/
Text
1 5 -
SBSBSSBSE
I
,'4 v Г
, jr l
. .
, f „
i .-ал >!• * < <,
l>. ’iJ’y’-.yli'A.?: ''.Xf f'. J
/Ж; Г., r(’} r >J w <'|Л,41
й- л ШУ'5,
СПРАВОЧНИК
по интегральным
К'микросхемам".
iWWwW Ошв
• ij Ж IШ
L .' 'Н. / <>!*. ."ili1! • •'“. 1 * fl*. |S 1 ,'•(!»U J '/,ЛМ И '
I
ж
1,
, Si-
’«/[{к
>• I1?
чимцжм
j
'
—
Il 11.
1 s
СПРАВОЧНИК
ПО
ИНТЕГРАЛЬНЫМ
МИКРОСХЕМАМ
Второе издание, переработанное
и дополненное
Под редакцией Б. В. ТАРАБРИНА
МОСКВА
«ЭНЕРГИЯ»
1981
ББК 32.844.1
С 74
УДК 621.3.049.77(03)
Авто р ы: Б. В. Тарабрии, С. В. Якубовский, Н. А. Барканов,
Б. А. Бородин, Б. П. Кудряшов, 10. В. Назаров, Ю. Н. Смир-
нов, Л. Ф. Лунин, Р. В. Данилов, К. М. Цветкова
Справочник по интегральным микросхемам
С74 /Б. В. Тарабрин, С. В. Якубовский, Н. А. Барканов
и др.; Под ред. Б. В. Тарабрина. — 2-е изд., пере-
раб. и доп. — М.: Энергия, 1981. — 816 с., ил.
В пер.: 2 р. 70 к.
В справочнике приведены данные по цифровым и аналоговым ин-
тегральным микросхемам. Дана классификация отечественных инте-
гральных микросхем. Описаны типы корпусов, общие характеристики
и параметры. По каждой серии интегральных микросхем приведены
подробные данные: основное назначение каждой серии, принципиаль-
ные электрические схемы, цоколевка, электрические параметры. Первое
издание выпущено в 1977 г.
Справочник рассчитан на инженерно-технических работников, за-
нимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной
аппаратуры.
ББК 32.844.1
6Ф2.13
„ 30404-005
С —ПД 208-80. 2402020000
051(01)-81
СПРАВОЧНИК
ПО ИНТЕГРАЛЬНЫМ МИКРОСХЕМАМ
Редактор IO. И. Рысев
Переплет художника Е. И. Волкова '>
Технические редакторы: А. С. Давыдова, Л. В. Иванова
Корректор 3. Б. Драновская
И Б № 2908 (.
Подписано в печать с матриц 03.10.80. Т-01075. Формат 84Х108'/з2.
Бумага типографская Ns 1. Гари, шрифта литературная. Печать вы- ;
сокая. Усл. печ. л. 42,84. Уч.-изд. л. 44,04. Доп. тираж 100000 экз. 1
Заказ Ns 1606. Цена 2 р. 70 к.
Издательство «Энергия», 113114, Москва, М-114, Шлюзовая наб., 10
Ордена Октябрьской Революции, ордена Трудового Красного Знамени ,
Ленинградское производственно-техническое объединение «Печатный
Двор» имени А. М. Горького Союзполиграфпрома при Государствен- i
ном комитете СССР по делам издательств, полиграфии и книжной тор- '
говли, 197136, Ленинград, П-136, Чкаловский пр., 15.
© Издательство «Энергия», 1977 г.
© Издательство «Энергия», 1980 г. с изменениям^
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие ко второму изданию............................ 7
РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ
1-1. Терминология ...................................., 9
1-2. Конструктивно-технологические виды интегральных микро-
схем ................................................ Ю
Технология . ........................................ 10
Корпуса.............................................. 11
1-3. Классификация интегральных микросхем по функциональ-
ному назначению и обозначение типов................. 23
1-4. Условия эксплуатации интегральных микросхем......... 28
1-5. Электрические параметры интегральных микросхем .... 35
Параметры, имеющие размерность напряжения......... 35
Параметры, имеющие размерность тока............... 37
Параметры, имеющие размерность мощности........... 38
Параметры, имеющие размерность частоты............ 38
Параметры, имеющие размерность времени............ 38
Относительные параметры.............................. 39
Прочие параметры..................................... 40
РАЗДЕЛ ВТОРОЙ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ
МИКРОСХЕМ
Серия К108............................................... 42
Серии 109 и К109....................................... 45
Серии 114 и К114....................................... 48
Серии 115 и К115....................................... 54
Серии 121 и К121....................................... 58
Серии 128 и К128....................................... 60
Серии 130 и К130....................................... 69
Серия К131............................................... 75
Серии 133 и К133....................................... 83
Серии 134 и К134....................................... 91
Серии 136 и К136....................................... 99
V %
Серия К137 ......................................... 106
Серия К138 ......................................... 114
Серия К141 ......................................... 119
Серия KI44 ......................................... 122
Серии 155, К 155, КМ 155................................ 124
Серия 156 ........................................ 186
Серия К158.............................................. 192
Серия К166 ......................................... 196
Серия К172 ......................................... 197
Серия К1/6 ......................................... 199
Серии 178 и К178....................................... 212
Серии 185 и К185....................................... 215
Серия К187 ......................................... 219
Серия К188 ......................................... 223
Серии 201 и К201....................................... 227
Серия 202 .............................................. 232
Серии 204 и К204 ...................................... 236
Серия 205 .............................................. 241
Серии 210 и К210....................................... 243
Серия 211 .............................................. 244
Серия 215............................................... 251
Серии 217 и К217....................................... 254
Серии 218 и К218....................................... 261
Серия 221 .............................................. 264
Серии 223 и К223 ...................................... 268
Серии 229 и К229 ...................................... 273
Серии 230 и К230 ...................................... 277
Серия 231 .............................................. 285
Серия 240 .............................................. 287
Серии 243 и К243 ...................................... 296
Серия 263 .............................................. 305
Серия К500 ......................................... 308
Серия К511 ......................................... 329
РАЗДЕЛ ТРЕТИЙ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ
МИКРОСХЕМ
Серии 101 и К101...................................... 346
Серия К118.............................................. 347
Серии 119 и К119...................................... 351
Серии 123 и К123 ...................................... 362
Серии 124 и К124 ...................................... 363
4
Серии 129 и К129 . . . .................................
Серии 140, К140, КР140..................................
Серия К142..............................................
Серия К148..............................................
Серии 149 и К149 .......................................
Серии 153 и К153 .......................................
Серии 159 и К159.............'• • •»..................
Серии 162 и K1G2 .......................................
Серия К167..............................................
Серия 163 ..............................................
Серия К170..............................................
Серия К174 .............................................
Серии 175 и К175 .......................................
Серии 177 и К177 .......................................
Серии 190 и К190 .......................................
Серии 198 и К198 .......................................
Серии 218 и К218 .......................................
Серия 219 ..............................................
Серия К224 .............................................
Серии 226 и К226 .......................................
Серии 228 и К228 .......................................
Серия 235 ................................-.............
Серия К237..............................................
Серия К.252 ............................................
Серия К264 .............................................
Серии 265 и К265 .......................................
Серии 272 и К272 .......................................
Серии 284 и К284 .......................................
Серия 301 ..............................................
Серии 504 и К504 .......................................
3<
збУ
375
377
379
380
385
386
387
387
389
394
405
408
410
412
415
421
430
444
447
452
464
472
481
483
489
492
498
507
РАЗДЕЛ ЧЕТВЕРТЫЙ
МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
4-1. Особенности измерения параметров микросхем ............ 509
4-2. Измерение параметров цифровых интегральных микросхем 511
Общие положения......................................... 511
Измерение параметров, имеющих размерность напряжения 512
Измерение параметров, имеющих размерность тока .... 516
Измерение динамических параметров времен задержки
включения, выключения, задержки распространения при
включении и задержки распространения при выключении 521
5
4-3, Методы измерения электрических параметрон аналоговых
интегральных микросхем .............................. 522
Общие положения ..................................... 522
Измерение параметров, имеющих размерность напряжения 524
Измерение параметров, имеющих размерность тока....... 533
Измерение параметров, имеющих размерность мощности 538
Измерение параметров, имеющих размерность частоты . . . 539
Измерение параметров, имеющих размерность времени . . . 541
Измерение относительных параметров .................. 543
Измерение параметров, имеющих размерность сопротив-
ления ............................................... 556
Измерение прочих электрических параметров ........... 561
Определение характеристик............................ 563
4-4. Определение помехоустойчивости интегральных микросхем 563
РАЗДЕЛ ПЯТЫЙ
ПРИМЕНЕНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
5-1. Рекомендации по монтажу интегральных микросхем .... 564
5-2. Примеры построения функциональных узлов РЭА на цифро-
вых микросхемах...................................... 568
Микросхемы серии К500 , ........................... 568
Микросхемы серии K511............................... 600
Микросхемы серии K17G............................... 637
Микросхемы серий К131, К155, К158 .................. 653
5-3. Примеры построения функциональных узлов РЭА на анало-
говых микросхемах ................................... 758
Приложение 1. Условные графические обозначения логи-
ческих элементов..................................... 771
Приложение 2. Переводная таблица условных обозначе-
ний микросхем, сведения о которых помещены в справочнике 781
Приложение 3. Указатель типов микросхем, сведения
о которых помещены в справочнике..................... 795
ПРЕДИСЛОВИЕ КО ВТОРОМУ ИЗДАНИЮ
Период, прошедший со времени подготовки и выпуска первого
издания «Справочника по интегральным микросхемам», характери-
зуется бурным внедрением интегральных микросхем в универсальные
и управляющие вычислительные комплексы; периферийное оборудо-
вание; устройства регистрации и передачи информации автоматизиро-
ванных систем управления технологическими процессами; приборы и
оборудование для научных исследований, механизации инженерного и
управленческого труда; медицинские и бытовые приборы; аппаратуру
для нужд сельского хозяйства и контроля за состоянием окружающей
среды и т. д.
Широкое внедрение в народное хозяйство интегральных микросхем
способствует выполнению решений XXV съезда КПСС, который опре-
делил, что: «главная задача десятой пятилетки состоит в последова-
тельном осуществлении курса Коммунистической партии на подъем
материального и культурного уровня жизни народа на основе динамич-
ного и пропорционального развития общественного производства и
повышения его эффективности, ускорения научно-технического про-
гресса, роста производительности труда, всемерного улучшения каче-
ства работы во всех звеньях народного хозяйства».
Применение интегральных микросхем позволило усовершенство-
вать и создать новые методы проектирования, конструирования и
производства радиоэлектронной аппаратуры различного назначения,
повысить ее технические и эксплуатационные характеристики, внед-
рить электронику в ряд устройств, традиционно исполняемых на меха-
нических или электромеханических принципах действия.
Вместе с тем практический опыт авторов «Справочника» дает осно-
вание утверждать, что при разработке и производстве РЭА порой допу-
скаются ошибки при выборе номенклатуры интегральных микросхем;
нарушаются режимы их применения; не учитываются ряд требований
к линиям связи между интегральными микросхемами, что приводит
к неустойчивой работе РЭА при эксплуатации.-
Одной из причин, порождающих эти ошибки, является недостаточ-
ное знание параметров и эксплуатационных особенностей интегральных
микросхем разработчиками и изготовителями РЭА.
Второе издание, как н первое, имеет своей целью ознакомить
читателей с интегральными микросхемами, которые нашли наибольшее
применение в различных видах и классах РЭА (а не всей номенклатурой,
выпускаемой промышленностью), а также дать читателю минимальный
объем информации по измерению параметров, монтажу, построению уз-
лов РЭА и т. д.
Справочник не заменяет официальных документов (паспортов, тех-
нических условий, указаний по применению), но позволяет потребителю
рассмотреть большую совокупность интегральных микросхем, выпу-
скаемых отечественной промышленностью, их параметры и условия
эксплуатации, сопоставить их с требованиями, предъявляемыми к аппа-
7
ратуре, и осуществить правильный выбор как серии, так и отдельных
ти попомниало» микросхем.
По сравнению с первым изданием (1977 г.) в настоящем издании
справочника существенно изменена номенклатура микросхем. В част-
ности, значительно дополнен состав перспективных в настоящее время
серий ТТЛ и КМОП микросхем, серий операционных усилителей и
вторичных источников электропитания, включены микросхемы с высо-
кой помехоустойчивостью, а также серии микросхем сверхвысокого
быстродействия на основе схем эмиттерно-связанной логики. Вместе
с тем исключен ряд серий микросхем, имеющих в настоящее время огра-
ниченное применение.
Расширен раздел по применению микросхем различных классов
(ТТЛ, КМОП, ЭСЛ, ВПЛ), дана справочная таблица соответствия ста-
рых и новых условных обозначений.
Авторы считают, что более полные материалы на эту тему, в том
числе характеристики интегральных схем в диапазоне температур и при
изменении нагрузки, должны быть предметом отдельных изданий.
Материалы, приведенные в справочнике, базируются на результа-
тах обобщения опыта применения микросхем и изучения их свойств и
параметров.
Авторы надеются, что настоящий справочник окажется полезным
для инженерно-технических работников, разрабатывающих и эксплуа-
тирующих радиоэлектронную аппаратуру на интегральных микро-
схемах.
Все замечания и предложения по улучшению справочника авторы
просят направлять по адресу :113114, Москва, М-114, Шлюзовая наб., 10,
издательство «Энергия»,
Авторы
РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
ОБ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ
1-1. ТЕРМИНОЛОГИЯ
Микроэлектроника — область электроники, охватываю-
щая проблемы исследования, конструирования, изготовления и приме-
нения микроэлектронных изделий.
Микроэлектронное изделие — электронное устрой-
ство с высокой степенью миниатюризации.
Интегральная микросхема (микросхема, МС) —
микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию пре-
образования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упа-
ковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонен-
тов) и (или) кристаллов, которое с точки зрения требований к испыта-
ниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое
целое.
Элемент интегральной микросхемы — часть
Микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэле-
мента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и
не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения
требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации (к элект-
рорадиоэлементам относятся транзисторы, диоды, резисторы, конден-
саторы и др.).
Компонент интегральной микросхемы — часть
микросхемы, реализующая функции какого-либо электрорадиоэле-
мента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие
с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуа-
тации.
Полупроводниковая интегральная микро-
схема — микросхема, все элементы и межэлементные соединения
которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.
Пленочная интегральная микросхема (пле-
ночная микросхема) — микросхема, все элементы и межэлементные
соединения которой выполнены в виде пленок (разновидности пленоч-
ных микросхем: толстопленочные и тонкопленочные).
Гибридная интегральная микросхема (гибрид-
ная микросхема) — микросхема, содержащая, кроме элементов, компо-
ненты и (или) кристаллы (разновидности микросхемы — многокристаль-
ная МС).
Кристалл интегральной микросхемы — часть
полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сфор-
мированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные
соединения и контактные площадки.
9
Аналоговая интегральная микросхема —
микросхема, предназначенная для преобразования н обработки сигна-
лов, изменяющихся по закону непрерывной функции [частный случай
аналоговой МС— микросхема с линейной характеристикой (линейная
микросхема)].
Цифровая интегральная микросхема — микро-
схема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов,
изменяющихся по закону дискретной функции (одним из видов цифровой
микросхемы является логическая МС).
Корпус интегральной микросхемы — часть кон-
струкции микросхемы, предназначенная для ее защиты от внешних
воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями по-
средством выводов.
Степень интеграции интегральной микро-
схемы — показатель степени сложности микросхемы, характеризуе-
мой числом содержащихся в ней элементов и компонентов.
Степень интеграции микросхемы определяется по формуле К —
= 1g N, где К — коэффициент, определяющий степень интеграции,
округляемый до ближайшего большего целого числа; N — число входя-
щих в микросхему элементов и компонентов.
Серия интегральных микросхем — совокупность
типов микросхем, которые могут выполнять различные функции, имеют
единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначены
для совместного применения.
1-2. КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ВИДЫ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
ТЕХНОЛОГИЯ
Современная микроэлектроника развивается преимущественно по
двум базовым конструктивно-технологическим направлениям: созда-
ние полупроводниковых интегральных микросхем и гибридных интег-
ральных микросхем.
Полупроводниковые микросхемы. Основой технологического ме-
тода их создания является планарный процесс, обеспечивающий одно-
временное изготовление большого количества МС на одной пластине
полупроводникового материала. Этот процесс осуществляется с по-
мощью:
планарной технологии с использованием полупроводникового ма-
териала и изоляцией элементов разделительными р-п переходами;
планарной технологии с применением полупроводникового мате-
риала и изоляцией элементов слоем двуокиси кремния;
планарно-эпитаксиальной технологии с изоляцией элементов раз-
делительными р-п переходами;
технологии совмещенных схем, когда по планарной технологии
в полупроводниковом материале создаются активные элементы (тран-
зисторы, диоды), а на поверхности полупроводника методами тонко-
пленочной технологии — пассивные элементы (конденсаторы, рези-
сторы).
Каждый из этих технологических методов имеет свои преимуще-
ства для конкретных полупроводниковых микросхем, но в настоящее
время наиболее широкое распространение получила планарно-эпитак-
сиальная технология.
10
Гибридные интегральные микросхемы изготавливают в основном
с применением двух базовых технологических процессов:
получения толстых пленок методом шелкографии;
получения тонких пленок методом термического вакуумного оса-
ждения и др.
Интегральные МС, изготовленные методом шелкографии, получили
название толстопленочных, а изготовленные методами вакуумного на-
пыления, ионно-плазменного, реактивного распыления и др. — тонко-
пленочных интегральных микросхем.
Практика применения полупроводниковых и гибридных интеграль-
ных микросхем показала, что они не конкурируют между собой, а вза-
имно дополняют друг друга.
КОРПУСА
Интегральные микросхемы выпускают в корпусах и без корпусов.
Типы корпусов. Согласно ГОСТ 17467-72 корпуса интегральных
микросхем делятся на четыре типа (табл. 1-1).
Таблица 1-1
Тип Форма основа- ния корпуса Расположение выводов корпуса относительно основания
1 Прямоугольная В пределах основания, перпендикулярно ему
2 Прямоугольная За пределами основания, перпендикулярно
ему
3 Круглая В пределах основания, перпендикулярно ему
4 Прямоугольная Параллельно плоскости основания, за его
пределами
По габаритным и присоединительным размерам корпуса подразде-
ляют на типоразмеры, каждому из которых присваивают шифр, состоя-
щий из обозначения типа корпуса (1, 2, 3 или 4) и двузначного числа
(от 01 до 99), обозначающего номер типоразмера.
Условное обозначение конструкции корпуса состоит из шифра
типоразмера корпуса, числа, указывающего количество выводов, и
номера модификации.
Например, корпус 201.14—2 — это прямоугольный корпус типа 2,
типоразмера 01, с 14 выводами, модификация вторая.
Габаритные и присоединительные размеры на чертежах (в техни-
ческих условиях, справочниках, паспортах МС) указывают без учета
специальных элементов или устройств для дополнительного отвода
тепла от корпусов микросхем, если эти устройства не являются неотъем-
лемыми частями корпусов. Специальные элементы или устройства
(теплоотводы) и способы их крепления указывают в технической доку-
ментации на микросхемы конкретных типов.
Для корпусов МС установлен шаг выводов: для корпусов типов 1
и 2—2,5 мм; типа 3 — под углом 30 или 45°; типа 4— 1,25 мм.
Выводы корпусов могут быть круглой или прямоугольной формы.
Диаметр круглых выводов, как правило, лежит в пределах 0,3—0,5 мм,
а размеры выводов прямоугольного поперечного сечения — в преде-
лах описанной окружности диаметром 0,4—0,6 мм.
11
151.1Ч~1
151.15-2
, i
155.36-1
151.15-5
12
13
238.16 /,2
14
15
»
IS
Ключ
3,5, .1.0
Для МС серии. К237
1 7
~Г
in
Lr?
17
301.12-1
301.8-2
$9,5
за. s-f
г
8 Выводов 0 ГО
„Тропа."
18
401.14~1'}401.14~2',401.14~3'f 401.14-4
2,21 , 15,5
s'a 8°e°sHS9i
20
Ц21.50-1
21
255AM П 23-1
Прямоугольный корпус для микросхем (а) и бескорпусное оформление
микросхем с герметизацией компаундом (б).
22
Интегральные микросхемы некоторых серий, разработанных до
введения вышеупомянутого ГОСТ, оформлены в нестандартных кор-
пусах.
Конструкции некоторых типов корпусов микросхем, выпускаемых
промышленностью с указанием их габаритно-присоединительных разме-
ров, показаны на с. 12 — 22.
Бескорпусная микросхема представляет собой кристалл полупро-
водника, в объеме и на поверхности которого созданы ее элементы.
Кристалл защищен пленкой лака или тонким слоем герметизирующего
компаунда. Соединение бескорпусных микросхем с монтажными пло-
щадками осуществляется с помощью гибких проволочных выводов диа-
метром 40—50 мкм либо жестких выводов в виде шариков или стол-
биков диаметром 0,3—0,4 мм. Конструкции бескорпусных МС при-
ведены на с. 22.
J-3. КЛАССИФИКАЦИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
ПО ФУНКЦИОНАЛЬНОМУ НАЗНАЧЕНИЮ
И ОБОЗНАЧЕНИЕ ТИПОВ
В СССР с июля 1974 г. действует ГОСТ, который распространяется
на вновь разрабатываемые и модернизируемые интегральные микро-
схемы, устанавливающий их классификацию и систему условных обо-
значений.
В соответствии с этим ГОСТ по конструктивно-технологическому
исполнению микросхемы подразделяются на три группы, которым при-
своены следующие обозначения:
1; 5; 7 — полупроводниковые;
2; 4; 6; 8 — гибридные;
3 — прочие (пленочные, вакуумные, керамические и т. д.).
Условное обозначение типа интегральной микросхемы состоит из
четырех элементов.
Первый элемент — цифра, указывающая конструктивно-техноло-
гическое исполнение микросхемы (полупроводниковая, гибридная);
второй элемент — две цифры, обозначающие порядковый номер
разработки серии микросхем (от 00 до 99);
третий элемент — две буквы, обозначающие функциональное на-
вначение микросхемы согласно табл. 1-2;
четвертый элемент — порядковый номер разработки микросхем
по функциональному признаку в данной серии.
Первые два элемента обозначают номер серии микросхем. В обо-
значении микросхем, разработанных до июля 1974 г., первая из трех
цифр стоит в начале обозначения типа, а вторая и третья — после бук-
венного индекса. Буквенные обозначения микросхем функционального
назначения приведены в табл. 1-2. В крайней правой графе табл. 1-2
приведены буквенные обозначения, соответствующие нормали, дейст-
вующей до введения ГОСТ.
Многие микросхемы, сведения о которых помещены в этом спра-
вочнике, разработаны до введения ГОСТ, и их функциональное назна-
чение установлено по нормали.
В настоящее время в литературе и технической документации
встречаются старые и новые условные обозначения одних и тех же
типов микросхем. Это вызывает некоторые затруднения среди инженерно-
технических работников, разрабатывающих и эксплуатирующих радио-
электронную аппаратуру с применением микросхем,
23
Таблица 1-2
Функции, выполняемые интегральными микросхемами . Буквенное обозначение
по ГОСТ 18682-73 по нормали, действующей до ГОСТ
Генераторы:
гармонических сигналов ГС -ГС
прямоугольных сигналов1 гг —
линейно-изменяющихся сигналов гл ——
сигналов специальной формы ГФ ГФ
шума гм —
прочие гп —
Детекторы:
амплитудные ДА ДА
импульсные ди ди
частотные ДС ДС
фазовые ДФ ДФ
прочие дп ДП
Коммутаторы и ключи:
тока кт ——
напряжения КН
прочие КП КП
ключ транзисторный — кт
ключ диодный —- кд
Логические элементы:
элемент И-НЕ ЛА —
элемент ИЛИ-НЕ ЛЕ —
элемент И ЛИ ли
элемент ИЛИ ЛЛ ЛЛ
элемент НЕ ЛН ЛН
элемент И-ИЛИ ЛС ЛС
элемент И-НЕ, элемент ИЛИ-НЕ ЛБ ЛБ
элемент И-ИЛИ-НЕ ЛР ЛР
элемент И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ лк лк
элемент ИЛИ-НЕ/ИЛИ лк лк
расширители ЛД ЛП
прочие ЛИ лэ
Модуляторы: МА МА
амплитудные
частотные МС МС
фазовые МФ МФ
импульсные МИ МИ
прочие МП МП
24
Продолжение табл. 1-2
Функции, выполняемые интегральными микросхемами Буквенное обозначение
по ГОСТ 18682-73 по нормали, действующей до ГОСТ
Преобразователи: ПС
частоты ПС
фазы ПФ ПФ
длительности пд —
напряжения пн пн
мощности пм —
уровня (согласователи) ПУ ПУ
формы сигнала ПМ
код — аналог ПА пд
аналог —код ПВ ПК
код—код ПР —
прочие ПП ПП
Вторичные источники питания: ЕВ
выпрямители
преобразователи ЕМ —
стабилизаторы напряжения ЕН ЕН, ПП
стабилизаторы тока ЕТ ЕТ
прочие ЕП —
Схемы задержки: БМ
пассивные ——
активные БР ——
прочие БП —
Схемы селекции и сравнения:
амплитудные (уровня сигнала) СА СА
временные СВ СВ
частотные СС СС
фазовые СФ СФ
прочие СП —
Триггеры:
JK-типа ТВ ——
RS-типа ТР ТР
D-типа ТМ
Т-типа ТТ тс
динамические тд тд
Шмитта ТЛ тш
комбинированные (типов DT, RST и др.) тк тк
прочие тп —
ъ
25
Продолжение табл. 1-2
Функции, выполняемые интегральными микросхемами Буквенное обозначение
по ГОСТ 18682-73 по нормали, действующей до ГОСТ
Усилители: высокой частоты3 УВ
промежуточной частоты3 УР - —
низкой частоты3 УН ——
импульсных сигналов3 УИ УИ
повторители УЕ УЭ
считывания и воспроизведения , УЛ —
индикации УМ —
постоянного тока3 УТ УТ
синусоидальных сигналов4 — УС
видеоусилители УБ
операционные и дифференциальные 3 уд —
прочие УП —
Фильтры: верхних частот ФВ ФВ
нижних частот ФН ФН
полосовые ФЕ ФП
режекториые ФР ФС
прочие ФП —
Формирователи:
импульсов прямоугольной формы^ АГ ——
импульсов специальной формы АФ —
адресных токов3 АА
разрядных токов3 АР —
прочие АП —
Элементы запоминающих устройств Матрицы-накопители: РМ
ОЗУ «от
ПЗУ РВ •от»
ОЗУ со схемами управления РУ от—
ПЗУ (масочные) со схемами управления РЕ —
ПЗУ со схемами управления и с одно- РТ —
кратным программированием ПЗУ со схемами управления и с мно- РР — •
гократным программированием АЗУ со схемами управления РА В
прочие РП 1
26
Продолжение табл. 1-2
Функции, выполняемые интегральными микросхемами Буквенное обозначение
по ГОСТ 18682-73 по нормали, действующей до ГОСТ
Элементы арифметических и дискретных устройств: ИР ИР
регистры
сумматоры им ИС
полусумматоры ил ил
счетчики ИЕ ИЕ
шифраторы ИВ ИШ
дешифраторы ИД ид
комбинированные ик ик
прочие ип ип
Многофункциональные МС2; ЖА
аналоговые ХА
цифровые хл жл
комбинированные хк •—
прочие хи —
Микросборки, наборы элементов:
диодов НД НД
транзисторов нт нт
резисторов HP НС
конденсаторов НЕ НЕ
комбинированные нк нк
прочие нп —
1 Автоколебательные мультивибраторы, блокимг-геиераторы и др.
8 Микросхемы, выполняющие одновременно несколько функций.
8 Усилители напряжения или мощности (в том числе малошумящие).
* Независимо от рабочего диапазона частот.
8 Ждущие мультивибраторы, блокинг-генераторы и др.
8 Формирователи напряжений и токов.
Для устранения такого рода затруднений в приложении 2 приво-
дится таблица соответствия старых и новых условных. обозначений
микросхем.
Буквы К, КМ и КР в начале условного обозначения микросхем
характеризуют условия их приемки на заводе-изготовителе.
Пример 1. Обозначение типа полупроводниковой логической
микросхемы И-НЕ/ИЛИ-НЕ с порядковым номером разработки серии 21
и номером в серии по функциональному признаку 1 согласно ГОСТ:
121ЛБ1. Схема построения условного обозначения этой микросхемы
приведена на стр. 28, рисунок а.
Пример 2. Полупроводниковая микросхема И-НЕ/ИЛИ-НЕ
серии 121 имеет условное обозначение по отмененной нормали: 1ЛБ211.
Схема построения условного обозначения этой микросхемы приведена
на стр, 28, рисунок б,
27
При наличии разброса отдельных электрических параметров, пре-
дельных эксплуатационных параметров одного и того же типа микро-
схем в конце условного обозначения проставляется дополнительная
Серия
1 ~21_ ЛВ 1
Порядковый, номер
разработки. МС
по функциональному
признаку В серии
Функциональное назначение
Порядковый номер разработка серии
Конструктивно-технологическое исполнение
aj
Серия
1 ЛБ 21 1
Порядковый номер
разработки МС
по функциональному
признаку в серии
Порядковый номер разработки серии
Функциональное назначение
Конструктивно-технологическое исполнение
«)
Примеры построения условного обозначения типа микросхемы по
ГОСТ 18682-73 (а) и микросхемы, разработанной до введения этого
ГОСТ (б).
буква (от А до Я). При маркировке микросхем на их корпусах конеч-
ная буква может заменяться цветной точкой. Конкретные значения
разброса параметров микросхемы и цвет маркировочной точки указы-
ваются в соответствующей технической документации.
1-4. УСЛОВИЯ ЭКСПЛУАТАЦИИ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Интегральные микросхемы сохраняют свои параметры в пределах
норм, установленных техническими условиями на МС конкретных ти-
пов, в процессе воздействия и после воздействия на них различных
эксплуатационных факторов.
В табл. 1-3 указаны условия эксплуатации МС, сведения о кото-
рых имеются в настоящем справочнике,
28
29
Продолжение табл, 1-3
со
о
Номер серии Интервал рабочих Многократное циклическое изме- нение температуры, ”С Относи- тельная влаж- ность воздуха 98% при темпера- туре, °C Атмосферное давление, Па Вибрация Много- кратные удары с уско- рением, g Линей- ная на- грузка с уско- рен нем, g Оди- ночные удары с уско- ре- нием, g
Диапазон частот, Гц Уско- рение, g
температу Р. ’С
129 —60 4-4-125 —60 4-4125 40 1,3- 10-4 -3 - 105 5—5000 40 150 150 1000
К129 —60 4-4 -85 —60 4- 485 40 — 5—600 5 15 25 — •
130 —60 4-4 -125 _60 4-4-125 40 6,7- 103 — 3. 105 5—5000 40 150 150 1000
К130 — Ю4-Н-70 _ Ю4-47О 20 — 5—600 5 15 25 —
К131 -10 4-4-70 -104-4-70 20 —. 5—600 5 15 25 —
133 -60 4-4125 —60 4-4-125 40 6,7 102 — 3- IO’’ 5—5000 40 150 150 1000
К133 —10 4-4-70 —10 4-4-70 20 — 5—600 5 15 25 —
134 —60 4--| -125 —60 4-4125 40 6.7 • 105-3- 105 5—5000 40 150 150 1000
К134 —45 4-4 -85 20 0,27- 10» —3- 105 5—600 5 15 25 —
136 -60 4-4 -125 —60 4-4-125 40 6.7 • 103 .£3 . 105 5—5000 40 150 150 1000
К136 -104-4 -70 —10 4-4-70 20 Л 5—600 5 15 25 —
К137 -10 4-4 -70 —10 4-4-70 20 — 5—600 5 15 25 —
К138 — 10 4-4 -70 —10 4-470 20 — 5—600 5 15 25 —
140 —60 4-4 г-125 -60 4-4-125 40 6,7-103 — 3-10» 5—5000 40 150 150 1000
К140 — 10 4-- 1-70 -10 4-4-70 20 — 5—600 - 5 15 25 —
КР140 —104- 470 25 —- 1—600 10 75 25 —
К141 —104-- |-70 -10 4-470 20 —- 5—600 5 15 25 —
К142 —45 4-- |-85 25 — 1—600 10 75 25 —
К144 К 1^8 1 1 |-70 1-75** -10 4-4-70 20 25 5—600 1—600 5 10 - 15 75 25 25 —
149 -60 4-- -125 —604-4125 40 з -10-4—3-10? 5—5000 40 150 150 1000
Продолжение табл. 1-3
Номер серии Интервал рабочих температур. °C Многократное циклическое изме- нение температуры, °C Относи- тельная влаж- ность воздуха 98% при темпера- туре, сС Атмосферное давление, Па Вибрация Много- кратные Удары с уско- рением, g Линей- ная наг- рузка с ускоре- нием, g Оди- ночные удары с уско- ре- нием, g
Диапазон частот, Гц Уско- рение, g
К149 —45 4-485 —45 4- +85 20 0,27 • 102 — 3 • 10» 5—600 5 15 25
153 -60 4-4125 —60 4-+125 40 6,7- 102-3- 10» 5—5000 40 150 150 1000
К153 -45 4-4-85*** — 20 — 5—600 5 15 25
.155 -104-470 -10 4-+70 40 6,7. Ю'2 — з. ю» 5—2000 10 35 50 150
К155 —104-470 -104-470 20 5—600 5 15 25 —
КМ 155 —45 4- 485 — 20 — 1—2000 10 75 50 150
156 —60 4-4125 — 40 — 5—5000 40 150 150 1000
К158 -10 4-470 —10—470 20 — 5-600 5 15 25 —
159 -60 4-4125 40 6,7 • 102-3- 10» 5—5000 40 150 150 1000
К159 -60 4-4100 20 1—600 10 75 25 —
162 —60 4- 485 40 6,7 - 102 —3 - 10» 5—5000 40 150 150 1000
К162 -10 4-470 — 20 — 5—600 5 15 25 —
К166 —45 4-470 20 0,2 • Ю2 —3 • 10» 5—600 5 15 25 —
К167 —45 4- 470 20 — 5—600 7,5 75 25
168 —60 4-4125 —60 4-+125 40 6,7- 102-3-10» 5—3000 15 75 150 500
К170 —10 4-470 — 25 — 1—600 10 75 25 —
К172 —10 4-470 —60 4- +70 20 — 5—600 5 15 25 —
К.174 —30 4- 455 — 40 — 1—600 10 75 25 —
175 —60 4-4125 -60 4-+125 40 6,7- 102-3- 10» 5—5000 40 150 150 1000
К176 —10 4-470 —104-470 20 — 5—600 5 15 25 —
177 ср —60 4-+125 — 40 6,7.102 — 3 10» 5—5000 40 150 150 1000
Продолжение табл. 1-3
со
to
Номер серии Интервал рабочих температур, ®С Многократное циклическое изме- нение температуры. °C Относи- тельная влаж- ность воздуха 98% при темпера- туре, сС Атмосферное давление, Па Вибрация Много- кратные удары с уско- рением, g Линей- ная нагруз- ка с ускоре- нием, g Оди- ночные удары с уско- ре- нием, g
Диапазон частот, Гц Уско- рение, g
К177 —45 4-Н -85 40 0,3.105-3- 105 5—600 5 15 25
178 —60-г-н -85 —60 4- +85 40 6,7. 102-3-105 5—3000 15 75 100 500
К178 —45 4-4 -70 -45 4- +70 20 — 5—600 5 15 25 —
185 -60 -5-Н -85 —60 4-+125 40 6,7- 105-3- 105 5—5000 40 150 150 1000
К187 —104- -70 __ 40 — 5—600 5 15 2э —
188 —60 4- - --85 —60 4- +85 40 6,7 • 102— 3 • 105 5—5000 40 150 150 1000
190 —60 4- - |—85 —60 4- +85 40 6,7- 102-3- 105 5—5000 40 150 150 1000
К190 —45 4-И г85 —45 4- +85 40 5—600 5 15 25 —
198 —60 4-- [-125 40 1,3- 102-3- 105 5—5000 40 150 150 1000
К198 -45 4-- 1-85 40 — 1—600 10 75 25 —
201 —60 4-- 1-70 40 6,7 - 102-3- 105 5—5000 40 150 150 1000
К201 + 1 4-- |-50 20 — 5—600 5 15 25 —
202 —60 4-- [-70 _604-+70 40 6,7 • Ю2-3-105 5—5000 40 150 150 1000
204 —60 4-- 1-70 —60 4- +70 40 6,7 • 102-3-105 5—5000 40 150 150 1000
К204 —25 4-- [-55 25 — 1—600 10 75 25 ——
205 —60 4-- F70 —60 4- +70 40 6,7 - 102-3- 105 5—5000 40 150 150 1000
210 -10-=-- F70 —10 4-+70 40 6,7-102—3-105 5—1000 7,5 75 50 5000
К210 —104-- 1-70 40 1—600 7,5 75 25 —
211 —60 4-- 1-70 —60 4- +70 40 6,7- 102-3- 105 5—5000 40 75 150 150
215 —60 4-- }-70 —60 4- +70 40 6,7- 102-31^)5 5—5000 40 150 150 1000
217 -60 4-- -70 —60 4- +70 40 6,7- 102 —3W. 5—5000 40 150 150 1000
Продолжение табл. 1-3
со
со
Номер серии Интервал рабочих температур, °C Многократное циклическое изме- нение температуры, °C Относи- тельная влаж- ность воздуха 98% при темпера- туре, °C Атмосферное давление, Па Вибрация Много- кратные удары с уско- рением. g Линей- ная нагруз- ка с ускоре- нием, g Оди- ночные удары с уско- ре- нием, g
Диапазон частот, Гц Уско- рение, g
К217 —30 4-- [-70 20 5—600 5 15 25
218 —60 4-- -70 40 6,7 • 102 — з . юз 5—5000 40 150 150 1000
К218 —45 4-- -75 — 40 — 1—600 10 15 25
219 —60 4-- -70 —60 4--70 40 6,7- 102-3- 105 5—5000 40 150 300 1000
221 —60 4-- -70 —60 4-+70 40 5—5000 40 150 150 1000
223 -60 4-- -70 —60 4-+70 40 6,7 102 — 3. 105 5—2000 10 35 50 150
К223 -60 4-- -70 — 20 6,7 102 —3 • 105 5—600 5 15 25
К224 -30 4- - -50 — 25 1—600 5 15 25
226 -60 4-- -70 —60 4- -I-70 40 6,7 102-3- 105 5—3000 15 75 100 150
К226 -45 4-- -55 — 25 1—600 10 75 25
228 —60 4-- -70 — 40 6,7 • 102-3 - 105 5—5000 40 150 150 1000
К228 —45 4-- -70 — 25 — 1—600 10 15 25
229 -60 4-- -70 —60 4- +70 40 6,7 • 10= —3 • юз 5—5000 15 75 100 500
К229 -45 4-- -55 —45 4- 4-55 25 6,7 • 10-’ —3- 105 1—600 10 75 25
230 -60 4-- -70 —60 4-+70 40 6,7- Ю'-’ — З- 105 5—3000 15 75 100 500
К230 —10 4- - -70 — Ю4-+70 25 — 1—600 10 75 25
231 -60 4-- -85 — 40 6,7- 102-3- 105 5—5000 40 150 150 1000
235 —60 4-- -70 -со 4- +70 40 6,7 102-3- 105 5—3000 15 75 100 500
К237 -30 4-- -70 — 40 — 5—600 5 10 15
240 —60 4-- -70 -60 4- +70 40 6,7 102-3 105 5—3000 15 35 50 150
243 -60-ы -70 —60 4- +70 40 6,7- 102-3- 105 5—5000 40 150 150 1000
юс х? £ н ь- go z о о о О--
ОД OJ с~1 Oi еч 04 СЧ СЮ О4 СО U3 ю ю ю
* Для интегральных микросхем 1ЛИ091 интервал рабочих температур от —60 до -Н&сС.
** Для интегральных микросхем К148УН2 интервал рабочих температур от —25 до Ч-55°С.
*** Для интегральных микросхем К1УТ531Б интервал рабочих температур от —10 до 4-85‘С1
**** Относительная влажность воздуха для интегральных микросхем К500ЛС18, К50СЛС18А, К500ЛС19. К500ЛС19А»
К50СИД61, К500ИД61А, К500ИД62, К500ИД62А, К500ИД64, К500ИД64А - 98% при / = 35°С.
34
Общими техническими условиями устанавливается минимальная
наработка микросхем не менее 10 000 или 15 000 ч, а в облегченных
режимах — 25 000 ч. Величина минимальной наработки конкретных
типов микросхем в соответствующих режимах и условиях гарантируется
)1 технических условиях на поставку этих типов микросхем.
Е1 упаковке предприятия-изготовителя или в составе аппаратуры,
также в комплекте ЗИП микросхемы могут храниться не менее 6
ели 15 лет. Условия и срок хранения устанавливаются в технических
условиях на поставку конкретных типов микросхем.
Бескорпусные МС в негерметичной или влагонезащищенной упа-
ковке в условиях производства при влажности не более 65% и нормаль-
ной температуре могут находиться не более 30 сут., а в герметичной
плй влагозащищенной упаковке предприятия-изготовителя МС
в складских условиях — tie более 2 лет.
Бескорпусные МС, установленные в герметизируемые объемы (кор-
пуса модулей, узлов или блоков аппаратуры и т. п.), допускают хране-
ние такой же длительности, как и МС в корпусах. Во всех случаях срок
хранения МС исчисляется с месяца, в котором они изготовлены (в соот-
ветствии с маркировкой на корпусе или паспортом микросхемы),
1-5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Ниже приводятся перечень электрических параметров интеграль-
ных микросхем, их буквенные обозначения и определения, установлен-
ные ГОСТ 19480-74 «Микросхемы интегральные. Электрические пара-
метры. Термины, определения и буквенные обозначения», ГОСТ 18683-73
«Микросхемы интегральные логические. Методы измерения электриче-
ских параметров», ГОСТ 19799-74 «Микросхемы интегральные аналого-
вые. Методы измерения электрических параметров и определения
характеристик», а также ряда других имеющихся в справочнике элект-
рических параметров, не вошедших в упомянутые стандарты.
