	M/ACommSemi
2А203А	МА40242	St	F82	M/ACommSemi
2А203А	МА40244	Si	F82	M/ACommSemi
2А203А	МА40248	Si	A42I	M/A( ommSemi
2А203А	МА40255	Si	A421	M/ACommSemi
2А203А	МА40256	Si	A421	M/ACommScmi
2А203А	МА41224	Si	A421	M/ACommSemi
2А203А	МА41225	St	A421	M/ACommSemi
2А203А	Ml 40044	Si	F82	MicrowvAssc
2А203А	ML40045	Si	F82	MicniwvAssc
2А203А	ML40073	Si	F82	MicrowvAssc
2А203А	MI-40074	Si	F82	MicrowvAssc
2А203А	PKD10I-19	Si	F82k	Parametric
2А203А	PKD101 51	Si	F54k	Parametric
2А203А	DC1335	St	F51c	MarconiElec
2А203Л	DC1547	Si	F51c	MarconiElec
2А2ОЗА	СС205016	Si	A421	Custom Corp
2А203А	AEY31	Ge	Г82	PhilipsElec
2А203А	AEY3IA	Ge	F82	PhilipsElec
2А207А 6	DC1517	Si	TO-122	MarconiElec
2А207А-6	DC3O13	Si	TO 122	Marconi Uec
2А209А 3	A2S791	Si	M577a	Alphaindast
2А209Б-3	DDB4504	Si	A329b	1RW Microwv
Обратная таблица косвенных аналогов детекторных диодов
Тип диода (зарубежн.)	Т ип диода (отсчет в.)	Тип диода (зарубежн.)	Т ип диода (отечеств.)
A2S791	2А209А 3	МА40244	2А203А
AEY31	2А203А	МА40248	2А203А
AEY31A	2А203А	МА40255	2А203А
CC205016	2А2ОЗА	МА40256	2А203А
DC 1335	2А203А	МА41224	2А203А
DCI517	2А207А 6	МА41225	2А203А
DC1547	2А203А	МА415Ю	2А201А
DC3O13	2А207А 6	ML40044	2А203А
DDB4504	2А209Б-3	М140045	2А203А
MA40028	2А203А	ML40073	2А203А
MA40029	2А203А	ML40074	2А203А
MA4O2O5	2А203А	PD0806	2А201А
MA40206	2А203А	PKD101-19	2А203А
MA40242	2А203А	PKD101-51	2А203А
73
РАЗДЕЛ 3 ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ИМПУЛЬСНЫЕ ЛАВИННЫЕ
Полупроводниковые импульсные лавинные диоды
(ДПИЛ) - приборы с S-образной вольт-амперной характе-
ристикой (ВАХ) при обратном смешении, характеризую-
щиеся большим перепадом внутреннего сопротивления
диода в различных се участках и имеющие, таким образом,
"открытое” и "закрытое" состояния. Переключение диода из
одного состояния в другое происходит при достижении па
р-n переходе напряжения, достаточного для развития в нем
лавинного пробоя ДПИЛ предназначены для формирова
ния видеоимпульсов с субнапосекундными фронтами на;
тания и спада, радиоимпульсов наносскундной длительности
при ударном возбуждении резонансных контуров или
широкополосных антенн, а также могут применяться для
создания модуляторов импульсных СВЧ генераторов и т.п
ДПИЛ имеют типичную структуру, содержащую р-n переход
и протяженную г область, обеспечивающую достаточно
высокое сопротивление в "закрытом” состоянии (рис.З 1)
Рис.3.1. Типичная структура диода : р - перекомненсированная
высокоомная область p-типа; п - частично компенсированная
область п-типа; п- - низкоомная подложка ; 1 - омические
контакты к слою полупроводника; 2 - выводы диода
диодами. Приборы в корпусе с прозрачной герметизирую-
щей пластмассой обеспечивают возможность создания тако-
го капала. ДПИЛ выпускаются как в бсскорпусном испол-
нении на металлокерамических кристаллолсржагелях, так
и в ме галлокерамических корпусах.
Основными параметрами ДПИЛ являются: 1) время
переключения I . т.е. время перехода из "закрытого"
состояния в "открытое", 2) время восстановления обратного
сопротивления измеряемое как период генсрирова
ния импульсов в схеме релаксационного генератора, кяю
чом в которой служит ДПИЛ; 3) напряжение включения
L)^, при котором в р-n переходе начинается процесс лавин-
ного пробоя и диод переходит из "закрытого" состояния в
"о г крытое"; измерение производится на измерителях
типа ПИХТ 1, Л2-56 и т.п. 4) остаточное напряжение
IJ<iei падающее на самом диоде при заданном значении тока
в нагрузке в "открытом" состоянии
Эквивалентная схема ДПИЛ представлена на рис.3.3
Здесь Rn. Ся - соответственно сопротивление и емкость
ггерекомпенсированггой глубокими примесями л-области,
Крп, С>п - соответственно сопротивление и емкость р-п
перехода, Ск - емкость корпуса и I. „ индуктивность выводов
Rp-n 1-в
Рнс.3.3. Эквивалентная схема ДПИЛ
Работа ДПИЛ основана на перезарядке глубоких центров
первоначально в области пространственного заряда р-п пе-
рехода при развитии в последнем процесса лавинною про-
боя, а затем и в высокоомной части диода i-типа проводимо-
сти [13,14] При развитии лавинного пробоя i область дио-
да исчезает и его сопротивление резко падает, обеспечивая
образование участка с отрицательным дифференциальным
сопротивлением в обратной ветви ВАХ диода (рис.З.2).
Рис.3.4. Типовая схема формирователя импульсов на ДПИЛ
Рис 3 2 Вольтамперная характеристика ДПИЛ 1 - закрытое
состояние диода 2 - участок отрицательного дифференциального
сопротивления, 3 - "открытое" состояние диода
Таким образом, на обратной ветви ВАХ ДПИЛ можно
выдели гь три характерных участ ка. 1 - "закрытое” состояние
когда ток через диод минимален и равен току утечки через
р-n переход, 2 - участок отрицательного дифференциального
сопротивления, 3 - "открытое" состояние диода, когда ток
ограничен лишь внешним сопротивлением нагрузки диода.
При этом время перехода из одного состояния в другое
определяется временем развития процесса лавинного про-
боя и в арсснидогаллиевых диодах лежи г в пределах долей
наносекунд.
Высокая чувствительность процесса лавинного пробоя
к оптическому излучению позволяет создать для ряда сфер
применения дополните тьный оптический канал управления
Типичная структурная схема, используемая для форми-
рования импульсов тока с помощью ДПИЛ приведена на
рис.3.4, где ИП -источник питания. R - ограничительное
сопротивление, определяющее скорость заряда накопителя
Н - накопитель энергии (сосредоточенная емкость или отре-
зок коаксиальной линии), R^- сопротивление нагрузки. При
использовании в качестве накопителя сосредоточенной ем-
кости формируется треугольный импульс, при использова-
нии отрезка коаксиала прямоугольный импульс с чрез
вычайно короткими фронтами.
Указания и рекомендации по эксплуатации
I.	Крепление диодов в металлокерамических корпусах
и на керамических кристаллодержателях осуществляется
прижимом Допускается пайка диодов в схему при темпера
туре не выше 235“С в течение не более 5 с с числом перепаек
нс ботее трех, а также приклеивание бескорпусных диодов
с помощью электропроводящего клея типа ЭЧЭ-С с време-
нем сушки 1,5 ч при температуре 120"С.
2.	Для уменьшения времени восстановления высокого
обратного сопротивления рекомендуется пропускание че
рез диод тока смешения.
3	Для уменьшения длительности фронтов формиру-
емых импульсов рекомендуется на диод подавать постоян-
74
ное напряжение величиной 2-3 % (JM и полярностью,
противоположной воздействующим импульсам.
4 При работе с диодами обязательно применение мер
по защите от статической) электричества
ЗД530А,ЗД530Б
Диоды арсенидогаллиевыс, мсзаэлитаксиальные,
импульсные, лавинные. Предназначены для формирования
радиоимпульсов паносскундной длительности, применения
в качестве ключа для ударного возбуждения резонансных
контуров или широкополосных антенн и т.п. Диолы выпус-
каются в металлокерамическом корпусе типа КД 104сжест
кими выводами (рис.3.5). Товарный знак и тин диода простав-
ляются на групповой таре Масса диода нс более 0,15 г 11ри
мер записи условного обозначения при заказе и в конструк-
торской документации: диод СВЧ ЗД53ОА, аАО.339.726 ГУ.
Рис 3 6. Зависимости напряжения включения от температуры (а)
н частоты повторения импульсов (б)
Изготовитель: (омский завод при НИИ полупроводников-
ых приборов.
АА732А,АА732Б
Рис J.5
вывод 7
i
Вывод 2
Элек|рическне параметры
Напряжение включения,
ЗД530А
ЗД530Б
100. 140*. 180 В
150...170*.. 210 В
Остаточное напряжение
Время восстановления обратного
сопротивления (1СЫ —12 мА)
Время переключения
0,12*..0,15*...0,2
1,5* .3,0 мкс
0,25*...0,5 нс
11осгоянныи обратный ток (Urfip 35 В) 0,01*. . . 1,0 мкА
Общая емкость диода
Диоды арсенидогаллиевыс, мсзаэпигаксиалытые
импульсные, лавинные Предназначены для формирования
радиоимпульсов ианосекундной длительности, примене-
ния в качестве ключа для ударного возбуждения резонанс-
ных контуров или широкополосных антенн и т.н Диоды
выпускаются в металлокерамическом корпусе тина KJ.I-104
с жесткими выводами (рис.3.5). Товарный знак и тин диода
проставляются на групповой таре Масса диола пе более
0.15 г. Пример записи условного обозначения при заказе
и в конструкторской докуменгании: диод СВЧ АА732А.
аАО.336.445 ТУ.
(f I МГц, U = 0 В)
1,0*. .2 * пФ
Электрические параметры
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение включения,
АА732А
АА732Б
100... 125*... 180 В
150... 175*. .200 В
Импульсное обратное напряжение	2
Импульсный ток в открытом состоянии 15 А
Средний ток в открытом состоянии	1,5 мА
Ток смещения в открытом состоянии 12 мА
Значение допустимого статического потенциала 2000 В
Температура окружающей среды	60	t-85'С
Минимальная наработка при
I < 1,5 мА, Г=+25°С	25000 ч
1р<13,5мА1 +50‘С	3000 ч
Срок сохраняемости 25 лет
Остаточное напряжение	16* 25*.. 40* В
Время восстановления обратого
сопротивления	0,4*...11*...16 мкс
Время переключения	0,2*...0,35*...0,5 нс
Постоянный обратный ток (U^ 35В) 0,001*...0,01*...1,0	мкА
Общая емкость диода
(f 1 МГн,U • О В)	0 4* .0,7* .1, * пФ
Предельные эксплуатационные ганные
Примечание: После формирования импульса реко-
мендуется пропускание через диод тока смешения, способ-
ствующего ускорению процесса восстановления высокого
сопротивления диода.
Постоянный прямой ток
Средний ток в открытом состоянии (Q 1000)
Импульсный гок в открытом состоянии
Значение допустимого статического потенциала
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
5 мА
1 мА
30 А
2000 В
-60. +85’С
5000 ч
10 чет
Примечания : 1. Остаточное напряжение измеряется при
токе 2...7 А. 2. Напряжение включения измеряется при час
тоте следования импульсов 100 Гц
75
1пр* мА
Рис.3.7. Зависимости тока диода от напряжения (а) , напряже-
ния включения от температуры (6) и частоты повторения
импульсов (в)
Изготовитель: Томский завод при НИИ полупроводнико-
вых приборов.
АА742А.АА742Б
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные,
импульсные, лавинные. Предназначены для формирования
радиоимпульсов напосекундпой дли гельносги, применения
в качестве ключа для ударного возбуждения резонансных
контуров или широкополосных антенн и т.п. Диоды вы-
пускаются в металлокерамическом корпусе типа КД-24 с
жесткими выводами с герметизацией оптически прозрачных?
компаундом (рис 3 8). Диоды позволяют управление режи-
мом работы диода оптическим сигналом. Товарный знак и
тип диода проставляются на ярлыке, вкладываемом в
групповую тару Масса диода не более 0,1 г Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СВЧ АА742А, аАО.339.621 ТУ
)лсктрические параметры
Напряжение включения,
АА742А
АА742Б
350...510*...600 В
500. .640*...750 В
Остаточное напряжение	0,3 UBK,
Время восстановления обратного
сопротивления	не более 3 мс
Время переключения	0,17* .0,3* 0,6	нс
Постоянный обратыи ток (Ц^ 35В) не более 1,0 мкА
Общая емкость диода
(f 1 МГц.П 0 В)
1,2* 1.4* 1,7 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток	10 мА
Средний ток в открытом состоянии (Q 10000) 0,1 мА
Импульсный ток в открытом состоянии при
1ср < 0,1 мА, tK < 15 нс	30 А
Icp S 0,05 мА, tM < 100 нс	50 А
Длительность рабочего импульса	100 нс
Значение допустимого статического потенциала 2000 В
Температура окружающей среды	-60.. +85"С
Минимальная наработка	5000 ч
Срок сохраняемости	10 лет
Пр и м еча и ие : Остаточное напряжение измеряется при
токе 2 .7 А
Рис.3.9 Зависимость напряжения включения оттемпературы (а),
и частоты следования импульсов (6)
Изготовитель Томский завод при НИИ полупроводнико-
вых приборов.
ЗА801А-6
(поды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные
импульсные, лавинные Предназначены для формирования !
радиоимпульсов с субнаносекундными фронтами на низ
коомной нагрузке при управлении внешним оптическим
сигналом, либо в режиме автогенератора коротких им пуль- '
сов наносекундной длительности Ьсскорпусные, с контакт-
ными площадками без выводов (рис.3.10), используются в
составе тибридных интегральных микросхем, обеспечиваю-
щих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги,
соляного тумана, плесневых грибов инея и росы, понижен
ного и повышенного давления Товарный знак, тип диода
и индивидуальное для каждого диода напряжение включе-

ния проставляются на ярлыке, вкладываемом в групповую
тару. Масса диода не более 0,01 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации
диод ЗА801А-6, аАО 339.531 ТУ.
Изготовитель: Томский завод при НИИ полупроводнико-
вых приборов.
Вывод 1
Вывод 2
Электрические параметры
Напряжение включения, UM	50...100*. .210 В
Остаточное напряжение	0,1* 0,17* ..0,2
Время переключ ния	0,1* 0,15* ..0,2 нс
Постоянный обратный ток (U^ 35В) 0,001...0,02... 10 мкА
Время восстановления обратного
сопротивления	100*... 140* 200 мкс
Общая емкость диота
(f = 1 МГц, U = 0 В)	0,15* ..0,4* . 0,75* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение Импульсный ток в открытом состоянии при	ОД U_
Q 2 1000, t,= 100 нс	1,0 А
Q 2 1000, t„=25 нс	2,0 А
Q 2 1000000, 1„ 10 нс	3,0 А
Средний ток в открьпом состоянии	0,5 мА
Постоянный прямой ток	10 мА
Значение допустимого статического потенциала	2000 В
Температура окружающей среды	-60 ,+70°С
Ми1 имальиая наработка	10000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечания: 1. Напряжение включения измеряется
на частоте 100 Гц, остаточное напряжение - при токе 6 мА.
2. Допускается управление диодом с помощью оптического
сигнала с длиной волны 0,69... 1,06 мкм.
Рис.З 11 Зависимость напряжения включения от температуры (а)
и частоты повторения импульсов (б)
77
РАЗДЕЛ 4: ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ ДИОДЫ
Параметрический диод (ПД) - полупроводниковый при
бор,применяемый в радиотехнических схемах в качеетве
элемента с переменным реактивным сопротивлением 1Нис-
хождение термина ПД связано с первоначальным исполь
зованисм подобных приборов в основном в параметричес
ких малошумящих усилителях СВЧ-сигнала, хотя ПД в нас-
тоящее время применяются в диапазоне СВЧ также для
преобразования частоты (умножения, деления, переноса
сигнала из одной части спектра в друтую и т.н.), фазовой
и амплитудной модуляции сигнала и друтих целей, реали-
зуемых с помощью электрически управляемой нелинейной
емкости |4|
Действие ПД основано на свойстве р п перехода или
барьера металл-полупроводник изменять ширину (W) обед
пенной носителями области пространственного заряда (0113)
при изменении электрического напряжения (U) на диоде
(как постоянного так и переменного)
Параметрические диоды, как правило, используются в
области обратной и прямой (до 11 < <р/2) проводимости при
токах не более 10 А и сопротивлении барьсра.нампого боль-
шем реактивного сопротивления перехода, что определяет
практически пренебрежимо малое значение дробовых шумов
в полупроводниковом параметрическом усилителе (ППУ)
Эквивалентная схема полупроводниковой структуры ПД на
СВЧ представляет последовательное соединение емкости
перехода (С^) и последовательного активного сопротив-
ления нейтральной толщи полупроводника (гп ) [5].
Основное требование к ПД - эго достижение при
заданной емкости перехода и достаточной глубине ее моду-
ляции минимального значения последовательного сопро-
тивления практически елиттс тленного источника шумов ПД
(тепловых шумов). В простейшем случае, пренебрегая ем-
костью псрсфсрии 0113, имеем:
C„r eS/W(U)= Кс(Ф U)n,
где г-абсолютная диэ текгрическая постоянная; К параметр,
зависящий от площади перехода (S), распределения приме
си (PI 1) в ОПЗ; ф - контактная разность потенциалов, п - пока
затсль нелинейности вольт-амперной характеристики
определяемый видом РП (п = 1/3; 1/2 и более 1/2 для
плавного, резкого и сверхрезкого переходов, соот вегсгвепно).
Диоды, изготавливаемые первоначально на кремнии и
германии, вытеснены к настоящему времени диодами с
барьером металл-полупроводник на арсениде галлия, имею-
щими оптимальное для ПД сочетание электрофизических
параметров в широком диапазоне температур (4-400 К)
ПД имеют типовые значения емкости перехода С (О В) в
пределах 0,01...0,1 пФ и 0Д...1 пФ в диапазонах миллимст
ровых и сантиметровых волн соответственно При этом
основная характеристика ПД - постоянная времени в рабо-
чей точке т = гп С достигает значений 0,1 .0,3 нс, а
динамическая характеристика диода - критическая частота,
определяемая выражением
1 = 1(1/С	) - (1/С	)1/ « г
кр 1' ' пер.мин' ' ' пер макс7 " п j
достигает значений 400 . 1000 ГГц соответственно.
С целью уменьшения последовательного сопротивления
и повышения коэффициента модуляции емкости в ПД
применяют эпитаксиальные пленки субмикронной толщи-
ны п - типа проводимости с концентрацией примеси
1016-1017см5 (на низкоомной подложке, рис.4.1) с отри
цатсльным градиентом концентрации примеси от поверх
ности структуры, при котором реализуется сверхрезкий пе-
реход.
Рис 4 I. Схематичный разрез полупроводниковой структуры дио-
да с барьером металл-полупроволнюс 1-рабочий слой, 2-подложка
3 и 4-тылыгый контакт и его вывод, 5-область протекания СВЧ-
тока, 6- защитное покрытие, 7-барьерный контакт,. 8-вывод БК
Рнс42 Эквивалентная схемадиодапаСВЧ С составляющие
конструктивной емкости диода
ПД диапазона сантиметровых волн выпускаются глав
ным образом в миниатюрных металлокерамических кор-
пусах, обеспечивающих получение предельно малых значе-
ний индуктивности (=0,1 н! н) и емкости (= 0,1 пФ)
конструкции, высокие частоты собственных резонансов ПД
(до 80 1 Гц), что позволяет реализовать колебательные кон-
туры ППУ в диапазоне миллиметровых волн на собственных
реактивных параметрах ПД и, таким образом, расширить
полосу пропускания усилителя Эквивалентная схема 11Д в
корпусе представлена на рис 4 2. В диапазоне миллиметров-
ых волн обычно применяют бескорпусные 11Д в виде крис-
талла с матрицей одинаковых, близко расположенных
барьерных контактов (сотовая структура), подключение к
одному из которых осуществляется прижимной контактной
пружиной.Совремснные ПД обеспечивают создание ППУ с
предельно высокой чувствительностью в широком диапазо-
не СВЧ (вплоть до 100 Г1 ц).
Указания по применению н эксплуатации
Для диодов в металлокерамических корпусах основным
методом крепления их в схеме является прижим Величина
сжимающего усилия на диод должна быть не более 1 кге, нри
этом усилие должно прикладываться плавно, без толчков
Допускается пайка выводов диодов, при этом рекомендует -
ся применять мягкие припои, плохо растворяющие золото,
с предварительным облуживанисм контактов, при темпера-
туре пайки и лужения не выше 180°С. (например, припой
ПСИи- 52). В качестве <J>;iн»са рекомендуе гея применять ФСКп
с последующей отмывкой в этиловом спирте в течение 1-2
мин Отмывка в спирто-бензиновых смесях не допускается.
Дтя бескорпусных диодов сотовой структуры (ЗА412,
ЗА415) основной метод крепления в схеме - пайка со сторо-
ны контакта диода со сплошной металлизацией и прижим
ной контакт со стороны матрицы барьерных контактов
(сотовой структуры) Рекомендуемые режимы пайки
температура не более 180‘С в течение пе более 10 с, припой
78
Ин-00 (ГОСТ 10295), флюс - 10% раствор ZnCl.
Прижимной контакт рекомендуется выполнять контакт-
ной пружиной из бронзовой проволоки БрОФ 6,5-( 4
заостренной на конце до диаметра 2-4 мкм. Конструкция
люда (заглубленное положение металлизации барьерных
контактов в "окнах" защитного диэлектрического покрытия)
обеспечивает подсоединение контактной пружины к одно
му из барьерных контактов диода. После получения начать
кого контакта (регистрируемого, например, по появлению
прямого тока в цепи смешения диода ) рскомендуе|ся
доводить" контактную пружину на 10-15 мкм.
Э<И>ективное время жизни
неравновесных носителей заряда
Постоянное прямое напряжение
нс менее 50 нс
не более 0,6 В
Предельные эксплуатационные данные
1А401, 1А401А, 1А401Б, 1А401В, ГА401,
ГА401А, ГА401Б, ГА401В
Непрерывная падающая мощность
Непрерывная падающая мощношь
при кратковременном воздействии
(не более 5 мин)
Импульсная падающая мощность
(tH <4 мкс и Q 1000)
Импульсная падающая мощность при
кратковременном воздействии
( не более 5 мин), (t1( <4 мкс и Q 1000)
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
200 мВт
400 мВт
5 Вт
10 Вт
-60...+70Т
1000 ч
12 лет
Диоды германиевые, диффузионные, параметрические.
Предназначены для применения в параметрических
усилителях в дециметровом и сантиметровом диапазонах
тлин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе
типа КДЮ 113 2 с жесткими выводами (Рис.4 3). Тип диода
и схема соединения электродов с выводами приводятся на
этикетке. Маркируются цветными точками у отрицательного
вывода: 1А401 - четырьмя красными, 1А401А-однойкрасной,
1А401Б - двумя красными, 1А401В - гремя красными, ГА401
четырьмя голубыми, ГА401А - одной голубой. ГА401Б
шумя голубыми, ГА401В тремя голубыми Масса диода не
более 0,7 г. Пример записи условного обозначения при зака <е
и в конструкторской документации: диод СВЧ 1А401А,
ТРЗ.369.004 ТУ-диод СВЧ ГА401А,1Р3.360.103 ГУ.
Примечания: I. Допускается применение диодов для
умножения и деления частоты в режимах, не превышающих
допустимые. Длина волны в этом режиме можег быть менее
3 см. 2. Нс разрешается подача обратного напряжения более
19 В и прямого тока более 30 мА 3. Гмкость перехода
остается неизменной при температуре окружающей среды от
60 до т 704’.
Электрические параме ры
б
Рис.4.4 Зависимости пробивного напряжения от температуры
(а), емкости перехода от напряжения (б)
Изготовитель Томилинский завод полупроводниковых
приборов
Емкость перехода (4- = 10 В и
< 30 МГц) А401,ГА401
1А401А,ГА401А
1А401Б.ГА401Б
1А401В,ГА401В
Постоянная времени (U - = 10 В и
^,= 2 ГГц) 1А401,ГА401
1A401AJA401A
1А401Б.ГА401Б
1А401В ГА401В
Пробивное напряжение
1,-10. .20 мкА) ПРИ Г=+25°С
*р	Т -60°С
Постоянный обратный ток
(11^ =10 В) при Т=-»25"С
Т=+70‘С
Емкость корпуса
Индуктивность диода
0,45.0,87 нФ
0,36 0,55 нФ
0,26 .0,44 пФ
0,12 ..0,33 пФ
нс более 2,2 пс
нс более 2,0 нс
не более 1,8 пс
не более 1,7 пс
не менее 20 В
не менее 17 В
не более 0,5 мкА
не более 4 мкА
0,18 0,25 пФ
не ботсс 2 пГн
1А402А, 1А402Б, 1А402В, 1АР402Г, ГА402А,
ГА402Б, ГА402В, ГА402Г
Дополни гельные параметры
Время выключения
нс бочее 0,3 нс
Диолы германиевые, диффузионные, параме-
трические Предназначены для применения в параметричес-
ких усилителях в сантиметровом диапазоне длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе типа КДЮ-
118-2 с жесткими выводами. Габаритный чертеж соответствует
прибору 2А1О6 (Рис 1.11) Гип диода и схема соединения
электродов с выводами приводятся на э т икетке. Маркируются
цветными полосками и точками у положительного вывода’
1А402А - одной красной точкой, 1А4О2Б - двумя красными
точками, 1А402В - одной красной полоской, 1А402Г - двумя
красными полосками, ГА402А одной голубой точкой, ГА402Б
- двумя голубыми точками, ГА402В -одной голубой полоской,
ГА4021 двумя голубыми полосками Масса диода не более
0,6 г Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации диод СВЧ IA402A,
ТРЗ.369.003 ТУ; диод СВЧ ГА402А,ТРЗ.Зб0. 104 1У
79
Электрические параметры
Емкость перехода (Urf = 10 В и
fmM < 30 М Гц)	1А402А, ГА402А
1А402Б.ГА402Б,
I А402Г.ГА402Г
1А402В.ГА402В
Постоянная времени (ГС =10 В и
1изм 2 ГГц) 1А402АДА402А
1А402Б.ГА402Б
1А402В,! А402В.
1А402ГДА402Г
Пробивное напряжение
(1^=10 мкА) при Т=125’С
Г=-60Т
Постоянный обратный ток
(U^, 10 В) при 1 +25°С
Г +70'С
Емкость корпуса
Индуктивность диода
не более 0,3 пФ
нс более 0,16 пФ
0,13...0,3 пФ
не более 1,2 пс
нс более 0,9 пс
не более 0,75 пс
не менее 15 В
не менее 12 В
не более 0,5 мкА
нс более 3 мкА
0,23. .0,29 пФ
не более 2 нГн
Предельные эксн туатациотшые данные
Непрерывная падающая мощность
Непрерывная падающая .мощность при
крат ковременном воздействии
( нс более 5 мин)
Импульсная падающая мощность
(tH <4 мкс, Q % 1000)
Импульсная падающая мощность при
крат ко временном воздействии
( не более 5 мин)(Ти <4 мкс, Q 1000)
Энергия СВЧ-импульсов
Мощность плоской части
просачивающегося импульса
1 емпература окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
50 мВт
100 мВт
2,5 Вт
5 Вт
0,7арг
200 мВт
-60...+70X2
5000 ч
12 лет
Примечания 1. Допускается применение диодов для
умножения и деления частоты в режимах, не превышающих
допустимые Длина волны в этом режиме может быть менее
3 см 2. Не разрешается подача обратного напряжения более
14 В и пропускание прямого тока более 30 мА.
Рис.4.5. Зависимости емкости перехода от напряжения (а),
пробивного напряжения (б), прямого сопротивления потерь от
температуры (в)
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
1А403А, 1А403Б, 1А403В, 1А403Г, 1А403Д,
ГА403А, ГА403Б, ГА403В, ГА403Г, ГА403Д
Диоды германиевые диффузионные, параметрические.
Предназначены для применения в параметрических
усилителях, умножителях, делителях частоты и модуляторах
в сантиметровом и дециметровом диапазонах дтин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами типа КЛЮ-111-2 (Рис.4 6) Тип диода и схема
соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
Маркируются цветным кодом в центре баллона: 1А403А -
одной красной точкой, 1А403В  двумя красными точками,
1А403В - тремя красными точками, 1А403Г - одной красной
полоской, 1А403Д - двумя красны-ми полосками, ГА403А -
одной голубой точкой, ГА403Б - двумя голубыми точками,
ГА403В - тремя голубыми точками, Г А403Г - о тной голубой
полоской, ГА403Д - двумя голубыми полосками. Масса диода
не более 0,7 г. Пример записи условного обозначения при
заказе и в конструкторской документации диод СВЧ 1А403А
ГРЗ 360.056 ТУ,- диод СВЧ ГА403АДР3.360.105 ТУ.
Рис. 4.6
Вывод 1
Вывод2
Электрические параметры
Емкость перехода (U , -10 В и	
< 30 МГц)	1 А403А.1 А403А	0,32...0,5 пФ
1А403Б.1 А403Б	0,26...0 4 пФ
1A403BJA403B	0,18...0,3 пФ
1А403Г. 1А403Д, 1A4031.1А403Д	0,08...0,22 пФ
Постоянная времени (U = 20 В и 1^=2 ГГц) 1А403А.ГА403А	нс б< тес 2 нс
1А403БДА403В 1А403Г, ГА402Б,ГА403В,1 А4031	не ботее 1,6 пс
1А403ДД А403Д	не более 1,3 пс
Пробивное напряжение (1^ =10 20 мкА) при Т +25°С	не менее 50 В
Т -60°С	не менее 40 В
Постоянный обратный ток (4^=20 В) при Т +25°С 1А403А.ГА403А	нс более 2 мкА
1А403Б, 1А403В.1А403Г, 1А403Д, I А403Ь,ГА403В, Г А403Г. ГА403Д	не более 1 мкА
Т=+70'С 1А403А,ГА403А	не более 10 мкА
1А403Б, 1А403В 1А403Г, 1А403Д, ГА403Б,! А403В ГА403Г,ГА403Д	не более 5 мкА
Емкость корпуса	0,2...0,25 пФ
Индуктивность диода	1...2 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность 400 мВт
11епрерывная рассеиваемая .мощность при
80
кра гковремен ном возденет вин
( не более 5 мин)
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH < 4 мкс, Q Z 1000)
Импульсная рассеиваемая мощность при
кратковременном воздействии ( не более
5 мин), (t„ <4 мкс, Q Л 1000)
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
600 мВт
15 Вт
25 Вт
60 +70"С
1000 ч
12 лет
Примечания: 1. Допускается применение диодов для
умножения и деления частоты в режимах, не превышающих
допустимые. Длина волны в этом режиме может быть менее
3 см. 2. 11с разрешается подача обратного напряжения более
49 В и пропускание прямого тока более 30 мА 3 Емкость
перехода остается неизменной при температуре окружающей
среды от -60 до +70°С.
Электрические параметры
Емкость перехода (U 5 В и
f < 60 МГц) 1Л404А
1Л404Б
1А404В
1А404Г
1А404Д
1A404F
1А404Ж
11остоянная времени (1)^=5 В на
f = 2 I Гп)
ЮМ
Изменение постоянной времени в
интервале температур от -60 до
•I 70’С при 1)^= 5 В и 1н1м= 2 ГГп
Пробивное напряжение
(I 100 мкА) при Т +25°С
Т= -60’С
Постоянным обратный ток
5 В) ПР“ Т«=+25 С
Т=-60’С
Емкость корпуса
Индуктш» гость аиода
не более 0,11 пФ
0,09.0,14 пФ
0,11.„О,16 пФ
0,13...0,17*.„0,23 пФ
0,17. .0,23*...0,28 пФ
0,22...0,28*. .0,36 пФ
0,30...0,38*. .0,45 пФ
0,45*...0,65*...0,85 пс
не более 22 %
не менее 10 В
не менее 8 В
0.005*...0,045*...0,2 мкА
не более 2,5 мкА
0,2...0,23* .0,26 пФ
1,2...1,8нГн
Предельные эксплуатационные данные
Рис.4.7. Зависимости обратного тока (а), постоянной времени
диода (б), пробивного напряжения (в) от температуры, емкости
перехода от напряжения (г)
Непрерывная рассеиваемая мощность
Непрерывная рассеиваемая мощность при
кратковремеином воздействии
( не более 5 мин)
Импульсная рассеиваемая мощность
< 4 мкс, Q >„ 1000)
Импульсная рассеиваемая мощность при
кратковремеином воздействии
( не более 5 мин), (tH 2 4 мкс, Q 1000)
Энергия СВЧ импульсов
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
40 мВт
60 мВт
1 Вт
2 Вт
0,3 эрг
-60... I 70’С
10000 ч
25 лег
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
1А404А, 1А404Б, 1А404В, 1А404Г, 1А404Д,
1A404L, 1А404Ж
Диоды германиевые планарные, параметрические
Предназначены для применения в параметрических
усилителях, умножителях, делителях частоты и сантиметровом
диапазоне длин волн. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе типа КДЮ-111-2 с жесткими выводами. Габаритный
чертеж соответствует прибору 1А403 (Рис 4 6). Тип диола и
схема соединения электродов с выводами приводятся на
этикетке. Маркируются цветным кодом: 1А404А - одной
красной точкой, 1А404Б - двумя красным и точками, 1А404В
- гремя красными точками, 1А4041 четырьмя красными
точками, 1А404Д - одной красной полоской, 1А404Е двумя
красными полосками, 1А404Ж - тремя красными полосками
Масса диода не более 0,7 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации-
диод СВЧ 1А404А, ХК3.360.001 ТУ.
Рис.4 8 Зависимости емкости перехода ог напряжения (а),
постоянной времени ог температуры (б)
Изготовитель. Томилинский завод полупроводниковых
приборов
6 СВЧ-приборы
81
1А405А,1А405Б
ЗА406А, ЗЛ4У6Б, ЗА406В
Диоды германиевые, мезади<|><|>узионныс, параметри-
ческие. Предназначены к :я применения в параметрических
усилителях, генераторах шума н сантиметровом диапазоне
длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе
типа КДЮ 1112с жесткими выводами. Iабаритный чертеж
соответствует прибору 1А403 (Рис.4 6). Тип диода и схема
соединения электролит с выводами приводятся на этикетке
Маркируются красными точками и тире: 1Л405А - одной
красной точкой и одним тире, 1А4О5Б - точка-тире-точка.
Масса диода не более 0,7 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 1А405А ГР3.369.009 ТУ
Электрические параметры
Диоды арсенидогаллиевые, планарно- шигаксиальные,
параметрические. Предназначены для применения в
параметрических усилителях в сантиметровом диапазоне
длин волн Выпускаются в металлоксрами теском корпусе с
жесткими выводами типа КД-118 (Рис 4 10). Тип диода и
схема соединения электродов с выводами приводятся на
этикетке. Маркируются желтыми точками со стороны
положительного вывода: ЗА406А одной, ЗА406Б - двумя,
ЗА406В -тремя. Масса диода не более 0,6 г. Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации, диод СВЧ ЗА40бА.аА0.336.ТУ.
Емкость перехода (.Ц*; 5 В п
Гтм<60МГц) 1А 5Л
1А405Б
Постоянная времени (Ц* =5 В на
2 ГГ ч)
Пробивное напряжение
(1^ =70. 100 мкА) при 1 т-25"С
1- 60’С
Постоянный обратный ток
(17^=5 В) при Т=з 25’С
Т=-60”С
Емкость корпуса
Индуктивность диода
0,18...0,22*...0,25 пФ
0,22...0,32*...0,40 пФ
0,75*...0,9*...1,2 нс
8.. 15 В
не менее 6 В
0,01*...0,03*...0,2 мкА
нс более 3,5 мкА
0,19 .0,21* „0,25 пФ
12 1,6*..2,0 нГн
Вывод 1
Выводг
Электрические параметры
Рис. 4.10
Постоянная времени (С^, 2 В па
fKJU' 9375 МГц) ЗА406А	не более 1,5 нс
ЗЛ4О6Б,ЗА4О6В не более 1,3 нс
Пробивное напряжение (1^ 5 мкА) не менее 4 В
Постоянный обратный ток
11реде.1Ы1ые эксплуатационные данные
Импульсная рассеиваемая мощность
(t, <4 мкс, Q 21000)	0,5 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при
кратковрс мсином вездействии
( не более 5 мин),(1я <4 мкс, Q >,1000) I Вт
Мощность просачивающегося импульса	25 мВт
Температура окружающей среды	-6О...+7О°С
Температура окружающей среды при кратко-
временном воздействии ( не более 30 мин) +85’С
Минимальная наработка	15000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
иЛ 4 В
17, = 2 В Т=-196 и+25 С
Т=185’С
Постоянное прямое напряжение
(1^=5 мкА)
Сопротивление потерь
Емкость перехода (17^=0) ЗЛ406Л
ЗА406Б
ЗА406В
Емкость корпуса
Индуктивность диода (I ~-14 мА,
ЗП ц)
не более 5 мкА
не более 1 мкА
не бо гее 2 мкА
не более 0,5 В
пе более 20 Ом
не более 0,25 пФ
0,14...0,30 нФ
0,06...0,19 нФ
0,15 .0,19 пФ
1,7. .2,3 н1 н
Предельные эксп луатационные данные
Рис 4 9. Зависимости емкости перехода от напряжения (а),
постоянной времени тиола от температуры (6)
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
82
Непрерывная рассеиваемая мощность	10 мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность при
кратковременном воздействии
( не более 5 мин)	30 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при
кратковременном воздействии
( не более 5 мин), (tH < 1 мкс, Q > 1000)	300 мВт
Обратное напряжение	4 В
Температура окружающей среды	269„ +85’С
-2	0	2 4UoSp,B
C(U)/C(O)
2-2%' 1,0		z/ /2,
	0,9	
		
-200 -100 О T°C
б
Рис.4 11 Зависимости емкости перехода от напряжения (а) и от
температуры (б), постоянной времени диода от температуры (в)
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир", г Москва.
1А408А, 1А408Б
Диоды германиевые, диффузионные, планарно-
эпитаксиальные, параметрические. Предназначены для
применения в параметрических усилителях, дециметрового и
сантиметрового диапазонов длин воли. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе тина КД1О406-3 с жесткими
выводами (Рис.4.12). Тип диода и схема соединения электро-
дов с выводами приводятся па групповой таре. Маркируются
цветными точками на керамической втулке: 1Л408А - белой,
1А405Б -черной. Масса диода не более 0,7 г. Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации диод СВЧ 1А408Л,ХКЗ.360.000 ТУ
Электрические параметры
Рис.4.13 Зависимости емкое) и перехода or напряжения (а),
постоянной времени диода or температуры (б)
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов
ЗА409А, ЗА409Б, ЗА409В, ЗА409Г, АА409А,
АА409Б, АА409В, АА409Г
Диоды арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные,
параметрические. Предназначены для применения в
параметрических усилителях в дециметровом и сантиметровом
диапазонах длин волн Диоды могуг использоваться для
генерации гармоник, преобразования частоты, модуляции
амплигудыи фазы и электрической перестройки резонансных
цепей СВЧ диапазона Выпускаются в металлокерамическом
корпусе тина КД 116 с жесткими выводами Габаритный
чертеж соответствует прибору ЗА115 (Рис. 1 26). 1 ни диода и
схема соединения электродов с выводами приводятся на
этикетке. Масса диода не более 0,05 г Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СВЧ ЗА409А} ТГО.336.007 ТУ; диод
СВЧ АА409А>аАО.ЗЗб 384 ГУ.
Электрические параметры
Емкость перехода (U=10 В и
f =10 МГц) 1А I8A
1А408Б
Постоянная времени (U =10 В,
Т=-196’С на fMu=7,5 П ц)
Пробивное напряжение
(1^=100 мкА и Т 196"С)
Постоянный обратный ток
(U^ 10 В и Т=-196°С)
Емкость корпуса
Индуктивность диода
0,50 .0,53*. 0,56 пФ
0,54...0,59*.. 0,62 пФ
0,54*...0,58* .0,6 пс
12 .15* 17* В
0,005* ..0,01*...0,05 мкА
0,30 .0,32* ..0,34 пФ
0.45...0,55*...0,65 мГн
Предельные эксплуатационные тайные
Непрерывная рассеиваемая мощность
Непрерывная падающая мощность
Импульсная рассеиваемая мощность
(tM < 1 мкс, f = 100 Гц)
Импульсная рассеиваемая мощность
при кратковременном воздействии
( не более 5 мни) (tH S 1 мкс, f 100 Гц)
Энергия СВЧ импульсов
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
40 мВт
150 мВт
1 Вт
2 Вт
0,3 эрг
-196...+25"С
10 000 ч
25 лет
Общая емкость (.Ц^= 0 и
f„.M=10 МГц) ЗА409А, АА409А
ЗА409Б, АА409Б
ЗА409В, АА409В
ЗА409Г, АЛ409Г
Постоянная времени -2 В и
1^= 1 . 12 ГГц) ЗА409ААЛ409А
ЗА409Б.АА409Б
ЗА409В.АА409В
3A409I АА409Г
Постоянный обратный ток при
U =2 В	Т--196 и г25°С
Т= • 85”С
44=6 В	Т--196-С
Т=+25’С
Емкость корпуса
Индуктивность дима
0,7. 0,9* 1,1 пФ
0,6...0,75*...0,9 пФ
0,5.„0,65*...0,8 нФ
0,4...0.55*.. 0,6 пФ
0,75* 1 2 пс
0,65* ..1,0 пс
0,55*. .0,8 пс
0 4* .0,6 пс
0,1* .1 мкА
нс более 2 мкА
0,5* ..5 мкА
не более 10 мкА
0,2.. 0,25* 0,3 пФ
0,22* 0,3 нГн
Преле 1Ы1ЫС эксплуатационные /тайные
Постоянное обратное напряжение при
Т=-196. -60С
Т--60...+85'С
Т“+25’С
Непрерывная рассеиваемая мощность
Импульсная рассеиваемая мощность
4 В
5 В
6 В
30 мВт
100 мВт
6
83
Энергия СВЧ импульсов (1н=3 .10нс,
I 60. .1 85"С)
Мошносгь плоской част
просачи ван >щсгося нм пульса
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Минимальная наработка в об.тсггепном
режиме (1ю 0,2 мА. 11^ 1,1В)
Срок сохраняемости
0,2 эрт
50 мВт
-269... 185 С
25 000 ч
40 000 ч
25 лег
Рис.4.14 Тона возможных положений зависимостей емкости
перехода от напряжения (а) постоянной времени диола от тем-
пературы (б)
ЗЛ410Б.АА410Б
ЗА410ВЛА410Ц
ЗЛ410ЕАА4101.
ЗЛ41СД.ЛА410Д
3A4I01 AA410F
Постоянная времени (U,* 2 В и
= 8,6 ГГц) ЗА41ОА,ЛА41ОА
ЗА410Б,ЛЛ410Б,
ЗА410В,ЛА41013
3A4I0I.AA41C1
ЗЛ410Д.ЛЛ410Д
ЗА4101,АЛ410Е
Постоянный обратный гок при
2Ви	I--196 и -125’С
I +85°С
’U=6B	1 +25С
Емкость корпуса
Индуктивность диода
0,5...0,6*..0,8 пФ
0,6...0,7*...0,8 пФ
0,4.0,53* .0,6 пФ
0,42..0,5*...0,56 пФ
не более	0,8 пс
не бонее	0,6 пс
не более	0,4 пс
пс более	0,3 пс
не более	1 мкА
не более	2 мкА
ие более	5 мкА
0,2 ..0,29 пФ	
не более 0,2 н! н
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обрагное напряжение при
Г 269.. 60’С
Т=-60.. д 85’С
Т~+25’С
Непрерывная рассеиваемая мощность
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH=l- 4 мкс, Q-51000)
Энергия СВЧ импульсов
(tM -З.-Юнс, Т=-60...+85'С)
Мощность плоской части
просачивающегося импульса
Рабочий диапазон частот
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Минимальная наработка в облегченном
режиме (l„=0.2 мА, Urf| 1, i В)
Срок сохраняемости
4 В
5 В
6 В
30 мВт
100 мВт
0,2 эрг
50 мВт
4 ..15 ГГц
-269 ..Г85"С
25000 ч
40000 ч
25 лет
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир", г.Москва
ЗЛ410А, ЗА410Б, ЗА410В, ЗА410Г, ЗА410Д,
ЗА410Е, АА410А АА410Б, АА410В, АА410Г,
АА410Д, АА410Е
Диоды арсенидогаллиевыс, планарпо-эшпаксиальные,
параметрические Предназначены для применения в
параметрических усилителях в сантиметровом диаца:зонс
длин воли. Диоды могут использоваться для генерации
гармоник, преобразования частоты, модуляции амплитуды и
фазы и электрической перестройки резонансных цепей СВЧ
диапазона Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
жесткими выводами Типа КД 116. Габаритный чертеж
соответствует прибору ЗА115 (Гис 1 26). Тип диода и схема
соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
Масса диода не более 0.05 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации-
диод СВЧ ЗА410А ,аА0.339 011 ТУ- диод СВЧ АА410.
аАО.336 215 1У
Электрические параметры
Примечание И иитовигель гарант ирует для всех диодов
отношение емкости диода при нулевом смещении к емкости
диода при обратном напряжении 2 В не менее 1,55.
Рис.4.15 Зона возможных положений зависимостей: емкости
перехода ог напряжения (а), п югояиной времени диода от тем
пературы (б)
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир", т.Москва.
Общая емкость (11Л 0 и
^=10 МГн) ЗЛ410А.АА410Л О,55...О,63*...О,85 пФ
84
C(U}/C(O)
ЗА411А, ЗА411Б, ЗА411В, ЗА411Г, ЗА411Д,
АА411А, АА411Б, АА411В АА411Г, АА411Д
Диоды арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные,
параметрические. Предназначены для применения в
параметрических усилителях в сантиметровом диапазоне
длин волн. Диоды могут использоваться для генерации
гармоник, преобразования частоты, модуляции амплитуды и
фазы и электрической перестройки резонансных цепей СВЧ
диапазона. Выпускаются в металлокерамическом корпусе
тина КДЮ-114-1 с жесткими выводами (Рис.4.16). Гни диода
и схема соединения электродов с выводами приводятся на
этикетке Масса диода не более 0,01 т Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СВЧ ЗА411А/аА0 339.194 ГУ; диод СВЧ
АА411гаАО 336 391 1У.
Рис. 4.16
Вывод 1
Вывод 2
Электрические параметры
Обитая емкость (11о6р=0 и
f„M=10 MI и)	ЗЛ411Л.АА411А
ЗА4111>,ЗА411В.
АА411Б,АА411В
ЗА4111.3А411Д,
АА411Г АА411Д
Постоянная времени (Ц*г 2 В)
ЗА411 А, ЗА411 Б.ЗА4111, АА4 НА,
АА411Б.АА411Г
ЗА4ИВ,ЗЛ4НД,
АЛ411 В.АА411Д
Постоянный обратный ток при
17^=2 В и 1--196 и г 25’С
I’-KSS'C
11^= 6 В Т=+25 <
Емкость корпуса
Индуктивность диода
0,35...0,45*...0,57 пФ
0,26...0,35*...0,45 пФ
0,20...0,25*...0.36 пФ
0,3*..0,4*...0,5 пс
0.2*..0,27*...0,36 нс
0,01*...Q.1* .1 мкА
не более 2 мкА
0,01*...0,5*...5 мкА
0,08...0.14 пФ
не более 0.15 нГн
Преле тытые эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при
Т= 269 *85 С
Г-+25С
Непрерывная рассеиваемая мощность
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH= 1..4мкс, Q <Э000)
Энергия СВЧ импульсов
(t„- 3 ..10нс, Т -60...+854')
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
4 В
6 В
30 мВт
100 мВт
0,2 эрг
-269...+85‘С
10000 ч
25 лет
Примечание: Изготовитель гарантирует для всех диодов
отношение емкости диода при нулевом смещении к емкост и
диода при обратном напряжении 2 В не менее 1,55.
Рис.4.17. Зона возможных положений зависимостей емкости
перехода от напряжения (а), постоянной времени лпома от
температуры (6)
Изготовитель-Завод при ПИИ "Сапфир", г.Москва.
ЗА412А-5, ЗА412Б-5, ЗА412В-5, ЗА412Г-5,
ЗА412Д 5, 3A412F 5, АА412А-5, АА412Б-5,
АА412В-5, АА412Г-5. АЛ412Д-5, АА412Е-5
Диоды арсенидогаллиевые, пчанарно-энитаксиатьные,
параметрические. Предназначены для применения в
параметрических усилителях в сантиметровом диапазоне
длин волн в составе гибридных интегральных микросхем,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от
воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея
и росы, пониженного и повышенного давления. Диоды могут
использоваться для генерации гармоник, преобразования
частоты, модуляции амплитуды и фаты и электрической
перестройки резонансных цепей СВЧ-диапазона.
Выпускаются в бескорпусном исполнении в виде сотовых
сгруктур без кристаллодержателя с контактными площадками
(Рис.4.18). Товарный знак, тип диода и дата изготовления
наносятся на ярлык.вкладываемый в групповую тару.
Положительный вывод со стороны контактов меньшего
диаметра Масса диода не более 0,001 г. Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации, диод СВЧ ЗА412А-5,аАО.339.230 1У; диод
СВЧ АА412А \аАО 336.451 1У.
85
Электрические иарамщры

Общая емкость Ш =0. f„.M=10 МГц)
ЗЛ412А-5,ЗА412Г-5,
АА412В-5,АА412Г-5	0,08.„0,13*...0,20 пФ
ЗА412Б-5.3А412Д-5, ЛА412Б-5.АА4 2Д-5	0,05.. 0.085* ..0,12 пФ
ЗА412В 5.М412Е 5. АЛ412В-5.АЛ412Е-5	0,03 .0,06*...0,09 пФ
Постоянная времени (U* 2 В) ЗА412А-5, ЗА412Б 5, ЗД412В-5, АА412А-5, АА412Б-5. АА412В-5	не более 0,25 пс
ЗЛ412Г-5, ЗА412Д 5 3A4I2E-5, АА412Г-5, АА412Д 5, АА412Е-5	не более 0,40 пс
Постоянный обратный ток ('U 2 в)	0,01* .0,3*...! мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при
1 269...-60 С
Т 6О...+85°С
Т=+25С
Непрерывная рассеиваемая мощность
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH 1..4м кс, Q Л ЮОО)
Энергия СВЧ импульсов
(1н= З...1()нс, Т=-60...+85°С)
Мощность плоской пасти
просачивающегося импульса
Диапазон работах частот ЗА412Л 5,
ЗА412Б-5,ЗА412Г-5,ЗА412Д-5,АЛ412А-5,
АА412Б-5.АА4121 г5,АА412Д-5
3A412B-5.3A412E-5 АА412В-5,АА412Е-5
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Срок сохраняемости в составе ГС
4 В
5 В
6 В
30 мВт
100 мВт
0,1 эрг
50 мВт
10-40 ГГц
30-60 ГТц
-269.. +85’С
10000 ч
25 тет
Рис 4 19 Зона возможных положений зависимостей, емкости
персходаотнанряжения (а), постоянной времени диода (б), емкости
перехода от температур! 1 (в)
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир", г.Москва
3A413A, ЗА413Б, 3A413B, ЗА413Г, АА413А,
АА413Б, АА413В, АА413Г
Диоды арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные,
параметрические Предназначены для применения в
параметрических усилителях сантиметрового и
длинноволновой части миллиметрового диапазона длин волн
с высокими холост ым и частотами. Диоды могут использоваться
для генерации гармоник, преобразования частоты, модуляции
амплитуды и фазы и электрической перестройки резонансных
цепей СВЧ-диапазона. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе типа КД 114 с жесткими выводами (Рис.4.20). Тип
диода и схема соединения элек [родов с выводами приводятся
на этикетке. Масса диода нс более 0,01 г Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СВЧ ЗА413А аАО 339.290 ТУ; диод СВЧ
АА413,аАО.336.460 ГУ
Рис 4 20
Э тсктрические нараме ры
Общая емкость (U . =0 и 10 МГц)
ЗА413А,ЗА413Б,АА413А,АА413Ь	0,26...0,35*...0,45 нФ
3A413B.3A413I ,АЛ413В,АА413Г	0,18...0,26*. .0,36 пФ
Постоянная времени (IJ^ 2 В,
U=8>6 12 ГГц)
ЗА41 ЗА, 3А41 ЗБ, АА41 ЗА, АЛ41 ЗБ
3A413B ЗА413Г, AA4I3B, АА413Г
Постоянный обратный ток при
иобр=2 ВиТ 196 и+25’С
Т=+85°С
0,2*...0,3*...0,4 пс
0,1*...0,16*...0,20 пс
0,005*...0,01*..! мкА
не более 2 мкА
иобР=6 В Т=+25 С
Емкость корпуса
Индуктивность диода
0,01* . 0,5*. 5 мкА
0,07 0,14 пФ
не более 0,15 нГц
86
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при
Т=-269...-60°С	4 В
Т--60...+85сС	5 В
Т-+25"С	6 В
Непрерывная рассеиваемая мощность Импульсная рассеиваемая мощность	30 мВт
(t„=l 4мкс, QM00O) Энергия СВЧ импульсов	100 мВт
(t„=3...10nc, Т--60...+ 85°С)	0,2 эрг
Мощность плоской части просачивающегося импульса	50 мВт
Температура окружающей среды	-269...+85-С
Минимальная наработка	15000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечание: Изготовитель гарантирует для всех диодов
отношение емкости диода при нулевом смешении к емкости
диода при обратном напряжении 2 В не менее 1,55.
Масса диода не более 0,01 г Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации
диод СВЧ ЗА414А,аАО.339.668 1У.
Электрические параметры
Общая емкость (Г1Д, = 0 и
ги™= 10 МI ц)	ЗА41 ЗА, ЗА41 ЗБ
3A413B,3A413I
Постоянная времени (IJ ,	2 В,
Г = 8,6... 12 ГГц) ЗА414А
ЗА414Б
ЗА414В
3A414I
Постоянный обратный ток при
U. ~ 25 В
U = 15 В
U, 6 В
гмкость корпуса
Индуктивность диода
0,47...0,57*...0,67 пФ
0,57 .0,77*. 0,97 пФ
0,12* . 0,2*...0,25 пс
0,16*...0,25*...0,3 пс
0,22*...0,3*...0,5 пс
0,27*...0,35*...0,5 пс
0,01*,..1,0*...5 мкА
0,01*...1,0.*..5 мкА
0,001*...0,01*...1 мкА
0,07...0,14 пФ
ие более 0,15 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при
Т=-269.„-60~С	ЗА414А,ЗА414Б ЗА414В.ЗА414Г	16 В 9 В
Т=-60 ..+85 С	ЗА414А.ЗА414Б	21 В
Т»+25°С	ЗА414В ЗА414Г ЗА414А.ЗА414Б	12 В 25 В
ЗА414В.ЗА4141 Непрерывная рассеиваемая мощность при I--269...+85 С	ЗА414А.ЗА414Б		15 В 120 мВт
Импульсная рассеиваемая (t, 1. 4 мкс.СЛЮОО)	ЗА414В.ЗА4141 МОЩНОСТЬ ЗА414А.ЗА414 Ь 3A414B.3A414I	60 мВт 100 мВт 200 мВт 100 мВт
Энергия СВЧ импульсов
(t„= 3 ..10нс,Т=-60...+85°С)	0,2 эрг
Значение допустимого статического потенциала I В
Температура окружающей среды	-269...+85 С
Минимальная наработка	25000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечание Допускается применение в умножителях
частоты при мощностях рассейвания не превышающих
указанных в Таблице,и частоте на входе нс менее 6 ГГц.
Рис 4 21 Зона возможных положений зависимостей, емкости
перехода от напряжения (а), постоянной времени диода от
температуры (б)
Изготовитель.Завод при НИИ "Сапфир", г Москва.
ЗА414А, ЗА414Б, ЗА414В, ЗА414Г
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэнитаксиальные,
параметрические Предназначены для применения в
параметрических усилителях сантиметрового диапазона длин
волн с повышенным динамическим диапазоном сигналов
Диоды могут использоваться для генерации гармоник,
преобразования частоты, модуляции амплитуды и фазы и
электрической перестройки резонансных цепей СВЧ-
диапазона Выпускаются в металлокерамическом корпусе
типа КД 114 с жесткими выводами Габаритный чертеж
соответствует прибору 3A413 (Рис.4.20). Тип диода и схема
соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
87
't(T)/’t(25°C)
Рис42 Зона возможных положений зависимостей* емкости
перехода от напряжения: для ЗА414А, ЗЛН4Ь<а),для ЗЛ414В,
3A414I (б), постоянной времени от температуры (в)
ИзготовителыЗавод при НИИ "Сапфир". г.Москва.
Пре i 1Ы1ЫС jkcii ттатаниоиные данные
Постоянное обратное напряжение при
Т--269...-60 С	4 В
Т=-60...+85'С	5 В
Т-+25’С	6 В
Непрерывная рассеиваемая мощность	25 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность	
(tH= 1..4мке, Q->.l<)00)	50 мВт
Энергия СВЧ-импульсов	
(t„ 3...10нс, Т -60... г 85”С)	0,05 эрт
Диапазон рабочих частот	35... 100 ГГц
Температура окружающей среды	-269. . * 85°С
Минимальная наработка в составе I С	25000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
ЗА415А-5, ЗА415Б-5
Примечание: Допускается применение в умножителях
частот при мощностях рассеивания, не превышающих
указанных в таблице.и частоте на входе не менее 6 11ц.
Диоды арсенидогаллиевые. планарно-эпитаксиальные,
параметрические. Предназначены для применения в
параметрических усилителях в сантиметровом диапазоне
длин воли в составе гибридных интегральных микросхем,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от
воздействия влаги, соляного тумана, плесневых 1рибов, инея
,и росы, пониженного и повышенною давления. Диолы могут
использоваться для генерации гармоник, преобразования
частоты, модуляции амплитуды и фазы и электрической
перестройки резонансных цепей СВЧ-диапазона.
Выпускаются в бескорпуСном исполнении в виде сотовых
структур без кристаллоде] жагеля с контактными площадками
(Рис.4.23). Товарный знак, тип диода и чата изготовления
нанося гея на ярлык-, вкладываемый в групповую тару.
Положительный вывод со стороны контактов меньшего
диаметра.Масса диода не более 0,001 г. Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод ( ВЧ ЗА415А 5.аА0.339 694 ТУ
с(и)/с(о)
Электрические параметры
Рис 4 24. Зона в можных положений зависимостей емкости
подхода от напряжения (а), постоянной времени диода от тем-
пературы (б)
Изготовитель Завод при ПИИ "Сапфир", г Москва.
Общая емкость (Urf 0 и
Гюм- 10 Ml ц) ЗА415А 5
ЗА415Б-5
Постоянная времени (Urfil= 2 В)
ЗА415А-5
ЗА415Б 5
Постоянный обратный ток при
и^-гви	TH2VC
1 -196 и+85'С
4^6 В	Т +25С
0,02...0,05 нФ
0,01 .0,03 пФ
не более 0,20 <тс
нс более 0,16 пс
0,05...0,1...1 мкА
не более 2 мк.А
0,01 ..O.5...5 мкА
88
Прямая таблица полных аналогов параметрических диодов
Яип диода втечеств )	Тип диода (зарубежи.)	Материал	Корпус	Фирма- изготовитель
^ЗА409А	DVI4557-41	GaAs	082-001	Alphaindust
ЙЗЛ409А	DVE4557-51	GaAs	082-001	Alphaindust
ИЛ409Б	DVL4557-21	GaAs	082-001	Alphaindust
1 ЗА4О9Б	DVE4557-22	GaAs	082-001	Alphaindust
1 ЗА409Г,	DVE4557-31	GaAs	082-001	Alphaindust
1 ЗЛ409Б	DVE4557-32	GaAs	082-001	Alphaindust
ЗА409В	DVE4557-01	GaAs	082-001	Alphaindust
♦ЗА409В	DVE4557-02	GaAs	082-001	Alphaindust
SA409B	DVE4557-11	GaAs	082-001	Alphaindust
ЗЛ409В	DVE4557-12	GaAs	082-001	Alphaindust
ЗА409В	DVE4557-21	GaAs	082-001	Alphaindust
/ЗЛ409В	DVE4557-22	GaAs	082 001	Alphaindust
13А41ОА	DVE4557-11	GaAs	082-001	Alphaindust
1]ЗА410А	DVE4557-21	GaAs	082-001	Alphaindust
13А41ОА	DVE4557-31	GaAs	082-001	Alphaindust
13А410Б	DVE4557-11	GaAs	082-001	Alpha ndust
J А410Б	DVE4557-12	GaAs	082 001	Alphaindust
рЛ410Б	DVL4557 21	GaAs	082-001	Alphaindust
&А410Ь	DVE4557-22	GaAs	082-001	Alphaindust
ЗА410В	DVE4557-22	GaAs	082-001	Alphaindust
*ЗА410В	DVE4557-23	GaAs	082 001	Alphaindust
^ЗЛ41ОВ	DVE4557-24	GaAs	082 001	Alphaindust
ЧЗЛ4ЮВ	DVE4557-25	GaAs	082-001	Alphaindust
ЗА411А	DVE4558-01	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА411А	DVE4558-02	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА411А	DVE4558-03	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА411А	DVE4558-04	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА411А	DVE4558-05	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА411А	DVE4.558-06	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА411А	DVE4558-07	GaAs	290-001	Alphaindust
3A4J1A	DVE4558-11	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА411А	DVE4558 12	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА411А	DVE4558-13	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА411А	DVE4558-14	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА411А	DVE4558-15	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА411А	DVE4558-16	GaAs	290 001	Alphaindust
ЗА411А	DVE4558-17	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА414А	DVE4558-25	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА414А	DVE4558 26	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА414А	DVE4558-35	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА414В	DVE4558-21	GaAs	290 001	Alphaindust
ЗА414В	DVE4558 22	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗЛ414В	DVE4558-23	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА414В	DVE4558-24	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА414В	DVE4558-25	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА414В	DVE4558-26	GaAs	290 001	Alphaindust
ЗА414В	DVE4558-31	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА414В	DVE4558-32	GaAs	290-001	Alphaindust
5А414В	DVE4558-33	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗЛ414В	DVE4558-34	GaAs	290 001	Alphaindust
ЗА414В	DVE4558-35	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА414Г	DVE4558-41	GaAs	290-001	Alphaindust
3A414I	DVE4558-42	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА414Г	DVE4558 43	GaAs	290 001	Alphaindust
ЗА414Г	DVE4558-44	GaAs	290 001	Alphaindust
ЗА414Г	DVI 4558-51	GaAs	290 001	Alphaindust
ЗА414Г	DV14558-52	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА414Г	DVE4558 53	GaAs	290 001	Alphaindust
Обращая таблица полных аналогов оараме (рических диодов
Тип диода (зарубежи.)	Тип диода (отечеств.)	Тип диода (зарубежи.)	Гип диода (отечеств.)
DVE4557-01	3A409B	DVE4558-O7	3A411A
DVE4557-02	3A409B	DVE4558-11	3A411A
DVE4557 11	3A409B	DVE4558-12	3A411A
DVE4557 11	3A410A	DVE4558-13	3A411A
DVI-4557-11	ЗА410Б	DVE4558-14	3A4I1A
DVT4557 12	3A409B	DVE4558-15	3A411A
DV1-4557-12	ЗА410Б	DVF4558-16	3A411A
DVE4557 21	ЗА409Б	DV14558-17	3A411A
DV1-4557-21	3A409B	DVE4558-21	3A414B
DVI-4557-21	3A410A	DVE4558-22	7A414B
DVE4557-21	ЗА410Б	DVI 4558-23	3A414B
DVE4557 22	ЗА409Б	DVI 4558-24	3A414B
DVE4557-22	3A409B	DVE45 58-24	3A414B
DVE4557-22	ЗЛ410Б	DVE4558-25	3A414A
DVE4557-22	3A410B	DVE4558-25	3A414B
DVE4557-23	3A410B	DVE4558-26	3A414A
DVE4557-24	ЗЛ4ЮВ	DV14558-26	3A414B
DVE4557 25	3A410B	DVI4558-31	3A414B
DVE4557 31	ЗА409Б	DVE4558-32	3A414B
DVF.4557-31	3A410A	DV1-4558-33	3A414B
DVE4557-32	ЗА409Б	DVE4558-35	3A414A
DVl-,4557 41	3A409A	DVJ-4558-35	3A414B
DVE4557-5J	3A409A	D VI-4558-4-1	ЗА414Г
DVE4558-O1	3A411A	DVE4558-42	ЗА414Г
DVT4558-02	3A411A	DVE4558-43	ЗА414Г
DVI 4558 03	ЗА411Л	DVE4558 44	ЗА414Г
DVI 4558-04	ЗА411Л	DVE4558-51	ЗА414Г
DVE4558-05	ЗА4ЦА	DVB4558-52	3A4141
DVE4558-06	3A411A	DVL4558-53	3A4141
Прямая таблица косвенных аналогов
параметрических диодов
Тип диода (отечеств.)	Гип диода (зарубежи.)	Материал	Корпус	Фирма - изготовитель
1А408А	DVF4556-31	GaAs	023 001	Alphaindust
1А408А	DVE4556-32	GaAs	023-001	Alphaindust
1А408А	DVE4556-33	GaAs	023-001	Alphaindust
1Л408А	DVE4556 41	GaAs	023-001	Alphaindust
1Л408А	DVE4556 42	GaAs	023 001	Alphaindust
1А408А	DVE4556-43	GaAs	023-001	Alphaindust
ЗА409А	DVE4556 41	GaAs	023-001	Alphaindust
ЗА409А	DVE4556-51	GaAs	023-001	Alphaindust
ЗА409А	DVE4558-41	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА409А	DVE4558 51	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА409Б	DVE4556 21	GaAs	023-001	Alphaindust
ЗА409Б	DVE4556-22	GaAs	023 001	Alphaindust
ЗА409Б	DVE4556-31	GaAs	023-001	Alphaindust
ЗА409Б	DVE4556 32	GaAs	023-001	Alphaindust
ЗА409Б	DVE4558 21	GaAs	>290-001	Alphaindust
ЗЛ409Б	DVE4558-22	GaAs	290 001	Alphaindust
ЗА409Б	DVE4558-31	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА409Б	DVE4558-32	GaAs	290-001	Alphaindust
ЗА4О9В	DV1-4556 01	GaAs	023-001	Alphaindust
ЗА409В	DV14556-02	GaAs	023 001	Alphaindust
ЗА409В	DVL4556-11	GaAs	023-001	Alphaindust
ЗА409В	DVE4556 12	GaAs	023-001	Alphaindust
ЗА409В	DVE4556-21	GaAs	023 001	Alphaindust
89
3A409B	DVE4556-22	GaAs	023-001	Alphaindust		3A413A	GQ5512E	GaAs	Fl 15
3A409B	DVE4558 01	GaAs	290-001	Alphaindust		3A413A	GC55121	GaAs	Fl 15
3A409B	DVE45 58-02	GaAs	290-001	Alphaindust		3A413A	GC5512G	(eaAs	Fl 15
3A409B	DVE4558-11	GaAs	290-001	Alphaindust		3A413A	GC5512H	GaAs	Fl 15
3A409B	DVE4558 12	GaAs	290-001	Alphaindust		3A413A	GC5512J	GaAs	F115
3A4O9B	DVE4558-21	GaAs	290-001	Alphaindust		3A413A	GC5512K	GaAs	F115
3A409B	DVE4558 22	GaAs	290-001	Alphaindust		3A413A	GC55I2E	GaAs	I-115
3A410A	DVE4556-H	GaAs	023-001	Alphaindust		3A413A	GC5512M	GaAs	1-115
3A410A	DVE4556-21	GaAs	023-001	Alphaindust		ЗА413Б	GC5512G	GaAs	I 115
3A41OA	DVE4556-3I	GaAs	023-001	Alphaindust		ЗА413Б	GC 551211	GaAs	FI 15
3A410A	DVE4558-11	GaAs	290-001	Alphaindust		ЗА413Б	GC5512J	GaAs	Fl 15
3A410A	DVE4558 21	GaAs	290-001	Alphaindust		ЗА413Б	GC5512K	GaAs	Fl 15
3A410A	DVE4558-31	GaAs	290-001	Alphaindust		ЗА413Б	GC5512L	GaAs	F115
ЗА410Б	DVE4556-11	GaAs	023-001	Alphaindust		ЗА413Б	GC5512M	GaAs	F115
ЗА410Б	DVE4556 12	GaAs	023-001	Alphaindust		3A413B	GC55I1A	GaAs	Fl 15
ЗА410Б	DVE4556-21	GaAs	023-001	Alphaindust		3A413B	GC5511B	GaAs	F115
ЗА410Б	DVL4556 22	GaAs	023-001	Alphaindust		3A413B	GC5511C	GaAs	Fl 15
ЗА410Б	DVE455X-11	GaAs	290-001	Alpha ndust		3A413B	GC5511D	GaAs	Fl 15
ЗА410Б	DVE4558-I2	GaAs	290-001	Alphaindust		3A413B	GC55I1E	GaAs	F115
ЗА410Б	DVE4558-21	GaAs	290-001	Alphaindust		3A413B	GC551IF	GaAs	Fl 15
ЗА410Б	DVE45 58-22	GaAs	290-001	Alphaindust		3A413B	GC5511G	GaAs	Fl 15
3A410B	DVE4556-21	GaAs	023-001	Alphaindust		3A413B	GC5511H	GaAs	1-115
3A410B	DVE4556-22	GaAs	023 001	Alphaindust		3A413B	GC5511J	GaAs	1 115
3A410B	DVE4556 23	GaAs	023-001	Alphaindust		3A413B	GC5511K	GaAs	F115
3A410B	DVE4556-24	GaAs	023-001	Alphaindust		3A413B	GC551H,	GaAs	Fl 15
3A410B	DVE4556 25	GaAs	023-001	Alphaindust		3A413B	GC5511M	GaAs	Fl 15
3A410B	DVE4558-22	GaAs	290 001	Alphaindust		ЗА413Г	GC551IG	GaAs	F115
3A410B	DVE4558-23	GaAs	290-001	Alphaindust		ЗА413Г	GC55111I	GaAs	1115
3A4I0B	DVE4558-24	GaAs	290-001	Alphaindust		ЗА413Г	GC5511J	GaAs	Fl 15
3A410B	DVE4558-25	GaAs	290-001	Alphaindust		3A413F	GC5511K	GaAs	Fl 15
3A410B	RVE4558 21	GaAs	290-001	Alphaindust		ЗА413Г	GC5511I	GaAs	1-115
3A411A	DVE4556-O1	GaAs	023-001	Alphaindust		ЗА413Г	GC5511M	GaAs	Fl 15
3A411A	DVE4556-02	GaAs	023-001	Alphaindust		3A414A	DVE4556-25	GaAs	023-001
3A411A	DVE4556 -03	GaAs	023 001	Alphaindust		3A414A	DVT4 556-26	GaAs	023-001
3A411A	DVE4556-04	GaAs	023-001	Alphaindust		3A414A	DVE4556-35	GaAs	023-001
ЗА411А	DVE45%-05	GaAs	023-001	Alphaindust		3A414A	DVF4557-25	GaAs	082-001
3A411A	DVE4556-O6	GaAs	023 001	Alphaindust		3A414A	DVE4557-26	GaAs	082-001
3A411A	DVE4556-O7	GaAs	023-001	Alphaindust		3A414A	DVE4557-35	GaAs	082-001
3A411A	DVE4556-U	GaAs	023-001	Alphaindust		3A414A	GC5514F	GaAs	Fl 15
3A411A	DVE4556-12	GaAs	023-001	Alphaindust		3A414A	GC5514F	GaAs	Fl 15
3A41IA	DVE4556-13	GaAs	023 001	Alphaindust		3A414A	GC5514G	GaAs	Fl 15
3A411A	DVE4556 14	GaAs	023-001	Alphaindust		3A414A	GC5514II	GaAs	FI 15
3A411A	DVE4556-15	GaAs	’ 023-001	Alphaindust		3A4I4A	GC5514J	GaAs	I115
3A4J1A	DVE4556-16	GaAs	023-001	Alphaindust		3A414A	GC5514K	GaAs	F115
3A411A	DVE4556-17	GaAs	023 001	Alphaindust		3A414B	DVE4556-21	GaAs	023 001
ЗА411А	DVE4557-01	GaAs	082 001	Alphaindust		3A414B	D VI-4556-22	GaAs	023-001
3A411A	DVE4557-01	GaAs	082-001	Alphaindust		3A414B	DVE4556 23	GaAs	023-001
3A411A	DVE4557 02	GaAs	082-001	Alphaindust		3A414B	DVE4556-24	GaAs	023-001
ЗА411А	DVE4557-03	GaAs	082-001	Alphaindust		3A4I4B	DVE4556-25	GaAs	023-001
3A411A	DVE4557-04	GaAs	082-001	Alphaindust		ЗЛ414В	DVE4556 26	GaAs	023-001
3A411A	DVE4557-05	GaAs	082 001	Alphaindust		3A414B	DVE4556-31	G iAs	023-001
3A411A	DVE4557 06	GaAs	082-001	Alphaindust		3A414B	DVE4556-32	GaAs	023-001
3A411A	DVE4557-07	GaAs	082-001	Alphaindust		3A414B	DVI-4556 33	GaAs	023-001
3A411A	DVI4557-11	GaAs	082-001	Alphaindust		3A414B	DVE4556-34	GaAs	023-001
3A411A	DVE4557-12	GaAs	082 001	Alpha ndust		3A414B	DVE4556-35	GaAs	023-001
3A411A	DVE4557 13	GaAs	082-001	Alphaindust		3A414B	DVE4557 21	GaAs	082-001
3A411A	DVE4557-I4	GaAs	082-001	Alphaindust		3A414B	DVE4557-22	GaAs	082-001
3A411A	DVF4557 15	GaAs	082-001	Alphaindust		3A414B	DVE4557 23	GaAs	082 -001
3A4UA	DVE4557-16	GaAs	082 001	Alphaindust		3A414B	RVE4557-24	GaAs	082-001
ЗА411Л	DVE4557-17	GaAs	082-0 1	Alphaindust		3A4I4B	DVE4557-25	GaAs	082-001
3A413A	GC542A	GaAs	Fl 15	Free] Source		3A414B	DVE4557 26	GaAs	082 001
3A413A	GC5512B	GaAs	Fl 15	Freq Source		3A4J4B	DVE4557-31	GaAs	082-001
3A413A	GC5512C	GaAs	FU5	Freq Source		3A414B	D VI-4557-32	GaAs	082-001
3A413A	GC5512D	GaAs	Fl 15	Freq Source	90	3A414B	DVE4557 33	GaAs	082 001
Freq Sourc
Freq Sourc
Freq Sourc
Freq Sourc™
Freq Source
Freq Sourc<
I req Source
Freq Source
Freq Source
Freq Source
Freq Source
Freq Source
Freq Source
Freq Source
Freq Source
IJr-ds-ч
Freq Source
Freq Soured
Freq Source!
Freq Source*
Freq Source
Freq Source
Freq Soured
Freq Soured
Freq Source!
Freq Source
Freq Source!
Freq Source!
Freq Source
Freq Source t
Freq Source j
Freq Source
Freq Source
Alphaindus
Alphaindus-
Alphaindus
Alphaindus ,
Alphaindust1
Alphaindust
Freq Source
Freq Source l
Freq Sourc:
Freq Source
Freq Source |
Freq Source
Alphaindust
Alphaindust I
Alphaindust
Alphaindust
Alphaindust
Alphaindus1
Alphaindus
Alphaindus
Alphaindus
Alphaindus
Alphaindus
Alphaindus
Alphaindus
Alphaindus
Alphaindust
Alphaindust
Alphaindust
Alphaindus11
Alphaindust
Alphaindust
JA414B	DVE4 557-24		GaAs	082-001	Alphaindust	DVE4556-22	3A4I4B	DVI4558 31	ЗЛ409Б
ЗА414В	DVE4557-35		GaAs	082-001	Alphaindust	DVE4556-23	ЗЛ410В	DVE4558-31	3A4I0A
ЗА414В	GC5514A		GaAs	1115	Freq Source	DVE4556-23	ЗА414В	DVE4558-32	ЗА409Б
5А414В	GC5514B		GaAs	I 115	Freq Source	DVE4556 24	ЗА410В	DVE4558-4I	ЗА409Л
1A4I4B	GC5514C		GaAs	I 115	Freq Source	DVE4556-24	ЗА414В	DVE4558-51	ЗЛ409А
1Д414В	GC5514D		GaAs	F115	Freq Source	DVE4556 25	ЗА410В	GC5511A	3A413B
1Л414В	GC5514E		GaAs	Fl 15	I req Source	DVE4556-25	ЗА414А	GC55I1B	3A413B
5А414В	GC5514F		GaAs	I 115	Freq Source	DVE4556 25	ЗА414В	GC5511С	3A413B
JA414B	GC5514G		GaAs	F115	Freq Source	DVE4556-26	ЗА414А	GC5511D	3A413B
ЗЛ414В	GC55141I		GaAs	F115	I req Source	DVE4556 26	ЗА414В	GC5511E	3A413B
5А414В	GC5514J		GaAs	1115	Freq Source	DVF4556-31	1А408А	GC5511F	3A413B
5А414В	GC5514K		GaAs	FI 15	Freq Source	DVE4556-31	ЗА409Б	GC5511G	3A413B
3A414F	DVE4556-41		GaAs	023-001	Aiphaindust	DVE4556-31	ЗА410А	GC5511G	3A413F
ЗА414Г	DVE4556 42		GaAs	023-001	Alphaindust	DVE4556-31	ЗЛ414В	GC55HII	3A413B
1А414Г	DVE4556-43		GaAs	023-001	Alphaindust	DVE4556-32	1А408А	GC5511I1	ЗА413Г
ЗА414Г	DVI4556-44		GaAs	023-001	Alphamdust	DV14556 32	ЗА409Б	GG551I.1	3A413B
ЗЛ414Г	DVE4556 51		GaAs	023-001	Alphaindust	DVE4S56-32	3A4I4B	GC551I.I	ЗА413Г
JA414F	DVE4556-52		GaAs	023-001	Alphamdust	DVE4556-33	1А408А	GC5511K	3A413B
5А414Г	DVE4556-53		GaAs	023-001	Alphaindust	DVE4556-33	ЗА414В	GC5511K	ЗА413Г
344141	DVE4557-41		GaAs	082-001	Alphamdust	DVE4556 34	ЗА414В	GC5511L	3A4I3B
ЗА414Г	DVE4557 42		GaAs	082-001	Alphaindust	DVE4556-35	ЗА414А	GC5511L	ЗЛ413Г
'А414Г	DVF.4557-43		GaAs	082 001	Alphamdust	DVE4556-35	3A4I4B	GC55HM	3A413B
ЗА414Г	DVW557-44		GaAs	082-001	Alphaindust	DVE4556-41	1А408А	GC5511M	3A4I31
ЗЛ4141	DVE4557-51		GaAs	082-001	Alphamdust	DVE4.556 41	ЗА409Л	GC55I2A	3A413A
ЗА414Г	DVE4557 52		GaAs	082-001	Alphaindust	DVE4556-41	3A414I	GC5512B	3A413A
ЗА414Г	DVE4557-53		GaAs	082-001	Alphaindust	DVE4556 42	1А408А	GC5512C	3A413A
						DVE4556-42	ЗА414Г	GC55I2D	3A413A
	Обращая таблица косвенных аналогов					DVE4556 43	1А408Л	GC55I2E	3A413A
		параметрических		диодов		DVE4556 43	3A414I	GC5512F	3A413A
						DVE4556 44	ЗА414Г	GC5512G	3A4I3A
Тип диода		Тип диода	Тип диода		Тип диода	DVE4556-51	ЗА409А	GC5512G	ЗА413Б
 «рубежи.)		(отсчес гв.)	(зарубежн.)		(отечеств.)	DVE4556-51	ЗА414Г	GC5512H	3A413A
						DVE4556-52	ЗА414Г	GC5512H	ЗЛ413Б
DVE4556-O1		ЗА409В	DVE4557-31		ЗД414В	DVE4556-53	3A414F	GC5512J	3A413A
DVE4556 0J		ЗА411Л	DVE4557-32		3A414B	DVE4557 01	ЗА411А	GC55I2J	ЗА413Б
DVE4556-O2		ЗА409В	DVE4557 33		3A414В	DVE4557-01	ЗА411А	GC5512K	3A413A
DVE4556-O2		ЗЛ411Л	DVE4557-35		ЗЛ414Л	DVE4557-O2	3A41JA	GC5512K	ЗА413Б
DVE4556-03		ЗА411А	DVE4557-35		ЗЛ414В	DVE4557-O3	ЗА411А	GC55I21	3A413A
DVE4556 04		ЗЛ411Л	DVE4557-41		ЗА414Г	DVE4557 04	ЗА411А	GC5512L	ЗА413Б
DVE4556-O5		ЗА411А	DVE4557 42		3A414I	DVE4557-O5	ЗА411А	GC5512M	3A413A
DVE4556-06		ЗА411А	DVE45 57-43		3A414I	DVE4557-06	ЗА411А	GC5512M	ЗА413Б
DVE4556-O7		ЗА411А	DVE4557-44		ЗА414Г	DVF4557-07	ЗА411А	GC5514A	3A414B
DVE4556 11		ЗА409В	DVE4557-51		ЗА414Г	DVE4557 11	ЗА411А	GC-5514В	3A414B
DVE4556-11		ЗА410А	DVE4557 52		ЗА414Г	DVE4557-12	ЗА411Л	GC5514C	3A414B
DVE4556-	11	ЗЛ410Б	DVE4557-53		ЗА414Г	DVE4557-13	ЗА411А	GC5514D	ЗЛ414В
DVE4556 11		ЗЛ411Л	DVE45 58-01		ЗА409В	DVE4557 14	ЗА411А	GC5514E	3A414B
DVE4556	12	ЗА409В	DVE4558 02		ЗА409В	DVE4557-15	ЗА411Л	GC5514E	3A414A
DVE4556-12		ЗА410Б	DVE4558-11		ЗА409В	DVE4557-16	ЗА411Л	GC5514F	3A414B
DVE4556	12	ЗА411Л	DVF4558-11		ЗА410А	DVE4557 7	ЗА411А	GC5514F	3A414A
DVE4556-	13	ЗЛ411Л	DVE4558 II		ЗА410Б	DVE4557-21	ЗА414В	GC5514G	3A414B
DVE4556-14		ЗЛ411А	DVE4558-12		3A409U	DVE4557-22	ЗА414В	GC5514G	3A414A
DVE4556-	15	ЗА411А	DVE4558-12		ЗЛ410Б	DVE4557 23	ЗА414В	GC5514H	3A414B
DVE4556 16		ЗА411А	DVE4558-21		ЗА409Б	DVE4557 24	ЗА414В	GC5514H	3A414A
DVE4556-	•17	ЗА411А	DVE4558-21		ЗА409В	DVE4557-24	ЗА414В	GC55I4J	3A414B
DVE4556-21		ЗА409Б	DVE4558-21		ЗЛ410А	DVE4557-25	ЗА414А	GC5514J	ЗА414Л
DVE4556-21		ЗА409В	DVE4558-21		ЗА410Б	DVE4557-25	ЗА414В	GC5514K	3A414B
DVE4556 21		ЗА410А	DVE4558-21		ЗА410В	DVE4557-26	ЗА414А	GC5514K	3A414A
DVF4556 21		ЗА410Б	DVE4558 22		ЗА409Б	DVE4557 26	ЗА414В		
DVE4556-21		ЗА410В	DVE4558 22		ЗА409В				
DVE4556-21		ЗЛ414В	DVE4558-22		ЗА410Б		•		
DVE4556 22		ЗЛ409Б	DV14558-22		ЗА410В				
DVE4556-22		3A409I	DVE4558 23		ЗА410В				
DVE4556-22		ЗА410Б	DVF4558-24		ЗА410В				
DVE4556 22		ЗЛ410В	DVF4558-25		ЗА410В				
91
РАЗДЕЛ 5: ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ И
ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
Переключате льные диоды предназначены для управления
уровнем и (или) фазой СВЧ-сигналов, а также коммутации
СВЧ мощности в линиях передачи. Принцип действия
переключательных диодов основан на резком изменении
полного сопротивления диода при изменении полярности
управляющего напряжения или тока. Наибольшее расиро
странсние получили переключательные диоды, в основе
действия которых лежит электрическая инерционность р-г-п
-структуры: нелинейная зависимость тока от напряжения,
характерная для полупроводниковых диодов, практически не
проявляется недостаточно высокихчастотахпри выполнении
условия ют^» 1. В результате р i n-диод на этих частотах
представляет собой линейное сопротивление, величина
которого зависит от величины и направления тока
(напряжения) смещения [6,7]
Ток прямого смещения (управляющий ток) может
составлять, например, 10... 100 мА, и при этом величина тока
высокочастотного (управляемого) сит нала может в десятки-
сотни раз превышать ток смешения. При подаче на диод
обратного смещения (управляющее напряжение) высокое
сопротивление диода не изменяется, несмотря на то, что
амплитуда высокочастотного напряжения превосходит
напряжение смешения.
