СПРАВОЧНИК

ТРАНЗИСТОРЫ
И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ
АНАЛОГИ

СПРАВОЧНИК

В. М. Петухов

ТРАНЗИСТОРЫ
И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ
АНАЛОГИ

МАЛОМОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

В ЧЕТЫРЕХ ТОМАХ

Том 1

Каталог

Издание второе, исправленное

ИЗДАТЕЛЬСКОЕ
ПРЕДПРИЯТИЕ
РадиоСофт

МОСКВА

2000
ББК 32.852.3

П53

ИЗДАТЕЛЬСТВО «РАДИОСОФТ»

Отдел реализации тел/факс (095) 177-47-20, е-таП гасИозИ@аба ги
Адрес и телефон для заявок на книги по почте наложенным платежом

113054 Москва, а/я 35, «Пост-Пресс», тел /факс (095) 230-37-66
е-таП ро5фгез@с1о1 ги

Петухов В. М.

П53 Транзисторы и их зарубежные аналоги. Маломощные транзисто-
ры. Справочник. В 4 т. Т. 1. Издание второе, исправленное.— М.- ИП
РадиоСофт, 2000.— 688 с.: ил.

(ЗВИ 5-93037-036-2

В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные ха-
рактеристики полупроводниковых приборов — полевых и биполярных транзисторов
малой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандар-
ты для описанных в справочнике приборов Для конкретных типов приборов приво-
дятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных разме
рах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы В
приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике,
и названия фирм-изготовителей, представлен перечень транзисторов, вошедших в
1-4 тт издания

Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуа-
тацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры

ББК 32.852.3

Ответственный за выпуск А А Халоян

Редактор М Ю Нефедова

Сдано в набор 4 08 96 Подписано в печать 14 09 96

Формат 84* 1087з2 Печать высокая Бумага газетная

Печ л 21,0 Тираж 5 000 Заказ

Издательское предприятие РадиоСофт

109125, Москва, ул Саратовская 6/2

Лицензия ДР М» 065866 от 30 04 98

Отпечатано с готовых диапозитивов

во Владимирской книжной типографии Госкомпечати России

600000 г Владимир, Октябрьский пр д 7

15ВИ 5-93037-036-2

© В. М. Петухов, 2000

© Составление, оформление.

Издательское предприятие
РадиоСофт, 2000
СОДЕРЖАНИЕ

ю

Предисловие.....................................-.................—

ЧАСТЬ ПЕРВАЯ

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Раздел первый. Классификация биполярных и полевых
транзисторов

1 1. Классификация и система обозначений............................. 11

1 2 Классификация транзисторов по функциональному назначению......... 13

1 3 Условные графические обозначения................................. 14

1.4 Условные обозначения электрических параметров.................... 15

1*5. Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы.......... 21

1.6 Приборы для измерения параметров маломощных транзисторов......... 25

Раздел второй. Особенности использования транзисторов
в радиоэлектронной аппаратуре

ЧАСТЬ ВТОРАЯ

СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел третий. Транзисторы маломощные низкочастотные
Транзисторы п-р-п

2ТМ103А, 2ТМ103Б, 2ТМ103В, 2ТМ103Г, 2ТМ103Д.......................... 35

ГТ122А, ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г.....................................'. 37

2Т127А-1, 2Т127Б-1, 2Т127В-1,	2Т127Г-1............. 38

2Т201А, 2Г201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г,

КТ201Д, КТ201АМ,	КТ201БМ,	КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ ............. 40

2Т205А-3, 2Т205Б-3................................................... 44

КТ206А, КТ206Б ...................................................... 46

2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215Д9, 2Т215Е9, 2Т215А-1,
2Т215Б-1, 2Т215В-1, 2Т215Г-1, 2Т215Д-1, 2Т215Е-1, КТ215А-1,
КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1................... 47

ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404В, ГТ404Г....................................... 52

Транзисторы р-п-р

1Т101, 1Т101А, 1Т101Б, 1Т102, 1Т102А................................. 54

КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г....................................... 56

2ТМ104А, 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2ТМ104Г, 2Т104А, 2Т104Б, 2Т104В, 2Т104Г... 58

ГТ108А, ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г....................................... 60

ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Д, ГТ109Е, ГТ109Ж, ГТ109И....... 62

1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115А, 1Т115Б, 1Т115В, 1Т115Г... 64

ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д............................... 67

1Т116А, 1Т116Б, 1Т116В, 1Т116Г....................................... 68

2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г, КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г, КТ117АМ,
КТ117БМ, КТ117ВМ, КТ117ГМ.......................................... 70

2Т118А, 2Т118Б, 2Т118В, КТ118А, КТ118Б, КТ118В....................... 72

2Т118А-1, 2Т118Б-1 .................................................. 74

КТ120А-1, КТ120Б-1, КТ120В-1......................................... 76

ГТ124А, ГТ124Б, ГТ124В, ГТ124Г....................................... 78

ГТ125А, ГТ125Б, ГТ125В, ГТ125Г, ГТ125Д, ГТ125Е, ГГ125Ж, ГГ125И, ГГ125К,

ГТ125Л ........................................................... 79

2Т126А-1, 2Т126Б—1, 2Т126В-1, 2Т126Г-1............................... 81

2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т2С2В-1, 2Т2С2Г-1, 2Т202Д-1, КТ202А-1, КТ202Б-1,

КГ202В-1, КТ202Г—1, КТ202Д-1...................................... 82

2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д, КТ203А, КТ203Б, КТ2ОЗВ, КТ203АМ,
, КТ203БМ, КТ203ВМ .................................................. 86

КТ207А, КТ2О7Б, КТ207В............................................... 89

2Т208А, 2Т208Б 272088, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е. 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К,

2Т20871, 2Т208М, КТ208А. КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е,
КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М ........................... 90

КТ209А, КТ209Б, КТ209Б1, КТ209В, КТ209В1, КТ209В2, КТ209Г, КТ209Д,

КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М.................... 93

2Т211А-1, 2Т211Б-1, 2Т211В-1 ........................................ 97

2Т214А9, 2Т214Б9, 2Т214В9, 2Т214Г9, 2Т214Д9, 2Т214Е9, 2Т214А-1,

2Т214Б-1, 2Т214В-1, 2Т214Г-1, 2Т214Д-1, 2Т214Е-1, КТ214А-1,

КТ214Б-1, КТ214В-1, КТ214Г-1, КТ214Д-1, КТ214Е-1.................. 99
КТ216А, КТ216Б, КТ216В	.......................... 103

КТ218А9, КТ218Б9, КТ218В9, КТ218Г9, КТ218Д9, КТ218Е9................. 105

ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г	....	....................... 109

1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д, 1Т403Е, 1Т403Ж, 1Т403И, ГТ403А,

ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И, ГТ403Ю .. 111

ГТ405А, ГТ405Б, ГГ405В, ГТ405Г ...................................... 115

Раздел четвертый. Транзисторы маломощны* высокочастотны*

Транзисторы п-р-п

2Т301Г, 2Т301Д, 2Т301Е, 2Т301Ж, КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж....... 117

КТ302А............................................................... 120

2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В, КТ312А, КТ312Б, КТ312В....................... 121

КТ315А, КТ315Б. КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Р. 124
2Т317А-1, 2Т317Б-1, 2Т317В-1, КТ317А-1, КТ317Б-1, КТ317В-1........... 127

2Т336А, 2Т336Б, 2Т336В, 2Т336Г, 2Т336Д, 2Т336Е, КТ336А, КТ336Б, КТ336В,

КТ336Г, КТ336Д, КТ336Е........................................... 129

КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г, КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ,

КТ342ДМ.......................................................... 131

2Т348А-3, 2Т348Б-3, 2Т348В-3, КТ348А, КТ348Б, КТ348В................. 135

КТ358А, КТ358Б, КТ358В............................................... 137

КТ369А, КТ369Б, КТ369В, КТ369Г, КТ369А-1, КТ369Б-1, КТ369В-1,

КТ369Г-1 ......................................................   139

КТ375А, КТ375Б............................ ...........................141

2Т377А-2, 2Т377Б-2, 2Т377В-2, 2Т377А1-2,	2Т377Б1-2, 2Т377В1-2.	.	143

2Т378А—2, 2Т378Б-2, 2Т378А1-2, 2Т378Б1-2,	2Т378Б-2-1	.	  146

КТ379А, КТ379Б, КТ379В, КТ379Г....................................... 148

КТ381Б, КТ381В, КТ381Г, КТ381Д, КТ381Е............................... 151

2Т385А-2, 2Т385АМ—2, КТ385А, КТ385АМ ................................ 154

КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К, КТ3102ГМ, КТ3102ЕМ,

КТ3102ЖМ, КТ3102ИМ, КТ3102КМ...................................   156

КТ3117А, КТ3117Б, КТ3117А1.........................................   159

КТ3122А, КТ3122Б...................................................   162

2Т3130А9, 2Т3130Б9, 2Т3130В9, 2Т3130Г9, 2Т3130Д9, 2Т3130Е9, КТ3130А9,

КТ3130Б9, КТ3130В9, КТ3130Г9,	КТ3130Д9, КТ3130Е9, КТ3130Ж9 ...... 164

КТ3151А9, КТ3151Б9, КТ3151В9, КТ3151Г9, КТ3151Д9, КТ3151Е9 ....	167

КТ3153А9...........................................................   169

КТ3171А9 ........................................................     172

КТ3173А9 ........................................................     174

КТ3176А9.......................... ............ ...................... 176

КТ3179А9............................................................. 179

Транзисторы р-п-р

1ТМ305А, 1ТМ305Б, 1ТМ305В, 1Т305А, 1Т305Б, 1Т305В, ГТ305А, ГТ305Б,
ГТ305В........................................................... 181

1Т308А, 1Т308Б,	1Т308В,	ГТ308А, ГТ308Б,	ГТ308В.	  183

ГТ309А, ГТ309Б,	ГТ309В,	ГТ309Г, ГТ309Д,	ГТ309Е	.186

ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е ,.	....	187

2Т313А. 2Т313Б,	КТ313А,	КТ313Б, КТ313А1, КТ313Б1,	КТ313В1,	КТ313Г1	189

1Т320А, 1Т320Б,	1Т320В,	ГТ320А, ГТ320Б,	ГТ32СВ	19’

1Т321А, 1Т321Б,	1Г321В,	1Т321Г, 1Т321Д,	1Т321Е,	ГТ321А,	ГТ321Б,	ГТ321В,

ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е.	.......... 196

2Т321А, 2Т3215, 2Т321В, 2Т321Г, 2Т321Д, 2Т321Е, КТ321А, КТ321Б, КТ321В

КТ321Г, КТ321Д, КТ321Е . ..	....... ... 199

ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В. ...	................................ 202

1Т335А, 1Т3356, 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д............................... 204

ГТ338А, ГТ3385, ГТ338В...................................   .	208

КТ343А, КТ343Б, КТ343В.......... ..................... .. 209

КТ350А...........................................................     210

КТ351А, КТ351Б ...................................................   .212

КТ352А, КТ352Б........................ ...............................214

КТ361А, КТ361Б, КГ361В, КТ361Г, КТ361Д, К1361Е ....................   216

2Т364А-2, 2Т364Б-2, 2Т364В-2,-КТ364А-2, КТ364Б-2, КТ364В-2 ...	219

КТ380А, КТ380Б, КТ380В.............................................   221

2Т388А-2, 2Т388АМ—2, КТ388Б-2,	КТ388БМ-2	  224

КТ3104А, КТ3104Б, КТ3104В, КТ3104Г, КТ3104Д, КТ3104Е.	...	226

КТ3107А, КТ3107Б, КТ31О7В, КТ31О7Г, КТ31О7Д, КТ31О7Е, КТ3107Ж, КТ31О7И,

КТ3107К, КТ31О7Л...............................................   228

2Т3108А, 2Т3108Б, 2Т3108В, КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В ............... 23'.
7Т312««-9 2Т3129Б9, 2Т3129ВЭ, 2Т3129Г9, 2Т3129Д9, КТ3129А9, КТ3129Б9,
КТ3129В9, КТ3129Г9, КТ3129Д9 ........................................

2Т3152А, 2Т3152Б, 2Т3152Е, 2Т3152Г, 2Т3152Д, 2Т3152Е ................

КТ3157А .............................................................

КТ3180А9......................-......................................

Раздел пятый Транзисторы маломощные сверхвысокочастотные

Транзисторы п-р-п

ЗГ306А 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д,
Кт’06АМ КТЗЭ6БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ...........................

2Г07А-1, 2Т307Б-1, 2ТЗО7В-1, 2Т307Г-1. КТЗО7А-1, КТЗО7Б-1, КТЗО7В-1,
' КТЗЭ7Г-1............................................................

1Т311А 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И...

2Т314А-2. КТ314А-2	...............................................

2Т316А 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, 2Т316А 5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В,

КТ316Г КТ316Д, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ.......

2Т318А-1 2Т318Б-1, 2Т318В-1, 2Т318В1-1, 2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1,

КТ318А, КТ318Б, КТ318В, КТ318Г, КТ318Д, КТ318Е...................

2Т324А-1 2Т324Б-1, 2Т324В-1, 2Т324Г-1, 2Т324Д-1, 2Т324Е-1, КТ324А-1,
' КТ3246-1, КТ324В-1, КТ324Г-1, КТ324Д-1, КТ324Е-1 ...................

2Т325А. 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В, КТ325АМ, КТ325БМ,
КТ325ВМ..............................................................

1Т329А 1Т329Б, 1Т329В, ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г................

1Т330А,' 1ТЗЗОБ, 1Т330В, 1Т330Г, ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ..............

2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3, 2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2ТЗЗЗЕ-3, 2ТЗЗЗВ1-3,
КТЗЗЗА-З, КТЗЗЗБ-З, КТЗЗЗВ-З, КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-З...........

КТ339А, КТ339АМ ......................................................

1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В, ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В ......................

2Т354А-2. 2Т354Б-2, КТ354А-2, КТ354Б-2...............................

2Т355А, КТ355А, КТ355АМ..............................................

КТ359А, КТ359Б, КТ359В...............................................

1Т362А, ГТ362А, ГТ362Б...............................................

2Т336А-1, 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, 2Т366В-1, КТ366А, КТ366Б, КТ366В......

2Т368А, 2Т368Б, 2Т368А9, 2Т368Б9, КТ368А, КТ368Б, КТ368АМ, КТ368БМ,

КТ368А9, КТ368Б9, КТ368А-5.......................................

2Т371А, КТ371А, КГ371АМ..............................................

2Т372А, 2Т372Б. 2Т372В, КТ372А, КТ372Б, КТ372В ......................

КТ373А, КТ373Б, КТ373В, КТ373Г.......................................

1Т374А-6 ............................................................

2Т382А, 2Т382Б, КТ382А, КТ382Б, КТ382АМ, КТ382БМ ....................

2Т384А-2, 2Т384АМ-2, КТ384А, КТ384АМ ................................

1Т387А-2, 1Т387Б-2...................................................

2Т391А-2. 2Т391Б-2, КТ391А-2, КТ391Б-2, КГ391В-2.....................

2Т’96А-2, КТ396А-2, КТ396А9..........................................

2ТЗу7А—2, КТ397А-2...................................................

2Т399А, КТ399А, КТ399АМ..............................................

2Т3101А-2, КТ3101А-2 ................................................

КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ31О2Д, КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ,

КТ3102ДМ ........................................................

2Т3105А-2, КТ3106А—2, КТ3106А9 ......................................

1Т3119А-2............................................................

2Т3114А-6, 2Т3114Б-6, 2Т3114В-6, КТ3114Б-6, КТ3114В-6................

2Т3115А—2, 2Т3115Б-2, 2Т3115А-6, КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Г-2,
К13115Д-2.............

2Т3117А.	.	...............................................

2Т3120А, КТ3120АМ ............[..................... .'....“ ../..7...

2Т3121А-6, КТ3121А-6..............................................

2Т3124А-2, 2Т3124Б-2, 2Т3124В-2......................................

2Т3132А-2, 2Т3132Б-2, 2Т3132В-2, 2Т3132Г-2, 2Т3132А-5, КТ3132А-2,

2Т314и-2Б-2’ КТ3132В-2> КТ3132Г-2, КТ3132Д-2, КТ3132Е-2..............

КТ3142А... ..........................................................

КТ3166А .	........................................................

КТ3168А9...

КТ3170А9.	.....................................................

КТ3172А9..' .........................................................

2Т3175А...... У""’.... '7777.........................................

А641А, А641Б, А641В. . 77777./. ....... 777 77777 //.................

2 34
237
240
242

244

248

251

256

258

262

265

268

272

274

278
282

284

287

290

292

293

297

300
305

309
313

316

318
321

324

328

331

335

337

340

343

346

349

352

355

361

362

365

367

370

374

377

379

380

382

384

387

389
А791А. А791Б. А791В	.	................................ 391

А815 .	.................. ....................... 393

Транзисторы р-п-р

1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В,	ГТ313А,	ГТ313Б,	ГТ313В................... 395

2Т326А, 2Т326Б, КТ326А,	КТ326Б,	КТ326АМ,	КТ326БМ.................. 399

ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В............................................ 402

КТ337А, КТ337Б, КТ337В............................................ 405

КТ345А, КТ345Б, КТ345В...................... .................... 407

ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В............................................ 408

КТ347А, КТ347Б, КТ347В.............................................411

КТ349А, КТ349Б, КТ349В	....................................... 413

2Т360А-1, 2Т36СБ-1, 2Т360В-1, КТ360А-1, КТ360Б-1, КТ360В-1 ....... 415

2Т363А, 2Т363Б, КТ363А, КТ363Б, КТ363АМ, КТ363БМ...................418

2Т370А9, 2Т370Б9, 2Т370А-1, 2Т370Б-1, КТ370А-1, КТ370Б-1, КТ370А9,

КТ370Б9...................................................     421

1Т376А, ГТ376А .................................. ........... 424

1Т386А	    427

2Т389А-2, КТ389А-2 ............................................... 429

2Т392А-2, КТ392А-2..............................................   431

КТ3109А, КТ3109Б, КТ3109В......................................... 433

2Т3123А-2, 2Т3123Б—2, 2Т3123В-2, КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2,

КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ.................................. 436

КТ3126А, КТ3126Б, КТ3126А9......................................   439

КТ3127А........................................................... 442

КТ3128А, КТ3128А9................................................. 444

КТ3150Б-2.......................................................   446

2Т3162А, 2Т3162А-5..............................................   448

КТ3165А .	      450

КТ3169А9-1	  451

Раздел шестой. Транзисторные сборки п-р-п
1НТ251, 1НТ251А, 1НТ251А1, МНТ251 ................................ 453

2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т381В-1, 2Т381Г-1, 2Т381Д-1.................. 457

КТС395А—1, КТС395В-1, КТС395А-2, КТС395Б-2, КТС395В-2	  460

2ТС398А-1, 2ТС398Б-1, 2ТС398А9, 2ТС398Б9, КТС398А-1, КТС398Б-1,

КТС398А9, КТС398Б9..........................................   463

2ТС3111А-1, 2ТС3111Б-1, 2ТС3111В-1, 2ТС3111Г-1, 2ТС3111Д-1........ 468

КТ3174АС-2	    471

К1НТ661А ......................................................... 473

Транзисторные сборки р-п-р

2ТС393А-1, 2ТС393Б-1, 2ТС393А9, 2ТС393Б9, КТС393А-1, КТС393Б-1,
КТС393А9, КТС393Б9 .. .	............. .................. 474

КТС394А — 1, КТС394А-2, КТС394Б-2................................. 480

2ТС3103А 2ТС3103Б, КТС3103А1, КТС3103Б1 ........................   482

Транзисторные сборки р-п-р и п-р-п
2ТС303А-2, КТСЗОЗА—2.............................................. 486

КТС3161АС .	.............. ........................ 489

ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел седьмой Кремниевые полевые транзисторы маломощные
2П101А, 2П101Б, 2П101В, КП101Г, КП101Д, КП101Е...	.	.	491

2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д, 2П103АР, 2П103БР, 2П103ВР,
2П103ГР, 2П103ДР, КП103Е, КП103Ж, КП103И, КП103К, КП103Л, КП103М,
КП103ЕР, КП103ЖР, КП103ИР, КП103КР, КП103ЛР, КП103МР. КП103Е1,
КП103Ж1 КП103И1, КП103К1, КП103Л1, КП103М1, КП103ЕР1, КП103ЖР1,

КП103ИР1, КП103КР1, КП103ЛР1, КП103МР1................ ....	494

2ПС104А, 2ПС104Б, 2ЛС104В, 2ЛС104Г, 2ПС104Д, 2ПС104Е, КПС104А,

КПС104Б, КПС104В, КПС104Г, КПС104Д, КПС104Е....................503

2П201А-1, 2П201Б-1, 2П201В-1, 2П201Г-1, 2П201Д-1, КП201Е-1,

КП201Ж-1. КП201И-1, КП201К-1, КП201Л-1	.	.	.	.	508

2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2ПС202Д-1, 2ПС202Е-1,

КПС202А-2, КПС202Б-2, КПС2О2В-2, КПС2О2Г-2, КПС202Д-1,

КПС202Е-1	..	.	.... 5Ц
К-ПГ203А-1 КПС203Б-1, КПС203В-1, КПС203Г-1 ....	. .	.	516

2П301А. 2П301Б, 2П301В, 2П301А1, 2П301Б1, 2П301В1, КП301Б, КП301В,

КП301Г	...	•		-•	................519

2П302А, 2П302Б, 2П302В, КП302А, КП302Б, КП302В, КП302Г, КП302АМ,
КПЗО2БМ, КП302ВМ, КП302ГМ ..................................... 522

2П303А 2ПЗОЗБ 2П303В, 2П303Г, 2П303Д, 2П303Е, 2П303И, КПЗОЗА, КПЗОЗБ,

КПЗОЗВ, КПЗОЗГ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ, КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ.................... 526

2П304А, КПЗО4А..................................................   	530

2П305А 2П305Б, 2П305В, 2П305Г, КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305И . 533

2П305А-2 2П305Б-2, 2П305В-2, 2П305Г-2 .................................536

2П306А 2П306Б, 2П306В, КП306А, КП306Б, КП306В .	....... 538

2ПЗО7А’ 2ПЗО7Б, 2П307Г, КП307А, КП307Б, КП307Г, КП307Е, КПЗО7Ж	542

2П308А9 2П308Б9, 2П308В9, 2П308Г9, 2П308Д9, 2П308Е9, 2П308А-1,

2ПЗС8Б-1, 2П308В-1, 2П308Г-1, 2П308Д-1, КП308А-1, КП308Б-1,
КП308В-1, КП308Г-1, КП308Д-1 ............................. .	...	546

2П310А, 2П310Б	................................. . .	549

2П312А, 2П312Б, 2П312А-5, 2П312Б-5, 2П312А-6, 2П312Б-6, КП312А,

КП312Б ................................................. ...	552

2П313А, 2П313Б, 2П313В, КП313А, КП313Б, КП313В ............. ...	557

КП314А ....................................................... .	.	5»

КПС315А, КПС315Б ......................... .	.. .	. 561

2ПС316А-1, 2ПС316Б-1, 2ПС316В-1, 2ПС316Г-1, КПС316Д-1, КПС316Е—1

КПС316Ж-1, КПС316И-1.............................................. 563

2П322А, КП322А.............................................. ...	. 566

КП323А-2, КП323Б-2............................. .	.	.569

КП327А, КП327Б, КП327В, КП327Г....................................... .571

КП329А, КП329Б .....................................................   574

2ПЗЗЗА. 2ПЗЗЗБ ................................ .	576

2П335А-2, 2П335Б-2 ..................................................  579

2П337АР, 2П337БР...................................................... 58"

2П338АР-1............................................................. 583

2П341А, 2П341Б, КП341А, КП341Б........................................ 585

КП346А9, КП346Б9, КП346В9............................ .	.... 587

2П347А-2, КП347А-2 ....................................................588

2П350А, 2П350Б, КП350А, КП350Б,	КП350В ................  591

КП364А, КП364Б, КП364В, КП364Г,	КП364Д, КП364Е, КП364Ж, КП364И ....	598

А760А, А760Б ...	..... ..................... . 598

Арсенидгаллиевые полевые транзисторы
Транзисторы малой мощности.

ЗП32ОА-2, ЗП320Б-2, АП320А-2, АП320Б-2 ......................

ЗП321А-2	.....................................

ЗП324А-2, ЗП324Б-2, АП324А-2, АП324Б-2, АП324В-2, АП324Б-5

ЗП325А-2, ЗП325А-5, АП325А-2......................

ЗП326А-2, ЗП326Б-2, ЗП326А-5, АП326А-2, АП326Б-2

ЗП328А-2, ЗП328А-5, АП328А-2..........................

ЗПЗЗОА-2, ЗПЗЗОБ-2, ЗПЗЗОВ-2, ЗПЗЗОА-5, АПЗЗОА-2, АПЗЗОБ-2,

АПЗЗОВ-2 ................................................

ЗП331А-2, ЗП331А-5, АП331А-2, АП331А-5 ..................

ЗП339А-2, ЗП339А-5, АП339А-2..................

ЗП343А-2, ЗП343А-5, АП343А-2.............................

ЗП344А-2, ЗП344А-5, АП344А-2 .....................

ЗП345А-2, ЗП345Б-2, ЗП345Б-5.... .............

ЗП351А-2, ЗП351А-5.................1..............

ЗП353А-5

ЗП372А-2	...................... '

ЗП376А-5	...............

ЗП384А-5
а 7 47	;.........  '	........... . ;;

А802А, А802Б, А802В, А802Г, А802Д, А802Е, А802Ж ....

А818А, А818Б, А818В, А818Г А818Д	...............

599

602

605

609

613

617

620

622

625

628

630

632

635

638

641

643

645

648

649

651

Перечень зарубежных транзисторов, заменяемых отечественными .	.	654

Указатель типов транзисторов.......................................... ..	671

Перечень типов транзисторов, вошедших в 1 — 4 тт издания ................ 673
ПРЕДИСЛОВИЕ

В справочнике приводятся электрические и эксплуатацион-
ные характеристики и параметры биполярных и полевых тран-
зисторов малой мощности, используемых во входных каска-
дах усилителей, широкополосных балансных дифференциаль-
ных и операционных усилителях, фазовых детекторах, генера-
торах, импульсных усилителях, селекторах телевизионных
приемников, переключающих и других устройств.

Настоящий справочник является первой книгой базового
издания по транзисторам. Во вторую книгу включены транзис-
торы биполярные средней и большой мощности низкочастот-
ные и полевые транзисторы средней и большой мощности, в
третью — транзисторы биполярные средней и большой мощ-
ности высокочастотные и сверхвысокочастотные.

Справочные сведения составлены на основе данных, за-
фиксированных в государственных стандартах и технических
условиях по конкретным типам приборов на момент составле-
ния справочника.

Сохранена форма представления данных в виде отдельных
справочных листов на каждый тип прибора, а также зареко-
мендовавшая себя положительно структура представления дан-
ных, принятая в более ранних изданиях аналогичных справоч-
ников: приведены краткие сведения о технологии, основном
назначении, габаритных и присоединительных размерах, мар-
кировке, значениях параметров и их зависимостях от условий
эксплуатации, режимах измерения, предельных эксплуатаци-
онных режимах и условиях работы приборов. Кроме того при-
ведены сведения о предприятиях-изготовителях приборов, све-
дения о иностранных аналогах.

В части «Общие сведения» приводятся классификация при-
боров и система их условных обозначений. Для полноты све-
дений о приборах, помещенных в справочнике, дается пере-
чень действующих стандартов.

Для некоторых типов приборов, сведения о которых опуб-
ликованы в вышедших ранее справочниках, с целью сокраще-
ния объема зависимости параметров от электрических режи-
мов не приводятся.

Для удобства пользования справочником обозначения при-
боров расположены в цифро-алфавитной последовательности.

Справочник не заменяет технических условий, утверждае-
мых в установленном порядке и не является юридическим
документом для предъявления рекламаций.
ЧАСТЬ ПЕРВАЯ

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ
ТРАНЗИСТОРАХ

Раздел первый

Классификация биполярных и полевых
транзисторов

1.1. Классификация и система обозначений

Классификация транзисторов по их назначению, физиче-
ским свойствам, основным электрическим параметрам, кон-
структивно-технологическим признакам, роду исходного полу-
проводникового материала находит свое отражение в системе
условных обозначений их типов. В соответствии с появлением
новых классификационных групп транзисторов совершенству-
ется и система их условных обозначений.

Система обозначений современных типов транзисторов
установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919—81 и
базируется на ряде классификационных признаков. В основу
системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый
материал, на основе которого изготовлен транзистор. Для
обозначения исходного материала используются следующие
символы:

Г или 1 — для германия или его соединений;

К или 2 — для кремния или его соединений;

А или 3 — для соединений галлия (практически для арсе-
нида галлия, используемого для создания полевых транзисто-
ров);

И или 4 — для соединений индия (эти соединения для
производства транзисторов в качестве исходного материала
пока не применяются).

Второй элемент обозначения — буква, определяющая под-
класс (или группу) транзисторов. Для обозначения подклассов
используется одна из двух букв: Т — для биполярных и П —
для полевых транзисторов.

Третий элемент — цифра, определяющая основные функ-
циональные возможности транзистора (допустимое значение
рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную ра-
бочую частоту).

Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных
признаков транзисторов применяются следующие цифры.

Для транзисторов малой мощности (максимальная мощ-
ность, рассеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт):

1	— с граничной частотой коэффициента передачи тока
или максимальной рабочей частотой (далее граничной часто-
той) не более 3 МГц;

2	— с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

3	— с граничной частотой более 30 МГц.

Для транзисторов средней мощности (максимальная мощ-
ность, рассеиваемая транзистором, более 0,3, но не более
1,5 Вт):

4	— с граничной частотой не более 3 МГц;

5	— с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

6	— с граничной частотой более 30 МГц.

Для транзисторов большой мощности (максимальная мощ-
ность, рассеиваемая транзистором, более 1,5 Вт):

7	— с граничной частотой не более 3 МГц;

8	— с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

9	— с граничной частотой более 30 МГц.

Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый
номер разработки технологического типа транзисторов. Для
обозначения порядкового номера используют двухзначные
числа от 01 до 99. Если порядковый номер превысит число 99,
то применяют трехзначные числа от 101 до 999.

Пятый элемент — буква, условно определяющая класси-
фикацию по параметрам транзисторов, изготовленных по еди-
ной технологии. В качестве классификационной литеры при-
меняют буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы,
Щ, Ю, Ь, Ъ, 3).

Стандарт предусматривает также введение в обозначение
ряда дополнительных знаков при необходимости отметить от-
дельные существенные конструктивно-технологические особен-
ности приборов.

В качестве дополнительных элементов обозначения ис-
пользуют следующие символы:

цифра от 1 до 9 — для обозначения модернизаций тран-
зистора, приводящих к изменению его конструкции или элек-
трических параметров;

буква С — для обозначения наборов в общем корпусе
однотипных транзисторов (транзисторные сборки);

цифра, написанная через дефис,— для бескорпусных тран-
зисторов.
Эти цифры соответствуют следующим модификациям кон-
структивного исполнения:

1	— с гибкими выводами без кристаллодержателя (под-
ложки);

2	— с гибкими выводами на кристаллодержателе (под-
ложке);

3	— с жесткими выводами без кристаллодержателя (под-
ложки);

4	— с жесткими выводами на кристаллодержателе (под-
ложке);

5	— с контактными площадками без кристаллодержателя
(подложки) и без выводов (кристалл);

6 — с контактными площадками на кристаллодержателе
(подложке), но без выводов (кристалл на подложке).

Таким образом, современная система обозначений позво-
ляет по наименованию типа получить значительный объем ин-
формации о свойствах транзистора.

Примеры обозначения некоторых транзисторов:

ГТ101А — германиевый биполярный маломощный низко-
частотный, номер разработки 1, группа А;

2Т399А — кремниевый биполярный маломощный СВЧ,
номер разработки 99, группа А;

2Т399А—2 — аналогичен транзистору 2Т399А, но в бес-
корпусном исполнении с гибкими выводами на кристаллодер-
жателе;

2ПС202А—2 — набор маломощных кремниевых полевых
транзисторов, средней частоты, номер разработки 2, группа
А, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.

Для большинства транзисторов, включенных в настоящий
справочник, использована система обозначений согласно ра-
нее действовавшим ГОСТ 10862—64 и ГОСТ 10862—72, кото-
рая в своей основе не отличается от описанной.

В справочник вошли также транзисторы, выпускаемые по
техническим условиям главного конструктора и не имеющие
обозначения ГОСТ, например, А—818.

1.2,	Классификация транзисторов
по функциональному назначению

В настоящем справочнике наряду с нашедшей отражение в
системе условных обозначений типов транзисторов классифи-
кацией приведена классификация биполярных транзисторов по
частоте: низкочастотные (/5-р < 30 МГц), высокочастотные
(30 МГц <	< 300 МГц), сверхвысокочастотные (/^р > 300 МГц).
Биполярные и полевые транзисторы в соответствии с ос-
новными областями применения подразделяются на следую-
щие группы: усилительные, генераторные, переключательные
и импульсные. Каждая из перечисленных групп характеризует-
ся специфической системой параметров и справочных зависи-
мостей, отражающих особенности применения транзисторов в
радиоэлектронной аппаратуре.

Применительно к данной классификации транзисторов рас-
положен информационный материал в справочнике.

1.3.	Условные графические обозначения

В технической документации и специальной литературе
следует применять условные графические обозначения полу-
проводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730—73.

Таблица 1.1

Условные графические обозначения транзисторов

Наименование	Обозначение

Транзистор типа р-п-р

Транзистор типа п-р-п с коллектором, электрически
соединенным с корпусом

Однопереходный транзистор с л- и р-базой

Полевой транзистор с затвором на основе р-п пере-
хода с каналом п- и р-типа

Полевой транзистор с изолированным затвором с
выводом от подложки обогащенного типа с р-кана-
лом и обедненного типа с л-каналом

Полевой транзистор с изолированным затвором обо-
гащенного типа с л-каналом и внутренним соедине-
нием подложки и истока

Полевой транзистор с двумя изолированными за-
творами обедненного типа с л-каналом и внутрен-
ним соединением подложки и истока

Графические обозначения полупроводниковых приборов,
помещенных в данном справочнике, приведены в табл. 1.1.
14
1.4.	Условные обозначения
электрических параметров

— напряжение коллектор—эмиттер

</КЭо, гр — граничное напряжение биполярного транзи-
стора

С/кэо — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при токе базы, равном нулю

С/Кэи — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при заданном сопротивлении в цепи база—
эмиттер

С/кэк — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при короткозамкнутых выводах базы и эмит-
тера

С/Кэх — постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при заданном обратном напряжении база—
эмиттер

6/кэ к, и — импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при заданном сопротивлении в цепи база—
эмиттер

6/КЭк. и —импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при короткозамкнутых выводах базы и эмит-
тера

1/кэх и — импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при заданном обратном напряжении база—
эмиттер

(/кэо проб — пробивное напряжение коллектор—эмиттер при
токе базы, равном нулю

^кэ я, проб — пробивное напряжение коллектор—эмиттер при
заданном сопротивлении в цепи база—эмиттер
^кэк, проб — пробивное напряжение коллектор—эмиттер при
короткозамкнутых выводах базы и эмиттера

Цэх. проб — пробивное напряжение коллектор—эмиттер при
заданном обратном напряжении база—эмит-
тер

Ц<э, макс — максимально допустимое постоянное напряже-
ние коллектор—эмиттер

Цо, и, макс — максимально допустимое импульсное напряже-
ние коллектор—эмиттер

Ц<э нас — напряжение насыщения коллектор—эмиттер
Ц<в — постоянное напряжение коллектор—база
Ц<в и — импульсное напряжение коллектор—база
Ц<б, проб — пробивное напряжение коллектор—база
Ц<б, макс — максимально допустимое постоянное напряже-
ние коллектор—база
ик5 и МАКС — максимально допустимое импульсное напряже-
ние коллектор—база

— постоянное напряжение эмиттер—база

△ 6/БЭ — падение напряжения на участке база—эмиттер
6/БЗ макс — максимально допустимое постоянное напряже-
ние эмиттер—база

6/БЭ проб — пробивное напряжение эмиттер—база

(/362 МАКС — максимально допустимое обратное напряже-
,ние эмиттер—база 2 однопереходного транзи-
стора

^бэ. нас — напряжение насыщения база—эмиттер

6/ЭБ пл — плавающее напряжение эмиттер—база

^4162 — межбазовое напряжение однопереходного тран-
зистора

б'ыйз иакс — максимально допустимое межбаэовое напря-
жение однопереходного транзистора

— напряжение между эмиттерами двухэмиттерно-
го транзистора

ЦПР — напряжение управления двухэмиттерного тран-
зистора

(2а проб — напряжение вторичного пробоя

проб и — импульсное напряжение вторичного пробоя

<7СИ — напряжение сток—исток

изп — напряжение затвор—исток

6/ип — напряжение исток—подложка

макс — максимально допустимое напряжение сток—
исток

^зи макс — максимально допустимое напряжение затвор—
исток

(/зс макс — максимально допустимое напряжение затвор—
сток

/7СП МАКС — максимально допустимое напряжение сток—
подложка

С/Зп макс — максимально допустимое напряжение затвор—
подложка

(/3132 МАКС — максимально допустимое напряжение между за-
творами

Узи. отс — напряжение отсечки полевого транзистора

/7ЗИ пор — пороговое напряжение полевого транзистора

|С/ЗИ, ~ ^4«1 — разность напряжений затвор—исток сдвоенно-
го полевого транзистора

——— — температурный уход разности напряжений за-

△' твор—исток сдвоенного полевого транзистора

С/ш — шумовое напряжение полевого транзистора
/Ещ — электродвижущая сила шума полевого тран-
зистора

—	напряжение источника питания

С/к — напряжение источника питания цепи коллек-
тора

—	напряжение источника питания цепи базы

4 — постоянный ток коллектора

/э — постоянный ток эмиттера

4 — постоянный ток базы

4 и — импульсный ток коллектора

/э и — импульсный ток эмиттера

/Б и — импульсный ток базы

4бо — обратный ток коллектора

/Э60 — обратный ток эмиттера

4эо — обратный ток коллектор—эмиттер при разомк-
нутом выводе базы

4э₽ — обратный ток коллектор—эмиттер при задан-
ном сопротивлении в цепи база—эмиттер

4эк — обратный ток коллектор—эмиттер при корот-
козамкнутых выводах базы и эмиттера

4эх — обратный ток коллектор—эмиттер при задан-
ном обратном напряжении база—эмиттер

4. нас — постоянный ток коллектора в режиме насыще-
ния

4, нас — постоянный ток базы в режиме насыщения
4р — критический ток биполярного транзистора

4 проб — т°к вторичного пробоя

4 ПРОБ и — импульсный ток вторичного пробоя

4. макс — максимально допустимый постоянный ток кол-
лектора

4 макс — максимально допустимый постоянный ток эмит-
тера

4. макс — максимально допустимый постоянный ток базы

4 и макс — максимально допустимый импульсный ток кол-
лектора

4 и, макс — максимально допустимый импульсный ток эмит-
тера

4 нас макс — максимально допустимый постоянный ток кол-
лектора в режиме насыщения

4 нас, макс — максимально допустимый постоянный ток базы
в режиме насыщения

4 макс — максимально допустимый постоянный ток стока
4,б2 — межбазовый ток однопереходного транзистора
4кл — ток включения однопереходного транзистора

4ыкл — ток выключения однопереходного транзистора
4юД — ток модуляции однопереходного транзистора
/с идц — начальный ток стока

/с наш/4. нач2 — отношение начальных токов стока сдвоенного
полевого транзистора

/с ост — остаточный ток стока
4, ут — ток утечки затвора
Асо — обратный ток затвор—сток при разомкнутом
выводе истока

Айо — обратный ток затвор—исток при разомкнутом
выводе стока

4ц — шумовой ток полевого транзистора

А, пр. макс — максимально допустимый прямой ток затвора
/с и МАКС — максимально допустимый импульсный ток стока

С3 — емкость эмиттерного перехода

Ск — емкость коллекторного перехода

С11И — входная емкость полевого транзистора

С22И — выходная емкость полевого транзистора

С12И — проходная емкость полевого транзистора

Сзсо — емкость затвор—сток при отсоединенном вы-
воде истока

^зио — емкость затвор—исток при отсоединенном вы-
воде стока

Сг — емкость генератора
( — частота

Ар — граничная частота коэффициента передачи тока
в схеме с общим эмиттером

— значение Ар в заданном режиме

Аг, — предельная частота коэффициента передачи
тока биполярного транзистора

А«акс — максимальная частота генерации биполярного
транзистора

д)1И — активная составляющая входной проводимо-
сти полевого транзистора в схеме с общим
истоком

д22И — активная составляющая выходной проводимо-
сти полевого транзистора в схеме с общим
истоком

гБ — сопротивление базы

Л11э — входное сопротивление биполярного транзи-
стора в режиме малого сигнала в схеме с об-
щим эмиттером

Л,1Э — входное сопротивление биполярного транзи-
стора в режиме большого сигнала в схеме с
общим эмиттером
Л,)6 — входное сопротивление биполярного транзи-
стора в режиме малого сигнала в схеме с об-
щей базой

Л,2э — коэффициент обратной связи по напряжению
биполярного транзистора в режиме малого сиг-
нала в схеме с общим эмиттером

Л126 — коэффициент обратной связи по напряжению
биполярного транзистора в режиме малого сиг-
нала в схеме с общей базой

Л21з — коэффициент передачи тока биполярного тран-
зистора в режиме малого сигнала в схеме с
общим эмиттером

(Л21Э| — модуль коэффициента передачи тока биполяр-
ного транзистора в схеме с общим эмиттером
на высокой частоте

Л21Э — статический коэффициент передачи тока бипо-
лярного транзистора в схеме с общим эмитте-
ром

агд(Л21Б) — фаза коэффициента передачи тока в схеме с
общей базой

Л22э — выходная полная проводимость биполярного
транзистора в режиме малого сигнала при хо-
лостом ходе в схеме с общим эмиттером

Л226 — выходная полная проводимость биполярного
транзистора в режиме малого сигнала при хо-
лостом ходе в схеме с общей базой

Ку Р — коэффициент усиления по мощности биполяр-
ного (полевого) транзистора

Кш — коэффициент шума биполярного (полевого)
транзистора

Кш — значение в заданном режиме
— коэффициент линейности

/<НАС — коэффициент насыщения

Р — постоянная рассеиваемая мощность биполяр-
ного (полевого) транзистора

Рср — средняя рассеиваемая мощность биполярного
(полевого) транзистора

Ри — импульсная рассеиваемая мощность биполяр-
ного (полевого) транзистора

Рк — постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Рк ср — средняя рассеиваемая мощность коллектора
^макс — максимально допустимая постоянная рассеи-
ваемая мощность биполярного (полевого) тран-
зистора

Ри. макс — максимально допустимая импульсная рассеи-
ваемая мощность биполярного (полевого) тран-
зистора

макс — максимально допустимая постоянная рассеи-
ваемая мощность коллектора

Рк. ср, макс — максимально допустимая средняя рассеивае-
мая мощность коллектора

Р — атмосферное давление "

О — скважность

/?6Э — сопротивление в цепи база—эмиттер

/?Б,Б2 — межбазовое сопротивление однопереходного
транзистора

/?6 — сопротивление в цепи база—источник питания
Рен отк — сопротивление сток-листок в открытом состо-
янии полевого транзистора

/?вх — входное сопротивление

Явых — выходное сопротивление

/?ш — шумовое сопротивление полевого транзистора
/?н — сопротивление нагрузки

Р3 — выходное сопротивление генератора при изме-
рениях

/?т — тепловое сопротивление

/?т (п—к> — тепловое сопротивление переход—корпус

Ру, и (п-ю — импульсное тепловое сопротивление переход—
корпус

Ру (п-о — тепловое сопротивление переход—среда
3116, $11э — коэффициент отражения входной цепи в схеме
с общей базой и с общим эмиттером соответ-
ственно

3,2Б — коэффициент обратной передачи напряжения
в схеме с общей базой

|5|2Б| — модуль коэффициента обратной передачи на-
пряжения в схеме с общей базой

<$21Э — коэффициент прямой передачи напряжения в
схеме с общим эмиттером

^26 — коэффициент отражения выходной цепи в схе-
ме с общей базой

5 — крутизна характеристики полевого транзистора
— крутизна характеристики на подложке

тк — постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте биполярного транзистора

4кл — время включения биполярного (полевого) тран-
зистора

Гвыкл — время выключения биполярного (полевого)
транзистора

(зд — время задержки для биполярного транзистора
?нр — время нарастания для биполярного (полевого)
транзистора

4>ас — время рассасывания для биполярного транзи-
стора

Гсп — время спада для биполярного (полевого) тран-
зистора

(ад. вкл — время задержки включения полевого транзи-
стора

Гзд выкл — время задержки выключения полевого тран-
зистора

Т — температура окружающей среды

Гк — температура корпуса, для бескорпусных тран-
зисторов — кристаллодержателя (подложки)

Гп — температура р-п перехода

т| — коэффициент передачи однопереходного тран-
зистора

4, — длительность импульса
— длительность фронта

Звездочкой в тексте отмечены параметры или их зна-
чения, приведенные в справочных данных ТУ. При производ-
стве полупроводниковых приборов они могут не контролиро-
ваться.

Значения эксплуатационных данных, приведенные без ука-
зания температурного диапазона, справедливы во всем интер-
вале температур окружающей среды для данного типа тран-
зистора.

Значения электрических параметров, приведенные без спе-
циального указания температуры окружающей среды (темпе-
ратуры корпуса), справедливы для температуры +25 °С.

На графиках с изображением зоны возможных положений
зависимости параметров линией внутри зоны обозначена типо-
вая зависимость.

1.5.	Основные стандарты на биполярные и полевые
транзисторы

гост 15133-77	Приборы полупроводниковые. Термины и
ОСТ 11 336.919-81	определения.  Приборы полупроводниковые. Система
ГОСТ 2.730-73	условных обозначений.  Обозначения условные графические в
ГОСТ 18472-82	схемах. Приборы полупроводниковые Приборы полупроводниковые. Основнью размеры
ГОСТ 20003-74	Транзисторы биполярные. Термины, опре- деления и буквенные обозначения пара- метров
ГОСТ 19095-73	Транзисторы полевые. Термины, опреде- ления и буквенные обозначения параме- тров
ГОСТ 10863-81	Приборы и установки измерительные для проверки параметров полупроводниковых приборов

ОСТ 11 336.907.0—79 Приборы полупроводниковые. Руковод-
ство по применению. Общие положения

ОСТ 11 336.907.8—81 Транзисторы биполярные. Руководство

ОСТ 11 336.935-82	по применению  Транзисторы полевые. Руководство по
ОСТ 11 0272-86	применению  Интегральные микросхемы, приборы по- лупроводниковые бескорпусные. Руко-
ОСТ 11 073.062-84	водство по применению  Микросхемы интегральные и приборы по- лупроводниковые. Требования и методы защиты от статического электричества в
ОСТ 11 073.073-82	условиях производства и применения Контроль неразрушающий. Методы кон- троля температуры биполярных транзи-
ОСТ 11 336.003-74	сторов и интегральных микросхем Приборы полупроводниковые. Методы от-
ОСТ 11 706.000-79	вода тепла  Радиаторы охлаждения полупроводнико- вых приборов. Технические условия

Методы измерения параметров
биполярных транзисторов

ГОСТ 18604.0-83	Транзисторы биполярные. Общие требо- вания при измерении электрических пара- метров
ГОСТ 18604.1-80	Транзисторы биполярные. Метод измере- ния постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
ГОСТ 18604.2-80	Транзисторы биполярные. Метод измере- ния статического коэффициента переда- чи тока
ГОСТ 18604.3-80	Транзисторы биполярные. Метод измере- ния емкостей коллекторного и эмиттер- ного переходов
ГОСТ 18604.4-74

ГОСТ 18604.5-74

ГОСТ 18604.6-74

ГОСТ 18604.7-74

ГОСТ 18604.8-74

ГОСТ 18604.9-82

ГОСТ 18604.10-76

ГОСТ 18604.11-76

ГОСТ 18604.13-77

ГОСТ 18604.14-77

ГОСТ 18604.15-77

ГОСТ 18604.16-78

ГОСТ 18604.17-78

ГОСТ 18604.19-78

ГОСТ 18604.20-78

ГОСТ 18604.22-78

ГОСТ 18604.23-80

Транзисторы. Методы измерения обрат-
ного тока коллектора

Транзисторы. Метод измерения обратно-
го тока коллектор—эмиттер

Транзисторы. Метод измерения обратно-
го тока эмиттера

Транзисторы. Метод измерения коэффи-
циента передачи тока

Транзисторы. Метод измерения выходной
проводимости

Транзисторы биполярные. Методы опре-
деления граничной и предельной частот
коэффициента передачи тока
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния входного сопротивления
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния коэффициента шума на высоких и
сверхвысоких частотах

Транзисторы биполярные СВЧ генератор-
ные. Метод измерения выходной мощно-
сти и определение коэффициента усиле-
ния по мощности и коэффициента полез-
ного действия коллектора

Транзисторы биполярные СВЧ генератор-
ные. Метод измерения модуля коэффи-
циента обратной передачи напряжения в
схеме с общей базой на высокой частоте
Транзисторы биполярные СВЧ генератор-
ные. Методы измерения критического
тока

Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния коэффициента обратной связи по на-
пряжению в режиме малого сигнала
Транзисторы биполярные. Метод измере-
ния плавающего напряжения эмиттер—
база

Транзисторы биполярные. Методы изме-
рения граничного напряжения
Транзисторы биполярные. Методы изме-
рения коэффициента шума на низкой час-
тоте

Транзисторы биполярные. Методы изме-
рения напряжения насыщения коллек-
тор—эмиттер и база—эмиттер
Транзисторы биполярные. Метод измере-
	ния коэффициентов комбинационных составляющих
ГОСТ 18604.24-81	Транзисторы биполярные высокочастот- ные генераторные. Метод измерения вы- ходной мощности и определение коэф- фициента усиления мощности и коэффи- циента полезного действия коллектора
ГОСТ 18604.26-85	Транзисторы биполярные. Методы изме- рения временных параметров
ГОСТ 18604 27-86	Транзисторы биполярные мощные высо- ковольтные. Метод измерения пробивно- го напряжения коллектор—база (эмит- тер—база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)

ОСТ 11 336.909.1—79 Транзисторы биполярные мощные высо-
ковольтные. Методы измерения гранич-
ного напряжения

ОСТ 13 336.909.3—79 Транзисторы биполярные мощные высо-

	ковольтные. Методы измерения скорости нарастания обратного напряжения

Методы измерения параметров
полевых транзисторов

ГОСТ 20398.0-83	Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров
ГОСТ 20398.1-74	Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой пе- редачи
ГОСТ 20398.2-74	Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума
ГОСТ 20398.3-74	Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики
ГОСТ 20398.4-74	Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной прово- димости
ГОСТ 20398.5-74	Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей
ГОСТ 20398.6-74	Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора
ГОСТ 20398.7-74	Транзисторы полевые. Метод измерения порогового напряжения и напряжения от- сечки
ГОСТ 20398.8-74	Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока
ГОСТ 20398.9-80	Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме
ГОСТ 20398.10-80	Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока в импульсном ре- жиме
ГОСТ 20398.11-80	Транзисторы полевые. Метод измерения ЭДС шума
ГОСТ 20398.12-80	Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока
ГОСТ 20398.13-80	Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток—исток
ОСТ 11 336.916-80	Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, определение коэф- фициента усиления по мощности и коэф- фициента полезного действия стока

1.6.	Приборы для измерения параметров
маломощных транзисторов

Для измерения параметров транзисторов промышленность
выпускает ряд измерительных приборов. Наибольшее распро-
странение для измерения параметров маломощных биполяр-
ных и полевых транзисторов получили приборы, приведенные
в табл. 1.2.

Методы измерения основных электрических параметров
транзисторов установлены государственными стандартами. Для
наблюдения вольт-амперных характеристик транзисторов ре-
комендуется использовать приборы, приведенные в табл. 1.3.

Раздел второй

Особенности использования транзисторов
в радиоэлектронной аппаратуре

При разработке, изготовлении и эксплуатации полупровод-
никовых приборов следует принимать во внимание их специфи-
ческие особенности. Высокая надежность радиоэлектронной
аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких
факторов, как разброс параметров транзисторов, их темпера-
турная нестабильность и зависимость параметров от режима
работы, а также изменение параметров транзисторов в процес-
се эксплуатации.

Транзисторы сохраняют свои параметры в установленных
Таблица 1.2

Приборы для измерения параметров маломощных транзисторов

Тип прибора	Измеряемые параметры	Предел измерения по шкале	Режим измерения	Габаритные размеры, мм (масса, кг)
Л2-22/1  (измеритель пара- метров биполярных транзисторов)	Лив  1 + ^216 ^126 ^226 Лп,  1 + ^216 ^12э ^22э 4ьо 4бо	З...ЗОО Ом 0,003...0,3 (0,1...3)Ю-э (0,1—10)-10~6 См 0,1-10 кОм (0,1...3)-10"1 (0,1—3)-10'* (0,1...3) Ю-‘ См | 0,03... 100 мкА	1/кб = 2.„99 В ступенями через 1 В  /э = 30.„90 мкА  /э = 0,1...29,9 мА ступенями через 0,1 мА	440 х 215 х 360 (18)
Л2-54  (тестер для бипо- лярных транзисто- ров)	'КЗ  4бо  1 + Л216 ^226	ЮЛ.. 10'* А  0,9... 1  0,4...4 мкСм	Чб = 4,5  /3 = 1 и 5 мА	300 х 205 х 185 (6'
Л2-32	5	0,05...30 мА/В	Узт Ц1и = 0,3—50 в	Измерительный блок
(измеритель кру- тизны характери- стики маломощных полевых транзисто- ров)	4. НАЧ	0,1-50 мА	/с = 0,1-50 мА Частота 1 кГц, 10, 20, 50, 100 МГц	490 х 225 х 180 Блок режимов  490 х 175 х 360
Л2-46	4, НАЧ	0,3...20 мА	0,3-30 В	Измерительный блок
(измеритель пара- метров полевых транзисторов)	4. УТ  5  022И	0,3-10-’2... 10-’ О,З ЮЧ..З А/В 2... 1000 мкСм	/г = 0,1.„200 мА	490 х 460 х 225 (24) Блок режимов  490 х 360 х 175 (15)
Тил прибора

Измеряемые п

Предел измерения по шкале
параметры	г

Я(И. огк	3... 1000 Ом

*Аи. пор	0,3...30 в

Л2-48 (тестер для поле- вых транзисторов)	4. НАЧ  4. УТ  5  ПОР	0,1-30 мА  0,3-10' ,2...10"» А  0,1...30 мА/В  0,1-30 В
Х5-29, Х5-32	Кш	0-30 дБ
Х5-34, Х5-36		0...60 дБ
Х5-39, Х5-40  Х5-41, Х5-42 (из- мерители коэффи- циента шума)		Диапазон частот: Х5-39 0,01-1,8 ГГц Х5-29 1...4 ГГц Х5-32 3,2-5,64 ГГц Х5-34 5,6-8,3 ГГц Х5-36 8,15-12,05 ГГц Х5-36 8,15-12,05 ГГц Х5-40 12,05-17,44 ГГц Х5-41 17,44-25,56 ГГц Х5-42 25,56-37,5 ГГц
_	Габаритные размеры, мм

Режим измерения	к („аггя „Н

Блок измерения тока	
	утечки  300 х 230 х 205 (7,5)
Ум = 0,3... 30 В	Измерительный блок
(/си = 3...30 В	300 * 205 х 240  Блок измерения тока
/с = 0,1...30 мА	утечки  300 х 205 х 230 (15,5)
/к, /с 50 мА Х5-29:	Х5-29- 475 х 480 х 175
М<ь. М:и = ±30 В с дис-	475 х 490 х 95
кретом 0,1 В	475 х 490 х 95  250 х 300 х 13 (56)
С/1И = ±10 В с дискретом	Х5-39:
0,1 в	;	475 * 480 х 175  475 х 480 х 180  480 х 490 х 95  67 х 42 х 87 (42) Х5-32, Х5-34, Х5-36:  475 х 490 х 175  475 х 490 * 80  480 х 475 х 200  480 х 475 х 80 (66) Х5-40, Х5-41, Х5-42:  475 х 480 х 175  475 х 480 х 95  475 х 480 х 90 (74)
Таблица 1.3

Приборы для наблюдения вольт-амперных характеристик
____________________транзисторов________________

Тип прибора	Режим по постоянному току	Режим ступенчатого сигнала	Габаритные размеры, мм (масса, кг)
ПНХТ-1	а= 0...20 в  (при /= 1...10 А) и = 0...200 в  (при / = 1 А)	По току: 1—500 мкА/ступень 1...200 мА/ступень (всего 17 фиксирован- ных значений) По напряжению: 0,01...0,2 В/ступень (всего 5 фиксирован- ных значений) Число ступеней 4—12	643 х 334 х 423  (40)
Л2-56	и= 1...16 В	По току:	490 х 294 х 560
(ПНХТ-2)	(при / = 10 А) и= 0...80 в (при / = 0,4...2 А)  и = 0...400 в  (при /=0,4—0,08 А) и = 0...2000 в (при / = 0,08 А)	50 нА/ступень, 20 мА/ступень (всего 21 фиксирован- ное значение) По напряжению: 0,05—2 В/ступень (всего 6 фиксирован- ных значений) Число ступеней 1—10	(40)

пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных
для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуа-
тации аппаратуры могут изменяться в широких пределах. Эти
условия характеризуются внешними механическими (вибра-
ционными, ударными, центробежными нагрузками) и клима-
тическими воздействиями (температурными, атмосферными
и др.).

Общие требования, справедливые для всех транзисторов,
предназначенных для использования в аппаратуре определен-
ного класса, содержатся в общих технических условиях. Нор-
мы на значения электрических параметров и специфические
требования, относящиеся к конкретному типу транзистора,
содержатся в частных технических условиях.

Под воздействием различных факторов окружающей сре-
ды некоторые параметры, характеристики и свойства транзи-
сторов могут изменяться. Для герметичной защиты транзи-
28
сторных структур от внешних воздействий служат корпуса при-
боров. Конструктивное оформление транзисторов рассчитано
на их использование в составе аппаратуры при любых допу-
стимых условиях эксплуатации. Необходимо помнить, что кор-
пуса транзисторов в конечном счете имеют ограничение по
герметичности. Поэтому при использовании транзисторов в
аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях по-
вышенной влажности, платы с расположенными на них тран-
зисторами рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три
спея. Рекомендуется применять лаки УР—231 (ТУ 6—10—863—
79) или ЭП—730 (ГОСТ 20824-75).

Все большее распространение получают так называемые
бескорпусные транзисторы, предназначенные для использова-
ния в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких транзи-
сторов защищены специальным покрытием, но оно не дает
дополнительной защиты от воздействия окружающей среды.
Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы.

Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу ра-
диоэлектронной аппаратуры, конструктор обязан не только
учесть характерные особенности транзисторов на этапе разра-
ботки аппаратуры, но и обеспечить соответствующие условия
ее эксплуатации и хранения.

Транзисторы — приборы универсального применения. Они
могут быть успешно использованы не только в классе устройств,
для которых они разработаны, но и во многих других устрой-
ствах. Однако набор параметров и характеристик, приводимых
в справочнике, соответствует основному назначению транзи-
стора. В справочнике приводятся значения параметров тран-
зисторов, гарантируемые ТУ для соответствующих оптималь-
ных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим
транзистора в проектируемом устройстве часто отличается от
того режима, для которого приводятся параметры в ТУ.

Значения большинства параметров транзисторов зависят
от рабочего режима и температуры, причем с увеличением
температуры зависимость параметров от режима сказывается
более сильно. В справочнике приводятся, как правило, типо-
вые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от
тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Эти зависимо-
сти должны использоваться при выборе типа транзистора и
ориентировочных расчетах, так как значения параметров тран-
зисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором
интервале. Этот интервал ограничивается минимальным или
максимальным значением, указанным в справочнике. Некото-
рые параметры имеют двустороннее ограничение.

При конструировании устройств необходимо стремиться
обеспечить их работоспособность в возможно более широких
интервалах изменений важнейших параметров транзисторов.
Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени
при конструировании могут быть учтены расчетными методами
или экспериментально — методом граничных испытаний.

На рис. 2.1 показаны выходные характеристики биполяр-
ного транзистора с указанием областей работы для схем с
общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).

Рис. 2.1. Выходные характеристики
биполярного транзистора

Рис. 2.2. Выходные вольт-
амперные характеристики
полевого транзистора

Выходные вольт-амперные характеристики полевых тран-
зисторов приведены на рис. 2.2. На семействе этих характе-
ристик можно выделить три области: линейную (изменение
тока стока пропорционально изменению напряжения на сто-
ке), область насыщения (ток стока слабо зависит от напряже-
ния на стоке).

На рис. 2.3. приведены проходные вольт-амперные харак-
теристики (зависимость тока стока от напряжения на затворе
при неизменном напряжении на стоке) полевых транзисторов
с управляющим р-п переходом с каналами п- и р-типов про-
водимости и схемные обозначения этих транзисторов. Про-
ходные характеристики полевых транзисторов с управляющим
р-л переходом хорошо аппроксимируются выражением

4 = 4. нач О — ^Аи/^/зи, отс)”>

гДе 4, нач — начальный ток стока (ток стока при = 0);
и3„ ок — напряжение отсечки. Теоретическое значение пока-
зателя степени л = 2, однако на практике л = 1,5...2,5.

Полевые транзисторы с управляющим р-л переходом ра-
ботают в режиме обеднения канала носителями заряда (неза-
висимо от типа его проводимости) при изменении напряжения
затвор—исток от нулевого значения до напряжения отсечки
тока стока.

На рис. 2.4 приведены проходные вольт-амперные харак-
теристики МДП-транзисторов и их схемные обозначения. В
отличие от транзисторов с управляющим р-п переходом, у
которых рабочая область составляет от (/зи = 0 до напряже-
ния запирания, МДП-транзисторы сохраняют высокое вход-
ное сопротивление при любых значениях напряжения на за-
творе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора
затвора.

Рис. 2.3. Проходные вольт-амперные
характеристики полевого транзистора
с управляющим р-п переходом

Рис. 2.4. Проходные вольт-амперные
характеристики МДП-транзисторов

При необходимости применения транзисторов для выпол-
нения функций, отличающихся от их основного назначения,
вывод о возможности их использования в этих режимах может
быть сделан после измерения параметров транзисторов в этих
режимах, проведения соответствующих испытаний и согласо-
вания их применения в соответствии с ГОСТ 2.124—85.

В аппаратуре' транзистор может быть использован в ши-
роком диапазоне напряжений и токов. Ограничением служат
значения предельно допустимых режимов, превышение кото-
рых в условиях эксплуатации не допускается независимо от
длительности импульсов напряжения или тока. Поэтому при
применении транзисторов необходимо обеспечить их защиту
от мгновенных изменений токов и напряжений, возникающих
при переходных процессах (моменты включения, выключения,
измерения режимов работы и т. п.), мгновенных изменениях
питающих напряжений. Не допускается также работа транзи-
сторов в совмещенных предельных режимах (например, по
напряжению и току).

Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих
токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во
всем диапазоне температур.

Режимы работы транзисторов должны контролироваться с
учетом возможных неблагоприятных сочетаний условий экс-
плуатации аппаратуры.

При измерениях необходимо принимать во внимание коле-
бания напряжений источников питания, значение и характер
нагрузки на выходе блока, колебания амплитуды и длитель-
ности выходных сигналов, уровни внешних воздействующих
факторов.

Для повышения надежности транзисторов при эксплуата-
ции следует выбирать рабочие режимы с коэффициентами
нагрузки по напряжению и мощности в диапазоне 0.7...0.8.
Для коэффициентов нагрузки менее 0,5...0,6 надежность ра-
боты транзистора практически не зависит от режима работы.

Однако следует учесть, что применение транзисторов при
малых рабочих токах приводит к снижению устойчивости их
работы в диапазоне температур и к нестабильности усиления
во времени. Использование более высокочастотных типов тран-
зисторов в низкочастотных цепях нежелательно, так как они
дороги, склонны к самовозбуждению и обладают меньшими
эксплуатационными запасами.

Для повышения надежности параллельно соединенных тран-
зисторов рекомендуется транзисторы располагать на общем
теплоотводе, в цепи эмиттеров и баз включать резисторы,
обеспечивать их работу при коэффициентах нагрузки по току
0,5...0,6.

Для повышения надежности последовательно соединен-
ных транзисторов рекомендуется цепи коллектор—эмиттер
шунтировать резисторами, сопротивление которых в 2...3 раза
меньше эквивалентного сопротивления закрытого транзисто-
ра, или стабилитроном, допускающим работу в ждущем режи-
ме, напряжение стабилизации которого не более О,7...О,8 (/кэ0.

Для учета зависимости параметров от температуры в спра-
вочнике приводятся температурный диапазон применения тран-
зисторов, значения параметров и режимов при различных тем-
пературах и их температурные зависимости.

В процессе монтажа транзисторов в устройство механи-
ческие и тепловые воздействия на них не должны превышать
значений, указанных в ТУ, так как это может привести к рас-
трескиванию изолятора и, следовательно, к нарушению герме-
32
тичности корпуса транзистора. При рихтовке, формовке и об-
резке участок вывода у корпуса транзистора должен быть
закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из
корпуса (изолятора) он не испытывал изгибающих или растя-
гивающих усилий. Оснастка для формовки выводов должна
быть заземлена. Расстояние от корпуса транзистора до начала
изгиба вывода при формовке должно быть не менее 2 мм,
если оно не оговорено в ТУ на конкретный тип транзистора.
При диаметре вывода не более 0,5 мм радиус его изгиба
должен быть не менее 0,5 мм при диаметре от 0,6 до 1 мм —
не менее 1 мм; при диаметре более 1 мм — не менее 1,5 мм.

При лужении, пайке и монтаже транзисторов следует при-
нимать меры, исключающие возможность их повреждения из-
за перегрева и механических усилий. При лужении и пайке
расстояние от корпуса (изолятора) до места лужения и пайки
должно быть не менее 3 мм, если в ТУ на конкретный тип
транзистора не указано иное.

Допускается пайка выводов без теплоотвода и групповым
методом, если температура припоя не превышает +280 ± 5 °С,
а время пайки не более 3 с, если в ТУ на конкретный тип
транзистора не указано иное.

Печатные платы очищают от флюсов жидкостями, не пор-
тящими покрытие, маркировку и материал корпуса транзисто-
ра (рекомендуется спиртобензиновая смесь).

В процессе монтажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ
биполярных транзисторов и полевых МДП-транзисторов необ-
ходимо обеспечивать защиту их от воздействия статического
электричества. Способы защиты приведены в ОСТ 11073.062—
84. К числу важнейших предупредительных мер относятся:
хорошее заземление оборудования и измерительных прибо-
ров; применение заземляющих браслетов (или колец) между
телом оператора и землей; антистатических халатов; исполь-
зование низковольтных электрических паяльников с заземлен-
ным жалом. При включении транзистора в электрическую цепь,
находящуюся под напряжением, коллекторный контакт дол-
жен подсоединяться последним и отсоединяться первым. С
целью предупреждения появления в процессе настройки цепи
мгновенного напряжения на коллекторе, превышающего мак-
симально допустимое значение, рекомендуется проводить ее
настройку при пониженной входной мощности, постепенно
достигая номинального значения.

Полевые МДП-транзисторы обычно хранят и транспорти-
руют при наличии замыкателей на их выводах. Замыкатели
Удаляют непосредственно перед включением (монтажом) тран-
зистора в устройство. При пайке все выводы МДП-транзистора
2-734	33
должны быть закорочены. Для сохранения минимальных зна-
чений тока затворы полевых МДП-транзисторов необходимо
применять меры, предохранявшие корпус от попадания флюса
и припоя. При выборе лаков или компаундов для заливки плат
с полевыми МДП-транзисторами необходимо учитывать влия-
ние этих материалов на ток утечки затвора транзистора.

При применении полевых МДП-транзисторов в радиоэлек-
тронной аппаратуре необходимо принимать меры для их защи-
ты от электрических перегрузок.
ЧАСТЬ ВТОРАЯ

СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫХ
ТРАНЗИСТОРОВ

Раздел третий

Транзисторы маломощные низкочастотные

Транзисторы п-р-п

2ТМ103А, 2ТМ103Б, 2ТМ103В,
2ТМ103Г, 2ТМ103Д

Транзисторы кремниевые

планарные структуры п-р-п
усилительные. Предназначены
для применения в усилитель-
ных и импульсных микромо-
дулях этажерочной конструк-
ции. Выпускаются в металло-
стеклянном корпусе на кера-
мической плате. Тип прибора
указывается на корпусе.

Масса транзистора не бо-
лее 0,8 г.

гтмюз (а-д,

074

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Черновцы.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/№ = 20 В, /э = 2 мА:

Т= +25 °С:
2ТМ103А, 2ТМ103Г...................... 10...50

2ТМ103Б, 2ТМ103Д................... 18...90

2ТМ103В........................... 30...150

Т = +125 °С:
2ТМ103А, 2ТМ103Г..................... 10...125

2ТМ103Б, 2ТМ103Д.................. 18...225

2ТМ103В........................... 30...375
Т= -60 °С:
2ТМ103А, 2ТМ103Г................... 5...50

2ТМ103Б, 2ТМ1ОЗД................... 9...90

2ТМ103В............................ 12... 150

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/КБ = 20 В, 4 = 2 мА,
не менее................................. 30 МГц

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при = 20 В, 4 = 2 мА, / = 1 кГц:

Т = +25 °С:
2ТМ103А, 2ТМ103Г................... 16...50

2ТМ103Б, 2ТМ103Д................... 30...90

2ТМ103В............................ 50... 150

Т= +125 °С:
2ТМ103А, 2ТМ103Г................... 16...125

2ТМ103Б, 2ТМ103Д................... 20...225

2ТМ103В............................ 40...375

Г= -60 °С:
2ТМ103А, 2ТМ103Г................... 11...70

2ТМ103Б, 2ТМ103Д................... 20...120

2ТМ103В............................ 35...200

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = Ю мА, 4 = 2 мА, не более:

7= +25°С.............................. 3,3 В

Т= +125 °С............................ 5,5 В

Обратный ток коллектора при С^б = ^кб. макс.
не более:

7 = +25 и -60 °С...................... 7,5 мкА

7=+125 °С..............л.............. 40 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при С/цэ = ^4э. макс, не более:

7=+25 и-60 °С......................... 20 мкА

7=+125°С.............................. 50 мкА

Обратный ток эмиттера при иж = изъ Мдкс.
не более:

7=+25 и—60 °С......................... 5 мкА

Т = +125 °С....................... 30 мкА

Входное сопротивление в режиме малого сиг-
нала при 6/КБ = 20 В, 4 = 2 мА, не более..	70 Ом

Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 20 В, не более................ 15 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
2ТМ103А, 2ТМ103Б........................ 120 В
2ТМ103В, 2ТМ103Г, 2ТМ103Д............. 80 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при и^з - 0,5 В или /?бэ 1 кОм:
2ТМ103А, 2ТМ103Б..................... 120 В

2ТМ103В, 2ТМ103Г,	2ТМ103Д.......... 80 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
2ТМ103А, 2ТМ103Б,	2ТМ103В...... 1,5 В

2ТМ103Г, 2ТМ103Д...................... ЗВ

Постоянный ток коллектора’:
при Т = —60...+60 °С...................15 мА

при Т = +125 ’С....................... 2,7 мкА

Импульсный ток коллектора при < 10 мкс,
0^4...................................... 60 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора1:
при Т = —60...+75 ’С..................... 75 мВт

при Т = +125 °С....................... 25 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда..... 1 °С/мВт

Температура р-п перехода................. +150 ’С

Температура окружающей среды............. —60...+125 °С

При изменении температуры окружающей среды от +60 до +125 'С 4,н*кс
и от +75 до +125 ’С Рк МЛКС уменьшаются линейно.

ГТ122А, ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г

Транзисторы германиевые сплавные структуры п-р-п уси-
лительные. Предназначены для применения в усилителях низ-
кой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с
гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 2 г.

Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.

ГТ 122 (А-Г)
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/кэ = 5 В, 13 = 1 мА:

ГТ122А, ГТ122Б....................... 15...45

ГТ122В, ГТ122Г....................... 30...60

Предельная частота коэффициента передачи

тока при С/КБ = 5 В, /э = 1 мА, не менее:
ГТ122А, ГТ122Б........................... 1 МГц

ГТ122В, ГТ122Г....................... 2 МГц

Обратный ток коллектора при = 5 В,
не более................................ 20 мкА

Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 5 В,
не более................................ 15 мкА

Сопротивление базы, не более............ 200 Ом

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база

при Т= -60...+40 'С:
ГТ122А............................... 35 В

ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г............... 20 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при Т - —60...+40 °С:
ГТ122А............................... 35 В

ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г............... 20 В

Постоянный ток коллектора............... 20 мА

Импульсный ток коллектора............... 150 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Т - —60...+55 °С.................... 150 мВт

при Т= +55...+70 "С.................. 75 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,2 °С/мВт

Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С

Минимальное расстояние от корпуса до места изгиба вы-
водов 3 мм, от корпуса до места пайки 5 мм. Пайку произво-
дить при Г < +285 °С в течение времени не более 5 с.

2Т127А-1, 2Т127Б-1, 2Т127В-1, 2Т127Г-1

Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п уси-
лительные. Предназначены для применения в усилителях по-
стоянного тока, стабилизаторах тока герметизированной аппа-
ратуры. Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими вы-
водами. Тип прибора указывается в товаросопроводительной
документации.
Масса транзистора не бо-
лее 0,006 г.

Изготовитель — государ-
ственный Московский завод
«Старт», г. Москва.

2Т127 /А-1-Г-1)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /э = 1 мА:

2Т127А-1, 2Т127В-1.................... 15...40*...60

2Т127Б-1, 2Т127Г-1.................... 40... 120*...200

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ, не более................ 100* кГц

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер

при /к = 3 мА, /Б = 0,6 мА............... 0,2*...0,25*...

0,5 В

Пробивное напряжение коллектор—эмиттер
при /к = 0,15 мА, не менее:

2Т127А-1, 2Т127Б-1.................... 25 В

2Т127В-1, 2Т127Г-1.................... 45 В

Обратный ток коллектора при (/№ = 30 В,
Т - —60...+85 °С, не более............... 1 мкА

Обратный ток эмиттера при их = 3 В,
не более................................. 1,5 мкА

Емкость коллекторного перехода

при и№ = 5 В............................. 4*...4,8*..,5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
2Т127А-1, 2Т127Б—1....................... 25	В

2Т127В-1, 2Т127Г-1.................... 45	В

Постоянное напряжение коллектор—база:

2Т127А-1, 2Т127Б-1.................... 25	В

2Т127В-1, 2Т127Г-1.................... 45	В

Постоянный ток коллектора................ 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:

' При Г > +70 °С цдкс уменьшается линейно.
при Т = —60...+70 °С.................. 15 мВт

при Т = +85 °С........................ 5 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда...... 3 ’С/мВт

Температура окружающей среды.............. —60...+85 °С

При пайке припоем ПОС—61 допускается нагрев с общим
временем пребывания при температуре +230 °С не более 30 с

Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от напряжения
коллектор—эмиттер

Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора

2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д,
КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201 Г, КТ201Д,
КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные с ненормированным (2Т201А, КТ201А,
2Т201Б, КТ201Б, 2Т201В, КТ201В, 2Т201Г, КТ201Г) и нормиро-
ванным (2Т201Д, КТ201Д) коэффициентом шума на частоте
1 кГц. Предназначены для применения в усилителях низкой
частоты. Выпускаются в металлостеклянном (2Т201А, 2Т201Б,
2Т201В. 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г,
.КТ201Д) и пластмассовом (КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ,
КТ201ГМ, КТ201ДМ) корпусах с гибкими выводами. Тип тран-
зистора в металлическом корпусе указывается на боковой по-
верхности корпуса, в пластмассовом корпусе на боковой по-
верхности корпуса указывается сокращенное обозначение:
КТ201АМ - 201А, КТ201БМ - 201Б, КТ201ВМ - 201В,
КТ201ГМ - 201Г, КТ201ДМ - 201Д.

Масса транзистора не более 0,6 г.
Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.

КТ201 (АМ-ДМ)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/К6 = 1 В, 4 = 5 мА:

Т= +25 ’С:

2Т201А, КТ201А, КТ201АМ............. 20...60

2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д, КТ201Б,
КТ201В, КТ201Д, КТ201БМ, КТ201ВМ,
КТ201ДМ............................. 30...90

2Т201Г, КТ201Г, КТ201ГМ............. 70...210

Г= -60 ’С:
2Т201А................................. 10...60

2Т201Б, 2Т201В,	2Т201Д............. 15...90

2Т201Г.............................. 35...210

Г= +125 ’С:
2Т201А................................. 20... 120

2Т201Б, 2Т201В,	2Т201Д............. 30... 180

2Т201Г.............................. 70...400

Граничная частота коэффициента передачи

тока в схеме ОЭ при = 5 В, /э = Ю мА,
не менее................................... 10 МГц

типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б,
2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д.................. 40* МГц
Коэффициент шума при = 1 В, /э = 0,2 мА,
Л= 1 кГц:

2Т201Д, не более....................... 15	дБ

типовое значение....................... 6*	дБ

КТ201Д, КТ201ДМ, не более.............. 15	дБ

Обратный ток коллектора, не более:

при = 20 В и

Г= +25 °С для 2Т201А, 2Т201Б,
КТ201А, КТ101Б, КТ201АМ, КТ201БМ . 0,5 мкА
Т= +125 °С для 2Т201А, 2Т201Б....... 10 мкА

приЧ/к6 = 10 В и

Т= +25 “С для 2Т201В, 2Т201Г,
2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д,
КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ........... 0,5 мкА

Г= +125 ’С для 2Т201В, 2Т201Г,
2Т201Д.............................. 10 мкА

Обратный ток эмиттера при Т = +25 °С,
не более:

(Ух = 20 В для 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А,
КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ................ 3 мкА

иж = 10 В для 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д,
КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ,
КТ201ГМ, КТ201ДМ........................ 3 мкА

Выходная полная проводимость в режиме ма-
лого сигнала при холостом ходе при /УКБ = 5 В,
/э = 1 мА, /= 1 кГц, не более.............. 2 мкСм

типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б,

2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д.................. 0,5* мкСм

Коэффициент обратной связи по напряжению
в режиме малого сигнала в схеме ОБ при

</КБ = 5 В, /э = 1 мА, / = 1 кГц, не более. 3 • 10~3

типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б,
2Т201 В, 2Т201 Г, 2Т201Д................ 4 • 10~4*

Емкость коллекторного перехода
при {/КБ = 5 В, не более................... 20 пФ

типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б,
2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д.................. 9* пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы
при / = 3 мм............................... 6* нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б,
КТ201АМ, КТ201БМ........................ 20 В
2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г,
КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ..... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при 2 кОм:

2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б,
КТ201АМ, КТ201БМ...................... 20 В

2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г,
КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ..... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:

2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б,
КТ201АМ, КТ201БМ...................... 20 В

2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г,
КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ  10 В
Постоянный ток коллектора:

2Т201А, 2Т201Б, 2Т204В, 2Т201Г, 2Т201Д. 20 мА
КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г,
КТ201Д, КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ,
КТ201ГМ, КТ201ДМ...................... 30 мА

Импульсный ток коллектора при О 10:

?и < 10 мс 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В,
2Т201Г, 2Т201Д........................ 100 мА

?и < 100 мкс КТ201А, КТ201Б, КТ201В,
КТ201Г, КТ201Д, КТ201АМ, КТ201БМ,
КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ............. 100 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д’:

при Т= -60...+75 ’С, Р> 6650 Па... 150 мВт

при Т = -60...+75 ’С, Р= 665 Па... 100 мВт

при Т = +125 ’С................... 60 мВт

КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д2:

при Т = —60...+90 °С.............. 150 мВт

при Т= +125 °С.................... 60 мВт

КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ,
КТ201ДМ при Т= —45...+85 ’С........... 150 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда
2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д... 556 °С/Вт

Температура р-п перехода КТ201А, КТ201Б,

КТ201В, КТ201Г, КТ201Д................... +150 ’С

1 При изменении температуры окружающей среды от +75 до +125 'С
уменьшается линейно.

При изменении температуры окружающей среды от +90 до +125 "С Рк
уменьшается линейно.
Температура окружающей среды:
2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, КТ201А,

КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д......... -60...+125 ’С

КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ,
КТ201ДМ................................ —4Б...+85 “С

(5мА) Ьцз/Ьц) (ТВ) Т1яз/Т)>1з (25’ С)

1.25

1.00
0.75
0.50

0.25

икз=1 в

2ШКА-11)
кпш-л)
кпеЦАн-м

10—-
8 —

| !к=5нА
2Т20КА-Л)
КПОКА-Д)

КТ2ММ-ЦМ).

—	2Т20КА-Л) КТ20КБ-Д) КТ201ШМ)  			—
			
			
			

о 4 о 12 161,,мА

О 4 в 12 ии№1в

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5
О

-60-30 0 30 60 90 Т,' [

6

4

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от напря-
жения коллектор—база

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

2Т205А-3, 2Т205Б-3

Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п. Пред-
назначены для применения в усилителях и импульсных микро-
модулях герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с кон-
тактными площадками для монтажа в аппаратуру. Тип прибора
указывается на групповой таре.

Масса транзистора не более 0,003 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

2Г205(А-3 Б-3)
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (4б = 10 В, 4 = 2,5 мА:
Г=+25’С.................................. 10...40

Г=-60’С............................... 5...40

Г=+125’С.............................. 10...100

Граничная частота коэффициента передачи
тока при и№ = 10 В, 4 = 2,5 мА, не менее. 20 МГц

Время рассасывания при /к = 5 мА, 4 = 2 мА,
не более................................. 1 мкс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 ~ 5 мА, 4 ~ 2 мА, не более...... 2 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 5 мА, 4=2 мА, не более........ 1 В

Постоянное напряжение эмиттер—база
при 4 - 0,05 мА, не менее................ 0,5 В

Обратный ток коллектор—эмиттер
при /?бэ < 3 кОм, С4э = Мо. макс- не более:

Т = +25 ’С:
2Т205А-3........................... 3 мкА

2Т205Б-3........................... 2 мкА

Г= -60 ’С:
2Т205А-3........................... 3 мкА

2Т205Б-3........................... 3 мкА

Т= +125 ’С:
2Т205А-3........................... 10 мкА

2Т205Б-3........................... 10 мкА

Обратный ток эмиттера при (4б = 3 В,
не более................................. 3 мкА

Емкость коллекторного перехода
при У*ъ = Ю В. не более.................. 10 пФ

Емкость эмиттерного перехода при 1/х = 2 В,
не более................................. 25 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база..... 250 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ с 3 кОм:
2Т205А-3 ................................ 250 В

2Т205Б-3.............................. 200 В

Постоянное напряжение эмиттер—база....... 3 В

Постоянный ток коллектора.............. 20	мА

Импульсный ток коллектора при Ги < 10 мс,
1 мкс, О 10........................... 45 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора' при Т - —60...+90 °С................ 40 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-

тора при /и < 10 мс, > 1 мкс, О > 10,
Т= -60...+90 °С........................... 160 мВт

Температура р-п перехода.................. +135 ’С

Температура окружающей среды.............. —60...+125 °С

1 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т - +90..,+125 ’С определяется по формуле

«*кс = (135- 7)/1,1, мВт.

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость емкости
коллекторного пере-
хода от напряжения
коллектор—база

Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости эмиттерного пе-
рехода от напряжения
эмиттер—база

КТ206А, КТ206Б

КТ206 (А.Б)

8.7	0.8

Коллектор

Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные структуры
п-р-п усилительные. Предназначе-
ны для применения в усилителях и
импульсных микромодулях герме-
тизированной аппаратуры. Бескор-
пусные с защитным покрытием и
гибкими выводами. Тип прибора
указывается на групповой таре.

Масса транзистора не более
0,002 г.

Изготовитель — акционерное
общество «Светлана», г. Санкт-
Петербург.
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при С/КБ = 1 В, 4 = 5 мА:

КТ206А............................... 30...90

КТ206Б............................... 70...210

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 2 В, /к = 5 мА,
не менее................................ 10 МГц

Обратный ток коллектора, не более:

при икъ = 20 В для КТ206А............ 1	мкА

при С/КБ = 12 В для КТ206Б........... 1	мкА

Обратный ток эмиттера, не более:

при УЭБ = 20 В для КТ206А............ 1	мкА

при 6^ = 12 В для КТ206Б............. 1	мкА

Емкость коллекторного перехода

при УКБ = 5 В, /= 10 МГц, не более...... 20 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

КТ206А............................... 20 В

КТ206Б............................... 12 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ю < 3 кОм:

КТ206А............................... 20 В

КТ206Б............................... 12 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
КТ206А............................... 20 В

КТ206Б............................... 12 В

Постоянный ток коллектора............... 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Т = —60...+55 °С.................... 15 мВт

при Т = +85 ’С....................... 5 мВт

Температура р-п перехода................ +100 ’С

Температура окружающей среды............ —60...+85 ’С

2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215Д9,
2Т215Е9, 2Т215А-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1, 2Т215Г-1,
2Т215Д-1, 2Т215Е-1, КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1,
КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п. Предназначены для использования в усилителях и
2Т215(А-1-Е-1). КТ215(А-1-Е-1)

Коллектор

переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.
Транзисторы 2Т215(А9—Е9) выпускаются в пластмассовом кор-
пусе с жесткими выводами, 2Т215(А—1—Е—1), КТ215(А—1—
Е—1) — бескорпусные с
гибкими выводами и за-
щитным покрытием. Тип
прибора указывается в
этикетке и на таре-спут-
нике.

Масса транзистора
в пластмассовом корпу-
се не более 0,1 г, бес-
корпусного не более
0,01 г.

Изготовитель — ак-
ционерное общество
«Кремний», г. Брянск.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:

при Т= +25 °С, икь = 5 В, /э = 10 мА:
2Т215А9, 2Т215А-1, КТ215А-1,

не менее.......................... 20

2Т215Б9, 2Т215Б-1, КТ215Б-1....... 30...90

2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215В-1,
2Т215Г-1, КТ215В-1, КТ2151 -1 .. 40...120

(УКБ = 1 В, /э = 40 мкА, не менее:
2Т215Д9, 2Т215Д—1. КТ215Д—1.......... 80
2Т215Е9, 2Т215Е-1, КТ215Е-1....... 40

при Т = Гмдкс, 6/КБ — 5 В, /э = 10 мА:
2Т215А9, 2Т215А-1, КТ215А-1,
не менее......................... 20

2Т215Б9, 2Т215Б-1, КТ215Б-1 ...... 30...150

2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215В-1,
2Т215Г-1, КТ215В-1, КТ215Г-1 ..... 40...200

(/КБ = 1 В, /э = 40 мкА, не менее:
2Т215Д9, 2Т215Д-1, КТ215Д-1...... 80

2Т215Е9, 2Т215Е-1, КТ215Е-1....... 40

при Т — Тмин, ^Ткб = 5 В, /э = 10 мА:
2Т215А9, 2Т215А-1, КТ215А-1,
не менее.......................... 7

2Т215Б9, 2Т215Б-1, КТ215Б-1 ...... 10...90

2Т215В9, 2Т215Г9, 2Т215В-1,
2Т215Г-1, КТ215В-1, КТ215Г-1 ..... 15...120

ик& = 1 В, /э = 40 мкА, не менее:
2Т215Д9, 2Т215Д-1, КТ215Д-1...... 25

2Т215Е9, 2Т215Е-1, КТ215Е-1....... 15

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/КБ = 5 В, /э = 1 мА,
не менее................................ 5 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при (/КБ = 5 В, /э = 2 мА,
не более................................ 5 нс

Коэффициент шума на Т = 1 кГц при С/КБ = 5 В,
/э = 40 мкА, /?г = 10 кОм для 2Т215Д9,
2Т215Д— 1, КТ215Д-1, не более........... 5* дБ

Граничное напряжение при /к = 10 мА,
не менее:

2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215А-1, 2Т215Б-1,
КТ215А-1, КТ215Б-1................... 80	В

2Т215В9, 2Т215В-1, КТ215В-1.......... 60	В

2Т215Г9, 2Т215Г-1, КТ215Г-1.......... 40	В

2Т215Д9, 2Т215Д-1, КТ215Д-1.......... 30	В

2Т215Е9, 2Т215Е-1, КТ215Е-1.......... 20	В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б = 1 мА, не более:

2Т215А-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1,
2Т215Г-1, 2Т215Д-1, 2Т215Е-1......... 0,45 В

2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9,
2Т215Д9, 2Т215Е9, КТ215А-1, КТ215Б-1,
КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1,
КТ215Е-1............................. 0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 А, /Б = 1 мА, не более.......... 1,2* В

Обратный ток коллектор—эмиттер
при С/кэ = (Аз, макс, ^бэ = 10 кОм, не более:

Т - +25 ’С и Т= Гмин.................... 1 мкА

Т= ...................................................... 10 мкА
Обратный ток эмиттера при (/кэ = 1!^ МАКС,
не более.................................... 10 мкА

Входное сопротивление в схеме ОЭ в режиме

малого сигнала при = 5 В, 4 = 2 мА.......... 1,2*... 1,5*...

10* кОм

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 10 В............................. 9,5*...12*...

50 пФ

Емкость эмиттерного перехода
при (Ав = 0,5 В............................. 9,6*...40*...

100 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?6Э = 10 кОм:

2Т215А9, 2Т215А-1, КТ215А-1............. 100 В

2Т215Б9, 2Т215Б-1, КТ215Б-1............. 90	В

2Т215В9, 2Т215В-1, КТ215В-1............. 80	В

2Т215Г9, 2Т215Г-1, КТ215Г-1............. 60	В

2Т215Д9, 2Т215Е9, 2Т215Д-1, 2Т215Е-1,
КТ215Д-1, КТ215Е-1...................... 30	В

Постоянное напряжение эмиттер—база.......... 5 В

Постоянный ток коллектора................... 50	мА

Импульсный ток коллектора при ?и = 10 мкс,
О = 100 .................................... 100 мА

Постоянный ток базы......................... 20	мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

при Т= Гмин-.+гб ’С:

2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9,
2Т215Д9, 2Т215Е9..................... 200 мВт

2Т215А-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1,
2Т215Г-1, 2Т215Д-1, 2Т215Е-1,
КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1,
КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1......... 50 мВт

' При Г > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора уменьшается линейно.
при Г = ?МАКС:

2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9,

2Т215Д9, 2Т215Е9.................. 80 мВт

2Т215А-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1,
2Т215Г-1, 2Т215Д-1, 2Т215Е-1,
КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1,
КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1...... 20 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда:

2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9,
2Т215Д9, 2Т215Е9..................... 0,5 ’С/мВт

2Т215А-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1,
2Т215Г-1, 2Т215Д-1, 2Т215Е-1,
КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1,
КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1......... 2 “С/мВт

Температура р-п перехода................ +125 °С

Температура окружающей среды:

2Т215А9, 2Т215Б9, 2Т215В9, 2Т215Г9,
2Т215Д9, 2Т215Е9..................... -60...+85 ’С

2Т215А-1, 2Т215Б-1, 2Т215В-1,
2Т215Г-1, 2Т215Д-1, 2Т215Е-1......... -60...+ 100 ’С

КТ215А—1, КТ215Б-1, КТ215В-1,
КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1......... -Д5...+85 ’С

Зависимости электрических параметров от токов, темпера-
туры и сопротивления генератора для 2Т215(А9—Е9) аналогич-
ны зависимостям 2Т215(А—1—Е—1).

Зависимость статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера

Л/о

280

210

ИО

10

0

0.010.1 1	10 !3.мА

-Я 0	45 г/ С

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

к,.,Б

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от сопро-
тивления генератора
ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404В, ГТ404Г

Транзисторы германиевые сплавные структуры п-р-п уси-
лительные. Предназначены для применения в выходных каска-
дах усилителей низкой частоты. Выпускаются в металлосте-
клянном корпусе с гибкими выводами в двух вариантах. Тип
прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора: вариант 1 — не более 5 г, вариант 2 —
не более 2 г.

Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.

ГТ 4041 А-Г)

Вариант 2

Эмиттер
Коллектор
База

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 1 В, 4 - 3 мА:

ГТ404А, ГТ404В...................... 30...80

ГТ404Б, ГТ404Г...................... 60... 150

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 1 В, 4 = 3 мА,
не менее............................... 1 МГц

Коэффициент линейности

X,= (Лг,э при 4 = 3 мА)/(Лг1Э при 4 = 300 мА).. 0,6... 1,5
Прямое падение напряжения на эмиттерном
переходе при отключенном коллекторе,
4 = 2 мА, не более..................... 0,3 В

Обратный ток коллектора при (/КБ = 10 В, об-
ратный ток эмиттера при 1)^ = 10 В, не более 25 мкА
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при /?бэ = 200 Ом:
ГТ404А, ГТ404Б......................... 25 В

ГТ404В, ГТ404Г......................... 40 В

Постоянный ток коллектора................. 0,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора' при Т = +25 °С:
вариант 1................................. 0,6 Вт

вариант 2.............................. 0,3 Вт

Тепловое сопротивление переход—среда:
вариант 1................................. 0,1 ’С/мВт

вариант 2.............................. 0,15 ’С/мВт

Температура р-п перехода.................. +85 ’С

Температура окружающей среды.............. —40...+55 ’С

' При Г = +25...+55 'С Рк мдкс определяется по формуле

А1.ММС =	~ П А(П-С>' мВт-

Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора. При включении транзистора в электрическую цепь
вывод коллектора должен присоединяться последним и от-
ключаться первым.

Допускается соединять выводы транзисторов с элемента-
ми схемы не ближе 5 мм от корпуса транзистора любым
способом (пайка, сварка и т. п.) при условии соблюдения
следующих требований: за все время соединения температура
в любой точке корпуса транзистора не должна превышать
максимально допустимую температуру окружающей среды.
Температура пайки не должна превышать’+285 ’С.

Зависимость обратного
тока коллектора от
температуры

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера
Транзисторы р-п-р

1Т101, 1Т101А, 1Т101Б, 1Т102, 1Т102А

Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р уси-
лительные с ненормированным (1Т101, 1Т101А, 1Т101Б) и нор-
мированным (1Т102, 1Т102А) коэффициентом шума на частоте
1 кГц. Предназначены для применения в усилителях низкой
частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибки-
ми выводами. Тип прибора указывается на боковой повер-
хности корпуса.

Масса транзистора не более 2 г.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.

1Т101. П10КА.Б). 1Т102. 1Т102А

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала’ в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 1 мА,

/= 1 кГц:
1Т101............................................. ЗО...4О*..6О

1Т101А........................................ 20...30*...40

1Т101Б........................................ 60...80*...120

1Т102, не менее....................... 20

типовое значение...................... 60*

1Т102А, не менее...................... 20

типовое значение...................... 70*

Предельная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, 4 = 1 мА,

не менее
1Т101, 1Т101А................................. 2	МГц

’ При Т - +70 *С Л!1Э увеличивается не более чем в 2 раза; для 10%
транзисторов допускается увеличение этого параметра не более чем в 3 раза по
сравнению со значением при +20 *С; при Т = —60 ’С й2,э уменьшается не более
чем в 3 раза по сравнению со значением при +20 "С.
1Т101Б................................. 5 МГц

1Т102, 1Т102А ......................... 1 МГц

Коэффициент шума при = 5 В, 4 = 0.5 мА,
Г= 1 кГц:

1Т102, не более........................ 7	дБ

типовое значение....................... 4*	дБ

1Т102А, не более....................... 12	дБ

типовое значение....................... 5*	дБ

Обратный ток коллектора, не более:
при Г= +25 ’С, (/ад = 15 В для 1Т101,
1Т101А, 1Т101Б............................ 15 мкА

4/кб = 5 В для 1Т102, 1Т102А........... 10 мкА

при Т= +70 ’С, 6^ = 10 В для 1Т101,
1Т101А, 1Т101Б......................... 300 мкА

и№ = 5 В для 1Т102, 1Т102А............. 300 мкА

Обратный ток эмиттера, не более:

при 4/эв = 15 В для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б 15 мкА
при их = 5 В для 1Т102, 1Т102А......... 10 мкА

Сопротивление базы при = 5 В, 4 = 1 мА,
{= 0,5 МГц для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б,
не более.................................. 250 Ом

Выходная полная проводимость в режиме ма-
лого сигнала при холостом ходе при и№ = 5 В,
/э = 1 мА, /= 1 кГц, не более............. 2 мкСм

Емкость коллекторного перехода при (/КБ = 5 В
для 1Т101, 1Т101А, 1Т101Б, не более....... 50 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
при Т= -60...+55 “С для 1Т101, 1Т101А,
1Т101Б................................. 15 В

при Г= +55...+70 ’С для 1Т101, 1Т101А,
1Т101Б................................. 10 В

при Т= -60...+70 ’С для 1Т102, 1Т102А .. 5 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

пРи /?вэ 2 кОм:

при Г= -60...+55 ’С для 1Т101, 1Т101А,
1Т101Б................................. 15 В

при Г= +55...+70 ’С для 1Т101, 1Т101А,
1Т101Б.................................. 10 В

при Т= -60...+70 ’С для 1Т102, 1Т102А .. 5 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
при Г= -60...+55 ’С для 1Т101, 1Т101А,
1Т101Б................................. 15 В
при Т= +55...+70 ’С для 1Т101, 1Т101А,
1Т101Б................................. 10 В

при Г = -6О...+7О ’С для 1Т102, 1Т102А .. 5 В

Постоянный ток коллектора (эмиттера):
1Т101, 1Т101А, 1Т101Б...................... 10 мА

1Т102, 1Т102А.......................... 6 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

1Т101, 1Т101А, 1Т101Б.................. 50 мВт

1Т102, 1Т102А.......................... 30 мВт

Температура р-п перехода................... +85 °С

Температура окружающей среды............... —60...+70 ‘С

Расстояние от корпуса до места изгиба вывода транзисто-
ра не менее 3 мм.

Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора при температуре не более +295 °С в течение не
более 3 с.

КТ104 А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
усилителях радиовещательных приемников. Выпускаются в ме-
таллическом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.

КТ1041А-Г)

База

Эмиттер

Коллектор

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при = 1 В, 4 = 10 мА:
КТ104А.............................. 7...40
КТ104Б................................. 15...80

КТ104В............................... 19...160

КТЮ4Г................................. 10...60

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при = 5 В, 4 = 1 мА:

КТЮ4А................................. 9...36

КТ104Б................................ 20...80

КТ104В............................... 40...160

КТ104Г................................ 15...60

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при = 5 В, 4 = 1 мА,
3 МГц, не более.......................... 3 нс

Граничная частота коэффициента передачи
тока-в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, 4 = 1 мА,
не менее................................. 5 МГц

Граничное напряжение, не менее:

при 1з~ 5 мА для КТ104А, КТ104Г....... 30 В

при 4 = 10 мА для КТ104Б, КТ104В...... 15 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер

при 4 = 10 мА, не более:
при 4 = 2 мА для КТ104А............... 0,5 В

при 4 = 1 мА для КТ104Б, КТ104В, КТ104Г 0,5 В

Напряжение насыщения база—эмиттер

при 4 = Ю мА, не более:
при 4 = 2	мА для КТ104А.............. 1	В

при 4 = 1	мА для КТ104Б, КТ104В, КТ104Г 1	В

Обратный ток коллектора, не более:
при =	30 В для КТ104А,	КТ104Г.... 1	мкА

при и№ =	15 В для КТ104Б,	КТ104В..... 1	мкА

Обратный ток эмиттера при = 10 В,
не более................................. 1 мкА

Входное сопротивление в режиме малого
сигнала при С4б = 5 В, 4 = 1 мА, Г = 1 кГц,
не более................................. 120* Ом

Емкость коллекторного перехода
при (4б = 5 В, не более.................. 50 пФ

Емкость эмиттерного перехода
при = 0,5 В, не более.................... 10 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ104А, КТ104Г........................... 30 В

КТ104Б, КТ104В........................ 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

ПРИ /?ю < 10 кОм:
КТ104А, КТ104Г....................... 30	В

КТ104Б, КТ104В....................... 15	В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 10	В

Постоянный ток коллектора............... 50	мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора' при Т = —60...+60 ’С............. 150 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 400 ’С/Вт

Температура р-п перехода................ +120 ’С

Температура окружающей среды............ -60...+ 100 ’С

’ При Г? +60 "С рассчитывается по формуле
/’к.млкс = («О - Г)/0,4, мВт.

2ТМ104А, 2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2ТМ104Г, 2Т104А,
2Т104Б, 2Т1О4В, 2Т104Г

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
усилительных и импульсных этажерочных микромодулях зали-
той и капсулированной конструкции. Выпускаются в металло-

2Т11ША-Г)

стеклянном корпусе на кера-
мической плате (2ТМ104А—
2ТМ104Г) и с гибкими выво-
дами (2Т104А—2Т104Г). Тип
прибора указывается на кор-
пусе.

Масса транзистора на ке-
рамической плате не более
0,8 г, с гибкими выводами не
более 0,5 г.

Изготовитель — акцио-
нерное общество «Крем-
ний», г. Брянск.

2Т104(А-Г1
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ = 1 В, /к = 10 мА:
2ТМ104А, 2Т104А........................ 7...40

2ТМ104Б, 2Т104Б..................... 15...80

2ТМ104В, 2Т104В.................... 19...160

2ТМ104Г, 2Т104Г..................... 10...60

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при (/КБ = 5 В, 4 = 1 мА:

Г = +25 °С:
2ТМ104А. 2Т104А..................... 9...36

2ТМ104Б, 2Т104Б.................. 20...80

2ТМ104В, 2Т104В................. 40...160

2ТМ104Г, 2Т104Г.................. 15...60

Т= +125 °С:
2ТМ104А, 2Т104А..................... 9... 108

2ТМ104Б, 2Т104Б................. 20...240

2ТМ104В, 2Т104В................. 40...380

2ТМ104Г, 2Т104Г................. 15...180

7 = -60 'С:
2ТМ104А, 2Т104А..................... 7...36

2ТМ104Б, 2Т104Б.................. 13...80

2ТМ104В, 2Т104В................. 25...160

2ТМ104Г, 2Т104Г.................. 10...60

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при - 0,5 В, 4 = 1 мА,
не менее............................... 5 МГц

Граничное напряжение, не менее:

при 4 = 5 мА для 2ТМ104А, 2ТМ104Г,
2Т104А, 2Т104Г...................... 30 В

при 4 = 10 мА для 2ТМ104Б, 2ТМ104В,
2Т104Б, 2Т104В...................... 15 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = Ю мА, не более:

при 4 = 2 мА для 2ТМ104А, 2Т104А.... 0,5 В

при 4 = 1 мА для 2ТМ104Б, 2ТМ104В,
2ТМ104Г, 2Т104Б, 2Т104В, 2Т104Г..... 0,5 В

Напряжение насыщения эмиттер—база
при 4 = Ю мА, не более:

при 4 = 2 мА для 2ТМ104А, 2Т104А.... 1 В

при 4 = 1 мА для 2ТМ104Б, 2ТМ104В,
2ТМ104Г, 2Т104Б, 2Т104В, 2Т104Г....... 1В

Обратный ток коллектора при (4б = ^кб, макс,
не более:
Т = +25 и -60 °С.................... 1 мкА

Т = +125 ’С......................... 15 мкА

Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = МАКС,
не более:

Т - +25 и —60 ’С.................... 1 мкА

Т = +125 ’С......................... 10 мкА

Емкость коллекторного перехода

при <УКЪ = 5 В, 3 МГц, не более........ 50 пФ

Емкость эмиттерного перехода при иж = 0,5 В,
Г= 10 МГц, не более.................... 10 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база
и коллектор—эмиттер при < 10 кОм
или иж = 0,5 В:

при Т= -60...+75 ’С для 2ТМ104А,
2ТМ104Г, 2Т104А, 2Т104Г.............. 30 В

2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2Т104Б, 2Т104В... 15 В

при Г= +125 ’С для 2ТМ104А, 2ТМ104Г,
2Т104А, 2Т104Г....................... 20 В

2ТМ104Б, 2ТМ104В, 2Т104Б, 2Т104В... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
Г= -60...+75	’С...................... 10	В

Г=+125’С............................ 5 В

Постоянный ток коллектора:
Т= -60...+75	’С..................... 50	мА

Т= +125 ’С.......................... 30	мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:

Т= -60...+60 ’С..................... 150 мВт

Г=+125’С............................ 41,6 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда... 0,6 ’С/мВт

Температура р-п перехода............... +150 ’С

Температура окружающей среды........... —60...+125 ’С

1 При Т = +60...+125 "С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора определяется по формуле

/’к.ндкс = (150 ~ П/0,6, мВт.

ГТ108А, ГТ108Б, ГТ 108В, ГТ108Г

Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р уси-
лительные. Предназначены для применения в усилителях и
импульсных устройствах. Выпускаются в металлическом кор-
60
пусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на кор-
пусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Запорожье.

ГТ108(А-Г)

Зниттер
Коллектор
База

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при и№ = 5 В, 4 = 1 мА:

Т = +20 ’С:
ГТ108А.................................. 20...50

ГТ108Б............................... 35...80

ГТ108В............................... 60...130

ГТ108Г............................... 110...250

Т= +55 ’С:
ГТ108А.................................. 20... 100

ГТ108Б............................... 35...160

ГТ108В............................... 60...260

ГТ108Г..........................     110...500

Т= -45 ’С:
ГТ108А.................................. 15...50

ГТ108Б............................... 20...80

ГТ108В............................... 40...130

ГТ108Г............................... 70...250

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, = 1 мА,
не менее:

ГТ108А................................... 0,5 МГц

ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г................... 1 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при = 5 В, 4 = 1 мА,
Г= 465 кГц, не мендр........................ 5 нс
Обратный ток коллектора при (/КБ = 5 В,
не болёе:

Т= +20 ’С............................ 10	мкА

Т = +55 ’С.......................... 250	мкА

Обратный ток эмиттера при их = 5 В,
не более................................ 15 мкА

Емкость коллекторного перехода
при и№ = 5 В, не более.................. 50	пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 5 В

Импульсное напряжение коллектор—база
при Ги 5 мкс............................ 18 В

Постоянный ток коллектора............... 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:
при Т +20 ’С............................ 75 мВт

при Т = +55 ’С....................... 33,2 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,8 ’С/мВт

Температура р-п перехода................ +80 ’С

Температура окружающей среды............ —Д5...+55 ’С

При Т - +20...+55 ’С А.НЛКС уменьшается линейно.

ГТ109А, ГТ1О9Б, ГТ109В, ГТ1О9Г, ГТ109Д, ГТ1О9Е,
ГТ109Ж, ГТ109И

Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р уси-
лительные с нормированным коэффициентом шума на частоте
1 кГц. Предназначены для применения во входных каскадах
усилителей низкой частоты. Выпускаются в металлостеклян-
ном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.

Масса транзистора не более 0,1 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Запорожье.

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при = 5 В, /, = 1 МА:

Т= +25 ’С:
ГТ109А. ГТ109Ж........................... 30...50

ГТ109Б...............................  35...80
ГТ109(А-И)

ГТ109В.............................. 60...130

ГТ109Г.............................. 110...260

ГТ109Д.............................. 20...70

ГТ109Е............................. 50...100

ГТ109И.............................. 20...80

Т = +55 ’С, не менее:
ГТ109А, ГТ109Д, ГТ109Ж, ГТ109И....... 20

ГТ109Б.............................. 35

ГТ109В.............................. 60

ГТ109Г.............................. 110

ГТ109Е.............................. 50

Т= -45 ’С:
ГТ109А, ГТ109Ж......................... 15...50

ГТ109Б.............................. 20...80

ГТ109В............................. 40...130

ГТ109Г.............................. 70...260

ГТ109Д.............................. 10...60

ГТ109Е............................  30...100

ГТ109И.............................. 15...80

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, 4 = 1 мА,
не менее:

ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Ж,

ГТ109И................................. 1	МГц

ГТ109Д................................. 3	МГц

ГТ109Е................................. 5	МГц'

Коэффициент шума при </КБ = 1,5 В,

4 = 0,5 мА, А= 1 кГц, не более.............. 12 дБ

Обратный ток коллектора, не более:

при = 5 В для ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В,
ГТ109Г, ГТ109И......................... 5	мкА

при 6/КБ = 1,5 В:
ГТ109Д................................. 2	мкА

ГТ109Е, ГТ109Ж...................... 1	мкА
Обратный ток эмиттера, не более:
при УКБ = 5 В для ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В,
ГТ109Г, ГТ109Ж, ГТ109И................. 5 мкА

при С/КБ = 1,5 В для ГТ109Д.......... 3 мкА

при С/КБ = 1,2 В для ГТ109Е.......... 3 мкА

Емкость коллекторного перехода, не более:
при = 5 В для ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В,
ГТ1О9Г, ГТ109Ж, ГТ109И................. 30 пФ

при </КБ = 1,2 В для ГТ109Д, ГТ109Е.. 40 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 10 В

Импульсное напряжение коллектор—база
при 1ц С 10 мкс......................... 18 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /Рбэ = 200 кОм...................... 6 В

Постоянный ток коллектора............... 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

при Г = —45...+20 °С................. 30 мВт

при Т = +55 °С....................... 13,8 мВт

Температура р-п перехода................ +80 °С

Температура окружающей среды............ —45...+55 °С

' При Т = +20..,+55 °С Рк макс уменьшается линейно.

1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1ТМ115В, 1ТМ115Г,
1Т115А, 1Т115Б, 1Т115В, 1Т115Г

Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р пе-
реключательные. Предназначены для применения в переключа-

1ГМ1151А-Г)

ющих и импульсных устрой-
ствах в составе залитых и
капсулированных этажероч-
ных микромодулей. Выпуска-
ются в металлостеклянном
корпусе на керамической
плате (1ТМ115А, 1ТМ115Б,
1ТМ115В, 1ТМ115Г) и с гиб-
кими выводами (1Т115А,
1Т115Б, 1Т115В, 1Т115Г). Тип
прибора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора на керамической плате не более 0,65 г
гибкими выводами не более 0,5 г.

Изготовитель — акционерное общество «Кремний»
Брянск.

1Т1151А-Г)

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого

сигнала при </КБ = 1 В, /э = 25 мА:

Г = +25 ’С:

1ТМ115А, 1ТМ115В, 1Т115А, 1Т115В .. 20...60

1ТМ115Б, 1ТМ115Г, 1Т115Б, 1Т115Г.... 50...150

Т= +73 ’С:

1ТМ115А, 1ТМ115В, 1Т115А, 1Т115В.. 20...90

1ТМ115Б, 1ТМ115Г, 1Т115Б, 1Т115Г.... 50...225

Г= -60 ’С:

1ТМ115А, 1ТМ115В, 1Т115А, 1Т115В .. 15...60

1ТМ115Б, 1ТМ115Г, 1Т115Б, 1Т115Г.... 25...150

Предельная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при </КБ = 5 ВД = 5 мА,
не менее................................... 1 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при

УКБ = 5 В, 4 = 1 МА, Г = 465 кГц, не более. 6,5 н«_

Время рассасывания при С/КБ = 15 В,
/к = 20 мА, не более....................... 2,5 мкс

Граничное напряжение при /э = 10 мА:

1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б....... 30 В

1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г....... 35 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер

при /к = 100 мА, /Б = 20 мА, не более:

1ТМ115А, 1ТМ115В, 1Т115А, 1ТМ115В...... 200 мВ

1ТМ115Б, 1ТМ115Г, 1Т115Б, 1Т115Г....... 150 мВ

Напряжение насыщения база—эмиттер

При /к = 100 мА, /Б = 20 мА, не более...... 1,5 В

3- 734
Плавающее напряжение эмиттер—база
при = 6/КБ МАКС, не более................ 0,3 В

Обратный ток коллектора при (7К6 = ЦБ МАКС,
не более:

Т= +25 и —60 °С..................... 50 мкА

Г= +73 °С........................... 300 мкА

Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 50 В,
не более................................ 50 мкА

Емкость коллекторного перехода при С/КБ = 5 В,
/= 465 кГц, не более................... 50 пФ

Емкость эмиттерного перехода при 1УЭ6 = 5 В,
/= 465 кГц, не более.................... 20 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б.... 50 В

1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г.... 70 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер'
при /?БЭ < 500 Ом, Т = —60...+35 °С:
1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б........ 30 В

1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г.... 35 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при /?БЭ = 0...50 Ом:
1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б........ 40 В

1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г........ 55 В

Импульсное напряжение коллектор—эмиттер:
1ТМ115А, 1ТМ115Б, 1Т115А, 1Т115Б.... 50 В

1ТМ115В, 1ТМ115Г, 1Т115В, 1Т115Г.... 70 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 50 В

Ток коллектора в режиме переключения* 2
при 0= 2, (ф < 10 мкс, /= 50 Гц, /СНАС < 3,
Т= -60...+55 °С......................... 100 мА

Постоянный ток базы в режиме насыщения
при КНАС » 3............................ 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора3 при Т = —60...+55 °С.............. 50 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,6 °С/мВт

Температура р-п перехода................ +85 °С

Температура окружающей среды............ —60...+73 °С

’ При Т > +35 "С	снижается линейно до 0,4 своего значения при

: +73 ’С.

2 При Т> +55 ’С /к „ „дкс снижается линейно до 40 мА при Г = +73 ’С.

’ При Т> +55 ’С Рк мдкс определяется по формуле

Рк млкс = (85 - Т)/0,6, мВт
ГТИ5А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д

Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р. Пред-
назначены для применения в усилителях. Выпускаются в ме-
таллостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,6 г.

Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.

'Т115(А-Д!

Эмиттер
Коллектор
База

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при 6/КБ = 1 В, /э = 25 мА, 7 = 270 Гщ

ГТ115А, ГТ115Б........................ 20...80

ГТ115В, ГТ115Г........................ 60...150

ГТ115Д................................ 125...250

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОБ при 1У№ = 5 В, /э = 5 мА,
не более................................. 1 МГц

Обратный ток коллектора, не более:

при = 20 В для ГТ115А, ГТ115В,

ГТ 115Д............................... 40 мкА

при (УКБ = 30 В для ГТ115Б, ГТ115Г.... 40 мкА

Обратный ток эмиттера при (УЭБ = 20 В,
не более................................. 40 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д................... 20	В

ГТ115Б, ГТ115Г....................... ЗОВ

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 20	В

Постоянный ток коллектора............... 30	мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора.................................... 50 мВт
Температура р-п перехода................. +70 ’С

Температура окружающей среды............. —20...+45 ’С

1Т116А, 1Т116Б, 1Т116В, 1Т116Г

Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р пере-
ключательные. Предназначены для применения в формирова-
телях и усилителях импульсов, мультивибраторах и других
переключающих устройствах. Выпускаются в металлостеклян-
ном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.

Масса транзистора не более 2 г.

Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.

1Т116(А-Г)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, /к = 100 мА:

Т= +25 ’С:
1Т116А, 1Т116Б,	1Т116Г.............  15...65

1Т116В................................. 20...65

Т= +70 и -60 ’С:

1Т116А, 1Т116Б,	1Т116Г............... 12...80

1Т116В................................. 16...80

Предельная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при </КБ = 5 В, 4 = 1 мА, ’
не менее..................................... 1 МГц

Время нарастания при <4э = 12,6 В, 1/ьэ = 0,3 В:

при /?бэ = 51 Ом для 1Т116А, 1Т116Б  0,28...0,63 мкс
при /?бэ = 27 Ом для 1Т116В, 1Т116Г   0,28...0,63 мкс
Время рассасывания при 1/кэ = 12,6 В,
= 0,3 В:
при =51 Ом для 1Т116А и 7^э = 27 Ом
для 1Т116В.............................. 2,1...2,5 мкс

при /?БЭ = 51 Ом для 1Т116Б и /?БЭ = 27 Ом

для 1Т116Г........................... 1,6...2,1 мкс

Время спада при = 12,6 В, = 0,3 В:

при /?БЭ = 51 Ом для 1Т116А, 1Т116Б.. 0,6—2 мкс

при = 27 Ом для 1Т116В, 1Т116Г....... 0,6—2 мкс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер

при /к = 150 мА, /Б = 30 мА, не более... 0,25 В

Обратный ток коллектор—эмиттер
при 6/кэ = 15 В, = 0,5 В, не более:

Т = +25 °С........................... 30 мкА

Т= +70 °С........................... 200 мкА

Обратный импульсный ток коллектор—эмит-
тер при (7КЭ = 30 В, не более........... 1 мА

Импульсное входное сопротивление в режиме
большого сигнала при 1/^ = 10 В, /к = 100 мА . 30—100 Ом

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ < 55 Ом........................ 15 В

Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ < 55 Ом, < 5 мкс............... 30 В

Импульсное напряжение эмиттер—база
при Ги < 5 мкс.......................... 18 В

Среднее значение тока коллектора
при Т = +20 °С.......................... 50 мкА

Импульсный ток коллектора’ при С 5 мкс,
0^6:

при Т= —60—+20 °С.................... 300 мА

при Т = +60 °С....................... 250 мА

при Т= +70 °С........................ 150 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора2:
при Т = —60...+55 °С.................... 150 мВт

при Т - +70 °С....................... 75 мВт

Температура р-п перехода................ +85 °С

Температура окружающей среды............ —60...+70 °С

При Г = +20...+60 ’С и +60...+70 °С /к и мдкс снижается линейно.

1 При Т - +55 ..+70 ’С Рк млкс снижается линейно.
2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г,

КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г,
КТ117АМ, КТ117БМ, КТ117ВМ, КТ117ГМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные одно-
переходные с базой л-типа. Предназначены для применения в
маломощных генераторах. Выпускаются в металлическом кор-
пусе с гибкими выводами (2Т117(А—Г), КТ117(А—Г)) и в пласт-
массовом корпусе с гибкими выводами (КТ117(АМ—ГМ)). Тип
прибора указывается на корпусе и этикетке.

Масса транзистора в металлическом корпусе не более
0,45 г, в пластмассовом не более 0,3 г.

Изготовитель — государственный Московский завод
«Старт», г. Москва.

2Т117(А-Г). КТ117(А-Г)

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при 6/Б1Ь2 = 10 В:

Т = +25 °С:

2Т117А, 2Т117В, КТ117А, КТ117В,

КТ117АМ, КТ117ВМ............................. О,5...О,7

2Т117Б, 2Т117Г.............................. 0,65...0,8 '
КТ117Б, КТ117Г, КТ117БМ, КТ117ГМ — 0,65-0,9
7 = +70 ’С:

2Т117А, 2Т117В, КТ117А, КТ117В,
КТ117АМ,	КТ117ВМ................. 0,45...0,7

2Т117Б............................ 0,6—0,85

2Т117Г............................ 0,6-0,8

КТ117Б, КТ117Г,	КТ117БМ, КТ117ГМ... 0,6-0,9

Т= -60 ’С:

2Т117А, 2Т117В, КТ117А, КТ117В,
КТ117АМ, КТ117ВМ.................. 0,5-0,8

2Т117Б, 2Т117Г ................... 0,65-0,9

КТ117Б, КТ117Г, КТ117БМ, КТ117ГМ... 0,65-0,95

Максимальная частота генерации.......... 200 кГц

Время включения при (/Б1Б2 = 10 В, ^ = 50 мА,
не более:

Т - +25 ’С........................... 3 мкс

7= -60...+ 125 ’С.................... 5 мкс

Остаточное напряжение эмиттер—база,
не более:

при 7=-60...+25 ’С................... 5 В

при /э =10 мА, 7 = +70 "С для 2Т117А,
2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г............... 4 В

при /э = 50 мА, 7= +70 ’С для КТ117А,
КТ117Б, КТ117В, КТ117Г, КТ117АМ,
КТ117БМ, КТ117ВМ, КТ117ГМ............ 4 В

Ток включения эмиттера при 6/Б,Б2 = 10 В,
не более................................ 20 мкА

Ток выключения эмиттера при 6/Б1Б2 = 20 В,
не менее................................ 1 мА

Ток модуляции, не	менее................. 10 мА

Обратный ток эмиттера при 6/Б,Б2 = 30 В,
не более:

7=+25’С.............................. 1 мкА

7=+125°С............................. 10 мкА

Межбазовое сопротивление:

7= +25 ’С:
2Т117А, 2Т117Б....................... 4-7,5 кОм

2Т117В, 2Т117Г —.................. О...9 кОм

КТ117А, КТ117Б, КТ117АМ, КТ117БМ. 4...9 кОм
КТ117В, КТ117Г, КТ117ВМ, КТ117ГМ... 8...12 кОм

7= +70 ’С:
2Т117В, 2Т117Г....................... 6...15кОм

КТ117В, КТ117Г, КТ117ВМ, КТ117ГМ... 6...18 кОм

7= -60 ’С:
2Т117В, 2Т117Г....................... 3-8,5 кОм
КТ117В, КТ117Г................... 4... 12 кОм

Г = —45 °С:
КТ117ВМ, КТ117ГМ.................... 4... 12 кОм

Температурный коэффициент межбазового
сопротивления........................... 0,1.„О,9 %/°С

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное межбазовое напряжение....... 30 В

Постоянное напряжение база—эмиттер..... 30 В

Постоянный ток эмиттера................ 50 мА

Импульсный ток эмиттера при Ги = 10 мкс,
О = 200................................ 1 А

Постоянная рассеиваемая мощность эмиттера:
при Т= —60...+35 ’С.................... 300 мВт

приТ=+125°С......................... 15 мВт

Температура р-п перехода............... +130 “С

Температура окружающей среды:
2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г, КТ117А,
КТ117Б, КТ117В, КТ117Г ................ -60...+125 ’С

КТ117АМ, КТ117БМ, КТ117ВМ, КТ117ГМ .. -45...+125 °С

2Т118А, 2Т118Б, 2Т118В, КТ118А, КТ118Б, КТ118В

Г11д/А-В) ктпяа-в;

Транзисторы крем-
ниевые эпитаксиально-
планарные двухэмит-
терные структуры р-п-р
переключательные.
Предназначены для
применения в моду-
ляторах. Выпускаются
в металлостеклянном
корпусе с гибкими вы-

водами. Тип прибора указывается на боковой поверхности кор-

пуса.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

Электрические параметры

Падение напряжения на открытом ключе:

при 4 = 0,5 мА, Т - +25 °С, не более:

2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, К1118Б... 0,2	мВ
2Т118В, КТ118В.................... 0,15 мВ

7 = -60 ’С:

2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б..... 0,4 мВ

2Т118В, КТ118В.................... 0,3 мВ

7=+125 "С............................ 0,6 мВ

при 4 = 1>5 мА, 7 = +25 ’С:

2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б.... 0,2 мВ

2Т118В, КТ118В.................... 0,15 мВ

7= +125 'С.......................... 1,2 мВ

7= —60’С............................. 0,18 мВ

Сопротивление открытого ключа:
при /э = 2 мА, 4 = 2 мА, 7 = +25 ’С,
не более:

2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б.... 100 Ом

2Т118В, КТ118В.................... 120 Ом

7= +125 ’С:

2Т118А, 2Т118Б, КТ118А,	КТ118Б.... 60 Ом

2Т118В, КТ118В.................... 70 Ом

при 4 = 20 мА, 4 = 40 мА, 7 = +25 ’С:

2Т118А, 2Т118Б, КТ118А,	КТ118Б.... 20 Ом

2Т118В, КТ118В.................... 40 Ом

7= +125 ’С:
2Т118А, 2Т118Б,	КТ118А,	КТ118Б... 40 Ом

2Т118В, КТ118В.................... 80 Ом

7= -60 ’С:

2Т118А, 2Т118Б,	КТ118А,	КТ118Б... 50 Ом

2Т118В, КТ118В.................... 80 Ом

Ток закрытого ключа при С4э = 30 В
для 2Т118А, КТ118А ‘и <4Э = 15 В для 2Т118Б,
2Т118В, КТ118Б, КТ118В, не более:

7=+25’С ............................. 0,1 мкА

7= +125 ’С........................... 5 мкА

7=-60’С.............................. 0,1 мкА

Напряжение на управляющих переходах
при 7 = +25 "С и 4 = 20 мА, не более .... 1 В

Асимметрия сопротивления открытого ключа
при 7 = +25 ’С и 4 = 40 мА, 4 = 20 мА,
не более................................. 20%

Обратный ток коллектор—база 1, коллек-’
тор—база 2 при 7 = +25 ’С и = 15 В,
не более................................. 0,1 мкА

Время выключения транзисторной структу-
ры при /?н = 1 кОм, 4 = 20 мА, = 5 В,
не более................................. 500 нс
Предельные эксплуатационные данные

Напряжение управления между коллектором
и базой транзисторной структуры при
/?КБ С 10 кОм и Т= -60...+ 125 °С...... 15 В

Постоянное напряжение на закрытом ключе
между эмиттерами при иупр = 0
и Т = -60...+125 °С:

2Т118А, КТ118А...................... ЗОВ

2Т118Б, 2Т118В, КТ118Б, КТ118В...... 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база тран-
зисторной структуры при Т = —60...+ 125 °С:
2Т118А, КТ118А......................... 31В

2Т118Б, 2Т118В, КТ118Б, КТ118В...... 16 В

Постоянный ток коллектора
при Г= —60...+ 125 °С.................. 50 мА

Постоянный ток каждого эмиттера
при Т = —60...+125 °С.................. 25 мА

Постоянный ток каждой базы
при Г=—60...+ 125 °С................... 25 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т= -60...+100 °С................ 100 мВт

приГ=+125°С......................... 62,5 мВт

Тепловое сопротивление переход—окружаю-
щая среда.............................. 0,4 °С/мВт

Температура окружающей среды........... —60...+125 °С

Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора. Допускается одноразовый изгиб вывода на рас-
стоянии 3 мм и радиусом не менее 0,5 мм.

Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора при температуре не выше +250 °С в течение вре-
мени не более 9 с. Пайка производится паяльником мощно-
стью не более 60 Вт и напряжением 6... 12 В.

2Т118А-1, 2Т118Б-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные двух-
эмиттерные структуры р-п-р переключательные маломощные.
Предназначены для применения в модуляторах герметизиро-
ванной аппаратуры. Бескорпусные с гибкими выводами. Вы-
пускаются в сопроводительной таре. Тип прибора указывается
на этикетке.
Масса транзистора не бо-
лее 0,03 г.

Изготовитель — завод
«Пульсар», г. Москва.