Если существенные признаки понятия содержатся в буквальном
значении термина, определение параметра не приводится. Вместе с тем
в перечень не включены обозначения и определения параметров, широко
распространенных в научно-технической литературе по радиоэлектро-
нике, таких как входное напряжение Uax, выходное напряжение (7ВЬ,Х,
длительность импульса А, и т. п.
ПАРАМЕТРЫ, ИМЕЮЩИЕ РАЗМЕРНОСТЬ НАПРЯЖЕНИЯ
Максимальное входное напряжение (7ЯХ,„0Кс .— наибольшее значе-
ние входного напряжения интегральной микросхемы, при котором вы-
ходное напряжение соответствует заданному значению.
Минимальное входное напряжение U:,K. ми„ — наименьшее значение
входного напряжения микросхемы, при котором выходное напряжение
соответствует заданному значению.
Чувствительность S — наименьшее значение входного напряжения,
при котором электрические параметры микросхемы соответствуют за-
данным значениям.
Диапазон входных напряжений AU„X — интервал значений напря-
жений от минимального входного напряжения до максимального.
Входное напряжение покоя Un, вк — значение напряжения на входе
микросхемы в отсутствие входного сигнала.
2*
35
Выходное напряжение покоя (7fl, phlx — значение напряжения на
выходе микросхемы в отсутствие входного сигнала.
Входное напряжение ограничения (7ПХ, огр— наименьшее значение
входного напряжения микросхемы, при котором наступает ограничение
выходного напряжения.
Напряжение смещения (7СМ — значение напряжения постоянного
тока на входе микросхемы, при котором выходное напряжение равно
нулю.
Синфазные входные напряжения 47Сф, вх— значение напряжений
между каждым из входов микросхемы и общим выводом, амплитуды и
фазы которых совпадают.
Помехоустойчивость U„, м„1(с — наибольшее значение напряжения
помехи па входе микросхемы, при котором еще не происходит изменения
уровней ее выходного напряжения.
Помехоустойчивость статическая UU1I.T — наибольшее значение
допустимого напряжения статической помехи по высокому и низкому
уровням входного напряжения, при котором еще не происходит изме-
нение уровней выходного напряжения цифровой интегральной микро-
схемы.
Максимальное выходное напряжение и„ых, макс — наибольшее зна-
чение выходного напряжения, при котором изменения параметров
микросхемы соответствуют заданным значениям.
Минимальное выходное напряжение ивых,кт — наименьшее зна-
чение выходного напряжения, при котором изменения параметров мик-
росхемы соответствуют заданным значениям.
Приведенное ко входу напряжение шумов (/ш.вх — отношение на-
пряжения собственных шумов на выходе микросхемы при закороченном
входе к коэффициенту усиления напряжения.
Остаточное напряжение Uo„ — падение напряжения на выходе
пороговой микросхемы в открытом состоянии.
Напряжение срабатывания — наименьшее значение напряже-
ния постоянного тока на входе микросхемы, при котором она переходит
из одного устойчивого состояния в другое.
Напряжение отпускания Umn — наибольшее значение напряжения
постоянного тока на входе микросхемы, при котором она переходит из
одного устойчивого состояния в другое.
Минимальное прямое напряжение на переходах С/Пр,мин — наи-
меньшее значение падения напряжения на переходах микросхемы, при
котором обеспечивается заданное значение ее электрических пара-
метров.
Максимальное обратное напряжение С^обр.макс — наибольшее зна-
чение падения напряжения на р-п переходе микросхемы при протекании
через него обратного тока.
Напряжение источника питания ии.ц.
Остаточное напряжение электронного ключа С/ост0 — падение на-
пряжения сигнала на открытом электронном ключе.
Амплитуда импульсов входного напряжения UBX д — амплитудное
значение импульсов напряжения на входе микросхемы.
Максимальная амплитуда импульсов входного напряжения
t/BX А макс — наибольшее амплитудное значение импульсов напряжения
на входе микросхемы, при котором искажение формы импульсов выход-
ного напряжения не превышает заданного значения.
Максимальная амплитуда импульсов выходного напряжения
/4ых, А макс — наибольшее амплитудное значение импульсов напря-
36
жения на выходе микросхемы, при котором искажение формы импуль-
сов выходного напряжения не превышает заданного значения.
Напряжение логической единицы U1 — значение высокого уровня
напряжения для «положительной» логики и значение низкого уровня
напряжения для «отрицательной» логики.
Напряжение логического нуля U(l — значение низкого уровня на-
пряжения для «положительной» логики и значение высокого уровня
напряжения для «отрицательной» логики.
Пороговое напряжение логической единицы UnOp — наименьшее зна-
чение высокого уровня напряжения для «положительной» логики или
наибольшее значение низкого уровня напряжения для «отрицательной»
логики на входе микросхемы, при котором она переходит из одного
устойчивого состояния в другое.
Пороговое напряжение логического нуля Unop — наибольшее зна-
чение низкого уровня напряжения для «положительной» логики или
наименьшее значение высокого уровня напряжения для «отрицатель-
ной» логики на входе микросхемы, при котором она переходит из одного
устойчи^го состояния в другое.
ПАРАМЕТРЫ, ИМЕЮЩИЕ РАЗМЕРНОСТЬ ТОКА
Разность входных токов Д/,,х — разность значений токов, проте-
кающих через входы микросхемы в заданном режиме.
Средний входной ток 1пх, ср — среднее арифметическое значение
входных токов, протекающих через входы сбалансированной микро-
схемы.
Максимальный выходной ток /вых. микс '— наибольшее значение вы-
ходного тока, при котором обеспечиваются заданные параметры микро-
схемы.
Минимальный выходной тек /Пых.мин—наименьшее значение вы-
ходного тока, при котором обеспечиваются заданные параметры мик-
росхемы.
Входной ток логической единицы /Вх.
Входной ток логического нуля /вх.
Выходной ток логической единицы /вых.
Выходной ток логического нуля /пых-
Ток утечки на входе /VT.BX — значение тока во входной цепи мик-
росхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах па осталь-
ных выводах.
Ток утечки на выходе /уТ,вь|х — значение тока в выходной цепи
микросхемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на
остальных выводах.
Ток потребления /пот — значение тока, потребляемого микросхе-
мой от источников питания в заданном режиме.
Ток потребления в состоянии логической единицы /пот.
Ток потребления в состоянии логического нуля /пот.
Средний ток потребления 1пт, ср — значение тока, равное полу-
сумме токов, потребляемых цифровой микросхемой от источников пи-
тания в двух различных устойчивых состояниях.
Ток короткого замыкания /к,3—значение тока, потребляемого
микросхемой при замкнутом накоротко выходе.
Ток холостого хода /х.х — значение тока, потребляемого интеграль-
ной микросхемой при отключенной нагрузке,
37
Максимальный коммутируемый ток /ком м:1КС — наибольшее Зна-
чение тока, протекающего через открытый электронный ключ, при кото-
ром падение напряжения на микросхеме равно заданному значению.
Максимальный ток закрытого ключа 13, изкс — значение тока, про-
текающего через закрытый электронный ключ при максимальном вход-
ном напряжении и заданном режиме.
ПАРАМЕТРЫ, ИМЕЮЩИЕ РАЗМЕРНОСТЬ МОЩНОСТИ
Потребляемая мощность Р[1(Г1 — значение мощности, потребляемой
микросхемой от источников питания в заданном режиме.
Максимальная потребляема я мощность РпОт. микс — значение мощ-
ности, потребляемой микросхемой в предельном режиме потребления.
Потребляемая мощность в состоянии логической единицы Рпот.
Потребляемая мощность в состоянии логического нуля Рпот.
Средняя потребляемая мощность Р„0Т,ср — полусумма мощностей,
потребляемых цифровой микросхемой от источников питания в двух
различных устойчивых состояниях.
ПАРАМЕТРЫ, ИМЕЮЩИЕ РАЗМЕРНОСТЬ ЧАСТОТЫ
Нижняя граничная чистота полосы пропускания fa — наименьшее
значение частоты, на которой коэффициент усиления микросхемы
уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.
Верхняя граничная частота полосы пропускания }я - наибольшее
значение частоты, на котором коэффициент усиления микросхемы умень-
шается на 3 дБ от значения на заданной частоте.
Полоса пропускания — диапазон частот между верхней и ниж-
ней граничными частотами полосы пропускания микросхемы.
Центральная частота полосы пропускания — значение частоты,
равное полусумме нижней и верхней граничных частот полосы пропу-
скания микросхемы.
Частота единичного усиления ft — значение? частоты, на которой
коэффициент усиления интегральной микросхемы равен единице.
Частота среза амплитудно-частотной характеристики 1срз — зна-
чение частоты амплитудно-частотной характеристики, на которой коэф-
фициент усиления микросхемы равен 0 дБ.
Частота следования импульсов входного напряжения /*х.
Частота генерирования fr.
ПАРАМЕТРЫ, ИМЕЮЩИЕ РАЗМЕРНОСТЬ ВРЕМЕНИ
Время задержки импульса t3!l — интервал времени между фронтами
входного и выходного импульсов микросхемы, измеренный на заданном
уровне напряжения или тока.
Время нарастания выходного напряжения /Н1,Г) — интервал времени,
в течение которою выходное напряжение микросхемы изменяется с пер-
вого достижения уровня 0,1 до первого достижения уровня 0,9 уста-
новившегося значения.
Время установления выходного напряжения /усг — интервал вре-
мени, в течение которого выходное напряжение микросхемы изменяется
с первого достижения уровня 0,1 до последнего достижения уровня 0,9
установившегося значения.
Время перехода интегральной микросхемы из состояния логической
единицы в состояние логического нуля — интервал времени, в тече-
38
ние которого напряжение на выходе микросхемы переходит от напря-
жения логической единицы к напряжению логического нуля, измерен-
ный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения.
Время перехода микросхемы из состояния логического нуля в состоя-
ние логической единицы /°’1 — интервал времени, в течение которого
напряжение на выходе микросхемы переходит от напряжения логиче-
ского нуля к напряжению лошческой единицы, измеренный на уров-
нях 0,1 н 0,9 или н^Ьданиых значениях напряжения.
Время задержки Жлючения — интервал времени между входным
и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микро-
схемы от напряжения логической единицы к напряжению логического
нудя, измеренный на уровне 0,1 пли на заданных значениях напря-
жения.
Время задержки выключения Йд — интервал времени между вход-
ным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе
микросхемы от напряжения логического нуля к напряжению логической
единицы, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях на-
пряжения. '
Время задержки распространения сигнала при включении 4д,р—
интервал времени между входным и выходным импульсами при пере-
ходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения логической
единицы к напряжению логического нуля, измеренный на уровне 0,5
или на заданных значениях напряжения.
Время задержки распространения сигнала при выключении р—
интервал времени между входным и выходным импульсами при пере-
ходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения логического
нуля к напряжению логической единицы, измеренный на уровне 0,5
или на заданных значениях напряжения.
Среднее время задержки распространения сигнала /зд. р. сп — интер-
вал времени, равный полусумме времени задержки распространения
сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы.
Время считывания информации — интервал времени между
фронтами адресного н считанного сигналов микросхемы, измеренный на
заданных уровнях в заданном режиме.
Время записи информации t3n — интервал времени между началом
адресного сигнала и появлением записанной информации на выходе
микросхемы, измеренный па заданных уровнях.
Время восстановления после считывания t:.oc — интервал времени
между концами адресного и считанного сигнала микросхемы, измерен-
ный на заданных уровнях.
ОТНОСИТЕЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Коэффициент усиления напряжения Ку у — отношение выходного
напряжения микросхемы к входному напряжению.
Коэффициент передачи напряжения Кп-
Коэффициент усиления мощности Ку р — отношение выходной мощ-
ности микросхемы к входной мощности.
Коэффициент ослаб лени я синфазных входных напряжений А?0-,сф —
отношение коэффициента усиления напряжения микросхемы к коэф-
фициенту усиления синфазных входных напряжений.
Коэффициент влияния нестабильности источников питания на
входной ток /<вл, и.п — отношение приращения входного тока микро-
39
схемы к вызвавшему его приращению напряжения источника питания.
(Аналогично определяются коэффициенты влияния нестабильности
источника питания на разность входных токов, э. д. с. смещения и на-
пряжение смещения).
Относительный динамический диапазон по напряжению А173цн, Отн —
отношение максимального выходного напряжения микросхемы к мини-
мальному выходному напряжению, выраженное в децибелах.
Относительный диапазон автоматической регулировки усиления по
напряжению AUАРУ отн — отношение наибольшего значения коэффи-
циента усиления напряжения к наименьшему его значению при изме-
нении входного напряжения в заданных пределах.
Коэффициент гармоник Кг — отношение среднеквадратиыеского
напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала к средне-
квадратическому напряжению первой гармоники.
Коэффициент нестабильности по напряжению Кас у — отношение
относительного изменения выходного напряжения (выходного тока) мик-
росхемы к вызвавшему его относительному изменению входного напря-
жения.
Коэффициент нестабильности по току Кнс j — отношение отно-
сительного изменения выходного напряжения (выходного тока) мик-
росхемы к вызвавшему его относительному изменению тока нагрузки
или сопротивления нагрузки.
Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характе-
ристики (коэффициент неравномерности АЧХ) ЛГнр Дч — отношение
максимального значения выходного напряжения микросхемы к мини-
мальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания,
выраженное в децибелах.
Коэффициент подавления Кпод — отношение выходных напряже-
ний микросхемы, измеренных при различных управляющих напряже-
ниях, выраженное в децибелах.
ПРОЧИЕ ПАРАМЕТРЫ
Скорость нарастания выходного напряжения Оу вых — скорость из-
менения выходного напряжения микросхемы при воздействии импульса
максимального входного напряжения прямоугольной формы.
Крутизна вольт-амперной характеристики SB А — отношение
силы выходного тока к вызвавшему его напряжению входного сигнала х.
Крутизна преобразования Snpg — отношение выходного тока сме-
сителя к вызвавшему его приращению входного напряжения при задан-
ном напряжении гетеродина.
Коэффициент объединения по входу Коб — число входов микро-
схемы, по которым реализуется логическая функция.
Коэффициент разветвления по выходу ЛГраз — число единичных
нагрузок, которое можно одновременно подключить к выходу микро-
схемы 2 (единичной нагрузкой является один вход основного логиче-
ского элемента данной серии интегральных микросхем).
1 Термин и обозначение ГОСТ 18683-73, ГОСТ 19480-74 и ГОСТ 19799-74
не установлены.
2 В таблицах разд. 2 настоящего справочника указаны максимальные
еначения К , если иное не оговорено для интегральных микросхем отдель-
ных типов.1 2
40
Коэффициент объединения по выходу Ков, вых — число соединяемых
между собой выходов интегральной микросхемы, при котором обеспечи-
вается реализация соответствующей логической операции.
Сопротивление нагрузки RH — значение активного сопротивления,
подключаемого к выходу интегральной микросхемы, при котором
обеспечивается заданное значение выходного напряжения (выходного
тока) или заданное усиление.
Емкость нагрузки С„— максимальное значение емкости, подклю-
ченной к выходу интегральной микросхемы, при котором обеспечи-
ваются заданные частотные и иные ее параметры.
Параметры диодов и транзисторов, входящих в микросборки
(наборы диодов и транзисторов), обозначаются в справочнике симво-
лами, установленными для этих полупроводниковых приборов соот-
ветствующими Государственными стандартами СССР,
РАЗДЕЛ ВТОРОЙ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
СЕРИЯ КЮ8
Тип логики; МОП-структуры.
Состав серии:
К1КТ031 —коммутатор на 6 каналов.
К1ТК081 —2 двухступенчатых RS-триггера.
К 17КЛ081 —многофункциональный логический элемент.
К1ЛР081 —2 элемента ЗИ-2ИЛИ-НЕ (кворум-элемент).
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-1. Выводы: общий — 7;
^и. п — 7.
Для всех микросхем (/„.п==—27 В + 10%.
Электрические параметры микросхем К1КТ081:
Напряжение коммутации..............................0 --10 В
0 4- +10 В
Сопротивление открытого канала не более............ 250 Ом
Сопротивление закрытого канала не менее.............. 20 МОм
Ток утечки вход — подложка не более................. 0,2 мкА
Ток утечки выход—подложка не более.................. 0,2 мкА
Таблица 2-1
Обозначение параметра К1ЖЛ081 К1ЛР081 К1ТК081
Рпот, мВт, не более 100 50 100
/пот, мА, не более 2,6 0,8 2,6
(7‘вых, В, не менее —9,5 —22 —9,5
(7»вых, В, не более —0,7 —1,0 —0,75
/ут, вх> мкА, не более 0,2 0,2 0,2
(7ВХ ,г В, не менее* 9,0 9,0 9,0
/вх, кГц, не более* 100 100 100
р, мкс, не более 6,0 11 —
/дд° р, мкс, не более 6,0 3,0 —
^раз 10 10 10
* Для микросхемы K1TK08I даны значения амплитуды и частоты следо*
вання тактовых импульсов при /?и — 1 МОм и Са = 60 пФ.
42
К1К7091
[4' ,4 нт]
13
12
11
10
9
8
— Общ.
43
К1ТК081
3 п V R ТТ
8 Л И /? тт
Способы включения микросхемы: 1) двоичный счетчик: соединены
выводы 3 и 14, 6 и 10, би 11; 2)сдвиговый регистр: соединены выводы
10 и 14, 2 и б; 3) RS-триггер: соединены выводы 1, 2 и 8.
Основная логическая функция, выполняемая микросхемой
К1ЖЛ081,
y = x1x2x;1x4xr,x,ix7x8xsx1() + (xix2x3 v4 + xr)xex7xs) х9хг„ +
+ (Х1Х2Х3 + Х4ХБХ8 + Х^Хд) X!t -j- Xjo + (X'1X2 + xgX$ 4~ XgXg 4~ XyXg) ХдХц).
При подаче на соответствующие входы напряжений Ua и U1 и при
объединении некоторых входов микросхема выполняет следующие ло-
гические функции:
1) Х9 = Х10 = 0: IJi^XgXgXtXgXgX^B;
У 2 — 4~ х24~*з + Х4 + х6 хе 4- х, 4- х8;
2) х9 = 0; х10=1: =х1х2х3х4 4-х5хвх7х8;
Уд = (*1 “Ь х2 + *з 4- х4) (хБ хв+х7 -j- х8);
3) х9=1; х1о = О: х3х2 4~х9х4 4-хБх8 4~х7х8;
Уг ~ (Х] 4" х2) (*3 + *4) (*В + Х8) (^7 + *в);
4) Хд — х10 = 1: ^4 = х1х.2х3 4- 4- х7 4- х8;
^2 = (Х14-х24-хз) (х4 4-х6 + х8)х,х8;
5) х9=х10; х4 = х8: {/^(х^Хз+зд+ЗД)) ха,
У г — (*14- х2 4- х3) (х6 4- хв) х7х8 4- х9;
6) х9 = х10; х8 = 0: У1 = х1х2х3х4х5хвх,4-х9;
Уг — (Х1 + *2 + х3 4- 4- х6 4- х8 4- х7) • х9;
7) х9 = х,==1: у, =Х|Х24-х3х44-хГ1хв4-х84-х10;
У2 = (Х1 4- Хд) (Хд 4- Хд) (х9 4- х„) х8х10;
44
8) х9 = Хю» x7 — 1 = XiXzXnX^XfrXeXg ~|~x9;
J/2 = (-*lH_*2 + -*3~l_'*4+*5 + '*e + X8) X9:
9) ^o = O; x8 = 1: У1 = (x1x2xaxt +x5xex7) x10;
Уг = (*i + *2 + x3 + x4) (x5 + xe + x7) + xl0;
10) x9 = 0; x4 = x8: yt = (x1x2x3 + x5x6x7) x4x10;
У 2 = (Xi + X2 + X3 ) (x6 + Xa + X7) + X4 + X|0;
11) Xio=l; x7=l: У1 = x1x2x3x4-j-x5xex9 + xe;
J/2 = (-*i + *2 + *3+x,|) (x6 + xe + x3) x9;
12) xl9 = 0; x8=l: y, = (x1x2 + x3X4 + x5xe + x7) x0;
//2 — (*1 + *2) (*3 + *4) C*S + *e) *7 + *9!
13) x9 = x10; x7 = 0: yl = (x4x2x3 +x4Xsxe-|-x8) x9;
У2 — (xi + x2 4- x3) (X4 + xa + ^e) *8 +
14) xe = x2; xw = 0: 14 = [xtx2+x3x4 + xe (x5 + x7)J x8;
42 = (*1 + *2) (^3 + *4) *« + «5*7 + *s-
К1ЛР081
СЕРИИ 109 И КЮ9
Тип логики: ДТЛ.
Состав серий:
109ЛИ1, КЮ9ЛИ1А,
К109ЛИ1Б
К1ЛБ091А, К1ЛБ091Б,
К1ЛБ091В, К1ЛБ091Г
К1ЛБ092А, К1ЛБ092Б
К1ЛП091
— элемент 6И для работы на низкоомную
нагрузку.