Рис 5.1. Эквивалентная схема переключательного диода, врежиме
прямого (а) и обратного смешения, с параллельным сопротив-
лением потерь (в)
Эквивалентная схема переключательного диода в режиме
прямого смещения включает в себя прямое сопротивление
потерь , емкость корпуса Ск и индуктивность вывода I
(рис.5.1,а).
Эквивалентная схема для режима обратного (нулевого)
смешения содержит обратное сопротивление потерь г^ ,
емкость диодной структуры С.^ емкость корпуса Ск и индук-
тивность вывода (рис.5.1,6). Наряду с эквивалентной схемой
с последовательным сопротивлением потерь может исполь-
зоваться схема с параллельным сопротивлением потерь
(рис.5.1,в), если
X = 1/ тоС » г - , то R . = X2 /г
' стр оор	оор	' сюр
Емкость p-i-ггетруктуры, Сстр, слабо зависит от напряжения
обратного смешения и практически равна "геометрической’
емкости, определяемой выражением CCTp=er<jS/w , где е -
относительная диэлектрическая проницаемость кремния
(;12),ео электрическая постоянная (8,85 1012<J>/m);w-толщина
1 области; S - плошадь поперечного сечения диодной струк-
туры. Это объясняется тем чго на СВЧ выполняется условие
<осо в >> о (где о удельная проводимость i-области), иначе
говоря, плотность тока смещения (максвелловский ток)
значительно превосходит плотность тока проводимости в
i -области
Если измерение емкости проводится на более низкой
частоте, то необходимо подавать на диод обратное смещение,
обеспечивающее режим "смыкания", т.е., когда слой объемно-
го заряда охватывает всю i-обяасгь. В этом случае измерен
ная емкость совпадает с емкостью, рассчитанной по выше-
приведенной формуле
Переключательный диол включается в линию передачи
либо по п р я м о й схеме, либо по и н в е р с к о й. В первом
случае прямому смещению соответствует состояние запира
ния, обратному смешению состояние пропускания. Во вто-
ром случае прямому смешению соответствует пропускание
обратному смешению запирание. Прямая схема реализуется
как правило, на сравнительно низких частотах, когда
wL << l/w( ctp и ml. « 1/wCk, а инверсная схема на 6onet
высоких частотах, когда можно использовать последо
нательный (ш! 1/юСс1р) и параллельный (<oL l/wCK) резо-
нансы.
Максимальная мощность ВЧ-снгнала, который можн
коммутировать с помощью переключательного диода
определяется двумя условиями: рассеиваемая (поглощее
ная) в диоде мощность не должна превосходить максималь-
но допустимую I’p,, т„ (для импульсного режима- Р,„сип1„),»
сумма амплитуды переменного напряжения Um, действ)
ющего на диоле, и напряжения обратного смещения не дол-
жна превосходить величину пробивного напряжения (точ
нее, максимально допустимого мгновенного напряжения UM
Амплитуду переменного наряжения UmH рассеиваемую
в диоде мощность Ppsc можно рассчитать по формулам:
Прямая схема
Прямое смещение	Обратное смешение
1’р.е 4 MVW.	Um= (2W PJW
Рр.о =
Инверсная схема.
P-,= 4%Wp„./X2-	X(8Pni/W)W
= 4 Г^Р.
Здесь Рто - мощность падающей волны W волновое
сопротивление эквивалентной линии передачи, X 1/ыС^
Быстродействие переключательного диода зависит как от
свойств самого диода, в первую очередь, от накопленного
заряда Qra, так и от параметров управляющего сигнала. Если
переключение из режима прямого смешения производите»
достаточно мощным импульсом, так что выполняется уело
вис 1о6ри >>1^. Нябри ' максимальное значение переходного
обратного тока), то время обратного восстановления
определяется следующим равенством*
обр	^обр н *
В другом предельном случае, когда переключение
производится без вытягивающеготока, процесс переключения
описывается зависимостью Q^It) = QKKexP(_ где
Qkk= I тэфф • х»рф эффективное время жизни носителей
заряда. Время переключения (twp) в этом случае зависит от
требуемого (допустимого) значения остаточного заряда
^кк^пер^ ^ост> которое определяет величину сопротивления
диода на СВЧ Величина определяется формулой
1„.р VpbifQ^/Q^).
Ограничительные СВЧ диоды применяются в устройствах
защиты радиотехнической аппаратуры от случайных (несин-
хронных) импульсов СВЧ-мощности, в стабилизаторах СВЧ
мощности и др
92
По принципу дейсзвззя ограничительные диоды можно
разделить на два вида. Озраничительньзс СВЧ -дио ды п с р вс
го вида - это диоды с р-n переходом и высокоомной базой,
которые можно рассматривать как р-з-п-диолы с гонкой
i-областью. Отраничитсльные свойства такого диода основа-
ны на зависимости полного сопротивления р-з-зз структуры
от величины приложенною СВЧ напряжения.
Воздействие СВЧ-напряжения приводит к появлению
выпрямленною тока и накоплению в базе диода (з-обласзи)
заряда инжектированных носителей и, как следствие этого,
к снижению сопротивления диода. В диапазоне дециметре
вых и сантиметровых волн для обеспечения описанного ре
жима достаточно замкнуть ограничительный диод по посто-
янному току. На более коротких длинах волн гирфезсзиззность
выпрямления отраничительного диода настолько мала, что
удовлетворительную модуляцию сопротивления базы удастся
получить лишь с ззомошью "подпитки" соединения отра
ничйтельного диода с диодом, детсктируютцим СВЧ-сшнал.
Принцип действия ограничительного диода второю
вида гакже основан на использовании нелинейности вольт
амперной характеристики диода, например, диода с барьером
Шоттки В этом случае два ДЫН включаются в линию
передачи встречно параллельно и "срезают" напряжение как
на положительном, так и на отрицательном полупернодах. В
таком ограничителе могут успешно использоваться сме-
сительные, детекторные или варакторные диоды. Часто в
качестве ограничительных диодов применяются быстро
действующие переключательные диоды и наоборот.
Приводимые в справочнике и ТУ значения максимально
допустимых непрерывной и импульсной рассеиваемых
мощностей определяются качеством отвода тепла от
полупроводниковой структуры и связаны с тепловым
сопротивлением диода соотношением
»х max	I рас и max	шах 'х ^а и стр кор ,
где Тт|о( - максимально допустимая температура .диодной
структуры, Тм* температура корпуса (теплоотвода) диода.
Импульсное тепловое сопротивление R
определяемое как отношение приращения температуры
лиодной структуры в конце действия прямоугольного импуль-
са мощности крассеивасмой (поглощенной) в диоде мощно-
сти, является функцией длительности импульса Характер
этой зависимости покатан на рис.5.2. При малой длительно-
сти импульса tH закон изменения Rrii близок (tH)l/2, при
длительностях импульса значительно ботытпгх времени
тепловой релаксации. R,H асимптотически приближается к
R, . Величина т условно определяется по уровню
0,63 R.
’ тстр.кср
сжимающего усилия на диод должна быть не более 10 II, при
эюм усилие должно прикладываться плавно, без толчков.
При пайке выводов диода рекоменлушея применять мязкис
припои, плохо растворяющие золок», (например, припой
ПСИи-52), с предзчритсльным облуживанием контактов.
Температура пайки и лужения не выше 180"С В качестве
флюса рекомендуется применять ФСКзз с последующей
отмывкой в этиловом спирте в течение 1 2 мин. Отмывка в
спирто-бензттльных смесях, как правило, не допускается
Проволочные или ленточные выводы к мстадлизи
рованпым контактным площадкам, а также балочные выводы
диодов к проводникам линий передачи присосдинякися с
помощьютермокомнрессии иди микросварки.рсжимыкоторых
указываются в ТУ па конкретный диод.
При монтаже н эксплуатации диодов: 1) необходимо
применять меры по защите диодов от воэдейезззия зарядов
статического элсктричссзва (допустимое значение сзаз-
ногенциала указано для каждого диода индивидуально); 2)
запрещается работать с незаземленной и нс присоединенной
к корпусу аппаратуры диодной камерон, 3) для защизьз от
воздействия внешнего переменного напряжения (наводки)
рекомендуется экранировать выводы цепей смешения и
подключать к ним в нспосрсдшвенной бли зости от диода
блокировочный конденсатор емкостью 0,1. .10 мкФ.
1А501А, 1А501Б, 1А501В, 1А501Г, 1А501Д,
1А501Е, 1А501Ж, 1А501И, ГА501А, ГА501Б,
ГА501В, ГА501Г, ГА501Д, ГА501Е, ГА501Ж,
ГА501И
Диоды германиевые, диффузионные,переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройст-
вах сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе типа КДЮ-118-3 с жесткими
выводами (рис.5.3). Тип диода приводится на этикетке.
Маркируются цветными точками и полосками у
положительного вывода: 1А501А-одной красной точкой;
1А501Б-двумя красными точками, 1А501В-гремя красными
точками, 1А501Г-одной красной полоской; 1А501Д-двумя
красными полосками; 1А501Е- зремя красными полосками,
1А501Ж-ОДНОЙ красной полоской и одной красной точкой;
1А501И одной красной полоской и двумя красными точками.
Маркировка диодов ГА5О1А-ГА5О1И аналогичная, только
цвет точек и полосок голубой Масса диода не более 0,6 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в
консзрукторской документации. диод СВЧ 1А501А,
ТР3.360 043 ТУ; диод СВЧ 1А501А, ТР3.36О.1О2 ТУ
Рис. 5.3
Э зекгрнческие параметры
вывод 1
Гис 5.2 Зависимость теплового сопротивления ог длительности
им пул ьса
Указания по применению и эксплуатации
Для диодов в металлокерамических корпусах основным
четодом крепления их в схеме является прижим Величина
Потери пропускания при
= Рщ-* 1 М
X 3,2 см для 1А5О1А.1А5О1Б,
1А5О1В.1А5О1Ж 1А501И ГА501А,
ГА5О1Ь,ГА5О1В,ГА5О1Ж,ГА5О1И,
X 3,9 см для 1А5О1Г,1А5О1Д,
1А501Е, ГА501Г.1 А5О1Д,ГА5О1Е не более 0,8 дБ
93
Качество диода при
U = 12... 18 Вл:
сор
11^= X. .13 в
и . - 4 9 В
сор
и = 2.2. 4,2 В
U^= 0,5. .2,5 В
при Р 1 мВт и
1Л501Л, 1А501Б, 1
я 1А5О1А.1Л5О1Г,
ГА5О1А.ГА5ОН
1А501Б, 1А501Д,
Га5О1Б,ГЛ5О1Д
1А5О1В.1А5О1Е,
I А5О1В,ГА5О1Е
1А501Ж ГА501Ж
1А501И ГА501И,
X =3,2 см для
1А50I Ж. 1Л501И IА501 А,Гл501 Б,
ГА5О1В.ГА5О1Ж.1 А501И.
X 3,9 см для 1A501I 1А501Д 1А501Е,
ГА5О1Г.ГЛ5О1Д.ГА5О1Е	не
Пробивное напряжение при
Т=+25°С.	не
I 60"С
меиее 150
менее 19 В
менее 16 В
Постоянный обратный гок при
и = 10 В при	7=3 254:
г 17ос:
Емкость корпуса
не
не менее 0,5 мкА
не менее 3,0 мкА
0,18 пФ
Предельные эксп уатацнонные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность 1А501 А, 1А501 Б, 1А501 Г, 1А501Д, 1А501Е, ГА501 А. ГА501 Б, ГА50 И IА501Д, ГА501Е,	100 мВт
1А501 В.ГА501В	50 мВт
1А501Ж 1А501 И,ГА501Ж,ГА501И Непрерывная падающая мощность	1 мВт
1Л501 А, 1А501 Б, 1А50 П , 1А501Д, 1А501Е, ГА501А,ГА501Б,ГА501Г,ГА501Д,ГА501Е,	800 мВт
1А501В.ГА501В	500 мВт
1А5О1Ж,1А5О1И,ГА5О1Ж,ГА5О1И Непрерывная коммутируемая мощность	100 мВт
1А501 А,1А501 Б, 1А501Г 1А501Д, 1А501Е, Гл5О1А,ГА5О1Б,ГА5О1Г,ГА5О1Д,ГА5О1Е	80 мВт
1А5О1В,ГА5О1В	50 мВт
1А5О1Ж.1Л5О1И,! А501Ж ГА501И	1 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность (tM < 2 мкс и Q 1000) Импульсная рассеиваемая мощность при кратковременном воздействии не более	2,5 Вт
5 мин (tH S 2 мкс и Q= 1000) Непрерывная падающая СВЧ-мощность	5 Вт
(1^ J0...30 мА)	1 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность в течение 50 ч при Т <, +70’С, (tM <0,15 мкс и Q > 3000) Мощность плоской части	50 Вт
просачивающегося им пульса	450 мВт
Энергия просачивающегося импульса	0,5 эрг
Температура окружающей среды	-60 .+70°С
Минимальная наработка	1 000 ч
Срок сохраняемости	12 лет
Примечания 1. Допускается применение диодов в
переключающих устройствах на длине волны более 3 см.
2 Не разрешается подача обратного напряжения более 18 В
и тока более 309 мА для 1А501А, 1А501Б, 1А501Г, 1А501Д,
1А501Е и 20 мА для 1А501В, 1А501Ж, 1А501И
Рис.5 4 Зависимость потерь запирания от температуры
Изготовитель. Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
2А503А, 2А503Б
Диоды кремниевые, сплавные, переключательные
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
структура типа p-i и Предназначены для применения в
переключающих устройствах модуля юрах, фазовращателях,
аттенюаторах сантиметрового диапазона длин волн в составе
гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих
герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги
соляною тумана, плесневых грибов, инея и росы, понижен-
ного и повышенного давления Выпускаются в бескорпусном
исполнении с жесткими выводами (рис.5.5). Тип диода
приводится на индивидуальной и групповой таре Масса
диода не более 0,00214 т Пример записи условного
обозначения ггри заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 2А5ОЗА, ГР3.360.059 ТУ.
Вывод 1
1,25
Вывод2 Вывод 1
Вывод 2
Электрические параметры
Прямое напряжение (!пр 100 мА)
Прямое сопротивление потерь
I - 100 мА	2А5ОЗА
2А503Б
U=0
Время прямого восстановления
(!„, 100 мА и f„M= 3 ГГц)
Время обратного восстановления
(U ОиГта=ЗГГц)
Емкость структуры 2А5ОЗА
2А5ОЗБ
Рис. 55
не более 0,3 В
не более 3,3 Ом
не более 5,0 Ом
не более 1500 Ом
не более 6 мкс
не более 60 мкс
0,365...0,435 пФ
0,330...0,425 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая мощность
Импульсная рассеиваемая мощность
Значение допустимого статического
потенциала
Температура перехода
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Срок сохраняемости в составе ГС
1 Вт
1 кВт
2000 В
+ 125’С
-60...+125°С
1000 ч
12 лет
94
О 50 100 150 1пр.мА
Рис.5.6. Зависимости:  прямою сопротивления потерь от наиря-
жения (а), прямою сопротивления потерь от тока прямого
смещения (6)
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
1А504А, 1А504Б, ГА504А, ГА504Б, ГА504В
Диоды германиевые, диффузионные переключательные
Предназначены для применения в переключающих устройствах
сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн
Выпускаются в метатлокерамическом корпусе тина КДЮ-
118-4 с жесткими выводами (рис. 5 7) Тип диода приводится
на этикетке. Маркируются цветной точкой на керамической
части корпуса 1А501А, ГА504А красной, 1А501Б, ГА504Б -
черной; 1А501В желтой. Схема соединения электродов с
выводами приводи гея на керамической части корпуса Масса
диода не более 1 г Пример записи условного обозначения
при заказе и в конструкторской документации: диод СВЧ
1А5О4А, ТРЗ.360.037 ТУ; диод СВЧ ГА504А, 11’3.360.074 ТУ.
Рис. 5.7
Вывод 1
St вод 2
Электрические гараметры
Потери пропускания (1пр= 50 мА,
Рм= 1 мВт и X ~ 3,9 см)
1А504А.ГА504А нс более 0,5 дБ
1А504Б.ГЛ504Б не более 0,8 дБ
ГА5О4В	не	более	1,0	дБ
Тот-60 до +25°С 1А5О4А.ГА5О4А
1Л5О4Б.1 А504Б
ГА5О4В
1А504А.ГА504А
Т=+70°С
Качество диода (I 50 мА,
U. =50 В,Р =1 мВт иХ 3,9 см) при
.........................не
не
не
не
менее
менее
менее
менее
500
200
100
350
1А5О4Ь,ГЛ5О4Б не менее 150
I А5О4В	нс менее 50
Время переключения
(Ц*. 50 В X 3,9 см)
Посюяпный обратный пок
(V - -50 В) при Т от -60 до +25°С
1 т70"С
Общая емкость (11,. 50 В)
1А504А, 1 А5О4Ь.ГЛ5О4А. ГА504Б
1А504В
Емкость корпуса
не более 40 нс
не более 100 мкА
не более 500 мкА
0,5. 0 65 .0,8 пФ
0,45...0,7...1,0 пФ
0,3. 0 4 нФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	50 В
Постоянный прямой ток	50 мА
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т от -60 до т 35'С	0,5 Вт
Г= * 70'С	0,3 Вт
Непрерывная рассеиваемая мош нос ib при
кратковременном воздействии
(не более 1 мип)	0,6 Вт
Непрерывная падающая СВЧ-мощность
при Т от -60 до i 35 С	2,5 Вт
Т +704	1,5 Вт
Непрерывная падающая СВЧ мощность
при кратковременном воздействии
(нс более 1 мин)	3,0 Вт
Темпера гура корпуса	+85”С
Температура окружающей среды	-60...+70°С
Минимальная наработка	3000 ч
Срок сохраняемости	12 лет
Примечания 1 Рассеиваемая мощность связана с
непрерывной падающей мощностью в линии передачи Р
соотношениями'
в состоянии пропускания Р = 2(1.n- 1)Рп /Ln,
в состоянии танирания Р 2(Ls-l)Pn/1.з,
где Ц, - потери пропускания волноводного устройства с
диодом, определяемым отношением падающей СВЧ-
мощности к прошедшей при номинальном токе I , Ьэ
потери запирания волноводного устройства с диодом,
определяемые отношением падающей СВЧ-мощносги к
прошедшей при номинальном напряжении 2. Общая
емкость в диапазоне СВЧ независитог напряжения смещения.
3. Изменение максимально допустимых рассеиваемой и
падающей СВЧ мощностей в диапазоне температур
окружающей среды от +35 до +70“С линейное
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир", г Москва.
2А505А, 2А505Б, 2А505В
Диоды кремниевые, сплавные, переключательные.
Рабочим элементом диола является полупроводниковая
структура типа n i p-i-n Прсднашачены д.тя применения в
переключающих усгройс i вах, модуля горах, фазовращателях,
аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов
длин both в составе гибридных интегральных микросхем,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от
воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея
и росы, пониженною и повышенного давления Выпускаю-
тся в бескорпусном исполнении с гибкими выводами (рис.
5.8) Гии диода приводится на игшивидуальной и групповой
таре. Масса диода не более 0,05 г. Пример записи условного
95
обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 2А5 )5А, ТРЗ 460 065 ГУ.

Рис. 5.8
Электрические параметры
^•Пр, Д&
J нс.5 9. Зависимости потерь запирания от тока прямого смеше-
ния (а), потерь пропускания от темпе тагуры (б), потерь пропус-
кания от непрерывной падаю пей СВЧ-мощности (в)
Изготовитель Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
Потери пропускания (Р > I мВт,
f = 9...9,8 Иц) при
Т + 25'С	2А5О5л,2А5О5Б
2A5O51J
Г -60 и т 125 С 2А5О5д,2А505Б
2А5О5В
Потери запирания (Р > I мВт,
*..₽= 100 мЛ 11 f= 9-9'^ Пц)
2А5О5А
2А5О5Б.2А5О5В
Время прямого восстановления
(1пр= 100 мА, fBjM 9...9,8ГТц)
Время обратного восстановления
(1„р=0,	9-9,8 11н)
I 0 и
пр
не
не
не
нс
не
не
2А506А, 2А506Ь, 2А506В, 2А506Г, 2А506Д
более 0.25 дБ
более 0.4 дБ
более 0,55 дБ
бо ice 0,7 дБ
менее 25 дБ
менее 21 дБ
не более 6 мкс
не более 60 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Диоды кремниевые, сплавные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
структура типа n i р i п. Предназначены для применения в
переключающих ус тройствах, модуляторах, фазовращателях
аттенюаторах сантиметрового Диапазона длин воли в составе
гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих
герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги,
соляного тумана плесневых грибов, инея и росы, пониженно
го и повышенного давления. Выпускаются в бескорцусном
исполнении с гибкими вывозами (рис.5.10). Тип диода
приводится на корпусе диода. Положительный вывод- гибкий.
Масса диоцп не более 2,5 г для 2А506А, 2А506Б, 2А5О6В,
2А5О6Г и 2,0 I для 2А506Д. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документацит
диод СВЧ 2А5О6А, ТР3.360.066 ТУ.
Постоянное обратное напряжение	100 В
Непрерывная рассеиваемая мощность	2 Вт
Импульсная падающая мощность в линии
с волновым сопротивлением 250 Ом,
tB= 1мкс и 0 = 500 при 1 = 0 в
II-образном волноводе и полосковых линиях 5 кВт
в резонансной щели	2 кВт
при 1^= 100 мА	100 кВт
Значение допустимого статического потенциала 2000 В
Гем1 ература окружающей среды	60.. +125 С
Минимальная наработка	2000 ч
Срок сохраняемости	12 лет
Примечания: 1. Допускается воздействие температуры
окружающей среды + 140‘С в течение 30 мин. 2. При установ-
ке диодов в аппаратуру запрещается перегибать выводы
ближе 5 мм от основания и прикладывать растягивающее
усилие к выводу более 0,98 II. При монтаже диодов не
допускается затекание припоя на боковые поверхности диода.
Допускается двух-трех кратная перепайка диодов.
> к ричсские параметры
Потери пропускания (Ра1^ 1 мВт,		
1=0) при Г= t 25Т		
2А5О6А,2А5О6Б	на 1 9,8 ГГц	не более 0,4 дБ
2А506В.2А506Г	на f 9,1 ГГц	не более 0,4 дБ
2Л506Д	на f = 13,7 ГГц	не более 0,7 дБ
Г--60 и ь 125’С		не бочее 0,7 дБ
Потери запирания (Р ь 1 мВт,		
1 =100 мА)		
2Х.506А	на f 9,8 11 ц	не менее 22 дБ
2А5О6Г	на f = 9,8 ГГц	не менее 18 дБ
2А5О6Б	на 1‘ 9,1 ГГц	не менее 22 дБ
2A5O6I	на Г 9,1 ГГц	не менее 18 дБ
2Л505Л	на 1	13,7 ГГц	не менее 22 дБ
Время прямого восстановления
(Р > 1 мВт. I 100 мА)
х пд	- пр	7
2А506А.2А506Б на f 9,8 ГГц
2А5О6В.2А5О6Г на f = 9,1 ГГц
Бремя обратного восстановления
не более 6 мкс
не более 6 мкс
96
1 мВт, I — 0)
2А506Л,2А506Ь на f 9,8 Г1 ц	нс бо cc 60 мкс
2А506В.2А506Г на f = 9,1 ГГп	нс более 60 мкс
более 1.3 г. Пример записи ус тонного обозначения при зака-
зе и в конструкторской документации: диод ( ВЧ 2А5О7А,
ГГЗ.ЗбО.053 ГУ; днод СВЧ КА5О7А, 1Т3.360.078 ГУ.
Предельные экситуагашз >u тые тайные
Постоянное обратное напряжение	100 В
Непрерывная рассеиваемая мощность	2 Вт
Импульсная падающая мощность
в линии с волновым сопротивлением 250 Ом
(т = 1мкс, Q = 500) при I  0	2 кВт
I 100 мА 100 кВт
П>
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС'	2 000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	12 лет
Рис. 5.12
Вывод 7
Вывод 2
Э. сктрнческие  драме тры
Примечания:!. Допускается кратковремсннос воздействие
температуры окружающей среды +140 С в течение 30 мин.
2. При установке диодов в аппаратуру запрещается персти
бать выводы ближ 5 мм от основания и прикладывать
растягивающее усилие к выводу более 0,98 Н. Прт х оитаже
диодов не допускается та (екание припоя на боковые
поверхности диода. Допускается двух-трехкрагная перепай-
ка диодов. 3. Разрешается подстройка частоты диодов 2AS06A,
2А506Б до 9,1 ГГп. 2А506В, 2А5О6Г до 8, 4 ГГц, 2А506Д до
13 ГГц
Общая емкость (U^	100 В)
2Л507А.2А507Б.
КА507А.КА507Б
КА507В
Прямое сопротивление потерь
(I = 100мА)	2А507Л,2Л507Б.
КА5О7А.КЛ5О7Б
КА5О7В
Критическая частота (1^ ЮОмА,
U = 100В, f„,M= 4 ГГц) при
1 1254	2а5О7Л,2Л5О7Ь.
КА5О7А.КА5О7Б
КЛ507В
I -60 и+100’С 2А5О7А.2А5О7Б
КА5 7Л,КА507Б
Накопленный заряд диода при
1 = 100 мА
пр
Пробивное напряжение
([^ и= 10 мА) 2А507А.КА507А.
2А507Б.КА507Б.КА507В
Емкость корпуса
Индуктивность диода
0.8. 1 0* 1.2 пФ
0.65...0.9*...1,2 пФ
не более 1,5 Ом
пс более 2,5 Ом
200 .280* 370* ГГц
ие менее 150 ГГц
не менее 180 Г ц
ие боыес 200 ттКл
500...700*...750* В
300...450*...550* В
0,3...0 45 пФ
0,5 нГи
Рис.5.11 Зависимою и: потерь .миирания от тока прямого смеще-
ния (а), потерь пропускания от температуры (б), потерь пропус-
<аиия от непрерывной падают й СВЧ мощности (в)
Предельные эксплуатационные данные
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
2А507А, 2А507Б, KAS07A, КА507Б, КА507В
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
структура типа р т п. Предназначены для применения в
переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях
и аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазо-
нов длин волн.Выпускаются в металлокерамическом корпусе
типа КД-105 с жесткими выводами (рис.5.12). Тип диода
приводится на этикетке. Маркируются цветными точками :
2А507А-чсриой; КА507А-двумя черными, КА507Б желтой;
КА5О7Б двумя желтыми КА5О7В твумя "красными.
Положите тытый вывод со стороны крышки Масса диода не
Постоянное обратное напряжение	200	В
Мгновенное обратное напряжение
2А5О7А.КА5О7А	500	В
2А5О7Б,КА5О7Б КА507В	300	В
Постоянный	прямой ток	200	мА
Значение допустимою статического
потенциала 2А507А.2А507Б	1000 В
КА507А,КА.507Б,КА507В 300 В
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т ог 60 до +35”С	5 Вт
Т«+100°С	2 Вт
И мну ,стшя рассеиваемая мощность
(тн< 1 mkc,Q> 1000) при Т от -60 до +35’С	4 кВт
Г + 100X2	1,3 кВт
Температура окружающей среды	-60..Л 100°С
Минимальная наработка	15000 ч
Минимальная наработка в облегченном
режиме (!’,.= 0,5Pmix ,U= 0,713^ I = 0,71^)	25000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечания: 1 При Т=+35... т ЮО’С максимально
допустимые непрерывная и импульсная рассеиваемые
мощности изменяются линейно. 2. При давлении меисс 200
мм рт.ст мпювенпое обратное напряжение ие более 300 В,
при наличии дополнительной электрической защиты не
более 500 В.
7 СВЧ-приборы
97
Рис 5 13 Зона во тможнтк положений зависимостей накопченного
заряда от 1 ока (а), прямого сопротивления пот ерь от тока прямого
смешения (б), обратного сопротивления потерь от напряжения
обратного смешения (в)
Рис.5 14 Зависимость времени обратного восстановления ог ам
плидуды импульса обратного пннряжепия
Изготовитель; Завод при НИИ "Сапфир", г. Москва.
2А508А-1, КА508А-1
Диоды кремниевые, па основе ионной технологии,
переключательные Рабочим элементом диода является
полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n. 11рсдиа тначсны
для применения в переключающих устройствах модулято-
рах, фа товращателях, аттенюаторах сантиметрового и
дециметрового диапазонов длин ноли в составе гибридных
интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и
защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, пле-
сневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного
давления. Выпускаются вбескорнусиом исполнении с гибкими
выводами без кристаллодержагеля (рис.5.15). Тип диода
приводится на полиэтиленцеллофановой ленгс. Масса диода
не более 0, 05 г Пример записи условного обозначения при
заказе и в консгрукторскойдокументациигдиод СВЧ 2А5О8А-
1 ТРЗ.360.077 ТУ диод СВЧ КА5О8А 1, ТРЗ 360.128 ТУ
Вывод 7
Вывод?
Бтектрические параметры
Потери пропускания (I = 0,
9,37 ГГц) при Т +25’С
Т 60 и + 125еС дзя 2А508А 1
Потери запирания
Качество диода (Г - 9,37 ГГц)
Время прямого восстановления
(1^100 мА, 1 ГГц,
tH 100 мкс и Вн 100 Ом)
Время обратною восстановления
(I = 100мА. f = 1 ГГц,
tH= 100 мкс и Rn 100 Ом)
нс более 0,4 дБ
не более 0,6 дБ
нс менее 27 дБ
нс менее 600
пс более 6 мкс
не более 40 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение
(I=-60... I 85°С)	100 В
Постоянный прямой ток СБ -60 +85’С)	500 мА
Непрерывная рассеиваемая мощность.при 2 Вт
Т 60 и *60"С для 2А508А-1	1,5 Вт
Т=-60 и +35°С для КА5О8А 1	1,5 Вт
Коммутируемая импульсная СВЧ мощность
(tH< 1 мкс и Q 1000) в резонансной щели 0,8 кВт
Значение допустимого статического потенциала 100 В
Температура окружающей среды
2А5О8А-1	60 ..+ 1254?
КА508А-1	-60.. .+854?
Минимальная наработка в составе ГС 25000 ч
Срок сохраняемости в составе IС	25 лет
Примечания: I. При установке диодов в аппаратуру
запрещается персгибагь выводы ближе 7 мм от основания и
прикладывать сжимающее усилие к структуре диола более
0,98 Н. Допускается двукратная перепайка диодов. 2. При
протекании постоянного прямого тока допускается увеличе-
ние коммутируемой импульсной мощности до 50 кВт при
условии, что рассеиваемая в диоде мощность не превышает
указанную в таблице.
Рис.5.16 .Зона возможны < положений зависимостей: качества
диода от тока прямого смешения (а) и теми 'ритуры (б)
Рис.5 17 Зависимости времени обратного восстановления от
напряжения Га), потерь пропускания от температуры (б)
т
Изготовитель Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
98
2А509А, 2А509Б, КА509А, КА509Б, КА509В
допустимые непрерывная и импульсная рассеиваемые
мощности изменяются линейно.
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Рабочим элементом диода явтястся полупроводниковая
структура тина p-i-n. Предназначены для применения в
переключающих устройствах саитимегрового и дециметрового
диапазонов длин воли Выпускаются в металлокерамичес-
ком корпусе типа КД 105 с жесткими выводами. I абаритный
чертеж соответствует прибору 2А507 (рис.5.12) 1ип диода
приводится на этикетке. Маркируются цветными точками
и черточками: 2А509А-красиой точкой; КЛ509А красной
черточкой,2А509Б-синсй точкой; КЛ509Б-синейчерточкой,
КА509В-чсрной черточкой Положительный вывод со сторо-
ны крышки Масса диода не более 1,3 г Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СВЧ2А5О9А, ТТЗ.360.055 ТУ; диод СВЧ
КА509А, П 3.360.073 ГУ
Электрические парам тры	
Общая емкость (U .=100 В) 2А509А, КА5О9Л	0 9 .1,0* 1,2 пФ
2Л509Б.КА509Б	0,7 ..0,85* . 1,0 пФ
КЛ509В	0,5...0,85*...1,2 пФ
Прямое сопротивление потерь (1^=25 мАЛ— 4 ГГц) 2А5О9А,2А5О9Б, КА5О9А. КА509Б	не более 1,5 Ом
КА509В	нс более 2,5 Ом
Критическая частота (1 = 25 мА, 11^= 100В) при Г~+25'С	2А5О9А.2А5О9Б, КА509А,КА509Б	150 250*...350* ГГц
КА509В	не менее 100 ГГц
Т=-60 и +100'С 2А509А.2А509Б, КА5О9А,КА5О9Б	не менее 100 ГГц
Накопленный заряд диода (1 = 25 мА)	2А5О9А.2А5О9Б, КА5О9А КЛ509Б	не более 25 нКл
КА509В	не более 35 нКл
Пробивное напряжение (I 10 мА)	200 ..430* 600* В
Емкость корпуса	0,3...0,45 пФ
Индуктивность диода	0,5 нГн
Предельные эксилтатаииониыс данные
Постоянное обратное напряжение	150 В
Мгновенное обратное напряжение	175 В
Постоянный прямой ток	100 мА
Значение допустимого статического потенциала	2А509А,2А509Б	1000 В
КА5О9А.КА5О9Б	200 В
Непрерывная рассеиваемая мощность при Т от 60 до * 35' С	2 Вт
1 НОО'С	1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность (1 S 1 мкс, Q> 1000) при Т от -60 до +35°С	1,4 кВт
Т=+100С	0.4 кВт
Температура окружающей среды	-60.. + 100“С
Минимальная наработка	15000 ч
Минимальная наработка в обличенном режиме (1’^= 0,51’m„,U 0,7Um„, 1= 0,71^)	25000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечание При Т- +35 + 100 С	максимально
Рис 5.18. Зона возможных положений зависимостей: накоплении
го заряда от тока прямого смешения (а), прямого сопротивления
потерь от тока прямого смешения (б), обратного сопротивления
потер!» от напряжения обратно! о смещения (в)
Рис 5 19 Зависимость времени обратного восстановления от
амплитуды импульса обратного напряжения
Изготовитель. Завод при НИИ "Сапфир", г. Москва.
2А510А, 2А510Б, 2А510В, КА510А, КА510Б,
КА510В, КА510Г, КА510Д, KA510F,
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальиые,
ограничительные. Предназначены для применения в
устройствах ограничения и стабилизации СВЧ-мощности,
защиты входных цепей приемников сантиметрового и
дециметрового диапазонов длин волн. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе типа КД-110 с жесткими
выводами (рис.5.20). Тип диода приводится на этикетке
Маркируются цветными точками: 2А51ОА одной черной,
КА510А-двумя черными; 2А510Б-од1ЮЙ зеленой; КА510Б-
двумя зелеными; 2А510В-одной желтой; КА510В-двумя
желтыми; КА510Г-черной и зеленой, КА510Д-черной и
желтой, КА510Е-зеленой и желтой. Положительный вывод
со стороны крышки Масса диола не более 0,15 г Пример
7
99
занисиуслонного обозначения при заказе и в конструкторской
документации диад СВЧ 2А5ЮЛ, ГГЗ.360.054 ГУ; диод СВЧ
КА510Л. ГГЗ 360.079 ГУ
сопротивлении 75 Ом, равна I мВт 2. Изменение максималь-
но л пустимой непрерывной и импульсной рассеиваемой
< ВЧ-мощности в диапазоне температур окружающей среды
от 150 до т 125 С -линейное.
Изготовитель. НПО "Интетрал", г. Минск.
ч> Вывод2 Выводу
Вывод У
Вывод 2	Рис-520
Электрические парамо грь
Общая емкость (U^- 0)
2Л5ЮЛ,КЛ5ЮЛ 0,7... 1,0’...1,4 пФ
2Л510Б.КА5ЮБ, КА5|()Д 1,2...1,8*...2,4 пФ
2Л51ОВ.КА5ЮВ 2,2...2,8*...3,4 пФ
КА ЮГ
клмог,
Сопротивление диода при высоком
значснниСВЧ-мощности
(I =Ю0мА)
2Л5ЮА,2Л5ЮБ,2Л5ЮВ,
КЛ51ОЛ.КЛ51ОБ,КА51ОВ
КА5Ю1 .Кл510Д,КА510Е
Сопротивление диода при низком
значении СВЧ-мощности
0.6...1,0*...1.4 пФ
2,2...2,5*....3.6 пФ
нс более 1,5 Ом
нс более 2,5 Ом
(Р„ - 1 мВт, f 4 5 1 Гн.1 100 мА)
при 'Г—-60 и 1254'
2А5ЮЛ,КЛ51ОА,КА51О1 нс более 15 Ом
2Л51ОБ,КЛ5ЮБ,КЛ51ОД не более 9 Ом
2Л5ЮВ КА51ОВ.КЛ51ОГ
Т +125 С
2Л5ЮЛ. КЛ5ЮА КД510Г
2Л5 ЮБ.КА510Б.КА5 ЮД
2Л51ОВ,КЛ51ОВ,Ка51ОЕ
Накопленный заряд (I 100 мА)
Время прямою восстановления
(1пр= 100 мА и f1DM= 4,5 I Гц)
Время обратного восстановления
ОиГюм 4,5 ГГц)
Пр обивное напряжение
Тепловое сопротивление
переход-корпус
Емкость корпуса
Индуктивность диода
не более 5 Ом
не ботее 25 Ом
не более 15 Ом
не более 8 Ом
не более 10 нКл
не более 1* нс
нс более 230* нс
нс менее 30 В
не более ЮО’С/Ът
0,25*...(),3‘ пФ .
0,6*...0,8* нГн
2А511Х
Диоды кремниевые, диффузионные переключательные.
Предназначены для применения в переключающих
устройствах, модуляторах, фа юнращате.тях, аттенюаторах
сантиметрового и дециметрового диапазонов длин
воли.Выпускаются в металлокерамическом корпусе типа
КД-106 с жесткими выводами. Габаритный чертеж соот-
ветствует прибору 2А107 (рис. 1.14). Тип диода в виде первой
цифры приводится на корпусе. Положительный вывод со
стороны крышки. Масса диода нс более 0.25 г. Пример
записи условного обозначс пня при заказе и в конструкторской
документации: диод Q34 2A.5I1A. ТРЗ.360.082 ТУ.
) тек рическис параметры
Общая емкость (П^ 100 В) Прямое сопротивление потерь	0,55...0,75 пФ
500mA. fKW- 3 ГГц) Качество диода на высоком ур< твне	нс более 2 Ом
мощности (Р £ 10 кВт,	
= 500 мА, Ucu- 50 В) Качество диода на низком уровне	не менее 700
мощности (Рш < 1 Вт, 1 -500 мА, Исм 50 В, f 3 И ц) при Т= »25"С	нс менее 2500
I । 125’С	не менее 1500
Т= -60’С	не менее 1750
Накопленный заряд диода (I = Ю0 мА,	100 В, Г- 1 кГц, ти=» Юмкс)	не более 350 нКл
Предельные экеп туагационные тайные
Постоянное обратное напряжение	50 ...200 В
II янныи прямей ток	700 мА
Импульсная падающая СВЧ-мощность в
коаксиале с волновым сопротивлением 50 Ом 10 кВт
Значение допустимого стат тческого
потенциала	100 В
Температура окружающей среды	-60...+100“С
Минимальная наработка	25000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Пре дельные экенлуатаци ни ыс данные
Постоянное обратное напряжение	25 В
Постоянный прямой ток	200 мА
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т от 60 до +50 С	1 Вт
Т=+125’С	0,25 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
(tM : 1 мкс, f = 1 кГц) при Г от -60 до +35*С 40 Вт
Допустимое значение статического
потенциала	500 В
Температура перехода	+ 150’С
Температура окружающей среды	-60...Т=и 125’С
Примечание: 1. Мощность ограничения, под действием
которой емкость возрастает в два раза при волновом
Примечание: Разрешается применение диодов на низком
уровне мощности при -6О...+ 125”С.
100
Рис.5.21. Зона вогможных положений ивисимостсй: обрапгою
сопротивления потерь от напряжения обратного смешеиич (а),
прямою сопротивления потерь от тока прямого смещения (б),
накопленного таряда от тока прямою смешения (в), опрятного
сопротивления потерь от импульсной падают ?й <3114 моинюсти (г)
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
Пределы ые эксплуатационные тачные
Постоянное обратное напряжение	100...200*. .250* В
Постоянный прямой юк	, 350...500*...750* мА
Постоянный обратный ток
(11^= 200 В)	500 мкА
Импульсный обратный ток	12 мД
Рассеиваемая СВЧ-мощность	4 Вт
Температура перехода	+ 10()'С
Температура окружающей среды	60...<-85"С
Минимальная наработка в составе 1 С	25000 ч
Срок сохраняемое ги в составе 1 <	25 лет
Примечания- I, В оль продольной оси диола нс
рагрсшастся прикладывать сжимающее усилие более 29,4 П
2. Допускается кратковременное ( не более 15 мин) воздейст-
вие повышенной темпера гуры до +10()"С с сохранением
электрических параметров
2А512А-4, 2А512Б-4
Диоды кремниевые, сплавные, переключательные.
Рабочим элементом диода является пофпроводниковая
структура тина pin. Предназначены для применения в
переключающих устройствах, модуляторах, фа товращателях
и аттенюаторах дециметрового п длинноволновой части
сантиметрового диапазонов длин волн в составе гибритных
интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и
защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана,
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного
давления. Выпускаются в бсскорпусном исполнении с
жесткими выводами (рис.5.22). Гии диода приводится на
выводе 2 (отрицательный вывод) Масса дио га нс более 3 г.
Пример записи условною обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ 2А512А-4,
ГР3.360 081 1У.
Рис. 5.22
Вывод 1
I
Вывод 2
3000
2000
1000
1- Т-26°С
2-7- 85*С
UB6er2S0B^
Uo6p~1ty08—"	______
200 400 6001„Р.ыА
)тскгрнче кие параметры
Общая емкость (Ц^, 200 В) 0,45 .0,85 нФ
Прямое сопротивление потерь
(1пр 500мА, 0^=200 В)	нс более 2,5 Ом
Качество диода на высоком уровне
мощности (1^= 500 мА, 11€м= 200 В) не менее 1200
Качество диода на низком уровне
мощности (Pm < 1 Вт I 500 мА,
200 В) при Т= -60...+25°С не менее 4000
Т« +85°С не менее 3000
Рнс.5.23. Зависимости прямого сопротивления потерь от тока
прямого смещения (а); качества на низком (б) и высоком (в)
уровнях от прямого тока" времени обратного восстановления от
напряжения обратного смешения (г); обратного тока от темпера-
туры (д)
Время прямого восстановления
(!„„= 900 мА)
Время обратного восстановления
3* 6* мкс
(1^- 500 мА, Рпд= 1 Вт и Urfll 30 В) нс более 40 мкс
Постоянное прямое нанряж :ние
(I = 500 мА)	1,15 .1,9 В
Общая емкость диода, измеренная
в диодной камере при низком
уровне СВЧ мощности
0,3*...0.7* пФ
Изготовитель; Томилинский завод полупроводниковых
приборов.	>
2А513А-1, 2А513Б-1, КА513А-1, КА513Б-1
Диоды кремниевые, переключательные, с переходами,
созданными наосновсионнойтсхнологии. Рабочим элементом
диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в поглощающих
переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях
101
н аттенюаторах сантиметрового и длинноволновой части
миллиметрового пианазонов длин волн в составе гибридных
интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и
защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана,
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенно-
го давления. Выпускаются в бес корпусном исполнении с мят
кими выводами без криста.тлодержатс.тя (рис. 5 24 и 5.25). 1 ип
диода приводится на таре. Масса диодов 2А51ЗА-З, КЛ51 А-1 не
более 0,075 г; 2А513Б-1, КА513В-1 не более 0,06 г Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструкторе
кой документации' диод СВЧ 2А51 ЗА-1,ТРЗ 360.078 ТУ*
диод СВЧ КА513А-1, ТР.3.336.011 ГУ.
Вывод 1
Вывод 2
Рис. 5.25
Электрические параметры
Рис. 5 24
Вь вод 7
Вь вод 2
Потери пропускания при Р, = 1 Вт на
f 30 ...37,5 ГГц 2А513А 1.КА513А 1
f 15 20 ГГц 2А513Б-1,КА513Б 1
при Т' »25°С
Т=-60 и +125“С
Потери запирания (Р 1 Вт,
10...100 мА) на частоте
f 30...37,5 ГГц 2A513A-1.KA513A-I
f 15. 20 ГГц 2А513Б-1.КА513Б 1
Время прямого восстановления
(1^= 100 мА, f 1 кГц, Т„= 100 мкс,
R* 100 0м)
Время обратного восстановления
(I = 100 мА. 1^=100 Ом) на
f=^30.„37,S ГГц 2А513А-1.КА513А-1
f 15 ..20 ГГц 2А51 ЗБ-1.КА51 ЗБ-1
не более 0,7 дБ
нс более 0,9 дБ
не более 6 мкс
не более 100 мкс
нс более 70 мкс
Предс тьные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение		150 В
Непрерывная рассеиваемая мощность 2А513А-1,КА513А 1 2А513Б-1,КА513Б-1 Импульсная падающая мощность (1=1 мкс, f = 1 кГц) в Н волноводе с		2,0 Вт 1,5 Вт
W 150 Ом	2А513А-1,КА513А 1	75 Вт
W= 80 Ом	2А513Б-1.КА513Б-1	140 Вт
Температура окружающей среды
2А513Л-1,КА513А-1
2А513Б-1.КА513Б-1
Минимальная наработка в составе 1 С
Срок сохраняемости в составе ГС
-60...+125“С
-60...+ 85С
25 000 ч
25 лет
Примечания: 1 Потери запирания остаются практически
неизменными при 1^ -60. .+ 125 С. Потери запирания не
зависят от постоянного обратного напряжения,
изменяющегося от 0 до 300 В 2. При установке диодов в
аппаратуру запрещается иереитбать выводы ближе 7 мм от
структуры и прикладывать сжимающее усилие к структуре
более 0,98 П. Допускается двукратная перепайка диодов.
не менее 27 дБ
нс менее 25 дБ
0 40 80 120 1ПР, мА
Рис 5.26 Зависимость потерь запирания от тока прямого смещения
Рис 5.27 Зона возможных положений зависимостей, потерь про-
пускания от температуры (а): времени обратного восстановления
от напряжения (6) и тока (в)' времени прямого восстановления от
тока (г)
Изготовитель. Томилинский завод полупроводниковых
приборов
2А515А, КА515А
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
структура типа р т п Предназначены для применения в
102
переключающих устргмтствах, модуляторах, фазовращате.тях
и аттенюаторах коротковолновой части сантиметрового
диапазона длин волн. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе типа КД-105 с жесткими выводами. Габаритный
чертеж соответствует прибору 2А5О7 (рис.5.12). 1ин диода
приводится па вкладыше. помещаемом в индивидуальную
тару. Маркируются 2А515А одной зеленой точкой, КА515А-
двумя зелеными точками на корпусе Положи тельным вывод
со стороны крышки. Масса диода не более 1,3 г Пример
записи условного обозначения при закате и в конструкторс-
кой документации диод СВЧ 2Л515А, Г! 3.360.065 ТУ; диод
СВЧ KAMS А. аАО.336.406 1У.
Рис.5.28 Зона возможных положений зависимостей накопленно-
го заряда от тока прямого смешения (а), прямого сопротивления
потерь от тока прямого смешения (б), обратного сопротивления
потерь от напряжения обратного смещения (в)
)лектрические параметры
Обитая емкость (ГК SO В)
Прямое сопротивление потерь
(’„г 25 мА)
Критическая частота (I =25 мА,
U* = 50В) при Г=+25 С.
Г 60 И Т 125 С
Накопленный таряд диола
(1„р= 25 мА)
Пробивное напряжение
(I<Z1 = 10 мА, тк= 3 мне. !' = 5 кГц)
Емкость корпуса
Индуктивность анода тля
коаксиальной . ипни
Индуктивность диода для
волноводной линии
0.4...0,62* .0,7 пФ
пс более 2,5 Ом
100...160*.„210* ГГц
ие менее 70 ГГц
не более 15 нКл
100...300*.„500* В
0.3. .0,45 пФ
0.39 иГн
0.50 нГн
Изготовитель: Завод при ПИИ "( анфир", г. Москва.
2А516А-5
Предельные эксплуатационные данные
Диоды кремниевые, сплавные, переключательные.
Рабочим леменгом диода является полупроводниковая
структура типа p-i-n. Предназначены для применения в
переключающих устройствах, модуляторах, аттенюаторах
дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн в
составе гибридных ин тетралытых микросхем, обеспечивающих
герметизацию и защиту приборов от вотдсйствия влаги,
соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного
и повышенного давления Выпускаются в бескорпусном
исполнении с жесткими выводами (рис.5.29). Тип диода
приводится на упаковке. По тяртюсть определяется тестером.
Масса диода нс более 1,3 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации
диод СВЧ 2A5I6A-5, Я1П3.360.001 ТУ.
Постоянное обратное напряжение
Мгновенное обратное напряжение
Постоянный прямой ток
Значение допустимого статического
потенциала
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Г„ от -60 до +35*С
т’ ноос
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH < 1 мкс, 1000) при
Т.от 60 до ь35'С
Т* । 125‘С
Гсмпсратура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
75 В
85 В
100 мА
1000 В
0,5 Вт
0.3 Вт
Рис. 5.29
Вывод 7
			
			
			6 ‘'11 21
Вывод 2 Вывод!
) тскгрнчеекис параметры
0.4 кВт
0.13 кВт
60. .+125’С
25000 ч
25 лет
Примечание. При 1 -35...  125X2 максимально
допустимые непрерывная и импульсная рассеиваемые
мощности итменяются линейно.
Емкость перехода
Прямое сопротивление потерь
(I|ip= 0, f = 3 ГГц)
Прямое сопротивление потерь
(1,ф= 100 мА
Критическая частота
Время прямого восстановления
(Рвд= 5мВт, 100 мА, f 3 I Гц)
Время обратного восстановления
(Р = 5мВт, 1= 0 , f = 3 ГГц)
'гит	’пр	'
Вь вод 2
не более 0.18 пФ
пе менее 3000 Ом
не более 5,5 Ом
нс менее 70* ГГц
не более 6 мкс
нс более 45 мкс
11ре тельные эксн туагапиоштые данные
Постоянное обратное напряжение	200 В
Постоянный прямой ток	100 мА
Непрерывная рассеиваемая .мощность	1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность в линии
с W = 50 Ом (1и= 1...5 мкс, Q = 200...1000)	1 кВг
Значение допустимого статического
потенциала	2000 В
Температура окружающей среды	-60...+ 125°С
Минимальная наработка в составе Г(.	15000 ч
Срок сохраняемое т и в составе ГС	25 лет
103
Ир и мечения: ). При монтаже диодов в аппаратуру
допустимое усилие не должно превышать 29,4 И 2. Обратное
сопротивление остается практически неизменным при
изменении обратного напряжения от 0 до 150 В
Рис.5 3(1 Зависимости' прямого сопротивления потерь от тока
прямого смещения (а); прямого (6), обратного (в) сопротивле-
ния потерь от температуры
Изготовитель: Завод 'Тантал", г. Саратов
2А517А-2, 2А517Б-2, КА517А-2, КА517Б-2
Диолы кремниевые, эпитаксиальные, переключательные
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
структура типа n-i-p. Предназначены для применения в
переключающих устройствах, модуляторах, аттенюаторах
сантиметрового диапазонов длин волн в составе гибридных
интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и
защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана,
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенно-
го давления. Выпускаются в бескорпусном исполнении с
гибкими выводами (рис.5.31). Тип диода приводится на
этикетке. Положительный электрод имеет гибкий вывод.
Масса диода не более 0,0016 г Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации:
ди<>д СВЧ 2А517А-2, ГТ0.336.028 ГУ; диод СВЧ КА517А-2,
ТТЗ. 360.075 ТУ
Вывод 1
Вывод!
Рис. 5.31
Электрические параметры
Обитая емкость диода (U100 В)
2А517Л-2,КА517А-2
2А517Ь-2.КА517Б-2
Прямое сопротивление потерь
0,15...0,225*...0,3 пФ
0,25.-0,325*...0,4 пФ
(I = 10 мА)	не менее 5 Ом
Критическая частота
(1	10 мА.U , = 20 В)	не менее 75 ГГц
Накопленный заряд (1^; 10 мА) 8... 16,5*...25 нКл
Пробивное напряжение	не менее 300 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	150 В
Импульсное обратное напряжение	270 В
Постоянный прямой ток	100	мА
Непрерывная рассеиваемая мощность при
I 60... 135 С	0,5 Вт
Т„н 1 125"С	0,2 Вт
Температура окружающей среды	-60...Тосн=+125‘'С
Минимальная наработка в составе ГС 5 000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС.	25 лет
П р и м е ч а н и т 1 При Г +35 +1251? максимально
допуст имая непрерывная рассеиваемая мощность изменяется
линейно 2 Допускается покрытие диодов, напаянных на
плату влагозащитным таком, нс оказывающим влияния на
герметизирующее покрытие и механическую прочность диода.
3. Емкость диода в диапазоне СВЧ не зависит от обратного
напряжения.
Рис 5.32 Зона возможных положений тависимостсй: прямого
сопротивления потерь рт напряжения обратного смешения (а)
накопленного заряда от тока прямого смещения (б); прямою
сопротивления потерт, от тока прямого смешения (в)
Изготовитель: Завод Тантал", г. Саратов
ZA518A-4, 2А518Б-4
Диоды кремниевые, диффузионные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
структура типа р-т-n. Предназначены для применения в
переключающих устройствах, дециме тропою и сантиметрово-
го диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных
микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту прибо
ров от воздействия влаги, со тяттого тумана, плесневых три
бов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с жесткими
выводами на крисгаллодсржагечс (рис.5.33). Тип диода
приводится на таре. Отрицате тьный > текгрод на кристал-
лодержатеЛе. Масса диода не более 0,4 г. Пример записи
условного обозначения при закате и в конструкторской
104
документации: диол СВЧ 2А51ХЛ 4, 1Р3.36О.О9Х IУ
Рис. 5.33
Э 1ектричсскне иираме i-ры
0Г111ая ем кость диола (U	1 00 11 > Прямое сопротивление потерь	0.6.0.8 пФ
бРга-=15кВг. I “100 мА) 2А518Л-4	не более 1 <>м
2A5IXI, 4	нс более 2 Ом
Прямое сопротивление потерь 4>iu=3()mBt, 11гр 100 мА, f 2 1 Гц) при Т 60... i25 С 2А51ХА 4	нс более 1 Ом
2A5IX1. 4	нс более 2 Ом
Г=т lOO’C	2А51ХА-4	не более 1,5 Ом
2А518Б-4	нс более 2.0 Ом
Кршичсская частота 1	100 мА.Р1И- 15кВт и U 100 Bl 2A5IXA4	1 не менее 70 I Гп
2А51ХЬ 4	не менее 50 ГГн
Кршичсская частота •I 100 мА.Р =30мВ| nil. =Ю0 В, лу	пл	«Х’р 2 1 Гц) при Т 60. .1254' 2A5IXA-4	нс менее 130 Г1 и
2А51ХБ-4	нс менее 90 1 Гц
1 а 1004'.	нс менее 70 ГГц
Время прямого восстапов гения Р 30 мВт,I 100 мАД = 1,5 ГГц, ПД	'пр U* 100 В)	2A5IXA-4	не более 2,5 мке
2А518Б 4	нс более 1,0 мкс
Время обратного восстановления Р, 40 мВт I 100 мА,1 1,5 Иц, U = 100 В)	2ЛЧКА-4	не более 6 мкс
2А51ХГ, 4	пс более 2,5 мкс
Индук)ивиость диола Р =30 мВт, I ЮОмА, f 2 1 Гп) ПД	Пр	0,5...0,Х иГн
Прете ibiibie жен.iy а рационные Данные
Постоянное обратное напряжение
Постоянный прямой ток
Импульсная падающая мощность
Импульсная рассеиваемая мощность
Температура теплоотвода
кмнература окружающей срежы
Минимальная наработка в составе I С
Срок сохраняемое!и в cociaiie ГС.'
200 В
500 мА
15 кВт
2 кВ г
+125’С
-6О...Т>Х5'С
25000 ч
25 лег
Примечания: 1. Допускаегся применение диодов при
воздействии непрерывной рассеиваемой mohihocih 10 Вт в
течение 20 мин при Т=  65 С. а также KpaiKonpcMciiiioe (нс
более 1,5 ч) повышение rcMlicpaiypu окружающей среды до
||25*С с сохранением электрических параметров
Рис.5..34. Зона возможных положений зависимостей .||ако1пенио-
го заряда от тока прямою смещения (а), прямого сопротивления
потерь от тока прямою смешения (6). обратного сопротивления
потерь от напряжения обратною смешения (в)
Рис 5.35. Зависимости качества диола от температуры (а) и
напряжения обратного смешения ( 1 на высоком уровне СВЧ
mohihocih, 2 на нитком уровне СВЧ-мошностн)(б), качества
циодаот импульсной падающей мощности (в). времени обратною
восстановления (г), и времени прямого восстановления от тока
прямого смещения (л)
Изгогопигель Томилинский завод полупроводниковых
приборов
2А519А, 2А519Б
Диоды кр мнисвыс. планарно-эпитаксиальные, огра-
ничительные. Предназначены для применения в усгройсг
вах ограничения и стабилизации СВЧ-мощности, зашиты
входных цепей приемников сантиметрового и дециметрово-
го диапазонов длин волн.Выпускаются в метал.токерамичес
ком корпусе типа КД 108 с жесткими выводами (рис 5.36).
Диод 2А519А маркируется черной точкой на ксрамическо
105
втулке, 2А519Б-зеленой. Положительный вывод со сторо
ны крышки Масса диода ие более 0.1 г. Пример записи ус
ловного обозначения при заказе и в конструкторской локу-
ментации диод С VI 2A5I9A. и1’О.360.013 ГУ.
Вывод 1
Вывод!
Рис. 5.36
Рис 5 38. Зона возможных положений тависимостсй: сопро-
тивления диода при высоком уровне мощности oi прямого тока
для 2A5I9A (а) и 2А519Б (б)
Электрические параметры
Обшая емкость (IJ^, 0)	0,5. .0,7* ..0,9 пФ
Сопротивление диода при высоком
уровне СВЧ-мошности (I 100 мА) не более 2,2 Ом
Сопротивление диода при низком
уровне СВЧ мощности
(I =100 мА, Р 1 мВт, f 9,4 ГГп)
при Т -60...+25 С	нс более 20 Ом
Т“+125СС	нс более 25 Ом
Накопленный заряд (I = 100 мА) не более 8 нКл
Время обратного восстановления не более 200* мкс
Емкость корпуса
Индуктивность диода
0.2...0,3 пФ
0,7* нГц
Предельные эксплуатационные тайные
Постоянное обратное напряжение	10 В
Постоянный прямой ток	100 мА
Значение допустимого статического потенциала 500 В
Непрерывная рассеиваемая мощноеib при
Гк от -60 до +80‘С	0,3 Вт
Тк=+125"С	0,1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при
tH< 1 мкс, Q £ 1000,Тк от -60 до +80‘С	30 Вг
Т т 125"С	10 Вг
Температура перехода	+150 С
Температура окружающей	среды	60...Тк + 125°С
Минимальная наработка	10000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Изготовитель НПО Ишстра , г.Минск.
2А520А, КА520А, КА520Б
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, нерсклк Дательные
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
структура типа р i-н. Прсднюначепы для применения в
коммутационных устройс т пах, модуляторах,фазовращателяг
и аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазо
нов длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпу
се типа КД-105 с жесткими выводами. Габаритный чертеж
соответствует прибору 2А5О7 (рис.5.12). Диод 2А52П
маркируется черной и красной точками. КЛ520А-черноц.
красной и зеленой, КА520Б желтой, красной и зеленой
Положите и.ттый вывод - со стороны крышки. Ма< а тиола не
более 1,3 т. Пример записи условного обозначения при заказе
и в конструкторски) документации. диод СВЧ 2А520А.
ГГЗ.360.081 ТУ. КА52ОА, аАО.362.000 ТУ.
Электрические параметры
Общая емкость диода	0,4...0,65*...1.0 пФ
Прямое сопротивление .по герь (1пр=10° мЛ>,и™=4 11 ’О при Т»+25‘С	2А520Л.КА520А	нс бо тее 2 Ом
КА52ОБ	ие более .3 Ом
1 6О...+ 125“С	2А520А.КА520А	ие более 2,3 Ом
КА520Б	пе бо тее 3.3 Ом
Критическая частота (I 100 MA,fmu 4 ГГц) при Г +25°С	2А520А.КА520А	200 300* 470* ГГп
КА520Б	нс менее 150 ГГц
Т=-60...+ 125°С 2А52ОА.КА52ОА	нс менее 170 11 и
КА52ОБ	не менее 150 11ц
Накопленный заряд (1|1г 100 мА)	не более 300 нКл
Пробивное напряжение (1, = КЮ мА) 2А520а1<Л52()А	800. ЛООС* ..11 0* В
КА520Б	нс менее 600 В
Емкость корпуса	0,3 .0,45 пФ
Индуктивность диода	не более 0,5 иГн
Ри 37. Зависимости прямого т >ка от температуры корпуса (а),
обратного тока от температуры корпуса (б), обшей емкте и от
температуры корпуса (в)
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	300 В
Мгновенное обратное напряжение	750 В
Постоянный прямой ток	200 мА
Значение допустимого статического потенциала 1000 В
Непрерывная рассеиваемая мощность при
1К 6О...+35’С	4,0 Вт
Т, -г 125’С	1.3 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
106
(ти-1 мкс) при Т -60... t-35 С
Тк । 12 5* С
Гемпсратура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
10 кВт
3,2 кВт
-60, I k -1125‘С
15 0(0 ч
25 тег
Примечание: При Гк=*-35... т-125 максимально
допустимые непрерывная и импульсная рассеиваемые
мощности изменяются линейно.
Рис 5.39 Зона ноэможиых положений зависимостей: накопленно-
го наряда от тока прямого смешения (а), прямого сомро(пиления
потерь от тока прямого смещения (б), обратного сопротивления
потерь от напряжения обратного смешения (в)
Рис 5 40 Зависимость предельной импульсной рассеиваемой
мощности от длительности импульса
Изготовитель- Завод при НИИ "Сапфир”, г. Москва.
2А522А-2, 2А522А-5, КА522А-2, КА522Б-2
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные, огра
ппчительные. Предназначены ьтя применения в устройств-
ах ограничения и стабилизации ГВЧ-мощпосги, защиты
входных цепей приемников сантиметровою и дециметрово-
го диапазонов длин волн в составе тибридных интегральных
микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту прибо-
ров от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых три-
бов, инея и росы, пониженного и повышенного давления
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выво-
дами на кристаллодсржатстс (рис 5.41) Гии прибора при
ютится на этикетке. Масса прибора не б< тее 0,004 г (0.001-
2А522А-5). Пример записи условного обозначения при зака-
зе и в конструкторской документации- диод СВЧ 2А522А 2,
ТГ0.360.010 ТУ; диод СВЧ КА522А2, аАО.336 324: ТУ: 'uul
)лек трические параметры
Общая см кост ь (Urf =0)
2А522А 2.ЙА522А-2
КА522Б-2
2А522А-5
Дифференциальное сопротивление
(1 =100 мА) 2А522А-2,КА522А 2
КА522Б-2
Сопротивление при низком уровне
СВЧ-мощност и (flnM 4 ГГц) при
Т=-60 .. » 25‘С 2А522А-2.КА522А 2
КА522Б-2
Т 1 125 С 2А522А2
Пакотгтенньй заряд (1|т 50 мА)
Нормируемое постоянное обратное
напряжение (I,. -10 мкА)
2А522А-2
0,35...0.55*...0,75 пФ
0.1. 1,0 пФ
0,2.. 0,4*...0,6 пФ
не более 1,8 Ом
не более 2,0 Ом
не более 12 Ом
не более 20 Ом
не бо.т’е 17 Ом
нс более 10 пКл
не менее 70 В
КА522А-2	5...37,5*.. 70 В
КА522Б 2	5... 100 В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при
Т=-60 . । 85‘С	5 В
Т=+125‘С	ЗВ
Постоянный прямой ток при
Т=-60 .(85‘С	100 мА
Г=» 125‘С	50 мА
Значение допустимого статического потенциала 10 В
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Г=-60..+35'С	0,3 мВт
1 = 1125 С.	0,08 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH < 1 мкс, f < 1 кГц) при
^=-60 ( 85‘С	40 мВт
т“”=+125’С	8 мВт
Температура окружающей среды	-60...+125”С
Минимальная наработка	10000 ч
Срок сохраняемости	25 лег
Примечание При Т=+85.. +125’С максимально
допустимые обратное напряжение и прямой ток снижаются
тинейно; при Т- ь35 .. +125°С рассеиваемые импульсная и
непрерывная мощности так же снижаются линейно.
Ррас. и. rnctx t Вт
30			1-Т=<-25°С
			2-Т^125°С
Рис 5 42. Зависимость предельной					7
импульсной рассеиваемой мош- Ю			
пости от длительности импульса			2
0	2 4		мкс
107
Изготовитель Завод при НИИ "Сапфир”, г Москва.
2А523А-4, 2AS23B-4
режиме в составе ГС (I <50 мА,
1’^ т„< 0,02 Вт, 1 от -бТ) дот50'С)
Срок сохраняемости в составе ГС
60000 ч
25 лет
Диоды кремниевые, диффузионные, переключательные.
Рабочим элементом диола является полупроводниковая
структура типа p-i-n Предназначены для применения в
пепеключающнх устройсвах дециметрового и сан гп метро -
вого диапазонов длин волн в составе гибридных интеграль-
ных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту
приборов от воздействия влаги, соляною тумана, плесневых
грибов, инея и росы, пониженною и повышенного давле-
ния Выпускаются в бескорпусном исполнении с жесткими
выводами на кристаллодержагелс с защитным покрытием
(рис.5.43). Маркируются: 2А523А-4-олной черной точкой у
положительною электрода; 2А523Б-4-двумя черными точка-
ми Масса диода нс более 0.15 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации'
диод СВЧ 2А523Д 4,1 РО 336 018 ГУ	\
Примечание I При монтаже и в условиях эксплуатацит
сжимающее усилие на диол нс должно превышать 19,6 II. 2.
Допускается применять диоды при постоянных обратных
напряжениях, меньших 40 В, при амплитуде напряжения
СВЧ не более 20В 3. При Г +25 Н25'С максимально
допустимая непрерывная рассеиваемая мощность изменя-
ется линейно. 4. По Дополнению 2 к ГУ диоды поставляют-
ся без отраничения по времени переключения с нормой
накопленной заряда не менее 100 нК т (1пр SOmA.IJ^ 100 В.
I +25 С); диоды дополнительно маркируются красной
точкой.
Вывод 1
Вывод 2
Рис 5 43
Электрические параметрь
Общая емкость диода (Urfp 100 В)
2Л523А-4
2А523Б-4
Прямое сопротивление потерь
(!то=50 мА)
Критическая частота
(1^=50 MA,U^ 100 В) при
Т +25С
Т- 60и+125°С
Накопленный заряд
(I -50 мА, U. 100 В)
Время обратного восстановления
(Im 100 мА R, 150 Ом.и^ 50 В)
Пробивное напряжение при
I. =30 мкА 2А523А-4
wp
2А523Б 4
I . =50 мкА 2А523А-4
2А523Б-4
0,9 .1,5 пФ
1,0.2,0 пФ
не более 0,5 Ом
не менее 200 ГГц
не менее 170 II ц
не более 220 нКл
не более 1,5 мкс
не менее 500 В
нс менее 600 В
не менее 700 В
нс менее 800 В
Рис 5.44 Зависимости: прямою сопротивления потерь ог тока
прямою смешения (а), обратного сопротивления потерь в
параллельной схеме от напряжения обратною смещения (б),
теплового сопротивления переход корпус от длительности
импульса (в)
Предельные эксплуатационные данные
Рис 5 4S Зона возможных положений зависимостей накопление
го заряла от тока прямого смещения
Постоянное обратное напряжение
Постоянный прямой ток
Постоянная рассеиваемая мощность при
Тд=-60...+25'С
I, + 125-С
Импульсная рассеиваемая мощность
(£- ЗООмкс, Q > 5)
Тепловое сопротивление переход-
корпус, не более
1емпсратура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Минимальная наработка в облегченном
40 200 В
300 мА
20 Вт
7 Вт
100 Вт
4,5'С/Вг
-60. ,Тд-125 С
25000 ч
Изготовитель: Зомичипский запои но.
приборов
2А524А-4, 2А524Б-4
Диоды кремниевые, диффузионные, псрскпючатстьныс
Рабочим элементом днола является потупроводникова»
структура типа р т и Предназначены для применения в
переключающих устройствах, модутяторах.фазоврашатслях,
аттенюаторах дециметрового и сантиметрового диапазонов
длин both в составе тибридных интегральных микросхем
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов о
108
воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея
и росы, пониженного н повышенного давления. Выпускают-
ся в бескорпусном исполнении с жесткими выводами на
кристаллодержателе с зашитым покрытием. Габаритный
чертеж соответствует прибору 2AS23A-4 (рис.5 43). I ин дио-
да приводится на полиэтиленцсллофановой ленте. Марки-
руются: 2А524А-4-ОДПОЙ красной точкой у положительного
т.тсктрода; 2А524Ь 4 цву.мя красными точками Масса ди
о.та не более 0,15 г. Пример танит и условного обозначения
при заказе и в конструкторской документации: диод СВЧ
2А524А 4. ГРО.336.019 1У
Электрические параметры
Общая емкость диода (11^=100 В)		
2А524А 4	0,7	...1,2 пФ
2А524Б-4	0,5	. .0,8 нФ
Прямое сопротивление потерь		
150мА) Критическая частота, при	нс	более 0,5 Ом
1 =150 мА. Р„ =3 кВт, U. 100 В ’ ПД	v wp	ИС	менее 40* ГГп
I =150 мА, Г’ “30мВт, U . 30 В. •р	’ лд	_	«ч>р при	Г -60... г2э’С	Пс	менее 200 ГГц
Т=+ 125'С	не	менее 160 1 1ц
Накопленный заряд		
11 150 .мА.U . 100 В) Время обратного восстановления	нс	более 400 нКз
I 150 мА, R =150 Ом,О . -100 В) пр	* г	’ сюр Пробивное напряжение при	ПС	более 1,5 мкс
1^ 100 мкА	2А524А 4 2А5241 >-4	не	менее 400 В
	пе-	менее 300 В
1. 150 мкА	2А.524А 4 2A524I.-4	нс	менее 600 В
	нс	менее 500 В
Предельные эксплуатационные данные
1’ис 5.47 Зависимости: прямого сопротивления потерь от тока
прямого смешения (а), обратного сопротивления потерь от нм
пульсиойпадающей СВЧ-мошности при U 30 В (6). обратного
сопрогнвзения потерь от импульсной налаюГдей СВЧ-мощности
ПРИ ’	16<1 В (в), обратного осиротив теш я потерт от им (улье
ной падающей СВЧ-мощности при I - 200 В (г), предельной
импульсной падающей СВЧ-мошности от температурн (д)
Постоянное обратное напряжение
Постоянный прямой ток
Постоянная рассеиваемая мощность при
I -60...+85С
1 +125'С
Импульсная коммутируемая мощность при
11^ =100 В в параллельной схеме с
W=50 Ом и Т=-6О. +85"С
1смпсратура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Срок сохраняемости в составе ГС
30.. 100 В
50. .1000 мА
1.5 Вт
1 Вт
3 кВт
-60...+125’С
25000 ч
25 лет
Примечание. : 1. При монтаже и в условиях эксплуатации
сжимающее усилие па диод не должно превышать 16,5 Н.
2 11риТ=+85.. + 125 С максимально допустимая непрерывная
рассеиваемая мощность изменяется (ипейно
Гобр^Ом	О^.нКл
0 40 80 120 Uogo,B 0	75 150 225 1пР1мЛ
Гис.5.46 Зона возможных положений мвисимосгей: обратного
сопротивления потерь от напряжения обратного смешения (и),
накошенного заряда от тока прямого смешения (6)
Изготовитель Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
2А526А-5
Диоды кремниевые, повсрхиосгно-орйситированпые,
переключательные. Рабочим элементом диода является
полупроводниковая структура типа р-1-n. Предпазначсныдля
применения в переключающих устройствах, модуляторах,
фазовращателях, аттенюаторах дециметрового диапазона длин
волн в составе гибридных интегральных микросхем,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воз-
действия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и
росы, пониженного и повышенного давления. Выпускаются
в бескорпусном исполнении с жесткими выводами без
кристаллодсржателя без выводов (рис.5.48) Тип диода
приводится на вкладыше Масса дио та нс более 0,004 г. При
мер записи условного обозначения при заказе и в конструк-
торской документации: диод СВЧ 2А526А-5 ГР3.362.112ТУ.
Рис. 5.48
109
'). и к фические парамо ipi.i
Емкость сфуктуры
Прямое сопротивчепис нозерз»
(1„р= 30 мА)
Критическая частота
(I	30 мА,U	10 В) при
1 =-60.4 25 С
Т=+125’С
Накопленный заряд (I 30 мА)
Пробивное напряжение (Irfp 1 мА)
Нормированное носзоянное
образное напряжение (1^ 1 мА)
0,06*...0,0X3*.,.0,1 пФ
1,5*...2,1 *...2,5 Ом
35...50*...70* ГГц
не менее 27 ГГц
8*...15*...30 нКз
не менее 45 В
нс менее 40 В
Предельные эксп уаз'аиионпые данные
Постоянное обратное напряжение
Постоянный прямой зок
Постоянная рассеиваемая мощность при
1 -6О...ЗХ5‘С
Т=+125’С
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе IС
Срок сохраняемое! и в составе ГС
15 В
100 мА
0,1 Вз
0,08 Вт
-6О...+ 125"С
25 000 ч
25 лез
Примечание При Г= • Х5... + 125'С максимально
допустимая непрерывная рассеиваемая мощность изменя-
ется линейно.
0 2	4	6 UdSb, В
Рис.5 49 Зависимости прямой* сопротивления потерь от тока
прямого смешения (а), обратною сопротивления потерь в после-
довательной схеме от напряжения образного смешения (б)
Гпр 9 См
Рис.5.50. Зона возможных положений авнепмостей: образного
сопротивления iioiepi. в пос зед< каи-лызой схеме от уровня
МОШ1ЮС1И (а), накопленного заря за оз гока прямого смещения
(б), прямого сопрозявления и мерь от температуры (в), обратн-
ого сопротивления iioiepi. в пос.1елоз<атслЫ1ой схеме от темпе-
ратуры (г)
Изготовитель. Гомилинскии завод полупроводниковых
приборов
2А528А-4, 2А528Б-4, КА528АМ-4, КА528БМ-4,
КА528ВМ-4
Диоды кремниевые, диффузионные. переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
структура тина p-i-n Ире им з зачены для применения з
переключающих ycrpoiiviiiax, молу зяторах.фазовращателях.
аттенюаторах дециметрового и сантиметрового диапазонов
длин волн в составе гибрзздиых miicip ьных микросхем,
обеспечивающих гсрмсгизишзо и защиту приборов от воз-
действия плаз и, соляного гуманзз, плесневых зрибов, инея и
росы, пониженного и повышенного давления. Выпускаются
в бескорпусном исполнении с жесткими выводами на кристал-
зодержазе зс (рис.5.51) 1 ин тиола приводится на полиэтилен-
целлофановой лсигс. Маркнруюзся точкой у ноложизель-
кого электрода’ 2А52ХА-4 черной точкой, 2А52ХБ4-двумя
черными точками. Масса диода не Гм лее 0,5 г.Пример запзз
сн условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации диод СВЧ 2А52ХА-4, аАО.339 009 ТУ; диод
СВЧ КА52ХАМ-4, аЛО,336.320 [У.
Рис. 5.51
Вывод 1
Вывод 2
9тектрические параметры
Общая емкость диода (11^=100 В)
2А52ХА 4
КЛ528АМ 4
2Л52ХЬ-4,КА52Х1.М 4
КА52ХВМ-4
Прямое сопротивление ногерз.
(1^=100 мА) 2А528Л-4,2Л52ХЬ 4,
KA528AM-4.KA52XI М 4
КА528ВМ
Критическая частота нрзз низком
уровне Мощности (I 100 мА,
1’га 30мВт, U*r ИмГв. Л 10 см)
1,Х...2,4 пФ
1,4...2,4 пФ
2,2. 3,0 пФ
не более 3,5 пФ
не более 0,5 Ом
не более 0,7 Ом
!»>» - I цкп
•I |  /Kqrl
ПО
2А528А 4 2А528Б-4, КА528АМ 4.КА528БМ-4 КА528ВМ-4	не менее 200 ГГц
	не менее 40 ГГц
Критическая частота при высоком уровне мощности Рипд 4 кВ1) 2А>28А-4 2А528Б-4	нс мснсс 100 ГГц
Накопленный заряд (1	150 мА и 11^=100 В) 2А528А 3,2А528Б-4, КА528АМ 4,КАз28БМ 4	не более 900 нКл
КА528ВМ-4	нс более 1500 нКл
Пробивное напряжение (I . 100 мкА) 2А528А 4,2А 28Б 4 , КА528АМ 4.КА528БМ 4 нс менее 1000 В	
КА528ВМ	не менее 600 В
llpeie 1ь»ыс эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение
Наибольшее СВЧ-напряжение (I = 200 В)
Постоянный прямой ток
Постоянная рассеиваемая мощность при
Тк 60.. +25‘С
Гк 125’С
Импульсная рассеиваемая мощность при
Тк 185'С
Тк +25'С
Тепловое coiipoi пиление переход-корпус
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Срок сохраняемости в составе ГС
5O...25O В
800 В
5O...5OO мЛ
50 Вт
17 Вт
200 Вт
1500 Вт
2С/Вт
-60...+125°С
2.5000 ч
25 лет
П р и м е ч а и и е . 11ри мои |аже и в условиях эксплуатации
сжимающее усилие вдоль продольной оси диода не должно
превышав 19.8 Н. скручивающего момента не более 4,4 II м,
изгибающего момента не бо. ее 1,96 Н.
Риг. < S3 Зяпнслмости- обратного сопрогивчення потерь в
параллельной схеме от наг ряжения обратного смешения (а),
прямого сопротивления потерь от гока прямою мешения (б),
критическ >ii частоты при высоком уровне СВЧ мощности от
температуры (в), кршической частоты от импульсной рассе-
иваемой СВЧ мощности (г)
Рис 5.53 Зона возможных положений зависимостей накопленно-
го заряда от тока прямого смещения
Изготовитель- Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
3A531A-6
Диоды арсснидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные,
с барьером Шоттки, переключательные Предназначены для
применения в переключающих устройствах, сантиметрового
диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных
микросхем, обеспечивающих гермети цию и защиту прибо-
ров от воздействия влаш, соляного умана плесневых гри-
бов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорнусном исполнении с жесткими выво-
дами. Габаритный чертеж соответствует прибору ЗА117А-6
(рис. 1.31). Тип диода приводится на полиэтиленцеллофа-
новой >енге. На основании положительной площадки ставит-
ся синяя точка 1 < тубая точка у основания другой контакт-
ной площадки обозначает тип диода. Масса диода не более
0,01 г. Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ 3A531A-6,
aAO.339.O19 ТУ.
Электрические параметрь!
Общая емкость диода (IJrf,p=5 В)
Прямое сопротивление потерь
(1^=10 мА)
Критическая.частота при
I 10 мА, U. =5 В
Т=<25’С
Г=-60...+125”С
I 30 мА, Urf,p=5 В
Йакопленньп заряд (I^ 10 мА)
Обратное'сопротивленис потерь
(Бобр 5 В)
Реактивное сопротивление (U . =5 В)
Пробивное напряжештс (1^р 10 мкА)
Индуктивность диода
0,15...0,2* 0,3 пФ
15*. 20* .30 Ом
150...180*...220* ГГи
не менее 120 ГГц
120*. .150* ..180* ГГц
не более 3 нКл
1,2...1,9* -2,2 Ом
5...20 Ом
не менее 12 В
1,5* 1,8* 2* нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение
при Т -+25°С	Ю В
Т-+125”С	5 В
Постоянный прямой ГОК при
Т=+25°С	30	мА
Г=+125’С	Ю	мА
Постоянная рассеиваемая мощность
при Т=+25°С	50	мВт
Т -+85‘С	30	мВт
Т=+125”С	15	мВт
Импульсная падающая мощность
(Ц* 100 В) Г= 125°С	100 мВт
Т=+125’С	20 мВт
111
Значение допустимого
статического потенциала	100 В
Тепловое сопротивление
переход среда	200. 300* .5004’/Вз
Температура окружающей среды <0..+12( С
Минимальная наработка в составе I С 25ОО0 ч
Срок сохраняемости в составе ГС 25 лет
II р и м с ч а и и с При 1• 25 I 125“С максимально
допустимое обратное напряжение, прямой ток. непрерывная
и импульсная рассеиваемые мощности изменяются линейно.
Гв6р *
^пр> Ом
О 2 4 6 иоер,в
2А532А, 2А532А-5, КА532А
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные
Предназначены для применения в коммугационпых устрой-
ствах, модуляторах, фа «вращателях и аттенюаторах сантп
метрового и децимсгроиого диапазонов длин волн в водно
водном и коаксиа тьном исполнении, а также в составе
гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих
гермети запито и защиту приборов от воздействия влаги
соляною тумана, плесневых тфрбов, инея и росы, пониженно-
го и повышенного давления Выпускаются и металлокера-
мическом корпусе тина КД 126сжссзкими выводами (рис.5 55)
и в бескорпусном исполнении в титле кристалла с контактны
ми и лошадками без криста подержатсля и выводов (рис 5.56)
I ин пиша приводится па вкладыше в упаковку. Поло
жительниц вывод-со стороны крышки. Масса диода нс более
0,2 т Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ 2Л532А,
аАО.339.035 ГУ. диод СВЧ КА532А, аАО 336 264 ГУ‘ диод
СВЧ 2А532А-5, аАО.336.264 ГУ
Рис. 5.54. Зона возможных положений тависимосгей: критической
частоты (а) обратного сопротивления потерь (б) от напряжения
обратного смешения; прямого сопротивления потерь от тока
прямого смешения (в); обратного сопротивления потерь (г),
прямого сопротивления потерь (д), критической частоты (е) от
те Ксратуры; критической частоты от пепрерыв той падающей
СВЧ-мошности (ж)
Ипспопигель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
(.тектрическис параметры
Общая емкость дисша (U 100 В) не более 0,9 пФ
Емкость структуры
(и.4=Н0° В) 2А532А-5
Прямое сопротивление потерь
(I • 100 мА)
пр
Критическая частота при
(1^=100 мА, 11	100 В) при
Г +254'
Г-60 и 112543
0,3*...0,5*...0,9 пФ
0,5*. ..0,7*.. .1 Ом
200...400*...650* ГГц
нс менее 170 11ц
Накопленный зарял (1^=100 мА) 100*... 160*...250 тгК-л
Пробивное напряжение (1«~=10 мА) 300...500*,..700* В
Постоянное прямое напряжение
(1^,= 100 мА) 2А532А 5
1 ептовос сопрел и вленнс
0,8* .0,9* 1 1 В
переход- корпус
Gf кость корпуса
Индуктивность диода
не более 15‘С/Вг
0,25 .0,4 тФ
нс б< лее 0.1 нГн
112
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	150 В
Мгновенное обратносытаиряжение	270 В
Постоянный прямой юк	200 мА
Непрерывная рассеиваемая мощность при
1к -60...' AST	10.0 Вг
т’=+125'С	2.6 Bi
Импульсная рассеиваемая мощность'
(t 1 мкс) при Тк 60 + 35 (	20 кВт
Тк = + 125'С	6.5 кВт
Значение допустимого статического потенциала 200 В
Температура окружающей среды	-60 Г =+125“С
Минимальная наработка	15000 ч
Срок сохраняемости	25 лег
Примечание: I. В лиапа тоне температур корпуса. тиола
+35...+125 С непрерывная и импульсная рассеиваемые
мощности изменяются линейно. 2. Обитая емкость диода в
диапазоне СВЧ не зависит от напряжения смешения 3. Для '
диодов 2А532А 5 допускается кратковременное (по 3 ч)
превышение максимально допустимою прямого тока до
500 мА без превышения максимально допустимой рассеи-
ваемой мощности
1 ис.5 57 Зона возможных no.ioxeinni mkikiimolilti прямого
сопротивления потерь or тока прямою смещения (a) накоплен н<>-
го заряда от тока прямою смешения (6). обратною сонротивле
ния потерь от напряжения обратного смешения (в), прямого
сопротивления потерь от температуры (г)
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир", > Москва
2А533А-3
(рис.5.58) Гин диода приводится на вкладыше Масса диода
не более 0.001 i Пример записи условного обозначения при
заказе и и коне трукторскои докумен тапни: диод СВЧ 2А533А
3, аАО. 339 095 1У
Члекгрическне параметры
li-мкостт. перехода
Прямое сопротивление потерь
(1П1 50 мА) при Г = 60...+ 25С
иоо с
Критическая частота
(1П1=50 мА. П1<р 10 В)
Накопленный заряд
(I 50 мА,U . 10 В)
Время прямого и обратного
восстановления
Пробивное напряжение (Г., 100 мкА)
0.025» 0,035* 0,05 пФ
3* 4». 6 Ом
не более 8 Ом
200. 250» .300* Пц
5* 11*. 15 и К ।
50 250 нс
нс менее 7> В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	70	В
Постоянный прямой ток	100 мА
Непрерывная рассеиваемая мощность	0,1 Вт
Значение допустимого статического потенциала 100 В
Рабочий диапазон частот	0.1 18 ГГц
Температура окружающей среды	60... * 100 С
Минимальная наработка в составе 1 (	25000 ч
Срок сохраняемоегп в составе Г<	25 лет
Примечание Диоды работоспособны во 10 Ml ц с ухуд-
шением параметров.
