Справочник молодого рабочего по электронике - Гуревич Б.М., Иваненко Н.С.

IX - Электронные приборы и аппаратура для измерения параметров и проверки электронных схем
Author: Гуревич Б.М. Иваненко Н.С.
Tags: электроника электротехника электричество электрооборудование справочник
Year: 1978
Similar
Юный радиолюбитель.
Электроника шаг за шагом: Практическая энциклопедия юного радиолюбителя
Справочник молодого электромонтера
Электроника в вопросах и ответах
Text
                    ПРОФТЕХОБРАЗОВАНИЕ

<ПРАВОЧНИИ
МОЛОДОГО
РАБОЧЕГО
ПО

ЭЛЕКТРОНИКЕ

Б. М. ГУРЕВИЧ,

Н. С. ИВАНЕНКО

СПРАВОЧНИК

МОЛОДОГО
РАБОЧЕГО
ПО ЭЛЕКТРОНИКЕ
ИЗДАНИЕ

ВТОРОЕ,

ПЕРЕРАБОТАННОЕ

wy
МОСКВА

«ВЫСШАЯ

ШКОЛА»

1978

ББК 32.85
Г95

Все предложения и замечания
по адресу: Москва, К-51, Неглинная
ство «Высшая школа»,

Г95

Гуревич

Б. М., Иваненко

просим направлять
ул., 29/14, издатель-

Н. С.

Справочник молодого рабочего по электронике.— 2-е изд., перераб.— М.: Высш. школа,
1978. —215
c,
ил. — (Профтехобразование.

Электроника.)
В

35 к.

справочнике приведены’ схемы, характеристики, расчетные формулы и справочные данные по электронным, ионным и
полупроводниковым приборам и устройствам, в том числе приборы для измерения параметров. и проверки электронных схем.
Во втором издании обновлены
справочные сведения. несколько сокращены главы, посвященные электрониым и ионным
лампам, расширен раздел микроэлектроники.
Справочник
предназначен
для
учащихся
и
инженернопедагогических

вания

и

работннков

рекомендован

Совета
Министров
образованию.

30407328
о.
052(01)—78 ^

©

ИЗДАТЕЛЬСТВО

к

СССР

учебных

изданию
по

заведений

профтехобразо-

Государственным

комитетом

профессиопально-техническому

ББК

32.85
60.3

(© ИЗДАТЕЛЬСТВО «ВЫСШАЯ ШКОЛА». 1974 г,

«ВЫСШАЯ ШКОЛА», 1978 г, С ИЗМЕНЕНИЯМИ.

ПРЕДИСЛОВИЕ
Электроника изучает физические процессы в твердых телах, .жидкостях, газах и вакууме и исследует возможность их применения в

различных областях народного хозяйства.

Электронные приборы используют всюду: в радиосвязи и телевидении, в управлении всевозможными механизмами и в вычислительной технике. Электронная аппаратура чрезвычайно широко применяется для управления разнообразными сложными промышленными установками, в автоматических линиях и станках:— автоматах.
Электронные приборы создают колебания электрического тока и
напряжения любой формы, выделяют колебания нужной частоты,
усиливают в десятки и сотни тысяч раз слабые сигналы, преобразуют
переменный ток в постоянный и обратно. Эти приборы являются основными элементами автоматики. Свойственная им безынерционность
позволяет использовать их для управления не только обычными, но
и быстро протекающими прецессами.
|
Широкое применение получили
полупроводниковые
элементы,
позволяющие резко сократить размеры приборов и обладающие также другими полезными свойствами. На полупроводниках выполняется самая современная электронная аппаратура: телевизоры, магнитофоны, цифровые вычислительные машины, узлы управления сложнейшими промышленными комплексами.
Учитывая преимущественное развитие полупроводниковой
техники, во втором изданни справочника несколько сокращены, по сравнению с первым изданием, разделы, посвященпые электронным лампам и ионным приборам, и расширены разделы, содержащие сведения о полупроводниковых приборах (в.том числе о новых типах полупроводниковых элементов), о микроэлектронных устройствах, по фо-.
тоэлектронике. Введен новый раздел, в котором излагаются основные сведения по оптоэлектронике и приводятся параметры оптоэлектронных приборов.
С целью облегчения расчетов усилителей помещены номограммы,
по которым графически рассчитываются отдельные элементы, узлы
и каскады усилительных устройств. Обновлены сведения о технических данных всех видов ‘электронных, ионных, фотоэлектронных и
полупроводниковых приборов, средств микроэлектроники и контролирующих измерительных приборов. Дана подробная классификация
всех типов электропных. устройств, их основные характеристики и
приведены необходимые формулы для расчетов.

ГЛАВА

1

ПРИЕМНО-УСИЛИТЕЛЬНЫЕ

ЛАМПЫ

Работа электронных приборов основана на принципе использования электронной эмиссии. Электронной эмиссией называется вылет
электронов с соответствующей поверхпости
(металла, полупроводника, жидкости). Термоэлектронной эмиссией называют вылет элек*
тронов из катода электронных приборов вследствие нагрева его до
высокой температуры. Для выхода во внешнее пространство из поверхности нагретого металла электрон преодолевает силы, связывающие его с ядром атомов, совершая при этом работу
выхода,
измеряемую в электропвольтах
(эВ), С повышением
температуры
возрастает количество электронов, способных покинуть поверхность
металла. Явление термоэлектронной эмиссии используют в электронных лампах, электроннолучевых трубках и других приборах.
По назначению электронные приборы
делят
на электронные
лампы
приемно-усилительные
и генераторные,
электронволучевые
трубки, ионные и фотоэлектронные приборы.

5 1. Общая характеристика, классификация
и условные обозначения
Приемно-усилительные
лампы
представляют
собой
электровакуумные приборы, состоящие из пескольких
электродов
— анода,
катода и сетки, заключенных в газонепроницаемую оболочку —чваллон, внутри которой создан вакуум. Баллон изготовляют из стекла,
металла или специальной керамики.
Лампы разделяют на обычные и комбинированные.
B обычных
лампах в одном баллоне имвется одна система электродов (диод,
триод и т. п.); в комбинированных— две: или более одинаковых
(двойной диод, двойной триод и т. п.) или разных (диод-триод, диодпентод и др.) систем электродов с независимыми потоками электронов, причем некоторые электроды (например, катод)
могут
быть
общими. Выпускают лампы с катодом прямого накала
(подогрев
осуществляется током, протекающим по сдмому катоду) или с катодом косвенного накала (для подогрева используется’ специальная
нить, помещенная внутри катода — подогреватель).
Приемно- -усилительные лампы характеризуются в основном сле‘дующими параметрами:
анодное напряжение И. (в справочнике приводится номинальное
Значение) — напряжение между анодом и катодом, создаваемое источником питания Ед;
сеточное напряжение (с — соответственно напряжение между первой, второй и т. д. сеткой и катодом (Иса, Ис ит. д.);
переменное напряжение (действующее значение) И

прямое напряжение Ипр — амплитуда разности потсициалов между
катодом и анодом лампы, когда на аноде более высокий потенциал,
чем на катоде;
обратное
напряжение
обр
— амплитуда разности потенциалов
между катодом и анодом лампы, когда на катоде более. высокий
` потенциал, чем на аноде;
анодный ток [. — ток, создаваемый
свободными элементарными
зарядами, попадающими на анод, в условиях электромагнитного поля,
в котором находится анод;
|
ток накала Ги:
-

сеточный

сеток

(eq

ток

[со

KT.

наибольший

[с — собтветственно

ток

первой,

второй

и т. д.

д.);.

выпрямленный

ток

[ьпр
— ток,

ограничиваемый

до-

пустимой мощностью потерь на аноде или эмиссией катода;
импульсный
ток [и
— ток лампы при работе в импульсном режиме:
мощность рассеяния на аноде Р. — определяется
произведением
анодного тока /. на анодное напряжение И. (в справочниках обычно
приводится значение допустимой мощности рассеяния Ра. доп);
выходная мощность`Рвых — полезная мощность, отдаваемая лампой во внешнюю цепь;
емкости между анодом и катодом Сак, сеткой и катодом Сск,
анодом и сеткой Сас;
входная емкость Свх
— емкость управляющей сетки относительно
всех других электродов, на которых при работе лампы
отсутствует
напряжение частоты сигнала, приложенного к управляющей сетке;
выходная

емкость

Сзых —емкость

анода

относительно

всех

дру-

гих электродов, па которых при работе лампы отсутствует переменное напряжение частоты сигнала (чем ‘меньше суммарное значение Сьх
и Сьых, тем больше усиление лампы на высоких частотах);
проходная емкость Стр
— емкость между анодом и управляющей
сеткой (чем меньше `Сгр, тем большее усиление при прочих равных
условиях можно получить от лампы);
крутизна характеристики S — величина,
показывающая,
как
изменяется анодный ток лампы при изменении напряжения на сетке
на| В при постоянных напряжениях на остальных электродах,
$ =
где AJ, — приращение
жения на сётке, В.
Для

анодный

диода

ток

%®,

при

мА/В

анодного
—

изменении

Al,
AU,

MA/B,

тока, мА;

величина,

АЦс — приращение

показывающая,

анодного напряжения
Al,
|
$ =
мА /В,
.
AU,

на

как

1 В:

напря-

изменяется

где А/. — приращение анодного тока, мА;
АИ. — приращение анодного напряжения, В;
внутреннее сопротивление
К; — сопротивление лампы переменному току. Определяется как отношение изменения анодного напряжения АИ., В, к изменению анодного тока. А/„, мА, при неизменных
напряжениях на остальных электродах.
R=

AU,
АГ,

кОм;

статический коэффициент усиления р (отвлеченная, безразмерная
величина)
показывает,
во сколько раз изменение напряжения на

управляющей
изменение

сетке

анодного

сильнее

воздействует

напряжения;

проницаемость лампы
фициенту усиления,

О — взличина,

на

анодный

ток,

обратная статическому

чем

коэф-

AU,’
долговечность (срок службы) лампы
— количество часов работы
лампы, по истечении которого хотя бы один из основных параметров
выходит за пределы своего значения (для приведенных типов
приемно-усилительных
ламл
долговечность порядка 500 ч). Расчетные
параметры $, К, й и) лампы связаны следующими соотношениями:
u=SR;;

SR,D=1.

|

Взаимное влияние различных параметров лампы
удобно проследить по ее характеристикам. Обычно рассматривают следующие
основные характеристики:
анодная
характеристика,
выражающая
зависимость
анодного
тока /а лампы от напряжения на аноде Ча при условии постоянства
напряжения на остальных электродах;
|
семейство анодных характеристик, представляющее собой совокупность нескольких анодных характеристик,
каждая
из которых
снята при своем, отличном от других, значении сеточного напряжения

Ос;

.

анодно-сеточная
характеристика,
выражающая
зависимость
анодного тока [а от изменения напряжения Цс на управляющей сетке при условии постоянства н&пряжения на аноде и остальных электродах.
Условные обозпачения приемно-усилительных электропных ламп
состоят из четырех или в отдельных случаях пяти элементов (табл. |).

$ 2. Двухэлектродная лампа — диод
Диод — элсктровакуумный прибор, представляющий собой. два
электрода
— анод и катод, заключенпых в газонепроницаемую оболочку. Обычно диоды используют для выпрямления переменного тока
и ограничения амплитуды различпых сигналов в непрерывном или
импульсном режимах работы и по назначению делят на выпрямительные (кенотроны), детекторные, ограничительные, измерительные
ит. п.
Схема включения диода показана на рис. |,а. В анодную цепь
последовательно включен источник переменного напряжения U, yuaсток анод
— катод диода и сопротивление нагрузки Юн. В цепь накала катода включен источник напряжения накала Ия, нагревающий
катод до высокой температуры, необходимой для термоэлектронной
эмиссии электронов из катода.
В течение положительного
полупериода напряжения U (рис. 1,6) анод положителен относительно
катода. Электроны, эмиттированные из катода, движутся к аноду;
при этом сопротивление между анодом
и. катодом
невелико.
Во
время отрицательного полупериода электроны практически пе вылетают из катода,. сопротивление между
анодом
и катодом
очень
велико (десятки МОм).
Вольтамперная
характеристика
диода
(рис. 2,а)
выражает
зависимость анодного тока /а от анодного напряжения Иа. При не5.

-

-00е4 = ‘«qifAIrox»

9

‘> чниеи— у

Мознэн-Пои
41 -- ф
vonY-YoLHell — q
Your-voudi — Л
;
WonHoraed

WHOS!

э— Ж

HMATIOW
— ||
yownLondatyedex
ИОННЭНИиИА Э— У
Hownloudoiyed

-ех Иоя1040я

| ичн4енито — +)
HOdLoHex — TT

н-5

1нэиэие

и-1

— Х | -oOxXKdUeH vomMowaacexA
с иониояи
uMmHdeHnYO — yf | OHHeIrIAdNO 86 ‘olfow,

хелчнкоз я вивуен эин:

-эмижэ@ монэчКпии 8 е100е4 — И ‘чтоочиьиетэкодоиа
веннепиавон
— М
и чтооньоди
вех-эьинехэм эчннэпичаон — а :евтоновэ эчнчкеипэпо эито АЕ м4
же аех
HLOONHYOXQOOH эеьАшо а икинэьен000 ичнчокА имннееяА я
‘энаневэмн
Ц

|

чпиег
omHHedod
~BHHQWOX

-uA
о
НЭ

|

rvouds

{

rai
HogahAlf— J]
-одтаа, | ичнаоловьохоэча — ©
HOHYoar
— Н

‘

mavour

(rau whys WAL LaA€
-идэтчнедех) ечяАо — тнэиэке

WolfoLHd0L0.JEH-WOH
волэечиечэи]]
,
(uuLogedeed dowon итчаон Ива
-оп) охэиь — тнэмэме и-$.

-Ogee

— 3 “‘чтоонжэ
ген
махАо
LoOwiraegol’

впиз — УЖ

‚ ми ОТ PHO
‘(‹9004и») вен
BPHHBITYALD — Ч
БЕЗ

веннвихэ1о — у

(венфомеиниихдэ35)
еногиед Олэмеий
‘вен

-бомеинии

o

веннвияэ:> — [|

|

-ояивчгеп

BeHLHd
BeHHBIrHalLs— |

enaroe

QnaUIeLON a MUNCIE) MUNCW ин
-экидофо зонаиляАЧлонох BeEMOIAS
-wdaauedex ‘eanAg — LHAWOLE ц-у

(eLHawarre

~egeJOHUAdM

-1reg dioweuy
=дотеинии

ии

|

эяЗвд1 иЧн
eYeoHI зи ачииеи, виноиешая
Ч12ОНЖОи$09
иишовнед1эА
‘иэножюп
ииччохие
э— Г
GNA PH BL

|
затооньэчооХ веннэпичнои
“(винэьен5000 тнэмэие ц-$)

I

:

®“

больших

отрицательных

значениях

Оа

протекает

незначительный

ток

[а (участок а— 6). При увеличении анодного напряжения ток Га
сначала возрастает медленно (участок б —в), а затем быстрее (участок в—2г), поскольку все большее количество электронов, эмитти-

Рис.
а — схема
ременного

включения,
напряжения

1.

Диод:

6 — временные
диаграммы
пеО и выпрямленного
напряже-

ния О выпр-=

вых

e

руемых катодом, достигает анода. Предел этому увеличению положен величиной термоэлектронной эмиссии, поэтому на участке ге— д
возрастание тока /а при увеличении напряжения (а замедляется и
Га

Рис. 2, Вольтамперные

а — типовая,

б—

при

4

Uy

(и,

Oy?

биз

характеристики диода:

разных
величинах
накала.

напряжения

после точки д ток практически не возрастает (участок д—е). Все
электроны, вспускаемые катодом, попадают на анод; наступает явление насыщения анодного тока.
Увеличивая ток накала [„, т, е. повышая температуру катода,
можно увеличить ток насыщения за счет увеличения эмиссии катода
(рис. 2, 6), Зависимость между анодным током /. и анодным напряжением И. определяется законом степени 3/2: 1а=503/?, где 2 —
коэффициент
пропорциональности,
зависящий
от конструктивных
особенностей лампы («качество» лампы). Закон степени 3/2 относится
к основному рабочему участку в —г вольтамперной характеристики.
Ток насыщения определяется эмиссионной способностью катода и не
учитывается законом степени 3/2.

8

бой сочетание двух самостоятельных диодов в одной оболочке,— находит широкое применение в схемах, требующих двух и более дио-

с0представляющая
лампа,
комбинированная
—
диод
Двойной

дов (двухполупериодная выпрямительная схема ит. п.).

2
Таблица

‘yor

You

егенен

2

тэочиа|
ALSOWNAL

He

dH Ho Kb due

а ‘#7

Фи

NIN

OM

OM OD

С

NNODOODWOO

ae

a

aa eo

гю

> >
^^^.
хо

a

о

NWOOWOdOO

~a

>!
Nm

SE SE SP

=DOOD00
ee
CD mt

DOODNOO

вики | | [28*28

ичночгАпии

-ея—
®A—VYOHE

яоь

и‘ “nor -duna
7
У
аи
WHOL чаннэгив
-4d KIMWHLOADOY/

„*пот -4

‹ поп *е

-эже4ицен эонле
-00 эомитэАпо

,

зо

Vi
т|

кейизоКио |

егехен

>ю+еФе>-=>

Se2eYssese
SN
©-осооое

->оофо ся
Фо
fs
sss
Us

a eduen sued | 8838828

1

эпонеad ен кинвээ31
-ое4 члэонтой |

+H

aah

SCVsse2Ry
NNOOOOSO

"| SRSSSS3

егои! ол
-OHGOLMOLOY UF

С

oD

=

=

<

0

-

Ф

и ' we

Уи

vn

Э

‘Г

NOL

чтоони

gMHOarAUNY

Погеч—Тоне

и

ЭПОНЕ

‘Н`

ЕН

KHHKSD

вемилоАпо |

егечен

чот

Я

>>
wa
15

|

|

|

|

[

|

|

FTHORNDWOM
mS OPFOMMDOY

NOWOwWMooooowo

oor.

NAN

ODA

PSD

|

|

|

‘

me

SS

OD EO

‹

Ot

[

OO OD

ooo
wmnnonw

аа

QA!

0

| 2222

O92. 2 69 09.

OOOO

офор

J

юют

ЕО

НЕ
f
= Ш С ЦЭ ЦО Ц ЦЭ 9 © ©

——0ОЫОЯО <) са ©

«Basse erasS

Eo

DOANNINMNOON

ANNM

<
— — мюшюфшюшшю

ANI

|

| Ia т lodd fh
NOOO

>

2 N © 19 < S N
—
Nata

7 wor wan | 2SAQSSOSOSS
ичиизоАпой

‹ ПОХ *А Ша

*dgo

JON HLIALIOY/

9 7 эинэжкац
эонте оо

.uOYr

-нэгивашча
Яя
-CH

ey

a ‘AL
‘эннэжкапен эоннэйэ4э[}
ног

-2е4 члоонтом

Lq

.

Я ‘#1 еквяен эннэжеаиен

У

5

зе
xx&

Е8

“3

Диод может являться частью комбинированной приемно-усили“
тельной лампы, например диод-триода или диод-пентода.
Основные параметры некоторых широко применяемых детектор“
ных диодов (диодов, выделяющих модулирующие колебания в.при-

емных устройствах) приведёны В табл. 2, а парамётры некоторых
кенотронов (диодов, выпрямляющих переменный ток низкой частоты) — в табл. 3.

$ 3. Трехэлектродная`
лампа — триод
Триод — электровакуумный прибор, содержащий
три электрода
— анод, катод и сетку, —‘заключенных в газонепроницаемую оболочку. Сетка предназначена для ‘управления
потоком
электронов,
движущихся от катода к аноду. Триоды широко используют -в не-

Рис. 3.

Триод:

а — схема включения,
б — семейство типовых
анодных
характеристик, в — семейство THIIOBLIX
анодно-сеточных
характеристик; К; — резистор в цепи сетки, К, — резистор
нагрузки,
Ос — напряжение на сетке,
накала, С вых — выходное напряжение,
аяодного

Он — напряжение
Е. — напряжение

питания

прерывном или импульсном режимах работы в схемах усилителей
напряжения низкой или высокой
частоты, усилителей
мощности,
генсраторов
и модуляторов в различных импульсных
устройствах
и Т. П.
Схема включения. триода показана на рис. 3, а, а на рис. 3, 6, в
изображены семейства типовых анодных и анодно-сеточных характеристик триода. На анодно-сеточной -характеристике имеются три
участка: нелинейный начальный участок а — 6, приблизительно линейный рабочий участок б —в (ток [а увеличивается пропорциональ*
но напряжению на сетке Uc) и нелинейный участок насыщения в — г.
Анодный ток [а триода на рабочем участке определяется по за*
кону степени 3/2: I,=g (UatpU,)?/2,
10

Междуэлектродные

емкости триода образуют

входную

Свх=Сек-Р

we

емкость

acm

:

CactCax

выходную

ac&ck

емкость

Свых=
Cax +—————

.

CactCcx
.

проходную

.

емкость

CK

ak

Спр=СеCon tCax

Триод может являться частью комбипированмой
мер диод-триода или триод-гептода (гептод
— лампа,

электродов).

.

лампы, наприимеющая семь
Таблица

я

2

о

°

a

: 9

'

5

х

2.

5

5

я

5

Е

=

Е

.

©

A.

о

я
5

>
o

A

g

«| .

a.

аа
д
<

ха

Pe | =]
eg | 8)=

ee

2С14Б*
6С2Б
6C6B
6С7Б
6С17К

6С26Б-К]|

|6
=
YM

£]

ы

|’

о

| Ея

2]

x

|

5,9 |

6CI5I1

0,44

145,0 |

6C13 7,

6С16Д
6С28Б
ла

[0,17]
0,78]

6,0}

= 0

a
m

|=

mon

я

8

25,01

70,01
|`25,0/
20,0]
75,01
— |
50,01
50,01

1,1 | 52,0

3,0]

18,01
6,2]

2,8]
16,0]
2,1 | 40,0}

* Напряжение накала 2,2 В;
6,3 В.
** Данные триодной части.

о

=

lez
Ro

Ss igs |

4,11

0

%

с

Я

27:]

z |

|5Я

s
=

5,2 | 32,0

{0,19} 6,0]
|0,30/19,0 |

Но

>”

|0,06| 2,0 | — | 15,0|
0,25 111,01
4,4 | 50,01
0,20; 5,0]
—
| 25,0]
0,20' 4,0
116,0 | 65,0|
10,32112,0
110,0 1125,01
0,20|

ба"

ag]

6С27Б-К] 0,20] 4,2
115,2 |
6С34А |0,13|
4,6 | -6,0
6ФШ**
|0,45| 5,01
4,01
6ФЗП**
|0,85| 2,5 | 30,01
6Ф5П
0,901 7,01
—
‚ 6СЗП
0,30 120,0 | 2,6 |
6С4П
0,30 [20,0 | 2,6 |
6ClII1,

|

для

[see]

Ina]

a

=
@

» |

«|

2]

65

«

2]

0,8 |
2,5 |
1,4 |
1,5 |
2,0 |

90|2,1
150 | 6,5
120 | 3,3
250 | 3,3
175 | 3,5

1,5 |
1,1 |
1,5 |
1,0 [|
0,5 |
3,0`|
3,0 |

250 |
100 |
100 |
170 |
100 |
150 |
150

1,4

— |

=
=

150

|

остальных

O.

a

=

о

3

x

=

a]

8

я

=e]

3

8]

&о

Еv

а

F]

cn

12,001
|5,00|
{3,50}
13,401
10,021

}11,0]1,80)

2,8 | 4,00;

|0,03]

2,5 |0,10]
5,8 | 1,90]
ламп

<

О

=

8
e

о

#

2,8 | 0,2
0,310,3
1,5 | 0,2
1,0 | 0,2
1,5|
—
1,4 |

3,3 13,401
1,0 |
2,0
12,301
1,6 |
2,5,10,30911,5 |
2,2 | 0,401 3,7 |
3,5
[0,251
1,81
6,7| 1,701 2,4 |
111,0 |3,70| 0,2

9,0 | 300 | 2,7

3,6 | 170]
2,4 | 120}

ty

|5

120 | 3,3 | 3,501

3,6 | 170}

всех

Е

4

5,5)

0,2

0,2
0,2
—
-—
—
0,3
10,3
—

1,7 | 0,5

1,4}

1,8}
3,0}

напряжение

1,0

1,0
0,5

нака-

Основные параметры некоторых триодов,
нашедших
широкое
применение, приведены в следующих таблицах: в табл. 4 — парав
метры триодов и диод-триодов, в табл. 5 — двойных триодов,
табл. 6 — проходных (регулирующих) триодов, в табл. 7 — импульсных триодов.

At

dun

Фи

.
BeHYOXOod[]

о 9120н10490 Г

¢ ILOONNS

‘*%5 quoouwe

,BeHYoxg

фи ‘295 азоохиэ «венпохча
фи

вемилоАпо

.
о

о

о

|

ФФФОХ

22
>1
©@<ооо
CN

око

ee et et et ee

NN

oH

— 1

N

N

[

$9200 © 4 + Ч < ©2620 69
|

Ermnere

er s

MHIDWOOWO
=.
@2
о
о.

tN

COO0CO0GO

©

tn

©ююоео
NaN

a

OI

сч <> © ©
oO
OSOMARQL

reret
Оme о
0
tt

NOOO
GN

OND

OM

со с9 ся —ч со сч сч © с ©0 ©

ooooooooeooo
WBMROSCOOSCOG
=
с с — ммм

я--=-м-ооо--—

MDOMOUON

ONMMOOONM

AO OID NO ARAM00
о ©
сэ ©

—4

DOC

“OO

“a |

ээннэ4аАна

W—OMONOOCOCOrW

|

+ PHEHLAC

wox

тнэипиффеоУ

"Е уохоне ен винвоо |

а ‘д эиноже4иен „эониону |
.

-эе4 члоонтой

13 "ОТ

Ш кинэгиэА

‘$

эинэкаитоано»

я/уи

UNL

У *Н) „виеяен хол

BYOHdL OJOHYORN

боф<<о<®фюююю

FERRER Rorogs
НС НС С 2 Се С 52
РНЕ

эинэж

ног

-

в

эонпону

а ‘7

.капен

‘

BEWHLOAOTL

d
Lg
эгоне ен кинкээ
-oed члэонтой

т винэкиэд
анэипиффеох

WO

+ svn

-0э ээннэд41Ана

«757 эинагаито4и

.

*$ BuentAdy

H
Vid
хо],

<

ешечен

<

оо

ЗЕЯ.
ве

12

В,

6,3

ламп

накала

Напряжение

Примечание.

режиме.

в имп ульсном

работать
триода.

* Лампа может
** Для каждого

В.
6,3
ламп
накала

6Н1П-+-6Н5П.
ламп
анода
каждого
для
приведены
* Данные

Напряжение

Примечание.

5
Т-абдица

6
Таблица

7

|

Таблица
vo
ea
—

о

=;

‘

=e oO

=v

*

2

Е
Ее
2
61g
[ase s
а|
>
< | Е
|295 <
Е
°
zs | 2]
2/582]
8. ] 8. | $2]
=2
S | ge 288] s
а:

ee

=

я

6Н1П-И |

4,5}

6НЗП-И |

5,9|

-

6Н6П-И | 11,0|
* Данные

|

для

|938 |

оЕ

:
©
a
88
8.

|6
ко
g= |
38|

4.5 |

<-= |

в |

35 | 2,2]

250]

2,0]

3,5]

1,9]

33 |

1,6|

150|

0,8|

2,4 |

20 |

4,0|

120|

4,7|

4,4 |

1,3 | Не более
1,6
17 | Не более

триода

лампы.

каждого

Примечание.

Напряжение

накала

ламп

6,3

$ 4. Многоэлектродные

да

ce

1,8 (He

более 2,6)

В.

лампы

Тетрод — электровакуумный
прибор,
представляющий
собой
четыре электрода— анод, катод и две сетки (управляющая и экраТаблица

a
Тип
лучевого |
тетрода

271П
211211
6П3С
6116С
61121C
62311

<

>
5

:

о

5

a |

т

{§

2
я

a

5
a
©

<
=
J

|8
|9
lo

5
ss

к

Е
||

&.|

= |

а.
.2

a

5

В

>

Ф
=

“|.

=

|5

|

<
|&
a | 2
с
$

x |
a |
Е

|3
я

о |
2]

|5
1

ЕО

|5] аа | Зо | &|

0,12|
2,4
11,71 1001 0,201
0,03 11,2 или|.1,11| 1201 0,051
2,4
0,90|
6,3
16,01
22| 5,40]
0,45|
6,314,1!
52| 3,60]
0,75|
6,3
44,0]
20}28,00|
{0,75}
6,3
14,5}
44] 9,40)

100]
90|

1001
901

300 | 250|
300 | 2501
250) 600]
250) 300}

ge
a

B&B

Ган
о <

5

=

ga | 9]
Ho
=o
58

|%

e |
o | &
|

к|
9s | ge]

58|

м

д
Slo

a

z

a,

о

=

Ё

8
°x

=
5

АВА:
а
Е
&

2

1,115,514,0]
0,4)
3,7) 3,8)
20,0
13,0 |
18,0 |
11,0]

8

|11,01 8,21
9,51 6,5]
8,2)6,5]
— | —|

0,509
0,4u
1,00
0,90
0,15
—

нирующая), заключенные в газонепроницаемую оболочку. Управляющая сетка, как и в триоде, предназначена для управления потоком

13

{3

eis
.
|

<

а

я
=
=

6

==

t
х

яФ

Е
s
5.

|e]<
=

х

>
5
м
Пентоды

О, 6Ж6Б
`0,6112Б5Б|
151
15211
]Ж17Б |
1Ж18Б |
1Ж24Б |
1Ж29Б |
1ЖЗОБ |
2Ж14Б |
20K 155
6Ж1Б |
5Ж1П |
5Ж2Б |
6Ж2П |
6Ж4П |
6Ж10Б |
6Ж10П |
6Ж32Б |
6ФП
6В1П
6821
6B3C
6Ж5Б |
6Ж5П |
6жЖ9И |
6Ж11Ш |
6Ж3З2П |
6Ж 3811. |
62K 4911 |

Таблица

Ela |

=Ф

a.)5

6s в

dol]

=|

ее

3/2]

|,

ul}=

.

48

о

о

&

9

2. lee
lel els] sols
eo} 3 | 3 (2 |e]
s
[2
9о

8
>
Ton
cO
с обычной

x

.

х

а

seie1/ast8te]2
=
ы
Е
х
=

a

iyO <t

[esp 2

[2

la]

Ф

§

fa?

ЕЕ
os]
Що

|9
518
5
х
a
ооо

6
5.
|=

Bo
Qs
Ox

а

=

<

]F

характеристикой

200,625] 0,11] 0,9 кОм 0,01 30 | 30 | 3,0] 5,0]0, 300]0, 1
300,625! 0, 13
—
— | 30| 30.| — | — | —
0,0
60]1,2 |0, 65
—
— {100 | 75;
—|—]—
10,3
30]1,2
|0,55| 1,0 кОм |0,20)67,5) 75 | 1,8) 2,1)0,.270)0,1
601,2 | 1,00
—
0,50] 60 | 60 | 3,7| 2,700, 0050,2
211,2 | 0,70
—
0,30) 60 | 60 | 3,7| 2,710, 00510, 1
131,2
|0,90
—
— | 60 | 90 | 3,6] 2,90, 00810, }
601,2 | 2,50
—
1,20] 60 |120 | 5,0] 3,00, 00510, 5
ИЛИ
|
2,4
131,2 | 0,60
—
— | 12 | 20 | 8,5] 3,510, 01510, 15
302,2 | 1,25
—
0,50) 90 | 90 } 4,5) 6,00, 01510,80
144 — | 0,70
—
10,15] 60 | 60 | 4,0] 5,010, 0150, 70
200] 6,3 | 4,80
—
1, 201120 |150 | 4,8| 3,810, 030] —
170] 6,3
15,20] 1,0 МОм
|1,801120 1150 | 4,0] 2,310,040] —.
200] 6,3 | 3,20
—
0, 901120 1150 | 4,9] 4, 110,030] —
170] 6,3 | 6,20
—
1,80]120 |150 | 3,51 3, 010,040} —
300] 6,3 | 5,70] 0,9 МОм |3,50300 |150 | 6,3] 6,310, 004| —
250] 6,3 | 5,00
—
2, 10]150 |125 | 6,5] 4,510, 050] —
300] 6,3 | 9,5010, 1 МОм 13,00]200 |150 | 8,5] 4, 110,020] —
120] 6,3 | 3,10
—
0, 901120 |125 | 4,6] 3,510, 0301: —
430] 6,3 | 6,20
—
2, 501170 1170 | 5,5133, 4]0, 030] —
400] 6,3 [28,00
—
4,50|250 |150 | 9,0] 4,010, 0052,70
[1800] 6,3 |22,0
—.
13,001600 |—
|32,0)20,0/0,
200) —
909) 6,3 |20,0
—
5, 001700 |— |75,0]14,0]0, 2001. —
250] 6,3 {10,00
—
2,40]120 |150 | 6,0] 4, 010, 050]4, 00
450] 6,3 | 9,00] 240,0 МОм33, 601300 |150 | 8,5] 2,210, 0303, 50
300] 6,3 [17,0 | 150 кОм 1|3,00]150 |160 | 8,5] 3, 10, 030]4, 50
440] 6,3 [28,00] 36,0 кОм |4, 901150 |150 |13 | 3,4|С, 040]7,50
200] 6,3 | 1,80] 3,5 МОм |1,001250 |200 | 4,0] 5,5]0,050] —
180] 6,3 |10
175 кОм |2,50/150 {100 | 5,8} 2,4/0,020)3,2
300) 6,3 [14
100 кОм |2,85}150 |150 | 8,2| 2,700, 03012, 4

Пентоды с удлиненной характеристикой
кп
60] 1,2 |0,8910,17 МОм] —. | 90 [67,5] 3,8 | 7,5 10, 010] 1,20
1К2П | 30 1,2 |0,70|
1,5 кОм 10,30] 60 | 75 13,0|4,910, 0100,50
6KIB | 200 6,3 |4,80| 0,8 кОм
11,20120 |125 |5,1 3,8 10, 030 4,00

Продолжение табл. 9

<
Ум 61 (ия
-199 yodo1a) ‘MOL, “@munOL29
du
:

cisouma BeRYoxmg

0 чазюяио веншохоаи
an
a

_

«Xd,
i
9 ASONWS BEATOXE |

п 589.

ФИ‘
Ф

pH
29

ahHexbdueH
.

.

sOHTOHY

3 ‘^7 эинэже4иен э0нёо:29 |
qd‘ <8 A
e

-.

=

—

ereven

пир |

HO]

oHHaKedueLy

‘ $ енеи1 ААУ

Ay

lg «HOU
ый ЭПОНР #2Н БИНВэЭ>
`-2е4 ALOIOHMONW KEWHLOALOTL

7

oH

elreweu,

.Я/Уи

|} annairanioduos эоннз41Аня |

Я °oH f
Yn

ne

озна

|

>
$

>
>

"“N

+

Tt
5

<?

Q2

oD
RSu
waa
че
O09

fe.
990°
К
OME
Neo
woo

28s

29“

3555

ss

SANS
зая
OMW
с

6

>

3
5

| =

oS

>
&
=

0

<<

o

oon

<

.

So

TST

1D

7

~
a
woos

10

&a

SNS

са

=

Г: < <
wee.

oO
pe
=

о пор

9х

of

Е
52

>

>

>
<
of

‚=
5

©

==

pu

.

,
‘da
“2

Ч

aLoonwa

.
кентохо4[1’
о

чтэоямо

|
BEHYOxXMg |

19|

вРННОХЯ

``
Фа
Э чьэочяэ веннохчЯ
xa

:

GLIOHTIOM

Фи. *^`2

‹ ха
2

:

эинэжвапен

эон\ону

v

Я ‘”`П эинэже4пен эоньогэЭ
8

Я °П

.

of

YU
ээннэ41Ана

WOX

га ‘107, эпоне ен винкзо |
-2ed ALSOHINOW KEWHLOAUOY/
эинэгнито4поэ

- GéVW *S ensHLAdy |
°

HY

ВИЕВУЕН

НО],

со,
1 [2255
SO
ооо

MRMRODODO—
tte
ANY Noo

ANMANRKNOS
COP OSE NN
ооо оооо

са

—

=

© 1919
jeie2e2
ODMNMO

—

OD

| |2яе®
“oOnos

:

292 2

>

—

>

—

—___—

N

CODON

Ш

[883%

— ==

‘NAICS
igG lg

~~~

[[

WDODDO00Oe
NOAH NTA

хозащес-

оффе»

1

22Q2SS999

fl]

есчо

OO OAGO

со <в со г

—

|

a

pleaesk

ee
a a

чо

«10

OWMWwmdoaNn0oO

ме

IDI2SOSS

ooogoo—

SS$8SS8SS
55555
“a

—

|

ююю

SS

ll

908%
OOO-ON

oD

NAKA

soa

Зоо

——

-

———

>

$$$

1
ааа
<
ПРЕ

ооо

—

са Е

DH

norco
> © 3 63 09ea
РЕ

ооо

2=еозсссмю

NAINNNOOO

=ооооососо
a ‘Np evewen onnomuduey | юююфоюо
CANAAN BAS AAC о3 03 3
SRAR=F
63225883
У

|
eVOlHall .OJOHToxma DH]

15

„вх.

электронов, движущихся от катода к аноду. Экранирующая сетка,
на которую подается напряжение порядка (0,4--0,8) Из, находится
между управляющей сеткой и анодом и экранирует. катод от анода.
Изменение анодного напряжения Иа при постоянном напряжении
экранной сетки со незначительно сказывается на изменении анодного тока [а. Вследствие этого тетроды обладают значительно большими, чем триоды, величинами внутренпего сопротивления К1 и статического коэффициента усиления и. Кроме того, введение экранирующей сетки резко уменьшает емкость между анодом и управляющей сеткой Са.с!, что особенно важно при использовании лампы
в схемах, работающих на высоких частотах.

Г
Tah

При ие

Оо; > Исг > Иез
Uoy

Uce

сз

мы

9;

а — семейство
характеристик,

Tey
(с?
:

Рис. 4. Типовые

I

erase,

характеристики

пентода:

анодных
характеристик,
—б — семейство
в — характеристика
пентода с удлиненной
А — точка

перелома

анодно-сеточных
характеристикой;

Тетроды не получили широкого распространения из-за вредного
влияния вторичной эмиссии электронов с анода (явление динатронного эффекта). Практическое применение находят лучевые тетроды,
в которых устранен
динатронный
эффект,
обычно
используемые
в сземах усилителей низкой частоты
или
генераторов.
Основные
параметры некоторых типов лучевых тетродов, нашедших применение на практике, приведены в табл. 8.
Пентод — электровакуумный
прибор,
представляющий
собой
пять электродов— анод, катод и три сетки (управляющая, экранирующая
и антидинатронная),
заключенных
в газонепроницаемую
оболочку.
Антидинатронная,
или
защитная,
сетка
расположена
между анодом и экранирующей сеткой и служит для устранения
динатронного эффекта: с помощью этой сетки возле анода создается
потенциальный барьер, препятствующий вторичной эмиссии электронов с анода. Потенциал антидинатронной сетки Исз обычно равен
потенциалу катода (практически сетку обычно соединяют с катодом). Пентоды широко используют в схемах усиления
колебания
различных частот (высоких, низких), генерирования мощных колебаний различных частот и т. п.
В пентодах образуются емкости между сеткой и катодом Сет.к,
сеткой и анодом Сс1.а, анодом и катодом Сак, сеткой и экраном Ссл.сг.
Сочетания этих емкостей образуют:
входную емкость Свх=Сел.к- Сета;
выходную емкость Свых=б@ак- Ссл.а!
проходнук:

16

емкость

Спр= Сел.а-+ С

Ссл.к-

Сса.сэСак

Сс1.К

С1.С3

ЕС

ЧС."
ак
<

bs,4%
7759

$<

р

IY)

a

OUYANG
1,

WW

ZZ
РИН

cry| ГА

,
Al

Рис. 5. Схемы, габариты и цоколевка“електронных

ламп

‘

г

ст

t

->

Метка
~ OHSll

4

10,2
=

3

if

9

о

9 —

6100

ab
7

x |102

Dy

$225

иС

Рис. 5. (конец)
Семейство типовых анодных характеристик (зависимость [в от
ОИ. при различных значениях Ос:) показано на рис. 4, а, семейство
типовых анодно-сеточных. характеристик (зависимость
/с ог Оа при
различных

значениях

Ос!) — на рие. 4, 6. Для

авгомагического

регули-

рования усиления используют пентод с удлипенной характеристикой
(с переменной крутизной, рис. 4, в). Такая характеристика //Г получена как результат наложения
двух кривых:
/ — анодно-сеточная
характеристика, соответствующая
«густой»
намотке
управляющей
сетки, [1 — анодно-сеточная характеристика, соответствующая «редкой»

намотке.

‘`

.

В табл. 9 приведены основные параметры пентодов с обычной
(короткой) и удлиненной характеристиками, в табл. 10 — параметры
выходных пентодов. На рис. 5 приведены схемы, габариты и цоколевка

электронных

ламп.

ГЛАВА

И

ГЕНЕРАТОРНЫЕ ЛАМПЫ
$ 5. Общая

характеристика

и условные обозначения

Генераторная лампа
— электронная, применяемая для преобразования электрической энергии постоянного или переменного
тока
в энергию электромагнитных колебаний различной формы. Принцип
действия генераторных ламп такой же, как и приемно-усилительных.
Генераторные лампы, как.и приемно-усилительные, различаются количеством электродов, помещенных в газонепроницаемую оболочку,
внутри которой создан вакуум (триод, тетрод, пентод).
ож
&

19

По назначению
(роду работы) генераторные лампы делят на
импульсные генераторные, импульсные модуляторные (для усиления
слектрических сигналов низкой частоты) и генераторные для непрерывного режима работы; по диапазону генерируемых колебаний
—
на длинно- и коротковолновые, ультракоротковолновые, дециметровые и сантиметровые лампы; по мощности, рассеиваемой анодом,—
на маломощные (до 25 Вт), средней мощности (до |1 кВт) и мощные
(выше | кВт) лампы.
Модуляторные лампы применяют в модуляторах мощных передатчиков с амплитудной модуляцией, в мощных усилителях низкой
частоты, мощиых электронных стабилизаторах и т. п. Импульсные
генераторные и модуляторные лампы используют в схемах импульсных генераторов и модуляторов радиорелейных линий связи, радиолокационных станций и т. п. В таких схемах обычно
используют
тетроды.
7
Условные обозначения генераторных ламп состоят из трех элементов (табл. 11).
Таблица
11
1-й элемент — буквы (характе- |

2-й элемент — число | 3-й элемент — буква

ГК — коротковолновый
диапазон (до 25 МГц)

Присваивается
|
А — водяное
заводом-изготови- | принудительное
телем
Б — воздушное
принудительное

ризуют назначение

прибора)

ГУ — ультракоротковолНОВЫЙ
диапазон
(25—
600 МГц)
ГС — сантиметровый и де- |
циметровый диапазоны (выше 600 МГц)
ГИ — генераторная лампа,
предназначенная для работы в импульсном режиме
ГМ — модуляторная лампа
ГМИ — модуляторная лампа, предназначенная
для

работы

жиме

в

импульсном

Примечание.
элемента обозначения,

$ 6. Основные

(порядковый номер
разработки)

(характеризует тип
охлаждения)

П — испарительное

ре-

Лампы

с естественным

параметры

охлаждением
"

не

имеют

3-го

генераторных ламп

Генераторные лампы характеризуются в основном теми же параметрами, что и приемно-усилительные, но поскольку они предназначены для генерирования и усиления электрических сигналов до больших мощностей, особое значение приобретают следующие параметры,
20

.

определяющие эмиссионные свойства ламп и мощности, рассеиваемые
на электродах в различпых режимах:
напряжение накала Он:
ток накала [н;
ток эмиссии катода [эк — ток с, катода на соединенные вместе
остальные электроды лампы (при номинальном напряжении накала
и определенном напряжении на остальных электродах лампы);
TOK эмиссии катода в импульсе [эк.и
— среднее значение тока
эмиссии катода за время действия импульса напряжения, приложенного к соединенпым вместе электродам лампы
(при номинальном
значении напряжения накала);
напряжение анода Ца;
мощность рассеяния на аноде Ра;
крутизна характеристики 5;
статический коэффициент усиления и;
долговечность;
интервал рабочих температур
— интервал, внутри
которого ни
один из основных параметров не выходит за пределы своего допустимого значения.
Основные параметры некоторых типов генераторных ламп, нашедших широкое применение, приведены в табл. 12. В графе «ЦоКо«
левка» приведено условное обозначение схемы соединений электродов с внешними выводами — штырьками (счет штырьков ведется по
часовой стрелке, если на лампу смотреть, повернув к себе цоколь).
В электрических схемах генераторные лампы изображают в соответствии с требованиями ЕСКД.

ГЛАВА

Ш

ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВЫЕ

$ 7. Общая

характеристика

ТРУБКИ

и условные обозначения

Электроннолучевая
трубка — электровакуумный
прибор,
пред.
ставляющий собой стеклянную колбу специальной
формы,
внутри
которой создан вакуум и размещены электроды. В горловине колбы
помещен электронный прожектор (электронная пушка), создающий
электронный пучок (луч), направленный на экран, покрытый
спе‘циальным составом. Экран обладает способностью светиться в месте
попадания электронного луча. Отклоняющая система
электронной
трубки, создавая электростатическое или магнитное поле, позволяег
перемещать электронный луч по экрану. Изменяя напряжение управляющего электрода, можно регулировать яркость свечения пятна на
экране трубки.
|
Электроннолучевые трубки получили широкое распространение
для измерения, наблюдения и контроля различных процессов в уст*
ройзтвах автоматики и телемеханики, в телевидении и радиолокации
и по назначению делятся на приемные (осциллографические, телевизионные
— кинескопы, индикаторные, запоминающие)
и передающие (ортикон, суперортикон, видикон).
Условные обозначения приемных электроннолучевых трубок состоят из четырех элементов (табл. 13). Условные обозначения пере-

21

87

|
ка

—

Tun

генераторной
лампы

Основное

назначение

<
~

| Напряже- |

a

:<
=
Е
=

ние накала

Он,

В

ь

ГМ-1А (ме- | Усиление НЧ- | 180—
таллостекколебаний
210

|10,2—10,8|

Регулирующая

|28,0—|
34,0

5,7-6,9 |

ГУ-10А,
'Генерирование |70,0—|
ГУ-10Б
и усиление | 80,0
(металло- | ВЧ-колебаний _
стеклянная)
до 25 МГц

7,0—7,3 |

&

$< &
=

о

.

Я

g

<

25m

ый

|2

2.

5 On

|e
zo

к <

gig
| кВ | ОкЕ
so 33
*2"> | & | 2S
ЕЕ | anЯ AS|585x
FEES
О

лянная)

- ГМ-2А,
ГМ-2Б (металлостек-

oe

8

а

>

я

80 (2500) |
|

6 (400)

|

=

<

6,0 | 30,0

|6,5—|
8,0

3,5

лянная)

ГУ-5А,
ГУ-5Б (металлостеклянная)

20

Генерирование
и усиление
ВЧ-колебаний
до 110 МГц

|20,0—|
24,0

12,6

15 (1000) |

8,0 |

10,0

6 (500) | 4,0— | 3,5
5,0
|——
2,5

1 аблица
‚8

х
я

a

С

<,

о

=

Е

oOo

=

о.

=|
2)

o.

Габариты,
ММ

="

В

Интервал

*

Pac

temnepa-

5

тур,

=

|

Е
2/8
--5----60

e

положение

|| Е Е.
=

11500]

a

Цоколевка

°С

#| 8

22— | 3—5
32

a

.

|4401145

Вертикальное, стек-.

лянным бал-

лоном

1,

14—|

18 |

48— | 500] 43-70
62

|200) 92

1000} —60 +--- 10011641

96

25 |

55

[1000] 5-70
7

—60+-+-70

„А

©

Вертикальное

$

р

катод,
сетка

2, 4—

|320]126

Вертикальное,

3301126]

лоном

А

85

—60-+-70 |210]106

стек-

лянным

12—| 60— |1000| + 5-=--70 |210]106
18 |

ввёрх

2 — катод

(3)

|, 3—

15— | 45—

1%

Вертикальное,

да, 2,

стек-

ляиным бал-

SPE
{=a

бал-

вверх

лоном ввёрх
като-

3 -—катод

|

23

‘

=

вв |
ag.
Tun

генераторной
|
лампы

061080 |

<

5

3

ГУ-27А,
Генерирование |22,0—|
ГУ-27Б-1
и усиление | 27,0
(металло- | ВЧ-колебаний

Ь

Sz х 25

СЕ

7,5—7,8 |

Re
=
Яя

5 (800)

Ss
д

|9

Е

Bas
Oy
aS

&©

=

|?8

5
я

9&
ов

&х | Е5
=
a0

НА

e

3,5

2,0

3,0 |

2,0

до 110 МГц

ГС-7А,
Генерирование | 2,8—
ГС-7В (меи усиление
3,4
таллокера- | ВЧ-колебаний
мическая) | в непрерывном
режиме до
1000 МГц
wo

|11,9—13,3| 2,3 (600) |

и

импульсном

режимах

15
,

.

ГИ-15Б, | Генерирование |0,75—1|12,0—13,4|
ГИ-150 (ме- | ВЧ-колебаний | 0,8
таллокера- | в непрерывном

24

В.

=
a3
x5

Е

мическая)

=

| ние накал
| 28а
|
A
= Zid

x
=
х

стеклянная) |

av

о

3 (120)

0,8 | 80,0
‘|
Вт

Продолжение табл
Габа-

№

Е5

a

о

7

у

Е

в

=

=

<

=

a

а

x

5--9|

paral,
MM

.

=

к

Интервал
ИХ

eee ne р а

Цоколевка

TYP,

S | =3

|=
|
м

|

„Рабочее

|

14— 12000] +5+-+70

11601106

Вертикаль-

—60----70

11681118

ввиЗ

20

{2

ное,

анодом

1, 38 — катод, 2 — пер-

вая

23—|
35

—

45-80

~

|127| 65

сетка

A

Вертикаль-

—60+--80 [1771100

ное

C
Ki f

s—|

12

— | 200] -60+-+-70] 26] 8

A

_**
C

Kn

fl

25

—

=

a

5=m x

Tan
генераТорной

<

Основное
назначение

ламп

ag?

~

=

3

ma

3
с
im

U,,

B

я

со

=

5

v

ГМИ-6,
Работа в им1,0—1
При no_ ГМИ-6-1
пульсных моду-|
1,2 | следова(стеклянная | ляторах стациотельном
(бесцоколь|нарных и перевключеная)
движных радио| нии подоустройств при
гревателя
длительности
1,4—
импульса до
14,0; при
5 MKC
параллельном
включе-

ГМИ-26

Работа

в им-

бесцоколь- | Лителях

и мо-

(стеклянная | пульсных уси- |
ная)

дуляторах

.

5 >

|1,3—|

1,6

Ss =

ия

f

ae

wR

ох

on

г

—

атм

M

|

4,0 | 15,0
Вт

"

5,7—

7,0

5,7—7,0

—

|22,5—27,5

20,0

4,5

8,0

Вт

при

|

65,0
Вт

* В скобках
на

первая, вторая
*** Прочерк

приведено
изображении

значение
цоколевки

—

Вт

(ГМИ-83В)

26

[120

<

ша

(ГМИ-83) иЗмкс

Буква

ВЕ
> <

длигельности
импульса до
10 мкс

ГМИ-83,
Генерация
1,6—
ГМИ-83В | ВЧ-колебаний | 2,3
(стеклянная) |с длительностью

**

2

‚во

| Se
Хх | ЕЕ
а.
>©

Ф

НЯ

| ва

2

О ЧЕ
Боока%>

<,

м

a

>

a

<
< 0
™

‚ | нии

я

St &

Напряжение нака-

Е

<>

напряжения,
означает

при

вывод

котором

измеряется

соответствующего

сетка), К — катод (АК,,
К, — первый, второй катод),
в графе
«рабочее
положение»
означает отсутствие

элек

КП — катод
конкретных

Продолжение табл.
=

х
=

|

а
<

=

2

ы

-

о
=

x |

y

^
=

и
Е

рабочих
темпера-

о

.
с

ЕЯ

о |

|1 8.2 ©

ы

a}
mG

— |

8

Габариты,

мм

|8

|5

mn]

м

Е

Ft

8 | 8

1600

—
500|

Рабочее
положение

Цоколевка

typ, °C

С.

—

.

нтервал

8

2
=

| §

Я

93 | 48
—60----90
.
т

~

12

Вертикаль-

ное, выво,
дами анодов
вверх

95 | 48

|, 7 — подогреватель,

2,

3 — первая

и

вто-

рая сетки, 4 — катод
и
Лучеобразующие
пластины, о — средняя
точка,
6 — первая
сетка
-

—|

—

[2000—60-—--125

90 | 42

—

2, 7 — подогреватель,
3, 4, 6 — сетки, 4—
катод и сетка

—|

—

|150

300

—

1136] 65

(2)

4

5

—

PP)
1, 4 — подогреватель,

2,

трода на корпус:
(подогреватель),
указаний,

А — анод (А,,
А, —
[1 — подогреватель,

первый,

3 —

сетка,

второй

TO

4 — ка-

avnog),

C — ceTKa

(Cy,

C, —

27,

дающих электроннолучевых трубок состоят из двух элементов. Первый элемент — буквы (характеризуют тин трубки). Второй элемент —
число (порядковый номер разработки). Опо обычно
характеризует
тип прибора: от 200 до 399 — ортикон, суперортикон; от 400
— видикон. Передающие трубки, второй элемент у которых число, меньшее
200, относятся к ранним разработкам. Как правило, в этих случаях
Таблица 13

1-Й

элемент —
число

2-й

элемент

буквы (характе-

ризуют

тип

трубки)

3-й элемент
— .-.
число (порядковый помер разработки)

4-й элемент
— буква (характеризует
тип экрана, цвет
свечения и длительность после свечеНИЯ)

Указывает
ЛО — осцилПрисваивает-|
А — синее
(кодиаметр
или |, лографичевкие | ся заводом-из- | роткое), Б — белое
диагональ эк- | трубки и ки- | готовителем
(короткое
ИЛИ
рана в санти- | нескопы
с
среднее), В -—беметрах
электростатилое (длительное),
Г — фиолетовое
ческим откло(длительное), Д —
нением луча
голубое (длительЛК — кинескопы с элекное), Е — оранже_ тромагнитным
вое
или
голубое
(длительное), Ж —
отклонением
луча
голубовато-зеленое
(очень
короткое),
„ЛН — запо_ минающие
И — зеленое (средтрубки
нее), К — розовое
(длительное), Л —
ЛМ — индикаторные труб-|.
синевато-фиолетоКИ
вое (очень короткое), М — голубое
(короткое),
I[] —
KpacHoe (среднее),
Р — синевато-фиолетовое (среднее),
У — светло-зеле- .
ное (среднее)

второй элемент не указывает назначение трубки, например ЛИ7 —
супериконоскоп, ЛИ13
— суперортикон,‚ ЛИЗ3
— видикон, ЛИ101 —
супериконоскоп и т. п.
Электроннолучевые трубки характеризуются в основном следующими параметрами:
диаметр или диагональ экрана
(является
первым
элементом
условного обозначения любой электроннолучевой трубки); .
яркость свечения экрана
— сила света, испускаемого | м? экрана
в направлении, перпендикулярном к его поверхности;
цвет свечения
— цвет экрана при наличии возбуждения (указывается в четвертом элементе обозначения трубки);
28

цвет и длительность послесвечения (также указывается в четве]том элементе обозначения трубки). Цвет послесвечения
— цвет экрана после’ прекращения возбуждения; длительность послесвечения
—
время спада яркости свечения экрапа (после прекращения возбуждения) до 14$ от первоначальной яркости (очень короткое рпослесвечение
— менее 10 мкс, короткое
послесвечение
— от 10 мкс до
0,01]

с,

среднее

послесвечение
— от

0,01

до

0,1

с,

длительное

после-

свечение
— от 0,1 до 16 с, очень длительпое послесвечение
— свыше
16 с);
разрешающая
способность
(четкость)
— мера . различимости
деталей изображения на экране; определяется шириной светящейся
ефокусированной линии. Разрешающая способность оценивается следующим образом: для телевизионпых трубок (кинескопов) — максимальным количеством различимых строк, укладывающихся на нормальной высоте кадра (на рабочей части экрана).*, для осциллографических и индикаторных трубок
— шириной, мм, сфокусированной
линии в центре экрана и на определенном расстоянии от него; для
передающих трубок
— максимальным числом чередующихся светлых
и

темных

полос

(линий)

одинаковой

воспроизведены на экране кинескопа;
напряжение накала Цн; ток накала
Оз

ит.

д.; напряжение

модулятора

лятора Юм; долговечность (срок
ратур; габариты; цоколевка.

$ 8. Осциллографические

ширины,

Им;

[;

которые

напряжение

сопротивление

службы);

интервал

могут

анодов

в цепи

рабочих

электроннолучевые

быть

Иа,

моду-

темпе-

трубки

Осциллографические электроннолучевые трубки применяют для
наблюдения и фоторегистрации различных электрических процессов,

верхняя граница частот которых

не превышает

обычно 50 МГи. Эти

трубки различаются величиной экрана (2,8—25 см) и количеством
электронных лучей (одно-, двух- и многолучевые). Как правило, осциллографические трубки имеют круглый экран с зеленым свечением
(для непосредственного наблюдения) или с сине-голубым (для фоторегистрации), а также электростатические фокусирующую и отклоняющую системы, причем отклоняющая система состоит из двух пар
‚взаимно перпендикулярных электродов (вертикальные и горизонтальные отклоняющие пластины).
Для надежной работы осциллографических трубок большое значение имеет стабильность источника питания, так как при электростатическом отклонении
луча
нестабильность
источника
питания
вызывает дополнительную
нелинейность
отклонения’ электронного
луча.
|
При работе с осциллографическими трубками необходимо:
перед включением трубки потенциометр, регулирующий. яркость,
вывести в положение, соответствующее минимальной яркости;
включать высокое напряжение
после’ включения
напряжения
накала и напряжения разверток (спустя 2—3 мин);
установить величины напряжений на отклоняющих пластинах
такими, чтобы электронный луч не выходил за пределы экрана.
Параметры некоторых основных типов осциллографических трубок, имеющих широкое применение, приведены в табл. 14.
* Рабочая часть
бражение получается

экрана
— поверхность экрана,
без видимых искажений.

на

которой

изо-

29

я

—

эннеь
-awndt]
@

— ЭИШоОЕН

поне иобогя — / “ан
ЭншШовноия
“ALOR
эинжин — 6—9
-0
— р
ичядэн
‘Гоне
‘“анитоегн

BuEoWOHOT]

эЭинх4эя — 9
-оиЯ1о
‘чиэь
‘© ‘Нотгея —2
-ечэ д лоГои — ]/ ‘1

ЕПИГОВ.[,

ениит

h

ert

а ‘Мл

82)
|-onroy | -aweduey | ‘aovone

водокэин
‘алэон
‘ъэа || -Анок

ая

‘0
\

"п
sHHaxXKduUeTY

Ig | 681 | 0001 | OF O ZO} T‘I—S‘o}|

-euY

‘mLHdeoe]

GLOW

WA

ВИП

не

aor

випе412и4э4
| Изо
и
венчиел

0°% | -editoHiedoLom | WSEOLrs

$‘ 9

LH

B

‘ чо

30

юнитов ии
JHINOIBHOF ALO

OHH

-xdoa— JJ ‘oy ‘Woue
vodolg — 6 чанитоеии
‘SHMOIBHOLMLO OHHH |
‘ifoue uid
—9 ‘z
-dau —¢ ‘dos rAYow
— © “Шоех — 2 ‘9иэ1
-ечэ Члогой —}/ ‘[

-

SL

196

о00т

961—

оп 010. GGG‘

S°I-T ‘I

!

0’? |

кенчизАевя | HECOL's

БИП
-ediowsedoLogm | WEZOLSs:

puredionsed

o‘O] |

81

-эгвизодиоо

£8

cI

п

qu g off
y 10

qu

Lo

oy qig

|
,
CSp | 997 | 005

0101/0

00z—

ov

о
I—

‘11°
1-06

|ои 030 |5*°—91|

OLGIE

‘sorvone

G

‘

&‘т

G‘I

I

виножнацен

[to |

006—
ОФ | 0’

©

ожвацен

|. | at
шо

"LOH

| Sep | 00€ |

‘TaLHdege|

|

|.

иипеЧри1эдотоф|

mame dione '
ия
HOH

uunedis

eHJodoLop

wiry

goo0er
-о9и-БЯ вип

я эин
Ц

| MIOLCS

|————____

УЗУОГЕТ

УЗУОШЕ1

яаозээподи-[Я
випелоичэ9
BeHaireAeng | KAPOLEI

эчазьАихАя

|980

“od митои | ИЗРОМЕ1

| A lOL’ce

|) эчзэьАмиу
ит | УТОсС

вит иснедуе
wianaroifowsdn

vonaredena

—

“dB

‘9120

rons

H0

ЭИНЭБЕН$ЕН

nie

HYQAGL

ка

O*ST | -edionsedolom | VPOLE!

|

0°00т|

>

|—5‘<| энвоьдихАеи

Ш

‘
0 0S

003 | a

`) о01-+ 01 09— 10 4Ашедэпиэ1 эносецеи! з 10610088 очиьцо12А и МО
9°Т еМУвЧоп едоликгАТом ипэп
0х 0уС LO ешежен NOL ‘gq 6'9 ОИ /‘$ 10 еизйен эинэжк4ен уоэми иода эчн незечА ‘Ээи нвьэзии4

—3
ич1эя1эъ
— *y

‘Ум 099

поне

— у
‘тоне — ии1эд

“SHALE UT ener
|.

WA

cm fem

eel

|наи чи | el | OOF | ove

‘[

— JZ
‘over

eusoroxoyy

‘апэгезэдлопой—ф]

-AYow—e

-9* ОТ | ‘тоне иодо1я—6 ‘оне
‘dour
"7 | waadan—o¢
or

OnHCh

‘vgou annaovoood |]

~omudyy

РГ

32

$ 9. Индикаторные и запоминающие
электроннолучевые трубки
Индикаторными называются электроннолучевые трубки, применяемые для назигационных и радиолокационных устройств, где широкое распространение имеют индикаторы кругового обзора и использование круговой развертки. В индикаторных грубках используется магнитное отклонение луча и экраны с длительным послесвечением. Обычно экраны имеют круглую форму с диаметром 60—
400 мм. Основным
назначением
индикаторных
трубок
является
визуальное наблюдение протекающих процессов.
Запоминающими называются электроннолучевые‘ трубки, предназначенные для записи электронным лучом информации
на специальной поверхности
— мишени,
которая
сохраняет
изображение
длительное время (от нескольких часов до нескольких суток). Запись
информации на запоминающей трубке представляет собой накопление на поверхности мишени заряда, соответствующего входному сигналу, а воспроизведение (считывание) заключается в формировании
выходного сигнала... Обычно ввод и считывание информации производятся в виде последовательности электрических сигналов. Запоминающие трубки используют в электронных вычислительных устройствах, устройствах
автоматического
управления,
навигационной
и
радиолокационной технике и т. п.
Основные параметры некоторых индикаторных и запоминающих
электроннолучевых трубок приведены в табл. 15.

ГЛАВА
ИОННЫЕ

$

10.

Характеристика

IV

ПРИБОРЫ

электрического

разряда

Классификация и условные обозначения
ионных приборов

в

газах.

Ионные приборы основаны
на
использовании
электрического
разряда в парах металла (ртуть), в инертном газе (аргон, иеон и др.)
или в водороде. Ионный прибор представляет собой стеклянную
или керамическую оболочку, наполненную одним газом или смесю
газов. Внутри оболочки помещаются два или более электродов: анод,
к которому подводится положительное напряжение, и катод, к которому подводится отрицательное напряжение (рис. 6, а). Различные
типы ионных приборов содержат разное число электродов; например, число катодов может достигать 10, могут быть одна или две
сетки и т. п.
Типовая вольтамперная характеристика электрического разряда
в газах показана на рис. 6,6. Точке а соответствует возникновение
самостоятельного разряда (напряжение зажигания О, ), на участке
а — 6 ток очень мал (микроамперы) и газ не светится — стадия темного (тихого) разряда. На участке в — д ток возрастает до десятков
миллиампер и газ в промежутке между электродами начинает слабо
3

Закгз

531

.

33

005

551

145 |

006

bh “4L90H

-БэволгоЦ |

—

—

0SsI—
of 9 LO | 91—51

|
CcZI—

edo.uir

;

-АПом эин
-эжк ацпен

' gq ‘ph

вопонв

ян‘

094 | мою | 91—&1

$86 | 8Zi

| Guan

<6т | 951
вники

WW ‘HI2Hde
OR J
=

ст епикоет,

—

оп

joool+ ov
1|90$— LO}

к.

‘7

|001— |

ср

Га

KHHAKsdueH

$5‘0

0S

0005

зоэээп
-оди хихээвиЕиф випед
-LovJed = wenaireAeng

OL
HOH
-ONLO OI1GLDOML9h
-нэпичаон э едолехиини
a BOLOAEILOU
эвлоэвея
041
-2и ‘винэже4905и
-оиигич эиненийопес

DEWLLET

ТНТ

эс вин
—же490еи
BHHECHLS
Bwadg

ии

005
0S

un].

HOHdOL
-PXHIHH

-ОПЕЕ иги

НН

AOWLel

OWL'S

АЭУ\ЦЕТ

950
CZ‘0

`

doooenodu
Butied

венчиеАвиЯ

WW
WW

-12и19@

эинэвенЕен эонвоноо

хихээви думэ1гЕ

от

912074 4

‘eHedye

Ln

им 0'0

ALIOHQODOUD

Bemow modeeg

84

-ordHLoduos

|

16
diaw
вии

‘чти4е0е

|

H

(YN

00S
h

.
$16-985

| “атооньэя |
-Oulroyf

=

09—

He
Гиа

OF

01— 01

-килдиой
HHO

We edos
-вдиен |

ezt='n

—
«SB

вотоне

a”

a

vodo1ow

—
«Le

a
кинэжндиен

a

Bry

‘gHIr H ‘VW 00g

9120н90501>
кешоетэ4Ее

—

OF

`

- "WOW ‘т
O0€ 10 HY

exgdd |

LH

‘enedue
атзонан

и

ехИваоп едоткиА Мом
yodoLow вии ‘HIPS

эинэнефх

ЭИНЭБЕНЕЕН

.

VOHEOHIO

‘чэииес

‘ипэп я МУ эин
awodu) WN 099

XPALOHOULDA XIGH
я LHW
-агэтииоиьюя
-эиЕ OJOHILALHUONPH oa
-тоэьех я BKOLOAEIIOLION
|‘(кинэже4оо5и оломитиа
кинэжедо
oJow | 699) aovHa xAsY aOlreH
-osH
<duHAaaenoduooKd
¢€99 | -IHO
-uyHa

и

i...)

-OUE ИКИ
ион4о1

ичод ат
dere nan

НИ

eto= "yn егелен эинэжь4иен эончиениион тоэии ‘(Э о39 -- о" 09— Lo 4Азедэпиэь ноевиеий цо4оточ
er org 10 4 | еие мен хот ‘
эиневэя и 4
‚КиШ ‘|НИСТ
эи94 я) DO о38 + of .99— 10 4Аледэциэ: эносецеий a LoieLoged OG@HhHOLIA HUQAdL SIIHHELEBHK

196
а
им

с] `удрш эпнажуобоа

светиться
— стадия тлеющего разряда. Участку в —г соответствует
почти: неизменное напряжение О, (напряжение горения); плотность
тока (ток, отнесенный к.| см?`площади катода) в светящейся части
разряда постоянна
— область нормального тлеющего разряда.
По мере увеличения тока светящаяся
поверхность
становится
больше и после того, как вся поверхность катода начинает светиться, дальнейшее увеличение тока /. приводит к увеличению плотности
тока
— область аномальлого
тлеющего
разряда,
соответствующая

Ua |

UВ

’

U; RK
А

U,

6

Нормальный:
Аномальный

.

_ Темный

Ayeobout

KI.

a)

Тлеющий

‚0

а — условное

Iq

b)
Рис.

6.

Ионный

eK

прибор:

обозначение в схемах, б — типовая вол;:.тампер-.
ная характеристика газового разряда

участку г—0. При достижении
напряжения
между
электродами
И.
аномальный тлеющий разряд переходиг
в дуговой. Область
дугового: разряда соответствует участку е — ж вольтамперной характеристики; здесь наблюдается малое падение напряжения на разрядном промежутке и большая плотность тока, достигающая тысяч ампер на | см?.
В табл. 16 приведены данные по применению ионных приборов
в зависимости от используемого разряда.
Условные
обозначения
газонаполненных
ионных — приборов
(табл. 17) состоят из трех или в отдельных случаях четырех элементов. Четвертый элемент обозначения (буква) характеризует улучшенные параметры: В — механическая прочность ‘и надежность, Е —
долговечность, К — виброустойчивость.
Газонаполненные приборы без разрядов в газе — бареттеры —
имеют три элемента обозначения: первый
— число (указывает номинальный ток бареттирования, А); второй
— буква Б, третий
— числа
(указывают пределы бареттирования
— верхний и нижний, В).

$ 11. Газотроны
Газотрон
— ионный прибор с накаленным или холодным катодом, имеющий два электрода
— анод и катод, заключенных в газонепроницаемую стеклянную или керамическую оболочку, наполненную парами ртути или инертным газом. Газотроны работают в режиме тлеющего или дугового разряда и предназначены для выпрямления переменного тока в мощных выпрямителях.

36.

Таблица
Тип

разряда

Темный

Назначение

разряд

прибора

Типы

Преобразование

Тлеющий
ряд

pa3-

Стабилизация

пряжения
То же

Счетчики частиц,
счетчики Гейгера

на-

т

приборов

Ионные фотоэлементы.

света в электроэнергию
Счетчики излучения|

Коронный разряд|

ионных

1ъ5

Сгабига`троны корон-`

ного разряда
+

Стабилитроны
щего разряда

тлею-’

Использование
в.
Тиратроны тлеющего
схемах
автоматики | разряда, логические -тии
вычислительной | ратроны, цифровые интехники
дикаторные
приборы,
неоновые

троны
Тлеющий и дуговой разряды

Выпрямление
и
преобразование тока

лампы,

дека-

Газотроны, тиратроны, игнитроны,
акситроны

Источники

света

Люминесцентные, неоновые и высоковольтные газосветные лампы

Источники

шума

Шумовые диоды, тиратроны
тлеющего
и
дугового разрядов, стабилитроны
тлеющего
разряда, неоновые лампы, разрядные трубки

Типовая вольтамперная характеристика газотрона с накаленным
катодом (рис. 7) представляет собой зависимость падения напряжения
в газотроне И. от проходящего через него тока /.. При достижении
напряжения зажигания Ц. (точка а кривой) возникает дуговой разряд (участок б —в) и поддерживается примерно постоянное значение
напряжения горения Ц; (до точки в, где [. равен максимальному
значению /а.макс, При Котором практически все эмиттируемые катодом
электроны попадают на анод, а напряжение („ начинает резко возрастать — участок в —г). Разность (, — Иг=АИ). называется порогом
37

‘О

вм

2

онычдо)

(XL

езяАа

v. Ol Ю Иояээвиие4эя я — У
‘amholr
-OQO HOHHBIHALD я эчнчие1о —Э
‘WW 6‘с<—61 Члэмеии ‘эяьогоодо
— []
я ичндомеиним
WHOHHBIMALD
“WW C‘Q] эпияяо дуэмеи\ ‘эхього90 ион
— ]
-нигуэло а ичндошеинийхдэяэ
‘WW 6‘01—9
Члэйвий ‘эяъогооо ион
-НЕГхло а ияндоцеиниих9эя> — Ч

‘ХТ

`

1

`Ях ‘эинэжедиен
зончивииЗяеи — чиогенэи
эойвдн
-eHe $Y ‘ээчкАпии я ехол егАтииние
венагедиэяей — чиэгигоиь
sown Kod
иончиАнии я хитое:00е
‘90409
-иди ви]7 ‘ах ‘винэжефиен олонуед
-0о
епАлиииие
вешчигодиен — чгол,
-енгмен ‘YW ‘PMOL эинэвенЕ ээниэдо
— чгэгигкэиь
‘(чооди) окэив
}

епииде
|

edogudu
radionedeu (eandhg) omHanLyAdLo
-HOM HIM (охэивь) JAMOdhHdLMAIrE LaAEndaL
-недех — еяуАд ики окрив — тнэимэие ц-$

ут

“OGRE

“OGRE

BOLIeaHEEOKG]

WolroLHdOLOJEH-WOr

WolfoLHdOLOIEH
-NOY
„2.

Волэечиеяэи4]]

(интоовЧее4 4эмон ичвоят!ка
-OU) ошоиь — LHAWALE Y-Z

ян
-odiedu]

Нан
-091058 ]

1

ион

HodLeweY HMHLIhD— JO
Hodiever WiIaHdoLleLAKWoN — VW
ЕИк45е4 олэшоэит долечипни — НИ
дотезикиде1о — J’)

эмижэд

-очиАпии 9 910964 ‘эояо$вл эинэнкои
-ен ‘иогохех иичннэгехен э — И]
JOOERI эинэнион

-ен ‘WOYOLEM
иачннэевяен э— [I
из А14 ииедеп зинэнгон
-ен ‘иогохея уаннэкехен э— GI
э1чн.
-эчиАпии етк4=еЧ олэтлоэи1 — ИХ],
егв4Ее4 олэтоэит — Х[

-эи>

‘иоголея

‘WOYOLEM

(едоди4и пиь
зхАд эине1эво»

э еИк4е@

— знэмэшеЕ

и-|

WOOLEY WIG
олэтоэит
— Х ]

ичннаиехен э — 41]
OHHOHIOUeH 908
WIGHHOLeNeH S— JJ

- (иЕА1А 1адец и $е.т) эинэнгоцен эоннет

-O€RI

“Yoox

LaAendaluedex)

38

~

зажигания (участок а — 6). Участок б — в является рабочим участком
характеристики,
Газотроны характеризуются в основном следующими параметрами:
—
напряжение зажигания Из — напряжение на аноде, необходимое
для возникновения разряда (газотроны с накаленным катодом);
амплитуда напряжения вход|
ного
сигнала
Цьх.ам
— наимень(а
а
г
шая амплитуда входного сигнала,
0, ‹

необходимая

для

зажигания

са-

мостоятельного разряда
в промежутке
анод
— катод
(газотроны
тлеющего
разряда,
с холодным
катодом);

напряжение

дение

и катодом

анодное

а.обр,

анодный

НОВ.

ток

Га. ср;

анодом

Га маке

режиме;

напряжение

-

(среднее

значе-

|
(-

Иг — па-

между

в рабочем

обратное

ние)

горения

напряжения

0

Ay”

[а

_

Рис. 7. Типовая вольтам перная
характеристика
газотрона

!

напряжение накала Ин:
ток накала [ш; °
долговечность; интервал

рабочих

температур;

Основные параметры некоторых
типов
широкое применение, приведены в табл. 18,
и цоколевка — на рис. 8. ©

габариты

газотро-

газотронов,
имеющих
а габаритные чертежи

Jt

г
=

А

655|

—

‘2

K
у

К
0)
Рис.

8.

Габаритные

а — ГГ!-0,5]5,

чертежи

тронов:

6 — ГХ2К;

и цоколевка

А — анод,

газо-

К — катод

"$ 12. Тиратроны
‚ Тиратрон
— ионный прибор с накаленным или холодным
катодом, имеющий три или четыре электрода (анод, катод и одна или
две сетки), заключенных в газонепроницаемую оболочку. Тиратроны
работают в непрерывном и импульсном режимах тлеющего или несамостоятельного дугового разряда и нашли широкое
применение
в разнообразных схемах устройств автоматического управления, системах сигнализации и связи, измерительной и вычислительной технике. При подаче на анод
постоянного
напряжения
тирагроны

39

—
—

0008 |

00g + +09—
0Sz + +09—

OSt++OI—|

06+-+09—]|
001+ -—=09—
06-=--09—|
001---09—|

00S
00S
00S
0001
\ 003
00S
008
0001
003

2

<
о

В

On
а

4

enuroey

?

=

g

4

>

a

‚Е.

3s

09+ +0¢+
00т---=09—|!
0Sc++o09—|

QI

се |
7х |

|
|
|
|
|
|
|

.

ss
93

‘mLHdege|

а|

QOOOT]
0001

|

0$
OF
05
06
08

—
—

`У

—
—

Sar

3

=
х

3

w

с

©

°

|S

3
=

ы

.

8]

$‘9 | 0‘91
G‘9
€‘9
$'‘9 | 0’
69 | OP
$‘9 | $‘9
£9 | O'S
98'8
ste]
ОТ
189.|
°9 | 96'0

2 | Ss]

|99

=

se] 2

91|
0$
3
$5.
Zo}
0$
< |
$
08 |
05 |
Gc |
8
| Ст 1

G
1‘O | OST
Т‘0 |. ОГ | 3*3

0*5 |
0°% |
0'Т |
Oc |
<©‘0 |
S‘O |
|650 |
$"0 |
10 |

X

||

|3 =:

=

=
ы

=

э я

;

=

>

В

x

к

5

7%

с

5

=

3

.

5

.

=

w

®

Е

=

м

5

Я

x | >S |

|‘ 2

x | ~5

| 00$ | 00891
00Т |
cc
00$ | 00% 1
00ТоИ
ОГ
00$ 00ТоИ|
0SZ | OOS}
—
061
003 |
01
<]
&P

S9 | 002 | OS | SI | 81,]

>

06
99
06
су
$8
z9
19
тр
€6

WA

3'0

моняе4

«dd `В)

егоне

эхот

иди

1

*

MZXI
OXI

eHodLoeel

UH]

L/S" 1-14

Э090ЕЕ ]
ИИ. |

9/1
S‘S-1II
26/T-LIt
©/1-111
Id
0¢/S‘0-1
II
02/S‘0-l
6/8“0-ГЛ
8/e‘0-l Id
dd
G‘1/T‘O-1

soHLALGOHOId Y

но44 у
HOHdOY
HOIdy
нонээу
«
Hoidy
5вл ичн1дэнИ
но14\у
HOH99)]

OH HOHIroue

40

ИвНОЛЬзуют В каЧествё рёлейных усилителей © очень большими Koad:
фициентами усиления

(около миллиона и выше). При подаче на анод

переменного напряжения тиратроны применяют в качестве управляемого выпрямителя, средний ток которого можно регулировать, изменяя фазу сеточного напряжения относительно анодного.
Конструкция тиратроня
такова, что самостоятельный
разряд
между катодом и сеткой (вспомогательный разряд) наступает раньше, чем между анодом и катодом (основной разряд).
Первая сетка — управляющая
— называется сеткой как подготовительного, так и вспомогательного разряда и используется для регуор,
на нее
лирования зажигания:

напряжение

подается

ody

от-

Ось,

рицательное
относительно
катода, которое препятствует возникновению
разряда
между

анодом

и катодом.

При

Из возникает” основной

разряд, тиратрон «зажигается»,
после чего сетка теряет свое
управляющее значение.
Зависимость

пряжения
сетке

от

анодного

Ha-

пусковой

ха-

напряжения

называется

а

1°

Е

ри

\Е2

<

подаче

на анод достаточно большого
напряжения электроны начинают двигаться к аноду
и при
достижении напряжения зажи-

гания

т

[, >]

Ue

на

'

Рис. 9
а —

при

разных

a

а)

oa

®.

62

#1

nombre характеристики
разных

ратрона:

температурах,

величинах

сопротивления

6 —
в

при
цепи

рактеристикой
или
характеристикой зажигания. На рис.`9, а приводятся типовые характеристики
зажигания при разных температурах
Т, на рис. 9, б — при разных
величинах

сопротивления

КЮ в цепи

|]

033

УЗИ

=|

ФСЕ

А

(3)

Я 9

Шу
Рис.

сетки.

10, Габаритные

]

6%

[$33

|

|5
Гу

чертежи

и

цоколевка

6)
тиратронов:

а — ТГ1-0,170,3,
б— ТГ\-0,1/1,3;
2,
7 — подогреватель,
3 — анод,
5, 6 — сетка,
8 — катод, в — ТГИ-50/5;
А — анод, 1 — подогреватель
генератора водорода, 3 — генератор водорода, 4 — сетка

При зажигании основного разряда напряжение
снижается до величины напряжения горения Цг,
поддержания разряда.
Вторая сетка — экранирующая
— служит для
чих характеристик: она дает возможность повысить
жение, перемещёгть характеристики зажигания и

Иа на тиратроне
необходимой для
улучшения рабообратное напряуправлять тира-

41

‘9

0's

51

0‘OF

5/3 ‘1-11,

S‘1/G‘°S-TIL

61/1 ‘O-CIL
21/S‘O-C1L

ст

€‘9

8‘0/T-1IL

9‘0
O'L
0‘8

0's

61/8‘ 0-11,

€‘9
€‘9

—

0*5

(0

€‘T/1‘O-1IL

S°1/P OT IL

€‘T
0‘ZI

—

—

$ ‘9

9‘0

Tl
0/

0°S2
001

8‘0

‘9

9‘0

08
000$

31

СТ

0‘51

€°9

€‘9

1‘0
‘0

0002 |
0‘
0S

45

1

€‘T

007
003
0001
O‘T

00s

II

—

6т
|.289
|001+-09—
59 | 955 | O6++09— |

06 | Sze | OL++09— |}
009
‘0

GZ

0$

э

онодледиз пир

м

€'0/T ‘O-1IL
G ‘0/20 ‘O-1IL
Ат,

8IZ-1IL

003
1‘0

1‘0
Z ‘0
5‘0

У ‘1

|-эжвашен | №ежен чо] |

qo

€‘9
€ ‘9
$ ‘9

g‘9

cy | o91 | o6+-+09— |
00
1‘0

мой

я.
сожеашен

эин

ново

OHH

|“эже4иен

05
QT
05

05

19 | 051 | 0/-=--09—
0005

—
08
08

-sduey

эинэж

5

000!

955 | OL++09— |
009

0S-+ +0S—

OL | O81 | S8t++09— |

59 |
149

а

€‘0
g‘0
—

SOL | Ss++os—

1

ин

$6 |

ес

61 |

$‘0
600
5‘0
dave
(ино

-ouroyy | 7288 90H |

азооньэв

05/
00S
003

хиво9е4

weadaLu}]

‘akvedouman

$8 | 46 | 98+-09— |
|O00I++09— |
05 | %
от | 9 | 06+--09— |
dian | plooma
em

ми ‘чли4е9е1

6] епииое |

42

WOHGed

‘aloo

иинэжедиен

*

иаи: eA
‘orkH

PH

008

1/68 -Са1,

ge++¢I+

0 ‘OE!

GIL

0*S

055

0008

ст/оу-бат,

cet++si+

0‘¢9

004

O°S

` 955
0001

-1 41,
1/98

ce++si+

0 ‘Oe!

8r0I

06

0/5
0008

<т/оу-1 ат

ge++si+

0*59

068

06

655
Gy+=Sit

5/61,

SSE

065—041

68

02/S‘9-1dL

os++sI-+

0‘OI

OVE

0006

06

GI/S‘9-1dL

0S+*+ST-F

31

0‘ST

058
00S

000T

99
se SI-+

00S

31/9-1 41.

OSE

Spr =sI+

002

095

$/9-та1
0096

0*81—9*4

99

0001

0Z/S-1dL

Gp-+=SI+

3*61

96$

GI

06

00S

€/S‘Z-IdL
ЧЕН

‘9

O1Z

OST

ST

99

0001

6/G‘3-1dIL
09++0¢—-

“61
005

GG.

09

00ST

01/8 *<- 11
02+ +09—

0'06
066

G6

06

©
<

|

СУ]
96
66.
OT!
OL
Sl
99
06
69
69
0S
G9
GV
CY
Se
GE
61
61
Ol

[On

02%
191
0°7
00$
Sel
C9S
056
685
606
OST
Ge
G6
091
091
ет
08
L9
19
GY

| S8+-~09—
|001--09—
| 06-—--09—
—
001+ =09—
«|: O67 =-09—
—
| 0/----09—
|
—
—
—
06-=--09—
; 0£+-+09—
—
| 0/-=--09—
0/-=-=09—
—
1001---—09—
—

0‘OI

058
0‘OI
002
0‘03
00S
0‘9—-G‘E
000 S
0‘OI
0000S | 0‘OI—S‘0
OGY
0‘S—G‘0
000 I
0'3
00S 7
GI ‘0
0007
G‘0
00S 6
0‘
000 S
00S
0006
0‘9—#‘0
0007
GS ‘0
000 SI
0'F
—
09—56 ‘0
000 06
—
000 SI
0‘oI
000 OL}
O‘I—Fr‘0
000T
‘0

007

9
G
2
G
G
9
G
€
У
€
€
€
€
€
€
I
I
. [
Gl

9

| 0001
| 008
| 007
00S
00S
| 096
009
| 065
096
005
0001
| 00S
| 00S
OST
| 008
| 00$
от
008
0051
|

огэирн

ао
ч|.и
и
409
1 езчиАции
-аиАпии
-аиолии
®

3

= s
mo
@
Я

a

3
р
=

scl | oce | sg++o09— | 0006 |

eeu

епикое]

‘mqLHdege]

Эо
‘dkiedouwaL
ireadoLHyj

WH

0х

0095

=

`Я

ЗЕ
© 5
оз

0006
0001
002
‚ 00S
00S
OCY
666
096
051
051
00T
06
0S
09
Ce
Ol
G
€
60 ‘0

»

|

0S/00SZ-THIL

ce /0006-IMIL
G3/ 0001 “IH IL
66/004-ТиИЛТ,
02/00S-IMIL
91/00S-IMIL
91/007-ТИЛХ,
91/355