— элемент ЗИ-НЕ с расширением по И.
— элемент ЗИ-НЕ с повышенным коэффи-
циентом разветвления и расшире-
нием по И.
— 2 трехвходовых расширителя по И,
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-1.
Параметры интегральных микросхем 1ЛП091 и К1ЛП091:
t/np (при /пр=1 мА).........................0,7—0,85 В
^обр (ПРИ 0,вхобр = 5-25 В) не более ....... !>5 мкА
45
ШБ091А-ШБ031Г
46
Ш1091
Таблица 2-2
Обозначение параметра 109ЛИ1 К109ЛИ1А, К109ЛИ1Б К1ЛБ091А — К1ЛБ091Г К1ЛБ092А, К1ЛБ092Б
<5 С 03 C3 i 5,0 ± 10% (//) 5,0 ±5% (14) 3.0 + 5% (5) 5,0 + 5% (б) 5,0 + 5% (6)
^вых’ В» не ме- нее 2,45 2,4 2,5 2,5
^вых> В» не бо- лее 0,35 0,4 0,4 0,4
^вх » МКА» не бо- лее 5,0 5,0 1.5 1,5
/дХ, мА, не бо- лее «раз «об 1,6 12 6 1,6 12(К109ЛИ1 А) 10 (К 109Л И1 Б) 6 1,5 5 (К 1Л Б'191 А) 4 (R1ЛВ091 Б) 3 (К1ЛБ091В) 2 (К1ЛБ091Г) 6 1,5 16(К1ЛБ092А) 12(К1ЛБ092Б> 6
'зд° р- нс> не б°- лее 50 75 40 60
Г®'* п, нс, не бо- зд, Р лее 55 90 80 100
Un. ст- В> не ме- нее 0,4 0,3 0.3 0,3
• В скобках указаны номера выводов, к которым подключаются положи-
тельные полюсы источников питания.
47
СЕРИИ 114 И КИ4
Тип логики: РТЛ.
Состав серий:
114ЛП1А, КИ4ЛП1А,
114ЛП1Б, КИ4ЛП1Б
114ЛД1А, К114ЛД1А,
И4ЛД1Б, КИ4ЛД1Б
114ЛП2Д, КИ4ЛП2А,
114ЛП2Б, КИ4ЛП2Б
114ЛПЗА, КИ4ЛПЗА,
Л4ЛПЗБ, КИ4ЛПЗБ
114ЛД2А, КИ4ЛД2А,
114ЛД2Б, КН4ЛД2Б
114ЛЕ1А, КП4ЛЕ1А,
Н4ЛЕ1Б, К114ЛЕ1Б
114ЛЛ1А, КИ4ЛЛ1А,
114ЛЛ1Б, КП4ЛЛ1Б
114ЛЛ2А, К114ЛЛ2А,
114ЛЛ2Б, К114ЛЛ2Б
] 14ИЛ1А, КН4ИЛ1А,
114ИЛ1Б, КИ4ИЛ1Б
114ИР1А, К114ИР1А,
Л4ИР1Б, К114ИР1Б
114ТР1А, КН4ТР1А,
114ТР1Б, К114ТР1Б
— 4 элемента НЕ-НЕТ.
j- — 4 расширителя по НЕТ.
| — элемент 6ИЛИ-НЕТ.
элемента 2ИЛИ-НЕТ.
| — 2 четырехвходовых расширителя по ИЛИ.
У — 2
элемента 4ИЛИ-НЕ.
) — элемент ИЛИ-НЕ с повышенным коэффи-
j цпептом разветвления.
1 — элементы 2ИЛИ-НЕТ и 2ИЛИ с повышен-
) ным коэффициентом разветвления.
| — полусумматор и элемент 2ИЛИ-НЕ.
| — разряд двухтактного регистра
| — RS-триггер.
сдвига.
Корпус металлополимерпый «Тропа». Выводы: общий—2;
+ ^и.п — 9.
Для всех микросхем 1/и.п = 4 В± 10%.
1ПЛП1(А,Б); К1ШЛП1(А,Б)
48
11МД1(А, Б); КШДЦАД)
^1ЧЛП2(А,Б); К114ЛП2(А,Б)
49
11ЧЛД2(А,Б);К11ЦЛД2(А>Б)
7
114ЛЛ2(А,Б); К11 "ЛЛ2(А,Б)
11Ш1(А,Б)-> К11Ш1(А,Б)
11ЦИР1(А,Б);К11ЧИР1(А,Б)
3'74 11 1
5 б .8 Ю 12
50
51
^пот' мВт’ не более Р“от, “Вт, не более 1/»ых, в> не более *зд, р, ср. нс. не более /вых’ мкА /^х, мкА <4, ст. в /^раз Обозначение параметра
4-^ С5 W . х Р I I W Р w to ' о to to ел сл g о сл сл 05 114ИЛ1А, КП4ИЛ1А
05 05 to _ ° 1 1 g р .* .* сл 4^ — g tO О Ф 'Л 05 О СО 114ИЛ1Б, К114ИЛ1Б
05 05 Ф , - хр I | ф О rf* Ц1 СЛ Й ~ о ю Q 05 Н4ИР1А, К114ИР1А
оо 05 05 , . -® 1 1 g Р ,о> .-1 сл £ s 8 °° 114ИР1Б, К114ИР1Б
05 8 , р 1 1 w р JO JO А-> о to со сл сл g? “ со о сл 05 114ТР1А, К114ТР1А
00 05 05 . г. Р 1 I to о р со 77 4^ — g tO 4^ СО О' QQ СО 05 со 114ТР1Б, К114ТР1Б
Ч
м
ОХ
Ья
S
Я
Са
tO
W
раз
Рц0Т. мВт, не более Р’от’ мВт’ не более ^вых’ В. не менее 77°ых, В. не более /за, р. ср* нс, не более /вых’ МкА /^х, мкА Сп, ст* В, не менее к <ч раз Обозначение парамет ра
С 4^ 05 о Tip О . Г- о JL J- g to । 4*. со о 114ЛЕ1А, К114ЛЕ1А
о 2 2 ф о . ю 1 12 "to 1 to to to >— ° Ф Ф 00 о 114ЛЕ1Б, К114ЛЕ1Б
с 7. О to 05 05 | I со Р . to го Л Д, о to 1 сл ф £ Ц о сл СЛ о 114ЛЛ1А, К114ЛЛ1А
со 05 00 — Т I ГО Р I W ьо ’ I г п О го 1 о о a s ° ~ ° о 114ЛЛ1Б, К114ЛЛ1Б
* с “ * X- * CJ Ф п- О Ф W 1 О СО - W W 01 Д, ф Ф СЛ О — СС Ф Ф # * о * 114ЛЛ2А, К114ЛЛ2А
1 С2 г,- _ О О СаЗ I g N - И Г Р СЛ Д ф ф сл ф — о ф * * о * 114ЛЛ2Б, К114ЛЛ2Б
Р'пот, мВт, не более /’пот* мВт, не более (7»Ь1Х, В* не более /зд, р, ср, нс, не более /вых’ мкА Рвх, мкА (7П. ст*В, не менее К *'раз Обозначение параметра
05 О I | ОФЬОо- JL A- g "to се ос ~ ° фо Ф о 114ЛП1 А, КН4ЛП1А
Ji — — 01 та g 1 I о Р Л Р to Д. О Ю 4^ ►£>* оо о 114ЛП1Б, КИ4ЛП1Б
05 О _ | | сс Р Г- *Г- ’ Ф to — — _ ^7 о сл сл Р ф 114ЛП2А, К114ЛП2А
1,70 1,70 0,2 1200 86—193 6—24 15 1 1 114ЛП2Б, КП4ЛП2Б
05 О _ I I со о ДЭ 1 Д. Ф кП се со ~ — о to о о Ф 05 114ЛПЗА, КП4ЛПЗА
сл о Т"1 'f3 to to I 1 о to со to «— ф ф 4^. 00 ф 114ЛПЗБ, К114ЛПЗБ
Ч
Со
ох
ь»
J3
са
to
Таблица 2-5
Обозначение параметра 114ЛД1А, К114ЛД1А 114ЛД1Б, К114ЛД1Б 114ЛД2А, К114ЛД2А 114ЛД2Б, КП4ЛД2Б
/В!!, мкА 1/“ых, В, не бо- лее 6—17 0,2 6—24 0,2 6—17 0,2 6—24 0,2
СЕРИИ 115 И КП5
Тип логики: РТЛ.
Состав серий:
115ЛЕ1, КП5ЛЕ1—-4 двухвходовых элемента ИЛИ-НЕ.
115ЛЕ2, К115ЛЕ2 —2 четырехвходовых элемента ИЛИ-НЕ.
115ЛЕЗ, К115ЛЕЗ — элементы 2ИЛИ-НЕ и ЗИЛИ-НЕ с повышенным
коэффициентом разветвления.
115ЛЕ4, КИ5ЛЕ4 — элемент ЗИЛИ-НЕ с повышенным коэффициен-
том разветвления.
115ЛП1, К115ЛП1—элемент 2ИЛИ-НЕ и 3 двухвходовых расшири-
теля по ИЛИ.
115ЛС1, КН5ЛС1 —элемент 4ИЛИ-И и элемент 2ИЛИ-НЕ.
115ТР1, КИ5ТР1—RS-триггер и элемент 2ИЛИ-НЕ.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14-2. Выводы: об-
щий— 14', +U{,_„—9.
Напряжение источника питания всех микросхем 1/и п = + 4 В±
+ 10%.
115ЛЕ1;К115ЛЕ1
54
115ЛЕ2;К115ЛЕ2
§5
115ЛП1' К115ЛП1
гс33_
Т 4
ХЧ——
х5 —
xsJL_
X-jJ._
х2——~
12.,
11
10 „
—У4
115ТР1;К115ТР1
56
Таблица 2-6
Обозначение параметра 115ЛЕ1 КП5ЛЕ1 115ЛЕ2 К115ЛЕ2
Рпт, мВт, не более 12,5 16,3 6,25 8,2
(7‘ых, В’ не менев 0,78 0,78 0,78 0,78
(7“ых, В, не более 0,20 0,22 0,20 0,22
р. fp» нс, не более 100 150 100 150
/>ых, мкА 285—500 300—625 285—500 300—625
!'вх, мкА, не более 75 80 75 80
^раз 4 4 4 4
Un, ст, В, не менее 0,15 0,15 0,15 0,15
Продолжение табл. 2-6
Обозначение параметра 115ЛП1 КП5ЛШ 115ЛС1, 115ТР1 КИ5ЛС1, КП5ТР1
Рпот, мВт, не более 3,1 1,1 12,5 16,3
В, не менее ВЫХ ’ 0,78 0,78 ' 0,78 0,78
(7°ых, В’ не более 0,20 0,22 0,20 0,22
^зд> р» ср» нс, не более 100 150 100 150
/’ых. мкА 285—500 300—625 285—500 300—625
/‘х, мкА, не более 75 80 75 80
^раз 4 4 4 4
Uu, ст> В, не менее 0,15 0,15 0,15 0,15
Продолжение табл. 2-6
Обозначение параметра 115ЛЕЗ, 115ЛЕ4 К115ЛЕЗ, КИ5ЛЕ4
Рп<ут, мВт, не более 25,0 26,2
(7‘ых, В, не менее 2,4 2,4
(7“ых, В, не более 0,35 0,35
р.ср нс, не более 180 220
/^х, мкА, не более* 26 2(
мА, не более 8,0 8,0
^раз 50 5( )
Un, ст, В, не менее 0,7 0,7
* На входах 4, 5 и 7.
57
СЕРИИ 121 И К121
Тип логики: ДТЛ.
Состав серий:
121ЛА1А,
121ЛД1Б,
121ЛА1В,
121ЛА1Г,
121ЛА2А,
121ЛА2Б,
К121ЛА1А,
К121ЛА1Б,
К121ЛА1В,
К121ЛА1Г
К121Л A2A,
К121ЛА2Б
121ЛД1, К121ЛД1
1
I —элемент ЗИ-НЕ с возможностью рясшире-
( ния по И.
i
— элемент ЗИ-НЕ с повышенным коэффици-
ентом разветвления и возможностью рас-
ширения по И.
— 2 трехвходовых расширителя по И.
Корпус круглый металлостекляпный 301.12-1, Выводы; -|-£/и „1—
— 11 *; +U„.ni-10
Электрические параметры диодов микросхем 121ЛД1 и К121ЛД1
Прямое падение напряжения i/np (при токе 1 мА) . . . 0,7—0,85 В
Обратный ток не более (при 77обр = 5,5 В) . . . 5,0 мкА
121ЛА2А,К121ЛА2А-,121ЛА2Б, К121ЛА2Б
121ЛД1;К121ЛД1
* Кроме микросхем 121.7]Д] и К121ЛД1.
** Только для микросхем 12J JlAJA—J2] ЛА1Г и К121ЛА1 A—K12J ЛА1Г.
58
121ЛА1А—121ЛА1Г', К121ЛА1А-К121ЛА1Г
Таблица 2-7
Обозначение параметра 121ЛА1А — 121ЛА1Г К121ЛА1А— К121ЛА1Г 121ЛА2А, 121ЛА2Б К121ЛА2А, К121ЛА2Б
"и.пр В* 5,0 5,0 5,0 5,0
^-„2- В’ 3,0 3,0 — —
(7вых- В. не ме- 2.5 2,5 2,5
нее
^вых> .В« не 0,35 0,35 0,4 0,5
лей
/дХ, мкА, не бо- 1,5 1,5 5,0 5,0
лее
/рХ. мА, не более 1,3 1,5 1,4 1,7
<Vn. р> нс, не бо- 30 70 40 110
лее
р, нс, не бо- 70 150 40 90
лее
1/п,ст- В, не ме- 0,3 0,35 о,3 0,2
нее
Лраз 5 (121ЛА1А) 5(К121ЛА1А) 16 (121Л A2A) 16 (К121ЛА2А)
4 (121ЛА1Б) 4 (К121ЛА1Б) 12 (121ЛА2Б) 12 (К121ЛА2Б)
3 (121ЛА1В) 3 4К121ЛА1В)
2 (121ЛAIГ) 2 (К121ЛА1Г)
* Допускаемое отклонение для микросхем с индексом К не более + 5%
для остальных + 10%.
СЕРИИ 128 И К128
Тип логики: ДТЛ.
Состав серий:
Р8СЛ1В' кТгйЛСДЛ —элементы 2И и 2И-ИЛИ, оба расширяемые
К128ЛС1Б, К128ЛС1В J по И’
128ЛР1А, 128ЛР1Б,
128ЛР1В, К128ЛР1А,
К128ЛР1Б, К128ЛР1В
128ЛД1, К128ЛД1
128УП1, К128У1Т1
128ЛСЗ, К128ЛСЗ
128ЛК1, К128ЛК1
128ЛС4, К128ЛС4
128ЛС5, К128ЛС5
128ЛДЗ, К128ЛДЗ
128ЛД4, К128ЛД4
128ИР1, К128ИР1
— элемент 2И-ИЛИ и элемент 2И-ИЛИ-НЕ,
оба расширяемые по И и ИЛИ (с общим вхо-
дом по И).
— расширитель по И, расширитель по ИЛИ.
— усилитель-формирователь.
— 2 элемента 2И-ИЛИ/ЗИ-ИЛИ, расширя-
емые по ИЛИ, оба комбинированные с син-
хронным полупериодным D-триггером.
— элемент 3-ЗИ-2ИЛИ/3-ЗИ-2ИЛИ-НЕ, рас-
ширяемый по ИЛИ, комбинированный
с синхронным полупериодным D-триггером.
— элемент 3-3-4И-ЗИЛИ, комбинированный
с синхронным полупериодным D-триггером-
— элемент 3-ЗИ-2ИЛИ, расширяемый по ИЛИ,
комбинированный с однопериодным D-триг-
гером.
— 2 четырехвходовых расширителя по ИЛИ.
— восьмивходовый расширитель по ИЛИ.
— восьмиразрядный сдвигающий регистр с
входной логикой 2-ЗИ-2ИЛИ, расширяе-
мый по ИЛИ с прямым выходом с 7-го раз-
ряда и прямым и инверсным выходами
с 8-го разряда.
128ЛС1А-128ЛС1В;К128Л01А-К128ЛС1В
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14-2.
Выводы: общий —10 (128ЛС1А — 128ЛС1 В, К128ЛС1А — К128ЛС1 В,
128ЛР1А—128ЛР1В, К128ЛР1А —К128ЛР1В), 12 (128ЛСЗ, К128ЛСЗ,
128ЛС4, К128ЛС4, 128ЛС5, К128ЛС5, 128ЛК1, К128ЛК1, 128ИР1,
К128ИР1); 13 (128УП1, К128УП1);-4-п —Л? (128ЛС1А - 128ЛС1В,
К128ЛС1А-К128ЛС1В, 128ЛР1А—128ЛР1В, К128ЛР1А—К128ЛР1В);
10 (128ЛСЗ, К128ЛСЗ, 128ЛС4, К128ЛС4, 128ЛС5, К128ЛС5, 128ЛК1,
К128ЛК1. 128ИР1, К128ИР1); -f- U„. п1-10; UK п2 — 7 (128УП1,
К128УП1).
Частота тактовых импульсов fH. вх элементов И-ИЛИ, И-ИЛИ-НЕ
микросхем серий 128 и К128:
128ЛС1А, К128ЛС1А, 1 , - мг
128ЛР1А, К128ЛР1А J не Оолее ° ц>
128ЛС1Б, К128ЛС1Б, 1 б мг
128ЛР1Б, К128ЛР1Б J не оолее 1 и Ml ц.
128ЛС1В, К128ЛС1В, | __ более 16 МГц
128ЛР1В, К128ЛР1В J не °олее 10 М1ц'
128ЛР1А-128ЛР1В', К128ЛР1А-К128ЛР1В
61
60
128ЛД1,К128ЛД1
3
128ЛСЗ, К128ЛСЗ
111 /Л,- , 7 Я
128ЛК1,К128ЛК1
62
63
64
128ЛС5, К128ЛС5
Тактовые импульсы на входы С3 и С3
подаются в противофазе со скважностью
2; длительность фронта или среза такто-
вых импульсов должна быть не более
20 нс; длительность фронта или среза
входных информационных импульсов не
Солее 60 нс, частота входных сигналов
в 2 раза меньше частоты тактовых сиг-
налов, расфазировка тактовых импульсов
на входах Сх и С2 не более 20 нс, время
задержки фронта тактовых импульсов С’х
относительно фронта или среза входного
импульса не более 90 нс.
3 «VP Гарабрина Б, В.
128ИР1,
К128ИР1
С- & & Ci Cz RG 7 3 8' —14
и с
и 7
/ о
1
и Л — J
J 44
11 13
65
Таблица 2-8
обозначение параметра 128ЛС1А—128ЛС1В К128ЛС1А—К128ЛС1В
7+ В Р,м, мВт, не более 7'.'1Ь1Х, В, не менее L''',,ч, В, tie более 4'нГл. ^раз К эб *оГ (Л1)СТ, В, не менее
° - lJ/0 со 2,4 0,5 +5,8 (5; 12) -5,0 (11) 6 6 4 0,5 ° — "-'/О 70 2,2 0,55 +5,8 (5; 12) —5,0 (11) 6 6 4 0,3
Продолхсение табл. 2-8
Обозначение параметра 128ЛР1Л—128ЛР1В К128ЛР1А—К128ЛР1В
В Р„от, мВт, не более ^вых> не меиее ^вых’ В> не 6oJ!ee ^вх, А> В* раз К** Г+** Лоб Un, ст. В, не менее 3 ± 10% 60 2,4 0,5 +5,8 (5; 12) . —5,0 (11) 6 6 4 0,5 3±. 10% 70 2,2 0,55 +5,8 (5; 12) —5,0 (11) 6 4 0,3
* Допускаемое отклонение ± 10%; в скобках указаны номера выводов,
к которым подводятся тактовые импульсы.
