Text
                    



СПРАВОЧНИК РАДИОЛЮБИТЕЛЯ ACTi, В двух частях 1 Р М ТЕРЕЩУК. Издание 7-е, стереотипное Р. М. ДОМБРУГОВ, Н Д БОСЫЙ, С И. НОГИН I В. П, БОРОВСКИЙ, А Б. ЧАПЛИНСКИЙ ИЗДАТЕЛЬСТВО „ТЕХН1КА“ КИЕВ — 1971
6Ф2.9(083) С74 УДК 621.396 (03) Справочник радиолюбителя. Р. М. Те решу к, Р. М. Домбругов, Н. Д. Босый, С. И. Но- ги и, В. П. Боровск и й, А. Б. Чап л и пеки й. В двух частях. Изд. 7-е.Ч 1. «Техшка», 1971, 696стр. В первой части справочника содержатся необходи- мые радиолюбителям свЧ^ення по электро- и радио- технике, элеюро- и радио-материалам, радиодеталям, моточным узлам радиоэлектронной аппаратуры, электрическим фильтрам, электронным, ионным и полу- проводниковым приборам, электроакустике, усилитель- ным, радиоприемным и радиопередающим устройствам. Справочник рассчитан на подготовленных радиолю- бителей. Содержащийся в нем справочный материал может быть полезен также техникам и инженерам, работающим в области радиоэлектроники. Табл. 183, илл. 374, библ. 105. Рецензент Л1. Л. Березовский, канд. техн, наук Редакция литературы по энергетике, электронике, кибернетике и связи Заведующий редакцией инж. 3. Б. Божко 3-4-1 БЗ №12 71М киевский полиграфический комбинат
Оглавление • Стр. Предисловие ............................................ 8 Глава 1. Сведения по электро- и радиотехнике § 1. Закон Ома ..................................... 9 § 2. Законы Кирхгофа........................ 10 § 3. Соединение сопротивлений............... 10 § 4. Мощность, работа и тепловое действие тока . . 13 § 5. Характеристики электрического поля .... 15 § 6. Емкость. Соединение конденсаторов..... 16 § 7. Термоэлектричество .......................... 17 § 8. Характеристики магнитного поля ............... 18 § 9. Индуктивность п взаимоиндуктивиость ... 19 § 10. Соединение индуктивностей............. 20 § II. Параметры синусоидального тока .............. 21 § 12. Сопротивления в цепи переменного тока ... 22 § 13. Последовательное и параллельное соединение ак- тивных и реактивных сопротивлений................ 24 § 14. Мощность переменного синусоидального тока 26 § 15. Несниусондальные токи . . . . ............... 29 § 16. Последовательный колебательный контур ... 29 § 17. Параллельный колебательный контур .... 31 § 18. Резонансная кривая колебательного контура. Добротность контура. Полоса пропускания. Из- бирательность ................................ 32 § 19. Связанные колебательные контуры.............. 35 § 20. Экранирование................................ 38 § 21. Диапазоны и некоторые особенности электро- магнитных волн................................... 43 Глава 11. Электро- и радиоматериалы § 1. Проводники................................... 44 § 2. Медные обмоточные провода..................... 45 § 3. Обмоточные провода высокого сопротивления 54 § 4. Монтажные провода............................. 58 § 5. Высокочастотные кабели........................ 63 § 6. Припои и флюсы................................ 65 § 7. Электроизолирующие материалы ................. 73 § 8. Ферромагнитные материалы ..................... 81 § 9. Пьезоэлектрические материалы ................. 98
4 Оглавление Глава III. Конденсаторы и резисторы § 1. Основные параметры конденсаторов...........100 § 2. Конденсаторы постоянной емкости............106 § 3. Подстроечные конденсаторы..................132 § 4. Конденсаторы переменной емкости . . 134 § 5. Основные параметры резисторов . . 135 § 6. Непроволочиые резисторы....................136 § 7. Проволочные резисторы......................141 Глава IV. Высокочастотные катушки индуктивности § 1. Катушки колебательных контуров.............146 § 2. Вариометры................................16.5 § 3. Дроссели высокой частоты...................1С6 Глава V Трансформаторы и дроссели с ферромагнитными магнитопроаодами § 1. Магпитопроводы ..........................163 § 2. Обмотки .................................175 § 3. Маломощные силовые трансформаторы .... 176 § 4. Автотрансформаторы ......................182 § 5 Низкочастотные дроссели .................184 § 6. Трансформаторы низкой частоты............185 § 7. Расчет выходных трансформаторов..........189 Глава VI Электрические фильтры § 1. Общие сведения ...........................................196 § 2. Фильтры типа К ...........................................197 § 3. Фильтры типа- т................... . . 199 § 4. Фазовые характеристики фильтров..........................203 § 5. Пьезоэлектрические фильтры . . . 205 § 6. Влияние потерь в элементах фильтра па его ха- рактеристики .....................................215 § 7. Монтаж и наладка LC фильтров .............................216 § 8. Пассивные RC фильтры.................•. . . 218 § 9. Активные /?С-фильтры .................219 § 10. Электромеханические фильтры ..233 Глава VII. Акустика и электроакустика § 1. Единицы и определения.237 § 2. Микрофоны .240 § 3. Громкоговорители и телефоны.246 § 4. Звукосниматели .259 § 5. Озвучивание....................... . . 263 § 6. Акустические системы для воспроизведения зву- ка ...............................................266 Глава VIII. Электронные и ионные приборы § 1 Электронные лампы ........................271 § 2. Полупроводниковые приборы ................315 § 3. Фотоэлектрические приборы ................397
Оглавление 6 § 4. Электронно-лучевые трубки ......................41'5 § 5. Передающие телевизионные трубки ................431 § 6. Газоразрядные приборы ..........................433 § 7. Стабилизаторы тока, термопреобразователи, тер- мосопротивлепия ................................. 446 Глава IX. Усилители звуковых частот § 1. Основные характеристики усилителей . . . 452 § 2. Питание цепей транзисторов и стабилизация ра- бочей точки .....................................455 § 3. Выходные каскады усилителей звуковых частот 460 § 4. Однотактные выходные каскады....................461 § 5. Трансформаторные двухтактные выходные каска- ды ..............................................472 § 6. Бестрансформаторные двухтактные выходные кас- кады ............................................481 § 7. Взаимосвязь между выходным каскадом н гром- коговорителем ...................................488 § 8. Предварительные усилители с реостатно-емкост- ной связью.......................................489 § 9. Предварительные усилители с трансформатор- ной связью ......................................497 § 10. Усилители с непосредственной связью .... 499 § 11. Фазоинверсные каскады ..........................500 § 12. Каскады с большим входным сопротивлением 503 § 13. Обратные связи в усилителях звуковых частот 506 § 14. Коррекция частотных характеристик . . . . 511 § 15. Регулировка в усилителях звуковых частот 511 § 16. Низкочастотные смесительные системы .... 516 § 17. Шумы в усилителях ..............................517 § 18. Стереофонические усилители......................520 § 19. Высококачественные усилители звуковой час- - тоты ............................................522 § 20. Практические схемы усилителей звуковых час- тот .............................................525 Г гава X. Радио1 риемиые устройства § 1. Основные характеристики .534 § 2. Скелетные схемы радиоприемников.....540 § 3. Эскизный расчет супергетеродинного радиопри- емника 544 § 4. Входные цепи.........................548 § 5. Растянутые поддиапазоны .555 § 6. Каскады усиления высокой частоты (УВЧ) . . 557 § 7. Преобразователи частоты........................."431 § 8. Гетеродины.....567 § 9. Сопряжение настроек контуров в супергетеро- дине 1 568 § 10. Узкополосные усилители промежуточной час тоты ............................................570 § 11. Детектирование AM сигналов......................588
6 Оглавление § 12. Амплитудные ограничители и частотные детек- торы .......................................589 § 13. Блоки УКВ вещательных радиоприемников 594 § 14. Автоматическая регулировка усиления . . . 596 § 15. Индикатор настройки........................600 § 16. Автоматическая подстройка частоты.........601 § 17. Прием телеграфных ситалов и однополосной телефонии .......................................602 § 18. Особенности автомобильных приемников . . . 606 § 19 Прием стереофонических радиопередач .... 608 § 20. Схемы карманных и переносных радиоприем- ников ...........................................611 § 21. Измерения основных параметров вещательных приемников.......................................616 Глава XI. Любительские радиопередатчики § 1 Диапазоны для лкйигЕлыжикрадаосвяэей . . . 622 § 2. Блок-схема передатчика ....................623 § 3. Основные сведения ® генераторах с независимым возбуждением.....................................625 § 4. Расчет телеграфных режимов генераторных ламп ............................................633 § 5. Выходные каскада тдарщтютво нояапх передат- чиков ...........................................646 § 6. ПромежуточняЕ каскады .................... 649 § 7. Лимиту давя ишдадищал ......................653 § 8. Задающие теперлтори и возбудители .... 661 § 9. Передатчик первой категории ................665 § 10 Передатчик второй категории ................673 § 11. Передатчик начинающего коротковолновика 675 § 12. Передатчик на 144 Мвц.......................678 § 13. Радиостанция на 420—435 Мец.................678 § 14. Передатчики на транзисторах ................679 § 15. SSB возбудитель «а транзисторах.............683 § 16. Передатчик для «Охоты на лис»...............686 § 17. Радиостанция «Недра П»......................687 § 18. Передатчик на транзисторах .................692
ПРЕДИСЛОВИЕ В первую часть (гл. I—XI) входят све- дения по электро- и радиотехнике, электро- и% радиоматериалам, конденсаторам, резисторам, катушкам индуктивности, трансформаторам, электрическим фильт- рам. акустике и электроакустике, электронным, ионным i полупроводниковым приборам, усилителям низкой часто- ты, радиоприемным и радиопередающим устройствам. Во второй части (гл. XII—XX) приводятся сведения по элементам и устройствам импульсной техники, аптек нам, измерениям и измерительной аппаратуре, элементам автоматики, телемеханики и вычислительной техники Отдельные глав'ы иосвящеиытелевидеиню, магнитной записи и радиолюбительским конструкциям для народного хозяй- ства . Цель справочника — дать радиолюбителю основные сведения, необходимые для расчета и конструирования различной радиоэлектронной аппаратуры. Наряду со спра- вочным материалом во многих случаях введен пояснитель- ный текст. Принцип действия тех пли иных устройств и физические процессы в них описаны только в отдельных случаях. Расчетные формулы приведены в виде, удобном для практического пользования С 1 января 1963 г. в СС( Р введена Международная система единиц — СИ (ГОСТ 9867—61). В настоящем спра- вочнике используются некоторые единицы старой системы наряду с новыми. Для перевода единиц старой системы, используемых в справочнике, в единицы СИ и наоборот при- водится таблица пересчета (см. Приложение, ч 2). Ссылки на литературу указаны в квадратных скобках В главе I § 16—21 и главы 11, HI, IV. V, \ II, IX, X,
8 Предисловие XIV, XV, XVI составлены Р М Терещуком; главы VIII и XIII — Р. М. Домбруговым; в главе I § 1—15 и § 1—7 и 10 главы VI и глава XVIII — Н. Д. Босым; главы XVII и XX — С- И Ногиным; главы XII и XIX — В. П. Боров- ским; глава XI — А. Б. Чаплинским. Отзывы и замечания просим направлять по адресу; Киев, 4, Пушкинская, 28, издательство «Техшка».
ГЛАВА СВЕДЕНИЯ I ПО ЭЛЕКТРО- И РАДИОТЕХНИКЕ § 1. ЗАКОН ОМА Закон Ома для участка цепи. Величина тока на участке цепи (рис. 1.1, а) прямо пропорциональна напряжению на концах этого участка и обратно пропорциональна его сопро- тивлению fbt я Я? Чч -4- Го ? откуда а Рис. 1.1. Схемы неразвет пленной цепи: а — с одним источником энергии; б — с тремя. тока в нер аз ветвленной цепи, R= — где / — ток в цепи, a; U — напряже- ние на концах цепи, в; R — сопротив- ление участка цепи, ом. Закон Ома для всей цепи. Величина содержащей один источник тока (рис. 1.1, а), прямо пропорциональна его э. д с. и обратно пропорциональна сопротивлению всей цепи /- * где Е — э. д. с. источника, в; гв — внутреннее сопротивление источника. Из этой формулы находим: IR — E — 1гй или U = Е — /г0. Следовательно, напряжение па зажимах источника тока меньше его э. д. с. на величину падения напряжения на внутреннем сопротивлении. При разомкнутой внешней цепи напряжение на зажимах источника тока равно его э. д. с. Ток в неразветвлепион цепи (рис. I 1, б), состоящей из нескольких последовательно соединенных источников тока и нескольких внешних сопротивлений, определяется по формуле где ХЕ Е, — Ег + Е3 — алгебраическая сумма э. д. с.; ER — сумма сопротивлений внешней цепи; 2 0 — сумма внутренних сопротивлений источников тока.
10 Сведения по электро- и радиотехнике § 2. ЗАКОНЫ КИРХГОФА Первый закон. Сумма токов, приходящих к узловой точке (рис. 1 2, о), равна сумме токов, уходящих от нее, Л + Л + 1з = Л + h- Если условно считать токи, приходящие к узловой точке, положитель- ными, а уходящие — отрицательными, то первый закон Кирхгофа можно Рис. 1.2. К закону Кирхгофа- и — узловая точка соединения проводников; б — замкнутый кон- тур, содержащий несколько э. д. с. и несколько сопротивлений. сформулировать так: алгебраическая сумма токов в узловой точке равна нулю: 1/ = 0. Второй закон. Во всяком замкнутом контуре (рис. 1.2, б) алгебр ап ческая сумма э д с. равна алгебраической сумме падения напряжений IE = I//?. При произвольно выбранном направлении обхода контура э. д. с. считаются положительными, если их направления совпадают с направле- нием обхода контура, и отрицательными—если не совпадают. Анало- гично падения напряжений считаются положительными, если направление тока в сопротивлениях совпадает с направлением обхода контура и отри- цательным — если не совпадает. Так, для контура абвг (рис. 1 2, 6) при обходе его по часовой стрелке можем написать Ej + Е2 - Е3 = + /2Е> - /3Ез ~ 1Л- На рис. 12, б не показаны внутренние сопротивления г0 источников snepiии. Они учтены путем соответствующего увеличения сопротивлений Rr. Ъ И Я3. § 3. СОЕДИНЕНИЕ СОПРОТИВЛЕНИЙ Последовательное соединение (рис. 1.3, а). Величина тока в любой точке неразветвленной цепи одна и та же / = Л=/»-/з
Соединение сопротивлений 11 Общее (эквивалентное) сопротивление равно сумме всех последователь- но соединенных сопротивлений R = /?i -J- R2 + R3. Общее напряжение (падение напряжения) равно сумме напряжений (падений напряжений) на отдельных участках цепи + + Рис 1.3. Схемы соединений сопротивлений: а — последовательного; б — параллельного. Напряжения на участках цепи прямо пропорциональны сопротивле- ниям этих участков IRi, U2 -IR2, U3=IR3 следовательно, , Uy Jh_ = _Ua_ U_ Ry R2 R3 R ' Параллельное соединение (рис. 1.3, б). Ток в неразветвленной части цепи равен сумме токов в ветвях / = /( + /2 + 13. Общая проводимость разветвления равна сумме проводимостей отдель- ных ветвей В — В1 + ёг + ёз- Общее сопротивление равно обратной величине общей проводимости R — и меньше наименьшего сопротивления. Общее сопротивление опре- ё деляется из формулы _L=J_ JL _L. R Ry Rz R* Ток в каждой ветви определяется согласно закону Ома: К— р —Ugg, /г-----------— —Ug2, !3--------Ug3 Токи в ветвях прямо пропорциональны проводимостям или обратно пропорциональны сопротивлениям ветвей
12 Сведения по электро- и радиотехнике Рис. 1.4. Номограмма для определения общего сопротивления двух параллельно соединенных сопротивлений. Для определения общего сопротивления двух параллельно соединен- ных сопротивлений можно пользоваться номограммой, приведенной на рис. 1.4. При пользовании этой номограммой все сопротивления необхо- димо брать в одинаковых единицах (в омах, килоомах, мегомах). Пример расчета приведен на номограмме. Если требуется определить общее сопротивление двух параллельно соединенных сопротивлений, ве-
Мощность, работа и тепловое действие тока 13 личины которых больше 18 и 25 о.ч, обе величины следует уменьшить в число раз, кратное десяти, чтобы можно было пользоваться шкалами номо граммы, а затем результат, найденный по средней шкале, увеличить в это же число раз Например, требуется определить результирующее сопротив- ление двух параллельно соединенных сопротивлений Rt = 1050 ом и R2 = = 620 ол. Уменьшив оба сопротивления в 100 раз, получим = 10,5 ом и Rn = 6,2 ом Затем по номограмме находим R' — 3,9 о.ч, увеличиваем его в 100 раз, после чего окончательно Если цепь состоит из п одинаковых параллельно соединенных сопротивлений Ri, то Делители напряжения (рис. 1.5). Со- противления неиагружеиного делителя можно рассчитать по формулам получим R = 390 ом. Рис. 1.5. Схемы делителей Ki------------> 1<2~ / 'д 'Д где — ток, протекающий через дели- напряжения; а — ленагруженного, 6 — на- груженного. тель. Сопротивления нагруженного делителя (рис. 1.5, б) рассчитываются по формулам п __ . р ___ 'н + ‘д ‘Д Ток делителя /д следует выбирать так, чтобы выполнялось условие /д 5>/н- При увеличении тока делителя уменьшается зависимость напряжения на выходе делителя U„ от величины сопротивления нагрузки R,,, однако возрастает потребление энергии от источника § 4. МОЩНОСТЬ, РАБОТА И ТЕПЛОВОЕ ДЕЙСТВИЕ ТОКА Мощность Р, выделяемая постоянным электрическим током в сопротив- лении, . и2 Р = Ul = PR = вт, где I — ток в сопротивлении, a; R — сопротивление ом; U — напряжение на сопротивлении, в. Мощность, развиваемая источником тока, P = EI = PR+Pr0, где PR — мощность, выделяющаяся во внешней цепи; Ргв — потеря мощ- ности внутри источника тока- Максимальная мощность во внешней цепи будет при равенстве сопро- тивлений внешней цепи и внутреннего сопротивления источника тока. Необходимо учитывать, что при этом коэффициент полезного действия.
14 Сведения по электро- и радиотехнике г-1000 •700 -500 -ООО 1-300 -200 —100 —70 >50 • 9 -30 z Qj- 1-20 1 Формулы P*UI-FR=% К 7- 100000-ъ 50000/ 30000-^ 20000-: 1000О/ 5000-1 3000- 2000 1000 500—. зоо/ 200-3 100 50 30 20-^ 10- Л-- 3-1 2 е. -100 •50 /30 20 10 Находим: 1=3,6ма Р-16 мВт 2-0,5 | -о.з F -0,2/ Гример Дано/ U = 4,48 R =1,2 ком 10 I 20- - 5 30- Схема пользования /0,1 g 70- 100* 01.- 50- •7 5Г ?5 - /3 ч 0.5- 0.3/ 02- 0,1- 0.05- 0,03. 002— 0,01- —0,05 .-О 03 -оо? 0,01 t-1 200 300. 400-'- 500'- 700- 1000 Рис. 1.6. Номограмма для определения /, Ut R и Р по двум заданным величинам.
Характеристики электрического поля 15 равный отношению полезной мощности (во внешней цепи) ко всей разви- ваемой источником мощности, составляет только 50% . Для ускорения расчетов можно воспользоваться номограммой, приве- денной на рис. I, 6. Работа тока U2 A = Pt = !Ut = r2Rt=-^~ t дж, J\ где t — время, сек. Количество тепла, выделяющееся в проводнике при прохождении тока, Q = 0,24(7// = 0,24/2 = 0 24 t кал_ R При расчете теплового действия тока пользуются эквивалентом тепла 1 ккаг — 4184 дж — 1,16 втч п тепловым эквивалентом работы , 1 кГм = 2,34 ка.г, 1 кет ч = 860 ккал. На тепловом действии тока основана работа нагревательных приборов, ламп накаливания, плавких предохранителей, электросварка, плавление, пайка и т. д. Количество тепла, выделяющееся на каждом из последовательна со- единенных сопротивлений, прямо пропорционально величине этих сопро- тивлений. При параллельном соединении сопротивлений количество тепла, выделяющегося на каждом сопротивлении, обратно пропорционально вели- чине этих сопротивлений. § 5. ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ Интенсивность действия электрического поля характеризуется напря- женностью Е. Напряженность электрического поля численно равна количеству электрических силовых линий, проходящих через единицу поверхности, перпендикулярной к направлению силовых линий. • Если во всех точках поля напряженность одинакова по величине и направлению, то такое поле называется однородным. Напряженность поля измеряется в вольтах на метр (ал). Величина, характеризующая вещество, находящееся в электрическом поле в отношении его участия в электрических явлениях, называется ди- электрической проницаемостью вещества. Диэлектрическая проницаемость вакуума обозначается е. и называет- ся диэлектрической постоянной. Обычно диэлектрическую проницаемость е любого вещества принято сравнивать с диэлектрической постоянной. Относительная диэлектрическая проницаемость е Диэлектрическая проницаемость вакуума равна единице, а воздуха практически равна единице (е, = 1,0006).
16 Сведения по мектро и радиотехнике % 6. ЕМКОСТЬ. СОЕДИНЕНИЕ КОНДЕНСАТОРОВ Электрическая емкость конденсатора С = -^-к/в, Где q — заряд на обкладках конденсатора, к; U — напряжение на обклад- ках, в. Кулон на вольт называется фарадой. 1ф = 10® мкф; 1 мкф = 10® пф (мк.чкф); 1 пф — 0,9 см. Емкость плоского конденсатора с 0,88erS а где С — емкость, пф; S — площадь обкладок конденсатора, слг; ег — отно- сительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика, находящегося между обкладками конденсатора; а — расстояние между обкладками, мм. Емкость плоского конденсатора, состоящего из п параллельно соеди- ненных сбкладок, с 0,88efS (n — 1) а Последовательное соединение конденсаторов (рис 1.7, а). Общее напряжение равно сумме напряжений па отдельных конденсаторах Рис. I 7. Схемы соединения конденсаторов: а — последовательного: б — параллельного Напряжения на конденсаторах обратно пропорциональны их ем- костям С1 ьз Такое распределение напряжений наблюдалось бы только при отсут- ствии проводимости у конденсаторов. Если же сопротивления между обкладками (сопротивления утечки) конечны по величине, то напряжения постоянного тока на конденсаторах будут пропорциональны их сопротив- лениям утечки. Поэтому при последовательном включении конденсаторов их шунтируют внешними сопротивлениями, чтобы напряжения на них
Термоэлектричество 17 определялись величинами этих сопротивлений, а ие случайными значени- ями сопротивлений утечки. Общая емкость определяется по формуле X = _L _L С Сх с2 с3 и будет меньше емкости наименьшего конденсатора данной цепи. При последовательном соединении двух конденсаторов общая емкость С - Общую емкость можно определить и по номограмме (рис- 1-4), но вместо Ri и R2 необходимо брать и С2 в одинаковых единицах (мкф, пф и т. д.). При последовательном соединении п конденсаторов одинаковой емкос- ти общая емкость С = п Напряжения на последовательно включенных двух конденсаторах С. Ut—U U Q + Q ' Параллельное соединение конденсаторов (рис. 17, б Напряжения па каждом конденсаторе одинаковы и равны U. Общая емкость С равна сумме емкостей параллельно соединенных конденсаторов С — *-'1 “г ^2 l '-'3- При параллельном соединении п конденсаторов одинаковой емкости Q общая с.мкость С — С,п. § 7 ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСТВО Явление преобразования энергии внутреннего теплового движения элементарных частиц веществ в электрическую энергию называется тер- моэлектричеством . Если точку в соприкосновения двух разнород- ных веществ (рис. 1.8) подогревать, то на холодных концах а п б этих веществ возникает э. д. с., по- лучившая название термо-э. д. с. Величина этой э. д. с. зависит от химических свойств соприка- сающихся веществ п разности температур между концами а—б и в. Термо-э. д. с. особенно велики у некоторых полупроводников Система, состоящая из двух разнородных ме- таллов или полупроводников, соединенных между собой и служащих для получения термо-э. д. с., называется термопарой. Для сравнительной опенки ниже приводятся значения их термо э. д. с. на 1° С. Рис I 8. Схема вклю- чения термопары различных термопар
18 Сведе ия по электро- и радиотехнике Термо-э. д. с. некоторых термопар, мв град Термопара Термо-э. д. с. Термопара Хромель-алюмель * 420 » -копель ** 620 Железо-константан 53 Манганин-константан Никель-железо Серебро-платина Медь-манганин Термо-э. д. с. 50 34 12 1,5 Термопары используются для измерения температур, как датчики температуры (см. гл. XVIII). В измерительной технике термопары исполь- зуются для преобразования переменного тока (обычно тока высокой часто- ты) в постоянный (см. гл. XVII). Термопары, электрически соединенные между1 собой в батареи и слу- жащие для получения электрической энергии, называются термогенера- торами. Термогенераторы, состоящие из термопар, хромель-алюмель или хро- мель-копель, подогреваемые керосиновой осветительной лампой, исполь- зуются для питания экономичных приемников постоянного тока в неэлек трифицированных сельских местностях. Коэффициент полезного действия этих термогенераторов составляет примерно 7%. § 8 ХАРАКТЕРИСТИКИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ Магнитное поле создается постоянными магнитами и проводниками, по которым проходит ток. Для характеристики магнитного поля вводятся такие величины. Напряженность магнитного поля — интенсивность магнитно- го поля в данной точке пространства Напряженность магнитного поля, создаваемого током, определяется его величиной и формой проводника. Напряженность магнитного поля внутри катушки, у которой длина намно- го больше диаметра, можно определить по формуле И — а/.н, где /—ток, с; w—число витков; I — длина катушки, Магнитный поток — общее количество магнитных силовых линий, пронизывающих контур. Для вакуума и практически для воздуха магнитный поток Ф = Я$ еб, где S — площадь контура, л2. Магнитная индукция — интенсивность результирующего магнитного поля в данном веществе В = тл. *** • -Хромель — сплав, содержащий около 90% никеля и 10% хрома. Алюмель — сплав, содержащий 95% никеля, а остальное — алклиний, кремний и магний. ♦* Копель — сплав, содержащий 40,5% никеля н 56,5% меди. В справочных таблицах и расчетных с]юрмулах магнитная индукция выража- ется в гауссах в связи с тем, что эта единица используется в литературе и в завод- ских каталогах.
Индуктивность и взаимоинд активность 19 Магнитная проницаемость — величина, показывающая, во сколько раз магнитная ицдукция в данном веществе больше или меньше напряжен ности внешнего поля Р — -Ц ом сек!м- Магнитная проницаемость вакуума (магнитная постоянная) равна единице. Для воздуха ря* 1. У парамагнитных веществ (алюминий, пла- тина) р > 1, у диамагнитных (медь, висмут и др.) р < 1, а у ферромагнит- ных (железо, никель, кобальт и некоторые сплавы) р > 1. В соответствии с приведенными выше формулами для любого вещества можем написать Ф - fiS - p//S. Кроме Международной системы единиц СИ пользуются абсолютной электромагнитной системой единиц. Соотношение между единицами эт< \ систем следующее: 1 ~ = 12,56 • 10 3 э (эрстед); 1 вб = 10s мкс (максвелл); 1 тл = 10* гс (гаусс). § 9. ИНДУКТИВНОСТЬ И ВЗАИМОИНДУКТИВНОСТЬ Индуктивность (коэффициент самоиндукции) численно равна э. д. с. самоиндукции (ед), возникающей в проводнике (контуре) при равномерном изменении тока в нем па 1 а в 1 сек. и —------ м А/ Индуктивность измеряется в следую- щих единицах: 1 ан = 1000 лая; 1 мгн = 1000 мкгн; Рис L9‘ Индуктивно свя- ’ ’ занные цепи 1 мкгн — 1000 см — 1000 нгн. Коэффициент взаимоиндукции численно равен э. д с. взаимоннду ь цин, возникающей в одном контуре при равномерном изменении тока ин 1 а в 1 сек в другом контуре (рис. 1.9):
20 Сведения по влектро- и радиотехнике Коэффициент взаимоиндукции измеряется в тех же единицах, что и ИНД ктивность. Связь через общий магнитный поток двух катушек индуктивностью и называется индуктивной связью, характеризуемой коэффициентом связи М k = ПА ‘ Зная коэффициент связи, можно определить коэффициент рассеяния Если катушки находятся па общем замкнутом ферромагнитном сер- дечнике достаточно большого сечения, то k 1, а ст яе 0. § 10. СОЕДИНЕНИЕ ИНДУКТИВНОСТЕЙ Общая индуктивность L нескольких последовательно или параллель- но соединенных индуктивностей при отсутствии, а также, при наличии индуктивной связи между ними определяется по формулам, приведенным в табл 1.1. Таблица I I Параллельное и последовательное соединение индуктивностей Общая индуктивность L = Lt -|- L-2 + L3 —— аз-k- -- -J- L L3 ' L.^ L3 L~Lt + L2 ±2M ) ж ^A Ej + ) Верхний знак берется при согласованном, нижний — при встречном включениях.
Параметры синусоидального тока 21 Продолжение табл 1.1 Схема соединенид Общая индуктивность L,L> — М2 ') £, 4- т 2М Общую индуктивность двух параллельно соединенных индуктивностей (при М = 0) можно определить и но номограмме (рис. 1.4), но вместо Rt и R2 следует брать Л, и L2, выраженные в одинаковых единицах (гн, мгн, мкгн). § 11. ПАРАМЕТРЫ СИНУСОИДАЛЬНОГО ТОКА П е р и о д Т (рис. I 10, а) — время, в течение которого периодически изменяющаяся величина а проходит полный цикл своего изменения. Период измеряется в секундах. Так как периоду соответствует изменение фазы на 360° или 2л радиан, то по осн абсцисс можно откладывать вместо времени соответствующие значения угла (рис. 1.10, б). Частота — количество пе- риодов в секунду Частота измеряется в следую- щих единицах: 1 Мгц = 103-кгч — 10е гц; 1 кгц = 1000 гц. Рис. I 10. Графики синусоидаль- ного тока- а — с начальной фазой, рапной нулю: б — с начальной фазой ф. К р у.г о в а я кунд частота — количество периодов за 2л (6,28) се- ет — 2nf = 2л 1 Т сек Длина волны излучения X определяется по формуле \=сТ где с — скорость света, равная приблизительно 300 000 км/сек. Взаимозависимости между частотой и длиной волны приведены в табл I 2. Фаза, фазовый угол ф — угол, определяющий значение периоди- чески изменяющейся величины в данный момент времени. Начальная фаза — фазный угол в начальный момент времени (угол ф на рис. 1.10, б)
22 Сведения по электро- и радиотехнике Таблица J.2 В аимозависимость между частотой и длиной волны Перевод длины волны в частоту Перевод частоты в длину волны , с 3- 108 3. ю» 1 с 3-108 з - 10Б <[гч] — » — , т А (KJH) f 3 • 103 <[кгч] “ т А(ж) ' 300 3- 10* 1[Мгц] = - — , л(.ч) л(сл) М f 'f^ 300 (Мгч) , 3-10* Л[>] г 1(Мгц) моментов достижения одинаковых Сдвиг фаз — сдвиг времени значений (например, нулевых, положительных или отрицательных макси- мальных значений) двух синусоидальных вел 1чин одной и той же частоты. Угол сдвига фаз <р равен разности на- чальных фазных углов. На рис. 1.11 приведены синусоидальных напряжения сдвинутых по фазе на угол ф = 4'i — ’fe- М г и о в ен ное з и а Рис I II. Кривые тока и на- пряжения, сдвинутые по фазе на угол <р. кривые и тока, ч е н и е (рис. 1.10, б)— значение величины в данный момент времени а = Ат sin (<о/ Ч- ф). Амплитудное значение Ат — наибольшее нз мгновенных зна- чений. Действующее (эффективное) значение величины, изменяющейся по синусоидальному закону А А = Л- = 0,707Л„„ ] 2 Среднее за полупериод значение синусоидально изменяющейся величины 2 Аср = — = 0,637А,„ = 0,451 А. § 12 СОПРОТИВЛЕНИЯ В ЦЕПИ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА Активное сопротивление (рис. 1.12). Если к активному сопротивлению приложено напряжение u — Um sin (0)1 4- ф),
Сопротивления в цепи переменного тока 23 то по нему будет протекать ток • ‘ = rm si" («( 4- 4). Ток и напряжение в цепи с активным сопротивлением совпадают по фазе. Максимальные и действующие значения тока и напряжения: Um = lmr, U = /г. Индуктивность (рис. 1.13). Если к индуктивности приложено напряжение и = Um sin (tot + ф), то по ней будет протекать ток i = lm sin («/ -J- ф — 90°). Рис. 1.12. График тока и напряжения в цепи с ак- тивным сопротивлением. Рис. 1.13. График тока и напряжения в цепи с ин- дуктивностью. Следовательно, ток отстает от напряжения по фазе на четверть периода, или на ЭОЛ Индуктивное (реактивное) сопротивление катушки г nr, 2л , xl = v>L — 2n.jL = L ом, где L — индуктивность, гн, или 1880 L где L — индуктивность, лкгн; X — длина волны, м.
24 Сведения по электро- и радиотехнике Индуктивная првводимость катушки L eoL Емкость (рис. 1.14). Если к емкости приложено напряжение и = Um sin (tel + ф), то по ней будет протекать ток i = lm sin (wt 4- ф + 90е). Следовательно, ток опережает напряжение по фазе на четверть периода, или на 90°. Емкостное (реактивное) сопротивление кон- денсатора _ 1 1 С шС(ф) 2п^(ф) 10е _ 1012 " 2«/С(жкф) “ 2.^С(пф) ом‘ пли Рис. 1 14 График тс- _ 530 ка и напряжения в хс g ’ цепи с емкостью. где X — длина волны, м, С — емкость, пф. Емкостная проводимость конденсатора Ьс = юС. Реактивное сопротивление можно определить по нсмограмме (рис. 1.15) § 13. ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ И ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ АКТИВНЫХ И РЕАКТИВНЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ Если определять действующие значения напряжения и тока, то фор- мально все расчетные формулы для цепей переменного тока, состоящих из последовательно или параллельно соединенных активных сопротивле- ний, такие же, как и для цепей постоянного тока. При расчете цепей переменного тока, состоящих из активных и реак- тивных сопротивлений, пользуются величинами полного сопротивления г, полной проводимости у, активной проводимости g и реактивной прово- димости Ь. Сопротивление цепей, состоящих из последовательно соединенных активного и реактивного сопротивлений, определяют по формулам: г = У г2 -ф х2; г = г cos <р; х = г sin <р; , 1 г н Х x = rtg(₽; (/ = -; Ь = ~#' где
Соединения сонрзтишений 25 Рис 1.15 Номограмма дли определения реактивных сопротивлений по заданной частоте и индуктивности или емкости, а также для определения резонансной частоты контура.
26 Сведения по электро- « радиотехнике —; sin <р = — ; tg <р = — У У В для простейших цепей переменного тока приве- При параллельном соединении активного и реактивного сопротивле- ний (проводимостей) сопротивления цепей рассчитываются по формулам: у—У^+Ь2; g = »/cos<p; b = у sin <р; b = g tg <p; z = где . cos <p = Расчетные формулы депы в табл. I 3 и I 4. § 44. МОЩНОСТЬ ПЕРЕМЕННОГО СИНУСОИДАЛЬНОГО ТОКА Мгновенная мощность в вольт-амперах (ел) — мощность в данный момент времени р = iu- Активная мощность в ваттах (вт) — мощность, выделя- ющаяся в активном сопротивлении и расходующаяся на его нагревание. р = Г-г = U1 cos <р = Реактивная мощность в вольт-амперах реактивных (вар)—мощность выделяющаяся в реактивном сопротивлении и расхо- дующаяся на создание магнитных или электрических полей, Рр — Рх —UI sin <р. Кажущаяся и л н полная мощность Рк = рг ~Щ = И^ + Рр ва. Коэффициент мощности (косинус угла сдвига фаз между иапряженпем и током) Р г g cos <р = = — = — . v рк г у Энергия магнитного ноля катушки индуктивности W^-^-LPdn, где L — индуктивность, гн; / — ток, а. Энергия электрического поля конденсатора Ц7э= cun дж, где С — емкость, ф', U — напряжение, в.
Мощность переменного синусоидального тока 27 Последовательное соединение активных и реактивных сопротивлений -О be 3 К. «а 3 4- ч. СМ 8 + 'к. . & g 1 4- г2ш2С3 1 + л2ш2С2 G 3 & 8 < а: а: & е-1 3 г> к. 4- CJ о см 3 1 т а: » с» 0'1 3 + ч. о 3 У 1+г 2ш2С2 8 а: >- Схема г tg <р *1 м я 3 4- К. 4 ем U _ О™ А ф—II—CZ1—* ft 1 3 я у
28 Сведения по электро- и радиотехнике (V I I £ <Ь 3} ч| 3 э 3 ч 1 * 5 r(l — &LC) 3 & га 3 г + и С4 3 1 II ? ем С-1 3 + CJ ч, •и 3 1 3 II 3 ч м з + СМ X ч £ 3 ’ч 4- + ;< Л 3 О1 Ч 4- о» G СМ 3 1 ч_-- & сч 3 см Ч 4" 3 & 3 О1 Ч 4~ G ет 3 1 9 ч 3 + С? G1 3 2 -о 3 соС .. й: 3 4- гм Ч 5 ыЛ (1 + г2ш2С'2) 3 1 3 — ч — I» ч “«J 3 4- ч с, с» 3 ч и 3 •м ч J_ тЧ 1- =21 J г- w'2t- 1 zJzwz' — 1 /1 ч 7^ 3 м Ч 4- СМ G О 3 1 У г2 + ш2£2 гОг^ё7 + — 1) А aL У1 + г2ш2С2 - С1 с |Г 0 A W J VM raL | Схема ‘zs ч] Г -J L г
Несинусоидальные токи 29 § 15. НЕСИНУСОИДАЛЬНЫЕ ТОКИ Периодическую иесинусоидальную кривую в общем случае можно представить постоянной составляющей и суммой бесконечного числа сину- соидальных и косинусоидальных кривых (гармоник), частоты которых кратны частоте повторения Рис. 1.16. Несинусоидальные кривые, состоящие из основной частоты и гармоники третьего порядка: а — с одинаковыми начальными фазами; б — с разными начальны- ми фазами. Если несинусоидальная кривая симметрична относительно оси времени (оси абсцисс), то она не содержит постоянной составляющей и гармоник четного порядка. На рис 1.16 а н б при- ведены примеры таких кривых, состоя- щих из основной частоты и гармоник третьего порядка с одинаковыми и разны- ми начальными фазами. Несинусоидальпые токи, изменяющие- ся по величине и неизменяющиеся но направлению, называются пульсирую- щими. Пульсирующий ток или напряжение (рис. 1.17, б, в) состоит из постоянной составляющей, гармоник основной частоты и нечетных гармоник, а пульсирующий ток или напряжение (рис. I 17, а) состоит из постоянной составляющей и гармоник четного порядка (основная частота отсутствует). Активная мощность иесинусоидалыюго тока равна сумме активных мощностей его гармоник Р = Р1 + Р-1+Рз+ +Рп. Рис. I 17. Формы пульси- рующих токов. § 16. ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ КОНТУР Цепь, состоящая из последовательно соединенных индуктивности, емкости и активного сопротивления (рис. I 18), при определенных соот- ношениях между элементами называется последовательным
30 Сведения по мектро- и радиотехнике колебательным контуром. Обычно сопротивление г не суще- ствует как отдельный элемент колебательного контура. Оно характеризует величину потерь энергии в колебательном контуре и называется сопротив леиием потерь. Потери энергии в контуре состоят из потерь энергии в проводе катушкн, соединительных проводах, экра- нах, диэлектрических потерь в изоляции проводов, диэлектрике конденсатора, каркасе катушкн, потерь на излучение в окружающее пространство и др. Ток в контуре зависит от частоты э. д. с. На высоких частотах реактивное сопротивление индук тивностн больше, чем реактивное сопротивление емкости. На низких частотах большее значение принимает реактивное сопротивление емкости. При некоторой частоте абсолютные значения реактив- ных сопротивлений емкости и индуктивности ста- новятся равными между собой, а полное сопротив- ление контура становится минимальным и равным активному сопротивлению г При этом ток в контуре имеет максимальную величину н определяется отношением ' Т глист а напряжения па индуктивности и емкости равны, противоположны по фазе и достигают значительно большей величины, чем э. д с. генератора Е. Эго явление называется резонансом, а частота, при которой происходит резонанс,— резонансной частотой контура. Резонанс в последовательном колебательном контуре называется после- довательным резонансом, или резонансом напря- жен и й. -Резонансную частоту можно определить по формуле f .. 1 '° 2л Г£С ’ где /о — резонансная частота контура, гц; L — индуктивность контура, гн, С — емкость контура, ф. Эту формулу можно представить в следующих вариантах, удобных для практических расчетов: ICO LMK,H Cmb = м feu ~ г --- ". MnUri flip • СЦ -mt J У ЬгнЬмкф LcmCcm = 253V м’ Рис. I 18. Схема последовател ьного колебательного контура. 1,88 У^СмкгнСПф — Х.ж; fKg[{ = --—— > V ьмгн^пф й 2,53 • 10Ю — £ С л ’ 3’^мкгнСпф — ^м- мкгнпф Резонансную частоту контура при известных величинах L и С можно также определить по номограмме (рис. 1.15).
Параллельный колебательный контур 81 § 17. ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ КОНТУР Параллельный колебательный контур отличается от последовательного способом включения источника колебаний (рис. I 19). С повышением частоты сопротивление емкостной ветви уменьшается, и ток в пей растет, сопротивление индуктивной ветви увеличивается, а ток в ней уменьшается (рис. 1.20). При некоторой частоте /0, называемой ре- зонансной, реактивные сопротивления ветвей становятся численно равны- ми. При этом токи индуктивной и емкостной ветвей также равны. Такой режим в параллельном колебательном контуре называется резонан- сом токов. Рис. 1.20 Графики зави- симостей токов п полного сопротивления одиночного колебательного контура от частоты. Рис. I 19 Схема вклю- чения параллельного колебательного кон- тура. Ток генератора напряжение на контуре и эквивалентное сопротивле- ние контура между точками а и б (рис. 1.19) связаны соотношением U Z / = Токи в ветвях равны напряжению на контуре, деленному па сопротив- ления соответствующих ветвей, т. е. / -JL / При резонансе эквивалентное сопротивление параллельного колеба- тельного контура носит активный характер, максимально по величине и выражается следующим соотношением: (со^)2 _ 1 Оэ г г(ы„С)2 Сг г ' где г — rL -|- гс — суммарное сопротивление потерь в контуре; ы, «= = 2л/с — круговая резонансная частота; р — 1/ — волновое сопро- тивление контура.
32 Сведения по злектра- и радиотехнике § 18. РЕЗОНАНСНАЯ КРИВАЯ КОЛЕБАТЕЛЬНОГО КОНТУРА. ДОБРОТНОСТЬ КОНТУРА ПОЛОСА ПРОПУСКАНИЯ ИЗБИРАТЕЛЬНОСТЬ Зависимость тока в контурё или напряжения на контуре от частоты подводимого напряжения или тока называется резонансной кри- вой. Резонансную кривую можно представить уравнением U 1 где Uo — напряжение на контуре при резонансе; U — напряжение при расстройке; х — обобщенная расстройка, Рис. 1.21. Резонансные кривые одиночного коле- бательного контура при различной добротности Рис. I 22. Определение полосы пропускания и избирательности одиночного колебательного кон- тура по резонансной кривой. — резонансная частота контура; f — частота действующей на контур э. д. с.; Q — добротность контура _ ь>0/. _ 1 4 г ги>0С Для небольших расстроек (порядка нескольких процентов от резо- нансной частоты) величину обобщенной расстройки приближенно можно выразить следующей формулой: x^^Lq. fB где А/ — /0 — f — расстройка. Добротность Q является одним из важнейших параметров колеба- тельного контура. Она характеризует остроту резонансной кривой. Из уравнения резонансной кривой и рис. 1.21 видно, что чем больше Q, тем
Резонансная кривая колебательного контура 33 острее резонансная кривая, так как при больших Q даже небольшая рас- стройка вызывает значительное уменьшение тока в контуре но сравнению с резонансным Величина, обратная добротности, называется затуханием кон- тура Рис. 1.23. Избирательность одиночного колебатель- ного контура. Полосой пропускания контура называется полоса частот, находящаяся в пределах, ограниченных значениями напряжений U =• = О,7О7С7о (рис. 1.22), ДГ = 2Д^ = ^-. Относительной полосой пропускания называет- ся отношение абсолютной полосы пропускания к резонансной частоте AF 1 Q Избирательностью, или селективностью при заданной рас- стройке называют обычно величину, показывающую, во сколько раз на- пряжение на контуре при расстройке меньше напряжения при резонансе ^1. У 2 1-иоз
34 Сведения по электро- и радиотехнике Избирательность колебательного контура можно определить по резо- нансной кривой (рис. 1.22). Для расстройки &f2 помеха ослабляется в d раз. Для ускорения расчетов удобно пользоваться графиками (рис. 1.23). Избирательность можно выразить в децибелах dd6 = 20 lg d. Рис. 1.24. Зависимости то- ка источника колебаний и напряжения на колеба- тельном контуре от часто- ты при различных соотно- шениях между внутренним сопротивлением источника Диет и резонансным со- противлением контура Дое- Форма резонансной кривой цепи, состоящей из параллельного коле- бательного контура и источника (рис. I 19), зависит от величины вну- треннего сопротивления источнпка колебав й Дист, например внутреннего сопротивления R, усилительной лампы. На рис. 1.24 показаны графики зависимостей тока в цепи источника колебаний и напряжения па параллельном ко- лебательном контуре от частоты колебаний при различных соотношениях между Дист и резонансным сопротивлением контура ДОе при постоянной э. д. с. источника Е. Чем больше внутреннее сопротивление источ шка при не- изменных параметрах контура, тем меньше зависит от частоты ток в цепи источника, тем острее резонансная кривая контура Эквивалентную (действующую) доброт- ность параллельного колебательного конту- ра с учетом влияния внутреннего сопро- тивления источника Д11СТ можно определить по формуле Q3 =- Q-----------. 14- <2-^— Кист где Q — добротность контура без учета вли- яния /?нст; р— волновое сопротивление кон- тура, Р ~ W°L ' Х’с'' Величины р и Д11СТ должны быть выра- жены в одинаковых единицах. Приведенной формулой для Q3 можно пользоваться для учета влияния на добротность цепи различных шунтирующих сопротивлений (сопротив- лений утечек, ламп, входных сопротивлений ламп н детекторов н др.). В этом случае вместо величины Дист в формулу следует подставлять вели- чину шунтирующего сопротивления. Пример Данные контура: С — 200 1ф, L = 200 мкгн, Q 60. Параллельно контуру включено сопротивление Дш = 100 ком. Определить эквивалентную добротность. Волновое сопротивление Р /200 • 10~6 , -------- — 1000 ом = 1 ком 200 - 10~12
Связанные колебательные контуры 35 Эквивалентная добротность <2э = 60------!-----= 37,5. 14-60 — т 100 Для расчетов контуров удобно пользоваться обобщенными резонансными кривыми Обобщенная резонансная кривая одиночного колебательного кон- тура, приведенная на рис. 1.25, построена для небольших рас строек. По данной добротности контура (?э н резонансной ча- стоте можно вычислить для лю- бых значений абсолютных рас- строек Д/ величины х и по обоб- щенной резонансной кривой найти избирательность. Можно решать и другие задачи, напри- мер, находить добротность по заданной избирательности, ра- бочей частоте и расстройке. Пример. Для контура, настроенного на частоту /0 = = 400 кгц, при расстройках в пределах ± 6 кгц ослабление сигнала не должно превышать 3 дб (1,41 раза). Определить максимальную допустимую доб- ротность. Для Рис. 1.25. Обобщенная резонансная кривая одиночного колебательного контура. У UB 1,41 0,707 по обобщенной кривой (рис. 1.25) находим х — 1. Отсюда 2Д)5 1 400 2 - 6 да 33. § 19. СВЯЗАННЫЕ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ КОНТУРЫ Колебательные контуры, размещенные или соединенные так, что колебательная энергия одного из них может передаваться другим, назы- ваются связанными контурами. Степень связи характеризуется коэффициентом связи ЛС1), который может иметь значения от 0 до 1 или от 0 до 100%. В радиоцепях, содержа- щих связанные контуры, Асв имеет обычно величину от долей процента до нескольких процентов, изредка до нескольких десятков процентов. Коэффициент связи, равный 100%, практически не встречается. Контур, получающий энергию от генератора, называется первич- ным Контур, получающий энергию от первичного, называется вторичным. 2*
36 Сведения по электро- и радиотехнике Рис. 1.26. Графики зависимостей то- ков в связанных контурах от частоты при различных коэффициентах связи. Вторичный контур оказывает обратное воздействие на первичный, уменьшая в нем ток Можно сказать, что вторичный контур вносит в пер- вичный некоторое дополнительное сопротивление, называемое вноси- мым сопротивлением Когда вторичный контур настроен в ре- зонанс с частотой генератора, то он вносит в первичный контур только ак- тивное сопротивление, которое тем больше, чем сильнее связь. Величина вносимого сопротивления характеризует переход энергии из первичного контура во вторичный А когда вторичный контур не настроен точно в ре- зонанс иа частоту генератора, то он вносит в первичный контур ие^только активное сопротивление, по и некоторое реактивное сопротив- ление, индуктивное или емкост- ное, в зависимости от того, в ка- кую сторону расстроен вторич- ный контур. Таким образом, вторичный контур, будучи сам расстроен, нарушает также на- стройку первичного контура. Если два контура, связан- ные один с другим, настроены на одну и ту же частоту, то процессы, происходящие в такой системе, очень сильно зависят от коэффициента связи (рис. 1.26). При малом коэффициенте связи зависимость первичного тока lv от частоты (рис. 1.26, а} при- ближается к резонансной кри- вой первичного контура, рас- сматриваемого отдельно. Вто- ричный ток /2 мал и изменяется с частотой по кривой (рис. 1.26, б), представляющей собой приблизительно произведение резонансных кривых первичного и вторичного контуров, взятых в отдельности. При увеличении коэффициента связи кривая пер- вичного тока становится шире и его максимальное значение уменьшается. В то же время вторичный ток возрастает, а острота его резонансной кривой уменьшается. Такой процесс продолжается до тех пор, пока связь ие достигнет величины, при которой активное сопротивление, вносимое вторичным контуром в первичный при резонансе, станет равным активному сопротивлению первичного контура. Эта связь называется критической связью При ней вторичный ток достигает своего наибольшего возможного значения Кривая вторичного тока в непосредственной близости к резонансу несколько шире, чем резонансная кривая отдельного вторичного контура, а кривая первичного тока имеет два максимума. При еще большей связи максимумы кривой первичного тока выражены более резко и раздвинуты дальше один от другого. В то же время появляются два максимума и на кривой вторичного тока, которые с увеличением связи также становятся
Связанные колебательные контуры 37 более резко выраженными и отодвигаются дальше один от другого. Если добротности контуров не равны, то двугорбость в кривой вторичного тока появляется при связи несколько большей критической. Связи между контурами бывают нескольких видов (рис. 1.27). Наи- более часто встречается индуктивная, или трансформаторная, связь б С2 Ссб М а Рис. 1.27. Схемы связей между контурами а — индуктивной; б — внут- риемкостной; в — знешнеем- костной; г — автотрансфор- маторной. Рис. 1.28. Контуры с ком- бинированной индуктив- но-емкостной связью. (рис. 1.27, а), образуемая взаимной ин- дукцией между катушками контуров. Емкостная связь осуществляется с помощью конденсатора связи. При внутриемкостной связи (рис. 1.27, 6) увеличение емкости Ссв приводит к уменьшению коэффициента связи, при внешнеемкостноп связи (рис. 1.27, в) — к его увеличению. При автотрансформаторной связи (рис. 1.27, г) контуры имеют общую катушку. Иногда применяются схемы с дву- мя видами связи между контурами, обычно индуктивной и емкостной. На рис. 1.28 показаны контуры с комбинированной индуктивио-емкостной связью в двух вариантах на схеме рис. 1.28, а — с внешней емкостной связью, а на схеме рис. 1.28, б — с внутренней емкостной связью Коэффициент связи между контурами можно подсчитать по следую- щим формулам: для индуктивной связи . _ М для внутриемкостной связи ^-1^-2 (Pl + £св) (Сг + Сев)
38 Сведения по электро- и радиотехнике для внешнеемкостной связи , __ Сев «св----~ -р—. *-*2 ~ ССВ для автотрансформаторной связи М ^СВ — г---------------------- И^ + Л!) (С2 + Л1) В случае комбинированной связи общий коэффициент связи равен алгебраической сумме коэффициентов связи каждого вида: ^св ^СВ1 + ^св/ § 20. ЭКРАНИРОВАНИЕ Экранирование — это локализация электромагнитной энергии в пре- делах определенного прос ранства. Электростатическое экранирование состоит в замыкании электриче- ского поля на поверхности металлической массы экрана и передаче элек- трических зарядов на корпус прибора. Как видно из рис. 1.29, а, напря- жение, создаваемое в точке В источником э. д. с., расположенным в точке А, D — р _______Спар О' 11 — «Н Г I Г' ''В “г спар Если между точками А и В поместит > металлический лист Э (рис. I. 29, б), то емкость СП(!р разделится на две последовательно соединенные емкости Ср н С2, к которым присоединена параллельно небольшая оста- Рис. 1.29. К объяснению принципа электростатического экранирования. точная емкость С^р. Пренебрегая емкостью Спар, напряжение в точке В можно определить по формуле (С1 + С3)(СВ + С2) •
Экранирование 39 Это напряжение после установки экрана может оказаться болыш м или меньшим, чем до установки экрана. Если экран установлен так, что емкость его относительно точки А велика, а относительно корпуса мала, то напряжение в точке В после установки экрана будет большим, чем до установки; следовательно, в этом случае экран вреден. Если экр < установлен так, что емкость его относительно корпуса прибора велика, то напряжение в точке В при наличии экрана будет Mei ьше, чем без него. При коротком замыкании между экраном и корпусом напряжение в точке В равно нулю (если ие учитывать остаточной паразитной емкости между точками А и В). Действие электри (еского экра- на существенно зависит от качества Рнс. 1.30. Электростати- ческий экран для индук- тивно связанных катушек. Рнс. (.31. К объяснению принципа магнитостати- ческого экранирования. присоед (неппя его к корпусу прибора. Особенно важно, чтобы не было длинных соединительных проводников между экраном и корпусом. На коротковолновом и особенно на УКВ диапазонах при использовании со- единительных проводников длиной в несколько сантиметров экранирова- ние может резко ухудшиться. Эффективность экранирования электрического поля слабо зависит от толщины экрана. Узкие щели и отверстия в металлической перегород- ке не ухудшают экранирования электрического поля, если они малы но сравнению с длиной волны. Электростатический экран, предназначенный для устранения емко- стной связи между, индуктивно связанными высокочастотными катуш- ками, не должен влиять на магнитные поля этих катушек. Такой эк- ран изготовляют из отдельных изолированных проводов, наклеенных па бумагу или лакоткань (рис. 1.30). Каждый провод припаивается в одной точке к проводнику, который кратчайшим путем соединяется с корпусом. Магнитостатическое экранирование основано па замыкании магнит- ного поля в толще экрана вследствие его повышенной магнитной проводи- мости. Магнитостатический экран можно выполнить только лишь из фер- ромагнитного материала с большой магнитной проницаемостью. Для ич- готовлеиия магнитостатических экранов обычно применяется мягкая сталь и железоникелевые сплавы (пермаллой и др.). Принцип действия магнитостатических экранов показан па рис. 1.31. Магнитный поток, создаваемый током в проводе А, замыкается в толще экрана из ферромагнитного материала вследствие его малого магнитного сопротивления и не проникает в экранированное пространство В.
40 Сведения по электро- и радиотехнике Диапазоны и некоторые особенности электромагнитных радиоволн Наименование диапазонов волн Длинные Средние Промежуточные Длина вол- ны 10 000—3000 м 3000—200 м 200—50 м Частота 30—100 кгц 100—1500 кгц 1,5—6 Мгц Область применения Телеграфная связь Радиовещание Телеграфная связь, любительская связь Характер излучения Преимущественно ненаправленное Ненаправленное Характер распростра- нения Гла вным образом поверхностной волной Поверхностной и пространственной волной Дальность Большая, зависит от мощности передатчика Высота от- ражающего слоя ионо- сферы для пространст- венной вол- ны 60—80 км 100—400 км Помехи Атмосферные ин- дустриальные, * магнитного поля Земли Замирание, атмо- сферные, индуст- риальные Замирание, от
Диапазоны 41 Таблица /5 Короткие Мез ровые Дециметровые Сантиметровые 50—10 м 10-1 м 100—10 см 10-1 см 6—30 Мгц 30—300 Мгц 300—3000 Мгц 3000—30 000 Л1гц Радиовеща- ние, теле- графная и любитель- ская связь Радиовещание, те- левидение, радио- навигация, люби- тельская связь Телевидение, радиолокация, радиона- вигация, радиорелейные линии связи и другие специальные применения к направленное Преимущественно направленное Простран- ственной волной Близкий к оптиче- скому Прямол и ней в о-опт ический Большая, зависит от частоты Зависит в основном от высоты передающей и приемной антенн; за пределами прямой видимости от мощности передатчика и направленности антенн — Отражаются толь- ко при сильной ионизации — — солнечной активности От системы зажи гания двигателей — —
42 Сведения по электро- и радиотехнике Эффективность магнитостатического экрана тем больше, чем больше его магнитная проницаемость и чем толще экран. Кроме того, экранирую- щие свойства зависят от размеров экрана. С увеличением размеров экрана эффективность экранирования снижается. Магнитостатические экраны эффективны лишь при постоянном токе и в диапазоне низких частот. С увеличением частоты под действием вихре- вых токов магнитное поле вытесняется из толщи экрана, поэтому его новы шейная магнитная проводимость теряет свое значение. В области высоких lacroT ферромагнитный экран действует как электромагнитный. а б б Рис. 1.32. Вытеснение магнитного поля вихревыми токами в экране Для надежного магнитного экранирования стенки экрана приходится делать сравнительно толстыми, чтобы уменьшить сопротивление магнитно- му потоку. С этой же целью целесообразно применять экраны, составлен ные из нескольких слоев, разделенных воздушными промежутками. При конструировании магнитостатических экранов необходимо, чтобы щели и прорези в экране не были расположены поперек ожидаемого направления линий магиитнои индукции, так как в противном случае магнитная прово- дим ть экрана уменьшится, а его экранирующие свойства ухудшатся. Магнитостатический экран, как и всякая замкнутая металлическая оболочка, замыкает на себя электрическое поле. Магнитостатический эк- ран, соединенный с корпусом, является одновременной электростатическим экраном. Электромагнитное экраиироваиие основано на размагничивающем дей- ствии вихревых токов. Если па пути равномерного переменного магнитного поля (рис. 1.32, о) поместить цилиндр из металла, го нем наведутся пере- менные э. д. с , которые, в свою очередь, создадут переменные вихревые токи (токи Фуко). Магнитное поле этих токов (рис. 1. 32, б) направлено навстречу возбуждающему полю внутри цилиндра и в том же направлении за его пределами. Результирующее поле (рис. 1.32, в) ослаблено в цилиндре и усилено вне его. Экранирующее действие цилиндра будет тем больше, чем сильнее создаваемое им обратное магнитное поле и, следовательно, чем больше протекающие по нему вихревые токи. Если экран сделан из диамагнитного материала, то экранирующее действие будет тем больше, чем выше электропроводность материала. Если же экран сделан из ферро- магнитного материала, то экранирующее действие может быть еще больше.
Диапазоны 43 В диапазоне частот до 0,1—1 Мгц более аффективное экранирование обеспечивают медный н алюминиевый экраны, а в области более высоких частот — стальной. Однако стальные экраны могут вносить значительные потери в экранируемые цепи вследствие большого удельного электриче- ского сопротивления и явления гистерезиса. Поэтому такие экраны приме- няют я в тех случаях, когда вносимыми ими потерями можно пренебречь. Диамагнитные экраны во всем частотном диапазоне действуют как электромагнитные, т. е. на принципе возникновения в них вихревых токен. При постоянном токе они не производят экранирующего действия. При повышении частоты экранирующий эффект возрастает. Ферромагнитные экраны при постоянном токе н в области низких частот (до 5—10 кгц) действуют, как магнитостатические, на принципе замыкания магнитного поля в толще экрана вследствие его повышенной магнитной проводимости. С ростом частоты вихревые токи увеличиваются, и магнитное поле вытесняется из толщи экрана. Экран действует так же, как и диамагнитный, за счет вихревых токов в толще экрана. Многослойные комбинированные экраны применяются прн необходи- мости достигнуть высокой степени экранирования. Они состоят из чередую- щихся диамагнитных и ферромагнитных слоев. При конструировании многослойных экранов необходимо руковод- ствоваться следующими рекомендациями: 1) для крайних слоев нужно использовать диамагнитные материалы с большой электропроводностью (медь, алюминий), а для средних слоев — ферромагнитные материалы; 2) в области низких частот (до 20—40 кгц) толщины диамагнитных и ферро- магнитных слоев должны быть равны; 3) в области высоких частот (свыше 40—60 кгц) следует использовать тонкие диамагнитные слои и более тол- стые ферромагнитные слои; 4) все слои экрана должны быть по возможнос- ти более герметичными (электрически). § 21. ДИАПАЗОНЫ И НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЛН Диапазоны электромагнитных волн, используемых и некоторые их особенности приведены в табл. 1.5. в радиотехнике Литература 1. В о й ш в и л л о Г. В. Общий курс радиотехники. М., Военнздат, 1950. 2. В о л н н М. Л. Паразитные связи и наводкн. М., «Советское радио», 1965. 3. Ж е р е б ц о в И. П. Радиотехника. М., Связьиздат, 1954. 4. Изюмов Н. М. Курс радиотехники. М., Воеииздат, 1950. 5. Калашников А. М., С т е п у к Я. В. Основы радиотехники и радиолокации. Книга 1. М., Военнздат 1959. 6. Л ю т о в С. А. Индустриальные помехи и борьба с ними. М.— Л., Госэнергоиздат, 1951. 7. Справочник по радиотехнике, под ред. Смиренииа Б. Л. М.— Л., Гос- энергоиздат, 1950.
ГЛАВА ЭЛЕКТРО- И РАДИОМАТЕРИАЛЫ § 1. ПРОВОДНИКИ Удельное сопротивление проводника — сопро- тивление провода длиной 1 м, имеющего постоянное но длине поперечное сечение в 1 мм2. Температурный коэффициент сопротивле- ния — коэффициент, равный относительному изменению сопротивления при изменении температуры па 1 град. Основные данные проводников низкого сопротивления приведены в табл. ii.1, а сплавов высокого сопротивления —в табл. 11.2. Таблица II I Основные свойства проводников Матернал Удельное сопро- тивление при 20°. о.н мм*/м Температур- ный коэффи- циент сопро- тивления. 1/грдЭ Температура плавления, град I (лотность. г!см* Алюминий Бронза фосфо- 0,028 0,0049 660 2,7 ристая .... 0,115 0004 900 8,8 Золото .... 0,024 00037 1060 19,3 Латунь .... Чедь электро- 0,03—0,06 0,002 900 8,5 техническая 0,0175 0,004 1080 8,9 Никель .... 0,07 0,006 1450 8,8 Олово .... 0,115 0,0042 230 7,3 Платина . . . 0,1 0,003 1770 21,4 Ртуть 0,958 0,0009 —39 13,6 Свинец .... 0,21 0,004 330 11,4 Серебро . . . 0,016 0,0038 960 10,5 Сталь . . 0,098 0,0062 1520 7,8 Тантал .... 0,155 0,0031 2900 16,6 Уголь .... 0,33-1,85 0,0006 — — Хром 0,027 — — 6,6 Цинк 0, 59 0,0035 420 7,0 Примечание. Приведенные величины являются средними. Действительные же величины зависят от степени чистоты материала, термообработки и 1 п.
Медные обмоточные провода 45 Основные свойства сплавов высокого сопротивления Таблица 11.2 Сплавы Удельное сопротив- ление при 20° ом мм*м Температурный коэффициент сопро- тивления (в пределах 0-100°), 1/град Максимальная рабочая тем= псратура, град Температура плавления, град Плотность, г/см* Никелин 0,39—0,45 +0,00002 150 Константан 0,44—0,52 ±0,000005 500 1270 8,9 Нихром 1,0 —1,1 +0,00015 900 1400 82 Нейзильбер 0,28—0,35 +0,00030 150 1000 8,4 Манганин 0,4 —0,5 +0,00005 100 1200 84 Реотан 0,45—0,52 +0,0004 150 —~ — Фехраль 1,1 —1,3 +0,0001 900 1460 7,2 Хромаль 1,45 +0,00005 1000 1500 7,1 По характеру применения сплавы высокого сопротивления делятся па три группы. Первая группа — сплавы для изготовления эталонов сопро- тивлений, магазинов, шунтов и добавочных сопротивлений. К этой группе относится манганин, характеризующийся очень малым температурным оэффицнентом сопротивления, высоким удельным сопротивлением и ма- лой термо-э. д. с. в контакте с медью. Вторая группа — сплавы для изготовления реос атов и бал- ластных сопротивлений. К этой группе относятся никелин, нейзильбер, реотан и константан. Третья группа — сплавы для нагревательных приборов. Наи- лучшим материалом для изготовления этих приборов является нихром. § 2. МЕДНЫЕ ОБМОТОЧНЫЕ ПРОВОДА Медные обмоточные провода предназначены для изготовления обмоток трансформаторов, дросселей, реле, катушек резонансных контуров и т. п. Эти провода могут иметь эмалевое покрытие, покрытие из волокнистых материалов и комбинированную изоляцию из эмали и волокнистых мате- риалов. Основные марки обмоточных проводов и характеристика их изоляции приведены в табл П.З, а их основные данные — в табл. II.4 и П.5. Эмалевая изоляция характеризуется лучшими электроизоляционны- ми свойствами, чем волокнистая. Эмалированные провода находят самое широкое применение. Если при изготовлении обмотки или в процессе ра- боты катушки провод испытывает повышенные механические воздействия, то применяют провода с дополнительной обмоткой из хлопчатобумажной пряжи, капронового волокна, натурального шелка или шелка лавсан. При слабых механических во действиях можно пр i мен ять провода, изо- лированные высокопрочной эмалью (марки ПЭВ, ПЭМ, ПЭВТЛ, ПЭТВ) или капроном (марка ПКР). Эти провода имеют меньший наружный диаметр,
46 Электро- « радиоматериалы Таблица II.3 Медные обмоточные провода Марка Характеристика изоляции Диаметры без изоляции, мм Максимальная рабочая темпе- ратура, °C ПБД Хлопчатобумажная обмотка в два слоя 0,38— 5,2 90 ПВО Хлопчатобумажная обмотка в один слой 0,38- 2,1 90 ПДА Слой дельта-асбеста с пропиткой теплостойким лаком ....... 1.0 — 4,8 130 ПКР 1 Сплошная капроновая 0,72— 2,44 105 ПКР-2 » » утолщенная 0,72- 2,44 105 ПЛБД Обмотка из телка лавсан и обмот- ка из хлопчатобумажной пряжи 0,38- 5,2 105 ПЛД Двойная обмотка из шелка лавсан 0,38- 1.3 120 ПСД Обмотка из стекловолокна в два слоя с пропиткой теплостойким лаком 0,31—4,8 155 псдт То же, но утонченная 0,31 — 2,1 155 псдк Обмотка из стекловолокна в два слоя с пропиткой премии «органическим ла- ком 0,31- 4.8 180 псдкт То же, но утонченная 0,31- 1,56 200 пэв Высокопрочная эмаль 0,02—0,05 120 ПЭВ-1 » » 0,06- -2,44 120 ПЭВ-2 » » в два слоя 0,06- 2,44 120 пэвд пэвкл Высокопрочная эмаль с дополнитель- ным термопластичным покрытием Высокопрочная эмаль с покрытием на основе капроновой смолы . . . 0,2 - 0,1 - -0,5 -0,15 105 пэвло Высокопрочная эмаль н обмотка из шелка лавсан 0,06- -1,3 105 ПЭВТЛ-1 Высокопрочная теплостойкая эмаль в один слой 0,06- -1,56 120 ПЭВТЛ-9 Высокопрочная теплостойкая эмаль в два слоя 0,06- -1,56 120 ПЭВ11Ю Высокопрочная эмаль и обмотка из искусственного шелка 0,07- -0,51 105
Медные обмо ючные провода 47 Продолжение табл П.3 Марка Характеристика изоляции ры без !Н, ММ альная ! темпе- °C У к - Ч- ГС СО нам1 ОЛЯ ака боч тур Чх ПЭЛ Лакостонкая эмаль 0,03—2,44 105 ПЭЛБД » » и два слоя хлоп- чатобумажной обмотки 0,72—2,1 105 ПЭЛБО Лакостойкая эмаль и один слой хлоп- 9 чатобумажной обмотки 0,38—2 1 105 пэлко Лакостойкая эмаль и один слой об- мотки из капронового волокна . . . 0,2 —2,1 105 пэло Лакостойкая эмаль и один слой об- мотки из шелка лавсан 0,05-2,1 105 ПЭЛР-1 Высокопрочная полиамидная эмаль в । один слой . 0„1 —2,44 . 120 ПЭЛР-2 Высокопрочная полиамидная эмаль в два слоя 0.1 —2,44 120 ПЭЛУ Лакостонкая эмаль (утолщенный ! слой) 0,05—2,44 105 пэлшко Лакостойкая эмаль и один слой об- мотки из капронового волокна . . . 0,1 —1,56 105 пэлшо Лакостонкая эмаль и один слой об- мотки. из натурального шелка . . . 0,05—1,56 105 ПЭМ-1 Высокопрочная эмаль (металвнн) и , один слой 0,06—2,44 105 ПЭМ-2 Высокопрочная эмаль (металвнн) в два слоя 0,06—2,44 105 . пэпло Высокопрочная теплостойкая эмаль и обмотка нз шелка лавсан . . . 0,06—1,3 120 пэтв Высокопрочная теплостойкая эмаль 0,06—2,44 130 пэтксо .Теплостойкая эмаль из стекловолок- на .......... 0,38—1,56 155 пэтксот То же,, но утонченная ....... 0,За—1,56 155 пэтло Высокопро* ная теплостойкая эмаль и обмотка из шетка лавсан .... 0,06—1,3 J30 пэтсо Теплостойкая эмаль и обмотка из стекловолокна с пропиткой . . . . 0,31-2,1 130 пэтсот То же, но утонченная 0,31—2,1 130
48 Электро- и радиоматериалы Основные данные обмоточных прово ов Диаметр без изо- ляции, мм Сечсннэ меди, мм- Сопротив- ление I .« при 20° С, 04 Допусти- мая на- грузка при плотности тока 2 а/мм3, а ПЭЛ ПЭВ 1 Диаметр с изоля- цией, мм Вес 100 м с изоляци- ей. г Диаметр с изоля- цией, ЛГА' Вес 100 м с изоля- цией. г 0,09 0 0003 0,035 0,3 0,025 0 0005 — — — — 0,035 0,5 0,03 0,0007 24,704 0,0014 0.045 0,8 0,015 0,8 0,04 0,0013 13,920 0,0026 0,055 1,3 0,055 1,3 0,05 0,0020 9,290 0,0040 0,065 1,9 0,07 1,9 0,06 0,0028 6,440 0,0057 0,075 2,7 0,085 2,8 0,07 0,0039 4,730 0,0077 0,085 3,6 0,095 3,8 0,08 0,00'0 3,630 0,0101 0.095 47 0,105 4,9 0,09 0 0064 2,860 0,0127 0.105 59 0115 6,2 0,10 0,0079 2,230 0,0157 0,12 7,3 0,125 7,5 0,11 0,0095 1 850 0,0190 0,13 88 0,135 9,1 0,12 0,0113 1,550 0,0226 0,14 10,4 0,145 10,7 0,13 0,0133 1,320 0,0266 0,15 12,2 0,155 12,4 0,14 0,0154 1,140 0,0308 0,16 14,1 0,165 14,4 0,15 0,0177 0,990 0,0354 0,17 16,2 0,180 16,6 0,161 0,0201 0,873 0,0402 0 18 18,4 0,19 18,8 0,17 0,0227 0,773 0,0454 0,19 20,8 0,20 21,2 0,18 0,02о5 0,688 0,0510 0,20 23,3 0,21 23,6 0,19 0,0284 0,618 0,0568 0,21 25,9 0,22 26 3 0,20 0,0314 0.558 0,0628 0 225 28,7 0,23 29 0 0,21 0,0346 0,507 0,0692 0,235 31 6 0,24 32 0 0,23 0,0416 0,423 0,0832 0,255 37,8 0,27 38,3 0,25 0,0491 0,357 0,0982 0,275 44,6 0,29 45,2 0,27 0,0573 0,306 0,1150 0 31 52,2 0,31 52,6 0,29 0,0661 0.266 0,132 0,33 60,1 0.33 60,5 0,31 0,0755 0,233 0,151 0,35 68,9 0,35 68,0 0,33 0,0855 0,205 0.171 0,37 78,0 0,37 78,0 0,35 0,0962 0,182 0,192 0,39 87,6 0,39 87,6 0,38 0, 134 0,155 0,226 0,42 103 0,42 103 0,41 0,1320 0,133 0 264 0,45 120 0,45 120 0,44 0.1521 0,115 0,304 0,49 138 0,48 138 0,47 0,1735 0,101 0346 0,52 157 0,51 157 0,49 0 1885 0,0931 0,378 0,54 171 0,53 171 0,51 0,2043 0,0859 0,408 0,56 185 0,56 186 0,53 0,2206 0.0795 0,441 058 200 0,58 201 0,55 0,2376 0,0737 0,476 0,60 216 060 216 0,57 0,2552 0 0687 0510 0,62 230 0,62 230 0,59 0,2734 0,0641 0 547 064 248 064 248 0,62 0,3019 0,0 80 0,604 0,67 273 0,67 274 0,64 0,3217 0,0545 0.644 0,69 291 0,69 292 0,67 0,3526 0.0497 0,705 0,72 319 0,72 319
Медные обмоточные провода 49 Таблица II4 пэлшо ПЭЛБО ИБО ПБД Диаметр с изоляцией, мм Вес 100 м с изол я цней, г Диаметр с изолЯ’ цней. мм Вес 100 м с изоля- цией, г Диаметр с изоля- цией, мм Вес 100 м с изоля- цией, г Диаметр с изоля- цией, мм Вес 100 м с изоля- цией, г 0,12 0,13 0,14 0,15 0,16 0,18 0,19 0,20 0,21 0,22 0,23 0,24 0,25 0,26 0 27 0,29 030 0,32 0,34 0,37 0,39 0,42 0 44 0,46 0 49 0,52 0,55 0,58 0,60 0,63 0,65 0,67 0,71 0 74 0,76 0,79 3,3 4,2 5,3 6,5 7,9 9,3 11 0 12,7 14,7 16,7 18,9 21,2 23,7 26,3 29,0 32,2 35,2 41,7 48 8 56,9 65,1 74,2 83,6 93,5 109 127 145 165 179 194 209 225 257 283 301 330 0,56 0,59 0,62 0,65 0,67 0,69 0,71 0,73 0,75 0,77 0,80 0,82 0,85 115 132 151 168 186 201 216 231 247 265 291 309 337 0,51 0 54 0,57 0,60 0,62 0,64 0,66 0,68 0,70 0,72 0,75 0,77 0,80 111 128 147 167 181 195 210 225 241 258 289 303 330 061 0,64 0,67 0,70 0,72 0,74 0,76 0,78 0,80 0 82 0 85 087 0 90 122 140 159 179 194 209 224 240 255 273 292 318 347
50 Электро- и радиоматериалы Диаметр без изоляции, мм Сечение меди. АЛ1а Сопротив- ление 1 м при 2С° С, ом Допусти- мая па- грузка при плотности тока 2а/ллв, а ПЭЛ ПЭВ-1 • • Диаметр с изоля- цией» JWJH Вес 100 м с изоля- цией а Диаметр с изоля- цией, мм Вес 100 м с изоля- цией, г 0,69 0,3739 0 0469 0 748 0,74 338 0,74 338 0,72 0,4072 0,0430 '0,814 0,78 367 0,77 367 0,74 0,4301 0,0407 0,860 0,80 390 0,80 390 0,77 0,4657 0,0376 0,930 0,83 421 0,83 422 0,80 0,5027 0,0348 1,005 0,86 455 0,86 455 0,83 0,5411 0,0324 1,082 0,89 489 0,89 489 0,86 0,5809 0,0301 1,160 0,92 525 0,92 525 0,90 0,6362 0,0275 1,270 0,96 574 0,96 575 0,93 0,6793 0,0258 1,360 0,99 613 0,99 613 0,96 0,7238 0,0242 1,450 1,02 653 1 02 653 1,00 0,7854 0,0224 1,570 1,07 710 1 08 712 ] 04 0,8495 0,0206 1,700 1.12 7641 1,12 770 1,08 0,9161 0,0191 1,830 1,16 827 1 16 829 1.12 0,9852 0,0178 1,970 1,20 886 1,20 892 1,16 1,057 0,0166 2,114 1,24 953 1,24 956 1,20 1,131 0,0155 2,260 1,28 1020 1,28 1030 1,25 1,227 0,0143 2,450 1,33 1110 1,33 1110 1,30 1,327 0.0132 2,654 1,38 1190 1,38 1200 1,35 1,431 0,0123 2,860 1.43 1290 1,43 1290 1,40 1,539 0,0113 3,078 1,48 1390 1.48 1390 1,45 1,651 0,0106 3,300 1,53 1490 1,53 1490 1,50 1,767 0,0098 3,534 1,58 1590 1,58 1590 1,56 1 911 0,0092 3,822 1,64 1720 1,64 1720 1,62 2,061 0 0085 4,122 1.71 1850 1 70 1850 1,68 2,217 0,0079 4,433 1,77 1990 1 76 1990 1,74 2,378 0,00’4 . 4,756 1,83 2140 1,82 2130 1,81 2,573 0,0068 5,146 1,90 2310 1,90 2320 1,88 2,777 0,0063 5,555 1,97 2490 Г,97 2510 1,95 2,987 0,0059 5,980 2,04 2680 2,04 2690 2,02 3,205 0,0055 6,409 2,12 2890 2,11 2880 2,10 3,464 0,0051 6,920 2,20 3110 2,20 3120 2,26 4,012 0,0044 8,023 2,36 3620 2,36 3610 2,44 4,676 0,0037 9,352 2,54 4220 2,54 4200
Медные обмоточные прозода 51 Продолжение табл. 11.4 палшо ПЭЛБО ИБО ПБД Диаметр с изоля- цией, мм Вес 100 м с изоля- цией, г Диаметр с изоля- цией, мм Вес 100 м с изоля- цией, 0 Диаметр с изоля- цией, мм Вес 100 м с изоля- цией, г Диаметр с изоля- цией, мм Вес 100 л с изоля- цией. g 0,81 349 0,87 357 0,82 350 0,92 367 0,85 378 0,92 388 0,86 378 0,96 396 0,87 402 0,94 410 0,88 401 0,98 419 0,90 434 0,97 443 0,91 434 1,01 452 0,93 468 1,00 477 0 94 468 1,04 486 0,96 507 4,03 512 0 97 502 1,07 522 0,99 538 1,06 548 100 538 1,10 557 1,03 588 1 10 €00 1 04 589 1,14 610 9 1,06 627 1,13 639 1,07 627 1,17 649 1,09 668 1,16 690 1,10 668 1,20 690 1,14 727 1,23 742 1,16 727 1,29 751 1,18 783 1,27 801 1,20 785 1,33 810 1,21 844 1,31 863 1,24 846 1,37 871 1,26 906 1,35 927 1,28 909 1,41 935 1,30 971 1,39 992 1,32 974 1,45 1000 1,34 1040 143 1050 1,36 1040 1,49 1060 1,39 ИЗО 1 48 1150 1,41 ИЗО 1,54 1160 1,44 1220 1,53 1240 1,46 1220 1,59 1250 1,49 1310 1 58 1330 1,51 1310 1,64 1340 1,54 1400 1,63 1430 1,56 1410 1,69 1440 1,59 1500 1,68 1530 1,61 1510 1,74 1540 1,66 1620 1,73 1640 1,66 1610 1,79 1650 1,72 *750 1,79 1770 1,72 1720 1,85 1780 — — 1,85 1890 1,78 1880 1,91 1910 — — 1,92 2040 1,85 2020 1,98 2060 — — 1,98 2190 1,91 2160 2,04 2200 — — 2,05 2860 1 98 2310 2,11 2380 — — 2,12 2540 2 05 2520 2,18 2560 — — 2,19 2730 2,12 2710 2,25 2750 — — 2,26 2940 2,19 2910 2,32 2950 — — 2,34 3170 2,27 3140 2,40 3180 — — —. — — — 2,62 3700 — — — — — — 2,80 4300
52 Электро- и радиоматериалы чем провода с волокнистой изоляцией. Провода марки ПЭВТЛ характери- зуются большим сопротивлением изоляции и сравнительно малым танген- сом угла диэлектрических потерь (tgfi). Таблица /15 Пробивное напряжение обмоточных проводов Диаметр про- хода по меди, мм Пробивное напряжение, в ПЭЛ ПЭЛУ пэв-1 ПЭВ-2 ПЭЛР-1 ПЭЛР 2 0 02 0,025 200 0,03—0,04 300 -— 300 — —- — 0,06—0,07 350 450 350 450 — — 0,08—0,09 400 500 400 550 — — 0,10-0,14 400 500 500 700 500 700 0 15—0,20 550 650 600 800 600 800 0,21—0,41 800 1000 800 1200 800 1000 0,44 0,53 800 1000 850 1200 850 1200 0 55-0,83 900 1100 1000 1500 1000 1500 0 86—1,35 1000 1300 1200 1800 1200 1800 1 40—2,44 1250 1600 1400 2000 1400 2000 Электроизоляционные свойства капронового волокна н натурального шелка несколько выше, чем у хлопчатобумажной пряжи. Капроновое во- локно превосходит натуральный шелк по стойкости к истиранию и более стойко к воздействию таких растворителей как беизин, бензол, трансфор- маторное масло и т п Наиболее теплостойкими являются провода, изолированные стекло- волокном с пропиткой кремнийорганическими лаками (марки ПСДК и ПСДКТ). Провода марок ПЭВКЛ, ПЭВТЛ, ПЭПЛО можно залуживать без предварительной зачистки изоляции, а провода марки ПЭВТЛ — без при- менения флюсов. Для изготовления бескаркасных рамок стрелочных приборов выпу- скаются эмалированные провода марки ПЭВД с дополнительным термо- пластичным покрытием из лаков на поливинилацетатиой основе. При иагреве обмотки до 160—170° в течение 3—4 ч витки склеиваются. Высокочастотные обмоточные провода (литцендраты) предназначены для изготовления высокочастотных катушек с высокой добротностью. Эти провода состоят из пучка эмалированных проволок диаметром 0,05; 0,07; 0,1 или 0,2 лгм, перевитых особым образом. Весь пучок чаще всего покры- вается волокнистой изоляцией. Вследствие определенного расположения проволок в пучке ослабляется поверхностный эффект * и, следовательно, уменьшается сопротивление провода для токов высокой частоты Выпускаются высокочастотные обмоточные провода следующих марок: ЛЭЛ — без дополнительной изоляции; ЛЭЛД — с обмоткой из шелка лавсан в два слоя; ЛЭЛО — с обмоткой из шелка лавсан в один слой; • Поверхностный эффе - эффект вытеснения тока к поверхности провода под воздействием переменного магнитного поля внутри сплошного провода.
Медные обмоточные провода 53 Таблица II.6 Данные высокочастотных обмоточных проводов Диаметр проволок, Количе- ство про- волок Сечение провода, мм2 Диаметр провода, мм Сопротив лсяис 1 км провода, ом лэшо ЛЭШД ЛЭН лэпко 0 05 10 0,0196 0,33 0,39 1095 0 05 15 0 0294 0,37 0,43 — — 697 0 05 21 0,0412 0,42 0,48 — — 525 0 07 7 0,0269 0,34 0,40 0,32 0,34 760 0,07 10 0,0385 0,41 0,47 0,39 0,41 532 0,07 12 0,0462 0,44 0,50 0,42 0,44 445 0,07 16 .0,0615 0,47 0,54 0,45 0,47 333 0,07 21 0,0818 0,52 0,59 0,50 0,52 254 0,07 28 0,108 0,60 0,67 — — 190 0,07 35 0,135 0,76 0,83 — — 152 0,07 49 0,189 0,84 0,91 — — 108 0 07 63 0 243 102 1,09 — 85 007 84 0,323 1 13 1 20 — . 63,5 0 07 119 0,457 1,31 1 38 — — 45 0 07 147 0,565 1,36 1 43 — — 36 0,07 175 0,674 1,60 1 67 — — 30,5 0,07 245 0,944 1,82 1 89 1 8 1,82 21 7 0,07 630 2,4 500 510 — — 8,0 од 9 0,071 0,52 0,59 0,5 0,52 275 0,1 12 0,094 0,57 0,64 0,55 0,57 208 0.1 14 0,110 0,60 0,67 0,58 0,60 177 0,1 16 0,126 0,64 0,71 0,62 0,64 155 0,1 19 0 149 0,67 0 74 131 0,1 21 0,165 0,71 0,78 0,69 0,71 118 0,1 24 0188 0,79 0,86 0,77 0,79 105 0,1 28 0,220 0,82 0,89 080 0,82 88,5 0,1 32 0,252 0,87 ( 94 0,85 0,87 77,5 0.1 35 0,275 1 04 1 11 1,02 1,04 71,0 0,1 49 0,385 1,15 1 22 1 13 1,15 505 0,1 70 0,550 1 51 1,58 1,49 1,51 35,5 0,1 84 0 660 1 57 64 1,55 1,57 29,5 0 1 105 0 825 1,73 1 80 1 71 1,73 23 6 0,1 119 0,935 1,82 1 89 1 8 1,82 2 0 0,1 175 1,375 2,23 2,30 2,21 2,23 14 0 0,2 7 0,220 0 75 0,82 0,73 0,75 88,5 0,2 9 0,283 0,90 0,97 —- — 69,0 0,2 12 0 378 1 01 1,08 — — 50,0 0,2 49 1,54 2,06 — — — 13,2
54 Электро- и радиоматериалы ЛЭН — без дополнительной изоляции; ЛЭПКО — с обмоткон из капронового волокна; ЛЭШД — с обмоткой из натурального шелка в два слоя; ЛЭШО — с обмоткой из натурального шелка в один слой. Провода марок ЛЭП н ЛЭПКО перед лужением не надо зачищать и не требуется применять вспомогательные травильные составы. Основные данные некоторых высокочастотных обмоточных проводов приведены в табл. II.6. § 3 ОБМОТОЧНЫЕ ПРОВОДА ВЫСОКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ Обмоточные провода высокого сопротивления используются для из- готовления проволочных резисторов и шунтов. Термостойкость этих проводов так же, как и медных, определяется материалом изоляции. , Таблица П.7 Обмоточные провода высокого сопротивления Марка Характеристика изоляции Диаметры без изоляции, мм пшдк Константановые провода Два слоя обмотки из шелка 0,05—1,0 ПЭБОК Эмаль и один слой обмотки из хлопчатобу- мажпой нряжи 0,04—1,0 ПЭВКМ-1 о Один слой высокопрочной эмали 0,1 -0,8 ПЭВКМ-20 Два слоя » » 0,1 —0,8 пэвкт-Р) Один слой » » 0,03—0,8 ПЭВКТ 22) Два слоя » » 0,03—0,8 ПЭК Лакостоикая эмаль 0,03—1,0 ПЭШОК Эмаль и одни слой обмотки из шелка . . . 0,05—1,0 пищим» Манганиновые провода Два слоя обмотки из шелка . 0,05—1,0 ПШДМТ2) » X» » »» 0,05—1,0 ПЭВММ-1» Один слон высокопрочной эмали 0,05—0,8 ПЭВММ-20 Два слоя » » 0,05 -0,8 ПЭВМТ-12) Один слой » » 0,02—0,8 ПЭВМТ-22) Два слоя » » ... 0,02—0,8 ПЭММ» Лакостойкая эмаль 0,05—1,0 ПЭМТ-’) » » . e e ф , 0,03—1,0 ПЭМСЗ) Высокопрочная эмаль 0,05—0,8 ПЭШОММО Эмаль и один слой обмотки из шелка . . . 0,05—1,0 ПЭШ0МТ2) »»» » » »» ... 0,05-1,0 11ЭВНХ-1 Нихромовые провода Один слой высокопрочной эмали 0,02—0,4 ПЭВНХ-2 Два слоя » » 0,02—0,4 пэнх Лакостойкая эмаль 0,03—0,4 *) Мягкий провод. £) Твердый провод. 3) Стабилизированный провод.