Диолы кремниевые, планарные поверхносгно-
орнснтированные, переключательные. Рабочим элементом
тиода является полупроводниковая структура mna р i и.
Предназначены дтя применения и переключающих устрой
ствах, модуляторах,аттенюаторах СВЧ диапазона длин во тн
в составе гибридных интегральных микросхем, обеснс
чиваюшиУ герметизацию и защиту приборов от воздействия
влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы,
пониженного и повышенного дав тения. Выпускаются в
бескорпусиом йен ттненип с гибкими балочными выводами
8 СВЧ приборы
ИЗ
Гис 5.59. Зона возможных положений зависимостей: прямого
сопротивления потерь (а), накопленного заряда (б) от тока
прямого смещения; прямою (в) и образного (г) сопротивления
потерь в параллельной схеме от темнеразуры, образного
сопротивления потере, в наралтсльной схеме от напряжения
обратного смещениям
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
2А534А, 2А534Б, КА534А, КА534Б, КА534В
Диолы кремниевые, планарно-эпитаксиальные, огра
ничитслт.пыс. Предназначены для применения в устройствах
ограничения и управления мощностью, зашиты входных
цепей приемников СВЧ-диапазона длин волн. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе типа КД 102 с жёсткими
выводами (рис.5.60). Гин диода приводится па трупповой
таре Положительный вывод - со стороны крышки. Масса
диода не более 0,05 г. Пример записи условною обозначения
при заказе и в конструкторской документации’ диод СВЧ
2A534A.aAO.339 107 ТУ; диод СВЧ КА534А, аАО.336.323 ТУ.
Рис. 5.60
).тектрические параметры
Обитая емкость (11^=0)
2А534А.КА534А
2А534Б.КА5.34Б
КА534В
Дифференциальное сопротивление
(I ЮмА) 2А534А КА534А
2А534Ь,КА.‘ 341>
КЛ534В
Сопротивление диола при низком
уровне мощности (PIU1S 1мВт) при
Г 60...3 25 С 2А534Л,КА534А
2А534Ь,КА5341>
КА534В
Т ' 125‘С 2А534Л,КЛ534А
2А534Б.КЛ534Б
КА534В
Накопленный заряд
(1^ IOmA.U^, 10 В)
2А534А.2Л534В.КА534А КА534Б
K.V34B
Нормируемое обратное напряжение
(I^^IOmkA ) 2Л534А;КЛ534А
0,4 ..0,5* 0,65 пФ
0,35...0,4*...0,5 пФ
0.5..0,7*...0,8 пФ
0,9*...1,1*...1.8 Ом
1,15*...1.4*. .2,5 Ом
1 2*. 1,6’ 2,0 Ом
4*. .5*. .10 Ом
4,5*.. 6,5* ..15 Ом
6* .11*...20 Ом
нс более 15 Ом
не более 20 Ом
нс более 25 Ом
0,22 ..0,5. .1 нКл
нс более 1,5 нКл
30 .70*. 110 В
2А5 34 Б, КА 5 34 К
КА534В
Емкость корпуса
Индуктивность диода
40...90* . 110 В
20 80*.. 120 В
0,18...0,22*...0,26 пФ
0,15*...0,2*....3 иГн
Предельные эксплуагаштонпые данные
Постоянное обратное напряжение при
I от-60 до 4-35‘С 2А534А,2А534Б,
КА534А КА534Б
КА534В
7 =т 125‘С	2А534Л.2А534Б.
КА534А.КА534Б
КА534В
Постоянный прямой ТОК при
Г от -60 до +35‘С 2А534Л,КА534А
2А534Б.КА534Б
КА534В
Т	+ 1254?	2л534А,Кл534А
2А534Б КА534Б
КА534В
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т от 60 до +35 С 2А534А,КЛ534А
2А534Б.КА534Б
КА-534 В
Тк + 125Т	2А 34А.КА534Л
2Л534Б.КА534Б
КА534В
25 В
20 В
15 В
10 В
150 мА
100 мА
120 мА
60 мА
40 мА
50 мА
0,25 Вт
0,15 Вт
0,20 Вт
0,06 Вт
0,03 Вт
0,05 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH < 1 мкс, f > 1 кГц) при Т от -60 до г35‘С 2Л534А,КА534Л	10 Вг
2л534Б,КЛ534Б	6 Вт
КА534В	8 Вт
lt + 125’С	2А5 34Л.КА534А	3 Вт
2А534Б,КА534Б	1,5 Вт
КЛ534В	2 Вт
Значение допустимою статического потенциала	200 В
Температура окружающей среды	-60... 1к + 125’С
Минимальная наработка	25000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Рис.5 61 Ограничительная характеристика диода
го обратною напряжения от температуры
114
Изготовитель: Завод при ПИИ "Сапфир", г. Москва
2А535Л, 2А535Б
Диоды кремниевые, диффузионные, переключательные.
Рабочим .элементом диода является полупроводниковая
структура типа p-i и Предна тначсны для применения в
коммутационных устройствах, модуляторах, фазовращателях
и аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазо-
нов длин волн Выпускаются в металдостеклянном корпусе
с жесткими выводами (рис.5.63). Маркируются красной точ-
кой на торцевой тыоскости шестигранника: 2А535А-одча
точка, 2А535Б-ДИС точки. Масса диода нс более 2.5 г. Пример
тайней условного обозначения при заказе и в конструкторс-
кой документации: диод СВЧ 2А535А. аЛО.339.113 ТУ
Электрические параметры
Обитая емкость листа (U 100 В)
Прямое сопротивление потерь
(I 100 мА, U =100 В, f 2 П и)
3 lip	? cop	IBM
Критическая частота
(1^=100 мА, 100 В. Гом 2Г1ц)
Накопленный заряд (I * 100 мА)
Пробивное напряжение (I 100 мА)
2А5.35А
2А535Б
Время обратного восстановления
Тепловое сопротивление
переход-корнус
Емкость защитной стеклянной
оболочки
Индуктивность диода
3,6. 4,1* 4,5 пФ
0,2* 0 3*...О,5 Ом
100...200* . 270 Г1 ц
500 1100* .2500 нКл
800. 750*... 1000* В
Ю00...1300* 1800* В
не более 7,0* мкс
0,7* .1,0*...1,25”С/Вт
нс более 0,90 пФ
нс более 1.0 нГн
Предельные эксплуатационные тапные
Постоянное обратное напряжение	150 В
Постоянный прямой ток	I А
Значение допустимого статического потенциала 1000 В
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Тк=-60 ,.+25”С	в	режиме прямого смещения 100 Вт
обратного смешения	80 Вт
Тк +100-С
в режиме	прямого смещения	20 Вт
обратного смешения	10 Вг
4емпература окружающей среды	-60.1К=+125 С
Температура на выводах в режиме
прямого смещен ия	150’С
обратного смешения	125 С
Минимальная наработка
Срок сохраняемое™	25 лет
Примечание При Т. т 25...+125 С максимально
допустимая непрерывная рассеиваемая мощность изменяется
линейно.
Рис 5.64. Зона возможных положений зависимостей: прямого (а)
и обрат него (б) сопро тиваенпя потерь от температуры; обратного
сопротивления потерь (в), времени обратного восстановления (г)
от напряжения обратного смещения; прямого сопротивления
потерь (д), накопленного заряда (с) от тока прямого смещения
Рис 5.65. Зависимость теплового сопротивления от длительности
импульса (а), емкости диода от напряжения обратного
смсщспия(б)
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов
2А536А-5, 2А536Б-5, 2А536А-6, 2А536Б-6,
2А536В-6,КАЯ36А-5, КАЯ36Б-5, КА536В-5,
КА536А-6, КА536Б-6, КА536В-6
Диоды кремниевые, .эпитаксиальные, переключательные
Предназначены для применения в персютючаюших устрой-
ствах, модуляторах, аттенюаторах, фазовращателях санти-
метрового диапазонов длин волн в составе гибридных
иигетралытых микросхем, обеспечивающих герметизацию и
защиту приборов от воздействия плати, соляного тумана,
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного
8
Лаплеппя. Выпускаемся в бескорпусном исполнении с
жесткими выводами без криста.икцтержатетя (2А53 А-5
2А536Б-5, КДэЗб'А 5, КА536Б 5, КА536В-5-рис.5.66) и па
кристал.тодсржате те (2А536А-6, 2А536Б-6, КА536А-6,
КА536Б-6, КА536В-6 рис.5.67). Гин диода приводится на
этикетке. Положительный электрод имеет меньшие
размеры Масса диодов 2А536А 5, KA536A-S, нс бо тее
0.0003 г, 2А536Л-6, КА536А-6 -не более 0,02 г Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструкторе
кой документации диод СВЧ 2А536Л-5, aA0.339.116 1У;
диод СВЧ КА536Л-5, аАО 336.322 ТУ.
Рис. 5.66
Электрические параметры
Обппя емкость инода (Urfp 100 В)
2А536А- 5.2А536А 6, КА536Л-5.КА536Л-6 2А5361. 5,2А536Б-6,	0.08...0,16 пФ
КА536Б 5.КА536Б 6	0,12 ..0,2 пФ
2А536В-6	0,08. .0.16 нФ
КА536В-5,КА536В 6	0,10...0,25 цф
Прямое сопротивление потерь (1„г= 100 мА. f 4.3 I Гц)	не более 1,5 Ом
Критическая частота I И 00 мАД U Ю0В) Накопленный заряд (Г = 10 мА)	нс менее 300 ГГц
при	Т=т25‘С "Р	150 нКл
Л -+85 С	250 иКл
Г -60"С	140 нКл
Пробивное и пр жснис (I.	10 мкА)	нс менее 300 В
2А536В-6	нс менее 550 В
КА536В-5.КА536В-6	нс менее 100 В
Тепловое сопротивление переход-корпус	нс более 50*С/Вг
Прететьиые jkci туагдииоииые данные
Рис. 5.67
so о so т°с
1'ис.5.6Х. Зона возможных положений зависимостей: критичес-
кой частоты от тока прямого смещения (а) накопление!о заряда
от тока прямого смешения (б), прямого сопротивления потерь от
тока прямого смешения (в|. прямого сопротивления потерь от
температуры (г), накопленного заряда от температуры (д)
Пос гоя и ное обратное напряжение	150 В
Мгновенное обратное напряжение	270 В
2А536В 6	520 В
КА536В 5.КА536В-6	90 В
Постоянный прямой ток	150 мА
Значение допустимого статического потенциала 30 В
Непрерывная рассеиваемая мощность при
т«„ 60... т35'С	1 Вт
L,,	85‘С	0,5 Вт
Температура окружающей среды	-60...+8542
Минимальная наработка в составе ГС	10000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
Примечание- При 1 --1 35 .т 85 С максимально допустимая
непрерывная рассеиваемая мощность изменяется линейно.
И иотовитель Завод при НИИ "Сапфир", г. Москва
2.А537А, КА537А, КА537Б
Диоды кремниевые, диффузионные, переключательные.
Предназначены для применения в коммутационных
устройствах, модуляторах, аттенюаторах, фазовращателях
сантиметрового, дециметрового и метрового диапазонов
длин волн. Выпускаются и металлокерамическом корпусе
типа К? 16-1 с жесткими выводами и изолированным
теплоотводом (рис.5 69) Гии диода приводится на корпусе
Положительный вывод - срезанный. Масса диода нс более
3,0 г. Пример таписи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ 2А537А,
аАО.339.125 ТУ: диод СВЧ КА537А. аАО.336.304 ТУ.
1 16
Рис 5.69
Вы Зад 1
-Y
Вывод 2
Элек |ричеткие параме тры
Общая емкосп, диода (ПЛр 0 В) Прямое сопротивление потерь	не более 3.0 пФ
(1, 100 мА)	2А537А.КА537А	не более 0.5 Ом
КА5371»	не бочее 1.0 Ом
Кршичсская частот (1п 100 мА, U- 100 В)	2А5з)’л,КА557А	нс мспе'\20(, । I н
KA537I,	пс мспсс 100 ГГц
Накопленный таряд (1 -100 мА) при I = * 25 (	2А537А. КА5 37А	4и0...1000 пКа
КА537Б	200.. 1500 нКл
Г । 125'С	2А537Л.КЛ537А	400. .1500 пК.т
KA537I.	200...2000 нКл
1 -60 С	2А537А КЛ537А	200. .1000 нКл
КА 37Ь	100... И00 нКл
Пробивное напряжение (I 10 мА) 2А537А,'кл537л	ис менее 600 В
КА537Г»	не ме.тсс 300 В
Тепловое сопротивление переход корпус	нс более Х,0 C/Bi
Кмкость корпуса	0,2..0,45 пФ
Индуктивность диода	нс более 2 нГп
Предельные лксплуагапионные цаииыс
Постоянное обратное напряжение	
<	2А537А,Кл537А	300 В
КА5371>	150 В
Мгновенное обратное напряжение	
2A537A.KA.537A	575 В
KAS37I,	250 В
Постоянный прямой ток	500 мА
Значение допустимого статического потенциала Непрерывная рассеиваемая мощность при	1000 В
1	60 г35 С	20 Вт
Тк= । 125 (	4 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность (tB 1 мкс) при Тв 60. .з 3$"С	100 кВт
Тк 1 125 (	20 кВт
Температура окружающей среды	60...Т г 125'С
Минимальная наработка	15000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечание Допускается кратковременный (в течение
0.5 мин) нагрев диода до +200‘С.
/I
I не 5 70 Joiia возможных положений зависимостей прямого
сопротивления потерь oi юка прямого смешения (а), накоплен-
ного заряда ог тока прямого смешения (б), обратного сопро
гивлеиия потерт. в посзедовагельиой схеме от напряжения обрат-
ного смешения (в), прямого сопротивления потерь оттемисратуры
(Г),накопленногозарялаоттем11ературь1(л1 критической частоты
от температуры (е
Изготовитель: Завод при НИИ Сапфир'', г. Москва
2А540А-5, 2А540Б-Я, 2А540В-Я
Диоды кремниевые, диффузионные. переключательные
Рабочим элементом диода явтяегся полупроводниковая
структура типа р т и. Предназначены для применения в пере
ключа ютцих устройствах, модуляторах, фазовращателях,
аттенюаторах дециметрового и сантиметровою диапазонов
длин both в составе гибридных интегральных микросхем,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воз-
действия влаги. соляного тумана, плесневых грибов, инея и
росы, пониженного и повышенного давления Выпускаются
в бескорнусном исполнении с жесткими выводами без
крисгаллодержатечя (рис 5 71). Тип диода приводится на
вкладыше. Масса диода нс более 0,0001 г. Пример записи
условного обозначения при заказе и в коне 1рукторской
документации: диод СВЧ 2А54ОА-5, аАО.339.1X7 ТУ.
117
8ывод2
Вывод 1
Вывод! , I
Рис. 5.71
Элек грнчсскис Пираме тры
Общая емкость .тола
Прямое сопротивление потерь
(1„р 50 мА f 1 ГГц) 2А540А-5
2А54ОБ 5
2Л54ОВ 5
Критическая частота
(1^ 50 мА,11^ 10 В. f 4 ГГц)
Обратное сопротивление потерь
(Urf,p=10 В, f 4 1Гц)
Накопленный заряд
(I 50 мА.11 - 10 В) 2А540Л-5
2А540Б-5
2Л54ОВ 5
Пробивное напряжение (1^ 10 мкА)
Постоянное прямое напряжение
(I 50 мА) 2А540А-5
2Л540Б-5.2Л540В-5
0.026*...0.04*...0.05 пФ
1.3* .1.6* 2.0 Ом
1.3* .1,85*...2,5 Ом
1.3* 1,7* 2,2 Ом
300...400*...500* ГГц
10...15*...20* кОм
3( *.. 60*...80 нКл
30*.. 40* 50 нК.1
30*...60*...75 нКл
200...500...200 В
не более 0,96 В
нс более 0,98 В
I’nc.5.72. Зона возможных rxvioxeinirt Зависим ялей: прямого
сопротивления iioiepi. 01 leMitepaiypu (a); oGpairoro сопро
шипения потерь or гемперлтурн (6)-. критической частоты от
tCMiiepatypu (к): прямого conpoi пн ichiih iioiepi. 01 гока прямою
смещения (г) обратного сопроппшепия потерь от напряжения
обратного < {етпеппи (л)
Предельные эксплуатационные .таппые
Постоянное обратное напряжение	100 В
Постоянный прямой ток	150 мА
Значение допустимого статического потенциала 200 В
Постоянная рассеиваемая мощность при
Тк •60...+851С	0,5 Вт
Т*=+125"С	0,25 Bi
Температура окружающей среды	-60.. > 125°С
Минимальная наработка в составе ГС	25000 ч
Минимальная наработка в составе ГС
в облегтенном режиме (В^^^ 0,25 Вт,
1 от 10 до +60"С)	40000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
Рис.5.71. Зависимое!к накопленного таряла от прямого тока
Итготовшель. 1омитиискип завод полупроводниковых
приборов
Примечание При Тк
мощность снижается линейно.
+85. ,+ I25JC рассеиваемая
2А541А-6, 2А541В-6, КА541А-6, КА541Б-6
Диоды кремниевые, 'ититаксиа питые, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих
устройствах. модуляторах, аттснюа горах СВЧ-диапазонадлин
волн в составе гибридных интегральных микросхем, обес-
печивающих герметизацию и танину приборов от воздейст-
вия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы,
пониженного и повышенного давления. Выпускаются в бес-
корпусном исполнении на крио ы юдержателе (керами-
ческом основании) без выводов (рис 5.74). Гни диода три-
води тся па этикетке Маркируются белой точкой у отри
нательного вывода. Масса .диодов не ботсс 0,2 г. Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструкторс-
кой документации: диол СВЧ 2А541А-6, аА0.339 192 ТУ',
диод СВЧ КА541А 6, аАО 336.394 1У.
118
Рис. 5.74
сопротивления потерь от тока прямого смещения (а), накоплен-
ного тарята от тока прямого смешения (б), обратного сопро-
тивления потерь от напряжения обратного смешения (в), накоп-
ленного эарят от температуры (г)
7 тектрнчсскне параметры
Общая емкость диола (U-, 100 В)
2А541Л-6,КА541Л 6
2л541Б-6,КЛ541Б-6
Прямое сопротивление noiepb при
1	100 мА
пр
10 .мл
Критическая ча ина
(1„„=100 мА, 11^ 100 В)
Накопленный шряд (I, 100 мА)
при Г=+25"С
I =4 125 С
Г--60Ч'
Пробивное напряжение (IVp = 10 мкА)
Тепловое соиротивпение
переход-корпус
0,15 ..0,22 пФ
0,18—0,25 пФ
пс более 1,3 Ом
не бочес 3,0 Ом
пе менее 400 ГГп
60... 150 нКл
60 .200 нКл
60... 150 нК.т
пс менее 300 В
не более ЗОО’С./Вт
Изготовитель- Завод при ПИИ "Сапфир", г. Москва.
2А542А, КА542А, КА542Б
Предельные эксплуатационные танные
Постоянное обратос напряжение
Мгновенное обратное напряжение
Постоянный прямой ток
Непрерывная рассеиваемая .мощность при
-60..4 3 С
Н25Г
Импульсная рассеиваемая мощность при
1^-60. 135С
-4-125’С
Значение допустимого статическою потенциала
Температура окружающей среды
Минимальная наработка п составе ГС
Срок сохраняемости в составе ГС
150 В
270 В
150 мА
0.5 Вт
0,15 Вт
0,5 кВт
0,15 кВт
1000 В
-60. .4-125’С
10000 ч
25 >ет
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Предназначены для применения в коммутационных
устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах
СВЧ-диана з ига длин волн. Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе тина КД-105 с жесткими выводами.
Габаритный чертеж соответствует прибору 2А507 (рис.5.12).
Гии диода обозначается: 2А542А двумя черными, одной
красной точками, КА542А двумя черными, одной красной
и одной зеленой точками КА542Б двумя черными и двумя
красными точками на корпусе прибора. Положительный
вывод - со стороны крышки. Масса диода не более 0,5 г.
Пример записи условною обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ 2А542А,
аАО.339.238 ТУ; диод СВЧ КА542А, аАО.336.423 ЗУ.
Элек три теекие параметры
Примечание. 1 Для повышения быс|родейстпия
радиотехнических устройств на псрсклю<1а тельных диодах
рекомендуется использовать импульс обратного напряже-
ния, создающий переходной обратный птк с амплитудой не
более 1,75 А. 2. При Г г 35... ь85 С.максимально допустимые
непрерывная и импульсная рассеиваемые мощности
изменяются линейно.
Общая емкость диода (11^= О В) 0,5. 1 нФ
Прямое сопротивление потерь
(1^= 100 мА)	ие более 1,7 Ом
Критическая частота
(1гт ЮОмА.О^ 100В)	не менее 250 ГГц
Накопленный заряд (1^, 100 мА) при
Т=-60... I 25’С	300 пКл
3=4-125'С	2А542А	400 и Кл
КА542А,КА542Б 500 нКл
Пробивное напряжение (I. =-100 мА)
2А "42А.КА542А не менее 1100 В
КА542Б
Зепловое сопротивление
структура-корпус
Емкость корпуса
Индуктивность диода
не менее 700 В
30’С/Вт
0,25...0,4 пФ
пе более 0,5 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	400 В
Мгновенное обратное напряжение
2А542А КА542А	1000 В
КА542Б	600 В
Постоянный прямой ток	200 мА
Допустимое значение статического потенциала 500 В
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Тк 60.. +35’С	4,0 Вт
Тк=Ы25’С	1,3 Вт
119
Импульсная рассеиваемая мощность при
tH 1 мкс и Q й 1000 при
Г=-6О...т35‘С	10 кВт
Г* + 125'С	3 кВг
1емпсратура окружающей среды	-60...Т/ +125"С
Минимальная наработка	15000 ч
Минима.п>ная наработка в облетчептюм режиме
при 0,5 по мощности и 0.7 по току и напря-
жению от предельно допустимых значений	25000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечание: В диапазоне температур корпуса диода +35.
 125 С непрерывная п импульсная рассеиваемые мощности
изменяются линейно.
Рис.5.76. Зона возможных положений зависимостей: прямого
сопротивления потерь от тока прямого смещения (а), накоплен
ною заряда от тока прямого смещения (б), обратного сопро
тивления потерь от напряжения о «ратного смещения (в),
критической частоты от темверазуры (г)
Рис.5 77. Зависимость предельной нмпузьсиой рассеиваемой
мощности от длительности импульса
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир", г. Моек»а.
2А543А-5, 2А543А-6, 2А543Б-6, КА543А-5,
КА543А-6
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
структура типа р i п. Предназначены для применения в
переключающих устройствах, фазовращателях, модуляторах,
аттенюаторах СВЧ-диапазона длин воли в составе гибрид-
ных интегральных микросхем, обеспечивающих герметиза-
цию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного
тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и
повышенного давления. Выпускаются в бескорнусном ис
по тении с контактными площадками без выводов (2А543А-5,
КА543А-5 -рис.5.78) и на металлических (2А543А-6, КА543А-
6 - рис.5.79) и керамических (2Л543Б-6 - рис.5.73) держателях
с жесткими выводами. Гип диода приводится на этикетке.
Масса диодов не более: 2А543Л-5 - 0,03 г, 2А543А-6 - 0,015
т, 2Л543Б-6 - 0,01 г. Пример записи условного обозначения
при заказе и в конструкторской документации: чйод СВЧ
2А543А-5, aA0.339.278 1У: диод СВЧ КА543Л-5, aA0.336.486
Вь вод'
Вывод?
) тектричеекие параметры
Общая емкость диода (Urfp-20 В)
2А543А-5.2А543А 6,
КА543А-5.КА543А-6
2А543Б-6
Прямое сопротивление потерь при
U 5 мЛ
I 10 мА
пр
Критическая частота
(I.,/ > мА. 11^=20 В)
Накопленный заряд (1^ 5 мА)
Пробивное напряжение 10 мкА)
Постоянное прямое напряжение
(1Г1)=5 мА) при I »+25...+125’С
1 -60’С
Время переключения
(1-10 мА, U, -10 В)
'пр	’ сюр
Тепловое сопротивление
структура- корпус
2Л543А-5,2А543А-6,
КЛ543А 5.КА543А-6
2А543Б-6
Последовательная индуктивность
0.12...0.15*...0.19 нФ
0,15...0,19*. 0,22 пФ
не более 1,5 Ом
не более 1,2 Ом
нс менее 300 I Гц
С,5..1.5* . 3 нКл
не менее 100 В
0,75*...0,8*...0,9 В
нс более 1,2 В
не более 40 нс
нс ботсе 120’С/Вт
пс ботсе ЗОО’С/Вт
не более 0.7 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение
Мгновенное обратное напряжение
Постоянный прямой ток
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Ттсн= -60...+35 С
ГХ1, + 125’С
Импульсная рассеиваемая мощность при
Т -60 . +35’С
осн
^„=+125’С
Значение допустимого статического потенциала
2А543Л 5.2А543А S.KA543A 5.КА543А 6
2А543Б-6
Рабочий диапазон частот
Температура окружающей среды
50 В
80 В
30 мА
0,5 Вт
0,1 Вт
0,5 кВт
0,1 кВт
30 В
200 В
0,3 - 18 ГГц
-60... т 125’С
120
Минимальная наработка в составе
Минимальная наработка в составе
облегченных режимах (I -35
1 ап	’пгтях ^0 МЛ.
I’ = 0,25 Bl, Г 25 О
рас тях
Срок сохраняемости в составе 1 <
ГС
I ( в
В,
0.25 кВт,
25000 ч
S0000 >т
25 тет
ерметииншю и защиту приборов от воздействия влаги,
соляного тумана. тиесневых грибов, инея и росы, пониженно-
го и повышенного давления. Выпускаются в бескорпусном
исполнении с контактными площадками без выводов
(рис.5.XI) 1 ип диода приводится на этикетке. Масса нс более
0.5 г. Пример записи усиовтгото обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ 2А544А-5,
аАО 339.2X0 ЗУ
II р и м с ч а и и я I. При Т-+35...+85 ( максимально
допустимые непрерывная и импульсная рассеиваемые
мощности изменяются линейно. 2. Цопускаетея эксплуата-
ция .анолов в диапазоне часют 0,1...0,3 П И, при ном
параметры диодов могут отличаться от норм ГУ
Рис. 5 81
Электрические параметры
Емкость структуры (Urf 30 В)
Прямое сопрел ивлетгис потерь
(1„р 20 мА)
Критическая частота
(1пр=20 мА.Ц^ 30 В)
Накопленный заряд (I„F“10 мА)
при I =-» 25 С
3 - т 100 с
0,4...0,86*. .1.5 пФ
0,1*...0,.32*...1.5 Ом
100...250...450 13 н
0,75*... 1.0‘... 3 нК ।
не более 4 нКл
Т -60 С
не более 2,5 нКл
Пробивное напряжение (1^=100 мкА) 60...120*...140* В
Постоянное прямое напряжение
(I 5 мА) при I + 25 Т125С нс более 0,9 В
3—-60 С	не болей 1,2 В
Нормированное постоянное прямое
напряжение (1лр 20 мА)	0.82*...0,88*... 1,5* В
3 сплоите сопро г ивление
структура-корпус	не ботсс 50 С/Вт
Пре ге гыгые экси гуагапнонные данные
Постоянное обратное напряжение
Мгновенное обратос напряжение
Постоянный прямой ток
30 В
55 В
150 мА
1’не.5.8О Зона возможных положений зависимостей кри т ической
частоты «г температуры (а), накопленного заряда от температ урьг
(б), прямого сопротивления потерт, от температуры (в),
накопленною мря.та от гока прямою смешения (г), обратною
сопротивления потерь от напряжения обратного смешения (д)
прямою сонротивлепия потерт, от тока прямою смешения (е)
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т =->25°С
«ХМ
3^ НОО'С
Импульсная рассеиваемая мощность при
1 - г 25 С
ТКИ
Т = < 100 С
ОСН
Значение допустимого статического потенциала
1 Вт
0,45 Вт
Ииотовитсль Завод при НИИ "Сапфир , г Москва
2А544Л-5
Диод кремниевый, эпитаксиальный', псрсктю'шгсльпый
Прелпа nia-xit ;i ля применения в переключающих устройствах
молу тяторах, атгенюаторахСВЧ лиана зона длин нотнвсоста
не гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих
Рабочий диапазон частот
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе Г<
С рок сохраняемости в составе ГС
200 Вт
100 Вт
30 В
0.3 - 18 ГIц
-6О...+ 1ОО’С
10000 ч
25 лет
Примечания: I Диоды к теплоотводу рекомендуется паять
эвтектическим сплавом Al-Ge, нанесенным на минусовый
электрод диода, к поверхности, покрытвй слоем А1 толщи-
ной 6 мкм или к чистому AI марки АЛ 8.1 емпература пайки
(лужения) 550+30 ( продолжительность пайки не более
I мин. В процессе пайки диод необходимо перемещать
возвратно поступательно с амплитудой порядка (3,5 м.м
3 5 раз. 11рп этом он должен быть прижат к посадочной
121
поверхности с усилием нс более 50 г. Повторная пайка не
допускается. Для соединения плюсового вывода со схемой
Рис 5 83. Ограничите тытая характеристика диода по плоской
части импульса
рекомендуется применять алюминиевую проволоку марки
АК 0,9 ПМ-30. Соединение рекомендуется проводить мето-
дом ультразвуковой сварки в режиме: температура стола
ЮО'С, давление инструмента 50 г. 2. При Т +25...т ЮО'С
максимально допустимые непрерывная и импульсная
рассеиваемые мощности изменяются линейно. 3 При работе
в переключательном режиме необходимо па диод подавать
обратное напряжение, при котором для исключения режима
ограничения мгновенное напряжение на диоде не должно
принимать положительных значений 4. Допускается при
меиеиие диодов в ограничительном режиме
Рис.5.84 Огравнчнтелытая характеристика но "всплеску"
прошедшей мощности
Изготовигель: Завод при ПИИ "Сапфир", г. Москва.
2А545Л-5
Диод кремниевый, ила парно-эпитаксиальный,
ограничительный. Предназначен для применения в
устройствах защиты приемников, ставили тапни иограпичения
СВЧ-мошности в сантиметровом и дециметровом диапазо-
нах длин поли в составе т ибрилпых интегральных микросхем,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воз-
действия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и
росы, пониженного и повышенного давления Выпускаются
в бескорпусном исполнении е контактными площадками
без кристаллодсржагсля и выводов (рис.5.85). Тип диода
приводится на этикетке. Масса не более 0.002 г Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструкторс-
кой документации: диод СВЧ 2А545А 5. аАО.339.282 ТУ.
Вывод 1
Вывод2
Рис 5 85
Элек три’тескис параметры
Рис 5 82. Зависимости прямою сопротивления потерь от тока
прямого смешения (а) обратного сопротивления потерь от
напряжения обратного смешения (6), накопленного «ряда от
тока прямого смещения (в), емкости структуры от обратного
напряжения (г), отношения импульсной мощности к непрерывной
от длительности импульса при различной скважности (л),
выходной МОЩНОСТИ от входной (с)
Обитая емкость диода (U , — 0 В)
Сопротивление диода при ни жом
уровне СВЧ мощности
(РЯ1 < I мВт, f = 4,5 ГГц)
Дифференциальное сопротивление
(1^=100 мА)
Накопленный заряд
(1^=100 мА, 20 В)
Пробивное напряжение (Irf 10 мкА)
Нормированное постоянное прямое
напряжение (I 20 мА)
Тепловое сопротивление
структура подложка
0,9* .1.15*... 1.4 пФ
3,5*.. 6,3*...15 Ом
0,8*...1,1*...1,5 Ом
0,5* .1,2* 3 нКл
3( 55* .75* В
0,08*.. 1,00*...1,02* В
115'С/Вт
Предельные эксплуатационные ынныс
Постоянное образное напряжение
Постоянный прямой ток
25 В „Ц
200 мА
122
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т =-60..И35’С	1 Вг
т”"=< 125’С	°-4 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при
Т =-60. . । 35‘С	4<> Вт
т™=+125С	16 Вт
Значение допустимого статического потенциала 30 В
Температура окружающей! среды	60. .4 125 С
Минимальная наработка в составе ГС	10000 ч
Минимальная наработка в составе К. в
облегченных режимах по параметрам
f и Р с с коэффициентом 0,6
Срок сохраняемости в составе Г(	25 лег
Примечания: 1. Рекомендации по монтажу аналогичны
прибору 2А544-5. 2. При Т=+35...+ 125"( максимально
допустимые непрерывная и импульсная рассеиваемые
мощности изменяются линейно 3 Допускается использова
иие диодов в переключательном режиме
Рие.5 86 Зона возможных положений зависимостей, накоплен-
ного заряда (а) и дифференциального сопротивления (б) от тока
прямого смещения; сопротивления лиолаирн низком значении
СВЧ мощности от температуры (в), общей емкости диода от
обратного напряжения обратного смешения (г)
Рис 5 87 Зависимость выходной непрерывной мощности от
входной
Изготовитель: Завод при ПИИ "Сапфир", г Москва
2А546А-5, 2AS46A-6, 2А546Б-5, 2А546Б 6,
КАЯ46А-5, КА546А-6
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих
устройствах, фазовращателях, модуляторах, аттенюаторах СВЧ
диапазона длин воли в составе гибридных интегральных
микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту прибо-
ров от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых гри
бов, инея и росы, пониженного и повышенного давления
Выпускаются в бескорпусном исполнении с контактными
площадками без выводов (2А546А-5, 2А546Б-5, КА546А 5 -
рис 5.88) и на металлических держателях с жесткими вывода
ми (2А546А-6, 2А546Б-6, КА546Л 6 рис.5.89). Тип диода
приводится на этикетке. Масса диодов 2А546Л-5, 2А546Б-5,
КА546А-5 не более 0,3 мг 2А546А-6, 2А546Б-6, КА546А-6 -
не более 0,5 г. Пример записи условною обозначения при
заказе и в конструкторской документации: диод СВЧ
2А546А 5, аАО.339 286 ТУ; диод СВЧ КА546А-5,
аАО.336.458 ГУ
Общая емкость диода (11^ 100 В)
Прямое сопротивление потерь
(1,^100 мА)
Критическая частота
(1^=100 мА, 0^=100 В)
Накопленный заряд (1^ 100 мА)
КА546А-5,КА546А 6
Т 60. ,+25’С	2А546А-5,
2А546Б-5
Т + 125’С 2А546А-6.2А546Б-6,
Пробивное напряжение (1Л =Ю мкА)
2А546А 5,2А546А-6
2А546Б-5.2А546Б-6
Тепловое сопротивление
структура-основание
0,12 0,1.5*...0,2 пФ
не более 1,5 Ом
не менее 300 ГГц
50... 100*...200 нКл
не более 200 нКл
не более 300 нКл
не менее 300 В
не менее 500 В
нс более 40“С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение
Мгновенное обратное напряжение
2А546А-5,2А546А-6
2А546Б 5.2А546Б-6
Постоянный прямой ток
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т --60.+35’С
ОСН
Т =+ 125‘С
ОСН
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH 1мкс, Q 1000) при
Т =-60 ,+35‘С
ОСИ	—
Г =+125‘С
ОСН
Значение допустимого статического потенциала
Рабочий диапазон частот
150 В
270 В
400 В
150 мА
2,5 Вт
0,9 Вт
5 кВт
1 кВт
100 в
0,3 - 18 ГГц
123
Температура окружающей среды
Минима пятая наработка в сое га не ГС
Срок сохраняемости в составе ГС
П р и м е ч а п и е При I +35. т 125 С максимально
допустимые непрерывная и импульсная рассеиваемые
мощности изменяются линейно.
Рис 5.90. (она возможных положении зависимостей прямого
conpoi явления потерьот тока прямого смещения (а) и температуры
(6), накопленного гаряда от гока прямого смещения (в) и тем-
пературы (D обратного сопротивления потерь от напряжения
обратного смещения (д)
Изготовитель: Завод при НИИ Сапфир", г. Москва
2AS47A-3, 2А547Б-3, 2AS47B 3, 2А547Г-3,
2А547Д-3, 2А547Е-3
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
структура типа р-т п Предназначены для применения в
переключающих устройствах, фазовращателях, модуляторах,
аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов
длин волн в составе гибридных интегральных микросхем,
обеспечивающих термсти.Зациюи защиту приборов от воздей-
ствия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и
росы, пониженного и повышенного давления Выпускаются
в бескорпусном исполнении бет крисгаллодержагсля с балоч
ними выводами (рис.5.91), диоды 2А.547Д-3,2А547Е-3
поставляются во фрагментах (блоках) для последующей рез-
ки их па отдельные диоды у потребителя (рис 5.92). Тип
Дно га приводится па этикетке Масса одного диода не более
0,03 мт Пример гаттпеи Условного обозначения при заказе и
в конструкторской документации: диод С ВЧ 2А547А 3,
аАО 339 346 ГУ
-60. Л 125 ’С
10000 ч
25 дет
Гтсктричсскис параметры
мах
Общая емкость диода (П1Л 10 В)
2Л547А-3,2А547В 3
2А5471.-3.2Л5471 -3
2Л547Д-3
2A547I -3
Прямое сопротивтение потерь
1=3 мА
ыр
I =10 мА
пр
Обрашое сопротивление потерь
ю В)
Критическая частота при I 3 мА.
и ,	10 В. Г 4 ГГп
обр	том
I = 10 мА, Urfr ю В, 1 = 4 ГГц
Накопленный заряд (I 3 мА.
11^ = 10 В) 2Л547Л 3.2Л547В-3
2Л547В 3.2А547Г 3
2А547Д-3.2А5471.-3
Постоянное прямое напряжение
(I . =3 мА)
Пробивное напряжение (1ч р 10 мкА)
Время восстановления обратного
сопротивления 2А547Л 3.2Л547Б-3
2Л547В-3.2А54Т 3
Тепловое сопротивление
структура- подложка
Ипдуктивиость диода
0 06 0.088*...0,12 пФ
0,10.0.15*. 0,20 пФ
пе более 0,25 пФ
нс более 0,12 пФ
0,65*...1.3*...3,0 Ом
0,50*...0,8*...1,5* Ом
пс менее 20 Ом
300*.. 480*...690* ГГц
500*...6.30*...800* Пц
0,08*...0,14*.„О,2 нК.т
0,18* ..0,2.3* 0,3 иКл
пе более 0.4 нКл
0,7*...0,8*. .0,9 В
50 ..80*.. 115* В
0,8*. .1.2* 2,0* пс
не более 0,2 нс
не более 700 (’/Вт
0,13* ..0,16* пГн
Предельные эксттлуаганиоштые денные
Постоянное обратное напряжение	30 В
Мгновенное обратное напряжение	40 В
Постоянный прямой ток Непрерывная рассеиваемая мощность при	20 мА
ТЛ1, -60...25Ч	200 мВт
'	1^+12^С	70 мВт
Импу гьспая рассеиваемая мощность при Т=-60...+25"С,	т„< 2 пс, Q > 10	400 мВт
Ти> 10 IIC.Q > 10	200 мВт
I +125 С	ти5 2 нс. Q > 10	270 мВт
ти> 10 lic.Q > 10	70 мВт
Значение допустимого статического потенциала	100 В
Рабочий диапазон частот	0.3 18 I Гн
Температура окружающей среды	60 + 1254
Минимальная наработка в составе Г(	30000 ч
Срок сохраняемости в составе 1 С	25 лет
Примечания 1 Рекоме-нлуется зашита смонтированного
диода лаком ЛК 113 и пт АД 9103 2. При! < 25..+125 С
максимально допустимые непрерывная и импульсная
рассеиваемые мощности изменяются линейно 3. Пр\т
124
f
, =2. 10 нс и Т +25°С	- 200 мВт IJV где
U = 1В, а значение импульсного гока определяют по
прицеленному графику
Рис 5.93 Зона возможных положений зависимостей прямою
сопротивления потерь ог температуры (а), сопротивления в
пулевой точке от температуры (б), прямого сопротивления потерь
от тока Прямого смещения (в), накопленного заряда от тока
прямого смещения (г)
Рис.5.94 Зависимости емкости диода от напряжения обратного
смещения (а), импульсного тока переключения от длительности
управляющего импульса при Ih 3 мА и Q 10 (б) мощности
ограничения от частоты (в)	‘
Рис 5 95 Зона возможных положений ограничительной
характеристики при параллельном включении >< линию передач
на частоте 9,4 ГГц
Изготовитель Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
2А548А-5
Диод кремниевый, диффузионный, переключательный
11редназначен для применения в переключающих устройствах,
фазовращателях, модуляторах, аттенюаторах СВЧ -диапазона
длин волн в составе гибридных интегральных микросхем,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воз-
действия влаги, соляною тумана, плесневых грибов, инея и
росы, пониженного и повышенного давления Выпускается
в бескорпусиом исполнении е контактными площадками без
кристаллодержателя и выводов (рис.5.96) Тип диода приво
дится на этикетке. Масса не более 0,2 мг. Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
Документации; диод СВЧ 2А548А-5, аАО.339396 ТУ.
Рис. 5.96
Вывод 7
Вывод 2
Электрические параметры
0,035* ,0,08*...0,15 пФ
0,7* .0 9* 1,5 0м
0,3* .0,75*...1,3 Ом
1,0* .1,5* 2,0 Ом
типовое 0,55 Ом
ис менее 10 Ом
не менее 300 ГГц
0,83 ..0,87*.. 0,95* В
0,85...0,97* 1,05* В
0,70 ..0,78*.-0,85* В
60...80*... 150* В
не более 10 мкА
0,3...0,5*...0,7 нКл
35 - 36,5* 60* ис
нс более 5* нс
3*—5* 8* нс
не более 40°С/Вт
Емкость структуры (Urfp 10 В)
Прямое сопротивление потерь
(I =20 мА, f 1ГГц, Т = <25’С)
пр	из м
при Т=-60 С
Т + 150'С
при 1^= 20 мА, ЮО МГц
Обратное сопротивление потерь
(4*= Ю В)
Критическая частота
(1^ 20 В.Ц^ 10 В)
Постоянное прямое напряжение
(I = 20 мА)при Т=+25“С
‘ Т=-60”С
Т т 150"С
Пробивное напряжение (I -= 10 мкА)
Постоянный обращый ток 60В)
Накопленный заряд
(I = 20 мА.и = 10 В)
)ффек1ивное время жизни
неравновесных носителей заряда
(1^= 10 мА, 6 мкА, Т=+25”С
Время выключения в СВЧ-диапазоне
в 50-омной МИЛ передачи (Р=5 мВт,
I = 5 мА, 200 мкА Т=25’С)
Время выключения в видеорежимс
(1^= 5 ma, Irfp= 200 мкА, Т=25'С)
Тепловое сопротивление
структура-корпус
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	30	В
Мгновенное обратное напряжение	60	В
Постоянный прямой ток	50	мА
Наибольший мгновенный ток при переключении 250 мА
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т 60 -+25 G	500 мВт
1“"*=+125'С	170 мВт
ОСН
125
2А549А, КА->49\, КА549Б, КА549В
Непрерывная рассеиваемая мощность при
кратковременном (пс более 100 ч) воздействий
при Т . =-60...+25°С
То£к + 125Г
Значение допустимого статического потенциала
Рабочий диапазон частот
Температура окружающей среды
Верхнее значение температуры перехода
Минимальная наработка в составе ГС .
Минимальная наработка в составе ГС в облег-
ченном режиме при P(ui 250 мВт и Т=+25”С
Срок сохраняемости в составе ГС
1000 мВт
250 мВт
100 В
1 4 ГГц
-60...1 125’С
•I 150 С
25000 ч
50000 ч
25 лет
Диолы кремниевые, эпитаксиальные, переключательные
Предназначены для применения в коммутационных
устройствах, фазовращателях, модуляторах, аттенюаторах
сантиметрового н дециметрового диапазонов длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе типа КД-111 с
жест кими выводами (рис 5.98). Тип диода обозначается таким
образом. 2АМ9Л не маркируется. КЛ549А белой точкой,
КЛ549Б одной зеленой точкой, КА549В - белой и зеленой
точками на корпусе прибора Положительный вывод - со
стороны крышки Масса диода нс более 0,5 г. Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СЛЧ 2А549Л, аАО.339.463 ГУ,-диод СВЧ
КА549А, аЛО.,336 652 1У.
Вывод2 Рис 5.98
Вывод 1
•) зектричсскис параметры
Рис.5 97. Зола возможных положении зависимостей прямого
сопротивления потерь от температуры (а) и рассеиваемой СВЧ
мощности (6), обратного сопротивления потерь от напряжения
обратного смешения (в), емкости структуры от обратного напря-
жения (г) прямого сопротивления потерь от тока прямого сме-
шения (д) накопленного теряла от тока прямого смещения (е)
Обитая емкость диода (IJ^ 100 В)
Прямое сопротивление потерь
(11Ч = 100 мА)
Критическая частота (1	100 мА
’U 100 В- U 4 ГГц)
Накопленный заряд (I 100 мА) при
Т=+25С
Т=1125 С
Т—60 с
Пробивное напряжение’ (1^=100 мА)
2А549А.КЛ549А
КА549Б
КЛ59ВВ
Постоянное прямое напряжение
100 мА)
ективное время жизни
неравновесных носителей заряда
(1^= 10 мА, I . = 6 мкА, I т 25’С)
Время тепловой релаксации
Импульсное тепловое сопротивление
(tH < 1мкс)
Генловое сопротивление
структура-корпус
Емкость корпуса
Индуктивность диода
Эфф
0,8. 1,2 пФ
0,75... 1,1 Ом
нс менее 200 ГГц
300...1000 нКл
300.. 1500 нКл
150 . 1000 пКл
пс менее 1800 В
не менее 1500 В
не менее 1200 В
не более 1,0 В
3* 10* мкс
не более 1,5 мкс
не более 3* ’С/Вт
нс более 15 С/Вт
0,3. .0,5 нФ
0,5 0,7 нГп
Изготовитель Гомилинский завод полупроводниковых
приборов.
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение Мгновенное обратное напряжение	400 В
2а549А,КЛ''49А	1700 В
КА549Б	1400 В
КА549В	1100 В
Постоянный прямой ГОК	250 мА
Допустимое значение статического потенциала Непрерывная рассеиваемая мощность при	500 В
1к 60..+35 (	5,0 Вт
Г* +125 С	1,0 Вт
126
2А550А-5, КА550А-5
Импульсная рассеиваемая мощность
(t < 1 мкс. Q> 1000) при Тк=»-60. .ч 35С	45 кВт
Тк -+ 125 4	Ю кВт
Рабочий диапазон частот	0,1 - 10 П ц
ТемпераIура окружающей среды	-60..Лк * 125 С
Минимальная наработка	15000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
II р и м е ч а и и Я" 1. В диапазоне температур корпуса диода
+ 35 . + 125'С непрерывная и импульсная рассеиваемые
мощности изменяются линейно. 2. При давлении менее
200 м.м рг.ст. максимально допустимое мгновенное напряже-
ние на диоде 500 В
1200
800
400
?
0	40 ВО 1201пр,мЛ о
Рис.5 99. Зона возможных положений зависимостей: прямою
сопротивления потерь от температуры (а), критической частоты
от температуры (б), прямого сопротивления потерь oi тока
прямого смещения (в), обратною сопротивления потерь от
напряжения обра> ною смешения (1), накопленною заряяа от
тока прямого смещения (д)
Рис 5 100 Зависимость предо п.вой нмнутьснои рассеиваемой
мощности от длительности импульса
Изготовитель: Завод при ПНИ "Сапфир”, г. Москва.
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные, ограни-
чительные. Рабочим элементом диода является полу-
проводниковая структура типа jf n-ri* Предназначены для
применения в защитных устройствах, СВЧ-диапазона длин
воли в составе гибридных интегральных микросхем, обес-
печивающих герметизацию и защиту приборов от возд йст-
вия влаги соляного гумагга, плесневых грибов, инея и росы,
пониженного и повышенного давления. Выпускаются в
бескорнусном нетто игении с контактными площадками без
выводов (рис.5.101). Тип атода приводится на этикетке
Масса диодов не более 1,0 мг. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации
диод СВЧ 2А55ОА-5, аА0.339 466 ТУ; диод СВЧ КА55ОА-5,
аАО.336.662 ТУ.
Вывод 1
Рис. 5.101
Электрические параметры
Емкость структуры
(Ц^ 0 В, f 10 МГц)
Емкость структуры
(11^= 80 В, 1 = И) М1п)
Сопротивление диода ггри низком
уровне СВЧ мощности ггри нулевом
смешении(Р 1 мВт, f 4,3 ГГц)
Накопленный заряд ггри
20MA.Urfp 10 В Т=+25“С
Т=+135°С
Т=-60‘С
I 100 мА
Пробивное напряжение (1^= 10 мкА)
Постоянное прямое напряжение
(1^ 100мА)
I [росачивающаяся мощность (в диапа-
зоне входных мощностей до 2 5 Вт)
Тепловое сопротивление
0,2...0,6.нФ
0,1...0,5 пФ
структура- корпус
Прямое сопротивление потерь
ггри I 1 мА
I 10 мА
Itp
1	100 мА
lip
Дифферент шал ытое сопротиклен не
(I, ,= 10()мА)
эффективное время жизни
неравновесных носителей заряда
(1цг Ю -мА, !<«,. мкА- Г * 254 )
Время переключения па пн ком
уровне СВЧ-мощности (Р  5 мВт
1^- 5 мА, 1^- 200 мкА, Г 254')
Время переключения в видеорежиме
не более 30 Ом
0,3...1,0 нКл
0,4 ..1,5 нКл
0,2... 1,0 пКл
не более 5 нКл
100 .180 В
0,85...1,1 В
тге более 0,8 Вт
1Z 16*.2О'С/Вт
1,3*...4,7* Ом
0,4*. .1,4* Ом
0,2*...0,7* Ом .
0,6*..0 7* 1* Ом
80*... 130* нс
тге более 50* ис
127
(1 S мл 1 , =200 мкА, 1 25 ( ) IO* 16* нс
' np	»4‘P
11рсле.1ытые эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	40 В
Мгновенное обратное напряжение	80 В
Постоянный прямой ток	500 мА
Импульсный обратный ток	500 мА
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Тпсн=--60...т25’С	5 Вт
Г™,=+135-С	I Вт
Имгту тьсная рассеиваемая мощность
(tH< 1 мкс, Q > 1000) при Тк -60 т 35 С 200 Вт
Тк + 135°С	40 Вт
Значение допустимого статическою потенциала 100 В
Рабочий диапазон частот
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Минимальная наработка в составе ГС в
облетчеппрм режиме при Ppj 500 мВт
Срок сохраняемости в составе I С
0.3 - 3 1 Гц
-60. Г„, + 135 С
10000 ч
20000 ч
25 лет
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир", г. Москва
2А551А-3, 2А551Б-3, 2А551В-3, 2А551Г-3,
2А551А1-3, 2А551Б1-3, 2А551В1-3, 2А551Г1-3
Диоды кремниевые, диффузионные, переключательные.
Рабочим тлементом диода является полупроводниковая
структура типа р т л. Предназначены для применения в
переключающих устройствах, фазовращателях, модуляторах,
аттенюаторах СВЧ-диапазона длин волн в составе гибрид-
ных интстральных микросхем, обеспечивающих герметизацию
и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана,
пзссневых грибов. инея и росы, пониженною и повышенно-
го давления. Выпускаются в бескорпусном исполнении с
балочпыми выводами (рис.5.103). Тип диода приводится па
этикетке Диоды 2А551А-3 2А551 Г-3 прямой полярности,
диоды 2А551А1 3 2А551Г1-3 обратной полярности. Масса
диода не более 0,1 мг. Пример записи условною обозначе-
ния при заказе и в конструкторской документации: диод
СВЧ 2А551А-3. аАО.339-468 ГУ.
Примечай и я: I. При монтаже в ГС минусовый электрод
рекомендуется паять эвтектическим припоем золото-герма-
ний при температуре пайки +450 С и времени пайки не
бо lee 1 мин. Перед нанкой рекомендуется протирать
соединяемые детали этиловым спиртом. После пайки тепло
вое сопротивление переход-корпус должно быть не более
20 С/Вт. Повторная пайка нс допускается. Для присосдине
ния к золотому контакту диода золотого проволочного выво-
да диаметром не более 50 мкм или ленточною шириной до
100 мкм допускается использование микросварки при
температуре рабочей зоны не выше 260’С. Время давления
микросварною инструмента на Золотую проволоку 2-3 с,
величина усилия сжатия не более 70 тс. 2. ПриТ= 125... + 135'С
максимально допустимые непрерывная и импульсная
рассеиваемая мош ность изменяются динейнс
P1IC..5.J03
Вывод 1
Вывод 2
Рнс.5.102 Iona возможных положений тависимостей: сопро-
тивления потерь при низком уровне СВЧ мощности от JeMiie-
рэтуры fa), накопленного заряда от тока прямого смещения (б).
1>|'|»|х.ре1|циа.тыюго сопротивления от тока прямого смещения (в)
Электрические параметры
Общая емкость диода (Г!д 10 В)
2А551А 3.2А551А1-3,
2А551В 3.2А551В1-3
2A55lb-3,2A551Iil 3,
2А551Г-3,2Л551Г1 3
Прямое сопротивасдтие потерь
(1^ 3 мА)
Обратное сопротивление потерь
при U =10 В
1	сюр
0,06. 0,09* .0,12 пФ
0,10...0,15*...0,20 пФ
0,7* 1,35*...3,0 Ом
нс менее 20 Ом
0 В	3* 4* 8* кОм
Критическая частота
(1Г„=3 мА, Urfp=10 В, Г1да 4 I Гц) 300*.. 500’...700 ГГц
Накошенный заряд (11ф=3 мА.0, 10В)
2А551Л-3,2А551Б-3	0,08*...0,14*...0,2 нКл
2А551В-3.2А551Г 3	0,18*...0,23*...0,3 иКл
Постоянное прямое напряжение при
1^ 3 мА при Т=+25 С	не более 0,90 В
Т=-60 С	не более 1,33 В
Т + 125С не более 0,55 В
Пробивное напряжение (1^ 10 мкА) не менее 50 В
Постоянный обратный ток (Uf6j 40В) пс более 5 мкА
Время обратною восстановления
(«4."3 мЛ- ’Л.» 200 мЛ>
2А551Л 3.2A551AI-3,
128
2А55 П>-3,2а551Ы-3
2A55IB-3,2A55lBl-3,
2л551Г-3,2А551Г1-3
У<|и|>сКтивпое время жизни
неравновесных носи гелей заряда
(•np= 10 мА’ U"= 6 мЛ)
Тепловое сопротивление
с груктура- корпус
0,6*... 1,2*..2 нс
пс более 5 нс
25... 100 нс
не более 100 СУ Вт
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	30	В
Мгновенное обратное напряжение	40	В
Постоянный прямой ток	50	мЛ
Импульсным обратный гок	200 мЛ
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Г=-60. +25"С	1000 мВт
Г= + 125'С	350 мВт
Значение допустимого статичссиого	потенциала 100 В
Температура окружающей среды	-6О...+125"С
Минимальная наработка в составе ГС	30000 ч
Минимальная наработка в составе ГС в об гег-
ченпом режиме при 1000 мВт и Т +25’С 60000 ч
Срок сохраняемости в составе IX	25 лет
Примечания: 1. Рекомендуется загни га смонтированного
диода лаком/\К-113 или АД 9103. 2 Установку диодов реко-
мендуется проводин, капилляром с принудительным
воздушным разрежением. 3. При монтаже разрешается изгиб
длинного вывода на угол не бо гее 45”. 4. При 1 +25 .. + 125’С
максимально допустимая непрерывная рассеиваемая могц-
ност ь и {меняется линейно.
^вос.обр’НС
Рис.5.104. (она возможных положений завиенмосгей. прямого
сопрог гниения потерь ог температуры (а), времени обрати* го
восстановления от температуры гб), емкости апо га or постоянно-
го обратною напряжения (в), прямогоcoripoiимения norej вот
тока прямого смешения (г), времени обратного воссганоплепия
ог постоянного тока прямого смешения (л), времени обратного
воссга нокгения ог импульсного тока (ег
0	2	4	6	8/,ГГц
l*ltc.5.IO5. <акнс11М<к:г1> мощноеги шраппчения or часчогы
Рис.5 106 Зона возможных положений ограничительной
характеристики при параллельном включении диода в ливню
передач па частоте 9,4 ГГп
И потоп и гель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов
2А552А, 2А552Б
Диоды кремниевые',эпитаксиальные, переключательные.
Предназначены для прнмснеггия в коммутационных
устройствах, фазовращателях. модуляторах, аттенюаторах СВЧ-
диапазона длин волн в полосковом исполнении Выпуска-
ются в металлокерамическом корпусе типа КТ-16 с гибкими
выводами. Габаритный чертеж соответствует прибору 2Л5.37
(рис.5.69) Гип диода обозначается таким обра гом: 2Л552А -
нс маркируется, 2Л552Б - маркируется красной точкой на
корпусе прибора. Положи ге гыгый вывод - со стороны крыш-
ки. Масса диода не бо т :е 5 т. Пример записи условного обоз-
начения при заказе и в конструкторской документации: диод
( ВЧ 2Л552Л, аАО.339 469 ТУ
У текгрические параметры
Обн ая емкость тиола (11^ 100 В)
Прямое сопротивление погерь
(1^,= 100 мА) при Т- + 25'С.
15=+ 125 и -60 С
Критическая частота
(1-100 мА, U , =10 В)
'пр	*Р	'
Накопленный заряд
(1^₽100 мЛ- Ч*- ЮО В) 2А552А
2Л.552Б
Постоянное прямое напряжение
(I^-lOO мА)
Постоянное обратное напряжение
(U 10 мкЛ)
Пробивное наг ряжетше (I 100 мА)
2,2’ 2.6’ 3,0 пФ
0,15*...0,25*...0,5 Ом
нс более 0,8 Ом
100... 130.*..200* ГГц
нс менее 1000 нК г
500...1000*...1500* нКл
0,7*...0,76*...0,9 В
600..ТОО*...900* В
700 ..800* . 1200* В
9 СВЧ-приборы
129
Тепловое сопротивление
переход-корпус
Эффективное время жизни
неравновесных носителей заряда
(I 10 мА I = 6 мкА. Г=+25 С)
Iij;	.к5р
3* 3,5* 5°С/Вт
5... 15*...25* нс
1федельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток
Непрерывная рассеиваемая мощность в
режиме прямого смещения 1 +25 С
Г„=+85С
Тк +125 С
Непрерывная рассеиваемая мощность в
режиме коммутации при Т =+25 С
Т =+85’С
Рабочий диапазон частот
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Минимальная наработка в облеггенном режиме
при Р^ 15 Вт в режиме прямого смещения
Срок сохраняемости
1 А
30 Вт
18 Вт
10 Вт
20 Вт
8 Вт
до 3 ГГц
6О...+ 125”С
25000 ч
50000 ч
25 дет
Рис.5.107 Зона возможных положений зависимостей: накоплен-
ного заряда (а) и прямого сопротивления потерь (б) от тока
прямого смещения; емкости диода (в) и обратного сопротивле-
ния потерь (г) от напряжения обратного смещения критической
частоты ог частоты сигнала (л)
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов
2А553А-3, 2А553Б-3, 2А553В 3
Диоды кремниевые, эпигакспальныс. переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
структуре тина р i п. Предназначены для применения в
переключающих устройствах, <|>азовращатслях, модуляторах,
аттенюаторах ВЧ дианавопа длин волн в составе гибрид
иых интегральных микросхем, обеспечивающих герметиза-
цию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного
тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и
повышенного давления. Выпускаются в бескорнусном
исполнении без кристалподсржателя, с балочными выводами
(рис.5.108). Тип диода приводится на этикетке. Масса не
более 0,1 мг. Пример записи условного обозначения
при заказе и в конструкторской документации, диод СВЧ
2А553А-3, аАО 339.481 1У
Электрические нарашчры
Общая емкость диода (U^ 10 В)
2А553А-3.2А553Б 3
2А553В 3
Прямое сопротивление потерь
(1=3 мА) 2А553А 3.2А553Б 3
2А553В-3
Обратное сопротивление потерь
(^,=10 В)
Постоянное прямое напряжение
(111р=3 мА) при 1 т 25 и +125°С
Т=--60“С
Пробивное напряжение (I, -10 мкА)
2А553А-3
2А553Б 3.2А553В-3
Постоянный обратный ток
2А553А-3 при U 75 В
2А553Б-3.2А553В-3 при U</ip 45 В
Время обратного восстановления
(I = 20 мА, 1^,, 200 мА)
Эффективное время жизни
неравновесных носи гелей заряда
(!„,= 10 мА, 5 мкА, Г +25’С)
Тепловое сопротивление
структура-среда
0,08 0,014* .0,02 пФ
0,018 0,025* 0,03 пФ
0,6* .2,0* .3.0 Ом
0,6* .2,0* .2,5 Ом
не менее 20 Ом
0,8*...0,92*...1,1 В
нс бо лее 1,2 В
80... 100*'.. 160* В
50...60*.. 70* В
0,01*...0,5*...5 мкА
0,01*.. 0,5*...5 мкА
2*..8* .25нс
20\.40*. .70* нс
не более 70(Г "С/Вт
Предельные экстыуагациониие данные
Постоянное обратное напряжение	
2А553А 3	40 В
2А553Б 3.2А553В 3	25 В
Мгновенное обратное напряжение	
2А553А-3	70 В
2А553Б-3,2А553В-3	40 В
Постоянный прямой ток	100 мА
Непрерывная рассеиваемая мощность при	
Т -60 +25”С	200 мВт
Г=+125°С	 70 мВт
1=175 С	0 мВт:|мн ъ
Значение допустимого магического потенциала	100 В
Температура окружающей среды	-60...+125’С
Минимальная наработка в составе ГС	25000 ч ’ ;
Минимальная наработка в составе 1С в облег-	
ченном режиме (Р 100 mBi Г +25°С)	50000 ч
130
Срок сохраняемости в составе I С
25 лет
2А554А-5, 2А554А-6, КА554А-5, КА554А-6
Примечания: 1. Рекомендуется защита смонтированного
диода лаком АК 113 или АД-9103. Установку диодов
рекомендуется проводить капилляром с принудительным
воздушным разрежением. 3. В диапазоне температур от +25
до + 175”С максимально допустимая непрерывная рассеи-
ваемая мощи >С1Ь уменьшается линейно до нуля.
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
структура типа p-i-n. Предназначены для применения в
переключающих устройствах, фазовращателях, модуляторах,
аттенюаторах СВЧ диапазона длин волн в составе гибрид-
ных интегральных микросхем, волноводной, волно-
воднощелсвой, микронолосковой и других конструкциях,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от
воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея
и росы, пониженного и повышенного давления. Выпускают-
ся в бескорпусном исполнении с контактными площад-
ками без выводов (2А554А 5, КА554А-5 - рис.5.110) и на
металлических держателях с жесткими выводами (2А554А 6,
КА554А-6 - рис.5.111). Тип диода приводится па этикетке.
Масса диодов 2А554А 5 нс более 0,002 мт .диодов 2А554А-6
не более 0,5 г. Пример записи условного обозначения при
заказе и в конструкторской документации диод СВЧ
2А554А-5, аАО.339.616 ТУ: КА554А 5, аАО.336.772 ТУ.
Электрические параметры
60 о 60 т;о -60 о 60 т;с
Рис.5 109- Зона возможных положений зависимостей: прямого
сопротивления потерь (а) и времени обратного восстановления
(б) от тока прямого смещения; емкости диода (в) и обратного
сопротивления потерь (г) от напряжения обратного смещения,
прямого сопротивления потерь (д) и времени обра юго восста-
новления (е) от температуры, времени обратного восстановления
от импульсного обратного тока (ж)
Изготовитель: Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
Общая емкость диода (U . = 10 В)
2А554А 6.КА554А 6
Емкость структуры (Ц, 10 В)
2А554А-5,КА554А 5
Прямое сопротивление потерь
(I 10 мА)
Обратное сопротивление потерь
(U.* = Ю В)
Постоянное прямое напряжение
(I = 10 мА) при Т=+25 н -I 125”С
Т=-60'С
Эффективное время жизни
неравновесных носителей заряда
(1^= 10 мА, 1^^= 6 мА)
Пробивное напряжение 10 мкА)
Внутреннее тепловое сопротивление
Последовательная индуктивность диода
0,(4 .0.0С* .0.08 нФ
0.025.. 0,037* 0.05 пФ
пс более 2,0 Ом
не более 7,5 Ом
не более 1,0 В
не бо тее 1,4 В
не более 0,2 нс
не менее 150 В
не более 60 "С Вт
2А554А-6.КА554А 6
Время переключения
Импульсное тепловое
сопротивление (tn < 1 мкс)
нс более 0,1 и Гн
10./20 нс
не более 3* "С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обранюе напряжение
Мгновенное обратное напряжение	140 В
Постоянный прямой ток	40 мА
Непрерывная рассеиваемая мощность при
9’
131
1	-6О...+ 35*С
«кги
TiWl=+125'С
Импульсная рассеиваемая мощность при
I < 1 мкс и Q > 1001) при Т = -60...<35'С
»<	'«с	г оел
Го<н • 125'С
Значение допустимого статического noiciiiuiaaa
Темпера гура окружающей сред ы
Минимальная наработка в составе ГС
Минимальная наработка в составе ГС в облст -
ченном режиме (Р 1,25 Вт, Тхи т 35’С)
Срок сохраняемости в составе ГС
2,5 В г
0.8 Bi
50 Bi
10 Bi
50 В
60... । 125 С
15000 ч
30000 ч
25 лет
Примечание В диапазоне температур от т-35 до < 125'С
максимально допустимые непрерывная и импульсная
рассеиваемые мощности изменяются линейно.
Рис.5 I! Зона возможных положений зависимостей: прямого
сопротивления потерь огтемпсратуры(а); ирямогосопротивления
потерь (С) и накопленного заряда (в) от тока прямого смешения-
обратною сопротивления потерь от напряжения обратного
смещения (г)	г
Рис.5.113 Зависимость времени переключения от температуры
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир”, г. Москва
2А555А, 2А555Б, 2А555А1, 2А555Б1
Лиоты кремниевые, Диффузионные. переключательные.
Прел назначены д тя применения в коммутационных устрой-
ствах, фазоврашатстях, модуляторах, апснюаюрахсаитнмет
рового и дециметрового диапазонов длин волн. Выпуска-
ются в металдокера.мическом1корнусе типа КД- ЮА (2Л555А,
2A555J, рис 5.114) и КД-34 (2Л555Л1, 2Л555Ы рис 5.115)
с жесткими выводами 1ип дноаа обозначается: 2А555А-
одпой красной точкой, 2Л555Б - двумя краснымиточками н
корпусе прибора, диоды 2А555Л1. 2А555Ы аопо.тните.тьн
маркируются черной гочкон со стороны положительно!
вывода Положительный вывод со стороны крышки Мас,
диода не более 1,5 i для 2А555Л, 2А555Б и не более 1,0 г-д.
2А555Л1, 2А555Б1. Пример записи условного обозначен! 
при заказе н в конструкт >рскоп документации диод ( I
2А555Л, аАО.339.630 ТУ.	1
Элек >рические параметры
Общая емкость диода (ПЛр 100 В)
Прямое сопротивление потерь
(I = 100 мА, 1	1 ГГц) при
7 ст-25'С
I ст 125 С
Обратное сопротивление потерь
(11^.= 100 В, f - 1 Г1ц) при
I - +25 С
Т ст 125 С
Критическая частша (1 = 100 мА,
и„..г=100 B,f„„ I ГГц)
Накопленный заряд
И^ЮОмА.О^р 100В)
Пробивное напряжение (I ,. «ИХ) мА)
2Л555А.2А.555А1
2.2...2.6*...3,0 нФ
0.19...0,28 *..0.5 Ом
ле ботее 0,6. Ом
50()0 .10000*. .16000* Ом
нс менее 2500 Ом
150. .200* ..290» ГГп
500 650* 1500* нКл
700... 1200*...1700* В
2A55S1, 2А555Ы
Постоянный обратный ток
2А555А,2А555А1 (Ц,. 400 В)
2Л555Б,2А555Ы (U р 800 В)
Эффективное время жизни
неравновесных носителей заряда
(111(~ 10 мА. lrfp 6 мкА Г=ст25’С)
Время восстании (синя обратного
1200...1700*...2000* В
0,5* 1,0* .10 мкА
0,5*... 1.0*.. 10 мкА
12.20*...35* мкс
сонротиХсиия (1|ф 100 мА.П( .50 В) 4* .7* 10* мкс
Тепловое сопротивление
переход-корпус
Емкость корпуса
Индуктивность диода
2.5*...3,0*. .6 С/Вт
не более 0,7 пФ
не бсысе 1,5 н! н
Предельные экенлуагациоипые данные
Постоянное обратное напряжение
2A555A.2A555AI
2А555Г.,2А555Б1
250 В
500 В
132
Мгновенное обратное напряжение
2А555Л.2Л555Л1
!	2А555Ь,2А555Ы
(осгоянный прямой ток
Г lia'ieinie допустимого статического потенциала
^ Непрерывная рассеиваемая мощность и
Е |жнмах коммутации и обратного смешения
tin	Г. -60 .. > 25 С
|	Г т85Х
>	к
вбочий диапазон частот
гмпсратура окружающей среды
Минимальная наработка
Минимальная наработка и облегченном
!жиме при 1^.= 0.51^ „„
кж сохраняемости
500 В
1000 В
500 мА
1000 В
17 Вг
7 Вт
до 4,5 ГГн
60-Н25С
25000 ч
50000 ч
25 лег
Примечания. 1. ПриТ = + 35..+85лС максимально допу-
ггимая непрерывная рассеиваемая мощность изменяется
шнейно. 2. Допускается эксплуатация диодов при макси-
мально допустимой рассеиваемой мощности (25 Вт) в режиме
зримого смещения при ‘Г = +25®С
101 10г1пр,мА О 1С0 2001пр,мА
Рис.5 П6. Зона возможных положении зависимостей прямого
сопротивления потерь (а) и накопленного заряда (б) от тока
прямого смешения; обратного сопротивления потерь от
напряжения обратною смешения (в)
Ом	Ом
Рис 5 1 Г. Зависимости прямого сопротивления попять ст частоты
(а), прямого сопротивления потерь оз температуры (б), обратного
сопрошнлепия потерь оз температуры (ю
Изготовитель: Гомнлнпскнй завод полупроводниковых
приборов.
2А556А-5, 2А556А1-5
Диоды кремниевые, диффузионные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих
устройствах, фазовращателях, модуляторах, аттенюаторах СВЧ-
диачазона длин волн в составе гибридных интегральных
микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту прибо-
ров от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых гри-
бов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорнусном исно^неиин без кристал-
лодержатсля с балочными выводами (рис.5.118). Тип диода
приводится на этикетке. Диоды 2А556А-5 прямой полярнос-
ти, диоды 2А556А1 5 обратной полярности. Масса не более
0,2 мт Пример записи условного обозначения при заказе
и в конструкторской документации: диод СВЧ
2А556А-5, aA0.33f 631 ТУ.
Вывод 1 ^1
|	| |	Вывод 1
Вывод?\
Рис-5118	Ф0-^-9 Вывод 2
Электрические параме тры
Общая емкость диода (0^=50 В)
Прямое сопротивление потерь
(I 3 мА) при Т 4 25’С
Т 4-125’С
ПРИ |’Р,си= 4 Вг
Обратное сопротивление потерь
(Ч^=ю в)
Критическая частота
(I - 50 мА, U . = 50 В, f
Накопленный заряд (1^	>0 мА)
Постоянное прямое напряжение
(I = 50 мА) при Т=-4 25°С
Т=-60’С
T=+I25 С.
Пробивное напряжение (1^ 10 мкА)
Постоянный обратный ток
40 В) при
Т=+25’С
Т=+125’С
0,025...0,037*...0,06 пФ
1,1*. .1,7* .2,5 0м
не
ис
более 3,0 Ом
более 2,5 Ом
не
менее 10 Ом
4 ГГц) 350*...420*...520 ГГц
6*. 1 * .2 * нКл
Время обратного восстановления
(I = 20 мА, I,*	200 мА) при
Т=4-25’С
Г-4-125’С
')(}х|)сктивное время жизни
неравновесных носителей заряда
(11ф= 10 мА, Itl6p= 6 мкА, TW+25’C)
1 епловое сопротивление
псрсход-окружающая среда
Расчетная тепловая емкость
Время тепловой релаксации
0,8...0,94*...1,05 В
0,9-1,1 В
0,7-0,95 В
200...500* В
не более 10 мкА
не более 50 мкА
20* 70* ,100 нс
не более 150 нс
0,4* 1 0* мкС
не более 60* ’С/Вт
не более 6,2* мкДж
не более 17* мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение
100 В
133
Мгновенное обратное напряжение	150 В
Постоянный прямой ток	150 мА
Мгновенный обратый ток при переключении 200 мА
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Г 60 .1 25°С	500 мВт
Г-*+125‘С	250 мВт
Г » 175'С	0 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность
(tH 1-3 мкс, 1 2 ГГц, Т= < 25‘С)	4 Вт
Значение допустимого статического потенциала 200 В
Рабочий диапазон частот	.0,1 - 30 ГГц
Рис.5.120. Зависимости: прямого сопротивления потерь (а), време-
ни обратного восстановления (б) и накопленного заряда (в) от
тока прямого смещения; прямого сопротивления потерь от
импульсной рассеиваемой мощности (г); емкости диода ст
постоянного обратного напряжения (д)
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе I С
Минимальная наработка в составе IС в
облегченном режиме (Р 250 мВт)
Срок сохраняемости в составе ГС
-60...+ 125°С
25000 ч
50 000 ч
25 лет
Примечания: 1. Рекомендуется защита смонтированного
диода лаком ЛК 113 или АД-9103. 2. Установку диодов
рекомендуется проводить капилляром с принудителы ым
воздушным разрежением. 3 Величина допустимого сжима-
ющего усилия не более 2 кг/мм2. 4 При Т=+25...+175°С
максимально допустимая непрерывная рассеиваемая мощн-
ость изменяется линейно. 5. Допускается эксплуатация дио-
дов в режиме прямого смешения до температуры окружаю-
щей среды 175°С при малом уровне СВЧ мощности, не
вызывающем дополнительного разогрева диода.
Изготовитель- Томилинский завод полупроводником
приборов.
2А557А
Диод кремниевый, планарно-эпитаксиальный, ограи-
чительный. Рабочим элементом диода является поу
проводниковая структура тина jT-n пТ Предназна* ен для ^и-
менения в устройствах ограничения и управления Мш-
ностью, защиты входных цепей приемников СВЧ-диап4на
длин волн Выпускается в металлокерамическом коррсе
типа КД-105 с жесткими выводами. Габаритный черен
соответствует прибору 2А507 (рис.5.12). Тип диода оз-
начается двумя синими точками на корпусе. Положишь
ный вывод со стороны крышки. Масса диода не более 0,1 .
Пример записи условного обозначения при заказе и:
конструкторской документации: диод СВЧ 2А55А,
аАО.339.642 ТУ.
Электрические параметры
1'ис.5 119 Зона возможных положений зависимости прямого
сопротивления потерь от температуры (а) и частоты (б)
Общая емкость диода при	
иоб=0	0,55...0,95 пФ
ц^-чоо в	0,45—0,85 пФ
Сопротивление СВЧ диода при низком уровне СВЧ мощности (Рга < 1 мВт, f 4,3 ГГц) Прямое сопротивление потерь при	не более 30 Ом
1^=1 мА	1,3*. 4,7* Ом
I _Ю мА	0,4* .1,4* Ом
1^=100 мА	0,2* .0,7* Ом
Накопленный заряд (I 10 мА, U , 10 В) при Т-+25'С	0,3. 1,0 нКл
Т=+135‘С	0,4.. 1,5 нКл
Т=-60‘С	0,2... 1,0 нКл
Пробивное напряжение (1^ 10 мкА) Постоянное прямое напряжение	100... 180 В
(I -100 мкА) при Т -25’С	0,85.. 1,1 В
Т 135°С	0,75-1,1 В
Т=-60°С	0,9-1,3 В
Просачивающаяся мощность (Р„ 2,5 мВт)	нс более 0,8 Вт
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда	
(I 10 мА, I - = 6 мкА, Т +25”С) Дифференциальное сопротивление	80*... 130* мкс
(1^ 100 мА)	0,6*—0,73*...1,0* С
Тепловое сопротивление переход-корпус	14* 19*—20’С/Вт
Емкость корпуса	0,32 ..0,37 пФ
Индуктивность диода	не более 0,5 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	40 В
Мгновенное обратное напряжение	80 В
Постоянный прямой ток	0,5 мА
Значение допустимого статического потенциала 100 В
Непрерывная рассеиваемая мощность при
134
I or  60 до I 35'C	5 Вт
T* + 135"C	1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
(t *5 1 мкс, Q > 1000) при
Гк oi -60 до I 35 <	200 Вт
г“=+135'С	40 Вт
Рабочий диапазон частот	0,3 3	ГГц
TcMnepaiypa окружающей среды	-6О...ТК=+135'С
Минимальная нарабгнка	15000 ч
Минимальная наработка в облегченном режиме
(Р„= 0,5Ргои. U 0,7Umax. 1= 0.7U)	30000 ч
Срок сохраняемое! и	25 лет
Примечание: При Тк < 35... + 135'С максимально
допустимые непрерывная и импульсная рассеиваемые мощ-
ности изменяются линейно
Рис.5.121 Зона возможных положений зависимостей накоплен-
пог о заряда от тока прямого смешения (а); дифференциального
сопротивления от тока прямого смещения (б); сопротивления
потерь при низком уровне СВЧ-мощности от температуры (в)
4зготовитель: Завод при ПИИ "Сапфир", г. Москва.
2Л558А-3, 2А558Б-3, 2А558А1-3, 2А558Б1-3
Диодные пары кремниевые, диффузионные, переключа-
>льные Рабочим элементом диода являются две полупро-
!элпиковые структуры типа р i и Предназначены для
рименения в переключающих устройствах, фазовращателях,
одутяторах, аттенюаторах сантиметровою и миллиметро-
эю диапазонов длин воли в составе гибридных интеграль
ых микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту
Сриборов от воздействия влаги, соляного тумана, плссне-
ых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного дав-
ления Выпускают ся в бескорпусном исполнении с балочными
выводами, без крйеталлодержателя (рис 5.122). Диоды
2А558А-3,2А558Б-3-прямой полярности, диоды 2А558А1-3,
2А558Б1-3-обратои полярности. Тин диода приводится на
этикетке Маркировка (тнак + или ) наносится методом
фотолитографии на выводе 3 Масса диодов не более 0,5 мг.
Пример записи условного обозначения при заказе и в кон-
структорской документации, диод СВЧ 2А558А-3,
аАО 339 657ТУ
) 1ектрическис параметры
Емкость каждой p-i-n структуры
10В 2А558А 3.2А558А1-3
2Л558Б-3,2А558Б1 3
Пеидентичность p-i-n структур по
емкости 2А558А 3
2А558Б 3
Прямое сопротивление потерь
каждой p-i-n структуры (I 5 мА,
Гюм=1 ГГц) 2А558А 3,2А55ЙЛ1-3
2А558Б-3.2Л558Б1-3
Пеидентичность p-i-n структур по
прямому сопротивлению
Накопленный заряд в каждой p-i-n
структуре (11ф=5 мА)
Обратное сопротивление потерь в
каждой p-i-n структуре (U^ 10 В,
Lm= 4 ГГц)
Постоянное прямое напряжение в
каждой p-i-n структуре (I 5 мА)
при Т +25 и + 125‘С
Т--60’С
Пеидентичность p-i п структур по
прямому напряжению
Пробивное напряжение каждой
p-i-n структуры (1^= 10 мкА)
Постоянный обратный ток каждой
p-i-n структуры (U^ 10 В)
Время обратного восстановления в
каждой p-i-n структуре (1=1 мА,
мА)
Эффективное время жизни
неравновесных носителей заряда
(I 10 мЛ I, 6 мА)
Тепловое сопротивление переход-
корпус каждой p-i-n структуре
0,07 .0,1* 0 14 нФ
0,12...0,16*...0,2 пФ
не более 0,015 пФ
нс более 0,020 пФ
1,0. 2.0*...3,0 Ом
0.8.. 1,3*...2,3 Ом
не более 0,5 Ом
0.08*...0.2*...0,4* п К л
типовое 20* кОм
0,7 .0,83* .0,95 В
0,75. .1,0 В
не более 0.012 В
55 80* 140* В
не более 10 мкА
2* .5* 10* нс
3(f 130*пс
не более 400* °С/Вг
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	25 В
Мгновенное обратное напряжение	40 В
Постоянный прямой ток	50 мА
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Г 60 +25‘С	500	мВт
Т»+125’С	170 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при
Т -6О...125”С	500 мВт
Т=+125’С	170 мВт
Значение допустимого сташческого потенциала 100 В
Температура окружающей срезы	-60... + 125*С
135
Минимальная наработка в составе ГС
Минимальная наработка в составе ГС в
облегченном режиме (Рр1с=250 мВт)
Срок сохраняемости в составе ГС
25000 ч
50000 ч
25 лет
П р и м е ч а п и я 1 При 1 = ь25...+125°С максимально
допустимые непрерывная и импульсная рассеиваемые
мощности измени вися линейно. 2 При монтаже инодов в
ГС разрешается иииб вывода 3 на угол не ботсе 45
Изготовитель. 1омилинский завод полупроводниковых
приборов.