** Коэффициент объединения по И.
*** Коэффициент объединения по ИЛИ.
Таблица 2-9
Обозначение параметра 128ЛД1 К128ЛД1
^вх. А- В* +5,8 + 5,8
/»х, мА 3,3—3,6 3,0—3,6
Рвх, мкА, не более 10 15
£/пр. В 0,65—0,85 0,60—0,00
^обр.макс» В 4,5 4,5
/обр> мкА, не более'1'* 10 15
* На выводах 3 и !О; допускаемое отклонение + 10%
** Значение обратного юка каждого днода при ..„„„-V’ В.
о о р • макс
66
Таблица 2-10
Обозначение па раметра К128УП1 ) К128ЛСЗ Ю1Го'3!)1 J 1 К128ЛС5 & 5 £ 1 К128ЛДЗ c<i £ К128ИР1
/’ , мВз Пи г’ (типовая) 100 9 5,5 10 9 1.2 0.6 40
"и.п. В’ - 4 4 4 4 - .а- -
уи.п1'в’ 6,3 - - - - — — —
и п. В** v И. П2 3 - - - - - - -
и'вых- В- ,и ме н ее 6,1 2,3 2.3 2,3 2,3 5,4 5,4 2.3
г-'вых В. не более 1.25 0,4 0.4 0.4 0,4 1.2 1.2 0,4
1/Вх. А’ В 5,0-6,9 5,4—6,9 5,4—6,9 5,4—6.9 5,4—6,9 5,4—6,9 5,4—6,9 5,4— 6,9
/рХ. мкА, не более 2800 5 5 5 5 5 5 5
/вХ, мА, не более 6,6 0,35 0.35 0,35 0,35 0,35 0.35 0.35
/вых. мА- ие более f>0 2 2 2 2 - - 2
/вых. мА. не б о тес 20 8 8 8 8 2 2 8
;пот «А, не более 17 (вывод /А) 12 (ВЫВОД 7) — - - - — - —
Sas — 10 10 10 10 — — 10
КоГ — 4 4 4 4 - - -
/ад, р. кс- не более 15 - - - - — -
4д, Р. нц. нс более 15 — — •— — * — -
/ .МГц, 'ibBX' ие более 16 4 4 4 4 4 4 4
’ Допускаемое отклонение + 1С%
*и По отношению к напряжению Сй п
Коэффициент объединения по ИЛИ»
67
Таблица 2-It
Обозначение параметра С О 128ЛС4 Л О 5 2 128ЛК) 128ЛДЗ 128ЛД4 128ИР1
в* - 4 4 4 4 - - 4
",..ПГ 6,3 — - — - — — —
"и.пг В*’ 3 — — — — — — —
О со си ' <и X в 3 £ - л S 6,2 2,3 2.3 2.3 2,3 5.4 5,4 2,3
^ВЫХ. в- не более 1.2 0,4 0.4 0,4 0,4 1,1 1,1 0,4
^вх. А* В 5,0-6.? 4,5-6.4 4,5—6,4 4,5—6,4 4,5—6,4 4,5—6,4 4,5— 6,4 4,5-6,4
/рХ, мкА, не более 2800 5 5 5 5 5 5 5
/рХ, мА, ие более 6,6 0,3 о.з 0,3 0,3 0.3 0.3 0,3
'вых. “А. не более 50 - - - - - - -
'вых. мА, не более 20 5,8 5.8 5.8 (вывод 9) 5,5 (вывод 13) 5,8 3 3 5,8
'пот. мА. не более 12,5 (вывод 10) 9,5 (вывод 7)
ЛРаэ — 10 10 10 10 - - 10
*об - 4 - 4 4 - - -
^ЗД, Р’ НС’ не более 15 — - - - - - -
<ЗД,р. нс. ,,е более 15 - - - - — - -
'и вх. мГц, ие более 16 4 4 4 4 4 4
* Допускаемое отклонение £ 10%
* По отношению к напряжению U
И. Ill
• Коэффициент обьсдинения по ИЛИ.
68
СЕРИИ 130 И К130
Тип логики: ТТЛ.
Состав серий:
130ЛА1, К130ЛА1—2 элемента 4И-НЕ.
130ЛА2, К130ЛА2 —элемент 8И-НЕ.
130ЛАЗ, К130ЛАЗ —4 элемента 2И-НЕ.
130ЛА4, К130ЛА4—3 элемента ЗИ-НЕ.
130ЛА6, К130ЛА6 — 2 элемента 4И-НЕ с большим коэффициентом
разветвления.
130ЛР1, К130ЛР1—2 элемента 2И-ИЛИ-НЕ, один расширяемый по
ИЛИ.
130ЛРЗ, К130ЛРЗ — элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ с возможностью рас»
ширения по ИЛИ.
130ЛР4, К130ЛР4 — элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с возможностью расши*
рения по ИЛИ.
130ЛД1, К130ЛД1—2 четырехвходовых расширителя по ИЛИ,
130ТВ1, К130ТВ1 — JK-триггер с логикой ЗИ на входе.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14-2, Выводы:
общий —7; + П,!п —14.
Напряжение источника питания всех микросхем 5 В; допуск
каемое отклонение Un,n для микросхем с индексом К не более ±5%,
для остальных — не более ±10%.
69
-ШЛА1;К130ЛА1
в з
130ЛА2; К130ЛА2
^0ЛАА;К130ЛАА
130ЛРГ,К130ЛР1
71
70
130ЛРЗ: И130ЛРЗ
130ЛРЧ;К130ЛРЧ
130ТВ1-,К130ТВ1
72
73
Таблица 2-12
Обозначение параметра ГЗОЛРЗ К130ЛРЗ 130ЛР-1 К130ЛР4
Д][ОТ, мВт, не более 102 79 51 58
/вх, мА, не более —2 —2 —2 —2
/вх, мкА, не более 50 50 50 50
С'вых, В, не менее 2,4 2,4 2,4 2,4
С'вых, В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4
/зд, р, нс, не более 12 12 12 12
/зд, р, нс, не более 15 14 15 14
1/„, ст. В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4
^□аз 10 10 10 10
Примечание. Для микросхем 130ЛР1, 130ЛРЗ, 130ЛР4 коэффициент
объединения по входам ИЛИ Kog — 8.
Таблица 2-13
Обозначение параметра 130ТВ1 К130ТВ1
Рпот, мВт, не более 140 142
t/вых, В, не менее 2,4 2,5
t/вых, В, не более 0,4 0,4
1зд, р по входу синхронизации, нс, не более 30 35
<зд, р от R- и S- входов, нс, не более 27 30
/вх, мГц 20 18
U„, ст, В, не Солее 0,4 0,5
/ад, р по входу синхронизации, нс, не более 26 —
Примечание. Для микросхем 130ТВ1 a KI30TBI на выводах 3, 4,
6j 9, 10, 11 /дХ^50 мкА, /рХ^2,0 мА и на выводах на выводах 2, 13 /gX^150 мкА и ня выводе 12 2, 12, 13 /"х^4,0 мА; 100 мкА.
Табл ица 2-14
Обозначение параметра 130ЛД1 К130ЛД1
Рпот, мВт, не более 22 22
t/вых, В, не более 1,3 1,3
/вх, мА, не более —2 —2
/вх, мкА, не более 50 50
t/д, ст, В, не более 0,4 0,4
Примечав и е. Вносимая задержка распространения при подключе- нии к микросхеме 130ЛД1 с возможностью расширения по ИЛИ не более 3 нс.
74
Т а б л и ц а 2-15
Обозначение параметра 130Л А1 К130ЛА1 130ЛА2 К130ЛЛ2 *5 К130ЛАЗ
Рпот, мВт, не более 8S 100 44 50 176 132 152
/вх, мА, не более ') —2 —2 Z —2 —2
/вх, мкА, не более 50 50 50 50 50 50 50 50
//вых, В, не менее 2.4 2.4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4
//вых, В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
/эд, р, нс, не более 10 10 12 12 10 10 10 10
/зд, р, нс, не более 12 12 12 12 12 12 12 12
Un, ст, В, не более 0,4 0,4 0,4 0.4 0,4 0,4 0,4 0,4
^раз 10 10 10 10 10 10 10 10
Т ЗОЛ и ц а 2-16
Обозначение параметра 130ЛА6 К130ЛА6 1 ЗОЛ Pi К130ЛР1
/511от, мВт, не более 12! 137 102 116
/вх, мА, не более —2 —2 —2 — 2
/вх, мкА, не более 70 70 50 50
и'вых, В, не менее 2,4 2,4 2,4 2,4
//вых, В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4
/эд, р, нс, не более 16 14 12 12
/зд. р, нс, не более 15 14 15 14
t/n. ст 0,4 0,4 0,4 0,4
Араз 30 20 10 10
СЕРИЯ К131
Тип логики: ТТЛ.
Состав серии:
К131ЛА1 —2 элемента 4И-НЕ.
К131ЛА2 — элемент 8И-НЕ.
К131ЛАЗ — 4 элемента 2И-НЕ.
К131ЛА4 — 3 элемента ЗИ-НЕ.
К131ЛА6 —2 элемента 4И-НЕ с большим коэффициентом разветв-
ления по выходу,
75
К131ЛД1 — 2 четырехвходосых расширителя по И ПИ.
К131ЛР1 —2 элемента 2И-2ИЛИ-НЕ, один расширяемый по ИЛИ.
К131ЛРЗ—элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ с возможностью расширен
ния по ИЛИ.
К131ЛР4 —элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с возможностью расширения
по ИЛИ.
К131ТВ1 —JK-трвггер с логикой ЗИ на входе.
К131ЛН1—6 элементов НЕ.
К131ТМ2—2 D-триггера.
Kcpnvc прямоугольный пластмассовый 201.14-1. Выводы: общий
-Г; /А
Напряжение питания всех микросхем 17и.п = 5В _t 5%,
К131ЛАЗ
К131ЛА1
К131ЛАЧ-
76
77
К131ЛАВ
К131ЛР1
8 11 12
14
К131ЛРЗ
78
К131ЛД1
79
Электрические параметры микросхемы К131ЛД1
Входной ток /вХ не более...............................2 мА
Входной ток /ix не более...............................50 мкА
Выходное напряжение (/вых не более ....................1,3 В
Выходной ток /^ых не более..............................15 мкА
Таблица 2-17
Обозначение параметра К131ЛР1 К131ЛРЗ | К131ЛР4 KI31TB1 К131ТМ2
/вх, мА, не более О 2 —2 -2(7, К) —4 (выводы «Уста- новка», «Синхрони- зация») -2(0, S) -4(/?, С)
/вх, мкА, не более 50 50 50 50 (7, К) 100 (вывод «Син- хронизация») 150 (вывод «Уста- новка») 50 (О) 100 (С, S) 150(7?)
РпОт, мВт, не более 97 65 47 130 262
(/вых, В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
(/вых, В, не менее 2,4 2,4 2,4 2,5 2,4
/зд, р, нс, не более 12 12 12 27(7, К) —
/зд. р, нс, не более 14 14 14 — 20 (по входу С)
/зд, р, нс, не более — — — 30 (по входу С) 30(по входу С)
^раз 10 10 10 10 10
Un, ст. В, не более 0,4 0,4 0,4 — 0,4
/раб, мГц, не более — — — 18 20
Прнмечан не.
В скобках указаны обозначения входов.
82
Таблица 2-18
Обозначение параметра К131ЛА1 К131ЛА.' К131ЛАЗ К131ЛА4 < со 2 К131ЛН1
Рпот, мВт, не более 84 42 178 125 115 305
/вх, мА, не более —2 —2 —2 —2 —2 —2
/вх, мкА, не более 50 50 50 50 70 50
Иных, В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
В'вых, В, не менее 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4
/зд, р, нс, не более 10 12 10 10 14 10
/зд, р. нс, не более 12 12 12 12 14 10
t/n, ст) В, не более 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5
^раз 10 10 10 10 20 10
СЕРИИ 133 И К133
Тип логики: ТТЛ.
Состав серий:
133ЛА1, К133ЛА1 —2 элемента 4И-НЕ, один расширяемый по ИЛИ.
133ЛА2, К133ЛА2 —элемент 8И-НЕ.
133ЛАЗ, К133ЛАЗ —4 элемента 2И-НЕ.
133ЛА4, К133ЛА4 — 3 элемента ЗИ-НЕ.
133ЛА6, К133ЛА6 —2 элемента 4И-НЕ с большим коэффициентом
разветвления.
133ЛА7, К133ЛА7—2 элемента 4И-НЕ с открытым коллекторным
выходом (элементы индикации).
133ЛА8, К133ЛА8—4 элемента 2И-НЕ с открытым коллекторным
выходом (элементы контроля).
133ЛР1, К133ЛР1—2 элемента 2И-2ИЛИ-НЕ, один расширяемый
по ИЛИ.
133ЛРЗ, К133ЛРЗ—элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ с возможностью рас-
ширения по ИЛИ.
133ЛР4, К133ЛР4 — элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с возможностью расши-
рения по ИЛИ.
133ЛД1, К133ЛД1 —2 четырехвходовых расширителя по ИЛИ.
133ЛДЗ, К133ЛДЗ — восьмивходовый расширитель поИЛИ.
133ТВ1, К133ТВ1 —JK-триггер с логикой ЗИ на входе.
133ТМ2, К133ТМ2 — 2 D-триггера.
Напряжение источника питания всех микросхем UB.n = 5 В; допу-
скаемое отклонение (7И.П для микросхем с индексом К не более ±5%,
для остальных — не более ±10%.
Корпус прямоугольный стеклянный 401,14-1 или 401,14-2, Вы-
воды: общий —7; -j С'и.и — 14. -
/ \ -
/'
133ЛА4;К133ЛА4
Общ,
133ЛА6;К133ЛАв
14
-.133ЛАЗ;К133ЛАЗ
хг—
Т 4
х3 —
х5^~
xs^L
Т-1
xg«.
&
6
У2-
84
85
1ШРЗ-,К133ЛР5
86
ПЗЛР^ККЗЛРЧ-
У1
133ЛД1;К133ЛД1
Xll— &1
^2^-
XS—
Тг
х5---
xsL-
XjJ—
xs±-
А
11
—У1
в
—й
А
в
~УУ
133ЛДЗ-,К133ЛДЗ
87
133Т31;/<11>ЗТВ1
88
Таблица 2-19
Обозначенне < < < <
< <: < е; <
параметра 5 со со 5
2 S —
/>пот, №т> не более 52 63 26 34 по 116 80 95
(Увмх> В, не менее 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4
(/вых, в, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
<эд, р> нс> не более 17 18 20 22 17 18 17 18
/зд, pi нс> не более 36 30 36 36 36 36 36 36
/вх, мА, не более —1,6 —1,6 — 1,6 — 1,6 —1,6 —1,6 — 1,6 —1,6
/их, мкА, не более 40 40 40 40 40 40 40 40
Un, ст> HS более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
К раз 10 10 10 10 10 10 10 10
Таблица 2-20
Обозначение параметра 133ЛРЗ К133ЛРЗ 133ЛР4 К133ЛР» 133ЛД1 К133ЛД1 133ЛДЗ i К133ЛДЗ
Рпог, мВт, не более 55 71 72 63 22 — 22 —
/вх, мА, не более — 1,6 —1,6 —1,6 —1,6 —1,6 —1,6 —1,6 —1,6
/вх, мкА, не более 40 40 40 40 40 40 40 40
(/вых, В, не менее 2,4 2,4 2,4 2,4 — — — —
L/вых, В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 — — — —
/ад, р, нс, не более 18 22 18 22 — — — —
/ад, р> нс, не более 36 36 36 36 — — — —
(/1Ь ст, В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
Л'об 8 — 8 — — — — —
^раз 10 10 10 10 — — — —
Примечания: 1. объединения по входам И 2. Для микросхем 133ЛД1 подключении к микросхем Для микросхем 133ЛРЗ и 133ЛР4 коэфф? ЛИ Коб — 8 и 133ЛДЗ вносимая задержка распространен? амс возможностью расширения по ИЛИ не боле 1ЦИСНТ я при е 5 нс.
89
Таблица 2-21
Обозначение параметра 133ЛА6 К133ЛА6 133ЛА7 К133ЛА7 133ЛА8 К133 ЛАЗ 133ЛР1 К133ЛР1
Р„от, мВт, не более 82 95 82 84 100 116 69 76
/в.х, мА, не более -1,6 —1,6 —1,6 —1,6 —1,6 — 1,6 -1,6 —1,6
/вх, мкА, не более 40 40 40 40 40 40 40 40
1/вих, В, не менее 2,4 2,4 — — — — 2,4 2,4
l/вых, В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
/зд, р, нс, не более 18 22 — — — — 18 22
/зд, р, нс, не более 30 36 — — — — 30 36
/вь1х, мА, не более — —. 40 30 16 16 — —
К раз 30 30 — — — — 10 10
Примечание,
входам ИЛИ Л'об==8-
Для микросхемы 133ЛР1 коэффициент объединения по
Таблица 2-22
Обозначение параметра 133ТВ1 К133ТВ1 133ТМ2 К133ТМ2
РПот» мВт, не более 110 110 160 160
/вх, мА, не бо- —1,6 —1,6 —1,6 —1,6
лес*** (3, 4, 5, 9, 10, 11) —3,2 (2, 13, 12) (3, 4, 5, 9, 10, 11) —3,2 (2, 12, 13) (2, 4, 10, 12) Q 9 (1,3,11,13) (2, 4, 10, 12) —3,2 (1,3,11,13)
/вх, мкА, не бо- 90 90 90 90
лее*** (3, 4, 5, 9, 10, 11) 180 (/2) 270 (3, 4, 5, 9, 10, 11) 180 (12) 270 (2, 12) 180 (3, 4, 10, 11) 270 (2, 12) 180 (3, 4, 10, 11) 270
Окых, В, не ме- (2, 13) (2, 13) (/, 13) (/, 13)
нес Овых, В, не бо- 2,4 2,4 2,4 2,1
лее ^зд, р, нс, не более* jO-1 *зд, р, нс, не 0,4 0,4 0,4 0,4
40 48 45 60
более* /1.0 *зд, р, нс, нс 35 — 40 оО
более* * 30 36 — —
90
Продолжение табл. 2-22
Обозначение параметра 133ТБ1 К133ТВ1 133ТМ2 К133ТМ.
^зд, р, нс, не белее** 25 — — -
/вх. МГц 15 — — —
В, не более 0.1 0,4 0,4 0,4
* От входа синхронизации.
** От входов установки.
В скобках указаны номера выводов микросхем.
СЕРИИ 134 И К134
Тип логики: ТТЛ.
Состав серий:
134ЛБ1А, К134ЛБ1Б, К134ЛБ1—4 элемента 2И-НЕ.
134ЛБ2А, 134ЛБ2Б, К134ЛБ2
134ЛА8А, 134ЛА8Б, К134ЛА8
134ЛА2А, 134ЛА2Б, К134ЛА2
134ЛР1А, 134ЛР1Б, К134ЛР1
134ЛР2А, 134ЛР2Б, К134ЛР2
134ЛР4А, 134ЛР4Б, К134ЛР4
134ХЛЗ, К134ХЛЗ
134ТВ1, К134ТВ1
134ТВ14, К134ТВ14
134ТМ2А, 134ТМ2Б, К134ТМ2
— 2 элемента 4И-НЕ и элемент НЕ.
— 4 элемента 2И-НЕ с открытым кол-
лекторным выходом.
— элемент 8И-НЕ.
— элементы 2-2И-2ИЛИ-НЕ и 2-4И-
2ИЛИ-НЕ.
— элемент 2-2-3-4ИЛИ-НЕ.
— элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ.
— многоцелевой элемент цифровых
структур (МЭЦС).
— JK-триггер.
— 2 JK-триггера.
— 2 D-триггера.
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-1. Выводы: + £/н.п— 4\
общий — 11 .
Напряжение источника питания всех микросхем Пи.п=5В±10%-
1WA 8А; 1Б4ЛА 8Б; К1ША 8
91
•Ш-757А; 13ЧЛБ1Б; К13Ч-ЛБ1-
•? ЗЧЛБ2А; 1МЛБ2Б;'К1ШБ2'
13БЛРАА; 13 АЛ РАБ; ктлрч-
А
13 АЛ А 2 А; 13 АЛ А 2Б;К13РЛА 2
92
93
ШЛР1А; 13Ч-ЛР1Е; Е13ЧЛР1
734037 А'ШО.Г
134ЛР2А;1ШР2Р;-, К13РЛР2
94
95
штвщкттвт
96
Таблица 2-23
Обозначение параметра 131ХЛЗ К134ХЛЗ
Рпот, мВт, не более /*х, мкА, не более* 8 8
50 80
/£х, мкА, не более** 300 360
т нг * * * ^и.вых» 270—600 200—1000
^раз 2 2
* Втекающий ток по стробирующему и информационным входам.
** Вытекающий ток по стробирующему и информационным входам.
••• Длительность выходного импульса при С =40 пФ.
Т а б л и ц а 2-24
Обозначение параметра i 134ТВ1 : s ККПТВ14 CM co U2 £ К1341 М2 J
Рпот, мВт, не бо- лее 7"х, мА, не более: 8,0 8,0 16 16 6 6 6
по входам инфор- мационным —0,2 —0,2 —0,2 —0,2 —0,42 —0,42 —0,42
по входам уста- новки и сброса — — — — —0,18 —0,18 —0,18
по входу строби- рующему /‘х, мкА, не более: —0,4 —0,4 —0,4 —0,4 —0,36 —0,36 —0,26
по входам инфор- мационным 12 12 12 12 12 12 12
по входам уста- новки и сброса 36 36 36 36 12 12 12
по входу строби- рующему 36 36 36 36 120 120 120
Увых- В’ «= менее 2,4 2,1 2,4 2,1 2,4 2,4 2,2
В, не более 0,3 0,4 0,3 0,4 0,3 0,3 0,35
^здр, нс’ не более Z'^p.HC, не более 200 200 200 200 120 70 120
200 200 200 200 120 70 120
ТСраз 10 10 10 10 5 5 5
4 п/р Тарабрииа Б. Б.