И Ш,
61/096-GUIL
O1/O€l-IHIL
8/0S1-IMIL
8/001 -IHIL
8/06-IMIL
G/0S-INMIL
G/09-IHIL
$/45-ГИ
ТИОТ-ТИ Л,
1‘1/S-HIL
Т/5-ТИ Л,
АТИ

€‘9 | 0‘

o*Ss
0 ‘0G
0‘05
G‘6I
0‘'SI
т
8'8
0‘SI
0's
87
87
L‘9
9°€
<‘
G'S
8 ‘<
81
I ‘I
‘1

eHodieduL
олоночАпии UAL

Or

€°9
€°9
€°9
€*9
5‘9
€°9
5'9
€°9
€°9
$'9
5'9
$'9
€°9
€ ‘9
€°9
5'9
$89
$‘9
0'$

> x
х
Sa,

|

GE
GG
GG
0G
91
91
ОТ
У
Ol
с
91
0'8
0°S
0°S
0‘8
ОТ
I*t
0‘1
G‘0

=o .
ak
=e

©

в Е
се
=

т

>

eS

x3

44

троном

при

жение (со).

помощи

переменного

|

напряжения

(отпирающее

швапря-

Тиратроны нашли. широкое применение
в импульсных
схемах.
Выпускают импульсные тиратроны на анодные токи в импульсе от
одного до нескольких тысяч ампер, на импульсные
мощности
от
нескольких киловатт до десятков мегаватт и на анодные напряжения до десятков киловольт.
Тиратроны характеризуются в основном теми же параметрами,
что и газотроны. Тиратроны,. работающие
в импульсном
режиме,

Рис.

11.

Схемы

а— с

токовым

включения тиратронов
разряда:

управлением,

б—с

тлеющего

электростатическим

управлением; К. — резистор в цепи анода, Кк- резистор
в цепи катода; Кс, Rog — резисторы в цепи веток С/ и C2

характеризуются дополнительно следующими основными
параметрами:
|
анодный ток в импульсе [а п;
среднее значение анодного тока Га:ср;
длительность импульса ty;
частота следования импульсов или обратная ей величина (число
импульсов в секунду);
время разогрева катода
1» — минимальное
время
с момента
включения до полного разогрева катода, после чего можно включать анодное напряжение.
Основные параметры некоторых типов тиратронов с накаленным
катодом приведены в табл. 19, параметры
пекоторых
типов
импульсных тиратронов с накаленным катодом
— в табл. 20, габаритные чертежи и цоколевка некоторых типов тиратронов
— на рис. 10.
Тиратроны тлеющего разряда обладают. устойчивыми
состояниями: проводящим (после зажигания) и непроводящим: Это дает
возможность широко применять их в системах устройств автоматического управления, в системах сигнализации и связи и в измерительной технике. На тирахронах тлеющего разряда формируют схемы
генераторов, триггеров, мультивибраторов, усилителей тока и напряжения, логические схемы («и», «или», «нет»), на основе которых
могут собираться
сложные
узлы — распределители,
управляемые
генераторы, сумматоры, делители частоты и др.
45

Различают тиратроны тлеющего разряда с токовым и электростатическим управлением:
при токовом
управлении
используется
одна управляющая сетка (рис. 11,4), которая образует ток подготовительного разряда; при электростатическом управлении (рис. 11,6)
сетка С] создает подготовительный разрял; а сетка С2 служит для
Таблица 21
|

Тип

тиратрона

тлеющего
разряда

мтх90
TX2
ТХЗБ
`ТХАБ
ТХ5Б
TX6r
ТХ7Г
TX8.
TXOr
TXUT
ТХ12Г.
TXI3P
TXI6B
TXI7A
TXI8A
TXMIT
TXH2C

.

И

= х | Шо
Фо
до

|<
5%

2%

[rim

Ox

120
—
175 |
225 |
175—|
225
285 |
300 |
285 |
285 |
|} 215 {
300 |
200 |
220 |
220 }
120
240
300 |

2

<

я я

65
125.
110
125
160

а

3

7

2

д

Габариты,

2>

оо

о

Интервал

Ен
м

сх
58

Ф
о

гемператур,
°C

со

с я

|x

Я

м

85
—
85
100
150

140
115
150 | 115
140
130
140
115
108
110
160
150
120
105
150
—
140
—
62
87
— | - 90.
140 | =150

я

Е в

рабочих

5

6ia|

=

— | 5000 | —60++80 |
—
500 | —60+-+4.90 |
70 | 5000 | —60- 100
91
1000 | —60---100]
— | 5000 | —60+-+100|
100
40
100
95
90
105
88
—
200
175
—
—

|
|
|
|
|
|
|
|
|

5000
1000
5000
1000
1000
1000
1000
1000
5000
1000
1000
500

|
|
|
|

—60+-+85 |
—60++85 |
—60++85 |
—60++4+85 |
|—~~

| —60-: --70 |

| —10----50 |

<
5

а
9

Е

я

о

0

37|
50]
40 |
40 |
25

12
19
10
10
7

55 |
45]
45|
45 |
60 |
50 |
401
40
45
38 |
45 |
72 |

13
13
13
13
13
13
13
8
8
8
13
33

управления. При определенном смещении между первой
и второй
сетками образуется слабое тормозящее поле, препятствующее проникновению электронов из промежутка «первая- сетка
— катод»
в
анодную область. При дальнейшем возрастании напряжения на второй сетке тормозящее действие поля ослабляется, электроны проникают в область «вторая сетка
— анод» и вызывают там ионизацию,
приводящую к образованию разряда
в промежутке
анод
— катод
тиратрона.
.
Тиратрон управляется также подачей положительного импульса
на анод или отрицательного на катод. Величина импульса должна
быть такой, чтобы разность потенциалов между анодом и катодом
превышала
напряжение
зажигания
промежутка
«анод
— катод».
Токовое управление
позволяет
зажигать
тиратроны
импульсами
5—10 В, а при электростатич ›ском управлении входное напряжение
в импульсе должно быть 4Г —100 В (и большим по длительности).
В тиратронах с электрост? гическим управлением можно осуществить
токовое управление, если соединить вместе обе сетки.
‚
Основные параметрь тиратронов тлеющего разряда (с холодным катодом), работающ, х в непрерывном и в импульсном режимах,
46

приведены в табл.
21, а Габаритные чертежи и цоколевка
— на
рис. 12.
При эксплуатации
тиратронов
соблюдают
такую
последовательность подачи напряжений на электроды: после включения напряжения накала подается напряжение смещения на управляющую

т

wa)

| dl? |12

А

®

y~

Рис.

12.

а— МТХ90,
ка,

С

(5 oe

a)

|— сетка,

$

©)

|

Метка

4 — катод;

SF

=

5

Габаритные

)

чертежи
2 — анод,

в — ТХИ1Т,

5)

(7)

цоколевка

8 — катод;

0

tenet

разряда:
6 —

by

29 ||

Метка”
и

|

op

2©

8)

тиратронов

6 — ТХЗБ,

вспомогательная

>

1— анод,

сетка,

тлеющего
2, $ — сет-

7 — сетка

сетку, затем напряжение подготовительного
разряда
и, наконец,
напряжение анода. После длительного перерыва в работе тиратрон
перед использованием
выдерживают
в течение | мин в рабочем
режиме (тренировка).

$ 13. Стабилизаторы
Стабилизатор

напряжения

и тока

напряжения — стабилитрон

AUcr

Стабилитрон
— ионный прибор, имеющий два электрода (анод
и катод), помещенных в стеклянную или керамическую оболочку,
заполненную смесью инертных газов или водородом. Стабилитрон

slS

а)
а — схема

Iq. man
Рис.
включения,

|

[а.маке

—1

@

6)

13. Стабилитрон:

б — типовые вольтамперные
в — стабилитрон-делитель

характеристики,

обладает свойством поддерживать постоянное напряжение на за
жимах Ист при изменении протекающего тока [а в широких пределах.
Стабилитрон’°
включается
параллельно
нагрузке
Кв

47

(рие.

13, а), на которой

необходимо

ноддерживать

постоянное

На

пряжение;
последовательно
со стабилитропом
включается
допола
нительное` сопротивление Ад (ограничиваюшее сопротивление).
Из вольтамперной
характеристики
стабилитрона
(рис.
13,6)
видно, что в пределах ОТ [а.мин ДО Га.макс Напряжение на стабилитроне изменяется очень незначительно.

Эффективность

зации

стабилизации
CT

измеряется

AUАИ
U

.

Ист

коэффициентом

стабили-

,

где И — номинальное напряжение источника питания; (ст
— номинальное напряжение . стабилитрона (напряжение горения), соответствующее средней точке рабочего (прямолинейного) участка вольтамперной характеристики.
Практически стабилитроны обеспечивают величину Ker=10~+20,
т. е. при 10—20%-ном изменении питающего напряжения напряжение на нагрузке (или, что то же самое, напряжение на стабилитроне) изменится всего на 1%,
Внутренне@ сопротивление стабилитрона определяется
отноше-

нием:

К;

=

AU oy
Al,

AU.

=—

I wae

—

’

Jane

а дополнительное сопротивление выбирается из расчета

бы
вых —

[ст.ср

9

rte /Гвых
— ток
нагрузки; /ст.ср— ток,
соответствующий
средней
точке рабочего участка вольтамперной характеристики, т, е,
Гст.ср=

[а.макс

—

Га, мин

2

Стабилитроны-делители
(рис.
13,8)
имеют
внутри
баллона,
наполненного
неоном,
несколько
разрядных
промежутков.
Такие
стабилитроны используют для стабилизации напряжения и, кроме
того, как делители напряжения (сопротивления К, равные 0,2 МОм,
служат для уменьшения порога зажигания).
Стабилитроны характеризуются
в основном следующими пара-

метрами:

напряжение зажигания Из — напряжение на аноде, необходимое
возникновения разряда;
напряжение стабилизации Ост — напряжение на рабочем участке вольтамперной характёристики при изменении ‘тока от Га.мин

для
ДО

[а.макс;

изменение напряжения
стабилизации А Ост — разность между
наибольшим и наименьшим
значениями
напряжения
стабилизации
на рабочем участке вольтамперной характеристики (при изменении

TOKOB OT /a.man 0 /a-manc);

диапазон
изменений анодного
тока I,— диапазон
изменения
значения анодного тока на рабочем участке вольтамперной характеристики;
долговечность, интервал рабочих температур; габариты стабилитронов.

48

®

wo

‘От.

0'ZI

и:

Ol

0 ‘01

0‘0S
‘0‘0S
0 ‘05
0‘ 61

9 ‘61
061

[5

1g

<

«

0—1

с |

0*5

98—61

031

cer

Ost

98—18

O1I—ZOI
cgI—erl

191—691

a.

SSI—€rI
g

| “ounonomey, | Saves due H

We0sIO

010812

420210

J0ZIO

91540

cel

Z-LIGT IO
LI€1 IO

9819

6112
581.19
и
LI9T IO

091
GLI

LITIO

а

ost

0З9т
‘0061
OSel
OST

GLI

091

56—98

99—55

0001

0001

ssI++09—

jost+--+09—

60т—101

3*5

16—68

G‘Z

« SI—F

a “ay

G‘g

O'F

0‘
g‘e

09—01 | 0'//—0‘09 | 0911—0901
09—01 | 0'0/—0‘98 | 0901—096
09—01 | 0'7°—0‘08 | 036—098
98—08
0*8
05—65

Ум 0—5

« 015

< 0—8
« 0¢—s

<
«
«<
«

« 91

008
0005

loort+-+o9—|

« gi—p | o‘sz—s‘o |

19

got

008
008
008
00S
0008
0001

008

0005

wavoged eH

не

| ВОИ | aibitvone | нипевиновно | наноен | обе | ou

|

SEF FO~ |

[eg ++ 09—
06-+--09—

5,

Hoceue TT

о

06++09—

06++0L—

[007709

cg

с

Сбт
G6l
сет
gg

с9
с9

CL

9¢

3‘ 55
е1оэчя

Z‘Ol

eHHLY

WH ‘mundege|
euurgey

49

Заказ 531

4

—

0‘15
0‘9

008

0‘67
0‘€e

0*58
0‘6
0‘ 55

0'Sz

‚0‘ 1
3‘9Т
0‘ 61
0‘ol
OO!

‘|

SSI
GZ

001
165
18]

181
15
IST

wy |

а
‚ 19
19
cps
0g =

эпнажиобоа п

jool++09—
0/-=-0$—

|

000!
0001

0001

< 011—05.
VA 0S—E€

« 0001—09|

0‘0€
o‘L

0‘05
0'0081

“|

6891—6191
007—088

c1y—see

|

0081
'057

0

—

|

981812
УСТ.

оо

5608.12

806.15

1206.15

—

—

|06015—0006Т

10081—0098&

19</91—08541

—0‘000Т

0‘0501

« OOSI—0S]
‹ 0001—0<|

‹ 0061—0<|

905.15
Meo IO

0001
0001

00CT

—
—

|001----09—

|00095—000$6
00S O1—-00¢6

056—088
007—088
78—18
691—091

0661

1-96081Э
1-10 12
1606.15

1-960610

и [|

705.12

026
057
Cel
055

0612

0‘005Г
0'004

|

Ld

—

0'0%ё | 0057—0088

< 00<1—0<|
« 00SI—0S}

« 0001—03]

0001
O00T

0‘O€
O'FI
3*0
O‘b

« 001—01

« OOI—€
ухи 001—8
« II—6
VA SI—I

«Го

| SOESUEH

HHTeCHLHOPLD | yunecnirHgeL | эинэжье4иен

этэеьА
OJOHYOHE

И

0‘0® | 0851—0561

0001

-hasouLroyf

0001
0001
0002 0005

0001

|’

|
sgt +09—
+ 09—
|SST-|SSI-++09-

xHhoged

nm ‘rundeges | “Orel

22 ‘удрш

60

Основные

параметры

некоторых

широкое применение, приведены
цоколевка
— на рис. 14

типов

в табл.

стабилитронов,

22, а габаритные

имеющих

чертежи

и

46
126
8)

Puc.

14,

Габаритные чертежи
билитронов:
а—

СГББ,

б — СГ201С,

и цоколевка
|

ста-

в — СГ304С

»

Стабилизатор

тока — бареттер

Бареттер
— газонаполненный
прибор, имеющий
один электрод
(накаливаемую нить), помещенный в стеклянную оболочку, запол-

rh

и

№

|

7

é

а

Рис.
а — схема

(к

б
15.

}

юн 9

Бареттер:

включения, б — типовая
ная характеристика

вольтампер*
°

ненную
водородом.
В бареттере
ионные
процессы
отсутствуют.
Он обладает свойством поддерживать постоянство тока [5 при изменении напряжения
на его зажимах в широких пределах. При
увеличении напряжения нить бареттера (рис. 15, а) нагревается и
ее сопротивление увеличивается. На puc. 15,6 показана вольтампер4*

51

ная характеристика бареттера. При определенном значении токаТб
увеличение электрического сопротивления пропорционально увеличению напряжения и ток, протекающий через прибор, остается неизменным на рабочем участке характеристики между Инач и нон,
причем эти напряжения определяют соответственно начало и конец

Таблица
На

Тип бареттера

участке бареттирования

ток Гб, мА
16. нач|

0,24512-18

0,3517-35
0,3B65-135
0,42555,5-12

0,8555,5-12

бареттирования.

рования

ток

Чнач |

248 |

263 |

12,0

‚780 |

920 |

5,5

`275 |
270 |
390 |

Обычно

нач

[6

равно

’

диа-

длина |

метр

85

31

200

35
135
12 |

2000
1000
10000

12 |

0,5

а.

Чкон

18

325 | 17,0
330 | 65,0}
460
5,5

стабилизации

Габариты, мм

напряжение
’

(6. кон|

23

10000

Икон.

изменяется

120
130
100

На

100 |

участке

незначительно

Нагрузка включается последовательно с бареттером.
Бареттеры
характеризуются
в основном
следующими
метрами:

43
43
33

33

баретти-

(+44).

пара-

т

&

}

LUJai

(^^

eke

-

Al.

@)
Рис.

напряжения,

вольтамперной

0,24512,

у

КЛЮЧ

16. Габаритные

а—

б—

чертежи

0,42555,

определяющие

характеристики,

|

J

0)

и цоколевка бареттеров:

5 — 12,

начало

и

Иная и Окон;

0,8555,

конец

5—

12

рабочего

участка

ток бареттирования [6 в начале и в конце рабочего участка;
долговечность; габариты.
Основные
параметры
некоторых
типов бареттеров,‚
имеющих
широкое применение, приведены в табл. 23, а габаритные чертежи

и цоколевка — ка

52

рис. |

+’

e

$

14.

Неоновые

лампы
Неоновые

и элементы
лампы

индикации
_

Неоновая
лампа
— ионный
прибор,
имеющий
два
электрода,
заключенных в стеклянную оболочку, заполненную неоном. Неоновые лампы работают в режиме тлеющего разряда и применяются
в качестве устройств, сигнализирующих о наличии напряжения или
его изменении. Кроме того, неоновые лампы исR
пользуются для возбуждения колебаний
pa3-

личной частоты

(от 0,5 "Гц до 10 кГц).

На схему подается
постоянное
напряже-.
С
ние 0 (рис. 17); при этом конденсатор С за- и
ряжается до напряжения зажигания Оз неоно- |
|
вой лампы. В лампе возникает тлеющий
разряд, и ток увеличивается, а конденсатор раз
рус
17
Схема
ряжается до напряжения потухания Оп, при
включения
. неонокотором лампа гаснет, разряд прекращается и
вой лампы
сопротивление лампы становится
очень боль-

шим. Конденсатор С вновь начинает заряжаться, возникает
ной

времени

процесс

т=КС

медленного

и быстрого

периодического

разряда

через

заряда

неоновую

та возникающих колебаний зависит от параметров С и
ний зажигания Оз и потухания Ив неоновой лампы.
Элементы

с постоян-

лампу.

Часто-

В и напряже-

индикации

К элементам индикации относятся индикаторные лампы, электролюминесцентные индикаторы и полупроводниковые элементы.
Индикаторная лампа— многоэлектронный прибор тлеющего разряда. Цифровая индикаторная лампа имеет 10 катодов, выполненных в виде арабских цифр (от 0 до 9). При разряде свечение того
или иного катода наблюдается через купол или боковую’ стенку
баллона лампы.
Индикаторные
лампы
заполнены
неоном, имеют
оранжево-красное свечение и отличаются высокой контрастностью
изображения. Схема включения цифровой индикаторной лампы показана на рис. 18. Индикаторные лампы широко используются в
системах сигнализации связи, в автоматике и вычислительной технике, контрольно-измерительной аппаратуре: в световых табло, на
пультах управления диспетчерских пунктов, в различных автоматах ит. п.
Неоновые и индикаторные лампы характеризуются в основном
следующими параметрами:
напряжение зажигания Из — напряжение на аноде, необходимое
для зажигания разряда;
напряжение источника питания U;
рабочий ток [ (обычно величина [ должна превышать значение
тока индикации [ин, при котором покрытые разрядным свечением
катоды обеспечивают надежную индикацию символов);
время запаздывания зажигания [;ап
— время, прошедшее с момента подачи
напряжения зажигания до момента
возникновения
тока самостоятельного разряда (рабочий ток); время запаздывания
зажигания определяет время готовностн аппаратуры к работе;
долговечность; интервал рабочих температур; габариты.

53

Оснсвные

ных

ламп,

параметры

имеющих

типовой
габаритный
ИН 4 — на рис. 19.
2208
Г.
+

Рис:

би

18.

ровой

некоторых

широкое

чертеж

и

би

Схема

включения

индикаторной

лампы

типов

применение,

циф-

цоколевка

неоновыхи

приведены

в

индикатор-

табл.

24,

а

индикаторной лампы
|
Электролюминесцентные индикаторы ИЭЛ - основаны
на
принципе преобразования электрических сигипалов в световые
и классифицируются: по цветному
исполнению
— на ‘одноцветные О, многоцветные М и
растровые
Р
(с
изменением
цвета ‘свечения); по характеру
отображаемой
информации
—
на буквенно-цифровые
и мнемонические; по виду изображения —с
прямым
контрастом
(несветящееся изображение на
светящемся фоне), с обратным
контрастом
(светящееся
изображение на несветящемся фоне); по характеру
изображения — на индикаторы бо скры*
тым изображением (изображение видно только при подаче

напряжения)

и с видимым

изо-

бражением
(изображение вид“
|
но без подачи
напряжения).
Выпускают буквенно-цифровые (наиболее распространены), мнемонические, с видимым изображением, растровые
и электролюминесцентные индикаторы.
Инликаторы НЭЛ применяют для отображения различной информации
на пультах и измерительных
приборах, для передачи

Рис. 19. Габаритный чертеж (а)
левка (6) индикаторной лампы

и цокоИН-4:

выводы
электродов
— /—К4,
2—Кб,
3—К8,
4—экран, 5—К9, 6—К7, 8—КО,
9—К2,
10—
АЗ,
1/—КЗ,
/2—K5,
18—Al,
14—KI (A—
анод, К — катод)

буквенной и цифровой информации в системах контроля, управления
(на мнемосхемах) и индикации выходных данных вычислительных
машин.
Длительный

94

срок

службы,

высокая

надежность,

большой

Ol
Ol
Ll
GZ

61

56
05
$1
те
‘61
II
15
Ol

61
l€
II
61

.

|
|
|
|

`

0L++0%— |
S8++09—:|
S8++o9-— |
S8++09— |

0Z+-+09—0/—--09—
0Z++09—
0/7--09—
04-=--09—
09-5 --09—
0Z++09—

|
|
|
|
|
|

c¢ | OL++09— |

cL
ce
o¢€
cea
9g |
сс |
Gp |
85 |
66 |
|. $55'|
ce |
—

I
$
—
—

т

003
00001
600!
0001

0008 `
I
I
I
—
I
I
I
—

0005
0006
0008
0001
0008
0001
0008
O00!

I

OVI

. 000S
0001

c‘0

29 | OL+~+09— |
cy | ¢8++09-

|

c‘0

G‘Z

с‘0
—

I

1

I

9
C‘T
$
‘5
C'S
Pv
G'S

C‘Z
C‘Z
SI‘0
G‘T

G‘*Z
Z‘0
I

ни

^

I

6
1

—

>
в.

-енипни
MOL

1 кинРа
-MYeeuee
BWodg

7 иип

GZ

0001
0001

0001
00S

0001

0003

Ошо

I

15 | 958—-09— |
1001---09— |
ст

|

«g¢redSuwar | ‘atoounoa
weadaluy;

хивоое4

|001+-09— |

1001—--09— |

97 10011--09— |
46 | 0S++OI+ }
cg

Op

enurt’|
‘maLudege|

PNHLORL

|

18 |
0

GE

61

L

cen
WH

Ус

0/1

0/1
041
OLI
OLI
OLI
Or
OI

000$—0$5
OSI
06—99
[1
005
005
061
005
005
Orl
005

0/1
041

058
oul
G6
007

005
005

041
98—69

005

005
002

005

—
—

005

я ‘бай

005

OPI
002

071

055

кинет

—

‘ ‘винетиц

‘(вэтанониен)

-ИЖЕ5 ЭИН
ечинвотэи
эинэжканен | -эжв4иен

|

везохенЕ

«
BeHAIreAEHG
BeHaLresdaaHH д
веньэво ],

c-AWL
Пе ЕН
1-ЭНИ
05-НИ

6I-HU

81-НИ
ZI-HuU
9I1-HU
SI-Hu
$71-НИ
SI-HH
ZI-HU

I-HU

<-НИ

У-НИ
$-НИ

8-НИ
L-HU

6-НИ

«
«
везоЧфи
Ke dOHBHE
weaodpuyy]
кениэни]|г
weaoddbuy]

кипелиини

®
<

PIfFEH IHDOdLHOIE
долехитни ичнчие лия

9-НИ
УЗ-НИ

‚

Новоноэн

ПИ,

иги

вииеи цонаоь

-ехигни

weaoduy]
везохене
хеиэхо хчндоу
|-Эиенебр я випехитни,
‚ везояенс

п

«

вево9фи

эинэвенЕеН

un)
wo

—
—

I-HAA

I-HWd

винэжефнен
АНЭеЕЕЯ £

вендэиониоЯ

0.10305198

091

&-НИ

05°

—

<

—

0'5

06

==

—

—

—

0/

3°0

13

61

от

—

—

I-HU

эт | oF

«

—

006

—

—

СУ
OT

ЭТ

06

<

‹

[НИ

9-HW

‹

06

НИ

8

0°S

_

—

—

0°S

O'T

—

8*0

—

—
—

<

цопоноэн ии

oon ae

YOHdOL

I-HD

6-Но

08

—

9

—
—

II-HW

—

су

от | 08

31

_ 8-НИ

—

O'T

0°S

OL

‹

—
—

68

86

—

—

Z
—

OK

—

0‘0€

18 | 027-07

—

1$ —

ounoneHEeH

-домеиний венчиенчи)

ВЕН

€-HW

06

OSI

<I

muner

«

9S

—

9 "п

0'05

‘ (aamanowHeH)

—

GT

2

94

OF
|

6

SI |

п

h

‘ nue”

—

.
Я.

06

readaLHy

xnoged | T2OH2| eceues
| -enaran
| эинэжьанен
2,SMMOLM | -эже4цен
ace oun
Hol,
bwadg

.
Эо
i*dXued

gc

‘чтиДеоев |

-ЕИП’

919“ | енигп

мм

BE ‘vgow эпножиобоа п

56

|

от |
08

эехбежер |

-ииэ
И

|

oko Ч | y~—duoed
G—aisewa
200
‘ч4Алиф эняоэви@эиоэ
‘7—diseg

<

|

‹

0*/—8“6

‹

**

[Д-4-ИЕИ

Щм-Т»

lA-OEN

‘т

05—50

Ноя

ЖЕ

э91оиь

‘чаяАЧ

‘BIOL

A-W-LfEV

ихен$

*
ссхбсхеь | ЕЭЭИшьлюно
x

0‘2—<‘0

356387

. cud Жил
we

08

qoLoan хч9нЕе4 хАзи виоп эюри h

й
=*\-О-МЕИ

pxeexee
07х55

(oat
0550

G9

|
cre
Ie

*««Л1-0-ЦЕИ

K

1‘0
KIPOl BOXHINBLOAD ея

|

везвиеЕ и бот 0 1о ч4фип

киоп хчлоиьв eal
‘iadAumh эихрэвиЧ1эиоо]

€

LI-W-LYEU

SI XEE XEE
OrxXeexee | MifoawHo

| ‚ 1Ж8РХ55

01‹

+I 11-O-LEV

|

|

Жиж
,
$ иЕ

‘0

.

|

УК и J |

+ BHHAh|G 199

K IE

| оннэиэдаонто

Чит

‘E

чаАлиф

ея

‘

KSI

ov!
KOXHINKLoaD

o

‘чаиовиио

|
BIO]

ool КоЭЭШв19О ||
aHHeKedgoen эомигояиодиоя

‘0

|

ГУ-ГЕИ

LI-W-LfEV

ГЕИ Uv]

|.

Новиот!

s*0

/-О-ГЕИ

Жи

|

oO KIBVTTKLAD |

36
G9

0$
|
81%07Х 1

Or XOPXZLI

gc
05

OVX0PX LI

С

03
SI X0Z XSI

6х

81% 65
Хх 15

9

81х05 Х 31

а

05

9

WH ‘maLHdege|

enurgey

ое

GZ

57.

ogz | 9SxsScIxsst |

xz

ссхостжест | -^и> ‘ихене

— 059 | Sexssrxsst |’
08/ | 9х хат | |
059 |

009 | sax
365х981

9561

009 |
SGXxSOI <SOI

0/8 | 9XS0I XSOI

08Z |

‘ичлигэж — Ж

“елоеЧинся олон1е4090 [ГЕИ
‘но9Акол — ] ‘нчЕэо — Ч

+»
+

-1ИхХ-а-ЕГеи

*ичнэгэв — $

Cont
0 <7—0: 56

Ж_ Ча

aK O Lo] yy q—e122Wa B90

1Х-4-ИЕИ

I1x-O-Len

0'08—0'01

«#1 X-O- LEV

.
X OLE
+*

_

0 07—09

XI-d Ten

a

LE
#*XI-O-

_
ПА-а-Геи

Lev пит

tay as
F
0 07

он

‚ПА-О-ИЕИ

мови о

3“

‘Z1—G‘
0'51—9*%

0'cI—O'L

ле

0'SI—S'P

6

‘IE
е0о

, Xd len

Ш
‘рожа | _
ет
ре
0 S6—0
|

K
Ч—элоэия

sy—dused 1. ваза

‘T°
|
KITE

0 860 GI

ЖЕ

ов

эж о],

“ad

9 ‘Id‘чафип

ce
ЖЕ

om OL | y—dised ‘y—diseg |

“|

< | и Зебра |

‘чдАзиф. эияээвид1эиоэ ]

ko

эгон воээшвлеяо ‘iMod
чааАлиф IHAIDHAG1 INO J

‘I9GNAQ

‚ виновэво 129

Ж'1

Ч— — э1оэия в00
| “19 1rod
эихээъидуэмоэ.1 |‘)К— 91284 ‘1—91эеа
w9aTB1989

‘чдАлиф

oroul

SOU BIVITIKLAAD |
эинэже4905и эойиГозЕио4иэоЯ

-ми> ‘ихене

‘HMeHE
эвмриь ‘ихе

36Х930ТХ90Т | -иио ‘ихенё

9G X G6 XS9

085.

091 |

95%49%69 |

9S XS9 x S9

ссхевхсо | 80

9SX96X¢9

001 |

+085 |
081

3%98Х3у

ост

051 |
ии

“mindege I

езэеу

Gg ‘vgow эпнажиобоа |

угол

обзора

1200

Гц,

вать

и значительная

яркость

позволяют

широко

исйользб-

ИЭЛ в системах отображения информации.
Основные параметры выпускаемых ИЭЛ приведены в табл 25, а
внешний вид изображен на рис. 20.
Общими для ИЭЛ
параметрами
(кроме растровых)
являются
условия
возбуждения;
в режиме
постоянного
питания
— частота
400 Гц, напряжение 220 В; в режиме постоянной яркости — частота
напряжение

питания,

воз-

растающее
по
мере
увеличепия
срока службы,— от 175 до 250 В.
Растровые индикагоры
в режиме
постоянного’

HOJI-P-X,
1200

Гц,

2100

Гц.

питания:

ИЭЛ-Р-[Х,

ИЭЛ-Р-ХИ

— частота

ИЭЛ-Р-ХТ

—

частота

Полупроводниковые* элементы индикации. Светодиоды — полупроводниковые приборы, преобразующие
электрические сигпалы
в

световые.

Действие

а)
6)
Pye, 20. Виешний вид индикаторов

ИЭЛ:

а — ИЭЛ-М-1, 6 — ИЭЛ-М-П

полупровод-

никовых светодиодов основано на явлении спонтанного рекомбинационного излучения квантов света при больших плотностях тока — порядка сотен ампер на см?. Длипа волны, определяющая цвег излучаемого света, зависит от материала проводника и типа введенных в
него примесей. Так, длина волны собственного излучения’ фосфида
галлия соответствует зеленому цвету, но введением примесей можно
Таблица

Тип

||
о=

S|

с Ro

8 Sen

AJI102A
АЛ102Б
AJ1102B

5
20
30

3,2
4,5
5,0

6

КЛ101А
КЛ101Б
КЛ101В

10
20
40

5,5

свето-

=<

Е x

Е
-

д

ны

Масса

2

свечения

5
40
50

Красный
у
Зеленый

—60+-+50 | 0,25

10
15
20

Желтый

—10----70 | 0;05

~ | ES
889 | cea]
6B el On|]
Eeel &в

—

Цвет

окружающей

среды, °

r

КЛ104А | 10 | 6,0 |

10 | 15 | Kerrey | —60+ +70] 7

AJI301A
А 1301 Б

—

3,0
38

10

Примечание.

Светодиоды

тэльные оформлены
* Понятие
в гл. \.

10

90

Красный

AJISOIA

в корпусе с линзой.

о

физических

26

процессах

и

АЛ.?О1Б

в

a

—00-- --70

—

- бе корпусные,

полупроводниках

.
ос-

дается

¢

59

получить более длинноволновое излучежщие, соответствующее желтому
и красному цветам.
Низкие напряжения и малые токи, свойственные светодиодам,
дают возможность использовать их в низковольтных транзисторных
схемах.
Это
обстоятельство,
а также
малые
габариты
делают
Bun

A

5p |
00

ви

ANE

|

ANNM268;

AMMNOZA

06

50 Е
|
В Hm

KA, BB

10
08

04

5

1

a)

yg

Gz

10 15 20 25 TMA
lip

30
2
10

KINOGA

5

2

ry

“

40 Ip Пр» MA

.

№ ТМА
и”

Рис. 21. Зависимость яркости от прямого тока
а— АЛ102А,

Б, В, б — КЛ1О1А,

ЭВМ, где требования
мостью использования

высокой надежности сочетаются с необходинизковольтного питания при достаточно вы-

DIG

сокой

22

и

не

Рис. 22. . Многоэлементный циф.
индикато

ИНД

а — габаритный

излучения,

на-

оказывается

тем

больше,

чем

больший ток. пропускает

а]

р

стабильности

пример, в схемах
индикации, в
системах фотойамяти и т. п.
Малая
инерционность
светодиодов (—10-8 —10-8с) позволяет
применять их в импульсных режимах на частотах от | до 100 МГц.
Мощность излучения зависит
от
конструкции конкретного прибора

218.
‚ровой

Б, В, в— КЛ! 04А

pK

рпуса

так

ПИЗНОСТЬ
шается при«ветониола
нагреве.

ЛД 104А:

линзой, б —чертеж
цоколевка

разогреваясь,

с’

Несмотря

на

как

резко

прибор,
эффек-

Умень-

сравнительно

не-

давнее появление полупроводниковые источники света нашли широкое применение во многих областях: во всевозможных индикаторных
схемах, в цифровых часах, системах ночного видения, в ядерной радиоэлектронике, автоматике и вычислительной технике и т. п. В частности перспективным представляется использование этих приборов
в интегральных и гибридных схемах с оптическими связями.
‚В табл. 26 приведены основные параметры выпускаемых светодиодов, а на рис. 21 изображены характеристики зависимости ярко-

60

сти В от прямого тока
показаны на рис. 22.

Tap.

Внешний

вид

ГЛАВА

ПРИБОРЫ

$ 15. Физические основы
полупроводниковой электроники.

обозначения

светодиодов

У

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Условные

и габариты

полупроводниксвых

приборов

Полупроводниками называют вещества, занимающие по величине удельной. электрической проводимости промежуточное положение между проводниками и диэлектриками ‘и обладающие удельной
электрической проводимостью 10-6—104 1/(Ом-см)
(для
проводников этот параметр равен 10% — 108, а для диэлектриков он менее
10-0). Приборы, действие которых
основано
на
использовании
свойств полупроводников, называются полупроводниковыми приборами. В таких приборах наиболее часто используют германий И
кремний, а также селен, титан и др.
Полупроводниковые приборы могут состоять из одного полу?
проводника
(варисторы, термосопротивления);
из двух
полупроводников,

находящихся

в

контакте

(полупроводниковый

диод);

из

трех полупроводников, находящихся в контакте (транзистор) и из
многих полупроводников, также находящихся в контакте (переключающие диоды и др.).
Достоинствами полупроводниковых
приборов являются малые
габариты и масса, высокая надежность и экономичность. В настоящее время полупроводниковые приборы широко используют для выпрямления переменного тока, детектирования, усиления и генерирования сигналов и т. д. При этом полупроводниковые приборы
могут работать как в непрерывном, так и в импульсном
режимах.
Полупроводники имеют кристаллическую структуру.
При температуре, близкой к абсолютному нулю, полупроводник обладает
свойствами идеального диэлектрика
(все электроны в атомах связаны, свободных электронов нет).”При нагревании полупроводника
появляются свободные электроны, не связанные с атомами кристалла, в результате чего в кристаллической решетке образуются незаполненные с‹вязи
— «дырки»,
обладающие
свойствами
свободных
зарядов.
Имеются два типа” полупроводников:
полупроводником
пП-типа
(электронным)
называется
полупроводник с преобладающей
концентрацией
электронов
(электроны
называются
в этом
случае
основными носителями, а дырки
— неосновными); полупроводником
р-типа
(дырочным)
называется
полупроводник
с преобладающей
концентрацией дырок (в этом случае дырки называются основными
носителями, а электроны
— неосновными). Различие в концентрации
носителей вызывает перемещение дырок из объема р-проводимости
в объем п-проводимости, а электронов
— в обратном направлении.
В „плоскости соприкосновения
объемов
образуется
тонкий
слой

61

& сильно

изменяющимися

концентрациями

носителей,

барьерным слоем или р — п-переходом.
Носители, находящиеся в барьёрном

слое

называемый

БС. (рис.

23, а),

р

п.

пре-

пятствуют дальнейшему перемещению электронов и ‘дырок и, _таким образом, устанавливается равновесие. При включении внешнего
источника напряжения равновесие в барьерном слое нарушается.
-

ВС

В

+++

n

р

+1---

++ +|+|-|- -++ + = +---

|

©

p

п

‚ р

и
И

|:

Рис.

23.

Года.

+

fn

/

.

0.

|: =

of

_

.6)
Строение

а — к переходу

~

O-

| -

a

а)

_

O~

—

-

7

=

~©
[Е —

Uap
й

—
/
8)

р—п-перехода
и диаграммы
гии W:

|
="

.

=.

потенциальной

энер-

не приложено внешнее напряжение (\’,), б — обратное
чение (И, >. ), в — прямое включение (У. <.)

вклю-

При обратном включении (ИОобр) плюс источника напряжения подключается к области п-проводимости (рис. 23,6), электроны и дырки движутся в обратном направлении, стремясь покинуть барьерный
слой. Носителей в зоне р —п-перехода
мало, его сопротивление
велико и ток, протекающий через переход, мал. При прямом включении (Ипр) плюс источника напряжения подключается к области
р-проведимости (рис. 23, 6), электроны и дырки движутся навстречу
друг другу, обогащая носителями барьерный слой. При`этом сопротивление перехода очень мало и ток, протекающий через него, велик.
Таким образом, р — п-переход представляет
собой
вентиль,
пропускающий ток в прямом паправлении.
В зависимости от геометрической формы р — п-перехода полупроводниковые приборы полразделяют на точечные и плоскостные
(наибольшее применение имеют плоскостные приборы). Плоскостные приборы
по способу образования
р — п-перехода
делят на
сплавные, диффузионные, планарные и др.
Полупроводниковые приборы, находящиеся в настоящее время
в эксплуатации, имеют дзе разновидности условных обозначений:
старые (для приборов, разработанных до 1964 г.) и новые (для
приборов, разработанных после 1964 г.). Как в старой, так и в новой

системах

обозначений

приияго

следующее

разделение

полу-

проводниковых приборов ка группы:
по предельной (граничной) частоте усиления (передачи тока):
низкие частоты (НЧ) — до 3 МГц, средние (СЧ) — от 3 до 30 МГц,
высокие (ВЧ) — выше 30 МГц;

62

по величине рассеиваемой мощности: маломощные
— до. 0,3 Вт,
средней мощности
— от 0,3 до 1,5 Вт, большой мощности
— выше
1,5 Вт.
По старым обозначениям (ГОСТ 5461—59) полупроводниковые
приборы характеризуются тремя элементами:
а) первый элемент
— буква, указывающая
тип прибора
(Д—

диод, Т — транзистор);
6

6)
ора:

второй

элемент
— число,

точечный германиввый

характеризующее

назначение

при-

ДИОДЫ

..........

1—100

»
кремниевый
..........
плоскостной кремниевый
.........
»
repMsHHeBbIN. . 1. ww we
cmMecHTeJIbHBIM CBY .........2.. =.

101—200
201—300
301—400
401—500

параметрический германиевый......’.
» `
кремниевый
.......
стабилитрон (опорный диод)
.......
варикап...
еее...
выпрямительный
столб...
....

701—749
750—800
801—900
901—950
1001—1100

умножительный
6 ww we ee ee ee ee © dO —600
видеодетекторный. ...:........
601—700

транзисторы

маломощные германиевые НЧ
........
«
‚ кремниевые НЧ
........
мощные германиевые НЧ
..........
У
кремниевые НЧ..........-.
маломощные германиевые ВЧ
.........
»
кремниевые ВЧ.........
мощные германиевые ВЧ...........
»
кремниевые
ВЧ. ..........

1—100
101—200
201—300
301—400
401—500.
501—600
601-700
701—800

в) третий элемент
— буква,
указывающая
разновидность
прибора (А, Б, В ит. д.). Третий элемент обозначения может отсутствовать.
По новым обозначениям (ГОСТ 10862—64)
полупроводниковые
приборы характеризуются четырьмя элементами (табл. 27). Трегий
элемент обозначения приведен дополнительно в табл. 28.
Особенность
обозначения
селеновых
выпрямигелей
состоит в
том, что здесь используются три элемента (табл 29). В специальных случаях может ‘быть добавлен четвертый элемент
— буква, обозначающая
конструктивные
особенности
(М — малогабаритный).

$

16. Полупроводниковые

диоды

Полупроводниковый. диод — двухэлектродный
прибор, принцип
действия` которого основан на использовании явлений, возникающих
при контакте двух полупроводников с разными типами проводимости. Между частями ‚монокристалла с проводимостями р- и п-типа
существует переходный слой
(область р — п-перехода). Полупроводниковые
диоды
широко
применяют
в схемах,
работающих
7

63

в непрерывном и импульсном режимах и по назначению делят на выпрямительные (в том числе диоды универсального назначения, работающие в широкюм
диапазоне частот), импульсные, варикапы,
стабилитроны (опорные диоды), `туннельные.
‘

Таблица
3-й

элемент-—

1-й элемент — буква

или цифра (характеризует

материал

число (ха-|

полупроводника)

тип

прибора)

зует на- | Рактери-

значение |

А

3 — арсенид

лия

<

* Уточненные

ЗУСТ

раз-

или элек-

|Новидности

прибора)

типа)

трические | Техноло-

Г или | — герма- |° Д — диод, Т — транзистор, | От 101 |
ний, К или 2 —| В — варикап, А — сверхвы- | до 999 |

кремний,

4-Й

Элемент
—

рактери- | бУКва (ха-

2-й элемент — буква

(характеризует

27

или|

гал-|

сокочастотный

прибор,

Ф —

От А
go A

фотоприбор, И — туннельный

диод, С — стабилитрон, Н —
неуправляемый — многослойный переключающий прибор*,
У — управляемый многослойный переключающий прибор*,
Ц — выпрямительные столбы
и блоки

наименования
te

приборов

см. в $ 18.

Общими для всех видов полупроводниковых диодов являются
основные параметры:
|
прямой ток [р — ток`через диод в прямом (пропускном) направлении;
обратный ток Говр
— ток через диод в обратном (непропускном)
направлении;
|
допустимый
выпрямленный
TOK
[ьыпр. доп — значение
тока
(среднее за период, постоянная составляющая), который может длительно протекать через `диод, не вызывая
изменения
его параметров;
наибольший допустимый прямой ток [пр.дош;

прямое напряжение Опр;

обратное напряжение ИЦобр;
наибольшее
допустимое
обратное
напряжение
Цовр.доп
— напряжение,
которое может
быть
в течение длительного
времени
приложено к диоду в обратном направлении, не вызывая изменения
его параметров;
|
емкость диода С — емкость между выводами диода;
габариты; диапазон рабочих температур; долговечность.

Выпрямительные

диоды

Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления переменного тока низкой частоты (практически до 50 кГц). Промыш-

64

Таблица

Тип прибора

28

обозначения

Транзисторы:
малой
для

мощности:
НЧ
еее еее.
СЧ
еее.
» ВНЧ........ еее
средней мощности
для НЧ
еее ee
СЧ
еее
еее.
Ю»ВвЧч........
еее
большой мощности:
для НЧ
(еее
еее.
я» СЧ
„еее
еее еее.
› ВЧ
(еее
еее
Диоды:
|
выпрямительные:
малой мощности.‘ и... .
средней мощности
............
большой
о
ОИ
универсальные . 2... ee 7 we et te

импульсные

.........

Неуправляемые
приборы:

малой

701—799
801—899
901—999

|

„еее.

Сверхвысокочастотные диоды
ден
Варикапы
‚уе
еее еее.
Фогоприборы: ДИОДЫ о оон но

триоды

101—199
201—299
301—399
.
401—499
501—599
601—69%

многослойные

мощности...

средней
большой
Управляемые
приборы:

..

бое.

переключающие

еее

..|

101—599
101—199

101—199

201—299
101—199

201—299
301—399

малой мощности 2.4.6 1 ee we we ee es
средней.
хо..... ева

101—199
201—299

2
диоды:

генераторные

....... сов

.....

еее.

усилительные
..’.
ее о.
переключающие
. ..............
Стабилитроны малой мощности с напряжением
стабилизации, В:
0,2—9,9.
еее
we tee
10—99 . eee we
ооо
100—199 ое
еее
еее
Стабилитроны средней мощности с напряжением
стабилизации,
B:
0,1—9,9.
еее
еее
10—99...
1... ee eee e ие.
100—199..... еее

5

501 —599

ооо
оо ооо
о
сре.
многослойные
переключающие

большой
Туннельные

»
—»

..

101—199
201—299
301—399
401—499

Заказ 531

301—399

101—199

201—299
301—399

-

101—199
201—299
301—399 101—199
201—299
301—399

65

Продолжение табл.
Тип

ем

Стабилитроны

большой

стабилизации,
0,1—9,9.
10—99

3-й

прибора

с напряжениеее

.

.

°

°

e

®

e

e

e

°

e

e

e

100—199

.

®

e

e

e

°

®

®

°

e

e

.

JCHHOCTH

выпускает

селеновые,

элемент

обозначения

мощности

В:

ee
-e

°

101—199
e

e

e

°

e

®

e

e

германиевые,

901—299
‘

301—399

кремниевые,

ные, титановые выпрямительные `диолы; для выпрямления
напряжений и больших токов используют выпрямительные

купорос-

высоких
столбы.

Таблица
1-й элемент
— буквы

2-й

(характеризуют
тип
прибора)

28

элемент

— число

3-й

29

элемент—число

АВС —алюминиевый | Для приборов средней и большой мощности:
выпрямитель
селено-| длина
стороны
квад-| порядковый номер разВЫЙ
ратной шайбы или ее | работки (присваиваетдиаметр, мм
ся
заводом-изготови| телем)
Для приборов малой мощности:
средняя величина вы-| подводимое переменное
прямляемого тока, мА | напряжение, В

лена

Селеновые диоды изготовляют на основе кристаллического сес проволимостью р-типа, наносимого на стальное или алю-

миниевое

щий

основание.

сплав
1)

кадмия,

На

ee oe!

селена

те чего образуется

|

a

бобр

поверхность

1

|

-

|

наносят

слой,

содер-

висмута или олова, который создает слой с
электронной проводимостью, в результа*

I

Опр

обр г
Рис. 94.
Типовая
вольтамперная характеристика
полупроводникового
диода

p —n-nepexog.

Cees

новые диоды широко используют в вы*
прямительных устройствах, работаюших
со значительными величинами
выпрям*
ленного тока (десятки ампер); соединение диодов в последовательные и параллельные группы позволяет получать раз»
личные схемы выпрямлення.
В табл. 30 приведены значения вы‘
прямленного тока [выпр. В различных

схемах выпрямления при последовательном соединении диодов в плече выпря*
мителей, при активной и индуктивной
нагрузках, естественном охлаждении и
температуре

окружающего

воздуха 35° С.

Германиевые диоды изготовляют обычно на основе германия
п-типа, в который вплавляют’ индий, в результате чего образуется