Обмоточные провода высокого сопротивления 55 Основные марки обмоточных проводов высокого сопротивления и их данные приведены в табл. II.7, II.8 и II.9. Таблица II.8 Сопротивление 1 м проводов высокого сопротивления, ом Диаметр провода, /мм Материал проводов Маигаиии мягкий Манганин твердый Константан мягкий Константан твердый Нихром Х15Н60 Нихром Х20Н80 0,02 1370 3374 0,025 — 876 — — — 2160 003 606 655 655 693 1528 1500 0,04 342 369 369 390 857 844 005 220 237 237 250 550 535 006 152 164 164 173 386 379 0,07 112 121 121 127 281 278 0,08 85,4 92,5 92,5 97,5 216 213 0 09 67,6 73,1 73,1 77 170 168 0,10 54,8 59,2 59,2 62,4 138 136 0,12 38,1 41,1 41,1 43,6 95,7 94,7 0,15 24,3 26,3 26,3 27,7 61,1 60,5 018 16,9 18,0 18,0 190 43 0 42,1 0,20 13,7 14,8 14,8 15,6 35,3 34,1 0,22 11,3 — 12,1 12,9 29,2 28,2 0,25 8,76 9,5 9,5 9,98 22,6 21,8 0,28 — — 7,55 7,96 18,0 17,4 0,30 6,06 6,6 6,6 6,93 15,3 15.2 0,32 — — — — 138 13,3 0,35 4,47 4,83 4,83 5,09 н,з Н,1 0,38 3,81 — 4,10 4,32 — 0 40 3,42 3,70 3,70 3,90 8,59 8,52 0,45 2,71 2,92 2,92 3,09 6,98 6,73 0,5 2,20 2,37 2,37 2,50 5,66 5,45 0,55 1,82 1,96 1,96 2,06 —— -— 0,6 1,52 1,65 1,65 1,73 4 07 3,82 0 65 1,36 1 40 1 40 1,49 — — 07 1,12 1,21 1,21 1,27 2,91 2,84 0,75 0,975 1,05 1,12 — — 0,8 0,854 0,925 0,925 0,975 2,23 2,17 0,85 — — 0,820 0,864 —- — 0,9 0,675 0,731 0,731 0,770 1,76 1,72 1,0 0,548 0,592 0 592 0,624 1 42 1,39 Манганиновые провода в зависимости от величины температурного коэффициента сопротивления выпускаются двух классов: класса А, у которого этот коэффициент лежит в пределах от + 3 • 10“5 до —4 10-5, и класса Б с величиной коэффициента ±6 • 10—5. Для малогабаритных высокоомных резисторов повышенной ста- бильности выпускают провода диаметром 6—10 мк в сплошной стеклянной изоляции Эти провода сортируют в зависимости от их сопротивления, так как измерить такие малые диаметры трудно. Электроизоляционные
56 Электро- и радиоматериалы Диаметры проводов высокого сопротивления Диаметр Диаметр провода без изо- ляции. мм ПЭМТ ПЭММ пэмс ПЭВМТ I ПЭВММ 1 ПЭВМТ-2 ПЭВММ 2 пэшомм пэшомт пшдмм пшдмт ПЭК 0 02 — 0,04 0,045 0,025 — — 0,045 0,05 0 03 0,05 — 0,05 0,06 0,045 004 0,06 — 0,065 0,07 — — 0055 0,05 0,07 0,075 0,08 0,09 0,135 0,175 0,065 0 06 0,08 0 085 0.09 0,10 0145 0,185 0,075 0.07 0,09 0,095 0,10 0,12 0,155 0,195 0,085 0,08 0,10 0,105 0,115 0,14 0,165 0,205 0,095 0,09 0,11 — 0,125 0,15 0,175 0,215 0,105 010 0,13 0,14 0,14 0,16 0,195 0,24 0,12 ОН — — 0,12 0,15 0,16 0,16 0,18 0,215 0,26 0,14 0,13 — — — — 0,14 — — — 0 15 0,18 0,19 0,19 0,21 0,245 0,29 0,17 0,18 0,21 — 0,22 0,24 0,275 0,32 0,20 0,20 0,24 0,24 0,25 0,26 0,31 0,35 0,23 0,22 — — 0,27 0,28 0,23 — — — 0,24 — — — 0,25 0,29 0,30 0,305 0,31 0,36 0,40 0,28 0,30 0,34 0,355 0,355 0,36 0,41 0,46 034 0,35 0,41 0,41 0,405 041 0 48 0,51 0 39 0,38 0,44 — — — 0,51 0,54 0,42 0,40 046 0,46 0,455 0,46 0,53 0,56 0 44 0,45 0,52 — 0,505 0,51 0,59 0,61 0,50 0,5 0,57 0,57 0,555 0,56 0,64 0,66 0,55 0,55 0,63 — 0,605 0,61 0,70 0,72 0 0 06 068 0 67 0,655 0,66 0,75 '0,77 0,65 0,65 0,74 — 0,71 0,72 0,81 0,82 0,71 0,7 0,79 0,78 0,76 0,77 0,86 0,87 0,76 0,75 0,84 — 0,81 0,82 0,91 0,92 0,81 0,8 0,89 0,88 0,86 0,87 0,96 0,97 0,86 0,85 0 94 — — 1 01 1,02 0,91 0,9 0,99 — — — 1,06 1,07 0,96 1.0 1,10 —. — —. 1.17 1,17 1,07
Обмоточные провода высокого сопротивления 57 Таблица II. 9 В изоляции мм ПЭВКТ-1 ПЭВКМ-1 ПЭВКТ-2 ПЭВКМ-2 пэшок пшдк ПЭБОК пэвнх 1 пэнх ПЭВНХ 2 004 0,045 — — — — — 0,045 — 0 05 0,05 0,06 — — — 0,05 0,05 0,06 0,065 0,07 — — — 0,065 0,06 0,07 008 0 09 013 0,17 0,075 0,075 0 09 009 0,10 0,14 018 — 0 085 0,085 0,10 010 0,12 015 0,19 — 0 10 0,095 012 0,115 0,14 0,16 0,20 — 0,11 0,105 0,14 0,125 0,15 0,17 0,21 — 0,12 0,115 0,15 0,14 0,16 0,185 0,23 — 0,14 0,14 0,16 0,15 0,16 0,18 0,205 0,25 — 016 0,16 0,18 — — — — — — 0.17 — — — — — 0,18 — 0,19 0,21 0,235 0,28 — 0,19 0,19 0,21 0,22 0,24 0,265 0,31 — 0,22 — 0,24 0 25 0,26 0,30 034 — 025 0,245 0,26 0,27 0,28 — — 0,27 0,265 0,28 — — — — — — 0,28 — — _ — —- — 0,29 — 0,305 0,31 0,35 0,39 — 0,305 0,31 0,31 0,355 0,36 0,41 0,44 — 0,355 0,36 0,36 0,405 041 0,46 0,49 — 0405 0,42 0,41 — — 0 49 0,52 — — — — 0,455 0,46 0,51 0,54 0,55 0,455 0,47 0,46 0,505 0,51 0,57 0,59 0,61 — — — 0,555 0,56 0,62 0,64 066 — — — 0,605 0,61 0 67 0,69 071 — 0,655 .0,66 0 72 0,74 0,76 —. — — 0,71 0,72 0 78 0,79 0,82 — — — 0,76 0,77 0,83 0,84 0 87 — — — 0,81 0,82 0,88 0,89 0,92 — — — 0,86 0,87 0,93 0,94 0 97 — — — — — 0,98 0,99 1 02 — — — — — 1,03 1 04 1 07 — — 1 — 1,14 1,14 1,18 — — —
58 Электро- и радиоматериалы Таблица 11.10 Микропровода марки ПССМ из манганина свойства стеклянной изоляции, несмотря на ее малую толщину, высокие, однако по сравнению с другими изоляциями опа бо- лее хрупка. Основные данные тончайших ’ рСЛГНВЛ Н С 1 м провода, ом Диаметр провода в изоляции, мк 15 000 ± 2500 11 000±1500 8 000±1500 5 500 ±1000 4 000± 500 тронной в другой новой или волокни 14 16 17 18 20 аппаратуры, могут стой изоляцией. обмоточных проводов приведены в табл. 11.10. § 4. МОНТАЖНЫЕ ПРОВОДА Монтажные провода, исполь- зуемые для монтажа радиоэлек- быть с полихлорвиниловой, рези- Провода с волокнистой изоляцией применяются для мон ажа аппара- туры, работающей при нормальных условиях, когда исключена возмож- ность конденсации воды в аппарате и не предусмотрены резкие клима- тические и«меь ения. • Провода ь полиэтиленовой, полнхлорвнниловой и резиновой изоляции могут эксплуатироваться в условиях повышенной влажности с резкими колебаниями температуры. Монтажные провода с изоляцией из кремнийорганической резины изготавливаются сечением 0,75—95 .«At2 и предназначены для работы при напряженних до 380 в и температуре до 180°С. Очень хорошими электроизоляционными свойствами и высокой термо- стойкостью характеризуются провода с изоляцией из фторопластовой ленты и стекловолокннстон оплеткой, пропитанной кремнийорганическим лаком (например, марка ТМ-250). Они могут эксплуатироваться при тем- пературе до 250е С. По конструкции токопроводящей жилы монтажные провода могут быть однопроволочными негибкими и ыногопроволочными гибкими, у' кото- рых токопроводящие жичы свиты из тонких медных проволок. Основные данные монтажных проводов приведены в табл. 11.11. Таблица П.11 Основные данные монтажных проводов Марка Характеристика «V X >> ж Максималъ- у ный наруж- ен 11ЫЙ диаметр, Пределы рабочих темпера тур, °C мгв мгвэ Многопроволочный, изоли- рованный полихлорвинилом То же, экранированный 0,1 0,2 0,35 0,5 0,75 1,0 1,4 1,5 1,7 1,9 2,1 2,5 1,8 1,8 2,1 2,3 2,5 2,9 220 От —60 до-}-70
Монтажные провода 59 Продолжение табл. П.11 Марка Характеристика Номинальное сечение ЖИЛЫ, JH311 Максималь- ный наруж- ный диаметр, мм Максимальное рабо- чее напряжение, в Пределы рабочих темпера- тур, без экрана с экраном мгвл мгвлэ Многопроволочный, изоли- рованный полихлорвинилом и оплеткой из хлопчатобу- мажной пряжи, лакирован- ный То же, экранированный 0,35 0,5 0,75 1,0 20 5,0 2,6 2,7 2,9 33 4,1 5,5 3,1 3,2 3,4 3,8 4,3 6,0 220 От—60 до 4-70 мгвсл мгвслэ Многопроволочный, ИЗОЛИ рованный полихлорвинилом и оплеткой из стекловолок на, лакированный То же, экранированный 0,35 0,5 0,75 1,0 2,0 3,0 2,2 2,4 2,6 3,1 3,7 4,3 2,6 2,8 3,0 3,4 3.9 4,4 220 От—60 до 4-70 мгсл мгслэ Многопроволочный, изоли- рованный обмоткой и оплет- кой из стекловолокна, лаки- рованный То же, экранированный 0,2 0,35 0,5 0,75 1,0 1,5 1.6 1,8 1,9 2,1 2,3 2,6 2,2 2,4 2,5 2,7 2,9 3,2 100 От—60 до 4-100 мгтл мгтлэ Миогопроволочиый, изоли- рованный обмоткой и оплет- кой из лавсанового волокна, лакированный То же, экранированный 0,1 0,14 0,2 0,25 0,35 0,5 0,75 1,0 1,5 1,2 1,3 1,6 1,7 1,9 2,2 2,5 2,6 30 1,8 1,9 2,1 2,2 2,4 2,7 3,0 3,1 3,5 120 От—60 до 4-150 мгш Многопроволочный, изоли- рованный оплеткой из ис- кусственного шелка .... 0,05 0,07 0,1 0,6 0.7 0,8 — 24 От— 60 до -^-90 мгшв Многопроволочный, изоли- рованный двойной обмоткой из искусственного или про- питанного натурального шел- ка и полихлорвинилом 0,12 0,35 0,5 0,75 1.5 1,3 1,9 2,2 2,5 3,0 — 380 1000 От—50 до 4-70
60 Электро- и радиоматериалы Продолжение табл. 11.11 Марка Характеристика Номинальное сечение жилы, лмн Максималь ный наруж- ный диаметр, мм Максимальное рабо- чее напряжение, в Пределы рабочих темпера- тур, °C без i экрана с экраном мгшвэ Миогопроволочный, изоли- рованный двойной обмоткой из искусственного или про- питанного натурального шел- ка и полихлорвинилом 0,35 0,5 0,75 — 2,5 2,8 3,3 1000 От —50 до-|-70 мгшд Многопроволочный, изоли- рованный двойной обмоткой из искусственного шелка 0,05 0,07 0,1 0,2 0,35 0,5 0,7 0,8 0,9 1,0 1,2 1,3 — 60 От—60 до+90 мгшдл То же, лакированный . . . 0,05 ОД 0,2 0,35 0,5 0,8 1,0 1,3 1,4 1,5 — 250 От-60 до +100 мгшдо Миогопроволочный, изоли- рованный двойной обмоткой и оплеткой из искусственно- го шелка 0,05 0,07 0,1 0,2 0,35 0,5 0,75 1,0 1,5 2,5 1,0 1,1 1,2 1,3 1,5 1.6 1,8 1,9 2,3 2,7 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 100 От- 60 до +90 мгшп мгшпэ Миогопроволочный, изоли- рованный обмоткой из шел- ка и полиэтиленом . . . То же, экранированный 0,12 0,35 05 0,75 1,5 1,3 1,9 2,2 2,5 3,0 2,5 2,8 3,3 380 1000 От—50 до+70
Монтажные провода 61 Продолжение табл. 11.11 Марка Характ еристика Номинальное сечение жилы, -им2 Максималь- ный наруж- ный диаметр, JKA4 Максимальное рабо- чее напряжение, а Пределы рабочих темпера- тур. °C без экрана с экраном мгцсл мгцслэ Миогопроволочный, изоли- рованный целлюлозной плен- кой, обмоткой из стеклово- локна или асбеста и оплет- кой из стекловолокна, лаки- рованный То же, экранированный 0,35 0,5 0,75 1,0 1,5 2,5 4,0 2,1 2,3 2,6 2,7 3,0 3,5 40 2,7 2,9 3,2 з,з 3,6 4 1 5,0 250 От—60 до -4-100 мог Миогопроволочный, изолиро- ванный обмоткой из хлопчато- бумажной пряжи, лентами из лакошелка, обмоткой и оплет- кой из шелка капрон . . . 0,5 3,3 — 1000 От —60 ДО+60 мпм Миогопроволочный, изоли- рованный полиэтиленом 0,12 0,2 0,35 0,5 0,75 1,0 1,5 1,0 1 1 1,3 1,45 1,9 2,1 2,4 1 1 1 1 1 1 1 250 От—50 до -4-100 мшв Одпопроволочный, изолиро- ванный двойной обмоткой из искусственного или пропи- танного натурального шел- ка и полихлорвинилом 0,07 0,2 0,5 0,75 1.5 1,0 1,6 2,0 2,3 2,7 — 380 1000 От—50 до +70 мшдл Одпопроволочный, изолиро- ванный двойной обмоткой из искусственного шелка, лаки- рованный ........ 0,1 0,2 0,35 0,5 0,75 0,9 1,1 1 3 1 4 1 6 1 1 1 1 1 250 j От—60 до+ 100
62 Электро- и радиоматериалы Продолжение табл. ll.lt Марка Характеристика Номинальное сечение жилы, мм1 Максималь- ный наруж- ный диаметр, мм Максимальное рабо- чее напряжение, в Пределы рабочих темпера- тур, °C без экрана с экраном мшп Однопроволочнын, изолиро- ванный обмоткой из шелка и полиэтиленом 0,07 0,2 05 0,75 1,5 1,0 1,6 2,0 2,3 2,7 380 1000 От—50 до 4-70 МЭБДЛ Однопроволочный, изолиро- ванный эмалью и двумя об- мотками из хлопчатобумаж- ной пряжи, лакированный 0,1 0,2 0,35 0,5 0,75 1,1 1,3 1,4 1,6 1,8 — 250 От—60 до 4-ЮО мэшдл Однопроволочный, изолиро- ванный эмалью и двумя об- мотками из искусственного шелка, лакированный . . . 0,1 0,2 0,35 0,5 0,75 0,9 1,1 1,3 1,4 1,6 — 250 От—60 до 4- ЮЗ пмв Однопроволочный, изолиро- ванный полихлорвинилом 0,2 0,5 0,75 1,3 1,8 2,2 — 380 От—60 до 4-70 пмвг Многопроволочиыи, изолиро- ванный обмоткой из хлопча- тобумажной пряжи или стек- ловолокна и полихлорвинилом 0,2 0,35 0,5 0,75 2,0 2,2 2,4 2,6 380 От-60 до 4-70 пмов Однопроволочный, изолиро- ванный обмоткой из хлопча- тобумажной пряжи или стек- ловолокна и полихлорвинилом 0,2 0,35 0,5 0,75 1,9 2,0 2,1 2,3 — 380 От—60 До 4-70 НМЛ Однопроволочный, изолиро- ванный полиэтиленом . . . 0,2 0,5 1,4 1,7 — 380 От—60 до 4-70
Высокочастотные кабели 63 Продолжение табл. 11.11 Марка Характеристика Номинальное сечение 1 жилы, 1 Максималь- ный наруж- ный диа- метр, ля Максимальное рабо- чее напряжение, в Пределы рабочих темпера- тур, X без экрана с экраном пмэ Две одиопроволочные жилы, изолированные эмалью и дву- мя обмотками из хлопчато- бумажной пряжи, лакирован- ные, в общей обмотке из хлопчатобумажной пряжи, в общем экране 0,17 ±0,03 —- 3,5 250 От—€0 до ±-70 пмэо То же, в общей оплетке из хлончатобу мажной пряжи 0,17 ±0,03 — 4,2 250 От—60 до -4-70 РМП Многопроволочный, изолиро- ванный полиэтиленом . . . 0,35 4,2 — 20 000 От —50 до ±-70 ТМ-250 Миогопроволочиый, изолиро- ванный фторопластом-4 и оп- леткой из стекловолокна 0,35 0,5 0,75 1,0 1 5 2,5 4,0 6,0 2,3 2,5 2,7 3,0 3,4 3,9 4,7 5,4 1 1 1 1 1 1 1 1 250 От—60 до ±-250 § 5. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ КАБЕЛИ Основные электрические характеристики высокочастотных кабелей — волновое сопротивление, погонная емкость, погонное затухание, коэффи- циент укорочения и рабочее напряжение. Волновым сопротивлением кабеля по аналогии с вол- новым сопротивлением колебательного контура называется величина 4 где L н С — погонные индуктивность и емкость кабеля!.
64 Электро- и радиоматериалы Таблица И. 12 Эл ктрические характеры тики радиочастотных коаксиальных кабелей Марка Волновое сопротивле- ние. им Рабочее на- пряжение, кв Погонная емкость, пф!м Коэффициент укорочения Погонное затухание, дб/м, на частотах, Afeq 10 100 1000 РК-50-2-11 (РК-119) 50±2 1,5 115 1,51 0,05 0,18 0,62 РК-50-2-18 (РК-19) 50 ±2 1,5 115 — 0,05 0,18 0,68 РК-50-3-11 (РК -159) 50 ±2 2 ПО 1,51 0,04 0,13 0,60 РК 50-3-13 (РК.-55) 50±2 2 НО —. 0,03 0 13 0,61 РК 50-4-11 (РК-129) 50 £ 2 3 НО 1 51 0,03 0,10 0,50 РК-50-4-13 (РК-29) 50±2 3 110 — 0,03 0,10 0,51 РК 50 7-11 (РК-147) 50±2 4 115 1 51 0,02 0,08 0,42 РК-50-7-15 (РК 47) 50 ±2 4 115 .—. 0,02 0,08 0,43 РК-50-7-12 (РК 128) 50 ±2 4 115 1,51 0,02 0,09 050 РК-50-7-16 (РК-28) 50±2 4 115 —_ 0,02 0,09 050 РК-50-11-11 (РК148) 50±2 5,5 115 1.51 0,018 0 06 026 РК-50-11-13 (РК-48) 50±2 5,5 115 —. 0,018 0.06 0,29 РК-75-4-11 (РК-101) 75±3 2,5 72 1,51 0,032 0 10 0,45 РК 75 4-15 (РК-1) 75± 3 2,5 76 -— 0,032 0 10 0,45 РК-75-4-12 (РК-149) 75 ±3 2 76 1,51 0,021 0,105 0,60 PK-75-4-1G (РК-49) 75±3 2 76 —- 0,021 0,105 0,60 РК-75-7-11 75±3 4 75 1,51 0,02 0,07 0,30 РК-75-7-15 75± 3 4 76 — 0,02 0,07 0,34 РК 75 7 12 (РК-120) 75±3 3 78 1,51 0,03 0 1 04 РК-75-7-16 (РК 20) 75±3 3 76 — 0,029 0 09 0,4 РК-75-7-18 75±3 4 69 1,51 0,06 0 22 0 81 РК-100- 7-11 (РК-102) 100±5 3 57 1,51 0,025 0,075 01 РК-100-7-13 (РК-2) 100±5 3 57 —. 0,025 0,088 0,32 РК-50-2-21 (РКТФ-19) 50±2 1,5 105 1,43 0,052 0,16 0,63 РК-50-3-21 50±2 2,1 106 1,42 0,022 0,1 06 РК 50-4-21 (РКТФ-29) 50±2 3,2 106 1,41 0,03 0,08 05 РК-50-7 21 (РКТФ4 ) 50±2 4,0 106 41 0,021 0,06 0,4 РК-50-11-21 (РКТФ48) 50±2 6,0 106 1,41 0,02 0 06 0 32 РК 75-2-21 75±3 1,3 70 1 41 0,05 0,15 06 РК 75-3-21 75 ±3 1.8 70 1,42 0,04 0,10 0,5 РК 75-4-21 (РКТФ-1) 75±3 2,5 70 1,41 0,028 0,07 0,4 РК 75-4-22 (РК Ф 49) 75±3 2,5 70 1,41 0,023 0,07 0,4 РК 75-7-21 (РКТФЗ) 75±3 5,0 70 1,41 0,02 0,055 0 34 РК 75-7-22 (РКТФ20) 75±3 40 70 1 41 0,02 0 06 0,36 РК-100-7-21 (РКТФ-2) 100±5 3,1 50 1,41 0,021 0,062 0,35 РК 75-3-11 (РК-67) 75 ±3 — 60 1 19 0,025 0 115 0,5 РК 75-4-17 (РК-66) 75±3 — 60 1,21 0,021 0,07 0,3 РК 75-17-11 75±3 — 53 1,18 — 0,07‘) —- РК 75-7-17 (РК-77) 75±3 — 60 1,21 0.014 0,06 0,3 РК 100-7-14 (РК-64) 100 ±5 — 45 1,21 0,01 0 052 0,3 КПТА КПТА-1 75 7,5 — 55 — 0,104') — — *) На частоте €00 Мгц. ’) На частоте 45 Мвц
Припои и флюсы 65 Волновое сопротивление кабеля определяется его конструкцией. Отно- шение напряжения к току в любой точке кабеля равно волновому сопротив- лению (при нагрузке на сопротивление, равное волновому). Погонная емкость кабеля — емкость единицы длины кабе- ля. Обычно погонная емкость кабеля указывается в пф/м. Затухание кабеля характеризует потери передаваемой по кабе- лю энергии. Из-за потерь амплитуда напряжения U2 в конце кабельной линии меньше амплитуды напряжения 1!г в начале линии: </2 = и1е-ы, где р — погон юе затухание; I — длина кабеля; е — основание натураль ных логарифмов (<? = 2,71). Погонное затухание Р = 201g -Ь- дб/м, и2 где н U2 — напряжения в начале и в конце отрезка кабельной линии длиной 1 м. Коэффициент укорочения показывает, во сколько раз длина волны в кабеле меньше длины волны в свободном пространстве Рабочее напряжение кабеля — максимальное напря- жение между жилами кабеля, при котором кабель может работать длитель- ное время (более 10 гыс. ч). Типы кабелей. Наиболее часто применяются коаксиальные (концентрические) кабели. Однопроводный коаксиальный кабель состоит из внутреннего провода, покрытого изоляцией с малыми потерями на высо- ких частотах, и расположенного концентрически но отношению к нему внешнего провода, который обычно выполняется в виде оплетки из тонкой медной проволоки. Двухпроводные высокочастотные кабели состоят нз двух па- раллельных или скрученных проводов с экраном или без него. Применяю- тся также ленточные кабели в виде двух параллельных проводов, находя- щихся в пластмассовой изоляции иа фиксированном расстоянии один от другого. Промышленностью выпускается ленточный кабель типа КАТВ с волновым сопротивлением 300 ом. Эл( ктрическне характеристики высокочастотных кабелей приведены в табл. 11.12, a koi структивные данные — в табл. 11.13. § 6. ПРИПОИ И ФЛЮСЫ Припой выбирается в зависимости от вида соединяемых металлов или сплавов, размера деталей, требуемой механической прочности и устойчи- вости против коррозии. При монтаже для пайки толстых проводов исполь- зуется припой с более высокой температурой плавления, чем при пайке тонких проводов. В некоторых случаях необходимо учитывать и электро- проводность припоя. К мягким припоям относятся сплавы на оловянной, свинцовой, висму- товой, кадмиевой и цинковой основах. Основные данные оловянно-свннцо- вых припоев приведены в табл. II.14. Число, стоящее после сокращенного наименования припоя (ПОС), соответствует проценту содержания олова. Наиболее легкоплавкими являются припои, содержащие висмут н кадмий. Механическая прочность этих припоев иезнач 1тельна. 3 I I3J4
ст> Таблица 11.13 Конструктивные данные радиочастотных коаксиальных кабелей основной серии N арка Внутренний провод Изоляция Внешний провод ’) Защитная оболочка Расчетный вес погонного метра кабеля, a Количество и- диаметр про волок, мм Дна- метр. мм Материал *) Диаметр, яя Мате риал 8) Диаметр, яя РК-50-2-11 (РК-119) 1X0,68 0,68 СПЭ 2,2±0,1 МО ОПЭ 4,0 ±0,3 27 РК-50-2-13 (РК-19) 1X0,68 0,68 СПЭ, КПЭ 2,2±0,1 МО пхв 4,0 ±0,3 27 Р К-50-3-11 (РК-159) 1X0,90 0.90 СПЭ 3,0 ±0,2 лмдо ОПЭ 5,3 ±0,3 48 РК-50-3-13 (РК-55) 1 Х0,90 0,90 СПЭ, КПЭ 3,0±0,2 Л МО пхв 5,0 ±0,3 54 РК-50-4-11 (РК-129) 1X1,37 1,37 СПЭ 4,6±0,2 лмдо ОПЭ 9,6±0,6 132 РК-50-4-13 (РК-29) 1X1,37 1,37 СПЭ, КПЭ 4,6 ±0,2 МДО пхв 9,6 ±0,6 157 РК-50-7-11 (РК-147) 7X0,76 2,28 СПЭ 7,3±0,3 МО ОПЭ 10.3 ±0,6 147 РК-50-7-15 (РК-47) 7X0,76 2,28 СПЭ, КПЭ 7,3 ±0,3 МО пхв 1 ОД ±0.6 172 РК-50-7-12 (РК-128) 7X0,76 2,28 СПЭ 7,3±о,3 МДО ОПЭ 11.2 ±0,7 233 РК-50-7-16 (РК-28) 7X0,76 2,28 СПЭ, КПЭ 7,3±0,3 МДО пхв 11,2±0,7 235 РК-50-11-1 (РК-148) 7X1,13 3,39 СПЭ 11,0±0,6 МО ОПЭ 14,0 ±0,8 300 РК-50-11-13 (РК-48) 7X1,13 3,39 СПЭ. КПЭ 11,0±0,6 МО пхв 14,0 ±0,8 280 РК-75-4-11 (РК-101) 1X0.72 0,72 СПЭ 4,6±0,2 МО ОПЭ 7,3 ±0,4 62 РК-75-4-15 (РК-1) 1X0,72 0,72 СПЭ, КПЭ 4,6±0,2 МО пхв 7,3 ±0,4 84 РК-75-4-12 (РК-149) 7x0,26 0,78 СПЭ 4,6±0,2 МО ОПЭ 7,3 ±0.4 68 РК-75-4-16 (РК-49) 7x0,26 0,78 СПЭ, КПЭ 4,6±0,2 МО пхв 7,3±0,4 78 РК-75-7-11 1X1,13 1,13 СПЭ 7,3±0,3 МО ОПЭ 9,5 ±0,6 132 Р К-75-7 15 • 1X1,13 1,13 СПЭ, КПЭ 7,3±0,3 МО пхв 9,5 ±0,6 132 РК 75-7-12 (РК-120) 7X0.40 1,20 СПЭ 7,3 ±0,3 МО ОПЭ 10,3 ±0,6 132 РК-75-7-16 (РК-20) 7x0,40 1,20 СПЭ, КПЭ 7,3±0,3 МО пхв 10,3 ±0,6 147 РК-75-7-18/1 1 X 1,09 1,09 СПЭ 7,3 ±0,3 —. Св 9,3 ±0,6 450 РК-100-7-1 (РК-102) 1X0,60 0,60 СПЭ 7,3 ±0,3 МО ОПЭ 9,7 ±0,8 134 РК-100-7-13 (РК-2) 1X0,60 0,60 СПЭ, КПЭ 7,3±0,3 МО пхв 9,7 ±0,8 134 РК-50-2-21 (РКТФ-19) 1X0,73 0,73 ФП 2,2 ±0,1 смо ФПСЛ 4,0 ±0,3 40 РК-50-3-21 1X1,01 1,01 ФП 3,0 ±0,1 МО ФПСЛ 5,3 ±0,2 80 «J РК-50-4-21 (РКТФ-29) 1X1,54 1,54 ФП 4,6±0,2 МДО ФПСЛ 7,0 ±0,6 130 РК-50-7-21 (РКТФ-47) 7x0,83 2,49 ФП 7,3 ±0,3 МО ФПСЛ 9,3 ±0,5 230 РК-50-11-21 (РКТФ-4К) 7x1,19 3,57 ФП 11,0 ±0,6 СМО ФПСЛ 13,0 ±0,8 350 РК-75-2-21 1X0,11 0,41 ФП 2,2 ±0,1 МО ФПСЛ 4,0 ±0,2 38 РК-75-3-21 1 х0,56 0,56 ФП 3,0 ±0,1 МО ФПСЛ 5,3 ±0,2 75 РК-75-4-21 (РКТФ-1) 1 Х0.85 0,85 ФП 4,6±0,2 МО ФПСЛ 6,4 ±0,4 115 РК-75-4-22 (РКТФ-49) 7X0,3 0,9 ФП 4,6±0,2 СМО ФПСЛ 6,4 ±0,4 94 РК-75-7-21 (РКТФ-3) 1X1,3 1,3 ФП 7,3 ±0,3 СМО ФПСЛ 9,5 ±0,6 230 РК-75-7-22 (РКТФ-20) 7X0,46 1,38 ФП 7,3 ±0,3 СМО ФПСЛ 9,5 ±0,5 185 РК-100-7-21 (РКТФ-2) 1X0,74 0,74 ФП 7,3 ±0,3 СМО ФПСЛ 9,5±0,5 170 РК-75-4-17 (РК-66) 1 X1,03 1,03 КВП 4,6±0 3 МО ОПЭ 6,5 ±0,4 55 РК-75-7-17 (РК-77) 1X1,62 1,62 КВП 7,3 ±0,3 МО ОПЭ 10,1 ±0,6 134 РК-75-17-11 1 Х4,0 4,0 КВП 17 ±0,6 МПП ОПЭС 25±1,4 920 РК-100-7-14 (РК-64) 1X1,0 1,0 КВП 7,3 ±0,3 МО ОПЭ 10,3 ±0,6 132 КПТА 1X0,52 1,52 п 2,4 МО пхв 40 22 КПТА-1 1 Х0.52 0,52 п 2,4 МКП пхв 4,0 22 КПТА 1 (1,13 1,13 п 5,2 МО пхв 7,0 60 *) СПЭ — стабилизированный полиэтилен; КПЭ— кабельный полиэтилен’» ФП фторопласт-4; КВП — комбинированный воздуш- но полиэтиленовый; П — ПОРИСТЫЙ ПОЛИЭ1И ии. а) МО оплетка из медные и, волок; ЛМО —оплетка из медных луженых проволок; ЛМДО двойная оплетка из медных лу- женых проволок, МДО — двойная оплетки из медных проволок; С.МО оплетка из посеребренных медных проволок; МПП повив из медных прямоугольных (плоских) проволок; МКП — повив из медных круглых прово. ок. 8) ОПЭ — окраш 'ниый полиэтилен; ПХВ — полпхлорвиниловый пластикат, ФПСЛ — обмотка леитамн из фторопласта-4, оплетка из стеклонитей, покрытая кремннйоргани ским лаком; ОПЭС — окрашенный полиэтилен и оплетка из стеклонитей; Св — свинец. Электро- и радиоматериазы I Припои и флюсы
68 Электро- и радиоматериалы Химический состав, свойства и применение припоев Таблица II14 Марка Химический состав, % Температура плавления, °C Прочность при растяже- нии, кг/нм.1 Применение ПОС-90 Олово—89—90; сурьма—0,15; сви нец—осталь ное 222 4,3 Для пайки деталей и уз- лов, подвергающихся в дальнейшем серебрению или золочению ПОС-61 Олово—59—61; сурьма—0,8; свинец—остальное 190 4,1 Для пайки ответственных деталей, когда недопустим или нежелателен высокий нагрев в зоне пайки, а так- же, когда требуется по- вышенная механическая прочность ПОС-50 Олово- 49—50; сурьма—0,8; сви нец—осталь ное 222 3,6 То же, когда допускается более высокая температура нагрева ПОС-40 Олово—39—41; сурьма—1,5—2, свинец—остальное 235 3,2 Для пайки менее ответ- ственных токопроводящих деталей, когда допустим более высокий нагрев ПОС-ЗО Олово—29—30- су рьма—1,5—2; свинец—остальное 256 3,3 Для лужения и пайки ме- нее ответственных механи- ческих деталей из меди, ее сплавов, стали ПОС-18 Олово—17—18; сурьма—2—2,5; свинец—остальное 277 2,8 Для пайки при понижен- ном требовании к прочнос- ти шва, для лужения пе- ред пайкой ПОС-4-6 Олово—3—4; сурьма—а—6; свинец—остальное 265 5,8 Для пайки погружением в ванну с расплавленным припоем ПОСК-50 Олово—50; свинец—32; кадмий—18 145 Для пайки деталей из ме- ди и ее сплавов, не допус- кающих местного перегре- ва ПОСВ-33 Олово—3,3; свинец—34; висмут—33 130 — Для пайки плавких предо- хранителей Авиа-1 Олово—55; кадмий—20; цинк—25 200 Для пайки тонкостенных деталей из алюминия и его сплавов
Припои и флюсы 69 Продолжение табл. 11.14 Марка Химический состав, % Температура плавления, иС Прочность при растяже- нии, кг!м/лг Применение Лвиа-2 Олово—40; кадмий—20, цинк—25; атюмшшй—15 250 — Для пайки тонкостенных деталей из алюминия и его сплавов ПЦК-40-60 Кадмий—40, цинк—60 240 — Для пайки проводов к слою серебра, нанесенного методом вжигания на ке- рамику ПОСК-47-17 Олово—47 свинец—36; кадмий—17 180 — То же ПСрК-25 Олово—30; свинец—63; кадмий—5; серебро—2 225 — То же, а также для ваку- умно-плотной пайки дета- лей, работающих при низ- ких температурах ПОССр-15 Олово—15; свинец—83,15; цинк—0,6; серебро—1,25 276 Для папки деталей из цинка и ош нковаиной ста- ли ПМЦ-36 Медь—36; цн н к—остальное 825 Для пайки в тех случаях, когда не требуется высо- кая механическая проч- ность ПМЦ-54 Медь—54; цинк—остальное 880 26 То же ПСр-70 Медь—26; серебро—70, цинк—4 760 30 Дл я па й ки лагу ины х, вольфрамовых, серебряных и платиновых токопрово- дящих деталей, контактов и проводов, если требует- ся высокая электропровод- ность соединения ПСр-45 Медь—30; серебро—45; цинк—25 730 30 Для пайки деталей из ста- ли и медных сплавов, если требуется высокая меха- ническая прочность, анти- коррозийная стойкость и чистота спая ПСр-25 Медь—40, серебро—25; цинк—35 780 28 То же
70 Электро- и радиоматериалы Продолжение табл. 11.14 Марка Химический состав, % га Н X ГС = С* О Й *5 Е ₽ S « v Прочность при растяже- нии, кг/мм* Применен) е ПСрК-44-8 — 750 — Для пайки нихромовых (Х20Н80) проводников к медным или посеребрен- ным медным проводникам МФ1 ПМФ-7 Фосфор—8,5—10; медь—осталь ное Фосфор—7; медь—остальное 725— 850 Для пайки деталей из ме- ди и ее сплавов, когда пе требуется высокая меха- ническая прочность соеди- нения То же ПФОЦ-3-2 Фосфор—6—7; олово—2,5—3,5; медь—ост альное 680— 700 — В в ВПТ-4 Алюминий—55; цинк—40; кремний—5 385— 420 —- При высоких требованиях к механической прочности 34А Медь—27—29; кремний—6; алюминий— остальное 525 — То же ПА-2 Медь—20, кремний—7,5—8, алюминий— остальное 525— 540 — В в Сплав Вуда Олово—12,5, свинец—25; кадмий—1,5; висмут—50 60,5 —• Для пайки в тех случаях, когда требуется особо низкая температура плав- ления припоя Сплав д’Арсе Олово—9,6; свинец—45,1; висмут—45,3 79 — То же Сплав Розе Олово—15,9; свинец—28; висмут—56,1 97,3 — В в Примечание. В припоях марок ПОС допускаются примеси: в» мута — 0,1%; мышьяка —0,05%; железа — 0,02%; никеля — 0,(2%; серы — 0,02%; цинка — 0,002%; алюминия — 0,002%. Примесь меди допускается: в припое ПОС-9Э до 0,08%, П - I и ПОС-40 до 0,1%, ПОС-30 п ПОС-18 до 0,15 В медноцинковых припоях допускаю- 7,7? пЕ1"'’ес,1’-. железа — Д° °. 1%. свинца до 0,5%. В серебряных припоях ПСр-70, 11Ср-45 и ПСр 25 допускаются примеси не более 0,5%, в том числе свинца — не бо- лее 0,15%.
Припои и флюсы 71 Таблица II15 Состав и применение флюсов Состав. % Применение Способ уда- ления остат- коз Активные флюсы Хлористый цинк — 25—30; со- Для пайки деталей из чер- Тщательная ляная кислота — 0,6—0,7; во- да — остальное пых и цветных металлов промывка в воде Флюс-паста: х тористый цинк (насыщенный раствор) — 3,7; ва- зелин (УН-1 или УН-2, ГОСТ 782—59) — 85; дистиллирован- ная вода—остальное То же То же Хлористый калий — 40; хлорис- тый натрий — 12; хлористый литий — 15; хлористый цинк —12; хлористый магний — 6; фтори- стый натрий — 7; вода—остальное Для пайки алюминия и его сплавов припоями Авиа-1 и Авиа-2 » » Хлористый барий (безводный) — 48; хлористый калий — 29; фто- ристый кальции — 4; хлористый натрий — 19 То же » » Флюс КЭЦ- канифоль —24; хло- Для пайки цветных и дра- Промывка ристый цинк — 1; спирт ЭТИЛО- ВЫЙ — остальное гоценных металлов (золо- та), но может применяться и при пайке ответственных деталей из черных метал лов ацетоном Флюс-паста: канифоль — 16; хлористый цинк— 1; вазелин тех- нический остальное То же. Обеспечивает ио лу- чение соединений повы- шенной прочности То же Флюс «Прима 1»: хлористый Для пайки никеля, пла- Тщательная цинк(ГОСТ 3773—60) —1,4; гли- тины, сплавов, в которые промывка в церии (ГОСТ 6259—52) — 3; спирт эти човый — 40; вода дис- тиллированная — остальное Веские входит платина л о т н ы е флюсы воде Канифоль (светлая) ГОСТ Для пайки меди, латуни. Протирка 797—55 бронзы, во время электро- монтажных работ мягкими и легкоплавкими припоями спиртом или ацетоном Флюс КЭ: канифоль — 15—28; спирт этиловый — остальное То же, но во многих слу- чаях более удобен для пе- реноса в труднодоступные места То же
11 Электро- и радиоматериалы Продолжение табл 11.15 Состав, % Применение Способ уда- ления остат- ков Глицериио-канифольный флюс: канифоль — 6; глицерин — 14; спирт этиловый (или денату- рат) — остальное То же. Рекомендуется для случаев, когда требуется герметичность паяных сое- динений Протирка спиртом или ацетоном Активированные флюсы Флюс ЛТИ-1: спирт этило- вый — (ГОСТ 5962—51)—67—73; канифоль — 20—25; солянокис- лый анилин (ГОСТ 5243—50) — 3—7; триэтаноламин (ВТУ МХП 1931—49)—1—2 Флюс ЛТИ-120: спирт этило- вый — 63—74; канифоль — 20— 25 диэтиламнн солянокислый (ВТУ 326—52)—3—5; триэта- ноламин — 1—2 Для пайки большинства металлов и сплавов (же- лезо, нержавеющая сталь, медь, бронза, цинк, ни- хром, никель, серебро и др ), в том числе и окси- дированных деталей из медных сплавов без пред- варительной зачистки То же. Составляется при необходимости замены со- лянокислого анилина Антикоррозийные флюсы Флюс ВТС: вазелин техниче- ский — 63; триэтаноламин — 6,3; салициловая кислота — 6,3, спирт этиловый — остальное Флюс ФИМ ортофосфорная кислота (удельный вес 1,7) — 16; спирт этиловый — 3,7; вода дис- тиллированная — остальное Флюс с анилином: солянокис- лый анилин — 1,75; глицерин — 1,5; канифоль — остальное. Для получения флюса различной вяз- кости добавляют (до 25%) уайт- спирит (ГОСТ 3134—52) Для панки меди и мед- ных сплавов. Рекомендуе- тся при панке константа- на, серебра, платины н ее сплавов То же, а также применяе- тся при пайке черных металлов (грубых деталей, допускающих промывку) То же. В большинстве случаев может заменять флюсы ВТС и ФИМ. Оста- ток флюса коррозии не вызывает и защищает со- единение от внешних окис- лителей Удаление не обяза- тельно То же Протирка спиртом или ацетоном Промывка в воде Удаление не обязательно
Электроизолирующие материалы 73 К твердым припоям относятся медноцииковые (ПМЦ) и серебряные (ПСр). В последнее время стали применять медно-фосфорные припои. Их достоинство — невысокая стоимость. Панка медно-фюсфорныыи припоя- ми производится без применения флюса (кроме спайки латунных деталей с медными). Недостаток этих припоев — хрупкость получаемых соединений. Для пайки алюминия и его сплавов применяются специальные припои. Флюсы предназначены для растворения и удаления окислов с поверх- ности спаиваемых деталей. Во время пайки они должны надежно защищать от окисления поверхности металла и припоя. Флюсы выбираются в зависимости от соединяемых пайкой металлов или сплавов и применяемого припоя, а также от вида монтажно-сборочных работ. Температура плавления флюса должна быть ниже температуры плав- ления припоя. Но действию, оказываемому на спаиваемый металл, фпюсы разделяют на активные (кислотные), бескислотные, активированные, антикоррозий- ные и защитные. Активные флюсы интенсивно растворяют оксидные пленки иа поверхности металла, вследствие чего обеспечивается высокая механи- ческая прочность соединения. Такие флюсы можно применять в тех случа- ях, когда можно полностью удалить их остатки с поверхности соединения и основного металла. При пайке монтажа электро- и радиоаппаратуры применять активные флюсы нельзя. Бескислотные флюсы изготовляются на основе канифоли, которая при пайке очищает поверхность от окислов и защищает ее от окис- ления. Активированные флюсы изготовляются па основе кани фоли с добавкой активизаторов. Эти флюсы пригодны для соединения ме- таллов и сплавов, плохо поддающихся пайке. Антикоррозийные флюсы не вызывают коррозии после пайки. Защитные флюсы не оказывают химического воздействия па металл и предохраняют ранее очищенную поверхность металла от окисле- ния. К этой группе относятся неактивные материалы — воск, вазелин, оливковое масло, сахарная пудра и др. Данные о составе и использовании некоторых флюсов, применяемых при пайке мягкими припоями, приведены в табл 11.15. При высокотемпературной пайке в качестве флюсов используют глав- ным образом буру (Na2B4O7) и смеси ее с борной кислотой (Н3ВО3), борным ангидридом (В2О3) и некоторыми другими солями. § 7. ЭЛЕКТРОИЗОЛИРУЮЩИЕ МАТЕРИАЛЫ Электроизоляционные смолы применяются для электрической изоля- ции в чистом виде (например полистирол, капрон, полиэтилен и др.) или служат основой для приготовления лаков, эмалей (например шеллак, ка- нифоль, синтетические смолы). Канифоль сосновая получается из смолы сосны путем отгонки скипидара, растворяется в спирте Шеллак получается из природной смолы, выделяемой некоторыми насекомыми на ветвях растений, растворяется в спирте и обычно применя- ется в виде лака и клея.
74 Электро- и радиоматериалы Янтарь — ископаемая смола растений, существовавших десятки тысяч лет назад, почти не растворим ни в каких растворителях, полируется смесью масла с известью и спиртом. Бакелит — синтетическая смола, широко применяемая для производства пластмасс и слоистых материалов (гетинакс, текстолит и др.). Эпоксидные смолы широко применяются для изготовления клеящих лаков, характеризующихся высокими клеящими свойствами. Крем ний органические смолы характеризуются значи- тельно большей нагревостоикостью, чем обычные органические смолы. Полиэтилен — синтетическая смола, широко применяемая для производства материалов для бытовых нужд и для электроизоляции. Ха- рактеризуется высокими электроизоляционными свойствами, не растворяе- тся при комнатной температуре ни в каких растворителях, морозостоек (до —65° С), tg 6 практически не изменяется при изменении температуры др 50—60° С и частоты до 10’ гц. Полиэтилен выпускается четырех марок, различающихся по эластичности: ПЭ150, ПЭ300, ПЭ450 и ПЭ500. Числа соответствуют относительному удлинению в процентах при разрыве. Разме- ры выпускаемых промышленностью пленок: толщина — от 0,036 до 0,2 мм, ширина — от 120 до 800 мм. Полипропилен — модификация полиэтилена, но с более вы- сокими электроизоляционными и механическими характеристиками. Фторопласт-4 (тефлон, флюон) — политетрафторэтиленовая смола, характеризующаяся малыми диэлектрическими потерями, высоким электрическим сопротивлением, высокой прочностью, нагревостоикостью и химической стойкостью. Физико-химические свойства н диэлектрические свойства фторопласта-4 практически постоянны в интервале температур от — 60° до -300s С. Из фторопласта-4 изготовляются ленты ширинок от 12 до 90 л и толщиной от 0,02 до 0,2 мм. Фторопласт-3 — продукт поли; рифторэтиленовой смолы. Его характеристики хуже, чем у фторопласта 4 за исключением механической прочности. Полиамидные смолы (капрон, нейлон) широко применяют- ся в производстве материалов для бытовых целей и для электроиаоляции. Электроизоляционные свойства невысокие. Полиамиды растворяются в фе- ноле, соляной и муравьиной кислотах. Пленка марки ПК выпускается тол- щиной от 0 02 до 0,2 мм и шириной от 1,0 до 1,2 м. Винипласт (полихлорвинил, поливинилхлорид) — продукт по- лихлорвиииловой смолы, отличающийся высокой химической инертнос- тью к кислотам и щелочам, хорошей водостойкостью и газонепроницаемос- тью Растворяется в ацетоне, хлорбензоле, толуоле, ксилоле, этилацета- те. Винипласт выпускается в виде лепт толщиной 0,8—1,0 мм и шириной от 15 до 50 л.я, а также в виде трубок с внутренним диаметром от 1 мм до 40 .илг и наружным диаметром от 2 до 44 леи. Полистирол — продукт полистирольиой смолы, характеризую- щийся высокими электроизоляционными свойствами в широком диапа- зоне частот (до 10 Мгц) и температур (до+60рС). Полистирол горюч, растворяется в бензоле, толуоле, ксилоле, дихлорэтане, хлороформе. Он ши- роко пргмегяется для изготовления радиотехнических деталей (каркасов катушек, установочных деталей и др.) и пленок толщиной от 0,02 до 0,1 лги и шириной от 20 до 100 мм. Применение полистирола ограничивается его невысокой нагревостоикостью и хрупкостью. Выпускается также пенистый полистирол с удельным весом 0,07—0,2 г, см3.
Электроизолирующие материалы 75 сз 5Г а Основные данные электроизолирующих материалов
Продолжение табл. 11.16 76 Электр( Материалы Диэлектри- ческая проницае- мость Тангенс угла диэлектрических потерь Электри- ческая прочность, кв! мм, Теплостой- кость, °C Удельный все, г/сма при f = 50 гц при f = 1 Л1. Ц Неолейкорит (П) .... G,0—7,5 0,027—0,035 65 1,3—1,5 С Озокерит (В) 2,3 0,01 0,003—0,004 25 58—98 0,9—1,0 и Органическое стекло (ПСС) 3,5-3,6 0,02—0,06 — 25—40 52-58 1,18 О Парафин (В) — 1,9-2,2 0,00037 20—30 49—55 0,85 0,9 о Полистирол (ПСС) .... 2,45—2,65 0,0002-0 0004 0 0001—0,0008 25-40 65-96 1 05-1,07 £ Полихлорвинил (ПСС) 3,0—5,0 0,03—0,08 0,03—0,05 14-20 60—70 1,40—1,75 е Полиэтилен (СС) 2,2—2,3 0,0002—0,0005 0 0002 20—35 100 0,92—0,94 р Полипропилен (ПСС) . . . 2,0-2,! — 0,0002-0,0003 20—30 110 150 0,90—0,91 г Прессшпан 3-4 0,02 0,02—0,03 9-12 100 0,9-1,1 Резина 3,0 0,15 — 20 55 1,6 Сегнетокерамика 4500—1700 0,02—0,03 0,004-0,009 — — 4,0 Слюда мусковит 6,8-7,2 0,0004-0,007 0,0002 85—95 600 2,8 Слюда флогопит Смолы крем нийорга пи чес- 8,0 3,0-5,0 0,006—0,015 0,005 50 600 2,8 кие (СС) 0 001—0,030 0003—0 050 18-20 180—200 1,60-1,7 Смолы эпоксидные (СС) 3,7—3,9 0,013 0,019 16 140 1,11—1.20 Совенит (П) . . . 3,0—4,0 — 0,002—0,01 10—15 90—120 1,20-1,25 Сосна сухая 3,5 0,03 2—4 100 0,5 Стеатит (К) . 6,0—6,5 0,0007 0,002—0,0008 20-25 160 2,7-3,0 Стекло (С) 4—10 0,0005—0,001 0,001 20—30 500-1700 2,2—4 Стеклотекстолит (ССН) 7,5—8,0 0,01—0,1 — 10—12 130 1,6-1,8 Стекловолокнит (ПН) 8,0 0,5 — 4-10 150—180 1,6-1,8 Триацетатцеллюлоза (ПЭ) 3,5—4,0 0,012—0,014 0,012 80—90 100 1,2 Текстолит А, В (ССН) 7,5-8,0 0 10-0,15 — 2-8 125—135 1,3-1,45 Текстолит ВЧ (ССН) . . . 7,5—8,0 — 0,07 5—8 125-135 1,3-1,45 Тнконд (К) 70—150 0 0004 0,0004 —0,0008 10-12 160 39 Термоконд (К) ... 16—25 0,0008 0 0004—0,0008 9—14 160-170 4,0-4,3 Ультрафарфор 8,0-8,5 0,0001—0,0008 0,0003—0,0012 20-25 160 3,3—3,4 Фторопласт-3 (ПСС) . . . 2,5—2,7 — 0,005—0,01 13-15 70 2,1-2,15 Фторопласт-4 (ПСС) . . . 1,9-2,2 — 0,0002—0,0003 25-27 180—200 2,10—2,30 Фарфор электротехнический (К) 6-7 0,03 — 20—28 150-170 2,5-3,3 Фнбра 3,5 0,05 — 3-7 100 1,1—1,2 Фенопласт АГ-4 (П) . . 8,0 —. 0,010 13 250 1 8 Фенопласт К-21-22 (П) 7,5—9,6 0,080 13 ПО 1,3-1,35 Фенопласт К-81-39 (П) — 0,03 — 16 —. 1,9 Фенопласт ФКПМ (П) — 0,2—0,3 — 13 140 1,4 Целлулоид (ПЭ) 5,5 —’ 0,02 30 40 1,3 Целлофан (ПЭ) 3—4 0,2 — 40 80 1,25 Церезин (В) 2,1—2,3 0 0002 00002 15 55-80 0,95 Шелк натуральный . . . 4-5 — 0,01—0,02 — 100 — Шеллак (СН) 3,5 0,01 —- 20—30 И0-60 1,0-1,4 Эбонит (КП) 2,7—3,0 — 0,01-0,015 25 50—90 1,2-1,4 Этилцеллюлоза (ПЭ) . . . 3,5 0,006-0,01 0,01 60-90 50 1,14 Эмаль стекловидная . . . 4—7 — — 20-25 300 2,0—2,7 Электрокартон 3,5 0,05 — 8-13 100 0,95—1,25 Янтарь (СН) .... 2,8 0,001 — — 175—200 1,05—1,09 Примечание. Буквы в скобках обозначают: ВЛ — волокнистый: В — воскообразный; К — керампческий; КП —каучу- ковая пластмасса; М -минеральный; П — пластмасса; ПН — пластмасса с наполнителем; ПЭ — пластик эфироцеллюло.чный; ПСС — продукт синтетической смолы; С — на основе слюды; СН — смола натуральная; СС — смола синтетическая; ССН — синтетическая смола с наполнителем. Электроизолирующие материалы
78 Элгктро- и радиоматериам Органическое стекло (плексиглас) — продукт синтети- ческой смолы — полиакрилата, отличающийся исключительно высокой прозрачностью, высокой механической прочностью, устойчивостью к мас- лам. бензину, щелочам, разбавленным кислотам. Растворяется в эфирах, ацетоне, толуоле, уксусной кислоте. Эфироцеллю.озные пластики - целлофан (пластифицирован ная вискоза) и целлулоид (нитроцеллюлоза) характеризуются низ- кими электроизоляционными свойствами и низкой теплостойкостью. Раст- воряются в ацетоне, метилацетате. Т риацетатцеллюлоза отличается лучшими по сравнению с другими эфироцеллюлозпыми пластиками электроизоляционными харак- теристиками и более высокой теплостойкостью, широко применяется как Диэлектрик, растворяется в хлороформе, метнлацетате. Характеристики электроизотяциопных смол и эфироцечлюлозных пластиков приведены в табл. II. 16. Пластмассы, или пластмассовые прессовочные материалы, представ- ляют собой смесь синтетических смол с тем или иным наполнителем (ткань, бумага, древесина, слюда, асбест и др ). Наиболее широко применяются пластмассы на основе феноло-формальдегидных смол — феноп тасты и па основе карбамидных смол — аминопласты. Фенопласты теплостойки, вла- гостойки, хорошо противостоят органическим растворителям и слабым раст- ворам щелочей, но недостаточно дугостойки. Фенопласты бывают чер- ного, коричневого и темно-вишневого цветов. Аминопласты менее влаго- стойки и термостойки, отличаются несколько худшими диэлектрическими свойствами. Они устойчивы к воздействию слабых кислот, керосина, неф тяных масел, спирта, ацетона, бензина, достаточно дугостойки, однако разрушаются щелочами и крепкими кислотами. К-212-2 и К 214 2 — фенопласты с органическим или минеральным на- полнителем, применяемые для изготовления электроизоляционных изделий. Монолит — фенопласт с баритово-древесным наполнителем, пред- назначенный для изделий, задерживающих рентгеновские лучи. Н е й л о к о р и т — влагостойкий, прочный фенопласт цвета слоно- вой кости (изготовляется и окрашенным). К-211-3—фенопласт с наполнителем из слюды и кварца, предназна- ченный для применения в радиотехнической аппаратуре. АГ-4 — фенопласт со стекловолокиистым наполнителем, отличающий- ся высокой теплостойкостью, механической прочностью и повышенными диэлектрическими характеристиками. Волокнит — фенопласт с наполнителем из хлопкового волокна, характеризующийся повышенной прочностью и повышенными диэлектри- ческими характеристиками. Стек доволок нит — фенопласт со стекловолокнистым напол- нителем, отличающийся высокой прочностью. Ф К П М — фенопласт с повышенной прочностью .на удар, применя- ющийся для цоколей радиоламп н т. и. Ф а о л и т — фенопласт общего назначения с кислотостойким напол- нителем, отличающийся высокой химической стойкостью и теплостой- костью. К-81-39 — прессматериал на основе эпоксидной смолы с минералы ным наполнителем, отличающийся повышенной механической прочностью, влагостойкостью и удовлетворительными электроизоляционными свой- ствами Листовые изоляционные материалы. Основные характеристики листе-
Электроизолирующие материалы 79 вых электроизоляционных материалов приведены в табл. 11.18. Ниже при ведены дополнительные характеристики. Ге т и и а к с — листовой материал из прессованной бумаги, пропи- танной бакелитовым лаком; выпускается следующих марок: А, Б. В, Г — для низких частот и марок Ав, Бв, Вв, Гв —для повышенных частот. Мар- ки А и Б отличаются повышенной электрической прочностью и маслостой- костью, марка Б — повышенной электрической прочностью вдоль слоев, марка В — повышенной механической прочностью марка Г — повышен- ной влагостойкостью. Марки Ав. Бв, Вв, Гвотлнчаются малыми диэлектри- ческими потерями, марка Ав — повышенным удельным объемным сопротив- лением, марка Бв — повышенной пагревостойкостью, марка Вв — по вишенным объемным сопротивлением, марка Гв — высоким объемным сопротивлением. Толщина выпускаемых листов: для марок А, Б — от 5 до 16 мм, для марки В — от 0,5 до 50 мм и для марок Ав, Бв, Вв, Гв —от 0,4 до 6 мм. Текстолит изготовляется из прессованной хлопчатобумажной ткани, пропитанной бакелитовым лаком Выпускается следующих марок: А, В, Вч и поделочный марок ПТ, ПТК Текстолит марки А отличается по- вышенной маслостойкостью и повышенными диэлектрическими свойства- ми, марки В — повышенной механической прочностью, марки Вч — по- ниженными диэлектрическими потерями и повышенным удельным объемным сопротивлением, марки ПТК — повышенной механической прочностью и пониженным удельным объемным сопротивлением, марки ПТ — понижен- ной механической прочностью по сравнению с маркой ПТК Текстолит выпускается в виде листов толщиной от 0,5 до 50 л и и стерж ней диаметром от 8 до 60 мм Стеклотекстолит (стекловолокнит) изготовляется на основе стеклянной ткани (волокна) и отличается повышенной механической проч- ностью, особенно на изгиб. Толщина листов от 0,5 до 2,5 мм Дельта-древесина изготовляется из тонких слоев древеси- ны, склеенных синтетическими смолами путем горячего прессования, и имеет высокую прочность на изгиб. Лакоткань изготовляется путем пропитки хлопчатобумажной или шелковой ткани маслостойкими синтетическими смолами. Толщина хлопчатобумажной лакоткани от 0,15 до 0,3 мм, а шелковой от 0,04 до 0,15 мм. Резина. В состав резины входит каучук (25—60%), наполнитель (.мел, каолин и др. 30—70%), вулканизатор (сера или ее соединения 1,5%), сажа (усилитель, повышающий прочность резины) и некоторые другие компоненты 3—5% Изоляционные свойства резины тем выше, чем больше процентное содержание каучука. Однако резина с повышенным содержа- нием каучука значительно дороже. Резина очень влагостойка и морозостой- ка (до —50р С). При повышении температуры выше 30е С электрическое сопротивление резины резко снижается Слюда. Различают два вида слюды — мусковит н флагопит. Мусковит прозрачен, бесцветен, флагопит — слегка коричневого цвета и отличается пониженными электроизоляционными свойствами по сравнению с муско- витом. Слюда теплостойкая, ио при нагревании выше 100° С электрические потери резко возрастают. М и к а и и т (микаленты, микафолий) изготовляется в виде листов из щипаной слюды и глнфталевой смолы; применяется для изоляции в тех
ЕО Электро- и радиоматериалы случаях, когда требуется повышенная нагревостойкость и механическая прочность, но требования к диэлектрическим потерям не очень высокие. Миканит выпускается в виде листов с размерами не менее 550 X 650 мм, толщиной от 0,05 до 0,4! мм толщина микаленты от 0,08 до 0.17 мм толщина микафолия 0,15; 0,2; 0,3 мм; ширина микафолия 1400 мм и более. М и к а л е к с — высокочастотный материал, изготовляемый в виде пластин на основе слюды и отличающийся высокой нагревостоикостью и механической прочностью (в особенности на изгиб). Толщина пластин от 4 до 15 мм. Электротехническая керамика по применению в электро- и радиотех ническнх Устройствах подразделяется на электротехнический фарфор и радпокерамнку. Стеатит — установочная радиокерамика с высокой механической прочностью и низкими диэлектрическими потерями. Ультрафарфор — установочная радиокерамика с очень высокой механической прочностью и низкими диэлектрическими потерями. Т и к о > д — конденсаторная радиокерамика, изготовляемая на ос- нове двуокиси титана, с высоким значением диэлектрической проницае- мости и отрицательным температурным коэффициентом проницаемости. Терм око ид конденсаторная радиокерамика с малым значе- нием температурного коэффициента диэлектрической проницаемости. С е г и е т о к е р а м н к а — конденсаторная керамика с высоким зна- чением диэлектрической проницаемости, величина которой очень сильно зависит от температуры. Сегнетокерамнка применяется для низкочастот- ных конденсаторов. Она обладает пьезоэлектрическими свойствами. Лаки. Пропиточные лаки служат для пропитки волокни- стой изоляции (бумага, картон, пряжа, ткань), обмоток трансформато- ров н др В результате пропитки увеличивается пробивное напряжение, улучшается охлаждение и уменьшается гигроскопичность изоляции. Масляно-битумный лак № 447 применяется для пропитки обмоток. Время высыхания при 110—150° С не более 6 ч. Кремиийорганический так ЭФ-3 применяется для пропитки обмоток. Время высыхания при 200° С не более 2 ч. Покровные лаки служат для образования механически проч ной, гладкой, влагостойкой, электроизолирующей пленки па поверхности лакируемых предметов. Этими лаками покрывается предварительно про- питанная твердая изоляция с целью дальнейшего повышения электроизо- лирующих свойств и улучшения внешнего вида. Эмали ПКЭ-14 и ПКЭ-15 предназначены для покрытия обмоток, пред- варительно пропитанных в лаке ЭФ-3. Время высыхания при 200э С не более 3 ч. Клеящие лаки служат для склеивания различных материалои. П о л и с т и р о л ь н ы й лак представляет собой раствор полисти- рола в толуоле, ксилоле и других растворителях; при высыхании образует пленку с высокими диэлектрическими свойствами, малой гигроскопичнос- тью Пленка не выдерживает нагрева выше 80" С. Шеллачный лак — раствор шеллака в этиловом спирте. При- меняется для клеики и пропитки. Обладает высоким пробивным напря- жением. Компаунды представляют собой смесь смол, воскообразных веществ и битумов с различными добавками. Эго большей частью термопластичные материалы, которые перед употреблением расплавляют. Расплавленные ком-
Ферромагнитные материалы 81 паунды применяются для создания толстого покровного слоя или для про- питки обмоток трансформаторов н др. Компаунд № 309 (битум № 5 — 81%, олифа натуральная — 3%, озо- керит — 16%) предназначен для заливки и обволакивания трансформато- ров, дросселей, катушек низкой частоты. Компаунды К-168, К 293, K-U5H (на основе эпоксидных смол) обла- дают хорошей морозостойкостью (до —60р С) Основные данные пропиточных и покровных материалов для катушек и трансформаторов приведены в табл. II 17 Клеи. Клей БФ-2 целесообразно применять для склеивания металлов один с другим, для электроизоляцин детален и в том случае, когда ну- жен клеевой шов с повышенной теплостойкостью. Клей БФ 4 применяется, когда клеевое соединение должно быть эластичным и стойким к вибрации. Клеи БФ-2 и БФ-4 могут также применяться для склеивания цветных ме- таллов, сталей разных марок, пластмасс термореактивиого типа, органиче ского стекла, дерева, шпона, фибры, фарфора, керамики, кожи, тканей, бумаги, эбонита как один с другим, так и при любом сочетании их между со- бой. Клей БФ 6 рекомендуется применять для склеивания тканей, фетра, целлофана, войлока, резины Полистирольный клей состоит из бензола (96% по весу) и полистироловой стружки (4%). Применяется для склеивания полистиро- ловых деталей Клей с 10% полистирола применяется для закрепления кон- цов обмоток высокочастотных катушек при намотке. Акриловый клей применяется для склеивания органического стекла. Состав клея: 2—3% органического стекла и 97—98% дихлорэтана. Клей № 88 — раствор резиновой смеси № 31 и бутилфенолформаль- дегидной смолы в смеси этилацетата и бензина в соотношении 2:1. Пред назначен для приклеивания холодным способом резины к металлам. Им можио приклеивать резину к стеклу, дереву, коже и другим материалам, а также склеивать резину с резиной. Эпоксидные клеи могут затвердевать при комнатной темпера- туре и обладаю высокой стойкостью против воздействия воды и различных растворителей. При склеивании не требуется больших давлений. Эпоксидные смолы ЭД-5, ЭД-6 и Э-37 применяются в качест ве клея. Для отвердевания при комнатной температуре на 100 а смолы вводят 6,5—10 г отвердителя (гексаметилеидиамииа или полиэтиленполи амина). Таким клеем можно пользоваться в течение 1,5 ч после смешения компонентов. § 8. ФЕРРОМАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ Материалы, магнитная проницаемость которых во много раз больше единицы, называются ферромагнитными. К ним относятся железо, никель, кобальт и их сплавы, а также ферриты. Из этих материалов нзготовляюг магнитопроводы трансформаторов, дросселей, постоянные магниты, экраны, сердечники катушек индуктивности и т. п. Основные характеристики ферромагнитных материалов можно опре- делить по кривым зависимости магнитной индукции В в материале от на- пряженности магнитного поля Н. На рис. II 1 показано семейство симмет ричных гистерезисных петель, полученных при различных максимальных значениях напряженности поля Нт. Кривая, проходящая через вершины петель, называется основной кривой намагничивания и является вполне определенной для данного материала.
82 Электро- и радиоматериалы Таблица Основные данные пропиточных и покровных материалов для катушек и трансформаторов
Ферромагнитные материалы 83 Индукция насыщения Bs — значение индукции, соответ- ствующее состоянию насыщения. Остаточная индукция Вг — значение индукции, получае- мое при уменьшении напряженности поля до нуля. Коэрцитивная сила Нс — значение напряженности I о л я; при котором индукция принимает нулевое значение. Магнитная проницаемость (при данном значении на- пряженности магнитного поля) — коэффициент, показывающий во сколько раз магнитная индукция в ферромагнитном материале больше, чем в воз- духе. Магнитная проницаемость ферромагнитного материала зависит от напряженности поля, температуры и других факторов. Начальная магнитная проницаемость ри опре- деляется на начальном участке основной кривой намагничивания по на- клону касательной (рис II.I) и соответствует работе материала в слабых полях. Динамическая магнитная проницаемость рд определяется по наклону гистерезисной петли, соответствующей данному значению амплитуды переменного магнитного почя. Обратимая .магнитная проницаемость рг (при наличии постоянной составляющей магнитного поля) определяется по накло- ну частной петли гистерезиса (рис. II.2), по которой происходит перемагни- чивание материала. Температурный коэффициент магнитной про- ницаемости (ТКц) равен относительному изменению проницаемости при изменении температуры на 1°С.
84 Электро- и радиоматериалы Потери в ферромагнитных материалах происхо- дят при перемагничивании. Общие потери состоят из потерь на гистерезис, потерь на вихревые токи (токи Фу ко) и на последействие (эффект отставания индукции от напряженности поля). Потери на гистерезис тем больше, чем больше площадь петли гистерезиса, объем материала и частота перемагни- чивания. Потери на вихревые токи меньше в материалах с большим удель- ным электросопротивлением. Полные магнитные потери для высокочастотных ферромагнитных мате- риалов оцениваются тангенсом угла потерь 1g 6, показывающим отноептель- Рис. 11.2. Частная петля гистерезиса. иую величину мощности потерь в сердечнике катушки по сравнению с полезной мощностью (в данном случае реактивной). Удельные потери—* мощность, теряемая в единице объема материала. Магиитномягкие материалы характеризу- ются высокой магнитной проницаемостью, не- большой коэрцитивной силой и малыми по- терями на гистерезис Их можно разделить на три группы. Металлические магнитные материалы (железо и его сплавы) в большинстве случаев применяются в диапазо- не сравнительно низких (звуковых) частот. На более высоких частотах потерн в металли- ческих сердечниках резко возрастают, а магнитная проницаемость сни- жается. Наиболее высокочастотные металлические магнитные материалы — пермаллой в виде лент толщиной до 0,01 мм — применяются на частотах до десятков килогерц. Преимуществом лучших сортов металлических ферро- магнетиков является высокая магнитная проницаемость (до 50 000) на низ- ких частотах. Электротехническая сталь выпускается в виде листов (ГОСТ 802—58) и в виде леит (ГОСТ 9925—61). Марка стали обозначается буквой Э'и следующими за ней цифрами. Первая цифра после буквы обозначает степень легирования стали кремнием (1 — слаболегированпая, 2 — средиелегированная, 3 — повышепнолеги- рованная, 4 — высоколегированная). Вторая цифра означает гарантиро- ванные электромагнитные свойства стали при ее работе в определенных условиях. Это деление определяет область применения той или иной марки стали. По этому признаку различают три группы сталей. 1. Стали, предназначенные для работы в средних и сильных полях (более 0,01 э) при частоте перемагничивания 50 гц (1 — нормальные, 2 — пониженные и 3 — низкие удельные потери). 2 Стали, предназначенные для работы в средних полях (от 0,1 до 10 э) три частоте перемагничивания 400 гц (ГОСТ 802—58 цифра 4, ГОСТ 9925—61 цифры 4 — нормальные, 5 — пониженные, 6 — низкие удельные потери). 3. Стали, предназначенные для работы в слабых и средних полях (ме- нее 10 э). Согласно ГОСТ 802—58 вторая цифра обозначает: 5— для работы в слабых полях с нормальной магнитной проницаемостью и 6 — с повышен- ной магнитной проницаемостью, 7 — для работы в средних полях с нормаль- ной магнитной проницаемостью и 8 — с повышенной магнитной проницае- мостью. Согласно ГОСТ 9925—61 вторая цифра 7 или 8 обозначает повышен- ные магнитные свойства соответственно в слабых и в средних полях.
Ферромагнитные материалы 85 Нуль после второй цифры указывает на то, что сталь холоднокатаная. Для сталей с особо низкими удельными потерями в конце обозначения ста вится буква А, а для материалов повышенной точности проката и повышен- ной отделки поверхности — дополнительно буква Л. Первая группа сталей является самой большой по количеству марок и применяется наиболее широко. Четыре марки стали выпускаются в листах н рулонах (Э310, Э320, ЭЗЗО. ЭЗЗОА), остальные — только в листах. Тол- шииа проката от 0,2 до 1,0 jwm. Для сталей первой группы большое значение имеют удельные потери. Они зависят от марки стали, толщины листа, амплитуды магнитной ин- дукции, частоты перемагничивания и микроструктуры стали (например, от режима термической обработки). Основные свойства электротехнической стали первой группы приведе- ны в табл. II.18. Вторая группа сталей содержит одну марку горячекатаной стали (Э44) и три марки холоднокатаной. Стали второй группы отличаются повы- шенным удельным электросопротивлением и, следовательно, меньшими потерями на вихревые токн. Основные свойства этих сталей приведены в табл II 19. Третья группа сталей отличается большой магнитной проницаемостью при малой н средней напряженности магнитного ноля. Удельные потери не имеют существенного значения, поэтому они не нормируются. Основные свойства сталей третьей группы приведены в табл. 11.20. Наиболее высокими магнитными свойствами (особенно в направлении проката) обладают холоднокатаные стали марок Э310, Э320, ЭЗЗО, ЭЗЗОА, которые выпускаются в виде листов и лент. Из лент изготовляют витые магпитопроводы. Значения магнитной проницаемости некоторых марок электротехпи ческих сталей приведены в табл. 11.21. Графики зависимостей динамиче- ской магнитной проницаемости от амплитуды индукции и постоянных удель- ных ампер-витков приведены на рис. I .3. Постоянные удельные ампер витки можно определить по формуле где /0 — величина постоянного тока подмагничивания, a; w — количество витков обмотки, по которой протекает ток; /с — средняя длина магнитной силовой линии магнитопровода, он. Железоникелевые сплавы (пермаллои) характеризую- тся очень выСЬкой магнитной проницаемостью при малых напряженностях магнитного поля. При наличии постоянного магнитного поля а также при повышении частоты их проницаемость резко уменьшается. Железоникеле- вые сплавы очень чувствительны к механическим напряжениям, например, при сжатии магнитная проницаемость сплава уменьшается При этом чем выше магнитная проницаемость сплава, тем сильнее влияние механических напряжений. Свойства некоторых железоникелевых сплавов приведены в табл. 11.22. На рис.II. 4 показаны графики зависимостей магнитной про- ницаемости от амплитуды магнитной индукции Вт и постоянного подмагни- чивания аи>0 Сплавы марок 45Н и БОН применяются для изготовления магнито- проводов силовых трансформаторов, дросселей, реле и деталей магнитных
86 Электро- и радиоматериалы Таблица 11.18 Основные свойства электротехнических сталей, предназначенных для ра- боты в средних и сильных полях на частоте 50 гц Марка Тол- щина Магнитная индукция, жепиости магнитного гс. при напря- ПОЛЯ, О/'СМ Удельные потери, вт.1кг, при индукции, ес стали лис- та, мм 10 25 50 300 10 000 15 000 17 000 не менге и более Э31 0,5 0,35 — 14 600 15 700 17 200 19 400 2,0 1,6 44 3,6 — Э32 0,5 0,35 — 14 600 15 700' 17 100 19 200 1,8 1,4 3,У 3,2 — Э41 0,5 0,35 13 000 14 600 15 700 17 000 19 000 1,55 1,35 3,5 3,0 — Э42 0,5 0,35 12 900 14 500 15 600 16900 18 900 1,4 1,35 3,1 3,0 — Э43 0,5 0,35 12 900 14 400 15 500 16 900 18 900 1.25 1,05 2,9 2,5 — Э43А 0,5 0,35 12 900 14 400 15 500 16 900 18 900 1,15 0,9 2,7 2,2 — Э310 0,5 0,35 16 000 17 500 18 300 19 100 19 800 1,1 0,8 2,45 1,75 3,2 2,5 Э320 0,5 0,35 16 500 18 000 18 700 19 200 20 000 0,95 0,7 2,1 1,5 2,8 2,2 ЭЗЗО 0,5 0,35 17 000 18 500 19 000 19 500 20000 0,8 0,6 1,75 1,3 2,5 1,9 ЭЗЗОА 0,35 17 000 18 500 19 000 19 500 20 000 0,5 1,1 1,6 Примечание, Свойства горячекатаной стали указаны для проб, не подвер- гающихся после нарезки отжигу; свойства холоднокатаной стали — после отжига.
Ферромагнитные материалы 87 Таблица П. 19 Основные свойства электротехнических сталей предназначенных для работы в средних полях повышенной частоты а) По данным ГОСТ 802—58 Марка стали Толщина листа, л.’Ж Магнитная индукция, гс, при напряженности магнитного поля, aS см Удельные по- тери, от! кг. па частоте 400 гц при индукции, гс Удельное электро- сопротив- ление, ОМ ММг(У1, не менее 5 10 25 7500 10 000 НС МОНСО не более 944 0,35 12 100 13 000 14 400 10,7 19 0,57 944 0,2 12 000 12 900 14 200 7,2 12,5 0,57 Э44 0,1 11 900 12 800 14 000 6 10,5 0,57 9340 0,2 15 000 16000 17 000 7 12 0,47 б) По данным ГОСТ 9925—61 Марка стали Тол- щина ленты. мч Магнитная индукция, гс, при напряжен- ности магнитного поля, а/см Коэр- цнтив- пая сила. Удельные по- тери, emi к*. на частоте 400 гц. прн индукции, гс 0,3 2 4 .0 25 10 000 15 000 не менее а см не более Э340 0,05 7500 И 000 12 500 14 500 17 000 0,36 10 21 0,08 7500 11 000 12 500 14 500 17 000 0,36 10 22 0,10 7500 11 000 12 500 14 500 17 000 0,36 10 22 0,15 8000 И 000 13 000 14 500 17 000 0,34 10 23 9350 0,05 9000 12 500 13 500 15 500 17 500 0,36 8,5 19 0,08 9000 12 500 13 500 15 500 17 500 0.32 8.5 19 0.10 9000 12 500 13 500 15 500 17 500 0,32 8,5 19,5 0,15 9500 12 500 14 000 15 500 17 500 0,32 9 20 9360 0,05 10 500 14 000 15 000 16 500 18 200 0,32 7,5 16 0,08 10 500 14 000 15 000 16 500 18 200 0,28 7,5 17 0,10 10 500 14 000 15 000 16 500 18 200 0,28 7.5 17 0,15 11 000 14 000 15 500 16 500 18 200 0,26 8 19 Примечание Удельное электросопротивление сталей марок Э340, ЭЗЗО. ЭЗбО составляет не менее 0,5 ом • мм*{м.
88 Электро- и радиоматериалы Таблица //.20 Основные свой тва электротехнических сталей, предназначенных для работы в слабых и средних полях Для работы в слабых полях Марка стали Толщина листа, мм Магнитная индукция, гс. при напряженности поля, а{см Удельное элект- росопротивление, ом -мм2/м 0.002 0.004 0,008 не менее Э45 0,2 0,35 1,3 1,2 2,8 2,6 7,0 7,7 0,55 0,55 Э46 02 0,35 1,6 1,5 3,5 3,3 8,8 8,8 0,55 0,55 Для работы в средних полях стали [на листа, Магнитная индукция, гс, при напряженности полн, а/см ное элект- 1 отивление, Чм 0,2 0,5 0,7 • 2 5 10 Марка 9 h не моиее Удель: росопр ом мм Э47 0,2 300 1000 3800 5300 6600 9000 11 800 12 900 0,55 0,35 350 1400 4800 6100 7700 9200 12100 13 000 0,55 Э48 0,2 400 1400 4800 6200 7400 9200 12 000 12 900 0.55 0,35 450 1700 5700 7100 8700 10 200 12 500 13 000 0,55 Э370 0,2 1400 5000 9000 10 400 И 600 14 200 15 700 16 700 0,47 0,35 2000 7000 И 000 12 000 13 500 14 500 16 000 17 000 0,47 0,5 2500 8000 12 000 13 000 14 500 15 500 16 500 17 000 0,47 Э380 0,2 2000 7000 И 000 12 000 13 500 14 500 16 000 17 000 0,47 0,35 4000 10 000 13 500 14 500 15 000 15 500 16 500 17000 0,47 0,5 4200 10200 13 800 14 700 15 200 15 800 16 700 17 000 0,47 Примечания: 1. Свойства горячекатаной стали указаны для проб, ие подвер- гающихся после нарезки отжигу, свойства холоднокатаной стали — после отжига. 2. Стали марок 3370 и Э380 выпускаются также и в рулонах.
Ферромагнитные материалы 80 Таблица 11.21 Магнитная проницаемость некоторых электротехнических сталей Марка стали Магнитная проницаемость, гс{э Марка стали Магнитная проницаемость, гс-э начальная максима ль- нам начальная максималь- ная Э31 -250 5500 Э46 До 600 7000 Э41 -350 6000 Э48 » 600 7000 Э42 -400 7500 Э310 » 500 16 000 Э44 До 500 . Э320 » 800 33 000 Э45 » 600 10 000 цепей, работающих при повышенных индукциях без подмагничивания или с небольшим подмагничиванием. Сплавы марок 50НП и 65НП используются для изготовления магнито- проводов магнитных усилителей, переключающих устройств, устройств вы- числительной техники и т и. б Рис. II.3. Графики зависимостей динамической магнитной проницаемости от индукции и постоянного подмагничивания: а — в сильных полях; б — в слабых полях.
90 Электро- и радиоматериалы Основные войства железаникелевых сплавов Таблица 11.22 Марк 1 сплава Начальная маг- нитная прони- цаемость. гс/э Максимальная магнитная про- ницаемость. гс/э Коэрцитивная сила, э Индукция насы- щения, ес Удельное элек- тросопротивле- ние, оммм’/м 45 Н (1,8ч-2,8) 10» (16-25) 10’ 0,2—0А 15 000 0,45 5011 (2,0—2,8) IO» (19-5-35) 10’ 0.12-0,25 15 000 0,45 50Н У (3—4) 103 (30-5-45) 10’ 0,12—0,18 15 000 0,45 50НП (0,9—1 0) 10» (30 5 40) 10’ 0,3—0,45 15 000 0,45 65НП 400 (35-5-100) 10’ 0,15—0,2 13 000 0,25 38НС (2,5—3) 10» (20—25) 10’ 0,15 9 .00 0,9 42 НС (2,5—3)-10’ (20 : 25) 10’ 0,1 10 000 0,85 50НХС (1,5-?-3) Юз (15-5-30) 103 0,12—0,35 0,02—0,05 10 000 <>,9 791IM (16-25) 103 (30—150)-10’ 7 500 0,55 79НМ-У (20-5-30) 10’ (100-5-220) I О3 0,01-0,03 7 300 0,55 76НХД (10-5-18) IO3 (50—150) 10» 0,02—0,06 7 500 0,57 80НХС (18 5-35) IO3 (70—150) 10’ 0,01—0,05 6500 0,62 79НМА (18-5-50) 10» (80—300) 101 0,01 —0,06 7 500 0,56 К5ОФ2 (0,7—1,1) 10’ 4 10» 1,5 23 000 0.1Ц. Примечание. В маркировке сплавов цифры соответствуют процентному со- держанию никеля, буквы М. X, С, А — основным легирующим элементам: молибдо; ну, хрому, кремнию, алюминию, буква П указывает, что сплав с прямоугольной петлей гистерезиса. Сплавы с улучшенными свойствами обозначаются дополнительно буквой У. Сплавы марок 38НС, 42НС и 50НХС применяются при изготовлении магнитопроводов импульсных трансформаторов и трансформаторов звуко- вых и высоких частот, работающих без подмагничивания или с небольшим нодмагн ичиваиием. Рис. II.4. Г^фики зависимостей динамической магнитной проницае- мости пермаллоев от индукции и постоянного подмагничивания. Сплавы марок 79НМ, 79НМА и 80НХС предназначены для изготовле- ния магнитопроводов малогабаритных трансформаторов, дросселей, реле.
Ферромагнитные материалы 91 магнитных экранов, а также для импульсных трансформаторов и магнит- ных усилителей (при толщине листов 0,02—0,05 лл). Железоникелевые сплавы изготовляются в виде холоднокатаных лент толщиной от 0,02 до 2,5 мм, горячекатаных листов, горячекатаных и кова- ных прутков. Ширина лент зависит от толщины и составляет для самых тонких лепт 30—100 мм, для самых толстых — 100—250 мм. Листы, ленты и прутки поставляются в термически не обработанном ви- де. Термическая обработка производится после изготовления деталей Магнитол и электрики представляют собой конгломерат из измельченного ферромагнетика, частицы которого разделены между со- бой электроизолирующими плен- ками из немагнитного материала, являющегося одновременно меха- нической связкой. Магнитодиэлектрики характе- ризуются большим удельным элек тросопротивлением и сравнительно высокой стабильностью свойств. Магнитодиэлектрик «карбо- нильное железо» изготовляется пу- тем прессования порошка карбо- нильного железа с бакелитом, сти- ролом или аминопластом. Он ха- рактеризуется малыми потерями, мало подвержен влиянию измене- ний температуры, старению и при- меняется на частотах до 30—50 Мгц Карбонильное железо изготов- Таблица 11.23 Основные параметры карбонильного железа Марка железа • Начальная маг- нитная прони- цаемость, гс/з Максимальная рабочая частота. Мгц Температурный коэффициент проницаемос- ти . ТКм, 5т /«’pad Р-2 5-6 50 0,015-0,018 Р4 12 10 0 015—0,018 Р-8 8—13 0,5 0.015—0,018 П4 12—15 0,5 0 022 вкж 60 0,2 0.022—0,025 ляется двух классов — радиочастот- ное и восстановленное. Восстановленное карбонильное железо получают из радиочастотного путем отжига в водороде. Оно отличается повышенной маг- нитной проницаемостью и повышенными потерями, поэтому применяется на сравнительно низких частотах. Сердечники из восстановленного карбо- нильного железа имеют характерный металлический блеск. Основные данные карбонильного железа приведены в табл. 11.23. Магнитодиэлектрик «ааьсифер» получается прессованием порошка из сплава альсифер (железо — алюминий — кремниевые сплавы) с баке- литом или аминопластом. Он отличается хорошими электрическими и маг- нитными свойствами и невысокой стоимостью. Ценным свойством альси- феров является отрицательный температурный коэффициент магнитной проницаемости, что позволяет использовать его для температурной компен- сации параметров катушек индуктивности. Основные данные а.Тьсиферов приведены в табл. 11.24. Ферриты (оксидные ферромагнетики) представля- ют собой твердые растворы одного или нескольких простых ферромагнит- ных ферритов, например, феррита никеля или марганца с неферромагнит- ным ферритом цинка- Простым ферритом называется соединение окисла трехвалентного железа с окислом двухвалентного металла. Ферриты очень тверды, хрупки и по механическим свойствам подобны керамике. Удельный вес ферритов значительно меньше, чем у металличе- ских магнитных материалов, и равен 4,5—4,8 г/см8. Удельное объемное сопротивление ферритов может быть очень большим (до 108 ом!см), поэтому они характеризуются малыми потерями па вихревые
92 Электро- и радиоматериалы Основные параметры альсиферов ра. для проводной связи или дли радиоаппаратуры.
