/
Similar
Text
Ген.ВЧ - генератор высокой частоты;
НГ - непрерывная генерация;
ВНУТР. АМ - внутренняя амплитудная модуляция;
ВКЛ. - включение;
ОТКЛ. - отключение;
Пл. об. - плата объединительная;
Мод. НЧ - модулятор низкой частоты;
ВКЛ. АМ ВНУТР. - включение амплитудной модуляции
внутренней;
ВКЛ. АМ ВНЕШН. - включение -амплитудной модуля-
ции внешней;
ВНЕШН. АМ - внешняя амплитудная модуляция;
СИНХР. - синхронизация;
Откл.вых. - отключение выхода;
ИНД. - индикация;
ДУ - дистанционное управление;
ИНД.Ц - индикатор цифровой;
ДФ вых. - дешифратор выхода;
Р - разряд;
Ат - аттенюатор;
ШК - штырь контрольный;
РАССТР. - расстройка;
АПЧ - автоматическая подстройка частоты;
ДП - делитель программируемый;
Ф - фильтр;
У-М - усилитель-модулятор;
УС - устройство соединительное;
Уз П - узел печатный;
УУ - устройство управления;
БП - блок питания;
ЦАП - цифро-аналоговый преобразователь;
Ус.стаб. -т усилитель стабилизаторов;
Б - база;
Э - змиттер;
К - коллектор.
ГЕНЕРАТОР СИГНАЛОВ
ШСОКОЧАСТОТНЫЙ
См. рис. I на вкладке I.
Перечень элементов 3.260.018 ПЭЗ
Обозначение на рис. I Наименование Коли- чество
BI Переключатель ПДМТ-1 I
В2 Тумблер. ТЗ I
ШЗ.Ш4 Вилка РЛМИ2-(Т2К;2Л;2М) ШС-Оп
(3K+IMhI£h6K»-IMFLlb-3K)B 2
Ш5 Розетка приборно-кабель- ная СР-50-ПЗФ I
Ш6 Вилка кабельная СР-50-ШФ I
Обозначение на рис.1 Наименование Коли- чество
Ш7 Ш8 Ш9 Розетка приборно-кабельная СР-50-ТП I Розетка приборно-кабельная СВ-50-ПЗФ I Вилка кабельная СР-50-ШФ I
ЕГО ШИ Розетка приборно-кабель- ная СР-50-ТП I Вилка кабельная СР-50-ШФ I
U1I2 Ш13.Ш14 Ш15-Ш18 Ш19.Ш20 Ш21 11122,11123 III24 III25 УТ У2 УЗ У4 У5 Уб У7 У8 У9 ПО УП УТ2 Ш1.Ш2 CI шт Розетка приборно-кабель- ная СР-50-ПЗФ I Розетка приборно-кабель- ная СР-50-ТП 2 Вилка РЛМИ2-(Т2К;2Л;2М) ШС-Оп (ЗК+ТМь'ТЛ+бКьТМьПк- +ЗК)В 4 Розетка РП15-15ГВ-В 2 Вилка РПТО-ТТ I Вилка кабельная СР-50-ШФ 2 Розетка 3.647.040 I Вилка РПТО-7 I Модулятор НЧ 5.081.010 I Дешифратор выхода 5.109.000 I Делитель программируемый 5.408.009 I Детектор фазовый 5.404.016 I Генератор ВЧ 5.410. ОН I Фильтр 5.067.028 I Усилитель-модулятор 5.002.008 I Устройство соединительное 5,282.489. I Устройство управления 5.139.012 I Индикатор цифровой 5.174.003 I Аттенюатор 2.243.031-02 I Блок питания 2.087.034 I Плата объединительная 5.282.511 Розетка СНП14-72/Т20хТ0Р- -I9-B 2 ущ печатной 5.292.336 Конденсатор КД-1-1Г75-15 пФьТО %-3 I Разъем конструктивный I
У/
Ш19[
зб\Л
45
5250
47
3345
59
7?
45
44
30
58
57 41
,ш/
' 2? 75 10’ J!t 77 17 74 J5 75 17(И Й 45 4/ |
fm
мя
w
tsa
>we
и /53
1J52
^/48
^J5L
/7
J_
2.
3_
4_
Д.
£.
шз
lLTCj'Lj'ij'lj ш i£
47
4J
4/
3874 17 50
2315
15
21
49
4^32/8/2
ПП. 5.28?. 571
3/^5
20 W
ll_
23
’L
50
£.
7
!L
37
!L
з
13
I |?4
4
38
4/
43
47
IEEE!
Vt5i7'2
Till
9
J4
8088
ЯМ.
1^88
1Ш.
2088
Si
'Ъшгг
* on
$ mi
П -
r*l ,r*1
1
gfi
\шг
kM
75 45
10 47
F’
i-»5
30^1
371
29
53
35
9
кА M «Wil
»»№1ЕИВ'Ж1
m ^к.«Г7. шл
HW
- ня
ГЕ®
\Hii!i/i6
IL
/2
15
"L
5 08
Тав
7.5 V
3
3
У2
39
38
ДУ Ш20
$477
$Z77J
d
<.\Ш29
29 J2
25 J3 34,
36
51
77 J>4
40 J5.
46 J8______55
47 57 56
22 J8
Q
JQg
JL
42
4.
52
64
02
6/
W~
50
EZ
jb-
Ж%1
wr
10/8/5
18/5/1
8116/2
1816/1
Ш/8/3
V
Ш/7/i
И
IB
IM
in
IM
in
in
in
in
IM
ira
71 l22l23l24l25l26[27l28l29U0l3l \32 33 74 75 75 77 75 39 40 41 4? 43 44 45 45 47 45 45 50
У72
ma.us.m. oo3
^УН[НЫ1Ш8
хода; ХУТ1 - стробирование.
ДП - делитель программируемый; ДФ - дешифратор;
Ген.ВЧ - генератор ВЧ; Ф - фильтр; У-М - усилитель-
модулятор; УС - устройство соединительное; УзП -
узел печатный; Мод.НЧ - модулятор низкой частоты;
ДФвых. — дешифратор выхода; Пл — плата; Ат — аттешо—
атоо; БП - блок питания
ГЕНЕРАТОР ВЧ
Перечень элементов 5.410. ОН ПЭЗ
Обозначение на рис.З ** Наименование Коли- чество
Резисторы:
ОМЛТ-О,125-3,3 KOMtIO % I
ОМЛТ-О,125-33 кСМ+10 % I
ДР ОМЛТ-О,I25-II кСМ+1 % I
ОМЛТ-О,125-100 KOMtIO % I
К5 ОМЛТ-О, 125-22 кСМ+10 % I
Н6.Д7 ОМЯТ-О,125-27 kCMfIO % 2
Д8 СП4-1В-22 кСМ-А I
39 ОМЛТ-О, 125-43 kCMf5 % I
310 ОМЯТ-О,125-560 KOMtIO % I
Щ ОМЛТ-О,125-100 к0<10 % I
Щ2Х ОМЛТ-О, 125-24 кОм+5 % I
ЩЗ ОМЛТ-О,125-5,6 KOMtIO % I
BJ4 ОМЛТ-О,125-330 CMfIO % I
Щ5 СП4-1в-22 кСМ-А I
316 ОМЛТ-О,125-100 kOmfIO % I
317 ОМЛТ-О, 125-15 KCMfIO % I
318 ОМЛТ-О,125-68 kOmfIO % I
319 ОМЛТ-О,125-220 CMfIO % I
320 ОМЛТ-О,125-22 KOMtIO % I
321 ОМЛТ-О, 125-560 OmfIO % I
322 ОМЛТ-О,125-12 кСМ+10 % I
323,324 ОМЛТ-О,125-33 kOmfIO % 2
325 ' (ШТ-0,125-220 CM+IO % I
326 ОМЛТ-О,125-22 kOmfIO % I
327 ОМЛТ-О,125-33 QMtIO % I
328 ОМЛТ-О,125-220 CMfIO % I
329 СП4-1В-1 кОм-A I
330 ОМЛТ-О,125-68 kOmfIO % I
331 ОМЛТ-О,125-33 KOMtIO % I
332 ОМЛТ-О,125-150 KOMtIO % I.
333 ОМЛТ-О,125-33 KOMtIO % I
334 ОМЛТ-О,125-100 KOMtIO % I
335 ОМЛТ-О,125-220 CMfIO % I
336 ОМЛТ-О,125-3,3 kOmfIO % I
337 ОМЛТ-О,25-1,5 KOMtIO % I
338 ОМЛТ-О,125-33 OmfIO % I
339,340 ОМЛТ-О,125-220 CMfIO % 2
341 ОМЛТ-О,125-3,3 KOMtIO % I
342 ОМЛТ-О,25-1,5 KOMtIO % I
343 ОМЛТ-О,120-100 OmfIO % •I
344,345 ОМЛТ-О,125-680 OmfIO % 2
346 ОМЛТ-О,125-100 OmfIO % I
347 ОМЛТ-О,25-1,5 KOmfIO % I
348 (ШТ-0,125-33 OmfIO % I
349,350 ОМЛТ-О,125-680 CMfIO % 2
351,352 (ШТ-0,125-1,5 KOmfIO % 2
3j53 ОМЛТ-О,125-33 OmfIO % I
354,355 ОМЛТ-О,125-I KCMFIO % 2
Конденсаторы:
CI КМ-56-Н90-0.047 МкФ^о $ I
С2 К50-29-63 В-100 мкФ * I .
СЗ KM-56-H90-0.I мкФ^о % I
*15, 22 кОм - подбираются при регулировании.