2Т11& (А-7. Б-1)

Электрические параметры

Падение напряжения на открытом ключе
при 4 = 0,5 мА и /Б = 1,5 мА, не более:

7 =+25’С......................... 0,3 мВ

7=+85’С.......................... 1 мВ

7=-60’С.......................... 0,6 мВ

Напряжение на управляющих переходах
при /Б = 20 мА, не более............ 1 В

Ток закрытого ключа при 1УЭЭ = 30 В для
2Т118А-1 и (/ээ = 15 В для 2Т118Б-1,
не более:

7=+25 и—60’С..................... 0,1 мкА

Т = +85 ’С....................... 5 мкА

Обратный ток коллектор—база при 1/КБО = 15 В,
не более............................ 0,1 мкА

Сопротивление открытого ключа, не более:

при /Б = 30 мА, 4 = 15 мА:
7=+25’С.......................... 30	Ом

7=+85’С....................... 60	Ом

7=-60’С....................... 70	Ом

при 4 = 2 мА, 4 = 2 мА:

7 =+25’С...................... 100 Ом

7 =+85’С...................... 35	0м

7= —60’С...................... 25	0м

при 4 = 40 мА, 4 = 20 мА......... 20 Ом

Асимметрия сопротивления открытого ключа
при 4 = 30 мА, 4=15 мА, не более.... 20%

Время выключения при /?н = 250 Ом,
4 = 20 мА, Цму = 5 В, не более...... 500 нс
Предельные эксплуатационные данные

Напряжение управления между коллектором
и базой при Яю = 10 кОм, Т = —60...+85 °С ... 15 В
Постоянное напряжение на закрытом ключе
между эмиттерами при ЦПР = 0

и Т= -60...+85 °С:
2Т118А-1................................. ЗОВ

2Т118Б-1............................. 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база
при Т = —60...+85 °С:
2Т118А-1................................ 31В

2Т118Б-1............................. 16	В

Постоянный ток каждого эмиттера
при Т = —60...+85 °С.................... 25	мА

Постоянный ток коллектора при
Т = -60...+85	°С........................ 50	мА

Постоянный ток каждой базы
при Т = —60...+85 °С.................... 25 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т = —60...+85 °С............... 30 мВт

Рассеиваемая импульсная мощность коллек-
тора при С 500 мкс, О > 2, Т = +25 °С... 50 мВт

Температура окружающей среды............ —60...+85 'С

Монтаж транзисторов осуществляется приклейкой к тепло-
отводящей поверхности. Допускается пайка или сварка выво-
дов не ближе 2 мм от транзистора. Температура припоя не
должна превышать +260 °С. Допускается пайка выводов на
расстоянии 0,5 мм от транзистора при температуре припоя не
выше +150 °С, время пайки не более 2 с. Не допускается
прикладывать к выводам вращающих усилий. Допускается из-
гиб выводов не ближе 2 мм от транзистора с радиусом закруг-
ления 1.5...2 мм. При изгибе необходимо обеспечить непо-
движность участка вывода между местом изгиба и транзисто-
ром. При монтаже допускается обрезать выводы не ближе
2 мм от транзистора. При обрезке усилие не должно переда-
ваться на место приварки вывода к кристаллу.

КТ120А-1, КТ120Б-1 КТ120В-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
усилительных и импульсных микромодулях и блоках гермети-
зированной аппаратуры. Бескорпусные с защитным покрытием
/6
и гибкими выводами. Тран-
зистор КТ120Б—1 предна-
значен для диодного вклю-
чения, поэтому допускает-
ся выпуск без эмиттерного
вывода. Тип прибора ука-
зывается на сопроводи-
тельной таре.

Масса транзистора не
более 0,02 г.

Изготовитель — завод
полупроводниковых прибо-
ров, г. Минск.

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при ЦБ = 5 В, 4 = 1 мА:

Т= +25 °С	для КТ120А-1, КТ120В-1.. 20...200

Т= +65 "С	для КТ120А-1, КТ120В-1... 20...480

Т= -10 °С	для КТ120А-1, КТ120В-1... 10...200

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОБ при Е/КБ = 5 В, 4 = 1 мА
для КТ120А-1, КТ120В-1, не менее ..... 1 МГц

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 0,6 мА, не более:

4 = 10 мА для КТ120А-1............. 0,5 В

/к = 17 мА для КТ120В-1............ 2 В

Обратный ток коллектора при Г/КБ = Г/КБ мдкс,
не более.............................. 0,5 мкА

Обратный ток эмиттера при = 10 В
для КТ120А-1, КТ120В-1................ 1 мкА

Емкость коллекторного перехода при = 5 В,
(= 3 МГц для КТ120А—1, КТ120В—1, не более 5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ120А-1, КТ120В-1...................... 60	В

КТ120Б-1............................. 30	В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при /?БЭ < Ю кОм для КТ120А-1, КТ120В-1... 60 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 10 В

Постоянный ток коллектора............... 10	мА

Импульсный ток коллектора при Ги С 40 мкс,
0^9..................................... 20	мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора .................................... 10 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-

тора при Ги С 40 мкс, 0^9:
КТ120А-1, КТ120Б-1....................... 15 мВт

КТ 120В-1............................ 35 мВт

Температура р-л перехода................. +85 ’С

Температура окружающей среды............. —10...+65	°С

ГТ 124А, ГТ124Б, ГТ124В, ГТ124Г

Транзисторы германиевые структуры р-п-р усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.

ГТ1МА-Г}

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 7УКЭ = 0,5 В, 4 = Ю0 мА:
ГТ124А..................................... 28...56

ГТ124Б................................. 45...90

ГТ124В................................. 71...162

ГТ124Г................................. 120...200

Предельная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при УКБ = 5 В, /э = 1 мА,
не менее................................... 1 МГц

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 100 мА, /Б = 10 мА, не более....... 0,5 В
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 15 В,
не более:

Г = +25 ’С........................... 15	мкА

Т = +45 °С........................... 80	мкА

Обратный ток эмиттера при (УЭБ = 5 В,
не более................................ 15	мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 25 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 10 В

Импульсный ток коллектора............... 100 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т С +35 ’С....................... 75 мВт

при Т = +60 ’С....................... 25 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,8 °С/мВт

Температура окружающей среды............ —25...+60 °С

При пайке выводов должен быть осуществлен надежный
теплоотвод между местом пайки и корпусом транзистора, тем-
пература пайки не должна превышать +282 ’С в течение 5 с.

При включении транзистора в электрическую цепь коллек-
торный вывод должен присоединяться последним, а отсоеди-
няться первым.

ГТ125А, ГТ125Б, ГТ125В, ГТ125Г, ГТ125Д, ГТ125Е,
ГТ125Ж, ГТ125И, ГТ125К, ГТ125Л

Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р уси-
лительные. Предназначены для применения в усилителях низ-
кой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с
гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 2 г.

Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (7КЭ = 0,5 В, 4 = 100 мА:

ГТ125Д, ГТ125И........................... 28...56

ГТ125Е, ГТ125К........................... 45...90

ГТ125Ж, ГГ125Л........................... 71...140
ГТ125(А-/1)

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при Ую = 5 В, /э = 25 мА:

ГТ125А................................. 28...56

ГТ125Б................................. 45...90

ГТ125В................................. 71...140

ГТ125Г................................. 120...200

Предельная частота коэффициента передачи
тока при 6/КБ = 5 В, /э = 5 мА, не менее.. 1 МГц

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 300 мА, /Б = 30 мА, не более..... 0,3 В

Обратный ток коллектора, не более:

при (/КБ = 35 В для ГГ125А, ГТ125Б,
ГТ125В, ГТ125Г, ГТ125Д, ГТ125Е, ГТ125Ж.. 50 мкА
при (/КБ = 70 В для ГТ125И, ГТ125К,

ГТ125Л................................. 50 мкА

Обратный ток эмиттера при = 20 В,
не более.................................. 50 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
ГТ125А, ГТ125Б, ГТ125В, ГТ125Д, ГТ125Е,

ГТ125Ж................................ 35 В

ГТ125И, ГТ125К, ГТ125Л................ 70 В

Постоянное напряжение эмиттер—база....... 20 В

Импульсный ток коллектора при А= 50 Гц,
О 2, 7И = 10 мкс......................... 300 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т С —60...+35 °С.................. 150 мВт

при Т - +70 °С........................ 45 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда..... 0,3 °С/мВт

Температура окружающей среды............. —60...+70 °С
Минимальное расстояние от корпуса до места изгиба вы-
водов транзисторов 3 мм, минимальное расстояние от корпуса
до места пайки выводов 5 мм. Пайку производить при темпе-
ратуре не выше +285 °С в течение времени не более 5 с.

2Т126А-1, 2Т126Б-1, 2Т126В-1, 2Т126Г-1

Транзисторы кремние-
вые планарные структуры
р-п-р усилительные. Пред-
назначены для применения
в усилителях постоянного
тока, стабилизаторах тока
герметизированной аппа-
ратуры. Бескорпусные с
защитным покрытием и
гибкими выводами. Тип
прибора указывается в то-
варосопроводительной до-

2П26(А-1-Г-1)

Коллектор

кументации.

Масса транзистора не более 0,006 г.

Изготовитель — государственный Московский завод
«Старт», г. Москва.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при = 5 В, 1Э = 1 мА:
2Т126А-1, 2Т126Б-1........................ 15...40*...60

2Т126В-1, 2Т126Г-1 .................. 40...120*...200

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ, не более................. 100* кГц

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 3 мА............................. 0,2*...0,25*...

0,5 В

Пробивное напряжение коллектор—эмиттер
при /к = 0,15 мА, не менее

2Т126А-1, 2Т126Б-1..................... 25 В

2Т126В-1, 2Т126Г-1 .................... 45 В

Обратный ток коллектора при УКБ = 30 В,
Т $ —60...+85 °С, не более................ 1 мкА

Обратный ток эмиттера при иж = 3 В,
не более.................................. 1,5 мкА

Емкость коллекторного перехода при = 5 В 4*...4,8*...

5 пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
2Т126А-1, 2Т126Б-1....................... 25	В

2Т126В—1, 2Т126Г-1 .................. 45	В

Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т126А-1, 2Т126Б-1....................... 25	В

2Т126В-1, 2Т126Г-1 .................. 45	В

Постоянный ток коллектора................ 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
при Т —60...+70 °С....................... 15 мВт

при Т = +85 °С....................... 5 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда..... 3 °С/мВт

Температура р-п перехода................. +125 °С

Температура окружающей среды............. —60...+85 °С

При Т > +70 °С Рк мдкс уменьшается линейно.

При пайке припоем ПОС—61 допускается нагрев с общим
временем пребывания при температуре +230 °С не более 30 с
и +150 °С не более 10 мин.

Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от напряжения кол-
лектор—эмиттер

Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора

2Т202А—1, 2Т202Б-1, 2Т202В-1, 2Т202Г-1, 2Т202Д-1,
КТ202А-1, КТ202Б-1, КТ202В-1, КТ202Г-1, КТ202Д-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структу-
ры р-п-р. Предназначены для применения в усилительных и
импульсных микромодулях герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не
более 0,01 г.

Изготовитель — акцио-
нерное общество «Крем-
ний», г. Брянск.

2т202(А-1-Д-1) КТ2021А-1-Л-1)

Коллектор

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при С/КБ = 5 В, /э = 1 мА:

Т = +25 °С:

2Т202А-1, 2Т2О2В-1, КТ202А-1,
КТ202В-1........................ 15...70

2Т202Б-1, 2Т202Г-1, КТ202Б-1,
КТ202Г-1........................ 40...160

2Т202Д-1, КТ202Д-1 ............. 100...300

Т ~ +85 ’С*

2Т202А—1, 2Т202В-1, КТ202А-1,
КТ202В-1........................ 15...140

2Т2О2Б-1, 2Т202Г-1, КТ202Б-1,
КТ202Г-1........................ 40...320

2Т202Д-1, КТ202Д-1 ............. 100...500

Т= -60 °С:

2Т202А-1, 2Т202В-1, КТ202А-1,
КТ202В-1........................ 10...70

2Т202Б-1, 2Т202Г-1, КТ202Б-1,
КТ202Г-1........................ 25...160

2Т202Д-1, КТ202Д-1 ............. 50...300

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОБ при С/КБ = 5 В, 4 = 1 мА,
не менее............................... 5 МГц

Время рассасывания при /к = 5 мА, /Б = 1 мА,
не более  ............................. 1 мкс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б = 1 мА, не более.... 0,5 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б = 1 мА, не более....	1 В

Обратный ток коллектора при = С/КБ мдкс,
не более:

Т= -60...+25 °С..................... 0,1 мкА
Т~ Т’макс............................ Ю мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при С/кб = и№ МАКС, = Ю кОм, не более:

Т= -6О..’+25 ’С...................... 1 мкА

7"= ^макс............................ 10 мкА

Обратный ток эмиттера при их = 10 В,
не более:

Г=+25 °С............................. 0,1 мкА

Т~ ТмАКС.............................. 5 мкА

Входное сопротивление в режиме малого сиг-
нала при = 5 В, /э = 1 мА, не более..... 100 Ом

Емкость коллекторного перехода
при = 3 В, Г = 3 МГц, не более.......... 25 пФ

Емкость эмиттерного перехода при 1/х = 0,5 В,
Г= 10 МГц, не более..................... 10 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
при Т = —60...+85 °С:
2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т202Д-1............ 15 В

2Т202В-1, 2Т202Г-1 .............. 30 В

при Т= -60...+55 ‘С:

КТ202А-1, КТ202Б-1, КТ202Д-1..... 15 В

КТ202В-1, КТ202Г-1............... ЗОВ

при Т = +85 °С:
КТ202А-1, КТ202Б-1, КТ202Д-1......... 10,5 В

КТ202В-1, КТ202Г-1............... 26,5 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ 10 кОм:

при Т = —60...+85 °С:
2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т202Д-1....... 15В

2Т202В-1, 2Т202Г-1............... 30 В

при Т - —60...+55 °С:

КТ202А-1, КТ202Б-1, КТ202Д-1..... 15 В

КТ202В-1, КТ202Г—1............... ЗОВ

при Т = +85 °С:

КТ202А-1, КТ202Б-1, КТ202Д-1..... 10,5 В

КТ202В-1, КТ202Г-1............... 26,5 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
при Т- —60...+85 °С для 2Т202А— 1,
2Т202Б-1, 2Т20 2В-1, 2Т202Г-1, 2Т202Д-1 10В
при Т = —60...+55 °С для КТ202А—1,
КТ202Б-1, КТ202В-1, КТ202Г-1,
КТ202Д-1................................. 10 В
при Т= +85 °С для КТ202А-1, КТ202Б-1,
КТ202В—1, КТ202Г—1, КТ202Д—1.......... 5,5	В

Постоянный ток коллектора................. 20	мА

Импульсный ток коллектора:
при ?и 10 мкс, 0^ 10...................... 50	мА

при Ги 10 мкс, О> 2.................... 40	мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
при Т = —60...+35 °С:
2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т202В-1,
2Т202Г-1, 2Т202Д-1........................ 25	мВт

КТ202А-1, КТ202Б-1, КТ202В-1,
КТ202Г-1, КТ202Д-1 ................ 15	мВт

при Т = +85 °С......................... 10	мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-

тора:

2Т202А-1, 2Т202Б-1, 2Т202В-1,

2Т202Г-1, 2Т202Д-1:

Ги 10 мкс, О 10, 7 = +25 °С...... 50 мВт

10 мкс, 0^2, Т = +25 °С...... 40 мВт

КТ202А-1, КТ202Б-1, КТ202В-1,
КТ202Г-1, КТ202Д-1:

Ги 10 мкс 0^10, Т = +25 °С....... 25 мВт

Температура р-п перехода................ +125 °С

Температура окружающей среды............ —60...+85 °С

’ При Т > 4-35 °С Рк МАКС снижается линейно.

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка эмиттера

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка эмиттера

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка эмиттера
2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д,
КТ203А, КТ203Б, КТ203В, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
усилителях и импульсных устройствах. Выпускаются в метал-
лостеклянном (2Т203А, 2Т2ОЗБ, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д,
КТ203А, КТ203Б, КТ203В) и пластмассовом (КТ203АМ,
КТ203БМ, КТ203ВМ) корпусах с гибкими выводами. Тип прибо-
ра в металлостеклянном корпусе указывается на корпусе. Тран-
зисторы в пластмассовом корпусе маркируются цветным ко-
дом: боковая поверхность у всех транзисторов окрашивается
темно-красным; торцы КТ203АМ — темно-красным, КТ203БМ —
желтым, КТ203ВМ — темно-зеленым.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

гтгоМА-д). кт?оз(а-в)

Коллектор
База
Эмиттер

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при (/КБ = 5 В, /э ~ 1 мА:

Т= +25 ’С:

2Т203А, КТ203А, КТ203АМ, не менее.. 9
2Т203Б.............................. 30...90

2Т2ОЗВ.............................. 15...100

2Т203Г, не менее.................... 40

2Т203Д............................. 60...200

КТ203Б, КТ203БМ..................... 30... 150

КТ203В, КТ203ВМ..................... 30...200

Т= +125 °С:

2Т203А, КТ203А, КТ203АМ, не менее.. 9
2Т203Б.............................. 30...180

2Т203В............................. 15...200

2Т203Г, не менее.................... 40

2Т203Д............................. 60...400

КТ203Б, КТ203БМ.................... 30...230

КТ203В, КТ203ВМ .................... 30...400

Т= -60 °С:

2Т203А, КТ2ОЗА, КТ203АМ, не менее.. 7
2Т203Б.............................. 15...90

2Т203В, КТ103В, КТ203БМ............. 10„.	100

2Т203Г, не менее.................... 20

2Т203Д............................. 30...200

КТ203В, КТ203ВМ..................... 15...200

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОБ при 6/КБ = 5 В, /э = 1 мА,
не менее:

2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, КТ203А, КТ203Б,
КТ203В, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ....... 5 МГц

2Т203Г, 2Т203Д.......................... 10 МГц

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:

при 4 = 20 мА, /Б = 4 мА для 2Т203Б,
КТ203Б, КТ203БМ......................... 1 В

при 4 = Ю мА, /Б = 1 мА для 2Т203Г...... 0,5 В

при /к = 10 мА, /Б = 1 мА для 2Т203Д.... 0,35 В

при 4 = 20 мА, 4=1 МА для КТ203В,
КТ203ВМ................................. 0,5 В

Обратный ток коллектора при С4б = ^кб. макс.
не более:

Т= +25 °С............................... 1 мкА

Т = ^макс •••••......................... 15 мкА

Обратный ток эмиттера при </КБ = ^4б, макс.
не более................................... 1 мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме
малого сигнала при /э = 1 мА, не более:

УКБ = 50 В 2Т203А, КТ203А, КТ203АМ...... 300 Ом

*4б = 30 В 2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ...... 300 Ом
1/кб = 15 В 2Т203В, КТ203В, КТ203ВМ.... 300 Ом

= 5 В 2Т203Г, 2Т203Д............... 300	Ом

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 5 В, ( = 10 МГц, не более....... 10	пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

Т= -60...+75 ’С:
2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ... 60 В

2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ........... 30 В

2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ... 15 В

Т- +125 ’С:
2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ... 30 В

2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ........... 15 В

2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при /^э « 2 кОм:

Т= -60...+75 ’С:
2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ... 60 В

2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ........... 30 В

2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ... 15 В

Т= +125 ’С:
2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ... 30 В

2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ........... 15 В

2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ....... 30 В

2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ.............. 15 В

2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ...... 10 В

Постоянный ток коллектора................ 10 мА

Импульсный ток коллектора при Ги 10 мкс,
О> 10.................................... 50 мА

Постоянный ток эмиттера ................. 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:

Т= -60...+75 ’С...................... 150 мВт

Т- +125 ’С........................... 60 мВт

Температура р-п перехода................. +150 ’С

Температура окружающей среды............. —60...+125

При Т > +75 'С ндкс уменьшается по линейному закону.
КТ207А, КТ207Б, КТ207В

Транзисторы крем-
ниевые эпитаксиально-
планарные структуры
р-п-р усилительные.
Предназначены для
применения в качестве
усилительного элемен-
та микромодулей и
блоков герметизируе-
мой аппаратуры. Бес-
корпусные с защитным

покрытием и контакт-

ными площадками для присоединения в электрическую схему.

Тип прибора указывается на групповой таре.

Масса транзистора не более 0,001 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при (7^ = 5 В, 1 мА, Л= 1 кГц:
КТ207А, не менее.......................... 9

КТ207Б................................. 30...150

КТ207В................................. 30...200

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при ^/КБ = 5 В, 4 = 1 мА,
не менее.................................. 5 МГц

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 10 мА, 4=1 мА, не более:

КТ207А, КТ207Б ..................... 1 В

КТ207В................................. 0,5 В

Обратный ток коллектора, не более:
при 6/КБ =	60	В для	КТ207А ............. 0,05 мкА

при 6/КБ =	30	В для	КТ207Б........ 0,05 мкА

при (/КБ =	15	В для	КТ2О7В............. 0,05 мкА

Обратный ток эмиттера, не более:
при С/эе =	30	В для	КТ207А.............. 1 мкА

при =	15	В для	КТ207Б............. 1 мкА

при -	10	В для	КТ207В............. 1 мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме
Малого сигнала при С/КБ - 5 В, 4 = 1 мА,
Не более.................................. 300 Ом
Емкость коллекторного перехода
при = 5 В, /= 10 МГц, не более............ 10	пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

КТ2О7А............................... 60 В

КТ207Б............................... ЗОВ

КТ207В............................... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
КТ207А............................... 60 В

КТ207Б................................. ЗОВ

КТ207В............................... 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
КТ207А.................................. 30	В

КТ207Б............................... 15	В

КТ207В............................... 10 В

Постоянный ток коллектора............... 10	мА

Импульсный ток коллектора при ги С 100 мкс,
0^5..................................... 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора ................................... 15 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при ти 100 мкс, 0 2 5.............. 50 мВт

Температура р-п перехода................ +100 °С

Температура окружающей среды............ —Д5...+85 СС

При монтаже и эксплуатации транзисторов необходимо
принимать меры по их защите от статического электричества.

2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т2О8Г, 2Т208Д, 2Т208Е,
2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М, КТ208А,
КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж,
КТ208И, КТ208К, КТ2О8Л, КТ208М

гтгови-м) ктхяа-н)

Транзисторы крем-
ниевые эпитаксиально-
планарные структуры
р-п-р. Предназначены
для применения в уси-
лителях и импульсных
устройствах. Выпуска-
ются в металлосте-
клянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается
на корпусе.

Масса транзистора не более 0,6 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
, Брянск.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 1 В, 1Э = 30 мА:
2Т208А, 2Т208Г, 2Т208Ж, 2Т208Л, КТ208А,
КТ208Г, КТ208Ж, КТ208Л................ 20...60

2Т208Б, 2Т208Д, 2Т208И, 2Т208М, КТ208Б,
КТ208Д, КТ208И, КТ208М................... 40... 120

2Т208В, 2Т208Е, 2Т208К, КТ208В, КТ208Е,
КТ208К................................... 20...240

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, не менее:
/э = 5 мА для 2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В,
2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И,
2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М...................... 5 МГц

4 = 10 мА для КТ208А, КТ208Б, КТ208В,
КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж,
КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М........... 5 МГц

Коэффициент шума при = 3 В, /к = 0,2 мА,
Г= 1 кГц, /?г = 3 кОм для КТ208В, КТ208Е,
КТ208К, не более............................ 4 дБ

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 300 мА, /Б = 60 мА, не более:

2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г,
2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И,
2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М................... 0,3 В

КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г,
КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И,
КТ208К, КТ208Л, КТ208М................... 0,4 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 300 мА, /Б = 60 мА, не более........ 1,5 В

Обратный ток коллектор—эмиттер
при 6/кэ = и*э МАКС, /?и = 10 кОм, не более. 1 мкА

Обратный ток эмиттера при 6/^ = 6/ЭБ МАКС,
не более.................................... 1 мкА

Емкость коллекторного перехода, не более:
при (/КБ = 20 В для 2Т208А, 2Т208Б,
2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж,
2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М.......... 35 пФ
при аКБ = 10 В для КТ208А, КТ208Б,
КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж,
КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М ....... 50	пФ

Емкость эмиттерного перехода, не более:
при (/КБ = 20 В для 2Т208А, 2Т208Б,
2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж,
2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М............ 20	пФ

при (/КБ = 0,5 В для КТ208А, КТ208Б,
КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж,
КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М....... 100 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база1:

Т= +25...+125 °С:
2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, КТ208А,
КТ208Б, КТ208В..................... 20 В

2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, КТ208Г,
КТ208Д, КТ208Е...................... 30	В

2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, КТ208Ж,
КТ208И, КТ208К...................... 45	В

2Т208Л, 2Т208М, КТ208Л,	КТ208М.... 60 В

Т = -60 ’С:
2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, КТ208А,
КТ208Б, КТ208В..................... 15 В

2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, КТ208Г, ,
КТ208Д, КТ208Е...................... 25	В

2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, КТ208Ж,
КТ208И, КТ208К...................... 40	В

2Т208Л, 2Т208М, КТ208Л,	КТ208М.... 55 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер’

при /?БЭ < Ю кОм:

Г= +25...+125 ’С:
2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, КТ208А,
КТ208Б, КТ208В..................... 20 В

2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, КТ208Г,
КТ208Д, КТ208Е...................... 30	В

2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, КТ208Ж,
КТ208И, КТ208К...................... 45	В

2Т208Л, 2Т208М, КТ208Л,	КТ208М.... 60 В

Г = -60 ’С:
2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, КТ208А,
КТ208Б, КТ208В..................... 15 В

2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, КТ208Е.... 25 В

1 При снижении температуры от +25 до —60 “С НАКС, 1/кэ ндкс изменяются
линейно
2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, КТ208Ж,
КТ208И, КТ208К..................... 40 В

2Т208Л, 2Т208М, КТ208Л, КТ208М..... 55 В

Постоянное напряжение эмиттер—база’:

Г= +25...+125 ’С:

2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г,

2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И,

2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М, КТ208Ж,
КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М.... 20 В

КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г,
КТ208Д, КТ208Е..................... 10 В

Г= -60 ’С:

2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г,

2Т208Д, 2Т2О8Е, 2Т208Ж, 2Т208И,

2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М, КТ208Ж,
КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М..... 15 В

КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г,
КТ208Д,	КТ208Е.................... 5 В

Постоянный ток	коллектора............... 150	мА

Импульсный ток коллектора при < 0,5 мс,
О > 2.................................... 300	мА

Постоянный ток	базы..................... 60 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора* 2:

Т- -60...+60 ’С...................... 200 мВт

Т=+125’С............................. 50 мВт

Температура р-п перехода................. +150 ’С

Температура окружающей среды............. -60...+ 125 ’С

При снижении температуры от +25 до —60 ’С У* мддс изменяется линейно.

2 При Т > +60 ’С Рк мдкс снижается линейно.

КТ209А, КТ209Б, КТ209Б1, КТ209В, КТ209В1, КТ209В2,
КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К,
КТ209Л, КТ209М

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные с нормированным коэффициентом
шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в уси-
лительных и импульсных мйкромодулях и блоках герметизиро-
ванной аппаратуры, КТ209Б1, КТ209В1 — в блоках ТВ прием-
ников. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выво-
дами в двух вариантах. Транзисторы имеют два варианта мар-
кировки. Вариант 1 — на корпус наносится буква: КТ209А —
А, КТ209Б - Б, КТ209Б1 - Б1, КТ209В - В, КТ209В1 - В1,
КТ209В2 — В2, КТ209Г - Г, КТ209Д — Д, КТ209Е — Е
КТ209Ж — Ж, КТ209И — И, КТ209К — К, КТ209Л — л’
КТ209М — М, вариант 2 — на боковую поверхность корпуса
наносится метка серого цвета и на торце метка: КТ209А —-
темно-красная, КТ209Б — желтая, КТ209В — темно-зеленая,
КТ209Г — голубая, КТ209Д — синяя, КТ209Е — белая,
КТ209Ж — коричневая, КТ209И — серебристая, КТ209К —
оранжевая, КТ209Л — светло-табачная, КТ209М — серая.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Изготовители — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров, акционерное общество открытого
типа «Планета», г. Новгород.

Вариант 2

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при ию = 1 В, 1К = 30 мА:

Т = +25 °С:

КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л...... 20...60

КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М...... 40...120

КТ209В, КТ209Е...................... 80...240

КТ209В2, не менее................... 200

КТ209К.............................. 80... 160

КТ209Б1, не менее................... 12

КТгОЭВ!, не менее................... 30
Т= +100 °С:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л....... 20... 120

КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М.... 40...240

КТ209В, КТ209Е................... 80...480

КТ209В2, не менее................. 200

КТ209К........................... 80...320

КТ209Б1, не менее................. 12

КТ209В1, не менее................. 30

Т= -45 °С:

КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л.... 10...60

КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М.... 20... 120

КТ209В, КТ209Е.................... 40...240

КТ209В2, не менее................. 100

КТ209К............................ 40... 160

КТ209Б1, не менее................. 6

КТ209В1, не менее................. 15

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/КБ = 5 В, /к = 10 мА,
не менее................................ 5 МГц

Коэффициент шума на /= 1 кГц при С4э = 3 В,
4 = 0,2 мА, /?г = 3 кОм:

КТ209В, КТ209Е, КТ209К, не более..... 5 дБ

типовое значение..................... 2,5* дБ

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 300 мА, /Б = 30 мА, не более... 0,4 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 300 мА, /Б = 30 мА, не более.... 1,5 В

Обратный ток эмиттера при 1/ж = 1/эъ МАКС,
не более................................ 1 мкА

Входное сопротивление в режиме малого сиг-
нала в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 5 мА,
Г= 1 кГц................................ 130*...

2500* Ом

Емкость коллекторного перехода
при 64в = Ю В, не более................. 50 пФ

Емкость эмиттерного перехода при 1/ж = 0,5 В,
не более................................ 100 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

при Г= +25...+ 100 °С:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1,
КТ209В1, КТ209В2..................... 15	В

КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е............ 30	В

КТ209Ж, КТ209И, КТ209К............ 45	В

КТ209Л, КТ209М.................... 60	В
при Г = -45 ’С:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1,
КТ209В1, КТ209В2-..................... 10	В

КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е............ 25	В

КТ209Ж, КТ209И, КТ209К............ 40	В

КТ209Л, КТ209М.................... 55	В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при /?БЭ = 10 кОм:

при Г= +25...+100 ’С:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1,
КТ209В1, КТ209В2...................... 15	В

КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е............ 30	В

КТ209Ж, КТ209И, КТ209К............ 45	В

КТ209Л, КТ209М.................... 60	В

при Т - —45 ’С:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1,
КТ209В1, КТ209В2...................... 10	В

КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е............ 25	В

КТ209Ж, КТ209И, КТ209К............ 40	В

КТ209Л, КТ209М.................... 55	В

Постоянное напряжение эмиттер—база:

при Г = +25...100 ’С:
КТ209Б1............................ 5 В

КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г,
КТ209Д, КТ209Е, КТ209В1, КТ209В2 ... 10 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л,
КТ209М............................ 20 В

при Т = —45 ’С:
КТ209Б1............................... 5 В

КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г,
КТ209Д, КТ209Е, КТ209В1, КТ209В2 ... 10 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л,
КТ209М............................ 15 В

Постоянный’ток коллектора.................. 300	мА

Импульсный ток коллектора.................. 500	мА

Постоянный ток базы...................... 100 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:

при Г= —45...+45 ’С.................. 200 мВт

при Т = +100 ’С...................... 62,5 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда..... 0,45 °С/мВт

Температура р-п перехода................. +125 ’С

Температура окружающей среды............. —45...+100 ’С

1 При Т > +45 'С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора уменьшается линейно.
2Т211А-1, 2Т211Б-1, 2Т211В-1

Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры р-п-р усили-
тельные с нормированным
коэффициентом шума. Пред-
назначены для применения
во входных каскадах мало-
шумящих усилителей герме-
тизированной аппаратуры.
Бескорпусные с защитным
покрытием и гибкими выво-
дами. Тип прибора указыва-
ется на возвратной таре.

Масса транзистора не
более 0,01 г.

Изготовитель —
г. Брянск.

акционерное

2Т211(А-1-В-1)

Коллектор

общество «Кремний»

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ = 1 В, /э = 40 мА:

Т= +25 °С:
2Т211А-1............................. 40... 120

2Т211Б-1.......................... 80...240

2Т211В-1.......................... 160...480

Т= +125 °С:
2Т211А-1 ............................ 40...200

2Т211Б-1.......................... 80...400

2Т211В-1.......................... 160...800

Т= -60 °С:
2Т211А-1............................ 20...120

2Т211Б-1.......................... 40...240

2Т211В-1.......................... 80...480

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, /к = 1 мА,
не менее................................. 10 МГц

Коэффициент шума при ЦБ = 5 В, >э - 40 мкА,
Г= 1 кГц, /^ = 10 кОм.................... 0,3*...1,7*...

3 дБ

Граничное напряжение при 4 = 5 мА, не менее 15 В
Обратный ток коллектора при (/КБ = 15 В,
не более:
7"=+25’С................................. 10 нА
Г=+125°С............................ 500 нА

Обратный ток эмиттера при 4/КБ = 5 В,
не более............................... 10 нА

Емкость коллекторного перехода
при = 5 В, (= 10 МГц, не более......... 20 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (Ух = 0,5 В,
/= 10 МГц, не более.................... 15 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база....

Постоянное напряжение эмиттер—база......

Постоянный ток коллектора...............

Импульсный ток коллектора при < 10 мкс,
О? 10...................................

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора':

Т= -60...+35 ’С.....................

Т= +125 ’С..........................

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при ?и < 10 мкс, О > 10............

Температура р-п перехода................

Температура окружающей среды............

15 В
5 В

20 мА

50 мА

25 мВт

5 мВт

50 мВт
+150 “С
-60...+125 ’С

При Т > +35 *С мдкс уменьшается гинеГно.

Зависимость статического
коэффициента передачи
тока от тока коллектора

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
коллектора

Зависимость коэффи-
циента шума от сопро-
тивления генератора

Зависимость коэффи-
циента шума от ча-
стоты
2Т214А9, 2Т214Б9, 2Т214В9, 2Т214Г9,
2Т214Д9, 2Т214Е9, 2Т214А-1, 2Т214Б-1, 2Т214В-1,
2Т214Г-1, 2Т214Д-1, 2Т214Е-1, КТ214А-1, КТ214Б-1,
КТ214В-1, КТ214Г-1, КТ214Д-1, КТ214Е-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р. Предназначены для применения в усилителях и
переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.
Транзисторы 2Т214(А9—Е9) выпускаются в пластмассовом кор-

пусе с жесткими выводами,
2Т214(А—1—Е—1), КТ214(А-1-
Е-1) бескорпусные с гибкими
выводами и защитным покры-
тием. Тип прибора указывается
в этикетке и на таре-спутнике.

Масса транзистора в пласт-
массовом корпусе не более
0,1 г, бескорпусного не более
0,01 г.

Изготовитель — акцио-
нерное общество «Кремний»,
г. Брянск.

2Т2ША-1-Е-1) КТ2и,(А-1-Е-1/

Коллектор

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:

при Т - +25 ;С,	= 5 В, 1з = 10 мА:
2Т214А9, 2Т214А-1, КТ214А-1,
н€ менее	20

2Т214Б9, 2Т214Б—1, КТ214Б-130...90
2Т214В9, 2Т214Г9, 2Т214В-1,
2Т214Г—1, КТ214В-1, КТ214Г-1....... 40...120

6/КБ = 1 В, 4 = 40 мкА, не менее:
2Т214Д9, 2Т214Д-1, КТ214Д-1..... 80

2Т214Е9, 2Т214Е-1, КТ214Е-1........ 40

при Т - Гмин, С/КБ = 5 В, 4 = 10 мА:
2Т214А9, 2Т214А-1, КТ214А-1,
не менее	7

2Т214Б9, 2Т214Б—1, КТ214Б-1’ 10...90
2Т214В9, 2Т214Г9, 2Т214В-1,
2Т214Г-1, КТ214В-1, КТ214Г-1... 15...120

{/КБ = 1 В, 4 = 40 мкА, не менее:
2Т214Д9, 2Т214Д-1, КТ214Д-1..... 25

2Т214Е9, 2Т214Е-1, КТ214Е-1........ 15

при Т - 4<акс> ^кб — 5 В, 4 — ^0 мА:
2Т214А9, 2Т214А-1, КТ214А-1,
не менее........................ 20

2Т214Б9, 2Т214Б-1, КТ214Б-1........ 30...150

2Т214В9, 2Т214Г9, 2Т214В-1,
2Т214Г-1, КТ214В-1, КТ214Г-1... 40...200

= 1 В, 4 = 40 мкА, не менее:
2Т214Д9, 2Т214Д-1, КТ214Д-1...... 80

2Т214Е9, 2Т214Е-1, КТ214Е-1........ 40

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, 4 = 1 мА. 5*...20*...

30* МГц
Постоянная времени цепи обратной связи

на высокой частоте при = 5 В, 4 = 2 мА,
не более................................. 5 нс

типовое значение...................... 1* нс

Коэффициент шума на /- 1 кГц при = 5 В,
4 = 40 мкА, /?г = 10 кОм для 2Т214Д9,
2Т214Д-1, КТ214Д-1....................... 1,8*..3,5* ..

5* дБ
Граничное напряжение при /к = 10 мА,
не менее:

2Т214А9, 2Т214Б9, 2Т214А-1, 2Т214Б-1,
КТ214А-1, КТ214Б-1.................... 80	В

2Т214В9, 2Т214В-1, КТ214В-1........... 60	В

2Т214Г9, 2Т214Г-1, КТ214Г-1........... 40	В

2Т214Д9, 2Т214Д-1, КТ214Д-1........... 30	В

2Т214Е9, 2Т214Е-1, КТ214Е-1 .......... 20	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 10 мА, /Б=1 мА, не более:
2Т214А-1, 2Т214Б-1, 2Т214В-1,
2Т214Г-1, 2Т214Д-1, 2Т214Е-1............... 0,45 В

2Т214А9, 2Т214Б9, 2Т214В9, 2Т214Г9,
2Т214Д9, 2Т214Е9, КТ214А-1, КТ214Б-1,
КТ214В-1, КТ214Г-1, КТ214Д-1,
КТ214Е-1................................ 0,6 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 А, 4 = 1 мА, не более.......... 1,2* В

Обратный ток коллектор—эмиттер
при (4э ~~ ^кэ мако ^бэ — Ом, не более:

Т = +25 °С и Т = Гмин................... 1 мкА

Т — Т’макс.............................. Ю мкА

Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = (Узь МАКС,
не более................................... 10 мкА

Входное сопротивление в режиме малого сиг-

нала при (/кэ = 5 В, /к = 2 мА, 7 = 800 Гц. 1,2*...2,5*...

10* кОм

Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 10 В.......................... 9,5*...	12*...

30 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 0,5 В 9,6*...40*...
100 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 кОм:
2Т214А9, 2Т214А-1, КТ214А-1................ 100 В

2Т214Б9, 2Т214Б-1, КТ214Б-1............. 80	В

2Т214В9, 2Т214В-1, КТ214В-1............. 80	В

2Т214Г9, 2Т214Г-1, КТ214Г-1............. 60	В

2Т214Д9, 2Т214Е9, 2Т214Д-1, 2Т214Е-1,
КТ214Д-1, КТ214Е-1...................... 30 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
2Т214А9, 2Т214А-1, КТ214А-1........... 30 В

2Т214Б9, 2Т214В9, 2Т214Г9, 2Т214Д9,
2Т214Б-1, 2Т214В-1, 2Т214Г-1,
2Т214Д-1, КТ214Б-1, КТ214В-1,
КТ214Г-1, КТ214Д-1...................... 7 В

2Т214Е9, 2Т214Е-1, КТ214Е-1............. 20 В

Постоянный ток коллектора.................. 50 мА

Импульсный ток коллектора при Ги = 10 мкс,
0= 100 .................................... 100
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора':

при Т= Гмин...+25 °С:

2Т214А9, 2Т214Б9, 2Т214В9, 2Т214Г9,

2Т214Д9, 2Т214Е9.................. 200 мВт

2Т214А-1, 2Т214Б-1, 2Т214В-1,
2Т214Г-1, 2Т214Д-1, 2Т214Е-1,
КТ214А-1, КТ214Б—1, КТ214В-1,
КТ214Г-1, КТ214Д-1, КТ214Е-1...... 50 мВт

при Т = ГМАКС:

2Т214А9, 2Т214Б9, 2Т214В9, 2Т214Г9,
2Т214Д9, 2Т214Е9.................. 80 мВт

2Т214А-1, 2Т214Б—1, 2Т214В-1,
2Т214Г-1, 2Т214Д-1, 2Т214Е—1,
КТ214А-1, КТ214Б-1, КТ214В-1,
КТ214Г-1, КТ214Д-1, КТ214Е-1...... 20 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда:

2Т214А9, 2Т214Б9/2Т214В9, 2Т214Г9,
2Т214Д9, 2Т214Е9...................... 0,5 ”С /м Вт

2Т214А-1, 2Т214Б-1, 2Т214В-1,
2Т214Г-1, 2Т214Д-1, 2Т214Е-1,
КТ214А-1, КТ214Б-1, КТ214В-1,

КТ214Г-1, КТ214Д-1, КТ214Е-1.......... 2 °С/мВт

Температура р-л перехода................. +125 °С

Температура окружающей среды:

2Т214А9, 2Т214Б9, 2Т214В9, 2Т214Г9,
2Т214Д9, 2Т214Е9 ..................... -60...+85 °С

2Т214А-1, 2Т214Б-1, 2Т214В-1,

2Т214Г-1, 2Т214Д-1, 2Т214Е-1 ......... -60...+100 °С

КТ214А-1, КТ214Б-1, КТ214В-1,

КТ214Г-1, КТ214Д-1, КТ214Е-1 ......... -45,..+85 °С

’ При Г > 4-25 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора уменьшается линейно.

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от ча-
стоты

/??/?

001 01	1 /3'МА

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка эмиттера
Зависимости электрических параметров от токов и частоты
для 2Т214(А9—Е9) аналогичны зависимостям для 2Т214(А—1—
Е-1).

КТ216А, КТ216Б, КТ216В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в

усилителях, генерато-
рах, стабилизаторах на-
пряжения и тока, им-
пульсных устройствах.
Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с
жесткими выводами. Тип
прибора указывается в
этикетке.

Масса транзистора
не более 0,1 г.

Изготовитель — ак-
ционерное общество от-
крытого типа «Элеке»,
г. Александров.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, А = 1 мА:

КТ216А............................... 9...50

КТ216Б............................. 30...150

КТ216В............................... 30...200

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/КБ = 5 В, /э = 1 мА,
не менее................................ 25 МГц

Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее:

КТ216А............................... 60	В

КТ216Б............................... 30	В

КТ216В............................... 15	В

Емкость коллекторного перехода
при (/КБ - 5 В, не более................ 10	пф

Обратный ток коллектора при	МАКС,

не более................................ 1 мкА
Обратный ток эмиттера при иэь = МАКС,
не более................................ 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ216А............................... 60 В

КТ216Б............................... 30 В

КТ216В............................... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при /?БЭ = 2 кОм:
КТ216А............................... 60 В

КТ216Б................................. ЗОВ

КТ216В............................... 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
КТ216А.................................. 30	В

КТ216Б............................... 15	В

КТ216В............................... 10	В

Постоянный ток коллектора............... 10	мА

Импульсный ток коллектора при ?и = 1 мкс,
□ = 10.................................. 20	мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора’:

при Т = —60...+25 °С................. 75 мВт

при Т = +85 °С....................... 30 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-

тора’ при Ги = 1 мкс, 0= 10:

при Т= -60...+25 °С.................. 100 мВт

при Т = +85 °С....................... 75 мВт

Температура р-п перехода................ +125 °С

Температура окружающей среды............ —60...+85 ’С

При Т > +25 °С максимально допустимые постоянная и импульсная
рассеиваемые мощности коллектора уменьшаются линейно.

Выходные характери- Выходные характери- Выходные характери-
стики	стики	стики
Входные характери-
стики

Зона возможных поло-
жений зависимости мак-
симально допустимого
постоянного напряжения
коллектор—эмиттер от
сопротивления база—
эмиттер

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка эмиттера

Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера

Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера

КТ218А9, КТ218Б9, КТ218В9,
КТ218Г9, КТ218Д9, КТ218Е9

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилителях, генераторах и импульсных устройствах в составе
гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
КТ 2181А9-Е9,

Масса транзистора
не более 0,1 г.

Изготовитель — ак-
ционерное общество от-
крытого типа «Элеке»,
г. Александров.

Электрические параметры

Статич ский коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = Ю мА
для КТ218А9, КТ218Б9, КТ218В9, КТ218Г9
и У№= 1 В, /э = 0,04 мА для КТ218Д9,
КТ218Е9:

КТ218А9, не менее.................... 20

КТ218Б9.............................. 30...90

КТ218В9, КТ218Г9..................... 40...120

КТ218Д9, не менее.................... 80

КТ218Е9, не менее.................... 40

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, /э = 1 мА,
не менее................................ 5 МГц

Граничное напряжение при 4 = 10 мА,
не менее:

КТ218А9, КТ218Б9..................... 80	В

КТ218В9.............................. 60	В

КТ218Г9.............................. 40	В

КТ218Д9.............................. ЗОВ

КТ218Е9.............................. 20	В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА,	4=1	мА, не более........ 0,6	В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 = 1 мА, не более...... 1,2 В

Емкость коллекторного перехода

при (/КБ = 10 В, не более............... 15 пФ
Емкость эмиттерного перехода при С/ж = 0,5 В,
не более............................... 20 пФ

Обратный ток коллектор—эмиттер

при /?бэ =10 кОм, не более:
КТ218А9 при 1/^ =	100 В............. 1	мкА

КТ218Б9 при =	90 В.............. 1	мкА

КТ218В9 при (/и =	80 В.............. 1	мкА

КТ218Г9 при (/кэ =	60 В............. 1	мкА

КТ218Д9, КТ218Е9	при (/ю = 30 В.... 1	мкА

Обратный ток эмиттер—база при УЭБ = (/ЭБ МАКС,
не более............................... 10 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при /?БЭ = 10 кОм:
КТ218А9, КТ218Б9.................... 80 В

КТ218В9............................. 60 В

КТ218Г9............................. 40 В

КТ218Д9............................. ЗОВ

КТ218Е9............................. 20 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
КТ218А9............................. 30 В

КТ218Б9, КТ218В9,	КТ218Д9........... 7 В

КТ218Е9............................. 20 В

Постоянный ток коллектора.............. 50 мА

Импульсный ток коллектора при Ги = 10 мс,
0= 100 ................................ 125 мА

Постоянный ток базы.................... 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Т = —60...+25 °С............. 200 мВт

Температура р-п перехода............... +125 °С

Тепловое сопротивление переход—среда... 500 °С/Вт

Температура окружающей среды........... —60...+85 °С

1 При Т > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле

Р< накс = (125 - П/500, Вт.

Пайку выводов рекомендуется проводить с применением
лудящих паст и припоев на расстоянии не менее 0,15 мм от
корпуса транзистора, время пайки не более 4 с, температура
пайки не более +265 °С.
Входные характери-
стики

Зона возможных поло-
жений зависимости на-
пряжения насыщения
база—эмиттер от тока
коллектора

Зона возможных поло-
жений зависимости на-
пряжения насыщения
коллектор—эмиттер
от тока коллектора

Выходные характеристики

Выходные характеристики

Выходные характеристики

Зона возможных положений
зависимости напряжения на-
сыщения коллектор—эмит-
тер от тока базы
ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г

Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р уси-
лительные. Предназначены для применения в выходных каска-
дах усилителей низкой частоты. Выпускаются в металлосте-
клянном корпусе с гибкими выводами в двух вариантах. Тип
прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора: вариант 1 — не более 5 г, вариант
2 — не более 2 г.

Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.

П4В21А-Г)

Вариант 1

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 1 В, 4 = 3 мА:

ГТ402А, ГТ402В........................ 30...80

ГТ402Б, ГТ402Г........................ 60... 150

Граничная частота коэффициента передачи

тока в схеме ОЭ при = 1 В, 4 = 3 мА,
не менее................................. 1 МГц

Коэффициент линейности

= (Лцэ при 4 = 3 мА)/(Лз,э при 4 = 300 мА).. 0,7...1,4
Прямое падение напряжения на эмиттерном
переходе при отключенном коллекторе

и /э = 2 мА, не более ....'........................... 0,3	В

Обратный ток коллектора при (/КБ = 10 В,
не более............................................... 20	мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Ябэ С 200 Ом:
ГТ402А, ГТ402Б.......................... 25 В

ГТ402В, ГТ402Г....................... 40 В

Постоянный ток коллектора............... 0,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора1 при Т - +25 °С:
вариант 1 .............................. 0,6 Вт

вариант 2............................ 0,3 Вт

Тепловое сопротивление переход—среда:
вариант 1............................... 0,1 °С/мВт

вариант 2............................ 0,15 °С/мВт

Температура р-п перехода................ +85 °С

Температура окружающей среды............ —40...+55 °С

’ При Т = +25...+55 ’С Рк МАКС определяется по формуле
Як макс ~ (85 ~ П т-о» м$т*

Допускается соединять выводы транзисторов с элемента-
ми схемы не ближе 5 мм от корпуса транзистора любым
способом (пайкой, сваркой и т. п.) при условии соблюдения
следующих требований: за все время соединения температура
в любой точке корпуса транзистора не должна превышать
максимально допустимую температуру окружающей среды.

Температура пайки не должна

входные характеои-
стики

превышать +285 °С.

Не рекомендуется работа
транзисторов при рабочих то-
ках, соизмеримых с неуправля-
емыми обратными токами во
всем диапазоне температур.

При включении транзисто-
ров в электрическую цепь кол-
лекторный вывод должен при-
соединяться последним и отсо-
единяться первым.
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость сопротив-
ления насыщения от то-
ка базы

Зависимость обратно-
го тока коллектора
от температуры

1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д, 1Т403Е,
1Т403Ж, 1Т403И, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г,
ГТ4ОЗД, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И, ГТ403Ю

Транзисторы германиевые сплавные структуры р-п-р уси-
лительные. Предназначены для применения в переключающих
устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты,
преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Выпус-
каются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 4 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Запорожье.

1Г103(А-И). ГиОЗ(А-Ю)

92

3
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 1 В, /э = 0,45 А для
1Т403Е, ГТ403Е, 1Т403И, ГТ403И, не менее. 30

Изменение статического коэффициента пере-
дачи тока в схеме ОЭ 1Т403Е, 1Т403И
при С/К5 = 1 В, /э = 0,45 А, не более:

при 7=+70’С........................... ±30%

при 7=-60’С........................... -40%

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, /э = 0,1 А,
не менее................................. 8 кГц

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при С/КБ = 5 В, /э = 0,1 А,
!= 50...300 Гц:

1Т403А, 1Т403В, 1Т403Ж, ГТ403А, ГТ403В,
ГТ403Ж................................ 20...60

1Т403Б, 1Т403Г, 1Т403Д, ГТ403Б, ГТ403Г,

ГТ403Д................................ 50.,. 150

ГТ403Ю................................ 30...60

Изменение коэффициента передачи тока в ре-
жиме малого сигнала 1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В,
1Т403Г, 1Т403Д, 1Т403Ж при = 5 В,
/э = 0,1 А, 1- 50...300 Гц, не более:

при 7=+70’С........................... ±30%

при 7=-60’С........................... -50%

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 0,5 А, /Б = 0,05 А, не более.... 0,5 В

Напряжение насыщения база—эмиттер

при /к = 0,5 А, /Б = 0,05 А, не более.... 0,8 В

«Плавающее» напряжение эмиттер—база при
и№ = 45 В для 1Т403А, 1Т403Б, при 6/№ = 60 В
для 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д, 1Т403Е, при
б/КБ = 80 В для 1Т403Ж, 1Т403И, 7= +70 ’С,
не более................................. 0,3 В

Обратный ток коллектора при С/КБ = С/КБ МАКС,
не более:

7- +25 ’С:

1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г,
1Т403Д, 1Т403Е, ГТ403А, ГТ403Б,
ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е,
ГТ403Ю............................. 50 мкА

1Т403Ж,	1Т403И, ГТ403Ж, ГТ403И.... 70 мкА

7':+70’С.............................. 800 мкА
Обратный ток эмиттера при (/БЭ = 20 В для
1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Е,
ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Е,
ГТ403Ю; (/Бэ = 30 В для 1Т403Д, ГТ403Д,
не более:

Т = +25 °С:

1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г,
1Т403Д, 1Т403Е, ГТ403А, ГТ403Б,
ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е,
ГТ403Ю............................50	мкА

1Т403Ж, 1Т403И,	ГТ403Ж, ГТ403И.... 70	мкА

Т = +70 °С............................ 80	мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при С/Кэ = 6/кэ. МАКС*

1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д,
1Т403Е, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г,
ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ю................ 5 мА

1Т403Ж, 1Т403И, ГТ403Ж, ГТ403И....... 6 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
1Т403А, 1Т403Б, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403Ю 30 В
1Т403В, 1Т403Е, ГТ403В, ГТ403Е, 1Т403Г,
1Т403Д, ГТ403Г, ГТ403Д................... 45 В

1Т403Ж, 1Т403И, ГТ403Ж, ГТ403И ....... 60 В

Постоянное напряжение коллектор—база:

1Т403А, 1Т403Б, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403Ю 45 В
1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д, 1Т403Е, ГТ403В,
ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е................ 60 В

1Т403Ж, 1Т403И, ГТ403Ж, ГТ403И ....... 80 В

Постоянное напряжение	эмиттер—база....... 20 В

1Т403Д, ГТ403Д........................ 30 В

Постоянный ток коллектора................ 1,25 А

Постоянный ток базы...................... 0,4 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

с теплоотводом........................ (85—7*К)//?Т(П_К),

Вт

без теплоотвода..................... (85-7^)//?^^,.

Вт

Тепловое сопротивление переход—корпус.... 15 °С/Вт

для 1Т403В, 1Т403Е, ГТ403В, ГТ403Е.... 12 °С/Вт

Тепловое сопротивление переход—среда..... 100 °С/Вт
Температура р-п перехода.............-.... +85 ’С

Температура окружающей среды:

1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д,

1Т403Е, 1Т403Ж, 1Т403И................ -60...+70 ’С

ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ4ОЗГ, ГТ403Д,
ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И, ГТ403Ю........ -55...+7О ’С

Изгиб и пайка транзисторов допускается не ближе 3 мм от
корпуса с температурой жала паяльника не более +260 ’С в
течение 3 с и групповым или механизированным способом при
температуре припоя не более +260 ’С в течение 5 с.

Входные характери-
стики

Входные характери-
стики

Зависимость тока эмит-
тера от напряжения
база—эмиттер

Зависимость тока эмит-
тера от напряжения
база—эмиттер

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

0 0.04 0.08 012 0.16 /к .А

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка коллектора
ГТ405А, ГТ4О5Б, ГТ405В, ГТ405Г

Транзисторы германиевые
сплавные структуры р-п-р уси-
лительные. Предназначены для
применения в выходных каска-
дах усилителей низкой часто-
ты. Выпускаются в пластмас-
совом корпусе с гибкими вы-
водами. Тип прибора указыва-
ется на корпусе.

Масса транзистора не бо-
лее 1 г.

Изготовитель — акционер-
ное общество «Кремний»,
г. Брянск.

ГП051А-Г)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 1 В, /э = 3 мА:

Т= +25 °С:

ГТ405А, ГТ405В.................... 30...80

ГТ405Б, ГТ405Г.................... 60...150

Т= +55 °С:

ГТ405А, ГТ405В.................... 30... 160

ГТ405Б, ГТ405Г.................. 60...300

Т= -40 °С:
ГТ405А, ГТ405В....................... 15...80

ГТ405Б, ГТ405Г.................... 30... 150

Предельная частота коэффициента передачи
тока при С/ю = 1 В, /э = 3 мА, не менее.. 1 МГц

Прямое падение напряжения на эмиттер—база
при /Б = 2 мА и отключенном коллекторе,
не более................................. 0,35 В

Обратный ток коллектора при ЦуЪ = 10 В,
не более................................. 25 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ < 200 Ом:

ГТ405А, ГТ405Б........................ 25 В

ГТ405В, ГТ405Г........................ 40 В

Постоянный ток коллектора................ 0,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т = —40...+25 °С............... 0,6 Вт
Тепловое сопротивление переход—среда..... 0,1 °С/мВт

Температура р-п перехода................. +85 °С

Температура окружающей среды............. —40...+55 °С

’ При Т - +25...+55 'С Рц НАКС определяется по формуле
Рк МАКС = (85 - Г)/0,1, мВт.

Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления не менее 1,5 мм, пайка
выводов — не ближе 10 мм. Обрезка выводов запрещается.

Зависимость тока эмит-
тера от напряжения ба-
за—эмиттер

Входные характери-
стики

Входные характери-
стики

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

Зависимость макси-
мально допустимого
напряжения коллек-
тор—эмиттер от тем-
пературы

Зависимость обратного
тока коллектора от
температуры

Зависимость максимально допу-
стимого напряжения коллектор—
эмиттер от сопротивления база-
эмиттер
Раздел четвертый

Транзисторы маломощные высокочастотные

Транзисторы п-р-п

2Т301Г, 2ТЗО1Д, 2ТЗО1Е, 2Т301Ж,
КТЗО1Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж

Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п уни-
версальные. Предназначены для применения в усилителях и
генераторах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гиб-
кими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.

2Т30КГ-Ж). КТЗОКГ-Ж)

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при С/КБ = 10 В, /э = 3 мА, (- 1 кГц:

Т= +25 °С:
2Т301Г, КТ301Г............................ 10...32

2Т301Д, КТ301Д......................... 20...60

2Т301Е, КТ301Е......................... 40...120

2Т301Ж, КТ301Ж......................... 80...300
Т = —60 °С, не	менее-

2Т301Г............................ 5

2Т301Д............................ 8

2Т301Е............................ 14

2Т301Ж............................ 20

Г = +125 °С для	2Т301Г-2Т301Ж......... Л21Э=(0,8...3)Л21Э

(7 = +25 °С)

Граничная частота коэффициента передачи
тока при С/КБ = 10 В, 4 = $ мА, не менее. 30 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при С/КБ = 10 В, /э = 3 мА,
( = 2 МГц, не более:

2Т301Г, 2Т301Д, КТ301Г, КТ301Д........ 4,5 нс

2Т301Е, 2Т301Ж, КТ301Е, КТ301Ж........ 2 нс

Время рассасывания при /Б, = /ы = 1 мА,
/к = 10 мА, 1 кГц, 4, < 10 мкс, не более:
2Т301Г, 2Т301Д, КТ301Г, КТ301Д........... 5 мкс

2Т301Е, 2Т301Ж, КТ301Е, КТ301Ж........ 8 мкс

Граничное напряжение при 4 = 10 мА,
/и = 5 мкс, не менее:

2Т301Г, 2Т301Д........................ 30 В

2Т301Е, 2Т301Ж........................ 20 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /Б = 1 мА, 4 = 10 мА, /= 50 Гц, 4 = 2 мкс,
не более................................. 3 В

Обратный ток коллектора, не более:
при 7 = +25 "С, ЦБ = 20 В для 2Т301Е,
2Т301Ж.................................... 5 мкА

УКБ = 30 В для 2Т301Г, 2Т301Д, КТ301Г,
КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж................ 5 мкА

при Т= -60 °С, б/КБ = 20 В для 2Т301Е,
2Т301Ж................................ 5 мкА

при 7=+125 °С, Чб= Ю В
для 2Т301Г-2Т301Ж..................... 50 мкА

Обратный ток эмиттера при 4/ЭБ = 3 В,
не более:

2Т301Г-2Т301Ж......................... 50 мкА

КТ301Г-КТ301Ж......................... 10 мкА

Выходная полная проводимость
в режиме малого сигнала при холостом ходе
при 4/кб = 10 В, /э = 3 мА, /= 1 кГц, не более. 3 мкСм
Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = Ю В, не более................. 10 пФ

Емкость эмиттерного перехода
при иэь - 0,5 В, не более................ 80 пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т301Г, 2Т301Д, КТ301Г-КТ301Ж...... 30 В

Т301Е, 2Т301Ж..................... 20 В

По тоянное напряжение коллектор—эмиттер:

2Т301Г, 2Т301Д, КТ301Г-КТ301Ж...... 30	В

2Т301Е, 2Т301Ж..................... 20	В

Постоянное напряжение эмиттер—база.... 3 В

Постоянный ток коллектора............. 10	мА

Постоянный ток эмиттера............... 10	мА

Импульсный ток коллектора при < 1 мкс,
О > 2................................. 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора1:
при Т < +60 °С........................ 150 мВт

при Г = +125 °С для 2Т301Г-2Т301Ж.. 42 мВт

при Т= +85 °С для КТ301Г-КТ301Ж.... 58 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.. 0,6 °С/мВт

Температура р-п перехода:
2Т301Г-2Т301Ж......................... +150 °С

КТ301Г-КТ301Ж...................... +120 °С

Температура окружающей среды:
2Т301Г-2Т301Ж......................... -60...+125	°С

КТ301Г-КТ301Ж...................... -40...+85	°С

При повышении температуры мощность снижается линейно.

Расстояние от корпуса транзистора до места пайки не
менее 5 мм, температура пайки +260 °С, время пайки не
более 5 с.

Выходные характери-
стики

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от напря-
жения коллектор—база
КТ302А

Транзистор кремниевый планарный структуры п-р-п усили-
тельный маломощный с нормированным коэффициентом шума
на частоте 1 кГц. Предназначен для применения в предвари-
тельных каскадах усилителей низкой частоты. Выпускается в
металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.

КТ302А

Электрические параметры

Коэффициент шума при = 1 В, = 0,1 мА,
/= 1 кГц, не более.....................

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала.при Цэ = 1 В, /э = 0,1 мА......

Обратный ток коллектора при = 15 В,
не более...............................

Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более.........................™.....

7 дБ

110...250

1 мкА

1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бз = 100 Ом....................... 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Постоянный ток коллектора............... 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т < +50 °С..................... 100 мВт

Температура окружающей среды............ —45...+85 ’С
2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В, КТ312А, КТ312Б, КТ312В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
переключающих устройствах, усилителях и генераторах. Вы-
пускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1 г.

Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.

2Т3121А-В) КТ312ГА-В)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 2 В, /э = 20 мА,
0= 10...100, Г = 50...1000 Гц:

Т= +25 ’С:
2Т312А................................... 12...100

КТ312А................................ 10... 100

2Т312Б, КТ312Б........................ 25... 100

2Т312В................................ 50...250

КТ312В................................ 50...280

Т= -60 ’С:
2Т312А................................... 8... 100

2Т312Б............................... 15...100

2Т312В................................ 25...250

Т= +125 ’С:
2Т312А................................... 12...200

2Т312Б................................ 25...200

2Т312В................................ 50...500

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при </КБ = 10 В, 4 ~ 5 мА,
не менее:
2Т312А, КТ312А................................ 80 МГц
2Т312Б, 2Т312В, КТ312Б, КТ312В........ 120 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи

при и№ = 10 В, /э = 5 мА, Г= 2 МГц, не более .. 500 пс
Время рассасывания при /н = 10 мА,
/Б, = 4г = 2 мА, не более:

2Т312А, КТ312А........................ 100 нс

2Т312Б, 2Т312В, КТ312Б, КТ312В........ 130 нс

Граничное напряжение при /э = 7,5 мА,
не менее:

2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В................. 30	В

КТ312А, КТ312В......................... 20	В

КТ312Б................................. 35	В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 20 мА, /Б = 2 мА, не более:

2Т312А, 2Т312Б........................ 0,5 В

2Т312В................................ 0,35 В

КТ312А, КТ312Б, КТ312В................ 0,8 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 20 мА, /Б = 2 мА, не более...... 1,1 В

Напряжение между базой и эмиттером в пря-
мом направлении при /э = 0,2 мА для 2Т312А,
2Т312Б, 2Т312В, не менее................. 0,55 В

Обратный ток коллектора, не более:

при Г = +25 ’С, </КБ = 30 В для 2Т312А,
2Т312Б, 2Т312В........................ 1 мкА

при икь = 20 В для КТ312А, КТ312В..... 10 мкА

при икь = 35 В для КТ312Б............. 10 мкА

при Т = —60 ’С, 6/КБ = 30 В для 2Т312А,
2Т312Б, 2Т312В........................ 1 мкА

при Т= +125 ’С, </КБ = 30 В для 2Т312А,
2Т312Б, 2Т312В........................ 10 мкА

Обратный ток эмиттера при изь = 4 В, не более 10 мкА
Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 10 В, не более................ 5 пФ

Емкость эмиттерного перехода при 1УЭЬ = 1 В,
не более................................. 20 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В................. 30	В

КТ312А, КТ312В......................... 20	В

КТ312Б................................. 35	В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ « 100 Ом:

2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В................ 30 В
КТ312А, КТ312В...................... 20	В

КТ312Б.............................. 35	В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В

Постоянный ток коллектора.............. 30	мА

Импульсный ток коллектора при /и С 1 мкс,
ОЪ 10.................................. 60	мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

при ГС +25 ’С для КТ312А, КТ312Б,
КТ312В и ГС +60 ’С для 2Т312А, 2Т312Б,
2Т312В................................. 225 мВт

при Г= +85 ’С для КТ312А, КТ312Б,
КТ312В................................. 75 мВт

при Г= +125 ’С для 2Т312А, 2Т312Б,
2Т312В................................. 62,5 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при С 1 мкс, О ? 10:
при Г С +60 ’С............................ 450 мВт

при Г= +125 ’С для 2Т312А, 2Т312Б,
2Т312В................................. 287,5	мВт

Температура р-п перехода:
КТ312А, КТ312Б, КТ312В.................... +115’С

2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В................. +150	’С

Тепловое сопротивление переход—среда...... 0,4 °С/мВт

Температура окружающей среды:

КТ312А, КТ312Б, КТ312В................. -40...+85 ’С

2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В................. -60...+125 ’С

При давлении 6,7 ГПа (5 мм рт. ст.) мощность коллектора транзисторов
2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В равна 75 мВт.

Расстояние от корпуса транзистора до места пайки не
менее 5 мм, температура пайки не выше +260 ’С, время пайки
не более 5 с.

Зависимости статического
коэффициента передачи
тока от тока коллектора

Зависимости статического
коэффициента передачи
тока от температуры
Зона возможных поло-
жений зависимости об-
ратного тока коллекто-
ра от температуры

Зависимости емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения

Зависимость напряже-
ния коллектор—эмит-
тер от сопротивления
база—эмиттер

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д,
КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Р

Транзисторы кремние
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры п-р-п усили-
тельные. Предназначены
для применения в усилите-
лях высокой, промежуточ-
ной и низкой частоты. Вы-
пускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывает-
ся в этикетке, а также на
корпусе прибора в виде бук-
вы соответствующего типо-
номинала.

Масса транзистора не более 0,18 г.

Изготовители — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск, Нальчикский завод полупроводниковых приборов,
г. Нальчик, завод при НИИПП, г. Томск.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при (/^ = 10 В, /к = 1 мА:
КТ315А, КТ315В............................. 30...120
КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е............... 50...350

КТ315Д............................... 20...90

КТ315Ж............................... 30...250

КТ315И, не менее..................... 30

КТ315Р............................... 150...350

Граничная частота коэффициента передачи
тока при 64э = 10 В, 4	=	1	мА, не менее. 250 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при и№ = 10 В, 4 = 5 мА, не более:

КТ315А............................... 300 пс

КТ315Б, КТ315В,	КТ315Г, КТ315Р...... 500 пс

КТ315Д, КТ315Е,	КТ315Ж.............. 1000 пс

КТ315И............................... 950 пс

Граничное напряжение при 4 = 5 мА,
не менее:

КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж............... 15 В

КТ315В, КТ315Д, КТ315И............... 30 В

КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р............... 25 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 20 мА, 4 = 2 мА, не более:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р 0,4	В

КТ315Д, КТ315Е....................... 0,6	В

КТ315Ж............................... 0,5	В

КТ315И............................... 0,9	В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 20 мА, 4 = 2 мА, не более:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р 1 В

КТ315Д, КТ315Е....................... 1,1В

КТ315Ж............................... 0,9 В

КТ315И............................... 1,3 В

Обратный ток коллектора при <46 = 10 В,
не более................................ 1 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер

при /?бэ = 10 кОм, 64э = 64э мако не более:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,
КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р............... 1 мкА

КТ315Ж............................... 10 мкА

КТ315И............................... 100 мкА

Обратный ток эмиттера при = 5 В для
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д,
КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Р, не более.. 50 мкА

Входное сопротивление при 64э = 10 В,
4=1 мА, не менее........................ 40 Ом

Выходная проводимость при (4э = 10 В,

4 = 1 мА, не более...................... 0,3 мкСм
Емкость коллекторного перехода
при икь = 10 В, не более:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,

КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р.............. 7 пФ

КТ315Ж, КТ315И...................... 10 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при /?БЭ = 10 кОм:
КТ315А................................... 25	В

КТ315Б, КТ315Ж........................ 20	В

КТ315В, КТ315Д........................ 40	В

КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р................ 35	В

К.Т315И............................... 60	В

Постоянное напряжение	база—эмиттер....... 6 В

Постоянный ток коллектора:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,
КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р................ 100 мА

КТ315Ж, КТ315И........................ 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора при Т С +25 °С:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,
КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р................ 150 мВт

КТ315Ж, КТ315И........................ 100 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда..... 0,67 °С/мВт

Температура р-п перехода................. +120 °С

Температура окружающей среды............. —60...+100 °С

Допускается эксплуатация транзисторов в режиме Рк =
= 250 мВт при </КБ = 12,5 В, 4 = 20 мА.

Ш1ЯБЛ)				
кши				
		1Ш		
				
				

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора

	КП151БГЯ)			
ЫО/,				
				
				
				

Зависимость напряже-
ния насыщения база-
эмиттер от тока базы
2Т317А-1, 2Т317Б-1, 2Т317В-1,
КТ317А-1, КТ317Б—1, КТ317В-1

Транзисторы кремниевые

эпитаксиально-планарные
структуры п-р-п универсаль-
ные. Предназначены для при-
менения в усилителях высо-
кой и низкой частоты, пере-
ключающих и импульсных
устройствах герметизирован-
ной аппаратуры. Бескорпус-
ные с гибкими выводами и
защитным покрытием. Поме-

2Т317(А-1-В-1}. КТ31ХА-1-В-’,

13

База Эмиттер Коллектор

щаются в возвратную тару,
позволяющую производить
измерение электрических параметров без извлечения из нее
транзисторов. Тип прибора и маркировочная точка коллектора
приводятся на крышке возвратной тары.

Масса транзистора не более 0,01 г.

Изготовитель — Нальчинский завод полупроводниковых
приборов, г. Нальчик.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 7/кэ = 1 В, /э = 1 мА:

' Т = +25 ’С:
2Т317А-1, КТ317А-1..................... 25...75

2Т317Б-1, КТ317Б-1............... 35...120

2Т317В-1, КТ317В-1.............. 80...250

Г = +85 ’С'
2Т317А-1, КТ317А-1 ................ 25...225

2Т317Б-1, КТ317Б-1.............. 35...360

2Т317В-1, КТ317В-1.............. 80...750

Т = -60 ’С:
2Т317А-1, КТ317А-1.................. 9...75

2Т317Б-1, КТ317Б-1.............. 15...120

2Т317В-1, КТ317В-1.............. 25...250

Граничная частота коэффициента передачи
тока при икэ = 1 В, /к = 3 мА, не менее. 100 МГц

Время рассасывания при 13кэ = 3 В, /к = 3 мА,
/Б. =	= 1 мА, не более.................. 130	нс
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б = 1,7 мА для 2Т317А—1,
КТ317А-1; /Б = 1 мА для 2Т317Б-1,
КТ317Б-1; /Б = 0,7 мА для 2Т317В-1,
КТ317В-1, не более..................... 0,3 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 = 1 мА для 2Т317А—1,
КТ317А-1; /Б = 0,6 мА для 2Т317Б-1,
КТ317Б-1; /Б = 0,4 мА для 2Т317В—1,
КТ317В—Ъ не более...................... 0,85 В

Постоянное напряжение эмиттер—база
при = 2,5 В, /э = 0,05 мА, не менее.... 0,5 В

Обратный ток коллектора при </КБ = 5 В,
не более:

7=+25 °С........................... 1 мкА

7=+85 "С........................... 10 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при 64э = 5 В, Ябэ = 3 кОм, не более... 3 мкА

Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 3,5 В,
не более............................... 10 мкА

Постоянный ток базы при 1}^ = 0,8 В.... 130...460 мкА

Емкость коллекторного перехода
при </КБ = 1 В, не более............... 11 пФ

Емкость эмиттерного перехода при </ЭБ = 1 В,
не более............................... 22 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянные напряжения коллектор—база,
коллектор—эмиттер при /?БЭ = 3 кОм...... 5 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3,5 В

Постоянный ток коллектора............... 15 мА

Импульсный ток коллектора при 7И С 10 мкс,
О > 10, 4, 2= 100 нс.................... 45 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 7 С +40 °С..................... 15 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при $ 10 мкс, О 10, 1ф > 100 нс,
7 =+25 °С............................... 100 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 4 °С/мВт

Температура р-п перехода................ +100 °С

Температура окружающей среды............ —60...+85 °С
2Т336А, 2Т336Б, 2Т336В, 2Т336Г, 2Т336Д, 2Т336Е,
КТ336А, КТ336Б, КТ336В, КТ336Г, КТ336Д, КТ336Е

Транзисторы крем-

чиевые эпитаксиально-
планарные структуры
п-р-п переключатель-
ные. Предназначены
для применения в пе-
реключающих и им-
пульсных устройствах
герметизированной ап-
паратуры. Бескорпус-
ные с твердыми выво-
дами без кристалло-
держателя. Тип прибо-

2ЕЗЗб(А-Е) КТ3361А-Е/

ра указывается на групповой таре. Транзисторы помещаются в
специальную герметичную тару с влагопоглотителем, обеспечи-
вающим относительную влажность внутри тары не более 65%,

а затем укладываются в групповую тару.

Масса транзистора не более 0,"0005 г.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 1 В, /к = 10 мА:

Т= +25 °С:
2Т336А, 2Т336Г, КТ336А,	КТ336Г..... 20...60

2Т336Б, 2Т336Д, КТ336Б,	КТ336Д...... 40...120

2Т336В, 2Т336Е, КТ336В, КТ336Е,
не менее.............................. 80

Т = +85 °С:
2Т336А, 2Т336Г, КТ336А,	КТ336Г.. 20...120

2Т336Б, 2Т336Д, КТ336Б,	КТ336Д...... 40...240

2Т336В, 2Т336Е, КТ336В, КТ336Е,
не менее.............................. 80

Т= -55 °С:
КТ336А, КТ336Г....................... 8...60

КТ336Б, КТ336Д....................... 16...120

КТ336В, КТ336Е, не менее.............. 32

Т= -60 °С:
2Т336А, 2Т336Г........................... 3...60

2Т336Б, 2Т336Д........................ 16...120

5—73 А
2Т336В, 2Т336Е, не менее......... 32

Граничная частота коэффициента передачи
тока при Уцэ = 2 В, 4 = 5 мА, не менее:

2Т336А, 2Т336Б, 2Т336В, КТ336А, КТ336Б,
КТ336В............................... 250 МГц

2Т336Г, 2Т336Д, 2Т336Е, КТ336Г, КТ336Д,
КТ336Е............................... 450 МГц

Время рассасывания при /к = 10 мА,
4, = !ы ~ 1 мА, не более:

2Т336А, 2Т336Б,	КТ336А, КТ336Б....... 30 нс

2Т336В, КТ336В....................... 50 нс

2Т336Г, 2Т336Д, 2Т336Е, КТ336Г, КТ336Д,
КТ336Е............................... 15 нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б = 1 мА, не более..... 0,3 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 10 мА, 4 ~ 1 МА, не более....... 0,9 В

Напряжение отпирания при ию = 1 В,
/э = 0,05 мА, не более.................. 0,55 В

Обратный ток коллектора при 1/КБ = 10 В,
не более:

Т = +25 °С и Т = Гмин................ 0,5 мкА

Т = +85 “С........................... 10 мкА

Обратный ток эмиттера при </ЭБ = 4 В,
не более................................ 1 мкА

Емкость коллекторного перехода
при </КБ = 5 В, не более................ 5 пФ

Емкость эмиттерного перехода при иьз = 0,
не более................................ 4 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянные напряжения коллектор—эмиттер
при /?бэ $ 3 кОм и коллектор—база....... 10 В

Постоянное напряжение база—эмиттер...... 4 В

Постоянный ток коллектора............... 20 мА

Импульсный ток коллектора при 4 $ 10 мкс,
О? 10,	? 100 нс....................... 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т= -60...+55 °С для 2Т336А-2Т336Е

и Т= —55...+85 °С для КТ336А-КТ336Е... 50 мВт
при Т= +85 °С для 2Т336А-2Т336Е...... 20 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 1 °С/мВт

Температура для перехода................ +105 °С
Температура окружающей среды:
2Т336А-2Т336Е........................

КТ336А-КТ336Е.....................

—60...+85 ’С

—55...+8Б ’С

Монтаж транзисторов следует производить в инертной сре-
де в течение не более 1 с при давлении на транзистор не
более 50 г; при этом температура кристалла не должна превы-
шать +250 ’С.



Зависимость статического
коэффициента передачи
тока от тока коллектора

Зависимость статического
коэффициента передачи
тока от температуры

Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер и база—
эмиттер от темпера гуры

Зависимость напряже-
ния коллектор—эмит-
тер от сопротивления
база—эмиттер

Зависимость отпираю-
щего напряжения ба-
за—эмиттер от темпе-
ратуры

КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г,
КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ, КТ342ДМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структу-
ры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в им-
пульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном кор-
пусе с гибкими выводами (КТ342А, КТ 3 ’2Б, КТ342В, КТ342Г) и
5’	131
пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КТ342АМ
КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ, КТ342ДМ). Тип приборов
КТ342А—КТ342Г указывается на корпусе. Для транзисторов в
пластмассовом корпусе используется условная маркировка:
КТ342АМ — прямоугольный треугольник и буква «А»,
КТ342БМ — треугольник и буква «Б»; КТ342ВМ — треугольник
и буква «В»; КТ342ГМ — треугольник и буква «Г»; КТ342ДМ —
треугольник и буква «Д». Допускается также маркировка цвет-
ным кодом: КТ342АМ — синяя метка на плоской части боковой
поверхности корпуса и темно-красная на торце; КТ342БМ —
синяя и желтая метки; КТ342ВМ — синяя и темно-зеленая метки.

Масса транзистора не более 0,5 г в металлостеклянном
корпусе и не более 0,3 г в пластмассовом корпусе.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

КТ31.2(А-Г)

КТЦ2(АМ-ДМ)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при //КБ = 5 В, 4 = 1 мА для
КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г и 4 = 2 мА
для КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ,
КТ342ДМ:
Т= +25 ’С:
КТ342А, КТ342АМ,	КТ342ГМ....... 100...250

КТ342Б, КТ342БМ,	КТ342ДМ....... 200...500

КТ342В, КТ342ВМ.................. 400... 1000

КТ342Г........................... 50...125

Т= -60 ’С:
КТ342А, КТ342АМ,	КТ342ГМ....... 25...250

КТ342Б, КТ342БМ,	КТ342ДМ....... 50...500

КТ342В, КТ342ВМ.................. 100...	1000

Т = +125 ’С, не менее:
КТ342А, КТ342АМ,	КТ342ГМ..... 100

КТ342Б, КТ342БМ,	КТ342ДМ........ 200

КТ342В, КТ342ВМ.................. 400

Граничная частота коэффициента передачи
тока при (/КБ = 10 В, /э = 5 мА, не менее:

КТ342А, КТ342АМ...................... 250 МГц

КТ342Б, КТ342В, КТ342Г, КТ342БМ,
КТ342ВМ.............................. 300 МГц

КТ342ГМ, КТ342ДМ..................... 150 МГц

Граничное напряжение' при 4 = 5 мА,
не менее:

+100 ’С:

КТ342А, КТ342Г, КТ342АМ, КТ342ГМ.. ?5 В
КТ342Б, КТ342БМ, КТ342ДМ......... 20 В

КТ342В, КТ342ВМ.................. 10 В

Т= +125 ’С:

КТ342А, КТ342Г, КТ342АМ, КТ342ГМ.. 20 В
КТ342Б, КТ342БМ, КТ342ДМ......... 15 В

КТ342В, КТ342ВМ.................. 10 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /К=Ю мА, /Б = 1 мА, не более........ 0,1 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к=10 мА, /Б = 1 мА, не более....... 0,9 В

Обратный ток коллектора при С/КБ = С/КБ МАКС,
не более:

Г=+25’С.............................. 0,05 мкА

Т= +125 ’С для КТ342А, КТ342Б, КТ342В,
КТ342Г............................... 10 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер

при 64э = Цэ макс» ^бэ = Ю кОм, не более:
КТ342А, КТ342Б, КТ342В................... 30 мкА

КТ342Г............................... 100 мкА

' В диапазоне температур +100. .+125 ”С значение раничного напряжения
снижается линейно.
Обратный ток эмиттера при их = 5 В, не более 30 мкА
Емкость коллекторного перехода при = 5 В,
не более................................... 8	пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1

при Лбэ = 10 кОм:

+100 ’С:
КТ342А, КТ342АМ, КТ342ГМ......... 30	В

КТ342Б, КТ342БМ, КТ342ДМ......... 25	В

КТ342В, КТ342ВМ.................. 10	В

КТ342Г........................... 60	В

+125 ’С:
КТ342А, КТ342АМ, КТ342ГМ......... 25	В

КТ342Б, КТ342БМ, КТ342ДМ......... 20	В

КТ342В, КТ342ВМ.................. 10	В

КТ342Г........................... 45	В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5	В

Постоянный ток коллектора............... 50 мА

Импульсный ток коллектора при $ 40 мкс,
О > 500 ................................ 300 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора* 2:

при Т $ +25 ’С....................... 250 мВт

при Т = +125 ’С...................... 50 мВт

Температура р-п перехода................ +150 ’С

Температура окружающей среды............ —60...+125 ’С

' В диапазоне температур +100...+ 125 ’С значение максимально допустимо-
го напряжения коллектор—эмиттер снижается линейно.

2 В диапазоне температур +25.. +125 ’С допустимое значение рассеиваемой
мощности снижается линейно.

Зона возможных положении зависимости
статического коэффициента передачи тока
от температуры
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока
от температуры

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока
от температуры

Зона возможных поло-
жений зависимости гра-
ничной частоты от тока
эмиттера

2Т348А-3, 2Т348Б—3, 2Т348В-3,
КТ348А, КТ348Б, КТ348В

Транзисторы крем-
ниевые эпитаксиаль-
но-планарные струк-
туры п-р-п универ-
сальные. Предназна-
чены для применения
в усилителях высокой
частоты, импульсных
и переключающих
устройствах гермети-
зированной аппарату-
ры. Бескорпусные с
твердыми выводами и

2Г34ВМ 3-В 3). КТ348(А-В)

защитным покрыти-

ем. Тип прибора указывается в этикетке групповой тары.

Масса транзистора не более 0,01 г.

Изготовитель — Нальчинский завод полупроводниковых
приборов, г. Нальчик.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/ю = 1 В, /к = 1 мА:

Т= +25 °С:
2Т348А-3, КТ348А...........	.. 25...75
2Т348Б-3, КТ348Б................ 35... 120

2Т348В-3. КТ348В............... 80...250

Г= -60 °С:
2Т348А-3........................... 9...75

2Т348Б-3........................ 15...120

2Т348В-3........................ 25...250

Т- +85 °С:

2Т348А-3........................ От 25 до 3

значений при
Т= +25 °С

2Т348Б-3........................ От 35 до 3

значений при
Т= +25 °С

2Т348В-3........................ От 80 до 3

значений при
Т= +25 °С

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 1/^ = 1 В, 4 = 3 мА,
не менее............................... 100 МГц

Время рассасывания при (/к = 3 В, /к = 3 мА,
4, = 4г = 1 МА, не более .............. 130 нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА и /Б = 1,7 мА для 2Т348А—3,
4=1 мА для 2Т348Б—3, 4 = 0,7 мА для
2Т348В—3, не более .................... 0,3 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 мА и 4 = 1 мА для 2Т348А—3,
4 = 0,6 мА для 2Т348Б—3, 4 = 0,4 мА для
2Т348В—3, не более..................... 0,85 В

Напряжение эмиттер—база при 1/кэ = 2,5 В,
/э = 0,05 мА, не более................. 0,5 В

Обратный ток коллектора при (7Кб = 5 В,
не более:

Г=+25’С............................ 1 мкА

Т= +85 °С.......................... 10 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 5 В, Л'бэ = 3 кОм, не более...... 3 мкА

Обратный ток эмиттера при (7Эб = 3,5 В,
не более............................... 10 мкА

Емкость коллекторного перехода
при = 1 В, не более.................... 11 пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = 1 В,
не более............................... 22 пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 5 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ 3 кОм......................... 5 В

Постоянное напряжение эмиттер—база......	3,5 В

Постоянный ток коллектора.............. 15 мА

Импульсный ток коллектора при $ 10 мкс,
О> 10, Гф > 100 нс..................... 45 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т < +40 ’С...................... 15 мВт

при Т- +85 ’С....................... 3,75 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т < +25 ’С.................... 100 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда... 4 ’С/мВт

Температура р-п перехода............... +100 ’С

Температура окружающей среды........... —60...+85 ’С

Способ крепления транзистора в аппаратуре должен обес-
печивать фиксацию положения кристалла и выводов. При мон-
таже должны быть приняты меры, исключающие возможность
нагрева кристалла и его покрытия более +100 ’С.

Входные характери- Зависимости статиче- Зависимость обратно-
стики	ского коэффициента го тока коллектора

передачи тока от тока от температуры
эмиттера

КТ358А, КТ358Б, КТ358В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения в
усилителях и генераторах. Выпускаются в пластмассовом кор-
пусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на кор-
пусе.
Масса транзистора не более 0,2 г.

Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.

КТ358(А-В)

маркировки

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при <4э = 5,5 В, /э = 20 мА:

КТ358А............................... 10... 100

КТ358Б............................... 25... 100

КТ358В............................... 50...280

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при и№ = 10 В, /э = 5 мА,
не менее:

КТ358А............................... 80 МГц

КТ358Б, КТ358В....................... 120 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте,	не более............ 500 нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 20 мА и /Б = 2 мА, не более.... 0,8 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 20 мА и /Б = 2 мА, не более.... 1,1 В

Обратный ток коллектора при С/КБ = В
для КТ358А, КТ358В и УКБ = 30 В для КТ358Б,
не более................................ 10 мкА

Обратный ток эмиттера при 1УЭ6 = 4 В,
не более................................ 10 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

КТ358А, КТ358В...................... 15 В

КТ358Б.............................. ЗОВ
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Л'бэ 100 Ом:

КТ358А, КТ358В........................   15	В

КТ358Б............................... 30	В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Постоянный ток коллектора............... 30	мА

Импульсный ток коллектора............... 60	мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора.................................... 100 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-

тора при Ги $ 1 мкс..................... 200 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,7 °С/мВт

Температура р-п перехода................ +120 ’С

Температура окружающей среды............ —40...+85 ’С

Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от корпуса, время пайки не более 10 с, температура пайки не
должна превышать +250 ’С.

Входные характери-
стики

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость макси-
мально допустимого
напряжения коллек-
тор—эмиттер от сопро-
тивления база—эмиттер

КТ369А, КТ369Б, КТ369В, КТ369Г,
КТ369А-1, КТ369Б-1, КТ369В-1, КТ369Г-1

Транзисторы кремниевые зпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в усилителях и переключающих устройствах. Бескорпусные с
гибкими выводами и защитным покрытием. Тип прибора ука-
зывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,02 г.

Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
КТИ9(А-П ШИ

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:

при 1/кэ = 2 В, /э = 150 мА:

КТ369А, КТ369А-1.................. 20...10С

КТ369Б, КТ369Б-1 ................. 40...200

при = 3 В, /э = 10 мА:

КТ369В, КТ369В-1 ................. 20... 100

КТ369Г, КТ369Г-1 ................. 40...200

Граничная частота коэффициента передачи
тока при и№ = 10 В, /э = 30 мА, не менее. 200 МГц

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 200 мА, /Б = 10 мА, не более:

КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 ... 0,8 В

КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г-1.... 0,5 В

Напряжение насыщения база—эмиттер

при /к = 250 мА и /Б = 50 мА, не более... 1,6 В

Обратный ток коллектора, не более:

при (/КБ = 45 В для КТ369А, КТ369А-1,
КТ369Б, КТ369Б-1...................... 7 мкА

при (/КБ = 65 В для КТ369В, КТ369В-1,
КТ369Г, КТ369Г-1...................... 10 мкА

Обратный ток эмиттера при Ух = 4 В, не более 10 мкА
Емкость коллекторного перехода

при 6/КБ = 10 В, не более;

КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 ... 15 пФ

КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г-1.... 10 пФ

Емкость эмиттерного перехода при их = 0,
не более:

КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 ... 50 пФ
КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г-1.... 40 пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1 ... 45 В

КТ369В, КТ369В-1, КТ369Г, КТ369Г-1... 65 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Ябэ = 1 кОм:

КТ369А, КТ369А-1, КТ369Б, КТ369Б-1... 45 В

КТ369В, КТ369В—1, КТ369Г, КТ369Г-1... 65 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Постоянный ток коллектора............... 250 мА

Импульсный ток коллектора ?и < 10 мкс, О? 5 400 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора ................................... 50 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при- < 10 мкс, О? 5................ 1,6 Вт

Температура р-п перехода................ +150 ’С

Температура окружающей среды............ —60...+85 ’С

КТ375А, КТ375Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные- Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,25 г.

Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупровод-
никовых приборов, г. Воронеж.

КТ375/А.Б)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/ю = 2 В, /, = 20 мА:

Т= +25 ’С:

КТ375А............................ 10...100

КТ375Б............................ 50...280
Г= -45 ’С:
КТ375А.............................. 8... 100

КТ375Б.......................... 25...280

Г= +85 ’С:

КТ375А.......................... 10...200

КТ375Б........................... 50...560

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 0^ = 10 В, 4 = 5 мА,
не менее................................ 250 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при С/КБ = 10 В, 4 = 5 мА, не более..... 300 пс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, 4=1 мА, не более........ 0,4 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 мА, 4=1 мА, не более........ 1 В

Обратный ток коллектора при = 6/КБ МАКС,
не более:

Т= +25 'С........................... 1 мкА

7"=+85’С............................ 10 мкА

Обратный ток эмиттера при (4э = 5 В, не более 1 мкА
Емкость коллекторного перехода
при С/кв = 10 В, не более............... 5 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (УЭБ = 1 В,
не более................................ 20 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянные напряжения коллектор—база,
коллектор—эмиттер при /?БЭ 100 Ом:
КТ375А.................................. 60 В

КТ375Б............................... 30 В

Постоянный ток коллектора............... 100 мА

Импульсный ток коллектора при 4^1 мкс
и условии, что средняя мощность за период
не превышает постоянную рассеиваемую мощ-
ность коллектора........................ 200 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Т = —45...+25 ’С.............. 200 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 4^1 мкс и условии, что средняя
мощность за период не превышает постоян-
ную рассеиваемую мощность коллектора.... 400 мВт

В диапазоне температур +25...+85 °С мощность определяется по формуле
^м*кс = (125 - Г)/0,5, мВт.
Температура р-п перехода................. +125 °С

Температура окружающей среды............. —45...+85 °С

Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора.

Входные характери-
стики

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока коллек-
тора

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от температуры

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от темпе-
ратуры

2Т377А-2, 2Т377Б-2, 2Т377В-2,
2Т377А1-2, 2Т377Б1-2, 2Т377В1-2

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п импульсные. Предназначены для применения в им-
пульсных каскадах герметизированной аппаратуры. Бескор-
пусные на кристаллодержателях с гибкими выводами. Тип при-
бора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,02 г.
Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.

2Ш7 64/-2 - В1-2)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 2 В, /э = 150 мА:

Т= +25 °С:
2Т377А-2, 2Т377А1-2................. 20...80

2Т377Б-2, 2Т377Б1-2............ 50...120

2Т377В-2, 2Т377В1-2............ 80...220

Т= -60 ’С:
2Т377А-2, 2Т377А1-2................. 8...80

2Т377Б-2, 2Т377Б1-2............ 15...120

2Т377В-2, 2Т377В1-2............ 25...220

7"= +125 °С:
2Т377А-2, 2Т377А1-2 .............. 20...200

2Т377Б-2, 2Т377Б1—2*........... 50...260

2Т377В-2, 2Т377В1-2............ 80...400

Граничная частота коэффициента передачи
тока при = 2 В, 4 = 30 мА............... 200...300*..

400* МГц
Постоянная времени цепи обратной связи
при (/КБ = 5 В, /э = 5 мА, Г = 2...10 МГц. 30*...100*...

400 пс

Время рассасывания при /к = 50 мА,
41 = /Б2 = 5 мА........................... 40*...60*...

70 нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 150 мА, /Б=15 мА................. 0,3*...0,5*...

0,8 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 150 мА, 4 = 15 мА................ 0,85*...0,95*...

1,5 В
Обратный ток коллектора, не более:

Г =+25’С, С/КБ = 30 В................. 3 мкА

7= +125 °С, Укь = 24 В................ 60 мкА

Обратный ток эмиттера при Уьэ = 3 В,
не более.................................. 3 мкА

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 10 В........................... 5*...8*...

15 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Ух = 0  15*...25*...

40 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база1:
при +100 ’С........................... 30 В

при Т= +125 ’С........................ 24 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер'
при /?БЭ С 1 кОм:

при +100 ’С........................... 30 В

при Т= +125 ’С........................ 24 В

Постоянное напряжение эмиттер—база........ 3 В

Постоянный ток коллектора................. 300 мА

Импульсный ток коллектора при Ги С 10 мкс,
О 10 ..................................... 600 мА

Постоянный ток базы....................... 45 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т +25 ’С.......................... 50 мВт

при Т = +125 ’С....................... 10 мВт

при Т +50 ’С (в корпусе при
/?т (п-с) 0,2 °С/мВт)................. 500 мВт

В диапазоне температур +100...4-125 'С допустимые значения напряжений
коллектор—база и коллектор—эмиттер снижаются линейно.
при Т - +125 °С (в корпусе при
/?Т1п-с) 0,2 °С/мВт)................... 120 мВт

Тепловое сопротивление переход—подложка. 2,5 °С/мВт

Температура р-п перехода.................. +150 °С

Температура окружающей среды.............. —60...+125 “С

Транзисторы 2Т377А—2, 2Т377Б—2, 2Т377В—2 рекомен-
дуется монтировать в микросхему приклейкой или пайкой,
2Т377А1—2, 2Т377Б1—2, 2Т377В1—2 — импульсной односто-
ронней пайкой сдвоенным электродом.

2Т378А-2, 2Т378Б-2,
2Т378А1-2, 2Т378Б1-2, 2Т378Б-2-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п импульсные. Предназначены для применения в им-
пульсных каскадах герметизированных микросхем. Бескорпус-
ные на кристаллодержателях с гибкими выводами. Тип прибо-
ра указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,02 г.

Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.

2Т378 (А1-2, В1-2). 2П78 Б-2-1

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ = 5 В, 4 = 200 мА:

Т= +25 °С:
2Т378А-2, 2Т378А1-2................ 20...80

2Т378Б-2, 2Т378Б1-2.............. 50...180

2Т378Б-2-1....................... 40...180
2 Г178 (А-2 В-2!

2Т378А—2, 2Т378А1-2..............

2Т378Б-2, 2Т378Б1-2, 2Т378Б-2-1...

Г = +125 °С:
2Т378А-2, 2Т378А1—2.................

2Т378Б-2, 2Т378Б1—2..............

2Т378Б—2—1.......................

Граничная частота коэффициента передачи
тока при 4/кэ = 2 В, 4 = 30 мА.........

Постоянная времени цепи обратной связи
при ЦБ = 5 В, /э = 5 мА, Г = 5 МГц........

Время рассасывания при /к = 50 мА,
4, ~ 4г = 5 мА............................

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 200 мА, /Б = 20 мА............

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 200 мА, /Б = 20 мА............

Обратный ток коллектора при С/КБ = С/КБ МАКС,
не более:

Т= +25 °С.............................

7^ +125 °С............................

Обратный ток эмиттера при (Уъз = 4 В......

Емкость коллекторного перехода

при С/КБ = 10 В...........................

Емкость эмиттерного перехода при Ц#, = 0

10...80

20...180

20...220

50...300

40...300

200...300*...

400* МГц

30*... 100*...

400 пс

40*...60*...

70 нс

0,3*...0,5*...

0,8 В

0,85*...0,95*

1,5 В

10 мкА

80 мкА

10 мкА

5*...8*.„

15 пФ
15*...25*...

40 пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база':

2Т378А-2, 2Т378Б-2, 2Т378А1-2,

2Т378Б1-2:
при ТС+100’С..................... 60 В

при Т= +125 "С................... 45 В

2Т378Б-2-1........................... 30 В

Напряжение коллектор—эмиттер’ при 7?^ = 0:

2Т378А-2, 2Т378Б-2, 2Т378А1-2,

2Т378Б1—2:
при ТС +100 °С........................ 60	В

при Т = +125 ’С.................. 45 В

2Т378Б-2-1........................... 30 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Постоянный ток коллектора............... 400 мА

Импульсный ток коллектора при = 10 мкс,

10.................................. 800 мА

Постоянный ток базы..................... 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:

при Т С +25 °С....................... 50 мВт

при Т= +125 °С....................... 10 мВт

при Т С +50 °С (в корпусе при

7?т (п-с) 0.2 °С/мВт)................ 500 мВт

при +125 °С (в корпусе при

7?т (п-с, С 0,2 'С/мВт).............. 120 мВт

Тепловое сопротивление переход—подложка. 2,5 °С/мВт

Температура р-п перехода................ +150 °С

Температура окружающей среды............ —60...+125 'С

’ В диапазоне температур окружающей среды +100...+125 "С допустимые
значения напряжений коллектор—база и коллектор—эмиттер снижаются ли-
нейно.

Транзисторы 2Т378А—2, 2Т378Б—2 рекомендуется монти-
ровать в микросхему приклейкой или пайкой, 2Т378А1—2,
2Т378Б1—2, 2Т378Б—2—1 — импульсной односторонней пай-
кой сдвоенным электродом.

КТ379А, КТ379Б, КТ379В, КТ379Г

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты и переключающих устройствах
148
герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с твердыми
выводами. Транзисторы помещаются в герметичную завод-
скую упаковку. Тип прибора указывается в паспорте.

Масса транзистора не более 0,01 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

КТ3791А-Г)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, /к = 1 мА:

Т = +25 ’С:

КТ379А............................... 100...250

КТ379Б............................... 200...500

КТ379В............................... 400... 1000

КТ379Г............................... 50...125

Т= -45 ’С:
КТ379А................................... 25...250

КТ379Б............................... 5О...5ОО

КТ379В............................... 100... 1000

КТ379Г............................... 12...125

Г = +85 ’С:
КТ379А................................... 100...750

КТ379Б............................... 200...1500

КТ379В............................... 400...3000

КТ379Г............................... 5О...375

Граничная частота коэффициента передачи

тока при С/КБ = 2 В, 4 = 5 мА, не менее:
КТ379А, КТ379Г............................... 250 МГц

КТ379Б, КТ379В........................... 300 МГц
Граничное напряжение при /э = 5 мА, не менее:
КТ379А, КТ379Г...................... 25 В

КТ379Б............................... 20 В

КТ379В............................... 10 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер

при /к = 10 мА, /Б=1 мА, не более:

КТ379А, КТ379Б, КТ379В............... 0,1 В

КТ379Г............................... 0,2 В

Напряжение насыщения база—эмиттер

при /к = 10 мА, 4=1 мА, не более:

КТ379А, КТ379Б, КТ379В............... 0,9 В

КТ379Г............................... 1,1В

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 6/КБ МАКС,
не более:

Т= -45 и +25 ’С...................... 0,05 мкА

Т= +85 ’С............................ 1 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер

при /?бэ = 10 кОм, С/кэ = (4э МАКС, не более:

КТ379А, КТ379Б, КТ379В............... 30 мкА

КТ379Г............................... 100 мкА

Обратный ток эмиттера при 64э = 5 В..... 30 мкА

Емкость коллекторного перехода
при 1/№ = 10 В, не более................ 8 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ю = 10 кОм:

КТ379А............................... 30	В

КТ379Б............................... 25	В

КТ379В............................... 10	В

КТ379Г............................... 60	В

Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5	В

Постоянный ток коллектора............... 30 мА

Импульсный ток коллектора при 4 < 100 мкс,
ОЭ5..................................... 100 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

при Т = +25 ’С....................... 25 мВт

' при Т = +85 ’С....................... 10 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при С 100 мкс, ОЭ 5................ 75 мВт

’ При повышении температуры от +25 до +85 “С мощность снижается
линейно.
Тепловое сопротивление переход—подложка. 3 °С/мВт

Температура р-п перехода................. +100 °С

Температура окружающей среды............. —45...+85 °С

При пайке выводов допускается нагрев транзистора до
+300 °С в течение 1 мин и до +150 °С в течение 1,5 ч.

При включении транзистора в цепь, находящуюся под на-
пряжением, базовый контакт необходимо присоединять пер-
вым и отсоединять последним. Не рекомендуется эксплуата-
ция транзисторов с отключенной базой по постоянному току.

Входные характери-
стики

Зависимость обратно-
го тока коллектора
от температуры

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

Зависимость максималь-
но допустимого достоян-
ного напряжения кол-
лектор—эмиттер от со-
противления база—
эмиттер

Зависимость максималь-
но допустимой импульс-
ной рассеиваемой мощ
мости от длительности
импульса

КТ381Б, КТ381В, КТ381Г, КТ381Д, КТ381Е

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
дифференциальных усилителях, генераторах, импульсных
устройствах. Бескорпусные без кристаллодержателя с гибки-
ми выводами. Тип прибора указывается в этикетке.

КК81(Б-Е)

04

Масса транзисто-
ра не более 0,003 г.

Изготовитель —-
Нальчикский завод
полупроводниковых
приборов, г. Нальчик.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/кь = 5 В, 4 = Ю мкА,
не менее:

КТ381Б............................... 40

КТ381В............................... 30

КТ381Г, КТ381Д,	КТ381Е............... 20

Отношение статических коэффициентов
передачи тока в схеме ОЭ при 1/КБ = 5 В,
4 = 10 мкА для сдвоенных транзисторов,
не менее:

КТ381Б, КТ381Е..................... 0,9

КТ381В, КТ381Д....................... 0,85

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при ЦБ = 1 В, 4 = 1 мА,
не менее................................ 200 МГц

Разность напряжений эмиттер—база сдвоен-
ных транзисторов при 1/КБ = 5 В, 4 = Ю мкА,
не менее......................... 5 мВ

Обратный ток коллектора при 1/КБ = 5 В,
не более................................ 30 нА

Обратный ток эмиттера при 4/КБ = 6,5 В,
не более................................ 5 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база. 25 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 1 кОм........................ 20 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 6,5 В

Постоянный ток коллектора............... 15 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора при Т = —60...+40 ’С............... 15 мВт

Температура р-п перехода................ +90 ’С

Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С

Зона возможных положений
зависимости напряжения
эмиггер—база от темпе-
ратуры

Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от температуры

Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от температуры

Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера

Зона возможных положений зависи-
мости напряжения эмиттер—база
от тока эмиттера
Зона возможных положений зависи-
мости обратного тока коллектора
от напряжения коллектор—база

Зона возможных положений зависи-
мости обратного тока коллектора
от температуры

2Т385А-2, 2Т385АМ—2, КТ385А, КТ385АМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в системах памяти ЭВМ герметизированной аппаратуры. Бес-
корпусные с гибкими выводами и защитным покрытием на
керамическом (2Т385А—2, КТ385А — вариант 1) и металли-
ческом (2Т385АМ—2, КТ385АМ — вариант 2) кристаллодержа-
телях. Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей
без извлечения из нее транзисторов проводить измерения их
электрических параметров. Тип прибора указывается на со-
проводительной таре.

Масса транзистора на керамическом кристаллодержателе
не более 0,015 г, на металлическом не более 0,004 г.

Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при - 1 В, /к = 150 мА:
2Т385А-2, 2Т385АМ-2...................... 30...150

типовое значение....................... 60*

КТ385А, КТ385АМ........................ 20...200

Граничная частота коэффициента передачи
тока при 1/ю = 10 В, 4 = 50 мА............ 200...560* МГц

типовое значение....................... 350 МГц
2Т385А-2 2Т385АМ-2 КТ385А КТ385АМ

Вариант 1

Время рассасывания при /к = 150 мА,

/в = 15 мА:
2Т385А-2, 2Т385АМ—2....................... 15*...60 нс

типовое значение....................... 30* нс

КТ385А, КТ385АМ, не более.............. 60 нс

Граничное напряжение при 4 = Ю мА
для 2Т385А-2, 2Т385АМ-2................... 40...48*...

60* В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер

при /к = 150 мА, 4=15 мА:
2Т385А-2, 2Т385АМ—2....................... 0,32*...0,65 В

КТ385А, КТ385АМ, не более.............. 0,8 В

Напряжение насыщения база—эмиттер

при 4 ~ 150 мА, 4 = 15 мА для 2Т385А—2,
2Т385АМ—2................................. 1*...1,2 В

Обратный ток коллектора, не более:

2Т385А-2, 2Т385АМ-2:

при 14б = 60 В и Т = —60...+25 °С  10 мкА
при 14б = 55 В и Т = +125 °С....... 50 мкА

КТ385А, КТ385АМ при //КБ = 60 В
и Т= +25 °С............................ 10 мкА

Обратный ток эмиттера, не более:

2Т385А-2, 2Т385АМ—2:

при 1/кэ = 5 В и Т= —60...+25 °С  10 мкА
при 14э = 5 В и Т - +125 °С........ 50 мкА

КТ385А, КТ385АМ при <4Э = 4 В
и Т= +25 °С............................ 10 мкА

Емкость коллекторного перехода

при 64б = 10 В для 2Т385А-2, 2Т385АМ-2 .... 2,5-3,3*...

4 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 0^ = О
для 2Т385А-2, 2Т385АМ-2.................. 13*...15*...

25 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

2Т385А-2, 2Т385АМ-2:
при Гк = -60...+ 100 ’С.......... 60 В

при Гк =+125’С................... 55 В

КТ385А, КТ385АМ...................... 60 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /Убэ = 5 кОм для КТ385А, КТ385АМ.... 40 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:

2Т385А-2, 2Т385АМ—2.................. 5 В

КТ385А, КТ385АМ...................... 4 В

Постоянный ток коллектора............... 0,3 А

Импульсный ток коллектора при = 5 мкс,
0= 10................................... 0,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
2Т385А-2, 2Т385АМ—2:
при Гк = —60...+100 ’С.................. 0,3 Вт

при Гк = +125 °С................. 0,06 Вт

КТ385А, КТ385АМ:
при Гк = -45...+70 “С............... 0,3 Вт

при Гк = +85 °С.................. 0,2 Вт

Тепловое сопротивление переход—подложка. 110 °С/Вт

Температура р-п перехода:
2Т385А-2, 2Т385АМ—2..................... +135 ’С

КТ385А, КТ385АМ...................... +120’С

Температура окружающей среды:
2Т385А-2, 2Т385АМ-2..................... -60...+125 ’С

КТ385А, КТ385АМ...................... -45...+85 ’С

КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К,
КТ3102ГМ, КТ3102ЕМ, КТ3102ЖМ, КТ3102ИМ,
КТ3102КМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, пере-
ключающих, усилительных и генераторных устройствах сред-
ней и высокой частоты. Выпускаются: КТ3102(Г—К) в метал-
лостеклянном корпусе с гибкими выводами, тип прибора ука-
156
зывается на корпусе, КТ3102(ГМ—КМ) в пластмассовом корпу-
се с гибкими выводами, на торце корпуса наносится метка:
КТ3102ГМ — голубая, КТ3102ЕМ — белая, КТ3102ЖМ — две

темно-красные, КТ3102ИМ — две желтые, КТ3102КМ — две
темно-зеленые. Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более
0,5 г, в пластмассовом корпусе не более 0,3 г.

Изготовители — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров, Владимирская область, акционерное

общество «Свет-
лана», г. Санкт-
Петербург, ак-
ционерное об-
щество «Крем-
ний», г. Брянск,
Нальчикский за-
вод полупровод-
никовых прибо-
ров, г. Нальчик.

КТ31021Г. Е Ж. И К)

КТ3102ГГМ. ЕМ. ЖМ. ИМ. КМ)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/№ = 5 В, /э = 2 мА:

Т= +25 °С:
КТ3102Ж, КТ3102ЖМ.................... 100...250

КТ3102И, КТ3102К, КТ3102ИМ,
КТ3102КМ............................ 200...500

КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102ГМ,
КТ3102ЕМ............................ 400...1000

Т = -40 °С:
КТ3102Ж, КТ3102ЖМ...................... 25...250

КТ3102И, КТ3102К, КТ3102ИМ,
КТ3102КМ............................ 50...500
КТ31О2Г, КТ3102Е, КТ3102ГМ,
КТ3102ЕМ  ....................... 100...1000

Т = +85 °С, не менее:
КТ3102Ж, КТ3102ЖМ................ 100

КТ3102И, КТ3102К, КТ3102ИМ,
КТ3102КМ.......................... 200

КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102ГМ,
КТ3102ЕМ ...._.................... 400

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, /, = 10 мА,
не менее:

КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102ГМ, КТ3102ЕМ.. 150 МГц
КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К, КТ3102ЖМ,
КТ3102ИМ, КТ3102КМ.................. 200 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при С/КБ = 5 В, /э = 10 мА,
/= 30 МГц, не более..................... 100 пс

Коэффициент шума на Г= 1 кГц при УЮ = 5В,
4 = 0,2 мА, /?г = 2 кОм:

КТ3102Г, КТ3102ГМ, не более......... 10 дБ

типовое значение.................... 5 дБ

КТ3102ЕМ, не более.................. 4 дБ

типовое значение.................... 2,5* дБ

Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее:

КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102ЖМ,
КТ3102ИМ............................. ЗОВ

КТ3102К, КТ3102КМ................... 25 В

КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102ГМ, КТ3102ЕМ.. 15 В
Обратный ток коллектор—эмиттер
при Г/кэ = (/кэ макс» не более:

КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102ЖМ,
КТ3102ИМ............................ 0,1 мкА

КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102К, КТ3102ГМ,
КТ3102ЕМ, КТ3102КМ.................. 0,05 мкА

Обратный ток коллектора при 1/КБ = 6/КБ МАКС,
не более:

Т= +25 “С:
КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102ЖМ,
КТ3102ИМ............................ 0,1 мкА

Г= +85 °С........................... 5 мкА

Обратный ток эмиттера при 1/БЭ = 5 В,
не более................................ 10 мкА

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 5 В, не более................ 6 пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постояннее напряжение коллектор—база:

КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102ЖМ,
КТ3102ИМ............................ 50 В

КТ3102К, КТ3102КМ................... ЗОВ

КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102ГМ, КТ3102ЕМ.. 20 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:

КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102ЖМ,
КТ3102ИМ............................ 50 В

КТ3102К, КТ3102КМ................... ЗОВ

КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102ГМ,	КТ3102ЕМ.. 20 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В

Постоянный ток коллектора.............. 100 мА

Импульсный ток коллектора при = 40 мкс,
О = 500 ............................... 200 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора' при Т = —40...+25 °С............. 250 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда... 0,4 °С/мВт

Температура р-п перехода............... +125 °С

Температура окружающей среды........... —40...+85 °С

При Т > +25 “С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле

Р< и*кс = (125 - Г)/0,4, мВт.

Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора в течение не более 3 с, температура пайки не
выше +260 °С.

Допускается использование транзисторов в инверсном
включении.

КТ3117А, КТ3117Б, КТ3117А1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п импульсные. Предназначены для применения в им-
пульсных и переключающих устройствах. Выпускаются в ме-
таллостеклянном корпусе с гибкими выводами (КТ3117А,
КТ3117Б) и в пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(КТ3117А1). Тип прибора указывается на корпусе и в эти-
кетке.

Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более
0,4 г, в пластмассовом корпусе не более 0,3 г.

Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.
КТЛ’7(А Б,

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/кэ = 5 В, /э = 200 мА:

Т= +25 °С:

КТ3117А, КТ3117А1 ................ 40...200

КТ3117Б........................... 100...300

Т = Тмин:
КТ3117А, КТ3117А1.................... 15...200

Г — ГМАкс:
КТ3117А, КТ3117А1 ................... 30...350

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 1/кэ = 10 В, /к = 30 мА,
не менее................................. 200 МГц

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 500 мА, 4 = 50 мА, не более..... 0,6 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 500 мА, 4 = 50 мА, не более...... 1,2 В

Время включения при 4 = 500 мА,
/Б = 50 мА для КТ3117Б, не более......... 35 нс
Время рассасывания при /к = 500 мА,
4 = 50 мА, не более.....................   80	нс

Емкость коллекторного перехода
при б/КБ = 10 В, не более...............   10	пФ

Емкость эмиттерного перехода при б/ЭБ = 0,
не более........................           80	пФ

Обратный ток коллектора при б/КБ = 60 В,
не более:

7 =+25 °С...........................   10	мкА

7 = ГМАКС..........................   100	мкА

Обратный ток эмиттера при ^'46,
не более................................... 5	мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ3117А, КТ3117А1.................... 60 В

КТ3117Б............................. 75 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
/7,3 = 0:

КТ3117А, КТ3117А1................ 60 В

КТ3117Б.......................... 75 В

/?вэ = 1 кОм:
КТ3117А, КТ3117А1................ 50 В

КТ3117Б.......................... 65 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В

Импульсное напряжение эмиттер—база
при	= 1 мкс, 0=2.................... 5 В

Постоянный ток коллектора ............. 400 мА

Импульсный ток коллектора при ?и = 10 мкс,
0= 10.................................. 800 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

7=+40’С ............................ 300 мВт

7=+85 °С............................ 180 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при ?и = 10 мкс, 0= 10:

7 =+40 °С........................... 800 мВт

7=+85 °С............................ 400 мВт

Тепловое сопротивление:
переход—среда.......................... 0,35 °С/мВт

переход—корпус...................... 0,1 °С/мВт

' При Т от +40 до +85 ’С максимально допустимые постоянные и импульс-
ные рассеиваемые мощности коллектора уменьшаются линейно.
Температура р~п перехода................. +150 °С

Температура окружающей среды............. —45...+85 °С

КТ3122А, КТ3122Б

КН122(А.Б)

Транзисторы кремниевые
эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п лавинные. Предназна-
чены для применения в переклю-
чающих устройствах. Выпуска-
ются в пластмассовом корпусе с
гибкими выводами. Тип прибора
указывается в этикетке.

Масса транзистора не более
0,18 г.

Изготовитель — завод «Ква-
зар», г. Киев.

Электрические параметры

Время нарастания при	МАКС, и = 1 В,

= 75 Ом, /= 15 кГц, не более:

КТ3122А............................. 1 нс

КТ3122Б............................. 1,5 нс

Напряжение коллектор—эмиттер в лавинном
режиме при ^кэ макс* ~ 1 В,
/?н = 75 Ом, С* = 40...60 пФ, /= 15 кГц,
не менее................................ 20 В

Напряжение коллектор—эмиттер при /э = /кэн,
не менее................................ 35 В

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = Ю В, не более................ 7 пФ

Обратный ток коллектора при С/къ = 12 В,
не более................................ 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Обратный ток коллектор—эмиттер
при Ябэ = 2 кОм........................ 1 мА

Импульсный ток коллектора в лавинном ре-
жиме при Ги 1 мкс, О > 5............... 1 мА

Постоянный ток коллектора............... 100	мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т = —60...+25 °С.............. 5Э мВт

Импульсная рассеиваемая мощность в лавин-
ном режиме при = 1 мкс, 0= 5............ 750 мВт

Температура р-п перехода................ +125 °С

Зарядное сопротивление.................. 2 кОм

Формирующая емкость..................... 6800 пФ

Температура окружающей среды............ —60...+100 СС

' При Г > +25 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ
ность коллектора рассчитывается по формуле

Р* макс = (125 “ Г)/О,67, мВт.

Зона возможных положений зависи-
мости обратного тока коллектора
от температуры

Зона возможных положений зависи-
мости обратного тока коллектор—
эмиттер от сопротивления база—
эмиттер

Зона возможных положений зависи-
мости напряжения коллектор—эмит-
тер от сопротивления база—эмиттер
10 20 30 40 50 60 70н„0п	10 20 30 40 50 60 & ,0к

Зона возможных положений зависи- Зона возможных положений зависи-
мости времени нарастания от сопро- мости времени нарастания от сопро-

тивления нагрузки

тивления нагрузки

2Т3130А9, 2Т3130Б9, 2Т3130В9, 2Т3130Г9, 2Т3130Д9,
2Т3130Е9, КТ3130А9, КТ3130Б9, КТ3130В9, КТ3130Г9,
КТ3130Д9, КТ3130Е9, КТ3130Ж9

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для применения во
входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей,
в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах
напряжения герметизированной аппаратуры. Выпускаются в
пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора
указывается в этикетке. Транзисторы маркируются цветной
меткой на корпусе: КТ3130А9 — красной, КТ3130Б9 — жел-
той, КТ3130В9 - зеленой, КТ3130Г9 — голубой, КТ3130Д9 —
синей, КТ3130Е9 — белой.

2Т3130(А9-Е9) К Т 3130( А9 - Ж 9)

Масса транзистора
не более 0,1 г.

Изготовитель — ак-
ционерное общество от-
крытого типа «Элеке»,
г. Александров.
Электрические параметры

Коэффициент шума на ^=1 кГц при = 5 В,
4 = 0,2 мА, % = 2 кОм:
2Т3130Б9, 2Т3130В9, 2Т3130Г9, не более . 10 дБ
2Т3130Д9, 2Т3130Е9, не более................. 4 дБ

КТ3130Ж9................................. 0,7...2,5...4 дБ

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /э = 2 мА:

Т= +25 °С:
2Т3130А9, КТ3130А9 ....................... 100...200...250

2Т3130Б9, 2Т3130В9, 2Т3130Д9,
КТ3130Б9, КТ3130В9, КТ3130Д9.......... 200...350...500

2Т3130Г9, 2Т3130Е9, КТ3130Г9,
КТ3130Е9 ............................. 400...650...1000

КТ3130Ж9..................-........... 100...500

Т - +85 °С, не менее:
2Т3130А9, КТ3130А9..................... 100

2Т3130Б9, 2Т3130В9, 2Т3130Д9,
КТ3130Б9, КТ3130В9, КТ3130Д9........... 200

2Т3130Г9, 2Т3130Е9, КТ3130Г9,
КТ3130Е9............................... 400

Т= -60 °С:
2Т3130А9, КТ3130А9 ....................... 25...250

2Т3130Б9, 2Т3130В9, 2Т3130Д9,
КТ3130Б9, КТ3130В9, КТ3130Д9.......... 50...500

2Т3130Г9, 2Т3130Е9, КТ3130Г9,
КТ3130Е9.............................. 100...1000

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/КБ = 5 В, 4 = Ю мА:
2Т3130А9, 2Т3130Б9, 2Т3130В9,
2Т3130Д9, КТ3130А9, КТ3130Б9,
КТ3130В9, КТ3130Д9 .......................... 150*...400*...

450* МГц

2Т3130Г9, 2Т3130Е9, КТ3130Г9, КТ3130Е9 300*...400*...

550* МГц

КТ3130Ж9, не менее....................... 150* МГц

Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее:

2Т3130А9, 2Т3130Б9, КТ3130А9,
КТ3130Б9................................. 30* В

2Т3130В9, 2Т3130Д9, КТ3130В9,
КТ3130Д9................................. 20* В

2Т3130Г9, 2Т3130Е9, КТ3130Г9, КТ3130Е9 15* В
КТ3130Ж9................................. 25* В
Емкость коллекторного перехода
при и№ = 5 В, не более.................. 12* пФ

Обратный ток коллектора при 4/№ = С/КБ МАКС,
не более................................ 0,1 мкА

Предельные эксплуатационные ранные

Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т3130А9, 2Т3130Б9, КТ3130А9, КТ3130Б9 50 В
2Т3130В9, 2Т3130Д9, КТ3130В9,
КТ3130Д9, КТ3130Ж9...................... 30 В

2Т3130Г9, 2Т3130Е9, КТ3130Г9, КТ3130Е9 20 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 10 кОм:
2Т3130А9, 2Т3130Б9, КТ3130А9, КТ3130Б9 40 В
КТ3130Ж9................................ 25 В

2Т3130В9, 2Т3130Д9, КТ3130В9, КТ3130Д9 20 В
2Т3130Г9, 2Т3130Е9, КТ3130Г9, КТ3130Е9 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В

Постоянный ток коллектора............... 100 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

7 = -60...+25 °С:
2Т3130А9, 2Т3130Б9, 2Т3130В9,
2Т3130Г9, 2Т3130Д9, 2Т3130Е9........ 200 мВт

КТ3130А9, КТ3130Б9, КТ3130В9,
КТ3130Г9, КТ3130Д9, КТ3130Е9,
КТ3130Ж9......................... 100 мВт

7 = +85 °С:

2Т3130А9, 2Т3130Б9, 2Т3130В9,
2Т3130Г9, 2Т3130Д9, 2Т3130Е9..... 80 мВт

КТ3130А9, КТ3130Б9, КТ3130В9,

КТ3130Г9, КТ3130Д9, КТ3130Е9,
КТ3130Ж9......................... 40 мВт

Температура р-п перехода ............... +125 °С

Тепловое сопротивление переход—среда:

2Т3130А9, 2Т3130Б9, 2Т3130В9, 2Т3130Г9,
2Т3130Д9, 2Т3130Е9................... 0,5 °С/мВт

КТ3130А9, КТ3130Б9, КТ3130В9, КТ3130Г9,
КТ3130Д9, КТ3130Е9, КТ3130Ж9......... 1 ’С/мВт

Температура окружающей среды............ —60...+85 °С

' При Т от +25 до +85 °С максимально допустимая постоянная рассеивае-
мая мощность коллектора уменьшается линейно.

Пайку выводов рекомендуется проводить с применением
лудящих паст и припоев на расстоянии не менее 0,15 мм от
166
корпуса транзистора, время пайки не более 4 с, температура
пайки не более +265 °С.

Зависимости электрических параметров от режимов тран-
зисторов 2Т3130(А9—Е9) аналогичны зависимостям КТ3130(А9—

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

КТ3151А9, КТ3151Б9, КТ3151В9, КТ3151Г9,
КТ3151Д9, КТ3151Е9

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе
гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г.
«''315КА9-Е9'

30

Изготовитель — ак-
ционерное общество от-
крытого типа «Элеке»,
г. Александров.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/кь = 5 В, /э = Ю мА для
КТ3151А9, КТ3151Б9, КТ3151В9, КТ3151Г9,
<7КБ = 1 В, /э = 0,04 мА для КТ3151Д9,
КТ3151Е9:

КТ3151А9, не менее................... 20

КТ3151Б9...........................     30...90

КТ3151В9, КТ3151Г9................... 40...120

КТ3151Д9, не менее................... 80

КТ3151Е9, не менее .................. 40

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, /э = 1 мА,
не менее................................ 100 МГц

Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее:

КТ3151А5, КТ3151Б9................... 80	В

КТ3151В9............................. 60	В

КТ3151Г9............................. 40	В

КТ3151Д9............................   ЗОВ

КТ3151Е9 ............................ 20	В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = Ю мА, /Б = 1 мА, не более....... 0,6 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 10 мА, /Б = 1 мА, не более...... 1,2 В

Емкость коллекторного перехода
при С4б = Ю В, не более................. 15 пФ
Емкость эмиттерного перехода при = 0,5 В,
не более............................... 20 пФ

Обратный ток коллектор—эмиттер при
(4, = 100 В для КТ3151А9,	= 90 В

для КТ3151Б9,	= 80 В для КТ3151В9,

^ = 60 В для КТ3151Г9,	= 30 В для

КТ3151Д9, КТ3151Е9, /?ю = 10 кОм, не более 1 мкА
Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 0,5 В,
не более............................... 10 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 10 кОм:

КТ3151А9, КТ3151Б9.................. 80 В

КТ3151В9............................ 60 В

КТ3151Г9............................ 40 В

КТ3151Д9............................. ЗОВ

КТ3151Е9............................ 20 В

Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В

Постоянный ток	коллектора.............. 100 мА

Импульсный ток коллектора при Ги = 10 мс,
0= 100................................. 150 мА

Постоянный ток	базы.................... 30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т = —60...+25 ’С............. 200 мВт

Температура р-п перехода............... +125 ’С

Температура окружающей среды........... —60...+85 ’С

' При Г > +25 ‘С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле

Р» млкс = (125 - Т)/500, Вт.

Пайку выводов рекомендуется проводить с применением
лудящих паст и припоев на расстоянии не менее 0,15 мм от
корпуса транзистора, время пайки не более 4 с, температура
пайки не более +265 ’С.

КТ3153А9

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п универсальный. Предназначен для применения в
усилителях, генераторах и импульсных устройствах в составе
гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

КТ3153А9

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ = 5 В, 4 = 2 мА..... 100...300

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Уо = 5 В, <<= 10 мА,
не менее................................ 250 МГц

Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее................................ 32 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 = 1 мА, не более...... 0,35 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б=1 мА, не более....... 0,85 В

Время рассасывания при /к = 10 мА, 4 = 1 мА,
не более................................ 0,4 мкс

Емкость коллекторного перехода
при и№ - 10 В, не более................. 4,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при = О,
не более................................... 15	пФ

Обратный ток коллектора при = 45 В,
не более................................... 50	нА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 60 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ю = 1 кОм......................... 50 В

Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В

Постоянный ток коллектора............... 400 мА

Импульсный ток коллектора при ?и = 10 мкс... 600 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора’ при Т=—45...+25 °С, /?т(п<) = 417 °С/Вт 300 мВт

Температура р-п перехода................ +150 °С

Температура окружающей среды............ —45...+85 ’С

’ При Т > +25 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле

Рк.и*«с = (150- Г)/417, Вт.

Пайку выводов рекомендуется проводить с применением
лудящих паст и припоев на расстоянии не менее 0,15 мм от
корпуса транзистора, время пайки не более 4 с, температура
пайки не более +265 ’С.

Входные характери-
стики

1к.мА

Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента пе-
редачи тока от тока
коллектора

Выходные характери-
стики
Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента пе
редачи тока от напря-
жения коллектор—база

Зона возможных поло-
жений зависимости на-
пряжения насыщения
коллектор—эмиттер
от тока коллектора

Зона возможных поло-
жений зависимости на-
пряжения насыщения
база—змиттер от тока
коллектора

КТ3171А9

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п переключательный. Предназначен для применения
в бытовой видеотехнике в составе гибридных интегральных
микросхем, в платах поверхностного монтажа. Выпускается в
пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора
указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,01 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при = 2 В, не менее:
при 4 = 100 мА....................... 50

при /к = 500 мА...................... 50

Модуль коэффициента передачи тока на вы-

сокой частоте при = 5 В, 4 = 50 мА,
€ = 100 МГц, не менее................... 1,5

Граничное напряжение при 4 = Ю мА,
не менее............................... 12 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:
при 4 = Ю0 мА, /Б = 10 мА, не более.. 0,15 В

при 4 = 400 мА, /Б = 40 мА, не более. 0,3 В

Время включения при 4 = 500 мА, 4 = 50 мА,
не более................................ 30 нс

Время выключения при 4 = 500 мА, 4 = 50 мА,
не более................................ 20 нс

Емкость коллекторного перехода
при 64б = 5 В, не более................. 15 пФ

Обратный ток коллектора при иКБ = 12 В,
не более................................ 0,1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 15 В

Постоянный ток коллектора’
при Т= -60...+25 ’С..................... 0,53 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 2 при Т - —60...+25 ’С............ 0,2 Вт

Температура р-п перехода................ +125 ’С

Температура окружающей среды............ —60...+85 ’С

' При Т = +25...+85 ’С максимально допустимый постоянный ток коллекто-
ра рассчитывается по формуле

4 млкс = (125 - Т)/(6'кэнлс • 500), А.