2А559А
Диоды кремниевый, дни (аксиальный. переключигельный.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
сп: кгура типа p-i-n. Предназначен для применения в комму-
тационных устройствах, фазоврашатетях. модуляторах,
анепюаторах сантиметровою и дециметровою диапазонов
длин волн Выпускается в металлокерамическом корпусе
типа КТ ЮбЛ с жесткими выводами (рис.5.125). Тип диода
приводится на этикетке, диод не маркируй гея. Положительны)
пывод-со стороны крышки. Масса диода не более 2.5 г. Пример
записи условною обозначения при заказе и в конструктор-
ской документации, диод СВЧ 2А559Л. аАО.339 695 ТУ
Вь вод 1
Вь вод 2
Электрические параметры
25 50 100 150 Tf С
Рис 5 123 .Зона возможных положений зависимостей: прямого
сопротивления потерь от тока прямого смешения (а), обратного
сопротивления потерь (б) и емкости диода (в) от напряжения
обратного смешения, времени обратного восстановления от
постоянного ратного тока (г); э<р[>сктивного времени жизни
неравновесных носителей заряда (д) прямого сопротивления
потерь (с) и времени обратного восстановления (ж) от температуры
Общая емкость диода
Прямое сопротивление потерь
(I = 100 мА)
Обратное сопротивление потерь
(IU Ю0В)
Постоянное прямое напряжение
(L 100 мА) при Т-+25”С
I - +125“С
Г--60‘С
Эффективное время жи .ни неравно-
весных постелей заряда (1^= 10 мА)
Тепловое сопротивление
структура-корпус
Индуктивность диода
Время тепловой релаксации
Время обратною восстановления
Рис. 5.125
1,7 ..2,5 пФ
не более 1,0 Ом
не более 5,0 Ом
0,7. .1,0 В
0,5. 0.9 В
0,7 ..1.3.В
4 ..15 нс
нс более 5 С/Вт
не более 0,16 нГн
типовое 3 мс
не более 8 мкс
Предельные экенлуа (анионные данные
Постоянное обратное напряжение	400 В
Мгновенное обратное напряжение	1700 В
Постоянный прямой ток	300 мА
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Тк -60...+35°С.	20 В г
Тк=+125С	6 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при
Тк=-60... I 35(	10 кВт
Тк Ы25“(	2,5 кВт
Значение допустимого статического потенциала 1000 В
Рабочий диапазон частот	0,3 4	ГГц
Температура окружающей среды	-6О.., + 125°С
Минимальная наработка	15000 ч
Минимальная наработка в облаченном режиме
(Р^ =ЮВт,и>акс= 850B,Ut€p== 200В, Т"-60..35°С) 30000 ч
(фок сохраняемости	25 лет
мощн<>2тнЭ',В1,СИМ1>СТЬ,1РЯМОГ0С011,’0ТИВ<,с,11,япогср1’о11,ходноП
Примечания: 1. При Т=+.35...-1 125 С максимально
допустимые непрерывная и импульсная рассеиваемые
мощности изменяются линейно 2 При давлении менее
200 мм рт.ст мгновенное обратное напряжение равно 400 В
136
0,05 0 14* .0,2 пФ
Рис.5.126. Зона м» {можных положений мнисимостси: прямого
conpoj имения потерь <п тока прямою смешения (а), обратного
сонропшяеппя потерь ог напряжения обратного смешения (6);
крп пиеской частоты or температуры (в); прямого сопротивления
потерь от температуры (г)
1 мк >сть структуры (И^ 30 В)
Сопротивление СВЧ-диода при
ни жом уровне СВЧ мошцусти
(Pni< 1 мВт, i 4.3 Нц)
Прямое сопротивление потерь
(1пр Ю мА)
Пробивное напряжение (1< 10 мкА)
Постоянное прямое папряженпе
(11ф- 100 мкА) при ! 23 С
I |2>С
I -60‘С
Нормируемое постоянное обратное
напряжение (It<[i 5 мкА)
'Эффективное время жизни
неосновных носителей заряда
(1„р 10 мА, 1U 10 В)
Емкость корпуса
Инду ктивносг ь дно та
I силовое еопрот пвЛснне
переход корпус
Время тепловой релаксации
18* . 23* . 27 Ом
1.1*...1,2*..1,5 Ом
80... 120*...150 В
0,85... 1.0* .1.2 В
0,75...1,1 В
0.9. 1.25 В
нс менее 50 В
38*...50*...80 ттс
0.21 .0.23* .0,25 пФ
0,36*.. 0,47*...0,5 нГн
8*...11*...3(ГС/Вт
не более 20 мкс
И згоготпель: Запоя при ЛИИ "Сапфир", г. Москва.
2А560А, 2А560А-5
Пре гельвые эксплуатационные тайные
Диоды кремниевые, планарно эпитаксиальные, ограни-
чительные. Рабочим эчементом диода является полу-
проводниковая структура типа [Г п нТ Предка итачены тля
применения в устройствах ограничения и управления
мощностью, зашиты входных испей приемников СВЧ-дна
пазона длин волн. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе типа KJI- ЮС» с жесткими выводами и в бескорпус-
ном исизлпеппи в виде кристалла с контактными нлошадка
ми бе т крмсталлоиержателя (рис.5.127) Габаритный чертеж
диода п корпусе соответствует прибору 2А107 (рис. 1.14).
Бсскорпусныс диоды предназначены для применения в сос
таве гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих
герметизацию и защиту приборов от воздействия плати.
Соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, понижен
ного и повышенного давления. Тип диода 2А56ОА-5 приво-
дится на групповой таре, обозначается двумя синими точ-
ками ив корпусе. I [оложгт тельный вывод - со стороны крышки.
Масса диода 2А56ОА не более 0,2 г. диода 2А56ОА-5 не бочее
0,001 г. Пример таписн условного обозначения при з-кате
в в конструкторской документации.диод СВЧ 2аэ60А,
аАО 339.704 ТУ; диод СВЧ 2А56ОА5. аАО 339.705 ТУ
Рис. 5.127
Выёод2
Вывод 1
Вывод2 + L
Олектрические параметры
О г пая емкость диова
2A56QA (11^ 30 В)
0,30...0,37*...0,45 пФ
Постоянное обратное напряжение	25	В
Мтновепнос обратное напряженно	50	В
Постоянный прямой ток	0,3	мА
Значение лопут тимого статического потенциала 30 В
Непрерывная рассеиваемая мощность при
, I от -60 л<> + 25 С	3,75 Вт
I - +125 (	0,5 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
(1н < 1 мкс, Q 2 1000) при
I от -60 до з 25 С
I *з 125 С
Рабочий диапазон частот
Температура окружающей среды
Мннпчатьная наработка
Минимальная наработка в обличенном режиме
(Т 0.5Р , IJ 0,7U , I 0,71 )	30000
' рис ’ max'	’ имч’	пит
Срок сохраняемости	25 тег
100 Вт
13 Вг
3 - 11
6О...ТК
15000 
ГГц
+ 135'С
II р и м е ч а ния: 1. При Т +25...з 125 С максимально
допустимые непрерывная и импульсная рассеиваемые
мощности изменяются линейно. 2. Температура на корпусе
ие должна тгрс'-ышать температуру окружающей среды более,
чем на 104. 3 При монтаже диодов 2А560Л 5 в ГС минусе
вый электрод рекомендуется паять эвтектическим припоем
зотото-термантнт. температура пайки 450+ 30 С, время не
более I мин. Перед пайкой рекомендуется протирать соеди-
няемые летали нпловым спиртом Повторная пайка не
допускается. Допускается применение спирте канифотьно
го флюса и лтиге тьпое (до 30 мин) воггействне температуры
пс более 140'С. 4. Плюсовой вывод диода 2А56ОЛ-5 присос-
ипястся к проводникам ГС методом термокомттрессип
золотым проводом диаметрам 30 мкм с нижним нодотревом
до температуры нс более 200'С и верхним подогревом иглы.
5 Рекомендуется использовать Диод с подпитывающим то
ком 6. Допускается использование лиата в качестве пере-
ключательного
137
Рнс.5.128 Зона возможных положений зависимости э<)>фсктивно-
го времени жизни неосновных носителей заряда от температуры
Рис.5 129 Зависимости: прямого сопротивления потерь от темпе-
ратуры (а) и тока прямого смещения (б)
Изготовитель Завод при ПИИ Сапфир", г. Москва.
2А561А-3
Диод кремниевый.диффузионный, переключательный
Предназначен для применения в нереклкяаюших устройствах,
фазовращателях, модуляторах, аттенюаторах сантиметрового
диапазона длин волн в составе гибридных интегральных
микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту прибо-
ров от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых гри-
бов, инея и росы, пониженною и повышенного давления.
Выпускается в бескорпусном исполнении с балочными
выводами без кристаллодержателя (рис.5.130). Тип диода
приводится на этикетке. Масса диода не более 0,5 мг. Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструктор-
ской документации диод СВЧ 2A56IA 3, аАО 339.715 ТУ
Рис. 5.130
Вывод J
Вывод2
Электрические параметры
Общая емкость диода (U^ 10 В)
Прямое сопротивление потерь
(L, 1 ма)
Обратное сопротивление потерт.
«W ю В)
Постоянное прямое напряжение
(1^ 1 мА) яри Т +25'С
Т“-60’С,
Т +125 С
0,08 0,105* .0,15 пФ
1,2*. 1,75* .3,0 Ом
20... 100 Ом
0,75..0,8*...0,9 В
0,65 .0,8 В
0,80...0,95 В
Время обратного восстановления
(I 1 мА, 1оСри< 70 мА)
Эффективное время жизни
неравновесных носителей заряда
(I 10 мА, 1.	6 мА)
Тепловое сопротивление
переход корпус
Индуктивность диода
0.7*. .0.8* 1,0 нс
7*.. 14* ..25 ис
не более 400‘С/Вт
нс более 0,2 нГн
Ире тельные эксплуатационные тайные
Постоянное обратное напряжение
Мгновенное обратное напряжение
Постоянный прямой ток
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т=-6О...+25"С
Г +125 С
Значение допустимого статического потенциала
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Минимальная наработка в составе Г<' в
облегченном режиме (Р^ 85 мВт, Т= т 550
Срок сохраняемости в составе ГС
10 В
20 В
50 мА
170 мВт
60 мВт
30 В
-60...» 125‘С
30000 ч
60000 ч
25 лет
Примечания: 1. При установке диодов в ГС допускается
смешение верхнего балочного вывода в вертикальной
плоскости на величину, не превышающую высоту диода.
2 Установку диодов рекомендуется проводить каниляром с
принудительным воздушным разрежением 3. В диапазоне
температур от л 25 до л 175’С максимально допустимая
непрерывная рассеиваемая мощность изменяется линейно.
При Т, равной т 175 С. рассеиваемая мощность равна нулю.
4 Разрешается применение диодов в диапазоне частот до
50 ГГц. При этом в диапазоне частот от 4. до 50 ГГц элек-
трические параметры диодов могут отличаться от приве-
денных норм.5. Допускается защита диодов в ГС лаком
АД-9103, АК113
Пробивное напряжение (1. 10 мкА) 24 .35* 60* В
Постоянный обратный ток (ЦЛр’20В) нс более 5 мкА
138

Рис 5 131. Зона возможных положений зависимостей: прямого
сопротивления потерь (а) и времени обратного восстановления
(б) от тока прямого смещения, емкости диода (в) и обратного
сопротивления потерь (i) от постоянною обратного напряжения,
прямого сопротивления потерь от входной мощности (д)
эффективного времени жизни неравновесных Носшелей заряда
(е) и времени обратного восстановления (ж) от температуры.
Изготовитель Томилинский завод полупроводниковых
приборов.
2А563А-3
Диод кремниевый, эпитаксиальный. переключательный
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
структура типа р i-n. Предназначен для применения в пере
ключаюптих устройствах, фазовращателях, модуляторах,
аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов
длин волн в составе гибридных интегральных микросхем,
обеспечивающих герметизацию и гатигу приборов от воз-
действия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и
росы, пониженного и повышенного давления. Выпускается
в бескорпусном исполнении без кристаллодсржателя е балоч-
ными выводами (рис.5 132) Тип диода приводится на :и икет-
ке. Масса диода не более 0,3 мг. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкгорской документации
диод СВЧ 2А563А 3, АЕЯР 432 135 006ТУ.
Рис. 5.132
Вывод 7
i
Вывод2
Электрические параметры
Общая емкость диода (Uti6p=I0 В)
Прямое сопротивление потерь
(I 10 мА)
Обратное сопротивление потерь
dV 10 В)
Постоянное прямое напряжение
(I 10 мА) при Т +25 С
Т=+125 С
Т--60С
Постоянный обратный ток
(1^=190 В)
Время обратного восстановления
(1ТО - 10 мА, 1^ = 200 мА)
Тепловое сопротивление
структура- подложка
Индуктивность вывода
0,1...0.15*...0,2 пФ
не более 1.8 Ом
не менее 20 Ом
0,73 ..0,8* .0,88 В
0,55 ..0,7.5 В
0,85... 1.05 В
не более 5 мкА
не более 50 нс
не более 700'С/Вт
0,20* нГп
11 ределькые экептуата тонные данные
Постоянное обратное напряжение
Мгновенное обратное напряжение
Постоянный прямой ток
Непрерывная рассеиваемая мощность при
V-60..T25C
ТоСИ=+125Ч:
Значаще допустимого статического потенциала
Рабочий диапазон частот
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в сосгаве I С
Минимальная нарабо!ка в составе ГС в
облегченных режимах при
V °’67 Вт (Тк 25’с)
Рис= 0,25 Вт (Г +85°С)
Срок сохраняемости в составе ГС
100 В
160 В
20 мА
1000 мВт
330 мВт
100 В
0,3 - 20 ГГц
-6О... + 125°С
10000 ч
33000 ч
25 лег
Примечание: При Г"+25 +125 С максимально
допустимые непрерывная и импульсная рассеиваемые
мощности изменяются линейно
Рис.5 133 Зона возможных положений зависимостей: обратного
сопротивления потерь от напряжения обратного смещения (а)
времени обратного восстановления or тока прямого смешения
(б) времени обратного восстановления от импульсного obnar
ного тока (в); прямого сопротивления потерь от тока прямого
смешения (г)
Изготовитель: Завод Тантал", г. ( аратов/
139
2Л565А
Диод кремниевый, повсрхностно-ориен тированный
диффузионный, отраничитс пятый. Рабочим элементом дио-
да является полупроводниковая структура типа р-п-нТ Пред-
назначен для применения в устройствах ограничения и
управления мощностью, защиты входных цепей приемни-
ков дециметрового диапазона длин воли Выпускается в
металлокерамическом корпусе типа КТ-16 с жесткими вы-
водами Габаритный чертеж соответствует прибору 2А537
(рис.5.69). Маркировка наносится на крышку диода марки-
ровочной краской. Положительный вывод-со стороны
крышки. Масса диода не более 2 г. Пример записи условно-
го обозначения при заказе и в конструкторской документа-
ции: диод СВЧ 2А565А, АЕЯР 432130.021 ТУ
Электрические параметры
Общая емкость диода (13^= 0)
Прямое сопротивление потерь
(1^= 100 мА)
Постоянное прямое напряжение
не более 5 пФ
не более 2,5 Ом
(I 40 мкА)	0,75 0,95 В
' пр
Эффективное время жизни неравно-
весных носителей заряда (11ц =
1 епловос сопротивление
переход-корпус
Емкость корпуса
Индуктивность диода
Время тепловой релаксации
Выходная мощность
(Р = 30 Вт. f = 153 МГц)
' иоср
100 мА) нс более 15 нс
не более 7 °<'7нт
0,2 ..0,45 пФ
не более 2,5 нГи
не менее 1 мс
не более 0,25 Вт
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный прямой ток	0,7 мА
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т от -60 до +35°С	15 Вт
Т* + 125‘С	3 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность
(tM < 1 мкс, Q > 1000) при Ткот -60 до * 35‘С 1000 Вт
Тк + 125"С	200 Вт
Значение допустимого статического потенциала 1000 В
Рабочий диапазон частот	0,1-1 ГГц
Температура окружающей среды	60. Гк +125‘С
Минимальная наработка	15000 ч
Минимальная наработка в облетен ном
режиме (1’^= 7,5 Вт, Г =25'С)	30000 ч
Срок сохраняемости	25 тет
Примечание При Тк +35 . + 125'С максимально
допустимые непрерывная и импульсная рассеиваемые
мощности изменяются линейно.
Рис.З 134 Аята но тможпых положений зависимостей: прямого
сопротивления потерь от температуры (а), (фиктивного времени
изнн неравновесных носителей .заряда от температуры (б)
Реых.и,дБ/Вт
Рие 5 135. Ограничительные характеристики аис тов на верхней
частоте рабочего диапазона частот
Рис.5.136 Зона возможных положений ограничительной
характеристики на нижней частоте рабочего диапазона частот
Изготовитель: Завод при НИИ "Сапфир”, г. Москва.
2А566А-3, 2А566Б-3
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая
структура типа р т-п. Предназначены для применения в
переключающих устрт иствах. фазовращателях, модуляторах,
аттенюаторах сантиметрового и дециметрового днапа:к»юв
длин волн в составе тибридных интегральных микросхем,
обеспечивающих терметизацию и защиту приборовот воздей-
ствия влаги, соляного тумана, плесневых трибов, инея и
росы, пониженного и повышенного давления. Выпускаются
в бескорпусном исполнении без кристаллодержателя с
балочными выводами. Габаритный чертеж соответствует
прибору 2А553 (рис.5.108). Тип диода приводится на этикетке.
Масса диодов не более 0,5 мг. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 2А566А 3, АЕЯР 432 135.065 ТУ
Этектричсские параметры
Общая емкость диода ((J <Р=Ю В)
2А566А-3
2А566Е-3
Прямое сопротивление потерь
(I =10 мА, fmM Н ГГц) 2А5 6А-3
2А566В-3
Обратное сопротивление потерь
HU1 10 В>
Постоянное прямое напряжение
(I = ЮмА) при 1 1-25’С
I -60 С
Т-- t 125’С
0,035. 0,05* .0,06 пФ
0,015...0,03* ..0,04 пФ
1,05?.. 1,6*...2,0 Ом
1,05*. 1,7*. .3,0 Ом
не более 20 кОм
0,8...0,9*...0,95 В
0,9... 1,15 В
0,6. 0,9 В
Постоянный обратный ток (lJc6p=40B) не более 5 мкА
Время обратного восстановления
(I = 10 мА, 1 . = 200 мА)
' пр	’ •ЗГ'П.И	'
140
2Л566А 3	1,5* 3.4*. 5,0 не
2Л566Б-3	2.0* .4.0* 6 Г ,(е
Пробивное напряжение (1с	10 мкА) не менее 50 it
Тепловое сопротивление
структура-теплотп вод
Индуктивность вывода
Эффективное время жизни
неосновных носителей заряда
(V Ю мА. 1^и 6 мА)
2А566Л-3
2А5661. 3
не более 500* С/Вг
0.12* пГп
1O*...3O*.V.5O нс
20* . 40*...60 нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	20	В
Мтновсниое обратное напряжение	40	В
Постоянный прямой ток	50 мА
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т н 60...+25‘С	250 мВт
Г" +125 С	50 мВт
Л1Н
йтачение допустимою статического потенциала Рабочий диапазон частот	50 В 0,001-120 ГГц
Температура окружающей среды	-60... + 125’С
Минимальная наработка в составе ГС	30000 ч
Минимальная наработка в составе Г( в облегченных режимах при Р 125 мВт и Тк 50 С	60000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
Примечание: При Т +25. +125 С максимально
допустимые непрерывная и импульсная рассеиваемые мощ-
ности изменяются линейно.
Рис.5.137 Зона возможных положении гависимостей' обратного
сопротивления потерь от напряжения обратного смещения (а)',
времени обратного восстаповления от тока врямогоемещенття (б)
и обратного импульсного напряжения (то. прямого сопротивле-
ния потерь от тока прямоте тока (г) и температурь: (д);
емкости диола от обратною напряжения (е)
Изготовитель. Гомплинский завод полупроводниковых
приборов.
Прямая таблица полных аналогов
переключательных и от рани штепьных диодов
Тип пио та (отечеств.)	Тип диода Материал Корпус (зарубежи.)			ФирМа- изготовитель
1А501А-И	DH625	Si	F27	'lliomson-CSF
1А5О4А.Б	PSO120B	Si	1-27	Parametric
ГА504В	PSO120C	Si	F27	Parametric
2А5( 7А-В	3C2103C	Si	M10	Marco mElec
2А507А-В	VM7108A	Si	1 32	1 Jnnrode
2А509А В	PSO120C	Si	F27	Parametric
КА510Г	МА4Р203-30 Si		V7	MicrowvAssc
2А511	UM7302A	Si	1 32	Unitrode
2А516	С1С 4222	Si	чип	Freq Source
2A5I7A 2	МА43505	Si	чип	M icro’wAssc
2А518А-4	GS7205B	Si	110	Alpha ncinst
2А52ОА	МА4701О	Si	A27	MicrowvAssc
2А520Б	МА47016	Si	A27	Microwv "ssc
2А522А 2	С LA3132-03	Si	V4	Alphaindust
2А523А-4	МА43607	Si	чин212	MicrowvAssc
2А528А 4	МА47891	Si	V16	MicrowvAssc
2А533А-3	МА4Р802			MicrowvAssc
2А536А 5	МА4Р303	Si	V7	M icrowvAssc
2А536А-6	МА4Р303	Si	V7	MicrowvAssc
2А536Б 5	МА4РЯ04	Si	V7	MicrowvAssc
2А536Б-6	МА4Р504	Si	V7	MicrowvAssc
2А536В-6	GC4212	Si	чип	Freq Source
2А536В-6	GC4212	Si	чип	Freq Source
2А537А	UM4006D	Si	S401	Unitrode
2А540	МА4Р165	Si	чип	MicrowvAssc
2А541А-6	GC4431	Si	чип	Freq Source
2А541А-6	ПР-5082-00		1)19 чип	Hewlett Pkd
2А542А	UM7010D	Si	S401	Unitrode
2А542Б	МА47892	Si	S369	MicrowvAssc
2А542Б	UM71O8C	Si	S288	Unitrode
2А543	GC4411	Si	чип	Freq Source
2А543	ПР-5082-00	Si	чип	Hewlett Pkd
2А546А 5	МА47898	s	чип	MicrowvAssc
2А546А 6	МА47898	Si	чип	MicrowvAssc
2А547	HPND-4050	Si	А402	Hewlett Pkd
2А548А-5	МА4Р162	Si	чип	MicrowvAssc
2А549А	DH832	Si		Thomson-CSF
2А549В	МА47892	Si	S396	MicrowvAssc
2А55ОА-5	ЕН605	Si	чип	Thomson-CSF
2А551А 5	GC4271	Si	чин	Freq Source
2А551Б-5	GC4272	Si	чип	Frcq Source
2А551В 5	GC4271	Si	чин	Freq Source
141
2A551F-5	GC4272	Si	чип	Freq Source
2А552А.Б	МА4Р608-43 Si		S454	MicrowvAssc
2А553Л-3	IIPND 4005	Si	MI127	Hewlett Pkd
2А553Л-3	МА47301	Si	M794	MicrowvAssc
2Л553Б-3	HPND-4005	Si	M1127	Hewlett Pkd
2А553Б-3	МА47301	Si	M794	MicrowvAssc
2Л553В-3	МА4Р800	Si	чин	MicrowvAssc
2А553В-3	МЛ4Р801	Si	чип	MicrowvAssc
2А554А-5	GC4220	Si	чип	Freq Source
2Л554А-6	GC4220	Si	чип	Freq Source
2Л555Л	UM4OQ6C	Si	S288	Unitrode
2Л555Б	МА4Р608	Si	S454	MicrowvAssc
2А555Б	UM40I0C	Si	S288	Unitrode
2А556А-5	VSD-C.320			Varian Assc
2А560А	МЛ41.302-30	Si		MicrowvAssc
2А560А 5	МА41302-13	Si	чин	MicrowvAssc
2А561А-3	МА4Р462	Si		MicrowvAssc
Обращая таблица полных аналогов
переключательных и ограничительных диодов
Тип диода	Тип диода	Тин диола	Тип диода
(зарубежн.)	(отечеств)	(зарубежн.)	(отечеств.)
(ТАЗ 132 03	2A522A-2	МА4Е302-134 2А560А-5	
D11625	1Л501А И	MA4I 302-30	2А560А
DH832	2А549А	МА4Р162	2А548А-5
ЕН605	2А55ОА-5	МА4Р165	2А540
GC4212	2А536В-6	МА4Р2ОЗ-ЗО	КА510Г
GC4212	2А536В-6	МА4РЗОЗ	2А536А-5
GC422O	2А554А-5	МЛ4Р303	2Л536А-6
GC4220	2А554А 6	МА4Р462	2А561А-3
GC4222	2А516	МА4Р504	2А536Б-5
GC4271	2А551А-5	МЛ4Р504	2А536Б-6
GC4271	2A55LB-5	МА4Р608	2А555Б
GC4272	2Л551Б-5	МА4Р608-43	2А552А.Б
GC4272	2А551Г-5	МА4Р800	2А553В-3
GC4411	2А543	МА4Р801	2А553В-3
GC4431	2А541А 6	МА4Р802	2А533А 3
GS7205B	2А518А-4	МА43505	2А517А 2
HP-5082-0025	2А543	МА43607	2А523А-4
HP 5082-0049	2А541А-6	PSOL20B	1А504А.Б
HPND-4005	2А553Л-3	PSO120C	2А509А-В
HPND-4005	2А553Б-3	PSO120C	FA504B
HPND 4050	2А547	UM4006D	2А537А
MA47010	2А520А	UM4006C	2Л555А
MA47016	2А52ОБ	UM4010C	2А555Б
MA47301	2А553А-3	UM7010D	2А542А
MA47301	2А553Б-3	UM7108C	2А542Б
MA47891	2А528А 4	UM7302A	2А511
MA47892	2А542Б	VM7108A	2А507А-В
MA478J£WI.	2А549В	VSD С.320	2А556А-5
MA47898	2А546А-5	3C2103C	2А507А В
МЛ47898	2А546А-6		
2А51ОЛ	KS3542	Si	D034	Freq Source
2А510Б	МА47121	Si	Al	MicrowvAssc
КА510Д	МА47121	Si	Al	MicrowvAssc
2A5IOB	S3066	Si	A338	Thomson-CSF
КЛ5101	S3066	Si	A338	Thomson-CSF
2А512А 4	UM73O2B	Si	A196	Unitrode
2А512Б 4	UM7302B	Si	Al 96	Unitrode
2A51S	PSO610	Si	D07	Parametric
2Л517А 2	PSO530CZ	Si	F10	Parametnc
2А517Б-2	PSO530DZ	Si	F10	Parametnc
2A5I9A	МА47120	Si	Al	MicrowvAssc
2А523Б-4	UM43006B	Si	A285	Unitrode
2А524А 4	PSO140C	Si	127	Parametnc
2А524Б 4	PSO130B	Si	1 27	Parametric
2А526А-5	DG2519A	Si	V9	MarconiElec
2А528Б 4	UM4906B	Si	A285	Unitrode
2А331А-6	MA4GP025	GaAs		MicrowvAssc
2А532А-5	UM 7006	Si	A196	Unitrode
2А532А 5	PSO830BY	Si	Al	Parametric
2А534А	PSO605AX	Si	D07	Parametric
КА534В	МА47413	Si	Al	MicrowvAssc
2AS36B	1SV26		Ml 113	NEC CoipJA
2А537Б	UM4OO2D	Si	S401	Unitrode
2А541А 6	GC4222	Si	чип	Freq Source
2А544А-5	KS7522	Si	D07	Freq Source
2А545А-5	UM 9401	Si	Л324	Unitrode
2А554А 5	А1Т500Л 5	3	S356	Advncd Semi
2А554А-6	ЛР15ООЛ-5	3	S356	Advncd Semi
2А557А	KS93O1	Si	Al	Freq Source
Обратная таблица косвенных аналогов
нереключагельных и oipai ичи тельных диодов
Тип диода (зарубежн )	Тип диода (отечеств.)	I ин диода  (зарубежн.)	Тип диода (отечеств.)
1SV26	2А536В	PSD 13011	2А524Б-4
A5S139	2А503	PSO140C	2А524А 4
AP1500A-53	2A5S4A-5	PSO530CZ	2А517А-2
AP15OOA-53	2А<54А-6	PSO530DZ	2А517Б-2
DC2519A	2А526А-5	PSO605AX	2А534А
EH404	2А506А Д	PSO610	2А515
GC4222	2А541А-6	PSO830BY	2А532А-5
KS3542	2А510А	S3O66	2А510В
KS7522	2А544А-5	S3066	КА510Е
KS9301	2А557А	UM4002D	2А537Б
MA47089	1Л501Л И	1IM43006B	2А523Б-4
MA47120	2А519А	UM4906B	2А528Б 4
MA47121	2А51ОБ	UM7006	2А532Л 5
MA47121	КА5ЮД	UM7302B	2А512А-4
MA47413	КА534В	UM7302B	2А512Б-4
MA4GP025	2А53 А-6	UM9401	2А545А-5
Прямая таблица косвенных аналогов
переключательных и ограничительных диодов'
Тчп диода (отечеств )	1 ни диода (зарубежн.)	Магериаз	Корпус	Фирма- изготовитель
1А501А И	‘ МА47089	Si	Al	MicrowvAssc
2Л5ОЗ ”	'A5S139	Si	А416	TRW Microwv
2А506А-Д	Е-Н404	Si	чин	Thomson-CSF
142
РАЗДЕЛ 6: УМНОЖИТЕЛЬНЫЕ И
НАСТРОЕЧНЫЕ ДИОДЫ
6.1 УМНОЖИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
Умножительный диод полупроводниковый прибор,
представляющий собой нелинейное активное или реактив-
ное сопротивление в СВЧ диапазоне и предназначенный для
умножения частоты СВЧ-колебал и й В случае приложения
к умножитетыюму диоду гармонического напряжения с
частотой ш за счет нелинейных свойств активной и реактив
ной частей сю полною сопротивления в цепи умножитсльного
диода протекает ток, содержащий спектр гармоник, кратных
основной частоте со. Следовательно, для умножения частоты
moot быть использованы диоды тиа нелинейного сопро-
тивления, вольгамперная характеристика которого достаточ-
но точно описывается экспоненциальной функцией
I(U) IJexp(cUAT) 1],	(6.1)
либо нелинейною реактивного сопротивления, имеющего
емкостной характер и описываемого нелинейной
зависимостью емкости диода от приложенного к нему
напряжения (1):
С(Н) Co(<pk - l4)/(q>k + Цф), (6.2)
где <рк - контактная разность потенциалов, а показатель
степени у определяется распределением примеси в активной
области диода. Для наиболее распространенных на практике
случаев. 1)у = 1/2 для ре ткого р-n перехода, когда концентра-
ция примесей по обе стороны р-n перехода одинакова,т.е.
N(x) = N, при х<0 и N(x) Nd при х>0, и 2) у =4/3 для
линейного перехода, когда N(x)=gx; 11т1л - максимальное
напряжение, которое может быть приложено к диоду, Со -
минимальное значение емкости при напряжении на диоде,
равном U .
Выражения (6.1) и (6,2) обычно используются для ана-
лиза процессов в диодных умножителях частоты. Исполь-
зование умножителей частоты на диодах с нелинейным
активным сопротивлением крайне ограничено из- за сложности
настройки, малого КПД обусловленного тем, что мощность
гармоник убывает с номером гармоники обратно пропор
ционально его квадрату.
Наибольшее распространение в настоящее время получили
диоды типа нелинейной емкости (варакторы). Различают три
основных режима работы варакторных умножитетьных дио-
дов: 1) нормального возбуждения, 2) нерево збуждения,
3) накопления заряда и резкого восстановления обратного
сопротивления диода (1,8).
В режимах нормального возбуждения и перевозбуждения
к варактору прикладываются одновременно постоянное
напряжение обратного смешения и переменное напряжение
на частоте «. причем амплитуда переменного напряжения в
режиме нормального возбуждения меньше напряжения
постоянного смещения, а в режиме перевозбуждения боль
ше, таким образом, через варактор в течение части поло-
жительного полупериода переменного напряжения протека-
ет прямой ток, образуя импульсы, спектр которых содержит
большое число гармоник основной частоты с приемлемым
коэффициентом преобразования энергии основной частоты
в энергию на этих гармониках
При протекании прямого тока через диод в нейтральных
областях р-n перехода происходит накопление неосновных
143
носителей заряда,и прн изменении полярности приложен-
ного к диоду напряжения ток мгновенно ие прекращается, а
изменяются его величина и направление, образуя импульс
тока обратной полярности, по окончании которого обратное
сопротивление лиода восстанавливает свою величину.
Соотношение длительности фронтов нарастания и спада
импульса обратного тока характеризует скорость ликвида-
ции накопленного заряда и восстановления величины обрат-
ного сопротивления диода при смене напряжения с прямого
на обратное. Для диодов с накоплением заряда и эффектом
резкого восстановления обратного сопротивления характер-
но наличие в спектре протекающего через диод тока большо-
го числа тармон н к высоких порядков (более 10-15) с приемле-
мой для практического применения энергией, причем чем
меньше время обратного восстановления, тем в более высо-
кочастотный диапазон можно осуществить преобразование
энергии
Рис 6.1. Эквивалент ные схемы варакторов, а) в корпусе; 6) упро-
щенная схема
Эквивалентная схема варакторного диода приведена на
рис.6 1,а. При анализе работы реальных диодов влиянием
параметров корпуса Ск, 1 v можно пренебречь, считая, что они
могут быть скомпенсированы элементами настройки или
включены в пассивную схему умножителя частоты. Таким
образом, все соотношения для варакторных умножителей
частоты получены для упрощенной эквивалентной схемы,
изображенной на рис.6 1,о КПД преобразования часготыдля
режимов нормального возбужденья и перевозбуждения
имеет вид
п = ч, схр1 -“..(L, /QL	<б-3)
где г|о - КПД при R, 0; =nf - выходная частота; ап -
коэффициент, определяемый видом функции С(И) и
зависящий от номера гармоники; f - предельная частота
варактора, определяемая выражением f = l/2nRsCo и равная
частоте, на которой добротность диода равна единице.
Умножительиыс диоды характеризуются следующими
основными параметрами: U - пробивное напряжение при
заданном уровне обратного тока, R, последовательное
сопротивление R, -тепловое сопрел явление;^- время жизни
неосновных носителей заряда; Со- емкость диода при заданном
обратном напряжении, f - предельная частота, Рюи -
максимально допустимая рассеиваемая мощность; у - коэф-
фициент модуляции емкости. Для диодов с накоплением
заряда особое заначение имеет время восста новления обратно-
го сопротивления диода. Знание указанных параметров позво-
ляет оценить эффективность преобразования умножителя
для конкретного режима работы и рабочего диапазона частот.
6.2 НАСТРОЕ ЧНЫЕ ДИОДЫ
Настроечные диоды (СВЧ варикапы) полупровод-
никовые приборы представляющие собой переменную
емкость и предназначенные для управления частотой и фазой
в цепях и таких устройствах СВЧ, как генераторы, фильтры,
фазовращатели, коммутаторы и т.п. Для анализа цепей,
содержащих настроечные диоды, обычно ясно н.зуют экви на-
лет ную схему рис.6.1.а, включая Ln. Сд, Rs в схему резо-
нансною кон гу'ра.
Ис нарушая общности рассуждений, при анализе примене-
ния варикапов для управления частотой автогенераторов рас
смотрим о птокоитурный диодный генератор, в резонансную
цепь которого вкпочен управляющий элементе комплексным
сопротивлением Z ry+ jXs, содержащий активный элемент-
варикап с комплексным сопротивлением 7. тд + fjceC (UJ1,
помещенный в корпус с параметрами Ски 1^ [9]. При этом
возможно включение управляющею элемента последователь-
но индуктивной цепи контура генератора (рис.6 2,а) и mJf ал
дельно этой цепи (рис.6.2,б). Изменение обшей емкости
контура на ДС приведет к изменению резонансной частоты
контура на величину
Д1 - ГДС/ 2С [1+ со/21. (dl/dco)], (6.4)
откуда видно, 'по максимальная перестройка частоты дости-
тается в системах с минимальной дисперсией индуктивной
части проводимости резонансной цепи генератора, например,
в микрополосковых схемах или в конструкциях на сосре-
доточенных элементах.
г L
О	б
Ри • 6 2 Упрощенная эквивалентная схема генератора на тиоле
Ганна при параллельном (а) и последовательном (б) включении
варактора
Если пренебречь дисперсией индуктивности при парал-
лельном включении управляющего элемента, то он увеличи-
вает проводимость контура генератора Y G <В па ве тичину
Yy — Gy + jBy, а при последовательном - увеличивает
сопротивление па величину Z... Для относительного измене-
ния частоты можно записать:
Af/f = -1/2 рДВ = -1/2 ДХ/р.
Следовательно, при параллельном включении варикапа
наибольшая перестройка частоты достигается в контуре с
большим характеристическим сопротивлением, а при
последовательном - в контуре с малым р. В том и другом
с тучаях диапазон перестройки частоты тем выше, чем больше
отношение ем костей при нулевом и максимально допустимом
смешении, т.е. чем больше коэффициент перекрытия по
емкости. Поскольку емкость перехода варикапа С параллель-
на емкости корпуса Сд, коэффициент перекрытия гем выше,
чем меньше емкость корпуса диода. Для построения широ-
кодиапазониых генераторов часто применяют бескорпусныс
ва рикапы в виде кристалла или смонтированные в держатель
с возможно малой конструктивной емкостью. Расширение
диапазона перестройки частоты неизбежно приводит к
уменьшению выходной мощности гечтератора из-за потерь
мошности на сопротивлении варикапа при протекании по
нему части тока генератора. Анализ энергетических соот-
ношений приводит к выражению
ДГ/ДХ, = - foC/2 [1+ QP,/Qp pj-', (6.5)
где Q - натруженная добротность резонансной системы без
варикапа; Рт суммарная мощность, выделяемая в контуре
генератора и полезной нагрузке; Рв- мощность, рассеиваемая
в варикапе. Отсюда видно, что диапазон перестройки растет
вместе с ростом Р/Р^  Очевидно, с более добротным варика-
пом можно получить больший диапазон перестройки, так
как его можно сильнее связагь с резонансной системой при
той же мошности потерь, чем низкодобротный. Следо-
вательно,добротность варикапа, определяемая соотношени-
ем Q l/(2nf(' Rs), является важнейшим параметром диодов.
Очевидно, что параметры варакторов, настроечных и
параметрических диодов - добротность, предельная частота и
постоянная времени соответственно, по существу, харак-
теризуют один и тог же параметр диода - потери, вносимые
диодом в СВЧ-пепь Они отличаются друг от друга тишт
режимами и методиками измерения. Вся система парамет-
ров этих трех классов диодов, по существу, идентична, поэто-
му за рубежом диоды с переменной емкостью в справочных
изданиях размещают вместе под рубрикой варакторов.
УКАЗАНИЯ И РЕКОМЕНДАЦИИ ПО
ПРИМЕНЕНИЮ
1. Максимально допустимые обратные напряжение и ток
диода-суммарное значение напряжения и тока (соответ-
ственно) при воздействии постоянного обратного смещения
и СВЧ-мощносги.
2. При монтаже,рстулировке и эксплуатации диодов обяза-
тельно применение мер по зашито от статического электри-
чества и случайного воздействия на диод значите тьного
уровня СВЧ-мощности При этом запрещается работать
без заземленного браслета, с незаземтениой и неприсо-
единенной к корпусу аппарата диодной камерон; оставлять
и перевозить радиотехнические устройства с вставленными
в них диодами при наличии присоединенных к диодной
камере свободных проводников, которые могут принять на
себя электрические заряды, проводить монтаж диодов в
камеру и тти микросхему с помощью незаземленных инстру-
ментов (паяльника, пинцета, отвертки и т.п.); вынимать и
устанавливать диод в диодную камеру при введенной СВЧ-
мощности, подавать СВЧ мощность при отсутствии напря-
жения смешения на диоде или при отсутствии сопротив-
ления автосмещения, превышать значение прямого и обрат-
ного токов в режиме умножения частоты более заданного в
ТУ уровня.При монтаже диодов в разрыв микроиолосковой
линии рекомендуется предварительно зам кисть микро-
полосковые отретки, к которым присоединяется диод
Цепи питания и управления диодов должны обеспе-
чивать защиту диодов но обратному току, рекомендуется
устанавливать в цепи питания диода резистор,ограничиваю-
щий величину обратного тока.
4. Для обеспечен ня нормального теплового режима работы
диода рекомендуется корпуса диодных камер и основание
микросхемы изготавливать из материапов с хорошей
теплопроводностью. Запрещается эксплуатация диодов без
теплоотвода, величина теплового сопротивления корпус
диода-тенлоотвод-окружающая среда указывается в ТУ.
РЕКОМЕНДАЦИИ ПО МОНТАЖУ
ДИОДОВ
1.	Для монтажа корпусных диодов, как правило,
рекомендуют прочное механическое «антовое или резьбовое
крепление диодов в диодную камеру или пайка кристал-
144
ло,держан: яя (минусовою выво ia) к корпусу диотнои камеры
сравнительно леткоплавкпми припоями с ^температурой
плавления. пс превышающей 200-2504 в течение несколь-
ких (3 5) секунд. При пом мотуг быть использованы как
специальные приспособления для пайки, 1ак и заземленный
паяльник, напряжение случайных наводок на котором пс
превышает нескольких десятых долей вольта. Допускается
2-3-кратная перепайка диодов в процессе настройки умно-
жителе)! частоты
2.	Основной метод крепления бескорпусных диодов,
поставляемых в виде кристалла или в mac типах, в ГС термо-
компрессия со стороны контакта меньшей площади и нанка
со стороны контакта минусового основания диода. Реко
мецдустся однократный монтаж диояа в ГС. Величину уси-
лия при lepMOKOMiipeccnn, размеры припариваемых выволок
и сварочною инструмента. температуру и длительность
процесса сварки указывают в технических условиях на кон-
кретный диол Основание диода рекомендуется паять
легкоплавкими припоями тина ПОСК 50-18, ПОИн-50,
НСР2.5 и др с применением в качестве флюса спиртового
раствора канифоли «РКСп Промывку места пайки
рекомендуется проводить в этиловом спирте. 1е.мпсрагура и
продолжительность пайки величина прижимною усилия
указываются в ТУ на конкретный диод.
3.	Основной метод крепления бескорпусных диолов в
керамических и металлокерамических держателях - пайка в
ГС по поверхностям, указанным в габаритных чертежах и 1У.
4.	После монтажа в ГС бескорнусиые диоды могуч быть
защищены компаундом, обеспечивающим отсутствие при
его полимеризации механического воздействия на кристалл
и присоединенные к нему выводы
Рис.63 Зависимости: мощности 3-й гармоники от непрерывной
падающей СВЧ-моншоетп (а), мощности 1 П гармоники от тем
перат уры (6)
2А601А
Диод кремниевый, точечный, умножите льный.
Предназначен д.тя применения в умножителях частоты деци-
метрового диапазона. Выпускается в металлокерамическом
корпусе типа КД-113 с жесткими выводами. Габаритный
чертеж соответствует прибору 2А1О2 (рис. 14.) Гин диола и
схема соединения электродов с выводами приводятся на
корпусе диода Масса диода нс более 3.0 г. Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
Документации: диол еВЧ 2А601А, 1 ГЗ 360.036 1У.
)лектрические параметры
Мощность третьей гармоники
(Р,и= 75 mBi,R|ik 300 Ом на
2940 МГц) Т 2э С	нс менее 7 мВт
Т= -60 и I ЮО’С не менее 5 мВт
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная подводимая CJ34 мощность 75 мВт
Непрерывная подвозимая СВЧ-ме.шность
при кратковременном воздействии
(не более 30 мин)	И0 мВт
Температура окружающей среды	-60	100’С
Минимальная наработка	1000 ч
Срок сохраняемости	8,5 лет
10 СВЧ-приборы	И5
Изготовитель: Херсонский завод полу проводниковых
приборов
2А602А, 2А602Б, 2А602В, 2А6021 2А602Д,
КА602А, КА602Б, КА602В, KA602I, КА602Д,
КА602Е
Диолы кремниевые, планарпо-зцитаксиа тытыс. умно
жительные Предназначены для применения в умножителях
частоты дециметрового диапазона длин both. Выпускаются в
металлокерамическом корпусе тина КД 112 с жесткими
выводами (рис 6 4). 1 ип диода и схема соединения электро
дов с выводами указывается на корпусе диола Масса диода
нс более 2,5 г Пример записи условного обозначения при
заказе и в конструкторской документации: диод СВЧ 2А602А,
1 13,360.047 1 у/диод СВЧ КА6О2А. аАО.336.784 1У
Рис. 6.4
Вывод 1
вывод 2
Электрические параметры
Пробивное напряжение (I.	100 мкА)
2Л602А,2А6021>.КА602Л.КЛ6(>21>	не менее 60 В
2A602B.2A6U2I ,KA602B.KA6021	пс менее 45 В
2Л602Д.КА602Д
КА6021
Постоянный обраипти ток
Предельная час юга
(U =6 В. 11пм 2300 1400 МГц)
2А602А.КА6О2А 1и,м= 3 Г1 и
2Л602Б.КА6021, 1"'“= 3 11 и
2Л6О2В.КЛ6О2В 3 1 Гп
2А6О2Г.КА6021	f™.« 5 ГГп
2А602Д.КА602Д Г“ 5 ГГп
КА602Е Гп2 3 ГГп
Общая емкость диода
«U t’H-U ЮМЫ)
2Л602А.КА602Л
2А602Б.КА602Б
2А602В.КЛ602В
2Л6021 .КЛ6О2Г
2А602Д.КА602Д
КА6О2Е
Емкость корпуса
пс менее 30 В
пс менее 50 В
0.0Г;. 10* .100 мкА
15...30*...63* ГГц
25. .35*...75* ГГц
35 65*. 80* ГГц
50. 65*...90* Г! ц
60...75*..100* ГГц
20.40* 55* Г1ц
Рис 6 5 Зависпмнсги: обшей емкости от напряжения (а),
предельной часкныо! температуры корпуса (б)
Изготовитель: Херсонский завод полупроводниковых
Приборов.
3A603A, ЗА6ОЗБ, 3X603B, ЗА6ОЗГ, АА603А,
\A603Ii, АА603В, AA603I
4.7...5.О‘...8.7 пФ
2.7 3.5*..4,7 нФ
1.7. 2.2*. .2.7 пФ
1.2. .1,5* .1.7 нФ
1,0...1.2*...1,3 нФ
3.5. 4,7 нФ
0.5...0,7 нФ
Диоды арсенидогаллиевые меоаэншаксиальные, умно
ЖН1СЛЫ1ЫС. Предназначены цгя применения в умножителях
часюгы самгиме I ривон, циана зона i дин воли Выпускаются
в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами типа
КД1О-106-2 (рис.6.6). Гип диода указывается па корпусе-
диода. Масса диода нс более 0.65 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации,
диод СВЧ ЗА6ОЗА . аАП..336.000 ГУ; яи<м СВЧ АА603А.
Предельные эксплуатационные манные
Постоянное обратное напряжение
2Л6О2А.2А6О2Ь.КА6О2Л,КЛ6О2Ь	60 В
2 А602 В.2 А6О21, КЛ602 В, КА6021	45 В
2Л602 1.КА602Д	30 В
КА602Е	50 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ ,мощность при
Tt -60. 160 С 2Л602А.КА602А	2,5 В г
2Л6О2Б.КА6О2Б	1,5 Bi
2Л602В.КА602В	1,0 В г
2А6021 КА602Г	0,7 Вт
2А602Д, КА602Д. КА6021	0.5 Вт
Т + 100‘С	2А602А.КЛ602А	1,0 Вт
2А602Б.КЛ602Е	0,6 Вт
2А602В.КЛ602В	0,4 Вт
2А6О2Г.КА602Г	0,3 Вт
2 А602Д. КЛ602Д, Кл602 Е	0,2 Вт
Допустимое значение статического потенциала	150 В
Температура окружающей среды	-60...+85С
le.Mncpaiypa корпуса диода	।100’С
Постоянное обратное напряжение
(1Л = 50 мкА) при Г -*25 С
ЗА603А.ЗА603Б.АЛ603Л.АА603Г.
3A603B.AA603B
ЗА6ОЗГ.АА6031
Г -60. +85’С
ЗА6ОЗЛ,ЗА6ОЗБ.АА6ОЗА,АА6ОЗБ
3A603B.AA603B
ЗА603Г.АА6031
Предельная частота (ЕС 6 В.
fKjM 2300 М 1ц) ЗАббзл.ААбОЗА
ЗА6ОЗБ.ЛЛ6ОЗБ
ЗА6ОЗВ.ЛА6ОЗВ
ЗА603Г.ЛЛ603Г
нс менее ис менее нс менее	20 В 10 В 15 В
нс менее	15 В
не менее	7 В
нс менее	10 В
нс менее	100 I Гц
ис менее	150 [ Гн
ни менее	200 ГГи
не менее	250 ГГц
Примечания: 1 Изменение максимально допустимых
постоянного обратого напряжения и непрерывной
рассеиваемой СВЧ мощности в диапазоне температур
окружающей среды от +60 до + 100"С - линейное 2. Запре-
щается бросать диод, рабо!агь с нсзаземленной и нсприсо
единенной к корпусу ап napaia диодной камерой, оставлять и
перевозить радио технические устройства с вставленными в
Постоянный обратный юк (11^=20 В) 0,001* . 1,0* . 50 мкА
Общая емкость диода (Uix- = 6В)
ЗА603А.ЛА6ОЗЛ 0,5. .1.5 дФ
ЗА603Б. ЛА603Б,
нихдиодами при наличии присоединенных к диодной камере
свободных проводников, которые могут принять па себя
электрические заряды, включать
пайки.
Сд,"* 
диоды в схему методом
3A603B.AA603A.
ААбОЗЬ.ААбОЗН
Тепловое сопротивление диода
Эффективное время жизни
неосновных носителей заряда
Емкость корпуса
Индуктивность диода
(1^,= 30 мА на f 3 ГГп)
0.5 .1,2 пФ
не более 100'С/Вi
не более 10 пс
0.17.. 0,2*. .0,25 пФ
нс более 1.7 нГн
Предельные эксплуатационные данные
12
9
6
3
12А602А, КА602А
2 2А602Б,КА602Б-
3-2А602В,КА602В
4-2А602Г, КА602Г-
5 2АБ02Д,КА602Д
а
—а
юиоер,в
Постоянное обратное напряжение при
Т-+25С	ЗА6ОЗА.ЗА6ОЗБ,
	АА603Л.АА6031,	20 В
	3A603B.AA603B	10 В	।
	ЗА6ОЗГ.АА6031	15 В
1 60...+85 С	ЗА6ОЗЛ.ЗА6ОЗБ.	,.<>
	АА603Л.АА603Б	15 В q	q
	ЗА6ОЗВ.АА6ОЗВ	7 В
146
ЗА603Г.ЛЛ6ОЗГ	К) в
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мотпп егь
ЗА6ОЗА,ЗА6ОЗБ.АА6ОЗЛ.АА6 ЗБ
ЗА6ОЗВ.ЛА6ОЗВ	Вт
ЗАбОЗГ,ЛА6031	6 16‘Ih
Постоянный прямой ЮК в режиме
умножения частоты
Допустимое значение статического потенциала 100 В
Температура окружающей среды
Энергия активации механизмов о ката
Минимальная наработка
Срок сохраняемости	25 ле
Примечания: 1. При изменении ше >
окружающей среды от-60 до Н5'С иот+35до г85*С макси-
мально допусгимйс обратное напряжение снижается линей
но. 2. Допускается пайка диодов при температуре не более
230 С в течение 5 с и не бокс тех перепаек
Рис 6.7 Зависимость обшей емкости от напряжения
Изготовитель: Томский завод при ПИИ полупроводниковых
приборов.
2А604Л 2Л604Б
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные, умно-
жительные. Предназначены для применения в умножителях
частоты сантиметрового диапазона длин воли. Выпускают-
ся в металлокерамических корпусах типа КД-106 (2Л604А) и
КД-112 (2А604Б)с жесткими выводами. Габаритные чертежи
соответствуют приборам 2Л107 и 2Л602 (рис.1.14 и 6.4)
соответственно. Товарный знак, тип диода и дата изготов-
ления наносятся на ярлык, вкладываемый в групповую тару.
Маркируются белой точкой на керамической вгулке. Масса
диода 2А604А не более 0,3 г: диода 2А604Б - не более 2,5
Пример записиусловногообозначения при заказе-и вконст-
рукторской документации: диод СВЧ 2А604А, ХК3.360.004 ГУ.
Электрические параметры
Постоянное обратное напряжение (I 10 мкА)
при Т от+25 до + 125'С
Т 60°С	не менее 30 В
Постоянный обратный ток (11^=6 В) 0,05‘...0,3*...0,5* мкА
Предельная частота (11^ 6 и 9 В,
Гюи= 5 г.ГнЛи= 3 мВт) 2А604А 100...120*...180 ‘ГГц
2А604Б 80 95* . 140* 1 Гц
Общая емкость диода
<и«бР= 6В> L4 10 МГц) 2А604А 0.8 ..0,95’... 1.1 нФ
2А604Б 1.0...1.15* 1,3 нФ
Емкость корпуса	2А604А
2А604Б
Индуктивности ДТП ) И
(I =100мА. fm..= 1-5 11	2А604Л
Аб 4Б
Время обранюн) восеганев.тепия
(Iilp 10 мА, U^= Ю В)
Эффективное время жизни
неосновных носи гелей заряда
(1^’10 мА. 11^=10 В)
0,35..Д45 пФ
0,60.-0,70 пФ
0,45 -0,65 нГн
1,6... 1,8 нГ и
0,24* .0,3 нс
10*... 15*...20* пс
Пре тельные энмлуатациотнтыс данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность
п течение ЮтдгО ч при 1 -60’С и
Т +711 1	1,0 Вт
Г-г 125’С	0,3 Вт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность
в течение 80000 ч при Т -60'С и
Гк-+70’С	0,5 Вт
“125 С	0,15 Вт
Значение гопустимого статического потенциала 2000 В
ГемперятурЬ окружакщеп среды
Минимальная Наработка
Минимальная нарабеггг.т п .
облегченном режиме (1’н - 0.5 Вт)
Срок сохраняемся ти
-60. Гк =+125"С
10000 ч
80000 ч
25 лет
При мг ч <т и и с : Изменение максимально допустимой
непрерывной рассеивает*) и ( ВЧ мощности в диапазоне
температур корпуса питсм от - 70 до л 125°С - линейное.
•fnpedt ГГц
Рис 6 8 Завнптмости предельной частоты от температуры корпуса
(л), обшей емкости от напряжения (б)
Изтоговнге гь; Завал ’Эра", т.Москва

10
147
2А605А, 2А605Б, KA60SA, КА605Б, КА605В
Диоды кремниевые, мезаэпитаксиальные. умножитель-
ныс. Предназначены для применения в умножителях частоты
сантиметровою пиана юна длин воли. Выпускаются в метал
локсрамическом корпусе типа КД-106 с жесткими выводами
Габаритный чертеж cooтвеюniyei прибору 2AIO7 (рис. 1 14)
Товарный знак ин (иода и дата изготовления наносятся на
ярлык, вкладываемый в групповую тару. Маркируются цвет-
ными точками: 2Аб05Л-чериой: 2А605Б-красной; КА605Л
черной и красной. КЛ605Б-зсле1юй и красной. КА6О5В
двумя красными. Масса диода не более 0,2 г. 11римср записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СВЧ 2Л6О5Л. 1Т3.360.064 ГУ; диодСВЧ
КА6О5Л аЛб 346.784 ТУ
) тектри'теские параметры
Предельная частота (II* = 6 В)
2А6О5А.КА6О5А на 5 11 п
2А605Б.КЛ605Б на f“’“ 7.5 И ц
КЛ6О5В	па f‘™= 7,5 ГГц
Общая емкость nnoaalU^ 6В,
10 МГц) 2Л605А.КА605А
2А605Б.КЛ605Б
КЛ605В
Гмкость корпуса
Индуктивность диода
Постоянный обратный ток (Urfip ЗОВ)
100... 130* 260* 11ц
130 .210*...270* ГГц
80. .100*.. 200* 1 Гц
0,85... 1.00*... 1.45 пФ
0,55 . 0.70* 0.05 пФ
0,5 . 1,0*... 1.5 пФ
0,2 ..0,3 нФ
не более 0,7 и!и
0v001* .0,01* 100 мкА
Пре тельные экс11.туагаии<>|ц<ыс данные
Постоянное обратное напряжение	30 В
Непрерывная рассеиваемая
СВЧ мощность при 1 -6(ГС и
Тк=+70 С	2А605а,КЛ605Л	1.0 Вт
2а6О5Б.КЛ605БтКа605В 0,7 Вт
Гк->10()С	2А6О5а,КЛ6О5л	0.4Вт
2Л6О5Б.КА6О5Б.КА6О.5В 0.3 Вт
1к=+125 С	2А605Л.КА605Л	0.07 Вт
2А605Б.КЛ6О5Б.КА605В	0,06 Вг
Температура окружающей среды	60'С
Температура корпуса диола	л 125‘С
Примечания: 1. Изменение максимально допустимой
непрерывной рассеиваемой СВЧ-мощности в диапазоне
температур корпуса диода от +70 до + I00C и от +100 до
+ 125 С - линейное. 2.Запрещается бросать диод, работать с
неза |емлснной и не присоединенной к корпусу аппарата
диодной камерой, оставлять и перевози ть радиотехнические
устройства с вставленными в них диодами при наличии
присоединенных к диодной камере свободных проводин
ков, которые мотуг принять на себя Электрические заряды,
включать диолы в схему методом пайки.
Рис.6.9 Зависимое! и; предельной частоты от температуры корпуса
(а), обшей емкости от напряжения (б)
Изготовитель' Херсонский завод полупроводниковых
приборов.
КА606А-2, КА606Б-2
Диоды кремниевые, мезаэпитаксиальные. умножитель
пне. Предназначены для применения в умножителях частоты
сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в
составе гибридных интегральных микросхем . обеспечиваю-
щих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги,
соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, понижен-
ного и повышенного давления Выпускаются в бескорпусном
исполнении на держателях с гибкими выводами и защитным
покрытием (рис.6.10). Товарный знак, тип диода и дата изго-
товления наносятся на ярлык, вкладываемый в трупповую
тару. Маркируются цветной точкой у отрицательного вывода
КА606Л-2 - черной, КА606Б-2 - зеленой. Масса диода нс
более 0,03 г. Пример записи условного обозначения при
заказе и в конструкторской документации:диод СВЧ
2Л6О6Л-2 НП О 336 001 1У
Вывод1
Вывод 2
Рис. 6.10
Электрические параметры
Предельная часгоза (U*p=6 В)
КА606А-2
КА606Б-2
Общая емкость диода (4^=60,
1тм=10М1ц)	КА606А-2
КЛ606Б-2
Постоянный обратный ток
(Urf> 30 В) при Т от 60 до+60 С
Т= +125 С
Дифференциальное сопротивление
(1и1 100 мА fnjM 5 к! ц) КА606А-2
КА606Б 2
Контактная разность потенциалов
100* 1 Гц
130*ГТн
0.5 1,2 нФ
0,3 0 7 пФ
нс более 100 мкА
не более 200 мкА
не более 1,5 Ом
не более 2,0 Ом
0,6* В
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	30 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность при
Т 60 л 60 С	КА606А 2	0,8 Вт
КЛ606Б-2	0,6 Вт
Т т 125'С.	КЛ606Л 2	0,25 Вг
КА606Б-2	0,15 Вг
Значение допустимого статического тютенциала 100 В
Температура окружающей среды	60... т 125 С
Минимальная наработка в составе ГС 5000 ч
148
Срок сохраняемости в составе ГС	10 лет
Примечание: 1. Выводы диодов присоединяю! пе бли-
же 2 мм о! кристалла. При монтаже должно быть обеспечено
отсутствие натяжений выводов диолов, допускается
трехкратный изгиб выводов не ближе 2 мм от кристалла;
радиус изгиба не менее 0,5 мм. Гемпсрагура держателя и вы-
водовпримонтаженедолжнаирсвыша1ь 1 190'С. 2 Изменение
максимально допустимой непрерывной рассеиваемой СВЧ-
мошности в диапазоне температур окружающей средыот +60
до + 125'С - линейное.
Рис 611. Зависимость обшей емкости от напряжения
Изготовитель: Херсонский завод полупроводниковых
приборов.
ЗА607А, АА607А
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэиитаксиальные, умпо-
жителыгыс. Предназначены для применения и умножителях
частоты сан 1 и метрового диапазона длин волн. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе шпаКДЮ 106-2 с жсспсими
выводами. Габаритный чертеж соответстует прибору 3A603
(рис 6.6). Товарный знак, тин диода наносятся на корпус
диода Масса диода не более 0,65 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ ЗД607А аА().336.023 ГУ диод СВЧ АА607А,
аАО 339.002 1У
Электрические параметры
не менее 30 В
не менее 20 В
100 ..160* 300* ГГц
0,8 1.2* .1.9 пФ
Постоянное обратное напряжение
(Irf 100 мкА) при Т= । 25’С
Т -60 и +85С
Предельная частота (U^= 6 В)
Общая емкость диода (U 6В)
Постоянный обратный ток (Uo6p=30B) 10*. 100 мкА
Тепловое сопротивление диода ие более 70 С/Вт
Емкость корпуса	0,17 ..0,2* 0,25 пФ
Индуктивность диода
(I 30 мА на Г 3 ГГп)
' пр
нс более 1,7 нГн
Допустимее значение статического потенциала
Температура окружающей среды
Температура корпуса
Энергия активации механизмов отказа
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
100 В
-60 .+85 С
+90’С
0,8 эВ
25000 ч
25 лет
Примечания 1 При изменении температуры
окружающей среды от -60 до + 15Т и ог 135 до +85‘С
максимально допустимое обратное напряжение снижается
линейно. 2. Допускается пайка диодов при температуре не
более 230 С в течение 5 с и ие более трех перепаек.
Рис.6.12. Зона возможных положений зависимости общей емко-
сти от напряжения
Рис 6.13. Зависимость предельной частоты от температуры
Изготовитель: Томский завод при НИИ полупроводнико-
вых приборов
2А608А, КА608\
Диоды кремниевые, мезаэнитаксиальные, умножи-
тсльные. Предназначены для применения в умножителях
частоты сантиметрового диапазона длин волн. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе типа КД-119 с жесткими
выводами (рис.6.14). Товарный знак, тип диода и дата изго
товлепня наносятся па ярлык, вкладываемый в групповую
тару. Масса диода ие более 0,3 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкгорской документации
диод СВЧ 2А608А, ФЫО 336.0221У; диод СВЧ КА608А,
аАО.339.003 ТУ.
Рис. 6.14
Вывод 1
Вывод 2
Электрические параметры
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при
Т +25’С	30 В
Т 60 и f85 С	20 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мошиость 1,0 Вг
Постоянный прямой ток в режиме
умножения частоты	1,0 мА
Постоянный обратный гок при
Т= +25 и + 125'С и U , =-45В
Т=-60'С и -ЗОВ
Постоянное обратное напряжение
(I 100 мкА) при Т 60'С
Т= +25 и + 125'С
Предельная частота (О^, 6 В)
Общая емкость диода ((5^ 6В)
не более 100 мкА
не более 100 мкА
пе менее 30 В
нс менее 45 В
не менее 60 ГГц
1 25 .2,0* 3.5 пФ
149
Тепловое сопротивление !> та е Гю О ,J '< Bi
Емкость корпуса	0,39. 0.42* 0,45 пФ
Ип тук гнпнос гь диола
(I 40 мА па Г= 4 11 и)	Jc I.7 иГп
i>i>
Время выключения диода при прямом
токе 5 мА и амплитуде импулы а
обратного напряжения 10 В	1* нс
Эффективное время житии
неосновных носителей заряда пс менее 50* пс
Преясаьине эксплуатационные .чанные
Постоянное обратное напряжхпш при
I=i25. ,.и 125 (	45 В
I -60"С	40 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощчссть
при	1 60 -Т85С	4,0	Вт
I; И25Ч
Тс.мсратура окружающей среды
Допустимое значение статического iHHCiiipi.-n;*; 100-В
Минимальная наработка	15000 ч
Срок сохраняемости	'	25 тот
Примечания: 1. В процессе цаегрюики и эксплуатации
.умножителей частоты запрещается: вынимать и устанавливать
диод и диодную камеру при введенной СВЧ-мощщя । и, пода-
вать СВЧ-мощность при отсутствии напряжения смешения
надполе или при отсутствии сопрои”" гения автосмсщепия;
допускать скручивающее усилие более 0,147 Н.м; про-
пускать отрицательный ток в режиме умножения частоты
более 5 мА; работать без тсидоогвода; вкручивать диод в
устройство, удерживая сто зт крышку (щюбмтдимчт исполь-
зовать только титин на резьбов -м вывозе) 2. Допускается
пайка диолов при температуре пс более 23о‘( ’ в течение 5 с
и не более трех перепаек. ’ И менспис максимально
допустимых постоянного обратного напряжения в диапазоне
тсмпературокружаюшсйсрсды о)-то то 1 15 (' н г к прерывной
рассеиваемой СВЧ-мошносги в диапаюие температур
окружающей среды от т-85 ло ь 125'С 'инейттие.
Рпс.6.15. Зона возможных положении мвнеимости дикости диода
ог напряжения
Изготовитель; '(омский завод- при НИИ н > ту проводнико-
вых приборов
2А609А, 2А609Б, 2А609Л-5, 2А609Б-5, КЛ609А,
КЛ609Б. КА609В
Диоды кремниевые, мезаэни (аксиальные, ’.множитель-
ные. Предназначены для применения в умножителях частоты
сантиметрового диапазона длин води. Выпускаются в метал-
локерамическом корпусе с жест кими выводами типа КД-106
и в бескорнусном исполнении в виде кристалла с контактны-
ми т т лошадкам и па крист ач л< >дсржа те тс(рис.6.16). Габаритный
чертеж корпусного прибора соответствует прибору 2А107
(ри 1 14). Бсскорпусные диоды предназначены для
применения' в составе гибридных интеграчьных микросхем,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от
юздействня влаги, соляного тумана, плесневых грибов, иися
и росы, пониженного к повышенного давления. Товарный
знак, тип диола и дата изготовления наносятся на ярлык,
вае.мый в трупповую тару. Маркируются цветным
1: 2А609А - поперс'оюй черной полосой на керамической
Biy.iKe, 2А609Б - красной поло сой; КА609А - черной полосой
и черной точкой; КА609Б-красной полосой и краснойточкой’
КА609В - не маркируются. Масса диода не более 0,2 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в
сгрукторской документации: диод СВЧ 2А609А.
11) 336.002 1У; диод СВЧ КА609А. aA0.336.784 ТУ; диод
СВЧ 2А609А-5, аАО.339.279 ГУ.
Вывод 1
Вывод2
Рис. 6.16
Электрически п рамстры
Предельная час гота (llrfp=6 В, 1к,м= 5 ГГц)
2Л6О9А.2Л6О9Б.КА6О9Л.КА6О9Б
КА609В.2А609Л 5.2Л609Б 5
Общая емкость диода (Urfp=6B,
fKW= 10 МГн) 2А609А.КА609А
2А609Б.КА609Б
КЛ609В
• 2А6О9А-5
2А609Б 5
Емкость перехода
Постоянный обратный ток
,) при Т -60. .+2542
2А60ОА.2А609Б
2л6О9А,2ЛбО9Б
150...200*...370* Пц
100...200*...400* ГГц
1,1. 1,45*. 1,8 пФ
0,8...1,11*. 1,3 пФ
0,8...1,3*...1,8 пФ
0,8.. 1,25*. .1,5 пФ
0.5. .0,9* ..1,2 пФ
0,2...0,3 пФ

0,01* .0,1* . 100 мА
нс более 1 мА
V4 юо с
Т=т-25°С
2А609А-5.2А609Б-5 при 11 .= 6 В
Т - -60...+854? 2А609А-5,2Лб09Б-5
0,002. 10 мкА
не более 100 мкА
Эффективное время жизни неоснов
ных носи гелей заряда (1п = 10 мА,
11л 10 В) 2А609Л,КА609А
2А609Ь,КА609Б
Время обратного восстановления
(I, = 5 mA,U* 10 В)
2А609Л.2А609А,КА609Б.КА609Б
КА609В
30...60*...72* нс
не менее 25* нс
0,1* 0,15*...0,25* нс
0,1* 0,3* нс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при
С и Tfc= • 75 С	40 В
Гк от । 75 до 12542	ЗОВ
Г от -60 |о . । бО'.С 2Л609А-5.2А609Б 5	30 В
2А6О9А-5.2А6О9Б-5	25 В
150
Электрические параметры
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность
при Т 60'С и
Тк=4 75‘С	2А609А.КА609А	2.0 Вг
	2А6091>,КЛ609Б,КА609В	1,0 Вт
TWB=-60...+60”C	2А609А 5	1,2 Вт
. .	2А609Б 5	0,9 Вт
Ttal +85.-С	2А609А-5	0,6 Вт
	2А609Б-5	0,5 Вт
Т - + 125°С	2А609А.КА609А	0,4 Вт
	2А6О9Г.,КА6О9Ь,КА6О9В	0,3 Вт
Значение допустимого статического потенциала		60 В
Значение допустимого статического		
потенциала	2А609А-5, 2А609Б-5	30 В
Температура перехода		+155"С
Земттсратура окружающей среды		6О’С...Тк 125'С.
Температура окружающей среды		
	2A609A-5,2A609i>-5	-60... । 125°С
Минимальная наработка в составе ГС		25000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС		25 лет
Постоянное обратное напряжение
(Up = 10 мкЛ> "Р”
Т-+25..+85‘С	3A6I0A.AA610A
Г=-60С
ЗА61ОБ,АА61ОБ
3A610A.AA6I0A
ЗАбЮЛ.АЛбЮЬ
30...45* В
50...70* В
не менее 20 В
не менее 40 В
Добротность диода
(bUr- 6 в, fm„= П I ц)	50...95*
Общая емкость диода (ГК = 6 В)	1,8...2.2*. 2,7 пФ
Коэффициент перекрытия щ> емкости
ЗА610А,АА610А (Urfp 0 25 В)	4 0.4 4*
ЗА610Б АА610Б (U^ 0.40 В)	5.5...5.‘/е
Емкость корпуса Р	0 18.0.23*...0,25 нФ
Индуктивность диода
(1^ 30 мА па Г 3 11 и)	0,5* 0,75*. 1,0 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Примечания 1. Изменение максимально допустимых
постоянного обратного напряжения и непрерывной
рассеиваемой СВЧ мощности в диапазоне температур
окружающей среды от +75 до +125’С (для корпусных диодов)
и от+60 до +85сС (для бескорпусных диодов) - линейное.
2. Допускается пайка диодов при температуре нс более 23О°С
в течение 5 с и не более трех перепаек. 3. Запрещается бросать
диод, работатьс незаземленной и нс присоединенной ккорпусу
аппарата диодной камерой, оставлять и перевозить
радиотехнические устройства с вставленными в них диодами
при наличии присоединенных к диодной камере свободных
проводников, которые могут принять на себя электрические
заряды, включать диоды в схему методом пайки.
Постоянное обратное напряжение при
Т=+15.. +100С ЗЛ610А,АА610А
ЗА61ОБ,АА6ЮГ»
Т 60С	3A610A.AA6I0A
ЗА61ОБ,АА6ЮБ
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность
Допустимое значение статического потенциала
Температура окружающей среды
Этгертия активации механизмов отказа
Минимальная наработка
(Т= । 80 ( Рртс=50 мВт)
Срок сохраняемости
30 В
50 В
20 В
40 В
100 мВт
100 В
-60 .Л 100‘С
0,76 эВ
25000 ч
25 лет
Рис.6.17. Зависимости обшей емкое! и от напряжения (а), предель-
ной частоты о-i температуры корпуса (б)
Примечания: 1. При изменении температуры
окружающей среды от i 15 С до -60С максимально допустимое
обратное напряжение снижается линейно. 2 Максимально
допустимое обратное напряжение - суммарное напряжение
при воздействии постоянного обратного смешения и СВЧ-
мощности. 3 Запрещается допускать протекание выпрямлен
ного тока свыше 45 мА, обратного тока более 30 мкА. 4 Пай-
ку проводить заземленным паяльником с температурой нс
выше +250 С в течение нс более 3 с: допускается три пере-
пайки.
Изготовитель Херсонский завод полупроводниковых
приборов.
ЗА610А, ЗА610Б, АА610А, АА610Б
Диоды настроечные, арсенидогаллиевые, мезаэпи-
таксиальные, с барьером Шоттки. Предназначены для приме
нения в устройствах перестройки частоты или фазы в СВЧ-
диапазоне. Выпускаются в металлокерамическом корпусе
типа КД-104 с жесткими выводами Габаритный чертеж
корпусного прибора соответствует прибору ЗД530 (рис.3.5)
Тип диода приводится на групповой таре Масса диода нс
более 0,1 г Пример записи условного обозначения при заказе
и в конструкторской документации: диод СВЧ ЗА610А,
аАО.336 021 ТУ; диод СВЧ AA6I0A, аАО.339.006 ТУ
151
Рис.6.18. Зависимости общей емкости диода от температуры (а),
минимальной наработки or режимов эксплуатации (б;
Гис 6 19. Зона возможных положений ивисимостей- общей
емкости (а), добротности (б) от напряжения
Изготовитель: Томский завод при НИИ полупроводниковых
приборов
2А611А, 2А611Б, КА611А, КА611Б. 2А611А-5,
КА611Б-5
Диоды настроечные, кремниевые, мезаэиитаксиальные,
диффу зионныс. Предназначены для применения в устройст-
вах перестройки частоты или фазы вСВЧ-диапаюне. Выпус-
каются в металлокерамическом корпусе типа КД J 04 с жес
кими выводами и в бескорпусном исполнении ввидс кристал-
ла с контактными площадками без кристаллодержагеля
(рис.6.20) Габаритный чертеж корпусного прибора соот-
ветствует прибору А,Д*130 (рис.3.5), Бсскорпусиые диоды
предназначены для применения в гибридных интегральных
микросхемах, обеспечивающих герметизацию и защиту
приборов от воздействия влаги, соляного тумана, п тесиевых
грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Тип диода приводится на групповой таре. Масса корпусною
диода не более 0,1 г. бсскорпусного - 0.0001 г. Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СВЧ 2А611А, аАО.336.031 ТУ; диод
СВЧ КА611А, аАО.339.142 ГУ; диод СВЧ 2А611А-5,
аАО.339.308 1У.
Рис. 6.20
Электрические параметры
Постоянное обратное напряженно
(1^. =10 мкА) при Т +25...+85°С
г	Т= 60 С
Добротность диода
= 6 В, Г„,м= 1 ГГц)
2А611А.КА 11А2А611А-5
2А611 Ь,КА611Б.КА6111> 5
Общая емкость диода (U^= 6В)
2A6IIА.КА611А.2А61 IA-5
2A611Б.КА611Б,КА611Б-5
Коэффициент перекрытия
по емкости (И<Л1 = 0...50 В)
2A611A.KA611А.2А611А-5
2 А611 Б, КА611Ь, КА611 Б- 5
Емкость корпуса
Индуктивность диода
(1^- 3° мЛ на f = 3 11ц)
50...60* В
нс менее 40 В
30...40*
45 .60*
3,1-3,9*. .4,7 пФ
1*4... 1,8*...2,2 пФ
(>.0...6,5*
5,0-5,3*
0,18...0,23*...0,25 пФ
0,7*... 1,0 нГн
Пре те тьные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение при
Т + 15 +100"С	50 В
1 - -60°С	40 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мошность 100 мВт
Значение допустимого статического потенциала 200 В
Температура окружающей среды	-60 .. <	125‘С
Энергия активации механизмов отказа	0,8 эВ
Минимальная наработка	25000	ч
Срок сохраняемости	25 лег
Примечания: 1. При Т от 60 до + 15”С максимальна
допустимое постоянное обратное напряжение снижается
линейно. 2. Максимально допустимое обратное напряжение
-суммарное напряжение при воздействии постоянного
обратного смешения н СВЧ мощности. 3. Запрещается
пропускание выпрямленою тока свыше 30 мА
152
Т г 125 С
КЛ612А, Ц<г-45В не более 1 мА
КА612Б, Urfr 60В нс более 1 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное	KA6I2A	45 В
напряжение 11снрсрывная рассеиваемая СВЧ-мощность при	КА612Б	60 В
1 =-60.. +60'С	КА612А КА6121,	1,0 Вт 2,0 В г
Г=т 125’С Температура перехода	KA6I2A КА612Б	0,3 Вг 0,6 Вт । 155 С
Температура окружающей среды Минимальная наработка Срок сохраняемости		-60.. Л к + 125‘С 15000 ч 25 лег
Рнс.6 21 Зависимости обшей емкости (а), добротности (б), тем
пературиого коэффициента емкости (в) от напряжения
Изготовитель Томский завод при ПИИ полупроводнико-
вых приборов
2А612А, 2А612Б, КА612А, КА612Б
Диоды кремниевые, планарно-эпитаксиальные умно-
житетытые. Предназначены для применения «умножителях
частоты сантиметрового и дециметрового диапазонов длин
воли. Выпускаются в металлокерамическом корпусе типа
КД-ПО с жесткими выводами Габаритный чертеж соответ
ствуст прибору 2А510 (рис.5.20). Товарный знак, тип диода
и дата изготовления наносятся на ярлык, вкладываемый в
групповую Тару. Маркируются поперечной цветной полосой.
2А612А, КА612А- черной; 2А612Б, КА612Б - красной Масса
диода не более 0,18 г. Пример записи условного обозначе-
ния при заказе и в конструкторской документации диод СВЧ
2А612А, 1ПГО 336007 ТУ; диод СВЧ КА612А,аАО 336.784 ТУ
Электрические параметры
Предельная частота (U - = 6 и 9 В
1ши 5 ГГц) КЛ611А
КА612Б
Общая емкость диода (Ц* = 6В.
Г 10 МГц) КА612А
КА612Б
Емкость перехода (11^ 0 В)
Постоянный обратный ток при
60...66*..80* ГГц
40 47* 69* ГГтт
1,0...1,3*...2,0 пФ
2,0...2,5*...4,0 пФ
0 1 0,3 пФ
Тот 60до +25С КА612А,	45В 0,01*...0,2* ..100* мкА
КА612Б и/ 60В 0,0 f 0,2* 100* мА
Примечания:!. Изменение максимально допустимых
постоянного обратного напряжения и непрерывной рассе-
иваемой ( ВЧ мощности в диапазоне температур окружаю-
щей среды от+60 до Н 25 С линейное 2 Запрещается под-
ключать диоды методом пайки. 3 Разрешается присоединять
к положительному электроду золотую фольгу сечением не
более 0,5 х 0,02 мм метолом точечной сварки. Время сварки
не более 0,1 с, максимальный ток сварки не свыше 150 А
4. Максимально допустимая непрерывная рассеиваемая
( ВЧ-мощность гарантируется,если применять теплоотвод с
тепловым сопротивлением не более 5"С/Вг.
С3,пФ
Рис 6.22 Зона возможных положений зависимостей: обшей
емкости от напряжения (а), предельной частоты от температуры
корпуса(б)
Изготовитель: Херсонский завод полупроводниковых
приборов.
2А613А, 2А613Б, КА613А, КА613Б
Диоды кремниевые, мезаэпитаксиальные, умпожигель-
пые. Предназначены для применения в умножителях частоты
метрового и дециметрового диапазонов длин воли. Выпус
каются в металлокерамическом корпусе тина КД-120 с
жесткими выводами (рис 6.23). Товарный знак, тип диода и
дата изготовления наносятся на ярлык, вкладываемый в
групповую тару. Тип диода на корпусе обозначается точкой,
диод типа 2 А61 ЗА одна черпая точка; диод т ина 2А61 ЗБ - две
черных точки Масса диода не более 2,0 г Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
153
документации: диод СВЧ 2А61 ЗА аАО.336.028 ГУ; диод СВЧ
КА613А, аА0.339 179 ТУ.
К
5
Вывод 1
Вывод 2
8.0
1,3
4,3
Вывод 1
I
Вывод2
Рис. 6.23
2. Разрешается пайка диодов заземленным паяльником с
температурой нагрева не более 200°С и временем пайки не
более 3 с. Допускается не более трех перепаек 3. После
монтажа диод ие должен подвергаться воздействию растя-
гивающих усилий; сжимающее усилие не более 10 И. Крепить
диод в теплоотводе ввинчиванием только с помошью хвосто-
вика диода.	'-и
Изготовитель: Томский завод при НИИ тюлупроводпико'-
вых приборов.
ЗА614А, АА614А
Электрические параметры
Постоянный обратный ток при
Т +25 С
Г -60...+125‘С
Предельная частота (1^=6 В)
2A6I3A.KA6I3A
2А613Б,КА613Б
Обитая емкость диода (Urfl,=6 В)
2А613А.КА613А ‘
2А613Б,КА613Б
Тепловое сопротивление л по та
Емкость корпуса
Индуктивность диода
(1^ 30 мА на f = 3 IT ц)
Время выключения диода при пря-
мом токе 5 мА и амплитуде импульса
обратного напряжения 10 В
Эффективное время жизни
неосновных носителей заряда
0,1* 1,0* 10 мкА
1* .10*...100 мкА
10 ...2O*...4(frTn
25 .40* 6(flTn
4,0...7,0*...X,0 пФ
З.О.. 4,0* .5,0 пФ
тте более 12‘С/Вт
0.62*...0,68*...0,85 пФ
1,93* ..2,32* 5,0 п1 п
не более 3 ис
нс менее 50 ис
Предельные эксплуатационные таимые
Постоянное обратное напряжение	
2А613А,КА613А	80 В
2А613Б.КА613Б	70 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при	
Т -60...+70 С 2А613А КА613А	ГО.О Вт
2А613Б.КА613Б	8,0 Вт
Тк= +125’С	2А613А.КА613А	2,5 Вт
2А613Б,КА613Б	2,0 Вт
Значение допустимого статического потенциала	100 В
Температура окружающей среды	-60...+ 125Т.
Минимальная наработка	15000 ч
Срок сохраняемое! и	25 лет
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэиитаксиальные, умно
житсльныс. Предназначены для применения в умножителях
частоты миллиметрового диапазона длин волн. Выпу каю
ся в металлокерамическом корпусе типа КД-106 с жесткими
выводами. Габаритный чертеж соответствует прибору 2А107
(рис. 1.14). Гип диода приводится па трупповой таре Масса
диода нс более 0,3 г Пример записи условного брзначения
при заказе и в конструкторской докумсн гации: диод СВЧ
ЗА614А, аА0.336.029ТУ; диод СВЧ АА614А, aA0.336.180 Т^.
3 тектрическис параметры
Постоянный обратный ток (U^ 20В)
при Т +25’С
Г =-60...т85°С
0,01*...0,5*...10 мкА
не более 100 мкА
Предельная частота (U = 6 В)
Общая емкост ь диода (11^= 6В)
Емкость корпуса
Индуктивность диода
(1^= 30 мА, f - 3 ГГц)
Тепловое сопротивление диода
320...380*...500* ГГц
0,4 ..0,7 пФ
0,16...0,17*...0,18 пФ
0,5*...0,6*...0,7 нГн .
не более 100°С/Вт
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	20 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность при
Т -6О.:.+7О‘С	0,50 Вт
Т=+85‘С	0,30 Вт
Постоянный прямой гок в режиме
умножения частоты	5,0 мА
Значение допустимого статического потенциала 100 В
Температура окружающей среды	-60...+85”С
Энергия активации механизмов отказа	0,7 эВ
Минимальная наработка	25000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Рис 6.24. Зависимость обшей емкости диода от напряжен ш
Примечание- I. Изменение максимально допустимой
непрерывной рассеиваемой СВЧ-мощности в диапазоне
температур окружающей среды от+70 до + 125'С линейное
1’ис.б 25 Зона возможных положений зависимости общей Я
от напряжения	। ', - г j • . т л
154
Примечания: 1. При установке диола в диодную камеру
допускается изгибающее усилие не б< iced, 8 11.см ' И ice
пение максимально допустимой непрерывной рассеиваемой
СВЧ -мощности в диапазоне температур окружающем сред
от+70до + 85‘С - линейное. 3. Допускается пайка диодов при
температуре не более 230 С в течение 5 с к нс более
перепаек
Изготовитель: Томский завод при НИИ полупро
вых приборов.
ЗА615А, ЗА615Б, ЗА615В
Диоды арсснидотаттиеные. ме та нпыакспа тьныс.