Продолжение
Обозначение на рис.З Наименование Коли- чество
С4 K50-29-63 B-IOO мкФ I
С5 KM-56-H90-0.I мкФ^ % I
С6,С7 KM-5A-H90-T мкФ 2
С8 KM-56-H90-0,047 мкФ^д % I
С9 KM-6A-H90-I мкФ I
СЮ КМ-56-Н90-0.047 мкФ^д % I
СП KM-56-MI500-820 пФчнЮ % I
CI2 КД-1-М47-2.7 пЗч-0,4-1 I
CI3-C24 КМ-56-Н90-0.047 мкф+|° % 12
С25.С26 KM-56-H90-0.I мкф+|§ % 2
С27 КМ-56-Н90-0.047 мкФ*|§ % Катушки индуктивности ВЧ: I
Li 4.777.026 I
L2 М-Ш-40 4.777.062-09 I
L3 4.777.026-01 I
L4 М-Ш-40 4.777.062-09 I
l5 4.777.026-02 I
L6 М-Ш-40 4.777.062-09 т
L7 4.777.026-03 I
18 М-Ш-40 4.777.062-09 I
BI-B4 Геркон МКА-10501 Диоды полупроводниковые. 4
Д1-Д12 2BII7A 12
Д13-Д20 2BI04B Микросхемы 8
MCI.MC2 I43KII 2
MC3 Диодная матрица 2ДС523АМ,
дополнение I I
MC4 564АУ5 I
MC5 I49KIIB I
MC6,MC7 Диодная матрица 2ЦС523АМ,
дополнение I 2
PI-P4 Катушка реле 5.680.003 Транзисторы; 4
TI 2Т208Е I
T2 2П103В I
T3,T4 2П303В 2
T5-T8 2П307Г 4
T9 2Т363А I
TIO 2T37IA I
TH 2Т363А I
TI2.TI3 2T37IA 2
TI4 2Т363А I
Ш1.Ш2 Разъем конструктивный 2
ФИЛЬТР
Перечень элементов 5.067.028 ПЭЗ
Обозначение Наименование Коли-
на рис. 4* чество
Резисторы:
Ж СМЛТ-0,125-2,2 KOMtIO % I
СМЛТ-О,125-220 CMfIO % Н
ДЗ ОМЛТ-О,25-1,5 KOlfclO % I
* См. рис.4 на вкладке I
Обозначение на рис.4 Наименование Коли- чество Обозначение на рис.4 Наименование Коли- чество
3* ОМЛТ-О, 125-2,2 кСМИО % I С32 КМ-56-М47-33 пФ»5 % I
кз, кб аш-0,125-100 CW-I0 % 2 СЗЗ КД1-М47-15 пФ» 5 %-3 I
ОМЛТ-О,I25-I кОн-10 % 3 С34 КМ-56-М47-220 пФ+5 % I
310 ОМЛТ-О,125-10 кОм-10 % I С35 KM-56-M47-I00 П^5 % I
дп а.ШТ-0,125-75 Ow-5 % I 036 КМ-56-М47-33 пФ^5 % I
312 СМЛТ-0,25-1,2 кОм-10 % I С37 КД1-М47-15 пФь5 %-3 I
313 ашт-о, 125-680 Ow-IO % I С38 КД-6А-Н90-1 мкФ I
Щ4 ОМЛТ-О,126-5,6 kOwIO % I C39-C4I КМ-56-Н90-0,! мкФ^8д % 3
315 СМИТ-0,125-3,3 kOw-IO % I Катушки индуктивности ВЧ:
316 СМЛТ-О,125-33 кОм»-10 % I и 4.777.028-04 I
317х ада-0,125-20 Ом»-5 % I L2 4.777.028-03 I
318 ада-0,125-10 kOw-io % I L3 4.777.028-02 I
319 ОМЛТ-О,125-3,3 kCW-IO % I l4, l5 4.777.028-01 2
320,321 ада-0,125-220 Он-Ю % 2 l6 4.777.028 I
322 ада-0,125-33 kOwio % I L7 4.777.027-03 I
323 ада-0,125-3,3 kcw-io % I L8, L9 4. 777.027-02 2
324 ада-0,125-33 ow-io % I LIO 4.777.027-01 I
325 ада-0,125-220 Ow-IO % I Lil 4.777.027 I
326 ада-0,125-22 Он-то % I LI2 4.777.026-04 I
327 ада-0,25-т когда-1 о % I BI-B3 Геркон МКА-10501 3
R28 ОМЛТ-О, 125-1,2 кОн-Ю % I Д1 Диод полупроводниковый I
329 ада-0,125-120 owio % I 2Д510А
Конденсаторы: Микросхемы;
01 КМ-56-Н90-0,047 мкФ+|^ % I MCI 564ЛН2 I
02 K53-I4-6.3 В-100 мкФ»-20 % I MC2 I9QKI2 I
вариант I MC3 564ЛА7 I I
03 K7I-5-0.027 мкФ»-5 % I MC4 564ЛН2 I
04 K7I-5-0.0I2 мкФ»-5 % I MC5 I9QKI2 I
05 KM-56-MI500-56 00 пФ»-5 % I MC6 193ИЕЗ I
06 KM-56-MI500-2700 п>5 % I MC7 I9QKI2 I
07 K7I-5-0.027 мкФ»-5 % I MC8.MC9 133ИЕ2 2
08 K7I-5-0.0I2 мкФ»-5 % I MCIO I9QKI2 -I
09 KM-56-MI500-5600 пФ? 5 % I MCII 133КП5 I
010 KM-56-MI500-2700 пФ»-5 I MCI2 133ЛА8 I
СИ КМ-56-Н90-0,015 мкФ+?2 % I MCI3 I43KII I
MCI4.MCI5 I90KI2 2
012 KM-56-MI500-1000 пФь20 % I MCI6 I43KII I
013 КМ-56-Н90-0.047 мкФП^ % I PI-P3 Катушка реле 5.680.003 3
014 KM-56-MI500-2200 пФ^5 % I Транзисторы'
КМ-56-MI500-1200 n$h5 % I TI,T2 2Т368А 2
016 КМ-56-М47-560 n®t5 % I T3,T4 2Т312Б 2
017 КМ-56-М47-270 пФ+5 % I T5 2Т326Б I
018 KM-56-MI500-2200 пФ*5 % I T6 2П307Г I
CI9 KM-56-MI500-I200 пЗ±5 % I T7 2Т368А I
020 КМ-56-М47-560 пФ+5 % I T8 2Т363А I
C2I КМ-56-М47-270 пФ»; 5 % I У1-^3 Дешифратор фильтра 3.440.000 3
022,023 KM-6A-H90-I мкФ 2 1111,1112 Разъем конструктивный 2
024 K53-I4-30B-22 мкФ» 20 % I
025 KM-6A-H90-I мкФ I ДЕШИФРАТОР ФИЛЬТРА
026 K53-I4-3CB-22 мкФ» 20 % I Перечень элементов 3.440.000 ПЭЗ
С27,028 КМ-56-0,047, мкФ+^ % 2
029 K53-I4-3CB-22 мкФ»-20 % I Обозначение Наименование Коли-
030 КМ-56-М47-220 пФ»-5 % I на рис.5 чество
031 КМ-56-М4 7-100 пФ±5 % I Резисторы:
31 600 Смь5 % I
32 4 кОм+5 % I
*22 См - подбирается при регулировании. 33 3 кСм+5 % I
Рис.5. Схема электрическая принципиальная дешифра-
тора фильтра 3.440.000 ЭЗ
Продолжение
Обозначение на рис.5 Наименование Коли- чество
34 50 к0м+5 % I
35 3 кОмьб % I
36 4 к0м+5 % I
37 3 кОи+5 % I
3? 50 кСМ+5 % I
39 3 кОи+5 % I
310 4 кОм+5 % I
зп 3 кОм+5 % I
312 50 кСмьб % I
313 3 кСмьб % I
314 4 к0м£5 % I
Щ5 3 к0мь5 % I
316 50 кСМ+5 % I
Щ7 3 кОмьб % I
318 600 См+5 % I
CI-C4 Конденсатор
KI0-I7-3B-H90-0.0I мкФ-1 4
TI-T4 Транзистор 2ТТ02Г-1 4 •
Примечание. К1-Щ8 - исполнение напылением.
УСИЛИТЕЛЬ-МОДУЛЯТОР
Перечень элементов 5.002.008 ПЕВ
Обозначение на рис. 6* Наименование Коли- чество
Резисторы;
31 ОМЛТ-О,125-22 к0м+10 % I
32 ОМЛТ-О,125-3,9 кСМ+Ю % I
33 (ШТ-0,125-680 CMtIO % I
34 ОМЛТ-О,125-12 кСМ+Ю % I
35 (ШТ-0,125-10 кСМ+Ю % I
36 ТВ-2-250А I
37 ОМЛТ-О,125-10 CMtIO % I
33 ОМЛТ-О, 125-100 0м+Ю % I
39 (ШТ-0,125-300 Смь5 % I
X
СМ. рис. 6 на вкладке 2
5
Обозначение на рис. 6 Наименование Коли чест во
39а (ШТ-0,125-100.OMtIO % I
310 ОМЛТ-О,125-51 Смь5 % I
310а ОМЛТ-О,125-220 0м+Ю % I
зп ОМЛТ-О, 125-51 Смь5 % I
311а ОМЛТ-О,125-180 CMt5 % I
312 (ШТ-0,125-1 МСмьЮ % I
ЩЗ СП4-1в-10 кОм-А I
314 СП4-1В-680 Ом-А I
315* ОМЛТ-О, 125-180 ОжЮ % I
В15а, 3156 ОМЛТ-О, 125-8,2 к0м+10 % 2
316 (ШГ-0,125-3,3 к0м+Ю % I
317 ОМЛТ-О,125-560 OMtIO % I
318 (ШТ-0,125-470 OMtIO % I
319 (ШТ-0,125-560 CMtIO % I
320 ОМЛТ-О,125-27 CM+IO % I
321 СП4-1в-1,5 кСМ-А I
322 (ШТ-0,125-5,1 кОм+5 % I
322а, 3226 (ШТ-0,125-560 Ом+Ю % 2
323 ОМЛТ-О,125-390 OMtIO % I
В24 ОМЛТ-О,I25-I00 OMtIO % I
324а СМЛТ-О, 125-62 CMt5 % I
325 ОМЛТ-О,125-100 СМ+10 % I
В25а*** ОМЛТ-О,125-1,2 к0м+10 % I
Н26,Р27 СМЛТ-О,125-390 0м£10 % 2
В2?а** ОМЛТ-О,125-33 СМ+10 % I
3276 ОМЛТ-О,125-51 СМ+5 % I
328,329 ОМЛТ-О,125-390 0м+10 % 2
330 (ШТ-0,125-2 кСМ+5 % I
331 ОМЛТ-О,125-1,2 кСМ+10 % I
332 ОМЛТ-О,125-1,1 KCMt5 % I
333 ОМЛТ-О,125-5,6 КСМ+Ю % I
334 СП4-1в-4,7 кСМ-А I
335 (ШТ-0,125-5,6 кСМ+Ю % I
336 (ШТ-0,125-270 CMtIO % I
336а ОМЛТ-О,125-10 CtetlO % I
337 (ШТ-0,125-270 СМ+10 % I
Б38 ОМЛТ-О,25-10. СМ+10 % I
339 02-10-2-49,9 CM+I %-В I
340- ОМЛТ-О, 125-33 СМ+10 % I
341 ОМЛТ-О,125-62 СМ+5 % I
342 СМЛТ-О,125-270 0M+I0 % . I
343 ОМЛТ-О,125-33 CMtIO % I
344 ОМЛТ-О,125-62 СМ+5 % I
345 СМЛТ-О,125-270 Ом+ТО % I
346 (ШТ-0,125-33 CMtIO % I
347 СМЛТ-О, 125-62 0м+5 % I
348 (ШТ-0,125-270 Ом+10 % I
349 ОМЛТ-О, 125-33 CMtIO % I
350 ОМЛТ-О,125-62 СМ+5 % I
351 ОМЛТ-О, 125-270 0*4+10 % I
В52 ОМЛТ-О,125-33 CMtIO % I
*220, 270 Ош - подбираются при регулировании.
**15 , 62 СМ - подбираются при регулировании •
***0 ,1,2 кем - подбираются при регулировании.
Обозначение на рис.6 Наименование Коли- чество
Ц53 (ШТ-0, 125-62 СМ+5 % I
Рх54 ОМЛТ-О,125-270 Ом+Ю % I
$55 ОМЛТ-О,125-33 СМ+10 % I
Д56 0WIT-0,125-62 0м+5 % I
Д57 ОМЛТ-О,125-270 См+10 % I
J\58 ОМЛТ-О,125-33 СМ+10 % I
Ц59 СМЛТ-О,125-62 СМ+5 % I
Конденсаторы:
01 КМ-6А-Н90-2,2 мкФ I
02 КМ-6Б-Н9О-2.2 мкФ I
СЗ.СЗа KM-56-H90-0.0I5 мкФ^го % 2
С4 KM-6A-H90-I мкФ I
С4а KM-56-MI500-1000 пФ+10 % I
05 KM-6A-H90-I мкФ I
С5а КМ-56-М47-27 пФ+10 % I
06 КМ-бБ-НЭО-2,2 мкФ I
С7,С8 KM-6A-H90-I мкФ 2
09 КМ-6Б-Н90-2,2 мкФ I
С9а,С9б №-56-1190-0,015 мкФ^го # 2
CIO КМ-56-Ш500-1000 пФ+10 % I
С10а КД-1-ПЗЗ-1.5 пФ+0,4 пФ-3 I
CII-CI3 KM-6A-H90-I мкФ 3
014 KM-56-H90-0.I мкФ^зо % I
015 K50-29-I6B-I00 мкФ I
CI6-C2I KM-6A-H90-I мкФ 6
С22 КМ-6Б-Н90-2.2 мкФ I
023 K50-29-I6B-I00 мкФ I
С 23а КД-1-М47-15 ПФ+10 %-3 I
0236 КД-1-М47-12 ПФ+10 %-3 I
024,025 КМ-56-Н90-0,015 мкф^ % 2
026 КМ-56-Н90-0,! мкФ^ % I
026а KM-6A-H90-I мкФ I
0266 КД-1-М47-12 пФ+10 %-3 I
028 KM-56-H90-0.0I5 МкФ^20 % I
С29,С29а KM-6A-H90-I мкФ 2
030 КМ-56-Н90-0,015 мкФ^|о % I
C3I K53-I4-I6B-I0 мкФ+20 % I
032,033 КМ-56-Н90-0,015 МкФ^|2 % 2
035 K53-I4-I6B-I0 мкФ+20 % I
Д1-Д6 Диод полупроводниковый 6
КД514А
Катушки индуктивности ВЧ
Li, Ъ2 КО-Ш-0,3 4.777.093 Сп 2
L3 4.777.018 I
MCI Микросхема 544УД1А I
Транзисторы;
TI 2Т312Б I
T2 2Т368А I
ТЗ 2Т363А I
Т4 2Т368А I
Т5 2Т363А I
Тб 2Т368А I
Т7 2Т363А I
Т8 2Т368А I
T9 2Т363А I
по 2Т368А I
Обозначение на рис.6 Наименование Коли- чест- во
TII 2Т363А I
TI2 2Т368А I
TI3 2Т363А I
TI4 2Т368А I
TI5 2Т363А I
TI6 2Т368А I
TI7 2Т363А I
TI8 2Т368А I
TI9 2Т363А т
У1 Модулятор 3.430.000 I
У2-У4 Повторитель эмиттерный 3
3.426.000
Ш1 Разъем конструктивный I
ВНИМАНИЕ!
В данном приборе на плате усилителя-модулятора
5.002.008 могут быть произведены следующие измене-
ния: УЗ, У4 3.426.000 могут быть заменены на
3.426.000-02; У2 3.426.000 может быть заменен на
3.426.000-01, резистор HI ОМЛТ-О,125-22 к0м+10 %
может быть исключен; Д20 ОМЛТ-О,125-27 СМ+10 % мо-
жет быть заменен на ОМЛТ-О,125-10 0м+10 %.
В микросборке 3.426.000-01 в отличие от
3.426.000 вместо транзисторов TI, Т4 2T3I23A-2
устанЬвлены 2Т364А-2, резистор ^4 - 100 СМ закоро-
чен, 1^2 - 100 СМ заменен на 50 Ом.
В микросборке 3.426.000-02 в отличие от
3.426.000 транзисторы TI, Т4 2T3I23A-2 заменены
на 2Т363А и установлены непосредственно на плату
5.002.008.