2 При Т - +25...4-85 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле

Рч идчс = (125 - Т)/500, Вт.
О' 1.1.111111.11111111 11111111	———————	——————

Г 1 НШ№'! И561Й'2 Л1,.мА о 10'10'10'10‘10‘Ра,кОм 0 200100 600 800 мА

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка коллектора

Зона возможных поло-
жений зависимости мак-
симально допустимого
напряжения коллектор-
эмиттер от сопротивле-
ния база—эмиттер

Зона возможных по-
ложений зависимости
напряжения насыще-
ния коллектор—эмит-
тер от тока коллек-
тора

Входные характери-

Выходные характери Выходные характери-

стики	стики	стики

КТ3173А9

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п переключательный. Предназначен для применения
в бытовой видеотехнике в составе гибридных интегральных
микросхем, в платах поверхностного монтажа. Выпускается в
пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора
указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,01 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.
КТ3173А9

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:

при 4/кэ = 5 В, /к = 30 мА............ 50...500

при икэ = 10 В, /к = 150 мА, не менее. 50

Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 10 В, 4 = 50 мА,
7 = 100 МГц, не менее.................... 2

Граничное напряжение при /к = 10 мА,
не менее................................. 27 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:

при /к = 100 мА, /Б = 10 мА, не более. 0,15 В

при /к = 500 мА, /Б = 50 мА, не более. 0,6 В

Время включения при /к = 500 мА, /Б = 50 мА,
не более................................. 30 нс

Время выключения при /к = 500 мА, /Б = 50 мА,
не более................................. 20 нс

Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 10 В, не более................ 10 пФ

Обратный ток коллектора при С/КБ = 20 В,
не более................................. 0,1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 30 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В

Постоянный ток коллектора1
при Т= -60...+25 °С..................... 0,53	А

При Т = +25...+85 “С максимально допустимый постоянный ток коллекто-
-ра рассчитывается по формуле

'киакс = (125- Г)Жэлс-500), А.
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора' при Г = —60...+25 °С.............. 0,2 Вт

Температура р-п перехода................ +125 °С

Тепловое сопротивление переход—окружаю-
щая среда............................... 0,5 °С/мВт

Температура окрухсающей среды........... —60...+85 °С

1 При Т = +25.. +85 "С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле

Р» накс = (125 - Г)/500. Вт

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка коллектора

Зона возможных поло-
жений зависимости на-
пряжения насыщения
коллектор—змиттер
от тока коллектора

Зона возможных поло-
жений зависимости мак-
симально допустимого
напряжения коллектор-
эмиттер от сопротивле-
ния база—эмиттер

Входные характери-

Выходные характери-

стики

стики

Выходные характери-
стики

КТ3176А9

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п универсальный. Предназначен для применения в
176
аналоговых и импульсных схемах бытовой видеоаппаратуры в
составе гибридных интегральных микросхем. Выпускается в
пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора
указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,01 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

КТ3176А9

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ = 10 В, не менее:
при 4 = Ю мА............................ 65

при /э = 150 мА...................... 60

Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 10 В, 1$ = 50 мА,
<= 100 МГц, не менее................... 1,5

Граничное напряжение при /к = 10 мА,
не менее................................ 25 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 500 мА, /Б = 50 мА, не более.... 0,6 В

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 10 В, не более............... 15 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Ух = 0,5 В,
не более................................ 85 пФ

Обратный ток коллектора при Укь = 35 В,
не более................................ 0,1 мкА

Обратный ток эмиттера при Ух = 2 В,
не более................................ 0,1 мкА
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 35 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В

Постоянный ток коллектора’
при Т = -60...+25 °С.................... 0,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора* 2 при Т = —60...+25 °С............ 0,2 Вт

Температура р-п перехода................ +125 °С

Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,5 °С/мВт

Температура окружающей среды............ —60...+85 °С

’ При Т = +25...+85 ’С максимально допустимый постоянный ток коллекто-
ра рассчитывается по формуле

'к.мл«с = (125- ПД^-БОО), А.

2 При Г = +25...+85 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле

Рк МАКС = <125 “ П/500, Вт.

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора

Зависимость максималь-
но допустимого напря-
жения коллектор—эмит-
тер от сопротивления
база—эмиттер

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

Входные характери-
стики

Выходные характери-
стики

Выходные характери-
стики
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

Зависимость модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока эмиттера

Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база

КТ3179А9

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п универсальный. Предназначен для применения в
бытовой видеотехнике в составе гибридных интегральных ми-
кросхем, в платах поверхностного монтажа. Выпускается в
пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора
указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,01 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, /н = 10 мА,
не менее:

Г = +25 и +85 ’С................. 65

Г=-60'С.......................... 10

Обратный ток коллектора при (/КБ = 100 В,
не более:

Т - —60 и +25 ’С................... 1	мкА

7"=+85’С.........................  10	мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 150 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 150 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В

Постоянный ток коллектора при Т - +25 ’С ... 55 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т = —60...+25 ’С............. 0,2 Вт

Температура р-п перехода .............. +125 ’С

Тепловое сопротивление переход—среда... 0,5 °С/Вт

Температура окружающей среды........... —60...+85 ’С

' При Т - +25...4-85 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле

Рк иакс = (125 ~ Т)/500, Вт.

Допустимое значение статического потенциала 500 В.

Очистку транзисторов, используемых для автоматической
сборки, рекомендуется производить в спирто-бензиновой сме-
си (1: 1) при виброотмывке с частотой 50 Гц и амплитудой
колебаний до 1 мм в течение 4 мин.

Транзистор изготавливают с отформованными выводами,
перед монтажом дополнительной подготовки не требуется.

Пайку выводов рекомендуется проводить в следующих
режимах: одноразовым погружением корпуса в расплавлен-
ный припой при температуре не выше +265 ’С не более 4 с.
Припой ПОС—61 по ГОСТ 21930, флюс состоит из 25% по
массе канифоли (ГОСТ 19113) и 75% по массе изопропилово-
го (ГОСТ 9805) или этилового (ГОСТ 18300) спирта, сплавле-
ние паяльной (лудящей) пастой в режиме: нагрев вывода в
месте пайки до температуры не выше +190 ’С, не более 30 с,
последующий нагрев вывода в месте пайки до температуры не
выше +230 ’С в течение не более 15 с.

При включении транзистора в электрическую цепь, нахо-
дящуюся под напряжением, базовый вывод необходимо при-
180
соединять первым и отключать последним. Работа транзисто-
ра в режиме «оборванной базы» по постоянному току катего-
рически запрещается.

Транзисторы р-п-р

1ТМ305А, 1ТМ305Б, 1ТМ305В,
1Т305А, 1Т305Б, 1Т305В, ГТ305А, ГТ305Б, ГТ305В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты. Транзисторы 1ТМ305А, 1ТМЗО5Б,
1ТМ305В выпускаются в металлостеклянном корпусе с кера-
мической платой (вариант 1), масса транзистора не более
0,8 г; транзисторы 1Т305А, 1Т305Б, 1Т305В, ГГ305А, ГГ305Б,
ГГ305В — в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами
(вариант 2), масса транзистора не более 0,5 г. Тип прибора
указывается на корпусе.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Планета», г. Новгород.

1ТМ3051А-В)

113051А-В) ГТЖ(А-В)
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С4б = 1 В, /э = 10 мА:

Т = +25 ’С:

1ТМ305А, 1Т305А, ГГЗО5А.......... 25...80

1ТМ305Б, 1Т305Б, ГТ305Б.......... 60...180

Т= +73 ’С (Г = +60 ’С для ГГ305А,
ГТ305Б):

1ТМ305А, 1Т305А,	ГТ305А.......... 20...270

1ТМ305Б, 1Т305Б,	ГГ305Б.......... 40...550

Т= -60 ’С:

1ТМ305А, 1Т305А,	ГГ305А.......... 15...80

1ТМ305Б, 1Т305Б,	ГГ305Б.......... 30...180

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при С/КБ = 5 В, 4 = $ мА:

Т= +25 ’С для 1ТМ305В, 1Т305В, ГТ305В 40... 120
Г = +73 ’С (Т = +60 ’С для ГТЗО5В),
/э = 1 мА для 1ТМ305В, 1Т305В, ГГ305В... 30...400
Т= -60 ’С для 1ТМ305В, 1Т305В,
ГТЗО5В............................... 20... 120

Модуль коэффициента передачи тока
на частоте ^=20 МГц, С/КБ = 5 В, 4 = Ю мА,
не менее:

1ТМ305А, 1Т305А, ГТ305А.............. 7

1ТМ305Б, 1ТМ305В, 1Т305Б, 1Т305В,
ГТ305Б, ГТ305В....................... 8

Постоянная времени цепи обратной связи
на частоте /= 5 МГц при С/КБ = 5 В, 4 = 5 мА:
1ТМ305А, 1ТМ305Б, 1Т305А, 1Т305Б,
ГТ305А, ГТ305Б.......................... 500 пс

1ТМ305В, 1Т305В, ГГ305В.............. 300 пс

Граничное напряжение при 4 = Ю мА....... 12 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 10 мА, /Б=1 мА для 1ТМ305А,
1ТМ305Б, 1Т305А, 1Т305Б, ГГ305А, ГГ305Б ... 0,5 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4=10 мА, 4 = 1 мА для 1ТМ305А,
1ТМ305Б, 1Т305А, 1Т305Б, ГТ305А, ГГ305Б ... 0,7 В
Емкость коллекторного перехода при и№ = 5 В,
Г= 5 МГц:

1ТМ305А, 1ТМ305Б, 1Т30$А, 1Т305Б,
ГТ305А, ГТ305Б....................... 7 пФ

1ТМ305В.............................. 6 пФ

1Т305В, ГТ305В....................... 5,5 пФ
Обратный ток коллектор—эмиттер
при 6/кэ = 15 В, С/бэ = 0,5 В, не более:
Т- —60 и +25 ’С......................... 6 мкА

Т = +73 ’С........................... 80 мкА

Обратный ток эмиттера при С/ю = 1,5 В
(Цз = 0,5 В для 1ТМ305В, 1Т305В, ГГ305В),
не более................................ 30 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при ию = 0,5 В.......................... 15 Ь

Постоянное напряжение коллектор—база
(в схеме ОБ)............................ 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 1,5 В

Постоянный ток коллектора:
при Т = —60...+35 ’С.................... 40 мА

при Т= +35...+73 ’С (7 = +35...+60 ’С
для ГТ305А, ГТ305Б, ГТ305В).......... 5,2^85 - Т м/>

Импульсный ток коллектора при 7И = 10 мкс... 100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

. при Т = -60...+25 ’С.................. 75 мВт

при 7 = +25...+73 ’С (Т = +25...+60 ’С
для ГТ305А, ГТ305Б, ГТ305В).......... (85-7)/0,8 мВт

Температура р-п перехода................ +85 ’С

Температура окружающей среды:

1ТМ305А, 1ТМ305Б, 1ТМ305В, 1Т305А,
Т305Б, 1Т305В........................ -60...+73 ’С

ГТ305А, ГТ305Б, ГТ305В............... -60...+60 ’С

При различного рода испытаниях, измерениях параметров,
монтаже и регулировке аппаратуры необходимо принимать
меры по защите транзистора от статического электричества и
самовозбуждения. Допустимое значение статического потен-
циала 1000 В.

1ТЗО8А, 1Т308Б, 1Т308В, ГТ308А, ГТЗО8Б, ГТ308В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения
в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устрой-
ствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 2,2 г.
Изготовитель — Нальчикский завод полупооводниковых
приборов, г. Нальчик.

1Т3081А-В) ГТЗОВ(А-В)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ = 1 В, /э = 10 мА:

Г= +25 ’С:
1Т308А, ГТ308А....................... 25.-75

1Т308Б, ГТ308Б................... 50...120

1ТЗО8В, ГТ308В......................	80...150

Г= +70 ’С:
1Т308А, ГТ308А ........................ От 25 до 3

значений при
Т= +25 ’С
1Т308Б, ГТ308Б............... От 50 до 3

значений при
Т= +25 ’С
1Т308В, ГТ308В ..................... От 80 до 3

значений при
Т= +25 ’С

Т = —60 ’С, не менее:
1Т308А, ГТ308А ..................... 15

1Т308Б, ГТ308Б..................... 30

1Т308В, ГТ308В...................... 45

Коэффициент передачи тока в режиме
малого сигнала при и№ = 5 В, /э = 1 мА,
(- 500...1000 Гц, не менее:

1Т308Б, ГТ308Б.......................... 15

1Т308В, ГТ308В.......................... 25

Граничная частота коэффициента передачи
тока при и№ = 5 В, 4 = 5 мА, не менее:

1Т308А, ГТ308А.......................... 90 МГц

1Т308Б, 1Т308В, ГТ308Б, ГТ308В.......... 120 Мгц
Постоянная времени цепи обратной связи
при = 5 В, 4 = 5 мА, / = 5 МГц, не более:
1Т308А, 1Т308Б, ГТ308А, ГТ308Б........... 400 пс

1Т308В, ГТ308В....................... 500 пс

Коэффициент шума при С/КБ = 5 В, 4 = 5 мА,
Г= 1,6 МГц для 1Т308В, ГТ308В, не более.. 8 дБ

Время рассасывания при = 10 В,
4 = 50 мА, не более:

1Т308А, ГТ308А при /Б = 4 мА......1	мкс

1Т308Б, ГТ308Б при /Б = 2 мА.......... 1	мкс

1Т308В, ГТ308В при /Б = 1,25 мА...... 1	мкс

Граничное напряжение при 4 = Ю мА,
не менее................................. 15 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 50 мА, /Б = 3 мА, не более:

1Т308А, ГТ308А....................... 1,5 В

1Т308Б, 1Т308В, ГТ308Б, ГТ308В....... 1,2 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 50 мА, 4 = 1 мА, не более........ 0,45 В

Обратный ток коллектора, не более:

Т= +25 °С:

С4б = 15 В........................ 5 мкА

С4б = 5 В......................... 2 мкА

Т= +70 ’С, Окь = 10 В................ 90 мкА

Обратный ток эмиттера, не более:

их = 2 В............................. 50 мкА

иэъ = 3 В............................ 1000 мкА

Емкость коллекторного перехода
при 14б = 5 В, не более.................. 8 пФ

Емкость эмиттерного перехода при их = 1 В,
не более................................. 22 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база’
при отключенном эмиттере, Т = +45	... 20 В

Постоянное напряжение коллектор—база’ при
обратном смещении на эмиттере, Г=+45 °С... 30 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер’
при /?6Э = 1 кОм, Т = +45 °С............. 12 В

Постоянное напряжение эмиттер—база’
при Г = +45 °С........................... 3 В

' При Г = +45...+70 "С предельно эксплуатационные данные уменьшаются
через каждые 5 °С; постоянное и импульсное напряжение коллектор—база на
1 В, постоянное напряжение коллектор—эмиттер на 0,4 В, постоянное напря-
жение эмиттер—база на 0,2 В.
Постоянный ток коллектора.................

Импульсный ток коллектора' при = 5 мкс,
Т = +45 ’С................................

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 2 при Т = +45 °С....................

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при = 5 мкс, Т = +45 ’С.............

Температура р-п перехода..................

Температура окружающей среды..............

50 мА

120 мА

150 мВт

360 мВт
+85 ’С
-60...+70 ’С

При Т = +45...+70 ”С предельно эксплуатационные данные уменьшаются
через каждые 5 "С; импульсный ток коллектора на 4 мА, импульсная рассеива-
емая мощность на 10 мВт.

2 При Т = +45...+70 "С постоянная рассеиваемая мощность коллектора
рассчитывается по формуле

Л.накс = 4 (85 - Т), мВт.

ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклян-
ном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.

ГТ309(А-Е.

Базе

Эмимтеь

Коллектсс

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Уцэ = 5 В, 4 = 5 мА:

Т= +20 ’С:

ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д............. 20...70

ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е............. 60... 180
Т= +55 °С:
ГТ309а’ ГТ309В, ГТ309Д.............. 20... 140

ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е............ 60...380

Т= -20 °С:
ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д.............. 16...70

ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е............ 30...180

Граничная частота коэффициента передачи
тока при С/кэ = 5 В, /э = 5 мА, не менее:

ГТ309А, ГТ309Б........................ 120 МГц

ГТ309В, ГТ309Г........................ 80 МГц

ГТ309Д, ГТ309Е........................ 40 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при Уо = 5 В, 4 = 5 мА, 5 МГц, не более:

ГТ309А, ГТ309Б........................ 500 пс

ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е........ 1000 пс

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 5 В,
не более:

Т = +20 °С............................ 5 мкА

Г=+55 °С.............................. 120 мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ
при	= 5 В, /э = 1 мА, не более........ 38 Ом

Выходная проводимость в схеме ОБ
при	= 5 В, 1з = 5 мА, не более........ 5 мкСм

Коэффициент шума при = 5 В, /э = 1 мА,

1,6 МГц для ГТ309Б, ГТ309Г, не более.. 6 дБ

Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 5 В, не более................. 10 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при = 10 кОм............................. 10 В

Постоянный ток коллектора................ 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т = +20 °С  ...................... 50 мВт

при Г = +55 °С........................ 15 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда..... 1 °С/мВт

Температура р-п перехода................. +70 °С

Температура окружающей среды............. —40...+55 °С

ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные струк-
туры р-п-р усилительные с нормированным коэффициентом
шума. Предназначены для применения в усилителях высокой
187
частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибки-
ми выводами. Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Киев.

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока в режиме
малого сигнала при С/КБ = 5 В, /э = 1 мА,
Г = 500... 1000 Гц:

ГТ310А, ГТ310В, ГТ310Д................ 20...70

ГТ310Б, ГТ310Г, ГТ310Е................ 60...180

Граничная частота коэффициента передачи
тока при = 5 В, 1з = 5 мА, не менее:

ГТ310А, ГТ310Б........................ 160	МГц

ГТ310В, ГТ310Г........................ 120	МГц

ГТ310Д, ГТ310Е........................ 100	МГц

Постоянная времени цепи обратной связи

при С/КБ = 5 В, 4 = 5 мА, Л= 5 МГц, не более:

ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г........ 300 пс

ГГ310Д, ГТ310Е........................ 500 пс

Коэффициент шума при 1/КБ = 5 В, /э = 1 мА,
Г= 1,6 МГц, не более:

ГТ310А, ГТ310Б........................ 3 дБ

ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е........ 4 дБ

Входное сопротивление в схеме ОБ
при и№ = 5 В, /э = 1 мА, не более........ 38 Ом

Выходная проводимость в схеме ОБ при

С/КБ = 5 В, 4 = 1 мА, Л= 50... 1000 Гц, не более . 3 мкСм

Предельные эксплуатационные данные

Постояиное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?и = 10 кОм......................... 10	В

при /?„ = 200 кОм...................... 6	В

Постоянное напряжение коллектор—база.... 12 В
Постоянный ток коллектора................ 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т = +35 °С...................... 20 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда..... 2 °С/мВт

Температура р-п перехода................. +75 °С

Температура окружающей среды............. —40...+55 °С

2Т313А, 2Т313Б, КТ313А, КТ313Б,
КТ313А1, КТ313Б1, КТ313В1, КТ313Г1

Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора в металлостеклянном корпусе 2Т313А,
2Т313Б, КТ313А, КТ313Б и пластмассовом корпусе с гибкими
выводами КТ313(А1—Г1) не более 0,5 г, в пластмассовом кор-
пусе не более 0,3 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

2Т313А9(АБ). КША.Б)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, /э = 1 мА:

Г= +25 “С:
2Т313А, КТ313А,	КТ313А1............    30...120

2Т313Б, КТ313Б,	КТ313Б1 ............. 80...300

КТ313В1................................ 200...520

КТ313Г1 ............................... 400...800

Т = -60 °С для 2Т313А, Г = -40 °С для

КТ313А..................................... 15...120
КТ313(А1-Г1)

1 77

Т= -60 °С для 2Т313Б, Т= -40 °С для
КТ313Б................................ 30...300

7 =+125	°С	для	2Т313А............... 30...240

Т= +85 °С для	КТ313А.................. 30...300

Т= +125 °С для 2Т313Б, Т= +85 °С для
КТ313Б................................ 80...600

Граничная частота коэффициента передачи
тока при = 20 В, 4 = 50 мА, не менее...... 200 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при С/КБ = 5 В, 4 ~ 1 мА, 7= 30 МГц, не более 120 пс
Время рассасывания при /к = 30 мА,
/6, = 4г = 3 мА........................... 80*...90*...

120* нс

Граничное напряжение при 4 - Ю мА,
не менее.................................. 50* В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 150 мА, 4 ~ 15 мА, не более....... 0,5 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 150 мА, 4 = 15 мА, не более...... 1,3 В

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 50 В,
не более:

7 =+25 °С............................. 0,5 мкА

7= +85 °С для КТ313А, КТ313Б.......... 10 мкА

7= +125 °С для 2Т313А, 2Т313Б......... 5 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при 14э = 50 В, /?БЭ = 1 кОм для 2Т313А,
2Т313Б, не более.......................... 0,5* мкА

Обратный ток эмиттера при 44е = 5 В,
не более.................................. 0,5 мкА

Емкость коллекторного перехода
при С4б ~ Ю В» не более................... 12 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (Ух = 0  25*...35*...

45* пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

2Т313А, 2Т313Б, КТ313А, КТ313Б,
КТ313А1, КТ313Б1..................... 60 В

КТ313В1.............................. 50 В

КТ313Г1 ............................. 30 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?вэ = 1 кОм:

2Т313А, 2Т313Б, КТ313А, КТ313Б,
КТ313А1, КТ313Б1..................... 50 В

КТ313В1.............................. 45 В

КТ313Г1 ............................. 25 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В

Постоянный ток коллектора:

без теплоотвода ..................... 350	мА

с теплоотводом....................... 600	мА

Импульсный ток коллектора при Ги С 1 мкс,
О 10 ................................... 700	мА

Постоянный ток базы..................... 150	мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т С +50 °С для 2Т313А, 2Т313Б.... 300 мВт

при ГС +25 °С для КТ313А, КТ313Б,
КТ313(А1-Г1)......................... 300 мВт

при Тк С +30 °С для 2Т313А, 2Т313Б с те-
плоотводом........................... 1,5 Вт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 4, С 1 мкс, 10................. 1 Вт

Тепловое сопротивление:

переход—среда........................ 300 °С/мВт

переход—корпус....................... 80 °С/мВт

Температура р-п перехода:

2Т313А, 2Т313Б....................... +150 °С

КТ313А, КТ313Б, КТ313(А1-Г1)......... +125 ’С

Температура окружающей среды:

2Т313А, 2Т313Б....................... -60...+125	°С

КТ313А, КТ313Б, КТ313(А1-Г1)......... -40...+85	°С

1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В, ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные струк-
туры р-п-р переключательные. Предназначены для примене-
ния в усилителях высокой частоты и переключающих устрой-
ствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 2,2 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Таллин.

1Т]20(А-В). ГГ320СА-В)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при (/КБ = 1 В, /э = 10 мА:

7 = +20 °С:
ГТ320А................................. 20...80

ГТ320Б.............................. 50... 120

ГТ320В.............................. 80...250

7 = +25 °С:
1Т320А................................. 40... 100

1Т320Б.............................. 70...160

1Т320В.............................. 100...250

7= -60 °С для 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В .. От 0,6 до 1,2
значения при
7 = +25 °С

7= +70 °С:
1Т320А................................. От 40 до 1,75

значения при
7= +25 °С

1Т320Б.............................. От 70 до 1,75

значения при
7= +25 °С

1Т320В.............................. От 100 .до 2

значений при

7= +25 °С

Граничная частота коэффициента передачи
тока при (7,0 = 5 В, 4 = Ю мА, не менее:
ГТ320А..................................... 80 МГц
ГТ320Б................................ 120	МГц

1Т320А, 1Т320Б,	ГТ320В............... 160	МГц

1Т320В................................ 200	МГц

Постоянная времени цепи обратной связи

при (/КБ = 5 В, /э = 5 мА, ( = 5 МГц, не более:

1Т320А, ГТ320А, 1Т320Б, ГТ320Б, 1Т320В 500 пс

ГТ320В................................ 600 пс

Время рассасывания при /к = 10 мА, /Б= 1 мА,
не более:

1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В................ 200	нс

типовое значение для 1Т320А, 1Т320Б,
1Т320В................................ 150* нс

ГТ320А................................ 400	нс

ГТ320Б................................ 500	нс

ГТ320В................................ 600	нс

Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не более:

1Т320А................................ 14 В

1Т320Б................................ 12 В

1Т320В................................ 10 В

типовое значение:

1Т320А............................ 15,5*	В

1Т320Б............................ 13,5*	В

1Т320В............................ 11* В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 200 мА, /Б = 20 мА, не более:

1Т320А, 1Т320Б,	1Т320В............... 1 В

типовое значение для 1Т320А, 1Т320Б,
1Т320В................................... 0,43*	В

ГТ320А, ГТ320Б,	ГТ320В............... 2 В

Напряжение насыщения база—эмиттер

при /К=Ю мА, 4 = 1 мА, не более:
1Т320А, 1Т320Б,	1Т320В................ 0,45 В

типовое значение для 1Т320А, 1Т320Б,
1Т320В................................ 0,3* В

ГТ320А, ГТ320Б,	ГТ320В............... 0,5 В

Обратный ток коллектора, не более:

при Т = +25 °С, при (4б = 20 В для 1Т320А,
1Т320Б, 1Т320В........................ 5 мкА

при Т = +20 °С, при (/КБ = 20 В для ГТ320А,
ГТ320Б, ГТ320В........................ 10 мкА

при Т - +20 °С, при 6/КБ = 5 В для ГТ320А,
ГТ320Б, ГТ320В........................ 2 мкА

при Г= +70 °С, при (/КБ = 15 В для 1Т320А,
1Т320Б, 1Т320В........................ 150 мкА

7- 734	19э
Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 2 В,
не более:

Т= +25 ’С для 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В .. 50 мкА

Т= +20 °С для ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В... 50 мкА
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 5 В, не более............... 8 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 1 В .. 25 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
при Т = +45 °С..................... 20 В

при Т= +70 ’С....................... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при запертом эмиттере:
при 7 = +45 ’С......................... 20 В

при 7 = +70 ’С...................... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при = 0 для 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В:

7= +45 ’С........................... 15 В

7=+70’С............................. 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 1 кОм:

7= +45 ’С:
1Т320А.......................... 14 В

ГТ320А,	1Т320Б................... 12 В

.ГТ320Б....:..................... 11В

1Т320В........................... 10 В

ГТ320В........................... 9 В

7= +70 ’С:
1Т320А.......................... 12 В

1Т320Б........................... 10 В

1Т320В........................... 8 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
при 7= +45 ’С....................... 3 В

при 7= +70 ’С....................... 2,5 В

Импульсное напряжение коллектор—эмиттер

при (Уж = 0, Ги = 1 мкс, О = 10:

7 = +45 ’С.......................... 25 В

7 =+70’С............................ 20 В

Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при запертом эмиттере, ?и = 1 мкс, О- 10

для 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В:

7=+45’С............................. 25 В

7=+70’С............................. 20 В
Постоянный ток коллектора:

при Т- +45 °С:
1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В............... 200 мА

ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В........... 150 мА

при Т= +70 ’С для 1Т320А, 1Т320Б,
1Т320В............................... 100 мА

Импульсный ток коллектора при = 5 мкс,
0= 10:

Т= +45 ’С............................ 300 мА

7=+70’С.............................. 250 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при 7 = +45 ’С для ГТ320А, ГТ320Б,
ГТ320В............................... 200 мВт

при 7 = +50 ’С для 1Т320А, 1Т320Б,
1Т320В............................... 200 мВт

при 7 = +70	’С...................... 100 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при ?и = 5 мкс, 0=10:

7 =+45’С............................. 1 Вт

7=+70’С.............................. 0,7 Вт

Тепловое сопротивление 1Т320А, 1Т320Б,
1Т320В.................................. 200 ’С/Вт

Температура р-п перехода................ +90 ’С

Температура окружающей среды:

1Т320А, 1Т320Б,	1Т320В............... -60...+70	’С

ГТ320А, ГТ320Б,	ГТ320В............... -55...+70	’С

Зависимость времени
рассасывания от тем-
пературы

Зависимость времени
рассасывания от тем-
пературы

7'

<95
1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е,
ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е

Транзисторы германиевые конверсионные структуры р-п-р
переключательные. Предназначены для применения в пере-
ключающих устройствах. Выпускаются в металлостеклянном
корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе. Вывод эмиттера на буртике корпуса маркируется цвет-
ной меткой.

Масса транзистора не более 2,2 г.

Изготовитель — Нальчинский завод полупроводниковых
приборов, г. Нальчик.

1П21(А-Е), П321(А-Е)

•'амектар База

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (4э = 3 В, /к = 500 мА:
Т= +20 °С:

ГТ321А, ГТ321Г...................... 20...60

ГТ321Б, ГТ321Д...................... 40...120

ГТ321В, ГТ321Е ..................... 80...200

Т= +25 °С:
1Т321А, 1Т321Г......................... 20...60

1Т321Б, 1Т321Д...................... 40...120

1Т321В, 1Т321Е...................... 80...200

Т= -60 °С для 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В,
1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е.................. От 0,5 до 2

значений при
Т= +25 “С
при (/|о = 8 В, /к = 1,5 мА, не менее:

1Т321А, 1Т321Г...................... 15

1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Д, 1Т321Е...... 20

Граничная частота коэффициента передачи
тока при 6/КБ = 10 В, /э = 15 мА, не менее. 60 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи
при 6/КБ = ЮВ, /э = 15 мА, ( = 5 МГц,
не более:

1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д,

1Т321Е................................ 400 пс

ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д,

ГТ321Е................................ 600 пс

Время рассасывания при /к= 700 мА, не более:

4 = 70 мА для 1Т321А, ГТ321А, 1Т321Г,
ГГ321Г................................ 1 мкс

4 = 35 мА для 1Т321Б, ГТ321Б, 1Т321Д,
ГТ321Д................................ 1 мкс

4 = 17,5 мА для 1Т321В, ГТ321В, 1Т321Е,
ГТ321Е................................ 1 мкс

Граничное напряжение при /э = 700 мА,
не менее:

1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В................ 45 В

1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е................ 35 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 700 мА, не более:

4 = 140 мА для 1Т321А, ГТ321А, 1Т321Г,
ГТ321Г................................ 2,5 В

4 = 70 мА для 1Т321Б, ГТ321Б, 1Т321Д,
ГТ321Д................................ 2,5 В

4 = 35 мА для 1Т321В, ГТ321В, 1Т321Е,
ГТ321Е................................ 2,5 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 700 мА, не более:

4 = 140 мА для 1Т321А, ГТ321А, 1Т321Г,
ГТ321Г................................ 1,3 В

4 = 70 мА для 1Т321Б, ГТ321Б, 1Т321Д,
ГТ321Д................................ 1,3 В

4 = 35 мА для 1Т321В, ГТ321В, 1Т321Е,

ГТ321Е................................ 1,3 В

Обратный ток коллектора, не более:
Т= +20 °С:

(/КБ = 60 В для	ГТ321А,	ГТ321Б, ГТ321В	500	мкА

УКБ = 45 В для	ГТ321Г,	“Т321Д, ГТ321Е	500	мкА

Г= +25 °С:

УКБ = 60 В для	1Т321А,	1Т321Б, 1Т321В	500	мкА

= 45 В для	1Т321Г,	1Т321Д, 1Т321Е	500	мкА

и№ = 30 В для	1Т321А,	1Т321Б,

1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е........ 100	мкА

Т= +70 °С, (/КБ = 30 В для 1Т321А,
1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е . 1,2 мА
Обратный ток коллектор—эмиттер

при /?ю = 100 Ом, не более:

(4э = 50 В для 1Т321А, ГТ321А, .1Т321Б,
ГТ321Б, 1Т321В, ГТ321В............... С,8 мА

Укэ = 40 В для 1Т321Г, ГТ321Г, 1Т321Д,
ГТ321Д, 1Т321Е, ГТ321Е............... 0,8 мА

Емкость коллекторного перехода

при (/К6 = 10 В, не более:

1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д,
1Т321Е............................... 550 пФ

ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д,
ГТ321Е............................... 600 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

при Т = +45 “С:
1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В........... 60 В

1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е............ 45 В

при Т= +70 °С для 1Т321А, 1Т321Б,
1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е........ 30 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при Т - +20 °С, /?и = 100 Ом:

1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В............... 50 В

1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е............... 40 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при отключенной базе:

ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В............... 40 В

ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е............... ЗОВ

Постоянное напряжение эмиттер—база:

1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В............... 4 В

1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е............... 2,5 В

Импульсное напряжение коллектор—база

при 4, = 30 мкс:

1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В............... 60 В

1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е............... 45 В

Импульсное напряжение коллектор—эмиттер

при /?БЭ = 100 Ом, = 30 мкс:

1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В............... 50	В

1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е............... 40	В

Постоянный ток коллектора................ 200 мА

Постоянный ток базы...................... 30	мА

Импульсный ток коллектора при Ги = 30 мкс:
7=+45 °С.............................. 2 А

7=+60°С.............................. 1,64 А
Т= +70 ’С 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В,
1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е................. 1,5 А

Импульсный ток базы при = 30 мкс.......... 0,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
Т= +45 ’С................................. 160 мВт

Т = +60 ’С............................. 100 мВт

Т= +70 ’С 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В,
1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е................. 60 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Ги = 30 мкс:
Т = +45 ’С................................ 20 Вт

Т = +60 ’С............................. 15,2 Вт

7 = +70 ’С 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В,
1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е................. 12 Вт

Тепловое сопротивление переход—среда

1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д,
1Т321Е.................................... 0,25 ’С/мВт

Температура р-п перехода:

ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д,
ГТ321Е................................. +80 ’С

1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д,
1Т321Е................................. +85 ’С

Температура окружающей среды:
ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д,
ГТ321Е.................................... -60...+70 ’С

1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д,
1Т321Е................................. -55...+60 ’С

2Т321А, 2Т321Б, 2Т321В, 2Т321Г, 2Т321Д, 2Т321Е,
КТ321А, КТ321Б, КТ321В, КТ321Г, КТ321Д, КТ321Е

Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р импульсные. Предназначены для применения в им-
пульсных усилителях и переключающих устройствах. Выпуска-
ются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 2,2 г.

Изготовитель — Нальчикский завод полупроводниковых
приборов, г. Нальчик.
Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:

при (/кэ = 3 В, /к = 50 мА, Т = +25 °С:

2Т321А, 2Т321Г, КТ321А,	КТ321Г..... 20...60

2Т321Б, 2Т321Д, КТ321Б,	КТ321Д..... 40...120

2Т321В, 2Т321Е, КТ321В,	КТ321Е..... 80...200

при (/кэ = 3 В, 4 = 50 мА, Т = —60 °С:
2Т321А, 2Т321Г.......................... 10...120

2Т321Б, 2Т321Д....................... 20...240

2Т321В, 2Т321Е....................... 40...400

при (4э = 3 В, /к = 50 мА, Т = +125 °С:
2Т321А, 2Т321Г.......................... 8...120

2Т321Б, 2Т321Д....................... 16...240

2Т321В, 2Т321Е....................... 32...400

при б'кэ = 8 В, /к = 1,5 А, Т= +25 °С,
не менее:

2Т321А, 2Т321Г....................... 15

2Т321Б, 2Т321В, 2Т321Д, 2Т321Е....... 20

Граничная частота коэффициента передачи
тока при (/КБ = 10 В, 4 = 15 мА, не менее... 60 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при

= 10 В, 4 = 15 мА, 7- 5 МГц, не более .... 400 пс
Время рассасывания при 4 = 700 мА
и 4 = 70 мА для 2Т321А, 2Т321Г, КТ321А,
КТ321Г, 4 = 35 мА для 2Т321Б, 2Т321Д,
КТ321Б, КТ321Д, 4 = 175 мА для 2Т321В,
2Т321Е, КТ321В, КТ321Е, не более............ 1 мкс

Граничное напряжение при 4 = 0,5 А,
не менее:

2Т321А, 2Т321Б, 2Т321В.................. 45 В

2Т321Г, 2Т321Д, 2Т321Е.................. 35 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 700 мА, 4 = 140 мА для 2Т321А,
2Т321Г, КТ321А, КТ321Г, 4 = 70 мА для
2Т321Б, 2Т321Д, КТ321Б, КТ321Д, 4 = 35 мА
для 2Т321В, 2Т321Е, КТ321В, КТ321Е,
не более................................ 2,5 В

Напряжение насыщения база—эмиттер при
4 = 700 мА, 4 = 140 мА для 2Т321А, 2Т321Г,
КТ321А, КТ321Г, 4 = 70 мА для 2Т321Б,
2Т321Д, КТ321Б, КТ321Д, 4 = 35 мА для
2Т321В, 2Т321Е, КТ321В, КТ321Е, не более.... 1,3 В
Обратный ток коллектора, не более:

при Т = +20 °С, и№ = икъ макс............ мкА

при Т = +125 °С, С/К6 = 30 В для 2Т321А,
2Т321Б, 2Т321В, 2Т321Г, 2Т321Д, 2Т321Е . 300 мкА
Обратный ток коллектор—эмиттер при

= С/кэ МАкс> ^бэ ЮО Ом для 2Т321А,
2Т321Б, 2Т321В, 2Т321Г, 2Т321Д, 2Т321Е,
не более................................ 200 мкА

Обратный ток эмиттера при 1УХ = 4 В,
не более................................ 100 мкА

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 10 В, не более:

2Т321А, 2Т321Б, 2Т321В, 2Т321Г, 2Т321Д,
2Т321Е............................... 40 пФ

КТ321А, КТ321Б, КТ321В, КТ321Г, КТ321Д,
КТ321Е............................... 80 пФ

Емкость эмиттерного перехода при 1УХ - 0,5 В,
не более................................ 250 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение коллектор—база:
2Т321А, 2Т321Б, 2Т321В, КТ321А, КТ321Б,
КТ321В............................... 60 В

2Т321Г; 2Т321Д, 2Т321Е, КТ321Г, КТ321Д,
КТ321Е............................... 45 В

Напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ С 1 кОм:

2Т321А, 2Т321Б, 2Т321В, КТ321А, КТ321Б,
КТ321В	50 В

2Т321 Г, 2Т32Тд’ 2Т321Ё,’ КТ321Г,'КТ321Д,
КТ321Е............................... 40 В

Напряжение эмиттер—база................. 4 В

Постоянный ток	коллектора............... 200 мА
Постоянный ток базы...................._.	30 мА

Импульсный ток коллектора1 при С 30 мкс,
О Ъ 300, Г С +45 ’С....................... 2 А

Импульсный ток базы....................... 0,5 А

Постоянная или средняя рассеиваемая мощ-
ность коллектора при Т С +45 ’С........... 210 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-

тора1 при < 30 мкс, О 300, Т < +45 °С..... 20 Вт

Тепловое сопротивление переход—среда...... 0,5 ’С/мВт

Температура р-п перехода.................. +150 ’С

Температура окружающей среды.............. —60...+ 125 ’С

’ В диапазоне температур +45...+125 "С допустимые значения импульсного
тока коллектора и импульсной рассеиваемой мощности снижаются линейно на
0,01 А/"С и 0,18 Вт/"С соответственно.

ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные струк-
туры р-п-р усилительные с нормированным коэффициентом
шума. Предназначены для применения в усилителях промежу-
точной и высокой частот. Выпускаются в металлостеклянном
корпусе с гибкими выводами. Корпус транзистора электриче-
ски соединен с дополнительным (четвертым) выводом и может
быть использован в качестве экрана. Выводы эмиттера, базы
и коллектора электрически изолированы от корпуса транзи-
стора.

Масса транзистора не более 0,6 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Планета», г. Новгород.

ГТ322(А-В)
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /к = 1 мА:

ГТ322А.............................. 30...100

ГТ322Б............................... 50... 120

ГТ322В............................... 20...200

Граничная частота коэффициента передачи
тока при Ц6 = 5 В, 4 = 1 мА, не менее:

ГТ322А, ГТ322Б....................... 80 МГц

ГТ322В............................... 50 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи

при С/к6 = 5 В, 4 = 1 МА, / = 5 МГц, не более:

ГТ322А............................... 50 пс

ГТ322Б............................... 100 пс

ГТ322В............................... 200 пс

Коэффициент шума при 1/ю = 5 В, = 1 мА,
/= 1,6 МГц, не более.................... 4 дБ

Обратный ток коллектора при = 10 В,
не более:

Т = +20 °С........................... 4 мкА

Т= +55 ’С............................ 100 мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ при

= 5 В, /э = 1 мА, 50... 1000 Гц, не более 34 Ом
Выходная проводимость в схеме ОБ при

= 5 В, 4 = 1 мА, /= 50... 1000 Гц, не более 1 мкСм
Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 5 В, не более:

ГТ322А, ГТ322Б....................... 1,8 пФ

ГТ322В............................... 2,5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:

при Т - +55 ’С, /?бэ =10 кОм:
ГТ322А, ГТ322В....................... 10	В

ГТ322Б........................... 6 В

при Т = +20 ’С, /?бэ = 10 кОм........ 15 В

Постоянное напряжение коллектор—база.... 25	В

Постоянный ток коллектора............... 10	мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т = +25 ’С....................... 50 мВт

при Т = +55 ’С....................... 10 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,7 ’С/мВт
Температура р-п перехода:

ГТ322А, ГТ322В........................ +65 ’С

ГТ322Б................................ +60 ’С

Температура окружающей среды............. —40...+55	’С

К,/К.	1.6МГц)

Зависимость коэффициента шума от частоты .

1Т335А, 1Т335Б, 1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные струк-
туры р-п-р СВЧ переключательные. Предназначены для приме-
нения в переключающих устройствах. Выпускаются в метал-
лостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.

Масса транзистора не более 2,2 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Таллин.

1Ш!М)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 3 В, 4 = 50 мА:

Т= +25 ’С:

1Т335А, 1Т335В................. 40...70
1Т335Б, 1Т335Г..................... 60...100

1Т335Д............................. 50... 100

Т= -60 ’С.............................. От 0,6 до	1,4

значения при
Т= +25 ’С

Т= +70 ’С:
1Т335А, 1Т335В........................ От 0,9 до 1,5

значения при
Т = +25 ’С
1Т335Б, 1Т335Г, 1Т335Д............. От 0,9 до 1,7

значения при
Т = +25 ’С
Граничная частота коэффициента передачи
тока при 7/кб = 5 В, 4 = Ю мА, не менее... 300 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при Ц6 = 5 В, 1з = 5 мА, У' = 5 МГц, не более. 700 пс
Время рассасывания при /к = 10 мА,
/Б = 0,5 мА, не более:

1Т335А................................. 100 нс

1Т335В, 1Т335Д......................... 150 нс

типовое значение:

1Т335А............................. 75* нс

1Т335В,	1Т335Д..................... 82* нс

Граничное напряжение при /э - Ю мА,
не менее:

1Т335А, 1Т335Б......................... 13 В

1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д................. 10 В

типовое значение:

1Т335А, 1Т335Б..................... 14,5*	В

1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д............. 12,5*	В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 250 мА, /Б = 25 мА, не более:

1Т335А, 1Т335Б......................... 2 В

1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д................. 1,5 В

типовое значение....................... 0,72*	В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 10 мА, /Б = 1 мА, не более........ 0,45 В

типовое значение....................... 0,36* В

Обратный ток коллектора, не более:

Т= +25 ’С, С4б = 20 В.................. 10 мкА

Т= +70 ’С, С4б = 15 В.................. 100 мкА

Обратный ток эмиттера, не более:

1Т335А, 1Т335Б, 1Т335В, 1Т335Г:
Т/ЭБ = 2,5 В.......................... 5 мА

их = зв............................ 10 мА
1Т335Д:
1/эб = 2 В......................... 60	мА

С/эб = В........................ 1 мА

Емкость коллекторного перехода

при (/КБ = 5 В, не более:
1Т335А,	1Т335Б..................... 8,5	пФ

1Т335В,	1Т335Г,	1Т335Д............. 10	пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = 1 В,
не более......... ..................... 35	пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
Г=+45’С........................... 20 В

7"=+70’С............................ 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при С/КБ = 0,5 В:

Т = +45 "С.......................... 19 В

7"=+70’С............................ 14 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при Ябэ = 1 кОм:
1Т335А, 1Т335Б:

Г =+45 °С....................... 17	В

7"=+70’С........................ 14	В

>Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д:

Г =+45’С........................ 14	В

Т= +70 ’С....................... 11	В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
Г =+45’С............................ ЗВ

Г=+70’С............................. 2,5 В

Импульсное напряжение коллектор—база
при С/ЭБ = 2 В, = 10 мкс, О = 10:
1Т335А, 1Т335Б:
Г =+45’С............................... 35 Ь

Т= +70 ’С........................ ЗОВ

1Т335В, 1Т335Г, 1Т335Д:
Г =+45’С........................... ЗОВ

7"=+70’С........................ 25 В

Импульсное напряжение коллектор—эмиттер

при иэь = 0,5 В, = 10 мкс. О - 10:
Т- +45 ’С......................... 25 В

Г=+70°С............................. 20 В

Импульсное напряжение эмиттер—база
при 7И = 250 мкс, О - 10:
Т = +45 ’С........................... 4 В
7" =+70’С......................... 3,5 В

Постоянный ток коллектора:

Т = +45	’С........................ 150 мА

Г=+70’С........................... 100 мА

Импульсный ток коллектора при 7И = 50 мкс,
0=5:

Г =+45’С............:............. 250 мА

Т= +70 ’С......................... 150 мА

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при икэ = 0/кэо ГР, 7И = 50 мкс, 0=5:

Г=+60’С........................... 500 мВт

Г=+70’С........................... 350 мВт

Тепловое сопротивление	переход—среда. 300 °С/Вт

Температура р-п перехода............. +90 ’С

Температура окружающей среды......... —60...+70 ’С

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от темпе-
ратуры

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока кол-
лектора

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от температуры

Зависимости времени
рассасывания от тем-
пературы

Зависимости времени
рассасывания от тем-
пературы
ГТ338А, ГТ338Б, ГТ338В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные струк-
туры р-п-р лавинные. Предназначены для применения в бы-
стродействующих импульсных устройствах. Выпускаются в ме-
таллостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1,2 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Киев.

Электрические параметры

Напряжение лавинного пробоя при = 75 Ом,

С„ = 40...60 пф, Г = 15 кГц, не менее:
ГТ338А............................... 8 В

ГТ338Б............................... 13 В

ГТ338В............................... 5 В

Время нарастания импульса при 1/^ = 20 В,
/?н = 7 5 Ом, = 15 кГц, не более........ 1 нс

Обратный ток коллектора при = 20 В,
не более................................ 30 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при	= 20 В, /?бэ = 200 Ом, не более... 1 мА

Емкость коллекторного перехода
при	= 5 В, не более................... 2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 200 Ом....................... 20 В

Ток коллектора в лавинном режиме........ 1 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора.................................... 100 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,6 °С/мВт
Температура р-п перехода................. +85 ’С

Температура окружающей среды............. —40...+55 ’С

КТ343А, КТ343Б, КТ343В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилителях и генераторах высокой и низкой частот, переклю-
чающих и импульсных устройствах. Выпускаются в металло-
стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

КТШ(А-В)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ - 0,3 В, /э = 10 мА,

не менее:

Т= +25 ’С и +85 'С для КТ343А, КТ343В 30

Т= +25 ’С и +85 ’С для КТ343Б....... 50

Т= -40 ’С для КТ343А, КТ343В........ 15

Т= -40 ’С для КТ343Б................ 25

Граничная частота коэффициента передачи
тока при <4б = 5 В, 4 = 10 мА, не менее. 300 МГц

Время рассасывания при 4 = 10 мА, /Б = 1 мА,
не более:

КТ343А, КТ343В....................... 10	нс

КТ343Б............................... 20	нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 = 1 мА, не более...... 0,3	В
Обратный ток коллектора при С/КБ = 10 В
для КТ343А, КТ343Б и УКБ = 7 В для КТ343В,
не более:

Т = +25 “С............................ 1 мкА

Г= +85°С.............................. 10 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер

при = 10 кОм, 6/кэ = 7/кэ ИАКС, не более. 100 мкА

Обратный ток эмиттера при УЭБ = 4 В,
не более................................. 100 мкА

Емкость коллекторного перехода

при 6/КБ = 5 В, не более................. 6 пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = 0,
не более................................. 8 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при /?бэ С 10 кОм:

КТ343А, КТ343Б........................ 17 В

КТ343В................................ 9 В

Постоянное напряжение эмиттер—база....... 4 В

Постоянный ток коллектора................ 50 мА

Импульсный ток коллектора при С 10 мкс,
0^ 500 .................................. 150 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

ГС +70 °С............................. 150 мВт

Т= +85 °С............................. 130 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда..... 0,5 °С/мВт

Температура р-п перехода................. +150 °С

Температура окружающей среды............. —40...+85 °С

КТ350А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р универсальный. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе наносится условная маркировка двумя точками
серого и розового цвета.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.
кш)л

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/КБ = 1 В, /э = 500 мА:

Т = +25 “С.................      -..... 20...70*...200

Т = —40 °С.......-...~................. 0,5 значения

при Г= +25 °С

Г=+85 °С............................... От 0,9 до 2

значений при
Т = +25 °С

Граничная частота коэффициента передачи
тока при С/КБ = 5 В, /э = 10 мА, не менее. 100 МГц

типовое значение....................... 280* МГц

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 500 мА, /Б = 50 мА, не более..... 1 В

типовое значение....................... 0,19* В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 509 мА, /Б = 50 мА, не более...... 1,25 В

типовое .значение...................... 0,92* В

Обратный ток коллектора при УКБ = 10 В,
не более:

Г= +25	°С............................ 1 мкА

Т= +85	°С............................ 15 мкА

Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 4 В,
не более.................................. 10 мкА

Емкость коллекторного перехода
при икъ = 5 В, не более................... 70 пФ

типовое	значение...................... 12*	пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = 1 В,
не более.................................. 100	пФ

типовое	значение...................... 68*	пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база....

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /Ри $ 10 кОм........................

Постоянное напряжение эмиттер—база......

Импульсный ток коллектора при 5 1 мкс,
10.......................................

• Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:

при +30 *С.........................

при Т = +85 X......................

Тепловое сопротивление переход—среда....

Температура р-п перехода................

Температура окружающей среды............

20 В

15 В
5 В

600 мА

300 мВт
162,5 мВт
0,4 Х/мВт
+150 X
-40...+85 X

1 В диапазоне температур +30...+85 допустимое значение рассеиваемой
мощности снижается линейно.

Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1.5...2 мм.

Минимально допустимое расстояние от места пайки выво-
дов до корпуса 5 мм при температуре не выше +250 X и
длительности не более 10 с. Температура корпуса при пайке
не должна превышать +150 X.

КТ351А, КТ351Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе наносится условная маркировка двумя цветными
точками: КТ351А — желтой и розовой, КТ351Б — двумя
желтыми.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 1 В, 4 = 300 мА:

Т= +25 X:

КТ351А.................................... 20...52*...80

КТ351Б.................................... 50...70*...200
КТ551(А, Б)

5 2	4 5

Т = —40 °С, не менее.................. 0,4 значения

при Т = +25 °С

Т= +85 °С............................. От 0,9 до 2

значений при
Г = +25 °С
Граничная частота коэффициента передачи
тока при С/КБ = 5 В, 4 = 10 мА, не менее. 200 МГц

типовое значение...................... 430* МГц

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 100 мА:

4 = 50 мА для КТ351А, не более........ 0,6 В

типовое значение...................... 0,35* В

4 = 10 мА для КТ351Б, не более........ 0,9 В

типовое значение...................... 0,46* В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 400 мА:

4 = 50 мА для КТ351А, не более........ 1,2 В

типовое значение...................... 0,9* В

4 = 10 мА для КТ351Б, не более........ 1,1В

типовое значение...................... 0,89* В

Обратный ток коллектора при УКБ = Ю В>
не более:
Г =+25 °С................................ 1 мкА

Т= +85 °С............................. 15 мкА

Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 4 В,
не более................................. 10 мкА

Емкость коллекторного перехода
при = 5 В, не более...................... 20 пФ

типовое значение...................... 9* пФ
Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = 1 В,
не более................................... 30 пФ

типовое значение....................... 20* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база....

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ $ 10 кОм.......................

Постоянное напряжение эмиттер—база......

Импульсный ток коллектора при $ 1 мкс,
10.......................................

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:
при Т $ +30 ’С..........................

при Т - +85 ’С.......................

Тепловое сопротивление переход—среда....

Температура р-п перехода................

Температура окружающей среды............

20 В

15 В
5 В

400 мА

300 мВт
162,5 мВт
0,4 ’С/мВт
+150 ’С

—40...+85 ’С

’ В диапазоне температур +30...+85 ’С допустимое значение рассеиваемой
мощности снижается линейно.

Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1.5...2 мм.

Минимально допустимое расстояние от места пайки выво-
дов до корпуса 5 мм при температуре не выше +250 ’С и
длительности не более 10 с. Температура корпуса при пайке
не должна превышать +150 ’С.

КТ352А, КТ352Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе наносится условная маркировка двумя цветными
точками: КТ352А — зеленой и розовой, КТ352Б — зеленой и
желтой.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.
КГ352(А. Б>

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 1 В, /3 = 200 мА:

Т = +25 ’С:
КТ352А............................... 25...65*...120

КТ352Б............................. 70...115*...ЗОО

Т = —40 ’С, не менее................... 0,3 значения

при 7"=+25’С

Т= +85 ’С.............................. От 0,9 до 2

значений при
Т = +25 ’С
Граничная частота коэффициента передачи
тока при С/КБ = 5 В, /э = 10 мА, не менее. 200 МГц

типовое значение....................... 450* МГц

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 200 мА, /Б = 20 мА для КТ352А,
/Б = 3 мА для КТ352Б, не более............ 0,6 В

типовое значение....................... 0,37* В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 200 мА, /Б = 20 мА для КТ352А,
/Б = 3 мА для КТ352Б, не более............ 1,1 В

типовое значение....................... 0,81* В

Обратный ток коллектора при С/КБ = 10 В,
не более:

Г =+25’С............................... 1 мкА

Т= +85 ’С.............................. 10 мкА

Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 4 В,
не более.................................. 10 мкА
Емкость коллекторного перехода
при С/кб = 5 В, не более..................

типовое значение.......................

Емкость эмиттерного перехода при 1!^ = 1 В,
не более..................................

типовое значение.......................

15 пФ

9,5* пФ

30 пФ

20* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 20 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при < 10 кОм........................... 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В

Импульсный ток коллектора при ?и $ 1 мкс,
О > 10................................. 200 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

при Т +30 ’С........................ 300 мВт

при Т = +85 ’С...................... 162,5 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда... 0,4 °С/мВт

Температура р-п перехода............... +150 °С

Температура окружающей среды........... —40..,+85 °С

1 В диапазоне температур +30...+85 *С допустимое значение рассеиваемой
мощности снижается линейно.

Изгиб выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления 1,5...2 мм.

Минимально допустимое расстояние от места пайки выво-
дов до корпуса 5 мм при температуре не выше +250 °С и
длительности не более 10 с. Температура корпуса при пайке
не должна превышать +150 ’С.

КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е

КШ(А-Е)

Транзисторы кремни-
евые эпитаксиально-пла-
нарные структуры р-п-р
усилительные. Предна-
значены для применения
в усилителях высокой
частоты. Выпускаются в
пластмассовом корпусе с
гибкими выводами. Тип
прибора указывается в
этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Изготовители — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск, завод при НИИПП, г. Томск.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, /к = 1 мА:

Г = +25 °С:
КТ361А, КТ361Д....................... 20...90

КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е............. 50...350

КТ361В............................. 40...160

Т= +100 °С:
КТ361А, КТ361Д....................... 20...250

КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е............. 50...500

КТ361В............................. 20...300

Т = -60 °С:
КТ361А, КТ361Д....................... 10...90

КТ361Б, КТ361Г,	КТ361Е............. 15...350

КТ361В............................. 10...160

Граничная частота коэффициента передачи
тока при (4а = 10 В, /э =	5	мА, не менее.. 250 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи

при С/КБ = 10 В, /э = 5 мА, /= 5 МГц, не более:
КТ361А, КТ361Б, КТ361Г................... 500 пс

КТ361В, КТ361Е......................... 1000 пс

КТ361Д................................. 250 пс

Обратный ток коллектора при С/КБ = 10 В,
не более:

Т = +25 и -60 °С....................... 1 мкА

Т= +100 °С............................. 25 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при Лбэ =10 кОм, (4э = (4э МАКС, не более. 1 мкА

Емкость коллекторного перехода

при иКБ = 10 В, не более:
КТ361А, КТ361Б........................... 9 пФ

КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е......... 7 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянные напряжения коллектор—база,
коллектор—эмиттер1 при 7?^ = 10 кОм:

+35 °С:
КТ361А............................. 25 В

' В диапазоне температур +35...+ 100 'С допустимое значение напряжения
коллектор—эмиттер снижается линейно.
КТ361Б.................—1........ 26 В

КТ361В, КТЭ61Д   -............... 40 В

КТ361Г, КТ361Е................... 35 В

Т = +100 ’С:
КТ361А........................... 20 В

КТ361Б.........................„.	15 В

КТ361В, КТ361Д................... 35 В

КТ361Г, КТ361Е................... ЗОВ

Постоянное напряжение база—эмиттер...... 4 В

Постоянный ток коллектора............... 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

Г +35’С............................. 150 мВт

Т= +100 ’С.......................... 30 мВт

Температура р-п перехода................ +120 ’С

Температура окружающей среды............ —60...+100 ’С

1 В диапазоне температур +35...+ 100 ’С допустимое значение рассеиваемой
мощности снижается линейно.

Допускается трехкратный изгиб
выводов не ближе 2 мм от корпуса
транзистора с радиусом закругления
1.5...2 мм.

Минимально допустимое расстоя-
ние от места пайки выводов до кор-
пуса 2 мм.

Зависимости статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера

Зависимости напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от темпе-
ратуры

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера

Зависимости постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера
2Т364А-2, 2Т364Б—2, 2Т364В-2,
КТ364А-2, КТ364Б—2, КТ364В-2

Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-пла-

нарные структуры р-п-р
переключательные. Пред-
назначены для применения
в переключающих устрой-
ствах герметизированной
аппаратуры. Бескорпусные
на кристаллодержателе с
гибкими выводами и за-
щитным покрытием. Выпу-
скаются в индивидуальной
сопроводительной таре.
Тип прибора указывается

2Т36ЦА-2-В-2). КТ36С1А-2-В-2)

на сопроводительной таре.

Масса транзистора не более 0,006 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,

г. Рига.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 1 В, /э = 100 мА:

Т = +25 ’С:
2Т364А-2, КТ364А-2.................. 20...70

2Т364Б-2, КТ364Б-2................. 40... 120

2Т364В-2, КТ364В-2 ................ 80...240

Т= -60 ’С для 2Т364А-2, 2Т364Б-2,
2Т364В—2, не менее..................... 0,3 значения

при Т = +25 °С

Т= -40 ’С для КТ364А-2, КТ364Б-2,
КТ364В—2, не менее..................... 0,3 значения

при Т = +25 ’С

Т = +85 ’С, Яв^олее................... 2,5 значения

при Т=+25 ’С

Г раничная частота коэффициента передачи
тока при С/кэ = 2 В, /, = 10 мА, не менее. 250 МГц

типовое значение....................... 350* МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при и№ = 2 В, /э = 5 мА, /= 5 МГц, не более. 500 пс
типовое значение.......................... 120* пс
Время рассасывания при /к = 100 мА,
4< = 4г ~ Ю мА, не более:
2Т364А-2, КТ364А-2..................... 100 нс

2Т364Б-2............................ 130 нс

2Т364В-2............................ 160 нс

КТ364Б-2............................ 180 нс

КТ364В-2 ........................... 230 нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 100 мА, 4 = Ю МА, не более.... 0,3 В

типовое значение.................... 0,15* В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = Ю0 мА, 4 = Ю мА, не более...... 1,1 В

типовое значение.................... 0,9* В

Обратный ток коллектора при 47КБ = 25 В,
не более:
Т - +25 °С............................. 1 мкА

Т= +85 °С........................... 10 мкА

Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 5 В,
не более:
Т- +25 °С.............................. 1 мкА

7=+85 °С............................ 10 мкА

Емкость коллекторного перехода
при С4б = 5 В, не более................ 15 пФ

типовое значение.................... 7* пФ

Емкость эмиттерного перехода при = 0,
не более............................... 30 пФ

типовое значение.................... 14* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 25 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ < 10 кОм...................... 20 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В

Постоянный ток коллектора.............. 200 мА

Импульсный ток коллектора при 4	10 мкс,

О > 10................................. 400 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при 7^+25 °С........................... 30 мВт

при 7 = +85 °С...................... 12 мВт

Тепловое сопротивление переход—подложка. 3,3 °С/мВт
Температура р-п перехода............... +125 °С

Температура окружающей среды:

2Т364А-2, 2Т364Б-2, 2Т364В-2........ -60...+85 ’С

КТ364А-2, КТ364Б-2, КТ364В-2........ -40...+85 "С
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от темпе-
ратуры

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока коллек-
тора

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от температуры

КТ380А, КТ380Б, КТ380В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты и переключающих устройствах
герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с гибкими вы-
водами и защитным покрытием. Транзисторы помещаются в
герметичную упаковку. Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,01 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при = 0,3 В, /, = 10 мА:
КТЗвО(А-В)

Г= +25 ’С:
КТ380А, КТ380В....................... 30...90

КТ380Б............................ 50... 150

Т= +85 ’С:
КТ380А, КТ380В....................... 30... 180

КТ380Б.......................... 50...300

Т= -45 ’С:
КТ380А, КТ380В....................... 15...90

КТ380Б............................ 25...150

Г раничная частота коэффициента передачи
тока при 1/кб = 2 В, /э = 5 мА, не менее. 300 МГц

Время рассасывания при /к= 10 мА, /Б = 1 мА,
не более:

КТ380А, КТ380В....................... 10 нс

КТ380Б............................... 20 нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 ~ 1 мА, не более....... 0,3 В

Обратный ток коллектора КТ380А, КТ380Б
при 1/кб = 10 В и КТ380В при С/КБ = 7 В,
не более:

Т= +25 ’С............................ 1 мкА

т = +85 ’С........................... 10 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер при
/?БЭ = 10 кОм, 1/кэ = 17 В для КТ380А,
КТ380Б и (/и = 9 В для КТ380В, не более.. 100 мкА

Емкость коллекторного перехода
при 1/кб = 5 В, не более................. 6 пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = 0,
не более................................. 8 пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 кОм:
КТ380А, КТ380Б.......................... 17 В

КТ380В............................... 9 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Постоянный ток коллектора1:
7= +25 ’С............................... 10 мА

7 = 4-85 ’С.......................... 5 мА

Импульсный ток коллектора при 7И < 100 мкс,
О> 5..............-..................... 25 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
7< 4-25 ’С.............................. 15 мВт

7= 4-85’С............................ 5 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 7И < 100 мкс, 0^5.............. 50 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 3 ’С/мВт

Температура р-п перехода................ 4-100 ’С

Температура окружающей среды............ —45...4-85 ’С

’ В диапазоне температур +25...+85 *С допустимое значение постоянного
тока коллектора снижается линейно.

Зависимости максимально допустимой
импульсной рассеиваемой мощности
от длительности импульса

Зависимости статиче-
ского коэффициента пе-
редачи тока от напряже-
ния коллектор—эмиттер

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от темпе-
ратуры
2Т388А-2, 2Т388АМ-2, КТ388Б-2, КТ388БМ-2

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих
устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпусные на
металлическом кристаллодержателе и без кристаллодержателя
(2Т388А—2, КТ388Б—2). Выпускаются в сопроводительной таре
с возможностью измерения параметров без извлечения их из
тары. Коллектор электрически соединен с кристаллодержате-
лем. Тип прибора указывается на корпусе сопроводительной
тары.

Масса транзистора не более 0,01 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

2Т383А-2. КТ3888-2	2Т388АМ-2. КТ388БМ-2

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/кэ = 1 В, 4 = 120 мА:
Т=+25 °С.................................. 25...100

Т=+125°С.......................... 25...200

Т=-60°С........................... 10...100

Граничная частота коэффициента передачи
тока при 1/кэ = 5 В, /к = 30 мА, не менее. 250 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при = 10 В, 4 = 30 мА, ^=30 МГц........... 60* пс

Время рассасывания при /к = 100 мА,

= 4г ~ Ю мА, не более:
2Т388А—2, 2Т388АМ—2.................. 60 нс

КТ388Б-2, КТ388БМ-2.................... 120 нс
Время выключения при 4 = 120 мА,
/Б = 12 мА............................. 75* нс

Время включения при /к = 120 мА, 4 = 12 мА 30* нс
Граничное напряжение при 4 = Ю мА,
не менее............................... 50 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 120 мА, 4=12 мА, не более:

2Т388А-2, 2Т388АМ—2................. 0,6 В

КТ388Б-2, КТ388БМ—2................. 1 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 - 120 мА, 4 = 12 мА, не более:
2Т388А-2, 2Т388АМ—2.................... 1,2 В

КТ388Б-2, КТ388БМ-2................. 1,3 В

Обратный ток коллектора при <4б = 50 В.
не более:

Г= +25 ’С........................... 2 мкА

Т=+125°С............................ 10 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при <4э = 50 В, Яю = 1 кОм, не более... 2 мкА

Обратный ток эмиттера при 1/х = 4,5 В,
не более............................... 2 мкА

Емкость коллекторного перехода
при <4б = Ю В, не более:

2Т388А-2, 2Т388АМ—2................... пФ

КТ388Б-2, КТ388БМ—2................. 10 пФ

Емкость эмиттернрго перехода при 6/ЭБ = 0,5 В,
не более:

2Т388А-2, 2Т388АМ-2................. 25 пФ

КТ388Б-2, КТ388БМ—2................. 30 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 50 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при < 1 кОм............................ 50 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4,5 В

Постоянный ток коллектора.............. 250 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора при /?т = 183 °С/Вт:
Т < +80 ’С.............................. 0,3 Вт

Г=+125°С............................ 0,055 Вт

Температура р-п перехода............... +135 ’С

Температура окружающей среды........... —60...+125 ’С
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
. пряжения коллектор—
эмиттер

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока кол-
лектора

Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор—эмиттер

Зависимость граничной
частоты от тока коллек-
тора

КТ3104А, КТ3104Б, КТ3104В, КТ3104Г,
КТ3104Д, КТ3104Е

Транзисторы кремниевые планарные структуры р-п-р уси-
лительные с нормированным коэффициентом шума на частоте
60 МГц. Предназначены для применения во входных и после-
дующих каскадах УВЧ герметизированной аппаратуры. Бес-
корпусные с гибкими выводами и защитным покрытием. Тип
прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,01 г.

Изготовитель — акционерное общество «Восход», г. Ка-
луга.
КТЗЮ^-Е/

07

База Коллектор Зниттер

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при = 1 В, /э = 2 мА:

Г= +25 ’С:

КТ3104А, КТ3104Г.................. 15...90

КТ3104Б, КТ3104Д.................. 50...150

КТ3104В, КТ3104Е.................. 70...280

Т = -60 ’С:

КТ3104А, КТ3104Г.................. 7,5...90

КТ3104Б, КТ3104Д.................. 25...150

КТ3104В, КТ3104Е.................. 55...280

Г = +100 ’С:

КТ3104А, КТ3104Г.................. 15...180

КТ3104Б, КТ3104Д.................. 50...300

КТ3104В, КТ3104Е.................. 70...560

Граничная частота коэффициента передачи
тока при ию = 2 В, 4 = 5 мА, не менее .. 200 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при 6/кэ = 2 В, /к = 2 мА, /= 60 МГц, не более 800 пс
Коэффициент шума при = 2 В, 4 = 1 мА,
^=60 МГц, не более...................... 8 дБ

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б=1 мА, не более....... 1 В

Обратный ток коллектора при 6/Кб = М<б. мако
не более:

Т= +25 ’С........................... 1 мкА

7"=+100’С........................... 5 мкА

8'

127
Обратный ток эмиттера при (УЭБ = 3,5 В,
не более.................................. 1	мкА

Емкость коллекторного перехода
при 1/кб = 5 В, не более................. 25	пФ

Емкость эмиттерного перехода при Озъ = 2 В,
не более................................. 25	пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянные напряжения коллектор—база
и коллектор—эмиттер:

КТ3104А, КТ3104Б, КТ3104В........... ЗОВ

КТ3104Г, КТ3104Д, КТ3104Е........... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3,5 В

Постоянный ток коллектора.............. 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

Т <+25 °С........................... 15 мВт

Т=+100°С............................ 5 мВт

Температура р-п перехода............... +100 °С

Температура окружающей среды........... —60...+100 °С

В диапазоне температур +2с...+ 100 вС допустимое значение рассеиваемой
мощности снижается линейно.

КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д,
КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л

^Т3107(А-Е)

Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные структуры
р-п-р усилительные с нормиро-
ванным коэффициентом шума на
частоте 1 кГц. Предназначены для
применения в усилителях, генера-
торах низкой и высокой частот,
переключающих устройствах; яв-
ляются комплементарными тран-
зисторами КТ3102А-КТ3102Е.
Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами. На
корпусе наносится условная мар-
кировка — две цветные точки:
КТ3107А — голубая и розовая;
КТ3107Б — голубая и желтая; КТ3107В — голубая и синяя;
КТ31О7Г — голубая и бежевая; КТ3107Д — голубая и оранже-
вая; КТ3107Е — голубая и цвета электрик; КТ3107Ж — голубая
и салатовая; КТ3107И — голубая и зеленая; КТ31О7К — голу-
бая и красная; КТ3107Л — голубая и серая.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Изготовители — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург, акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск, Нальчинский завод полупроводниковых приборов,
г. Нальчик.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при = 5 В:

4, = 2 мА, 7 = +25 °С:
КТ3107А, КТ31О7В..................... 70...140

КТ3107Б, КТ3107Г, КТ3107Е......... 120...220

КТ3107Д, КТ3107Ж,	КТ31О7И ....... 180...460

КТ3107К, КТ3107Л.................. 380...800

7 = —60 °С, не менее.................. 0,3 значения

при 7=+25°С

7=+125°С.............................. От 0,8 до 2,5

значения при
7= +25 °С

/э = 0,01 мА:
КТ3107А, КТ31О7В..................... 20...50

КТ3107Б, КТ3107Г,	КТ31О7Е........ 30...80

КТ3107Д, КТ3107Ж, КТ3107И ........ 40...90

КТ3107К, КТ31О7Л	 ...... 100...220

4 = 100 мА:
КТ31О7А, КТ3107В..................... 30...60

КТ3107Б, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е,
КТ3107Ж, КТ3107И.................. 50...100

КТ3107К, КТ3107Л.................. 90...250

Граничная частота коэффициента передачи

тока при 1/КБ = 5 В, 4 = Ю мА, не менее... 200 МГц

Коэффициент шума при (/КБ = 5 В, /к = 0,2 мА,
Г= 1 кГц, /?г = 2 кОм, не более:

КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г,
КТ31О7Д, КТ3107И, КТ3107К............. 10 дБ

КТ31О7Е, КТ3107Ж, КТ3107Л............ 4 дБ
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер,
не более:

при 4 = 100 мА, /Б = 5 мА........... 0,5 В

при 4 = Ю мА, 4 = 0,5 мА............ 0,2 В

Напряжение насыщения база—эмиттер,
не более:

при 4 = Ю0 мА, 4 = 5 мА............. 1 В

при 4 = Ю мА, 4 = 0,5 мА............ 0,8 В

Обратный ток коллектора при УКб = 20 В,
не более:

7=+25 "С............................ 0,1 мкА

7=+125 °С........................... 4 мкА

Обратный ток эмиттера при 1/х = 5 В,
не более............................... 0,1 мкА

Емкость коллекторного перехода

при <4е = Ю В, не более................ 7 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107И............... БОВ

КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107К.. 30	В

КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107Л........... 25	В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107И............... 45	В

КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ31О7К.. 25	В

КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107Л........... 20	В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В

Постоянный ток коллектора.............. 100 мА

Постоянный ток базы:

КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г,
КТ3107Д, КТ31О7Е,	КТ3107Ж, КТ3107И. 50 мА

КТ3107К, КТ3107Л.................... 5 мА

Импульсный ток коллектора при 4 = 10 мкс,
0^ 2................................... 200 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

7 <+25 °С........................... 300 мВт

7=+125°С............................ 60 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда... 0,42 °С/мВт

Температура р-п перехода............... +150 ‘С

Температура окружающей среды........... —60...+125	'С
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

Зависимости коэффици-
ента шума от тока кол-
лектора

Зависимости коэффици-
ента шума от тока кол-
лектора

2Т3108А, 2Т3108Б, 2Т3108В,
КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные с нормированным коэффициентом
шума на частоте 100 МГц. Предназначены для применения в
логарифмических видеоусилителях и линейных усилителях
высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе
с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов
г. Рига.
2Ш0&А-В/ КТ3108(А-В}

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при (/кв = 1 В:

Т= +25 ’С, /э = 0,1 мА..................... 40...50*...100*

/э = 10 мА:
2Т3108А, 2Т3108Б, КТ3108А,
КТ3108Б................................ 50...105*...150

2Т3108В, КТ3108В.................... 100...210*.

300

/э = 50 мА:
2Т3108А, 2Т3108Б, КТ3108А,
КТ3108Б................................ 15...30*...70*

2Т3108В, КТ3108В.................... 20...30*...70*

7" = Гмин, /3 = 10 мА...................... От 0,3 до 1,2

значения при
Т= +25 ’С

Т- 7"МдКС, /э = 10 мА...................... От 0,7 до 2,5

значения при
Т= +25 °С

Граничная частота коэффициента передачи

тока при = 20 В, /э = 10 мА:
2Т3108А, 2Т3108Б, КТ3108А, КТ3108Б............. 250...400*...

500* МГц

2Т3108В, КТ3108В........................... 300...450*...

600* МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при = 10 В, /к = 10 мА, Г= 30 МГц.............. 35*...50*...

250 пс

Коэффициент шума при Т/КБ = 5 В, /к = 1 мА,
Г= 100 МГц, /?г = 50 Ом........................ 2,5*...3,3*...

6 дБ
Время рассасывания при 4 = 10 мА, 4< = 1 мА,

42 = 1 мА для 2Т3108А, 2Т3108Б, КТ3108А, КТ3108Б 		30*...70*...  175 нс
Время задержки при 4 = 10 мА, 4 = 1 мА, ^эб ~ В, ~ 275 Ом для 2Т3108А, 2Т3108Б, КТ3108А, КТ3108Б		18*...20*...  35* нс
Время нарастания при /к = 10 мА, 4 = 1 мА, /УЭБ = 0>5 В, /?к = 275 Ом для 2ТЗЮ8А, 2Т3108Б, КТ3108А, КТ3108Б		18*...30*...  40* нс
Время спада при 4=10 мА, 4, = 1 мА, 42 = 1 мА для 2Т3108А, 2Т3108Б, КТ3108А, КТ3108Б 		25*...40*...  50* нс
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при 4 = Ю мА, 4=1 мА		0,07*...0,15*. 0,25 В
Напряжение насыщения база—эмиттер при 4 = Ю мА, 4=1 мА		0,8*...0,85*... 1 В

Обратный ток коллектора, не более:
при Т = +25 °С:

44б = 60 В для 2Т3108А, КТ3108А	  44б = 45 В для 2Т3108Б, 2Т3108В, КТ3108Б, КТ3108В 	  7"= Т’мдкс (/КБ = 45 В	  Обратный ток эмиттера при Ц#, = 5 В,	0,2 мкА  0,2 мкА 10 мкА

не более:

Т= +25 “С	  7"= Т’мдкс 	  Емкость коллекторного перехода при С4б = 10 В		0,1 мкА  10 мкА  1,4*...1,8*...  5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при = 1 В .	1,5*...2,8*...  6 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

2Т3108А, КТ3108А	  2Т3108Б, 2Т3108В, КТ3108Б, КТ3108В	  Постоянное напряжение коллектор—эмиттер	60 В  45 В
при Ябэ С 10 кОм: 2Т3108А, КТ3108А		60 В
2Т3108Б, 2Т3108В, КТ3108Б, КТ3108В.... 45 В

Постоянное напряжение эмиттер—база........ 5 В

Постоянный ток коллектора................. 200 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

при Т +25 °С.......................... 300 мВт

при Т= ГМАКС.......................... 100 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при С 10 мкс, О? 2................... 360 мВт

Температура окружающей среды:

2Т3108А, 2Т3108Б, 2Т3108В............. -60...+125 “С

КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В............. -40...+85 °С

В диапазоне температур +25 X.. Т^кс предельные значения рассеиваемом
мощности снижаются линейно.

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от напря-
жения коллектор—база

Зависимость коэффи-
циента шума от ча-
стоты

2Т3129А9, 2Т3129Б9, 2Т3129В9, 2Т3129Г9, 2Т3129Д9,
КТ3129А9, КТ3129Б9, КТ3129В9, КТ3129Г9, КТ3129Д9

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устрой-
ствах герметизированной аппаратуры. Выпускаются в пласт-
массовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указы-
вается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.
2Т3129(А9-Д9), КТ5/29(А9-Д9)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при и№ = 5 В, 4 ~ 2 мА:

Т = +25 °С:
2Т3129А9, КТ3129А9................... 30... 120

2Т3129Б9, 2Т3129В9, КТ3129Б9,
КТ3129В9.......................... 80...250

2Т3129Г9, 2Т3129Д9, КТ3129Г9,
КТ3129Д9.......................... 200...500

Т = +85 °С'
2Т3129А9, КТ3129А9................... 30...300

2Т3129Б9, 2Т3129В9, КТ3129Б9,
КТ3129В9.......................... 80...600

2Т3129Г9, 2Т3129Д9, КТ3129Г9,
КТ3129Д9.......................... 200... 1000

Модуль коэффициента передачи тока иа вы-
сокой частоте при (/КБ = 5 В, /э = 10 мА,
Г= 100 МГц............................... 2*.-.2,2*...2,5*

Граничное напряжение при 4 = 10 мА,
не менее:

2Т3129А9, 2Т3129Б9, КТ3129А9, КТ3129Б9 40 В
2Т3129В9, 2Т3129Г9, КТ3129В9, КТ3129Г9. 20 В
2Т3129Д9, КТ3129Д9................... 15 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = Ю мА, 4=1 мА, не более........... 0,2 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 10 мА, 4=1 мА, не более.......... 1,3 В

Емкость коллекторного перехода
при 10 В................................. 7,1*...8*...

12* пФ
Обратный ток коллектора при О*ъ - икъ мдкс,
не более................................. 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т3129А9, 2Т3129Б9, КТ3129А9,
КТ3129Б9................................. БОВ

2Т3129В9, 2Т3129Г9, КТ3129В9, КТ3129Г9 30 В
2Т3129Д9, КТ3129Д9.................... 20 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при /?БЭ = 1 кОм:

2Т3129А9, 2Т3129Б9, КТ3120А9,
КТ3129Б9.............................. 40 В

2Т3129В9, 2Т31129Г9, 2Т3129Д9,
КТ3129В9, КТ3129Г9, КТ3129Д9.......... 20 В

Постоянное напряжение эмиттер—база....... 5 В

Постоянный ток коллектора................ 100 мА

Импульсный ток коллектора при Ги = 1 мкс,
0 = 10................................... 200 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тооа:

при 7 = -60...+25 °С

2Т3129А9, 2Т3129Б9, 2Т3120В9,
2Т3129Г9, 2Т3120Д9................ 200 мВт

КТ3129А9, КТ31129Б9, КТ3129В9,

КТ3129Г9, КТ3129Д9................ 75 мВт

при Т = +85 °С

2Т3129А9, 2Т3129Б9, 2Т3120В9,
2Т3129Г9, 2Т3120Д9................ 80 мВт

КТ3129А9, КТ31129Б9, КТ3129В9,
КТ3129Г9, КТ3129Д9................ 30 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора для КТ3129А9, КТ31129Б9, КТ3129В9,
КТ3129Г9, КТ3129Д9:

при Т = —60...+25 °С.................. 100 мВт

при Т = +85 °С........................ 75 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда:
2Т3129А9, 2Т3129Б9, 2Т3120В9,
2Т3129Г9, 2Т3120Д9  ..................... 0,5 °С/мВт

КТ3129А9, КТ31129Б9, КТ3129В9,
КТ3129Г9, КТ3129Д9.................... 1,3 °С/мВт

' При Т от +25 "С до +85 "С максимально допустимая рассеиваема!
мощность коллектора уменьшается линейно.
Температура р-п перехода ................ +125 “С

Температура окружающей среды............. —60...+85 °С

Пайка выводов допускается не ближе 0,15 мм от корпуса
транзистора при температуре не выше +260 °С в течение не
более 3 с.

Зависимости электрических параметров от тока и коэффи-
циента насыщения для 2Т3129(А9—Д9) аналогичны зависимо-
стям КТ3129(А9-Д9).

Зависимость статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера

0 1 2 3 4 К*

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от коэф-
фициента насыщения

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

0 20 4/7 60 80 13,нА

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

2Т3152А, 2Т3152Б, 2Т3152В,
2Т3152Г, 2Т3152Д, 2Т3152Е

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
схемах вторичных источников электропитания, преобразовате-
лях. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.
Ч 315/1А-Е;

Электрические параметры

Статистический коэффициент передачи тока в
схеме ОЭ при (/КБ = 5 В, 4 - 30 мА, не менее:

2Т3152А, 2Т3152Б, 2Т3152В................ 80

2Т3152Г, 2Т3152Д, 2Т3152Е................ 100

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/К6 = 5 В, 4 = 30 мА,
не менее.................................... 50 МГц

Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее:

2Т3152А, 2Т3152Г......................... 40 В

2Т3152Б, 2Т3152Д......................... ЗОВ

2Т3152В, 2Т3152Е......................... 20 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 300 мА, 4 ~ 60 мА, не более........ 0,3 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 300 мА, 4 ~ 60 мА, не более........ 1,5 В

Время включения при (/кэ = 10 В, /к = 300 мА,
4 = 60 мА, не более......................... 0,1 мкс

Время рассасывания при Ую = 10 В,
/к = 300 мА, 4 ~ 60 мА, не более............ 0,4 мкс

Время выключения при = 10 В,
4 = 300 мА, 4 = 60 мА, не более............. 0,5 мкс

Емкость коллекторного перехода
при ^КБ = 20 В, не более.................... 35 пФ

Емкость эмиттерного перехода
при С/ЭБ = Ух МАКС, не более................ 20 пФ

Обратный ток коллектор—эмиттер
при С4э = 64э МАКС, /Рез = 10 кОм, не более. 10 мкА

Обратный ток эмиттера при Уж - Ух МАКС,
не более.................................... Ю0 мкА
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т3152А, 2Т3152Г........................ БОВ

2Т3152Б, 2Т3152Д...................... 40 6

2Т3152В, 2Т3152Е...................... 30 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?БЭ = 10 кОм:
2Т3152А, 2Т3152Г......................... 50 В

2Т3152Б, 2Т3152Д................... ДОВ

2Т3152В, 2Т3152Е................... ЗОВ

При /?бэ = оо;
2Т3152А, 2Т3152Г...................... ДОВ

2Т3152Б, 2Т3152Д................... ЗОВ

2Т3152В, 2Т3152Е................... 20 В

Постоянное напряжение база—эмиттер:
2Т3152А, 2Т3152Б, 2Т3152В............ 20 В

2Т3152Г, 2Т3152Д, 2Т3152Е............. 5 В

Постоянный ток коллектора................ 150 мА

Импульсный ток коллектора при /*и = 1 мс. 300 мА

Постоянный ток базы...................... 60 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора':

Т= -60...+60 °С....................... 0,2 Вт

Т=+125°С.............................. 0,055 Вт

Температура р-п перехода................. +150 °С

Температура окружающей среды............. —60... Тк =

= +125 ’С

Зависимость статиче- Зависимость напряже- Зависимость напряже-
ского коэффициента мия насыщения коллек- ния насыщения база—
передачи тока от тока	тор—эмиттер от тока эмиттер от тока кол-

эмиттера	коллектора	лектора
КТ3157А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р переключательный. Предназначен для применения
в переключательных и импульсных устройствах. Выпускается в
пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора ука-
зывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.

ГТ3157А

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 20 В, /к = 25 мА,
не менее................................. 50

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при ЦБ = 10 В, /э = 10 мА,
не менее................................ 60 МГц

Граничное напряжение при /к = 10 мА,
не менее................................ 250 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 15 мА, /Б = 3 мА, не более..... 1 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 15 мА, /Б = 3 мА, не более..... 1,2 В

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 30 В, не более............... 3 пФ

Емкость эмиттерного перехода при изъ = 0,5 В,
не более................................ 50 пФ

Обратный ток коллектора при С/КБ = 200 В,
не более................................ 0,1 мкА

Обратный ток эмиттера при ^/ЭБ = 5 В,
не более................................ 10 мкА
Предельные эксплуатационны данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 250 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:

Яю = 10 кОм.......................... 250 В

= оо............................. 250 В

Постоянное напряжение база—эмиттер...... 5 В

Постоянный ток коллектора............... 30 мА

Импульсный ток коллектора при = 2 мс.... 100 мА

Постоянный ток базы..................... 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:
Т= —Д5...+25 ’С......................... 0,2 Вт

Т= +100 ’С........................... 0,08 Вт

Температура р-п перехода................ +150 ’С

Температура окружающей среды............ —45...+100 ’С

При Г > +25 "С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора уменьшается линейно

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока эмиттера

Зависимость напряжения насыщения
база—эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора
КТ3180А9

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р универсальный. Предназначен для применения в
бытовой видеотехнике в составе гибридных интегральных ми-
кросхем, в платах поверхностного монтажа. Выпускается в
пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора
указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,01 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

КТ3180А9

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/^ = 5 В, 4 = Ю мА,
не менее:

Т=+25 °С и+85 °С................. 90

Т=-А5°С.......................... 30

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 30 мА, /Б = 3 мА, не более.... 1	В
Обратный ток коллектора при У№ = 150 В,
не более:

Г=+25 °С и-45’С................ 1	мкА

Т= +85 "С..................... 10	мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при Лю = 100 кОм......................... 150 В

Постоянное напряжение эмиттер—база....... 5 В

Постоянный ток коллектора................ 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т = —45...+25 °С............... 0,2 Вт

Температура р-п перехода................. +125 'С

Тепловое сопротивление переход—среда..... 500 °С/Вт

Температура окружающей среды............. —45...+85 °С

При Г = +25...+85 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле

Р» МАКС = И25 - П/500, Вт.

Допустимое значение статического потенциала 500 В.

Очистку транзисторов, используемых для автоматизиро-
ванной сборки, рекомендуется производить в спирто-бензино-
вой смеси (1:1) при виброотмывке с частотой 50 Гц и ампли-
тудой колебаний до 1 мм в течение 4 мин.

Транзистор изготавливают с отформованными выводами,
перед монтажом дополнительной подготовки не требуется.

Пайку выводов рекомендуется проводить в следующих
режимах:

одноразовым погружением в расплавленный припой при
температуре не выше +265 °С не более 4 с. Припой ПОС—61
по ГОСТ 21930, флюс состоит из 25% по массе канифоли
(ГОСТ 19113) и 75% по массе изопропилового (ГОСТ 9805)
или этилового (ГОСТ 18300) .спирта,

сплавлением припойной пастой в режиме:

нагрев вывода в месте пайки до температуры не выше
+ 190 °С в течение не более 30 с, последующий нагрев в месте
пайки до температуры не выше +230 °С в течение не более
15 с.

При включении транзистора в электрическую цепь, нахо-
дящуюся под напряжением, базовый вывод необходимо при-
соединять первым и отключать последним. Работа транзисто-
ра в режиме «оборванной базы» по постоянному току катего-
рически запрещается.
Раздел пятый

Транзисторы маломощные сверхвысокочастотные

Транзисторы п-р-п

2Т306А, 2ТЗО6Б, 2ТЗО6В, 2ТЗО6Г,
КТ306А, КТЗО6Б, КТЗО6В, КТ306Г, КТ306Д,
КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные и усилительные с ненормиро-
ванным коэффициентом шума. Предназначены для примене-
ния в усилителях высокой частоты (2Т306В, 2Т306Г, КТ306В,
КТ306Г, КТ306Д, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ) и переклю-
чающих устройствах (2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б,
КТ306АМ, КТ306БМ). Выпускаются в металлостеклянном кор-
пусе с гибкими выводами (2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г,
КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д) и пластмассовом
корпусе с гибкими выводами (КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ,
КТ306ГМ, КТ306ДМ). Тип приборов 2Т306А-2Т306Г и КТ306А-
КТ306Д указывается на корпусе. На приборах в пластмассовом
корпусе маркировка указывается в сокращенном виде: 306А,
306Б, 306В, 306Г, 306Д.

Масса транзистора не более 0,65 г'в металлостеклянном
корпусе и не более 0,5 г в пластмассовом корпусе.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 0, /э = 10 мА:

Т= +25 °С:

2Т306А, КТ306А, КТ306АМ............. 20...60

2Т306Б, КТ306Б, КТ306БМ............	40...120

2Т306В, КТ306В, КТ306ВМ............. 20... 100

2Т306Г, КТ306Г, КТ306ГМ............ 40...200

КТ306Д, КТЗО6ДМ..................... 30... 150

Т= -60 ’С:
2Т306А................................. 8...60

2Т306Б.............................. 16... 120

2Т306В.............................. 8... 100

2Т306Г.............................. 16...200
2-Ш(А-П. КШ(А-Д)

КТЗОб(АМ-ДМ)

Коллектор

Т= +125 °С:
2Т306А.......:........................ 20... 120

2Т306Б............................ 40...240

2Т306В........................... 20...200

2Т306Г............................ 40...400

Граничная частота коэффициента передачи
тока при С/КБ = 5 В, /э = 10 мА:
2Т306А, 2Т306В, КТ306А, КТ306В,
КТ306АМ, КТ306ВМ, не менее............... 300 МГц

типовое значение...................... 500* МГц

2Т306Б, 2Т306Г, КТ306Б, КТ306Г,
КТ306БМ, КТ306ГМ,	не	менее.......... 500 МГц

типовое значение...................... 650* МГц

КТ306Д, КТ306ДМ, не	менее............. 200 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при С/КБ = 5 В, /э = 5 мА, Г= 10 МГц:

2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г,
КТ306ВМ, КТЗО6ГМ, не более............ 500 пс

типовое значение...................... 60* пс

КТ306Д, КТ306ДМ, не более............. 300 пс
Коэффициент шума при С/КБ = 5 В:
/э = 0,5 мА, 1 кГц, не более............. 30* дБ

типовое значение...................... 12* дБ

4=1 мА, Л= 90 МГц, не более........... 8* дБ

типовое значение...................... 5* дБ

Время рассасывания при 4 - 10 мА, /Б1 = 1 мА,
42 = 1,2 мА, /?к = 75 Ом для 2Т306А, 2Т306Б,
КТ306А, КТ306Б, КТ306АМ, КТ306БМ,
не более ................................ 30 нс

типовое значение...................... 15* нс

Граничное напряжение при 4 = 1 мА, не менее:
2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2ТЗО6Г, КТ306А,
КТ306В, КТ306Д, КТ306АМ, КТ306ВМ,
КТ306ДМ.................................. 10 В

КТ306Б, КТ306БМ, КТ306Г, КТ306ГМ...... 7 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4=10 мА, /Б = 1 мА для 2Т306А, 2Т306Б,
КТ306А, КТ306Б, КТ306АМ, КТ306БМ,
не более................................. 0,3 В

типовое значение...................... 0,2* В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б = 1 мА для 2Т306А, 2Т306Б,
КТ306А, КТ306Б, КТ306АМ, КТ306БМ,
не более................................. 1 В

типовое значение...................... 0,9* В

Обратный ток коллектора при (/КБ = 15 В,
не более:

Т = +25 °С............................ 0,5 мкА

Т= +125 ’С для 2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В,
2Т306Г................................ 10 мкА

Обратный ток эмиттера при Г = +25 °С,
С/ЭБ = 4 В,- не более.................... 1 мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме
малого сигнала при С/к = 5 В, /э = 5 мА,
/= 1 кГц для 2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г,
КТ306Д, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ,
не более................................. 30 Ом

типовое значение...................... 8* Ом

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 5 В, не более................. 5 пФ

типовое значение...................... 3* пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = 0,
не более................................. 4,5 пФ

типовое значение...................... 3* пФ
Емкость конструктивная между выводами кол-
лектора и эмиттера для 2Т306А, 2Т306Б,
2Т306В, 2Т306Г, КТ306А, КТ306Б, КТ306В,
КТ306Г, КТ306Д............................ 0,55* пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы для
2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А,
КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д
при / = 10 мм............................. 11* нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 3 кОм........................ 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Постоянный ток коллектора и эмиттера.... 30 мА

Постоянный ток коллектора и эмиттера в ре-
жиме насыщения.......................... 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г:
при Г < +90 ’С, Р > 6650 Па.......... 150 мВт

при Т < +90 ’С, Р = 665 Па........ 100 мВт

при Т= +125 ’С................... 75 мВт

КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д:
при Т +90 ’С......................... 150 мВт

при Т= +125 °С................... 60 мВт

КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ,
КТ306ДМ:

при Г $ +85 °С.................... 150 мВт

Температура р-п перехода................ +150 ’С

Температура окружающей среды:

2ТЗО6А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А,
КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д....... -60...+125 ’С

КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ,
КТ306ДМ.............................. —Д5...+85 ’С

В диапазоне температур +90 ..+ 125 ’С допустимое значение рассеиваемой
мощности снижается линейно.
^113^111}

0,6 КНОбМЛМ)

О 10 20 50 СО /3,мА

ГР

1.0

09

0.8

07

0.6

О 5 10 15 20 /},мА

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера

Окз • "ОС/У п.т

О 5 10 15 20 1,.мА

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от темпе-
ратуры

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока коллек-
тора

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от температуры

2Т307А-1, 2Т307Б-1, 2Т307В-1, 2Т307Г-1,
КТ307А-1, КТ307Б-1, КТ307В-1, КТ307Г-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Бескорпусные, без кристаллодержателя с гибкими выводами и
защитным покрытием. Выпускаются в сопроводительной таре.
Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,002 г.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.
2Т307ГА-1 - Г-1) КТ307<А-Г)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при ию = О, /к = 10 мА, не менее:

Т= +25 °С:

2Т307А-1, КТ307А-1................ 20

2Т307Б-1, 2Т307В-1, КТ307Б-1,
КТ307В-1.......................... 40

2Т307Г-1, КТ307Г—1-............... 80

7 = -60 °С:
2Т307А-1, КТЗО7А-1................ 10

2Т307Б-1, 2Т307В-1, КТ307Б-1,
КТ307В-1.......................... 20

2Т307Г-1, КТЗО7Г-1................ 40

7 = +85 ’С:
2Т307А-1.......................... 20

2Т307Б-1, 2Т307В-1................ 40

2Т307Г-1.......................... 80

Граничная частота коэффициента передачи

тока при С/КБ = 2 В, /э = 5 мА, не менее:

2Т307А-1, 2Т307Б-1, 2Т307В-1,
2Т307Г-1 ............................ 300	МГц

КТ307А-1, КТ307Б-1, КТЗО7В-1,
КТЗО7Г-1............................. 250	МГц
Время рассасывания при /к = 10 мА, 4, = 1 мА,

42 = 1,2 мА, /?к = 75 Ом, не более:

2ТЗО7А-1, 2Т307Б-1, КТЗО7А-1,

КТ307Б-1, КТ307Г-1................... 30 нс

2Т307В-1, КТ307В-1................... 50 нс

Граничное напряжение при /э = 1 мА,
не менее:

2ТЗО7А-1, 2ТЗО7Б-1, 2ТЗО7В-1,
2Т307Г-1............................ 10 В

КТ307А-1, КТ307Б-1, КТ307В-1,
КТЗО7Г-1............................. 5 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 20 мА, /Б = 2 мА, не более...... 0,4 В

Напряжение насыщения база—эмиттер

при /к = 20 мА, /6 = 2 мА, не более..... 1,1 В

Обратный ток коллектора при Ц<Б = Ю В,
не более:

Т = +25 ’С........................... 0,5 мкА

Т= +85 ’С............................ 10 мкА

Обратный ток эмиттера при = 4 В,
Т = +25 ’С, не более.................... 1 мкА

Емкость коллекторного перехода

при (/КБ = 1 В, не более:

2ТЗО7А-1, 2Т307Б-1, 2Т307В-1,
2ТЗО7Г-1............................. 5 пФ

КТ307А-1, КТ307Б-1, КТ307В-1,
КТ307Г-1............................. 6 пФ

Емкость эмиттерного перехода при 6/ЭБ = 1 В,
не более................................ 3 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ < 3 кОм........................ 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Постоянный ток коллектора............... 20 мА

Импульсный ток коллектора при 7И < 10 мкс,
О > 10.................................. 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т +55 °С......................... 15 мВт

при Т = +85 ’С....................... 5 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 3 ’С/мВт

Температура окружающей среды............ —60...+85 ‘С
При эксплуатации транзисторов в составе микросхем дол-
жен быть обеспечен теплоотвод от кристалла с /?т 3 ’С/мВт.



Зависимость статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора

Зависимость напряже-
ния насыщения база-
эмиттер от темпера-
туры

1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л,
ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И

Транзисторы германиевые планарные структуры п-р-п уни-
версальные. Предназначены для применения в усилителях вы-
сокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 2 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Киев.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/кэ = 3 В, 4 = 15 мА:

Т= +25 °С:

1Т311А........................... 15...180
Г31ПА-Л) ГТЗИ(Е-И)

1Т311Б................................. 30...180

1Т311Г................................. 30...80

1Т311Д, 1Т311К......................... 60...180

1Т311Л................................. 150...300

ГТ311Е................................. 15...80

ГТ311Ж................................. 50...200

ГТ311И................................. 100...500

типовые значения:
1Т311А.............................. 72*

1Т311Б............................. 79*

1Т311Г............................. 58*

1Т311Д............................. 112*

1Т311К............................. 114*

1Т311Л............................. 223*

7 = -60 °С:
1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д,
1Т311К, 1Т311Л, не менее.................. 10 и 0,35 зна-

чения при
Т= +25 °С
7= -40 °С:
ГТ311Е.................................... 10...80

ГТ311Ж................................. 25...200

ГТ311И................................. 50...300

Т= +55 °С:
ГТ311Е.................................... 15...150

ГТ311Ж................................. 50...350

ГТ311И................................. 100...500

Т = +70 °С, не более:
1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д,
1Т311К.................................... 300 и 3 значе-

.	ния при

7 = +25 °С
1Т311Л.............................. 500 и 3 значе-

ния при
Т = +25 'С

Граничная частота коэффициента передачи
тока при Цо = 5 В, /э = 5 мА:

1Т311А, 1Т311Б.......................... 300...1000	МГц

1Т311Г, 1Т311К.......................... 450...1500	МГц

1Т311Д, 1Т311Л.......................... 600...1500	МГц

ГТ311Е, не менее........................ 250 МГц

ГТ311Ж, не менее........................ 300 МГц

ГТ311И, не менее........................ 450 МГц

типовые значения:
1Т311А................................. 770* МГц

1Т311Б.............................. 520* МГц

1Т311Г.............................. 560* МГц

1Т311Д, 1Т311К...................... 830* МГц

1Т311Л.............................. 870* МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при икэ - 5 В, 4 = 5 мА, Г = 5 МГц, не более:
1Т311А..................................... 50 пс

1Т311Б, ГТ311Ж, ГТ311И................. 100 пс

1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л, ГТ311Е . 75 пс
типовые значения:
1Т311А.................................. 36* пс

1Т311Б.............................. 42* пс

1Т31.1Г............................. 46* пс

1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л.............. 58* пс

Коэффициент шума при С/КБ = 5 В, 4 = 5 мА,
Г= 60 МГц, /?г =	75	Ом, не более........... 8 дБ

типовые значения:
1Т311А................................. 4,7* дБ

1Т311Б.............................. 5,1* дБ

1Т311Г, 1Т311Л...................... 5,2* дБ

1Т311Д.............................. 5,9* дБ

1Т311К.............................. 5,5* дБ

Время рассасывания при /к = 20 мА для
1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К,
1Т311Л, не более........................... 50 нс

Граничное напряжение при /э = 10 мА:

Т = +25 °С, не менее:
1Т311А................................. 10 В

1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К,.
1Т311Л.............................. 8 В

типовые значения:
1Т311А............................. 12,8* В
ГГ311Б.............  .......... 12,6* В

1Т311Г, 1Т311К................. 12,2*	В

1Т311Д, 1Т311Л................. 11,7*	В

Т= +70 ’С для 1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г,
1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л, не	менее........ 5 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 15 мА, /Б = 1,5 мА, не более...... 0,3 В

типовое значение для 1Т311А, 1Т311Б,
1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л......... 0,15* В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 15 мА, /6 = 1,5 мА, не более...... 0,6 В

типовое значение для 1Т311А, 1Т311Б,
1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л_________ 0,43* В

Обратный ток коллектора, не более:

при Т - +25 ’С, 74б = 12 В для 1Т311А,
1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л. 5 мкА
при Т = +25 ’С, 74б = 12 В для ГТ311Е,
ГТ311Ж................................. 10 мкА

при Т = +25 ’С, 64б = 10 В для ГТ311И. 10 мкА

при Т = +55 ’С, Т/КБ = 7 В для ГТ311Е,
ГТ311Ж, ГТ311И......................... 60 мкА

при Т= +70 ’С, //КБ = 7 В для 1Т311А,
1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л. 30 мкА
Обратный ток эмиттера, не более:

при 6/эв = 2 В для 1Т311А, 1Т311Б,
1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л......... 10 мкА

при 6/ЭБ = 2 В для ГТ311Е, ГТ311Ж..... 15 мкА

при изъ = 1,5 В для ГТ311И............. 15 мкА

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 5 В, не более.................. 2,5 пФ

типовые значения:

1Т311А, 1Т311К, 1Т311Л............. 1,8* пФ

1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д............. 1,5* пФ

Емкость эмиттерного перехода при
иэъ = 0,25 В для 1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г,
1Т311Д, 1Т311К,	1Т311Л,	не	более.......... 5 пФ

типовые значения:

1Т311А............................. 4,1*	пФ

1Т311Б............................. 4,2*	пФ

1Т311Г............................. 3,9*	пФ

1Т311Д, 1Т311К,	1Т311Л............. 4,0*	пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

при Т = +45 ’С:
1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д,
1Т311К, 1Т311Л, ГТ311Е, ГТ311Ж... 12 В

ГТ311И...................-......... ЮВ

при Т = +55 “С:

ГТ311Е, ГТ311Ж................... 10 В

ГТ311И........................... 8 В

при Т = +70 ’С:
1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д,
1Т311К, 1Т311Л.................... 7 В

Импульсное напряжение коллектор—база
при ?и = 1 мкс, 0=10:

Т= +20 ’С:
1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д,
1Т311К, 1Т311Л................... 25 В

ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И........... 20 В

Т= +55 ’С для ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И.. 13 В
7 = +70 ’С для 1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г,
1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л............... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?Б//?Э <10:
7= +45 ’С для 1Т311А, 1Т311Б,
1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л,
ГТ311Е, ГТ311Ж.......................... 12 В

7=+45’С для ГТ311И................... 10 В

7 = +55 ’С:

ГТ311Е, ГТ311Ж................... 10 В

ГТ311И........................... 8 В

7 = +70 ’С для 1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г,
1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л................ 7 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
при 7 = +45 ’С:
1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д,
1Т311К, 1Т311Л, ГТ311Е, ГТ311Ж.......... 2 В

ГТ311И........................... 1,5 В

при 7 = +55 ’С:
ГТ311Е, ГТ311Ж.................. 1,6 В

ГТ311И........................... 1,1 В

при 7= +70 ’С для 1Т311А, 1Т311Б,
1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л......... 1В

Постоянный ток коллектора............... 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при 7 = +20 ’С.......................... 150 мВт

при 7= +55 ’С для ГТ311Е, ГТ311Ж,
ГТ311И............................... 85,7 мВт
при Т= +70 °С для 1Т311А, 1Т311Б,
1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л........ 50 мВ

Температура р-п перехода:

1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К,

1Т311Л................................ +85 °С

ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И................ +70 “С

Температура окружающей среды:

1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К,
1Т311Л................................ -60...+70 "С

ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И................ -40...+55 ’С

Зона возможных положении
зависимости коэффициента
шума от частоты

Зона возможных положений
зависимости коэффициента
шума от частоты

2Т314А-2, КТ314А-2

2Т5НА-2 КГ314А-2

Коллектор

Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры п-р-п универ-
сальные. Предназначены для
применения в усилителях и
переключающих устройствах
герметизированной аппара-
туры. Бескорпусные с гиб-
кими выводами и защитным
покрытием на диэлектриче-
ской подложке. Выпускают-
ся в таре-спутнике. Тип при-
бора указывается на основа-
нии тары-спутника. У базо-

вого вывода ставится точка.

Масса транзистора не более 0,1 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при иуз = 5 В, /э = 0,25 мА:
7 =+25 °С.............................. ЗО...12О

7=+125°С............................ 30...300

7= —60 °С........................... 15...120

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/Кэ = 10 В, /к = 10 мА,
не менее............................... 300 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при УКБ = 5 В, 4 = Ю мА, 7= 30 МГц, не более 80 пс
Время включения при /к = 10 мА, /Б = 1 мА.... 35*...40*...
45* нс

Время рассасывания при /к = 30 мА, /Б = 3 мА,
не более............................... 300 нс

Время выключения при /к = 10 мА, /Б = 1 мА.. 80*... 100*...
120* нс

Граничное напряжение при 4 ~ 5 мА, не менее 45 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 30 мА, /Б = 6 мА, не более.... 0,3 В

Обратный ток коллектора при //КБ = 55 В,
не более:

7 =+25 °С........................... 0,075 мкА

7=+125°С............................ 1,5 мкА

Емкость коллекторного перехода
при ЦБ = 5 В, не более................. 10 пФ

Емкость эмиттерного перехода при = 0  8*...15*..

20* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 55 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 кОм...................... 50 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В

Импульсное напряжение коллектор—база
и коллектор—эмиттер при /?БЭ = 1 кОм,
100 мкс, О? 2.......................... 65 В

Постоянный ток коллектора.............. 60 мА

Импульсный ток коллектора при ? 100 мкс,
О» 2................................... 70 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора»
при 7 5 +25 °С......................... 0,5 В

В диапазоне температур +25. .+ 125 ’С допустимое значение рассе/ваемоА
мощности снижается линейно.

9-734	257
при +125 °С.........................

Тепловое сопротивление переход—подложка.

Температура р-п перехода...............

Температура окружающей среды...........

0,1 В

200 °С/Вт
+150 ”С
-60...+125 °С

Минимальное расстояние от места пайки выводов до по-
верхности транзистора 3 мм. Изгиб выводов допускается не
ближе 0,5 мм от места выхода вывода из защитного покрытия.

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока кол-
лектора

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора

Зависимость времени
рассасывания от тем-
пературы

Зависимость граничной
частоты от температуры

Зависимость времени
рассасывания от тока
коллектора

2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, 2Т316А-5,
КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д,

КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк'
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д,
258
КТ316ГМ, КТ316ДМ) и переключающих устройствах (2Т316А,
2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В,
КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ). Выпускаются в металлосте-
клянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В,
2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д), в
пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КТ316АМ,
КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ), а виде кристаллов с
контактными площадками без кристаллодержателя и без выво-
дов (2Т316А—5). Тип приборов 2Т316(А—Д), КТ316(А—Д) ука-
зывается на корпусе, тип 2Т316А—5 указывается в этикетке. На
приборах в пластмассовом корпусе маркировка указывается на
корпусе в сокращенном виде: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д.

Масса транзистора не более 0,6 г в металлостеклянном
корпусе, не более 0,5 г в пластмассовом корпусе, не более
0,002 г в кристалле.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при ию = 0, 4 = Ю мА:

Т= +25 °С:

2Т316А, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316АМ 20...60

2Т316Б, 2Т316В, КТ316Б, КТ316В,
КТ316БМ, КТ316ВМ ............. 40...120
2Т316Г, КТ316Г, КТ316ГМ............ 20... 100

2Т316Д, КТ316Д, КТ316ДМ............ 60...300

7 - -60 °С:
. 2Т316А, 2Т316А-5.................... 10...60

2Т316Б, 2Т316В..................... 20...120

2Т316Г............................ 10...100

2Т316Д............................ 30...300

7 = +125 °С:
2Т316А, 2Т316А-5....................... 20... 120

2Т316Б, 2Т316В.................... 40...240

2Т316Г............................. 20...200

2Т316Д............................. 60...600

Граничная частота передачи тока в схеме ОЭ
при С/КБ = 5 В, 4 = Ю мА:

2Т316А, 2Т316Г, 2Т316А-5, КТ316А,
КТ316АМ, КТ316Г, КТ316ГМ, не менее..... 600 МГц

типовое значение....................... 1000* МГц

2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Д, КТ316Б, КТ316В,
КТ316Д, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ДМ,
не менее............................... 800 МГц

типовое значение....................... 1000* МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при (/КБ = 5 В, 4 = 10 мА,
7= 10 МГц для 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г,
КТ316Д, КТ316ГМ, КТ316ДМ, не более........ 150 пс

типовое значение....................... 50* пс

Время рассасывания при 4 = 10 мА, 4=1 мА,
/4 = 75 Ом:

2Т316А, 2Т316Б, 2Т316А-5, КТ316А,
КТ316Б, КТ316АМ, КТ316БМ,	не	более... 10 нс

типовое значение....................... 4* нс

2Т316В, КТ316В, КТ316ВМ,	не более...... 15 нс

типовое значение....................... 5* нс

Граничное напряжение при 4 = 1 мА,
не менее.................................. 5 В

типовое значение....................... 10* В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = Ю мА, 4 - 1 мА, не более......... 0,4 В

типовое значение....................... 0,18* В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 10 мА 4=1 мА, не более............ 1,1 В

типовое значение....................... 9,8* В

Емкость коллекторного перехода
при (4б = 5 В, не более................... 3 пФ

типовое значение....................... 2* пФ
Емкость эмиттерного перехода при Е/ЭБ = О,
не более................................ 2,5 пФ

типовое значение..................... 1,2* пФ

Емкость конструктивная между выводами кол-
лектора и эмиттера транзисторов в металло-
стеклянном корпусе, типовое значение.... 0,5* пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы при
/ = 3 мм для транзисторов в металлостеклян-
ных корпусах............................ 6* нГн

Обратный ток коллектора при Е/КБ = 10 В,
не более:

Г= +25 °С	0 5 мкА

Т= +125 °С для 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В,
2Т316Г, 2Т316Д, 2Т316А-5............. 5 мкА

Обратный ток эмиттера при Е/ЭБ = 4 В,
не более................................ 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 3 кОм........................ 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Постоянный ток коллектора и эмиттера.... 30 мА

Постоянный ток коллектора и эмиттера в ре-
жиме насыщения.......................... 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д,
2Т316А-5:

при Т= +75 °С, Р = 6650 Па........ 150 мВт

при Г= +75 °С, Р= 665 Па.......... 100 мВт

при Т = +125 °С................... 60 мВт

КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д:

при Т = +90 °С.................... 150 мВт

при Т= +125 °С.................... 60 мВт

КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ,
КТ316ДМ при Т= +85 °С................ 150 мВт

Температура р-п перехода................ +150 °С

Температура окружающей среды:

2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д,

2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В,
КТ316Г, КТ316Д....................... 60...+125 С

В диапазонах температур +75...+ 125 °С для 2Т316(А—Д), 2Т316А—5 и
+90...+ 125 °С для КТ316(А-Д) максимально допустимая постоянная рассеивае-
мая мощность коллектора уменьшается линейно.
КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ,
КТ316ДМ................................ —45...+85 °С

Зависимости электрических параметров от тока и темпера-
туры для 2Т316А—5 аналогичны зависимостям 2Т316А.



О 10 20 30 СО /}

Г гр/Г гр

О 5 10 15 20 13,мн

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера

Зависимость статического коэффициента

передачи тока от тока эмиттера

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от темпера-
туры

Ьк3.мс2Ь КЗ. нас

11

10

09

08

07

-60 -30 0 30 60 90 Т' С

' КГ3161М)
КГ316/АМ-0М)

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от темпе-
ратуры

2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1,
2Т318В1-1, 2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1,
КТ318А, КТ318Б, КТ318В, КТ318Г, КТ318Д, КТ318Е

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в переключающих устройствах герметизированной аппарату-
ры. Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрыти-
ем. Помещаются в возвратную тару, позволяющую произво-
дить измерения электрических параметров без извлечения из
нее транзисторов. Тип прибора и маркировочная точка эмитте-
ра указываются на крышке тары.
Масса транзистора не 2Т318(А-1-Е-1). КТ318(А-Е)
более 0,01 г.

Изготовитель — Наль-
чинский завод полупровод-
никовых приборов, г. Наль-
чик.

Коллектор

00.04

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при = 1 В, /э = 10 мА:

Т= +25 ’С:

2Т318А-1, 2Т318Г-1, КТ318А, КТ318Г 30...90

2Т318Б-1, 2Т318Д-1, КТ318Б, КТ318Д 50...150
2Т318В-1, 2Т318В1-1, 2Т318Е-1,

КТ318В, КТ318Е.................. 70...280

Т= +85 ’С:

2Т318А-1, 2Т318Г-1, КТ318А, КТ318Г 25...180
2Т318Б-1, 2Т318Д-1, КТ318Б, КТ318Д 45...300
2Т318В-1, 2Т318В1-1, 2Т318Е-1,

КТ318В, КТ318Е.................. 60...560

Г =-60’С:

2Т318А-1, 2Т318Г-1, КТ318А, КТ318Г 15...90

2Т318Б-1, 2Т318Д-1, КТ318Б, КТ318Д 26...150

2Т318В-1, 2Т318В1-1, 2Т318Е—1,
КТ318В, КТ318Е.................... 33...280

Граничная частота коэффициента передачи

тока при 6/кэ = 2 В, /э = 5 мА, не менее:

2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1,
2Т318В1-1, КТ318А, КТ318Б, КТ318В..... 430 МГц

2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г,

КТ318Д, КТ318Е........................ 350 МГц

Время рассасывания при 4 = 10 мА, 4=1 мА,
не более:

2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1, КТ318А,
КТ318Б, КТ318В........................ 15 нс
. 2Т318В1— 1............................ 10 нс

2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г,

КТ318Д, КТ318Е...................... 25 нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер

при 4 = 10 мА, /Б=1 мА, не более:

Т= +25 и -60 °С:

2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1,
2Т318В1-1, КТ318А, КТ318Б, КТ318В. 0,27 В
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1,

КТ318Г, КТ318Д, КТ318Е............ 0,33	В

Г= +85 °С-

2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1,
2Т318В1-1, КТ318А, КТ318Б, КТ318В. 0,3 В
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г,
КТ318Д, КТ318Е....................... 0,37	В

Напряжение насыщения база—эмиттер

при 4 = Ю мА, 4 = 1 мА, не более:

Т= +25 и -60 "С:

2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1,
2Т318В1-1, КТ318А, КТ318Б, КТ318В. 0,9 В
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1,
КТ318Г, КТ318Д, КТ318Е............. 1В

Т = +85 °С'

2Т318А—1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1,
2Т318В1-1, КТ318А, КТ318Б, КТ318В. 1,05 В
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1,

КТ318Г, КТ318Д, КТ318Е............ 1,15	В

Напряжение отпирания при 64э = 2,5 мА,

4 = 0,05 мА, не менее:

Т= +25 и -60 °С:

2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1,
2Т318В1-1, КТ318А, КТ318Б, КТ318В. 0,57 В
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1,
КТ318Г, КТ318Д, КТ318Е............ 0,55	В

Т= +85 °С:

2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1,
2Т318В1-1, КТ318А, КТ318Б, КТ318В. 0,42 В
2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е—1,

КТ318Г, КТ318Д, КТ318Е.......... 0,4 В

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 10 В,
не более:

Г=+25’С............................ 0,5 мкА

Т = +85 °С......................... 10 мкА

Обратный ток эмиттера при 1/х = 3 В,
не более............................... 1 мкА
Емкость коллекторного перехода

при ЦБ = 5 В, не более:
2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1,
2Т318В1-1, КТ318А, КТ318Б, КТ318В........ 3,5 пФ

2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г,
КТ318Д, КТ318Е........................ 4,5 пФ

Емкость эмиттерного перехода при </ЭБ = О,
не более:

2Т318А-1, 2Т318Б-1, 2Т318В-1,
2Т318В1-1, КТ318А, КТ318Б, КТ318В..... 4 пФ

2Т318Г-1, 2Т318Д-1, 2Т318Е-1, КТ318Г,
КТ318Д, КТ318Е........................ 5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база,
коллектор—эмиттер при	= 3 кОм........ 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3,5 В

Постоянный ток коллектора.............. 20 мА

Импульсный ток коллектора при ?и < 10 мкс,
О? 10, Г® ? 100 нс..................... 45 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т +55 °С........................ 15 мВт

при Т = +85 °С...................... 5 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда... 3 °С/мВт

Температура р-п перехода............... +100 °С

Температура окружающей среды........... —60...+85 °С



Зависимости статического коэффициента
передачи тока от температуры

140

120

100

80

60

2В18В-1. 2ГЛ881Щ
2В1&-1. " ’

КВ1ШП

,'!В!агб-1Ц1
/колы

'1ВШ-1Г
К Г ЛИА П

-60 -20 20 60 100 Т ’С

2Т324А—1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, 2Т324Г-1, 2Т324Д-1,
2Т324Е-1, КТ324А-1, КТ324Б-1, КТ324В-1, КТ324Г-1,
КТ324Д-1, КТ324Е-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные и усилительные с ненормирован-
265
ным коэффициентом шума, ^федназначены для применения в
переключающих устройствах (2Т324А—1, 2Т324Б—1, 2Т324В—1,
2Т324Г-1, КТ324А-1, КТ324Б-1, КТ324В-1, КТ324Г-1) и уси-
лителях высокой частоты (2Т324Д—1, 2Т324Е—1, КТ324Д—1,

2Т32^'А-1 - Е V КТЗЫА-1 Е-1)

КТ324Е—1). Бескорпусные
без кристаллодержателя с
гибкими выводами и защит-
ным покрытием. Выпуска-
ются в сопроводительной
таре. Тип прибора указыва-
ется в этикетке.

Масса транзистора не
более 0,002 г.

Изготовитель — акцио-
нерное общество «Светла-
на», г. Санкт-Петербург.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при = 0, /э = 10 мА:

Т= +25 ’С:
2Т324А-1, КТ324А-1.................. 20...60

2Т324Б-1, 2Т324Г-1, КТ324Б-1,
КТ324Г-1....................... 40...120

2Т324В-1, КТ324В-1............. 80...250

2Т324Д-1, КТ324Д-1............... 20...80

2Т324Е-1, КТ324Е-1 ............ 60...250

Т = -60 °С:
2Т324А-1............................ 8...60

2Т324Б-1, 2Т324Г-1 ............ 16...120

2Т324В-1....................... 32...250

2Т324Д-1 ........................ 8...30

2Т324Е-1 ...................... 24...250

Т = +35 °С:
2Т324А-1............................ 20... 120

2Т324Б-1, 2Т324Г-1 .............. 40...240

2Т324В-1....................... 80...500

2Т324Д-1......................... 20... 160

2Т324Е-1......................... 60...500
Граничная частота коэффициента передачи
тока при 6/КБ = 2 В, /э = 5 мА, не менее:
2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1,
КТ324А-1, КТ324Б-1, КТ324В-1........... 800 МГц

2Т324Г-1, 2Т324Д-1, 2Т324Е-1,
КТ324Г-1, КТ324Д-1, КТ324Е-1........ 600 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при 6/КБ = 2 В, /э = 5 мА, Г= 10 МГц для
2Т324Д-1, 2Т324Е-1, КТ324Д-1, КТ324Е-1,
не более............................... 180 пс

Время рассасывания при 4 = 10 мА, /Б, = 1 мА,
42 = 1,2 мА, /?к = 75 Ом, не более:

2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1,
КТ324А-1, КТ324Б-1, КТ324В-1........ 10 нс

2Т324Г-1, КТ324Г-1.................. 15 нс

Граничное напряжение при /э = 1 мА для
2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, 2Т324Г-1,
2Т324Д—1, 2Т324Е—1, не менее........... 5 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = Ю мА, 4 = 1 мА. не более....... 0,3 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 10 мА, 4 = 1 мА, не более...... 1,1 В

Обратный ток коллектора при 64Б = 10 В,
не более:

Т= +25 "С........................... 0,5 мкА

Т = +85 °С для 2Т324А-1, 2Т324Б-1,
2Т324В-1, 2Т324Г-1, 2Т324Д-1,
2Т324Е-1............................ 10 мкА

Обратный ток эмиттера при 1/зъ = 4 В,
не более............................... 1 мкА

Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 5 В, не более............... 2,5 пФ

Емкость эмиттерного перехода при их = 0,
не более............................... 2,5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ 3 кОм......................... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В

Постоянный ток коллектора.............. 20 мА

Импульсный ток коллектора при 4	10 мкс,

О * 10................................. 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Т +55 °С......................... 15 мВт

при Т - +85 °С....................... 5 мВт

Тепловое сопротивление................... 3 °С/мВт

Температура р-п перехода................. +100 °С

Температура окружающей среды............. —60...+85	°С

При эксплуатации транзисторов в составе микросхем дол-
жен быть обеспечен теплоотвод от кристалла с /?т 3 °С/мВт.

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от темпе-
ратуры

2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В,
КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные с ненормированным коэффициентом
шума. Предназначены для применения в усилителях высокой
частоты. Выпускаются в металлоЬгеклянном корпусе с гибки-
ми выводами (2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б,
КТ325В) и пластмассовом корпусе с гибкими выводами
(КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ). Тип приборов 2Т325А-2Т325В
и КТ325А—КТ325В указывается на корпусе. На приборах в
пластмассовом корпусе маркировка указывается в сокращен-
ном виде: 325А, 325Б, 325В.

Масса транзистора не более 1,2 г в металлостеклянном
корпусе и не более 0,5 г в пластмассовом корпусе.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.
2Т325(А-В/ К7}25(А-В/

База

КТ5251АМ-ВМ)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = Ю мА:

Т= +25 °С:
2Т325А, КТ325А,	КТ325АМ............ 30...90

2Т325Б, КТ325Б,	КТ325БМ........... 70...210

2Т325В, КТ325В,	КТ325ВМ........... 160...400

т= -60 °С:
2Т325А..................................... 12...90

2Т325Б................................. 28...210

2Т325В................................. 64...400

Т= +125 °С:
2Т325А..................................... ЗО...17О

2Т325Б................................. 70...400

2Т325В................................. 160...700

Граничная частота коэффициента передачи
тока при С/КБ = 5 В, 4 = 10 мА:
2Т325А, 2Т325Б, КТ325А, КТ325Б,
КТ325АМ, КТ325БМ, не менее.................... 800 МГц

типовое значение.......................... 1000* МГц
2Т325В, КТ325В, КТ325ВМ, не менее.... 1000 МГц

типовое значение..................... 1200* МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при
УК6=5 В, 4= 10 мА,	/= 10 МГц, не более 125	пс

типовое значение....................... 50*	пс

Граничное напряжение при 4 ~ 10 мА,
не менее................................ 15 В

типовое значение..—.................. 25*	В

Обратный ток коллектора при </КБ = 15 В,
не более:

Т= +25 °С........................... 0,5 мкА

Т = +125 °С для 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В 5 мкА
Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 4 В,
не более................................ 1 мкА

Емкость коллекторного перехода
при 6^ = 5 В, не более.................. 2,5 пФ

типовое значение..................... 2* пФ

Емкость эмиттерного перехода при </ЭБ = 4 В,
не более................................ 2,5 пФ

типовое значение..................... 2* пФ

Емкость конструктивная между выводами кол-
лектора и эмиттера 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В,
КТ325А, КТ325Б, КТ325В.................. 0,35* пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы
при / = 3 мм для 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В,
КТ325А, КТ325Б, КТ325В.................. 7* нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 15В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при = 3 кОм............................. 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Постоянный ток коллектора и эмиттера:

2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б,

КТ325В............................... 60 мА

КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ............ 30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:

2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В:
+85 °С, Р> 6650 Па................... 225 мВт

’ В диапазоне температур +85...+125 °С допустимое значение рассеиваемой
мощности снижается линейно.
+85’С, Р= 665 Па............ 150 мВт

Г=+125’С........................ 85 мВт

КТ325А, КТ325Б, КТ325В:
ГС +85 ’С........................... 225 мВт

Г=+125’С.........-.............. 85 мВт

КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ
при Т С +85 ’С..................... 225 мВт

Температура р-п перехода............... +150 ’С

Температура окружающей среды:

2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б,
КТ325В............................. —60...+125 ’С

КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ.......... -45...+85 ’С

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка коллектора

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от на-
пряжения коллектор—
база

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера

Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор—база

Зависимость максималь-
но допустимого постоян-
ного напряжения коллек-
тор—змиттер от сопро-
тивления база—эмиттер
1Т329А. 1Т329Б, 1Т329В,
ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г

Транзисторы германиевые планарные структуры п-р-п уси-
лительные с нормированным коэффициентом шума на частоте
400 МГц. Предназначены для применения во входных и после-
дующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими полос-
ковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при ЦБ = 5 В, /э = 5 мА:

Т = +25 °С........................... 15...300

Т= -60 ’С для 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В .. От 0,3 до 1,2
значения при
Г = +25 °С

Т= +70 °С для 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В .. От 0,8 до 2,5
значения при
Т= +25 "С
Граничная частота коэффициента передачи
тока при С/КБ = 5 В, /э = 5 мА, не менее:

1Т329А, ГТ329А........................ 1,2 ГГц

1Т329Б, ГТ329Б........................ 1,7 ГГц

1Т329В, ГТ329В........................ 1 ГГц

ГТ329Г................................ 0,7 ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при С/КБ = 5 В, /} = 5 мА, 30 МГц, не более:

1Т329А, ГТ329А, ГТ329Г................ 15 пс

1Т329Б................................ 30 пс
1Т329В, ГТ329Б, ГТ329В................. 20 пс

Коэффициент шума при С/КБ = 5 В, 4 = 3 мА:

?= 400 МГц, /?г = 75 Ом, не более:
1Т329А, ГТ329А......................... 4 дБ

1Т329Б, 1Т329В, ГТ329Б, ГТ329В...... 6 дБ

ГТ329Г........<..................... 5 дБ

60...400 МГц, /?г = 75 Ом, типовое зна-

чение.................................. 3,5* дБ

Г= 600 МГц, /^ = 50 Ом, типовое значение. 4* дБ

900 МГц, /?г = 30 Ом, типовое значение. 5* дБ
Оптимальное сопротивление генератора
при измерении коэффициента шума:

/= 60 МГц.............................. 75...100 Ом

Г= 180...400 МГц....................... 50 Ом

Диапазон частот, соответствующий равномер-

ному спектру шумов (область белого шума).... 1...400 МГц
Коэффициент усиления по мощности

при (/КБ = 5 В, /э = 5 мА, 400 МГц........ 6 дБ

Граничное напряжение при /э = 5 мА,
не менее.................................. 5 В

Обратный ток коллектора при С/КБ = 10 В,
не более:

Т = +25 °С	, 5 мкА

Т= +70 ’С для 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В .’ 50 мкА

Обратный ток эмиттера, не более:

Т= +25 ’С:

(/эб = 0,7 В для ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329Г 100 мкА

ЦБ = 0,7 В для 1Т329А,	1Т329Б..... 100	мкА

С/ЭБ = 1 В для 1Т329В, ГГ329В....... 100	мкА

Т= +70 ’С:

(/ЭБ = 0,7 В для 1Т329А,	1Т329Б..... 150	мкА

иэь = 1 В для 1Т329В................ 150	мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме
малого сигнала при С/КБ = 5 В, 4 = 5 мА для
1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В, не более.......... 22 Ом

Емкость коллекторного перехода

при С/КБ = 5 В, не более:

1Т329А, ГТ329А, ГТ329Г................. 2 пФ

1Т329Б, ГТ329Б, 1Т329В, ГТ329В......... 3 пФ

Емкость эмиттерного перехода при С4б = 0.5 В,
не более.................................. 3,5	пФ

Емкость конструктивная между выводами:

эмиттера и корпуса..................... 0,5	пФ

базы и корпуса......................... 0,5	пФ

коллектора и корпуса................... 0,6	пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база..... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:

при = 1 кОм.......................... 5 В

при заданном 1/^..................... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:

ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329Г .............. 0,5 В

1Т329А, 1Т329Б....................... 0,7 В

1Т329В, ГТ329В....................... 1 В

Напряжение коллектор—эмиттер в режиме
усиления при /?6Э = 1 кОм, /= 20 кГц..... 5,5 В

Постоянный ток коллектора................ 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т= +50 ’С для 1Т329А, 1Т329Б,
1Т329В............................... 50 мВт

при Т = +50 ’С для ГТ329А, ГТ329Б,
ГТ329В............................... 50 мВт

при Т= +70 ’С для 1Т329А, 1Т329Б,
1Т329В............................... 25 мВт

при Т= +60 ’С для ГТ329А, ГГ329Б,
ГТ329В, ГТ329Г....................... 25 мВт

Тепловое сопротивление................... 0,8 °С/мВт

Температура р-п перехода:

1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В............... +90 ’С

ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г....... +80 ’С

Температура окружающей среды:

1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В............... -60...+70 ’С

ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г....... -60...+60 ’С

1Т330А, 1Т330Б,1Т330В, 1Т330Г, ГТЗЗОД,
ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ

Транзисторы германиевые планарные структуры п-р-п сверх-
высокочастотные усилительные с нормированным коэффици-
ентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для усиления
и генерирования электрических сигналов.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими по-
лосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Допускается маркировка транзисторов условным обозначени-
ем и цветной точкой, которую наносят на фланец ножки меж-
ду корпусным и коллекторным выводами следующим образом:
1Т330А — буквой «А» и красной точкой; 1Т330Б — буквой
274
«Б» и зеленом тонкой; 1Т330В — буквой «В» и белой точкой;

1Т330Г — буквой «Г» и черной точкой.