97
Таблица 2-25
< И < U3
Обозначение параметра из и Ч- с=: са из 5
2 3 2
Рпот, мВт, не более 8.0 8,0 8,0 6,0 6,0 6,0
/^х, мА, не более —0,18 —0,18 —0,20 —0,18 —0,18 —0,20
/вХ, мкА, не более 12 12 12 12 12 12
1/^ых, В, не менее 2,3 2,3 2Д 2,3 2,3 2,1
£/"ых, В, не более 0,3 0,3 0,4 0,3 0,3 0,4
^зд р’ нс, не более 100 50 200 100 50 200
^зд’ р, нс, не более 100 70 200 130 100 200
10 10 10 10 10 10
(/п,ет> В, не более 0,5 0,5 0,3 0,5 0,5 0,3
Таблица 2-26
Обозначение параметра 134 ЛАЗ А 134ЛА8Б 134ЛА2А 134ЛА2Б
Рпот, мВт, не более 8,0 8,0 2,0 2,0
/дХ, мА, не более —0,18 —0,18 —0,18 —0,18
7‘х, мкА, не более 12 12 12 12
7Вых, мА, не более 1,8 1,8 —
^вых’ В> не менее — — 2,4 2,4
^вых’ В’ не более 0,3 0,3 0,3 0,3
^д р, нс, не более 120 90 120 100
^зд р' нс> не более 130 100 80 60
10 10 10 10
Т а б л и ц а 2-27
Сбозначе ние параметра 134ЛР1А 134ЛР1Б К134ЛР1 134ЛР2А 134ЛР2Б 1 К134ЛР2 134ЛР4А 134ЛР4Б
Р пот* мВт, не более 5,0 5,0 5,0 4,0 4,0 4,0 2,5 2,5
/дХ, мА, не более —0,18 —0,18 —0,2 —0,18 —0,18 —0,2 —0,18 —0,18
/^х, мкА, ие более 12 12 12 12 12 12 12 12
^вых- В, не менее 2,3 2,3 2,1 2,3 2,3 2,1 2,4 2,4
^ых- В, не более 0,3 0,3 0,4 0,3 о,з 0,4 0,3 0,3
98
Продолжение табл. 2-27
Обозначение параметра 134ЛР1Д 134ЛР1Б £ ч СО 2 1 134ЛР2А 134ЛР2Б К134ЛР2 134ЛР4А 134ЛР4Б
4,др- нс, не 100 50 200 100 50 200 100 70
более ?зд’р- нс> не 100 70 200 100 70 200 100 70
более ^раз 10 10 10 10 10 10 10 10
^п»ст» В, не более 0,5 0,5 0,3 0,5 0,5 0,3 — —
СЕРИИ 136 И К136
Тип логики: ТТЛ, »
Состав серий:
136ЛА1, К136ЛА1—2 элемента 4И-НЕ,
136ЛА2, К136ЛА2—элемент 8И-НЕ.
136ЛАЗ, К136ЛАЗ—4 элемента 2И-НЕ.
136ЛА4, К136ЛА4 — 3 элемента ЗИ-НЕ.
136ЛР1, К136ЛР1—2 элемента 2И-2ИЛИ-НЕ.
136ЛРЗ, К136ЛРЗ —элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ.
136ЛР4, К136ЛР4—элемент 4И-4И-2ИЛИ-НЕ.
1361 В!, К136ТВ1—JK-триггер с логикой ЗИ на
136ТМ2 —2 D-триггера.
136ЛН1 —6 элементов НЕ.
136TPI —RS-триггер.
входе.
Корпус: прямоугольный стеклянный 401.14-1. Выводы: обший—7:
4- Пи.п —14.
Напряжение источника питания всех микросхем С'и.п = -|-5В;
допускаемое отклонение для микросхем с индексом К не более ±5%,
для остальных ±10%.
4* 99
Т а б л и ц а 2-28
Обозначение параметра | I3CTB1 I К136ТВ1 I 136ТМ2 I 136TPI
Рпот, мВт, не более ^вых’ В’ ие менее 19,8 2,4 18,9 2,4 36 2,4 42 2,4
^вых’ В’ не более 0,3 0,3 0,3 0,3
/,,х, МГц, не более 3,0 3,0 3,0 3,0
'зд.синх- нс> не более 100 100 100 100
^зд.уст’ нс’ не более 100 100 — —
t/ii,CT' В, не более /£х, мА, не более: 0,4 0,3 0,4 0,4
по входам информационным —0,4 —0,5 —0,4 —0,4
по входам С и «Установка» 11вх, мкА, не более: —0,8 —1,0 —0,8 —0,8
по входам информационным 20 32 20 20
по входам С и «Установка» 90 96
^раз 10 10 10 10
Примечание, /зд синх — время задержки включения от входа «Сиихрони-
аациа»; ^зд.уст — время задержки от входов «Установка нуля» и «Установка
единицы».
13В ЛА 7; К136ЛА1
9101213 8 1 245
136ЛА2;К13ВЛА2
100
135ЛАЗ; К136ЛАЗ
136ЛАЦ;К13БЛА4
Оощ:
133ЛР1;К136ЛР1
101
ШЗШ £.£dl/9£L-
136ТВ1;К1367В1
Таблица 2-29
Обозначение параметра 136ЛА1 К136ЛА1 | 136ЛА2 К136ЛА2 136ЛАЗ ! -I | К136ЛАЗ 136ЛА4 К136ЛА4 136ЛР1 К136ЛР1 136ЛРЗ К136ЛРЗ 136ЛР4 К136ЛР4 136ЛН1
Рпот, мВт, не боле? 8 9 4 5 22 19 12 14 11,0 14,0 10,5 13,0 5,5 7,0 18
/gX, мА, не более —0,4 —0,3 -0,4 —0,5 .—0,4 —0,5 —0,4 —0,5 —0,4 —0,5 —0,4 —0,5 —0,4 -0,5 —0,4
/*х, мкА, не более 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20
^вых’ В, не менее 2,4 2,3 2,4 2,3 2,4 2,3 2,4 2,3 2,4 2,3 2,4 2,3 2,4 2,3 2,4
^вых’ В’ пе более 0,3 0,4 0,3 0,4 о,з 0,4 0,3 0,4 0,3 0,4 0,3 0,4 0,3 0,4 0,3
f*’" ,нс, не более ЭД> Р 60 90 ПО 140 60 90 60 90 80 НО 140 140 80 НО 35
нс, не более 3Д>Р 60 90 60 90 60 90 60 90 80 НО 140 140 80 НО 45
£7П,СТ, В, не более 0,4 0,3 0,4 0,3 0,4 0,3 0,4 0,3 0,4 0,3 0,4 0,3 0,4 0,3 0,4
g> Примечание Для микросхем всех типов /<раз =10.
СЕРИЯ К137
Тип логики: ЭСЛ,
Состав серии:
К137ЛМ1, К137ЛМ2 — элемент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ с возможностью рас-
ширения по ИЛИ и нагрузочными резисторами
на выходах.
К137ЛЕ1, К137ЛЕ2— 2 элемента ЗИЛИ-НЕ с нагрузочными резисто-
рами на выходах.
К137ЛЕЗ —2 элемента ЗИЛИ-НЕ.
К137ЛМЗ —элемент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ с повышенным коэф-
фициентом разветвления и нагрузочными резис-
торами на выходах.
К137ЛМ4, К137ЛМ5 —элемент 5ИЛИ-НЕ/5ИЛИ с нагрузочными ре-
зисторами на выходах.
К137ЛМ6 —элемент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ с возможностью
расширения по ИЛИ.
К137ЛМ7 —элемент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ с повышенным коэф-
фициентом разветвления.
К137ЛМ8 —элемент 5ИЛИ-НЕ/5ИЛИ.
К137ЛД1, К137ЛД2 — 2 трехвходовых расширителя по ИЛИ.
К137ИЛ1, К137ИЛ2 — полусумматор с нагрузочными резисторами
на выходах.
К137ИЛЗ —полусумматор.
К137ТР1 —RS-триггер синхронный с нагрузочными резис-
торами на выходах.
К137ТР2 —RS-триггер синхронный.
К137ТМ1 —D-триггер.
Напряжение источника питания всех микросхем серии (/„.„=
= —5В±5%.
Напряжение источника опорного напряжения — 5В±5%.
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1. Выводы: —(7ИП
—7; — 1/Опорн —6; общий —14 (кроме микросхем К137ЛД1 и К137ЛД2);
у микросхем К137ЛМЗ, К137ЛМ7, К137ТР1, К137ТР2 и К137ТМ1 вы-
вод 14 должен соединяться с выводом 1.
Статическая помехоустойчивость микросхем серии К137 (кроме
К137ЛД1 и К137ЛД2):
при £=25°С не более 160 мВ;
при t=— 10°С не более 30 мВ;
при /=70°С не более 50 мВ.
106
К137ЛМГ,Ш7ЛМ2
К137ЛЕ1 ;К137ЛЕ2
10 9 8 0 5 4 8
К137ЛЕЗ
\10 9 8 0 5 4 5
I07
К137ЛМЗ
1 14
10 11 12 3 2-иы в
К137ЛМ4;К137ЛМ5
К.137ЛМ8
108
К137ЛМ7
К137ЛМ8
К137ЛД1;К137ЛД2
г?Г
1 5 Ч
109
К137ИЛ1',К137ИЛ2
К137ТР2
3 10 11 12
к-шилз
110
I a 6 л it и a 2-bO
Обозначение параметра К137ЛМ1 К137ЛЕ1 К137ЛМЗ К137ЛМ4
1 ПОТ» мА, не более 15 25 50 15
в —0,7-5—0,95 —0,7-5—0,95 —0,7-5—0,95 —0,7-5—0,95
^ых- В —1,45-5—1,9 —1,45-5—1,9 —1,45-5—1,9 — 1,34-5—1,9
с Р’нс’ не более* 6,0 6,0 7,0 6,0
/О'1 HQ, *зд, Р’ нс’ не более* 6,0 6,0 7,0 6,0
/Лэ> мА** 4,5—9,0 4,5—9,0 — 4,5—9,0
'вх> мА, не более 0,2 0,2 0,2 0,2
^раз 15 15 100 15
А об- вых 5 5 5 5
* При <?H = 15 пФ.
* Ток через резистор эмиттерного повторителя.
Таблица 2-31
Обозначе- ние параметра К137ЛМ1- К137ЛЕ2 К137ЛЕЗ К137ЛМ7 К137ЛМ5 К137ЛМ8 К 137 ДМ2
2„„_, мА. ПОТ’ не более 15 45 25 30 35 15 35
^ВЫХ’ В —0,7— —0,7— -0,74- —0,7— —0,7— —0,7— —0,7— 4—0,95
4—0.95 ——0,95 4 0,95 4-0.95 4—0,95 4 0,95
в —1,45— -1,45-г —1,45-г — 1,45-^- —1,45 — —1,45—
4—1.9 -т—Ь9 4—1,9 4—1.9 4—1.9 4—1.9 4^1 >*9
4д. р' нс’ ир более 6.0 6,0 6,0 7,0 6,0 6,0 6,0
*ЗД. р’ НС’ не более 6,0 6,0 6,0 7,0 6,0 6,0 6,0
/‘х. мА, не более 0,2 0.2 0.2 02 0,2 02 0,2
^ряз 15 15 15 100 15 15 15
1/ 'хоб» вых 1 5 2 1 5 1
112
Таблица 2-32
Обозначение параметра К137ТР2 K137TMI KI37TP1
/пот, мА, не более Z^x, мА, не более U' , в м вых’ U" . в м вых’ ^зд р’ нс’ не б°Лее /"J , нс, не более ЗД, р ^раз Коб. вых 38 0,2 —0,7 4- —0,95 —1,45 4-—1,9 7,0 7.0 100 2 55 0,2 —0,7 4 0,95 12 12 100 2 1 55 0,2 —0,7 ч- —0,95 —1,45 ч-—1,9 7,0 7,0 100 2 а б л и ц а 2-33
Обозначение параметра К137ИЛ1 К137ИЛ2 К137ИЛЗ
/пот, мА, не более (Л , в* вых’ в* ^вых’ нс’ не более ЗД, р’ ^зд р’ нс> не более 7ВХ’ мА мА** К раз 45 —0,7 4- —0,95 -1,45 ч-—1,9 8,0 8,0 0,2 15 28 —0,7 —0,95 _ 1,45 1,9 8,0 8,0 0,2 4,5—9,0 15 28 _0,7 4- —0,95 —1,45 4-—1,9 8,0 8,0 0,2 15
♦ На инверсных выходах и выходах «Сумма».
*♦ Ток через резистор эмиттерного повторителя.
Таблица 2-34
Обозначение параметра К137ЛД1 К137ЛД2
/Б , мкА, не более* /к , мкА, не более** 1/вх, В /^х, мА, не более 1,0 5,0 -0,74 4-—0,81 0,2 1,0 5,0 —0,71 4- —0,84 0,2
♦ Измеряется в режиме: на выводах 2, 12 напряжение О В; на выводах
1, 13 относительно выводов 2, 12 напряжение минус 1 В: напряжение на вы-
водах 3» 4, 5, 8, 9, 10 минус 5 В.
•• Измеряется в режиме: иа выводах 2, 12 относительно выводов /, 13
напряжение 2 В, на выводе 7 напряжение минус 3 В.
113
СЕРИЯ К138
Тип логики: ЭСЛ.
Состав серии:
К138ЛМ1 - элемент 8ИЛИ-НЕ/8ИЛИ.
К138ЛМ2 — 2 элемента 4ИЛИ-НЕ/4ИЛИ.
К138ЛЕ1 —4 элемента 2ИЛИ-НЕ.
К138ЛЛ1 — 4 элемента 2 ИЛИ.
К138ЛП1 — дифференциальный приемник сигнала с линии.
К138ТР1 —RS-триггер.
К138ТМ1 — (.'‘триггер.
К138ЛС1 —элемент 4-3-3-ЗИЛИ-4И.
К138ХЛ1—2 элемента «исключающее ИЛИ/И-НЕ/ИЛИ».
К138ЛК1 —2 элемента 2-2ИЛИ-2И/2И-2ИЛИ-2И-НЕ.
К138ЛС2 —2 элемента 2-ЗИЛИ-2И.
К138ТМ2 — 2 D-триггера.
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1. Выводы:
— ^и.п — 7; общий — 14*.
Напряжение источника питания всех микросхем (7И. п =—5 В +
±5%.
К138Ш1
К138ЛМ2
* У микросхем К138ТР1 и К138ТМ2 вывод 14 следует соединить с вы-
водом /.
114
К138ЛЕ1
К138ЛЛ1
П5
К138ЛП1
К138ТР1
116
К138ХЛ1
Х1
хг
XJ
Хц
К микросхеме К138ХЛ1
-Ч 1 </< es Ул <3 г. е. У«
« 0 1 и (1 1 ° । i 0
1 1 0 1 0 1 1 1 0
1 | 1 | 0 | 1 I J 1 1 1 0 1 1 1 1
1 1 (' 1 0 1 1 1 0 1
К138ЛК1
К138ЛС2
К138ТМ2
117
Табл и п я 2-35
Обозначение параметра К138ЛМ1 К138ЛМ2 К138ЛЕ1 К138ЛЛ1 Е 1 К138ТР! K138TMI
/пОТ, мА, не более ^ь,х. В: — 11 —22 —44 —44 —40 —30 - 30
не менее —0,98 —0,98 —0,98 —0,98 —0,98 —0,98 -0,98
не более U0 В- —0,8 —0,8 —0,8 —0,8 —0,8 —0,8 -0,8
не более —1,58 —1,58 —1,58 —1,58 —1,58 —1,58 —1,58
не менее —1,85 —1,85 —1,85 —1,85 —1,85 —1,85 —1,85
/зд, р, ср» ис, не бо- лее (при Са = = 10 пФ) 3,5; 5,0 3,5; 4,5 3,5 3,5 3,5 7 7
^раз 100 100 100 100 100 100 100
Таблица 2-36
Обозначение параметра К138ЛС1 К138ЛС2 К138ХЛ1 К138ЛК1 К138ТМ2
/пот, мА, не менее ^ь.х, В: —48 —24 —24 —24 —24
не менее —0,96 —0,96 —0,96 —0,96 -0,96
не более £/° , В: ^вых’ —0,8 —0,8 —0,8 —0,8 —0,8
не более —1,6 —1,6 —1,6 —1,6 —1,6
не менее —2,0 —1,85 —1,85 —1,85 —1,85
^вых. пор’ В» не ме- нее —0,98 —0,98 —0,98 —0,98 —0,98
^вых. пор» В- неб°- лее —1,58 —1,58 —1,58 —1,58 -1,58
/зд, р. ср. нс, не бо- лее (/?н = 50 Ом, Сн— 10 пФ) 5,0 5,0 5,0 5,0 7,0
118
СЕРИЯ К141
Тип логики: ТТЛ.
Состав серии:
К1ЯМ411 — матрица ЗУ емкостью 32 бита (8 словх4 разряда).
К1ЯМ412 — матрица ЗУ емкостью 10 б : (4 словах4 разряда).
К1ЯМ413 — матрица ЗУ емкостью 16 бит (4 словах4 разряда).
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1. Выводы: разряд
Pt — 1; разряд Р3 — 2; адрес хг—3'*; подложка—4; +67И.П — 5*;
адрес yt—6; адрес уа — 7; адрес у2 — 8-, адрес yt — 9; адрес —10**;
разряд Р2 —11; разряд Р± —12; Ч~ U„. 13**; установка нуля —14,
* Для микросхем К1ЯМ411 и К1ЯМ412.
** Для микросхем Ц1ЯМ411 и К1ЯМ413,
119
К1ЯМЧ-12
Ячейка, памяти.
120
1
К1ЯМЧ13
Электрические параметры микросхем серии К.141
Напряжение источника питания Ua. ......................4-3 В_г5%
Ток считывания по разрядной шине /*ч не менее .... 0,45 мА
Ток считывания по разрядной шине 1°сч не более .... 40 мкА
Ток записи по шине установки нуля !зп0 не более ... 10 мА
Ток утечки по разрядной шине не более ......... 5 мкА
Ток логической единицы в адресных шинах:
Г'х не более .........................................0,3 мА
I1 не более.........................................0,7 мА
Ток логического нуля в адресных шинах:
/’ не более..........................................15 мА
не более .........................................8,5 мА
Мощность потребления на адресных шинах Р^т, мВт, не
более* ..................................................1,5 мВт
Емкость разрядной шины не более .........................26 пФ
Ток записи по разрядной шине /зп, рш не более............12 мА
* На одни триггер.
121
СЕРИЯ К144
Тип логики: ЛЮП-структуры,
Состав серии:
К144ИРШ — 21-разрядный квазистатический последовательный ре-
гистр сдвига, состоящий из трех регистров с числом
разрядов 1, 4, 16 с раздельными входами, с общими
цепями сдвига и питания.
К144ИРЗ — 64-разрядньтй квазистатический последовательный ре-
гистр сдвига, состоящий из двух регистров с числом
разрядов 4, 60 с раздельными входами и выходами,
общими цепями сдвига и питания.
К144ИР2 —специальная линия задержки на 90 бит.
Корпус круглый металлостеклянный 301,12-1 (201.14-1 — для
К144ИР1П).
К1УУИРЗ
У
Сг
*1—
Ф2-£-
60
—У1
—Уг
У
ОУщий-выво31
122
К1ШИР1П
123
Т а б л и ц а 2-37
Обозначение параметра К144ИР1П К144ИРЗ К144ИР.
и», nt. в - 27 ± 10% —27 ± 10% —12,6 + 10%
(вывод 14) (вывод 7) (вывод 2)
(/«. П2’ В — 12,6 ± 10% — 12,6 ±10%
(вывод 13) (вывод 6)
Рпот, мВт, не более 150 ТЛ 120
/пот (от источника U„. п1), 2,2 2,2 8
мА, не более
/пот (от источника (/и. п2), 4,4 10 —-
мА, не более
/вх, мкА 1,0 1,0 1,0
/вх (фазы Фх), мкА, не более 15 15 800
/вх (фазы Ф2), мкА, не более 400 450 800
Иных, В не более —1,0 -1,0 -1,0
ти, мкс, не менее; .
фазы Ф, 0,38 0,38 0,38
фазы Ф,2 0,65 0,65 0,65
/зд (фазы Ф,), мкс, не более 30 30 —
гпер, нс, не более 950 950 950
/?„, кОм, не менее 1000 1000 1000
С„, пФ, не более 20 20 20
Свх, пФ, не более 4 4 4
Свх фаз Фь Ф,, пФ, не более 15 20 30
(/вх, В, не менее -8,5 —8,5 —8,5
(/вх, В От —2 до 0 От —2 до 0 От —2 до 0
4/ф, В От —24,3 От —24,3 От —24,3
до —29,7 до —29,7 до —29,7
/Уф, в От —2,5 до 0 От — 2,5 до 0 От —2,5 до 0
СЕРИИ 155, К155, КМ155
Тип логики: ТТЛ
Состав серий:
155ЛА1, К155ЛА1, \
КМ155ЛА1 ( ~ 2 элемента 4И-НЕ.
155ЛА2, К155ЛА2, I „ , я1л , ,с
КМ155ЛА2 j- — элемент 8И-НЕ.
КМ155ЛАЗ ( ~£здемента 2И1НЕд_.
КМ155ЛА4 J- — 3 элемента ЗИ-НЕ.