Ферромагнитные материалы 93 токи в переменных полях высокой частоты. Однако с ростом частоты по- тери увеличиваются, а магнитная проницаемость ферритов уменьшается. Электромагнитные свойства ферритов приведены в табл. 11.25' Преимущества марганец-цинковых ферритов перед никель цинковы- ми с такой же магнитной проницаемостью, в несколько раз меньше потери на гистерезис, более высокая максимальная индукция, более высокая пре- дельная рабочая температура и меньший температурный коэффициент про- ницаемости. Однако никель-цинковые ферриты отличаются более низкими общими потерями на высоких частотах. Электромагнитные свойства высокопроницаемых ферритов при работе в слабых магнитных полях (// < 0,1 s) значительно более высокие по 0 2 4 б 8 Н ,з Рис. И 5. Графики зависимости обратимой магнитной проницае- мости ферритов от постоянного подмагничивания. Рис. II 6. Графики зависимости ди- намической магнитной проницае- мости ферритов от напряженности переменного магнитного поля. сравнению с электротехнической сталью В средних и сильных полях низ- кой частоты лучше применять электротехнические стали, у которых более высокая индукция насыщения, чем у ферритов. На повышенных частотах (порядка десятков и сотен килогерц) вследствие высокого удельного сопро- тивления и практического отсутствия вихревых токов, индукция в ферри- тах может быть значительно выше, чем в листовых ферромагнитных мате- риалах. Действующая проницаемость ферритов с высокой проницаемостью (особенно никель-цинковых) резко меняется с изменением напряженности подмагничивающего поля (рис. II 5), поэтому эти ферриты целесообразно использовать для магнитных усилителей и ферровариоыетров, работающих но принципу наложения подмагничивающего поля Одним из недостатков ферритов является зависимость их магнитной проницаемости от амплитуды магнитного потока. На рис. II.6 представлены графики зависимости магнитной проницаемости некоторых ферритов от напряженности поля. Никель-цинковые ферриты с начальной проницаемостью 200—600 характеризуются меньшими потерями и применяются на более высоких частотах (до 1,5 Мгц) и.при больших напряженностях поля. При жестких требова! иях в отношении нелинейных лекаже! ни реко- мендуется применять марганец-цинковые ферриты. Если же более важными
Основные данные ферритов Гавайца 11-25 94 Эл, н £ = 0 Параметры гистерезис- ной петли Температурный коэф- фициент проницае- мо ст и Тангенс угла диэлектриче- ских потерь о м| * н о рабо- а *), СС § Марке феррита >льная маг проницаем гс/э ! я прн темпера туре, СС tg 6 прн часто- те, Мгц X X О) Э я к я S !Г X « С* х - 4 о. ч Г « е 2 s ? й я Si § я к . эд а S а з. g. Е *5* 03 аГ s ‘Зн £ £ ж н О 11 II ! Марганец-цинковые 4000НМ (М-4000) 3500—4800 10 4500 1300 0,1 0,8 +(20-5-60) 0,14 о,1 35 0,08 120 § z 3000HM (М-3000) 2500-3500 10 3500 1500 0,15 0,9 +(20-.-60) 0 075 0,1 25 0,15 120 2000НМ (М-2000) 1700—2500 10 3800 1400 0,2 0,3 +(20 ч-60) 0,03 0,1 15 0,35 180 2000НМ1 1700—2500 10 3800 1400 0,2 0,12 +(20ч-60) 0,03 0,1 15 0,4 180 2000НМ2 1700—2500 — — — — 0,12 +(20ч-б0) 0,01 0,1 5 0,6 180 1500НМ 1200-1700 10 3500 — — 0,23 +(20ч-60) 0,023 0,1 15 0,5 180 ✓ 1500НМ1 1200-1700 — — — 0,09 +(20-5-60) 0,023 0,1 15 0,55 180 1500НМ2 1200-1700 10 3300 850 0,27 0,09 | (20-5-60) 0,0075 0,1 5 1 180 1000НМ (М 1000) Никель-цинковые и ДР 800-1200 10 3500 1100 0,35 0,15 +(20-5-60) 0,015 0,1 15 0,7 180 2000НН 1800-2400 10 2500 1200 0,1 0,6 +(20-5-60) 0,2 0,1 100 0,2 70 1000НН (Ф-1000) 900-1100 10 2800 800 0,25 0,4 +(20-5-60) 0,035 0,1 35 0,4 110 600I-1H (Ф-600) 400HH (Ф-400) 5(10-800 350—500 10 10 3200 2000 1700 900 05 0,8 0,35 0,2 + (204-60) + (20-5-60) 0,025 0 008 0 1 0,1 25 20 1 2 НО 120 200HI-I 130-250 10 1900 1000 1,2 0,08 + (20-=-60) 0,006 0,1 30 3 120 200I-1H1 (МНЦ-200) 180-220 100 4100 — 0,5 0,5 + (204-100) 0,02 10 100 20 300 100HH (МНЦ-120) 90-130 100 4100 1900 0,6 0,3 + (204-100) 0,024 1 24 40 300 100HH1 90—120 — —- — — 0,1 От —60 до +125 0,017 1 170 — 150 60ВЧ 51-72 — — — — 0,1 От —60 до +125 0,01 2,5 160 — 400 50ВЧ (МНЦ.-50) 45-60 100 3800 — 1,8 0,25 + (204-100) 0,006 25 120 60 350 30ВЧ 25-36 — — — — 0,05 От —60 до + 125 0,009 5 300 — 250 30ВЧ1 (ЛЦ-30) 30 100 2800 — — 0,05 + (204-100) 0,005 25 160 70 — ЗОВЧЗ 25—35 .90 1900 900 12 0,1 + (204-60) 0,024 5 80 ТОТ 450 20ВЧ 18-28 10 1900 900 12 0,05 + (204-60) 0,0044 5 220 100 450 13ВЧ (CHK-13) 11-15 100 2500 — 12 0,04 + (204-100) 0,0044 70 335 180 450 13ВЧ1 (НФК-13) 11-15 100 2100 — — 0,013 + (204-100) 0,006 100 460 150 450 10ВЧ 8,5-14 — — — — 0,05 От—60 до+125 0,009 10 900 — 450 § 10ВЧ1 8-12 60 2300 — 12 0,1 + (204-100) 0,01 150 1000 150 — 7ВЧ 7-8 100 2300 — — 0,03 + (204-100) 001 150 1500 300 300 § 5ВЧ (CH-5) • 4,5-5,5 100 2200 — 20 0,03 + (204-100) 0,006 100 1250 300 450 S Z *) При tg6 = 0,l. •) Прн |x > 0,8ця fD сл
99 Электро- и радиоматериалы являются требования в отношении потерь в материале при повышенных час- тотах, то необходимо применять никель-цинковые ферриты. Для высокочастотных устройств повышенной мощности следует ис- пользовать ферриты с большой индукцией насыщения и высокой предел ь- ной рабочей температурой. Основной особенностью никель-цинковых и литий-цинковых ферри- тов с низкой магнитной проницаемостью является малый тангенс угла ди- электрических потерь в области частот 10—100 Мгц, а также значительное изменение действующей магнитной проницаемости в полях высокой частоты при наложе ши подмагничивающего поля. Эти ферриты используются в ос- новном для изготовления высококачественных катушек индуктивности для частот 1—100 Ферриты с прямоугольной петлей гистерези- с а характеризуются малым отличием остаточной индукции от индукции насыщения (Вг/В, я; 1). Такие ферриты используются в запоминающих и переключающих устройствах электронных вычислительных машин, а также в устройствах логики. Наиболее распространенная форма сердечников из ферритов с прямо- угольной петлей гистерезиса — кольцо. Размеры колец должны быть ми- нимальными, так как при этом уменьшается расход энергии на перемагни- чивание. Основные да[ ные ферритов с прямоугольной петлей гистерезиса приве- дены в табл 11.26 Таблица 11.26 Основные данные ф ттов с прямоугольной петлей гистерезиса Марка Коэрцитивная сила 1) Пс. э Максимальная индукция *) вт. гс Коэффициент прямоуголь- ное™. нс ме нее Предельная температура, °C 0,15ВТ (ВТ-5) 0,17 2200 0,93 150 0.8ВТ ВТ-2) 0,8 2700 0,94 270 0,9В Т (К-260) 0.9 2659 0.92 200 1 2ВТ (ВТ 1) 1,2 2600 0,94 280 15ВТ (К-28) 1.5 2600 0,93 270 4ВТ (ВТ-6) 4,1 2100 0,88 300 К-272 0,2 2200 0 92 130 *) Допуск ± 10%. Магнитнотвердые материалы отличаются высокой коэрцитивной силой и применяются для изготовления постоянных магнитов. Качество магнита характеризуется энергией магнитного поля, созда- ваемого 1 см3 магнитного материала во внешнем пространстве, и выража- ется как максимальная величина---, 8л получаемая из кривой размагни- чивания. В табл. 11.27 приведены магнитные свойства сталей, которые выпускаю- тся в вид прутков н полос и применяются для изготовления постоянных магнитов. В состав этих сталей, кроме железа и углерода, входят в неболь-
Ферромагнитные материалы 97 ших количествах хром, вольфрам, молибден, кобальт. Кроме того, известны сплавы, из которых изготовляются постоянные магниты литьем с последую- щей термической обработкой. Магнитные свойства этих сплавов приведены в табл. 11.28. Таблица II27 Магнитные свойства сталей для постоянных магнитов Марка стали Остаточная индукция Вг гс Коэрцитивная сила Нс, э BrXHct гс-э Напряженность намагничиваю щсго поля, э ЕХ 9000 58 520 000 4 500 ЕХЗ 9 500 60 570 000 500 ЕХВ6 10000 62 620 000 500 ЕХ5К5 8 500 100 850 000 1000 ЕХ9К15М 8 000 170 I 360 000 1000 Таблица 11.28 Магнитные свойства литых магнитов (после термической обработки) Марка сплава Остаточная индукция Вг, гс Коэрцитивная сила Нс, э Удельная магнитная энергия (ВН\ \ ) макс' с*8 AH I (алии 1) 7 000 250 28 000 АН 2 (алии 2) 6000 430 38 000 АН 3 (алии 3) 5000 500 36 000 АНК (алниси) 4 000 750 43 000 АНКО 1 (алнико 12) 6 800 500 55 000 АНКО 2 (алиико 15) 7 500 600 60 000 АНКО 3 (алнико 18) 9 000 650 97 000 АНКО 4 (алнико 24 12 300 500 150 000 (магнико) Оксидные бариевые магниты изготовляются на ос- нове феррита бария — соединения окиси бария и окиси трехвалентного железа. Оксидные бариевые магниты могут быть изотропными (одинаковые маг- нитные свойства во всех направлениях) и анизотропными (свойства зависят от направления намагничивания). Преимущес вом оксидных бариевых магнитов является весьма высокая коэрцитивная сила (порядка 1500—2500 э), которая обеспечивает устойчи- вость против размагничивания сильными внешними полями. Другим пре- имуществом является малая стоимость этих магнитов. Одним из недостатков оксидных бариевых магнитов является высокий температурный коэффициент индукции (в 6—8 раз больше чем для металли- ческих магнитов). Это несколько ограничивает область применения оксид- ных магнитов. Оксидные бариевые магниты широко применяются в магнитных цепях гро> коговорителей, микрофонов и других акустических преобразователей 4 I 1308
98 Электро- и радиоматериам и используются также для магнитной фокусировки, в отклоняющих систе- мах, для изготовления роторов и статоров маломощных электродвигате- лей и многих других целей. Таблица 11.29 Основные параметры оксидных бариевых магнитов Марка Остаточная индукция Вг, гс Коэрцитивная сила Нс, э Максимальная удельная магнит- ная энергия ^^макс ес ‘3 Удельное электри- ческое сопротнв лепие. СМ‘ММ2 м Удельный вес» г? см* 0,7БИ 18002100 1400—1600 (0,7н-0,8)- 10“с ю8 4,4 1БИ 1900—2200 1600—1800 (0,8ч-1,1). 10-6 106 4,6 2БА 3000—3500 2300—2900 (2,0ч-2,9). 10~6 10= 4,6 ЗБА 3600—4000 1600—2200 (3,0ч-3,5). 10~6 106 4,9 Магнитные свойства оксидных бариевых магнитов приведены в табл. 11.29 § 9 ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ Кварц — природный кристалл, отличается высокими механически- ми и изоляционными свойствами, химически устойчив, негигроскопичеи, высокостабилен Применяется для стабилизации частоты генераторов й в электрических фильтрах. Турмалин — природный кристалл, обладающий более сильным, чем у кварца, пьезоэлектрическим эффектом, негигроскопичеи, имеет малый температурный коэффициент частоты, дорогостоящий материал. Применяет ся в фильтрах, работающих в области весьма высоких частот. В последнее время успешно вытесняется высокочастотными срезами кварца. 'Сег н е то в а я соль — искусственный кристалл, обладающий очень большим пьезоэффектом. Применялся в пьезомнкрофонах, телефонах и звукоснимателях. Ввиду' малой механической прочности, большой ги- гроскопичности и относительно низкой рабочей температуры (до 40—45₽ С), при которой он не теряет пьезоэлектрических свойств, применение сегнето- вой соли ограничено. Фосфат аммония — искусственный кристалл, обладающий довольно большим пьезоэффектом и относительно малой гигроскопичнос- тью устойчиво работает при температурах до 80—90° С и характеризуется большей механической прочностью, чем сегнетовая соль. Применяется в электрических фильтрах, звукоснимателях и других устройствах. Титанат бария — керамический пьезоэлектрик, обладающий болыйим пьезоэффектом и высокой механической прочностью; совершенно негигроскопичеи; его пьезоэлектрические свойства незначительно изменяют- ся в широком интервале температур. Имеет большую диэлектрическую про- ницаемость (порядка 3000) сильно зависящую от напряженности электри- ческого поля и температуры. Находит широкое применение в звукоснима- телях диэлектрических усилителях, стабилизаторах напряжения и других устройствах.
Литература 99 Литература I Преображенский Л. А Магнитные материалы М„ «Высшая шкала», 1965. 2. Р я б ч и н с к а я Г. И. Радиотехнические материалы. М — Л., Гос- эпергоиздат, 1950. 3. С о б о л е в с к и й А. Г. Провода, шнуры, кабели. М.— Л., Госэпепго- издат, 1962. 4. Справочник по электрическим материалам. Т. 1 и 2. М.— Л., Госэпепго- издат, 1958—1959. 5 Я м а и о в С. А , Смирнов С. А Справочник по изоляционным ма- териалам. М — Л., Госэнергоиздат, 1947.
ГЛАВА КОНДЕНСАТОРЫ И РЕЗИСТОРЫ III § 1. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ КОНДЕНСАТОРОВ Номинальная емкость конденсатора маркируется на его корпусе. Фактическая емкость конденсатора может отличаться от номинальной, Номинальные емкости конденсаторов Я о я VO Ф о? О я ф о £ о Я 1О С’ Г? ю 04 п ю 41 н +*^5 -Н. Н +'« -Н -Н пф 1,0 1.0 10 10 10 10 100 100 100 _ — 1,1 — — 11 —. — по — 1,2 1,2 — 12 12 — 120 120 — — 1,3 — — 13 — — 130 1,5 1,5 1,5 15 15 15 150 150 150 — — 1,6 — — 16 — — 160 1,8 1,8 — 18 18 — 180 180 — 2,0 — —— 20 — — 200 2,2 2,2 2,2 22 22 22 220 220 220 — — 2,4 — 24 — — 240 -— 2,7 2,7 27 27 — 270 270 — — 3,0 .— 30 — — 300 3,3 3,3 3,3 33 33 33 330 330 330 —- —. 3,6 — — 36 — —. 360 3,9 3,9 — 39 39 — 390 390 — -—. 4,3 —-. — 43 — — 430 4,7 47 4 7 47 47 47 470 470 470 — — 5,1 —— — 51 — — 510 — 5,6 5,6 — 56 56 — 560 560 — 6,2 -— — 62 —- 620 6,8 6,8 6,8 68 68 68 680 680 680 — — 7,5 — —. 75 —- —. 750 — 8,2 8,2 — 82 82 — 820 820 — — 9,1 — — 91 —- — 910 Примечание Номинальные емкости электролитических конденсаторов должны 6000 якф.
Основные параметры конденсаторов 101 но не более чем на величину допуска, который обычно проставлен на кон- денсаторе после емкости. На конденсаторах, изготовляемых с одним опре- деленным допускаемым отклонением от номинала, допуск не маркируется. Установленный согласно ГОСТ 2519—60 ряд поминальных емкостей конденсаторов постоянной емкости при различных допускаемых отклоне- ниях от номиналов приведен втабл. III.1 и III.2. Емкость конденсаторов пе- ременной емкости не стандартизована. Допустимые отклонения емкости отдельных конденсаторов от номиналь- ного значения установлены ГОСТ 9661—61. Удельная емкость конденсатора — отношение емкости конденсатора к объему — измеряется в мкф см3. Наибольшей удельной емкостью обла- дают электролитические конденсаторы, а наименьшей — воздушные. Электрическая прочность конденсаторов характеризуется: а) рабочим напряжением — максимальным напряжением, при котором конденсатор может работать в течение длительного времени (более 10000 ч;) Таблица 111.1 ±20% и более о Н «ST ±20% и более !%’Q! ¥ 1Л н ±1096 И более а? о СЧ 44 мкф 1000 1000 1000 0,01 0,01 0,1 1.0 10 —— — 1100 —- — — — —— — 1200 1200 — 0,012 — — — —- —- 1300 — — — — 1500 1500 1500 0,015 0 015 0,15 1,5 15 —— —— 1600 —. — — —- — — 1800 1800 — 0,018 — — — —— — 2000 — —— -— -—- — 2200 2200 2200 0,022 0,022 0,22 2,2 22 —— 2400 W—- —- ——— —— — 2700 2700 — 0,027 — — — .— — 3000 — —— — — — 3300 3300 3300 0,033 0,033 0,33 3,3 33 — — 3600 — — ——- —— —— — 3900 39)0 — 0,039 — — — —— — 4300 — —— — —— — 4700 4700 4700 0,047 0,047 0,47 4,7 47 — —— 5100 —— —— — — — — 5600 5600 — — — — — — —- 6200 — —— —- —— — 6800 6800 6800 0,068 0,068 0,68 6,8 68 — — 7500 — — ——. — — 1— 8200 8200 — 0,082 — — — — — 9100 — — — — — соотвгтствэвзгь следующему ряду, t—2—5—10—20—50—100—200—500—.000—2000 —
102 Конденсаторы и резисторы Таблица 111.2 Номинальные емкости конденсаторов, разработанных до введения ГОСТ 2519—60 и не подвергшихся модернизации Емкость, мкф 0,01 01 Г 10 100 0,012 0,12 1,2 12 120 0,015 0,15 1,5 15 150 0,018 0,18 1,8 18 180 0,02 0,2 2 20 200 0,025 0,25 2,5 25 250 0,03 0,3 3 30 300 0,04 0,4 4 40 400 0,05 0,5 5 50 500 0,06 0,6 6 60 600 0,07 0,7 7 70 700 0,08 0,8 8 80 800 Таблица И 1.3 Сопротивление изоляции и tg 6 конденсаторов Тип конденсатора * Сопротивление изоляции, ЛТо.м Ifi 0 Воздушный 50 000 (1—2). 10—4 Слюдяной 10 000—50 000 (5—10)10—4 Керамический обыкновенный . . . 5000- 10 000 (1—2)10—3 Сегпетокерамнческнн • 1000—5000 " (2—4) -10—2 Стеклянный 10 000—20 000 (2—3)-10~3 Стеклоэмалевый и стеклокерами- ческий 5000—20 000 (1 —10)10—3 Бумажный 5000—10 ООО ” (1—1,5) IO-2 Металлобумажный 500—2000 2) 2000-5000 '» (1,5-2)- IO-2 Пленочный фторопластовый . . . 200—1000 2) 50 000-100 000 ч (2—10) 10-4 Лакопле! очный 5000—10 000 2) 100 (1-1,5)-IO-2 Элек ролитический 3—50 а (1—3) ю-3’1 >) Мом для емкостей менее 0,1 мкф. для больших емкостей — меньше г) Мом мкф для емкостей более 0,1 мкф. •) При частоте 50 гц.
Основные параметры конденсаторов 103 б) испытательным напряжением — максимальным напряжением, под которым конденсатор может находиться, не пробиваясь в течение небольшого промежутка времени; в) пробивным напряжением — минимальным напряжением, при кото- ром происходит пробой диэлектрика. Соотношения между этими напряжениями определяются видом ди- электрика. Сопротивление изоляции конденсаторов определяется качеством ди- электрика и его размерами. Значения сопротивлений изоляции для раз- личных типов конденсаторов при нормальных климатических условиях приведены в табл. III.3. Потери в маломощных конденсаторах в основном определяются поте- рями в диэлектрике. Они характеризуются тангенсом угла потерь tg 6. Величина, обратная tg 6, называется добротностью конденсатора tg 6 Величины tg 6 для современных типов конденсаторов при нормальных климатических условиях приведены в табл. 111.3. При значительных потерях возникает зависимость эквивалентной ем- кости конденсатора Сэ от частоты, которая выражается формулой С - С - 3 l+tg26 где С — емкость ко щенсатора на очень низкой частоте. Реактивная мощность конденсатора Рр = -у- Umlт sin q>. где lnl — амплитуда синусоидального тока, протекающего через конден- сатор; Um — амплитуда напряжения на конденсаторе; <р — угол сдвига* между током и напряжением. Для конденсаторов всех типов, кроме электролитических, можно счи- тать <р 90°, т. е. Pp^Ul, где U и I — действующие значения напряжения и тока. Для каждого вида керамических н слюдяных конденсаторов указы- вается предельно допустимая реактивная мощность Рр доп, которая опреде- ляет границы применения конденсатора в цепях переменного тока. Допус- тимая амплитуда переменного напряжения па конденсаторе где РрдОп — предельная реактивная мощность, ва; f, — частота перемен- ного напряжения, гц; С — емкость конденсатора, ф. Собственная индуктивность конденсатора зависит от размеров обкла- док и способа их соединения с выводами. Для нормальной работы конден- сатора необходимо, чтобы максимальная рабочая частота была в 2—3 раза
104 Конденсаторы и резисторы ниже резонансной частоты конденсатора, которая зависит от собственной ин- дуктивности. Индуктивности стандартных конденсаторов и максимальные рабочие частоты приведены в табл. Ш.4. Таблица Ш-4 Индуктивности и максимальны рабочие частоты конденсаторов Тип L, нгн ^макс. Слюдяной, малого размера (КСО-1 — КСО-7) 4—6 150—250 Слюдяной, среднего размера (КСО-11) . . . 15-25 75—100 Слюдяной, большого размера Керамический дисковый, малого размера 50—100 1-1 5 (КД 1) Керамический дисковый, среднего размера 1—1,5 2000—3000 (КД-2) Керамический трубчатый, малого размера 2—4 200- 500 (КТ-1) Керамический трубчатый, среднего размера 3—10 150—200 (КТ-3) Бумажный, малого размера, в цилиндричес- 20—30 50-70 ком корпусе с паяными торцами (КБГ-И) О Бумажный, среднего размера, в цилиндричес- 6—11 5—8 ком корпусе с паяными торцами КБГ М КБ) 30—60 3—5 Бумажный, большой емкости Переменной емкости, среднего размера, воз- 50—100 1—1,5 душный Для емкостей менее 4700 пф. 10-60 50—100 Стабильность конденсаторов характеризуется обратимыми и необра- тимыми изменениями емкости под влиянием температуры, влажности, ат- мосферного давления и механических воздействий. Обратимые изменения ем- кости конденсатора при воздействии тепла характеризуются температурным коэффициентом емкости (ТКЕ), необратимые — коэффициентом температур- ной нестабильности (КТНЕ). Необратимые изменения емкости не могут быть устранены какой-либо термокомпеисацией. Температурный коэффициент емкости представ- ляет собой относительное изменение емкости при изменении температуры на 1°С. Стандартные конденсаторы постоянной емкости в зависимости от вели- чины их ТКЕ разделяются на группы (табл. III.5). ТКЕ конденсаторов из сегнетокерамнки зависит от температуры, поэтому его величина ие нор- мируется, а температурная стабильность определяется от осительным изменением емкости в интервале рабочих температур (табл. П1.6). Маркировка конденсаторов постоянной емкости. На конденсаторах достаточно больших габаритов обозначаются типы номинальные рабочие напряжения, номинальные емкости и допустимые отклонения от номииаль ной емкости в процентах Кроме того, ставится марка завода-изготовите- ля, месяц и год выпуска. Если конденсаторы данного типа выпускаются только по одному классу точности, то величина допуска ие ставится.
Основные параметры конденсаторов 105 Таблица 111.5 Группы температурной стабильности конденсаторов постоянной емкости в интервале температур от +20с до i-85c С Группа ТКЕ, %/°C КТНЕ, % Цвет корпуса Цвет маркиро- вочной точки Для слюдяных конденсаторов А Не нормируется — — — Б ±0,02 0,5 — — В ±0,01 02 —. — Г ±0.005 0,1 — — Для керамических кон; пса торов П120 (С) +0,012 0,05 Синий — ПЗЗ (Р) +0,0033 0,05 Серый — МПО 0 — Голубой Черный МЗЗ (М) —0,0033 —> > Коричневый М47 (Л) —0,0047 0,05 » Красный М150 —0,015 — Красный Оранжевый М220 —0.022 — Желтый МЗЗО (Ж) —0,033 0,15 Зеленый М470 —0,047 — Синий М750 (Д) —0,075 0,15 — Ml500 (К) —0,150 015 Зеленый — Примечание. В скобках приведено старое обозначение группы ТКЕ. На слюдяных и стеклоэма- Таблица II 1.6 левых конденсаторах, кроме то- го, ставится буква указываю- щая группу ТКЕ. Группа ТКЕ керамических конденсаторов обычно обозначается цветным кодом — окраской корпуса кон- денсатора в определенный цвет (табл. III.5и III.6). Буквенное обозначение хо- лодоустойчивости электролити- ческих конденсаторов входит в наименование их типов. На малогабаритных кон- денсаторах тип обычно не ука- зывают. Если все конденсаторы данного типа выпускаются толь- ко на одно рабочее напряжение, то ие указывается и величина напряжения На малогабарит- Допускаемые изменения емкости конденсаторов с диэлектриком из низкочастотной керамики относительно емкости при температуре +20° С в интервале рабочих температур от — 60 до - 1-85° С ♦ Цвет маркиро- Допускаемые обозначе- BO’lHOfi точки изменения ние труп- на корпусе емкости, % пы оранжевого цвета ±10 ню Черный ±20 Н20 Красный ±30 НЗО Зеленый —50 Н50 Синий —70 Н70 — -90 Н90 Белый ных керамических конденсато- рах часто не ставится и обозначение единиц емкости, пф. На керамичес- ких конденсаторах емкостью в несколько пикофарад вместо обычного до- пуска в процентах указывается допуск в пикофарадах, если допуск ие указан, значит конденсатор выпущен с допуском ±20%.
106 Конденсаторы и резисторы § 2. КОНДЕНСАТОРЫ ПОСТОЯННОЙ ЕМКОСТИ Слюдяные конденсаторы характеризуются высокими электрическими показателями, небольшими размерами и малой стоимостью. Герметизиро- ванные с.тюдяг не конденсаторы являются наиболее влагостойкими, но име- ют большие размеры и более высокую стоимость. Наиболее распространенные следующие типы слюдяных конденса- торов: КСО — конденсаторы слюдяные опрессованные, КСГ — конденсаторы слюдяные герметизированные, СГМ — слюдяные герметизированные малогабаритные. КСОТ — конденсаторы слюдяные опрессованные теплостойкие. Рис. III. 1. Внешний вид слюдяных конденсаторов: I — КСО-12: 2 — КСО-Ю; 3 — КСО-7; 4 — КСО-6; 5 — КСО-5: 6 — КСО-4; 7 — КСО-2, 8 — КСО-1; 9 — СГМ-2; 10 — КСГ-1. Внешний вид некоторых слюдяных конденсаторов показан на рис. III.I, а основные данные приведены в табл. III.7. Слюдяные конденсаторы широко используются в колебательных кон- турах, а также в качестве переходных, разделительных, блокировочных и фильтровых. Сопротивление нзолянш слюдяных конденсаторов 7500—50 000 Мом, добротность превышает 1000 (для конденсаторов более 200 пф). Слюдя- ные конденсаторы всех типов выпускаются с допуском ±2; ±5; ±10; ±20%, кроме КСО с ТКЕ по группе А, которые выпускаются с допуском ±5; ±10; ±20%. Керамические конденсаторы отличаются высокими электрическими по- казателями, небольшими размерами и невысокой стоимостью. Они широко применяются в контурах радиоаппаратуры УКВ и КВ, а также в качестве блокировочных, переходных и др.
Конденсаторы постоянной емкости 107 Таблица II 1.7 Основные данные слюдяных конденсаторов Тип Емкость, пф Рабочее на- пряжение. в Реактивная мощность, ва Группа ста- бильности Размеры (без выво- дов), мм КСО-1 51—750 100—750 250 250 5 5 Б-В Г 13x7x4,5 КСО-2 100—2-100 100—680 ГОО 500 10 10 Б-Г А 18X11X6,5 КСО-5 470—6800 7500—10 000 500 250 20 А-Г А-Г 20x 20X9 КСО-6 100—2700 1200—2700 1000 1000 25 Б-Г А 27X16,5X9 47—1000 2500 Б-Г КСО-7 1100—2200 1500 40 А-Г 35x28,6x9,6 2400—3300 1000 Л-Г 1000—3300 2500 А-Г 3600 —4300 2000 А-Г 4700—6800 1500 50 Л-Г 35x28,6x12 КСО-8 7500—10 000 1000 Л-Г 12000—30000 500 А-Г 10 000—30000 200 А-Г ксг-1 470-4700 470—20 000 1000 500 50 Б-Г Б-Г 26x 23x13 КСГ-2 20 000—30 000 20 С00—100 000 1000 500 100 Б-Г Б-Г 45x33x21 СГМ-1 100—560 250 5 Б, Г 15x9,5x6 СГМ-2 620—1200 250 5 Б, Г 15Х 10x7 100—4300 500 Б, Г СГМ-3 100—3000 1000 10 Б, Г 19x13,5x7,5 100—1500 1500 Б, Г 6800—10 000 250 20 Б, Г 19x22x9 СГМ-4 4700—6200 500 Б, Г 3300—6800 1000 Б, Г 1600—3900 1500 Б, Г
108 Конденсаторы и резисторы Основные данные керамических конденсаторов Е X Характеристика Количест- во гипо- размеров Пределы номи- нальных значе- ний емкости, пф Допускаемые от- клонения от номина- ла, % КД Дисковый . . . 5 1—270' 2; 5; 10; 20 5 680—6800 От -|-80 до —20 кдо Дисковый, опорный 2 3,3—100 20 2 1500; 2200 От +80 до —20 • КДУ Дисковый, ультра- коротковолновый 3 1-47 10 кгк Герметизированный 5 5—1000 2; 5; 10; 20 клг Литой секционный 2 18—2000 2; 5; 10; 20 2 1000—10 000 20 2 4700—22 000 От +80 до —20 клс » > 3 8,2—3000 5; 10; 20 3 680—100 000 От +80 до —20; 20 км Монолитный 10 16-5600 5; 10; 20 680—6800 От +50 до —20 1500—15 000 » +80 » —20 КМ-6 » — 120—15000 5; 10; 20 10000—150 000 От+50 до—20 22000—1000000 » +80 » —20 ко Трубчатый, опор- 2 6,8—390 20 ный 2 1000 -4700 От +80 до —20 ком Опорный, малога- 3 8,2—470 10; 20 баритиый .... 3 3300—6800 От +80 до —20 кпм Пластинчатый, ма- 5 15-2200 10; 20 логабаритный 5 4700—47 000 От +80 до —20 КТНБ Трубчатый, негер- метизированпый, блочный .... 4 180—1000 2; 5; 10; 20 ктп Трубчатый, проход- 8,2—470 10; 20 НОЙ 1 470—15 000 От+80 до—20 ктпм То же, мало аба- 3 8,2—560 10; 20 ритный .... 8 3300—10 000 От+80 до—20 7 1—2200 2; 5; 10; 20 кт Трубчатый . . . 6 680—33 000 От +80 до —20 КП Пластинчатый 4 30—1500 10; 20 КПС Пластинчатый, сег- Й1етоэлектрический 4 510—40 000 От+100 до—40 квде К10-7 Высоковольтный, дисковый, сегнето- электрический 4 1000—10 000 » + 50 » —20 • 6 2,2—2200 10; 20 Примечания: 1. Предназначен для работы в цепях постоянного, переменного ного тока. 3. Предназначены для работы в импульсном режиме. 4. Предназначены для вначены для использования в качеств? разделительных и блокировочных. 6. Допускае кости от номинала нс менее I пф. 8. Допуск ±2% для конденсаторов с номинальной ем код (зеленый 60 в, фиолетовый 160 в, белый 250 е). 10. Для маркировки рабочего напря
Конденсаторы постоянной емкости 109 Таблица II[.8 Рабочие на- пряжения, в Максимальные реактивные мощности, ва Группы ТКЕ Примеча- ния 300—500 20—100 П120. ПЗЗ, М47, М750, Ml500 1; 3; 6 160; 300 1—5 Н70 1; 5 500 75 П120, М47, М75, М700, Ml300 1; 3; 6 400 4 Н70 1 500 40—100 ГН 20, ПЗЗ, МЗЗ, М700 2; 4; 6 500 25—125 П120, ПЗЗ, МЗЗ, М700 1; 4; 6; 8 70—250 60—150 М47 — Ml 300 1; 3; 4; 10 70—250 60—150 ИЗО 1; 5; 10 70—250 60—150 Н70 1; 5; 10 70—200 — МЗЗ, М47, М750, Ml500 I; 3; 4; 9 35—160 —— Н30 Н50, Н70, Н90 2; 5 160; 250 10-40 ПЗЗ, МЗЗ, М47, М750, Ml500 1; 3; 4 100; 160 0,5—40 ИЗО 2,5 50 10—40 Н90 2,5 25—50 10—40 ПЗЗ, М47, М75, М750, Ml500 1; 3; 4 25—50 10—40 Н50 2; 5 25—50 10—40 Н90 2; 5 250—500 20—75 П120, М47, М75 М700, Ml300 2; 3 160—400 1—4 Н70 2 250 20—40 П120, М47, М75, М700, Ml300 2 160 1—2 Н70 2 100 20—100 П120, ПЗЗ, МЗЗ, М47, М700, Ml500 1,5 100 1—5 Н70 2, 5 500 600—2400 П120, М47, М150 1; 4; 6 160—750 10—80 П120, М47, М75, М700, Ml300 2 160—500 0,5-4 Н70 2 250 20—50 П120, М47, М75. М700, Ml300 2 160 1—2 H70 2 250—750 20—1200 П120, ПЗЗ МЗЗ, М47, М700, М1500 1-4,6 160; 300 2—7 Н70 1,5 250 20—100 М1300 2; 5 250 -Г Н90 2; 5 1500 1—10 2; 5 160—500 20—100 Все (см. табл. Ш 5) 1; 3-4 я пульсирующего тока. 2. Предназначены для работы в цепях постоянного и псремен- использования в качестве контурных, разделительных н блокировочных. 5. Предка- ми отклонения емкости от номинала ие менее 0,4 пф 7. Допускаемые отклонения ем- костью нс менее 30 пф. 9. Для маркировки рабочего напряжения применяется цветной ження применяется цветной код (зеленый 70 «, фиолетовый 60 «, желтый 250 в).
110 Конденсаторы и резисторы Конденсаторы с небольшим положительным ТКЕ, порядка 0,003%/°С, называются т е р м о с т а б и л ь н ы м и и применяются в контурах гене- раторов и гетеродинов высокой стабильности. Конденсаторы с отрицательным ТКЕ (см. табл. III.5) называются термокомпенснрующими и используются для термокомпеп сацин. Внешний вид некоторых типов керамических и стеклоэмалевых конденсаторов показан на рис. III.2. а основные данные приведены в табл. Ill 8. Рис. III.2. Внешний вид керамических и стеклоэмалевых конденсаторов: I - КВБ, 2 — КВКБ; 3 - КВН; 4 - КВС: 5 — КОБ; 6. 7. 8 - КД: 9 - КДУ; to - КП; // — КДО; 12 - КТНБ; 13 - КПКТ; 14 - КТ; 15 - КТ-1; 16 КГК; /7 — КТП; 18 — КО, 19 — Кб. Сопротивление изоляции керамических конденсаторов достигает 10 000 Л1аи, а добротность составляет 500—800. Особую группу керамических конденсаторов составляют так называ- емые сегнетокерамические конденсаторы, в которых в качестве диэлектрика применяется сегнетокерамика — материал с очень большой диэлектрической проницаемостью (до нескольких тысяч) в опреде- ленном интервале температур. Диэлектрическая проницаемость сегнето- электриков сильно зависит от температуры и напряженности электрического ноля (напряжения па обкладках конденсатора). Объемное сопротивление сегнетокерамики значительно ниже, чем у других видов керамики, а ди- электрические потери больше. Конденсаторы из сегнетокерамики отличаются от конденсаторов из вы сокочастотной керамики большей емкостью при одинаковых размерах. Однако тангенс угла диэлектрических потерь сегнетоэлектрических кон- денсаторов больше, поэтому они применяются только в низкочастотных цепях.
Конденсаторы постоянной емкости 111 Вариконды представляют собой сегнетокерамические конденсаторы, отличающиеся особо нелинейными свойствами. Они характеризуются по- вышенной диэлектрической проницаемостью и ее резкой зависимостью от температуры и напряженности поля, гистерезисом, зависимостью заряда на обкладках от напряженности поля и сильно выраженным пьезоэффектом. Вариконды предназначены для управления параметрами электрических цепей и для замены электронных ламп и ферромагнитных материалов в электронных устройствах. Констр} ктивно вариконды оформлены в виде дисков с дв> мя выводами. Малогабаритные вариконды, диаметр диска которых равен 2 мм, помещены в снецналь >ые пластмассовые держатели с запрессованными в них вывода- ми. По внешнему виду вариконды не отличаются от дисковых керамических конденсаторов, поэтому для их обозначения у одного из выводов наносится маркировка в виде голубой точки. Номинальные емкости п размеры выпускаемых промышленностью ва- рикондов приведены в табл. III.9. Сопротивление изоляции варикондов составляв 500—5000 Мом, тангенс угла диэлектрических потерь при темпе- ратуре 20° С приблизительно равен 0,04. При изменении переменного на- пряжения от 5 в до некоторого значения (при котором емкость вариконда максимальна) емкость варикондов типа ВК2 возрастает в 7—8 раз. Вари- конды типа ВК2 могут работать в интервале температур от —40 до +60° С, а типа ВК4 — от —40 до +85° С. Максимальное рабочее напряжение посто- янного тока для варикондов составляет 160 в. Таб ица II 1.9 Номинальные емкости и размеры варикондов Тнп Номинальные значения емкости Размеры, мм Тнп Номинальные значения емкости Размеры, мм ВК2-М 10; 22 пф 04,5x0,6 ВК4-М 10; 22 пф 02,0x0,2 ВК2-О 100 » 04,5X0,6 ВК4-О 68 » 04,5X7,4 ВК2-1 470 » 04,5x2,5 ВК4-1 220 » 04,0X2,5 ВК2-2 2200 » 0 9X2,5 ВК4-2 1500 » 09,0x2,5 ВК2-3 6800 » 0 16x2,5 ВК4-3 4700 » 016,0x2,5 ВК2-4 10 000 » 0 25x2,5 ВК4-4 6800 » 025 х2,5 ВК2-ЗШ 6800 » 0 16х 5 ВК4-Ба 0,1 мкф 02.) х 18 ВК2-Ба 0,15 мкф 0 25Х 18 ВК4-Б6 01 » 17,5X14,5X18 ВК2-БШа БК2-Б6 ВК2-БП16 ВК2-2Б 0,15; 0.22» 0,15 » 0,15; 0,22» 0,22 0 25Х 18 17,5X14,5X18 17,5X14,5x18 08,5X18 ВК4-2Б 0,22 » 08,5х 18 Стеклокерамические и стеклоэмалевые конденсаторы представляют собой параллелепипеды из чередующихся слоев диэлектрика (стеклокера- мики или стеклоэмали) и тонких обкладок из серебра. Все эти слои спечены при высокой температуре. Стеклокерамические и стеклоэмалевые конден- саторы выпускаются с проволочными выводами н без них. Последние пред- назначены для печатных схем и малогабаритной аппаратуры. Сопротивление изоляции стеклокерамических конденсаторов не менее 3—5 Гом, стеклоэмалевых — не менее 20 Гом\ добро ость этих конден- саторов не менее 500. Основные' характеристики стеклокерамических и
112 Конденсаторы и резисторы Основные данные стеклоэмалевых, стеклоке Тип Характеристика Количе- ство типо- размеров Пределы но- минальных значений ем- кости. пф дс Дисковый стеклоэмалевый 1 22—100 КС Стеклоэмалевый 4 10-1000 скм Стёклокерамическии, многослойный 3 10—1000 680-5100 К22У-1 Стеклокерамический 12 22—2400 680—1500 К21У-1 Стеклянный, теплостойкин 6 9.1 -510 К21У-2 Стеклянный 10 10—3000 К21У-3 » 14 9,1—5600 К. 21-5 в 2 2,2—330 Примечания: 1. Предназначены для работы в цепях постоянного, перемен 3. Предназначены для использования в качестве контурных, разделительных н блоки ровочных. 5. Допускаемые отклонения емкости от номинала не менее I пф. стеклоэмалевых конденсаторов приведены в табл. III. 10,а внешний вид пока- зан на рис II 1.2 Стеклянные конденсаторы по конструкции подобны стеклокерамиче- ским и стеклоэмалевым Диэлектриком в этих конденсаторах служат слои Рис. Ill 3. Внешний вид бумажных конденсаторов. / — КБГ-МН 2 — КБГ-.МП; 3 — КБГ-М; 4 — КБП-Р; 5 — КБП-С; 6 — КБГ-И; 7 — БГМТ. из специального стекла, обкладки выполнены из тонкой фольги. Для защиты от механических и климатических воздействий конденсаторы покрыты эмалью.
Конденсаторы постоянной емкости 113 Таблица 111.10 рамических и стеклянных конденсаторов Допускаемые отклонения от номинала. % Рабочие на- пряжения. 6 Макси- мальные реактив- ные мощ- ности, ва Группы ТКЕ Приме- чания 5; 10 2; 5; 10; 20 2; 5; 10; 20 От -}-50 до —20 5; 10, 20 От +50 до —20 2; 5; 10; 20 5; 10; 20 2; 5; 10; 20 5; 10 3000-5000 300; 500 250; 500 125; 250 35—250 12—100 500 125—1000 250 70; 160 15—200 30—55 15—30 0,8—1,5 100—250 5—10 25—100 10 мпо ПЗЗ, МПО, М47 МПО, М47, МЗЗО ИЗО МПО, М47, МЗЗО ИЗО П100 П120, МПО ПЗЗ, МПО М47, М75, МЗЗО, МПО 1; 3 1 3; 5 1; 3; 5 1; 4 1;2;3 1; 4 1,2, 3;5 1; 2; 3;5 1; 2; 3 1; 2; 3 5 кого и пульсирующего токов. 2. Предназначены для работы в импульсном режим?, ровочпых. 4. Предназначены для использования в качестве разделительных н блоки- Электрические параметры стеклянных конденсаторов примерно такие, как у стеклокерамических. Однако стеклянные конденсаторы могут рабо- тать при более высоких температурах (до +350° С). Основные данные стеклянных конденс торов приведены в табл. 1П.З и III.10. Бумажные конденсаторы по электрическим показателям значитель- но уступают слюдяным, керамическим, стеклокерамическим, стеклянным, стеклоэмалевым и пленочным. Поэтому они обычно применяются на низких частотах в качестве разделительных, блокировочных и фильтровых. Основные данные бумажных конденсаторов приведены в табл. III 3 и III.И, а внешний вид показан на рис. III.3. Металлобумажные конденсаторы по размерам значительно меньше бу- мажных, имеющих те же номинальные рабочие напряжения и емкости, и по удель юй емкости приближаются к электролитическим, имеют больший срок службы и способны самовосстаиавливаться после пробоя, однако имеют несколько меньшее сопротивление изоляции. Диэлектриком металлобумажных конденсаторов является лакировн ная конденсаторная бумага, обкладками — слои металла толщиной порядка долей микрона, нанесенные на одну сторону бумаги Металлобумажные конденсаторы с однослойным диэлектриком (МБГО) нежелательно применять в цепях с напряжением, значительно меньшим по- минального напряжения конденсатора (порядка единиц вольт). Основные данные металлобумажных конденсаторов приведены в табл. III.3 и III.12, а внешний вид показан на рис. III 4. Пленочные и металлоплеиочные конденсаторы применяются в радио- электронной аппаратуре наряду со слюдяными и керамическими. Диэлек- триком этих конденсаторов является тонкая пленка из полистирола или фторопласта (см. § 7 гл. 11). Обкладки пленочных конденсаторов — метал- лическая фольга, металлопленочных — тонкий слой металла, нанесен! ый на пленку.
114 Конденсаторы и резисторы Таблица 111,11 Основные данные бумажных конденсаторов Тип Характеристика Корпус Количество типоразмеров Номинальные значения емкости нли их пределы * Максималь- ное рабочее напряжение, в ф S ф tr св В п « X БГТ DM БМТ КБГ-И КБГ-М КБГ-МН КБГ-МП БГМТ КБП 'Герметизиро- ванный, тепло- стойкий Малогабарит- ный Ма чогабарит ный, теплостой- кий Герметизиро- ванный То же а и ъ » Герметизиро- ванный, мало- габаритный, теплостойкий Проходной пм цм цм ЦК цм пм пм цм цм 20 2 10 6 3 4 8 0,51—10 мкф 0,25—8 » 0.25—6 » 0,01—4 » 0,01—2 » 470—2200 пф 3300 пф — 0,022 мкф 0,033; 0,047 » 470 пф — 0,22 » 1000 » —0,022» 1000 пф —0,1 » 1500 » —0,05 » 470 » —0,03 » 0,04—0,25 » 0,07—0,25 » 0,01—0,15 » 0,5—2 » 0,25—1 » 0,1—0,5 » 0,1; 0,25 » 1,0—10 » 2; 6; 8 » 0,6-6 » 0,25—4 » 0,25—2 » 470 пф —0,25 мкф 1000 » —0,02 » 0,025—2 мкф 200 400 600 1000 1500 300 200 150 400 600 200 400 600 200 400 600 200 600 1000 1500 200 400 600 1000 1500 400 600 ПО— 1500 1; 2 1; з 1 1; з 1; з 1; з 1 4
Конденсаторы постоянной емкости 115 Продолжение табг. III.11 Тип Характеристика Корпус Количество типорэнмеров Поминальные значения емкости или их пределы Максималь- ное рабочее напряжение, в Назначение К40П-1 Малогабарит- ный, опрессо- ванный ЦПл 6 470 пф—0,018 мкф 3900 » —0,22 » 600 400 1 К4ОП-2 (БГМ) Герметизиро- ванный, мало- габаритный ЦМ 2 1000 » — 0,047 » 400 1 К40П-3 (КБ) Бумажный ЦБ 6 0,01 » — 0,47 » 4700 » —0,33 » 4700 » —0,22 » 200 400 600 1 К40У-9 » ЦМ 13 470 » — 1 » 4700 » —0,68 » 470 » —0,47 » 1000 » —0,22 » 200 400 600 1000 1 Примечания: 1. Конденсаторы всех типов выпускаются с допускаемыми от- клонениями емкости от номинала ±5, ±10 и ±20?о, кроме конденсаторов типов БМ, КБП, К40П З, и К40У-9. которые выпускаются с допуском ±.10 и ±20%. 2. В гра- фе «Корпус* буквы обозначают* Ц—цилиндрический. П — прямоугольный, К — кера- мический, М — металлический. Б — бумажный. Пл — пластмассовый- 3. В графе ♦На- значение» цифры обозначают: I — для работы в цепях постоянного, переменного и пульсирующего токов; 2—для работы в импульсном режиме: 3 — для работы при постоянном напряжении не менее 10 s; 4 — для работы в цепях постоянного тока Основные данные металлобумажных конденсаторов Таблица 111.12 Тнп конденса- тора Характеристика и назначение Корпус Пределы номинальных значений емкости, мкф Допустимые отклонения емкости от номинала, % Предельное рабочее на- пряжение, в МБГП Г ерметизпрованиый. ПМ 1—30 160 Для работы в цепях 0,5—25 200 постоянного и пуль- 1—10 250 сирующего токов 0,25—10 5; 10; 20 400 0,1—10 600 0,5—10 1000 0,25—10 1500
116 Конденсаторы и резисторы Продолжение табл. 1Н.12 Тип конденса- тора X арактеристика и назначение Корпус ') Пределы номинальных значений емкости, мкф Допустимые отклонения емкости от номинала. % Предельное рабочее на- пряжение, а МБГЦ МБГО МБГТ МБГЧ МБМ МБМЦ МБП МБПТ МБ ГН Герметизированный. Для работы в цепях постоянного и пуль сирующего токов То же, однослойная изоляция Герметизированный, теплостойкий. Для ра- боты в цепях посто- янного и пульсирую- щего токов Герметизированный, частотный. Для рабо- ты в цепях перемен- ного и пульсирующе- го токов Малогабаритный. Для работы в цепях по- стоянного, пульсиру- ющего и переменно- го токов Малогабаритный ци- линдрический. Для работы в цепях по- стоянного и перемен- ного токов Проходной. Для ра- боты в цепях постоян- ного тока Проходной, теплостой- кий. Для работы в цепях постоянного и пульсирующего токов Герме изировапный. Дл работы в цепях постоянного и пуль- сирующего тюков ЦМ ПМ ПМ ПМ ЦМ») ЦМ») ЦМ ЦМ ПМ 0,25—1 0,1—0,5 0,025—0,25 0,05—0,1 2-30 1—30 1—20 0,5—20 0,25—10 1—20 0,5—10 0,25—10 0,1—10 0,1—10 0,5—40 0,25—10 0,25—2 0,25—1 0,05—1 0,05—1 0,025-0,5 0,01—0,25 0,01—0,1 0,0051—0,1 0,25—1 0,05-1 8 2; 5; 10 1—27 j 5; 10; 20 10; 20 5; 10; 20 10; 20 10; 20 } 10; 20 20 20 5; 10 200 400 600 1000 160 300 400 500 600 160 300 500 750 1000 2502) 5002) 7502) 10002) 160 250 500 750 1000 1500 200 400 30 30 200 ’) ПМ— прямоугольный металлический; ЦМ— цилиндрический металлический. •) Указано предельное рабочее напряжение переменного тока* •) Немагнитный.
Конденсаторы постоянной емкости 117 Пленочные конденсаторы характеризуются большой добротностью (до 2000), большим сопротивлением изоляции (до 105Г ом) и высокой ста- бильностью (ТКЕ ss 0,02%/рС). Нагревостойкость конденсаторов с поли- стироловым диэлектриком до +60° С, с фторопла- стовым до +200° С. Основные данные пле- ночных и металлопленоч- ных конденсаторов при- ведены в табл. III.3 и III 13 а внешний вид не- которых из них показан на рис. III.5. Электролитические и оксиднополупроводнико- вые конденсаторы в ка- честве диэлектрика содер- жат оксидный слой на металле, являющемся од- ной из обкладок (анодом). Вторая обкладка (катод)— Рис. I1I.4. Внешний вид металлобумажных электролит (в электроли- и бумажных конденсаторов: тических конденсаторах) / — МБГП-i; г м гп-3; з — мбгп-2: < — или СЛОЙ полупроводника МБ ГЦ-2; 5 — МБМ: 6 — К40П-2. (в окепднополупроводии- ковых), нанесенный непосредственно на оксидный слой. Аиоды изго- товляются из алюминиевой или танталовой фольги Электролитические и оксидиополупроводниковые конденсаторы отли- чаются малыми размерами при значительной емкости, по имеют сравнитель- но большие токи утечки и большие потери. При одинаковых рабочих на- ii111) । pj i пгт'т пряжениях и номинальных емкостях объем танталовых конденсаторов меньше объема конденсаторов с алюминиевыми анодами. Тантало- вые конденсаторы могут работать при более высоких температурах. их емкость меньше изменяется при изменении температуры, токи утеч- ки у них меньше. Оксиднополупро- Рис. III.5. Внешний вид пленочных водпиковые конденсаторы могут ра- коидепсаторов: ботать при более низких темпера- ! _ ПОв 2 _ пм турах, чем электролитические (см. табл. III.14). Проводимость применяемых электролитических конденсаторов резко зависит от полярности приложенного напряжения, поэтому они исполь- зуются лишь в цепях постоянного и пульсирующего токов. Величина пе- ременной составляющей напряжения не должна превышать допустимой ве- личины, которая обычно выражается в процентах от номинального рабочего напряжения. Сумма амплитудного значения переменной составляющей и постоянного напряжения не должна превышать номинального рабочего напряжения. Изготовляются также неполярные электролитические конденсаторы, в которых обе обкладки содержат оксидный слой.
Основные данные пленочных конденсаторов Таблица 111.13 00 Тип Характеристика Корпус *) Кол и чест- но типо- размеров Номинальные значения емкости или и к пределы Допустимые отклонения емкости от номинала. % Максималь- ное рабочее напряжение. в Назначе- ние Конденсаторы и резисторы мпгп мпгц мпгт мпо МП го Металлопленочный, по- листирольный, герметизи- рованный То же То же, точный Металлоплеиочный, с од- нослойной изоляцией То же, герметизирован- ный ПМ ЦМ ПМ ПМ 15 5 5 13 8 0,2—2 0,025—0,1 0,015—0,05 3000 пф—0,02 3000 » —0,01 0,2—0,5 1;2 0,1 0,25; 0,5 3000 пф—0,25 1000 » —0,1 4; 8; 10 1; 1.5; 2 0 , 1 мкф •» » » » » » » » » » » » | 1; 2 ;5; 10 } 2; 5; 10 0.2; 0,5 0,1;0,2;0,5 0,5 | 5; 10; 20 | 5; 10; 20 250 500 1000 500 1000 250 250 500 250 400 600 160 250 400 3 3 1 3 3 пм Полистирольный. мало- габаритный — 17 100 пф—0.01 » 5; 10; 20 60 3 по Пленочный, открытый — 4 51 » —0,03 » 5; 10; 20 300 1 псо То же, стирофлексный — 4 510 » —9100 пф 5; 10; 20 500 1 пов Пленочный, открытый, высоковольтный — 2 390 пф 20 10*. 1.5-10* 1 ФТ Фторопластовый, тепло- стойкий ЦМ 16 510 пф—0,47 510 » —0,22 мкф 5; 10; 20 5, 10; 20 200 600 3 ФГТИ Го же, герметизирован- ный ЦК 5 ФД Фторопластовый, метрический дози- — 4 Ф1Ч Фторопластовый, стойкий гермо- ЦМ — ФЧ Фторопластовый, ный частот- ЦМ 3 ФЧ-1 То же ЦМ 2 ФЧ-2 » » ЦМ 1 КПГ Полистирольный, 1изированный герме- пм — 0,05; 0,1 мкф 2000 2; 4 0,003—0,1 » 4000 0,002—0,05 » 8000 470 пф —0,015 » 12 000 3300 пф; 0,002; 0,01 » } 10; 20 15 000 1000; 2200 пф 20 000 750; 1800 » 25 000 0,01 -0,025 мкф 10 000 390; 500 пф 5; 10 250 1; 5 100 » 400 0,15- 1 мкф 5; 10; 20 160 3 1000 пф —0,1 » 5; 10; 20 200 X 0,018-0,47 » 5; 10; 20 500 о г 560 пф—0,015 » 10; 20 600 £ 560 » —0,47 » 5; 10; 20 1000 1000 » —0,056 » 5; 10; 20 1500 1 О § 0,2; 0,5; 1 » 5; 10 500 6 3 5 0,1; 0,25 » 5; 10; 20 60 7 О * 0,1 » 125 I 0,25 » 5; 10; 20 125 7 § 0 01—0,175 » 0,3; 0,5; 1,2 250 ‘ 1 5 к
Продолжение табл, / 11.13 ьо о и • § Допустимые Максималь- CJ „ - в а Поминальные значения отклонения ное рабочее о' Тип Характеристика Корпус ) х я Ц емкости или их пределы емкости от напряжение. X м о 03 номинала, % ч " = съ X а л £ х и g кпм Полнстирольный ПМ;ППл — 0,01—0,5 мкф 0,5; 1; 2 100 1 1 КПМВ «1 » ПМ,ППл — 1000 пф—0,134 » 0.5; 1; 2 250 1 & кпн То же, с немагнитным ПМ ППл — 0,025— 0,02 » пз П5 ! 2 100 1 корпусом, герметизиро- 150 пф—0,2 » 359 ванный пкгт-и Пленочный, комбиниро- ЦК 8 0,01,0,025; 0,05 » 3000 г ванный, герметизирован- 0,00Г, 0,01 » 5000 иый, термостойкий (пле- 0,01,0,025 » 10; 20 10000 3 ночнобумажный) 0,01 » 15000 0,01 » 20000 пкгт-п То же ПМ — 0,1—2 » 3000 0,025—2 » 5000 0,05—0,5 » 5’); 10; 20 10000 1 0,025—0,25 » 15000 0,025; 0,05; 0,1 » 20000 К72П-6 Пленочный 26 470 пф—1 » 5; 10; 20 200— 1;2 1600 К76П-1 Лакоплеиочный — 0 47 » —22 » 5; 10,20 50 3 ') П — прямоугольиьй; Ц — цилиндрический; М — металлический; К—керамический; Пл — пластмассовый. ’) 1 — для работы в цепях постоянного тока; 2 —для работы в цепях постоянного и пульсирующего токов; Л —для работы в цепях постоянного, переменного и пульсирующего токов; 4 —для работы в импульсном режиме; 5— для дозиметрической аппаратуры; 6 — для частот до 2400 ец; 7 — для частот до 3600 гц. •) Только для емкостей более 0,25 мкф. 4) Изготовляются с заданными значениями емкости. Таблица 1П14 Основные характеристики электролитических и оксиднополупроводниковых конденсаторов Тип Номинальные значения емкости или их пределы, мкф Допустимые отклонения емкости от номинальной, % Пределы максимальных рабочих на- пряжений, в Диапазон ра- бочих темпе- ратур, °C Изменения емкости . по отношению к ем- кости при 20° С, % ОТ ДО ПРИ I’mHH "Ри Гмакс кэ-н 5—1000 От +50 до —20 8-500 —10 F60 -50 +30 КЭ-М 5—2000 » +50 » —20 8—500 -40 |-60 -50 +30 кэ-пм 5—1000 » +50 » —20 20—450 —50 +60 —50 + 15 КЭ-ОМ 5—1000 » +50 » —20 20-450 -60 [-60 -50 + 15 ЭГЦМ 2-2000 V » +50 » —20 6-500 —40 60 —50 +30 ЭГЦ-ОМ 2—2000 » +50 » —20 20—450 -60 1-60 -50 +15 эк 3 » +100» —20 300 -10 70 -50 + 15 эм-н 5-50 + 100 4—6 —10 70 - 60 0,5—30 + 100 10—150 -10 +70 -50 эм-м 5-50 + 100 4-6 -40 -70 —60 —— 0,5-30 + 100 10—100 —40 70 - 50 эм-ом 0,5—5 + 100 20-100 —60 1-70 —50 ЭМИ 0,5 От +80 до —20 3 -20 1-50 —50 +30 1,25; 10 » +200 » —20 3 -20 -50 —50 +30 ЭТ 5-500 От+50 до-20, ±20; ±30 6—150 -60 -100 -50 +30 эти 5-70 » +50 » —20; ± 20; ± 30 30—100 —60 -100 -30 +40 ЭТО-1. / ЭТО-2 1 80—1000 От+50 до—20; ±10; ±20; ±30 6 —50 +70 —— 30-400 » +50 » —20; ±10; ±20; ±30 25; 15 -60 +70 — —— 10- 200 » +50 »—20; ±10; ±20; ±30 90—50 —60 +70 — ЭТО-3 2; 3;5 » +50 » —20; i 10; ^20; + «30 400, 250; 150 —60 +70 -40 +20 ЭТО-4 10-50 » +50 » —20; ±10; ±20; ±30 600 150 —60 70 -45 +30 ЭФ 400—1500 От +50 до —15 130-300 — 10 -40 -30 +30
122 Конденсаторы и резисторы Примечания’. I. Конденсаторы типов ЭТ и ЭТН с номинальным рабочим напряжением 100 и 150 в при температуре от 85° С и выше могут работать под напряжением не выше 80 и 100 в соответственно. 2. Для конденсаторов тина ЭТО-1 при темпера- туре от +70 до +100° С номинальное рабочее напряжение снижается в 1,5 раза, прн температуре от 4-100 до +155 С —в 2 раза, от -^155 до +200° С — в 3 раза.
Конденсаторы постоянной емкости 123 В настоящее время выпускаются электролитические конденсаторы следующих типов: ЭГЦ — электролитические герметизированные цилиндрические, ЭК — электролитические кольцевые; ЭМ — электролитические малогабаритные; ЭМИ — электролитические миниатюрные; ЭП—электролитические пусковые (неполярные); ЭС — электролитические сварочные (неполярные); ЭТ — электролитические танталовые; ЭТН — электролитические танталовые неполярные; ЭТО — электролитические танталовые объемные; ЭФ — электролитические фотоосветнтельные; К50-3 — электролитические алюминиевые; К50-6 — электролитические алюминиевые; К50-7 — электролитические алюминиевые; К52-1—электролитические танталовые объемнопорнстые; К52-2 — электролитические танталовые объемнопористые; К52-3 — электролитические объемнопористые. Оксиднополупроводниковые конденсаторы выпускаются следующих типов: К53-1 — оксидпополупцрводниковые; К53-4 — оксиднополупроводннковые ниобиевые; К53-8 — оксиднополупроводннковые с алюминиевым анодом. В зависимости от интервала рабочих температур электролитические конденсаторы некоторых типов разделяются па следующие группы: Н — нсморозостойкие, М — морозостойкие, ПМ — повышенной морозостойкос- ти, ОМ — особо морозостойкие (табл. III* 14). ом, зи мк<р, о е. Основные характеристики электролитических и окснднополупровод- никовых конденсаторов приведены в табл. III.14, а размеры конденсато- ров некоторых типов — в табл. III.15—III.17. Внешний нид некоторых конденсаторов показан па рис III.6, а чертежи конденсаторов типа К50-3 — на рис. III.7.
Таблица 111.15 ND Размеры корпусов электролитических конденсаторов типа ЭМ Номиналь- Группа Номинальное рабочее напряжение, а ? па» ем- кость, мкф морозо- стойкости 4 6 10 15 20 •зо 60 100 150 s 0,5 ом — — —— — — — — 6X20 i м, н — — — — — — 4,5X15 4,5x18 — i 1 ом — — — — 6x15 — 0x20 — — Й м — — — — — 4,5 X15 — 6x20 — н — — — — — 4,5x15 — 6x20 6x20 * 2 ом — — — 6x20 — — 8,5x30 — 5 о м, н — — — 4,5X15 —- 4,5X18 6X15 — — z 3 ом — — — — — — 8,5x30 8,5x35 — м, н — — 4,5x15 — 4,5X18 6x20 — — 5 ом — — — — 8,5x30 — 8,5x35 —- — м, н — 4,5X15 4,5x18 — 6X15 6x20 — 8,5x30 — 10 м, н — 4,5x18 6X15 6x20 — 8,5x30 8,5x35 — — 15 м, н Т— 6x15 6x20 —- 8,5x35 — — — — 20 м,н 6x15 6x20 — — —- — — —- 25 м, н 6x20 — — 8,5X35 — — —- — — 30 м,н — — 8 5x35 — — — — — 40 м, н — 8,5x35 — — — — — — — 50 м,н 8,5x35 — — — — — — — — Прим е ч а и и е. Г [ервое число показывает диаметр, в горое — выс эту корпуса в миллиметрах. о Номиналь- ное напря жение. в 2000 4000 500 1000 50 100 200 w кэ — о о О СП — 2000 4000 100 200 500 1000 СП ND — ООО СЛ ND О о о о . 50 100 Номинальная емкость, мкф 26 30 18 21 О ГО О СЛ о СП СП СО ND О 4^ ос со о nd о *vj ст> СП СП 00 4* СП СП 0 Размеры, мм О о nd nd ND СЛ сп 00 W Я и 4* ND ~ спел ро о> СЛ W W, 00 О СП W з: 55 70 12 35 р д w ND СП СП о о о 4* 4* со 00 ОУ 40 60 ND — СЛ ND СП го„— о СЛ 4*- 00 00 СЛ СП СП ND “ СП 4* л. rr К •—1 и- = — Вариант внешнего оформления Таблица 111.16 Размеры корпусов и вес конденсаторов типа К50-6 Конденсаторы постоянной емкости 1!
126 Конденсаторы и резисторы Продолжение табл I It .13 Номиналь- ное напри - жоние. в I Ь.лш1альная емкость, мкф Размеры, л<м Вес, г Вариант внешнего оформления D н 1 5 10 4 7.5 7,5 I г\ /х I 13 и.о 1,4 1.4 20 10,5 15 2,5 25 50 100 200 14 16 18 18 6,5 6,5 8,5 II 500 18 45 25 1000 2000 4000 30 30 34 47 62 80 60 70 120 III 50 I 2 10 20 6 6 7.5 10,5 12 13 13 13 15 16 0,8 0,8 1,5 2,5 4 1 50 100 200 18 18 25 45 -8.5 12 25 II 1 6 13 0,8 I 11 100 2 5 10 20 6 7,5 12 14 18 1,2 2,0 4,5 5,5 160 1 2 5 10 6 7,5 12 16 18 1,2 2,0 4,5 6.5 1 II
Конденсаторы постоянной емкости 127 Продолжение табл- 111.16 Номиналь- ное напря- жение, 6 Номинальная емкость, мкф Размеры» мм Вес, г Вариант внешнего оформления D н 15 5 10 20 50 6 юГб 16 18 1,2 2,0 3,5 6,5 I 11 25 10 10,5 18 3,5 1 Примечание. Последние г.ять номиналов в таблице относятся к неполяр- ным конденсаторам. Конденсаторы типа ЭМИ выпускаются в корпусах диаметром 3 мм и длиной 12 ли!, типа ЭТО-1 — в корпусах с максимальным диаметром 13,5 мм и длиной 10 мм, типа ЭТО-2 — в корпусах с максимальным диаметром 24 мм и длиной 12 мм. Проходные конденсаторы применяются для фильтрации токов высокой частоты в цепях питания и для различных блокировок, действие которых должно быть эффективным в широ- ком диапазоне частот. Устройство проходного конден- сатора схематически показано на рис, III.8. Внутри конденсаторной Рис. II 1.7. Внешний внд конденса- торов типа К5О-3; 1, 2, 3, 4, S — варианты конструкции. Рнс. II 1.8. Устройство проход- ного конденсатора. секции расположен токонесущий стержень 2, к которому присоединены торцы одной из обкладок конденсатора. Торцы второй обкладки присо- единены к металлическому корпусу 1, который крепится непосредственно на шасси прибора или блока. Типы проходных конденсаторов и их основные характеристики приве- дены в табл. III.8, Ш.11 и III.12.
128 Конденсаторы и резисторы Размеры корпусов конденсаторов Номинальное Номинальная емкость, мкф Тип конден- сатора 6 12 25 50 1 К50-3 К50-ЗА — — — 1 4,5X19 2 6x29 К50-3 К50-ЗА К50-ЗБ 1 1 2 2 4,5X19 2 6x20 — 6X22 6x29 — К50-3 К50-ЗА К50-ЗБ 1 1 1 5 4.5X19 2 6x20 2 6x28 3 — 6x29 8,5X36 12x30 К 50-3 К50-ЗА К50-ЗБ 1 1 6X20 2 1 1 10 4,5X19 6X28 3 8,5x33 3 8,5X36 12x30 2 17X30 2 8,5x36 8,5X36 К5О-3 К50-ЗА К50-ЗБ 1 1 - 3 3 20 6X20 6X28 3 8,5X33 3 12X30 3 12X30 2 17x30 3 17X42 3 8,5x36 12x30 17x30 К50-3 К50-ЗА К5О-ЗБ 1 1 3 3 50 8,5x33 8.5x33 3 12x30 „ 3 17x30 4 2 17x30 3 17x42 3 25x40 3 8,5x36 12X30 17x30 17X42
Конденсаторы постоянной емкости 129 Таблица 111.17 типа К50-3 рабочее напряжение, в 100 160 250 300 350 450 1 6x20 — — — т- 2 6X29 — — — — — 1 6x29 2 3 3 3 8,5x36 12X30 2 17x42 3 17X42 3 8,5x36 12x30 17x30 1 3 3 8.5X33 3 12x30 3 17x30 3 4 Л 17x30 17x30 3 17X42 3 25x40 3 ' 25x56 4 — 17x30 * 17X30 17X42 25x40 3 ч 4 4 12x30 3 17X30 3 4 25X40 4 25x40 4 17x42 3 17X42 3 25x56 4 25x56 4 32x62 4 17x30 17X42 25x40 25x40 25X40 3 3 4 4 4 17x30 4 17X42 4 25x40 4 25x56 4 25x56 4 25x40 3 25X40 . 4 4 32x62 4 32X62 4 32X86 4 17x42 25x40 25X40 25x40 25x56 32x62 3 4 4 4 4 4 17X42 4 25x40 4 25x56 32x52 4 32x52 32x62 25x56 4 25x56 4 4 32x106 4 25x40 25x56 25x56 32x52 5 1—13-J8
130 Конденсаторы и резисторы Номинальное Номинальная емкость, мкф Тип кондеи* опора 6 12 25 50 К50-3 К50-ЗЛ К50-ЗБ 1 3 3 3 8,5x33 12x30 3 17x30 4 17x42 4 100 3 17X42 3 25x56 3 25x56 4 12x30 17Х.30 17x42 25X40 К50-3 К50-ЗА К50-ЗБ 3 3 4 4 12X30 17x30 4 25X40 4 25X40 4 200 3 25x56 3 32x62 4 32x62 4 17x30 17x42 25x40 25x40 К50-3 К50-ЗА К50-ЗБ 3 4 4 17x42 25x40 4 25х 56 4- 500 3 32x72 4 32X106 4 17X42 25x40 25x56 К50-3 К.50-ЗЛ К50-ЗБ 4 4 4 1000 25x40 — 4 25x56 4 32x62 4 40X106 4 — 25X40 25X56 32x62 К50-3 К50-ЗБ 4 4 4 2000 25x56 32X62 4 32X106 4 32X62 32x86 5000 К50-3 4 32x72 — —
Конденсаторы постоянной емкости 131 Продолжение табл. 111.17 рабочее напряжение, в 100 160 250 1 300 350 450 4 4 4 4 25X56 32X62 32x72 32x62 4 25x56 — 4 32x62 4 4 32x52 32X62 — — — — — — — — — — — — — • — — - — — 5*
132 Конденсаторы и резисторы Примечание. Цифры в числителе обозначают вариант конструкции (в мальныП диаметр, второе — длина § 3 ПОДСТРОЕЧНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ Керамические подстроечные конденсаторы отличаются малыми разме- рами, высокими электрическими показателями и находят широкое приме- нение в колебательных контурах для подгонки емкости в процессе наладки радиоаппаратуры. Рис. II 1.9. Внешний вид керамических подстроечных конденсаторов: а — КПК-1, б — КПК-2, в — КПК-3. Внешний вид керамических подстроечных конденсаторов типа КПК показан на рис. 111.9, а типа КПКТ — на рис. III.2. Основные данные этих конденсаторов приведены в табл 111.18 Пружинных подстроечный конденсатор, представленный на рис. III.10, состоит из двух металлических обкладок, укрепленных одна на другой на изоляционном основании и разделенных между собой пластинкой диэлект рика. Верхняя пластина изготавливается из пружинного материала. При помощи винта опа может приближаться и удаляться от нижней пластины, меняя этим емкость.Такие конденсаторы не стабильны, но просты и могут Сыть изготовлены самостоятельно.
Подстроечные конденсаторы 133 Продолжение табл. 111.17 рабочее напряжение, в 100 160 250 300 350 450 — — — 4 32x62 — — — — — — 5 32Х 106 — — ”—. 5 32х 106 — — — соответствии с рнс. II1-7) числа в знаменателе — размедо: первое число макси- Таблица 111.18 Основные данные керамических подстроечных кондеи аторов Тип Пределы изменения емкости, пф Макси мальное рабочее напряже- ние. в ТКЕ, % / С Тангенс угла ди- электри- ческих потерь кпк-1 2—7 >>; 4—15, 6—25; 8—30; 500 —(0,02^-0,075) 0.002 КПК-2 6-60; 25-150 75—200 125—250; 200—325 500 -(0,(fe-=-0 075) 0,002 кпкз кпк-м 275 —375; 350 -450 4—15; 5—20; 6—25; 8—30 350 — 3 0 —0,08) 0,0025 кпк-т 1—10’); 2—15,2—20 2—25 250 ±0,04 0,0025 ‘) ТКП нс нормируется. Подстроечные конденсаторы с воздушным диэлектриком отличаются довольно высокими электрическими показателями, но сложны по конструк- Рнс. III. 10. Устройство пружин- ного подстроечного конденсатора: / — подвижная обкладка; 2 — слюда; 3 — неподвижная обкладка. ции. Многопластинчатые подстроечные конденсаторы представляют собой миниатюрные пр ямоем костные конденсаторы переменной емкости.
134 Конденсаторы и резисторы Рис. Ill 11. Формы подвижных пластин конденсаторов переменной емкости: а — пр я моем костного; б — прямовол- иопого; в — прямочастстного (пункти- ром показано очертание типовой штаг ггины); г — логарифмического. § 4. КОНДЕНСАТОРЫ ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ Конденсаторы переменной емкости изготавливаются с воздушным и твердым диэлектриком. В колебательных контурах применяются конден- саторы с воздушным диэлектриком, отличающиеся большей точностью установки емкости, меньшими потерями и более высокой стабильностью. Конденсаторы с твердым диэлектриком применяются в портативных прием- никах, а также в качестве регулировочных. Важной характеристикой конденсатора переменной емкости является закон изменения емкости в зависимости от угла поворота подвижных пла- стин. который определяет закон изменения частоты при настройке контура. Прямочастотный кон- денсатор дает равномерное из- менение частоты по диапазону и обеспечивает одинаковую плотность настройки. Поэтому ои применяе- тся в аппаратуре, в которой не- обходимо иметь равномерную по частоте шкалу настройки, напри- мер, в приемниках и измеритель- ных приборах. Л о г а р н ф м и ч е с к н й кон- денсатор обеспечивает одина- ковую точность отсчета частоты но всей шкале. Иногда применяется н передатчиках и измерительных приборах. II р я моем костные конденсаторы характеризуются пропорциональным изменением емкости в зависимости от угла поворота и применяются в основном в качестве регулировочных, а также в качестве конденсаторов настройки при малом коэффициенте перекрытия диапазона. П р я м о в о л и. о в о й конденсатор (квадратичный) характе- ризуется пропорциональной зависимостью между утлом поворота ротора и резонансной длиной волны. Имеет ограниченное применение. Формы подвижных пластин конденсаторов переменной емкости пока- заны на рис. Ill II. Пунктиром показано очертание пластин, которые при- меняются на практике. При такой форме пластин изменение частоты по ди- апазону будет несколько неравномерным, однако размеры конденсатора получаются меньшими. Таблица 111.19 Емкости конденс торов переменной емкости, пф Ди- аиазон дв СВ кв УКВ с ^макс с '-'мни 450—750 12—25 250—450 10—15 150-250 &—12 40—50 5—7 25—35 3,5—6,5 15—20 2,6—5,5 <15 >2,6 Максимальная емкость переменного конденсатора определяется диапа- зоном частот, минимальная — конструкцией конденсатора. Употребляе- мые в практике значения максимальных емкостей и соответствующие им зна- чения минимальных емкостей приведены в табл. III. 19.
Основные параметры резисторов 135 В вещательных приемниках, охватывающих диапазоны ДВ. СВ и КВ, обычно применяются конденсаторы переменной емкости с максималь- ной емкостью 450 -500 пф § S. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ РЕЗИСТОРОВ Номинальные величины сопротивлений резисторов, выпускаемых в массовом порядке, соответствуют стандартной шкале сопротивлений (табл. 111.20) Таблица 111.20 Шкала номинальных значений опротивлении резисторов Класс точности I 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 Х10" » (II 10 — 12 — 45 — 18 — 22 — 27 — ХЮ" » III 10 — — — 15 — —- 22 __ — — Х10" Класс точности I 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 ХЮ" » » 11 33 — 39 — 47 — 56 — •68 — 82 — Х10п » III 33 — — — 47 — — —- •68 — — — Х10" Примечания: I. Указаны две первые цифры нош иальных значений. 2. Мак- сималыюе значение п зависит от типа резистора. Классы точности резисторов спреде яют допустил ые отклонения ве- личины сопротивления от номинальной. Резисторы изготовляются по сле- дующим классам точности: Общего назначения Прецизионные Типа УЛИ Класс точности .... I II III 005 01 1 2 3 Отклонение величины, % ±5 ±10 ±20 ±0,5 ±1 ±1 ±2 ±3 Номинальная мощность резистора Риом — мощность, рассеиваемая на резисторе при максимально допустимой рабочей температуре токопроводя щег элемента н изоляции. Электрическая прочность резистора характеризуется максимальным напряжением, при котором резистор может работать достаточно долго (несколько тысяч часов) без электрического пробоя. Напряжение на резисторе не д >лжио превышать напряжение, определн- ющее электрическую прочность. Оно не должно превышать также напря- жение Цгоч> определяющее номинальную мощность резистора О НОМ “ Ч f номР- где Р[юм — номинальная (предельно допустимая) мощность, вт\ Н — вели- чина сопротивления, ом.
13f> Конденсаторы и резисторы Собственные индуктивность и емкость определяются конструкцией : габаритами резисторов и уменьшают частотный предел их применения. Стабильность резисторов характеризуется изменениями параметров пси влиянием окружающей среды, электрической нагрузки, а также с течением времени при эксплуатации или хранении. Температурный коэф- фициент сопротивления (ТКС) определяет относительное из- менение величины сопротивления при изменении температуры па Iс С. Уровень собственных шумов непроволочных резисторов характеризуе- тся отношением действующего значения напряжения шумов па резисторе Uj к постоянному напряжению Uo, приложенному к резистору, и измеряе- тся в микровольтах на 1 в приложенного напряжения £ ш ~ и0 Шумы непроволочиых резисторов, к которым ие приложено постоян- ное напряжение, а также проволочных резисторов при температуре 20° С, определяются но формуле Um — 0,125 )' 7?ДГ мкв, где ДА — полоса пропускания устройства, кгц\ R — величина сопротивле- ния резистора, ком. Маркировка резисторов На каждом непроволочном резисторе указы- вается номинальная величина его сопротивления На малогабаритных ре- зисторах обозначение ком часто заменяется буквой к, а обозначение Мом — буквой М Допустимое отклонение от номинальной величины сопротивления может быть обозпа'юио в процентах или римской цифрой, указывающей класс точности. Если измерения э. д. с. шумов постоянного иепроволочного резистора меньше I мкв/в, то в его маркировку входит буква А; если же э. д. с. шу- мов резистора выше 1 мкв/в, т. е. резистор выпущен по группе Б то обозна- чение группы на нем не ставится. Номинальные мощности указываются только на непроволочных ре- зисторах больших габаритов. Для других резисторов эти мощности можно определить по размеру их корпуса. § 6 НЕПРОВОЛОЧНЫЕ РЕЗИСТОРЫ Постоянные непроволочные резисторы отличаются небольшими разме- рами, малой собственной емкостью и индуктивностью, дешевы, но уступают проволочным по стабильности и удельной мощности рассеивания. Удель- ная мощность рассеивания — часть номинальной мощности, приходящая- ся на единицу объема резистора. Внешний вид непроволочных резисторов постоянного сопротивления показан на рис. 111.12. Углеродистые резисторы. Поверхностные углеродис- тые резисторы содержат токопроводящий элемент в виде тонкого слоя углерода, нанесенного на поверхность керамического основания, и изготовляются следующих типов: БЛП — бороуглеродистые лакированные прецизионные; ВС — углеродистые влагостойкие; УВ — углеродистые водоохлаждаемые, УДИ — углеродистые лакированные измерительные;
Не проволочные резисторы 137 УЛМ — углеродистые лакированные малогабаритные; УЛС — углеродистые лакированные специальные; УНУ — углеродистые незащищенные ультравысокочастотные Резисторы типа ВС предназначены для аппаратуры массового произ- водства (вещательные приемники, телевизоры и др.), резисторы типа УЛМ — для малогабаритной аппаратуры, типов БЛП, УЛИ — для из- мерительной аппаратуры, типа УВ — для мощных устройств, типа УНУ — для УКВ аппаратуры. Рис. 111.12. Внешний вид непроволочных резисторов постоянного сопро- тивления: I — МТ-0,5; 2 — КИМ; S — МЛТ (0,5; 1; 2 ет), 4 — УЛМ; 5 — ВС (0,5; 1; 2 и 5 вт); 6 — УЛИ-1; 7 — БЛП (высокоомные I em и 0,1 ern); 8 — БЛП (низко- , омныс 1 вт и 0,1 вт); 9 — МГП, 10 — КВМ. Объемные углеродистые резисторы содержат токопроводящий элемент в виде стержня, изготовленного из углерода, напол- нителя н связующего вещества Эти резисторы менее стабильны, чем поверх- ностные, и отличаются более высоким уровнем |пумов. однако могут выдер- живать кратковременные перегрузки и длительное воздействие повышен- ной влажности. В настоящее время выпускаются углеродистые объемные резисторы типа ТВО. Металлизированные резисторы содержат токопроводящий элемент в виде топкого слоя сплава металлов с высоким удельным сопротивлением, нане- сенного на поверхность керамического стержня. Эти резисторы изготовляю- тся следующих типов: МГП — металлизированные герметизированные прецизионные; МЛТ — металлизированные лакированные теплостойкие; МТ — металлизированные теплостойкие; МУН — металлизированные ультравысокочастотные незащищен- ные Металлизированные резисторы применяются, главным образом, в ма- логабаритной аппаратуре
138 Конденсаторы и резисторы Таблица 111.21 Основные данные непроволочных резисторов постоянного сопротивления Тип Поминальная мощ- ность, вт Пределы номинальных значений сопротивления Допускаемые откло- нения от номииаль кого значения, % Максимальное напря- жение, в Размеры. Л4.Ч Диаметр Длина (без выводов) БЛП0 1 0.1 I ом — 100 ком 5,5 14,5 БЛП-0,25 0.25 1 » —20 ом — 7,0 14,0 20 » — 1 Мом 225 5,5 24,5 БЛП-0,5 0,5 1 » — 20 ом — 9,0 15,5 20 » — 1 Мом 315 7,0 28,0 БЛП-1 1 0 1 » —20 ом — 11,0 24,0 20 » — 100 ком — 9,0 46,0 ВС-0,25 0,25 27 » — 5,1 Мом 350 5,4 18,5 ВС-0,5 0,5 27 » — 10 » 500 5,4 28,6 ВС-1 1.0 47 » — 10 » 700 7,2 32,5 ВС-2 2,0 47 » — 10 » 5; 10; 20 1000 9,5 53,0 В 5 5,0 47 » — 10 » 1500 17,0 75,0 ВС 10 10,0 75 » — 10 » 3000 27,0 120,0 КВМ — 15 Мом — 100 Г ом 5 300 5,0 51,0 100 Том — 1000 » 10; 20 300 5,0 51,0 КИМ-0,05 0,05 10 ом —910 ком 5; 10 1,8 3,8 1 Мом — 5,6 Мом 10- 20 1,8 3,8 КИМ-0,125 0,125 1 ком —910 ком 5; 10 200 2,5 8,0 1 Маи — 1000 Мом 10; 20 200 2,5 8,0 КЛВ 10 0,5 47 » — 1000 » 15 10 103 95 47.0 КЛВ-35 5,0 100 » —1000 » 15 35-10» 11,5 147,0 КЛМ 1 — 10 » — 100 Гом 7,0 28,0 КЛМ-2 — 100 Том — 1000 » 5; 10; 20 300 6,0 25,0 кмм — 0,51 Мом — 100 Мом 10; 20 1,6 6,2 КОИ 0,25 0,25 27 ом — 10 » 5, 10; 20 250 2,5 7,0 КОИ 0 5 05 10 » — 10 » 5; 10; 20 350 3,6 10,0 КОМ —- 4,7 Мом — 47 » 20 120 3,2 10,0 КЭВ-0,5 0,5 510 ком — 5,1 Г ом 5; 10; 20 5-10» 5,5 25,0 КЭВ-1 1,0 510 » —5,1 » 5; 10; 20 90 46,0 КЭВ-2 2,0 5Ю » —12 » 5; 10; 20 9,0 90,0 КЭВ-5 5,0 510 » — 18 » 5; 10; 20 60 103 11,0 145,0 млм — 100 ом —2,2 Мом 5; 10; 20 200 2,0 5,8 МЛТ-0,125 0,125 51 ом — 2,2 Мом 5; 10; 20 200 2,0 6,0 МЛТ-0,25 0,25 100 ом —3 Мом 250 30 7,0 МЛТ 0,5 0,5 100 » — 5,1 » 350 4,2 108 МЛТ-1 1,0 100 » — 10 » ?5, 10; 20 500 6,6 13,0 МЛТ-2 2,0 100 » —10 > 750 8,6 18,5 мгп 0,5 100 ком — 5,1 » 1; 2 400 14,0 30,0
Непроволочные резисторы 139 Продолжение табл. 111.21 Тип Номинальная мощ- ность, вт Пределы номинальных значений сопротивления Допускаемые откло- нения от номиналь- ного значения, % Максимальное на- пряженно, в Размеры, мм Диаметр Длина (без выводов) МОН-0,5 0,5 1 ом — 5,6 ом 7 4,2 10,8 МОН-1 1,0 6,2 » — 36 » | 5; 10 10 6,6 13,0 МОН 2 2,0 39 » — 100 » 15 8,6 18,5 МТ-0,125 0,125 100 » — 1,1 Мом 200 2,0 7,0 МТ-0.25 0,25 100 » —2 » 200 27 8,0 МТ-0,5 0,5 100 » —5,1 » 5- 10; 20 350 4 0 11.0 МТ 1 1,0 100 » — 10 » 500 6,5 17,0 МТ 2 2,0 100 » — 10 » 700 8,6 270 УЛИ 0,1 0,1 1 » — 500 ком 200 5,4 16,0 УЛИ-0,25 0,25 1 » — 9,85 ом 350 7,2 16,0 10 » — 1 Мом 350 5 4 27,0 УЛИ-0,5 0,5 0,75 » — 9,85 ом 500 9 5 180 10» — 1 Мом I; z; о 500 7.2 30 0 УЛИ-1 1,0 1 » — 9,85 ом 700 11,5 27.0 10» — 1 Мом 700 9,5 48 0 УЛМ 0,12 27 » — 1 » 5, 10; 20 100 2,5 6,5 УЛС 05 1 Мом — 15 » 5; 10; 20 500 5,5 27,0 Примечаем я: I Промежуточные значения величин сопротивлений (кроме УЛИ) указаны к табл. III.20. 2- Резисторы типа УЛИ выпускаю!ся по особой шка- ле номинальных значений сопротивления. 3. Резисторы типа БЛП от 1 ом до 100 ком выпускаются с любым номинальным значением сопротивления, но нс более че- тырех значащих цифр. 4 Для резисторов типов КВМ, КЛМ, КОМ и КММ номиналь- ная мощность не указывается. Предел их применения определяется максимальным напряжением. 5. Для резисторов типа БЛП до 230 кол максимальное напряжение определяется номинальной мощностью. Композиционные резисторы- Токопроводящим элементом лакоплс- ночных композиционных резисторов является пленка из смеси (компози- ции) углерода с диэлектриками, нанесенная на поверхность керамического основания. Эти резисторы широко применяются в измерительной аппарату- ре. Лакопленочные композиционные резисторы выпускаются следующих типов: КВМ — композиционные вакуумные мегомные; КИМ — композиционные изолированные малогабаритные; КЛВ — композиционные лакированные высоковольтные; КЛМ — композиционные лакированные мегомные; КММ — композиционные мегомные малогабаритные; КОМ — композиционные опрессованные мегомные; КЭВ — композиционные эмалированные высоковольтные. Выпускаются также композиционные объемные резисторы типа КОИ. Металлоокисные резисторы содержат токопроводящий элемент в виде тонкого слоя окиси металла, нанесенного на поверхность керамического
140 Конденсаторы и резисторы стержня. Эти резисторы изго- товляются следующих типов: МОН — металлоокисные низкоомиые; МОУ — металлоокисные ультравысокочастотные. Основные характеристи- ки непроволочных резисто ров постоянного сопротивле- ния приведены в табл. 111.21. Резисторы переменного сопротивления могут быть тонкослойными и объемными. По характеру изменения величины сопротивления в зависимости от угла поворо- та подвижного контакта рс- Рис. 111.13. Графики зави- симостей величин сопротив- лений резисторов перемен- ного сопротивления от угла поворота подвижного кон- такта: 1 — линейной; 2 логарифм» ческой; 3 — обратной логариф- мической. зисторы переменного сопротивления разделяются па 3 группы: с линейной (группа А), логарифмической (группа Б) и обратной логарифмической (группа В) зависимостью сопро- тивления (рис. III.13). Наиболее pi широко применяются непрово- лочиые резисторы переменного сопротивления следующих типов: СП — сопротивления пере- менные; СПО — сопротивления пере- менные объемные; ВК — волюм-коптроль (ре- гулятор тембра); ТК — тон-контроль (регу- лятор громкости). Основные данные непрово- лочных резисторов переменного сопротивления приведены в табл. 111.22, а внешний вид пе- Рис. II 1.14. Внешний вид резисторов переменного сопротивления; I — ВК; 2 — СП-111; 3 — СП-1; 4 — СПО (2 ет и 0.5 erei). которых из них показан на рис. Ill 14. Резисторы типов СПО и СПП следует применять только в качестве подстроечных, так как они не допускают большого числа вращений.