р — п-переход.

66

Кремниевые диоды изготовляют на основе вплавления алюминия в кристалл кремния с п-проводимостыо (или вплавления' сплава олова с фосфором или золота с сурьмой в кристалл кремния
с р-проводимостью), в результате чего также образуется переход.
Табл

ИЦ а

30

Номинальные значения выпрямленного тока Твыпр
в среднем на диоде, А, в схемах выпрямления
“

о назмер, ‚

`®днофазных

~

трехфазных

одела | Se BemReY | мостовой | биения | мостовой

MM

°

@

15x15

22х22
30 x 30
40х40
60 x 60
75х75
90х90
100х 100
100 x 200
100 x 300
100 x 400

0,04

0,07
0,15
0,30
0,60
1,20
1,50
2,00
4,00
6,00
8,00

0,07

0,07

0, 15
0,30
0,60
1,20
2,40
3,00
4,00
8,00
12,00
16/00

0,03

0, 15
0,30
0,60
1,20
2,40
3,00
4,00
8,00
12,00
‚16,00

0,1

0,06
0,12
0, 25
—
—
—
—
—
—
—

0,2
0,5
0,9
1,8
3,6
4,5
6,0
12,0
18,0
24,00

“1

Примечание.
При однофазных схемах с емкостной
нагрузкой значение
выпрямленного
тока
следует
снизить
на
20%. Допустимая плотность
тока
оп’
снимаемого
с | см’
площади
поверхности
вентиля,
равна
0,05
А]см?; пцопустимая величина обратвого напряжения Ч обр. доп равна
18--26 В;
емкость С равна 0,01—0,02 пФ]см?.

|

77

характеристика диола ноказана на
некоторых типов диодов
— на рис.
а

77

г.

24,

APH?

5

2

рис.
25.
—

<a OL

( 465

Типовая вольтамперная
1 габаритные чертежи

р

Чек

90

>

6)

Рис. 25. Габаритные чертежи диодов:
a—J\7A, 217, 1218, б — Д226Б, в— ДЗ02—ДЗ05
Основные параметры
германиевых и кремниевых
выпрямительных диодов,
применяющихся
в различных
устройствах,
приведены
в табл. 31.

5*

67

Таблица

31

О
.

S

og

Е

Я

&

о.

= о

Е

5°
OW

а

Ф

>

o

Чая

|’

300 мА |

o

220 | 400 мА

‚Д205

Taig

|

| a|&

оbk

©5

.

Ф

ES

a>
2s

oS

Flay

®

°

Ole

=

Slacl

50
100
150
200
300

100 мкА|

Ех

©

>, ="

&

=

al

| RS

риты,
мм

зн

о

le

я

6

Со

2

Si

= &

a |

=

Е

=

$

|&

`
[0,5 | 2000 | —60----70

[11,2]

16

350
- 400

71202

71208
71209
71210
Д211

|9

5.

|:

Sam
oe

Д7Е*
Д7Ж*

feos
71207

{2

|399

Eo

Габа-

я

|o2
на

на
|

=

Ras
до 3

Д7А*
Д7Б*
Д7В*
Д7Г*
Д7Д*

v

а.

Е

T ип диода

oO

‘|

100

|500 мкА | 200 1,0 | 5000 | —55+--85 | 18 | 22
400

100
200

100 mA | 50 mxA |
.
-

300
400
500
600

}1,0 | 5000 | —60+--+-120)11,2)

16

| 100 mA | 20100 | 200 1 | 10000] —0+-+100]11,2] 16

712265

400

71226]

100

Tose | 300 мА | 100 мкА | 300 [1,0 | 5000 | —60++80 |11,2} 16

Д242 |
J1242A |
712425 |
71243 |
ДО4ЗА |
712435 |
До44 |
До44А |
112445 |
68

10А
10 »
5 »
10 »
10»
5»
0»
10» |
5 »

1,25
100|1,0]
1,5
200 {1,25
200 |1,0
200 |1,5
50 |1,25
50 |1,0
| 5011,5

3MA |

ЗмА

— | —60++130121,5| 42

Продолжение
9

Е

я* |

‘ag

Тип диода |

©.

о

=

о

|8

5

=

Iman

300

K202r | (3000)
K112022K|

(4500)

КД202К |

(4500)

(3000)

K]1202J1|

(3000)

КД202Р |

(4500)

K712029M|
K11202H|

диатором;

11,0
]1,5

400
400
500
500
600

1,01
|1,5
11,25
|1,5
11,5

указаны

aS
оф

&

= 2

в

eФ

ЕЯ

<.

2

—

|—60----130
|

Е

|=

121,5]

42

|--60+--120 | 2,7}8,2

200

1 мА

300

1

400

—

|—60----125 |

:

131

26

400

500
500

600

600
без

КД202В+-КД202С

без

г

[1,2 | —

350]

(4500
(3000

®* Габариты

&

RP

100

КД202С | (3000)
** Для

ge

3 .
~

200

K]1202E | (3000)

КД202И |

я

|1,25

300
300

(4500)** 0,1 мкА | 250
(4500)

ley|

400 11,25

—

КД202Д|

а

риты,
MM

м

Е
|

8%

Е<

-

10 »

В

-

Е

|

65S
140 |
AZT
olz.

10 »
Б»

|’ 10»
5»
10 »
5»
5»

Ф

|=
ое

=

z=

55

|`10А

Д246А
Д246Б
Д247
Д247А
Д247Б

Габа-

|9

=

< Ф

ov

a

ЩЕ

Д246

[eg
ex

30

cee
>’
©

Д245А
Д245Б

Ф

Ba

|

Bea
| 85.3
= an
Бо

Д245

9

таблицы 81

охлаждающего

длины

гибких

выводов

(20—25

число в скобках — величина

радиатора

Твыпр.

non™

1500

мм

каждый).

Гвыпр.

доп

° Pa-

MA,

Выпрямительные столбы, выпускаемые для выпрямления напряжений и больших токов, работают при естественном или индивидуальном (водяном, воздушном) охлаждении. Внутри столбов диоды
соединяют
в различные
схемы
выпрямления
(рис. 26, а, 6, в).
Столбы заключают в прямоугольный корпус, залитый эпоксидной
смолой (рис. 26,г). Столбы могут соединяться в блоки. Основные
параметры выпрямительных столбов блоков приведены в табл. 32.
Диоды
и

Диодами
кремниевые

универсального

универсального
диоды, обычно

назначения

назначения
являются
германиевые
точечные, которые могут работать в

69

широком

драпазоне

диодов приведены

частот, включая

в табл. 33.

ВЧ. Основные
-

Импульсные

параметры

Таких

диоды

Импульсные диоды используют для работы в качестве ключевых элементов в схемах с малыми длительностями импульсов (мкс,
доли мкс).
Сребияя точка
G7

Рис. 26. Выпрямительные

столбы:

а — блок КЦ401А,
6 — блок КЦ401А
(однополупериодная
блок
КЦ401Б
(удвоитель
напряжения), г — габаритный
прямительного столба Д1009

схема),
чертеж

Кроме основных для всех диодов параметров, их работу
деляют дополнительно:
,
значения
прямого
напряжения
Ипр.-и и прямого тока
в импулье;
%

+

В.

«

ИИ

60 .
а)

20

92

Маркировка

ность

70

—

Габаритные

диода

Г,

_

С;

включения

чертежи

6б— ГД507,

импульсных
КДБОЗА,

КД103А, КД10ЗБ

восстановления

процессов

S
®.

бо

а— Д219А—Д220Б,
емкость

[пр.и

6)

Рис. 27.

времч

опре-

85 |.

S
By

1

в —
вы-

тТвосст,
и

которое

выключения.

диодов:

КД50ЗБ,

@—

характеризует

инерт-

`

5
s

s 6
ea

=

5
E'S
Bg

Таблица

|8
|#s2

|8 |.
|ea [22 | g

ба |
о

ae

Ki

жа

°

о

5-2

ое
|.“
eu
2 | ae
но.
[25

DS

SF

ве
Es

59

|998
ВЕ

711004
Д100БА |

100
75
50

TODA

100

с

On a/
ego}
Be ol
aR

=
=
8m.

cs]

8°
SM

2
о.
a

=.

&8|
Cs

Fe

a

о

5.

ow

oo.
ЗЕ
ao

2

Я

°

со

8
&

|]

>.

.

<
9

4000 | 11,0 | 000 |—40+
+ 100

2000 |

.

218х57

1-100 | 6000 | 11,0
8000 | 11,0
10000 | 11,0

100

a
Я

5.

ЕЕ
= 2

2000 | 6,0
4000 | 6,0

Д100ББ | 100

711006
711007
711008

32а

|813
5:8
|||

100
50

|||

=

32

4,0

1000 | 3,0

,

B18x 100
25x92

15

25х99х 15

Д1010 | 300 | 100 | 2000 | 8,0 | 5000 |—49++-79 | 30K 139% 15
Д1Ю10А |
MOA |

300
30

1000 | 5,0
500 | 2,5

KL401A |I—400,
.|11—400
(500)

30x 132 15
25 x 92 x 15

30x 13215
100

|500

|2,5

|10000/—55+--+60

КЦ401Б [1—300,

50х90х 15

11—400
(500)

* Габариты
|
пр

указаны

без длины

гладких

Примечание.
Для блоков КЦ401А,
веден
для схем
удвоителя
напряжения:

плечо,

в скобках — схема

моста,

выводов

(20—25

мм каждый).

КЦ40|Б
средний
ток Твыпр. ср
[— первое плечо,
[1 — второе

В зависимости от величины времени восстановления импульсные
диоды разделяют на группы: обычные
— миллисекундные — (тТвосст >
>0,1 мс); скоростные — микросекундные
— (твосст=0,1 мс-=0,1 мкс);
сверхскоростные — наносекундные (твосст<0,1 мкс).
Габаритный чертеж импульсных диодов, имеющих только букву Д в первом элементе обозначения, показан на рис. 27, а. Типы
диодов
обозначают
маркировкой
на
корпусе:
для
диодов
Д220 (А, Б) — желтая точка, для Д219А
— красная; для всех типов
анод указывают красной точкой. Кроме того, обычно
на корпусе
диода
изображают
номер, указывающий
тип диода. Габаритные
чертежи диодов, имеющих две буквы в первом элементе обозначения,

показаны

на

рис.

27,

диодов приведены в табл. 34.

6,

в.

Основные

параметры

импульсных

п

Таблица

АЕ

к

~

о

Bs

Ss
ES

<.

= 5

Ее
о

:

. | &

3

~il

Е

о

.

a+

a.

~

аб

8

| ceBa | Aa
52 || ass}
57188]
Германиевые

ДА
ДБ
ДВ
ДГ
ALA
TIE
ДЖ

2,5
1,0
7,5
5,0
2,5
1,0
5,0

Д2А
Д2Б
Д2В
Д2Г
ДД
ДЕ
ДЖ
ДИ

72

р

n

86

с
ge
on

20
30
30
50
75
100
100

250(10)
250(25)
250( 25)
250(50)
250(75) }
250( 100)
250( 100)

50,0
[5,0—10,0
9,0
|2,0—5,5
j\4,5—10,0
14,5—10,0
[2,0—10,0
12,0—5,5

50
16
25
16
16
16
8
16

10
30
40
75
75
100
150
100

250(7)
100( 10)
250(30)
250(50)
250(50)
250( 100)
250(150)
250( 100)

ДУА
ДУБ
Дэв
ДЭГ
Дэд
ДУЕ
ДУЖ
79M
9K
AQJI

10,0
90,0
10,0
30,0
60,0
30,0
10,0
30,0
60,0
30,0

25
40
20
30
30
20
15
30
30
15

10
10
30
30
30
50
100
30
30
100

250( 10)
250( 10):
250(30)
250(30)
250(30)
250(50)
250(:100)
120(30)
60(30)
250(100)

Ди
Д12
Д!2А |
Д13
714
Ail4A |

100,0
50,0
100,0
100,0
30,0
100,0

30
50
50
75
100
100

250(30)
250(50)
250(50)
250(75)
250( 100)
250( 100)

20

ae
| BS

| 2d

температур

16
16
25
16 —
16
12
12

|

©

я5

ге || sa53:3
ef

&

диоды (диапазон рабочих
от —60 до --70° С)

|

5

изо

| ЗЕ | в
| Е
32 |
55a | G8 | ЕЕ

go | Fl | 228 | 2es5|

cs
ES

‚2

oa

~

1

150
|

1

150
-

1—2
|

40

1

150

33

|

Продолжение
<

[8

2.5

.

ВЕя

я

Kom
oO.

=
Е

я

GO]

OSM.
o¥
_O

= Е
до

Ox

LN

ная | ХЕ
2881
|
ня

Ее.

2
=

Se
сз

a
в

Sm.

Oust

6.8 oe
Mab =

Ck a
Lom

ed
ES

= 3
Bo

| ©62

8
тт

о
ео

Eo

QA

5

ut
вх

а.
м Е

gS

,

is

WFат i

ЕЯ
©

©

а

.

6

a

9

8

= ‚ 3©

=:

% # 1D
=
2

_&
$

o
O

г

Ф

>

во
шо

и

Я о=

ox!

таблицы 83

3
Eo

eo=

oF

я

%
Ф

=
р

о ©
Но

<
8

|9

Sm

=
бо

ef

о
&

чо» <
а «я

Кремниевые диоды
— диапазон рабочих температур от —60
до +150° C; ana диодов Д107, Д107А, Д108, Д109 — от —60

Д101

gues

Д102А

|1

до +125°C
100 |

Tion | pees

- 71103
Д1ОЗА |

30

2
1

д104
| 2***
Д104А | 1,
Д105
2
Д10БА | 1, |
- Д106
2
Д106А | 1
71107

10

mos | 1010

3

71109

* В

скобках

30

даны

значения

10(75)

95 | 10475]

75 | 10075) |
30
30

30( 30)
30( 30)

100 | 10(75)
100
10(75)
75
10(50) |
75
10(50)
30
30(30)
30 | .30(30)
10

1(10)

30 | |0,1(10)
i¢s0)]

Чобр

В,

которым

200
>

0,6

—

50

значения /скр, МА.
** Максимальная рабочая частота
которой потери значительно возрастают.
***
При Unp=?
.

0,5

соответствуют

Гиакс —^ Частота,

при

600

| 2
указанные

"
превышении

Варикапы
Варикап
— плоскостной
полупроводниковый
диод,
в котором
емкость изменяется в зависимости от приложенного напряжения;
варикапы широко применяют при настройке колебательных
контуров. Кроме параметров, общих для всех диодов, свойства варикапов характеризуются величинами:
напряжение смещения` Иси;
номинальная емкость Сном
— емкость, измеренная при напряже-

нии смещения, обычно равном 4 В, и на частоте, при которой производится классификация (порядка 50 МГц), при температуре 20° С;
наименьшая емкость Снаим — емкость при наибольшем напряжении
смещения;

73.

34
Таблица

=
=

~

HHI

N

Q

N

dionenr

<

<

<

>

2

>

A

=
=

2.
©
©
bee

CO

“Wal

9

xHhoged

ь

gu

‘

dA

Ledau

ouw ‘12208,

винэгвонетооч
m

[9
x

>

>
сб

Ss

М

>

T

>

>

3

>

>
‚5
=

>
5
—

=

>

—

виэда

1D

T

Te)

Te)

|-

1D

1

азоочиз

+

-|-

Oo

‘атооньэнольо

co

+

|:

readaLHy,

‘9 eYour

—

+

>

and

>

>

>

>

|

|

,

4°00, aoarkunn a |

>

№

noes
No OO

2.
Е
ws

=

о
Ф

2

ЧИ› зоннко1рон |

®

|

—

< и 42%

=

—

—

—

wD

ыы

>

©.

Е

‘10Т "490 - зинэжкаиен
VONHLIALIOY

01
<

=

м

S

aoHLedgoO

|
Цчн1е490

W'dU, soqrkumna |

;

wD

So
=

З

|

еее

=

>

—

сч

В

>S

о
=

=о

я=
Е

do‘duise
эинаье НЕ ЭОН1
-Ннэгикаинча ээн!э4э

епоиЦ олонэчиАпии

пи]

=

00
—

Ei

94

>
N

rf

<<
доза

>

РНЕ

Ei

—=AANN
ANNAN

—
со

Q]

ээ.09

.
|
|0/+--07—

“ONW

эн

,

e

e

0"a1

0$

1

0005

от | 005

001

05

geo
TS!
YSOL

gqeosy
чот

11
eoaIrAUWH HLDOHIIraLuryY udu чнэНэчи4и и du, ий du, виновен ‘эиневэии4
*(ичужех ии GZ—0Z) зопоячча хихоил чнимИ cag янесехА зоцоии Mindegey »

c‘¢
GZ

09

10‘0

6

|001-+-—99

3*5.
ofc

oI
От

v0sirJ

0003

0*S‘

91

Or,

0$ | 001

,
0*05

06

_

и1°6

ee

3°0

atat

—

0$

3*0

001

0$

055

05

СТЕП

тет

ИП

УПИ

OF

08

003 |

00т | 009

степ

—

“1

7‘ 0

OO!

ool |

ro}
—

L‘0

c‘0
0*5

951

|

Gl

8°0

€ | 09++0r—-{

0

3*0
|

GT |

$0°0

b‘0

—
0009

0'5

o*T

G*0

у | 09+--07— |

00001

|

07|
$ | 09+

коэффициент перекрытия по емкости Кс — отношение номинальемкости Сном К наименьшей емкости Снаим;
ТКЕ — температурный коэффициент емкости — параметр, характеризующий стабильность емкости варикапа в зависимости от темпе|
.
ратуры;
— отношение реактивного сопрономинальная добротность @ном
тивления варикапа к полному сопротивлению потерь, измеренных при

ной

Таблица
3

Е

S18
5ы

&

o

18= 8g м

a

нас

х

=e

a | as=
_&
в |
=
ДУОДА
Д901Б
ДУО1В
JI901F
Д901Д
JI901E

18

во

Е4

я

le ab

6о

:

©

Ve

|2

а

в

88

к

85

®

[|153 | =9
&

ЕЕ
Oo

бе | Mea
56° || fez
58
moe}

|658|
|Ha

я

|22—32|
|22—32|
128—381
j|28—38|
34—44]
34—44]

за

>

4
3
4
3
4
3

25.
30
5

— |

30 |

:

5

8.

2/2/97)
Bela s

250

35

Габариты,

Е

:

a.8

о=

i)

foe

&

Ем

e

9

a=

gо

мbe

go
a?
oO

6
Ef

|500—10] 5000}

но
Sb

.

a5

os

|
a4

Е=

3

—55+-+85 | 5,5]

=

12

25
30

—

Д902 | 6—121
* Величина

более высокой

Ррасс. доп

температуре

—

—

Приведена

она

— | —40-+-+100)
при

уменьшается

температуре

не

4,0]

более

‘на 2 мВт на каждый

25°С;

градус.

12
при
-

напряжении смещения, равном 4 В, на частоте, при которой производится классификация, при температуре 20° С. Добротность варикапа
при температуре $, отличной от 20°С, рассчитывают по формуле

О

бло

0,6

И

({—20
ном,

Основные параметры варикапов приведены в табл.
ное изображение и габаритный чертеж
— на рис. 28.
Стабилитроны

[опорные

35,

а услов-

диоды]

Стабилитрон
— полупроводниковый
диод,
принцип
действия
которого основан
на использовании явления
лавинного
пробоя.
Он обеспечивает постоянное напряжение
(напряжение стабилизации) независимо от величины протекающего через диод тока. Стабилитроны
используют
в схемах, требующих
стабилизированного

a

напряжения. Их изготовляют на основе кристаллов кремния с проводимостью
П-типа:
стабилитроны
общего
назначения
— путем
вплавления алюминия в кристалл кремния; высокостабильные прецизионные
стабилитроны
— диффузионно-сплавными
методами, позволяющими получить три последовательно включенных р — п-пере-

.

~

|

1.

\

I

24

a)

60.

_

6)

. а-— условное

Рис. 28. Варикап: |

обозначение,
черте:: варикапа

6 — габаритный
Д902

хода, один из которых (основной) включен в обратном направлении, а два (термокомпенсирующих) — в прямом. Условное обозначение стабилитрона приведено на рис. 29, а.

AU,

ig
a

|

11

=

| Une
А

!

5

|

А |

it

|

а“,
<
<
a
|

"

ПЕ

©

y.

tol

=
| 6)

6) _
Рис

29. Стабилитрон:

.,

а — условное обозначение, б — типовая вольтамперная характеристика,
в — габаритный
черте типов Д81 4А—Д8 14Д,
КС133ЗА, КС!39А, КС147А

Стабилитроны характеризуются в основном следующими параметрами:
область стабилизации — рабочая область вольтамперной характеристики стабилитрона, в которой большому изменению тока стабилизации А/ст соответствует малое изменение напряжения стабили-

зации ДОст

(рис. 29, б, участок а — 6);

напряжение стабилизации
Ист — напряжение на стабилитроне
в области стабилизации;
ток стабилизации [от.— ток; протекающий через стабилитрон B
области стабилизации;
ТКН — температурный
коэффициент
напряжения — параметр,
характеризующий стабильность напряжения стабилитрона в зависимости от температуры;

17

динамическое сопротивленйе диода К хз — определяется по формуле
rye AU,; — изменение

Ryo,

напряжения

Ист на

стаби-

участке

лизации. А/<- — изменение тока [ст На участке стабилизации, соответствующее изменению напряжения Ист;
габариты; долговечность; интервал рабочих температур.
Основные параметры стабилитронов приведены в табл. 36, га— на рис. 29, в. Все приведенбаритный чертеж некоторых типов
от
температур
в интервале
работают
стабилитронов
типы
ные
—55 до +100°С и имеют срок службы (долговечность) не менее
5000 ч.
Туннельные
Туннельный
ствия которого

диод — полупроводниковый
прибор, принцип дейоснован на использовании
туннельного
эффекта.
Туннельные
диоды
Широко при“

|
]

T

|

‚ а)

|

меняют

0,

Туннельный

—

Oop

С

8)
$3,7

Рис. 30. Туннельный

а — условное
ного

диода,

типов

троны

могут переходить

диода

на

рис.

О— а
с ростом
тет прямой ток

,

условное

чертеж

ГИЗ04Б, ГИЗО5А,

эффект возникает при

из

зоны

п-проводимости в зону р-проводимости без
изменения
величины
энергии.
Условное — обозначение

казана

ленный
диод:

туннель-

обозначе-

ние обращенного Диода, в — типовая
вольтамперная характеристика, 2—

габаритный

различных
в схемах

приведено

на

рис. 30, а.
Типовая вольтамперная характеристика туннельного ‘диода по“

обозначение

б —

и генериро“

контакте полупроводников, обладающих
высокой
концентрацией
примесей
(они
называются «вырожденными»
полупроводника*
ми), и выражается в том, что при
достаточно высокой
напряженности поля в р— п-переходе
элек»

туннельного

‚19.
2)

колебаний
в
(в том
числе

СВЧ) и в быстродействующих импульсных переключающих схемах.

B

i

для усиления

вания
схемах

6)

Л

0Л

диоды

ГИЗО4А,

На

шается

прямым

участке

за счет

Ккращения
M

в.

участке

туннельным

то-

постепенного

пре-

а — б ток

туннельных
T

На

напряжения расдиода,
обуслов-

BH

умень-

переходов;

ьннее

COnDO-

внутреннее сопро
Участке
Ч ЭТОМ
ТИВЛение диода отрицательно, что

позволяет

использовать

диоды

для

генерирования и усиления
колебаний. На участке б— в прямой
ток диода начинает возрастать в результате роста тока, обусловленного обычными переходами носителей. х
Поскольку
принцип
действия
туннельных
диодов
не связан
< накоплением зарядов; они являются практически безынерционными

*

78

ГИЗ05Б

ком.

30,

Таблица
.

я
=

>

Ток стабилизапии, мА

Е=
Е

5

5
=

&

в

Ts

Е

2 |

0,05 |

55

8

|
м

Xb

KCI56A

5,6

КС168А

6.8

|

7—8, 5
8—9,5
9—10,5 |
‚ 10—12
11,5—14

1,00|

33
29
96
93
20

Д814А
Д814Б
Д814В __
Д814Г
718140

7—8,5
8—9,5 |
9—10,5 |
10—12
11,5—14

0,07 |
0,08|
0,09|
0,095|
0,095]

40
36.
32
29
24

5,6
9
56

K C6204 (11)**
KC630(I1)
|

120
130

КС680А (П)

180

KC650A (1)

Д818А

|
|
|
|
|

но
gy

5 =

Og*|

36

Габариты *, мм

|

ооO° | sO
a
ge | Be

8 | zile
LSE]

в

110_53 0,30]

7| 15

28—46

8
75|
65|
6
5

6
10
12
15
18

10,281

7|

15

|3

6
10
12
15
18

|0,34|

7]

15

0,056]1400 | 50
0,15 | 230 | 10
0,18 | 90
|5

150

о

2 | SE

006 | 45 | 3

Д808
Д809
71810
71811
11813

Д815А
Д816Б
Д817А

Е

=

0,91 8,00
10
|5,00|
60
|5,00

42 |
38 |

5
150
5° | 180

28 |

2,5 | 330

0,20 | 33 | 25|

13| 37

250

|5,00|

13| 37

25

|0,30|

7| 15

9—11,25|-1-0,02

Д818Б

6,75—9

718186

7,(5—10,35] £0, 02

Д818В

|-—0,02

72108

KC133A

KC139
KC147A
* Габариты

[+001 |

33.7

3,5—4,3
4,1—5,2

с

81

—

приведены

** Стабилитроны

без

буквой

длины

П

33 | 3

70 |
78

в

гибких

третьем

3

65

60
56

|

10,30)

выводов.

7]

элементе обозначения,

мер КСб20 (П), имеют обратную полярность
выводов по отношению
ствующей основной разработке (в данном случае к КС620А).

15

напри-

к соответ-

79

Таблица
<

9

|
я

5а

о

Е

Ра

=

«
2

,

=

rd

he

a

>

Е

я | “=

%

6 | reg

x

е

1х.

©
Ё

i)
$ gg

TH1304A
(4928's1 | 5 [75
ri304B |4,5—5,

ag=.
a

а.

и

ха

Ea
a9

«5

440

g

as

А

gs

ws
=O

Е
m

1+0,95]
10,25
2+0,3|
240.3]
5+0,5|
540,5 |

АИЗО1А | 10+1
АИЭО1Б | 10+1
АИ201В 202
AVQ01E | 2042
АИЗОЖ| 5045
АИ2О1И | 50+5
АИЗО1К |100 10
АИЗОТЛ |100 10
АИЗ01А|
AV3Z01B}
АИЗО1В |
АИЗО1Г |

2
5
5
10

ыыы

Be

<

a

о | <

©. 5

о

mo

a
=

< He

=

я

%

3,7| 17

20

—60-- --70———

|

ГИЗ05А |9,1—10,0
АИ101А|
АИ101Б
AVIOIB|
AV1010|
АИ101Е |
АИ1О1И|

37

о

é

5|
5
6{
6|
6|
6|

0,16
0, 16
0,16,
0/16
0,18
0,18

0,18
0, 18
0, 20
0, 20
|10|0'9
0,26
0,33
0,33

_.

4
2—8

lpn

2,5—10 |~00+ +85] 4}
8
4,5—13

—

0,65
0,85—1,15|
8 | 0,181 0—1'3
0,8

8
15
10
20
5
30
20
50

|_

12
95se,
50

.
|-60+--70]

|-60+-85

-

17

41 И

4|17

приборами, что позволяет
широко
использовать
их для работы
на высоких часготах и в импульсных переключающих схемах с малым временем переключения (единицы наносекунд).
„Разновидностью
туннельных
диодов
являются
«обращенные»
диоды, в которых пропускному направлению соответствует обратная
ветвь вольтамперной
характеристики,
а непропускному
— прямая.
Обращенные диоды работают на более высоких частотах, чем обычные туннельные, и используются обычно для детектирования слабых сигналов. Условное обозначение обращенных диодов приведеHO Ha puc. 30, 6.
Kpome общих для всех диодов параметров, туннельные диоды
характеризуются величинами:

ток пика Ти — прямой ' ток
характеристики;

80

в точке

максимума

вольтамперной

ток

впадины

характеристики;

©

напряжение
токе /[п;

напряжение

1, — прямой ток
nuxa

Uy

впадины

—

в точке

прямое

И» — прямое

минимума
:

напряжение
,

напряжение

вольтамперной
на

диоде

на

диоде

.

при

при

токе /ь;
напряжение раствора Ирр
— прямое напряжение на второй восходящей ветви вольтамперной характеристики при токе /п;
емкость
диода
С — суммарная
емкость перехода‘ и корпуса
диода.
Основные параметры туннельных диодов приведены в табл. 37,
а габаритный чертеж некоторых типов
— на рис. 30, 2.
Обращенные диоды, например ГИ401А и ГИ401Б, имеют следующие основные параметры: прямой ток /[пр=0,3-*0,5 мА, напряжения Ипр=330. мВ и Цовр=90 мВ, емкость С=2,5 пФ, габариты
4,7X18 мм; диоды работают в диапазоне (—55----70° С)..
-

$ 17. Транзисторы
Транзистор — полупроводниковый

— трехэлектродный

. прибор,

предназначенный Уля усиления, генерирования или преобразования
электрических сигналов. Он представляет собой кристалл с трехслойной структурой р-п—р
или п—рр—п, помещенный в гер-

7>

р

р

> 6)

k

AL7

Я

п

ел

г)
,

д)
Рис.

31.

6<

К
9

2)

re

Транзистор:

а — структура
и
условное
обозначение
р-—п— р-типа, б —
структура и условное обозначение п^р—п-типа,
в — полевой
с базой п-типа,
г— полевой с базой р-типа,
д — полевой ©
изолированным
затвором
и с базой п-типа,
е — полевой ©
изолированным затвором и с базой р-типа, ж — внешний вид
XN

метичный корпус с тремя выводами, связанными с тремя областями
кристалла. Крайние области называются эмиттером и коллектором,
средняя — базой.
Физические
процессы в р^п—р и
п—р—п
транзисторах
аналогичны. Разница заключается лишь в том, что при одинаковых
рабочих
режимах
напряжения
на одноименных
электродах
имеют противоположную полярность (отрицательное на коллекторе
для
транзисторов
типа
р—п—р,
положительное
— для
типа
п—р— п) и ток в базах переносится носителями заряда противоположного знака (в транзисторах типа р— п — р — дырками, типа
6

Заказ

531

81

п—р—!
— электронами).
НЫМИ,

поскольку

основными
сторы,

в

В

них

Такие транзисторы

ток

переносится

и неосновными.

которых

Существуют

процесс

переноса

называются

носителями

также
тока

биполяр-

обоих

униполярные

типов

осуществляется

—

транзитолько

одним
типом
носителей
— основными
для данного полупроводника. Такие транзисторы называются полевыми. Структуры и условные

обозначения

рис. 31, а—е,

транзисторов

внешний

различных

вид — на рис. З1, ж.

типов

показаны

на

Таблица

38

aN

Параметры
Схема
‘включения
см.
рис. 33)

коэффициент
усиления |
каскада |
по току
К,

входное сопротивление г
BX

коэффициент
усиления каскада по напряжеHHIO Ky

.
коэффициент усиления по мощности Кр.

i

Рис,

33

,

а

Рис.

33, 6

Рис.

33. в

рыть (1—9

tet
ls

lena

Го

b=

l—a
+r

|

°|

Qa

.

—и

Ia]

`аЮн

а?Юн

их

гэ-гб (1— a)

— @Кн

эго

-

О

(1 —а)

Ry

retre(l—a) | (14+0)(r9+75(1—2)]

—!

1

t+ta

—!

1 та

В зависимости
от | напряжения
на переходах различают
несколько режимов работы транзисторов: активный ‘(переход эмиттербаза открыт, коллектор-база закрыт), отсечки
(оба перехода закрыты), насыщения
(оба перехода открыты), инверсный „(переход
эмиттер-база закрыт, коллектор-база открыт).
Существует три схемы включения транзисторов: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК). Некоторые основные параметры, характеризующие каждую из схем включения в зависимости от значений сопрогивлепия нагрузки Гн и внутренних сопротивлений транзистора г. и гб, приведены в табл. 38.

Типовые совмещенные

характеристики

траизистора

при

включении

по схеме ОЭ приведены на рис. 32: входная
— зависимость (бот /5,
управляющая
— зависимость /к от [6, семейство входных характеристик /к={ (Ик) и семейство переходных характеристик .(/в=} (Ик).
Схемы включения ОК и ОЭ характеризуются наибольшим усилением по току, ОЭ и ОБ
— по напряжению, ОЭ — по мощности.
Транзистор, включенный по любой из рассмотренных схем, может
быть представлен в виде четырехполюсника (рис. 33), описываемого
системой й-параметров и устанавливающего связь между входными и
выходными напряжениями и токами /1, От, [о, Оо:
Uy=hyy
ly thy;
82

I g==hoyl + hog.

При режиме короткого

ходе (И,=0)

или

замыкания

холостого. хода

по переменному

на входе

(/,=0)

й:1 — входное сопротивление
— отношение изменения

на входе к вызванному

hyy=AU,/Al,;

|

hy, — коэффициент

величина)
— отношение
ному

им

им

обратной

изменения

иИзменению

Ноа — выходная

изменению

входного

тока

связи по напряжению

напряжения

напряжения
на

|

току на вы-

имеем:

тока

hoy =Al,/Al,.

В зависимости от

к цифровым

индексам.

коэффициент

усиления

бавляются буквенные,

току

к

вызвавшему

схемы

Применяют

ит.

включения

А-параметров

например

№51. —коэффициент

в схеме ОЭ

к вызван-

проводимость — отно-

его изменению входного тока (при U,=0).°

ОБ,

Ц. =0).

(безразмерная

на входе

шение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения (при /1=0), Ngg=A/,/AU,;
йо — коэффициент усиления по току
(безразмерная величина) — отношение из-

менения выходного

напряжения

(при

по току

д.

и. другие

т

Ig

—=

г

Ig

kK

1:0

до-

#16 —

в схеме

усиления

по

символы

для

обозначения коэффициента усиления
по
току: для’ схемы ОБ
— а, для схемы

0Э —В.
Они связаны
соотношениями:
а
howe
а=-- Иов, В= ———=— ——,
Знак

И

1625
и
15 >I5
,

1570
— 0470075
105
Рис. 32. Типовые
совмещенные ‘характсристики
транзистора при включе-

нии по схеме ОЭ

1
а
1+ hor
«—» в выражениях для а и В получен из физических представлений
о параметрах четырехполюсника без учета реальных фазовых соотношений.
С увеличением рабочей частоты усилилельные свойства. транзисторов уменьшаются. Предельные частотные возможности транзисторов
характеризуются: граничной частотой передачи тока |; — частотой,
на. которой коэффициент усиления по току падает до 0,7 своего значения на низкой частоте; максимальной частотой генерации fy — максимальной
частотой
автоколебаний
в генераторе,
собранном на
транзисторе.
Быстродействие
транзисторов
в режиме
переключения от насыщения к отсечке
характеризуется
временем рассасываHUA

Tp.

Следующая
группа
параметров
характеризует
максимальные
допустимые электрическиеи тепловые режимы, в которых могут использоваться транзисторы:
ток коллектора
— постоянный /к и импульсный /ки;
так базы Гб;
напряжение коллектор-эмиттер
при включенном в цепь базаэмиттер сопротивлении Икэр;
напряжение
эмиттер-база при отключенном
коллекторе Ибо;
напряжение коллектор-база при отключенном эмиттере
Ино;
мощность рассеяния на коллекторе Рк;
тепловое сопротивление между переходом и корпусом Юки: диапазон рабочих температур; габариты и др.
К основным параметрам полевых транзисторов
относятся:

С"
os

83

напряжение отсечки И, — величина
приложенного
к затвору
напряжения, при котором перекрывается сечение канала;
максимальный ток стока [с.макс;
напряжения между затвором
и стоком Use, между стоком и

истоком Иси и между затвором
емкости:

Рис.

входная

Сьх,

и истоком Цзи;

проходная

Спр

и выходная

Сьых.

33. Схемы включения трацзисторов (а
— в) и изображение транзистора в виде четырехполюсника (г):

а — схема с общей
в — схема с общим

базой ОБ, 6 — схема с общим
эмиттером ОЭ,
коллектором ОК,
г — транзистор
в виде четырехполюсника

Транзисторы
можно
классифицировать
по
различным
признакам:
по диапазону рабочих частот
— низкочастотные
(до 3 МГц),
среднечастотные
(3—30 МГц), высокочастотные
(выше 30 МГц);
по допустимой мощности рассеяния
— маломощные (до 0,3 Вт),
средней мощности
(0,3—1,5 Вт), мощные (выше 1,5 Вт).
В табл. 39—43 приведены ‘основные параметры транзисторов,
получивших широкое распространение: в табл. 39 — параметры маломощных транзисторов, работающих на низких и средних частотах, в табл. 40 — параметры маломощных высокочастотных транзисторов, в табл. 41 — параметры низкочастотных транзисторов средней и большой мощности, в табл. 42 — параметры
транзисторов
средней и большой мощности, работающих на средних и высоких
частотах, в табл. 43 — параметры полевых транзисторов.
Во всех таблицах рядом со значениями -параметров
Икэв В
скобках приведено максимальное значение величины сопротивления
в цепи база-эмиттер Ю, кОм, при котором гарантируется: значение

Окэв;

если

данные

руется даже при
зана на рис. 34.

$4

по Аб

отсутствуют,

«оторванной»

базе.

то значение

Цоколевка

Икэв

гаранти-

транзистбров

пока-

о

ppg ‘od |

‘зна |

“W9)]

- зи

.

1s=
8 | 091199

NW
‘вл

eo

| 091

х

OF
OV
07

02

0S

| 09(у
08
0$

uo
WS.)

8

Яо

ша

ое

22

we

SS}

Е | gs|21]
>

Е |

- |

-

.

—

cE

oF

of$
05
06

0056—06

01—05

0s

|°9 | ог |

001—05
08—05
07—05

9581

от
3°0
$0

08—06
07—05
G2— El

001-—08
0SI—OS

08—05
вт | 001—0

‘0 | 091—906

|560 |

007
007

g'0
6 0
6 0

|
—

008 | —
007
007
00$

00¢2—09

008

S a
05

<3
ae,
=
Е©

=
5

<

® «
= 2

eS

2

:

о

g

я

та

о

о

>

= 29

5

| =Е
| oe
| oe
4953
- 9
zs 3
C40 a
зы
Е
~ &
ЭЗ=ЗЯ
«252
EE | oe
из
ея | Zo12 | mE
> 5
3

=
3

01
ОТ.

— | (903 | —

—
`

a

5

3 | *8

|
“82а |

|
wEoS

> “за

S
3 |

=

& | 38
S22 |
'

B=

ее

28|

б= | СЕ=О
- до
|B Ex
Pr,
FZ!

xa|

531

== |

go}
78]

Do0% Adu эмянех эмнизобиои ончиенизиеу

`

ess) | e535]
SE
сз
хо | ся
“Rilo nE]
x
38
S¢ |S - 98/32)
хм |
oO”

5
>>

OL.
QZ

И | 8 |091 99— | 08 | $

М]

ия
«drow |

“‘ЧАзе4эй |

ноеиеи

-WaL xHhoged |

-eny | -ooma | Oo

‘

D ‘ye “Md | L'IT | 8 | O9T+SS— | 006 | 04 | —

!
‘od

р ‘то у

(pe
еччэгохноп

|

епикое |

_udaanedex suxsanndionoa ]
6е

|

|

‚

86

УП

9G LIW

Zou
995 ПИ
V9ISLIW |

94“5 пи
VSCLIW
ScLIW

AISLIW

qOZLIW

IIZ@LIw
JIGHWw

FOcLIw
VOcLIW

е401>

-иБне4л пи],

39
табл.
Продолжение

я

вс

8

<

о
-&

во
iS

с

=x

сSs

я

я
© s

ee
Е

о

55
$

=

.

СЕ
НЕ

=

х©

=

=

Sak

aes

|

Oy

A.

=:
=

с
=

oO

со

>

>

-|-

+

-—4ч

.

$

be

8

<<co)

м

30

= Фо

co

On
“на

ВЕ

--

FS Заa.
но
ars

о

б

So
N

А
5
Y
=

=
rt
9
=

Е
2

5
«<
оa

я

2

=
ы

=

ен

аи

|

To)

x

>

=

|

Wy ‘эдотяэгиоя

ввиэвчиэээе

‘члоонтоий

а
N oda
-лийе поннэвошяло иди ов |
-eg-do1werrou dsHHaxBdUeH

|

12

ie

2 2 42 52 = Ед

|

‘096
ador
*-Malryou WOHH@hOWNLO Hd
eerg-ddoLLHWG dHHOKbdUeH

Ww

а «6 A » ddLLuwe
|-вевд ицэп ва иинэгвило4ио> ©

>
~

моннавоиуе
-аотяэхиохя

~

|

иди дэмииев
эинэжеацен

ee
19 м) > © 19 1.9

:

о ыы

st

ON)

—

—

7

-отяэгиох

-OLHOL/LYON

п ГА

до

©

иБве!э4эи

уи ‘ИХ,

ва

хот цчночкАиии

AWOL

‘(энэй

елотэев

47

и‘
|
YIGHHBOLOOU

у

эн)

Ly

>

ed

ly

oO

x

|

енот

венвине44

Бо

SN

wo

©
a. 5

>

2

.

ЕЕ | ou винаииов onommapooon|

©

NMNOCCONMS
=P OAM MIA

N

©

oooosd
ое

dt Le ttt | ellie

OwMMmwMwmnw
tt eet NN SH

LOO
BANNAN

M IO

[А
4

»

я

Ех
Va

a9

Е о
Е

36

чм

<

<«

1p Oh & & 000
с с5 ©9 ©0 Со AHS
ес
Е ЕЕ

ЕЕЕЕЕНЯ

о

ях

— -соо
69 © = 3
Е:
Е Е

| ЕЕЕЕЯЕ

зиа
|2‘ |

oa

GS+~+0Z— |
|

|009 |

OST |

—

G

Ol

__

—

SI | — |

01

OSI!

,

005 |

SZ

01
` 01
01
Ol
05.

8 | 09+-=99— | OF | Zt | 8 = jooi++sc— |

|

|
1001-99— |
|

‘Hd | ZIT |

8

ф

‘

8

|

‘Md | Sst}
.

‘

‘Hd | pL
a

‘Md | (‘и |

‘NOU ч винэиаи1о4иоэ

—

00|

Ol

—

т|

001—07

081—08

081

У65П

‘и — 4 — и ециит doLowened] es
енивикэя енезеяА хех9дохо $ »

$

|<

от |

65
ИИ
STILIW
PIILIW

УПИ
SlILIW
ZLILIW
VITILIW
+ ПИМ

M601 LI

Ж601.1.1
3601
601 1..1

JISOILI
Я80т.:..1
Gs0I LI
V801. LI

G601 LI

9601.11

osz—olr
01—09
08—sE
0S—0Z

СИИ

Асти

УЗИ

68—05

00I—S¢

09—08

08—36

01—09

|

V60I.LI

08—05

SOI-—sE
Cy—SI
CGy—SI
08—01
66—01

0S—0z
с
s‘o | OOI—SI
Ch—6
1‘0
ГБ этчакоа
‘0

о‘

01

ОТ

01

“т
oS | O'!
O'1
G‘0

ОТ |

Oo‘!

— | 01

09—05 —

—
|001 этакоа
0'< | 001—0$
0'5
01—05

СТ |
от
05 | S‘G
G‘0
‘0

OS

—

__

(SI
(Z) \08
09

05

(Ol
От
(5); 01
[о

—

Ce)St | ost}

87

ati

Параметры

.

>В

се

- -

шт
ie
Sen

“o
fo
C2

| ox
|=
[ay

pS

ify

Qe

S55
SFE

я

am

zo

27
Rae

ee

Ex

e- | Be

ge

gfe | РЯ

16—50
30—90
50—150
50—150

2

16—50

£

хх

moe | ae

оз

5
goa

11308

oO —~

>

ы

П307Г

a

a8

ov

.

10

15

|S

1&5

[Pee]

П416А

11423

—

20—80

Больше

2|

.90—250

»

4)

»

40

|

_ 60

—

80

—

120

TT308A
ГТ308Б
ГТЗ08В

20—75
50—120
80—200

—

90
120
120

—

ГТ3З09А
ГТЗОУБ

20—70
60—180

ГТ3098

60— 180

ГТЗ09Д

20—70

rT310A

20—70

T'T309E

88

Or;

о

80

—

80

40

60— 180

`

|Bomnpue 8}

20—70

»
»
»

8
6}
6}

»

4)

»

60—180.

100—300

©.

Е <
ms

в”

aL]

а

ЕЯ
xs

г.

as
2—

РЕ | ОЕ
30
30
15
30

—

15

120

1,0 |

25

120

—

1,0

|

=

50

120

ю |

40

60—180
20—70
60—180

15—80.
50—200

a.

2
=
<

Fo | ve | ve

120
120

20—70

PrT309r

ГТЗ1ЗИ

о

|

>,

‚ 30

~

ГТЗИЕ
ГТЗИЖ

x

|252 | ва |

30— 100

ГТЗ10Е

a

3

2

5

15

60—125

1П416Б

T3104

т

5
о
а

16—50

11416

ГТЗ10Б
ГТЗ10В
rT310r

a,

5
=
Во |

e

30—90

11309

вх

Максимально

.

=
5
О,

11307 **
I1307A
1307B
11307B

20° С

6

я

Tun
транзи`. стора

при

>

|

—

41

160

160
120
120

80

=

_

10

_

0,05

50

—

80
250
300

450

—

.

данные

при

20° С

40

Геометрические

тернстики харак-

60} (10) |
120
120

на

Диапазон
рабочих температур,
°С

60 | 250 | 40-470 | и

мм
диаметр,

мм

цоколевка
(см. рис. 34)

высота,

мощность, рассеиваемая
коллекторе, Рк, мВт

В.
торе Ибо,

при

31|

напряжение коллектор -база при отключенном ‘эмитВ
тере О кбо:

коллек-

эмиттер-база

отключенном

напряжение

напряжение коллекторэмиттер при включенном
сопротивлении в цепи баs
ОЧкэр’ В
за-эмиттер

`

допустимые

Таблица

|13 | Рис. 34, е

120
120
12(1)

| 3}

wd)

| —| — | 50]

12 (1)

— | 100 | 55-60 | 8,0
—20++55

18,0]

8 | Рис. 34, б

3 | 20 | 150 | —55+460 | 8,0

|11,7| Рис. 34, б

10(10) | —}

—. |

50|

10 (10)

12

20 | —20----55 | 2,5 |

12) R,
о (ке)
12] \ К»

|11,7| Рис. 34, б

—

2,0 |
2,0 |
1,5 |

—20+455 | 2,4 | 7,4 | Рис. 34, д

3,4 | Рис.

34,к

12
|.
12 | 150 | —40++60 | 2,5 | 3,4 | Puc. 34,«
10
89

Параметры

Тип
транзиcTopa

|8.

9.

aa
8 >—

оз
yo

< с=
oO
5 хо
>=e.

<
+S
ЕЕ:
mre

FS
95

5
| me
52
Ged

>

20—250
20—250

ГТЗ20А
ГТ320Б
ГТЗ20В

20—80
50—120
80—250

rT321A
Tr T3215
ГТЗ21В

20—60
40— 100
80—200 .

T3217
ГТЗ? Е

40—120
80—200

Больше

15

oso |

бы
oo

"|

300
450

ЕН

rT313A
T3135

™

|Больше

4]

80
120
160

‚ |.

< 2

в“

ы

о
nm

во
a

з
a.

<
a.

я
=.
5 x
oN
х

5 я
Bow
5х
on
<

|55
|593

с
z

5
Е

яя | 97|

| a
Зы
==
=o
jeaal

|589|

sr

3
зо
a

=”

9. |

5

Вo =9 |

—

—

—

0,4
0,5
0,6

59
|
ox
10

150

Е

=
%

23

#9
ox
—

300

-

10

—
Больше

| 200 | 2000;
12

»
»

15°
20

»

if

T3305

15

»

T'T346A
ГТЗ46Б
1 T346B

10—40
10—40
10—40

—

KT301**
KT301A
KT3015
KT301B
KT301r
KT301 4

20—60
40—120
10—32
20—60
10—32
20—60

90

On

ше
= 2

сх

ГТ330А**

a

м 3

5
=

не

T3295
ГТЗ29В

Макси мально

С

г

=

ga

ГТЗ29А **

20°

г

3=
=
=

IT T328

при

_

0

—

—

—

10

—

—

15

—

®@

-

— | 7 | — |
700
600
780

_

—
2800
—
30
30
30
30
60
60

—

—

—

__

—_

—_

Продолжение
допустимые

данные

при

‚

20° С

=o

Зы

ЗЕ

e350
oom &

я
ом

e°
бо

“п.

En |X on | oe

оо

rea
Хы

av

ое
Диапазон
2= | рабочих тем-

59-м.|

|951 32.|

ная

ее | 25% | 38

ператур,
°С

-9

EGEE || ЕЕRE)© 55eo ©*| 8S#5
ВЕЗЕ
| В5%|2Вь
| ЕЕ
ese?
ео
Eee | ge

12
uh

— |

Геометрические характеристики

я

265,

12 (0,5)

15 | 100}

цоколевка

=|

2

a

=

=

20 (0,1)
40
40

4,0 |
4,0 |

60
60

|905 | 60

2,5 | .45
2,5 | 45

(см.

рис.

34)

| Е:
| <
о
—20++55

15,0]

3,0 | 20 | 200 | —55++55 | 8,0]

50
‚ 50

40

*

LS

2 | ЗЕ
92 | 8х
с®

2788

табл.

11 | Puc. 34,3

11,7]

Puc. 34,6

|160 | —55+4-60 | 8,0 | И,7| Рис. 34, 6.

—

0,2 |

15 |

45|

—

0,5 |

10 |

20| —20---55 | 3,2 | 5,5 | Рис. 34, к

—

0,5 |

10 | 50|

—20+ 455 | 3,2 | 5,5 | Рис. 34, к

20

0,3 | 20 | 60
0,3 | `20 | 60|
0,3 | 20 | 60

—30-- 75 | 19 | 5,8 | Puc. 34,3

—

20
20

—25++55]

5,0]

3,0 | 3) | 150 | —55++-85 | 2,7|
20
20

11 | Puc. 34,3

7,4]

Puc. 34, a

91

Параметры

о

:

Е

Е

5

x

т ранзи.
cTopa

при

Е

Ве
ва

ЯЯ а.
a

ge5
RRS

>

с S
=O
=

aa

40—120
80—300

K T306A **
K T3065

20—60
40—120

Больше
»

3
5

КТЗо6Г

40—200

»

5

20—100

KT312A**

10—100

KT3125
KT312B

25—100
50—280

KT316A**

20—60

KT316B
КТЗ16Г

40—120
20—100

KT319A*
КТЗ19Б*
КТЗ19В*

»

Не

То

менее
»

же

3,

15

60
60

5 Ф

8};
6

»

__

* В скобках указана величина
** Транзистор типа п — р— п.

8

3

м

ор

в ям
a

“=

22 | ef

_

_

0,08

| 30 |

50

—

30

—

—

—

~~

.

—

5

5)
5

в.

Ра

|255 | 2)

р:

52

б

»

»w»

»
»

92

_

|

в. 95
ag

0,015
—

50—150
50—150

20—70
45—160

са я

ох |

8
6

KT325B
КТ3З25Г

KT326A
КТЗ26Б

3 3я
soy

=

»
».

у
60

|

0,01

8

Больше

«

6

»

КТ325Д

во |

Больше

20—60

20—60

|2.

t

fe | s|388
|5
.| ba || &F

120
120

KT325A**

КТ3З25Б

Е

80

—

25,
40

wR

ве

gfe | ВЯ

KT301E
K T3012K

KT306B

Eo

ные | 2-я

O°

‘

[88 | 2 | 8 |

| | oe
5“

g гы

38

t

a

Максимально

a

|
as

So
=| |1 9%
os
Ню

= .

Г

7a

.

ны

=5.

20° С

|

—

0,13

*—

—

30

50

__

—_

50

—_

6

сопротивления

в кОм.

Проболжение табл. 40
допустимые

.28

данные

при

ey

‚

Pe Ea
ЕЯ ы

ея
Фи

=
мия,

о
® Fin

ай

|Е=х

Геометричоские

20° С

|аё
[C=

теристики

|2
|<

5
зо

г.
Диапазон
ас | рабочих тем-

|5=

|252 |

oe
“о

Gu
За,

саба

= 8

naos

seel|ase | ee

Brae

харак-

[22

+

ператур,
С

цоколевка
(см. рис. 34)

а

-2

35 6156 2 | о
RGEE
[ee
Я СЕ
Rrez
|
55%
ESO
о || 28
ЕЯЯ || 58
Ян

=

>

a

я

=

:

¢| &
9с <

—

3,0 | 35 | 150 | —55-++85 | 2,7 | 7,4 | Рис. 34, д

oe

4,0

15
20} (10
15

4.

10 (3)

4

5 (3)

3,5

10 (3)

4

15- | 225 | —60----120]

—

4

20 |

15

150 | —55-

120]

4,0 | 7,8 | Рис.

15
30 | 225 | —40----85 | 4,3
15

10 |

150 | —55=--120]

+++

|

4,0 | 7,3 | Рис.