124
155ЛА6, К155ЛА6, ( КМ155ЛА6 J — 2 элемента 4И-НЕ с большим коэффициент ' том разветвления.
155ЛА7, К155ЛА7, 1 — 2 элемента 4И-НЕ с открытым коллектор-
КМ155ЛА7 f 155ЛА8, К155ЛА8, ( КМ155ЛА8 j 155ЛР1, К155ЛР1, 1 КМ155ЛР1 f 155ЛРЗ, К155ЛРЗ, 1 КМ155ЛРЗ j 155ЛР4, К155ЛР4, 1 КМ155ЛР4 j 155ЛД1, К155ЛД1, i КМ155ЛД1 155ЛДЗ, К155ЛДЗ, КМ155ЛДЗ 155TB1, K155TB1, KM155TB1 155TM2, K155TM2, ' KM155TM2 К155АП1 ным выходом. — 4 элемента 2И-НЕ с открытым коллектор- ным выходом. — 2 элемента 2-2И-2ИЛИ-НЕ (один расширяе- мый по ИЛИ). — элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ; — элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с возможностью рас- ширения по ИЛИ. ! —2 четырехвходовых расширителя по ИЛИ. | — восьмивхоковый расширитель по ИЛИ. — JK-триггер с логикой на входе ЗИ. — 2 D-триггера. — формирователь разрядной записи, усилитель воспроизведения и схема установки нуля.
К155ИЕ1 — декадный счетчик с фазоимпульсным пред- ставлением информации.
К155ИЕ2, КМ155ИЕ2— двоично-десятичный четырехразрядный счет-
чик.
К155ИЕ4, КМ155ИЕ4—счетчик-делитель на 12.
К155ИЕ5, КМ155ИЕ5 — двоично-десятичный реверсивный счетчик.
К155ИЕ6, КМ155ИЕ6 — двоично-десятичный реверсивный счетчик.
К155ИЕ7, КМ155ИЕ7—четырехразрядный двоичный реверсивный
счетчик.
К155ИЕ8 —делитель частоты с переменным коэффициен-
том деления.
К155ИМ1, КМ155ИМ1 —одноразрядный полный сумматор.
К155ИМ2, КМ155ИМ2 — двухразрядный полный сумматор.
К155ИМЗ, КМ155ИМЗ— четырехразрядный сумматор.
К155ИР1, КМ155ИР1 —четырехразрядный универсальный сдвиговый
. регистр.
К155ТМ5, КМ155ТМ5 — 4 D-триггера.
К155ТМ7, КМ155ТМ7 —4 D-триггера с прямыми и инверсными
выходами.
К.155РУ1, КМ155РУ1 —оперативное запоминающее устройство на
16 бит (16 слов X 1 разряд; со схемами
управления.
125
К155РУ2, КМ155РУ2 —ОЗУ на 64 бит (16 слов X 4 разряда),
.1 К155ИД1, КМ155ИД1 — преобразователь двоично-десятичного кода
в десятичный и управление высоковольтным
индикатором.
К155КП5, КМ155КП5—коммутатор 8 каналов на один без строби-
рования.
К155КП7, КМ155КП7—коммутатор 8 каналов на один со строби-
рованием.
К155ХЛ1, КМ155ХЛ1 — многофункциональный элемент для ЭВМ.
К.155ЛИ1 — 4 элемента 2И.
К155ЛН1 —6 элементов НЕ.
К155КП1 —селектор-мультиплексор данных на 16 кана-
лов со стробированием.
К155ЛП5, КМ155ЛП5 — 4 двухвходовых элемента «исключающее ИЛИ».
К155ИП2, КМ155ИП2—восьмиразрядная схема контроля четности и
нечетности.
К155КП2, КМ155КП2 — сдвоенный цифровой селектор-мультиплек-
сор 4—1.
К155ИД4, КМ155ИД4—сдвоенный дешифратор-мультиплексор 2—4.
К155ИП4, КМ155ИП4— блок ускоренного переноса для арифмети-
ческого узла.
К155ПР6, КМ155ПР6—преобразователь двоично-десятичного кода в
двоичный.
К165ПР7, КМ155ПР7—преобразователь двоичного кода в двоично-
десятичный.
КД55РЕ21 —ПЗУ на 1024 бит с использованием в каче-
стве преобразователя двоичного кода в код
знаков русского алфавита.
К155РЕ22 — ПЗУ на 1024 бит с использованием в каче-
стве преобразователя двоичного кода в код знаков латинского алфавита.
К155РЕ23 — ПЗУ на 1024 бит с использованием в каче- стве преобразователя двоичного кода в код арифметических знаков и цифр.
К155РЕ24 — ПЗУ на 1024 бит с использованием в каче- стве преобразователя двоичного кода в код дополнительных знаков.
К155РУЗ — ОЗУ на 16 бит с вентильным входом усили- телей записи.
К155ТЛ1 — 2 триггера Шмитта с логическим элементом на входе.
- К155ДГ1 — одновибратор с логическим элементом на входе,
К155ЛИ5 — 2 элемента 2И с открытым коллекторным выходом.
126
К155ЛП7
К155ЛН2
К155ЛЛ1
К155ЛАП
К155ЛА12
К155ЛЕ1
К155ЛЕ2
К155ЛА10,
КМ155ЛА10
К155ИДЗ
К155ИПЗ
К155РЕЗ
К155ИР13
— 2 элемента 2И-НЕ с общим входом и двумя
мощными транзисторами
— 6 элементов НЕ с открытым коллекторным
выходом.
— 4 элемента 2ИЛИ.
— 4 высоковольтных элемента 2И-НЕ с откры-
тым коллектором.
— 4 элемента 2И-НЕ с высокой нагрузочной
способностью.
— 4 элемента 2ИЛИ-НЕ.
— 2 элемента 4НЕ-ИЛИ со стробирующим им-
пульсом и расширяющими узлами.
— 3 элемента ЗИ-НЕ с открытым коллектор-
ным выходом.
-дешифратор-демультиплексор 4 линии на 16
(преобразование двоично-десятичного кода
в десятичный).
— арифметико-логическое устройство.
— программируемое постоянное запоминающее
устройство (ППЗУ) емкостью 256 бит (32
слова X 8 разрядов).
— восьмиразрядный реверсивный сдвиговый ре-
гистр.
Корпуса прямоугольные пластмассовые:
238.16-1 (К155КП7, К155РУЗ, К155КП2, К155ИД4, К155ИД1,
К155ИП4, К155ЛЕ2);
238.16-2 (К155ТМ7, К155ИМЗ, К155РУ2, К155ИЕ6, К155ИЕ7,
К155ИЕ8, К155ПР6, К155ПР7, К155РЕ21, К155РЕ22, К155РЕ23,
К155РЕ24, К155РЕЗ);
239.24-2 (К155ИДЗ, К155ИПЗ, К155КП1, К155ИР13);
201.14-1, 201.14-2 — остальные микросхемы серий 155 и К155.
Корпуса прямоугольные керамические:
201.16-5 (КМ155КП7, КМ155ИД1, КМ155КП2, КМ165ИД4, КМ155ИП4,
КМ155ИЕ6: КМ155ИЕ7, КМ155ПР6, КМ155ПР7. КМ155РУ2,
КМ155ИМЗ);
201.14-8, 201.14-9 — остальные микросхемы серии КМ155.
Выводы:
общий — 12, ии.„—24 (К155ИДЗ, К155ИПЗ, К155КП1,
К155ИР13); -- -------------
общий-70, ии.п — 4 (К155РУ1, КМ155РУ1);
общий —12, Uh к —5 (К155ИМЗ, КМ155ИМЗ, К155ТМ7,
КМ155ТМ7, КМ155ИД1, К155ИД1, К155РУЗ);
общий —11, ииа — 4 (К155ИМ2, КМ155ИМ2, К155ТМ5,
КМ155ТМ5);
127
общий -10, Ua.n — 5 (К155ИЕ2, КМ155ИЕ2. К155ИЕ4,
КМ155ИЕ4, К155ИЕ5, КМ155ИЕ5);
общий— 8, и„.а — 1о (К155ИЕ6, КМ155ИЕ6, К155ИЕ7,
КМ155ИЕ7, К155ИЕ8, К155РУ2, КМ155РУ2, К155КП7, КМ155КП7,
К155КП2, КМ155КП2, К155ИД4, КМ155ИД4, К155ИП4, КМ155ИП4,
К155ПР6, КМ155ПР6. К155ПР7, КМ155ПР7, К155РЕ21, К155РЕ22,
К155РЕ23, К155РЕ24, К155ЛЕ2, К155РЕЗ);
общий—7, 47и.п — 14 (остальные типы микросхем серий К155
и КМ 155).
Напряжение питания всех микросхем 1/и.п = 5
45 5/1А 2; К155ЛА 2; КМ155ЛА2
14
128
155Л A 5; К155ЛА 3; КМ 155Л А 3
в п/р Тарабрииа Б. В,
395 6 910 81213
155ЛА 9; К155ЛА <f; КМ 155ЛА Ц
x-fL-
хг—
гД
&
XifJ—
*5±-
Хд—
Ху__2.
X8^-L
Хд.
В
72
В
8
11 "-"'У/
и
9 WSSl М 9 WG9M -9 VlfSSl-
155ЛР1;К155ЛР1;КМ155ЛР1
155ЛР4-,К155ЛР4-, КМ155ЛР^
155ЛРЗ; К155ЛРЗ; КМ155ЛРЗ
155ЛД1;К155ЛД1;КМ155ЛД1
11 10
155ЛДЗ;К155ЛДЗ;КМ155ЛДЗ
132
133
155ТВ1; К155ТВ1 КМ155ТВ1
12,
155ТМ2; К155ТМ2; КМ155ТМ2
5 1310
6 11 12
3»
Вход установки Выход
«0 11) «0 (21 ^9 <1» ^9 <2) <?4 <?2 «1
1 1 0 X 0 0 0 0
1 1 X 0 0 0 0 0
X X 1 1 1 0 0 1
X 0 X 0 Счет
0 X 0 X Счет
0 X X 0 Счет
X 0 0 X Счет
X означает, что может присутствовать как 1,
так и О»
137
Счет Выход
<2* <2з Q, Qi
0 0 0 0 0
1 0 0 0 1
2 в 0 1 0
3 0 0 1 1
4 0 1 0 0
5 0 1 0 1
6 1 0 0 0
7 1 0 0 1
8 1 0 1 0
9 1 0 1 1
10 1 1 0 0
11 1 1 0 1
Выход Qt соединить с входом С2.
Сброс всех выходов в <0> осуществляется по входам Яо (1), при
одновременной установке на них уровня логической «1».
При счете на одном на входов установки Я0:11 н Я0(|1) (или на обоих)
должен присутствовать потенциал логического «О».
138
К155ИЕ5
Выход
Счет <2» Q, <?.
0 0 ° 0 0
1 0 ° 0 1
2 0 0 1 0
3 0 0 1 I
4 ° 0 0
5 ° > 0
6 ° 1 1 0
7 ° 1 1 1
8 1 0 0 0
9 ° ° 1
10 ° 1 0
и 1 0 1 1
12 1 1 ° 0
13 1 ° 1
14 1 1 0
15 1 1 1
Выход Qj соединить со входом С*.
Сброс всех выходов в «0> осуществляется по входам Я0(17. Я0(2) при
одновременной установке ва ннх уровня логической «1».
При счете на одном из входов устаиовкн Я0(1) н Я0(8) (или иа обоих)
должен присутствовать потенциал логического «0>.
139
К155ИЕ6,КМ155ИЕ6
К155ИЕ6,
КМ155ИЕ6
15 1 Иг 1 —М/
10 2<* — Q?
3 Яв 4 —-«3
11— .0 8 -^4
14 Ro
5 +1 >,9 \_J2_p
ц—— 15 -s
Установка «0» (сброс) осуществляется независимо от состояний инфор-
мационных и счетных входов, входа предварительной записи.
При прямом счете на входе обратного счета должно быть напряжение
логической «1». при обратном счете на входе прямого счета должно быть
напряжение логической «1».
140
141
К155ИЕ7}КМ155ИЕ7
142
К155ИЕ7,
KM 155 И E7
15 1. 10 9 Di D4 -5fi <0 Ro +1 -1 CT2 1 2 4 8 >15< to 3 a-,
Qr
42 6 0,
4J 7 Qu
M 5 Ч
^-P
143
Установка «О» (сброс) осуществляется независимо от состояний информа-
ционных н счетных входов, входа предварительной записи.
Прн прямом счете на входе обратного счета должно быть напряжение
логической <1>, при обратном счете на входе прямого счета должно быть на-
пряжение логической «1>.
ж
К155ИМ2,КМ155ИМ2 2
----------------5г
Входы Выходы
4, Bi А» в, ₽, =0 Р1=1
S1 В, Pi St S, Pi
0 0 0 0 0 0 0 1 0 0
1 0 0 0 1 0 0 0 1 0
0 1 0 0 1 0 0 0 1 0
1 1 0 0 1 1 0 1 1 0
0 0 1 0 0 1 0 1 1 0
1 0 1 0 1 1 0 0 0 1
0 1 1 0 1 1 0 0 0 1
1 1 1 0 0 0 1 1 0 1
0 0 0 1 0 1 0 1 1 0
1 0 0 1 1 1 0 0 0 1
0 1 0 1 1 1 0 0 0 1
1 1 0 1 0 0 1 1 0 1
0 0 1 1 0 0 1 1 0 1
1 0 1 1 1 0 1 0 1 1
0 1 1 1 1 0 1 0 1 1
1 1 1 0 1 1 1 1 1
145
К155ИМ5,
КМ155ИМЗ
146
К микросхемам К155ИМЗ, КМ155ИМЗ
пор. № Вход Выход
Ро = О/ /Р2 = 0 Ро = 1/ /Pt = \
л7д, fllk А11а. в’/в. s7s. S'/St s'/s> 5 2 / /s4 ₽7₽.
1 0 0 0 0 0 ' 0 0 1 0 0
2 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0
3 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0
4 1 1 0 0 0 1 0 1 1 0
5 0 0 1 0 0 1 0 1 A 0
6 1 0 1 0 1 1 0 0 0 1
7 0 I 1 0 1 1 0 0 0 1
8 1 1 1 0 0 0 1 1 0 1
9 0 0 0 1 1 0 1 1 0
10 1 0 0 1 1 1 0 0 0 1
11 0 1 0 1 1 1 0 0 ' 0 1
12 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1
13 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1
14 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1
15 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1
16 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1
Pt — внутренняя связь.
Состояние входов Д1( Ае, Вь Bt и Ро определяют выходной сигнал
и Sj, а также значение внутреннего переноса Р& Значения Р^, Аз, А* и В4
определяют выходной сигнал S*, и Р4.
147
К155ИР1,КМ155ИР1
148
К155ТМ5-, КМ155ТМ5-, К155ТМ7; КМ155ТМ7
Выходы 0.1 - Q ц только для
микросхем К155ТМ7гКМ155ТМ7
tn tn+1
Вход Выход
D Q.
1 1
0 0
Временная диаграмма.
Л 1 t
с 0 □ _п_
t
149
Управляющие сигналы Выход усилителя считывания Выполняемые операции
Адреса Усилители записи
Х1 WZ. П^о
0 0 0 0 1 1 Режим храиеиия
0 1 0 0 1 1 Режим полувыборки
1 0 0 0 1 1
0 0 1 и 0 1 Запись «1» в режиме иевы- бранной ячейки
0 0 0 1 1 0 Запись <0» в режиме невы- бранной ячейки
0 1 1 0 0 1 Запись «1> в режиме полу выборки
1 0 1 0 0 1
1 0 0 1 1 0 Запись <0> в режиме полу- выборки
0 1 0 1 1 0
1 1 1 0 0 1 Запись «1» в режиме выбран- ной ячейки
1 1 0 0 0 1 Считывайие «1» в режиме выбранной ячейки
1 1 0 1 1 0 Запись <0» в режиме выбран- ной ячейки
1 1 0 0 1 0 Считывание «0» в режиме выбранной ячейки
150
К155РУ2,КМ155РУ2
К155ИД1,КМ155ИД1
151
К микросхеме КШИД1
Вход Выход Вход Выход
1 *1 •X. | *2 X.
° 0 1 0 0 0 0 * । 0 - 5
0 0 1 ° 1 1 0 । ‘ 0 6
0 0 1 0 2 0 | 1 | 1 | 1 7
0 0 | 1 | 1 3 1 ° । 0 0 8
0 > 1 0 0 4 1 ! о । 0 1 1 9
Для надежной работы микросхемы совместно с индикаторами остальные
возможные комбинации входных сигналов не допустимы.
152
К155КП7,КМ155КП7
15»
К155ХЛ1; КМ155ХЛ1
Вывод Назначение Вывод Назначение
I Адрес записи ДЗа 8 Адрес считывания ACt
2 Адрес записи АЗ, 9 Адрес считывания АСа
3 Адрес записи A3t 10 Адрес считывания АСЯ
4 Магистраль 11 Магистраль Мц
5 Магистраль Мц 12 Магистраль Мы
6 Магистраль Af13 13 Магистраль Л428
154
10
К155КП1
9—
8—
7—
6—
£
Xz
X3
Хц
5—Xs-
Хб
X7
X8
Хэ
Хю
Хп
Xiz
X13
Xw
X15
X16
у—
з—
2 —
1—
23—
22—
21 —
20 —
19—
18 —
17—
16— Хи
MS
ю
14—X19
13— X20
11—*21
у
К155ЛП5,
КМ155ЛП5
155
К155ЛИ1
К155ЛН1
Состояние входов Состояние выходов
Сумма единиц от 0 до 7 на информационных входах Д1 — A4f Bi — Bf Состоя- ние чет- ного строба V Состоя- ние не- четного^ строба V Сумма четная S, Сумма нечетная S.
Четная 1 0 1 0
Нечетная 1 0 . 0 1
Четная 0 ° 1
Нечетная 0 1 1 0
Неопределенная 1 - 0 0
Неопределенная 0 0 • 1
156
Входы Выход
Адресные Информациоин ые Строб
в А О,, о, £>з. Di О., D, $„ S, Уъ Уг
X X X X 1 X X 1 0
0 0 0 X 1 х X 0 0
0 0 1 X 1 х X 0 1
0 i 1 X 0 X X 0 0
0 1 1 X 1 1 X X 0 1
1 1 0 X X 1 0 X 0 0
1 1 0 X X I 1 X 0 1
1 1 1 X X X 0 0 0
1 1 1 X X 1 X 1 0 1
X — безразличное состояние.
157
К155ИДЧ,КМ155ИДЧ-
Входы Выходы
В | А | S, | D Di | О21 D4 D,
X | X | 1 | X 1 i1 i1 1
0 | 0 | 0 | 1 0 | 1 | 1 1
0 | 1 | 0 | 1 1 1 0 1 1 1
1 j 0 j 0 | 1 1 1110 1
1 1 1 1 0 1 1 1 1111 0
X | X | X I 0 1 1111 1
X — безразличное состояние.
Входы Выходы
В A S, Ё E, fl ГЧ| Ё,
X X 1 X 1 1 1 1 1
0 0 0 0 0 1 1 1 1
0 1 0 . 0 1 ° 1 1 1
1 0 0 0 1 ' 1 0 1
1 1 0 0 1 1 1 1 0
X X X i 1 1 1 1 i
158
К155ИП%КМ155ИПЧ’
159
К155ПР6 ,КМ155ПР6
НС о 1Л *
1и " 1 ЗУ
И г 1 32x8 3- 2
3 О- 3
7*. V 3— — 4
13 8 ?о ЕЬ 5
ЕЬ 6
14 16 itH 30 — ЕЬ 7
15 & 31 — ЕН 3
Слово Входной код адреса слова на выводах Выходной код слова на выводах
14 13 12 11 10 15 9 7 6 5 4 3 2 1
0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0
1 0 0 . 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 1
2 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0
3 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 1
4 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0
5 0 0 1 0 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1
6 0 0 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1
7 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1
8 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 1
9 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 1 0
10 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 1 1
11 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 0
12 0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 0 1
13 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1
14 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1
15 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1
16 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0
17 1 0 0 0 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1
18 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0
19 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 1 0 1
20 1 0 1 0 0 0 0 1 1 0 1 1 1 0
21 1 0 I 0 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1
22 1 0 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1
23 1 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1
24 1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 1
25 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0
26 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1
27 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0
28 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1
29 1 1 1 0 1 0 1 1 I 1 1 1 1 1
30 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1
31 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1
Запрет X X X X X 1 1 1 1 1 1 1 1 1
X — безразличное состояние.