Проволочные резисторы 141 Таблица 111.22 Основные данные непроволоч'иых резисторов переменного сопротивления Ломи- Номинальные .значения сопротивлений или их пределы О ° X О е. к С Размеры корпуса, мм Тип нальпая мощ- ность, ет Группа Допускаем клонения ( минала, % Максимал! рабочее ж жсние, в Диаметр Высота снк ч снвк о,ы СП 2) СП 2) СПД-0 05 СПД-0,06 СПО-0,15 СПО-0,5 СПО-1 СПО 2 СНП В К ТКЬ1 / 0,5 1 0,2 1 0,5 1 0,4 0,5; I; 2 0,25; 0,5; 1 0,05 0,06 0,15 0,5 1,0 2,0 0,2 0,5 0,2; 0,4 0,2; 0,4 0,5 Л В А Б А Б, В В А А А А А А В А Б В А 100 ком 1 Мом 100 ком 22 » 500 ом — 5,0 Мом ® 5 ком — 2,5 » ®) 5,1 » — 10 ком4) 100 » ; 470 » 100 » ; 470 » 100 » — 1 Мом 100 » — 4,7 » 47 » — 4,7 » 47 » — 4,7 » 500 » — 2,5 » 2,5 ком — 7,5 » 15 » — 2 » 36 » —2 » 2,5 » — 7,5 * 25 25 25 25 20,30 20; 30 20 20 20 20 20 20 20 20; 30 25 25 25 25 350 200 350 350 400 400 15 70 100 100 250 350 600 300 350 200;350 200,350 350 33,5 33,5 29 17,5 9,6 16,6 21 28 35 32 32 32 32 1 5 8 12 14 16 16. 15 22 *) Сдвоенный резистор с концентрическими осями * Выпускается также в сдвоенном варианте. ») Промежуточные значения согласно ряду. 0,5; 1,0; 2,5; 5; 10; 25’ 50; 100: 250; 500 ком 1,0; 2,5; 5 Мом. 4) Промежуточные значения согласно ряду: 5,1; 5,6; 6,8; 10 ком. •) С выключателем на общей оси. § 7. ПРОВОЛОЧНЫЕ РЕЗИСТОРЫ Проволочные резисторы применяются в современной аппаратуре в тех случаях, когда требуется высокая стабильность и точность величины со- противления, малый уровень шумов и значительная мощность рассеивания. Недостаток проволочных резисторов — ограниченный частотный диапазон вследствие большой собственной емкости и индуктивности. Проволочные резисторы постоянного сопротивления выполняются на- моткой проволоки из сплавов высокого сопротивления (константана, манга- нина или нихрома) на цилиндрические (рис. 111.15) или плоские каркасы из диэлектрика. Выпускаются следующие типы проволочных резисторов: МВС — микронроволочные высоковольтные в стеклянной изоля- ции;
142 Конденсаторы и резисторы МВСГ — микронроволочпые высоковольтные в стеклянной изоляции, герметизированные; ПКВ — проволочные влагостойкие малогабаритные; ПТ — проволочные точные; ПЭ — проволочные эмалированные; ПЭВ - проволочные эмалированные влагостойкие; ПЭВ X — проволочные эмалированные влагостойкие, с передвижным хомутиком для регулировки; ПП — проволочные переменные. Основные данные проволочных резисторов приведены в табл. Ill 23 у I 1 "I' 1 1 I I । ‘ I I I I I I 1 I > I I 1 1 > I I / 2 3 4 5 6 7 8 9 Ю И 12 !3 19 !5 Рис III. 15. Внешний вид проволочных резисторов: t — ПЭВ-Х; 2 — ПЭВ (20 вт и 10 вт); 3 — ПП-1. Рис III 16. Типы намотки высокочастотных резисторов. Высокочастотные проволочные резисторы. Для расширения диапазона рабочих частот проволочных резисторов принимают специальные меры по уменьшению собственных емкостей и индуктивностей. Примеры практичес- кого осуществления намоток с малой емкостью и индуктивностью приведены
Проволочные резисторы 143 Таблица II 1.23 Оспины; даннм; прэзолочнчт резисторов постоянного сопротивления Тип Номи- наль- ная мощ- ность, вт Пределы номинальных значений сопротивления Допускае- мые от- клонения от номи- нала, % Макси- маль- ное ра бочее напря- жение, в Размеры без ВЫЕОДОП, ММ Диа- метр Дли- на Л1ВС-0.25 0,25 10 ком — 2 Мом 500 5 24 МВС-0,5 МВС-1,0 МВСГ-0,25 05 1,0 0,25 10 50 10 » к в - 10 — 10 — 2 в в в 0,03; 0,05; 0,1; 0,2 1100 1600 500 7 9 12 28 46 29 МВСГ-0.5 0,5 10 » — 10 в 1100 14 31 МВСГ-1,0 1,0 50 в — 10 в 1600 14 51 ПТ-0,5 0,5 51 ОМ — 150 ком 400 16 18 ПТ-1 1,0 51 в — 620 в 1,0 400 18 26 ПТ-1А 1,0 680 ко.я — 1 Мом 400 20 28 ПТ-2 2,0 20 в — 160 ко.« 400 28 32 ПЭ-7,5 75 5 ОМ — 5 в — 13 40 ПЭ-15 15 С В 5 в — 17 50 ПЭ-20 20 2,5 » — 5 » — 21 50 ПЭ-25 25 5 » — 5,6 в 5.10 — 26 50 ПЭ-50 50 1 В - 15 в — 26 90 ПЭ-75 75 1 » — 30 в — 26 160 ПЭ-150 150 0,9 В — 50 в — 33 215 ПЭВ-2,5 2,5 45 в — 430 ОМ — 13,5 26 ПЭВ-7 7 5 в -33 ком — 14 35 ПЭВ-10 10 5 в - 10 в — 14 41 ПЭВ-15 15 5 » — 15 в — 17 45 ПЭВ-20 20 10 в — 20 в — 17 51 ПЭВ-25 25 10 в -24 в 5; 10 — 21 51 ПЭВ-30 30 10 » — 30 в — 21 71 ПЭВ-40 40 20 в — 51 в — 21 87 ПЭВ-50 50 20 в -51 в — 29 91 ПЭВ-75 75 51 в — 51 в — 29 140 ПЭВ-100 100 51 в -56 в 1 — 29 170 ПЭВ-1 ОХ 10 5 в — 200 ом . — 14 41 ПЭВ-15Х 15 20 в — 220 в — 17 45 ПЭВ-20Х 20 20 в — 430 в — . 17 51 ПЭВ-25Х 25 20 в — 510 в 5; 10 — 21 51 ПЭВ-ЗОХ 30 20 в — 1000» — 21 71 ПЭВ-50Х 50 24 в — 1500» — 29 91 ПЭВ-100Х 100 51 в - 2700» — 29 170 Примечание. Максимальное рабочее напряжение для резисторов типов ПЭ и ПЭВ определяется номинальной мощностью.
144 Конденсаторы и резисторы Таблица И 1.24 Основные данные проволочных резисторов переменного сопротивления Тип Номи- нал ь- нтя мощ- ность, вт Пределы номинальных значений сопротивления Допу скае - мыз откло- нения от но- мина- ла, % Макси- мальное рабочее напряже- ние, в Размеры кор- пуса, ЛЛ4 Диа- метр Высо- та ПП1-1 ПП1-3 1 4,7 ом — 24 ом 10 400 23 18 ПП1-9 ПП1-4 ') 1 4,7 » — 24 » 10 400 23 36 ПП1-7 2) 1 4,7 » — 24 » 10 400 23 34 ПП2 2 20 » — 20 ком 10 400 17 18 ППЗ-1 ППЗ-4 ППЗ-18 3 2,7 » — 24 ом 10 400 40 18 ППЗ-5 ») ППЗ-8 Ч ППЗ-19 О 3 2,7 » — 24 » 10 400 40 46 ППЗ-П ППЗ-12 ППЗ-20 3 27 » — 20 ком 5; 10 400 23 14 ППЗ-13 4 ППЗ 21 2) 3 27 » — 20 » 5; 10 400 23 25 ППЗ-14 » ППЗ-16*1 ППЗ-22') 3 27 » — 20 » 5; 10 400 23 33 Ч Сдвоенный резистор. •) С выключателем на общей оси. Таблица III. 25 Диаметры проводов, мм, при -L = 4,01 ^0 Материал Диаметр проводов для час гот, кгц 100 200 400 600 1000 1400 2003 3000 Манганин . . . 1,78 1 26 0,89 0,73 0,56 0,48 0,39 0,33 Константан . 1,89 1,39 0,95 0,77 0,60 0,51 0,42 0,35 Никелин . . . 1,94 1,37 0,97 0,79 0,62 0,52 0,43 0,35 Нихром .... 2,60 1,75 1,30 1,00 0,82 0,70 0,58 0,47
Проволочные резисторы 145 па рис. 111.16. Петлевая (а), параллельная (б) и восьмерочная (в) намотки пригодны для изготовления низкоо.мных резисторов, после довательно-би- филярпая намотка (г) — для более высокоомных резисторов. Для изготовления высокочастотных резисторов применяется проволо- ка из константана, манганина, никелина, нихрома. Диаметр провода выбирае- тся возможно меньший, так как прн этом уменьшается емкость и индуктив- ность резистора. В табл. III.25 указаны значения максимальных диаметров проводов, при которых сопротивление току высокой частоты ье более, чем на 1% выше сопротивления этого провода постоянному току Ro- Если через резистор протекает значительный ток (более 2—5 ла), то диаметр провода следует определять по формулам для тока высокой частоты (с учетом поверхностного эффекта) d™ для постоянного тока или тока звуковой частоты d=-0,?VT где d — диаметр провода, мм, I — ток, а, 1 — длина волны м. При определении длины провода удобно пользоваться данными тзбл. II.8. Литература 1. Болгов В А Детали и узлы радиоэлектронной аппаратуры М «Энергия», 1967. 2. Г а л ь п е р и н Б. С. Неироволочные сопротивления. М.— Л., Гос- энергоиздат, 1958. 3. Казарновский Д. М Сегнетоэлектрические конденсаторы. М.— Л., Госэпергоиздат 1956. 4 Михайлов И. В., Пропошнн А. И Конденсаторы М., «Энергия», 1965. 5 М а^л ииин Р. М. Конденсаторы и сопротивления. М„ Воениздат, 6. Р е н н е В. Т. Электрические конденсаторы. М., Госэнергоиздат, 19э9.
ВЬ СОКОЧАСТОТНЫЕ КАТУШКИ ИНДУКТИВНОСТИ ГЛАВА IV § 1. КАТУШКИ КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ КОНТУРОВ Основные параметры катушек индуктивности. Индуктивность кату ш к и характеризует величину запасаемой в магнитном поле энер- гии при протекании электрического тока. Чем больше индуктивность катуш- ки, тем больше энергия магнитного поля при заданной величине тока. Ин- дуктивность катушки зависит от размеров и формы, количества витков, формы и материала сердечника. Добротность катушки — отношение реактивного сопро- тивления катушки па данной частоте к активному сопротивлению потерь. Доброт юсть катушки в большинстве случаев определяет резонансные свой- ства и к. и. д. контура. Собственная емкость катушки обусловлена распре- деленной емкостью между отдельными витками и емкостью между обмоткой и корпусом прибора, в котором используется катушка. Собственная емкость является паразитным параметром, приводит к увеличению потерь энергии и уменьшению стабильности иастроикн контуров. В диапазонных контурах собственная емкость катушек уменьшает коэффициент перекрытия диа- пазона. Стабильность параметров катушек при изменении температуры и влажности, а также стабильность параметров вэ времени имеет особое значение для катушек контуров гетеродинов, узкополосных фильтров и др. Стабильность индуктивности характеризуется температу - пым коэффициентом индуктивности (ТКИ), представляющим собой величину относительного изменения индуктивности при изменении температуры на Iе С. Необратимые изменения индуктивности катушки характерна ют я коэфф щиенто.м температурной нестабильности индуктивности (КТНИ). Однослойные катушки применяются на частотах выше 1500 кгц. На- мотка может быть сплошная и с принудительным шагом. Однослойные катушки с принудительным шагом отличаются высокой добротностью (Q = 150 ч- 400) и стабильностью; применяются в основном в контурах КВ и УКВ. Высокостабильные катушки, применяемые в контурах гете- родинов па КВ и УКВ, наматываются па каркасах из материалов с малым температурным коэффициентом расширь ня при незначительном натя- жении проводом, нагретым до 80—120“ С. Для катушек с индуктивностью выше 15—20 мкгн применяется- сплош- ная однослойная намотка. Переход на сплошную намотку целесообразен при следующих значе- ниях диаметра каркаса и индуктивности: Диаметр каркаса, льн ..................... 6 10 15 20 25 Предельная индуктивность, мкгн ...... 1,8 4 10 20 30
Катушки колебательных контуров 147 Катушки со сплошной намоткой также отличаются высокой доброт- ностью и широко используются в контурах па коротких, промежуточных |—20 —30 —40 —50 — О | t — 00 I г -150 —200 ♦ —300 s —400 —500 —100 -*1000 —1500 —2000 *—3000 0,8 -J Рис. IV. 1. Номограмма для расчета индуктивности однослойных катушек. и средних волнах, если требуется индуктивность не выше 200—500 мкгн. Целесообразность перехода на многослойную намотку также определяется диаметром катушки и Ттдуктивностью: Диаметр каркаса, мм .............10 15 20 25 30 Предельная индуктивность, мкгн............... 30 50 100 200 500
148 Высокочастотные катушки индуктивности Индуктивность однослойной катушки может быть рассчитана по сле- дующей формуле. L_ 0,01 Du? / ' — + °-44 где L — индуктивность, мкг. D — диаметр катушки, см; I — длина на- мотки, сл; w — число витков. Для ускорения расчетов можно пользоваться номограммой, приве- денной на рис. IV. 1. Прн намотке с принудительным шагом индуктивность L' = L — KDw 10—3 мкгн, где L — индуктивность катушки, найденная по номограмме на рис. IV.1, т. е. без поправки на шаг намотки; К — поправочный коэффициент, опре- Рис. IV.2. График для определения поправочного деляемый по графику на рис. 1V.2; D — диаметр, см; w —.число витков катушки. Величина собственной емкости опреде- ляется типом намотки и размерами катушки. Наименьшая собственная емкость (несколь- ко пф) у однослойных катушек, намотан- ных с принудительным шагом. Она может быть определена по номограмме, приведенной на рис. IV.3. Точная подгонка индуктивности в одно- слойных катушках со сплошной намоткой без ферромагнитного сердечника производится перемещением крайних витков или перемеще- нием короткозамкнутого витка. В катушках коэффициента к расчету индуктивностн однослой- ных ка’ ушек с принуди- тельным шагом намотки: т шаг намотки; d — диаметр с принудительным шагом индуктивность мож- но изменять также перемещением отвода. Симметричные намотки ка тушек индуктивности показаны на рис IV 4 Бифилярная намотка (а) выпол- няется проводом, сложенным вдвое. Начало провод) одного провода № соединяется с концом дру- гого Кг. Место соединения является средним отводом При такой намотке допускается подстройка ферромагнитным сердечником при несущественном нарушении симметрии. Перекре- стная намотка (б) обеспечивает более точную симметрию. При подстройке ферромагнитным сердечником симметрия не нарушается. Многослойные цилиндрические катушки применяются в тех случаях, когда требуется индуктивность более 30—50 мкгн. Несекционированные многослойные катушки с простой намоткой характеризуются пониженной добротностью и стабильностью, большой собственной емкостью; для их изготовления необходимы каркасы со щечками. Индуктивность многослойной катушки без ферромагнитного сердечника определяется по формуле 0,080;^ L ---------------, ЗРк + 9/ + 10/
Катушки колебательных контуров 149 Рис. 1V.3. Номограмма для расчета собственной емкости однослойных ка<>'тек с принудительным шагом
150 Высокочастотные катушки индуктивности где L — индуктивность катушки, мкгн; DK — средний диаметр намотки, ел; I — длина намотки, гл; t — толщина катушки, ом; w — количество витков. Если задана индуктивность п нуж- но рассчитать число витков, то сле- дует задаться величинами D, I и t и подсчитать необходимое число витков. После этого следует проверить толщи- ну катушки по формуле Рис. IV.4. Типы симметричных намоток: а — бифнляриая; б — перекрестная. где t — толщина катушки, л.«; I — длина намотки, лл; w — число витков; da — диаметр провода с изоляцией, лл; a — коэффициент неплотности намотки. Значения коэффициента неплот- ности а для многослойной намотки могут быть взяты из табл. IV. 1, для намотки «кучей» а надо увеличить на 10—15%. Если фактическая толщина катушки отличается от принятой в нача- ле расчета более чем па 10%, то следует задаться другими размерами ка- тушки и повторить расчет. Для ускорения расчетов много- слойных катушек можно воспользо- ваться номограммой, приведенной на рис. IV.5. Секционированные ка- тушки индуктивности (рис. IV.6) характеризуются достаточно высокой добротностью, меньшей собственной емкостью, меньшим наружным диа- метром и допускают в небольших пре- делах регулировку индуктивности пу- тем смещения секций. Они применяю- тся в контурах длинных и средних волн и в качестве дросселей высокой Таблица IV.1 Значения коэффициента неплотности a частоты. Диаметр провода без изоляции, мм a 0,08 0,11 1,3 0,15-0,25 1 25 0,35-0,41 1,2 0,51—0,93 1,1 Более 1,0 105 Каждая секция представляет собой обычную многослойную катушку с небольшим числом витков. Число секций п может быть от двух до восьми, иногда даже больше. Расчет секционированных катушек сводится к расчету индуктивности одной секции. Индуктивность секционированной катушкн, состоящей из п секций, L = Lc [л + 2k (п — 1)], где £с — индуктивность секции; k — коэффициент связи между смежны- ми секциями. Коэффициент связи зависит от размеров секций и расстояния между ними. Эта зависимость изображена на рнс. 1V.7. Отношение —— выбирает- Всп
Катушки колебательных контуров 151 ся так, чтобы величина коэффициента связи была в пределах 0,25—0,4. Это получается при расстояниях D = 2Ь. Каждая секция рассчитывается обычным способом. Катушки с цилиндрическими ферромагнитными сердечниками харак теризуются более высокой добротностью и меньшими размерами по сравне- 0 2 Ч 6 8 io\ 12 19 16 18 20 22 \ D-средний диаметрам t толщина катушки, мм \ О 10 203090 50 ГГ40000 S —30000 | 20000 | 10000 8000 6000 ^9000 >3000 2000^ 1000 —800 —600 —900 —300 —200 но -1 —2 -3 -4 51 50 90302010'0, \ Ошанина катушки, мм 50< 60- 70' 80- 90- 100' •16 £• •/Ое1 •9 •8 •7 •6 - &200' =1 - ^900- -ю \ **8- —11 -12 500^ 600-- 700- 80О-_ 1О00-- •2 Вспомогательна) ось —I--1--Г" I 1—I—I—Г 23956789 Пример Дано: D 2Дсм;\Л/-500 l-t = 12,5 мм Дано^^— Находим. ‘Дано L- 9000 мкгн. Дано '-IB -/4 -7,2 -/,0 -09 —0,8 —0.7 '—ОД Схема пользования •100 •80 •60 •50 —15 1500' Е ам Е I I Е Рис. IV. 5. Номограмма для расчета индуктивности многослойных катушек нию с катушками без сердечников. При использовании ферромагнитных сердечников улучшается экранирование катушек и упрощается точная подгонка индуктивности. Однако прн этом снижается стабильность па- раметров катушек, а также появляется зависимость индуктивности и доб- ротности катушек от амплитуды переменного напряжения и величины постоянного тока, протекающего через обмотку.
152 Высокочастотные катушки индуктивности Ферромагнитные сердечники характеризуются эф- фективной магнитной проницаемостью добротностью и стабильностью. Эффективная магнитная проницаемость сер- дечника рс— отношение индуктивности катушки с сердечником к индуктивности той же катушки без сердечника. Чем выше проницаемость магнитного материала и чем ближе к виткам катушки расположен сердеч- ник, тем выше его эффективная магнитная проницаемость Для тонких Рис. IV 6. Секциони- рованная катушка ин- дуктивности. Рис IV.7. График зависимости коэф- фициента связи от размеров секций и расстояния между ними для секцио- нированных катушек. катушек, намотанных непосредственно на сердечник, длина которого пре- вышает. длину катушки, эффективную магнитную проницаемость можно определить по приближенной эмпирической формуле _________Ен 1 4-0,84 _^_у’'(рн-1) где р„ — начальная магнитная проницаемость материала сердечника (из- меренная на тороиде); Ос — диаметр цилиндрического сердечника; /с — длина сердечника. Если катушка намотана на каркас, эффективная магнитная проницае- мость сердечника снижается. Ее можно определить по формуле Рс=-^-(Мс-1)+1. где DH — средний диаметр намотки катушки; Dc — диаметр сердечника; рс — эффективная магнитная проницаемость сердечника при намотке не- посредственно на сердечник.
Катушки колебательных контуров 153 Добротность сердечника — величина, обратная тангенсу угла потерь tg о. Чем больше потери энергии в сердечнике, тем ниже его добротность. Стабильность параметров сердечника характеризуется температур ним коэффициентом его магнитной проницаемости, который равен отно- сительному изменению эффективной магнитной проницаемости сердечника при изменении температуры на 1ВС Цилиндрические ферромагнитные с е р д е ч н и - к и (рис. IV.8) изготовляются из карбонильного железа и ферритов Основные данные сердечников из карбонильного железа приведены в табл. IV.2. Сердечники типа СИР (с резьбой) применяются г катушках колебательных кон- туров, типа СЦГ (гладкие) — для дросселей высокой частоты, шла СЦТ (трубчатые)—для ферровариометров, цилиндриче- ские с резьбовой втулкой — в катушках контуров. Из ферритов изготовляются стержни следующих диаметров: 1,2; 1,4; 1,6; 1,8; 2,0; 2,5; 2,8; 3,0; 3,5; 4,0; 4,2; 4,5; 5,0; 5,5; 6,0; 7; 8; 9; 10; 12 и 13.ялг. Дли- на стержней. 4,0, 4,5; 5,0; 5,5; 6,0; 6,5; 7,0; 7,5 8 9 10; 11; 12 и 14 Л1Л1 (при диаметрах 1,2— 2,5 леи) и 6; 8; 10; 12; 14; 16; 18; 20; 25; 30; 35; 40; 45; 50; 60; 70; Рис. IV 8 Типы цилиндрических фер- ромагнитных сердечников: а — СЦР; б — СЦГ; в — с резьбовой втул- кой- г — СЦТ. 80; 100; 125; 140, 160 и 200 лея (при диаметрах 2,8—13 мм). Конструирование катушек с ферромагнитны- ми сердечниками. Если необходимо получить максимальную доб- ротность катушки в заданных габаритах, следует применять сердечник из материала, обладающего наибольшим отношением магнитной проница- емости рн к тангенсу угла потерь tg 6 в рабочем диапазоне частот. Сердеч- ники из ферритов обеспечивают большую добротность, чем сердечники из магнитодиэлектриков. Для стабильных катушек индуктивности рекомен- дуется применять сердечники из карбонильного железа. Индуктивность цилиндрической катушки с ферромагнитным сердеч- ником можно определить по формуле £с — 1*сЦ где рс — эффективная магнитная проницаемость сердечника; L — ин- дуктивность катушки без сердечника. Величину рс можно определить по табл. IV.2 или формулам, приведенным на стр. 152. Катушки индуктивности с броневыми сердечниками характеризуются малыми размерами, высокой добротностью и малой собственной емкостью. Температурный коэффициент индуктивности катушек с броневыми сердеч- никами из карбонильного железа составляет 0,006—0,009%, apart, из фер- ритов — 0 025—0,03%/ара<?. Отличительной особенностью катушек с бро- невыми сердечниками является высокая степень их экранирования что особенно важно в многокаскадных усилителях высокой частоты. Наличие магнитного экранирования пе исключает необходимости применения элек- тростатического экрана.
154 Высокочастотные катушки индуктивности Таблица TV.2 Основные данные цилиндрических сердечников из карбонильного железа Тнп сердечника Размеры, л.ч Средняя эффек- тивная магнит- ная проницае- мость рс Средняя добрел мость Температурный коэффи- циент магнитной про- ницаемости ТКрс, %/град Dc Класс А *> Класс в21 Класе А1» Класс в21 V Л 0 Класс А Класс В СЦР-1 М6х0,75 10 ,.5» 1,7 3> 130 90 0,0014 0015 СЦР-2 19 1,65 ” 1,95 3) 135 0,0017 СЦР-3 М7Х0.75 10 1,6 3) 1,7 3) 130 100 0,0015 СЦР-4 19 1,75 4> 1,95 4) 140 95 0,0015 0,0017 СЦР-5 М8х1 10 1,6 4> 1,7 4> 130 105 0.0014 0,0015 СЦР-6 19 1,8 4) 1,9 4> 145 100 0,0016 0,0017 СЦР-7 М9Х1 10 1,5 41 1,65 4> 0,0014 0 0015 СЦР-8 19 1,75 41 1,85 4’ ПО 0,0017 СЦГ-1 9,3 10 2,1 41 2,1 4> 160 • 130 0,0019 0,0019 СЦГ-2 19 2,45 4) 2,35 4) 185 135 0,0022 0,0021 СЦТ-1 10 2,0 4) 2,0 4 ’ 160 130 0,0018 0,0017 СЦТ-2 19 2,35 4 > 2,2 4) 180 135 0,0021 0,002 ) Па частотах 0.15—2 Мгц. *) На частотах 2—2.5 Мгц. ) При отношении среднего диаметра намотки к диаметру сердечника DK/DC^ «= 1,25-1,3. *) При отношении £>K/DC= 1,1—1,15.
Катушки колебательных контуров 155 Броневые сердечники из карбонильного железа показаны „а рис. IV.9. Сердечники типов СБ-96, СБ-126 и СБ-236 изготовляются с воздушным зазором. Индуктивность катушек с такими сердечниками регулируется в более широких пределах. Размеры броневых карбонильных сердечников приведены в табл. 1V.3, а их основные данные — в табл. IV.4. Таблица IV.3 Размеры броневых сердечников из карбонильного железа Обозначение типа сердечник» Размеры чашек, мм Размеры Под строечнмка, лии НОВО.’ старое г/. rf, d, h н ° с СБ-ба — 6,5 4,9 3,0 2,0 3,2 7,0 М2 СБ-9а СБ-Оа 9,6 7,5 4,6 2,1 3,8 8,0 М3 СБ-96 СБ-06 СБ-12а СБ-1а 12,3 10,0 6,0 4,1 5,5 11,5 М4 СБ-126 СБ-16 СБ-18а — 18,0 14,0 9,0 5,2 7,4 13,5 М' СБ-23-11а СБ-2а 23,0 18,5 10,0 3,1 5,7 4 13,0 М7Х0,75 СБ-236 СБ-26 СБ-23 17а СБ За 18,0 11,0 6,0 8,7 19,0 СБ-28а СБ 4а 28 22 13 8,5 П.7 25 М8х1 СБ-34а СБ-5а 34 27 13,5 10,2 14 2 30 Примечание. П следили буква в первых двух колонках означает: а — сердеч- ник с замкнутой магнитной цепью; б — с разомкнутой магнитной цепью-
156 Высокочастотные катушки индуктивности Таблица IV.4 Основные данные броневых сердечников из карбонильного железа Тип сердечника Средняя эффсктив ная магниткаи проницаемость 1*с Средняя доброт- ность 3) Температурный коэф- фициент магнитной проницаемости ТКр-с. % {град Относительное увеличение ин- дуктивности при введении под- строечника, % Класс А О Класс В 2) Класс А >) Класс В2> Класс А Ч Класс В 2> СБ-9а 2,9 0,0026 28 СБ-12а 4.5 — 135 0,0041 — 22 СБ-126 3,0 — 95 — 0 0027 — 35 СБ-23-11а 3,7 — 225 — 0,0034 — 20 СБ-236 2,7 — 190 — 0,0025 — 30 СБ-23-176 4.6 6.5 240 135 0,0042 0,0059 20 СБ-28а 4,7 5,0 210 185 0.0043 0 0045 20 СБ-34а 4,5 5,0 235 180 0,0041 0,0045 20 *) На частотах 200—2000 кгц- *) На частотах 50—200 кгц. *) При намотке на трехсекцмоиные каркасы проводом ЛЭШО 7x0.07 для длинных и средних волн и проводом ПЭЛ для коротких волн. Броневые сердечники из ферритов выпускаются трех типов (рис. IV. 10) Воздушный зазор в этих сердечниках образуется за счет уменьшения вы- Рис. 1V.9. Броневые сердечники из карбонильного железа: а-СБ-6 СБ-9. СБ-12. СБ-18; б — СБ-23. СБ 28. СБ 34 соты керна одной или двух ча- шек. составляющих сердечник. Величина зазора 6 может иметь любое значение от 0 до 2й. В сердечниках типа Ч 6 = 2ft. Сердечники с воздушным зазо- ром позволяют получить более высокую добротность, меньшую зависимость параметров от ча- стоты и напряженности магнит- ного поля, могут работать па более высоких частотах. Сер- дечники без зазора могут эффек- тивно использоваться на часто- тах до 4—5 Мгц. В табл. IV.5 приведены раз- меры броневых сердечников из ферритов и указаны марки фер- ритов. Намотка катушек с броне- выми сердечниками производит- ся обычно «внавал» на специ- альном каркасе, разделенном па несколько секций. Для намотки при- меняется одножильный провод в эмалевой изоляции (реже литцеидрат).
Катушки колебательных контуров 157 Эффективная магнитная проницаемость сердечников с воздушным зазором меньше, чем сердечников без зазора, и равна Рс-з -- Рс 1 L. 1 + Рс — 'ср где Ре — эффективная магнитная проницаемость сердечника без зазора; f> — длина зазора; /ср — средняя длина магнитной силовой линии сердеч- ника. Индуктивность катушек с броневыми сердечниками рассчитывается так же. как и катушек с цилиндрическими сердечниками (стр. 153). Ве- личины рс для броневых сердечников из карбонильного железа приведе- ны в табл. IV 4. Рис. IV. 10. Броневые сердечники из ферритов: а — типа Б; б— типа ОБ в — типа Ч. Температурный коэффициент индуктивности (ТКИ) катушки с сердеч- ником без зазора полностью определяется температурным коэффициентом магнитной проницаемости (ТКрс) сердечника. При введении зазора ТКИ катушки уменьшается. Если 6//ср<0,01, то ТКИ3 ------- ------- 1 о 1 7—Рс •ср Основные данные катушек индуктивности с броневыми сердечниками из карбонильного железа приведены в табл. IV.6. Катушки с тороидальными сердечниками применяются в тех случаях, когда требуется при минимальных размерах получить максимальную индуктивность. Достоинство этих катушек состоит в малом рассеяшш
158 Высокочастотные катушки индуктивности Основные данные броневых сердечников из ферритов Тип Размеры чашек, лш <1, (!я Б6 6,5 ±0,2 5.1 ±0,2 2,7 ±0,1 1,1 ±0,1 Б9 9 ±0,2 7,6 ±0 2 3,5 ±0,1 1 9±0,1 БИ 11 ±0.3 9,4 ±0.2 3,7 ±0,1 1,9 ±0,1 Б14 14 ±0,3 11 8 ±0,3 6 ±0,2 3,1 ±0,1 Б18 18 ±0,3 14,0 ±0,3 7,4 ±0,2 3,1 ±0,1 Б22 22 ±0,4 18,3 ±0,3 9,2 ±0,2 4,5 ±0,2 Б26 26 ±0,5 21,6 ±0,4 11,3 ±0,3 5,5 ±0,2 БЗО 30 ±0,5 25,4 ±0,4 12,3 ±0,3 5,5 ±0,2 Б36 36±0,6 30,5 ±0,5 16,0 ±0.3 5,5 ±0,2 Ь48 48 ±0,7 40,0 ±0,6 20,0 ±0 4 7,5 ±0,2 ОБ12 13 ±0,3 10,4 ±0 3 6,3 ±0,2 3,15 ±0,15 ОБ20 20,9 ±0,4 - 17,9 ±0,4 9,1 ±0,2 4,4 ±0,15 ОБЗО 30 ±0,6 25 ±0,5 11,2 ±0,3 5,6 ±0,2 ОБ36 36 ±0,7 30 ±0,6 15,8 ±0,3 7.9 ±0,2 ОБ48 48 ±1 40 ±0,8 20 ±0,4 10 ±0,2 ч. 6,1 5,1 2,9 ч. 6,1 5,1 — 2,9 Ч3 6,8 5,6 3,0 а 6,8 5,6 — 3,0 Ч3 8,8 6,8 — 3,7 Ч« 6,8 5,4 3.1 Ч, 6,8 5,4 — 3,6 О Для сердечников типа Б приведены размеры подстроечинков из ферритов марок сердечников. Для сердечников типа Ч приведены данные резьбы: Сп — специальная. магнитного потока. К недостаткам следует отнести относительную слож- ность намотки и невозможность плавной регулировки индуктивности- Тороидальные сердечники (рис. IV 11) изготовляются из альсиферон и ферритов Основные данные их приведены в табл. IV.7 и IV.8. Инду ктпвность катушки с тороидальным сердечником определяется по формуле с, L = 1,26цди»-—-10 3 мен, хр
Катушки колебате гьных контуров 159 Таблица IV.5 Размеры додстрдечника 0. мм 1е матери? ла 2.8 ±0,2 2±0.1 6±02 0,9-0 1 2.8 ±0,2 2±0,1 9 ±0,2 1,5—0 3 3.2 ±0.2 2.2 ±0.1 9 ±0,3 1,5—0,3 4,2±0,2 2,9 ±0,2 12 ±0,3 2,5—0,3 1500НМ2, 5,3 ±0,2 3,7 ±0.1 12±0,3 2,5—0,3 1500НМЗ, 6,8 ±0,2 4,7 ±0,1 16±0,3 3,5—0,3 2000НМ, 8,2 ±0,2 5,6 ±0.2 20 ±0,4 4,5—0,3 2000НМ1 9,5 ±0,2 6,6 ±0.2 22 ±0,4 4,5—0,3 11 ±0,3 7,4 ±0,2 22 ±0 4 4,5—0,3 15,7 ±0,3 10,4 ±0,2 32 ±0,5 6,5—0,3 6,4 ±0,4 4,4 ±0,1 12 ±0,5 3 ±0,2 7,4 ±0,4 4,7 ±0 1 14±0,5 4,3 ±0 2 1500НМ1, 10 4 ±0,5 6,6 ±0,2 21 ±1,0 5,4 ±0,3 1500НМ2, 14,2 ±0.7 9,5 ±0,2 21 ±1,0 7,5 ±0,4 2000НМ, 19 ±0,7 12,8±0,3 26±1,0 9,6 ±0,5 2000НМ1 4,4 3,3 9 Сп 542,3X0,5 50В 42, 4,4 2,6 9 Си М2,3X0,5 100011МЗ 3,6 2,8 7 Си М2,85x0,5 3,6 2,2 7 Си М2 85 x0,5 50ВЧ2 4,0 3,0 12,8 Си М2 85x0 5 3,8 2,0 7,9 Сп М2,8x0,5 3,8 2,8 7,9 Сп М2,8х0,5 150011М3, 2000НМ, 2000НМ1, для сердечников типа ОБ—размеры нешлифованных М — метрическая, цифрами — диаметр и шаг- где Цд — динамическая магнитная проницаемость материала сердечника (см. § 8 гл. II); w — число витков; Sc — площадь сечения сердечника, очэ; /Ср — средняя длина магнитной силовой линии, см. Если катушка предназначена для работы без постоянного подмагни- чивания в слабых переменных магнитных полях (Н < 0 1 э), то вместо рд в формулу следует подставить значение начальной магнитной прони- цаемости материала сердечника (см. § 8 гл. II). Для малогабаритных катушек индуктивности, к которым не предъяв- ляются требования высокой добротности и стабильности параметров, сле- дует применять сердечники из ферритов с большой начальной магнитной
160 Высокоча тошные катушки индуктивности Катушки с броневыми карбонильными сердечниками Таблица IV 6 Тип сердеч- ника Марка провода Число витков Индуктив- кость, ММ Добротность Для частоты 110 кгц СБ-1а ПЭЛ 0 1 500 5250 90 СБ-2а ПЭЛ 01 310 5250 100 ПЭЛ 0,1 480 10500 100 СБ-За ПЭЛ 0 15 475 10500 150 ПЭЛШО 0,1 480 11000 ПО ПЭЛ 01 485 10500 90 СБ-4а ПЭЛ 0,2 465 10590 160 ПЭЛШО 0,1 465 10200 90 ЛЭШО 7x0,07 350 5250 180 ПЭЛ 0,1 475 10500 85 СБ-5а ПЭЛ 0,2 ’ 460 10500 160 ПЭЛШО 0,1 460 10200 90 ЛЭШО 7X0,07 490 10500 195 Для частоты 460 кгц СБ-la ПЭЛ С 1 167 600 ПО ПЭЛШО 0 1 167 L00 115 ПЭЛ 0,1 107 615 90 СБ-2а ПЭЛШО 0,1 106 600 115 ЛЭШО 7X0,07 67 240 200 ПЭЛ 0,1 10 В 600 90 СБ-За ПЭЛ 0,2 108 600 125 ПЭЛШО 0,1 108 600 135 ЛЭШО 7x0,07 108 600 230 СБ-4а ПЭЛ 0,1 112 600 80 ПЭЛ 0,2 112 600 155 ПЭЛШО 0 1 112 600 100 ЛЭШО 7x0,07 112 600 180 ПЭЛ 0,15 108 600 155 СБ-5а ПЭЛ 0,2 108 600 160 ПЭЛШО 0,1 78 300 75 ЛЭШО 7x0.07 77 300 195 Для ч а с т о т ы 1 Мгц ПЭЛ 0,2 76 118 75 СБ 1а ПЭЛ О 0,31 — — — ЛЭШО 7x0,07 54 60 130
Катушки колебательных контуроя 161 Продолжение табл. IV .6 Тип сердеч- ника Марка провода Число ВИТКОВ Индуктив- ность. мкгн Добротность ПЭЛ 0,2 49 133 но СБ-2а ПЭЛШО 0,31 35 69 105 ЛЭШО 7X0,07 49 133 245 ПЭЛ 0 2 52 125 115 СБ-За ПЭЛШО 0,31 52 120 100 ЛЭШО 7x0,07 52 120 190 Для частоты 5 Мгц ПЭЛ 0,2 16 5,4 120 СБ 1а ПЭЛШО 0,31 16 5,5 140 ЛЭШО 7X0,07 16 5,8 125 ПЭЛ 0,2 10 5,8 125 СБ2а ПЭЛШО 0,31 10 5,7 150 ЛЭШО 7X0,07 10 5,6 175 Размеры колец из альсиферов Таблица IV.7 Наруж- ный диа- метр £>, мм Внутрен- ний диаметр d. мм Высо- та Л, мм Площадь сечения Sc см* Наруж- ный диа- метр D. мм Внутрен- ний диаметр d. ММ Высо- та й, ЛЖ I Ьющадь сечения S Ct см* 15 7 4,8 0,175 44 28 7,2 0,50 15 7 6,7 0,250 44 28 10,3 0,75 19 11 4,8 0,175 55 32 8,2 0,80 19 11 6,7 0,250 55 32 9,7 1 00 24 13 5,2 0,250 55 32 11,7 1,20 24 13 7,0 0 350 64 40 97 1,00 36 25 7.5 0,380 64 40 14,0 1,50 36 25 9.7 0,500 75 46 12,0 1,50 75 46 16.8 2,20 проницаемостью. Если же необходимо получить максимальную доброт- ность при заданных размерах катушкн, то используют сердечник из ма- териала с максимальным отношением магнитной проницаемости к танген- су угла потерь (pH/tg С). Введение воздушного зазора в сердечник из фер- рита часто приводит к повышению добротности катушки. Эффективная магнитная проницаемость сердечника с зазором меньше магнитной про- ницаемости материала (тороидального сердечника без зазора). Степень сни- жения магнитной проницаемости зависит от величины зазора (см. стр. 157). 6 1-1303
162 Высокочастотные катушки индуктивности Основные данные колец из ферритов Таблица IV.8 Типоразмер ! D d Средняя дли- на магнитного пути,см Площадь сечения, см2 Площадь OKHrt, см2 К2,5х 1x0,8 1 0,514 0,006 0,0785 К2.5Х 1 X 1.2 1 0,514 0,009 0,0785 К4Х1,6x1.2 0,823 0,0144 0,0201 К4Х1.6Х1.8 ч 0,823 0,0216 0,0201 К6х2,5х 1,8 1,26 0,0315 0,0491 К6х2,5х2,8 2,5 1,26 0,049 0,0491 KI0X4X3 2,06 0,09 0,126 КЮх4х4,5 2,06 0,135 0,126 К15х6х4,5 3,09 0,203 0,283 К15х6х7 3,09 0,315 0,283 К1,2x0,6x0,4 0,272 0.0012 0,0028 К2х 1X0,5 0,453 0,0025 0,0078 К3.2х1,6х0,8 0,725 0 0064 0 0201 К5Х2.5Х1.2 1,13 0,015 0,0491 К8Х4Х2 2 1,81 0,04 0,126 К12Х6ХЗ 2,72 0,09 0,283 К20Х10Х"» 4,53 0,25 0,785 К32Х16Х8 7,25 0,64 2,01 К50Х25Х6 11,3 0,75 4,91 К50х25х9 ) 11,3 1,13 4,91 K1XQ,6x0,3 1 0,245 0,0006 0,0028 К1.6Х 1X0,3 0,401 0,0009 0,0078 К2,5х1.6х0,5 0,636 0,0022 0,0201 К4х2,5х0,8 1,0 0,006 0,0314 К7Х4Х1.5 1.68 0,0225 0,126 KI0X6X2 16 2,45 0,04 0,283 К16хЮхЗ 4,01 0,09 0,785 К28Х16Х6 6,74 0,36 2,01 К40х 25x7,5 10,0 0,563 4,91 К65х40х6 16,2 0,7 12,6 КЮОхбОхЮ 24,5 2 28,3 К1 4X1X0,4 0,373 0,0008 0,0078 К2,2х1.6х0,8 0,529 0,0018 0,0201 КЗ,5х 2,5x1 1,4 0,934 0,005 0,0491 К5.5х 4X1.5 1,48 0,0113 0126 К8,5х 6x2,5 2,24 0,0313 0,283 К14Х10Х4 3,73 0,08 0,785 К22Х16Х4 ) 5,92 0,18 2,01 Примечание. Б обозначении типоразмера числа указывают размеры в мил- лиметрах: первое — D второе — d, третье — Л (в соответствии с рис. IV.11, б).
Катушки колебательных контуров 163 Воздушный зазор оказывает такое же влияние на стабильность параметров катушек, как и на ста- бильность параметров катушек с бро- невыми сердечниками (см. стр. 157). Катушки с сердечниками из не- магнитных металлов характеризу- ются высокой стабильностью и при- меняются в контурах гетеродинов и широкополосных УПЧ па диа- пазонах КВ и УКВ. Материал сердечников — медь, латунь, алю- миний. При введении сердечника из немагнитного металла индуктив- ность и добротность катушки умень- шаются. Причем уменьшение доб- ротности пропорпионалыю умень- шению индуктивности. Минималь- ные потерн вносятся сердечником, изготовленным нз чистой меди. При использовании других металлов увеличение потерь практически про- порционально уменьшению нх про- водимое! и но сравнению с чи- стой медью. Уменьшение ипдуктпв- б Рис. IV. 11. Тороидальные сердеч- ники: пости катушки при введении в нее а — из альсиферов; б — из ферритов, немагнитного сердечника необхо- димо учитывать при расчете. Для получения заданной индуктивности L, допускающей подстройку в пределах ±AL, следует увеличить расчетную индуктивность катушки без сердечника в I + 6L/L раз. Отношение 61.1 L определяется по рис. IV. 12. Рис. IV 12. Графики зависимостей относительного изменения индук- тивности катушек от положения сердечника и размеров катушки. 6*
164 Ьысокочаетотные катушки индуктивности Экранированные катушки индуктивности применяются в тех случаях, когда необходимо устранить паразитные связи, обусловленные внешним электромагнитным полем катушек, или внешние влияния. Принцип элект- ромагнитного экранирования описан в § 20 гл. 1. Под влиянием экрана изменяются параметры катушки: уменьшается ее индуктивность и добротность и увеличивается собственная емкость. Из- менение параметров катушки тем больше, чем ближе расположен экран к виткам катушки Индуктивность экранированной катушки (однослойной нлп тонкой многослойной) можно определить по графику на рис. IV. 13. По горизонтальной оси, графика отложено отношение длины намотки к диаметру, по вертикальной — Рис. IV. 14. Расположение про- резей р экране: I — правильное, 2 — неправильное. Рис. IV 13. Графики ддя определения индуктивности экранированных ка- . тушек. экрана к диаметру катушки D. Если применяется экран прямоуголь- ного сечения, то при расчете берут эквивалентный диаметр, равный полу- сумме диаметров вписанной и описанной окружностей. Экраны высокочастотных катушек индуктивности изготовляют из меди или алюминия толщиной не менее 0,4—0,5 ял. Часто в экранах высокочастотных катушек индуктивности приходит- ся делать отверстия для вращения подстроечных сердечников или для органов регулировки связи между индуктивно связанными катушками. В этих случаях отверстия должны быть минимальными. Отверстия в виде узких щелей следует располагать перпендикулярно образующей цилинд- рического экрана (рис. IV. 11). Индуктивно связанные катушки. Для обеспечения магнитной (индук- тивной) связи между катушками их наматывают на общий каркас или располагают рядом так, чтобы осн их были параллельны. Отклонение от этого условия приводит к уменьшению связи. Расчет взаимной индуктивности между катушками без магнитных сердечников можно произвести лишь ориентировочно. Для катушек с маг- нитными сердечниками методика расчета не разработана. Средние значения практически получающихся коэффициентов связи *св при различном расположении связанных катушек равны: при одно- слойных катушках, намотанных с принудительным шагом так, что витки одной катушки располагаются между витками другой, kCB — 0,8—0.95; при одновременной намотке катушек двойным проводом ftCB=0,95—0.97; если одна катушка однослойная, другая многослойная, то коэффициент
Вариометры I С>5 связи достигает 0 5; при разделении многослойной катушки на две секции, которые расположены по обеим сторонам однослойной, Лсв = 0,65—0,75; между смежными многослойными катушками kCK = 0,7—0,8; между смеж- ными плоскими (печатными) катушками k(n — 0.9—0,95; между катушка- ми с броневыми сердечниками kQB = 0,015—0,02. При введении внутрь связанных катушек общего магнитного сердечника вечичипа связи значп тетыю возрастает, при введении немагнитного металлического сердечни- ка — ослабляется § 2. ВАРИОМЕТРЫ Вариометрами называются катушки с переменной индуктивностью, используемые для плавной настройки контуров в широком диапазоне частот. Изменение индуктивности в широких пределах может быть осуществ- лено 1) плавным изменением числа витков однослойной цилиндрической катушки при помощи ролика или щетки, скользящей по поверхности про- вода; 2) изменением взаимной индуктивности между двумя катушками 8 Рис. IV. 15. Вариометры: а — с переменной взаимной индуктивнос- тью; б — с магнитным сердечником, I — обмотка 2 — наружный цилиндр из маг ннтного материала; 3 — каркас на пласт массы; 4 — сердечник; 5 — экран; 6—тяга. о а соединенными последовательно или параллельно; 3) перемещением введен- ного в катушку магнитного сердечника; 4) перемещением введенного в ка тушку сердечника из немагнитного металла. Вариометр с переменной взаимной индуктивностью схематически показан на рис IV 15, а. Он состоит из двух катушек, одна нз которых А может вращаться внутри другой В Коэффициент перекрытия вариометров с взаимной индуктивностью тем больше, чем больше коэффициент связи между катушками. Для полу- чения большей индуктивности применяется последовательное включение катушек. Вариометр с магнитным сердечником (ферровариометр) применяется, например, в автомобильных приемниках в качестве элемента настройки Вариометр состоит из цилиндрической катушки, внутрь которой вдвигает- ся сердечник с высокой магнитной проницаемостью (альсифер ФИ-25 или феррит). Устройство ферровариометра показано иа рис. IV.15, б- Коэффициент перекрытия ферровариометра тем больше, чем больше магнитная проницаемость сердечника, чем ближе он расположен к виткам катушки. Если применить сердечник нз альсифера коэффициент перекры- тия достигает 10—12, а из феррита — 25—30 и более
166 Высокочастотные катушки индуктивности Длина сердечника выбирается обычно в 5—10 раз больше его диаметра, а диаметр сердечника меньше диаметра намотки на 0,5—1 мм. Ферровариометры могут сопрягаться для одновременной настройки нескольких контуров. Сопряжение настроек достигается применением сердечников различных диаметров или катушек с различным расположе- нием витков. Варном тр с немагнитным сердечником состоит из катушки, внутри которой вращается короткозамкнутый виток пли перемещается цилиндр из немал итного металла. Такие вариометры очень стабильны и могут применяться в задающих каскадах передатчиков. § 3. ДРОССЕЛИ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ Дросселем высокой частоты называют катушку индуктивности, вклю- чаемую в цепь для уменьшения токов высокой частоты. Индуктивность дросселя должна быть достаточно большой, а собственная емкость — малой. Конструктивно дроссели высокой частоты выполняются в виде одно- слойных или многослойных катушек. Конструкции дросселей высокой частоты показаны па рис. IV.16. Для дросселей длинных и средних волн применяется секционированная многослойная намотка. Дроссели для ко- ротких волн и для метровых волн обычно имеют однослойную намотку — сплошную или с принудительным шагом. В качестве каркаса часто исполь- зуются керамические стержни от резисторов ВС-0,5 и ВС 1 0. Рис. IV. 16 Дроссели высокой частоты: а — для длинных воли; б — для широкого диапазона (длинные н средние) в— для средних воли; г — для коротких волн; д — для ультракоротких волк. Дроссели высокой частоты с сердечниками из магпятодиэлектриков и ферритов имеют меньшую собственную емкость, поэтому могут ра- ботать в более широком диапазоне частот. В качестве сердечников наиболее целесообразно использовать феррит с проницаемостью, равной 600, у ко-
Дроссели высокой частоты 167 торого с увеличением частоты уменьшается диэлектрическая проницае- мость, а при частоте выше граничной уменьшается и магнитная прони- цаемость. Воспользовавшись этим свойством феррита, можно изготовить дроссели с индуктивностью и собственной емкостью, зависящими от часто- ты, и тем самым исключить резонансные явления в широком диапазоне частот. Индуктивность дросселей для цепей питания можно выбрать по табл, IV.9. Меньшие значения индуктивности относятся к дросселям накала. • Таблица IV.9 Индуктивность дросселей питания f. Мгц Дт 0,5 1 5 10 20 50 100 L, мкгн (1 4-10) • Юз 250—1500 80—400 30—150 15—80 4—25 1,5-8 Диаметр провода выбирается по плотности тока, равной 2—3 а!мм:, падение напряжения на дросселе накала допускается 10—15% от напря- жения питания. Число витков дросселя рассчитывается так же, как и число витков ка- тушек индуктивности Литература 1. Вол го в В. А. Детали и узлы радиоэлектронной аппаратуры. М, «Энергия», 1967. 2. М а т в е е в Г. А., X о м и ч В. И. Катушки с ферритовыми сердеч- никами. М — Л., Госэиергоиздат, 1962. 3. С и ф о р о в В. И. Радиоприемные устройства. М.. Воениздат, 1954.
ГЛАВА ТРАНСФОРМАТОРЫ И ДРОССЕЛИ \1 С ФЕРРОМАГНИТНЫМИ V МАГНИТОПРОВОДАМИ § 1. МАГНИТОГ.РОВОДЫ Для уменьшения потерь на вихревые токи магнитопроводы трансфор- маторов и дросселей набираются из штампованных пластин (рис. V 1, а или навиваются из полос (рис. V.I, б). Применяются также магнитопро- воды из ферритов, которые составляются из двух одинаковых частей Рис V 1 Конструкции магнитопроводов для низкочастотных трансформаторов и дросселей: а — из штампованных пластин; б — витые; / — броневые; 2 — стерж- невые; 3 — тороидальные. (рис. V .2). Пластины штампуют из электротехнических сталей или желе- зо-никелевых сплавов. Из этих же материалов нарезают полосы для изготовления витых магннтопроводов Достоинством магнитопроводов из штампованных пластин является то, что они могут быть изготовлены практически из любых, да; е очень
Магнитопроводы 169 Таблица VI Данные броневыт магнигопроводов из штампованных пластин _ 4 Тип Активная площадь се чсиия. см- Площадь ок на. см* Размеры*мм Средняя дли- на магнитного пути, см Средняя дли на витка об- моток, см Конструктив- ная постоян- ная А-105 ъ ft 1. н Ш3х4 1113x6,3 0,1 0,16 0,225 3,0 7,5 12 10,5 2,65 2,3 2,8 0,46 0,6 1114x5 1114x8 0,17 0,27 0,1 4,0 100 16 14 3,4 3,0 3,7 0,8 1,1 1115x6,3 1115 х Ю 0,27 ' 0,42 0,625 50 12,5 20 17,5 4.25 3,8 4,5 1,3 1,7 Ш6х8 1116x12,5 0,41 0,64 0,9 6,0 15,0 24 21 5,1 4,7 5,6 1,9 2,5 Ш7Х7 0,42 4,7 2,1 1117x10 0,60 1.3 6,5 20 30 30 6,9 5,3 2,7 1117х 14 0,84 6,1 3,3 Ш8Х10 1118X16 0,68 1,1 1,6 8,0 20 32 28 6.8 6,0 7,1 3,3 4,8 1119x9 1119X13 0,69 0,92 2,02 9 22,5 36 31,5 7,7 6,3 7,1 3,9 5,0 11110X10 0,9 6,9 5,4 11110x12,5 ШЮх16 1,1 1,45 2,5 10 25 40 35 8,5 74 8,1 6,1 7,3 11110x20 1,8 8,9 8,4 УШЮхЮ 0,9 5,8 44 УШ10Х15 1,3 1,17 6,5 18 36 31 5.7 6,8 5,5 У III 10x20 1,8 7,8 6,2 1,08 6,0 30 36 30 6,7 6,5 4,4 11112x12 1.3 2,7 2,16 9,0 12 30 18 42 48 42 30 9,7 7,6 7,5 8,5 6,8 5,8 3,6 12 30 48 42 10,3 8,5 7,3 2,7 9 30 42 42 9,7 8,3 8,2 11112x16 1 7 2,16 12 18 48 30 7,6 9,3 7,1 3,6 12 30 48 42 10,3 9,3 9,0
170 Трансформаторы и дроссели Продолжение гпаб.г. Г./ Тип1) Активная площадь се- чени»!, см- Площадь ок- на, Размеры. «) мм Средняя дли- на магнитно- го пути, см Средняя дли- на витка об- моток, см Конструктив- ная постоян- ная Д 10s ь ft L н 11112x18 1,8 1,08 6 18 36 30 6,7 7,7 5.4 2,7 9 30 42 42 9,7 9.1 9,7 11112x20 2,2 2,16 12 18 48 30 7,6 10,0 8,2 3,6 12 30 48 42 10,3 10,0 10 11112x24 2,6 1,08 6 18 36 30 6,7 8,9 6,0 У 11112x12 1,3 7,0 7,0 У 11112x18 1,9 1,76 8 22 44 38 6,7 8,2 8,6 У 11112x24 2,6 9,4 9,8 11114x14 1,8 1,47 2,25 7 9 21 25 42 50 35 43 7,8 7,9 7,6 8,2 6,2 9,1 11114x21 2,7 1.47 2,25 7 9 21 25 42 50 35 43 7,8 79 9,0 9,6 7,6 11 11114x28 3,6 1 47 2,25 7 9 21 25 42 50 35 43 7,8 7,9 10,4 11,0 8,8 13 1,92 8 24 48 40 8,9 8,6 8,4 ПП6Х16 2,3 3,84 16 24 64 40 10,5 и.о 11 6,4 16 40 64 56 13,7 11,0 15 11116x20 2,9 3,84 6,4 16 16 24 40 64 64 40 56 10,5 13,7 12,0 12,0 14 18 11116x24 3,5 1,9 8 24 48 40 8,9 10,2 10 1.9 8 24 48 40 / 8,9 11,8 И 11116x32 4,6 3,84 16 24 64 40 10,5 14,3 19 6,4 16 40 64 56 13,7 14,3 25 Ш16Х40 5.8 3,84 6,4 16 16 24 40 64 64 40 56 10,5 13,7 15,9 21 28 УШ16Х16 2,3 9,3 12 УШ16Х24 3,5 2,8 10 28 56 48 9,0 10,9 15 УШ16Х32 4,6 12,5 17
Магнитол ровсды 171 Продолжение табл. V.1 Тип ) Активная площадь се- чения. см* Площадь ок- на. СМ' Размеры, *) мм Средняя дли- I на магнитного пути, C.W Средняя дли- 111 витка об- моток, см Конструктив- ная постоян- ная А 105 j b Л L н 11118X18 11118x27 11118x36 2,9 4,4 5,8 2,43 9 27 54 45 10,0 9,8 11,6 13,4 11 14 16 11119x19 11119x28 11119x38 3,2 4,9 6,5 7,82 17 46 75 68 14,3 Н,0 12,8 14,8 28 37 43 У11119X19 УЛ119Х28 У 11119x38 3,2 4,8 6,5 4,02 12 33,5 67 57,5 10,6 11,0 12,8 14,8 19 24 27 11120X20 3,6 3,0 5,62 6,0 10,0 10 12,5 20 20 30 45 30 50 60 65 80 80 50 65 50 70 12,1 14,6 13,2 17,1 10,9 11.9 13,8 13,8 14 21 23 30 У11122Х22 У 11122x33 УШ22Х44 4,36 6,54 8,72 5,46 14 39 78 67 12,4 13,0 15,2 17,4 27 34 38 У11126X26 У Ш26Х.39 У 11126x52 6,08 9,12 12,16 7,99 17 47 94 81 14,7 15,4 18,0 20,6 40 50 57 УШЗОхЗО УШ30Х45 УШЗОхбО 8,1 12,15 16,2 10,1 19 53 106 91 16,9 17,6 20,6 23,6 43 61 74 У 11135x35 У 11135x52 УШ35Х70 11,0 16,4 22,0 13,5 22 61,5 123 105,5 19,8 20,4 23,8 27,4 66 84 98 УШ4ОХ4О УШ40Х60 У 11140x80 14,4 21,6 28,8 18,7 26 72 144 124 26,4 22,4 26,2 31,5 81 105 116 >) Числа в обозначении типа магнитопровод2) определяют размеры магиитопрпво* да, мм : перво? число — размер у, второе — размер yL (в соответствии с рис- V.I). г) В соответствии с рис- V-I.
172 Трансформаторы и дроссели Таблица V2 Данные витых (ленточных) броневых магнитопроводов Тип ’) • Активная площадь се- чения. см* Площадь ок- на, см- IX Размеры. мм Средняя дли- на магнитною пути, см Средняя дли,- hi витка об- моток. см Конструктив- ная постоян- ная А • 10‘ b h L н ШЛ 6x8 0,41 4,7 2.0 ШЛ 6x10 0,52 0,9 6 15 24 21 5,1 5,1 2.3 ШТ 6X12,5 0,65 56 2,6 ШЛ 8x8 0,55 5,7 3,2 ШЛ 8хЮ ШЛ 8x12 0,69 0,86 1.6 8 20 32 28 6,8 6,0 6,6 3,4 4,0 ШЛ 8x16 1,16 7.1 4,9 ШЛ ЮхЮ 0,87 6,9 5,4 ШЛ 10x12,5 ШЛ 10x16 1,1 1,39 2,5 10 25 40 35 8.5 7,4 8,1 6,2 7,4 ШЛ 10x20 1,74 8,9 8,5 ШЛ 12x12,5 1,3 8,7 7.5 ШЛ 12X16 ШЛ 12x20 1,68 1 3,6 12 30 48 42 10,2 9,4 10,2 9.0 10 ШЛ 12x25 2,63 11,2 12 ШЛ 16x16 2,24 11,5 15 ШЛ 16x20 ШЛ 16x25 2,8 3,5 6,4 16 40 64 56 13,6 12,3 13,3 17 21 ШЛ 16x32 45 14,7 25 ШЛ 20x20 3,5 14,3 30 ШЛ 20x25 ШЛ 20x32 44 5,6 10 20 50 80 70 17.1 15,3 16,7 36 44 ШЛ 20: 40 7.1 18,3 46 ШЛ 25x25 5,5 17,8 52 ШЛ 25x32 ШЛ 25x40 7.1 8,8 15,6 25 62,5 100 87,5 21,3 19,2 20,8 62 70 ШЛ 25x50 11,0 22,8 80 ШЛ 32x32 9,1 22,8 84 ШЛ 32x40 ШЛ 32x50 п,з 14,2 25,6 32 80 128 112 27,3 24,4 26,4 98 113 ШЛ 32x64 18,1 29,2 130 9 Числа в обозначении типа магнитопровода определяют размеры магиитопроводи мм' первое число—размере/, второе — размер i/i (в соответствии с рис- V I) f) В соответствии с рис- V-L
Магнитопроводы 173 Таблица V.3 Данные витых (ленточных) тороидальных магнитопроводов Тип Активная площадь J сечеиня, см2 Площадь окна, см2 Размеры мм ) Средняя длина магнит- ного пути, см л, Dt ь ОЛ 10/16-4 0,10 4 ОЛ 10/16-5 ОЛ 10/16-6,5 0,13 0,17 0,78 10 16 5 6,5 4,0 ОЛ 10,16-8 0,22 8 ОЛ 12/20-5 0,17 5 ОЛ 12/20-6,5 0,23 1,1 12 20 6,Ь 5,0 ОЛ 12/20-8 0,28 8 ОЛ 12 20-10 0,35 10 ОЛ 16/26-6,5 0,28 6,5 ОЛ 16/26-8 0,35 2,0 16 26 8 6,5 ОЛ 16/26-10 0,43 10 ОЛ 16/26-12,5 0,54 12,5 ОЛ 20.32-8 0,42 8 ОЛ 20/32-10 0,52 3,1 20 32 10 8,1 ОЛ 20/32-12,5 0,65 12 ОЛ 20/32-16 0,84 16 ОЛ 25/40-10 0,66 10 ОЛ 25/40-12,5 0,82 12,5 ОЛ 25/40-16 1,05 4,9 25 40 16 10,2 ОЛ 25/40-20 1,30 20 ОЛ 25/40-25 1,64 25 ОЛ 32/50-16 1 27 16 ОЛ 32/50-20 1,58 8,0 32 50 20 12,8 ОЛ 32/50-25 1,98 25 ОЛ 32/50-32 2 54 32 ОЛ 40/64-20 212 20 ОЛ 40/64-25 2,64 12,6 40 64 25 16,3 ОЛ 40/64-32 3,38 32 ОЛ 40/64-40 4,23 40 ОЛ 50/80-25 3,32 25 ОЛ 50/80 32 4,25 19,6 50 80 32 20,4 ОЛ 50 80-40 5,31 40 ОЛ 50/80-50 664 50 *) В соответствии с рис- V I.
174 Трансформаторы и дроссели Данные броневых магнитопроводов из ферритов Таблица V. 4 Типоразмер Размеры 1 >, мм яя длн* ‘НИТНОГО см g Й к сЗ ~ -С ~ * Э' ш о о о а ь с (I С f Р. св >» О х с Пл сеч Пл ОКИ 1112 5x2,5 10 6,5 2,5 3,25 5 2,5 3,3 0,062 0,13 1113x3 12 8 3 4 6 3 4,0 0,09 0,2 1111X4 16 10,4 4 5,2 8 4 5,2 0,16 0,33 Ш5х5 20 13 5 6,5 10 5 6,6 0,25 0,52 1116X6 24 16 6 8 12 6 8,0 0,36 0,8 1117x7 30 19 7 9,5 15 7 9,5 0,49 1,14 1118x8 32 23 8 11,5 16 8 11 0,64 1,72 Ш10X10 36 26 10 13 18 10 12 1,0 2,08 11112x12 42 30 12 15 21 12 14 1,44 2,7 11116x16 51 38 16 19 27 16 18 2,56 4 18 Ш20х20 65 44 20 22 32 20 21 4,0 5,28 9 В соответствии с ptic. V 2. хрупких материалов. Достоинством витых магнитопроводов являются полное использование свойств холоднокатаных электротехнических ста- лей, простота изготовления и незначительные отходы. По конструкции магиитопроводы можно разделить на броневые, стерж- невые и тороидальные (рис. V. I). Наиболее часто применяются броневые магнитопроводы Стержневые магии- топроводы используются в мощных трансформаторах, так как позволяют Рис. V.2. Деталь магнитопрово- да из ферритов. Рис. V.3. Штампованная Ш-образпая пластина и перемычка. трансформаторах с малым уровнем помех. Тороидальные магиитопроводы позволяют полнее использовать .магнитные свойства материала и создают очень слабое внешнее поле. Основные данные типовых магиитопроводов различных типов приведены в табл. V.1—V.4. Для сборки броневых матнитопроводов используются Ш-образиые штампованные пластины и перемычки (рис. V.3) Чтобы ликвидировать
Обмотки 75 зазор между пластинами и перемычками, магпптопровод собирают «впе- рекрышку». В магнитопроводах трансформаторов и дросселей, ио обмот- кам которых протекает постоянный ток, оставляют немагнитный зазор. В этом случае пластины собирают в одну сторону (в стык). Между пласти- нами и перемьыкамп помещают прокладку из листового изолирующего материала необходимой толщины. Для сборки стержневых мапштопрово- дов используются, пластины Г-образной или прямоугольной формы. В маг- нитопроводах броневого типа обмотка располагается па центральном стержне, в магинтопроводах стержневого типа — па двух стержнях. Для уме! ьшеиия потерь на вихревые токи пластины изолируют тон- ким слоем лака (с одной стороны) или окисла, который образуется при отжиге. Пластины магиитопровода посте сборки стягиваются плапкамн или уголками при помощи шпилек с гайками либо специальными обжимками. Стяжные планки, утолки или обжимки служат одновременно для крепле- ния трансформатора или дросселя на шассн. § 2. ОБМОТКИ Каркасы, на которые наматываются обмотки трансформаторов и дрос- селей, прессуют из пластмасс, склеивают из электрокартоиа или собирают из детален (pnc.V. 4), изготовленных из гетинакса, прессшпана, текстолита или электрокартоиа. Иногда применяют бескаркасную намотку (иа гильзу) Рис. V.4. Каркас катушки траисформатара: с — в собранном виде; б — детали (по 2 bit.); I — щечки, 2 и 3 — пластины. Обмотки трансформаторов и др< ссечей разделяются на цилиндрические и галетные (дисковые) (рис. V.5). Цилиндрическая обмотка проще в'из- готовлении. Она может быть выполнена иа каркасе или бескаркасной. Каркасная намотка более надежна. При намотке на каркас провод может укладываться правильными рядами (рядовая намотка) или беспорядочно — «внавал». Намотка «внавал» применяется в тех случаях, когда напряжение иа обмотке не превышает €0—70 в. Бескаркасная намотка может эыть толь- ко рядовой. При бескаркасной намотке для повышения прочности каждый последующий слон делается короче на 0,5—1 мм. Галетная намотка слож- нее в изготовлении, но имеет более высокую электрическую прочность, меныную собственную емкость. Поэтому она применяется в мощных вы- ходных тра! сформаторах и высоковольтных дросселях.
176 Трансформаторы и дроссели Порядок расположения обмоток на каркасе принципиального значе- ния не имеет. В большинстве случаев с целью уменьшения материальных --------------- -------------- затрат обмотки из тонких проводов Рис. V.5. Типы обмоток трансфор- маторов и дросселей: а — цилиндрические; б — галетные; I — первичная; 2 — вторичная. располагают ближе к гильзе кар- каса (тонкие провода дороже). Для уменьшения междуобмоточной изо- ляции рядом располагают обмотки, между которыми наименьшее на- пряжение. Выводы обмоток, намотанных тонкими проводами, выполняются из мягкого многожильного провода с хорошей изоляцией (например, в оплетке из шелка). Для защиты трансформатора или дросселя от воздействия вла- ги и повышения электрической прочности изоляции и обмотки пропитывают специальными составами, (см. табл. II 17). § 3. МАЛОМОЩНЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНСФОРМАТОРЫ Для изготовления магнитопроводов трансформаторов минимальной стоимости обычно применяется листовая электротехническая сталь марок 331. ЭИ толщиной 0,35 и 0,5 мм, а для изготовления магнитопроводов Рис. V 6. Схемы переклю гения первичных обмоток силовых трансформаторов иа разные напряжения сети. трансформаторов минимального веса — стали марок Э310, Э320 и ЭЗЗО. Для трансформаторов повышенной частоты (до 1000 гц) используются ста ли марок Э44 Э340, Э350, Э360 толщиной 0.08—0,2 мм. Первичные обмотки силовых трансформаторов часто выполняются так, чтобы обеспечить возможность включения в сеть различного напря- жения (ПО, 127 и 220 в или 127 и 220 в). Схемы переключения обмоток на различные напряжения приведены на рис- V-6. Простейшей является схе- ма на рис V 6, а, одиако при изготовлении обмотки по этой схеме увели- чивается расход провода и требуются провода различных диаметров. В схе- ме иа рис. V 6, б все обмотки наматываются проводом одного диаметра При включении трансформатора на 127 в участки /—3 н4—6 соединяются параллельно, а при включении на 220 в участки 1—2 и 5—6 соединяются
Маломощные силозые трансформаторы 177 последовательно. Намотка по схеме па рис. V.6, «требует незначительного увеличения веса провода по сравнению со схемой па рис. V.6, б, однако несколько проще. При включении трансформатора иа 127 в участки 2—3 и 4—5 (рис. V.6, в) включаются параллельно, а ирн включении на 220 в участки /—3 н 4—5 включаются последовательно. Основные данные силовых трансформаторов приведены в табл. V. 5. Конструктивный расчет маломощного силового трансформатора. Для конструктивного расчета силового трансформатора должны быть заданы 1) напряжение питающей сети U,, 2) действующие напряжения вторичных обмоток U.,, Us... U 3) действующие токи вторичных обмоток Iv, /2,..., В результате расчета должны быть найдены: * 1) тип и размеры магнитопровода (если он не задан), 2) количество витков каждой обмотки tcj, w.„ ..., tan, 3) диаметры проводов каждой обмоткн d2" ..., dn. Расчет выполняется в следующем порядке: 1 Определяется сумма мощностей всех вторичных обмоток при полной нагрузке Р|( =/>> +Р2 + Р3+ НЕ- МОЩНОСТЬ каждой вторичной обмотки равна произведению действую- щих значений тока н напряжения. Величины напряжения и тока обмоток, предназначенных для выпрямителей, определяются при расчете выпрями- теля (см. § 3 гл. XV). Мощность трансформатора где t)Tn— к. п д. трансформатора для маломощных трансформаторов, равный в среднем 0,8. Более точно значение т]тр можно выбрать ио табл. V. 6. 2. Выбираются допустимые величины индукции В в магпнтопроводе и плотности тока Д в обмотках. Для броневых и стержневых магнитопро- водов из горячекатаных электротехнических сталей величина индукции может быть выбрана по табл. V. 6 Для витых магиитопроводов из холодно- катаных сталей индукция может быть увеличена в 1,3—1 6 раза. В трансфор маторах повышенной частоты индукция выбирается не более 5000—6000 гс для броневых и стержневых магиитопроводов нз штампованных пластин нс более 6000—8000 гс — для витых .магиитопроводов. 3. Определяется необходимая активная площадь сечения магнитопро- вода 1 aPiP ^-700V W“- где а — коэффициент, равный 4,5—5,5 для трансформаторов наименьшей сто- имости, и 2—3 — для трансформаторов наименьшего веса; Ртр — мощность трансформатора, ea; [ — частота питающей сети, гц; В — допустимая индукция, гс; Л — допустимая плотность тока, а/мм~.
178 Трансформаторы и дроссели Основные данные силовых Сетевые Числа виткоз и диаметры Наименование Тип магнито- приемника провода Схе- ма ’ 1 11 ; «Аврора», «Исеть», «Даугава» Ш35х38 а 309—0,2 56—0,35 «Байкал» .— б 90—0,31 588—0,31 «Балгика-М254» Ш 30x34 б 62—0,31 397—0,31 «Беларусь-57» УШ26Х52 б 53—0,41 346—0,41 «Беларусь-62-с» Ш35х42 б 55—0,55 360—0,55 ♦Восток-57». <Муромец», «Харьков» Ш30х26 б 90—0,31 588—0,31 «ВЭФ-Аккорд» — б 62—0,31 397—0,31 «ВЭФ-Радно», «Ригонда» . . У1П26Х28 в 160-0,47 435—0.35 «Гамма»3’ УШ26Х39 б 56—0,41 374—0,41 «Данна», «Маяк» .... Ш26Х26 б 90—0,31 588—0,31 «Латвия» (до 1958 г) . . . . — а 172—0,7 31—0,9 «Латвия» (с 1958 г.) . . . . УШ26Х26 б 83—0,31 542—0,31 «Люкс», «Люкс 2», «Дружба» УШ26Х45 б 50—0 47 325—0,47 «Минск-58» УШ26Х39 б 65-0,35 435—0,35 «Мир-154» 11140x50 б 41—0,51 263-0,51 «Октава», «Комета», «Волга», «Мелодия» 11132x30 б 82—0,31 534—0,31 «Рига-10’ 11140x40 б 53—0,44 341—0,44 «Сакта» 11126x30 б 80-0,35 515—0,35 «Рига-101» УШ19Х38 б 74—0,2 464—0,2 «Симфония»4’ . . . ТС—135 б 72—0,64 458—0,64 «Симфония-2»^ ’ . . У 11130x50 в 76—0,9 202—0,59 «Рапсодия» «— б 93—0 31 600—0,31 «Серенада» — а 590—0.2 105—0.31 «Сибирь»7’ .... У1П26х25 а 485—0,35 — «Сириус-5» .... УШ26Х26 а 485—0.29 77—0.41 «Фестиваль» 11120x45 б 50-0,38 315—0,38 «Эстония» УШ26Х39 б 56—0,41 366—0,41 «Эфир-М»7’ Ш16х24 а 1090—0,15 — О В соответствии с рис. V. 5. *) Вторая обмотка накала ламп. 3) Трансформатор содержит дополнительную обмотку из 74 витков провода марки *} Трансформатор содержит дополнительную обмотку из 30-4-30-НА витков провода *) Трансформатор содержит дополнительную обмотку из 154-154-40 витков провода •) Намотана двумя проводами, сложенными вместе. ’) Сетевая обмотка не имеет вывода на ! 10 в
Маломощные силовые трансформаторы 179 Таблица V. 5 трансформаторов радиоприемников обмотки Обмотка выпрями- теля Обмотка накалt ламп Обмот ка накала кено- трона Мощ- ность, вт проводов, мм III Число витков Диаметр провода, лги Число витков Диаметр провода, мм Число витков Диа- метр проко- д«. мм 365—0,35 870x2 0,2 23 10 18 1,0 75 -—. 1368 0,2 38 1,0 — — 50 — 920 x2 0,2 26 0,74 20 0,8 65 — 390 0,41 10,5x2 1,25 — 65 — 875 0,41 24 1,2 24 1,0 85 — 1380 0,2 35 0,51 372’ 1,0 55 — 900 x2 0,2 26 0,74 20 0,74 65 435—0,35 1200 0,23 16x2 0,51 34 я 0,8 60 — 830 0,2 24 10 23,52) 0,55 90 .—. - 1368 , 0,2 38 10 — -—- 55 204—0,9 540x2 0,29 12 1,5 10 1.0 190 — 1290 0,12 35 1,0 34я 0,41 60 — 750 0,27 10x2 1,0 го9’ 1,0 85 — 425 0,35 12,5x2 0,41 272’ 1.0 70 — 700x2 0,29 16 1,35 13 1.0 120 — 1230 0,2 35 0,51 372> 1,0 60 — 800x2 0,25 21 1,5 16 1,0 85 —. 1200 0,23 34 8 — 55 — 1124-ИЗ 0,49 27 0,67 — —. 25 — 505x2 0,41 29х20) 1 2 14X2 0,9 125 202—0.59 475 0,38 15 1,8 15я 0,8 125 — 1350 0,2 39 0,64 19x2я 0,64 60 705-0,31 1150 0,2 44 1.0 — — 35 635—0,35 1300 0,16 37 0,55 37 я 0,44 — 561—0,41 1300 0,16 36 0,69 36 я 0,69 — 700 0,29 21 1.0 — — 100 — 850 0,29 23 1.0 23я 1.0 120 1490—0,15 101X2 0,59 — — — — — ПЭЛ 0,69. ПЭЛ 0,Л. ПЭЛ 0.3&.
180 Трансформаторы и дроссели Таблица 1’.6 Ориентировочные значения некоторых величин для расчета трансформаторов Мощность трансформа- тора. еа Индукция» гс К. и. д Плотность тома, а/мм* До 10 (6ч-7). 10* 0,60—0,70 3,5—4,0 Or 10 до 30 ... (7-Г-8) 103 0.70-0,80 3,5—4,0 От 30 до 50 . . . (8ч-9)-1№ 0,80—0,85 3,0-3,5 Or 50 до 100 ... (9-г-Ю) 103 0,85—0,9 2,5-3,0 Свыше 100 .... (10^-12) 103 0,9 2,5-3,0 Для трансформаторов наименьшей стоимости при частоте / = 50 гц. допустимой индукции В — 10 000 гс и плотности тока Д = 3 а! мм2 Sc = 1,3 \г Р . Поперечное сечение магнитопровода с учетом коэффициента заполне- ния сечения сталью S' — с~ k, ' Значение коэффициента заполнения k в зависимости от толщины пластин определяется следующими данными: Толщина пластин, льм ............... 0,50 0,35 0,20 0,10 Коэффициент заполнения сечения маг- нитопровода сталью ................. 0,92 0,86 0,75 0,65 4. Определяются размеры магнитопровода. Если магнитопровод бро- невой, то его тип и размеры можно выбрать по табл. V.1 и V 2 так, чтобы площадь сечения Sc была больше рассчитанной. Если же тип пластин за- дан, то следует определить толщину набора Отношение yt!y не должно превышать 2—2,5. В противном случае следует выбирать пластины ббльшего размера. Для тороидального магнитопровода определяются внутренний и на- ружный диаметры по формулам D 2SC где ом — коэффициент заполнения окна медью (выбирается в пределах 0,23—0,25); b — высота магнитопровода, см.
Маломощные силовые трансформаторы 181 5. Определяется число витков обмоток w 2,2 • 107 • U ~ fBSc где U — напряжение на обмотке. При частоте f — 50 гц и индукции В = 10 000 гс ,г V и> = 45 Числа витков вторичных обмоток следует увеличить на 5% (в обмот- ках накала — на 10%), чтобы учесть падение напряжения на сопро- тивлении обмотки. 6. Определяются диаметры проводов обмоток d = 1 13 А|Н. де / — ток, а,Л — плотность тока, а! мн2. Ток в первичной обмотке приближенно можно определить по формуле 7. Проверяется размещение обмоток Число витков в слое обмотки (для броневых магнитопроводов) Л-2(бкарк + 2) №СЛ «Чв где h — высота окна; бкарк—толщина материала каркаса; dio— диаметр провода с изоляцией; а — коэффициент неплотности (табл. IV. 1) (все раз- меры в миллиметрах). Число слоев где w — число витков обмотки, ы'сл— число витков в слое этой обмотки. Толщина обмотки «о5 псл ^нз ®из^ где би-. — толщина изоляции между слоями. Таким образом подсчитывают толщины всех обмоток. Должно выполняться условие ь > 6карк + г6<н5 + 6пр- где X 6об— суммарная толщина всех обмоток; 6пр— суммарная толщи- на всех прокладок между обмотками; Ь — ширина окна. Если это условие не выполняется, то следует увеличить размеры магниТопровола и выполнить расчет трансформатора сначала.
182 Трансформаторы и дроссели § 4. АВТОТРАНСФОРМАТОРЫ Автотрансформатором называется преобразователь на- пряжений, имеющий одну обмотку с одним или несколькими промежуточ- ными выводами (рис. V.7). Применяя автотрансформатор вместо трансформатора, можно умень- шить расход провода, так как в общей части обмотки протекает разностный ток 1 - • /2 —/, (понижающий автотрансформатор) или I = \ —1.2 (по- вышающий автотрансформатор). Однако уменьшение расхода провода существенно только при небольших коэффициентах трансформации. и автотрансформа- а Рис. V.7. Схемы трансформатора («) торов: б — понижающего; в — повышающего Отношение объема меди автотрансформатора к объему меди трансфор- матора той же мощности и с тем же коэффициентом трансформации Ум.ат п~ 1 К,.тр л ’ где п — коэффициент трансформации (отношение большего напряжения к меньшему). При коэффициенте трансформации п = 2 экономия провода составляет 50%, при п — 20 — всего лишь 5%. Обычно уменьшают раз- меры сердечника автотрансформатора по сравнению с сердечником транс- форматора, при этом экономия меди уменьшается. Так как вход и выход автотрансформатора непосредственно связаны, то схему, в которую он включен, заземлять нельзя. Автотрансформатор может иметь дополнительную обмотку, не со- единенную с основной. Если мощность, потребляемая от дополнительной обмотки, значительна, то преимущества автотрансформатора перед транс- форматором уменьшаются. Мощность, получаемая во вторичной обмотке, т. е. мощность автотранс- форматора Рат> состоит из двух слагаемых: 1) трансформируемой мощности т. е. мощности, передаваемой во вто- ричную цепь трансформаторным путем за счет магнитной связи между це- пями PTp=t/2/, где / = /1 — /2 для повышающего н / = /2 — для понижающего авто- трансформатора; • 2) проходящей мощности, передаваемой во вторичную Цепь электри- ческим путем за счет существующей между обмотками электрической связи,
Автотрансформаторы 183 Расчет автотрансформатора подобен расчету силового трансформатора (см. § 3 этой главы). Отличие состоит в том. что магнито'провод автотрасс форматора рассчитывается на величину трансформируемой мощности где Рат — мощность автотрансформатора; п — коэффициент трансфор мации (берется максимальный в случае многоступенчатого автотрансформа- тора) Пример. Рассчитать повышающий автотрансформатор для пита- ния аппаратуры, потребляющей мощность 220 вт. Допускается понижение напряжения на выходе автотрансформатора не более, чем на 10% отно- сительно 220 в прн изменениях напряжения сети от 150 до 220 в > %акс=4Й-:=;1’47; РТР l,1 . 200 -^_Zj_=70em. 2. В = 10 000 гс; Л = 3 а/мм1 (табл. V.6j. _____ , Ю 9 3. 5С -1,3} 70 =10,9 см1; Sc = -Q gg'—ИД сл3- Выбираем маг- нитопровод УШ 35 X 35 (табл. V 1): Sc = 1 см2; b = 22 мм; h = 61,5 мм 220 4. Число витков обмотки w., — 45 уу = 900 Число витков до первого промежуточного вывода лГ >50 мни = 45—yj—= 614 Число витков до каждого последующего вывода должно увеличи- ваться не более чем на 10%. Следовательно, выводы могут быть сделаны после 655-го, 716-го, 777-го и 839-го витков, что соответствует напряжениям 150, 160 175, 100 и 205 в. , Рат _ 200 . о. , , . Рат 200 5- 1 ’ и2 220 0,9 “ 1 «акс - ,-1 и - 150 Ь47 а 1 мин ^макс = Л макс 0,56 О. 6. Диаметр провода обмотки до первого промежуточного вывода dt = 1 13 //1-0,49 мм Диаметр провода остальной части обмотки . । . .. 1/0,91 „ а» = 1,13 1/ —£—де 0,55 мм Полученные диаметры проводов соответствуют стандартным (табл. II 3). Далее следует проверить размещение обмоток (см. § 3 этой главы).
184 Трансформаторы и дроссели § S. НИЗКОЧАСТОТНЫЕ ДРОССЕЛИ Низкочастотные дроссели наиболее часто применяются в фильтрах питания радиоэлектронной аппаратуры, а также в качестве элементов кор- ректирующих цепей в усилителях. Такие дроссели работают, как пра вило, при малых значениях перемен- ной составляющей магнитной ин- дукции. Дроссели фильтров пита- ния работают при постоянном под- магничивании. Ниже приведена методика рас- чета низкочастотных дросселей, работающих при малых значениях переменной составляющей магнит- ной индукции. Для дросселей, работающих без постоянного подмагничивания, число витков обмотки определяется по формуле Рис. V.8. Графики для ориентиро- вочного определения обратимой маг- нитной проницаемости где L — инду ктивность дросселя, ан; /г — средняя длина магнитного пути, см; Рп— начальная магнитная проницаемость материала маг- нитонровода (см. §8 гл. И), $с — активная площадь сечения магнито- провода, см2. Величины 5С и 1С могут быть определены по табл. V. 1—V 4 Для дросселей, работающих при значительном постоянном подмагни- чивании, расчет производится с учетом немагнитного зазора в магнитопро- воде, который вводится для повышения магнитной проницаемости. Вна- чале число витков обмотки дросселя определяется ориентировочно по формуле w = 8920 1/ • ’ p,Sc Значение обратимой магнитной проницаемости рг ориентировочно определяется по графику на рис. V. 8, где L — индуктивность дросселя, гн; /о — ток подмагничивания, ма. Постоянные ампер-витки на 1 см длины магнитного пути /„w 10-3 щ •с где /0 — ток подмагничивания, ма; 1С—длина магнитного пути, см. Истинное значение обратимой магнитной проницаемости при опти- мальном немагнитном зазоре определяется по графику на рис. V 9. Далее определяется точное число витков обмотки по приведенной выше формуле.
Трансформаторы низкой частоты 185 Диаметр провода обмотки </=0,7/77, где /0 — ток подмагничивания, а. Р' 700 600 500 то зоо 200 100 о Рис V 9. Графики для уточнения величины обратимой магнитной проницаемости. Величина немагнитного зазора л _ г% 1‘ 3 100 Рис V 10. График для опре- деления величины г. в магнитопроводе (см. рис. V.3) причем г% определяется по графику на рис. V.10. Толщина немагнитной прокладки выбирается равной 0,5 6з § 6. ТРАНСФОРМАТОРЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ По месту расположения в схеме трансформаторы низкой частоты мож- но разделить на три группы: входные, междукаскадные и выходные. Входные трансформаторы применяются главным образом в усилите- лях, предназначенных для усиления очень малых напряжений (усилите- ли для динамических микрофонов, для магнитной звукозаписи и др ). Вход- ные трансформаторы увеличивают динамический диапазон усилителей (вследствие перекрытия собственных шумов усилителя напряжением сиг- нала). Кроме заданной частотной характеристики, к входному трансформа- тору в зависимости от назначения могут предъявляться и другие требо- вания симметричность входа, наибольшее повышение напряжения, за- данное входное сопротивление, малая чувствительность к внешним по- лям и т. д. Для уменьшения влияния «наводок» на провода, соединяющие микро- фон с входным трансформатором, первичную обмотку трансформатора де- лают симметричной относительно земли, а среднюю точку ее соединяют с землей (рис. V.11). Кроме того, соединительные провода и трансформатор тщательно экранируют.
186 Трансформаторы и дроссели Чтобы первичная обмотка была симметричной по отношению к земле. ее делят на две одинаковые как по виткам, так и по геометрическим раз- мерам половины. Простевшая конструкция катушки симметричного транс- форматора представлена на рис. V.12. Обе секции намотаны в противопо- ложные стороны. Между первичной и вторичной обмотками проложен, кроме изоляции, слой медной фольги (незамкнутый) для экранирования первичной обхотки от вторичной, которая может быть и несимметричной. Вывод от экрана соединяют с магпитопроводом трансформатора и с корпу- сом усилителя. У первичной обмотки соединяют между собой нижние кон- цы; два верхних конца образуют симметричную входную цепь. Чт >бы уменьшить воздействие внешних электромагнитных полей иа входной трансформатор, его следует (см. § 20 гл. I). Наилучшим материалом для из- готовления магнигопровода входно- го тра! сформатора является пермал- лой, так как при его использова- помещать в магнитный экран Рис V. 11. Схема включения вход- ного трансформатора. Рис. V. 12. Конструкция катушки симметричного входного трансфор- матора. иии уменьшаются размеры трансформатора и, следовательно, наводки Для входных трансформаторов следует применять магнитопроводы стерж- невого типа, что также уменьшает наводки. Междукаскадные трансформаторы применяются для связи каскадов усиления лишь в тех случаях, когда невозможно или неудобно применить каскады на резисторах, например, если нужно получить достаточно большое напряжение сигнала без существенных искажений, если нужно осуществить переход от предоконечного каскада к оконечному, работающе му с сеточными токами, илпотоднотактпой схемы к двухтактной, а также в тех случаях, когда необходимо получить наибольшее усиление по мощности К междукаскадным трансформаторам предъявляются требования за данной частотной характеристики, наибольшего повышения напряжения (в аппаратуре на электронных лампах), наилучшего согласования выход- ного сопротивления предыдущего каскада с входным сопротивлением последующего (в аппаратуре на транзисторах), иногда симметрии обмо- ток и др. Напряжение между обмотками между каскадного трансформатора, а также между первичной обмоткой и магнитопроводом приблизительно равно напряжению источника питания. Поэтому изоляция обмоток транс форматора должна быть достаточно прочной в электрическом отношении Для расширения частотного диапазона междукаскадного трансфор- матора следует уменьшать собственную емкость обмоток, что достигается секционированием обмоток.
Трансформаторы низкой частоты 187 Основные данные междукаскадных трансформаторов для транзисторных радиоприемников <3 обмотка Марка и диаметр проВода, мм СО £ О О СО со СО со со ° '-° СЧ’—1 IcO^GD <о о *“1'"1 со ООО о Оо ОО -о *©о оооо ~ СЧ ® *Т,С? ^счоч com тЕш г^т сот сот сососо г^ттт СТ} СТ} СТ} СТ} СТ} СТ} СТ} СТ} СТ} СТ} СТ} СТ} СТ} СТ} СТ} СТ} О} (Т} ЕЕЕЕЕЕЕ ЕСЕЕСЕ ЕЕЕ ЕЕЕЕ Вторичная Число витков СЧ сч сч сч сч сч сч сч сч сч сч сч сч сч сч сч сч сч сч сч ХХХХХХХ ХХХХХХ XXX хххх СО О ООО о ОО о о ОО ООО оооо юо о ото lo юо то оо тооэ юоою —i СЧ -М4 СО Ю СО со Ю ’ЧГ LO —1 1.0 СО Ю Ч* СО Ю Ь. СО Работает на тран- зисторы < С . . _ ОО О < r-г < | ТГ Л ° ~ -<О СО ТМП— Ц СО —- 1 г— Ю * —* Xt- —> о СЧтГ—<ТГЮ — ’t U-J —< —< h Т'Ч< —1 ' сч ЕЕССЕЕЕ ЕС ? ЕС uEE ЕЕСЕ Шая обмотка 1 Марка и диаметр прово- да, мм СО о о юс- г - °‘оо ° — — — —.со ° ‘О о— £°. 2 СО“ —— ОО — ООО О Оо -О О J.OO оооо —<сч ° ——• сч рЛсч ига е; ше^ш е; г;сп сот шт ишш е-шшсо <Т)<Т) <т) rerttTj т тт тт тт тпзгпл ЕЕЕЕЕЕС ЕЕЕЕЕЕ ЕЕЕ ЕЕЕЕ к са с. С Число вит- ков 900 2200 1800 1800 2500 1600 1000 2500 1500 900 1600 1500 1600 2700 1500 2200 2700 1500 1600 1400 Работает от транзистора т < со со 1—г | о о Oj VLO- Ч СО —< 1 —ч LO UO о ЕЕЕЕЕЕЕ ЕЕ Е ЕС uEC ССЕС о и о Е Матери- ал **** §Е ЕЕ llE S°X ЕЕ й <5 1 gXg ”т т юоА tin со 12 12 12иэ12 GJ TF 1.0 ь- hU, г— Ю U-. ’Г' Д-, О К Я « S Тип 2 СО О , л со XXXv?*« сосо%.<о ю<о «>^1- IOIOX- <04- т ХХх х XXvXXX xSx ХХьох а ю <6 § Q <о £ со со £id coin ” £2 <2 S gggS.Sg!2- 3S~-3SB 3oS 3333 « Где установлен й • •<«•.•• ••s-’-o---- £ S ’тг 2 ’ ’ ‘ ’ ’ « * ‘ ' s ’ ' о о. сх * и Л Л « - Л Л с S ш Ш' _ S эк га О * в ~ гз «-< о £Х К ЛХ Л Л S ± «ТЭ s о ° ЕЕ с т*»04 S «о в 8 В 5” ssi £ J JI J " - i Д« SSfeagggAr>.S.e. 1) Намотана в два проводв О образный магиитопровод. Катушка расположена на одном из стержней.