5 | 100 | —60----70 | 1,3]

250

15,5 | Рис.

34,ж

34,

д

34,ж

Бескорпус-

1,3 | ный микротранзистор

5,0 | 9,4 | Рис.

34, к

5,5 | 6,5

34, г

Рис.

93

Параметры

при

20° С

Максимально

напряже-

Тип

транзистора

ние

тепловое

частота | ление |

| Коэффициент | передачи | между
усиления
тока |
переходом]
по току В . (не менес),|
кГц

И Корпу

сом

0 -|

Gash
|, А |
6

Кл

кол-

лектор-

ТОК | при вклю-

men.
енном
тора | СопротивA

к

лении

в цепи

°С/Вт

база-_..

эмиттер
ОЧкэк,

11302
т
11303

Больше
»
»

11304

11306
T1306A
ГТ404А **

ГТ404Б

»

7—30
5—50

10|
6

5]

T1213
T1213A

20—50
Больше 20

11214
П214А
112146
1214В
12147
T1215

20—60
50—150
20—150
Больше 20
»
20
20—150

1213Б

112165
T1216B

0216Г

5

»

‚Больше
»

»

12161

15—30

ГТЗоЗА

30—60

r'T303B

10

10|

15

— | — | - 1 250,2)

©

40

10
30

5)

|005
0,4
0,4

ПО

—

7

50—100

7

“

—

55

0,5

5

79,75)

3,0 | сопротивления

Оби
55)
55

4,0

4,0
4,0
3,5
4,0
4,0
4,0

[801 (0,10

| 60
180)

ПОВ

3,5
4,0

* В скобках указана величина
** Транзистор типа п — р— п.

94

О

[0,2

135\.
160
160

10

50
50

30—80

Больше

0,5
0,5
0,5

50

60—150

112105

11210B

200
100
100

*

В

-

в кОм.

55
55 ¢ (0,05)
70
40
30
30}

7,5 }

—

[35|

-

Таблица
допустимые

данные

при

20° С

41

Геометрические

характеристики
ре”
ие
эмиттер-база

при отклю-|
чен ном
коллек-

напряжеие
коллектор-

МОЩНОСТЬ,
paccenaae-

база при |коллекторе
отключен-| ¢ теплоHOM
отводом

торе |. эмиттере | р

Чэбо,

В

кбо’

В

36a

ператур

oe:

‚

oC

‘Вт

7
10
10
10

60
80

10
10

—

—

0,6

25

ip

45

| —55++60|

—

.
—60-: +-70

15
15

15

-

мм

KT

35
60
60
80

—

диацоколевка
Метр, | (см. рис 34)

высота,
мм

—

11

—25+-+55 |

18 |

,

22,5 | Рис.

34,ж

11,7 | Puc.

34,6

10 | 30 | Puc. 34,u

60

60

60

10
10
15
15
10
10

60
60
80
45
45
45

15

На

4

|-60+470|

13 | 23 | Рис. 34,ж

—

—

15

—60+

1]

35

_

13

23

Рис.

34, ж

_

4-70

28

Рис,

34,ж

95

Параметры

Тип

транзистора

коэффи-

циент

кооффи. |
циента

.

при

20° С

|1а

я
fia

г.

Максимально

но

|8

о

усиления | чх < | Вх |

усиления | по roxy B|

°F

.|

§

. |

|. и |

5 а

Вом
ods

по току В | на yacTote] &_ @ | 9 $
0 B95
(He MeHee),| ze 2 | aM | SS

My

ГТЗ2ЗА ** | 20—60
ГТЗ23Б
ГТ323В

40—120
80—200

п601и

Больше
20
40—100

1601 АИ

11601 BU

T1602U
11602AU

11607

80—200 |

| 40—100
80—200.

—

| ESSl

200

200
300 |

—

KTEOIA ** | Domine |

_

96

RS

1,0

8-1,

1.3

40 | — |

— | 0,03]

40— 120
80—240
80—240

0

Aa
ge

—

—

11609
T1609A
116095

.

—

Больше

~~

so

4

4
5

60

40—120 |

КТ602Г

0, 1

90 | 3

90
90

Больше
50

|0,1
0,15

1

40—120
80—240

KT602A ** | 20—80 ~

ne | She | FF |

|5

—

OOS
T1608

60—200 |

K T6025

Яо
ze

.% =

6

60

11608B

р.

3

5

aaa |8o | 82 | ge | Es
Ве | 28 | 23» | 88 | #8

20—80

П607А

«|

м.

120
120
120

[0,3 } 0,6

—

Таблица
допустимые

данные

при

20° С

Геометрические

характеристики

53, (82 |i
stnoweaneu [a8 /23 g[ Gg | TunsgTy.
‘

напряжение | 2 A
коллектор- | Нм ь

сопротивлении

цепи
эмиттер *

кэ’
10

Е

Bok

288
2,0

25).

3

s

(0,1) | 0,5

Py =
ним

x O|
£55"

5
=.

Диапазон
рабочих

oo8
Се

ze

де
geek

[Sse

[S25 ¢

20

0,5

—55----60

3,0

| —50----60

1,5

—55-++60

|238 | З8 а

:

“ys
цоколев ка
= | (см. рис. 34)

z

os!

a|

|

|5

"
2

=

&
111,21

Рис.

34,к

0

|9,6] 22 | Рис. 34,ц

30
25

(0,1)

1,5

40f

:

30
30

|9,6)

22 | Puc,

34,4

50

25
25
40}

30
30
50

~
100

к

25

30
25

25]
25

>

|=
REE

42

2

|100 | 0,5 | —20+-+55

{11 | 13}

Puc. 34, a

120

100

120

70

80

97

Параметры

т

Фаизистора

коэффи-

модуль

ан

кои

Pom | ag

оэффи- |

KT603A **

|

Ha gacrore|
(не менее),

4S | 9$
reo | Os
о

KT6037,

60
20—80

K T6045

30—120 | 20

KT605A
K T6055

oO

| at |

° 9
gre
&ss

<

%

<

_

Ех
3 <

~
я es

Eg

28

Za,
ЕЕ

=o
ВЕ

— | оз | 06
,

,

,

~

60—200

**

МГц

10—40
4 на
30—120 | 20 МГц

_

~~

~

10
`

0,5

0.2

,

2 на

11701 **
170 А
T1701B

10—40

15—60
30—100

КТ8ОТА ** | 18—50 _
KT801B
98

20—100|

—

—

|.

12,5.

20

|

20

.

5 5

10—80

Больше | 100 МГц

KT603E

вом“
OO x

м

Больше

10—80 | 2на |

КТ6озГ

.

а

$ х =.
в
“Е .|® .

60

KT603B

д °

=

PPE

KT603b

Максимально

=

5.1

циент
усиления |
усиления | по току В|

no Toky B|

при 20° С

[2 |

0,7

—

Проболжение табл.
допустимые данные при 20° С
|

о

|4а

'

напряжение | $29 |

коллектор- | & 2 ¢
эмиттер при | 58 $

Геометрические
характеристики
к.

|258
хЕ

1

Js

Диапазон

ним
о.
Sf 519 o2

рабочих
температур,

включенном | ® 25
|“; Oo) sag
сопротивлении| Ех | №5. | “Ве

momen (EEE [EEE EUs

в цепи база-K9

ко | бо

Agi

| Ogh

ноя

29

FoR

30
30

°С

=x |

аб

}eoe

|

a

УЕ.

|e a
Зы

са.

&

2

‘| §
о

Я

д

Ft

=

g|

цоколевка
| (om. puc. 34)

.

s

|

30
30

io} (1)

3 | 13 | 0,5 | —40+-+485 | 8 /11,7] Puc, 34,¢

10
10)

.

42

10
10

|

.

250 (1)

5

300

3

—25----100

250 (1)

5

300

0,4

| —25----100]

9|

8

15 | Рис,

111,71

Рис.

34, е

34,в

|

60

4 |

60 |

0,5 | —55++85 | 8 |11,7| Рис. 34, в

40
60
35

2

—

10

50] (0,1) |2,5 | — |

—55---+100)10 | 17 | Puc.

5. | —20+455]

34, a

8 | 15 | Puc, 34,2
j
|

7*

99

Параметры

при

Максимально

20° С

—

7
модуль

Tan

транзистора |
-|

току

В | на

KT802A ** | Больше |
KT803A ** | 10—70
ГТ8О4А **
ГТ804Б
ГТ804В

-

fey, |

xosdgu- | Bt, | = |
yactoTe|

(не менее),|

@ |

&_

#5© |

Mu | Е

|

я

коэффициента
ан | 98
циент
усиления | 5“
|5
ycunenua | no ToKy B| 7 в.а.

по

ао

_
|Больше?|

на 10 МГц

|

a’

<

<

БЕ
Om
Os

ны
Ew
iq |

~
Bag

SFA

ЕЕ

ae

$ o 9

8 @

Zo.

5

#= |

на

Вы

ба

88 |

Ра

#8

wo | — | 25

|5 | —

_ | _ |

_

[10

=

—

10

|

—

10

—

KT805A ** | Больше
|
15

—

20

—

3,3

5

8

Больше

35.|

—~

15

[|e

|

— |

KT902A **

-

Больше

KT903A **

40—180 | Больше4|

KT904A **

3*** | Больше.
3,5
2,5 *** | Больше 3

15—70

на 10 МГц

|

|—]|]—
—|

3,3 |

3

10

—

—

—

—

* В скобках указана величина сопротивления
i Транзистор. типа п — р — п.
*** Коэффициеит усиления по мощности,

в кОм.

KT903B

КТ904Б

100

Л

—

=

ao

| 20—150

КТ805Б

*

«8 | 62а | 58 | 58
о

1

аС

и

=

°

Продолжение табл.
допустимые данные при 20° С

а

напряжение | ain
ФЕЯ

коллектор-

эмиттер

при |

Е г
§ 2

|5|e

Геометрические
‚ характеристики

||8:

5 3

a

Ем

|=

©| с Е

ъ | боя

Диапазон

.

‚ рабочих

температур,

BKMOYeHHOM |
Ly | ¥Z 6/8 a9
сопротивлении| Ех | %5-*
O€ ©
в цепи база|1 .@ |
„о | aoe
эмиттер
кэ’

*

ЕЕ

ac

ха о

2

geo
TO 2

Os

°C

овен

Е

42

= о Е

a

[ses
[gan
8
TO a
2&0,

=|
=

цоколевка
= | (см. рис. 34)
‘

5

а

g|

§

5

fa

‘

3

Я

130 (0,01)

|3,0

| 150

50

—20----100111 | 28 | Рис.

34, ж

60 (0,1)

|4,0

—

60

—40----100]11 | 28 | Рис.

34, ж

45
55
75

—

—

15

—25+-+-60

|
22 | Рис.

34, ж

138 | (0,01)

—

60 (0,1)
60 (0,1)

[9,5]

|5,0 | — | 30 | —55++4100! 11] 28 | Рис, 34, ж

5,0

65

|4,0 | 60 |
4

30

—60----120]11 | 28 | Рис.

30 | —40+-+85 |11 | 30]

60 | 5,0 | —40+-+85

34, ж

Puc. 34, 2

[24 |12,7| Рис. 34, ж
101

о
8'<|

61
12 |
‘8

-

#'8

95

:

95 |
|

етоомя | Glen
- PHI

emurge sl

~enudiance |

‘ичитои0э
-yedex эихэ

cp

|
“стоп |

‘mdAL

3801

5,

мы

| SI
SI
| $°5.:|
| $5 |
| SZ |
| 05 |
05
05 |

cI
CT
08
06
08
05
05
05

02 |

9150
S1‘0
SI‘0
‘0
5.0
‘0
‘0
5.0
€°0

370.0

55

|
|
|
|
|
|

—
—
—
—
—
01
01
01

|8s‘o
|880
Z
с
6
8
8
8

| Ss
|<
| 9
|9
| 9
| 05
06
05
HOrreyy

cst | — | sto | ¢

SI
61
05
05
05
тс
75
7х
HLOOHTIONW

— | СТ |

qu

;

|

9

oc

G'S
“1

*°п

их

Istoi—z‘s|

99.0

KS0eLIN

9908 ИУ
1306 ПУ
asoeLy
9805 ИУ
VeoeLy
9<08ПУ
9450 ИУ
VcoeLIn

ЭтОТЭПУ

ЧтОТЭИУ

УтОТОПУ

98.0

«ИТС

90

+ KIOCLIM
+ ЗТОбПУ

‘s

80 |

L'0
7°0

a/vn

| Зисидбы | edosansueda,

9 о05 иди mdianedezy©

‘HLOOUNA

|

0‘8—0‘F
9
19.0163
‚ 9.
0905
|ООт|
|060 | бот
1[0'59'0| 07—01
—
от
0° 1
L
0'3
3.

OfI—Z‘o]

а

ОГО]

ЗУ |7 157'0]
S1°0}

| °F]

ЗУ]

вел

xa,

8| 0

— | ЗТ |

05
05
|
— |

du,

иогеу|
хм.

игоонтои

‘ЭГ

эчнлюзоеьоя5ИН

yn

вентох|

"224 |

онагемиэуеу|

ctvoamon | “aca” [YOER# ods | эпоха | "ео

ig

wen

—}— |

80|

8 |
8 |

st‘o | — | ЧТ

aMHLOLIebONOOKIE

cy | ct | st |

St
SI
08
0
08
ZI
ol
от

91

900 |

s‘o | gt | 03 | Shoo |

so |

05 |

80°0
80°0

HD,

эмиилоАпой

‘bHHOXBdUeH

80.0

s‘o | 91 |

31
31

.

|в'0 | 07 | 91 |

s‘O |. Ol
co | OL

ue,

q

KHHOheHE

102

18|

95

co | $1
`

|

етоэ1ча | 919
cent
|

____”K
нжитоиаь

‘vgonuwl

$8

°П

Do ‘mdAL

а

эпнажуобоа Ц

*d9hHdLONOO |
(eee:

Фу

0 |

58 |

005]

«ОТ: | 006

*(XBENS9XD XMAGPCGIOLAH

os

06

007

+»
,

9506 У
вое
Veo6u
** 9606 ПУ

оловэгоп пи],

едотоиене4ь

,

++ ICO6LIN

08
c8
0S
От

+x VGO6LIM
++ VIO6UM

а/Уум ‘<

еНЕи1АДя |

01
0S

—

madiowedeyzy

+ УРОбИЯ

*mOdodLeS MMHAPHOCHIOEH э MGOLOHENEC]
a BHHCAOETIOLION BI) BdOLoOHEHedL aHOALIdONIW

|0°/ |

.

От.

ОТ
От
Ol
—

UurOg

xa
wen

ее

—

—
—
—
п

—
—
YOM

du
weHtox

П

—
—
—
80

И
—

ха
eR

Hdu

-odu | -Ноха

202

@U ‘HL0NnNG

-Woxme|

AHIDOHTTON

vn]

о

[90 |

—
—
—
006

9*0
OO!

—
—
—
И

—
—
—
‘Eg

Тр.
006
0Т*Т | OS

а

00 |

—
—
—
—

36
05

956 |

—
—
—
08
—
ОТ.

п

SMHLOLIEhOMOONS

ое | 09 | — |

—
—
—
05
05
—

в
7

а

ONAIreWHONe;w

9 ‘*n ия

05
0$

Meh

OMWHLOAUOY

Я ‘кинэже4иен
KHHObEHS

[03

о

в

ЭБК
Q)

о

о

8

ЭКБ
0)

о

о

К

&

эВ

о

A

ЭКБ
6)

о

.

“2

е)

о

м)

¢

К.

$ 65.

8) №06

СЦ)

Рис, 34. Цоколевка транзисторов:
а—к-типы

цоколевок

$ 18. Тиристоры
Тиристор
— полупроводниковый
прибор,
имеющий
три
последовательно соединенных р — п-перехода. Тиристоры бывают триодные и диодные; первые имеют три вывода (электрода), вторые —

два. В настоящее

время

согласно

ГОСТ

15133—69

любой

полупро-

водниковый прибор, имеющий структуру типа p—n—p—n,
называется тиристором. Триодные тиристоры называют также тринисторами
или переключающими
четырехслойными
управляемыми
диодами, а диодные
— динисторами или переключающими четырехслойными неуправляемыми диодами.
Структура триодного тиристора показана на рис. 35, а. Прибор имеет три вывода: анод
— вывод от внешней р-области, катод
— вывод от внешней п-области, управляющий
электрод
— вывод от внутренней р-области. Такой тиристор, имеющий р—
п —
р — п-структуру, называется тиристором р-типа; аналогично образуется п— р— п —
р-структура в тиристорах п-типа (эти два типа
тиристоров подобны транзисторам р—п—
рип— р— п). Условные
обозначения тиристоров на схемах показаны на рис. 35, 6, в
Диодные и триодные тиристоры широко используют в качестве
ключевых элементов в различных схемах автоматики и промыш‹ленной электроники: маломощные тиристоры применяют в устройствах ‘управления, схемах автоматики и различных логических схемах, в генераторных устройствах; мощные тиристоры, рассчитанные
на токи 50—500 А, служат в качестве силовых преобразователей тока (выпрямители, инверторы, генераторы мощных импульсов), особенно успешно их используют в системах регулируемого привода.
Типовая
вольтамперная характеристика
тиристора изображена.

на рис. 35,г‚

Диодным

тиристорам

соответствует

кривая ‚при токе

управления /у=0,
триодным
= семейство
кривых
при Г,>1,>0.
Участок О— а соответствует
включенному
состоянию
тиристора,
через который протекает ток утечки. Напряжение и ток, соответствующие точке а, называются соответственно напряжением включения
(вкл и током включения /вкл, В диодных тиристорах величина Иъкл
постоянна, в триодных— может изменяться в зависимости от величины

тока управления [ток управления Г, равен
котором «спрямляется» характеристика),

и

104

току

спрямления,

при

Участок а —б6 является неустойчивым, нерабочим, ему соответствует отрицательное динамическое сопротивление тиристора (отношение приращения напряжения ДИ к приращению тока АГ). Рабочими
являются участки О— а ибр— в, соответствующие включенному состоянию. Чтобы тиристор оставался во включенном состоянии на
участке б —в, через него должен протекать ток, величина которого
не менее тока выключения [выкл, соответствующего значению тока
в точке 6. Процессы

включения

и выключения

не мгновенно, а спустя врёмя включения

Твыкл.

Эти

параметры

характеризуют

Тиристоры характеризуются
рами:
прямой ток пр;
обратный ток [обр

тТ,кл

тиристора

быстродействие

в основном

ток управления Гу;
ток переключения [пер

происходят

и время выключения
тиристоров.

следующими‘ парамет-

|

прямое Ипр и обратное Иобр напряжения;

напряжение

переключения

Unep;

время включения твкл == время, прошедшее с момента подачи отпирающего
сигнала до момента, когда напряжение
на тиристоре
уменьшится до заданного уровня;
время выключения Твкл — минимальное время, в течение которого на тиристор должно подаваться запирающее напряжение,
выключающее его;
габариты,
долговечность,
интервал
рабочих температур;
для
мощных тиристоров, кроме того, указывают условия охлаждения
и массу прибора.
В табл. 44 приведены основные
параметры
некоторых
типов
маломощных
диодных ‘тиристоров, имеющих
широкое
применение, в табл. 45 — маломощных триодных тиристоров, в табл. ‘46 —
мощных триодных тиристоров. Габаритный чертеж тиристоров типов КУ201А
— КУ2о1Л показан на рис. 35, д.
В табл. 47—61
приведены
основные
параметры
различных
тиристоров. Тиристоры
серии ТЧ применяют в преобразователях
частоты для электропривода, в установках высокочастотного на-

грева,

ультразвуковых

генераторах

и

т,

п.

Тиристоры

$

‚ п

`.

og

gw

re [fs

<

a

age] |

712275

Toe

712270
Д227Е
71227)K
Д297И

B

x

[ES]

v

a

,

»

В

el

в

@

¥

серии

ТИ

Таблица

44

«0

фи"

|

Яма

[|

Е

—

5 | 0,5 | 22-42 | 0,5 | 10 | 5000 |60-++100] 11,2]
40—80
56—112
80—160

100—200

|

16
|
105

используют

в преобразователях электроэнергии,

работающих

В им-

пульсном режиме с частотой до 10 кГц в интервале температур от
— 55 до -+-110°С. Эти тиристоры характеризуются меньшими величинами Тзкл И Твыкл, а также повышенной скоростью нарастания
тока и напряжения при больших импульсах тока. Тиристоры серйи
ТД —с повышенными динамическими параметрами
— применяют в

AEE Oe
5)

99

а)

4)

rit
/

.
6

.

иг!

Iy

i
1 выкл

0

7 14

.
у
а

—

о

0

2)

|

Yona U

8)

Рис. 35. Тиристоры:

а — структура

р—п—р—п,

б— условное

обозначение
р-тиристора
(структура
р— п —
р—п),
в-— условное
обозначение
п-тиристора (структура
п—р—п— р),
г— типовая

вольтамперная
характеристика, д — габаритный
чертеж
типов — КУ201А— КУЗО1Л;
А — анод, К — катод, УЭ — управляющий
электрод

статических преобразователях электроэнергии в цепях побтоянного
и переменного тока различных силовых установок. Тиристоры типов
Т (мощные) используют в силовых преобразователях электроэнергии в цепях постоянного и переменного тока. Тиристоры серии ТБ
применяют в качестве быстродействующих исполнительных элементов преобразователей и генераторов и для работы в бесконтактной
коммутационной и регулирующей аппаратуре.

306

.

— | — [| 044-09— |

Э о “4Аледэи

2

OST

03

$.

От

6

$

091
`
Ge

ce

УМЯа вин | "УЧа вин
oun * bwedg

| Neder | |

|ДИ | 98-99

= po
OP | S*IZ | OL+-+09

8
“on

‘MaLHdegR]

eLooMa
AM

ep euuroey

|

‘bh 0006

ээнэм

эн чзооньэчо. иго! тоюми

чботои4ит

4 11

007—007

—

—

—

0008

ose | HE0ZANU—VEOCA

00| 1вобдЯ—\806АЯ

»

=

005—095

—

Г ениьииэЯ

‘эиневэнми
u°du

005—065

007—% |

cI

24012

AIOILAM
ТАУ
GIOlAM
VIOIAM

VIOCAM

q10ZAM

Ifl0OZAM
Ито
Al0ZA
ПОСАХ

00001 | 00€} H20ZAM—VZ0ZAN

007—565

GL

=o

0005 | 002

vn

от

I

‘ан,

я

‘ wdu, 39

|

"ояи 0| ээ/09 эн Ил вочиАпии илооняиелиии вии енэпевиаи

|

|

«аи 9

OSI
08
0s
0S

Gz

GZ

0¢

008
005
001
ayy}.

006
005
001
0¢

GZ

KOLOAGHWAOH

OST
08
03
ОТ.
‚490

NOL

YOWKdI]

Po

| -#duen Sonedgo | -amttduen | "чибшки я| зэыраь [18| оли озониояаь
ze
JONG]

107

Таблица

-

Тип мощного |
триодного

Вид охлаждения

|

an

о

s &
i)

бо

„$
oD

тиристора

По

5

a

5.5

55

a|

|9
=
=

= =

Rl
YIIBK-50
УПВК-100 |
————___

|

Габари-

ес

=

ня

EX

1,25
0,90
0,75

ВКДУВ-100

:

ВКДУВ-150 |

Водяное

|100|

1,40

тельное

[|200|

0,90

принуди-

ВКДУВ-200 |

|150|

классы:
клава

U обр’

зависимости

о | 8 | оз | 88

Ox

1/28/02

50—700*+*|

Al

в.....

сы:

В

oe

зависимости

тиристора...

Ч обр,

В.,.....

0,6

eee

100

0,5 1,0

90

1,5

100

И’,

150

150

200

тиристоры

1,0

|

80]

300

тиристоры
2,5

250

3,0

300

2,0

600

ВКДУВ

3,5

4.0

350

400

Примечание.
Время включения приведенных типов
ка |0 мкс; ток спрямления для ВКДУВ — не более | А, для
ления — oT 10 go 150мА.

с

3

mon

о

eT]

a.u

ы5

=

5.Е

fm

TY-20

ТЧ-40 |

а
a

|

Ф

Время, мкс

5.0

1000

делятся

4,5

1200

на

5,0

клас-

6,0

450 500

600

тигисторов
УПВК ток

на
6,0

7,0

700

порядуправ-

Таблица

47

Габариты,

ag

Ея

<

Е

5

:

у

as!g20 |

42]

2 z

SE

YEAS]

Se
ат

о
mo x

ня

6 Ея

&

Е | =
5

[=

3а

.

g

=

20

40

0,7

63

0,8

50 | 500—900 | 0,8

3

6

7—9

ТЧ-80
ТЧ-100
TY-125

80 | 500—1000} 0,9
100 | 500—10001
1,01
125 | 500—900 | 0,9

2,5

6

7
6
6

108

800

делятся

.

ТЧ-50

TY-63

4,0

1100

a LENS EF laF] El | 3
я
Е
g>

<

Ф

2100

46 | 450 |——

УПВК

1,5

200

И обр
2,0

—
—

|

0,75

от величины

170
200|

1,00

величины

тиристора.......

***

класс

от

Macca, P

a.
ala
Е
||
=
51$ | 29|
ма

* Габариты приведены без указания размеров радиаторов.

** В

}

ты ®,

50 |0,6—0, 9}100—1200**| 75
Воздушное | 100
78
принуди-

ВКДУ-50
тельно | 50|
BKMy-100 | © Paleo” 1400}
ВКДУ-150.
ро
150|

46

|. 36 | 67,2]

41

0,2

186,310,3

3

<>

ON

х

©

ox

хх

—

>

19 10
Oc
— с
о

49
Таблица

г >

I ‘eooew | OO

ВИН

-dhoilrma
—

вин | no

-dhollra

УЧ:

rasa)

э чтидеоет | — со

ми ‘подотеиу

-ed

=

о
<

=
Mm

I

‘Bory

PHA

diewenr

|

ТД-320А | 320

a

250

У
‹2-А
10
Г (эинэвенЕ
212
эон\Атикииие) | — —
KuHoIraeduA хо]

ТД-250

Л винедиц

200

-10 эинэжьеАиен

ТД-200

а‘

62 | 2,80

11

106

10

160

0,60

ТД-160

‘{ doo

9.5

120 | 0,95

- 125

0,60

8,8

41

100°

Nyy

250

ТД-100

8,0

ТД-125

7,5

70

55 | 0,85

80

кич
worl

вомва

|

36

7,0

ТД-80

0,60

40

У ‘А
-oraeduA

HOL

У «ЧП
(эин
-эвен SOHO

-эди)

5,9

ТД-40

мм

едозэидиь ни]

0,47
71
25

выключеHAA Taka
включе
НИЯ
ВКЛ

Габариты,
MKS
Время,

30
5,5

T-25

0,45
20

5,0
ТД-20

-arAUWH BHHEE | OS
-опэгэ етолэен
q dU, annox
-вдцен эойк 4: |

пи L

QOWKd1

едогэиЧил

-эчиАпии

-—^

У

|300—600
[300—600

.

‘ИЧП, yor yan

800
1600
ТИ-800
TH-1600

48
Таблица

109

Таблица
>

<

©.

в |

Е

~

=
=

8
к

[=

25

|
Т-50

50

=.

а

я
Ко

Е’ <

T-25

Ф

Em | 25|

с

‚ а

|

С

.

>>
ми |

ЕЕ

B ремя, мка
)

5. Е

#5
©

=

+
св

о
Вк

ея | ЖЕ |

Т.150
150 |100—1000] 00|
T3-200 | 200
T6-10
10 |450—1200] 70|

.

P

4

5

gx

5

ge
of

4 | 100 | 32 | 47

5
a

0,12

2

ry

.
|110 |

8

3

—|

я
i

7

7

мм |

Гэбариты,

Бы
ма

52 |

350 | 6 |—

100—1000]

ох

50

|120

10 | 2-6]

к | Se

32 |
|

57

0,19

| 41

57

|0,46

21

40

10,013

T 320 | 320 [400—1200] 400 | 6 |

30

1 |

31

19

10,15

T-500

8

40

3 |

41

21

(10,3

8 |

10

3 |

154

27

00,012

| 40 [400—900 | 150 | 4 |

10

4 | 21

|. 41

00,045

10

2 | 21 |

41

10,045

| 500

T10-20 |

Т10-40

[400—1200]

400 |

20 |400—900 | 400}

T10-80 |. 80 400—900
Примечание.

1501

Допустимая

4 |

температура от — 50° до -+-125° С.
Таблица

а
©
8

ЭЙ
ue

=

eo

i

=

вое
Е

Е

Е

e

o|

.

2.

Ee]

Ф

5

—

5Ф Е

Время,

=o

8s | 32

xl

2 | ВЫ | Е | 28|

=;

BAS

[98|

са

з

у

=

as

a=

go

ab

о

я

Be | 2a |

ТБ-200 | 200

TB3-200 | 200
TB-250 | 250
ТБ-320 | 320

800 |-——|

5,51!

10 |

0,40

ТБ-400 | 400
Примечание,

2

65
0,35

Допустимая

температура

35

мм

‘

Пава

TB2-160 | 160

110.

Габариты,

я | 68 | ТЕ |. ЕЕ | ВВ

{SE | we | ES]

a

мко |

51

Е

8

3

| g

ы
о

3

=

|

96 | 0,47

24 |

58 | 0,23

55

| 96 | 0,47

24 |

58 | 0,23

24 |

58 | 0,23

24

76 | 0,47

от — 50° до +110°C,

\

$ 19. Основные

правила эксплуатации

полупроводниковых

приборов

Для предотвращения выхода из строя полупроводниковых приборов в процессе монтажа обеспечивают неподвижность их выводов
вблизи корпуса, изгибая выводы на расстоянии не менее 3—5 мм
от него. Пайку полупроводниковых приборов выполняют низкотемпературным припоем ПОС-61 на расстоянии не ближе 5 мм от кор*
пуса, обеспечивая теплоотвод между
корпусом
и местом пайки.
При расстоянии от места пайки до корпуса 8—10 мм и более ее
можно
выполнить
без дополнительного
теллоотвода
(в течение
—3 c).
Перепайки в монтаже, подключения и замену отдельных деталей в схемах с полупроводниковыми
приборами производят при
отключенном питании паяльником с заземленным жалом. При включении транзистора в схему, находящуюся под напряжением, сначала присоединяют базу, затем эмиттер, потом коллектор. Отключение транзистора от схемы без снятия питания осуществляют в
обратной последовательности.
Нормальная
работа на полную мощность полупроводниковых
приборов требует применения дополнительных теплоотводов из красной меди
или
алюминия,
которым
придается
форма
ребристых
радиаторов, надеваемых на приборы. У многих типов полупроводниковых приборов с повышением температуры снижается не только
допустимая мощность рассеяния, но и допустимые напряжения и
токи переходов. Это учитывают при проектировании схем с широким температурным диапазоном работы.

В процессе эксплуатаци® полупроводниковых приборов не долж-

ны превышаться допустимые
ствующих ‘факторов:

значения. следующих

диапазон pabouux Temneparyp;

внешних

воздейlute

ee

относительная влажность до 98% при температуре 40° С;
атмосферное давление от 5`мм рт. ст. до 3 атм;
вибрации с ускорением до 7,5 в в диапазоне частот 10—600 Гц;
многократные удары с ускорением до 75 &;
линейные ускорения до 25 в.
Если внешние механические
воздействующие
факторы имеют
более широкий диапазон частот и ускорений, конструкции с полупроводниковыми приборами амортизируют. Для улучшения влагостойкости их покрывают слоем защитного лака УР-231.

~

$ 20. Микроэлектроника

Микроэлектроника
— область
электроники — полупроводников,
обеспечивающая создание схемных элементов различного назначения, характеризуемых высокой надежностью, быстродействием, малыми габаритами и малой потребляемой мощностью.
В табл. 52 приводится относительная оценка некоторых основных параметров электронной аппаратуры, построенной из элементов различных поколений («поколениями» принято называть последовательные этапы, которые проходит в своем развитии электронная
аппаратура). Условно за единицу выбраны значения соответствующих
параметров для аппаратуры,
построенной
на интегральных
микросхемах (ИС).

11

Таблица

1

2 _
;

Поколения

3

4

полупро-

|интеграль-|

большие

боры

(ИС)

2

электро- | воднико- | ные ми- | интегральные
вакуумные | вые при- | кросхемы | микросхемы

приборы

Объем аппаратуры
Потребляемая мощность

(БИС) *

50

80

1

0,2

1670

17

1

0,3

30

6

1

Частота отказов **

0,2
~

* БИС отличается от ИС степенью
*+ С уменьшением частоты отказов

интеграции (см. табл. 53).
надежность возрастает,

Благодаря минимальным размерам активных элементов в одном корпусе создается целая электронная схема, называемая интегральной (объединенной) микросхемой. В интегральной микросхеме
элементы нераздельно связаны и так электрически соединены, что
устройство это рассматривается как единое целое.
По технологии изготовления ИС делятся на пленочные, полу‘проводниковые (монолитные) и гибридные.

Пленочные

ИС

состоят из элементов, которые выполнены

в виде

пленок, нанесенных
на поверхность диэлектрического
материала:
тонкие пленки (толщина не более 10-8 м) .наносятся обычно методами термовакуумного осаждения и катодного распыления, толстые пленки (толщина более 10-6 м) — методом шелкографии, «втирания» необходимого состава через «маску». С помощью пленочной
технологии обычно изготовляют пассивные элементы схемы
— резисторы,

конденсаторы

и индуктивности.

гибридных
микросхемах
сочетаются
пленочные
пассивные
элементы с бескорпусными активными элементами (диодами, транзисторами) и проводящими соединениями.
В полупроводниковых (монолитных) ИС все составляющие элементы

выполняются

в

объемё

или

на

поверхности

одного

кристалла

полупроводникового материала, помещаемого в корпусе.
В зависимости от количества элементов, входящих в ИС, раз‚личают ИС разной степени интеграции (они также называются часто
«поколениями ИС» *). Эти данные приведены в табл. 53.
Схемными элементами, имеющими массовое применение, являются логические элементы устройств цифровой автоматики и вы:
числительной техники.
Существует три основных типа логических схем:
«И»— многовходовая схема, сигнал на выходе которой возникает только при одновременных сигналах на всех входах;
«ИЛИ» — многовходовая схема, сигнал на выходе которой возникает при сигнале хотя бы на одном входе;
* Не путать с «поколениями» электронной аппаратуры.

112

\

«НЕ» — инвертор
— одновходовая

схема,

сигнал

тдрой возникает при отсутствии сигнала на входе.

Поколение

гория ИС
Кате
P
~ |

ИС

O6o3HaveHHe

Степень
интеграции |
(число элементов И

|

на

выходе

KOs

Таблица

53

1

2

3

HC- 1

ЯС-2

HC-3

10-100

100—1000

До

10

4

ИС-4,

БИС

Свыше
1000

. Возможны более сложные логические схемы, представляющие
собой соединения нескольких простейших схем, например «И — НЕ»,
«ИЛИ
— НЕ», «И — ИЛИ
— НЕ» ит. д.
|
Для запоминания
результатов
преобразований,
выполняемых
логическими схемами, используют элемент памяти
— триггер, представляющий собой схему с двумя выходами (единичным и нулевым) и ‘несколькими входами (единичный, нулевой, счетный). Триггер может находиться в одном из двух возможных устойчивых состояний (единичное или нулевое), определяемых сигналами на его
входах. Работа триггера простейшего тица происходит следующим

образом.

|

,

При подаче сигнала на вход х1 «установка единицы» (табл. 54)
триггер принимает единичное состояние, в котором на его единичном выходе и: устанавливается уровень напряжения, соответствующий наличию сигнала на входе логической схемы «И» или «ИЛИ» —.
рабочий уровень сигнала, а на нулевом выходе у — уровень напряжения, соответствующий отсутствию сигнала на входе логических схем. При подаче сигнала на вход Хз «установка нуля» триггер
принимает нулевое состояние, в котором на его нулевом выходе у2
устанавливается рабочий уровень сигнала, а на единичном выходе
и: сигнал отсутствует. При пожаче сигнала на счетный вход хо триггер
каждый раз меняет свое состояние на противоположное, независимо
от того, в каком состоянии он находился до прихода сигнала.
Условные обозначения основных логических элементов в. схемах

приведены в табл. 54.

Логические схемные элементы характеризуются в основном следующими параметрами:
напряжение питания Е;
время распространения сигнала 12, показывающее задержку в
срабатывании элементов по выходу относительно входного сигнала;
длительность фронтов переключения элементов из одного состояния в другое #4:
.

высокий уровень выходного напряжения элемента Ив;

низкий уровень выходного напряжения элемента Он;
средняя мощность, потребляемая элементом, Р;
нагрузочная способность элемента
(число элементов нагрузки,
на которые данный элемент может работать одновременно) №;
коэффициент объединения по входу (число элементов, которое
может быть объединено на входе данного элемента) [;
помехоустойчивость, показывающая, какой величины сигнал помехи может быть подан на вход элемента без нарушения правиль-

ности его работы, ДУ,

8

Заказ 531

113

Таблица
Функциональное
назначение

(54

обозначение

Условное

х1, X_ — входы, У — выход

Схема

«И»

Схема

«ИЛИ»

Схема «НЕ»

х — вход, у — выход

с раздель-

х! — установка единицы,

НЫМ

хо — счетный

запуском

х. — установка

вход

нуля, `

со счетным

Триггер

запуском

у: —единичный

Jo
комбинированный

т
a

Xt

нулевой

выход,

— выход,

;
и
J

Конструктивно

В корпусах

гибридные

различного типа

ринятые

ГОСТ

и модернизируемых

интегральные

(рис. 36).

18682—73

_

обозначения

ИС приведены

в табл.
. 55.

микросхемы

выполняют

вновь разрабатываемых

Микросхемы выпускают сериями (группами), элементы которых
согласованы по электрическим параметрам и выполнены на единой
конструктивно-технологической базе. Это позволяет использовать
элементы одной серии в аппаратуре совместно, без каких бы то
ни было согласующих промежуточных устройств. В зависимости
от назначения и ‘области применения серии могут содержать от трех
до нескольких десятков

микросхем.

Для вновь разрабатываемых -и. модернизированных ИС ГОСТ
18682—73 принята следующая система условных обозначений:

114

Leo -й элемент
=> цифра — обозначает группу ИС no KOHCTpyKTHBHOтехнологическому
признаку:
1, 5, 7 —полупроводниковые
(монолитные) ИС, 2, 4, 6, 8 — гибридные, 3 — прочие (пленочные, кера-

мические и др.);

—

ALПР

<
>

NJ

—

10=02

|

tt(6
|

ооооо

| \° 0000000

16,7

0)
NY

10

|

`

|

90 00
во

ово

23°

1

02
od]
65.

1

-02

10° nt о

11,9.
02
6

Рис.

36.

)

Осповные

2)

.

типы
ных

а — металлополимерный

массой

1,1 г,

корпусов гибридных
микросхем:

массой

1,5

г,

б —

ев — металлостеклянный массой
Tuna 101CT14

интеграль“

металлополимерный

1,6 г,

е—

корпус

2-й элемент
— две цифры
— обозначает порядковый номер pa3работки данной серии. В совокупности оба элемента образуют трехзначный номер серии;
3-й элемент
— две буквы
— обозначают подгруппу и вид ИС
по функциональному назначению (приведен в табл. 55);
4-й элемент
— цифра — обозначает
порядковый
номер
разработки данной микросхемы в данной серии;
5-й элемент — буква — обозначает отличие по какому-либо параметру (например, по номиналу напряжения питания) одинаковых
типов ИС (5-й элемент приводится в случае необходимости).
Находящиеся в настоящее время в эксплуатации ИС, разработанные до 1973 г. обозначены несколько иначе. ИС, предназначенные
для
широкого
Применения,
дополнительно
могут иметь
символ К, стоящий перед 1-м элементом обозначения. Последовательность использования элементов обозначения по сравнению ‘с
новой системой обозначений следующая:
1-й, 3-й, 2-Й, 4-й, 5-й.
Например: ИС по новой системе, обозначаемая
121 ЛБ1А,
т. е.
серия
121
(полупроводниковая
ИС),
логическая
ИС
типа

«И —НЕ/ИЛИ
— НЕ» и т. п., по старой системе обозначалась
К1ЛБ2ИА, т. е. широкого применения (К), серия 121 (1 — полупроводниковая

«И — НЕИЛИ—

8*

21

—

номер

НЕ» и т. п.

серии),

логичекая

ИС

tuna

115

Таблица
Микросхемы
функциональное

назначение

Генераторы:

гармонических сигналов |

прямоугольных

сигна-|

лов
линейно изменяющихся
сигналов
сигналов
специальной|

формы
шума

прочие

импульсные
частотные
фазовые
прочие

Коммутаторы и ключи;
тока
напряжения
_ прочие
‚ Логические:
элемент «И»
элемент

Микросхемы
обозна-

«ИЛИ»

элемент «2НЕ»
элемент «И—ИЛИ»
элемент
«И—НЕ/ИЛИ—НЕ»

Наборы

IT

диодов

элемент
«И—ИЛИ—НЕ»

ГФ

элемент «И—ИЛИ—
НЕ/И—ИЛИ»

ГП

ДА

ДП

КТ
КН
КП
ЛИ

JVI

|

ЛК

прочие

ЛП

цифровые

ХЛ

комбинированные
прочие
Модуляторы:
амплиту дные
частотные
фазовые

импульсные

116

ЛД |
ХА

ХК
XI]
|
МА
MC

МФ

МИ

прочие

Преобразователи:

частоты.

обозна-

МП
НД

НТ
НР
НЕ
НК

HI]

ПС

ПФ
ПД

напряжения
мощности
уровня
(согласова- |

ПН
ПМ
ПУ

код — аналог
- |
аналог — код
KOA — код
прочие
Вторичные источники питания:

ПА
ПВ
ПР
ПП

выпрямители

JIH
JIM

|
ЛМ |

Многофункциональные
схемы:
аналоговые

|

тели)

элемент
«ИЛИ—НЕ/ИЛИ»

расширители

элементов:

фазы
длительности

ДИ
ДЧ
ДФ

ЛР

назначение

транзисторов
резисторов
конденсаторов
комбинированные

ГЛ

ЛБ

функциональное

прочие

TC

ГШ |

Детекторы:
амплитудные

Bp

ЕВ

преобразователи
стабилизаторы напряжения
стабилизаторы тока

ЕН
ЕТ

пассивные
активные

БМ
БР

прочие
Схемы задержки:
прочие
Схемы селекции

и срав-

амплитудные

(уровни

нения:

сигналов)
временные
частотные

фазовые

прочие
Триггеры:
tuna J-K
Tuna R-S
tuna D
типа Т

динамические

`

ЕМ

ЕП

БП

СА
СВ
СС
СФ

СП

TB
TP
ТМ
ТТ

ТД

Продолжение
Микросхемы
фу нкциональное

Мик росхемы

назначение

Шмидта
комбинированные
nop D-T, R-S-T

(ти-|

и др.)

прочие
Усилители:
высокой частоты
промежуточной

CTOTHI
низкой частоты
импульсных

повторители

считывания

изведения

ТЛ
ТК

ча-|

УВ
УР

сигналов|

УИ

воспро-|

индикации

постоянного тока

операционные
ренциальные
прочие
Фильтры:

обозна-

и диффе-|

верхних частот

функциональное

назначение

импульсов специальной|
формы
адресных токов

разрядных токов

ТП

и

‘табл. 55

прочие
Элементы запоминающих
устройств:
матрицы-накопители

.
УН
УЛ

ления
прочие
Элементы арифметических
и дискретных устройств:

ФВ

регистры

нижних частот
полосовые

ФН
ФЕ

сумматоры
полусумматоры

прочие

ФП

шифраторы

режекторные

Формирователи:
импульсов прямоуголь-|
ной формы

ФР
АГ

управ-

матрицы-накопители

УП

счетчики

|

АП
|
РМ

РУ

со схемами

ПЗУ со схемами управ-

УД

АР

матрицы-накопители
ления

УТ

АА

РВ

ОЗУ

УМ

АФ

ОЗУ
—
матрицы-накопители
ПЗУ

УЕ

обозна-

дешифраторы
комбинированные
прочие

РЕ
РП

ИР

ИМ
ИЛ

ИЕ

‚ ИВ

ИД
ИК
ИП

Условные обозначения ИС, выпущенных до 1973 г. и находящихся в эксплуатации в настоящее время, приведены в табл. 56.
Основные параметры некоторых гибридных и полупроводниковых интегральных микросхем, получивших широкое распространение при проектировании узлов и блоков систем промавтоматики и
связи, вычислительных устройств и радиоэлектронной аппаратуры,
приведены в табл. 57.
Дальнейшим направлением развития микроэлектроники является
увеличение
степени
интеграции
в пределах
одной
микросхемы,
Т. е. создание больших интегральных схем (БИС), представляющих
собой сложные функциональные узлы. Это обеспечивает дальнейшую миниатюризацию аппаратуры и увеличение ее надежности и
быстродействия. В настоящее время изготовляют многокристальные
интегральные схемы, в корпусе которых объединяется несколько
бескорпусных монолитных интегральных схем. Керамический корпус
таких микросхем имеет 48 выводов и рассчитан на отвод мощности
до 2 Вт. Параметры болыних интегральных микросхем (БИС) приведены в табл. 58.

7

Таблица
Микросхемы

функциональное

назначевие

Микросхемы-

обозна-

функциональное

назначение

обозна-

Jd

Усилители:

°

синусоидальные
постоянного тока

УС
УТ

импульсные

УИ

видеоусилители

Генераторы:
синусоидальных
баний
сигналов

пуском
Шмидта

УП

коле-|

специальной |

Преобразователи:

частоты

ГС
ГФ

JIH
ЛБ

схемы

«И—ИЛИ»

схемы

прочие

«И-ИЛИ—НЕ»|

ПД
ПП

на магнитных пленках |
матрицы
прочие
|Наборы элементов}
резисторов

МА
МС

фазовые

МФ

прочие

МП

МИ

|
ДА

схемные
прочие

_

ства;

— устрой-

комбинированные
|Арифметические
и

ФС

|Схемы

прочие

КИ

оптоэлектронные

Триггеры:
|
со счетным запуском
с раздельным
запу-|
ском
218

ЯЛ
ФМ
ЯП
HC

НД

сглаживающие

КТ
КД

ШС
LUT

НТ

диодов

ФВ
ФН

транзисторные
‘диодные |

ЛП

транзисторов

|кретные устройства:
регистры
сумматоры
полусумматоры
счетчики
шифраторы
дешифраторы

Электронные ключи:

ЛР

НЕ

ДМ
ДФ
ДИ
ДП

ФП
ФГ

ЛС

конденсаторов

частотные
фазовые
импульсные
‘прочие
Фильтры:
верхних частот
нижних частот

полосовые
заградительные

ЛЛ

|Запоминающие

ПК

Детекторы:
амплитудные

схемы «НЕ»
схемы
«И—НЕ/ИЛИ—НЕ»

ПН

кодирующие

импульсные '

ЛИ

«ИЛИ»

|Линии задержки:

ПФ
ИМ

декодирующие
прочие
Модуляторы:
` амплитудные
частотные

схемы «И»

схемы

ПС

фазы
формы

напряжения

ТД

1 Логические схемы:

|

ТК
ТШ.

динамические

YI

прочие

формы

с комбинированным-за-|

УБ

повторители

56

комбинированные
‘прочие

нения:

селекции

и

дис-

НК
ИР
ИС
ИЛ
ИЕ
ИШ
ИД

срав-

аналоговые
импульсные

СА
СИ

КЭ

логические

ТС
ТР

аналого-логические
СВ
импульсно-логические | - СГ
аналого-импульсно-логические
СК

аналого-импульсные

|

ИК
ИП.

СЛ
СЕ

2 ‘98 'эиа

ot

еэАп
-4оя‘вип

—

—

61

—

OS

ol

.

+ ЭТ -05

ce

BNodg|

#2

:

-Оэ4то

вемэви

-224

виэхо

«И» оц

виэлидиш

хчаогохя-в ея

ионной
«АНИ»

.

H-w]

БЕЗОГОХ 9-6

ионнэпичаон

_

дтэи1э4 ичя
имчнаиэгиедеп

BWOXD BeaOVOXE-¢

-олия!>

HMHUraLeaOVeroou YuMD

I6OLILr1

3 ‘4

‘У т6оаит |

Ч ‘у 60а

Ч

моагту

«АН-—ИГИ—И&
BLHOWOLE XHADHHIOI Z

ммэхэодним пи]

точит

зинзвенееи эончиеноипянАф|

о0г | -Эвилезо ичнив45е9-$
!

-dl

‘OI

эяи ©

‚* 9.8

От

—

-0ed

^еЧ91204и | -эхоодхим

‚ зая
а
} ешен | ‘4 4LIOn
|“1И2 БИНЭН| -ШОМ BOR)

—

-воедален|

N
‘1 Апохя
4.1L90H909
он вин
|-энииэчоо | -опо вен
1иэип

-uppeoy

prurgey

-uAGLOHOY

2 9E “9Hd

ro

о

Я с‘5<1/)

а

9 0*<--

‘а о*‘в-="Я

go

7

_
qd 1=AV

q i=

_ %0I+
а с1— ="

Huda) MdLON

-edeu amHifoxg

бот

LOIN

Ou

$

| bHdaD
|

119

А.

|

вит,

2 “9g ‘эиа

Зе

ОШ ВИН
_ Aifoxa

-иффеоя

“энииочо
-

26 ‘19дош эпнажуородЦ

¥

*O0F

+ 005

‘OO€

|

+ 002

« 006
“00 ‘OOFIZI

У

‘TT

SZ}

а батон

.

оп кгэгидитое4

“ih
хчаог
веЗОГОХа-5

-охя-с ид и «4Н-— ИКИ»
еиэх>

WLIOHMION HOH
«АН—ИГИ»

° везотоха-6

-Нэпичаон

эа

Я ‘а ‘У SSIGLI

|) A‘ “V HETSIST

V cer art

.
9 ‘9 ‘У < таит

dq

oo.

«ан—ими» ми | |
эчзогохя-у

NWoxo

эдмюв

|9 ‘а ‘утетаит|

«АН—ИЦИ»

эчеотохя-$

чмэхоодним пи],

-

эинэвенеен эончиеноипянАф|

-эх>

‘JH—ULLY» eWexd Bea
-отохя-$ и «ЧН—ИШИ»?
БЕЗОГОХЯ-<
eWaxs

HLOOMMOW HOHHaMmMaou

‘008 *00Ъ АТ “ТТ “А| виэхо

OS

+ 005 .007|

08

у

8

« 006

ее

ешен

oun

008 :007|
“4,

-0е4 киэда|

mo

у
N

Е

вемэкк
-gedLoj]

|

жай

dq L°0=V

а

а cI‘o=NV

и

q 0550

a sos

.

а о‘ ="Я

она

ell

ы РИ

=

>

2 ‘og

“OH

019120Н909012 ИОНЬОЕ

$Yoaoroxa-¢

vSTGIrl

eSTGLl

-ЭвИилог

ионнэпичаон э
-Адлен
«ЯН—ИШИ? знэиэие иихэ

|
«АН
—ИШИ»
1нэмэге ии
-эвилог
WOROVOXE-Z%
HU
O1FLIOHQODOD HOHHOEACAI
-ен ионнэпиччон э «АН
—ИЦИ»
анэмэие иихэ
Yyouoroxa-¢
-эвиюг

005

005.

ZCI

Ol

Ol

е1нэм
ea]

Я

|
‘q<
Я УТЯШИТ

яа‘а‘утатанм

а

ISIGIrl

«АН—ИКИ»?
-olr€ XIdGOYOXxE-p

«АН—ИГИ»

вИэЭх>