МОДУЛЯТОР
Перечень элементов 3.430.000 ПЭЗ
Обозначение на рис.7 Наименование Коли- чест- во
Резисторы:
I кСм+5 % I
Д2 8 к0м+5 % I
ВЗ 6 кОм+5 % I
Д4 200 Cta+2 % I
$ 4,7 KChtfc.5 % I
ВЗ 200 Ои+2 % I
200 Ой+2 % I
В? 4 кОм+2 % I
BfO 1,5 к0м+2 % I
50 0«^2 % I
щз 200 % I
Щ4 360 Ои+2 % I
Щ6 4 кОм+2 % I
Е?7 4 кСМ+2 % I
Рис.7. Схема электрическая принципиальная модуля-
тора 3.430.000 33.
Выводы 3,4,6,8,9,11,12,16,19,21,23,28 соединить
с корпусом.
Продолжение
Обозначение на рис.7 Наименование Коли- чество
Щ8 4 к0м+2 % I
$Г9 4 кОм+2 % I
$21 200 СМ+2 % I
$22 360 CXfi+-2 % I
$24 50 См+2 % I
$25 4 кОм+2 % I
$26 1,5 кОм+2 % I
$27 200 Ckf^2 % I
$28 200 См+2 % I
$29 200 СМ+2 % I
$30,$31 50 0М£,2 % Конденсаторы; 2
CI KI0-I7-2B-M75-I00 пФ+10 %-I I
02 KI0-I7-2B-H90-0.0I мкФ-1 I
СЗ KI0-I7-2B-M75-I00 пФ+10 %-1 I
04,05 KI0-I7-2B-H90-0.0I мкФ-1 2
06 KI0-I7-2B-M75-I00 пФ+Ю %-1 I
07 К10-17-2в-Н90-0,01 мкФ-1 I
08 KI0-I7-2B-M75-I00 пФ+10 %-1 I
MCI-MC9 Транзисторная сборка 2TC398A-I 9
TI-T4 Транзистор 2Т396А-2 4
Примечание. $Т-$31 - исполнение напылением.
ПОВТОРИТЕЛЬ ЭМИТТЕРНЫЙ
Перечень элементов
3.426.000 ПЗЗ
Обозначение Наименование Коли-
на рис.8 чество
Резисторы:
$1 560 См+5 % I
$2 100 См+5 % I
$3 1,6 к0м+5 % I
¥ 100 См+5 % I '
$5 820 0м+5 % I
$5 820 См+5 % I
Д7 ТОО СМ+_5 % I
$3 1,6 кОм+5 % I
$9 820 См+5 % I
$10 820 СМ+5 % I
CI-C6 Конденсатор KI0-I7-2B-H90-0.0I мкФ— Транзисторы: I 6
TI 2T3I23 I
Т2.ТЗ 2Т396А 2
Т4 2T3I23 I
Примечание. BJ-$IO - исполнение напылением.
Рис.8. Схема электрическая принципиальная повто-
рителя эмиттерного 3.426.000 ЭЗ.
Выводы 1,3,5,7,10,12 соединить с корпусом.
ДЕЛИТЕЛЬ ПРОГРАММИРУЕМЫЙ
См. рис.9 на вкладке 2
Перечень элементов 5.408.009 ПЭЗ
Обозначение на рис. 9 Наименование Коли- чест- во
Резисторы:
ЦТ,!? СМЛТ-О, 125-5,6 кСМ+10 1° 2
ОМЛТ-О,125-220 СМ+10 % I
34 ОМЛТ-О,125-47 кСМ+10 % I
RJ5 ОМЛТ-О,125-22 кСМ+10 % I
36 СМЛТ-О, 125-5,6 кСМ+Ю % I
СМЛТ-О,I25-I кСМ+10 % I
др ОМЛТ-О,125-2 кСМ+5 % I
В? ОМЛТ-О,I25-I кСМ+10 % I
310,311 ОМЛТ-О,125-430 СМ+10 % 2
312 СМЛТ-О,I25-I кСМ+10 % I
Вгз ОМЛТ-О,125-22 кСМ+10 % I
314 ОМЛТ-О, 125-430 СМ+Ю % I
ВД5 ОМЛТ-О,I25-I кСМ+10 % I
316 СМЛТ-О,125-430 СМ+10 % I
317 ОМЛТ-О,I25-I00 СМ+10 % I
318,319 ОМЛТ-О,125-820 Ом+10 % 2
320 ОМЛТ-О,125-3,9 кСМ+10 % I
321-324 ОМЛТ-О,I25-I кСМ+Ю % 4
325 ОМЛТ-О,125-22 кОмьЮ % I
326 ОМЛТ-О, 125-6,2 кСМ+5 % I
В?7 СМЛТ-О, 125-3,9 кСМ+10 % I
328 ОМЛТ-О,125-1,0 KCMflO % I
В?9 ОМЛТ-О,125-220 СМ+10 % I
Обозначение на рис.9 Наименование Коли- чество
Конденсаторы:
CI, С2 КМ-56-Н90-0.1 мкф+|° % 2
СЗ K53-I4-6.3 В-100 мкФ+20 % I
С4 KM-56-H90-0.I мкф+^% I
С5 КМ-56-М47-270 пФ+10 % I
С6 КМ-56-Н90-0,I мкФ^зо % I
С7 KM-56-MI500-1500 пФ+20 % I
C8-CII Ш-56-1190-0,1 мкФ^ % 4
CI2 KM-56-M47-I50 пФ+10 % I
ИЗ KM-56-MI500-I000 пФ+10 % I
CI4 КМ-56-М47-100 пФ£10 % I
CI5 K53-I4-I0 В-47 мкФ+20 % I
CI6 КМ-56-Н90-0,! мкФ*2о % I
CI7 KM-56-MI500-56 00’ пФ+10 % I
Д1-Д5 Диод полупроводниковый
2Д510А 5
Др1 Дроссель высокочастотный
ДМ-0,4-30 мкГн+5 % В I
Микросхемы;
MCI 564ЛА7 I
МС2 664ИЕ9 I
МСЗ 193ИЕЗ I
МС4 564ЛА7 I
МС5 564ЛВ6 I
МС6 13ОЛАЗ I
МС7 564ТМЗ I
МС8 564ПУ4 I
МС9 564ЛА7 I
MCIO 564ЛА9 I
MCII 564ЛА8 I
MCI2 133ЛАЗ I
MCI3 133ИВ6 I
MCI4 564ТМЗ I
MCI5 564ПУ4 I
MCI6 133ИВ6 I
MCI7 13СЛАЗ I
MCI8 564ЛА7 I
МИЭ 564ЛА8 I
МС20 564ТМЗ I
MC2I 564ЛА7 I
МС22 564EI4 I
МС23 564ТМЗ I
МС24 564ИЕ14 I
МС25 564ТМЗ I
МС26 564ИЕ14 I
МС27 564ТМЗ I
Транзисторы;
TI 2Т208Е I
Т2 2Т312Б I
ТЗ 2Т368А I
Т4 2Т312Б I
Т5 2Т368А I
Тб 2Т208Е I
Т7 2Т363А I
Ш1 Разъем конструктивный I
ДЕТЕКТОР ФАЗОВЫЙ
Перечень элементов 5.404.016 ПЭЗ
Обозначение на рис. 10* Наименование Коли- чество
51 Резисторы: ОМЛТ-О,125-2 кОм+5 % I
52 ОМЛТ-О,125-150 КОЦ£1О % I
Ц.Д4 ОМЛТ-О,125-22 KOMtIO % 2
55 ОМЛТ-О,125-5,6 KOMtIO % I
Ф.37 СМЛТ-О,125-150 KOMtIO % 2
58 ОМЛТ-О, 125-8,2 KOMtIO % I
59 СМЛТ-О,125-100 CMt5 % I
59а СМЛТ-О,125-120 Омь5 % I
ЦО СМЛТ-О,I25-I KOMtIO % I
511 ОМЛТ-О,125-22 кОмьТО % I
Щ2 ОМЛТ-О,125-220 KOMtIO % I
ЦЗ ОМЛТ-О, 125-22 кОМ±Ю % I
Ц4 СМЛТ-О, 125-2 K0Mt5 % I
BJ5 ОМЛТ-О,125-8,2 KOMtIO % I
Щ6 СМЛТ-О,125-27 кСмдЮ % I
BJ7 ОМЛТ-О,125-220 KOMtIO % I
BJ8 ОМЛТ-О,125-22 KOMtIO % I
Щ9 ОМЛТ-О,125-27 KOMtIO % I
ЦО, ЦТ ОМЛТ-О,125-100 OMtIO % 2
Ц2 ОМЛТ-О,125-47 KOMtIO % I
523 ОМЛТ-О, 125-330 ОмьЮ % I
524 ОМЛТ-О,125-200 0мь5 % I
524а, 5246 ОМЛТ-О,125-51 к0мь15 % 2
Ц5.526 СМЛТ-О, 125-10 KOMtIO % 2
527 СМЛТ-О,125-3,9 KOMtIO % I
Ц8 СМЛТ-О,125-620 0Mt5 % I
529 ОМЛТ-О,125-27 кОмьЮ % I
ЦО СМЛТ-О,125-330 OMtIO % I
531 СМЛТ-О,125-5,1 KOMtIO % I
532 СМЛТ-О,125-6,8 кО^Ю % I
533 СМЛТ-О,125-5,1 KOMtIO % I
534 СМЛТ-О,125-6,8 KOMtIO % I
01 Конденсаторы; КМ-56-М47-270 пФ+5 % I
02 K53-I4-6,ЗВ-100 мкФ* 20 % I
03 вариант I КМ-56-Ш500-3900 П«±,10 % I
04 KM-56-M47-I00 пФ*5 % I
04а КМ-5б-Н90-0,01 мкФч-20 % I
05,06 КМ-56-Н90-0,! MK^|g % 2
07 К50-29-6.3В-22 мкФ I
08 K53-I4-I6B-22 мкФ*20 % I
08а вариант I КД-1-М1500-22 пФь5 $-3. I
09,010 КМ-56-Н90-0,1 мкФ^ % 2
СИ K50-29-63B-I00 МКФ- I
CI2-CI6 КМ-56-Н90-0,! мкФ^§ % 5
017 KM-56-MI500-5600 пФьЮ % I
018-020 КМ-56-Н90-0,I МКф+|2 % 3
021 ВМ-56-М47-330 Пф+5 % I
022,023 . КМ-56-ПЗЗ-270 пФ*5 % 2
С24 КМ-56-М47-680 пФ*5 % I
* СМ; рис. 10 на вкладке 3
Обозначение на рис. 10 Наименование Коли- чество
025,026 027 КМ-56-Н90-0,1 мкФ^п % KM-56-H90-0.0I5 мкФ^§ % 2 I
028 KM-56-H90-0.I мкФ^|о % I
029 КМ-56-Н90-0.068 мкФ^ % I
030 KM-56-MI500-5600 пФ* 20 % I
Др1 Дроссель высокочастотный ДМ-0,1-200 мкГньб %-Ъ I
II Катушка индуктивности ВЧ KM-III-28 4.777.261 I
Д1 Диод полупроводниковый 2BII7A Микросхемы: I
MCI 159НТ1Б I
МС2 I43KTI I
МСЗ 133ИЕ2 I
МС4 I98HT3 I
МС5 564ЛШ I
МС6 198Н18Б I
МС7 564ИЕД4 I
МС8 564ЛН2 I
МС9 564ЛЕ5 I
MCIO 564ИЕ14 I
MCII.MCI2 564ЛА7 2
MCI3 564ИЕ14 I
MCI4 564ТМ2 I
MCI5.MCI6 52ICA2 2
MCI7 564ИЕ14 I
MCI8 I43KII I
MCI9 564ПУ4 I
ПЭ1 Резонатор РГ-05-14ГС-5000 кГц-МВ-У Транзисторы: I ,
TI 2Т208Е I
Т2 2Т312Б I
ТЗ 2П103А I
Т4 2Т312Б I
Ш1 Разъем конструктивный 1
МОДУЛЯТОР НЧ
Перечень элементов 5.081.010 ПЭЗ
Обозначение на рис.II Наименование Коли- чество
Резисторы;
СМЛТ-О,125-162 KCMtZ % 2
ДЗ ОМЛТ-О,125-22 KOMtIO % I
Д4 СМЛТ-О,125-10 KOMtIO % I
35 СМЛТ-О, 125-3 KCMt5 % I
«5 ОМЛТ-О,125-1,2 KOMtIO % I
37 СМЛТ-О,125-22 KOMtIO % I
ц СМЛТ-О,125-4,7 KCMtlO % I
вэ СМЛТ-О,125-10 KCMtlO % I
о
ШН8А.18Б И
<------——=----------
Ш1-2Л.26 Ш AMflp I
,ш-за.зб шмичр г
1р 3
,Ш1-5А.5БШАМ.,8'1р 4
JlU-6A,6SllAMj'2p I
tll/l-7A.7S ЯАМ.2" 2р 2
}Ш1-8А.86ЯАМЛ' 2p J
^Ш/-ЗА.№ЖАМ.8'2р 4
R2b
^C6
U11-12AJ28 -72V
RIS
RIS
1Ш-79Л.19Б -5Г :=—Др1 r g
T* C5
Ш1-2ЬА,2ЬБ У ВНУТР. AM___________
Щ1-2ВА.266 AM
Ш1-25А.25Б -27V________________
ИИ- 28A, 28s IF В 86 “
г
Ш1-т.