Масса транзистора не более 2 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

1ГЗШ). ГШ(Д-И)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
при (7КБ = 5 В, /, = 5 мА:

Г= +25 ’С:
1Т330А, 1Т330Б, 1ТЗЗОГ, ГГЗЗОД,
ГТЗЗОЖ............................... 30...400

1Г330В............................ 80...400

ГТЗЗОИ............................ 10...400

типовые значения:
1Т330А............................. 75*

1Т330Б............................ 180*

1ТЗЗОВ............................ 140*

1ТЗЗОГ____________________________ 55*

7"= —60’С ............................От 0,4 до 1,2

значения ори
Т= +25 ’С

Т= +70 ’С............................. От 0,5 до 2,5

значения при
7"= +25 ’С

Граничная частота коэффициента передачи
тока при Цф = 5 В, 7, = 5 мА, не менее:
1Т330А, 1Т330В,	ГТЗЗОЖ............... 1000 МГц

1Т330Б'............................... 1500 МГц

1Т330Г................................ 700 МГц
ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ.......................... 500 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при (/КБ = 5 В, 4 = 5 мА,
не более:

1Т330А.................................. 25 пс

1Т330Б.................................. 50 пс

1Т330В, ГТ330Ж.......................... 100 пс

1Т330Г, ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ.................. 30 пс

Время рассасывания при 4 = 20 мА, 4 = 2 мА
для 1Т330А, 1Т330Г, не более............... 50 нс

Коэффициент шума при б/КБ = 5 В, /э = 5 мА,
/= 400 МГц:

1Т330А, не более........................ 5 дБ

типовое значение........................ 3,9* дБ

ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ, не	более.............. 8 дБ

Граничное напряжение при 4 ~ 5 мА
для 1Т330А, 1Т330Г, не менее................ 6 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 20 мА, 4 = 2 мА для 1Т330А, 1Т330Г,
ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ, не более................... 0,3 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 20 мА, 4 = 2 мА для 1Т330А,
1Т330Г, ГТЗЗОД, ГТЗЗОИ, не более........... 0,7 В

Обратный ток коллектора при = 10 В:

Т= +25 °С:
1Т330А................................. 0,07*...0,14*...

1Т330Б.............................. 0,07*...0,14*...

5 мкА
1Т330В.............................. 0,08*...0,15*...

5 мкА
1Т330Г.............................. 0,08*...0,17*...

5 мкА
ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ,	ГТЗЗОИ, не более.. 5 мкА

Т = —60 °С, не более.................... 5 мкА

Т - +70 °С, не более.................... 50 мкА

Обратный ток эмиттера при - 1,5 В,
не более................................... 100 мкА

Емкость коллекторного перехода
при ^КБ = 5 В, не более:

1Т330А, 1Т330Б, 1Т330В.................. 2 пФ

1Т330Г, ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ.......... 3 пФ

типовые значения:

1Т330А, 1Т330Б...................... 1,7* пФ

1Т330В.............................. 1,6* пФ
1Т330Г............................ 1,75* пФ

Емкость эмиттерного перехода при их = 0,5 В,
не более................................. 5 пФ

типовые значения:
1Т330А................................ 1,6* пФ

1Т330Б............................ 1,5* пФ

1Т330В............................ 1,45* пФ

1Т330Г............................ 1,8* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

1Т330А, 1Т330Б, 1Т330В, 1Т330Г........ 13 В

ГТЗЗОД, ГТ330Ж, ГТЗЗОИ................ 10 В

Импульсное напряжение коллектор—база:

при Г= -60...+45 ’С:
1Т330А, 1Т330Б, 1Т330В............ 20 В

1Т330Г............................ 18 В

при Т= —45...+55 ’С для ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ,
ГТЗЗОИ................................ 20	В

при Т= +70 ’С:

1Т330А, 1Т330Б, 1Т330В............ 15	В

1Т330Г............................ 13	В

Постоянное напряжение эмиттер—база....... 1,5	В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
для 1Т330А, 1Т330Б, 1Т330В, 1Т330Г....... 13	В

Постоянный ток коллектора................ 20	мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т= -60...+45 ’С для 1Т330А, 1Т330Б,
1Т330В, 1Т330Г........................ 50 мВт

при Т= —45...+45 ’С для ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ,
ГТЗЗОИ................................ 50 мВт

при Т= +55 ’С для ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ,
ГТЗЗОИ................................ 40 мВт

при Т= +70 ’С для 1Т330А, 1Т330Б,
1Т330В, 1Т330Г........................ 25 мВт

Температура р-п перехода:

1Т330А, 1Т330Б, 1Т330В, 1Т330Г........ +95 ’С

ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ................ +60 ’С

Температура окружающей среды:

1Т330А, 1Т330Б, 1Т330В, 1Т330Г....... -60...+70 ’С

ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ .............. —45...+60 ’С

Допускается пайка полосковой части вывода в течение не
более 3 с, температура пайки не должна превышать +260 ’С.
Зона возможных положений
зависимости обратного тока
коллектора от температуры

Зона возможных положений
зависимости пробивного на-
пряжения коллектор—эмит-
тер от сопротивления база—
эмиттер

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от
температуры

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка эмиттера

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от на-
пряжения коллектор-
база

2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3, 2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3,
2ТЗЗЗЕ-3, 2ТЗЗЗВ1—3, КТЗЗЗА-З, КТЗЗЗБ-З, КТЗЗЗВ-З,

КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-З

Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п уни-
версальные. Предназначены для применения в усилителях,
импульсных и переключающих устройствах герметизирован-
ной аппаратуры. Бескорпусные с твердыми выводами и защит-
278
ным покрытием. Тип прибора указывается в этикетке группо-
вой тары.

Масса транзистора
не более 0,01 г.

Изготовитель — за-
вод «Экситон», г. Пав-
ловский Посад.

- Е-к 1ШВ1-1
КТШ-1 - Е-Я

0}

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при ию = 1 В, /э = 10 мА:
2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗГ-3, КТЗЗЗА-З,

КТЗЗЗГ-З:
7"=+25’С............................ 30...90

Т=-60’С......................... 15...90

Т= +85 ’С....................... 30-180

2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗД-3, КТЗЗЗБ-З,
КТЗЗЗД-З:
Т = +25 ’С.......................... 50-150

Г=-60’С......................... 26-150

Т= +85 ’С....................... 50...300

2ТЗЗЗВ-3, 2ТЗЗЗВ1-3, 2ТЗЗЗЕ-3,
КТЗЗЗВ-З, КТЗЗЗЕ-З:

Т= +25 ’С....................... 70-280

Т=-60’С.........................—	33...280

7"=+125°С....................... 70-260

Граничная частота коэффициента передачи

тока при (4, = 2 В, /э = 5 мА, не менее:

2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3,
2ТЗЗЗВ1-3........................... 450 МГц

2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2ТЗЗЗЕ-3........ 350 МГц

Время рассасывания при /к= 10 мА, /6 = 1 мА,
не более:

2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3,
КТЗЗЗА-З, КТЗЗЗБ-З, КТЗЗЗВ-З........ 15 нс
2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2ТЗЗЗЕ-3,
КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-З........ 25 нс

2ТЗЗЗВ1-3........................... 10 нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер

при /к = 10 мА, /Б = 1 мА, не более:

2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3,
2ТЗЗЗВ1-3, КТЗЗЗА-З, КТЗЗЗБ-З,
КТЗЗЗВ-З:

Т= +25 ’С........................ 0,27 В

Т= +85 ’С........................ 0,3 В

2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2ТЗЗЗЕ-3,
КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-З:

7"=+25’С......................... 0,33 В

Т= +85 ’С........................ 0,37 В

Напряжение насыщения база—эмиттер

при 4 = 10 мА, /Б = 1 мА, не более:

2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3,

2ТЗЗЗВ1-3, КТЗЗЗА-З, КТЗЗЗБ-З,
КТЗЗЗВ-З:

Т= +25 ’С........................ 0,9 В

Т= -60 'С........................ 1,05 В

2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2ТЗЗЗЕ-3,
КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-З:

Т= +25 ’С........................ 1В

Г=-60’С.......................... 1,15 В

Напряжение отпирания при 4 = 0,05 мА,
не менее:

2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3,

2ТЗЗЗВ1-3, КТЗЗЗА-З, КТЗЗЗБ-З,
КТЗЗЗВ-З:

Т= +25 ’С........................ 0,57* В

Т= +85 ’С........................ 0,43* В

2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2ТЗЗЗЕ-3,
КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-З:

7 = +25 ’С....................... 0,55* В

Т= +85 ’С........................ 0,41* В

Обратный ток коллектора при С/КБ = 10 В,
не более:

Т= +25 ’С........................... 0,4 мкА

Т= +85 ’С........................... 5 мкА

Обратный ток эмиттера при Ц6 = 4 В,
не более:

Т = +25 ’С.......................... 1* мкА

Т= +85 ’С........................... 5* мкА
Емкость коллекторного перехода

при 6/КБ = 5 В, не более:
2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3,
2ТЗЗЗВ1-3, КТЗЗЗА—3, КТЗЗЗБ-З,
КТЗЗЗВ-З................................. 3,5	пФ

2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2ТЗЗЗЕ-3,
КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-З.......... 4,5 пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = О,
не более:

2ТЗЗЗА-3, 2ТЗЗЗБ-3, 2ТЗЗЗВ-3,

2ТЗЗЗВ1-3, КТЗЗЗА—3, КТЗЗЗБ-З,
КТЗЗЗВ-З............................... 4*	пФ

2ТЗЗЗГ-3, 2ТЗЗЗД-3, 2ТЗЗЗЕ-3,
КТЗЗЗГ-З, КТЗЗЗД-З, КТЗЗЗЕ-З.......... 5* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3,5 В

Постоянный ток коллектора в режиме насы-
щения .................................. 20 мА

Импульсный ток коллектора в режиме насы-
щения при 10 мкс, О ? 10,	? 100 нс... 45 мА

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 3 кОм........................ 10 В

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

при Т= -60...+55 ’С.................. 15 мВт

при Т= +85 ’С* 2..................... 1,25 мВт

Общее тепловое сопротивление............ 3 °С/мВт

Температура перехода.................... +100 ’С

Температура окружающей среды............ —60...+85	’С

В диапазоне температур +55...+85 ’С мощность снижается линейно.

2 Допускается большее значение мощности рассеивания при условии, что
температура перехода не превышает +100 "С.

В процессе монтажа допускается нагрев транзистора до
температуры не более +300 ’С в течение 30 мин и до темпера-
туры +150 ’С в течение 1,5 ч.
О 2 4 6 8 1} мА

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

-60-30 0 30 60 90Т.-С

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от темпе-
ратуры

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока
от температуры

Зона возможных поло-
жений зависимости на-
пряжения насыщения
база—эмиттер от тем-
пературы

Выходные характери-
стики

Зависимости тока базы
от напряжения база—
эмнттер

КТ339А, КТ339АМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклян-
ном корпусе с гибкими выводами (КТ339А) и в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами (КТ339АМ). Тип приборов указы-
вается на корпусе и в этикетке.

Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более
0,4 г, в пластмассовом корпусе не более 0,3 г.
Изготовитель — акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск.

КГ339А

005

ЗТ339АМ

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, /э = 7 мА,
не менее.................................

Коэффициент усиления по мощности
на /= 35 МГц при 1/кэ = 1,6 В, /к = 7,2 мА,
не менее.................................

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, /э = 5 мА,
не менее.................................

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при 6/КБ = 10 В, /э = 7 мА,
/= 5 МГц, не более.......................

Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 5 В, не более.................

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 40 В,
не более.................................

25

24 дБ

300 МГц

25 пс

2 пФ

1 мкА
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 40 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 25 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Постоянный ток коллектора............... 25 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т - —60...+50 °С............... 260 мВт

Температура р-п перехода................ +175 °С

Температура окружающей среды............ —60...+125 °С

При включении транзистора в цепь, находящуюся под на-
пряжением, базовый контакт должен присоединяться первым
и отсоединяться последним.

Расстояние от места изгиба до корпуса транзистора не
менее 3 мм, радиус закругления 1,5...2 мм. Пайка выводов
допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора.

1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В, ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В

Транзисторы германиевые планарные структуры п-р-п уси-
лительные с нормированным коэффициентом шума на частоте
1 ГГц. Предназначены для применения в усилителях сверхвы-
сокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с
гибкими полосковыми выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.

Масса транзистора не более 1 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.

1ТЗЛПА-В), ГТ34КА-В)
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, 4 = 5 мА:

Т= +25 ’С:

1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В.............. 15...250

ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В.............. 15...300

Т= -60 ’С для 1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В .. От 0,3 до 1,2
значения при
Г = +25 ’С

7 = +70 ’С для 1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В... От 0,8 до 2,8
значения при
Т= +25 °С
Граничная частота коэффициента передачи
тока при икь = 5 В, 4 = 5 мА, не менее:

1Т341А, 1Т341В, ГТ341А,	ГТ341В...... 1,5 ГГц

1Т341Б, ГТ341Б.......................... 2 ГГц

типовые значения:

1Т341А, 1Т341В, ГТ341А, ГТ341В...... 1,95* ГГц

1Т341Б, ГТ341Б...................... 2,55* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи при
1/кь = 5 В, 4 = 5 мА, Г = 30 МГц, не более. 10 пс

типовое значение........................ 7* пс

Минимальный коэффициент шума при
икь = 5 В, 4 = 2 мА, Г = 1 ГГц, 7?г = 50...75 Ом,
не более:

1Т341А, ГТ341А.......................... 4,5 дБ

1Т341Б, 1Т341В, ГТ341Б, ГТ341В.......... 5,5 дБ

типовые значения:

1Т341А, ГТ341А...................... 4,0* дБ

1Т341Б, 1Т341В, ГТ341Б,	ГТ341В...... 4,4* дБ

Максимальный коэффициент усиления по
мощности при 6/КБ = 5 В, /э = 5 мА, /= 1 ГГц . 5...6 дБ
Граничное напряжение при 4=5 мА,
не менее................................... 5 В

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 10 В,
не более:

Г =+25’С............................... 5 мкА

Т = +70 ’С для 1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В... 50 мкА
Обратный ток эмиттера, не более:

Т= +25 ’С:

7/эб = 0,3 В для 1Т341А, ГТ341А,
1Т341Б, ГТ341Б, ГТ341В.............. 50 мкА

их = 0,5 В для 1Т341В............... 50 мкА
Т= +70 ’С:

их = 0,3 В для 1Т341А, 1Т341Б..... 100 мкА

С/ж = 0,5 В для 1Т341В............ 100 мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме
малого сигнала при 6/КБ = 5 В, = 5 мА,
не более................................. 20 Ом

Емкость коллекторного перехода
при 1/№ = 5 В, не более.................. 1 пФ

типовое значение..................... 0,5* пФ

Емкость эмиттерного перехода при иж = 0,3 В,
не более................................. 2 пФ

типовое значение..................... 0,85* пФ

Емкость конструктивная между выводами:
эмиттера и корпуса....................... 0,5 пФ

базы и корпуса....................... 0,5 пФ

коллектора и корпуса................. 0,6 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база..... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?БЭ = 0......................... 10 В

при = 1 кОм.......................... 5 В

при заданном Ца........................ 10	В

Постоянное напряжение эмиттер—база:.
1Т341А, ГТ341А, 1Т341Б, ГТ341Б...... 0,3 В

1Т341В, ГТ341В....................... 0,5 В

Напряжение коллектор—эмиттер в режиме
усиления при = 1 кОм, 20 кГц............. 5,5 В

Постоянный ток коллектора................ 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Т = +60 ’С........................... 35 мВт

при Т= +70 ’С для 1Т341А, 1Т341Б,
1Т341В............................... 25 мВт

СВЧ мощность, падающая на вход транзистора:
в непрерывном режиме..................... 50 мВт

в импульсном режиме при ?и = 25 мкс,
/= 400 Гц............................ 250 мВт

Тепловое сопротивление................... 0,8 ’С/мВт

Температура р-п перехода ГТ341А, ГТ341Б,
ГТ341В................................... +85 ’С

Температура окружающей среды:
1Т341А, 1Т341Б,	1Т341В.................. -60...+70	’С

ГТ341А, ГТ341Б,	ГТ341В................... -40...+60	’С
Зависимость граничной частоты
от тока эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента усиления от
тока эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от тем-
пературы

2Т354А-2, 2Т354Б-2, КТ354А-2, КТ354Б-2

Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры п-р-п усили-
тельные. Предназначены для
применения в усилителях вы-
сокой и сверхвысокой час-
тот. Бескорпусные на кри-
сталлодержателе с гибкими
выводами и защитным по-
крытием. Тип прибора ука-
зывается в этикетке.

Масса транзистора не
более 0,003 г.

Изготовитель — акцио-
нерное общество «Светла-
на», г. Санкт-Петербург.

2ПША-2. Б-2) КПША-2 Б-Л
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 2 В, /к = 5 мА:

Г= +25 °С:
2Т354А-2, КТ354А-2................. 40...200

2Т354Б-2, КТ354Б-2 ............. 90...360

Т= -60 °С:
2Т354А-2 .......................... 20...200

2Т354Б-2 ....................... 45...360

Г= +125 “С:
2Т354А-2 .......................... 40...360

2Т354Б-2 ....................... 90...650

Граничная частота коэффициента передачи
тока при 6/КБ = 2 В, 4 = 5 мА, не менее:

2Т354А-2, КТ354А-2................. 1,1 ГГц

2Т354Б-2, КТ354Б-2................. 1,5 ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при 6/КБ = 2 В, /э = 5 мА, 30 МГц, не более:
2Т354А-2, КТ354А-2....................... 25	пс

2Т354Б-2, КТ354Б-2................... 30	пс

Граничное напряжение при 4 = 5 мА,
не менее................................. 10	В

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 10 В,
не более:

Т = +25 °С......................... 0,5 мкА

Г= +125 °С для 2Т354А-2, 2Т354Б-2.. 5 мкА

Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более............................... 1 мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме
малого сигнала при 6/к = 2 В, /э = 5 мА,
/= 50...1000 Гц, не более.............. 10 Ом

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 5 В, не более............... 1,3 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Уэъ - 0,
не более............................... 1,2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ 3 кОм......................... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В

Постоянный ток коллектора.............. 10 мА

Импульсный ток коллектора при 10 мкс,
О > 2.................................. 20 мА
Постоянный ток эмиттера................. 10 мА

Импульсный ток эмиттера при < 10 мкс,
О > 2................................... 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора':
при +75 ’С для 2Т354А-2, 2Т354Б-2 30 мВт
при Т= +125 ’С для 2Т354А-2,
2Т354Б-2................................ 10 мВт

при	+50 ’С для КТ354А-2, КТ354Б-2 30 мВт

при Г= +85 ’С для КТ354А-2, КТ354Б-2 16 мВт

Температура окружающей среды:
2Т354А-2, 2Т354Б-2...................... -60...+ 125 ’С

КТ354А-2, КТ354Б-2.................... -60...+85 ’С

' В диапазонах температур окружающей среды +75...+125 ’С для 2Т354А—2,
2Т354Б-2 и +50...+85 ’С для КТ354А—2, КТ354Б—2 допустимое значение
рассеиваемой мощности снижается линейно.

Зависимость граничной частоты
от напряжения коллектор—эмиттер

Ъ/Ъ(13;2мА)
ю
08
06

о 2 6 6 в !3,мА

Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера

Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от напря-
жения коллектор—
эмиттер

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
2Т355А, КТ355А, КТ355АМ

Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п сверх-
высокочастотные усилительные с ненормированным коэффи-
циентом шума. Предназначены для усиления и генерирования
электрических сигналов в широком диапазоне частот. Выпус-
каются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами
(2Т355А, КТ355А) и в пластмассовом корпусе с гибкими выво-
дами (КТ355АМ). Тип приборов 2Т355А, КТ355А указывается
на корпусе. На приборе в пластмассовом корпусе маркировка
указывается в сокращенном виде: 355А.

Масса транзистора не более 1,2 г в металлостеклянном
корпусе и не более 0,5 г в пластмассовом корпусе.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.

2ША. КША

К1355АМ

Коллектор

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, /к = 10 мА:

Т = +25 ’С.................................... 80...300

Т= -60 °С для 2Т355А.......................... 40...300
Т= +125 ’С для 2Т355А................ 80...420

Граничная частота коэффициента передачи
тока при Ц® = 5 В, 4 = 10 мА, не менее.. 1500 МГц

типовое значение..................... 1800* МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при

= 5 ВД= 10 мА, /= 30 МГц, не более .... 60 пс

Граничное напряжение при 4 = 10 мА,
не менее................................ 15 В

среднее значение..................... 21* В

Обратный ток коллектора при = 15 В,
не более:

Г= +25 ’С............................ 0,5 мкА

Т= +125 ’С для 2Т355А................ 5 мкА

Обратный ток эмиттера при (УЭБ = 4 В,
не более................................ 1 мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме
малого сигнала при ик = 5 В, = 10 мА,
Г = 1 кГц, не более..................... 10 Ом

типовое значение..................... 3,3* Ом

Емкость коллекторного перехода
при (УКБ = 5 В, не более................ 2 пФ

типовое значение..................... 1,4* пФ

Емкость эмиттерного перехода при (УЭБ = 4 В,
не более................................ 2 пФ

типовое значение..................... 1,2* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?ы 3 кОм............................ 15В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Постоянный ток коллектора и эмиттера.... 30 мА

Импульсный ток коллектора и эмиттера
при 0,5 мс, 0^2......................... 60 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

при Т +85 ’С......................... 225 мВт

при Т= +125 ’С для 2Т355А, КТ355А.... 85 мВт

Температура р-п перехода................ +150 ’С

Температура окружающей среды:
2Т355А, КТ355А........................... -60...+ 125 ’С

КТ355АМ.............................. —45...+85 ’С

' В диапазоне температур +85.. +125 ’С допустимое значение рассеиваемой
мощности снижается линейно.
КТ359А, КТ359Б, лТ359В

КЛ59(А-В)

025 0.04

— I

Транзисторы кремни-
евые планарные структу-
ры п-р-п усилительные с
нормированным коэффи-
циентом шума на частоте
20 МГц. Предназначены
для применения в уси-
лителях. Бескорпусные с
твердыми выводами. Тип
прибора указывается в
этикетке.

Масса транзистора не
более 0,005 г.

Изготовитель — На, ьчинский завод полупроводниковых при-
боров, г. Нальчик.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (УКБ = 1 В, /э = 10 мА:

КТ359А................................ 30...90

КТ359Б................................ 50... 150

КТ359В................................ 70...280

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 2 В, 4 ~ 5 мА,
не менее................................. 300 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при (УКБ = 2 В, 4 = 2 мА, /= 5...30 МГц,
не более................................. 100 пс

Коэффициент шума (/кэ = 2 В, /, = 1 мА,
Г= 20 МГц, не более...................... 6 дБ

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б = 1 мА, не более...... 0,7 В

Обратный ток коллектора при = 15 В,
не более................................. 0,5 мкА

Обратный ток эмиттера при = 3,5 В,
не более................................. 1 мкА

Емкость коллекторного перехода
при и№ = 5 В, не более................... 5 пФ

Емкость эмиттерного перехода
при (УЭБ = 0,1 В, не более............... 6 пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при = 3 кОм............................ 15В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3,5 В

Постоянный ток коллектора.............. 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора................................... 15 мВт

Температура р-п перехода............... +100 °С

Температура окружающей среды........... —50...+85 °С

1Т362А, ГТ362А, ГТ362Б

Транзисторы германиевые планарные структуры п-р-п уси-
лительные с нормированным коэффициентом шума на частоте
2,25 ГГц. Предназначены для применения во входных каска-
дах усилителей высокой и сверхвысокой частот. Выпускаются
в металлостеклянном корпусе с гибкими полосковыми вывода-
ми. Тип прибора указывается на крышке корпуса. Для тран-
зистора 1Т362А допускается условная маркировка буквой «А»
и двумя красными точками на фланце ножки между эмиттер-
ным и базовым выводами.

Масса транзистора не более 2 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

1ША. ГТ362СА.Б)

оз

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
схеме ОЭ при (УКБ = 3 В, 4 = 5 мА:
Т г	+25 ’С:

1Т362А,	1Т362А.................... 10—200

1Т362А,	типовое	значение.......... 41,9*

ГТ362Б............................ 10...250

1 -	-60 'С для 1Т362А................. От 0,3 до 1,5

значения при
Т = +25 ’С

Г=+70’С для 1Т362А.................... От 0,5 до 2,5

значения при
Т= +25 ’С

Коэффициент шума при /э= 2 мА, /= 2,25 ГГц:

ОКБ = 3 В:
1Т362А................................... 2,2*...3,7*...

4,5 дБ

ГТ362А, не более...................... 4,5 дБ

ГТ362Б, не более...................... 5,5 дБ

УКБ = 5 В для 1Т362А...................... 2,3*...3*.„

4,5* дБ

Граничная частота коэффициента передачи
тока при 6/КБ = 3 В, /э = 5 мА, не менее..... 2,4 ГГц

типовое значение.......................... 4,8* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи

на высокой частоте при С/КБ = 3 В, /к = 5 мА:
1Т362А....................................... 2*...5,5*...

10 пс

ГТ362А, не более.......................... 10 пс

ГТ362Б, не более.......................... 20 пс

Обратный ток коллектора при С/КБ = 5 В:

Т= +25 ’С:
1Т362А................................... 0,02*...0,18*...

5 мкА

ГТ362А, ГТ362Б, не более.............. 5 мкА

Т = -60 ’С для 1Т362А, не более........... 5 мкА

Т = +70 ’С для 1Т362А, не более........... 30 мкА

Обратный ток эмиттера при их = 0,2 В,
не более:
1Т362А....................................... 50 мкА

ГТ362А, ГТ362Б............................ 100 мкА

Значения модуля и фазы параметров рассея-
ния, измеренных на частоте Г = 1,95 ГГц при
6/КБ = 3 В, /к = 2 мА при малом уровне пере-
менного сигнала:

коэффициент отражения входной цепи
транзистора в схеме ОЭ:

модуль........................... 0,04
фаза.............................. —165’

коэффициент отражения выходной цепи
транзистора в схеме ОЭ:

модуль............................ 0,54

фаза.............................. —72°

коэффициент обратной передачи напря-
жения в схеме ОЭ:

модуль............................ 0,2

фаза.............................. 50°

коэффициент прямой передачи напряже-
ния в схеме ОЭ:

модуль............................ 1,6

фаза.............................. 38°

Емкость коллекторного перехода при С/КБ = 5 В 0,4*...0,5*...

1 пФ

Емкость эмиттерного перехода при = 0  0,25*...0,5*...

1 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 5 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 0,2 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Ащ 1 кОм............................ 5 В

Постоянный ток коллектора............... 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:
при Т < +25 °С.......................... 40	мВт

при Т = +70 °С для 1Т362А............ 25	мВт

Импульсная СВЧ мощность в цепи эмиттер—
база при Т - +70 °С, Г= 1 ГГц, 0=	15.... 80	мВт

Температура р-п перехода для 1Т362А..... +85 °С

Температура окружающей среды............ —60...+70 °С

’ При повышении температуры выше +25 'С мощность снижается линейно.

Допускается пайка полосковой части вывода не ближе
3 мм от места сварки вывода в течение не более 3 с, темпера-
тура пайки не должна превышать +260 °С. Допускается пайка
выводов на расстоянии до 0,5 мм от стеклянного изолятора;
при этом температура не должна превышать +100 °С, время
пайки не более 3 с.
Входные характери-
стики

Зона возможных поло*
жеяий зависимости об*
ратного тока коллекто-
ра от температуры

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка эмиттера



-60-30 О 30 60 90 3С О 2 6 6 8 /к .мА

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока
от температуры

Зависимости модуля ко-
эффициента передачи
тока от тока коллектора

Зависимость постоянно-
го напряжения коллек-
тор—эмиттер от сопро-
тивления база—эмиттер

Л» лБ

7* ,ПС

О ? 4 6 8 /к>мА

Зависимости постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
коллектора

Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от то
ка коллектора

Зависимость коэффици
ента шума от частоты
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента усиления
от тока коллектора

Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента усиления
от частоты

Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости коллекторного
перехода от напряже-
ния коллектор—база

2Т366А-1, 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, 2Т366В-1,
КТ366А, КТ366Б, КТ366В

Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п уни-
версальные. Предназначены для применения в усилителях,
импульсных и переключающих устройствах герметизирован-
ной аппаратуры. Бескорпусные на диэлектрической подложке
с гибкими выводами и защитным покрытием. Выпускаются в
сопроводительной таре, обеспечивающей возможность изме-
рения параметров без извлечения из тары. Маркируются на
сопроводительной таре цветными точками: 2Т366А—1 — крас-
ной; 2Т366Б—1 — черной; 2Т366Б1—1 — синей; 2Т366В—1 —
зеленой; КТ366А — двумя красными; КТ366Б — двумя черны-
ми; КТ366В — двумя зелеными.

Масса транзистора не более 0,003 г.

Изготовитель — НИИМП, г. Зеленоград.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 1 В:

Т= +25 °С для 2Т366А-1, КТ366А при

4 = 1 мА, для 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1,
КТ366Б при 4 = 5 мА, для 2Т366В—1,
КТ366В при 4=15 мА................. 50...200

Т = —60 °С для 2Т366А—1 при 4 = 1 мА,
для 2Т366Б—1, 2Т366Б1—1 при 4 = 5 мА,
для 2Т366В-1 при 4 = 15 мА......... 20...200
2Н66<А Т.Б-1.В-1). КШ(А-В/

Тип транзистора	Размер иске >
2Т366А-1 КГИ6А ,	0 63
2ТШБ-1 2Т366Б1-1  КТ366Б	0 75
2Т366В-1 ктшв	085

Т = +85 °С для 2Т366А—1 при /э = 1 мА,
для 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1 при 4 = 5 мА,
для 2Т366В—1 при 4 = 15 мА........... 50...300

Граничная частота коэффициента передачи
тока при (4а = 2 В, не менее:

4 = 3 мА для 2Т366А-1, КТ366А........ 1000 МГц

4 = 5 мА:

2Т366Б-1, КТ366Б................. 1000 МГц

2Т366Б1-1........................ 800 МГц

4 = 10 мА для 2Т366В-1, КТ366В....... 1000 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при 44э = 2 В, / = 5 МГц, не более:

4 = 3 мА для 2Т366А—1, КТ366А........ 60 пс

4 = 5 мА для 2Т366Б-1, 2Т366Б1-1,
КТ366Б............................... 50 пс

4 = 10 мА для 2Т366В-1, КТ366В....... 10 пс

Время рассасывания, не более:

4 = 3 мА, 4 = 0,3 мА для 2Т366А—1,
КТ366А............................... 50 нс

4 = 10 мА, /Б = 1 мА для 2Т366Б—1,
2Т366Б1-1, КТ366Б.................... 80 нс

4=15 мА, 4 = 1.5 мА для 2Т366В—1,
КТ366В............................... 120 нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 3 мА, 4 = 0,3 мА для 2Т366А—1,
КТ366А; 4 = 10 мА, 4 = 1 мА для 2Т366Б-1,

2Т366Б1-1, КТ366Б; 4 = 15 мА, 4 = 1,5 мА
для 2Т366В-1, КТ366В, не более.......... 0,25 В

Напряжение насыщения база—эмиттер:

при 4 = 3 мА, 4 = 0,3 мА для 2Т366А—1,
КТ366А; 4 = Ю мА, 4 = 1 мА для

2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366Б.......... 0,8—0,87 В
при /к = 15 мА, /Б = 1,5 мА для 2Т366В—1,
КТ366В.............................. 0,78...0,85 В

Постоянное напряжение эмиттер—база

при /э = 0,05 мА, не менее............. 0,57 В

Обратный ток коллектора при (УКБ = 15 В,
не более:

Т= +25 ’С........................... 0,1 мкА

7" =+85’С........................... 0,5 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при икэ = 10 В, не более............... 0,5 мкА

Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 4,5 В,
не более:
7"=+25’С............................... 0,1 мкА

Г=+85’С............................. 0,5 мкА

Емкость коллекторного перехода

при (УКБ = 0,1 В, не более:
2Т366А-1, КТ366А........................ 1,1	пФ

2Т366Б-1, 2Т366Б1-1,	КТ366Б......... 1,8	пФ

2Т366В-1, КТ366В..................... 3,3	пФ

Емкость эмиттерного перехода при /УЭБ = 0,1 В,
не более:

2Т366А-1, КТ366А..................... 0,8	пФ

2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366Б.......... 1,8	пФ

2Т366В-1, КТ366В..................... 3,5	пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4,5 В

Постоянный ток коллектора:
2Т366А-1, КТ366А......................... 10	мА

2Т366Б-1, 2Т366Б1-1,	КТ366Б........ 20 мА

2Т366В-1, КТ366В.................... 45 мА

Импульсный ток коллектора при I* С 10 мкс,
0^3:
2Т366А-1, КТ366А....................... 20 мА

2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366Б......... 40 мА

2Т366В-1, КТ366В....................

70 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
2Т366А-1, КТ366А при Ят = 1 °С/мВт:
+70’С.................................. 30 мВт

Г =+85’С........................ 15 мВт	,
2Т366Б-1, 2Т366Б1—1, КТ366Б

при /?т = 0,6 °С/мВт:
Т«+7О°С.............................. 50	мВт

Т= +85 °С........................ 25	мВт

2Т366В-1, КТ366В при /?т = 0,3 °С/мВт:
Г«+70°С.............................. 90	мВт

Т = +85 °С....................... 50	мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-

тора при 10 мкс, 0^3:
2Т366А-1, КТ366А......................... 25	мВт

2Т366Б-1, 2Т366Б1-1, КТ366Б.......... 40	мВт

2Т366В-1, КТ366В..................... 70	мВт

Тепловое сопротивление кристалл—корпус.. 0,05 °С/мВт

Температура р-п перехода................ +100 °С

Температура окружающей среды............ —60...+85 °С

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка коллектора

Зависимости граничной
частоты от тока коллек-
тора

Зависимости постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера

2Т368А, 2Т368Б, 2Т368А9, 2Т368Б9,
КТ368А, КТ368Б, КТ368АМ, КТ368БМ,
КТ368А9, КТ368Б9, КТ388А-5

•

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные. Предназначены для использования во
входных и последующих каскадах усилителей высокой часто-
ты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выво-
дами (2Т368А, 2Т368Б, КТ368А, КТ368Б), в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами (КТ368АМ, КТ368БМ), в пластмас-
совом корпусе с жесткими выводами (2Т368А9, 2Т368Б9,
КТ368А9, КТ368Б9), в виде кристалла с контактными площад-
300
ками Ьез кристаллодержателя и без выводов для работы в
гибридных интегральных микросхемах (КТ368А—5). Тип прибо-
ра указывается на металлическом корпусе. Транзисторы в пласт-
массовом корпусе маркируются условным кодом: КТ368АМ —
двумя точками, КТ368БМ — одной точкой. Тип прибора в
миниатюрном пластмассовом корпусе и в виде кристалла ука-
зывается в этикетке.

Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более
1 г, в пластмассовом корпусе не более 0,5 г, в миниатюрном
пластмассовом корпусе не более 0,1 г, в виде кристалла не
более 0,0001 г.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.

2Т368(А.Б) Ш68(А Б)

КБ368(АМ. БМ)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при </КБ = 1 В, /э = 10 мА:
2Т368А, 2Т368Б, 2Т368А9, 2Т368Б9:

Г =+25’С................................. 50...300

Г=-6О’С.................................. 25...300

Г- +125 ’С............................... 40...500
21368(А9,Б91. КТ368(А9.Б9)

КВ68А-5

ооо чоо

КТ368А, КТ368Б, КТ368А9, КТ368Б9:

Т = +25 °С....................... 50.„300

Г=-60°С........................ 25...300

Г=+125°С....................... 50...600

КТ368АМ, КТ368БМ:

Т = +25 °С..................... 50...450

Г=-60’С........................ 25...450

Г=+125°С....................... 50...600

КТ368А-5 при Т= +25 °С............. 50...450
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, /э = 10 мА,
не менее.................................. 900 МГц

типовое значение....................... 1100* МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при С/КБ = 5 В, /э = 10 мА,
(= 30 МГц ................................ 4,5*...7*...

15 пс

Коэффициент шума на /= 60 МГц
при С/КБ = 5 В, /э = 10 мА для 2Т368А,
2Т368А9, КТ368А, КТ368АМ, КТ368А-5........ 1,8* ..2,8* ..

3,3 дБ

Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее.................................. 15 В

типовое значение....................... 25* В

Входное сопротивление в режиме малого сиг-
нала в схеме ОБ при С/КБ = 5 В, /э = 10 мА,
Г = 1 кГц, не более....................... 6 Ом

типовое значение....................... 3* Ом

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 5 В, не более.................. 1,7 пФ

типовое	значение...................... 1,2* пФ

Емкость эмиттерного перехода при Уэь = 1 В,
не более.................................. 3 пФ

типовое	значение...................... 2* пФ

Емкость конструктивная для 2Т368А, 2Т368Б,

КТ368А, КТ368Б:

между выводом эмиттера и корпусом...... 0,45 пФ

между выводом коллектора и корпусом.... 0,6 пФ

между выводом базы и корпусом.......... 0,4 пФ

между выводами коллектора и эмиттера... 0,08 пФ

между выводами коллектора и базы....... 0,15 пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы
при I = 3 мм для 2Т368А, 2Т368Б, КТ368А,
КТ368Б.................................... 4,5 нГн

Обратный ток коллектора при С/КБ = 15 В,
не более:

Т= +25 °С.............................. 0,5 мкА

Т= +125 ’С для 2Т368А, 2Т368Б.......... 5 мкА

Обратный ток эмиттера при Узь = 4 В,
не более.................................. 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 15 В

Импульсное напряжение коллектор—база
при = 0,5 мс, 0=2...................... 20 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?6Э = 3 кОм....................... 15 В

Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 3 кОм, Ги = 0,5 мс, 0=2..... 20 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В

Постоянный ток коллектора и эмиттера... 30 мА

Импульсный ток коллектора и эмиттера
при = 0,5 мс, О = 2.................... 60 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

2Т368А, 2Т368Б:
Т= +65 ’С, Р= 6650 Па.............. 225 мВт

Т= +65 ’С, Р= 665 Па............ 150 мВт

7"=+125°С....................... 60 мВт

КТ368А, КТ368Б:
Т= +65 ’С.......................... 225 мВт

Г=+125°С........................ 60 мВт

КТ368АМ, КТ368БМ:
Т=+65’С............................ 225 мВт

Т= +100 ’С...................... 130 мВт

2Т368А9, 2Т368Б9, КТ368А9, КТ368Б9:
при Т = —60...+65 °С............... 100 мВт

КТ368А-5:
Г= -60...+65 ’С.................... 225 мВт

Т= +85 ’С....................... 170 мВт

Температура р-п перехода .............. +150 ’С

Температура окружающей среды:

2Т368А, 2Т368Б, КТ368А, КТ368Б...... -60...+125 ’С

2Т368А9, 2Т368Б9, КТ368АМ, КТ368БМ,
КТ368А9, КТ368Б9.................... -60...100 ’С

КТ368А-5'........................... -60...85 ’С

1 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
в указанных интервалах температур уменьшается линейно.

Зависимости электрических параметров от токов, напряже-
ний, сопротивлений, частоты для 2Т368А9, 2Т368Б9, КТ368А9,
КТ368Б9, КТ368А—5 аналогичны зависимостям 2Т368А, 2Т368Б,
КТ368А, КТ368Б.


О 10 20 30 СО 4 ,мА о 25 5 75 10 и№_В » 5 10 15 20 /} .мА

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи ,тока от тока
коллектора

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор—
база

О 25 5 75 10	1 2 $ 10 20 Р^.кОм 0001 00101 1 10 100 (, МГц

Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор—база

Зависимость максималь-
но допустимого постоян-
ного напряжения коллек-
тор—эмиттер от сопро-
тивления база—эмиттер

Зависимость коэффи-
циента шума от частоты



2Т371А, КТ371А, КТ371АМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п сверхвысокочастотные усилительные с нормиро-
ванным коэффициентом шума. Предназначены для примене-
ния в усилителях сверхвысоких частот. Выпускаются в метал-
локерамическом (2Т371А, КТ371А) и металлопластмассовом
(КТ371АМ) корпусах с гибкими полосковыми выводами. На
крышке корпуса транзистора наносится условная маркировка
цветным кодом: 2Т371А — одна синяя точка; КТ371А — две
синие точки; КТ371АМ — две полосы.
2Т371А. КТ371А. КТ 371 АМ

Масса транзистора не
более 0,3 г.

Изготовитель — акцио-
нерное общество «Светла-
на», г. Санкт-Петербург.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при (/е = 1 В, /к = 10 мА:

7"=+25’С............................. 30...240

Г=-60’С для 2Т371А................... 15...240

Т= +125 ’С для 2Т371А................ 30...400

Граничная частота коэффициента передачи

тока при С/К6 = 5 В, 4 = Ю мА, не менее. 3 ГГц

типовое значение для 2Т371А.......... 3,6* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи

при </КБ = 5 В, 4 = 10 мА, /= 30 МГц, не более 15 пс

типовое значение..................... 8* пс

Коэффициент шума при </КБ = 5 В, /э = 5 мА,
Г= 400 МГц, /?г = 75 Ом:

2Т371А............................... 4 дБ

КТ371АМ.............................. 5* дБ

Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее................................ 10 В

типовое значение..................... 22* В

Обратный ток коллектора при С/КБ = 10 В,
не более:

Г =+25’С............................. 0,5 мкА

Т - +125 ’С для 2Т371А............... 5 мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме

малого сигнала при С/КБ = 5 В, /э = 10 мА,

Г = 1 кГц, не более..................... 10 Ом

типовое значение..................... 4* Ом
Емкость коллекторного перехода
при </КБ = 5 В, не более................ 1,2 пФ

типовое значение..................... 0,7* пФ

Емкость эмиттерного перехода при 1/х = 1 В,
не более................................ 1,5 пФ

типовое значение....................... 0,9*	пФ

Емкость конструктивная между выводами кол-

лектора и эмиттера...................... 0,2* пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы... 2,5* нГн

Коэффициент отражения входной цепи тран-

зистора в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, /э = 10 мА,
/?г = 50 Ом:

Г = 400 МГц:
модуль.......................... 0,32*

фаза............................. —56°*

Г= 1 ГГц:
модуль.......................... 0,14*

фаза............................. -112°*

Коэффициент обратной передачи напряжения
в схеме ОЭ при (УКБ = 5 В, /э = 10 мА,
/?г = 50 Ом:

Г= 400 МГц:
модуль........................... 0,09

фаза............................. 7 Г*

/'= 1 ГГц:
модуль.......................... 0,18*

фаза............................. 60°*

Коэффициент прямой передачи напряжения
в схеме ОЭ при (УКБ = 5 В, /э = 10 мА,
/^ = 50 Ом:

Г= 400 МГц:
модуль........................... 4,2*

фаза............................. 90°*

Г = 1 ГГц:
модуль........................... 1,9*

фаза............................. 57°*

Коэффициент отражения выходной цепи тран-
зистора в схеме ОЭ при С/кБ = 5 В, /э = 10 мА,
/?г = 50 Ом:

Г= 400 МГц:
модуль.......................... 0,64*

фаза............................. —27°*

Г= 1 ГГц:
модуль........................... 0,5*

фаза............................. —52°*
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ С 3 кОм....................... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В

Постоянный ток коллектора и эмиттера... 20 мА

Импульсный ток коллектора и эмиттера
при 7И С 10 мкс, О > 2................. 40 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1:

2Т371А:
ГС +65 ’С, Р > 6650 Па.............. 100 мВт

ГС +65 ’С, Р= 665 Па............ 65 мВт

Г = +125 ’С..................... 30 мВт

КТ371А:

ГС+65’С......................... 100 мВт

Г=+125°С........................ 30 мВт

КТ371АМ при ГС +85 ’С............... 100 мВт

Температура р-п перехода............... +150 ’С

Температура окружающей среды:

2Т371А, КТ371А...................... -60...+ 125	’С

КТ371АМ............................. —45...+85	’С

1 В диапазоне температур окружающей среды +65...+125 'С допустимые
значения рассеиваемой мощности для 2Т371А, КТ371А снижаются линейно.

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор—
база

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера
О 2 4 6 в В№1В О 1 2 1 I !3 .мА

Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор—база

Зависимость коэффици- Зависимость коэффици-
ента шума от тока эмит- ента шума от частоты
тера

2Т372А, 2Т372Б, 2Т372В, КТ372А, КТ372Б, КТ372В

Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры п-р-п усили-
тельные с нормированным
коэффициентом шума на
частоте 1 ГГц. Предназначе-
ны для применения во вход-
ных и последующих каска-
дах усилителей сверхвысо-
ких частот. Выпускаются в
металлокерамическом кор-
пусе с гибкими полосковыми
выводами. Тип прибора ука-
зывается на ярлыке, являю-
щемся составной частью упа-
ковки. На корпусе между ба-
зовым и эмиттерным выво-
дами наносится условная
маркировка цветными точка-
ми: 2Т372А — одна зеленая;
2Т372Б — одна черная;
2Т372В — одна белая; КТ372А
черные; КТ372В — две белые.

2Т572(А-В). КТ372(А-В)

— две зеленые; КТ372Б — две
Масса транзистора не более 0,2 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме при </КБ = 5 В, /э = 5 мА:
2Т372А, 2Т372Б, 2Т372В....................... 10*...90*

КТ372А, КТ372Б, КТ372В, не менее.......... 10*

Граничная частота коэффициента передачи

тока при </КБ = 5 В, /э = 5 мА:
2Т372А....................................... 2,4...4,35*...

5,4 ГГц

2Т372Б ...;............................... 3...4.8*...

6* ГГц

2Т372В.................................... 2,4...3,75*...

5,4* ГГц

Минимальный коэффициент шума

при </КБ = 5 В, /э = 2 мА, Т= 1 ГГц:
2Т372А, КТ372А............................... 2,3*...2,9*...

3,5 дБ
2Т372Б, КТ372Б............................ 2,5*...3,5*...

5,5 дБ
2Т372В, КТ372В............................ 3*...3,8*...

5,5 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощ-

ности при С/КБ = 5 В, /э = 5 мА, /= 1 ГГц.... 10*... 12*...

14,5 дБ

Постоянная времени цепи обратной связи

на высокой частоте при С/КБ = 5 В, /э = 5 мА .. 2,5*...4*.„

9* пс

Обратный ток коллектора при С/КБ = 15 В:

Г =+25 °С................................. 0,006*...0,01*

...0,5 мкА

Т = —60 °С, не более...................... 0,5 мкА

Т = +125 °С, не более..................... 10 мкА

Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 3 В:

Т= +25 °С................................. 0,01*...0,03*...

20 мкА

Т = —60 °С, не более...................... 20 мкА

Т = +125 °С, не более..................... 200 мкА

Коэффициент отражения входной цепи при

= 50 Ом, Ув= 5 В, /к = 5 мА, Рвх = 10 мкВт:
модуль..................................... 0,14*

фаза...................................... —149°*
Коэффициент обратной передачи напряжения
при 2о = 50 Ом, (/« = 5 В, /к = 5 мА,
Рвк = 10 мкВт:
модуль.................................. 3,29*

фаза................................... 76°*

Коэффициент прямой передачи напряжения
при 2о = 50 Ом, (/кэ = 5 В, 4 = 5 мА,
Рвх = 10 мкВт:

модуль.............................. 0,093*

фаза................................... 59°*

Коэффициент отражения выходной цепи тран-
зистора при То = 50 Ом, (/кэ = 5 В, /к = 5 мА,
Рвх = 10 мкВт:

модуль................................. 0,623*

фаза................................... —30°*

Емкость коллекторного перехода при (/КБ = 5 В 0,4*...0,65*...

1 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 0. 1*.-1,2* .

1,5* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база...... 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база........ 3 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ 10 кОм........................... 15 В

Импульсное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ 10 кОм, 4 С 10 мкс, 0= 20........ 15 В

Постоянный ток коллектора................. 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т С —60...+100 °С.................. 50 мВт

при Т = +125 °С:

2Т372А, 2Т372Б, 2Т372В.............. 30 мВт

КТ372А, КТ372Б, КТ372В.............. 25 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т = +70 °С, /= 1 ГГц, 0= 15...... 80 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда...... 1 °С/мВт

Температура р-п перехода.................. +155 °С

Температура окружающей среды.............. —60...+125 °С

Минимальное расстояние пайки выводов от корпуса 2 мм,
температура пайки не выше +260 °С, время пайки не более
3 с.
Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка змиттера

Зависимости модуля
коэффициента переда-
чи тока от тока эмит-
тера

Зона возможных поло-
жений зависимости по-
стоянной времени цепи
обратной связи от тока
эмиттера

Зависимость коэффици-
ента усиления от тока
эмиттера

Зависимость коэффици-
ента шума от тока змит-
тера

Зависимость коэффици-
ента шума от частоты

Зависимость пробивно-
го напряжения коллек-
тор—эмиттер от сопро-
тивления база—эмиттер

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока
от температуры

Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента усиления
от частоты
КТ373А, КТ373Б, КТ373В, КТ373Г

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,2 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

КТ373(А-Г)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, 4 = 1 мА:

Т= +25 "С:

КТ373А................................ 100...250

КТ373Б................................ 200...600

КТ373В................................ 500... 1000

КТ373Г................................ 50...125

Г= -40 ’С:

КТ373А................................ 25...250

КТ373Б................................ 50...600

КТ373В................................ 125... 1000

КТ373Г................................ 12...125

Т= +85 ’С:
КТ373А.................................... 100...750

КТ373Б................................ 200...1800

КТ373В................................ 500...3000

КТ373Г................................ 50...375

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, 4 ~ 1 мА,
не менее................................ 300	МГц
Постоянная времени цепи обратной связи

С/КБ = 5 В при /к = 1 мА, не более:
КТ373А, КТ373Г......................... 200	пс

КТ373Б.............................. 300	пс

КТ373В.............................. 700	пс

Граничное напряжение при /э = 5 мА,
не менее:

КТ373А, КТ373Г...................... 25	В

КТ373Б.............................. 20	В

КТ373В.............................. 10	В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б = 1 мА, не более.... 0,1 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 = 1 мА,’ не более.... 0,9 В

Обратный ток коллектора при С/КБ = (/КБ МАКС:

Г =+25 “С.....................:...... 0,05 мкА

Г=+85 °С............................ 10 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при (7кэ макс* не более.

КТ373А,	КТ373Б, КТ373В............. 30 мкА

КТ373Г.............................. 100 мкА

Обратный ток эмиттера при (/Бэ = 5 В,
не более............................... 30 мкА

Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 5 В, не более............... 8 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при А’бэ = 10 кОм:

КТ373А.............................. 30 В

КТ373Б.............................. 25 В

КТ373В.............................. 10 В

КТ373Г.............................. 60 В

Постоянное напряжение база—эмиттер..... 5 В

Постоянный ток коллектора.............. 50 мА

Импульсный ток коллектора 50 мкс,
О > 500 ............................... 200 мА

Постоянный ток коллектора в режиме насы-
щения ................................. 100 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Т - —40...+55 °С............. 150 мВт

' При Т = +55...+85 'С мощность определяется по формуле
Рк млкс = <150 ~ П/0,61, мВт.
Температура р-п перехода................. +150 °С

Температура окружающей среды............. —50...+85 ’С

Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора.

Зависимость обратного тока коллектора
от температуры

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор—
база

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока коллек-
тора

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от температуры
Окз ш

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от темпе-
ратуры

Зависимость максималь-
но допустимого посто-
янного напряжения кол-
лектор—эмиттер от со-
противления база-
эмиттер

1Т374А-6

Транзистор германиевый планарный структуры п-р-п усили-
тельный с нормированным коэффициентом шума на частоте
2,25 ГГц. Предназначен для применения во входных и после-

1ТША-6

дующих каскадах усили-
телей сверхвысоких ча-
стот. Бескорпусный на ке-
рамическом кристалло-
держателе с контактными
площадками. Тип прибо-
ра указывается на ярлы-
ке, находящемся в инди-
видуальной упаковке.

Масса транзистора не
более 0,004 г.

Изготовитель — за-
вод «Пульсар», г. Москва.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при ЦБ = 3 В, /э = 2 мА:

Т= +25 °С.......................

Т= -60 “С.......................

10...100

От 0,3 до 1,5
значения при
Т= +25 ’С
Т= +70 °С............................ От 0,5 до 3

значений при
7 = +25 °С

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при ЦБ = 3 В, /э = 2 мА,
не менее................................ 2,4 ГГц

типовое значение..................... 3,6* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при 6/КБ = 3 В, 4 = 2 мА,
/ = 100 МГц, не более................... 10 пс

типовое значение..................... 4* пс

Минимальный коэффициент шума при
(/КБ = 3 В, /э = 2 мА, /= 2,25 ГГц, не более .... 4,5 дБ

типовое значение..................... 4* дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности при (/КБ = 3 В, /э = 2 мА, /= 2,25 ГГц.... 3...7.6 дБ

типовое значение..................... 6* дБ

Обратный ток коллектора при (/КБ = 5 В,
не более:
Г = +25	°С.......................... 5 мкА

7=+70	°С.......................... 30 мкА

Обратный ток эмиттера при изъ = 0,3 В,
не более................................ 100 мкА

Емкость коллекторного перехода
при и№ = 5 В, не более.................. 1 пФ

типовое значение..................... 0,7* пФ

Емкость эмиттерного перехода при ЦБ = 0,3 В,
не более................................ 1 пФ

типовое значение..................... 0,5*	пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 5 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при А’бэ 1 кОм.......................... 5 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 0,3 В

Постоянный ток коллектора............... 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при 7 = +45 °С....................... 25 мВт

при 7 = +70 °С....................... 10 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 1,5 °С/мВт

Температура р-п перехода................ +85 °С

Температура окружающей среды............ —60...+70 °С
7

6

5
4

7

Зависимость статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера

К.,дБ

К..дБ

О 2 4 6 В 1'.МА

о I 2 7 4 !3'МА

1 125 15 1.75 2 (.ГГц

Зависимость коэффици-
ента шума от частоты

Зависимость граничной
частоты от тока коллек-
тора

Зависимость коэффици-
ента шума от тока эмит-
тера

2Т382А, 2Т382Б, КТ382А, КТ382Б, КТ382АМ, КТ382БМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-

туры п-р-п усилительные с

2Т382(А.Б). КШ(А.Б)

КШ(АМ.БМ)

057

нормированным коэффициентом
шума на частоте 400 МГц.
Предназначены для примене-
ния во входных и последую-
щих каскадах усилителей вы-
сокой и сверхвысокой частот.
Выпускаются в металлокера-
мическом (2Т382А, 2Т382Б,
КТ382А, КТ382Б) и пластмас-
совом (КТ382АМ, КТ382БМ)
корпусах с гибкими полоско-
выми выводами. На крышке
корпуса наносится условная
маркировка цветным кодом:
2Т382А — одна черная точка;
КТ382А — две черные точки;
2Т382Б — одна красная точ-
ка; КТ382Б — две красные
точки; КТ382АМ — одна полоса; КТ382БМ — одна полоса и
одна точка.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при (/КБ = 1 В, /э = 5 мА:
Г= +25 °С...................,........... 40...330

Т= -60 °С для 2Т382А, 2Т382Б........... 30...330

Т= +125 °С для 2Т382А, 2Т382Б........ 40...450

Граничная частота коэффициента передачи

тока в схеме ОЭ при (/КБ = 5 В, 4 = 5 мА,
не менее.................................. 1,8 ГГц

типовое значение....................... 2,25* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи

при С/КБ = 5 В, /э = 5 мА, /= 30 МГц:
2Т382А, КТ382А, не более................... 15	пс

типовое значение....................... 6*	пс

2Т382Б, КТ382Б, не более............... 10	пс

типовое значение....................... 5,5* пс

Коэффициент шума при 6/КБ = 5 В, /э = 5 мА,
Г = 400 МГц, % = 75 Ом:
2Т382А, КТ382А, КТ382АМ,	не более... 3 дБ

типовое значение....................... 2,2* дБ

2Т382Б, КТ382Б, КТ382БМ,	не более... 4,5 дБ

типовое значение....................... 2,5* дБ

Граничное напряжение при 4 = 5 мА, не менее 10 В
типовое значение 20* В

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 15 В,
не более:

Т= +25 °С	0 5 мкА

Г= +125 °С для 2Т382А,*2Т382б”"’’."’’’"" б’мкА

Обратный ток эмиттера при (Уэъ = 3 В,
не более................................. 1 мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме
малого сигнала при (/к = 5 В, /э = 5 мА,
/= 1 кГц, не более....................... 10 Ом

типовое значение...................... 3* Ом

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 5 В, не более................. 2 пФ

типовое значение...................... 1* пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 1 В,
не более............................... 2,5 пФ

типовое значение.................... 1,6* пФ

Индуктивность каждого вывода........... 4* нГн

Коэффициент отражения входной цепи в схе-
ме ОЭ при ЦБ = 5 В, /э = 5 мА, /= 400 МГц,'
Рг = 50 Ом:

модуль.............................. 0,26*

фаза................................ -133°*

Коэффициент обратной передачи напряжения
в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, /э = 5 мА,
Г = 400 МГц, /?г = 50 Ом:

модуль.............................. 0,102*

фаза................................ 66°*

Коэффициент прямой передачи напряжения
в схеме ОЭ при (/КБ = 5 ВД = 5 мА,
Г= 400 МГц, Яг = 50 Ом:
модуль................................. 4,15*

фаза................................ 86°*

Коэффициент отражения выходной цепи
в схеме ОЭ при 4/КБ = 5 В, /э = 5 мА,
Г= 400 МГц, /?г = 50 Ом:
модуль................................. 0,54*

фаза................................ —35°*

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение	коллектор—база... 15	В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /Рбэ 3 кОм......................... 10	В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В

Постоянный ток коллектора.............. 20	мА

Импульсный ток коллектора и эмиттера
при 4, < 10 мкс, О 2................... 40 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

2Т382А, 2Т382Б:
+65 °С, Р > 6650 Па................. 100 мВт

Т +65 °С, Р = 665 Па............ 70 мВт

Т= +125 °С...................... 30 мВт

КТ382А, КТ382Б:
+65 °С.............................. 100 мВт

Т= +125 “С...................... 30 мВт

1 В диапазоне температур +65...+ 125 °С допустимые значения рассеиваемой
мощности для 2Т382А, 2Т382Б, КТ382А, КТ382Б снижаются линейно.
КТ382АМ, КТ382БМ при +85 ’С.... 100 мВт

Температура р-п перехода ................ +150 ’С

Температура окружающей среды:

2Г382А, 2Т382Б, КТ382А, КТ382Б........ -60...+125 ’С

КТ382АМ, КТ382БМ...................... -45...+85 ’С

Лд? / Ь аз

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

Л/и /

0 25 5 75 ЮОп.В

(гр / (гр

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор—
база

Зависимость коэффици-
ента шума от частоты

Зависимость коэффици-
ента шума от тока эмит-
теоа

Зависимость коэффици-
ента шума от темпера-
туры

2Т384А-2, 2Т384АМ—2, КТ384А, КТ384АМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п переключательные. Предназначены для применения
в системах памяти ЭВМ и импульсных переключающих устрой-
ствах нанссекундного диапазона в составе герметизированных
микросхем. Бескорпусные с гибкими выводами и защитным
покрытием на керамическом (2Т384А—2, КТ384А) и металли-
ческом (2Т384АМ—2, КТ384АМ) кристаллодержателях. По-
ставляются в сопроводительной таре, позволяющей проводить
11- 734	321
измерение электрических параметров без извлечения из нее
транзисторов. Тип прибора указывается на сопроводительной
таре.

Масса транзистора на керамическом кристаллодержателе
не более 0,015 г, на металлическом — не более 0,004 г.

Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.

ДЖ?, КП84А

КТ310ЦА-Е)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при //кэ = 1 В, /к = 150 мА..... 30...90*...180

Граничная частота коэффициента передачи

тока при Т4э = 10 В, /к = 100 мА........... 0,45... 1,15*...

1,3* ГГц

Время рассасывания при /к = 150 мА,

4( = 4г = 15 МА. не более:
2Т384А-2, 2Т384АМ-2......................... 12 нс

КТ384А, КТ384АМ......................... 15 нс

Граничное напряжение при /к = 10 мА
для 2Т384А-2, 2Т384АМ-2..................... 15...24*...34*	В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер

при 4 = 150 мА, 4=15 мА:
2Т384А-2, 2Т384АМ-2......................... 0,25*...0,28*...

0,53 В
КТ384А, КТ384АМ, не более............... 0,6 В

Напряжение насыщения база—эмиттер

при 4 = 150 мА, 4 = 15 мА:
2Т384А-2, 2Т384АМ-2......................... 0,81*...0,91*.„

1,15* В
КТ384А, КТ384АМ, не более............... 1,2 В
Обратный ток коллектора, не более:
и№ = 30 В, 7 = +25 "С................... 10 мкА

= 20 В, Т= +125 °С для 2Т384А-2,
2Т384АМ—2........................... 100 мкА

1/кб = 30 В, 7= +85 °С для КТ384А,
КТ384АМ............................. 100 мкА

Обратный ток эмиттера, не более:

2Т384А-2, 2Т384АМ—2 при 1/э6 = 5 В:

7=+25 °С........................ 10 мкА

7=+125 “С....................... 100 мкА

КТ384А, КТ384АМ при 1/ЭБ = 4 В...... 10 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер при /?БЭ = 0
для 2Т384А—2, 2Т384АМ—2, не более:

6/КБ = 30 В, 7=+25 °С............... 10 мкА

1/кб = 20 В, 7= +125 ‘С............. 100 мкА

Емкость коллекторного перехода

при икъ = 10 В для 2Т384А-2, 2Т384АМ-2. 1,3* „1,7* ..

4 пФ

Емкость эмиттерного перехода при изъ = 0,5 В
для 2Т384А-2, 2Т384АМ-2................ 7*.„8*.„20 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база
и коллектор—эмиттер при /?БЭ < 5 кОм для
КТ384А, КТ384АМ........................ 30 В

Постоянное напряжение коллектор—база'
для 2Т384А-2, 2Т384АМ-2:

при 7пд = +100 °С................... 30 В

при 7ПД = +125 °С................... 20 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:

2Т384А-2, 2Т384АМ—2................. 5 В

КТ384А, КТ384АМ..................... 4 В

Постоянный ток коллектора.............. 0,3 А

Импульсный ток коллектора при $ 5,0 мкс,
0^ 10.................................. 0,5 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

2Т384А-2, 2Т384АМ—2:

7ПД = +85 °С.................... 0,3 Вт

7ПД =+125 °С.................... 0,06 Вт

1 В диапазоне температур подложки +100. +125 ’С допустимые значения
постоянного напряжения коллектор—база транзисторов 2Т384А—2, 2Т384АМ—2
снижаются линейно.

11'	32.
КТ384А, КТ384АМ:
Гпд « +70 ’С......................... 0,3 Вт

Гпд = +85 ’С.................... 0,2 Вт

Тепловое сопротивление переход—подложка. 0,167 °С/мВт

Температура р-п перехода:
2Т384А-2, 2Т384АМ—2..................... +135 ’С

КТ384А, КТ384АМ ..................... 120 ’С

Температура окружающей среды:
2Т384А-2, 2Т384АМ—2..................... -60...+125 ’С

КТ384А, КТ384АМ...................... -45...+85 ’С

1Т387А-2, 1Т387Б-2

1Т387(А-2. Б-2)

Транзисторы германиевые пла-
нарные структуры п-р-п генератор-
ные. Предназначены для усиления
и генерирования сигналов сверх-
высоких частот. Бескорпусные на
керамическом кристаллодержателе
с гибкими полосковыми выводами
и керамической крышкой. Выпус-
каются в индивидуальной таре-
спутнике. Тип прибора указывается
на таре. На крышке транзистора
наносится условная маркировка
цветными точками: 1Т387А—2 —
черная; 1Т387Б—2 — белая.

Масса транзистора не более
0,1 г.

Изготовитель — Нальчинский завод полупроводниковых
приборов, г. Нальчик.

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 3 В, 4 = 50 мА,
не менее:

1Т387А-2............................ 2,16 ГГц

1Т387Б-2............................ 3 ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи при

Т/КБ = 5 В, 4 = 30 мА, /= 30 МГц, не более:
1Т387А-2............................... 6,5 пс

1Т387Б-2............................ 4 пс

Выходная мощность в режиме автогенератора
при ЦБ = 7 В, 4 = 50 мА, не менее:
1Т387А—2 при /= 3 ГГц.................. 50 мВт
1Т387Б-2 при Г = 4 ГГц............... 50 мВт

Медианное значение, не менее:

1Т387А—2 при Г= 3 ГГц................ 75 мВт

1Т387Б—2 при Г= 4 ГГц................ 65 мВт

Коэффициент усиления по мощности

при 1/кб = 7 В, не менее:

1Т387А—2 в схеме ОБ при Г= 2,25 ГГц,
П = 30%.............................. 2

1Т387Б—2 в схеме ОЭ при Г= 0,5 ГГц,

/э = 20 мА........................... 10

Минимальный коэффициент шума

при 1/кб = 7 В:

1Т387А—2 в схеме ОЭ при /э = 5...30 мА:
Г= 0,1 ГГц.......................... 2,5 дБ

1 ГГц......................... 5 дБ

1Т387Б-2 при /э = 10...20 мА:
Г= 0,51 ГГц в схеме ОЭ-............. 3 дБ

Г= 1 ГГц в схеме ОБ.............. 4,8 дБ

Г= 2,5 ГГц в схеме ОБ............ 7,5 дБ

Граничное напряжение при /э = 50 мА,
не менее................................ 8 В

Обратный ток коллектора при 1/КБ = 10 В,
не более:

Т= +25 °С............................ 10 мкА

Г=+70°С.............................. 100 мкА

Обратный ток эмиттера при иж = 0,2 В,
не более:
Т=+25°С.............................•... 10 мкА

Т= +70 °С............................ 100 мкА

Сопротивление базы при С/КБ = 7 В, /э = 50 мА,
не белее................................ 9 Ом

Сопротивление коллектор—база при = 7 В,

4 = 50 мА, не более..................... 4,5 Ом

Емкость коллекторного перехода

при 1/кб - 5 В, не более................ 3 пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = 0,
не более...................................5	пФ

Индуктивность базы в режиме насыщения

при 1/кб = 0, 4 - 50 мА, Г= 1 ГГц,
не более................................ 0,45 нГн

Коэффициент отражения входной цепи в схе-

ме ОЭ при Цо = 5 В:

/к = 10 мА, Г= 0,5 ГГц:
модуль.............................. 1,78

фаза............................. —140°
4 = 30 мА, / = 0,5 ГГц:

модуль............................

фаза..............................

4 = 10 мА, Г= 1 ГГц:

модуль............................

фаза..............................

4 - 30 мА, ( = 1 ГГц:
модуль...............................

фаза..............................

Коэффициент обратной передачи напряжения
в схеме ОЭ при 1/кэ = 5 В:

4 = 10 мА, Г= 0,5 ГГц:
модуль...............................

фаза..............................

4 = 30 мА, 0,5 ГГц:

модуль............................

фаза..............................

4 = 10 мА, Г= 1 ГГц:

модуль ...........................

фаза..............................

4 = 30 мА, / = 1 ГГц:
модуль...............................

фаза..............................

Коэффициент прямой передачи напряжения
в схеме ОЭ при (4э = 5 В:

4 = 10 мА, / = 0,5 ГГц:

модуль............................

фаза..............................

4 = 30 мА, /= 0,5 ГГц:
модуль...............................

фаза..............................

4 = 10 мА, / = 1 ГГц:
модуль...............................

фаза..............................

4 = 30 мА, 1 ГГц:
модуль...............................

фаза..............................

Коэффициент отражения выходной цепи тран-
зистора в схеме ОЭ при (4э = 5 В:

4 = 10 мА, Г = 0,5 ГГц:

модуль............................

фаза..............................

4 - 30 мА, 0,5 ГГц:
модуль...............................

фаза..............................

1,55
— 150°

1,92

-165°

1,78
-175°

-14,5 дБ
61°

-14,2 дБ
70°

-10,5 дБ
60°

-Ю дБ
61’

8 дБ
81°

9,5 дБ
75°

4 дБ
60’

4,5 дБ
59°

1,79

-55°

1,45
-40°
/к = 10 мА, Г = 1 ГГц:

модуль........................... 1,67

фаза............................. —57°

/к = 30 мА, (= 1 ГГц:
модуль.............................. 1,38

фаза............................. —61°

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база....

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /Убэ = 100 Ом........................

Постоянное напряжение эмиттер—база.......

Импульсный ток коллектора при Гк = +25 °С,

С 10 мкс, О 100........................

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при 7"к = +30 °С......................

при Гк = +70 °С.......................

Рассеиваемая мощность коллектора в режиме
усиления мощности:

при 7К = +30 °С.......................

при 7”к = +70 °С......................

Температура р-п перехода.................

Температура кристаллодержателя...........

10 В

8 В

0,2 В

140 мА

175 мВт

85 мВт

300 мВт

120 мВт
+100 °С

-60...+70 °С

При эксплуатации транзисторов обязательно применение
теплоотвода, обеспечивающего тепловое сопротивление пере-
ход—окружающая среда не более 250 °С/Вт.

Зависимость граничной частоты
от тока эмиттера
Зависимости выходной
мощности в режиме ав-
тогенератора от напря-
жения коллектор—база

Зависимости выходной
мощности в режиме ав-
тогенератора от тока
эмиттера

Зависимость выходной
мощности от входной
в усилителе класса С
в схеме ОБ

2Т391А-2, 2Т391Б-2, КТ391А-2, КТ391Б-2, КТ391В-2

2Ш1А-2 Ь-2) КТ59КА-2 В-2)

03

Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры п-р-п усили-
тельные с нормированным
коэффициентом шума на
частоте 3,6 ГГц. Предназна-
чены для применения во
входных и последующих
каскадах усилителей сверх-
высоких частот в составе
гибридных интегральных ми-
кросхем, блоков и аппарату-
ры, обеспечивающих герме-
тизацию. Бескорпусные с
гибкими выводами на кри-
сталлодержателе. На крыш-

ке транзистора наносится
условная маркировка цветными точками: 2Т391А—2 — одна
черная; 2Т391Б—2 — одна белая; КТ391А—2 — две черные;
КТ391Б—2 — две белые; КТ391В—2 — две синие. Тип прибора
указывается также в этикетке, вкладываемой в групповую упа-

ковку.

Масса транзистора не более 0,2 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при У№ = 7 В, 4 = 5 мА........... 20...90*...150*

Граничная частота коэффициента передачи

тока при икэ = 7 В, 4 = 5 мА:

2Т391А-2, 2Т391Б-2, КТ391А-2,

КТ391Б-2.............................. 5...6*...7,1	ГГц

КТ3913—2, не менее...................... 4 ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи

на высокой частоте при 6/КБ = 7 В, 4 ~ 5 мА... 2,5*...3*...

3,7* пс
Коэффициент шума при = 7 В, 4 = 5 мА,
Г= 3,6 ГГц:

2Т391А-2, КТ391А-2...................... 3*...3,5*...

4,5 дБ
2Т391Б-2, КТ391Б—2...".................. 4,3*...5,2*...

5,5 дБ

КТ391В—2, не более...................... 6 дБ

Коэффициент усиления по мощности
при С/КБ = 7 В, 4 = 5 мА, Л= 3,6 ГГц:

2Т391А-2, 2Т391Б-2, КТ391А-2,

КТ391Б-2................................ 6...7*...8,2* дБ

КТ391В—2, не менее...................... 4 дБ

Коэффициент усиления по мощности при на-
стройке на минимум коэффициента шума при
1/кб = 7 В, 4 = 5 мА, /= 3,6 ГГц............ 3,5* ..5* ..

6* дБ
Выходная мощность при снижении усиления
на 1 дБ и С/КБ = 7 В:

4= 5 мА................................. 2*...2,5*...

3,5* мВт

4 = 7 мА................................ 3*...4*„.

5* мВт
Обратный ток коллектора:

при Т= +25 “С, С4б = 10 В:
2Т391А-2, 2Т391Б-2..................... 0,001*...0,003-

...0,5 мкА
КТ391А—2, КТ391Б—2, не более......... 0,5 мкА

С/КБ = 7 В КТ391В—2, не более........... 0,5 мкА

при Т = -60 "С, 6/КБ = 10 В для 2Т391А-2,
2Т391Б—2, не более...................... 0,5 мкА

при Т= +125 СС, 1/кб= 10 В для 2Т391А-2,
2Т391Б-2, КТ391А-2, КТ391Б-2, не более 2 мкА
1/кб = 7 В КТ391В—2, не более........... 2 мкА
Обратный ток эмиттера:
при = 2 В для 2Т391А-2, 2Т391Б-2,
КТ391А-2, КТ391Б-2....................... 0,001...0,005*

...20 мкА
при = 1 В для КТ391 В—2, не более..... 20 мкА

Входное сопротивление в режиме малого сиг-
нала при 1/кб = 7 В, /э = 5 мА............ 5*...6,7*...

8,5* Ом

Емкость коллекторного перехода при 1/КБ = 5 В 0,4*...0,5*...
0,7 пФ

Емкость эмиттерного перехода при иж = 0... 0,65*...0,8*...

1 пФ

Емкость корпуса:
входная.................................. 0,18*	пФ

выходная.............................. 0,26*	пФ

проходная............................. 0,04*	пФ

Индуктивность выводов при I = 1 мм:
базы..................................... 0,87*	нГн

эмиттера при параллельном соединении
выводов............................... 0,43*	нГн

коллектора............................ 0,87*	нГн

Погонная индуктивность вывода............. 0,69*	нГн/мм

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т391А-2, 2Т391Б-2, КТ391А-2,
КТ391Б-2............................. 15 В

КТ391В-2.............................. 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ 10 кОм........................... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
2Т391А-2, 2Т391Б-2, КТ391А-2,
КТ391Б-2.............................. 2 В

КТ391В-2.............................. 1 В

Постоянный ток коллектора................. 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:
при Т = —60...+85 °С...................... 70 мВт

при7'=+125°С.......................... 50 мВт

СВЧ мощность, падающая на вход транзисто-
ра, при 1/КБ = 7 В, 4 = 5 мА, Г = 3,6 ГГц,
Т = +85 °С:

При повышении температуры от +85 до +125 “С мощность снижается
линейно.

ззс
непрерывная........................... 70* мВт

импульсная при Ги € 1 мкс, О? 1000.... 200* мВт

Температура р-п перехода................. +150 °С

Температура окружающей среды............. —60...+ 125	°С

Минимально допустимое расстояние от кристаллодержате-
ля до места пайки вывода 2 мм. Допускается пайка выводов на
расстоянии 1 мм от кристаллодержателя, время пайки не бо-
лее 3 с, температура пайки не более +160 “С.

К'.Ки.дЬ

Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты

Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты

Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты

2Т396А-2, КТ396А-2, КТ396А9

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные с ненормированным коэффициентом
шума. Предназначен для применения в усилителях сверхвысо-
ких частот. Транзисторы 2Т396А—2, КТ396А—2 бескорпусные
на кристаллодержателях с гибкими выводами и защитным по-
крытием. Выпускаются в сопроводительной таре. Транзистор
КТ386А9 выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,003 г, тран-
зистора в пластмассовом корпусе не более 0,05 г.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.

2ША-2 КША-2

КТ396А9

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при 6/КБ = 2 В, /э = 5 мА:
Т= +25 °С...................................... 40 .250

Г=-6С’С.................................... 20...250

Т= ГМАКС................................... 40...500
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 2 В, = 5 мА,
не менее................................ 2,1 ГГц

типовое значение..................... 2,75* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при 6/КБ = 2 В, 4 = 5 мА,
^=30 МГц, не более...................... 15 пс

типовое значение..................... 7,7* пс

Время задержки включения в схеме диффе-
ренциального усилителя при /к = 20 мкА.. 0,6* нс

Время нарастания в схеме дифференциально-
го усилителя при /к = 20 мкА............ 0,8* нс

Время спада в схеме дифференциального уси-
лителя при /к = 20 мкА.................. 0,65* нс

Время задержки выключения в схеме диффе-
ренциального усилителя при /к = 20 мкА.. 0,9* нс

Граничное напряжение при 4 = 5 мА, не менее 10 В
Входное сопротивление в схеме ОБ в режи-
ме малого сигнала при С/КБ = 2 В, 4 = 5 мА,
/'= 50... 1000 Гц, не более............. 11 Ом

типовое значение..................... 6,1* Ом

Емкость коллекторного перехода

при С/КБ = 5 В, не более:
2Т396А-2, КТ396А-2...................... 1,5 пФ

КТ396А9.............................. 2 пФ

Емкость эмиттерного перехода при С1-& = 1 В,
не более:

2Т396А-2, КТ396А-2................... 2 пФ

КТ396А9.............................. 2,5 пФ

Емкость конструктивная между выводами кол-
лектора и эмиттера, не более............ 0,52* пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы... 13* нГн

Обратный ток коллектора при 6/КБ - 15 В,
не более:

Г =+25 °С ........................... 0,5 мкА

^макс............................ 5 мкА

Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 3 В,
не более................................ 5 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмитте-
ре при /?БЭ = 3 кОм..................... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В
Постоянный ток коллектора и эмиттера... 40 мА

Импульсный ток коллектора и эмиттера... 40 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора':

при Т = +65 ’С	для	2Т396А—2......... 30	мВт

при Т = +50 °С	для	КТ396А—2......... 30	мВт

при Т - +85 ’С	для	КТ396А—2......... 16	мВт

при Т = +125 ’С для 2Т396А—2........ 10	мВт

при Т = +25 °С для КТ396А9.......... 100 мВт

при Т = +100 °С для КТ396А9......... 25 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда:
2Т396А-2............................... 3 “С/мВт

КТ396А-2............................ 2,5 °С/мВт

КТ396А9............................. 1 °С/мВт

Температура р-п перехода:
2Т396А-2............................... +150 °С

КТ396А-2, КТ396А9................... +125 ’С

Температура окружающей среды:
2Т396А-2 .............................. -60...+125	X

КТ396А-2............................ -60...+85 ’С

КТ396А9 ............................ -60...+100	’С

’ Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
в указанных интервалах температур уменьшается линейно.

Зависимости электрических параметров от тока, напряже-
ния и температуры для КТ396А9 аналогичны зависимостям
КТ396А-2.

Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора

Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор—база
Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор—база

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

2Т397А-2, КТ397А-2

Транзисторы кремни-
евые эпитаксиально-пла-
нарные структуры п-р-п
усилительные с ненорми-
рованным коэффициен-
том шума. Предназначе-
ны для применения в уси-
лителях высокой частоты.
Бескорпусные на керами-
ческом кристаллодержа-
теле с гибкими выводами
и защитным покрытием.
Выпускаются в сопрово-
дительной таре. Тип при-
бора указывается в эти-

2Т397А-2. КВ97А-2

22

кетке.

Масса транзистора не более 0,02 г.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Т/КБ = 5 В, /к = 2 мА:

Т=+25’С.............................. 40...300

Г=-60’С.............................. 20...300

Т= +85 ’С для	КТ397А-2............... 40...600

Г = +125 ’С	для	2Т397А-2............ 40...600
Граничная частота коэффициента передачи
тока при 4/кб = 5 В, /э = 2 мА, не менее. 500 МГц

типовое значение..................... 1,06* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи

при С/КБ = 5 В, /э = 2 мА, /'= 30 МГц, не более . 40 пс
типовое значение....................... 18* пс

Граничное напряжение при /э = 2 мА,
не менее................................. 25 В

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 40 В,
не более:
Г= +25 °С	1 мкА

Т= +85 °С для КТ397А-2................ 10 мкА

7 = +125 °С для 2Т397А-2............. 10 мкА

Обратный ток эмиттера при иэ6 = 4 В,
не более................................. 1 мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ в режи-
ме малого сигнала при 6/КБ = 5 В, 4 = 2 мА,
Л= 50... 1000 Гц, не более............... 25 Ом

типовое значение..................... 1,75* Ом

Емкость коллекторного перехода
при = 5 В, не более...................... 1,3 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (4=16,
не более................................. 0,15 пФ

Емкость конструктивная между выводами кол-
лектора и эмиттера....................... 0,1* пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы.... 13 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база..... 40 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ € 10 кОм........................ 40 В

Постоянное напряжение эмиттер—база....... 4	В

Постоянный ток	коллектора............... 10	мА

Постоянный ток	эмиттера................. 10	мА

Импульсный ток коллектора при 10 мкс,
02 2..................................... 20	мА

Импульсный ток эмиттера Ги 10 мкс, 02 2.. 20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при	Т $	+90	°С	для 2Т397А—2.......... 120 мВт

при	Т+60	°С	для КТ397А—2.......... 120 мВт

при	Т=	+85	°С	для КТ397А-2.......... 80 мВт

при	Т-	+125 °С для 2Т397А—2......... 50 мВт

|епловое сопротивление переход—среда..... 0,5 "С/мВ
Температура р-п перехода:
2Т397А-2................................. + 150 °С

КТ397А-2............................. + 125 °С

Температура окружающей среды:
2Т397А-2 ................................ -60...+125 °С

КТ397А-2............................. -60...+85	°С

Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от тока кол-
лектора

Зависимость статическо-
го коэффициента пере-
дачи тока от напряже-
ния коллектор—база

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера

Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор—база

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

2Т399А, КТ393А, КТ399АМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные с нормированным коэффициентом
шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во
входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверх-
высокой частот. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с
гибкими выводами (2Т399А, КТ399А) и в пластмассовом кор-
пусе с гибкими выводами (КТ399АМ). Тип прибора указывает-
ся на корпусе. На транзисторах в пластмассовом корпусе мар-
кировка дается в сокращенном виде: 399А.

Масса транзистора не более 1 г в металлостеклянном кор-
пусе и не более 0,5 г в пластмассовом корпусе.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.

2Т399А. КТ399А

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 1 В, 4 = 5 мА:

Г= +25 ’С................................... 40...140*...

170*

Т = —60 °С для 2Т399А, не менее............. 20

Т= +125 ’С для 2Т399А, не менее............. 40

Граничная частота коэффициента передачи
при С/КБ = 5 В, 4 = Ю мА........................ 1,8...2,6*...

2,9* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при ЦБ = 5 В, 4 = Ю мА, Л = 30 МГц.............. 3,8*...4*...8 пс

Минимальный коэффициент шума

при и№ = 5 В, 4 = 5 мА, /= 400 МГц.............. 1,3*...1,5*...

2 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощ-

ности при 6/КБ = 5 В, /э = 5 мА, /= 400 МГц.... 11,5*...12,3*...

13 дБ

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 15 В,
не более:

Г=+25’С.............................. 0,5 мкА

Т= +125 ’С........................... 5 мкА

Обратный ток эмиттера при 1УХ = 3 В,
не более................................ 1 мкА

Емкость коллекторного перехода при 6/КБ = 5 В 1*...1,03*„.

1,7 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 6/ЭБ = 1 В . 2,1*...2,4*...

3 пФ

Емкость конструктивная:
между выводом эмиттера и корпусом
2Т399А................................... 0,45* пФ

между выводом коллектора и корпусом
2Т399А...........-................... 0,6* пФ

между выводом базы и корпусом 2Т399А. 0,4* пФ
между выводами коллектора и базы
2Т399А............................... 0,15* пФ

между выводами коллектора и эмиттера
2Т399А............................... 0,08* пФ

Индуктивность выводов эмиттера и базы
при / = 3 мм для	2Т399А................. 4,5* нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ С 10 кОм......................... 15	В

Зостоянное напряжение эмиттер—база...... 3	В

Постоянный ток коллектора и эмиттера:

2Т399А, КТ399А....................... 20	мА

КТ399АМ.............................. 30	мА

Импульсный ток коллектора и эмиттера
при Ги € 10 мкс, 0^2:
2Т399А, КТ399А.......................... 40 мА

КТ399АМ.............................. 60 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:
2Т399А:

+55’С, Р» 6650 Па............. 150 мВт

’ В диапазоне температур +55...+ 125 ”С допустимые значения рассеиваемой
мощности 2Т399А, КТ399А снижаются линейно.
+55 ’С, Р = 665 Па.......... 105 мВт

Т=+125’С....................... 39 мВт

КТ399А:
Г €+55’С.......................... 150 мВт

Г=+125°С....................... 40 мВт

КТ399АМ ГС +85 ’С.................. 150 мВт

Температура р-п перехода.............. +150 ’С

Температура окружающей среды:
2Т399А, КТ399А........................ -60...+125	'С

КТ399АМ............................ —45...+85	’С

КгК.Л

0 4 8 12 16 /}.мА

Зависимость коэффици-
ента усиления от тока
эмиттера

КгК,.аБ

Зависимость коэффици-
ента шума от напряже-
ния коллектор—база

Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума
от тока эмиттера

Зависимость коэффици-
ента усиления от напря-
жения коллектор—база

Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума .
от частоты

04 05 06 0.7 08 [ГГц

Зависимость коэффици-
ента усиления от ча-
стоты

2Т3101А—2, КТ3101А—2

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные с нормированным коэффициентом
340
шума на частотах 1 и 2,25 ГГц.
Предназначены для приме-
нения во входных и последу-
ющих каскадах усилителей
сверхвысоких частот. Бескор-
пусные на керамическом кри-
сталлодержателе с гибкими
полосковыми выводами и
приклеиваемой компаундом
керамической крышкой. Тип
прибора указывается в эти-
кетке.

Масса транзистора не бо-
лее 0,04 г.

Изготовитель — акцио-
нерное общество «Светла-
на», г. Санкт-Петербург.

2Т3101А-2. КТ3101А-2

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при б/КБ = 1 В, /к = 5 мА:

Т= +25 °С...............................

Т= -60 °С...............................

7 = +125 °С.............................

Граничная частота коэффициента передачи
тока при б/КБ = 5 В, 4 = 10 мА, не менее....

типовое значение........................

Постоянная времени цепи обратной связи при
С/КБ = 5. В, /э = 5 мА, Г= 30 МГц, не более.

типовое значение........................

Минимальный коэффициент шума:

при <УЛЬ = 5 В, /э = 5 мА, 7 = 2,25 ГГц.

при б/К6 = 2 В, /э = 2 мА, 7= 1 ГГц.....

Максимальный коэффициент усиления
по МОЩНОСТИ’

при б/КБ = 5 В, /э = 10 мА, 7= 2,25 ГГц.

при б/КБ = 2 В, /э = 2 мА, 7= 1 ГГц.....

35...300

17,5—300

35...500

4 ГГц

4,5* ГГц

10 пс

5* пс

3,3*...3,5*...

4,5 дБ

1,8*. ..1,9*...

3 дБ

6...9,2*...

9,8* дБ
13*.. .16,1*...

17,5* дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности:

при икъ = 5 В, /э = 5 мА, Г= 2,25 ГГц. 6,3*...7,8*...

8,7* дБ

при С/КБ = 2 В, /э = 2 мА, /= 1 ГГц... 8*...8,7*...

9,1* дБ

Обратный ток коллектора при С/КБ = 15 В,
не более:

Т = +25 ’С............................ 0,5 мкА

7'=+125’С............................. 5 мкА

Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 2,5 В,
не более................................. 1 мкА

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 5 В, не более................. 1,5 пФ

типовое значение...................... 0,65* пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = 1 В,
не более................................. 2,5	пФ

типовое значение...................... 1*	пФ

Индуктивность вывода базы................ 2*	нГн

Индуктивность вывода эмиттера............ 2*	нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база..... 15	В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 кОм........................ 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база....... 2,5 В

Постоянный ток коллектора и эмиттера..... 20 мА

Импульсный ток коллектора и эмиттера
при Ги С 10 мкс, О > 2................... 40 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при	Г С	+45	’С	для КТ3101А-2........ 100 мВт

при	Т «5	+70	’С	для 2Т3101А-2........ 100 мВт

при	Т=	+85	’С	для КТ3101А-21........ 50 мВт

при	Т =	+125 ’С для 2Т3101А—2’....... 30 мВт

Температура р-п перехода................. +150 ’С

Температура окружающей среды:
2Т3101А-2................................ -60...+125 ’С

КТ3101А-2 ............................ -60...+85 ’С

' В диапазонах температур +70...+ 125 ‘С для 2Т3101 А-2 и +45...+85 ’С для
КТ3101А—2 допустимые значения рассеиваемой мощности снижаются линейно.

 При эксплуатации транзисторов в составе микросхем дол-
жен быть обеспечен теплоотвод от кристалла с /?т 0,8 ’С/мВт.


Зависимость граничной
частоты от тока эмиттера

1
о

 1

-2

-1

-4

О 4 8 12 16 13,мА

Зависимость коэффици-
ента усиления от тока
эмиттера

КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д,
КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ДМ

Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, пере-
ключающих, усилительных и генераторных устройствах сред-
ней и высокой частоты. Выпускаются: КТ3102А, КТ3102Б,
КТ3102В, КТ3102Д — в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами, КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ДМ - в
пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы маркируются: КТ3102А—КТ3102В, КТ3102Д
на боковой поверхности корпуса, КТ3102АМ—КТ3102ВМ,
КТ3102ДМ — зеленой меткой на боковой поверхности корпу-
са, на торце корпуса маркировочной меткой КТ3102АМ —
темно-красной, КТ3102БМ — желтой, КТ3102ВМ — темно-
зеленой, КТ3102ДМ — синей. Тип прибора указывается в эти-
кетке.

Масса транзисторов КТ3102А—КТ3102В, КТ3102Д не бо-
лее 0,5 г, КТ3102АМ-КТ3102ВМ, КТ3102ДМ - не более 0,3 г.

Примечание: далее по тексту значения параметров и режимов
справочные данные и зависимости, установленные для транзисторов КТ3102А,
КТ31О2Б, КТ3102В, КТ3102Д соответствуют значениям параметров и режимов
транзисторов КТ31О2АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ДМ.

Изготовители — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург, акционерное общество «Кремний»,
г. Брянск, акционерное общество открытого типа «Элеке»,
г. Александров, Нальчинский завод полупроводниковых при-
боров, г. Нальчик.
КТШ(А-Д/

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при У^ = 5 В, /э = 2 мА:

Т= +25 "С:

КТ3102А ........................... 100...250

КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д.......... 200...500

Т= -40 ’С:

КТ3102А.......................... 25...250

КТ3102Б, КТ3102В,	КТ3102Д......... 50...500

Т - +85 ’С, не менее:
КТ3102А............................... 100

КТ3102Б, КТ3102В,	КТ3102Д......... 200

Граничная частота коэффициента передачи
тока при 1/К6 = 5 В, 4 = 10 мА, не менее:

КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д..... 300 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте УК5 = 5 В, 4 = Ю мА,
не более.................................. 100* пс

Коэффициент шума при У^ = 5 В, 4 = 0,2 мА,
/ = 1 кГц, Я}- = 2 кОм:

КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, не более.... 10 дБ
типовое значение.................... 5* дБ

КТ3102Д, не более................... 4 дБ

типовое значение.................... 2,5* дБ

Граничное напряжение при 4 = 0> 4 = Ю мА,
не менее:

КТ3102А, КТ3102Б.................... 30* В

КТ3102В, КТ3102Д.................... 20* В

Обратный ток коллектор—эмиттер, не более:
КТ3102А, КТ3102Б	при	= 50	В..... 0,1* мкА

КТ3102В, КТ3102Д	при Ц<э = 30	В.... 0,05* мкА

Обратный ток коллектора, не более:

КТ3102А, КТ3102Б при (/КБ = 50 В:
7=+25’С............................. 0,05...0,1 мкА

7 = —40’С....................... 0,05 мкА

7=+85’С......................... 5 мкА

КТ3102В, КТ3102Д при С/КБ = 30 В:
7 =+25’С............................. 0.015...0.05	мкА

7 = -40 ’С............................. 0,015 мкА

7=+85’С................................ 5 мкА

Обратный ток эмиттера при 1/ЭБ = 5 В,
не более............................... 10 мкА

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 5 В, не более............... 6 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

КТ3102А, КТ3102Б.................... 50 В

КТ3102В, КТ3102Д...................... ЗОВ

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:

КТ3102А, КТ3102Б.................... 50 В

КТ3102В, КТ3102Д...................... ЗОВ

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В

Постоянный ток коллектора.............. 100 мА

Импульсный ток коллектора при < 40 мкс,
О > 500................................ 200 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при 7 = —40...+25 ’С............. 250 мВт

Температура окружающей среды........... —40...+85 ’С

1 При повышении температуры более +25 *С мощность рассчитывается по
формуле

Р< макс = (125 - Гк)//?тт_к), мВт,
где /?т |П_К| = 0,4 ’С/мВт — тепловое сопротивление переход—окружающая
среда.
Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса
транзистора в течение не более 3 с, температура пайки не
должна превышать +260 °С. Допускается использование тран-
зисторов в инверсном включении.

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимости коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимости коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимости коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

2Т3106А—2, КТ3106А-2, КТ3106А9

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные с нормированным коэффициентом
шума на частоте 120 МГц. Предназначены для применения во
входных и последующих каскадах усилителей высокой часто-
ты. Транзисторы 2Т3106А—2, КТ3106А—2 бескорпусные на
никелевом кристаллодержателе с гибкими выводами и защит-
ным покрытием на основе кремнийорганического лака. Выпус-
каются в сопроводительной таре. Транзистор КТ3106А9 вы-
346
в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

пускается
прибора указывается в этикетке.

Масса бескорпусного тран-
зистора не более 0,003 г, тран-
зистора в пластмассовом кор-
пусе не более 0,05 г.

Изготовитель — акционер-
ное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.

Тип

2ТН06А-2. К1М06А-2

КТ3106 А 9

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/КБ = 5 В, /э = 5 мА:

Т = +25 °С, не менее.................. 40

типовое значение....................... 100*

Т = —60 °С, не менее.................. 20

Г = Тмдкс, не менее................... 40

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (7КБ = 2 В, /э = 5 мА. 0,9*... 1,8*...

2,2* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при С/КБ = 2 В, /э = 5 мА,
Г= 30 МГц................................. 7*...8*...1О пс
Коэффициент шума на Л= 120 МГц

при 1/кб = 5 В, /э = 5 мА, /?г = 50 Ом... 1,1*... 1,4*...

2 дБ

Коэффициент усиления по мощности

на Г= 120 МГц............................ 17*...17,5*...

18* дБ

Граничное напряжение при /э = 5 мА....... 21*...25*...

28* В

Обратный ток коллектора при С/КБ = 15 В,
не более:

Т- +25 °С............................. 0,5 мкА

Т = ГМАКС............................. 5 мкА

Обратный ток эмиттера при изъ = 2,5 В,
не более................................. 1 мкА

Емкость коллекторного перехода

при С/КБ = 5 В, не более................. 2 пФ

типовое значение...................... 1,5* пФ

Емкость эмиттерного перехода при 1/Э6 = 1 В,

не более................................. 3,5 пФ

типовое значение...................... 3* пФ

Индуктивность выводов	эмиттера	и	базы. 13* нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение	коллектор—база..... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттере
при /?БЭ = 10 кОм........................ 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база....... 2,5 В

Постоянный ток коллектора и эмиттера..... 20 мА

Импульсный ток коллектора и эмиттера

при = 10 мкс, 0 = 2...................... 40 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

при	Т=	+50	“С для КТ3106А-2......... 30	мВт

при	Т =	+75	°С для 2Т3106А—2......... 30	мВт

при	Т -	+85	°С для КТ3106А—2......... 16	мВт

при	Т =	+125 °С для 2Т3106А—2........ 10	мВт

при Т = +25 °С для КТ3106А9........... 1-00 мВт

при Т= +100 °С для КТ3106А9........... 25 мВт

Температура р-п перехода:

2Т3106А-2............................. +150 °С

КТ3106А-2, КТ3106А9................... +125 °С

' Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
в указанных интервалах температур уменьшается линейно.
Температура окружающей среды:
2Т3106А-2..............................

КТ3106А-2...........................

КТ3106А9............................

-60...+125 ’С

—60...+85 ’С

-60...+100 ’С

При эксплуатации транзисторов в составе микросхем должен
быть обеспечен теплоотвод от кристалла с = 2,5 ’С/мВт.

Зависимости электрических параметров от тока и напря-
жения для КТ3106А9 аналогичны зависимостям КТ3106А—2.

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор—
база

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера

0 2.5 5 7.5 10 0№.В

Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор—база

КгКялБ

0 4 8 12 16 13.мА

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от напря-
жения коллектор—база

1Т3110А—2

Транзистор германиевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п генераторный. Предназначен для усиления и гене-
рирования сигналов сверхвысоких частот. Бескорпусный на
керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми
349
1ТМ10А-2

выводами и керамической крыш-
кой. Выпускаются в индивидуаль-
ной таре-спутнике. Тип прибора
указывается на таре. На крышке
наносится условная маркировка —
зеленая точка.

Масса транзистора не более
0,2 г.

Изготовитель — Нальчикский
завод полупроводниковых прибо-
ров, г. Нальчик.

Электрические параметры

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 3 В, /э = 50 мА,
не менее................................ 2,5 ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи при
С/КБ = 5 В, /э = 30 мА, /= 100 МГц, не более .. 5 пс
Выходная мощность в режиме автогенератора
при С/кь = 7 В, /э = 5 мА, /= 4 ГГц, не менее.. 50 мВт
медианное значение, не менее............ 65 мВт

Коэффициент усиления по мощности

при С/КБ = 7 В, /э = 20 мА, п = 40%:
7= 0,5 ГГц.............................. 10 дБ

Г= 1 ГГц............................. 8,2 дБ

Г= 2,25 ГГц.......................... 6,6 дБ

Минимальный коэффициент шума

при 1/кб = 7 В, 4 = Ю...20 мА:

>'= Р,5 ГГц в схеме ОЭ............... 3 дБ

Л= 1 ГГц в схеме ОБ.................. 4,8 дБ

/= 2,5 ГГц в схеме ОБ................ 7,5 дБ

Граничное напряжение при = 40 мА, не менее 8 В
Обратный ток коллектора при С/КБ = 10 В,
не более:

Т= +25 "С............................ 50 мкА

Т= +70 ’С............................ 100 мкА

Обратный ток эмиттера при 1/х = 0,2 В,
не более:

Г =+25 °С............................ 50 мкА

Т= +70 °С............................ 100 мкА

Сопротивление базы при (/КБ = 7 В, /э = 50 мА,
не более................................ 9 Ом
Сопротивление коллектор—база при 1/№ = 7 В,

/э = 50 мА, не более...................... 4,5	Ом

Емкость коллекторного перехода

при С/КБ = 5 В, не более.................. 3,5	пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 0,
не более.................................. 4,5	пФ

Индуктивность базы в режиме насыщения при

(/КБ = 0, /к = 50 мА, Г = 1 ГГц, не более. 0,45 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 100 Ом....................... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 0,2 В

Постоянный ток коллектора при Т = +20 ’С ... 17,5 мА
Импульсный ток коллектора при Т = +20 ’С,
7И = 10 мкс, 0 = 100.................... 140 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

в статическом режиме:
при Гк =	+30 ’С.................. 175 мВт

при Гк =	+70 “С.................. 85 мВт

в динамическом режиме:

при Тк =	+30 ’С.................. 300 мВт

при Гк =	+70 ’С.................. 120 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,25 °С/мВт

Температура р-п перехода................ +100 ’С

Температура кристаллодержателя.......... —60...+70 ’С

При эксплуатации транзистора обязательно применение те-
плоотвода, обеспечивающего тепловое сопротивление пере-
ход—окружающая среда не более 250 °С/Вт.

Зависимость выходной
мощности в режиме ав-
тогенератора от напря-
жения коллектор—база

Зависимость выходной
мощности в режиме ав-
тогенератора от тока
эмиттера
2Т3114А-6, 2Т3114Б-6, 2Т3114В-6,
КТ3114Б—б, КТ3114В-6

Транзисторы кремниевые планарные структуры п-р-п уси-
лительные. Предназначены для применения в усилителях вы-
сокой и сверхвысокой частот в составе гибридных интеграль-
ных микросхем. Бескорпусные с контактными площадками на
кристаллодержателе (подложке) без выводов. Маркируются:
2Т3114А—6 — черной точкой; 2Т3114Б—6 — красной точкой;
2Т3114В—6 — зеленой точкой; КТ3114Б—6 — двумя красными
точками; КТ3114В—6 — двумя белыми точками на обратной
стороне кристаллодержателя.

Масса транзистора не более 0,004 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

2ВШ(А-6-В-6). КТЗШ(Б-б-В-б)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
при (/КБ = 3 В, /э = 1 мА:

Т= +25 °С:

2Т3114А-6, 2Т3114Б—6, КТ3114Б-6,

КТ3114В-6............................. 15...35*...80*

2Т3114В-6............................. 15.„35*...100

Т= -60 °С для 2Т3114А-6, 2Т3114Б-6,
2Т3114В—6, не менее........................ 6

Г = +125 “С для 2Т3114А-6, 2Т3114Б-6,-
2Т3114В—6, не менее....................... 15

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при (/к6 = 3 В, 4 = 1 мА...... 4,3*...4,65*„.

5,1 ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при С/КБ = 3 В, 4 = 1 мА,
100 МГц..................................... 6*...7*.-8* пс

Минимальный коэффициент шума

при (/КБ = 3 В:

/э = 1 мА, Г = 400 МГц:

2Т3114А-6 ........................... 1,25*. .1,35*...

1,5 дБ
2Т3114Б-6, КТ3114Б-6................. 1,5*...1,7*...

2 дБ
КТ3114В—6, не более.................. 3 дБ

/э = 2 мА, Г= 2250 МГц для 2Т3114В-6 .... 3,3*..4*.„

4,5 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности:

при (/КБ = 3 В, /э = 1 мА, Г= 400 МГц

для 2Т3114А-6, 2Т3114Б-6, КТ3114Б-6,

КТ3114В-6............................... 11,5*...12*.

14,5* дБ

при (/КБ = 3 В, /э = 2 мА, Г= 2250 МГц

для 2Т3114В—6........................... 3*...6*...

7,6* дБ

Обратный ток коллектора при (/КБ = 5 В:
Т= +25 °С................................... 0,01*...0,02*..

0,5 мкА

Т = —60 °С, не более.................... 0,5 мкА

Т = +125 °С, не более................... 15 мкА

Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 1 В........ 0,01*...0,2*..

20 мкА
Емкость коллекторного перехода

при (/КБ = 3 В.............................. 0,34*...0,42*..

0,44* пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 0... 0,22*...0,24* .

0,25* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база1....... 5 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1 5 В
Постоянное напряжение эмиттер—база........... 1 В

Постоянный ток коллектора................... 15 мА

При работе в динамическом режиме мгновенные значения 1/кэ,, не
должны превышать 7 В.

12-734	353
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора1 при Г = -60...+ 100 °С.............. 25 мВт

Температура р-п перехода.................. +150 °С

Температура окружающей соеды.............. —60...+125 'С

В диапазоне температур +100 +125 ’С необходимо снижение мощное»
по формуле

р. иакс = Г 50 - Гк)/2, мВт

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка коллектора

Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента пе-
редачи тока от тока
коллектора

Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости эмиттерного пе-
рехода от напряжения
эмиттер—база

0 1 2 3 4 ип.в

0 2 Ь 6 8 I* мА

/7/2/4 и^.в

Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости коллекторного
перехода от напряже-
ния коллектор—база

Зона возможных поло-
жений зависимости по-
стоянной времени цепи
обратной связи от тока
коллектора

Зона возможных поло-
жений зависимости по*
стоянной времени цепи
обратной связи от на-
пряжения коллектор-
база
Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента усиления
от тока эмиттера

Зависимости коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимости коэффи-
циента шума от частоты



НО

НО

ПО

ЯШМ

1,=Г

Он

Зависимости коэффи-
циента шума от напря-
жения коллектор—база

Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума
от тока эмиттера

90
?0

2ШБ-6

ШШБ-6

О 0.2 09 0.6 0,8 г ГГц

Зависимости коэффи-
циента усиления от ча-
стоты

2Т3115А—2, 2Т3115Б-2, 2Т3115А-Б,
КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Г-2, КТ3115Д-2

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные с нормированным коэффициентом
шума. Предназначен для применения во входных и последую-
щих каскадах малошумящих усилителей сверхвысоких частот в
составе гибридных интегральных микросхем, блоков аппарату-
ры, обеспечивающих герметизацию. Транзисторы 2Т3115А—2,
2Т3115Б-2, КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Г-2, КТ3115Д-2
бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими
полосковыми выводами и приклеиваемой керамической крыш-
кой. Условная маркировка наносится на крышку транзистора у
базового вывода: 2Т3115А—2 — красная точка, 2Т3115Б—2 —
желтая точка, КТ3115А—2 — красная полоска, КТ3115В—2 —
12‘	355
2Н115А-6

Маркировочная

желтая полоска, КТ3115Г—2 —
синяя полоска, КТ3115Д—2 —
белая полоска. Транзистор
2Т3115А—6 выпускается в виде
кристаллов на кристаллодер-
жателе без выводов. На кри-
сталлодержатель наносится
маркировочная точка красно-
го цвета. Тип прибора указы-
вается в этикетке.

Масса бескорпусного тран-
зистора не более 0,2 г, кри-
сталла на кристаллодержате-
ле не более 0,008 г.

Изготовитель — завод
«Пульсар», г. Москва.

2Т3115(А-2.Ь-2) КТ3115^А-2-Д-2)
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при (/КБ = 5 В, /э = 5 мА........... 15...80*...110*

КТ3115Д—2 ................................. 70...100*...

150*

Граничная частота коэффициента передачи

тока в схеме ОЭ при С/КБ = 7 В, /э = 5 мА...... 5,8...7*...

7,5* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при Т/КБ = 7 В, 4 = 5 мА,
не более....................................... 3,8* пс

типовое значение........................... 3* пс

Минимальный коэффициент шума при

Т/КБ = 7 В (для 2Т3115А—6 С/КБ = 5 В), /э = 5 мА:

7= 5 ГГц:

2Т3115А-2, КТ3115А-2................... 3,4*...3,9* .

4,6 дБ
КТ3115В-2.............................. 3*...3,7*...

4,4 дБ
КТ3115Г-2.......................:...... 4,7*..4,9*...

5,7 дБ

7 = 4 ГГц для 2Т3115А-2, КТ3115А-2......... 3*...3,1*...

3,45 дБ

7= 2,25 ГГц для КТ3115Д-2.................. 1,79*...2,4* ..

2,5 дБ

7= 1 ГГц для 2Т3115А—6, не более........... 3,5 дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности при Т/КБ = 7 В (для 2Т3115А—6 Т/КБ = 5 В),
/э = 5 мА:

7= 5 ГГц:

2Т3115А-2, КТ3115А-2................... 5...6,7*.„

7,5* дБ
КТ3115В-2.............................. 5...5,9*...

6,4 дБ
КТ3115Г—2, не менее.................... 4,4...5*...

5,6 дБ

7= 4 ГГц:

2Т3115Б-2.............................. 6...7,5*...

9* дБ
КТ3115А-2.............................. 6,1...6,8*...

8* дБ

7= 1 ГГц для 2Т3115А—6,	не менее........... 9 дБ

7= 2,25 ГГц для	КТ3115Д-2................ 8...9,8*...

10,9* дБ
Обратный ток коллектора прй ЦБ = С/КБ ИАКС,
не более:

Г=+25 °С и-60 ”С..................... С,5 мкА

Т = Т”ИАКС........................... 20 мкА

Обратный ток эмиттера при (/ЭБ = 1 В,
не более:

2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, 2Т3115А-6,

КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Д-2...... 20 мкА

КТ3115Г—2............................ 35 мкА

Входное сопротивление в режиме малого сиг-
нала в схеме ОБ при ЦБ = 7 В, /э = 1 мА,
не более................................ 9 Ом

типовое значение..................... 6,5* * Ом

Емкость коллекторного перехода при 4/КБ = 5 В 0,29*...0,33

0,6 пФ

Емкость эмиттерного перехода при (/ЭБ = 1 В,
не более................................ 0,5 пФ

типовое значение..................... 0,46* пФ

Коэффициент интермодуляционных искажений
третьего порядка на / = 5 ГГц при ЦБ = 7 В,
Аых = мкВт:

КТ3115А-2, /к = 5 мА................. 45...5Д дБ

КТ3115В-2, /к = 5 мА................. 45...54 дБ

КТ3115Г-2, /к = 7 мА................. 51...62 дБ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, 2Т3115А-6,
КТ3115А-2, КТ3115В-2................. 10 В

КТ3115Г-2, КТ3115Д-2................. 7 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при /?БЭ = 1 кОм:

2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, 2Т3115А-6,
КТ3115А-2, КТ3115В-2................. 10 В

КТ3115Г-2, КТ3115Д-2................. 7 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 1 В

Потенциал статического электричества.... 30 В

Постоянный ток коллектора............... 8,5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора':

при Т= -60...+70 ”С для 2Т3115А-2.
2Т3115Б-2, КТ3115А-2, КТ3115В—2...... 70 мВт

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность кхп/ечгэоа

• указанных интервалах температур уменьшается линейно
при т = —60...+85 ’С для 2Т3115А 6,
КТ3115Г—2, КТ3115Д—2................. 50 мВт

при г= +125 ’С для 2Т3115А-2,
2Т3115Б-2, КТ3115А-2, КТ3115В-2,
КТ3115Г—2, КТ3115Д-2................. 35 мВт

при Т= +100 ’С для 2Т3115А-6......... 38 мВт

Непрерывная СВЧ мощность в цепи эмиттер—
база на 1- 3,6 ГГц при Т = +85 ’С....... 25 мВт

Импульсная СВЧ мощность в цепи эмиттер-
база на /= 3,6 ГГц при = 1 мкс, Г= +85 ’С:

/= 1 кГц............................. 500 мВт

? = 25 кГц........................... 100 мВт

Температура р-п перехода................ +150 ’С

Температура окружающей среды:

2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, КТ3115А-2,
КТ3115В-2, КТ3115Г-2, КТ3115Д-2...... -60...+ 125 ’С

2Т3115А-6 ........................... —60...+ 100 ’С

Зависимости электрических параметров от тока, частоты,
температуры и сопротивления для 2Т3115А—6 аналогичны за-
висимостям 2Т3115А—2.

Минимально допустимое расстояние от кристаллодержате-
ля до места пайки вывода 2 мм. Допускается пайка выводов
на расстоянии 1 мм от кристаллодержателя, при этом темпе-
ратура пайки не должна превышать +260 ’С, время пайки не
более 3 с.

Зона возможных поло-
жений зависимости по-
стоянной времени цепи
обратной связи от тока
эмиттеоа

Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента пе-
редачи тока от тока
эмиттера

Зависимости коэффи-
циента усиления от то-
ка эмиттера
Зависимости коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента усиления от ча-
стоты

Зона возможных поло*
жений зависимости ко-
эффициента шума от
частоты

Зависимости коэффи-

Зависимости коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

то-

циента усиления от
ка эмиттера

Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
тока эмиттера

Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента
прямой передачи напря-
жения от тока эмиттера

Зависимости обратных
токов коллектора и
эмиттера от темпера-
турь,

Зона возможных поло-
жений зависимости по-
стоянного напряжения
коллектор—эмиттер от
сопротивления база—
эмиттер
2Т3117А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п импульсные. Предназначены для применения в им-
пульсных и переключающих устройствах. Выпускаются в ме-
таллостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,4 г.

Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.

2Т5117А

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/и = 5 В, = 200 мА:

Т= +25 "С............................... 40...200

Г=-60°С................................. 15...200

Г=+125’С................................ 30...350

Граничная частота коэффициента передачи
тока при 1/кэ = 10 В, /к,= 30 мА, не менее. 300 МГц

Время рассасывания при 4 = 500 мА,

= 4г = 50 мА, не более................... 60 нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 500 мА и /Б = 50 мА, не более..... 0,5 В

Напряжение насыщения эмиттер—база
при 4 = 500 мА, 4 = 50 мА, не более........ 1,2 В

Обратный ток коллектора при (УКБ = 60 В,
не более:

7=+25 °С................................ 5 мкА

7=+125 °С............................... 50 мкА

Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 4 В,
не более................................... 5 мкА

Емкость коллекторного перехода

при С/КБ = 10 В, не более.................. 10 пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = 0,
не более................................... 80 пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 60 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при < 1 кОм............................ 60 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В

Импульсное напряжение эмиттер—база
при 1 мкс, 2........................... 5 В

Постоянный ток коллектора.............. 400 мА

Импульсный ток коллектора при Ги $ 10 мкс,
О 2 10 ................................ 800 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
Г«+25’С................................ 300 мВт

Г=+125’С............................ 70 мВт

Тк « +50 ’С......................... 1 Вт

Тк = +125 ’С........................ 250 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-

тора при Ги 10 мкс, О 10:
Т С +25 ’С............................. 800 мВт

Т= +125 ’С.......................... 200 мВт

Тепловое сопротивление:
переход—среда.......................... 0,35 ’С/мВт

переход—корпус...................... 0,1 ’С/мВт

Температура р-п перехода............... +150 ’С

Температура окружающей среды........... —60...+125 ’С

2Т3120А, КТ3120АМ

2Т3120А КШ0АМ

Транзисторы кремниевые эпи-
таксиально-планарные структуры
п-р-п усилительные с нормирован-
ным коэффициентом шума на ча-
стоте 400 МГц. Предназначены
для применения во входных и по-
следующих каскадах усилителей
сверхвысоких частот. Выпускают-
ся в металлокерамическом корпу-
се с гибкими полосковыми выво-
дами. Тип прибора указывается в
этикетке. На крышке корпуса на-
носится условная маркировка
цветными точками: 2Т3120А —
одна белая; КТ3120А — две бе-
лые.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Изготовитель — акционерное общество «Светлана»
г. Санкт-Петербург.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при С/КБ = 1 В, /к = 5 мА:
Т = +25 ’С, не менее................ 40

типовое значение.................... 124*

Т = —60 ’С, не менее.................. 20

Т = +125 ’С, не менее................. 40

Граничная частота коэффициента передачи

тока при С/КБ = 5 В, /э = 10 мА, не менее. 1,8 ГГц

типовое значение...................... 3* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи

при </КБ = 5 В, /э = 10 мА, не более...... 8 пс

типовое значение...................... 3,8* пс

Минимальный коэффициент шума при

С/КБ = 5 В, /э = 5 мА, /= 400 МГц, не более .... 2 дБ
типовое значение........................ 1,3* дБ

Коэффициент шума при С/КБ = 5 В, 4 = 5 мА,

/?г = 50 Ом, /= 400 МГц, не более......... 2,2 дБ

типовое значение...................... 1,6* дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-

ности при С/КБ = 5 В, 4 = 5 мА, /= 400 МГц,
не менее.................................. 10 дБ

типовое значение...................... 13,5* дБ

Обратный ток коллектора при С/КБ = 15 В,
не более:

Г =+25’С.............................. 0,5 мкА

Т= +125 ’С............................ 5 мкА

Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 3 В,
не более.................................. 1 мкА

- Емкость коллекторного перехода
при </КБ = 5 В, не более.................. 2 пФ

типовое значение...................... 1,4* пФ

Емкость эмиттерного перехода при УЗБ = 1 В,
не более.................................. 3,2 пФ

типовое значение...................... 2,5* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база...... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
пРи Л'бэ = Ю КОМ.......................... 15 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В

Постоянный ток коллектора............... 20 мА

Постоянный ток эмиттера................. 20 мА

Импульсный ток коллектора при < 10 мкс,
0^2..................................... 40 мА

Импульсный ток эмиттера при ?и < 10 мкс,
02 2.................................... 40 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Т < +65 °С.......................... 100 мВт

при Г=+125 “С........................ 30 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,86 °С/мВт

Температура р-п перехода................ +150 °С

Температура окружающей среды............ —60...+125 С

Зависимость коэффи-
циента шума от напря-
жения коллектор—база

Зависимость коэффи-
циента усиления от на-
пряжения коллектор-
база

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента усиления от то-
ка эмиттера

КГК;.,Б

Ю'!Ю' 1 10 10г10Ч,МГц

Зависимость коэффи-
циента шума от частоты

Зависимость коэффи-
циента усиления от
частоты
2Т3121А—6, КТ3121А-6

Транзисторы кремние-
вый эпитаксиально-пла-
нарные структуры п-р-п
усилительные с нормиро-
ванным коэффициентом
шума. Предназначены для
применения во входных
каскадах усилителей гер-
метизированной аппара-
туры. Бескорпусные с за-
щитным покрытием и кон-

2Т3121А-6. КТ5121А-6

тактными площадками на
кристаллодержателе. Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,004 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Планета», г. Новгород.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 2 мА, не менее:
Г=+25’С................................. 30

типовое значение..................... 80

Г = —60 ’С, не менее................. 10

Т - +125 ’С, не более................ 400

Коэффициент шума при </КБ = 5 В, 4 = 2 мА,
/= 1 ГГц................................ 1,2*...1,5*...

2 дБ

Коэффициент усиления по мощности
при икъ = 5 В, 4 = 2 мА, Г = 1 ГГц...... 8*... 11*...

12 дБ

Обратный ток коллектора при = 5 В,
не более................................ 1 мкА

Обратный ток эмиттера при <4б = 2 В,
не более................................ 20 мкА

Емкость коллекторного перехода
при С^в = 5 В, 4 = 2 мА, не более....... 1 пФ

Емкость эмиттерного перехода при = 5 В,
4 = 2 мА, не более...................... 2,5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 5 В
Постоянное напряжение эмиттер—база...... 2 В

Постоянный ток коллектора............... 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора ................................... 25 мВт

Средняя СВЧ входная мощность при 1/кэ = 5 В,
/к = 5 мА............................... 0,5 Вт

Импульсная СВЧ входная мощность
при иа = 5 В, /к = 5 мА................. 2 Вт

Температура р-п перехода................ +150 ’С

Температура окружающей среды............ —60...+125 ’С

Пайка транзисторов осуществляется при температуре не
более +250 °С.

'К,	К.	К.

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от напря-
жения коллектор—база

Зависимость коэффи-
циента шума от частоты

______	Кд,?

Зависимость коэффи-
циента усиления от на-
пряжения коллектор—
база

Зависимость коэффи-
циента усиления от то-
ка эмиттера

Зависимость коэффи-
циента усиления от ча-
стоты

зм
2Т3124А—2, 2Т3124Б-2, 2Т3124В-2

Транзисторы кремние
вь<е эпитаксиальнб-планар-
ные структуры п-р-п уси-
лительные. Предназначены
для применения в малошу-
мящих усилителях сверхвы-
соких частот в составе ги-
бридных интегральных ми-
кросхем, обеспечивающих
герметизацию. Бескорпус-
ные с гибкими выводами на
кристаллодержателе (под-
ложке). Маркируются цвет-
ной точкой: 2Т3124А—2 —
красной; 2Т3124Б—2 —
желтой; 2Т3124В—2 — чер-
ной. Тип прибора указыва-
ется в этикетке.

Масса транзистора не
более 0,02 г.

Изготовитель — завод
«Пульсар», г. Москва.

2Н12ЦА-2 - В //

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 7 В, 4 = 5 мА................ 15... 100*...

200*

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при /э = 5 мА, (/КБ = 7 В..... 6*...7,5*...

8* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи

на высокой частоте при /э = 5 мА, (/КБ = 7 В... 1,8*...2*...

2,5* пс

Минимальный коэффициент шума

при (/КБ = 7 В, 4 = 5 мА:

/= 6 ГГц для 2Т3124А-2.................... 3,9*...4,3*>..

5 дБ

/= 5 ГГц для 2Т3124Б-2.................... 4,1*...4,5*„.

5 дБ

/ = 4 ГГц для 2Т3124В-2................... 3,1*...3,3*...

3,6 дБ
Коэффициент усиления по мощности
при С/КБ = 7 В, /э = 5 мА:

Г = 6 ГГц для 2Т3124А -2.................. 4...5,3*...6* дБ

/= 5 ГГц для 2Т3124Б-2.................... 5...6,7*...8*дБ

/г= 4 ГГц для 2Т3124В-2...................

7,4* дБ

Обратный ток коллектора при С/КБ = 10 В:

Т = +25 ’С................................ 0,001*...0,01*

...0,5 мкА

Т - —60 ’С, не более ..................... 0,5 мкА

Т = +125 ’С, не более..................... 10 мкА

Обратный ток эмиттера при их = 1 В............ 0,001*...0,01*

...20 мкА

Входное сопротивление в режиме малого сиг-
нала в схеме ОБ при /э = 5 мА, С/КБ = 7. В, ти-
повое значение................................ 6* Ом

Емкость коллекторного перехода при 6/КБ = 0. 0.42...0.45*...

0,5* пФ

Емкость эмиттерного перехода при 1/х = 0  0,52...0,57*...

0,69* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.. 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база.... 1 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Я'бэ < 1 кОм...................... 10 В

Постоянный ток коллектора............. 7 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Т = —60...+85 ’С............ 70 мВт

Температура окружающей среды.......... —60...+125 ’С

В диапазоне температур +85...+ 125 “С мощность снижается линейно до
35 мВт.

Минимальное расстояние от кристаллодержателя до места
пайки вывода 2 мм, время пайки не более 3 с, температура
пайки не более +260 ’С.

Частотный диапазон применения 2...7,2 ГГц.
Выходные характери-
стики

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка эмиттера

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

С1кх(Т)

Зона возможных поло-
жений зависимости по-
стоянного напряжения
коллектор—эмиттер от
температуры

Зона возможных поло-
жений зависимости об-
ратного тока коллекто-
ра от температуры

Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости коллекторного
перехода от напряже-
ния коллектор—база

К/'Нв.йБ

6

4

2ТЛ24А-2

при Г-6 ГГи

		
		

2ТН248-2

. при Г-4 ГГц___

Ца=7В\ ||^

2 4 6 8 Ю!3,мА

Зона возможных поло-
жений зависимости гра-
ничной частоты от тока
эмиттера

Зависимости коэффи-
циентов шума и усиле-
ния от частоты

Зависимости коэффи-
циента шума от тока
эмиттера
^ЧР опш и С

Зависимости коэффи-
циента усиления от то-
ка эмиттера

Зависимости коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

л Б

2^--------

0 2 16 8 13'МА

Зависимости коэффи-
циента усиления от то-
ка эмиттера

2Т3132А-2, 2Т3132Б-2, 2Т3132В-2, 2Т3132Г-2,
2Т3132А—5, КТ3132А-2, КТ3132Б-2, КТ3132В-2,
КТ3132Г-2, КТ3132Д-2, КТ3132Е-2

? - г 2)

Транзисторы кремниевые

КТ5112(А 2 - Е 2)

эпитаксиально-планарные
структуры п-р-п усилитель-
ные с нормированным коэф-
фициентом шума. Предназна-
чены для применения в СВЧ
маломощных усилителя диа-
пазона частот 1...7.2 ГГц гер-
метизированной аппаратуры.
Бескорпусные на кристалло-
держателе с гибкими вывода-
ми. Транзистор 2Т3132А—5
выпускается в виде кристал-
лов без кристаллодержателя
и без выводов. Тип прибора
указывается в этикетке. На
транзистор наносится услов-
ная маркировка двумя точка-
ми (точка у базового вывода
и точка у коллекторного вы-
вода): КТ3132А—2 — синие,

КТ3132Б-2 — красные, КТ3132В-2 — желтые, КТ3132Г-2 -
бежевые, КТ3132Д—2 — белые, КТ3132Е—2 — зеленые.

Масса транзистора в держателе не более 0,2 г, кристал-
ла — не более 0,002 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при С/КБ = 7 В, /э = 5 мА:

2Т3132А—2, 2Т3132Б-2, 2Т3132В-2,

2Т3132Г-2, 2Т3132А—5, КТ3132А-2,
КТ3132Б—2, КТ3132В-2,	КТ3132Г-2...... 15...100*...150*

КТ3132Д—2.................................. 20...100*...150*

КТ3132Е-2.................................. 7О...1ОО*...15О*

Граничная частота коэффициента передачи

тока при /э = 3 мА, С/КБ = 7 В................. 5,5...6,5*...

7*ГГц

Коэффициент шума при и№ = 7 В:

/= 6 ГГц:
2Т3132Б-2, 4 = 5 мА........................ 3,9*...4,3*...5 дБ

КТ3132Б-2, 4 = 5 мА.................... 4,2*...4,4*...

4,8 дБ

Г = 5 ГГц:
2Т3132В-2, 4 = 5 мА...................... 4,1*...4,5*...5	дБ

КТ3132В-2, /э = 5 мА................... 4,3*...4,4*...

4,8 дБ

/ = 4 ГГц:
2Т3132Г-2, 4 = 5 мА........................ 3,1*...3,3*...

3,6 дБ
КТ3132Г-2, 4 = 5 мА.................... 3*...3,1*...

3,45 дБ

Г= 3,6 ГГц:
2Т3132А-2, 2Т3132А-5, 4 = 3 мА.... 2,2*...2,3*...

2,5 дБ
КТ3132А-2, 4 = 3 мА.................... 1,8*...2*...

2,4 дБ

Г= 2,25 ГГц:
2Т3132А-2, 2Т3132А-5, 4 = 3 мА.... 1,5*...1,8*...2дБ
КТ3132А-2, 4 = 3 мА........................ 1,5*...1,7*...

1,9 дБ
КТ3132Д-2, 4 = 3 мА.................... 1,5*...1,7*...2 дБ

КТ3132Е-2, 4 = 3 мА.................... 1,79*.„2,4*...

2,5 дБ

Коэффициент усиления по мощности при С/КБ = 7 В:

Г= 6 ГГц:
2Т3132Б-2, 4 = 5 мА........................ 4...5,3*...6*	дБ

КТ3132Б-2, 4 = 5 мА.................... 4,3...5,2*...

5,8* дБ

Г= 5 ГГц:
2Т3132В-2, 4 = 5 мА........................ 5...6,7*...8* дБ
КТ3132В—2, 4 = 5 мА.................. 5,6...6,1*...