хихзэвичог
admiap,
«АН-ИКИ»

do1rewwAdArroy]

кезогохя-с и дэзиву

‚ втнэиэмЕ —
‘“xideovoxa-Z

OO

OO!

у

У

+ 006

008 ‘007
= 002

‘00€ ‘00F

аи 008="1

_. OTF
Fq O'pt+="4

{4 2. 0— ПУ
5*5</]1
я3$$0->

CIT

Cll

121

г ‘9$ ‘эиа

‘vgDUu

.

—

|

ока

annanrvoeod |]

-HOpEOY

от

у

ф

у
- М

+22 ‘LT |

от

от

\

виэда|

OOT
а“

-oed

.

OF

—

—

—
ran

-gadiol]

вемэви

—

«АН—И?
MWoeXx) sMa0Voxa-p sal7
«

и
иочогохя-5 и дами@ |,

LHOWOIre

иОяОГОхХЯ-Р

»

«АН—ИЦИ» 1нэиэге
YWOROVOXE-Z
HHWIOhHIOI
чнэмэге
и «И—ИКИ»>
иихЗЭьио

«АН—ИЦИ»

LHoewnolre

«fp» ou
хихэзэьич
виэгидитое4
-olf
xmaovoxa-Z ° Идь
и

иихээвилох иочотохя-5

} ежен | 4 ч150н
ч1эоно0э
OU KHH
еэАп
|-1ИЭ винэн| -Шои Я0И | зинэвенеен эончиеноипянАФ|
-опо вен
| -hocdk
-dow вин | -энииэч.00
daeyy -edioodu | -oxo0odyAn
LHouN
-wkdLoHoy

LG

970—179
| qd r0>"n

‚и

Of¢pt+="79

% 01

Чи 005=8/

+d

OU

-eden omHYyoxg | Buda

ии4э> ч41эи

CII

97 5<“1
Ч “У т6ваит | я 09+ =“я | $81

ISIdWl

ISIDISI

|

ISTLILSI

чиэхоодхим пи1

129

г ‘9е °эиа

От

Ol

05

05

08

0S

Л

06

‘LI

+ 45

°9Z

+ 15

ol

+ 08

ol

от

эаП

«УН-ИШИв

чиэх»

а ‘У те8аш

З56ЧИТ

| из

Wodolwarirom WML
что э«НН— И? Чиэхо
эчяопохя-$
эдалэн

ет

.
иодотуэггоя
WHINdYLO
э илооншои
ионнэшчяоп
«АН— И»

Ч ‘У <55Аш

Ч *\ $5
а

Ч ‘У аш

Ч ‘У 95а

чиэхо эчаопохя-у эа[[

HLoAmMoK

цоннэпиччон
«АН— И»?
чиэхо э1ч301охя-$ эя

чиэхо

«АН— И»
везотохя-8

«ЯН— И»

«АНИ»
чиэхо эччогохя-$ и4 ],

‘
еиэхо

CEL

123

2 ‘9$ °эиа

2 95 ‘эиа

—

—

8.

LHOHN
-иффео

,

26

HLOOHTIOW
«НИ—И?

= =—- BR UOTOXxE-g

ионнэпичяон

‘зат

19а

виэхо

.
У

«вап

Те

CEELIIST

У

ve

Ч

Я ‘9

OF

QI

АН И?

виэхо

5581

БЕЗОГОХЯ-9

$5

dasind 1

61
«ИКИ» он яка
yosoroxa-g

-oed

ея
05

«УН-ИКИУ—И$
—6—6—O
BWoxX)

жчаопохя-р

09

«ИШИ» он виэзтидит

-udumoed

|

5

—

Чэиа 1,

|°

—
—

9

—
—

ТФ

—

—

Ol

‘55

—

—

+ $8

—

ol

-во=Адлен|

-godLol]

-89:204и | -эхэо@чии
веиэви.
-oed виэда|

т
эн
I
‚ lan
cd
N
Aoxa,
.
Я ешен | 4 Чон,
оп вин | члэонооэ
еэАп
-4оя вип | -эниШгч,00] -оио вен | -ЧИЭ ВИНЭН| -10М. (ОИ | зинэвенеен эончиеноипянАф| чмэхоодним пи],

--wAd1o HOY

#6 ‘торш эпнажиорода И

qd *‘0=NV

Я 3*5<*П

q ¢‘o>"7

аа

r‘o>

"Nn

qd t‘0=NV

Я 7'5<°1

Я

ииЧээ 941эи

9g]

Esl

Ou

-edenu amnYoxg | ви43Э

124

9 ‘де ‘эиа

2 ‘og *oHd

г ‘де 'эиа

—

Ol

I
.
O01

Ol

0S

—

«АНИ»
чиэхо эчаогохя-5 эя

xiqgovoxd-z

виитнэя
odMlaj,

$7096

IPON HZ

89

dotaud 1,

чиэхо эчаогохя-$ эя[

1VOMLZ

709 Ио

|

00т

LE

НИШИ
01

(с

V I99LHIM

8

LHOW

1g 1‘O | -a1re yAMOAdHLAWWOY

xmgovoxd-Z

оц виэгидит

odiMdlay,

|9 ‘А ‘у POSIT

—

«ИГИ?

тит

—

-2е4 xmaovoxa-p eayy

|3 ‘9 ‘У 59а

«И» ош виэтидитоед

—

OF

чиэхо эчаотохя-фэч

|

3

OF

—

9]

Sh

57

+5 -Р 9]

d €‘0=NV

6

—

И

Я 0*У-=“Я

_ A OP

‹

—

Я ®‘0о>#7

Я 7'0=пУ

705

99T

Я $'5<*1 | 991

125

J
-

D ‘OE “Hd

9 “gE “Hd
590BOA ыы

бт

егенчио чиогиж
-ОНИЕЕ4 — чгэгииио ^

BWaXx)

.

«ИГИ—И?

BIT

BWOX)

KHHesOSsedgo

едэмидь епохя олон.
-10h)

BHHOVeudOD =

ISIUAZ

IPOULLZ

ЗАНЗВЕНЕЕН эончкенонпянАф | чмэхэоднии

пи1

Я 9'0—=0У
Я $'0>
п

Я 0*9--

.

0=лУ

иидээ эмниоха
чатэм
-едец

Kid

Я 0*У--=“Я | 906

qd o't—

`а®‘0=пуУ

‚9 95“0-A OP +="7 | SIZ

$$

qd ‘V IZ1gfs | ‘@ O'e+="7

95
OF

ISTHLIG

«9Н—И»

+9 7
GZ

oa]7

СЗТЭШС

Beacroxa-g

CZ
—!

чиэхо эччого хя-с эя

8
—
OF

—

MWOX)

G

GS

ти

ion “вой
-эхоодяии|
вемэвк
-gedL1ojy

«АН»

—

3

—

sbNadg]

81

ISTOLLS

-0ed

ан-edisodu
EHHOH |

on

От

«ИГИб—Иб—в» в^эхЭ

‘

—

cd

96

I

|

у

N

g

д оха

AIOHQOS
оп
diet

|
—

On eu
-энитэ9.00
-HdmEOY

#16 ‘гдбш апнажуобоа

126

9 ‘of ‘OHd

,
9 ‘og ‘oud

2b

8

р

‘e

TZ1 dfs

«АН-—ИШИс
виэхЭ

—Ve—-o

cl

тат

00т

‘У

|

дэмид]|

ичнне8

WowAues
‚
weHgrereed o dasund 7,

OS

|

ис

nIW S

-одиниомоя

ИТУ

OS

У

‘ПМС

«ИГИ- И?

EZIGUS

‘У

«АНИ?

ионнэпичаон
«АН—И?
еиэхо
везогохя-9

“У $196

Таис

ZLZILILS

9

BiroLHdumoed

«ИГИ-—И8»

—

ZI

зиэхо эччопохя-5 ив |

чиэтидитоеа

—

—

9е

IZIUS

—

GS

eal

+9

CZ

миэхо эчаоГохя-е эя Г

«АНИ?

HLOHINOW
CZ

$

;
8

GZ

`
‚91

Я 8'0>

1 | 415

п

q S‘O=NV

‘<

(975

"

127.

|

aI Blvd

я

9 ‘QE ‘эиа

еэАи
-доя вип
-ЯАдлоно

1$ ‘19 ош

—

—,

—
Оха

Ol
cI
085

IZ]

догеииАэАо] |

doredpumeyy

185 ГИб

I€ZIHs

—

—

Cc]

Cl

851

И

BLHOWSIre XHMIOh KIO у

муноиэгеЕ

IHAIbHIOT/S

те5ас

SECIS

(«ИГИ-ИР) в
чкэгидитоев ичнтои

(игилноя) «АН—ИГИ$

—

веизкг
-9Э910И

чиэхооЧнии

EZILIL[Z

ТТНТ

—

edo1oneneds эдмчлэр

—

. _ Tan

—

—

‘don

—

—ЯН—ИМИР/ИГИР

(wadogs) «ИГИЗ

08

|

—

киэда|
_|

N

-ЭЕ4

оп вин | 9100н00Э
7 ешген | 4 ч91оон
‘
.
-эни!эч.00| -опо вен .|`1И2 БИНЭН| -ШОИ ИО | зиновенеен эончиеноипянАф|
LHOUN
-во5Аален| -91204и | -эхоодяии
-иффеом'

апнажуободИ

UH]

"

Я <8‘0=8/7

qd SI‘O=AV

p—-="7

% 01+

Я 91—67 | сб

Fg

Я S‘0=NV

ЧА 5

п

a e'0>1 | LIZ

Hadad ч@1эм
OU
-едви эчниоха | BHdeD

128

1-QEOWSPSZ

AWeYoxMa

кинэ4ишое4 оч9ч1рон
-жоиояЯ
о «АН— И»
юнэиэге- эияээьио]/

Я ‘Ч “V У0тац&в

Я ‘Ч ‘У 9079 Ив

061

«аН-И»
эизоэвилс

INMIOh Ио

0S

008

чение

IGLHOWOLE

иичнгои!
530 э «АН— И?»

09

008

‘9

09

+0

9

IHAIOh иг

«АНИ?

1604415

1€cdHz

>.

dq ‘9 ‘V 10Prdlrz

GOVILLS
MLHOWVLE

019120Н
ен
ИОНЬО$АД
-90201э
ионнэпиччон э «4Н-—И?
чунаиэме эиярэвизо

SOVOLS

°y

Я Ч ‘У $0795

(4)Z
«6G

иинэичило4по> хчн
-оляэииох $599 «Н-—И?
MLHeWele IHAIhHIO]S

` 05?

581

02

OIG

0S

Os

°9

:9

°F

91
У

#6

+5

HWeYOXa HWMH
-qrarveed 2 edad. Z
дтэилэ9
изчаолиаИо — зивтэьЭ

(09

эиодя)

, SOL FSCH NF

_ %0IF
+а 3+="Я

076

со

129

531

заказ

9

851

S8I

A

|

о

-

eoAu
4х вип.

LG ‘vgow

.

I

Arfoxd

.У ‘9
:9

6/5

081

Ти

а

*°9 ‘У

| wd 4.L90H
о ии
BeNeBIr
-gedlol]

|

‘

ABENeHNHORYON

-

эинэвензен

A OHHIELILOGLOOD

Binal
ичнаиэдэчэа

dLOHIa

BILBDOHLO

‘У

.

»

ДЕ

silty

o_e

‘gq b0>NV

#Я95=П

Я g‘o='n

а
а
-edeu amuoxg

.

9дтэмеден. эчннэГэчи41]

еаис

Ч *\ ТОУЗИб
а

‘

|

LOFLILZ

чиэхэоднии

ци,

Я ‘а Т07ГИв

Ч ‘У ТИ

Чализа | а ‘У 10PdHa:

«И» АП

эонакгеноипянАфФ|

-охя он икэлидитова

9до1еииАэАмо]

долениАЭ

винэнех

| Флоилэд

05 | живлэво имняиз4эчэа |

057

05

.У

ove

008

|

.7:0 |
057

09$

‘

xb :9

061

кмэд4а|

зам

&С ‘b

on

CEl
‘

—
‘d

—
N

-oed

у виен
4190909 |
оп вин
-энитэч0о ‚1919 gen “Tedisod
-Hppeoy

эпнажуободИ

130

Таблица
Потреб-Рабочая |
ляемая
мощность | частота }

нальное
Функцио
назначение

Тип an БИС

P,

Br

7)

2ME5T 1

входами
1,2

2)K JI9T5

Сдвиговый регистр
на 4 разряда

1,2

27K JI9T 1

Универсальный
асинхронный счетчик
на 4 разряда

1,0

|

QKJI9T3

в микросхеме

триггера

ре-

QKJI9T2

Тип моноКРисталла,
использованного

Четыре независимо | 35 мВт | 300 кГц | Серия 113

работающих

со счетными
2K JI9T 4

_.

58

Заноминающий

гистр

на

8 разрядов.

Универсальный

версивный
4 разряда

ре-

1,8

син-|
на

1,5

ГЛАВА

характеристика

Серия

133

`

VI

ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ

$ 24. Общая

10 МГц |

°

счётчик на

Универсальный
‚ хронный счетчик
4 разряда

.-

ПРИБОРЫ

и условные

обозначения

Фотоэлектронные. приборы
(фотоприборш)
основаны на принципе
использования
фотТоэлектронной
эмиссии.’ Фотоэлектронная
эмиссия
— вылет
электронов
из катода, вызванный
воздействием
видимого света, ультрафиолетовых, инфракрасных
или рентгеновских лучей на поверхность металла (фотокатода). Закон Столетова
(первый закон фотоэффекта) определяет зависимость между количеством освобожденных электронов № и величиной светового потока Ф, падающего на поверхность -фотокатода: №М=КФ, где К—
коэффициент пропорциональности, определяемый ‘материалом катода
и типом излучающего источника. Явление фотоэмиссии используют
для создания фотоприборов, широко применяющихся в промышлепной электронике.

9*

131

Вторичная электронная эмиссия
— вылет электронов из катода
в результате бомбардировки его быстродвижущимися электронами
и ионами. Отношение тока [›, образуемого вторичными электронами,
к току 1 первичных электронов называется коэффициентом вторичной эмиссии и обозначается о. Вторичная эмиссия используется для
усиления фототоков в фотоэлектронных умножителях.
В группу фотоприборов входят Ффотоэлементы (вакуумные, газонаполненные или полупроводниковые), фотоэлектронные умножители, фоторезисторы, фотодиоды и фототриоды.
Различают фотоприборы, основанные на использовании внешнего и внутреннего фотоэффекта. Под внешним фотоэффектом понимают выход свободных электронов поверхностного слоя вещества
фотокатода в окружающее пространство под воздействием света,
под
внутренним
фотоэффектом
— изменение
электропроводности
или возникновение э. ‘д. с. на границе двух вешеств под воздействием света.
.
|
Фотоприборы широко применяют в автоматических контрольных
и измерительных системах, вычислительной технике, фототелеграфии,
звуковоспроизводящей
аппаратуре,
в
кинематографии,
в
спектрофотометрии, а также для преобразования световой энергии
в электрическую (солнечные батареи).
Условные обозначения вакуумных и газонаполненных фотоэлементов состоят из трех элементов (табл. 59).
Условные
обозначения фотоэлектронных
умножителей состоят
из трех элементов: 1-H элемент
— буквы ФЭУ, 2-й элемент
— число —
порядковый номер разработки, 3-H элемент — буква — разновидность
типа прибора (А, Б ит. п.).
Условные обозначения
полупроводникового
фоторезистора
состоят из четырех элементов (табл. 60).
Условные обозначения фотодиодов и фототриодов состоят из
двух (табл. 61) или трех. элементов. 3-го элемента обозначения
—
буква, буква и цифра (характеризуют разновидность типа прибора) может не быть.
Общими для всех видов фотоэлектронных
приборов являются
следующие основные характеристики:
световая (интегральная) характеристика
— зависимость фототока
[ф

от светового

потока

Ф,

падающего

на

фотонувствительный

слой.

При этом интегральная чувствительность
К=/+%/Ф мкА/лм
при
постоянном напряжении И. между фотокатодом и анодом; анодная
чувствительность Ка=/а.вых/Ф А/лм, где /а.вых — выходной анодный
фототок;
.
Таблица
59
1-Й элемент
— буквы —
характеризуют материал
фотокатода

Ц — кислородно-цезиевый
СЦ — сурьмяно-це-.
зиевый
СЦВ — висмутосурьмяно-цезиевый
Примечание.
первых двух элементов

132

2-Й

элемент
— буква —
характеризует
тип прибора

В — вакуумный

Г — газонаполнен-

3-Й элемент— число
(порядковый номер
разработки)

Присваивается заводом-изготовителем

ный

Вакуумные фотоэлементы могут
обозначения, например Ф-3.

иметь

букву

Ф

вместо

Таблица
о

3-й

1-й элемент —

6 -Й элемент —

теризуют тип
прибора

ризует тип светочувствительного

буквы — харак-

уква

—

теризует

ФС — фото-

4-й элемент —

конст-

руктивные
особенности

материала

М — монокри-|

свинец

сталлический

Б — сернистый
висмут

число

(порядко-

.

|

вый номер
Разработки)

прибора

А — сернистый

сопротивление

элемент —

буква — харак-

характе-

60

— Присваивается

заводом-

Г — гермети- | изготовителем
зированный

К — сернистый

кадмий
Д — селенистый
кадмий
3-го элемента

Примечанне.

обозначения может

не быть.
Таблица

1-Й элемент — буквы — характеризуют

.

тип прибора

\

2-Й

ФД — германиевый фотодиод
ФТ — фототриод

вольтампёрная
напряжения между
вом потоке Ф;

элемент — число (порядковый
номер разработки)

Присваивается
вителем

ФДК — кремниевый фотодиод

61

заводом -изгото-

характеристика
— зависимость фототока
Jy oP
фотокатодом и анодом И.’ при. постоянном свето-

Коти
100 |.
bot

Ch

С-6

60}

40
20

|

2000
Рис.
К ory

I

1

1

1

83000 ^` 4000

|

|

^ 5000

|

+

6000

|

37. Спектральные характеристики
тронных катодов:
7 ЭТНоСительная

чувствительность

А — длина

волны

Lge

7000 A,M-10

-10

фотоэлекфотокатода,

характеристика
спектральной
чувствительности
— зависимость
относительной величины фототока /% от длины волны ^\ падающего
на фотокатод излучения,

133

Область максимальной спектральной чувствительности основных
типов фотокатодов показана на рис, 37 и приведена в табл. 62,
Таблица

Тип

фотокатода

Материал

Область
максимальной
спектральной

фотокатода

чувствительности
при длине волны,
-

С-1

Кислородно.серебряно-цезиевый

С-3
С-4
C-6

м, 10—10

6000—9000

|

3000—5000
.|

Сурьмяно-цезиевый

4000—5000
3500—5000

С-15_

. | 3000—5000

С-5

4500—5500

Висмуто-серебряно-цезиевый

С-7
C-10

3500—6500

Магниевый

2100—2600.

С-8

aT

62

3500—5500

| „‚ СУРЬМЯНО-натриево-калиево-цезие-

C13

350 055 00

3000—4500
$ 22. Вакуумные

фото:

—\енты

м

Влкуумный фотоэлемент (ВФ) основан
,‚ внешнем фотоэффекте
п представляет собой стеклянный
баллон, внутри которого создан
вакуум и помещены два электрода — анод и катод (рис. 38). Под
воздействием света изменяется фотоэлектронная эмиссия, и фототок
в Цепи
источника,
подключенного
к
фотоэлементу,
равен
о РЕ,
) при постоянном напряжении Ца, где К — интерральная
чувствительность,
Типовые вольтамперные характеристики вакуумного фотоэлемента
приведены на рис. 39, а, а световая характеристика /ф=}(Ф)
— на
рис. 39, 6.
_ Фотоэлементы
характеризуются
в. основном
следующими
параметрами:

134

.

Таблица

Е

ЕЕ
>о

ne

=ne8

Е =

а

es

в

Se

о]

es

Es

—

Напряжение

ze==

= 6

=

240 -

СЦВ-4

240

¢ | 18Be.

;

в

x =

2% | Ва

8

EE

o-1

Фо

|

цезиевый

—_

(двуханодный}

Ф-3

Висмутосеребряно- |
цезиевый

Ф-4 .

РЯ

Ae

|
=

не

=
$

=

62 | 26

0,01 | 80—140 | 5000|

63 | 31

100

1o-* | 70-130 | — | 105 | 42

100

0,01

50

15—70

10-3 | 40—115 |

Ф-5 | Сурьмяно- | 100

7.108 |

цезиевыйи

100

67 | 20

— |

q
163 | 90

62

— | 104 | 42

—

— | 164 | 42
500]

76 | 33

Ф-7 | Магниевый | 100

10-3 |

—

—|

97| 44

Ф-8

0,01

80

—|

62 | 26

100

—|

88 | 40

Ф-9

——_ | Сурьмяно-

Ф-10
_
|

калиевонатриево-

Ф-16
. |

МУЛЬТИ:
шелочной

150
100

|——
100

Ф-13 | 1998" | 100

Ф-18 |

Сурьмяно-

| 100

цезиевый | 100

рубидиевый

|

—|

10-5 .| 40—80

CY PEM SHO.

|

|

10,10 | 80—170 | 1000] 129 | 40

100 | 300 [5-10-81

Ф-6

|

=

| 2”

0,01 | 80—140 | 1000!

CLIB-51 | Сурьмяно- | 240
|

Г абариты,

|S#%, | |. 2>=х | 8843
| 82]
e aos
во

|

CLIB-3

|

63

3.10-7 |
10-6

80

10-7 |

40 | 3000

62|

—

100

100)

55 | 55

0,01

—

100]

26 | 30

|

|

— |

100 | 62

40

135

Продолжение
5

Напряжение

= я

BS

.

т

Е:os

28.

=e

ЕЕ

Ф-22

Be.

|

| ey]

#2 | £5

Кислородносеребряно- |
цезиевый
Сурьмянокалиевонатриево-

100
300
100

|.

zy

feos

].e8

ия

68

Габариты,

9 2

MM

A >

ва 3 | =ge | Base
| ==3°
обес

ee

SR

Ф-19 | СУРЬМЯно- | 100
Ф-21 |

x

<

=

5 Е

nm

bE

а,

табл.

| go]

||

=Е

Е=
5

Я

10-е |

65 | 1000] 32 | 60

10-4

—

—?
10—:

—_

10-8

10

50001

33 |

59000}

37 | 45

200}

+ 48 | 42

41

цезиевый
Ф-23 |

Кислородносеребряно- |
цезиевый

Примечание.

в диапазоне

температур

100

Указанные
(10--30)°

р

С.

типы

фотоэЛЪментов

устойчиво

работают

интегральная чувствительность К;
темновой ток [:
— ток, возникающий
от термоэмиссии, измеренный в абсолютной темноте;
материал фотокатода;
напряжение питания;
габариты; долговечность; интервал рабочих температур.
Характерным свойством фотоэлементов с внешним фотоэффектом является «старение»
(«утомляемость»), т. е. изменение параметров в процессе эксплуатации (особенно за первые 100—200 ч).
Параметры некоторых основных типов вакуумных фотоэлементов, имеющих широкое применение, приведены в табл. 63, а габаритные чертежи и цоколевка — на рис. 40.

$ 23. Газонаполненные

фотоэлементы

Газонаполненный фотоэлемент основан на внешнем фотоэфф
екте
и представляет собой стеклянный баллон, наполненный инертны
м
газом
(обычно аргоном), в который
помещены
два электрода
—

анод и. катод. Схема включения в цепь газонаполненно
го
элемента аналогична схеме для вакуумного фотоэлемента фоторис. 38). Наполнение инертным газом вызывает несамостоятель (см.
ный
разряд и повышает чувствительность фотоэлемента.

436

‘Типовая вольтамперная характеристика газонаполненного фотоэлемента показана на рис. 41, а, На участке О
— а рост И, вызывает
увеличение тока /% (как и в вакуумном фотоэлементе), ‘на участке
a—6
TOK [4% практически постоянен
— режим насыщения, на участке б— в (при больших
значениях И.) ток растет вследствие воз108

То 8

Q,
Qe
А

Va
Puc. 38. Cxema BKJIIOчения
Вакуумного
Кн

рис

фотоэлемента:
—

сопротивление

39

а)
Типовые

o

фотоэлемента:

а — вольтамперная,

нагрузки,
R;- BHYTреннее сопротивление
фотоэлемента

6)
вакуумного

характеристики

б — световая

никновения ударной ионизации газа. Световая характеристика газонаполненного фотоэлемента изображена на рис. 41,6. Большая величина интегральной
чувствительности
(до 300 мкА/лм)
позволяет
К

774

т

и

L

026

>

(>)

‘|

920

aun

i

i
©

| |

,

Е:

i

Рис. 40. Габаритные чертежи и цоколевка вакуумных

а— СЦВ-3

(Ар-— анод,

фотоэлементов:
К —

катод),

6б-—Ф-2

(/ — основной анод, 2 — дополнительный анод,
3 — катод), в— Ф-10
(1— анод,
К — катод,

ОК — охранное

кольцо)

137

Таблица
Напряжения
питания

и.

Тип газона-

Тем-

в

новой | Интегральная| Долго-|

а’.

полнен ного
фотоэлемента | номи|. наиналь- | больное
шее

TOK

чувствитель- |

|
т’
МКА

ность К,
MK A /JIM

ЦГ

240 | 300|

0,2

эти

Указанные

С.

приборы

фотоэлементы

Газонаполненные
же параметрами,

при

8

Рис. 41.

устойчиво

полненного

56

26
40

работе со слабыми

световыми
В OCHOBHOM
коэффициен*

и.

Ф

0

ре

а)

диа‘метр

в диапазоне

Uy
Типовые

_|
длина |

мм

работают

3

0

-

129

фотоэлементы
характеризуются
что и вакуумные, и, кроме того,

Ip

‘

700 | 62 |

100

Примечани е.
температур (10-30)

Габариты,

131

100

ЦГ-4 .

теми

ность,
Ч

75

ЦГ-3

использовать
потоками,

веч-

64

характеристики
фотоэлемента:

а — вольтамперная,

0)

газона-

б — световая

том газового усиления Кг, который определяет степень увеличения
фототока за счет ионизации газа: Кг=/%//,, где /+ — фототок при
наличии ионизации,
[о —ток
при отсутствии ионизации. Обычно
K,=3-+7.

Параметры некоФорых основных типов’ газонаполненных фотоэлементов, имеющих
широкое применение, приведены в табл. 64,
а условное обозначение и габаритный чертеж прибора ИГ-3
— на
рис. 42.

$ 24. Фотоэлектронные

умножители

Фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) — прибор, основанный на
использовании вторичной эмиссии, представляет собой стеклянный
баллон, внутри которого создан вакуум и помещены электроды
—
анод, фотокатод (первичный) и диноды (вторичные катоды). Под
воздействием
освещения
возникает
фотоэлектронная
эмиссия
из

138

первичного
вторичному

катода. 'Электроны,
катоду.

эмиттируемые

им,
|

Однокаскадный фотоэлектронный умножитель

направляются
.

к

(рис. 43, а) осуще-

ствляет небольшое
усиление фототока. Многокаскадные фотоумножители
(рис.
43,6)
содержат
до
13
динодов;
электроны,
эмиттируемые фотокатодом, направляются к первому диноду
Ki;
эмиттируемые им вторичные электроны на-

правляются ко второму диноду К2 ит. д.
Коэффициент вторичной электронной эмис-

сии

каждого

динода

б=4--7;

общее

||

усиле*

ние фототока многокаскадным умножителем
определяется из соотношения К:=[0*, где

К: — коэффициент

усиления

по току;

6

#—

J

число динодов (число каскадов усиления);
То — фототок первичного катода;
в — коэффициент вторичной эмиссии (отношение числа

вторичных

электронов

к

Числу

на данный динод).
чувствительность фото“

К — интегральная

чувствительность

умножителя

Ky mKKi,

а)

А

5)

Рис. 49. Газонапол‘ненный фотоэлемент;

rae

g— условное — обозначе-

фото-

Не, о

катода. Фотоэлектронные умножигели, сочетающие управление током с его усилением (коэффициент усиления многокаскадных

приборов достигает

6
‘©

<“ |

первич-

ных, поступивших
Интегральная

электронного

7K

a5

таваритный чер-

108), применяют для усиления фототоков.

Фотоэлектронные
умножители
характеризуются
в основном
теми же параметрами, что и вакуумные фотоэлементы, и, кроме

того,

всегда

указывается

количество

R2

ay

каскадов

6)

усиления

4b,

RI

Рис. 43. Фотоэлектронный Умножитель:

а — однокаскадный,
первичный
катод,

Параметры
ведены в табл,

б — многокаскадный;
К2 — К4 — вторичные

основных типов
65.
.

А — анод,
К! —
катоды
(диноды)

фотоэлектронных

умножителей

при-

$ 25. Фоторезисторы
Фоторезистор основан на внутреннем фотоэффекте и представляет собой полупроводниковую пластинку или пленку, сопротивление которой изменяется под действием освещения. Структура фоторезистора показана на рис. 44, а. Светочувствительный слой [ нанесен на стеклянную пластинку 2, от которой отходят электроды 3.
Когда на фоторезистор подано напряжение И, но не падает свет,
протекает небольшой темновой ток ]т. При освещении через фото-

139

ooo |
об
003
—
001

oo
от
aoc
oz
|

800‘0

| 10°
60
|
| sooo
| ero

от

I

01

oz
0%

006

0001

т
ost
т
ой

|
|

|

|

|
|
|
|

a |
at |

‘et | УД-леФ

8

1
и
и
et

9-^еФ
staco

от
I

008

£00°0

08
oe

бедех
sexe
sexeo
texe@

| 0St+09— |
001

|

|
|
|
|

S6
—

+0
wo

3-^еФ

o9 | oo |ost-+os—|
ve | zat | ost+os—|
|ost+os—|
o¢ | got
os | sez | 09++0-—|
ve
тт | 095409 |

|

I

|

1

I-AE®

7 АЕФ
$-АЕФ

И

I

05-ЛЕФ

09

gos
—

|

|

o¢ | 51 | 095+09— | 0001
o¢ | ett | ozt+oo—-|] 0001

OFZ

|

—

ов
oe

|

| sort
оо

950
50

—

|

|

|

с

01 ‘0

001

3

А

иш/у

055 |

—

€0l | Sy¥r+OZ— |

-

00т
хм. е

v0

001

99

901
yo ‘dkaedon

se | 001
"|
0$
12 | sh++0z—]|
85

Е

enurory

diowenr | ennui

co

140

cc-AE@D

УТ

GZo- AED

9р*0

0591

GI

IS-KE®

OI

006

0051

8

8

т

0f-AE®

У15-^ЕФ_

9-ЛЕФ

VSE-AE®

ин
" 9€-AEO

V6E-REO

79-^ЕФ

Ol

0041

I

|ol

0055

|

00S"
90°0

Oul

96- ^ЕФ

10‘0

т

001—098

70‘0

0001
000 C1

‘0

1

| OZ++09- |

06
0001
001

0081

65
ост | 0/7 -09— |
001

01

08
0s-+--+0S—

¢‘0

OT

000 OI

УЕ
0001

041

04-=-=09—

061

<00‘0

0051
001

200‘0

От

O0€1

3*0

Ol

03

00071

0008
00S

8

os

000 °

0°-=-0$—

64

007

0085

0001

000т

€0‘0

8/1

| 08-=--09—

005

SP

т

0061

|
78

GG

015 | 08----09—

|O0St+09- |}

89

141

bY

55

OL

058

365

6]

6/

091

593

| ost+or—}

losi-++0r—

0g¢++0s—

| os-+-+0s—

|

—

|

|

0001

—

—

—

008

0001

0001
|

|

05

000 001

007

08

д

005

008

10‘0

90‘0

,
€0‘0

Z00‘0

OST

01

00S

—

GZI

56
os-++-0r—

|

Ge
OL

ни ot

GI

exe,

yor” yOouOHNeL

Z‘0
чалоон

Я

А
06 a
(000
я о

|0/-+--09— | . 0001
"4149 |

-вэвошоп

06

о

АЕЫ

ZZ
diawen | еНиит`

WW ‘raLHdeoe|

G9 ‘vgpu annancvogod []

0001

0007

|

11

|

6/- АСФ

€1-RE®

е

ст

0081

0301

ose!

Il

Ob bal

виодижоних

86-KE®

09-KE®

89-KE®

29- RED

€9-LE®

G9-AE®

99-АЕФ

19-^еФ

q19-RE®

|

I

т

|

ет

001

0065
3
0022

И

8

001

0081

|

т

т

охэнь

Ol

Ol

qd ‘f винетиц

1 вошемовя

0071

|

ZI
08
son

0005

0001—0001 | 0065—0015 |

Ly)

-аиэлиалоаАь | эинэже4иен
веншону

|

142

09

5—1‘ | 0005—001

18-AE®

|

0091

И

| 0088—0055

[оно

|

(СТ

| э-деФ.

06

м
—

|

9

oot

003

|

| ost-+os—|

oot

в

G8-AE®

02

|

| 10‘0—20'0 | OOI—OI | 0351—006

I

09

|

0005

78-^ЕФ

| 09----09— |

|

0/1

ra

У

|
|

0061

0008

001

0001

$0‘0

| o1-++09—

€8-KRED

зи

|

re

$1
0008

|

000т

0015—0061

03---=09—

01—1

611

6—60‘0

58
|

COOI—O0I | 0035—0061

68" АСФ

У58-^ЕФ
|
000 01

0005—0091

0005

|
001—071

oct | 04++09—

01—80‘0 |

08

8‘0—S00'0|

18- ^ЕФ
000 O1

OI
0005

001

0005—0091

ост | 0£++061—

—

O0I—O0I

ZS

og

70‘0

08-ЛЕФ
0001

001

и

16 | og+-+os—|

031

OSLT

0$
os++0s—

6L-AE®

16

Il

08

V8Z-KE®
9 -КЕФ
005

71
0005

0055

= nc
09-++0S

oo!
O9T

$00‘0

_

oS

08

7/- ^ЕФ.
0001

И
|oc1++0r—

0061—0061
SII

0—1
‘6G

143

69

И

16-^ЕФ

66-AE®

эт | 601-АЕФ

с00*0

|

У

|

500°0

0001—1

60/1

|

96° AE®

0081

,

leoo'c—v000'0

—

00/1

я

|

0001
Ol

—

08

|

of

68
[01+ -07— |
0001
|

90°0

0081

м

91
0$
| ost++os— |
03
|

—

0001

05
| 001
0001
000 ОТ

| 000°0

нео

ve
| oor | ost+os—]|
0002
00S

ог | 501-^ЕФ

ve
| р | 0/+-+09— |
0001

000 01

|

zg
| 06 | OZ++09— |
0005

0005

66
095 | ot++09— |

|

002
обт | 01---+09— |

Ol

081
ост | 0/---+09— |

т | 001-ЛЕФ

53
ot | o9+-09— |

| 0045—0091 |

7

O81 | 09++09- |

0005

0005

0005

0005

0s

0002

3500°0

90°0

8°0

08

08

01

001

0005

0005

00001 | g‘o—so'o | oo1—or | 0015—0091

000 01

0 ‘0

0091

0091

|

|

al

Zl

I

п

I

16-KE®

Z6-AE®

€6-LE®

16-KE®

G6 AE®

|

OF

rou YOROHWAL,

| ourwouns
|coxesaen
Bycigon |gdHHO+ Ksemneum
yan ety | ~auraunatodA
-oLop UAL
Of oHh
dueyY
yoHvoxRg

О
readainj, | “B2douuroyy
AW ‘tmaLHdegR |
‘vgnw эпножиобод И

£44

ee

резистор

протекает

вместе с темновым

дополнительная

током

составляющая

/+,

образующая

световой ток [е=[+-+/4, т. е. Г[ф=/е
— /1.

Отношение /%//т обычно равно 10—25. Типовая вольтамперная характеристика фоторезистора изображена на рис. 44, 6, типовая световая характеристика — на рис. 44, в.
В отличие от фотоэлемента с внешним фотоэффектом фоторезисторы обладают болыпой
инерционностью, что препятствует их
Céem

|

Ip A

fol

Ip

on

|
m9

—

—

Ip

1,

|

а)

—

6

=.

|

=_

9)

?

Рис. 44. Фоторезистор
а — структура
(1 — светочувствительный
полупроводниковый
слой,
лянная пластинка, 3 — металлический электрод),
б — вольтамперная
ристика, в — свето..ая Характеристика

2 — стекхаракте-

использованию
в быстродействующих
устройствах. Однако фоторезисторы широко применяют благодаря ряду ценных качеств: их
чувствительность значительно больше чувствительности фотоэлементов с внешним фотоэффектом, что позволяет обходиться без усилителей фототока;
фоторезисторы
обладают
малыми. габаритами и
малой утомляемостью. Сернисто-свинцовые фоторезисторы используют в устройствах автоматики, металлургических фотореле и радиационной пирометрии, селенисто-кадмиевые
— в приборах
автоматического контроля (в мостовых и дифференциальных фотоэлектрических схемах, вычислительных устройствах и т. п.).
`’
Фоторезисторы характеризуются в основном следующими параметрами:
приложенное напряжение Ц;

допустимая мощность рассеяния Р доп;

темновое сопротивление
КЮ.— сопротивление затемненного фоторезистора;
световое сопротивление Кс — сопротивление освещенного фоторе-

зистора;

|

кратность изменения
сопротивления
при освещении фоторезистора
— отношение светового сопротивления к темновому Кс/Ют;
удельная
чувствительность
К, =/ъ/ФИ — чузствительность, характеризующая
величину фототока /%, протекающего
через фоторезистор, при
освещении
световым
потоком Ф=|
лм и напряжении

интегральная. чувствительность К=К.И;

габариты; долговечность; диапазон рабочих температур.
Параметры некоторых основных типов фоторезисторов, имеющих
широкое применение, приведены в табл. 66,. габаритные чертежи
—
на рис. 45, а, 6, в.
Фоторезисторы
широко
используют
в фотодатчиках, которые
обознач:ют указанным в табл. 67 способом.
10

Заказ

531

145

Таблица
:

| a

z

& .

в РА

2

oo |

go

OX

о

8 *

Е eo
5

gg | ба |

es5 | $3ея ||

$

=

go

o

4

Ё В of

7 Fa

Габариты, мы

a Ba?

598 | 658...

g2 || £822 || mak
S82 || 8SFB]

но

в

Об

a Az

©

ЕВ

17 |

ФС-А!

18
| 15601

| 33

ФСА-Г1

15 |

22.

ФСА-Г?

32

33

16 |

928

16

28

16

28

15

20

5.104

|0,010|

1,2 |

28

33

15—30|

500

5

18 |

ФС-Аб

104—108 | 0,002|

A

8я | 3а

Bn

ФС-А0

ФС-А4°

66

500

1,2 |

ФС-КО
@C-K1

400

107

|0,200|

6000

140,0 |

ФСК-Г!
ФС-К2

300

ФС-К4

400

ФС-К5

100

ФС-Кб

108

| 0, 150 | 2500 | 35,0 |

16 |

28

107

|0,200|

6000

140,0 |

19 |

24

5.108

|0,050|

6000

140,0 |

— | —

300

2.108

|0,300|

6000 | 140.0 |

16 |

28

ФС-К7

100

2.107

|0;600|

3500

7,5 |

— |

—

ФС-До
ФС-Д1 .

300

2.108

|0,050|30000 | 500,0 |

16 |

22

ФСД.Г1

* Значения

146

К, и

|

.|

К/К.

приведены

при

освещенности

200

лк,

.

Таблица

67

4-Й эле1-й элемент —|

буквы — ха-

рактеризуют |

тип приборов |

мент

2-Й элемент —
буква — ха-

рактеризует

конструктив- |

ные особен-

—

число —
|характери-|

3-Й элемеит —

5-Й элемент —

буква — ха- | зует диа-

_Рактеризуе?

буква — ха-

| метр вход-|

электрические | ного све- |

HOCTH

особенности

TOBOrO
отверстия ‚|

Рактеризует

Спектральные
особенности

MM

ФД — фо-

датчики

©

М — мало- |

'У —с

габаритный

лением

обычного

ры

(приборы

нала

уси-

К — красный

сиг-

3 — зеленый

(прибо-

без

С —

уси-

синий

(приборы обыч-

размера
не | ления сигнаимеют этого | ла не имеют
элемента)
этого элемен-_
`та)

ного — белого — цвета
не
имеют.
этого
элемента)
Т — реагирует на тепло‚ вое излучение

T аблица

Тип
фотодатчика
;

В

Диаметр

входного отBepOTHA,

MM |

ya

BEIXOAHOTO
сигнаTax

MA

В

ба-

тывания

фотодатчи»
Ka

tos

68

Габарнты,

с

MM

ФД-М-У10

10

5

0,10

Диаметр

ФД-У10

10

5

0,10

120x 100
x 50

2
5
5
5

0,15
0,02
0,10
0, 10

5
2
5

0,10
0, 15
0,10

ФД-20
ФД-Б20
pa
ФД-У20С.

ФД:У203

ФД-У20К
ФД-20Т
ФД-У20Т

ФД-40
ФД-Б40
ФД-У40
ФД-40Т
ФД-У40Т
10*

20

40

5

2
5
5
2
5

длина

0, 10
0, 15
0,02
0,10
0,15
0,10-

:

30,

100 —

120x 100x 60

°

:
150х 100х60

147.

Параметры некоторых основных типов
широкое применение, приведены в табл. 68.

$ 26. Фотодиоды

фотодатчиков,

имеющих

и фототриоды

Фотодиод основан на внутреннем
фотоэффекте
(фотоэффекте
в запирающем
слое)
и представляет собой два полупроводника
с различным характером проводимости, разделенные р — п-переходом.
в.

ая

3

|

С
чи»

>

W

653

че

ot

a
ЧИ»

[

1}
из

2

Wl
Г

022

\

76

|

у

)

|

т

19

828

Ч

|.

ot

а)

6)
Рис.

45.

Габаритные

|
чертежи

6)

фоторезисторов:

а— ФС-Аб, ФС-Кб, б — ФСА.Г1, в — ФСА-Г2 .

В зависимости от наличия или отсутствия источника э. д. с. фотодиоды могут работать в режиме фотопреобразователя (рис. 46, а) или
в режиме фотогенератора
(рис. 46, 6). При отсутствии освещенности через фотодиод протекает

темновой ток [т, при освещении

диода
— световой ток [с. Для
обеспечения наилучшего
попадания света на р — п-переход
фотодиоды
снабжают
миниатюрными собирательными лин:
зами, вмонтированными в корпус прибора.

Рис.
а— в

46. Схемы
режиме

включения

диода:

|

преобрагователя,

в режиме фотогенератора

фото6б—

Типовые вольтамперные характеристики фотодиода пока-

заны

на

рис.

верть — прямое

И — вентильный

фотьдиодный

47

(Г
— чет-

включение,

режим,

режим),

[И—

типовые

световые характеристики — на рис. 48.
Фотодиоды широко применяют в различных областях:
германиевые
—в
качестве
индикаторов
инфракрасного
излучения;
кремниевые
— для преобразования световсй энергии в электрическую («солнечные батареи» для автономного питания различной
аппаратуры, работающей, например, в космосе);
,
селеновые
— для фотоэкспонометров и светотехнических измерений, так как их спектральная характеристика близка к характеристике человеческого глаза.
Фототриод основан на внутреннем фотоэффекте и представляет
собой
полупроводниковый
кристалл
с двумя
р — п-переходами,
включенными последовательно.
Управление током
осуществляется
148

Таблица

Тип фотоприбора

| ganpsoxe{ TEM#B08
| дДолговечHue U,,
wk au
ность, ч

Габариты,

длина

мм

muanerp

ФД -1

15

30

500 |

ФД-2 (гр. 1)
ФД-2 (гр. 2)

30
30

25
5

500
500

ФД-3

10

10

100 |

ФД-ЗА

10

10

1000 |

ФД-5Г

15

8

—

10,0

8,00

ФД-6К

20

|

5000 |

14,0

5,50

ФД

7К

27

5

2000

6,5

19,60

ФД-99111А

10.

10

—

17,1

8,00

ФД-99111Б .

10

20

—

17,1

3,00

ФД-9ЭИГ

10

"25

—

17,1 |

8,00

ФД-9К

10

10

2000

9,0 |

11,00

1690

20

|

5000

12,5

3,87

1960-Б

20

5000 |

12,5

3,87

1690-В

20

3

1000 |

12,5

3,87

0

3

5000 |

12,5

| ~3,87

5000 |

12,0

3,87

10 000

6,3

8,70

1691

|

|.

18,0 |

69

8,20

2,2x 10,0x 15,0
90

3,85

9,0 | 3,85

КФДМ

20

ФТГ-3

5.

50

@T-1K (rp. 1)

5

3

2000 |

10,0

3,90

ФТ-1К (гр. 2)

5

1

2000 |

10,0

"3,90

|

149

путем
ность

воздействия светового потока на область базы. Чувствительфототриода значительно больше чувствительности фотодиода

и достигает | А/лм.

Параметры некоторых
триодов, имеющих широкое

мА}

И

|
=

-

1

|

_

V

основных
типов фотодиодов
и фотоприменение, приведены в табл. 69.

—

D;>D,
.

Up >U;

I

0,>%,

i

Рис.
47.
амперные

7
Ф, ДМ

. р’

1-7, МА

Типовые
вольт.
— характеристики
фотодиода

_

Y,=0

р

Рис, 48, Типовые
световые
характеристики
светодиода:
o

1 с —

темновой

жении

Оз,

напряжении

ГЛАВА

ток

при напря-

¢

Г — световой ток при
О, и световом
ке

пото-

УИ

ВЫПРЯМИТЕЛИ

$ 27, Общая

характеристика выпрямителей.
Схемы выпрямления

Выпрямители
—= вентильные

устройства

для

преобразования

пе-

ременного тока в постоянный
(выпрямления переменного тока) —
используют в качестве источников питания электронных устройств
автоматики
в схемах
регулируемого
привода
н ‘автоматических
устройствах различных технологических процессов. В зависимости
от типа применяемых приборов (вентилей) различают кенотронные,
газотронные, тиратронные
и полупроводниковые
(селеновые, гер-

маниевые

и кремниевые)

выпрямители.

Основные

элементы

выпря-

мителей
— трансформатор,
вентильная
группа
и ‘сглаживающий
фильтр.
`’ В зависимости от числа фаз, характера нагрузки выпрямителя
и требований к пульсации выпрямленного тока схемы выпрямления
делят на однофазные, трехфазные и многофазные, отличающиеся

количеством плеч *,

* Плечо
— совокупность

ляющих

150

приборов,

обмотки

включенных

трансформатора

последовательно

с

этой

и

выпрям-

обмоткой.

В

табл.

70

приведены

наиболее

распространенные

схемы

вы-

прямления, формы: кривых выпрямленного тока и токов в первичной и вторичной обмотках трансформатора при работе выпрямителя на активную нагрузку.
В схеме 1 используется только часть мощности трансформатора,
имеется большая переменная составляющая выпрямленного напряжения, высокое обратное чапряжение, приложенное к диоду, и соответственно низкий к. п. д. выпрямителя. При работе на емкостную
нагрузку обратное напряжение выпрямителя может достигать примерно тройной амплитуды переменного напряжения.
Схема 2 применяется в мощных выпрямителях для выпрямления низких напряжений, когда величины обратных напряжений допускают установку одного вентиля в плече. При этих условиях схема 2 предпочтительнее, чем схема 3, так как в последней используются минимум два вентиля, что удваивает потери
от прямого
тока.
В схеме 3 для двухполупериодного выпрямления используется
только одна вторичная обмотка трансформатора, напряжение которой в два раза меньше суммарного напряжения двух обмоток, соединяемых последовательно`
по схеме 2; соответственно и ‚обратное
напряжение на`каждой группе рентилей в два раза ниже, чем в
схеме 2. Применение схемы наиболее целесообразно ‘при больших
токах и малых напряжениях.
Схема 4 в основном применяется
при низких ‘напряжениях.
В схеме не полностью используется мощность трансформатора, получается значительная пульсация и вентили оказываются ‚ Под действием большого обратного напряжения.
Схемы 5—8 преимущественно: распространены в силовых вы:
прямителях. Они имеют трансформатор простой конструкции, высоКИЙ К. П. Д., шестифазное выпрямление и дают наименьшую пульсацию.
Схемы
выпрямления
характеризуются
следующими
коэффициентами:
коэффициент пульсации Кп — отношение наибольшей величины
(амплитуды)
основной ‘гармонической
составляющей
/жн.м
(или
Yocum)
K величине‘ среднего значения
выпрямленного
тока
[4
(или Од):
“Locum
Оосн.м ,

Kya
= Ee
14

К: =

_ 1.

roe Ug,
О осн. м»

Г’

К›=

0.

Uy

’

Кз=

te,

Га’

Иа‘

Ка=

Оовр.
Ug

’

Ke

п.

Ктр=

Ра

Pap?

Г/4— среднее значение выпрямленного напряжения и тока;
Госн. м-^ аМилитуда основной гармоники напряжения и тока;

(., Г — действующее значение
напряжения
и тока во вторичной
обмотке трансформатора; Иобр — амплитудное значение обратного напряжения; Р.р — мощность трансформатора; Py — выпрямленная мощ.
ность;
/1, /л— Действующее значение тока в первичной
обмотке
трансформатора и в линии,
В расчет полупроводникового выпрямителя входит: 1) выбор
схемы; 2) выбор размера и класса вентилей; 3) определение коли:
чества вентилей, соединенных в последовательные и параллельные
группы; 4) расчет режима вентилей; 5) расчет величины действую-

15]

`Домер..

Tun
схемы

‘Схема

выпрямления

—.

Обнофазная
однополупериодная
| Одновазная
abyxnonynepuodnaa
со средней точкой

| Обнофазная
мостобвая

{ fpemya)

Трехфазная

однопалупериодиая
А/А
_ Грехфав wan”
mMocmobasa

(Ларионова)

А/А

И

Грехоазная
мостовая
(Ларионова)

ASA

Tpex@azHan
Mocmogasn

(Ларионова)

—

ALA

Грехфазиая
67708

( Napuoncba }.

“A/a

_

Таблица
ete

— _

сы

Формы кривых
,

6 трансформаторе

Лолучавмый
—
‚ МОК
Яторициый | первичный
e

l

| фазовый
ток

.

203064
ток

Yeno

BL

|

Yucno

фаз.

плеч

дыпрямите- |выпрямите?

..

ля

п

:

„ЛЯ

|

Ong

2

2

Mop7

2

2

г

|
.

ОЯИНОЦ

ва Ге РР

ос

|

|

70

щего напряжения переменного тока, подводимого к выпрямительной
части при холостом ходе и под нагрузкой; 6) установление парамет-

ров трансформатора, питающего выпрямительную часть; 7) определение потерь и к. п. д.
Расчетные параметры выпрямителя для активной нагрузки могут.
быть получены из табл. 71; исходными для расчета данными являются выпрямленные ток [4 и напряжение Ua,
Для
получения
вентиля, включают

напряжений,
превышающих
напряжение
одного
последовательно
нужное
количество
вентилей.

При этом- выравнивают
падение напряжений
в прямом и обратном направлениях. С этой

целью

cf
Ro!

вентилям

Г1--ТГ$ подклю-

WU orn Ус

In
—
R= 9,8

С

м

параллельно

чают конденсаторы С1--С3 емкостью от 0,1 до
0,3 мкФ, последовательно
с которыми
подсоединяют
ограничивающие — сопротивления
Ю[”
— ЮЗ’ (рис. 49) величиной от 5 до 20 Ом.
Точную величину этих сопротивлений подсчитывают по формуле

!

Рис.
49.
Схема
п оследовательного
включения
тиристоров-

Ус

2 (1 пр. доп — (1)

,

где С=ФфосстГа/Оотп, Фвосст
= время восстановления запирающих свойств тиристора, /„ — постоянный (анодный) ток, которым заряжается