внеш», am
6
Рис.II. Схема электрическая принципиальная моду-
лятора НЧ 5.081.010 33:
I - план расположения элементов; П - модулирую-
щее напряжение; Ш - код; 1У - включение; У - уро-
вень; У1 - контроль;
I. Выводы 9,10 микросхем МС9,МС10,МС12,вывод
14 микросхемы MCI3 подключить к цепи "а".
2. Вывод 7 микросхемы MCI3 подключить к корпусу.
3. Контакты I (А,Б),13(А,Б),14(Л,Б),20(А,Б)-
-22(А,Б),36 (А,Б) разъема Ш1 подключить к кор-
пусу.
Ш1-ЗЗА.ЗЗВ I -ВВБ
Обозначение на рис. II Наименование Коли- чество
1(10 ОМЛТ-О,125-22 KOMtIO % I
ОМЛТ-О,125-3,8 кСМ+10 % I
$12 ОМЛТ-0,125-820 0м+5 % I
1(13 ОМЛТ-О,125-8,2 кОм+5 % I
Щ4. Щ5 ОМЛТ-О,I25-I кСМ+10 % 2
$16 ОМЛТ-О,125-220 кСМ+10 % I
$17 ОМЛТ-О,125-6,8 кСм+10 % I
$18 СМЛТ-О,125-220 кСМ+10 % I
$19 СП4-1В-22 кСм-А I
$20 , СМЛТ-О,125-22 KOMtIO % I
$21 СМЛТ-О,125-220 кСМ+10 % I
$22 ОМЛТ-О,125-47 KOMtIO % I
$23 СМЛТ-О,125-4,7 кСМ+10 % I
$24 СМЛТ-О,125-6,8 кСМ+10 % I
$25 СП4-1в-10 кОм-Л I
$26 ОМЛТ-О,I25-I кСМ+10 % I
$27 СП4-1В-Ю кСМ-А I
1(28 ОМЛТ-О,125-15 KOMtIO % I
$29 СП4-1в-4,7 кСм-А I
ИЗО ОМЛТ-О,125-18 к0м+1СЙ I
$31 ОМЛТ-О,125-56 СМ+10 % I
$32 СМЛТ-О,125-2,7 KOMtIO % I
1(33 СМЛТ-О,125-6,2 кСМ+10 % I
$34,$35 ОМЛТ-0,125-1 МОмИО % 2
$36, $37 СМЛТ-О,125-330 кСМ+10 % 2
$38 ОМЛТ-О, 125-68 кСМ+Ю % I
$40 ОМЛТ-О,125-56 KOMtIO % I
Конденсаторы:
CI.C2 KM-56-MI500-4700 пФ+2 % 2
03,04 KM-56-MI500-5600 пЗ+2 % 2
05 К50-29-6,3-100 мкФ I
06,07 K50-29-I6B-I00 мкФ 2
08 КМ-6Б-Н90-2.2 мкФ*2о % I
09 K50-29-I6B-I00 мкФ I
МО КМ-56-М47-39 пЗ+10 % I
СП КМ-6Б-Н90-2.2 мкФ^2о % I
CI2 К50-29-6,ЗВ-100 мкФ I
CI3-CI5 KM-56-H90-0.I МкФ^2о % 3
Д1.Д2 Диод 2Д510А 2
Др1 Дроссель высокочастотный
ДМ-0,1-200 мкГн+5 % I
Микросхемы. ।
MCI-МСЗ I50HTIA . 3
МС4 Диодная матрица 2ДС523ВР, I
дополнение 2
МС5.МС6 572ПА1В 2
МС7.МС8 544УД1А 2
MC9.MCI0 I43KTI 2
МОП 597САЗ I
MCI 2 I43KTI I
MCI3 5640А7 I
TI Транзистор 2П30ВЕ I
Ш1 Разъем конструктивный I
Перечень элементов 5.174.003 ПЭВ
См. рис. 12 на вкладке 3
Обозначение на рис. 12 Наименование Коли- чество
Резисторы:
Щ-К6 ОМЛТ-О,125-220 кСМ+10 % 6
R7 СМЯТ-0,125-820 0^10 % I
$8-$15 СМЛТ-О,125-2,2 к0м+10 % 8
1(16 СМЛТ-О,125-220 кСМ+10 % I
$17 СМЛТ-О,125-820 OMtIO % I
$18-$24 СМЛТ-О,125-56 Ом+1О % 7
$25 ОМЛТ-0,125-820 Оц+1О % I
$26-$29 ОМЛТ-О,125-2,2 к0м+10 % 4
$30 ОМЛТ-0,125-820 Ом+Ю % I
$34 ОМЛТ-О,125-3,9 к0м+10 % I
1(35 СМЛТ-О, 125-820 OlfrlO % I
$37 ОМЛТ-О,125-620 OMtIO % I
$38-$41 ОМЛТ-О,125-2,2 KOMtIO % 4
$12 СМЛТ-О,125-6,8 кСМ+10 % I
$43 ОМЛТ-О,125-5,6 к0м+10 % I
1(44,1(45 СМЛТ-О,125-22 KOMtIO % 2
$46 ОМЛТ-О,125-820 OMtIO % I
$47-$54 СМЛТ-О,125-2,2 к0м+10 % 8
$55-$60 ОМЛТ-О,125-220 кСМ+10 % 6
$61 ОМЛТ-О,125-4,7 KOMtIO % I
$62 ОМЛТ-О,I25-I MCM+IO % I
Б^З ,$64 ОМЛТ-О,125-270 кСМ+10 % 2
$65 ОМЛТ-О,125-820 OMtIO % I
$36-$72 ОМЛТ-О, 125-56 СМ+Ю % 7
$73 ОМЛТ-О, 125-120 0<10 % I
$74, $75 ОМЛТ-О,125-1,2 KOMtIO % 2
$76, $77 ОМЛТ-О,125-130 кСМ+10 % 2
$78, $79 СМЛТ-О,125-5,6 к0м+10 % 2
$30,Е₽1 ОМЛТ-О,225-27 кОц+Ю % 2
$₽2-$35 СМЛТ-О,125-2,2 KOMtIO % 4
Р₽6,Вр7 ОМЛТ-О,125-22 KOMtIO % 2
КР8 СМЛТ-О,125-620 OMtIO % I
$₽9,$90 ОМЛТ-О,125-10 KOMtIO % 2
$91 ОМЛТ-О,125-2,7 KOMtIO % I
$32 СП4-1а-6,8 кОм-А-25 I
врз СМЛТ-О,125-10 кОм+10 % I
$$4 СП4-1а-6,8 кСМ-А-25 I
$95 ОМЛТ-О,125-2,2 KOMtIO % I
$97-$100 ОМЛТ-О, 125-220 кОм+Ю % 4
$Ю1-$Ю5 СМЛТ-О,I25-I50 кСМ+10 % 5
$106 ОМЛТ-О, 125-100 ОтЮ % I
BJ07,$I08 ОМЛТ-О,125-200 OMtIO % 2
$109 ОМЛТ-О,I25-I00 CMtIO % I
$110,$111 СМЛТ-О, 125-200 QwtlO % 2
$[12-$П4 ОМЛТ-О,125-56 СМ+10 % 3
Конденсаторы:
CI-C3 КМ-56-Н90-0,I мкф^2д % 3
С4 KM-56-M7500-I800 пФ+20 % I
С5 К50-29-6.3 В-470 мкФ ' I
С6.С7 K53-I4-I6 В-33 мкФ+20 % 2
Обозначение на рис. 12 Наименование Коли- чество
вариант I
С8,С9,СП,И2 КМ-56-Н90-0,! мкФ*20 4
ИЗ КМ-56-Н90-0,015 МкФ^зо % I
И4 KM-56-H90-0.I5 мкф+?о % I
И5 1(50-29-6,3 'В-470 мкФ I
Д5-ДП Диод 2Д104А. 7
Д12-Д21 Диод светоизлучающий 10
ЗЛ102Б
Дроссели высокочастотные
Др! ДМ-0,6—60 мкГн+5 % I
Др2 ,ДрЗ ДМ-0,1-200 мкГньб % 2
Микросхемы;
МИ 564ЛА7 I
МС2 564ИВ9 I
МСЗ ЗЛС321Б I
МС4 514ИД1 I
МС5 564ЛН2 I
МС6 564ЛА7 I
МС7 564ТМ2 I
МС8 564ЛА7 I
МС9 ЗЛС321Б I
мио.мсп 149КТ1Б 2
МИ2 564TBI I
MCI3 564ЛН2 I
MCI4 ЗЛС321Б I
МИ5 564ЛН2 I
МИ6 ЗЛС321Б I
MCI7 149КТ1Б I
MCI8 564ЛА7 I
МИЭ 564ЛН2 I
МС20 564ЛА7 I
MC2I ЗЛС321Б I
МС23 149КТ1Б I
МС24 ЗЛС321Б I
МС25 564ПУ4 I
МС26 ЗЛС321Б I
МС27 514ИД1 I
МС28-МС30 564ТМ2 3
MC3I.MC32 149КТ1Б 2
мсзз ЗЛС321Б I
МС34 564ЛЕ5 I
МС35 149КТ1Б I
МС36 597САЗ I
МСЗ? 564ТМ2 I
Транзисторы:
TI-T6 2Т208И 6
Т7 2Т201Г I
Т8.Т9 2Г208И 2
TI0 2Т312Б I
BI-B9 Переключатель кнопочный 3.603.013 Датчик 5.132.001 ДИОДЫ; 9
Д1 ЗЛ107А I
Обозначение на рис.12 Наименование Коли- чест- во
Д2 КФДМ I
дз ЗЛ107А I
Д4 КФДМ I
Внимание!
В данном приборе на плате 5.174.003 могут
отсутствовать МС22, Д31, Вр2, 1?33, Врб, ИО;
- на плате 5.002.008 могут отсутствовать 1^31;
- в узле 5.282.489 могут отсутствовать С6, C2I,
С36, L6, L2I.
УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ
См. рис. 13 на вкладке 4
Перечень элементов 5.139.012 ПЭЗ
Обозначение на рис.13 Наименование Коли- чество
Резисторы: СПЗ-16а-6,8 к0м+20 %-2-8 2
ф-Щ ОМЛТ-О,125-220 Омь 10 % 9
Щ2 ОМЛТ-0,125-12 кОмьТО % I
Щ3,1£4 ОМЛТ-О,125-56 кОмьЮ % 2
Ц5 ОМЛТ-О,125-12 кОмьЮ % I
Щ6 ОМЛТ-О, 125-10 кОмьЮ % I
Д17 ОМЛТ-О, 125-56 кОмьЮ % I
Щ8 ОМЛТ-О, 125-15 кОмьЮ % I
Б^Г9 СМЛТ-О,125-220 кОмь.10 % I
CI-C4 Конденсаторы’ КМ-56-Н90-0,1 мкф^2д $ 4
С5.С6 K53-I4-I6 В-33 мкФ+20 % 2
Сба вариант I KM-56-M750-I800 пФь20 % I
С7 K53-I4-30 В-22 мкФ±20 % I
С8 вариант I K53-I4-6.3 В-100 мкФ+20 % I
C9-CI3 вариант I КМ-56-Н90-0,! мкФ^ % 5
CI4.CI5 КМ-56-М750-1800 пФ+20 % 2
CI6.CI7 KM-56-MI500-3300 пФьТО % 2
дрт-дрз Дроссели высокочастотные: ДМ-0,1-200 мкГнь5 % 3
Др4 №-0,6-60 мкГн+5 % I
МИ Микросхемы; 564ИЕ10 I
МС2 564ЛА7 I
МСЗ.МС4 564ЛЕ5 2
МС5 564КП2 I
МС6 5641ЛЕГ4 I
МС7 134ИДЗ I
МС8 564КП2 I
МС9 564MEI4 I
MCIO.MCII 564ЛА7 2
MCI2 564КП2 I
МИЗ 564ИЕ14 I
Обозначение на рис.13 Наименование Коли- чество
MCI4 564ЛА7 I
MCI5 564КП2 I
MCI6 564ЛА7 I
MCI7 564ИЕТ4 I
MCI8 564ЛА7 I
МИЭ 564ЛЖ I
МС20 564ЛА7 I
MC2I 564ИЕ14 I
МО 22 564ЛС2 I
МС23 564ИЕ14 I
МС24 564ИП2 I
МС25 564ЛС2 I
МС26 564ЛЕ6 I
МС27 564ПУ4 I
TI Транзистор 2Т201Г I
Ш1-Ш4 Розетка РЛШ2-(12К;2М; 2Н)ГС-П (ЗК+1Ш-ПЙ-610- +IJfrIH<-3K) В 4
« ДЕШИФРАТОР ВЫХОДА
СМ. рис. 14 на вкладке 4
Перечень элементов 5.109 . 003 ПЭВ
Обозначение Наименование Коли-
на pic. 14 чест- во
Резисторы
КГ.52 ь? Е£0 Щ Щ2 Е£3 Щ4-Щ7 P?L8a ОМЛТ-О, 125-120 кСМ±10 % 2 ОМЛТ-О, 125-1,2 кСЦьТО % I СМЛТ-О,125-2,2 кОмьТО % 6 СМЛТ-О,125-82 KCMtlO % I СМЛТ-О,125-20 к0мн5 % I ОМЛТ-О, 125-47 KOMtIO % I. СМЛТ-О,125-33 KCMtlO % I ОМЛТ-О,125-2,2 KCMtlO % 4 СМЛТ-О, 125-120 KCMtlO % I ОМЛТ-О,125-51 K0Mt5 % I
Обозначение на рис.14 Наименование Коли- чество
319-Д22 0ПЗ-16а-6,8 кОм+20 %-8-В 4
CI-C3 Конденсаторы . KM-56-H90-0.I MK$t.2O % 3
04 K53-I4-6.3 В-2,2 мкФ+20 % I
05 вариант I K53-I4-I6 В-33 мкФь20 % I
06 вариант I K53-I4-30 В-22 МКФь20 % I
07 вариант I К53-14-6,3 B-IOO мкФ+20 % I
08 вариант I КМ-56-М47-470 ПФ+-5 % I
09-013 KM-56-H90-0.I мкФ^20 * 5
Д1.Д2 Диод 2Д104А 2
Др1-ДрЗ Дроссель высокочастотный да-0,1-200 мкГньб % 3
MCI Микросхемы; 564ДЕ5 I
МС2,МСЗ 564ЛА7 2
МС4 564ЛЕ5 I
МС5.МС6 564ИЕС4 2
МС7 564КП1 I
МС8 564ЛА7 I
М 09, МИО 564ЛЕ5 2
МОИ 564КИ I
MCI2.MCI3 564ИЕ14 2
MCI4 564ЛА7 I
MCI5 564ЛЕ6 I
MCI6 564ЛА7 I
MCI7 564ИД1 I
MCI8 564ЛЕ6 I
МИЭ 564ЛЕ5 I
МС20 564ЛН2 I
МС20а, MC2I 564ЛА7 2
МС22 564ЛН2 I
МС23 I49KTIB I
МС24.МС25 I43KTI 2
МС26.МС27 I49KTIB 2
Ш1 Вилка конструктивная I
АТТЕНЮАТОР
Перечень элементов 2.243.031 ПЭЗ
Обозначение Наименование Количество на исполнение 2.243. 031 ПЭЗ
на рис.15 - -01 -02 -03 -04 -05 -06 -07
BI-B20 Геркон МКА-10501 20 20 20 20 20 -20 20 20
Д1-Д10 Диод полупроводниковый 2Д103А 10 10 10 10 10 10 10 10
Ш1 Розетка 3.640.006 Розетка 3.640.009 Вилка кабельная СР-50-ШФ Вилка 3.640.289 I I I I I I I
Ш2 Розетки 3.640.006 3.640.009 3.647.040 I I I I I I I I
ШЗ Вилка РП15-15ШВ Вилка РЛМИ2 (12К;ЗЛ;2М;2Н) Шс-Оп (Ш1Й-Ш12К+12Л+ IMt-IH) Электромагниты I I I I I I I I
ЕМ1-Эи5 3.254.006 I I I I I I
3.254.006-01 I
3.254.006-02 3.254.006-04 Секция ослабления Э1 Резисторы I I I
щ 02-10-0,25-51,1 Ош 0,5 %-В 02-10-0,25-102 0м±0,5 J?-B 02-10-0,25-221 ОшО,5 %-В I I I I I
02-10-0,25-23,7 Ош 0,5 %-В C2-I0-0,25-102 0Mt0,5 %-В I I I I I I I
02-10-0,25-2,49 кСМ+0,5 %-В I I I I I
ьр 02-10-0,25-51,1 Ош 0,5 %-В 02-10-0,25-221 OMt.0,5 $-В 02-10-0,5-2,49 кСШ.0,5 %-В I I I I I I I I
$4 02-10-0,25-102 Ои+0,5 %-В I I I I I
$5 02-10-0,25-102 0ш0,5 %-В Секция ослабления яо Резисторы; I I I I I
Кг 02-10-0,25-96,5 Ош 0,5 %-В I I I I I
02-10-0,25-866 Ош 0,5 %-В I I I
32 02-10-0,25-5,76 OMt.0,5 %-В 02-10-0,25-71,5 0мь0,5 %-В I I I I I I I I
33 02-10-0,25-96,5 ОшО,5 %-В 02-10-0,25-866 СМ+0,5 %-В Текшая, ослабления эз Резисторы; I I I I I I I I
Ц 02-10-0,25-51,1 Ош0,5 %-В 02-10-0,25-102 0м+0,5 %-В 02-10-0,25-117 0ш0,5 %-В 02-10-0,25-178 СМ±.0,5 %-В 02-10-0,25-211 0ш0,5 %-В I I I I I I ' I I
32 02-10-0,25-30,5 0ш0,5 %-В 02-10-0,25-53 Ош 0,5 %-В 02-10-0,25-102 СШ0.5 %-В I I I I I I
02-10-0,25-2,49 кОи+0,5 %-В I
02-10-0,25-23,7 СМ±_0,5 %-В I
V
Рис.15. Схема электрическая принципиальная атте-
нюатора 2.243.031 33:
I - рис.1; П - рис.2, остальное см.рис.I; Ш -
рис.З; остальное см.рис.1; 1У - Э (см.табл.);
У - рис.4; У1 - рис.5, остальное см.рис.1;
УП - контакт; УШ - цепь
I. Все секции ослабления (Э) включены на ослаб-
ление сигнала.
2. Уровень "О" соответствует управляющему постоян-
ному току ОТ 45 mA ДО 60 mA.
3. Уровень "I" соответствует управляющему постоян-
ному току не более 3 mA .
4. Рабочая величина управляющего напряжения должна
быть (7,5+1,5) v , напряжение срабатывания для гер-
конов должно быть не более 6 V.
Обозначение (рис. 15) Ш1 Секция ослабления шз
31 32 33 34 35
Рису- IOK Рису- нок Ослаб- ление , ав Рису-' нок Ослаб- ление , ав Рису- нок Ослаб- ление , ав Рису- нок Ослаб- ление . ав Рису- нок Осла- бление , ав Рису- нок
2.243.031 33 I 1;4 4 1;4 I 1;4 8 1;4 2 1;4 40 I
-01 33 I i;4 4 1;4 I 1;4 8 1;4 2 3;5 40 I
-02 33 I 3;5 40 1;4 10 1;4 5 1;4 20 3;5 •40 I
-03 33 2 3;5 40 I ;4 10 1;4 5 1;4 20 3;5 40 I
-04 33 I 1;4 40 1;4 10 1;4 40 1;4 20 1;4 40 I
-05 33 I 3;5 40 1;4 10 3;5 40 1;4 20 3;5 40 6
-06 33 I 3;5 40 1;4 10 3;5 40 1;4 20 3;5 40 6
-07 33 I 3;5 40 1:4 I Ii4 4 1,4 2 3:5 40
Продолжение
Обозначение на рис.15 Наименование Количество на исполнение 2.243.031 ПЭЗ
- -01 -02 -03 -04 -05 -06 -07
3? 02-10-0,25-51,1 0м+0,5 %-В 02-10-0,25-117 0м+0,5 %-В 02-10-0,5-2,49 кСм+0,5 %-В 02-10-0,25-178 Ом+0,5 %-В 02-1-0-0,25-221 0м+0,5 %-В I I I I I I I I
34 02-10-0,25-102 0м+0,5 %-В I I
35 02-10-0,25-102 0м+0,5 %-В Секция ослабления. Э4 Резисторы: I I
31 02-10-0,25-61,2 См+0,5 %-В 02-10-0,25-437 СМ+0,5 %-В I I I I I I I I
34 02-10-0,25-102 СМ+0,5 %-В I I
35 02-10-0,25-102 СМ+0,5 %-В I I
В2 02-10-0,25-11,7 СМ+0,5 %-В I I I
02-10-0,25-249 0м+0,5 %-В I I I I I
3? '02-10-0,25-61,2 Ом+0,5 %-В 02-10-0,25-437 0м+0,5 %-В Секция ослабления Э5 I I I I I I I I
Резисторы:
3* 02-10-0,25-51,1 0м+0,5 %-В 02-10-0,25-102 0м+0,5 %-В I I I I I I I I
32 02-10-0,25-102 0м+0,5 %-В 02-10-0,25-2,49 к0м+0,5 %-В 02-10-0,5-2,49 к0м+0,5 %-В I I I I I I I I
33 02-10-0,25-51,1 0м+0,5 %-В 02-10-0,5-2,49 кСм+0,5 %-В I I I I I I I I
34 02-10-0,25-102 0м+0,5 %-В I I I I I I
ЗР 02-10-0,25-102 0м+0,5 %-В I I I I I I
БЛОК ПИТАНИЯ
Перечень элементов 2.087.034 ПЭВ
Обозначение на рис.16 Наименование Коли- чест- во
BI Тумблер ТЗ I
Д1-Д4 Диод 2Д202В 4
ПИ Счетчик ЭСВ-2,5-12,6 I
ЮИ Клемма K4-I.8 I
Пр1,Пр2 Вставка плавкая
ВП2Б-1В 2,0 А 250 В 2
TI-T4 Транзистор 2Т808А 4
Тр! Трансформатор 4.705.051 I
Продолжение
Обозначение на рис.16 наименование коли- чество
ШЗ “Розетка РП10-7 I
Ш4 Вилка 3.645.305 I
Ш5,Ш6 Розетка РП10-11 2
У1 Выпрямитель 5.I2I.007 I
У2 Усилитель стабилизатора 5.123.006 I
щ.З? Резисторы ОМЛТ-2-36 0м+5 Плата объединительная ^.282, PI2 % 2
Ш1,Ш2 Розетка СНП14-72/120ХЮР-
-I9-B 2
Пл od
5. 282.512
Ш2
yz
1
16
n
18
k_
5
7
20
21
8
22
13
10
23
2k
25
11
Ik
26
27
28
29
30
15
и 7
К 71 76-106
6 71 36-66
3 71 9AM
★12/;0.k1A 5A,6A
-12/;0k1A 16,26
К 72 746-166
6 7Z ISA-17A
3 72 ИА-/»А 176
+1Z/;0JkA 7A,8A
-12/; 0.3k A 116-136
-31/ 33A^kA
U11lA,3k-36 35A36A
К 73 796306
6 73 266746
3 73 20a f8A‘21A
★ 5 2/; 1.kA 22A-25A
-5.2/;1.kA 725^56
К Tk 355,366
6 7k. 336,346
3 7k гэАЗВА
★27/.001A 3JA.32A
-27V,ilO7A 315,326
-31/ 1A-5A
IU1/AW-27 75A-28A
§
В
k 3 6 70 19 7 2k 25 11 12 23 9 Ю 29 1k 25 22 28
10 11 12 13 1k 15 16 17 18 19 20 21 72 23 2k 25 26 27
2k 5 2 16 6 Ik 19 27 28 31 17 32 7«l ►] S 21 20 1 41 1
77
28 29
22
3/
33
„ 220/ 50Hz “
., 115/ kOOHz
„ 65/А "
11 12
T1
13
/4 75
drz
16 17 18
T3
\Лр1„2А
lOpZ^-
7 Ш
7 SOHz -ИЗУМИ!
7
J IE
| ШО
23
2k
25
26
27
28
29
зз1
23
Ik
25
26
27
28
29
30
33'
ИП1 ’ Ш5
7 П7
I- 1A ★12/>0.kA
- ZA -12/, O.k A
- ЗА ★12/;O.3kA
-4A -12/; Q3kA
-5A ★ 5.2/; Ik A
-6A -5.2/; 1.kA
= 1b ★ 27/, 0.07A
= 26 -27/>0.07A
-36 1E
-k6 ★7.5/;Q3A
Ш6
T EL
-7A ★17/;Q,k1A
“2A -12/,0.k1A
JA t12/,Q3kA
kA -12/,0.3kA
- 5A +5.2/;1.kA
-6A -5.2/l.kA
- 16 ^27/,O.O7A
~2b -27/;O.O7A
-ж. 2P
-k6 ★7.5/; OJA
^Кл1
33
ЗГ7Х
TO2\
22
21
19 20
,.-12/"
.,★12/
t,-12/"
.★5/"
.,-5/'
★27/
„21/"
Рис.16. Схема электрическая принципиальная блока
питания 2.087.034 ЭЗ:
I - контакт; П - адрес; Ш - цепь; ТУ - корпус
Пл.об. - плата объединительная; Выпр. - выпрями-
тель; Ус.стаб. - усилитель стабилизаторов; К -
коллектор; Б - база; Э - эмиттер
С1
.м.