6,6* дБ
Г = 4 ГГц:

2Т3132Г-2, /э = 5 мА................. 6...6,9*...7,4* дБ

КТ3132Г-2, 4 = 5 мА.................. 7...78*...8,5* дБ

/ = 3,6 ГГц:

2Т3132А-2, 2Т3132А-5, 4 = 3 мА .... 6...7,5*...8,2* дБ

КТ3132А-2, 4=3 мА.................... 6,4...8,1*...

10* дБ
/=2,25 ГГц:

2Т3132А-2, 2Т3132А-5. 4 = мА......... 8...9,5*...10* дБ

КТ3132А-2, 4 = 5 мА.................. 8,1...8,8*...

9,5* дБ
КТ3132Д-2, 4 = 5 мА.................. 8,1...8,8*...

9,5* дБ
КТ3132Е-2, 4 = 5 мА.................. 8,1...9,8*...

10,9* дБ
Выходная мощность при снижении усиления

на 1 дБ, 4 = 3 мА, С/КБ = 7 В, /= 3,5 ГГц.... 1,6*...1,7*...

1,9* мВт
Обратный ток коллектора при = 10 В,
не более:

Г= -60...+25	’С........................ 0,5 мкА

Г= +125 ’С............................... 10 мкА

Обратный ток эмиттера при ^ = 1 В,
не более..................................... 20 мкА

Емкость коллекторного перехода
при и№ = 7 В................................. 4,5*...5*...5,5 пФ

Емкость эмиттерного перехода при их = 0... 0,85*...0,9*...
0,95 пФ

Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база......... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Лю = 1 кОм................................ 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база........... 1 В

Постоянный ток коллектора..................... 8,5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Г=-60...+85 ’С....................... 70 мВт

при Г =+125'С............................ 30 мВт

Непрерывная входная СВЧ мощность
при 4 = 3 мА, 1/ю = 7 В, Г = +70 ’С.......... 10 мВт

Импульсная входная СВЧ мощность
при = 1,3 мкс, 0 = 30, Т- +65 ’С............. 50 мВт
Температура р-п перехода................. +200 °С

Температура окружающей среды............. —60...+ 125 °С

Допускается однократный изгиб выводов с радиусом 1,5 мм
не ближе 1 мм от кристаллодержателя. Допускается обрезка
выводов не ближе 1 мм от кристаллодержателя.

Монтаж транзистора 2Т3132А—5 осуществляется ультра-
звуковой пайкой с температурой +400...+450 °С. Выводы к
контактным площадкам присоединяются сваркой при темпера-
туре +300 °С в течение 2...3 с.

Пайка выводов транзисторов 2Т3132А—2, 2Т3132Б—2,
2Т3132В-2, 2Т3132Г-2, КТ3132А-2, КТ3132Б-2, КТ3132В-2,
КТ3132Г—2, КТ3132Д—2, КТ3132Е—2 допускается не ближе
1 мм от кристаллодержателя при температуре не выше +260 °С
в течение времени не более 3 с и не ближе 0,2 мм от кристал-
лодержателя при температуре не выше +160 °С.

Допустимый статический потенциал 30 В.

Зависимость коэффи-
циента шума от частоты

Зависимость коэффи-
циента усиления от ча-
стоты

Зависимости коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимости коэффи-
циента усиления от то-
ка эмиттера

Зависимости коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимости коэффи-
циента усиления от то-
ка эмиттера
2Т3141А-2

Транзистор креь.нневый
эпитаксиально-планарный
структуры п-р-п усилитель-
ный с нормированным ко-
эффициентом шума на час-
тоте 3,6 ГГц. Предназначен
для применения в малошу-
мящих усилителях, смесите-
лях в составе гибридных ин-
тегральных микросхем. Бес-
корпусный на керамическом
кристаллодержателе с гиб-
кими выводами. Тип прибо-
ра указывается в этикетке.

Масса транзистора не
более 0,5 г.

Изготовитель — завод
«Пульсар», г. Москва.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при 1/КБ = 7 В, 1Э = 5 мА......... 20...90*...150*

Граничная частота коэффициента передачи

тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 7 В, /э = 5 мА.... 5...6*...7,1* ГГц

Коэффициент шума на Г = 3,6 ГГц
при и№ = 7 В, /э = 5 мА...................... 3*. „3,5*...

4,5* дБ
Коэффициент усиления по мощности

на Г= 3,6 ГГц при С/КБ = 7 В, 4 = 5 мА....... 6...7*...8,2* дБ

Коэффициент усиления по мощности при на-
стройке на минимум коэффициента шума на

Г= 3,6 ГГц при и№ = 7 В, 1з = 5 мА........... 3,5...5*...6* дБ

Выходная мощность при снижении усиления

на 1 дБ на /= 3,6 ГГц при С/КБ = 7 В:

4 = 5 мА................................. 2...2,5*...3,5*

мВт

4 = 7 мА................................. 3...4*...5* мВт

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при УКБ = 7 ВД = 5 мА,
Г= 100 МГц................................... 2,5*...3*...3,7 пс

Входное сопротивление в режиме малого
сигнала при С/КБ = 7 В, /э = 5 мА............ 5*...6,7*...8,5 Ом
Емкость коллекторного перехода
при и№ = 7 В............................. 0,4*...0,5*...

0,7 пФ

Емкость эмиттерного перехода при 11ж = 0 .. 0,65*...0,8*...

1 пФ

Обратный ток коллектора при С/КБ = 10 В.. 0,001*...0,005*

...0,5 мкА

Обратный ток эмиттера при 1УЭЬ = 2 В..... 0,001*...0,005*

...20 мкА

Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база....... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 кОм.......................... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база......... 2 В

Потенциал статического электричества....... 30 В

Постоянный ток коллектора.................. 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

Т= -60...+85 °С........................ 70 мВт

Г=+100°С............................... 50 мВт

Непрерывная СВЧ мощность в цепи эмиттер-
база на /- 3,6 ГГц при икъ = 7 В, /э = 5 мА ... 20 мВт
Импульсная СВЧ мощность в цепи эмиттер—
база на /= 3,6 ГГц при С/КБ = 7 В, /э = 5 мА,
= 1 мкс, 0 = 1000.......................... 200 мВт

Температура р-п перехода................... +125 °С

Температура окружающей среды............... —60...+100 °С

При температуре от +85 до +100 "С максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность коллектора уменьшается линейно.

Минимально допустимое расстояние от кристаллодержате-
ля до места сварки вывода 2 мм. Сварка вывода производится
ультразвуковой сваркой при мощности 35 Вт, время сварки
0,1...0,6 с, давление на инструмент 150...600 г. Количество
сварок в одной точке не более одного раза. Допускается одно-
кратный изгиб выводов с радиусом закругления 1,5 мм на
расстоянии 1 мм от кристаллодержателя. Допускается обрезка
выводов на расстоянии 1,5 мм от кристаллодержателя. Монтаж
держателя транзистора на плату гибридной схемы должен про-
изводиться приклеиванием клеем ВТ25—200 ОСТ 11 054.141—74.

При эксплуатации транзисторов следует учитывать воз-
можность их самовозбуждения как высокочастотных элемен-
тов и принимать меры к его устранению.
Зависимости тока эмит-
тера от напряжения
эмиттер—база

Входные характери-
стики

Выходные характери-
стики

Выходные характери-
стики

Выходные характери-
стики

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка эмиттера

О 2 4 6 8 /, мА

Зависимость коэффици-
ентов шума и усиления
от тока эмиттера

Зависимость коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты

Зависимость коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты
Зависимость коэффициентов шума
и усиления от частоты

/	2	5 1О(.ГГц

КТ3142А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п переключательный. Предназначен для применения
в переключательных и импульсных устройствах, генераторах,
усилителях, преобразователях. Выпускается в металлостеклян-
ном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.

Масса транзистора не более 0,4 г.

Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.

КТШ2А

1-Змшптер
2-База
З-Каллектор

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:

при Цо = 1 В, 4 = 10 мА............. 40...120

при Цо = 2 В, 4 = 100 мА, не менее... 20

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при Цо = 10 В, 4 = Ю мА,
не менее................................ 500 МГц

Граничное напряжение при /э = Ю мА,
не менее................................ 15 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 10 мА, 4=1 мА, не более......... 0,25 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б=1 мА, не более....... 0,85 В

Время включения при /к = 100 мА, 4 = Ю мА,
не более................................ 12 нс

Время рассасывания при /к = 100 мА,
4 = 10 мА, не более..................... 13 нс

Время выключения при 4 = 100 мА, 4 = Ю мА,
не более................................ 18 нс

Емкость коллекторного перехода
при 6/КБ = 10 В, не более............... 4 пФ

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 20 В,
не более................................ 0,4 мкА

Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор—база.... 40 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 0............................ 40 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4,5 В

Постоянный ток коллектора............... 200 мА

Импульсный ток коллектора при 4 = 1 мкс,
О = 50 ................................. 500 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

Т= —45...+25 °С..................... 360 мВт

Т = +85 °С.......................... 185 мВт

Температура р-п перехода................ +150 °С

Температура окружающей среды............ —45...+85 °С

’ При Т > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора уменьшается линейно.

Входные характери-
стики

Зависимости тока эмит-
тера от напряжения
эмиттер—база

Зона возможных поло-
жений зависимости об-
ратного тока коллекто-
ра от температуры
Выходные характери-
стики

Зона возможных поло-
жений зависимости на-
пряжения насыщения
коллектор—эмиттер
от тока базы

Зона возможных положений зави-
симости напряжения коллектор—
эмиттер от сопротивления база—
эмиттер

Зона возможных поло
жений зависимости ста
тического коэффициен
та передачи тока от то
ка коллектора

КТ3166А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк
туры п-р-п усилительный. Предназначен для применения в уси
лителя высокой частоты. Выпускается в пластмассовом корпу
се с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при 6/кэ = 5 В, /к = 0,1 мА.... 280...1000

Граничная частота коэффициента передачи

тока в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 0,1 мА,
не менее................................... 400	МГц
КТ5166А

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм........................ 15 В

Постоянный ток коллектора............... 1 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т = —45...+25 °С............... 15 мВт

Температура окружающей среды............ —45...+85 °С

КТ3168А9

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк
туры п-р-п усилительный с нормированным коэффициенток
шума на частоте 1 ГГц. Предназначен для применения во вход-
ных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких час-
тот. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выво-
дами. Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.
КТ3168А9

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, /э = 5 мА... 60... 180

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 1/^ = 5 В, /э = 10 мА,
не менее............................... 3 ГГц

Коэффициент шума на /= 1 ГГц
при 6/КБ = 2 В, /э = 2 мА, не более.... 3 дБ

Коэффициент усиления по мощности
на Г= 1 ГГц при С/КБ = 2 В, 4 = 2 мА,
/?и = 50 Ом, не менее.................. 7 дБ

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при 6/№ = 5 В, 4 = 5 мА,
Г= 30 МГц, не более.................... 10 пс

Обратный ток коллектора при С/КБ = 15 В,
не более............................... 0,5 мкА

Обратный ток эмиттера при Ц& = 2,5 В,
не более............................... 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 15 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 2,5 В

Постоянный ток коллектора.............. 28 мА
Импульсный ток коллектора............... 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

7 = —45...+55 ’С..................... 180 мВт

7=+85’С.............................. 70 мВт

Температура р-п перехода................ +150 ’С

Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,5 ’С/мВт

Температура окружающей среды............ —Д5...+85 ’С

КТ3170А9

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный. Предназначен для применения в вы-
ходных каскадах УПЧ телевизоров и в бытовой видеотехнике
в составе гибридных интегральных микросхем. Выпускается в
пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора
указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схе-
ме ОЭ при и№ = 10 В, /э = мА, не менее. 100
Граничная частота коэффициента передач
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, = 5 мА,
не менее..................................

Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее..................................

Емкость коллекторного перехода
при Ц<Б = Ю В, не более...................

Обратный ток коллектора, не более:
при (/КБ = 20 В...........................

при (/КБ = 40 В........................

Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 4 В,
не более..................................

ЗСО ГГц

30 В

2 пФ

0,1 мкА

1 мкА

1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 40 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ =10 кОм........................ 30 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Постоянный ток коллектора............... 30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора' при Т = —60...+25 °С.............. 0,25 Вт

Температура р-п перехода................ +150 °С

Тепловое сопротивление переход—среда.... 500 °С/Вт

Температура окружающей среды............ —60...+100 СС

При Т = +25...+100 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле

Рк ИАКС = (150 - Г)/500, Вт

Зависимость модуля
коэффициента переда-
ли тока от тока эмит-
тера

Входные характери-
стики

Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
Выходные характери-
стики

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка эмиттера

КТ3172А9

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный. Предназначен для применения в бы-
товой видеотехнике в составе гибридных интегральных ми-
кросхем. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими
выводами. Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,01 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 1 В, /э = 10 мА,
не менее................................ 40

Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при = 10 В, 4 = 10 мА,
/= 100 МГц, не менее..................... 5

Граничное напряжение при /э = 10 мА,
не менее................................. 12	В

Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при 6/^ = 10 В, /э = 10 мА,
Т- 5 МГц, не более....................... 45	пс
КТ3172А9

Емкость коллекторного перехода
при - 10 В, не более..................... 3,7	пФ

Обратный ток коллектора при С/КБ = 20 В.. 0,4 мкА

Обратный ток эмиттера при = 2 В,
не более................................. 0,1	мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 0............................ 20 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4,5 В

Постоянный ток коллектора при Т = +25 °С ... 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Т = —60...+25 °С.............. 0,2 Вт

Температура р-п перехода................ +125 °С

Тепловое сопротивление переход—среда.... 500 °С/Вт

Температура окружающей среды............ —60...+85 °С

При Т - +25.. +85 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле

А иакс = П25 - Г)/500, Вт
Входные характери- Выходные характери-

стики

стик»-

Зона возможных поло-
жений зависимости ста-
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка эмиттера

Выходнье характескстики

10
8

6
к

2

10' 101 10* Ю! 10'

0.

кОм №'2816810 2И6810,13.мА0 5 10 15 0к6,Ь

Зона возможных поло-
жений зависимости
максимально допусти-
мого напряжения кол-
лектор—эмиттер от со-
противления база-
эмиттер

Зона возможных поло-
жений зависимости мо-
дуля коэффициента пе-
редачи тока от тока
эмиттера

Зона возможных поло-
жений зависимости ем-
кости коллекторного
перехода от напряже-
ния коллектор—база
2Т3175А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный. Предназначен для применения в уси-
лителях и генераторах высокой частоты. Выпускается в метал-
лостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

213175А

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/К6 = 5 В, /э = 2 мА:

Т= +25 ’С........................... 250...1000

Г=+125’С............................ 250...1500

Г=-60’С.............................. 5О...5ОО

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, /э = 10 мА,
не менее................................... 300 МГц

Обратный ток коллектора при С/КБ = 50 В,
не более:

Т= +25 и -60 ’С...................... 0,05 мкА

Т= +125 ’С.....................:..... 5 мкА

Обратный ток эмиттера при 12х - 5 В,
не более................................. 10 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 50 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
пои /?БЭ = 10 кОм......................   45	В

.3’	38-
Постоянное напряжение эмиттер—база......

Постоянный ток коллектора...............

Импульсный ток коллектора при = 40 мкс,
О = 500 ................................

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т - —60...+25 ’С...............

Температура р-п перехода ...............

Тепловое сопротивление переход—среда....

Температура окружающей среды............

5 В
100 мА

200 мА

0,35 Вт
+150 ’С
357 ’С/Вт
-60...+125 ’С

При Т > +25 ”С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-

ность коллектора рассчитывается по формуле

^макс = (’50- П/357, Вт.

Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом
групповой пайки и паяльником. Допустимое число перепаек
выводов транзисторов при проведении монтажных операций —
2. Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее
3 мм. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки по
длине вывода не менее 3 мм. Конструкция транзистора обеспе-
чивает трехкратное воздействие групповой пайки и лужение
выводов горячим способом без применения теплоотвода при
температуре групповой пайки +260 ± 10 ’С в течение не более
4 с. Интервал между последовательными пайками 5...10 с.

Очистку транзисторов следует производить в спирто-бен-
зиновой смеси (1: 1) при виброотмывке с частотой 50 Гц с
амплитудой колебаний до 1 мм в течение 4 мин.

Зона возможных поло*
жений зависимости на*
пряжения насыщения
коллектор—эмиттер
от тока коллектора

Зона возможных поло*
жений зависимости ста*
тического коэффициен-
та передачи тока от то-
ка эмиттера

Зона возможных поло-
жений зависимости об-
ратного тока коллекто-
ра от напряжения кол-
лектор—база
Зона возможных положений зависи-
мости обратного тока коллектора
от температуры

Зона возможных положений зависи-
мости статического коэффициента
передачи тока от температуры

Входные характери- Выходные характери- Выходные характери-

стики	стики	стики

А641А, А641Б, А641В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные с нормированным коэффициентом
шума. Предназначены для применения в малошумящих усили-
телях на частотах 2...7,2 ГГц в составе гибридных интеграль-
ных микросхем, микросборок, обеспечивающих герметизацию
и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана,
плесневых грибов, пониженного и повышенного давления и
солнечной радиации. Бескорпусные на кристаллодержателе с
гибкими выводами. Маркируются цветной точкой: А641А —
красной, А641Б — желтой, А641В — черной. Тип прибора
указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,02 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ =7 В, /э = 5 мА, не менее 15
Минимальный коэффициент шума
при 6/КБ = 7 В, 4 = 5 мА, не более:

А641А на /= 6 ГГц.................. 5 дБ

А641Б на /= 5 ГГц.................. 5 дБ

А641В на ( = 4 ГГц................. 3,6 дБ

коэффициент усиления по мощности
при С/КБ = 7 В, /э = 5 мА, не менее:

• А641А на /= 6 ГГц................ 4	дБ

А641Б на 5 ГГц....................... 5	дБ

А641В на /= 4 ГГц.................. 6	дБ

Обратный ток коллектора при С/КБ = 100 В,
не более.............................. 0,5 мкА

Обратный ток эмиттера при = 1 В,
не более.............................. 20 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?вэ = 1 кОм....................... 10	В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 1 В
Потенциал статического электричества...... 30 В

Постоянный ток коллектора................. 7 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т - —60...+85 ’С................. 70 мВт

Температура окружающей среды.............. —60...+125 ’С

' При Г > +85 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора снижается линейно до 35 мВт при +125 ‘С.

Минимальное расстояние от кристаллодержателя до места
пайки вывода 2 мм, температура пайки не выше +265 ’С, время
пайки не более 4 с. Допускается пайка выводов на расстоянии
1 мм от кристаллодержателя, температура пайки не более
+260 ’С, время пайки не более 3 с. При этом следует пользо-
ваться серебряно-индиевыми и другими припоями, не приводя-
щими к возникновению интерметаллических соединений. До-
пускается пайка выводов на расстоянии не менее 0,2 мм от
кристаллодержателя при температуре пайки не выше +160 ’С,
время пайки не более 1 ч. Допускается использование только
бескислотного флюса.

Допускается однократный изгиб выводов с радиусом за-
кругления 1,5 мм на расстоянии 1 мм от кристаллодержателя.
Допускается обрезать выводы на расстоянии не менее 1 мм от
кристаллодержателя.

Материалы выводов: лента ДПРНТ 0,1 на НП2 по ГОСТ
2170—73, покрытие Н1, ЗлЗ.

При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах
следует учитывать возможность их самовозбуждения, как вы-
сокочастотных элементов с большим коэффициентом усиле-
ния, и принимать меры к его устранению.

А791А, А791Б, А791В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п усилительные с нормированным коэффициентом
шума. Предназначены для применения в малошумящих усили-
телях на частотах 2..7,2 ГГц в составе гибридных интеграль-
ных микросхем, микросборок, обеспечивающих герметизацию
и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана,
плесневых грибов, пониженного и повышенного давления и
солнечной радиации. Бескорпусные на кристаллодержателе с
гибкими выводами. Маркируются цветной точкой: А791А —
белой, А791Б — зеленой, А791В — коричневой. тип прибора
указывается в этикетке.
Масса транзистора А791А
не более 0,02 г, А791Б, А791В
не более 0,05 г. Диаметр
0 2 мм для А791А, 0 3 мм
для А791Б, А791В.

Изготовитель — завод
«Пульсар», г. Москва.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при Т/КБ = 7 В, 4 = 5 мА, не менее . 20

Коэффициент шума на /= 2,25 ГГц

при Т/КБ = 7 В, /э = 3 мА, не более:
А791А, А791Б......................._.... 2 дБ

А791В................................ 6 дБ

Коэффициент усиления по мощности на

/= 2,25 ГГц при Т/КБ = 7 В, 4 = 3 мА, не менее:

А791А, А791Б......................... 8 дБ

А791В..............................  -	10 дБ

Обратный ток коллектора при Т/КБ = 10 В,
не более................................ 0,4 мкА

Обратный ток эмиттера при С!эъ = 1 В,
не более................................ 15 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм........................ 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 1 В

Потенциал статического электричества.... ЗС В

Постоянный ток коллектора............... 8,5 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т= —60...+85 ’С................. 70 мВт

Температура р-п перехода.................. +200 ’С

Температура окружающей среды.............. —60...+125 ’С

1 При Г > +85 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора снижается линейно до 35 мВт при +125 °С.

Минимальное расстояние от кристаллодержателя до места
пайки вывода 2 мм, температура пайки не выше +265 ’С,
время пайки не более 4 с. Допускается пайка выводов на
расстоянии 1 мм от кристаллодержателя, температура пайки
+260 ’С, время пайки не более 3 с. При этом следует пользо-
ваться серебряно-индиевыми и другими припоями, не приводя-
щими к возникновению интерметаллических соединений. До-
пускается пайка выводов на расстоянии не менее 0,2 мм от
кристаллодержателя при температуре пайки не выше +160 ’С,
время пайки не более 10 с.

Допускается однократный изгиб вывода с радиусом за-
кругления 1,5 мм от кристаллодержателя. Допускается обре-
зать выводы на расстоянии не менее 1 мм от кристаллодержа-
теля.

Материалы выводов: лента ДПРНТ 0,1 на НП2 по ГОСТ
2170—73, покрытие Н1, ЗлЗ.

При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах
следует учитывать возможность их самовозбуждения, как вы-
сокочастотных элементов и принимать меры к его устранению.

А815

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры п-р-п усилительный с нормированным коэффициентом
шума. Предназначен для применения в малошумящих усилите-
лях в диапазоне частот до 7,2 ГГц в составе гибридных инте-
гральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих
герметизацию и защиту транзистора от воздействия влаги,
соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, агрессивных
газов и смесей. Выпускается в виде кристаллов с контактными
площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип при-
бора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,002 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А 815

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при = 7 В, /э = 5 мА, не менее . 15

Коэффициент шума на /= 2,25 ГГц

при Т/КБ = 7 В, /э = 3 мА, не менее..... 2 дБ

Коэффициент усиления по мощности на

А= 2,25 ГГц при С/КБ = 7 В, /э = 3 мА, не менее.. 8 дБ

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 10 В,
не более................................ 0,5 мкА

Обратный ток эмиттера при Уэь = 1 В,
не более................................ 20 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 1 кОм........................ 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 1 В

Потенциал статического электричества.... 30 В

Постоянный ток коллектора............... 8,5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора1 при Т = —60...+85 °С.............. 70 мВт

Температура р-п перехода................ +200 °С

Температура окружающей среды............ —60...+ 125 °С

При Т > +85 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора снижается линейно до 35 мВт при +125 °С.
Монтаж транзистора в составе гибридной схемы рекомен-
дуется осуществлять с помощью ультразвуковой пайки в инерт-
ной среде. Температура пайки +400...+460 °С. В качестве
припоя применяется золотая прокладка толщиной 0,02 мм.
Основание, на которое напаивается транзистор, должно быть
золоченое, толщина покрытия не менее 3...4 мкм. Присо-
единение выводов к контактным площадкам рекомендуется
производить термокомпрессионной сваркой при температуре
+300 ± 50 °С в течение не более 3 с. В качестве вывода
должна применяться золотая проволока диаметром 0,015 мар-
ки Зл 999,9 ТУ 48—1—358—87. Соединение вывода с контакт-
ной площадкой должно выдерживать разрывное усилие не
менее 1 гс.

Выводы после присоединения не должны касаться планар-
ной структуры и боковых ребер транзистора. Не допускается
смещение сварных точек, приводящее к закорачиванию эле-
ментов структуры. Не допускается сильное натяжение и прови-
сание выводов. Не допускается разрыв, пережатие проволоки
в месте сварки.

После извлечения транзистора из герметизированной или
влагозащитной упаковки изготовителя до присоединения вы-
водов к контактным площадкам транзисторы должны нахо-
диться в специальной камере с инертной средой в течение
10 сут. В случае использования части транзисторов из общей
упаковки, неиспользованные транзисторы должны быть по-
вторно упакованы в герметичную тару. Требование на сохра-
няемость в специальной камере с инертной средой в течение
10 сут распространяется на повторно упакованные транзисто-
ры с момента вскрытия вторичной упаковки.

Транзисторы р-п-р

1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих
устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гиб-
кими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 2 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Киев.
‘Т5Ш-В) ГН*'А-В,

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 3 В, /э = 15 мА:

Т= +25 ’С:
1Т313А.................................. 10...230

1Т313Б............................... 1О...75

1Т313В................................ 30...230

Г = -60 ’С.............................. От 1 до С,5

значения при
Т = +25 ’С

Т= +70 ’С............................... От 1 до 2,5

значений при
Г= +25 ’С, н
не более 500

Коэффициент передачи тока в режиме малого
сигнала при С/КБ = 5 В, !3 = 5 мА:

Т= +25 ’С:
1Т313А.................................. 20...250

1Т313Б............................... 20...80

1Т313В.............................. 60...250

ГТ313А, ГТ313Б....................... 20...200

ГТ313В.............................. 30...170

типовые значения:
1Т313А............................ 80*

1Т313Б........................... 47*

1Т313В........................... 93*

Т= -40 ’С для ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В... 15...200
Г= +55 ’С:

ГТ313А, ГТ313Б...................... 20...400

ГТ313В.............................. 30...350
Граничная частота коэффициента передачи
тока при С/кэ = 5 В, 4 = 5 мА:

1Т313А, ГТ313А........................

1Т313Б, ГТ313Б .......................

1Т313В, ГТ313В .......................

типовые значения:

1Т313А............................

1Т313Б, 1Т313В....................

Постоянная времени цепи обратной связи
при С/КБ = 5 В, 4 = 5 мА, / = 5 МГц, не более:
1Т313А, ГТ313А, ГТ313В...................

1Т313Б, 1Т313В, ГТ313Б................

типовые значения:

1Т313А............................

1Т313Б ...........................

1Т313В............................

Коэффициент шума при 6/КБ = 5 В, 4 = 5 мА,
/?г = 75 Ом, /= 60 МГц для 1Т313В,
не более.................................

типовое значение......................

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4=15 мА, 4 = 1.5 мА, не более........

типовые значения:

1Т313А, 1Т313В....................

1Т313Б ...........................

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к=15 мА, 4 = 1 >5 мА, не более......

типовые значения:

1Т313А, 1Т313Б....................

1Т313В ...........................

Граничное напряжение при 4 = Ю мА
для 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, не менее.....

типовое значение......................

Обратный ток коллектора при С/КБ = 12 В,
не более:

Т= +25 °С для 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В ..
Т= +25 °С для ГТ313А, ГТ313Б, Г,’313В...
Т= +55 'С для ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В...
Т= +70 'С для 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В...

Обратный ток эмиттера при С/х = 0,4 В,
не более:

1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В................

ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В................

Емкость коллекторного перехода
при С4б = 5 В, не более..................

300...103 МГц

450...1С3 МГц

350...1С3 МГц

470 МГц
520* МГц

75 пс
40 пс

38* пс
17* пс
20* пс

8 дБ
5,2* дБ

0,7 В

0,4* В

0,45* В

0,6 В

0,46* В

0,48* В

7 В

10,2* В

5 мкА

5 мкА

50 мкА

40 мкА

30 мкА

50 мкА

2,5 пФ
типовое значение для 1Т313А, 1Т313Б,
1Т313В............................... 1,5* пФ

Емкость эмиттерного перехода

при их = 0,26 В, не более:
1Т313А................................... 18 пФ

1Т313Б, 1Т313В....................... 14 пФ

типовые значения:

1Т313А........................... 11,6* пФ

1Т313Б........................... 10* пФ

1Т313В........................... 10,7* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

при Т = +45 °С:
1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В............... 12 В

ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В........... 15 В

Т= +70 ’С для 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В .. 7 В

Г= +55 ’С для ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В... 13 В
Импульсное напряжение коллектор—база
при 7И = 1 мкс и коэффициенте заполнения
не более 0,1 для 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В:

Г =+45’С............................. 20 В

7"=+70’С............................. 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?Б//?Э < 10 для 1Т313А, 1Т313Б,
1Т313В:
Г =+45’С................................ 12 В

Т= +70 ’С........................ 7 В

при /?э = 500 Ом, /?6 = 2 кОм для ГТ313А,
ГТ313Б, ГТ313В....................... 15 В

при /?6Э = 500 Ом для ГТ313А, ГТ313Б,
ГТ313В............................... 12 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 0,7 В

Постоянный ток коллектора:
1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В................... 50 мА

ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В............... 30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т= +40 ’С для 1Т313А, 1Т313Б,
1Т313В............................... 100 мВт

при Т= +70 ’С для 1Т313А, 1Т313Б,
1Т313В............................... 35 мВт

при Т= +20 ’С для ГТ313А, ГТ313Б,
ГТ313В............................... 100 мВт
при Т= +55 °С для ГТ313А, ГТ313Б,
ГТ313В................................ 50 мВт

температура р-п перехода:
1Т313А, 1Т313Б,	1Т313В................ +85 °С

ГГ313А, ГТ313Б,	ГТ313В................ +70 ’С

Температура окружающей среды:
1Т313А, 1Т313Б,	1Т313В................ -60...+70	°С

ГТ313А, ГТ313Б,	ГТ313В................ -40...+55	°С

Зона возможных положе-
ний зависимости гранич-
ной частоты от тока эмит-
тера

Зона возможных положе-
ний зависимости коэффи-
циента шума от частоты

2Т326А, 2Т326Б, КТ326А, КТ326Б,
КТ326АМ, КТ326БМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные. Предназначены для применения в
усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих
«устройствах. Транзисторы 2Т326А, 2Т326Б, КТ326А, КТ326Б
выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми; КТ326АМ, КТ326БМ — в пластмассовом корпусе с гибкими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе. На пластмас-
совом корпусе наносится условная маркировка цветной точкой
со стороны коллектора: КТ326АМ — розовой; КТ326БМ —
желтой.

Масса транзистора не более 0,5 г в металлическом корпу-
се и не более 0,3 г в пластмассовом корпусе.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
*Элекс», г. Александров.
2Г326(А,Б/. КТ326(А,Б/

КТ326(АМ. БМ)

Коллектор

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 2 В, /э = 10 мА:

Г= +25 'С:
2Т326А, КТ326А, КТ326АМ.............. 2О...7О

2Т326Б, КТ326Б, КТ326БМ........... 45...160

Т= -60 ’С:
2Т326А, 2Т326Б, не менее............. 0,3 значения

при Т = +25 °С

КТ326А, КТ326АМ................... От 0,3 значе-

ния при Т -
= +25 ’С до 70

КТ326Б, КТ326БМ................... От 0,3 значе-

ния при Т -
= +25’Сдо160

Т= +125 ’С:
2Т326А, 2Т326Б, не более............. 2 значения

при Т= +25’С

КТ326А, КТ326АМ................... От 10 до 2

значений при
Г= +25 ’С
КТ326Б, КТ326БМ.................... От 22 до 2

значений при
7 = +25 ’С

Граничная частота коэффициента передачи
тока при и№ = 5 В, 4 ~ 10 мА:

2Т326А, КТ326А, КТ326АМ............... 250...590*...

1150* МГц
2Т326Б, КТ326Б, КТ326БМ............... 400...590*...

1150* МГц
Постоянная времени цепи обратной связи

при = 5 В, 4 = 10 мА, Г= 5 МГц........... 84*... 133*..

450 пс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 = 1 мА................. 0,11*...0,16*...

0,3 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 10 мА, 4 = 1 мА.................. 0,87*...0,89*...

1,2 В
Обратный ток коллектора при и№ - 10 В,
не более:

Г =+25’С.............................. 0,5 мкА

Т= +125 ’С............................ 10 мкА

Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более:

Г =+25’С.............................. 0,1 мкА

7=+125’С для 2Т326А, 2Т326Б........... 10 мкА

Емкость коллекторного перехода
приа№ = 5В............................... 1,7*...2,2*..

5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при = 0  1,2*...1,4*...

4 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база..... 20 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ < 100 кОм....................... 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база....... 4 В

Суммарное постоянное и переменное напря-
жения коллектор—эмиттер в режиме усиле-
ния при /?ю < 100 кОм.................... 20 В

Постоянный ток коллектора................ 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при 7 С +25 ’С для 2Т326А, 2Т326Б..... 250 мВт

при 7= +125 ”С для 2Т326А, 2Т326Б..... 83,3 мВт
при Г «5 +30 ’С для КТ326А, КТ326Б,
КТ326АМ, КТ326БМ..................... 200 мВт

при Г « +125 ’С для КТ326А, КТ326Б,
КТ326АМ, КТ326БМ..................... 41,7 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,6 ’С/мВт

Температура р-п перехода:

2Т326А, 2Т326Б....................... +175 ’С

КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ..... +150 ’С

Температура окружающей среды............ —60...+125 ’С

Зависимость напряжения насо1щения
коллектор—эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока коллек-
тора

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

Зависимость времени
рассасывания от тока
коллектора

ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В

Транзисторы германиевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные с нормированным коэффициентом
шума на частоте 180 МГц. Предназначены для усиления сигна-
лов в метровом диапазоне длин волн с автоматической регу-
лировкой усиления. Выпускаются в металлостеклянном корпу-
се с гибкими выводами. Тип транзистора указывается на боко-
вой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 2 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Планета», г. Новгород.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при </КБ = 5 В, /э = 3 мА:

Г = +20 °С:
ГТ328А................................. 20...200

ГТ328Б............................. 40...200

ГТ328В.............................. 10...50

Г = -40 °С:
ГТ328А................................. 5...200

ГТ328Б.............................. 10...200

ГТ328В.............................. 3...50

Т= +55 °С:
ГТ328А................................. 20...600

ГТ328Б............................. 40...600

ГТ328В ............................. 20... 150

Граничная частота коэффициента передачи
тока при С/КБ = 5 В, 4 = 2 мА, не менее:

ГТ328А.............................. 400 МГц

ГТ328Б, ГТ328В...................... 300 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при С/КБ = 10 В, 4 = 2 мА, /= 15 МГц, не более:
ГТ328А..................................... 5 пс

ГТ328Б, ГТ328В.......................... 10 пс

Коэффициент шума при и№ = 10 В, 4 = 2 мА,
/?г = 75 Ом, /= 180 МГц, не более.......... 7 дБ

Обратный ток коллектора при = 15 В,
не более:

Г =+20 °С............................... 10 мкА

Т= +55 °С............................... 100 мкА
Обратный ток эмиттера при Т = +20 "С,

С/ЭБ = 0,25 В, не более................... 100	мкА

Емкость коллекторного перехода
при и№ = 5 В, не более.................... 1,5	пФ

Емкость эмиттерного перехода
при = 0,15 В, не более:

ГТ328А................................ 2,5	пФ

ГТ328Б, ГТ328В........................ 5,0	пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ 5 кОм.......................... 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 0,25 В

Постоянный ток коллектора............... 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность........ 50 мВт

Температура окружающей среды............ —40...+55 °С

Зависимость статического коэффициента
передачи тока от напряжения коллектор-
база

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимости постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера
КТ337А, КТ337Б, КТ337В

Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-пла-
нарные структуры р-п-р
универсальные. Предна-
значены для применения в
усилителях высокой час-
тоты, импульсных и пере-
ключающих устройствах.
Выпускаются в пластмас-
совом корпусе с гибкими
выводами. На корпусе на-
носится условная марки-
ровка — две цветные точ-
ки: КТ337А — красная и
розовая; КТ337Б — крас-
ная и желтая; КТ337В —

КТН7(А-В)

красная и синяя.

Масса транзистора не более 0,2 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при С/кэ = 0,3 В, /э = 10 мА:

Т = +25 °С, не менее:
КТ337А............................ 30

КТ337Б............................ 50

КТ337В............................ 70

Т = —40 °С, не менее.................. 0,3	значения

при Т- +25 °'

Т= +85 ’С.............................. От	0,8	до 2

значений при

Г= +25 ’С

Граничная частота коэффициента передачи

тока при 6/кэ = 5 В, /э = 10 мА, не менее:
КТ337А................................... 500	МГц

КТ337Б, КТ337В........................ 600	МГц

Время рассасывания при /к = 10 мА,

4, = 4г = 1 мА, не более:
КТ337А.................................... 25	нс

КТ337Б, КТ337В......................... 28	нс
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б = 1 мА, не более..... 0,2 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 = 1 мА, не более...... 1 В

Обратный ток коллектора при С/КБ = 6 В,
не более................................ 1 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при 6/кэ = 6 В, /?бэ = 10 кОм, не более. 5 мк А

Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 4 В,
не более................................ 5 мкА

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 5 В, не более................ 6 пФ

Емкость эмиттерного перехода при 6/ЭБ = 0,
не более................................ 8 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база
и коллектор—эмиттер при § 10 кОм....... 6 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В

Постоянный ток коллектора.............. 30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

при Т § +60 ’С...................... 150 мВт

при Т = +85 ’С...................... 108 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда... 0,6 °С/мВт

Температура р-п перехода............... +150 ’С

Температура окружающей среды........... —40...+85 ’С

В диапазоне температур +60...+85 ’С допустимое значение рассеиваемой
мощности снижается линейно.

Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от корпуса с радиусом закругления 1,5...2 мм.

Минимально допустимое расстояние от места пайки выво-
дов до корпуса 5 мм при температуре пайки не выше +250 ’С
и длительности не более 10 с. Температура корпуса при пайке
не должна превышать +150 ’С.
Зависимости статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера

КТ345А, КТ345Б, КТ345В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих
устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими
выводами. На корпусе наносится условная маркировка — две
цветные точки: КТ345А — белая и розовая; КТ345Б — белая
и желтая; КТ345В — белая и синяя.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.

КГЛ51А-В)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при 6/кэ = 1 В, /э = 100 мА:
КТ345А..................................... 20...60*

КТ345Б................................. 50...85*

КТ345В................................. 70...105*
Граничная частота коэффициента передачи
тока при = 5 В, 4 = 10 мА, не менее..... 350 МГц

Время рассасывания при /к = 100 мА,
!ъ\ ~ 4г = Ю мА, не более............... 70 нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 100 мА, 4 = 10 мА....'.......... 0,14*...0,3 В

Напряжение насыщения база—эмиттер

при 4 = 100 мА, 4 = 10 мА............... 0,92*... 1,1 В

Обратный ток коллектора при С/к6 = 20 В,
не более................................ 0,5 мкА

Обратный ток эмиттера при = 5 В,
не более................................ 0,5 мкА

Емкость коллекторного перехода

при 6/КБ = 5 В, не более................ 15 пФ

Емкость эмиттерного перехода при = 0,
не более................................ 30 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база
и коллектор—эмиттер при Р^ $ 10 кОм..... 20 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 5 В

Постоянный ток коллектора............... 200 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора':
при Т < +30 °С.......................... 300 мВт

при Т = +85 °С....................... 162,5 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность........ 600 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,4 °С/мВт

Температура р-п перехода................ +150 °С

Температура окружающей среды............ —40...+85 °С

' В диапазоне температур +30...+85 ‘С допустимые значения рассеиваемой
мощности снижаются линейно.

Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм
от корпуса с радиусом закругления 1,5...2 мм.

Минимальное расстояние от места пайки выводов до кор-
пуса 5 мм при температуре пайки не выше +250 °С и длитель-
ности не более 10 с. Температура корпуса при пайке не долж-
на превышать +150 °С.

ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В

Транзисторы германиевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные с нормированным коэффициентом
408
ц)ума на частотах 800 и 200 МГц. Предназначены для примене-
ния в селекторах телевизионных каналов метрового и деци-
метрового диапазонов длин волн с автоматической регулиров-
кой усиления. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с
гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Планета», г. Новгород.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при С/КБ = 10 В, /э = 2 мА:

Т= +25 °С:

ГТ346А, ГТ346Б...................... 10...150

ГТ346В.............................. 15...150

Т= -45 °С:

ГТ346А, ГТ346Б...................... 3,5... 150

ГТ346В.............................. 5...150

Т= +55 °С:
ГТ346А, ГТ346Б......................... 10...450

ГТ346В.............................. 15...450

Граничная частота коэффициента передачи

тока при С/КБ = 10 В, = 2 мА, не менее:
ГТ346А..................................... 700 МГц

ГТ346Б, ГТ346В........................... 550 МГц

Постоянная времени обратной связи при

Ц6 = 10 В, /э = 2 мА, /= 100 МГц, не более:
ГТ346А..................................... 3 пс

ГТ346Б.................................. 5,5 пс

ГТ346В.................................. 6 пс

Коэффициент шума при С/КБ = 10 В, /э = 2 мА,

*г = 75 Ом, не более:
/= 800 МГц для ГТ346А...................... 6 дб

/= 800 МГц для ГТ346Б................... 8 дБ
/= 200 МГц для ГТ346В................ 7 дБ

Коэффициент усиления по мощности при
С/КБ = 10 В, = 2 мА, Л= 800 МГц, не менее 10,5 дБ
Оптимальный ток эмиттера, соответствующий
Ку р = Ку Р МАКС при = 10 В, 800 МГц
для ГТ346А, ГТ346В...................... 1,6...3,2 мА

Глубина регулирования коэффициента усиле-
ния по мощности при 6/КБ = 10 В, /э = 2...8 мА,
Г= 800 МГц для ГТ346А, ГТ346В, не менее. 34 дБ

Коэффициент обратного усиления по мощно-
сти при = 10 В, /э = 2 мА, Г= 800 МГц,
не менее:

ГТ346А............................... 20 дБ

ГТ346В............................... 12 дБ

Обратный ток коллектора при С/КБ = 20 В,
не более:

Т = +25 ’С........................... 10 мкА

Т=+55 °С............................. 100 мкА

Обратный ток эмиттера при С/ЭБ = 0,3 В,
не более................................ 100 мкА

Емкость коллекторного перехода
при 6/кб = 5 В, не более................ 1,3 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 20 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:

при /?БЭ = 0......................... 15 В

при /?бэ = 5 кОм..................... 20 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 0,3 В

Постоянный ток коллектора............... 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора.................................... 50 мВт

Температура р-п перехода................ +85 °С

Температура окружающей среды............ —45...+55 “С

Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 1,5 мм
от корпуса с радиусом закругления не менее 1,5 мм. Растяги-
вающая выводы сила не должна превышать 2,5 Н (0,25 кгс).

Минимальное расстояние от места пайки вывода до корпу-
са 2 мм при температуре пайки не выше +260 °С и длительно-
сти не более 2 с. Температура корпуса при пайке не должна
превышать +235 °С.
410
Зависимость граничной
частоть. от тока эмит-
тера

Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера

Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от напря-
жения коллектор—база

Зависимость коэффи-
циента усиления от то-
ка эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента усиления от то-
ка эмиттера

КТ347А, КТ347Б, КТ347В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
Усилителях высокой частоты и импульсных устройствах. Вы
пускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г- Рига.
КТЛ7(А-В;



Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 0,3 В, /э = 10 мА:

Т = +25 ’С, не менее:

КТ347А, КТ347Б..................... 30...400

КТ347В............................. 50...400

Т= -40 ’С:

КТ347А, КТ347Б..................... 9...600

КТ347В............................. 15...600

Т = +85 ’С:

КТ347А, КТ347Б..................... 15...1000

КТ347В............................. 25... 1000

Граничная частота коэффициента передачи
тока при С/КБ = 5 В, /э = 10 мА, не менее. 500 МГц

Время рассасывания при /к = 10 мА,
/Б1 = 4г = 1 МА, не более:

КТ347А, КТ347Б........................ 25 нс

КТ347В................................ 40 нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, 4=1 мА, не более.......... 0,3 В

Обратный ток коллектора при С/КБ = С/КБ МАКС,
не более:

Т = +25 ’С............................ 1 мкА

Т= +85 ’С............................. 20 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при С/кэ = МАКС, /?БЭ = 10 кОм, не более.. 5 мкА

Обратный ток эмиттера при иэь = 4 В,
не более.................................. 10 мкА

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 5 В, не более ................. 6 пФ
емкость эмиттерного перехода при 1/х = О,
не более................................ 8 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянные напряжения коллектор—база,

коллектор—эмиттер при 7?^ = 10 кОм:
КТ347А............................... 15 В

КТ347Б............................... 9 В

КТ347В............................... 6 В

Постоянное напряжение база—эмиттер...... 4 В

Постоянный ток	коллектора............... 50 мА

Импульсный ток	коллектора............... 110 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора’:

при 74* +55 ’С....................... 150 мВт

при Т = +85 ’С....................... 130 мВт

Температура р-п перехода................ +150 ’С

Температура окружающей среды............ —40...+85 ’С

В диапазоне температур +55...+85 *С допустимое значение рассеиваемой
мощности снижается линейно.

КТ349А, КТ349Б, КТ349В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилителях сигналов высокой частоты и переключающих устрой-
ствах. Выпускаются в металлостеклянном и в пластмассовых
корпусах с гибкими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.

КТ349(А-В)
КТУ.91А-В)

Вариант 2

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 1 В, /э = 10 мА:
Т= +25 ’С:

КТ349А............................. 20...80

КТ349Б............................. 40... 160

КТ349В........................... 120...300

Т = —40 ’С, не менее:
КТ349А............................. 10

КТ349Б............................. 20

КТ349В............................. 60

Т= +85 ’С.
КТ349А................................ 18...160

КТ349Б............................. 36...320

КТ349В........................... 108...600

Граничная частота коэффициента передачи
тока при С/КБ = 5 В, /э = 10 мА, не менее. 300 МГц

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 = 1 мА, не более........ 0,3 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б=1 мА, не более......... 1,2 В

Обратный ток коллектора при С/КБ = 10 В,
не более:

Г =+25’С.............................. 1 мкА

Г =+85'С.............................. 6 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при С4э = 15 В, /?БЭ < 10 кОм, не более... 1,5 мкА
Обратный ток эмиттера при иэБ = 4 В,
не более.................................. 1	мкА

Емкость коллекторного перехода
при 4/кб = 5 В, не более.................. 6	пФ

Емкость эмиттерного перехода при б/ЭБ = О,
не более.................................. 8	пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база....

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?6э Ю кОм..........................

Постоянное напряжение база—эмиттер......

Импульсный ток коллектора при < 1 мс....

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т < +30 °С.....................'.

при Т = +85 °С.......................

Тепловое сопротивление переход—среда....

Температура р-п перехода................

Температура окружающей среды............

20 В

15 В

4 В

40 мА

200 мВт

108 мВт
0,6 °С/мВт
+150 °С

-40...+85 °С

2Т360А-1, 2Т360Б—1, 2Т360В-1,
КТ360А-1, КТ360Б-1, КТ360В-1

Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры р-п-р пере-
ключательные. Предназна-
чены для применения в уси-
лителях и переключающих
устройствах герметизиро-
ванной аппаратуры. Бес-
корпусные с гибкими выво-
дами и защитным покрыти-
ем. Тип прибора указывает-
ся в этикетке.

Масса транзистора не
более 0,05 г.

Изготовитель — завод
полупроводниковых прибо
Ров, г. Рига.

2Т160(А-1 - В-1). К13601 А-1 - В-Ъ

Компацнд
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при = 2 В, /э = 10 мА:

Т= +25 ’С:
2Т360А-1............................ 25...70

КТ360А-1......................... 20...70

2Т360Б-1, КТ360Б-1 .............. 40... 120

2Т360В-1, КТ360В-1 .............. 80...240

Т= -60 ’С для 2Т360А-1, 2Т360Б-1,
2Т360В—1, не менее.................. 0,3 значения

при 7"=+25’С

Т = +85 ’С для 2Т360А-1, 2Т360Б-1,
2Т360В—1, не более.................. 2,5 значения

при Г=+25 ’С

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 2 В, 4 = 5 мА,
не менее:

2Т360А-1, КТ360А-1, КТ360В-1.......... 300 МГц

2Т360Б-1, 2Т360В-1, КТ360Б-1.......... 400 МГц

типовое значение...................... 550* МГц

Постоянная времени цепи обратной связи

при = 2 В, 4 = 5 мА, Л= 5 МГц, не более ... 450 пс
типовое значение......................... 180* пс

Время рассасывания при 4 = 10 мА, 4= 1 мА,
не более:

2Т360А-1, КТ360А-1.................. 100* нс

2Т360Б-1, 2Т360В-1, КТ360Б-1,
КТ360В-1 ............................. 200* нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = Ю мА, 4=1 мА, не более........... 0,35 В

типовое значение...................... 0,12* В

Напряжение насыщения база—эмиттер

при 4 = 10 мА, 4=1 МА, не более.......... 1,2 В

типовое значение...................... 0,85* В

Обратный ток коллектора, не более:

Т= +25 ’С:

и№ = 25 В для 2Т360А-1, КТ360А-1 . мк
и№ = 20 В для 2Т360Б-1, 2Т360В-1,
КТ360Б-1, КТ360В-1................ 1 мкА

Т= +85 ’С:
(4б = 25 В для 2Т360А—1.............. 10 мкА

= 20 В для 2Т360Б-1, 2Т360В-1... 10 мкА
Обратный ток эмиттера, не более:
Г= +25 °С:

б/ЭБ = 5 В для 2Т360А-1, КТ360А-1 ... 0,5 мкА
= 4 В для 2Т360Б-1, 2Т360В-1,

КТ360Б-1, КТ360В-1................ 0,5 мкА

Т= +85 ’С:
иЭБ = 5 В для 2Т360А—1............... 10 мкА

иЭБ = 4 В для 2Т360Б—1, 2Т360В—1 .... 10 мкА
Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 5 В, не более................. 5 пФ

типовое	значение..................... 1,8* пФ

Емкость эмиттерного перехода при = 0,
не более................................. 7 пФ

типовое	значение..................... 2,8* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т360А-1, КТ360А-1................... 25 В

2Т360Б-1, 2Т360В-1, КТ360Б-1,
КТ360В-1............................. 20 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Ли <10 кОм:
2Т360А-1, КТ360А-1...................... 20 В

2Т360Б-1, 2Т360В-1, КТ360Б-1,
КТ360В-1............................. 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база:
2Т360А-1, КТ360А-1.................... 5 В

2Т360Б-1, 2Т360В-1, КТ360Б-1,
КТ360В-1............................. 4 В

Постоянный ток коллектора............... 20 мА

Импульсный ток коллектора при ?и < 1 мкс,
0^ 10................................... 75 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Т = +55 °С.......................... 10 мВт

при Т = +85 °С....................... 5 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 7 °С/мВт

Температура р-п перехода................ +120 °С

Температура окружающей среды:
2Т360А-1, 2Т360Б-1, 2Т360В-1 ........... -60...+85 °С

КТ360А-1, КТ360Б-1, КТ360В-1 ........ 45...+85 "С
2Т363А, 2Т363Б, КТ363А, КТ363Б, КТ363АМ, КТ363БМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих
устройствах. Транзисторы 2Т363А, 2Т363Б, КТ363А, КТ363Б
выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается на боковой поверхности корпу-
са. Транзисторы КТ363АМ, КТ363БМ выпускаются в пластмас-
совом корпусе с гибкими выводами. На корпусе наносится
условная маркировка — две цветные точки: КТ363АМ — две
розовые; КТ363БМ — розовая и желтая.

Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более
0,5 г, в пластмассовом не более 0,3 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.

2Т565(А.Б). КШ(А.Б)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, /э = 5 мА:
т = +25 *С:
2Т363А................................... 20... 120

КТ363А, КТ363АМ....................... 20...70

2Т363Б, КТ363Б, КТ363БМ............... 40...120

Т= —60 °С для 2Т363А, 2Т363Б............. От 0,3 значе-

ния при Т =
=+25°Сдо130

Т= -40 °С:
КТ363А, КТ363АМ.......................... От 0,3 значе-

ния при Т =
= +25 °С до 85

КТ363Б, КТ363БМ....................... От 0,3 значе-

ния при Т =
= +25 "С до 150

Т = +85 °С'
КТ363А, КТ363АМ.......................... От 15 до 2,5

значений при
Т= +25 °С
КТ363Б, КТ363БМ....................... От 30 до 2,5

значений при
7= +25 °С

Т= +125 °С:
2Т363А................................... От 15 до 2,5

значений при
7 = +25 °С
2Т363Б................................ От 30 до 2,5

значений при
Т = +25 °С
Граничная частота коэффициента передачи
тока при С/КБ = 5 В, /э = 5 мА:

2Т363А................................... 1,0...1,8*...

2,5* ГГц
КТ363А, КТ363АМ.......................... 1,2...1,8*...

2,5* ГГц
2Т363Б, КТ363Б, КТ363БМ.................. 1,5...2,3*...

3,5* ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи
при С/КБ = 5 В, /э = 5 мА, Г= 30 МГц:

2Т363А, КТ363А, КТ363АМ.................. 15*...25*...

50 пс

2Т363Б, КТ363Б, КТ363БМ.................. 15*...ЗО*...

75 пс

Время рассасывания при /к = 10 мА:

4 = 1 мА для 2Т363А, КТ363А, КТ363АМ .. 2,5*...4,5*...
10 нс
4 = 0,5 мА для 2Т363Б, КТ363Б, КТ363БМ 2,5*...4*...5 щ
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = Ю мА, 4=1 мА..................... 0,15*...0,2*.

0,35 В
Напряжение насыщения база—эмиттер

при 4 = 10 мА, 4 = 1 мА.................. 0,6*...0,8*...

1,1 В
Обратный ток коллектора при (4б = 15 В,
не более:

Г=+25’С............................... 0,5 мкА

Т = +85 ’С............................ 10 мкА

Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более:
Т = +25 ’С............................... 0,5 мкА

Т= +85 ’С............................. 10 мкА

Емкость коллекторного перехода
при (4б = 5 В............................ 0,5*... 1,5*...

2 пФ

Емюсть эмиттерного перехода при С/ЭБ = 0. 0,5*...0,8*...

2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база..... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:
при /?бэ < 1 кОм для 2Т363А, КТ363А,
КТ363АМ............................... 15 В

2Т363Б, КТ363Б, КТ363БМ............... 12 В

при /?ю < 10 кОм....................... 10	В .

Постоянное напряжение	эмиттер—база....... 4	В

Постоянный ток коллектора................. 30	мА

Импульсный ток коллектора при 4^1 мкс,
02 2..................................... 50	мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Т < +45 °С........................... 150 мВт

при Т= +85 ’С для КТ363А, КТ363АМ,
КТ363Б, КТ363БМ....................... 93 мВт

при Т= +125 ’С для 2Т363А, 2Т363Б..... 36 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора 2Т363А, 2Т363Б...................... 1,5 Рк МАКС

Тепловое сопротивление переход—среда..... 0,7 °С/мВт

Температура р-п перехода................. +150 ’С

Температура окружающей среды:
2Т363А, 2Т363Б........................... -60...+125 ’С

КТ363А, КТ363АМ, КТ363Б, КТ363БМ...... -40...+85 ’С
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор—
база

Зависимость статиче-
ского коэффициента
средами тока от то-
ка эмиттера

Компаунд

2Т370А9, 2Т370Б9, 2Т370А-1, 2Т370Б-1,
КТ370А-1, КТ370Б-1, КТ370А9, КТ370Б9

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры п-р-п универсальные. Предназначены для применения в
усилителях высокой и сверхвысокой частоты, а также переклю-
чающих устройствах в составе гибридных интегральных микро-
схем. Транзисторы 2Т370А-1, 2Т370Б-1, КТ370А-1, КТ37ОБ-
1 бескорпусные без кристаллодержателя с гибкими выводами и
защитным покрытием. Вы-
пускаются в сопроводитель-
ной таре. Тип прибора ука-
зывается на основании ин-
дивидуальной тары. Транзи-
сторы 2Т370А9, 2Т37ОБ9,
КТ370А9, КТ370Б9 выпуска-
ются в пластмассовом кор-
пусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в
этикетке.

Масса бескорпусного
транзистора не более
0,005 г, в пластмассовом
корпусе не более 0,1 г.

Изготовитель — завод
полупроводниковых прибо-
ров, г. Рига.
21570(А9. Б9, КТНи'.Ау с97

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при Т/КБ = 5 В, /э = 3 мА:

Т = +25 °С:
2Т370А9, 2Т370А—1, КТ37ОА-1,
КТ370А9................................ 20...70

2Т370Б9, 2Т370Б-1, КТ37ОБ-1,
КТ370Б9............................. 40... 120

2Т370А9, 2Т370А-1, КТ37ОА-1,
КТ370А9............................. От 0,3 значе-

ния при Т -

= +25 °С до 75

2Т370Б9, 2Т370Б-1, КТ37ОБ-1,
КТ370Б9............................. От 0,3 значе-

ния при Т =

= +25 °Сдо 130

Т = +85 °С, не более................ 2,5 значений

при Г=+25’С

Граничная частота коэффициента передачи

тока в схеме ОЭ при Т/КБ = 5 В, /э = 3 мА:

2Т370А9, 2Т370А-1, КТ37ОА-1, КТ370А9 1...1.5*...

2,5* ГГц

2Т370Б9, 2Т370Б-1, К137СБ-1, КТ370Б9 . 1,2...1,7*...

2,7* ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при 6/КБ = 5 В, /э = 3 мА,
/ = 30 МГц:

2Т370А9, 2Т370А-1, КТ370А-1, КТ370А9 15*...25*.„

50 пс
2Т370Б9, 2Т370Б-1, КТ370Б-1, КТ370Б9 . 15*...35*„.

75 пс

Время рассасывания при /к = 10 мА,
/ = 1 мА................................. 2,5х...5*...

10 нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = Ю мА, /Б = 1 мА................. 0,1э...0,2...

0,35 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 мА, /Б = 1 мА................ 0,6...0,8. .1,1 В

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 15 В,
не более:

Т= +25 °С............................. 0,5 мкА

Т = +85 °С............................ 10 мкА

Обратный ток эмиттера при 1/эъ = 4 В,
не более:

Т = +25 ’С............................ 0,5 мкА

Г=+85 °С.............................. 10 мкА

Емкость коллекторного перехода
при Ц,ь = 5 В............................ 0,5*...1,5*...

2 пФ

Емкость эмиттерного перехода при = 0..... 0,5*...0,8*...

2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база..... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер:

при /?БЭ = 1 кОм:
2Т370А9, 2Т370А-1, КТ370А-1,
КТ370А9.............................. 15	В

2Т370Б9, 2Т370Б-1, КТ370Б-1,
КТ370Б9........................... 12	В

при /?ьэ = 10 кОм..................... 10	В

Постоянное напряжение эмиттер—база....... 4	В

Постоянный ток коллектора':
при Т - +50 °С........................... 15 мА

при Т - +85 °С........................ 10 мА

1 Максимально допустимый постоянный ток коллектора уменьшается ли-
нейно
Импульсный ток коллектора при = 1 мкс,
0 = 20.................................. 30	мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

при Т = +50 °С:
2Т370А-1, 2Т370Б-1, КТ37ОА-1,
КТ370Б-1............................. 15 мВт

2Т370А9, 2Т370Б9, КТ370А9, КТ370Б9 30 мВт

при Т = +85 ’С:
2Т370А-1, 2Т370Б-1, КТ370А-1,
КТ370Б-1............................. 8 мВт

2Т370А9, 2Т370Б9, КТ370А9, КТ370Б9 16 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора при 4, = 1 мкс, 0= 20 для 2Т370А—1,
2Т370Б-1:

при Т = +50 ’С........................ 30 мВт

при Т = +85 °С........................ 16 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда:
2Т370А-1, 2Т370Б-1, КТ370А-1,
КТ370Б-1................................. 5 ’С/мВт

2Т370А9, 2Т370Б9, КТ370А9, КТ370Б9.... 2,5 ’С/мВт

Температура р-п перехода................. +125 ’С

Температура окружающей среды:

2Т37ОА-1, 2Т370Б-1, 2Т370А9, 2Т370Б9 . -60...+85 ’С

КТ37ОА-1, КТ370Б-1, КТ370А9, КТ370Б9 -45...+85 ’С

1 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
уменьшается линейно.

1Т376А, ГТ376А

Транзисторы германиевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные с нормированным коэффициентом
шума на частоте 180 МГц. Предназначены для применения во
входных и последующих каскадах усилителей высокой часто-
ты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы-
водами. Тип прибора указывается на боковой поверхности
корпуса.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Планета», г. Новгород.
1ТГ6/^

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при Е/КБ = 5 В, /э = 2 мА:

7 =+20’С............................ 10... 150

7 = -60 ’С.......................... От 0,3 до 1

значения при
7 = +25 ’С

7= +85 ’С........................... От 0,8 до 3

значений при
7= +25 ’С

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при <УКБ = 5 ВД = 2 мА,
не менее............................... 1 ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи при
и№ = 5 В, /э = 2 мА, 1- 100 МГц, не более:

1Т376А..............................10 пс

ГТ376А..............................15 пс

Коэффициент шума при 7/К6 = 5 В, = 1 мА,
/?г = 50 Ом, 7= 180 МГц, не более:

для 100% транзисторов...............3,5 дБ

для 95% транзисторов 1Т376А.........3 дБ

для 25% транзисторов 1Т376А.........2 дБ

Граничное напряжение при 4 - 2 мА,
не менее...............................7 В

Обратный ток коллектора при С/КБ = 7 В,
не более:

7= +20 ’С...........................5 мкА

7= +85 ’С...........................300 мкА

Обратный ток эмиттера при иж = 0,25 В,
не более...............................100 мкА

Емкость коллекторного перехода
пРи С/КБ = 5 В, не более...............1,2 пФ
Емкость эмиттерного перехода
при = 0,15 В для 1Т376А, не более.........5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база...7 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /Рьэ С 3 кОм.......................7 В

Постоянное напряжение эмиттер—база.....0,25 В

Постоянный ток коллектора..............10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора ..................................35 мВт

Температура окружающей среды...........—60...+85 °С

Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор—база

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера

Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от напря-
жения коллектор—база

Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от темпе-
ратуры
1Т386А

Транзистор германиевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р усилительный с нормированным коэффициентом
шума на частоте 180 МГц. Предназначен для применения в '
усилителях высокой частоты, смесителях, гетеродинах, в том
числе для схем с автоматической регулировкой усиления. Вы
пускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.

II586 А

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, /э = 3 мА:

Т = +20 ’С............................. 10... 100

Г= -60 ’С............................. От 0,3 до 1

значения при
Т = +20 ’С

Г=+70’С............................... От 0,8 до 2,5

значения при
Т = +20 ’С

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ:

при 6/КБ = 10 В, /э = 20 мА, не менее. 450 МГц

при 1/къ = 2 В, /э = 10 мА, не более.. 90 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при

= 10 В, /э = 2 мА, /= 100 МГц, не более .. 10 пс
Коэффициент шума при Т/КБ = 10 В, /э = 1 мА,
7?г = 50 Ом, /= 180 МГц, не более........ 4 дБ

Обратный ток коллектора при 1/№ = 15 В,
не более:

Г=+20’С............................... 10 мкА
7”=+70’С........................... 150	мкА

Обратный ток эмиттера при Т = +20 ’С,
^эб = В, не более...................... 100	мкА

Емкость коллекторного перехода
при 7/кв = 5 В, не более............... 1,5	пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 15 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при = 3 кОм............................. 15 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 0,3 В

Постоянный ток коллектора............... 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора ................................... 40 мВт

Температура р-п перехода................ +85 ’С

Температура окружающей среды............ —60...+70 ’С

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера

Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор—база

Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера

Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от напря-
жения коллектор—база

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от напря-
жения коллектор—база
2Т389А-2, КТ389А-2

Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры р-п-р уни-
версальные. Предназначе-
ны для применения в уси-
лителях высокой частоты,
в импульсных переключа-
ющих устройствах герме-
тизированной аппаратуры.
Бескорпусные на кристал-
лодержателе с гибкими вы-
водами и защитным по-
крытием. Выпускаются в
сопроводительной таре с
возможностью измерения

КТИ9А-2 КП89А-2

База Коллектор Зниттер

параметров без извлечения транзисторов из тары. Тип прибора
указывается на сопроводительной таре.

Масса транзистора не более 0,02 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при <УКБ = 1 В, 4 = 200 мА:
Т- +25 ’С..............................

Г= +125 ’С для 2Т389А-2..............

Т= -60 ’С для 2Т389А-2...............

Граничная частота коэффициента передачи
тока при 64э = 5 В, 4 = 30 мА, не менее.

Постоянная времени цепи обратной связи
при </КБ = 10 В, 4 = 30 мА, 1-30 МГц....

Время рассасывания при 4 ~ 200 мА,

4, = 4з = 20 мА, не более...............

Время включения при 4 = 200 мА, 4 = 20 мА

Время выключения при 4 = 200 мА, 4 = 20 мА

Граничное напряжение при 4 = 10 мА,
не менее................................

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = 200 мА, 4 = 20 мА, не более.....

25...100

25...200

10...100

450 МГц

60*...90*...
180* пс

25 нс
15*. ..25*...

35* нс
1О*...4О*...

60* нс

25 В

0,6 В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 200 мА, /Б = 20 мА, не более.. 1,2 В

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 25 В,
не более:

Г= +25”С........................... 1 мкА

Т=+125°С........................... 10 мкА

Обратный ток коллектор—эмиттер
при = 25 В, /?ю = 1 кОм, не более...... 1 мкА

Обратный ток эмиттера при Уэь = 4,5 В,
не более............................... 1 мкА

Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 10 В, не более.............. 10 пФ

Емкость эмиттерного перехода

при иэв = 0,5 В, не более.............. 25 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база..... 25 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при Ащ = 1 кОм........................... 25 В

Постоянное напряжение эмиттер—база....... 4,5 В

Постоянный ток коллектора................ 300 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора при /?т(п-с> =183 °С/Вт:

Тк « +85 °С.......................... 0,3 Вт

Гк =+125 °С.......................... 0,055 Вт

Температура р-п перехода................. +135 °С

Температура окружающей среды............. —60...+ 125 ’С

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от то-
ка эмиттера

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор—
база

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока кол-
лектора

Зависимость граничной
частоты от тока кол-
лектора

Зависимость граничной
частоты от напряжения
коллектор—эмиттер

2Т392А-2, КТ392А-2

Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные структуры р-п-р усили-
тельные с нормированным
коэффициентом шума. Пред-
назначены для применения в
усилителях высокой частоты.
Бескорпусные на диэлектри-
ческой подложке с гибкими
выводами и защитным по-
крытием. Выпускаются в со-
проводительной таре. Тип
прибора указывается в эти-
кетке.

Масса транзистора не
более 0,02 г.

Изготовитель — завод
г. Рига.

КТ192А-2

полупроводниковых приборов,

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, /э = 2,5 мА:
Г=+25 °С................................. 40...78*...180

Г= —60 °С для 2Т392А—2, не менее...... 0,3 значения

при 7"=+25°С

7" = +85 °С для 2Т392А—2, не более.... 2 значения

при Г=+25 °С
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, /э = 2,5 мА:

2Т392А-2 ........................... 300...450*...

500* МГц

КТ392А—2, не менее.................. 500 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при 6/КБ = 5 В, /э = 2,5 мА, /= 300 МГц:

2Т392А-2 ........................... 20*...55*..

120 пс

КТ392А—2, не более.................. 80 пс

Коэффициент шума при 6/КБ = 5 В, /э = 2,5 мА,
/= 100 МГц, Иг = 75 Ом.................. 4,3*...4,8* дБ

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 40 В,
не более:

Т= +25 °С........................... 0,5 мкА

Т= +85 °С для 2Т392А—2.............. 5 мкА

Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 4 В,
не более:

Г = +25 °С.......................... 0,5 мкА

Т = +85 °С для 2Т392А—2............. 5 мкА

Емкость коллекторного перехода
при икъ = 5 В........................... 0,82*...1,12*.

2,5 пФ

Емкость эмиттерного перехода:

при иэъ = 1 В для 2Т392А-2.......... 0,89*...1,45*.

5 пФ

при = 0 для КТ392А—2, не более...... 3,5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 40 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ С 10 кОм....................... 40 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Постоянный ток коллектора................. 10	мА

Импульсный ток коллектора при Ги С 10 мкс,
0^2..................................... 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность
коллектора в условной микросхеме
при /?Т(п-с)	450 °С/Вт:

ГС+65 °С............................ 120 мВт

Г = +85 °С.......................... 88 мВт

Тепловое сопротивление переход—кристалло-
держатель............................... 100 °С/Вт

Температура р-п перехода................ +125 °С
температура окружающей среды:
2Т392А-2...............................

КТ392А-2............................

—60...+85 “С

-40...+85 “С

Зависимость статического коэффициента

передачи тока от напряжения коллектор—
база



Кв./Б

Брз/Бпз

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от напря-
жения коллектор—база

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

КТ3109А, КТ3109Б, КТ3109В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные с нормированным коэффициентом
шума на частоте 800 МГц. Предназначены для применения в
селекторах телевизионных каналов метрового и дециметрово-
го диапазонов длин волн. Выпускаются в пластмассовом кор-
пусе с гибкими полосковыми выводами. На корпусе у вывода
базы наносится условная маркировка — две цветные точки:
КТ3109А — белая и розовая; КТ3109Б — белая и желтая;
КТ3109В — белая и синяя.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.
КТ3109(А-8)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при //КБ = 10 В, /э = 10 мА:

Т = +25 ’С, не менее.................. 15

7"= —45’С............................. 5...240

Т= +85 ’С............................. 10...500

Граничная частота коэффициента передачи
тока при (/КБ = 10 В, 4 = Ю мА, не менее:
КТ3109А, КТ3109Б......................... 800 МГц

КТ3109В............................... 600 МГц

типовое значение...................... 1400* МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
при 6/КБ = 10 В, 4 = 10 мА, / = 30... 100 МГц,
не более:
КТ3109А.................................. 6 пс

КТ3109Б, КТ3109В........................ 10	пс

типовое значение...................... 4* пс

Коэффициент шума при 6/КБ = 10 В, /э ~ Ю мА,
/?г = 75 Ом /= 800 МГц, не более:
КТ3109А.................................. 6 дБ

КТ3109Б............................... 7 дБ

КТ3109В............................... 8 дБ

типовое значение...................... 7* дБ
Коэффициент усиления по мощности
при 6/КБ = Ю В, /, = 10 мА, /^ = 2 кОм,
(= 800 МГц, не менее:

КТ3109А............................. 15 дБ

КТ3109Б, КТ3109В.................... 13 дБ

типовое значение.................... 18* дБ

Коэффициент обратного усиления по мощно-
сти при икъ = 10 В, /э = 10 мА, / = 800 МГц,
не более:

КТ3109А............................. —7 дБ

КТ3109Б............................. -ЗдБ

КТ3109В............................. -1 дБ

типовое значение.................... —5* дБ

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 20 В,
не более:

Т= +25 °С........................... 0,1 мкА

Г=+85 °С............................ 10 мкА

Обратный ток эмиттера при иэь = 2 В,
не более:

Т = +25 "С.......................... 10 мкА

Г = +85 °С.......................... 100 мкА

Емкость коллекторного перехода
при 1/кб = 10 В, не более.............. 1 пФ

типовое значение.................... 0,8* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ3109А............................. 30 В

КТ3109Б, КТ3109В.................... 25 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при /?БЭ С 100 кОм:
КТ3109А............................. 25 В

КТ3109Б, КТ3109В.................... 20 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В

Постоянный ток коллектора.............. 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:

при Т С +40 °С...................... 170 мВт

при Т = +85 °С...................... 100 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда... 0,65 ’С/мВт

Температура р-п перехода............... +150 °С

Температура окружающей среды........... —45...+85 °С
2Т3123А—2, 2Т3123Б—2, 2Т3123В-2,
КТ3123А-2, КТ3123Б—2, КТ3123В-2,
КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р усилительные с нормированным коэффициентом
шума. Предназначены для применения в усилителях и импульс-
ных устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпус-
ные. Транзисторы 2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2,
КТ3123А—2, КТ3123Б—2, КТ3123В—2 выпускаются на керами-
ческом держателе; КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ — в ме-
таллокерамическом корпусе.

Масса транзисторов 2Т3123А—2, 2Т3123Б—2, 2Т3123В—2,
КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2 не более 0,1 г; КТ3123АМ,
КТ3123БМ, КТ3123ВМ не более 0,3 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.

27/Л64 2 - В 2). К1М2КА 2 - В 2)	КШ11АМ-ВМ)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/КБ = 10 В, = 10 мА:

2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2:
при Т = +125 °С, не менее......... 15

при Т = —45 °С, не менее....... 7

КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2,

КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ:
при Т = +85 ”С, не менее.......... 15
при Т = —45 ’С, не менее............. 7

Граничная частота коэффициента передачи

тока при Уцб _ Ю В, 4 _ Ю мА:

2Т3123А—2, 2Т3123Б-2, КТ3123А-2,
КТ3123Б-2, КТ3123АМ, КТ3123БМ............ 4...5*...7* ГГц

2Т3123В-2, КТ3123В-2, КТ3123ВМ........... 3...3,5*...

4* ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи на

высокой частоте при 1/КБ = 10 В, 4 = Ю мА.... 5*...7*...10* пс

Коэффициент шума при 6/КБ = 10 В, = 3 мА,
Г= 1 ГГц, Л}- — опт’

2Т3123А-2, 2Т3123В-2, КТ3123А-2,

КТ3123В-2, КТ3123АМ, КТ3123ВМ............ 2*...2,4*...3 дБ

2Т3123Б-2, КТ3123Б-2, КТ3123БМ........... 2,5*...3*...4 дБ

Коэффициент усиления по мощности при

ик5 = 10 В, /к = 3 мА, /?г = /?ш опт, /= 1 ГГц.... 5*...10*...13*
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер

при /к = 10 мА, /Б = 1 мА................... 0,15*...0,3*...

0,6* В
Напряжение насыщения база—эмиттер

при 4 = 10 мА, /Б = 1 мА.................... 0,7*...0,8*...

1* В

Обратный ток коллектора при 1/КБ = 15 В
для 2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, КТ3123А-2,
КТ3123Б-2, КТ3123АМ, КТ3123БМ, УКБ = 10 В
для 2Т3123В-2, КТ3123В-2, КТ3123ВМ,
не более.................................... 25 мкА

Обратный ток эмиттера при 1/ЗБ = 3 В,
не более.................................... 25 мкА

Емкость коллекторного перехода

при Укь = 10 В:

2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2,
КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2........ 0,5*...0,65*...

1 пФ
КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ............. 0,6*...0,9*...

1,2 пФ
Емкость эмиттерного перехода при 1УХ = 0,5 В 0,8*... 1*...

1,5* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
2Т3123А—2, 2Т3123Б—2, КТ3123А-2,
КТ3123Б-2, КТ3123АМ, КТ3123БМ............... 15 В

2Т3123В-2, КТ3123В-2, КТ3123ВМ........... 10 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при /?БЭ = 10 кОм:
2Т3123А—2, 2Т3123Б-2, КТ3123А-2,
КТ3123Б—2, КТ3123АМ, КТ3123БМ........ 12 В

2Т3123В-2, КТ3123В-2, КТ3123ВМ....... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В

Постоянный ток коллектора............... 30 мА

Импульсный ток коллектора при Ги С 10 мкс,
□ 5* 2.................................. 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора'................................... 150 мВт

Температура окружающей среды:
2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2......... -60...+ 125 °С

КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2,
КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ......... -Д5...+85 °С

При Т > 25 "С Ри ндкс снижается линейно на 1 мВт/"С.

Изгиб выводов для транзисторов 2Т3123А—2, 2Т3123Б—2,
2Т3123В—2 допускается не ближе 1 мм от корпуса, КТ3123А—2,
КТ3123Б-2, КТ3123В-2 — не ближе 0,5 мм и КТ3123АМ,
КТ3123БМ, КТ3123ВМ — не ближе 3 мм. Кручение выводов не
допускается.

Пайка выводов допускается не ближе 1,5 мм от корпуса
транзистора при температуре не выше +200 °С в течение вре-
мени не более 3 с.

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от напря-
жения коллектор—
эмиттер

Зависимость коэффи-
циента шума от частоты
Зависимость модуля
коэффициента переда-
чи тока от тока кол-
лектора

Зависимость модуля
коэффициента переда-
чи тока от тока кол-
лектора

Зависимость модуля
коэффициента переда-
чи тока от напряжения
коллектор—база

КТ3126А, КТ3126Б, КТ3126А9

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п~р усилительные с ненормированным коэффициентом
шума. Предназначены для применения в генераторах, усилите-
лях, преобразователях. Транзисторы КТ3126А, КТ3126Б вы-
пускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Мар-
кируются условным кодом — квадратом на плоской части
боковой поверкности корпуса, на транзисторах КТ3126Б до-
полнительно наносится точка на торце корпуса. Транзистор
КТ3126А9 выпускается в миниатюрном пластмассовом корпу-
се с жесткими выводами. Тип прибора указывается на эти-
кетке.

Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,3 г,
в миниатюрном пластмассовом корпусе не более 0,1 г.

Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.

КТЛ26(А. Б)
ГТММА9

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 1/КБ = 5 В, /э = 3 мА:

КТ3126А, КТ3126А9.................... 25...100

КТ3126Б.............................. 60...180

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, = 5 мА,
не менее:

КТ3126А, КТ3126Б..................... 500 МГц

КТ3126А9............................. 450 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при икъ = 5 В, 4 = 1 мА,
/= 100 МГц, не более..................... 15 пс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 ~ 1 МА, не более....... 1,2 В

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 15 В,
не более................................. 1 мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме
малого сигнала при (/КБ = 5 В, /э = 1 мА,
/= 0.01...1 кГц, не более................ 34* Ом

Выходная проводимость в схеме ОБ в режиме
малого сигнала при 6/КБ = 5 В, /э = 1 мА,
/= 0,01...1 кГц, не более................ 1* мкСм

Емкость коллекторного перехода
при (УКБ = 10 В, не более................ 2,5 пФ

Емкость эмиттерного перехода при 1/КБ = 10 В,
не более................................. 2,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:
КТ3126А, КТ3126Б..................... 20 В

КТ3126А9............................. 35 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер

при /?бэ = 10 кОм:

КТ3126А, КТ3126Б....................... 20	В

КТ3126А9............................. 35 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В

Постоянный ток коллектора:

КТ3126А, КТ3126Б..................... 20 мА

КТ3126А9............................. 30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора':

при Г = —45...+25 °С:
КТ3126А, КТ3126Б.................... 150 мВт

КТ3126А9......................... 110 мВт

при Г +85 °С:
КТ3126А, КТ3126Б.................... 85 мВт

КТ3126А9......................... 72 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда:
КТ3126А, КТ3126Б........................ 0,77 °С/мВт

КТ3126А9............................. 0,9 °С/мВт

Температура р-п перехода................ +150 °С

Температура окружающей среды............ —45...+85 ”С

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
в указанном интервале температур уменьшается линейно.

Зависимости электрических параметров от тока для
КТ3126А9 аналогичны зависимостям КТ3126А.

Зависимость статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора

КТ3127А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р усилительный с нормированным коэффициентом
шума на частоте 100 МГц. Предназначен для применения в
усилителях высокой частоты. Выпускается в металлостеклян-
ном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.

Масса транзистора не более 0,4 г.

Изготовитель — завод «Транзистор», г. Минск.

КТ3127А

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при = 5 В, /э = 3 мА:
Г =+25 °С................................ 10... 150

7"=-45'С............................. 5...15О

7=+85 °С............................. 8...180
Граничная частота коэффициента передачи

тока при 1/кб = 10 В, /э = 4 мА, не менее. 600 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при

= 10 В, /э = 4 мА, /= 100 МГц, не более .. 10 пс
Коэффициент шума при 1/КБ = 5 В, 4 = 5 мА,
/= 100 МГц, не более...................... 5 дБ

Обратный ток коллектора при 1/кь = 15 В,
не более:

Т = +25 и —45 °С....................... 1 мкА

Т=+85 °С............................... 10 мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ при

УКБ = 5 В, /э = 1 мА, /= 0,05... 1 кГц, не более 34* Ом
Емкость коллекторного перехода

при 1/кь = 10 В, не более................. 1 пФ

Емкость эмиттерного перехода при иэь = 2 В,
не более.................................. 1,5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 20 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?5э	10 кОм........................ 20 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 3 В

Постоянный ток коллектора.............. 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора:
при Г +35 °С........................... 100 мВт

при Т = +85 °С...................... 56 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда... 1,15 ’С/мВт

Температура р-п перехода............... +150 °С

Температура окружающей среды........... —45...+85 °С

Зависимость статиче-	Зависимость постоям-	Зависимость постоян-

ского коэффициента	ного напряжения кол-	ной времени цепи об-

пеРедачи тока от тока	лектор—эмиттер от со- ратной связи от тока

эмиттера	противления эмиттер—	эмиттера

база
КТ3128А, КТ3128А9

КТ3128А

Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар.
ные структуры р-п-р у си-
лительные с ненормиро-
ванным коэффициентом
шума. Предназначены ддя
применения в селекторах
телевизионных каналов с
автоматической регулиров-
кой усиления. Транзистор
КТ3128А выпускается в
металлостеклянном кор-
пусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается
на корпусе. Транзистор
КТ3128А9 выпускается в
пластмассовом корпусе с
жесткими выводами. Тип
прибора указывается в эти-
кетке.

Масса транзистора в
металлостеклянном корпу-
се не более 0,4 г, в пласт-
массовом корпусе не бо-
лее 0,1 г.

Изготовитель — завод
«Транзистор», г. Минск.
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /э = 3 мА......... 10... 150

граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, 4, = 4 мА,
не менее:

КТ3128А.............................. 800 МГц

КТ3128А9............................. 650 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при ЦБ = 10 В, /э = 4 мА,
/ = 100 МГц, не более................... 5 пс

Коэффициент усиления по мощности при

= 10 В, = 4 мА, 4 = 200 МГц, не менее .. 14 дБ
Оптимальный ток эмиттера, соответствующий

Кур = р,макс при ЦБ = 10 В, /= 200 МГц.. 3...5 мА

Глубина регулирования коэффициента усиле-
ния по мощности при 6/КБ = 10 В, /э = 4...9 мА,
/= 200 МГц, не менее.................... 20 дБ

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 15 В,
не более................................ 1 мкА

Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме
малого сигнала при 6/КБ = 5 В, /э = 1 мА,
4 = 0,05... 1 кГц, не более............. 34* Ом

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база:

КТ3128А.............................. 20 В

КТ3128А9............................. 35 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 кОм:

КТ3128А.............................. 20 В

КТ3128А9............................. 35 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В

Постоянный ток коллектора............... 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

при Т= -45...+35 °С:

КТ3128А...........................100 мВт

КТ3128А9..........................110 мВт

при Т= +85 “С:

КТ3128А...........................56 мВт

КТ3128А9..........................65 мВт

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
8 Указанном интервале температур уменьшается линейно.
Тепловое сопротивление переход—среда:
КТ3128А................................. 1,15 °С/мВт

КТ3128А9............................. 1 °С/мВт

Температура р-п перехода................ +150 °С

Температура окружающей среды............ —45...+85	°с

Зависимости электрических параметров от тока и напря-
женил для КТ3128А9 аналогичны зависимостям КТ3128А.

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор-
база

Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера

КТ3150Б—2

КТ3150Б-2

Транзистор кремниевой
эпитаксиально-планарный
структуры р-п-р усилитель-
ный. Предназначен для при-
менения в усилителях высо-
кой частоты. Бескорпусный
на кристаллодержателе с
защитным покрытием и гиб-
кими выводами. Тип прибо-
ра указывается в этикетке.

Масса транзистора не
более 0,02 г.

Изготовитель — завод
полупроводниковых прибо-
ров, г. Рига.
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, /, = 2,5 мА............ 60...180

Модуль коэффициента передачи тока на вы-
сокой частоте при ОКБ = 5 В, /э = 10 мА,
/=100 МГц.................................... 12...15*...17*

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер

при /к = 10 мА, 4 = 1 мА..................... 0,1*...0,14*...

0,25 В
Напряжение насыщения база—эмиттер

при /к = Ю мА, 4 = 1 мА...................... 0,8*...0,85*...

Время рассасывания при /к = 10 мА, 4 = 1 мА 16*...20*...
30* нс

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при УКБ = 5 В, 4 = 5 мА,

/= 30 МГц........................................ 4...7...30 пс

Емкость коллекторного перехода
при 6/Кб = Ю В................................... 0,5...0,75...

2 пФ

Емкость эмиттерного перехода при ОЭБ = 0  1,1...1,3...2 пФ
Обратный ток коллектора при ОКБ = 40 В........... 0,001...0,01...

0,5 мкА
Обратный ток эмиттера при 1УЭЬ = 4 В............. 0,001...0,005...

0,5 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 40 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = 10 кОм....................... 35 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Постоянный ток коллектора............... 30 мА

Импульсный ток коллектора при 7И = 10 мкс,
0=2..................................... 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’:

Т=-60...+65 °С....................... 120 мВт

Г= +85 °С............................ 88 мВт

Температура р-п перехода................ +125 °С

Тепловое сопротивление переход—среда.... 0,45 °С/мВт

Температура окружающей среды............ —60...+85 °С

При изменении температуры окружающей среды от +65 до +85 'С Рк
Уменьшается линейно.
Зависимость статического коэффици-
ента передачи гока от тока эмиттера

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора

2Т3162А, 2Т3162А-5

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные струк-
туры р-п-р универсальные. Предназначены для применения в
усилительных и переключающих устройствах ВЧ и СВЧ диапа-
зонов длин волн. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с
гибкими выводами (2Т3162А)
2Т3162А-5	и в бескорпусном оформле-

нии на пластине, кристаллы
неразделенные. Тип прибора
указывается на корпусе и в
этикетке.

Масса транзистора в кор-
пусе не более 0,5 г, бескор-
пусного — 0,0025 г.

Изготовитель — завод
полупроводниковых прибо-
ров, г. Рига.
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при — ЗВ:

при 4 ~ Ю мА:
Г=+25 °С............................ 6О...ЮО*...2ОО

Г=+125’С.......................... 42...600

Г=-60’С........................... 18...240

при /э = 50 мА........................ 25...60*...80

Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при (УКБ = 20 В, /э = 10 мА,
/= 100 МГц............................... 7...13*...16*

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = Ю мА, /Б = 1 мА................. 0,07*...0,1*...

0,25 В

Время рассасывания при /к = 10 мА, /Б = 1 мА 40*...80*...
100* нс

Постоянная времени цепи обратной связи на
высокой частоте при 6/КБ = 10 В, 4 ~ Ю мА,
Г = 30 МГц............................... 8...20...150 пс

Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 10 В.......................... 1,4*... 1,6*...

5 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Е/ЭБ = 1 В . 3*...4,5*...6 пФ
Обратный ток коллектора при 6/КБ = 60 В,
не более:

Г= +25 °С............................. 0,5 мкА

Г=+125°С.............................. 15 мкА

Обратный ток эмиттера при 1УЗЬ = 4, не более:
Г =+25 °С................................ 0,5 мкА

Г=+125°С............................... 15	мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база..... 60 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ = 5 кОм......................... 60 В

Постоянное напряжение эмиттер—база....... 4 В

Постоянный ток коллектора................ 450 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Т = —60...+25 °С............... 300 мВт

Температура окружающей среды............. —60...+125 'С

При Г > +25 ’С Р, М4КС снижается на 2 мВт/’С.

15-734

+49
/},мА

Зависимость статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера

КТ3165А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р усилительный. Предназначен для применения в уси-
лительных и переключательных устройствах. Выпускается в
пластмассовом корпусе с ленточными выводами. Тип прибора
указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

К 4165А

Электрические параметры

Коэффициент шума на 750 МГц
при ЦБ = 10 В, 4 = 3 мА, не более.... 8 дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 10 В, 4 = 3 мА,
не менее................................. 25

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при УКБ = 10 В, 4 = 3 мА,
не менее................................. 750 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при ЦБ = 10 В, /э = 3 мА,
/= 100 МГц, не более..................... 3 пс

Емкость коллекторного перехода
при (/КБ = 40 В, не более................ 0,65 пФ

Обратный ток коллектора при 6/^ = 40 В,
не более................................. 0,1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 40 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 35 В

Постоянное напряжение база—эмиттер...... 3 В

Постоянный ток коллектора............... 30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора..............к..................... 160 мВт

Температура окружающей среды............ —45...+70 ’С

КТ3169А9—1

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный струк-
туры р-п-р усилительный с нормированным коэффициентом
шума на частоте 800 МГц. Предназначен для применения во
входных и последующих каскадах малошумящих усилителей.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«П панета», г. Новгород.

Электрические параметры

Коэффициент шума на Т- 800 МГц
при М<б = Ю В, 4 = 3 мА, не более ..... 6 дБ

. 5'
КТЗ^А?-!

Коэффициент усиления по мощности
на ?= 800 МГц при 6/КБ = 10 В, /э = 3 мА,
не менее...............................

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6^ = 10 В, 4 = 3 мА, не менее
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 10 В, 4 = 3 мА,
не менее...............................

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 20 В,
не более...............................

13 дБ

25

750 МГц

100 нА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 40 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер . 35 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 3 В

Постоянный ток коллектора............... 30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора при Т = —45...+25 °С............... 200 мВт

Температура р-п перехода................ +150 °С

Температура окружающей среды............ —45...+70 °С
Раздел пестом

Транзисторные сборки п-р-п

1НТ251, 1НТ251А, 1НТ251А1, К1НТ251

Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых
эпитаксиально-планарных структуры п-р-п переключательных
транзисторов. Предназначены для применения в переключаю-
щих устройствах.

Выпускаются в металлокерамических корпусах с гибкими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса сборки не более 0,4 г.

Изготовитель — АООТ Воронежский завод полупроводни-
ковых приборов, г. Воронеж.

1НТ251, 1НТ251А. КТНТ251

!4 ВыВоОоВ 045

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при 1/кэ = 5 В, /к = 200 мА:
1НТ251, 1НТ251А, 1НТ251А1 ............... 30...150

типовое значение...................... 45*

К1НТ251, не менее..................... 10

Граничная частота коэффициента передачи

тока при = 10 В, /к = 30 мА, не менее.... 200 МГц

типовое значение...................... 450* МГц
'г I /51А'

г№

Время рассасывания при /к = 150 мА,

4=15 мА:
1НТ251, не более......................... 100 нс

типовое значение..................... 65* нс

1НТ251А, 1НТ251А1, К1НТ251, не более .. 200 нс
типовое значение...................... 120* нс

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер

при /к = 400 мА, 4 = 80 мА:
1НТ251, 1НТ251А, 1НТ251А1, не более... 1 В

типовое значение...................... 0,7* В

К1НТ251, не более..................... 2 В

Напряжение насыщения эмиттер—база
при 4 = 400 мА, 4 = 80 мА:

ЖТ251, 1НТ251А, 1НТ251А1, не более.... 1,5 В

типовое значение...................... 1,1* В

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 45 В,
не более:
Т = +25 °С............................... 6 мкА

Т= +125 °С для 1НТ251, 1НТ251А,
1НТ251А1.............................. 30 мкА

Обратный ток эмиттера при 6/КБ = 4 В,
не более................................. 10 мкА

Емкость коллекторного перехода

при 6/КБ = 10 В, не более................ 15 пФ

типовое значение...................... 8* пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = 0,
не более................................. 50 пФ

типовое значение...................... 30* пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база

и коллектор—эмиттер при	1 кОм:

К1НТ251.............................. 45 В

1НТ251, 1НТ251А, 1НТ251А1:

при 7П +100 ’С.................... 45 В

при 7П = +150 °С.................. 22 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 4 В

Импульсное напряжение эмиттер—база'
при ?и Ю мкс, 2.......................... 6 В

Импульсное напряжение коллектор—эмиттер2
при « Ю мкс, О 2 2:

К1НТ251.............................. 60 В

1НТ251, 1НТ251А, 1НТ251А1:
при 7П	« +100 ’С................. 60	В

при 7П	= +125 ’С................. 40	В

при 7П	= +150 ’С................. 30	В

Постоянный ток коллектора............... 400 мА

Импульсный ток коллектора при Ги $ 10 мкс,
0 2 100 ................................ 800 мА

Постоянная рассеиваемая мощность3 коллек-
тора (суммарная):

при Т € +60 °С....................... 0,4 Вт

при Т = +85 °С для К1НТ251........... 0,16 Вт

при 7 = +125 ’С для 1НТ251, 1НТ251А,
1НТ251А1............................. 0,1 Вт

Импульсная рассеиваемая мощность коллек-
тора 1НТ251, 1НТ251А:

при 7 $ +60 ’С....................... 10 Вт

при 7= +125 ’С....................... 2,5 Вт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 218 ’С/Вт

Температура р-п перехода:

1НТ251, 1НТ251А, 1НТ251А1 ........... +150 ’С

К1НТ251.............................. +120 ’С

Температура окружающей среды:
1НТ251, 1НТ251А......................... -60...+125	’С

К1НТ251.............................. —45...+85	’С

Допускается импульсное напряжение и до 6 В при О Э 2, ?й 10 мкс.

1 Допускается импульсное напряжение (7К6 „ и и до 60 В при ТП С +100 ’С,
40 В при Т„ = +125 ’С, 30 В при Т„ « +150 ’С при О ? 2, Ги « 10 мкс

’ При Т > +60 ’С

А макс = 0.1 +(125- П/218, Вт

Расстояние от корпуса до места пайки (по длине вывода)
не менее 1 мм. Радиус изгиба выводов должен быть не менее
0,3 мм, расстояние от корпуса до центра окружности изгиба
не менее 1 мм.

При монтаже на плату необходимо учитывать, что корпус
сборки имеет металлическое дно и металлическую крышку и
ни один из выводов не имеет соединения с дном и крышкой
корпуса. Выводы 1 и 8 свободные.

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор—
эмиттер

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
коллектора

Зависимость модуля
коэффициента переда
чи тока от частоты

Зависимость напряже-
ния насыщения база—
эмиттер от тока кол-
лектора

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора
Зависимость макси-
мально допустимого
постоянного напряже-
ния коллектор—эмит-
тер от сопротивления
база—эмиттер

Зависимость емкости
эмиттерного перехода
от напряжения эмит-
тер—база

Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база

2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т381В-1, 2Т381Г-1, 2Т381Д-1

Парные транзисторы, со-
стоящие из двух кремниевых
эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п транзисторов
с раздельными выводами.
Транзистор 2Т381Г—1 оди-
ночный. Бескорпусные без
кристаллодержателя с гиб-
кими выводами и защитным
покрытием. Поставляются в
сопроводительной таре, по-
зволяющей производить из-
мерение электрических пара-
метров без извлечения из нее
транзисторов. Тип прибора
указывается в этикетке.

2Ш(А-1 - Д-1)

11

7=^4-
; ।

База Зпиттер Коллектор

Масса каждого транзистора не более 0,01 г.

Изготовитель — Нальчикский завод полупроводниковых
приборов, г. Нальчик.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

8 схеме ОЭ при С/кэ = 5 В, 4 = Ю мкА,
Не менее:

Т = +25 и +70 °С:

2Т381А-1........................ 50
2Т381Б-1........................ 40

2Т381В-1........................ 30

2Т381Г-1........................ 20

2Т381Д-1........................ 20

7 = -60 “С:

2Т381А-1........................ 15

2Т381Б-1........................ 12

2Т381В-1........................ 10

2Т381Д-1........................ 4

Отношение статических коэффициентов
передачи тока в схеме ОЭ при иуз = 5 В,
/э = 10 мкА, не менее:

7 = +25 ’С:
2Т381А-1,	2Т381Б-1............ 0,9

2Т381В-1...................... 0,85

7=-60 и+70'С....................... 0,6

Разность прямых падений напряжения на
переходах эмиттер—база при 1)^ = 5 В,
/э - 10 мкА для 2Т381А-1, 2Т381Б-1,
2Т381В—1, не более:

7 =+25’С........................... 4 мВ

7 = -60 и +70 ’С................... 6 мВ

Разность прямых падений напряжения на пе-
реходах коллектор—база при /к = 100 мкА
для 2Т381Д—1, не более................. 3 мВ

Напряжение насыщения база—эмиттер при
/к = 10 мА, /Б = 1 мА для 2Т381Г—1, не более 1 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер

, три /к = 10 мА, 4 = 1 мА для 2Т381Г—1,

е более.............................. 0,4 В

Обратный ток коллектора, не более:

при = 5 В:
при 7 $ +25 ’С...................... 10 нА

при 7= -60 ’С для 2Т381А-1,
2Т381Б-1, 2Т381В-1, 2Т381Д-1.... 10 нА

при 7= +70 ’С для 2Т381А-1,
2Т381Б-1, 2Т381В-1, 2Т381Д-1 ... 200 нА

при 1/къ = 25 В.................... 200 нА

Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 6,5 В,
не более............................... 1 нА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 25 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при &бэ кОм.

2Т381А—1, 2Т381Б—1, 2Т381В—1,

2Т381Д-1............................. 15 В

2Т381Г-1............................. 25 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 6,5 В

Постоянный ток коллектора............... 15 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора’ при Т $ +40 °С.................... 15 мВт

Температура р-п перехода................ +90 °С

Температура окружающей среды............ -60...+70 °С

' При Т > +40 °С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора определяется по формуле

макс ~	~ г)/А1п-к1. ^т-

При монтаже транзисторов в микросхемы они должны на-
ходиться на расстоянии не более 2 мм друг от друга. Пайка
(сварка) выводов допускается не ближе 0,6 мм от края поверх-
ности покрытия кристалла. При монтаже транзисторов должны
быть приняты меры, исключающие нагрев защитного покрытия
кристалла до температуры более +180 °С в течение времени не
более 5 с. При эксплуатации транзисторов в аппаратуре тепло-
отвод кристалла должен обеспечивать /?т гп-с> 40 °С/мВт.

Зависимость статине-
ского коэффициента
передачи тока от тбка
эмиттера

Зависимость статиче-
скоро коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

Зависимость отноше-
ния статических коэф-
фициентов передачи
тока от температуры
в

дих.в

ди*.в

Зависимость разности
прямых напряжений
эмиттер—база от тока
эмиттера

Зависимость разности
прямых напряжений
эмиттер—база от тем-
пературы

Зависимость разности
прямых напряжений
эмиттер-база от то-
ка эмиттера

КТС395А—1, КТС395В—1,
КТС395А—2, КТС395Б—2, КТС395В-2

Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух крем-
ниевых эпитаксиально-планарных структур п-р-п универсаль-
ных транзисторов с раздельными выводами. Предназначены
для применения в герметизированной аппаратуре в балансных,
дифференциальных и операционных усилителях, переключаю-
щих, импульсных и других каскадах, в которых требуется иден-
тичность параметров двух транзисторов. Сборки поставляются
в виде наборов из двух отдельных транзисторов. Транзисторы
бескорпусные с гибкими выводами, защитным покрытием
(КТС395А—1, КТС395В—1) и на металлических подложках, элек-
трически соединенных с выводами коллекторов (КТС395А—2,
КТС395Б—2, КТС395В—2). Сборки упаковываются в герметич-
ную сопроводительную тару. Тип прибора указывается на со-
проводительной таре.

Масса сборки не более 0,5 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, /э = 1 мА:

Т = +25 °С:
КТС395А-1, КТС395А-2............... 40... 120

КТС395Б-2..................... 100...300

КТС395В-1, КТС395В-2, не менее.. 350
КТС395(А-1 В-П КТС395(А-2 - В-2)

Т= -45 ’С:
КТС395А—1, КТС395А—2............ 20...120

КТС395Б—2.................... 50...300

Т= +85 ’С:
КТС395А—1, КТС395А—2, не менее. 40

КТС395Б—2, не менее................ 100

Граничная частота коэффициента передачи
тока при 4/цэ = 5 В, 4 = 10 мА, не менее. 300 МГц

Граничное напряжение при = 5 мА, не менее:

КТС395А—1, КТС395А—2, КТС395Б-2....... 45 В

КТС395В—1, КТС395В—2.................. 10 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 = 1 мА, не более....... 0,3 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = 10 мА, 4 = 1 мА, не более....... 1,0 В

Разность напряжения база—эмиттер транзи-
сторов сборки при = 5 В, 4 = 1 мА для
КТС395А— 1, не более..................... 10 мВ

Обратный ток коллектора при = 45 В,
не более:

Г$+25’С............................... 0,5	мкА

7=+85’С............................... 1,0	мкА

Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более................................. 0,5	мкА

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение коллектор—эмиттер

при /?БЭ 10 кОм:
КТС395А-1, КТС395А-2,	КТС395Б-2... а5	В

КТС395В-1, КТС395В—2................. 10	В

Ток коллектора одиночного транзистора:
КТС395А-2, КТС395Б—2,	КТС395В-2... 100 мА

КТС395А-1, КТС395В—1................. 20	мА
Постоянная рассеиваемая мощность одиноч-
ного транзистора1:

КТС395А—2, КТС395Б—2, КТС395В-2...... 150 мВт

КТС395А-1, КТС395В-1................. 30 мВт

Постоянная рассеиваемая мощность двух
транзисторов КТС395А—2, КТС395Б—2,
КТС395В—2............................... 300 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность:

КТС395А-2, КТС395Б—2, КТС395В-2...... 500 мВт

КТС395А-1, КТС395В-1................. 60 мВт

Тепловое сопротивление переход—подложка
КТС395А-2, КТС395Б—2, КТС395В-2......... 100 °С/Вт

Температура р-п перехода................ +150 °С

Температура окружающей среды............ —45...+85 °С

' Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность рассчитыва-
ется по формуле

МАКС ” И50 — Г)/А (П-С). мВт,
где А (П-С) = А (П-ПД) + А га-т, + А (Т-С)>	(п—пд — Тепловое сопротивление

переход—подложка; /?т	— тепловое сопротивление подложка—теплоот-

вод; Ап-с| — тепловое сопротивление теплоотвод—среда.

Входной контроль параметров, монтаж в микросхемы, гер-
метизация микросхем после извлечения сборок из герметич-
ной упаковки должны осуществляться в помещениях при со-
блюдении вакуумной гигиены, влажности воздуха не выше
65% и температуре +25 ± 10 °С.

Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до за-
щитного покрытия должно быть не менее 4 мм. Температура
жала паяльника должна быть не более +240 °С, время пайки
не более 1 мин. Допускается трехкратная перепайка сборок.

Необходимо принимать меры по защите сборок от стати-
ческого электричества.

Зависимость статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

Зависимость максималь-
но допустимого посто-
янного напряжения кол-
лектор—эмиттер от со-
противления база—
эмиттер

Зависимости статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

2ТС398А-1, 2ТС398Б—1, 2ТС398А9, 2ТС398Б9,
КТС398А— 1, КТС398Б—1, КТС398А9, КТС398Б9

Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух изго-
товленных на одном кристалле кремниевых эпитаксиально-
планарных структуры п-р-п усилительных транзисторов с раз-
дельными выводами. Предназначены для применения в герме-
тизированной аппаратуре в широкополосных балансных, диф-
ференциальных и операционных усилителях и других каскадах,
в которых требуется идентичность параметров двух транзи-
сторов. Транзисторы 2ТС398А—1, 2ТС398Б—1, КТС398А—1,
КТС398Б— 1 бескорпусные с гибкими выводами и защитным
покрытием без кристаллодержателя. Поставляются в сопрово-
дительной таре, позволяющей проводить измерение электри-
ческих параметров без извлечения из нее сборок. Транзисто-
ры 2ТС398А9, 2ТС398Б9, КТС398А9, КТС398Б9 выпускаются в
пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора
указывается в этикетке.

Масса бескорпусного транзистора не более 0,005 г, в пласт-
массовом корпусе не более 0,1 г.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г- Санкт-Петербург.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при </КБ = 1 В, /э = 1 мА:

Г = +25 °С........................... 40...250

т~ ГМАКС Для 2ТС398А-1, 2ТС398А9..... 40...500
/ГС1981А-1 ь-!1	в и

2ТС398(А9.Б9) КГС198(А9.Б9;

Т= -60 ’С для 2ТС398А—1, 2ТС398А9  20...250
Отношение статических коэффициентов пере-
дачи в схеме ОЭ при 4/КБ = 1 В, /э = 1 мА:

7 = +25 ’С:
2ТС398А-1, 2ТС398А9, КТС398А-1,
КТС398А9........................... 0,8...1,25

2ТС398Б-1, 2ТС398Б9, КТС398Б-1,
КТС3989Б9........................ 0,9...1,1

Г — ГМАКС и —60 С:
2ТС398А—1, 2ТС398А9................ 0,7—1,43

2ТС398Б-1, 2ТС398Б9........... 0.8...1.25
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при 4/КБ = 1 В, 4 = 2 мА,
не менее............................... 1 ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при = 5 В, /, = 1 мА,
Г= 300 МГц, не более................... 50 пс

Разность прямых падений напряжений эмит-
тер—база при УКБ = 5 ВД = 1 мА, не более:

Т = +25 °С:
2ТС398А-1, 2ТС398А9, КТС398А-1,
КТС398А9............................ 1,5 мВ

2ТС398Б-1, 2ТС398Б9, КТС398Б-1,
КТС3989Б9........................ 3 мВ

Т ~ Т’макс и —60 С:
2ТС398А-1, 2ТС398А9................. 2,5 мВ

2ТС398Б-1, 2ТС398Б9.............. 4 мВ

Обратный ток коллектора при </КБ = 10 В,
не более:

Г= +25 °С	0 5 мкА

Т = ГМАКС для 2ТС398А-Г, 2ТС398Б-1"....

2ТС398А9, 2ТС398Б9.................. 5 мкА

Емкость коллекторного перехода
при 4/кб = 5 В, не более............... 1,5 пФ

Емкость эмиттерного перехода при = 1 В,
не более............................... 2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 10 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /Ри = 10 кОм....................... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В

Постоянный ток коллектора каждого транзи-
стора сборки........................... 10 мА

Импульсный ток коллектора каждого транзи-
стора сборки при Ги = 10 мкс, 0= 2..... 20 мА

Постоянный ток эмиттера каждого транзисто-
ра сборки.............................. 10 мА

Импульсный ток эмиттера каждого транзисто-
ра сборки при Ги = 10 мкс, 0=2......... 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность двух
транзисторов сборки при /?т (П-с) = 1 С/мВт,
Т= +105 "С для 2ТС398А-1, 2ТС398Б-1,
Т= +100 X для 2ТС398А9, 2ТС398Б9,
КТС398А9, КТС398Б9, Т= +85 X для
КТС398А-1, КТС398Б-1 .................. 30 мВт
Температура окружающей среды:
2ТС398А—1, 2ТС398Б-1 ................... -60...+125 ’С

2ТС398А9, 2ТС398Б9, КТС398А9,
КТС398Б9............................. —60...+ 100 ’С

КТС398А-1, КТС398Б-1 ................ -60...+85 ’С

При Т > +105 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора рассчитывается по формуле

Рк иакс = (135 - Т)/(0,65 + /?т), мВт,
где /?т — тепловое сопротивление участка основание сборки—окружающая
среда.

При монтаже сборки в гибридную интегральную микросхе-
му и в процессе технологического цикла изготовления микро-
схем не допускается использование материалов, вступающих в
химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным
покрытием и другими элементами конструкции прибора (за-
щитное покрытие кристалла изготовлено на основе кремний
органического лака).

Пайка (сварка) выводов допускается не ближе 1 мм от
кристалла. При этом должны быть приняты меры, исключаю-
щие возможность натяжения и деформации выводов, наруше-
ния защитного покрытия, касания выводами незащищенных
частей кристалла и токоведущих частей платы, а также дол-
жен быть обеспечен небольшой провис закрепленного вы-
вода.

Температура нагрева сборки не должна превышать +125 °С,
при пайке или сварке выводов допускается превышение ука-
занной температуры до +180 ’С в течение времени, не превы-
шающего 5 с.

Пайку выводов рекомендуется проводить с применением
лудящих паст и припоев на расстоянии не менее 0,15 мм от
корпуса транзистора, температура пайки не более +265 ’С,
время пайки не более 4 с.

Зависимость статического коэффициента
передачи тока от тока эмиттера
(0*6= 18)

213 /&2!} (Укб= 18)

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор—
база

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор—
база

Зависимость разности
прямых падений напря-
жений эмиттер—база
от тока эмиттера

Зависимость разности
прямых падений напря-
жений эмиттер—база
от напряжения коллек-
тор—база

Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от тока
эмиттера

Зависимость постоян-
ной времени цепи об-
ратной связи от напря-
жения коллектор—база

Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база

Зависимость емкости
эмиттерного перехода
от напряжения коллек-
тор—база
2ТС3111А—1, 2ТС3111Б-1, 2ТС3111В-1,
2ТС3111Г— 1, 2ТС3111Д-1

2ТС311КА-1 - Д-1)

Транзисторные сборки,
состоящие каждая из двух
электрически не связанных
эпитаксиально-планарных
структуры п-р-п транзисто-
ров на одном кристалле.
Предназначены для примене-
ния в широкополосных ба-
лансных, дифференциаль-
ных и операционных усили-
телях, фазовых детекторах и
других каскадах герметизи-
рованной аппаратуры, где

требуется идентичность параметров транзисторов. Бескорпус-
ные с гибкими выводами и защитным покрытием. Поставляются
в сопроводительной таре, позволяющей производить измерение
электрических параметров без извлечения из нее транзисторов.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.

Масса транзисторной сборки не более 0,0025 г.
Изготовитель — НИИМП, г..Москва.

Электрические параметры

Параметры одиночного транзистора

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 10 мкА:

7 = +25 "С:

2ТС3111А-1 ....................... 150...400

2ТС3111Б-1 ....................... 100...400

2ТС3111В-1 ................... 50...400

2ТС3111Г-1, 2ТС3111Д-1........ 20...400

7 = +125 °С, не более................ 600

7 = —60 °С, не менее:
2ТС3111А-1...................... 50

2ТС3111Б-1........................ 30

2ТС3111В-1........................ 17

2ТС3111Г-1, 2ТС3111Д-1............ 10

Граничная частота коэффициента передачи
тока при 4/кэ = 5 В, 4 =	1	мА,	не	менее. 250 МГц

Обратный ток коллектора при 4/к6 = 25 В,
не более:

7<+25 °С............................. 10 нА

7=+125’С............................. 200 нА
Обратный ток эмиттера при иэь = 6,5 В,
не более.

7" С+25’С.......................... 10 нА

Г=+125°С........................... 200 нА

ёмкость коллекторного перехода

при М<б = 1 В> не более............... 2,5 пФ

Емкость эмиттерного перехода при 1/х = 1 В,
не более.............................. 2,5 пФ

Параметры сдвоенных транзисторов

Отношение статических коэффициентов
передачи тока при </кэ = 5 В, /к = 100 мкА,
не менее:

7 = +25 ’С:
2ТС3111А-1, 2ТС3111Б-1.......... 0,9

2ТС3111В-1...................... 0,85

2ТС3111Д-1...................... 0,5

Т= +125 и -60 ’С:
2ТС3111А-1...................... 0,8

2ТС3111Б-1 ..................... 0,75

2ТС3111В-1...................... 0,7

2ТС3111Д-1...................... 0,3

Модуль разности постоянных напряжений
эмиттер—база при </кэ = 5 В, 4 = 200 мкА,
не более:

Т= +25 ’С:
2ТС3111А-1......................... 2 мВ

2ТС3111Б-1...................... 5 мВ

2ТС3111В-1 .......:............. 10 мВ

2ТС3111Д-1...................... 30 мВ

Т= +125 и -60 ’С:
2ТС3111А-1......................... 3 мВ

2ТС3111Б-1 ..................... 7 мВ

2ТС3111В-1...................... 13 мВ

2ТС3111Д-1...................... 35 мВ

Модуль разности постоянных напряжений кол-
лектор—база при 4 = 200 мА, не более:

7 = +25 ’С для 2ТС3111 Г-1 ........ 3 мВ

7=+125 и-60’С для 2ТС3111Г-1....... 3,5 мВ

Температурный коэффициент разности по-
стоянных напряжений эмиттер—база при
Ц<э = 5 В, 4 = 200 мкА, не более:

2ТС3111А-1......................... 5 мкВ/°С

2ТС3111Б-1........................... 10	мкВ/’С

2ТС3111В-1......................... 20 мкВ/’С
2ТС3111Д— 1......................... 30 мкВ/°С

Температурный коэффициент разности по-
стоянных напряжений коллектор—база при
4 = 200 мкА для 2ТС3111Г—1, не более... 10 мкВ/°С

Температурный коэффициент разности токов

базы, не более:
2ТС3111А-1............................. 0,2 нА/°С

2ТС3111Б-1.......................... 0,5 нА/°С

2ТС3111В-1.......................... 1 нА/’С

Ток утечки между коллекторами
при 4/к_к = 25 В, не более............. 10 нА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 30 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ С 3 кОм....................... 15В

Постоянное напряжение между коллекторами 25 В
Постоянное напряжение эмиттер—база..... 7 В

Постоянный ток коллектора.............. 1000 мкА

Постоянная рассеиваемая мощность коллекто-
ра одного транзистора:

при Т С +25 °С...................... 10 мВт .

при Т = +125 °С..................... 4 мВт

Температура р-п перехода............... +135 °С

Температура окружающей среды........... —60...+125 °С

Длина выводов от защитного покрытия до места присоеди-
нения к микросхеме не менее 0,6 мм; при длине вывода более
4 мм необходимо его дополнительное крепление.

Пайка выводов должна производиться при температуре не
выше +135 °С в течение не более 5 с.

Не рекомендуется эксплуатация сборок при токах, соизме-
римых с обратными токами коллектора и эмиттера.

Для крепления сборок в микросхему следует использовать
клеящие и защитные составы, не растворяющие защитные
покрытия сборок.

Зависимость статического коэффициента
передачи тока от тока коллектора
.60 -20 20 60 Т ’С

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тем-
пературы

Зависимость отноше-
ний статических коэф-
фициентов передачи
тока от температуры

Зависимость напряже-
ния насыщения коллек-
тор—эмиттер от тока
коллектора

КТ3174АС—2

Сборка из двух крем-
ниевых эпитаксиально-пла-
нарных структуры п-р-п
усилительных транзисто-
ров. Предназначена для
применения в широкопо-
.лосных дифференциаль-
ных усилителях, суммато-
рах, компараторах, смеси-
телях, балансных усили-
телях. Бескорпусные, на
кристаллодержателе, с
гибкими выводами. Тип
прибора указывается на
групповой таре.

Масса транзистора не
более 0,094 г.

Изготовитель — акцио-
нерное общество открыто-
го типа «Элеке», г. Але-
ксандров.

КТ3174АС-2

32

Электрические параметры

Коэффициент шума на частоте Г = 100 МГц
при и№ = 5 в, /э = 3 мА, /?г =	= 50 Ом. 1,2*... 1,8*...

3 дБ
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, 4 = 3 мА:

Т = +25 °С............................ 80... 160*..270*

Т - +125 °С, не менее................. 80

Т = —60 °С, не менее.................. 40

Отношение статических коэффициентов пере-
дачи в схеме ОЭ при С/КБ = 5 В, 13 - 3 мА. 0,8... 1

Абсолютная разность прямых падений напря-
жений база—эмиттер при и№ = 5 В, 4 = 3 мА,
не более.................................. 10 мВ

Емкость коллекторного перехода
при ЦБ = 5 В, типовое значение............ 0,64* пФ

Емкость эмиттерного перехода при ^4б = 1
типовое значение.......................... 0,7* пФ

Обратный ток коллектора при ЦБ = 10 В,
не более:

Т = +25 и -60 °С...................... 1 мкА

7'=+125°С............................. 200 мкА

Обратный ток эмиттера при 1)зъ = 1 В,
не более:

Т = +25 и -60 °С...................... 20 мкА

Т= +125 °С............................ 200 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 10 В

Постоянное напряжение эмиттер—база...... 1 В

Постоянный ток коллектора............... 7,5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора* 1 при Т = —60...+75 °С............ 150 мВт

Температура р-п перехода................ +150 °С

Тепловое сопротивление переход—среда.... 400 °С/Вт

Температура окружающей среды............ -60...+125 °С

’ При Г > +75 ’С Рк МАКС снижается линейно до 60 мВт при Т = +125 ’С.

Расстояние от кристаллодержателя до места пайки не ме-
нее 2 мм, температура пайки не выше +265 °С, время пайки не
более 4 с. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее

1 мм от кристаллодержателя при условии обеспечения надеж-
ного теплоотвода, при этом следует пользоваться серебряно-
индиевыми или другими припоями, не приводящими к возник-
новению интерметаллических соединений. Температура пайки
не выше +260 °С, время пайки не более 3 с.

Допускается однократный изгиб выводов с радиусом за-
кругления не менее 1,5 мм на расстоянии не менее 1 мм от
кристаллодержателя.
Зависимости коэффици-
ента шума и коэффици-
ента усиления от тока
эмиттера

Зависимость граничной
частоты от тока эмит-
тера

К1НТ661А

Транзисторная сборка, состоящая из четырех кремниевых
эпитаксиально-планарных структуры п-р-п переключательных
транзисторов. Предназначена для применения в переключаю-
щих устройствах. Выпускается в металлокерамическом корпу-
се с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса сборки не более 0,4 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

К1НТ661А
Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схе-

ме ОЭ при - 10 В, 4 = Ю мА, не менее... 5

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = 5 мА, 4 = 2 мА, не более......  5	В

Обратный ток коллектор—эмиттер

при = 250 В, /?БЭ = 1 кОм, не более.... 30 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база.... 300 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?бэ 1 кОм.......................... 250 В

Постоянный ток коллектора............... 5 мА

Импульсный ток коллектора
при Л = 400... 10 000 Гц................ 10 мА

Постоянный ток базы..................... 5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность для всей
сборки:
при Т С +50 °С.......................... 0,1 Вт

при Т = +70 ’С....................... 0,06 Вт

Тепловое сопротивление переход—среда.... 500 °С/Вт

Температура р-п перехода................ +100 ’С

Температура окружающей среды............ —45...+7-0 ’С

Сборка должна устанавливаться на печатную плату плотно
по всей поверхности корпуса с помощью клея, не имеющего
кислотных и щелочных составляющих и не допускающего де-
формацию корпусов в процессе монтажа и эксплуатации (на-
пример, клей АК—20 или мастика «ЛН»).

Радиус изгиба выводов должен быть не менее 0,3 мм,
расстояние от корпуса до центра окружности изгиба не менее
1 мм.

Расстояние от корпуса до места пайки (по длине вывода)
не менее 1 мм, жало паяльника должно быть заземлено.

Транзисторные сборки р-п-р

2ТС393А—1, 2ТС393Б—1, 2ТС393А9, 2ТС393Б9,
КТС393А—1, КТС393Б—1, КТС393А9, КТС393Б9

Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпи-
таксиально-планарных структуры р-п-р усилительных транзи-
сторов на одном кристалле с раздельными выводами. Предна-
значены для применения в широкополосных балансных, диф*
474
ференциальных и операционных усилителях и других каскадах
герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентич-
ность параметров двух транзисторов. Транзисторы 2ТС393А—1,
2ТС393Б—1, КТС393А—1, КТС393Б—1 бескорпусные с гибкими
выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей про-
водить измерение электрических параметров без извлечения
из нее транзисторов. Транзисторы 2ТС393А9, 2ТС393Б9,
КТС393А9, КТС393Б9 выпускаются в пластмассовом корпусе с
жесткими выводами. Тип прибора указывается в этикетке.

Масса бескорпусной сборки не более 0,005 г, сборки в
пластмассовом корпусе не более 0,1 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Рига.

2ТС393(А-1.Б-1). КТС393(А-1,Б-1)

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при С/КБ = 1 В, /э = 1 мА:

Т = +25 °С:
2ТС393А-1, 2ТС393А9, КТС393А-1,
КТС393А9........................... 40... 180

2ТС393Б-1, 2ТС393Б9, КТС393Б-1,

КТС3983Б9....................... 30...140

Т - +85 °С, не более:
2ТС393А-1, 2ТС393А9, КТС393А-1,
КТС393А9........................... 360

2ТС393Б-1, 2ТС393Б9, КТС393Б-1,
КТС3983Б9....................... 280
2ТС393(А9.Б9) КТС39](А9.Б9)

8 быбодоб О.С

Т = Гмин, не менее:

2ТС393А—1, 2ТС393А9, КТС393А-1,
КТС393А9......................... 16

2ТС393Б-1, 2ТС393Б9, КТС393Б-1,

КТС3983Б9........................ 12

Отношение статических коэффициентов пере-
дачи тока в схеме ОЭ при- С/КБ = 1 В, 4 = 1 мА,
не менее:

Т= +25 ’С:
2ТС393А-1, 2ТС393А9, КТС393А-1,

КТС393А9....................... 0,9

2ТС393Б-1, 2ТС393Б9, КТС393Б-1,
КТС3983Б9...................... 0,8

7" ^малс Тмин:
2ТС393А-1, 2ТС393А9, КТС393А-1,
КТС393А9........................ 0,8

2ТС393Б-1, 2ТС393Б9, КТС393Б-1,
КТС3983Б9...................... 0,7

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при С/КБ = 1 В, /э = 1 мА,
не менее............................... 500	МГц

Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте при ОКБ = 2 В, /э = 2 мА,
А= 10 МГц, не более..................... 80	пс

Коэффициент шума на частоте А= 60 МГц
при = 6 В, /э = 1 мА................. 3...6	дБ
Разность прямых напряжений эмиттер—база
или аБ = 5 В, 4 = 1 мА> не более:

Р 2ТС393А-1, 2ТС393А9, КТС393А-1,
КТС393А9.............................. 3	мВ

2ТС393Б-1, 2ТС393Б9, КТС393Б-1,
КТС3983Б9........................... 5	мВ

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = Ю мА, 4 ~ 1 мА, Для 2ТС393А— 1,
2ТС393А9, КТС393А—1, КТС393А9, не более . 0,6 В
Обратный ток коллектора при б/КБ = икь МАКС,
не более:

Т = +25 ’С:
2ТС393А-1, 2ТС393А9, КТС393А-1,

КТС393А9........................ 0,1 мкА

2ТС393Б-1, 2ТС393Б9, КТС393Б-1,
КТС3983Б9....................... 0,2 мкА

Т - +85 °С.:....................... 5 мкА

Обратный ток эмиттера при изъ = 4 В,
не более:

Г =+25 °С:
2ТС393А-1, 2ТС393А9, КТС393А-1,
КТС393А9........................... 0,1 мкА

2ТС393Б-1, 2ТС393Б9, КТС393Б-1,

КТС393Б9........................ 0,2 мкА

Г=+85 °С........................... 5 мкА

Ток утечки между транзисторами

"Ри = ^кб макс» не более:

Г = +25 °С:
2ТС393А-1, 2ТС393А9, КТС393А-1,
КТС393А9........................... 0,1 мкА

2ТС393Б-1, 2ТС393Б9, КТС393Б-1,

КТС393Б9........................ 0,2 мкА

Т= +85 °С.......................... 5 мкА

Емкость коллекторного перехода
при икь = 5 В, не более................ 2 пФ

Емкость эмиттерного перехода при С/ЭБ = 0,
не более............................... 2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база

и коллектор—эмиттер при = 5 кОм:

2ТС393А-1, 2ТС393А9, КТС393А-1,
КТС393А9........................... 10 В

2ТС393Б— 1, 2ТС393Б9, КТС393Б-1,
КТС393Б9........................... 15 В
Постоянное напряжение эмиттер—база....... 4 В

Постоянный ток коллектора.................. 10	мА

Импульсный ток коллектора при 4, = 10 мкс,
О~2...................................... 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора (суммарная двух транзисторов):

Г = Гмин...+45 °С..................... 20 мВт

Т= +85 “С............................. 10 мВт

Температура р-п перехода................. +125 °С

Температура окружающей среды:

2ТС393А-1, 2ТС393Б-1, 2ТС393А9,
2ТС393Б9.............................. -60...+85 ’С

КТС393А-1, КТС393Б— 1, КТС393А9,
КТС393Б9.............................. —45...+85 ’С

' При Г > +45 ‘С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ.
ность коллектора уменьшается линейно.

При значениях отличающихся от 4 ’С/мВт, максимально допустим^
постоянная рассеиваемая мощность коллектора должна быть не более 40 мВт и
определяется по формуле

р< н*кс = (125 - Г)/(0,2 + мВт,
где /?т (П_С) — тепловое сопротивление микросхемы на участке нижняя поверх*
ность кристалла—окружающая среда.

Не рекомендуется эксплуатация сборок при рабочих то-
ках, соизмеримых с обратными неуправляемыми токами эмит-
тера и коллектора во всем интервале температур.

Изгиб выводов допускается не ближе 0,5 мм, сварка не
ближе 1 мм от края кристалла. При длине выводов более 3 мм
выводы должны быть закреплены лаком.

Зависимость электрических параметров от токов, напря-
жений, частоты, температуры и сопротивления для 2ТС393А9,
2ТС393Б9, КТС393А9, КТС393Б9 аналогичны 2ТС393А-1,
2ТС393Б-1, КТС393А-1, КТС393Б-1.

1ГйШ-1Б-11_ КТС!9!(А-1.Ь-1!				—
				
				
				

^Пз/ЬцзОз- 1мА)

11
10
0.9
0.8
0.7

О 4 8 17 !3.мА
Зависимость статиче-
_ко- с коэффициента
'|ередэчи тока от тока
эич^еоа

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от напря-
жения коллектор—база
(--60МГц
&252 Он

йг=90 Он

Огу=6В
512Он

2КМА-1.Б-1)
КК5Ш-1Б-1)

6

5

4

0.5 1 1.5 2 1з.мА

К,.ЛБ

О 4 3 12 Мгз .в

Зависимость коэффи-
циента шума от час-
тоты

Зависимость коэффи-
циента шума от тока
эмиттера

Зависимость коэффи-
циента шума от напря-
жения коллектор—
эмиттер

Зависимость разности
прямых падений напря-
жения эмиттер—база
от тока эмиттера

Зависимость разности
прямых падений напря-
жения эмиттер—база
от напряжения коллек-
тор—база

Зависимость разности
прямых падений напря-
жения эмиттер—база
от температуры

ависимость емкости
э*иттерного перехода
От Напряжения база—

эмиттер

Зависимость постоян-
ного напряжения кол-
лектор— эмиттер от со-
противления база—

эмиттер

Зависимость емкости
коллекторного перехо-
да от напряжения кол-
лектор—база
КТС394А— 1, КТС394А-2, КТС394Б-2

Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых эпц,
таксиально-планарных структуры р-п-р универсальных траНч
зисторов с раздельными выводами. Предназначены для при,
менения в балансных, дифференциальных и операционных
усилителях, переключающих и других устройствах, в которых
требуется идентичность параметров двух транзисторов в со.
ставе гибридных интегральных микросхем. Транзисторы бес.
корпусные с гибкими выводами и защитным покрытием. Тран,
зистор КТС393А—1 поставляется в виде наборов из двух от-
дельных транзисторов, КТС394А—2, КТС394Б—2 — в виде
наборов из двух транзисторов на металлической подложке
электрически соединенных с выводами коллекторов. Упаковы'
ваются в герметичную сопроводительную тару. Тип прибора
указывается на сопроводительной таре.

Масса сборки не более 0,5 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров, Владимирская область.

ККМА-1 6-?)