конденсатор С; Иотп — напряженив’ переключе-.

НИЯ;

lap.

доп —

Максимально

допустимое

чение тока для момента &; = Ус,

зна-

МКС.

Резисторы выбирают таким образом, чтобы напряжение на первом вентиле было меньше Оотп. Ток, ответвляющийся через резисторы, должен’ быть в три раза больше максимального тока утечки
тиристоров. В качестве резисторов могут быть использованы варисторы или два встречно включенных стабилитрона. Если требуется
равномерное распределение напряжений только в прямом направлении,

то могут

быть

использованы

лавинные

диоды.

Для получения нужных величин токов (если один вентиль не
может обеспечить заданные параметры), вентили включают параллельно. Для обеспечения равенства температур целесообразно параллельно включаемые вентили располагать на одном охлаждающем радиаторе.
Разбаланс, вызванный
неточным
совпадением
характеристики
или неравномерным старением вентилей, устраняют включением малых

сопротивлений

Юу.,

Ау2 последовательно
с вентилями

(рис. 50, а)

или применением уравнительного реактора (рис. 50,6). В последнем случае управляющий импульс подается на управляющий электрод -тиристора Г1, который при включении подает напряжение на
зажимы обмотки В1 и В2, а это вызывает включение тиристора Т2.
Диоды Д! и Д2 исключают появление обратного напряжения на
управляющих электродах.

154

Worodgiqa

иичаэгАн

венпоидэпАгопонио

-

М

e

BREOLIOW

14 | 88°0 | ¢

—

|398°0

—

#2Z‘0 | /7'0 | 86°0

с

o> венпоидэплгопхАа

|095‘0 |

2

—

6

ит |

—

эчнеефхэд |

|499°0 | 180 | ит | ит | мет | 2911

с’

чиэх>

‘99

2

венпоидэиАгононио

.

—

нахо

пом

неньиа

—

senpud

НИ

Е ИННИ!02

-do

эннечонемиеН

I

aC
ЕЕ

эчнёефонто
a
ЗЕ

`

5 = ‘|

-

се

за
3

-

са
Е

=o
a

ANIXD

1

HoHYadd

ITTt |

У

“6 | 15|
чиэх>

\

YOWHOL

1S82°O | TIT | PTE]

#2490 | IE‘T

ty

|151 | 19° | 65°6 |

‘y

У

чгатимк Ан

‚

|499°0 |

9568‘0

25

eNLOWgO

oa

Gs

4 5

8325

br

хи

Ses

seHbudoza

у

SEES
Э

x*

dorendopoiedy

5 > a
в
"

Я

1‘99

14т | 29'Г|

Y,
пу

|
епикое

HBMe oa AL
nubpeoy

ey,

aH

1/;

э

155

+

6 ^

8

$

9

9
'0|

|58'0 | 68°0 | 87'0 | 90°Т | 57'Т|

e

2g

8

го

=O

3 £

'

о

с а
a

=e

=O
by

ty

3 г

ey

чиэтимеаича

°

zy

8

.

еягойоо
кеньиЧи1я
.

догемдофэне4 1.

>в
ы

Re

о

|290‘0 | 9960 | 2h°0 | /9'0 | 74'0 | 9011

Ее

а; So

398
ere

ors

хто

а

L‘S

и

1190°0 | 996‘0

M

1°3
о

%

иипеэчиАп
i

апнажиобоа |

чнонпиффеох

[Z ‘Vgou

\/

-OLa

KBeHHHd

\ J

-dau

BPHHHS

edoLen

вмэх

9

-4офэн eds HOLOWQO

KHHOHHYI0)

‘

(еяонои(Е]р) кево120]

Ая |
венгои4эпАкопх

\

чиэхо эиневонаииеН

156

Для параллельного включения большого количества вентилей
применяют схемы с трансформаторами и несколькими реакторами.

Рис. 50. Схемы

параллельного

включения

тиристоров:

а — зависимое отпирание цепочкой параллельно включенных
сторов, б — зависимое каскаднос отпирание с уравнительным
тором
|

$ 28. Специальные
Управляемые

выпрямительные

тиристорные

тириреак-

схемы’

выпрямители

Выпрямители, собранные
на тиристорах, применяют для питания регулируемых приводов, в устройствах автоматического управления
— для питания
электромагнитных
муфт и т. п. Тиристорные выпрямители
удобнее и экономичнее ионных приборов,
применяемых для
мощных
выпрямителей, так как из-за огсутствия накала они
всегда готовы к использованию, имеют
больший срок службы и меньшие габариты. Управление углом отпирания и запирания тиристоров обеспечивает ббльшие, чем у, неуправляемых полупроводниковых элементов, возможности получения нужных параметров и форм кривых
выпрямленного тока и напряжения.
Схемы, кривые выпрямленного напряжения и расчетные соотношения напряжений и токов однофазных и трехфазных
‘управляемых тиристорных выпрямителей
приведены в табл. 72.

вв
IP

Шестифазный выпрямитель
с уравнительным реактором
Относительно малые пульсации получаются в шестифазном
выпрямителе
с уравнительным
реактором
(рис. 51),
что во многих случаях позволяет отказаться от сглаживающих фильтров. Трехфазный
трансформатор
выпрямителя

Рис. 51.
Схема
шестифазного выпрямителя
с
уравнительным
реакторомР

157

&

—.

A

—

9

ен

n

n

3

т

ен

эЧ4о1э

—_—oororo

O1OHLed9gO

еиАтикииху

’ BHHOKBdUeH

— ae

5) епикое д,

|

_

x

a

N

у
>

gE
=<
mh
4

3

a 2

oa

оо

© 2
x

Е
2

/

€

BeaHdy

aucXkdienH ен
KHHoxsdueH

—

9

H

у

7

т

$

‘
эине1Аэъен

Dy

——

Kr

—O

то

емэхЭ

woronr

wiqhdapAg

иди ‘эж о]

‘

|

3

эя=ЕАЧзен-М

кенгоидэнАкгононио

7

oueAdien-7y

-

Adu.

|

ЭИНЕЧЕЕН

'98

o0 IS

—

el

a

"

081

0081

a

и

(7 wom
-91r0g Hdu)

195

A

pu
От

ээнпэ4>

эйнэь

——
П

-ВН&

. 304015
NOL YMHLobIedg

козд |

ALO
-OWHYO

-HdHL

ээнтэ4э | один

oHHOb

=

qu
— 75‘0

-ВИ$

MHL

эпнажиобоа

NOL

колА |

изо
OWHKTOR

codu

agOYOHY

&/.‘чорш

°

081

`

о081

6

нозецеи

т винэдэмеи

(о $09

nN

тр

an

225
-_- =P

—

aloyall

D 10
кинэжнАиен

|

x

Чтоолизиае8

UZ,
‘(0 soo+],) — =Р
0)

ен

8

“mS

BAG

G
0Z 115 >t

ЭЧЕА4лен

n

№
__=P

”

_— alLovar

1

ar
=]
N

эинэжьеаи

(0—9 иаи)
oneAdien

6/1

ен

nN

-ен ээшчкодие

159

+

-_

сл

Ni

[1

С ен
NG

«ен
9

eH

Nn

0

g
2

N

N

у

Bs

ЕЕ

Ф

Sz

:

=

“3
3°

>

33

=

шо

ь 5

eH

эдотэ

ЭГоиГ | иди

KHHOKBOUeH
OJOHLeEdgo

эпнажиобод |

eVYALHIUNY

‘торш

/

дих
\/
и
a!

в

”
\
К

кезидУ

эн=А@лен ен
винэжеФиен

$

OHH eLdobh eH

емэхЭ

о

кеньиатэйиио

иди

HIE

ичндэф

OJOHHB@LOOU

иопоии

(эя=А@лен-7у

иди

(aueAdseH-7y
э5еф ионто я

-4

иги

вензефонтоО

PMOL

`

чотэиЧи1,)

H

-3H KEAOLOON

-Ао

ээнтэиооп)

WiderkH

BeHEeMOHTO

-эп я иофолэидит э иопочча

ЭИНЕЧ5ЕН

160

081

yu

(7 wom
-qr0g du)
qu,
—— 96 0
L1G
С ви

—
N

оЗУТ

Ш ‘any
B

°

ST
с ОЗТ.

Zl
.

yu

el
ALD

aOvyoHY

‘voow

guHLonved

эпнажуобод[]

NOL

ae

0081

yu

=?
‚ (© s09-++])*>—_
A

-

0081

—
A

п

(p soo--])

ILIONAOHERE

¥ = PA
о O8T

Nz

au"
—-

°

о 10

eH SHHaKEdUeH

8

098

oneAdien

6

grsHloboeg

90401>

О БИНЭДЭИЕИ
HOceL eH]

01

п
ALD

-HdHL

HOL

ges | ene stots | IMM | wus Sato

EL

ae

—_,=?p
N

в

О
v=?

1

>

es Ge

ээшакосиеН

JHHoKbdL

(Q9=0 udu)
ЭЯЕАЧзен

PH

-ен

161

531

Заказ

1]

GL

N

= <

XE

Nn
b

-adoso |

ЗЕ

ен

S

Ап Дл 57

—
9

ен

2%

=”
© 3

o*

5
= о
go
gz

эпнажиобод [|

$

эчёА4.тен вн
винэжк4иен вечидУ

личндэфАд

э

мотоий
эязАдлен-Ты

веньиЧ1эи

=: |

иги -> иди веньибэиииз
-эн вечолоои BeHERpxed |

udo

[

“WHO BEAOLOOW BEHERPOHTO
6

oHHeUSeH

-eXdsen-7y

эинез4эъен

162

БИНЭЖЕЧПЕН
OJOHLEdgo
eVALHIFUNY

‘тои

г---4+-—-

ae

ух

|

al ‘0

"т

ЕП ви
$

т

—

ra

ээниэ4>

oHHOh

“288

gNHLonIe|

эпнажуород

WoL

roid |

o6G |

°081

—

el
BLD

-OWHIOS

‘vgn

qOvOHY

-odu

GL

TT

О8Т

°ОСТ

°

HBS

-

‘

ДП

Ч

2]:

—

ry

nN

SHHOb

ВН poured

=

gSHLOhIed

водо
чоь

ко |

-OWHIO8
-оаи

-идиь

6

081

° 081

°

|
D винэдэмЕИ
ноБецеи.

(озоэ--1)-

€ Aen

25

о 10
винэжедиен

g

05

0$09 ——=Р/]

ен

="

9лоодиеичес

‘(ияеАФлен эчог wonaNdaduen adn)

эчёАдаен

*

e Agen

15

b

=Р11

- udu)

——=Р/]

05

(g=n

эжеА лен
ен энноже4и ©
-ен ээшчкодиеН

-

163.

11*

Qt
к

S

8

S|

s

„©

$
*
S.

eg

Se.

Ee
SOF
=

tt

Фin

39

Ф

©. &.

‚

Ф

<A,

aes

950

re

edoLonHduL eH KBHHAREdU
® BH
QUOWKdY eYALHLUNY

| сэ

©

>

|.

=

on

>

(uwedoronead чневодинАтее
+

-OLOHGHL

HIM?

в

StL

A

п)

£A

194
П

я
я

а
Kg
Ro

СА
Е

о

пы
<

я

a

8

mG

р

Yo
Я
в.
a
а

AYo

N

р"
$

|**

$

8

0

$
‚=

52s о.
=

.

2
|
©

2я
a

о

с,
я

_.

5

ва

8.
>

KS

=

fe}
о

но
Е

еоsc

м

2

5
& 2.
ра = я

Kea8
ря

о.

=

SO

464

>

О,

=

‹

oG1Z
61

ALD
“OMHTOR
-odu
oud

gOYOHY

_

о

in

eAcn
Gl

9S°0

не виза

HMBLObe |

gL "уорш эпнажуород

o0ZI
a

ALD

ДП

la

Ol

-one aauvado

зоо
MOL gHHLObIeYg

“OWHTIO€
-odu
fouAd

“HdAL

|

|

“

и

6

DUIS оз

$ 4

$ ДЕЛ

=Р/]

0001 > D> .09 иди
"

e Aen

°09 > ®> 0 ИЧП

«0 $05

о 01

о 40

ен винэже4иен

x

чтооинончер

8

эчЕАЧ.тен

6

НеЕвИви

о кинэдэиЕи

Z

e Aen

(o=0

о

=Р/]

udu)

эч5А4тен

ээшчкосиен

ен эннэжван

-ен

165

имеет первичную обмотку, соединенную звездой, и вторичную, соединенную в две обратные звезды с уравнительным реактором Р. Образуются две группы фазных обмоток, каждая с тремя вентилями, работающих как две трехфазных однополупериодных схемы, в резуль
тате чего получается шестифазное выпрямление с малой пульсацией
выпрямленного тока. Каждый из шести концов вторичных обмоток
присоединен к аноду отдельного вентиля, а катоды Всех вентилей
присоединены к нагрузке.
Каждый вентиль проводит ток только в течение 1/5 части периода напряжения питающей сети, так как приложенное к аноду
этого вентиля напряжение переменного тока больше, чем приложенное к любому вентилю. В течение этого интервала времени все
другие вентили не проводят ток, так как их аноды отрицательны.

0

Up >
——

Рис.

52.

а —

схема,

/p7

Фазочувствительный однополупериодный
‘прямитель:
б,

в, —

времевные

диаграммы

тока

и

вы-

напряжения

относительно катодов. Таким образом, вентили
. поочередно проводят ток. Поскольку каждый вентиль. проводит ток в течение малой
доли периода, то пульсация напряжения
на нагрузке: получается
небольшой. Пульсации имеют частоту 30 Гц, и в случае необходимости их легче сгладить, чем пульсации меньшей частоты. Уравнительный
реактор включается между
нулевыми точками звезды
вторичной обмотки и обеспечивает возможность параллельной работы групп.
Схема
выпрямителя
характеризуется
параметрами:
К, =0,166;
Ko=1,480; Ky=2,470; Kep=0,956.

Фазочувствительные

выпрямители

Фазовый дискриминатор, фазовый детектор, демодулятор представляют собой фазочувствительные выпрямители,
преобразующие
переменное напряжение в напряжение, содержащее постоянную составляющую, знак которой зависит от сдвига фаз между входным
и опорным
(вспомогательным) напряжениями. Фазочувствительные
выпрямители используют в устройствах автоматического контроля,
следящих системах и автоматических регуляторах.
166

На рис. 52 и 53

выпрямителей.

Если

приведены

U5

типовыз. схемы фазочувствительных

совпадает по фазе

с (|,

постоянная

состав-

ляющая Изер положительна;
если Из в противофазе с Ц, постоянная составляющая Изер отрицательна. Постоянная составляющая выходного напряжения для однополупериодного выпрямителя (рис. 52, а)

Рис.

53,

Фазочувствительный

а — схема,

двухполупериодный

б, в — временные

диаграммы

2»
Usep =—- U, cos (рис. 52, 6, в),
2

прямителя (рис. 63, а), Оз ер=
пряжение,
нием

ф— угол

сдвига

напряжений

(Из

V2

cs

между

„3

|

_

KRY

Рив.
напряжение

в

|

54.

.

входным

и

опорным

вына-

йапряже-

(рис. 54)
может быть
При несовпадении частот

схемы будет переменное

Tp.2
.

Dunorp|

ALE

fea 1S)

Фазочувствительная

схема

[ых=р

eo

где И, — входное

eye |

частотой

-

О созф,

и И; на выходе

Tp.t

выпрямитель:

и напряжения

а для двухполупериодного

Uo (рис. 53, б, в).
Фазочувствительная
кольцевая схема
использована для преобразования частоты.

источников

тока

—|

и

©

LM

кольцевая
амплитудным

„ значением

Usux=KUmz COS (@p
— 01) &, где Иж — амплитуда напряжения сигнала, а Wo H Wy — соответственно круговые частоты опорного и входного напряжений.

Расчетные формулы основных
схем сведены в табл. 73.

параметров

фазочувствительных
f

167

|
балансная

Тип

‘кольцевая

Параметры

0,45 '

T

ок

RRнА

в нагрузке

Noo

потребляемая
Uy
источника

Мощность

потребляемая

источникаx |

,
от

|

La)
(rr

Braptrut2ks

2(U)

\2

“\Q

З7тра-’в + Кб
‘\2

Р*,

07

1 ,8U"

б

R,
В,

(U —

6

>

Гтра
+ Ив 7 2Kh5+Ry
—

Выпрямители

с

умножением

—
Гтрэ-Е'в

-

2(U')?

Sripp try teky
напряжения

В схемах умножения используют свойство конденсаторов сохранять электрический заряд. При
последовательном
включении
нескольких конденсаторов на выходе получается напряжение, равное
сумме их напряжений.
Применимость
схем умножения
ограничивается падающей характеристикой, поэтому их обычно используют
в режиме холостого хода (например, в высоковольтных установках
для
испытаний
электрической
изоляции)
и
при
малых
токах
(100—150 мА). Используются
одно- и двухполупериодные схемы
умножения. Последние имеют более жесткие характеристики и меньшую пульсацию, но требуют несколько больших емкостей.
Схемы и характеристики олнофазных бестрансформаторвых выпрямителей с умножением напряжения показаны на рис. 655.

$ 29. Выпрямительные устройства
и преобразователи частоты

Промышленность выпускает выпрямительные устройства, предназначенные для преобразования переменного тока в выпрямлев-

168

Таблица

73

схемы.

на

двойная мостовая
равновесии напряжений

1,80’ Кб

——___х1/[(2Ю6--

2 (ь--Гтр)

на

1,80’

Кн)-+ЮбЮ

Рен)

двойная мостовая
циркуляции токов

вн]

2 (о)

2rrpetRot2rg

Юб--2Кн-+2 (7тр-ЕГь)

2(Uo)”

|

27трз-- Кб-+ 27в

9 (U ‘2

(U

R6Ry

1

рр

ный.

Они

ляторных

имеют

батарей

rp teats RetRuy

разнообразное

УЗА-150-80

2:

применение:

и ВАЗП-380-380

для

зарядки

(260-40/80);

аккуму-

для пи-

тания установок постоянного тока на подстанциях, тяговых двигателей электровозов
(ВУК-4000Т),
обмоток
возбуждения
мощных
синхронных машин (ТВ-630Р).
в
реобразователи частоты предназначены для плавного регулирования скорости вращения асинхронных двигателей
(ТПЧ-40)
и
преобразования трехфазного тока промышленной частоты в переменный частотой 150, 200, 400 Гц (ПЧС-10-150/200/400-36).
В табл. 74 приведены параметры некоторых типов выпрямительных
‘устройств, а в табл. 75 — параметры
преобразователей
частоты.

$ 30. Сглаживающие

фильтры

На выходе выпрямителя
кривые тока и напряжения
имеют
пульсирующую форму и представляют собой периодическую функцию, содержащую постоянные составляющие (1а и Ug) и перемен-

12 заказ 531

°

169

2
100

т

150Т H MA

Ми

R

г)

Рис.
55
Схемы
однофазных
бестрансформаторных
выпрямителей с умножением напряжения и их внешние характеристики ( И=120 В):
а — однополупериодный
—=С,=48

мкФ,

2

—

с

удвоением

C,=C,=32

мкФ,

напряжения
3

=—

(1 —

C,=C,.=16

С:=

мкФ),

б — двухполупериодный с удвоением напряжения
(обозначения
[, 2, 8
те же, что и ва), в — однополупериодный Cc
утроением
напряжения
(/— С.=С,=С.,=100 мкФ,
2 — С,=
—=(С,=С.:=48 мкФ, 3 —C,=C,=C,;=32 мкФ), г— двухполупериодный
с учетверением напряжения
(1 — С,=С,=60 мкФ,

С.=С.=48

мкФ, 2 —С,=С,=60 мкФ, С,=С.=16
С,=С,=20 мкФ, С,=С.=48 мкФ).

мкФ,

3 —

Таблица

74

ag |
< | of 8
Тип

"

выпрямительного

устройства

>

faa)

Е g

5.

= 5.

se

ло» | пох
|1, 3
ЕЕ | БыЕ | Баз

ие
Y3A-150-80

и

|209

380,
220

ВУК-4000Т

—

TB-630P

— |

ВАЗП-380/260-40/80 **

"

=.
g а
во
“,|
НО | 2 9- | 2Е= | x

мм |

=

80 | 811

3200

620х580 х 15951270

1350-1-98 1120x472 x 630

630]
80 |

|7

<
8

|9

[ще | x

150

380,
400

Габариты,

200]

97

—

90]

—
850х 600 х

225

600
24001470

* Устройство может быть изготовлено на одно из указанных напряжений.
.** Для ВАЗП-380/260-40/80
установлены
следующие
пределы регулиров режиме
подзарядки
и 4—40 А в режиме
зарядки;
вания. тока — 4—80 А
напряжения — 220—260 В в режиме
подзарядки
и 260—380 В
в режиме за-

рядки.

Таблица

ы

о
Тип

преобразователя

tee

eee|

а

Eg

S

я НУ

ПЕ

is

§

ы

[ees]

Я

se

.

FL

|

75
ы

Габариты,

мм

| п бай | м

.

5

=

ТПЧ-40

380 | 50 | 30 | —2120х700х900 [820

ПЧС-10.150/200/400-36

380 |

* Вариант
ренней.

12*

`А —

преобразователь

150,
200,
400

для

10 | 85

наружной

Вариант А *
1150
х 696 х 1018
Вариант П*
|350
760
x 696 x 1200

установки,

П — для

внут-

171

ные

(гармоники

коэффициента

или

пульсации).

пульсации

Ки.

Последние

Допустимые

оценивают

значения

Ки

величиной

для

работы

электронной аппаратуры находятся в пределах: для двухтактных
оконечных каскадов
Кп=1--2%, однотактных Ки=0,1--0,5,
для
каскадов усиления высокой
промежуточной
частоты и предварительных каскадов усиления низкой частоты Ки=0,01--0,05%.

Lo

mn)

.

Кн

|0, Oey

Ly
=

||»

1

6)

6)
[к

Fa
Oy

Cr

0)

и)
а — С-фильтр,
г — Г-образный

Ry

#)

Рис. ‘56. Схемы фильтров:

6б-— Г-фильтр,
в — Г-образный
Г. -— С-фальтр,
Е — С-фильтр,
д -— П-образный С — Ё. — С-фильтр,

е — резонансный [, — С-фильтр-пробка, включенный послеловательно
с нагрузкой, ж — резонансный
Ё — С-фильтр- пробка,
включенный
параллельно нагрузке

Для уменьшения пульсаций
сглаживающий
фильтр, работа

циентом

сглаживания Кс.

Kx

на выходе выпрямителя включают
которого характеризуется коэффи-

An __ м. вх. > 1,

К”

Uv. aux

где Кг, Кр, Uy ax» Uy. aux — соответственно

коэффициенты пульса-

ций и амплитудные напряжения на входе и выходе фильтра. Коэффициент сглаживания показывает, во сколько раз фильтр уменьшает
пульсации выпрямленного напряжения.
Применяют следующие типы сглаживающих фильтров: а) емкостные (С-фильтры) и П-образные в маломощных выпрямителях (при
малых токах нагрузки); 6) индуктивные Г-фильтры (с одним дросселем); в) Г-образные
— в выпрямителях средней и большой мощности.
Для получения больших значений коэффициента сглаживания (Кс
> 30)
используют двухзвенные фильтры.
Расчеты фильтров выполняют по формулам:
а) С-фильтр (рис. 56, а):
&с=

172

108

еб

« Ry (Om);

Co

Кс

- 106

on,

(мкФ);

,

Ке=

п

on: 10—°CpRy=

иЭ

СП

где

Юн — сопротивление

нагрузки,

та пульсаций
основной
fe — частота сети;

6) [-фильтр

Ом;

гармоники

данной

%, == only onl >

К

м

ТК

В

nave

схемы

с

fj 4acTo.
выпрямителя;
a

(рис. 56, 6):

Кио
=

fn

®«=2лк;

Rui

> La=Lo=—

only

a

КеВн

‘Po

Гн);
(EH)

; Prat?

№

т

Где /др и Юдр— ток и ‘активное сопротивление дросселя;
в) Г-образный Ё — С-фильтр (рис. 56, в):
Хх! — значительно больше параллельно соединенных Кн и
6

xc=
С ony

Cy. mun > фл

избежание

резонанса

г) если при
(Lp > 100 TH) wu

0272
— 1.
ФП [ьСф
Od 10-8
Ке-

определяют
(при

хр =

1

Op

Г-образный

Kn

ХС,

,

Ke = —=
К.

51.108

Задаваясь
Во
условие

Om);
(Om);

Reps

1). 108

ye

с)

должно

выполняться

on

V La Co

расчете получают
слишком большие значения Ё
Съ (Съ > 150 мкФ),
то применяют
двухзвенный

Ю — С-фильтр

(рис. 56, г),

у

которого

Ке=КаКсо,

где Кс: и Кс» — соответственно коэффициенты сглаживания первого
и второго звеньев фильтра.
Г-образный Ё[ — С-фильтр обеспечивает
Кс=0,1 -- 0,2%
и применяется
в выпрямителях,
собираемых
из
полупроводниковых или ионных вентилей;

Г-образный

танных

на токи

Ю — С-фильтр
5—10

мА:

Къ=(0,15

используют

— 0,25) Юн;
,

Ke=——
с
К

п

в выпрямителях,

Re > XC

108.

onCg

рассчи-

;

Кн

=onRglCy
ф-ф -————.10-8;
Юн--Юф

Il

Co=
No=

Ke

onRg

Ry+R

—

о ”
PytP,

Ru

где

|

-10® (mK®);
_ 72
Ру =1аКъ-

173

д) П-образный
двухзвенный:

С — 2 — С-фильтр

|

Ка

= ®ПС1. 10-8,

10—150 mK®
Keo=

Ke

Key

для

57, 0) рассчитывают

, _ Keqr 108

¢

Кс=Кс1Кс2;

(C, u C, 6epyr

(рис.

==

получения

——
onRy

нужной

Keg+1)-108
. Е _ (Кез
10°

как

(мкФ)

величины Кс1)

_
(Гн).

w*n?Ce

П-образный С — [ — С-фильтр применяют в выпрямителях, собранных на полупроводниковых вентилях или кенотронах;
е) резонансный Г. — С-фильтр-пробка (рис. 56, е, ж) используют

для сглаживания

гармоник определенной

частоты ®р:

103
p=

У т.с,

необходимо,

чтобы

x

= ХС Или

108
С,

и

=

108

Полное сопротивление колебательного

где Ю.= (0,02 -+ 0,1) Ю„;
,

величина

С,

(мкФ).

контура

в мкФ.

Коэффициент

сглажи-

K

вания Ас =-———.
R H
‘

$ 31. Стабилизаторы

напряжения

и тока

Стабилизатор
— устройство, с помощью которого автоматически
поддерживается заданное соотношение между фактической величиной стабилизируемого напряжения или тока и опорной (эталонной)
величиной. Стабилизаторы устанавливают на выходе выпрямителя
(после фильтра), если электронное устройство, питающееся от выпрямителя, нуждается в стабилизированном напряжении (или токе),
остающемся постоянным в определенных пределах при изменении
нагрузки и колебаниях питающей сети.

Стабилизаторы
Качество стабилизатора
стабилизации Кст, %:

напряжения

Кст

где АОьх
— изменение

билизированного

174

входного

напряжения.

напряжения
оценивают

коэффициентом

АЦвх (%)

АОст (%) °

напряжения,

АЧст
— изменение

ста-

При расчете стабилизатора задаются, номинальным напряжением
на его входе Оьх, напряжением на нагрузке Ин, током нагрузки /,
и процентным изменением входного напряжения + И,х%, после чего
подбирают тип стабилитрона и определяют величину выходного сопротивления Авых И Коэффициент стабилизации Ксл.
Различают параметрические и компенсационные стабилизаторы.
В параметрических стабилизаторах стабилизация основана на
свойствах приборов сохранять постоянство напряжения
при изменении
в определенных
пределах протекающего
через
них тока.
В качестве стабилизатора при небольших токах нагрузки (25—30 мА)
применяют
газовый
стабилитрон
тлеющего
разряда,
у которого
коэффициент стабилизации 8—30. При малых величинах стабилизируемого напряжения используют кремниевые стабилитроны. Последовательным
включением
нескольких приборов можно обеспечить
стабилизацию
напряжения
в
несколько
десятков
вольт
и
ст=80-

85.

Таблица
|

Однокас-

кадный
сгабилизатор

Тип схемы |

Параметр

Квых

|

Расчетная

R

формула

д

Однокаскадный стабилизатор
с цепочкой скомпенсированных
стабилитронов

G

Roux

Ry

nat

G,

tap]
’

G,

Кд- Кд.пр

Двухкаскадный стабилизатор

G

Ювых

=G,+G,

|Кд.пр

при

Кр | Ва | Овм=— |

`

=

вхо

=U

76

R

=

sx

.

G

|

КдКд

^ |Ю;Юы
^

|

у

СЛОВИЯ

примене.

HHA

Е

Roux<Ky

Примечан

и

Rat Rane

ия:

1. В, В 14 R
термокомпенсирующим

2. G, u Gy,

относятся
элементам

учитывают

Аг:

pix

Кд.пр«Кгл;

Ry

..

соответственно
Дл .

соответственно

R aR

к

Reux< Ry

стабилитронам

изменения

;
9

входного

КС,

КС!
7

напряжения

з режиме холостого хода У вх и 0
.
3. Обозначения в таблице:
R_— дифференциальное сопротивление cTabuлитронов;
К,— гасящее
сопротивление
параметрического
стабилизатора;

К „ — сопротивление

нагрузки.
.

Формулы для расчета выходного
сопротивления Ювых
циента нестабильности С параметрических стабилизаторов
в Табл. 76.
Коэффициент стабилизации

и коэффиприведены

*

г

К

ст=

[

( at

вых Амин
[

ст, мин)

R

д

—

вых

U..A

вхА

мин

’

175

.

rye A,

Usx! О ‚ Учитывает . напряжение пульсаций;

Овх — входное

Обь,

напряжение: РА — номинальное напряжение стабилизатора в режиме
холостого
хода;
[. — максимальное
значение
тока
нагрузки;
ст. мин — Минимальное значение тока стабилитрона.
Некоторые схемы’ параметрических стабилизаторов напряжения
на полупроводниковых приборах изображены на рис. 57. На схеме,
показанной
на рис. 57, а, кремниевый
стабилитрон
КС включен

Рис.
ров
а —

57. Схемы
параметрических стабилизатонапряжения
на полупроводниковых приборах:
однокаскадный

на

кремниевом°

стабилитроне,

б — однокаскадный параметрический с цепочкой скомпенсированных
стабилитронов,
в — двухкаскадный
параметрический; К’, К, 1’ Кг ‚ — гасящие сопротивлевия (балластные)

в прямом или обратном направлении
(вместо
включаться скомпенсированная по температуре

литронов).

и

током

В

Кст=80--100

изменении

ность

этой

с

[н=5мА

и выходное

входного

0,2—0,4%.

Д818 Кст=30--40
В

схеме

нагрузки

выходным

без

При’

напряжением

термокомпенсации

сопротивление

напряжения

на

использовании

и выходное

одного КС
цепочка из

составляет

10%

в

Ивых=8--10

20—40

схеме

В

обеспечивается

наблюдается

этой

может
стаби-

сопротивление составляет

Ом. При

нестабиль-

стабилитрона

10—20 Ом.

схеме
с
цепочкой
скомпенсированных
стабилитронов
(рис. 57,06) через резистор Юг» на термокомпенсирующие стабилитроны проходит дополнительный ток. Это улучшает Кст и температурную
стабильность.
В
этой
схеме
Квых=12--20
Ом,
а
Кст в 1,5—2 раза больше; чем в схеме, показанной на рис. 57, а.
Неудобство этой схемы заключается в необходимости -дополнительного источника входного напряжения Их.
На рис. 57, в приведена схема двухкаскадного параметрическоro стабилизатора с малым температурным коэффициентом напряжения, представляющего собой термокомпенсированную
цепочку стабилитронов или стабилитрон Д818. Эта схема при равном с одно176

каскадными
схемами
выходном
сопротивлении
обеспечивает
Ker=500+1000.|
Компенсационные стабилизаторы, или стабилизаторы с отрицательными обратными связями, применяют при более высоких напряжениях и необходимости. большего коэффициента стабилизации.
В качестве компенсационных стабилизаторов используют ламповые
и полупроводниковые схемы, представляющие собой систему
автоматического
регулирования, в которой
независимо
от изменения
входного напряжения, сопротивления нагрузки и параметров схемы
с заданной точностью поддерживается постоянным ток или напряжение на. выходе.

9

Vou

+9

| |

|

У

1

he

Rx

Jf

cf

_
—

вых

с2Т ©+

T2

|

KC

Кор
чу

Рис.

58. Схема

ного

компенсационного

стабилизатора

тока:

транзистор-

Т! — составной транзистор, К1, К2 — резисторы в базах, Кки К, — сопротивления в цепях коллектора и
эммитера транзистора Т2, Ruy и К до — делитель
напряжения

_

На рис. 58 изображена
схема компенсационного транзисторного
стабилизатора тока. Входное напряжение Иь,! поступает в. регулирующий элемент, на котором падает часть напряжения и с выхода
которого снимается выходное напряжение
Ивых
< Чв»х1.
Выходное
напряжение
поступает в нагрузку и на вход схемы сравнения, где
оно сравнивается со стабильным
опорным напряжением вхо. Разность (Ивых —Ивх2) поступает на вход усилителя постоянного тока,
а затем подается на регулирующий элемент. При этом изменение Овых
вызывает такое изменение напряжения на регулирующем элементе,
при котором Ивых. восстанавливается с заданной
степенью точности.
Существуют три`основных типа регулирующих элементов: наиболее распространенный носледовательный
(обеспечивающий высокий,
к. п. д. и небольшую мощность рассеяния регулирующего транзистора), последовательный с шунтом и параллельный.
В компенсационном
стабилизаторе
в качестве регулирующего
транзистора Т/ используется тройной составной транзистор, а в качестве усилителя — транзистор Г2.
Стабилизаторы
Стабилизатор тока — устройство,
нению стабилизируемого постоянного

тока
противодействующее
отклотока от заданного значения
177

и
представляющее
собой
усилитель
с отрицательной
обратной
<вязью по току (рис. 59). Стабилизируемый ток [н протекает через
резистор Ку; падение напряжения на нем сравнивается с опорным
напряжением Ооп. Сигнал в виде разности напряжений поступает
на вход усилительной схемы с тот,
Тб

|

КОВЫМ

ФилитеЕ-А®СИЛИТЕЛЬ
МожеИК)
ока (5)
би

Е

бет =Ко

ся

—o o

ний,

Von

При
имеет

глубокой

®

Зе _

7
1+SepRo

обратной

вид

wo

уменьшить

разность

характеризуется

стабилизации 5т=К$.

Puc. 59. (Схема компенсационного транзисторного стабилизатора тока
н—=

состоящей

из

уси-

с крутизной $. Схема, стремящая-

.

.

выходом,

лителя напряжения с коэффициентом усиления
усиления
АК и усилителя тока

=

напряже-

|

крутизной

. В постоянном режиме стабиЛИЗируемый ток определяется по
формуле

КЗ

|

1-4+KSR,

связи,

когда —

1_
Iy=——2ОоRo _.=
и
1--а

ГЛАВА

Чоп
Ro

оп.

=а «1,

1

уравнение

=,

УШ

ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
$

32.

Общая

характеристика

Усилитель
— электронное
устройство, с- помощью
которого усиливаются
напряжение, ток или мощность за счет энергии постоянного источника
переменного
или
постоянного
тока.
Усилители
используются
в непрерывном
или импульсном
режимах
и широко
‚распространены
в промышленной
электронике,
системах
автоматического управления и регулирования и в самых различных областях
радиоэлектроники (телевидение, радио и др.).
Усилители могут быть разделены на группы по разнообразным
признакам:
назначению
— операционные
(используются
для
вычислений
в
математических
машинах),
измерительные, для систем
автоматики,
широковещагельные,
микрофонные,
магнитофонные,
телевизионные ит. п.;
типу усилительного
элемента
— ламповые,
полупроводниковые,
‘магнитные, электромашинные и др.;
характеру
усиливаемых
сигналов — усилители
гармонических
сигналов и импульсные;
_
частоте
усиливаемых
сигналов
— усилители
низкой
и высокой
часгог, усилители
постоянного
тока
(усиление
постоянного
напряжения и напряжения низких частот);

178

схеме включения усилительного элемента
— для ламповых усилителей используют
схемы с общим. катодом, общим
анодом
и
общей сеткой, для усилителей на транзисторах
—с общим эмиттером, \общим коллектором и общей базой;
количеству каскадов усиления
— одно- и многокаскадные:
типу нагрузки или виду связи между
каскадами
— активное
сопротивление, дроссель, трансформатор, колебательный контур ит. п.
Усилительные схемы характеризуются в основном значениями
коэффициентов усиления:
‘коэффициент усиления по напряжению
Ky

—
—=

U вых

Usx °

где Овых и Овх — соответственно
усилителя. `Для
многокаскадного

Рис.
а—с

общим

60.

Схемы

анодом,

напряжения
на выходе
и входе
(п-каскадного) усилителя общий

ламповых

б—с
общим
сеткой

усилителей;
катодом,

в—с

общей

коэффициент усиления К; = Ку, К», ..., Киь где Ка, Кь,..., Ка—
соответственно

каскадов;

коэффициенты

коэффициент

усиления
°

по

усиления

первого,

ит.

д.

току

K,=

Al ux
Al sx

где А/вых и А/ьвх — соответственно
приращения
на входе усилителя;
коэффициент усиления по мощности
-

второго

° Рвых
Kp =e
—

Pax

тока

на

выходе

и

’

где Рвых и Рвх — соответственно мощность на выходе и входе усилителя.
Усилитель должен обеспечивать постоянство коэффициента: усиления (в том числе малое влияние колебаний температуры и изменений питающих
напряжений
на величину
коэффициента
усиления), минимальные фазовые сдвиги в заданном диапазоне частот,
искажения сигнала, не выходящие из заданных пределов.
.

179

$ 33. Режимы работы усилителей. Классы усиления.Частотные и фазовые характеристики усилителей
Различные схемы ламповых
усилителей показаны на рис. 60, а
усилителей на транзист—орах
на рис. 61. Режим работы усилителя
переменного тока определяется выбором рабочей точки (точки покоя),
соответствующей отсутствию входного сигнала на управляющей характеристике — зависимость /«=[ (Ос) для лампового усилителя (рис. 62,

Une

Yoo

ay,

a)

|

Up

Upy

Yoox

5)

8)

Рис. 61. Схемы усилителей на транзисторах:
а— с общим эмиттером (0Э), б— с общим коллектором
в — с общей

а—0)

или

[к=[ (16)

базой

для. усилителя

(ОК),

(ОБ)

на

транзисторе

(рис.

62,

е).

Точка покоя соответствует величине тока покоя (анодный ток покоя Jao
или коллекторный /ко) при подаче на вход усилителя только постоян-

ного напряжения

Ес.

Классы

усиления

обозначают

буквами

А, В,

С, АВ, ВС. Цифры в индексе указывают режим работы сетки в ламповом усилителе: цифра 1 — режим работы при отсутствии сеточных
токов, цифра 2 — режим работы при сеточных токах (для усилителей
на транзисторах сохраняются эти обозначения, но цифры | или 2 означают наличие или отсутствие токов базы).
В ламповых усилителях переменного тока различают два основных режима работы: без отсечки анодного тока (ток /а существует
в течение всего периода изменения входного сигнала Ос) и с отсечкой анодного. тока (ток /а существует лишь в течение части периода изменения входного сигнала Це).
Режим
без
отсечки
анодного
тока
— класс
усиления А — характеризуется перемещением рабочей. точки под действием переменного напряжения Ос в пределах линейного участка
анодно-сеточной (управляющей) характеристики (рис. 62). В классе А величину напряжения сеточного смешения
Бес выбирают в
зависимости от амплитуды сеточного напряжения таким образом,
чтобы

ток

покоя

[ао

был

минимальным.

При

слишком

большом

значении Ос.ам ВОЗМОЖНО попадание в область положительных на-`
пряжений
на сетке, что приводит к появлению токов сетки [с
в Течение части периода
изменения
Ис — класс А» (рис. 62,6).
Режим
работы
без
сеточных
токов
называется
классом
А,
(рис. 62, а).
Режим
с отсечкой
анодного
тока
включает
несколько разновидностей в зависимости от длительности существования анодного тока в течение периода изменения сеточного напряжения. Эти разновидности характеризуются величиной угла отсечки

анодного тока Oa.

класс В.
— угол отсечки 90. =л/2 (напряжение смещения Ес равно
напряжению запирания лампы Исо, анодный ток /о существует точно
в течение полупериода изменения (с).
180

at
Le %

.

.

0

.

р

>

Ган

[$

NK
КЕ

/ta.a
ay

С

lag

a

0

_

t

\

tc

ae

SN,
Lt}
“Ig
Г

Осам

Ug? f (Ig)

№

1

~*

Классы

работы

Usg

усилителей:

а — класс А,, б — класс А,, в — класс В,, г— класс АВ,,
совмещенные

у
c

5)

Up,

повые

ln

РЕБ

| t

Рис. 62.

1

Ia,

K

Uc Yeo

бам

характеристики
транзистора; 1,
ния рабочей точки

2,

e)
-

д — класс С, е — ти-

3 — различные

положе-

класс АВ
— угол отсечки 0. > л/2 (Ес меньше Ох, анодный
[ао существует больше полупериода U,);
класс С — угол отсечки 0. < л/2 (Есбольше Ис, анодный ток /а5
существует меньше полупериода Ис, рис. 62, р).
Аналогично описанному выше режиму без отсечки анодного тока
разновидности ‘режимов с отсечкой анодного тока могут быть при
отсутствии сеточных токов (классы В.,, АВ; и.Су, рис. `62, а, в, г)

ТОК

и при сеточных токах (классы В,, АВ. и С», рис. 62, 6).

дены

Основные характеристики
в табл. 77.

различных

классов

усиления

приве-

Таблица
угла

п. д.

К.

Величина

Класс

усиления

отсечки,|

усилите-

рад

ля,

Примечания

%

Наименьшие

0.

А

а

=

—2

a

15—20

AB,

жения,

AB,

С

0.<=х/2

BC

90.<л/2;
9., ь, с> дас

До

65

так

)

как

рабочая

точка

иска-

вы-

характеристики

Применяются

HOCTH

Искажения
75—80 | лях низких
ются
—_

нелинейные

бирается на середине управляющей

До 50
л>0.> 1/2

77

для усиления

мощ-

велики.
В усилитечастот не использу-

Значительные
ная мощность

к.п.д.

и

выход

Полупроводниковые усилители так же, как ламповые, могут работать в различных классах усиления. На рис. 62, е изображены типовые совмещенные характеристики транзистора. В первой четверти
показаны

снятые

при

выходные

характеристики

отключенпой

{к=Р(Икэ)

при

нагрузке Ю„. При включении

различных

/в,

нагрузки Ки

в коллекторную цепь Ик.=Ип
— /„«Юн; при изменении входного сигнала рабочая точка перемещается по нагрузочной прямой, положение
которой определяется Ипи К,.
Управляющая характеристика /„=р (/с) (построена в четвертой

четверти) определяется точками пересечения нагрузочной прямой
с выходными характеристиками
|
Входная характеристика триода [Ивь=|: (Г6) при Ок» 52 0] изо.
бражена в третьей четверти. Иб»=Ирвх — /6Юс, где Чвх=Ос-НОсм и
Об. =Ис--Осм —/6Юс
182

Напряжение

Ив»

и

ток

Г[6

находятся

в точке

пересечения
щей

через

входной
точки

характеристики

/6=0,

/6>=Ивх

с нагрузочной

и

=

р

.

прямой,

проходя-

Ов»=0

С

Режим работы каскада по постоянному току (/к, /6, Икэо, бэ
и Ось) при данном Юс определяется выбором рабочей точки. Наличие переменного напряжения (с приводит к появлению переменного
“

C,
‚

Rr} | *
A

Уетырехполюсник,

эквивалентный транRn] R2
gucmopy

Е,

Рис.

Cp
Rr

|

63.

Транзистор

как

эквивалентный

rel

Cy

четырех-

полюсник

напряжения И, на нагрузке Юн. Во второй четверти показаны пределы изменения Овх, Об», Икэ, [ки [6, которые находятся по статическим характеристикам.
‚Параметры усилителя при использовании совмещенных характеристик определяются следующим образом:
коэффициент усиления по напряжению

Ky=

O39

—

(кат

вх»

—

Vaxt

.
,

коэффициент усиления по току

Tag
— Ins

К; =

,

162 — [61

выходное сопротивление
К вых —

Ик

— Ок»: .
I

[ко

коэффициент
К

усиления
P=

Икэ1

Об

Ибэ1

—

’

1к1

по мощности

Окэз —
.

=

®

[ка —

(к

162 —

161

=

2

i

Ry

—

,

Квх

Наиболее универсален для расчета усилительных схем метод четырехполюсника (транзистор заменяется эквивалентным четырехполюсником
— риг.
63), однако он требует громоздких
вычислений
с использованием
системы
#Й-параметров.
Например,
для
расчета
основных параметров усилительного каскада предварительно по известным й-параметрам транзистора рассчитывают динамические параметры транзистора:
183

входное

сопротивление

рр

вх

Ай

11

выходное сопротивление
Ю

_

—|

Noo +R

11-Е Кто

к=

.

hoe (Ayi-+Rra) — Пат

коэффициент усиления по току

(1)

к-т;
1-2 Кнь

коэффициент усиления по напряжению

Kin

har Rus

ве

ла (1--Ао›Кнэ) — ИИ: Юно

J

где Юнь и Югэ — соответственно эквивалентные сопротивления нагрузки генератора
(R

нэ —

КкКн

R=

RetRy =

Ri. — эквивалентное
ных

ВЮ и

Rr Rig

}

RetRig

rs

.

’

сопротивление параллельно соединея-

КЮ.

(Re RR

К: Ко

}

Практически
этот метод применяют для упрощенных расчетов
усилительных схем с использованием приближенных выражений. На:
пример, для схемы типового усилительного каскада с резисторноемкостной связью на транзисторе (рис. 64, а) для области средних
частот, пренебрегая ‘внутренней обратной связью, присущей транзистору, можно приближенно считать:

,

,

Rox ~ hyp,
где

#11,

Ио:
—

й-параметры

для

величина выходного сопротивления

деляется

величиной

сопротивления

параметры каскада определяются
~

,

R

PPR ER
BX

вх

Ky=Ky

Приближенно

можно

,

Ky ~ hays

12

схемы

с ОЭ

Обычно

практически

Кк,

т. е. Ювых == Кк,

а остальные

по формулам

Rax BX Rus НЭ

о Вы Ан,
вх

H

4 Kp=—KjK,.

считать

Кн»,

усилительного каскада Квых опре-

,

12

hey
11

Ky = —F™

т, >С

Ты»

где г. >

для любого типа транзистора и тнр = Ср (К,--Квых).
симостей определяются величины С. и Ср:
re)
С, = —9

184

и

Cox

Ty
Кн--Ювых

;

25
А)
м
Из этих

(Ом)
зави-

Для схемы типового усилительного каскада с. трансформаторной
связью на транзисторе (рис. 64, 6), используя метод четырехполюсника, в области средних частот приближенно можно считать:
Ry =n? Rox?
;

K,=n

вх Nasa

R вых — Кых/ПРых,
’

Ky= Kol (gy

Kp=K,;Ky=K,

где
лам

Max)

Ky,

динамические
параметры транзистора определяются по форму(1) и пересчитываются