188 Трансформаторы и дроссели Основные данные выходных трансформаторов Где установлен Тип транзисто- ра выходного каскада Сопротивле- ние нагрузки } силится я, ом Магнито Тип ЛТ-66 П216Б 4,5 Ш9> 18 «Альпинист» П40 5,0 Ш6 4 :6 «Лтмос |>ера 2м» П14 4,5 1П6х6 «А .тмаз», «Нева-2» П15 9,5 ШЗхб «Банга» П41 — Ш5> 4 «Космос» . . ... пд 6 1,5 х43’ «Ла< точка» «Нева», «Чайка» П13А 7 ШЗхб «Меридиан» Г141 6,5 Шбхб «Рига-301» МП41 10 Ш5х6 «Сатурн» П15 9,5 1113x6 «Селга» П15 9,5 Ш5х6 «Сигнал», «Юп п-зр» ГТ108А 9,5 ШЗХ6 «Соната» П41 5,0 ТВ-1В «С 1идола» . . П41 — Ш7Х7 «Старт-2», «Топаз 2» ... П14 9,5 ШЗхб «Сувенир» П41 6,5 Ш6Х12 «Сюрприз» П14 7 1116,5x6 «Эфнр-М» .... П201 13 Ш9х13 «Гауя» П15 6 Ш4.8Х6 «Космонавт» П15 4,5 Ш6Х12 «Минск-62» П15 6,5 Ш12Х12 *) Намотана в два провода. *) Две секции по 92 витка. Одна секция расположена под первичной обмоткой, ’) О образный магиитопровод. Катушка расположена на одном нз стержней Основные данные междукаскадных трансформаторов для транзистор- ных радиоприемников приведены в табл. V.7. и Выходные трансформаторы применяются для согласования выходно- го сопротивления оконечного каскада с сопротивлением нагрузки. Основ- । ые требования, предъявляемые к выходному трансформатору: заданная частотная характеристика, коэффициент трансформации, малые нелиней- ные искажения и др. Частотная характеристика выходного трансформатора определяется индуктивностью первичной обмотки, индуктивностью рассеяния и выход- ным сопротивлением оконечного каскада. Собственная емкость транс- форматора мало влияет на частотную характеристику, так как сопротив- ление нагрузки обычно мало (от единиц до сотен ом). Изоляция обмоток выходного трансформатора, так же как и между- каскадпого должна иметь достаточную электрическую прочность. Однако при чрезмерно толстой изоляции между слоями обмотки и между обмот ками увеличивается индуктивность рассеяния трансформатора и, следо- вательно, частотные искажения на высоких частотах. Данные выходных трансформаторов приведены в табл. V 8 н V 9.
Расчет выходных трансформаторов 189 Таблица V.6 для транзисторных радиоприемников провед Первичная обмотка Вторичная обмотка Материал Число витков Марка и диаметр провода, як Число витков Марка и диаметр провода, мм 120x2 ПЭВ-1 0,31 67 ПЭВ-1 0,8 45Н 405x2 ПЭВ-2 0,12 10+90 ПЭВ-2 0,38 45Н 400x2° ПЭВ-1 0.15 85 ПЭВ-1 0.31 50Н 450x2 ПЭЛ 0,09 102 ПЭЛ 0 23 50Н 225x2 11ЭВ-2 0,15 66 ПЭЛ 0,35 79НМ 250 X2 ПЭЛ 0,06 80 ПЭЛ 0,2 45Н 450x2 ПЭЛ 0,09 102 ПЭЛ 0,23 45Н 300X2 ПЭВ-2 0,18 90 НЭВ-2 0,41 50Н 225x2 ПЭВ-2 0,15 66 ПЭВ-2 0,35 _ 360 x2 ПЭВТЛ-1 0,08 94x2° ПЭВТЛ-1 0,23 БОН 225x2 ПЭВ-1 0,15 23x2 ПЭВ 1 0,35 БОН 513x2 ПЭВТЛ-1 0,08 108 ПЭВТЛ-1 0,27 — 400X2 ПЭВ-2 0,15 100 ПЭВ-2 0,44 350x2 ПЭВ 2 0,18 92х22) ПЭВ-2 0,29 БОН 450x2 ПЭЛ 0,09 102 ПЭЛ 0,23 250x2 НЭВ-2 0,2 70 ПЭВ-2 0,44 БОН 245x2 ПЭВ-1 0,18 245 ПЭВ-1 . . 220x2 ПЭВ-1 0,23 170 ПЭВ-1 0,51 450 x2 ПЭВ-2 0,11 57-1-57 ПЭВ-1 0,25 — 120x2 ПЭВ-1 0,27 60+4 ПЭВ-1 0,44 Э41 220 x2 ПЭЛ 0,23 40 ПЭЛ 0 59 вторая — над первичной § 7. РАСЧЕТ ВЫХОДНЫХ ТРАНСФОРМАТОРОВ Для расчета выходного трансформатора должно быть задано: 1) Мощ- ность трансформатора Ртр; 2) диапазон рабочих частот fa — fa, 3) сопротив- ление нагрузки RH; 4) внутреннее сопротивление лампы или транзистора выходного каскада с учетом отрицательной обратной связи Ri$ или просто Ri (для двухтактного каскада /?1Яа). если обратная связь отсутствует; 5) наивыгод! ейшее сопротивление нагрузки лампы или транзистора выход- ного каскада Ra (для двухтактного каскада Raa)', 6) постоянная состав- ляющая тока в первичной обмотке трансформатора /Р Величины Ra (Raa), R^ РТр и определяются по табл. IX.2 и IX.3 или из расчета выходного каскада (гл IX). Указания но определению величины Rif> приведены в § 13 гл IX. Расчет выходных трансформаторов для однотактных каскадов. 1. Активное сопротивление первичной обмотки г, = 0,1/?а.
190 Трансформаторы и дроссели Основные данные выходных трансформаторов Где установлен ’ Рассчитан под лампу Сопротивление нагрузки. 0.44 «Аврора», «Даугава». «Исеть» 6ПЗС 2,7 Приемник Л-8 6П1П — «Балтика М-254» 6П6С 1,6 «Беларусь-57» 2Х6П1П 1.5 «Беларусь-62-с» 2Х6П14П 9,0 «Восток 57», «Харьков» 6П14П «Волна» 6П14П —- «ВЭФ-Ра/.ио» . . . . . ... 6П14П «Гамма» 6П14П 4,5 «Днепропетровск» — «Казань-2» 6П14П — «Латвия» 2Х6ПЗС 8,0 «Люкс», «Дружба» (НЧ) » » (ВЧ) |2х6П14П 7,0 «Минск-58» 6П14П —- «Мир М-154» «Октава», «Комета», «Волга», «Мело- 2х6П6С 3,4 дня» (НЧ) «Октава», «Комета», «Волга», «Мело- 61114П 7,0 дня» (ВЧ) 6П14П 12,0 «Рскорд-61» . . . 6П14П «Рапсодия» (НЧ) (ВЧ) } 6П14П 3,5 5,5 «Рига-10» 2х6П6С 12,0 «Рнгонда» 6П14П 8.6 «Серенада» ... 6П14П — «Сибирь» 6Н14П 13,0 «Симфония» ... 6П14П «Симфоння-2» 6П14П — «Сириус-5» ... 6П14Г1 «Фестиваль» 2Х6П14П — «Эстоння-55» . . 2х6П1П — *) Обмотка обратной связи.
Расчет выходных трансформаторов 191 для ламповых радиоприемников Таблица V.9 Тип магнито- провода Первичная обмотка Вторичная обмотка Обмотка допол- нительного громкоговори- теля Число витков Диаметр провода, лгж Число витков Диаметр провода, мм Число витков Диа- метр прово- да, мм Ш 20x30 1500+500 0.16 65 0,7 700 0,1 Ш14Х21 2000 0,15 45 0,59 -— — Ш16Х16 2650 0,12 44,5 0,8 650 0,12 Ш 20x30 1120x2 0,12 32 1,25 350 0,15 11120x30 1250 X2 0,14 30” 500 0,15 0,31 УШ 16X24 2600 ' 0,12 7б‘> 64 0,14 0,51 Ш18Х18 2500 ) 500 0,12 62 0,59 —. — Ш12Х18 2250+650 0,15 80 |-40 0,55 — — Ш16Х24 2500+63,5 0,12 82 0,64 — — Ш16Х25 2530 0,12 148° 50 0,12 0,69 850 0,1 11112x25 3235+265 0 14 100 0,64 -— — — 1100x2 0,17 58+57 — — — УШ 19x28 1140X2 015 70 0,38x2 — — УШ9Х12 2000 0 12 35 0,51 —. —. 11116x16 2400+145 0,12 69 0,85 630 0.12 Ш25Х35 1250x2 015 40 1,25 420 0.1 УШ16Х24 2600 0,12 90+3 0,64 — — УШЮхЮ УШ14Х16 2000 2800 0,12 0,12 28 72 0,51 0,44 2900+95 0,12 20+90 0,64 — —. .— 2000 0,12 60 0,47 — —. —. 1200x2 0,15 96X2 0,44 — — Ш 20x30 2250+650 0,15 120 — — — — 2500 0,15 59 0,59 — — УШ14Х20 2800 0,12 144 0,33 — — Ш 20x30 1000 4-300+ -] 300 1000 0,14 82 0,69 11120x30 1000+250- +250+1000 0,14 47,5+34,5 0,64 . УШ14Х20 2800 0,12 140 0,33 — — Ш 20x30 1000 (-250+ 4-250+1000 0,14 35+15 — — УШ16Х32 800 x2 0,18 13 1,0 300 0,18
192 Трансформаторы и дроссели 2. Сопротивление эквивалентного генератор:! (^,р + Ч) (Ra — г1* Э Г ' /?1Р + «а 3. Индуктивность первичной обмотки Rg, 11 = 0,25 —j— гн, /н где fii — низшая частота рабочего диапазона, гц. 4. Вычисляется величина £|/2 н по графику на рис. V.8 определяется обратимая магнитная проницаемость материала магнитопровода рг. 5 Для выбора типа магнитопровода вычисляется конструктивная постоянная Л== 2/, ВгГ, 6- Потабл. V. 1 и V 2 можно выбрать тип магнитопровода. 7. Число витков первичной обмотки и величина оптимального немаг- нитного зазора в магнитопроводе рассчитываются по методике, приведен- ной в § 5 этой же главы. Кроме того, число витков первичной обмотки опре- деляется по формуле j ci, —3,5 107 f где 5с — активная площадь сечения магнитопровода, cat*; Вт — амплиту- да магнитной индукции в магнитопроводе, гс. Для электротехнической стали величина Вт должна быть равна 3000— 4000 гс при мощности трансформатора до 0,1 вт, 4000—6000 гс при мощ- ности 0.1—1 вт, 6000—8000 гс при мощности 1—10 вт. Для пермаллоя 80НХС величина Вт не должна превышать 1000 ас. а для пермаллоя 45Н 2000 гс. Из двух полученных значений числа витков нужно выбрать большее Если выбрано второе значение, то необходимо уточнить величину немаг- нитного зазора 8 Коэффициент трансформации и = 1,1 /А.. Г Ка 9- Число витков вторичной обмотки = И!,П. 10. Диаметры проводов обмоток dt 0,025 .ил; d2 = 0.8уг7Г мм. где lt — постоянная составляющая тока в первичной обмотке, ма, 1г — ток во вторичной обмотке, а.
Расчет выходных трансформаторов 193 11. Проверяется размещение обмоток (см § 3 этой же главы). 12. Индуктивность рассеяния трансформатора 6об1 + бсб2 \ --------2---- .10 мгн, где /в — средняя длина витка обмоток, сл; щ, — число витков первичной обмотки; Лоб— длина обмотки, см; 6Пр— толщина прокладки между об- мотками, см; 6об| н боб>— толщины обмоток, см. Допустимая величина индуктивности рассеяния _ Ra + Rtf «оп 6,3/ч где Ra и Rig — в ом, [я — в гц. Если величина индуктивности рассеяния превышает допустимую, то следует применить галетную намотку (см. § 2 этой же главы). П р и м е р. Рассчитать выходной трансформатор для лампы 6П14П, работающей в типовом режиме: Ua - U3 — 250 в; /, — 48 ма, Р = 5,4 вт. Ra 4,8 ком, RH~ 3.5 ел. Диапазон частот 50—8000 гц, внутреннее сопро- тивление лампы с учетом обратной связи R,g — 1,6 ком. 1. г, = 0,1 4800 = 480 ом. о о (1600+ 480) (4800 - 480) 2 ------------1600 4-4800------- 1400 °“- 4. L.I 3. Lt 0,25 ~ = 7 гн. 50 = 7 • 48- = 1,52 104 гн ма2; рг = 210 (рис V.8). 2 7 - —--------- = 14 10~э. 210 • 480 Выбираем магнитопровод типа УШ 16 X 32 (табл. V.l): Sc = 4,6 см2, $о;= 2,8 см2, 1В = 12,5 см, 1С — 9 см. 6 Ориентировочно 1 1 9 и, = 8920 1 —-—-— = 2260 витков. ' 210 4,6 „ 48 2260 10~3 7 аа>о —-----------------= 12 а-вит/см; рг = 200 (рис. V.9). )/ 7 • Q ' —------= 2330 витков. 200 4,6 9. Принимаем В,п — 7000 гс и находим К 5,4 4800 = 3,5 ' ’° ~5б~4.6 7000 = 3500 ВНТК0В- 7 l-f;r
194 Трансформаторы и дроссели ---------------------------------------------------------- Выбираем w2 3500 bi тков. 10. п= 1.11 =|^ = 0,03. > 4800 И. w2 — 3500 0,03 — 105 витков. 13 . г?! = 0,0251 48 =0,17 мм; д2 - 0.7 /К25 = 0,78 мм. 14 ошв = ——————==18,7 а-еит/см; г = 0,35% (рис. V.10). 0 35 • 9 6 = ———— ;=? 0,03 см = 0,3 мм. 3 100 i / *4 Расчет выходных грансформаторов для двухтактных каскадов про- изводится аналогично расчету выходных трансформаторов для сдиотакт- ных каскадов. Однако во всех формулах Ra заменяется на Кяя, R[ на Л,яа; величина рг не определяется, поскольку постоянное подмагничивание отсутствует; в формулы для определения конструктивной . постоянной и числа витков первичной обмотки подстав- ляется величина Рн, кото pvio можно определить по Рис. V.13. Схемы выходных трансформа- Табл. 11.21 ни 11.22. торов для двух нагрузок. Расчет выходных транс форматоров для двух нАгру- зок. Схемы выходных трансформаторсв-для двух нагрузок приведены на рис. V.13. В схеме на рис. V.13, а нагрузки подключаются к отдель- ным обмоткам, а в схеме на рис. V.I3, б — к обмотке с отводом. Расчет трансформатора для двух нагрузок производится ио методике, изложенной выше. Ниже приводится методика расчета вторичных обмоток. Коэффициенты трансформации сире ;ляются по формулам: R„a Ra (1 -Г а) «2 = £^=1,1 1/-------- tt'i V Ra (1 + С) где к.1, -— число витков первичной обмотки; <гС1— число витков первой вто- ричной обмотки и te22—число витков второй вторичной обмотки; R;,—сопро- тивление анодной нагрузки выходного каскада; 7?п и R — сопротивления первой и второй нагрузок, а — отношение Pi , (мощности в первой и во вто- Р 2 рой нагрузках).
Расчет выходных трансфор которое 195 >сли — а, то нагрузки можно подключить к одной вторичной об- мотке последовательно. При этом коэффициент трансформации п = 1,1 Ч ~г R, Ra р RHf I ^СЛИ -=— да —, то нагрузки можно подключить к одной вторичной f'Hl и обмотке параллельно. В этом случае П= 1,1 Литература 1. 2. Во я г о в «Энергия», В А Де али и узлы радиоэлектронной аппаратуры. Казанский Н. В. Автотрансформатор. М. — Л.. Госэнергоиздат. 3. 4 5 1950. Кди з е С. Н. Выходные трансформаторы. М.— Л., Госэнергоиздат, Р. *М. Выходные трансформаторы. М — Л , Госэнерго- й В Ю. Электрическое питание радиотехнических 6 1950. М а л и и и п издат, 1963. Рогински устройств. М_—Л. Госэнергоиздат. 1957. Цыкни Г. С. Трансформаторы низкой частоты. М., Связьиздат, 1955. 7*
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ФИЛЬТРЫ ГЛАВА VI § 1 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ Электрический фильтр — устройство, пропускающее то- ки в определенной полосе частот с небольшим затуханием (полоса пропуска- ния), а токи с частотами, лежащими вне этой полосы,— с большим затуха- нием (полоса иепропускапня). Частота, лежащая на границе полос пропускания н непропускания, называется частотой среза (обозначается fc). Электрические фильтры разделяются на следующие типы I) нижних частот, пропускающие токи с частотами от нуля до опреде- ленной частоты; 2) верхних частот, пропускающие токи, начиная с определенной час- тоты /с до бесконечности; 3) полосовые, пропускающие токи в полосе частот от f, до /2; 4) заграждающие, ие пропускающие токи в полосе частот от I, до /2. Электрические фильтры применяются для: 1) выделения необходимой полосы частот в различных радиопри- емных устройствах, усилителях, специальной радноиз.мерительной аппа- ратуре; 2) подавления гармоник на выходе радиопередающих устройств; 3) подавления индустриальных и других помех радиоприему; 4) подавления шумов иглы в проигрывателях; 5) уменьшения переменной составляющей выпрямленного тока, а также в линиях задержки. Избирательность электрических фильтров определяется характери- стикой затухания, представляющей зависимость затухания от частоты. Затухание электрических фильтров в децибелах (бб) определяется но формуле a=201g?7-^, и вых где 1/ьх — напряжение иа входе фильтра; Г/ЕЫХ— напряжение на его выходе. Для оценки избирательности фильтров пользуются также характе- ристикой пропускания, являющейся зависимостью коэффициента переда- Угых чи к = от частоты ^вх I а = 20 1g — .
Фильтры типа К 197 Важным параметром фильтра является характеристическое сопро- тивление (волновое сопротивление). Оно равно входному сопротивлению при работе фильтра на согласованную нагрузку. Большое значение имеет частотная зависимость волнового сопротив- ления фильтра. При несогласованности (неравенстве) волнового и нагру- зочного сопротивлений фильтра возникают отражения, в результате чего, как правило, ухудшается характеристика затухания. Кроме того, при про ектировании многих радиотехнических устройств необходимо знать частот- ную зависимость входного сопротивления фильтра, которая определяется волновым и нагрузочным сопротивлениями Обычно стремятся к тому, что- бы характеристическое сопротивление в полосе пропускания обладало наибольшим постоянством. В это\1 случае при нагрузке фильтра на активное сопротивление входное сопротивление также будет наиболее постоянным. На электрические характеристики фильтра влияют потери в его эле- ментах, однако расчет фильтра с учетом потерь достаточно сложен. § 2 ФИЛЬТРЫ ТИПА К Преимуществом фильтров типа К является непрерывное возрастание затухания в полосе непропускания и простота схемы. Рис. \ 1.1. Кривые для расчета затухания в полосе непропускания звеньев фильтров типа К. Наиболее простыми являются Г-образиые полузвенья Однако для по- лучения большего затухания и симметрии схемы часто применяются Т- или П-образиые звенья. Схемы, характеристики затухания, пропускания и некоторые расчет- ные формулы для фильтров типа К приведены в табл. VI.1. Затухание Т- н П-образных звеньев фильтров любого типа можно оп- ределить по графику, приведенному на рис. VI.1, по параметру, .V значение которого определяется по формулам табл. VI. 1. Прн расчете фильтров типа К необходимо учитывать, что затухание Г-образного полузвена в два раза меньше, чем звена. Величина R (номи- нальное волновое сопротивление) берется равной сопротивлению нагрузки.
198 3 лектричегкие фильтры <г £ мгн, С — мкф; [ — кгц; R — см.
Фильтры типа т 199 Волновое сопротивление Т-образных звеньев в полосе непропускаппя по мере удаления от частот среза увеличивается, а П-образных звеньев умень- шается. Следовательно, Т-образные звенья не шунтируют токи с частотами, лежащими вне полосы пропускания, а П образные, наоборот, шхнтируют При проектировании полосовых фильтров, у которых отношение частот среза больше двух, т. е. > 2, рекомендуется применять после- довательное соединение звеньев фильтров верхних частот (с частотой сре- зе f() и нижних частот (с частотой среза f,) Существенным недостатком фильтров типа К является небольшая крутизна скатов характеристики затухания. Для устранения этого недо- статка рекомендуется последовательно соединять несколько звеньев или полу звеньев. § 3 ФИЛЬТРЫ ТИПА т Недостатки, присущие фильтрам типа К, можно устраншь, применяя более сложные фильтры — фильтры типа т. Характеристика затухания фильтров типа т может иметь значительно большую крутизну скатов, чем у фильтров типа К- Затухание этих фильт- ров иа определенных частотах достигает большой величины после чего уменьшается. Эти частоты называются частотами бесконечного затуха! пя и обозначаются fx. Рис. VI.2. Характеристики затухания фильтров типа т нижних и верхних частот. Частотная зависимость волнового сопротивления фильтров типа т может быть более постоянной, чем у фичьгров типа К. Следовательно, фильтры типа т могут обеспечить лучшее согласование с нагрузкой.
200 Электрически? фильтры Фильтры Тип фильтра Схемы фильтров Характеристика затухания Нижних частот Верхних частот Полосо- вой сим- мет рич- пын /о А/ ’ /о — I' /1/2» А/ — ~ fl* ’
Фильтры типа т 201 Таблица VI.2 типа т Расчстнкс формулы т L, мгн; С, м*ф; f, кгц; R, см ]/'-ш 0,32т R 0.16(1 — г n-)R Li — , L.y •— , fc mfc 80(1—m2) 160m mfcR ’ fcR /‘-(-гГ _ 0,32m/? _ 0.16/? ^*1 /1 Ol Г » ^"2 £ » (1 — m-) fc Rm C _ 60 c 160m 1 m[cR 2 (1 — m~)RR 1 Ч-о-» Чоо 0,16/?fe _ 0,16/?e 0,08/? * Io ’ 1 fo ' ’ __ 160 160 1f2M ' L Rfob ’ Rfe ’ 0,l6/?d 0,C€/? 0,08/? t ' ' i • C6 - , io toe fob r _ 160 320b _ 320e 4 RRd ’ ° Rfe ' ° RR т________ . к, (1—«?)(!+л^а)п ’ в (1 —тг)(1 ‘ тп’хь>, io >
202 Электрические фильтры Характеристики затухания фильтров нижних и верхних частот типа га для различных значений га приведены иа рис VI.2. Из рисунка видно, что чем меньше величина га, тем больше крутизна скатов характеристики за- тухания, но при этом сильнее уменьшается затухание после частоты f^. Величины параметра га и элементов фильтров определяются по фор- мулам, приведенным в табл. VI.2. Примерная величина затухания фильт- ров нижних и верхних частот без учета потерь определяется по кри- вым. приведенным на рис. VI.2. Для получения большего постоян- ства волнового сопротивления в по- лосе пропускания рекомендуется выбирать га = 0,6. Для увеличения затухания по- сле часто ы бесконечного затуха- ния фильтров типа га применяются сложные схемы фильтров, состоя- щие нз последовательно соединен пых звеньев (полузвеньев) типов т и К- Затухание этих фильтров (рис. VI.3) равно сумме затуха-. ний последовательно соединенных звеньев. Чтобы согласовать сложные фильтры с сопротивлениями нагру- коикретиых требований включать иа Рис. VI 3. Характеристики затуха- ния фильтра иижиих частот, со- стоящего из одного звена тина К и одного звена типа га. зок, необходимо в зависимости от концах полузвенья (звенья) фильтров типа га. Эти полузвенья получили название согласовывающих. Для примера на рис. VI.4 приведены две возможные ров нижних частот с согласовывающими нолузвеньями. схемы фильг- L2 L, L4 . L5 ПолдзИен! збено тит ю ПаузЗено типа т типа й Рис. VI.4. Два варианта сложных схем фильтров иижиих частот. После выбора схемы и расчета элементов звеньев последовательно нля параллельно включенные элементы объединяют, в результате получаются упрощенные схемы, приведенные на рис. V1.5. Эги схемы эквивалентны соответствующим схемам на рис. VI 4. • • II р и м е р. Рассчитать фильтр нижних частот типа га с частотой среза 5 кгц. Фильтр предназначен для работы между сопротивлениями нагрузки /?„ = 1000 ом и должен иметь максимальное затухание на частоте /м -= 6,25 кгц. Следовательно, R Ru >= 1000 ом.
Фазовые характеристики фильтров 203 По формулам табл. \ 1.2 определяем Выбираем по табл. VI.2 схему а, тогда по формулам той же таблицы на- ходим , 0,32m/? 0,32.0,6 • 1000 ;------=-------=------ 38,4 мгн; 1с о 80 (1 — m2) 80 (1 — 0,62) mfcR ~ 0,6 • 5 1000 - 0,017 мкф; Г 1€0т г~“мГ 160 • 0,6 5 - 1000 = 0,0192 мкф. Рис. VI.5. Упрощенные схемы фильтров нижних частот, приведенных иа рис. VI.4. Характеристика затухания рассчитанного звена приведена на рис. VI.3 (штриховая кривая т = 0,6). Если эта характеристика не удовлетворяет требованиям, предъявляемым к фильтру, то последовательно с ним под- ключается П-образиое звено фильтра типа К. Характеристика затухания этого звена приведена на рнс. VI.3 штрихпунктирной линией, а резуль тирующая характеристика затухания — сплошной линией. Элементы П образного звена рассчитываем по формулам табл. VI.1: 0,327? 0,32 • 1000 „ „ 320 320 О.К-0,5 _ 0.5 .0.032,^. § 4 ФАЗОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФИЛЬТРОВ Фазовой характеристикой фильтра называется частотная зависимость изменения фазы напряжения или тока на выходе фильтра относительно его входа. Для того чтобы не возникли фазовые искажения при прохож- дении сигналов через фильтр, его фазовая характеристика в полосе пропус- кания должна быть линейной. Если фазовая характеристика линейная, то время задержки сигнала в фильтре t3 (групповое время прохождения) не зависит от частоты, т. е является постоянной величиной.
204 Электрические фильтры Наиболее линейные фазовые характеристики имеют фильтры при т несколько больше единицы. На рис \ 1.6 приведена простейшая схема фильтра, а па рис. VI.7 — его фазовые характеристики при различных значениях га. Из рис VI 7 видно, что более линейная фазовая характеристика получается при га да 1,4. Элементы фильтра (рис. VI.6) рассчитываются по формулам: т1 — 1 0,32/? , га2 — I М = —------ —-— лгн; k = — , 4га га2 -}- 1 где М — коэффициент взаимоиндукции; k — коэффициент связи; [с — час- тота среза, кгц. Еще более линейную фазовую характеристику можно получить при последовательном соединении звеньев фильтров, показанных на рнс. VI.6 Рис. VI.6. Схема филь- тра нижних частот, имеющего относитель- но линейную фазовую характеонстику при т - 1,4. Рис. VI.7. Фазовые характеристики фильтра, схема которого приведена на рнс. VI.б при различных значе- ниях га. На рис. VI.9 приведе >ы частотные зависимости обобщенного пара- метра группового времени задержки о)с/з = 2.т/ /3 фичьтров, схемы ко- торых приведены на рис. VI.6 (кривая 1) и рис. VI.8 (кривая 2) и при их последовательном соедш енни (кривая 3). Элементы L и С фильтра на рис. VI.8 рассчитываются по тем же фор- мулам, что и фильтра на рис. VI.6, а емкость конденсатора Приведенные схемы фильтров используются при конструировании линий задержки.
Пь^ээл'к!прич"ские фильтры 205 Рнс. VI.8. Схема фильтра ниж- них частот, используемого для улучшения фазовой характе- ристики фильтра, схема кото- рого приведена на рис. VI.6. Рис. VI.9. Характеристики за- держки фильтров, схемы кото- рых приведены на рис. VI.6. и VI.8. § 5. ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ФИЛЬТРЫ Фильтры, в которых в качестве элементов применяются пьезоэлек- тртческие резонансы (кварц или искусственные кристаллы), называются пьезоэлектрическими. Пьезоэлектрические резонаторы характеризуются большой доброт- ностью (составляющей несколько десятков тысяч), высокой стабильностью и малыми размерами. Характеристика затухания пьезоэлектрических фильт- ров имеет большую крутизну скатов при очень большом затухании на ча- стотах бесконечного затухания. Пьезоэлектрические фильтры применяются в диапазоне частот от нескольких сот герц до нескольких десятков мегагерц. Рнс. VI. 10. Пьезоэлектрический резоиаюр: а — эквивалентная схема; б — частотная зависимость сопротив- ления. Эквивалентная схема пьезоэлектрического резонатора (рис. V1.10, а) может быть представлена последовательным колебательным контуром L^, Cj с сопротивлением потерь R, зашунтироваиным статической ёмкостью Со электродов и монтажа. Зависимость сопротивления эквивалентной схемы резонатора от час- тоты без учета потерь приведена на рис. VI.10, б.
206 Э ггктричгскиг фильтры В зависимости от вида колебаний и рабочего диапазона эквивалентная индуктивность кварцевого резонатора имеет значения от 0,1 до 100 гн, динамическая емкость Ct — от нескольких сотых до нескольких десятков Рис VI. 11. Конструкции про стейших пьезорезопаторов- I — корпус: 2 — пружина, 3 — электроды. 4 — пьезо пластинки: 5 — металлическое покрытие. пикофарад. Статическая емкость Со приблизительно в 120 140 раз боль- ше емкости Ct. В радиолюбительской практике применяются дегерметизированные ре зонаторы. конструкции некоторых из них приведены на рис. V4.ll. При включении кварцевого резо- натора вместо разделительного кон- денсатора (рис. VI 12, а) удается по- лучить хорошую избирательность (рис. VI.12, б) на частоте ft последо- вательного резонанса. Одиако такая схема имеет существенные недостатки, поэтому в радиолюбительской практике применяются более сложные схемы фильтров с регулируемой характери- стикой затухания. На рис. VI 13, а приведена про- стейшая схема однорезонаторного диф ферен циально-мости кового полосового фильтра. В схеме, показанной па рис. VI. 13, б, средняя точка выведена от общей точки двух конденсаторов одинаковой емкости В одиорезонаторком фильтре можно изменением емкости конденсатора Се изменять форму характеристики затухания (рис. VI 14) Этим свойст- вом пользуются для ослабления влияния мешающей станции. Для по- Рис VI. 12. Простейший пьезоэлектрический фильтр: а — схема; б — характеристики затухания. вышеиия избирательности трансформатор фильтра настраивается изме иением емкости, конденсатора, подключенного параллельно ко вторичном (рис. VI.13, а) или первичной (рис. VI.13, б) обмотке трансформатора. Полоса пропускания регулируется изменением сопротивления на грузки Ra (рис. VI.13, «). величина которого в зависимости от емкости монтажа и средней частоты полосы пропускания фильтра берется от 10 до 100 лая.
Пьезоэлектрические фильтры 207 У фильтров со средней частотой полосы пропускания 465 кгц можно изме- нять ширину полосы пропускания от 100 до 500 гц. Недостатком этого способа регулировки ширины полосы пропускания является большое влияние сопротивления Rn иа усиление Рис. VI. 13. Простейшие схемы узкополосных пьезоэлектрических фильтров. Лучшие результаты получаются п[ нагрузочным сопротивлением является Увеличение изменения полосы про- пускания достигается одновременной расстройкой в разные стороны отно- сительно резонансной частоты пьезо- электрического резонатора, нагрузоч- ного контура Lc, Сс и трансформато- ра Ls, Ся Эгим способом можно до- стигнуть изменения ширины полосы пропускания примерно в полтора два раза больше по сравнению с регули- ровкой нагрузочным сопротивлением. При использовании фильтров па частотах выше 1 Мгц рекомендуется применять схемы с дифференциальны- ми конденсаторами ДК (рнс. VI. 16), в бесконечного затухания (настройке) ш: и использовании схем, в которых квнтур (рис. VI.13, б и VI-15). Рнс. VI.14. Характеристики за- тухания фильтров, схемы кото- рых приведены па рис. VI 13, при различных значениях ем- кости Ct,' “ ~ сб > со: 6 ~ сб = с* в - сб < Со- которых при изменении частоты рина полосы пропускания не из- меняется. Недостатком рас- Рис. VI. 15. Схема узкополосного пьезо- электрического фильтра, у которого на- грузкой является контур. смотренных схем пьезоэлек- трических фильтров являет- ся относительно малая изби ратетьность. Для увеличения избирательности рекоменду- ется последовательное соеди- нение дву х одиорезопатор- ных фильтров (рис. V 1 17) или применение двухрезона- торных фильтров (рис. VI. 18). Расчет пьезорезонаторсв заключается в определении размеров пьезопластии по заданным значениям резо-
208 Электрические фильтры Рис. VI.16. Схемы высокочастотных пьезоэлектрических фильеров. Рис. VI. 17. Схема двухзвеииого пьезоэлектрического фильтра. Рис. VI 18. Схема двух- резонатор кого фильтра.
Пьезоэлектрические фильтры 209 напеной частоты ft и индуктивности эквивалентной схемы резонатора L. Значение Ct Св и получается в результате электрического расчета схемы Для получения желаемых характеристик пьезорезоиаторов пластинки вырезаются строго определенным образом по отношению к осям кристалла. В табл. VI.3 приведены основные параметры некоторых типов срезов пьезокристаллов из кварца и искусственных кристаллов виннокислого этилендиамина (ЭДВ), виннокислого калия (КВ) и аммония фосфорнокис- лого (ФА). Прежде всего необходимо выбрать наиболее приемлемый пьезокрис- талл, его срез и вид колебаний (сдвиг, продольны) колебания или коле- бания изгиба). После этого следует рассчитать размеры пластинок пьезо- резоиаторов по заданным значениям ft и L, воспользовавшись формулами, приведенными в табл. VI.4. Пример. Рассчитать пьезорезопатор на чистоту Д — 100 кгц, предназначенный для узкополосного фильтра, если индуктивность экви- ватентпоп схемы L= 10 гн. Для этого резонатора наиболее приемлемым является срез кварца XYt_^ (см. табл. VI.3), характеризующийся большой добротностью Q — = •30 000—60 000, малым ТЧК —5- 10—с, малым интервалом меж- ду резонансными частотами и /2 (в таблице приведена величина ДА = т_____f •= ——=—- 100%). Из таблицы видно, что эту пластинку рекомендуется де- II лать прямоугольной формы с отношением сторон (длины к ширине) р — При этом получается минимальное значение да тслпительпых (паразит- ных) резонансных частот (у% от Д) пластинки. Для заданного рабочего диапазона наиболее целесообразно использовать продольные колебания по длине. При других видах колебания получаются неприемлемые раз- меры пластинки. Для расчета из таблицы выписываем расчетные коэффициенты часто- ты Kf = 270.5 кгц • см и индуктивности KL — ill и р — 0,5, затем по формулам табл VI.4 определяем: К с 970 s 1=-/- - 2,705 СМ 27,05 мм; И 100 b — pl = 0,5 • 27,06 — 13,52 мм; I = р = 0,5 —- 0,045 см = 0.45 мм. • Кь 11 Динамическая емкость резонатора определяется по формуле 10е 10е С = 47МЕ^ 4 3,123 . ,ооз.Ю °-2’6^ Из табл. VI.3 находим г = = 140, откуда Са = гС = 140 • 0,255 = 35,8 пф.
210 Электрические фильтры Параметры некоторых инов срезов пьезокристаллов Кри- сталл Срез и форма пластинки Вид колеба- ний р кгц.см ~с, АЛ. % KL, гн/см Кварц Х^.8,5» Продольные по длине 0,5 255 137 0,365 134 ХУ<_5« 0,5 270,5 140 0,355 111 АУ (Кюри) — 270 — — 130 эдв YX 0,35 204 25,5 1,96 23 YX 0,4 201,5 25 1,79 22,5 VZtb4Sr/63‘ 0,4 175 37 1,35 52 кв ЛФ 0,5 175 23 2,2 28,5 xztAb. I 0,5 173 24 2,1 29,5 Л2/45. 0,2 163 13,5 3,7 10,25 Кварц ОКТ) ширине 0,559 329 — — 138,5 X круглая толщине 290 125 0,4
Пьезоэлектрически фильтры 211 Табгица VI.3 Кс.10'*- ф/см <?• К)-3 Tf . ю« • ср в диапазоне ге - rt 1/°С у % or f, Диапазон рабочих час гог. кгц Применение в фильтрах 4.06 30- 60 -23 (5-35) 34 50—250 Широко ПОЛОСНЫХ 4,06 30- 60 -5 . (5—35) 33 50—250 Узкополос- ных 4.06 >100 от 30 до 70 (5-35) — 60—250 Широко- полосных 7.28 30 комнатная темпера гура 12 при 0,3 > р >0,5 60—150 То же 7.28 30- 40 25 (5—35) не может быть ис- пользован 50-150 » » 5.67 >15 л»0 — 40—140 Узкополос- ных 5.74 > 15 3-6 (5—35) Отсутствие 40—140 Широко- полосных 5,74 >>15 15—25 (5-35) /дои обеспе- чивается выбором р 40—140 То же Г2.4 5 —340 (5-40) — 50-130 3,99 240— 300 0 (От — 10 до+90) — 100—1000 » » 4.06 .—50 От-20 до —22 1000—15 000 Высоко- частотных
212 Электрические фильтры Кри- сталл Срез и форма ПЛЗСТИНАП Вид колеба- ний р К,. кгц. см с, Af, Кд- ек/см кв ХУ7Пе И 3 г и б п о | Сдвигая грани 1 134,7 14,6 3,42 32,9 Кварц УХ1_35.25° (АТ) толщине 1 166 200 0,25 461 КХ/49’ (ВТ) 1 255 500 0,095 524 хк/_5, грани 0,1 — 0.5 518 180 при (•=-0,4 0,278 — AZ.'/_8 50 500 0,2— 0,5 283 305— 330 0,164— 0,152 — КВ 50 0,125- 0,15 357 50 1 15,6 Кварц XYt-5° (бпморфиая) толщине 0,2 580 190— 200 0,25 5=36 л<;> гхй5° (биморфпая) 0,14 — 0,17 358 24,2 2,06 3,4
Пьезоэлектрические фильтры 213 Продолжение табл. VI. 3 КС'-№’- ф/.м Q. 10—3 Tf . 10е •ср в диапазоне Г, — Г|г 1/°С V % от h Диапазон рабочих частот, кгц Применение в фильтрах 6,21 20 =0 (20 50) 132 50 —460 Широко- полосных 4,08 120 -==0 (0—50) Зависит от соотноше- ния разме- ров 300—15 000 Высоко- частотных 3,94 290 ^0 (20-30) 2000-15 000 То же 4,03 >30 7-13 — 4—59 Низко- частотных — >30 <1 — 4—50 Узкополос- ных низко- частотных 5,74 50—50 1G (От —50 до -|-50) /доп прак- тически от- сутствуют 8—20 Широко- полосных низко- частотных 4,06 25—30 —6 __ 0,3-10 Узкопо- лосных низко- • частотных 12.4 0,8-1 —410 (51—40) /дол прак- тически от- сутствуют 0,8—10 Широко- полосных низко- частотных
214 Электрические фильтры Формулы для расчета льезорсзонаторов Таблица VI 4 Эквивалентная схема резонатора Характер деформаций Размеры пластины. см Предо*, льиые по длине Lb K.J Заданы кгц L, гн Сдвиг по грани квадрат- ных пластин Kf А Сдвиг по толщине Изгиб ПС грани [ jjgg£.] Изгиб по толщине биморф- ной пласти- ны, сос- тоящей из двух противо- положно направ- ленных пластин Примечание. Аэ — площадь электродов; KtJ3 ~Ть~ динамическая емкость резон*торов для всех гидов кслебс.ний рассчитывается .то форму- 10® . ле С — J пФ? I — длина пластины; b — ширина; / — толщина.
Влияние потерь в элементах фильтра 215 Этот же резонатор можно выполнить из среза YZtb^ 63о, ио так как кристаллы ЭДВ гигроскопичны, то резонатор необходимо делать герметич ным Учитывая это, а также сложность и высокую (ювелирную) точношь изготовления пьезопластии. пьезорезонаторы рекомендуется делать в ла- бораторных (заводских) условиях. § 6. ВЛИЯНИЕ ПОТЕРЬ В ЭЛЕМЕНТАХ ФИЛЬТРА НА ЕГО ХАРАКТЕРИСТИКИ Характеристики фильтров значительно искажаются вследствие по- терь в катушках индуктивности и конденсаторах. За счет потерь в фильтрах возникает затухание в полосе пропускания, величина которого тем больше, элемента). Затухание в полосе пропускания является не по- стоянной величиной, оно во- зрастает по мере приближения к частотам среза (рис. VI.19) В результате этого происходит округление характеристики за- тухания вблизи частот среза, что приводит к у худшению изби- рательности фильтра Особенно сильно сказываются потери па характеристике затухания при частотах, близких к частоте бес- конечного затухания (затухание уменьшается). Потери в элементах фильтра приводят к изменению как ха- рактеристического сопротивле- ния, так и фазовой характе- ристики Для получения поло- совых фильтров с хорошими характеристиками затухания необходимо изготовлять их из элементов, добротность которых Рис. VI 19. Характеристики затухания полосового фильтра при различных добротностях его элементов. Q>(15-20)A., где f0 — средняя частота полосы пропускания; Д/—ширина полосы пропускания. В большинстве случаев при добротностях элементов свыше 100 полу чаются хорошие характеристики затухания фильтров. При изготовлении фильтров следует считать, что добротность обыч- ных бумажных конденсаторов составляет 100—200 (для области звуко- вых частот), а слюдяных — 3000. Добротность же катушек индуктивности значительно ниже, и для повышения ее необходимо применять специаль- ные меры изготавливать сердечники из материалов с малыми потерями (карбонильное железо, альсифер, ферриты), специальной формы (броневые или тороидальные), применять для намотки многожильный провод (лит- цендрат).
216 Электрические фильтры § 7. МОНТАЖ И НАЛАДКА LC -ФИЛЬТРОВ Соответствие электрических характеристик фильтров расчетным дан- ным определяется, с одной стороны, соответствием величины и добротности элементов расчетным данным, а с другой — правильностью монтажа. Для нормальной работы фильтров необходимо, чтобы собственные емкости катушек индуктивности были минимальны. Для этой цели сек- ционируют обмотку, удаляют ее от сердечника, удаляют слон один от дру- гого, применяют специальные типы обмоток и т. д. Для уменьшения ем- кости катушек, работающих в области коротких н ультракоротких воли, применяются однослойные катушки малого диаметра. а Рис VI.20. Схемы монтажа конден- саторов фильтров, работающих в области высоких частот: а — неправильная б — правильная. Рис. VI.21. Пример неправиль- ного монтажа фильтра, рабо- тающего в области высоких частот. При выборе конденсаторов необходимо считывать, кроме емкости, еще и их индуктивность, которая в области гысоких частот может иметь большее сопротивление, чем емкостное сопротивлепие'конденсатора. Обыч- но для работы иа низких частотах применяются бумажные конденсаторы. В фильтрах, работающих на коротких и ультракоротких волнах, приме- няются слюдяные, керамические и специальные безындукционные конден- саторы. При монтаже катушек индуктивности и конденсаторов следует учиты- вать индуктивность соединительных концов, которая составляет прибли- зительно 0,01 мкгн па 1 см длины провода. Эта индуктивность на высоких частотах сказывается весьма сильно. Если, например, конденсатор емкостью 300 пф подключен в схему фильтра так, как показано па рис. VI 20, а, причем длина монтажного провода аб равна 3 с.и, то при частоте 60 Мгц емкостное сопротивление конденсатора составит около 8 о,«, а индуктив- ное сопротивление монтажного провода — около 10 о.и. При таком зна- чении индуктивного сопротивления сильно искажается характеристика затухания фильтра. Для устранения этого рекомендуется монтаж конден- саторов выполнять так, как показано на рис. VI.20, б. На работу фильтра могут также влиять и другие длинные монтажные концы, например, бв (рис. VI.21). Зачастую для уменьшения тока по экрану фильтра применяется не- правильное подключение второго выводного конца непосредственно к вход- шму^зажиму 2 в точке д (рис. VI 21). В этом случае в результате емкост- ной связи между проводником дж и остальной схемой в нем наводится некоторое напряжение, поступающее непосредственно на выход и искажаю- щее характеристику' затухания фильтра. Рекомендуется придерживаться
Монтаж и наладка LC-филстров 217 следующего правила: монтажи ые по возможности короче и п у с у (экрану) в ближай- шей точке. При изготовлении катушек индук- тивности па тороидальных или броне- вых сердечниках, с милыми потоками рассеяния, их можно монтировать в общем блоке. Для уменьшения нежелательной индуктивной связи между катушками фильтра, работающего в области вы- соких частот, необходимо их разнести и расположить перпендикулярно одну относительно другой. Примером такого монтажа является монтаж фильтров, предназначенных для подавления помех телевизионному приему (см. гл. XIII). Значительное уменьшение нежена: пых связей между элементами фильтра д концы должны быть присоединены к к о р- Рис. VI.22. Схема правильного монтажа двухзвенного фильтра иижиих частот, работающего в области высоких частот. льных индуктивных и емкосг- гтигается применением экранов. Рис. VI.23. Схемы настройки контуров фильтров: а'— последовательного; б — параллельного. Кроме того, экранирование защищает фильтр от действия внешних мешаю- щих полей. Экранируются как отдельные элементы фильтра, так и фильтры в целом. На рис. VI.22 приведена схема правильного монтажа двухзвенного фильтра нижних частот, работающего в области высоких частот. Во мно- гих случаях можно обойтись без Рис. VI.24. Мостиковая схема на- стройки контуров фильтра. внутреннего экрана Э2, но тогда необходимо разнести катушки Lx и £г и расположить их перпендику- лярно одну относительно другой. Порядок изготовления простей- ших фильтров следующий: вначале изготавливают с заданной точнос- тью элементы, затем, соблюдая ука- занные правила, монтируют их и, наконец, измеряют затухание. Сложные фильтры, т е. фильтры, содержащие последовательные и параллельные контуры, например, полосовые типы /С все фильтры типа т и др., необходимо обязательно настроить перед монтажом. Фильтры на- страиваются для лучшего соответствия их характеристик расчетным
218 Электрические фильтры данным. Перед настройкой схему фильтра разбивают на отдельные кон- туры, вычисляют их резонансные частоты, а затем настраивают последо- вательные^ контуры по схеме на рис. VI.23, а. а параллельные — по схеме на рис. IV .23, б на минимум показаний индикатора. Для повышения ост- роты и точности настройки в схеме на рис. VI. 23, и рекомендуется при- менять генератор с большим внутренним сопротивлением, а в схеме на рис V I 23, б — с малым и применять в качестве индикатора ламповый вольтметр с высокоомным входом. Настраивать контуры фильтра лучше всего по мостиковой схеме, при- веденной на рис. VI.24. Для подавления гармоник измерительного гене- ратора рекомендуется применять измерительный фильтр ИФ, а для провер- ки установки точности частоты — частотомер (см. гл. XVII). Преимущест- вом данной схемы является большая точность настройки и возможность определения добротности катушки на резонансной частоте по формуле О, — . L Яо После настройки контуров монтируют фильтр, а затем измеряют ха- рактеристику затухания. § 8 ПАССИВНЫЕ ПС ФИЛЬТРЫ * Избирательные свойства /?С-фильтров в отличие от фильтров, содер- жащих индуктивности, обусловлены исключительно зависимостью от час- тоты емкостного сопротивления конденсаторов. К достоинствам пассивных фильтров, не содержащих усилительных элементов, относятся простота конструкции и изготовления, малая стои- мость, нечувствительность к магнитным полям, возможность построения малогабаритных схем для самых низких частот только за счет увеличения номиналов резисторов. Вместе с тем, благодаря большим потерям энергии в резисторах, избирательность пассивных RC фильтров хуже ЙС-фильтров. По этой причине пассивные А?С-фнльтры на практике чаще используются в ка- честве частотно-зависимого элемента активного фильтра (см. § 9 этой же главы), составной частью которого является усилитель, компенсирующий вносимое /?С-цепью затухание. Коэффициент передачи пассивного фильтра у, равный отношению выходного напряжения 172 к входному С\. на любой частоте меньше еди- ницы Частотная характеристика может быть симметричной (у полосовых и заграждающих фильтров) н несимметричной (у фильтров верхних и ниж- них частот). По аналогии с избирательными LC-системами избирательность по- лосового или заграждающего пассивного /?С-фильтра характеризуется собственной добротностью где /0 — квазирезонансная частота пассивного фильтра, на которой коэф- фициент передачи у достигает своего максимального или минимального • §§ 8.9 написаны доп. Е. И. Куфлесским. Практические схемы активных RC- фнльгрив рааребэтаны и Таганрогском радиотехническом институте.
Активные RC-фильтры 219 значения %; /1 и /2 — граничные частоты, на которых коэффициент передачи уменьшается в |z2 раз по сравнению с у0 (для полосового фильтра) или Своим значением при очень больших расстройках относительно /0 (для Заг- раждающего фильтра). Переходная область между полосой пропускания (прозрачности) и полосой задерживания сигнала характеризуется частотой среза определяемой по уровню 1/1^2 от значения коэффициента передачи в полосе пропускания, и частотой Д>- иа которой коэффициент передачи фильтра уменьшается в определенное число раз (например, в 10 раз, как это принято в табл. VI.5) по сравнению с его значением в полосе пропуска- ния. Иногда за меру крутизны спада характеристики в переходной облас- ти принимается выраженное в децибеллах отношение коэффициентов пере- дачи на частоте среза h и иа частоте, отличающейся от на октаву, т. е. в два раза. В табл. VI.5 приведены принципиальные схемы и расчетные формулы для основных параметров пассивных 7?С-фильтров, работающих в режиме холостого хода иа выходе (т. е. при R„ = оо) и короткого замыкания на входе (Rr — 0). Если R» и Rr соизмеримы с сопротивлениями, образующи- ми фильтр, параметры последнего ухудшаются. Практически влиянием нагрузочных сопротивлений иа параметры фильтра можно пренебречь, если Rtl в 10—20 раз больше, а 7?г во столько же раз меньше номиналов смежных резисторов /?С-цепи. § 9. АКТИВНЫЕ ПС -ФИЛЬТРЫ Активный /?С-фильтр в большинстве случаев состоит из широкополос- ного усилителя на сопротивлениях и пассивного /?С-фильтра (RC цепи), , включенного в цепь обратной связи усилителя. Таким путем могут быть осуществлены все основные типы фильтров; полосовые, заграждающие (режекторные), верхних и нижних частот. Полосовые активные RC фильтры часто называют также избиратель- ными RC усилителями. В диапазоне звуковых и особенно инфразвуковых частот активный /?С-фильтр с хорошей избирательностью построить легче, чем пассивный фильтр с катушками индуктивности, причем активный фильтр может дать еще и значительное усиление сигнала. Сочетание высокостабильной 7?С-цепи с экономичным и надежным транзисторным усилителем позволяет создавать активные RC фильтры, не уступающие по габаритам, весу и стоимости хорошим образцам LC филь- тров даже на сравнительно высоких частотах порядка десятков килогерц. Активные фильтры с ТТ-мостом. Наиболее целесообразной /?С-иепью для полосовых и заграждающих активных фильтров является двой- ной Т-образный мост (табл. VI.5). Сложность конструкции и наладки этой цепи обычно окупается упрощением схемы усилителя, в котором нет необходимости применять положительную обратную связь, поскольку достаточно высокую избирательность можно получить за счет един- ственной отрицательной обратной связи, осуществляемой через ТТ-мост. Избирательность такого фильтра пропорциональна добротности ТТ- моста и коэффициенту усиления усилителя. Оптимальным с точки зрения собственной добротности является несимметричный ТТ-мост, у которого сопротивление выходного последовательного плеча больше, чем входного, т. е. k > 1. Однако прн построении единичных экземпляров фильтров
220 Электрические фильтры Пассивны? Тип Название Схема (D Г-образная /?С-цеяь (цепь Вина) *-Ц-с±1 т г * ч = *2 с. т ш о о § Е Двойная Г-образная /?С-цепь р, и, ь V сг т!Ь- X *г| аша ; Г- | 4, 1—-Я Заграждающие Т-образиые /?С-мосты * R, -0 ц м г L II R2 6 'г а f «Е /U Р, Рг и, Тг « т г г<2 S Двойной Т-образный /?С-мост (ТТ-мост) R, и, егц R3
Активные RC-фильтры 221 ЛС-фильтры Частотная характеристика Таблица VI.5 Расчетные формулы с R., = R, С2— С, Rt — mR, С\ — — > 160 1 _ т ° RC~’ То ~ 1 + 2m ’ 9 — '2т R2 = R, Сг = С, Rt = mR, С, = » 160 _ 1 1 '° RC ’ То 2 + т ’ 9 2 + т a) С] — C2 — Ct n R^R. 6) Rt = R2 = R, Cl =C, C.2- tnC, 1 160 1 у m RC , 2 - 1 2 + ni ’ 9 2-|-m Ri=R, R3 = kR, С,=С, С3=-^С, /?2 = С2 = /?? (1 — k) fo=-)- To=°- 9 L-fc-c km _ k V m 1 k 1 -f* m
222 Электрические фильтры
Активны? RC-фильтры 223
224 Электрические фильтры Тип Название Схема С полюсом бесконечного затухания С С С -------------------------0. Примечания. I При расчете частоты К подставляется в килоомах, С — в т -г оо, в случае одш аковости элементов R и С (т I) То = 9 = ^- 3. Максимум кого плеч (k + °О) и т = 1. Для симметричного ТТ моста {/?, = R„, С, = Ся. к = 1) ного ТТ-моста одинаковы, a R. — 0,25 R; если in 0.5, одинаковы все сопротивления (особенно в любительских условиях) целесообразно использовать конструк- тивно более простые симметричные ТТ мосты с параметрами Л 1,т 1,2 или 0,5 (см. примечание к табл. VI. 5), компенсируя уменьшение собствен- ной добротности RC цепи некоторым повышением коэффициента усиления. Обобщенная схема типичного полосового активного фильтра с усилителем произвольного вида и симметричным ТТ-мостом в цени отрица- тельной обратной связи изображена иа рис. VI.25. По такой же схеме осуществляется и заграждающий активный фильтр, но выходное иапря- Рис. VI.25. Обобщенная схема актив- ного /?С-фильтра с двойным Т-образ- ным мостом. жение тогда снимается с выхо- да ТТ моста (непосредственно либо после добавочного усили- тельного каскада). На характеристики актив ного фильтра влияют следую- щие параметры усилителя: ко- эффициент передачи между вы- ходом и входом фильтра при отсутствии обратной связи (Квх), коэффициент передачи между точками подключения ТТ-моста (петлевое усиление а так- же полное выходное сопротив- ление каскада (ту), предшествующего ТТ-мосту, и входное сопротивле- ние каскада (т2) нагружающего ТТ-мост. Если г, в 10—20 раз меньше, а г2 во столько же раз больше номиналов смежных резисторов ТТ-моста, то влияние обоих внешних сопротивлений па характеристики фильтра незначительно. На практике столь жесткие условия ие всегда выполняются даже в ламповых схемах, а тем более — в транзисторных. В таких случаях величину сопротивления входного по- следовательного плеча ТТ-моста Rt~ R следует выбирать с учетом усло- вия оптимального согласования «-г»,-/ Ц'-.-
Активные RC-фильтры 225 Продолжение табл- 17.5 Частотная характеристика Расчетные формулы R = 2/? R., = . 1 4;>,э 42.6 __ 765 _ 1 fo RCT' tl~ RC ’ 92 микрофарадах. 2. Максимум добротности Г-образиой цепи <7 — 0.3 соответствует добротности ТТ-моста <7 — 0.5 получается при резкой асимметрии входного и выход- макснмальная доб|отность «=0,25 (при m = I); если т = 2. все емкости симмстрит- ТТ-моста, а С2 — 4 С (в последних двух случаях Ч = 0,23). при выполнении которого активный фильтр будет иметь наибольшую добротность, а максимум его частотной характеристики получится на квазирезонансной частоте ТТ-моста /0. Частотная характеристика полосового активного филь- тра в пределах полосы пропускания практически не отличается от резонан- сной кривой колебательного Z-C-контура (см. § 18 гл. I) и описывается аналогичным выражением К =---- к° 1 ,+Q’<x—г' где максимальное усиление фильтра Ко — Кк* (при точной настройке ТТ- моста на частоту fu) а добротность избирательной системы рассчитывается по формуле Q ___________LJL_______________ -----!_2\_—. ,q • < ri , R । г, ri । l о _£* ' ч (более простое выражение соответствует k 1 и R = Ропт)- Разбаланс ТТ-моста, возникающий за счет неточности первоначаль- ной настройки или изменения окружающих условий (в первую очередь — температуры) является главной причиной несоответствия между реальными и расчетными параметрами фильтра. Если относительное отклонение истинного номинала любого элемента ТТ-моста от точного расчетного значения, найденного по формулам табл. VI.5, не превышает AR/R (или ЬС/С), то возникающая по этой причине нестабильность основных параметров активного /?С-фильтра (Ки, Q, /0) наверняка не превзойдет следующих значений &Q &КЛ &R . ДС . / Д/? , АС ' ~q------кГс_₽”г“с” Л/ХПГ + С 8 1-1308
226 Электрические фильтры где Д/ — сдвиг максимума частотной характеристики фильтра ио отно- шению к расчетной частоте баланса ТТ-моста fB. По эт1 м формулам оценивается максимально возможная нестабиль- ность параметров фильтра при заданном допуске на сопротивления и емкости ТТ моста (&R.R и AC С) либо, наоборот, находится допуск на элементы по заданной допустимой нестабильности параметров фильтра. Наблюдаемые нестабильности параметров в большинстве случаев получа- ются в 2—3 раза меньше максимальных, так как наиболее неблагопри- ятная комбинация знаков и величин отклонений элементов (в пределах заданного допуска) весьма маловероятна. Помимо разбаланса ТТ-моста источником нестабильности Q и Кв является изменение во времени петлевого усиления К,„ причем в случае - -г-г- ДО ДКп сбалансированного ТТ-моста можно считать, что —. Поскольку допуск на элементы ТТ-моста обычно получается весьма жестким (уже при Q — 10 необходима точность подгонки порядка 1—2%), асто бывает выгоднее соб| рать мост из непрецизиопных деталей, а точ- ную балансировку производить с помощью дополнительных переменных элементов. На рис. VI. 25, например, такими элементами являются резисто- ры R,~ и однако точную балансировку ТТ-моста на заданной частоте fe может обеспечить любая пара переменных pesi сторов или конденсаторов гри условии, что по крайней мере один из них включен в параллельное плечо ТТ-моста (R2, С2 в табл. VI. 5). Если но условиям работы фильтра сдвиг частоты настройки не играет роли, то для точной балансировки ТТ-моста достаточно включить один регулировочный элемент. Тс же регулировочные элементы можно использовать для регенеративной расстройки ТТ-моста, приводящей к значительному повышению доброт- ности и усиления активного фильтра (вплоть до превращения его в гене- ратор). Однако, следует учитывать, что повышение добротности и усиле- ния за счет регенерат йеной расстройки ТТ-моста приводит к ухудшению стабильности параметров фильтра. В практических схемах активных фильтров с ТТ-мостом вид частотной характеристики за пределами полосы пропускания (/ > > /о либо f < /0), а также соотношение между Кп и Кв существенно зависят от способа введения обратной связи и входного сигнала. По этому признаку практические схемы можно разделить на три основных типа. Тип I (схемы на рис. VI.28 — VI.30) — источник входного сигнала отделен от выхода ТТ-моста усилительным или буферным каскадом. Коэф- фициент передачи при больших расстройках (f fB, f fB) стремится в пределе к конечному значению Кв 1 -j- К и- По схеме типа I обычно осуществляются полосовые фильтры повышен- ного качества и сложности, причем соотношение между Кп 11 Кв зависит от конструкции усилителя. Заграждающие фильтры могут выполняться только но схемам типа I. Тип II (рис. VI.26—VI.27) — источник входного сигнала соединяется с выходом ТТ-моста через coi ротивленпе (включающее в себя также выходное сопротивление источника), от величины которого зависит мак- симальное усиление фильтра: где R — сопротивление последовательных плеч ТТ-моста.
Активны? RC-фи гьтры 227 1астотная характеристика за полосой пропускания несимметрична: ее низкочастотная ветвь спадае более полого, стремясь в предете к конеч- ному уровню 2RRt (при f С /ц). По схемам типа II чаще осуществляются простые полосовые фильтры с невысок 1мн качественными показателями. Тип III— источник входного («ножку») ТТ-моста. как указано на возможен также в любой другой схе В этом случае между Ао и Кп су- ществует однозначная завис! .мость: к.------------------Л. Важнейшее преимущество схем типа III — отсутствие «остаточного» усиления при больших расстройках, благодаря чему их теоретическая частотная характеристика во всем диапазоне часгот соответствует ха- рактеристике колебательного LC- контура. Однако, с другой стороны, на параметры этих схем сильно сигнала переносится в общин вывод рнс. VI.27 пунктиром (такой перенос ме полосового фильтра типа I пли II). Рнс. VI.26. Схема простого полосо- вого /?С-фильтра с плавной пере- стройкой частоты. f0= 1.5 — 16 кгц; < - 20; Л’„ — 4.5 (при /'„ > R,) влияет выходное сопротивление источника сигнала Rr. с ростом кото- рого падзег добротность н смещается максимум частотной характеристики фильтра. Для того, чтобы эти нежелательные эффекты были пренебре- жимо малы, нужно удовлетворить условию: £Э Rr < (0,05 -4- 0,1) — , An выполнение которого в большинстве случаев возможно тотько при вклю- чении на входе схемы добавочного буферного каскада (катодного или эмиттерного повторителя). На рис. VI.26—VI.30 приведены конкретные схемы полосовых и за граждающнх фильтров различных типов с симметричным ТТ-мостом. Все схемы с фиксированной настройкой рассчитаны на частоту 1 кгц, но могут быть перестроены на любую другую частоту путем пропорционального изменения номиналов всех емкостен схемы. При этом диапазон частот на- стройки ограничивается снизу ростом габаритов конденсаторов, а сверху — высокочастотными свойствами использованных в схеме усилительных эле- ментов (ламп или транзисторов). а) На рнс. VI.26 изображена одноламповая схема полосового фильтра (тип II), допускающая плавную перестройку частоты строенным блоком пе- ременных конденсаторов. Номиналы деталей схемы и соответствующие нм технические данные указаны на рисунке и в подписи к нему. При других номиналах или типах ламп основные параметры усилителя, определяющие свойства активного /?С-фнльтра, рассчитываются по формулам: 11111 - R „ где S в R,- — статические параметры лампы в выбранном режиме; Ru — сопротивление внешней нагрузки, к которому приложено 4/аых. 8*
228 Электрические фильтры Параметры фильтра /0, <2, а также требования к стабильности элемен- тов ТТ моста определяются по приведенным выше общим формулам. В случае переноса источника сигнала в «ножку» ТТ-моста максималь- нее усиление Ко возрастает до 70—80, ио выходное сопротивление источни- ка сигнала должно быть снижено до 200—300 ом. 6) На рис. VI.27 показан простой полосовой фильтр типа II на тран- зисторах. В этой схеме необходимое петлевое усиление создается тран- зистором 7'2, вход которого согласуется с выходом ТТ-моста с помощью эмиттерного повторителя на транзисторе 7\. Режим схемы стабилизи- руется отрицательной обратной связью по постоянному току, возникаю- Рис. VI.27. Схема простого поло- сового /?С-фнльтра на транзисто- рах. f. = 1 кгц; Q = 15-17; Д„=2.8 -ь 3.2 (при R„ >Rt> Рис. VI.28. Схема высококачест- венного полосового RC-фнльтра на транзисторах. !о = 1 кгц; Q = 100-5-110; К, = 400 (при R „ > Rj, и R, — 0). щей благодаря исключению разделительных конденсаторов, и поэтому ие требует иаладки при смене транзисторов. В схеме могут быть использо- ваны любые типы низкочастотных и высокочастотных маломощных тран- зисторов, причем данные иа рис. VI.27 соответствуют одинаковым транзис- торам, имеющим параметр 0 = (й51)э = 40—50. Параметры усилителя, определяющие свойства активного фильтра, рассчитываются по приближенным формулам: 1 I 1 1 I 1 Г ! 1 + + ( 22 2: R, + ₽! 1я3 + (Лп)2 ]: Кп = -^-г,; Ко = 2/Т-^ Q, (Лц)г где ft-параметры транзисторов во всех случаях берутся для схемы с общим эмиттером с учетом выбранного режима (см. § 2 гл. VIII). Если перевести источник сигнала в «ножку» ТТ-моста, усиление Л'о возрастет до 60—70 при неизменной добротности, но выходное сопротивле- ние источника сигнала должно быть снижено до 10—20 ом, что достигается, например, включением иа входе эмиттерного повторителя. в) На рис. VI 28 изображен транзисторный полосовой фильтр типа I с высокими качественными показателями. Основой этой схемы является усилитель постоянного тока и потому иижиий предел для частоты настрой- ки ограничивается разумными с конструктивной точки зрения величинами емкостей ТТ-моста. Верхний предел по частоте в случае транзисторов, показанных на рис V1.28, лежит в диапазоне нескольких десятков кило- герц, а технические данные соответствуют 0,= 20, 02 = 04 = 50 -^- 60,
Активные RC-фильтры 229 р3 = 70 — 80. Необходимее петлевое усиление в схеме создается тран- зисторами Ту и Т2, а величина его и, следовательно, добротность фильтра в определенных пределах регулируются переменным резистором/?в. Режим схемы, стабилизированный глубокой отрицательной обратной связью ио постоянному току, устанавливается автоматически и почти ие зависит от параг<етров транзисторов. Схема критична но отношению к выбору типов транзисторов из-за опасности высокочастотной генерации, которая практически неизбежна, если все транзисторы в петле обратной связи равноценны ио своим частот- ным свойствам. Схема, изображенная на рис. VI.28. с транзисторами повышен- ного качества и оптимальным несимметричным ТТ-мостом, обеспечивает Рис. VI.29. Схема универсального (по- лосового и заграждающего) /?С-фильт- ра на двойных триодах. f„ а 1 кгц; Q = 130-J-170; = 18-J-20: 1.2-г-1,4. Рис. VI.30. Схема заграждаю- щего PC-фильтра иа транзисто- рах. fo = 1 кгч; Q — 13-г-15; 2,5 (при RH >'/?,). расчетное значение добротности порядка 300—400 (без регенерации), од- нако нужно учитывать, что реально достижимая избирательность суще- ственно ограничивается требованиями к стабильности элементов ТТ-моста. Практически PC-фильтры с добротностями порядка 100 и выше можно реа- лизовать только при сборке PC-цепи из вы окостабильных проволочных резисторов (ПТММ, ПТМН, МВС и др.) и высококачественных слюдяных или керамических конденсаторов. г) На рис. VI.29 приведена схема универсального (полосового и за- граждающего) фильтра типа I. выполненная па двух двойных триодах миниатюрной серин с гибкими выводами. Схему можно осуществить и на других типах двойных триодов, но с соответствующим изменением режи- мов ламп. Необходимое петлевое усиление Кп обеспечивается левым триодом лампы Яу и каскодной схемой, собранной на лампе Я2. Величина Ки и, следовательно, добротности регулируется потенциометром Рп. Если выходное напряжение снимается с анода левого триода Яу, схема работает как полосовой фильтр с максимальным усилением Ко < у К» и добротностью, определяемой полным петлевым усилением. Если выходной сигнал берется с анода верхнего триода Я2, схема работает как заграждающий фильтр с той же величиной добротности, определяемой теперь по уровню 1/]/"2 от коэффициента передачи фильтра в полосе про- пускания (т. е. при больших расстройках). Приведенные на рис. VI.29
230 Электрические фильтры данные соответствуют полной блокировке резистора /?п и не учитывают влияния внешних нагрузочных сопротивлений как на выходе полосового фильтра, где предполагается /?Н1 > 2R, лампы, так и на выходе загра- ждающего фильтра, где Rlt2 > R1B. д) Транзисторная схема типа I, изображенная на рис. V1.30, разрабо- тана специально как заграждающий фильтр, хотя ее можно использовать также в качестве полосового фильтра небольшой добротности, если ci и- мать выходной сигнал с коллектора транзистора 7\, у которого р = 20. Необходимая для заграждающе о ф1 льтра малая прямая передача сигнала со входа на выход через цепь обратной связи обеспечивается малостью об- ратной реакции коллектор — база транзистора Т3 (р = 40-^50), усиление которого практически совпадает с Кп- б> Благодаря усилению, даваемому транзистором Tlt коэффициент пе- редачи фильтра в полосе пропускания больше единицы, однако о той же причине мал допустимый уровень входного сигнала (порядка десятков милливольт). Повышения допустимого уровня входного сигнала можно добиться ценой соответственного снижения если разблокировать час- тично или полностью резистор R3. Основные расчетные формулы для схемы иа рис. VI.30 имеют вид: Кп = Рз-^т-; /<0 = Р1“Г; (йц)з (Mi *тс = ₽г — ГЧ Ап Степень подавления сигнала на частоте fB зависит от точности балан- сировки ТТ-моста и обратной реакции транзистора Т3. Активные полосовые фильтры с Г-обра ной цепью (мостом Вина). Фильтры такого рода содержат две обратные связи: положительную, ко- торая вводится через /?С-цепь (пассивный фильтр) и компенсирует ее зату- хание, и отрицательную, стабилизирующую параметры фильтра. К достоинствам активных фильтров с Г-образной цепью можно отнести, во-первых, возможность плавной перестройки частоты сдвоенным блоком конденсаторов или резисторов, во-вторых, простоту регулировки изби- рательности (вплоть до превращения фильтра в генератор), которая осу- ществляется путем изменения коэффициента передачи пассивного делителя в цепи отрицательной обратной связи Кроме того, фильтры такого типа проще настраиваются па заданные параметры, так как подстройку частоты можно выполнить единственным переменным элементом /?С-цепи, а возни- кающее при этом изменение добротности скомпенсировать регулировкой глубины частотно-независимой обратной связи. Требования к стабильности элементов ЯС-цепи в зависимости от до- пустимых нестабильностей параметров фильтра Ко, Q, fB в первом прибли- жении можно оценить по фор дулам для фильтров с ТТ-мостом (стр. 225) с те I только отличием, что эти требования должны быть распространены и на элементы делителя в цепи отрицательной обратной связи. Усиление и добротность фильтра с Г-образной цепью могут быть сделаны большими за счет уменьшения глубины отрицательной обратной связи по сравнению с положительной. Однако, чем больше преобладание поло- жительной обратной связи (эффект регенерации), тем ниже стабильность параметров фильтра и надежность его работы. Поэтому для приводимых схем фильтров с Г-образной цепью (рис. VI.31 и VI.32) указаны в ка’естве
Активные RC-фильтры 231 типовых те значения добротности и «резонансного» усиления Ко. которые получаются при одинаковости коэффициентов передачи по цепян положи тельной и отрицательной обратных связей на квазирезонансной частоте /?С-цепи /0. В случае такого равновесия коэффициент усиления фильтра и его нестабильность на частоте f0 будут точно такими же, как у исходи! го усилителя без обеих обратных связей. а) На рис. VI.31 нзображ на ламповая схема полосового активного фильтра с плавной перестройкой частоты, выполненная на двойном триоде 6Н2П. Частотно-независимая отрицательная обратная связь заводятся с анода лампы Л2 на катод Л1 (куда подается также входной сигнал) и Рис. VLSI. Схема полосового ак- тивного фильтра с Г-образной RC- цепью (мостом Вина). f0 — G2Q гц -г- 5 кгц; Q = ЛО ~ 50; Ко — 15 -г- 18 (при R,, > RJ. Рис. VI.32. Схема полосового ак- тивного фильтра с Г-образной RC- цепыо на транзисторах. to = 1 кгц. Q - 15-:-20. Ко = 60-^75 (при Ru > R, -I- R,) глубина ее регулируется переменным резистором /?5: с ростом сопротивления /?5 глубина обратной связи уменьшается, а добротность п усиление филь- тра возрастают, и наоборот. Добротность и резонансное усиление фильтра при равновесии поло- жительной и отрицательной обратных связей находятся но формулам; <-------------= (R.+й.ч + ад (| + V. -£-) где щ, R.;i, S» — статические параметры триодов Л, и Л2 в выбранных режимах, а величины у0 = q = */з характеризуют Г-образную цепь с равными R и С (табл. VI.5). При расчете частоты fB но формулам табл. V1.5 выходное сопротивле- ние каскада на ла.мпе Л2 добавляется к сопротивлению последователь- ной ветви Г образной цепи, а входная емкость лампы Л1 складывается с емкостью параллельной ветви. При выполнении схемы па триодах с боль- шим |.i максимальная частота настройки фильтра не должна выходить за пределы звукового диапазона частот. б) На рис. VI.32 изображен полосовой активный фильтр с Г-образной /?С-цепью, выполненный на основе транзисторного усилителя, охваченного глубокой отрицательной обратной связью по постоянному и переменному
232 Э иктрические фильтры току. Отрицательная обратная связь подается на эмиттер транзистора 7\и ее глубина регулируется потенциометром Rs. Входной сигнал поступа- ет в петлю обратной связи через транзистор Тг, благодаря чему увеличи- вается Ко и исключается влияние выходного сопротивления источника сигнала на глубину отрицательной обратной связи. Данные на рис. VI 32 соответствуют 0 = 02 = 20ч- 30 и 03 — 50-=-60. Расчетные формулы для основных параметров фильтра имеют вид: Q — ?Рз' „ О #9 + /?7 К« = Рз R, Схема может быть осуществлена на любых типах маломощных тран- зисторов, причем типы и параметры транзисторов практически не влияют па ее режим по постоянному току С целью повышения избирательности транзистор Т3 следует выбирать с наибольшим значением 0 Состояние равновесия между положительной и отрицательной обрат- ными связями, которому соответствуют приведенные формулы и данные фильтров с Г-образной цепью, можно установить экспериментально. С этой целью сигнал с частотой fB подается через разделительный конден- сатор на выход фильтра (при закороченном входе), и движок потенциометра в цепи отрицательной обратной связи устанавливается так, чтобы перем» - ное напряжение на аноде лампы Л1 (рис. VI.3I) или на коллекторе тран- зистора 7\ (рис. VI.32) обратилось в нуль. Активные фильтры нижних и верхних частот. Активные ФНЧ и ФВЧ осуществляются путем введения пассивных Г-образных звеньев в цепи прямой передачи сигнала и положительной или отрицательной обратных связей электронных усилителей. Вид частотных характеристик в переход- ной области и смысл параметров, характеризующих крутизну их спада для пассивных и активных фильтров одинаков (см. §8 этой же главы) Однако у активных фильтров, в отличие от пассивных, может возникать пеже ательная неравномерность частотной характеристики. В частности, эта неравномерность обычно ограничивает возможности повышения кру- тизны спада за счет положительной обратной связи. Свойства активных ФВЧ и ФНЧ на транзисторах довольно сложным образом зависят от параметров 7?С-цепи и усилителя, и потому оптималь- ный вид частотной характеристики в зависимости от заданных конкретных требований к фильтру часто устанавливается экспериментально. а) На рис. \ 1.33 показан простой активный фильтр нижних частот, выполненный на двух последовательно включенных эмиттериых повтори- телях, охваченных положительной частотно-зависимой обратной связью с эмиттера Т2 на базу Tv Частотная характеристика фильтра в Полосе пропускания — «гладкая», но крутизна спада в переходной области, а также температурная стабильность парах етров невелики. б) На рис. VI.34 изображен транзисторный фильтр верхних частот по- вышенного качества и сложности. В схеме используется положительней обратная связь через частотно-зависимую 7?С-цепь, а режим и параметры фильтра стабилизируются глубокой отрицательной обратной связью по постоянному и переменному току, вводимой между эмиттерами транззс торов Т3 и Tj. При уменьшении глубины отрицательной обратной связи (что достигается смещением движка потенциометра Re вниз) крутизна спада частотной характеристик несколько возрастает, ио зато увеличивает- ся неравномерность ее в полосе пропускания. Оптимальный коэффициент
Электромеханические фильтры 233 Рис. VI.34. Схема активного RC- фильтра верхних частот на транзи- сторах, частота среза f, = 1 кгц, —1- = 1,+4- б (по уровню 0.1), крутизна1 спада 20 — 22 об/октаву (при Rr < /?). Рис. VI.33. Схема простого актив- ного ДС-фильтра нижних частот иа транзисторах. 4->-5 (по уровню 0,1), частота сре- за f, = 1 кгц, (при /?г < R, R„ > R,). усиления усилителя, охваченного только отрицательной обратной связью (для которого приводятся данные на рис. VI.34), лежит в пределах 2,4—2,6. Схема критична к выбору типов транзисторов из-за опасности самовоз- буждения в области высших частот. Меняя местами сопротивления и емкости РС-цепей в приведенных схемах, фильтр ФВЧ можно превращать в ФНЧ и, наоборот, ФНЧ — в ФВЧ. § 10. ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ ФИЛЬТРЫ В настоящее время в радиоприемной и другой аппаратуре применяются электромеханические фильтры, по избирательности приближающиеся к пьезоэлектрическим. « Электромеханические фильтры отличаются малыми размерами, отно- сительно стабитьны, в процессе работы не требуют регулировки и поэто- му выполняются в герметически закрытом корпусе. Рабочий диапазон тем- ператур этих фильтров от —30 до +80° С. Легко выполняемые размеры элементов радиочастотных электромеханических фильтров получаются при использовании их в области частот от 100 кгц до 1 Мгц. Разработаны специальные конструкции фильтров для работы в звуковом диапазоне чзстог. Электромеханические фильтры состоят из электромеханических пре- образователей и механических резонаторов. Добротность механических резонаторов зависит от материала. Так, например, для резонатора из стали она составляет 2000—3000, а при использовании алюминия или его сплавов -у достигает 6000—10 000. Однако точность изготовления меха- нических резонаторов должна быть очень большой. Существует множество конструкций электромеханических фильтров. Опишем лишь некоторые из них, наиболее широко применяемые в радио- аппаратуре. Полосовые электромеханические фильтры (рнс \ 1.35) состоят из двух магнитострикционных резонаторов МР из никелевых стержней, связанных
231 Электрически^ фильтры с механической системой, состоящей из нескольких параллельных дисков, скрепленных между собой тремя никелевыми проволочками, выполняющими роль пружинок. Переменный ток, проходя по обмотке первого резонатора. Рис. VI.35. Полосовой электромеханический фильтр. Рис. VI.36. Механическая резонаторная система фильтра: а — стержневого; б — пластинчатого. • lp Ld Cg Lg Cg Lg Cg Lg Cg Lg Cg Lg Cg _ -P _ £P - ~^P С, С, -р p с* Рис. VI.37. Эквивалентная схема шестирезонаторного электромеха- нического фильтра. воздействует иа никелевый стержень, который приходит в колебательное движение. Его колебания передаются первому диску, а затем через систему скрепляющих проволочек — второму, третьему н т. д. Колебания послед- него диска вызывают механические колебания никелевого стержня, в результате чего в его обмотке индуктируется э. д. с.
Электромеханические фильтры 235 Диски изготавливаются из никель-железного сплава, температур- ный коэффициент которого практически равен нулю. Используя этот сплав, можно получить большую добротность (около 2000). Рис. VI.38. Внешний вид электромеханических фильтров: а — пластинчатого; 6 — дискового. Электромеханические фильтры изготавливаются многодисковыми для расширения полосы пропускания и увеличения избирательности, так как простейший однодисковый фильтр эквивалентен одному контуру. Применяя различное количество дисков, можно изменять крутизну характеристики затухания. На рис. VI.36, а приведена конструкция семирезонаторного стержне- юго фильтра, состоящего из пяти металлических полуволновых резона- торов 5 большой добротности, соеди- Л г генных связками 4 длиной g . Конце гые ферритовые резонаторы 3 являют ся сердечниками магнитострикцион- ных преобразователей: возбуждающего колебания 2 и снимающего их 6. По- стоянные магниты 1 (магниты смеще- ния) устраняют колебания с двойной частотой и повышают чувствитель- ности преобразователей. На рис. V1.36, б приведена конст- рукция пятипластинчатого фитьтра. На рис. VI.37 приведена упро- щенная эквивалентная схема шести- резоиаторного фильтра. В этой схеме индуктивность £д эквивалентна массе резонатора, емкость Сд — его упру- гости, емкость Ср — упругости связы- вающих проволочек, контур £р, Ср является эквивалентной схемой магпи- тосгрикциопиого резонатора иа резо- нансной частоте Рис. VI.39 Характеристики за- тухания электромеханических фильтров; I — трех; 2 — пяти; 3 — семи; •3 — трппадцатчрезоиаторного. Для суждения о размерах элек- тромеханических фильтров на рис. VI.38 изображены внешний вид пла- стинчатого п семидискового фильтров на частоте /0 = 465 кгц, выпускае- мых отечественной промышленноегью. Об избирательности электромеха- нических фильтров можно судить по кривым иа рис. VI.39.
236 Электрические фильтры Ah В разработанных конструкциях электромеханических фильтров не- возможно регулировать ширину полосы пропускания изменением их па- раметров в процессе эксплуатации. Поэтому ширина полосы пропускания изменяется переключением электромеханических фильтров, которые ча- сто монтируются непосредственно на переключателях аппаратуры. В настоящее время разработаны электромеханические фильтры, обла- дающие полосами затухания, т, е. имеющие характеристики затухания та- кие как у фильтров типа т. Литература 1. А л ь б а ц М. Е. Справочник по расчету фильтров и линий задержки. М.— Л Госэнергоиздат, 1963. 2. Ь о с ы й Н. Д. Электрические фильтры. Киев, Укртехиздат, 1960. 3. В е л и к и и Я. И., Гель мои т 3. Я., 3 е л я х Э. В. Пьезоэлек- трические фильтры, М.. «Связь», 1966. 4 Знаменский А. Е, Лоткова Е. Д. Высокоизбирательные фильтры с транзисторами. М., «Связь», 1967. 5 К у И к о Т. Ю. Расчет полосовых фильтров. М., «Энергия», 1965. 6 Лосев А. К Теория и расчет электромеханических фильтров. М., «Связь», 1965. 7. Моле Дж. X Расчет электрических фильтров для аппаратуры связи. М.— Л., Госэнергоиздат, 1963. 8. Петров А. Н., Шматчеико В. Ф. Полосовые электромехани- ческие фильтры радиочастот. М.— Л., Госэнергоиздат, 1961 9 Попов П. А. Расчет частотных электрических фильтров. М.— Л., «Энергия» 1966 10 II ш е с м ы ц к и й О. Проектирование электрических лестничных фильтров. М , «Связь», 1968. 11. Славскин Г. Н. Активные RC- и РГС-фильтры и избирательные усилители. М., «Связь», 1966. 12. Ф р и д Е. А , Азарх С. X. Пьезокера.мнческие фильтры. М.. «Энергия», 1967.
АКУСТИКА И ЭЛЕКТРОАКУСТИКА ГЛАВА VII § 1 ЕДИНИЦЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ Звук — волнообразно распространяющееся колебательное движение частиц упругой среды (воздуха, воды, и т. п.). Термином «звук» обозначае- тся также специфическое ощущение, вызываемое действием звуковых воли на орган слуха. Ощущение звука возникает лишь при условии, что частота и энергия воздействующих на орган слуха колебаний лежат в определенных пределах слухового восприятия. Человеческое ухо воспри- нимает звуки с частотой от ±16—20 гц до 16—20 кгц. Колебания с часто- тами ниже 16 гц называются инфразвуком, а колебания с частотами выше 20- кгц — ультразвуком. Интенсивность звука — количество энергии, которое переносит зву- ковая волна в единицу времени через единицу поверхности, перпендику- лярной к направлению распространения волны. Интенсивность звука эрг „ измеряется в'с 2 сек или в вт;смг и для нормально слышимых зву- ков лежит в пределах от 10—16 до 10—4 ет!см2. Уровень интенсивности звука — отношение интенсивности данного звука / к нулевому уровню, за который принята интенсивность звука /0 = — 10~10 вт см2-. Обычно уровни интенсивности звука измеряются в лога- рифмических единицах — децибелах: /у = ю ig 2-. Звуковое давление — переменное давление, дополнительно накладываю- щееся при прохождении звуковой волны иа среднее давление, которое существует в среде (для свободной атмосферы — иа атмосферное давление). Интенсивность звука и звуковое давление связаны между собой квадратич- ной зависимостью. Так, например, при увеличении звукового давления в 2 раза интенсивность звука возрастает в 4 раза. Единицей измерения звукового давления является дин/см- (I дин/см2 — 1,02 лГ/с.и2). Приводим средние величины звуковых давлений, развиваемых раз- личными источниками звуков: Скрипка иа расстоянии 1м ........... 0,5 дин,'см* Диктор на расстоянии 1,5 м............. I » Рояль на расстоянии 3 м.............. . . 3 » Разговор перед микрофоном иа расстоянии 2 .« . . 13 » Духовой оркестр на расстоянии 3 л .... 41 >
2Г’.Я Акустика и электроакустика Уровень звукового давления — отношение величины звукового дав Ленин р к нулевому уровню, за который принято звуковое давление р„ = — 0.0002 дин см*. В децибелах У =20 1g—. Ро Уровни звукового давления и уровни интенсивности звука, выражен- ные в децибелах, совпадают по величине. Воспользовавшись данными табл. VI 1.1, можно переводить отношения интенсивностей звуков и звуковых давлений в децибелы и наоборот. Если необходимого уровня в таблице нет, то для перевода отношений в децибелы и наоборот можно воспользо- ваться тем, что децибелы складываю ся, а отношения перемножаются. Например, 25 дб = 20 дб + 5 дб = 10 • 1,778 = 17,78. Громкость звука — величина слухового ощущения, зависящая от ин- тенсивности звука и его частоты. Обычно принято оценивать громкость звука, сравнивая ее с громкостью простого тона, имеющего частоту 1000 гц. Уровень силы звука с частотой 1000 гц, столь же громкого, как и измеряемый звук, называется уровнем громкости. Перевод децибелов в отношения Таблица VIII Уро- вень, дб Отноше- ние зву- ковых дав- лений или напря- жении Отноше- ние иитен- сиви остей звуков или мощ- ностей Звуковое давление, дин/см-, на частоте f000 гц Уро- вень, 66 Отноше- ние зву- ковых дав- лений или напряже- нии Отноше- ние интен- сивностей звуков или мощ- ностей Звуковое давление, дин/см*, иа часто- те (000 гц 0 1,000 1,000 0 00020 15 5,623 31,62 0,00112 1 1,122 1,259 0,00024 16 6,310 39,81 0.00126 2 1,259 1,585 0,00025 17 7,079 50,13 0,00142 3 1.413 1,995 0,00028 18 7,943 63,10 0,00158 4 1.585 2,512 0.00032 19 8,913 79,43 0,00178 5 1,778 3,162 0,00035 20 10,000 10- 0,002 6 1,995 3.981 0,0004 30 31,62 Юз 0,0065 7 2.239 5,012 0,00045 40 10- 10’ 0,02 8 2,512 6,310 0,00050 50 316,2 105 0,065 9 2.818 7,943 0.00056 I 60 10’ 10е 0,2 10 3,102 10,000 0,00065 I 70 3,16 103 10’ 0,65 11 3,548 12.59 0,00071 80 10' 10» 2 12 3.981 15,85 0,00080 90 3,16 10’ 10э 6,5 13 4,467 19,95 0,00089 100 10® 1О'« 20 14 5,012 25,12 0,001 120 106 10й 200 Приводим средние уровни гр мкостн для различных источников звука: Тихий сад . 20 дб Шепот на расстоянии 1 л: . . . 25 » Шум на тихой улице . . . . . 30—35 » Спокойный разговор трех человек в комнате сред- них размеров . . . 45-50 дб
Единицы и определения 239 Шу м оживленной улицы...................... 55—60 дб Аплодисменты в зрительном зале............. 60—75 » Шум в поезде метро при движении............... 65—90 - » Духовой оркестр ............................ 80—100 » Шум авиационного мотора на расстоянии 1 .« . . . 110—120 » Наибольшей чувствительностью человеческое ухо обладает при час- тотах от 1000 до 4000 ар Кривые равной г р о м к о с т и, при- веденные на рис. VII.1, показывают, как должен изменяться уровень интенсивности звука в зависимости от частоты для сохранения неизменной громкости звука. Кривые приведены для разных уровней громкости. На частоте 1000 гц уровни громкости звука и уровни интенсивности звука совпадают. При малых уровнях громкости ухо менее чувствительно к звукам низких и высоких частот, чем к звукам средних частот. Порог слышимости, или пулевой уровень,— значения звукового дав- ления или интенсивности звука, при которых звук перестает быть слыши- мым. Порогу слышимости па частоте 1000 гц соответствует звуковое дав- ление 0,0002 дин'см1 я интенсивность звука 10—I6 вт!см2. Порог болевого ощущения — значения звукового давления или ин- тенсивность звука, при которых ощущение звука превращается в болевое ощущение. Порогу болевого ощущения на частоте 1000 гц соответствует звуковое дав теине 200 дин! см2 и интенсивность звука 10—4 в/н'с-и'2. Динамический диапазон — диапазон громкостей звуков, или разность уровней звукового давления самого громкого и самого слабого звуков. Динамический диапазон измеряется в децибелах.