Камкию/

Коячпкр

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при = 5 В, = 1 мА:

Г= +25 °С:
КТС394А—1, КТС394А—2............ 40...120*
КТС394Б—2...................... 100...300*

Т= -45 °С:
КТС394А-1, КТС394А-2............... 20...120*

КТС394Б-2........................ 50...300*

Т= +85 °С:
КТС394А—1, КТС394А—2, не менее..... 40

КТС394Б—2, не менее.............. 100

Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 5 В, /э = 10 мА,
не менее............................... 300 МГц

Граничное напряжение при /э = 5 мА,
не менее:

КТС394А-1, КТС394А-2................ 45 В

КТС394Б-2........................... 30 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = Ю мА, /Б = 1 мА, не более..... 0,3 В

Напряжение насыщения база—эмиттер
при /к = Ю мА, /Б = 1 мА, не более..... 1 В

Разность напряжений база—эмиттер транзи-
сторов сборки КТС394А—1, КТС394А—2 при
1/кб = 5 В, /э = 1 мА, не более........ 10 мВ

Отношение статических коэффициентов пере-
дачи тока в схеме ОЭ при Цд = 5 В, /э = 1 мА,
не менее............................... 0,5

Обратный ток коллектора при ОКБ = 45 В,
не более:

Т = +25 °С.......................... 0,5 мкА

Т= +85 °С........................... 1 мкА

Обратный ток эмиттера при ОКБ = 4 В,
не более............................... 0,5 мкА

Емкость коллекторного перехода
ПРИ М<б = Ю В, не более................ 8 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 45 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ = Ю кОм...................... 45 В

Постоянное напряжение база—эмиттер..... 4 В

Постоянный ток коллектора одиночного тран-
зистора:

КТС394А-1........................... 20 мА

КТС394А-2, КТС394Б-2................ 100 мА

достоянный ток базы одиночного транзистора
КТС394А-2, КТС394Б-2................... 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность двух тран-
зисторов сборки с дополнительным теплоотво-

дом при /?т (п-о = 200 °С/Вт, Т = +60 °С:
КТС394А—1.............................. 60 мВт

КТС394А-2, КТС394Б-2 ............... 300 мВт

Постоянная рассеиваемая мощность транзи-
стора при постоянной рассеиваемой мощно-
сти сборки, не превышающей предельную:
КТС394А-1.............................. 30 мВт

КТС394А-2, КТС394Б-2 ............... 250 мВт

Тепловое сопротивление переход—подложка. 100 °С/Вт

Температура р-п перехода............... +150 °С

Температура окружающей среды........... —45...+85 ’С

Извлечение сборки из герметичной упаковки, входной кон-
троль параметров, монтаж в микросхемы, герметизация ми-
кросхем должны осуществляться в помещениях при соблюде-
нии правил вакуумной гигиены, влажности воздуха не выше
65% и Т = +25 ± 10 "С.

Минимальное расстояние от места пайки (сварки) до за-
щитного покрытия должно быть не менее 4 мм. Температура
жала паяльника должна быть не более +240 °С, время пайки
не более 1 мин. Допускается трехкратная перепайка сборок

Необходимо принимать меры, предохраняющие сборки о*
статического электричества.

Входные характери*
стики

Зависимость статиче*
скоро коэффициента
передачи тока от то-
ка эмиттера

2ТС3103А, 2ТС3103Б, КТС3103А1, КТС3103Б1

Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух кремни-
евых планарных структуры р-п-р усилительных транзисторов с
482
раздельными выводами. Предназначены для применения в диф-
ференциальных усилительных каскадах. Выпускаются в метал-
лостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.

Масса сборки не более 1,5 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г Рига.



2 - Коллектор 1

5 - База 7

4 Змиттер 1

6 - Змиттер 2

8 - Коллектор 2

9 - База 2

Электрические параметры

Параметры одиночного транзистора

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при С/КБ = 1 В, /э = 1 мА:

Г=+25 °С.............................. 40...200

типовое значение....................... 113*

Г=+85 °С.............................. 32...600

Т = —45 °С,	не менее................... 16

Граничная частота коэффициента передачи
тока при икъ = 5 В, /э = 3 мА............. 600... 1300* МГц

типовое значение....................... 900* МГц

Постоянная времени цепи обратной связи

при (/КБ = 5 В, /э = 3 мА, /= 30 МГц...... 10*...80 пс

типовое значение....................... 22* пс

Коэффициент шума при (УКБ = 5 В, /э = 1 мА,
Ъ = 150 Ом, /= 60 МГц..................... 3,6*...5 дБ

типовое значение....................... 4,2* дБ

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при /к = Ю мА, /в = 1 мА.................. 0,16*...0,6 В

типовое значение....................... 0,29* В
Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 10 мА, 4 = 1 МА................ 0,8*...1,1* $

типовое значение.................... 0,9* В

Обратный ток коллектора при 6/КБ = 15 В,
не более:

+25 °С.......................... 0,2 мкА

Т= +125 °С (+85 °С для КТС3103А1,
КТС3103Б1).......................... 5 мкА

Обратный ток эмиттера при 6/ЭБ = 5 В,
не более:

Т < +25 °С.......................... 0,5 мкА

Т= +125 °С (+85 °С для КТС3103А1,
КТС3103Б1).......................... 5 мкА

Емкость коллекторного перехода
при С/КБ = 5 В......................... 1,1...2,5* пф

типовое значение.................... 1,3* пФ

Емкость эмиттерного перехода при = 0... 1,05...2,5* пф

типовое значение.................... 1,26* пФ

Параметры сдвоенных транзисторов
Отношение статических коэффициентов
передачи тока в схеме ОЭ при 6/КБ = 1 В,
4=1 мА, не менее:

2ТС3103А, КТС3103А1................. 0,9

2ТС3103Б, КТС3103Б1................. 0,8

Модуль разности прямых напряжений эмит-
тер—база при 4/кб = 5 В, 4 = 1 мА, не более:
2ТС3103А, КТС3103А1.................... 3 мВ

2ТС3103Б, КТС3103Б1................... 5 мВ

Ток утечки между транзисторами, не более:
+25 °С................................. 0,1 мкА

Т= +125 °С (+85 °С для КТС3103А1,
КТС3103Б1).......................... 5 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база
и коллектор—эмиттер при /?БЭ < 15 кОм.. 15 В 

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 5 В

Постоянный ток коллектора.............. 20 мА

Импульсный ток коллектора при 4 < 10 мкс,
О >2,5................................. 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора (суммарная двух транзисторов):

при Т < +55 °С...................... 300 мВт

приГ=+125°С......................... 120 мВт
г иловое сопротивление переход—среда...... 0,4 ’С/мВт

температура Р~п перехода.................. +175 ’С

температура окружающей среды:

2ТС3103А, 2ТС3103Б..................... -60...+125 ’С

КТС3103А1, КТС3103Б1................... -45...+8Б ’С

Изгиб и пайка выводов допускаются не ближе 1 мм от
корпуса транзисторной сборки.

1В)

0 0.2 0.1 0.6их Д

0 2 4 6 и№,в

Входные характери-
стики

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор—
база

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость модуля
статического коэффи-
циента передачи тока
от тока эмиттера

Зависимость разности
прямых падений напря-
жения эмиттер—база
от напряжения коллек-
тор—база

Зависимости емкостей
коллекторного и эмит-
терного переходов от
напряжения
Транзисторные сборки р-п~р и п-р-п

2ТС303А—2, КТСЗОЗА—2

Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух кремнц.
евых эпитаксиально-планарных структур р-п-р и п-р-п усили.
тельных транзисторов с раздельными выводами. Предназначе-
ны для применения в выходных каскадах операционных усили-
телей, усилителях и генераторах низкой и высокой частот и
генераторах импульсных сигналов герметизированной аппара.
туры. Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покры-
тием, на кристаллодержателе. Помещаются в сопроводитель-
ную тару, позволяющую производить измерение электриче-
ских параметров без извлечения из нее транзисторов.

Тип прибора указывается на крышке возвратной тары.

Масса сдвоенных транзисторов не более 0,1 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов
г. Рига.

2ТС303А-2, ^ТСЗОЗА-2

Электрические параметры

Параметры одиночного транзистора

Статический коэффициент передачи тока

в схеме ОЭ при 6/КБ = 5 В, /к = 1 мА:
7=+25 °С.............................. 40...180

7 = +125 ’С для 2ТС303А-2......... 40...280

7= -60 ’С для 2ТС303А-2............ 20...	180

Граничная частота коэффициента передачи
тока при 4/кб = 5 В, /к = 10 мА, не менее. 300 МГц
настоянная времени цепи обратной связи на
Частоте ? = 30 МГц при 6/КБ = 10 В, /э = 30 мА
гоаничное напряжение при /э = 20 мА.....

типовое значение.....................

напряжение насыщения коллектор—эмиттер
при 4 = Ю мА, 4 = 1 МА, не более........

Напряжение насыщения база—эмиттер
при 4 = 10 мА- 4 = 1 мА.................

типовое значение.....................

Обратный ток коллектора при У№ = 45 В,
не более:

+25 °С............................

7 = +125 °С :........................

Обратный ток коллектор—эмиттер

при Укз = 45 В, Лад = 10 кОм, не более..

Обратный ток эмиттера при = 4 В,
не более.................................

Емкость коллекторного перехода
при Укь = 5 В, не более............

ЗО...8О* пс
45...80* В
55* В

0,2 В

0,7* ..0,9 В
0,75* В

0,5 мкА
10 мкА

1 мкА

1 мкА

8 пФ

Параметры сдвоенных транзисторов

Отношения статических коэффициентов
передачи тока транзисторов при 1/КБ = 5 В,
4 = 1 мА, не менее:

7=+25 °С.......................... 0,7

Т--60 и +125 °С................... 0,6

Разность входных напряжений при (/КБ = 5 В,
4 = 1 мА, не более.................... 30*	мВ

типовое значение................... 15*	мВ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер
при /?БЭ « 10 кОм........................ 45 В

Постоянный ток коллектора............... 0,1 А

Импульсный ток коллектора при Ги С 40 мкс,
0^ 500 ................................. 0,5 А

Постоянный ток базы..................... 0,03 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
т°рами сдвоенных транзисторов (в составе

Микросхемы):
при Т < +60 ’С.......................... 0,5 Вт

при Т- +125 °С для 2ТС303А-2.......... 0,125	Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллек-
тора' одного транзистора (в составе микро-

схемы):
при Т < +60 °С.......................... 0,25 Вт

при Г= +125 °С	для 2ТС303А-2......... 0,0625 Вт

Температура р-п	перехода................ +150 °С

Температура окружающей среды:
2ТС303А-2............................... -60...+ 125	’С

КТСЗОЗА—2............................ -45„.+85’С

При Т > +60 'С
р. И„с = (150 - Гк)/(400 + Вт,
где /?, (П_К1 — тепловое сопротивление участка керамическая подложка—корпус
микросхемы.

При извлечении сдвоенных транзисторов из тары, измере-
нии параметров, а также монтаже и эксплуатации должны
быть приняты меры, исключающие возможность повреждения
транзисторов, в том числе статическим электричеством.

Зависимость статического коэффициента
передачи тока от температуры

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от на-
пряжения коллектор-
база

Зависимость статиче-
ского коэффициента
передачи тока от тока
эмиттера

Зависимость напряже-
ний насыщения коллек-
тор—эмиттер от коэф-
фициента насыщения
КТС3161АС

Сборка из трех эпитаксиально-планарных транзисторов:
один — структуры п-р-п, два структуры р-п-р, у которых кол-
лектор одного транзистора соединен с базой другого транзи-
стора и выведен на один контакт. Предназначена для приме-
нения в усилителях высокой частоты. Выпускается в пластмас-
совом корпусе с жесткими выводами. Тип сборки указывается
на корпусе.

Масса сборки не более 0,9 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

КТ3161АС
ки 5п ктп зи ьп
14 13 12 11 10	9 8

П П П П П Г1 г-|

—1_гс1"о 1_1 "Ы и и—

12	3	4	5	6	7

КТ1 КТ2 КТ2 371 372 Б73 Б71

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ:
при С4э = 0,35 В, 4 = Ю мА.............. 40...120

при 44э = 1 В, 4 = мА, не менее...... 20

при 44э = 0,4 В, 4 = 30 мА, не менее. 30

Модуль коэффициента передачи тока на
высокой частоте при 64б = 10 В, 4 = 30 мА,
100 МГц, не менее..................... 4

Граничное напряжение при 4 = Ю мА,
не менее.............................. 12 В

Напряжение насыщения коллектор—эмиттер:

при 4	= 30	мА,	4 = 3 мА,	не	более.... 0,25 В

при 4=10	мА,	4=1 мА,	не	более.... 0,2 В

Напряжение насыщения база—эмиттер:
при 4	= 30	мА,	4=3 мА,	не	более. 1,2 В

при 4	= 10	мА,	4 = 1 мА.............. 0,7*...0,98 В
Обратный ток коллектора, не более:
при = 6 В..............................   0,08	мкА

при УКБ = 12 В......................... 10	мкА

Обратный ток эмиттера при 1/х = 4 В,
не более.................................. 10	мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор—база... 12 В

Постоянное напряжение коллектор—эмиттер 12 В

Постоянное напряжение эмиттер—база..... 4 В

Постоянный ток коллектора.............. 200 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллек-

тора при Т = —45...+70 ’С:
сборки транзисторов.................... 0,3 Вт

одного транзистора.................. 0,1 Вт

Температура р-п перехода............... +125 ’С

Тепловое сопротивление переход—окружаю-
щая среда.............................. 528 ’С/Вт

Температура окружающей среды........... —45...+85 °С

При Т > +70 'С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность коллектора рассчитывается по формуле

Р< макс = (125 - Г)/528, Вт.

Допустимое значение статического потенциала 200 В.

Сборка транзисторов пригодна для монтажа в аппаратуре
методом групповой пайки и паяльником. Минимально допусти-
мое расстояние от корпуса до места лужения и пайки по длине
вывода не менее 1,5 мм. Конструкция сборки обеспечивает
трехкратное воздействие групповой пайки и лужения выводов
горячим способом без применения теплоотвода и соединения
при температуре групповой пайки не выше +265 ’С в течение
не более 4 с. Интервал между последовательными пайками не
менее 5 с.

Очистку сборок следует производить в спирто-бензиновой
(1:1) или спирто-хладоновой (1 : 19) смеси при температуре
+30 ’С, частоте колебаний 50 Гц в течение 2 мин.
ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ

СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Раздел седьмой

Кремниевые полевые транзисторы маломощные

2П101А, 2П101Б, 2П101В, КП101Г, КП101Д, КП101Е

Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и каналом р-типа. Предна-
значены для применения во входных каскадах усилителей низ-
кой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротив-
лением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Таллин.

2,П101(А-В). КПШ-Е)

Электрические параметры

Коэффициент шума при С/си = 5 В, С/зи = О,
1000 Гц, /?г = 1 МОм, не более:
2П101А, 2П101Б....................... 5 дБ

2П101В............................ 10 дБ

КП101Г............................ 4 дБ

КП101Д............................ 7 дБ
Крутизна характеристики при (/си = 5 В,
= 0:

Т = +25 ’С:
КП101Г............................... 0,15 мА/В

2П101А, 2П101Б, КП101Е............ 0,3	мА/В

КП101Д............................ 0,4	мА/В

2П101В............................ 0,5	мА/В

Т= +125 ’С 2П101А, 2П101Б, 2П101В,
не более.............................. 0,4	значения

при 7=+25 с

Т = -60 'С 2П101А, 2П101Б, 2П101В,
не более.............................. 2 значения

при 7=+25 “

7= +85 ’С:
КП101Г............................... 0,008 мА/В

КП101Д............................ 0,2 мА/В

КП101Е............................ 0,15 мА/В

7= -45 ’С:
КП101Г............................... 2 мА/В

КП101Д, КП101Е.................... 3 мА/В

Напряжение отсечки (положительное) при
С/си = 5 В, /с = 1 мкА, не более:

2П101А, 2П101Б, КП101Г................ 5 В

2П101В................................ 8 В

КП101Д, КП101Е........................ 6 В

Начальный ток стока при С/си = 5 В, Ци = 0:
2П101А.................................... 0,3...1 мА

2П101Б................................ 0.7...2.2 мА

2П101В................................ 0.5...5 мА

КП101Г................................ 0,15...2 мА

КП101Д................................ 0.3...4 мА

КП101Е................................ 0.5...5 мА

Ток утечки затвора при С/си = 0, Ци = 5 В,
не более:

7 = +25 ’С:
2П101А, 2П101Б, 2П101В............... 10 нА

КП101Г, КП101Д, КП101Е............ 2	нА

7= +125 ’С:
2П101А, 2П101Б....................... 1	мкА

2П101В............................ 5	мкА

7= +85 ’С для КП101Г, КП101Д, КП101Е.	1 мкА

Емкость затвор—исток при С/си = 5 В, С/Зи = 0,
не более:

2П101А, 2П101Б, 2П101В................ 12 пФ

КП101Г, КП101Д, КП101Е................ 10 пФ
Выходная емкость при короткозамкнутом
входе, не более............................. 0,4* пФ

проходная емкость при С/си = 5 В, С/зи = 0-
2ПЮ1А....................................... 2,2*...2,7*	пФ

типовое значение......................... 2,5 пФ

2ПЮ1Б.................................... 2,4*...2,9*	пФ

типовое значение......................... 2,5* пФ

2ПЮ1В.................................... 2,5*...3* пФ

типовое значение......................... 2,7* пФ

Выходное динамическое сопротивление

при С/си = 5 В, 6/зи = 0, 7= 270 Гц:
2П101А...................................... 90*...400 кОм

типовое значение......................... 190* кОм

2П101Б................................... 20...120 кОм

типовое значение......................... 50* кОм

2П101В................................... 6...24 кОм

типовое значение......................... 12* кОм

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток (отрицательное)
при (/зи = 0............................. 10 В

Напряжение затвор—сток................... 10 В

Напряжение затвор—исток.................. 10 В

Ток стока:
КП101Г................................... 2 мА

КП101Д, КП101Е........................ 5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность
2П101А, 2П101Б, 2П101В................... 50 мВт

Температура окружающей среды:
2П101А, 2П101Б, 2П101В................... -60...+125 ’С

КП101Г, КП101Д, КП101Е................ -45...+85 ’С

Примечания.
1. Максимальная рассеиваемая мощность для каждого транзистора огра-
ничивается значениями начального тока стока и максимально допустимого
напряжения сток—исток.
2. Сумма напряжений на затворе и стоке не должна превышать предельно
Допустимого напряжения на стоке во всем интервале температур окружающей
среды.
3. Запрещается подавать отрицательное напряжение на затвор и работать
в электрическом режиме с отключенным затвором.
Зависимости крутизны
характеристики от тем-
пературы

клЬ

ц^-5В. и»--о 1=1 кГц. Р,= 1 МОм  \2П101В. Ю1101Е-					
2ПЮ16.Ш1Д— 2П101А. КПЮ1Г--,					
					
					

К

15

10

5

О

-60	0	60 Т.’С

Зависимости коэффи-
циента шума от темпе-
ратуры

2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д,
2П103АР, 2П103БР, 2П103ВР, 2П103ГР, 2П103ДР,
КП103Е, КП103Ж, КП103И, КП103К, КП103Л, КП 10ЗМ,
КП103ЕР, КП103ЖР, КП103ИР, КП103КР, КП103ЛР,
КП103МР, КП103Е1, КП103Ж1, КП103И1, КПЮЗК1,

КП103Л1, КП103М1, КП103ЕР1, КП103ЖР1,
КП103ИР1, КП103КР1, КП103ЛР1, КП103МР1

Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и каналом р-типа (2П103А,
2П103Б, 2П103В, 2ПЮЗГ, 2П103Д, КП103Е, КП103Ж, КП103И,
КП103К, КП103Л, КПЮЗМ, КП103Е1, КП103Ж1, КП103И1,
КП103К1, КП103Л1, КПЮЗМ1), подобранные в пары по основ-
ным электрическим параметрам: начальному току стока, кру-
тизне характеристики, напряжению отсечки (2П103АР, 2П103БР,
2П103ВР, 2П103ГР, 2П103ДР, КП ЮЗЕР, КП103ЖР, КП103ИР,
КПЮЗКР, КП103ЛР, КП103МР, КП103ЕР1, КП103ЖР1,
КП103ИР1, КП103КР1, КП103ЛР1, КП103МР1).

Предназначены для применения во входных каскадах уси-
лителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением (2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д,
КП ЮЗЕ, КПЮЗЖ, КП ЮЗИ, КЛЮЗК, КП103Л, КПЮЗМ, КП ЮЗЕ 1,
КПЮЗЖ1, КП103И1, КПЮЗК1, КП103Л1, КЛ103М1), а также во
входных каскадах дифференциальных усилителей низкой час-
тоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
(2П103АР, 2ПЮЗБР, 2П103ВР, 2П103ГР, 2ПЮЗДР, КП103ЕР,
КПЮЗЖР, КПЮЗИР, КПЮЗКР, КПЮЗЛР, КП103МР, КПЮЗЕР1,
КП103ЖР1, КП103ИР1, КП103КР1, КПЮЗЛР1, КП103МР1).
Транзисторы 2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г. 2П103Д,
2ПЮЗАР, 2П103БР, 2П103ВР, 2ПЮЗГР, 2П103ДР, КПЮЗЕ,
КПЮЗЖ, КП103И, КП103К, КП103Л, КП103М, КПЮЗЕР,
КПЮЗЖР, КПЮЗИР, КПЮЗКР, КП103ЛР, КПЮЗМР выпуска-
ются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами;
КП103Е1, КП103Ж1, КП103И1, КПЮЗК1, КП103Л1, КПЮЗМ1,
КП103ЕР1, КПЮЗЖР1, КПЮЗИР1, КПЮЗКР1, КПЮЗЛР’,
КП 103МР1 — в пластмассовом корпусе с гибкими выводами

Тип прибора указывается на корпусе.

Пары транзисторов маркируются цветными точками на верх-
ней части корпуса: черной — группа 1 точности подбора пар по
основным электрическим параметрам транзисторов 2П103АР,
2ПЮЗБР, 2П103ВР, 2П103ГР, 2П103ДР и группы 0 и 1 транзи-
сторов КП103ЕР, КПЮЗЖР, КП103ИР, КП103КР, КП103ЛР,
КПЮЗМР, КПЮЗЕР1, КП103ЖР1, КП103ИР1, КПЮЗКР»,
КПЮЗЛР1, КП103МР1: синей — группа 2. Пары упаковываются
в тару, исключающую возможность их разукомплектования в
процессе транспортировки.

Масса транзистора не более 1 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Винница.

КП103(Е1-М1) КП103(ЕР1-МР1)

Электрические параметры

Максимальная рабочая частота 2ПЮЗА,
2П103Б, 2ПЮЗВ, 2ПЮЗГ, 2ПЮЗД, 2ПЮЗАР,
2П103БР, 2П103ВР, 2П103ГР, 2ПЮЗДР........ 3* МГц

Коэффициент шума при С/си = 5 В, й3„ = О,

1000 Гц, /?г = 1 МОм, /?н = 2 МОм, не более. 3 дБ

Крутизна характеристики при (/си = 5 В,
^зи = 0:

Г= +25 °С:
2ПЮЗА, 2ПЮЗАР......................... 0.7...2,1 мА/В

типовое значение................... 1,6* мА/В
2П103(А-Д), 2П105(АР-ДР1

КПЮКЕ-М). КМОЗ(ЕР-МР)

2П103Б, 2П103БР...................

типовое значение..................

2П103В, 2П103ВР...................

типовое значение .................

2П103Г, 2П103ГР...................

типовое значение..................

2П103Д, 2П103ДР...................

типовое значение .................

КП103Е, КП103ЕР, КП103Е1,
КП103ЕР1 .........................

КП103Ж, КП103ЖР, КП103Ж1,
КП103ЖР1..........................

КП103И, КП103ИР, КП103И1,
КП103ИР1..........................

КП103К, КП103КР, КП103К1,
КП103КР1..........................

КП103Л, КП103ЛР, КП103Л1,
КП103ЛР1..........................

КП103М, КП103МР, КП103М1,
КП103МР1..........................

Т = +85 °С*
2П103А, 2П103АР......................

2П103Б, 2П103БР...................

2П103В, 2П103ВР...................

2П103Г, 2П103ГР...................

2П103Д, 2П103ДР...................

КП103Е, КП103ЕР, КП103Е1,
КП103ЕР1 .........................

0,8...2,6 мА/В
1,6* мА/В
1,4...3,5 мА/В
2,4* мА/В

1,8...3,8 мА/В

2,8* мА/В

2...4,4 мА/В

3,2* мА/В

0,4...2,4 мА/В

0.5...2.8 мА/В

0,8...2,6 мА/В

1...3 мА/В

1,8...3,8 мА/В

1,3...4,4 мА/В

0,42...2,1 мА/В

0,48...2,6 мА/В

0,84...3,5 мА/В
1...3.8 мА/В

1,1...4,4 мА/В

0,24...2,4 мА/В
КПЮЗЖ, КПЮЗЖР, КП103Ж1,
КП103ЖР1.......................... 0,3-2,8 мА/В

КПЮЗИ, КПЮЗИР, КП ЮЗИ 1,
КП103ИР1.......................... 0,48—2,6 мА/В

КПЮЗК, КПЮЗКР, КП103К1,
КПЮЗКР1........................... 0,6„,3 мА/В

КП103Л, КП103ЛР, КП103Л1,
КП103ЛР1.......................... 1—3,8 мА/В

КПЮЗМ, КПЮЗМР, КПЮЗМ1,
КПЮЗМР1........................... 0,75-4,4 мА/В

Г= -60 °С:
2ПЮЗА, 2ПЮЗАР........................ 0,7...3,3 мА/В

2ПЮЗБ, 2ПЮЗБР..................... 0,8...4,15 мА/В

2ПЮЗВ, 2ПЮЗВР..................... 1,4...5,6 мА/В

2ПЮЗГ, 2ПЮЗГР..................... 1,8...6,1 мА/В

2ПЮЗД, 2ПЮЗДР..................... 2...7 мА/В

Г- -55 ”С:

КПЮЗЕ, КПЮЗЕР, КПЮЗЕ1,
КПЮЗЕР1 .......................... 0,4-4 мА/В

КПЮЗЖ, КПЮЗЖР, КПЮЗЖ1,
КПЮЗЖР1........................... 0,5-4,6 мА/В

КПЮЗИ, КПЮЗИР, КП ЮЗИ 1,	х

КПЮЗИР1........................... 0,8-4,15	мА/В

КПЮЗК, КПЮЗКР, КП103К1,
КПЮЗКР1........................... 1-4,9 мА/В

КПЮЗЛ, КПЮЗЛР, КПЮЗЛ1,
КПЮЗЛР1........................... 1,8-6,1 мА/В

КПЮЗМ, КПЮЗМР, КПЮЗМ1,
КПЮЗМР1........................... 1,3-7 мА/В

Начальный ток стока при (/си = 10 В, Ци = 0:
2ПЮЗА, 2ПЮЗАР........................... 0,55-1,2 мА

типовое значение..................... 0,85* мА

2ПЮЗБ, 2ПЮЗБР........................ 1-2,1 мА

типовое значение..................... 1,5* мА

2ПЮЗВ, 2ПЮЗВР........................ 1,7-3,8 мА

типовое значение..................... 2,7* мА

2ПЮЗГ, 2ПЮЗГР........................ 3-6,6 мА

типовое значение..................... 4,5* мА

2ПЮЗД, 2ПЮЗДР........................ 5,4... 12 мА

типовое значение..................... 7,3* мА

КПЮЗЕ, КПЮЗЕР, КПЮЗЕ1, КПЮЗЕР1....... 0,3-2,5 мА

КПЮЗЖ, КПЮЗЖР, КПЮЗЖ1,
КПЮЗЖР1.............................. 0,85-3,8 мА

КПЮЗИ, КПЮЗИР, КПЮЗИ1, КПЮЗИР1... 0,8...1,8 мА
КПЮЗК, КПЮЗКР, КП103К1, КПЮЗКР1 ... 1...5.5 мА
КП103Л, КП103ЛР, КП103Л1, КП103ЛР1 ... 1,8...6,6 МД
КП103М, КП103МР, КП103М1, КП103МР1 . 3...12 мА

Напряжение отсечки при С/си = 10 В,
/ “ 10 мкА*

2П103А’ 2П103АР......................... 0,5...2,2 мА

типовое значение........................ 1,3* мА

2П103Б, 2П103БР......................... 0,8—3 мА

типовое значение........................ 1,9* мА

2П103В, 2П103ВР ........................ 1.4...4 мА

типовое значение........................ 2,1* мА

2П103Г, 2П103ГР ........................ 2...6 мА

типовое значение........................ 2,8* мА

2П103Д, 2П103ДР......................... 2,8...7 мА

типовое значение........................ 3,7* мА

КП103Е, КП103ЕР, КП103Е1, КП103ЕР1  0,4...1,5 мА
КП103Ж, КП103ЖР, КП103Ж1, КП103ЖР1 0,5...2,2 мА
КП103И, КП103ИР, КП103И1, КП103ИР1... 0.8...3 мА
КП103К, КП103КР, КП103К1, КП103КР1 ... 1.4...4 мА
КП103Л, КП103ЛР, КП103Л1, КП103ЛР1 ... 2...6 мА
КП103М, КП103МР, КП103М1, КП103МР1 . 2,8...7 мА

Активная составляющая входной проводимо-

сти при С/си = 10 В, (/зи = 0, не более:
2П103А, 2П103АР............................ 40 мкСм

типовое значение........................ 10* мкСм

2П103Б, 2П103БР......................... 50 мкСм

типовое значение........................ 15* мкСм

2П103В, 2П103ВР......................... 80 мкСм

типовое значение........................ 20* мкСм

2П103Г, 2П103ГР......................... 130 мкСм

типовое значение........................ 40* мкСм

2П103Д, 2П103ДР......................... 160 мкСм

типовое значение........................ 70* мкСм

КП103Е, КП103ЕР, КП103Е1, КП103ЕР1...... 5 мкСм

КП103Ж, КП103ЖР, КП103Ж1, КП103ЖР1 10 мкСм
КП103И, КП103ИР, КП103И1, КП103ИР1... 15 мкСм
КП103К, КП103КР, КП103К1, КП103КР1 ... 20 мкСм
КП103Л, КП103ЛР, КП103Л1, КП103ЛР1 ... 40 мкСм
КП103М, КП103МР, КП103М1, КП103МР1 . 70 мкСм

Ток утечки затвора, не более:
2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д,
2П103АР, 2П103БР, 2П103ВР, 2П103ГР,
2П103ДР при 7/си = 0, 7/зи = 5 В:
7= +25°С................................... 10 нА

7= +85°С............................ 2 мкА

7= —60 °С........................... 20 нА
КПЮЗЕ, КП103Ж, КП103И, КП103К,
КПЮЗЛ, КП103М, КПЮЗЕР, КПЮЗЖР,
КПЮЗИР, КПЮЗКР, КПЮЗЛР, КПЮЗМР,
КПЮЗЕ1, КП103Ж1, КП ЮЗИ 1, КП103К1.
КПЮЗЛ1, КП103М1, КП103ЕР1,
КПЮЗЖР1, КЛ103ИР1, КП103КР1,
КПЮЗЛР1, КПЮЗМР1 при Ц* = О,
О-м = Ю В:

Г= +25 и -55 ’С...................

Г = +85 °С........................

Входная емкость при 6/си = 10 В, 6/зи = 0,
не более:

2ПЮЗА, 2ПЮЗБ, 2П103В, 2П103Г,
2ПЮЗД, 2П103АР, 2ПЮЗБР, 2П103ВР,
2ПЮЗГР, 2П103ДР......................

КПЮЗЕ, КП103Ж, КПЮЗИ, КПЮЗК,
КПЮЗЛ, КП103М, КПЮЗЕР, КПЮЗЖР,
КПЮЗИР, КПЮЗКР, КПЮЗЛР, КПЮЗМР,
КПЮЗЕ1, КП103Ж1, КП103И1, КП103К1,
КПЮЗЛ1, КП103М1, КП103ЕР1,
КПЮЗЖР1, КП103ИР1, КП103КР1,
КПЮЗЛР1, КПЮЗМР1................?....

Проходная емкость при 1/си = 10 В, У3„ = 0,
не более................................

Температурный уход разности напряжений за-
твор-исток подобранной пары транзисторов
при Т = —60...+85 °С, не более:

2ПЮЗАР:

группа 1 точности подбора:
для 80% пар......................

для 20% пар...................

группа 2 точности подбора для
80% пар...........................

2П103БР:

группа 1 точности подбора:
для 80% пар......................

для 20% пар...................

группа 2 точности подбора для

80% пар...........................

2П103ВР:

группа 1 точности подбора:
для 80% пар......................

для 20% пар...................

группа 2 точности подбора для
80% пар...........................

20 нА
2 мкА

V пФ

20 пФ

8 пФ

250* мкВ/Х

450* мкВ/‘С

300* мкВ/Х

250* мкВ/’С

550* мкВ/°С

300* мкВ/°С

300* мкВ/‘С

550* мкВ/’С

450* мкВ/’С
Относительная разность крутизны характери-
стики при (/си = 10 В, (/зи = 0, не более:

2П103АР, 2П1ОЗБР, 2П103ВР, 2П1ОЗГР,
2П103ДР:

группа 1............................ 10%

группа 2............................ 20%

КПЮЗЕР, КПЮЗЖР, КПЮЗИР, КПЮЗКР,
КПЮЗЛР, КПЮЗМР, КП103Е1, КПЮЗЖ1,
КП103И1, КПЮЗК1, КП103Л1, КПЮЗМ1,
КПЮЗЕР1, КПЮЗЖР1, КПЮЗИР1,
КПЮЗКР1, КП103ЛР1, КПЮЗМР1:

группа 0........................... 5%

группа 1............................ 10%

группа 2............................ 20%

Относительная разность начального тока сто-
ка при С/си = 10 В, С/Зи = 0, не более:

2ПЮЗАР, 2ПЮЗБР, 2ПЮЗВР, 2ПЮЗГР,
2ПЮЗДР:

группа 1............................ 10%

группа 2............................ 20%

КПЮЗЕР, КПЮЗЖР, КПЮЗИР, КПЮЗКР,
КПЮЗЛР, КПЮЗМР, КП103Е1, КПЮЗЖ1,
КП ЮЗИ 1, КПЮЗК1, КПЮЗЛ1, КП103М1,
КПЮЗЕР1, КПЮЗЖР1, КПЮЗИР1,
КПЮЗКР1, КПЮЗЛР1, КПЮЗМР1:

группа 0........................... 5%

группа 1............................ 10%

группа 2............................ 20%

Относительная разность напряжений отсечки
при 6/си = 10 В, /с = 10 мкА, не более:

2ПЮЗАР, 2ПЮЗБР, 2ПЮЗВР, 2ПЮЗГР,
2ПЮЗДР:

группа 1............................ 10%

группа 2............................ 10%

КПЮЗЕР, КПЮЗЖР, КПЮЗИР, КПЮЗКР,
КПЮЗЛР, КПЮЗМР, КП103Е1, КПЮЗЖ1,
КПЮЗИ1, КП103К1, КП103Л1, КПЮЗМ1,
КПЮЗЕР1, КПЮЗЖР1, КПЮЗИР1,
КПЮЗКР1, КПЮЗЛР1, КПЮЗМР1:
группа 0.............................. 5%

группа 1.............................. 5%

группа 2............................... 10%
Предельные эксплуатационные данные

ряжение сток—исток:
2ПЮЗА, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2ПЮЗД,
2ПЮЗАР, 2П103БР, 2П103ВР, 2П103ГР,
2ПЮЗДР, КПЮЗЕ, КП103Ж, КП103К,
КПЮЗМ, КПЮЗЕР, КПЮЗЖР, КПЮЗКР,
КПЮЗМР, КПЮЗЕ1, КП103Ж1, КПЮЗК1,
КПЮЗМ1, КП103ЕР1, КПЮЗЖР1,
КПЮЗКР1, КПЮЗМР1.......................0	В

КП ЮЗИ, КПЮЗЛ, ПЮЗИР, КПЮЗЛР,
КП103И1, КПЮЗЛ1, КП103ИР1, КП103ЛР1 12 В

Напряжение затвор—сток:
2ПЮЗА, 2П103Б, 2П103В, 2П103АР,
2ПЮЗБР, 2ПЮЗВР........................... 15	В

2ПЮЗГ, 2П103Д, 2ПЮЗГР, 2ПЮЗДР......... 17 В

Напряжение затвор—исток 2ПЮЗА, 2П103Б,
2ПЮЗВ, 2П103АР, 2ПЮЗБР, 2ПЮЗВР,
2ПЮЗГ, 2П103Д, 2П103ГР, 2П103ДР........... 10	В

Напряжение затвор—исток (отрицательное)

2П103А, 2ПЮЗБ, 2ПЮЗВ, 2ПЮЗАР, 2ПЮЗБР,
2ПЮЗВР, 2ПЮЗГ, 2ПЮЗД, 2ПЮЗГР, 2ПЮЗДР 0,5 В

Сумма напряжений сток—исток и затвор—

исток:

КПЮЗЕ, КПЮЗЖ, КП103И, КПЮЗК,
КПЮЗЕР, КПЮЗЖР, КПЮЗИР, КПЮЗКР,
КПЮЗЕ1, КПЮЗЖ1, КПЮЗИ1, КПЮЗК1,

КП.ЮЗЕР1, КПЮЗЖР1, КПЮЗИР1,
КПЮЗКР1............................ 15	В

КПЮЗЛ, КПЮЗМ, КПЮЗЛР, КПЮЗМР,

КПЮЗЛ1, КПЮЗМ1, КПЮЗЛР1,
КПЮЗМР1............................ 17	В

Постоянная рассеиваемая мощность':

2ПЮЗА, 2ПЮЗБ, 2ПЮЗВ, 2ПЮЗГ, 2ПЮЗД

и каждого транзистора пар 2ПЮЗАР,
2ПЮЗБР, 2ПЮЗВР, 2ПЮЗГР, 2ПЮЗДР:

при Т= -60...+25 °С................ 120 мВт

при Т = +25...+85 °С............... 60 мВт

КПЮЗЕ, КПЮЗЕ1 и каждого транзистора

пар КПЮЗЕР, КПЮЗЕР1

при Т= —55...+85 °С................... 7 мВт

Максимальная рассеиваемая мощность транзисторов 2П103А, 2П103Б,
*П103В, 2П1ОЗГ и каждого транзистора пары 2П103АР, 2П103БР, 2П103ВР,
«П103ГР ограничивается значениями начального тока стока и максимально
Допустимого напряжения сток—исток.
КП103Ж, КП103Ж1 и каждого транзисто-

ра пар КП103ЖР, КП103ЖР1
при Г = —55...+85 ’С.................. 12 Вт

КП ЮЗИ, КП ЮЗИ 1 и каждого транзистора

пар КПЮЗИР, КПЮЗИР1

при Т - —55...+85 ’С.................. 21 мВт

КПЮЗК, КПЮЗК1 и каждого транзистора

пар КП103КР, КП103КР1

при Т = —55...+85 °С.................. 38 мВт

КПЮЗЛ, КП103Л1 и каждого транзистора

пар КПЮЗЛР, КП103ЛР1

при Т = —55...+85 ’С.................. 66 мВт

КПЮЗМ, КПЮЗМ1 и каждого транзистора

пар КП103МР, КП103МР1

при Т = —55...+85 ’С.................. 120 мВт

Температура окружающей среды:

2П103А, 2ПЮЗБ, 2ПЮЗВ, 2П103Г, 2ПЮЗД,

2ПЮЗАР, 2ПЮЗБР, 2ПЮЗВР, 2ПЮЗГР,

2ПЮЗДР................................ -60...+85 ’С

КП ЮЗЕ, КПЮЗЖ, КП ЮЗИ, КПЮЗК,
КПЮЗЛ, КПЮЗМ, КП ЮЗЕР, КПЮЗЖР,
КПЮЗИР, КПЮЗКР, КПЮЗЛР, КПЮЗМР,
КПЮЗЕ1, КП103Ж1, КПЮЗИ1, КПЮЗК1,
КП103Л1, КПЮЗМ1, КПЮЗЕР1,
КПЮЗЖР1, КП103ИР1, КПЮЗКР1,
КПЮЗЛР1, КПЮЗМР1 ................... -55...+85	’С

При пайке выводов жало паяльника должно быть заземле-
но. Расстояние от корпуса до места пайки должно быть 3...5 мм.

При работе с транзисторами необходимо применение мер
защиты от статического электричества.

К..1Б

6

5

4

5

2
I

Осг - 10В.!- кГц /?г-

2П103А

0 2 4 6 3 ия,в

КШ(И ’КМШЛ!)

Цж

КП1Ш1- К1) | |

Кш.1Б

Зависимость коэффи-
циента шума от ча-
стоты

Зависимости коэффи'
циента шума от сопр0'
тивления генерг тор3

Зависимости коэффи-
циента шума от напря-
жения затвор—исток
2ПС104А, 2ПС104Б, 2ПС104В, 2ПС104Г, 2ПС104Д,
2ПСЮ4Е, КПС104А, КПС104Б, КПС104В, КПС104Г,
КПС104Д, КПС104Е

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные ионно-
яегированные полевые с затвором на основе р-п перехода ж
каналом р-типа сдвоенные. Предназначены для применения в .
вХодных каскадах дифференциальных малошумящих усилите-
лей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным
сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе
гибкими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 2 г.

Изготовитель — акционерное общество «Восход», г. Ка-
луга.

2ЛС10М-Е/

Электрические параметры

Крутизна характеристики каждого транзисто-
ра пары при 7/си = 10 В, 7/зи = 0, не менее:

Г= +25 °С:

2ПС104А, 2ПС104Б, КПС104А,

КПС104Б........................... 0,35	мА/В

типовое значение.................. 0,8*	мА/В

2ПС104В, 2ПС104Е, КПС104В,
КПС104Е........................... 0,65	мА/В

типовое значение.................. 1* мА/В

2ПС104Г, 2ПС104Д, КПС104Г,
КПС104Д........................... 1 мА/В

типовое значение.................. 1,7* мА/В

Т = -60 °С:
2ПС104А, 2ПС104Б..................... 0,35 мА/В
2ПС104В, 2ПС104Е................. 0,65 мА/в

2ПС104Г, 2ПС104Д................. 1 мА/В

7 = -45 ’С:
КПС104А, КПС104Б.................... 0,35 мА/В

КПС104В, КПС104Е................. 0,65 мА/В

КПС104Г, КПС104Д................. 1 мА/В

Т= +125 ’С:
2ПС104А, 2ПС104Б.................... 0,25 мА/В

2ПС104В, 2ПС104Е................. 0,3 мА/В

2ПС104Г, 2ПС104Д................. 0,5 мА/В

Т= +85 ’С:
КПС104А, КПС104Б.................... 0,25 мА/В

КПС104В, КПС104Е................. ЛЗ мА/В

КПС104Г, КПС104Д................. 0,5 мА/В

Шумовое напряжение каждого транзистора
в полосе частот Д/= 0,1... 10 Гц при (/си = 10 В,
/?н = 30 кОм, /с = 0,18 мА для двух транзисто-
ров, 2ПС104А, 2ПС104Б, КПС104А, КПС104Б,
/с = 0,5 мА для двух транзисторов 2ПС104В,
КПС104В, /с = 1,5 мА для двух транзисторов

2ПС104Г, 2ПС104Д, КПС104Г, КПС104Д,
не более:

2ПС104А, КПС104А..........;.......... 0,4 мкВ

типовое значение..................... 0,35* мкВ

2ПС104Б, 2ПС104Г, КПС104Б, КПС104Г.... 1 мкВ

типовое значение..................... 0,8* мкВ

2ПС104В, 2ПС104Д, КПС104В, КПС104Д... 5 мкВ

типовое значение..................... 1,5* мкВ

Разность напряжений затвор—исток при

1/си= 10 В, /с = 0,18 мА для двух транзисторов
2ПС104А, 2ПС104Б, КПС104А, КПС104Б,
/с = 0,5 мА для двух транзисторов 2ПС104В,
2ПС104Е, КПС104В, КПС104Е, /с = 1,5 мА для
двух транзисторов 2ПС104Г, 2ПС104Д,
КПС104Г, КПС104Д, не более:

7 = +25 ’С:

2ПС104А, 2ПС104Б, КПС104А,

КПС104Б.......................... 30 мВ

типовое значение................. 10* мВ

2ПС104В, 2ПС104Г, КПС104В, КПС104Г 50 мВ
типовое значение................. 10* мВ

2ПС104Е, КПС104Е................. 20 мВ

типовое значение................. 10* мВ

7 = +85 ’С-
КПС104А, КПС104Б,	КПС104Е...... 60 мВ
КПС104В, КПС104Г, КПС104Д........ 70 мВ

Т= +125 °С:

2ПС104А, 2ПС104Б, 2ПС104Е........ 60	мВ

2ПС104В, 2ПС104Г, 2ПС104Д........ 70	мВ

Температурный уход разности напряжений
затвор—исток при (/си = 10 В, /с = 0,18 мА
для двух транзисторов 2ПС104А, 2ПС104Б,
КПС104А. КПС104Б, /с = 0,5 мА для двух
транзисторов 2ПС104В, 2ПС104Е, КПС104В,
КПС104Е, /с = 1,5 мА для двух транзисторов
2ПС104Г, 2ПС104Д, КПСЮ4Г, КПС104Д,
не более:

2ПС104А, КПС104А.......................... 50 мкВ/’С

типовое значение.......................... 20* мкВ/°С

2ПС104Б, 2ПС104В, 2ПСЮ4Д, КПС104Б,
КПС104В, КПС104Д.......................... 150 мкВ/°С

типовое значение.......................... 50* мкВ/°С

2ПС104Г, КПС104Г.......................... 100 мкВ/°С

2ПС104Е, КПС104Е.......................... 20 мкВ/°С

типовое значение.......................... 10* мкВ/°С

Напряжение отсечки (отрицательное) каждого

транзистора пары при (/си = 10 В, /с = 10 мкА:

2ПС104А, 2ПС104Б, КПС104А, КПС104Б... 0,2...0,6*...1 В
2ПС104В, 2ПС104Е, КПС104В, КПС104Е.... 0,4...1*...2 В
2ПС104Г, 2ПС104Д, КПСЮ4Г, КПС104Д.... 0,8...1,5*...3 В

Начальный ток стока каждого транзистора

пары при (/си = 10 В, (7ЗИ = 0:
2ПС104А, 2ПС104Б, КПС104А, КПС104Б... 0,1...0,5...
0,8 мА

2ПС104В, КПС104В.......................... 0,35...0,8...

1,5 мА
2ПС104Г, 2ПС104Д, КПСЮ4Г, КПС104Д.... 1.1...2...3 мА
2ПС104Е, КПС104Е.......................... 0,35...1,5...

3 мА

Ток утечки затвора каждого транзистора
пары при (7СИ = 0, (/зи = —10 В, не более:

Т = +25 ’С:

2ПС104А, 2ПС104Б, 2ПС104Е,
КПС104А, КПС104Б, КПС104Е......... 0,3 нА

типовое значение.................. 0,1* нА

2ПС104В, 2ПС104Г, 2ПС104Д,
КПС104В, КПС104Г, КПС104Д......... 1 нА

типовое значение.................. 0,3* нА

Г = +85 °С:
КПС104А, КПС104Б, КПС104Е............ 0,15 мкА
КПС104В, КПС104Г, КПС104Д......... 0,15 мкА

I - +125 °С:

2ПС104А, 2ПС104Б, 2ПС104Е......... 0,3 мкА

2ПС1О4В, 2ПС104Г, 2ПС104Д......... 1 мкА

Входная емкость каждого транзистора пары

= 10 В, Ци = 0, не более.......... 4,5 пФ

Проходная емкость каждого транзистора

йры при (/си = 10 В, С/зи = 0, не более.. 1,5 пФ

Предельные эксплуатационные данные
(каждого транзистора пары)

Напряжение сток—исток ................. 25 В

Напряжение затвор—сток................. 30 В

Напряжение затвор—исток:

положительное........................ 0,5	В

отрицательное....................... 30 В

Прямой ток затвора..................... 0,5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность':

при Т = —60...+55 ’С

для 2ПС104А-2ПС104Е................ 45 мВт

при Т = —45...+25 °С

для КПС104А-КПС104Е................ 45 мВт

при Т= +125 °С для 2ПС104А-2ПС104Е . 10 мВт

при Т = +85 °С для КПС104А-КПС104Е ... 25 мВт
Температура окружающей среды:

2ПС104А-2ПС104Е.................... -60...+125 °С

КПС104А-КПС104Е.................... -45.. +85 °С

В диапазоне температур +55...+ 125 °С для 2ПС104А—2ПС104Е и +25..
+85 *С для КПС104А—КПС104Е мощность снижается линейно.

Выходные характери- Выходные характери-

Выходные характери-

стики

стики

стики
Проходные харак-
теристики

Проходные характери-
стики

Проходные характери*
стики

У*,5 -0.9 -0.7-0.5-03 -0.1 О [/„'В-18-1.4-1.0-0.6-02 О

Проходные характери- Проходные характери-

стики

стики

Проходные харак-
теристики

Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—ис-
ток

Зависимости крутизны
характеристики от тока
стока

Зависимости разности
напряжений затвор—
исток от температуры
2П201А-1, 2П201Б-1, 2П201В-1, 2П201Г-1,
2П201Д-1, КП201Е—1, КП201Ж-1, КП201И-1

КП201К—1, КП201Л—1

2/120КА-1 - Д-1)
КП20КЕ-1 - Л-1)

06

Изготовитель — НПП

Транзисторы кремниевые диф-
фузионно-планарные полевые с за-
твором на основе р-п перехода и
каналом р-типа. Предназначены
для применения во входных каска-
дах усилителей низкой частоты и
постоянного тока с высоким вход-
ным сопротивлением герметизиро-
ванной аппаратуры. Бескорпусные
с гибкими выводами и защитным
покрытием без кристаллодержате-
ля. Каждый транзистор упаковы-
вается в сопроводительную тару,
позволяющую производить изме-
рение электрических параметров
без извлечения из нее транзисто-
ров. Тип прибора указывается на
сопроводительной таре.

Масса транзистора не более
0,005 г.

«Восток», г. Новосибирск.

Электрические параметры

Коэффициент шума при (/си = 5 В, С/зи = 0,
Г = 1000 Гц, /?г = 1 МОм................. 0,6*...3 дБ

типовое значение...................... 1* дБ

Крутизна характеристики при (/си = 10 В,
б'зи = 0:

Г =+25 °С:
2П201А-1.............................. 0,4... 1,8	мА/В

2П201Б-1........................... 0,7—2,1	мА/В

2П201В-1........................... 0,8...2,6	мА/В

2П201Г-1........................... 1,4...3,5	мА/В

2П201Д-1........................... 1,8...3,8	мА/В

Т = +25 °С, не менее:
КП201Е-1.............................. 0,4	мА/В

КП201Ж-1........................... 0,7	мА/В

КП201И-1........................... 0,8	мА/В

КП201К-1........................... 1,4	мА/В

КП201Л-1........................... 1,8	мА/В
т= +85 ’С для 2П201А-1, 2П201Б-1,
2П201В-1, 2П201Г-1, 2П201Д-1,

КП201Е-1, КП201Ж-1, КП201И-1,
КП201К-1, КП201Л-1 .................. От	1 до 0,6

значения при

Т= +25 ’С
7 = -60 ’С для 2П201А-1, 2П201Б-1,
2П201В-1, 2П201Г-1 и 7 = -40 ’С для
КП201Е-1, КП201Ж-1, КП201И-1,
КП201К—1, КП201Л—1, не более......... 1,6 значения

при 7 = +25 ’С

Напряжение отсечки при (/си = 10 В,
/с = 10 мкА:
2П201А-1................................ 0,4...1,4 В

2П201Б-1............................. 0,5...2,2 В

2П201В-1............................. 0.8...3 В

2П201Г-1............................. 1.4...4 В

2П201Д-1............................. 2...6 В

КП201Е—1, не	более.................. 1,5 В

КП201Ж-1, не	более.................. 2,2 В

КП201И—1, не	более.................. 3 В

КП201К—1, не	более.................. 4 В

КП201Л—1, не	более.................. 6 В

Начальный ток стока при (/си = 10 В, 1/^ = 0:
2П201А-1, КП201Е-1...................... 0,3...0,65 мА

2П201Б-1, КП201Ж-1................... 0,55...1,2 мА

2П2О1В-1, КП201И-1................... 1...2.1 мА

2П201Г-1, КП201К-1................... 1,7...3,8 мА

2П201Д-1, КП201Л-1................... 3...6 мА

Ток утечки затвора при С/си = 0, С/зи = 5 В,
не более:

2П201А-1, 2П201Б-1, 2П201В-1,
2П201Г-1, 2П201Д-1:
при 7= -60 и +25 ’С.................. 5 нА

при 7 = +85 ’С................... 0,5 мкА

КП201Е-1, КП201Ж-1, КП201И-1,
КП201К-1, КП201Л-1:
при 7 = —40 и +25 ’С................. 1 нА

при 7=+85’С...................... 10 нА

Входная емкость при С/си = 10 В, им = 0,
не более:

2П201А-1, 2П201Б-1, 2П201В-1,
2П201Г-1, 2П201Д-1................... 17 пФ

КП201Е-1, КП201Ж-1, КП201И-1,
КП201К-1, КП201Л-1 .................. 20 пФ
роходная емкость при С/си = 10 В, 1!^ = 0,
не более...............................

Активная составляющая выходной проводи-

мости при С/си = 10 В, С/зи = 0, не более:

2П201А-1............................

2П201Б-1............................

2П201В-1............................

2П201Г-1............................

2П201Д-1............................

8 пФ

15 мкСм

20 мкСм

30 мкСм

50 мкСм

80 мкСм

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток.................... 10 В

Напряжение затвор—сток (затвор—исток).... 15 В

Напряжение затвор—исток (отрицательное) ... 0,5 В
Рассеиваемая мощность' (в составе условной
микросхемы) 2П201А-1, 2П201Б-1, 2П201В-1,
2П201Г-1, 2П201Д-1 при Т= -60...+30 "С
и КП201Е-1, КП201Ж-1, КП201И-1,
КП201К-1, КП201Л-1 при Г= -40...+30 ’С .... 60 мВт
Температура окружающей среды:

2П201А-1, 2П201Б-1, 2П201В-1,
2П201Г-1, 2П201Д-1.................... -60...+85 ’С

КП201Е-1, КП201Ж-1, КП201И-1,

КП201К-1, КП201Л-1 ................... -40...+85 ’С

' При Т = +30...+85 'С максимальная рассеиваемая мощность рассчитывает-
ся по формуле

вике = (135 - Г)/1,75, мВт.

При монтаже транзисторов в гибридную микросхему не
допускается использование материалов, вступающих в хими-
ческое и электрохимическое взаимодействие с защитным по-
крытием, а также должны быть приняты меры, исключающие
соприкосновение выводов с кристаллом (минимальное рассто-
яние от места изгиба выводов до кристалла 1 мм, радиус
закругления не менее 0,5 мм).

Тепловое сопротивление кристалл—корпус при монтаже в
гибридной микросхеме должно быть не более 1,75 ’С/мВт.

При пайке (сварке) выводов (на расстоянии не менее 1 мм)
и при заливке транзисторов компаундами нагрев кристалла не
должен превышать +85 ’С.

При извлечении транзисторов из сопроводительной тары
(после отсоединения выводов от тары) и монтаже транзисторов
в микросхему должны применяться приспособления, не вызы-
вающие повреждения кристалла и его защитного покрытия.
К,лЬ

О 1.0	2.0 В„.В -60Л0-20 0 20 40 60 Т.'С 0	10	20 11„ 3

Зависимости крутизны
характеристики от тем-
пературы

50

2.0

10

1ША-1Б-1)
юм-и-п

11а=10В	Ш1-1 '

/.-/гГи--------тт-1

/?<--/ МОм I I ,

Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—ис-
ток

Зависимость коэффици-
ента шума от частоты

Зависимости коэффи-
циента шума от напря
жения затвоо—исток

Зависимости входной
и проходной емкостей
от напряжения затвор—
исток

2ПС202А—2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2,
2ПС202Д—1, 2ПС202Е—1, КПС202А-2, КПС202Б-2,
КПС202Р-2, КПС202Г-2, КПС202Д-1, КПС202Е-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные ионно-
легированные полевые с затвором на основе р-п перехода и
каналом р-типа сдвоенные и одинарные. Предназначены для
применения в герметизированной аппаратуре во входных кас-
кадах усилителей и дифференциальных усилителей низкой
частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлени-
ем. Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрыти-
ем, сдвоенные на кристаллодержателе, одинарные без кри-
сталлодержателя. Сдвоенные и одинарные транзисторы упа-
човываются в индивидуальную тару, позволяющую произво*
дить измерение электрических параметров без извлечения их
из тары. Транзисторы могут поставляться парами, подобран,
ными по основным электрическим параметрам. Тип прибора
указывается на индивидуальной и групповой таре.

Масса сдвоенного транзистора не более 0,5 г, одиночного
0,2 г.

Изготовитель — акционерное общество «Восход», г. Ка-
луга.

2ПС202(А-2 - Г-2)	2П2ЕШ -1 Е-1)

КПС202(А-2 - Г-2)	КП2й2(П-1 Е-1)

Электрические параметры

Максимальная рабочая частота 2ПС202А—2,
2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2,
2ПС202Д-1, 2ПС202Е-1................... 30* МГц

Электродвижущаяся сила шума каждого тран-
зистора пары при иы = 10 В, (/зи = 0, Г= 1 кГц
для 2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2,
не более............................... 20 нВ/^Гц

Крутизна характеристики каждого транзисто-
ра пары при (/си = 5 В, им - 0, не менее:

Г= +25 °С:
КПС202А-2, КПС202Б-2................. 0,5 мА/В

2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202Д-1,
КПС202В-2, КПС202Д—1 ............ 0,65 мА/В

2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2ПС202Е-1,
КПС202Г-2, КПС202Е-1 ............ 1 мА/В

Т - —60 °С (в составе условной микросхе-
мы):

2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202Д-1. 0,65 мА/В
2ПС202В—2, 2ПС202Г-2, 2ПС202Е-1.. 1 мА/В
Т= +125 °С (в составе условной микро-
схемы):

2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202Д-1. 0,3 мА/В

2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2ПС202Е-1.. 0,5 мА/В

Разность напряжений затвор—исток

при Усн~ Ю не более:

Т= +25 °С:

2ПС202А-2, 2ПС202Б-2

при 2/с = 0,5 мА и 2ПС202В-2,
2ПС202Г-2, КПС202В-2, КПС202Г-2

при 2/с = 1,5 мА...................... 30 мВ

КПС202А-2, КПС202Б-2
при 2/с = 0,5 мА...................... 10 мВ

7= +125 °С (в составе условной микро-
схемы) 2ПС202А—2, 2ПС202Б—2 при
2/с = 0,5 мА и 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2
при 2/с = 1,5 мА.......................... 60 мВ 4

Температурный уход разности напряжений за-
твор-исток при (/си = 10 В:
2ПС2О2А—2 при 2/с = 0,5 мА, не более......... 50 мкВ/’С

типовое значение.......................... 15* мкВ/°С

2ПС202В—2 при 2/с = 1,5 мА, не более...... 100 мкВ/°С

типовое значение.......................... 50* мкВ/°С

2ПС202Б-2 при 2/с = 0,5 мА и 2ПС202Г-2
при 2/с =1,5 мА, не более................. 150 мкВ/°С

типовое значение.......................... 80* мкВ/°С

Напряжение отсечки при 6/си = 10 В,
/с=10 мкА:
2ПС202А-2.................................... 0,4...0,6*...1 В

2ПС202Б-2, 2ПС202Д-1, КПС202А-2,
КПС202Б-2, КПС202В-2, КПС202Д-1........... 0,4...1,1*...2 В

2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2ПС202Е-1,
КПС202Г—2, КПС202Е-1...................... 1...1,8*...3 В

Начальный ток стока каждого транзистора
пары при С/щ = 10 В, (/зи = 0:
2ПС202А-2.................................... 0,35...0,65*...

0,8 мА
2ПС202Б-2, 2ПС202Д—1, КПС202А-2,
КПС202Б-2, КПС202В-2, КПС202Д-1 .......... 0,35...0,95*...

1,5 мА
2ПС202В-2, 2ПС202Г-2, 2ПС202Е-1,
КПС2О2Г-2, КПС202Е-1...................... 1,1...1,9*..

3 мА
Ток утечки затвора при С/си = 0,	= —10 В,

не более:

Т= +25 °С:

2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2,
2ПС202Г-2, 2ПС202Д-1, 2ПС202Е-1.. 0,3 нА
КПС202А-2, КПС202Б-2............. 0,6 нА

КПС202В-2, КПС202Г-2, КПС202Д-1,
КПС202Е-1........................ 1 нА

Т= +125 °С:

2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2,
2ПС202Г-2, 2ПС202Д-1, 2ПС202Е-1.. 300 нА

Входная емкость при (/си = 10 В, С/зи = 0,
не более............................... 6 пФ

типовое значение.................... 3* пФ

Проходная емкость при С/си = 10 В, (/зи = 0,
не более............................... 2 пФ

типовое значение.................... 1* пФ

Предельные эксплуатационные данные
(каждого транзистора пары)

Напряжение сток—исток.................. 15 В

Напряжение затвор—сток................. 20 В

Напряжение затвор—исток (положительное) .. 0,5 В
Постоянная рассеиваемая мощность:

при Т= -60...+55 °С:

2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2,

2ПС202Г-2........................ 30 мВт

2ПС202Д-1, 2ПС202Е-1............. 60 мВт

при Т= +125 °С:

2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2,
2ПС202Г-2........................ 7 мВт

2ПС202Д-1, 2ПС202Е-1............. 14 мВт

при Т = —40...+70 °С для 2ПС202А—2,
2ПС202Б-2, 2ПС202В-2, 2ПС202Г-2..... 6С мВт

при Т= -40...+85 °С для 2ПС202Д-1,
2ПС202Е-1........................ 60 ь.Вт

Температура окружающей среды:

2ПС202А-2, 2ПС202Б-2, 2ПС202В-2,

2ПС202Г-2, 2ПС202Д-1, 2ПС202Е-1 .... -60...+ 125 °С

КПС202А—2, КПС202Б-2, КПС202В-2,
КПС202Г—2........................... —40...+70 °С

КПС202Д—1, КПС202Е-1 ............... -40...+85 °С

При монтаже транзисторов в гибридную микросхему не
«опускается использование материалов, вступающих в хими-
ческое и электрохимическое взаимодействие с защитным по-
крытием, а также должны быть приняты меры, исключающие
соприкосновение выводов с кристаллом (минимальное рассто-
яние от места изгиба выводов до кристалла 1 мм, радиус
закругления не менее 0,5 мм).

Тепловое сопротивление кристалл—корпус при монтаже в
гибридную микросхему должно быть не более 3 ’С/мВт, оди-
ночного — не более 1,5 ’С/мВт.

При пайке (сварке) выводов (на расстоянии не менее 1 мм)
и при заливке транзисторов компаундами нагрев кристалла не
должен превышать +125 ’С.

При монтаже транзисторов в микросхему должны приме-
няться приспособления, не вызывающие повреждения кристалла
и его защитного покрытия.

5нА/8

В.мАСВ	Ев,мВА/Гц

О-Ш-М-и-1.6 11„ В -80-40 0 40 80 Т ' С о -0.1-0.2-0.}-0.4 иж.в

Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—ис-
ток

Зависимости крутизны
характеристики от тем-
пературы

Зависимости ЭДС шума
от напряжения затвор—
исток

\У'

О-и^ЗО’ С)\ .нВ
КПС203А—1, КПС203Б-1, КПС203В-1, КПС203Г-1

КПС205(А-1 - Г-1)

Транзисторы кремние-
вые планарно-диффузион-
ные полевые с затвором на
основе р-п перехода и кана-
лом р-типа сдвоенные. Пред-
назначены для применения
во входных каскадах вы-

сокоточных, малошумящих,
дифференциальных усилите-
лей, малошумящих баланс-
ных схем различного назна-
чения с высоким входным
сопротивлением герметизи-
рованной аппаратуры. Бес-
корпусные с гибкими выво-

дами и защитным покрытием без кристаллодержателя. Тип при-
бора указывается на групповой таре.

Масса транзистора не более 0,006 г.

Изготовитель — акционерное общество «Восход», г. Ка-

луга.

Электрические параметры

Крутизна характеристики каждого транзисто-
ра пары при 1/си = 10 В, = 0, не менее:

Т= -60 и +25 °С:
КПС203А-1, КПС203Б-1 .............. 0,5 мА/В

КПС203В-1 ...................... 0,65 мА/В

КПС203Г-1....................... 1 мА/В

Т= +85 °С:
КПС203А-1, КПС203Б-1............... 0,3	мА/В

КПС203В-1 ...................... 0,4	мА/В

КПС203Г-1....................... 0,6	мА/В

Шумовое напряжение каждого транзистора
пары в полосе частот Д/= 0,1...10 Гц при

- 10 В, /?н = 30 кОм, /с = 0,5 мА (для двух
транзисторов пары), не более:

КПС203А-1.......................... 2,5 мкВ

КПС203Б-1.......................... 12 мкВ

Разность напряжений затвор—исток при

С/си = 10 В, /с = 0,5 мА для двух транзисторов
пары КПС203А-1, КПС203Б-1, КПС203В-1
и /с = 1,5 мА для двух транзисторов пары
КПС203Г-1, не более:

КПС203А-1, КПС203Б-1............... 10 мВ
КПС203В-1, КПС203Г—1................. 30 мВ

Температурный уход разности напряжений

затвор—исток при	= 10 В, 4 = 0,5 мА

для двух транзисторов пары КПС203А—1,
КЛС203Б-1, КПС203В-1 и (= 1,5 мА для
двух транзисторов пары КПС203Г—1, не более:

КПС203А-1, КПС203Б-1................. 40 мкВ/’С

КПС203В-1, КПС203Г-1................. 150 мкВ/’С

Напряжение отсечки (отрицательное) каждого

транзистора пары при 1^ = 10 В, /с = 10 мкА:

КПС203А-1, КПС203Б-1................. 0.2...2 В

КПС203В-1............................ 0.4...2 В

КПС203Г—1............................ 1...3 В

Начальный ток стока каждого транзистора

пары при — 10 В, Г/Зи — 0:

КПС203А-1, КПС203Б-1................. 0.25...1.5 мА

КПС203В-1............................ 0,35...1,5 мА

КПС203Г-1............................ 1,1...3 мА

Ток утечки затвора каждого транзистора пары

при 1/си = 0, 1/зи = —10 В, не более:

Т = +25 "С:

КПС203А-1, КПС203Б—1.............. 0,6	нА

КПС203В-1, КПС203Г-1.............. 1 нА

Т = +85 "С:

КПС203А—1, КПС203Б-1 ............. 0,1	мкА

КПС203В-1, КПС203Г-1.............. 0,5	мкА

Активная составляющая выходной проводимо*

сти каждого транзистора пары при /7СИ = 10 В,

Ци = 0, /С 30 МГц, не более............. 40* мкСм

типовое значение..................... 15* мкСм

Входная емкость каждого транзистора пары

при 1/си = 10 В, С/зи = 0, не более..... 6 пФ

Проходная емкость каждого транзистора пары
при = 10 В, С/зи = 0, не более.......... 2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

(каждого транзистора пары)

Напряжение сток—исток................... 15 В

Напряжение затвор—сток.................. 20 В

Напряжение затвор—исток (положительное) .. 0,5 В
Постоянная рассеиваемая мощность’:

при Т = —45...+55 °С................. 30 мВт

В диапазоне температур +55...4-85 ’С мощность рассчитывается по формуле

Рмахс = (К5 - 7)/3, мВт
при Т - +85 °С........................ 20 мВт

Температура окружающей среды............. —40...+85 °с

Пайку и монтаж транзисторов в микросхему и их заливки
компаундом рекомендуется производить с учетом следующих
требований:

приспособления, применяемые при монтаже, не должны
вызывать повреждения защитного покрытия;

расстояние от края транзистора до места изгиба выводов
не менее 1 мм, радиус изгиба не менее 0,5 мм, расстояние до
места пайки вывода не менее 1,5 мм;

не допускать (при пайке и заливке) нагрев транзисторов
свыше +125 ’С.

При входном контроле измерение электрических параме-
тров должно производиться без извлечения транзисторов из
индивидуальной тары. Изъятые из тары транзисторы реклама-
ции не подлежат.

Выходные характери-
стики

Выходные характери-
стики

Выходные характери-
стики

Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—ис-
ток

Проходные характери-
стики

Зависимости разности
напряжений затвора
исток от температур1*
2ПЗО1А, 2П301Б, 2П301В, 2П301А1, 2П301Б1, 2П301В1,
КП301Б, КП301В, КП301Г

Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолиро-
ванным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предна-
значены для применения во входных каскадах малошумящих
усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с
высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металло-
стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,7 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Винница.

2П30НА-В), 2П30НА1-В1). КПЗОНБ-Г)

Электрические параметры

Максимальная рабочая частота КП301Б,
КП301В, КП301Г.............................. 100 МГц

Коэффициент шума при 1/си = 15 В, 4 = 5 мА,

' = 100 МГц:
2П301А...................................... 2*...3*...5 дБ

КП301Б, КП301В, КП301Г................... 2,2*...9,5 дБ

Крутизна характеристики при 1/си = 15 В,

4 = 5 мА, 50...1500 Гц:

Г= +25 °С:
2П301А, 2П301Б, 2П301В................... 1...2*...

2,6 мА/В

КП301Б............................... 1...2.6* мА/В

КП301В............................... 2...3* мА/В

КП301Г............................... 0,5...1,6* мА/В
Т= -60 ’С для 2П301А, 2П301Б, 2П301В,
не менее................................ 1 мА/В

Г= -45 ’С:

КП301 Б, не менее................... 1 мА/В

КП301В, не менее.................... 2 мА/В

КП 301 Г, не менее.................. 0,5 мА/В

Т= +70 ’С:

КП 301 Б, не менее.................. 0,6	мА/В

КП301В, не менее.................... 1,2	мА/В

КП301Г, не менее.................... 0,3	мА/В

Т= +85 ’С для 2П301А, 2П301Б, 2П301В,
не менее................................ 0,6	мА/В

Пороговое напряжение при (/си = 15 В,
4 = 0,3 мА................................. 2,7*...4,2*.„

5,4* В
2П301В, не менее........................ 2,7 В

Начальный ток стока при (7СИ = 15 В:

Т= +25 ’С для 2П301А, 2П301Б, 2П301В . Ю"4*...2° 10‘4*
...0 5 мкА

Т= -60 ’С для 2П301А, 2П304Б, 2П301В,
не более................................ 0,5 мкА

Т= -45 и +25 ’С для КП301Б, КП301В,
КП301Г, не более........................ 0,5 мкА

Т= +70 ’С для КП301Б, КП301В, КП301Г,
не более................................ 5 мкА

Г= +85 ’С для 2П301А, 2П301Б, 2П301В,
не более................................ 2 мкА

Ток стока при (/си = 15 В, 1/зи = 10 В,
для 2П301А, 2П301Б, 2П301В................. 1*...14* мА

Ток утечки затвора при (7ЗИ = 30 В, не более.. 0,3 нА
Ток порога при (/зи = 6,5 В, (7СИ = 6,5 В,
не менее:

2П301А, 2П301Б.......................... 500 мкА

КП301Б, КП301В, КП301Г.................. 10 мкА

Активная составляющая выходной проводимо-
сти при (/о, = 15 В, /с = 5 мА, /= 50... 1500 Гц:

2П301А, 2П301Б, 2П301В............... 44*...69*...

130 мкСм
КП301Б, не более....................... 150 мкСм

КП301В, не более........................ 250 мкСм

КП 301 Г, не более...................... 100 мкСм

Входная емкость при Уси = 15 В, /с = 5 мА:
2П301А, 2П301Б, 2П301В................ 1,5*...2,5*...

3,5 пФ
КП301Б, КП301В, КП301Г................. 3,5 пФ
Выходная емкость при = 15 В, /с = 5 мА:
2П301А, 2П301Б, 2П301В......................... 1*...2,5* ..

3,5 пФ

КП301Б, КП301В, КП301Г, не более............ 3,5 пФ

Проходная емкость при С/си = 15 В, 4 = 5 мА:
2П301А......................................... 0,20*...0,25*...

0,7 пФ
2П301Б...................................... 0,25*...0,30*...

1 пФ

2П301В, КП301Б, КП301В, КП301Г,
не более.................................... 1 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение затвор—исток.................. 30 В

Напряжение сток—исток.................... 20 В

Ток стока................................ 15 мА

Постоянная рассеиваемая мощность1
при Т +25 °С............................. 200 мВт

Температура окружающей среды:
2П301А, 2П301Б, 2П301В................... -60...+85	’С

КП301Б, КП301В, КП301Г................ -45...+70	’С

1 При ГЬ 4-25 "С рассеиваемая мощность рассчитывается яо формуле
рк«с = 200 - 1,5 (Г - 25), мВт.

Минимальное расстояние места пайки выводов от корпуса
3 мм, время пайки не более 3 с, температура пайки не должна
превышать +260 °С.

Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от напряжения сток—
исток

Зона возможных поло-
жений зависимости ак-
тивной составляющей
выходной проводимо-
сти от напряжения
сток—исток

Зона возможных поло'
жений зависимости ак-
тивной составляющей
выходной проводимо-
сти от тока стока
КЯ.1Б

0 2 16 8 Рг,кОм

К9.1Ь

О 10 20 30 60 (,кГц

Зависимости коэффи-
циента шума от час-
тоты

О 50	100 Т.’[

Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
сопротивления генера-
тора

Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от температуры

Зона возможных поло-
жений зависимости на-
чального тока стока
от температуры

Зона возможных поло-
жений зависимости по-
рогового напряжения
от температуры

2П302А, 2П302Б, 2П302В, КП302А, КП302Б, КП302В,
КП302Г, КП302АМ, КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ

Транзисторы кремниевые планарные полевые с затвором
на основе р-п перехода и каналом л-типа. Предназначены для
применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот
до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих
устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гиб-
кими выводами: 2П302А, 2П302Б, 2П302В, КП302А, КП302Б,
КП302В. КП302Г — вариант 1, КП302АМ, КП302БМ, КП302ВМ,
КП302ГМ — вариант 2. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1,5 г.
Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Винница.

Вариант /
2П302(А-В). КП302(А-Г)

Вариант 2
КГШАМ-ГМ]

Электрические параметры

Крутизна характеристики при С/си = 7 В,
7/зи = 0, не менее:

Т= -60 и +25 ’С:
2П302А, КП302А, КП302АМ.............. 5 мА/В

2П302Б, КП302Б, КП302Г, КП302БМ,
КП302ГМ........................... 7 мА/В

Т= +100 ’С:
КП302А, КП302АМ...................... 2,5 мА/В

КП302Б, КП302Г, КП302БМ, КП302ГМ. 3 мА/В

Г= +125 ’С:
2П302А............................... 2,5 мА/В

2П302Б............................ 3 мА/В

Коэффициент шума при С/си = 8 В, /7ЗИ = 0,
/?г = 1 МОм, / = 1 кГц для 2П302А........ 0,2*...0,6*...

2,75* дБ

Время включения при С/си = 10 В, 7/зи = 0,
не более................................. 4* нс
Время выключения при (/си = 10 В, им = 0,
не более............................... 5* нс

Сопротивление сток—исток в открытом состо-
янии при Уси = 0,2 В, Узи = 0, не более:

2П302Б, КП302Б, КП302Г, КП302БМ,
КП302ГМ............................. 150	Ом

КП302В, КП302ВМ.................... 100	Ом

при Т = —60 и +25 °С для	2П302В.... 100	Ом

при Т = +125 ’С для 2П302В......... 200	Ом

Начальный ток стока при С/Зи = 0:

^си = 7 В:

2П302А, КП302А,	КП302АМ........ 3...24 мА

2П302Б, КП302Б,	КП302БМ........ 18...43	мА

КП302Г, КП302ГМ................. 15...65	мА

{/си = 10 В для 2П302В, КП302В, КП302ВМ,
не менее............................ 33 мА

Ток утечки затвора при = 10 В, не более:
Г = —60 и+25’С.......................... 10 нА

Т= +100 ’С для КП302А, КП302Б,
КП302В, КП302Г, КП302АМ, КП302БМ,
КП302ВМ, КП302ГМ.................... 5 мкА

Т= +125 ’С для 2П302А, 2П302Б, 2П302В 50 мкА

Обратный ток р-п перехода затвор—сток
при их = 20 В, не более................ 1 мкА

Напряжение отсечки при 1/си = 7 В,
/с = 10 мкА, не более:

2П302А, КП302А, КП302АМ............. 5 В

2П302Б, КП302Б, КП302Г, КП302БМ,
КП302ГМ............................. 7 В

2П302В, КП302В, КП302ВМ............ 10 В

Выходная емкость при = 10 В, /= 10 МГц,

/с = 3 мА для 2П302А, КП302А, КП302АМ,
/с = 8 мА для 2П302Б, КП302Б, КП302БМ,
/с = 18 мА для КП302Г, КП302ГМ, /с = 33 мА
для 2П302В, КП302В, КП302ВМ, не более.. 20 пФ

Проходная емкость при {/си = 10 В, /= 10 МГц,
/с = 3 мА для 2П302А, КП302А, КП302АМ,
/с = 8 мА для 2П302Б, КП302Б, КП302БМ,
/с = 18 мА для КП302Г, КП302ГМ, /с = 33 мА
для 2П302В, КП302В, КП302ВМ, не более.. 8 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение затвор—исток:

2П302А, 2П302Б, КП302А, КП302Б,

КП302Г, КП302АМ, КП302БМ, КП302ГМ.... 10 В
2П302В, КП302В, КП302ВМ............... 12	В

Напряжение затвор—сток................... 20	В

Напряжение сток—исток.................... 20	В

Постоянный ток стока:
2П302А, КП302А, КП302АМ.................. 24	мА

2П302Б, КП302Б, КП302БМ............... 43	мА

Прямой ток затвора....................... 6 мА

Постоянная рассеиваемая мощность'
при Т « +25 ’С........................... 300 мВт

Температура окружающей среды:
2П302А, 2П302Б, 2П302В................... -60...+125 ’С

КП302А, КП302Б, КП302В, КЯ302Г,
КП302АМ, КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ. -60...+100 ’С

1 При +25 ’С рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле
^и*кс = 300 - 2 (Т- 25). мВт.



Зона возможных положений зависимости
начального тока стока от напряжения
затвор—исток

Зона возможных поло-
жений зависимости
входной проводимости
от напряжения сток—
исток

Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от температуры

Зона возможных поло-
жений зависимости
крутизны характеристи-
ки от температуры
Зона возможных поло-
жений зависимости
входной проводимости
от температуры

Зона возможных поло-
жений зависимости на-
чального тока стока
от температуры

О 45 80 120 160 Г *(

Зона возможных поло-
жений зависимости то-
ка утечки затвора от
температуры

2П303А, 2П303Б, 2П303В, 2ПЗОЗГ, 2П303Д, 2П303Е,
2П303И, КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗГ, КПЗОЗД,
КПЗОЗЕ, кпзозж, кпзози

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и каналом л-типа. Предна-
значены для применения во входных каскадах усилителей вы-
сокой частоты (2П303Д, 2ПЗОЗЕ, 2П303И, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ) и
низкой (2П303А, 2П303Б, 2ПЗОЗВ, КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ,
КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ) частот с высоким входным сопротивлени-
ем. Транзисторы 2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ в основном предназначены
для применения в зарядочувствительных усилителях и других
устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металло-
стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указы-
вается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Элеке», г. Александров.

2РКЗ(А-И). КП303(А-И‘
Электрические параметру

Коэффициент шума на частоте 100 МГц при
уси = 10 В, </зи = 0, /?г = 1 кОм для 2П303Д,
2П303Е, 2П303И, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ, не более4 дБ
Электродвижущая сила шума при = 10 В,
узи = 0, не более:

на частоте Л= 20 Гц для 2ПЗОЗА, КПЗОЗА . 30 нВ/'/Гц
на частоте Л= 1 кГц для 2П303Б, 2П303В,
КПЗОЗБ, КПЗОЗВ...................... 20 нВ/'/Гц_

КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ  .................... 100 нВ/>нц

Среднеквадратичный шумовой заряд при
Уси = 10 В, (7ЗИ = 0, С; = 10 пФ, Гф = 1 мкс
для 2ПЗОЗГ, КПЗОЗГ, не более........... 0,6 • 10-’6 Кл

Крутизна характеристики при (/си = 10 В,
Узи = 0, Г= 50... 1500 Гц:

7 = +25 °С:
2П303А, 2П303Б, КПЗОЗА, КПЗОЗБ,
КПЗОЗЖ.............................. 1...4 мА/В

2П303В, КПЗОЗВ................... 2...5 мА/В

2П303Д, КПЗОЗД................... 3...7 мА/В

2П303Д, КПЗОЗД,	не	менее......... 2,6 мА/В

2П303Е, КПЗОЗЕ,	не	менее......... 4 мА/В

2П303И, КПЗОЗИ................... 2...6 мА/В

Г = —60 °С, не менее:
2П303А, 2ПЗОЗБ...................... 1	мА/В

2П303В, 2П303И................... 2	мА/В

2П303Г........................... 3	мА/В

2П303Д........................... 2,6 мА/В

2П303Е........................... 4	мА/В

7 = —40 °С, не менее:
КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗЖ.............. 1	мА/В

КПЗОЗВ, КПЗОЗИ..........'........ 2 мА/В

КПЗОЗГ........................... 3	мА/В

КПЗОЗД........................... 2,6 мА/В

КПЗОЗЕ........................... 4	мА/В

7= +125 °С, не менее:
2П303А, 2П303Б...................... 0,5 мА/В

2П303В, 2П303И................... 1 мА/В

2П303Г........................... 1,5 мА/В

2П303Д........................... 1,3 мА/В

2П303Е........................... 2 мА/В

7 = +85 °С, не менее:
КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗЖ.............. 0,5 мА/В

КПЗОЗВ, КПЗОЗИ................... 1 мА/В
КПЗОЗГ........................... 1,5 мА/В

КПЗОЗД........................... 1,3 мА/В

КПЗОЗЕ........................... 2 мА/В

Напряжение отсечки при </си = 10 В,
4 = 0,01 мА:
2П303А, 2П303Б, КПЗОЗА, КПЗОЗБ.......... 0,5-3 В

2П303В, КПЗОЗВ...................... 1...4В

2П303Г, 2П303Д, 2П303Е, КПЗОЗГ, КПЗОЗД,
КПЗОЗЕ, не более.................... 8 В

КПЗОЗЖ.............................. 0,3-3 В

2П303И.............................. 1...3 В

КПЗОЗИ.............................. 0.5...2 В

Начальный ток стока при (Уси = 10 В, = 0:
2П303А, 2П303Б, КПЗОЗА, КПЗОЗБ......... 0,5-2,5 мА

2П303В, КПЗОЗВ...................... 1,5-5 мА

2П303Г, КПЗОЗГ...................... 3-12 мА

2П303Д, КПЗОЗД...................... 3-9 мА

2П303Е, КПЗОЗЕ...................... 5...20 мА

КПЗОЗЖ.............................. 0,3-3 мА

2П303И, КПЗОЗИ...................... 1,5-5 мА

Ток утечки затвора при Узи = 10 В, не более:

Т= +25 °С:
2П303А, 2П303Б, 2П303В, 2П303Д,
2П303Е, 2П303И, КПЗОЗА, КПЗОЗБ,
КПЗОЗВ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ, КПЗОЗЖ .... 1 нА
2П303Г, КПЗОЗГ...................... 0,1 нА

КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ................... 5 нА

Т= +125 ’С:
2П303А, 2П303Б, 2П303В, 2П303Г,
2П303Д, 2П303Е, 2П303И.............. 1 мкА

Т= +85 °С:

КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗГ,
КПЗОЗД, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ, КПЗОЗЖ,
КПЗОЗИ........................... 1 мкА

Ток утечки затвора при С/зи = 30 В, не более.. 10 мкА
Входная емкость при </си = 10 В, </зи = О,
^=10 МГц, не более...................... 6 пФ

Проходная емкость при (/си = 10 В, = О,
Л= 10 МГц, не более..................... 2 пФ

Сопротивление изоляции канал—корпус,
не менее................................ 20 МОм

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток................... 25 В

Напряжение затвор—сток, затвор—исток.... 30 В
Постоянный ток стока...................... 20 мА

Прямой ток затвора........................ 5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность1
прИТ«+25’С................................ 200 мВт

Температура окружающей среды:
2П303А, 2П303Б, 2П303Б, 2П303Г,
2П303Д, 2П303Е, 2П303И.................... -60...+125 ’С

КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗГ,
КПЗОЗД, КПЗОЗЕ, КП303Ж, КПЗОЗИ......... -40...+85 ’С

' При Т = +25...+125 "С максимально допустимая рассеиваемая мощность
для 2П303А, 2П303Б, 2П303В, 2П303Г, 2П303Д, 2П303Е, 2П303И рассчитывает-
ся по формуле

рм*кс = 200 - 1,45 (Г - 25), мВт;

при Т= +25...+85 ’С для КПЗОЗА, КПЗОЗБ, КПЗОЗВ, КПЗОЗГ, КПЗОЗД, КПЗОЗЕ,
КПЗОЗЖ, КПЗОЗИ — по формуле

Римс = 200 - 1,66 (Г- 25), мВт.

Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса
транзистора 3 мм, радиус изгиба не менее 1,5 мм. Допускает-
ся однократный изгиб вывода не ближе 3 мм от корпуса с
радиусом 0,5 см.

Соединение выводов транзистора с элементами аппарату-
ры допускается не ближе 4 мм от корпуса. Жало паяльника
должно быть заземлено.

При повышенной влажности для обеспечения тока затвора
не более 10“’ А рекомендуется использовать транзисторы в
составе герметизированной аппаратуры или при местной за-
щите прибора от воздействия влаги.

Транзисторы КПЗОЗГ допускается однократно использо-
вать при Т = —40...—150 ’С.

к мА

\Ц^1О§^2ЛХХ,Ш0Х\

тлг.в}.кпзолг.ш

V
10
в
6
к
2

О 06 1.2 1.8 2.4 3.0 (Ь,В

Проходные характери-
СТИКИ

2ГШ31В-И)
КЛШВ-И) -
ЛЗОЗА
КЛИЗА
2П50Х
ш

5.мА/В

Зависимости крутизны
характеристики от тока
стока

Упи.мкСм

О 5 10 15 20 251/„,В

Зависимости активной
составляющей выход-
ной проводимости от
напряжения сток—ис-
ток
Угги мкСм

'00
6
I
2

<0
6

<
2

\а^10В | )|
I \2П303(ГЛ.

'~Х\КЛ303(Г Д)-
2Л303М^±
кпзошЙЯЯ

ЦПЗОШ) ’
КПЗОЗ(АЬ.Ж)

О1 2 4610 2 46Ю 1С мА

гпзозо.
КПЗОЗЕ

0,010.1 1.0 10 СкГц

Зависимость ЭДС шума
от частоты

Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
сопротивления генера-
тора

Зависимости активной
составляющей выход-
ной проводимости от
тока стока

О’ 2 461.02 4610Рг.к0м	20 406080100 (МГ,ц 0 2 4 6 8ия.0К,В

Зависимость коэффи-
циента шума от сопро-
тивления генератора

Зависимости входного
и выходного сопротив-
лений от частоты

Зависимости начально-
го тока стока, крутиз-
ны характеристики и
сопротивления сток—
исток в открытом со-
стоянии от напряжения
отсечки

2П304А, КП304А

Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые
с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.
Предназначены для применения в усилителях с высоким вход-
ным сопротивлением и переключающих устройствах. Выпуска-
ются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1 г.

Изготовитель — акционерное общество «Светлана»,
г. Санкт-Петербург.
2П304А, КП304 А

Электрические параметры

Крутизна характеристики при = 10 В,

/с = 10 мА:

Т - +25 °С, не менее................. 4 мА/В

типовое значение..................... 5* мА/В

Г= +125 ’С для 2 П 304 А и Г= +85 “С
для КП304А, не менее................. 2,5 мА/В

7 = -60 ’С для 2 П 304 А и 7 = -45 ’С
для КП304А, не менее................. 4 мА/В

Пороговое напряжение при С/си = 10 В,
/с = 10 мкА, не менее................... 5 В

Начальный ток стока при 4/^ = 25 В, С/зи = 0,
не более:

Т= +25 ’С для 2П304А, КП304А......... 0,2 мкА

Т= +125 ’С для 2П304А и Т- +85 ’С

для КП304А........................... 3 мкА

Ток утечки затвора при 4/си = 0,	= 30 В,

не более................................ 20 нА

Сопротивление сток—исток в открытом состо-
янии при = 20 В, 4 = 1 мА, не более..... 100 Ом

типовое значение..................... 70* Ом

Входная емкость при 4/си = 15 В, С/зи = 0,
не более................................ 9 пФ

типовое значение..................... 7* пФ

Выходная емкость при С/си = 15 В, 4/зи = 0,
не более................................ 6 пФ

типовое значение..................... 4,5* пФ
Проходная емкость при 1/си = 15 В, = О,
не более................................ 2 пФ

типовое значение..................... 1* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток' при выводе подлож-
ки, соединенном с выводом истока........ 25 В

Напряжение затвор—сток’ при выводе под-
ложки, соединенном с выводом истока..... 30 В

Напряжение затвор—исток' при выводе под-
ложки, соединенным с	выводом истока..... 30	В

Напряжение исток—подложка’.............. 20	В

Постоянный ток стока.................... 30	мА

Импульсный ток стока при 10 мс, 10,
(ф 10 мкс............................... 60	мА

Постоянная рассеиваемая мощность:

2П304А:
Т= -60...+85	“С................... 200	мВт

7’=+125’С........................ 75 мВт

КП304А:
Т = —45...+55	“С................... 200	мВт

Т= +85 ’С........................ 100 мВт

Импульсная рассеиваемая мощность
при /*и	10 мс, О > 10, (ф $ 10 мкс:

2П304А при р 6650 Па:
Т- -60...+85 ’С...................... 400 мВт

Г=+125°С......................... 110 мВт

КП304А:
Т = —45...+55 ’С..................... 300 мВт

Т= +85 “С........................ 150 мВт

Температура окружающей среды

2П304А............................... -60...+125	’С

КП304А............................... —45...+85	’С

Выбранные напряжения с учетом их знаков должны удовлетворять следу-
ющим неравенствам:

Шз, - ЦЛ < 1^СИ И*кс1;

1Ци - ЦЛ < 1^,и*кс1-

При работе с транзисторами необходимо принимать меры
по их защите от статического электричества.

В нерабочем состоянии все выводы транзистора должны
быть закорочены.
Зависимость крутизны
характеристики от тока
стока

Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения сток—исток

Зависимость сопротив-
ления сток—исток в от-
крытом состоянии от
тока стока

Зависимость сопротив-
ления сток—исток в от-
крытом состоянии от
напряжения затвор—
исток

Зависимость начально-
го тока стока от напря-
жения сток—исток

Зависимость начально-
го тока стока от темпе-
ратуры

2П305А, 2П305Б, 2П305В, 2П305Г,
КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305И

Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые
с изолированным затвором и каналом л-типа. Предназначены
Для применения в усилителях высокой и низкой частот с высо-
ким входным сопротивлением. Выпускаются в металлосте-
клянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывает-
ся на корпусе.

Масса транзистора не более 1 г.

Изготовитель — Саратовский завод приемно-усилитель-
ных ламп, г. Саратов.

Электрические параметры

Коэффициент шума при (/си = 15 В, /с = 5 мА,

250 МГц, не более:

2П305А, 2П305В...................... 6,5 дБ
2П305(А-> > >«15051Д-И/

КП305Д, КП305Ж......................... 7,5 дБ

Коэффициент усиления по мощности при
6/си = 15 В, /с = 5 мА, /= 250 МГц для 2П305А,
2П305В, 2П305Д, КП305Ж, не менее........... 13* дБ

Крутизна характеристики при 6/си = 10 В,
/- = 5 мА:

2П305А, 2П305Б, 2П305В, 2П305Г:

Г =+25’С........................... 6...10 мА/В

Г= +125 ’С......................... От 1 до 0,65

значения при
Т = +25 "С

Т = —60 °С, не более............... 1,5 значения

при 7"=+25°С

КП305Д, КП305Ж:
7" =+25’С.............................. 5,2...10,5 мА/В

Т = +125 ’С, не более.............. 6,3 мА/В

Т = —60 ’С, не более............... 15,75 мА/В

КП305Е:

Т = +25 ’С......................... 4...8 мА/В

Т= +125 ’С......................... 2,4...4,8 мА/В

Т = -60 ’С......................... 4...15,75 мА/В

Напряжение затвор—исток при 7/си = 10 В,
/с = 5 мА:

2П305А................................. 0,2... 1,5 В

2П305Б, КП305Д......................... 0.2...2 В

2П305В, КП305Е,	КП305Ж................. -О,5...+0,5 В

2П305Г................................. —1,5...—0,2 В

КП305И................................. —2,5...—0,2 В

Напряжение отсечки при 6/си = 10 В,
/с = 0,01 мА, не	менее..................... 6 В

Ток утечки затвора при (7СИ = 0, С/зи = —30 В,
не более:

2П305А, 2П305В, 2ПЗО5Г, КП305Д,
КП305Ж, КП305И......................... 1 нА
2П305Б............................... 10’3 нА

КП305Е............................... 5 • 10~3 нА

Входная емкость при /Уси = 10 В, 4 = 5 мА,
„е более................................ 5 пФ

проходная емкость при 6/си = 10 В, 4 = 5 мА,
не более................................ 0,8 пФ

Выходная проводимость при 44и = 10 В,
I - 5 мА, типовое значение.............. 150* мкСм

Остаточный ток стока при 17^ = 10 В,
= —10 В, не более....................... 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток................... 15 В

Напряжение затвор—сток:
2П305А, 2П305Б, 2П305В, 2П305Г....... ±30 В

КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305И....... ±15 В

Напряжение затвор исток:
2П305А, 2П305Б, 2П305В, 2П305Г....... ±30 В

КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305И....... ±15 В

Напряжение сток—подложка................ 15 В

Ток стока............................... 15 мА

Постоянная рассеиваемая мощность:

при 7= -60...+40 ’С для 2П305А, 2П305Б,

2П305В, 2П305Г и 7 = -60...+25 ’С для

КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305И....... 150 мВт

при 7 = +125 ’С...................... 50 мВт

Температура окружающей среды............ —60...+125 ’С

мА/В

5. мА/В

При работе с транзисторами необходимо принимать меры
по их защите от статического электричества.

В нерабочем состоянии все выводы транзистора должны
быть закорочены.

5.

9

8
7
6
5

4

-80-40 40 80 120Т'Ч

Зависимость крутизны
характеристики от тем-
пературы

ток

характеристики от
стока

-иадтеристики от на-
^’Жения затвор—ис-
Зависимость активных
* входной и выходной
проводимостей от час-
тоты

Зависимость коэффи-
циента шума от час-
тоты

Зависимость коэффи.
циамта усиления от
частоты

2П305А-2, 2П305Б-2, 2П305В-2, 2П305Г-2

2П305(А-2 - Г-2)

Транзисторы кремние-
вые диффузионно-планар-
ные полевые с изолирован-
ным затвором и каналом
л-типа. Предназначены для
применения в герметизиро-
ванной аппаратуре в усили-
телях высокой и низкой час-
тот с высоким входным со-
противлением. Бескорпус-
ные с гибкими выводами на
кристаллодержателе и за-
щитным покрытием. Каждый

транзистор упаковывается в
сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее
производить измерение электрических параметров. Тип прибо-
ра указывается на сопроводительной таре.

Масса транзистора не более 0,005 г.

Изготовитель — Саратовский завод приемно-усилитель-
ных ламп, г. Саратов.

Электрические параметры

Максимальная рабочая частота............. 250* Мгц

Коэффициент усиления по мощности

при (/си = 15 В, 4 = 5 мА, /= 250 МГц.... 12*...17* дб

типовое значение...................... 15* дБ
Коэффициент шума при 1/^ = 10 В, /с = 5 мА,
г= 250 МГц............................. 3*...6 дБ

типовое значение.................... 4,8* дБ

Крутизна характеристики при Ц* = 10 В,
/ = 5 мА:

Г=+25’С............................. 6...10 мА/В

Г= +85 ’С........................... От 1 до 0,65

значения при
Т= +25 ’С

Т = -60 ’С, не более................ 1,5 значения

при Г=+25’С

Напряжение затвор—исток при 1/си = 10 В,
(. = 5 мА:
2П305А-2............................... 0,2...1,5 В

2П305Б-2............................ 1...3 В

2П305Б-2............................ —0,5...+0,5 В

2П305Г-2............................ —1,5...-0,2 В

Напряжение отсечки при {/си = 10 В,
/с = 0,01 мА, не менее:
2П305А-2, 2П305Б-2, 2П305Г-2........... 6	В

2П305Б-2............................ 2	В

Ток утечки затвора при 6/си = 0,	= 30 В,

не более............................... 1	нА

Входная емкость при = 10 В, 4 = 5 мА,
не более............................... 6,8 пФ

Проходная емкость при = 10 В, /с = 5 мА,
не более................................ 0,8 пФ

Полная входная проводимость при С/си = 15 В,
/с = 5 мА, Г = 250 МГц, не более....... 1* мкСм

Полная выходная проводимость при

(/си = 15 В, /с = 5 мА, Г= 250 МГц, не более .. 1* мкСм

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток.................. 15 В

Напряжение затвор—сток:
при Т= -60...+25 ’С.................... ±30 В

при Т= +85 ’С....................... ±15 В

Напряжение затвор—исток:
при Г= -60...+25 ’С.................... ±30 В

при Г =+85’С........................ ±15 В

Напряжение сток—подложка............... 15 В

Ток стока.............................. 15 мА

Постоянная рассеиваемая мощность с тепло-
отводом:

при Т = -60.. +50 ’С................ 80 Вт
при Т = +85 "С......................... 50 мВт

Температура окружающей среды.............. —60...+85 °С

При монтаже транзисторов в гибридной микросхеме не
допускается использование материалов, вступающих в хими-
ческое и электрохимическое взаимодействие с защитным по-
крытием, изготовленного из диализофталатного лака, должны
быть приняты меры, исключающие соприкосновение' выводов
с кристаллом (минимальное расстояние от места изгиба выво-
дов до кристалла 1 мм, радиус закругления не менее 0,5 мм).

При извлечении транзисторов из сопроводительной тары
(после отсоединения выводов от тары) и монтаже транзисто-
ров в микросхему должны применяться приспособления, не
вызывающие повреждения кристалла и его защитного покры-
тия.

При пайке (сварке) выводов не ближе 1,5 мм и при заливке
транзисторов компаундами температура кристалла не должна
превышать +100 °С.

2П306А, 2ПЗО6Б, 2П306В, КПЗО6А, КП306Б, КПЗО6В

Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые
с двумя изолированными затворами, каналом л-типа и норми-
рованным участком переходной характеристики. Предназначе-
ны для применения в преобразовательных и усилительных кас-
кадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротив-
лением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — КПП <Восток», г. Новосибирск.

2П306(А-В) КПЯб(А-В)
Электрические параметры

Предельная частота усиления.............. 800* МГц

Коэффициент шума при Уси = 20 В,

(/32И = 10 В, /с = 5 мА, / = 200 МГц:
2П306А, 2П306Б, 2П306В................... 2,5*-6 дБ

типовое значение...................... 3,5* дБ

КП306А, КП306Б, КП306В................ 4...Б дБ

Коэффициент усиления по мощности при

Уси = 15 В, и32Ц = 10 В, /с = 5 мА, Г= 200 МГц:
2П306А, 2П306Б, 2П306В................... 10*...20* дБ

типовое значение...................... 15* дБ

Участок квадратичное™ переходной характе-
ристики по напряжению первого затвора (при
ослаблении комбинированных составляющих

третьего порядка не менее 80 дБ) при
иы = 15 В, ^32И = 10 В, /с = 0,2... 10 мА,
Г = 0,465 МГц:
2П306А, 2П306Б, 2П306В................... 1...2.5* В

типовое значение...................... 1,5* В

Крутизна характеристики при С/си = 15 В,
1/32И = Ю В, /с = 5 мА:

Т- +25 ’С:
2П306А, 2П306Б, 2П306В................ 3...8 мА/В

типовое значение................... 4,8* мА/В

КП306А, КП306Б, КП306В............. 4...8 мА/В

2П306А, 2П306Б, 2П306В, КП306А,
КП306Б, КП306В:

Г=+125’С —......................... От 1 до 0,65

значения при
Т = +25 ’С

Т = —60 ’С, не более............... 1,5 значения

при Г=+25’С

Напряжение первый затвор—исток
при Уси = 15 В, 6/32И = 10 В, /с = 5 мА:
2П306А, КП306А........................... —0,5...+0,5 В

2П306Б, КП306Б........................ 0...2 В

2П306В, КП306В........................ —3,5...0 В

Напряжение отсечки при Уси = 15 В,
</32И = 10 В, /с = 10 мкА:
2П306А, КП306А........................... 4...0.8*	В

типовое значение...................... 1,6* В

2П306Б, КП306Б........................ 4...0.2*	В

типовое значение...................... 0,8* В

2П306В, КП306В........................ 6-1,3*	В
типовое значение...................... 2,2* В

Ток утечки первого затвора при 1/си = У32И = О,
/Уз,и = 20 В, не более:

2П306А, 2П306Б, 2П306В................ 1 нА

КП306А, КП306Б, КП306В................ 5 нА

Остаточный ток стока при = 15 В,
У31и = —10 В, ^/32И = 10 В, не более..... 5 мкА

Входное сопротивление при 6/си = 15 В,
У32И = Ю В, /с = 5 мА:

на частоте 1- 60 МГц 2П306А, 2П306Б,
2П306В................................ 12*..18* кОм

типовое значение...................... 14* кОм

КП306А, КП306Б, КП306В,	не менее.... 12* кОм

на частоте /= 100 МГц 2П306А, 2П306Б,
2П306В................................ 5*... 10 кОм

типовое значение...................... 8* кОм

КП306А, КП306Б, КП306В,	не менее.... 5* кОм

Входная емкость при Уси = 20 В, С/32И = 10 В,
/с = 5 мА, не более...................... 5 пФ

Проходная емкость при 1/си = 20 В,
У32И = Ю В, 4 = 5 мА, не более........... 0,07 пФ

Электрические параметры по второму затвору*

Коэффициент шума при = 15 В,
У3)И = 10 В, /с = 5 мА, (= 200 МГц, не более . 10 дБ
Участок квадратичное™ переходной характе-
ристики по напряжению второго затвора (при
ослаблении комбинационных составляющих
третьего порядка не менее 80 дБ) при

Уси = 15 В, У3,и = 10 В, /с = 0,2... 10 мА,
0,465 МГц, не менее....................... 1 В

Крутизна характеристики при Уси = 15 В,

У31И = Ю В, 4 = 5 мА  ................... 2...4,5 мА/В

типовое значение...................... 3,7 мА/В

Ток утечки второго затвора при Уси = У31И = 0,.

У32И = 20 В, не более:
2П306А, 2П306Б, 2П306В.................... 1 нА

КП306А, КП306Б, КП306В................ 5 нА

Входная емкость при Уси = 15 В, Ц1И = 10 В,
/с = 5 мА..-..........................'.. 1.5...4 пФ

типовое значение...................... 2 пФ

Проходная емкость при С/си = 15 В,
У31И = 10 В, 4 = 5 мА.................... 0,3...1 пФ

типовое значение...................... 0,35 пФ
Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток................. 20 В

Напряжение первый затвор—сток......... 20 В

Напряжение второй затвор—сток......... 20 В

Напряжение первый затвор—исток........ 20 В

Напряжение второй затвор—исток........ 20 В

Напряжение первый затвор—второй затвор.... 25 В
Постоянный ток стока.................. 20 мА

Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т= -60...+35 ’С................... 150 мВт

приГ=+125°С........................... 50 мВт

Температура окружающей среды.......... —60...+125 ’С

При работе с транзисторами необходимо принимать меры
по их защите от статического электричества.

В нерабочем состоянии все выводы транзистора должны
быть закорочены.

5,мА/В

6

5

4
]

2
I

0 2 4 6 8 !С'„А

Зависимость крутизны
характеристики по вто-
рому затвору от тока
стока

Зависимость коэффи-
циента усиления от то-
ка стока

Зависимости крутизны
характеристики по пер-
вому затвору от тока
стока

Зависимость коэффи-
циента усиление от на-
пряжения второй за-
твор—исток

Зависимость коэффи-
циента усиления от
частоты

Зависимость коэффи-
циента шума от напря-
жения второй затвор—
исток
2П307А, 2П307Б, 2П307Г,
КП307А, КП307Б, КП307Г, КП307Е, КП307Ж

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и каналом л-типа. Предна-
значены для применения во входных и выходных каскадах
усилителей высокой и низкой частот с высоким входным со-
противлением. Транзисторы КП307Ж в основном предназначе-
ны для применения в зарядочувствительных усилителях и дру-
гих устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в ме-
таллостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
Ташкент.

2П307(А-П. КП307(А-Ж)

Сток

Электрические параметры

Коэффициент шума на частоте /= 400 МГц
при 4/си = 10 В, /с = 5 мА для 2П307А,
2П307Б, 2П307Г, КП307А, КП307Б, КП307Г,

не более.................................. 6 дБ

Электродвижущая сила шума:

на частоте С- 1 кГц при (/си = 10 В,

4/зи = 0 для 2П307А, КП307А, КП307Е,

не более.............................. 20 нВ/^/Гц

на частоте /= 100 кГц при 1!ы = 10 В,

(/зи = 0 для 2П307Б, 2П307Г, КП307Б,	_

КП307Г, не более...................... 2,5 нВ/'/Гц

Крутизна характеристики при 1/^ = 10 В,

«Ли = 0, С = 50... 1500 Гц:

Т = +25 ’С:

2П307А, КПЗО7А..................... 4...9 мА/В
2П307Б, КП307Б.................... 5... 10 мА/В

2П307Г, КП307Г.................... 6...12 мА/В

КПЗО7Е............................ 3...8 мА/В

КП307Ж, не менее.................. 4	мА/В

Т = —60 °С, не менее:
2П307А............................... 4	мА/В

2П307Б............................ 5	мА/В

2П307Г............................ 6	мА/В

Т = —40 °С, не менее:
КПЗО7А, КП307Ж....................... 4	мА/В

КП307Б............................ 5	мА/В

КП307Г............................ 6	мА/В

КПЗО7Е............................ 3	мА/В

Т = +125 °С, не менее:
2П307А............................... 2	мА/В

2П307Б............................ 2,5 мА/В

2П307Г............................ 3	мА/В

Т = = 85 °С, не менее:
КПЗО7А, КП307Ж....................... 2	мА/В

КПЗО7Б............................ 2,5 мА/В

КП307Г............................ 3	мА/В

КП307Е............................ 1,5 мА/В

Начальный ток стока при 4/си = 10 В, 6/зи = 0:
2П307А, КПЗО7А.......................... 3...9 мА

2ПЗО7Б, КП307Б....................... 5...15	мА

2П307Г, КП307Г....................... 8...24	мА

КП307Е............................... 1,5...5 мА

КП307Ж............................... 3...25	мА

Напряжение отсечки при 4/си = 10 В,
/ — 1П ми А *

2П307А^ КП307А...................... 0.5...3	В

2П307Б, КП307Б....................... 1...5 В

2П307Г, КПЗО7Г...................... 1,5...6	В

КПЗО7Е, не более..................... 2,5 В

КПЗО7Ж, не более..................... 7 В

Ток утечки затвора, не более:

при 6/зи = —10 В:
Т = +25 °С для 2П307А, 2П307Б,
2П307Г, КП307А, КП307Б, КП307Г,
КП307Е............................... 1 нА

КП307Ж............................ 0,1 нА

Т = +125 °С для 2П307А, 2П307Б,
2П307Г и Т= +85 °С для КП307А,
КПЗО7Б, КП307Г, КП307Е, КП307Ж.... 1 мкА

при С/зи = —30 В..................... 10 мкА
Активная составляющая выходной проводи-
мости при </си = 10 В, = 0, /= 50... 1500 Гц
для 2П307Г, КПЗО7Г, не более............ 200 мкСм

Входная емкость при 7/си = 10 В, (/зи = 0,
/= 10 МГц, не более..................... 5 пФ

Проходная емкость при 4/си = 10 В, 4/зи = 0,
/= 10 МГц, не более..................... 1,5 пФ

Среднеквадратичный шумовой заряд при
исц = 7 В, 4/зи = 0, С = 10 пФ для КП307Ж,
не более................................ 0,4 • 10~’6 Кл

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток:
2П307А, 2П307Б, 2П307Г............... 25 В

КП307А, КП307Б, КП307Г, КП307Е,
КП307Ж............................... 27 В

Напряжение затвор—сток, затвор—исток:
2П307А, 2П307Б, 2П307Г................ ЗОВ

КП307А, КП307Б, КП307Г, КП307Е,
КП307Ж............................... 27 В

Постоянный ток стока:
2П307А, 2П307Б, 2П307Г.................. 30 мА

КП307А, КП307Б, КП307Г, КП307Е,
КП307Ж............................... 25 мА

Прямой ток затвора...................... 5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность':

2П307А, 2П307Б, 2П307Г:
при Т = —60...+25 ’С................ 250 мВт

при Г = +125 °С.................. 50 мВт

КП307А, КПЗО7Б, КП307Г, КП307Е,
КП307Ж:

при Т = —40...+25 °С............. 250 мВт

при Т = +85 °С................... 130 мВт

Температура структуры 2П307А, 2П307Б,
2П307Г..............................:...	+140 "С

Температура окружающей среды:
2П307А, 2П307Б, 2П307Г.................. -60...+ 125 °С

КП307А, КП307Б, КПЗО7Г, КП307Е,
КП307Ж............................... -40...+85 °С

' При Г > +25 ‘С максимально допустимая рассеиваемая мощность рассчи-
тывается по формуле

Ршк = 250 - 2 (Г- 25), мВт.

Соединение транзисторов с элементами аппаратуры допуска-
ется не ближе 4 мм от корпуса. Допускается однократная пайка
544
в(,/водов менее 4 мм от корпуса. Жало паяльника при пайке
должно быть заземлено. Обязательно применение мер, предо-
храняющих корпус транзистора от попадания флюса и припоя.

При повышенной влажности для

обеспечения тока затвора не более
Ю"9 А рекомендуется использовать
транзисторы в составе герметизиро-
ванной аппаратуры или при местной
защите прибора от воздействия влаги.

Транзисторы КПЗО7Ж допускает-
ся однократно использовать при Т =
= -40..-150 °С.

Зависимость крутизны
характеристики от то-
ка стока

5. мА/В

9гг».мкСм

Ъ.нВГц-'*

2П507а.кша.я |			
	205075, КП5075		
	'^15075. КП307(Г.Ж)		
			
			и^юв
			1

0 1 2 5 4 С/Ж,В

Зависимости активной
составляющей выход-
ной проводимости от
напряжения сток—ис-
ток

0 5 10 15 20 /с,мА

Зависимость ЭДС шума
от тока стока

Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—ис-
ток

Зависимости коэффи-
циента шума и усиле-
ния от напряжения
сток—исток

Кв.Ку'Р ,/Б

12

10

8

6

4

2

0 5 10 15 20 1с.мА

Зависимости коэффи-
циента шума и усиле-
ния от частоты

Зависимости коэффи-
циента шума и усиле-
ния от тока стока
2П308А9, 2П308Б9, 2П308В9, 2П308Г9, 2Л308Д9,
2П308Е9, 2П308А—1, 2П308Б-1, 2П308В-1,

2П308Г—1, 2П308Д—1, КП308А-1, КП308Б-1,
КП308В-1, КП308Г-1, КП308Д-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и каналом л-типа. Предна.
значены для применения в герметизированной аппаратуре Во
входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного
тока, в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким
входным сопротивлением. Транзисторы 2П308(А— 1— Д-1)(
КП308(А— 1— Д— 1) бескорпусные с гибкими выводами и с защит-
ным покрытием без кристаллодержателя. Каждый транзистор
упаковывается в сопроводительную тару, позволяющую произ-
водить измерение электрических параметров без их извлечения.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре. Транзи-
сторы 2ПЗО8(А9-Е9) выпускаются в пластмассовом корпусе с
жесткими выводами. Тип прибора указывается в этикетке.

Масса бескорлусного транзистора не более 0,005 г, тран-
зистора в пластмассовом корпусе не более 0,1 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.

2ПША9-Е9)

Электрические параметры

Электродвижущая сила шума на ( = 1 кГц при

Уси = 10 В, = 0 для КП308А-1, КЛ308В-1,	_

не более.............................. 20	нВ/\Тц
2ПЗШ-1 - /1-1)

КП508(А-1 - Д-1)

0.7

Крутизна характеристики при (/си = 10 В,
1/зи - 0:

Т= +25 °С:

2П308А-1, 2П 308Б-1. 2ПЗО8А9,
2П308Б9, КП308А-1, КП308Б-1......

2П308В-1, 2П308В9................

КП308В-1.........................

2П308Е9, не менее................

Г = ГМАКС, не менее:
2П308А-1, 2П308Б—1, 2П308В-1,
2П308А9, 2П308Б9, 2П308В9...........

КП308А-1, КП308Б-1...............

КП308В-1.........................

Г = —60 °С, не менее:
2П308А-1, 2П308Б-1, 2П308В-1,
2П308А9, 2П308Б9, 2П308В9,
КП308А—1, КП308Б-1..................

КП308В-1.........................

Время включения при ^/си = 10 В, = 0
для 2П308Г-1, 2П308Д-1, 2П308Г9, 2П308Д9,
КП308Г-1, КП308Д-1, не более...........

Время выключения при 6/си = 10 В, 6^ = 0
для 2П308Г-1, 2П308Д—1, 2П308Г9, 2П308Д9,
КП308Г-1, КП308Д—1, не более...........

Напряжение отсечки при 4/си = 10 В,

4 = Ю нА:

2П308А9, 2П308А—1, КП308А-1 ........

2П308Б9, 2П308Б—1, КП308Б-1.........

2П308В9, 2П308В—1, КП308В-1 ........

2П308Г9, 2П308Г-1, КП308Г-1.........

2П308Д9, 2П308Д-1, КП308Д-1.........

1...4 мА/В

2...5 мА/В

2...6,5 мА/В
1 мА/В

0,5 мА/В
0,6 мА/В
1,2 мА/В

1 мА/В

2 мА/В

20 нс

20 нс

0,2...1,2 В

0,3... 1,8 В
0.4...2.4 В

1...6 В

1...3 В
2П308Е9.............................. 0.2...6	В

Начальный ток стока при 6/си = 10 В, 4/зи = 0:

2П308А9, 2П308А-1,	КП308А-1........ 0,4—1	мА

2П308Б9, 2П308Б—1, КП308Б-1.......... 0,8...1,6 МД

2П308В9, 2П308В—1,	КП308В-1...... 1.4...3	мА

2П308Е9, не более.................... 6 мА

Ток утечки затвора при (/си = 0, Ци = —10 В,
не более:

Т = +25 °С:
2П308А-1, 2П308Б-1, 2П308В-1,
2П308Г-1, 2П308Д-1, 2П308А9,
2П308Б9, 2П308В9, 2П308Г9, 2П308Д9,
2П308Е9, КП308А-1, КП308Б-1......... 1 нА

КП308В-1......................... 0,5 нА

2П308А—1, 2П308Б-1, 2П308В-1,
2П308Г-1, 2П308Д-1, 2П308А9,
2П308Б9, 2П308В9, 2П308Г9, 2П308Д9,
2П308Е9.......................... 1 мкА

КП308А-1,	КП308Б-1, КП308В-1.... 50 нА

Ток утечки затвора при 4/си = 0, (/зи = —30 В,
не более................................ 10 мкА

Активная составляющая выходной проводи-
мости при 4/си = 10 В, и3н = 0, не более:

2П308А9, 2П308А-1, КП308А-1 ......... 10 мкСм

2П308Б9, 2П308В9, 2П308Б-1, 2Л308В-1,
КП308Б-1, КП308В-1 .................. 20 мкСм

Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при 6/си = 0,2 В, = 0:

Т = +25 °С:
2П308Г9, 2П308Г-1, КП308Г-1........ 230...250	Ом

2П308Д9, 2П308Д-1, КП308Д-1,
не более......................... 500 Ом

Т = —60 °С, не более:
2П308Г9, 2П308Г-1,	КП308Г-1...... 250 Ом

2П308Д9, 2П308Д-1, КП308Д-1...... 500 Ом

Т = Тмако не более:
2П308Г9, 2П308Г-1................... 500 Ом

2П308Д9, 2П308Д-1	.......... 1000 Ом

КП308Г-1 ........................ 400 Ом

КП308Д-1......................... 800 Ом

Входная емкость при 4/си = 10 В, (/зи = 0,
не более................................ 6 пф

Выходная емкость при (/си = 10 В, Ум = 0,
не более................................ 2 пФ
Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток................... 25 В

Напряжение затвор—сток.................. 30 В

Напряжение затвор—исток................. 30 В

Постоянный ток стока.................... 20 мА

Прямой ток затвора...................... 5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность'

при Т= -60...+25 ’С:
2П308А-1, 2П308Б-1, 2П308В-1,
2П308Г-1, 2П308Д-1, КП308А-1,
КП308Б-1, КП308В-1, КП308Г-1,
КП308Д-1................................ 60 мВт

2П308А9, 2П308Б9, 2П308В9, 2Л308Г9,
2П308Д9, 2П308Е9..................... 80 мВт

Температура структуры................... +140 ’С

Температура' окружающей среды:

2П308А-1, 2П308Б-1, 2П308В-1,
2П308Г-1, 2П308Д-1................... -60...+125 ’С

2П308А9, 2П308Б9, 2П308В9, 2П308Г9,
2П308Д9, 2П308Е9 .................... -60...+100 ’С

КП308А-1, КП308Б—1, КП308В-1,
КП308Г-1, КП308Д-1................... -60...+85 ’С

' При Т > +25 ’С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность рассчитывается по формуле

рн*кс = 60 - 0,5 (Г — 25), мВт для 2П308(А-1-Д-1), КП308(А-1 -Д-1);

Ридкс = гстр - 7/1,44, мВт для 2П308(А9-Д9).

Пайка выводов допускается не ближе 10 мм от транзисто-
ра. При заливке транзисторов компаундами температура кри-
сталла не должна превышать предельно допустимую темпера-
туру окружающей среды.

2П310А, 2П310Б

Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые
о изолированным затвором и каналом л-типа. Предназначены
Для применения в приемно-передающих устройствах сверхвы-
сокочастотного диапазона. Выпускаются в металлостеклянном
корпусе с гибкими выводами. На торцевую поверхность балло-
на каждого транзистора наносится красная точка.

Масса транзистора не более 0,7 г.

Изготовитель — НПП «Восток», г. Новосибирск.
2П3106(А,Б}

Подложка Исток

Электрические параметры

Коэффициент шума на частоте / = 1 ГГц

при 4/си = 5 В, /с = 5 мА:
2П310А..................................... 5*...6 дБ

2П310Б.................................. 5*...7* дБ

Коэффициент усиления по мощности на часто-

те Г= 1 ГГц при 4/си = 5 В, /с = 5 мА...... 5*...7* дБ

типовое значение........................ 5,5* дБ

Крутизна характеристики при 6/си = 5 В,
4 = 5 мА, Г= 50... 1500 Гц:

Т= +25 °С............................... 3...6* мА/В

типовое значение........................ 4* мА/В

Т = -60 ’С.............................. 1,5—6* мА/В

типовое значение........................ 4,2* мА/В

Т= +125 ’С.............................. 1,5-4,7* мА/В

типовое значение........................ 3,5* мА/В

Начальный ток стока при (/Си = 5 В, ^/зи = 0:
Т = +25 ’С................................. 0,35-5 мА

типовое значение........................ 0,1* мА

Т = —60 ’С, не более.................... 15 мА

Т= +125 ’С, не более.................... 8 мА

Остаточный ток стока при (/Си = 5 В,
= -5 В..................................... 1*... 100 мкА

типовое значение........................ 10* мкА

Ток утечки затвора при 6/зи = —10 В........ 10-4*...3 нА

типовое	значение...................... 1* нА

Входная емкость при 4/си = 5 В, 4/зи = 0,
Л= 10 МГц.................................. 1,4*...2,5	пФ

типовое	значение...................... 1,8* пФ
проходная емкость при ис<л = 5 В, 6/^ = 0,
угг Ю МГц................................ 0,2* ..0,5 пФ

типовое значение...................... 0,3* пФ

Выходная емкость при Уа = 5 В, 6/зи = -1 В,
10 МГц................................... 1,2*...2 пФ

типовое значение...................... 1,4* пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток................... 8	В

Напряжение затвор—сток.................. 10	В

Напряжение затвор—исток................. 10	В

Ток стока............................... 20	мА

Постоянная рассеиваемая мощность’
при Г= -60...+ 125 °С................... 80 мВт

Температура окружающей среды............ —60...+125 °С

В диапазоне температур +25...+ 125 ’С мощность рассчитывается по фор-
муле

₽макс = 80 - 0,55 (Г - 25), мВт.

Минимальное расстояние места изгиба выводов от корпуса
транзистора 3 мм, радиус изгиба не менее 1,5 мм.

Пайка выводов транзистора допускается не ближе 3 мм от
корпуса. Пайку производить отключенным от сети паяльником
мощностью не более 60 Вт. В момент пайки все выводы долж-
ны быть закорочены.

При работе с транзисторами необходимо учитывать воз-
можность их самовозбуждения как высокочастотных элемен-
тов и принимать меры к его устранению, а также принимать
меры по их защите от статического электричества.

Проходная характери-	Зависимость крутизны	Зависимость крутизны

стика	характеристики от на-	характеристики от то-

пряжения затвор—ис-	ка стока

ток
Зависимость коэффи-
циента шума от тока
стока

Зависимость коэффи-
циента шума от напря-
жения сток—исток

Зависимость сопротив-
ления сток—исток в
открытом состоянии от
тока стока

Зависимость входной
емкости от напряжения
сток—исток

Зависимость проход-
ной емкости от напря-
жения сток—исток

Зависимость выходной
емкости от напряжения
сток—исток

2П312А, 2П312Б, 2П312А-5, 2П312Б-5,
2П312А-6, 2П312Б-6, КП312А, КП312Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и каналом л-типа. Предна-
значены для применения во входных усилительных и преобра-
зовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона. Тран-
зисторы 2П312А, 2П312Б, КП312А, КП312Б выпускаются в
металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми вывода-
ми. Маркируются цветными точками: 2П312А — одной желтой,
2П312Б — одной синей, КП312А — двумя желтыми, КП312Б —•
двумя синими. Транзисторы 2П312А—5, 2П312Б—5 выпускают-
ся в виде кристаллов с контактными площадками без кристал-
лодержателя и без выводов. Транзисторы 2П312А—6, 2П312Б-6
552
упускаются в виде кристал-
лов с контактными площад-
ками на подложке без выво-
дов. На 2П312А—6 наносит-
ся синяя маркировочная точ-
ка, на 2П312Б—6 — белая.
Тип прибора указывается в
этикетке.

Масса транзистора в ме-
таллокерамическом корпусе
не более 0,2 г, кристалла не
более 0,0003 г, кристалла на
подложке не более 0,008 г.

Изготовитель — завод
«Пульсар», г. Москва.

2П312СА.Б)

КП312(А.Б)

2П3121А-6. Ь-6)

Электрические параметры

Коэффициент шума на 1- 400 МГц

при (/си = 10 В:

2П312А, 2П312А-5, 2П312А-6, КП312А .. 1...4 дБ
2П312Б, 2П312Б-5, 2П312Б-6, КП312Б.... 1...6 дБ
Коэффициент усиления по мощности
на 400 МГц при 4/си = 10 В, /с = 5 мА,
не менее................................... 2 дБ

Крутизна характеристики при 4/си = 15 В,
4/зи = 0, не менее:

Т = -60 и +25 °С:
2П312А, 2П312А-5, 2П312А-6,
КП312А.................................. 4	мА/В

2П312Б, 2П312Б-5, 2П312Б-6,
КП312Б.............................. 2	мА/В

2П312А,	КП312А................... 1,5 мА/В

2П312Б,	КП312Б................... 1	мА/В

Напряжение отсечки при 4/си = 15 В,
/с = 10 мкА:

2П312А, 2П312А-5, 2П312А-6, КП312А .. 2*...3,5*...8 В
2П312Б, 2П312Б-5, 2П312Б-6, КП312Б.... 0,8*...3,5*...

6 В .
Начальный ток стока при 4/си = 15 В, = 0:

2П312А, 2П312А-5, 2П312А-6, КП312А .. 8*...11*...

25 мА

“ 2П312Б, 2П312Б-5, 2П312Б-6, КП312Б.... 1,5*...3*...7 мА
Ток утечки затвора при 4/зи = —10 В, (/си = 0,
не более:

Т=-60’С................................ 100 нА

Т = +25 °С............................. 10 нА

Т— .................................... 1 мкА

Активная составляющая выходной проводи-
мости при (/а, = 15 В, Г = 1 кГц:

КП312А................................. 10,5*...45*...

130 мкСм
КП312Б................................. 10*...40*...

110 мкСм
Входная емкость при {/си	= 15 В............ 2*...2,4*...

4 пФ
Проходная емкость при 4/си = 15 В.......... 0,5*...0,64*...

1 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение затвор—исток......... 25 В

Постоянное напряжение затвор—сток.......... 25 В

Постоянное напряжение сток—исток........... 20 В

Постоянный ток стока....................... 25 мА
Постоянная рассеиваемая мощность
при Г= -60...+40 ’С....................... 100 мВт

Тепловое сопротивление переход—среда...... 1 °С/мВт

Температура структуры..................... +140 ’С

Температура окружающей среды:

2П312А, 2П312Б, 2П312А-5, 2П312Б-5,
2П312А-6, 2П312Б-6..................... -60...+ 125 ’С

КП312А, КП312Б......................... -60...+ 100 ’С

Примечание: для приборов с 4 нач = 5 мА измерение активной со-
ставляющей выходной проводимости, входной и проходной емкостей, коэффи
циента шума производят при 1/^ = 0, для приборов с /с > 5 мА при /с = 5 мА.

' При 7? +40 "С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность рассчитывается по формуле

вике = (140 “	«Вт.

Зависимости электрических параметров от температуры,
напряжений и токов для 2П312А—5, 2П312Б—5, 2П312А—6,
2П312Б—6 аналогичны зависимостям 2П312А, 2П312Б.

Допустимое значение электростатического потенциала
100 В.

Технология сборки транзисторов 2П312А—5, 2П312Б—5 в
гибридную схему, применяемые детали и материалы должны
обеспечивать значение общего теплового сопротивления, со-
бранного в гибридную схему транзистора, не выше 1 ’С/мВт.

При монтаже транзисторов в составе гибридной схемы
необходимо выполнять следующие условия:

—	монтаж транзисторов в составе гибридной схемы дол-
жен осуществляться с помощью ультразвуковой пайки в инерт-
ной среде. Температура пайки 400...450 ’С. В качестве припоя
должна применяться золотая прокладка толщиной 0,02 мм.
Основание, на которое напаивается транзистор, должно быть
золоченое, толщина покрытия 3...4 мкм. Рекомендуемый мате-
риал основания окись бериллия ОБ—1 ТУ—219—79;

—	присоединение выводов к контактным площадкам дол-
жно производиться ультразвуковой сваркой. В качестве выво-
дов должна применяться алюминиевая проволока А5Е—26
ЖКО.021.065 ТУ. Соединение вывода с контактной площадкой
должно выдерживать разрывное усилие не менее 2 гс;

—	выводы после ультразвуковой сварки не должны ка-
саться структуры и боковых ребер транзистора;

—	не допускается смещение точек ультразвуковой сварки,
приводящие к закорачиванию элементов структуры;

—	не допускается сильное натяжение и провисание выво-
дов;
— не допускается разрыв (пережатие) алюминиевой про-
волоки в месте ультразвуковой сварки.