умножителытыс. Предназначены для применения в
жителях частоты миллиметровою тиаиаюпа длин вот
Выпускаются в металлокерамическом корпусе типа КД-10
Жесткими выводами (рис.6.26). Гип диода приводится
трупповой таре. Маркируются цвет noil точкой ня керами
ческой втулке корпуса: ЗА615А зеленой. ЗА615Б -черной
ЗА615В - белой. Масса диола не более 0.3 г. Пример
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод б ВЧ ЗА615А, аАО.336. )49 Г
Рис. 6.26
Вывод 1
-I
Вывод 2
.Электрические параметры
Постоянное обратное напряжение	
I^p 10 мкА) ЗА615А	15 .23*. .30* В
ЗА615Б	18...25*...35- В
3A6I5B	25...33*...50* В
Предельная частота (11Л = 6 В)	
ЗА61.<А	500...520.*..750 *ГГц
ЗА615Б	400...420* ..600* ГГн
ЗА615В	320...340*...400* ГГц
Общая емкость диода (1J	6В)	
3A6I5A	0,25...0,30*...0735 пФ
ЗА615Б	0,30...0,34*...0,40 пФ
ЗА615В	0,35...0,46* . 0,50 пФ
Конструктивная емкость	0,13...0,17 пФ
Индуктивность диода	
(1^=30 мА на f 3 ГГц)	0,3 ..0.45 нГн
Тепловое сопротивление переход	
окружающая среды ЗА615А	не бо тес 35О*С/Вт
ЗА615Ь	нс более 250 С/В1
ЗА615В	не ботее 200 ( /Вт
Предельные экеп туагаиитншыт тайные	
Постоянное обратное напряжение при	
Т-+25 ..+85°С ЗА615Л	15 В
ЗА615Б	18 В
ЗА615В	25 В
Т=-60°С	ЗА615А	10 В
ЗА615В	13 В
ЗА61 В	20 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность в	
течение 25000 ч ЗА615А	0,16 Вт
ЗА615В	0,25 Вт
ЗА615В	0,40. Вт
Кчт'Уч зАМЗА
ИН'Ь
ЗЛМ'В
Постоянный прям, ч ют в режиме
умноженияЧисЬНЫ
(пачстн • тоттмцт.- . о ствыгкчкою
ПОН ><ЦИ.Г№ ЛА'.Зд уУбЗР
ШИН
1--М11.[..ттур,1 <1 круж..ьHcpj ; |
Миш м.1 |Ь»1ГЧ П 'р.П - I к'.
Мипнма ии« ii.ip.ii иь> .\К1ЧСНИОМ
режиме (Р 0,5Г(4<
Срок сохраняемое’ к
0,0Х Вт
0,125Вт
0.20 Вт
15,0 мА
30 В
100 В
6(1... । 85*С
25000 ч
30000 ч
15 лег
II р и м . Т1 и и и И тмснспне максимально допустимого
пост тяни.иг. бра итого напряжения в .птапазонетемператур
окружай.тпей с[1'П ।	он. питейное 2. Разрешает-
ся пайка птозов при температуре нс более 150'6.’ в течение
1 Мин: при	• . ;  «прохождение тока через лиод.
3. 1сп ТОТЮС IIIK 1ГНТТС корпус НТО та-тепзоотвол-окру-
каь пиля ере та нс ю.тжтк ripetoini <ть 10 (’/Вт
1’ц. к 27, Ini TT-.iMi u пт <Я’.|ц?Т1 емкосттт от напряжения
И noioHiiiv.n >111 '' Тр.ч"
т Москва.
2А616А-2, 2А616Б-2
Диоды кремниевые, ме га и1И1аксиальные, умно-
житстытыс Пренит шачены .1 тя применения и умножителях
ц-цимстрового лианаюпои длин
вопи в тибрилных чшетралытых микросхемах, обсспс-
ЧИ1«ЧЧ’1Ц||\ герметн 1.ТНИЮ и защиту приборов от воздействия
ц т«ноц1 тумане. птеснеичх грибов, инея п росы,
ноттйжсн1«н1> и noiuJiiieiiiKHo мв.тения. Выпускаются и
бескорнусном ИСПО.1ИСНИТ1 из лержае.тяхе тибкими выводами
и таи нт ii> ч вое-- нем Га » ри пый чертеж соответствует
прибору 2А6О6А-2 (рис.6.10). Товарный знак, пот диола и
дата изготовления нанося1ся на ярлык, вкладываемый в
трупповую тдру Маркируются цветной точкой у
orprtnaic 1ЫТОО’ ныне i„ 2A6I6A2 синен. 2А616Б-2 - белой.
Масса тисы М ’• ЧСС O.i . Пример записи условного
обозначение и-т штшх и в конструкторской документации:
лнодСВЧ 7АЫ( А-2. лАО.339.062 1У
Гтектри ич'кне параметры
Предельная частота 6 В)
Общая емкость дисмаН 1^ 6В
Г 10 МГн) 2А61бд’-2
2Л616Б 2
Постоянный обратный юк (1L
при 1	<И' И • . ' •
I- 11(10 е
Постоянный ТГрюНЫН 1“К (1
100... 135*... 160* ГГц
Тб .0,9*...1,2 пФ
0.3...0,5*...0,8 пФ
и В)
0,001*.. 0,05* . 1 мкА
не бо ice 3 мкА
> I 0,01’ 0,5* 2* мкА
155
Ди рфереициальное сопротивление
(1пр=100 мА, Гтм~5 кГц) 2А616А-2 не бодее 1,5 Ом
2А616Б-2 ле более 2,0 Ом
Приращение :мкости при изменении
постоянного обратною обратного
напряжения от 10 до 10 В 2А616А 2 нс более 0,08 пФ
2А616Б-2 не более 0,06 пФ
Г!ре тельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение	ЗОВ
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность с
теплоотводом с тепловым сопротивлением
не более 3°С/Вт при
Т--60...+60'С	2А616А-2	0,75 Вг
2А616Б 2	0,50 Вт
Т=+100"С	0,3 Вт
Значение допустимою статического потенциала 100 В
Температура окружающей среды	-60.. i 100'С
Минимальная наработка в составе	ГС	15000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
Изготовитель: Херсонский тавод полупроводниковых
приборов.
ЗА617А, ЗА617Б
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные, умно-
жительные. Предг азначелы для применения в умножителях
частоты миллиметрового диапазона дтин волн. Выпускают
ся в металлокерамическом корпусе типа КД 107 с жесткими
выводами. Габаритный чертеж соответствует прибору ЗА615
(рис.6 26) Тип диода приводится на групповой таре Масса
диоЛа не более 0,06 г. Пример записи условного обозначения
при заказе и в конструкторской документации’ диод СВЧ
ЗА617А, аЛ0.336.102ТУ
Зтектрические параметры
Постоянное обратное напряжение
(1^:30 мьА) при Т +25'С не менее 15 В
Т 60.. +85 С не менее 10 В
Постоянный обратный ток (IJ<j6p=15B) 0,001*...1,0*...50 мкА
Предельная частота (Ek=6 В)
ЗАСПА	500. .600*. .750 *Г1 г
ЗА617Б
Общая емкость диода (U.	6 В)
Емкость перехода (11^ 6 В)
Емкость корпуса
750...900*... 1300* ГГц
0,3. .0,4* 0,53 пФ
0,06*...0,16*...0,31* пФ
0,17...0,22*...0,30 пФ
Индуктивное п> Чио ia
il = 30 мА. Г 3 Пи)	0,22*...0.29*...0.36* нГн
к|
ЭффСКГИВИОС время жизни
носителей каря.за	0,2* 1,0* 2,0* пс
I Ipe тс тьиые жен туатаниоштыс данные
Постоянное обратное напряжение при
Г । 25 С	нс менее 15 В
1 60 । 85 (	не менее 10 В
Непрерывная рассеиваемая < ВЧ-мощносгь
при 3 -60... >60 С	0.20 В1
1 + 85 С	0.16 Bi
йтаченис допустимого сниического потенциала 30 В
Температура окружающей среды	-6Q + 85 С
Энергия активации механизмов отказа	0,8 >В
Минимальная наработка	25000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечания: I. Итмснснис .максимально допустимою
постоянного обрагпоего напряжения в диапазоне темпера-
тур окружающей среды от -60 до i 15 С и непрерывной
рассеиваемой СВЧ - юшпосги в лиана тоне температур
окружающей среды < т 70до+85’С- тинеипое. 3. Разрешает-
ся пайка диодов при температуре нс более 230 ( в течение 5с
и пе бочее трех перепаек
Рис 6.29. Зона возможных положений завис вмостей предельной
частоты от температуры а тбшей емкости от напряжения (0)
Итгот вигсль Томский завод при НИИ полупроводнике
вых приборок
ЗА618А-6, ЗА619А-6, ЗА620А-6, ЗА621А-6,
ЗА622А-6, ЗА623А-6, АА618А-6, КА619А-6,
АА620А-6, АХ621А-6, АА622А-6, АА623А-6
(полы па< троечные, apceininoiaii'iirelibie, метаэпитак-
сиальные. с барьером Шоттки Пре дна шачыты д.гя применения
в устройствах нерест ройки часто ты пли фаты в СВЧ 'тиапаюнс
в гибридных интегральных микросхемах, обеспечивающих
герметизацию и защиту приборов от вотдействия влаги,
156
соляного тумана. плесневых три бон. инея и росы, понижен-
ного и повышенного давления Выпускаются в бескорпусном
исполнении на держателях с жесткими выводами (рпс.6.30).
Товарный знак. 1ип диола и дата и «отопления нанося(ся па
ярлык, вкладываемый в трунповую тару Положительный
вывод обозначается точкой красною две а, нанесенной на
керамический держак ть Масса iin-.iu пе более 0.11 Пример
за писи условного обо шачсния при така зе и в копсгрукторской
докементации диод ( ВЧ ЗА61ХА-6,аАО.336 109 ТУ; диол
СВЧ АА618А 6. aA0.339.M6 ТУ.
) тектрические параметры
Постоянное обратное напряжение
(1.	10 мкА) при I т2'..лЮ0"(
' '	1 60 (
Добротность диола (1 iiB 6 В.
1юм 1 ГГц) ЗА618А-б,АА6 IXA 6
ЗА619А 6.AA6I9A 6
ЗА620А-6.АА620А-6
3A62IA 6,ААб21А-6
ЗА622Л-6.АЛ622А 6
ЗА62.3А 6.АА623А 6
Общая емкость диода (ПЛ[,
3A6IXA-6.AA6IXA-.,
ЗА619А-6,АА619А 6
ЗА620А-6.ЛА620А-6
ЗА621А-6.АА621А-6
ЗА622А 6.АА622А-6
ЗА623А 6.ЛА623А (
Коэффициент перекрытия по
емкости (U . - 0...50 В)
ЗА61 ХА 6.ЛА618А 6
3A6I9A 6AA6I9A-6
ЗА62ОА 6.АА620А-6
ЗЛ621А-6.АЛ621А-6
ЗА622А 6.АА622А 6
ЗА623А 6.ЛА623Л-6
Иидукт инность диода
(1П(. 30 мА на 1	3 Г1 ц)
не менее 55 В
не менее 45 В
90. 130* .200’
120. 150*.„240*
1X0... 230*... 300*
220...270*..350*
250. 300* .450*
270..330*.„500*
6 В)
1.4 „1,Х*. 2.2 нФ
0.9 .2* 1.5 пФ
0.6. 0.8* 1.0 пФ
0.4 ..0.55*. 0 7 пФ
0.3...0.4* „0,5 пФ
0,2...0,27*.„О,35 пФ
5.Х .6,3* . 6.Х*
5.(1. 6,0* . 6,5*
5,0. .5.6* . 6,0*
4,2. 4.9* . '.5*
3,5. .4,0* .4.4*
2.Х, 3.5* 4 *
0.14*. 0,17’ 0.20 н!н
Предельные эксп зуатациоиные данные
Постоянное обратное напряжение при
1 = ( 25 । 100 (
I 60 (’
Непрерывная рассеиваемая ( ВЧ мощность
ЗА61ХА 6.AA6IXA-6
ЗА ,.9А 6 ЛА619А-6
ЗА620А 6,аЛ‘620А-6
ЗА621А 6.АА621А 6
ЗЛ622А-6.АА622А-6
нс менее 55 В
не менее 45 В
100 мВт
75 мВт
55 мВт
45 мВт
36 мВт
3A623A 6.АА623А-6	30 мВт
Постоянный прямой ток при Т +25 . +85X2	
ЗА618А-6,АЛ61ХА 6	100 мА
ЗА619А 6.AA619A 6	75 мА
ЗЛ620А-6.АА620А-6	55 мА
ЗА621А 6.АА621А-6	45 мА
ЗА622А 6.АА622А-6	36 мА
3A623A-6.AA623A-6	30 мА
1 -60 С ЗА618А 6.АА618А-6	25 мА
ЗА619А 6.АА619А 6	20 мА
ЗА620А 6.АА620А-6	14 мА
ЗЛ621А-6.АА621 А-6	11 мА
ЗА622А-6.АА622А-6	9 мА
3A623A 6.АА623А-6	7 мА
Допустимое значение статического потенциала	100 В
Температура окружающей сре ты	-6О.„+ЮО°С
Экерт ия активации механизмов отказа	0,76 эВ
Минима ытая наработка в составе ГС	
(1 I80 C. Р 50 мВт)	15000 ч
Срок сохраняемости в составе 1 С	25 лет
Примечания: 1. Пайка выводов рекомендуется
заземленным паяльником с температурой не выше +230°С
в течение не более 3 с. Допускается нс более двух перепаек.
Амплитудное значение наводок между паяльником и элек
гродом при пайке нс более 0,4 В 2. Прижимающее усилие
при измерении электрических параметров, монтаже и
испытаниях не должно превышать 0 59 Н Прижимающее
устройство должно иметь плоскую поверхность шириной не
менее 0 8 мм 3 При Тот -60 до +15 С максимально допусти
мое обратное напряжение изменяется линейно; при Т от + 35
до-1 !()()'(. максимально допустимый прямой ток изменяет-
ся линейно 4 Максимально допустимые обратное напря-
жение и обратный ток - суммарное значение напряжения и
юка (соответственно) при воздействии постоянною обрат-
ного смешения и СВЧ-мощности. 5 Зависимость минималь-
ной наработки от режимов эксп туатации аналогичны зависи-
мостям .тля диода ЗА610
•ГЭОХЬ
157
Рис.6.31. Зависимости: обшей емко, «и (а) ъИччпш» аи гб> or
напряжения: общей емкости. , датифпущи
И иоювитель: Томский икш при НИИ ц ..г пр птю/никоннс
приборов.
ЗА627А, ЗА628А, ЗА629А, 3A630A, 3A631A,
3A632A, АА627А, АА628А, ЛА629А, АА630А,
AA63IA, АА632А
Диоды настроечные вреелттсаотя рчцечые, uimhih
таксиальныс, с барьером IIIotikm. Прели , пи юны л тч приме-
нения в устройствах перс с тропки частоты или фг;м в < ВЧ
диапазоне. Выпускаюпя в	корпусе
типа КД-122 с жесткими выводами. I чАарнтшш чертеж
соответствует прибору 3AI2-1 трио.1.42). Тот чркый тиа*, пш
диода и дата ммотовакквя наносятся нл яр тык, вкладыва-
емый в групповую тару. Масса J г •.u-i н г I Пример
записи условного обозначения при исис и в консгрукицт
ской документации: диол < Я9 ЗАб2 А аАВЗМ 14т1У;ниод
СВЧ АА627А, aAO.339.412 ТУ.
’)лектричеекпе параметры
Постоянное обратное нанрч < .1 и •
(1<лр 10 мкА) приТ -+25 + Н 1С и. м'. . В
I --60 С	Ht Мт.45 В
Добротность диода (1	< В
Гюм= 1 ГГц)	ЗА627А.АА62 ЗА 1W..1.5“* . 250*
ЗА628А.АА62ХА 12Й Ге* ..26''.*
ЗА629А.АА62ЬА 1X0 .22> ’. 27 •
3A63OA AA630A 220 2+“* Wf>*
3A6+IA.AA631A 250 ЗОН* 40*
ЗА632А.А \632А	270 . ЗЗ.Т*. .400*
Общая емкоегь диода (LI , 6В)
ЗА627А.ЛА627А	1.4. I.X* 2.2 нФ
ЗА628а,АЛ628Л 0.Ч..Ч.2* »,'пФ
ЗА629Л.АА629А 0,6...".Х* 1,Л нФ
3A630A.AA630A 0.4 “.54* о,7 нФ
ЗА6»1А,АА -31А <13 о 4- о < пф
3A632A.AA63 >Л <‘.,2. .0,27’ .0,35 п‘1>
Коэффициент перекрытия по емкости
(11^ 0...50 В) «ЗА627А,АА62'7А	6.0"
Р	ЗА628А,АЛ/т28А 3,и ,5.4е
ЗА6?9ААА6?9А 4,1.. 4.7*
ЗА63ОА,ААКэ‘1А 3,4 3
3A631A АА6»1А 2.Х...» 3*
3A632A.AA63.2A 2.2 .2 7-
ИнЛуктивиость диода
(I 30 мА, (	3 ГГн)
ш
I мкт сть корпуса
0,15* ..0,20 нГн
0.12*. .0.15 пФ
Предел. чае зкеплсат-аииоипые данные
Постоянное обратное напряжение, при
Г + 25. .‘100 (
м-бас
не менее 55 В
не менее 45 В
Не,прерывная рассеиваемая < НЧ-мошность			100 мВт
	ЗЛ627А.АА627А		
ЗЛ62ХА.АА1 2ХА ЗЛ629А.ЛЛ629А З А63ОА.ЛА| ЗОЛ ЗЛ631Л.АА631Л ЗЛ632Л.АА632А яппмй прямой юк 3AG27A.AA627A			75 мВт 55 мВт 45 мВт 37 мВт 30 мВт 80 мА
ЗЛ62ХА.АА62КА ЗА629А.ЛА629А ЗА630АЛА630А ЗЛ631Л,АА631Л 3A632A.AA632A Обрапптп ток Допустимое гиаченис стаппсскою потенпиава			60 мА 40 мА 35 мА 25 мА 20 мА 20 мкА 100 В
Гемперат/ра окружающей среды Знсртия активации механизмов отказа			60...+100’С 0,74 эВ
Минима.тьиая парабоiка Срок сохраняемое!и Сэ.пФ			25000 ч 25 лет
6 10 20 UoSp,B -100 SO О 50 Т‘С
Рис.6 .32. Заии пмосш обшей емкости (а), добротности (б) от
напряжения, общей емкости от температуры (в)
158
II римсча п ия I. Изменение максимально допустимо
го постоянного обратною напряжения в лиана зоне темпера-
тур опухающей среды от-60 до । 15 С линейное. 2. Пайка
выводов рекомендуется заземленным паяльником с темпе-
ратурой нс выше + 230'С в течение нс более Зс 5 Цени
иигания и управления диодов должны обеспечивать защиту
по обратному току 4 Максимально юпуешмые обратное
напряжение и обратный ток суммарное значение нацряже
ния и тока (соответственно) при воздействии постоянного
обратного смещения и СВЧ мощности 5 ^авнеимоегь мини-
мальной нарабо|ки ог режимов зкеплуагании аналогичны
зависимостям для диода ЗА610
Изготовитель: Гомский завод при ПИИ полупроводнико-
вых приборов
2А633А-5
Диолы кремниевые, мезаэнитаксиальные, умпожигель-
ные. Предназначены для применения в умножителях частоты
сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в
гибридных интегральных микросхемах, обеспечивающих
герметизацию и защиту прибор< в ог воздействия влаги
соляного тумана, плесневых тп<ч>в инея и росы, понижен
кого и повышенного давления Выпуска ются в бескорнусном
исполнении на держателях с жесткими выводами (рис.6 33).
Товарный знак, тип тио га и дата изготовления наносятся на
ярлык, вкладываемый в трутитовую тару. Масса диода нс
более 0,2 г. Пример записи условного обозначения при
заказе и в конструкторской докумсп танин:
2А633Д 5, аДО 339. 166 1У.
1—60 С
Постоянный прямой ток
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощпость
при Т =-60... । 60‘С
Т I 100*С
Значение допустимого статического потенциала
Температура р-n перехода
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Срок сохраняемости в составе ГС
28 В
15 мА
0,6 Вг
0,3 Вг
500 В
150вС
-60... т-85° С
10 000 ч
25 лет
Примечания 1. (иолы рекомендуется крепить в
микросхему выводами (выступами) вниз, ультразвуковым
способом в режиме: температура микросхемы 200±20 С,
мощность ультарзвука ' Вт, давление 500 г, время сварки
3-6 с. Полоски микросхемы должны быть покрьпы плотным
слоем золота толщиной нс менее 0.5 мкм. После закрепления
диода на полосок его рекомендуется покрыть защитным
компаундом с тангенсом угла диэлектрических потерь нс
более 0,003 и температурой полимеризации не выше 100 С.
2. Тепловое сонротицуеиие и непрерывная рассеиваемая
мощность обеспечиваются при монтаже диода методом
"церевернугого кристалла" на полосок микросхемы, выпол
венной на поликоровой подложке толщиной не болсеО 5 мм
3. Для обеспечения нормального теплового режима работы
тиола рекомендуется оснс ванне микросхемы и зготавливагь
из материала с хорошей теплопроводностью.
диол
Вывод 7
Вывод 2
Рис 6.34 Зона возможных положений зависимостей обшей
емкости от напряжения
'). тектричсекие параметры
Предельная час юга (l)rf[ 6 В) 100.150* 180* ГГп
1-мкость перехода диода (11	 6 В) 0,35. 0.45* 0,( пФ
Постоянный обратный ток (IJO 20В)
при I г 25 т
Г 60 и * 100 С
Время обратного восстановления
(11ч,- 10 мА, 1)^. 10 В)
Эффективное время жизни
неосновных носителей заряда
Ю мА, UrfT=IOB)
Тепловое conpoi ивлспис
0,01* .1,0*...2 мкА
не более 4 мкА
0,18* .0.25* .0,3* пс
15....30*..45* пс
55*...65*...70"G/Br
Предельные эксплуатационные танине
Изготовитель- Завод "Эра”, г Москва
3A634A-6, ЗА634Б-6
Диоды арсенидоталлиевые, мсзаэпитаксиальиые, умно-
жи тельные. Предназначены для применения в умножителях
частоты сантиметрового диапазона длин волн в гибридных
интегральных микросхемах , обеспечивающих герметизацию
и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана,
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышен-
ного давления Выпускаются в бескорпуспом исполнении на
держателях с жесткими выводам и и (рис.6.35). Тип диода
приводится на трупповой таре Масса Диода ис более 0,002 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ 3A634A,
аАО 336.176 1У
Постоянное обратное напряжение при
Т т-25. ,+8з С
30 В
159
Рис. 6.35
' >. ick >рические иараме |ры
1
II р и м с ча имя. I. Изменение максимально .1онусшм<
io ||<>с1оянною обрашою напряжения в тиана юнс темпе-
ратур окружающей среды о> 60 до i J5 (‘ и oi < 35 до » 85 С
и непрерывной рассеиваемой ( B’I mohihociii в диапаюнс
leMiiepaiyp окружающей среды oi ’70 до *85 ( - липенное.
2 При подаче максимально допустимой ( ВЧ мощности
кс 1ИЧ1ПК1 1ЮС1ОЯННОГ0 обрашою напряжения нс должна
нревышап, 40% oi максимально типуешм* ю обрашою
напряжения
II потоки гель (омский тавот при НИИ полупроводнике
вых приборов
2А635А, 2А635Б
Предельная чаеюта (1)^ 6 В)
ЗЛ634Л-6
ЗЛ634|> 6
Общая емкое) ь тиодн (II,,- 6 В)
Постоянный обратный юк
для 3A634.A 6 при IJ^ 20 В
для ЗА6.34Л-6 при И х1 30 В
при I । 25('
1 = -60 (
Г । 85 (
Тепловое сопротивление диода
1>м кость держателя
Индуктивность дно ia
(1	30 мА на 1	3 1 Гн)
' пр
150.220* ...320 *1 1 к
100... 150’ 200* I Гп
0.6...0,85* .1.4 пФ
0.01. .0.1’.. 50 мкА
0,01’ .0.1’. .30 мкА
0.04* 0.5* . 50 мкА
пе бо кс 44 ( /В)
0.045*. 0.05* 0,066* пФ
0.3*...0,35*.. 0.5* н| н
Предельные экен.>уатаии1»шыс данные
Постоянное обратное напряжение (I,,,.	ПК> мкА)
при	I =г25('	ЗД6 34А-6	не менее 20 В
ЗД(>341. 6	пе менее 30 В
1 --60 и * 85'С ’ ЗЛ634Л 6	не менее 1 5 В
ЗЛ6341. 6	нс менее 20 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность	
при	Г=-) 854	3A6.34A 6	0.4 В(
ЗД6341. 6	0.6 Bi
Г=-60. ,*70 Т	ЗА634А-6	0.6 Bl
ЗЛ634Г, 6	1.0 Bi
Постоянный прямой ток в режиме
умножения частоты	1.0 мА
Допустимое значение сташческою потенциала 100 В
Температура окружающей среды	60	..+854
Энергия акшвапии .механизмов о)каза	0.8 зВ
Минимальная наработка в составе ГС	15000 ч
Срок сохраняемости в составе I С	25 лет
Рис.6.36. Зона возможных поюжении занисимосгеп: .ющей
емкости си напряжения (а). пр<же.тьиой частоты от температуры
корпуса(б)
Диолы кремниевые. метазн1<'1аксиалы1ые. умпожитель-
ныс I [релпазначепы для применения в умножителях частоты
caiiiHMCipoBoio Hiai'iaunia длин коли. Вынускаю1ся в Meia.i
локсрамнческом корпусе шнаК, 1 119 1 с жесткими выводами
(рис.6..37) Товарный итак. inn uio.ia и дата и похищения
наносятся на яр ibik. вкладываемый в трупповую тару Inn
диода па корпусе обозначается точкой: 2А635Д - красная
точка. 2А6351> белая ючка Масса .тиола не более 0.3 i
Пример KIHI1CH условною обощачення при заказе п в
коне тру кюре Кои юкументании.' «под ( ВЧ 2А635Д
аАО.339. |7‘.) ТУ
Вывод 1
Вывод 2	Гис.6.37
) тек |ри легкие параметры
Постоянный обратный юк (I л 6В)
Преле тьпая частота 6 В.
Г 5 1 | ц) 2А6.3ХА
II >М
2А6351,
Общая емкость диола (I 6 В)
2А635Д
2А6.35),
Iсиловое coiipoiнвтспие диода
2А( 35А
2A635I.
Конструктивная смкосн.
Iloc ic )ова1е.п>пая ин туктивпость
диода
0.1* 0,2* 2 мкА
40..45*..5(1* | | и
50.. 60*.. 65* ГГп
2.0. 3.0 нФ
1.8. 2,5 пФ
нс бо ice 30 ( /Вт
нс более 20 (./Вт
0.4 ..0.5 нФ
не бо ice 0.55 н1 н
Время выключения диода при
I 10 мА и амплитуде импульса
обратною напряжения 10 В 2А63 А 0 '* >.4* .0.5 нс
2А635), 0.4*...0,5*...0.6 нс
Эффективное время жизни неос-
новных iloci’ic-ien 1аряда 2А635Д
2А635Г.
40...50* ..70'нс
30... 35*... 50* нс
Пре ic ii.Ki.ie экенлуа ганишшые данные
Непрерывная рассеиваемая ( ВЧ мощность
при I 60.. 70 <	2А635Д	2.0|Ь
2А635|,	4 0 Bi
Ik +125 (	2Л635А	0.5 Bi
2Л6351,	I 0 Bi
160
Значение допустимого ciaiiniecKoio ногепциача 500 И
Гемнература окружающей срезы	-60 т	12' <
Минимальная napaOoiKa	15000	ч
Срок сохраняемости	25 зеч
II р и м е ча н и е 1 Изменение максимально доиус1имой
пепрерыпной рассеиваемой ( ВЧ-мощнос|и в диапазоне
температур окружак1щсй среды <н 1 70 до 125 С - швейное
2 Допускается лайка ijio.tob <азсм.1снным паяльником е
смисратурои патрона не более 145 (.' и временем нанки не
более 10 с и не Go ice трех перепаек 3 После Мошажа «1ОД
нс должен полисркпься воздействию растягивающих уси
лий; сжимающее усилие не более 10 II. крутящий момент
не более 0,04 мс.м пмибакипая нагрузка нс более I кге
Крепить лнод в tcti.tooiво.те ввинчиванием юлько с помо-
пн >о хвостовика лиода
Гис 63* Зависимость обшей емкое ти от напряжения
Изготовитель: Завод "Эра", г Москва.
2A636A,2A6W»
Диоды кремниевые, мс ищиффу знойно- эн>паксиаз1Ы1Ыс
ум ножи тельные Предназначены для применения в
умножителях час«о|ы сантиметровою диапазона шип воли.
Выпускаются в меча. ыокервмическом корпусе тина КД-106 с
жесткими выводами Габаритный чертеж соответствует прибору
2А1О7 (рис. 1.14). Зоварпый >пак. inn диода и дат ииоговле
ния наносятся на ярлык, вкладываемый в групповую Тару.
Маркируются поперечной цветной полосой на керамической
втулке; 2А636А синен 2А636Б белой. Масса диода пс более
О.З । Пример записи условною обозначения при заказе
и в коне ipvKiopcKoH локумешации диод СВЧ 2А636Л,
аАО 339.1X3 1У
> к-ктрн некие параметры
Постоянный обрап1ыи ток (11*.
при 1 + 2' (
Г -60 С
Т=+125’Г
Предельная 'lacioia
(1)Лр« 6 В. Гв_м= 'Ни)
Гсн.товос conpoiпиление диода
Обитая емкость Ли< ia =6В)
2Л636Л
2А636Б
Гмкость корпуса
ИидуК111ВНОС|Ь . ш .а
(1„„ 30 м/.. 1	3 П ц)
Время выключения тиола при
I 5 мА и ампии1у.1с имну ibea
оорапюю напряжения К» В
6 В)
0,01' .1 D’ 10 мкА
не более 20 мкА
не бо ice 100 мкА
150...200* ЗОО*1! I п
не более 100'С/Вг
1,25. .1,75* . 2,25 пФ
0.75. .1,15* .1.SS пФ
0.2...0,2'* ..0,3 пФ
не более 0 '* и!н
0.2S* нс
Эффек! и иное время жизни
неосновных носителей заряда не более 25* нс
Внутреннее тепловое сопротивление X* .12* 1Х*С/Вг
Предельные эксплуатационные тайные
Постоянное обратное напряжение при
Т=-60...+ 60С	40 В
1 = + 125'С	ЗОВ
Максимально допустимая величина
выпрямленною юка	200 мА
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность
при Г 60.. т 60 (	2А636А	5,0 Вт
2А636Б	3,0 BI
Г । 125'С	2А636А	1,0 Вт
2А636Б	0,7 Вт
I емпсратура окружающей среды	-60...1t~+125
Допустимое значение статического потенциала 50 В
Минимальная наработка	15000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
П р и м е ч а н и я :1 Допускается пайка диодов при тем-
пературе не более 125 С в течение 15 с и ис более трех пере-
паек. 2. Изменение максимально допус1имого обропюги
напряжения и непрерывной рассеиваемой ( ВЧ-мошиости в
диапазоне температур окружающей среды от +60 до + 125'С-
яи ней нос.
Рис.6.39. Зависимость общей емкости от напряжения
fпред-, ГГц,
Рис6.40. Зона возможных положений зависимости предельной
частоты ог температуры корпуса
Изпмовитель Херсонский завод полупроводниковых
приборов.
3A637A-6, ЗА637Б-6, 3A637B-6, ЗА637Г-6,
ЗА637Д-6
Диоды настроечные, арсенидогаллиевыс, мезаэпитак
спальные, с барьером Шоттки Предназначены для примене-
ния в устройствах перестройки частоты или фазы в СВЧ
йапазоие в гибридных шнегральиых .микросхемах,
обеспечивающих герметизацию и Jammy приборов от воз-
действия в iant, соляною тумана, илссневььх грибов, инея и
росы, понижепи ю и повышенною давления Выпускаются
в бескорнусном исноднепии на держателях с жесткими
1! СВЧ гриборы
161
выводами (рис.6.41), 1 опарный знак, mil тиода и дата
и union (синя нанося |ся иаяр н i к. вкладываемый в|рунновую
тару Масса диода не более 0.1г. Пример записи условною
обозначения при заказе н в конс|рукгорскои докумешации:
диол СВЧ 3 \ >37д-6, аАО 336 276 1У
Выбед 1
Вывод 2
Рис. 6.41
Электрические иарамезры
Постоянное образное напряжение		
(1 ,	10 мкА)		27 В
Лобро|носп> диода (11.	6 В.		
U НГц)	ЗЛ(37 А-6	250...350*...550*
	ЗЛ637В 6	220 . 330* ..460*
	3A637B-6	200...2X0*..370*
	3A6371 6	170...260*...400*
	ЗЛ637Д-6	15(1 .330* ..450*
Общая емкостi	. диода (11^,, 6 В)	
	3A637A-6	ОД6...ОД9* ..0.24 пФ
	3A637B-6	0,20...0.2Х*...0.35 нФ
	3A637B-6	0.30. .0,38* .0,50 пФ
	3A637I 6	0,40...0,54*...0,70 пФ
	ЗА637Д-6	0.60...0,73*...1.00 пФ
Ко ><|х|>ИЦИСН1	11срскры|»я но	
емкости	3A137A-6	9 . 14*...41*
	ЗА637Б 6	9.5...17*...40*
	3A637B-6	10 16* 36*
	ЗА .371-6	10 ..13* ..15*
	ЗЛ637Л-6	11 12* . 14*
Индуктивность	, диода	
(1	30 мА. f ' IIJ	3 ГГц)	0.1* и Гн
Предельные океилуа гаиноиные данные
Пс>с|пянн(>е обрат ное напряжение при	
Т-4 15. 85 С	27 В
. Т=-60 С	20 В
Непрерывная раессивзсмая ( ВЧ-мощность	
ЗА637Л-6	30 мВ1
ЗЛ637Б 6	35 мВ1
3A637B-6	40 мВт
ЗЛ637Г-6	50 mBi
ЗА637Д-6	60 мВт
Иосгояниос прямое напряжение	0,4 В
Постоянный обратный ток	10 мкА
Допустимое значение статическою но1енциала	30 В
Темпера гура окружающей среды	-60. . ( 85 С
Темпера гура криеталлодержателя	i85'C
Минимальная наработка в составе ГС	15000 ч
Срок сохрани ‘мости в составе Г(‘	25 лет
II р и м ё ч а н пя ; I Изменение максимально .iniiyciiiMoio
постоянною обратного напряжения в диапазоне температур
окружающей среды oi -бОж +15'С - линейное 2. Обратное
напряжение суммарное напряжение при во зденсзвин
носюянно|побра1 Holo смешения н ( ВЧ-mouhiocih. 3.11айку
Крис кзтзочержазстя проводин, за смленным паяльником с
le.Miiepaiypon нагрева Нс более |5()( . вр мя пайки 2 Зе
Донускаекя не более двух перепаек 4 Гсрмокомнрессию
анодного вывода нрово ныв золотой лент и или проволокой
шириной (тиамегром) не бо тсс 1/3 диаметра анодного
контакт
Ипонизитель: I омский завод при ПИИ полупроводнико-
вых приборов
2А638А
Диоды кремниевые, меза >ни i аксиальные. умножигсль-
ные. Предназначены .тля применения в) множителях чаекны
сантиметрового .mai а зона пин во нт. Вы |ускакися в мс!ал
локерамическом корпуз с шиа КД-119с жесткими выводами
1 абари 1111,111 чертеж со ouicTcMiyei прибору 2А608 (рнс.6.14)
Говарный знак, inn ли< la и jaia нзгокизления нанося >ся на
ярлык. вкладываемы!! в ipvinioBVKi тару Положительный
вывод со стропы крышки Масса диода пс бо ice 0.3 ।
Пример записи условною обозначения при заказе и в
конырукторской ;1окумсн1анп11:лио.т ( ВЧ 2А638А.
aA0.336.34X 1У.	,	,
	•	.	'	1	'	1 чьи
I >ек>рические параметры
Постоянный обраипян юк при
162
о,(>1'.. 1,о* И) хзкЛ
не более 10 мкЛ
6( 130*...250* ГГп
1.25.„2.0* 3.5 нФ
нс более IOOC/Bi
0,39...0,42*...0.45 пФ
В)
Г=+25( нО 45 В
1 60 и +125 ? и II 30 В
Предельная частоы (О .	6 В»
Общая емкость диола (Urfr 6
Тепловое сопротивление диода
Гмкость корпуса
Индуктивность диода
(1^ -30 мА, 1=3 ГГц)
Время выключения диода при
1 =5 мА и амплитуде- импульса
обратного напряжения 10 В
Эффективное время жизни
неосновных носителей заряда
Внутреннее тепловое сопротивление 10*.. 12* .16* С/Нг
0.17*...0,28*. 1.5 нГн
0,4* .0.7* 1* не
50*... 100*. .150* нс
Пре тельные эксплуатационные данные
обозначения при заказе и в конструзсторской документации
диод СВЧ 3A639A 6. аАО.336 418 1У
Рис. 6.44
Вывод 7
Вь вод 1
I
Вывод2
Постоянное обратное тгапряжение при
1 +25-С
I =-60 и 125 С
Выпрямленный ток
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность
при I =-60... >85 С
С n2sc
Температура окружающей среды
Допустимое значение ciaiH4CCKoio потенциала
Минимальная наработка
Минимальная наработка в облегченном
режиме (Р,^= 0.5 P,WM„)
Срок сохраняемости
45 В
30 В
200 мА
4,0 В1
1,0 Вг
60...3 125 С
200 В
15000 ч
50000 ч
25 лет
Э зектрические параметры
Добротностз. диода (U .	6 В,
f I П н) 3A639A-6
ЗА639Б-6
3A639B-6
Общая емкость диода (U^ 6В)
3A639A-6
ЗА639Б 6
3A639B-6
Коэ<]х]»пшеН1 цсрскрз.тгия но емкости
800 1200*.. 2050*
1000.. 1450*.„3150*
1200... 1950* .3350*
0.2 ..0,248*. ),3 пФ
0,14 .0.232* .0,26 нФ
0,06...0.093*...0,14 пФ
Примечания 1. Изменение максимально допустимых
постоянною обратного напряжения в тиапаюие температур
окружающей среды от 60 до 1 15 Си ог з35 до + 125 С и
непрерывной рассеиваемой < ВЧ-мошносзи в диапазоне
земнератур окружающей среды оз з-85до + 125 С • линейное.
(LT, 0...50 В) 3A639A-6
ЗА639Б-6
ЗА639В-6
Индуктивность диода
(1>1р= 30 мА. 1	3 ГГц)
Рабочий диапазон частот
2,5.. 3,15* .3,6*
2,5...3,19*...3,63*
1,8...2.21* .2,8*
0,163*..0,2()4*..0,2б4*нГн
18*...65* ГГц
Рцс.6 43 Зпна возможных исзожеинй завззенмосзей: общей
емкости от напряжения (а), предельной частоты от температуры (б)
Изготовитель: ГомскиЯ завоз лри НИИ полупроводнико-
вых приборов
Предельные эксплуатационные данные
3A639A-6, ЗА639Б-6, 3A639B-6
Постоянное образное ззапряжеззне (1^ = 10 мкА)
ззри Г + 15 +85‘С	‘	15 В
Г -60 С	12 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ-мощность
3A639A-6	25 мВт
ЗА639Б-6	20 мВт
3A639B-6	15 мВт
Постоянный обратный ток	10	мкА
1 тгмое значение статического потенциала 30 В
Температура окружающей среды	-60...з 85	С
Минимальная нараб<>13<а в сотаве ГС при
1 з 85 (	25000 ч
1 +75"С	50000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
Диолы настроечные, арсенидогаллиевые, йезаэнитакси-
алызыс, с барьером Шоттки Предназначены для применс
ния в устронсзвах перестройки частоты и ззз фазы в ( ВЧ-
диапазонс в гибридных интегральных микросхемах,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от
воздействия влазм, соляною тумана, плесневых грибов, знзея
и росы, пониженного зз повышенного давления. Выпускают-
ся в бескорпусном исполнении па держателях с жесткими
выводами (рис.6.44). (оварный знак, пнз диода и дата
изготовления наносятся зза ярлык,вкладываемый в групповую
iapj Масса диода не более 0.1 г. Пример зазшен ус ловного
Примечания: I. Изменение максимально допустимого
постоянного обратного ззапряжения в диапазоне температур
окружающей среды от -60 до + 15’С - линейное 2. Максима
льно допустимое обратное напряжение - суммарное
напряжение при воздействии зюстояззззозо обратного смеше
ния и СВЧ-мощности. 3. Пайку кристаллодержателя прово-
дить заземленным паяльником с температурой пазрева не
более 200°С, время пайки 3-5 с. Допускается не более одной
перепайки 4 1 ермокомпрессию анодного вывода проводить
золотой лентой или проволокой, шириной (диаметром) не
более 1/3 диаметра анолнозо контакта.
13
163
I’iic6.45. Зависимости: обшей емкости (л), добротности (6) от
напряжения
Иhoiobhic.t>>: Гомскии завод при ПИИ полупроводников
ых приборов.
ЗА640Ж 2 ЗА64ОИ 2 ЗА64ОК-2	0,45. .0,75 нФ 0,75. .1,10 пФ 0,40 0,75 нФ
ЗА64ОЛ-2	0.75.„1,90 пФ
ЗА640М 2 Кот<|.фициснг перекрытия ио емкости	0.40... 1,50 пФ
ЗАб40А-2,ЗАб40Б 2	не менее 4,5
ЗА640В-2.3Л640Г-2 ЗА640Д-2,ЗЛб4(Ф-2,	ие менее 5,5
ЗЛ640Ж-2,ЗАб40И-2,ЗА640М-2	не менее 6,0
ЗА640К-2 3A640JI 2	не менее 6,5
Ире дельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение IcMiteparypa окружающей среды	и. -ib ооркнд -60...+100'С
Минимальная наработка в составе ГС	10000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
Изготовитель: НПО Исток", т Фрязи ио Московской области
ЗА641А-5, ЗА641Б-5
ЗА640А-2, ЗА640Б-2, ЗА640В-2, ЗА640Г 2
ЗА640Д-2, 3A640F-2, ЗА640Ж-2, ЗА640И-2,
ЗХ640К-2, ЗА64М-2, ЗА640М-2
Диоды настроечные. арсснидоталлиевыс, мезаэпигак-
сиалытыс. с барьером 1П<>> тки Предка значены для примене-
ния в устройствах перестройки частоты или фаты в ( ВЧ
диапазоне в гибридных интегральных микросхемах, обеспе-
чивающих тсрмсгизацню и затпыту приборов ог воздействия
влати. соляною тумана. плесневых трибов, инея и росы
пониженною и повышенною давления. Выпускаются в
бескорнусном исполнении па держателях с жесткими вывода-
ми (рис.6.46) Гип диола приводился на групповой rape На
ярлыке, вкладываемом в трупповую тару, укатывается рабочее
напряжение, индивидуальное для каждого диода или труппы
диодов Масса диола не более 0,006 т. Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СВЧ ЗА640А-2, аАО 336.634 ГУ
Диоды арсенидогалтневые, мета яти таксиальиыс, умно-
жительиыс. Предназначены для применения в умножителях
частоты сантиметровою диапазона длин воли в гибридных
ннтеградьных микросхемах, обеспечивающих терметизацию
и защиту приборов от воздействия влати. соляного тумана,
плесневых трибов, инея и росы, пониженною и повышенно-
го давления. Мотут использоваться также для преобразова-
ния частоты, модуляции амплитуды и фазы, нараметричес
кою усиления, электрической перестройки частоты СВЧ-
цепей. Выпускаются в бескорнусном исполнении с жесткими
выволамин без кри та'тл «держателя (рис.6 47). Тип диода
приводится на групповой таре. Масса диола не более 0,002 г.
Пример записи условною обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ ЗА641А-5,
МЯР.432130 060 ГУ
Рис. 6.46
Вывод 7
$
Вывод 2
	с/.мкм
ЗА641А-5	2>J
ЗА6А1Е-5	18+3
Рис 6.47
) зск|ричеекне параметры
З.тецтричсскис параметры
Постоянное обратное панрялснис (1х.р 10 мкА)
ЗА(.40А 2,ЗЛ(>4тИ> 2	'	30 40 В
ЗЛ640В 2.3A640I 2	40-50 В
Предельная частота (U.„ 6 В)
Общая емкость диода (1.5^-6 В)
ЗА641А-5
З.А641 Б-5
Постоянный обратный ток (11^=6 В)
при Г +25С
Г= 60...+85 С
пс менее 800 ГГц
0.07.. 0,15 пФ
0.05...0,II пФ
нс более 1 мкА
не более 2 мкА
ЗА640Л-2.3Л6401 2
ЗА640Ж-2 +А640И-2.3А640М-2
З.М-4ОК 2.3A640J1 2
Обитая емкость диода 6 В)
3A640A-2.3A640B 2 ЗЛ64О I 2
ЗА64ОГ> 2.3A640I 2.3A640I 2
50 60 В
нс менее 50 В
0,25 .0,35 яф
0.35 .0,45 пФ
Процельные эксплуатационные данные
I
Постоянное обратное напряжение при
Г +25"С	12 В
Т от 60 ю +85 С	15 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность
164
на f 2 20 IT ц
Импульсная рассеиваемая ('ВЧ-мопшосгь на
f > 20 П ц (in < I мкс, Г < 1000 I н)
Диапазон рабочих часки 3A64I.A 5
ЗА641Ь-5
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в cociane I (
Минимальная наработка в обличенном режи-
ме (Р 0,5Р , И, 0,71) ) в составе 1(
Срок сохраняемости в составе ГС
60 мВт
60 мВт
20 - 50 ГГн
30 - 75 ГГц
-60 . Д85 (
25000 ч
50000 ч
25 лет
Примечания: 1. При подаче максимально .тонусшмон
СВЧ-Мощносш величина постоянною обратною напряже-
ния не должна превышать 4(Р» oi максимально допустимо
н> обратною напряжения
С/С(0)
Рис6 4K. Зона ВО1МОЖИЫХ положении мвисимоотеИ оьшей ем
кости от напряжения (а), предельной часто пл огтсмпературыЧб)
Изюювите.дь: Завод при НИИ "Сапфир", i.Москва.
Прямая таблица косвенных ацалонгв варакторных линтов
Гии диода Тип диода Материал Корпус Фирма-
(oienecrB.) (гарубежн.)	нзюговитсль
З.АбОЗА	МЛ4655IC30	GaAs	1 115	M/AConunScmi
Злб >З.А	МЛ46571С30	GaAs	1’115	M/ACommSenii
З.АбТ ЗА	MA4657JD3)	GaAs	1 115	M/ACoininSenii
ЗАбОЗ.А	МЛН65511)30	GaAs	1 115	M/ACommScnii
ЗАбОЗ А	MS4154	GaAs	1 27d	RayihionCo
ЗАбОЗА	MS4I55	(laAs	l-27d	RayihionCo
ЗАбОЗА	РП 121II-	Si	P2I	Parametric
ЗАбОЗА	PIJlllIl	.Si	I-27O	Paiameiric
ЗАбОЗА	PI011IG	Si	1-270	Parametric
ЗАбОЗА	РЮШИ	Si	1-271)	Parantetiic
ЗАбОЗ.А	РГ01111	Si	1-271)	Paiameiric
ЗАбОЗА	PL01II.I	Si	1-271)	Parametric
ЗАбОЗА	PL012IG	Si	|-27d	Parametric
ЗАбОЗА	PL05HI	Si	Г Юр	Parametric
ЗАбОЗА	PL05UG	Si	1- Юр	Parametric
ЗАбОЗА	PI.05UI1	Si	1 lOp	Parametric
ЗАбОЗА	PI о511.1	Si	l?10p	Parametric
ЗАбОЗ.А	POI50041	Si	l-27d	Parametric
ЗАбОЗ.А	P015004G	Si	F27L)	P iramctric
ЗАбОЗ.А	1 •(>240041	Si	l-27ad	Parametric
ЗАбОЗА	Pt I24004G	Si	I77d	Parametric
ЗАбОЗЬ	МА46551ЕЗО	(iaAx	1115	M/ACommScnii
ЗАбОЗЬ	МЛ465711-30	(iaAs	1115	M/ACommSemi
ЗАбОЗЬ	М 14156	GaAs	I-27d	Ray thio n( о
ЗЛ|03Ь	PL ULI	Si	I-27d	Parametric
ЗЛбОЗЬ	PL011JK	Si	l-27d	Paiameiric
ЗАбОЗЬ	PL0111L	Si	l-27d	Parametric
ЗАбОЗЬ	РГ.0121.1	Si	II Op	Parametric
ЗАбОЗЬ	PI.0121K	Si	I-27d	Parametric
ЗАбОЗЬ	PIO 1211.	Si	J-’27d	Parametric
ЗАбОЗЬ	PI('Illi	Si	Г-lOp	Parametnc
ЗАбОЗЬ	PL051 LI	Si	l-27d	Parametric
ЗАбОЗЬ	PL0511K	Si	I lOp	Parametric
ЗАбОЗЬ	PI OS I II	Si	1 JOp	Parametric
3A6I ЗЬ	PLO521J	Si	1 lOp	Parametric
ЗАбОЗЬ	1’1052 IK	Si	Г Юр	Parametric
ЗАЮЗЬ	PI.05211.	Si	nop	Parametric
ЗАбОЗЬ	POI 5004 II	Si	I 27d	Parametric
ЗАбОЗЬ	Pt >2400411	Si	I27d	Parametric
2.А605А.В	1'1112211	Si	P21	Parametric
2А605Л,В	PH 123 JI	Si	P2I	Parametnc
2Л6О5А.В	PIII23IG	Si	P21	Parametric
2А6О5Л.В	PH 123111	Si	P2I	Parametric
2А6О5А.В	PI1I23II	Si	P21	Parametric
2Л605А.В	PL0I21I	Si	1 27d	Parametric
2А6О5А.В	PI 0121(.	Si	1 27d	Parametric
2Л605А.В	PI .012 III	Si	1 27d	Parametric
2Л605А.В	PI.0121K	Si	1 27d	Parametric
2Л6О5А.Г>	PL0I2IL	Si	1 27d	Parametric
2Л605А.В	PI 01311	Si	1 27d	Parametric
2.А605А.В	PL0I31G	Si	I 27d	Para netric
2А605А.В	PLO13111	Si	1 27d	Parametric
2Л6О5А.В	14.0131.1	Si	1 2 d	Parametric
2А605А.В	P1.052 II-	Si	I lOp	Parametric
2А605Л.В	PLO521G	Si	1 Юр	Parametnc
2А605А.В	PL(b21H	Si	I Юр	P iramctric
2АбО5л,В	PI 0521J	Si	1 lOp	Parametric
2А605Л В	PI0521K	Si	11 Op	Paramciric
2А6()ЭА,В	PI 05211	Si	l Юр	Parameine
1 6э
2А605А.В	PLO531F	Si	FlOp	Parametric
2А6О5А.В	PU053IG	Si	IlOp	Parametric
2А605А.В	PLO531H	Si	FlOp	Parametric
2А605А.В	PLO531J	Si	FIOp	Parametnc
2А6О5А.В	P024004F	Si	F27d	Parametnc
2А605А.В	PO24004G	Si	F27d	Parametric
2А6О5А В	Р024004Н	Si	F27d	Parametnc
2А605Б	MA46552D3O	GaAs	Fl 15	M/ACommSemi
2А6О5Б	MA46572D30	GaAs	Fl 15	M/ACommSemi
2А605Б	MA46601D30	GaAs	FU5	M/ACommSemi
2А605Б	MAI16552D30	Si	F27r	M/ACommSemi
ЗА6О7А	DVI16731-04	Si	Fl 15	Alphaindust
ЗА607А	DV116731-05	Si	Fl 15	Alphaindust
ЗА607А	DVH6732-04	Si	135-001 Alphaindust	
ЗА607А	MA46552D3O	GaAs	1115	M/AComniScim
ЗЛ607А	МЛ46552ЕЗО	GaAs	Fl 15	M/ACommScmi
ЗА607А	MA46572D3O	GaAs	Fl 15	M/ACommScmi
ЗА607А	МЛ46572Е30	GaAs	Fl 15	M/AContniSemi
ЗА607Л	MA46604D30	GaAs	FI 15	M 'ACommSemi
ЗА607А	МА46604Е30	GaAs	Fl 15	M/ACommSemi
ЗА607Л	Ма4 11021-30	GaAs	Fl 15	M/ACoinmSemi
ЗА607А	MA4H02I 4	GaAs	A ley	M/ACommSe mi
ЗЛ607А	MA4H02IC-30 GaAs		Fl 15	M/ACommSe mi
ЗА607А	МА4Н021С-4	GaAs	A Icy	M/AConmiSemi
ЗЛ607А	MAH6552D30	GaAs	1115	M/ACommScmi
2А608А	PH 1232В	Si	P2I	Parametnc
2А608А	РИ1232С	Si	P21	Parametric
2А608А	PII1232D	S	P21	Parametric
2А608А	РН1242А	Si	P21	Parametnc
2А6О8А	РН1242В	Si	P21	Parametric
2А608А	РН1242С	Si	P21	Parametric
2А6О8А	P111242D	Si	P21	Parametric
2А608А	РЮ 132В	Si	F27d	Parametric
2А608А	РЕО132С	Si	F27d	Parametric
2А608А	PL0132D	Si	F27d	Parametric
2А6О8А	РЮША	Si	F27d	Parametric
2А608А	РЮ 142В	Si	F27d	Parametric
2А6О8А	PI.0142C	Si	F27d	Parametric
2Л6О8А	PI0142D	Si	F27d	Parametric
2А608А	Pl О532Л	Si	FlOp	Parametric
2А6О8А	РЮ532В	Si	FlOp	Parametric
2А608А	PLO532C	Si	FlOp	Parametric
2А608А	PI.O532D	Si	FlOp	Parametric
2А608А	PI.0542A	Si	FlOp	Parametric
2А608А	Pl 0542В	Si	FlOp	Parametric
2А608А	Pl 0542С	Si	FlOp	Parametric
2А6О8А	PL0542D	Si	FlOp	Parametric
2А609А	BXY39	Si	F27h	PhilipsElec
2А609А	BXY39B	Si	Fl 15	Philips Elec
2А609А	BXY39C	Si	1 48h	PhilipsElec
2А609А	BXY39O	Si	S268f	PhilipsElec
2А609А	BXY391-	Si	F56p	PhilipsElec
2А6О9А	DVJ16731 04	Si	Fl 15	Alphaindust
2А609А	DVI16732 04	Si	1115	Alphaindust
2Л609А	MA46604D30	GaAs	Fl 15	M/AConunSeitu
2А609А	MA46604E30	GaAs	1 115	M/ACoinmScmi
2А609А	MA466I4D3O	GaAs	1115	M/ACommScmi
2А609А	МЛ466141 30	GaAs	F115	M/ACommScmi
2А609А	МЛ411021 30	GaAs	Fl 15	M/ACommSemi
2А609А	МА411021-4	GaAs	Fl 15	M/ACommSemi
2А609А	МА4Н02К -30 GaAs		Fl 15	M/ACommScmi
2А609А	МА4Н021С 4	GaAs	FI 15	M/ACommSemi
2А6'29Б	BXY39	Si	F27h	PhilipsElec
2А6О9Б	BXY39B	Si	FU5	PhilipsElec
2А6О9Б	BXY39C	Si	F48h	PhilipsElec
2А609Б	BXY39H	Si	S268f	PhilipsElec
2А609Б	BXY39F	Si	F56p	PhilipsElec
2А609Б	MA466O3D3O	GaAs	Fl 15	M/ACommSemi
2А609Б	MA46603F30	GaAs	FI 15	M ACommSem
2А609Б	MA46613D30	GaAs	FI 15	M/ACommSemi
2А609Б	MA46613E30	GaAs	Fl 15	M/ACommSemi
2А609Б	MA4H020-30	Si	Fl 15	M/ACommSemi
2А609Б	MA4I1020-4	Si	Alcy	M/ACommSemi
2А6О9Б	MA4H020C-30 Si		F115	M/ACommSemi
2А609Б	MA4II020C 4	Si	Alcy	M/ACommSemi
3A610A	1 PI0I4A	Si	F59g	MSI Elccs
3A610A	LPI014B	Si	F27ah	MSI Elecs
3A610A	LP1014D	Si	F56g	MSI Elecs
3A610A	LP10I4F,	Si	F59j	MSI Elecs
3A610A	LP10I41I	Si	S428b	MSI Elecs
3A6I0A	MA46553C3O	GaAs	Fl 15	M/ACommSemi
3A610A	MA46553D3O	GaAs	FU5	M/ACommSemi
3A61OA	MA46573C30	GaAs	F115	M/ACommSemi
3A610A	MA46573D30	GaAs	F115	M/ACommSemi
3A610A	MA1I6553C30	GaAs	FU5	M/ACommSemi
3A61OA	MA1I6553D30	GaAs	FU5	M/ACommSemi
3A610A	MS4212	GaAs	F27d	RaythionCo
3A610A	MS4213	GaAs	F27d	RaythionCo
3A610A	MS4214	GaAs	F27d	RaythionCo
3A610A	MS4262	GaAs	F27d	RaythionCo
3A610A	MS4263	GaAs	F27d	RaythionCo'
3A61OA	MS4264	GaAs	F27d	RaythionCo
2А610Б	GC1755	Si	F59g	MSI Elecs
2А610Б	GC1755B	Si	F59g	MSI Elecs
2А610Б	GC1755C	Si	F59g	MSI Elecs
2А610Б	MS4262	GaAs	F27d	RaythionCo
2А610Б	MS4263	GaAs	F27d	RaythionCo
2А610Б	MS4264	Si	F59g	RaythionCo
2А610Б	MS43I2	Si	F59g	RaythionCo
2А61ОБ	MS4313	Si	F59g	RaythionCo
2А61ОБ	MS4314	Si	F59g	RaythionCo
2А611Б	MA45064	Si	F27f	M/ACommSemi
2А611Б	MA45251-30	Si	F27f	M/ACommSemi
2А611Б	PH 12 22A	Si	P21	Parametric
2А611Б	PH1222B	Si	P21	Parametric
2А611Б	PH1222C	Si	P2I	Parametnc
2А611Б	PH1232A	Si	P2I	Parametric
2A611Б	PH 1232 В	Si	P21	Parametnc
2А611Б	PH1232C	Si	P21	Parametnc
2А6ПБ	PH 1242A	Si	P2I	Parametric
2А611Б	PH1242B	Si	P21	Parametnc
2А611Б	PH1242C	Si	P21	Parametric
2А611Б	PL0122A	Si	F27d	Parametric
2А611Б	РЮ122В	Si	F27d	Parametnc
2А611Б	PL0122C	Si	F27d	Parametric
2А611Б	PL0I32A	Si	F27d	Parametric
2А611Б	PL0132B	Si	F27d	Parametnc
2А6ПБ	PE0132C	Si	F27d	Parametric
2А611Б	PL0142A	Si	F27d	Parametric
2А611Б	PL0I42B	Si	F27d	Parametnc
2А611Б	PL0142C	Si	F27d	Parametnc
2А611Б	PL0522A	Si	FlOp	Parametric
2А611Б	РЮ522В	Si	FlOp	Parametric
2А611Б	PEO522C	Si	FlOp	Parametric
2А611Б	РЮ532А	Si	FlOp	Parametric
2А611Б	РЮ532В	Si	FlOp	Parametnc
2А6НБ	PEO532C	Si	FlOp	Parametric
2А611Б	PLO542A	Si	FlOp	Parametric
166
rJ\ У У У У У У у У У У Уз У У У У У У У У У У У У У; У У У УЗ СЛ С/: У У У У У У У У У У У У У У У У У У У У У У У У У У	У У У
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
~ С С iT' -f Z: Zi О С С Ci О С Zi Z: Z: '- Z: Zi Z: Z' Z: Z. Z Z: Zi Z Z Z Z '~r-	'-f- '-f-
ЗА615Б	DVI ,4556-35	GaAs	Fl 15	Alphaindust	ЗА617Б	DVI-4556-07	GaAs	J-115	Alphaindust
ЗА615Б ЗА615Б	DV1 4557-32 D VI4557-33	GaAs GaAs	Fl 12b Fl 12b	Alphaindust Alphaindust	ЗА617Б ЗА617Б	DVE4556-O8 DVE4556-13	GaAs (la,As	Fl 15 Alphaindust 023-001 Alphaindust	
ЗА615Б	DVE4557-34	GaAs	Fl 12b	Alphaindust	ЗА617Б	D VI-4556-14	GaAs	02 3-001 Alphaind ust	
ЗА615Б	DVE4557-35	GaAs	1'112b	A phaindust	ЗА617Б	DVE4556 15	GaAs	023-001 Alphaindust	
ЗА615Б	DVE4558-32	GaAs	F94a	Alphaindust	ЗА617Б	DVI 4556-16	GaAs	(123-OOJ Alphaindust	
ЗА615Б	DVE4558 33	GaAs	F94a	Alphaindust	ЗА617Б	DVI 4556-17	(iaAs	023-001 Alphaindust	
ЗА615Б	DVF4558-34	GaAs	F94a	Alpht indust	ЗА617Б	DVE4557-O7	(IaAs	1-112b	Alphaindust
ЗА615Б	DVE4558-35	GaAs	I-94a	Alphaindust	ЗА617Б	DVF4557-08	GaAs	Fl 12b	Alphaindust
ЗА615Б	GC5514F,	GaAs	F115	F q Source	ЗА617Б	DVE4557 13	GaAs	Fl 12b	Alphaindust
ЗА615Б	GC5514P	GaAs	Fl 15	Freq Source	3A6I7B	DVF4557-14	(IaAs	II 12b	Alphaindust
ЗА615Б	GC55I4G	GaAs	Fl 15	Freq Source	ЗА617Б	DVF4557-15	(jaAs	1 112b	Alphaindust
ЗА615Б	MS265	GaAs	FI Ob	RaythionCo	ЗА617Б	D\34557-16	GaAs	Fl 12b	Alphaindust
ЗА615Б	SV543C	GaAs	II15	NFC CorpJA	ЗА617Б	DVE4557-17	GaAs	I-112b	Alphaindust
ЗА615В	DVE4556-51	GaAs	1-115	Alphaindust	ЗЛ6 17Б	DVF45SS-07	GaAs	1-9ча	Alphaindust
ЗА615В	DVE4556-52	GaAs	1-115	Alphaindust	ЗА617Б	DVE4558 08	GaAs	F94a	Alphaindust
3A6I5B	DVE4556-53	GaAs	F115	Alphaindust	ЗА617Б	DVE4S58-13	GaAs	F94a	Alphaindust
ЗА615В	DVF4557 51	GaAs	Fl 12b	Alphaindust	ЗА617Б	DV1M558-14	GaAs	Г94а	Alphaindust
ЗА615В	DVI4557-52	GaAs	Fl 12b	Alphaindust	ЗА617Б	DV14558 15	GaAs	I 94a	Alphaindust
ЗАМ 5 В	DVE4557-53	GaAs	Fl 12b	Alphaindust	ЗА617Б	DVE455X-16	(IaAs	I 94a	Alphaindust
ЗА615В	DVE4558-51	GaAs	F94a	Alphaindust	ЗА617Б	DVE4558 17	GaAs	F94a	Alphaindust
ЗА615В	DVE4558-52	GaAs	F94a	Alphaindust	ЗА617Б	G< 5513G	G;w\s	Fl 15	Freq Source
3A6I5B	DVE4558-53	GaAs	F94a	Alphaindust	3A617L.	GC5513II	(iaAs	Fl 15	Freq Source
ЗА6 5 В	GC5536D	GaAs	1115	I-'req Source	ЗА617Б	GC55I3.I	GaAs	Fl 15	Freq Source
3A6I5B	MA46600D30	GaAs	1-115	M/ACommSemi	ЗА617Б	GC55I3K	(iaA	1 115	l-rcq Source
ЗА615В	МЛ46600Е30	GaAs	Fl 15	M/ACommSemi	ЗА617Б	MA48703B	(iaAs	V7	M ACommSemi
ЗА615В	MA46600F30	GaAs	Fl 15	M ACommSemi	ЗА617Б	МЛ487ОЗС	(iaAs	V7	M ACommSemi
ЗА615В	MA46600G30	GaAs	1-115	M ACommSemi	ЗЛ617Б	MA487031)	GaAs	V7	M ACommS mi
ЗА615В	MA46610D30	GaAs	I-115	M/ACommSemi	ЗА617Б	MA48703F	GaAs	V7	M/AComiuSemi
ЗА615В	МА4661ОЕЗО	GaAs	I-115	M/ACommScmi	ЗД617Б	MS2006	GaAs	I-10b	RaythionC 'o
ЗА615В	MA46610F30	GaAs	1-115	M/ACommSemi	3A627A	DVI 16740-08	(ia-\s	A90a	Alphaindust
ЗА615В	MA46610G30	GaAs	Fl 15	M/AConunScini	3A627A	DVI 16741 08	GaAs	A90a	Alphaindust
ЗА617А	D VI-4556-07	GaAs	F115	Alphaindust	3A627A	DVI 16742 08	GaAs	A90a	Alphaindust
ЗА617А	DVF4556-08	GaAs	F115	Alphaindust	3A627A	DVH6743-08	(iaAs	A)0a	Alphai idust
ЗА617А	DVI 4556 15	GaAs	F115	Alphaindust	3A627A	DVH6744 08	(TaAs	A90a	Alphaindust
ЗА617А	DVF4556-I7	GaAs	Fl 15	Alphaindust	3A627A	DV1I6760 08	Si	A90a	Alphamdast
ЗА617А	DVF4557-07	GaAs	F112b	Alphaindust	3A627A	DVI 16761-08	Si	A90a	Alphaindust
ЗЛ617А	DVF4557 08	GaAs	Fl 12b	Alphaindust	3A627A	DVI 16762 08	Si	A90a	Alphaindust
ЗЛ617А	DVE4557 15	GaAs	Fl 12b	Alptu indust	3A627A	DVI 16763-08	Si	A90a	Alphaindust
3A6I7A	DVE4557 17	GaAs	I-112b	Alphaindust	3A627A	DVU6764-08	Si	A90a	Alphaindust
ЗА617А	DVE4558-07	GaAs	F94a	Alphaindust	3A627A	GC1604	Si	Fl 15	Freq Source
ЗА617А	DVE4558-08	GaAs	F94a	Alphaindust	3A6 !7A	GC1604I	Si	F59g	MSI Flees
ЗА.17А	DVE4558-15	GaAs	F94a	Alphaindust	3A627A	GC1604II	Si	F59g	MSI Uecs
ЗА617А	DVE4558-17	GaAs	F94a	Alphaindust	3A627A	GC 1704	Si	Fl 15	Freq Source
ЗА617А	GC5513G	GaAs	1-115	Freq Source	3A627A	MA45103	GaAs	F27f	M/A( ommSemi
ЗА617А	GC5513H	GaAs	F115	Freq Source	ЗД627А	МЛ45265- 30	Si	1-115	M/A( 'ommSemi
ЗА617А	GC5513J	GaAs	F115	Freq Source	3A627A	1*1112321	Si	P21	Parametric
ЗА617А	GC5513K	GaAs	Fl 15	Freq Source	3A627A	FH1232G	Si	1*21	Parametric
ЗА617А	GC5513L	GaAs	Fl 15	Freq Source	3A627A	PH 123211	Si	P2I	Parametric
ЗА617А	MS2006	GaAs	I 10b	RaythionCo	3A627A	PI 112421	Si	P21	Parametric
ЗАМ 7 А	DVI 4556-13	GaAs	023-001 Alphaindust		3A627A	P1II242G	Si	P2i	Parametric
ЗЛ617А	DVF4556 14	GaAs	023-001 Alphaindust		3A627A	PI 1124211	Si	P2I	Parametric
ЗА617А	DVI 4556-16	GaAs	023-00	1 Alphaindust	3A627A	Pill 2521-	Si	P2I	Parametric
ЗА617А	DVE4557 13	GaAs	1 112b	Alphaindust	3A627A	PII1252G	Si	P21	Parametric
ЗА617А	DVF4557-14	GaAs	Fl 12b	Alphaindust	3A627A	PL0132I	Si	F27d	Parametric
ЗА617А	D VI-4557-16	GaAs	1 112b	Alphaindust	ЗЛ627А	PLO132G	Si	l-27d	Parametiic
ЗАМ 7 А	DVE4558-13	GaAs	I-94a	Alphaindust	ЗЛ627А	PI0132II	Si	F27d	Para metric
ЗА617А	DV1-4558-14	GaAs	1 94a	Alphaindust	3A627A	PLO142I	Si	l-27d	Parametric
ЗА617А	DVE4558-I6	GaAs	I ‘94a	Alphaindust	ЗЛ627А	PI.0142G	Si	F27d	Parametric-
ЗА617А	MA487O3B	GaAs	V7	M/ACn mmSe mi	3A627A	PD0142H	Si	F27d	Para metric
ЗА617А	MA48703C	GaAs	V7	M/ACommSe mi	3A627A	PI 01521	S.	l-27d.	Parametric
ЗЛ617А	MA487O3D	GaAs	V7	M/AConunScmi	3A627A	PL0152G	Si	F27d	Parametric
ЗА617А	MA48703L	GaAs	V7	M/ACommSe mi	ЗЛ627А	Р1О532Г	Si	FlOp	Parametric
3A6I7A	MS 1006	GaAs	I 10b	RaythionCo	ЗЛ627А	PIO532G	Si	FlOp	Parametric
168
ЗА627А	1’11)53211	Si	FlOp	Parametric
ЗЛ627А	P1.O542F	Si	FlOp	Paiamctric
3A627A	PL0542G	Si	11 Op	Parametric
3A627A	PL.O.5421I	Si	FlOp	Parametnc
1A627A	1’1.05521	Si	11 Op	Parametric
3A627A	PLO552G	Si	I lOp	Parametric
3A628A	BXY39	•Si	F27h	PhilipsElec
3A628A	BXY39B	Si	1-115	PhiiipsHcc
3A628A	BXY39C	Si	F48h	PhilipsElec
3A628A	BXY39D	Si	S2681	PhilipsFJcc
3A628A	BXY39E	Si	l-56p	PhilipsElec
ЗЛ628А	DV1I (>740-05	Si	A90a	Alphaindust
ЗЛ628А	DV1I6741-O5	Si	1115	Alphamdust
ЗЛ628А	DVH6742-05	Si	Р56л1	Alpbaindusl
3A628A	DVI 16743-05	Si	F59u	Alphaindust
3A628A	DVII6744-O5	Si	M86	Alphaindust
3A628A	DVI 16760-05	Si	A90a	Alphaindust
ЗД628А	DV116761-O5	Si	FI 15	Alpbaindusl
3A628A	DVH6762-O5	Si	I 56ad	Alphamdust
ЗА628Л	DVH6763-O5	Si	F59tt	Alphamdust
ЗА628Л	DVH6764 05	Si	M86	Alphaindust
3A628A	GC1602	Si	I 115	MSI Flees
3A628A	G( 1602Л	Si	F59g	MSI 1 lees
ЗД628А	G< 1602В	Si	F27ah	MSI Flees
ЗЛ628А	G( 16021)	Si	F56a	MSI Elccs
3A628A	GC1602E	Si	F59j	MSI Flees
3A628A	GC160211	Si	S428F	MSI flees
3A628A	МЛ45062	Si	F27I	MSI Elccs
ЗА628Л	MA45102	Si	F27J	MSI l-Jecs
ЗА628Л	МЛ45249 30	Si	1-115	M/ACommScnn
ЗЛ629А	BXY40	Si	F27h	PhilipsFJcc
ЗЛ629Л	BXY40B	Si	Fl 15	Philips! Ice
ЗА629Л	BXY40G	Si	F48h	PhilipsElec
3A629A	BXY40D	Si	S268f	PhilipsElec
ЗД629А	BXY40E	Si	l-56p	Philips! lee
ЗА629Л	DVI 16740-03	Si	A90a	Alphamdust
ЗД629Л	DVH674I-03	Si	I-115	Alphaindust
3A629A	DV1I6742 03	Si	F56ad	Alpbaindusl
ЗЛ629А	DVH6743-03	Si	I 59»	Alphaindust
ЗЛ629А	DVI 16744-03	Si	M86	Alphamdust
ЗД629А	GCI500	Si	115	Freq Source
ЗА629Л	GCI500D	Si	F56q	MSI Flees
ЗЛ629А	G( 1500E	Si	F59j	MSI Flees
ЗД629Л	GC1500H	Si	S428h	MSI Flees
ЗД629Л	GG1600	Si	I-115	L req Source
ЗА629Л	MA45Q54	Si	1-271	M/AC ommSemi
3A629A	MA45066	Si	1 115	M/A( ommSemi
ЗЛ629А	MA45247 30	Si	1115	M/ACommSemi
3A629A	PH 1231.1	Si	1’21	Parametric
3A629A	P1I1241J	Si	P21	Parametric
3A629A	PI 0121J	Si	I 270	Parametric
3A629A	PI.012IK	Si	1 270	Parametric
ЗА629Л	PH) 12 IL	Si	F27d	Para met I ic
ЗЛ629А	PL0131.I	Si	F27d	Parametric
3A629A	PL0141J	Si	1270	Parametric
ЗЛ629Л	PL0521.I	Si	FlOp	Parametric
ЗА629Л	Pl 052IK	Si	FlOp	Parametnc
ЗЛ629А	PI.O52II	Si	FlOp	Parametnc
ЗД629А	PL.0531J	Si	FlOp	Parametric
ЗЛ629А	Pl.0541J	Si	I- lOp	Parametnc
ЗАбЗОЛ	DVH 6730-02	Si	A90a	Alphamdust
ЗД63ОЛ	DVI 16731 02	Si	1115	Alpbaindusl
3A6 ЗИЛ	DVH6732 02	Si	I 56ad	Alphaindust
ЗАбЗОА	DVII6733 02	Si	159u	Alphaindust
3A630A 3A63QA	DVH6734 02 DVI 16740 02	Si Si	M86 AWa	Alphaindust Alphaindust
3A630A	DVI 16741-02	Si	I-115	Alphaindust
3A63QA	DVI 16742-02	Si	I 56ad	Alphaindust
3A63OA	DVI 16743-02	Si	I 59u	Alphaindust
ЗЛ63ОА	DVII6744-02	Si	M86	Alphaindust
3A63OA	GC1500B	Si	F27ah	MSI Flees
3A63OA	GC1600A	Si	I 115	MSI llecs
ЗА630А	MA45064	Si	F27	M/AC 'ommSemi
3A63OA	MA45225-30	Si	I 115	M/Al?ommSemi
3A6.3OA	МЛ45226 30	Si	FI 15	M/AConmtSeim
ЗА630Л	MA45245 30	Si	Fl 15	M/ACommSemi
3A630A	MA4S246-30	Si	1 115	M/AGommSemi
3A63IA	DVH6730-01	Si	A90a	Alphaindust
3A63IA	DVH6731-OI	Si	1-115	Alphaindust
3A63IA	DVI16732 01	Si	F56ad	Alphaindust
3A631A	DVH6733-OI	Si	F59u	Alphaindust
ЗЛ631А	DVI 16734-01	Si	A90a	Alphaindust
3A631A	DV116740-01	Si	FI 15	Alphaindust
3A631A	DVII6741-01	Si	F56ad	Alphaindust
3A631A	DVII6742-01	Si	I 59u	Alphaindust
3A631A	DVI 16743 01	Si	F59ti	Alphaindust
ЗЛ631А	DVI 16744-01	Si	M86	Alphaindust
2A636A	BXY38	Si	F27h	PhilipsElec
2A636A	BXY38B	Si	FI 15	PhilipsElec
2Л636Л	BXY38C	Si	F48h	PhilipsFJcc
2А636Л	BXY38D	Si	S268I	I’hilipsFJec
2Л636А	BXY38E	St	F56p	PhilipsElec
2A636A	MA4I1022-30	Si	Fl 15	M/AGommSemi
2А636Л	MA411022-4	Si	Alcy	M/ACommSemi
2Д636А	MA4I1022C-30Si		FIJ5	M/AGommSemi
2А636Л	MA4FI022C-4	Si	Alcy	M/AComtnSemi
2A636A	PH1212J	Si	P21	Parametnc
2A636A	PH1212K	Si	1’21	Parametric
2A636A	PH1212I	Si	1’21	Parametric
2A636A	PHI212N	Si	1’21	Parametric
2A636A	PHI222J	Si	1’21	Parametric
2A636A	PI 01121	Si	l-27d	Parametnc
2A636A	FIO112K	Si	1 27d	Parametnc
2A636A	PI 01121	Si	F27d	Parametric
2А636Л	1’1.0112M	Si	I 27<I	Parametnc
2Л636А	PH) 122.1	Si	F27d	Parametnc
2А636Л	PI0512J	Si	F19P	Parametric
2Л636А	PI 05121	Si	FIOP	Parametnc
2A636A	P1A512K	Si	F10P	Parametric
2A636A	PLO5I2N	S	Fl OP	Parametric
2A636A	PLO522J	Si	FIOP	Parametnc
2А636Б	BXY39	Si	F27h	PhilipsFJcc
2А636Б	BXY39B	Si	I 115	Philips! .lee
2A63(>I>	BXY39C	Si	I48h	PhilipsElec
2А636Б	BXY39D	Si	S268F	PhilipsElec
2А636Г.	BXY39F	Si	F56p	PhilipsElec
2А636Б	МЛ49571	Si	F27r	M/ACommSemi
2А636Б	MA4957F	Si	S215a	M/AComriiSemi
2А636Б	MA4I100I-30	Si	Fl 15	M/AGommSemi
2А636Б	MA4I1001-4	Si	Alcy	M/ACommScnii
2А636Б	MA41IO2O 30	Si	1 115	M/ACominSenu
2Л636Б	MA4I1020 4	Si	Alcy	M/AOrmmSciiu
2A636I5	MA411020C-30 Si		I 15	M/A( ommSemi
2Л636Б	МД4Н020С 4	Si	Alcy	M/ACommSemi
2А638Л	BXY38	Si	F27h	PhilipsIJec
2А638Л	BXY38B	Si	1115	PhilipsElec
2A638A	BXY38G	Si	F48b	PhilipsElec
2А638Л	BXY38D	Si	S2681'	PhilipsElec
169
2А638А	BXY38E	Si	F56p	PhilipsElec	Обратная таблица косвенных аналогов			
2А638А	РН1222С	Si	P21	Parametric		ва «акторных диодов		
2А638А	PH1222D	Si	P21	Parametric				
2А638А	PII1222E	Si	P21	Parametric	Тип диода	Тип диода	Inn диола	Тип диода
2А638А	PH1222F	Si	P21	Parametnc	(зарубежн.)	(отечеств.)	(зарубежн.)	(отечеств/
2А638А	PH1222G	Si	P21	Parametric				
2А638А	РН1222Н	Si	P21	Parametric	BXY38	2А638Л	MS4154	3A603A
2А638А	PH1222J	Si	P21	Parametric	BXY38	2А636А	MS4155	3A603A
2А638А	PHI232C	Si	P21	Parametnc	BXY38B	2А636А	MS4156	ЗА6ОЗБ
2А638А	PHI232D	Si	P21	Parametric	BXY38B	2А638А	MS4212	ЗА61ОА
2А638А	PHI232E	Si	P21	Parametric	BXY38C	2Л636А	MS4212	2А612Б
2А638А	PH1232F	Si	P21	Parametric	BXY38C	2Л638А	MS4213	ЗА610А
2А638А	PH1232G	Si	P21	Parametric	BXY38D	2А638А	MS4213	2А612Б
2А638А	РН1232Н	Si	P21	Parametric	BXY38D	2А636А	MS4214	ЗА610А
2А638А	РН1242С	Si	P21	Parametnc	BXY38E	2А636А	MS4262	ЗА610А
2А638А	PH1242D	Si	P21	Parametric	BXY38E	2А638А	MS4262	2А610Б
2А638А	РН1242Е	Si	P21	Parametric	BXY39	2А609А	MS4262	2А612Б
2А638А	PH1242F	Si	P21	Parametnc	BXY39	2А609Б	MS4263	ЗА610А
2А638А	PH1242G	Si	P21	Parametric	BXY39	ЗА628А	MS4263	2А610Б
2А638А	РН1242Н	Si	P21	Parametnc	BXY39	2А636Б	MS4263	2А612Б
2А638А	PL0122C	Si	F27d	Parametric	BXY39B	2А609А	MS4264	ЗА610А
2А638А	PLO122D	Si	F27d	Parametric	BXY39B	2А6О9Б	MS4264	2А610Б
2А638А	PL0122E	Si	F27d	Parametnc	BXY39B	ЗА628Л	MS4312	2А610Б
2А638А	PL0122F	Si	F27d	Parametnc	BXY39B	2Л636Б	MS4312	2А612Б
2А638А	PL0122G	Si	F27d	Parametnc	BXY39C	2А609А	MS4313	2А610Б
2А638А	PL0122H	Si	F27d	Parametric	BXY39C	2А609Б	MS4.313	2А612Б
2А638А	PU0122J	Si	F27d	Parametric	BXY39C	ЗА628А	MS4314	2А610Б
2А638А	PL0132C	Si	F27d	Parametric	BXY39C	2А636Б	робоогов	2А613Б
2А638А	PL0132D	Si	F27d	Parametric	BXY39D	2А609А	Р060020С	2А613Б
2А638А	PL0132E	Si	F27d	Parametric	BXY39D	2А609Б	PH1211F	3A603A
2А638А	PL0132F	Si	F27d	Parametric	BXY39D	ЗА628А	PH1212J	2А636А
2А638А	PLO132G	Si	F27d	Parametric	BXY39D	2А636Б	РН1212К	2А636А
2А638А	PU0132H	Si	F27d	Parametric	BXY39E	2А609А	P1I12121.	2А636А
2А638А	PL0142C	Si	F27d	Parametnc	BXY39E	2А609Г.	PH1212N	2А636А
2А638А	PL0142D	Si	F27d	Parametnc	BXY39E	ЗА628А	PH1221F	2А605А.В
2А638А	PL0142E	S	F27d	Parametnc	BXY39E	2А636Б	РН1222А	2Л611Б
2А638А	PL0142F	Si	F27d	Parametnc	BXY40	ЗА629А	PH 1222 В	2А611Б
2А638А	PL0142G	Si	F27d	Parametnc	BXY40B	ЗА629А	РН1222С	2А611Б
2А638А	PL0142H	Si	F27d	Parametric	BXY40C	ЗА629А	РН1222С	2А638А
2А638А	PLO522C	Si	FlOp	Parametric	BXY40D	ЗА629А	P111222D	2А638А
2А638А	PLO522D	Si	FlOp	Parametric	BXY401-.	ЗЛ629Л	PH 12221.	2А638Л
2А638А	PLO522E	Si	FlOp	Parametric	DVE4556 07	ЗА617А	PH 12221	2А638А
2А638А	PLO522F	Si	FlOp	Parametric	DVE4556-O7	ЗА617Б	PH1222G	2А638Л
2А638А	PLO522G	Si	FlOp	Parametnc	DVE4556-O8	ЗА617А	I’ll 122211	2А638А
2А638А	PLO522H	Si	FlOp	Parametric	DVE4556-08	ЗА617Б	PH1222J	2А636А
2А638А	PLO522J	Si	FlOp	Parametric	DVF.4556-13	ЗА617А	PH1222J	2А638Л
2А638А	PLO532C	Si	FlOp	Parametnc	DVE4556-13	ЗА617Б	PH 1223В	2А612Б
2А638А	PL0532D	Si	FlOp	Parametric	DVE4556 14	ЗА617А	P1I1223C	2А612Б
2А638А	PLO532E	Si	FlOp	Parametric	DVE4556-14	ЗА617Б	PII1223D	2А612Б
2А638А	PL0532F	Si	FlOp	Parametric	DVE4556-15	ЗЛ615А	PH1231F	2А6О5АВ
2А638А	PLO532G	Si	FlOp	Parametric	DVE4556 15	ЗА617А	PH1231G	2А605ЛВ
2А638А	PLO532H	Si	FlOp	Parametric	DVE4556-15	ЗЛ617Б	РН1231Н	2А6О5АВ
2А638А	PL0S42C	Si	FlOp	Parametnc	DVE4556-16	ЗА615А	PH1231J	ЗА629Л
2А638А	PL0542D	Si	FlOp	Parametnc	DVF.4556 16	ЗА617А	PH 1231J	2А6О5АВ
2А638А	PLO542E	Si	FlOp	Parametric	DVE4556 16	ЗА617Б	РН1232Л	2А611Б
2А638А	PL0542F	Si	FlOp	Parametric	DVE4556 17	ЗА615А	PH 1232 В	2А611Б
2А638А	PL0542G	Si	1 Юр	Parametric	DVE4556-17	ЗА617А	PH 1232В	2А608А
2А638А	PL0542H	Si	FlOp	Parametnc	DVE4556-17	ЗА617Б	P1I1232C	2А611Б
					DVL4556-24	ЗА615А	P11I232C	2А6О8А
					DVE4556-25	ЗЛ615Л	Р111232С	2А638А
					DVE4556-26	ЗА615А	P1I1232D	2А608А
					DVE4556 32	ЗА615Б	PI 1123217	2А638А
					DVE45 56-33	ЗА615Б	PH 12321.	2А6384
					DVE4556-34	ЗА615Б	PH1232F	ЗА6274
170
DVE4556-35	ЗА615Б	PI 112321	2А638Л	DVH6731 02	3A630A	PI 0121J	ЗА6ОЗБ
DVE4556-51	3A615B	1’111232(1	3A627A	DVH 6731-04	ЗЛ607Л	Р1Л121К	3A629A
DVE4556-52	3A615B	PH 1232(1	2A638A	DVH6731-04	2A609A	I’D) 12 IK	ЗА6О.ЗБ
DVE4556-53	3A615B	PH1232H	3A627A	DVH6731-05	3A607A	PL0121K	2A605A,B
DVE4556-62	3A614A	PH 123211	2A638A	DVI 16732-01	3A631A	PL0121I	3A629A
DVE4557-O7	3A617A	PH1233B	2А612Б	DVH6732-02	3A630A	PL0121I	ЗА6ОЗБ
DVE4557-07	ЗА617Б	PHJ233C	2А612Б	DVI 16732-04	3A6O7A	PIJ0121L	2A605A В
DVE4557-O8	3A617A	PH1233D	2А612Б	DVI 16732-04	2Л609А	PIIH22A	2A61 1Б
DVE4557-O8	ЗА617Б	PI IJ 241.1	3A629A	DVH6733-01	3A631A	PL0122B	2А611Б
DVE4557-13	3A617A	PH1242A	2Л611Б	DVI 16733-02	3A630A	PL0122C	2А611Б
DVE4557-13	ЗА617Б	PII1242A	2A608A	DVII6734 01	3A631A	PL0122C	2A638A
DVE4557-14	3A617A	PII1242B	2А611Б	DVI 16734-02	3A630A	PHH22D	2A638A
DVE4557-14	ЗА617Б	P1I1242B	2A608A	DVI 16740-01	3A631A	Pl 01221.	2A638A
DVE4557-15	3A615A	PI11242C	2А611Б	DVH6740-02	3A630A	PL0122F	2A638A
DVE4557-I5	ЗА617Л	PII1242C	2A608A	DVH6740 03	3A629A	PL0122G	2A638A
DVE4557-15	ЗА617Б	P1I1242C	2A638A	DVH6740 05	3A628A	PL0122H	2A638A
DVE4557-16	ЗА615Л	PHI 242 b	2A608A	DVH 6740 08	3A627A	PLO 122.1	2A636A
DVE4557-16	3A617A	PH 1242П	2A638A	DVI 16741-01	3A631A	PI .01221	2A63XA
DVE4557-16	ЗА617Б	PI 11242E	2A638A	DVI 16741 02	3A630A	PI0123B	2А612Б
DVE4557-17	ЗА615Л	PII12421-	3A627A	DV116741 03	3A629A	PH1123C	2А612Б
DVE4557-17	ЗЛ617Л	PH 12421	2Л638Л	DV11674J-05	3A628A	PL0123D	2А612Б
DVL4557-17	ЗЛ617Б	1411242(1	3A627A	DVH6741-08	ЗА627Л	P10131F	2A6O5A.B
DVE4557-24	3A615A	PI 11242(1	2А638Л	DVI 16742-01	3A631A	PI.0131G	2A6O5A.B
DVE4557-25	ЗА615Л	P1I124211	ЗЛ627А	DVI 16742 -02	3A630A	P10131II	2A605A.B
DVE4557-26	3A615A	1’11124211	2А63ХЛ	DVI 16742-03	3A629A	P1J0131J	3A629A
DVE4557-32	ЗЛ615Б	PH 1243 4	2Л613Б	DV116742 05	3A628A	P1.0131J	2A6O5A.B
DVE4557-33	ЗА615Б	PH 124 ЗА	2А613Б	DVH6742-08	ЗА627Л	P1J0132A	2А611Б
DVE4557-34	ЗЛ615Б	PH1243B	2Л613Б	DVH6743 01	3A631A	P1.0132B	2А611Б
DVE4557-35	ЗА615Б	P1I1243B	2А612Б	DVI 1674 3-02	3A630A	PI0132B	2A6O8A
DVE4557-51	3A615B	P111243C	2А612Б	DVH6743-03	3A629A	P1O132C	2А6НБ
DVE4557-52	ЗЛ615В	P1I1243D	2А612Б	DVI 16743 05	ЗА628Л	P1O132C	2A608A
DVE4557-53	ЗЛ615В	1’1112521-	3A627A	DVH6743 08	3A627A	PIO132C	2A638A
DVE4557-62	ЗЛ614Л	PI11252G	3A627A	DV1I6744 01	3A631A	PL0132D	2A608A
DVE45 58-07	3A617A	PH 1253-4	2А613Б	DVI 16744-02	3A630A	PUH32D	2A638A
DVE4558-07	ЗА617Б	PH1253A	2А613Б	DVH6744-03	3A629A	PLO132F.	2A638A
DVE4558-08	ЗЛ617А	PH1253B	2А613Б	DVI 16744 05	ЗА628Л	PL0132F	3A627A
DVE4558-08	ЗА617Б	PH 125311	2А612Б	DVII6744-08	3A627A	I’Ll I32F	2A638A
DVE4558-13	3A617A	Pl II 253C	2А612Б	DVH6760-05	ЗА628Л	P1O132G	3A627A
DVE4558-13	ЗА617Б	PH 1253b	2А612Б	DVI 16760 08	3A627A	PLG132G	2A638A
DVF4558-14	3A617A	PH 1254-2	2A613A	DVH6761-05	3A628A	1'1013211	ЗА627Л
DVF4558 14	ЗА617Б	PH 1254 3	2A613A	DVH6761-08	3A627A	1ЧО132Н	2A638A
DVF4558-15	3A615A	PH 1254-4	2А613Л	DVH6762 05	3A62XA	PE0133B	2А612Б
DVE4558-15	3A617A	PH1254A	2A613A	DVH 6762 08	3A627A	PIjO133(	2А612Б
DVE4558-15	ЗА617Б	PIH264 2	2A613A	DVH6763-O5	3A628A	PEO133D	2А612Б
DVF4558-16	3A615A	Pl 11264-3	2A613A	DVI 16763 08	3A627A	PL0141J	3A629A
DVE4558-16	3A617A	PH 1264-4	2A613A	DVH6764 05	ЗА628Л	P10142A	2A608A
DVE4558 16	ЗА617Б	PH1264A	2A6I3A	DVI 16764 08	3A627A	Pl 0142A	2А611Б
DVE4558-17	3A615A	PL0111F	3A6O3A	GC1500	ЗА629Л	PL0142B	2А611Б
DVE4558-17	3A617A	PL0111G	3A603A	GC1500B	3A6 OA	PLO 142 В	2A608A
DVE4558 17	ЗА617Б	PL0111H	3A603A	GC1500D	3A629A	PL0142C	2А611Б
DVF4558-24	3A615A	PL0111I	3A603A	GC1500E	3A629A	PL0142C	2A608A
DVE4558-25	3A615A	PI 01 111	3A603A	GC.1500H	ЗА629Л	PL0142C	2A638A
DVF4558 26	3A615A	PL0111J	ЗА6ОЗБ	GC1600	3A629A	PL0142D	2A608A
DVE4558-32	3A615B	PL0111K	ЗАбОЗЬ	GC1600A	3A630A	PL0142D	2A638A
DVE4558-33	ЗА615Б	PI 01 111	ЗА6ОЗБ	GC1602	3A628A	PI0142E	2A638A
DVE4558 34	ЗА615Б	1’101121	2A636A	GC1602A	3A628A	1’10142 F	3A627A
DVE4558-35	ЗА615Б	PIjOI I2K	2A636A	GC16O2B	3A62XA	PLO 1421	2A638A
DVE4558-51	3A615B	PLO 1121	2A636A	GC1602D	3A628A	PI0142G	ЗЛ627А
DVE4558 52	3A615B	Pl .0112M	2A636A	GC1602E	3A628A	PL0142G	2A638A
DVE4558-53	3A615B	PIO 12 IE	2А605Л.В	GC1602II	3A628A	PL0142H	3A627A
DVE4558-62	ЗА614Л	PL0121G	3A603A	G Cl 604	3A627A	PU)1421I	2A63XA
DVH6730 01	3A631A	PI 0121G	2А605Л.В	GC1604E	3A627.K	1’1.0143 4	2А613Б
DVH6730-02	3A630A	PI.0121H	2Л605А.В	(.( 160411	ЗЛ627А	1’1.0143A	2А613Б
DVH6731-01	3A631A	PL0121J	3A629A	GGJ704	ЗА627Л	1’1014311	2А612Б
171
GC1755	2А610Б	PL0143B	2А613Б	MA46600D30	3A615B	PLO532A	2А611Б
GC1755В	2А610Б	PL0143C	2А612Б	MA46600E30	3A615B	PLO532A	2A6O8A
GCI755C	2А610Б	PL0143D	2А612Б	MA46600F30	3A615B	PU1532B	2A61 lb
GC5513G	3A617A	PLO144-2	2A613A	MA466OOG3O	3A615B	Pl')532B	2A608A
GC5513G	ЗА617Б	PL0144-3	2Л613А	MA46601D30	2А605Б	PLO532C	2A611I>
GC5513H	3A617A	PLO 144 4	2A613A	MA46603D30	2Л609Б	PIO532C	2A608A
GC5513H	ЗА617Б	PL0144A	2A613A	MA46603F.30	2Л609Б	PLO532C	2A638A
GC5513J	ЗА617Л	PL0152F	3A627A	MA46604D30	ЗА 07A	PL 05 321)	2А608Л
GC5513.J	ЗА617Б	PL0152G	3A627A	MA46604D30	2A609A	P1P5321)	2A638A
GC5513K	3A617A	PL0153-4	2А613Б	MA46604F30	ЗЛ607А	P1O532F	2A638A
GC5513K	ЗА617Б	PL0153A	2А613Б	MA46604E30	2А609Л	PL0532F	3A627A
GC5513L	3A617A	PL0153B	2А613Б	MA46610D30	3A615B	14.O532F	2A638A
GC5514E	ЗА615Б	PL0153B	2А612Б	MA466101’30	3A615B	PIX)532G	3A627A
GC5514F	ЗА615Б	PL0153C	2Л612Б	MA46610F30	3A615B	P1.O532G	2А638Л
GC5514G	3A615A	PL0153D	2Л612Б	MA466I0G30	3A615B	PL.O532I1	ЗЛ627Л
GC5514G	ЗЛ615Б	PL0154-2	2A613A	MA46613D3O	2А609Б	PIJ0532II	2A638A
GC5514II	3A615A	PL0154 3	2A613A	MA46613F3O	2А6О9Б	PIO533B	2А612Б
GC5514J	3A615A	PLO 154-4	2A613A	MA46614D3O	2A609A	P1.O533C	2А612Б
GC5514K	3A615A	PLO 164-2	2A613A	МЛ46614Е30	2A609A	P1 0533D	2А612Б
GC5518C	3A614A	PL0164-3	2A613A	МЛ48703В	3A617A	PL0541J	3A629A
GC5518D	3A614A	PLO 164-4	2A613A	MA48703B	ЗА617Б	P1O542A	2A608A
GC5518E	3A614A	PL0511F	3A603A	MA48703C	3A617A	PL0542A	2А611Б
GC5534F	3A615A	PL051IG	ЗЛ6ОЗА	MA48703C	ЗА617Б	PL0542B	2A6111,
GC5534G	3A615A	PL0511H	ЗА6ОЗБ	MA48703D	3A617A	1ЧР542В	2A608A
GC5536D	3A615B	PL0511H	3A603A	MA48703D	ЗА617Б	PLO542C	2А611Б
LP1014A	3A610A	PL0511J	3A603A	MA48703F.	3A617A	PI 0542C	2A608A
LP10I4B	3A610A	PL0511J	ЗА6ОЗБ	MA48703E	ЗА617Б	PI.0542C	2A638A
IP1014D	ЗЛ610А	PL0511K	ЗА6ОЗБ	МЛ4957Е	2А636Б	P1D542D	2A608A
LP1014E	ЗА610Л	PL0511L	ЗА6ОЗБ	MA4957F	2А636Б	Pl 05420	2A638A
LP1014H	3A61OA	PL0512J	2A636A	MA4968I	3A614A	Pl 0542L	2A638A
MA45054	3A629A	PL0512K	2A636A	MA4968I	3A614A	PLO542F	ЗЛ627Л
MA45062	3A628A	PL0512L	2A 3 A	MA49691	3A614A	Pl 0542F	2A638A
MA45064	2А611Б	PL0512N	2A636A	MA4969F	3A614A	PLO542G	ЗА627Л
MA45064	3A630A	PL0521F	2A605A.B	MA4H001-30	2А636Б	PIO542G	2А638Л
MA45066	3A629A	PL0521G	2A605A.B	MA4H001-4	2А636Б	PLO542I1	3A627A
MA45102	3A628A	PL0521H	2A605A,B	MA411020-300	2А636Б	PL0542I1	2A638A
МЛ45103	3A627A	PL0521J	3A629A	MA411020-30	2А609Б	PL0543B	2А612Б
MA45225-30	3A630A	PL0521J	ЗА6ОЗБ	MA4H020-4	2А636Б	PL0543C	2А612Б
МЛ45226-30	3A630A	PL0521J	2А605Л.В	MA411020-4	2А609Б	PL0543D	2А612Б
МЛ45245-30	3A630A	PL0521K	ЗЛ629А	MA4H020C 3	2А636Б	PLO552F	3A627A
МЛ45246-30	3A630A	PL0521K	ЗЛ6ОЗБ	MA4H020C-3	2А609Б	PLG552G	3A(>27A
МЛ45247-30	3A629A	PL0521K	2A605A.B	MA4H020C-4	2А636Б	PLO553-4	2A6131;
MA45249-30 MA45251-30	3A628A 2А611Б	PL0521L PL0521L	3A629A ЗА6ОЗБ	MA4H020C-40 MA4H021-300	2Л609Б 3A607A	PLO553A PLO553B	2А613Б 2Л61315
MA45265-3O	3A627A	PL0521L	2A605A.B	MA4II021 30	2A609A	PL0553B	2А612Г.