240 Акустика и электроакустика Дифракция — изменение направления распространения звука, вы званное прохождением волны около края препятствия. Интерференция — сложение в пространстве двух (или нескольких) волн с одинаковыми периодами, приводящее в зависимости от соотноше- ния между фазами к ослаблению или усилению результирующей волны. Биения — периодические изменения интенсивности звука, вызванные сложением двух звуковых воли различных частот Реверберация — существование звука в замкнутом пространстве пос- ле окончания действия источника вследствие многократных отражений звуковых волн. Тон - синусоидальное звуковое колебание. Основной тон — наиболее низкий той, создаваемый источником звука. Обертона — все тона, кроме основного, создаваемые источником зву- ка. Если частоты обертонов в целое число раз больше, чем частота основно- го тона, то их называют гармоническими обертонами. Тембр — «окраска» звука, определяемая числом, частотами и интен- сивностью обертонов. § 2. МИКРОФОНЫ Микрофон — устройство, предназначенное для преобразования звуковой энергии в электрическую. Наиболее важные качественные пока- затели микрофона: чувствительность, частотная характеристика, уровень шума и характеристика направленности. Ч увствительность микрофона принято характеризовать вы- ходным уровнем отдачи (уровнем мощности в нагрузке) на частоте 1000 гц при звуковом давлении в 1 дин 'см2. Уровень отдачи определяется в деци белах по отношению к 1 мет. Чувствительность микрофона может быть выражена также в величинах выходного напряжения на нормальной нагрузке при звуковом давлении в 1 дин!смг. По известному уровню отдачи микрофона можно определить напряже- ние на нагрузке. Для этого переводят децибелы в отношение мощностей и определяют мощность Р мет, отдаваемую микрофоном в нагрузку, раз- делив 1 мет иа полученное отношение мощностей. После этого находят напряжение U на нагрузке но формуле U = У №PR ив. где R — сопротивление нагрузки, ом. Пример. Выходной уровень отдачи микрофона МД-42 при нор- мальной величине сопротивления нагрузки 250 о.и равен — 72 дб. Опре- делить напряжение иа нагрузке. По табл. VII 1 находим, что 72 дб (70 дб-г 2 дб} соответствует отно- шению мощностей 1,585 10’. Мощность в нагрузке Р ~ —7------ 0,63 IO"7 нет. 1,58о 10’ Напряжение на нагрузке U = У10» - 0,63 Ю~7.250 = 0,126 мв.
Микрофоны 241 Таким образом, чувствительность микрофона МД-42 составляет 0,126 мв см2.'дин. Частотной характеристикой микрофона называется зависимость чувствительности микрофона от частоты. Неравномерность частотной характеристики — отношение максимальной чувствительности к минимальной в рабочем диапазоне частот. Уровень шумов микрофона определяется относительно вы- ходного уровня отдачи микрофона в децибелах. Характеристика направленности микрофона пред- ставляет зависимость чувствительности микрофона от направления при- хода воздействующего иа него звука. Разность уровней отдачи меж- д у фронтом и тылом — выраженное в , децибелах отношение мощностей в нагрузке мн- Д_ крофона при одинаковом давлении волн, приходя- ~т~£ j-“- щих со стороны фронта и со стороны тыла. { П Динамические микрофоны. В динамических ми- ~~ крофонах используется явление электромагнитной Т индукции, т. е. возбуждение э. д. с. при движении проводника в постоянном магнитном поле. В катушечных динамических микрофонах про- водник выполнен в виде катушки, прикрепленной к диафрагме, которая колеблется под действием звуковой волны. Катушка размещена в воздушном Рис. VII.2. Схема включения конден- саторного микро- фона. зазоре постоянного магнита. В ленточных микрофонах функции диафрагмы и проводника выполня- ет тонкая металлическая ленточка, которая колеблется в постоянном маг- нитном поле под действием звуковой волны. Ленточные микрофоны являются весьма высококачественными н по- этому применяются преимущественно для передачи и записи музыкальных программ, особенно в закрытых помещениях. На открытом воздухе при- менять их не рекомендуется из-за действия ветра на ленточку. Ленточные микрофоны не рекомендуется также использовать при малых расстояниях от источника звука, так как в этом случае сильно возрастает чувствитель- ность на низких частотах Основные параметры динамических микрофонов приведены в Комбинированные микрофоны представляют собой сочетания различ- ных типов микрофонов, что дает возможность получить одностороннюю характеристику направленности. Микрофон 10-А-1 является сочетанием ленточного и катушечного микрофонов и имеет следующие данные: I. Чувствительность при работе одного ленточного микрофона не менее 0,1 мв см2'дин, при работе катушечного микрофона — 0,12 мв х X см2/дин, при их совместной работе — 0,18 мв см2 дин. 2. Неравномерность частотной характеристики для рассмотренных ва- риантов работы соответственно ие более 8,10 и 7 <96 в диапазоне 60—8000 гц. 3 Номинальное сопротивление нагрузки соответственно 180, ПО и 250 ом. Конденсаторные микрофоны. Принцип действия конденсаторного ми- крофона основан па включении в цепь постоянного тока конденсатора, емкость которого изменяется в соответствии с изменением звукового давления (рнс. VII.2). Так как напряжение на конденсаторе прямо
242 Акустика и электроакустика Основные характеристики динамических микро фоноз Тип микрофона Рабочий диапазон частот, ей Неравномер- ность частот- ной характе= ристнки, ие более, дб Выходной уровень отда- чи на частоте 1000 гц при но- минальной нагрузке, не менее, дб Ha- ri рав- лен- нссть Разность уровней отда- чи между фронтом и тылом, ие менее, еб Катушечные дмк 50—10 000 6 —70 НН — РДМ 100— 5 000 12 -70 НН — едм 50—10 000 12 -70 НН —. 82А-1 70— 8 000 10 —74 ИН •—• МД-30 50—10 000 12 —70 НН — МД-31 50—10 000 11 —70 НН — МД-32 50—10 000 10 —70 НН — МД-33 250— 7 000 15 —78 НН — МД-35 50—10 000 8 —69 НН — МД-36 100— 8 000 13 —70 НН -— МД 37 60— 8 000 12 —72 НН — МД-38 50—15 000 8 —78 НН — МД-41 100— 5 000 25 —72 НН — МД-42 100- 5 000 12 —72 НН — МД-44 100— 8 000 12 —78 ОН 10 МД-45 50-15000 12 —78 ОН 12 МД-46 100- 5 000 25 —72 ОН 12 МД-47 100—10 000 20 —84 НН — МД-55 60— 8 000 12 —72 НН — МД-57 50—13000 10 —78 НН — МД-59 50—15 000 8 —78 НН — МД 61 120-10 000 12 —88 ОН 8 МД 62 120—10 000 12 —88 НН •— МДО-1 160— 8 000 15 —78 он J 15 ленточные 9А-1 50— 8 000 И —75 НН — МЛ-4 50—10 000 3 —70 НН ! МЛ-10 50—10 000 12 —70 НН — МЛ-10Б 50—10 000 5 —70 НН —- МЛ-11 70—10 000 10 —72 он 13 МЛ-11 Б 70—10 000 12 —75 он 13 МЛ-НМ 70—10 000 12 -75 дн — МЛ-15 50—10 000 5 —76 НН — МЛ-16 50—15 000 10 —78 дн — МЛ-17 70-10 000 12 —76 он 12 Примечание. В графе ЛСШ1ЫЙ. «Направленность» приняты следующие обозначения:
Микрофоны 243 Таблица VII.2 Номинальное сопротивление нагрузки, у.« Назначение микрофон ы 200 и 600 Звукозапись и передача речи и музыки 200 и 600 » » » » » » 200 и 600 » » » » » » 350 Передача речи 200 и 600 Звукозапись и передача речи и музыки 600 » » » » » » 160'и 600 » » » » » » 600 Передача речи 250 Звукозапись и передача речи и музыки 200 н 600 Передача речи 250 » » 60 и 250 Звукозапись и передача речи и музыки 30 000 Любительская звукозапись 250 Передача речи 250 Звукозапись и передача речи, репортажные передачи 250 Высококачественная звукозапись речи и музыки 250 Передача речи из шумных помещений 500 000 Любительская звукозапись 250 Передача и звукоусиление речи 250 Высококачественная звукозапись 250 Звукозапись и звукоусиление в закрытых помещениях 250 » » > речи 250 » » » » 250 Усиление и запись речи в шумных помещениях микрофон ы 250 Передача речи 600 Передача и запись речи и музыки 600 » » » » » » 600 » » » » » » 600 » » » » » » в шумных помещениях 250 »»»»»»»» > 250 »»»»»»»» » 250 » » » » » » 250 Радиовещание и высококачественная звукозапись 250 » н запись речи и музыки НИ — ненаправленный. ОН — односторанненаправлен ный, ДН — двухсторэнценаправ-
244 Акустика и электроакустика пропорционально заряду и обратно пропорционально емкости конденсатора, то при колебаниях одной из обкладок конденсатора напряжение на об- кладках изменяется. В цепи действуют две э. д. с.: постоянная э. д. с. батареи и переменная э. д. с., обусловленная перемещением одной из об- кладок. При наличии переменной э. д. с. в цепи течет переменный ток и создается падение напряжения на сопротивлении нагрузки R. Конденсаторные микрофоны находят широкое применение в звуко- записи, радиовещании и телевидении. По своим качественным показате- лям они превосходят широко распространенные динамические микрофоны. Основные параметры конденсаторных микрофонов приведены в табл. V11.3. Основные характеристики конденсаторных микрофонов Таблица VH.3 Тип микрофона Рабочий диапазон частот, гц 1 Неравномерность частотной характеристи- ки. не более, дб Выходной уровень отдачи на частоте 1000 гц прм номинальной нагрузке, не менее, дб Направленность1) Разность уровней отдачи между фронтом и тылом, не менее, дб Номинальное сопротивле- ние иагрузки, ом 1 Уровень собственных шумов, не Солее, дб ад X с. X X Ж О о СС КМ-57 МК 1 МК-3 МК-5 МК-5А МК-61 МИК 6с 19А-1 19А-2 19А 3 19А-9 (КМД-1) 40—15000 50—10 000 40-15 000 20—20 000 20—20 000 50-12 000 50—15 000 50—10 000 30—15000 30—15 000 40—15000 5 4 6 5 5 10 15 5 52) 52) б —60 -58 -66 —75 —73 —50 —60 —58 —55 -48 ОН ОН ОН НН НН он он ОН3) он он 12 15 15 20*) 20*) 19 250 250 250 250 250 250 160 160 250, 65 и 30 -43 —46 —55 260 480 400 360 360 220 >) ОН — однсстсроиненаправленный, НН — ненаправленный. *) В диапазоне частот 40—-Г2000 гц. ®) Имеется возможность получить 9 различных характеристик нал рак лен нести. •) При кардиоидном включении капсюля. Капсюль конденсаторного микрофона является емкостным преобра- зователем, емкость которого лежит в пределах 30—150 пф. Следовательно, внутреннее сопротивление такого капсюля иа низшей частоте рабочего диапазона составляет десятки и сотни мегом. Сопротивление нагрузки капсюля должно быть значительно больше его внутреннего сопротивле- ния, или, по крайней мере, равным ему. Выходное сопротивление микро- фона должно быть минимальным, чтобы уменьшить паводки на провода, соединяющие микрофон с усилителем. Для выполнения этих условий
Микрофоны 245 первый каскад усилительного устройства необходимо помещать в непосред- ственной близости от капсюля, причем этот каскад должен выполнять функции трансформатора полных сопротивлений, т. е. иметь большое входное п малое выходное сопротивления. Обычно капсюль и все элементы усилительного каскада размещаются в общем корпусе. Питающее устрой- ство конструктивно оформляется в виде отдельного блока. Усилительный каскад, смонтированный в корпусе конденсаторного ми- крофона, обычно выполняется по схеме с катодной нагрузкой (см. § 11 гл. IX). Лампы выбираются с минимальным сеточным током, уровнем соб- ственных шумов и микрофонным эффектом. Пьезоэлектрические микрофоны. Принцип действия этих микрофонов основан на пьезоэлектрическом эффекте. Пьезоэлектрические микрофоны отличаются простотой конструкции, дешевизной и высокой чувствитель- ностью. К их недостаткам следует отнести высокое внутреннее сопро- тивление емкостного характера, значительную неравномерность ча- стотной характеристики недоста- точную эксплуатационную надеж- ность. Большое внутреннее со- противление пьезоэл е ктри чески х микрофонов создает неудобства при подключении к транзисторным усилителям, входное сопротивление Рнс. VII.3. Устройство дифферен- циалыюго электромагнитного ми- крофона: которых сравнительно мало. 1 — кольцевые магниты. 2 — катушки. В настоящее время выпускаются 3—мембрана. 4—фланцы □ — обойма, пьезоэлектрические микрофоны типа М11Э-3, а также микрофоны для слуховых аппаратов. Микрофон типа МПЭ-3 характеризуется следующими данными неравномерностью частотной характеристики в диапазоне частот 100—5000 гц — 20 дб, чувствитель- ностью — 1 мв • см.2/дин. номинальным сопротивлением нагрузки 1 Most. Средняя чувствительность микрофонов для слуховых аппаратов состав- ляет от 5 до 10 мв см-:дин. Их частотная характеристика имеет подъем в области частот 2—4 кгц до 10 дб. Номинальное сопротивление нагрузки 3—5 Мом. Электромагнитные микрофоны. Мембрана электромагнитного микро- фона колеблется возле полюсов постоянного магнита, изменяя воздуш- ный зазор. Возникающие при этом колебания магнитного потока вызывают появление э. д. с. в катушке, расположенной на .магните; Электромагнитные микрофоны отличаются сравнительно простой кон- струкцией, дешевизной и высокой эксплуатационной надежностью. Ка- чественные показатели этих микрофонов невысокие. Для транзисторных слуховых аппаратов выпускаются электро- магнитные микрофоны типов Ml и М2 с чувствительностью 0,2—- 0,25 ив с.чг1дин. Рабочий диапазон частот этих микрофонов 400—3000 гц при неравномерности частотной характеристики 20 дб, номинальное со- противление нагрузки 2—3 ком. Размеры микрофона типа Ml 24 Х16 х 8 мм, вес микрофона типа Ml 9 г, микрофона типа М2 — 4 г. • Широкое распространение получили дифференциальные электромаг- нитные микрофоны, устройство которых схематически показано па рис. VII .3. Мембрана такого микрофона открыта с обеих сторон, поэтому его чувствительность равна нулю, если направление прихода звука совпадает
246 Акустика и электроакустика £ Рис. VII.4. Схема включе- ния угольного микрофона. с плоскостью мембраны. Чувствительность дифференциального микрофона на 20—25 дб ниже чувствительности обычного микрофона. Унифицированный мнкротелефоиный капсюль типа ДЭМ-4 м харак- теризуется следующими данными: рабочий диапазон частот 300—3000 гц, среднее значение полного сопротивления в этой полосе не ниже 600 ом (сопротивление обмотки постоянному току около 60 о.ч), средняя чувстви- тельность при нагрузке 0,5 Мо.ч не ниже 1 мв см2/дин. Электромагнитные микрофоны могут использоваться и как телефоны. Угольные микрофоны. Действие угольного микрофона основано на свойстве угольного порошка изменять свое сопротивление в зависимости от силы сжатия зерен, составляющих поро- шок. Схема включения угольного микрофона представлена на рнс. VII.4. Из схемы вид- но, что угольный микрофон управляет вели- чиной тока в цепи батареи Е. Поэтому в цепи угольного микрофона можно получить боль- шую мощность переменного тока звуковой частоты, чем падающая на него мощность звука. Чувствительность угольного микрофона гораздо выше, чем у других типов микро- фонов, одиакоостальные качественные пока- затели значительно ниже. В зависимости от динамического сопротивления угольные микрофоны подразделяются на низкоомныс (около 50 ом), среднеомные (70—150 ол) и высокоомные (150—300 ол). Первые работают при токе питания до 80 ма, вторые — не более 50 ма и третьи — ие более 25 ма При боль- шом токе начинает спекаться и портиться угольный порошок и возника- ют нелинейные искажения, а при очень малом токе резко снижается чувствительность. В радиотехнической аппаратуре, особенно в малогабаритной и пере- носной, наиболее эффективно могут работать капсюли типов МК-10 и МК-59 Максимальная чувствительность капсюля МК-10 при 2 кгц достигает 1О0лв см2/дин при общей неравномерности в полосе частот 300—3000 гц около 22—25 дб, чувствительность капсюля МК-59 на тон же частоте со- ставляет 10—20 мв см2/дин при такой же неравномерности в полосе частот. § 3. ГРОМКОГОВОРИТЕЛИ И ТЕЛЕФОНЫ Электроакустические характеристики громка сворите лей и телефонов. Номинальная мощность громкоговорителя — мак- симальная величина электрической мощности переменного (синусоидаль- ного) тока звуковой частоты, подводимой к громкоговорителю, при которой не нарушается его механическая и тепловая эксплуатационная прочность, а нелинейные искажения не превышают допустимой величины (обычно 7—10% иа низких частотах). Номинальная мощность громкоговорителя измеряется в вольт-амперах. Частотная характеристика громкоговори- теля — графическое изображение зависимости звукового давления от час- тоты подводимого к громкоговорителю тока. Неравномерность частотной характеристики определяют как разность уровней (в децибелах) наиболь- шего и наименьшего давления, отложенных по вертикальной оси.
Громкоговорители и телефоны 247 Полоса воспроизводимых частот — диапазон ча- стот, в пределах которого неравномерность частотной характеристики не превышает заданной величины Стандартное звуковое давление — звуковое давление, развиваемое громкоговорителем на расстоянии 1 м по его оси при подведе- нии к нему напряжения, соответствующего мощности 0,1 ва при частоте 1000 гц. Для телефонов измеряется на расстоянии 1 см при мощности 1 мет. Среднее стандартное звуковое давление — среднеарифметическое значений стандартного звукового давления, изме- ренного для тех из следующих частот. 100, 200, 400, 600, 1000, 1200, 1500, 2000, 2500, 3000, 3500, 4500, 5500, 6500, 8000, 10 000, 12 000. 15 000 гц, которые входят в полосу воспроизведения. Коэффициент гармоник — величина, характеризующая сте- пень вносимых громкоговорителем нелинейных искажений (см. § 1 гл. IX). Полное электрическое сопротивление громко- говорителя — сопротивление синусоидальному переменному току, измеренное на зажимах громкоговорителя (па звуковой катушке) нлп ид входных зажимах дополнительных устройств (согласующего трансфор- матора, разделительного фильтра и т. п ), если они являются неотъемлемой частью конструкции громкоговорителя. Резонансная частота подвижной системы гром к о г о в о р и г е л я—частота, при которой полное сопротивление максимально. Характеристика направленности громкого- ворителя — выраженная графически зависимость развиваемого гром- коговорителем на данной частоте звукового давления, измеренного па определенном расстоянии, от направления распространения звуковой волны. При повышении частоты направленность возрастает. Электромагнитные громкоговорители. Диффузор электромагнитного громкоговорителя жестко связан с якорем, который колеблется под действием переменного магнитного поля электромагнита. Электромагнитные громкоговорители характеризуются низкими ка- чественными показателями, поэтому применяются сравнительно редко. Пьезоэлектрические громко!оворители. Принцип действия этих гром- коговорителей основан па обратном пьезоэлектрическом эффекте. Дефор- мирующийся под действием приложенного напряжения пьезоэлеменг при- водит в движение диффузор. Электродинамические громкоговорители являются ианлучшими по ка- честву звучания, поэтому применяются наиболее широко. Они подразде- ляются на диффузорные и рупорные. Диффузор электродинамического громкоговорителя жестко связан с катушкой, которая колеблется в ноле постоянного магнита или электро- магнита при прохождении через нее переменного тока. Колебания диф- фузора вызывают колебания воздуха. В рупорных громкоговорителях колеблется диафрагма и ее колебания передаются во внешнее пространство через рупор. Рупорные громкогово- рители характеризуются более высоким к. и. д. (примерно в 10 раз) и большей направленностью, чем диффузорные, однако воспроизводят мень- шую полосу частот. Основные электроакустические характеристики диффузорных гром- коговорителей приведены в табл VII.4 и VII.5 а рупорных — в табл. VII 6 Конструктивные данные диффузорных громкоговорителей при- ведены в табл. VI 1.7.
248 Акустика и электроакустика Электроакустические характеристики диффузорных электродинамических Тип ГрЗМ- коговори- теля У Номинальная мощ- ность, ст Полоса воспроизводи- мых частот, гц Неравномерность Частотной характе- ристики, не более, Эб Среднее стандартное звуковое давление, дин!см- Резонансная частота под- вижной сис- темы, гц Полисе со- противление звуковой ка- тушки на час- тоте 1С0О гц, ол 0.025ГД-) 0 025 600—4000 18 1,5 — 6,0+0,6 0.025ГД-2 0,025 1000—3000 18 0,75 500 ±50 со 0,1 ГД-3 0 1 400 —3000 16 1,3 500—50 6.5±0,7 0,1 ГД-6 01 450—3000 18 2,3 400±40 10,0 ±1,5 0.1ГД8 0 1 450— 3000 18 1 8 400 ±40 10,0 ± 1,5 0.151 Д-1 0 15 400-8000 1,5 — 6,0 ±0,6 0.2ГД-1 0,2 300—10 000 — 1,8 — 6,0 ±0,6 0.25ГД-1 0,25 300—3000 18 2,0 300 ±30 8,0а; 0,8 0.25ГД-2 0,25 300-3000 18 2,0 300 ±30 6,5±0,5 О.25ГД-9 0,25 300—3000 15 2,8 300 ±30 10± 1,5 0.5ГД-10 0,5 150— 7000 15 2,3 150± 30 5,0 ±0,5 0.5ГД-11 0,5 150-7000 14 2,3 150±30 5,0 ±0,5 0.5ГД 12 0,5 150—7000 14 3,0 150±30 5,0 ±0,5 0,5ГД-14 0,5 250—3500 15 2,3 200 ±30 28,0 ±3,0 0.5ГД-17 0,5 250—5000 15 3,5 400 ±70 8,0 О5ГД-17Б 0,5 250-5000 15 2,5 400 ±70 8,0 1ГД-1ВЭФ 1,0 200 4000 14 2,3 240 ±40 65+0,7 1ГД-1РРЗ 1,0 4000 13000 15 4,0 1200 ±500 10,0+1,0 1ГД 2ВЭФ 1,0 1000—15 000 15 2,0 290 ±60 6,5 ±0,7 1ГД ЗРРЗ 1,0 5000-18 000 15 2,0 4500±1000 6,5 ±0,7 1ГД-5 1,0 150—6000 15 2,0 120±20 6,5 ±0,7 1ГД-6 1,0 100—6000 15 2,8 100± 10 140± 10 6,5+0,7 1ГД 7 1,0 150—6000 15 3,0 100± 10 6,0 ±0,6 1ГД-8 1,0 200—6000 12 4 5 170± 15 6,0 ±0,6 1 ГД-9») 1,0 100-7000 200—10 000 14 2,0 95±15 150±30 6,5 ±0,7 1 гд-п 10 150—7000 15 2,0 130±20 6,5±0,7 1 ГД-12’) 1 0 200-10 000 14 2,5 175± 15 5,0 ±0,5 1 ГЛ-14 1,0 150—10 000 14 2,5 150±30 5,0 ±0,5 1ГД 17 1,0 100—7000 14 2,2 .—- 220 1ГД 18') 1,0 100—10 000 200—10000 15 2,3 90-120 6,5 ±0,7 1ГД 19 10 100—10000 15 2,0 140±20 6,5±0,7 1 ГД-20*) 10 150—7000 15 3,0 150±30 6,5±],0 1ГД28 1,0 100-10000 15 2,0 90—120 6,5±0,7
Громкоговорители и телефоны 249 Таблица VI 1.4 громкоговорителей Коэффициент гармоник. на частоте Назначение до 200 гц от 200 до 2000 гц — Для миниатюрных приемников — 53) в » в —— 73) Для карманных » — 7’) В в в — — в в в — —— в в в — —- в в в — 104 Для малогабаритных переносных приемников — 104 » В ю » — — в в » » 10 7 » » вещательных и телевизионных приемников 10 7 То иге — 10 Для батарейных и переносных приемников 10 7 Для малогабаритных транзисторных приемников с бестранс- форматорным выходом —— 53) Для переносных приемников — б3) в в в — 53) в в в — 53) в широкополосных акустических систем —- б3) в в ч В В — 33) в » в в 12 7 Для приемников 3 и 4-го кл. и абонентских точек 12 7 Для батарейных приемников 3 и 4 кл. и абоне неких течек 12 7 То же 12 7 Для портативных переносных и автомобильных приемников 15 7 Для телевизоров 1 2 и 3-го кл. и приемников с объемным звучанием 15 7«) Для приемников 3 и 4-го кл. 10 7 Для приемников 1 и 2-го кл. (боковой) 10 7 Для приемников 3 и 4-го кл. и абонентских точек 15 7 Для бестрансформаториых устройств — 7е) Для настольных приемников у 10 54 — 7е) Для переносных транзисторных приемников 10 7е) Для приемников 3 и 4-го кл. (фронтальный) и 1 и 2-го кл. (боковой)
250 Акустика и электроакустика Тип Грэм коготри- теля Номинальная мощ- ность, вт Полоса вос- производимых частот, гц Неравномерность частотой характе- ристики, не более, до Среднее стандартное звуковое давление, дин/см* Резонансная частоте под- вижной си- стемы, гц Полисе со- противление звуковой ка- тушки па час- тоте 1000 гц, ом 2ГД-3 2,0 70—10 000 14 2,0 80± 15 100± 10 4,5 ±0,5 2ГД-4 ) 2,0 70-10 000 14 2,3 80 ±15 100± 10 5,0 ±0,5 2 ГД-6 2,0 90—7000 14 2,3 —- 420 2 ГД-7 2,0- 70—10 000 15 2,3 80±15 100-И0 4,5±0,5 2ГД-8*) 2.0 80—8000 15 2,3 100 — 10 4,5 ±0,5 2ГД 8ВЭФ 2,0 80—7000 15 2,3 90± 10 — 2ГД-19 2,0 80- 10 000 15 2.0 80± 15 4,5 ±0,5 ЗГД-1РРЗ 3,0 150—6000 15 2,5 120±20 10 ЗГД-5ВЭФ 3,0 100—7000 15 2,5 120± 10 — ЗГД-6ВЭФ 3,0 80-7000 15 2,5 80—10 — ЗГД-71) 3,0 80-7000 14 - 2.5 90± 10 4,5 ±0,5 ЗГД-91) 3,0 80—7000 14 2.5 80+10 5,0 ±0,5 ЗГД-15 3,0 1000-18 000 15 2,5 270 ±30 4,5 ±0,7 ЗГД-1С 3,0 80—8000 18 ? 5 80± 10 4,5±0,7 3 ГД-281) 3,0 80—8000 18 2,5 80 i 10 4,5 ±0,7 4ГД-12) 4,0 60-12 000 14 2,5 60+10 80± 10 4,5±0,5 4 ГД-22) 4,0 60—12 000 11 2,5 60-10 5,0+0,5 4ГД-2РРЗ 4,0 100—12 000 15 3,0 100 — 20 14,0± 1,4 4 ГД-3 4,0 70—7000 11 2.5 70 + 20 3,6 ±0,4 4ГД-ЗРРЗ 4,0 130—12 000 15 3,0 130 + 20 14,0± 1,4 4ГД-4РРЗ 4.0 60-12 000 15 2,7 55 а-10 8 4 ГД-7 4,0 60—12 000 15 2,5 60± 10 80± 10 4,5±0,5 4 ГД-28 4,0 60—12000 15 2.3 60± 10 80-J-10 4,5±0,5 5ГД-1РР31) 5,0 80—10 000 15 4,0 65—10 4,0+ 0,4 5ГД-ЗРРЗ 5,0 40— 5000 15 3,0 30 — 5 10 5ГД-9 5,0 70—7000 12 3,0 70-Н0 4,0 ±0,4 5ГД-10-) 5,0 50—12 000 15 3,0 50—10 4,5+ 0,5 5ГД-11'2) 5,0 70—12 000 14 2,3 70± 10 90+10 4,5±0,5 5 ГД-16 5,0 70—12 000 14 2,5 — 440 5ГД-181) 5,0 70—12 000 15 2,5 70± 10 90± 10 4.5 ±0,5 5ГД-191) 5,0 100—10 000 18 2,5 90+ 15 4,5±0,7 5ГД-281) 5,0 100—10 000 18 2,5 90± 15 4,5 ±0,7
Громкоговоритс.ш и телефоны 251 ПроЭолжение табл. \ I/.4 Коэффвцие нт гармоник. 5С, иа частоте Назначение до 200 гц от 200 до 2000 ец 10 7 Для приемников и телевизоров 2 и 3-го кл. 10 7 Для приемников 1-го кл (фронтальный) 10 7 Для бестрансформаторных устройств 10 7е) Дтя настольных приемников 10 7«) Для телевизоров 2 и 3-го кл. — — Для приемников 2 и 3-го кл. 10 7 Для приемников 1 и 2-го кл. (фронтальный) — 53) -— — — Для радиолы «ВЭФ-Аккорд» —— —— » » » 12 7 Для автомобильных прием: иков и для озвучивания помещений 10 7 Для автомобильных приемников -— 5 Для широкополосных акустических систем (высоко' астотный) — 7«) Для автомобильных приемников — 7е) » » » 15 5 Для приемников и телевизоров высшего класса 15 5 Для малых консольных радиол (фронтальный) — —- Для приемника «Фестиваль» — 7 Для приемников 1 и 2-го кл. — — Для приемника «Фестиваль» — 53) —— 10 7") Для приемников и телевизоров высшего класса 10 7«) Для малых консольных радиол (фронтальный) — — Для приемников и радиолы «Сакта» — 53) 15 7 Для приемников 1 и 2-го кл. 15 5 Для консольных приемников и телевизоров (фронтальный) 15 5 Для настольных радиол высшего класса (фронтальный) 15 5 Для высококачественных приемников и радиол с oecipanc- (}юрматорным выходом 10 5») Для настольных приемников высшего класса — 7е) Для автомобильных приемников 7 5 » » »
252 Акустика и электроакустика Полоса •о ндарт- j давле- Резонансная Полное со- противление о * *7 £ § ч о й о о °-о Тип гром- К 03 я военроизво- Q.X О egg частота под- звуковой ка- коюзорк- X Л л димых частот. внжной сне- тушки па час- теля Номинал: М01ЦНОСТ1 гц Неравно! частотно ристики. Среднее ное звур нно, дин темы, гц то те 1000 гц, ом 6ГД-1РР31) 6,о 60—6501) 15 4,0 48 ±8 —- 6ГДР 1 6,0 60—10000 14 3,5 65 ±10 1,2 ±0.2 10ГД-4 10,0 70—8000 12 3,5 — — 10ГД-5 10,0 50—7000 12 3,5 45 ±5 — ЮГ Д-62) 10,0 40—10 000 15 3,0 — — 10ГД 14 10,0 40—12 000 12 3,0 — — 10ГД-17 10,0 40 8000 14 3,0 50 ±10 4,5 ±0,5 10ГД-181) 10,0 50—8000 12 3,0 50 ±10 10,0 ±1,0 ВГД-1 3,0 800—18 000 16 2,5 270 5,0 ±0,5 ВГД-2 >) Овальн 3,0 ЫЙ ГРОМ 800—15 000 коговорктель. 14 3,5 — 260 2) Двухполосный громкоговоритель. •) На частотах от 1000 до 2000 гц- Основные данные абонентских громкоговорителей Т нп громкогово- рителя Номинальная мощ- ность, ва. Полоса воспроизво- димых частот, гц Неравномерность частотной характе- ристики, нс более, дб Среднее звуковое давление при номи- нальной мощности на расстоянии 1 лт. ве менее, дин!см* Коэффициент гармо- ник, %, на частотах от 200 до 400 гц выше 490 гц 0,15ГД-111-11) 0,15 150-5000 15 2,5 7 4 0.15ГД-Ш-22) 0,15 200—4600 18 2,0 7 5 0.25ГД-И-13) 0,25 100—8000 15 3,0 7 4 0.5ГД-1-Р) 0,5 80—10000 15 4,5 5 3 ЗАГД-16) 3 100—6000 15 14 10 5 ЗГД-В-1 1 ЗГД-В-2 / 3 50—15 000 12 12 5 3 «Балтика»8) 0,5 100—6000 15 6 10 5 ’) Выпускается в разном оформлении под названиями «Вымпел», «Огонек», «Радуга», «Салют», «Свет». *) Под названиями «Пионер», «Утро». а) Под названиями «Ангара», «Весна», «Книжная полка». •) Под названиями «Аккорд», «Оркестр». ь) Под названиями «Ансамбль», «Концерт».
Громкоеоворители и телефоны 253 Продолжение табл. VII 4 Коэффициент гармоник. %, на частоте Назначение 15 12 10 Для приемников высшего класса (низкочастотный .. Для радиолы «Эстония» Для широкополосных акустических систем и консольных радиол и телевизоров То же Для широкополосных акустических систем » » » » То же (низкочастотный) Для широкополосных акустических систем и высококачест- венных радиол (низкочастотный) То же (высокочастотный) То же, при бестрансформаторном выходе от 400 до 203(1 гц. *) Па частотах 6) На частотах от 400 до I0OG гц. *1 На частотах от 200 до (ООО гц. Таблица VII. 5 Полное электрическое сопро- тивление на частоте FOJO гц. ол, при напряжении Днапалон регулиро- вания громкости, дб Размеры с футляром, мм Вес. кг 15 в 30 в 129 в 1500 6000 32 250x180x110 1.7 1500 6000 — 42 160X110x60 0.75 900 3600 — 35 290x270x150 25 450 1800 — 40 745x480x360 500 X 300 x 250s) 5,0 — 4800 47 — — 300 745x480x360’) 20,5 75 — DV 630 X 1000 x 325s) 22,5 — — 2800 47 — — •) В качестве возбуждаю ней головки применены 2 громкоговорителя типа 2ГД-3 Т) В настольном оформлении под названием «Рассвет» •) В напольном исполнении под названием «Фантазия». Снабжен акустическим фазоинвертором • ,т « •) В качество возбуждающей головкн применен громкоговоритель типа ПД-о.
Таблица Vll.6 2 Основные ванные радиальных и рупорных громкоговорителей Тип Номинальная мощ- ность, ьа Полоса воспроизво- димых частот, гц Неравномерность час- тотной характеристи- ки. ()б Среднее звуковое давление на расстоя- нии Iм прн номиналь- ной мощности, дан/см'- Коэффициент нели- нейных 11СНВЖСНИЙ, %, не более Полное электрическое сопро- тивление, ол, на частоте 1000 гц при напряжении Размеры, ми Все, кг 30 я 120 о 240 в ЗГРД-1РВИ 3 500-4000 5 80 10 250 — — 333x452x432 6 1 ОГР Д-5 10 200-4000 15 120 7 90 1440 5760 0400x485 7 10ГРД-6 10 500—4000 15 150 10 90 1440 — 333x452x432 5 25ГРД-1 25 100-6000 15 125 7 36 576 2300 700x180x730 15 25ГРД-2 25 120-5000 15 160 7 3G 576 2300 0400x720 15 25ГРД-5 25 500—4000 15 240 10 36 576 — 0333 x 444 8 25ГРД-7В Г 25 500-4000 18 190 10 36 — — 0333 x 446 22 25ГРД-8РВ 25 500—4000 18 190 10 36 — — 0333 x 446 22 50ГРД 8 50 120-G000 15 220 7 18 288 1150 0400x720 18 50ГРД-9 50 100-6000 15 335 7 18 288 1150 860x720x1120 25 50ГРД-10 50 500—4000 15 400 10 18 288 1150 0 333 x 581 23 100ГРД1 100 120—5500 15 475 7 9 144 576 970x770x1150 35 100ГРД-4 100 500—4000 15 790 10 9 144 576 600x562x800 42 100КЗР-1 100 500-4000 15 570 10 9 144 576 0 333 x 580x1400 42 10ГДН-1 10 80—8000 15 22 7 • 90 1440 5760 0 620 x 520 12 25ГДН-1 25 80—8000 15 40 7 36 576 2300 0740 x 677 24 Таблица V11.7 Конструктивные данные диффузорных электродинамических громкоговорителей Тнп громко- говорителя Мапшт Звуковая катушка Размера громко- говорителя, ЛА! Вес гром- ко го- ворн- теля, г Тип Материал Вес, г Диа- метр керна, мм Шири- на за- дора. мм Число витков Диа- метр прово- да, мм Сопротнвле кие постоян- ному току, ом 0.025ГД-1 Керновой — 040x16.5 17 0.02оГД 2 » ЮНДК 25 3 — — —. — 040x16,5 16 0,1 ГД 3 » АНКО-4 9 10 — — — 5,5±10% 050x21 35 0,1 ГД-6 » ЛНКО-4 18 10 — — — 8,0± 10% 060x27 60 0,1 ГД-8 » АНКО-4 10 — — — — — 060x21 40 0.15ГД-1 АНКО-4 — —- — — — — 060X22 50 0.2ГД-1 » АНКО-4 — — — — — — 060 x 25 50 0.25ГД-1РРЗ » ЮНДК-24 34 — — — — 070 x 36 115 0.25ГД-1 АНКО-4 18 12 — — — 8,0±10% 072 x 34 70 0,25 ГД-2 Кольцевой МБЛ 40 12 — — 5,5 ±10% 072x29 120 0.5ГД-10 Керновой ЛНКО-4 40 12 — 0105x50 150 0.5ГД-11 Кольцевой МБА 40 12 — — — 0105x36 150 0,5ГД 12 » ЗЬА 80 12 — — — 0105x36 250 0.5ГД 14 Керновой АНКО-4 34 12 — — — — 0102 х 50 130 0.5ГД-17 » 2БА 29 — — —, — 106x70x37 150 1ГД 1ВЭФ Керновой АНКО-4 57 — — — — 6,3 ±10% 090x57 200 1ГД-1РРЗ АН КО 4 60 11 — 63 0 08 8,0± 10% 0105> 80 200 1ГД-2ВЭФ » ЛНКО-4 — — — 2.5 ±10% 090x57 200 11 Д-5 Кольцевой ЛЯНИ 140 17 0.8 63 0.12 5,5±10% 0126x60 370 1ГД-6 АЛН11 330 17 0.8 63 0,12 5,5±10% 0126x63 600 1 ГД-7 » АЛИИ 340 17 0.8 63 0,12 5,5 ±10% 0124x63 600 1ГД-8 Керновой АНКО-4 180 17 0.75 63 0,12 5,5± 10% 0124x64 400 1ГД-9 » ЛНКО-4 50 17 0,8 63 0,12 5,5 ± 10% 98X156X56 250 1ГД-11 Кольцевой ЗБА 80 17 — — — — 0126x45 300 Акустика и электроакустика _____________________________Громкоговорители и телефоны
Продолжение табл VII7 Тип громко- говорителя Магнит Звуковая катушка Размеры громко- говорителя, мм Вес гром- КЪГО- норнте- ля, г 'Гии Материал Вес, г Диа- метр керна, мм Шири- на за- зора, мм Число витков Диа- меч р прово- да, ЛОИ Сопротивле- ние постоян- ному току, ом 1ГД-12 Кольцевой МБА 40 12 —- — — 98X156X41 200 1 ГЛ-14 » МБА 40 12 — —— — — 0126x45 180 1ГД-17 Керновой АНКО-4 50 17 0,8 441 0,05 200 — — 1 ГД-18 » AlIKO-4 18 12 —— —. — 156x98x48 160 1 ГД-20 АН КО-4 40 12 — —. — — 156x98x60 240 2ГД-3 » АН КО-4 70 20 0,8 62 0,16 3,4 ± 10% 0152x70 400 2ГД-4 Кольцевой МБА 80 17 —- —— — — 0152x54 300 2ГД-6 Керновой АНКО-4 70 20 0,8 635 0,05 400 0152x70 400 2ГД-7 » ЛНКО-4 35 15 — — — — 0152x62 230 2ГД-8 Керновой АНКО-4 35 15 — — — — 264x94x58 280 2ГД-8ВЭФ АНКО-4 — — — — — 3,4 ± 10% 0152x75 500 2ГД-19 Кольцевой 2БЛ 75 — — — — — 0152x52 350 ЗГД-1РРЗ » 2БА 98 — — — — — 0150x52 400 ЗГД-2 » АЛИИ 350 25 0,9 62 0,16 3,4 ±10% 0202x100 1200 ЗГД-5ВЭФ У> АЛИИ — — — — — 3,4 ±10% 0202x90 1300 ЗГД-6ВЭФ » АЛИИ — —. — —— —. 3,4 ±10% 0 202 x 90 1300 ЗГД-7 Керновой ЛНКО-4 100 . 25 — 62 0,16 3,4 ±10% 134 X 204 X 77 510 ЗГД-9 Кольцово!; МБА 200 25 — — — — 134X204X65 900 ЗГД-11 Керновой ЛНКО-4 100 25 — 575 0,05 420 134x204x77 510 ЗГД-15 » АНКО-4 40 12 —— — — —- 0105x61 230 ЗГД-16 » АНКО-4 64 17 — — — — 134X192X67 330 ЗГД-28 Кольцевой ЗБА 80 17 — — — — 134X204X55 410 ЗГДВ-2 Керновой АНКО-4 65 12 — — — — 0105X64 230 4ГД-1 У> АНКО-4 100 25 0,9 62 0,16 3,4 ±10% 0202x90 600 4ГД-2 Кольцевой МБА 200 25 81 0,12 Ю.О ±10% 0202 x 80 900 4ГД-2РРЗ Керновой ЛНКО-4 — — — 81 0,12 ю,о±ю% 0200 x 93 900 4 ГД-3 — 440 25 — — — — 0197x90 1200 4ГД-ЗРРЗ АНКО-4 — — — 81 0,12 ю,о±ю% 0200 x 93 900 4ГД-4РРЗ Кольцевой 2БА 208 — — — — — 0202x72 810 4ГД-5 АНКО-4 100 25 0,9 576 0,05 420 0202 x 90 600 4ГД-7 » АНКО-4 60 17 — — — — 0202x80 430 4ГД-28 Кольцевой ЗБА 80 17 — — — — 0202 x 72 535 5ГД-1РРЗ Керновой АНКО-4 НО 19 —- — — — 260x180x108 750 5ГД-ЗРРЗ Кольцевой 2БА 327 — — — — — 0252X106 1380 5ГД-9 АЛИИ 700 25 0,9 62 0,16 3,4 ±10% 0252x126 1700 5ГД-10 АЛИИ 700 25 0,9 G2 0,16 3,4 ±10% 0252x126 1700 5ГД 14 Керновой АНКО-4 100 25 0,9 62 0,16 3,4 ±10% 170x254x100 600 5ГД-16 АНКО-4 100 25 0,9 575 0,05 420 170 x 254x100 600 5ГД-18 АНКО-4 60 17 — — — — 170 x 254 x 80 450 5ГД-19 АНКО-4 100 17 — — — — 170x254x91 525 6ГД-1РРЗ ЛНКО-4 200 25 — 97 0,15 7,8± 10% 225X327X131 1300 6ГДР-1 «Магнико» 92 25 — 29 0,23 1,2± Ю% 0222X96 500 10ГД-17 Кольцевой АЛИИ 700 30 —- — — 4,5± 10% 0295x140 1500 10ГД-18 » АЛИИ 700 30 — — — 8,0± 10% 212x324x128 2000 ВГД-1 Керновой АНКО-4 65 12 — —- — 5,5 ±10% 0102x64 230 ВГД-2 » АНКО-4 65 12 — 421 0,04 250 0102x64 230 ЮГ Д-5 • » — — 40 — — — 10,0± 10% 0300x140 4700 5ГД28 Кольцевой ЗБА 80 17 — — — 170x254x68 540 256 Акустика и электроакустика ' Громкоговорители и телефоны 257
258 Акустика и электроакустика гз> *ээд to tOOlOOCsCOOCiOC О» Размеры, мл еюэпд оосюооссооо СООС1_ОГ-.Г->С01010СССЧ X'h’b.b-CCCX; — »-м CO ОС СП EHH<fnjn 110 130 .320 255 310 325 350 385 ** 230 280 einipAirj 185 200 300 365 360 415 525 580 610 265 330 рр ‘ээнэи эн ‘woitha и нохпейф ХУжэк нинэгееУ уоняосИ qiooucej 8 8 10 10 10 10 10 10 10 0 0 Полное электриче- ское сопротивление, ом, на частоте 1000 гц прн напряжении S 0W 5760 5760 2300 2300 1150 1150 1 1 120 e 1800 1800 1440 1440 576 576 288 288 144 c CO CO О О ID о ОС oo CD Ю СЧ < C73 CD CO CO t— —‘ xT 04 ъмэ/ыпр *ээн -ЭИ ЭН •ИЮОИТПОИ VOH4VCH -НИОИ Jldu W I иинкоаээвЗ ЕН ohhol'heV sosomXce ээиКэдэ r- S- LO to О О 10 10 Ю О О Основные данные звуковых колонок he ‘пр ээь"О9 эн *И>1Н1ЭИ(]ЭАЯ1Э41?Х yOHAOlDFh ИАЭсийаконеЕйан нс!и аоаэеь Х1Ч ИИ VOSEHOd НЭОв ЕЭС пои 180-6000 180-6000 120-8000 120-8000 100—8000 100—8000 100-8000 100-8000 80-12 000 140-6000 100-8000 Примечания: 1. Ци рры в обозначении типа колонки означают: перед буквами — номинальную .мощность, ва, после букв — вариант исполнения (I — для открытых пространств, 2 — для закрытых помещений). 2. Коэффициент гармоник для всех колонок — не более 79s на частотах до 200 гц, не более 5% на частотах от 200 до 400 гц н не более 39s на частотах выше 400 гц.
Звукосниматели 259 Звуковые колонки — это групповые излучатели, состоящие из нескольких громкоговорителей (возбуждающих головок), расположенных вертикально в один-два ряда в металлическом или деревянном футляре, закрытом с передней стороны декоративной решеткой. Колонки в металли- ческом корпусе предназначены для озвучивания открытых пространств, колонки в деревянном корпусе — для закрытых помещений. В каждой звуковой колонке, кроме громкоговорителей, обычно нахо- дится согласующий трансформатор с переключаемыми обмотками для ра- боты от трансляционных сетей с напряжением 30, 120 и 240 в или 30 и 120 в. Переключая отводы обмоток согласующих трансформаторов, мож- но изменять мощность излучения при данном напряжении сети. Характеристики направленности звуковых колонок односторонние и характеризуются отношением звуковых давлений «фронт — тыл», т. е. давления прямо перед колонкой и давления за колонкой. Основные данные звуковых колонок приведены в табл. VII.8. Радиальные громкоговорители — групповые излу- чатели, у которых возбуждающие головки (диффузорные i ромкоговорите- ли) расположены симметрично по окружности с наклоном 35° к вертикаль- ной оси. Для наиболее равномерного распределения звуковой энергии по озвучиваемой площади под кожухом громкоговорителя расположен специ- альный рассеиватель. С той же целью две противоположные головки подключены к двум другим через конденсаторы. Радиальные громкоговорители снабжены согласующими трансформа- торами, при помощи которых можно [] гключать их к трансляционной сети с напряжением 30, 120 и 240 в, а также снижать потребляемую мощ ность в 2 и 4 раза. Основные данные радиальных громкоговорителей приведены в табл. VI 1.6. Телефоны используются для воспроизведения звука в пор- гивных связных радиостанциях, для контроля передач и записи звуковых программ, а также в измерительной аппаратуре. Наиболее распространены электромагнитные телефоны, в которых мембрана колеблется под действием электромагнита, когда через его ка- тушку протекает переменный ток звуковой частоты. В зависимости от дна метра провода, которым намотаны его катушки электромагнитные теле фоны могут быть высокоомными (более 2000 ом при частоте 1000 гц на пару телефонов) или низкоомными (обычно 600 ом при частоте 1000 гц па пару телефонов). Достаточно широко применяются пьезоэлектрические телефоны. Го- раздо реже используются динамические телефоны. Основные данные телефонов приведены в табл VII 9. § 4. ЗВУКОСНИМАТЕЛИ Звукоснимателем (адаптером) называется прибор, служащий для воспроизведения механической звукозапи:и. Чувствительность звукоснимателя — выходное на- пряжение на нагрузке 1 Л1ил при воспроизведении частоты 1000 гц и ампли- туде колебательной скорости конца иглы 1 см1сек. Чувствительность на- ле меряется в------. см Iсек 9*
260 Акустика и электроакустика к Таблица VI1.9 Основные данные головных телефонов as Е С рность харак- 56 ?уко- <ие на < 1 см. еее gas^ £ Тип теле- S сп ф н х • фонов 5 = » О Ч og* Е X X Е н ь о 5 я &> ® Е — и S с х Ч G и о S ?фиц он и к % Назначение §s-- сзе Сред вое расе dUH/i Е ¥ КОЭ(| гарм лее, втм 400—3000 400-3000 -18 64 0,18 — Для слуховых аппаратов Т2 20 45 0,4 — ТА-4 300—3000 13 60—100 0,26—0,36 5 Для радиостан- 8,5—12 ций и перего- ворных уст- ройств То же ТА56М 300—3000 13 55—100 0,24—0,36 8 8—12 ТГ-7М 300—3000 27 80-140 0,24—0,36 8 Для легких пе- реносных ра- диостанций ТД-6») ТМ-2 50—5000 300—3000 13 200 — — Для акустиче- ских измерений 27 50 0,24—0,36 — Для аппарату- ры связи ТОН-2 300—3000 35 40 6 — Для детектор- ных приемки- ков ТПК-562) 300—3500 20 140 10 2 То же ТПК-5712) 50-9000 16 40 20 2 Для воспроиз- ведения речи и музыки ТПК-5722) 300—3500 20 50 15 2 Для аппарату- ры перевода речи *) Динамический. г) Пьезоэлектрический Частотная характеристика звукоснимателя — зависимость его чувствительности от частоты. Она должна по возможности иметь такую форму, при ко орой напряжение иа нагрузке звукоснимателя, несмотря на увеличение котебагепьиой скорости резца при записи высоких частот, не будет зависеть от воспроизводимой частоты. При этом не по- требуется специалы он коррекции в усилителе. Частотная характеристика звукоснимателя определяется в основн м особенностями его механической системы. Нелинейные искажения в звукоснимателе обычно про- слушиваются в виде характерного хрипения. Величина этих искажений зависит от конструкции звукоснимателя, качества его сборки и оценивает-
Звукосниматели 261 ся коэффициентом нелинейных искажений — коэффициентом гармоник (см. § 1 гл. IX). Нелинейные искажения в звукоснимателе можно наблюдать иа экране электронного осциллоскопа при воспроизведении чистых тоиов, записан- ных на специальных частотных пластинках. Нагрузка иа иглу (вес, приведенный к концу иглы) опреде- ляет износ пластинок и игл. Для каждого типа звукоснимателя существует так называемая оптимальная, или критическая, нагрузка па иглу, при которой нелинейные искажения н износ пластинки будут наименьшими. Рис. VI 1.5. Устройство стереозвукосиимателя с переменным магнитным сопротивлением. Рис. VII 6. К объясне- нию принципа работы пьезоэлектрического звукоснимателя. Рабочая нагрузка на иглу выбирается на 20—25% выше критической. Согласно ГОСТ рабочая нагрузка на иглу не должна быть более 12 г. Электромагнитные звукосниматели были до последнего времени самы- ми распространенными благодаря их значительной механической проч- ности. независимости параметров от температуры и влажности и малым Нелинейным искажениям. Пьезоэлектрические звукосниматели находят более широкое применение, чем электромагнитные. Оии отличаются более высокой чувствительностью, не боятся электромагнитных наводок, просты по конструкции, дешевы. Частотная характеристика пьезоэлектрических звукоснимателей рав- номерно спадает в сторону высоких частот, чем компенсируется подъем этих частот при записи. В настоящее время иьезоэлемеиты для звукоснимателей изготовляются из фосфата аммония и титаната бария (см. § 9 гл. II). Основные данные некоторых звукоснимателей приведены в табл. VII 10. Стереофонические звукосниматели предназначены для воспроизведе- ния двухканалыюй стереофонической граммофонной записи одной иглой. Оба канала звукоснимателя должны быть возможно более одинаковы, и по час отпой характеристике, чувствитель ости и особенно по искажениям, которые должны быть сведены к минимуму. Разделение каналбв должно быть не менее 20 дб (па частоте 1000 гц). Стереофонический звукосниматель должен обеспечивать воспроизве- дение монофонической грамюфониой записи. Подвижная система стереозвукосиимателя динамического типа с > стоит нз двух катушек, расположенных в поле постоянного магнита под
262 Акустика и злектроакустика Основные данные электропроигрывающих устройств гм *ээд 00 сч 2,5 сч сч 00 9*3 Ь <у они-эпри tfoij ю СТ3 сч 0 1 £ ч? Л Е И - - Д о g|« CD CD CD Ю CD 1 откгэнси Ven о О С О сО 1 Z Е Н о CD CD CD CD 1 CD С ID О С об со 1-- СЧ lO VTA' ‘HirOHElJ 14(1 ЭИЕ хз СО X СЧ X СЧ X СО X 1 о LO о CD оо сч X* сч СЧ сч сч сч О EL’31 -EJHfitf OJOHHOL*0OHE13/ UHl « к? 1 g <т> ф (Т) C»i « S Ю ю LD ID CD CJ'T* шгэхёкинэ id LD L_z ID -ОХХеЕ ОЗОБИЭГЕОНЕХЭХ Wi J х: & с СО с с с с те © СО Г) СЪ со со S2 V» *ч1эон1лои EEMSEirgadiou сч 1 СЧ сч О1 1 Ч'-' = с о с о к о др ээгод эн *еноф чнаяоод Л ^г 1 5S 1 1 1 1 1 о« % ‘ээг ш 1^- »г- ю in О& сч СЧ сч О» I -09 эь ‘ииЪсиохэКГ «jHCEod 0 1 о о ас :г gp ‘aotr о о С5 tr к -СХ) Эн ’«UllPdOUQ кияээь —* —* •—< 1 'инехэк хи хэнои чнэообд 1 1 1 1 1 Я г S >> с ч игэ/нэ g “ с • ЭЭИЭК ЭИ 'BtfOlCK 8W 1 с 1 1 1 ID О к ь б -ННЭОЪАЯЕ ЧХЭОИЧ1ГЭ£НС1ЭЯЛь е п и ю g «О Г. Б о £ о ООО о о ООО 'Уст г фтом 5.М0ЖГ тройс сг> f о с о о о сч о “ о >, я Л ш Jr Я у гл СО С Г! Е £ 1 0 1 0 1 0 1 с д 1 о ь g <и v &£ о О 5 я я о -С о S 1D U0 ю ю Ю со о S с. о со 5 о О Q. X = S о о о и я “ип ойстгч 1М сГ4 го о го_ С. 1D >> 1 а С£о.а ГиЕЧ 1 устр >5 С >> с >> с с с Ci Ci Ci «<,
Озвучивание 263 прямым углом одна к другой. При модуляции одного канала силовые линии магнитного поля пересекают витки только одной катушки и сколь- зят вдоль витков другой. Поэтому э. д. с. наводится только в первой катушке. Устройство стереозвукоснимателя с переменным магнитным сопротив- лением показано на рис. VII.5. При модуляции одного канала иглодержа- тель смещается, меняя величину соответствующего зазора и сохраняя постоянным другой зазор. В результате э. д. с. наводится только в одной соответствующей катушке. Принцип работы пьезоэлектрического стереозвукосиимателя поясня- ется рис. VII.6 Система состоит из четырех жестких тяг, шарнирно свя- занных между собой, и может вращаться вокруг точки А. Если точка S сместится в направлении левой стрелки в плане системы, то иижняя пра- вая тяга повернется вокруг точки Г, а верхняя правая тяга останется не- подвижной. Левая нижняя тяга переместится по стрелке и повернет верх- нюю левую тягу вокруг точки А. Таким образом, при модуляции правого капала смещается верхняя левая тяга, а правая остается неподвижной; при модуляции левого канала смещается верхняя правая тяга, а непо- движной остается левая. Если расположить в участках системы а и б два пьезоэлемента, то получатся две механоэлектрические преобразующие системы с механическим разделением каналов. Иглы для звукоснимателей. В современных звукоснимателях с посто- янными иглами применяются главным образом корундовые и алмазные иглы. Стальные иглы употребляются только для проигрывания обычных грампластинок в универсальных звукоснимателях, работающих на смен- ных иглах (иглы тихого тона), и в портативных граммофонах. Воспроизведете звукозаписей с долгоиграющих пластинок может производиться только корундовыми иглами, которые имеют правильную форму и зеркальную полировку. Эти иглы выпускаются в дюралевых оправках, окрашенных в красный цвет, и предназначаются для универсаль- ных звукоснимателей, работающих на сменных иглах. Корундовые иглы в оправках выпускаются также и для обычной записи. Корундовые иглы без оправки (иглы-вставки) используются в универсальных звукоснимате- лях с постоянными иглами. § 5. ОЗВУЧИВАНИЕ Под озвучиванием обычно понимают обслуживание какой-либо тер ритории или большого закрытого помещения программой, воспроизводимой через один или несколько громкоговорителей. К системам озвучивания предъявляются требования равиомериого распределения звуковой энергии иа озвучиваемой площади и отсутствия ощутимого эха. Озвучивание открытых пространств (площадок) производится обычно рупорными или радиальными громкоговорителями, а также звуковыми колонками (см. § 3 этой главы). Если для озвучивания применяется одни громкоговоритель, то проек- тирование системы сводится к тому, чтобы по величине озвучиваемой площади и необходимому уровню звукового давления в крайней ее точке определить мощность громкоговорителя и место его расположения. Чтобы улучшить равномерность распределения звуковой энергии по озвучиваемой площади, громкоговоритель укрепляют на возвышенном месте на высоте
2G4 Акустика и электроакустика h так, чтобы его ось шла наклонно, пересекая поверхность земли под некоторым углом у (рис VI 1.7). Расстояние / от основания подвеса громкого- ворителя до пересечения оси громко- говор ител я с горизонтальной плос- костью (точка Л) можно определить по графику иа рис. VII.8 в зависи- мости от величины озвучиваемой пло- щади S (круглой или слегка овальной формы). Точка А при этом считается наиболее удаленной точкой озвучи- ваемой поверхности. Радиальные гром- коговорители устанавливают на вы- Рис. VII.7. Размещение рупор- ного громкоговорителя для озву- чивания площади. соте 3—4 л! в центре озвучиваемой площади. Для определения необходимого уровня громкости передачи следует воспользоваться графиком (рис. VII 9). К величине уровня передачи, полученной из графика, следует приба- вить 12 дб для перехода к пиковым значениям мощностей, иа которые рас- считывают громкоговорители и усилители. ным громкоговорителем, от рас- стояния. Улица пенном движе- нием Тихая улица сма- льт ОВиже- наем Улица сосредАсожиб ним движе- нием Уровень громкости шума, дб. Наибо- лее шум- ные ули- цы Рис. VI 1.9. График зависи- мости уровня громкости пе- редачи, необходимого для разборчивого восприятия, от уровня внешних шумов. Зная уровень громкости N дб в точке А, определяют звуковое давле- ние р дин/см2 по формуле р = 0,0002 . IO0'06".
Озвучивание 265 Электрическая мощность Рэ ва, которую нужно подвести к громкогово- рителю, определяется по формуле о3 P3 = PK~~(h2 + P), Р1 где Р„ — номинальная мощность громкоговорителя, ва; pt — среднее зву- ковое давление, развиваемое громкоговорителем при номинальной мощности па расстоянии 1 м, дин/см2; h и I — расстояния, м. Величины р, приве- дены в табл. VII.6 и VII 8. Пример 1. С помощью громкоговорителя 50ГРД-9 требуется озву- чить площадь 1600 м2 овальной формы с уровнем шума 67 дб. Определить расстояние I н мощность, которую нужно подвести к громкоговорителю. По графику иа рис. VII.8 находим I = 60 м Принимаем высоту под- веса ft = 12 м По графику на рис. VII.9 для уровня шума 67 дб находим уровень громкости 68 дб. Прибавляя 12 дб, получим уровень громкости W = 80 дб, р = 0,0002 - 10* = 2 дин!см2, р, = 335 дин/см2 (табл. VI 1.6). Тогда 23 Р9 = 50 ——- (122 + 602) = 6,7 ва. 330" П р и м е р 2. На расстоянии 20 м от основания подвеса звуковой ко- лонки 50КЗ 1 требуется получить уровень звукового давления 80 дб. Колонка подвешена на высоте 10 м. Определить мощность, которую нужно подвести к колонке. Находим: р = р0 • I0°-05JV = 0,0002 • ю0-05 80 = 2 дин/см2; 22 Рэ = 50 — (102 + 202) = 32 ва. □о2 Если форма площади такова, что ее нельзя обслужить одним громко- говорителем или мощность громкоговорителя недостаточна, то исполь- зуют несколько громкоговорителей. Распределение их определяется в за- висимости от формы озвучиваемой поверхности. Для обслуживания пло- щадей часто применяют централизованное расположение громкоговорителей ♦веером», при озвучивании аллен, дорог и т. п. предпочитают расположе- ние их «цепочкой». При централизованном расположении рупорных гром- коговорителей не следует делать углы между их осями больше 20—30°. При размещении громкоговорителей цепочкой не рекомендуется устанав- ливать их на расстоянии более 30—40 м один от другого. Озвучивание помещений обычно основывается на том же принципе, что и озвучивание открытых пространств. Чаще всего в больших помеще- ниях применяются звуковые колонки или несколько рупорных громкого- ворителей, располагаемых у передней стены так, чтобы оси громкоговори- телей были направлены на слушателей, сидящих в конце зала. Для ослабления реверберации в помещении должно быть много предметов, хорошо поглощающих звуковые волны (драпировки, мягкая мебель и т. п.). Для расчета требуемой для озвучивания помещений электрической мощности можно воспользоваться графиком, приведенным на рис. VI 1.10.
266 Акустика и электроакустика Озвучивание жилых комнат осуществляется посредством диффузорных громкоговорителей. Громкость передачи получается вполне достаточной, если громкоговоритель развивает на расстоянии 1 м по своей оси в услови- ях обычной городской жилой комнаты (15—20 ж2) давление 2,5—2,8 дин!см* и в условиях сельской местности — 1,7—2 дин!см2 Необходимая электри- ческая мощность зависит от типа громкоговорителя. Рис. VII.10. График зависимости электри- ческой мощности, необходимой для озвучи- вания закрытого помещения (дли уровня громкости 80—90 дб), от объема помещения. При озвучивании помещений с площадью, большей 15—20 я2» исходят из того, что требуемая электрическая мощность пропорциональна объему помещения. § 6. АКУСТИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ ДЛЯ ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ЗВУКА Простейшая акустическая система для воспроизведения звука может состоять только из одного громкоговорителя, установленного в ящике, номинальная мощность громкоговорителя должна быть равна или превы- шать максимальную иеискажеииую мощность выходного каскада усилителя. Громкоговоритель должен равномерно воспроизводить полосу частот, на которую рассчитан усилитель. Желательно применять громкоговорители с достаточно низкой резонансной частотой. Частотная характеристика такой системы определяется не только па- раметрами громкоговорителя, но во многом зависит и от акустических параметров ящика, особенно в области низких частот до резонансной частоты объема ящика. Экспериментально установлено, что наибольший подъем низких частот и наименьшая неравномерность получаются, если
Акустические системы для воспроизведения звука 267 отношение резонансной частоты объема ящика к резонансной частоте подвижной системы громкоговорителя лежит в пределах от 1,5 до 2. Резонансная частота объема ящика может быть определена по формуле /я = 8,5 - Юз ]/ гц, где V — объем ящика, см3; гэ — эквивалентный радиус заднего выходного отверстия ящика, £я — площадь заднего выходного отверстия, см3. Минимальное значение резонансной частоты ящика получается при равенстве эквивалентного радиуса гэ н длины (глубины) ящика /я. При этом , 4,7 - 103 Если задана нижняя граничная частота акустической системы /н и отношение резонансных частот ящика и громкоговорителя, то размеры ящика могут быть рассчитаны по следующим формулам: 4,7-103 ' /я =----—----- см; S„ = лг* = л/*. «1/н Ширину ящика Ь и высоту Л можно определить по формуле Ыг — 5Я, задаваясь отношением b/h. Акустические системы, состоящие из двух громкоговорителей, распо- ложенных рядом иа экранной доске и работающих синфазно в одном и том же диапазоне частот, обеспечивают значительно лучшее воспроизве- дение низких частот и большую равномерность частотной характеристики. При воспроизведении не чувствуется «бубнения» и реже возникает само- возбуждение. Экспериментально установлено, что максимальная эффективность вос- произведения низких частот достигается при условии, что отношение ре- зонансных частот объема ящика и одного нз громкоговорителей будет в пределах kt — 1.5 — 2, а отношение резонансных частот дву х громко- говорителей — в пределах к-> = 1,2 — 1.5. Наибольшее отношение следует выбирать для громкоговорителей с диффузорами диаметром от 100 до 200 мм, а наименьшее — для громкоговорителей с диффузорами диаметром 250— 300 мм. Длина (глубина) ящика в этом случае определяется по формуле I _ 4.7- 10» ‘я —----------- ^1^2/н Другие конструктивные размеры рассчитываются так же, как и для системы с одним громкоговорителем. Для улучшения звучания на низких частотах можно применять фа- зоинвертор — закрытый ящик с дополнительным отверстием, находящимся обычно под громкоговорителем. При использовании фазоннвертора повы- шается чувствительность громкоговорителя в области низких частот и умень- шаются нелинейные искажения. Одна из конструкции фаэоинвертора при- ведена на рис. VI 1.11.
268 Акустика и электроакустика Ящик фазоинвертора следует устанавливать на полу на толстых (30— 50 мм) резиновых подкладках. Если в ящике фазоинвертора устанавлива- ются дополнительные высокочастотные громкоговорители (см. ниже), то их следует прикрывать сзади жесткими колпаками, чтобы исключить влияние излучения с обратиой стороны. Для расширения полосы воспроизводимых частот в сторону высоких частот используют комбинации двух и более громкоговорителей различного устройства, предназначенных для работы в соответствующих частях час- тотного диапазона. Рис. VII. 11. Конструкция акустического фазоинвертора. Системы объемного звучания (3D и 4R) характеризуются таким рас- положением громкоговорителей, которое создает малонаправлеиное излу- чение звуковых колебаний на всех частотах, т. е. широкую диаграмму направленности. При этом слушателю кажется, что источник звука намного шире, чем сам радиоприемник, и создается впечатление объемности. Наиболее распространенное размещение громкоговорителей в системе 3D (3 Dimension — три измерения) показано на рис. VII.12. Фронталь- ные широкополосные громкоговорители / имеют одинаковую номинальною мощность (от 3 до 5 ва в зависимости от мощности выходного каскада и размеров ящика), но разные резонансные частоты. Мощность боковых
Акустические системы для воспроизведения звука 269 40—50 гц, а на передней высокочастотных громкоговорителей 2 около 1 ва; они Включаются через разделительный конденсатор (2—10 мкф). Вместо двух фронтальных громкоговорителей можно применить один мощностью 5—10 ва с резонансной частотой панели разместить дополнительно 1—2 высо- кочастотных громкоговорителя (например, ВГД-1), включенных в одну цепь с боковы ми. Целесообразно размещать малый громко- говоритель внутри большого. Высокочастот- ные громкоговорители можно размещать под любым углом к основным (фронтальным) и по обе стороны от них. Акустическая система 4R (Raumton — объемный звук), кроме громкоговорителей, размещенных па стенках ящика, имеет еще один или несколько дополнительных громко- говорителей, установленных под верхней крышкой или на дне ящика. Перед диффузо- ром центрального громкоговорителя помещается рассеивающий конус. В такой системе проявление эффекта объемности не зависит от акустики помещения и места расположения приемника. Система псевдостереофонического звуковоспроизведения создает ими- тацию стереофонического эффекта при одпокаиальной передаче. В насто- Рис. VII. 12. Размещение громкоговорителей для по- лучения широкой диаграм- мы направленности. Рис. VI 1.13. Разнесенная акустиче- ская система: I — низкочастотная; 2 — среднечастотиая; 3 — высокочастотная группы; 4 — элек- трическая часть (усилитель). ящее время для получения псев- достереофонического звучания используются два способа: 1) разнесение акустической си- стемы с разделением полосы воспроизводимых частот на 2— 3 канала н 2) временная за- держка сигнала в УНЧ при сосредоточенной акустической системе. Разнесенная акустическая система имеет ряд преимуществ. При такой системе электри- ческая часть всей установки (усилитель) может быть значи- тельно уменьшена н установлена в наиболее удобном месте- Разде- ление акустической и электри- ческой части полностью устра- няет опасность возникновения микрофонного эффекта. воспроизведения звука применя- ются двухканальные усилители. В трехканальиой системе третий канал получается разделением мощности на выходе высокочастотного усилителя между среднечастотными и высокочастотными громкоговорителями при помощи разделительной емкости. Хороший псевдостереофопический эффект получается при использо- вании обычного приемника с одиночным громкоговорителем мощностью 5—6 ва и дополнительных выиосиых громкоговорителей мощностью 0,5— 1 ва, работающих в области только средних и высших частот. В двух- и трехканальных системах
270 Акустика и электроакустика Пример осуществления разнесенной акустической системы показан на рис. VII.13. Система состоит из низкочастотной /, среднечастотной 2 и высокочастотной 3 групп. Низкочастотная группа, воспроизводящая полосу частот от 40 до 500 гц, состоит из двух громкоговорителей 4ГД-1, помещенных в ящик с замкнутым объемом, стеики которого внутри обиты войлоком или ва- той. Ящик имеет форму призмы, основанием которой служит равносторон- ний треугольник (размер стороны 350 мм). Боковые стенки имеют размеры 700 X 350 мк Низкочастотная группа устанавливается в углу комнаты» что улучшает эффективность воспроизведения низких частот. Средние частоты (от 300 до 8000 гц) язлучает громкоговоритель 5ГД-14, в котором изъят высокочастотный диффузор. Громкоговоритель помещен в ящик с замкнутым объемом, имеющий форму неправильной треугольной призмы Размеры передней грани 270 X 23 леи Боковые грани — рав- носторонние трапеции с основаниями 230 и 150 мм Угол между боковыми гранями 90°. Этот громкоговоритель размещается на стене на расстоянии 3—4 м от низкочастотного. Высокочастотная группа состоит из двух громкоговорителей ВГД-1 или 1ГД-9, каждый из которых помещен в такой же по форм ящик, каки средиечастотный громкоговоритель. Размеры передней грани 150 X 120 мм, основания боковых граней 120 и 50 мм. Высокочастотные громкоговори- тели воспроизводят частоты от 5000 до 15 000 гц. Они подвешиваются на боковых стенках комнаты на расстоянии 3—4 м от задней стены. Искусственная задержка сигнала во времени создается в усилителе низкой частоты (УНЧ) Для этого полоса воспроизводимых частот разде- ляется на два капала и задержка осуществляется в одном из каналов, чаще всего в низкочастотном, с помощью цепочек задержки или фазоврз- щающих цепочек (см. § 20 гл. IX). • Литература 1. Бектабегов А. К Звукосниматели. М.— Л., Госэнергоиздат, 1958 2. Ганзбург М. Д. Улучшение звучания приемника М — Л , Гос- эиергоиздат. 1958. 3. Д о л ь и и к А. Г. Громкоговорители. М.— Л., Госэнергоиздат, 1958 4. Й о ф е В. К Электроакустика. М., Связьиздат, 1954. 5. Кольцов Б. В Миниатюрные громкоговорители для приемников на транзисторах. М.— Л., Госэнергоиздат, 1960. 6 Э ф р у с с и М. М. Акустическое оформление громкоговорителей. М — Л Госэнергоиздат, 1962.
ГЛАВА ЭЛЕКТРОННЫЕ И ИОННЫЕ ПРИБОРЫ VIII § 1. ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛАМПЫ Электронная лампа представляет собой электровакуумный прибор, основными элементами которого являются катод, испускающий поток электронов анод, улавливающий электроны, и сетки, предназначенные для управления электронным потоком [2, 9] Различают лампы прямого накала, в которых катодом является не- посредственно накаливаемая током проволока (инть), и лампы косвенного накала, в которых раскаленная проволока выполняет только роль подогре- вателя катода. При работе лампы аиод бомбардируется электронами н разогревается. Степень разогрева анода определяется величиной мощности рассеивания на аиоде Ра, равной произведению приложенного к аноду напряжения па анодный ток /а Ра = </а/а. Ниже приводится классификация электронных ламп. Диод — двухэлектродная лампа, состоящая из катода и анода. При- меняется в качестве детектора в вещательных н телевизионных приемниках, а также вентиля (кенотрона) в выпрямителях переменного тока. Па рис. VIII.1 приведена типичная анодная характеристика диода (зависимость анодного тока /а от приложенного к аноду напряжения (7а). Параметры диода. Сопротивление постоянному току Ra, которое определяется согласно закону Ома как отношение напряжения на аноде </а к анодному току /а в рабочей точке А характеристики лампы (рис. VIII. I) Сопротивление обычно составляет сотни ом. Внутреннее сопротивление переменному току (динамическое) R, опре- деляется как отношение приращения (небольшого изменения) напряжения на аноде Д(Уа к приращению анодного тока Д/а в рабочей точке характерис- тики Внутреннее сопротивление 2 — —- Rtf О
272 Электронные и ионные приборы Крутизна характеристики 51 АЛ Ri &Ua ' Крутизна характеристики обычно измеряется в миллиамперах иа вольт (ма/в). Триод — трехэлектродиая лампа, имеющая, кроме катода и анода, дополнительный электрод — сетку, управляющую анодным током. На- ходит широкое применение в качестве усилителя и генератора электриче- ских колебаний. Рис. VI 11.1 Анодная характе- ристика диода типа 6Д4Ж- Рис. VIII.2. Анодно-сеточные ха- рактеристики триода типа 6Н5С. На рис. VIII.2 представлены анодио-сеточные характеристики /а = = f (Uc) триода, а на рис. V1II.3 — анодные /а — f (1/а) (штрих пунктиром обозначена линия допустимой мощности рассеяния на аноде лампы). Основные параметры триода. Коэффициент усиления р определяется как взятое с отрицательным знаком отношение приращения напряжения на аноде А</а к приращению напряжения иа сетке Д17с при постоянном анодном токе /а ДС/а Д47(. при /а = const Коэффициент усиления является безразмерной величиной, равной для триодои нескольким десяткам.
Электронные лампы 273 Внутреннее сопротивление лампы (переменному току) Ri bUa м при Uс = const, где Д/а — приращение анодшто тока, а, Uc — напряжение на сетке, в Для триодов Ri обычно со- ставляет от нескольких сотен ом до нескольких десятков килоом. Крутизна характеристики S =------ при Ua = const, Д4/ с где — напряжение па аноде. Параметры триода могут быть определены для заданной рабочей точки А непосредствен- но по характеристикам лампы (рис. VIII.2, VIII.3). Соотношение между основ- ными параметрами триода SRi = И, где S — a/е, Ri — ал, или S — ма/в, a Ri — ком. Из характеристик триода видно, что параметры лампы не являются постоянными, а меняются в широких преде ах в зависимости от выбора рабочей точки. При этом, как видно из рис VIII 4. меньше всего меняется коэффициент усиления лампы. Рис. VIII.3. Диодные характеристики триода типа 6Н5С: — -— — наибольшая мощность, рассеивае- мая анодом. Рис. VIII.4 Зависимость параметров двой- ного триода типа 6Н9С от напряжения сме- щения на сетке. Важными параметрами, характеризующими триод, являются также междуэлектродные статистические емкости: входная Сс к (между сеткой и катодом), выходная СЛ к (между анодом и катодом) и проходная Сас (между анодом и сеткой).
274 Электронные и ионные приборы Относительно большая (порядка нескольких пикофарад) проходная емкостьСа с является существенным недостатком триодов, ограничивающим их применение иа высоких частотах. Тетрод — четырехэлектродная лампа, отличающаяся от триода нали- чием второй (экранной) сетки. Экранная сетка, будучи заземлена по высокой частоте, уменьшает величину проходной емкости Са с до сотых долей пикофарады. На рис. VIII.5 представлены типичные характеристики тетрода. Ос- новное их отличие от характеристик триода заключается в том, что анод- ный ток в широкой области почти не зависит от величины напряже- ния на аноде. Существенным недостатком тет- рода является провал в характе- ристике анодного тока, вызываемый динатрониым эффектом, сущность которого заключается в том, что при анодных напряжениях, близких к напряжению на экранной сетке, вторичные электроны, выбитые из анода, не возвращаются на анод, а поступают на экранную сетку. Пентод — пятиэлектродная лам- Рис VIII.5. Анодные и экранно- па' отличающаяся от тетрода иа- анодные характеристики тетрода. личием третьей (антидинатронной или защитной) сетки, расположен- ной между анодом н экранной сет- кой. Эта сетка обычно имеет нулевой потенциал, поэтому она не дает возможности вторичным электронам попасть с анода иа экранную сетку и тем самым устраняет провал в характеристике анодного тока. На рис. VIII.6 приведены типичные анодные и экранно-анодные ха- рактеристики пентода. Пентоды в настоящее время применяются очень широко, в частности они полностью заменили тетроды в высокочастотных трактах приемно-усилительных схем. Лучевой тетрод — четырехэлектродная лампа, в которой для подавле- ния динатронного эффекта применена специальная конструкция электро- дов лампы, фокусирующая электроны, летящие от катода к аиоду, в уз- кие пучки (лучи). Таким образом, электронный поток в пространстве между экранирующей сеткой и анодом значительно уплотняется, что при- водит к образованию минимума потенциала вблизи анода. Эго препятствует попаданию вторичных электронов, выбитых из анода, па экранную сетку. Пентод с прикатодной сеткой — обычный или лу чевой пентод, в ко- тором между управляющей сеткой и катодом помещен дополнительный электрод — прикатодная сетка. На прккатодную сетку подается положи- тельный потенциал 6—12 в относительно катода. Сильное тормозящее ноле в пространстве между прикатодной и управляющей сетками образует у поверхности управляющей сетки электронное облако, служащее источни- ком электронов для цепей анода и экранной сетки н получившее, в связи с этим, название виртуального (фиктивного) катода, вследствие малого расстояния между управляющей сеткой и виртуальным катодом крутизна лампы получается достаточно большой, а значительное расстояние между управляющей и прикатодпыми сетками обусловливает малую входную
Электронные лампы 275 емкость. Это является причиной высокой добротности * (порядка 200— 500 Мгц) пентодов с прикатодиой сеткой. Пентод со вторичном эмиссией характеризуется дополнительной ка- Рис. VIII.6. Характеристики высокочастотного пентода типа 6К4: ----------------------------- анодные;-------экранно-анодные. больше единицы. Эго обеспечивает высокую крутизну характеристики анодного тока. Параметры тетродов и пентодов. Внутреннее сопро- тивление (цепи анода) Л/а при Uc — const, U3 = const и (УС1 = 0 = const ***, где U3 — напряжение иа экранной сетке; Uc, — напряжение на пентодной сетке. Внутреннее сопротивление тетродов и пентодов во много раз больше, чем у триодов, и составляет от сотеи тысяч ом до нескольких мегом. Внутреннее сопротивление цепи экранной сетки R,i Д/э при Uс = const, Ua = const и = 0 = const *** где ДУ9 и Д/э — соответственно приращения напряжения и тока экранной сетки. • См. стр. 276. • * * **• Коэффициентом вторичной эмиссии называется .отношение количества вторич* ных электроне», выходящих из металла под действием электронной бомбардировки, к числу первичных электронов, попадающих па металл. **• Для пентодов.
£76 Электронные и ионные приборы Коэффициент усиления (управляющей сетки относительно анода) &Ua |л = — - при /а = const, U3 = const и U — 0 = const *. Коэффициент усиления (управляющей сетки относительно экранной) Д1/9 Ц - при /э = const Ас/ с где 7Э—ток экранной сетки. Крутизна характеристики (анодного тока) Л/, S - —---- при U3 — const, U3 — const и (Л = 0 = const * Д44 (составляет от единиц до нескольких десятков миллиампер на вольт). Крутизна характеристики экранного тока Д/э Хэ = при U3 ~ const и Uъ = const. Добротность — понятие, служащее для оценки лампы при широко- полосном усилении. Добротность Д определяется как произведение мак- симально возможного коэффициента усиления каскада К на полосу про- пускания AF и выражается через крутизну X и сумму междуэлектродных емкостей лампы X Д = KAF = —-----—------Мгц. ^вх ' ^вых Тетроды и пентоды, а также некоторые другие многосеточные лампы выполняются как с короткой сеточной характеристикой (резкая отсечка анодного тока), так и с удлиненной характеристикой (варпмю), крутизна которой изменяется в широких пределах в зависимости от выбора рабо- чей точки. Лампы с удлиненной характеристикой широко применяются, например, в схемах автоматической регулировки усиления (АРУ). Гексод — шестиэлектродная лампа с четырьмя сетками. Применяется в качестве смесителя. При этом иа первую сетку подается напряжение местного гетеродина, а на третью — сигнальную — входной сигнал. Вто- рая и четвертая сетки являются экранирующими. Основными параметрами смесительной лампы являются крутизна преобразования ХП, определяемая как отношение составляющей анодного тока промежуточной частоты Д/а п ч к переменному напряжению иа управляющей сетке и внутреннее сопротивление по промежуточной частоте, шунтирующее колебательный контур в анодной цепи Д1-„ ч Гептод (пеита рид) — семиэлектродная лампа с пятью сетками, широко применяется как двухсеточный преобразователь частоты или смеситель. При работе в качестве преобразователя на первых трех электродах лампы монтируется гетеродин, остальные электроды, образующие тетродную или пентодную части лампы, выполняют роль смесителя. Для пентодов.
Электронные лампы 277 Октод — восьмиэлектродная лампа, являющаяся сочетанием триодной и пентодной частей. Октод, так же как и гептод, применяется в качестве преобразователя. Комбинированные лампы представляют собой несколько ламп, смон- тированных в одном баллоне. Применяются для уменьшения общего числа ламп в радиоустройстве. К такого рода лампам относятся: двойные диоды, триоды, тетроды, пентоды, а также диод-триод, двойной диод-триод, диод- пентод, двойной диод-нентод, триод-пеитод, триод гексод, триод-гептод и др. Маркировка электронных ламп производится по ГОСТ 5461—59, со- гласно которому обозначения приемно-усилительных ламп и кенотронов для питания этих ламп состоят из четырех элементов: первый элемент — число, указывающее напряжение накала в вольтах (округленно); второй элемент — буква, характеризующая тип лампы: Д — диод, X — двойной диод, С— триод, Э — тетрод, ' К — пентод с удлиненной характеристикой (варимю), Ж — пентод с короткой характеристикой, В — пентод со вторичной эмиссией, П — выходной пентод и лучевой тетрод, А — двухсеточный преобразователь частоты, Г — триод с одним или двумя диодами, Б — пентод с одним или двумя диодами, Н — двойной триод, Р — двойной тетрод, двойной пентод, Ф — триод-пентод, И — триод-гексод, триод-гептод, триод-октод, Е — индикатор настройки, Ц — кенотрон; третий элемент — число, указывающее порядковый номер типа лампы; четвертый элемент — буква, характеризующая конструк- тивное оформление лампы: С — со стеклянным баллоном, К — в керамической оболочке, Ж — типа «желудь», Д — с дисковыми выводами (впаями), Л — с замком в ключе, П — пальчиковая, Б — сверхминиатюрная, диаметром 10 мм, А — сверхминиатюрная, диаметром 6 мм, Р — сверхминиатюрная, диаметром 4 мм, Н — сверхминиатюрная металлокерамическая, — без обозначения — лампа с металлическим баллоном; дополнительный индекс — буква, характеризующая при- надлежность к той или иной категории ламп повышенной надежности: В — с повышенной механической прочностью, К — с высокой виброустойчивостью, Е — долговечные (3—10 тыс. ч работы), И — предназначенные для импульсной работы.
278 Электронные и ионные приборы Пятый элемент в маркировке не обязателен. Он присваивается лампе в том случае, если она является разновидностью другой лампы с аналогич- ными электрическими характеристиками. Большинство ламп повышенной надежности составляют миниатюрные и сверхминиатюрные лампы (1]. В табл. VI1I.1—VIII.6 приведены основные параметры приемно-уси- лительных ламп и маломощных кенотронов, а в табл. VIII.7— основные параметры некоторых генераторных ламп с естественным охлаждением, применяющихся в телевизионной и усилительной аппаратуре. Схемы ламп и цоколевки приведены в конце каждой таблицы. Па всех схемах показано расположение штырьков со стороны цоколя ламп (вид снизу). Для ламп типа желудь это вид сверху. Электроды на схемах соединений с внешними выводами обозначены буквами:^ ' 1 - а — анод; аД — анод диода; аДх или аДг — анод первого или второго диода; аТ — анод триода; (Продолжение на стр. 315) Таблица VIII.1 Диоды CQ § Накал гс И к н а К 5* ток, ма ГС 6 к; катодом 1ЫС0ТЗ, 1 Обозяа ченис лампы к гс £ <в ЕС X тая амг о напря *5 К ЕЕ <L лая амт да, ма между [. пф к гс as л 1 56 ГС X § к Род * к р. Ток, а болы 1ТНОГ ia, в ZHud л 2 go § S ТЕ о <D 6 к гс Паи обрг ано; s с Нан ток? Мак мм Гч К 2Д1С 1 Кос- венный 2,5 0,4 100 1,6 — 0,2 2ДЗБ 1 Пря- 2,4 0,11 — 5,0 — 2,4 36 10,2 МОН 6Д4Ж 1 Кос- венным 6,3 0,15 365 <4,8 30 1,91 31 29,49 6Д6А 1 То же 6,3 0,15 450 8—10 70 3 362) 7,2 6Д14ПЗ) 1 » » 6,3 1,1 5600 150 600 10 75 22,5 6Д20П») 1 6,3 1,1 6500 220 500 9 90 22.5 6Д22С9 1 » » 6,3 1,9 6000 300 1000 12 110 30 6Х2П 2 » » 6,3 0,3 450 17 90 3,8 48 19 6Х6С 2 » » 6,3 0,3 465 ^16 50 4 85 33 6Х7Б 2 6,3 0,3 450 10 70 5,8 362) 10,2 12ХЗС 2 » » 12,6 0,073 100 2,0 20 0,48 — —- 1) С выводами 2) Без выводов. Длина народов 40 к.ч В) Демпферный диод для схем телевизионной развертки.