в соответствующие параметры каскада
с учетом коэффициентов трансформации Ивх И Лвых: при этом
в формулах
(1)
используются

приведенные
п

нэ»

значения Кг,
рп

Равные

Сгь

R

и

——т

9

Nox

и

К;к =R nay:
Реактивные элементы в схемах
усилителей
переменного
тока
(например,
в ламповых
усилителях — переходные емкости

между

лампы
лампы)

и

анодом

предыдущей

сеткой
последующей
вызывают
фазовые
и

К}

А’
ér

>

l=

--¢————_ — —

<

je

fu ep
Рис. 64.
тельных

Схемы типовых усиликаскадов на транзисто-

рах.
а — усилитель
с резистивно-емкостной‘
связью, б —
усилитель
с трансформаторной
связью

24

ВН

_

г

Г

Рис. 65. Типовая частотная
характеристика усилителя

частотные искажения сигналов. Фазовые искажения проявляются в виде
сдвига фазы выходного напряжения
относительно входного, частотные — в виде зависимости коэффициента
усиления от частоты усиливаемого сигнала.
Типовая частотная характеристика усилителя показана на рис. 65.
Граничными (нижней [, гр и верхней [, ‚ р) частотами называют та-

кие частоты,
В V2 раз

на которых

по

сравнению

усиление по току "(величина а) уменьшается
с

максимальной

величиной

Разность ([ь. гр — Гы. гр)=2А[Р определяет ширину
13

Заказ 531

усиления

Ко.

полосы пропускания

185

убилителя.
полосных

Обычно ширина

усилителях
— 1—2

Коэффициент

частотных

где К, — коэффициент

полосы

Гц,

составляет

5—10 кГц, в узко-

в широкополосных
— порядка

1 мГц.

искажений определяется отношением К./Ку,

усиления

$ 34. Обратные

на заданной

(рабочей)

частоте.

связи в усилителях

Обратной связью называется воздействие выходной цепи схемы
на ее входную цепь (обратное воздействие); обратные связи широко
применяются в электронике, позволяя улучшать работу усилителей.
Структурная схема усилителя (рис. 66, а) включает в себя уси-

литель К,

цепь

обратной

связи

В

и сопротивление

нагрузки Юн.

вых

Коэффициент усиления усилителя К =
где (' — напряжение на
Ut.’
его входных зажимах. Усилитель практически безынерционен, т. е.
обратная связь действует мгновенно.

Рис.

66.

а — структурная

Усилители

схема,

в обратной

б — обратная

— обратная

связь

овязь

по току

связью:

по напряжению,

Усилитель и
впь. обратной связи сохраняют фазу напряжения
или изменяют ee на 180°, В первом случае напряжение обратной
связи (с будет складываться с входным напряжением Osx, BO BTOром — вычитаться из него. Поэтому для первого случая
И * =Ивх-НИос,
для ‘второго И’ =Ивх — Ис. Коэффициент усиления системы с обратHOH СВЯЗЬЮ
К

—

вых

_

Овых

_

e

K

Ut

Ux
+ Ue Urax/Unx+ Uoc/Usx 1+KB’

связи,

т. е.

кр

где КВ — фактор обратной связи, показывающий,

какая

где К — коэффициент усиления

Ко =

Овых/О вх

0

без

введения

обратной

часть входного напряжения, пройдя через усилитель и цепь обратной
связи, поступает снова на вход усилителя.
Существуют два вида обратной связи: положительная и отрицательная.

Если

при Кос= 1

имеем

КВ<

коэффициент усиления растет с введением
обратная связь называется положительной.
К

При КВ=1

186

величина Кос =-—————

| — КВ

1, то
обратной

стремится

Ко
> К,

т. е.

связи
— такая

к бесконечности

и

наступает самовозбуждение усилителя: напряжение обратной связи Изе
равно входному напряжению И»х. Если снять входное напряжение,
то напряжение Ис создаст такое Ивых, которое через цепь обратной
связи создаст, в свою очередь, прежнее напряжение (ьх. Таким образом, в этих условиях на выходе усилителя поддерживается определенное напряжение (ых, даже если на его вход не подается никакого
напряжения.

ния,

|

При КВ > 1 усилитель также находится в режиме самовозбужде-

ному

Отношение

оoc-

изменения

энацению
А
—.

Koo

К

Кос

коэффициента

для

т,

1— КВ’

е.

столько же раз, во сколько
жительной обратной связью
матики,

где

для

усиления

АКос

к его исход-

системы с положительной обратной связью

повышения

непостоянство

усиления

возрастает

во

возрастает усиление. Усилители с полошироко применяют в устройствах авто-

надежности

срабатывания

релейной

схе-

мы, например, необходимо увеличивать усиление, а его постоянство
не имеет зиачения
Обычно усиление увеличивают с помощью обратной связи в 3—4 раза (при увеличении усиления в 10 раз его непостоянство становится недопустимо большим).
‚ Если в введением обратной связи коэффициент усиления уменьщается, то такая обратная связь называется отрицательной; при этом
напряжение входного сигнала Оьх -и напряжение обратной связи Ис
находятся

в противофазе,

Применение
чить

т. е.

отрицательных

постоянство

усиления,

И(’=Изх
— Иж и Кос=

обратных
т.

е.

связей

построить

Овых

__К_

Usx

1+KB

дает возможность обеспесивтему

большой

точно-.

сти. Из элементов, обладающих
малой точностью. Однако в системах
с отрицательной обратной связью для получения той же величины
усиления приходится использовать большее число каскадов усиления.

Отношение АКК

= к

КВ’

т.

е.

непостоянство

усиления

уменьшается
во столько раз, во сколько уменьшается усиление. Кроме
того,

введение

обратной

связи

уменьшает

нелинейные

искажения

выходе усилителя и увеличивает его входное сопротивление.

на

Широко используются схемы обратной связи по напряжению и
по току. На рис. 66, б показана параллельная схема отрицательной
обратной связи по напряжению.
Обратная связь создается цепочкой Юос, Сб. Выходное напряжение Ивых подается на вход парал-.
лельно напряжению Изх. Емкость Сре служит для того, чтобы поло-

жительное напряжение Ё. не попало на сетку лампы. Резисторы Кос
и Юс представляют собой делитель, с части которого (Юс) снимается
чапряжение

связи

можно

[ИЯМИ

Roc

H

обратной

связи,

изменять,

Rg.

подаваемое

регулируя

.

на вход.

Величину

соотношение

обратной

между сопротивле-

°

°

На рис. 66, в изображена схема отрицательной обратной связи
по току. В качестве напряжения обратной связи используют падение
напряжения на Юж. при протекании через него тока. При этом ток
О.К
н., напряжение обратной связи (ос =ВнЮос==В —
© и коэф[=
н

фициент обратной связи

Кс =Ивых/Ивх
=:

H

K

=

14+ KB Rog

Ка

13*

187

$ 35. Усилители переменного тока.

Одно- и многокаскадные усилители.
Виды связи между каскадами

6

Vey ef =

+

Наиболее простым и широко распространенным типом усилителя
является
усилитель с резистивно-емкостной связью с активной нагрузкой (рис. 67, а). В качестве усилительного элемента используется
триод
или пентод
с короткой
характеристикой.
Разделительная
емкость Сс служит для того, чтобы постоянная составляющая входного напряжения` не попадала на сетку лампы, Юк Ск— цепочка служит для организации автоматического смещения, Ас — сопротивление
утечки.
Достоинствами таких усилителей являются простота схемы, дешевизна и малые габариты составляющих ее элементов, поэтому
эти схемы наиболее распространены для усилителей низкой частоты.
Однако вследствие падения постоянного
напряжения
на сопротивлении нагрузки величина
источника
анодного
напряжения Ёа часто в 2—3 раза пре“
вышает
напряжение,
необходимое
для
питапия
лампы.
Поэтому целесообразно актив
ную нагрузку (резистор) заменить
реактивной — дросселем
или трансформатором. Практическое применение находят усилители
с
трансформаторной
связью, позволяющие
наилуч. шим образом согласовывать наРис. 67. Усилители с различной грузку (рис. 67, 6). В схемах

нагрузкой:
а — активная, б — трансформаторная

трансформаторных
усилителей
нет разделительного конденса-

тора и сопротивления
утечки,
т. е. напряжение смещения поступает непосредственно на сетку через
вторичную обмотку трансформатора.
Для обеспечения необходимого
коэффициента
усиления часто
бывает недостаточно одного усилительного каскада, тогда: применяют многокаскадные усилители. Они представляют собой несколько последовательно работающих друг на друга усилителей, собранных по описанным выше схемам; между каскадами может осуществляться
реостатная, трансформаторная
или
резистивно-трансформаторная
СВЯЗЬ.
азличные виды межкаскадных
связей ‘ламповых усилителей
приведены на рис. 68. Аналогично строят усилители на транзисторах (рис. 69). При этом каскады начального усиления ламповых
усилительных схем называются усилителями напряжения, а. транзисторных
— каскадами
предварительного
усиления
(здесь одно?
временно усиливается напряжение, ток и мощность). Выходные каскады усиления ламповых схем называются усилителями мощности,
а транзисторных схем — оконечными каскадами.
Обычно выходные каскады собирают по двухтактной схеме, работающей в классе В или АВ: два усилительных элемента (лампы
— рис. 70, а, транзисторы
— рис. 70, 6) работают на одну на:

188

грузку. Через трансформатор

Тр! с нулевой

точкой

напряжекия

И

и 02 подаются в противофазе. Каждый усилительный элемент работает только в течение полупериода изменения Овх, т. е. в течение всего периода изменения Овх усилительные элементы работают
поочередно. Для работы в двухтактных схемах выбирают усили-

Рис.

68,

Виды. межкаскадных
ламповых усилителей:

а — резистивно-емкостная,

ная

тельные

элементы

аналогичные

с

режимы

совпадающими

работы

б — трансформатор-

характеристиками,

в течение

$ 36. Усилители

связей

каждого

чтобы

полупериода.

постоянного

иметь

тока

Усилители постоянного тока (УПТ) — это усилители медленно
изменяющихся сигналов. Здесь используется непосредственно гальваническая связь между каскадами без применения емкостей или
индуктивностей. Простейшая схема лампового усилителя постоянного

тока

показана

на

рис.

71, а

(двухкаскадный

УПТ).

Здесь

на-

глядно виден недостаток схем УПТ
— большое число источников
питания (этот недостаток можно исключить, используя один источник питания

и делители

напряжения).

189

Рис.

усили-

связей
межкаскадных
Виды
телей на транзисторах:

69.

а — резистивно-емкостная,

б—

трансформаторная

Гр2

a)

Рис.

70. Двухтактные схемы усилителей
кадов:
а — ламповая,

выходных

б — на транзисторах

кас-

Однако основным недостатком `УПТ является «дрейф нуля» —
нестабильность
выходного ‘напряжения
при
отсутствии
сигнала,
обусловленная нестабильностью источников питания и параметров
схемы. Для. УПТ на транзисторах большое значение имеет температурный дрейф нуля — непостоянство выходного напряжения при
отсутствии сигнала, вызванное изменением ‘окружающей ` температуры.
Для
уменьшения
дрейфа
нуля
необходима
стабилизация

‚+ > © -

+ -—

2

Ес

Рис.

а)

,

71. Усилители постоянного тока:
а — ламповый, б — на транзисторах

источников питания
(обычно электронными стабилизаторами), стабилизация тока накала (бареттерами). или использование специальных схем УПТ: УПТ с отрицательной обратной связью или мостовых (балансных) схем УПТ. —
На рис. 71, б изображена схема УПТ на транзисторе с отрицательной обратной связью: стабилизация режима работы обеспеК

Eo

Fay

тиф

Kf

Rag
Ob.

Rat

<

®S

Rey

Rea

Re

к

6

&

ay"

8)

Рис. 72. Мостовая схема усилителя постоян.

ного

а — ламповая,

тока:

6 — на транзисторах

чивается отрицательной обратной связью по току, которая осуществляется с помощью резистора А», и отрицательной обратной связью

по

напряжению,

которая

осуществляется

резисторами

Аб,

Кк

и

Юн. Работа транзистора и, следовательно, всего УПТ тем стабильнее,
чем сильнее отрицательная обратная связь, но при этом соответст.
венно уменьшается коэффициент усиления.
Наиболее эффективным методом для уменьшения дрейфа нуля
является применение мостовых схем, которые строятся по принципу

19]

сбалансированного моста. При этом изменение
напряжения,
приложенного к одной диагонали моста, не вызывает изменения токов
и напряжений в другой диагонали. Обычно мостовые схемы симметричны и усилительные элементы, используемые в них, обладают
аналогичными

характеристиками.

На рис. 72, а показана
метричным входом: лампы

а резисторы

Юа,

мостовая схема УПТ на лампах
Л! и /2 составляют два плеча

н Каз
— другие

два

плеча.

Для

с симмоста,

симметричности

схемы обычно используют двойной триод. Резистор Кк служит для
образования
напряжения
смещения.
Входное напряжение,
поступающее
на сетки ламп, имеет противоположную
полярность на
одной сетке относительно другой. При этом нарушается баланс
моста: появляется напряжение на выходе Овых (при сбалансированном мосте выходное напряжение равно нулю, независимо от изменения напряжения источников питания).
На рис. 72,6 изображена мостовая схема УПТ
на транзисторах с отрицательной
обратной
связью
(для
каждого
каскада).
Транзисторы включены по схеме ОЭ, нагрузка Кн включена между
коллекторами транзисторов. Нестабильность тока в нагрузке зависит в основном от нестабильности коллекторных токов транзисторов.
Для симметричности схемы выбирают транзисторы, у которых температурные характеристики
изменения
коллекторных
токов близки.
(Обозначения элементов на схеме, показанной на рис. 72, 6, aHaлогичны обозначениям на рис. 71, 6.)
Усилители
постоянного
тока
особенно
широко
применяют в
различных
системах
автоматического
управления
для
создания
напряжения, пропорционального величинам регулируемых параметров (причем величины параметров могут изменяться или в течение
длительного времени быть постоянными).

`

$ 37. Номограммы
транзисторных

для расчета

усилителей

Для облегчения расчетов. транзисторных усилителей можно воспользоваться нижеприводимыми номограммами,
которые. обеспечивают достаточную точность расчетов для практических схем электроники (порядка 5—10%). С этой целью приведены номограммы, включающие область наи`
более характерных значений соответствующих
величин.
|
Приведенные на номограммах ключи показывают последовательность действия для оты-

а)

Рис. 73.

6)

|

6/

Условные

обозначения,
принятые
в
ключах

номограмм:

-

скания

искомой

уравнение

граммы).

величины

приведено

Порядок

в

(соответствующее

верхней

расчета

чом, также изображенным
грамме. Заданные величины

части

номо-

на каждой
обозначены

номострел-

определяется

клю-

ками (рис. 73, а), вспомогательные точки —
точкой (рис. 73, 6), результирующие величины — кружком (рис. 73, в).
ные
точки,
@— peДля расчета на номограмме делается один
вультирующие
велиЧИНЫ
или
несколько
шагов — (шаг — определение
искомой величины по двум заданным параметрам). Последовательность шагов определена ключом. Например, для
определения граничной частоты коэффициента
усиления
по току
а — заданные величины, б — вспомогатель-

~.

192

(рис. 74) устанавливают один конец линейки на шкалу { (на задан

ной Частоте), а другой
коэффициента усиления

находится

искомое

f
[МГц]

конец на шкалу №1» (на заданном значении.
по току). На пересечении линейки и шкалы

значение

f,
[Mful

10°

граничной

частоты

усиления.

=!

104

6

ры

ew

4

WI

2

8

0?

10%

7

8

4

6

0

4

2

°

„в

4

,

4

1,

,

j

2

4

7

Так, для

$

Karey

é6

0

я

64

2

.

55

4

2

2

0"

to!

Рис.

7)

46

f fr 1/1!
35
:

74.

Расчет

|
7

граничной частоты`
усиления по току

коэффициента

}=10 МГц иЙйль= 3,5 искомая граничная частота усиления р =35 МГц.
Аналогично используют номограммы, показанные на
рис. 75—89.
При наличии на номограмме двух диапазонов (А и В) при расчете следует пользоваться только одним выбранным диапазоном на
всех шкалах.
°
С номограммами для расчета элементов, узлов и некоторых
других электронных устройств можно познакомиться в книге Тома-

шека К. Н.
rua», 1975.

«Номограммы
|

в транзисторной

технике».

М.,

«Энер-

(СО э виэх2) ВНА

oft
и

6
¢

2

[|3

x

¢ |za»

NS

77

Г

Е

.

2 > ги
(Е
Е
FU

=

Е

07

|“
md

|

= 06

|
[9

Q Г

OW

9+9 ЕЕР6
SF

аи
г 98

22

717

99

олониэнихг &хот,
тэвэва ‘9л ‘эиа

git

21
ses

a

а

RE

8

7

?

=Е 02

[Е 8
,

— 0

"ey

ИТ

< ztz7

ch

622 Ц
224

Fwy
и

2

. ély

S

епечоея (олончкэгидеяИэди)
оп винэгиэА
влнэипиффеоя
р “49

д, +

S|8 Zz
Ris

g

и

Hy

LUBY OED

yy rom

‚Т“
7
‘алноьант/

@ чили

9 МНОЕВИРИЙ
9 OH НВА

x

é
ly

I

си059
ЛЯШИЛ

0-Е

8

9

$,
+

,

2

944 Hg flayHey
ОШ
8

ze?
р

9
7
6

о

Sao
gЯ
р:

CHOTIRDMM
ty 9

Ha 6/5 и

fy

©

и,

thy bo,

*в/ ‘эиа

яолнэипиффе

2
$

Oo

г

ЕС
7-20

Ot

7

os

$
$s

7

9.

ah

AMT)

Ope

|

8

z

$

9

ig) = By

¢

Lobe

винэгиэ

(90 >

оп

иончивииэяеи

иззонтой

члюловь

a Wy

Om

ГУ

И aa
ОМИ 9 ;
“эвирьантй/ 9 =

ap hae
se sy

емэхэ)

-оя

é

cA

7
PA

9

2

+

20,
|

Oo

8
’9

&

РЕ

sity bya

етехоея

Т

i.

Bye

S
S

9- `

$0
х

8
/

°

С
Se

<

=

и

7

oO

AXOL

‘`8/ ‘эиа

8-2

7?

Ct

р

oll
gt?

949
$у

é
~, Ob

9+4

vo]
a

7

Oe

1эьэеа

(qO 9 eWex2) HHA

й

97у

wiley

#9It
, 022 |

= Oy

етнэипиффеоя

(олончиогидевгоди) олониэниг

S

SI.

31
&

$152
7

pH о
| ag 9 [79+'=у
ROY

OU “HHOIHOA
8

9

9Е
„4
a

у

$

7

9

2

ol

zi
2
{АМИ

"

pHocouony

2Лу-

Г NY

$

ga
г
2

OL

5:

-

;

?

ии

у

9

$

2

At

9

(СО > виэхэ) HHA eewen
озлониэнии синэжЕебиен
(олончиотидеяИэди)
OU BHHOIHIA ванэипиффеоя‘ 1эъэва ‘// ‘Эид

+9

Г

Ht,
|

Е

Е Чун

у
+

ot

2

п’
т“.
+“

9+

Е

OL

Te

$+

ca

9
+

5

” “Пу.

„И

67y_

,

с

,

[07
у

5
9

1

At

|

oy

= ENy

2
z+ р
+

Sy

Ей

т
7
IT

oy
[07
ey

_

a1

$8
$3

pt

Е
2

Ss

oft

Eo

Fea >

48

“§

ere

ete
gto
&£

+f

212

p72
9+7

Sf

fa

Е 08
Fa
-OF
OS
Е

09

о

ЗЕ 29

Mo yy

= WL

E OSE

Е (0%

"ft"tot Em,

oO

2+2

Mg, %eey

[W]HN]

cll

Sy
S

OJOHWOHHIL ANOL
1эъэед ‘08 ‘эиа

O10 9 eWex3) HHA

-aU moHNnoEY

snocouDnp

WUISVOQEO
(нуно) ур U

ZMyn"9 pogad
g
р GH arIIDWNHD
д ЧИ

TT

5
ана, | „ити

DF

1% №94

S

м

_№7
aM

г My

INS| OF
z

1

Hag My

Е

eYfewoex (олончиэги4деяиэди)
оп винэгиэА егнэипиффеоя
PT

2
Е

Е“
т,

ote

IE Z

"Ро

;

MWY

oo "My:

#

+

9
9

$

+4 "|

9.

ch +

2
24
9

[WQ]
[WI
YW]
My
#7

.

№7+ 22]

(qo 2 ewaxs) HHA

у

$1y-— Py

ofl

етехоея

т

howy

Gy

Чуб,

2.

g
yO

9

синэжьдиен
олониэнии
(оончиэтидеа!эди)
ов виногиэА вунэипиффеся 1эъэеа ‘6/ ‘эиа

у

oll

< ©

OU BHHAIHOA
pt
6

%

9
8
ой
8
у

b
9

9

6

9
Я

a

zl
Z

lz

HLOOHTNON

7

. М

|

|
a

1эьэед

|
№

hOWY

р
И

‘INHOhIWNY

‘28

г

‘эиа
.

Зоб

tty
9

Фр

9

т.

24-9

YOMIN NHOEDUONO DH
QNHOWNHY WINWOOD

влнэипиффеоя
и
©:

ak
6

5
Al

S

Xs

612

NS

ct

8

^

CT

za

=

Se°

РЕ?

‚Ао

я

Shots

А

SES.

8

|3

~
22

sie

З|

S|

CHC

ТТ
$

6

ety
9+9
©

ay

9+7

Ol
2.

ays

y=

a
9

+

$
9
a

9

Wy

zo

г

$3

2

Му .

1a >

|;ofl

Hy

MADDY

№7

4

My

-=*7У

му

Г

holly

"%y

Е od

=» lf

(О Э.виэхэ) HHA evexoen
(слончиэгидеяиэди) олониэних
синэжеднен
OU винэгиэА елнэипиффеоя
тэвэед ‘18 ‘эиа

9
yt

cA
7

№

is

+=

gt |
[WO].
wy

де

ям

дне.

онэжБанен оп

э
иончиэгие4еп
yO отчева» иончиаьетидо
СО > эмэх>о он олоннэвошгяя ‘БЫЛ ЕЖЕхОЕЯ

Py}
9
4.
А

би)
4

’

oh

©
ое +
м

:

,
|

nal

68)

“Ey.

_

eR a

90+ <<

гу. (2.940.

by

+9
gf
5

я

(9.5%).

[WOMAT

of

;

Ld

(+27) ^ (+897)
hy

[Wo]

|

4

Азот оп ОО 0196кзэ нончиолепидто иончиотечой
оп ‘озоннэвошяя ‘НА
-эиэоп э ©О Э3 эмэхо
епехэея (олончиэлифев!эди) олониэниг Ахог
оп BHHOLHIA етнэипиффеоя 1эъэе4 ‘68 ‘эиа
|
y

в

|

$
9
9

М

..

г a 0

a

;
ГИ

Я

sf
9
о.

|

yA
IT.
Wh

(i Ned ет

=

(озончиогидезниодн) озониэнии оиножьбиен
оп винэгиэд елнэипиффеоя 1эь5е4 ‘78 ‘Id

&

|

<n

8 Spey
N
&

>
Зоо
WN
Soy

“

&

он

of
98

$

1эьэеа

a

6.

8

|35
~

74;24

Ту

bh

|3

| ge

ay

ги»

917

82

OU

Е

‚4,

HLOOH TION
елнэипиффеоя

- orm MuHocouong

a
Я

ПИбЬЗАПАИ

м

ру
&
Ss

div
Z 7 =.

ST om

=

wy

S

BY ANHONNHD IWNWOCE

винэкиэА

oh

ety

М

|
Ч

<

ТЗ

2-42
г/-

88

_ 99

саS

Legh

2

ЗИ
а’
8<
“8x
>
<
|

oUt

Lung byMed]

‘98

‘эиа
oh

.

‘

Lonoed

(90-0)

Я

gw

om Я

(Lh)

ГРУ

Y

hoy

(9550

HOHYOX™

“Gg

#

“Hd

9

7

2

vl

of

(EO 2 eWoxd SY эовия) ВБНА е\Шеяэея
ион
вкенлиэ
OJOHLYPLOHYO.
OJOHhdHONO

H

[A FE oA

27

$

‚Е, | CPT

of
845

9

a

УЕ 3

2

217

,Е

272

HOHYOXMd

ot

TG

oi

Е,

оЕ

rez

2%

$39

77

Oz

. -TMOW

¢

z=

с

70

4

++

°

2
в

Е)
2

2
wee
2

-

2o£:
ard (oem)
(91-Й

(21-21 n-" MY, ='d

Vr VVYOEW 1-44
EN)
pf =—
TWO’

\

< GH

A

So

(2891-Е)

[97

зэк

N

QV S
<

Qrves
N
¥
‘Qs
N
aes

4

hHA е\еяэея олоньэнояо озонзяетхАай
‘8g ‘эиа
19594
HLOOHTION
HYOWOKIfgedLou
“рД.

ДП

||.
d

hOWY

yt

7

РР

7$!
9+9

7a

Z

ot
212

*

Ot

-

,

.

,

a!

9

у

7

.

у

¢9

6

6

|

i

Sf

st

+H

24

|

сд

[gH] [97

T(E) -2)

[nowy

(My)

I howy

212 (9-0)

vt.

9+ЗЕ

GZ

AY

7+7$

°9

61

#4}
99

ZUR

AE

В у

212

(417-21 99-"20) F =

Lug NW] [gw]
4
d

“(6-0

(СО > еМэхэ ‘А ээвия) ВИЛ е\еяоея
еиенаио изон
OJOHLWeLXAGY
олонвэнояо
-WION WOHTOXNa H ионтоха 1эъэе4 '/8 ‘Эна
Ob

212

218

УТУ

9+9

‚+,

ee

9

7

712

cB

05

Ft

212

ll

949
97

ду ГИ

Og

ph

212

ley

9
у

vy

м
ox
&
QABN

г

$

ет
{

Р

[ив]

10

&t:

Е,

b

-4

4:

6

of

2

<

Ay
8
S|

ИЕ

104

&

<

G+

2

‘|
6

3

м

6
4

?

<

«

3

S} 7 {§ 2
S54, 8

К

_

|

=

ГР

89.

ЧЕ

2

1%7

;

70 = 07

G4

7 7 хgive

Примечание.

2

|

‘07

+2

- §/7T?

Рис.

Y LR]

x

2
4-

Odparnum

bxuManHUe

а диапазоны икал

Расчет к. п. д. двухтактного
нечного каскада УНЧ

ГЛАВА

8

№5

око-

IX

ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И АППАРАТУРА
ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ.
И ПРОВЕРКИ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

$ 38. Электронные измерительные
Обозначения электрЭнных

измерительных

приборы

приборов приведены

в

табл. 78.
|
Подключение измерительного прибора к электронной цепи может нарушить процессы, происходящие в измеряемой цепи, а неправильный выбор прибора может быть причиной ошибочных измерений. Степень вносимых измерительными приборами искажений надо
оценивать, поэтому нужно знать параметры входных
цепей используемых приборов.
Влияние входной цепи прибора уменьшается с уменьшением его
входной емкости и увеличением входного активного сопротивления.
Сравнение входных параметров измеряемой цепи с входными параметрами прибора позволяет выполнять измерения.
14 Заказ 631

201

и

Приборы для измерения

тока

Приборы

напряжения

для измерения

Обозначе-

прибора

ние

sw YP

измерительного

Приборы для измерения мощности
Приборы

для

измерения

параметров

в устройствах

‚Приборы

для

измерения

параметров

в устройствах

Приборы
паздывания

для

измерения
7

сдвига

и времени

nm

постоянными

дэ

с распределенными постоянными
Приборы для измерения частоты

за-

и исследования

формы

Приборы для наблюдения
стик радиоустройств

и

характери-

исследования

Специальные приборы для импульсных
Измерительные

)

сиг-

о

Приборы для наблюдения
налов и спектра

®

фаз

усилители

<Я5ым

с сосредоточенными

измерений

>

Приборы для измерения напряженности поля,
помех и антенных измерений

радио-

оны

Аттенюаторы и делители напряжения
Измерительные генераторы
Элементы коаксиальных и волноводных трактов
Приборы для измерения параметров ламп и полу-

проводниковых

приборов

Источник питания для измерительных
—

.

78

Ламповые

приборов

|

шч

Назначение

Таблица

вольтметры

Ламповые вольтметры основаны на преобразовании при помощи
электронных
ламп измеряемого
напряжения
высокой
частоты
в
постоянное напряжение. ‘Эти вольтметры различают по типам схем
входа и режиму детектирования
— вольтметры с открытым входом
и закрытым входом.
Параметры ламповых вольтметров приведены в табл. 79.
Полупроводниковые

вольтметры

~

Полупроводниковые приборы основаны на преобразовании при
‚ помощи полуйроводниковых выпрямителей измеряемого напряжения
высокой частоты в постоянное напряжение. Параметры полупроводниковых вольтметров приведены в табл. 80.

#03

.

=

| п.

|

3°0.

Я 005—яЯи 5‘0 “|

.

793-Ф.

8-hd

WOW 6

|

"

Я 008—1Г

=

у

b-hd

|

|

—

dq osI—€

| —

01—7

| (€-HIf@) Ghd

|

Я 00s—e
|

у

—

—

|

Я 0001—10*0

75-5

‘35-я

9-214
SOF

|

WOW I

а =—яи т

г

9-7
.

95

WOX OT

—

0001—п.1 OF | o¢ olf
|

пл 0171—1105 |

000 0s—00¢ | п.1 05 ээго9 эН
005—10‘0|

—

|

-ен эоннво12о]] |

3‘

эинэжван'

|TMIWOOOI—MP OI]

Я 001—Ям

а '006—чяи 006 | (/-ГЧи) /-Я

=" +2'0)

(9-Гау0 9-я

;

м

9—1

я 005—яяи 091 °|

(005-80‘0)

WOW Z

от—9

(1-ГАУО 7-59

;

QOg—1'O | MI 0% eeHeW a | —
=

—

мох

пя 005—п10ё | <

WOW S$

Я 00т—яяи 008

91|

gz

ZI—S‘S

MIW 0001—п.1 05|

—
uiwi-nig |

WOW I

ма

_

ZI

.

|

едлэи
-1чгоя оловопией UBT,

ПМ 08—п1 07 |

—

чиэгэ4]1.
-.

х

кинэ4эйи

фи

% ‘кинэ4
-ЭМЕН FLOONMOdJOT]
“58

madionedel omHYyoxg

“а
аотэеь носепеи

епикое|,

пвочишяи
члэончиотии\[

6/

203.

has

Цифровые: вольтметры
‚В этих приборах непрерывная измеряемая
величина преобра-.
зуется в определенную величину, отсчитываемую на табло цифрами.
Достоинствами цифровых вольтметров являются. высокая точность,
быстродействие, возможность автоматизации процессов измерений с
Таблица
Тип

полу-

проводникоВОГО ВОЛЬТметра

Ц-24
Ц-26
Ц-61/1
Ц-130
Ц-211

^

|

Предел изме- | Погрешность
рения, В
измерения, %

250
300
250
250
30—2000

4,0
2,5
4,0
2,5
2,5

80

Диапазон
частот, Гц

50
50
50
0,5—5
50—8000

регистрацией
их результатов, удобство передачи результатов измерений на расстояние и введения их в цифровые вычислительные машины (ЦВМ).
.
Параметры цифровых

вольтметров приведены в табл. 81.

$ 39. Электронные осциллографы
Электронные осциллографы применяют в цепях промышленной
электроники для измерения
различных
элёктрических
величин
с
одновременным наблюдением и возможным фотографированием формы электрических колебаний процессов, протекающих во времени.
При работе с осциллографом учитывают влияние его входных цепей
на параметры исследуемой схемы. ^
Технические характеристики наиболее распространенных
типов
осциллографов приведены в табл. 82.

$ 40. Приборы и аппаратура для измерения
параметров и проверки электронных схем
Ниже приведен перечень некоторых наиболее употребительных
приборов, используемых для измерения и проверки отдельных устройств в электронных схемах, и дана краткая характеристика их технических параметров.
Универсальный испытатель ламп Л1-3
(МИЛУ-1)` предназначен для снятия статических характеристик и измерения параметров
приемно-усилительных ламп, маломощных генераторных ламп, кенотронов, диодов и газонаполненных стабилитронов. Испытательные
напряжения: накала 0—14 В, управляющих сеток 0—65 В, экранных
сеток 10—300 В, анодов ламп 6—300 В, анодов кенотронов 2—500 В.
Питание от сети переменного тока при частоте 400 Гц напряжением
115 В. Потребляемая мощность 300 Вт.

204

$'0—1'0

5‘0

60—10

‘0

10*0

300“0

—

—

_—

WOW OI—NOX OI

—

—

О 001—01

Ум 0001—1

V S—VN Ol

—

—

У 5—Ухи 50

—

—

о

‘0
00011

—
Я 00/— ями
—

—

—

Я 00°—яи

мчиэИэ4]]

[-70-5Ш

1-19.

Я 0001—1‘0

10 | я 0001— ви Го

05-579

1/\0Т-/ Я

Я 005— Чи 5

я 0001—0т.

65-19

9-2

Го

Я 0001—10‘0

1‘0о | я 0001—ям

8-19

пи]

|

91-24

05-19

15-19

Я 0001—1

Я 0001—Яи 1

| И OvouHHou20u

edLaWLiirog

1

олочодфип

Я 008—яяи

|

Я 0001—1
Я 0001—01

KO

—

00‘I—S‘0-

1

Я 005— Чи 1

01—ИОЯ

—

HRBHOGONEH

внноианаойшоо | | вно: osonmworson |_ SORNONSMeH

-_

ИО

| |

05‘0—90°0`

$‘0—1'0
BEHYfady

епикоет

-madiou

% ‘sHHadaNcH 41L90H

18

205

осцил-

лографа

-

‘Диапазон

частот

Работающие

‚(1-5 (СИ-1)
С!-6(ЭМО-2)|
C1-20
C1-34
С!-36
С1-67

в

2кестких

Развертка,
MKC/CM

Входные параметры
©

Квх,

МОм

климатических

|109 Гц—10 МГц| 240|
0,2—600
30 Гц—1 МГц | 6000 | 0,38—125
10 ['u—20MPru}
0—5 МГц
.|
0—5 МГц
0—100 МГц

100}
170!
20|
10

82

Масса, кг

Тип

Коэффициент
отклонения,
мВ/см

Таблица

0,1—2
0,17—33
0,17—0,
33
0,1—20

_

Свх,
пФ

условиях

0,5
0,5

50
50

1
0,5
0,5

30 | 102
50
44

0,5
1
1
1

|

40.
50
50 |
40

18
4

23
19
8
10

Лабораторные
C1-13A
C1-15/1
С1-15/7

20Гц—15 МГц
0—25 MC'n
0—200 МГц

С!-19А

С1-31

С!-7 *

C1-16 *
C1-33 *

0—1

"1

|. 10010,5—0,8.108]
50 | 0,02—1. 108
100 |2,5—50.10—3|

МГц

0—100

2

1—1.108

МГц Г 100]

99 Гц—6

А МГц!

50. 10-3—501

170|

0—5 МГц
30 Гц—5 МГц

0,03—100

20
10|

0,2.
0, 5—150

1

45

21

0,5

17

300

0,1—5 | 3—16}

40

0,5
0,5

45
40 |

25
160

1

0,5

45 | 25

1-10—-2—1
1.10-2—0,5]

75-10-8|
75.10-8|

Запоминающие

С1-29 **

0—2 МГц

C1-37 **
C8-8 **

0—10 МГц
0—1 МГц

|

100

10.

0,5
10,5—5. 106

0,5
0,5

40
90

35
55

Специальные
C1-36
С1-14

O—1000
0—3000

Mn | 1000;
МГц
13300|[

* Осциллографы
С|!-7 и С|-16 — двухлучевые,
а С!-33
** Время
воспроизведения
записанного
изображения

фа С]1-29
— [

мин,

у С!-37

и С8-8

Всеволновый куметр КВ-1
ности колебательных контуров
‘емкости конденсаторов 30—450
катушек

в пределах

0,1

мкГн —

— 30

мин.

—
— |

54
108

— пятилучевой,
у осциллог ра»

предназначен, лля измерения добротв пределах 25—600 с точностью 5%,
пФ с точностью 1% и индуктивности
10 мГн

с точностью

1,5%.

Диапазон

частот от 50 кГц до 50 МГц.
Низкочастотный измеритель
индуктивностей. ИИН-2 поедназначен для измерения индуктивностей в диапазоне 0,1—1000 Гн с погрешностью 10%. Предусмотрена возможность измерения индуктивностей с током подмагничивания. 0—100 MA,
—

206.

‚ Низкочастотный

измеритёль

ёмкостей

ИЕН-2М

предназначен

для измерения емкости и тангенса угла потерь бумажных и электролитических конденсаторов, а также для измерения тока утечки пос-

ледних.

Диапазон

измерения

бумажных

конденсаторов

500 пФ —

50 мкФ, электролитических
-=> до 5000 мкФ. Диапазон измерения тока
утечки 0—50 мА. Погрешность измерения емкости бумажных конденсаторов ==1%, электрических конденсаторов 5%.
Основные технические характеристики выпускаемых премышленностью приборов для измерения параметров транзисторов приведены в табл. 83,

OGEYN

G+1‘O=Y

%S° SFE OS+3="N

‘qd S‘v="0

AMOL AWOHHGOLD
OU винэдэмеи иижэ4

WN I=]

-оп

gg enurgoey

фи E—S]

oT

6*6
Ol

G

(Чоледэнэл иинтэня) 1-+е‘0=9
(Чоледэнэл иинтенч) фи 001--$=29

0001 +01 =4
‘WO/T 9—OL E+ r—Ol “6= 4

-

э

эмэхь

- 4‘0=50
{1

мишоо

+ Z=)
0$

G

OE + E= TY
INIXDG

И “NO
J
0$ = p=

1+ 6‘0=0

o—OI° + ›—01-7‘0=9°4

Уи

HIMQO

‹—0Т-=

МОЛ зоо

учи

WNOdGILLHWE

01 + OOT=""4
‘9—Ol “E101 -€= "4 *KO.000

«—0ОТ-8

,

HHOERG

WO/T

mirsvedu

кинэдэмЕи хи
uw чдлэмедеп эммэвдэм5И

з0долэиенедл эчназонзоги sodLaweden MiroLHdawey
% *sHHodawen
члооншэ4-ю

$-СШГ

DIW ‘01-11% 001
aX 9p

MJ 022

edooxdu

Tdi

НОБВШЕиТ

™J 002

волоеь

ual

208

,

—

or

*7

ум 06 от 8]
“a OO] oY “A

OZ

а 051 о! #/7
-Я

-V OI=VWA 001=*7

уи 06+9'0=°/
-Я 001--5=*7

“2 001+ 3="7

уи 05-1‘0=°]

CI

& (000 01S‘) onMowraeLood sMHEHLYedg
WO/| ([+s—OI) eHMomirae1o0) ssHEaHLAy

|
|

008—8=129

WA pe aM T= Oy 1087 HY 651
0= "="
€ OIF‘

-

чгэлидэизИ

001-5=9°*]

“и

,

|

п

[-С

5-6

01—‘0

HOL YMHHKOLDO]]

€1-2Lr

.

61-6

0091

п. ИГ 001-01

6-ZLf

.

NIW 001 +01

408 +11

HOL HAHHBOLOL{

SOCOLIHENEGL YOLIONHVOSROd хчниох9чя и мантоха игэлидэмЕИ

g
о
|

ухм

чиэлидэизИ

“081 ‘ИЯ *0]

Я 091-5= "И

о
01
|

Я 0т-1*0="90

VIN OTH

5
|

VW OO

01

;

ool-~e="d
ен)

0001--9'0=9

хихоэчая

яодуэмедеп

|
| _(хетоловь

Ol
Cl

|

sOdOLIHEHEGL XIGHIMOW
|

от

«(пр 0091 ен) 0001-01 =""d

|

|

1+8‘0=°

"п.л оот-от= J

зодолоизнедт XISHLOLIVHONOIIG азодуэкеден

cI

209

,

-оп

$

=

06 от 67

=

—

dq (os—s‘0)

ум

“A O01 oF */A
.

oe

иижэа

Ао; Амоннко1>

он кинэдэмеи

29 ‘торш эпнажио бод

|

NO]

ен=изАЗУ

og Of —exOoLD

O€—S0'O

a/VN 0€—S0'0 eHEHLAdy
VW

q/yn

миэхи (0001—5)

|

|

Adoas

001

H

‘0S ‘0% ‘Ol hd

-eE OL ПТИ

OMKOLYOU

Adoaies ou HY

—

IW

Of

|

09:

но5епеи

NIW

тогэеь

€¢-ZIf

,

58-5

16-6

edogudu

85-8

(06—6'0) чтоохиз

чдооиди.

ПМ $'0
олэпюо

:

8-6

|

|

винонаиии

хи

фи (005--°‘0) эишавиае1209 OMHGHLAPIg
ИО/Т (5‘0-—›—0Т) эинювиве1ооэ эчнаизяу
винэдэмеЕи

“Gb ‘08 ‘0% “SI

фи (0001—0$) US0NNG

Фи

‚ У ч—0Т-1+1—01-6*0 Иа

чзооитово4и венчивипнэдэффий weHYoxng
Я (0#—8‘0) эинэже4нен э0я01040]|
Уи (03—1“‘0) вхоз> Mo]

Yo]

я (01—3‘0) зогенли» ханТохча и хчн
-Гоха еиАлииииху °эн (0001—©) иэхэ хихоэь
GI. ‘| -Изюш ханякедлегни тадлэмеден эчннэмэда

Ol

OI—S

1)

<]

чтэоншэ4 1011

% ‘винобэмеи.

.

пи],

QHHaIraHLOduo7

00$ — WJ | eLoloeR

|
п (009—0)
винэЧолчон иозоловь э зоэчиАнии 195)

п

(91—0)

иИчННВОООП

WO]

IeO] Ol OW Z LO чи4доф иончкозАоийваи.
чогенлио иездэрни ионнэиэдя и onde]

10°0+
WOW

и

Уи -(91—0)

ПИАП

OHHOIYON

Я (031-—0) коээшакн
-OW OHHOITIN WH эоннвотэои эинэжед иен

08-7Ф

BOHMMOIBHOW

OI—1 ‘0
StI—T1‘0

3‘0—50:0

(OOOI—T) зоэчиАции озтээвикоУ
эяи Ol
иинеоэноя хчнчиегиоэАнио поидэн и иигэ
-qirAUWH BWAasY Al KoN инэйэда иездэнИ
IW [—V] OO] WHHeOeIroN PLOLIE}
Я 0001—Я^ от эинэже4нен эоннко120]]
MAN ор — Фи 00т Зо яиЗ
HIW sOI—I
вЕЭГЭЖ 590 хэшАлея члоончитчАМНИ
но)
WOW 1 — ИО ОТ. эинэивихо

9д00иди эчяодфип эчнякедэаин А

211

-OU

эпнажуиобод|

AuNOL ANOHHKOLD
OW! BHHadaNsH WHKIg

$8 ‘уорш

LF

0 ‘0+
—

95‘0+

a

% ‘sHHodowen
GLIOHM=<d
JO] J

eOI—s01

IreadaLyy

зоэчиАпии озтзэвииоу
HHeweda

члоончизяАИНИ

(001—1“0) ч1зохиз

(1—1‘0)

фи

па (0001—0Т) езоев

3 (0001—10'0)
н1

КО ($01—00Т) эинэгаиходноЭ

винэдэмЕи хи
и а41эме4деи эчиэвдэмЕИ

‘YW (QOOI—I) 30L HMHHBOLDOT{
Я (0001—1) ехозх озоннволэон эинэжедиен
чиэгэ4и

волоеь

носецпеи

008-Ф

едоои4и

пи],

ЛИТЕРАТУРА.

a

1966.

Гуревич

Б. М. Электроника.

М., «Пищевая

промышленность»,

Дзюбин
И. И. Тиристоры в электронных схемах. М., «Энергия», 1972.
Згурский В. С., Лисицын Б. Л. Элементы индикации. M.,
«Энергия», 1974.

Китаев

В. Е..,

Шляпинтох

вами электроники. M., «Высшая

Кушманов

И.

В.,

Л. С. Электротехника

школа»,

Васильев

1973.

Н. Н.,

с осно-

Леонтьев

А. Г,

Электронные приборы. М. «Связь», 1973.
.
М иклашевский С. П. Промышленная электроника. М., «Высшая школа», 1975.

Скаржепа

В. А., Морозов

тиристорах. Киев, «Техника», 1974.
Степаненко И. П. «Основы

А. А. Устройство автоматики на
теории

сторных схем». М., «Энергия», 1973.
Ступельман В. Ш., Филаретов

транзисторов

и транзи-

Г. А. Полупроводнико-

вые приборы. М., «Советское радио», 1973.
Томашек К. Номограммы в транзисторной технике. М., «Энергия», 1975.
Фе дотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов.
М., «Советское радио», 1969.

о «диоды

197

и тиристоры. Под ред. А. А. Чернышева.

Справочные данные,
ки. 1973—1977 г.

технические

условия,

М., «Энергия»,

информационные

листе

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие
Глава

‚

.

2.

6

«©

1. Приемно-усилительные

$ 1. Общая

6

ew

ууу

лампы

оо

характеристика,

классификация

условные
обозначения
. .
.
$ 2. Двухэлектродная лампа
— диод.
$ 3. Трехэлектродная лампа —триод,

$ 4. Многоэлектродные лампы.
Глава 11. Генераторные лампы
, ‚(де
$ 5. Общая
чения

характеристика
e

$ 6. Основные
Глава

e

параметры

ПП. Электроннолучевые

$ 7. Общая

.

. .

.

и условные
у

e

генераторных

трубки...

характеристика

.

и

.
.
.
.;
. . .

‹.
.
са

обозналамп,
.

$

6

„и

и условные обозна-

чения
.
.
оо
$ 8. Осциллографические
электроннолучевые
трубки.
.
.
.
$ 9. Индикаторные и запоминающие электроннолучевые
трубки. . .
«©
«©
©
«© «6

Глава

ПУ. Ионные приборы...

‚

..

.

.

‹. .

о.

$ 10. Характеристика
электрического
разряда
в газах. Классификация и условные обозна*
чения ионных приборов.
‚.
. .
.
$ 11. Газотроны.
. . .
‹. .
о
$ 12. Тиратроны.
.. .
‚с, .
ew
о
$ 13. Стабилизаторы напряжения и тока.
.
$ 14. Неоновые лампы и элементы индикации.
Глава

У. Полупроводниковые

приборы.

‚ .

.

.

e

$ 15. Физические основы полупроводниковой электроники. Условные обозначения полупроводниковых приборов.
.
о
$ 16. Полупроводниковые диоды
о
$ 17. Транзисторы
. .
.
.
$
«©
«© о.
$ 18. Тириеторы.
.
.
. -«
$ 19. Основные правила
эксплуатации
полупроводниковых приборов.
.
+»
. .
.
.
$ 20. Микроэлектроника
ооо
Глава

УГ.

Фотоэлектронные
$ 21. Общая
чения

214

приборы

.»«

характеристика
e

e

e

e

;

.

.

©

и условные
i

e

e

e

«

в

обознаe

e

e

Глава

Выпрямители

УП.

®

=

г

$ 24. Фотоэлектронные
умножители
.-.
$ 25. Фоторезисторы
.
oe
$ 26. Фотодиоды и фототриоды
oe

e

oe

oe!

«

wigs

.
.

ese

$ 22. Вакуумные
фотоэлементы
.
$ 23. Газонаполненные фотоэлементы

ИИ

$ 27. Общая характеристика выпрямителей.
Схемы выпрямления
.
$ 28. Специальные выпрямительные схемы
.
$ 29. Выпрямительные устройства И преобразователи частоты
.
$ 30. Сглаживающие ‘фильтры .
. $ 31. Стабилизаторы напряжения и тока.
‹‚.
„
e

a

®

Глава VIII.

Электронные
$ 32. Общая

§ 33. Режимы
$ 34.
$ 35.
$ 36.
$ 37.

Глава

усилители.

.

.

$,

усилителей. `Классы

усиле.

ния. Частотные и фазовые
характеристики
усилителей .
.
И
Обратные связи в усилителях
oe
Усилители переменного тока. Одно- и MHOгокаскадные усилители.
Виды связи между
каскадами .
.
Усилители постоянного тока.
а
Номограммы
для
расчета
транзисторных
усилителей.
.. .
.

IX. Электронные

Литература

приборы и аппаратура для измерения параметров и проверки электронных схем
$ 38. Электронные измерительные приборы
$. 39. Электронные осциллографы .
$ 40. Приборы и аппаратура для измерения
метров и проверки электронных схем

136
138
139
148
150

150
157
168
169
174
178.

$

характеристика

работы

- ®

134

пара. ‚.

178

180
186

188
189
192
201
201
204
204
213

ГУРЕВИЧ БОРИС МАКСОВИЧ,
ИВАНЕНКО НИНА СЕРГЕЕВНА
СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО
РАБОЧЕГО
ПО ЭЛЕКТРОНИКЕ
ИБ
Редактор

М.

В.

Кобринская.

№

1311

Художественный

редактор

ник А. И. Шавард. Технический

редактор Н. В. Яшукова.
° линовская

Изд.

Сдано

в

усл.

печ.

№

Т-10124.

высокая.

ЭГ-— 301.

Формат

84Ж108/з›.

Объем

11;34

Бум.

Зак.

№

набор

тип.

л.

531.

№

24.08.77. `

3.

10,62

Цена

Подп.

Гарнитура

уч.-изд.

35 коп.

Т.

л,

В.

Панина.

Худож-

печать

30.05.78.

Корректор
в

М. М. Ма-

литературная.

Печать

Тираж

50000

просц.

Ленина,

экз.

Издательство «Высшая школа»,
Москва, К-51, Неглинная ул.. д. 29/14

Типография

изд-ва «Уральский

рабочий»,

г, Свердловск,

49,

y
ME

И,
И

Хх
Sy