MA46542C30	2A612A	PL0522A	2А611Б	MA4H021-4	3A607A	1’1 O553C	2АЫ2Б
MA46551C30 MA46551E30	3A603A ЗА6ОЗБ	PL0522B PL0522C	2А611Б 2А611Б	МЛ4Н021-4 MA4H021C 3	2A609A 3A607A	PL0553O POI50041	2А612Б ЗА6ОЗЛ
MA46552C30 MA46552D30 MA46552D30 MA46552E30 MA46553C.3O MA46553D30	2A612A 2А605Б 3A607A 3A607A 3A610A 3A610A	PL0522C PL0522D PL0522E PL0522F PL0522G PL0522H	2A638A 2A638A 2A638A 2A638A 2A638A 2А638Л	MA4H021C-30 MA4II02K 4 MA4II021C-4 MA4II022-30 MA4H022 4 MA4H022C-3 MA4II022C 4	2A609A 3A607A 2A6O9A 2A636A 2A636A 2А636Л 2A636A	P015004G PO1500411 1’0240041 147240041 P024004G P024004G P024004H	ЗА6ОЗЛ ЗЛ603Б ЗА6ОЗЛ 2A605AB ЗА6ОЗЛ 2A605AF ЗА6ОЗБ
MA46562C30	2A612A	PL0522J	2A636A	MAH6551D30	ЗА6ОЗЛ	P024004II	2А6О5Л.1
MA46571C30 MA46571D30 МЛ46571Е30	3A603A 3A603A ЗА6ОЗБ	PL0522J PL0523B PL0523C	2A638A 2А612Б 2А612Б	MAH6552D3O MAH6552D 0 MAH6553C30	2А605Б ЗЛ607А 3A610A	l*O24( 10D P030020D P()3(>020I	2Л611Б 2А612Б 2А612Б
MA46572C30 MA46572D30	2A612A 2А605Б	PL0523D PL0531F	2А612Б 2A6O5A.B	MAII6553D3O ML4313	3A6I0A 2A61JA	Р060020П SV534L)	2А612Б ЗА614Л
MA46572D30	ЗЛ607А	PL0531G	2A605A.B	MS2006	3A617A	SV543C	ЗЛ615Б
MA46572I 30	3A607A	PLO531H	2A605A.B	MS2006	3A617A	SV544D	ЗА614Л
MA46573C3O	3A6I0A	PLO531J	3A629A	MS2006	ЗА617Б	SV56G	2А613Б
MA46573D3O	3A610A	PL0531J	2A6O5A,B	MS265	ЗА615Б		
172
РАЗДЕЛ 7: ГЕНЕРАТОРНЫЕ ДИОДЫ
ГАННА И ЛАВИННО-ПРОЛЕТНЫЕ ДИОДЫ
7.1 1ИОДЫ ГАННА
Диод Ганна полупроводниковым прибор с отрина
тельным дифференциальным сонрогнв тсиием, во шикающим
воднородном кристалле полупроводника при приложении
к нему сильного электрического поля, предназначен для
теперации и усиления электрических колебании СВЧ-
диапа юна.
Возникновение отрицательного дифференциального
сопротивления обусловлено переходом носителей заряда
(электронов) под теист нием электрического поля,
превышаюшето пороговое значение. из основного миниму
ма зоны проводимости (центральной пли низкотемпера-
турной долины) в побочные минимумы (побочные или
высокотемпературные долины), что приводит к возник
новению неустойчивости протекающего через обратен тока.
Эти диоды на ываются диодами с междолинным переносом
электронов [9,10|.
Активная область диола 1 липа представляет собо т слой
полупроводника С электронной проводимое ТЬЮ. ТОЛЩИНОЙ
от единиц до десятков микрометров. затстючеиныи между
двумя нсвыпрямляютпими контактами катодом и анолом.
При приложении к активной области диода электрического
поля величиной, превышающей некоторое пороговое
значение, в пек и локальной области слоя происходит
спонтанное нарушение однородности электрического поля,
что приводит к перераспределению притоженпого напря-
жения между отдельными учат 1 кам и активной области,
.таЛытеишсму развитию зародившейся пространственно
временной неоднородности поля и образованию области с
повышенными сопротивлением и напряжением на нем.
(акая неустойчивое ь носит название доменной, а движу-
щийся от катода к аноду слой к >кат изовапиото повышен-
ного эдсктрттчеекого но.тя-домсном сильного ноля.
В зависимости от длины активной обмети, иекгрофи
шческих параметров по ivnpoволпттковогослоя, приложенно-
го напряжения, температуры и ко тффиннепта диффузии в
образце полупроводника могуч устанавливаться различные
режимы доменной неустойчивости 1111 Па рис 7,1 привс ге-
ны различные варианты распрсдс тения тлсктричсского поля
и концентрации носителей заряда. онреле тяюших суще
с твование домена в образце. При локализации иовышенио
го электрического ноля в области анодного контакта в обра з-
це имеет место анодный статический домен (рис 7.1.а). При
наличии периодически <|юрмируюшихся. движущихся от
катода к аноду и рассасывающихся на аноде (втят иваюших-
ся в анод) доменов в электрической цени диола во шикают
периодические пульсации тока, частота повторения и
длительность которых определяются ра мерами и
электрофизическими параметрами активной области диода.
В этом случае движущийся домен может принимать вид слоя
накопления заряда (рис.7.1.6) или дипольного домена
(рис 7.1.в, г) Диноль типа слоя накопления очень неустой-
чив и разрушается на первой достаточно сильной исод
породности типа скачка концентрации, подвижности и ш
температуры. переходя в дииолытыг! домен, яв тяющнйся
основным типом движущегося домена.
Сформировавшийся дино сытый дометт имеет форму раз-
мытого несимметричного треугольника и состоит из слоя
накопления заряда, концентрация электронов в котором н,
превышает равновесную концентрацию Nd в десятки раз. и
прилегающего к нему положительного слоя обеднения,
коп пент рання электронов в котором т^ниже равновесной. Па
траиицс этих слоев напряженность электрического поля
максимальна, за пределами же домена она меньше порого-
вой к Дипольный домен в целом электрически центра
лен, поэтому ширина слоя накопления всегда намного мень-
ше ширины слоя обеднения В зависимости от параметрон
активного слоя, свойств нагрузки, температуры и напряже
низг на диоде различают несколько типовых режимов работы
диодов Ганна: доменные, гибридный, ограничения объемно-
го заряда (OIIO3) и отрицательной проводимости. В домен-
ных режимах различают пролетный режим и режимы задержки
и гашения домена.
Рис 7.2. Эквивалентная схема диода 1 айна: а - в корпусе: б. в -
активного элемента
На рис.7.2 приведены типичная эквивалентная схема
диода Ганна (а), а также эквивалентные схемы активной час-
ти диода (б, в), которые образованы параллельно соединен
ними отрицательной активной прово гимоыыс (1д и "тАрячей"
(динамической) реактивностью 'Вд и ти последовательно
соединенными отрицательным активным сопротивлением
R и реактивным сопротивлением jX_, имеющим емкостной
характер. Параметры эквивалентной схемы зависят < т чат т э-
ты, питающего напряжения и амплитуды колебаний,
развивающихся на диоде Ганна
На рис.7.3 приведены типичные зависимости - (1д и Вд ог
чистоты и питающего напряжения для диодов Ганна
трехсантиметрового диапазона. Повышение постоянного
напряжения на диоде Ганна сдвигает кривую в область более
низких частот, следовательно, для повышения устойчивости
колебаний широкодиапазонных генераторов рекомендуется
повышать рабочее напряжение в низкочастотной части
диапазона перестройки тастоты
Необходимо отметить, что отрицательная дифферен-
циальная проводимость имеет место в очень широком лиана
зоне частот, причем с повышением рабочей частоты диода
173
ширина полосы отрицательной дифференциальной
проводимое! И раСШИрЯСТСЯ Уго вас! ВОЗМОЖН сть приме
нения диодов Ганна в шттрокоднаиазоппых псрсстраивас-
мых генераторах, а также со мания на однотипных дно tax
Ганна генераторов, рабочие частоты которых при испоаь
зовании различных ре юнаненых контуров могут различаться
в несколько рад.
Рис.7 I Влияние смешения на частотные характеристики диода
Ганна в режиме <>|рицателыюй проводимости
Рнс.7 4 Амплитудные характеристики составлякиивх полной
провод имости диода Ганна в режиме от ринателыюй проводимости
Па рис.7.4 приведены амплитудные характеристики
составляющих полной проводимости диола Ганна. Носит
янство пешее шейной части полной проводимости в широком
диапазоне изменений амплитуды колебании U, объясняет
исключительно высокую линейность амплитудных харак-
теристик усилителей на тиолах 1 апиа.
Наиболее универсальной характеристикой диода Ганна,
но-видимому, являются зависимое и -G(l',U о) и В f,U о),
однако сложность измерите тыгои аппаратуры. высокая
трудоемк >С1Ь измерений, а также зависимость результатов
измерений от конструкции измерительных камер нс нозво-
лятст ввести их в перечень обязательных xapatiepuciiiK.
включаемых в 1У. В технических условиях на диоды 1 апиа
в качестве основною параметра приводится величина выход-
ной мощности в рабочем диапазоне частот, измеренная в
резонансной камере строго определенной конструкции,
которая также вводится в ТУ При создании генераторов с
резонансными контурами других типов выходные мощно-
сти и диапазонные характеристики могут иметь другой харак-
тер
Диоды Ганна могут быть весьма эффективно использо-
ваны в импульсном режиме Если величина импульсного
напряжения питания равна напряжению в непрерывном
режиме, то генератор обеспечивает выходную импульсную
мощность, близкую к мощности в непрерывном | сжиме
Эффект никоею диодов и выходную импульсную мощность
можно сущешвенио повысить, использовав для питания
диодов импульсное напряжение, в 3 3,5 рада выше напряже-
ния в непрерывном режиме при дтигелытости импульса нс
более 0,05 мкс и скважност более 1000. При >том реализует-
ся "квдзихолодный" режим, при котором тепловая энергия,
выделившаяся в диоле в течение импульса, успевает
редактировать за время между импу гьсами. Минимальная
наработка па отказ диодов в указанном режиме нс меньше,
чем в непрерывном, а выходная импульсная мощность воз-
растает бо ice. чем на порядок
Рскометьтаиии но применению н эксплуатации
1. При моигажс диодов в аппаратуру и подаче питаю-
ших напряжений рекомендуется соблюдать полярность,
указанную на габаритном чертеже.
2	.Схема и конструкция выводов цепи питания диода
должна обеспечивать: а) надежный теплоотвод от катодно-
го вывода диода,обеспечивающий температуру корпуса дио-
да нс более +85 С во всех условиях эксплуатации, б) защит-
ную цепь, предохраняющую диод от выбросов напряжения
прямой полярности амплитудой более 1,2 I и обратной
полярности более 0,2 U при длительности выброса не более
1 мкс; в) подавление низкочастотной паразитной генерации,
3	.Основные виды электрического присоединения диода-
нрнжимной контакт и цанговое крепление (за дёржатель-
катсутнын вывод). Допускается пайка диодов при температу-
ре не более 230 С в течение 5 с и не более трех перепаек.
Время нагрева диола до этой температуры пайки не
мепсс 5 с.
4	. Максима, т нос сжимающее усилие, прикладываемое
к диоду, не должно превышать 10 Н (1кгс), изтибаюший
момент не более 0.05 И м (0,005 ктс.м).
5	При работе с диодами во избежание разрушения ке
рамической втулки брать диоды только за кристаллодержа-
'ель
6	Значение допустимого статического потенциала рав-
но 1000 В. Специальные меры защиты от статического
> тектричества не требуются, сели на диод не подано
напряжение. В рабочем режиме должна быть предусмотрена
схемная или техническая защита от статического электри-
чества.
7	Разрешается применение диодов в более широком
ианатоне частот со снижением выходной мощности, а так
же в импульсных и усилительных режимах при значении
напряжений,не превышающих предельно допустимые; при
этом нормы параметров на диоды нс гарантируются.
8	. Как правило, допускается тксилуагация диодов при
температуре корпуса до 120‘С с соответствующим умень-
шением минимальной наработки, а также изменение посто-
янного рабочего напряжения в указанных в ТУ пределах при
перестройке по частоте ('ВЧ геттера гора на данном диоде
Чоиолии тельные рекомендации по применению и
эксплуатации бескорпусных диолов Ганна
1.	Монтаж диода в ГС производится методом прижима
или пайкой, обеспечивающей падежный тепловой и элек-
трически й контакт электродов диода. Допустимое
прижимающее усилие к контактной площадке нс более 150 г
Температура панки к крис1аллодсржате’’ю не более 160“С.
Время пайки 5 с. количество перепаек ке более двух. До-
пускается пайка к контактной площадке диода проводника
сечением пс б< лее 0,01 мм: на термокомпрессионной установ-
ке с импу тьспым нагревом до 280ь5°С и длительностью
импульса пайки нс бс тсс 0,2 с. число контактирований -
одно.
2.	При монтаже диодов не допускается использование
матсриа юв, вступающих в химическое и электртческос
взаимодействие с элементами конструкции диода
3.	Во избежании механического разрушения диодов прй
монтаже их в 1'С рек тмсндуется брать диоды за металличес-
кое основан ис-кристаллодержагель.
174
Рекомендации по применению импульсных диодов Ганна
1 Разрешается пайка диодов при температуре ие более
155‘С в течение 5 секхчт.'т и пс более грех перепаек Время
naiрева диода до этой температуры пайки пе менее 5 с.
2 Допускается выброс напряжения обратной полярнос-
ти ие бо тее 20% от амплитуды импульсного рабочего напря-
жения, а также превышение максимально допустимого
напряжения UBmM (на время пе более 10 с) до напряжения,
при котором происходит срыв теперации (срыв заднего
фронта огибающего радиоимпу. тьса): суммарное время рабо-
ты в этих условиях не более 20 мин После снижения напря-
жения до U„m„ (и ниже) работоспособность диода гаран-
тируется. Допускается работа диода при на1гряжениях7.мень-
ших Ц, на 30 %. При пом имеет место снижение выходной
импульсной мотцпост и.
3. При работ диодов в интервале температур окружаю-
щей среды от 1 10 до бОС работоспособность и гаран-
тированный в 1У уровень выходной мощност и обеспечивают-
ся с помощью подогрева током (импульсным пульсирую
щим или постоянным), пропуска мым через диод (с соблю-
дением полярности), при этом ггффсктитшое и максималь-
ное значение тока и рассеиваемой мощности подогрева нс
должно превышать величины,установленной ГУ.
4. Рекомендуется при настройке в аппаратуре потребите-
ля осуществлять подогрев диола при Т (25+10)’С током,
пропускаемым черет диод в указанном в ГУ режиме в течение
суммарного времени не более 30 мин, при этом время
минимальной наработки диолов уменьшается на 50 %.
7.2 ЛАВИННО-ПРОЛЕ1НЫЕ ДИОДЫ
Лавинно-пролетпыи инод (ЛПД) - полупроводниковый
прибор, прелпа тначеиныи для генерации и усиления
электромагнитных колебаний СВЧ. В настоящее время ЛПД
являются наиболее мощными и высокоэффективными твер-
дотельными источниками СВЧ мощности в коротковолно-
вой части сантиметрового и в миллиметровом диапазонах
длин both (рабочий диапазон частот ЛПД ог 3 до 300 ГГц).
Принцип действия ЛПД основан на возникновении
отрицательного динамического дифференциального сопро-
тивления в диапаюис СВЧ, обус овленного процессами
лавинного умножения носителей заряда и их пролета через
полупроводниковый активный слой [12]. Появление
отрицательного динам и чес кот о д нфе ре н тотально го
сопротивление связано с временным,, тапаздыванисьГ этих
двух процессов приводящим к фа юному сдвигу междуто
ком и напряжением. "Лавинное зап тдываппе" появляется
из-за инерционности нарас апия лавинного тока, а "пролег-
пое запаздывание" - из-за конечного времени прохождения
носителями дрейфовой области В результате ток, наведен-
ный на клеммах диода, находится в противофазе с перемен-
ным высокочастотным напряжением, и динамическое
дифференциальное сопротивление прибора па этой частоте
будет отрицательным Очевидно, что для различных частот
необходимо иметь различную толщину области простран-
стве иного заряда и сот тасованную с ним толщину пролет-
ного промежутка. Однако, на практике .ио требование не
является слишком строгим и диод имеет отрицательное
сопротивление в достаточно широком диапазоне частот.
Распределение напряжения и тока в по ту проводниковой
структуре ЛПД показано на рис.7 5.
Со времен н ые Л11Д изготав тиваются из кремния, арсенида
галлия, фосфида индия и, в принципе, могуч быть получены
на любом полупроводниковом материале. Основные
представители семейства ЛПД выполнены на следующих
основных типах структур: асимметричный резкий р-n пере-
ход, симметричный р-n переход, контакт металл-полу-
проволник. Типичные структуры ЛПД, распределение заря-
да и поля в них для наиболее часто используемых в оте-
чественной электронике, приведены на рис.7.6. С целью
уменьшения последовательного сопротивления R и, как
следствие, повышения аффективное! и генерации за счет
снижения потерь в самом диоде, в ЛПД широко используют
эпитаксиальные пленки n-типа на ниткоомной п-подтожке
Дальнейшее повышение КПД диодов достигается
использованием эпитаксиальных структур со специальным
неоднородным профилем легирования п-обласги Для
снижения теплового сопротивления (повышения надежно-
сти и долговечности) в Л1Ц наряду с одноэлементной (одно
мезовой) конструкцией кристалла широко применяется
многоэлементная конструкция, насчитывающая от 4 до 9
элементов (мез) в одном кристалле.
Рис 7 5 Распределение напряжения (а) и тока (б) в ЛПД, 1 - ток
инжекции (лавины), 2 ток тта выводах анола (на входе контура)
Рис.7.6. Структуры ЛПД (а>. профили тетирования (б) и элек-
трического поля (в).|-олпопро.тег11ая е однородным прог! илем
легирования и барьером Шоттки (3A707,3A730,3A745);
2-одноиролетиая с неоднородным профилем легирования и
барьером Шопки (3A739.3A74X); 3-двухпро.тетная с неоднород-
ным профилем легирования н-областп (ЗА759,Зл7бО)
Использование метода "протонной изоляции" слоев
позволило реализовать сложные многоэлементные кон-
струкции, значительно уменьшить разброс параметров, в
частности, емкости диодов, улучшить электрические и ткс-
плуатационные характерце т ики диодов, расшири ть ч а :гогиый
диапазон в сторону высоких частот. Метод "протонной
изоляции} переходов погвотит создать повое поколение
мошных арсенидогаллиевых диодов СВЧ- и КВЧ-диапазо-
нов Эквивалентная схема диода в корпусе приведена на
рис.7.7.
1
175
1 -=-60 С	ЗА7ОЗА.АА7ОЗА
ЗА7ОЗБ.АЛ703В
Сопрогив теине диода (I = 10 мА)
Емкость корпуса
Ии туктивность диола
340 мА
390 мА
3...20 Ом
ттс более 0.5 пФ
не более 1.7 п! и
Рнс.7.7. Эквивалентная схема ЛПД в корпусе
Основными 'параметрами ЛПД являются мнит мялытля
выходная мощность в заданном частотном диапазоне и
пробивное напряжение. Диоды индивидуально ттаспор
гизуются но рабочему юку, который указывается в этикетке,
прилатасмой к прибору. В справочных листах на каждый тип
диода указываются значения емкости диода, тепловою
сопротивления, рабочего напряжения. К11Д. атакже значения
емкости и индуктивности корпуса диода.
Указания и рекомендации но акси пагании Jill I
1.	JUL I следует примени гь с источниками тока, имсьзщи
ми бо тыпое внутреннее сопротивление (бо ice 3 кОм) и
малую выходную емкость (менее 10 пФ). При емкости более
50 пФ необходимо применять заТпиту от перегрузки диода
при временном разрыве цепи. Рекомендуется подавать пита
ние на диод через фильтр нижних частот (ФПЧ).
2.	Рекомендуется использовать диолы при рабочем токе
не более I 1п.г указанном в пикетке па кажды г »ти>т, гак как
превышение I рдцд сопровождаегея снижением падежнпсти
и стабильности работы диода
3.	В процессе эксплуатации должно обеспечиваться
надежное соединение минусовом выв< ча тиода с резона-
тором, чтобы температура корпуса диода нс превышала
+85‘С (переходное сопротивление диод теплоотвод не додж
но быть более 1,5 (’/Вт)
4.	Допускается присоединение к положи тельному выво-
ду диола лепестка или проволоки методом сварки расщеп
ленным электродом или пайкой; при этом пайка обоих
электродов должна проводиться при температуре ис более
170X1 в течение 1 мин.
5.	При работе с диодами обязательно применение мер по
защите от статического электричества.
3A703A, ЗА7ОЗБ, АА703А, АА703Б
Продельные эксплуатационные тайные
Постоянное напряжение	9.5 В
Температура корпуса	+ 754?
Температура окружающей среды	-60 ...+60°(
Мпппмалытая наработка	15000 ч
"рок сохраняемости	25 лет
Рве 7.Х. Зона возможных положений зависимости выходной
моншосгн ог напряжения
Гис 7.9. Зависимость частоты генерируемых колебаний от напря-
жения
Изюювите.ть: 1 омский завод при НИИ полупроводнико-
вых приборов
1А704А, 1А704Б, 1А704В
Диоды арсенидогаллиевыс, мезаэпитаксиалытыс на эф
]зекте I аниа. генераторные. Предназначены для примене-
ния в геттера горах сантиметрового диапазона длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами, (абаритный чертеж соответствует прибору ЗЛ6ОЗ
(рис.6.6). Тип диода приводится па трупповой таре Масса
диода пе более 0,15 г. Пример записи условного обо значения
при заказе и в конструкторской документации диод СВЧ
ЗЛ7ОЗЛ, аАО.339.003 ТУ; диод СВЧ АЛ703А, аАО .336.013 ГУ.
Диоды германиевые. птанарнодшрфузнойные, лавинно-
нр< оьтс, тснсрагорные Предназначены для применения
в генераторах сантиметровою диапазона длин волн. Выпуе
каются в металлокерамическом корпусе типа КД К ) 109-31
жесткими выводами (рис.7.10) Гни диода приводится па
трупповой возвратной таре Масса диода не более 0,7 г При-
мер записи условною обозначения при заказе и в конструк
горской документации, диод СВЧ 1А704А. ТСЗ 360.004 13
Э тектрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
на одной из частот диапазона
генерации ЗА7ОЗа,АА7()ЗА
ЗА7ОЗБ.АА7ОЗБ
Рабочий диапазон частот
Рабо тсе постоянное напряжение
Постоянный рабочий ток
10 мВт
20 мВт
8,24... 12S2 ГГц
8,5. .9,0 В
0,19* .0.40 А
Вывод 1 Вывод2
9,2
Вывод 1
Вывод 2
Злсктрические парамс тры
Рис. 7.10
при 1 + 25.. +60 С 3A703A.AA703A 270 мА
ЗА703Б.АА703Б 320 мА
Минимальная непрерывная мощность
(I 15...50 мА) в рабочем диапазоне
частот при Г-ы25(	1А7О4А пс менее 10 мВт
1А7О4Б пе менее 3() мВт
176
IA704B
l= i 70 С	1А704А
1Л704Б
1Л 704 В
Рабочий диапазон частот 1А704Л
1А7О4Б
1А704В
Нормируемое обратное рабочее
напряжение (I 15...50 мА)
Общая емкость
Емкость корпуса
Индуктивность дио та
нс менсе 20 мВт
пс менее 6 мВт
нс менее IX мВт
не менее 12 мВт
6,0...6,7 Пи
6,7 ..8,3 1 Гц
8.3 10 11ц
пс более 60 В
0,75 . 1,07 пФ
0,23*...0,29* пФ
0,82*. 1,02* нГн
Изготовитель: Завод "Пульсар", г.Москва.
ЗА705А, ЗА705Б, АА705А, АА705Б
Диоды арсенидогаллиевые. мезаэпитаксиальные, на эф-
фекте Ганна, генераторные. Предназначены для примене-
ния в генераторах сантиметрового диапазона длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими
выводами Габаритный чертеж соответствует прибору 3A603
(рис.6 6). Тип диода приводится на групповой таре Масса
диода нс ботее 0,15 т. Пример записи условной» обозначения
при заказе и в конструкторской документации: диод СВЧ
ЗА705. аАО 339 010 ТУ; диол СВЧ АА705. аАО 336.012 ТУ.
Ире тельные эксплуатационные танные
Постоянный рабо’птй ток при длителытом (нс
более 100 час) воздействии при 1 NO С 0.771, мА
Постоянный рабочий ток при кратковремен-
ном (нс более 2 час) воздействии 1к т 2.5'С	1.41 мА
[емпсратура окружающей среды	6’0 т 6<; С
Минимальная наработка	1000 ч
Срок сохраняемое! и	12 чет
Электрические параметры
Примечания" 1. При эксплуатации приборов должен
обеспечиваться надежный тепловой контакт на боковой
поверхности вывода.2. Тепловое сопротивление вывод 2-
корпус резонатора не более 1 С/Вт. Разрешается панка выво-
да 1 при температуре пс свыше 150 С в течение 5 с.
3. Допускается эксплуатация диодов в импульсном режиме
при токе в импу.тьсе.не превышающем постоянный рабочий
ток при любой длите.тытосги импульса и скважности
4,Шумы (в резонаторах предприятия-и иототипетя) на часто-
тах анализа 1 10, 2(10 к! п пе хуже: амплитудные минус 120,
125. 130 дБ/Гц частотпыс-минуе 40 55, 90 дБ/Гтг, соот-
ветственно.
Минимальная непрерывная мощность
на одной из частот диапазона
генерации	ЗА7О5А.АА7О5А	20...35* 70* мВт
ЗА7О5Б.АА7О5Б	50-70* 120* мВт
Рабочий диапазон частот	5,2 8,2 ГГц
Рабочее постоянное напряжение Постоянный рабочий ток при	10.0 В
1 +25	70 ( ЗА7О5А.АА7О5А	120*...230*...280 мА
ЗА7О5Б,АА7О5Б	130*. .250*...300 мА
Т -60’С	ЗА705А,АА705А	300* мА
ЗА705Б.АА705Б	370* мА
Сопротивление диода (I = 10 мА) при	1-+25Х’	3 5* 15 Ом
1 60“С	1,5...15 Ом
Т=+70 С	3...18 Ом
Температурный коэффициент выходной мощности	0 013* 1/С
Температурный коэффициент частоты	1,0* МГц/’С
1-дикость корпуса	не более 0,45 пФ
Индуктивность диода	не более 1,7 нГн
Рис 7 11. Зависимости выходной мощности оттока (а) частоты (б)
и относи гезытот о тпменення рабочею тока (в)
Предельные женлуапшнониые тайные
Постоянное напряжение	ю.о'в
Рассеиваемая мощность при Г т25'С	ЗА705Л.АА705А	2 8*Вт
ЗА7О5Ь.ЛЛ7О5Ь	3 0*Вт
Г=-60 С	ЗА7О5А.АА7О5А	3 5*Вт
ЗА7О5Б,АА7О5Ь	3 7*Вт
1 т 70 С	ЗА7О5А.АА7О5А	2 3*Вт
ЗА7О5Б.АА7О5Б	2,5»Вт
Температура корпуса	+75°С
Температура окружающей среды	-60 ...+6О'С
Минимальная наработка при Т +60“С	15000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
12 СВЧ приборы
177
Рис.7 12. Зависимости: выходной мощности (а) и чисто» м гене-
рируемых колебаний (б) от напряжения; выходной мощности от
часкны ври различных температурах окружающей среды (в)
Значение допустимою статического
потенциала
Тепловое сонротивяспис
переход корпус
Температура перехода
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
нс более 100 В
20Т.4(Г..50'с/Вт
+ 200 С
-60°С. TK=f85 C
10000 ч
25 лет
Примечание: Тепловое сопротивление вывод 2 корпус
резонатора не более ГС/Вт. 2. Запрещается эксплуатация
диодов в импульсном режиме.
И иотовикль: Томский завод при НИИ полупроводнико-
вых приборов.
2А70бА,2А706Б.2А706В.2А706Г
Диоды кремнисвые.мезадиффузионныс, лавинно-
пролетные, генераторные Предназначены для применения
в генераторах сантиметровою диапазона длин both Выпус
каются в металлокерамическом корпусе типа КД 10-109 с
жесткими выводами (рис.7 13) Гип'диода приводится на
групповой возвратной таре Диоды маркируются тщетной
точкой на торце вывода 2: 2А706Л красной,2А706Б-белой,
2А706В-черной 2А706Г синей Масса диода не более 0,2 г.
Пример записи условною обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ 2А706А,
Б В 360 000 ТУ
Вывод 7
Рис.7.14 Зависимость выходной мощности ог тока
Вывод2 рис. 7.13
Электрические параметры
Изготовитель Нальчикский завод полупроводниковых
приборов.
ЗА707А, З.А707Б, ЗА707В, ЗА707Г, ЗА707Д,
3A707F, ЗА707Ж, ЗА707И, ЗА707К, АА707А,
АА707Б, АА707В, АА7071 АА707Д, АА707Е,
АА707Ж, АА707И, АА707К
Минимальная непрерывная
мощность (Г 30...60 мА) па одной
из частот рабочего диапазона
2А70бЛ,2Л706Б
2А706В.2А706Г
Рабочий диапазон частот
2А706А.2А706Б
2А7О6В.2А706Г
Постоянное рабочее напряжение
Постоянный рабочий ток
Спектральная плотность шума в
полосе 1 Гп на расстоянии 1 кГп
от несущей:
при амплитудной модутянии
при частотой модуляции
КПД
Общая емкость
Емкость перехода
Емкость корпуса
Инлуктивнос-т ь диода
не менее 100 мВт
не менее 50 мВт
8.5... 10,0 ГГц
10,0... 11,5 ГГн
70*... 100*. 120* В
35...40* . 60 мА
Диоды арсенидогаллиевые, эпитаксиальные с барьером
Шоттки, лавинно пролетные, генераторные. Предназначе-
ны для применения в генераторах сантиметрового диапазона
длин волн Выпускаются в металлокерамическом корпусе с
жесткими выводами. 1 абаритный чертеж сосите тствуст нрибо
ру 2А7О6 (рис.7.13) 1ип диода приводится па групповой
возвратной таре. Диоды маркируются цветной точкой на
торце минусового вывода. ЗА7О7А,АА7О7А красной,
ЗА707Б,АА707Б-белой,ЗА707В, АА707В-чсрной, ЗА707Г,
АА7О7Г-снней, ЗА707Д, АА707Д-зеленой, ЗА707Е, АА7О7Е-
желтой, ЗА707Ж. АА707Ж-коричневой, ЗА707И, АА707И-
голубой. ЗА707К. АА707К бежевой Масса диода пс более
0,1 т Габаритный чертеж соответствует прибору 2А706А.
Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ ЗА707А,
аАО.339.053 1У. диол ( ВЧ АА7О7, аАО 336.274 ГУ
нс более -130* дБ/Гц
нс более -80* дБ/I и
3.5* .5,0* 6,0* %
0,2* 0,4* 0.6* пФ
0,2* .0,6* пФ
0.2* .0,3* 0,5* пФ
0,2*...0,3*.. 0,5* нГн
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный рабочий ток
Т=+25’С '
Г-+70С
Г -60 (.
1( мА
07 I мА
1,2 1‘ мА
’ с
(I '-“30...60 мА) в рабочем диапазоне
ЗА707А.АА707А
ЗА707Б.АА707Б
ЗА7О7В.АА7О7В
ЗА7О7Д.АА7О7Д
ЗА7071 .АА7О7Е
ЗА707Ж.АА707Ж
ЗА7О7И АА707И
ЗА707К.АА707К
Рабочий диапазон
65 85
П<р= 60...80
1 W .70
II,
U
<я>р
и,.„
Ц^-бО 80
50. 70 В
частот
35.. 60
33...50
65 . 85
В
В
В
в
в
в
в
час тот
0,5*...0,65*...1,0 Вт
0,5...0,65*...1,0* Вг
0,5...0,65*. .1.0* Вг
0.2 0,28*. .0.4* Вт
0,1 .0,18* ...0.3* Вт
0,2.. 0,26*...0.3* Вт
0,2...0,26*.. 0,3* Вт
0,2...0,26*...0,3* Вг
ЗА707А, ЗА707Ж.АА707А..АА707Ж
ЗА707Б.ЗА707И.АА707Б.АА70711
8.3...9.2 ГГп
9.2. 10.3 ГГн
178
ЗА707В,ЗА707К,ЛА707Н,АЛ707К
ЗА7О71 .АА707Г
ЗА7О7Д.АА7О7Д
U	65...85 В
(17=60...80 В
II .*=50 .70 В
гГ 35...60 В
огр
и . -35. .60 В
(17 зз. .50 в
сер
и . =65 .85 В
11. 60 . .80 В
оСр
и . 50 .70 В
ЗЛ7О71-.АЛ7О71.
Пробивное напряжение (IVp- 1 мА)
при Т « 25'С
ЗА7О7А,ЗА7О7Ж.АА7О7А,АА7О7Ж
ЗА7071>}Л707И.АЛ7071> АА707И
ЗА7О7В.ЗА7О7К ЛА7О7В.АА7О7К
ЗЛ7О7 Г. ЗА707Д. АА707 Г, АА707Д
ЗА7О7Е.ЛА7О7Г
Г «-85 Г
ЗА7О7А ЗЛ7О7Ж.ЛА7О7А.АА7О7Ж
ЗА707Б.За707И.АА7()7Б,АЛ707И
ЗА707Н. ЗА707 К, АА707В,ЛЛ707 К
ЗА7О7Г, ЗЛ707Д.ЛА7О7Г.АА707Д
ЗА7071 „АА7071
I = «85‘С
ЗА707А,ЗА7()7Ж.АА707А,АА707Ж
ЗЛ7О7Ь.ЗА7О7И,АА7О71>,АЛ7О7И
ЗА707В.ЗЛ707К.АА707В.АЛ707К
3A707I .ЗА7О7 1.АА7О71 .АА707Д
ЗА7071-.АЛ707Е
Постоянный рабочий ток
ЗЛ707А.ЛА707Л
ЗЛ7О7Б АА707Б.
ЗА707В.АА707В,
3A707I .АА707Г,
ЗА707Д.АА707Л.
ЗЛ7О7Е.АА7О7Е.
ЗА707Ж ЛЛ707Ж
ЗЛ707И.АА707И.
ЗА7О7К.АА7О7К
КПД
ЗА7О7А ЗЛ707Б.З V7O7B.
ЛЛ7О7А.АА7071>,ЛЛ707В
ЗА7О7Г ЗА707Д. АА707Г,АА707Д
ЗА7071 .AA7O7F
ЗА707Ж.ЗА707И.ЗА707К
АА707Ж.АА707И АА707К
Общая емкость
ЗЛ7О7А,ЗА7О7Г>,ЗЛ7О7В,
АА707А.АА707Ь,АА707В
ЗА707Г ЗА707Д.ЗЛ707Е,
АЛ7О7Г.АА707Д AA7O7I
ЗА707Ж.ЗА707И,ЗА707К,
АА707Ж.АА707И,АА707К
1 мкость корпуса
Индуктивность диода
10.3... 11,5 ГГц
12.4 13,7 ГГц
13,7. .15,1 ГГц
15,1... 16,7 ГГц
55. 70 В
5O...65 В
4O...55 В
30...50 В
25.. 42 В
55...85 В
50.. 75 В
40...65 В
20...60 В
20...50 В
45...70 В
40 .65 В
ЗО...55 В
20 ..50 В
20 42 В
50 95* 100 мА
60 .90”. 120 мА
70..90*.140 мА
60 .90*. 140 мА
70. .100* .140 мА
70...90?..140 мА
20...30? 45 мА
25 35* 50 мА
25 40*..60 мА
7,0*. 10*...14,0* %
5*.8*...1О,О* %
4.0? .6,()•...8,0* %
Ю.о£.11*...14,0* %
0,8* 1,1*...1,4* пФ
0,65*.0,8*...4,1* пФ
О.5^..О,65*...О,8* пФ
0.4* нФ
0,3* ill н
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный рабочий ток Тепловое сопротивление переход-	1р мА
корпус ЗА7()7А,ЗА7О7Ь.ЗА7О7В, •\A7O7A АА707Б.АА707В	15' 2(f 25 С/Вт
3A707I ,ЗА7О7Д.ЗА7О7Е, АЛ707Г.АА7()7 1.АА7О71	-28*.35*..45"С/Вт
За7О7Ж,За7О7И.ЗА7()7К, АА707Ж,АА707И,АА707К	30* 45* 60 С/Вт
Значение допустимого статического потенциала	йе более 30 В
Температура перехода	+225 С
Температура окружающей среды	-60 ...Т,=+85’С
Рис 7 16 Типовая зависимость
выходной мощности от частоты
Минимальная наработка
Срок сохраняемое? и
30000 ч
25 лет
Примечания: 1.Тепловоесопротиилениевывод 2-корпус
резонатора не более 1,5‘С/Вт. 2 Допускается кратковременная
(в течение не более 2 ч) эксплуатация диодов при I 1,3 1 в
аппаратуре разового действия, а также жсплуатапия диодов
при рабочих токах, превышающих J .
Рис.7.15. Зависимости выходной mohihocih. от тока— ддя
ЗА707(А,В) (а), ЗА707(ГД) (6). ЗЛ707(Ж-К) (в), ЗА707Е (г), ог
температуры корпуса (д), спектральной наотности мощности
амплитудио модулированных и частотно-модутированных шумов
от частоты анализа (е)
179
12
Изготовитель: Завод Пульсар", г Москва.
2А709А, 2А709Б, 2А709В, КА709А, КА709Б,
КА709В
Диоды кремниевые, мсзадиффузионныс, лавинно-
пролетные. генераторные Предназначены лтя применения в
генераторах сантиметрового диапазона длин волн. Выкус
каются в металлоксрами ческом корпусе с жест кими выводами.
Габаритный чсргеж соответствует прибору 2.А7О6 (рис 7 13)
Тип 'тио та привалится на групповой возвратной таре Диоды
маркируются цветной полосой на торне вывода 2: 2А709А-
краспой, 2А709Б-бе той, 2А7О9В черной Масса диола нс
более 0.2 г. Пример записи условного обозначения при зака
зе и в конструкторской документации: диод СВЧ 2А709А.
аЛО.339108 IV; диод СВЧ К.А7О9.А, аАО 336 296 1У
Злекгричсскне нарам? ры
Минимальная непрерывная мощность
при номинальном рабочем токе на
одной из частот рабочего диапазона нс менее 500 мВт
Рабочий диапазон частот
2А709А.КА709Л
2Л709Б.КЛ7О9Б
2А709В.КА709В
Постоянное рабочее напряжение
Постоянный рабочий ток
КПД
Обитая емкость
Емкость корпуса
Индуктивность диода
Спек1ральпая плотность мощности
амтстнтудно-модулированного шума
(Ржк= 1 кГц)
Спектральная плотность мощности
частотно-модулированного шума
(F.„ 1 кГц)
8,3 .9,0 ГГц
9,0. 9.7 ГГц
9,7. .10.5 И ц
70 .100*. 130 В
70..,90‘ . 120 мА
3.5* .5,0* 6.0* %
0,7 С < 0,9 пФ
0,4 0 6 пФ
0,2*. .0,3*...0,5* нГц
не более -130*дБ/1’ц
не более -80* дБ/Гн
Предельные эксплуатационные танные
Постоянный рабочий ток при
Т» + 25и-60С	I мА
Г -+70 С	0,701г мА
Постоянный рабочий ток при краг
ковремснтгом воздействии (не более
10 с) с интервалом не менее 5 мни 1.21р мА
Значение допустимого статического
потенциала	нс более 100 В
 силовое сопротивление
переход корпус
Тепловое сопротивление
электрод 2-корпус резонатора
Температура перехода
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
1(7 .2^'22 С/Вт
не более 1 С/Вт
+200“С
60 С. .Тк з 70 С
10000 ч k
25 лет
Примечания 1 При эксплуатации приборов должен
обеспечиваться надежный гетитовой контакт на боковой
поверхности вывода. 2 При температуре Гк +25. +704'
максимально иопустимый рабочий ток рассчитывается по
формуле Гр Ipm„(200- IJ/I75
Т‘НС.7.17. Зависимости выходной мощности: or частоты (я) и рабо-
чет о тока (6)
Изготовитель Нальчикский завод полупроводниковых
приборов.
ЗА715А, ЗА715Б, ЗА715В, ЗА715Г, ЗА715Д,
ЗА715Е, ЗА715Ж, ЗА715И, ЗА715К, ЗА715Л,
ЗА715М, АА715А, АА715Б, АА715В, АА715Г,
АА715Д, АА715Е, АА715Ж, АА715И, АА715К,
АА715Л, АА715М
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эф-
фекте Ганна, генераторные. Предназначены для примене-
ния в генераторах сантиметрового диапазона длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе тина КД-105
с жесткими выводами. Габаритный чертеж соответствует
прибору 2.А706 (рис.7.13). I ин диола приводится на группо-
вой таре Масса диода не более 0,15 г. Пример записи услов-
ного обозначения при закате и в конструкторской доку
менгации: диод СВЧ 3A7I5.A, аАО.339.085 ТУ; диод СВЧ
AV15A. аАО.336 317 ГУ.
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот
ЗА715 А, ЗА715В, ЗА715 Е ,3 А715 К,
АА715А.АА7151 АА715Г.АА715К
3 А715 Б, ЗА715 Г. З.А715Ж, ЗА715 Л,
АА715Б.АА7151,АА715Ж АА715Л
ЗА715Д ЗА715И,ЗА715М,ЗА715Д1
АА715ДАА715ИДА715МАА715Д1
ЗА715Г1.АА7151 1
Рабочий диапазон частот
100 240* мВт
200 .360* мВт
300*...500 мВт
280. 480* мВт
ЗА715А.ЗА715Б ЛА7 5А.АА715Б
3A715B.3A7I5I .ЗА715Д,
АА715В.АА715Г ,АА715,'1
715ПАА715Г1.3А715Д1ЛА715Д1
ЗА715Е.ЗА715Ж З.А715И
А А 715 Е. АА715Ж АА715 И
ЗА715К. ЗА715Л .ЗА715М,
8,0 9 5 ГГц
9,0 .10,5 ГГц
9,0...9,5 ГГц
10,0.. 11,5 I Гц
180
ЛА715 K.AA715 J1 ,лА715 M
11,0 12,5 11 u
Постоянное рабочее напряжение
ЗА715А,ЗА715Б,ЗА715В,ЗА715Г,ЗА715П.
ЗА715Д,ЗА715Д1ЛА715АЛА715БЛА715В,
АА715 Г.ЛА715 П ЛА715Д ДА715 Д
ЗА 715Е..ЗА715Ж.ЗЛ715И.З.А715К.
ЗА715 1.3Л715М.ЛА715Е.ЛА715Ж,
АА715И.АА715К.АА715Д.АА715М
Постоянный рабочий ток
3 Л715.А. Зл715 В. 3 Л715 Е. 3 А715 К
АЛ715А.АА715В.АА715 Е.ЛА715К
ЗА715Б.ЗЛ715 Г. З.А715Ж.ЗА715Л,
ЛЛ715Б.АА715Г .АА715Ж,ЛА715Л
ЗА715Д.ЗА715И.ЗА715М.ЗА715Г1.
ЛЛ715Д. АА715 И. АА715 М, АА715 Г1
Сопротивление диода (I 10 мА)
при Т 1253
Т 170 С
Т -(ЯС
КПД
Емкость корпуса
Индуктивность диода
9,5... 10,5 В
9,5...10.0 В
0,5...1.2 А
0.5 .1,3 А
0,5.. 1,5 А
0.6. 1.2* ..2,5 Ом
0,6...3,0 Ом
0,2...2,5 Ом
не менее 1.5* ?
не ботее 0,5 нФ
нс ботее 0.5 uI n
Рис.7.19. Зависимое! и. рабочего напряжения от температуры (а),
минимальной наработки от температуры корпуса .(нота (б)
Изготовитель: Томский завод при ПИИ полупроводнико-
вых приборов.
ЗА716А, ЗА716Б, ЗА716В, ЗА716Г, ЗА716Д,
ЗА716Е, ЗА716Ж, ЗА716И АА716А, АА716Б,
АА716В, АА716Г, АА716Д, АА716Е, АА716Ж,
АА716И
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение
ЗА715А,ЗА715Б,ЗА715В,ЗА715Г,ЗА715П,
ЗА715Д.ЗА715Д1АА715ААА715БЛА715В,
АА715ГЛА715ПЛА715Д АА715Д
при Т от 15 до 70”С
I =-60‘С
ЗА715Е.ЗА715Ж.З.А715И.ЗЛ715К,
З.А715Л, 3 А715 М, АА715 F, АА715Ж.
ЛА715 И, АА715 К, АА715 Л, АА715 М
при Т ог 15 до 70“С
Т=-60'С.
Температура кристалла
Температура окружающей среды
Минимальная наработка при 1 =+50”С
Срок сохраняемости
10,5 В
13,0 В
10,0 В
12,0 В
+200’С
-60 ...+70 С
15000 ч
25 лет
Диоды арсенидогаллиевые. мезаэпитаксиалытыс, на эф-
фекте Ганна, генераторные. Предназначены для примене-
ния в генераторах и усилителях миллиметрового диапазона
длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе
типа КД-105 с жесткими выводами. Габаритный чертеж
соответствует прибору 2А5О7 (рис.5.12). Типдиода приводится
на групповой таре Масса диода не более 0,1 г. Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструкторс-
кой документации диод (’ВЧ 3A7I6A. аАО.339.093 ТУ: диод
СВЧ АА716.А. аАО.336.314 ГУ.
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
Рис.7.18 Зона возможных положений зависимости выходной
мощности от температуры
в рабочем лиана юпе частот при
Г 125 С
ЗА716А. ЗА716В. ЗА716Д. ЗА71 !>Ж
АА716А,АА716В.АЛ716Д.АА7] Ж
ЗА? 16Б.З.А716Г.З.А716Е..ЗА716И.
АА716Б.АА716Г.АЛ716Е,АА716И
Т=г70С
ЗА7 L6A.3A716В.ЗА716Д ,ЗА716Ж.
АА716А,АА716В.АА7 16Д.АА716Ж
ЗА716 Б. ЗА716 Г. ЗЛ716 Г. З.А71611.
АА716Б.АА7161 .ЛА716Е.АЛ716И
Г 6(ГС
ЗА716А.ЗЛ716В.ЗЛ7ИДДЛ716Ж,
ЛЛ716А.АА716В АЛ716Д.АА716Ж
ЗА716Б.ЗА716Г.ЗА7161 ,ЗЛ716И,
АА716Б.АА716Г.ЛА716Е.АА716И
150...220*...300* мВт
250...280*...400* мВг
120* мВт
21 * мВт
90* мВт
150* мВг
Непрерывная выходная мощность на
одной из частот рабочего дианазона
ЗА716 Б, ЗА716 Г. ЗА716 Е. З.А716 И.
АА716Б,АА716Г,АА716Г.ЛА716И	300*...320*...350* мВт
Непрерывная выходная мощность в
режиме усиления при (4-6.3) В
и входной мощности Ри=125 мВт
в рабочем диана тоне частот
ЗА716Б,ЗА716Г,ЗА716Е, З.А716И,
АА716Б АА716Г.АА716Г..АА716И	350* ..400* 475* мВт
Рабочий диапазон частот
ЗА716А.ЗА716Б. АА716А.АА716Б	18.0 20,0 Г1 ц
181
3A716B.3A716I АЛ716В,AA716Г
ЗА716Д 3A716E, АА716Д AA7I6E
ЗА716Ж.ЗА716И, АА716Ж.АА716И
Постоянное рабочее напряжение
Постоянный рабочий ток
Сопротивление диода (I 10 мА)
при Т--+25 С
Г -60°С
Т.- +85 С
Емкость корпуса
Индуктивноегь диода
20,0.. 22,0 ГГц
22,0.. 24,0 ГГц
24,0.. 25,86 ГГц
4,0..,6,3 В
0,9*.-1,5*...2,0 А
0,25.. 0,45*...0,9 Ом
0,15-0,9 Ом
0,29-1,2 Ом
0,35*...0,4*...0,5* пФ
не более 0,5 нГн
I (редсльные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение
Температура корпуса
Температура окружающей среды
Минимальная наработка при Тк +80 С
Срок сохраняемости
----г—,
1-ЗА716 о,г,е,и
7С.Г 2-ЗА776а,б,д,м:\
__3S-C—С , б
7В 20 22 24 26 3, ГГц
6,4 В
+85’С
-60 .+70°С
15000 ч
25 лет
Рнс.7.21 Зависимости минимальной наработки от температуры
кориусаднода (а): выходной мощности от частоты при мехапичес
кой перестройке контура (6); выходной мошности от частоты в
режиме усиления (в)
Изготовитель: Томский завод при ПИИ полупроводники
вых приборов.
2А717А-4, 2А717Б-4, 2А717В-4, 2А717Г-4
КА717А-4, КА717Б-4, KA7I7B-4, КА717Г-4
Диоды кремниевые, мезадиффузионныс со структурой
п* n-р* тина, лавинно-пролетные, генераторные Пред
назначены для применения в генераторах миллиметрового
диапазона длин во пт в составе гибридных интегральных
микросхем, обеспечивающих гермети тацию и защиту прибо
ров ог воздействия влати, соляного тумана плесневых три
бов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорнусном исполнении па держателях
с жесткими выводами (рис.7.22). Товарный знак, тин диода
и дата изготовления наносятся на ярлык, вкладываемый в
групповую тару. Значение индивидуального рабочего тока
для каждого диода указывается па нндивидуазыюм талоне
Масса диода не более 0,5 г. Пример записи условного
обоначения при заказе и в конструкторской документации:
днод СВЧ 2А717А-4,аАО.3.39.096 ТУ; диод СВЧ КЛ717Л4,
аАО.336.295 ТУ
Рис 7 20. Зона возможных положений зависимостей: выходной
мощности от темиературы-в режиме генерации (а), в режиме уси-
ления (б), коэффициента уснасиия от входной мошности (в)
Вывод 2
Рис. 7.22

Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот при
номинальном рабочем токе
2A7I7A 4.2А717Б-4
КА717А 4 КЛ717Б 4
2А717В 4 2.А717Г 4,
КА717В 4.КА717Г-4
Рабочий диапазон частот
50.„70*.-100* мВт
100.120*.„200* мВт
2А717А-4.2А717Б 4
182
К.А717А 4.KA717I. 4
2A717B-4.2A717I -4,
КЛ717В 4.К.ЛП71 4
Пробивное напряжение
2л717А-4,2А717Ь-4.
К.А717А 4. КЛ7171,-4
2А717В-4.2А717Г 4,
KA717B-4.KA7I7I 4

Постоянный рабочий юк
Постоянное рабочее напряжение
2А717.А 4.2А717Г, 4
КА717.А 4 КА717В-4
2А717В-4.2А717Г 4
КА717В 4.КА717Г-4
Емкость диода (11^=10 В)
Емкое 1Ь держателя
Индуктивноегь диода
31,0 .37.5 И ц
17,S ..52,0 I I и
=5 мА)
20...25» 10 В
16...20* .25 В
80». .150» . 200* мА
25. 40 В
20...35 В
0.2.0,4* .1.0 пФ
0,15 пФ
0.12 нГп
Рпс.7.23. Зона возможных положений завиетЬтостей выходной
мощности (а) и кпд (б) сч рабочею тока, спектральной плотности
мощности амплитудных (в) и часинных (г) шумов от частоты
Предельные эксплуатационные данные
Изтоговитсль: Нальчикский завод по Тупровояниковых
приборов
ЗА718А, ЗА718Б, ЗА718В, ЗА718Г, ЗА718Д,
ЗА718Е, ЗА718Ж, ЗА718И, AA7I8A, АА718Б,
АА718В, АА718Г, АА718Д, АА718Е, АА718Ж,
АА718И
Рабочий ток при I +25 С	1(
1- 1 70 (_	0,71
Рабочий ток (и течение 30 с, с интср
валом 5 минут) при 1	50. .+25'С
I = 1 70 С
Тепловое сопро|нвлепие
переход-корпус
Гемпература перехода
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Срок сохраняемое in в соыаве ГС
1,11
оХ
4(1*.бо! XOC/Bi
I 200 С
-60 ТК 170 С
10000 ч“
25 лет
Примечай и я I При эксплуаопии приборов должен
обеспечиваться падежный тепловой коптаю па боковой
поверхности вывода 2 Разрешается пайка вывода I при темпе
патурс нс выше 150*С в течение 5 с. Предельное число
контактировании со стороны керамического изолятора 10.
1 При температуре! +2 т 70 < максимальнодопустимый
рабочий ток рассчитывается но формуле
Диоды ареенпдотал.тиевые. меза лтитаксиазьныс, на эф-
фекте Ганна, генераторные. Предназначены для примсне
ния в генераторах миллиметровою диапазона длин воли
Выпускаются и металлокерамическом корпусе типа КД 107
с жесткими выводами. Габаритный чертеж соответствует при-
бору ЗА615 (рис.6.26). Тип инода приводился на групповой
tape. Масса диода нс более O.I г Пример Записи условною
обозначения при заказе и в конструкторской документации,
диод СВЧ ЗА718А, аАО.339.099 ТУ? диод СВЧ АА718А,
аАО.ЗЗб.ЗЮ'ГУ
'Олек трнческие параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот	25...35»...60» мВт
Рабочий диапазон частот	
ЗА718.А, АА718А	17,44.20,00 ГГи
ЗА718В.АА718К	20 00...23,00 I I ц
3A7I8B.AA7I8B	23,00...26,00 ГГц
ЗА718Г.АА718Г	26.00 .29,20 ГГц
ЗА718Д.АА718Д	29,00...32,20 ГГц
ЗА718ГхАА718Е	32,00 .35,20 ГГц
ЗА718Ж.АА718Ж	35.00...37,50 ГГц
ЗА718И.АА718И	37,30 40.25 I I н
Постоянное рабочее напряжение	
3A7I8A..AA718A	5,5 В
1A71XI, -В.АА718Б-В	5,0 В
З.А7181 ИАА7181 -И	4,0 В
Постоянный рабочий ток	
ЗА718А B.AA7I8.A В	0,6... 1,0 А
1A718I И AA718I И	0 9 ..1,2 А
Сопротивление диода (I К) мА) для 1.А718.А В. АА718А В при	
V + 2ГС	0,4 0 9» .5,0 Ом
Т -(КУС	0,3 .5,0 Ом
Тк=+ 85"С	0.4 6 0 Ом
ЗА718Г И?АА718Г-И при	
1 + 25 (	0,5—0,7».. 4.0 Ом
Г 60 и +70 С	0.5 . 4.0 Ом
Емкость корпуса	нс более 0.5 нФ
Индуктивность диола	нс боле 0,35 нГн
183
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ЗА718А,АА718Л
ЗА718Б-В,АА718Б В
ЗА718Г И.АА718Г И
Температура корпуса
Температура окружающей среды
Минимальная наработка при Т=+70“С
Срок сохраняемости
5,7 В
5,2 В
4,2 В
+85°С
-60 ...+70°С
15000 ч
25 лет
Сопротивление д:
1 = +25“С
Т=+85 С
Т=-60'С
Гмкость корпуса
Индуктивность и
ода (1 = 10 мА) Hf
3A7I9A.AA7I9A
ЗЛ72()А,ЛЛ720А
ЗЛ719А.ЛА719А
ЗЛ72ОЛ АЛ720А
ЗА719А.АА719А
ЗА720А,АА720А
0,4 „1,2*...5,0 Ом
0,32...0,9* . 3.8 Ом
0,4...6,0 Ом
0,32...5.0 Ом
0,4...5,0 Ом
0,20.. 3,8 Ом
нс более 0,5 пФ
ис более 0.35 нГн
Рнс.7 24 Зона возможных положений зависимости выходной
мощности от температуры
Рис.7.25 Зависимость минимальной наработки от температуры
корпуса диода
Изготовитель: Томский завод при НИИ полупроводнико-
вых приборов.
ЗА719А, АА719А, ЗА720А, АА720А
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эф-
фекте Ганна, генераторные. Предназначены для примене-
ния в широкополосных генераторах миллиметрового диапа
зона длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпу-
се типа КД 107 с жесткими выводами Габаритный чертеж
соответствует прибору ЗА615 (рис.6.26). Типдиода приводит-
ся на групповой таре. Масса диода не более 0, 1 г. Пример за-
писи условного обозначения при заказе и в конструкторс-
кой документации диод СВЧ ЗА720А, аАО 339.101 ТУ; диод
СВЧ АА720А, аАО 336 190 ТУ
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот при
Т=+25°С	ЗА719А.АА719А
ЗА720А.АА720А
1 -30 и+60 С ЗА719А.АА719А
ЗА720А.АА720А
Рабочий диапазон частот
ЗА719А.АА719А
ЗА720А.АА720А
25 ..50. .90 мВт
10...20* 30* мВт
ие менее 15 мВт
не менее 5 мВт
17,44 ..25,95 ГГц
25,86...39,60 ГГц
Постоянное рабочее	ЗА719ААА719А 4,0.6,3В
напряжение	ЗА720А.АА720А 3,0.4,0 В
Постоянный рабочий ток
ЗА719А.АА719А 0,4* 0,7* 1,2 А
ЗА720А.АА720А 0,3* 0,7* 1,3 А
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение ЗА719А.АА719А
ЗА720А.АА720А
Рассеиваемая мощность ЗА719А.АА719А
ЗА720А,АА72()А
Температура корпуса
Температура окружающей среды
Минимальная наработка при 1 +70 С
Срок сохраняемости
6.4 В
4,2 В
8,0 Вт
6,5 Вт
+85’С
-60 ...+70*С
15000 ч
25 лет
Рис 7.26. Зависимости выходной мощности от частоты- для
ЗА 19Л (а), ЗА720А (б); минимальной наработки от температуры
корпуса диода (в)
Изготовитель: Томский завод при ПИИ полупроводнико-
вых приборов.
ЗА721А, ЗА722А, 3A723A. ЗА724А.АА721А,
АА722А, АА723А, АА724А,ЗА721АМ, ЗА722АМ,
3A723AM, ЗА724АМ
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные, на "эф
фекте Ганна, генераторные. Прс.днашачены для примене-
ния в широкополосных генсрагорах сатнмсгрового диапа-
зона длин волн Бсскорцусные аноды предназначены для
применения в составе гибридных интегральных микросхем,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воз-
действия вла!И, соляного тумана, плесневых |рибов, инея и
росы, пониженного и повышенного давления Выпускаются
в металлокерамическом корпусе типа КД 09 с жесткт ми
184
выводами и в бескорнусном исполнении в виде крис<а.чла
с гибкими выводами на кристад.'тодсржагеле (рис.7.27). Гии
диода приводился на трупповой tape. Габаритный чертеж
корпусного прибора соответствует прибору 2А706 (рис.7.13).
Па ярлыке. вкладываемом и трупповую тару, указывается
рабочее напряжение. индивидуальное для каждого диода.
Масса диода не более 0,15 г. Пример тайней условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации'
диод СВЧ ЗА721А. aAO.339.iOO ТУ; диод СВЧ 3.A72IAM,
аАО.339.100 1У
аЛО.336.411 1У.
Дополнение I, диод СВЧ AA72IA,
Рис. 7.27
Вывод 1
Выводя
' Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот при
Т=-60 „+70‘С
10. . 15* мВт
Рабочий диапазон частот
ЗА721А,АА72]А,З.А721аМ
ЗА722Л АА722.А.З.А722АМ
3A723A.AA723A.3A723AM
ЗА724А.АА724А.ЗА724АМ
Постоянный рабочий пж
ЗА721 А. АА721 А.ЗА721 AM
ЗА722.А..А.А722.А ЗА722.АМ
3A723A.AA723A.3A723AM
ЗА724А.АА724.А ЗЛ724.АМ
Рабочее постоянное напряжение
З.А721 А,ЛА721 А.З.А721.АМ
ЗА722.А.ЛА722А.ЗА722АМ
ЗА723А,АА723А,ЗА723АМ
ЗЛ724Л.АА724А.З.А724АМ
Сопротивление диода
(I 10 мА) при 1 +25’С
ЗА721А.АА721А.ЗА721АМ
ЗА722А.АА722А.ЗА722АМ
ЗА723.А,АА723.А,З.А723.АМ
ЗА724.А.АА724.А,ЗА724.АМ
Г=+70 С (Тк -+85 С)
ЗА721 А, АА721 А,З.А721 AM
ЗА722Л,ЛЛ722А,ЗЛ722АМ
3A72.3.A.AA723.A.3.A723AM
ЗА724А.А.А724А З.А724АМ
Г=-60“С З.А721 А.АА721А З.А721АМ
ЗА722А.АА722.А.ЗА722.АМ
ЗА723А,АА723А,ЗА723АМ
З.А724.А,АА724А,За724АМ
Емкость корпуса
Индуктивное о. диода
II ре де тьиые эксн туагацнонпые данные
Постоянное напряжение при Г +25аС
З.А721.А ЛА721 А.З.А721АМ
13.0 В
ЗА722.А.АА722А.ЗА722АМ	12,0 В
З.А723А..АА723а,З.А723АМ	10,0 В
За724А,АЛ724.А,ЗА724АМ	8,0 В
1 = 1 70 С (Т=- т85 С)
ЗА72 1А,АА721А,ЗА721 AM	12,5 В
ЗА722А.АА722А. ЗА722.АМ	11,5В
3A723A.AA723A.3A723.AM	9,5 В
ЗА724.А.АА724А.З.А724АМ	7.5 В
Т 60'С ЗА721А.АА721А.ЗА721АМ	14,0 В
ЗА722А АА722А.ЗА722АМ	13,0В
3A723A.AA723A.3A723AM	11,0 В
ЗА724.А.АА724.А.ЗА724АМ	9,0 В
Рассеиваемая мощность	6,5 Вт
Значение допустимого статического потенциала 1000 В
Температура корпуса	+85°С
Температура окружающей среды	-60 ...+7()"С
Энергия активации механизмов отказа	1,37 эВ
Минимальная наработка при Т +70“С	15000 ч
для диода З.А721 AM	3000 ч
Срок сохранят.-: 'em	25 лег
Примечание:! ибкпе выводы диода, включая место их
присоединения к кристаллу', пс должны подвергаться дейст-
вию растягивающей силы, должны обеспечивать надежный
электрический контакт и прочно привариваться Сварка
выводов допускается на расстоянии не менее 0,55 мм от
видимого месщ приварки вывода к кристаллу.
3,86.-5,96 ГГц
5,6...8,24 ГГц
8,15... 12,42 ГГц
11,71...17,85 ГГц
200*.„235*.„370 мА
200*...240*.„370 мА
190*.„245*.„400 мА
250*.„320*.„420 мА
9,0...13,0 В
8,0-12,0 В
7,0-10,0 В
5,0...8,0 В
3,0...8,4*... 15,0 Ом
3,0...7.5*. .15,0 Ом
2,8.-5,2*... 11,0 Ом
1,5.. 3,2*...10,0 Ом
3,0... 18,0 Ом
3,0-18,0 Ом
2,5... 1.3,0 Ом
1,5. 12,0 Ом
1,5-15,0 Ом
1,5-15,0 Ом
1,4 11.0 Ом
0,7. 10,0 Ом
не белее 0,45 пФ
не более 0.25 н! и
Рис 7.28 Зона возможных положений зависимостей выходной
непрерывной мощности от частоты для ЗА721А (а) ЗА722А (б)
ЗА723Л (в), ЗА724Л (г)
185
и, в
Индуктивность диода
не более 0,25 нГн
Пре тельные экстт пагационные тайные
Постоянное напряжение	11,2 В
Значение допустимого статического потенциала 1000 В
1ем тсратура корпуса	т 85'С
Температура окружающей среды	-60 ...+70"С
Энергия активации механизмов отката	1.86 эВ
Минимальная наработка при I т 70 С 15000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечание: Допускается работа диода при напряжении
питания ниже поминального.
Рис 7.29 Зависимости: постоянного рабочего напряжения от
температуры (а), минимальной наработки оттсмпературы корпу а
лиола(б)
Изготовитель: Томский завод при НИИ полупроводнико-
вых приборов
ЗА725А, ЗА725Б, ЗА725В, ЗА725Г, ЗА725Д,
ЗА725Е.АА725А, АА725Б, АА725В, АА725Г,
АА725Д, АА725Е
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эф-
<1>екте Ганна, генераторные. Предназначены для примене
ния в генераторах сантиметрового диапазона длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе типа КД-109
с жесткими выводами I абаритный чертеж соответствует при
бору 2Л706 (рис.7.13). Тип диода приводится на групповой
таре. Масса диода не более. 0,15 г. Пример записи условно
го обозначения при заказе и в конструкторской докумен-
тации. диод СВЧ ЗЛ725Л, аАО.339.132 ТУ; диод СВЧ АА725Л,
аАО.336 344 ТУ
Рис 7 30 Зона возможных положений зависимости выходкой
мощности от частоты
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем тиапазоне частот
ЗЛ725Л,ЗЛ725Б,ЗЛ725В,
АА725А,АА725Б,АА725В	200. 270* 500 ’мВт
ЗЛ725Г,ЗЛ725Д,ЗА725Г,
АА72Ч ,АА725Д,АА725Е 300...380*. 650* мВт
на
Непрерывная выходная мощность
одной из частот рабочего диапазона
ЗА725А,ЗА725Ь ЗА725В,
АА725А.АА725Б ЛА725В
3A725T,3A725,l,3A725F,
АА725Г АА725Д.АА725Е
Рабочий диапазон частот
ЗА725А.ЗА725Г, АА725.А.АА725Г
ЗА725Б.ЗА725Д, АА725Б.АА725Д
ЗА725В ЗА725Е, АА725В.ЗА725Е
Постоянное рабочее напряжение
Постоянный рабочий ток
ЗЛ725А,За725Б,ЗЛ725В,
АА725А,АА725Б,АА725В
3A725I ЗА725Д.ЗА725Е,
ЛЛ725Г.АА725Д,АА725Е
Сопротивление диода (I 10 мА)
при 1 =-• 25 С
Г=+70'С
30(Г 400*. 500* мВт
50(Г..560*...650* мВт
5...6 ГГц
6...7 ГГц
7...8,25 ГГц
11 В
0,8’ 1,3* 1,5 А
0,8* 1,4*. 2,0 А
0,6...1,4* . 3,0 Ом
0,7...3,5 Ом
I 60‘С
Емкость корпуса
0,3 ..2,8 Ом ,1;
не более 0,45 пФ
Рис.7.31 Зависимость минимальной наработки от температуры
корпуса диода
Изготовитель: Томский завод при ПИИ полупротюднико-
вых приборов.
ЗА726А, ЗА726Б, ЗА726В, ЗА726Г, ЗА726Д,
ЗА726Е, ЗА726Ж, ЗА726И
(иоды арсепидоталлиевые, мезаэпитаксиальные, на эф-
фекте Ганна, генераторные Предназначены для примене-
ния в генераторах сантиметрового диапазона длин волн
Выпускаются в металлокерамическт м корпусе тина КД-109
с жесткими выводами. Габаритный чертеж соответствует
прибору 2А706 (рис.7 13) Гип диода приводится па трутню
вой таре. Масса диода нс более 0,15 г. Пример записи услов-
ного обозначения при заказе и в конструкторской докумеп
тации.диол СВЧ З.А726А, аАО.339- 133ТУ; диод СВЧ АА726А
аАО.ЗЗ( 345 1У
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне, частот
186
ЗА726Л.За726Ь.ЗЛ726В,ЗА726Ж,
АА726А,АА726Ь.АА726В,АЛ726Ж	100. .150* .200* мВт
ЗА726Г,ЗА726Д.ЗА726Е,ЗА726И,
AA726I .АА726Д.АЛ726Г.ЛА726И	200. 250* 300* мВт
Непрерывная выходная мошиощь па
одной из часки рабочего диапазона
Зл726А.ЗЛ726Б.ЗА726В.За726Ж,
ЛА72(1А.ЛА726Ь.АА726В,ЛА726Ж
З.А72бГ,ЗА726Д,ЗА726£.ЗА726И,
ЛА726Г.АА726Д,ЛА726Е,АЛ726И
Рабочий диана юн частот
200*.250*...300* мВт
ЗООТ .4 * . 500* мВт
ЗА726А.ЗЛ726Г, AA726A.AA726I
ЗА726Б,ЗА726Д. АА726Б.АА726Д
3A726B.3A726I-. AA726B.AA726I-
ЗЛ726Ж,ЗЛ726И, АА726Ж.АА726И
Постоянное рабочее напряжение
З.А726А 1 .АА726Л-Г-
ЗА726Ж.И.АА726 Ж ,И
НосюяппыП рабо'чп! ток
Сопротивление диода (I 10 мА)
при 1 =т25’(
Г= т 70 (
Т -60 С
Емкость корпуса
Индуктивность диода
12,05...13,50 ГГц
13,50 ..15,00 ГГц
15,00...16,70 ГГц
16,70.. 18,00 ГГц
5,0.. 8,0 В
4,0...8,0 В
0,8*...1,4*...2,0 А
0,3...0,8*...2,5 Ом
0,4. 3,0 Ом
0,2.. 2,4 Ом
нс более 0,45 пФ
не более 0,25 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение	8,5 В
Рассеиваемая мощность при Г-»+25’С	17,0"Вт
Г	ь70	С	15,0»Вт
1	-60 С	20,0*Вт
Значение допустимого статического потенциала 1000 В
IcMiicpaiypa корпуса	-185°С
1смпература окружающей среды	-60 ...+70°С
Минимальная наработка при Т т 50"С	15000 ч
f рок сохраняемости	25 лет
Примечание: Допускается применение диолов при
1 г (8,5 т 0,2)Впри1 Ю(ГС. При этом минимальная наработка
в зависимости от режима эксплуатации определяется по
рис.7. 33.
Изготовитель: Томский завод при ПИИ полупроводнико-
вых приборов.