Д5
25 25
2 5^2 5^ 7
С2---------
СЗ +
С5
Vt +
С6
Ш1
П JJL
КТ1
5А.6А - 18V
11А,12А - 18V
95. ЮБ Ш512А
ЗА, 5А КТ2
13А,М -75/
т,!8А -75/
7А, ЗА Ш5/^А
ЗШ2А -дз
ЗО6Ю2Б ктз
22А^ Ш5/ 6А
22Б^Б
ЗААтЗбА Ш2/35А, 36А
З^ЗВБ К Ttf
25А^27А ~27V, 0,07А
256-276 Ш2126АДЗА
I
in П
Рис.17. Схема электрическая принципиальная выпря-
мителя 5.I2I.007 33:
I - план расположения элементов; П - контакт;
Ш - цепь; К - коллектор
ВЫПРЯМИТЕЛЬ
Перечень элементов 5.121.007 ПЭЗ
Продолжение
Обозначение Наименование Коли-
на рис. 18 чество
Обозначение Наименование Коли- BJ24 ОМЛТ-О, 25-680 Оме5 % I
на рис.17 чест- Б£5 ОМЛТ-О,25-2,2 к Оме 5 % I
. .. . во Б(26 СП4-1в-3,3 кОм-А I
Конденсаторы: Т£7 ОМЛТ-О,25-1,1 кОмеб % I
CI-C3 К50-29-25 В-2200 мкФ 3 Д28 ОМЛТ-О, 25-6,8 кСМеб % I
С4 К50-29-63 В-1000 мкФ I Д29 СП4-1в-3,3 кОм-А I
С5 К50-29-25 В-2200 мкФ I БрО ОМЛТ-О, 25-680 Оме5 % I
С6 К50-29-63 В-1000 мкФ I B3I ОМЛТ-О, 125-320 ОмеЮ % I
Д1-Д8 Диод 2Д202В 8 ррг.трз ОМЛТ-О, 125-1,2 кОмеЮ % 2
НИ Вилка конструктивная I Вр4 ОМЛТ-О, 125-2,7 кОмеЮ % I
Я35-Д38 ОМЛТ-О,25-330 Оме 5 % 4
1^39-^42 ОМЛТ-О,125-300 Оме5 % 4
СТАБИЛИЗАТОР Конденсаторы;
Перечень элементов 5.126.006 ПЭЗ CI-C3 К50-29-25 В-47 мкФ 3
С4 К50-29-63 В-220 мкФ КМ-56-Н90-0,047 мкФ^о % I
Обозначение Наименование Коли- С5,С7,С9,СН 4
на рис. 18 чество С6,С8,С!0,С!2 КМ-56-Н90-0.047 МкФ^ % 4
Резисторы; (ШТ-0,25-27 кОмеТО % CI3 К53-! 4-6,3 В-47 мкФе20 % I
БТ-$4 4 CI4 K53-I4-I6B-4.7 мкФе20 % КМ-56-Н90-0,047 МкФ^о % I
В5 ОМЛТ-О,25-1 кСМеб % I CI5 I
$6 ОМЛТ-О,25-9,1 кОмеб % I CI6 K53-I4-I6-B-4,7 мкФ±20 % КМ-56-Н90-0,047 МКФ^О % I
К7 ОМЛТ-О, 25-1 кОмеб % I CI7.CI8 2
JJB ОМЛТ-О,25-9,1 кОмеб % I CI9 K53-I4-30 В-4,7 мкФе20 % Kfv!-56-H90-0,047 МкФ^о % I
Н9 ОМЛТ-О,25-120 Оме 5 % I С20-С24 5
ЩО ОМЛТ-О, 25-1,2 кОмеб % I С25-С28 K53-I4-30B-I0 мкФе.20 % 4
BJI ОМЛТ-О, 25-1 кСМеб % I Диоды:
Д12 ОМЛТ-О,25-9,1 кОмеб % I Д1-Д4 2Д102А 4
В13-ВД6 02-10-0,5-1 Оме! i-B 4 Д5-Д8 Д237А 4
Щ7 C5-I6B-I Вт-0,15 Оме! % I Транзисторы;
RJ8 02-10-0,5-2 Оме! %-Ъ I TI-T4 2Т203А 4
RI9 ОМЛТ-О,25-6,8 кОмеб % I Т5-Т8 2Т606А 4
Р20 СП4-!в-3,3 кОм-А I Микросхемы.
Д2! ОМЛТ-О,25-680 0ме5 % I MCI-МСЗ 142БН1Б 3
R22 ОМЛТ-О,25-6,8 кОмеб % I МС4 142БН2Б I
В23 СП4-!в-3,3 КОм-А I Ш! Вилка конструктивная I
Гб
п
те
Рис.18. Схема электрическая принципиальная стаби-
лизатора 5.123.006 ЭЗ:
Ш1
т Ц_
76-106 К Т1
36-6Б Б Т1
9А, 10А 3 T1
5А, БА + 122; 0.41 А
1Б.2Б -122, 0,41 А
148-168 К Т2
15А-17А Б Т2
11А-1ЧА 3 Т2
7А; 8А +122,0,34 А
11бт13Б -122; 0,34А
33A.34A - 31V
35А.36А Ш11А;342-36
296,308 К ТЗ
266-286 Б ТЗ
18А-21А э тз
22А-25А + 5.22; 1,4 А
226-256 -5.22, 1,4 А
355366 К Т4
336-346 Б Т4
29А.30А 3 Т4
31А,32А + 272,0.07А
318,326 - 272,0.О7А
1А-4А -312
26А-28А Ш1/А-6; 25-27
I - контакт; П - цепь; К - коллектор; Б - база;
Э - эмиттер
уз
1 B00WSUV
Уч
to Ш1 |L±hz- В-
У5
Ген.8Ч 5.910.011 1
9£_
V 5.067.028 га
Ш1
Ш2
шз
шч
98 п
~ШП шз г
7 /7 ш
//'/ -f 1 Ш/7/i
V 2 И
IV / .4’ J Ш/7/5
пн 4
Мой. НЧ 5.081.010
__________fSE!
и г
/V {.г 7 1 ШП/6
V f V
V1 \ШШП
и ю к
VII 1/ Ш10/10
-I2V 12 ПЛОЫ22
ШЮ I Ш9
7 ц
-27V 1 ПпМл
V 2 V
'5V 3 ИмбМ
У У 1
I2V 6л.Л/5\
VIII Q Ш 16117 \
и 7 К 1
ft
IX If I
у I g Г
X!
ле
!§l
I июли
iji
3
~~Г? /7
Й
17
he
99
ci
m
av Вых. 5.109.000
509
56
Й 13 11E
J/
61
8
5
Ы
98
hl
<,9825971
19
18_
37
№|
Sil
@1
Щ|
P1I
3819
/б_
50
!L
j
У7
1 Ш1
1->11-72
§
Ш5
~$Ш11
ТТШ12
X
ШВ
— 198.Н
23
9.10
—< 12
2.3
930
12
29
60
19
I
Ш15 Fl
l§!
Sa
2
!h
;U
Ш16
IBI
sa
Ss
§
131
IS!
1111
L
У У 5.139.012
'll/lJ Ш19 f
f I? |J 14 И If 17 If If |/f|// 1/21/31/9 |/f|/f 1/71/5 1/912012/122Ш12(1251Ш128Ж
/ Iz |j к If If I? If к m// |/z|/j|/4 bl»|/7|/f |/ф|г/|zz|zjz* 25 252728291
о
d
Ш7<Л
<1
(I
1\Ш/0
JMH2 "..0.57"
8НЕШН
B'Hl
ВНУТР AM
'-ВНЕШН AM
0-001%
-РАССТР
ИНД.Д5.179.003
РЕШИМ 'инд
ОСТАНОВКА ВЫХОД,
УВЕЛИЧЕНИЕ
'УМЕНЬШЕНИЕ
Рис.1. Схема электрическая принципиальная генерато-
ра сигналов высокочастотного 3.260.018 33:
I - цепь; П - контакт; Ш - адрес; 13 - код; У - кор-
пус; У1 - загрузка; УП - контроль; УШ - контроль син-
хронизации; IX - модулирующее напрыжение; X - уровень;
XI - включение кварца; ХП - перестройка; ХШ - выход;
Х1У - включение; ХУ - индикация; ХУ1 - отключение вы-
хода; ХУЛ - ст;
ДП - делитель i
Ген.ВЧ - генерг
модулятор; УС -
узел печатный;
ДФвых. - дешиф;
атоо; БП - блок
УСТРОЙСТВО СОЕДИНИТЕЛЬНОЕ
Перечень элементов
5.282.489 ПЭЗ
Обозначение на рис.2 Наименование Коли- чество
СТ-С5,С7-СП Конденсаторы: КТП-2Аа-Н70-6800 пФ^д % 10
CI2 КТП-2Аа-М750-Т00 пФ/Ю % I
CI3-CI5 КТП-2Аа-Н70-6800 пФ^д % 3
CI6-C20, С22-С26 КД0-2-Н70-2200 пФ^д % 10
С27 КД0-2-МТ500-Т00 ПФ+-20 % I
С28-С30 КД0-2-Н70-2200 пФ^д % 3
C3I-C35, C37-C4I КТП-2Аа-Н70-6800 пФ^д % 10
С42 КТП-2Аа-М750-Т00 пФч-10 % I
С43-С45 КТП-2Аа-Н70-6800 пФ^д % 3
Li —L5 Катушки индуктивности; 5.777.014 5
l7, l8 5.777.014-02 2
L9 5.777.014-03 I
LIO 5.777.014-02 I
Lil 5.777.014-04 I
Продолжение
Обозначение на рио.2 Наименование Коли- чество
Ы2 5.777.014-01 I
LI3-LI5 5.777.014-04 5
LI6-L20 5.777.014 3
l22,l23 5.777.014-02 2
L24 5.777.014-03 I
L25 5.777.014-02 I
L26 5.777.014-04 I
L27 5.777.014-01 I
L 28-L 30 5.777.014 3
1Ш ,Ш1а Розетка РЛМИ2 (I2K;2M:2H) Шс -0П (3K+ If.fr IH+6K+ life ЗК) В Плата объединительная 5.282.224 2
CI,C2 Конденсатор К50-29-6.3В- -2200 мкФ 2
Ш1-Ш5 Розетка СНП14-72/120х10Р- -I9-B 5
IH6 Розетка СНП37-24/57,5х10Р- -I9-B I
Ш1
Т и ^77^9 'c/5^
1 777 .8"
2 Ж -1 \cj2F~
3 W ,.9'
4 ТЕ
5 Ш „2"
6 Ж -4 । 09 1 019 1 '09777 '019777 '039
7 Ш .1"
_J 'T' 05 Ф L2O 'T' iC5^c; ,927^; 1035
8 /Е
9 7
10 Ж H । T i
12 -12V , , L! i ZZZ t 1 iC7^ ICZbc; i CJ7
Ш1а 'P ? ?L
i 08 1 023 i
1 21V Jf5 I 038
2 Ж —| Z|' ZS 029 V Wr=. \039
3 + 5V
9 77 —| 'P LIO 'P 025 'P 'C1O~.1090
5 ★ 12V
\ 011 o2B . _ \C11^ ,026^=9 Jf4/ Г
Б У! I 'T' z/7 . 027 1
7 ж
.012x77 021x77 '092
8 TIL
s1 ST*-. лг\
9 Г 154 J Г
10 VIII
I L19 L29 i Ц19т77 '.123^7 i 099
11 S
zT\ ZT\ I L15 i L30 1 ,015x77 '030^^ 1095
12 7
I L I
Ш1 А.Б Ш2А.Б ШЗ А.Б Ш9 А.Б Ш5 А,Б Ш6 А,Б
1/ ^/ Т/ i/
1 T -a? 12UAHJ 7*2 4з 1 7 1 2 2772/1 2
*2 Д j 'ЗЦАП.2 3 J 3 J
4 и \9ЦАП„9 9 9 9
t9 4 5 \5ЦАЛ.З-\‘С 5 6 5 6 5
*5 T 'J Д6 ^ВАПЧ 1 6
1 7 /// ! 6
-Si cd >7 7 7
l a in j Я R
\ЭЖв9\ 9 10 9 XII0.5V[ q
*10XLB3' MZ7 10 10
{h7lB2\ T 4 11 .11 11 11 ж
\12 XL B1> 11 117 12 ’MUX. .17
j/3 13 .13 13 ж
7 t 1 1/5 fr 15 J5 15 IB Ж
1/5 IB \16 ’
8 1 1/7 17 L174MH 17 ,18
9 i/5 IkHi ’/9 i/9 J 18 19 T18 MHz' 179
10 T 1 \2l t kz A 21
\l1 T _|22 22 122 22
№ 1?3 23 23 ?8 1
12 1
125 25 '15 25 ж
i 1 1 \26
\27 127 27 27 \27 ж
1 125 1MHz, T
1 '29 \29 12У 29
\3O 30 130 30 It
15 1 Jj/ J/ Ijz 31
.32 432 32 |32 32 I
133 133 33 133 33 1
/97®! l34 39 1
i 135 r35 J 35 35
L 135 135 —4 tJ5 135 36
Рис.2. Схема электрическая принципиальная устрой-
ства соединительного 5.282.489 33:
I - контакт; П - цепь; Ш - код; ТУ - корпус; У -
загрузка; УТ - контроль синхронизации; УЛ - моду-
лирующее напряжение; УШ - уровень; IX - включение
кварца; X - перестройка; XI - включение; ХП - выход
R52
1 /4
15
!дд]_ 1д«1лиТ 1Д1$1ДГ7±Д19
2 9i
L8
3 11
С2Д
4 7
MC4-4
СП
MCW
1
MCW
6
~V C25
+12V U/l-21
RW
/?49
CI5
TI3
]r36
Tilt
Rit3
RM
5it ЦЯ37
Я47
±C16
=L C25
R50
-12V Ш2-15
c^7 II/ IDHOOMHz
th Lr46
TI2
Я44 C/9
8
2
MC6S
2i 2 i
¥
3
2
2
___L
___!l
MC7
2S2S
4
3
Рис.З. Схема электрическая принципиальная
генератора ВЧ 5.410.ОН ЭЗ:
I - план расположения элементов; П - включение
Ш - выход
Контакты 1,13,16,18,20,22.23,25,27,29-33,36
разъема ГД соединить с корпусом.