Электронные лампы 279 Q 2Д.1С
,, Таблица VIH.2 Кенотроны Обозначение лампы Количе- ство ано- дов Накал Внутрен- нее сопро- тивление, ком Наибольшая амплитуда обратного на- пряжения, в Наиболь- шая ам- плитуда тока ано- да, ма Выпрям- ленный ток. ма Высота максималь- ная, мм Диаметр максималь- ный. мм Род Напря- жение, в Ток, о Щ1С 1 Прямой 0,7 0 185 7,5 15 000 5 0,5 90 32,3 1Ц7С 1 » 1,25 0,2 14 30 000 17 2 102 32 1Ц11П 1 1,2 0,2 20 20 000 2 0,3 65 19 2Ц2С 1 » 2,5 1,75 4,5 12 500 100 6,8 114 40 ЗЦ16С 1 Косвенный 3,15 0,21 — 35 000 80 1,1 105 32,8 ЗЦ18П ч 1 3,15 0,21 15 25 000 15 1,5 65 19 ЗЦ22С 1 » 3,15 0,4 20 36000 80 4,5 90 30 5ЦЗС 2 в 5 3 0,2 1 700 750 230-250 140 52 5Ц4М 2 » 5 2 0 15 1 550 415 133—140 92 33 5Ц4С 2 5 2 0,15 1 350 375 122-125 115 42 5Ц8С 2 » 5 5 0,2 1 700 1200 400 134 52 5Ц9С 2 » 5 3 0,3 1 700 600 190 93,5 45,3 5Ц12П 1 Прямой 5 0,76 0,50 5 000 350 50 75 22,5 6Ц4П 2 Косвенный 6,3 0,6 0,25 1 000 300 72-75 62 19 6Ц5С 2 » 6,3 0,6 0,25 1 375 300 70-75 75 32,5 6Ц10П1) 1 6,3 1,05 0,1 4 500 2) 450 120 75 22,5 6Ц13П 1 » 6,3 0,95 0,12 1 600 900 120 75 22,5 6Ц15С 2 6,3 1,43 — 1 350 375 62 6Ц17О) 1 » 6,3 1,8 0,045 4 500 2) 1200 200 32,8 100 6Ц19П1) 1 6,3 1,1 0 1 4 500 2) 450 120 75 22,5 30Ц6С 2 » 30 0,3 0,15 500 500 120 115 42 ’) Имеет повышенную изоляцию между катодом и подогревателем, применяется в качестве демпфера в генераторах строчной Р??,ВпЛТКИппп аибольи1со напряжение между катодом и подогревателем («+» на катоде) 750 в для ламп типа бЦЮПи oUisiI и аии в для лампы 6Ц1/С, наибольшее импульсное напряжение между катодом и подогревателем («+» на катоде) 4.5 к» пои продолжительности импульса нс более )2 мксек. « » “к" >) При продолжительности импульса обратного напряжения 12 мксек, 280 Электронные и ионные приборы ' Электронные лампы 281
282 Электронные и ионные приборы Триоды, двойные триоды, двойные диод-триоды, индикаторы настройки Обозначение лампы Тип лампы Накал Напряжение анода, в Постоянное смещение на сетке, в Ток анода, ма Крутизна ха- рактеристики, ма/е о Q, Напряже- ние, в Ток, а 1С12П Триод высокой ча- Пря- 1,2 0,03 60 —0,75 1.5 0.9 1С38А стоты То же МОЙ Пря- 0,9 0,85 70 0 1,5 0,86 2С4С Выходной триод мой Пря- 2,5 2,5 250 —45 62 5,4 2С14Б То же мой » 2,2 0,06 250 2,0 4СЗС Триод те (ератор- Кос- 4.4 0,33 100 —4 27,5 3 6С1Ж ный Триод высокой час- вен- ный » 6,3’ 0.15 250 —7 6,1 2,25 6С1П ТОТЫ То же 6,3 0,15 250 —7 6,1 2,26 6С2Б » » » 6,3 0,25 150 —1,5 11,5 11 6С2С Триод со средним » 6,3 0.3 250 —8 9,0 2,55 6СЗБ коэффициентом усиления Триод низкой час- » 6,3 0,15 270 1,5 ком2) 8,5 2,2 6СЗП ТОТЫ Триод высокой час- » 6.3 0.3 150 — 1,6 16 20 6С1С ТОТЫ Выходной триод Пря- 6,3 1 0 250 —45 62 5,4 6С4П Триод высокой час- мой Кос- 6,3 0,3 150 —1,6 16 20 6С5С тоты для схем с за землей ной сеткой Триод со средним вен- ный в 6,3 0.3 250 g 8 2,2 6С5Д коэффициентом усиления Триод высокой час- » 6,3 0,77 250 15 4,75 6С6Б ТОТЫ Триод со средним » 6,3 0,2 120 220 ом2) 9 О 6С7Б коэффициентом усиления Триод с большим » 6,3 0,2 250 400 ojw2) 4,5 4 6С15П коэффициентом усиления Триод с большой » 6,3 0,44 150 30 ож2) 40 45 6С18С 6С19П крутизной То же » » » > 12,6 или 6,3 6,3 3,3 или 6,6 1,0 120 100 —20 —20 550 95 40 7,5
Электронные лампы 283 Таблица VH1.3 коэффициент усиления Внутреннее сопротивле- ние. ком Сопротивле- ние нагрузки, КОМ Выходная мощность, ет Максимально допустимая мощность, рассеиваемая анодом, вт Междуэлектрод- иая емкость, пф Максималь- ный диаметр, мм Максимальная высота, мм Схема лампы и цоколевка Оболняяоние лампы входная выходная проходная 16 18 — — 0,25 0,9 0,8 2,0 19 60 42 1С1211 24,5 28 — — — 0,85 1,25 1,15 — — 45 1С38А 4,15 0,84 2,5 >2,8 15 — — — 52 140 1 2С4С 5 — 0,8 2,1 2 2,8 — — 51 2С14Б 12,5 4,2 — 0,275 5 — — — 32 49,2 2 4СЗС > 26 11,6 — — 1,8 1 0,6 1,4 29,5 35 3 6С1Ж 26,2 11,6 — 1,8 1,38 1,1 1,35 19 46 4 6С1П 50 4,55 — — 2,5 9 4,5 0,25 10,2 43 5 6С2Б 20,5 8,05 — — — 3 4,5 38 33 84 6 6С2С 14,0 6,4 — — 2,5 2,5 3,9 1,6 10,2 40 7 6СЗБ 50 — — — 3 6,5 1,6 3,0 22,5 60 8 6СЗП 4,15 0,84 2,5 >2,8 15 — — — 52 140 5 6С4С — — — — — 11,5 3,75 0,17 60 100 10 6С4П 20 9 — — 2,5 3 11 2 32,5 84,5 6 6С5С — 9 — — — 2,35 0,05 1,3 33 65 11 6С5Д 25 5 2 — 1,2 3,3 3,5 1,42 10,2 36') 7 6С6Б 66 16,5 — — 1,3 3,3 3,4 <1 10,2 367> 7 6С7Б 52 1,24 — — 7,8 11 1,8 4 22,5 60 12 6С15П 2,5 0,06 60 - 13 6С18С 3,7 0,5 — — 11 6,5 6 2,5 — — 14 6С19П
284 Электронные и ионные приборы Обозначение лампы Тип ЛЭМПЫ Накал Напряжение 1 анода, в 11остоянное смещение иа сетке, в Ток анода, ма Крутизна ха- рактеристики, мд/е Ct о Ct Напряже- нке, в Ток, а 6С20С Т риод для схем ста- билизации высоко- кос- венный 6,3 0,2 25000 —8 1 0,25 ГП-5 го напряжения » 6,3 0.2 30000 —7,5 1,3 0,65 6С26Б-К Триод со средним коэффициентом усиления » 6,3 0,2 120 — 9 5,2 6С27Б-К Триод с большим коэффициентом усиления » 6,3 0,2 250 — 4,5 4,2 6С28Б Триод с большой крутизной » 6,3 0,31 120 100 ом2) 16 19 6С29Б Триод с большой крутизной Кос- вен- ный 6,3 0,31 120 100 ом1) 16 19 6С30Б То же » 6,3 0,42 50 0 10 21 6С31Б » » » 6,3 0,22 50 0 40 18 6С32Б 6СЗЗС Триод с большим коэффициентом усиления Триод для схем стабилизации > То же 6.3 6,3 12,6 0,165 6,6 3,3 200 120 35 од2) 3,5 550 3,5 40 6С34А Триод со средним коэффициентом усиления » » 6,3 0,13 100 120 ом1) 8,5 4,6 6С35А Триод с большим коэффициентом усиления » » 6,3 0,13 200 380 ом2) 3 4 6С37Б Триод с малым коэффициентом усиления » » 6,3 0,44 120 43 40 16,5 6С39С Триод для схем стабилизации высо- кого напряжений » > 6,3 0,2 ЗЮ1 —45 2,5 0,2 6С40П То же > > 6.3 0,17 2 104 —14 0,3 0,2 6С41С Триод с большой крутизной » » 6,3 2,7 90 — 250 21 6СГС Триод для схем стабилизации > » 6,3 3,1 70 —160 2500 45
Электронные лампы 285 Продолжение табл. VI 11.3 Коэффициент усиления Внутреннее сппротивле- ние, ком Сопротивле- ние нагрузки, ком Выходная мощность, вт 1 Максимально I допустимая мощность, рассеиваемая анодом, от Междуэлектрод- иая емкость, пф Максималь- ный диаметр, мм Максимальная высота, мм Схема лампы и цоколе вка Обозначенне лампы входная выход- ная проход- ная 2000 8000 — — 25 — — — — — 15 6С20С — — — — — 4 1,5 0,1 46 125 41 ГП-5 25 4,8 — — 1,4 3,3 3,5 1,4 — — 7 6С2СБ К 70 17 — — 1,45 3,3 3,4 1,0 — — 7 6С27Б-К 40 — — — 2,4 5,8 2,2 3 13 43') 16 6С28Б 40 — — — 2,4 9,5 3,9 0,27 13 43’) 17 6С29Б 17 0,8 —- 5,0 7 0,8 4,5 — 44 6С30Б — — — —. 2,5 4,1 1.5 3,8 — — 45 6С31Б 100 29 — — 1,5 2,8 0,65 1,2 — — 46 6С32Б — 80 — — 4510) 60“) 30 9 31 65 130 13 6СЗЗС 25 — — — 1,1 2 2,3 1,6 7.2 36’) 18 6С34А 70 — — — 0,9 2 2,4 1,7 7,2 36’) 18 6С35А 13 — — — 4,5 6 4,7 3,9 10,5 51’) 19 6С37Б 500 — — — 75 3,5 1,2 0,1 — — 47 6С39С 1000 __ 6,0 2,5 0,5 0,05 48 6С40П — — — — 25 И 5 15 — — 49 6С41С — — — — 33 37 7 38 — — 13 6C47G
286 Электронные и ионные приборы Обозначение лампы Тип лампы Накал Напряжение анода, а Постоянное смещение из сетке, в Ток анода, ма Крутизна ха- ма/в О Q. Напряже кие, е Ток, а 6С51Н Универсальный триод Кос- вен- ный 6,3 0,13 75 130 ол2) 10 11.2 6С52Н Триод высокой час- тоты То же 6,3 0,13 ПО 130ол3) 8 10 6С53Н То же » » 6,3 0,13 120 68 ом2) 11 К 12СЗС Триод со средним коэффициентом усиления » » 12,6 0,1 100 —4 27,5 3 12С42С Триод для схем стабилизации » » 12,6 4,9 120 — 1000 60 1НЗС Выходной двойной триод Пря- мой 1,2 0,12 120 —5,5 2,5 08 6Н1П Двойной триод со средним коэффи- циентом усиления Кос- вен- ный 6,3 0,6 250 бОООол2) 8 >3,2 6Н2П Двойной триод с большим коэффи- циентом усиления То же 6,3 0,345 250 —1.5 2,3 2 6НЗП Двойной триод со средним коэффи- циентом усиления » » 6,3 0,35 150 240 ом1) 7.7 3 4,о 6Н4П Двойной триод » в 6,3 0,3 250 1,3 кои2) 3 1,85 6Н5П » в » » 6,3 0,6 200 600 ом2) 8 3,5 6Н5С Выходной двойной триод » » 6,3 2,5 135 250 о и2) НО 6,7 6Н6П Двойной триод с большим коэффи- циентом усиления » » 6,3 0,6 120 —2 30 11 6Н7С Выходной двойной триод » » 6,3 0,81 300. —6е) 7°) 3,2я) 6Н8С Двойной триод со средним коэффи- циентом усиления » » 6,3 0,6 250 —8 9 2,6 6Н9С Двойной триод с большим коэффи- циентом усиления » » 6,3 0,3 250 —2 2,3 1,6 6Н10С То же » » 6,3 0,3 250 —2 2 1.3
Электронные лампы 287 Продолжение табл. VII 1.3 Коэффициент усиления Внутреннее сопротивле- ние, ком Сопротивле- ние нагрузки, ком Выходная мощность, вт Максимально Допустимая мощность, рассеиваемая •аподом, нт Между эл е ктрод- ная емкость пф Максималь- ный диаметр, мм Максимальная высота, мм Схема лампы и цоколевка Обозначение лампы к СБ X Ч О к д выход- ная проход- ная 32 2,9 — — 1 4,75 2,2 1,75 11 20 52 6С51Н 64 6,4 — — 1 4,75 1,6 0,85 и 20 52 6С52Н 75 5,8 — — 1 4,75 0,06 1,6 11 20 53 6С53Н 12,5 4,1 — — 5 1,5 0,65 1,15 — — 20 12СЗС — — — — 120 40 15 55 — — 50 12G42C II 13,75 7 >0,4 1 — — — 32,3 78 21 1НЗС 35 11 — — 2 3,8 1,75 1,85 22,5 57 22 6Н1П 100 50 101) — 1 1,75 1,3 0,72 22,5 57 22 6112П 37 7,55 — — 1,5 2,5 1,4 1,3 22,5 48,5 23 6ПЗП - .— 21,6 — — 1,5 1,6 1,4 г,з 22,5 58 22 6Н4П — 7,7 — — 9 3 1,5 2,25 22,5 56 22 6Н1 1 — <0,46 — — 13 9,5 5,1 9,5 52 140 25 6Н5С 20 — —• 28) 4,8 4,4 1,9 3,0 22,5 72,5 . 22 6Н6П 356) 11,46) 2,5 >4,2 6 — — — 32,5 83 26 6П7С 20,5 7,9 — — 2,75 2,8s) 0,8s) 3,8s) 33 85 25 6П8С 31) 1,21) 41) 70 44 — — 1,1 3s) 3,8s) 2,8s) 33 85 25 6Ы9С 3,4s) 3,2s) 2,8«) 70 54 — — 1,1 1,45 0,2 1,9 — — 27 6Н 0G
288 Электронные и ионные приборы Обозначение лампы Тип лампы ; Накал Напряжение анода, в Постоянное смещение на сетке, в Ток анода, ма 1 Крутизна ха- 1 1 рактеристикн,| 1 ма?* I ч о ги Напряже- ние, в Ток, а СН12С Двойной триод со средним коэффици- ентом усиления Кос- вен- ный 6,3 0,9 180 —7 23 6,4 61113С Двойной триод То же 6,3 2,8 90 —30 80 ± ±32 5 6Н14П Двойной триод вы- сокой частоты для каскодных схем » 6,3 0,35 90 —1,3 10,5 6,8 СН15П Двойной триод со средним коэффици- ентом усиления » 6,3 0,45 100 50 ол3) 9 5,6 6Н16Б То же » » 6,3 0,4 100 —2,4 8 5,0 6Н17Б Двойной триод с большим коэффи- циентом усиления » 6,3 0,4 200 —1,2 3,4 3,8 СИ18Б Двойной триод со средним коэффи- циентом усиления » » 6,3 0,33 100 325 ол2) 6,3 6П19П Триод с катодной сеткой для импуль- сных схем » » 6,3 0,65 150 50 ол2) 412) 14,5 13,5 6Н23П Двойной триод вы- сокой частоты для каскодных схем » » 6,3 0,3 120 680 ол2) 15 12,5 61124П То же 6,3 0,3 90 680 ол2) 15 12,5 11126П » » » 6,3 0,6 150 100 ом2) 14 9,5 61127П » » » 6,3 0,33 100ол2) 0,9 2,8 12Н4П Дюйиой триод с большим коэффи- циентом усиления » » 12,6 или 6,3 0,15 или 0,3 250 -4 3 -1,85 12Н10С То же » 12,6 0,15 250 —2 2 1,3 12Н11С Двойной триод со средним коэффи- циентом усиления » » 12,6 0,15 180 —6,5 7,2 1,9 6ГР) Двойной диод-триод со средним коэффи- циентом усиления » » 6,3 0.3 250 —9 9.5 1,9 6Г21) Двойной диод-трнод с большим коэффи- циентом усиления » » 6,3 0,3 250 —2 4,5 1 1.1 ЬГЗП1) Тройной диод-триод » » 6,3 0,45 250 —3 1,3 6Г7‘) Двойной диод-триод с большим коэффи- циентом усиления » 6,3 0,3 250 —3 1 1 1,2
Электронные лампы 289 Продолжение таил. I II 1.3 ж 1> 5 1R Н я fl Внутреннее сопротивле- ние. ком сопротивле- ние нагрузки, *0Л1 Выходная мощность, вгп X S а о х допустимая мощность, рассеиваемая анодом, вт Между электрод- Максималь- ный диаметр. ми Максимальная высота, мм Схема лампы и цоколевка Обозначение лампы 1МЯ емкость, пф входная выход- ная КИН -Coxocln 17 2,7 — — 4,2 — — — — — 28 6Н12С 2 0,4 — — 13 7 4,2 9 42 140 25 6Н13С 25 3,9 1,5 4,93) 2.93) <0,3’) 22,5 60 29 6Н14П 2,1’) 1,15’) <1.8<) 38 6,8 — 1,6 2 0,45s) 1. 19 57 30 6Н15П 0,4’) 25 5 0,9 2,55 1 65 1 5 10,2 36’) 31 6Н16Б 75 20 — — 0,9 2,8 1,55 1,6 10,2 36 31 6Н17Б 25 5 — — 0,9 2,6 1,5 1,7 10,2 30’) 31 6Н18Б 70 5,2 — — 2 3,8 1,2 3,4 22,5 60 32 6Н19П 32 2,5 — — 1,8 3,6 2 1,5 22,5 60 22 6Н23П 33 2,6 1,8 2,6 6,3 3,2 1,3 22;5 60 24 6Н24Г1 48 5 — — 4 2,2 1,9 22,5 72 23 6Н26П 13 4,7 — 0,6 3 2 1,3 22,5 57 22 6Н27П 40 22 — — 1.5 1,6 1,6 1,3 — — 33 12Н4П 70 54 1,1 1,5 0,2 2 27 I2HI0C 16 8,5 — — 1.8 3,2 2,6 3 — — 34 12HUC 16 8,5 10 0,3 2,5 3.6 2,8 2.4 33 67 36 6Г1 96 91 — — — 3,2 3 1,6 33 67 35 6Г2 63 1 2,0 1,25 2,3 22,5 60 36 6ГЗП 70 58 — — 2 5 3,8 1,4 33 80 37 6Г7 Ю 1—1393
290 Электронные и ионные приборы Обозначение лампы Тип лампы Накал Напряжение анода, я Постоянное i смещение на сетке, а Ток анода, ма Крутизна ха- рактеристик! ,ча/л о П. Напряже- ние, 19 Ток. а 12ГР) Двойной диод- триод со сред- ним коэффици- ентом усиления Кос- 12,6 вен- ный 0,15 250 —9 9,5 1,9 12Г2’) Двойной диод- триод с большим коэффициентом усиления Тоже 12,6 0,15 250 —2 1,15 1,1 6Е1П1) Оптический ин- дикатор на- стройки » 6,3 0,3 2509) —2 4 1,2 6Е2П13) То же » 6,3 0,58 150»б) —4 1,3 1,5 1,4* ) 6Е5С1) » » » 6,3 0,3 2506) —4 5,3 1,2 ’) Параметры приведены для триодной части лампы. ®) Сопротивление в цепи катода каждого триода для автоматического смещения. а) Первого триода * ) Второго триода. * ) Напряжение экрана (кратера) 250 в, ток экрана 2,9’лз. • ) Анод и сетка первого триода соединены соответственно с анодом и сеткой второго триода. ’ ) Без выводов. Длина выводов 35 мя. ®) В двухтактной схеме- Пентоды и тетроды для усиления напряжения Обозначение лампы Тип лампы Накал Напряжение, анода, в I 1апряжсние второй сетки, в 1 Постоянное смещение на первой сетке, в Ток «года, ма. н о I Спряже- ние, в Ток, а 0.6Ж6Б Пентод НЧ Пря- мой 0,625 0 02 30 30 0 0,15 1Ж17Б Пентод ВЧ с корот- кой характеристикой » 1,2 0,06 60 40 О10) 2 1Ж18Б То же » 1,2 0,024 60 45 0|и) 1,2 1Ж24Б » > » 1,2 0,013 60 45 О'") 1.0 1Ж29Б » » » 1,2 2,4 0,06 0,03 60 45 01°) 5,3
Электронные лампы 291 Продолжение табл. VIU.3 Коэффициент усиления Внутреннее сопротниле ине, ком Сопротивление пчгрузки КОМ Выходная мощность, вт Максимально допус гимая мощность, рчс Сбиваемая анодом, вт Между эле кт род на я емкость, пф Максималь- ный диаметр, ЛШ Максималь- ным высота, мм । Схеме лампы и цоколевка Обозначение лампы входная КВН ГОХ ня проход- ная 16 8,5 10 0,3 2,5 3.6 2,8 2,4 33 67 35 12Г1 96 91 — — — 3,2 3 1,6 33 67 -35 12Г2 21 — — — 0,2 — — — 22,5 75 38 6Е1П 30 — — — 0,4 — — — 22,5 75 39 6Е211 24 20 — — — — — — 32,8 101 40 6Е5С “J Напряжение экрана (кратера) 250 в, ток кратера 5 ма 10) При работе одного катода. Х1) При работе двух катодов. *-) Напряжение на катодной сетке. 1Л) Содержит два отдельных триода, поэтому может работать в схемах визуаль- ного сравнения двух напряжений. 14) Для первого и второго триодов. 15) Напряжение экрана 150—200 в; наибольшая мощность, рассеиваемая на экране, 0.7 вт. Таблица VIII.4 сетки, а» £ а.» я 3 е co- ie, ком о . ° § о о = ® к я Я - но до- мощ- :еивае= сет- Междуэлектроднли емкость, пф Высота макси- мальная, мм я 3 с 2 <я Ч О» Ток второй ма Крутизна х рис тики, X Внутренне прртивлен! Максималь пустнмая ность, расе мая анодов Максималь пустнмая ность, pact мая второй кой, вгп к м я т о Й выхрдная проходная Диаметр mi чальный, . Схема лам цоколевка Обозначен пы <0,1 0.11 900 0.008 — 5 3 0,3 10,2 X Х7.2 32') 1 0.6Ж6Б <0,3 1 — — — 3,2 2,4 <0,01 8,5 429 2 1Ж17Б <0,25 0,7 — — — 3.2 2,4 <0,01 8.5 421) 3 1Ж18Б <0,1 0,9 — —- — 3,6 3 <0,008 8,5 40’) 2 1Ж24Б <0,5 2,5 — — — 5 з <0,005 8,5 401) 4 1Ж29Б
292 Электронные и ионные приборы Ключ © ' 6СЗЗС.6С47С © 6С19П © 6С2ОС
Электронные лампы 2^3
294 Электронные и ионные приборы Эл ктронныг лампы 295
296 Электронные и ионные приборы Обозначение ла-vnw Тип лампы Накал Напряжение анода, в 1 Напряжение Е £ g. о а в Постоянное смешение на первой сетке, в Ток анода, ма g Напряже- ние, в С о 1 '!<30Б 2Ж2М 2Ж14Б 2Ж15Б 2Ж27Л 2Ж27П 2Ж28Л 4Ж1Л 4Ж5С 6Ж1Б 6Ж1Ж 6Ж1Л 6 кш 6Ж2Б С К2П 6ЖЗ t жзп 6Ж4 6Ж4П 6Ж5Б 6Ж5П 6Ж6С 6Ж7 6Ж8 6Ж9Б 6Ж9П 6ЖЮБ 6ЖЮП 6ЖНП 6Ж20П3) 6Ж21П4) 6Ж22П6) 6Ж23П 6&31Б 6Ж32П 6ЖЗЗА Пентод универсальны» Пентод ВЧ с короткой характеристикой То же в в » » в » в в в в в в в в в в в в в в в » в в в в в в в в в в в в в » в в в » в в в в в в в в в в » в Пентод с катодной сеткой То же в в Пентод с двумя раз- дельными анодами Пентод с короткой характеристикой Пентод НЧ для звуко- записи Пентод ВЧ с короткой характеристикой Пря- мой То же в в в в в в в в » в Кос- вен- ный Тоже в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в » в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в в » 1,2 2 2,2 2,2 2,2 2,2 2,3 4,2 4 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 6.3 6,3 6,3 6,3 6,3 6,3 0,015 0,06 0,03 0,014 0,057 0,057 0,028 0,225 1 0,2 0,15 0,15 0,175 0,2 0,175 0,3 0,3 0,45 0,3 0,25 0,45 0,5 0,3 0,3 0,31 0,3 0,25 0,3 0,44 0,45 0,35 0,5 0,44 0,2 0,2 0,13 12 120 120 120 120 150 160 120 250 150 120 120 250 250 250 300 250 120 300 250 250 250 120 150 120 200 150 150 150 150 150 250 120 12 70 45 45 45 75 60 120 100 75 120 120 120 150 150 150 100 120 150 100 100 100 120 150 120 100 150 150 150 150 150 140 100 О11) —1 0 0 0 0 —2 200 ол2) —3 —2,35 200 ол2) 200 ол2) 200 ол2) —1 200 ол2) 160 ом2) 68 ом2) 2 3 160 ол2) —2,4 —3 —3 80 ол2) —1 —1,5 80 ол2) 50 ол2) -1,1 -1,1 — 1,2 —2 —2 120 ол2) 08 1.0 1,9 1,9 1 9 6,8 5,4 7,5 2,75 2 7,5 5,5 5,5 10,8 7 10,25 11 16 10 10 2,1 3 15 15 5 12 6,5 25 18 17 30 12,5е) 3 8,5
Электронные лампы 297 Продочжение табл. VIII. 4 •* Ток второй сет- ки ма Крутизна харак- теристики, Mafe Внутреннее соп- ротивление, ком Максимально до пустнмая мощ- ность, рассеивае- мая анодом, вт Максимально до- пустимая мощ- ность, рассеивае- мая второй сет- кой. ят Междуэл сктрэдн ая емкость, пф Диаметр макси- мальный» мм Высота макси- мальная, мм Схема лампы и цоколевка Обозначение лампы входная выходная проход- ная <0,15 0,6 — — — 8,5 3,5 <0,015 10,5 401) 5 1Ж30Б 0,3 0,8 1500 0,5 — 5,75 8 <0,02 30 80 6 2Ж2М 0,8 1,25 — 0,5 — 4,5 6 0,015 — — 37 2Ж14Б 0,7 0,7 -—. 0,15 — 4 5 0,015 —— —— 37 2Ж15В 0,5 1,27 700 — — 5,3 4,9 0,015 32 65,3 7 2Ж27Л 0,5 1 1600 — 3 2 0,015 19 51 5 2Ж27П 0,5 1,2 1800 1 — 5,4 4 85 0,015 32 65,3 7 2Ж28Л 0,7 1,5 1000 2 — 4,0 42 0,007 32 69 9 4Ж1Л 3,5 2 — — 11 4,5 0,01 — — 10 4Ж5С <3,5 4,8 — 1 035 4,8 3,8 0,03 10,2 36*) И 6Ж1Б 0,7 1,6 1200 —— — 3,5 3 0,018 29,4 47,6 12 6Ж1Ж 0,2 1,5 1000 2 4 4,2 0,007 — — 9 6Ж1Л <3,5 5,2 «300 1,8 0,55 4 2 1 <0,02 19 48 13 6Ж п <6 3,2 — 0,9 0,6 4,9 4 1 <0,03 10,2 36 14 6Ж2Б <5,5 3,55 — 1,8 0,85 4,1 2,2 <0,02 19 48 15 6Ж2П 4 4,9 900 3,3 0,7 8,5 7 <0,003 33 67 16 6ЖЗ 2 5 500 2,5 0,55 6,5 1,8 <0,025 19 57 13 6ЖЗП 22 9 — 3,3 0,45 11 5 <0,015 33 67 17 6Ж4 4,2 44 1500 3 0,6 5,5 5 0,035 19 57 18 6Ж4П 7,5 10 100 24 —- 85 2,2 0 03 10 2 431) 11 6Ж5Б 2,5 9 500 3,2 0,4 10 2,5 <0,03 19 57 18 6Ж5П 2,5 7,5 2000 2,5 0,5 9,5 6,25 <0,03 — — 19 6Ж6С 0,6 1,2 — 0,8 0,1 7 12 <0,005 33 80 19 6Ж7 0,8 1,65 — 2,8 0,7 6 7 <0,005 33 67 17 6Ж8 <5,5 17 — 2,4 0,7 7,5 3,4 <0,055 13 431) 20 6Ж9Б 5 17,5 150 3 0,75 8,5 3,35 0,02 22,5 51 21 6Ж9П 8 4,5 — 2 1 1,3 6,5 5,1 0 05 10,2 45’) 14 6ЖЮБ 5,5 9,5 100 3 0,75 8,9 3,9 0,025 22 5 51 21 бжюп 5 29 34 4,9 1,15 14 3,5 0,05 22,5 60 21 бжпп 4 17 — — — 8,5 2,5 0,03 22,5 60 22 6Ж20П 5 17 60 3 0,9 5,0 1,8 0,03 22,5 60 23 6Ж21П 7,5 30 65 5,5 1,5 9,0 2,4 005 22,5 70 23 6Ж22П 7,5 14 — 2,45 — 14 3,5 0,07 — — 24 6Ж23П 3,5 5 — 1,3 — 4,8 3,8 0,03 — — И 6Ж31Б <1 1,8 2500 1 0,2 — — — 22,5 60 25 6Ж32П <4 4,5 — 1,3 0,4 3,6 3,3 <0,03 7,2 361) 26 6ЖЗЗА
298 Электронные и ионные приборы Обозначение ; лампы I Тип лампы Н'ккал Напряжение ано- да, в Напряжение вто- рой сетки, в Постоянное сме- щение иа первой сетке, в Ток аиода, ма *с о Напряже- | ние, в Ток, а 6Ж35Б Пентод импульс- ный Косвен- ный 6,3 0,13 120 НО —2 5,5 6Ж38П То же » » 6,3 0,18 150 100 82 ом2) 13 6Ж40П » » » » 6,3 0.3 12 6,3 — 1,85 6Ж43П Пентод с двумя раздельными ано- дами » » 6,3 0,48 150 150 .50 ож2) 14,5 6Ж44П Пентод с катодной сеткой » » 6,3 — — — — — 6Ж51П Пентод ВЧ » » 6,3 — 140 140 —1,7 — 6Ж52П То же » » 6,3 — 140 140 —1,1 — 6Ж53П » » » » 6,3 — 140 140 —0,7 — 12Ж1Л » » » » 12,6 0,075 150 75 —24 6,8 12Ж8 » » » » 12,6 0,15 250 100 —3 3 1К1Б Пентод ВЧ с удли- ненной характерис-; тикой » » 1,2 0,2 — —*“ — 1К1П То же Прямой 1,2 0,06 90 67,5 0 3,5 1К2П » 1.2 0,03 60 45 0 1,15 2К2М » » » 2 0,06 120 70 —1 2 6К1Б » » » » Косвен НЫЙ 6,3 0,2 120 120 —1 8 6К1Ж » » То же 6,3 0,15 250 100 —3 6,7 6К1Л » » » » 6,3 0,15 150 75 —2,4 3 6К1П » » » » 6,3 0,15 250 100 —3 6,7 6КЗ » » » » 6,3 0,3 250 100 —3 9,25 6К4 » » » » 6,3 0,3 250 125 —1 И 8 6К4П » » » » 6,3 0,3 250 100 68 ол2) 11 6К6А » » « » 6,3 0,13 120 100 120 ом2) 9 6К7 » » « » 6,3 0,3 250 100 —3 7 6К8П » » » » 6,3 0,3 12 3,2 —— 0,9 6К9С » » » » 6,3 0,3 250 100 —3 9,25 6КНБ » » » » 6,3 0,2 -— — — —— 6K13II » » » » 6,3 0,3 200 120 —1 11,8
Электронные ла мпы 299 Продолжение табл. I ///. 4 » t • 6 £ ~ С <и . Между электродная си СП Сз р Jp Е о с * 2 R o3SS tf ГО А емкость, пф А о СП • 5 ° S - г j ** г- । Ток второй ки, ма Крутизна х теристики, Внутреннее ротивлеиие Максималь пустимая м кость, расе мая анодом Макс пчелы пустимая м кость, раса мая второй кой,вт входная выходная проходная Диаметр ма чальныЙ, м Высота мак мальпая. я; СХема ламп: цпколевка Обозначен!'* лампы <6,5 3,1 — 0,9 0,7 4,6 3,5 <0,03 10,5 36 1) 14 6Ж35Б 3,2 10,6 175 2,5 0,65 5,8 2,4 0,02 19 48 40 6Ж38П 0,5 2,1 100 0,5 0,5 6,7 4.1 0,025 19 57 41 6Ж40П 9 14,5 — 3,1 1,35 13 3 0,075 22,5 60 24 6Ж43Л — 42 6Ж44П — 15 — — — — — 0,006 — — 43 6Ж51П — 55 — 10 1,2 13,5 1.8 0,05 — — 21 6Ж52П — 20 13 6Ж53П 0,7 1,5 1000 — — 4 4,2 0,007 32 69 27 12Ж1Л 0,8 1,65 — 2,8 0,7 6 7 <0,005 33 67 17 12Ж8 1,2 4,8 — — — 4,8 3,8 0,03 — — — 1К1Б 1,2 >0,66 — — — 3,5 7,5 <0,01 19 57 28 1К1П 0,25 0,65 — 0,2 — 3 4,9 <0,01 19 57 28 1К2П 0,6 0,95 1000 0,5 — 5,75 8 <0,02 30 80 6 2К.2М 4 4,8 200 1,2 — 4,8 3,8 0,03 10,2 36 !) И 6К1Б 2,7 1,85 450 — 3 3 0,01 29,4 47,6 12 6К1Ж 0,9 1,3 750 1 —. 3,85 4,2 0,007 —- — 9 6К.1Л 2,7 1,85 450 — 3,4 3 0,01 19 46 13 6К1П 2,5 2 — 4,4 0,4 6 7 <0,003 33 67 17 6КЗ 4,4 4,7 900 3,3 0,7 8,5 7 <0,005 33 67 16 6К4 4,2 4,4 800 3 0,6 5,5 5 <0,0035 19 57 18 6К4П <4 4,5 — — — 3,6 3,3 <0,03 7,2 361) 29 6К6А 1,7 1,45 — 3 0,4 7 12 <0,005 33 80 19 6К7 0,75 1 1 190 0,5 0,5 6,7 4,1 0,025 19 57 15 6К8П 2,5 2 — 4,4 0,5 4,75 11 <0,005 — — 19 6К9С 1,4 4,8 — 1 3 — 4,8 3,8 0,03 -— — 38 6К11Б 4,4 W 4,7 900 3,3 0,7 8,5 7 0,005 33 67 43 6К13П
300 Электронные и ионные приборы 5 g _ S5 От Ti п дампы 11акал Напряжение ано- да, в Напряжение вто° рой сетки, в । Постоянное сме- щение на первой сетке, в Ток анода, ма Ч о CL Напряже- ние, в Ток, а 12КЗ Пентод ВЧ с удли- ненной характе- ристикой Косвен- ный 12,6 0,15 250 100 —3 9,25 12К4 То же То же 12,6 0,15 250 125 —1 11 8 6В1П7) Пентод со вторич нон эмиссией » » 6,3 0,4 250 250 2 26 1Б1П Диод-пентод Прямой 1,2 0,06 67,5 67,5 0 1,6«) 1Б2П » » » 1,2 0,03 60 45 0 1 6Б2П Диод-пентод ВЧ с удлиненной харак- теристикой Косвен- ный 6,3 0,3 250 100 — 1,5 6,5 СБ8С Двойной диод-пеп- тод ВЧ То же 6,3 0,3 250 125 —3 10 6Ф1П») Трнод-иептод » » 6,3 0,43 100 170 170 1 1 13 10,5 ’ 6ФЗП ) » » » » 6,3 0,85 100 170 170 — 1,5 —11,5 2.5 41 6Ф4П ’) » » » » 6,3 0,72 200 170 170 — 1,7 —2,1 ' 3 18 6Ф5П 0) » » » » 6,3 0,9 100 185 185 160 ом 2) 340 ол 2) 5,5 41 6Э12Н Тетрод ВЧ » » 6,3 0,13 125 50 68 ом 2) 10 Q Без выводов. Длила выводов 35 мм *) Сопротивление в цепи катода для автоматического смещения. «) Напряжение на катодной сетке 6 в, ток катодной сетки 31 ла. «) Напряжение на катодной сетке 12.6 в, ток катодной сеткн 35 ла. ь) Напряжение на катодной сетке (2,6 в, ток катодной сетки 65 ма. «) Одного анода ?) Напряжение на дииодс 150 в, ток динода 15 ма.
Электронные лампы 301 Продолжение табл. VUI. 4 Ток второй сет- кн. ма на харзк- 1КН. ма!е Внутреннее соп- ротивление, ком М жеимально до- пустимая мощ- ность. рассеивае- мая анодом, etn ) до°> Щ- (вае- !СТ- Между электродная емкость, пф Диаметр макси- мальный, мм Высота макси- мальная, мм. Схема лампы н цоколевка Обозначение лампы I Макснмалык пустнмая мо ность, paccei мая второй с кой. etn входная выходная проходная КРУТИЗ! 7 2,5 2 — 4,4 0,4 6 7 <0,003 33 67 17 12КЗ 4,4 4,7 900 3,3 0,7 8,5 7 <0,005 33 67 16 12К4 2,7 21 — 4,5 0,8 9 4,05 0,005 22,5 75 30 6В1П 0,35 0,625 — — — — — — 19 57 31 1Б1П 0,2 0,55 1200 0,15 — 1,85 2,1 0,27 19 57 31 1Б2П 1,6 2 — — — 4,2 4,1 <0,008 19 57 32 6Б2П 2,45 1,35 -• — 4 9 <0,008 33 80 33 6Б8С — 5 4 1,5 — 3 0,5 2 4 6 400 1,7 0,5 5 3,4 0,025 22,5 60 34 6Ф1П — 2,5 28 1 —— 2,2 0,4 3,7 — 7 15 8 2,5 9,3 8,5 0,3 22,5 77 35 6ФЗГ1 4 16 1 4 0,6 2,7 7 И 100 4,5 1,7 9,5 4 0,1 22,5 75 36 6Ф4П 2,7 7 7,5 23 0,5 9 — 3,5 11,7 0,3 8,8 1,8 0,6 22,5 79 44 6Ф5П 10 — 2,2 — 7 2 0,012 И 25,3 39 6Э12Н *) Ток диода 25 Анод диода соединен с положительным концом нити макала через сопротивление 5000 ом 8) В верхней строчке приведены параметры триода, в нижней — пентода. 10) Напряжение на пентодной сетке 0 в п) Напряжение на пентодной сетке 0 в Напряжение сеток один штрих и один-дна штриха 0 в, крутизна характеристики по этим сеткам 0,3 маге, крутизна преобразова- ния 0,065 ма'в
302 Электронные и ионные приборы
Электронные лампы 303
304 Электронные и ионные приборы
Электронные лампы 305 О 6/К5!П. 6<Р$П 6К13П
306 Электронные и ионные приборы Выходные пентоды и лучевые тетроды : Обозначение лампы Тип лампы 1кал S £ с к Си р g £ Напряжение второй сетки, е 11ос гоянноо смещение на первой сетке,6 Чок анода, ма Ток второй сетки, ма Крутизна характерис- тики, ма/в Род Напряже- ние, в е X 0.6П2Б Пентод низкой час- тоты Прямой 0,625 0.03 30 30 0 0.15 0.04 0,15 П12Б То же X 1,25 0,05 45 45 —2 1,1 0,37 0,5 III3G > А » 1,25 0,027 45 45 —2 11,75 0,25 0,425 1114b 1,25 0.02 45 45 —2 0,6 0,2 ол 11156 Пентод БЧ > 1.2 0,12 90 90 —4,5 12 <1 1.9 1I1G13 То же » 1,2 0,011 45 45 —2 0,6 — 0,4 1П22Б Пентод генератор ный > 1,2 2,4 0,12 0,06 90 90 —4,5 13 <1 2,8 II 124b Пентод ВЧ > 1,2 2,4 0,2b 0,13 150 125 — 1Л 17 <3 2,8 2П1П Лучевой тетрод > 0,121 0.06) 90 90 —4.5 9.5 2,2 2 2112 Л » > * 1,2 0,06 60 6!) —4 1 3 0.6 1.1 2Г15Б Пентод генератор- ный > 1,2 2,4 0,18 0,09 90 90 —4,5 18 <1 3,3 21I9M То же » 2 I 250 150 —6 35 1.5 2,5 2П19Б » » > 2,2 0,07 — — — — 1,7 2П29П > » э 2.2 0,1! 120 45 — 1,2 0,8 — 1.7 4Ф6С Вых ©дней пентод низкой частоты Кос- венный 4 м 250 250 — 16,5 34 6 2,5 6Ф6С То же То же 6,3 0,7 256. 250 -16,5 34 7 2,5 6П1П>> Лучевой тетрод > » 6.3 0,45 250 250 — 12,5 45 <7 4,5 6ПЗС То же » » 6,3 0.9 250 250 — 14 72 <8 6 6П6С X » > > 6,3 0,45 250 250 — 12,5 45 С7.5 4.1 6П7С2) > > 6.3 0.9 250 250 — 14 12 <8 5.9 6)19 Телевизионный пе нтод » » 6,3 0.65 300 150 —3 30 6.5 11,7 6111ЗС Пентод для схем телевизионных р£1зверток » » 6,3 1,3 200 200 — И 60 5 8,5 6)1141) Пентод низкой частоты > » 6,3 0.75 250 250 —6.5 48 5.4 11,3 6П15П Телевизионный пентод > » 6,3 0,75 300 150 —2,6 30. 4.2 14.5 6П18П Выходной пентод низкой частоты » > 6.3 0,76 176 170 —G 50 8 11 6П20С’) Лучевой тетрод » » 6,3 2,5 175 175 —30 90 <10 8.5 61)210 То же Прямо! 6,3 0,75 601 200 —16 36 5 4 6) I25G » » Кос венным 6,3 0,45 ПС ПО —8 30 <5 4.2 6ПЗ)С=) » » То же 6,3 1.3 КС ' 10<| —9 80 <8,5 12,5 61133П » » > » 6,3 0,9 17( [70 — 12,5 70 — 10 6I134C » » » > 6,3 9 18С 180 —II 70 8.5 13 6П36С=) » » » > 6,3 2 25. 250 —7 400 ню 20 6П42С-) » > 6,3 2,1 75 150 —60 700 120 —— 301 НС > > > > 30 0.3 III ПО — -.‘1 70 <16 10 6Э5П Тетрод > > 6,3 0.6 151 150 —2 11 <14 30,5 6Э6П То же » » 6,3 0.6 150 150 — 1,8 44 12 30,5 i) 6111П — по параметрам аналог выходного лучевого тетрода 6П6С. 2) Предназначен для схем телевизионных разверток. Выдерживает кратковремен- ные положительные импульсы анодного напряжения до 6 кв (6П7С). до 6.8 кв (6П20С> и до 7 м (6ШЗС, 6П31С СП42СЛ
Электронные лампы 307 Таблица VIII.5 Коэффициент усиления Вну1реннее Сипротивле- мне, кум сопротивле- ние*» а грузки, КОМ Выходная мощность, вт Максимально допустимая мощность, рассеиваемая анодом, вт Максимально допустимая Мощность, рассеиваемая второй сет- кой, 8Ш Мс» мая к от X Ct О от выход- g * ная И ь — —— у X проход- 3-5 1 ИЗЯ Диаметр мак 1 симальный лм ! Выси га макси- мальная, -мл: Обозначение Лампы । । । § । i§ Il 11§ । £ « й £ । и iiiiiiii 1100 50 50 350 1АО 160 40 100 89 78 50 52 1 32.5 80 17 50 100 23 7 20 . 4 9 U 15 50 50 500 0,05 10 ] 15 7 5 2.5 ’ 5 io . 5,2 10 3 1,8 0,008 0,0043 0.0035 0,003 1.3 0,21 0.2 6 2.2 3.8 5,4 3,6 2,4 4.5 4.5 3,0 0,75 4,2 1,6 1 I 0.01 0,05 0,05 0,05 0,05 2,5 0,85 0,4 2,3 8 1 1 10 10 12 21 13,2 20 9 14 12 12 12 27 18 4.1 10 12 18 12 24 7 8,3 8,3 0,05 1 0,12 3,75 2.5 2,75 2,2 3.2 1.5 4 2 1.5 2.5 3.6 3,5 0.55 4 1,75 3,5 5 4.5 1,75 2,3 2,3 6 3.9 3 6.9 7,5 5,5 3,7 7.1 8,5 4.5 1,9 7.5 7.8 II В,5 11,5 13 18,5 II 13,5 11,5 22 8.2 6,3 18 12 21 32 38 19 15 15 3 2,7 6 4.7 4 4 3,8 4.? 8,5 7 1 2 II 5,7 М 9.5 6 7,5 6,5 7 7 6 10 6,5 8 V 7 11 19 13 11 2,6 2.7 0.3 0,01 0,3 0.02 0.03 СО,5 0,4 0.02 0.03 0.02 £0,6 0.95 £1 «0,9 «0.6 «0.06 <0,5 0.2 0.06 0.2 0,08 0.15 <0,2 и t 1,2 1 I 1,5 0,05 0,05 J0X Х7.25) Ю.2Х Х7,25) 10,2Х Х7.2») Ю,2Х Х7,25) 10,5 10.5 10,5 19 19 10,5 36 33 22,5 46 32,3 52 33 32,8 22,5 22,5 22,5 52 37 10,2 32,8 22,5 34 40 4G 42 22,5 22,5 32*) 38“) 33*) 38*) 45*) 45*) 45*) 57 57 ; 45») 109 83 72 109 85 145 83 <10 78 78 80 140 90 43*) ПО 80 115 115 135 Н5 63 63 0.6П2Б 11126 1ПЗБ II146 1ГИБ 1ПьБ Ш22Б 1ПА1Б 2Р11П 2П211 2П5Б 2П9М 211196 2П2911 1Ф6С Г,Ф6С. 611 111 6 ПЗС GFIGC 6П7С 0П9 6 I3C 6111411 6П15П 6П1811 6П20С 6П21С 6П25Б 6П31С 6ПЗЗП 6Н34С 6П36С 6П42С 30П1С 6Э511 6Э6П а) Для гриодногэ включения (экранирующая сетка соединена с анодом). 3) Без выводов. Длина выводов 35 *ьи. 6) Лампа овального сечения.
308 Электронные и ионные приборы Метка
Электронные лампы 309
n § СИЗП4) S 3 6А10С 6А8 6А7 6Л4П 6А2П 1И2П’) 1А2П 1А1П Обозначение лампы X йэ п О —• О снтель ffi § g <5 То же ТОД Триод-геп V * «* «* То же Триод-гек- сод То же образователь Гептод-пре- Я д ь г 3 Е i аз W О св Ьз н w «# * а То же ныи Косвен- * ** * Прямой Род •й X Е гъ p 00 р 00 оо я> 00 р> 00 & 00 00 ст> 00 Ya ND “nd Напря- жение, в f la кал ампы О ОО р оо о 00 о оо о 00 р 00 0,44 р 00 0,06 0,03 0,06 ° 8 nd UI о 100 250 250 250 250 250 250 200 250 СТ> CD ОО о о 8 Напряжение анода,» 8 100 8 1 100 О о 100 100 100 СП 1 СП £ Напряжение ной сетки’), экран- в 1 ОО 1 1 ND ND 1 ND о О 1 00 о 1 р СП 1_ сл о о о о Постоянное напря- жение управляющей сетки3), в ND слр 00 ос ОО СП ND 00 оч 3,3’) 3,5’) £ ОО ND 0,55 р £ Ток анода, ма w 1 оо 1 О 1 ЧЭ ND м в—. t£ ND О — । 0,85 То Ток экранной сетки2), на 3 0,38 0,5 0,77 0,45’) 0,55’) р § 5,5 р 0,23 0,19 0.16’) Крутизна преобразо- вания, ма/в 1 2,7 3,7 ** 1 О — 0,5 0,825 Крутизна гетероди- на, лы/d — 0,7 I 9000 0,3 >0,34 о 1 р 0,65 сл сл Внутреннее сопро- тивление, Мом ZT 9'0 Г“ J- ND 0,23 0,2 1 Максимально допус- тимая мощность, рас- сеиваемая анодом,вт СП -1 1 1 U 0,3 0,5 — 0,3 1 1 Максимально допус- тимая мощность, рассеиваемая экран- ной сеткой, вт 1 7,5 ! 1 GH„ND Ъост> 26 6,3 СО 12,5 ю X лс pl входная Междуэлект| емкость, 6 7,4 2,3 7,4 О 12,5 о оо 8,6 Vi W о выходная р о 9000 I 900'0 0'1 0,13 0,06 0,13 0,3 0,3 1,9 0,25 6 0,4 проходиан родная пф 8 сл 1 00 8 00 о о 8 8 ч $2' Высота максималь- ная, .МЛ 22,5 22,5 сх> W 00 оо 00 00 22,5 to 22,5 о S Диаметр максималь- ный, MJV § 6ИЗП 6И1П 6А10С 6Л8 6Л7 6А411 6Л2П 1И211 1А2П 1А1П Обозначение лампы
* Рабо ее положение — верт икальиое, выводами вниз Т Т -1 ‘-1-1-1 Ч —5 —1 СТ) 4ь Л ND ND — Ч Ч Ч Ч Ч Ч а Д Д Д Д Э о S 5 § § g- Обозначение ламтпя ? ° 3S 2 5Ч 53 s’ S’ S’ 5 * 5 м "Я S’ ч тг ч S й 5 “ * 5 "5 S g^faoggggg ё g g g Тип g 3 - о = К * о s □ » о=э?:з:Эв®?:» o’ s □ §» - , * §/? . s §1? §.? §.?? « £ h Q rt> 1 Род Накал ND — — — и- ND *- О ND ND ND 4* О С p О CT) 4* 4* ND ND ND O') СТ) CT) 4^ 00 03 nd ND ND 4* Напряжение, в гл -° -° -° -° , , -° -° P ° P P — P “’-JOO ® W w to ct> to w to — о — J oo to to to. — O1 СЛ Ток, а oo ND ND ND ND О СТ) X X ГТ Щ СЛ 4)* 03 W 4* О — CT) ND ° ° -J Qi M О ООО o \d сл nd он СП Колебательная мощность, вт СЛ О £ W W 8 СЛ СТ) 4Ж — — *- ND “ S.25 2 ° ооо о ол сл ст) сл сл О О О ООО 000 О О ООО о Напряжение аиода, в 4^ ND ND N3 ND >ь 4* ND ND 03 •— S g g S8S §88 g g SSS 8 Напряжение второй сетки, в ool 1 ° 1 olu! 1 ® oo] о H !S 8 8 8 — L - 1.1-t СЛООО О ел О О О -«J oo ND СЛ СТ) Напряжение третьей сетки,» Сдвиг начала спрямленной анодно-сеточной характе- ристики, в 4^. 4^ СС ND 4* -ч] 4* О 00 СТ) “ J— ND ND ND СП 00 -< ND О од 'ед Vj 4^ СО ND ND рЗ Jj3 4* 4* СЛ _СЛ 4^ *— *— ND *— Ст) сл сл 'сп Сд "со "о Крутизна характеристики, ма/в Крутизна линии гранично- го режима, ма/в 0,002 800*0 о g 00 1 1 1 0,005 1 1 1 1 0,005 1 1 1 Проницаемость режиме 00 4* 7,8 6,5 10,5 Ст) 00 •— 9,5 д 8,5 4,3 8,5 6,6 входная Меж иая З‘б 00 2,7 12,5 7,5 00 9,4 4,2 5,5 Оо СЛ 3,3 выходная дуэле! емкое I 0,15 р о о СЛ Р 0,16 0,25 0,15 °,2 0,3 — О 0,007 0,06 О 0,005 проходная 7 н тз 3 о О 120 200 250 Ст) о О ND О 125 СЛ 100 200 120 03 о 120 Робочая частота, Мгц 006 700 ND X S 1 1 1 006 1 | 1 1 1 03 сл 100 1 Ток эмиссии катода, ма 1 1 1 2x20 00 сл 1 1 1 1 1 Сл О -V] ND О 1 ND СЛ Ток катода, ма дельные СП О 4ь О 2x7,5 2x6 СЛ 100 125 К ND О ND О сл ND ND 00 2,5 Мощность, рассеи- ваемая анодом, вт ! значен! 1 — 1 0,25 р 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Мощность, рассеивае- мая Ьй сеткой, вт а £ гъ 1 о ND 01 СЛ 1 ОЗ вЬ. ND ND ND СЛ 1 1 СЛ 0,7 0,7 1 О Мощность, рассеивае- мая 2-й сеткой, вт 195 93,5 00 00 00 о 93,5 191 195 145 1 150 109 СЛ СТ) о СТ) 109 Высота максимальная. ММ Табл I 0с О 45,3 СТ) 22,5 45,3 Ст) СЛ СТ) 00 СЛ ОЗ СТ) 4ь СТ) 03 ND N? о 10,5 1чаметр мэиспмальиый, леи К) Е> * Л 1.У ^1 ND СЛ о СО ND 5 СЛ 03 X ^-1 00 о £ СТ) Д 8 2 £ ND д ND еР W61E Обозначение лампы 1 313
314 Электронные и ионные приборы
Полупроводниковые приборы 315 al\ или оТ2 — анод первого или второго триода; к — катод; «Д1 или кД2 — катод первого или второго диода; кТ, или кТ„ — катод первого нли второго триода; ЛП — лучеобразующие пластины; н — нить накала (в лампах прямого накала); нср — средняя точка нити накала; п — подогреватель в лампах косвенного накала; с — сетка; <Т, сг- с4> сб — сетка первая, вторая, третья, четвертая, пятая (счет ведется от катода); сТ\ нли сТ2 — сетка первого или второго триода; а — внутренний экран или металлизация, а также кратер (экран) в электронно-лучевых индикаторах настройки. § 2 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ К числу полупроводниковых приборов относятся селеновые н медно- закисные (купроксные) выпрямители, кристаллические диоды, транзисто- ры, термосопротивлепия, варисторы, фотосопротивления, фототранзисто] ы и др Высокий к. п. д., отсутствие подогрева малые габариты привели к широкому распространению полупроводниковых приборов, несмотря на существенную зависимость их параметров от температуры. Селеновые выпрямители. Селеновые выпрямители предназначены для работы на переменном токе с частотой до 1000 гц. Собираются из отдельных элементов (шайб нли таблет), каждый из которых состоит из алюминиевой основы с нанесенным на ее поверхность слоем кристаллического селена и непосредственно примыкающего к нему катодного слоя нз сплава олова и кадмия. Селеновые выпрямительные элементы размерами до 12 мм выпускаются только в виде круглых таблет, заключенных в пластмассовые трубчатые корпусы. Элементы размерами более 15.мл выпускаются в виде квадратных или прямоугольных шайб. В зависимости от назначения выпрямительные шайбы собираются в столбики по различным схемам: двуплечный выпрямитель (половина моста), выпрямитель со средней точкой (двухполупериоднын), выпрямитель* мостовой однофазный, выпрямитель мостовой трехфазный (см. гл XV). Выпрямительные таблеты собираются в столбики только по однополупери одной схеме (без промежуточных отводов). По новым техническим условиям (ОЖО. 321.010. ТУ) обозначение выпрямителя содержит 5—7 элементов первый элемент — число, условно обозначающее размер шай- бы (см. табл, VIII.8); второй элемент — буква, обозначающая класс выпрямителя но величине допустимого напряжения на одну шайбу: В — 20 в, Г — 25 в. Д — 30 в, Е — 35 в, И — 40 в, К — 45 з; третий элемент — буква, характеризующая схему выпрямителя: Е — единичный вентиль, Д — двуплечный выпрямитель, С — выпрямитель со средней точкой, М — выпрямитель мостовой однофазный, Т — выпрямитель мостовой трехфазный;
316 Электронные и ионные приборы Условные обозначения размеров селеновых шайб и допустимые значения прямого тока 140 ОО о о X 8,0 130 ооех' 001 6,0 120 ОО о о 4,0 100 о о о о 2,0 О СП in ш 1П in X 1,2 о о о о о о X 9*0 о о о X 0,3 о о о СО ГО X 0,15 ш сч ш сч 0,075 сч сч сч сч сч сч X 0 075 ОО 00 0,04 »П ш ю зг 0,04 Условное обозначе- ние Размер элементов, ММ Прямой ток а четвертый элемент — число, обозначающее количество шайб в выпрями- теле (от 2 до 32), пятый элемент — буква, обозна- чающая серию выпрямителя в зависимости от эксплуатационных особенностей: А—допустимая температура нагрева шайбы (таблеты) +75э С (бывшая серия АВС), Г—допустимая температура нагрева шайбы +80° С, большая по сравнению с серией А стабильность параметров при хра- нении (бывшая серия ТВС), Е — допустимая температура нагрева + 100° С, Я — допускается удвоенная плотность тока; шестой элемент — цифра, указы- вающая количество параллельных ветвей в выпрямителе (от 2 до 6); седьмой элемент — буква, ха- рактеризующая конструктивные особеннос- ти выпрямителя: М — выпрямители нормальной конструк- ции, неокрашенные, предназначенные для ра- боты в трансформаторном масле, Т — окрашенные, предназначенные для работы в условиях тропического климата, П — выпрямители, рассчитанные на но- минальный рабочий ток прн сокращенном сроке службы, — (без обозначения) — выпрямители нормальной конструкции, окрашенные. Номинальные параметры выпрямителей сохраняются при частотах переменного тока до 1000 гц и температуре окружающей среды до +35® С. При повышении температуры до 4-50° С переменное напряжение, подводимое к выпрямителю, и выпрямленный ток дол- жны быть снижены примерно на 20%, прн повышении температуры до +60° С — на 50%. При холостом ходе допускается подача на выпрямитель переменного напряжения, превышающего номинальное не более, чем на 10%. В случае параллельного включения не- скольких ветвей значение выпрямленного тока, приходящегося на каждую ветвь ие должно превышать 90% от номинального. Срок службы выпрямителя определяется временем, за которое выпрямленное напря- жение снижается до следующих значений по сравнению с номинальным: для классов В
Полупроводниковые приборы 317 и I — 90%, класса Д — 92%, класса Е— 93%, классов И и К — 94% и составляет: для класса В — 20 000 ч, для классов Г, Д, Е — 15 000 ч, для классов И и К — 5 000 ч. Таблица Vi//.9 4---44-----14—— Селеновые выпрямители в трубчатом корпусе Серия А Серия Г Средний выпрям- ленный Средний выпрям- ленный Напряжение Средний Средний Напряжение V выпрям- ленный выпрям- ленный б_. ток 1,2 ма ток 6 ма в в то < 7,5 ма ток 25 ма в в АВС-1-30 АВС-6-30 30 10,5 ТВС-7-Н ТВС-12-11 100 37 АВС-1-60 АВС-6-60 60 21 ТВС-7-12 TBC-I2-I2 200 75 АВС-1-90 АВС-6-90 90 32 ТВС-7-13 TBC-I2-I3 300 112 АВС-1-120 АВС-6-120 120 42 ТВС-7-14 TBC-12-I4 500 185 ЛВС-1-150 АВС-6-150 150 63 ТВС-7-15 ТВС-12-15 750 280 АВС-1-210 АВС-6-210 210 74 ТВС-7-16 TBC-I2-16 1000 375 ЛВС-1-270 АВС-6-270 270 95 ТВС-7-17 TBC-12-I7 1500 560 АВС-1-339 АВС-6-330 330 117 ТВС-7-18 ТВС-12-18 ТВС-12-19 1800 2000 650 750 ЛВС-1-420 АВС-6-420 420 148 ТВС-7-ИМ ТВС-12-ИМ 100 37 АВС-1-510 АВС-6-510 5Ю 180 ТВС-7- I2M ТВС-12-12М 200 75 АВС-1-600 АВС-6-600 600 212 ТВС-7-13М TBC-I2-I3M 300 112 АВС-1-720 АВС-6-720 720 254 ТВС-7-14М TBC-12-I4M 500 185 АВС-1-840 АВС-6-840 840 297 ТВС-7-I5M TBC-I2-15M 750 280 АВС-1-1000 АВС-6-1000 1000 375 ТВС-7-I6M ТВС-12-16М 1000 375 Высок ПГЕ40Ф овольтные — типа Ф 1000 375 TBC-7-I7M TBC-12-I7M 1500 560 5ГЕ60Ф 1500 560 — TBC-12-I8M 1800 650 5ГЕ80Ф 5ГЕ100Ф 2000 2500 750 1930 ТВС-7-18М TBC-I2-19M 2000 750 5ГЕ140Ф 3500 1320 ТВС-7- 19М — 3003 1120 5ГЕ200Ф — 5003 I860 Примечание, Наружный диаметр выпрямителей АВС-1 и 5ГЕ—6,1 лиг, АВС-6 и ТВС-7 — 8,6 мм; TBC-I2 — 14,5 мм. В табл. VIII 9 приведены параметры селеновых выпрямителей в труб- чатом корпусе, в табл. VIII.10 — VIII.15 указаны параметры выпрямителей, собранных из селеновых шайб. Чтобы определить параметры выпрямителя, например 60ВД12А, на- ходят в первом столбце габл. VIII.10 обозначение первых трех элемен- тов маркировки — 60ВД, против этого обозначения во втором столбце указано среднее значение выпрямленного тока — 0,6 а. Затем, в треть- ем столбце отыскивают обозначение четвертого и пятого элементов маркировки — 12А н против этого обозначения в четвертом и пятом столбцах указывается номинальная величина эффективного значе- ния подводимого к выпрямителю переменного напряжения О'^^и выпрямленного постоянного напряженияU_ на выходе выпрямителя. Па- раметры некоторых выпрямителей уточняются в сносках. Например, для выпрямителя 120ГД20А5 в сноске табл. УШЛО находим среднее значение выпрямленного тока — 18 а. Последние три элемента маркировки (20А5) (Продолжение на стр 327)
Таблица V///.10 Двуплечные выпрямители (половина моста) серии Л *и эле ;ировки 3 ¥ К h S Напряжение 1 к «V X А П & S 5 ыпрям- <, а К с 3 S f- Г ч. Напряжение и эле- ировки >1ПрЯМ- <, а и пя- 1ТЫ Напряжение Первые тр мента мари Средний в ленный тс Четвертый тый элеме маркировк! ^~эфф* в У—, в Первые тр меита марк Средний Bi ЛСННЫЙ TOJ Четвертый тый элеме: маркировк} ^-эфф* а в Первые ipi мента марк Средний В] ЛСИИЫЙ TOI Четвертый тый элемег маркировки у~эфф> в У_, 15ВД 0,04 2А 40 14 15ГД 0,04 2 Л 50 19 15ДД 0,04 2А 60 23 22ВД 0,075 4А 80 29 22ГД 0,075 4 Л 100 38 22ДД 0,075 4А 120 46 ЗОВД 0,15 40ВД 0,3 6А 120 43 ЗОГД 0,15 6А 150 57 зодд 0,15 6А 180 69 60ВД 0,6 8А 160 58 40ГД 0,3 8Л 200 76 40ДД 0,3 8А 240 92 , 75ВД 1,2 10А 200 72 60ГД 0,6 10А 250 95 60ДД 0,6 10А 300 115 90ВД 1,5 12А 240 87 75ГД 1,2 12А 300 115 75ДД 1,2 12А 360 135 юовд!) 2,0 16А 320 115 90ГД 1,5 16Л 400 150 90ДД 1,5 1GA 480 185 120ВД1) .4,0 20А 400 145 100ГД *) 2,0 20А 500 190 100ДД1) 2,0 20А 600 230 130ВД 1) 60 24 А 480 175 120ГД1) 4,0 24 А 600 230 120ДД1) 4,0 24А 720 275 140ВД1). 8,0 28А 560 205 130ГД *) 6,0 28Л 700 265 130ДД 1) 6,0 28А 840 320 32А 640 230 140ГД1) 8,0 32А 800 305 140ДД1) 8,0 32А 960 370 О Выпускаются с последними элементами маркировки 10А5 и 20А5, рассчитанные на средний выпрямленный ток при условном раз- мере шайб 100—9а, 120—18а; 130—27а, 140—36а. Примечание. Как пользоваться таблицей указано на стр. 317. Таблица VHl.lI Двуплечные выпрямители (половина моста) серии Г Первые три эле- мента маркировки Средний выпрям- ленный ток. а Четвертый и пя- тый элементы маркировки Напряжение Первые три эле- мента маркировки Средний выпрям ленный ток, а Четвертый и пя- тым элементы маркировки Напряжение Первые три эле» мента маркировки Средний выпрям- ленный ток, а Четвертый и пя- тый элементы маркировки Напряжение эфф» в в (7-эфф1 в в ^-эфф’ в в 2Г 70 27 2Г 80 31 2Г 90 36 4Г 140 54 4Г 160 62 4Г 180 72 6Г 210 81 6Г 240 93 6Г 270 105 18ЕД 0,04 8Г 280 105 18ИД 0,04 8Г 320 125 18КД 0,04 8Г 360 145 25ЕД 0,075 ЮГ 350 135 25ИД 0,075 | ЮГ 400 155 25КД 0,075 101 450 180 40ЕД 0,3 • 12Г 420 160 40ИД ,0,3 12Г 480 185 4 0К Л 0,3 12Г 540 215 75ЕД 1,2 16Г 560 215 75ИД 1,2 16Г 640 250 75 КД 1,2 ЮГ 720 290 100ЕД Ч. 20 20Г 700 270 100ИД>) 2,0 20Г 800 310 100КД') 2,0 20Г 900 360 24Г 840 325 24Г 960 370 24Г 1080 430 28Г 980 380 28Г 1120 435 28Г 1260 505 32Г 1120 430 32Г 1280 495 32Г 1440 575 •) Выпускаются также выпрямители средний выпрямленный ток 9а. 100ЕД10Г5, 100ЕД20Г5, 100ИД10Г5, 100ИД20Г5, 100КД10Г5, 100КД20Г5, рассчитанные н 318 Электронные и ионные приборы Д Полупроводниковые приборы Примечание. Как пользоваться таблицей указано на стр. 317.
320 Электронные и ионные приборы Таблица VII1.12 + Выпрямители со средней точкой серии А н Г Обозначение Средний выпрям- ленный ток. а Напряжение Обозначение Средний выпрям- ленный ток. а Напряжение £У~эМ>- и_, в и~эфф> в в 15ВС2А 0 075 20 7 60ГС2А 1,2 30 11 22ВС2А 0,15 20 7 75ГС2А 2,4 30 11 30ВС2А 0,3 20 7 90ГС2А 3,0 30 11 40ВС2А 0,6 20 7 100ГС2А 4,0 30 11 60ВС2А 1,2 20 7 18ЕС2Г 0,075 35 13 75ВС2Л 2,4 20 7 25ЕС2Г 0,15 35 13 90ВС2А 3,0 20 7 40ЕС2Г 0,6 35 13 I00BC2A 4,0 20 7 75ЕС2Г 2,4 35 13 15ГС2А 0,075 25 9 100ЕС2Г 4,0 35 13 22ГС2Л 0,15 25 9 18ИС2Г 0,075 40 15 30ГС2Л 0,3 25 9 25ИС2Г 0,15 40 15 40ГС2А 0,6 25 9 40ИС2Г 0.6 40 15 60ГС2А 1,2 25 9 75ИС2Г 2,4 40 15 75ГС2А 2,4 25 9 100ИС2Г 4,0 40 15 90ГС2А 3,0 25 9 18КС2Г 0,075 45 18 100ГС2А 4,0 25 9 25КС2Г 0,15 45 18 15ДС2Л 0,075 30 11 40КС2Г 0,6 45 18 22ДС2А 0,15 30 11 75КС2Г 2,4 45 18 30ДС2А 0,3 30 11 100КС2Г 4,0 45 18 40ДС2А 0,6 30 11
Полупроводниковые приборы 321 ф 31 1« сч ic s о о ю ю о СЧчЗ’СОО-^СОЮОО а ф »—» »—4 «—4 v—4 к е- о, Q О О О О О О О Л С О (N Ю ОО -1ТГ Е OJ Ч) —« —< — СМ СМ ГП а I Выпрямители по однофазной мостовой схеме серии имдойимЙЕК их -нэка ire уихви и yrudaoxa^ << <<<<<< ^•C-JOlOO'tOON — — -N CM CN СО V 'мох ииинагквй -цпп уииИэйэ 10 Г^. 10 сГсГо'о’ —Го!СО тг 30 сч о —4 HMOOdHM -ЙЕН ЕХНЭК'ЭЕе ndx огаайоц И «« iq « СМЕМЕГЧСЗЕМЕЗРЗ iQ OJ о о о ю о о о о о —<СЧСОтГС0Г-ООО)СОтГ Напряжение j• GCSiOTffNOOO —«СОЮГ'-СЛ’—«coin е 1 tpotoovocmo C^iDb-OCMiQr'-O и/аойиж!ри hl -НЭКдЬ'Е (II4XBU и ynidoaxa^j <<« <<<<r я*ооечгоо*гсссч — — 04 CS СЧ co О ’MOL JlHHIiaD'WKClLi -140 ipiHl/odj ю Г- Ю CO — CO CD O) -^r CD (DO о“ о О CD —' СЧ co тгоо' CM CD имоойия -dew вхнэкавб wdx эпсйэц 15ГМ 22ГМ 30ГМ 40ГМ 60ГМ 75ГМ 90ГМ I0TM ) 120ГМ4> 130ГМ6» 140ГМ °) Напряжение xrOCOCOCNNOLQ -tN^tOSCCC- & 1 coooooco Olxt'CCCCCN’tO ияоос1ии<1ек rax -iiatvaire игахви и yiMidaaia^ <<<<<<<<< V Ч-CC C) CD О зф OO Cl — — CM CM o) CO D *>1OX liiMHiiaixUBdii -I4fl уинКойэ m r- IO ° ’^.сЧсЯс1'^1о.с^с:1 o' o' o' О of CO 00 CM co имаойня -dEM Е1ИЭКЭ1ГЕ cBcQcacQascQCQcocQCQcQ Hdi araeddy 10 CM О О О ЬО О о о о о ^СМСОТГСОГ-ООСЧСО-^ 11 1—1308
322 Электронные и ионные приборы Напряжен ис e • n e .ф(1е~л 45 35 90 70 135 105 180 140 225 175 270 215 315 2501) 360 ’ 285 П HMHOdinidEE шнокэке И1Ч.1 -ки it ymclasioj-j ^GCwfeo^GQM ’ — CM CM CM co V ипинэи* -квбпня Hinitfadg 0,075 0,15 0,6 2,4 4,0 HMnodliMdEN EJ.I1 эи -оке иск эмябэц й s- =s s В 5 co Ю С m - CM r- g о <U £ e 31 62 93 123 155 185 215 250 (X а с я X 40 80 120 160 200 240 280 320 IIMQOdllMdl?N FtlHOHOIfE IJMl -bU И UHJ.dOQJ.0^ 4Г 8Г 12Г 16Г ' 20Г 24 Г 28Г » 32Г 2) n *xoj ijHiHiau* -Hbduriu itiniVodg 0,075 0,15 0,6 2,4 4,0 нмесх1нж1ек ej.ii эк -sire Jidx OHQdon 18ИМ 25ИМ 40ИМ 75ИМ 100ИМЗ) <u s X о £ P • Q <^)C*dOlQOOtOC счюг^ссоооо — — — —’ — CM к к СС X в -Ф4е~Л 35 70 105 140 175 210 245 280 iniflodHMden нхноиоке у hi -ни и иглбэяю^ (a JSS (t J86 JVS JOS J9I JSI J8 D ’MOI 1IHHHDL* -KBduHQ умнн'эйэ 0,075 0,13 0,6 2,4 40 rmkxI и >tduw e .liiok -are «di oi’iedojj U U) U U u co Ю О LQ О 1 — CM r- c *) Для шайб с условным размером 75. 2) Для шайб с условными размерами 18, 25, 40. а) Выпускаются с последними элементами маркировки 8Г2, 16Г2, 24Г2 на ток 8 а; 12ГЗ, 24ГЗ на ток 11 а; 16Г4 иа ток 14,5 20Г5 на ток 18 а', 24Г6 на ток 21,5 а.
Полупроводниковые приборы 323 Таблица VIII,15 Выпрямители мостовые трехфазные серии А и Г Первые три эле- : мента маикиоовки Средний выпрям- ленный ток, а Четвертый и пя- тый элементы маркировки Напряжение Первые три эле- мента маркировки Средний выпрям- ленный ток, а Четвертый и пя- тый элементы маркировки Напряжение k’ —Эфф’ в =’ эфф’ 6 1 75ВТ 90ВТ 100BTD 120ВТ 130ВТ 2) 140ВТ 3,6 4,5 6,0 12 18 24 6А 12А 18А 24Л 17,5 35 52 70 18 37 55 74 75ЕТ 100ЕТ Ч 3,6 6,0 6Г 12Г 18Г 24Г 30 60 90 120 33 66 99 130 75ГТ 90ГТ 100ГТ *> 120ГТ 130ГТ 140ГТ 2> 3,6 4,5 6,0 12 18 24 6А 12А 18А 24А 22 44 66 88 24 48 72 96 75ИТ 100ИТ » 3,6 .6,0 6Г 12Г 18Г 24Г 34 68 102 136 39 78 115 155 75ДТ 90ДТ 100ДТ1» 120ДТ 130ДТ 140ДТ П 3,6 4,5 6,0 12 18 24 4 6А 12А 18Л 24А 26 52 78 104 29 58 87 115 75КТ юокт и 3,6 6,0 6Г 12Г 18Г 24Г 38 76 114 152 45 90 135 180 х) Выпускаются с последними элементами маркировки 18АЗ, рассчитанные ка ток 16 а прн минимальном напряжении, указанном в таблице для каждого класса выпря- мителей. *) То же, что в сноске 1, но рассчитаны на ток 65 а. Приме чание. Как пользоваться таблицей указано на стр, 317, 11*
324 Электронные и ионные приборы шасси, которое в данном случае заменяет радиатор. 3. Разборка выпрямителей нс допускается.
Полупроводниковые приборы 325 Таблица V///.17 Купроксные выпрямители из шайб диаметром 20 мм Обозначение Схема соединения Напряжение Средний выпрям- ленный ток, ма ^~эфф« в и_, в ВК-20-1 4 2.5 80 ВК-20-2 8 5 80 ВК-20-3 Однофазная двух- 12 7,5 80 ВК-20-4 тактная 16 10,5 80 В К-2 0-5 20 12 80 ВК-20-6 24 15 80 ВК-20-7 4 2,5 80 ВК-20-8 ВК-20-9 ВК-20-10 Однофазная двух- . тактная (полови- 8 12 16 5 7,5 10 80 80 80 ВК-20-11 20 12 80 ВК-20-12 24 15 80 ВК-20-13 4 2,5 80 В К-20-14 8 5 80 ВК-20-15 Двухфазная двух- 12 7,5 80 ВК-20-16 тактная 16 10 80 ВК-20-17 20 12 80 ВК-20-18 24 15 80 ВК-20-19 4 1,8 40 ВК-20-20 8 2,5 40 ВК-20-21 Однофазная одно- 12 3,5 40 ВК-20-22 тактная 16 5,0 40 ВК-20 23 20 6,0 40 ВК-20 24 40 12 40 *) ПараметГЫ дляоднофа ной двухтактной схемы, составленной из двух столбов. Таблица V///./8 Купроксные выпрямители из шайб диаметром 40 мм Обозначение Схема соединения Напряжение Средний выпрям- ленный ток, а ^~эфф° в У_, в ВК-126м 16 9 2,4 ВК-133 24 15 0,8 ВК-120 Однофазная двух- 32 20 08 ВК-ЮЗм тактная 40 25 1,2 ВК-117 48 30 0,8 ВК-132 48 30 0,4
326 Электронные и ионные приборы Продолжение табл. VII1.18 Обозначение Схема соединения Напряжение Средний выпрям- ленный ток, а в и , в ВК-119м 1 Однофазная двух- 32 11 1,2 ВК-107М > тактная (полови- J на) 40 14 0,6 ВК 104 16 5 3,5 ВК-102 Однофазная одно- 280 100 0,2 ВК-102а тактная 410 150 0,2 вк-юз 480 170 0,2 ’) Параметры для однотактной схемы. Таблица VIII. 19 Купроксныс выпрямите н из таблет У Обозначение Схема соединения Напряжение Средний выпрям- ленный ток, ма ^~эфф* в У_. в ВК-02-1 | Однофазная 4 0,6 1 ВК-02-2 ) однотактная 8 0,9 1 ВК-07-1 | Однофазная 4 2 10 ВК-07-2 1 двухтактная 8 3 10 ВК-07-3 8 3 10 ВК-07-4 1 Двухфазная 12 4 10 ВК-07-5 1 двухтактная 16 5 10 ВК-07-6 Однофазная 8 3 10 ВК-07-7 двухтактная 12 4 10 ВК-07-8 (половина) 3> 16 5 10 ВК-07-9 8 2 5 ВК-07-10 Однофазная 12 3 5 ВК-07-11 однотактная 16 4 5 ’) Применимы при повышенных частотах до 100 кгц. 2) Параметры для однофазной двухтактной схемы из четырех выпрямителей. в) Параметры для однофазной двухтактной схемы из двух выпрямителей.
Полупроводниковые приборы 327 Таблица VII1.20 Купроксные выпрямители для измерительных приборов Обозначение Количест- во после- дователь- но соеди- ненных элемен- тов, шт. Эффектив- ное пря- мое напря- жение на 1 элемент, в Средний выпрям- ленный ток, ма Обратное напряже- нно иа 1 элемент, в Обратный ток. мка КВМП-2-1. . 10 1—10 0,4 0,08 2 30 КВМ11-2-20 20 0,5 0,5 6 30 КВМП-2-25 25 0,5 0,5 6 30 В М-2 1—2 0,4 0,2 2 30 МКВ-2-1 ... 10 1 — 10 0,4 0,2—0,8 2 20 МКВ-4-1... 6 1—6 0,4 1.5—5 2 30 МКВ-5-1 .. 6 1—6 0,4 2—6 2 50 МКВ-7-1 .. 6 1—6 0,4 5—12 2 85 МКВ-7-7.. 15 7—15 0,4 5—12 2 85 ВКВ-5-1 ... 6 => 1—6 1 5 ВКВ-7-1 1 1 5 ') Применимы на частотах до 1—2 Мгц. *) Коэффициент выпрямления, т. е. отношение прямого тока к обратному при за- данном напряжении на выпрямителе для ВКВ-5-1... 6 составляет 750. для ВКВ-7-1 — 35. указывают на то, что выпрямитель серин А содержит всего 20 шайб, вклю- ченных пятью параллельными ветвями (на кажд}ю ветвь приходится 4 шай- бы), следовательно, номинальные напряжения для него будут такими же, как и для выпрямителя 120ГД4Л, т. е. U_ эфф — 100 в, U_ = 38 в. Выпускаются два типа пакетных селеновых выпрямителей, собранных по мостовой схеме, которые работают в интервале температур ±40° С, со сроком службы в нормальных условиях эксплуатации не менее 2000 ч. Параметры выпрямителей приведены в табл. V111.16. Купроксные выпрямители. Купроксные или меднозакисные выпрями- тели обладают низким значением порогового напряжения и высокой кру- тизной вольт-амперной характеристики при малых прямых напряжениях Нормальное рабочее напряжение на одни элемент составляет около 8 в (эффективных), средняя плотность тока в однофазной мостовой схеме 50— 150 ма, диапазон рабочих температур ±50° С. Основные параметры выпрямителей приведены в табл.УП1.17—VIII.20. Полупроводниковые кристаллические диоды — двухэлектродные по- лупроводниковые приборы, действие которых основано на электрических свойствах р-п-переходов. Диоды изготовляются из кристаллов германия, кремния и арсенида галлия. Кремниевые диоды выдерживают более вы- сокие рабочие температуры (до 150° С) и напряжения Существует несколь- ко классов полупроводниковых диодов, отличающихся использованием различных свойств р-п-переходов: выпрямительные, высокочастотные, СВЧ, переключательные, параметрические, туннельные, опорные и др. Выпрямительные диоды (силовые дноды, вентили) применяются для выпрямления переменного тока низкой частоты (до 50 кгц). В прямом на- правлении они пропускают большие токи и имеют малые падения напряже- ния, в обратном направлении — допускают приложение больших напряже-
328 Электронные и ионные приборы ний и имеют малые токи. На рнс. VIII.7 приведена типовая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода, и па рис. VI11.8 один из вари антов конструкции. Высокочастотные (импульсные) диоды работают в области более вы- соких частот, чем выпрямительные и Рис. VIII.7. Типовая вольт-ампер- ная характеристика полупроводни- кового диода. применяются в качестве детекторов, смесителей, элементов импульсных схем н т. д. Примерно такие же функции выполняют диоды СВЧ в еще более высокочастотном диа- пазоне. Рис. VII 1.8. Вариант конструкция полупроводникового диода: I — кристалл германия; 2 — металли- ческая пружина; 3 — контактные вы воды. Переключающие диоды применяются для коммутации цепей. Работа диодов основана на использовании явления последовательного и парал- лельного резонанса (в эквивалентной схеме диода), что обеспечивает очень большое сопротивление диода (на частоте параллельного резонанса) при больших прямых напряжени- ях н очень маленькое — прн об- ратных. Рис. VIII.9. Вольт-амперная характеристика р-л-псрехо- да стабилитрона. Рис. VIII.10. Вольт-ампер- ная характеристика туннель- ного диода. Параметрические диоды обладают сильной зависимостью емкости р-п-перехода от приложенного (обратного) напряжения, что позволяет ис- пользовать их в параметрических усилителях, схемах автоматической под- стройки частоты н т. д. Опорные диоды (стабилитроны) применяются для стабилизации на- пряжения, которая достигается благодаря высокой крутизне вольт-ампер- ной характеристики р-п-перехода в области обратных напряжений, превы- шающих пробойные (рис. VII 1.9).
Полупроводниковые приборы 329 ^обр В темноте Слабый свет Туннельные диоды обладают падающим участком характеристики (рис VIII.10), благодаря чему находят широкое применение в логических схемах, запоминающих устройствах, генераторах н т. д. в качестве актив- ного элемента с отрицательным со- противлением. Фо одноды — приборы, в которых используется свойство р п перехода, заключающееся в значительном изме- нении обратного тока через этот переход прн освещении кристалла (рис. VIII.11). Параметры фотодиодов приведены в § 3 этой главы. Маркировка полупроводниковых диодов производится в соответствии с ГОСТ 5461—59 и ГОСТ 10862—64. Согласно ГОСТ 5461—59 маркировка диодов состоит из четырех эле- ментов. Первый элемент — буква Д Второй элемент — число, указывающее тип разработки. Уста- навливается в соответствии с табл. VIII.21. Таблица VII1.21 Рнс. Vlll.ll. Вольт-амперная характеристика р-п-перехода фо- тодиода. Ма ркировка второго элемента в обозначении типов диодов Материал Диоды точечные Диоды плоскостные Стабили троны Выпрямитель- ные столбы Германий .... Кремний 1—100 101—200 301—400 201—300 801—900 801—900 1001 и выше 1001 и выше Третий элемент — буква, указывающая разновидность при- бора. Для полупроводниковых приборов, не имеющих разновидностей типа, третий элемент условного обозначения не указывается. Четвертый (дополнительный) элемент — буква, указывающая полярность прибора: П — диод обратной полярности, Р — диод переменной полярности. Согласно ГОСТ 10862—64 маркировка диодов состоит из четырех элементов: Первый элемент —буква или цифра, обозначающая исходный материал: Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А илн 3— арсенид галлия. Второй элемент — буква, указывающая класс или группу приборов: А — сверхвысокочастотные дноды, В — варикапы, Д — выпрямительные, универсальные, импульсные диоды, И — туннельные диоды, Н — неуправляемые многослойные переключающие диоды, С — стабилитроны, У — управляемые многослойные переключающие диоды, Ц — выпрямительные столбы и блоки.
330 Электронные и ионные приборы Третий элемент — число, характеризующее назначение или элек- трические свойства диода. Устанавливается в соответствии с табл. VII 1.22. Четвертый элемент — буква, указывающая разновидность типа нз данной группы приборов. Параметры диодов приведены в табл. VIII.23—VIII.33. Более под- робные сведения о полупроводниковых диодах и транзисторах имеются в справочнике [6, 8]. Маркировка третьего элемента в обозначении диодов Диоды низкой частоты Сверх высок о частота ые диоды Неуправ- ляемые переклю- чающие ДИОДЫ, мощность Управ- ляемые пе реклю- чающис диоды, мощность Туннель- ные дио- ды» рабо- чая час- тота Вь прямительпые Смесительные Малая Малая Низкая Впдеодетекторы Средняя Средняя Средняя Модуляторные Большая ГБольшая Высокая Универсальные Параметрические — — — Импульсные Переключающие — -— —• Варикапы Умножнтельные — — — —- —- -— — — — —. — — — •— — — — Точечные германиевые диоды ) Максимально допустимое обратное рабочее иапряжение» в, при окружающей температуре. Основное назначение от —60 ДО +20 Прямой гок +50 +70 § Д1А Д1Б Д1В Д1Г Д1Д Д1Е Д1Ж Детектирование и вы- прямление переменного тока при температурах от —60 до +70° С в диапазоне частот до 150 Mei} 40 20 20 20 2,5 45 30 30 30 1,0 45 30 30 30 7,5 75 50 50 45 5,0 НО 75 75 55 2,5 150 100 100 75 1,0 150 100 100 80 5,0
Полупроводникопые приборы 331 Работа диодов в предельных режимах недопустима, так как при этом резко сокращается срок их службы. Панка выводов осуществляется при- поем ПОС-40 па расстоянии не менее 10 мм от корпуса с обязательным применением дополнительных теплоотводов между местом пайки п корпу- сом диода, продолжительность пайки пе более 2—3 сек. Мощные диоды при монтаже располагаются так, чтобы обеспечивались хорошие условия охлаждения. Таблица VIII.22 Стабили- троны ма- лой мощ- ности, на- пряжение стабили- зации, в Стабили- троны средней мощности, напряже- ние стаби- лизации, в Стабили- троны большой мощности, напряже- ние стаби- лизации. в Выпрями- тельные столбы, мощность Выпрямительные блоки, мощ- ность Маркировка тре- тьего элемента обозначения 1,0—9,9 - . Малая 101—199 10—99 .— — Средняя •— 201—299 100—199 -—. «—- — Малая 301—399 — 1,0—9,9 — .— Средняя 401—499 —— 10—99 — —— Большая 501—599 — 100—199 — -— — 601—699 -—. -— 1,0—9,9 — — 701—799 ——. — 10—99 — — 801—899 — — 100—199 — — 901—999 Таблица VIII.23 Среднее значение выпрям- ленного тока, нс более, л»а Обратный ток, л'а Конструктивное выполнение диода при обратном напряже- нии 2), в при окружающей температуре, СС 4-20 4-50 4-70 16 1’0 0,25 0,80 1,50 16 25 0,25 0,80 1,50 + — ю ь.1 й 25 25 0,25 0,80 1,50 о SJi | ° _ V— С>' 16 45 0,15 0,80 1,50 16 55 0,15 0,60 2,00 tv Jn 12 75 0 20 0 70 2 10 12 80 0,20 0,80 2,00
332 Электронные и ионные приборы Обозначение Основное назначение Минимальная амплитуда об- ратного пробивного напри* жения, в —• Максимально допустимое обратное рабочее напряжение при окружающей температуре. °C Прямой ток не менее, ма при напряжении, в от —60 ДО +20 +50 +70 Д2А • 15 10 10 10 50 1 Д2Б 45 30 30 30 5 1 Д2В Работа в измерительных 60 40 40 40 10 * « Д2Г и других схемах н ин- дикаторах уровня при 100 75 56 56 2 1 Д2Д температурах от —60 до +70с С в диапазоне 100 75 56 56 5 1 Д2Е частот до 150 Мгц 150 100 75 75 2 1 Д2Ж 200 150 112 112 2 1 Д2И 150 100 75 75 2 1 ДЭЛ — 10 10 10 10 1 Д9Б — 10 10 10 90 1 ДЭВ — 30 25 20 10 1 Д9Г Детектирование и вы- — 30 25 20 30 1 Д9Д прямлейне переменного тока при температурах от —60 до +70° С в — 30 25 20 60 1 ДЭЕ 50 40 30 30 1 диапазоне частот до Д9Ж 40 Мгц — 100 80 45 10 1 Д9И — 30 25 20 30 1 Д9К — 30 25 20 60 1 Д9Л — 100 80 45 30 1
Полупроводниковые приборы 333 Продолжение табл. VIII.23 Среднее значение выпрям- ленного тока, ие более, на Обратный ток, ма Конструктивное выполнение диода при обратном напряже- нии *), в при окружающей температуре, °C +20 +50 +70 50 16 25 16 16 16 8 50 7 10 30 50 50 100 150 100 0,25 0,10 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,40 0,20 0,50 0,50 0,50 0,50 0,50 0,50 0,70 0,40 1,00 1,00 1,00 0,70 0,70 0,70 — -в— — со •а 25 40 20 25 30 20 15 30 30 15 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,12 0:06 0,25 0,35 0,20 0,35 1,00 100 0,80 0,80 0,80 0,60 0,50 0,50 0,40 0,50 Аналогично дноду типа Д1
334 Электронные и ионные приборы Обозначение Основное назначение Минимальная амплитуда об- ратного пробивного напря- жения, в Максимально допустимое обратное рабочее напряжение, в, прн окружающей температуре, °C Прямой ток не менее, ма при напряжении, в от —60 ДО 4-20 +50 +70 ДЮ») 20 10 10 10 3 1,5 Д10А з) 20 10 10 10 5 1 5 Д10Б з) 20 10 10 10 8 1,5 5 0,5 ДИ Работа в схемах огра- 40 30 - 18 100 1,0 2 0,5 Д124> ницителей при темпе- 75 50 - 30 50 1,0 ратурах от —60 до 2 0,5 Д12А«> 4-70° С в диапазоне 75 50 - 30 50 1.0 частот до 50 Мгц 5 0,5 Д134) 100 75 — 45 100 1,0 2 0,5 Д14 4> 125 100 —. 60. 30 1,0 5 0,5 Д14А4> 125 100 •— 60 100 1,0 Д15 ДЮ Работа в малогабарит- ной электронной апна- — * 30 — — 15 1 ратуре на частотах до 300 Мгц • — 50 — —• 3 1 Д18 Работа с импульсами малой длительности (доли микросекунд) — 20 — — 20 1 при температурах от —65 до +70° С Д19 Работа в ключевых — — 40 —. 45 1 Д19А схемах при температу- .—- 20 — 60 1 Д19Б рах от —60 до 4-70° С 20 45 1 *) Проходная емкость диодов типа Д9 составляет 1—2 пф, остальных — 1 пф Для диода типа Д9 при обратном рабочем напряжении. 3) Плюсовый колпачок диодов окрашен: ДЮ — в зеленый цвет» Д10А — в жел- тый, Д10Б — в красный.