ЗА727А, ЗА727Б, ЗА727В, ЗА727Г,АА727А,
АА727Б, АА727В, АА727Г
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эф-
фекте Ганна, генераторные. Предназначены для примепе
иия в генераторах миллиметрового диапазона длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе типа КД-107
с жесткими выводами Габаритный чертеж соответствует при
бору ЗА615 (рис.6.26). Тип диода приводится на групповой
таре Масса диода не более 0,13 г Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации-
диод СВЧ ЗА727А, аАО.339.134 ТУ; диол СВЧ АА727А,
аАО 336.313 ТУ
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот
ЗА727А.АА727А	75... 100* 40*мВт
ЗА727Б.АА727Б	50...75* ..90 *мВт
ЗА727В.АА727В	50...75* 90* мВт
3A727I АА727Г	25. 50* 80* мВт
в полосе частот 52,60 -53,57 ГГц	10 ..14* мВт
Непрерывная выходная мощность на	
одной из частот рабочего диапазона	
ЗА727А.АА727А	100*. 120* .150* мВт
ЗА727Б.АА727Б	75*. 90* 10( * мВт
ЗА727В.АА727В	75* 100* 120 ’мВт
ЗА727Г.АА727Г	50* 100* 120* мВт
в полосе частот 52,60-53,57 ГГн	20*. 50*...75* мВт
Рабочий диапазон частот	
ЗА727А.АА727А	37,50 42,00 ГГц
ЗА727Б АА727Б	37,50.42,00 ГГц
ЗА727В.АА727В	42,00...47,00 ГГц
3A727I АА727Г	47,00 53,57 ГГн
Постоянное рабочее напряжение	
ЗА727А,АА727А	3,0 4,0 В
ЗА727Б.АА727Б	3,0...4,0 В
ЗА727В.АА727В	2,5 3,5 В
ЗА727Г.АА727Г	2,4. .3.1 В
Постоянный рабочий ток	
ЗА727А.АА727А	0 7* 1,1* 1,7 А
ЗА727Б.АА727Б	0 5* .0,8* 1,5 А
ЗА727В.АЛ727В	0,5* .0,9*. .1,5 А
3A727I АА727Г	0,5* .08* 1,5 А
КПД ЗА727А.АА727А	0,5* .2,0* 3,5* 6
ЗА727Б.АА727Б	0,5* .2,0*. .3,5* 6
ЗА727В.АА727В	0, * ..2,0*...4, * 6
ЗА727Г.АА727Г	0,3* .2,0* .3,0* Ч
Сопротивление диода (I = 10 мА)	
ЗА727А.АА727А	0,3...0.8*...1,6 Ом
ЗА727Б.АА727Б	0,3...0,6*...2,0 Ом
ЗА727В.АА727В	0.3...0,8*...2,0 Ом
ЗА727Г.АА727Г	0,3...0,6*.. 2,0 Ом
Емкость корпуса	нс более 0,45 пФ
Индуктивность диода	не более 0,25 и! н
Предельные эксплуатаци иные данные
Постоянное напряжение ЗА727А.АА727А 4,2 В
ЗА727Б.АА727Б 4 2В
ЗА727В,АА727В
ЗА727Г.АА727Г
Рассеиваемая мощность при Т +25°С
Т=+70°С
Т= 60°С
Значение допустимою статического потенциала
1емпсратура корпуса
Температура окружающей среды
Энергия аюивации механизмов отказа
Минимальная наработка при Т=+70°С
Срок сохраняемости
3,6 В
3,2 В
17,0 Вт
15,0 Вт
20,0 Вт
1000 В
+85°С
-60 ...+70"С
1,32 эВ
15000 ч
25 лет
Примечание: Допускается применение диодов при
Т ЮО'С При этом минимальная наработка в зависимости
or режима эксплуатации определяется по рис.7.35,
Рис 7.34 Зона возможных положений зависимости выходной
мощности от частоты
Рис.7.35 Зависимость минимальной наработки от температуры
корпуса диола
Изготовитель: Томский завод при НИИ полупроводнико-
вых приборов.
ЗА728А, ЗА728Б, ЗА728В, ЗА728Г,АА728А,
АА728Б, АА728В, АА728Г
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эф-
фекте Ганна генераторные. Предназначены для примене-
ния в генераторах миллиметрового диапазона длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе типа КД 107
с жесткими выводами. Габаритный чертеж соответствует
прибору 3A6I5 (рис.6.26). Тип диода приводится на группо-
вой таре Масса диода не более 0,13 г. Пример записи услов
него обозначения при заказе и в конструкторской докумен-
гации: диод С R* 1А728А, аАО.339.135 ТУ, диод СВЧ АА728А
аАО.336 343 ТУ
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот
ЗА728А ЗА728В
АА728А АА728Н	50...60*. 80* мВт
3A728I АА728Г	25. 35* 50* мВт
Непрерывная выходная мощность
па одной из частот диапазона 100* .120* .160* мВт
Рабочий Д1гапазон частот
ЗА728А.АА728А
ЗА728Б АА728Б
ЗА728В.АА728В
Зл728Г,АА728Г
Постоянное рабочее напряжение
11остоянный рабочий ток
Сопротивление диода (I ЮмА)
Емкость корпуса
Индуктивность диода
25,86...29,30 1Гц
29,00...33,33 ГГц
33,00. 37,50 ГГц
25,86, .37,50 ГГц
3,0. .4,5 В
0,75*...1,0*...1,5 А
0,3-0,63* .1,5Ом
нс более 0,5 пФ
не более 0,35 нГц
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение
Допустимое значение статического потенциала
Энергия активации процессов отказа
Температура корпуса
Температура окружающей среды
Минимальная наработка при Т-т 70°С
Срок сохраняемости
5,0 В
1000 В
1,47 эВ
+85°С
-60 .. г 70 С
15000 ч
25 лет
Примечание Допускается применение диодов при
U (5.7+0.1)В и Тк до 100°С при снижении минимальной
наработки в соответствии с рис.7 37.
Рнс.7 36. Зона возможных положений зависимостей частоты
генерации от напряжения (а), выходной мошности от частоты (б)
Изготовитель Томский завод при НИИ полупроводнике
вых приборов.
2А729А, 2А729Б, 2А729В
Диоды кремниевые, мезадиффузионныс, лавинно пролет
ные, генераторные. Предназначены для применения в гене
раторах сантиметр>вого диапазона длин волн. Выпускаются
в металлокерамическом корпусе типа КД 106 с жесткими
выводами Габаритной чертеж соответствует прибору 2А107
(рис.1.14). Па индивидуальном талоне указывается тип ди-
ода, год и месяц изготовления выходная мощность,пробии-
188
пос напряжение, емкость и постоянный рабочий ток Диоды
маркируются цветными точками и полосами на керамичес-
кой втулке 2А729А-две синие точки; 2А729Ь-одна синяя
полоса; 2А729В две синих полосы. Масса диода не более
0,65 г. Пример записи условного обозначения при заказе и
в конструкторской документации диод СВЧ 2А729А,
aAO.339.172 ТУ
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот при помп
пальном рабочем токе I 2А729А	230...240*. .300* мВт
2А729Б	236 246*.. 290* мВт
2А729В	150.. 170*...200* мВт
Рабочий диапазон частот 2А729А	12,0... 13.5 ГГц
2А729Б.2А729В	15,0... 16.5 ГГц
Пробивное напряжение (1^ *1 мА)	
при Г= 125'С	2А729А ₽	58.. 64*...70 В
2А729Б.2А729В	52 .57* . 62 В
Г +85’С	2А729А	58 ..80 В
2А729Б.2А729В	52 .72 В
I--60C	2А729А	50..70 В
2А729Б.2А729В	46 .62 В
Постоянный рабочий ток	
2А729А.2А729Б	50*...60* .65 мА
2А729В	50* . 58* . 65 мА
Постоянное рабочее напряжение	
2А729А	70 ...78*.. 87 В
2А729Б.2А729В	60 . 68*...80 В
1-мкость диода (U . = 10 В)	
2А729А.2А729Б	0,4 ..0,46* 0,5 пФ
2А729В	0,36...0,4 * . 0,44 пФ
Емкость держателя	0,2...0,25 пФ
Индуктивность диода	0,9...1,3 нГн
Тепловое сопротивление нереход-	
корнус	2А729А.2А729Б	нс более 30*°С/Вт
2А729В	нс более 37*'С/Вт
Спектральная плотность мощности	
амп ппудио-модулированного шума	
при	F 500 кГц	-150*...147*...14^дБ/Гц
F„= 10 МГц	не более -155* дБ/Гц
9	10	11	12 ^,ГГц
Рнс. 18. Зона возможных положений зависимостей выходной
м >щиости от изменений рабочего тока (а) входной мощности (б)
и частоты (в)
Изготовитель Нальчикский завод полупров<«никовых
приборов.
ЗА730А, ЗА730Б, 3A730B, ЗА730Г, ЗА730Д,
3A730E, ЗА730Ж, ЗА730И,АА730А, АА730Б,
АА730В, АА730Г, АА730Д, АА730Е, АА730Ж,
АА730И
Диоды арсенидогаллиевые, эпи гаксиальпые, с барьером
Шоттки, лавинно-пролетные, генераторные. Предназначе-
ны для применения в генераторах и усилителях сантиметро
вого диапазона длин волн Выпускаются в металлокера-
мическом корпусе типа КД-110Б с жесткими выводами
(рис.7.39). Гип диода и полярность приводятся на зтикетке
вкладываемой в групповую тару. 1паченис индивидуального
рабочего тока для каждого диола указывается на индиви
дуальном талоне. Диоды маркируются цветной точкой на
торце минусового вывода: ЗА730А-же.тгой, ЗА730Б - голубой,
ЗА730В-коричневой, ЗА730Г-красной, ЗА730Д-беЛоЙ, ЗА73ЙЕ-
черной, ЗА730Ж синей, ЗА730И - зеленой. Масса диода не
более 0,2 г Пример записи условного обозначения при зака
зе и в конструкторской документации диод СВЧ ЗА730А,
аАО.339.148 ГУ, диод СВЧ АА73ОА, aAO.336.535 ГУ
Предельные эксплуатационные данные
Рабочий ток
Рассеиваемая мощность 2А729А 2А729Б
2А729В
Значение допустимого статического
потенциала, нс более
1емпсратура перехода
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
( рок сохраняемости
65 мА
5,0 Вт
4,0 Вт
500В
+230'С
60 . .Т,=+85"С
10000“ ч
25 лет
Рис 7.39
Вывод2
Электрические параметры
Примечание 1 Конструкция модулей СВЧ должна
обеспечивать тепловое сопротивление диод корпус модуля
не более 5'С/Вт. 2.При температуре корпуса более + 85’С
максимально допустимый рабочий ток рассчитывается по
формуле 1р 1рт„(170-Тк)/85. 3. Не допускается применение
диодов в режимах с прямым током более 50 мА
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот
ЗА730А,ЗА730Б,ЗА730В,
АА73ОА.АА73ОБ.АА73ОВ
ЗА730Г,ЗА730Е,ЗА730И
АА73ОГ АА730Е.АА730И
ЗА73ОД.ЗА73ОЖ АА73О 1.АА73ОЖ
1,5...1,7*...2,0 *Вт
0.5...0,7* 1,0* Вт
1,0...1.1*...1,5* Bi
184
Рабочий диапазон частот	
3A73OA.AA73OA	8,0.. 9,2 ГГц
ЗА730Б.АА730Б	9,2... 10,3 ГГц
ЗА730В,АА730В	10,3...11,5 ГГц
ЗА730Г.ЗА730Д АА730Г АА730Д	11,5-13,5 ГГц
ЗА730Е.ЗА730Ж АА730Е.АА730Ж	13,5-15,0 ГГц
ЗА73ОИ.АА73ОИ	15,0-16,6 ГГц
Пробивное напряжение (R 1 мА) 3A730A.AA730A	55-80 В
ЗА730Б.АА730Б	50...70 В
3A73OB АА73ОВ	40 .55 В
ЗА73()Г,ЗА730Д,АА730Г,АА730Д	30...50 В
3A73OE.AA73OE	35...5O В
3A730A АА73ОА	30.. 45 В
ЗА73ОБЛА73ОБ	28-42 В
Постоянный рабочий ток ЗЛ730А,ЗА730Б,За730В, AA730A АА730Б.АА730В	170* ..300 мА
ЗА730Г,ЗА730Е,АА730Г,АА730Е	120* ..160*...200 мА
ЗА73ОД,ЗА73ОИ,АА73ОД,АА73ОИ	140* ..180* ...220 мА
ЗА73ОЖ.АА73ОЖ	150*...200* ..250 мА
KI VI ЗА73ОА,ЗА73ОЬ.ЗА73ОВ. ЛЛ73()А1АА73()Б,АА730В	10...13* 16* %
ЗА730Д ЗА730Ж, АА730Д.АА730Ж	8 12* ..15* %
ЗА730Г,ЗА730Т,ЗА730И, АА730Г АА7301:,АА730И	8 .10* ..13* %
Рабочее напряжение ЗА730А,АА730А	65-95 В
ЗА73()Ь,АА73()Ь	60...85 В
3A730B.AA730B	50-70 В
Зл730Г,ЗА730Д,ЗА730Е,ЗА730Ж, АА730Г,АА730Д,АА730Е,АА730Ж	35-80 В
ЗА730И.АА730И	33...75 В
Емкость перехода 3A73OA,3A73OE,3A73OB АА73ОА,АА73ОБ,АА73ОВ	0,8* 1,2 пФ
ЗА730Г,ЗА730Д,ЗА730Е,ЗА730Ж, ЗА730И, АА730Г,АА730Д,АА730Е, АА730Ж.АА730И	0,3* .0,6? 0,9 пФ
Емкость корпуса	0,55 пФ
Индуктивность диода	0,2 н!н
Спектральная плотность мощности амплитудною модуляционного шума	не более -145 дБ/Гц
Спектральная плотность мощности частотного модуляционного шума	не более -50,5 дБ/Гц
Предельные эксплуатационные данные
диодов при I — 1,2 1рдля испо гьзовапия в ап парагуре равно-
го действия
Рис./.40. Зона возможных положений зависимостей выходной
‘’«’"«CTO’" лля ЗА73ОЛ (а), ЗЛ7.3Щ (б). ЗА73ОЖ (в),
ЗА/ЗОИ (г);температуры корпусадля 3A73OA-B (д) ЗЛ73ОГ-11 <е>
и тока диола (ж)
Постоянный рабочий ток
Тепловое сопротивление переход-
корпус ЗА730А,ЗА730Б,ЗА730В,
АА730Л,АА730Б,АА730В
ЗА730Г,ЗА730Е,ЗА730И,
АА730Г,АА730Е,АА730И
ЗА730Ж,ЗА730Д,АА730Ж АА730Д
Температура перехода
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
ТрмА
^..П-В'С/Вт
12?. 15*.18”С/Вт
11* 13* 15'С/Вт
з225"С
-60 ...+ 85'С
25000 ч
25 лет
Рис.7.41. Зависимость спектральной плотности мощности
амплитудных и частотных шуме с от частгны
Изготовитель Завод "Пульсар", г.Москва
Примечания: 1 Тепловое сопротивление вывод 2 кор-
пус резонатора не более 1,5°С/Вт. 2 В усилительном режиме
рабочий ток не должен превышать 0,7 1р 3. Допускается
кратковременная (в течение не более 2 ч) эксплуатация
190
3A735A-6, ЗА735Б-6, 3A735B-6, ЗА735Г-6,
ЗА735Д-6
Диоды арсенп ioia.i nicHbic. мсзатпгиаксиальньгс. на эф
фскте Ганна, геггерагорггые Предназначены для применения
в широкополосных генераторах сантиметрового диапазона
длин ноли в сое lane гибридных ин гетра гьных микросхем
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов ог воз-
действия влаги, солянок» тумана, плесневых грибов, инея и
росы, пониженного и повышенною давления Выпускаются
в бсскорпусном исполнении на держателе с жесткими
выводами (рнс.7.42). 1ип диода приводится па групповой
rape. Масса диола не более 0,1 I Пример записи условного
обозначения при гаказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 3A735A-6, аАО.339 302 ТУ.
Вывод 1
I
Вывод 2
) гекгричсские параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот при
Т--30 .+ 70 ( ЗА7.35Л-6-ЗА735Г-6	25. 45* .70* мВт
ЗА735Д 6	20.. 25* 30* мВт
Г=-30 . 60 С ЗА73'А 6 ЗД7351-6	не менее 1з мВг
ЗА735Д-6	пе мег гее 10 мВт
Рабочий диапазон частот 3A735A-6	4,0 . 5.' 1 Гц
3A735I.-6	5.3.8.5 11 ц
3A735B 6	8,0 . 12,5 ГГп
ЗА735Г-6	11,7.. 18,5 1 Гц
ЗА735Д 6	8,15 17,85 ГГц
Постоянное рабочее напряжение	
3A735A-6	9,0. .13,0 В
ЗА735Б 6	8,0. 12,0 В
ЗА735В 6	6,0. .10.2 В
ЗА735Г-6	5,0. .8,2 В
ЗА735Д 6	5,0. 10,2 В
Постоянный рабочий ток при Г=-30.. 170 (' ггри напряжении чля	3A735A 6	13 В,	
ЗА735Б 6	12 В	0.3U*...0,40*...0.60 А
ЗА735В-6	10 В	
3A735I 6	8,2 В	0,35''..0,47* ..0,70 А
ЗА735Д 6	10,2 В	0,32*...0,47*.„0,70 А
Г -30. -6О'С	3A735A 6	пс более 0,7 А
ЗЛ735Б-6	це бо гее 0,7 А
3A735B 6	пе более 0,8 А
ЗЛ7351 6	пе более 0,8 А
ЗА735Д-6	не более 0,8 А
Сопротивление диода (1=10 мА) при	1
I +25'С	3A735A 6	2,0. .4.0*... 10,0 Ом
ЗА735Б 6	1.8 3.5* 8 0 Ом
ЗЛ735В 6	1,5. .2,3* . 6.0 Ом
ЗЛ735Г-6	1.0. .2.0* „5 0 Ом
ЗА735Д 6	1.0. .2.2* . 6,0 Ом
I 60 С	ЗД735Л 6	1.4. 10,0 0м
ЗА735Б-6
3A735B-6
ЗА735Г-6
ЗА7.35Д-6
Емкость корпуса
Индуктивность диода
1.3.„8,0 Ом
1,0.„6,0 Ом
0,6. 5,0 Ом
0,5. .6,0 Ом
0,042* 0,046* 0.052’ пФ
0,21* ,363* .0,42* иГн
Предельные эксплуатационные тайные
Постоянное напряжение 3A7J5A-6
ЗА735Б-6
3A735B-6
3A735I -6
ЗЛ735Д-6
Температура корпуса
Температура окружающей среды
Допустимое шачение статического но генциана
'•Энергия акгивации процессов отказа
Минимальная наработка в составе
ГС при Г=+50 С
('рок сохраняемости в сосгаве 1 (
13,3 В
12,3 В
10,5 В
8,5 В
10,5 В
। 85'С
-60 .170 С
1000 В
1,86 эВ
15000 ч
25 лег
Примечания: I. Допускается эксплуатация диодов при
П=(13,4+0.4)В для 3A735A 6, U =(12,4*0,4) Вдля ЗА735Ь-6,
IJ (10,5+0,3)В для 3A735B-6 и ЗА735Д-6, U (8,5+0,2) Вдля
ЗА735Г-6 и при Т 100 С при уменьшении минимальной
наработки в соответствии с рис.7 44, а также эксплуатация
диодов в импульсном режиме при напряжении пн гания, пе
превышающем указанного в таблице
8 10 12 14-	16 £ Г Гц
Рис.7 43. Зоны возможных положений зависимости выходной
*?аЗ?5Т?ТЫ: для ЗЛ735А W- ЗА™К <6»- ЗА735В (в),
3A73SP (г), ЗА735Д (л)
191 ,
Индуктивность диода	не более 0,5 н Гн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение	U +5 ®
Допустимое значение статического потенциала	1000 В
Удельная энергоемкость диодов, не более	3 7*Вт/ч
Температура окружающей среды	60 .. +70”С
Минимальная наработка	10000 ч
Срок сохраняемости	25 лег
Рис 7 44 Зависимость минимальной наработки от температуры
корпуса диола
Изготовитель Томский завод при НИИ полупроводнико-
вых приборов
АА736А, АА736Б, АА736В, АА736Г, АА736Д,
АА736Е
Диода арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эф-
фекте Ганна, генераторные Предназначены для применения
в генераторах сантиметрового диапазона длин волн. Выпу-
скаются в металлокерамическом корпусе типа КД-109 с жест
кими выводами Габаритный чертеж соответствует прибору
2А706 (рис 7 13). Тип диода приводится на групповой таре.
На ярлыке вкладываем м в групповую тару, указывается
рабочее напряжение,индивидуальное для каждого диода или
труппы диодов Масса диода не более 0,1 г. Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации диод СВЧ АА736А, аАО. 336.494 ГУ.
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
Изготовитель. Томский завод при НЦИ полупроводнико-
вых приборов.
3A739A, ЗА739Б, 3A739B
Диоды арсенидогаллиевые, эпитаксиальные, с барьером
Шоттки, лавинно-пролетные, генераторные. Предназначе-
ны для применения в генераторах сантиметрового диапазона
длин волн. Выпускаются в металлокерамическом корпусе
типа КД-110Б с жесткими выводами. Габаритный чертеж
соответствует прибору 3A730 (рис.7.39). Тип диода и
полярность приводятся на этикетке, вкладываемой в
групповую тару Значение индивидуального рабочего тока
для каждого диода указывается на индивидуальном талоне.
Дноды маркируются цветной полоской на плюсовом выводе:
ЗА739А-красной ЗА739Б-желтой, ЗА739В-голубой Масса
диода не более 0,2 1 Пример записи условного обозначения
при заказе и в конструкторской документации: диод СВЧ
3A739A аАО.339.368 ТУ
Электрические параметры
в рабочем диапазоне частот	
АА736ААА736Г	25. 35* . 50* мВт
АА736Б.АА736Д	10 20* .30* мВт
АА736В.АА736Е	5 10* ..20* мВт
Рабочий диапазон частот	fp+l%
Частота fp задается потребителем	
из диапазона частот для	
АА736А АА736В	5,0... 18,0 ГГц
AA736F АА736Е	18,0. .26,0 ГГц
Постоянное рабочее напряжение	
Up индивидуальн е для каждого	
диода в диапазоне частот	
(5 8) ГГц из интервала	10. 15 В
(8. .13) ГГц	8...13 В
(12 18) ГГц	6...11 В
(18. .26) ГГц	4 9В
Постоянный рабочий ток АА736А	0,09*.. 0,135*...0,18 А
АА736Б	0,05* 0,09*...0,13 А
АА736В	0,03* 0,06* .0,10 А
АА736Г	0 1* .0,175* .0,25 А
АА736Д	0,07* ,.0,135*...0,2 А
АА736Е	0,05* 0,1* .0,15 А
Сопротивление диода (I = 10 мА)	
АА736А	2.„16*.„30 Ом
АА736Б	2,5...21* 40 Ом
АА736В	3 29* -55 Ом
АА736Г	1,6 8* 16 Ом
АА736Д	1,5 . 11*...20 Ом
АА736Е	2 5 14* 25 Ом
Емкость корпуса	не более 0,5 пФ
Минимальная непрерывная мощность	
в рабочем диапазоне частот 3A739A	4,0. 4,5*. 5,2* Вт
ЗА739Б	4,0...4,4*...5,0* Вт
3A739B	4,0 4 2* 4,5* Вт
Рабочий диапазон частот 3A739A	8,0.9,2 ГГц
ЗА739Б	9,2. 10,3 ГГц
3A739B Пробивное напряжение (1^=3 мА)	10,3 .11,5 ГГц
при	Т~25”С	3A739A	40.„60 В
ЗА739Б	33. 50 В
3A739B	23 40 В
Т=+85°С	3A739A	45. 75 В
ЗА739Б	35.„65 В
3A739B	25 55 В
Т=-60’С	3A739A	25 55 В
ЗА739Б	20. 45 В
3A739B	15...40 В
Постоянный рабочий ток 3A739A	250*.. 350*.. 400 мА
ЗА739Б	300*.. 400*. 450 мА
3A739B	350*. 450* 550 мА
КПД	3A739A.3A739B	20. 22* 25* %
3A739B	20 21* 23* %
Рабочее напряжение	3A739A	60 80 В
ЗА739Б	50...65 В
3A739B	40.55 В
Емкость перехода	1,0*. .1,5* .2,0 пФ
Емкость корпуса	0,70 пФ
Индуктивность диода	0,2 и! н
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный рабочий ток	1р мА
192
Ген юное сопротивление переход-
корпус
Допустимое значение статического
потенциала
Гсмнерагура перехода
TcMiiepaiypa окружающей среды
Минимальная наработка
Срок сохраняемости
ие более 10'C/B i
1000 В
т 225 (
-60 ...185С
15000 ч
25 лет
iape. Па ярлыке, вкладываемом в групповую iapy, указывает
ся рабочее напряжение, индивидуальное для каждого диода
Масса диода нс более 0,1 1. Пример записи условного обоз-
начения при заказе и в копс1рукторской доку.мешаиии: диод
СВЧ ЗА740А, аАО.339.377 1У.
При м с ч а п и е . Тепловое сопротивление вывод 2 корпус
резонатора не более I.5 C/B1
Рис. 7.46
ГГ^Г
Ihl
о,бз\ й
Вывод 1
Вывод 7
Вывод 2
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот
3A740A.3A74IA
ЗА740Б-Ж
ЗА741Б Е
5...6*...7 ‘мВт
25...27*. 30* мВ1
10.. 13*. .21* мВт
111С.7 45. Зоны возможных положений зависимостей выходной
мощности от частоты-для 3A739A (а), ЗА739Г, (б), ЗЛ739В (в) от
температуры корпуса (i), от тока 01)
Рабочий диапазон часки	ЗА740А	78,3...90.0 I Гп
	ЗА740Б	78.3...80,0 ГГп
	ЗА74ОВ	80,0...82,0 Пн
	3A740I	82,0.. 84,0 1 Гц
	ЗА74ОД	84,0...86,0 Н и
	ЗА7401	86,0.. 88,0 11 и
	ЗА74ОЖ	88,0...90,0 ГГц
	ЗА741А	90.0.. 100.0 ГГн
	ЗА741Б	90,0.. 92,0 ГГц
	ЗА741В	92,0.. 94.0 ГГц
	ЗА741Г	94,0...96.0 ГГц
	ЗА741Д	96.0.. 98.0 П ц
	3.V4IE	98.0... ЮО.О ГГц
Рабочее постоянное напряжение l.i
индивидуальное для каждого диода,
из интервала	3,0..5.0 В
Постоянный рабочий ток	0,3...0,7*...2,0* А
Conpoi пиление диода (I 10 мА)
при	Г— т 25"С	0,2...0,8*...1,5 Ом
Г )70'С	0,2... 1,7 Ом
Г =-60(	0,1 . 1,5 Ом
Емкость корпуса	пе более 0,1 пФ
Индуктивность диода	ие более 0,15 нГн
Тепловое сопротивление	8*...13*..2О*'С/Вт
Потребляемая мощное 1ь	не более 8* Вт
Преде льные эксп луатационные данные
Изготовитель: Завод "Пульсар", г.Москва
ЗА740А, ЗА740Б, ЗА740В, ЗА740Г, ЗА740Д,
ЗА740Е, ЗА740Ж, ЗА741А, ЗА741Б, ЗА741В,
ЗА741Г, ЗА741Д, ЗА741Е
Диоды арсенидогаллиевые, мсзаэпшаксиальныс, на эф-
фекте Ганна, генераторные. Предназначены лтя примене-
ния в Итераторах миллиметрового диапазона длин воли в
режиме вывода второй |армопики гопе-рации Выпускаются
в мс1аллокерамнчсском корпусе типа КД-.130 с жешкими
выводами (рис 7.46). I ин диода приводится на ipyiinoBoii
Постоянное напряжение
Допустимое значение статического потенциала
Энергия активации процессов отказа
Температура корпуса
leMiiepaiypa окружающей сре 1Ы
Минимальная наработка при Гк~ f 35’С
( рок сохраняемости
U + 0,3 В
1000 В
1,32 эВ
I 85 С
60 .+70 С
15000 ч
25 лег
II р и м с ч а н и с Конструкция резонансной камеры юлж
на обеспечивать эффективный вывод мощности вгорой lap-
моникн генерации
13 СВЧ-приборы
193
Вывод 1
ро,в
Вывод 2
р 7,6
Рис. 7.48
Вывод 7
Вывод 2
-60 -30 О 30 60Т,сС -60 -30 0 30 60 т,°с
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот при
номинальном рабочем токе
1 и Т=-60...+25"С
2А743А-4,2А743Ь-4,2А743В 4
2А743Г-4.2А743Д-4 2А743Е-4
50 ..НО* мВт
100... 150* мВт
Рис.7 47 Зоны возможных положений зависимости выходкой
мощности: от частоты-для ЗЛ741А(а), ЗА740А(б);оттемпературы-
для ЗА740Б-Ж (в), ЗА741Б-Е (г), ЗА741А.ЗА740А (д)
Изготовитель Томский завод при НИИ полупроводнике
вых приборов.
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот (1=0,7Jp)
при Т=+25...+70’С
2А743А 4.2А743Б-4.2А743В-4 х
2А743Г-4 2А743Д 4.2А743Е 4
Рабочий диапазон частот
2А743А 4.2А743Г 4
2А743Б-4.2А743Д 4
2А743В-4 2А743Е-4
Пробивное напряжение (I,- 5 мА)
Постоянный рабочий ток Г
КПД
Постоянное рабочее напряжение
Емкость диода (U^= 10 В)
Емкость держателя
Индуктивность диода
Тепловое сопротивление
переход-корпус
не менее 30 мВт
не менее 60 мВт
54,0 ..58,0 ГГц
58,0 ..62,0 ГГц
62,0...66,0 ГГц
13...20 В
80* 120* 200* мА
2,0*...3.3*. 4,2*%
18...22* 25 В
0,45* ..0,55* .0,6* пФ
0,3*...0,34*.„0,42* нФ
0,12 нГн
50*...75*...90*’С/Вт
Предельные эксплуатационные гапные
2А743А-4, 2А743Б-4, 2А743В-4, 2А743Г-4,
2А743Д-4, 2А743Е-4
Диоды кремниевые, мезадиффузиоиные, лавинно-
пролетные, генераторные Предназначены для применения
в генераторах миллиметрового диапазона длин воли в соста-
ве гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих
герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги,
соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы пониженно-
го и повышенного давления. Выпускаются в бескорпусном
исполнении на держателях с жесткими выводами (рис.7.48).
Товарный знак, тип диода и дата изготовления наносятся на
ярлык, вкладываемый в групповую тару. Значение инди-
видуального рабочею тока для каждого диода указывается на
индивидуальном талоне Масса диода не более 0,1 г. Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструктор-
ской документации: диод СВЧ 2А743А 4, аАО.339.451 ГУ
Рабочий ток при Т -60. +25°С	1
Т-+70Т	0,71р
Рабочий ток (в течение 30 с, с интервалом
5 мин) при Т»-60...+25°С	1,1 I
Т +704?	0,9 1р
Значение допустимого статического потенциала 30 В
Температура перехода	<200 С
Температура окружающей среды	-60 ...Тк=+70"С
Минимальная наработка в составе ГС	10000 ч
Минимальная наработка в составе ГС в облененном режиме (при Т=-60 . <25’С, I 0.7 1р)	20000 ч
Срок сохраняемости в составе 1 С	25 лет
!1 р и м е ч а н и я 1. Тепловое сопротивление держатель
корпус генератора не более 2"С/Вт Предельное число при-
жимных контактирований со стороны вывода 1 - 10. 2. При
температуре 1к +25...<-70°С максимально допустимый
рабочий ток рассчитывается по формуле
1РЧ^(200 1J/175.
3. Изменение максимально допустимого рабочего тока в
диапазоне температур окружающей среды от +25 до т-70"С -
линейное 4 Допускается использование диодов в усилителях,
194
умножителях частоты и других СВЧ устройствах без превы-
шения режимов питания по рабочему току и температуре
кристадлодержатсля
Рис 7 49 Зависимости: выходной мошности от температуры (а);
спектральной мощности амплитудного (б) к частотного (в) моду-
ляционных шумов от частоты анализа
Рис.7.50. Зона возможных положений зависимости емкости диода
от обратного напряжения
Изготовитель- Нальчикский завод полупроводниковых
приборов.
ЗА744А-6, ЗА744Б-6, ЗА744А1-6, ЗА744Б1-6,
ЗА744А-5, ЗА744Б-5
Диоды арсснидогаллиевые, мезаэитттаксиадьные. па эф-
фекте Ганна, генераторные. Предназначены для применс
ния в широкополосных генераторах миллиметрового диапа-
зона длин волн в составе гибридных интегральных микро-
схем, обеспечивающих гермепйацию и защиту приборов от
воздействия влаги, соляною тумана, плесневых трибов, инея
и росы, пониженного и повышенного давления Выпускают-
ся в бескорнусном исполнении на держателях с жесткими
выводами (рис.7.42, рис.7.51) и в видСкристаллас контактны-
ми площадками без крисгаллодсржатсля (рис.7 52) Тип диола
приводится на групповой таре. Положительный нынод-со
стороны контактной площадки на керамическом столбике
кристаллодсржателя и со стороны подложки кристалла
(прямоугольное основание). Масса диода пс более 0,1 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации диод СВЧ ЗА744А 6,
аАО.339 458 ТУ
Рис. 7.51
Рис. 7.52
Вывод!
Э. тектрнческие параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот при Т
ЗА744А-6,ЗА744А1-6,ЗА744А 5
ЗА744Б-6,ЗА744Ы-6,ЗА744Б-5
Г=+70"С
ЗА744А- 6, ЗА744А1 -6, ЗА744А- 5
ЗА744Б-6,ЗА744Б1-6,ЗА744Б-5
Т=-60°С
ЗА744А 6 ЗА744А) -6,ЗА744А-5
ЗА744Б-6,ЗА744Б1-6,ЗА744Б-5
Максимальная непрерывная
выходная мощность на одной из
частот рабочего диапазона
3A744A-6,3a744A1 6.3А744А-5
ЗА744Б-6,ЗА744Б1-6,ЗА744Б-5
Непрерывная выходная мощность
в диапазоне частот (37,5. .40,0 ГГц)
ЗА744Б 6.3А744Б1-6.3А744Б-5
Рабочий диапазон частот
ЗА744А-б,ЗА744А1 6.3А744А-5
ЗА744Б 6.3А744Б1 6.3А744Б-5
Постоянное рабочее напряжение
3A744A-6.3A744AI 6,ЗА744А-5
ЗА744Б-6,ЗА744Б1-6,ЗА744Б-5
Постоянный работай гок (О = 6,5 В)
при Т=+25’С
для ЗА744А-6,ЗА744А1-6,ЗА744А 5
Т 60‘С
при U =5,0 В Т +-25°С
для ЗАР744Б-6,ЗА744Б1-6,ЗА744Б-5
I 60"С
25С
не менее 40 мВт
не менее 25 мВт
пе менее 25 мВт
не менее 15 мВт
не менее 30 мВт
пе менее 20 мВт
100* .130*...200* мВт
би*. .80* 150* мВт
2*...10*. 25* мВт
17,44 .25,96 ГГЦ
25.95.37,50 ГГп
3,5...6,5 В
2,5...5.0 В
не более 1,05 А
не более 1,4 А
нс более 1,25 А
не более 1,65 А
Сопротивление диода (I 10 мА) при
Т*=+25"С
3A744A-6.3A744A1 6.3А744А-5	0,3.. 4,0 Ом
ЗА744Б-6,ЗЛ744Б1-6,ЗА744Б-5	0,2.. 3,0 Ом
13
195
Т*+70”С
3A744A-6.3A744A 1 -6,ЗА744А-5	0,3...5,0 Ом
ЗА744Б-6, ЗА7441.1 -6, ЗА744Б 5 Г -60‘С	0,2.. 4,0 Ом
ЗА744А- 6. ЗА744А1 - 6, ЗА744А- 5	0,2 4,0 Ом
ЗА744Ь-6,ЗА744Б1-6,ЗА744Б-5 Емкость держателя	0.15...3,0 Ом
ЗА744А 6.3А744Б 6	0,027*..0,030*..0,035* пФ
ЗА744А1-6.3А744Б1 6 Индуктивность диода	0,033* 0.036*..0,04* пФ
ЗА744А-6.3А744Б-6	0,05*..,0,150*...0.300* пФ
ЗА744А1-6,ЗА744Ы-6 КПД	0,18.*. 0,20* 0.25* пФ
ЗА744А-6,ЗА744А1-6,ЗА744А-5	0,58*... 1.7* %
А744Б-6.3А744Б 1-6.3А744Б- 5 Тепловое сопротивление структура- держатель диода ЗА744А 6, ЗА744Б-6.3Л744А 1 -6.3А744Б 1-6 Спектральная ндотпость мощности	0.40*. 1.0* %
	15* 28*. 40* С/Вт
амплитудного моду.тяционного шума
на частоте анализа 100 кГц	-130? 140*.. 155* дБД ц
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение
ЗА744А-6,ЗА744А I -6.3А744А-5
ЗА744Г.-6, ЗА744 Б1 -6, ЗА744 Б- 5
Непрерывная рассеиваемая мощность при
Т=Н5..Л7О’С
ЗА744А 6.3А744А1-6 ЗА744А 5
ЗА744Б-6.3А744Б 6 ЗА744Б-5
Т= -60’С ЗА744А-6 ЗА744А1 6.3А744А-5
ЗЛ744Б-6,ЗА744Б1-6,ЗЛ744Б-5
Допустимое значение статического потенциала
Энергия активации процессов отказа
Температура корпуса
Температура окружающей среды
Минимальная наработка при Тк = 165"С
Срок сохраняемости в составе ГС
Рис.7.53. Зона возможных положений зависимости выходной
мощности от частоты для ЗА744Л (а), ЗА744Б (б)
Изтоювптель Томский завод при НИИ полупроводнике
вых приборов
ЗА745А, ЗА745Б, ЗА745В
Диоды арсешшогаллиевыс, эпитаксиальные^ барьером
Шоттки, лавинно-пролетные, генераторные Предназначены
.для применения в генераторах сантиметровою диапазона
длин воли Выпускаются в металлокерамическом корпусе
типа КД- 110Б с жесткими выводами Iабаритный чертеж
соответствует прибору 3A730 (рис.7.39) I ин диола и поляр
носи, приводятся на этикетке, вкладываемой в групповую
тару Значение нилпвидуалытото рабочею тока для каждого
диода указывается на индивидуальном талоне Диоды
маркируются цве гной полоской на плюсовом выводе: ЗА745А-
чернои, ЗЛ745Б синей ЗА745В-зелсной Масса диода нс
более 0,2 г. Пример записи условного обозначения при за
кате и в конструкторской документации, диод СВЧ ЗА745А,
аАО 339.459 ГУ
6,7 В
5,2 В
7,0 Вт
6.5 Вт
9,4 Вт
8,6 Вт
1000 В
1,60 эВ
+85’С
60 ...+70С
15000 ч
25 лет
Злек трические ттараме тры
Минимальная непрерывная мощность в рабочем диапазоне частот ЗА745А.ЗА745В	0.5	..0,65* .1,0*	Вт ЗА745Б	1,0	..1.1*... 1.4*	Вт Рабочий диапазон частот ЗА745А ЗА745Б	17	.21 Г1 ц ЗА745В	21...24 ГГц Пробивное напряжение (1 .	1 мА) при Т 25 (	ЗА745А ЗА745В	23 37	В ЗА745Б	19...32 В Т з 85‘С	ЗА745А.ЗА745В	23.. 41	В ЗА745Б	19 ..32 В 3 60 С	ЗА745А.ЗА745В	20...37	В ЗЛ745Б	16 .32 В Постоянный рабочий ток ЗА745А 180* ..200*...240	мА ЗА745Б	200* ..240*...300	мА ЗЛ745В	180* .240* . 300	мА КПД	ЗА745А	8.. 10*. 12* % ЗА745Б	8..11*.14*% ЗА745В	8. 9* 11* % Рабочее напряжение ЗА745А.ЗА745Б	32. .47 В ЗЛ745В	27 .42 В Емкость перехода ЗЛ745А	0,6* 0,9*	1,2 нФ ЗА745Б.ЗА745В	0,7*...1,0*	.1,4 нФ Емкость корпуса	0,70 пФ Индуктивность диода	0,1 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянный рабочий ток	>г мА Допустимое значение статичсскоти потенциала 1000 В Температура перехода	+200'С Температура окружающей среды	-60 ...+85 С Минимальная наработка	25000 ч Минимальная наработка в облетченном режиме при I 0,7 1()	50000 ч Срок сохраняемости	25 лет
Примечание: Тепловое сопротивление вывод 2-корпус
резонатора нс более 1,5‘С/Нт.
196
Рвь,х,Вт
Рис 7.55. Зона возможны? пол ж i 1й вн имости выходной
мощности от часто iii-лля ЗЛ745Л (а), ЗЛ745Б (6), ЗА745В (в): от
юка-для ЗЛ745А, ЗА745В (г), ЗА745Б (л); or температуры корпуса (е)
Иггоговитель: Завод "Пульсар",Т.Москва.
ЗА746А-6, ЗА746Б-6, ЗА746В-6, ЗА746Г-6,
ЗА746Д-6.3А746Е-6, ЗА746Ж-6, ЗА746И-6
Диоды арсенидогаллиевые, мегаэнИ1аксиалы|ые. на эф-
фекте Ганна, генераторные. Предназначены для примене-
ния в широкополосных генераторах сантиметрового лиана
зона длин волн в составе гибридных интегральных микросхем,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воз-
действия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и
росы, пониженною и повышенного давления. Выпускаются
в бескорпусном исполнении на держателе с жесткими
выводами. Габаритный чертеж соотвеютвует прибору
3A735A-6 (рис 7 42). Тип диода приводится па групповой
rapt Масса диода не б< лее 0,1 г. Настоящий диод является
бескорпусным аналогом диода ЗА726А-И. Пример записи
ус Юнною обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод (ВЧ ЗА746А-6, аАО 339.474 ТУ.
Электрические иарамефы
Минимальная непрерывная мощность	
в рабочем диапазоне частот	
ЗА746А 6.3А746Б 6,	
ЗЛ746В-6,ЗА746Ж-6	100.. 150* .200* мВ)
ЗА746Г-6.3А746Д-6,	
ЗА746Г-6.3А746И-6	200...250* 300* мВт
Максимальное значение непрерыв-	
ной выходной мощное) и па одной	
из частот рабочего диапазона	
3A746A-6.3A746B-6	130*... 180*.„300* мВт
ЗА746В-6.3А746Ж-6	130*.., 180*...250* мВт
ЗА746Г-6	230*.„33(*...470* мВт
ЗА746Д-6	230*. 300* ..400* мВт
ЗА746В-6.3А746Ж-6	230* 280* ..350* мВт
Рабочий диапазон частот	
ЗА746А.ЗА746Г	12.05... 13,50 1 Гц
ЗА746Б.ЗА746Д	13,50... 15,00 1Гц
3A746B.3A746L	15,00... 16.70 ГГц
ЗА746Ж,ЗА746И	16,70-18,00 ГГц
Постоянное рабочее напряжение	
ЗА746А-6 - ЗА746Р-6	5,0. .8.0 В
ЗА746Ж-6 - ЗА746И 6	4,0. 8,0 В
Постоянный рабочий ток	0,8* 1,4*.2,0 А
Сопро) пиление диода (1=10 мА) при	
Т=+25"С	0,3...0,8 .2,5 Ом
Т ь70"С	0,4...3,0 Ом
Т=-60’С	0,2. .2.4 Ом
Емкость держателя	0,037*..0,040*..0.045* пФ
Индуктивность диода	0,033* ),07( * .0.40* пГн
КП,'1	ЗА746А-6 - ЗА746В-6	0,62*...1,25*...3,1* %
ЗА746Г-6 - ЗА746Е-6	1,25*...2.1*...4,7* %
ЗА746Ж 6	0,71*...1,4*...3,5* %
ЗА746И 6	1,4 * .2,3* .5,3* %
Предстьньк. эксп гуагаиионпые щнные
Постоянное напряжение
ЗА746А 6 - ЗА746Е-6	8,5 В
ЗА746Ж-6 - ЗА746И-6	7,5 В
Допустимое значение статического потенциала 1000 В
Температура корпуса	ь85° С
Температура окружающей среды	-60 ...4 70" С
Минимальная наработка в составе
I С при Тк 65"С	15000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
12	15 ?,ГГц
Рнс 7.56 Зависимости выходной мощности от частоты для
ЗА746А,Ь,В Ж (а), ЗА746Г,Д,Е,И (б)
И яотовитсль. I омский завод при НИ'И по ^проводнико-
вых приборов.
197
ЗА747А, ЗА747Б, ЗА747В, ЗА747Г, ЗА747Д,
ЗА747Е, ЗА747Ж
Диоды арсснидогаллиевые, мсзаэпитаксиальные, на эф-
фекте Ганна, генераторные. 11редназначены для применения
в генераторах миллиметрового диапазона длин волн в режи-
ме вывода второй и третьей гармоник генерации. Выпуска-
ются в металлокерамическом корпусе типа КД 130 сжесткими
выводами. Габаритный чертеж соответствует прибору ЗА740
(рис.7 46). Тип диода приводится на групповой таре. На яр-
лыке, вкладываемом в групповую тару, указывается рабочее
напряжение, индивидуальное для каждого диода. Поло-
жительный вывод-со стороны крышки. Масса диода нс более
0,1 г. Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диод СВЧ ЗА747А,
аАО.339.484 ТУ.
Электрические параметры
Р/Р(Т =25°С)
Рис.7.57. Зависимость выходной
мощности от температуры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот при Т=+25°С	ЗА747А	5.’.6,9* мВт
ЗА747Б.Ж	5...6,3* мВт
ЗА747В	1 — 1,7* мВт
ЗА747Г	1-1,3* мВт
ЗА747 Д	1-1,2* мВт
ЗА747Е	10-13* мВт
Непрерывная выходная мощность на одной из частот рабочего диапазона	
100.. 120 ГГц	18* мВт
120... 150 ГГц	7* мВт-
Рабочий диапазон частот ЗА747А	100 ..110 ГГц
ЗА747Б	НО. .120 ГГц
ЗА747В	120-130 ГГц
ЗА747Г	130.140 ГГц
ЗА747Д	140 ..150 ГГц
ЗА747Е	100-102 Г1 ц
ЗА747Ж	120-122 Г1 ц
Рабочее постояное напряжение индивидуальное для каждого диода из интервала	(2,0...5,5) В
Постоянный рабочий ток Сопротивление диода (1 = 10 мА)	0,3-0,7* ..2,0 А
при	Т =+25°С	0,2-0,8* ..2,0 Ом
Т +70°С	0,2. 2,2 Ом
Т -60°С	0,1. 2,0 Ом
Емкость корпуса	не более 0,1 пФ
Индуктивность диода	не более 0,15 нГн
Тепловое сопротивление	13* 20°С/Вт
КПД ЗА747А-ЗА747Б.ЗА747Ж	0,21* ..0,31* %
ЗА747В ЗА747Д.ЗА747Е	0,03* ..0,08* %
Предельные эксплуатационные данные
Рис.7 58. Зона возможных
мощности от частоты для
ЗА747Д (г)
положений зависимости выходной
ЗА747А (а), ЗА747Б (б), ЗА747Г (в).
Изготовитель Томский ^авод при НИИ полупроводнико-
вых приборов.
ЗА748А, ЗА748Б, ЗА748В, ЗА748Г, ЗА748Д,
ЗА748Е, ЗА748Ж, ЗА748И
Диоды арсенидогаллиевыс, эпитаксиальные, с барьером
Шоттки, лавинно-пролетные, генераторные, Предназначе
ны для применения в генераторах и усилителях сантиметро-
вого диапазона длин волн. Выпускаются в металло-
керамическом корпусе типа КД-129 с жесткими выводами
(рис.7.59). Тип диода и полярность приводят ся на этикетке
вкладываемой в групповую тару. Значение индивидуального
рабочего тока для каждого диода указывается на инди-
видуальном талоне.Диоды маркируются цветной точкой на
торце минусового вывода- ЗА748А-красной ЗА748Б бе
лой,ЗА748В-черной, ЗА748Г-синей, ЗА748Д-зеленой, ЗА748Е-
желтой, ЗА748Ж коричневой, ЗА748И-голубой. Масса диода
пе более 0,2 г. Пример записи условного обозначения при
заказе и в конструкторской документации: диод СВЧ ЗА748А,
аАО.339.505 ТУ.
Постояное напряжение
Допустимое значение статического потенциала
Температура корпуса
Температура окружающей среды
Минимальная наработка при ТК=+35°С
Срок сохраняемости
U +0,4 В
1000 В
+85°С
-60 ...+70’С
15000 ч
25 лет
Примечание - Конструкции резонансных камер долж
ны обеспечивать эффективный вывод мощности второй и
третьей гармоник генерации в соответствующем диапазоне
частот.
Вывод 7
Вывод 2
Рис. 759
198
Электрические параметры
при I 1,2 1р для использования в аппаратуре разовою
действия.
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот ЗА748А,ЗА748В ЗА748Б.ЗА748Г ЗА748Д, ЗЛ748Ж, ЗА748 И ЗА748Е	2.0...2,4* ..3,0* Вт 3,0...3,3*.-.4,0* Вт 1,5.. 1,8* 2,5* Вт 2,5...2,8*...3,2* Вт
Рабочий диапазон частот	
ЗА748А.ЗА748Б	11,5... 13,5 ГГц
ЗА748В.ЗА748Г	13,5. .15,0 ГГц
ЗА748Д.ЗА748Е	15,0...17,0 ГГц
ЗА748Ж	17.0...21,0 ГГц
ЗА748И	21,0.24,0 ГГц
Пробивное напряжение (1^Ср= 1 мА)	
ЗА748А.ЗА748Б	20.. 45 В
ЗА748В.ЗА748Г	18...40 В
ЗА748Д.ЗА748Е	15...38 В
ЗА748Ж.ЗА748И	12..33 В
Постоянный рабочий ток	
ЗА748А.ЗА748В	250*...350*. 500 мА
ЗА748Б.ЗА748Г.ЗА748Д,	
ЗА748Е.ЗА748Ж.ЗА748И	300*. 500*...600 мА
КПД ЗА748А,ЗА748В,ЗА748Д,	
ЗА748Ж.ЗА748И	не менее 15 %
ЗА748Б.ЗА748Г	не менее 20 %
ЗА748Е	не менее 17 %
Рабочее напряжение	
ЗА748А,ЗА748Б	30...55 В
ЗА748В,ЗА748Г	28...53 В
ЗА748Д.ЗА748Е	22. 45 В
ЗА748Ж,ЗА748И	18...40 В
Емкость перехода	
ЗА748А,ЗА748Б,ЗА748В,	
ЗА748Г,ЗА748Д,ЗА748Г	не более 1,0 пФ
ЗА748Ж.ЗА748И	не более 1.2 пФ
Емкость корпуса	0,70 иФ
Индуктивность диода	0,13 нГн
Предельные эксплуа1ациоиные данные
Постоянный рабочий ток	1р мА
Потребляемая мощность ЗА748А.ЗА748Б, ЗА748В.ЗА748Г	24 Вт
ЗА748Д,ЗА748Е	22 Вт
ЗА748Ж.ЗА748И	16 Вт
Допустимое значение статического потенциала	1000 в
Тепловое сопротивление переход корпус ЗА748А,ЗА748В,3 А748Д.ЗА748Ж.ЗА748И	не более 15°С/Вт
ЗА748Б,ЗА748Г,ЗА748И	не более 12°С/Вт
Температура перехода	+225°С
Температура окружающей среды	-60 +85 С
Минимальная наработка	25000 ч
Минимальная наработка в облегченном режиме (I 0,71р)	50000 ч
Срок сохраняемости	25 лег
			
		*0% 4	
		0,8	
Рвых ЗТ
		/)\ ! / // /	
		// / 0 / f Z	
	Л.		
-100 -50 О S0tKOp5C О 0,25 О,S' 0,7511„
Рис.7 61. Зона возможных положений зависимостей: выходной
мощности от частоты для ЗА 4 Ж (а), коэффициента полезного
действия от температуры корпуса (б), выходной мощности от
тока диода (в)
Примечания:!. Тепловое сопротивление вывод 2-корпус
резонатора не более 1,5°С/Вт 2 В усилительном режиме
рабочий ток не должен превышать 0,71р. 3. Допускается крат-
ковременная (в течение нс более 2 ч) эксплуатация диодов
199
Рис.7.62 Зависимость спектральной мощности амгинтушого
модуляционого шума от частоты анализа
Изготовитель: Завод "Пульсар", г.Москва.
2А749А-4, 2А749Б-4, 2А749В-4, 2А749Г-4
Диоды кремниевые, мезалиффузиоипыс, лавинно-нро-
,четные, генераторные. Предназначены для применения и
генераторах миллиметрового диапазона длин волн в составе
гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих гер
метизацию и защиту приборов от воздействия влаги, со мно-
го тумана, плесневых грибов инея и росы, пониженною и
повышенного давления. Выпускаются в бескорпусном
исполнении на держателях с жестким и выводами. I абари г ный
чертеж соответствует прибору 2A7I7 (рис.7.22). Товарный
знак, тип диода и дата изготовления наносятся на ярлык,
спалываемый в групповую тару. Значение индивидуального
рабочего тока для каждого диода указывается на инди-
видуальном талоне. Масса диода нс более 0,5 т. Пример за
писи условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации: диод СВЧ 2Л743А-4, аЛО.339.509 ТУ.
Элек|рические параметры
Минимальная непрерывная
мощность в рабочем диапазоне
частот при номинальном рабочем
токе I и Т—60... < 25 С
2А749А-4.2А749Б 4 2А749В 4
2A749I 4
80...100* .120* мВт
100... 120*...150* мВт
Минимальная непрерывная
мощность в рабочем диапазоне
частот (I 0,71 ) при Т <25 .+7(ГС
2А749А 4,2А749Б-4,2А749В 4 не менее 65 мВт
2А749Г 4	не менее 75 мВт
Рабочий диапазон частот 2А749А 4
2А749Б 4
2А749В-4
2А749Г-4
Пробивное напряжение (Irfp=5 мА)
Постоянный рабочий ток
КПД, типовое значение
Постоянное рабочее напряжение
1 силовое сопротивление
переход-корпус
69,0.-73,0 И ц
73,0. 77.0 ГГц
77,0...79,0 ГГц
69,0...79,0 ГГц
10...13*...15 В
80* 150* 220 мА
3,3%
15*. .18* 20* В
5О*...75*...9О*’С/Вг
Предельные эксплуатационные данные
Рабочий ток	200 мА
при Т*—-60.. <25’С	I
3=+70С	о',85 1р
Значение допустимого статического потенциала ЗОВ
Температура перехода
TeMnepaiypa окружающей среды
Минимальная наработка в составе Г<
Срок сохраняемости в составе ГС
<-200 С
-60.. 1 <70 С
2501X1 ч
25 лет
Прим с ч а н и я 1 .Тепловое сопротивление держатель
корпус генератора нс более 2‘С/Вг. 2. При температуре кор-
пуса Тк в диапазоне температур Тк <25.. +70‘С максималь-
но до нустимый рабочий ток рассчитывается по формуле I,-
GFJ/35. 3 Изменение минимальной непрерывной
выходной СВЧ-моптости в диапазоне температур окружа-
ющей среды от +25 до +70С - линейное. 4. Допускается
использование диодов в усилителях, умножителях частоты и
других СВЧ устройствах без превышения режимов питания
по рабочему току и температуре крйе.азиюдержателя.
Рис.7.63 Зависимости: спектральной
(а) и частотного (б) модуляционных
мощноап и амплитудного
шумов от часто! ы анализа
Изготовитель: Нальчикский завод полупроводниковых
приборов
ЗА750А, ЗА750Б, ЗА750В, ЗА750Г, ЗА750Д,
ЗА750ЕтЗА750Ж, ЗА750И, ЗА750К, ЗА750Л
Диолы арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиаяытыс, на эф
фсктс Ганна, генераторные. Предназначены для примене-
ния в генераторах трехсапгиметрового диапазона длин волн
в импульсном режиме. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе тина КД-109 с жесткими выводами. Габаритный
чертеж соответствует прибору 2А7О6 (рис.7.13). Тип диода
приводится на групповой таре В групповой упаковке
ука тываегся индивидуальное импульсное рабочее напряжение
для каждого диода. Масса диода нс более 0,15 г. Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструктор»}-,
кой документации диод СВЧ ЗА75ОА. аАО 339 540 1"У
Электрические тгараме тры
Минимальная импульсная мощность	
в рабочем диапазоне частот (ти=	100 нс,
Q >1000)	ЗА75ОА Л	10... 15* . 25* Вт
ЗА750К-1 Рабочий диапазон частот	8.. 14*.. 25* Вт
ЗА750А	8.24.. 8,50 ГГц
ЗА750Б	8,50...8.90 1Гц
ЗА75ОВ	8,90...9,30 ГГЦ
ЗА750Г	9,30. 9,70 ГГн
ЗА750Д	9,70-10.1 П и
ЗА75О1.	10,1 ..10.5 I Гц
ЗА75ОЖ	10,5...10,9 1 Гп
ЗА750И	10,9. 11.3 ГГп
ЗА75ОК	11,3 .11,7 I I н
ЗА750К-1	11,3. 11.7 II ц
3A75OJI	11.7. 12,051Гц
Рабочее импульсное напряжение,
200
индивидуальное для каждого диода.
U	ЗЛ750А-Л
3A75OE-JI
Импульсный рабочий ток
Сопротивление диола (1	10 мЛ)
при I 25 ( ЗЛ75ОЛ Л
3A75OK-I
Г=-60*С	ЗЛ750А-Л
ЗЛ75ОК I
Г 185 С	3A750A-J1
ЗА75ОК 1
l-MKocib корпуса
Индуктивность диода
K1I 1
35.„55 В
30...50 В
10* 15* .25 А
0.13...0,25*.„0.35 Ом
0,15„.0,2()*„.0.35 Ом
0,07 .0.35 Ом
0.08.„0,35 Ом
0.13.„0.40 Ом
0,15.0,40 Ом
0,2 0,5 пФ
0,2 - 0.5 и Гн
3* „4.5*.„6,5* %
Претстыгыс эксп гуагаггиоппьн данные
Импульсное напряжение	Ц, 1 4.0 В
Значение допустимого статического потенциала I 0 В
Температура окружающей среды	60 ... г70 (.
Минимальная наработка	15000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
При меча к и я . I Средняя рассеиваемая мощность нагрева
нс более 4 Вг 2. При пас тройке диодов в генераторной камере
на зацдггную выходную мош.ность и частоту допускается
подстройка рабочего импульсного напряжения в прицелах
IJ + 4 В.
« Г
Рис 7 64. Зона возможных положений зависимостей импульсной
выходной мошности: от частоты (а), от температуры (6)
Изготовитель Томский завод при ПИИ полугтровццнико
вых приборов.
КА751А-4
Диоды кремниевые, ме «диффузионные, лавипно про-
летные, генераторные. Предназначены для применения в
генераторах миллиметрового диапазона длин волн в составе
гибридных интегральных микросхем, обесне гнваюшнх
герметизацию и защиту приборов or воздействия вчаги
соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, понижен-
ного и повышенного давления. Выпускаются в бсскорпус-
пом исполнении на держателях с жесткими выводами
1абаритпый чертеж соответствует прибору 2A7I7 (рис.7.22).
Птварпый зггак, тип диода и мата изготовления наносятся на
ярлык, вкладываемый в групповую тару. Значение
индивидуального рабочего тока для каждого диода указывается
па игьтпвидуальном талоне. Масса диода не более 0,5 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации: диол СВЧ KA75IA-4.
аАО.336 295 ТУ
Кгектричсские параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне час гот при
номинальном рабочем токе
Рабочий циана гон частот
Пробивное напряжение (I 5 мА)
Постоянный рабочий ток
Постоянное рабочее напряжение
КПД
Емкость диола (Urf = 10 В)
Емкость перехода диода
нс менее 50 мВт
52,6. .55,0 ГГп
17. 25 В
100 ...200 мА
22 32 В
1.0*. 4.0* %
1,0*.„2,0* пФ
0,5* I 7* пФ
Предельные эксплуатационные данные
Рабочий ток при Т -10...3 25 С	1
Т +70 С	0,7 1(,
Непрерывная рассеиваемая мощность	2.„6 Вг
.Значение допустимого статического потенциала 200 В
Максимально допустимый перегрев структуры +175’С
1 емпсрагура окружающей среды	60 . Г, r-70'C
Минимальная наработка в составе ГС 3000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
II р и м е ч а п и е: 1.1!ри эксплуатации приборов должен
обеспечиваться падежный тепловой контакт на боковой
поверхности вывода 2. Разрешается пайка вывода 1 при
температуре нс выше 1503 о течение 5 с Предельное число
контактирований со стороны керамического изолятора - 10.
Г’ие.7.66 Зависимости непрерывной выходной мошности от
относительного изменения рабочего тока (а); емкости диода от
обратного напряжения (б)
Изготовитель: Нальчикский завод по гупроводниковых
приборов.
2А752А-4, 2А752Б-4, 2А752В-4, 2А752Г-4
Диоды кремниевые, мсзадиффузионнЫе, со структурой
типа р*р-п-пГ лавинно-пролетные, генераторные, импульс-
ные. Предназначены для применения в генераторах мил-
лиметрового диапазона длин волн в составе гибридных
интегральных микросхем, ббсспсчивающих герметизацию и
защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана.
201
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенно-
го давления Выпускаются в бескорпусном исполнении на
держателях с жесткими выводами Габаритный чертеж соот-
ветствует прибору 2А743 (рис.7 48) Товарный знак, тип
диода и дата изготовления наносятся на ярлык, вкладывае-
мый в групповую тару Значение индивидуального рабочего
тока для каждого диода указывается на индивидуальном
талоне. Масса диода не более 0,2 г. Пример записи условно-
го обозначения при заказе и в конструкторской документа
ции диод СВЧ 2А752А-4 аА0.339 656 ТУ
Электрические параметры
Минимальная импульсная мощность
при номинальном рабочем токе I ,
(1„ 100 нс, f 10 кГц)
2А752А-4.2А752Б 4,2А752В-4 2А752Г 4 Рабочий диапазон частот	3. 3,5* Вт 5.. 5,5* Вт
2А752А-4	68,0 72,0 ГГц
2А752Б 4	72,0 76,0 ГГц
2А752В 4	76,0...79,0 ГГц
2А752Г-4	68 0.. 79,0 Пц
Пробивное напряжение (Г^ 5 мА) 10*. 25 В
Импульсный рабочий ток	2*...3*...4 А
КПД, типовое значение	5,0%
Предельные эксплуатационные данные
Импульсный рабочий ток (tB < 100 нс,
f< 10 кГц) при Т=-6О...+25’С	I
Т=+70°С	0Р,85 1р
Значение допустимого статическою потенциала 200 В
Температура окружающей среды	-60 Т =+85'С
Минимальная наработка в составе ГС 15000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
Примечания 1. Тепловое сопротивление держатель-
корпус генератора не более 2°С/Вт. 2 Допускается исполь-
зование диодов в усилителях, умножителях частоты и других
СВЧ-устройствах без превышения режимов питания по
рабочему току и температуре кристаллодержателя.
нс 7 67 Зависимости спектральной мощности амплитудного
а и частотного (б) модуляционных шумов от частоты анализа
Изготовитель: Нальчикский завод полупроводниковых
приборов.
ЗА753А-ЗА753П, ЗА754А-ЗА754С, ЗА755А-
ЗА755У
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эф
фекге Ганна, генераторные Предназначены для нримсне
ния в генераторах сантиметрового’ диапазона длин волн
Выпускаются в металлокерамическом корпусе типа КД 109
с жесткими выводами. Габаритный чергеж соответствует
прибору 2А706 (рис.7.13). Тип диода приводится на груи повой
таре. На ярлыке, вкладываемом в групповую тару, укатывает-
ся рабочее напряжение, индивидуальное для каждого диода.
Масса диода не более 0,15 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документа ции’
диод СВЧ 3A753A, аАО.339.677 ТУ.
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот при		
Т=-60...+35"С		100...I40* 180* мВт
Т=+35...+70°С		50-70*...90* мВт
Т=+35...+70°С	для ЗА755Д2	не менее 100 мВ
Рабочий диапазон частот		
3A753	ЗА754	ЗА755
А 5 64-5,80	8 24 8 50	12,05 12,30 ГГц
Б 5,80-6,00	8,50-8,70	12,30-12,60 ГГц
В 6,00 .6,20	8,70-9,00	12,60 .12,90 ГГц
Г 6,20-6,40	9,00. 9,20	12,90 . 13,20 ГГц
Д 6,40-6,60	9,20-9,50	13,20-13,50 ГГц
Е 6,60 .6,80	9,50...9,70	13,50 .13,80 ГГц
Ж 6,80-7,00	9,70-10,0	13,80 14 10 ГГц
И 7,00-7,20	10,0-10,2	14,10-14,40 ГГц
К 7,20 .7,40	10,2-10,5	14,40 14,70 ГГц
Л 7,40-7,60	10,5-10,7	14,70 .15,00 ГГц
М 7,60-7,80	10,7 .11,0	15,00-15,30 1Гц
Н 7,80 .8,00	11,0.. 11,2	15,30 15,70 ГГц
П 8,00-8,24	11,2.11,5	15,70-16,00 ГГц
Р	11,5. 11,8	16,00-16,40 ГГц
С	11,8- 12,05	16,40 . 16,70 ГГц
т	-	16,70.. 17,10 ГГц
У	-	17,10.-17,44 ГГц
ЗА755Д1.3А755Д2		13,20 13,50 ГГц
Рабочее постоянное напряжение, U индивидуальное для каждого диода		р’
	3A753	11,0-15,0 В
	ЗА754	8,0.. 13,0 В
	ЗА755	7,0-11,0 В
Постоянный работай ток		
	3A753.3A754	0 2* .0,3* .0,32 а
	ЗА755	0,25*. 0,35* .0,40 А
Сопротивление диода (1=10 мА)		
при Т=+25°С	3A753	3,0 5,5* 8,0 Ом
	ЗА754	2,5. 3,5* ..7,0 Ом
	ЗА755	1,4...2,2*...3,5 Ом
Т=+70”С	3A753	4,0 9,0 Ом
	ЗА754	3,0-8,0 Ом
	ЗА755	1,5 4,5 Ом
Т=-60’С	3A753	2,5 .7,0 Ом
	ЗА754	2,0-6,0 Ом
	ЗА755	1,5...3,0 Ом
Спектральная плотность мощности		
амплитудного модуляционного шума		
(F„ 150 кГц) ЗА755Д1.3А755Д2 Спектральная плотность мощности		не более -155 дБ/Гц
частотного модуляционного шума (Г -150 кГц) ЗА755Д1.3А755Д2		не более -80* дЬ/Гц
Емкость корпуса		нс более 0,45 н<1>
Индуктивность диода		не более 0,25 н! н
кпд	3A753	3,0*. .3,9* %
	ЗА754	3,0* 4,5* %
	ЗА755	3,0* .5.0* %
202
Предельные эксплуатационные данные
Электрические параметры
Постоянное напряжение при
Г »15 .. +70°С (85°С на корпусе)	Up+2 %
Г -60°С	и +15 %
Допустимое значение статического покнша'и 1000 В
Температура корпуса	+ 85 С
Температура окружающей среды	-60 ...+7043
Минимальная наработка при Г=+70‘С	15000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот при
номинальном рабочем токе 1р при
Т -60 . +25°С	не менее 60 мВт
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот (I 0,71р)
при 1 +25...+70‘С	не менее 30 мВт
Рабочий диапазон частот 2А756А 4 85,0 90,0 ГГц
2А756Б 4	90,0...95,0 ГГц
2А756В-4	95,0.. 100 ГГц
Пробивное напряжение (1^ 5 мА)
Постоянный рабочий ток
КПД, типовое значение
9...20 В
70...250 мА
5,0%
11редельные эксплуатационные данные
Рабочий ток при	Т -6О...+25°С I
Т=+70оС	0,701р
Значите допустимого статического потенциала 200 В
Температура перехода	+200°С
Температура окружающей среды	-60 . Тк + 70'С
Минимальная наработка в составе ГС 25000 ч
Срок сохраняемости в составе ГС	25 лет
Рнс.7.68. Зона возможных положений зависимостей, выходной
мощности: от частоты (а), от температуры (б); рабочего напряже-
ния от температуры (в)
Рис 7 69 Зависимость минимальной наработки от температуры
корпуса диода (а) и постоянного рабочею тока от температуры (б)
Изготовитель Томский завод при НИИ полупроводнико-
вых приборов.
2А756А-4, 2А756Б-4, 2А756В-4
Диоды кремниевые, мезадиффузиопные, со структурой
типа jTp-n-nf лавинно-пролетные, генераторные Предназ-
начены для применения в генераторах миллиметрового
диапазона длин волн в составе гибридных интегральных
микросхем обеспечивающих герметизацию и защиту прибо-
ров от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов,
инея и росы, пониженного и повышенного давления. Выпу
скак лея в бескорпусном исполнении на держателях с жестки-
ми выводами Габаритный чертеж соответствует прибору
2А743 (рис 7 48). Товарный знак, тип диода и дата изготовле
ния наносятся на ярлык,вкладываемый в групповую тару
Значение индивидуального рабочего тока для каждого диода
указывается на индивидуальном талоне. Масса диода не более
0,2 г. Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации диод СВЧ 2А756А-4,
аАО 339.687 ГУ
Примечания: 1.Тепловое сопротивление держатель-
корпус генератора пе более 2°С/Вт. 2. При температуре кор-
пуса в диапазоне Тк=+25 .. г70°С максимально допустимый
рабочий ток рассчитывается по формуле
I₽ (200-TJ/175.
3 Изменение минимальной непрерывной выходной СВЧ
мощности в диапазоне температур окружающей среды от +25
до +7043 - линейное. 4. Допускается использование диодов
в усилителях, умножителях частоты и других СВЧ-устройс гвах
без превышения режимов питания по рабочему току и
температуре кристаллодсржателя.
Рнс 7 70 Зависимость спектральной плотности мощности ампли-
тудного и частотного модуляционного шумов от частоты анализа
Изготовитель Нальчикский завод полупроводниковых
приборов
2А757А-4, 2А757Б-4, 2А757В-4, 2А757Г-4,
2А757Д-4, 2А757Е-4
Диоды кремниевые, мезадиффузионные, со структурой
типа р*р п-п^ лавинно пролетные, генераторные. Предназ-
начены для применения в генераторах миллиметрового
диапазона длин волн в составе гибридных интегральных
микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту при-
203
боров от воздействия влага, соляного тумана, плесневых три
бов, инея и росы, пониженного и повышенного давления
Выпускаются в бсскорпусном исполнении на держателях с
жесткими выводами. Габаритный чертеж соответствует при
бору 2А717 (рис.7 22). Товарный знак, тип диода и дата
изготовления наносятся на ярлык, вкладываемый в труппо-
вую тару Значение индивидуального рабочего тока для каж-
дого диода указывается на индивидуальном талоне. Масса
диода не более 0,5 г. Пример записи условного обозначения
при заказе и в конструкторской документации диод СВЧ
2А757А 4,аАО.339.712 ГУ
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот при
номинальном рабочем токе I
2А757А-4,2А757Б-4 2А757В-4	нс менее 200 мВт
2А757Г-4,2л757Д-4,2А757Е-4	нс менее 150 мВт
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот (1 =0,71 )
при Т=+25 ..+70°С
2А757А-4,2а757Б-4,2А757В-4	нс менее 100 мВт
2А757Г-4,2А757Д-4,2А757Е-4	ие менее 75 мВт
Рабочий диапазон частот
2А757А 4.2А757Г-4
2А757Б-4 2А757Д-4
2А757В-4 2А757Е-4
Пробивное напряжение (Irf =*5 мА)
Постоянный рабочий ток
КПД
Постоянное рабочее напряжение
Емкость диода (15^= 0 В)
Емкость держателя
Индуктивность диода
Тепловое сопротивление
переход-корпус
69.0...73.0 ГГц
73,0 ..77,0 ГГц
77,0-78,0 I Гп
нс менее 12 В
100 ...160*...250 мА
3,0* .6,0* 12* %
16 21.* 26 В
0,9*. .1,1* .1,3* пФ
0,17* .0,2* пФ
0,25*.„0,33* 0,4* нГп
45*...70*...90*°С/Вт
Предельные эксплуатационные таппыс
Рабочий ток при Т=-60...+25“С	I
Т=+70°С	0Р,71р
Значение допустимого статического потенциала 200 В
Температура перехода
Температура окружающей среды
Минимальная наработка в составе ГС
Срок сохраняемости в составе ГС
f 225°С
60 ...Тк=+70‘С
15000 ч
25 лет
Примечания: 1. Тепловое сопротивление держатель-
корпус генератора пе более 2°С/Вт 2. При температуре
Тк=+25...+7О°С. максимально допустимый рабочий ток рас
считывается по формуле I^= Ipm„(225-TJ/200. 3. Изменение
минимальной непрерывной выходной СВЧ-мощности в
диапазоне температур окружающей среды от +25 до +70°С -
линейное 4. Допускается использование диодов в усилите-
лях, умножителях частоты и других СВЧ-устройствах без
превышения режимов питания по рабочему току и температу-
ре кристал лодержателя.
Рнс.7.71. Зависимости: емкост диола от обратного напряжения
(а), относительной непрерывной мошности от относительной
величины рабочего тока диода (б), спектральной плотности мощ-
ности амплитудного и частотного модуляционного шумов от
частоты анализа (в)
Изготовитель: Нальчикский завод полупроводниковых
приборов.
2А758А-4,2А758Б-4,2А758В-4
Диоды кремниевые, мсзадиффузиониыс, со структурой
типа fTp-n-nt" лавинно-пролетные, генераторные. Предназ-
начены для применения в генераторах миллиметрового диа-
пазона длин волн в составе гибридных интегральных микро-
схем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от
воздействия штаги, соляного тумана, плесневых трибов, инея
и росы, пониженного и повышенного давления Выпускают-
ся в бсскорпусном исполнении на держателях с жесткими
выводами. Габаритный чертеж соответствует прибору 2А743
(рис 7 48). Товарный знак, тип диода и дата изготовления
наносятся на ярлык, вкладываемый в групповую тару. Зна-
чение индивидуального рабочего тока для каждого диода
указывается на индивидуальном талоне. Масса диода нс более
0,5 г. Пример записи условного обозначения при заказе и в
конструкторской документации диод СВЧ 2А758А 4
aA0.339.737 ТУ
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот при
номинальном рабочем токе I и
1-60 +25°С Г 300...325* 430* мВт
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот (I 0.71 )
при 1 +25...+7О°С	не менее 150 мВт
Рабочий диапазон частот 2А758А-4 54,0 58,0 ГГц
2А758Б-4	58,0 62,0 Г1 ц
2А758В 4	62,0 .66,0 П ц
204
Пробивное напряжение (1^ 5 мА)
Постоянный рабочий ток
КПД
Постоянное рабочее напряжение
Емкость диола (Urf О В)
Емкость перехода = О В)
Емкоегь держателя
Тепловое сопротивление
переход-корпус
20...25*. 30 В
100.200 мА
не менее 6,0 %
25...32* 38 В
0,9*... 1.5*... 1,8* пФ
0,7* 1,45* пФ
0,2*. .0,35* пФ
30*...45*...70*’С/Вг
Прете 1Ы1ые эксплуатационные тапные
+200"С 
-60 . ,Тк=+70С
25000 ч
55000 ч
25 лет
Рабочий ток при 1—-6О...+25'С	1р
1=4 70 С	0,7	1
Значение допустимого статического нотешжала 200 В
Температура перехода
Темпсрагура окружающей среды
Минимальная наработка в составе Г(
Минимальная наработка в составе ГС в
облегченном режиме (Т +55”С, I = 0,7 I )
С рок сохраняемости в составе ГС
Примечания I Тепловое сопротивление держатель
корпус генератора не более 2СС/Вт. 2 При температуре
1	+25 .,+70’С максимально допустимый рабочий ток
рассчитывается гго формуле Ip Ipinix(200-TK)/175 3 Измене-
ние минимальной непрерывной выходной СВЧ мощности
в диапазоне температур окружающей среды от • 25 до + 70"С
- линейное 4. Допускается использование диодов в усилите
лях, умножителях частоты и других СВЧ-устройствах без
превышения режимов питания по рабочему току и температу-
ре кристаллодержатсля. 5. При эксплуатации диодов источ
ник питания должен иметь емкость выхода не более 100 пФ;
не допускаются броски гока более 0,11 с длительностью не
бо.тсе 10 мс.
амплитудного и частотного модуляционного шумов от частоты
анализа (а), емкости диода от обратного напряжения (б) непре-
рывной выходной мощности от относительной величины рабо-
чего тока диода (в)
Изготовитель: Нальчикский завод полупроводниковых
приборов.
ЗА759А-4, ЗА759Б-4, ЗА759В-4
Диоды арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные с р п
переходом, лавинно-пролетные, генераторные. Предна-
значены дтя применения в генераторах миллиметрового диа-
пазона длин волн в составе тибридных интегральных микро-
схем, обеспечивающих гермсти ганию и защиту приборов от
воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея
и росы, пониженного и повышенного давления Выпускают-
ся в бескорпусном исполнении на держателях с жесткими
выводами (рис.7.73). Товарный знак, тип диода и дата изго-
товления наносятся на ярлык,вкладываемый в групповую
тару. Значение индивидуального рабочего тока для каждого
диода указывается на индивидуальном талонс.Диоды марки
руются цветной точкой гга горце минусового вывода:
ЗА759А черной, ЗА759Б-синей, ЗА759В-зеленой. Массадио-
та не более 0,2 г. Пример записи условного обозначения при
заказе и в конструкторской документации: диол СВЧ
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность	
в рабочем диаггазонс частот	
ЗА759А 4	1 0 . 1,15* .1,5* Вт
ЗА759Б-4	0,5.. 0,65*. .1,0 *Вт
ЗА759В 4	0,2.. 0,35* .0,5* Вт
Рабочий диапазон частот	35 - 37 ГГц
Пробивное напряжение (Irfp"3 мА) 11ОСТОЯНГГЫЙ рабочий ток	15. .30 В
ЗА759А 4	не менее 200 мА
ЗА759Б-4	пс менее 150 мА
ЗА759В-4	гте менее 80 мА
Коэффициент усиления по мощности	
ЗА760А 4 при Р„=0,4 Вт	гге менее 4 дБ
ЗА760Б-4 при Рю 0,2 Вт	нс менее 4 дБ
ЗА759В 4 ггри Р„ 0,1 Вт	нс менее 4 дБ
КПД ЗА759А 4	10. 12* 15* %
ЗА759Б-4	8 . 10*. 13* %
ЗА759В 4	7 . 10*. .12* %
Постоя ггнос рабочее напряжение Емкоегь перехода (U U^)	20...37 В
ЗА759А 4	не более 1,3 пФ
ЗА759Б-4	нс более 1,0 пФ
ЗА759В-4	нс более 0,75 пФ
Емкость корпуса	0,27 пФ
Индуктивность диода	0,06 нГн
Предельные эксплуатационные данные	
Обратный ток (Ц^-10 В) Тепловое сопротивление	нс более 1 мА
переход-корпус АА759А 4	гге более 24 С/Вг
205
АА759Б-4
АА759В 4
Температура перехода
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Минимальная наработка в
облегченном режиме (I = 0,7 1р)
Срок сохраняемости
не более 32°С/Вт
ие более 40°С/Вт
+225‘С
-60 ...+85‘С
25000 ч
50000 ч
25 лет
Примечание: Тепловое сопротивление держатель-корпус
генератора не более 1,5’С/Вт.
и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана,
плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного
давления. Выпускаются в бескорпусном исполнении на
держателях с жесткими выводами. I абаритный чертеж соот-
ветствует прибору 2А759 (рис.7.73) Товарный знак, тип
диода и дата изготовления наносятся на ярлык, вкладывав
мый в групцовую тару. Масса диода не более 0,2 г. Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструктор-
ской документации- диод СВЧ ЗА760А 4, aAO.339.788 ТУ
Электрические параметры
ДБ/Гц	ДБ/Ги,
Минимальная импульсная мощность в рабочем
диапазоне частот (tM< 0,3 мкс, Q > 100)
ЗА760А-4 ЗА760Б-4	3,0...3,5*...5,0* Вт 5,0...5,4*...6,0* Вт
Рабочий диапазон частот	35 - 37 ГГц
Пробивное напряжение ПРИ U=4 мЛ	18. .30 В
Импульсный рабочий ток ЗА760А-4	1,0*...1,5*...2,0 А
ЗА760Б-4	1,5*...1,9‘...2,5* А
КПД	7*...10*...13* %
Импульсное рабочее напряжение (tH< 0,3 мкс, Q > 100)	20*...27*...35* В
Емкость перехода (U = Ц^) ЗА760А-4	2,0*...3,0*...4,0* пФ
ЗА760Б-4	3,0'...4,0* 4,5* пФ
Емкость корпуса	0,27 пФ
Индуктивность диода	0,06 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Тепловое сопротивление
переход-корпус	АА760А 4
АА760Б-4
Температура перехода
Температура окружающей среды
Энергия активации механизмов отказа 1,8 эВ
не более 25"С/Вт
не более 18°С/Вт
г225°С
-60 . +85'С
Рис 7 74. Зависимости выходной мощности от частоты (а),
спектральной плотности мощности амплитудного и частотного
модуляционного шума от частоты анализа (6)
О 0,25 0,5 O/lSI/If, -60 ~30	0	30	60 ТК,’С
Рис 7 75. Зоны возможных положений зависимостей выходной
мощносги:оттокадиода(а),итемпературы кристаллодержателя (6)
Минимальная наработка	15000 ч
Минимальная наработка в
облегченном режиме (I *0,8 1р)	40000 ч
Срок охраняемости	25 лет
Примечание. Тепловое сопротивление держатель корпус
генератора не более 1,5’С/Вт.
35	36	313, ГГц
Изготовитель: Завод "Пульсар", г Москва
ЗА760А-4, ЗА760Б-4
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные с р-п
переходом, лавинно-пролетные, генераторные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных генераторах
миллиметрового диапазона длин волн в составе гибридных
интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию
206
Предельные эксплуатационные данные
Рвых u < Вт
Pet,хи, Вт
Постоянное напряжение при
Т=+15. .4 85°С ЗА761А	5,6	В
ЗА761Б.В	5,1 В
Т --60’С	ЗА761А	6,4	В
ЗА761Б В	5,8 В
Допустимое значение статического потенциала 1000 В
Р/Р(0,Змкс)
-60 ~30 О 30 60 тк,°с
Рис.7.76. Зоны возможных положений зависимостей выходной
импульсной мошности от частоты-для ЗА760А-4 (а) и ЗА760Б-4
(б); от относительного значения рабочего тока-для ЗА760А 4 (в)
и ЗА760Б 4 (г); от длительности импульса (д) и температуры
кристаллодержателя (е)
Энергия активации процессов отказа
Температура корпуса
Температура окружающей среды
Минимальная наработка при Т +43“С
1,14 эВ
ь85°С
60 ..+70“С
15000 ч
-60
О 60 тк°с
Рис 7.77 Зоны возможных положений зависимостей' рабочего
напряжения от температуры (а); выходной мошности от частоты
(б) и температуры корпуса (в)
Изготовитель: Завод ’’Пульсар", г Москва
ЗА761А, ЗА761Б, ЗА761В
Диоды арсенидогаллиевыс, мезаэпитаксиальные, на эф-
фекте Ганна, генераторные. Предназначены для примене-
ния в генераторах миллиметрового диапазона длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе типа КД-107
сжесткими выводами. Габаритный чертеж соответствует при
бору ЗА615 (рис.6.26). Тип диода приводится на групповой
таре Масса диода не более 0,1 г. Пример записи условного
обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 3A76IA аАО. 339.791 ТУ
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот ЗА761А 225. 300* 470* мВт
ЗА761Б 225...270* 450* мВт
ЗА761В
Рабочий диапазон частот ЗА761А
ЗА761Б
ЗА761В
Постоянный рабочий ток для
ЗА761Апри U =5,5 В
ЗА761Б В приОр 5,0 В
Сопротивление диода (1=10 мА)
при Т +25 и -* 70'С
Т=-60”С
Ем кость корпуса
Индуктивность диода
225 .250*...400* мВт
25,95. .29,33 ГГц
29,33. .33,33 ГГц
33,33. 37,50 ГГц
0,85* .1,2*.. 1.45 А
0,3...0,6*...1,6 Ом
0,25...1,3 Ом
нс более 0,5 пФ
ис более 0,35 нГн
Рнс.7 78 Зависимость минимальной наработки от температуры
корпуса диола
Изготовитель: Томский завод при НИИ полупроводнико-
вых приборов
ЗА762А, ЗА762Б, ЗА762В, ЗА762Г, ЗА762Д,
ЗА762Е, ЗА762Ж, ЗА762И, ЗА762К, ЗА762Л
Диоды арсенидогаллиевыс, мезаэпитаксиальные, на эф-
фекте Ганна, генераторные. Предназначены для применения
в генераторах трехсантиметрового диапазона длин волн в
импульсном режиме. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе типа КД 109 с жесткими выводами. Габаритный
чертеж соответствует прибору 2А706 (рис.7.13). Тип диода
приводится на групповой таре В групповой упаковке
указывается индивидуальное импульсное рабочее напряжс-
207
нис для каждого диода Масса диода нс более 0,15 г. II римср
записи условного обозначения при заказе и в конструк
торской документации: диод СВЧ ЗА762А, аАО.339.792ГУ. -
Э гекгрическне параметры
Минимальная импульсная мощность
в рабочем диапазоне частот
(tH= 100 hc,Q 2 1000)	25...30*...40* Вт
Рабочий диапазон частот ЗА762А 8,24 8,50 ГГц
ЗА762Б 8,50...8,90 ГГц
ЗА762В 8,90 9,30 ГГц
ЗА762Г 9,30 ..9,70 ГГц
ЗА762Д 9,70... 10,1 ГГп
ЗА762Е 10,1 10,5 ГГц
ЗА762Ж 10,5 10,9 ГГц
ЗЛ762И 10,9...11 3 И ц
ЗА762К 11,3 .11,7 ГГц
3A762J1 11,7. 12,05 ГГц
Рабочее импульсное напряжение,
идивидуальное для каждого диода,
ЗА762А-Д	60.. 120 В
ЗА762Е Л	60... 100 В
Импульсный рабочий ток
Сопротивление диода (I = ОмА) при
Т=125°С
Т=-60 С
1 +85С
Емкость корпуса
Индуктивность диода
кпд
10*. 15* .25 А
0,2...0,3...0,5 Ом
0,13.0,5 Ом
0,2. 0,65 Ом
0,2 - 0,5 пФ
0,2 0,5 ггГн
3*...4,5*...6,0* %
Пре дельные эксплуатационные данные
Импульсное напряжение	U +8,0 В
Значение допустимого статического потенциала Ю(То В
Температура окружающей среды	-60 . +85"С
Энергия активации механизмов отказа	1,00 эВ
Минимальная наработка	15000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Примечания: 1. Эффективное значение тока подогре-
ва не должно превыгпат ь 3,5 А, а максимальное значение им-
пульсного и пульсирующего тока подогрева нс должно пре
вышать 7 А 2. При настройке диодов в генераторной камере
на заданные выходную мощность и часгогу допускается
подстройка рабочего импульсного напряжения в пределах
Ц.р+ 8 В.