После извлечения транзисторов из герметичной или влаго-
защитной упаковки изготовителя до присоединения выводов к
контактным площадкам транзисторы должны находиться в спе-
циальной камере с инертной средой в течение не более 10 сут.
В случае использования части транзисторов из общей упаков-
ки, неиспользованные транзисторы должны быть повторно
упакованы в герметичную тару. Требование на хранение в
специальной камере с инертной средой не более 10 сут рас-
пространяется на повторно упакованные транзисторы с мо-
мента вскрытия вторичной упаковки.

Монтаж транзисторов 2П312А—6, 2П312Б—6 в гибридную
схему допускается производить при температуре пайки не выше
+260 °С в течение не более 5 с.

5 .мА/В

Зависимости крутизны
характеристики от тем-
пературы

Зависимости начально*
го тока стока от темпе-
ратуры

Зона возможных поло-
жений проходной ха-
рактеристики

Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от тока стока

Зона возможных поло-
жений зависимости на-
пряжения затвор—ис-
ток от температуры
Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения сток—исток

Зависимости начально-
го тока стока от напря-
жения затвор—исток

Зона возможных поло-
жений зависимости то-
ка утечки затвора от
температуры

2П313А, 2П313Б, 2П313В, КП313А, КП313Б, КП313В

Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые
с изолированным затвором и каналом л-типа. Предназначены
для применения в усилителях высокой и низкой частот с высо-
ким входным сопротивлением. Выпускаются в пластмассовом
корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе.

Масса транзистора не более 1 г.

Изготовитель — НПП «Восток», г. Новосибирск.

2П5Ш-В)
КППЗ(А-В)

Электрические параметры

Максимальная рабочая частота......... 300*	МГц
Коэффициент шума при 6/си = 15 В, /с = 5 мА,
Г = 250 МГц для КП313А, КП313Б, КП313В,

не более.................................... 7,5 дБ

Коэффициент усиления по мощности

при 6/си = 15 В, /с = 5 мА, /= 250 МГц,
для КП313А, КП313Б, КП313В, не менее........ 10 дБ

Крутизна характеристики при С/си = 10 В,
/с = 5 мА:

2П313А, 2П313Б, 2П313В:
7" =+25’С............................... 5...10 мА/В

Т= +85 ’С........................... От 1 до 0,6

значения при
Т= +25 ’С

Т = —60 ’С, не более................ 1,5 значения

при Т= +25 ’С

КП313А, КП313Б, КП313В при Т= +25 ’С 4,5—10,5 мА/В
Напряжение затвор—исток при 6/си = 10 В,

4 = 5 мА:
2П313А..................................... 0,4...1,5 В

2П313Б.................................. —0,6...+0,6 В

2П313В.................................. —1,5...—0,4 В

КП313А.................................. 0,3...1,8 В

КП313Б.................................. —0,5...+0,5 В

КП313В.................................. -2...-0.3 В

Напряжение отсечки при 4/си = 10 В,
/с = 10 мкА, не менее....................... 6 В

Ток утечки затвора при С/си = 0, 6/эи = 10 В,
не более.................................... 10 нА

Входная емкость при 4/си = Ю В, /с = 5 мА
2П313А, 2П313Б, 2П313В..................... 4,1*...6,8	пФ

типовое значение........................ 4,8* пФ

КП313А, КП313Б, КП313В, не более........ 7 пФ

Проходная емкость при 6/си = 10 В, /с = 5 мА:
2П313А, 2П313Б, 2П313В..................... 0,3*...0,8	пФ

типовое значение........................ 0,4* пФ

КП313А, КП313Б, КП313В, не более ....... 0,9 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток.................... 15	В

Напряжение затвор—сток................... 15	В

Напряжение затвор—исток.................. 10	В

Ток стока................................ 15	мА

Постоянная рассеиваемая мощность:

2П313А, 2П313Б, 2П313В:
Т= -60...+35 ’С...................... 120	мВт
Т= +85 ’С....................... 80	мВт

КП313А, КП313Б, КП313В:
Г= —Д5...+25	’С.................. 7э	мВт

Г=+85’С......................... 40	мВт

Температура окружающей среды:
2П313А, 2П313Б, 2П313В.................. -60... 1-85 ’С

КП313А, КП313Б, КП313В.............. -45...+85 ’С

При работе с транзисторами необходимо принимать меры
по их защите от статического электричества.

В нерабочем состоянии все выводы транзистора должны
быть закорочены.

5 .мА/В

Зависимости крутизны
характеристики от тока

5 ,мА/В

Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—исток

стока

Зависимость крутизны
характеристики от тем-
пературы

Зависимость коэффи-
циента усиления от ча-
стоты

Зависимость коэффи-
циента шума от частоты

КП314А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой
с затвором на основе р-п перехода и каналом л-типа. Предна-
значен для применения в охлажденных каскадах предвари-
тельных усилителей устройств ядерной спектрометрии. Выпус-
кается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип
прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов
г. Ташкент.

КПЗНА

Сток

Электрические параметры

Максимальная рабочая частота, не менее.. 100 МГц

Среднеквадратичный шумовой заряд при
4/си = 5 В, /с = 3 мА, ^рорм = 5 мкс, не более:

Т = +25 ’С.......................... 1,3 • 10-'7 Кл

Т= -110...-140 ’С................... 0,85 • 10~’7 Кл

Крутизна характеристики при 4/си = 10 В,

= 0, Г= 50... 1500 Гц, не менее:

Т= -60 ’С и +25 ’С.................. 4 мА/В

Г =+85’С............................ 2 мА/В

Начальный ток стока при 6/си = 10 В, 4/зи = 0.. 2,5...20 мА
Ток утечки затвора при (/си = 0, не более:

4/зи = -30 В, Т= +25 ’С............. 10 мкА

4/зи = -10 В, Г = +25 ’С............ 0,1 нА

Т= +85 ’С........................... 2 мкА

Входная емкость при 4/си = 10 В, (7ЗИ = 0,
/= 10 МГц, не более..................... 6 пФ

Проходная емкость при 4/си = 10 В, 4/зи = 0,
/= 10 МГц, не более..................... 2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток при Т= —60...+85 ’С 25 В

Напряжение заТвор—сток, затвор—исток
при Т= -60...+85 ’С..................... ЗОВ

Постоянный ток стока при Т = —60...+85 ’С ... 20 мА
Прямой ток затвора при Т = —60...+85 °С... 5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность’:
при Т = —60...+25 'С...................... 200 мВт

при Т = +85 ’С......................... 100 мВт

Температура окружающей среды2 ............ —170...+85 °С

’ В диапазоне температур +25...4-85 "С мощность рассчитывается по фор-
муле

Риакс = 200 - 1,66 (Г - 25), мВт.

1 Допускаются многократные (не менее 100) циклические охлаждения—
нагревания в диапазоне температур — 17О...+6О °С со скоростью не более
10 °С/мин.

КПС315А, КПС315Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и каналом л-типа сдвоен-
ные. Предназначены для применения во входных каскадах
дифференциальных усилителей низкой частоты и постоянного
тока с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в ме-
таллостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1,5 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.

КПС315(А. Б)

Электрические параметры

Максимальная рабочая частота............ 60	МГц

Крутизна характеристики при С/си = 5 В,

^зи = 0:
КПС315А, не менее...................... 2,8	мА/В
КПС315Б............................ 1...5 мА/В

Отношение значений крутизны характеристики
при 4/си = 10 В, им = 0, не менее..... 0,9

Разность напряжений затвор—исток
при С/си = 5 В, 4 = 0,3 мА, не более:

Г =+25’С........................... 30 мВ

Т=+100°С........................... 32,25 мВ

Т= -60 ’С.......................... 32,55 мВ

Температурный уход разности напряжений
затвор—исток при С/си = 5 В, /с = 0,3 мА,
не более.............................. 30 мкВ/'С

Напряжение отсечки при С/си = 5 В,
/с = 10 мкА:

КПС315А............................ 1>...5 В

КПС315Б............................ 0.4...2 В

Начальный ток стока при С/си = 10 В, 1/зи = 0.. 1...20 мА
Отношение начальных токов стока
при С/си = 10 В, 1/зи = 0, не менее... 0,9

Ток утечки затвора при С/си = 0, С/зи = —5 В,
не более:

7 = +25 ’С:

КПС315А......................... 0,25 нА

КПС315Б......................... 1 нА

7= +100 ’С для КПС315А, КПС315Б.... 100 нА

Входная емкость при С/си = 10 В, = 0,
не более.............................. 8 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток.................... 25	В

Напряжение затвор—сток................... 30	В

Напряжение затвор—исток.................. 30	В

Напряжение сток—подложка при напряжении
затвор—подложка, равном нулю........... 30 В

Прямой ток затвора каждого транзистора. 1 мА

Постоянная рассеиваемая мощность’ обоих

транзисторов при Т = —60...+25 ’С...... 300 мВт

Температура окружающей среды........... —60...+ 100 °С

’ В диапазоне температур +25...+100 "С мощность рассчитывается по Ф°Р"
муле

РМ4КС = 300 - 2,6 (Г - 25), мВт.
Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—ис-
ток

Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения исток—под-
ложка

Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—ис-
ток

Зависимости выходной
проводимости от напря-
жения затвор—исток

Зависимости отноше-
ния тока стока к кру-
тизне характеристики
от напряжения за-
твор—исток

Зона возможных поло-
жений зависимости на-
чального тока стока от
крутизны характери-
стики

2ПС316А-1, 2ПС316Б—1, 2ПС316В-1, 2ПС316Г-1,
КПС316Д—1, КПС316Е—1, КПС316Ж-1, КПС316И-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и каналом л-типа сдвоен-
ные. Предназначены для применения во входных каскадах
Дифференциальных усилителей, балансных схем различного
назначения с высоким входным сопротивлением герметизиро-
ванной аппаратуры. Бескорпусные с гибкими выводами и за-
щитным покрытием без кристаллодержателя. Тип прибора ука-
зывается на индивидуальной и групповой таре.

Масса транзистора не более 3 мг.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г- Ташкент.
2ПС316(А-1 - Г-1)
КПС516(11-1 - И-1)

Зотбор 2 Сток? Исток 2

Исток 1 Сток / ЗатОор 1

/,4

00.0 С

Электрические параметры

Крутизна характеристики каждого транзисто-
ра пары при С/си = 5 В, /с = 0,3 мА,
С- 50... 1500 Гц, не менее.............

Разность напряжений затвор—исток

при С/си = 5 В, /с = 0,3 мА, не более:

7 = +25 ’С для 2ПС316А-1, 2П316Б-1,
2ПС316В—1, 2ПС316Г—1, КПС316Д-1,
КПС316Е-1, КПС316Ж-1, КПС316И-1.....

7 = -60 ’С и +85 ’С для КПС316Д-1,
КПС316Е-1, КПС316Ж-1, КПС316И-1.....

Температурный уход разности напряжений
затвор—исток при С/си = 5 В, /с = 0,3 мА,
не более:

2ПС316А-1...........................

2П316Б-1, 2ПС316В-1, 2ПС316Г-1......

КПС316Д-1, КПС316Е-1, КПС316Ж-1,
КПС316И-1...........................

Напряжение отсечки каждого транзистора
пары при С/си = 5 В, /с = 10 мкА:

2ПС316А-1, 2П316Б-1.................

КПС316Д-1, КПС316Е-1................

2ПС316В-1, 2ПС316Ж-1................

2ПС316Г-1, КПС316И-1................

Ток утечки затвора каждого транзистора пары
при С/си = 0, С/зи = 5 В, не более:

7= +25 ’С:

2ПС316А-1 .......................

0,5 мА/В

50 мВ

60 мВ

15 мкВ/’С

30 мкВ/’С

40 мкВ/’С

0,3...2 В

0,3...2,2 В

1.3...4 В

2,5...6 В

0,1 нА
КПС316Д—1....................... 0,5	нА

2П316Б-1, 2ПС316В-1, 2ПС316Г-1,
КПС316Е— 1, КПС316Ж—1, КПС316И-1 1 нА

Т= +85 ’С для КПС316Д-1, КПС316Е-1,
КПС316Ж-1, КПС316И—1 ............... 10	мкА

Т= +125 ’С для 2ПС316А-1, 2ПС316Б-1,
2ПС316В-1, 2ПС316Г-1................ 10	мкА

Входная емкость каждого транзистора пары

при 6/Си = 1 — В. ^зи = -Ю В, Г = 10 МГц,
не более................................ 6	пФ

Проходная емкость каждого транзистора па-
ры при С/си =1 — В, С/зи = —10 В, 1- 10 МГц,
не более................................ 2	пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток каждого транзисто-

ра пары................................... 25 В

Напряжение затвор—сток, затвор—исток
каждого транзистора пары.................. 25 В

Прямой ток затвора каждого транзистора
пары...................................... 1 мА

Постоянная рассеиваемая мощность пары
транзисторов:

при Г = -60...+25 ’С для 2ПС316А-1,
2П316Б-1, 2ПС316В-1, 2ПС316Г-1
и Т= -40...+25 ’С для КПС316Д—1,

КПС316Е— 1, КПС316Ж—1, КПС316И-1  60 мВт
при Т= +85 ’С для КПС316Д-1,

КПС316Е—1, КПС316Ж—1, КПС316И-1  30 мВт
при Т= +125 'С для 2ПС316А-1,
2П316Б-1, 2ПС316В-1, 2ПС316Г-1’.... 10 мВт

Температура окружающей среды:

2ПС316А-1, 2П316Б-1, 2ПС316В-1,
2ПС316Г-1 ......................... -60...+125 ’С

КПС316Д—1, КПС316Е— 1, КПС316Ж-1,
КПС316И-1 ......................... -40...+85 ’С

В диапазоне температур +25...4-85 °С для КПС316Д—1, КПС316Е—1,
КПС316Ж-1, КПС316И-1 и +25...+ 125 °С для 2ПС316А-1, 2ПС316Б-1,
2ПС316В—1, 2ПС3616Г-1 мощность рассчитывается по формуле

РМАК = 60 - 0,5 (Г - 25), мВт.

На вывод подложки рекомендуется подавать напряжение,
Равное напряжению на затворе.
2П322А, КП322А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с двумя затворами на основе р-п перехода и каналом л-типа
Предназначены для применения в усилительных и смеситель-
ных каскадах на частотах до 400 МГц. Выпускаются в метал-
лостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора ука-
зывается на корпусе.

Мас<;а транзистора не более 1,3 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

2П322А, КП322А

Электрические параметры

Коэффициент шума:

при /= 250 МГц, С/си = 15 В, (731И и У32И
выбираются из условия достижения наи-
большей крутизны ....................

при /= 400 МГц, ^/си = 15 В, С/31И и ^/32И
выбираются из условия достижения наи-
большей крутизны ....................

Крутизна характеристики по первому затвору
при Ц;и = 10 В, 6/31И = 6/32И = 0:

2П322А ..............................

3,3*...4*...6 дБ

9*...9,7*
11* дБ

КП322А ..........................

4...5,7*...

6,3* мА/В
3,2...5,7*...

6,3* мА/В

Напряжение отсечки по первому затвору
при С/си = 10 В, С/3,и = 0, /с = 10 мкА:

Т = +25 ’С:
2П322А ...........................

КП322А.........................

2,5...5,5*...12 В

2,2...5,5*...12 В
г= -60 ’С для 2П322А...............

Т= -40 ’С для КП322А...............

Т= +125 ’С для 2П322А..............

Т= +85 ’С для КП322А...............

Напряжение отсечки по второму затвору

при ^си = Ю В* ^з1и = 0, /с = 10 мкА:

Г= +25 ’С:
2П322А.............................

КП322А .......................

Т = —60 ’С для 2П322А, не более......

Т = —40 ’С для КП 322А, не более.....

Т - +125 ’С для 2П322А, не более.....

Т - +85 ’С для КП322А, не более......

Начальный ток стока при С/си = 10 В,
^/}2И = ^32И = 0........................

Ток утечки затворов (суммарный) при С/си = 0,
^З1и = ^/з2и = “Ю В:

Г= +25 ’С:

2П322А...........................

КП322А ..............................

Т = +125 ’С для 2П322А, не более........

Т = +85 ’С для КП322А, не более.........

Входная емкость по первому затвору
при С/си = 10 В, ^/31И = —2,5 В, ^/зги = 0.

Проходная емкость по первому затвору
при С/си = 10 В, С/31И = —2,5 В, С/32и = 0.

2...10 В

2... 10 В

2,5... 10 В

2,2—10 В

7,3*...11,7*...

20 В

7,3*...11,7*...

22 В

20 В

22 В

22 В •

24 В

5*...16*...

42* мА

0,032*...0,24*
...10 нА
0,032*...0,24*
...100 нА
10 мкА
100 мкА

3,5*...4,5*...

6 пФ

0,03*...0,05*...
0,2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток..................... 20	В

Напряжение первый (второй) затвор—сток  25 В

Напряжение первый (второй) затвор—исток ... 20 В

Прямой ток первого (второго) затвора..... 1 мА

Постоянная рассеиваемая мощность’

при Т < +25 ’С........................... 200	мВт

' В диапазоне температур +25...+85 "С для КП322А и +25...+ 125 'С для
2П322А мощность рассчитывается по формуле

Рмк - 200 - 1,5 (Г - 25), мВт.
Температура окружающей среды:
2П322А..................................... —60...+ 125 °с

КП322А................................. -40...+85 °С

При эксплуатации транзисторов вывод подложки рекомен-
дуется соединять с истоком.

Пайку выводов рекомендуется производить не ближе 3 мм
от корпуса транзистора при температуре +235...+270 °С.

Выходные характери-
стики

Выходные характери-
стики

Зависимости тока сто-
ка от напряжения вто-
рой затвор—исток

!(.нА 5, ,нА/В

В -2 -I 0 0 5 10 15 20 и„ .в

Проходные характери-
стики

Зависимости крутизны
характеристики по пер-
вому затвору от напря-
жения сток—исток

Зависимости крутизны
характеристики по пер-
вому затвору от напря-
жения сток—исток
Зависимости крутизны
характеристики по вто-
рому затвору от напря-
жения затвор—исток

Зависимость коэффи-
циента шума от частоты

Зависимости крутизны
характеристики по пер-
вому затвору от напря-
жения затвор—исток

КП323А—2, КП323Б-2

Транзисторы кремниевые
эпитаксиально-планарные
полевые с затвором на осно-
ве р-п перехода и каналом
л-типа. Предназначены для
применения во входных кас-
кадах малошумящих предва-
рительных усилителей низкой
и высокой (до 400 МГц) час-
тот (в том числе охлаждае-
мых до температуры жидко-
го азота). Бескорпусные на
керамическом кристаллодер-
жателе с гибкими полоско-
выми выводами и приклеива-
емой керамической крышкой.
Тип прибора указывается в
этикетке. На крышке транзи-
стора наносится условная

КП323(А-2.Б-2)

035
маркировка: знак «+» черной краской для КП323А—2 и синей
для КП323Б-2.

Масса транзистора не более 0,15 г.

Изготовитель завод «Пульсар», г. Москва.

Электрические параметры

Максимальная рабочая частота................... 400* МГц

Электродвижущая сила шума при Г = 1 кГц,
С/си = 5 В, 4 = 5 мА для приборов 4, нач > 5 мА
и ^зи = 0 для приборов с 4, нач 5 мА........... 3*...4*...

5 нВ/а/Гц
Крутизна характеристики при (7Си ~ Ю В,
1/зи = 0, /= 1...10 кГц:

при Т = +25 ’С............................. 4...4,5*...

5,8* мА/В
при Т = —60 °С, не менее................... 4 мА/В

при Т = +70 °С, не менее................... 1,5 мА/В

Напряжение отсечки при С4и = Ю В,
4 = 10 мкА..................................... 0,74*...2*...6 В

Начальный ток стока при (7си = Ю В, 7/зи = 0.. 3*...6*...12 мА
Ток утечки затвора при С4и = 0, 7/зи = —10 В:

КП323А-2................................... 3,5 -10-’...

20 • 10-3...0,1 нА

КП323Б—2, не более......................... 1 нА

Входная емкость при Г= 10 МГц, 7/си = 10 В,
С/зи = — 1 В................................... 2*...2,5*...4 пФ

Проходная емкость при /= 10 МГц, С4и = Ю В,
им = -1 В...................................... 0,5*...0,8*...

1,2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток................... 20	В

Напряжение затвор—сток.................. 25	В

Напряжение затвор—исток................. 25	В

Постоянный ток стока.................... 12	мА

Прямой ток затвора...................... 5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность’:
при Т - —60...+25 ’С..................... 100 мВт

при Т = +70 'С....................... 50 мВт

Температура окружающей среды1 2......... —60...+70 ’С

1 В диапазоне температур +25...+70 ’С мощность снижается линейно.

2 Допускается неоднократное охлаждение транзисторов до температурь*
жидкого азота при времени охлаждения менее 2 ч.
Пайка выводов допускается в течение 3 с не ближе 2 мм от
кристаллодержателя при температуре не более +260 ’С и не
ближе 0,2 мм при температуре не более +160 ’С.

1с, мА

1
6

5

Выходные характеристики

I
2
1

Выходные характери-
стики

Зона возможных поло-
жений проходной ха-
рактеристики

Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от напряжения сток—
исток

КП327А, КП327Б, КП327В, КП327Г

Транзисторы кремниевые планарные с двумя изолирован-
ными затворами, защищенными диодами, и каналом л-типа.
Предназначены для применения в селекторах каналов телеви-
зионных приемников дециметрового и метрового диапазонов
длин волн и усилителях. Выпускаются в пластмассовом корпу-
се с гибкими полосковыми выводами. Маркируются цветными
точками: КП327А — одной белой, КП327Б — двумя белыми,
КП327В — одной красной, КП327Г — двумя красными. Тип
прибора указывается на этикетке.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

КЛ527(А-Г)

Электрические параметры

Коэффициент шума при 7/си = 10 В, Т/32И = 4 В,

/с = 10 мА, не более:
/= 800 МГц для КП327А.................. 3,9 дБ

/= 200 МГц для КП327Б............... 2,8 дБ

/= 800 МГц для КП327В............... 4,5 дБ

Г = 200 МГц для КП327Г.............. 3 дБ

Коэффициент усиления по мощности при

(/си = 10 В, У32И = 4 В, /с = 10 мА, не менее:
Г= 800 МГц для КП327А.................. 13 дБ
200 МГц для КП327Б................. 19 дБ

Оптимальный коэффициент усиления по
мощности при им = 10 В, Т/32И = 4 В,
/с = 10 мА, не менее:

7 = 800 МГц для КП327В................ 12 дБ

Г= 200 МГц для КП327Г................. 18 дБ

Коэффициент обратной передачи напряжения
при 6/си = 10 В, Т/32И = 4 В, /с = 10 мА,
не более:

7 = 800 МГц для КП327А................ -30 дБ

200 МГц для КП327Б................. -25 дБ

Глубина регулирования усиления при

= 10 В, У32И = 4...—2 В, не более:

7 = 800 МГц для КП327А................ 40 дБ

7 = 200 МГц для КП327Б................ 40 дБ

Крутизна характеристики при 7/си = 10 В,
6/32И = 4 В, 4 = 10 мА, не менее:

Т= +25 и -45 °С....................... 9,5 мА/В

Т= +85 ’С............................. 8 мА/В

Пробивное напряжение защитных диодов за-
творов 7 и 2 при /31И = /32И = Ю мА...... 6... 18 В

Начальный ток стока при (/31и = 0, С/32И = 4 В:

Т = +25 ’С, Уси = 10 В:

КП327А, КП327Б..................... 0,5...17 мА

КП327В, КП327Г, не более........... 17 мА

Т= +80 ’С, С/си = 6 В:

КП327А, КП327Б................... 0.5...17	мА

КП327В, КП327Г, не более........... 17 мА

Т = —45 ’С, </си = 6 В, не более...... 20 мА

Ток утечки затворов 1 и 2 при = 0,
С/32И = </31И = ±5 В, не более........... 50 нА

Емкость затвор—исток при 1/си = 10 В,
^/з1и = 0, Т/32и - ~2 В:

КП327А................................ 1,3...2,3	пФ

КП327Б................................ 1.5...3 пФ

КП327В, не	более..................... 2,5 пФ

КП327Г, не	более..................... 3,6 пФ

Емкость сток—исток при </си = 10 В, Т/31И = 0,
^32И = 4 В, не более:

КП327А................................ 1,3 пФ

КП327Б................................ 2 пф

КП327В................................ 1,6 пФ

КП327Г................................ 3 пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток......... 14 В

Постоянное напряжение затвор 1, 2—исток.... 5 В

Постоянное напряжение затвор. 1, 2— <сток  16 В

Постоянный ток затвора 1, 2.............. 10 мА

Постоянный ток стока..................... 30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность’
при Т - —45...+60 °С..................... 200 мВт

Температура окружающей среды............. -45...+85 “С

1 При Т > +60 "С РМ4кС уменьшается на 2,5 мВт/'С

КП329А, КП329Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и каналом л-типа. Предна-
значены для применения во входных каскадах усилителей низ-
кой и высокой частот (до 200 МГц) в переключающих устрой-
ствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре. Дополни-
тельно КП329А маркируется одной цветной точкой, КП329Б —
двумя.

Масса транзистора не более 0,2 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.

КП529(А, Б)

Электрические параметры

Предельная частота усиления в режиме макси-
мального тока стока................... 200* МГц

Электродвижущая сила шума при С/си = 5 В,
= 0, Г= 1 кГц, не более............... 20 нВ/^Гц
Крутизна характеристики при = 10 В,
1/зи = 0, не менее:

Т= -60 и +25 ’С:
КП329А............................. 3 мА/В

КП329Б............................ 1 мА/В

7= +100 ’С:

КП329А............................ 1 мА/В

КП329Б............................ 0,3 мА/В

Напряжение отсечки при (7СИ = 10 В,
/с = 10 мкА, не менее................... 1,5 В

Начальный ток стока при /7СИ = 10 В, 6/зи = 0,
не менее................................ 1 мА

Остаточный ток стока при (/си = 10 В,
6/зи = —10 В, не более.................. 1 мкА

Ток утечки затвора при /7СИ = 0, не более:

КП329А при (/зи = -10 В:
Т= +25 ’С.......................... 1 нА

Т=+100°С.......................... 1 мкА

КП329Б при = -30 В, Т= ±25 ’С........ 0,1 нА

Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии при /7СИ = 0,5 В, = 0, не более. 1500 Ом

Входная емкость при </си = 10 В, (Узи = 0,
/= 10 МГц, не более..................... 6 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток:

КП 329А.............................. 50 В

КП329Б............................... 40 В

Напряжение затвор—сток:

КП329А............................... 50	В

КП329Б............................... 40	В

Напряжение затвор—исток:

КП329А............................... 45	В

КП329Б............................... 35	В

Постоянная рассеиваемая мощность'
при Т« +25 ’С........................... 0,25 Вт

Температура окружающей среды............ —60...+ 100 ’С

' При Т > +25 ”С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность рассчитывается по формуле

Аимсс = («О - Г)/500, Вт.

Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 3 мм с
радиусом не менее 1,5 мм.
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора при температуре +235...+270 “С в течение не
более 3 с.

Проходные характеристики

Зависимости крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—ис-
ток

Зависимости крутизны
характеристики от ча-
стоты

Зависимость ЭДС шума
от частоты

2ПЗЗЗА, 2ПЗЗЗБ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и каналом л-типа. Предна-
значены для применения во входных каскадах усилителей низ-
кой и высокой частот (до 200 МГц) в переключающих устрой-
ствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вывода-
ми. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.
/ПЗЗЗ(А. Б)

Электрические параметры

Предельная частота усиления в режиме макси-
мального тока стока..................... 200* МГц

Электродвижущая сила шума при 1/си = 10 В,
/с « 10 мА, Г= 75 Гц.................... 5,5*...9,5*...

20 нВ/ЧГц

Крутизна характеристики при 1/си = 10 В,
им = 0, не менее:

Т = +25 °С:
2ПЗЗЗА.................................... 4*...5,4*...

5,8* мА/В

2ПЗЗЗБ................................ 2...4,6*...

5* мА/В

Т = —60 °С, не менее:
2ПЗЗЗА.................................... 4 мА/В

2ПЗЗЗБ................................ 2 мА/В

Т - +125 °С, не менее:
2ПЗЗЗА.................................... 2 мА/В

2ПЗЗЗБ................................ 1,2 мА/В

Напряжение отсечки при 1/си = 10 В,

/с = 10 мкА:
2ПЗЗЗА........................................ 1...2,5*...8 В

2ПЗЗЗБ.................................... 0,6... 1,2*...4 В

Время нарастания и время спада напряжения
сток—исток при работе в ключевом режиме,
не более..................................... 15*	нс

Остаточный ток стока при 1/си = 10 В,
= —10 В, не более........................... 1,5	• 10-12...

3- 10*,2...10^А
Ток утечки затвора при С/си = О, (/зи = 10 В
для 2ПЗЗЗА и (/зи = —35 В для 2ПЗЗЗБ:

Т= +25 ’С:
2ПЗЗЗА................................ 1,2-10“».

8- 10“»...

2-10-’° А
2ПЗЗЗБ............................ 6,3-10-»...

5-10-"...Ю- а

Т = —60 ’С, не более:
2ПЗЗЗА................................ 2 • 10“’° А

2ПЗЗЗБ............................ 10“7 А

Т= +125 ’С:
2ПЗЗЗА................................. 10“7	А

2ПЗЗЗБ............................ 10“5 А

Входная емкость при = 10 В, (7ЗИ = 0..... 4,8*...5*...6 пф

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток:
2ПЗЗЗА................................ 50 В

2ПЗЗЗБ................................ ДОВ

Напряжение затвор—сток:
2ПЗЗЗА................................ 50 В

2ПЗЗЗБ................................ 40 В

Напряжение затвор—исток:
2ПЗЗЗА................................ 45 В

2ПЗЗЗБ................................ 35 В

Постоянная рассеиваемая мощность'
при Т« +25 ’С............................ 0,25 Вт

Температура окружающей среды —60...+ 125 ’С

В диапазоне температур +25...+125 ’С мощность рассчитывается по фор-
муле

^ИАКС = (150 - П/500, Вт

Зависимость ЭДС шума от частоты
Проходные характери-	Зависимость крутизны	Зависимость крутизны

стики	характеристики от на-	характеристики от ча-

лряжения затвор—ис-	стоты

ток

2П335А-2, 2П335Б-2

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором в виде обратно смещенного р-п перехода и каналом
л-типа усилительные. Предназначены для применения в усили-
телях высокой частоты герметизированной аппаратуры. Выпу-
скаются в керамическом кристаллодержателе с гибкими выво-
дами. На корпус наносится условная маркировка: 2П335А —
буква «А», 2П335Б—2 — буква «Б». Тип прибора указывается в
этикетке.

Масса транзистора не более 0,2 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

2П535(А-2, Б-2)
Электрические параметры

Коэффициент шума на /= 400 МГц
при 6/си = 10 В, /с = 5 мА:

2П335А-2................................. 1*...2*...4дБ

2П335Б-2................................. 1*...2,3*...6 дБ

Коэффициент усиления по мощности
на Л= 400 МГц при = 10 В, /с = 5 мА.......... 1,8*...2* дБ

Крутизна характеристики при 6/си = 15 В,

= 0:

Т = +25 °С:
2П335А-2................................. 4...5*...

5,8* мА/В
2П335Б-2.............................. 2..4*...5* мА/В

Т = +125 “С, не менее:
2П335А-2................................. 1,5 мА/В

2П335Б-2.............................. 1	мА/В

Т - —60 °С, не менее:
2П335А-2................................. 4	мА/В

2П335Б-2.............................. 2	мА/В

Напряжение отсечки при 1/си = 15 В,
/с = 10 мкА:

2П335А-2................................. 2*...3,5*...8 В

2П335Б-2................................. 0,8*...3,5*...6 В

Начальный ток стока при = 15 В, /7ЗИ = 0:
2П335А-2.................................... 8... 11*..25*мА

2П335Б-2................................. 1,5...3*...7* мА

Ток утечки затвора при 6/си = 0, 1/зи = —10 В,
не более:

Т = +25 °С............................... 10 нА

Г=+125°С................................. 1 мкА

Г = —60 °С............................... 0,1 мкА

Активная составляющая выходной проводи-
мости на Г= 1 кГц при 1/си = 15 В:

2П335А-2................................. 10,5*...45*...

130 мкСм
2П335Б-2................................. 10*...40*...

110 мкСм
Входная емкость при 6/си = 15 В.............. 2*...2,4*...4 пФ

Проходная емкость при 6/си = 15 В............ 0,5*...0,64*. .

1 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток......... 20 В

Постоянное напряжение затвор—исток....... 25 В
Постоянное напряжение затвор—сток........ 25 В

Постоянный ток стока..................... 25 мА

Постоянная рассеиваемая мощность’
при Т= —60...+40 °С...................... 100 мВт

Температура р-п перехода................. +140 °С

Тепловое сопротивление переход—среда..... 1 °С/мВт

Температура окружающей среды............. —60...+125 °С

1 При Т > +40 ”С максимально допустимая постоянная
ность рассчитывается по формуле

РИАКС = 140 — Т, мВт.

оассеиваемая мощ-

Пайку выводов допускается проводить на расстоянии не
менее 2 мм от кристаллодержателя транзистора. Пайку прово-
дить паяльником мощностью 60 Вт с напряжением 6... 12 В,
время пайки не более 3 с, температура пайки не более +260 °С.
При пайке жало паяльника должно быть заземлено. Разре-
шается производить пайку путем погружения выводов не бо-
лее, чем на 3 с в расплавленный припой с температурой
+260 ± 10 °С. Перед погружением в припой выводы промыва-
ют спиртом, а затем смачивают флюсом (состав флюса: 10...
40% канифоли, 90...60% этиловый спирт, припой ПОС—61 по
ГОСТ 21930-76).

Допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не
менее 0,5 мм от корпуса.

2П337АР, 2П337БР

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и каналом л-типа, подо-
бранные в пары по основным электрическим параметрам. Пред-
назначены для применения в балансных смесителях, диффе-
ренциальных усилителях с высоким входным сопротивлением
на частотах до 400 МГц. Выпускаются в металлостеклянных
корпусах с гибкими выводами. Тип прибора указывается на
корпусе. Подобранные пары транзисторов поставляются со-
единенными скобкой. Габаритный чертеж каждого транзисто-
ра пары аналогичен 2П307А—2П307Г.

Масса транзистора не более 1,3 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.
Электрические параметры

Электродвижущая сила шума1 при (- 100 кГц,
(/си = 10 В, /с = 15 мА:

2П337АР................................ 1*...1,2*...

1,5 нВ/ /Гц

2П337БР................................ 1,5*...2*...

3,5 нВ/7Гц
Крутизна характеристики1 при = 5 В,
/с = 10 мА:

Т= +25 °С.............................. 10...13,1*...

14* мА/В

Т = +125 ’С, не менее.................. 7 мА/В

Т = —60 ’С, не менее................... 10 мА/В

Разность напряжений затвор—исток транзи-
сторов пары при (/си = 5 В, /с = 0,1 мА:

Т= +25 ’С.............................. 5*...5О*...

200 мВ

Т = +125 ’С, не более.................. 300 мВ

Т = —60 ’С, не более................... 400 мВ

Температурный уход разности напряжений
транзисторов при //си = 5 В, /с = 0,1 мА... 10*...60*...

400 мкВ/’С

Напряжение отсечки1 при //си = 5 В, /с = 0,1 мА:

Г =+25’С............................... 2...3,25*...6 В

Т= +125 ’С............................. 2...6,5 В

7=-60’С................................ 1,5...6 В

Начальный ток стока1 при (/си = 5 В, //зи = 0:

Г =+25’С............................... 20...53*...

87* мА

Т = +125 ’С, не менее.................. 15 мА

Т = —60 ’С, не менее................... 20 мА

Отношение крутизны характеристик транзи-
сторов пары при (/си = 5 В, /с = 10 мА:

7=+25’С................................ 0,9...0,94*... 1

7=+125 и-60’С.......................... 0,85...1

Отношение начальных токов стока транзисто-
ров пары при = 5 В, /с = 10 мА:

Г =+25’С............................... 0,9.„0,97*... 1

7=+125°С............................... 0,85...1

7=-60’С................................ 0,8... 1

Сопротивление сток—исток в открытом со-
стоянии1 при С/си = 0,1 В, 4 - 0,1 мА:

Параметр измеряется для каждого транзистора пары.
Г =+25’С................................ 30*...38*...

60 Ом

7 = +125 ’С............................. 50*...65*...

100 Ом

7=-60’С................................. 20*...30*...

40 Ом

Ток утечки затвора1 при 1/Си = 0> Ци = ~Ю В.
не более:
7 =+25’С............................:...... 1 нА

типовое значение........................ 0,018* нА

7=+125°С................................ 100 нА

7=-60'С................................. 1 нА

Входная емкость’ при иы = 0,	= —10 В .... 4,4*...4,5*...

5,5 пФ

Проходная емкость1 при (Уси = 0, 1/зи = —10 В.. 1,7*...1,8*...
2,5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток........... 25 В

Постоянное напряжение затвор—сток.......... 30 В

Постоянное напряжение затвор—исток......... 25 В

Прямой ток затвора......................... 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность* 2 для каж-
дого транзистора пары при 7 = —60...+60 ’С.. 200 мВт

Температура окружающей среды1.............. —60...+125 ’С

' Параметр измеряется для каждого транзистора пары.

2 В диапазоне температур +60...+125 °С мощность рассчитывается по фор-
муле

Рмк = 200 - 2,7 (Г - 60), мВт

Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса при
температуре не более +240 ’С в течение 4 с.

2П338АР—1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором на основе р-п перехода и каналом л-типа, подо-
бранные в пары по основным электрическим параметрам. Пред-
назначены для применения в измерительной аппаратуре, в ба-
лансных смесителях, дифференциальных усилителях с высо-
ким входным сопротивлением. Бескорпусные с гибкими выво-
дами. Транзисторы упаковываются парами. При этом каждый
транзистор помещается в индивидуальную тару, позволяющую
производить измерение электрических параметров без извле-
чения из тары. Тип прибора указывается на индивидуальной и
групповой таре. Габаритный чертеж каждого транзистора пары
аналогичен 2П308А—1 (за исключением расположения выво-
дов: затвор—сток—исток вместо исток—сток—затвор дЛя
2П308А-1).

Масса транзистора не более 0,01 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов,
г. Ташкент.

Электрические параметры

Электродвижущая сила шума* 1 при /= 1 кГц,

(7СИ = 7 В, /с = 5 мА.......................... 3*...3,45*...

5 нВ/7Гц
Крутизна характеристики1-2-3 при = 5 В:

4 = 4 мд2, Т= +25 °С....................... 5...8,4*...

9,5 мА/В

/с = 10 мА3 (в составе условной микросхе-
мы):

Т= +25 °С.............................. 10...12,6*...

13,2* мА/В

Т = +125 °С, не менее.................. 5 мА/В

Т = —60 °С, не менее................... 10 мА/В

Напряжение отсечки1 при (7СИ = 5 В,
/с = 0,01 мА....................’.............. 0,2...1,5*..4,5 В

Отношение крутизны характеристик транзи-
сторов пары при С/си = 5 В:

Т = +25 °С................................. 0,9...0,96*...1

Т=+125°С................................... 0,8...1

Т=-60’С.................................... 0.7...1

Отношение напряжений отсечки транзисторов
пары при (/си = 5 В, /с = 0,01 мА:

Т = +25 °С................................. 0,9...0,99*...1

Т= +125 °С и -60 °С........................ 0,8...1

Ток утечки затвора1 при (/си = 0, (/зи = —15 В:
Т- +25 °С...................................... 0,011*...

0,014*...0,3 нА
7’=+125°С.................................. 300 нА

Входная емкость1 при (7СИ = 10, (/зи = —10 В,
/= 10 МГц...................................... 3,8*...3,9*...

5 пФ

' Параметр измеряется для каждого транзистора пары.

2 Для транзисторов с /с „дЧ < 4 мА крутизна характеристики измеряется
Ци = °-

1 Для транзисторов с /с < 10 мА крутизна характеристики измеряется
= 0.
Проходная емкость' при (Уси = 10 В, . б/эи = ~10 В, /= 10 МГц		1,6*...1,64*...  2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток	  Напряжение затвор—сток	  Напряжение затвор—исток	  Ток стока (в составе микросхемы)		20 В  25 В  25 В  10 мА
Прямой ток затвора (в составе микросхемы).. Постоянная рассеиваемая мощность2 для каж-	5 мА
дого транзистора пары в составе микросхемы при /?Т(п-с) < 2 ’С/мВт и 7 = —60...+60 °С	  Температура окружающей среды		60 мВт  -60...+ 125 ”С

' Параметр измеряется для каждого транзистора пары.

2 В диапазоне температур +60...+125 ’С мощность рассчитывается по фор-
муле

Лмкс = 60 - 0,5 (Г- 25), мВт.

Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 2 мм
от поверхности лакового покрытия. При этом не допускается
перегрев кристалла и защитного покрытия +140 °С.

2П341А, 2П341Б, КП341А, КП341Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые
с затвором в виде р-п перехода и каналом л-типа. Предназна-
чены для применения во входных каскадах усилителей. Кор-
пус металлокерамический с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 0,08 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

Электрические параметры

ЭДС шума при (/си = 5 В, /с = 4,5 мА,

*'= 100 кГц		0,82...0,9...  1,2 нВ/<Гц

Минимальный коэффициент шума
при С/си = 5 В, /с = 5 мА, типовое значение:

/= 400 МГц	  /= 200 МГц		2,8 дБ  1,8 дБ
Напряжение отсечки при (7СИ = 5 В, /с = 100 мкА		0,4...0,75...3 В-  585
гпиМА.Б). кпкца.ы

Начальный ток стока при //си = 5 В, Ци = 0:
2П341А, КП341А............................... 4.5...12...20 мА

2П341Б, КП341Б........................... 16...20...30 мА

Ток утечки затвора при (/зи = —10 В:
Т = +25 ’С и -60 ’С.......................... 1 нА

Т = +125 ’С, не более.................... 100 нА

Крутизна характеристики при (Уси = 5 В,
б'зи = 0:
2П341А, КП341А............................. 15...24...

30 мА/В
2П341Б, КП341Б......................... 18...26...

32 мА/В

Входная емкость 67си = 5 В, (Узи = —2 В...... 3,8...5 пФ

типовое значение......................... 4,2 пФ

Выходная емкость = 5 В, 1/м = —2 В, ти-
повое значение............................... 1,6 пФ

Проходная емкость (/си = 5 В, (/зи = —2 В, ти-
повое значение............................... 1 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток........ 15 В

Постоянное напряжение затвор—исток...... 10 В

Постоянное напряжение затвор—сток....... 15 В

Постоянная рассеиваемая мощность’
при Т = —60...+60 ’С..................... 150	мВт

Пр температуре +60...+ 125 °С снижается линейно на 2 мВт/ С.
586
Постоянный ток затвора................... 5 мА

Температура окружающей среды............. —60...+125 ’С

КП346А9, КП346Б9, КП346В9

Транзисторы кремниевые планарные полевые с двумя изо-
лированными затворами, имеющими защитные диоды, с кана-
лом л-типа. Предназначены для применения в селекторах ка-
налов метрового и дециметрового диапазонов длин волн те-
левизионных приемников. Выпускаются в пластмассовом кор-
пусе с жесткими выводами. Маркируются цветными точками:
КП346А9 — белой, КП346Б9 — желтой. Тип прибора указыва-
ется в этикетке.

Масса транзистора не более 0,2 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

КГШ6(А9-В9)

Электрические параметры

Коэффициент шума при (/си = 10 В, (/32И = 4 В,

/с = 10 мА, не более:
КП346А9 на частоте	Г = 800 МГц...... 3,5 дБ

КП346Б9 на частоте	Г = 800 МГц.... 4,5	дБ

КП346В9 на частоте	/= 200 МГц.... 1,9	дБ
Коэффициент усиления по мощности при
(Ли = 10 В, 6'32И	= 4 В, /с =	10 мА, не менее:

КП346А9 на	частоте	/=	800 МГц...... 15	дБ

КП346Б9 на	частоте	/=	800 МГц...... 13	дБ

КП346В9 на	частоте	/=	200 МГц...... 21	дБ

Коэффициент обратной передачи напряжения
при С/си = 10 В, //32и = 4 В, /с = 10 мА,
не менее:

КП346А9 на частоте /= 800 МГц....... 30 дБ

КП346В9 на частоте /= 200 МГц....... 25 дБ

Глубина регулирования усиления при
им = 10 В, (/31И = 4 В, /с = 10 мА,
(/32И = +4...—2 В, не менее:

КП346А9, КП346Б9.................... 40 дБ

КП346В9............................. 50 дБ

Крутизна характеристики при (/си = 10 В,
С/32И = 4 В, /с = 10 мА, не менее:

при Т = +25 и 45 °С:
КП346А9, КП346Б9.................... 12 мА/В

КП346В9.......................... 10 мА/В

при Т = +85 °С:
КП346А9, КП346Б9.................... 9 мА/В

КП346В9.......................... 8 мА/В

Пробивное напряжение защитных диодов за-
творов 1 и 2 при (/си = 0, С/312И = 0.. 6...20 В

Начальный ток стока при С/си = 10 В,
(У32И = 4 В, С/31И = 0, не более:

Т = +25 и 85 ”С..................... 20 мА

Т = -45 °С.......................... 25 мА

2П347А-2, КП347А-2

Транзисторы кремниевые полевые с двумя изолированны-
ми затворами с каналом л-типа. Предназначены для примене-
ния в составе гибридных интегральных микросхем. Бескорпус-
ные на кристаллодержателе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается в этикетке. На транзистор наносится условная
маркировка — черная точка.

Масса транзистора не более 0,12 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
2П347А-2. КП347А-2

Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума

при (7СИ = 10 В, 6/32И 5 4 В, /с = 10 мА:
Г= 800 МГц для 2П347А-2, КП347А-2  3,5*...3,6*...

3,9 дБ

/= 400 МГц для КП347А-2................... 2,7*...3*...

3,5 дБ

7= 200 МГц:
2П347А-2.................................. 1,5*... 1,65*...

2,5 дБ

КП347А-2............................... 1,7*...2,1*...

2,5 дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-

ности при С/си = 10 В, (Л2„ = 4 В, /г = 10 мА:
/= 800 МГц.................................... 12...15,5*...

16,5* дБ

/= 400 МГц для КП347А-2................... 15...18*...

20* дБ

/= 200 МГц................................ 18...25,5*...

26,5* дБ

Крутизна характеристики при (7СИ = 10 В,

Ц2И = 4 В, /с = 10 мА:

7" =+25 °С................................ 10...15*...

22* мА/В

Т = +125 °С, не менее..................... 8 мА/В

Т - —60 °С, не менее...................... 10 мА/В
Напряжение отсечки по первому затвору
при С/си = 13 В, У32и = 4 В, /с = 0,1 мА.... -0,1*...

-0,15*...-3 в

Напряжение отсечки по второму затвору
при Уси = 13 В, С/31И = 1 В, /с = 0,1 мА.... -0,12*...

—0,2*...—3 В

Начальный ток стока при (7^ = 10 В,
изы = 4 В, (/31И = 0........................ 0,38*.„О,7*...

5 мА

Ток утечки первого затвора при С/си = 0,
С/31и = 5 В, (/32И = 0, не более............ 50 нА

Ток утечки второго затвора при </си = 0,
(732и = 5 В, Ц1И = 0, не более.............. 50 нА

Входная емкость при (/32И = —2 В............ 1,2*... 1,85*...

3,5 пФ

Проходная емкость при (/си = 10 В, (/31И = 0,
//32И = -2 В................................ 0,007*...

0,015*...0,04 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток......... 14 В

Постоянное напряжение затвор (1, 2)—сток ... 16 В
Постоянное напряжение затвор (1, 2)—исток . 5 В
Постоянный ток первого затвора........... 10 мА

Постоянный ток второго затвора........... 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность'
при Т= -60...+ 110 °С.................... 200 мВт

Температура окружающей среды............. —60...+ 125 °С

1 При Тот +110 до +125 "С максимально допустимая постоянная рассеива-
емая мощность снижается линейно до 140 мВт.

При монтаже транзисторов в гибридную схему рекоменду-
ется приклеивать основание кристаллодержателя транзистора
к теплоотводящей поверхности монтажной платы теплопрово-
дящим клеем марки УП—5—207М ТУ 6—05—241—208—79. Пе-
ред нанесением клея кристаллодержатель транзистора и мон-
тажная плата должны быть прогреты при +60 °С в течение
5...6 мин. Соединение склеиваемых поверхностей производит-
ся прижатием так, чтобы избыток клея равномерно выступал
из под Основания. Не допускается наличие щелей и свищей.
После приклеивания должна производиться подсушка при тем-
пературе +125 °С в течение 1 ч и при +150 °С в течение 2 ч.

Разрешается монтаж транзисторов в гибридную схему про-
изводить пайкой металлизированного основания кристалло-
держателя к теплоотводящей поверхности при температуре
пайки не выше +180 "С.

Минимальное расстояние места пайки выводов от кристал-
лодержателя 1 мм. Температура пайки не выше +235 °С, при-
пой ПОС—61 по ГОСТ 21931—76. Время пайки не более 3 с.

!(,мА 8,мА/В

Зависимости тока сто-
ка от напряжения за-
твор 1—исток

26

20

16

12

8

4

2ПП7А-2

0 2 6 6 8 Ю1{,мА

Зависимость крутизны
характеристики от тем-
пературы

Зависимость крутизны
характеристики от то-
ка стока

Зависимости коэффициен-
та шума и усиления от на-
пряжения сток—исток

Зависимости коэффициента
шума и усиления от частоты

2П350А, 2П350Б, КП350А, КП350Б, КП350В

Транзисторы кремниевые диффузно-планарные полевые с
двумя изолированными затворами и каналом л-типа. Предна-
значены для применения в усилителях, генераторах и преобра-
зователях сверхвысокой частот (до 700 МГц). Выпускаются в
металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора
указывается на корпусе. Транзисторы КП350А, КП350Б, КП350В
на торцевой поверхности корпуса дополнительно маркируются
двумя черными точками.

Масса транзистора не более 0,7 г.

Изготовитель — завод полупроводниковых приборов
г. Винница.

2ПЗБ0(А,Б). КПЗБО(А-В)

Электрические параметры

Коэффициент шума при (7СИ = 10 В, (7ЗИ = 6 В,
/с = 10 мА:
/= 400 МГц для 2П350А..................... 4,8*...б дБ

типовое значение...............-.... 5,5 дБ

КП350А.............................. 3,7*...6 дБ

типовое значение.................... 3,8* дБ

КП350В.............................. 4,1*...8 дБ

типовое значение.................... 4,8* дБ

Г = 100 МГц для 2П350Б................. 4,15*...б дБ

типовое значение.................... 4,9* дБ

КП350Б.............................. 2*...5 дБ

типовое значение.................... 3* дБ

Крутизна характеристики по первому затвору
(/си = 10 В, (/32И = 6 В, /с = 10 мА,
Г= 50... 1500 Гц:

2П350А, 2П350Б:
7" =+25 °С............................. 6...11,5* мА/В

типовое значение.................... 9,4* мА/В

Т=-60°С............................. 6...15* мА/В

типовое значение.................... 11,7* мА/В

7"=+85 °С........................... 4...10* мА/В

типовое значение.................... 8* мА/В

КП350А, КП350Б, КП350В:
7" =+25 °С............................. 6...13* мА/В
типовое значение.................... 10* мА/В

Т= —45 °С........................... 6...13* мА/В

типовое значение.................... 11,5* мА/В

7"=+85 °С........................... 4...10* мА/В

типовое значение.................... 8* мА/В

Крутизна характеристики по второму затвору
при исц = 10 В, (/3,и = 6 В, /с = 10 мА.... 0,6*...

0,85* мА/В
типовое значение........................ 0,7* мА/В

Напряжение отсечки по первому затвору
при = 15 В, С/32и = 6 В, /с = 0,1 мА:
2П350А, 2П350Б............................. 0,17*...6	В

типовое значение........................ 0,29* В

КП350А, КП350Б, КП350В.................. О,О7*...6	В

типовое значение........................ 0,7* В

Напряжение отсечки по второму затвору

при 6/си = 15 В, (/3,и = 5 В, /с = 0,1 мА.. 0,15*...4,5* В

типовое значение........................ 0,5* В

Начальный ток стока при 6/си = 15 В,

У3,и = 6/32И = 0, не более:

2П350А, 2П350Б:
Т= +25 ’С............................... 3,5 мА

Г= -60 и +85 °С..................... 6 мА

КП350А, КП350Б, КП350В:
7"=+25’С................................ 3,5 мА

Т= -45 и +85 ’С..................... 6 мА

Ток утечки затвора при 6/си = 15 В, не более.. 5 нА
Входная емкость при (7СИ = 10 В,

= Ц2И = 0, Г= 10 МГц:
2П350А, 2П350Б.......................... 3*...6 пФ

типовое значение........................ 3,2* пФ

КП350А, КП350Б, КП350В.................. 2,9*...6 пФ

типовое значение........................ 3,5* пФ

Проходная емкость при 6/си = 10 В,

= ^32И = о, /= 10 МГц:
2П350А, 2П350Б.......................... О,ОЗ*...О,О7 пФ

типовое значение........................ 0,04* пФ

КП350А, КП350Б, КП350В.................. О,ОЗ*...О,О7 пФ

типовое значение........................ 0,05* пФ

Выходная емкость при 6/си = 10 В,

= ^З2и = 0, МО МГц:
2П350А, 2П350Б.......................... 3,2*...6	пФ

типовое значение........................ 4* пФ

КП350А, КП350Б, КП350В.................. 2,9*...6	пФ .

типовое значение........................ 3,2* пФ
Активная составляющая выходной проводи-

мости при (/си = 10 В, Ц2И = 6 В, /с = 10 для
КП350А, КП350Б, КП350В, не более........ 250 мкСм

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток................... 15 В

Напряжение первый затвор—сток для КП350А,
КП350Б, КП350В.......................... 21В

Напряжение второй затвор—сток для КП350А,
КП350Б, КП350В.......................... 15 В

Напряжение первый (второй) затвор—исток... 15 В

Ток стока............................... 30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность:
при Т +25 °С............................ 200 мВт

при Т = +85 °С....................... 100 мВт

Температура окружающей среды
2П350А, 2П350Б.......................... -60...+85 °С

КП350А, КП350Б, КП350В............... -45...+Э5 °С

Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода 3 мм,
радиус изгиба не менее 1,5 мм. При изгибе усилие не должно
передаваться на стеклянный изолятор.

Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса
транзистора паяльником мощностью не более 60 Вт напряже-
нием 6... 12 В. При пайке необходимо принимать меры по защи-
те корпуса транзистора от попадания флюса и припоя. В мо-
мент пайки все выводы транзистора должны быть закорочены.

Для обеспечения тока утечки затвора не более 5 • 10-’ А
необходимо использовать транзисторы в составе герметизи-
рованной аппаратуры или при местной защите транзисторов
от воздействия влаги.

При работе с транзисторами необходимо принимать меры
по их защите от воздействия статического электричества.

5. мА/В

Зависимости крутизны
характеристики от то-
ка стока

Проходные характери-
стики

100200500100500

Зависимость коэффи-
циента шума от ча-
стоты
К^'РлБ

О

10

8

6

4

2

Зависимость коэффи-
циента шума от напря-
жения сток—исток

Зависимость коэффи-
циента усиления от ча-
стоты

2ША.Б)

КШ(А-В)

2 4 6 8 10 ии.в

и»,=о -
и*;8В.
1с--15нА
/-400 МГи

Зависимость коэффи-
циента усиления от на-
пряжения сток—исток

Зависимость проход-
ной емкости от напря-
жения сток—исток

Сщ.пФ

70

6.0

5.0

4.0

50

4 6 8 10 12 и„.В

	—	2Л550/А Б)  КША-В)			
					
/А	.--п				
В&--6 (-ют		В			
		и			

Зависимость выходной
емкости от напряжения
сток—исток

КП364А, КП364Б, КП364В, КП364Г, КП364Д,
КП364Е, КП364Ж, КП364И

Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планар-
ные с затвором на основе р-п перехода и каналом л-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилите-
лей высокой (КП364Д, КП364Е) и низкой (КП364А, КП364Б,
КП364В, КП364Ж, КП364И) частот с высоким входным сопро-
тивлением. Транзистор КП364Г предназначен для применения
в заоядочувствительных усилителях. Выпускаются в пластмас-
совом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается
На корпусе.

Масса транзистора не более 0,3 г.
Изготовитель — акционерное общество открытого тип
«Элеке», г. Александров, Владимирская область.

КПШ(А-И)

Электрические параметры

Коэффициент шума на /= 100 МГц
при (/си = 10 В, (Узи = 0, /?н = 1 кОм
для КП364Д, КП364Е, не более.......... 4 дБ

Электродвижущая сила шума при С/си = 10 В,
Ум = 0, не более:	__

на /= 20 Гц для КП364А............. 30 нВ/УГц

на /= 1 кГц:

КП364Б, КП364В.................. 20 нВ/лТц

КП364Ж, КП364И.................. 100 нВ/<Гц

Крутизна характеристики при 6/си = 10 В,
(Уэи = 0, Г= 50... 1500 Гц:

7 = +25 °С:
КП364А, КП364Б, КП364Ж............. 1...4 мА/В

КП364В.......................... 2...5 мА/В

КП364Г.......................... 3...7 мА/В

КП364Д, не менее................ 2,6 мА/В

КП364Е, не менее................ 4 мА/В

КП364И.......................... 2...6 мА/В

Т = —40 °С, не менее:
КП364А, КП364Б, КП364Ж............. 1	мА/В

КП364В.......................... 2	мА/В

КП364Г.......................... 3	мА/В

КП364Д.......................... 2,6 мА/В

КП364Е.......................... 4	мА/В

КП364И.......................... 2	мА/В
Т= +85 "С, не менее:
КП364А, КП364Б, КП364Ж............... 0,5 мА/В

КП364В............................ 1 мА/В

КП364Г............................ 1,5 мА/В

КП364Д............................ 1,3 мА/В

КП364Е............................ 2 мА/В

КП364И............................ 1 мА/В

Напряжение отсечки при 6/си = 10 В,
I = 0,01 мА:

КП364А, КП364Б....................... 0.5...3 В

КП364В............................... 1...4 В

КП364Г, КП364Д, КП364Е, не более..... 8 В

КП364Ж............................... 0.3...3 В

КП364И............................... 0.5...2 В

Начальный ток стока при 6/си = 10 В, 6/зи = 0:
КП364А, КП364Б.......................... 0,5...2,5 мА

КП364В, КП364И....................... 1.5...5 мА

КП364Г............................... 3...12 мА

КП364Д............................... 3...9 мА

КП364Е............................... 5...20 мА

КП364Ж............................... 0.3...3 мА

Ток утечки затвора при 6/зи = 10 В, не более:
Т= +25 °С:

КП364А, КП364Б, КП364В, КП364Д,
КП364Е............................ 1 нА

КП364Г............................ 0,1 нА

КП364Ж, КП364И.................... 5 нА

Т = +85 °С........................... 1 мкА

Входная емкость при 6/си = 10 В, 6/зи = 0,
не более................................ 6 пФ

Проходная емкость при 6/си = 10 В, 6/зи = 0,
не более................................ 2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток........ 25 В

Постоянное напряжение затвор—исток...... 30 В

Постоянное напряжение затвор—сток....... 30 В

Постоянный ток стока.................... 20 мА

Прямой ток затвора...................... 5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность
при Г=+25 °С............................ 200 мВт

Температура окружающей среды............ —40...+85 °С

При повышении влажности для обеспечения тока затвора
597
не более 10-9 А рекомендуется использовать транзисторы в
составе герметизированной аппаратуры или при местной За,
щите прибора от воздействия влаги.

А760А, А760Б

/ 760(А,Б)

Транзисторы кремние-
вые эпитаксиально-планар-
ные полевые с затвором в
виде р-п перехода и каналом
л-типа усилительные. Пред-
назначены для применения
в малошумящих усилителях
низкой частоты в составе ги-
бридных интегральных ми-
кросхем. Бескорпусные на
кристалле держателе с гиб-
кими выводами. Транзисто-
ры маркируются условным
обозначением: А760А — А,
А760Б — Б. Тип прибора
указывается в этикетке.

Масса транзистора не
более 0,08 г.

Изготовитель — завод
«Пульсар», г. Москва.

Электрические параметры

Крутизна характеристики при (7СИ = 5 В,
6/зи = 0, не менее:

А760А................................. 15	мА/В

А760Б................................. 18	мА/В

ЭДС шума на 1- 100 кГц при (/си - 5 В,
/с = 5 мА, не	более..................... 1,2	нВ/\Гц

Напряжение отсечки при 6/си = 5 В,
/с = 100 мкА, не более................ 3 В

Начальный ток стока при 6/си = 5 В, 6/зи = 0:

А760А.......................................... 4.5...20 мА

А76ОБ.......................................... 16...30 мА

Ток утечки затвора при 6/зи = —10 В, не более 1 нА
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток......... 15 В

Постоянное напряжение затвор—исток....... 10 В

Постоянное напряжение затвор—сток........ 15 В

Потенциал статического электричества..... 100 В

Прямой ток затвора....................... 5 мА

Постоянная рассеиваемая мощность'
при Т= -60...+60 ’С...................... 200 мВт

Температура окружающей среды............. —60...+125 ‘С

1 При Т > +60 ”С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность снижается линейно на 2 мВт/”С.

Расстояние от корпуса до места лужения и пайки выводов
не менее 2 мм, температура припоя +260 ± 5 ’С, время пайки
не более 3 с.

Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее
2 мм.

Разрешается откусывать выводы на расстоянии не менее
2 мм от корпуса, а также формовка выводов на расстоянии не
менее 1 мм от корпуса.

Арсенидгаллиевые полевые транзисторы

Транзисторы малой мощности

ЗП320А-2, ЗП320Б-2, АП320А-2, АП320Б-2

Транзисторы полевые
арсенидгаллиевые планар-
ные с каналом л-типа и
барьером Шотки. Предна-
значены для применения
во входных и последую-
щих каскадах малошумя-
щих усилителей в составе
гибридных интегральных
Микросхем. Бескорпусные
на керамическом кристал-
лодержателе с гибкими по-
лосковыми выводами и ке-
рамической крышкой. На
Крышку наносится услов-

Ш0(А-2, Б-2), АП320(А-2 Б-2)
ная маркировка цветной точкой; ЗП320А—2, АП320А—2 — Крас
ной, ЗП320Б—2, АП320Б—2 — зеленой. Тип прибора указывает-
ся в этикетке.

Масса транзистора не более 0,2 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума на ? = 8 ГГц
при 6/си = 3 В, 4 = 10 мА для транзисторов
с 4. нач = Ю МА или = 0 для транзисторов
с 4, нач < Ю мА:

ЗП320А-2, АП320А-2..................... 3,2*...4*„.

4,5 дБ

ЗП320Б-2, АП320Б-2..................... 4,5*...5*...6 дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на / = 8 ГГц при 64м = 3 В, 4 = Ю мА
для транзисторов с 4, нач = Ю мА, или = 0
для транзисторов с 4, нач < Ю мА.......... 3...5*...7* дБ

Крутизна характеристики при = 1,5 В,
4 = 15 мА для транзисторов с 4, нач = 15 мА
или 6/зи = 0 для транзисторов с 4. нач < 15 мА . 5...9,5*...

16* мА/В

Ток утечки затвора при = 2,5 В:
7=+25 “С.................................. 0,01*...0,2*...

20 мкА

7 = —60 ’С, не более................... 60 мкА

7= +85 ’С, не более.................... 80 мкА

Входная емкость........................... 0,18*	пФ

Проходная емкость......................... 0,15*	пФ

Выходная емкость.......................... 0,18*	пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток* 1:
при 7 С +25 ’С........................ 4 В

при 7 С +85 ’С......................... 3 В

Постоянное напряжение затвор—исток........ 5 В

Постоянное напряжение затвор—сток......... 8 В

Потенциал статического электричества...... 30 В

Постоянная рассеиваемая мощность2:

при 7 = +40 ’С......................... 80 мВт

’ При Т > +50 'С максимально допустимое постоянное напряжение сток-
исток снижается линейно.

1 При Т > +40 "С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность снижается линейно.
при Г =+85'С....................... 30 мВт

Температура окружающей среды.......... —60...+85 °С

Пайка выводов производится на расстоянии 1 мм от кри-
сталлодержателя при условии обеспечения надежного отвода
тепла от вывода между местом пайки и кристаллодержателем.
При этом следует пользоваться серебряно-индиевыми припоя-
ми, температура пайки не более +260 °С, время пайки не
более 3 с. Допускается пайка выводов на расстоянии не менее
0,2 мм от кристаллодержателя при температуре пайки не бо-
лее +160 °С в течение не более 10 с. Допускается использова-
ние только бескислотного флюса.

Допускается однократный изгиб выводов с радиусом за-
кругления 1,5 мм на расстоянии 1 мм от кристаллодержателя.
Допускается при монтаже транзисторов обрезать выводы на
расстоянии не менее 2 мм от кристаллодержателя.

Зависимости электрических параметров от напряжения,
температуры и частоты для АП320А—2, АП320Б—2 аналогичны
зависимостям ЗП320А—2, ЗП320Б—2.

Зона возможных поло-
хений проходной ха-
рактеристики

Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от напряжения за-

Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от температуры

твор—исток
Зона возможных поло*
жений зависимости ко*
эффициента шума от
напряжения сток—ис-
ток

Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
напряжения сток—ис-
ток

Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента усиления
от напряжения сток—
исток

Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента шума от
частоты

Зона возможных поло-
жений зависимости ко-
эффициента усиления
от частоты

ЗП321А—2

Транзистор полевой арсенмдгаллиевый планарный ионно
легированный с каналом л-типа и барьером Шотки сверхвысо-
кочастотный усилительный с нормированным коэффициентом
шума на частоте 8 ГГц. Предназначен для применения во вход-
ных и последующих каскадах малошумящих усилителей гер-
метизированной радиоприемной аппаратуры. Бескорпусный на
керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми вы-
водами и керамической крышкой. Тип прибора указывается в
этикетке.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

ЗП321А-2

Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума
при С/си = 2 В, /с = 8 мА, Г = 8 ГГц, не более.. 3,5 дБ
типовое значение......................... 2,8* дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности при 6/си = 2 В, /с = 8 мА, <= 8 ГГц,
не менее................................. 3,5 дБ

типовое значение...................... 6,3* дБ

Крутизна характеристики при 6/си = 2 В,
4 = 8 мА, Г = 5 МГц, не менее............ 5 мА/В

типовое значение...................... 16* мА/В

Напряжение отсечки при 6/си = 2,5 В,
/с = 0,1 мА.............................. 1,5*..3*...

4,5* В

Ток утечки затвора при (/зи = 2,5 В, не более:
Т=-60’С и+25’С........................... 1 мкА

Т = +70 ’С............................ 10 мкА

Коэффициент отражения входной цепи транзи-
стора в схеме ОИ при С4и ~ 2,5 В, /с = 10 мА,
' = 8 ГГц:
модуль................................... —4* дБ

фаза.................................. -150’*
Коэффициент обратной передачи напряжения
транзистора в схеме ОИ при 6/си = 2,5 В,
/с = 10 мА, 8 ГГц:

модуль.............................. —17*	дБ

фаза................................ 84°*

Коэффициент прямой передачи напряжения
транзистора в схеме ОИ при С/си = 2,5 В,
/с = 10 мА, Г= 8 ГГц:

модуль.............................. 3* дБ

фаза................................ 60°*

Коэффициент отражения выходной цепи
транзистора в схеме ОИ при 6/си = 2,5 В,
/с = 10 мА, 8 ГГц:

модуль............................. —4,5*	дБ

фаза................................ —82°*

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток................... 3 В

Напряжение затвор—исток................. 3 В

Напряжение затвор—сток.................. 4 В

Потенциал статического электричества.... 10 В

Постоянная рассеиваемая мощность........ 30 мВт

Температура окружающей среды............ —60...+70 °С

Допускается однократный изгиб выводов не ближе 1 мм от
кристаллодержателя с радиусом закругления не менее 1,5 мм.
Минимально допустимое рассто-

Зависимости коэффи-
циентов шума и уси-
ления от частоты

яние от места пайки выводов до кри-
сталлодержателя 2 мм при темпера-
туре пайки +240 ± 10 °С и длитель-
ности не более 3 с. Допускается пай-
ка выводов на расстоянии 1 мм от
кристаллодержателя при температу-
ре не выше +150 °С, длительности не
более 3 с и отводе теплоты от выво-
да между местом пайки и кристалло-
держателем.
Проходная характери-
стика

Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения сток—исток

Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—не-

зависимость крутизны
характеристики от то-
ка стока

Зависимости коэффи-
циентов шума и усиле-
ния от напряжения
сток—исток

Зависимости коэффи-
циентов шума и уси-
ления от тока стока

ЗП324А-2, ЗП324Б-2,
АП324А-2, АП324Б-2, АП324В-2, АП324Б-5

Транзисторы полевые арсенидгаллиевые с затвором в виде
барьера Шотки с каналом л-типа усилительные. Предназначе-
ны для применения в малошумящих усилителях в составе ги-
бридных интегральных микросхем, микросборках на частотах
до 12 ГГц. Транзисторы ЗП324А-2, ЗП324Б-2, АП324А-2,
АП324Б—2, АП324В—2 бескорпусные на кристаллодержателе
с гибкими выводами, транзистор АП324Б—5 выпускается в
виде разделенных кристаллов с контактными площадками без
выводов и без кристаллодержателя. Тип прибора указывается
в этикетке.
Масса транзистора ЗП324А—2, ЗП324Б—2, АП324А—2,
АП324Б—2, АП324В—2 не более 0,02 г, АП324Б—5 не более
0,0006 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

ША-2 Б-2), АП12ЦА-2.6-28-21

Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума

на 12 ГГц при С/си = 2,5 В, 4 = 10 мА:

ЗП324А-2, АП324А-2...................

1,3*...1,4*...

1,5 дБ
ЗП324Б—2, АП324Б-2, АП324Б-5.........

АП324В-2.............................

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на /= 12 ГГц при (/си = 2,5 В, 4 = 10 мА .

Крутизна характеристики при (/си = 2,5 В,
/с = 15 мА..............................

Ток утечки затвора при С/Эи = —2,5 В:

Т= +25 °С............................

Т = +125 °С, не более................

Т = —60 °С, не более.................

1,6*...1,8*...

2 дБ
2,1*...2,3*...

2,5 дБ

6...7*...8* дБ

15...25*...

40 мА/В

0,01*...1*...

100 мкА

300 мкА

100 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток........ 4 В

Постоянное напряжение затвор—исток...... 3 В

Постоянная рассеиваемая мощность* 1
при Т = —60...+40 °С.................... 80 мВт

Температура окружающей среды............ —60...+85 °С

' При Т от 4-40 до +125 *С максимально допустимая постоянная рассеивае-
мая мощность снижается линейно до 15 мВт.

Минимальное расстояние от кристаллодержателя до места
пайки (сварки) вывода не менее 1,5 мм. Допускается пайка
(сварка) выводов на расстоянии 1 мм от кристаллодержателя
при условии обеспечения надежного отвода тепла от вывода
между местом пайки (сварки) и кристаллодержателем. Время
пайки не более 3 с на каждый вывод, температура пайки не
более +260 °С.

Допускается однократный изгиб выводов на расстоянии

1 мм от кристаллодержателя.

Технология сборки транзистора АП324Б—5 в гибридную
сборку, применяемые детали гибридной сборки и материа-
лы должны обеспечивать значение теплового сопротивления
смонтированного в гибридную сборку транзистора не выше
1300 °С/Вт.

Монтаж транзистора в составе гибридной схемы рекомен-
дуется осуществлять с помощью клея типа ЭЧЭ—С ЫУО.028.
052ТУ. Температура сушки +120 °С, время сушки 90 мин. При-
соединение выводов к контактным площадкам рекомендуется
производить термокомпрессионной сваркой при температуре
+330 °С в течение не более 3 с. В качестве вывода должна
применяться золотая проволока Зл 999,9 0,015, ТУ 48—1-
155-84.

Соединение вывода с контактной площадкой должно вы-
держивать разрывное усилие не менее 0,6 гс.

Зона возможных поло-
жений проходной ха-
рактеристики

Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от тока стока

Зависимости коэффи-
циентов шума и усиле-
ния от напряжения
сток—исток

Зависимости коэффи-
циентов шума и уси-
ления от напряжения
затвор—исток

Зависимости коэффи-
циентов шума и уси-
ления от тока стока

Зависимости коэффи-
циента шума от ча-
стоты

Зависимости коэффициента
шума от частоты
Зависимость крутизны-
характеристики от то-
ка стока

Зависимость крутизны
характеристики от тем*
лературы

Проходная характери-
стика

ЗП325А—2, ЗП325А-5, АП325А-2

Транзисторы полевые арсенидгаллиевые с каналом л-типа и
барьером Шотки усилительные с нормированным коэффици-
ентом шума на частоте 8 ГГц. Предназначены для применения
во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей

в составе гибридных ин-
тегральных микросхем.
Транзисторы ЗП325А—2,
АП325А—2 бескорпусные
на керамическом кри-
сталлодержателе с гибки-
ми полосковыми вывода-
ми и керамической крыш-
кой. На крышке наносит-
ся условная маркировка:
ЗП325А—2 — черная по-
лоска, АП325А—2 — чер-
ная полоска с черной точ-
кой над ней. Транзистор
ЗП325А—5 выпускается
в виде кристаллов с кон-
тактными площадками
без кристаллодержателя
и без выводов. Тип при-
бора указывается в эти-
кетке.

ЗП325А -2. АП325А 2

02,15
Масса бескорпусного транзистора не более 0,05 г, крИ-
сталла не более 0,0002 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Планета», г. Новгород.

ЖМ

Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума на /= 8 ГГц

при С/си = 1,5 В, /с = 5 мА, не более.. 2 дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на /= 8 ГГц при 6/си = 1,5 В, /с = 5 мА,
не менее:

ЗП325А-2, ЗП325А-5.................. 5 дБ

АП325А-2............................ 4,5 дБ

Порог перегрузки транзистора на /= 8 ГГц

при 6/си = 1,5 В, /с = 5 мА, не более.. 6 мВт

Крутизна характеристики при 6/си = 1,5 В,

/с = 10 мА, не менее:

ЗП325А-2, ЗП325А-5.................. 8	мА/В

АП325А-2............................ 5	мА/В

Напряжение отсечки при С/си = 1,5 В,
/с = 0,1 мА, не более.................. 4	В

Ток утечки затвора при С/Зи = 2,5 В, не более:

Т= +25 °С	1	мкА

Т= +85 °С	для	ЗП325А-2,	ЗП325А-5 ..." 10 мкА

Т = +70 °С	для	АП325А-2............ 30 мкА

Т= -60 °С	для	ЗП325А-2,	ЗП325А-5... 1 мкА

Т = —60 ”С	для	АП325А—2............ 3 мкА
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток:
ЗП325А-2, ЗП325А-5................. 2,5 В

АП325А-2............................ 2 В

Постоянное напряжение затвор—исток:
ЗП325А-2, ЗП325А-5................. 3,5 В

АП325А-2............................ 4,5 В

Постоянное напряжение затвор—сток:
ЗП325А-2, ЗП325А-5.................. 5 В

АП325А-2............................ 6 В

Потенциал статического электричества... 10 В

Постоянная рассеиваемая мощность....... 25 мВт

Непрерывная СВЧ мощность, падающая
на вход транзистора.................... 150 мВт

Температура окружающей среды:
ЗП325А-2, ЗП325А-5 .................... -60...+85	“С

АП325А-2 ........................... -60...+70	’С

Допускается однократный изгиб выводов не ближе 1 мм от
кристаллодержателя с радиусом закругления не менее 1,5 мм.

Минимально допустимое расстояние от места пайки вы-
водов до кристаллодержателя 1 мм при температуре пайки
+235 ± 5 ’С и длительности не более 3 с. Допускается пайка
выводов на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя при
температуре не выше +150 ’С в течение не более 3 с. При
монтаже транзистора в гибридную схему необходимо выпол-
нять следующие условия:

—	монтаж транзистора в составе гибридной схемы дол-
жен осуществляться при помощи клея ЭЧЭ—С ЫУ0.028.052ТУ
с последующей сушкой в термостате при температуре +120 ’С
в течение 90 мин. Че допускается затекание клея по периметру
кристалла. Соединение кристалла с контактной площадкой дол-
жно выдерживать разрывное усилие не менее 0,6 гс;

—	присоединение выводов к контактным площадкам дол-
жно производиться термокомпрессионной сваркой при темпе-
ратуре не выше +355 ’С в течение не более 3 с. В качестве
вывода должна применяться золотая проволока Зл 999,9 диа-
метром 0,015 мм ТУ 48—1—155—84;

—	проволочный вывод, приваренный к контактной пло-
щадке, не должен соединяться с другими неизолированными
выводами или с контактной площадкой,-

—	расстояние между соседними проволочными выводами
должно быть не менее половины расстояния между контакт-
ными площадками;
—	концы сварных соединений не должны касаться сосед-
ней контактной площадки, дорожки металлизации, проволоч-
ного вывода или составлять более трех диаметров проволоч-
ного вывода;

—	сварное соединение не должно занимать меньше поло-
вины площади отпечатка сварного инструмента на контактной
площадке;

—	не допускается повторное сварное соединение более,
чем одного проволочного вывода;

—	размер сварного соединения на транзисторе должен
быть не менее 2-х диаметров проволочного вывода;

—	сварное соединение должно занимать не менее полови-
ны контактной площадки транзистора;

—	не допускается провисание или петля проволоки, кото-
рые могут привести к контакту с другими проволочными выво-
дами или транзистором.

После извлечения транзистора из упаковки предприятия
изготовителя транзисторы должны находиться в специальной
камере с инертной средой не более 10 сут. В случае использо-
вания части транзисторов из упаковки предприятия-изготови-
теля, неиспользованные транзисторы должны быть повторно
упакованы в герметичную тару. Требование о нахождении в
специальной камере с инертной средой в течение 10 сут рас-
пространяется на повторно упакованные транзисторы с мо-
мента вскрытия вторичной упаковки.

Зависимости электрических параметров от напряжения,
тока, частоты и температуры для ЗП325А—5, АП325А—2 ана-
логичны зависимостям ЗП325А—2.

Проходная характери-
стика

Зависимость крутизны
характеристики от то-
ка стока

Зависимости коэффи-
циентов шума и уси-
ления от тока стока
К / К (15В/

Зависимости коэффи*
циентов шума и уси-
ления от напряжения
сток—исток

К/К '8ГГц)

Зависимости коэффи-
циентов шума и уси-
ления от частоты

К /к (25 V

Зависимости коэффи-
циентов шума и уси-
ления от температуры

ЗП326А-2, ЗП326Б-2, ЗП326А-5,
АП326А-2, АП326Б-2

Транзисторы полевые
арсенидгаллиевые планар-
ные с каналом л-типа и
барьером Шотки усили-
тельные с нормированным
коэффициентом шума на
частоте 17,4 ГГц. Предна-
значены для применения
во входных и последую-
щих каскадах малошумя-
щих усилителей герметизи-
рованной радиоприемной
аппаратуры. Транзисторы

• Я1]26(А-2. Б-2), АП5261А-2 Б-2/

ЗП326А—2, ЗП326Б—2, АП326А—2, АП326Б—2 бескорпусные
на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми
выводами и металлической крышкой. На ножке ЗП326Б—2 на-
носится условная маркировка черной точкой, на транзистор
ЗП326А—2 условная маркировка не наносится. Транзистор
ЗП326А—5 выпускается в виде кристаллов с контактными пло-
щадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора
указывается в этикетке.

Масса бескорпусного транзистора не более 0,1 г, кристал-
ла не более 0,0002 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Планета», г. Новгород.


Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума на
/= 17,4 ГГц при С/си = 2 В, /с = 8 мА, не более:

ЗП326А-2, ЗП326А-5, АП326А-2.......... 4,5 дБ

ЗП326Б-2, АП326Б-2.................... 5,5 дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на 17,4 ГГц при С/си = 2 В, /с = 8 мА,
не менее.................................. 3 дБ

Нестабильность коэффициента усиления
по мощности на /- 17,4 ГГц при С/си = 2 В,
/с = 8 мА, не более....................... 0,1 дБ

Порог перегрузки транзистора на /= 15 ГГц
при С/си = 2 В, /с = 8 мА, не более....... 12,5 мВт

Крутизна характеристики при С/си = 2 В,
/с = 8 мА, не менее....................... 8 мА/В

Напряжение отсечки при {/си = 2,5 В,
/с = 0,1 мА............................... 1*...2,5*...4 В

ток утечки затвора при С/зи = 2,5 В, не более:

Т= —60.,.+25 °С....................... 5 мкА

Г=+85 °С.............................. 50 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток.......... 2,5 В

Постоянное напряжение затвор—исток........ 4 В

Постоянное напряжение затвор—сток......... 5,5 В

Потенциал статического электричества...’.. 10 В

Постоянная рассеиваемая мощность.......... 30 мВт

Непрерывная СВЧ мощность, падающая
на вход транзистора....................... 200 мВт

Температу, а окружающей среды............. —60...+85 °С
В случае питания от двух источников следует подавать
напряжение сначала на вывод затвора, а затем на вывод сто-
ка. Выключение производить в обратной последовательности.

Минимально допустимое расстояние от места пайки вы-
водов до кристаллодержателя 1 мм при температуре лайки
+200 ± 10 °С и длительности не более 3 с. Допускается пайка
выводов на расстоянии 0,2 мм от кристаллодержателя при
температуре не выше +150 °С в течение не более 15 с. Допу-
скается повторная пайка транзистора.

При монтаже транзистора ЗП326А—5 в составе гибридной
схемы необходимо выполнять следующие условия:

— монтаж транзисторов в составе гибридной схемы мож-
но осуществлять двумя способами:

1)	методом пайки при температуре +400 °С в течение не
более 10 с. Поверхность, на которую напаивается транзистор,
должна быть золоченая с толщиной покрытия 2,5...3,5 мкм.
Для повышения надежности пайки следует применять при мон-
таже колебания инструмента частотой 50... 100 Гц. В качестве
припоя рекомендуется электрод из сплава Зл Тр 12 диаметром
175...200 мкм;

2)	методом приклейки. При этом клей должен обладать
высокими термостойкими качествами — выдерживать темпера-
туру термокомпрессионной сварки не менее +330 °С. Рекомен-
дуются клеи: УП—5—201Э (электроизоляционный), УП—5—201
(токопроводящий), ТУ 6—05—241—246—80 или четырехкомпо-
нентный клей в составе: смола модифицированная СЭДМ—4
ОСТ 6—05—448—80—100, смола низкомолекулярная полиамид-
ная Л—20 ТУ 6—05—1123—74—50, олигомер «Креол» ВТУ—КО—
01—30, нитрид бора гексагональный ТУ—2—036—707—77—60.
Режим сушки клея: температура не более +200 °С, время 3 ч;

—	присоединение выводов к контактным площадкам тран-
зистора должно производиться методом термокомпрессион-
ной сварки при +330 °С в течение не более 3 с. В качестве
вывода должна применяться золотая проволока Зл 999,9 диа-
метром 0,02 ГОСТ 7222-75;

—	не допускается повторная термокомпрессионная сварка
к контактной площадке стока или затвора;

—	выводы после сварки не должны касаться планарной
структуры и боковых ребер транзисторов;

—	не допускается смещение термокомпрессионных точек,
приводящие к закорачиванию элементов структуры;

—	не допускается сильное натяжение и провисание выво-
дов;

—	не допускается разрыв (пережатие) золотой проволоки
в месте термокомпрессионной сварки.
После извлечения транзисторов из упаковки предприятия-
изготовителя до присоединения выводов к контактным пло-
щадкам транзисторы должны находиться в специальной каме-
ре с инертной средой не более 10 сут. В случае использования
части транзисторов из общей упаковки, неиспользованные тран-
зисторы должны быть повторно упакованы в герметичную тару.
Требование на хранение в специальной камере с инертной
средой не более 10 сут распространяется на повторно упако-
ванные транзисторы с момента вскрытия вторичной упаковки.

Зависимость электрических параметров от напряжения, тока
и частоты для ЗП326А—5 аналогичны зависимостям ЗП326А—2.

Проходная характери-
стика

Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения сток—исток

Зависимость крутизны
характеристики от на-
пряжения затвор—ис-
ток

Зависимость крутизны
характеристики от то-
ка стока

Зависимость коэффи-
циента шума от напря-
жения сток—исток

Зависимость коэффи-
циента усиления от на-
пряжения сток—исток
*/К (8нА)

Зависимости коэффи-
циентов шума и уси-
ления от тока стока

К/К (17АГГц)

Зависимости коэффи-
циентов шума и уси-
ления от частоты

ЗП328А-2, ЗП328А-5, АП328А-2

Транзисторы полевые ар-
сенидгаллиевые планарные с
двумя затворами с каналом
л-типа и барьером Шотки уси-
лительные с нормированным
коэффициентом шума на ча-
стоте 8 ГГц. Предназначены
для применения во входных и
последующих каскадах ма-
лошумящих усилителей в со-
ставе гибридных интеграль-
ных микросхем. Транзисторы
ЗП328А-2, АП328А-2 бес-
корпусные на керамическом
кристаллодержателе с гибки-
ми полосковыми выводами
и керамической крышкой. У
транзистора ЗП328А—2 на

ЗП328А-2. АП328А-2

крышке наносится условная

маркировка черной точкой. Транзистор ЗП328А—5 выпускается
в виде кристаллов с контактными площадками без кристал-
лодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в эти-
кетке.

Масса бескорпусного транзистора не более 0,1 г, кристал-
ла не более 0,0002 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
жПланета», г. Новгород.
Ш8А-5

815

Электрические параметры

Минимальней коэффициент шума

при 6/си = 4 В, 6/32И = О, /с = 8 мА, не более:

/ = 8	ГГц для ЗП328А-2, ЗП328А-5.......... 3,5 дБ

( = 8	ГГц для АП328А—2.......... 4,5 дБ

Г= 1	ГГц для ЗП328А-2, ЗП328А-5.......... 1,4 дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-

ности при С/си = 4 В, С/32И = 0, /с = 8 мА:
Г= 8 ГГц для ЗП328А-2, ЗП328А-5......... 10 дБ

типовое значение.......................... 12* дБ

/= 8 ГГц для АП328А—2, не менее........... 9 дБ

Г = 1 ГГц для ЗП328А-2, ЗП328А-5,
не менее.................................. 15 дБ

Порог перегрузки транзистора при С/си = 4 В,
С/32и = 0, /с = 8 мА, /= 8 ГГц, не более..... 6 мВт

Крутизна характеристики по первому затвору

при С/си = 4 В, 6/32И = 0, /с = 8 мА, не менее:
ЗП328А-2, ЗП328А-5...................... 8 мА/В

АП328А-2.................................. 7 мА/В

Крутизна характеристики по второму затвору

при С/си = 4 В, С/31И = 0, /с = 8 мА, не менее.... 4 мА/В
Напряжение отсечки по первому затвору при

С/си = 4 В, 6/32И = 0, /с = 0,1 мА, не более. 4 В

Ток утечки первого затвора при С/31И = 2,5 В,
не более:

Г =+25 °С................................. 1 мкА

Т= -60 °С для ЗП328А-2, ЗП328А-5  1 мкА

Т= +85 °С для ЗП328А-2, ЗП328А-5  10 мкА

Ток утечки второго затвора при С/32и = 2,5 В,
не более:

. Г =+25 °С................................. 1 мкА
Т= -60 ’С для ЗП328А-2, ЗП328А-5  1 мкА
7= +85 ’С для ЗП328А-2, ЗП328А-5  10 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток........ 6 В

Постоянное напряжение первый затвор—исток 4 В
Постоянное напряжение второй затвор—сток 6 В
Потенциал статического электричества.... Ю В

Постоянная рассеиваемая мощность........ 50 мВт

Непрерывная СВЧ мощность, падающая
на вход транзистора..................... 200 мВт

Импульсная СВЧ мощность, падающая на вход
транзистора............................. 1,5 Вт

Температура окружающей среды

ЗП328А-2, ЗП328А-5................... -60...+85 ’С

АП328А-2 ............................ -60...+70 ’С

Допускается однократный изгиб выводов не ближе 1 мм от
кристаллодержателя с радиусом закругления не менее 1,5 мм.

Максимально допустимое расстояние от места пайки вы-
водов до кристаллодержателя 1 мм при температуре пайки
+235 ± 5 ’С в течение не более 3 с. Допускается пайка
выводов на расстоянии 0,5 мм от кристаллодержателя при
температуре не выше +150 ’С в течение не более 3 с.

Зависимости электрических параметров от напряжения,
тока, частоты, температуры для ЗП328А—5, АП328А—2 анало-
гичны зависимостям ЗП328А—2.

Зависимости крутизны
характеристики и тока
стока от напряжения
первый затвор—исток

Зависимости крутизны
' характеристики и на-
пряжения отсечки от
напряжения втором за-
твор—исток (напряже-
ние отсечки и крутизна
характеристики измеря-
лись при токе стока 1
и 8 мА соответственно)

Зависимости коэффи-
циентов шума и уси-
ления от тока стока
ЗПЗЗОА-2, ЗПЗЗОБ-2, ЗПЗЗОВ-2, ЗПЗЗОА-5,
АПЗЗОА-2, АПЗЗОБ-2, АПЗЗОВ-2

Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с кана-
лом л-типа и барьером Шотки усилительные с нормированным
коэффициентом шума на частотах 25 и 17,4 ГГц. Предназначе-
ны для применения во входных и последующих каскадах мало-
шумящих усилителей в составе гибридных интегральных ми-
кросхем. Транзисторы ЗПЗЗОА—2, ЗПЗЗОБ—2, ЗПЗЗОВ—2,
АПЗЗОА—2, АПЗЗОБ—2, АПЗЗОВ—2 бескорпусные на керамиче-
ском кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и
металлической крышкой. На крышке наносится условная мар-
кировка: на ЗПЗЗОБ—2 — белая точка, на ЗПЗЗОВ—2 — черная
точка, на ЗПЗЗОА—2 — точка не наносится. Транзистор ЗПЗЗОА—

5 выпускается в виде кристаллов с

ЗП550(А-2 - В-2) АПК0(А-2 - В-2)

контактными площадками
без кристаллодержате-
ля и без выводов. Тип
прибора указывается в
этикетке.

Масса бескорпусно-
го транзистора не более
0,15 г, кристалла не бо-
лее 0,0002 г.

Изготовитель — ак-
ционерное общество от-
крытого типа «Плане-
та», г. Новгород.

5П550А-5
Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума
при 7/си = 2 В, 4 = 6 мА:
АПЗЗОА-2, ЗПЗЗОА-2 на /= 25 ГГц,
не более................................... 6 дБ

типовое значение........................ 3,7* дБ

АПЗЗОБ-2, ЗПЗЗОБ-2 на /= 25 ГГц,
не более................................ 4,5 дБ

типовое значение........................ 3,7* дБ

АПЗЗОВ-2, ЗПЗЗОВ-2 на /- 17,4 ГГц,
не более................................ 3,5 дБ

типовое значение........................ 3* дБ

ЗПЗЗОА—5 на / = 17,4 ГГц, не более...... 3 дБ

на /= 25 ГГц, не более.................. 4 дБ

Оптимальный коэффициент шума ЗПЗЗОА—2,
ЗПЗЗОБ-2, ЗПЗЗОВ-2, АПЗЗОА-2, АПЗЗОБ-2,
АПЗЗОВ-2 при 7/си = 2 В:

/с = 6 мА, Г = 25 ГГц................... 4*—5*—6,5 дБ

/г = 6 мА, /= 17,4 ГГц.................. 3,5* ..4,5*...

6,5 дБ
/с = 12,5 мА, / = 25 ГГц................ 5*...6,5*...8 дБ

/с = 12,5 мА, Г= 17,4 ГГц............... 4,5*...5,5*...

8 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности при 7/си = 2 В, /с = 6 мА:
ЗПЗЗОА-2, ЗПЗЗОБ-2, АПЗЗОА-2,
АПЗЗОБ—2 на 1- 25 ГГц, не менее............ 3 дБ

типовое значение........................ 4,9* дБ

ЗПЗЗОВ-2, АПЗЗОВ-2 на Г= 17,4 ГГц,
не менее................................ 6 дБ

типовое значение........................ 6,8* дБ

ЗПЗЗОА—5 на 17,4	ГГц, не менее.......... 7 дБ

на 25 ГГц, не менее..................... 4 дБ

Максимальный коэффициент усиления по
мощности ЗПЗЗОА—2, ЗПЗЗОБ—2, ЗПЗЗОВ—2,
АПЗЗОА-2, АПЗЗОБ-2, АПЗЗОВ-2
при Уси = 2 В:

/с = 6 мА, / = 25 ГГц................... 4...5*...7,5* дБ

/с= 6 мА, /= 17,4 ГГц................... 7,5—9*...

10* дБ
/с = 12,5 мА, Г= 25 ГГц................. 4,5-6*...

8,5* дБ
/с = 12,5 мА, /= 17,4 ГГц............... 8...10*...

12* дБ
Крутизна характеристики при 6/си = 2 В,
/с = 10 мА, не менее............................ 5 мА/В

Напряжение отсечки при 6/си = 2 В, /с = 1 мА. 1,5*...2,5*...

4,5 В
Начальный ток стока при = 2 В, Узи = 0.... 15...30*...

50* мА

Ток утечки затвора при = —2,5 В, не более:
Т = -60 и +25 ”С................................ 1 мкА

Т = +85 °С.................................. 20 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток......... 3 В

Постоянное напряжение затвор—исток....... 4 В

Постоянное напряжение затвор—сток........ 6 В

Потенциал статического электричества..... 5 В

Постоянная рассеиваемая мощность......... 30 мВт

Температура окружающей среды............. —60...+85 ‘С

ЗП331А-2, ЗП331А-5, АП331А-2, АП331А-5

Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с кана-
лом л-типа и барьером Шотки усилительные с нормированным
коэффициентом шума на частоте 10 ГГц. Предназначены для
применения в широкополосных СВЧ усилителях с повышенными
требованиями к выходной мощности в составе гибридных инте-
гральных микросхем. Транзисторы ЗП331А—2, АП3331А—2 бес-

корпусные на керамическом

ЗП331А-2, АП331А-2

кристаллодержателе с гибкими
полосковыми выводами и ме-
таллической крышкой. На нож-
ке наносится условная марки-
ровка черной полоской. Тран-
зистор ЗП331А—5, АП331А—5
выпускается в виде кристаллов
с контактными площадками
без кристаллодержателя и без
выводов. Тип прибора указы-
вается в этикетке.

Масса бескорпусного тран-
зистора не более 0,1 г, кри-
сталла не более 0,0006 г.

Изготовитель — акционер-
ное общество открытого типа
«Планета», г. Новгород.


Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума
на ( = 10 ГГц:

ЗП331А-2, ЗП331А-5:

при Уси = 3 В, /с = 10 мА........ 1,3*...2’

2,8 дБ
при = 5 В, /с = 40 мА, не более...... 4 дБ

АП331А-2, АП331А-5:

при 6/си = 4 В, /с = 10 мА, не более  2,5 дБ
при 4/си = 4 В, /с = 40 мА, не более  4,5 дБ

Оптимальный коэффициент шума на /= 10 ГГц
при 6/си = 3 В, /с = 10 мА для ЗП331А-2,
ЗП331А—5, не более.......................... 3,5 дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на /= 10 ГГц, не менее:

ЗП331А-2, ЗП331А-5:
при 6/си	=	3	В,	/с =	10	мА.......... 5 дБ

при иы	=	5	В,	/с =	40	мА.......... 7 дБ

АП331А-2, АП331А-5:

яри 4/си	=	4	В,	/с =	10	мА,	не	более. 5,5 дБ

при 7/си	=	4	В,	/с =	40	мА,	не	более. 6,5 дБ

Максимальный коэффициент усиления
по мощности на /= 10 ГГц:

ЗП331А-2, ЗП331А-5 при Уси = 5 В,

/с = 40 мА............................... 9... 10,5*...

12* дБ

АП331А-2, АП331А-5 при Уси = 4 В,

/с = 10 мА, не менее..................... 8 дБ

Порог перегрузки транзисторов ЗП331А—2,
ЗП331А-5 на 10 ГГц:

при //си = 3 В, /с = 10 мА, не менее..... 15 мВт

при ис„ = 5 В, /с = 40 мА................ 25...40*...

50* мВт

Выходная мощность на / = 10 ГГц
при Рм= Ю мВт:

ЗП331А-2, ЗП331А-5 при Уси = 5 В......... 45...60*...

85* мВт
АП331А-2, АП331А-5 при 7/си = 4 В,
не менее................................. 30 мВт

Выходная мощность на / = 8,15 ГГц при

6/си = 5 В, /с = 40 мА и компрессии усиления
на 3 дБ для ЗП331А-2, ЗП331А-5 ............. 50...65*...

80* мВт

Крутизна характеристики при 6/си = 4 В,
/с = 40 мА, не менее:

ЗП331А-2, ЗП331А-5....................... 25 мА/В

АП331А-2, АП331А-5....................... 15 мА/В

Напряжение отсечки при 6/си = 2 В, /с = 5 мА. 2,5*...4*...5
Начальный ток стока при = 3 В:

Т = +25 ’С............................... 100...120*...

»50* мА
7" = —60 °С................................. 110...130*...

180* мА
Г =+85’С.................................... 90...112*...

130* мА

Ток утечки затвора при 4/зи = —2,5 В, не более:
Т= +25 и -60 “С................................. 1 мкА

Т= +85 °С................................... 10 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток:
ЗП331А-2, ЗП331А-5................. 5,5 В

АП331А-2, АП331А-5.................. 5 В

Постоянное напряжение затвор—исток:
ЗП331А-2, ЗП331А-5................... 5 В

АП331А-2, АП331А-5.................. 4 В

Постоянное напряжение затвор—сток:
ЗП331А-2, ЗП331А-5................... 9 В

АП331А-2, АП331А-5.................. 8 В

Потенциал статического электричества... 30 В

Постоянная рассеиваемая мощность:
Т= +70 °С............................... 250 мВт

Т = +85 ’С.......................... 200 мВт

Непрерывная СВЧ мощность, падающая на
вход транзистора, на 10 ГГц при 6/си = 5 В,
4 = 40 мА.............................. 1 Вт

Температура окружающей среды........... —60...+85 °С

Зависимость коэффи-	Зависимость выходной

циента усиления от ча-	мощности от частоты

сто ты

Зависимость коэффи-
циента шума от ча-
стоты

ЗП339А—2, ЗП339А-5, АП339А-2

Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с кана-
лом л-типа и барьером Шотки усилительные с нормированным
ЗША-2. АША-2

коэффициентом шума на частотах 8 и 17,4 ГГц. Предназначены
для применения в малошумящих усилителях, усилителях с рас-
ширенным динамическим диапазоном и широкополосных уси-
лителях с повышенными требованиями к входной мощности
в составе гибридных интегральных микросхем. Транзисторы
ЗП339А—2, АП339А—2 бескорпусные на керамическом кристал-
лодержателе с гибкими полосковыми выводами и металличе-
ской крышкой. На ножке на-
носится условная маркиров-
ка черной точкой и полоской.
Транзистор ЗП339А—5 выпус-
кается в виде кристалла с
контактными площадками без
кристаллодержателя и без
выводов. Тип прибора указы-
вается в этикетке.

Масса бескорпусного
транзистора не более 0,15 г,
кристалла не более 0,0002 г.

Изготовитель — акцио-
нерное общество открытого
типа «Планета», г. Новгород.

43

ЗП339А-5

0.5

Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума:

Уси = 3 В, /с = 5 мА, = 8 ГГц, не более... 2,4 дБ
иы = 5 В, /с = 30 мА, /= 8 ГГц........... 2,5*...3*...4 дБ

С/си = 3 В, /с = 5 мА, /= 17,4 ГГц, не более 4 дБ

Максимальный коэффициент усиления

по мощности при 6/си = 5 В, /с = 30 мА:
Г = 10 ГГц................................... 10...12*...

14* дБ

/ = 17,4 ГГц............................. 5...8*...10* дБ

Порог перегрузки транзистора при = 5 В,
/с = 30 мА, ?= 10 ГГц, не менее.............. 10 мВт

Выходная мощность при Уы = 5 В,

Рвх = 10 мВт, не менее:
Г= 10 ГГц.................................... 25 мВт

7 = 17,4 ГГц............................. 15 мВт

Крутизна характеристики:
и<м ~ 1.5 В, /с = 10 мА, не менее............ 10 мА/В

О' = 5 В, 1г = 30 мА..................... 18...20*...

22* мА/В

Напряжение отсечки при = 2 В, /с = 1 мА,
не более..................................... 5 В

Начальный ток стока при 4/си = 2 В........... 50...70*..

90* мА

Ток утечки затвора при У^ = 2,5 В:
Т = +25 ’С, не более......................... 1 мкА

типовое значение......................... 0,0045* мкА

7"= —60 ’С, не более..................... 1 мкА

Т = +85 ’С, не более..................... 10 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток....... 5,5 В

Постоянное напряжение затвор—исток..... 5 В

Постоянное напряжение затвор—сток...... 7 В

Потенциал статического электричества... 30 В

Постоянная рассеиваемая мощность:
Т= -60...+50 ’С........................ 250 мВт

Г=+85’С............................. 140 мВт

Непрерывная СВЧ мощность, падающая на

вход транзистора при 6/си = 1,5 В, /с = 5 мА,
на Г= 8 ГГц............................ 150 мВт

Температура окружающей среды........... —60...+85 ’С

При Тот +50 до +85 °С максимально допустимая постоянная рагсеивае
мая мощность уменьшается линейно.
ЗП343А-2, ЗП343А-5, АП343А-2

Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с кана-
лом л-типа и барьером Шотки усилительные с нормированным
коэффициентом шума на частоте 12 ГГц. Предназначены для

применения во входных и последующих каскадах малошумящих
усилителей в составе гибридных интегральных микросхем. Тран-
7Л7/7х о /П7/74 >	зисторы ЗП343Д—2, АП343А—

ЗПМА-2 АП343А-2	2 бескорпусные на керамиче-

ском кристаллодержателе с
гибкими полосковыми вывода-
ми и керамической крышкой.
На крышке наносится условная
маркировка двумя черными
точками. Транзистор ЗП343А—
5 выпускается в виде кристал-
лов с контактными площадка-
ми без кристаллодержателя и
без выводов. Тип прибора ука-
зывается в этикетке.

Масса бескорпусного тран-
зистора не более 0,5 г, кри-
сталла не более 0,0002 г.

Изготовитель — акционер-
ное общество открытого типа
«Планета», г. Новгород.

ЗПША-5
Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума
при Уси = 3 В, не более:

АП343А-2, ЗП343А-2 на 12 ГГц
при /с = 6 мА...................... 2 дБ

ЗП343А-5 на 12 ГГц при /с = 4 мА... 1,5 дБ

ЗП343А-5 на (= 8 ГГц при /с = 4 мА. 1 дБ

Оптимальный коэффициент шума на (= 12 ГГц
при (7СИ = 3 В, /с = 6 мА для АП343А—2,
ЗП343А-2.............................. 2*...3*...4 дБ

Коэффициент шума в 50-омном тракте
на 12 ГГц при Уси = 3 В, не более:

АП343А-2, ЗП343А-2 при /с = 6 мА... 2,5 дБ

ЗП343А—5 при /с = 4 мА............. 2 дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности при Уси = 3 В, не менее:

АП343А-2, ЗП343А-2 на Г= 12 ГГц
при /с = 6 мА...................... 8,5 дБ

ЗП343А—5 на /= 12 ГГц при /с = 4 мА  7 дБ
ЗП343А—5 на 8 ГГц при /с = 4 мА.... 8 дБ

Максимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на /= 12 ГГц при Уси = 3 В, 4 = $ мА
для АП343А—2, ЗП343А—2, /с = 4 мА для
ЗП343А-5.............................. 10.. .12*.

16* дБ
Коэффициент усиления по-мощности в
50-омном тракте на 12 ГГц при Уси = 3 В,
не менее:

АП343А-2, ЗП343А-2 при/с = 6 мА.... 6 дБ

ЗП343А—5 при /с = 4 мА............. 7 дБ

Порог перегрузки транзистора при 6/си = 3,5 В,
/с = 10 мА, ?= 12 ГГц, не менее....... 3 мВт

Крутизна характеристики при 6/си = 3 В,
/с = 10 мА, не менее.................. 10 мА/В

Напряжение отсечки при 7/си = 3 В, /с = 1 мА. 2...2,5...4 В
Начальный ток стока при 1/си = 2 В, не менее. 20 мА
типовое значение...................... 35* мА

Ток утечки затвора при 6/зи = 2,5 В, не более:

Т = +25 и —60 °С................... 1 мкА

7" =+85 °С......................... 10 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток................. 3,5 В

Напряжение затвор—исток............... 3 В
Напряжение затвор—сток................... 6 В

Потенциал статического электричества..... 30 В

Постоянная рассеиваемая мощность......... 35 мВт

Непрерывная СВЧ мощность, падающая на
вход транзистора при С/си = 3,5 В, /с = 10 мА,
на Г = 12 ГГц............................ 200 мВт

Температура окружающей среды............. —60...+85 °С

ЗП344А-2, ЗП344А-5, АП344А-2

5ПША-2. АПЗШ-2

Транзисторы полевые
арсенидгаллиевые планар-
ные с каналом л-типа и
барьером Шотки усили-
тельные с нормированным
коэффициентом шума на
частоте 4 ГГц. Предназна-
чены для применения во
входных и последующих
каскадах малошумящих
усилителей (в том числе с
расширенным динамиче-
ским диапазоном) в соста-
ве гибридных интегральных
микросхем. Транзисторы
ЗП344А-2, АП344А-2 бес-
корпусные на керамиче-

ском кристаллодержателе
с гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой. На
крышку наносится условная маркировка черной точкой. Тран-
зистор ЗП344А—5 выпускается в виде кристаллов с контактны-
ми площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип
прибора указывается в этикетке.

Масса бескорпусного транзистора не более 0,05 г, кри-
сталла не более 0,0006 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Планета», г. Новгород.

Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума на Г= 4 ГГц

при 6/си = 3 В, /с = 20 мА, не более..... 1 дБ

Оптимальный коэффициент шума на /= 4 ГГц
при Г/си = 3 В, /с = 20 мА, не более..... 1,7 дБ
ХША-5

Коэффициент шума в 50-омном тракте на
Г= 4 ГГц при {/си = 3 В, /с = 20 мА, не более . 1,3 дБ
Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на /= 4 ГГц при 6/си = 3 В, /с = 20 мА,
не менее............................... 10	дБ

Максимальный коэффициент усиления
по мощности на 4 ГГц при (/си = 3 В,
4 = 20 мА, не менее.................... 14	дБ

Коэффициент усиления по мощности в 50-ом-
ном тракте на / = 4 ГГц при (/си = 3 В,
4 = 20 мА, не менее.................... 10	дБ

Коэффициент стоячей волны напряжения
генератора СВЧ мощности в режиме измере-
ния Ку р3
Порог перегрузки транзистора на /= 4 ГГц
при 6/си = 3 В, /с = 20 мА, не менее... 10	мВт

, типовое значение.................... 20*	мВт

Крутизна характеристики при Уси = 2 В,
4 = 20 мА, не менее.................... 15	мА/В

Ток утечки затвора при 6/зи = 2,5 В, не более:

Т = +25 и —60 °С.................... 1	мкА

Г=+85 °С........................... 10	мкА

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток—исток.................. 4,5 В

Напряжение затвор—исток................ 4 В
Напряжение затвор—сток.................... 7 В

Потенциал статического электричества „.... 30 В

Постоянная рассеиваемая мощность.......... 100 мВт

Непрерывная СВЧ мощность, падающая
на вход транзистора при (/си = 4,5 В,
/с = 22,5 мА, на {= 4 ГГц, по критерию
отсутствия выгорания...................... 750 мВт

Импульсная СВЧ мощность, поглощаемая вхо-
дом транзистора, при (/си = 3 В, /с = 20 мА,
Г= 3,6 ГГц, 7И = 120 мкс, 0= 50,
Т - —50...+60 ’С, по критерию Кч Р в преде-
лах —0,2...+0,2 дБ........................ 50 мВт

Температура окружающей среды.............. —60...+85 °С

ЗП345А-2, ЗП345Б-2, ЗП345Б-5

Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с за-
твором в виде барьера Шотки и каналом л-типа. Предназначе-
ны для применения в фотоприемных устройствах с малым
уровнем собственных шумов. Бескорпусные на кристаллодер-
жателе с гибкими выводами. Транзисторы маркируются цвет-
ными точками: ЗП345А—2 — черной, ЗП345Б—2 — белый. Тип
прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора ЗП345А—2, ЗП345Б—2 не более 0,05 г.

Транзисторы ЗП345Б—5 выпускаются разделенными на
кристаллы с контактными площадками без кристаллодержате-
ля и без выводов.

Масса транзистора ЗП345Б—5, не более 0,0003 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

Электрические параметры

ЭДС шума при = 2 В, /с = 20 мА:

ЗП345А-2:
на /= 30 МГц.........................

на Г= 100 МГц.....................

ЗП345Б-2, ЗП345Б-5, не более:
на Г= 30 МГц.........................

на Г= 100 МГц.....................

Крутизна характеристики при 6/си = 2 В,

/с = 20 мА, не менее:

Т= +25 и -60 °С:
ЗП345А-2.............................

1,1*...1,3*...

2,8 нВ/>/Гц .

0,9*...1*...

1,4 нВ/>/Гц

2,5 нВ/>/Гц

1,25 нВ/7Гц

15 мА/В
Ш5(А-2 Б-2/

ЗП345Б—2, ЗП345Б-5................ 25 мА/В

Т= +85 °С:

ЗП345А-2.......................... 12 мА/В

ЗП345Б-2, ЗП345Б-5........-....... 23 мА/В

Начальный ток стока при 6/си = 2 В, = О
для ЗП345А-2 ............................ 20*...43*...

60* мА

Ток утечки затвора при 6/зи = —2 В, не более:
Г=+25 и —60 °С............................ 100 нА

Т= +85 °С............................. 400 нА

Входная емкость при 6/^ = —2 В, не более. 0,35 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток......... 4 В

Постоянное напряжение затвор—исток'...... —2 В

Постоянная рассеиваемая мощность2
при Т = —60...+40 °С..................... 80 мВт

Температура окружающей среды............. —60...+85 °С

' Допускается кратковременное (< 0,1 с) повышение напряжения затвор—
исток до -5 В.

1 При Т > +40 *С максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощ-
ность снижается линейно до 40 мВт при Т ~ +85 ’С.

Присоединение выводов в аппаратуре осуществляется ме-
годом сварки расщепленным электродом или бесфлюсовой
пайки. Минимальное расстояние места пайки (сварки) выводов
от кристаллодержателя 1,5 мм. Допускается пайка (сварка)
выводов на расстоянии не менее 1 мм от кристаллодержателя
при условии обеспечения надежного отвода тепла от вывода
между местом пайки (сварки) и кристаллодержателя.

При пайке следует пользоваться серебряно-индиевыми при-
поями, температура пайки не более +190 °С, время пайки не
более 3 с.

Технология сборки транзистора ЗП345Б—5 в гибридную
схему должна обеспечивать тепловое сопротивление не выше
=1125 ’С/Вт.

При монтаже транзистора ЗП345Б—5 в гибридную схему
необходимо выполнение следующих условий:

—	монтаж транзистора в состав гибридной схемы должен
осуществляться при помощи клея ЭЧЭ—С ЫУ0.028.052ТУ с
последующей сушкой в термостате при температуре +120 °С в
течение 90 мин. Не допускается затекание клея по периметру
кристалла. Соединение кристалла с контактной площадкой
должно выдерживать разрывное усилие не менее 0,6 гс;

—	присоединение выводов к контактным площадкам дол-
жно производиться термокомпрессионной сваркой при темпе-
ратуре не выше +355 °С в течение не более 3 с. В качестве
выводов должна применяться золотая проволока Зл 999, ОТ
0,015 ТУ 48-1-155-84;

—	проволочный вывод, приваренный к контактной пло-
щадке, не должен соединяться с другими неизолированными
выводами или с контактной площадкой;

—	расстояние между соседними проволочными выводами
должно быть не менее половины расстояния между контакт-
ными площадками;

—	концы сварных соединений не должны касаться сосед-
ней контактной площадки, дорожки металлизации, проволоч-
ного вывода или составлять более трех диаметров проволоч-
ного вывода;

—	сварное соединение не должно занимать меньше поло-
вины площади отпечатка сварного инструмента на контактной
площадке;

-	не допускается повторное сварное соединение более,
чем одного проволочного вывода;

—	размер сварного соединения на транзисторе должен
быть не менее 2-х диаметров проволочного вывода;

—	сварное соединение должно занимать не менее полови-
ны контактной площадки транзистора;

—	не допускается провисание или петля проволоки, кото-
рые могут привести к контакту с другими проволочными выво-
дами или транзистором.

Расстояние между выводами и незащищенной поверхностью
транзистора должно быть не менее одного диаметра вывода
для 0 0,025 и 0 0,03, не менее двух диаметров вывода для
0 0,015.

После извлечения транзистора из упаковки предприятия
изготовителя транзисторы должны находиться в специальной
камере с инертной средой не более 10 сут. В случае использо-
вания части транзисторов из упаковки предприятия изготови-
теля, неиспользованные транзисторы должны быть повторно
упакованы в герметичную тару. Требование о нахождении в
специальной камере с инертной средой в течение 10 сут рас-
пространяется на повторно упакованные транзисторы с мо-
мента вскрытия вторичной упаковки.

Выходные характери- Зависимости ЭДС шума Зона возможных по-
стики	от температуры	ложений зависимости

ЭДС шума от частоты

ЗП351А-2, ЗП351А-5

Транзисторы полевые арсенидгаллиевые с двумя затвора-
ми в виде барьера Шотки с каналом л-типа. Предназначены
для применения в усилителях с автоматической регулировкой
усиления, в смесителях, фазовращателях, в усилителях с вы-
соким уровнем усиления в составе гибридных интегральных
микросхем. Транзистор ЗП351А—2 бескорпусной на металло-
керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами. На
крышку транзистора наносят условную маркировку черной
краской «+». Транзистор ЗП351А—5 выпускается в виде кри-
сталлов с контактными площадками без кристаллодержателя
и без выводов. Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора ЗП351А—2 не более 0,02 г, ЗП351А—5
не более 0,0006 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Планета», г. Новгород.

ЗП351А-2

Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума

при 6/си = 4 В, /с = 6 мА, 6/32И = 0:

/= 12 ГГц для ЗП351А—2, не более....... 4,5 дБ

типовое значение....................... 2,5*	дБ
?= 17,5 ГГц ЗП351А—5, не более....... 5,5 дБ

типовое значение..................... 4* дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-

ности при (/си = 4 В, /с = 6 мА, (/32И = 0:

/= 12 ГГц для ЗП351А—2, не более..... 9 дБ

типовое значение..................... 13* дБ

Г= 17,5 ГГц для ЗП351А—5, не более... 8 дБ

типовое значение..................... 9* дБ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток.......... 5,5 В

Постоянное напряжение затвор 1, 2—исток.... —9 В

Постоянная рассеиваемая мощность.......... 75 мВт

Температура окружающей среды.............. —60...+85 °С

Соединение контактных площа-
док с выводами выполняется тер-
мокомпрессионной сваркой золо-
той проволокой диаметром 15 мкм.
Кристалл припаивается к основа-
нию гибридной схемы эвтектиче-
ским сплавом.

К в ими

Зависимость коэффициента
шума от тока стока

Выходные характери*
стики

Зависимость коэффи-
циента шума от ча-
стоты

Зависимость коэффи-
циента усиления от на-
пряжения затвор 2—
исток
ЗП353А-5

Транзистор полевой арсен ид таллиевый с затвором в виде
барьера Шотки с каналом л-типа усилительный. Предназначен
для применения во входных каскадах приемно-усилительной
аппаратуры в составе гибридных интегральных микросхем.
Выпускается в виде кристаллов с контактными площадками
без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указыва-
ется в этикетке.

Масса транзистора не более 0,00015 г.

Изготовитель — акционерное общество открытого типа
«Планета», г. Новгород.

Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума на /= 37 ГГц
при С/си = 3 В, /с = 2,5 мА................. 2,6*...3,3*...

4 дБ

Коэффициент усиления по мощности
на /= 37 ГГц при СА-И = 3 В, /с = 2,5 мА.... 6...6,5*...

7,7* дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на /= 37 ГГц при 6/си = 3 В, /с = 2,5 мА 3...3.3*...

3,6* дБ
Крутизна характеристики при С/си = 3 В,
/с = 8 мА..................................... 8...11*...

13* мА/В
Напряжение отсечки при (/си = 3 В, /с = 0,1 мА —1...—2,5 В
Ток утечки затвора при 6/зи = —3 В:

Т = +25 и -60 ’С.......................... 0,01*...0,1*...

1 мА

Т= +85 ’С................................. 0,01*...0,1*...

5 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток......... 4 В

Постоянное напряжение затвор—сток........ 4,5 В

Постоянная рассеиваемая мощность......... 30 мВт

Потенциал статического электричества..... 30 В

Температура окружающей среды............. —60...+85 ’С

Конструкция гибридной схемы, применяемые детали и ма-
териалы должны обеспечить в рабочем состоянии температуру
кристалла не более +100 ’С.

При монтаже транзистора в составе гибридной схемы не-
обходимо выполнять следующие условия:

—	монтаж транзисторов в составе гибридной схемы осу-
ществлять способом приклейки. При этом клей должен выдер-
живать температуру термокомпрессионной сварки не менее
+330 ’С, для монтажа транзисторов методом приклейки можно
рекомендовать клей эпоксидный марки УП—5—201 ТУ 6—05—
241—240. Режимы сушки клея не должны превышать +200 ’С в
течение 3 ч. При наклейке кристаллов не допускается затекание
клея на структуру транзистора;

—	присоединение выводов к контактным площадкам тран-
зистора производить методами термокомпрессионной сварки
при температуре +280, +290 ’С. Общее время воздействия не
должно превышать 3 мин. В качестве вывода должна приме-
няться золотая проволока Зл 999,9 не более 0 0,015 ТУ 48-
1-155;

—	не допускается повторная термокомпрессионная сварка
к контактной площадке стока и затвора. Допустима приварка
двух выводов к одной контактной площадке;

—	выводы после термокомлрессионной сварки не должны
касаться планарной структуры транзистора и боковых ребер
кристалла;

—	не допускается смещение термокомпрессионных точек,
приводящее к закорачиванию элементов структуры;

—	не допускается натяжение проволочных выводов;
— не допускается разрыв золотой проволоки в месте тер-
мокомпрессионной сварки.

В случае питания транзисторов от источников необходимо
предусмотреть следующую последовательность задачи напря-
жений на выводы транзистора: сначала подается напряжение
на вывод затвора, затем на вывод стока. Выключение произ-
водить в обратной последовательности.

Выходные характери-
стики

Зависимость тока сто-
ка от напряжения за-
твор—исток

Зависимость крутизны
характеристики от то-
ка стока

КМШГц) К^/К.^т

1.1

1

0.9
03
07

' 25 30 35 10 7,Ггц

Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от частоты

Зависимости коэффици-
ентов шума и усиления
от тока стока
ЗП372А-2

Транзистор полевой арсенидгаллиевый планарный с затво-
ром в виде барьера Шотки с каналом л-типа (НЕМТ) усили-
тельный с нормированным коэффициентом шума на частоте
15 ГГц. Предназначен для применения во входных каскадах
усилительных устройств в составе гибридных интегральных
микросхем. Бескорпусной на керамическом кристаллодержа-
теле с гибкими выводами. Транзисторы маркируются услов-
ным обозначением: две синие точки на крышке транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,05 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

ЗП372А-2

Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума
на 15 ГГц при 7/си = 2,5 В, /с = 10 мА..... 1,3*...1,4*...

1,5 дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на Г= 15 ГГц при С/си = 2,5 В, /с= 10 мА 7...7,5*...9* дБ
Крутизна характеристики при (7СИ = 2,5 В,
4 = 10 мА.................................. 10...25*...

35* мА/В

Ток утечки затвора при Ци = —2 В, не более:
Т= +25 и -60 °С............................ 2 мкА

Т=+125°С............................... 20 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток........ 3 В

Постоянное напряжение затвор—исток...... ЗВ
Постоянное напряжение затвор—сток....... 6 В

Потенциал статического электричества.... 30	В

Постоянная рассеиваемая мощность:

Т= -60...+40 "С...................... 60	мВт

Г=+125°С............................. 40	мВт

Температура окружающей среды............ —60...+ 125 ’С

’ При температуре от +40 до +125 "С максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность уменьшается линейно.

При монтаже транзистора в гибридную схему рекоменду-
ется производить приклеивание основания кристаллодержате-
ля транзистора к монтажной плате. Клей должен быть нанесен
тонким равномерным слоем, соединение склеиваемых поверх-
ностей производить прижатием так, чтобы избыток клея рав-
номерно выступал из под основания. После приклеивания дол-
жна производиться подсушка. Изгиб выводов допускается на
расстоянии не менее 2 мм от кристаллодержателя с радиусом
закругления не менее 0,5 мм. Монтаж транзисторов в гибрид-
ную схему осуществляется методом сварки выводов расще-
пленным электродом или бесфлюсовой пайкой. Минимальное
расстояние места присоединения вывода от кристаллодержа-
теля 0,5 мм. Допускается пайка выводов при температуре не
выше +260 ’С в течение не более 3 с. Допускается при монта-
же транзистора в гибридную схему обрезать выводы на рас-
стоянии не менее 1 мм от кристаллодержателя. При эксплуата-
ции транзисторов в усилительных схемах следует учитывать
возможность их самовозбуждения как высокочастотных эле-
ментов и принимать меры к его устранению.

Выходные характери-
стики

Зависимости коэффициен-
тов усиления и шума от то-
ка стока
Зависимости коэффи-
циентов усиления и шу-
ма от частоты

Зависимости коэффи-
циентов усиления и шу-
ма от напряжения
сток—исток

Зона возможных поло-
жений зависимости кру-
тизны характеристики
от температуры

ЗП376А-5

Транзистор полевой арсенидгаллиевый с затвором в виде
барьера Шотки с каналом л-типа усилительный с нормирован-
ным коэффициентом шума на частоте 60 ГГц. Предназначен
для применения во входных каскадах приемно-усилительной
аппаратуры в составе гибридных интегральных микросхем.
Выпускается в виде кристалла с контактными площадками без
кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается
в этикетке.

Масса транзистора не более 0,0002 г.

Изготовитель — НПО «Салют», г. Нижний Новгород.

ЗП376А-5
Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума

на 1- 60 ГГц при (/си = 3 В, 4 = 5... 12 мА,
не более................................ 4	дБ

Оптимальный коэффициент усиления по

мощности на /= 60 ГГц при (4И = 3 В,

4 = 5... 12 мА, не менее................ 5	дБ

Крутизна характеристики при С/си = 3 В,
С/Зи = 0> не менее...................   12	мА/В

Ток утечки затвора при !/зи = —1,5 В, не более 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток......... 3 В

Постоянное напряжение затвор—исток....... 1,5 В

Постоянная рассеиваемая мощность......... 40 мВт

Температура окружающей среды............. —60...+85 ’С

Конструкция гибридной схемы, применяемые детали и ма-
териалы должны обеспечивать в рабочем состоянии темпера-
туру кристалла не более +100 °С.

При монтаже транзистора в составе гибридной схемы не-
обходимо выполнять следующие условия:

—	монтаж транзистора в составе гибридной схемы осущес-
твлять способом приклейки. При этом клей должен выдержи-
вать температуру термокомпрессионной сварки не более +330
“С, для монтажа транзисторов методом приклейки можно реко-
мендовать клей эпоксидный марки УП—5—201 ТУ 6—05—241—
240. Режимы сушки клея не должны превышать +200 ’С в
течение 3 ч. При наклейке кристаллов не допускается затекание
клея на структуру транзистора;

—	присоединение выводов к контактным площадкам тран-
зистора производить методом термокомпрессионной сварки
при температуре +180...+290 ’С. Общее время воздействия не
должно превышать 3 мин. В качестве вывода должна приме-
няться золотая проволока Зл 999,9 0 0,015 ТУ 48—1—155;

—	не должна допускаться повторная термокомпрессион-
ная сварка контактной площадки стока и затвора. Допустима
приварка двух выводов к одной контактной площадке; '

—	выводы после термокомпрессионной сварки не должны
касаться планарной структуры транзистора и боковых ребер
кристалла;

—	не допускается смещение термокомпрессионных точек,
приводящие к закорачиванию элементов структуры;

—	не допускается натяжение проволочных выводов;
— не допускается разрыв золотой проволоки в месте тер-
мокомпрессионной сварки.

В случае питания транзисторов от двух источников необ-
ходимо предусмотреть следующую последовательность пода-
чи напряжений на выводы транзистора: сначала подается на-
пряжение на вывод затвора, затем на вывод стока. Выключе-
ние производить в обратной последовательности.

ЗП384А—5

Транзистор полевой арсенидгаллиевый планарный с затво-
ром в виде барьера Шотки с каналом л-типа генераторный.
Предназначен для применения в генераторах и усилителях
мощности на частотах до 37 ГГц в составе гибридных инте-
гральных микросхем. Выпускается в виде кристаллов с кон-
тактными площадками без кристаллодержателя и без выво-
дов. Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,0002 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

ЗП38Ы -5

Электрические параметры

Выходная мощность при С/с пит = 7 В, Т* = +25 °С:
>'= 37 ГГц, Рвх = 24 мВт........................ 0,06...0,065...

0,068 Вт

26 ГГц, Рех = 31,7 мВт, не менее......... 0,1 Вт
Коэффициент усиления по мощности
при пит = 7 В, Гк = +25 °С:

Г= 37 ГГц, Рвх = 24 мВт............... 4...4,2...4,5 дБ

/= 26 ГГц, Рвх = 31,7 мВт, не менее... 5 дБ

Лвэффициент усиления по мощности в линей-
ной области амплитудной характеристики на
/= 26 ГГц при 0^ пит = 4 В, Рвх = 5 мВт,
не менее.................................. 6,6 дБ

Коэффициент полезного действия стока
на Г= 37 ГГц при С/с пит = 7 В, Ры = 24 мВт ... 10...12...15%
Крутизна характеристики при С/си = 3 В,
4 = 50 мА................................. 30...35...

42 мА/В

Ток утечки затвора при С/зи = —2,5 В:
Т= +25 и -60 °С........................... 0,005...0,01...

0,025 мА
7"=+125°С............................. 0,005...0,01...

0,25 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение питания стока* 1
при Т= —60...+70 °С........................ 7 В

Постоянное напряжение затвор—исток........ —3 В

Потенциал статического электричества...... 30 В

Постоянная рассеиваемая мощность2
при Т= —60...+40 °С....................... 0,55 Вт

Средняя рассеиваемая мощность2 в динамиче-
ском режиме при Т = —60...+40 °С.......... 0,55 Вт

Температура перехода...................... +175 °С

Тепловое сопротивление переход—корпус..... 250 °С/Вт

Температура окружающей среды.......... —60... Тк =

= +125 °С

’ При Гк = +70...+125 "С максимально допустимое постоянное напряжение
питания стока 5 6 В.