Полупроводниковые приборы 835 Продолжение табл. VIII.23 . е к - 0.0 Обратный ток, ма иие выг не бол< при окружающей температуре, °C Конструктивное выполнение диода Среднее зйаче1 ленного тока, при обратном напряже- нии 2), в 4-20 4-50 4-70 3 5 8 20 20 20 20 20 20 10 10 10 10 30 10 50 10 50 10 75 10 100 10 100 0,10 0,20 0,20 0,05 0,12 0,07 0,25 0,05 0,25 0,05 0,25 0,07 0,25 0,07 0,25 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0,20 0,40 0,40 0,12 0,12 0,1 0,12 0,12 ЗЕ во 16 й — 30 50 0,3 0,5 — — Желтая «бусинка» 0 3 лл, поло- жительный электрод — красный. Синяя «бусинка» 0 3 мм, поло- жительный электрод — зеленый — 20 0,05 — — Аналогично диодам Д104 —Д106 (см. табл. VI11.24). Положитель- ный вывод обозначен красной краской — 40 20 20 — 0,1 0,1 0,1 — Аналогично диоду типа Д1, поло- жительный вывод обозначен крас- ной точкой, цвет поперечной поло- сы на корпусе у Д19—желтый, у Д19А — зеленый, Д19Б — си- ний ') Диоды маркируются цветными точками на баллоне: ДИ —зеленой, Д12— черной, Д12А —двумя черными, Д13 — желтой, Д14 — красной , Д14А — двумя красными.
Точечные кремниевые диоды1' 41 О ДЮ! ДЮ1А ДЮ2 Д102Л ДЮЗ ДЮЗА Таблица VII1.24 Основное назначение Работа при темпе- ратуре от —60 до +15(1° С в диапа- зоне частот до 200 Меи Максимально допустимое обратное рабочее напряжение, в, при окружающей температуре, Пря- мой ток Среднее значение наибольшего выпрямленного тока, ма, при температуре. °C Максимальный обратный ток, мка ! не менее, лп при напряжении, в при обратом напря- жении, в при окружаю- щей темпера- туре. СС +75 + 125 +150 ло +75 + 125 + 150 ДО +20 +75 + 125 100 75 50 о п • 30 15 8 75 10 25 75 100 75 50 1 1 30 15 8 75 ю 25 75 75 50 30 2 2 30 15 8 50 10 50 — 75 50 30 1 1 30 15 8 50 10 СО 100 — 30 20 2 о 30 15 Ь 30 30 60 100 — 30 20 1 1 30 15 8 30 30 60 100 Общий вид диода 60 3 Л 2 Е Д104 Д104А ДЮ5 ДЮ5А Д106 ДЮ6А Д107 Д107А ДЮЗ ДЮ9 Д223 Д223А Д223Ь — 75 50 2 2 30 — 8 75 10 — 150 — 75 50 1 1 30 — 8 75 10 — 150 Работа при темпе- ратуре от —60 до + 150° С в днапа- — 56 20 2 о 30 — 8 50 10 — 100 зоне частот до 50 20 1 1 30 8 50 10 100 600 Мгц — 30 20 2 2 30 — 8 30 30 — 100 — 0 20 1 1 30 — 8 30 30 — 50 10 10 1 3 10 0,1 Выпрямление пе- ременного тока при температуре от —50 до +125° С — 10 30 — 10 1 — 8 — 10 30 1,0 1.0 — 10 35 в диапазоне частот — — 10 1 — 3 — — до 20 Мгц — 50 — 10 1 — 3 — 50 1,0 — 20 10 0.1 0,1 — 50 — 50 1 — 20 — 50 Работа при темпе- ратуре от —60 до 0,5 0,5 50 + 125° С в диапа- __ 100 50 1 20 зоне частот до 100 1 1 30 Мгц — 150 — 50 1 — 20 — 75 150 0,7 1 — 0,7 1 Аналогичен диодам ДЮ! — ДЮЗ Положительный вывод — крас- ный Цвет трех точек иа корпусе: у Д107 — оранжевый, у Ю7А — красный, у ДЮЗ — белый, у ДЮ9 — желтый Аналогичен диодам ДЮ4 — Д106, Положительный вывод обозна- чен красными точками на корпу- се: у Д223 — четыре точки, у Д223А — три, у Д223Б — две *) На корпус диодов типов ДЮ! нанесена белая точка, Д102 — желтая, ДЮ2А — оранжевая, ДЮЗ — голубая, ДЮЗА—зеле- ная, плюсовый колпачок диодов типов ДЮ! — ДЮЗА окрашен в красный цвет ионные приборы ' Полупроводниковые приборы 337
Таблица VIII.25 Кремниевые сплавные выпрямительные диоды О Обозначение Общие данные о работе диодов Наибольшая амплитуда обратного напряжения, ^обр макс* 8 Обратный ток при наи- большем обратном на- пряжении 7обр, лот Среднее значение наи- большего выпрямленно- го тока /Ср, а Площадь пластин ох- лаждающего радиатора на каждый диод при температуре 125° С. см* Общи ft вид диода Д201А Д201Б Д201В Д201Г Д201Д Д201Е Д201Ж Интервал рабочих температур от—60 до +125°С, граничная рабочая частота 50 кгц 25 50 50 100 100 200 200 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,2 0,2 04 0,2 0,4 0,2 0,4 — Ю - 161 в А -0/5 - Д202 Д203 Д204 Д205 Температура окружающей среды от —60 до 4-125° С; граничная ча- стота до 20 кгц, при снижении тока па 30% до 100 кгц; емкость диода 20 пф 100 200 300 400 0,5 0,5 0,5 0,5 0,4 0,4 0,4 0,4 40 Аналогичен Д201 Д206 Д207 Д208 Д209 Д210 Д211 100 200 300 400 500 600 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 ] Я'О 1 Температура окружающей среды от —60 до -|-125° С; звуковой диа- |д. - пазон частот 1 i -1 1 Д214 100 3,0 3,0 5 60 200 “40 03,6 Д214А 100 10 j' / Д214Б Температура окружающей среды от —60 до +125° С, граничная рабочая частота 1 кгц 100 3,0 2 100 Д215 Д215А 200 200 3,0 3,0 5 10 60 200 Д215Б 200 3,0 2 100 <3 Д217 Д218 Температура окружающей среды от —60 до +125° С, граничная рабочая частота 1 кгц 800 1000 0,5 0,5 0,1 3) 0,1 3) — Аналогичен диодам типов Д206 — Д211 Д242 Д242П «) Д242А Д242АП «) Д242Б Д242БП «> Д243 Д243П Д243А Д243АП 4> Д243Б Д243БП Д244 Д244П «) Д244А Д244АП 4> Интервал рабочих температур от —60 до +125° С, граничная ра- бочая частота 1 кгц 100 100 100 200 200 200 50 50 3 3 3 3 3 3 3 3 10/5 10 5/2 3) 10/5 3) 10 , 5/2 2) 10/5 2) 10 100 200 100 100 200 100 100 200 Аналогичен Д231 диодам типов -Д234
Продолжение табл. VIII.25 Обозначение Общие данные о работе Диодов Наибольшая амплитуда обратного напряжения vo6p. макс* 8 Обратный ток прн наи- большем обратном на пряжении 70бр. ма Среднее значение наи- большего выпрямленно- го тока 7ср, а Площадь пластин ох- лаждающего радиатора на каждый диод при температуре 125° С, см г Общий вид диода Д244Б Д244БП <) Д245 Д245П Д245А Д245АП «) Д245Б Д245БП «) Ин ервал рабочих температур от —60 до +125° С, граничная ра- бочая частота 1 кгц 50 300 300 300 3 3 3 3 5/2®) 10/5 2) 10 5/2 2) 100 100 200 100 Аналогичен диодам типов Д231-Д234 Д221 Температура окружающей среды от —60 до +125° С, граничная частота 3 кгц; емкость диода 20 пф 400 0,5 0,4 -1 ю L- 1- 35- * (1) 1 Д222 600 0,5 0,4 40 42— - Д226 Д226А Интервал рабочих температур от -60 до+125° С 300 200 — 0,3 0,3 — Аналогичен диоду Д7 (см. табл. VIII.26) Д229А Д229Б Д230А Д230Б Интервал рабочих температур от —60 до +125° С, граничная ра- бочая частота 50 кгц 200 400 200 400 0,05 0,05 0,05 0,05 0,4 0,4 0,3 0,3 — Аналогичен (см. табл. V111.26) Д231 Д231П «) 300 3,0 10/52) Д231А Д231АП «) 300 3,0 10 Д231Б Д231БП «) Д232 Д232П *) Д232А Д232АП ♦) Д232Б Д232БП Д233 Температура окружающей среды от —60 до +130° С; теплоотвод 300 400 400 400 500 .3,0 3,0 3,0 3,0 3,0 10/2 21 10/52) 10 10/22) 10/5 — Д233П обязателен, площадь пластин ра- Д233Б Д233БП«) Д234Б Д234БП 4 диатора выбирается эксперимен- тально, допускается принудитель- 500 3,0 10/2 2) ное охлаждение 600 3,0 10/2 2) Д246 Д246П «) 400 3 10/5 2) 100 Д246Б Д246БП «) 400 3 5/2 2) 100 Д247 Д247П *) 500 3 10/52) 100 Д247Б Д247БП 4) 500 3 5/22) 100 Д248Б Д248БП «) 600 3 5/2 2) 100 >) Прямое падение напряжения для диодов Д231Б, Д232Б, Д233Б И-Д234Б в диапазоне температур от—60 до 75° С состав- ляет 1,5 в, при температуре 130° С — 1 в. для остальных диодов во всем интервале температур — 1 в. *) При температуре окружающей среды соответственно от —60 до 4-75-’С и 130° С. ») При температуре 4-125 С /ср = 0,05 а; допускается /ср —0,1 а при t/o0pi макс = 600 " *) Диоды с индексом «П» имеют обратную полярность. 340 Электронные и ионные приборы Полупроводниковые приборы 341
342 Электронные и ионные приборы Германиевые сплавные выпрямительные диоды Обозначение 1 йнбольшая амплитуда обратного напряжения, в, при температуре окружающей среды, СС Среднее значение выпрямленного тока, а, при температуре окружающей среды, °C от —60 до 4*20 +50 +70 от —60 до 4-20 +50 +70 Д7А 50 32 25 0,3 0,3 0,21 Д7Б 100 80 50 0,3 0,3 0,21 Д7В 150 90 50 0,3 0,3 0,21 Д7Г 200 150 100 0,3 0,3 0,21 Д7Д 300 200 130 0,3 0,3 0,21 Д7Е 350 225 140 0,3 0,3 0,21 Д7Ж 400 250 150 0,3 0,3 0,21 ДЗЭ2 200 120 50 1,0 1,0 0,8 ДЗЗЗЧ 150 120 50 3,0 2,5 1,5 Д304 * 2) 100 100 50 5,0 3,0 1,8 Д305 3) 50 50 50 10,0 6,5 3,0 Ч Прн работе с медным теплоотводящим радиатором толщиной 3 мм и диамст 2) То же, что н в сноске *), во диаметром 80 мм. •) То же, что и в сноске •), во диаметром 150 мм. Примечание. Диоды ти м Д7 до частоты 2 кгц работают без снижения ве снизиться при нагрузке 1 ком до 40%.
Полупроводниковые приборы 343 Таблица VIII.26 Прямое падение напряжения, в, при наибольшем выпрям- ленном токе (среднее значение) и температуре окружающей среды, °C Среднее значение обратного тока, ма, при наибольшем обратном напряжении н температуре окружающей среды, °C Общий вид дно да 4-60 от 4-20 до 4-70 от —G0 до 4-20 4-50 4-70 — 0,5 0,5 0,5 0,5 0,1 0,1 0,1 0,1 — 1,0 1,0 1,0 1,0 ад; м*т-;б,5—i—зя— —< ь, НЯ — 0,5 0,5 0,5 0,1 0,1 0,1 — 1,0 10 1.0 ff- 0,55 0,6 0,8 1,0 0,25 0,30 0,30 0,35 1,0 1,0 3,0 3,0 2 3 5 10 5,0 6,0 15,0 25 0 J ад 5 - IV- ГЧ5- !—is- ром 60 мл{. личины выпрямленного тока, при частоте 50 кгц величина выпрямленного тока может
344 Электронные и ионные приборы Таблица VIII27 Силовые германиевые диоды’) Обозначение Амплитуда максималь- ного обратного напряжения, в Среднее значение вы- прямленного тока, а Обратный ток, ма Габаритные размеры, мм ВГ 10-15 15 7,5 10 ВГ-10-30 30 7,5 10 ВГ-10-50 50 7,5 10 0 43x77 В 10-80 80 7,5 10 ВГ 10-100 100 7,5 10 ВГ 10-150 150 7,5 10 ВГ-50-15 15 30 20 ВГ 50-30 30 30 20 ВГ-50-50 50 30 20 70Х70Х ВГ 50 80 80 30 20 Х1252) ВГ 50-100 100 30 20 ВГ 50-150 150 30 20 ВГ-200-15 15 200 50 ВГ-200-30 30 200 50 ВГ 200-45 45 200 50 0 84Х1282» В 200-55 55 200 50 ВГ 200-80 80 200 50 ВГ-200-110 НО 200 50 Параметры диодов приведены для температуры окружающей среды 204-5° С. Диоды ВГ-10 и ВГ-50 работают при естественном охлаждении. Диоды ВГ-200 требуют водяного охлаждения, расход воды при температуре 30° С не менее 2 л,мин *) Длина диода без гибкого вывода. Таблица VIII.28 Кремниевые силовые управляемые вентили Обозначение Способ охлаждения Скорость движения охлаждающего воз- духа, м/сек Максимальный вы- прямленный ток, а Мощность управле- ния, вт Ток импульса управ- ления, а Габаритные раз- меры, мм ВКУ-10 Без радиатора С радиатором 0 0 1 5 5 } 20 1 100x100x105
Полупроводниковые приборы 345 Продолжение табл. V/H. 28 ВНИИ ВОЗ 3 ® £0 X ф ч и CQ Л О. Q *2 ф X ф Способ охлаждения “ Яу tT “-* « 7sS 1ЛЬН1 1НЫЙ Л ь Л ч Габаритные размеры, мм X п* 2 Ф S3 ч ёЕ X ® Е ° О О ч X XXх ио ц и о 5 S X Ток лени ВКУ-10 Принудительное 5 8 1 То же 10 10 | Д) ВКУ-20 Без радиатора 0 3 100x100x140 С радиатором 0 10 Принудительное 5 16 /и 1 То же 10 20 ВКУ-50 С радиатором 0 15 100x100x140 Принудительное 5 32 30 1.5 То же 10 42 15 50 ВКУ-100 С радиатором 0 22 140 2 70x76x290 Принудительное 15 100 Примечание. Прямое падение напряжения па вентиле максимум !,4 в. Сред- ний обратный ток 20 ма. Допустимое значение амплитуды управляющего импульса 20 в. Интервал рабочих температур от —40 до +65° С. Длинный вывод — катод, короткий — управляющий электрод, анод выведен на корпус. Рабочие напряжении в зависимости от класса вентиля приведены в табл. V111.29. Таблица V 111.29 Рабочие напряжения силовых управляемых вентилей типа ВКУ Класс вентиля Параметры 0,25 0.5 0,75 I 1.5 2 2.5 3 Пиковое значение порого- вого напряжения переклю- чения, в 50 100 150 200 300 400 500 600 Максимальное обратное на- пряжение, в 38 75 125 150 225 300 375 450
346 Электронные и ионные приборы Таблица VIII.30 Выпрямительные столбы и блоки1) Обозначение Минимальная амплитуда об- ратного пробивного напря- жения, в Максимальное допустимое обратное рабочее напряже- ние, в Прямой ток Обратный ток Среднее значение выпрям- ленного тока, не более, ма Габаритные размеры, мм не менее, ма при напряжении, в не более, ма при напряжении, в Д1001 5000 2000 100 6,5 0,15 2000 100 15x25x70 Д1001А 3000 2X1000 100 3,5 0,15 1000 2x100 15x25x70 Д1002 5000 2000 300 7,5 0,30 2000 300 15x30x110 Д1002 \ 3000 2X1000 300 4,0 0,30 1000 2x300 15x30x110 Д1003А 3000 2x500 300 2,0 0,30 500 2X300 15x30x70 Д1004 —- 2000 100 4 0,1 2000 100 18X18X57 Д1005Л — 4000 50 4 0,1 4000 50 18x18x57 Д1005Б — 4000 100 6 0,1 4000 100 18x18x100 Д1006 — 6000 100 6 0,1 6000 100 18X18X100 Д1007 — 8000 75 6 0,1 8000 75 18X18X100 Д1008 — 1000 50 6 0,1 1000 50 18X18X100 Д1009 — 2000 100 7 0,1 2000 100 15X25X92 Д1009Л — 1000 100 3,5 0,1 1000 100 15x25x92 Д1010 — 2000 300 1,1 0,1 2000 300 15X30X132 Д1010А 1000 300 5,5 0,1 1000 300 15x30x132 ДЮНА — 500 300 2,5 0,1 500 300 15x25x132 КЦ401А2) — 500 — 2,5 0,1 500 400 300 15x30x132 КЦ40 Б3) — 500 — 2,5 0,1 500 500 400 30 x 50x102 Значения параметров указаны для столбов ДЮ01—ДЮОЗ при температуре до 4-50° С, Д1004 — Д1009 — до 4-125° С, Д1009А — Д101IA — до 4-80° С. Допускается последовательное соединение столбов без шунтирующих сопротивлений при амплитуде обратного напряжения для Д1004 — ДЮ08 до 30 кв, для остальных —до 6 кв. Допу- скается параллельное соединение однотипных диодов. 2) Блок предназначен для работы в качестве удвоителя напряжения при темпе- ратуре до 4-70° С. В верхней строке приведен ток первого плеча, в нижней — второ- го. Последовательное н параллельное включение блоков недопустимо ’) Блок предназначен для работы в схеме удвоения напряжения и в мостовой!: схеме при температуре до 4-70° С, В верхней строке приведен ток при работе выпря- мителя в мостовой схеме, во второй — в схеме удвоения. Последовательное и парал- лельное включение блоков недопустимо.
Полупроводниковые приборы 347 Таблица VIH.31 Кремниевые плоскостные импульсные диоды ’) Максимальное падение напряжения, в, в прямом направлении при токе 50 ма и температуре, °C +20 +100 +125 Максимальный обратный ток, мка и окружающей температуре, °C Общий вид диода Д219А 70 Д220 50 Д220Л 70 Д220Б юо 1,0 1,5 1,5 1,5 1,1 1.9 1,9 1,9 70 1,0 100 1,0 30 20 30 40 Д223 50 Д223А 100 Д223Б 150 1,0 1,0 1,0 10 50 100 50 150 75 0,1 1,0 1,0 0,5 1,0 0,7 10 50 50 20 50 30 1 1 1 >) Среднее значение выпрямленного тока для всех диодов при температуре +20° С составляет 50 ли, при температуре +Ю0сС (для Д219 и Д220) и 125° С (для Д223)— 20 ли. Ток в импульсе (прн длительности 10 мксек) до 500 ли. Емкость диодов типов Д219, Д220 прн обратной напряжении 5 в не более 15 пф. ’) Для диодов типов Д219, Д220 в интервале температур от —60° до +100° С, для Д223 от —60’ С до +100’ С. ’) Плюсовый вывод всех диодов отмечен красной точкой На корпусы диодов на- несены: Д219А — красная точка; Д220, Д220А, Д220Б — желтая точка; Д223 — четыре красных точки; Д223А — две красных точки; Д223Б — три красных точки. На минусо- вый вывод диодов типов Д219А и Д220А нанесена черная точка, Д220 — синяя, Д220Б — зеленая.
348 Электронные и ионные приборы Таблица Vi 11.32 Кремниевые переключающие диоды Параметры Д227А Д228А Д227Б Д228Б Д227В Д228В Д227Г Д228Г Д227Д Д22ВД Д227Ж Д228Ж Д227И Д228И Напряже- ние вклю- чения, в . 10—20 14—28 20-40 28-56 40—80 80—100 100—200 Примечания: Наибольшее значение обратного тока переключения для всех диодов 1 лад. Наибольшее значение тока утечки 100 мка. Наибольшее значение тока включения для диодов Д227 5 л га, для диодов Д228 1 лад. Наибольшее значение тока выключения 15 лад. Наибольшее значение тока включения в импульсе длительностью 10 мксек (при среднем токе через диод ие более 200 лад) 2 а. наибольшее значение то- ка выключения в тех же условиях 10 а. Наибольшее значение обратного напряжения — 10 в. Наибольшее значение остаточного напряжения 1,5 в (для диодов Д227 при токе через диод 200 лад, для диодов Д228 при токе 50 ма). Наибольшее значение времени включения для диодов Д227 0,5 мксек, для диодов Д228 0,1 мксек. Наибольшее значе- ние времени выключения для диодов Д227 10 мксек, для диодов Д228 5 мксек. Наиболь шее значение емкости диода у Д227 i 00 пф, у Д228 80 пф. Диапазон рабочих темпе- ратур от —60 до 4-100° С. Конструктивное выполнение аналогично диодам Д202— Д205 см табл. VI 11.25) Таблица V111.33 Кремниевые стабилитроны ') Д808 Д809 Д810 7—8.5 8—9,5 9—10,5 Наибольшее внутреннее (динамическое) X сопротивле- X ГО НИС, с СП сП ом о сП л. X <3 о X СП я 3 V га СП X X р с X Ч X S 'га о 3 га X — и ч 2 о ф СП X S о [редел ни, ма X о gj о ь xg CL* X С =f сю с^-. 5 1-33 6 12 5 1—29 10 18 5 1—26 12 25 О а ф Л ч — X с. в ч с СП о X «1 л 3 о о с. с * Ф X 1) § X Ь X ф с сс Мо. « с о S ф св 1 ратно < 1 в, Ф 4 S3 So m о X о “и Ю X о а gS а «о з— о s О X <v ф «£ и о в? а 3 к Л £ а ₽ 3 eg х £ 1= ШбОЛ! 1Я при L О. X с — X f— сп 10 1 280 1 10 1 280 1 10 1 280 1
Полупроводниковые приборы 349 Продолжение табл. VIII.33 Обозначение Напряжение стабилизации, ма Номинальный ток стабилизации, ма Пределы изменения тока стабилнзя’ цин, ма Наибольшее внутреннее (динамическое) сопротив- ление, ом Наименьшее обратное сопротивление прн напряжении 1 в. Мом Наибольшее прямое падение напряже- ния прн токе 50 ма, в Наибольшая рассеиваемая мощность *), мет Температурный коэффициент ставили ' зации, 5» на 1° С при токе стабилизации 5 ма при токе стабилизации 1 ма Д811 10—12 5 1—23 15 30 10 1 280 1 Д813 11,5—14 5 1—20 18 35 10 1 280 1 Д814А 7—8,5 5 1—40 6 12 10 1 340 0,07 Д814Б 8—9,5 5 1—36 10 18 10 1 340 0,08 Д814В 9—10,5 5 1—32 12 25 10 1 340 0,09 Д814Г 10—12 5 1—39 15 30 10 1 340 0,095 Д814Д 11,5—14 5 1—24 18 35 10 1 340 0,095 2С156А 5,6 10 3—55 46 3> 0,05 2С168А 6,8 10 3—45 28 3> — — — 0,06 ") В схемах стабилизятш подключаются к источнику полярностью, обратной по отношению к обозначенной иа корпусе стабилитрона, допускается последовательное включение в любом количестве. ') Прн увеличении температуры окружающей среды выше SO" С допустимая рас- сеиваемая мощность снижается на 2,8 мет на каждый градус. •) На рабочем участке характеристики. Транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с дву- мя р-п-переходами. В простейшем случае транзистор (рис. VIII.12) состоит из кристалла германия Г и двух остриев Эн К, касающихся поверх- ности кристалла иа расстоянии 20—50 мк одно от другого. Каждое острие образует с кристаллом Г обычный выпрямительный контакт с прямой проводимостью от острия к кристаллу. Если между электродом Э, называе- мым эмиттером, и базой Б подать напряжение прямой полярности, а меж- ду электродом К, называемым коллектором, и базой Б —обратной полярно-
350 Электронные и ионные приборы сти то, оказывается, что величина тока коллектора /к («обратного») нахо- дится в прямой зависимости от величины тока эмиттера 1Э. Поскольку напряжение на эмиттер подано в прямой полярности, а на коллектор — в обратной, то внутреннее сопротивление в цепи эмиттера оказывается значительно меньшим, чем сопротивление в цепи коллектора, поэтому несмотря на то, что токи эмиттера /э и коллектора /к незначитель- но отличаются один от другого, удается получить большое усиление по мощности (порядка 100—1000). Если включить в цепь кол- лектора нагрузочное сопротивле- ние /?н величиной несколько десятков килоом, а на эмиттер подать перемен- ное напряжение, то напряжение, раз- вивающееся на сопротивлении Rn, окажется значительно большим пап- Рис. \ 111.12. Схема, поясняющая принцип работы транзистора. ряжения, приложенного к эмиттеру. Так же как и диоды, транзи- сторы могут быть точечными и плос- костными. Однако точечные транзи- сторы в настоящее время уже полностью вытеснены плоскостными, харак- теризующимися большей стойкостью к внешним воздействиям, мень- шим уровнем шумов, более высоким коэффициентом усиления, большей мощностью и т. д. Плоскостный транзистор состоит из кристалла полупроводника (гер- мания кремния и др.), имеющего три слоя с различной проводимостью р и п. Проводимость типа р создается из- быточными носителями положи- тельных зарядов, так называе- мыми «дырками», образующими- ся вследствие недостатка элек- тронов в слое. В слое, типа п проводимость осущсствля- р ;п ;р __।__।_ в ется избыточными электронами. Таким образом, возможны два типа плоскостных транзисторов: р-п-р, в котором два слоя типа р (например, германия) разде- лены слоем тина п (рис. VIII.13), Рис. VIII. 13. Схематическое изобра- жение транзистора: а — схема конструкции: б — схема вклю- чения транзистора типа р-л-р. п-р-п, в котором два слоя типа п разделены слоем типа р. Толщина сред- него слоя обычно очень мала (приблизительно 0,25 мк). В зависимости от сочетаний величин и знаков напряжений на эмнт- терном U3 и коллекторном UK переходах транзистор может работать в об- ласти отсе ши, активной области и области насыщения. Область отсечки характеризуется обратным смещением на обоих переходах (оба перехода за- перты), активная область — прямым смещением на одном переходе и обратным на другом и область насыщения — прямым смещением на обоих переходах (оба перехода ннъектируюг носители в базу). Кроме того, с различными сочетаниями напряжений транзистор может работать в пря- мом (нормальном) и в обратном (инверсном) включениях. В последнем слу- чае эмиттер служит коллектором, а коллектор — эмиттером. В зависимости от того, какой электрод транзистора является для ис-
Полупроводниковые приборы 351 точппков тока (напряжения) цепей эмиттера и коллектора общим, различают три схемы включения транзистора: с общей базой, общим эмиттером и об- щим коллектором. Различают схемы включения по переменному току (в этом случае определяется общий электрод относительно входного и выходного переменного сигналов) и по постоянному току (когда определя- ется общий электрод по источникам питания эмиттерного и коллектор- ного переходов). В табл. VI11.34 приведены перечисленные возможные случаи включе- ния транзистора структуры р-п-р. Для поста, указанные в таблице, должны быть изменены иа обратные. Транзистор может работать в двух режимах: усиления и переключения. В режиме усиления при малых сигналах транзистор работает только в активной области, при больших сигналах — в об- ласти отсечки и в активной области транзистора п-р-п вес поляр- Рис. \ III.14. Конструкция транзи- стора: а — структура кристалла; б — общий вид транзистора. Рис. VI11.15. Изображение транзистора в виде четырех- полюсника: а — с общей базой, б — с об- щим эмиттером, в — с общ| м коллектором. В режиме переключения транзистор работает во всех трех областях — активной, отсечки и насыщения. Причем рабочая точка на длительное время «задерживается» в двух последних областях и быстро «пробегает» активную область. На принципиальных схемах транзисторы р-п-р и п-р-п можно отличить по направлению стрелки эмиттера, которое совпадает с направле- нием тока /э. Вариант конструкции плоскостного транзистора приведен на рис. VIII. 14 Параметры транзисторов при малых сигналах. При малых сигналах транзистор работает в линейном режиме и может быть представлен в виде активного линейного четырехполюсника (рис. VIII. 15) в различных вариантах включения: с заземленной базой, с заземленным эмиттером и с заземленным коллектором. Входные Up и выходные t2, и2 токи и напряжения четырехполюсника взаимно связаны. Принимая любую пару этих переменных за независимые,
Таблица V11I.S4 Схемы включения транзисторов типа р-п-р (для транзисторов типа п-р-п полярность включения должна быть обратной) Схемы включения Включение транзистора С общей базой С общим эмиттером С общим коллектором Прямое Уб. э>^к. э Нас U6. в < Uk. э Акт Прямое ^э. б Аи нС£1 Примечание. В таблице приняты следующие сокращения; Нас — работа транзистора в области насыщения; Акт — работа в активной области; Очс — работа в области отсечки. Электрон ые и ионные приборы ________________________Полупроводниковые приборы 353
354 Электронные и ионные приборы можно получить ту или иную систему уравнений, описывающих четырех- полюсник. Если за независимые переменные приняты токи (система г-нараметров), то уравнения четырехполюсника имеют вид: "1 = ‘1гП + U2 ~ *1г-21 + где гп и г22— входное и выходное полные сопротивления при разомкну- том выходе и входе соответственно, г12 и г21 — обратное и прямое полные Рис. V111.16. Эквивалентная схема транзистора с общей базой. передаточные сопротивления при разомкнутом входе и выходе со- ответственно. Если за независимые пере- менные принять напряжения система {/-параметров), то G = и1Уи + “2^12; »2 = «1021 + W,J/22, где j/n и j/22 — входная и вы- ходная проводимости при корот- козамкнутом выходе и входе со- ответственно; р12 и уп — обрат- ная и прямая передаточные про- водимости при короткозамкнутом входе и выходе соответственно. Если за независимые переменные выбираются входной ток и выходное напряжение (система /г-парамегров), то «1 = iihu + Mi* •2 — i'lftoi -f- где Au 11 /i22 — входное сопротивление и выходная проводимость при за- короченном выходе и разомкнутом входе соответственно; /г12 — отношение напряжения на входе к напряжению па выходе при разомкнутом входе; A2i — отношение тока на выходе к току на входе прн закороченном выходе. Прн расчете схем с полупроводниковыми триодами применяются все три системы параметров. Системаг-нараметров. На рис. VIII.16 приведенаТ-образпая эквивалент- ная схема транзистора с общей базой. Эта схема справедлива для области низких частот, так как реактивные элементы в ней не учтены. На рисунке: гэ — прямое сопротивление участка эмиттер — база; гк — обратное сопротивление участка коллектор — база; го — сопротивление части кристалла, образующего базу. Сопротивление эквивалентного генератора гг определяется как отно- шение э. д. с. эквивалентного генератора ег к току эмиттера i9 ег гг= — . *э Характеристические сопротивления в системе z-параметров измеряют в режиме холосто о хода (по переменному току), поэтому ее часто называют системой параметров холостого хода. Для полного описания свойств трап-
Полупроводниковые приборы 355 зистора в области низких частот достаточно определить четыре его ос юв пых параметра: Zll = Г11> Z22 = rZ2t Z12 = Г12? Z21 — Г 21- Входное сопротивление измеряется прн разомкнутом выходе (рис. VIII 17, а) и обычно составляет 50-100 ом. Сопротивление обратной связи измеряется при разомкнутом входе (рис. VIII.17, б) и обычно составляет 50—300 ом. Прямое лроходно е сопротивление «2 выходе (рис. VI 11.17, в) и для точечных равно 30 ком, для плоскостных — 1 Мом измеряется при разомкнутом транзисторов приблизительно и более. Выходное сопротивление — 22 — ——* *2 измеряется при разомкнутом входе (рис. VIII. 17, г) и для точечных тран- зисторов составляет около 30 ком, для плоскостных — 1 Мом. 12*
356 Электронные и ионные приборы Соотношение между г-параметрами транзистора и элементами экви- валентной схемы (рис. VIII.16)' '11='8 + 'б5 Л12 = '6; 'г. ='г + 'б; ^ = гк + гб- Измерять параметры транзистора следует прн определенном режиме по постоянному току, так как их Рис VIII. 18. Эквивалентная П-образная схема транзистора в режиме включения с общей базой. величина зависит от режима работы. На электроды, которые должны быть в процессе измерений разомкнуты по переменному току, питающие на- пряжения подаются через разделитель- ные дроссели, индуктивное сопротив- ление которых па применяемой при измерениях частоте в 30—50 раз боль- ше сопротивления той цени транзисто- ра, где требуется создать режим холо- стого хота Эго условие сравнительно легко осуществить при исследовании точечных транзисторов. Для плос- костных транзисторов, выходное со- противление которых велико, создать режим холостого хода весьма затруднительно. Поэтому па практике при- меняются другие системы параметров транзисторов. Система ^-параметров. Если транзистор представить в виде П-об- разной эквивалентной схемы четырехполюсника (рис. VIII.17), то пара- метры его удобнее всего выразить в виде полных проводимостей у. В от- личие от г-параметров {/-параметры определяются в режиме короткого замыкания. В области низких частот параметры транзистора будут опреде- ляться активной составляющей проводимости. На рис. VIII.18 обозначены активные проводимости £эб —между эмиттером и основанием; g3 к — между эмиттером и коллектором; gK_c — между коллектором и базой. Усилительные свойства транзистора отображаются посредством ге- нератора, развивающего ток «г = grHj. Свойства транзистора характеризуют такие параметры: Входная проводимость 5п = *1 "i измеряется при замкнутом выходе (рис. VIII.19, а). Ее величина составляет обычно около 0,025 сим. Проводимость обратной связи 512 = — измеряется прн закороченном входе (рис VIII.19, б). Чем меньше эта про- водимость, тем слабее паразитная обратная связь в транзисторе.
Полупроводниковые приборы 357 Проводимость g12 составляет для плоскостных транзисторов около 10-6 сим. Проходная проводимость определяется при закороченном выходе (рис. VIII.19, в). Для плоскостных транзисторов g = 0,03 сим. Выходная проводимость определяется при закороченном входе (рис. VIII.19, г), составляет для плоскостных транзисторов около 10“6 сим. Рис. VIII. 19. Схемы измерения g-параметров транзистора. Связь параметров транзистора с элементами его эквивалентной схемы (рис. VIII.18): Su = ёэ.б + Sr, Sl2 = ёэ.к’ Sn = — ёт, ё'22 = ёк-3 + &К-6 Система g-параметров удобна для измерения параметров плоскостных транзисторов, так как при этом не нужно создавать режима холостого хода. Чтобы создать режим короткого замыкания по переменному току, выход шунтируется емкостью в несколько десятков микрофарад. Недостаток системы g-нараметров — трудность измерения величины gl2, связанная с необходимостью создания режима короткого замыкания на входе транзистора. При этом вследствие малого входного сопротивле- ния для осуществления короткого замыкания требуется емкость порядка нескольких тысяч микрофарад.
358 Электронные и ионные приборы Система ft-параметров или смешанная система. Соответствующая этой системе эквивалентная схема приведена на рис. VIII.20. Свойства транзис- тора характеризуют такие параметры: 3. _ .. 'i Входное сопротивление измеряется при коротком выхода транзистора (рис. и составляет около 30—50 „ „ 1 Обратныйкоэф Рис. VIII.20. Эквивалентная усиления понапр схема транзистора в режиме включения с общей базой для , ui замыкании VI 11.21, а) ом. фициент я ж е и и ю системы ft-параметров. "12 измеряется при разомкнутом входе (рис. VIII.21, 6) и составляет около (3 ч- 5) ГО”8. Коэффициент усиления по току, взятый с обратным знаком, Рис. VIII.21. Схемы измерения ft-параметров транзистора. измеряется в режиме короткого замыкания на выходе транзистора (рис. VIII.21, в). В схемах с общей базой этот коэффициент обычно обозначается бук- вой а, в схемах с общим эмиттером — 0. Для точечных триодов в схе- ме с заземленным основанием а составляет 2—2,5, а для плоскостных — 0,9—0,99. Выходная проводимость h >а "22 -------------------------- “2 измеряется в режиме холостого хода на входе транзистора (рис VI 11.21, а).
Полупроводниковые приборы 359 Смешанная система наиболее удобна для определения параметров тран- зистора. Однако для расчетов целесообразнее применять систему {/-пара- метров, которые более близки к параметрам эквивалентной схемы элек- тронной лампы. Соотношения между параметрами четырехпо- люсников Л io /1|2 2 ~ "Г я У12= 7 —» ftgg “11 1 1/11 = Л- 1 1^22 " ^12^21 ^22 = ~t » ^22 = ' * Л« Лп Элементы эквивалентной Т-образной схемы с общей базой связаны с Л-параметра.мн следующими соотношениями: ^126 гэ=Л12б - -т— (1 + Л21б); fti к>«'э+'б о - «); "226 Л12б 1 , Гб Лб = ”ь--' Гк~ h ’ "126 —"7“’ Л22б "226 Лк а = —- да — Л21б; Л-216 — — Л22б = ~ • К К Если известны Ле-параметры для схемы с общей базой, то легко путем пересчета получить Лэ-параметры для схемы с общим эмиттером и Лк -па- раметры для схемы с общим коллектором: Лцб , _ ЛИб ^11э 1 , I ' 1к 1 " ’ 1 + Л21б 1 + "216 /гПэЛ22э— /г12б (Л21э+ , Л21б , 1 •’ *= Л21э— 1 ’ ”21к —— 1 , ' 1 + "216 1 + "2|б , /г22б , Л22б "22эТлГл— ’ ”22к ~ ‘ 1 + "216 1 Л21б Иногда удобнее (в частности при определении параметров по харак- теристикам) определить Лэ-параметры. В этом случае Лб- и Лк-параметры можно определить по формулам: L Л11э Л11б 1 . ; aiik —Л11э> 1 + Л21э А113^223 — Л12э (Л21э + О Л126 ----------Г ТТ,.------------'• " 12к 1 1 + /г21э
360 Электронные и ионные приборы А"-16 1 д. I, ’ Л21к ~ + л2|э)1 1 + "213 Л22б — й22э 1 + Л21э ’ Л22к ®* Л22э- Рис VIII.22. Статические характеристики транзистора: а — входная для схемы с общей базой, б — выходная для схемы с общей базой, в — выходная для схемы с общим эмиттером. Режим транзистора по параметрам эквивалентных схем можно рассчитывать при малых уровнях сигналов. На рис- VIII. 22, а, б приведены ста- тические характеристики для схемы с общей базой, из которых можно опреде- лить ftg параметры транзистора: . *Ut> ,, hНб » - д7— при t/K = const; til 9 , Д/4 л12б « -д^?к * *=const; * l/K = const; h226:=>~^J^ * 4 = .const. Точность определения Лб-параметров по этим характеристикам невелика вслед- ствие тесного расположения входных ха- рактеристик для различных значений UK и очень малого угла наклона коллектор- ных характеристик в схеме с общей базой. Значительно большую точность мож- но получить при определении Лэ-парамет- ров, используя более круто идущие ха- рактеристики для схемы с общим эмит тером Схематично эти характеристики показаны па рис. VII 1.22, в. А11э ьиб Д/6 при ик =г const; Л12э д//б ДУк /б = const; Д/к U к — const; я21э д/б к - Д/к /б = const. п22э д//к
Полупроводниковые приборы 361 Большое сходство характеристик для схемы с общим эмиттером с ха- рактеристиками электронных ламп позволяет в некоторых случаях исполь- зовать методы расчета ламповых схем для расчета устройств па транзис- торах. Ниже дается связь между «ламповыми» и {/-параметрами транзистора. Крутизна / 9 Д/« „ К = ‘Ж = SsV Внутреннее сопротивление Л/к ё22 Крутизна характеристики тока базы 6 = хи; ~gn- Если транзистор работает при больших сигналах, например, в оконеч- ных усилителях низкой частоты, то можно воспользоваться параметрами большого сигнала или графическими методами расчета по статическим характеристикам. Параметры транзисторов в области высоких частот. В расчетах высоко- частотных усилителей на транзисторах обычно пользуются {/-параметра- ми для схемы с общим эмиттером, которые в области высоких частот явля- ются комплексными. Входная проводимость £пэ + /*Пэ~ где е11э — активная составляющая входной проводимости на высоких частотах; х, 1э — реактивная составляющая входной проводимости; g — входная проводимость на низких частотах (измеряется или вычисляется на основании табличных данных по формулам стр. 357, 359); f — рабочая часто- та; fs — граничная частота по крутизне SK (на частоте fs параметр SK уменьшается на 3 дб по отношению к SK, измеренному в статическом ре- жиме); fs связана с граничной частотой усиления по току fa, приводимой в таблицах, приближенным равенством
362 Электронные и ионные приборы гб — распределенное объемное сопрспивлагне базы, является пределом, к которому стремится сопротивление транзистора на достаточно высок х частотах (приводится в таблицах). Проводимость обратной связи ^123 — S123 + /Х12э ё 12э + 2л^к 2^к — g 12Э ~ где §[.)э и хРэ — активная и реактивная составляющие проводимости обратной связи на высоких частотах; £12э — проводимость обратной связи на низких частотах; Ск — зарядная емкость коллекторного перехода (при- водится в таблицах). Выходная проводимость У‘22э = ^22э + /х22э = 2л/Ск (1 + Г^12э) — £12э где £22э и х22э — активная и реактивная составляющие входной прово- димости на высоких частотах; — входная проводимость на низком частоте. Проходная проводимость где g2i3 и х21э — активная и реактивная составляющие проходной проводимости на высоких частотах; g913 — проходная проводимость иа низких частотах. Модуль проходной проводимости | (/2|э I представляет крутизну харак- теристики транзистора по цепи коллектора
Полупроводниковые приборы 363 Параметры транзисторов, приводимые в таблицах: hu — входное со- противление, ом; Л12 — к эффициент обратной связи по апряжению Л21 — коэффициент усиления по току; Л,, — выходная проводимость, мксим (в зависни ости от схемы включения смешанные параметры ftu, h^, й21> Лгг снабжаются индексами «б», «э» или «к»); а, и а — коэффи- циенты усиления по току в схеме с общей базой для низких и высоких частот соответственно, а = —Л216; 0О и 0 — то же, для схемы с общим эмиттером, 0 = Л21э; гб — распределенное объемное сопротивление базы, ом; Ск и Сэ — зарядные емкости коллекторного и эмиттерного переходов, пф; гбСк — постоянная времени коллекторной цепи, нсек; — коэффи- циент шума, дб; fa и /р — граничные частоты усиления по току в схеме с общей базой и общим эмиттером соответственно, при этих частотах а и 0 падают до 0,7 отао и 0О, ~ 0,7fa (1—а0); fT — максимальная частота самовозбуждения автогенератора па тран- зисторе, fr-1/ Г 30гбСк fs — граничная частота усиления по крутизне, при которой крутизна SK падает до 0,7SK, UK — напряжение на коллекторном переходе, в; UH б и U3 б — напряжения на коллекторе и эмиттере в схеме с общей базой, в; UK3n U6 э — напряжения на коллекторе и базе в схеме с общим эмиттером, в; Д1/к — падение напря- жения па полностью открытом транзистор в;17кэо —максимальное об- ратное напряжение коллектор— эмиттер при разомкнутой цепи базы /?б= °0, /б — 0; U3 б 0 — максимальное обратное напряжение между эмиттером н базой при разомкнутой цепи коллектора (/к= 0); Л и 7К — полные токи эмиттера и коллектора, а; /ко— начальный (температурный) ток коллекто- ра прн отключенном эмиттере (/э = 0); /к — сквозной ток коллектора при отключенном выводе базы (/б = 0); /к „ — начальный ток коллекто- ра прн закороченных выводах базы и эмиттера (U6 э = 0); /к 3 — ток обрат- но смещенного коллекторного перехода прн запертом эмиттерпом переходе, лш; /э о — начальный температурный ток обратно смещенного эмиттерного перехода прн отключенном выводе коллектора (/к 0); Рм;1КС — максималь- ная мощность, рассеиваемая транзистором, вт; В — коэффициент усиления по току прн постоянном или импульсном токе (па большом сигнале), о__ Л<0 Iб + SK и SK — крутизна переходной характеристики—тангенс угла на- клона прямой, касательной к линейному участку характеристики — соот- ветственно на высокой и низкой частоте, а/e; Тф и т0 — длительность фронта
364 Электронные и ионные приборы нарастания и спада импульса тока коллектора, сек; тп — время переклю- чения (принимается большее из т$ и тс)> сек; тр — время рассасывания неос- новных носителей (время задержки) импульса тока коллектора после приложения запирающего импульса к эмиттерному переходу, сек; RK — сопротивление насыщения (котангенс угла наклона к оси ’ абс- цисс начального участка выходной вольт-амперной характеристики тран- зистора)-, см. ч Маркнровк транзисторов производится в соответствии с ГОСТ 5461—59 и 10862—64 Согласно ГОСТ 5461—59 условные обозначения транзисторов состо- ят из трех элементов. Первый элемент — буква П или МП (для транзисторов в холодносварном корпусе). Второй элемент — число, характеризующее электрические свойства прибора: Транзисторы низкочастотные (/^5 Л1гц) малой мощности (Р С 0,25 вт) германиевые ..................................... 1—100 кремниевые ......................................101—200 большой мощности (Р > 0,25 вт) германиевые ...................................... кремниевые ....................................... 201—300 301—400 Транзисторы высокочастотные (/ > 5 Мгц) малой мощности (Р С 0,25 вт) германиевые . . ......................... 401—500 кремниевые ................................... 501—600 большой мощности (Р > 0,25 вт) германиевые ...................................... кремниевые ....................................... 601—700 701—800 Третий элемент — буква, у называющая разновидность прибора. Согласно ГОСТ 10862—64 маркировка транзисторов состоит из четырех элементов. Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал: Г или 1 — германий, К илн 2 — кремний, Л или 3 — арсенид галлия. Второй элемент — букваТ. Третий элемент — число, характеризующее назначение или электрические свойства прибора: Транзисторы малой мощности: низкой частоты .................................... средней * ..................................... высокой » ..................................... 101 199 201—299 301—399 Транзисторы средней мощности: низкой частоты ....................................401—^99 средней » .....................................501*^599 высокой » ..................................... 601 -699
Полупроводниковые приборы 365 Транзисторы большой мощности: низкой частоты .....................................701—799 средней » 801—899 высокой » 901—999 Четвертый элемент — буква, указывающая разновидность типа из данной группы приборов Пример. Обозначение ГТ313Б означает: германиевый транзистор, малой мощности, высокочастотный, разновидность Б. Рис. V111.23. Полярность подключения источников питания для транзисторов: а — типа р-п-р в схеме с общей базой; б — типа р-п-р в схеме с общим эмиттером; в — ти- па п-р-п в схеме с общей базой; г — типа п-р-п в схеме с общим эмиттером. Параметры транзисторов, разработанных до 1964 г., приведены в табл VIII.35—VI1I.42, параметры новых транзисторов даны в табл. VIII 43—V1II.45. Во всех таблицах указаны абсолютные значения напряжений на элект- родах транзисторов. Полярности напряжений в зависимости от типа тран- зистора и схемы его включения, определяются согласно рис. VIII.23. Указания по эксплуатации полупроводниковых приборов. Не следует превышать предельно допустимые значения напряжений, токов и мощности, рассеиваемой коллектором, во всех статических, динамических н неуста- новившнхея режимах (например, при переключениях). Даже кратковре- менная перегрузка транзистора приводит к перегреву контактов и ухуд- шению его параметров. При включении первым необходимо соединять контакт базы. Кристаллические приборы не должны размещаться вблизи нагреваю- щихся деталей. Желательно иметь хороший теплоотвод от корпуса при- бора. Пайка и изгиб вь водов плоскостных транзисторов и диодов допускает- ся на расстоянии не менее 10 льи от корпуса. Для пайки применяется при- пой с температурой плавления не свыше 150° С.
366 Электронные и ионные приборы Мощные транзисторы типа р-п-р (параметры групп при температуре окру Группа транзисторов Минимальная граничная частота уси- лен ня по току fa, Мгц Максималь- ный обратный ток коллек- торного пере- хода q4 ма Максимальный сквозной ток коллектора при разомкнутой базе /к- с, ма ‘Максималь- ный началь- ный ток кол- лектора ^к, н» Минимальный рабочий ток коллектора /к. мин, ма Максимальный обратный ток эмнттериого перехода ^Э. О’ Л{а П4 0,15 0,5/10 •) 50 »’)/20”) 75 0,5/20 s«) 0,4/10*) 0,5/ 0 ’») П’201 — П203 0 1/0,2 ) 0,4/5* 5 *«) 10 !•) 10 0.4/5 *‘) 11207 — П208 — 16/25 «) «— — П209 — П210 0,1 8/12’) — 5/8 io) 100 П2П — П212 1 0,05/1 в) — — 0,05 ’•) П213 — Г1214 0.1 20/30/50 •) —- — —— П216 — П217 0.1 40/50 * з) * * * * * * 1о) —— — — — П302 — П304 0,1 «) 0,1 11) —— 1”) 11306 0,05 0.1 ”) 1 __ 11601 — П602 20 0,1 “) — П604 10 — — — —~ П605 — Г606 10 2») — 3 — 2 «*) П607 — П609 40/70/100 ’) 0.3 •*) — — — *) Для П20| — П202 и П201А — П203 соответственно. *) Для 11303, для П302 0,2 ЛТгц, для П304 /а = 50 кгц. з) Соответственно для П607, П608, П609. *) Прн /э = 0; первая цифра при = 10 в, вторая при 50 вТ первая строка для П4А, вторая для ГИБ — П4Д. Б) При /э — 0; первая цифра при £/к g == 20 вторая при $ = 45 в. «) Соответственно для 11207 при UK ^=. 45 в и для П208 при 1/кб =60 в. ’) При /э == 0; первая цифра для П209 при 17к.б = 45 в« вторая для П210 прн Цсб = 65 о. * в) Прн 7Э -= 0; для 11211 при UK g = 50 в, и Ц(.б — 60 в соответственно; для П212 прн С/к g = 70 в и 4/к g = 85 в. •) Соответственно для П213 при UK g — 45 в для П214 н П214А при </Kg = 45 в, для П214В и П214Г прн l/K.g = 55 в. io) Соответственно для П216 и П217; для П210Г, П216Д, П217В, П217Г UKg = 60 в, для остальных UK g = 45 в. «) Для П302 прн t/K.g = 35 в, для ПЗОЗ — П304 при UK g = 60 в. “) При t/K g = 70 в для П306 и UK g = 90 в для П307. ») При UK g = 10 в. М) При UK g = 45 в для П605 и i/K g = 30 в для П696. 16) При t/K g = *0 в для П607 и t/K-g — 15 в для П607А, П608 — П609. *•) При /э = О’ для П20! при UK g = 22 в, для П202 — П203 при UK g = 30 в. •’> Для П4А при y9,g = 0 и UK 3 = 50 в. *») Прн U3 g = 0; для П4Б при 7/к э = 60 в, для П4В при 1/кэ = 35 в. для П4Г и П4Д при ик_э= 50 в. При Rg < 50 о.н для П201 при {/К1Э = 30 в для П202 — П203 при УК- э = 55 в.
Полупроводниковые приборы 367 Таблица VIII.35 жающей среды 20±5° С) Максимальное внутреннее падение напряжения кол- лектор — эмиттер Д(/к э, в Максимальная мощность, рассеи- ваемая прибором, ^макс» вт Максимальный ток коллек- тора 1к, а Максимальный ток базы /б> ° Максимальное обратное напряжение эмнттер — кол лектор U3 к 0, а альная емкость кол- ЮРО перехода Ск, пф Максимальная величина произведения сопротивления базы иа емкость коллектор- ногоЗперсхода при / -5 Мац г'б Ск нсек Максимальное сопротивле- ние насыщения при /к = 1 а лн- оя без дополнитель- ного радиатора с внешним радиа- тором S к U га S лектора 0,5 »?) 2 20»°) 5 1,2 20 «)/30 — — — 2,5 * 22 23 24) 1 10 1.5/2 “) 22 ”)/30 0,5—1 4 100 25 —— —— __ — 0,6”) 15 60 12 —_ — — 0,75 — 0,5 — —- — — — —— ——• 10 5 —_ — —. —. - 24 •») 7,5 —. —— — — 2 7 «)/1б 0,5 0,2 —— 2 10 0,4 — — I 5 22) 1 — 200 500 3 — 0.4 —— 0,5 »•) — —— 05 3 0,5 0.5 130 500 — 1,5 — 0,3 — — 50 500 —- »о> При V3() — 0; первая цифра для П208 при 1/к э = 40 с, вторая для П209—П2Ю при ик э = 60в. *•) Для П302 при UK_6 = 40 в. для ПЗОЗ прн UK $ = 70 в, для П304, при UK g = = 100 в 22) Первая цифра при 17э g о = 10 в, вторая для П4А при l\g.o — 50 в, для П4Б при U3 ско = 60 в, для П4В при U З.б.о = 35 в' 23) Для П4Г, П4Д первая цифра прн g о == 10 в, вторая при 1/э.б.о = 5® в- 241 При UK = 0; первая цифра при 1Л,.б.о — 10 «, вторая для П201 при Ua g о = = 35 в, для П202, П203 при U3 g 0 = 45 в. 2») Прн U3 б о = 50 в. “) Прн UK б = I в. *’) Для П4Б — П4Г при 7К = 2 a, Ifi — 0,3 а. «•) При 1К = I а. 16= 0,3 а 22) При /к = 5 a, /g — 0,5 а •О) Внешний радиатор — дуралюминисвая пластинка размером 203X200X4 л.ч. «*) Для П216, П216А, П217, П217А, П217Б Рмакс = 30 вт. «) Для П302, 23) Внешний радиатор — алюминиевая пластинка толщиной 5 мм с поверхностью 300 см3. ’*) Первая цифра для П201, П210А; в импульсном режиме для П201А 1К = 2 а, для П202, П2ЛЗ 7К = 2,5 о. 3‘) Прн длительности импульса до 10 мксек и скважности не менее 2, ’•) Для П4В. •_’) Для П201.
Таблица VI1I.36 Мощные транзисторы типа рпр (параметры транзисторов при температуре окружающей среды 20±5’С) П4А П4Б П4В П4Г П4Д Материал полупроводника и диапазон рабочих частот Допустимая область темпера- тур коллекторного перехода, °C >11 ыи коэффициент по току *21Э Минимальный статический коэф- фициент усиления по току В2 Минимальный коэффициент уси- ления по мощности "р, дб Максимальное напряжение кол- лектор — база при отключенном эмиттере UK <5, в Максимальное напряжение кол- гт4) _ । лектор — эмиттер ик 5, “ I Максимальное обратное напря- жение эмиттер — база прн от- ключенном коллекторе 5.0, в Крутизна характеристики пря- мой передачи 5^), а/в Максимальное входное напря- жение при токе эмиттера 0.3а U3 б, в Минималь усиления 5 — 20 60 40 50 — — 15 23 70 50 60 Германий, От — 60 НИЗКО- частотный до+90 10 — 20 40 25 35 — — 25 — 27 60 4( ) 50 — — 30 — 30 60 4( ) 50 — — Общий вид и схема расположения выводов П207 Германий, 5 — — — 40 20 15 25 П207А низко- частотный От—;бо до + 90 5 — — 40 20 П208 15 — — — 60 30 15 П208А 15 — 60 30 25 П209 П209А 11210 Германий, низко- частотный От —60 ДО + 85 Т- 15 15 15 — 45 45 65 45 45 65 — 5,5-11 >9 5.5-11 7- П210А 15 — 65 65 >9 368 Электронные и ионные приборы Полупроводниковые приборы
IZ£ ndogndu знают до&о и v ц
П214Б П214В П214Г П213 П213А П213Б П214 Д □ 71 to Ю to bO to > Обозначение Германий, 0 _60 низко- частотный „ . eK ДО -И 85 частотный до + 85 Германий, низко- От — 60 Материал полупроводника и диапазон рабочих частот Допустимая область темпера- тур коллекторного перехода, °C OS OS OS 20 20 40 20 . . сл to _ сл сл Р g Р сл 9* О I ° I о 1 Минимальный коэффициент усиления по току 1 1 1 Illi 1 1 Минимальный статический коэф- фициент усиления по току В2** 1 1 1 Illi 1 1 Минимальный коэффициент уси- леи ня по мощности дб 1 1 1 Illi 50 50 50 Максимальное напряжение кол- лектор — база при отключенном эмиттере (7К д, в СЛ СЛ 4^ СЛ СЛ СП 30 30 30 45 1 1 Максимальное напряжем не кол- лектор эмиттер U* в 1 1 1 Illi 1 1 Максимальное обратное напря- жение эмиттер — база при от- ключенном коллекторе g о -3 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Крутизна характеристики при мой передачи S5) » а/в 1 1 1 Illi 1 1 Максимальное входное напря- жение при токе эмиттера О,3Д иэ б , в Продолжение табл. VII1.36 ndogndu этноп n mnnodwnavQ (j£g
П лжение табл. VIII. 36 Обозначение Материал полупроводника и диапазон рабочих частот Допустимая область темпера- тур коллекторного перехода, °C Минимальный коэффициент усиления по току Минимальный статический коэф* фицнент усиления по току В2) инмальный коэффициент уси- 1ия по мощности KjJ, дб Максимальное напряжение кол- лектор — база при отключенном эмиттере £/Кеб» в Максимальное напряжение кол- лектор — эмиттер в Максимальное обратное напря- жение эмиттер — база при от- ключенном коллекторе С/э б о» ® Крутизна характеристики пря- мой передачи S^)» а/в Максимальное входное напря- женно при токе эмиттера 0.3aV16, в и ч П605 20 40 П606 20 1 0 — 25 - П606А 40 — — 25 П607 П607А Германий, От —60 20 60 25 25 — — — П608 высокоча- __ 40 25 П608А СТО1НЫЙ ДО+ 85 — 80 — 25 —. —. П608Б — 40 — 40 П609 40 25 П609Л 80 1 25 П609Б — 80 — 40 — — — Общий вид н схема расположения выводов ’) Для П4 при ик э = 10 в, 1К = 2 a, f = 100 гц; для П201 — П2ОЗ при £/К1Э = 10 в, 1К = 100 ма, I = 270 гц; для П211 — П212 при 1/к э = 5 а. /к = 50 ма, f = 270 bi;. ’) Для П209 — П210 при UK 5 = 2 в, /к = 5а, для П302 — П304 при С7К1Э=10в, первая цифра при /э = 0,12 а, вторая при /э = 0,3 а, для П601 — П602 при UK э = 10 а, 1К = 0,5 а. * ) В схеме усилителя мощности с общим эмиттером: для П4 в классе А при Р = 10 am, UK = 20 a, f = 100 гц. 1К = I а; для П601 — П602 в классе В при Р = I am, UK = 15 в, f = 2 Мгц. * ) Для П4 при R6 « 500 ол и Яэ « 15 ол; для П201 — П203 при Rq = 50 ом; для П209 — П210 при Rg « 10 ом; для П302— П304 при 7?б « 100 ом; для П601 — П602 при R$ 500 ом. • ) Для П209 — П210 при С/К.э = 2 в Таблица VI 11.37 Ими*иы'' «гмани'вы? транзисторы типа р-п-р (параметры групп при температуре окружающей среды 20±5сС) Гр^ ппа транзисторов Максимальная выходная проводимость /1225» мксим Максимальное входное сопро- тивление Л л б, ом Максимальная емкость кол- лекторииго перехода на частоте 500 кгц Ск, пф Максимальное сопротивле- ние базы на частоте 500 кгц 3 Максимальный обратный ток коллектора /к о, мка Максимальный ток коллек- тора закрытого транзистора /к 3, мка П16 П17— П18 П19 П20 — П21 П22 - П23 П25 — П26 П29 — П32 2,5 1) 3,3 3,5 «) 20 ’) 25 21 50 15 30 70 »)/50 20 1») 100 ') 5’) 50 ♦) 25 «) 150 6) 4/5 «) «111111 Максимальный обратный ток эмиттера /э 0, мка Макси- мальный ток эмит- тера /э, ма Макси- мальный ток кол- лектора /к, ма Максимальное напряжение эмиттер — база Д7Эо б» в Максимальное обратное на- пряжение эмиттер — база уэ б. о» в Максимальная мощность, рассеиваемая прибором ^макс» вгп Максимальное время расса- сывания импульса тока кол- лектора Тр, мксек среднее зна- чение в импульсе среднее зна- чение в импульсе 50 ») 0 150 >о) 4 “) 50 5 50 300 300 400 50 10 30 50 10 300 300 400 100 12/10 ») 111111“ 0,2 0,15 0,03 0,15 0,1 0,2 0,03 0,6 1) При UK — 5 в, /к = 5 ма. >) При UK = 20 в, 1К = 2,5 ма. •) Для П25 — П25Б. ‘1 Для П20 при UK б = 50 а; для П21 при UKt б = 70«; для П22 при 1/к_б= 40 в; для П23 при 1/к_б = 35 в. ь) Для П25 при Ук,б= 60 »• Для 1126 ПРИ ук,б" 100 "• •) При UK б «= 12 в соответственно для П29—ПЗО и П31 - Г132. ?) При Ук,б= 1 в. •) В статическом режиме при 1/Э1б = 2,3 ®< ^к~ *5 е- 4) Для П20 при 17э.б = 50 в; для П21 при Оэ,б = 70 о. <») Для П25 при Уэ>б = 60 в; для П26 при Уэ б = 100 « 41) При иэ.б = 12 в, «) У П31 С = 50 пф, у П31А — 60 пф. ’’) Соответственно в режиме переключения и с отклю- ченной базой И) При разомкнутом коллектора. 372 Электронные и ионные приборы Полупроводниковые приборы 373
Таблица VI! 1.38 Импульсные германиевые транзисторы типа р-п-р (параметры транзисторов при температуре окружающей среды 20 + 5е С) Обозначение Допустимая область темпе- ратур коллекторного пере- хода, °G Минимальный коэффициент усилении по току Максимальное остаточное напряжение эмиттер — кол- лектор в режиме насыщения л э н, в Максимальное напряжение база — эмиттер в режиме 4) насыщения э н- s Максимальное время пере- ключевня в схеме с общим эмиттером т мксек Минимальная граничная ча- стота усиления по току fa, Л4гц Максимальное напряжение коллектор — база в Максимальное напряжение коллектор — эмиттерв Общий вид и схема расположения выводов в схеме с общим эмиттером э на большом сигнале В г) П16 П16Б П16В П17 П17А П17Б П18 П18А П18Б П19 От — 60 до + 100 20 30 45 30 30 20 5 7 10 0,1/0,5 0,15/0,6 0,2/0,6 0,3/1,5 0,35/1,6 0,4/1,6 2 1,5 1 1 1 2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 5,0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 15 15 15 40 40 40 70 70 70 70 5,6 найм {Змиттвп , i L П20 П20А П20Б П21 П21А От — 60 50 50 80 20 20 1 1 1 1 1 0,3 0,3 0,3 0,6 0,3 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1 1 1 1 1 1,5 2,0 1,5 1,5 1,5 50 50 50 70 70 20 20 20 30 30 Аналогичны транзистору П16 П21В П21Г П21Д П21Е П22 П23 до+ 85 20 20 60 80 5 5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1,5 1,5 1,5 1,5 1 1 1 1 1 1 1,5 1,0 1,0 0,7 1,0 3,0 70 70 70 70 40 35 30 35 30 35 20 30 П25 П25А П25Б П26 П26А П26Б От —60 до+ 75 10 20 30 10 20 30 1 1 1 1 1 1 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 1 1 1 1 1 1 । 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 0,2 0,2 0,5 0,2 0,2 0,5 60 60 60 100 100 100 60 60 60 100 100 100 Аналогичны транзистору типа П16 П29 П29А ПЗО П31 П31А П32 От —60 до + 75 20 40 80 25 45 45 1 1 1 1 1 1 | 0.2 02 0,2 11/111 1 1 1 1 1 1 5 5 10 4,5 45 9 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 Коллектору фй I Эмиттер База & •ДЯ"Р К 1 Окрашенная поверхность >) Для П16 при С/К>э "= 1 в, /к = 10 ма; для П20 — 1121 при УКеЭ = 5 в, /к = 25 ма; для П25 при UK = 40 в, /к = 2,5 ма: для П26 при UK = 70 в, /к = 1,5 ма. !) Для П16 при t/K э — 1 в. /к = 150 ма; для П29 — ПЗО при Ук> э = 0.5 в, 1К = 20 ма. ’) Для П16 при /к — 10 ма, /g = I ма и /к = 150 ма, /g = 20 мг соответственно; для П20 — П21 при 1К = 300 ма, /g = 60 ма; для П25 — П26 при /к = 300 ма, /g «• 100 ма; для П29 — ПЗО при /к = 20 ма, If, = 1 ма. *) Для П!6 при /к — 10 ма, /g = 1 ма и 1К = 150 ма, /g = 40 ма соответственно; для П20 — П21 при 1К = 300 ма, /g = 60 ма. ь) Время нарастания или спада импульса измеряется для П16 при UK =15 в, JK = 10 ма; для П25 при UK = 30 в, 1К — 25 ма; для П26 при UK = 35 в, = 25 ма; для 11605 — П606 при t/K » 20 в, /к = 0,5 а. «) Для П20 — П21 при закрытом транзисторе; для П25 — П26 при отключенном эмиттере, для П29 — ПЗО в режиме переключения. ’) Для П16 при t/3g — ДЛ|1 П20 — 1121 соответственно при закрытом транзисторе и отключенной базе; для П25 — 1126 при со- противлении в цепи базы /2g 500 ом; для П29 — ПЗО в режиме переключения; для 11605 при /?g = 10 сл, для 11606 прн g — 100 ом. Электронные и ионные приборы____________ Полупроводниковые приборы со сл
W Таблица VI11.39 Низкочастотные транзисторы (параметры групп при температуре окружающей среды 20±5° С) сопро- на ча- 1 н р Макснмал ь- Макснмаль X f 4> >11 ый коэф братиой ia пряже- . 1Q—3 s я £ ag- я О Е 3! ° а** 1 k ® ё 5 j = 5- О. о о иый ток эмиттера ный ГОК коллектора а Зга? о s . 7 % £ Группа К Ь 3* с Я к <v я у g?S « « га 3 Ч Ч X 5 о ьный ГОК К( ттер It = я 5^ в режиме переключе- ния /э, ма &ИГ изА а 2 О 4, Я г - 1 к е - rasp 7 транзисторов Мииималы ное conpoi Ацб, ом Максима ль фициеит о связи по и ни», Л|2б' Макснмал! кость кол; перехода i 465—500 к. Максима ль тивленме ! стоте 465- ком Макснмал иый ток к ного пере мка Макснмал! чальный 1 тор — эмн мка Макснмал ный ток 3 перехода в режиме л ел ня /3, в режиме лепил /к. в режиме псреключ ния ZK. л» Макснмал нос iranpJ эмиттер - ^э.б-о 8 Макснмал ность. рэ< прибором П5 26 ’) 5 ’) 80 15 •) 5 >•) 10 10 — 20 =>) 25 П6 26 *) 5®)/0,6 *) 50 30 ’)/15 30>« /15 10 50 10 50 30 «>) 150 П8 — П11 60 ’) 0.15 100 >0)/30 >>) 30 >’) —ш — 20 150 30*4/15 150 П13 - П15 25 «) 7 *)5 ») 50 0.15 10 «) 50 »)/30 ”) 30 18) 20 150 20 150 — — П27 — П28 50 0,12 3 — —— 6 — 6 —— — 30 П35 - П38 —— 60 0,22 — 30 =») —— — — 20 —— — 150 1139— 1141 60 0,22 ••) — — —— — — 150 ПЮ1 - П103 40 «) 3 •) 150 30 •) — 3 1’) 20 — 20 юо — 150 П104 — П106 35 4 80 1/1.5 *•) 0,5 •) 1 “) 0,5 *«) ю 50 10 50 150 ’) Прн Ук6 = 2в, Л = 1 ма, 1 = 270 гц. «*) Для П10 при Укэ = 30 е, для ос- *»> Для П14 при Уэ.б — зо в, для ос. ») При £/к.о = 5 а, /э = 1 ма, 1000 гц. тальных при Ук.э — 15 в тальиых при У, б = 15 о. •) Для П6А. >4 Для П14Б при UK э=30«, U3 g= 0. *9) При разомкнутом коллекторе 4) Для П14А. •) Для П9 — П10 С.. = 65 rub. лля П11 — и П11А, для П8 С„ = 50 nib. ») Для П14 при Ук.э = 3° Для ос‘ тальиых при Ук_э = 15 в, Уэ.б — 0. *’) Прн Уэ б = 5 в. »<) При разомкнутом коллекторе в) При разомкнутом эмиттере, ’) Для П6А. 1‘) При U3 (} 0, для П104 = 70 в, для П105 при UK э = при Ук.э 20 в. — »*) Для П10А и ПЮБ. «») Па частоте 270 гц для П104, ПЮБ •) При Ук,6 = 5 «. 4 Прн У„ к = 10 « и температуре ере *»> При разомкнутом коллекторе »•) Для П6А. н П106 соответственно. *4) Для П376 и П38А — 15 ма. = 30 в, ды + 120’ С. *’) Для ПЮ при У9 б = 30 а для ос- zo) ДЛЯ ШОА И П40Ь при ик.б ю) Для П10А н ПЮБ при (7к,э®30в. тальных прн 6/э.б = 15 в. для остальных при Ук.б = 15 в. Таблица VIII.40 Низкочастотные транзисторы (параметры транзисторов при температуре окружающей среды 20^5° С) П5А П5Б П5В П5Г П5Д П5Е П6А П6Б П6В П6Г П6Д Материал полупроводника и тип проводимости Допустимая область темпе- ратуры коллекторного пере- хода, °C Максимальная выходная проводимость ^216’ мксим Минимальный коэффициент усиления по току граничная ия по току Макс| мальныЛ коэффициент шума дб Максимальное напряжение 3) i оллектор — база U в *216 А1) "2!э Минимальная частота усилен Мгц 3,3 0,93 0,3 12 10 2,6 0,95 —- 0,3 20 10 Германий, От —60 2,6 0,97 — 0,3 20 10 р-п-р до + 50 2,6 0,97 — 0,3 18 10 2,6 0,95 — 0,3 10 10 2,6 0,95 — 0,3 18 10 3,3 0,90 —- 0,100 33 30 2,0 0,90 — 0 465 33 30 Г ерманий, От —60 2,0 0,94 0.465 33 30 р-п-р до 4- 100 3,3 0,97 — 1,000 33 30 2,0 0,90 — 0,465 12 30 10 10 10 10 10 10 10 15 15 10 15 Общий вид и схема расположения выводов Со fe S s i e § I § E Z
Продолжение табл. VII1.40 w оо Обозначение Материал полупроводника и тип проводимости Допустимая область темпе- ратуры коллекторного пере- хода, СС Максимальная выходная проводимость MKCUM Минимальный коэффициент усиления по току Л21б ''213 П8 2,5 — 10 П9А 2,5 — 15 П10 2,5 — 15 П10А Германий, От — 60 2,5 25 П-р’П ДО + 85 П10Б 2,5 — 25 П11 2,5 — 25 П11А 2,5 — 45 П13 П13Б 2,5 2,5 — 12 20 П14 Германий, 2,5 ——— 20 П14А От — 60 2,5 20 И14 В П15 Р-п-р до -f- 8о 2,5 — 30 П 5А 2,5 30 2,5 — 50 П27 2,0 20 — 10 5 5 Км/!вкгГ10р -в- ^40—- П27А Германий, От — 60 1.0 20 1,0 5 5 5 р-п-р до + 85 П28 1.0 — 20 5,0 5 5 5 Ваза Эмит^ р Ок по 1 3 пашенная Ъ крхиость П35 1136А П37 1137 А П37Б 1138 П38А Германий, п-р-п От —60 до + 85 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 10 15 15 15 25 15 45 0,5 1 1 1 1 1 2 12 12 12 1 1 1 1 1 1 1 15 15 15 30 30 15 15 Аналогичны транзисторам П13- П15 П39 П39Б П40 П40А Г140В 1141 П41А Германий, р-п-р От — 60 ДО+ 85 । 1 1 1 1 м ; 1 11 1 11 1 12 20 20 30 30 30 50 0.5 0,5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 5 1 1 1 1 1 1 1 10 10 10 30 30 30 10 Аналогичны транзисторам П13 — П15 11101 Г1101А П101Б П102 пюз Кремний, п-р-п От —60 до + 150 2,0 2,0 2,0 2,0 2,0 0,90 0,90 0,94 0,95 0,97 1 1 1 1 1 0,5 0,5 0,5 1,0 ' 1,0 25 10 25 25 25 20 10 20 10 10 20 10 20 10 10 Аналогичен транзистору типа П13—П15 II104 11105 П106 Кремний, р-п-р От-60 до + 150 3,3 3,3 2,0 0,90 0,90 0,93 — 0,100 0.100 0,465 60 30 15 6в 30 15 Аналогичен транзистору типа П13—П15 Ч При UK 2 в, для транзистора типа П5 и UK = 5 а для остальных транзисторов; при /9 = 0,5 ма для транзисторов П27 — П28 и /э = 1 ма для остальных; при ! = 270 гц для транзисторов П5, 118 — П11, П104 и / = 1 кгц для остальных. ') В схеме с общим эмиттером для транзисторов П5, П101 — П103 при Ук э = 1 а, /э = 0,2 ма; для транзисторов П27 — П28 при Ук_э «= 5 а, /э «= 0,5 ма; для остальных при а, /э =0,5 ма. 8) Для транзисторов 115, 116, 1113 — 1115, П104 — П106 при разомкнутом эмиттере. ‘) Для транзисторов типов 115, П6, 11104 — 11106 и вторая строка для транзисторов типов П8 — П11 при разомкнутой базе; пер- вая строка для транзисторов типов П8— П11 — при коротком аамыкаиии эмиттер — база, для транзисторов типов ТПЗ — П15 при сопротивлении в цепи эмиттер — база 1 ком, для транзисторов типов П27 — П28 при g < 500 ом.
380 Электронные и ионные приборы Высокочастотные транзисторы малой мощности (параметры групп при тем Группа транзисторов Максимальная выходная про- водимость в схеме с общей базой <1226* * мксим Максимальная выходная про- водимость в схеме с общим эмиттером ^22э- мксим Минимальное входное сопро- тивление Дцб> ом Максимальный коэффициент обратной связи по напряже- нию 7»12б',0—$ Максимальный начальный ток коллектора /КфН, мка Максимальный обратный ток эмиттерного перехода /э,о. мка Максимальный обратный ток коллекторного перехода ^к.о* мка Максимальная емкость кол- лекторного перехода на ча- стоте 5 Мгц вк, пф 11401— П403 5» — 5 •> — — — 10/5 8) 15‘2)/10 П4О4—П405 — — — — — — 5 20) — П12, П406, П407 2 2) — — — — 20/10 О 6») 20 П19, П408, П409 1 — 29 — — 0,5 110) 15 П410—П4Ц 10»> — 7») 1,2 »> 5 О — 2 4 П414—П415 5»> — — — — — 2 ю) 10 П416 1 »> — — — — 100 в) 2 ю) 8,5 П420—П421 5 — — — — — 10 20 П422—П423 5 — — — — — 5 10 П501, П502, П503 — 3 — — — р) 120/1004) 10 *) I рИ 1/к б = 5 в, /э = 5 ма, f = 504-1000 гц. •) При UK g — 6 в, /э - I ма, f = 270 гц. •) При 1/к.б = 5 в, /э = I ма, f = 270 гц. *) При 17к э = 8 в. * При U3 б = 6 в, соответственно для П12 н П12А, П-106, П«07. •) При U3 б = 2 в. !) При U3 б - । в. •) При 17^6 = 5 « «Ч П-101, П402, П403. *) При 1>Л б = 6 в.
Полупроводниковые приборы 381 пературе окружающей среды 20±5°С) Таблица V111.41 Максимальное внутреннее падение напряжения коллек- тор — эмиттер ДУ э, в Максимальный ток коллек- тора /к> ма Максимальный ток эмиттера /э, ма Максимальный ток базы /б, ма Максимальное напряжение коллектор — эмнттер U^s, е Максимальное обратное на- пряжение эмиттер — база Уэ.б.0- 8 Максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, Рмакс м>т Время выключения твыкл, мксек ND — о । iis^ii । i * 10 4 5 30 20 10/30 '«) 15/120* 1 * *® 10 10 0.5 30 10 о 1 1 1 1 1 1 1 II Ю*«) 6 6 мп б10» 10 *« 12 W) 10 10 20/301«> 1 5 1 3 118>/3 50 10 10 100 100 100/250 1») 50 50 150 1 1 1 J 1 1 1 ' 1 II 10) При l)Kg = 5e. *9 11ри разомкнутом эмиттере при температуре перехода + 120“ С соответственно для 11502 и остальных транзисторов. »’) Для II40I. Is) При /э = 10 ма I4) При /э = 50 ма. «•) В импульсе. !• При отключенной базе. 1’) llpi сопротивлении в цепи базы 1 ком. «“) При закорачивании выводов базы н эмиттера соответственно для П501, П501Л, П502. I1502A, П503, II503A. *>) Для П501, П501А. При UK s =3 а
Таблица Vlll.42 Высокочастотные транзисторы (параметры транзисторов при температуре окружающей срелы 20±5с С) Обозначение Материал полупроводника и тип проводимости Допустимая область темпе- ратур коллекторного пере- хода, °C Коэффициент усиления по току в схеме с общей ба- зой Л.}}л 216 в схеме с общим эмиттером на большом сигна- ле В •) П401 Германий, диффузион- 0,94 — — П402 От — 60 0,94 —_ ный П403 транзистор до + 85 0,97 — —- П403А типа 0,94 р-п-р П404 Германий, 0,93 —- — П404А поверхност- но' барьер- ный тран- От—60 0,93 — — П405 зистор, Р‘П‘Р до+80 0,95 —— П405А 0,95 — — П12 Германий, От—60 — 20 — 5 3000 — — П12А сплавнои транзистор — 20 — 5 3000 — — до+85 П406 типа р-п-р —- 20 — 10 3000 —- —- П4О7 — 20 — 20 3000 — — П19 Германий, От—60 0,95 — — 5 2500 20 — П408 0,95 — 10 2500 20 — р-п-р до+80 П409 0,95 — — 20 3000 20 — П410 Германий, 0,965 — — 200 300 — — П410А диффузион- ный От-60 0,990 — — 200 300 — — П411 транзистор типа ; Р-п-р до г 85 0,965 — — 400 200 — —- П411А 0,990 —- 400 200 —
Продолжение табл. Vlll.42 Обозначение Материал полупроводника и тип проводимости и Коэффициент усиления по току тпмая область т О 5 S & в ч X О в схеме с общей ба- | 30(1 й21б в схеме с общим 2) эмиттером й2|э на большом сигна- ле В3) Допус ратур хода, П414 — 25 — П414А Германий, — 60 — П414Б диффузион- ный От -60 — 100 — П415 транзистор типа до J-75 — 25 — П415А р-п-р — 60 — П415Б — 100 — П416 Германий, диффузном иый 0,95 2,5 25 П416А От -60 0,97 4,0 50 транзистор типа до Ч-85 П416Б р-п-р 0,98 4,0 80 Минимальная частота гене- рации Мгц Максимальная величина про- изведения сопротивления ба- зы на емкость коллекторно- го перехода на частоте 5 Мгц нсек Максимальное напряжение коллектор — база UK g, в Сопротивление насыщения <>. ОМ Общий вид и схема расположения выводов 60 60 60 120 120 120 1000 1000 1000 500 500 500 10 10 10 10 10 10 1 1 1 1 1 1 ~5Р- 40 1 toe _ЛЭмиттер * Оранжевая Коллектор точка Г 500 500 500 Оранжевая .точка тлп — __ ri <=О — Коллектор 13 1-1308 П420 — 12 — 30 5000 П421 Германий — 15 — 30 3500 П422 диффузной- От—20 30 . 60 1000 ный П422Л транзистор , типа до+55 — 15 — 60 1000 р-п-р П423 — 30 — 120 500 П423А — 15 — 120 500 П501 0,90 9 10 П501А Кремний, 0,95 19 — 10 — П502 диффузион- От —60 0,90 9 — 30 — П502А пый 0,95 19 — 30 — П502Б П502В транзистор типа до +150 0,90 0,95 9 19 — 30 30 П503 п-р-п 0,90 9 — 60 —.- П503А 0,95 19 — 60 — * ) Для П401—П403 и П410—П411 измеряется при Ук.б = 5 в, /э = 5 ма, f = 50-4-10 000 гц; для П416 при UK в = 5 в, /э = 1 ма, I = 270 вц; для П501 — П503 при Ук д = 10 а, /э = 3 ма, f = 50-5-10 000 гц, * ) Для П12, П406, П407 измеряется при UK э = б в, /э = 1 ма, f = 270 гц; для Г1414—П415 при UK э = 5 в, /э = 5 ма, f = 270 гц; для П416 указан модуль при UK э = 5 в, /э = 5 ли f = 270 Мгц, для П501—П503 измеряется при s = 10 в, 7$ = 3 ма, f =20 Мгц ’) При UK э = 3 в, /э = 50 ма, f = 270 гц, ♦ ) Для П12—П4О7 указана граничная частота усиления по току 1а, * ) В схеме с общим эмиттером при Ук з=20 в, 7б=2,5 ма. 384 Электронные и ионные приборы Полупроводниковые приборы 385
386 Электронные и ионные приборы Низкочастотные германиевые транзисторы р-п-р (параметры при Параметры Предельная частота усиления по току /а> Мгц ')......................... Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером ...... Статический коэффициент усиления В а) Наибольший обратный ток эмиттера ^Э.О’ЛКО 4)........................ Наибольший обратный ток коллектора /к.о- мка ь>....................... Максимальная емкость коллекторного пе- рехода Ск, пф ь)................... Наибольшее значение постоянной време- ни цепи обратной связи Ск, нсек Максимальная выходная проводимость в схеме с общим эмиттером /м2Э’ мксим Максимальный ток коллектора 7К, а . . Максимальный ток базы 7g. а........ Максимальное значение напряжения кол- лектор — база UK g, в . . . . . Максимальное напряжение коллектор — □мпттср 6ГК э, в . ........... . Максимальное напряжение эмнттер — ба- за U3 б* * е....................... Максимальная рассеиваемая мощность рмакс- вт.......................... Обратное напряжение база — эмиттер ^б.Э.О* в ....................... Напряжение коллектор — эмиттер им- пульсное при длительности импульса нс более 10 сек и скважности не меисе 10. Uк.э ими* в ....................... Максимальное входное напряжение, при /к 430 ма, UBX, в ........... Интервал рабочих температур, °C. . . . Мало ГТ108А о ГТ108В ОС о ГТ109А о ГТ 109В 0,5 1 1 1 1 1 1 20— 35— ьо— 110— 20— 35— 60- 50 80 130 250 50 ВО 1зо 30— 80 60— 1и0 — — — — 15 15 15 15 5 5 5 10 10 10 10 5 5 5 50 50 50 50 30 30 30 — — — — 3.5 3.5 3.5 3,3 3,3 зл 3,3 3,3 3,3 3,3 0,05 0.05 0,05 0,05 0,02 0,02 0.02 — — — — — —- — 10 10 10 10 15 15 15 — — — — 6 б 6 — — — — - — — 0,075 0,075 0,075 0,075 0,03 0,03 0,03 — — — — — — — — — — — — — — — — — — О т —25 ДО +55 От —20 ') Для ГТ109 при UK = 5 в; для П'403 прл 77к — 5 в. /к = 100 лю; для ГТ701А при Uu — 20 в, 1К = 0,1 а; для ГТ 108 при Uu — 5 в, К — I ма. lx г. j *) Для ГТ109 прн UK 5 в, /э — 1 ма; для 1Т403 при UK — 5 в, 1К— 100 ма. 3) Для ГТ402 при l/K = 1 в, 7К = 3 ма; для ГГ701А при 17к= 20 в, /к = 5 ма.
Полупроводниковые приборы 387 Таблица VII 1.43 температуре окружающей среды 20 ±5° С) мо щные Сродней мощности Боль- шой МОЩ- НОСТИ о ГТ109Д о ГТ402А ГТ402Б 1Т403А 1Т403Б 1Т403В 1Т403Г 1Т403Д 1Т403Е * о S ео о ГТ701А 1 3 5 0,015 0,015 8 8 8 в 8 8 8 8 0,05 по— 250 20— 70 50- ЮЗ — — •го- бо 50— 150 20— 60 5— 150 50— 150 — 20— 60 50— 150 — 30— 80 60 150 — 10 5 3 3 - — 50 50 50 50 50 50 70 70 — 5 2 2 25 25 50 50 50 50 50 50 50 50 5000 30 10 40 — 3.5 3,5 3,5 — 3.3 з.з 3,3 — — 250 250 250 250 250 250 250 250 — 0,02 0.02 0.02 0.5 0,5 1,25 1,25 1.25 1,25 1,25 1.25 1.25 1.25 12 — — — — 0,4 0,4 0,4 0.4 0,4 0.4 0,4 0.4 — 15 15 15 — — 45 45 GO G0 60 G0 80 80 — 6 G 6 25 25' 30 30 45 15 45 45 60 60 55 — — — 6.42 0.42 — 20 20 20 30 20 20 20 15 0,03 0,03 0,03 0,6 0.6 1 1 1 1 1 1 1 1 50 — — 15 — — 100 — — 0.8 0,65 0,8 0,8 0.8 0,8 0.8 — ДО +55 От —25 до + 55 От —60 ДО +70 От —60 до +75 *) Для ГТ109 при ик = 5 в; для ГТ108 при 1Л, = 5 в; для IT4O3 при преде -ып« значениях напряжения на эмиттере. *) Для ГТ 109 при UK 5 в; для IT403 при наибольшем значении напряжения кол- лектор— эмнттср; для ГТ701 прн t7K = 60 в; для ГТ108 прн t7K = 5 в; для ГТ4О2 tpa С/к = 10 в- <3*
388 Электронные и ионные приборы
Полупроводниковые приборы 389
390 Электронные и ионные приборы Высокочастотные германиевые транзисторы малой мощности р-п-р Параметры гс сс ГТ311А ш t — 15 25 20— 70 60— 180 20— 70 60— 180 20— 70 60— 180 — 4,5 6 6 1—10 20— 50— 80— 15— 75 120 200 — — — — — — 180 8 8 8 3 3 4 » 4 4 — 8 8 8 4 4 5 5 5 5 2.5 25 25 25 — — — — — — 50 400 400 500 — — — — — — 50 2 9 2 5 5 .) 5 с 5 5 50 50 50 — — — — — — 10 — — — 38 38 38 38 38 38 — 50 50 50 10 10 10 ю . 10 10 — 12 12 12 10/6 10/6 10/6 10/6 10/6 10/6 12 20 20 20 12 12 12 12 12 12 12 30 30 30 — — — — — — 25 Коэффициент усиления по то- ку в схеме с общим эмиттером Ь при 6/к = 5 в, /э — 1 ма Модуль коэффициента усиле- ния по току иа высокой часто- те I Р I ’) .............. Статический коэффициент уси- ления по току В* 2)....... Максимальный коэффициент шума Fup дб............... Мнксимальиая емкость кол- лектора Ск> пф............ Максимальная емкость эмит- тера Сэ, пф............... 11анболыиее значение посто- янной времени цепи обратной связи г^Ск. мкмксек .... Наибольший обратный ток кол- лектора /к о, мка 3)...... Наибольший обратный ток эмиттера /э о. лка 4) .... Наибольшее значение входно- го сопротивления ом Максимальный ток коллекто- ра /к. ма................. Л1акснмальное постоянное нап- ряженке коллектор — эмиттер ^к.э» в • Максимальное импульсное напряжение коллектор—эмит тер UK э нмп, в........... Максимальное постоянное напряжение коллектор—ба- за </к.б. в............... Максимальное импульсное на пряжение коллектор — база Цс.б.имп- 0............... *) Для ГТ308 прн UK — 5 в, /э — 5 ла, f = 20 Мгц; для ГТЗП прн 6/к = 5 в, /э = 5 ма, f = 100 Мгц; для ГТ313 прн UK = 5 в, /9 = 5 ма , f = 10 Мгц; для ГТ320 при UK =5 в, /э = 10 ма, f = 20 Мгц; для ГТ322 при UK = 5 в, 1Э = I ма, f = 20 Мгц. 2) Для ГТ-308 при UK = 1 в, /э = 10 ма, f = 50 гц, скважности импульсов Q =10— 100; для ГТЗП при (/к = 3 в, /э = 15 ма, f = 50 гц, Q= 10—100; для ГТ313 при 1/к = — 5 в, /э — 5 ма, f =50—100 гц; для ГТ320 при UK = 1 в, /э = 10 ма, f = 50 гц; Q = = 5—100; для ГТ322 при 1/к — 5 в, /э = 1 л«а, э) Для ГТ308, ГТЗЮ при UK — 5 в; для ГТЗП прн UK = 2 в; для ГТ313 при UK = == 12 е; для ГТ320 соответственно при UK = 5 в в t/K = 20 в; для ГТ322 при UK = Ю в. 4) Для ГТ308 при = 2 в; для ГТЗП прн U9 = 2 в; для ГТ313 при UQ = 0,25 в; для ГТ320 при U3 = 2 в.
Полупроводниковые приборы 391 Таблица VIII44 п-р-п р-п-р са u g to CQ < CQ t- ft Cd 04 <N 04 04 04 04 s 04 04 t н н H t H t e t 4.5— 4.5— 1,5— 10 — 2,5 2.5 3—10 10 10 6—10 3—10 >4 >6 >8 4 4 2,5 2.5 30— 15— 30— GO— 20— 20— 20— 50— 80— 20— 50 20— SO— 20— 50— 180 50 80 180 250 250 80 120 250 70 120 70 120 70 120 — — — — — 7 — — — 4 4 4 4 4 4 2,5