8J2 t= I—I 12,
-z p '-JUJ nj*
T9& Ц ПЯ25 c=
оЛ u U
0 LI § 823 U
75 Я2/ =
, 822 ci? 75
6 ® Ъ
с=зС13=ТТг = Q
п/ п
о D
Я42
О
^3-2№=58W
C4
7г
Xogga.
>847 £ Д15
R50tsa
js
Pit, Bl,
82 аг
л аС'
827 Оя/
(Я/5)
Г4 ТЗ \~У
°о2вапп
сз
®MC7
Jt_
сэ ^57 сэ ^52
П А
Изд.№1670М
7U1H2/IB1 I
S11)1-11SB2 2
; ин-т йвз ~з
^Ш1-9 К ВЬ ~
шк 1
Ш1-12 П 81 /ГПz 1
Ш1-11 и B2 3
Al
Д2
} 92
Ш1-1 // ВЗ 5ГП 6 3
MC1-J ’
HJ1-9 Ц ВЧ 5ГПб
‘t
3
8 91
10
2____4
1____S.
4____6_
I-5V.C
//
12
13
10
11
12
13
1_
2_
I
4
( Ш1-19 +5V
( Ш1-ЗЧ35 ULlOAOMHz
Ш1-7 1? Л"
ШГ1 [7 „Г
'121
1
MC2 1L
9
21
3
6
3
8
га
Ш!-15 - 127
R3
IZ/?4 6
R5 C1l4RG
7~1з УГПб
гиз-Я . to
~пю //гп/о./зт
МСУ-Я 1МО51 Т Mi
3_МС5
б .
R8
R29
АЗ
Аг
12
А1
А А
02^
МОЮ
МС7
3
ШК2 ШКЗ
~°-277
ri |!ij ЕЁ
С7>2_14
Ий
МП
811
ujki Alt
С22 R11
5
за.
а.
г- мда
//
17 могч—
21
мы
С2Ч
С23
r|Oo
2
1
2___з
2 4
3____L
4 6
/
а
э
6
А
8
S
г
Ш
г
3
7
5
S
!
В
Рис.4. Схема электрическая принципиальная фильтра
5.067.028 ЭЗ:
I - план расположения элементов; П - включение;
Ш - вход; 1У - код; У - выход
I. Вывод 7 микросхем MCI, МСЗ, МС4, MCI2, выводы I
2,7,8,11-13 - микросхемы MCII, вывод 10 микросхем
МС8.МС9 подсоединить к корпусу.
2. Вывод 14 микр
вывод 5 микросхе
вывод 16 микросх
MCI3, MCI6 подсо
3. Контакты 1,3-
Ш1 подсоединить
/
МОЮ
ШК2 ШКЗ
27V
8t____
МС13
U1K1 Д'. I
СИ
C2R
□Я
ТТЛ sOcS
^(а®[1]@Ж ©
дз
1____3
2___4
3____5
4____Б
10
11
12
LL
ЭД f"C6
ОМС
3
— «7
РИ___
''“’'«мП I'" '
| Р282\ |PJ83
1_1 С2
CZ8 ezo —РЗ ezo
ЗБ
mcir
2 -Д- 7
4=й/ '1Л 4=^5
8 , 8
~~^С32 ^2. 1CJS
3 МС15
"Iff
±СЗЗ
±025
026
-27 V
Ли
_ 7
о ШК5
да
+ 12V Ш1-21
'R25
R23
R21
1212 Ш1-15
ff/7*
Т5 R20
038
’10ст kif т
б ZE?zL+ С2Э
R28
-271/ Ш1-17.
Пи
ГЙ^
7 I
"Ч* 14
б]мето—-
-1’4
Р1
о,О1-тмигш1-1&}
РЗ
~Р2
★5V Ш!-19
ГсТЛдп^а а.®,
ЯП 031
б
6
А
п
2
3
9
9
8
Ю
С
а —---------------------
2. Вывод 14 микросхем MCI, МСЗ, МС4, МОП, MCI2,
вывод 5 микросхем МС2, МС5, MC7-MCI0.MCI4, MCI5,
вывод 16 микросхемы МС6, выводы 9,10 микросхем
MCI3, MCI6 подсоединить к шине +5v.
3. Контакты 1,3-9, II, 12, 14, 16-18, 20,22, 24
НЕЕ подсоединить к корпусу.
Ш1-21 *12V
Ш1-26 л
a
921 №
lC231.C261.C26a
шкь
912
\922
£6
язв
Т1
99
Sf-
£
[ГД
CW
hj'Icib
lxj/7
Л
AfJ/
ШК8
ШК1
,Ш1-1в Вх.О.ОНООПНА I 96^
IUK2
Wri
"г® L1 .4
C2L
Ш
R25a
'R39
L3
IV 2V Ш1-23^
Щ!-2Ь Щ
R3
15
R14
Ш1-15
WJ
'№Г\Я2В
С1
41-
I о
9 ( 6
>74 A
,C3 R7 I
13
fi
i
C5
R10 Rlta^C!
Riga.
Riua^ h cgR?g
^R2
11
top
J_co
08
^Cl9
—
\\R27
С21/^ ^ '
----
П ОМ
ШК9
Rtf
Rtf
Rtf
R51
R5i
R57
±C29
C29a
±C33
118
\R59
Tf9
1С1Ш15
Рис.6. Схема электрическая принципиальная усилите
ля-модулятора 5.002.008 ЭЗ:
I - план расположения элементов; П - уровень;
Ш - модуль напряжения; ТУ - выход
I. Выводы 3,4,6,8,9,11,12,16,19,21,23,28 микро-
сборки УТ и выводы 1,3,5,7,10,12 микросборок
0.5 V Ш1-9.10
-------------->
У2,УЗ,У4 соединить с корпусом.
2. Контакты 1,4-8, II-I3, 16,17,22,23,25,27,
29-36 разъема ШТ соединить с корпусом.
ИЗД.М1670М
a
R2Z
ШК1
о
С5
з
R6
ма-i,
$
8
ciz
011-3^.35 д
Ш 10-100MHz
02
R8
RI
/?4
8
b ма-f
T1
Г4
011-6
~iv
011-5 /7 /„/"
UH-9 /7 J„ 2"
011-3 Л f„ 4"
011-2 H J.. 8'
T2
£
R5 п
a
/01-19 +J/
011-15 - /2/
/5>£
~R
£
R13
CZZl—»~a
4
Hl
5
у
AC
7^12ГТ11^^Т1зг
мп
АО2]
R25
71 Y7d S
45
1 3,
Z 10
1
1
HZ I
IJLMCHf
RZ5
1
L май
13
J
ъ
5
П
£
и 1 а
МС81
С1Н
шкз
1
MC8S
Ж
мт
R21
mo
ТГЧМС2/-
MCI5
3
2
3
1
1
2
4
8
R
ио 1
±A’ „
-ГД2ДЗ Л.
K7
M
3JL
О
3 ’ 2|
Г МС8-2
RIB
3
* <5^|
R
MC2
API
I
6
3-1
fJr-J
T2 #
5
MCWf
И t
ИЙ
5
И
1
2
TT
1
2
8
2| “ZZ2
Ш 1
|мсн
4
5
5
TT
1
1
7
ULL
£
4
5
1 1
МС8-4
6
П
Я
8
3
I
мп-з^-
2 {
МС8-5
10
мт
1
MCI5-I
~T~
MC15-2
~T
MC153
12
0
5
$
- MC1-2<
6 1!
R15
_____t__t
_____2_
_____I
‘f
£
к.г. , ft 5
MCTjo-—
4
2
3
1
мт’
10
3
4
5
Д
27
ЗЯ
5
V
4
8
2 I2t
3 13
II
1 12
ГМ
5
1
3 3
(f
011-21 +1ZH___________;;______________________________
* Рис.9. Схема электрическая принципиальная делите- *о
ля программируемого 5.408.009 ЭЗ:
I - план расположения элементов; П - код; Ш -
вход; 1У - загрузка; У - включение
I. Выводы I микросхем MC8.MCI5, вывод 14 микро-
схем MCI,MC4-MC6,MC9-MCI2,MCI7,MCI9, вывод 16
микросхем МС2, МСЗ, МС7, MCI3, MCI4, MCI6,
МС20, МС23, МС25, МС27 подключить к цепи "а":
2. Вывод 7 микросхем МС1,МС4,МС5,МС6,МС9-МС19,МС21,вы-
:вод 8 микросхем MC2,MC3,MC7,MC8,MCI3-MCI6,MC20,
МС22-МС27 подключить к корпусу.
3. Контакты 1,13,16,23,25,27,30,32,33,36 разъе-
ма шт подключить к корпусу.
£ (
MC3-1
IL
JO
£
мснГ
5|—
10
17
13
МГ/1-2
4
3
5
±
£
1
i МС1Я?
5 ’ ^"|
MCIg-1
016
McZz
TT
2
4
S
ш
fl 2
1Ы
4
5
MC2D
1
TT
1
4
8
,1
MC23
IF
9гТ-|тГД
g
If?
£
H№2\
/3
2
-L
3
f 1И
мда!
M№2
fl
9
6
мда
-|mc3z|
SpFlw
3|мсз-з|~
Вкладка 2
1kHz 1111-12
------------------------->
К 1111'9
g UJI-10
1 Ш1-11
V Ш1-12
jo %
mi
Ш1-28 fMHz
<-----—-----
Ш1-18 fMz
<------------
#7-/7 -27 У
ШН9 *5У
ШК1
ШК4
a a a
Б
5
Др I
Рис.10. Схема электрическая принципиальная де
тектора фазового 5.404.016 ЭЗ:
I - план расположения элементов; П - перестройка;
Ш - включение кварца; 1У - контроль синхронизации
I. Вывод 5 микросхемы МСЗ, выводы 9,10 микросхемы
МС2, вывод 14 микросхем MC8,MC9,MCII,MCI2,MCI4,
вывод 16 микросхем МС5,МС7,МС10,МС13,МС17, вывод
I микросхемы MCI9 подключить к цепи "а".
2. Вывод 10 микросхемы МСЗ, вывод 7 микросхем
MC2,MC8,MC9,MCII,MCI2,MCI4,MCI8, вывод 8 микро-
схемы MCI9 подключить к корпусу.
3. Контакты 1,13,16,23,25,27,30,32,33,36 разъема
Ш1 подключить к корпусу.
\C20
Q
шкв
о
C8
a
гГЯ
~мс/-з
10
R2
jlC4
MCI-»’-]
&
MCI-
81
ft
at
c|
13
fl
R
MC2
0
I
1
J
4
5
6
7
о
3.
7
ТГ
JL
1
i
7
3 1
ГТ^
MC13-1
2
9
8
43
55
MC1J-2
4
6
MCI5-3
2
3
мда
1
Mffi-5,
JO
/2
55r
Г-Ю6
tl-i-
MCI5I
2
WC/5-2
73
1
O-4|!
R34
8
x“
4
6
2
3
J I?
|O. 1 id 2 A£1 3 *a 4 id
tel tel tel tel
lafjft MCJ 3[3T]ft MC9 3[3rift MM 3l9Tlft MC1B зГэЩ MC21
C3
07 АНИШ
ABCtlEF G
BCDEFGff В CUEFGH \aBCHE F&i
I 13 IB 8 7 2 tl S
234587
7 2 11
56 7
I 1310 6
12 34
ijpfl 8
234
И 817 2 11
1 2 3 4 5 6 7
1|И|1Й817|2|„|6
1 2 3 4 5 6 7
7 2 118
567
а.
|Щ| МС24
c
7
3
мет
л
11
мет,,
—
/4
М№3
8
мет
/?74
R15
889
R86
1
itatBtza
а
R80
А 6 СЛ Е F~6
А в С Л Е F b
нет
ДЕ.
а
|Я7о
МС36
12.
1*
R87 'С
МС31
а
। luirap 7 2| ।
I 2 3 4 5 S 7
ilfjiraje|7|2in
I 2 3 4 J fi 7
в
831,
1—1±
M7
»Д^8
Й^П
15^7
СИ LH
Tlh’/5
'1зг.ап
R78
kR80r
41
МС21
A
8
C
8
E;
F
5
1ГШ. 2
и
Оз
L
Я54
ШТ
2_
1
83
Ц-fl
Я55П ПЯ58
5 МС28-1^с
La—]ГНя|мсга-7
В
MCJ4/
-----*3
МС256 —
8837
R8U.