1 При > +40 "С максимально допустимые постоянная и средняя рассеива-
емые мощности рассчитываются по формуле

^макс = Ра> накс = (175 - Гк)/250, Вт.

Технология сборки транзисторов в гибридной схеме, при-
меняемые детали и материалы должны обеспечить значение
теплового сопротивления не более 250 °С/Вт.

Монтаж транзистора в составе гибридной схеме рекоменду-
ется осуществлять с помощью клея типа ЭЧЭ—С ЫУ0.028.062ТУ.
Температура сушки +120 ± 10 °С, время сушки 90 ± 15 мин.
646
Термокомпрессионное присоединение к контактным пла
щадкам истока рекомендуется осуществлять перемычкой из
золотой фольги Зл 999,9 не более 0,015. Размер перемычки
0,7 * 0,4 мм. Присоединение выводов к контактным площад-
кам рекомендуется производить термокомпрессионной свар-
кой при температуре +330 ± 25 °С в течение 2...3 с. В качестве
вывода должна применяться золотая проволока Зл 999,9 либо
Зл 999,9 Т не более 0,015. Соединение вывода с контактной
площадкой должно выдерживать разрывное усилие не менее
0,6 гс. Выводы после термокомпрессионной сварки не должны
касаться планарной структуры и боковых ребер кристалла. Не
допускается смещение термокомпрессионных точек, приводя-
щее к закорачиванию элементов структуры. Не допускается
сильно натянутые и провисающие выводы. Не допускается
разрыв, пережатие проволоки в месте термокомпрессионной
сварки. Не допускается затекание клея на рабочую сторону
кристалла.

После извлечения транзисторов из упаковки изготовителя
до присоединения выводов к контактным площадкам, транзис-
торы должны находиться в специальной камере с инертной
средой не более 30 сут. В случае использования части тран-
зисторов из общей упаковки, неиспользованные транзисторы
должны быть упакованы во влагозащитную тару.

При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах сле-
дует учитывать возможность их самовозбуждения, как высоко-
частотных элементов, и принимать меры к его устранению.

В случае питания транзисторов от двух источников необ-
ходимо предусмотреть следующую последовательность под-
ачи напряжения на выводы транзистора: сначала подается
напряжение на вывод затвора, затем на вывод стока. Выклю-
чение производить в обратной последовательности.

Выходные характери-
стики

 Проходная характери-
стика
Зависимость выходной
мощности от входной

Рви», мВт

Зависимость выходной
мощности от входной

А747

Транзистор полевой арсенидгаллиевый планарный с затво-
ром в виде барьера Шотки с каналом л-типа усилительный.
Предназначены для применения в фотоприемных устройствах
с малым уровнем собственных шумов. Бескорпусные на кри-
сталлодержателе с гибкими выводами. Транзистор маркирует-
ся точкой черного цвета у вывода затвора. Тип прибора указы-
вается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,05 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.

/747
Электрические параметры

ЭДС шума при С/си = 2 В, /с = 20 мА, не более:	__

Г = 100 МГц......................... 1,4 нВ/^Гц

30 МГц........................... 2,8 нВ/7Гц

Крутизна характеристики при С/си = 2 В,
/с = 20 мА, не менее................... 15 мА/В

Входная емкость при </эи = —2 В, /= 1 МГц,
не более............................... 0,35 пФ

Ток утечки затвора при им = —2 В, не более .. 100 нА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток
при Т = —60...+60 ’С................... 4 В

Постоянное напряжение затвор—исток
при Т = -60...+60 ’С................... -2 В

Постоянная рассеиваемая мощность:
Т = -60...+40 ’С....................... 80 мВт

Т= +40...+85 ’С..................... 40 мВт

Температура окружающей среды........... —60...+85 ’С

Присоединение выводов в аппаратуру осуществляется ме-
тодом сварки расщепленным электродом или бесфлюсовой
пайки. Минимальное расстояние места пайки, сварки выводов
от кристаллодержателя 1,5 мм. Допускается пайка, сварка
выводов на расстоянии не менее 1 мм от кристаллодержателя
при условии обеспечения надежного отвода тепла от вывода
между местом пайки и кристаллодержателем. При пайке сле-
дует пользоваться серебряно-индиевыми припоями, темпера-
тура пайки не более +190 ’С, время пайки не более 3 с.

А802А, А802Б, А802В, А802Г, А802Д, А802Е, А802Ж

Транзисторы арсенидгаллиевые полевые с затвором в виде
барьера Шотки и каналом л-типа усилительные с нормирован-
ным коэффициентом шума. Предназначены для применения в
малошумящих усилителях на частотах до 12 ГГц в составе
гибридных интегральных микросхем. Бескорпусные на кри-
сталлодержателе с гибкими выводами. На транзисторы нано-
сится условная маркировка точками: А802А — одна желтая,
А802Б — одна синяя, А802В — одна зеленая, А802Г — одна
черная, А802Д — две желтые, А802Е — две синие, А802Ж —
две зеленые. Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,05 г.

Изготовитель — завод «Пульсар», г. Москва.
А 802( А-Ж)

02

Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума при С/си = 2,5 В, /с = Ю мА
не более:

А802А на 12 ГГц..................... 1,5 дБ

А802Б на/= 12 ГГц................... 1,8 дБ

А802В на Г = 12 ГГц................. 2 дБ

А802Г на/= 12 ГГц....’.............. 2,5 дБ

А802Д на Г= 4 ГГц................... 0,65 дБ

А802Е на Г= 4 ГГц................... 0,8 дБ

А802Ж на/= 4 ГГц.................... 1,2 дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-

ности при = 2,5 В, 4 = 10 мА, не менее:

А802А, А802Б, А802В, А802Г

на /= 12 ГГц........................ 6 дБ

А802Д, А802Е, А802Ж на Г= 4 ГГц..... 10 дБ

Крутизна характеристики при С/си = 2,5 В,
не менее............................... 15 мА/В

Ток утечки затвора при С/Зи = —2,5 В, не более 100 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток....... 4 В

Постоянное напряжение затвор—исток..... 3 В

Потенциал статического электричества... 30 В
Постоянная рассеиваемая мощность’

при Т = —60...+40 °С...................... 80 мВт

Температура окружающей среды.............. —60...+125 °С

' При Т > +40 'С максимально допустимая п стоянная рассеиваемая мощ-
ность снижается линейно до 15 мВт при +12Г С.

Минимальное расстояние от кристаллодержателя до места
пайки, сварки вывода не менее 1,5 мм. Допускается пайка,
сварка на расстоянии 1 мм от кристаллодержателя. Темпера-
тура пайки не выше +260 °С, время не более 3 с.

Допускается однократный изгиб выводов на расстоянии
1 мм от кристаллодержателя.

Разрешается использование транзисторов А802Д, А802Е,
А802Ж в диапазоне частот 3,6...4,2 ГГц.

При эксплуатации транзисторов в усилительных схемах
следует учитывать возможность их самовозбуждения как вы-
сокочастотных элементов и принимать меры к его устранению.

А818А, А818Б, А818В, А818Г, А818Д

Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с за-
твором в виде барьера Шотки с каналом л-типа усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошу-
мящих усилителей в составе гибридных интегральных микро-
схем. Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с
гибкими выводами. На крышку кристаллодержателя наносится
условная маркировка точками: А818А — красная, А818Б —
желтая, А818В — зеленая, А818Г — белая, А818Д — черная.
Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,09 г.

Изготовитель — НИИ «Пульсар», г. Москва.

Электрические параметры

Минимальный коэффициент шума
на 12 ГГц при 6/си = 2,5 В, /с = 10 мА,
не более:

А818А............................. 1,1 дБ

А818Б............................. 1,3 дБ

А818В............................. 1,5 дБ

А818Г................'............ 1,7 дБ

А818Д............................. 2 дБ

Оптимальный коэффициент усиления по мощ-
ности на Х= 12 ГГц при 6/си = 2,5 В, /с = 10 мА,
не менее............................. 8 дБ
А818(А-Д,

Напряжение отсечки при 6/си = 3 В,

/с = 20 мкА, не более..........,........ 2,5 В

Начальный ток стока при 6/си = 3 В...... 10...50 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток—исток
при Т= -40...+70 °С.................... 4 В

Постоянное напряжение затвор—исток..... 2 В

Потенциал статического электричества... 30 В

Постоянная рассеиваемая мощность
при Т = —40...+40 °С................... 100 мВт

Температура окружающей среды........... —40...+70 °С

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм
от кристаллодержателя с радиусом закругления не менее
0,5 мм.
Присоединение выводов транзистора к элементам схемы
осуществляется сваркой или бесфлюсовой пайкой. Минималь-
ное расстояние места присоединения вывода от кристаллодер-
жателя 0,5 мм. Время пайки выводов не более 3 с, температу-
ра пайки не более +260 ’С.

Допускается при монтаже транзистора в гибридную схему
обрезать выводы на расстоянии не менее 1 мм от кристалло-
держателя. При этом усилие не должно передаваться на место
припайки вывода к кристаллодержателю.
Перечень зарубежных транзисторов, заменяемых отечественными

Тил оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фмрма-мэготоаителв
2ТМ103А	25743	Транзисторы низкочастотные  НуЬпд 8епи, №к Атег Зет), Зеткоп Теск
2ТМ103Б	28746	НуЬпд Зет), Зеткоп Теск
2ТМ103В,	28745	НуЬп8 8еп>1, Зеткоп ТесЬ
2ТМ103Д 2ТМ103Г	28742	НуЬпд Зет), Зетгсоп Теск
2Т104А,	ВСУ26	НуЬг'к! 8епй, №к Атег 8епм
КТ104А 2Т104Б,	2М1228	Атег Мкго 8С, Сптзоп Зет), О)оде Тгапз, Е1ес Тгапз,
КТ104Б, 2Т104В, КТ 1048 2Т104Г	2М258	НЬТгоп, НуЬпд Зет!, 1пИ Оеуке, Зегтсоп Теск, ЗетНготсз, 81д 8( Оусз, 8Й 81 1пдиз, ЗоНд 8Ипс, Зрасе Рожег, Текдуп Сгуз, Тогдие Зуз Зеткготсз
КТ104Г	ВСУ17	НуЬгИ Зет), №к Атег Зет)
2Т126А-1,	35322А	6епг1 Оюде, №к Атег Зет), Зеткоп Теск
2Т126Б-1  2Т126В-1	2Ы925	Атег Мкго 8С, Сптзоп Зет), 0)оде Тгапз, Вес ТгаЛз,
2Т126Г-1  2Т127А- ’	2Ы3565	НнТгоп, 1п<1 Оеуке, ЗетИгопкз, 81д 81 Оусз, 51д 81 1пди$, Зрасе Ромуег, ЗжатрзсоИ, Текдуп Сгуз, Тогдие Зуз Адупсд Зет», СеМга! Зет», Сптзоп Зегт, Е1т 81а1е, НЬТгоп,
2Т127Б—1	28501	Мкго Весз, Иеж кгзеу, Рокт Согр, 81д 81 Оусз, ЗоНд 8Ипс, ЗжатрзсоМ, Тктзл С8ЕЕЕС, 11Р1 Зет»  6епг1 О'юде, НуЬпд Зепп’, №к Атег Зет), ЯЕОат, Зет коп
2Т127В-1	2Ы472	Теск  Атег Мкго 8С, Оюде Тгапз, НнТгоп, Зет) 1пс, Зет^гопкз,
2Т127Г-1	2М840	8о1й 811пс, Зрасе Ро*ег, Сеп(га1 Зегт, Е1ес Тгап», 1п(1 Оеуке. 8ет>соп ТесЬ, 818 81 Оусз  Атег М1сго 8С, Сптзоп 8ет1, НкТгоп, №Ь Атег Зегт, 818 8»
2Т201А,	2Ы1205	[)ус5, Зрасе Ро^ег, Сеп1га1 Зет!, Е1ес Тгапз, 1л11 Оеуке, ЗетНгопкз, Зокд 8Ипс  Адупсд Зет), Атег Мкго 8С, СеМга) Зеть Сптзоп Зет!,
2Т201Б, КТ201А, КТ201Б КТ201АМ	МР82711	Оюде Тгапз, Е1ес Тгапз, Н)-Тгоп, КЕ-Оа)п, Зет) 1пс, Зеткоп Теск, Зрасе Рожет  СепТга) Зет), Сптзоп Зет!, ЕакскИд 8С, 1п<1 Оеуке, КЗЬ
2Т201В,	2М1589	Мкго, Мкго Ексз, На(1 Зет), 8епи 1пс, Зеткоп Теск, Зрасе Рожег  Атег Мкго 8С, Сптзоп Зет), Ю-Тгол, Зеткоп Теск, 81д 81
КТ201В 2Т201Г,	2М1592	Оусз, Зрасе Рожег  Атег Мкго 8С, Сптзоп Зет), Ю-Тгоп, Зеткоп Теск, 31д 81 ,
КТ201Г 2Т202А-1,	ВСУ49	Оусз, Зрасе Рожег	,  Ы(к Атег Зегт
КТ202А-1 2Т202Б-1,	28327	бепг! Оюде, Зеткоп Теск	1
КТ202Б-1 2Т202В-1, КТ202В-1 2Т202Г-1	ВСУ26	НуЬпд Зегт, №к Атег Зет)
	А5Т4059	Зеткоп Теск
КТ202Г-1	ЯМ4059	Рокт Со 1_1д	)
2Т202Д-1	28307	(Эепг1 01о8е, Зеткоп ТесЬ, НуЬгк! Зет), Ы(Ь Атег Зет!	>
КТ202Д-1	28327	Оепд Оюде, Зеткоп Теск
2Т203Б,	2№28	Атег Мкго 8С, О»дйгол, Оюде Тгапз, НьТгоп, НуЬгИ Зет», <
КТ203Б  2Т205А	2Ы4927	1п<1 Оеуке, Ыеж ]егзеу, Зеткоп Теск, Зрасе Рожег, ЗжатрзсоК  Оюде Тгапз, Мкго Е|есз, Ыеж Епд1апд, Зет) 1пс, Зеткоп	(
2Т205Б	2М4926	Теск, Зргдие Вес, ЗжатрзсоН, 6епг1 Оюде, Мо<ого1а, №к Атег Зет), Зрасе Рожег	।  см- 2Т205А
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ 206А	ВТ1694	Зеткоп Теей
КТ206Б	ВТ1592	см. 2Т201Г
2Т208Б, КТ208Б	28А559	Вес Тгалз
2Т208Г, 2Т208Е, КТ208Г, КТ208Е	2М4ОО8	А4улс4 Зет!, Сптзоп Зет!, 0!о4е Тгалз, Зет! 1пс, 814 $1  Оусз, ЗшатрзсоИ, Зрасе Ромуег, Те1е4уп Сгуз, Тогдие 8уз
2Т208Д, КТ208Д	2И3527	Сптзоп Зет!, 0ю4е Тгалз, НнТгол, Зеткоа, Зрасе Ро*ег, Те1е4уп Сгуз
2Т208Ж, КТ208Ж	2Ы327В	Атег Мито 8С, Сеп1га1 8ет>, Е1т 8(а(е, НьТгоп, 1п|| Оеуюе, Ы0> Атег Вегт, Кау16еоп Со, 8епм 1пс, Веткой Тес», ВетНголкз, ЗИ 81 Оуса, ЗИ 811гИча, Зрасе Рожет, 8уп1аг 1пд, Те1е<1уп Сгуа
2Т208А, КТ208А, 2Т208В, КТ208В	2611623	А4упс4 Зет!, Атег Мкго 5С, Сптзоп Зет!, 0ю4е Тгалз, Е|ес  Тгалз, НнТгоп, Зет! (пс, Зеткоп Теей, Зет!(голкз, 814 51 Оусз, 8М 81 !п4из, 5о1к1 8Ипс, Зрасе Роууег, З^атрзсоИ, Те1е4ул Сгуз
2Т208И, КТ208И	ВС281А	Ы16 Атег Зет!
2Т208К, КТ208К	2Н1256	Атег Мкго 8С, Сеп!га1 8егт, Сптзоп Зет(, О«оде Тгалз, 6епг1 Оюде, НнТгоп, НуЫИ Зет>, 1л11 Оеуке, КГОат, Зетгсоа, Зетгсол ТесЬ, ЗИ 8* Оусз, 814 81 1л4из, 8оН4 81кк, Зрасе Рои«г, 5уп1аг 1л4
2Т208Л, КТ208Л	2Ы1474А	Атег Мкго 8С, Е>ес Тгалз, Е1т 81а1е, НьТгоп, 1л11 Оеуке, ЗетНготсз, 814 81 1л4из, Зрасе Рошег, Те1е4уп Сгуз, Тогдие Зуз
2Т208М. КТ208М	2И1475	см. 2Т208Л
КТ209А	8ОК2894(А)	ТЬтзл СЗЕЕЕС
КТ209Б	283040	Зеткол ТесЬ
КТ209В	28А642	АдУпсО 8ет!, Е1ес Тгапа, Мкго Е1еса, 8ет11пс, 8о1к1 811пс
КТ209Г	2611254	А4члс4 8ет(, Атег Мкго ЗС, Сеп(га) Зет), Сптзоп 8епи, ОелИ 0ю4е, НьТгол, НуЬп4 8ет1,1п(1 Оеуке, Зет! Ьс, Зетхоа, Зетгсоп Теей, 814 51 Оусз, Зрасе Ро*ег, Зутйаг 1л4
КТ209Д	РЫ5138	Сеп1га1 8егт, Еа!гсН|14 ЗС, К81_ Мкго, ЫаН 8егт, Зет» (пс, 8о||4 8Ипс
КТ209Е	Е01602А	ЫаН 5ет<
КТ209Ж	2613220	Зеткоп ТесЬ
КТ209И	МР8А70	КоЬт Со 114, КоЬт Согр
КТ209К	28А539	Мкго Е1есз, Зепп 1лс
КТ209Л	ВС 143	А4упс4 8ет1, СепИа! Зет!, СопГ! Оеу, НуЬп4 Зет!, 1л<1 Оеуке, М|сго Е1есз, Зете(аЬ, Зет: 1лс, 8О8-А!ез
КТ209М	ВСУ11	№Ь Атег Зет»
КТ209В2	28304А	8ете1аЬ
2Т211А-1	ВСУ49	Атег Зет!
2Т211Б-1, 2Т211В1	28327	Селг1 0!о4е, Зет кол Теей
2Т214А9	В8863	Атрегех Е!ес, Мо1ого1а, РЫПрз Вес, Ркззеу Зет!, Згетелз АМ, Зргдце Е1ес, Тйтзп С5ЕЕЕС
2Т214Б9	2611654	Атег Мкго 8С, Сптзоп Зет!, 0ю4е Тгалз, Е1ес Тгалз, НнТгол, ЗетНгопкз, ЗИ 81 Оусз, 8!4 511л4из, Зрасе Рочуег, Те1е4уп Сгуз, Тогдие 5уз
2Т214В9	2612599	Атег Мюго 5С, Ейп 8<а(е, НнТгол, 5еткоа, 314 51 Оусз, 8о1к1 5(1лс, Зрасе Ро*ег, З^атрзсоН
2Т214Г9	261928	Сптзоп Зет!, 0!о4е Тгалз, НнТгол, Зеткготсз, 514 81 Оусз, 814 811п4и$, Зрасе Ромуег, З^атрзсои, Те1е4уп Сгуз, Тогдие 5уа
Тил оте- чественного транзистора	Тил зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2Т214Д9	2М325А	Адупсд Зегт, Атег М»сго 8С, Сеп!га) Зет», Сптзоп Зет», О»дйгоп, 0»ос1е Тгапз, Е1т 31а1е, ОпИ Тгапз, НЬТгоп, 1п<1 Оеуке, Нем ^гзеу, ЙИй Атег Зет», Рау1йеол Со, РЕБат, Зеткоа, Зеткоп Теей, Зетйгопкз, ЗИ 51 Оусз, ЗИ 8( 1пдиз, 8о1И ЗИпс, брасе Рожет, ЗжатрзсоМ, 8ул1аг 1лс1г Те1ес1уп Сгуз, Т1С Зегт, Тогдие Зуз, 0Р1 Зет»
2Т214Е9	ВСУ18	№й Атег Зегт, НуЬпО Зегт
2Т215А9	ВР411	№й Атег Зет»
2Т215Б9	ВЕ411	№й Атег Зет»
2Т215В9	В5УУ32	№1> Атег Зегт
2Т215Г9	В5У*70	№й Атег Зегт
2Т215Д9	ВЕ238	Ыа11 Зегт, №й Атег Зегт
2Т215Е9	А5Т3708 ВЕ237	КЗЬ Мкго  Ыа11 Зет», Атег Зегт
КТ218А9	25321	БепИ Оюде, НуЬпд Зет», Зеткоп Теей
КТ218Б9	2И1654	Атег Мкго ЗС, Сптзоп Зегт, Оюде Тгапз, Вес Тгапз, НьТгоп, ЗетИгопкз, ЗИ 31 Оусз, ЗИ 3( 1пдиз, Зрасе Ро*гег, Текдуп Сгуз, Тогдие Зуз
КТ218В9	2Ы928	см. 2Т214Г9
КТ218Г9	2Ы926	см. 2Т214Г9
КТ218Д9	2Ы929	см. 2Т214Д9
КТ218Е9	ОС201  ТР2945	Атег Зет», Зеткоп Теей Зргдие Вес  Транзисторы высокочастотные
2Т301Г, КТЗО1Г	2Н1276	Атег М'|сго ЗС, Сеп!га1 Зегт, Сптзоп 8егт, Ооде Тгапз, Е1ес Тгалз, НнТгоп, КЕОак, Зрасе Роигег
2Т301Д,	ВС 120	СеМга) Зет», №й Атег Зет», ЗО5-А(ез
КТ301Д	5Е8001	Зеткоп Теей
2ТЗО1Е	5Т1694	Зеткоп Теей
КТ301Е	2И1277	см. 2Т301Г
2Т301Ж	5Т1244	Зеткоп Теей
КТ301Ж	5Т1700	Зеткоп Теей
КТ302А	04025	Зеткоп Теей
2Т312А	2М1276	см. 2Т301Г
КТ312А	5Т70000	Зеткоп ТесЬ
2Т312Б	ЗМ34	Зо1к1 ЗИпс
КТ312Б	2И1103	Оюде Тгапз, Зрасе Роууег
21312В	2Ы3708	Адупсд Зегт, Атег Мкго ЗС, Сеп1га! Зет!, Сптзоп Зегт, 6епг1 [Иоде, Н|-Тгоп, 1п1! Оеуке, К31_ Мкго, Мкго Весз, МЫга) ЗрА, Ыа!1 Зет!, №уу }егзеу, №й Атег Зегт, Ройт Со Кд, Ройт Согр, Зете1аЬ, Зет! 1пс, 31д 3< 1пдиз, ЗоЙд ЗНпс, Зрасе Рожег, Зргдие Вес, ЗмгатрзсоИ, 11Р1 Зегт
КТ312В	2М3340	Адупсд Зет», Сптзоп Зегт, НнТгоп, Зегт 1пс, Зеткоа, ЗИ 31 Оусз, Зрасе Рошег, ЗжатрзсоМ
2Т313А, КТ313А	ММ1614, ММ2614 0401	Зеткоп Теей  Адупсд Зет». Зегт 1пс
КТ313А1	РМ3250  А5Т2907	Сеп!га1 Зелм, Ройт Со 1_(й, Ройт Согр КЗС Мкго, Зеткоп Теей
2Т313Б,	25А537	НуЬгИ Зегт, Зо1к1 8Нпс
КТ313Б	2143672	Атег М'|сго 8С, Сеп1га1 Зет), Сптзоп бепм, Вес Тгапз, бепг! Оюде, НьТгоп, кй1 Оеугсе, Рау1йеоп Со, Зеткоа, Зеткоп Теей, Зеткгопкз, ЗИ 3< Оусз, ЗИ «31 1пдиз, Зрасе Роууег
КТ313Б1	25А720, 25А731	Адупсд Зет», Вес Тгапз, Мкго Весз, Зет! 1пс, 5о1И ЗНпс
Тип оте- чественного транзистора	Тил зарубежного транзистора	— 		  Фирма-изготовитель
КТ313В1	ВС416А,	ТТ 5ет!1п(г, Мкго Е1есз, М1лга1 ЗрА, 5!етепз Ак1, Зргдие !
	ВС416В	Вес	. |
	А5Т3504,	Зеткоп Тес8
	А8Т 3644	
КТ313Г1	25 А14091	МЕС Согр 7А
	ЫА02Е1	№<1 Зет!
КТ315А	2М2476	АдупсР Зегт, Атег Мкго ЗС, Сеп(га1 Зет!, Сптзоп Зегт, , Е1ес Тгапз, Оепг1 Оюде, Опг| Тгапз, НнТгоп, 1п11 Оеуке, Ией ’ Тегзеу, №8 Атег Зет!, Рквзеу Зет!, РНЭат, Зет! 1пс,	;  Зеткоа, 8ет!«гопкз, 5И 31 Оусз, 5М 51 |пдиз, Зрасе Ро*ег 1
	В5Х66	№8 Атег 5ет!
	ТР3961	Зргдие Вес
	40218	Атег 8епи, Зеткоп ТесЬ
КТ315Б	25СЗЗ	Е1ес Тгапз
	2Ы3293,	Адупсд Зет!, Сеп1га1 Зет!, Сптзоп Зет!, Вес Тгапз, НнТгоп,
	2Ы3294	1п11 Оеуке, Н1к Атег Зегт, ЙЕСат, Зеткоа, Зеткоп Теск, ЗИ 81 Оусз, 8о1:д 8<1пс, Зрасе Ро^ег
	В5Х67, В5Х66	№8 Атег Зегт
	ТР3691	Зргдие Е1ес
КТ315В	1МВТ3903	ПТ 8ет!1п<г
КТ315Г	В5Х24	М|$(га1 ЗрА, НШ Атег Зет!
КТ315Д	1МВТ3903	ПТ 8ет!1п(г
КТ315Е	В5Х24	М!з1га1 ЗрА, Атег Зет!
КТ315Ж	ВРУ37	№8 Атег Зет!
КТ315И	ВСУ65ЕОР, ЕРОЦ, ЕРОМ, ЕАР	Ркззеу Зет!
КТ315Р	ВСХ58У1П	№1 Зет!, Р8Шрз Е1ес, 3!етепз АМ
2Т321А,	2Ы1259	Адупсд Зет», Атег Мкго ЗС, СепТга! Зегт, Сптзоп Зегт,
КТ321А		[>к>де Тгапз, Сепг! Оюде, НнТгоп, 1п11 Оеуке, НуЬпд Зепи, 1пН Оеуке, Зегт 1пс, Зеткоа, Зеткоп Теск, 8И 81 Оусз, 81д 81 1пдиз, 8о1»д ЗИпс, Зрасе Ро^ег, 8уп(аг 1пд
2Т321Б, КТ321Б	25А561	Е1ес Тгапз, 1пс1из1 Мех!, 8о1к1 5(1пс
2Т321В, КТ321В	25А532	Адупсд Зеггм, Вес Тгапз, Мкго Весз, Зегт 1пс
2Т321Г, КТ321Г	2И1256	см. 2Т321А
2Т321Д, КТ321Д	2Ы1257	оа. 2Т321А
2Т321Е, КТ321Е	2И11323	Яау1Неоп Со, Зрасе Роууег
КТ342А	ВЕХ95А	Адупсд Зепи, Мкго Весз, Зет! 1пс
	25С105	Екс Тгапз, НуЬгк Зет!, ЙЕОгмп
КТ342АМ	25С1675К	НЕС Е1ес*1пс
	25С380А—«	1пдиз( Мех!
	25С381Р	1пдиз< Мех!
КТ342БМ	25С388А—ТМ	1пдиз1 Мех!
КТ342Б	25С55	ЗоГ»д Здпс
КТ342В	2Ы5134	Сеп(га) Зегт, Еа!гсЬ!1д ЗС, №11 Зет!, ЗоИд 3*1пс
КТ342ВМ	РЫ5134	СеМга! Зет!, Еа!гсЬ!1д ЗС, №1) Зет!, ЗоНд ЗИпс
	25С2821	НИасЫ Ид
КТ342ГМ	2М3707,	Адупсд Зет!, Атег Мкго ЗС, СепГга! Зет!, Сптзоп Зет!,
	2Ы3710	Е!т 3<а1е, Оепг! О'юде, НнТгоп, 1п11 Оеуке, КЗЬ Мкго, Мкго Е1есз, М»з(га1 ЗрА, №11 Зет!, №му Легзеу, ЖЬ Атег Зет!, Йокт Со 1_1д, Йокт Согр, Зет! 1пс, ЗетНгопкз, 81д 8< кдиз, 8о1!д ЗИпс, Зрасе Роччег, Зргдие Е1ес, 0Р1 Зет!
	25С1675	НЕС Согр ]а, НЕС Весз!пс
	25С1674	НЕС Согр )А, НЕС Весзтс, Зет! Кд
Тил оте- чественного транзистора	Тил зарубежного транзистора	Фирма-мзготоамтель
КТ342ДМ	25С644	Адулсд Зепп, Екс Тгалз, Мкго Е)ес$, Зет» 1пс, Зокд 8 Иле
КТ350А	А5Т5221 2Ы5221	КЗЬ Мкго  Адулсд Зепп, Атег Мкго 8С, СеМга! Зепп, СопП Оеу, Спт- зоп Зеггн, Е1т 8(а1е, Еа>гск|1д ЗС, бепг! 0кх1е, Н|-Тгоп, Оеуке, К81_ Мкго, Мкго Е1есз, Мо!ого1а, Н1к Атег 8епм, НаИ 8ет1, Не* Зегзеу, КоНт Со Мд, КоЬт Согр, Зеггн 1пс, , Зетн (голкз, 8о1И ЗИпс, Зрасе Ро*ег, Зргдие Е1ес,	1  ЗжатрзсоМ, 11Р1 Зет)
КТ351Б	2М3576	Адулсд Зет|, Атег Мкго 8С, Сеп(га1 Зет], Сптзоп Зепп, Е1ес Тгалз, ОлН Тгалз, НнТгоп, 1п11 Оеуке, Нш Атег 5ет>, ЙЕбат, 8ет| 1пс, Зеткоа, Зеткоп Теск, ЗИ 31 Оусз, Зрасе 1 Ро*ег	'
КТ352Б	ВЕХ 13	Сеп1га1 Зепп, Сптзоп Зет!, Н|к Атег Зет!
КТ358А	2М1005	Атег Мкго ЗС, Сптзоп Зет!, Оюде Тгапз, НнТгоп, НуЬгИ Зет), Зеткоп Теск, Зрасе Рожет
КТ361А	ВЕ706	Мо(ого1а	1
КТ361Б	0463	Адупсд 5ет'|, 5ет11пс
КТ361В	ВЕ441	Союзе! Зет!, М1з1га1 8рА, Атег Зепм, Те1е(ипкеп
КТ361Г	УТ54125	ТозГнЬа Атег
КТ361Д	ВЕ441	Сотзе< Зет!, М131га1 ЗрА, Атег {5егт, Те1е(ипкеп
КТ361Е	УТ54125	ТозЫЬа Атег
2Т364А-2, КТ364А—2	Н5Е152	НуЬгИ Зет!	-	,
2Т364Б-2, КТ364Б—2	' 2Ы3545	Адупсб Зет>, Сеп1га1 Зет>, Сптзоп Зепм, Е1ес Тгапз, Опг1 1 Тгапз, НнТгоп, 1пН Оемке, Рау1Ъеоп Со, КЕОаип, Зелн 1пс, Зеткоа, 8И 81 Оусз, Зрасе Рошег, ЗжатрзсоИ, Тогдие 8уз
КТ369А	ВЕУ25	Атег Зет»	;
КТ369Б	2М4494	РоПт Со ид, РоЬт Согр
КТ369В	25С478	Е1ес Тгалз, Зо1к1 ЗНпс
КТ369Г	56231 2М2094А	Зет) ид  НуЬпд Зет!, Зрасе Рошег
КТ375А	ВСУ65ЕОР, ЕРОЬ, ЕРОМ	Р|е55еу 5ет1
КТ375Б	ТМТ2221  РЕТ8006	Зргдие Е1ес Зеткоп ТесЪ
2Т377А-2	25С394 40222 МР85132 МР5706	1пдиз< Мех!, 8о1И ЗНпс  Атег Зет!, Зеткоп Теск  Мо(ого1а, Зргдие Е1ес  Сеп1га1 8егт, Сптзоп Зет!, 1пН Оеу>се, Мо1ого1а, Над 8ет>, ।  Р1еззеу 8ет1, Зет! 1пс, Зеткоп Теск, 8оНд 811пс	<
2Т377Б-2	РЕТ8006 56211, 56311 25С1621 ММВС1621В2	Зеткоп Теск  Зет! Ид  НЕС Е1есз1пс, НЕС Согр М  Мо!ого1а
2Т377В-2	25С896, 25С594	Е1ес Тгапз
2Т378А-2	25С456 1МВТ4400	Е1ес Тгапз, 8оПд 811пс ГТТ 8ет!1п1г
2Т378Б-2	56107, 56231 25О1423А 2Т83	Зет! Ид  Ма1зизкНа Р1еззеу 8еггв, Зете1аЬ
КТ379А	25С2787 25С1675К 25С380А—й	нес Согр ;а НЕС Е1есз1пс 1лдиз< Мех!
КТ379Б	25С388А-ТМ 25С123	1пдиз( Мех!  НуЬпд 8егт, ЗоНд 3<1пс
КТ379В	25С929	Адупсд Зет1, Е1ес Тгалз, 8еггн 1пс, 8оПд 8дпс
Тип оте- честимого транзистора	Тип «фубежкого транзистора	Фирма-мзготоаитала
КТ379Г	М07003АЕ	Сптзоп Зегт, Мо(ого1а
КТ381Б	РЫ3691	СепГга! Зегт, Сптзоп Зегт, ГагсйИд 8С, На(1 Зет», ЗоИд ЗОпс
КТ381В	ВЕ195О	ВЪага1, Зет» Кд
КТ381Г,	РЫ5132	Сеп(га1 8ет1, ЕаггсЫН 8С, К51_ Мкго, МаН 8ет1, Зет! 1пс,
КТ381Д, КТ381Е		Зо1»д 811пс
2Т385А-2	ВЕУ25	ЫсН Атег Зет»
КТ385А	1МВТ4400	1ТТ 8ет<1п1г	1
2Т388А-2,	РМ3250	Сеп(га) Зет»
2Т388АМ—2,		
КТ388Б-2, КТ388БМ—2		1
КТ31О2Г, КТ3102Е	КС509	Тез1а Век	I
КТ3102ГМ,	КС238С	Те$1а Е|ек	.
КТ3102ЕМ	ВЕ321, ВЕ321Е	М»з!га1 ЗрА	'
	ВС 172	Адупсд 8егти, Сепии Зеггн, СопН Ое*, 1пО Оеу|се, Мюго Е1еса, Мо1ого1а, ЫШ Атег Зегт, Зегт 1пс, ТИтал С8ГЕК
КТ3102Е	8А2719, 8А2720, 5А2721	Зеткоп ТесК
КТ3102ЕМ	7Е9214А	ЫЕС Согр ЗА
	6Е8930	Сптзоп 8ет>
	2РС945	РВ1|рв Е1ес
КТ3102ИМ	ЗЕ9214В	НЕС Согр )А
	МВ112ЕУ, ЕУ	На11 Зет»
КТ3102И	8А2711, 8А2712, 5А2713, 8А2714	Зепмсол ТесЬ
КТ3102КМ	ВС184К	Сеп1га1 Зегт, СопС1 Оеч, 1п<1 Оеуке, Мкго Е1ес«
КТ3102К	28С373	Вес Тгапз, 1п<1из1 Мех!, Мкго Е|есз, На11 8ет<, 8оМ 8Чпс
КТ3107А	ВС177У	Мо1ого1а
КТ3107Б	ВС416Р	Йе&зеу 8егт
	ВСХ79УИ	НаН Зет», РЫКрз Вес, Згетепа Акг
КТ3107В	РС108	8к1 Мкго
КТ3107Г, КТ3107Д	РС109	8к1 Мкго
КТ3107Е	ВС252А	Сепиа! Зет», 1п11 Оеуке, Мкго Е1еса, Мо<ого1а, Ате» Зет»
КТ3107Ж	ВС252В	см. КТ3107Е
КТ3107И	ВСХ79УП1	Ма11 8ет1, Р1и11р» Е1ес, Зктеп, Ак1
КТ3107К	28А1409Ц	МЕС Согр 1А
	МР86519	Атрегех Е1ес, Сеп1га1 Зет», Сптзоп Зет», ГаксЫМ 8С, Мкго Весз, Мо<ого1а, РЫНрз Е1ес, КоЪт Со Мс1, ЯоЬт Согр, Зет» 1пс, Зеткоп ТесЬ, ЗетЛголкз, Зо1к1 ЗНпс, Зргдце Е1ес
КТ3107Л	ВС259С	Мкго Е1есз, Атег Зет», 8ете<аЬ, Зктепз Ак), Зргдие Вес
2Т3108А,	2Ы3250А	АВупсР 8ет1, Атег Мкго 8С, Сеп1га1 8ет'|, СопИ Осу,
КТ3108А		Сптзоп Зет», Оюде Тгапз, Е1ес Тгапз, Е1т 3<а<е, Еа»гсЬ»к1 ЗС, Оепг! Оюде, ОпН Тгапз, НнТгоп, 1пд Оеуке, М|з1га) ЗрА, Мо1ого1а, Нему ^егзеу, Н(Ь Атег Зет», Яау^Ьеоп Со, ПЕбат, КоЬт Со Кд, ЯоЬт Согр, ЗетеШЬ, Зет» Ьс, Зет» Кд, Зегтсоа, Зеткоп ТесЬ, ЗетИгопкз, 363-А(е$, ЗИ 311пдиз, ЗоГ»д ЗНпс, Зрасе Роммег, ЗмуатрзсоН, Тогдие Зуз, ОЯ Зет!
2Т3108Б, 2Т3108В	ВС204—6	СопН Оеу
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ3108Б, КТ3108В	ВС512	АВупсВ Зегт
КТ3117А	2Т83 2Н2478	Ркззеу Зепп, Зете1аЬ  Адупсд Зет), Атег Мкго ЗС, Сегйга! Зет), Вес Тгапз, НнТгоп, Зрасе Роу/ег
КТ3117А1	2501423А	Ма1зи$ЬИа
КТ3117Б	80107	Зет) Мд
2Т3129А9, КТ3129А9	ЕММТ3905	Р1е«еу Зет!
2Т3129Б9, КТ3129Б9	ТМРТ4403	Зргдие Е1ес
2Т3129В9, КТ3129В9	ВС20571	Мкго Екс
2Т3129Г9, 2Т3129Д9, КТ3129Г9, КТ3129Д9	ВС205В	Адупсд Зет), Сепка! Зет), СопГ! Оеу, кН Оеуке, Мкго Веса, Атег 8епн, Зепп 1пс
2Т3130А9,	28С2462	Н'ИасЫ Кд
КТ3130А9	ММВС1623Е4	Мо(ого1а, Затхипд, 5ргдие Е1ес
2Т3130Б9,	ММВС 16231.6	Мо1ого1а, 5ат$ипд, 5ргдие Е>ес
КТ3130Б9	ТМРТ1623Е4	8ргдие Е1ес
2Т3130В9, КТ3130В9	ВС848В	Атрегех Вес, ГТТ ЗегтикИг, Мо1ого1а, РЬ»1)рз Е1ес, Р1еззеу Зет», КоЬт Со Кд, Зктепз АМ
2Т3130Г9, 2Т3130Е9, КТ3130Г9, КТ3130Е9	2501161	Залуо Вес*
2Т3130Д9, КТ3130Д9	ВС172В	СеМга! Зет», СопН Оеу, Сптзоп $егт, 1лН Оеуке, Мкго Е1еса, Мо<ого1а, Атег Зет», Зете1аЬ, ТНтзп СЗЕЕЕС
КТ313ОЖ9	250601	МаНизМа
КТ3151А9, КТ3151Б9	В5564	Атрегех Е1ес, Мо1ого1а, РЬШрз Екс, Р1еззеу Зет), Зютепз Ак1, ТКтзп СЗЕЕЕС
КТ3151В9	ТМРТА05	Зргдие Е1ес
КТ3151Г9	МИВТА20	Молотой, НаН Зетг, Затаипд, Зргдие Е|ес
КТ3151Д9	25С1009А	ЫЕС Согр ЫЕС Ексзгпс
КТ3151Е9	2М2246	Сптзоп 8ет1, Зеткоп ТесЬ, Зрасе Рожег
2Т3152А	25А532	АВупсВ Зегт, Е1ес Тгапз, Мкго Е1есз, 8епм 1пс
2Т3152Б	2Ы11323	Яау1Ьеоп Со, Зрасе Ромгег
2Т3152В	2М1258	Атег Мкго ЗС, Сеп(га1 Зет*, Сптзоп Зет), 0'юде Тгапз, ОепИ Оюде, НнТгоп, НуЬпд Зет), 1пН Оеуке, Зеткоа, Зеткоп ТесЬ, 31д 311одиз, ЗИ 31 Оусз, Зо1И ЗНпс, Зрасе Рочуег, Зуп(аг 1пд
2Т3152Г	1Е9215А	ЫЕС Согр 7А
2Т3152Д	26111327	Кау1Ьеоп Со, Зрасе Ромег
2Т3152Е	РЕТ4058	Зеткоп ТесЬ
КТ3153А9	2801949 28О602А	КоЬт Согр Ма<$изкЙа
КТ3157А	8923Т5 КЕ423 ВЕ4238	Те1е(ипкеп Тез1а Екк Те1е(ипкеп
КТ3171А9	ММВТ2369	Мо(ого1а, На11 Зет)
КТ3173А9	28С2619  280602	НкасЫ 1_(д  Ма1зизЬИа
КТ3176А9	28С2618 ТЕС80130	ННасЫ Кд  1пдиз1 Мех), ТозМЬа Согр
КТ3179А9	280814 25С1622А	Ма1зизНХа НЕС Согр М
КТ3180А9	25А778К	НИас!и Кд	1
Тип оте* честэенного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготоамтель
		Транзисторы СВЧ
2Т306А,	2Ы3493	Адупсд Зегт, Е1ес Тгалз, НЬТгоп, Зеткоа, 8(д 5! Оусз,
2ТЗО6В, КТ306А, КТЗО6В		Зрасе Ро*ег
2Т3065, 2Т306Г, КТ306Б, КТ306Г	5Т6130	Зет/сол ТесЬ
2Т314А-2, КТ314А-2	ВЕ222	0/оде Тгапз
2Т316А, 2Т316Г, 2Т316А- 5,  КТ316А, КТ316Г	8Т6130	Зеткоп ТесЬ
2Т316Б,	ММ8006,	НуЬпд Зет/, Мо!ого1а, Н1Ь Атег Зегт, Зеткоа, Зеткоп
КТ316Б	ММ8007	ТесЬ
2Т316Д,	2Ы709А	Адупсд Зет!, Атег Мкго ЗС, Сеп<га1 Зет», О/дНгоп, Е1т
КТ316Д		3(а1е, 6епг1 Оюде, 6пг1 Тгапз, НЬТгоп, Ые* }егзеу, КЕ6а!п, Зет! 1пс, Зеткоа, ЗетНгопкз, 363-А1ез, ЗоНд ЗПпс, Зрасе Ро*ег
2Т325А,	28С385А	1пдиз1 Мех/
КТ325А	2Ы5180	Адупсд Зет!, СеМга) Зет!, Сптзоп Зегт, Опг1 Тгапз, НЬТгоп, 1п11 Оеуке, Мкго Е(есз, Н1Ь Атег Зегт, КЕСа/п, Зет/ 1пс, Зеткоа, ЗетНгопкз, 31д 31 Зуз(, 8о1/д ЗИпс, Зрасе Ро*ег, Т1С Зегт, 1/И Зетг
КТ325АМ	8ТН17	Згетепз АМ
	28С2347	ТозЫЬа Согр
2Т325Б, КТ325Б	ВЕУ/41	Зегт 1пс
КТ325БМ	8ТН17	3/етепз АМ
	28С2757	И ЕС Ексзгпс
2Т325В, КТ325В	40294	Сптзоп Зегт, №Ь Атег Зет!, 31д 31 Оусз
КТ325ВМ	28С1395	ЫЕС Ексзгпс
	ЗЕ90181	НЕС Согр )А, НЕС Е1есз1пс
2Т326А,	ВЕХ12	№Ь Атег Зет!
КТ326А	2Ы3451	Адупсд Зет!, Атег Мкго ЗС, СеМга) Зет!, 6пН Тгапз, Иа11 Зет/, КаугЬеоп Со, КЕбат, Зегт 1пс, Зрасе Ромег
КТ326АМ	2Ы5228	Адупсд Зет<, Сеп(га1 Зет», Сптзоп Зет», Сепг! Оюде, НнТгоп, Мо1ого1а, Н1Ь Атег Зегт, Зет! 1пс, Зегтиопкз, Зрасе Ро**ег, ЦР1 Зет!
2Т326Б,	2Н4411	Адупсд Зет/, Оюде Тгалз, Олд Тгалз, 1п11 Оеуке, РЕОа/п,
КТ326Б		Зет/ 1пс, Зрасе Ро**ег, 0Р1 Зет!
КТ326БМ	РЫ3640	Адупсд Зет», Атег М/сго ЗС, Сеп1га< Зет!, Сптзоп Зет!, Е1т 31а)е, НЬТгоп, 1пН Оеуке, Над Зегт, Не* ^гзеу, №Ь Атег Зет/, Нау1Ьеоп Со, Зегт 1пс, ЗетНгопкз, Зрасе Рошег, ПС Зегт, 0Р1 Зегт
КТ337А	2М5228	Адупсд Зетг, СеМга! Зегт, Сптзоп Зегт, Оепг1 Оюде, НЬТгоп, Мо<ого1а, №ь Атег Зепм, Зет/ 1пс, ЗетИгопкз, Зрасе Ро*ег, Ой Зет/
КТ337Б	Е8М2894	ТЬтзп С5ЕЕЕС
КТ337В	В8Х35	№Ь Атег Зегт
КТ339А	2Ы3291	Адупсд Зет/, Атег Мкго ЗС, Сеп<га< Зет/, Сптзоп Зет/, Е)ес Тгапз, 6пг1 Тгапз, НЬТгоп, 1пд Оеуке, Мо1ого1а, Н1Ь Атег Зет/, КЕОа/п, Зегт 1пс, Зеткоа, Зеткоп ТесЬ, 31д 31 Оусз, Зрасе Ро*ег
КТ339АМ	28С388А	ТозЬ/Ьа Согр
	ВЕ595	Адупсд Зет/, №Ь Атег Зегт, Зете1аЬ, Зет! 1пс
Тип оте- чественного транзисторе	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
КТ345А	ВЕ506А	8С8-А(ез
	ВС 322	Адупсд Зет}, Сотзе! Зетц Мкго Екесз, Мо1ого1а, Н1Ь Атег Зегт, Зет} 1пс
	ТР5139	Зргдие Вес
КТ345Б	2Ы5139	Адупсд Зепп, Атег Мкго ЗС, Сеп1га1 Зет}, Сптзоп Зегт, СопН Оеу, Е1т 81а1е, 6епг1 Оюде, НьТгоп, 1п!1 Оеуке, Ма!1 Зегт, Не* Зегзеу, 8ет} 1пс, Зегткотсз, 8к1 8( Зуз1, 81д 81 1пдиз, 8о1кЗ 811пс, Зрасе Ро*ег, ЗшатрзсоИ, 0Р1 8епм
КТ345В	ВСУ41	Адупсд Зет1, Ы1Ь Атег Зет1, Зет> 1пс
	ВС205У|	Мкго Веса
КТ347А	2Ы5056	Адупсд Зет), Атег Мкго ЗС, Сеп«га1 Зет}, Сптзоп Зегт, Оюде Тгапз, СпН Тгапз, 1лП Оеуке, ЯГОат, Зет} 1пс, Зеткоп ТесЬ, ЗетИгопкз, ЗоПд 8<!пс, Зрасе Ро*ег
КТ347Б	2Н4257А	Сеп(га1 Зет}
КТ347В.	2Н3304	Адупсд Зет), Атег Мкго ЗС, Сеп<га1 Зет}, Сптзоп Зегт, ГансЬНд ЗС, 6пИ Тгапз, Н'нТгоп, 1п<1 Оеуке, №Ь Атег Зегт, Яау1Ьеоп Со, ЯЕват, Зет! 1пс, Зеткоп ТесЬ, Зетйгопкз, 8о1»д ЗНпс, Зрасе Ро*ег
КТ349А	2Н5228	Адупсд Зегт, Сеп<га1 Зет<, Сптзоп Зет}, 6епН Оюде, НьТгоп, Мо(ого1а, ЖЬ Атег Зет}, ЗетНгопкз, Зрасе Рошег, ЦР1 Зет(
КТ349Б	Е5М2894	ТЬтзп СЗЕЕЕС
КТ 349В	2Ы5140	Адупсд Зегт, Атег Мют ЗС, Сеп(га1 Зет}, Сптзоп Зет}, НнТгоп, 1п(1 Оеуке, Ыад Зет}, Ые* йгзеу, Яау1Ьеоп Со, Зепт 1пс, Зо1»д ЗНпс, Зрасе Ро*ег
2Т354А-2,	ММ80О6,	НуЬпд Зегт, Мо)осо1а, №Ь Атег Зет), Зеткоа, Зетгсоп
КТ354А-2	ММ8ОО7	ТесЬ
2Т354Б-2,	28СЗО16	НПасЫ 1Лд
КТ354Б-2	ЬВЕУ/ЗО	Атрегех Е1ес
2Т355А, КТ355А	28С568	Адупсд Зет}, Зет} 1пс, Зо1>д ЗНпс
КТ355АМ	2Е9018Н	ЫЕС Е1есз}пс
КТ359А	2Ы3289,	Адупсд Зет}, Сел(га1 Зет}, Сптзоп Зет}, Оюде Тгапз иес
	2М3290	Тгапз, НнТгоп, 1п11 Оеуке, №Ь Атег Зет}, Зеткоа, 31д 31 Оусз, Зрасе Ро*ег
КТ359Б	40219	№6 Атег 8епи, Зепнсоп ТесН	’
КТ359В	2Ы2242	Адупсд Зегт, Атег Мкго ЗС, Сеп<га1 Зет} .птзол Зет}, ГагсЬид ЗС, НнТгоп, 1п11 Оеуке, №Ь Атег Зет}, Зеткоа, Зеткоп ТесЬ, ЗетИготсз, 81д 31 1пдиз, 81д 31 Зуз1, 8о11д	1  Здпс, Зрасе Ро*ег
2Т36ОА-1, КТ360А-1	0463	Адупсд Зет1, Зет} 1пс
2Т 360Б,	2Н4411	Адупсд Зет), О'юде Тгапз, 6пг1 Тгапз, 1пЫ Оеуке, ЯЕбат, 1
2Т36ОВ		Зет} 1пс, Зрасе Ро*ег
2Т 363А,	2Н4260	Адупсд Зет}, Сптзоп Зет}, 0}д|(гоп, СпН Тгапз, 1п11 Оеуке,
КТ363А,		Мо1ого1а, №Ь Атег Зет}, Яау1Ьеоп Со, ЯРбат, Зете1аЬ,	1
КТ363АМ		Зет! 1пс, Зеткоа, Зеткоп ТесЬ, Згд 31 Оусз, Зрасе Ро*ег
	28А800	ЫЕС Согр ЗА	1
2Т363Б,	25А800	И ЕС Согр ЗА
КТ363Б, КТ363БМ	ММТ4261	Мо1ого1а
2Т366А-1,	2Н5024	Зеткоа
КТ366А		।
2Т366Б-1,	ММ8ОО6,	НуЬпд Зет!, Мо1ого1а, №Ь Атег Зет}, Зеткоа, Зеткоп
КТ366Б	ММ8ОО7	ТесЬ	1
2Т368А,	28С251,	МЕС Согр 1А, ЙНЭат
2Т368Б,	28С252,	
КТ368А, КТ368Б	28С253	
Тип оте- чественного транзисторе	Тил зарубежного транзистора	фирма*изготоаителе	|
2Т368А9,	28С2757	ЫЕС Е1ес$1пс	1
2Т368Б9, КТ368А9, КТ368Б9		
КТ368АМ,	28С387АС-	1пс1и5( Мех,
КТ368БМ	ТМ	
2Т370А-1,	2Н4080	Адупсд Зегт, Сптзоп Зепм, Оюде Тгапз, 6пг1 Тгапз, НнТгоп
2Т370Б-1,		1пТ1 Оеуке, ЙЕбат, Зегт 1пс, Зегт 1лд, Зеткоа, Зеткготсь
КТ370А—1,		Зрасе Роугег, ЗшатрзсоН	'
КТ370Б-1	2И4260	Адупсд Зегт, Сптзоп Зегт, Огдкгоп, 6пН Тгапз, 1п!1 Оеуке । Мо1ого1а, Атег Зет), ЯауЖеоп Со, ЯЕбат, Зете1аЬ Зегт 1пс, Зеткоа, Зеткоп ТесЬ, 3(д 3* Оусз, Зрасе Ро«*е< .
	25А800	НЕС Согр 1А	'
	ММВТУ260, ММВТУ261	Мо1ого1а
2Т370А9,	25А1462	НЕС Согр ]А, НЕС Е1есз1Пс
2Т370Б9, КТ370А9, КТ370Б9		
2Т371А	МА42265—  287	М/А Сотт Зет!
2Т372А,	МА42057-	М/А Сотт Зет!
КТ372А	510	
	МКЕ931	Мо1ого1а, ЙЕбат
КТ373А	ВЕ253-3	МкНа1 ЗрА
	28С3940	1пдиз1 Мех(
КТ373Б	ВЕ253-5	М|з(га) ЗрА
КТ373В	ВЕ253-6	М151га) 8рА
КТ373Г	28С394Р	1пдиз( Мех!
2Т382А,	2Н5032	Олг1 Тгапз, Мо(ого1а, ИМ Атег Зет), Зеткоа
КТ382А, КТ382АМ		
2Т384А-2,	РЕ3100	ЕаггсЪИд ЗС, ИаН Зет!
2Т384АМ-2,	РЕ5029	На<1 Зет>
КТ384А-2,	МР83866	Мо€ого1а
КТ384АМ—2		
2Т389А-2,	2Н5208	Атег Мкго ЗС, Сптзоп Зет), Е1т 31а<е, НнТгоп Мо(ого1а
КТ389А-2		Зеткоа, Зо1гд ЗМпс, Зрасе Ромгег
	2Н3308	Адупсд Зегт, Атег Мкго ЗС, Сптзоп Зет), Оюде Тгапз 6пг1 Тгапз, НнТгоп, 1пН Оеуке, Мо(ого(а, Атег Зегт ЯЕОат, 8егт 1пс, Зегтсоа, Зрасе Роууег
	2Н5354	Сптзоп 8егт, Оюде Тгапз, 6Е Зо11д 31, К31_ Мкго, Мкго Весз, На11 Зегт, Атег Зегт, Зегт 1пс, Зргдие Е)ес
2Т391А-2,	У913В,	ЫЕС Согр М
КТ391А-2	28С1268, 28С1269	
2Т392А,	0462	Адупсд Зетг
КТ392А	ТМРТ3906, ТМРТ3905	Зргдие Е1ес
	803905, 803906	ТЬтад СЗЕЕЕС
2Т396А-2,	ЮА424	Атрегех Екс
КТ396А- 2		
КТ396А9	ВЕТ25	Атрегех Екс, РЫ1грз Е1ес
	ВЕР93А(А)	Зктепз Ак1	'
2Т397А-2,	ВЕ288	Атег Зетг
КТ 39 7 А— 2	ВЕ240	Сотзе! Зегт, Мкго Е1есз, Мика) ЗрА	,
2Т399А,	2И5031	Опг! Тгапз, Мсйогои, Атег Зет), ЙЕОат, Зеткоа	1
КТ399А		
Тип оте-	Тил	
чественного	зарубежного	Фирма-изготовитель
транзистор*	транзистора	
2Т3101А-2,	1.Т4746,	ТК\* НЕ Оус
КТ3101А-2	ЦГ3772,	
	ИЗ700,	
	1.Т4400	
	28С3098	То&ЫЬа Согр
КТ3102А	28С979	Е1ес Тгал$
КТ3102АМ	28С3653,	Запуо Е1ес
	28С3654,	
	28С3655,	
	28С3656	
КТ3102Б	В5Х51А	М«1га1 8рА
КТ3102БМ	28С9451.	ЫЕС Согр ЛА
	28С9451НА	И ЕС Е1ес$тс
КТ3102В	2Н4432А	Сеп(га1 Зегт, Зрасе Роиег
КТ3102ВМ	7Е9101С	НЕС Е1есз1пс
	ВС 123	СелТга! Зеггн
2Т3106А—2,	2Ы6597	Атрегех Е1ес, Символ Зеггн, Н'1-Тгол, НуЬпд Зет!, Зрасе
КТ3106А—2		Ро^ег
КТ3106А9	28С4401-2	Залуо Е1ес
	28С3120	ТозНгЬа Согр
КТ3109А	ВЕ606	Атег Зет!
2Т3114А-6	МНЕ580	Мо1ого1а, КЕСа<п
	28С4406-2	Залуо Е1ес
	МА42267—	М/А Сотт Зет»
	287	
2Т3115А-2,	2Ы6617	Сптзоп Зет», НечИеН Ркд, НнТгол
КТ3115А—2		
2Т3117А	8Е8012	Зеткоп ТесЬ
	40577	ИЖ Атег Зет»
2Т3120А,	2ЗС4406—2	Залуо Е1ес
КТ3120АМ		
2Т3121А—6,	28С3547	ТоаЬгЬа Согр
КТ3121А—6	1.Т4700	ТЮ* НЕ Оус
	МНЕ562	Мо1ого1а
2Т3123А—2,	28А1229,	НЕС Согр ЛА
2Т3123Б-2,	28А1057	
КТ3123А—2,		
КТ3123Б-2,		
КТ3123АМ,		
КТ3123БМ		
2Т3123В-2,	28А1161	ТозЫЬа Согр
КТ3123В—2,	28А800	МЕС Согр 7А
КТ3123ВМ		
2Т3124А-2,	2Ы6617	Сптзоп Зегт, НечИеИ Ркд, НнТгол
2Т3124Б-2,	28С1268	ЫЕС Согр 7А
2Т3124В—2	НХТН6101,	НечИеИ Ркд
	2Н6742	
	Е745ИЕ	ид
КТ3126А	ВЕ506	З65-А(еа
КТ3126Б	0463	Адупсд Зет», Зет» 1пс
КТ3126А9	ВЕ506	АЕО Согр, Сотве! Зет», Мо(ого1а, НАЗ Е1еМ, 5Б8-А1е«,
		Зитепз АН, 8>етепз Зрес, Зрасе Рожег, Те|е(илкел
	ЫТЕ313	НГЕ Веса
	ЕСС313	РЫНра Е1ес
	ВЕ536	РЬШрз Оасг, РЫИра Сотр, ЫаИ Зегт
	ВЕ506А	ЗБЗ-ТЬотаоп
КТ3127А	ВЕ740	Мо1ого1а
КТ3128А	РМ5910	Сел1га1 Зет), ЕалсЫИ ЗС, Иа(1 Зет!
КТ3128А9	ВЕ680	Сот&е* Зепм, Н(Ь Апжг Зет!
	ВЕ660	Атрегех Е1ес, РЫКрз Е1ес, 3!етепз АМ
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	I  Фирма-мэготооителв
2Т3132А-2,	ОС5405	Магсот Е1ес
2Т3132А—5, КТ3132А-2, КТ3132Д—2		
КТ3132Е-2	БС5405	Магсоп'1 Е1ес
	ВЕОЗЗ, 499ЕУ(А)	РЫНрз Е1ес
	2Ы6618	Не*1еН Ркд, М/А Сотт Зет!
2Т3132Г—2,	2Ы6617	Сптзоп Зегт, НеаИеН Рк<1, НнТгоп
КТ3132Г—2		
2Т3132Б-2,	1Т4700	Тй\У ЙЕ Оус
КТ3132Б—2		
2Т3141А-2	25С1743	ТозНгЬа Атег
	ВЕЙ49	РНМрз Сотр
КТ3142Л	2Н4137	Адупсд Зегт, СагТег Зегт, СепТга! Зегт, Сптзоп Зет!, С5Я 1пди$. ЕаксНМ 8С, 6елг1 0<одег 6пг1 Тгапз, НьТгоп, 1п11 Оемке, ПТ $етНп<г, ЫАЗ Е1ек(, КауТЬеоп Со, ЯГбат, Зегт Оеуке, Зет> 1пс, Зеткоа, ЗетИгопкз, 8ОЗ-А1ез. 31д 3< Оусз, Зрасе Ро^ег
	50769	Зет< Кд
	ЕЫ2369А	Зепм ид, Зо!»д ЗИпс, Зрасе Роууег
КТ3150Б—2	ВЕ679	Сотзе1 Зегги
	ВЕ272	МН Атег Зете
	ВЕ970	Атрегех Е1ес, РЫИрз Е1ес
	ВЕ681	ТеШипкеп
2Т3162А,	2Ы3798	Адупсд Зет), ОпН Тгапз, 1п!1 Оеуке, МН Атег Зет),
2Т3162А—5		КЕ0а1П, Зет! 1пс, Зеткоа, Зрасе Ротег
	25А1461	НЕС Согр М, МЕС Е1есз1пс
КТ3165А	ВЕ450, ВЕ451	МН Атег Зегт, РНЙ1рз Е1ес, Зете1аЬ, Зктепз АМ
КТ3168А9	ЫЕ68337, ЫЕ68339	МЕС СаШог, МЕС Ексз'тс
	25С3099, 28С3098	ТозЫЬа Атег, ТозН»Ьа Согр
	25С2531, 82508	ТозЬка Атег
КТ3169А9—1	АЕ2805	3>етепз АМ
КТ3170А9	ВЕ253-3	Мк1га1 ЗрА
	ВЕ189	Адупсд Зет>, Зрасе Рожег
КТ3172А9	М5С2404СТ3.1	Мо1ого1а
	К8С2223	Затзипд
2Т3175А	ВСУ747В	МН Атег Зепм
	ТВС547А	1пдиз! Мех1
	ВС847АЙ	РЪШрз Озсг
	ВС547АЙ, ВС550Р	Ркззеу Зет)
	ВС 407, ВС407А	СепТга! Зелм, СоМ’1 Оеу, 1пд Оеуке
	ВС147А	ВНага!, МН Атег Зет), Зегт ид
	ВС\У72	Атрегех Е1ес, Мо<ого1а, РНЖрз Е1ес, Р1еззеу Зепм/ЯоНт Со ид, Затзипд, Зргдие Екс, ТНотзл СЗЕЕС
	Кремниевые полевые транзисторы	
2ПС104А,	11РА70А,	ЫЕС Согр 7А
КПС104А	ЦРА71А	
2ЛС104В-	11С2147	ЗоГИгоп
2ПС104Е,	ВЕ821	Атрегех Е1ес, И1Н Атег Зепм, РЫЙрз Екс
КПС104В-		
КПС104Е		
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма -изготовитель
2ПЗО1А, 2П301Б, 2П301В, КП301А. КП301Б, КП301В	МЕЕЗООЗ	Сптзоп Зегт, Мо1ого1а, 8уп1аг 1пд
2П302А,	8МР6451	1п1ег1е1
КП302А,	ТМРЕ6451	Зргдие Е1ес
КП302АМ	ТР6451	1п1ег1ег, Зргдие Е1ес
2П302Б,	8МР6453	1п1ег/е1
КП302Б,	ТМРЕ6453	Зргдие Е1ес
КП302БМ	ТР6453	1п1ег(е1, Зргдие Е1ес
2П302В, КПЗО2В, КП302ВМ	КК4360	Зо1Игоп
КПЗО2Г, КП302ГМ	28К156	Запуо Е1ес
2П303А, 2П303Б, КПЗОЗА КПЗОЗБ, КПЗОЗЖ	0110-1	8011пс
2ПЗОЗВ 2П303И КПЗОЗВ, КПЗОЗИ	2Н5668	Сеп!га1 Зегт, Сптзоп Зет!, Мкго Е1есз, Мо(ого1а, Ыа!1 Зет!, Зет! 1пс, ЗШсотх, Зо1Игоп, Зрасе Рожег, Зргдие Е1ес, ЗшатрзсоИ
2П303Г	КК4381	Зо1Нгоп
КПЗОЗГ	2Н5485	Сеп1га1 Зет), Сптзоп Зет), О1оде Тгапз, Е1т 31а(е. 0Е/1тегз|1, Опг1 Тгапз, 1п(ег<е1, Мкго Е1есз, Мо*ого1а, ЫаН Зегт, Ые* ^гзеу,	Атег Зегт, Зет* 1пс, 5И»сопгх, Зо<*д  ЗНлс, ЗоШгоп, Зрасе Ро^ег, Зргдие Е1ес, ЗчьатрзсоН
2П303Д	8МР5103	1л1ег1е1
КПЗОЗД	ТМРЕ5103 ТР5103	Зргдие Е1ес 1п1еНе1, Зргдие Е1ес
2П303Е, КПЗОЗЕ	МРЕ107	]п!ег1е(, ЫаП Зет), Зет» 1пс, Зо1к< ЗИпс, Зргдие Е1ес
2П304А, КП304А	МЕЕЗООЗ	Сптзоп Зет), Мо(ого1а. Зуп(аг 1пд
2П305А- 2П305Г, КЛ305Д- КП305И	38К103	Н|1асК) Ь1а
2П306А, 2П306Б, 2П306В, КПЗО6А, КПЗО6Б, КП306В	38К182	ННасЬ) Ьгд
2П307А. КП307А.	МРЕ256, ММВЕ5484	Мо(ого1а, ИаМ Зет<
КП307Е,	ЗЕ10335	Мо!ого1а
КП307Ж	8МР5104 ТМРЕ5104 ТР5104	1п1ег1е< Зргдие Е!ес 1л1ег1е1
2П307Б,	ММВЕ5484	Мо(ого1а, ЫаН Зет)
КП307Б	КК5105 ЗЗООА 8МР3300А КК4382	$о1Игоп  1п1ег№, Зргдие Е1ес 1п1ег{е(  Зо1йгоп
2П307Г,	8МР5103	1п*егТе<
КПЗО7Г	ТМРЕ5103 7Е1033У	Зргдие Е1ес  Мо1ого1а			.
Тил оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
2ПЗО8А9, 2П308Б9	ВП46	Атрегех Е1ес, Атег Зет,, РЬ|||рз Е1ес	|
2П308В9	ММВЕ5457	Мо(ого1а, ЫаИ Зет>	1
2П310А, 2П310Б	28К439	НИасЫ Ид
2П312А,	ВР410В, С,	Атрегех Е1ес, Атег Зегт, РЫИрз Е1ес
2П312А-5,	ВР511	।
2П312А-6,	28К242	Залуо Е1ес	1
КП312А	28К521	ННасЫ Ид
2П312Б,	28К92	И ЕС Е1есзтс	,
2П312Б-5,	ВЕ410А	Атрегех Е1ес, РЫПрз Е1ес
2П312Б-6,	КК3823	Зо1Нгоп
КП312Б	28К12Р, 28К15	ТозЫЬа Согр, Атег Мюго ЗС
	2Н4302	Адупсд Зегт, СеМга! Зегт, Сптзоп Зет!, Е1т 3<а1е, Мкго Е1есз, МаН Зегт, Ыеч* Легзеу, Зет! 1пс, Зо1>д ЗИпс, Зо1Пгоп, Зрасе Рошег, ЗчуатрзсоН
	28К49	МЕС Согр ЛА, ЫЕС Е1ес$тс, ЗоЬд ЗИлс
	28К11	Атег М,сго ЗС, ТозН|Ьа Согр
2П313А,	11С758,	Зо1Нгоп
2П313Б,	11С759	
2П3132В, КП313А,		
КП313Б, КПЗ 13В		
КЛ314А	МРЕ107	1п!ег1е1, Ма!1 Зет», ЗоПд 8<(пс, Зргдие Е1ёс
КП315А	ММЕ1-Е6	Мо(ого1а
КП315Б	Е8М25	ТЬтвп С8ЕЕЕС
	28К72	ТозЫЬа Согр
2ПС316А-1— 2ПС316Г-1, КПС316Д-1- КПС316И-1	11РА70А	ЫЕС Согр 7А
2П322А,	28К210	ТозЫЬа Согр
КЛ322А	8К3116	ОЕ Зо1(д 3<
КП323А-2,	28К66,	Зегт 1пс
КП323Б-2	28К50, 28К56	
	28К18, 28К18А	ТозЬ|Ьа Согр
	28К107	Золу Согр
	2Ы3088	Атег Мкго ЗС, Сптзоп Зет,, Зрасе Ро^ег, Те1едуп Сгуз
КП327А,	38К133	ЫЕС Е1есз1пс
КП327В	38К162, 38К186,	НКасЫ Ид
	38К137, 38К138, 38К103	
	38К991	Атрегех Е1ес, Р1иНрз Е1ес
2ПЗЗЗА	2Н3822	Адулсд Зет,, Атрегех Е1ес, Сеп1га1 Зет,, Сптзоп Зет», 0<дйгоп, Оюде Тгапз, Е1т 3<а1е, СЕ/1п1егзИ, 1п1ег1е1, Мкго  Е1есз, ЫаН Зет,, Атег Зети Р1и1|рз Е1ес, Зегт 1пс, ЗЯ1СОП1Х, Зо1Нгоп, Зрасе Рошег, Те1едуп ТесЬ, ТЬтзл СЗЕЕЕС, Тогдие Зуз, ОлИех
2ПЗЗЗБ	8МР3822	1п1еНе<
2П335А-2	28К49	ЫЕС Согр ЛА, ЫЕС Е1есзтс
	28К11	Атег М»сго ЗС, ТозГнЬа Согр
	ВЕД 10А, В, С, 0, ВР511, ВЕ512, ВР13	Атрегех Е|ес, №Ь Атег Зет,, РЬ|Нрз Е1ес
	28К212, 28К242	Залуо Е1ес
Тип оте- чественного транзистор*	Тип зарубежного транзистора	Фирма-нхотоаитель
2П335Б-2	25К48	ТозЫЬа Согр
	ВЕ410А	Атрегех Е1ес, РЫПрз Е!ес
	КК3823,	ЗоШгоп
	КК5033, КК3820 28К238	ЫЕС Вес&тс
	28К13	Атег Мкго ЗС
2П337АР,	МРЕ107	1п!еНе1, Ыа<1 Зегт, Зетг 1пс, Зргдие Вес
2П337БР	МЕЕ2001	Сптзоп Зегт, Мо!ого1а
	ММВЕ5486	Мо(ого1а, Ыа!1 Зегт
	8МР5486	1п1ег7е1
	ТМРЕ5486	Зргдие Е1ес
2П338АР—1	28К315	Запуо Е1ес
2П341А,	28К54	ННасЫ
КП341А	28К508	ЫЕС Согр М, ЫЕС Весв|пс
2П341Б,	28К443,	Запуо Вес
КП341Б	28К444,	
	28К445, 28К493 28К503Е,	ЫЕС Согр ЗА
КП346А9	28К5О5Е, 28К507Е, Е ВЕ9898	Зютелз Акт
КЛ346В9	МРЕ134	ЯГбат
2П347А-2,	38К82,	НИасЫ и<1
КП347А-2	38К83,	
	38К137, 38К137У, 38К194<А), 38К104А,	
	38К95, 38К96 38К123	ЫЕС Е1ес$1пс
	ВЕ991	Атрегех Е1ес, РЬшрз Е1ес
2П350А,	38К78	ННасЬ! и<1
2П350Б,	35К40	ЫЕС Е1ес51пс
КП350А,	38К102	ТозЫЬа Согр
КП350Б, КП350В		
КП364А,	МРЕ109Ы	ЫаИ Зегт'
КП364Б,	КК3819	ЗоЦТгоп
КП364Ж		
КП364В,	2Ы5668	СепТга! Зет!, Сптзоп Зегт, Мкго Е1есз, Мо1ого1а, ЫаУ
КП364И		Зет), Зет» 1пс, 8|Цсоп'|х, ЗоГ|(гоп, Зрасе Ро^ег,
КП364Г	2Ы5485	ЗжатрзсоН  СепТга! Зет), Сптзоп Зегт, 0|о<1е Тгапз, Вт 3<а1е,
КП364Д	ТР5103	0Е/1п!ег5||, 6пг1 Тгапз, 1п<ег1е(, Мкго Е1есз, МоГого1а, Ыа11 Зегт, Ыеуу ^гзеу,	Атег Зетг, Зегт 1пс, ЗИкотх, ЗоНд  ЗНпс, ЗоПиоп, Зрасе Рожег, Зргдие Е1ес, ЗжатрзсоМ 1п1ег(е1, Зргдие Вес
КП364Е	2Ы5486	см. КЛ364Г
	Арсенидгаллиеаые полевые транзисторы	
ЗП321А-2	СЕУ19—27	Згетепз Ак!
ЗП324А-2,	СЕТЮ,	Мсгожу Зегт, 3|етепз АМ
АП324А-2	СЕУ12,	
	СЕУ11(А) М6Е1405(А),	МгииЬг Е1ес
	МОЕ 1403 ЫЕ75063	ЫЕС Согр 7А
Тил оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фирма-изготовитель
ЗП324Б-2, АП324Б- 2, АП324Б-5	СЕУ18-20	$)етег>& АМ
АП324В-2	СЕУ18-23	8итепз Ак1
ЗП325А-2,	СЕУ18	Мсгоууу 8ет»
ЗП325А-5,	ОХ1.2502А—	6ои1д 1пс
АП325А-2	Р70	
ЗП326А-2, ЗП326А-5, АП326А-2	СЕХ14	РЫНрх Е1ес
ЗП326Б-2, АП326Б-2	2805, 3005	Ыагда Мкгошдуе №з1ет О»у
ЗП328А-2, ЗП328А-5, АП328А-2	М6Е1100	МНзиЫ Е1ес
ЗПЗЗОВ-2	0X1-2503	6оик1/Мкго*уауе Рг Он
	МА4Е601—  298	М/А Сот 1пс
	1Н300	Магда Мкгошауе \^ез!егп 01у
ЗПЗЗОБ,	ЫЕ045	МЕС Согр ЗА
АПЗЗОБ-2,	МА4Е601—	М/А Сот 1пс
ЗПЗЗОА—5	500	
	СОЗООО	Ыагда М1сготгауе \^ез!егп О'|У
ЗП331А-2,	АТ1257О-5,	Ауап(ес 1пс
ЗП331А-5	АТ12535	
	МА4Е601— 500, МА4Е601— 298	М/А Сот 1пс
	ЫЕ72089А, №7200	НЕС/САк ЕазТегп 1_аЬз 1пс
АП331А-2,	№7200,	ИЕС/САк Еаз1егп ЬаЬз 1пс
АП331А-5	НЕ72069А	
ЗПЗЗЭА-2,	№46300,	ЫЕС/САк Еа&1егп каЬз 1лс
ЗП339А-5,	МЕ46385,	
АП339А-2	№46385—1	
	Р35-1310	Р1еззеу
	ЕЗХ61УУЕ, Е8Х52УУЕ, Р8Х51Х, Е8Х52Х	ЕщИзи М(сг 1пс
	0X1.-2501, ОХ1.-2501А- Р70, 0X1-2592	6ои1д/Мгсгошауе Рг 0|у
	ОХ1_—2502А— Р70, 0X12603	М|сгои/ауе 8епи Согр
ЗП343А-2,	СЕУ20	Мкгожауе Зет» Согр
ЗП343А-5,	АТ-8251,	ЕирКи Мкг 1пс
АП343А-2	ЕЦК012	
	НМЕ-0314	Нагпз Мкгошауе Зегт
	88833, 788833А8	Ма!зоп
Тип оте- чественного транзистора	Тип зарубежного транзистора	Фнртза изготовителе
ЗП344А-2,	0X1.-2704	6ои1д/Мкго*ауе Рг Ьту
ЗП344А-5,	МОР—1100,	МНзиЫзМ Е1ес Атепса 1лс
АП344А-2  ЗП351А-2,	МОР—1202 НМР0620, НМР0621 88831, 88831-А8 МОР1302-1, МОР 1402, МОР1402—01, МОР1502—01  СРУ20	Нагпз Мкгожауе 8егв1  Ма(зол  МИзцЫзЫ Е1ес Атепса 1пс  Мкгожауе $ет« Согр
ЗП351А-5	0X1—2503	Оои1д/М|сгот*ауе Рг 0«у
' ЗП353А-5	2805, 3005 №46383 №045	Ыагда Мкго^ауе \^ез1егп О|У  ЫЕС/САЬ Еазит 1_аЬз 1пс И ЕС Согрога!юп М
’ ЗП372А-2	№32084	МЕС Согр 7А
А818А	№20200	НЕС Согр ЗА
	КОР1458ОК1, М6Р1405- 61-15МТ,	М|1зиЬ»5Ы
, А818Б	МОР 1405— 61-15, М6С1405-6 788818АА5	ТозМЬа Согр
А818В	№32084 МОР 1305-01 АТР13284	МЕС Согр МНзиЫзЫ Ауагйек 1пс
А818Г	88818, 788818—А8 №04500, НЕ045006, №04533, №045808, №67300, №67383 АТ 10600,	МаТзоп  ЫЕС/САЬ Еа$1ет ЦаЬз 1пс  Ауал1ек 1пс
А818Д	АТ10650-1 МА4Р601— 500, МА4Р601— 298 88819, 88819А АТ 10650-3,	М/А Сот 1пс  ।  МаТзоп	;  АуаМек 1пс
	АТ10650-5 РЬК012\*Р 88883, 788883—А8 МОР 1403— 61-20, МОР 1403— 61-23	Ри|йзи Мкг 1пс	1  Ма(зоп	>  ИкзиЫзЖ
Указатель типов транзисторов

Тип прибора	Стр.	Тип прибора	Стр	Тип прибора	Стр.
1НТ251	453	2Т208(А—М)	90	2Т388АМ-2	224
1НТ251А	453	2Т211(А—1—В—1)	97	2Г389А- 2	429
1НТ251А1	453	2Т214(А— 1-Е—1)	99	2Т391(А—2, Б-2)	328
1Т101	54	2Т214(А9—Е9)	99	2Т392А-2	431
1Т101(А. Б)	54	2Т215{А—1—Е—1)	47	2Т396А-2	331
1Т102	54	2Т215(А9— Е9)	47	2Т397А-2	335
1Т102А	54	2Т301(Г-Ж)	117	2Т399А	337
1Т115(А—Г)	64	2ТЗО6(А-О	244	2ТМ103(А-Д)	35
1Т116(А—Г)	68	2Т307(А—1—Г—1)	248	2ТМ104(А—Г)	58
1ТЗО5(А—В)	181	2Т3101А—2	340	2ТС303А-2	486
1ТЗО8(А-В)	183	2Т3106А-2	346	2ТС3103(А, Б)	482
1Т311(А, Б, Г, Д, К, Л)	251	2Т3108(А—В)	231	2ТС311ЦА—1—Д—1)	468
1Т3110А—2	349	2Т3114(А—6—В—6)	352	2ТС393(А—1, Б-1) 2ТС393(А9, Б9)	474
1Т313(А—В)	395	2Т3115<А—2, 6-2)	355		474
1Т320(А—В)	191	2Т3115А-6	355	2ТС398(А-1, Б-1)	463
1Т321(А—€)	196	2Т3117А	361	2ТС398(А9, Б9)	463
1Т329(А-В)	272	2Т312(А-В)	.121	ЗП320(А-2, Б-2)	599
1Т330(А—Г)	274	2Т3120А	362	ЗП321А-2	602
1Т335(А—Д)	204	2Т3121А-6	365	ЗЛ324(А—2, Б-2)	605
1Т34ЦА-В)	284	2Т3123(А—2—В—2)	436	ЗЛ325А-2	609
1Т362А	293	2ТЗ 124(А—2-В-2)	367	ЗЛ325А-5	609
1Т374А—6	316	2Т3129(А9—Д9)	234	ЗЛ326(А—2, Б-2)	613
1Т376А	424	2Т313(А, Б)	189	ЗП326А-5	613
1Т386А	427	2Т3130(А9—Е9)	164	ЗП328А-2	617
1ТЗВ7(А—2. Б-2)	324	2Т3132(А—2-Г-2)	370	ЗП328А-5	617
1Т403(А-И)	111	2Т3132А- 5	370	ЗЛЗЭ0(А-2-В-2)	620
1ТМ115(А—Г)	64	2Т3141А—2	374	ЗПЗЗОА-5	620
1ТМ305(А—В)	181	2Т314А-2	256	ЗП331А-2	622
2П101(А—В)	491	2Т3152(А—Е)	237	ЗП331А- 5	622
2П103(А—Д)	494	2Т316(А-Д)	258	ЗП339А-2	625
2П103(АР-ДР)	494	2Т3162А	448	ЭП339А- 5	625
2П201(А— 1-Д—1)	508	2Т3162А-5	448	ЗП343А-2	628
2П301(А-В)	519	2Т316А-5	258	ЗП343А-5	628
2ПЗО1(А1—В1)	519	2Т317(А—1—В—1)	127	ЗП344А—2	630
2ПЗО2(А—В)	522	2Т3175А	387	ЗП344А-5	630
2ПЗОЗ(А-Е. И)	526	2Т318(А—1—Е—1)	262	ЗП345(А—2, Б-2)	632
2ПЗО4А	530	2Т318В1-1	262	ЗП345Б—5	632
2ПЗО5(А—2—Г—2}	536	2Т321(А—Е)	199	ЗЛ351А-2	635
2ПЗО5(А-Г)	533	2Т324(А—1—Е—1)	265	ЗП351А-5	635
2ЛЗО6(А—В)	538	2Т325(А—В)	268	ЗП353А-5	638
2ЛЭО7(А, Б, Г)	542	2Т326(А, Б)	399	ЗЛ372А-2	641
2П308(А—1—Д—1)	546	2ТЗЗЗ(А-3-Е-3)	278	ЗП376А-5	643
2П308(А9—Е9)	546	2Т33381-3	278	ЗЯ384А—5	645
2Л310(А, Б)	549	2Т336(А-Е)	129	А64ЦА-В)	389
2Л312(А, Б)	552	2Т348(А—3—6—3)	135	А747	648
2П312(А-5, Б—5)	552	2Т35«А-2. Б-2)	287	А760(А. Б)	598
2П312(А—6, Б—6)	552	2Т355А	290	А791(А—В)	391
2П313(А-В)	557	2Т360(А—1—В—1)	415	А8О2(А-Ж)	649
2П322А	566	2Т363(А, Б)	418	А815	393
2ПЗЗЗ(А, Б)	576	2Т364(А—2—В—2)	219	А818(А—Д)	651
2П335(А-2, Б-2)	579	2Т366(А—1—В—1)	297	АП320(А—2, Б-2)	599
2П337(АР, БР)	581	2Т366Б1-1	297	АП324(А—2—В—2)	605
2П338АР-1	583	2Т368(А, Б)	300	АП324Б-5	605
2П341(А, Б)	585	2Т368(А9, Б9)	300	АП325А-2	609
2П347А-2	588	2Т370(А—1, Б-1)	421	АП325(А-2, Б-2)	613
2П350(А, Б)	591	2Т37О(А9, Б9)	421	АП328А-2	617
2ЛС104(А—Е)	503	2Т371А	305	АЛ330(А—2—В—2)	620
2ПС202(А—2—Г—2)	511	2Т3724А-В)	309	АП331А-2	622
2ПС2О2{Д-1, Е-1)	511	2Т377(А-2—В—2)	143	АП331А-5	622
2ПС316(А—1-Г-1)	563	2Т377(А1-2-В1-2)	143	АП339А-2	625
2Т1О4(А—Г)	58	2Т378(А—2, Б-2)	146	АП343А-2	628
2Т117(А-Г)	70	2Т378(А1—2, Б1-2)	146	АП344А-2	630
2Т118(А—1, Б-1)	74	2Т378Б—2-1	146	ГТ108(А—Г)	60
2Т118(А—В)	72	2Т38ЦА—1—Д—1)	457	ГТ109(А-И)	62
2Т126(А—1—Г—1)	81	2Т382(А, Б)	318	ГП15(А-Д)	67
2Т127(А- 1-Г-1)	38	2Т384А-2	321	ГТ122(А—Г)	37
2Т201/А-Д)	40	2Т384АМ—2	321	ГТ124(А—Г)	78
2Т202(А— 1— Д—1)	82	2Т385А-2	154	ГТ125(А—Л)	79
2Т203(А—Д)	86	2Т385АМ—2	154	ГТ305(А—В)	181
2Т205(А-3, Б-3)	44	2Т388А-2	224	ГТ308<А-8)	183
Тмя прибора	Стр	Тип прибора	Стр	Тиа прибора	Стр
ГТ309(А—Е)	186	КТ214(А—1—Е—1)	99	КТ326(АМ. БМ)	399
ГТ310(А-Е)	187	КТ215(А*— 1-Е-1)	47	КТЗЗЗ(А-З-Е-З)	278
ГТ311(Е—И)	251	КТ216(А—В)	103	КТЗЗб(А-Е)	129
ГТ313(А—В)	395	КТ218(А9—Е9)	105	КТ337(А-В)	405
ГТ320(А—В)	191	КТ301(Г—Ж)	117	КТ339А	282
ГТ32ЦА-Е)	196	КТ302А	120	КТ339АМ	282
ГТ322(А—В)	202	КТЗОб(А-Д)	244	КТ342(А—Г)	131
ГТ328(А—В)	402	КТЗО6(АМ-ДМ)	244	КТ342(АМ-ВМ)	131
ГТ329(А—Г)	272	КТЗО7(А— 1- Г-1)	248	КТ343(А—В)	209
ПЗЗСХД, Ж. И)	274	КТ3101А—2	340	КТ345(А—В)	407
ГТ338<А-В)	208	КТ3102(А-В, Д)	343	КТ347(А—В)	411
ГТ341(А—В)	284	КТ3102(АМ—ВМ, ДМ)	343	КТ348(А-В)	135
ГТ346(А—В)	408	КТ3102(Е—К)	156	КТ349{А—В)	413
ГТ362(А, Б)	293	КТ3102(ЕМ—КМ)	156	КТ35ОА	210
ГТ376А	424	КТ3102Г	156	КТ351(А, Б)	212
ГТ402(А—Г)	109	КТ3102ГМ	156	КТ352(А, Б)	214
ГТ403(А-И)	111	КТ3104(А—Е)	226	КТ354(А-2. 6-2)	287
ГТ40 ЗЮ	111	КТ31О6А-2	346	КТ355А	290
ГТ404(А—Г)	52	КТ31О6А9	346	КТ355АМ	290
ГГ405{А-<)	115	КТЗЮ7(А-Л)	228	КТ358(А—В)	137
К1НТ251	453	КТ31О8(А-В)	231	КТ359(А-В)	292
К1НТ661А	473	КТ3109(А—В)	433	КТЗбЩА-1-В-1)	415
КП101(Г—Е)	491	КТ3114(Б—6, В-6)	352	КТ36ЦА-Е)	216
КП103(Е-М)	494	КТ3115(А-2. В-2-Д-2)	355	КТ363(А. Б)	418
КП103(Е1-М1)	494	КТ3117(А, Б)	159	КТ363(АМ, БМ)	418
КП103(ЕР—МР)	494	КТ3117А1	159	КТ364(А-2-В-2)	219
КП1ОЗ(ЕР1— МР1)	494	КТ312(А-В)	121	КТ366(А—В)	297
КП201(Е-1-Л-П	508	КТ3120АМ	362	КТ368(А, Б)	300
КПЗО1(Б—Г)	519	КТ3121А—6	365	КТ368(А9, Б9)	300
КЛ302(А—Г)	522	КТ3122(А, Б)	162	КТ368(АМ, БМ)	300
КЛЗО2(АМ—ГМ»	522	КТ3123(А—2—В—2)	436	КТ368А- 5	300
КП303(А—И)	526	КТ3123(АМ- ВМ)	436	КТ369(А-1-Г-1)	139
КПЗО4А	530	КТ3126(А, Б)	439	КТ369(А-Г)	139
КП305(Д—И)	533	КТ3126А9	439	КТ37О(А-1. 6-1)	421
КПЗОб(А-В)	538	КТ3127А	442	КТ37О(А9, Б9)	421
КП307(А, Б. Г, Е. Ж1	542	КТ3128А	444	КТ371А	305
КПЗО8(А—1—Д-1)	546	КТ3128А9	444	КТ371АМ	305
КП312(А, Б)	552	КТ3129(А9—Д9)	234	КТ372(А—В)	309
КПЭ13(А—В)	557	КТ313(А. Б)	189	КТ373(А—Г)	313
КП314А	559	КТ313(А1-Г1)	189	КТ375(А, Б)	141
КП322А	566	КТ3130(А9—Ж9)	164	КТ379(А-Г)	148
КП323(А—2. Б-2)	569	КТ3132(А-2-Е-2)	370	КТ380(А—В)	221
КП327(А—Г)	571	КТ3142А	377	КТЗВ1(Б—Е)	151
КП329(А, Б)	574	КТ314А-2	256	КТ382(А, Б)	318
КП341(А, Б)	585	КТ315(А-И)	124	КТ382(АМ, БМ)	318
КП346(А9-В9)	587	КТ315ОБ—2	446	КТ384А	321
КП347А-2	588	КТ315ЦА9—Е9)	167	КТ384АМ	321
КП350(А—В)	591	КТ3153А9	169	КТ385А	154
КП364(А—И)	595	КТ3157А	240	КТ385АМ	154
КПС104(А—Е)	503	КТ315Р	124	КТ388Б—2	224
КПС202(А-2-Г-2)	511	КТ316(А—Д)	258	КТ388БМ—2	224
КПС202Щ-1, Е-1)	511	КТ316(АМ—ДМ)	258	КТ389А-2	429
КПС203(А—1—Г—1)	516	КТ3165А	450	КТ39ЦА-2-В- 2)	328
КПС315(А, Б)	561	КТ3166А	379	КТ392А-2	431
КПС316(Д—1—И—1)	563	КТ3168А9	380	КТ396А—2	331
КТ104(А—Г)	56	КТ3169А9—1	451	КТ396А9	331
КТ117(А—Г)	70	КТ317(А—1—В—1)	127	КТ397А-2	335
КТ117(АМ—ГМ)	70	КТ317ОА9	382	КТ399А	337
КТ118(А-В)	72	КТ3171А9	172	КТ399АМ	337
КТ120(А—1—В—1)	76	КТ3172А9	384	КТСЗОЗА-2	486
КТ201(А—Д)	40	КТ3173А9	174	КТС3103(А1, Б1)	482
КТ20ЦАМ-ДМ)	40	КТ3174АС—2	471	КТС3161АС	489
КТ202(А—1—Д—1)	82	КТ3176А9	176	КТС393(А-1 Б-1)	474
КТ203(А-В)	86	КТ3179А9	179	КТС393(А9, Б9)	474
КТ203(АМ-8М)	86	КТ318(А—Е)	262	КТС394(А—2, Б-2|	480
КТ2О6(А, Б)	46	КТ3180А9	242	КТС394А-1	480
КТ2О7(А-В)	89	КТ321(А-Е)	199	КТС395(А-1, В-1»	460
КТ2О8<А—М)	90	КТ324(А-1—Е—1)	265	КТС395(А-2—В-2)	460
КТ2О9(А-М)	93	КТ325(А-В)	268	КТС398(А-1, Б—1)	463
КТ2О9Б1	93	КТ325(АМ—ВМ)	268	КТС398(А9, Б9)	463
КТ2О9В(1, 2)	93	КТ326/А, Б)	399		
ПЕРЕЧЕНЬ
типов транзисторов, вошедших в 1—4 тт. издания

Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
1НТ251	1	2Е701(А—Г)	3
1НТ251А	1	2Ж102(А, Б)	3
1НТ251А1	1	2П101(А—В)	1
1Т101	1	2ПЮЗ(А—Д)	1
1Т101(А, Б)	1	2П103(АР—ДР)	1
1Т102	1	2П201(А—1—Д—1)	1
1Т102А	1	2П301(А—В)	1
1Т115(А—Г)	1	2П30ЦА1-В1)	1
1Т116(А—Г)	1	2П302(А—В)	1
1Т305(А—В)	1	2П303(А—Е, И)	1
1Т308(А—В)	1	2П304А	1
1Т311(А, Б, Г, Д, X, Л)	1	2П305(А—2—Г—2)	1
1Т3110А-2	1	2П305(А—Г)	1
1Т313(А—В)	1	2П306(А—В)	1
1Т320(А—В)	1	2П307(А, Б, Г)	1
1Т321(А—Е)	1	2П308(А—1—Д—1)	1
1Т329(А—В)	1	2П308(А9—Е9)	1
1Т330(А—Г)	1	2П310(А, Б)	1
1Т335(А—Д)	1	2П312(А, Б)	1
1Т341(А—В)	1	2П312(А—5, Б—5)	1
1Т362А	1	2П312(А—6, Б—6)	1
1Т374А-6	1	2П313(А—В)	1
1Т376А	1	2П322А	1
1Т386А	1	2ПЗЗЗ(А, Б)	1
1Т387(А—2, Б-2)	1	2П335(А—2, Б-2)	1
1Т403(А—И)	1	2П337(АР, БР)	1
1Т612А-4	4	2П338АР-1	1
1Т614А	4	2П341(А, Б)	1
1Т702(А—В)	2	2П347А-2	1
1Т806(А—В)	2	2П350(А, Б)	1
1Т813(А—В)	2	2П601(А, Б)	3
1Т901(А, Б)	3	2П601А9	3
1Т905А	3	2П609(А, Б)	3
1Т906А	3	2П609(А—5, Б—5)	3
1 ТЭЮ АД	3	2П701(А, Б)	3
1ТМ115(А—Г)	1	2П702А	3
1ТМ305(А—В)	1	2П703(А, Б)	3

22-734

673
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
2П706(А—В)	3	2Т126(А—1—Г—1)	1
2П712(А—5—В—5)	3	2Т127(А—1—Г—1)	1
2П712(А—В)	3	2Т20ЦА-Д)	1
2П802А	3	2Т202(А—1—Д-1)	1
2П803(А, Б)	3	2Т203(А—Д)	1
2П815(А—Г)	3	2Т2056А-3, Б—3)	1
2П816(А—Г)	3	2Т208(А—М)	1
2П901(А, Б)	3	2Т211(А—1-В-1)	1
2П901(А—5, Б—5)	3	2Т214(А—1—Е—1)	1
2П902(А, Б)	3	2Т214(А9—Е9)	1
2П903(А—5—В—5)	3	2Т215(А—1—Е—1)	1
2П903(А—В)	3	2Т215(А9-Е9)	1
2П904(А, Б)	3	2Т301(Г—Ж)	1
2П905(А, Б)	3	2Т306(А—Г)	1
2П907(А, Б)	3	2Т307(А—1—Г—1)	1
2П908(А, Б)	3	2Т3101А-2	1
2П909(А—Г)	3	2Т3106А-2	1
2П911(А, Б)	3	2Т3108(А—В)	1
2П912(А, Б)	3	2Т3114(А-6-В-6)	1
2П913(А, Б)	3	2Т3115(А—2, Б-2)	1
2П914А	3	2Т3115А-6	1
2П918(А, Б)	3	2Т3117А	1
2П920(А, Б)	3	2Т312(А—В)	1
2П922(А, Б)	3	2Т3120А	1
2П922(А—5, Б—5)	3	2Т3121А-6	1
2П923(А—Г)	3	2Т3123(А—2—В—2)	1
2П926(А, Б)	3	2Т3124(А—2—В—2)	1
2П928(А, Б)	3	2Т3129(А9—Д9)	1
2П933(А, Б)	3	2Т313(А, Б)	1
2П938(А—Д)	3	2Т3130(А9—Е9)	1
2П941(А—Д)	3	2Т3132(А—2—Г—2)	1
2ПС104(А—Е)	1	2Т3132А-5	1
2ПС202(А—2—Г—2)	1	2Т3141А-2	1
2ПС202(Д—1, Е-1)	1	2Т314А-2	1
2ПС316(А—1—Г—1)	1	2Т3152(А—Е)	1
2Т104(А—Г)	1	2Т316(А—Д)	1
2Т117(А—Г)	1	2Т3162А	1
2Т118(А—1, Б-1)	1	2Т3162А-5	1
2Т118(А—В)	1	2Т316А-5	1
Тип прибора	Том	Тил прибора	Том
2Т317(А—1—В—1)	1	2Т391(А—2, Б-2)	1
2Т3175А	1	2Т392А-2	1
2Т318(А—1—Е—1)	1	2Т396А-2	1
2Т318В1-1	1	2Т397А-2	1
2Т321(А—Е)	1	2Т399А	1
2Т324(А—1—Е—1)	1	2Т504(А, Б)	2
2Т325(А—В)	1	2Т504(А—5, Б—5)	2
2Т326(А, Б)	1	2Т505(А, Б)	2
2ТЗЗЗ(А—3—Е—3)	1	2Т505А-5	2
2ТЗЗЗВ1-3	1	2Т506(А, Б)	2
2Т336(А—Е)	1	2Т506А-5	2
2Т348(А—3—В—3)	1	2Т509А	2
2Т354(А—2, Б-2)	1	2Т509А-5	2
2Т355А	1	2Т602(А, Б)	3
2Т360(А—1—В—1)	1	2Т602(АМ, БМ)	3
2Т363(А, Б)	1	2Т603(А—Г, И)	3
2Т364(А—2—В—2)	1	2Т606А	4
2Т366(А—1—В—1)	1	2Т607А-4	4
2Т366Б1-1	1	2Т608(А, Б)	3
2Т368(А, Б)	1	2Т610(А, Б)	4
2Т368(А9, Б9)	1	2Т624А-2	4
2ТЗ)0(А—1, Б-1)	1	2Т624АМ—2	4
2Т370(А9, Б9)	1	2Т625(А—2, Б-2)	3
2Т371А	1	2Т625АМ—2	3
2Т372(А—В)	1	2Т625БМ—2	3
2Т377(А—2—В—2)	1	2Т629А-2	3
2Т377(А1—2—В1—2)	1	2Т630(А, Б)	3
2Т378(А—2, Б-2)	1	2Т630А-5	3
2Т378(А1—2, Б1-2)	1	2Т632А	3
2Т378Б-2-1	1	2Т633А	4
2Т381(А—1—Д—1)	1	2Т634А-2	4
2Т382(А, Б)	1	2Т635А	3
2Т384А-2	1	2Т637А-2	4
2Т384АМ-2	1	2Т638А	3
2Т385А-2	1	2Т640А-2	4
2Т385АМ—2	1	2Т640А-5	4
2Т388А-2	1	2Т640А-6	4
2Т388АМ—2	1	2Т640А1-2	4
2Т389А-2	1	2Т642А-2	4
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том

2Т642А-5	4	2Т818(А2-В2)	2
2Т642А1-2	4	2Т819(А—В)	2
2Т642А1—5	4	2Т819(А2—В2)	2
2Т642Б1-2	4	2Т825(А—В)	2
2Т642В1—2	4	2Т825(А2—В2)	2
2Т642Г1-2		2Т825А-5	2
2Т643(А—2 Б-2)	4	2Т826(А-В)	2
2Т643А-5	4	2Т826А-5	2
2Т647А-2	4	2Т827(А—В)	2
2Т647А-5	4	2Т827А-5	2
2Т648А-2	4	2Т828(А, Б)	2
2Т648А-5	4	2Т830(А—Г)	2
2Т652А	3	2Т830(В—1, Г-1)	2
2Т652А-2	3	2Т831(А—Г)	2
2Т653(А, Б)	3	2Т831(В—1, Г-1)	2
2Т657(А—2—В—2)	4	2Т834(А—В)	2
2Т658(А—2—В—2)	4	2Т836(А—В)	2
2Т664(А9, Б9)	3	2Т836А-5	2
2Т665(А9, Б9)	3	2Т837(А—Е)	2
2Т671А-2	4	2Т839А	2
2Т682{А-2, Б-2)	4	2Т841(А—В)	2
2Т687АС-2	4	2Т841(А1, Б1)	2
2Т687БС-2	4	2Т842(А, Б)	2
2Т688(А—2, Б-2)	4	2Т842(А1, Б1)	2
2Т691А-2	4	2Т844А	2
2Т704(А, Б)	2	2Т845А	2
2Т708(А—В)	2	2Т847А	2
2Т709(А—В)	2	2Т848А	2
2Т709(А2-В2)	2	2Т856(А—Г)	2
2Т713А	2	2Т860(А—В)	2
2Т716(А—В)	2	2Т861(А—В)	2
2Т716(А1—В1)	2	2Т862(А—Г)	2
2Т718(А, Б)	2	2Т866А	2
2Т803А	2	2Т867А	2
2Т808А	2	2Т874(А, Б)	2
2Т808А-2	2	2Т875(А—Г)	2
2Т809А	2	2Т876(А—Г)	2
2Т812(А, Б)	2	2Т877(А—В)	2
2Т818(А—В)	2	2Т878(А, Б)	2
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
2Т879(А, Б)	2	2Т9127(А, Б)	4
2Т880(А—5, Б—5)	2	2Т9128АС	3
2Т880(А—Г)	2	2Т9129А	4
2Т881(А—5, Б—5)	2	2Т913(А—В)	4
2Т88ЦА-Г)	2	2Т9130А	3
2Т882(А—В)	2	2Т9131А	3
2Т883(А, Б)	2	2Т9132АС	4
2Т884(А, Б)	2	2Т9134(А, Б)	4
2Т885(А, Б)	2	2Т9135А-2	4
2Т886А	2	2Т9136АС	4
2Т887(А, Б)	2	2Т9137А	4
2Т891А	2	2Т9139(А—Г)	4
2Т903(А, Б)	3	2Т9140А	4
2Т904А	4	2Т9146(А—К)	4
2Т907А	4	2Т9147АС	4
2Т908А	3	2Т9149(А, Б)	4
2Т909<А, Б)	4	2Т914А	4
2Т9101АС	4	2Т9153(АС, БС)	4
2Т9102(А—2, Б-2)	4	2Т9155(А-В)	4
2Т9103(А—2, Б-2)	4	2Т9156(АС, БС)	4
2Т9104(А, Б)	4	2Т9158(А, Б)	4
2Т9105АС	4	2Т9159А	4
2Т9107А—2	4	2Т9159А-5	4
2Т9108А-2	4	2Т9161АС	4
2Т9109А	4	2Т9162(А-Г)	. 4
2Т911(А, Б)	4	2Т916А	4
2Т9110(А—2, Б-2)	4	2Т919(А—2—В—2)	4
2Т9111А	4	2Т919(А—В)	4
2Т9114(А, Б)	4	2Т920(А—В)	3
2Т9117(А—Г)	3	2Т921А	3
2Т9118(А—В)	4	2Т921А-4	3
2Т9119А-2	4	2Т922(А—В)	3
2Т912(А, Б)	3	2Т925(А—В)	4
2Т912(А—5, Б—5)	3	2Т926А	3
2Т9121(А—Г)	4	2Т928(А, Б)	3
2Т9122(А, Б)	4	2Т929А	3
2Т9124(А, Б)	4	2Т930(А, Б)	4
2Т9125АС	4	2Т931А	3
2Т9126А	3	2Т932(А, Б)	3
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
2Т933(А, Б)	3	2Т978(А, Б)	3
2Т934(А—В)	4	2Т979А	4
2Т935А	3	2Т980(А, Б)	3
2Т935А-5	3	2Т981А	3
2Т937(А—2, Б-2)	4	2Т982А-2	4
2Т937А-5	4	2Т982А-5	4
2Т938А-2	4	2Т984(А, Б)	4
2Т939А	4	2Т985АС	4
2Т941А	4	2Т986(А—Г)	4
2Т942(А, Б)	4	2Т988(А, Б)	4
2Т942(А—5, Б—5)	4	2Т989(А—Г)	4
2Т944А	3	2Т990А-2	4
2Т945(А—В)	3	2Т991АС	4
2Т945А-5	.3	2Т993А	3
2Т946А	4	2Т994(А—2—В—2)	4
2Т947А	3	2Т995А.-2	4
2Т948(А, Б)	4	2Т996(А—2—Г—2)	4
2Т950(А, Б)	3	2Т996(А—5, Б—5)	4
2Т951(А—В)	3	2ТМ103(А-Д)	1
2Т955А	3	2ТМ104(А—Г)	1
2Т956А	3	2ТС303А—2	1
2Т957А	3	2ТС3103(А, Б)	1
2Т958А	3	2ТС3111(А— 1-Д-1)	1
2Т960А	4	2ТС393(А— 1, Б-1)	1
2Т962(А—В)	4	2ТС393(А9, Б9)	1
2Т963(А—2, Б-2)	4	2ТС398(А—1, Б-1)	1
2Т963А-5	4	2ТС398(А9, Б9)	1
2Т964А	3	2ТС613(А, Б)	4
2Т965А	3	2ТС622(А, Б)	4
2Т966А	3	2ТС843А	4
2Т967А	3	2ТС941А	4
2Т968А	3	ЗП320(А—2, Б-2)	1
2Т968А-5	3	ЗП321А-2	1
2Т970А	4	ЗП324(А—2, Б-2)	1
2Т971А	3	ЗП325А-2	1
2Т974(А—Г)	4	ЗП325А-5	1
2Т975(А, Б)	4	ЗП326(А—2, Б-2)	1
2Т976А	4	ЗП326А-5	1
2Т977А	4	ЗП328А-2	1
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
ЗП328А-5	1	ЗП608Г-2	3
ЗПЗЗО(А—2—В—2)	1	ЗП608Д-5	3
ЗПЗЗОА—5	1	ЗП608Е-5	3
ЗП331А-2	1	ЗП910(А—2, Б-2)	3
ЗП331А-5	1	ЗП910(А—5, Б-5)	3
ЗП339А-2	1	ЗП915(А—2, Б-2)	3
ЗП339А-5	1	ЗП925(А—2—В—2)	' 3
ЗП343А-2	1	ЗП925А-5	3
ЗП343А-5	1	ЗП927(А—2—Д—2)	3
ЗП344А-2	1	ЗП929А-2	3
ЗП344А-5	1	ЗП930(А—2—В—2)	3
ЗП345(А—2, Б-2)	1	А597(А, Б)	3
ЗП345Б-5	1	А604(А—В)	3
ЗП351А-2	1	А622(А, Б)	4
ЗП351А-5	1	А625А-5	4
ЗП353А-5	1	А625А1-2	4
ЗП372А-2	1	А625Б1-2	4
ЗП376А-5	1	А625В1-2	4
ЗП384А-5	1	А625Г1-2	4
ЗП602(А—2—Д—2)	3	А630	4
ЗП602(Б—5, Д-5)	3	А633	4
ЗП6ОЗ(А—2, Б-2)	3	А634(А, Б)	3
ЗП6ОЗ(А—5, Б-5)	3	А639А	3
ЗП6ОЗА1-2	3	А641(А—В)	1
ЗП6ОЗБ1—2	3	А642(А, Б)	4
ЗП604(А—2—Г—2)	3	А645	4
ЗП604(А—5-Г-5)	3	А645А-5	4
ЗП604А1-2	3	А650(А—Г)	3
ЗП604Б1-2	3	А652(А—В)	4
ЗП604В1-2	3	А653А-5	4
ЗП604Г1-2	3	А654(А, Б)	3
ЗП605А-2	3	А657	4
ЗП605А-5	3	А661(А, Б)	3
ЗП606(А—2—Г—2)	3	А662	4
ЗП606(Б—5, В-5)	3	А664А	4
ЗП607А-2	3	А667	4
ЗП608А-2	3	А675(А, Б)	3
ЗП608А-5	3	А678(А—Г)	2
ЗП608Б-2	3	А680(А—Д)	4
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
А682(А, Б)	4	А767(А—В)	4
А684А	2	А772	2
А686(А—2, Б-2)	3	А79ЦА-В)	1
А686А1-2	3	А792	4
А686Б1-2	3	А793(А—В)	4
А691	4	А794(А—В)	4
А697(А, Б)	4	А795(А—Д)	3
А702(А—В)	3	А796(А—Ж)	3
А704А	4	А797	4
А709(А, Б)	3	А802(А—Ж)	1
А710(А, Б)	2	А803А	3
А714	4	А808(А—Г)	3
А716(А, Б)	4	А815	1
А717(А, Б)	4	А818|А-Д)	1
А718(А—В)	4	А827(А, Б)	4
А719(А-Г)	3	А834А	4
А720(А—Г)	4	А837(А—В)	4
А722(А, Б)	4	А842(А, Б)	3
А723	3	А843(А—В)	3
А724(А—Г)	3	А848А	3
А725(А-Д)	3	А849(А, В, С, Д)	3
А726(А, Б)	3	АП320(А—2, Б-2)	1
А727(А, Б)	4	АП324(А—2—В—2)	1
А73ЦА-Г)	4	АП324Б-5	1
А736	3	АП325А-2	1
А739(А—2, Б-2)	4	АП326(А—2, Б-2)	1
А740(А, Б)	2	АП328А-2	1
А743(А, Б)	4	АП330(А—2—В—2)	1
А745(А—5—В—5)	3	АП331А-2	1
А745(А—Г)	3	АП331А-5	1
А746(А, Б)	3	АП339А-2	1
А747	1	АП343А-2	1
А749	4	АП344А-2	1
А750	4	АП602(А—2—Д—2)	3
А751(А, Б)	4	АП603(А—2, Б-2)	3
А76О(А, Б)	1	АП603(А—5, Б—5)	3
А761А-5	3	АП603А1-2	3
А762(А, Б)	3	АП603Б1-2	3
А764(А, Б)	4	АП604(А—2—Г—2)	3
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
АП604(А—5—Г—5)	3	ГТ403(А—И)	1
АП604А1-2	3	ГТ403Ю	1
АП604Б1-2	3	ГТ404(А-Г)	1
АП604В1-2	3	ГТ405(А—Г)	1
АП604Г1-2	3	ГТ612А-4	4
АП605А-2	3	ГТ701А	2
АП606(А—2—В—2)	3	ГТ703(А—Д)	2
АП606(А—5—В—5)	3	ГТ705(А—Д)	2
АП608А-2	3	ГТ806(А—Д)	2
АП608А-5	3	ГТ810А	2
АП608Б-2	3	ГТ905(А, Б)	3
АП608Г-2	3	ГТ906А	3
АП608Д-5	3	ГТ906АМ	3
АП608Е-5	3	К1НТ251	1
АП967(А—2—Ж—2)	3	К1НТ661А	1
ГТ108(А—Г)	1	КП 101 (Г-Е)	1
ГТ109(А—И)	1	КПЮЗ(Е-М)	1
ГТ115(А—Д)	1	КП103(Е1—М1)	1
ГТ122(А—Г)	1	КПЮЗ(ЕР-МР)	1
ГТ124(А—Г)	1	КП103(ЕР1—МР1)	1
ГТ125(А—Л)	1	КП201(Е—1—Л—1)	1
ГТЗОБ(А-В)	1	КП301(Б—Г)	1
ГТЗОЗ(А-В)	1	КП302(А—Г)	1
ГТ309(А-Е)	1	КП302(АМ—ГМ)	1
ГТЗЮ(А-Е)	1	КПЗОЗ(А-И)	1
ГТ311(Е—И)	1	КП304А	1
ГТ313(А—В)	1	КП305(Д—И)	1
ГТ320(А—В)	1	КПЗОб(А-В)	1
ГТ32ЦА-Е)	1	КП307(А, Б, Г, Е, Ж)	1
ГТ322(А—В)	1	КП308(А—1—Д—1)	1
ГТ328(А—В)	1	КП312(А, Б)	1
ГТ329(А—Г)	1	КП313(А—В)	1
ГТ330(Д, Ж, И)	1	КП314А	1
ГТ338(А—В)	1	КП322А	1
ГТ341(А—В)	1	КП323(А—2, Б-2)	1
ГТ346(А—В)	1	КП327(А-Г)	1
ГТ362(А, Б)	1	КП329(А, Б)	1
ГТ376А	1	КП341(А, Б)	1
ГТ402(А—Г)	1	КП346(А9—В9)	1
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КП347А-2	1	КПС104(А-Е)	1
КП350(А—В)	1	КПС202(А—2—Г—2)	1
КП364(А—И)	1	КПС202(Д—1, Е—1)	1
КП601(А, Б)	3	КПС203(А—1—Г—1)	1
КП704(А, Б)	3	КПС315(А, Б)	1
КП705(А—В)	3	КПС316(Д—1—И—1)	1
КП707(А—В)	3	КТ104(А—Г)	1
КП707(А1—В1)	3	КТ117(А-Г)	1
КП709(А, Б)	3	КТ117(АМ—ГМ)	1
КП801(А—Г)	3	КТ118(А-В)	1
КП802(А, Б)	3	КТ120(А—1—В—1)	1
КП804А	3	КТ20ЦА-Д)	1
КП805(А—В)	3	КТ201(АМ—ДМ)	1
КП809(А—Е)	3	КТ202(А—1—Д—1)	1
КП809(А1—Е1)	3	КТ203(А—В)	1
КП809Б1—5	3	КТ203(АМ—ВМ)	1
КП809Б2-5	3	КТ206(А, Б)	1
КП813(А, Б)	3	КТ207(А-В)	1
КП813(А1, Б1)	3	КТ208(А—М)	1
КП813А1-5	3	КТ209(А-М)	1
КП813Б1-5	3	КТ209Б1	1
КП901(А, Б)	3	КТ209В(1, 2)	1
КП902(А—В)	3	КТ214(А—1—Е—1)	1
КП903(А-В)	3	КТ215(А—1—Е—1)	1
КП904(А, Б)	3	КТ216(А—В)	1
КП905(А—В)	3	КТ218(А9-Е9)	1
КП907(А-В)	3	КТЗОЦГ—Ж)	1
КП908(А, Б)	3	КТ302А	1
КП921А	3	КТЗОб(А-Д)	1
КП922(А, Б)	3	КТЗОб(АМ-ДМ)	1
КП922(А1, Б1)	3	КТ307(А—1—Г—1)	1
КП923(А—Г)	3	КТ3101А-2	1
КП934(А, Б)	3	КТ3102(А—В, Д)	1
КП937А	3	КТ3102(АМ—ВМ, ДМ)	1
КП937А-5	3	КТ3102(Е—К)	1
КП938(А—Д)	3	КТ3102(ЕМ-КМ)	1
КП944(А, Б)	3	КТ3102Г	1
КП945(А, Б)	3	КТ3102ГМ	1
КП951(А—2—В—2)	3	КТ3104(А—Е)	1
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КТ3106А-2	1	КТ317(А—1—В—1)	1
КТ3106А9	1	КТ3170А9	1
КТ3107(А—Л)	1	КТ3171А9	1
КТ3108(А-В)	1	КТ3172А9	1
КТ3109(А—В)	1	КТ3173А9	1
КТ3114(Б—6, В-6)	1	КТ3174АС-2	1
КТ3115(А—2, В-2-Д-2)	1	КТ3176А9	1
КТ3117(А, Б)	1	КТ3179А9	1
КТ3117А1	1	КТ318(А—Е)	1
КТ312(А—В)	1	КТ3180А9	1
КТ3120АМ	1	КТ321(А—Е)	1
КТ3121А—6	1	КТ324(А—1—Е—1)	1
КТ3122(А, Б)	1	КТ325(А—В)	1
КТ3123(А—2—В—2)	1	КТ325(АМ—ВМ)	1
КТ3123(АМ—ВМ)	1	КТ326(А, Б)	1
КТ3126(А, Б)	1	КТ326(АМ, БМ)	1
КТ3126А9	1	КТЗЗЗ(А-З-Е-З)	1
КТ3127А	1	КТЗЗб(А-Е)	1
КТ3128А	1	КТ337(А—В)	1
КТ3128А9	1	КТ339А	1
КТ3129(А9-Д9)	1	КТ339АМ	1
КТ313(А, Б)	1	КТ342(А—Г)	1
КТ313(А1-Г1)	1	КТ342(АМ—ВМ)	1
КТ3130(А9—Ж9)	1	КТ343(А—В)	1
КТ3132(А—2—Е—2)	1	КТ345(А—В)	1
КТ3142А	1	КТ347(А—В)	1
КТ314А-2	1	КТ348(А—В)	1
КТ315(А—И)	1	КТ349(А—В)	1
КТ3150Б-2	1	КТ350А	1
КТ3151(А9—Е9)	1	КТ351(А, Б)	1
КТ3153А9	1	КТ352(А, Б)	1
КТ3157А	1	КТ354(А—2, Б-2)	1
КТ315Р	1	КТ355А	1
КТ316(А—Д)	1	КТ355АМ	1
КТ316(АМ—ДМ)	1	КТ358(А—В)	1
КТ3165А	1	КТ359(А—В)	1
КТ3166А	1	КТ360(А—1—В—1)	1
КТ3168А9	1	КТ36ЦА—Е)	1
КТ3169А9-1	1	КТ363(А, Б)	1
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КТ363(АМ, БМ)	1	КТ505(А, Б)	2
КТ364(А—2—В—2)	1	КТ506(А, Б)	2
КТЗбб(А-В)	1	КТ601А	3
КТ368(А, Б)	1	КТ601АМ	3
КТ368(А9, Б9)	1	КТ602(АМ, БМ)	3
КТ368(АМ, БМ)	1	КТбОЗ(А-Е)	3
КТ368А-5	1	КТ604(А, Б)	3
КТ369(А—1—Г—1)	1	КТ604(АМ, БМ)	3
КТ369(А—Г)	1	КТ605(А, Б)	3
КТ370(А—1, Б-1)	1	КТ605(АМ, БМ)	3
КТ370(А9, Б9)	1	КТ606(А, Б)	4
КТ371А'	1	КТ607(А-4, Б—4)	4
КТ371АМ	1	КТ608(А, Б)	3
КТ372(А—В)	1	КТ610(А, Б)	4
КТ373(А—Г)	1	КТ611(А—Г)	3
КТ375(А, Б) .	1	КТ611(АМ, БМ)	3
КТ379(А—Г)	1	КТ6127(А—К)	3
КТ380(А—В)	1	КТ616(А, Б)	3
КТ381(Б—Е)	1	КТ617А	3
КТ382(А, Б)	1	КТ618А	3
КТ382(АМ, БМ)	1	КТ624А-2	4
КТ384А	1	КТ624АМ—2	4
КТ384АМ	1	КТ625А	3
КТ385А	1	КТ625АМ	3
КТ385АМ	1	КТ626(А— Д)	3
КТ388Б-2	1	КТ629(А—2, Б-2)	3
КТ388БМ-2	1	КТ629БМ—2	3
КТ389А-2	1	КТбЗО(А-Е)	3
КТ391(А—2—В—2)	1	КТ632Б	3
КТ392А-2	1	КТ632Б1	3
КТ396А-2	1	КТ633Б	4
КТ396А9	1	КТ634Б-2	4
КТ397А-2	1	КТ635Б	3
КТ399А	1	КТ637(А—2, Б-2)	4
КТ399АМ	1	КТ638А	3
КТ501(А—М)	2	КТ639(А-И)	3
КТ502(А—Е)	2	КТ639(А1, Б1, Г1, Д1)	3
КТ503(А-Е)	2	КТ640(А—2—В—2)	4
КТ504(А—В)	2	КТ642А-2	4
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КТ642А-5	4	КТ722А	2
КТ643А-2	4	КТ723А	2
КТ644(А—Г)	3	КТ724А	2
КТ645(А, Б)	3	КТ728А	2
КТ646(А, Б)	3	КТ801(А, Б)	2
КТ647А-2	4	КТ802А	2
КТ647А-5	4	КТ803А	2
КТ648А-2	4	КТ805(А, Б)	2
КТ648А-5	4	КТ805(АМ—ВМ)	2
КТ657(А—2—В—2)	4	КТ807(А, Б)	2
КТ657(А—5—В—5) '	4	КТ807(АМ, БМ)	2
КТ659А	4	КТ808(АЗ, БЗ)	2
КТ660(А, Б)	3	КТ808(АМ—ГМ)	2
КТ661А	3	КТ808А	2
КТ662А	3	КТ809А	2
КТ664(А9, Б9)	3	КТ810ЦА, Б)	2
КТ665(А9, Б9)	3	КТ8102(А, Б)	2
КТ666А9	3	КТ8104А	2
КТ667А9	3	КТ8105А	2
КТ668(А—В)	3	КТ8106(А, Б)	2
КТ680А	3	КТ8107(А—Е)	2
КТ681А	3	КТ8107(А2—Е2)	2
КТ682(А—2, Б-2)	4	КТ8108(А—В)	2
КТ682(А—5, Б—5)	4	КТ81О8(А1-В1)	2
КТ683(А—Е)	3	КТ8109А	2
КТ684(А—В)	3	КТ8110(А—В)	2
КТ685(А—Ж)	3	КТ8112А	2
КТ686(А- Ж)	3	КТ8114(А, Б)	2
КТ692А	3	КТ8115(А—В)	2
КТ695А	4	КТ8116(А-В)	2
КТ698(А—К)	3	КТ8117 (А, Б)	2
КТ704(А—В)	2	КТ8118А	2
КТ710А	2	КТ812(А—В)	2
КТ712(А, Б)	2	КТ8120А	2
КТ715А	2	КТ8121(А, Б)	2
КТ716(А—Г)	2	КТ812ЦА1, Б1)	2
КТ719А	2	КТ8121(А2, Б2)	2
КТ720А	2	КТ8123А	2
КТ721А	2	КТ8124А	2
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КТ8125(А—В)	2	КТ834(А—В)	2
КТ8126А	2	КТ835(А, Б)	2
КТ8127(А—В)	2	КТ837(А—Ф)	2
КТ8127(А1—В1)	2	КТ838(А, Б)	2
КТ8129А	2	КТ839А	2
КТ8130(А—В)	2	КТ840(А—В)	2
КТ8131(А—В)	2	КТ841(А—Е)	2
КТ8136А	2	КТ842(А—В)	2
КТ8136А1	2	КТ844А	2
КТ8137А	2	КТ845А	2
КТ814(А—Г)	2	КТ846(А-В)	2
КТ8140А	2	КТ847А	2
КТ8140А1	2	КТ848А	2
КТ8143(А—Ф)	2	КТ850(А, Б)	2
КТ8144(А, Б)	2	КТ851(А—В)	2
КТ8145(А, Б)	2	КТ852(А—Г)	2
КТ8146(А, Б)	2	КТ853(А—Г)	2
КТ8147(А, Б)	2	• КТ854(А, Б)	2
КТ815(А—Г)	2	КТ855(А—В)	2
КТ8157(А, Б)	2	КТ856(А, Б)	2
КТ816(А—Г)	2	КТ856(А1, Б1)	2
КТ816А2	2	КТ857А	2
КТ817(А—Г)	2	КТ858А	2
КТ817(Б2, Г2)	2	КТ859А	2
КТ818(А-Г)	2	КТ862(Б—Г)	2
КТ818(А1-Г1)	2	КТ863(А—В)	2
КТ818(АМ—ГМ)	2	КТ864А	2
КТ819(А—Г)	2	КТ865А	2
КТ819(А1—Г1) .	2	КТ866А	2
КТ819(АМ—ГМ)	2	КТ867А	2
КТ820(А—1—В—1)	2	КТ868(А, Б)	2
КТ821(А—1—В—1)	2	КТ872(А, В)	2
КТ822(А—1—В—1)	2	КТ874(А, Б)	2
КТ823(А—1—В—1)	2	КТ878(А—В)	2
КТ825(Г—Е)	2	КТ879(А, Б)	2
КТ826(А—В)	2	КТ886(А1, Б1)	2
КТ827(А—В)	2	КТ890(А—В)	2
КТ828(А—Г)	2	КТ892(А—В)	2
КТ829(А—Г)	2	КТ896(А, Б)	2
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КТ897(А, Б)	2	КТ9174А	4
КТ898(А, Б)	2	КТ9176А	3
КТ898(А1, Б1)	2	КТ9177А	3
КТ899А	2	КТ918(А—2, Б-2)	4
КТ902АМ	3	КТ9180(А—Г)	3
КТ903А	3	КТ918ЦА—Г)	3
КТ904(А, Б)	4	КТ9182А	4
КТ907(А, Б)	4	КТ919(А—Г)	4
КТ908(А, Б)	3	КТ920(А—Г)	3
КТ909(А—Г)	4	КТ921(А, Б)	3
КТ9101АС	4	КТ922(А—Д)	3
КТ9104(А, Б)	4	КТ925(А—Г)	4
КТ9105АС	4	КТ926(А, Б)	3
КТ911(А—Г)	4	КТ927(А—В)	3
КТ9115(А, Б)	3	КТ928(А—В)	3
КТ9116(А, Б)	4	КТ929А	3
КТ912(А, Б)	3	КТ930(А, Б)	4
КТ9120А	3	КТ931А	3
КТ913(А—В)	4	КТ932(А-В)	3
КТ9130А	3	КТ933(А, Б)	3
КТ9133А	3	КТ934(А—Д)	4
КТ9141А	4	КТ935А	3
КТ9141А1	4	КТ936(А, Б)	3
КТ9142А	4	КТ937(А—2, Б-2)	4
КТ9143(А—В)	4	КТ938Б-2	4
КТ9144А-5	3	КТ939(А, Б)	4
КТ9144А9	3	КТ940(А—5—В—5)	3
КТ9145А—5	3	КТ940(А—В)	3
КТ9145А9	3	КТ942В	4
КТ914А	4	КТ943(А—Д)	3
КТ9150А	4	КТ944А	3
КТ9151А	3	КТ945Б	3
КТ9152А	4	КТ946А	4
КТ9155(А—В)	4	КТ947А	3
КТ9157А	3	КТ948(А, Б)	4
КТ916(А, Б)	4	КТ955А	3
КТ9160(А—В)	3	КТ956А	3
КТ9166А	3	КТ957А	3
КТ9173А	4	КТ958А	3
Тип прибора	Том	Тип прибора	Том
КТ960А	4	КТС631(А—Г)	4
КТ961(А—Г)	3	П201АЭ	2
КТ962(А—В)	4	П201Э	2
КТ963(А—2, Б-2)	4	П202Э	2
КТ963А-5	4	П203Э	2
КТ965А	3	П210(А, Ш)	2
КТ966А	3	П213	2
КТ967А	3	П213(А, Б)	2
КТ969А	3	П214	2
КТ969А-5	3	П214(А—Г)	2
КТ970А	4	П215	2
КТ971А	3	П216	2
КТ972(А, Б)	3	П216(А—Д)	2
КТ973(А, Б)	3	П217	2
КТ976А	4	П217(А—Г)	2
КТ977А	4	П302	2
КТ980(А, Б)	3	ПЗОЗ	2
КТ981А	3	ПЗОЗА	2
КТ983(А—В)	4	П304	2
КТ984(А, Б)	4	П306	2
КТ985АС	4	П306А	2
КТ991АС	4	П601(АИ, БИ)	2
КТ996(А—2—В—2)	4	П601И	2
КТ996(А—5—В—5)	4	П602АИ	2
КТ997(А—В)	3	П602И	2
КТ999А	3	П605	2
КТСЗОЗА—2	1	П605А	2
КТС3103(А1, Б1)	1	П606	2
КТС3161АС	1	П606А	2
КТС393(А—1, Б-1)	1	П607	2
КТС393(А9, Б9)	1	П6О7А	2
КТС394(А—2, Б-2)	1	П608	2
КТС394А-1	1	П6О8(А, Б)	2
КТС395(А—1, В-1)	1	П609	2
КТС395(А—2—В—2)	1	П609(А, Б)	2
КТС398(А— 1, Б-1)	1	П701	2
КТС398(А9, Б9)	1	П701(А, Б)	2
КТС613(А—Г)	4	П702	2
КТС622(А, Б)	4	П702А	2