Рис 7 79. Зоны возможных положений зависимостей импу гьегтой
выходной мощности от частоты (а) и температуры корпуса диола (б)
Рнс.7.80 Зависимость минимальной наработки от температуры
корпуса диола
Изготовитель: I омский завод при ПИИ полупроводнико-
вых приборов.
ЗА763Л, ЗА763Б, 3A763B, .ЗА763Г, ЗА763Д,
ЗА763Е,ЗА763Ж, 3A763K, ЗА763Л, 3A763M
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные, на аф-
фекте Ганна, генераторные. Предназначены для примене-
ния в генераторах миллиметрового диапазона длин волн.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе типа КД 130
с жесткими выводами (рис.7.81). Тип диода приводится на
групповой таре Масса диода не более 0,1 г Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации диол СВЧ 3A763A. АГЯР.432137.022 ТУ.
Вывод 1
Рис. 7.81
ВывоЗ 2
> гектрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот ЗА763Л	200.. 250*. .300* мВт
ЗЛ763Б	150...210*. .260* мВт
3A763B	130...170* .230* мВт
ЗА763Г, Д	100 120* .15 * мВт
3A763E, Ж	60...75*..90* мВг
ЗЛ763И	40...60*...80* мВг
ЗА763К	30 ..50* . 60* мВг
3A763JI, М	25 .40* . 50* мВт
Рабочий диапазон частот ЗЛ763А	37,0.. 38,0 ГГц
ЗА763Е	38 0 40,0 ГГц
3A763B	40,0...42,0 ГГц
ЗА763Г	42,0...47,0 ГГц
ЗА763Д	47,0...50,0 ГГц
ЗЛ763Е	50,0...52,6 ГГц
ЗЛ763Ж	52,6...56.0 ГГц
ЗЛ763И	56.0 .60,0 ГГц
3A763K	60,0...70,0 ГГп
3A763J1	70,0 .78,3 П ц
3A763M	37,50. 53,57 1 Гц
Постоянное рабочее напряжение	
ЗА763Л.Б	.3,0...5.0 В
ЗА763В-Д	3,0. 4,5 В
3A763I Ж	3,0. .6,0 В
Постоянный рабочий гок при максимальггом рабочем напряжении	
ЗЛ763А-Д	11* 1,2*. .1,5 А
208
1 A763I ж.м
ЗА763И-Л
Сопротивление диода (I = 10 мА)
Емкость корпуса
Индукт явность диода
1,0* 1,1* 1,5 А
1,0* 1,1* 1,3 А
0,2..0.5* 1,5 Ом
нс более 0,5 нФ
нс более 0,35 пГн
ЗА764А,ЗА764Б
Предельные кептуатаиионные данные
Постоянное напряжение, Umax при
Т	+ 15...+85’С ЗА763А.Б	5,0	В
ЗА763В-Д	4,5 В
3A763E М	6,0	В
Т	-60 С	ЗА763А.Б	5,5	В
3A763B 1	5,0	В
3A763E-M	6,5 В
Допустимое значение статического потенциала 1000 В
Энергия активации процессов отказа	1,14	эВ
Тсмнсразура корпуса	+85	С
Температура окружающей среды	60	...+70*С
Минимальная наработка при Гк=т 35 С	25000 ч
Срок сохраняемости	25 лет
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эф-
фекте Ганна, генераторные. Предназначены для примене-
ния в широкополосных генераторах милли метрового диапа
зона длин волн.Выпускаются в мста-тлоксрамическом корпу-
се типа КД-107 с жесткими выводами. Габаритный чертеж
соответствует прибору ЗА615 (рис. 6.26). 1 ип диода приводит-
ся на групповой таре Масса диода нс более 0,1 г Пример
записи условною обозначения при заказе и в конструкторе
кой документации диод СВЧ ЗА764А, АЕЯР.432137.034 ТУ
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность
в рабочем диапазоне частот ЗА764А 75...90*.. 120* мВт
ЗА764Б 50.. 60* 75* мВт
Рабочий диапазон частот	25,95 -37,50 I Г ц
Постоянное рабочее напряжение	2,5...5,5 В
Постоянный рабочий ток (U =5,5 В) 0,9*... 1,2*...1,45 А
Примечания I. Допускается эксплуатация диодов при
температуре корпуса до 1 10“С с соответствующим умсныпс
нием минимальной наработки. 2 В диапазоне температур от
+ 15 то 60‘С IJ изменяется по линейному закону. 3. При
температуре катодного вывода диода менее 5С возможны
нарушения генерации, которые устраняются подогревом
Сопротивление диода (1 = 10 мА)
при Т =+25 и Р70’С
Т=-60'С
Емкость корпуса
Индуктивность диода
0,3 ..0,5* . 1,6 Ом
0,25..1,3 Ом
не более 0,5 пФ
нс более 0,35 нГн
Предельные эксилуа таииогшые данные
катонного вывода.
Постоянное напряжение при
I +15. +85 С
Г -60’С
Допустимое значение статического потенциала
IcMiicpaiypa корпуса
Температура окружающей среды
Минимальная наработка при Тк +43 С
Срок сохраняемости
5,6 В
6,5 В
1000 В
+85°С
-60 .. +70’С
15000 ч
25 лет
Рис 7 82 Зависимости выходной мощности (а) н минимальной
наработки (б) от температуры корпуса диода
Рие.7.84. Зона возможных положений зависимости выходной
мошност и от частоты
Рис.7.83 Зоны возможных положений зависимостей выходной
мощности от частоты- для 3A763A К (a), 3A763J1 (б) рабочего
напряжения от температуры (в)
Изготовитель Томский завод при ПИИ полупроводнико-
вых приборов
P(t)/P(25°C)
14 СВЧ-приборы
209
Рис.7 85 Зависимости- рабочего напряжения (а) и выходной
мощности (6) от температуры,- минимальной наработки от темпе-
ратуры корпуса диода (в)
Изготовитель Томский завод при НИИ полупроводнике
вых приборов.
2А765А-4, 2А765Б-4, 2А765В-4, 2А765Г-4
Диоды кремниевые, мезадиффузиопные, со структурой
типа ptp-n-nt лавнино-пролстные. генераторные. импульс-
ные. Предназначены для применения в генераторах мил-
лиметрового диапазона длин волн в сосгаве гибридных ин-
тегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и за-
щиту приборов ог воздействия влаги, соляного тумана, плес-
невых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного
давления. Выпускаются в бсскорпусном исполнении на
держателях с жесткими выводами (рис.7.86). 1 опарный знак,
тип диода и дата изготовления наносятся на ярлык,
вкладываемый в групповую тару. Значение индивидуально-
го рабочего тока для каждого диода указывается на инди-
видуальном талоне. Масса диода не более 0,2 г. Пример
записи условного обозначения при заказе и в конструкторе
кой докумегпации: диод СВЧ 2А765А-4, AI ЯР.433137.0361У.
Рис. 7.86
Электрические параметры
Минимальная импульсная мощность
при номинальном рабочем токе I ,
(т=100ис, f 10 к! и)
2А765Л 4.2А765Б 4.2А765В 4
2А765Г-4
Рабочий диапазон частот 2А765Л 4
2А765Б-4
2А765В-4
2A765I 4
Пробивное напряжение (lrf{, -5 мА)
Импульсное рабочее напряжение
Импульсный рабочий ток
КПД
не менее 5 Вт
нс менее 10 Вт
54. .58 1 1 ц
58..62 1 1 и
62. .68 1 1 ц
54 .58 1 1 и
17 .30 В
18*. 40* В
3,0*...10,0* А
3,0*...7,0* %
Импульсное тепловое сопротивление 0,5* .2,0* С/Вт
Общая емкость диола (И 0 В) 3* 15* нФ
Емкость перехода диода	2,75* ..14,75* пФ
Предельные эксплуатационные чанные
Импульсный рабочий ток
(tH < 100 нс, f < 10 кГц) при
Т 60 .+85 С	1
ГН
Импульсная рассеиваемая
мощность (tH< 100 нс, 1< 100 кГн)
при Т -60.. +85 С	100... 300 Вт
Длитетьность импульсов рабочею тока не более 100 нс
Частота повторения импульсов	не более 100 кГц
Значение допустимого статического
потенциала	200 В
1’смпсратура окружающей среды
Максимально допус т и м ый
перегрев структуры
Минимальная наработка в сосгаве ГС
Срок сохраняемости в составе 1 С
-60 ...Тк г 70 С
180’С
15000 ч
25 лет
II р и м с ч а н и я: Тепловое сопротивление держатель-
корпус генератора нс более 2"С/Вг.
1 нс.7 87 Записимосттт выхолпой импульсной мощности ототпость
телыюто изменения рабочего импульсного тока (а), частоты (б)
и температуры (в), емкости перехода от обратного напряжения
Изготовитель: Нальчикский завод полупроводниковых
приборов.
2А766А-4, 2А766Б-4, 2А766В-4, 2А766Г-4,
2А766Д 4, 2А766Е-4, 2А766Ж 4 2А766И-4,
2А766К-4, 2А766Л-4, 2А766М-4, 2А766Н-4
Диоды кремниевые, мезадиффузиопные, со структурой
тина р-р п-пТ лавинно-продетые, геперо горные. нмпу тьс-
пые Предназначены для применения в генераторах милли
метрового диапазона длин волн в составе гибридных инте-
гральных микросхем, обеспечивающих гермеги затшю и за
щиту' приборов от воздействия плат и. соляного ту мана, п лесне-
вых трибов, инея и росы, пониженного и повышенного дав
лепття Выпускаются в бсскорпусном исполнении па держа-
телях с жесткими выводами Габаритный чертеж соотвегсгву
ст прибору 2А765 (рис 7.86). Товарный знак, тип диола и таза
и потопления наносятся на ярлык, вкладываемый в труттпо-
210
иую lapy. Значение инливилуа.чыкио рабочей, кжа для каж
дого липла указывается На нплипидуатыюм галоне. Масса
липла нс более 0,5 1. Пример записи условного обозначения
при заказе и в к<»нс|рук|орской докумс1па11ии:диод ( В'1
2Л752Л-4, аЛО.339.656 1У.
) тектричеекис параметры
Минимальная импульсная мощность
при номинальном рабочем юкс 1
(t,	100 нс. Г 10 кГц)
2Л766Л 4.2Л766Б-4.2.А766В-4
2Л7661 -4.2Л766Д 4.2Л7661 4
2Л766Ж 4 2А7ббИ-4.2Л76бК 4
2А766Я 4.2А766М-4.2А766П 4
Рабочий диапазон часки
2Л766А 4.2Л766Г 4
2А766Ж-4.2А76611-4
2А766Б-4.2Л766Д 4,
2А766И 4.2А762М 4
2А766В-4, 2A7116I 4
2А766К 4.2А766Н-4
Пробивное напряжение (1	5 мА)
Импульсное рабочее напряжение
Импульсный рабочий юк
2А766Л 4.2А766Б-4.2Л766В-4
2А766Г-4.2А766Д 4.2А766Е-4
2Л766Ж-4.2Л766И-4,2А766К 4
2Л766Д-4.2А766М 4.2А766П 4
кпд
Импульсное тепловое сопрошияспис
2А766А 4.2Л766Б 4.2Л766В 4
2А766Г 4.2Л766Д 4.2Л7661-4
2А766Ж 4.2Л766И-4.2А766К 4
2Л726Л-4.2А766М 4.2А76611-4
Обшая емкость диода (II 0 В)
2А766А-4,2Л766Б 4.2А766В-4
2А766Г-4,2Л766Д-4,2Л766Е 4
2Л766Ж 4.2А766И-4.2А766К-4
2Л766Л-4 2А766М-4.2Л766И 4
Гмкосп, корпуса
Гмкосп, перехода
2А766А-4.2А766Б-4.2А766В-4
2А7661 4.2Л766Д-4.2А766Г.-4
2Л766Ж 4.2А766И 4.2А766К 4
2Л76611-4.2Л766М 4.2Л766П-4
0.5. .2* Bi
2,0.. 5 Bi
5... 19 Bi
пс менее 1(1
Bi
88 ...02 1 Гп
92 .96 ГГн
96... 100 П и
ис более 20 В
10 .30 В
0.4...3,0 А
1,0. 7,5 А
3,0... 12 А
5,0. .15 Л
пс менне 2.5 %
пс более !()*‘С/Вт
пе более 5*'С/Вт
ие более 2* ( /Вг
ме бо icc 2*’C/Bi
1,3* 1,5* 3 0* пФ
1.5* 2.0* 5,0* нФ
2,0*. .5,0*...10* пФ
5.0* 7,0* 12* пФ
0.16*. 0.17* .0.18* пФ
1.14* . 1,33* .2,82* пФ
1.34* 1,83*. .4,82* пФ
1.84*. 4 83*. .9,82* нФ
4,84*...6,83*.. 11,82* пФ
Предельные ikcii rva [анионные тайные
Импульсный рабочий юк (1п< 100 ис.
Г< 10 кГц) при Г 60 170 С
Д.1И1С 1Ы1ОС1В импульсов
рабочею юка
Частот иоыореппя нмвстьсов
Значение допустимого
стгпческого потенциала
Гемнерагура окружавшей среды
Минимальная наработка в сосзаве I Г
Минимальная наработка в составе
1 ( и об lericHiioM режиме
(I 5 к! п 1,< ЮО пс)
< рок сохраняемое in в составе 1 (
нс более 130 нс
не более 10 кГц
200 В
-60 Гк= I 70’С
15 000 ч
25000 ч
25 ли
11 р и м с I а п и я 1. Тепловое сопротивление держатель-
корпус генератора пе ботее 2 С/Вт 2 Допускается увсличс
пие часкны повюрепия импульсов до 50 кГц с cooihci
стуюшим уменьшением чинима тыюй нарабогки до 3000 ч
3. (lniQHieniie импульсною рабочею юка к импульсной вы-
ходной МОШНОС1И пе должно превышать 1,5 Л/Вт.
Рис 7.88 <aiiiKTiMociHin.ixo iii<>H ПМ1Ц.И.СНОЙ MOIH1IOCIH от чакю
гы (а), относительного изменения рабочего импульсного тока (б)
н ieMiiepaiypl.1 (в)
Изготовитель: Нальчикский завод полупроводниковых
приборов.
ЗА767А, 3X767 Б
Дн<ШИ apccuiijioia.irneBi ic >п и I аксиальные с р и псрехо
доч, iiaBiiiiiio-iipoxenibic, > иерагоппыс. Предназначены для
применения в импульсных -сцераюрах сантиметрового
диапазона длин волн. Выпускаются в металлокерамическом
корпусе типа КД-110Б с жесткими выводами Габаритный
чертеж соответствует прибору 3A730 (pi;. '’.39). Тип диода и
полярность приводятся на иикегке. вкладываемой и труп
повую тару Значение индивидуального рабочего тока для
каждого диола указывается на индивидуальном талоне? Ди
оды маркируются цветной полоской на боковой поверхно-
сти плюсового вывода ЗА767А-черпой и красной, ЗА767Б-
жслтон и черной. Масса диода не более 0.2 г. Пример записи
условного обозначения при закат и в конструкторской
Юкумсшаиии диол СВЧ ЗА767А. АЕЯР.432130.087 ТУ.
) тскт])ичсские параметры
Минимальная выходная импу 1ьсная
MoniHocii, в рабочем диапазоне	
час нч	ЗА767А
	ЗА767Б
Рабочий диапазон частот	
Пробивное напряжение (1	3 мА)	
При	1 =25 (
	Т -+ 85*С
	1 -60 С
Импульсный	ЗА767А
рабочий юк	ЗА767Б
10 .14*.. 2(1* Bi
20 .22* 30* Bi
9,0... 10 I I it
4S „65 В
43. .80 В
30. 65 В
1 0* 2.0* А
1 3* 2.5* А
211
14
КПД	ЗА767А
ЗА767Б
Импульсное рабочее напряжение
Емкость перехода ЗА767А
ЗА767Б
Емкость корпуса
Индуктивность диода
12 ...15*...18* %
15 ...17* .20» %
50*...70* В
3.5* .4,0* 5,5 нФ
4,0*...5,0*. .6,0 пФ
0,70 пФ
0,1 нГн
Пре тельные эксплуатационные данные
Импульсный рабочий ток в дина-
АА768ААА768БЛА768ВЛА768ГЛА768ДЛА768Е
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные, на
эффекте Ганна, генераторные. Предназначены для приме
нения в генераторах миллиметрового диапазона длин волн
Выпускаются в металлокерамическом корпусе типа КД 130
с жесткими выводами. Габаритный чертеж соответствует
прибору 3A763 (рис.7.81). Тип диода приводится на труп
повой таре Масса диода не более 0,1 г. Пример записи
условного обозначения при заказе и в конструкторской
документации, диод СВЧ АА768А, АДБК.432130.343 ТУ
мическом режиме при генерации
СВЧ-мощпости, Т -60...т 85 С
((„= 10 мкс. Q = 100)
Импульсный рабочий ток в стати-
ческом режиме (без генерации
СВЧ-мошности)
Допустимое значение статического
потенциала
Температура окружающей среды
Минимальная наработка
Минимальная наработка и
облегченном режиме при
I 0,81р, Т,=+65°С
Срок сохраняемости
не более 11111ЛЦП
нс более 111рЛДГ|
2000 В
-60 ... । 85°С
25 000 ч
50000 ч
25 лет
Примечания. 1. Тепловое сопротивление держатель-
корпус генератора не более 1,5 С/Вт. 2. Питание диода разре
шается только ог источника с внутренним дифференциаль-
ным сопротивлением нс менее 100 Ом.
Рис 7 89. Зона возможных положений зависимостей выходной
мошности'.от частоты-для ЗА767А (а), ЗА767Б (б) длительности
импульса-для ЗА767А (в), ЗА767Б (г); температуры корпуса (д) и
гока-для	(е), ЗД767 Ь (ж)
Изготовитель: Завод "Пульсар”, г Москва
Электрические параметры
Минимальная непрерывная мощность в рабочем диапазоне частот	АА768А	5...6,5*...8* мВт
АА768Б	7...8,5*. 10* мВт
АА768В	10 ..13,5*..17* мВт
АА768Г	15... 18,5*.. 22* мВт
АА768Д	3 4,25* 5,5* мВт
АА768Е	5 7* 9* мВт
Работай диапазон частот Частота fp задается потребителем	fp ± 0,5 ГГц
из диапазона частот для АА768А, АА768Б, АА768В. АА768Г	33,00. 42.00 1 Гц
АА768Д, АА768Е	42,00 ..55,00 ГГц
Постоянное рабочее напряжение АА768А, АА768Б , АА768В, АА7681	не более 4,0 В
АА768Д, АА768Е Постоянный рабочий ток	не более 3,5 В
АА768А	0,04»...0,055*...0,7 А
АА768Б	0,8* 0,105* .0,13 А
АА768В	0,13»...0,155»...0,18 А
АА768Г	0,18*...0,21»...0,24 А
АА768Д	0,09*...0,11*...0,13 А
АА7681:	0,12» ..0,15* .0,18 А
Сопротивление диода (I = 10 мА) при Т=+25°С АА768А	3...1О*..13 Ом
АА768Б	3...7»...13 Ом
АА768В, АА768Д	3. 5* . 13 Ом
АА768Г, АА768Е	2,5...3»..13 Ом
приТ=+85’С АА768А, АА768Б,	
АА768В АА768Д, АА768Е	3,0. 16 Ом
АА768Г	2,5...16 Ом
при Т 45°C АА768А, АА768Б,	
АА768В, АА768Д, АА768Е	1,0...13 Ом
АА768Г	0,5... 13 Ом
Емкость корпуса	не более 0,5 пФ
Индуктивность диода	не более 0,35 нГн
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение
АА768А, АА768Б, АА768В АА768Г не более 4 0В
АА768Д АА768Е, не более	3,5 В
Значение допустимого статического
потенциала	(ООО В
Температура корпуса	*85° С
Температура окружающей среды	60 .. +70° С
Минимальная наработка при 1 +25°С	25 000 ч
Срок сохраняемости	10 лет
Изготовитель Томский завод при НИИ полупроводнике
вых приборов.
Прямая таблица косвенных аналогов генераторных
диодов Ганна
Тин диода (отечеств.)	Тип диода (зарубежи.)	Корпус	Фирма- изготовитель
ЗА705А	МА49135	S356a	M/ACommSemi
ЗА705А	МА49151	F115	M/ACommSemi
ЗА705А	ND7F07-1R	S268b	NEC CorpJA
ЗА705А	ND7IW-5I	Fl 15	NEC CorpJA
ЗА705Б	GC5605B	Fl 15	Freq Source
ЗА705Б	GC5607B	Fl 15	Freq Source
ЗА705Б	GC5643B	Fl 15	Freq Source
ЗА705Б	МА49136	S428	M/ACommSemi
ЗА705Б	МА49152	F115	M/ACommSemi
ЗА705Б	МА49195	S43Od	M/ACommSemi
ЗА705Б	ND7F07-1R	S268b	NEC CorpJA
ЗА705Б	ND7F07-5F	Fl 15	NEC CorpJA
ЗА705Б	ND7G07-1R	S268b	NEC CorpJA
ЗА705Б	ND7G07-5F	Fl 15	NEC CorpJA
ЗА705Б	ND7G07-5G	1115	NEC CorpJA
ЗА716Б	ML4921	S43Od	MicrowvAssc
ЗА716Г	ML4921	S43Od	MicrowvAssc
ЗА718Д	CXY24A	S430e	PhilipsElec
ЗА718Е	CXY24A	S430c	PhilipsElec
ЗА718И	CXY24A	S430c	PhilipsElec
ЗА718К	CXY24A	S430e	PhilipsElec
ЗА720А	DGB9254	S430e	Alphaindust
ЗА720А	DGB9255	S430e	Alphaindust
ЗА720А	DGB9256	296-001	Alphaindust
ЗА722А	DGB9211	Fl 15	Alphaindust
ЗА722А	DGB9212	S268b	Alphaindust
ЗА722А	DGB9213	F160	Alphaindust
ЗА722А	DGB9214	S430e	Alphaindust
ЗА722А	DGB9215	S430c	Alphaindust
3A723A	DGB9221	Fl 15	Alphaindust
3A723A	DGB9222	S268b	Alphaindust
3A723A	DGB9223	F160	Alphaindust
3A723A	DGB9224	S430e	Alphaindust
3A723A	DGB9225	S430e	Alphaindust
ЗА724А	TJGB9234	S430e	Alphaindust
ЗА724А	DGB9235	S430e	Alphaindust
ЗА724А	DGB9236	296-001	Alphaindust
ЗА726Г	МА49164	F27f	M/ACommSemi
ЗА726Д	МА49164	F27f	M/ACommSemi
ЗА727А	АН610	W3	ThmsnCSFFI t
ЗА727А	АН621	W3	ThmsnCSFI -TC
ЗА727А	МА49181-138	S430d	M/ACommSemi
ЗА727А	ML4963	S430d	MicrowvAssc
ЗА727А	ND7II45-1T	S430e	NFC CorpJA
ЗА727Б	АН605	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА727Б	АН616	W3	ThmsnCSIl:I C
ЗА727Б	МА49181 138	S430d	M/ACommSemi
ЗА727Б	ML4963	S430d	MicrowvAssc
ЗА727Б	ND7H45-1Г	S430e	NEC CorpJA
ЗА727В	АН616	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА727В	Al 1617	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА727В	Al 1618	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА727В	МА49181 138	S430d	M/ACommSemi
ЗА727В	МА49193	S430d	M/ACommSemi
ЗА727В	МА49193-138	S430d	M/ACommScmi
ЗА727В	М1Д962	S430d	MicrowvAssc
ЗА727В	ML4963	S430d	MicrowvAssc
ЗА727В	ND7H45-1T	S430e	NEC CorpJA
ЗА727Г	AH618	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА727Г	MA49181-138	S430d	M / ACommSemi
ЗА727Г	ML4963	S430d	MicrowvAssc
3A728A	GC5605H	Fl 15	Freq Source
ЗА728Б	CXY24A	S430e	PhilipsElec
3A728B	CXY24A	S430c	PhilipsElec
3A728B	CXY24B	S430e	PhilipsElec
3A736A	DGB8211	FT15	Alphaindust <
ЗА736Б	DGB8121	Fl 15	Alphaindust
ЗА736Б	DGB8131	F115	Alphaindust
ЗА736Б	DGB8181	F115	Alphaindust
ЗА736Г	DGB8241	F115	Alphaindust
ЗА736Г	DGB8291	Fl 15	Alphaindust
ЗА736Д	DGB8141	Fl 15	Alphaindust
ЗА736Д	DGB8241	F115	Alphaindust
ЗА736Д	DGB8291	F115	Alphaindust
3A736E	DGB8141	Fl 15	Alphaindust
3A740B	Al 1684	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА740Б	Al 1683	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА740Г	AH684	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА740Д	AH684	W3	IlimsnCSFEFC
ЗА740Д	AH685	W3	ThmsnCSFEFC
3A740E	AH685	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА740Ж	AH685	W3	ThmsnCSFEFC
3A741B	AH800	W3	ThmsnCSFEFC
3A741B	MA49840-138	S430d	M/ACommSemi
ЗА741Г	AH800	W3	'IlimsnCSFEFC
ЗА741Г	MA49840-138	S430d	M/ACommSemi
3A753A-H	MA49137	S428	M/ACommSemi
3A753A-H	MA49140-118	S430c	M/ACommSemi
3A753A H	MA49153	Г115	M/ACommSemi
3A753A-H	М1Д901	S356a	MicrowvAssc
ЗА753А-П	DGB8411	1115	Alpha ndust
ЗА753А-П	DGB8412	S268b	Alphaindust
ЗА753А-П	DGB8413	F160	Alphaindust
ЗА753А-П	DGB8414	S430e	Alphaindust
ЗА753А-П	DGB8415	S430e	Alphaindust
ЗА753Б	GC5645B	F115	Freq Source
ЗА753Б	ND7160-5F	Fl 15	NFC CorpJA
ЗА753Б	ND7161-5F	Fl 15	NEC CorpJA
3A753B	GC5645B	Fl 15	Freq Source
3A753B	ND7160-5F	Fl 15	NEC CorpJA
3A753B	ND7161-5F	F115	NEC CorpJA
3A753B-H	GC5610B	F115	Freq Source
3A753B-II	ND7H07-1R	S268b	NEC CorpJA
3A753B-H	ND7H07-5F	Fl 15	NEC CorpJA
ЗА753Ж	GAOIOOC-D	Fl 15	Siemens Akt
ЗА753Ж	GAOIOOC H	M1068	Siemens Akt
ЗА753И	GAOIOOC-D	Fl 15	Siemens Akt
ЗА753И	GAOIOOC-H	M1068	Siemens Akt
ЗА753И	ND7260-5F	Fl 15	NEC CorpJA
ЗА753И	ND7261-5F	Fl 15	NEC CorpJA
3A753M	GAOIOOF-D	F115	Siemens Akt
3A753M	GAOIOOF-H	M1068	Siemens Akt
3A754A-C	DGB8421	Fl 15	Alphaindust
3A754A-C	DGB8422	S268b	Alphaindust
3A754A-C	DGB8423	F160	Alphaindust
3A754A-C	DGB8424	S430e	Alphaindust
3A754A-C	DGB84245	S430e	Alphaindust
3A754A-C	GC5610D	Fl 15	Freq Source
3A754B	GAOIOOD D	Fl 15	Siemens Akt
3A754B	GAOIOOD-H	M1068	Siemens Akt
ЗА754Г	GAOIOOD-D	Fl 15	Siemens Akt
3A754I	GAOIOOD H	M1068	Siemens Akt
213
ЗА754Ж	GAOIOOE-D	Fl 15	Siemens Akt
ЗА754Ж	GAOIOOE-Il	M1068	Siemens Akt
ЗЛ754Ж	GC5645D	F115	Freq Source
ЗА754И	GAOIOOE-D	F115	Siemens Akt
ЗА754И	GAOIOOE-H	M1068	Siemens Akt
ЗА754И	GC5645D	Fl 15	Freq Source
ЗА754М	GAOIOOF-D	Fl 15	Siemens Akt
ЗА754М	GAOIOOF-H	M1068	Siemens Akt
ЗА754Н	GAOIOOF-D	F115	Siemens Akt
ЗА754Н	GAOIOOF-H	M1068	Siemens Aki
ЗА755А-С	GC5615E	Fl 15	Freq Source
ЗА755А-П	DGB8432	S268b	Alphaindust
ЗА755А-П	DGB8433	F160	Alphaindust
ЗА755А-П	GD514D	F27ac	Freq Source
ЗА755А-П	ND7H15-1R	S268b	NEC CorpJA
ЗА755А-П	ND7H15-5F	F115	NEC CorpJA
3A755A-II	ND7J15-1R	S268b	M C CorpJA
ЗА755А-П	ND7J15-5I	Fl 15	NEC CorpJA
ЗА755Б	GC5646E	F115	Freq Source
ЗА755Б-С	GC5610E	Fl 15	Freq Source
ЗА755К	ND7190-5F	Fl 15	NEC CorpJA
3A755JI	GAOIOOI-D	Fl 15	Siemens Aki
3A755J1	GAOIOOI-H	M1068	Siemens Akt
3A755JI	ND7190-5F	Fl 15	NEC CorpJA
ЗА755М	GAOIOOI-I)	Fl 15	Siemens Akt
ЗА755М	GAOIOOI-H	M1068	Siemens Akt
ЗА755Р	GC5645P	Fl 15	Freq Source
3A755F	GC56 I	F115	Freq Source
ЗА755С	GC5645F	1115	Freq Source
ЗА755С	GCJ5647F	Г115	I req Source
ЗА761А	ЛН651	W3	IhmsnCSFEFC
ЗА761А	AH652	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА761А	DGB8654	S430e	Alphaindust
ЗА761А	DGB8655	S430e	Alphaindust
ЗА761А	DGB8754	S430e	Alphaindust
ЗА761А	DGB8755	S430e	A phaindust
ЗА761А	MA49177-138	S430d	M ACommSemi
ЗА761А	MA49837-I38	S430d	M ACommSemi
ЗА761А	ML4941	S430d	MicrowvAssc
ЗА761Б	AH651	W 3	ThmsnCSFEFC
ЗА761Б	AH652	W3	Th msnCSH  FC
ЗА761Б	AH653	W 3	IhmsnCSFEFC
ЗА761Б	DGB8654	S430c	Alphaindust
ЗА761Б	IJGB8655	S430c	Alphaindust
ЗА761Б	DGB8754	S430e	Alpha ndust
ЗА761Б	DGB8755	S430e	Alphaindust
ЗА761Б	MA49177-138	S430d	M/ACommSemi
ЗА761Б	MA49837-138	S4.30d	M/ACommSemi
ЗА761Б	ML4941	S430d	MicrowvAssc
ЗА761В	AH653	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА761В	AH654	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА761В	DGB8654	S430c	Alphaindust
ЗА761В	DGB8655	S430e	Alphaindust
ЗА761В	DGB8754	S430e	Alphaindust
ЗА761В	IJGB8755	S430c	Alphaindust
ЗА761В	MA49177-138	S430d	M/ACommSemi
ЗА761В	MA49837-138	S430d	M/ACommSemi
3A763A	AH610	W3	ThmsnCSFEFC
3A763A	Al 1615	W 3	ThmsnCSFEFC
3A763A	Al 1655	W3	Thmsi CSFF FC
ЗА763Б	Al 1610	W3	IhmsnCSFEFC
ЗА763Б	AH615	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА763Б	AH655	W3	ThmsnC'Sl-'EFC
3A763B	АИ616	W3	ThmsnCSFEFC
3A763B	AH621	W3	TlimsnCSFEFC
3A763B	DCB8566	S430C	Alphaindust
3A763B	DGB8666	S430C	Alpha ndust
3A763B	DGB8766	МЗОе	Alphaindust
3A763B	MA49838-138	S430il	M/ACommSemi
3A763B	Ml/1961	S430d	.MicrowvAssc
ЗА763Г	AH616	W3	IhmsnCSFIU'C
ЗА763Г	Al 1617	W 3	ThmsnCSFEFC
3A763I	Al 1618	W 3	ThmsnCSFEFC
ЗА763Г	Al 1621	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА763Г	Al 1622	W3	IhmsnCSFEI C
3A7631	Al 1623	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА763Г	DGB8566	S430c	Alphaindust
3A763I	DGB8666	S430e	Alphaindust
ЗЛ763Г	MA49838-138	S430d	M/ACommSemi
ЗА763Г	MIA961	S430d	MicrowvAssc
ЗА763Г	\'I)7H5O-1T	S430c	NI('oq>JA
ЗА763Д	Al 1618	W3	IhmsnCSFEFC
ЗА763Д	Al 1623	W3	ThmsnCSFEFC
ЗА763Д	DGB8566	S430c	Alphaindust
ЗА763Д	DGB8666	S430e	Alphaindust
ЗА763Д	МЛ49838-138	S430d	M/ACommSemi
ЗА763Д	MI/1961	S430d	MicrowvAssc
ЗА763Д	ND71I50-1T	-S430c	NEC CorpJA
3A763E	AII619	W3	IhmsnCSFIiFC
3A763E	MA48182-138	S430d	M/ACommSemi
3A763E	MA49182-138	S430d	M/ACommSemi
3A7631-	MIA971	S430d	MicrowvAssc
3A763E	MI/1972	S430d	MicrowvAssc
3A763E	NO7G55-11	S430e	NEC CorpJA
ЗА763Ж	Al 1619	W 3	ThmsnCSFEFC
ЗА763Ж	MA48I82-138	S430d	M/ACommSemi
ЗА763Ж	МЛ49182-138	S430d	M/ACommSemi
ЗА763Ж	MI/1971	S430d	.MicrowvAssc
ЗА763Ж	MI/1972	S430d	MicrowvAssc
ЗА763Ж	ND7G55-11	S430c	NEC CorpJA
ЗА763Ж	ND7G60-1T	S430e	NEC CorpJA
ЗА763И	Al 1620	W 3	ThmsnCSFEFC
ЗА763И	MA48182-138	S430d	M ACommSemi
ЗА763И	MA49182-138	S43011	M/ACommScmi
ЗА763И	MI/1971	S430d	MicrowvAssc
ЗА763И	ML4972	S430d	MicrowvAssc
ЗА763И	ND7G60-1 Г	S430c	NEC CorpJA
3A763K	AH680	W3	IhmsnCSFEFC
3A763K	AH681	W3	IhmsnCSFEFC
3A763K	MA49195	S430d	M/ACbnimScmi
ЗА763Л	Al 1682	W 3	ThmsnCSFEFC
3A763 I	Al 1683	W3	ThmsnCSFEFC
3A763J1 3A764A 3A764A 3A764A ЗА764Б ЗА764Б ЗА764Б	MA49195 DGB9354 DGB9355 DGB9356 DGB9354 DGB9355 DGB9356	S430d	M / ACommSemi Alphaindust Alphaindust Alphaindust Alphaindust Alphaindust Alphaindust
Ovpaniax	таб ища косвенных анаююв диодов Ганна		 еиераторных
Тип диода	Тип диода	'Гии диода	Тип диода
(зарубежн)	( отечеств.)	(зарубежн.)	(отечеств.)
AII605	ЗА727Б	GAOIOOD-D	ЗА754В
Al 1610	ЗА727А	GAOIOOD-D	ЗА754Г
214
АН610 АН610 АН615 АН615 АН616 АН616 АН616 АН616 АН617	3A763A ЗА763Б 3A763A ЗА763Б ЗА727Б 3A727B 3A763B ЗА763Г 3A727B	GAOIOOD-II GAOIOOD-II GAOIOOF-D GAOlOOF-D GAOIOOF-D GAOIOOF-H GAOIOOF-H GAOIOOF-H GAO 1001 D	3A754B ЗА754Г 3A753M 3A754M ЗА75411 3A753M 3A754M 3A754II ЗА755Л	DGB8413 DGB8414 DGB8415 DGB8421 DGB8422 DGB8423 DGB8424 DGB84245 DGB8432	3A753A-II ЗА753А-П 3A753A П ЗА754А-С ЗА754А-С ЗА754А-С ЗА754А-С ЗА754А-С 3A755A-1I	МА49838-138 МА49838-138 МА49838-138 МА49840-138 МА49840-138 ML4901 V1L4921 ML4921 MI/1941	3A763B 3A763F ЗА763Д 3A741B ЗА741Г 3A753A-H ЗА716Б ЗА716Г 3A761A
Al 1617	ЗА763Г	GAO100I-D	3A755M	DGB8433	ЗА755А П	MI/1941	ЗА761Б
АН618	3A727B	GAOIOOI-H	ЗА755Л	DGB8566	ЗА763В	MI/4961	3A763B
АН618	ЗА727Г	GAO1001-II	3A755M	DGB8566	ЗА763Г	MI/1961	ЗА763Г
Al 1618	ЗА763Г	GAOIOOE-D	ЗА754Ж	DGB8566	ЗА763Д	MI/1961	ЗА763Д
AH618	ЗА763Д	GAOIOOE-D	ЗА754И	DGB8654	ЗА761А	MI/1962	3A727B
AH619	3A763E	GAOIOOE-H	ЗА754Ж	DGB8654	ЗА761Б	MI/4963	3A727A
AH619	ЗА763Ж	GAOIOOE-H	ЗА754И	DGB8654	ЗА761В	MI/4963	ЗА727Б
AH620	ЗА763И	GC5605B	ЗА705Б	DGB8655	ЗА761А	MI/4963	3A727B
AH621	3A727A	GC5605II	3A728A	DGB8655	ЗА761Б	MI/4963	ЗА727Г
Al 1621	3A763B	GC5607B	ЗА705Б	DGB8655	ЗА761В	MI/4971	3A763F
Al 1621	ЗА763Г	GC5610B	3A753B-H	DGB8666	ЗА763В	ML4971	ЗА763Ж
AH622	ЗА763Г	GC5610E	ЗА755Б-С	DGB8666	ЗА763Г	ML/4971	ЗА763И
AH623	ЗА763Г	GC5615E	3A755A-C	DGB8666	ЗА763Д	MI/4972	3A763E
AH623	ЗА763Д	GC5643B	ЗА705Б	DGB8754	ЗА761А	MI/4972	ЗА763Ж
AH651	3A761A	GC5645B	ЗА753Б	DGB8754	ЗА761Б	ML4972	ЗА763И
AII651	ЗА761Б	GC5645B	3A753B	DGB8754	ЗА761В	ND7160-5F	ЗА753Б
AH652	3A761A	GC5645F	3A755P	DGB8755	ЗА761А	ND7160-5F	3A753B
AH652	ЗА761Б	GC5645F	3A755C	DGB8755	ЗА761Б	ND7161-5F	ЗА753Б
AH653	ЗА761Б	GC5646E	ЗА755Б	DGB8755	ЗА761В	ND7161-5F	3A753B
AH653	3A761B	GC5647F	3A755P	DGB8766	3A763B	ND7190-5F	3A755K
Al 1654	3A761B	GC5647F	3A755C	DGB9211	ЗА722А	ND7190-5F	ЗА755Л
AH655	3A763A	GD514D	ЗА755А-П	DGB9212	ЗА722А	ND7260-5F	8А753И
AH655	ЗА763Б	GC5610D	3A754A-G	DGB9213	ЗА722А	ND7261-5F	ЗА753И
AH680	3A763K	GC5645D	ЗА754Ж	DGB9214	ЗА722А	ND7F07-1R	3A705A
AH681	3A763K	GC5645D	ЗА754И	DGB9215	ЗА722А	ND7F07-1R	ЗА705Б
AH682	3A763JI	MA48182-138	3A763E	DGB9221	3A723A	ND7F07-5F	3A705A
AH683	ЗА74ОБ	MA48182 138	ЗА763Ж	DGB9222	3A723A	ND7FO7-5F’	ЗА705Б
AH683	3A763JI	MA48182-138	ЗА763И	DGB9223	3A723A	ND7G07 1R	ЗА705Б
AH684	3A740B	MA49135	3A705A	DGB9224	3A723A	ND7G07-5F	ЗА705Б
AH684	ЗА740Г	MA49136	ЗА705Б	DGB9225	3A723A	NP7G07-5G	ЗА705Б
AH684	ЗА740Д	MA49137	3A753A H	DGB9234	ЗА724А	ND7G55-1T	3A763E
AH685	ЗА740Д	MA49140-H8	3A753A-H	DGB9235	ЗА724А	ND7G55-1T	ЗА763Ж
АП685	3A740E	MA49151	3A705A	DGB9236	ЗА724А	ND7G60-1Г	ЗА763Ж
AH685	ЗА740Ж	MA49152	ЗА705Б	DGB9254	ЗА720А	ND7G60-1T	ЗА763И
AH800	3A741B	MA49153	3A753A-II	DGB9255	ЗА720А	ND7H07-1R	3A753B-H
AH800	ЗА741Г	MA49164	ЗА726Г	DGB9256	ЗА720А	ND7H07-5F	3A753B-H
CXY24A	ЗЛ718Д	MA49164	ЗА726Д	OGB9354	ЗА764А	ND7H15 1R	3A755A П
CXY24A	3A718E	MA49177-138	3A761A	DGB9354	ЗА764Б	ND7H15-5F	ЗА755А-П
CXY24A	ЗА718И	MA49177 138	ЗА761Б	IJGB9355	ЗА764А	1SD7H45-1T	3A727A
CXY24A	3A718K	MA49177-138	3A761B	DGB9355	ЗА764Б	ND7II45-1T	ЗА727Б
CXY24A	ЗА728Б	MA49181-138	3A727A	DGB9356	ЗА764А	ND7II45-1T	3A727B
CXY24A	3A728B	MA49181-I38	ЗА727Б	DGB9356	ЗА764Б	ND7H50-1T	ЗА763Г
CXY24B	3A728B	MA49181 138	ЗА7271Г	GAOIOOC-D	ЗА753Ж	ND7H50-1F	ЗА763Д
DGB8121	ЗА736Б	MA49181-138	ЗА727Г	GAOIOOC-D	ЗА753И	ND7J15 1R	ЗА755А-П
DGB8131	ЗА736Б	MA49182 138	3A763E	GAOIOOC II	ЗА753Ж	ND7J15-5F	ЗА755А-П
DGB8141 DGB8141 DGB8181	ЗА736Д 3A736I. ЗА736Б	MA49182-138 MA49182-138 МЛ49193	ЗА763Ж ЗА763И 3A727B	GAOIOOC-II Прямая	ЗА753И та» тица	косвенных аналогов лавинно-	
DGB8211 DGB8241 DGB8241	3A736A ЗА736Г ЗА736Д	MA49193-138 MA49195 MA49195	3A727B ЗА705Б 3A763K	пролетных диодов Тип диода Тип диода Материал Корпус			Фирмз-
DGB8291	3A7361	МЛ49195	3A763J1	(отечеств.) (зарубежн.)			изготовитель
DGB8291 DGB8411	ЗА736Д 3A753A-I1	MA49837-138 MA49837-138	3A761A ЗА761Б	2А706А	МА4987		St	S328	MicrowvAssc
DGB8412	3A753A П	MA49837-138	3A761B	2А706А	PGG204-01		.Si	F27as	Parametric
215
2А706А	PGG204-34	Si	F56x	Parametric	2A709A	VAO13H1N21	Si	N21	Varian Ass
2А706А	PGG204-82	Si	S396a	Parametric	2A709A	HP5082-0400			Hewlett Pkd
2А706А	PG G204-83	Si	S268b	Parametnc	2A709A	HP5082-0400			Hewlett Pkd
2А706А	VAO12DN19	Si	N19	Varian Ass	2А709Б	BXY50	Si	F56	PhilipsElec
ЗАСОЛА	VAO??nN2n	Si	SPO	Varian Ass	'’Л70<)Б	Ml 4111	GaAs	Fl 15	MicrowvAssc
2А706А	VAO12DN21	Si	N21	Vanan Ass	2А709Б	ML4U2	GaAs	S356a	MicrowvAssc
2А706А	VAO12DN22	Si	N22	Varian Ass	2А709Б	M1A704	GaAs	F27as	MicrowvAssc
2А706Б	МА4987	Si	S328	MicrowvAssc	2А709Б	MS825B	GaAs	I"27d	RaythionCo
2А706Б	MS805B	GaAs	I'27d	RaythionCo	2А709Б	PGG208-01	Si	F27as	Parametnc
2А706Б	PGG204-01	Si	I\27as	Parametric	2А709Б	PGG208-34	Si	F56x	Parametric
2А706Б	PGG204-34	Si	F56x	Parametric	2А709Б	PGG208-82	Si	S396a	Parametnc
2А706Б	PGG204-82	Si	S396a	Parametric	2А709Б	PGG208-83	Si	S268b	Parametnc
2А706Б	PGG204-83	Si	S268b	Parametric	2А709Б	VAO13H1N19	Si	N19	Vanan Ass
2А706Б	VAO12DN19	Si	M9	Varian Ass	2А709Б	VAO13IHN21	Si	N21	Vanan Ass
2А706Б	VAO12DN20	Si	N20	Varian Ass	2А709Б	IIP5082 0400			Hewlett Pkd
2А706Б	VAO12DX21	Si	N21	Varian Ass	2А709Б	I1P5082 0400			Hewlett Pkd
2А706Б	VAO12DN22	Si	N22	Vanan Ass	2A709B	MIA 113	GaAs	Fl 15	MicrowvAssc
2А706В	МА4987	Si	S328	MicrowvAssc	2A709B	MIA114	GaAs	S356a	MicrowvAssc
2А706В	PGG203-01	Si	F27as	Parametric	2A709B	PGG2O8-0I	Si	F27as	Parametric
2А706В	PGG203-34	Si	I’56x	Parametric	2A709B	PGG208-34	Si	F56x	Parametric
2А706В	PGG203-82	Si	S396a	Parametnc	2A709B	PGG208-82	Si	S396a	Parametnc
2А706В	PGG203-83	Si	S268b	Parametric	2A709B	PGG208-83	Si	S268b	Parametnc
2А706В	VAO12CN19	Si	N19	Varian Ass	2Л709В	VAO13II1N19	Si	N19	Varian Ass
2А706В	VAO12CN20	Si	N20	Varian Ass	2A709B	VAO13H1N21	Si	N21	Varian Ass
2А706В	VAO12CN21	Si	N21	Varian Ass	2A709B	HP5082-0400			Hewlett Pkd
2А706В	VAO12CN22	Si	N22	Varian Ass	2A709B	IIP5082-0400			Hewlett Pkd
2А706Г	МА4986	Si	S328	MicrowvAssc	2A717A	A5501			HughcsAirCo
2А706Г	PGG203-01	Si	F27as	Parametric	2A717A	MS892B	GaAs	l’27d	RaythionCo
2А706Г	PGG203-34	Si	F56x	Parametric	2А717Л	PGG224-01	Si	17735	Parametric
2А706Г	PGG203-82	Si	S396a	Parametric	2A717A	PGG224-34	Si	F56x	Parametric
2А706Г	PGG203 83	Si	S268b	Parametric	2А717Б	A5501			HughesAirCo
2А706Г	VAO12CN19	Si	N19	Varian Ass	2A717B	A5501			HughcsAirCo
2А706Г	VAO12CN20	Si	N20	Varian Ass	2A717F	A5501			HughcsAirCo
2А706Г	VAO12CN21	Si	N21	Varian Ass	2A729A	VAO23F1N19	Si	M9	Varian Ass
2А706Г	VAO12CN22	Si	N22	Varian Ass	2A729A	VAO23I 1N21	Si	N21	Varian Ass
2А707А	BXY50	Si	1-56	Phil ;IJcc	2А729Б	MIA707	Si	l’27as	MicrowvAssc
2А707А	MIA111	GaAs	F115	MicrowvAssc	2Л729Б	MS856B	GaAs	I'27d	RaythionCo
2Л707А	MIA112	GaAs	S356a	MicrowvAssc	2Л729Б	VAO23F2N19	Si	N19	Varian Ass
2А707А	VAO13H1N19	Si	M9	Varian Ass	2А729Б	VAO231-2N21	Si	N2I	Varian Ass
2А707А	VAO13II1N21	Si	N21	Varian Ass	2Л729В	MS855B	GaAs	I27d	RaythionCo
2А707Б	BXY50	Si	F56	PhilipsElec	3A730A	MS825A	GaAs	S268	RaythionCo
2А707Б	ML4113	GaAs	Fl 15	MicrowvAssc	ЗА730Б	MS825A	GaAs	S268	RaythionCo
2А707Б	ML4114	GaAs	S356a	MicrowvAssc	3A730B	MS825A	GaAs	S268	RaythionQ)
2А707Б	VAO13II1M9	Si	N19	Varian Ass	ЗА730Г	MS825B	GaAs	S268	RaythionCo
2А707Б	VAO13H1N21	Si	N21	Varian Ass	ЗА730И	MS825B	GaAs	S268	RaythionCo
2А707В	BXY51	Si	F56	PhilipsElec	3A'739A	MA46038	GaAs	S268b	M/ACommSemi
2А707В	ML4113	GaAs	Fl 15	MicrowvAssc	iA’l9A	MIAI42	GaAs	S35(>a	MicrowvAssc
2А707В	ML4114	GaAs	S356a	MicrowvAssc	3A739A	MS925A	GaAs	S268	RaythionCo
2А707В	ML4705	GaAs	F27as	MicrowvAssc	ЗЛ739Б	Al 1721	GaAs	W4	ThnisnCSFI;.IrC
2А707Н	MS809B	GaAs	F27d	RaythionCo	ЗА739Б	MA46038	GaAs	S268b	M/ACommSemi
2А707Д	MLA707	GaAs	F27as	MicrowvAssc	ЗА739Б	MIA142	GaAs	S356a	MicrowvAssc
2А707Е	MS855B	GaAs	F27d	RaythionCo	ЗА739Б	MS925A	GaAs	S268	RaythionCo
2А707К	MS806B	GaAs	F27g	RaythionCo	3A739B	Al 1721	GaAs	W4	I'hinsnCSF'EFC
2А707К	MS828B	GaAs	S268	RaythionCo	3A739B	MA46036	GaAs	S268b	M/ACommSemi
2А709А	BXY50	Si	F56	PhilipsElec	3A739B	MIA143	GaAs	S356a	MicrowvAssc
2А709А	ML4111	GaAs	Fl 15	MicrowvAssc	3 X739B	MS925A	GaAs	S268	RaythionCo
2А709А	MIA112	GaAs	S356a	MicrowvAssc	2A743	4710VI1-0105			HughcsAirCo
2А709А	M14 704	GaAs	F27as	MicrowvAssc	3A745A	MA46041	GaAs	S430g	M/ACommSemi
2А709А	MS825B	GaAs	F27d	RaythionCo	ЗА745Б	M1A1I7	GaAs	S430g	MicrowvAssc
2А709А	PGG208-01	Si	F27as	Parametric	3A745B	VSK925B	GaAs	S268	Varian Ass
2А709А	PGG208 34	Si	F56x	Parametnc	3A748A	MS927B	GaAs	S268	RaythionCo
2А709А	PGG208-82	Si	S396a	Parametric	ЗА748Б	Al 1720	GaAs	W4	IhmsnCSFEFC
2А709А	PGG208-83	Si	S268b	Parametric	ЗА748Б	MS927A	GaAs	S268	Ray'hionCjo
2А709А	VAO13H1N19	Si	N19	Varian Ass	3A748B	Al 1730	GaAs	W4	FhmsnCSI I I C
216
ЗА748В MS928B ТЛ74ЯГ Л 117^1	GaAs GaAs	S268 RaythionCo W4 ThmsnCSFEFC		M14113 M14113	2А707В 2А709В	PGG224-01 PGG224-34	2А717А 2А717А
ЗА748Д	Ml Л135	GaAs ЗА748Г	MS928A	GaAs ЗА748Д	ND8P15-5H	Si 3A748E	Al 1740	GaAs		S42oh MicrowvAssc S268 RaythionCo V17 NEC CorpJA W4 ThmsnCSFEFC		MI4114 M14114 М14114 М14117	2А707Б 2А707В 2А709В ЗА745Б	VAO12CN19 VAO12CN19 VAO12CN20 VAO12CN20	2А706В 2А706Г 2А706В 2А706Г
3A748E	ND8S15-1N Si		V17 NEC CorpJA		М14135	ЗА748Д	VAO12CN21	2Л706В
3A748E	ND8S15-5H Si		V17 NEC CorpJA		М14142	3A739A	VAO12CN21	2А706Г
ЗА748Ж ND8P20W-51I Si		V17 NEC CorpJA		М14142	ЗА739Б	VAOI2CN22	2А706В
ЗА748И VSK9250		Vanan Ass		М14143	3A739B	VAO12CN22	2А706Г
2A749	ND8J80W-11 Si		V17 NEC CorpJA		М14704	2А709А	VAO12DN19	2А706А
2A751	A5SO1 2A752	4715411-4111 2A756	ND8G96W-1T	Si		HughesAirCo IIughesAirCo VI? NEC CorpJA		М14704 М14705 М14707	2Л709Б 2А707В 2А707Д	VAO12DN19 VAO12DN20 VAO12DN20	2А706Б 2А706А 2А706Б
2A757	ND8J80W-1I Si		V . 7 NEC CorpJA		М14707	2А729Б	VAO12DN21	2А706А
2A758A	ND8K50W 11	Si 2Л758Б	ND8J60W-1T	Si 2А758Б	ND8J16OV/-1T Si 3A760A	IDKA 100	GaAs		V17	NI C CorpJA V17	NEC CorpJA V17	NEC CorpJA Pill-B	RaythionCo		MS805B MS806B MS809B MS825A MS825A	2А706Б 2А707К 2А707В 3A730A ЗА730Б	VAO12DN21 VAO12DN22 VAO12DN22 VAO13H1N19 VAO13H1N19	2А706Б 2А706А 2А706Б 2А707А 2А707Б
Обратная таи	яйца косвенных аналогов пролетных диодов		lanwHiKi-	MS825A MS825B MS825B	ЗА730В 2А709Л 2А709Б	VAO13H1N19 VAO13H1N19 VAO13H1N19	2А709А 2А709Б 2А709В
Тип диода (зарубежн.)	I ни диода (отечеств.)	'1 ин диода (зарубежн.)	Thii диода (отечеств.)	MS825B MS825B MS828B	ЗА730Г ЗА730И 2А707К	VAO13H1N21 VAO13H1N21 VAO13II1N21	2А707А 2А707Б 2А709А
А5501	2А717А	ND8G96W-H	2A756	MS855B	2А707Е	VAO13H1N21	2А709Б
А5501	2А717Б	ND8J60W-1T	2А758Б	MS855B	2А729В	VAO13H1N21	2А709В
А5501	2A7I7B	ND8J80W-1T	2A749	M.S856B	2А729Б	VAO23F1N19	2А729А
А5501	2А717Г	ND8J80W-1T	2A757	MS892B	2А717А	VAO23F1N21	2А729А
А5501	2А751	ND8P15-511	ЗА748Д	MS925A	3A739A	VAO23F2N19	2А729Б
ЛН720	ЗА748Б	ND8P20W-51I	ЗА748Ж	MS925A	ЗА739Б	VAO23F2N21	2А729Б
AII721	ЗА739Б	ND8S15-1N	3A748E	MS925A	3A739B	VSK9250	ЗА748И
AII721	3A739B	ND8S15-5H	3A748E	MS927A	ЗЛ748Б	VSK925B	ЗА745В
AI1730	ЗА748В	NIWK>0W 1T	2А758Б	MS927B	ЗА748А	4710VH-0105	2А743
АН731	ЗА7481	ND8K50W-1T	2A758A	MS928A	ЗА748Г	47154Н4111	2А752
АН740	ЗА748Е	PGG203-01	2A706B	MS928B	ЗА748В		
BXY50	2А707А	PGG203-01	2A706I				
BXY50	2А707Б	PGG203-34	2Л706В				
BXY50	2А709А	PGG203-34	2А706Г				
BXY50	2А709Б	PGG203-82	2A706B				
BXY51	2А707В	PGG203-82	2А706Г				
НР5082-040	2А709А	PGG203-83	2A706B				
НР5082-С40	2А709А	PGG203-83	2А706Г				
НР5082-040	2А709Б	PGG204-01	2A706A				
IIP5082-040	2А709Б	PGG204-01	2А706Б				
IIP5082-040	2А709В	PGG204-34	2A706A				
IIP5082 040	2А709В	PGG204 34	2А706Б				
IDKA 100	ЗА760А	PGG204-82	2A706A				
МА46036	3A739B	PGG2O4-82	2А706Б				
МА46038	3A739A	PGG204-83	2A706A				
МА46038	ЗА739Б	PGG204-83	2А706Б				
МА46041	ЗА745А	PGG208-01	2A709A				
МА4986	2А706Г	PGG208 01	2А709Б				
МА4987	2А706А	PGG208-01	2A709B				
МА4987	2А706Б	PGG208-34	2A709A				
МА4987	2А706В	PGG208 3-1	2А709Б				
М14111	2А707А	PGG208-34	2A709B				
М14111	2А709А	PGG208-82	2A709A				
М14111	2А709Б	PGG208-82	2А709Б				
М14112	2А707А	PGG208 82	2A709B				
MI4112	2А709А	PGG208-83	2A709A				
ML4112	2А709Б	PGG208-83	2А709Б				
MI4113	2А707Б	PGG208-83	2A709B				
217
ЛИТЕРАТУРА
1	Гусятинер М.С., Горбачев А.И Полупроводниковые сверхвысокочастотныс диоды М Радио и связь, 1983.
2.	Анаид, Морони. Смесительные и детекторные СВЧ-диоды// Полупроводниковые приборы СВЧ/ Пер. с англ. М.: Мир, 1972.
3.	Горюнова К.А., Дрят нн ЮА Об измерении параметров смеси тельных диодов.- Препринт.- (Ш1Ф Al I СССР, \'254), Горький
1990
4.	СВЧ - полупроводниковые приборы и их применение/ под рсд. Г. Уотсона М Мир. С. 174-230.
5.	Эткии В.С., Бертин А.С., Бобров П.П. и др. Полупроводниковые параметрические усилители и преобразователи СВЧ М
Радио и связь, 1983. С. 30-73.
6.	Дзехцер Г.Б., Орлов О.С P-i-n диоды в широкополосных устройствах СВЧ М ' Сов радио, 1970.
7	Либерман Л.С. Сестрорецкий Б.В., Шнирт В.А., Якубень Л.М. Полупроводниковые диоды для управления СВЧ-
мощностью// Радиотехника. Т 27 1972 N5. С. 9-23.
8.	Пильдон В.И. Полупроводниковые умножительные диоды М : Радио и связь, 1981.
9	Царапкин Д.П. Генераторы СВЧ иа диодах Ганна. М дио и связь, 1982.
10.	Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М . Мир, 1991.
11.	Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Г. 2. М. Мир, 1984
12.	Тагер А.С., Вальд-Перлов В.М. Лавинно-пролетные диоды и их применено в технике СВЧ. М.. Сов. радио, 1968.
13.	КаримбаевДД. Павлов Ю.Д., Приходько Г. Л.// Электронная промышленность. 1986. Вып 5. С 21
14.	Архипова Л.И., Карпмбаев Д.Д., Приходько Г. Л.// Электронная промышленность. 1991 Вып. 7. С 81.
218
СОДЕРЖАНИЕ
ПРЕДИСЛОВИЕ......................................................................................... 3
ВВЕДЕНИЕ............................................................................................4
Классификация и система обозначения СВЧ диодов...................................................... 4
ОСНОВНЫЕ СТАНДАРТЫ..................................................................................4
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕК ГРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ......................................................5
Зарубежные аналоги отечественных диодов.............................................................6
Адреса изготовителей СВЧ диодов.....................................................................7
РАЗДЕЛ 1: СМ ЕС И ТЕЛ Ы1 Ы Е ДИОДЫ..................................................................8
2А101А, 2А101Б......................................................................................9
2А102А..............................................................................................10
2А103А, А103Б, 2А103АР, 2А103БР.....................................................................И
2А104А, 2А104АР, КА104А, КА104АР...................................................................12
2А105А, 2А105Б, 2А105АР, 2А105БР...................................................................12
1А106А, 1А106Б, 1А106В, 1А106АР, 1А106БР, 1А106ВР..................................................13
2А107А, 2А107АР....................................................................................14
2А108А, 2А108АР, 2А108АГ..................................-........................................15
2А109Д. 2А109АР....................................................................................16
ЗА110А, ЗАПОБ, ЗА110АР, ЗА110БР, ААПОА, АА110Б, АА110АР, АА110БР...................................17
ЗА111А, ЗА111Б, ЗАШАР, ЗА111БР, ДАША, ААШАР, АА111БР.............................................. 18
ЗА112А. ЗА112АР ЗА112АТ, АА112А, ААП2Б, АА112АР АА112БР ААП2АГ АА112БГ.............................19
ААНЗА-1, ААНЗБ-1...................................................................................20
ЗА114А. АА114А.................................................................................... 21
ЗА115А, АА115А.....................................................................................22
2А116А-1...........................................................................................23
ЗА117А-6, ЗА117Б-6.................................................................................24
2АП8А, 2А118А-6....................................................................................24
ЗАН9А-6............................................................................................26
2А120А, КА120А, КА120Б, КА 120В....................................................................27
ЗА121А, ЗА121АР, АА121.............................................................................28
ЗАС122А-4, ЗАС122Б-4...............................................................................29
3A123A, ЗА123Б, АА123А, АА123Б.....................................................................30
2А124А-6,2А124Б-6, 2А124АР-6, 2А124БР-6..........................................................  31
2А125А-3, 2А125АР-3, 2А125АГ-3....:..............................................................  32
ЗАС127А-4, ЗАС127Б-4...............................................................................33
ЗА129А, ЗА129Б, АА129А, АА129Б.....................................................................34
3A130AC-3, ЗА13ОБС-3...............................................................................36
2А131А-3...........................................................................................37
2А132А, 2А132АР, 2А132А1 2А132А-5, 2А132АР-5 2А132АГ-5, КА132А КА132Б, КА132В, КА132А-5 КА132Б-5...38
3A133A, ЗА133Б.....................................................................................39
3A134A-6, 3A134AP-6, ЗА134АГ-6.....................................................................41
3A135A-3, ЗА135Б-3.................................................................................41
3A136A, ЗА136Б.....................................................................................43
3A137A, ЗА137Б, 3A137AP, ЗА137БР, ЗА137АГ, ЗА137БГ, 3A137A-5. ЗА137Б-5.............................44
3A138A-3, ЗА138Б-3, 3A138B-3.......................................................................45
2А139АС-4, 2А139БС-4...............................................................................47
3A140A-3, ЗА140Б-3.................................................................................48
ЗА141А.............................................................................................49
ЗА142А-5,4А142А-5..................................................................................50
3A143AC-3, ЗА143БС-3, 3A143BC-3....................................................................51
2А144А.............................................................................................52
2А145А, 2А145Б, 2А145В, 2А145А-5, 2А145Б-5, 2А145В-5, 2А145А-9, 2А145Б-9, 2А145В-9.................53
2А146АС-4, 2А146БС-4...............................................................................54
3A147A-3, ЗА147Б-3, 3A147B-3.......................................................................55
Прямая таблица полных аиалогоп смесительных диодов.................................................56
Обратная таблица полных аналогов смесительных диодов...............................................59
Прямая таблица косвенных аналогов смесительных диодов..............................................61
Обратная таблица косвенных аналогов смесительных диодов ....................................       64
РАЗДЕЛ 2 : ДЕТЕКТОРНЫЕ ДИОДЫ.....................................................................<..66
2А201А.............................................................................................67
2А202А.............................................................................................68
219
2А203А, 2А203Б....................................................................................................................«*
АА204А-6, АА204В-6................................................................................................................69
ЗА206А-6..........................................................................................................................70
2А207А-6, 2А207АГ-6, 2А207АР-6, КА207А-6......................................................................................... 71
ЗА208А, АА208А....................................................................................................................71
2А209А-3,2А209Б-3.................................*...............................................................................72
Прямая таблица полных аналогов детекторных диодов..................................................»..............................73
Обратная таблица полных аналогов детекторных диодов.............................................................................. 73
Прямая таблица косвенных аналогов детекторных диодов..............................................................................73
Обратная таблица косвенных аналогов детекторных диодов............................................................................73
РАЗДЕЛ 3 : ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ ЛАВИННЫЕ ...........................................................................74
ЗД530А, ЗД530Б....................................................................................................................75
АА732А, АА732Б....................................................................................................................75
АА742А, АА742Б....................................................................................................................76
ЗА801А-6..........................................................................................................................76
РАЗДЕЛ 4: ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ ДИОДЫ.................................................................................................. 78
1А401, 1А401А, 1А4С1Б, 1А401В, ГА401, ГА401А, ГА401Б, ГА401В...........	......................................................79
1А402А. 1А402Б, 1А402В, 1АЕ402Г, ГА402А, ГА402Б, ГА402В, ГА402Г...................................................................79
1А403А, 1А403Б, 1А403В, 1А403Г, 1А403Д, ГА403А ГА403Б ГА403В, ГА403Г, ГА403Д......................................................80
1А4О4А, 1А404Б, 1А404В. 1А404Г, 1А404Д, 1А404Е, 1А4О4Ж.........................................................................  -81
1А405А, 1А405Б....................................................................................................................82
ЗА406А, ЗА406Б, ЗА406В ...	...	 82
1А408А, 1А408Б....................................................................................................................83
ЗА409А, ЗА409Б, ЗА409В, ЗА409Г, АА409А, АА409Б, АА409В. АА409Г ...................................................................83
ЗА410А, ЗА410Б, ЗА410В ЗА410Г ЗА410Д, ЗА410Е, АА410А, АА410Б АА410В АА410Г, АА410Д, АА410Е.......................................84
ЗА411А, ЗА411Б, ЗА411В, ЗА411Г, ЗА411Д, АА411А, АА411Б, АА411В, АА411Г, АА411Д ...................................................85
ЗА412А-5, ЗА412Б-5 ЗА412В-5, ЗА412Г-5, ЗА412Д-5, ЗА412Е-5, АА412А-5, АА412Б-5, АА412В-5 АА412Г-5,
АА412Д-5, АА412Е-5................................................................................................................85
3A413A, ЗА413Б, 3A413B, ЗА413Г, АА413А, АА413Б, АА413В AA413I’....................................................................86
ЗА414А, ЗА414Б, 3A4I4B, ЗА414Г............	 87
ЗА415А-5, ЗА415Б-5................................................................................................................88
11рямая таблица полных аналогов параметрических диодов	 89
Обратная таблица полных аналогов параметрических диодов ..........................................................................89
Прямая таблица косвенных аналогов параметрических диодов..........................................................................89
Обратная таблица косвенных аналогов параметрических диодов........................................................................91
РАЗДЕЛ 5 • ПЕР1 КЛЮЧА 1 ЕЛЬНЫЕ И ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ ...........................................................................92
1А501А, 1А501Б, 1А501В 1А501Г, 1А501Д, 1A501L 1А501Ж. 1А501И ГА501А. ГА501Ь, ГА5О1В, ГА501Г, ГА501Д,
ГА501Е, ГА501Ж, ГА501И............................................................................................................93
2А503А, 2А503Б...................................................................................................................94
1А5О4А, 1А504Б, ГА504А, ГА504Б, ГА504В............................................................................................95
2А505А, 2А505Б, 2А505В............................................................................................................95
2А506А, 2А506Б, 2А506В, 2А506Г, 2А506Д............................................................................................96
2А507А, 2.А507Б, КА507А, КА507Б. КА507В...........................................................................................97
2А508А-1, КА508А-1................................................................................................................98
2А509А, 2А509Б, КА509А, КА509Б, КА509В............................................................................................99
2А510А, 2А510Б, 2А510В, КА510А, КА510Б, КА510В, КА510Г, КА510Д, КА510Е............................................................99
2А511А...........................................................................................................................100
2А512А-4, 2А512Б-4...............................................................................................................101
2А513А-1, 2А513Б 1 КА513А-1, КА513Б-1 ...........................................................................................101
2А515А, КА515А...................................................................................................................102
2А516А-5.........................................................................................................................103
2А517А-2, 2А517Б-2, КА517А-2, КА517Б-2...........................................................................................104
2А518А-4, 2А518Б-'1..............................................................................................................104
2А519А, 2А519Б....................................:............................................................-.................105
2А520А КА520А, КА520Б..........................................................................................................  106
2А522А-2,2А522А-5, КА522А-2 КА522Б-2.............................................................................................107
2А523А-4,2А523Б- 4 .................................................................................................................................................................................................... 108
2А524А-4.2А524Б-4 ..................................................................... ........................................................................................—....л..............—-......... 108
2А526А-5.........................................................................................................................109
2А528А-4, 2А528Б-4, КА528АМЧ КА528БМ-1. КА528ВМ-4.................................................................................ПО
3A531A-6...........................................................................................................................Ш
220
2А532А, 2А532А-5, КА532А.................................................................................112
2А533А-3..................................................................................................ИЗ
2А534А, 2А534Б, КА534А, КА534Б, КА534В...................................................................114
2А535А, 2А535Б__________________________________________________________________________________________ 115
2А536А-5 2А536Б-5 2А536А-6. 2А536Б-6 2А536В-6, КА536А-5, КА536Б-5, КА536В-5 КА536А-6, КА536Б-6, КА536В-6.115
2А537А, КА537А, КА537Б.................................................................................  116
2А540А-5 2А540Б-5, 2А540В-5..............................................................................117
2А541А-6 2А541Б-6, КА541А-6, КА541Б-6....................................................................118
2А542А, КА542А КА542Б....................................................................................119
2А543А-5,2А543А-6,2А543Б-6, КА543А-5, КА543А-6...........................................................120
2А544А-5................................................................................................ 121
2А545А-5.................................................................................................122
2А546А-5, 2А546А-6, 2А546Б-5,2А546Б-6, КА546А-5, КА546А-6................................................123
2А547А-3,2А547Б-3,2А547В-3, 2А547Г-3, 2А547Д-3, 2А547Е-3.................................................124
2А548А-5.................................................................................................125
2А549А, КА549А, КА549Б, КА549В...........................................................................126
2А550А-5, КА550А-5.......................................................................................127
2А551А-3,2А551Б-3, 2А551В-3, 2А551Г-3, 2А551А1-3,2А551Б1-3,2А551В1-3,2А551П-3............................128
2А552А, 2А552Б.........................................................................................  129
2А553А-3,2А553Б-3, 2А553В-3..............................................................................130
2А554А-5,2А554А-6, КА554А-5, КА554А-6....................................................................131
2А555А, 2А555Б, 2А555А1, 2А555Б1.........................................................................132
2А556А-5, 2А556А1-5......................................................................................133
2А557А................................................................................................   134
2А558А-3,2А558Б-3, 2А558А1-3,2А558Б1-3...................................................................135
2А559А...................................................................................................136
2А560А, 2А560А-5.........................................................................................137
2А561А-3.................................................................................................138
2А563А-3................................................................................................ 139
2А565А...................................................................................................140
2А566А-3, 2А566Б-3.......................................................................................140
Прямая таблица полных аналогов переключательных и ограничительных диодов.................................141
Обратная таблица полных аналогов переключательных и ограничительных диодов...............................142
Прямая таблица косвенных аналогов переключательных и ограничительных диодов............................. 142
Обратная таблица косвенных аналогов переключательных и ограничительных диодов........................... 142
РАЗДЕЛ 6: УМНОЖИТЕЛЬНЫЕ И НАСТРОЕЧНЫЕ ДИОДЫ..............................................................143
61 УМНОЖИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ...................................................................................143
6.2 НАСТРОЕЧНЫЕ ДИОДЫ................................................................................... 143
2А601А...................................................................................................145
2А602А, 2А602Б, 2А602В 2А602Г, 2А602Д, КА602А, КА602Б, КА602В, КА602Г, КА602Д, КА602Е....................145
ЗАбОЗА, ЗА6ОЗБ, 3A603B, ЗА6ОЗГ, АА603А, АА603Б, АА603В, АА603Г...........................................146
2А604А, 2А604Б...........................................................................................147
2А605А, 2А605Б, КА605А, КА605Б, КА605В...................................................................148
КА606А-2, КА606Б-2.......................................................................................148
ЗА607А, АА607А...........................................................................................149
2А608А КА608А............................................................................................149
2А609А, 2А609Б, 2А609А-5, 2А609Б-5, КА609А, КА609Б, КА609В...............................................150
ЗА610А, ЗА610Б, АА610А, АА610Б...........................................................................151
2А611А, 2А611Б, КА611А, КА611Б, 2А611А-5, КА611Б-5.......................................................152
2А612А, 2А612Б, КА612А, КА612Б...........................................................................153
2А613А, 2А613Б, КА613А, КА613Б...........................................................................153
ЗА614А, АА614А...........................................................................................154
ЗА615А, ЗА615Б, ЗА615В...................................................................................155
2А616А-2, 2А616Б-2.......................................................................................155
ЗА617А, ЗА617Б ..........................................................................................156
ЗА618А-6, ЗА619А-6, ЗА620А-6, ЗА621А-6, ЗА622А-6,3A623A-6, АА618А-6. АА619А-6, АА620А-6, АА621А-6,
АА622А-6, АА623А-6.......................................................................................156
ЗА627А, ЗА628А, ЗА629А, 3A630A, 3A631A, 3A632A, АА627А, АА628А, АА629А, АА630А, АА631А, АА632А ......... 158
2А633А 5................................................................................................ 159
3A634A-6, ЗА634Б-6.......................................................................................159
2А635А, 2А635Б...........................................................................................160
2А636А, 2А636Б...........................................................................................161
3A637A-6, ЗА637Б-6, 3A637B-6, ЗА637Г-6, ЗА637Д 6......................................................   161
221
2А638А..................................................................................................162
3A639A-6, ЗА639Б-6, 3A639B-6............................................................................163
ЗА640А-2, ЗА640Б-2, ЗЛ640В-2, ЗАМОГ-2, ЗА640Д-2, ЗА640Е-2, ЗА640Ж-2, ЗА640И-2, ЗА640К-2, 3A640JI-2, ЗА640М 2	.... 164
ЗА641А-5, ЗА641Б-5....................................................................................  164
Прямая таблица косвенных аналогов варакторных диодов....................................................165
Обратная таблица косвенных аналогов варакторных диодов ................................................ 170
РАЗДЕЛ 7: ГЕНЕРАТОРНЫЕ ДИОДЫ ГАННА И ЛАВИННОПРОЛЕТНЫЕ ДИОДЫ.............................................173
7.1 ДИОДЫ ГАННА.........................................................................................173
72 ЛАВИННО-ПРОЛЕТНЫЕ ДИОДЫ..................................................................  -	-.......... . . .175
3A703A, ЗА7ОЗБ, АА703А, АА703Б..........................................................................176
1А704А, 1А704Б, 1А704В................................................................................. 176
ЗА705А, ЗА705Б, АА705А, АА705Б ......................................................................   177
2А706А, 2А706Б, 2А706В, 2А706Г..........................................................................178
ЗА707А, ЗА707Б, ЗА707В, ЗА707Г, ЗА707Д, ЗА7!РЕ. ЗА707Ж. ЗА707И, ЗА707К, 2А709А, 2А709Б, 2А709В, КА709А,
КА709Б, КА709В..........................................................................................180
ЗА715А, ЗА715Б, ЗА715В, ЗА715Г, ЗА715Д. ЗА715Е. ЗА715Ж, ЗА715И, ЗА715К, ЗА715Л. ЗА715М АА715А. АА715Б.
АА715В, АА715Г, АА715Д, АА715Е, АА715Ж, АА715И, AA7I5K, АА715Л, АА715М..................................180
ЗА716А, ЗА716Б, ЗА716Е, ЗА716Г ЗА716Д. ЗА716Е, ЗА716Ж, ЗА716И, АА716А, АА716Б. АА716В, АА716Г, АА716Д,
АА716Е. АА716Ж, АА716И..................................................................................181
2А717А-4, 2А717Ь^1. 2А717В4, 2А717Г-4. КА717А-4, КА717Б-4, KA717IM, КА717Г-4........................... 182
ЗА718А, ЗА718Б, ЗА718В 3A718I ЗА718Д, ЗА718Е, ЗА718Ж, ЗА718И, АА718А, АА718Б, АА718В, АА718Г, АА718Д,
АА718Е. АА718Ж, АА718И..................................................................................183
ЗА719А, AA7I9A, ЗА720А. АА720А........................................................................ 184
ЗА721А, ЗА722А, 3A723A, ЗА724А, АА721А. АА722А, АА723А АА724А. ЗА721АМ. ЗА722АМ, 3A723AM, 3A724AV1	. 184
ЗА725А, ЗА725Б, ЗА725В, ЗА725Г, ЗА725Д, ЗА725Е, АА725А, АА725Б. АА725В. АА725Г, АА725Д, АА725Е . ......186
ЗА726А, ЗА726Б, ЗА726В, ЗА726Г. ЗА726Д. ЗА726Е, ЗА726Ж, ЗА726И ....................................... 186
ЗА727А, ЗА727Б, ЗА727В ЗА727Г, АА727А, АА727Б, АА727В, АА727Г ........................................ 187
ЗА728А. ЗА728Б, ЗА728В ЗА728Г, АА728А, АА728Б, АА728В, АА728Г..........................................188
2А729А, 2А72‘)Б, 2А729В..............................................................................  188
3A730A, ЗА730Б, 3A730B ЗА730Г ЗА730Д, 3A730E, ЗА730Ж, ЗА730И. АА730А. АА730Б. АА730В, АА730Г, АА730Д,
АА730Е, АА730Ж, АА730И................................................................................  189
3A735A-6, ЗА735Б-6, 3A735B-6, ЗА735Г-6, ЗА735Д-6........................................................191
АА736А, АА736Б, АА736В, АА736Г, АА736Д, АА736Е..........................................................192
3A739A, ЗА739Б, 3A739B..................................................................................192
ЗА740А. ЗА740Б, ЗА740В. 3A740I ЗА740Д, ЗА740Е, ЗА740Ж ЗА711А ЗА741Б, ЗА741В ЗА741Г, ЗА741Д. ЗА741Е......193
2А743А-4, 2А743Б-4, 2А743ВЧ 2А743Г-4, 2А743Д-4, 2А743Е-4................................................194
ЗА744А-6, ЗА744Б-6, ЗА744А1-6, ЗА744Б1-6, ЗА744А-5, ЗА744Б-5............................................195
ЗА745А, ЗА745Б, ЗА745В................................................................................. 196
'А746А-6, 3A746l>-6, ЗА746В-6, ЗА746Г-6, ЗА746Д-6, ЗА746Е-6, ЗА746Ж-6, ЗА746И-6.........................197
ЗА747А, ЗА747Б, ЗА747В, ЗА747Г, ЗА747Д, ЗА747Е, ЗА747Ж..................................................198
ЗА748А, ЗА748Б, ЗА748В, ЗА748Г, ЗА748Д, ЗА748Е. ЗА748Ж, ЗА748И........................................ .198
2А749А-4, 2А749Б-4, 2А749ВЧ 2А749Г-4....................................................................200
ЗА750А, ЗА750Б, ЗА750В ЗА750Г, ЗА750Д, ЗА750Е, ЗА750Ж, ЗА750И. ЗА750К, 3A750JI..........................200
КА751А-4................................................................................................201
2А752А-4, 2А752БА 2А752В-4 2А7521 -4.	  201
3A753A 3A753H. ЗА754А - ЗА754С, ЗА755А - ЗА755У...............................,.........................202
2А756А-4, 2А756Б-4, 2А756В-4............................................................................203
2А757А-4, 2А757БЧ 2А757В-4 2А757Г-4, 2А757Д-4, 2А757Е^1.................................................203
2А758А-4, 2А758Б-4,2А758В-4	 204
ЗА759А-4, ЗА759Б-4, ЗА759В^1............................................................................205
ЗА760А-4, ЗА760Б-4..................................................................................... 206
3A76IA, ЗА761Б, ЗА761В..................................................................................207
ЗА762А, ЗА762Б. ЗА762В, ЗА762Г, ЗА762Д, ЗА762Е, ЗА762Ж, ЗА762И, ЗА762К, ЗА762Л..........................207
3A763A, ЗА763Б, 3A763B, ЗА763Г. ЗА763Д 3A763E, ЗА763Ж, 3A763K. 3A763JI. 3A763M ............ .. 208
ЗА764А, ЗА764Б............................................................................................... .. . 209
2А765А-4, 2А765Б-4, 2А765ВЧ 2А765Г-4	........................................................210
2А766А-4 2А766Б-4. 2А766В-4, 2А766Г-4. 2А766Д-4. 2А766ЕЧ, 2А766Ж-4. 2А766И-4, 2А766К^, 2А766АЧ 2А766МЧ 2A766FM 210
ЗА767А, ЗА767Б......................................................................................    211
АА768А, АА768Б, АА768В, АА768Г, АА768Д. АА768Е..........................................................212
Прямая таблица косвенных аналогов генераторных диодов Ганна...................................<.........213
Обратная таблица косвенных аналогов генераторных диодов Ганна...........................................214
Прямая таблица косвенных аналогов лавинно-пролетных диодов..............................................215
Обратная таблица косвенных аналогов лавинно-пролетных диодов............................................217
Литература..............................................................................................218
222
СВЧ-диоды - БАЗА ДАННЫХ
Вы держите в руках книгу, полное содержание которой можно получить в форме базы данных,
созданной в среде R-Basc. База данных включает все параметры и режимы эксплуатации
отечественных СВЧ-диодов и параметры зарубежных аналогов.
Подробную информацию об условиях нриобрсгения справочника на дискетах вы можете
получить, обратившись в МГП РАСКО" Мининформпечати РФ по адресу: 634055, Томск, а/я 2211.
Справочное издание
Борис Александрович Наливайко, Артур Семенович Берлин , Владимир Григорьевич Божков, Вера
Вениаминовна Вейц, Галина Петровна Гермогенова, Леонид Салимович Либерман, Геннадий
Лаврентьевич Приходько, Людмила Федоровна Сарафанова, Абдулхамид Кистуевич Шухостанов
Полупроводниковые приборы. Свсрхвысокочастотные диоды
Редактор Н.М. Шпагина
Корректор Э.Г. Пелымская
Набор и верстка А.В. Мартынко
ИБ N2502
Набрано и (форматировано на ПЭВМ Пописано к печати 23.11.92 Формат 84x108/16 Бумага офсетная Гарнитура м Печать офсетная Усл.
Н-л. 36,63 Усл. кр.отт. 36,88 Уч.-изд-л 38,3 Тираж 5000 экз, Изд N 085 Зак. N 2023 Цена свободная 
Малое государственное редакционно издательское предприятие "РАСКО” Мининформпечати РФ при издательстве "Радио н связь”. 634055,
Томск, а/я 2211 ________________________________________________________________________________________________________
Отпечатано в типографии "Красное знамя" Мининформпечати РФ. 634021, Томск, пр. Фрунзе, 103/1