6
zz 2 r*.
^8б"
856
4{d]
icR
д!;|мет
]r59
МС34-2
t и
с
Де J
tsRMC23-2is
|12|
MC35
ТПГ
a. 2
*55
® £
Я57П Пш
5 МСЗИ s ЮЗИ
13
С12 Д11
нм*
47 33
raw
ЯМ Qff63
&<
I
J11
МСЙН1Н- MCI5-5
С/4
J0
R92
893
R91
8
R90
TIO
а.
MCJ71
86
“I 2
J I/77
R88
Я37
R100
R101
R9k
R95
R98
R99
।--------устпноекя чистоты —
0-0,07% '
РАГГТА
НГ. ДМ ВЫХОД. AM
82 83
РЕЖИМ ИНД.
,___УСТАНОВКА
увеличение
86 88
УМЕНЬШЕНИЕ
В7
В9
о
о
о
о
о.
о1
ВЫХОДЯ.ям
6de -i^ode
ОТКЛ. ЛЛЯВН0
85
-о8
о 12
О ю
о27
° 23
о 25
о 26
О 38
о 36
в 46
Рис. 12. Схема электрическая принципиальн
э43 индикатора цифрового 5.174.003 33:
I - план расположения элементов; II - кор
I. Вывод 14 микросхем МС1,’.1С6-'.!С8,‘ЛС13,МС:
.’.1С18-МС20,МС28 - 71С30, ИС34, МС37 подключит]
цепи "а".
• О
>5Q 2. Вывод 7 тех же микросхем подключить к i
пусу.
?4
Ш4-1+122
Др1
о-*------------
с 45_________R1
° Ш4-11 -12И ~-
о-------------
UZ-------------
ClJC5£
а
1
а
2
а
3
а
4
Др 2
16
24
о—
<Я-
~&6а
5 15 \
а л1
СЗ
№
МП
' 3_
гМт!
СЮ
СИ
а
]
2
С
Р
V
СТ2
MCI
£
1.
23
H_L
12_±
21 2
23 11
24 10
25 3
з
4
5
6
2
4
МС5
1JL1L
14 1
10 5
2Z 2
23 II
24 10
ZL_£.
2
3
4
5
6
2
4
МП
МС8
J.
з
14
L-15
11 12
15 1
!2_1
24 1Q
25 3
о—
<д
Л
22
о---
10
МС2-4
Ш4 - 2 - 2712
...--------------
1Q
о
13
о-------------------
1
F1
3
10
____8_
____13.
12
Лез
МС2-1
11
МС6
Н
гм
Ы
О
ta
га
г
4
о
Ре
с
Ре
о,
Ог
1з
с? 9-
ма-з
СТЮ
R2
инн
iff!_I»,
2 мог-
2
3
4
5
2
4
MCI2
4
14Д-
С12
21Л
24 10
25~3
О 15
3212
JZ1
IBs
т 2 3 4 5 6 1 2 4 МП МС15
13 7i
17Г~3
ЕП
ffi_£
мт
iM
ILL
1Ы.
2 4
1__
S3&.
CT1Q
о.
15,
2
4
а
с
Ре
и<
Ol
о,
л»
О
с
Ре
0,
Ъ
Оз
Л
Iff 3
U_!i
О
Z 12
1 4
Т~1Т
1 4
2 12
3 13
£_1
_5
15
МС9
MCI3
ю
ттг
15
R19
МС17
01
С
Ре
14
Оз
Th,
2 12
3 13
L5
17 7.
20 г
13 5
18 Б
8
ю-г
8 <
М№2
2
Л
21
10\
6 13
ТПФ
2~И
3 13
4_Л
а
с
Ре
3,
Jk
Л
ц
шп
г
’ I
Ре
МС21
J9________
,ШЗ-2 ^5И
14
о---------
0 35______
ШЗ- 7 f
z Ш1-12
\ Ш2-72
< ШЗ-12
,Ш4-12
Ш2-1 // „7
гУ
Ш1-3 // „2
4 2
шз-1 Н „3"
10 3
2
J0
НС
13
мт
мш-з
ш4-з ц „4
и 4
1114-4.12 ду
1112-2 U1 „1
Ш1-2 Ш „ 8
8
МС10-.
Z27/-7 7/7 „2
,ШЧ-5 ЩД
мт
20
А
8
С
MW-J
1
12
/ 9"
В
8
8
2
6
С8
Г4 4=
8
7
3
10
11
*
МС11-2\
10 22
МС7
а 24| 11
11 23\
4 21
12-
13-
14-
ДГ7
9 ,
«-2- MC/7J
11
13
5
7
8
10
14____
15.____
18 1
МС4-1
1 "
МС4-2
МС4-4
8
9
12
МСЗ-1
1 <
МСЗ-2
1 <
мсз-з
1
МСЗ-4
1
б
11
8
а
мт
£
8
~Т~У
Щ
5
8
Lmm-z\
птУ
мт
6
13
П
15
1
Рис.13. Схема электрическая принцип!
ройства управления 5.139.012 ЭЗ:
I - план расположения элементов; П -
адрес; 1У - включение; У - корпус; J
ка; УП - контроль; УШ - стробирован!
кация; X - контроль синхронизации; 5
ние выхода; ХП - уровень; XII - nepet
а
а
а
a
I
Л /„ГШЗЛ
1_
4Г
15
т
3
5.
1
33-Л.
12 2
11 7
/4 13
~1 12
16 Т?
I г-1—Ц,
а
21
11
Tio
2
4
8
Р.
021
4
12
13
1 5
MCZ7-J
4
ULJL MC2k
1 iT
Л____UL
3
12
0_
В
1
3 7
4 9
&
МС22
/4
11
MCZ7-Z
т-з
5
10
£ мт(
ЙТ~р
а
11
МК74
9
------о
Ш9-9 у
6
Л 5,,9" ШЗ-5
------------
Л /8“ ШЗ-9^
12 17 AM
2
------о
____
лз-з ч
6 11
11 1S
ЛЛ
Та]
I
ю
9
5
15
4
01
О
Рс
1,
tj ik
11
4
Th
й
спо
МС23
2
6 21
11 22
17
[18
ТУ
20
01k R13
R12
9
10
11
И.
а. 8
9
т а
—Из
4= аз
ципиальная уст-
П - код; Ш -
с; У1 - загруз-
вание; IX - инди-
и; XI - отключе-
ерестройка.
12
13
5
МЖ
МСТИ
<₽
11
/4
МСТИ
15 Л5 ВНЕШ, АМ ШЬ-6
7
Н№1
_2'
ю
11
12
13
~Г м
7
015
МС26-2 “Г
017
Ш2 Т
8
мтз
*
МСИ'4
Rik
R15
1 Л 1рАМ
2 И 2р АМ
3 VJ 1р dВ
4 У/ ZpdB
Ш/-5 >
Ш1-5 )
Ш2Л <
ин-и
о 9 ЛИ АМ '474-7 ч
о 49 УШ „1" -ЛВГ/а Ш2-11 '
°^L УШ „2" ~dBl7<, Ш1-7 ч
Ж. 4 dBl°A : Ш1-8
о п УШ „ 8"-dB17„ Ш1-11
сЯ- Ц da-dB Ш2-8 ч
33 А Ш2-7 ч
10 /У - dBI’/o ШЗ-11 ч
У
50 Л 181-9 ч
o4J АЛ Ш2-9 у
35 - 1р Ш2-5 ч
38 + 1Р Ш2-6 ч
25 -2Р ШЗ-8 ч
/
,25 + 1Р ШР-10 ч
У
XIII ШР-8 ч
п 8 0UHXP. ШЗ-9 у
„ ОТ- 7L Ш2-3 ч
Z
сЯ- УШ -dB17o ШЗ-10 ч
_ 7 УТ/ Ш2-10 ч
♦ а
diR17
Ш1-10 к
90 ню — о rSXrV // *6dti
Т1 I
I. Вывод 7 микросхем Ж2-МС5,’ЛС8,MCIO-MCI2,1.5CI4
МС16,МС18-ИС20,МС26 подключить к корпусу. Вывод
14 этих микросхем подключить к цепи "a" (-5V ).
2. Вывод 8 микросхем ;ЛС6,Ж9,МС13,МС17,МС21,
МС23.МС24 подключить к корпусу. Вывод 16 этих
микросхем подключить к цепи "а" (+5 у).
436
2 мс?/
32Б-1Р
з
МС2-3
36А -12 V -^- С
ЗЗА )l-dei7'
346 2И /PdB
26 А,6 IV IP АМ
35А -27V
{ ЛГУУи.
С2
11А,Б + 2Р
<----------------
10А,6-2Р
^15А, б jV 2PdB
^20А,51У 2РАМ
„32А Hi
(316 Ш,8'
(29А,б IЛ"
^31А Щ.,2"
(30А.6 И ДУ
2M.fi 1-УВ17.
,34А W
2/)+5|/
1А, 1В
а
С7
ZZW £1Н
ode
U
9p-„4“A_ 4
.OPiVK ?
flP-„g"A 3
г,1/
Z
О
|zi g
OP-..l‘A l3
OZH ИН
^ч-
— А
4 'l
«<9|
мш
WN
I
шм
ci
Г
Г
z
V //7Г 03
Г ПК в\
win si
WW 91
С£
Z
ЮМ
I-ZZJW
S
9
L_J от
SIH
9
S
оЖХ-%
1®ЗИ
I
1
у
г
L
Al
Р
10
/fl-
818 U
№И1 41
WlH £7
Wt/Ш 8
Will L
"WIE 9
W JO 9
q I oi
пет 51
gP.Qj?‘
gp.gy
BP.QV
ер.,04
дрМ
BP.QZ1
ВР.Ш'
ер ,.oi
№JH-i
ЮН
TOW
ЮИ
1И0В1
LH,
и
6
9
Т
-df ///Л
S
<1
8
С
L
г
9
I
им
8
1
г
30
£13
ЁЕЕЕГ
г и
I н
£ 01
T~B
_2_
1913Н
ил
И зр-аа и
Вкладка 4
JO''t/В 56 ч
.ЯП/В ~йГ(
„2ТУа ~~2бТ
,20’dfl ~зду
„ЦГс/8 74,6 .
ло’ав 8А,б;
„цгад ее ;
,CT‘rfg 6А '
5 Щ АМ,1"1Р25А,5 у
6 Ш.АМ,2’!Р18А,5 >
7 МАМЛ’ 1P2UA.B)
8 ШАМ„8’1Р27А,В)
/5 ЩАМ„1’2Р12А,б
1U Щ АМ,2" 2Р19АД
15 Щ.АМЛ"2Р22А,б>
1Б ЩАМ,8"2Р/35,А }
19 йй ДУ5А у
20 И ДУ 5 Б
„5'dB 326)
~,5"d3 526)
V.1"-dB7. 16АД
Y.8''-dB7- 28А,5 )
V„2“dB7- 17А,б )
V„U“-dB7. 25А, б v
Рис.14. Схема электрическая принципиальная дешиф-
ратора выхода 5.109 . 003 ЭЗ:
I - план расположения элементов; П - включение;
Ш - код; ТУ - загрузка; У - стробирование; УТ -
уровень; УП - отключение выхода; УШ - индикация
Вывод 7 микросхем МС1-’.1С4,МС8-’.'1С10,ИС14-МСТ6,
MCI8-M022 подключить к корпусу, выводы 14 этих
микросхем подключить к цепи "a" (+5v ).
Д5У" .JMHz"
Генератор ВЧ
|/п17719^11^1
шп\ fym
Фильтр
УВЧ
Усилитель-моЗулятор ~1
УВЧ
ДЕТ
УВЧ
ДЕТ
-72^
-^z
-Z2IZ
I Вел.
влое питания
выпрями-
тель
Аттенюатор
Усилитель
ставили-
еатора
внешн. АМ
МаВулятор
г
’ вшп!» ттренмируеши
ч
Детектор фолодый
ГОЧ
1
Устройство Перш
УстройсгДо\ Откл.
регулирован
еосстрвйкц.
частоты
ЦМ
g ^Дешифратор Выхода
] о-аот%[
1 Вы1о1,АМ\
^Знеиы
АМ
скорости.
перестройка.
Дешиф-
ратор
Мульти-
плексор
ЖК
Petucm»!
L- £да-
Синер. '
внутр.
Дотние] В3/!ви“"’“'
лстсты ив,
® , ®
Мульти- о Счетчик
плексор
ДФ
ЧФ
тгп
I Устроистбо соединительное |
Индикатор цифровой
2
22
____La»,.; :т;
Регистр •* Устройство
частоты 6 дистанции
________** ногаупросп.
НГАМ ।
1ЛМАА |
РСЖИМ
Ннв
I Idcmimi^
I 43 СР
.Уменьшение
, - -. - - £
\*6вв \-ijOdB ।
Установив ВыАлЗа,АМ
частоты
Рис.2. Схема структурная генератора Г4-158