160
К155ПР7.КМ155ПР7
Слово Входной код адреса слова на выводах Выходной код слова на выводах
14 13 12 II 10 15 ь 1 б 5 4 3 2 1
0 0 0 и и и и 1 I 0 0 0 0 0 0
1 0 0 0 0 1 0 1 ] 0 0 0 0 0 1
2 0 0 0 1 0 0 1 1 0 0 0 0 1 0
3 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 1
4 0 0 1 0 0 0 I 1 0 0 0 1 0 0
5 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 0 0 0
6 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1
7 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 0
8 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1
9 0 1 0 0 1 0 1 1 0 0 1 1 0 0
10 0 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0
11 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0 0 7 1
12 0 1 1 0 0 0 1 1 0 . 1 0 0 1 0
13 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1
14 0 1 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 0
15 0 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0
16 1 0 0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 1
17 1 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0
18 1 0 0 1 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1
19 1 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0
20 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0
21 1 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 0 0 1
22 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 0 0 1 0
23 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 1
24 1 1 0 0 0 0 1 1 1 0 0 1 0 0
25 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 0
26 1 1 0 1 0 с 1 1 1 0 1 0 0 1
27 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 0 1 0
28 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 1
29 1 1 1 0 1 0 1 1 1 0 1 1 0 0
30 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0
31 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 0 1
Зап рет X X X X X 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Я — безразличное состояние.
6 п/р 1‘арабрина Б. В» 161
СП
К микросхеме К155РЕ21
Входной код слова адреса на выходах 15 1 2 3 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 Сим- вол слова Выходной koi; слова на выходах
Символ и порядковый номер слова 12 11 10 0
5 6 7 4
0 с 0 0 Т 1 т 17 т 33 т 49 т 65 т 81 т 97 т 113 т 129 т 145 I 161 т 177 т 193 т 209 Т 225 т 241 А 0 0 0 0
1 0 0 0 В 2 А 18 г 34 В 50 С 66 н 82 И 98 с 114 А 130 А 146 А 162 М 178 С 194 Б 210 А 226 С 242 Б 1 0 0 0
0 i 0 0 М 3 С 19 Е 35 М 51 С 67 М 83 М 99 с 115 С 131 С 147 М 163 м 179 С 195 с 211 т 227 С 243 Б 0 1 0 0
1 0 0 м 4 С 20 Е 36 М 52 Е 6S С 84 Р 100 С 116 с 132 С 148 Н 164 м 180 С 196 т 212 т 228 С 244 г 1 1 0 0
0 0 1 0 А 21 Е 37 м 53 Н 69 Ж 85 Р 101 А 117 С 133 А 149 Н 165 Б 181 А 197 Г 213 Б 229 А 245 д 0 0 1 0
1 0 1 0 М 6 С 22 Е 38 Б 54 Е 70 М 86 Р 102 С 118 с 134 С 150 Н 166 М 182 С 198 Т 214 Т 230 246 Е 1 0 1 0
0 1 1 0 м 7 С 23 А 39 н 55 С 71 п 87 Р 103 с 119 С 135 с 151 Н 167 М 183 С 199 с 215 т 231 т 247 ж ° 1 1 0
1 1 ) 0 В 8 А 24 С 40 н 56 С 72 С 88 С 104 С 120 с 136 С 152 н 168 м 184 А 200 Б 216 А 232 т 248 и 1 1 1 0
Продолжение табл.
Входной код слова адреса на выходах 15 1 2 о 0 0 0 0 0 0 0 1 С 0 1 С (' 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 Сим- вол слов а Выходной код слова на выходах
Символ и порядковый номер слова
5 7 4 12 и 10 9
(! (’ 0 1 Т 9 т 25 т 41 Т 57 т 73 т 89 т 105 т 121 т 137 т 153 т 169 т 185 т 2D] т 217 т 233 Т 249 к 0 0 с 1
1 0 0 1 Б 10 Ж 26 А 42 А 58 С 74 С 90 С 106 Б 122 ь 188 Б 154 С 170 А 186 С 2G2 М 218 М 234 Т 250 л 1 0 0 1
0 1 0 1 С 11 Ж 27 С 43 С 5« С 75 Ж 91 д 1(7 С 123 с 139 С 155 С 171 С 187 С 203 М 219 м! 235' Т 251 м 0 1 с 1
1 0 1 с 12 Ж 28 С 44 С 60 С 76 М 92 М 1(18 с 124 С 140 С 156 С i 72 С 188 С 204 М 220 М 236 Т 252 н 1 1 0 1
0 0 1 1 В 13 Ж 29 А 45 с 61 Ж 77 П 93 М 109 С 125 Б 141 С 157 Б 173 А 189 К 205 М. 291 74 2 .7 Т 253 п 0 о 1 1
1 0 1 ] с 14 Ж 30 С 46 с 62 М 78 М 94 С во С 126 Н 142 С 158 Т 174 С 190 М 21 6 м 222 М 238 Т 254 р 1 0 1 1
0 1 1 С 15 А 31 С 47 С П 79 Ж 95 с Hi С 127 Р 143 С 159 I 175 С 191 М 207 М 223 А 239 Т 255 с 0 1 1 1
1 1 1 1 С 16 Т 82 А 48 с 64 С 80 С 96 с 112 Б 128 С 144 Б 160 А 176 А 192 к 208 А 224 Т 240 Т 256 т 1 1 1 1
К155РУЗ
К155ТЛ1
16Ь
К155ЛП7
К155ЛЛ1
^Г- &2~- "Г
? Л» -К Са| _Ы" т -~Уг
* 9 10
т ~ам*
К155ЛА11,
К155ЛА12
К155ЛЕ1
К155ЛА10,
КМ155ЛА10
167
К mi кросхеме К155КПЗ
Таблкца исполняемых функций
Выбор функций Положительная логика Отрицательная логика
М = 1 Лог иче- ские Тункцпн М = 0 Арифметические операции М - 1 Логиче- ские функции М = 0 Арифметические операции
S3 3, 5, So Со = 1 Со = 0 с„ = 0 Со — 1
с 0 0 0 А А А плюс 1 л А минус] А
0 0 0 1 А + Ь А А- В (А Ч- В) плюс 1 ~АВ АВ минус ] АВ
и 0 0 АВ А-}- В (Л + Ву, плюс 1 Л + В АВ минус 1 АВ
0 0 1 1 0 минус (дополи до 2-х) 0 1 минус 1 (ДОПОЛН. ДО 2-х) 0
(1 ) и 0 АВ А плюс АВ А плюс АВ плюс 1 ~в А плюс (Л + В) А плюс (Л 4- В) плюс 1
0 1 0 1 В (А + В) плюс АВ (Л + В) плюс АВ плюс 1 в АВ плюс (Л -Ь В) АВ плюс (Лф-В) плюс 1
0 1 1 0 А® В А минус В минус 1 А минус В А® В А минус В MWtyc 1 А минус В
0 1 1 1 АВ АВ минус 1 АВ 4 +В 4+В (Л -г В ) плюс 1
П родомкенае табл.
Таблица выполняемых функций
Выбор Функций Положительная логика Отрицательная логика
М = 1 Логиче- ские функции М == 0 Арифметические операции М= 1 Логиче- ские функции М = 0 Арифметические операции
5’ 9 S, So
С„= J Со = 0 Со = 0 С„ = 1
1 ( о 0 А + В А плюс АВ А плюс АВ плюс 1 АВ А плюс (А ф- В; Л плюс (Л + В) плюс 1
1 0 ( 1 ~А®В А плюс В А плюс В плюс 1 АфВ А плюс В А плюс В плюс 1
1 0 с В {А + В) плюс АВ ^А + #) плюс АВ плюс 1 В Л^ плюс (ЛЧ-В) АВ плюс (Л 4- В) плюс 1
1 0 1 1 АВ АВ минус J АВ А + В А + В (Л 4- В) плюс i
i 1 (1 0 i А плюс А * А плюс А плюс 1 0 А плюс А* А плюс Л плюс 1
1 1 0 1 ’ А + В (А 4- В) плюс А • А -+ В) плюс А плюс 1 АВ АВ плюс А АВ плюс А плюс J
1 ! 1 0 А Аг В (Л 4- В) плюс А (А -И В) плюс А плюс 1 АВ АВ плюс А АВ плюс А плюс 1
1 1 1 1 А А минус 1 А А А А плюс 1
— сдвиг на один разряд влево.
SldHSSW
К155РЕЗ
172
Таблица 2-38
< баз качение параметра 155ЛА1 К155ЛА1, КМ155ЛА1 155ЛА2 К155ЛА;, КМ155ЛА? i 155ЛАЗ 1 1 I 1 К155ЛАЗ, КМ155ЛАЗ ! 155ЛА4 25
/'„or, мВт, не более 52 39 26 21 110 78 80 57
Цс.х- в- не менее 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4
В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,1 0,4 0,4
(зд, р' нс’ не более 15 15 18 15 15 15 15 15
Гзд, р* не более 29 22 33 22 29 22 29 22
/£х, мА- ле более —1,6 —1,6 — 1,6 —1.6 —1,6 — 1,6 —1,0 -1,6
Ах- мкА, не более 40 40 40 40 40 40 40 40
С/гр ст, в, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
п об 4 — 8 — 2 — 3 —
^раз 10 10 10 10 10 10 10 10
* По входу ИЛИ:- для микросхем с индексом К не регламентируется.
Таблица 2-39
Обозначение параметра < |О К 155ЛА6, КМ155ЛА6 155 Л A i К 155 Л А 7, КМ155ЛА7 155ЛА8 К155ЛА8, КМ155ЛА8 о, 5 IQ IdI7SCIW3 . :
нот» мВт, не более 86 92 82 79 100 79 73 58
<Аых- в, не менее 2,4 2,4 — — — — 2,4 2,4
<А,„х- В, не более 0,1 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
^зд. р- ие- не более 20 15 — — — — 18 15
Ад, р- «с, не более 29 22 -— — — — 33 22
173
Продолжение табл. 2-39
Обозначение параметра < LO с? чв В —' 155ЛА7 К155ЛЛ7, КМ155ЛА7 СО -С 5 К155ЛА8, КМ155ЛА8 155ЛР1, К155ЛР1 КМ155ЛР1
7ВХ’ мА- не более —1,6 —1,6 -1,6 —1,6 —1,6 —1,6 — 1,6 —1,6
Гвх, мкА, не более 40 40 40 40 40 40 40 40
^выХ’ мА, не более — — 30 30 16 16 —• —
U„. СТ- В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
— — — — — — 8 —
Т’Граз 30 30 — — — — 10 10
* По входу ИЛИ.
Т а б л и ц а 2-40
Обозначение 155ЛРЗ К155ЛРЗ, КМ155ЛРЗ 155ЛР4 К155ЛР4, ; КМ155ЛР4 155ТВ1
параметра
Рпот! мВт- не более 73 47 53 58 100
^вых- В> не менее 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4
^вых’ В* не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
п, нс> не более 18 15 18 15 60
п, нс, не более 33 22 33 22 50
/’х, мА, не более —1,6 —1,6 —1,6 -1,6 -1,6 (J, К) —3,2 (С, R, S)
/*,*, мкА, не более 40 40 40 40 40 (J, К) 80 (С)
1/п, ст> В, не оолее 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
^раз 10 10 10 10 10
174
Таблица 2-41
Обозначение параметра К155ТВ1, КМ155ТВ1 155ТМ2 К155ТМ2, КМ155ТМ2
Рпог, мВт, не более 105 150 157,5
,jbmx’ В> не менее 2,4 2,4 2,4
^вых- В- не б0"‘ее 0,4 0,4 0,4
р, нс, не более 40 — 60
/,д‘ р, нс, не более 40 — 50
/вх, мА, не более —1,6(7, К) —3,2 (С, R, S) -1,6 (D) -3,2 (С) -1.6(D) —3,2 (С)
/;,х, мкА, не более 40(7, К) 80 (С) 40(D) 120 (С) 40(D) 120 (С)
Uст, В, не более 0,4 0,4 0,4
^раз 10 10 10
Примечания: 1. После значений входных токов /вх и 1^х ука-
заны обозначения выводов, к которым эти значения относятся.
2. Максимальная частота переключения триггеров 155ТВ1, К155ТВ1»
КМ155ТВ1, 155ТМ2, К155ТМ2 и КМ155ТМ2 равна 10 МГц.
3. Для микросхем 155ЛРЗ и 155ЛР4 коэффициент объединения по входу
ИЛИ не более 8
Таблица 2-42
Обозначение параметра 155ЛД1 К155ЛД1. КМ155ЛД1 155ЛАЗ К155ЛДЗ, КМ155ЛДЗ
А,,от, мВт, не более 20 — — —
/•'(Х, мА, не более —1,6 —1,6 —1,6 —1,6
мА, не более 0,04 0,04 0,04 0,04
Л‘,чх’ МКА’ не более 10 20 10 20
0"’Ь1Х, В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4
1. „ нс, не более 5 — 5 —
(7„, ст> В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4
Примечание: /зд вн — задержка распространения, вносимая пр*
подключении ко входу с возможностью расширения по ИЛИ.
175
Электрические параметры микросхемы К155АП1
в режимах записи и считывания
Ток потребления /пох не более .................... 35 мА
Напряжение Ua на выходе считывания не более....... 0,4 В
Ток I1 на выходе усилителя считывания не более .... 0,1 мА
Напряжение Ь'и на разрядной шине не более ....... 0,95 В
Напряжение U1 на разрядной шине.................1,2—1,8 В
Напряжение U° на шине установки нуля не более . . . 0,95 В
Напряжение U1 па шине установки нуля............1,2—1,8 3
Входной ток /’х не более ......................... 1,6 мА
Входной ток 11ех не более ..................... . < 0 мкА
Время задержки распространения /у не более .... 60 нс
Время задержки распространения р не более .... 50 нс
Электрические параметры микросхемы К155ЙЕ1
Входной ток Г' не более...............................—1,6 мА
Входной ток не более..................................40 мкА
Выходное напряжение £/рых не менее....................' 2,4 В
Выходное напряжение б/^ь|Х не более................... 0,4 В
Максимальная частота входного сигнала /макс...........10 .МГц,
Коэффициент разветвления по выходу /<рдз............... 4
Таблица 2-43
Обозначение параметра К155ИЕ2, КМ155ИЕ2 К155ИЕ4, КМ155ИЕ4 К155ИЕ5, КМ155ИЕ5
/||0Т, мА, не более /£х (по входам установки «0» и «9»), мА, не более 53 51 53
— 1,6 —1,6 — 1,6
(по счетному входу С^, мА, не более -3,2 —3,2 -3,2
Гвх (по счетному входу С2), мА, не более —6,4 —6,4 —3,2
/^х (по входам установки «0» и «9»), мА, не более 0,04 0,04 0,01
/^х (по счетному входу CJ, мА, не более 0,08 0,08 0,08
1'вХ (по счетному входу С2), мА, не более 0,16 0,16 0,08
Un, В, не менее — 1,5 —1,5 — 1,5
С%х, В, не более 0,4 0,4 0,4
^вых’ В’ не менее 2,4 2,4 2,4
^вд, р (по счетному входу СЗ, нс, не более 100 100 135
^ад, р (по счетному входу CJ, нс, не более 100 100 135
176
Таблица 2-44
Обозначение параметра К155ИЕ6, К155ИЕ7, КМ155ИЕ6 КМ155ИЕ7 К15БИЕ8
/]ют, мА, не более 102 120
х, В, не более 0,4 0,4
В, не менее 2,4 2,4
^ад р (от вх°Да «Обратный счет» до вы- 24 —
хода «Обратный перенос»), нс, не более
р (от входа «Обратный счет» до вы- 24 —
хода «Обратный перенос»), нс, не более
^зд р (от вх°Да «Последовательное вклю- — 10
чение» до выхода «Y»), нс, не более
/зд р (от входа «Последовательное вклю- — 14
чение» до выхода «Y»), нс, не более
р (°т «Счетного» входа до выхода — 38
«Разрешение счета»), нс, не более
^зд р (от «Счетного» входа до выхода — 30
«Разрешение счета»), нс, не более
Таблица 2-45
Обозначение параметра К155ИМ1, КМ 155 ИМ 1 К155ИМ2, КМ15Ч4М2 К155ИМЗ, КМ155ИМЗ
Лют- МА, не более 35 58 128
П“ых, В, не более 0,4 0,4 0,4
П‘ых, В, не менее 2,4 2,4 2,4
(7Д, В, не менее -1,5 —1,5 —1,5
t' •" _, нс, не более оД. р 12 40 40
(вывод 3—4) (вывод 5—1) (вывод 13—9)
55 42 42
(вывод 2—4) (вывод 5—12) (вывод 13—6)
80 27 55
(вывод 11—5) (вывод 10) (вывод 13—15)
75 35 32
(вывод 2—6) (вывод 13—12) (вывод 13—14)
р, нс, не более- 17 34 34
(вывод 3—4) (вывод 5—1) (вывод 13—9)
25 38 38
(вывод 2—4) (вывод 5—12) (вывод 13—6)
70 19 55
(вывод 11—5) (вывод 5—10) (вывод 13—15)
55 40 48
(вывод 2—6) (вывод 13—12) (вывод 13—14)
177
Таблица 2-46
Обозн ачение параметра К155ИР1, КМ155ИР1 К155ТМ5, КМ155ТМ5 К155ТМ7, КМ155ТМ7
/пот, мА, не более 7/д, В, не менее ^вых’ В’ не более ^вых’ не менее / (от входов «Син- хронизация»), нс, не более п (от входа D), нс, не более 'зд, Р (от вхоД°в «Син- хронизация»), нс, не более п (от входа D), нс, зд. у не более 82 —1.5 0,4 2,4 35 35 53 — 1,5 0,4 2,4 15 25 30 30 53 —1,5 0,4 2,4 15 (до прямого и инверс- ного выходов) 25 (до прямого выхода) 15 (до инверсного вы- хода) 30 (до прямого и инверс- ного выходов) 40 (до инверсного вы- хода) 30 (до прямого выхода)
Таблица 2-47
Обозначение параметра
К155РУ1,
КМ155РУ1
/£ (усилителей записи «О» и «1»), мА, не более
/’ а (по адресным шинам х и у), мА, не более
/>х (усилителей записи «.О» и «1»), мкА, не более
^вх А (по адресным шинам х и у), мА, не более
t/д, В, не менее
^вых (усилителя считывания «О» в режиме выборки),
В, не более
^вых (усилителя считывания «Ь в режиме выборки),
мкА, не более
^вых (усилителя считывания «О» в режиме полу-
выборки), мкА, не более
/7“ых (усилителя считывания «О» после режима полу-
выборки), В, не более
//°ых (усилителя считывания <1» в режиме выборки),
В, не более
— 1,6
— I I
40
0,28
— 1.5
0,4
250
250
0,4
0,4
178
Продолжение табл, 2-47
Обозначение параметра К155РУ1, КМ155РУ1
/£ (усилителя считывания «0» в режиме выборки), мкА, не более /вых (усилителя считывания «Ь в режиме полувы- борки), мкА, не более ^вых (Усилителя считывания «1» после режима полу- выборки), В, не более /вос, нс, не более (Сн=15 пФ) нс, не более: при Сн = 15 пФ при Сн = 200 пФ нс, не более: при Сн= 15 пФ при Сн = 200 пФ 250 250 0,4 60 45 55 25- 35
Таблица 2-48
Обозначение параметра К155РУ2, КМ155РУ2
/пот, мА, не более 7“ мА, не более мкА, не более (7Д, В, не менее ^вых (в Режиме считывания при хранении «1> в не- выбранных адресах), мкА, не более (У’ых (в Режиме хранения 41» в невыбранных адре- сах), В, не более (в Режиме считывания), мкА, не более 'вых. хр' мкА> не более ^вых. сч. В- не более /"ос (усилителя считывания после записи <0»), нс не более ^вос (усилителя считывания после записи «1»), нс, не более ^ад р (от вхола разрешения выборки до выхода уси- лителя считывания), нс, не более />» р (от ВХ0Да разрешения выборки до выхода уси- лителя считывания), нс, не более р (от адресного входа до выхода усилителя счи- тывания), нс, не более ^ад р (от адресного входа до выхода усилителя счи- тывания), нс, не более 105 —1,6 40 —1,5 20 0,4 20 20 0,4 70 70 50 50 60 60
179
Т а б л и ц а 2-49
Обозначение параметр*- К15эКГ15, КМ155ХП5 К155КП7, КМ155КП7 К155ИД1. КМ155ИД!
Риос, мВт, не более 230 260 132
/вх, мА, не более / 0,04 0,04 0,04 (вывод 3) 0,08 (выводы 4, 6, 7)
/вх, мА, не более -1,6 —1,6 -1,6 (вывод 3) -3,2 (выводы 4, 6, 7}
С'вых, В, не менее 2,4 2,4 60
t/вых, В, не более 0,4 0,4 2,5
/зд. р, нс, не более 14 14 —
^ЗД, р> НС, нс более 20 20 —
б^п, СТ' В — — 0,4
Таблица 2-50
Обозначение параметра К155ХЛ1, КМ155ХЛ1
PaOt, мВт, не более 500
/вх, мА, не более:
выводы 1—4, 5, 11—13, 6 —1,6
выводы а, 9, 10 —3,2
/вх, мкА, не более:
выводы /—-3 40
выводы 8—10 80
выводы 4—6, 11—13 250
ил, В, не менее — 1,5
i/вых» В, не более 0,4
/аых, мА, не более 1,25
/зд, р (от входа «Синхронизации считывания» до вы- 25
хода), нс, не более
/зд, р (от входа «Синхронизации считывания» до вы- а
хода), нс, не более
Уп. ст, В, не менее 0,4
180
Таблица 2-51
Обозначение параметра К155ЛН1 К155ЛИ1 К155ЛН2
Рпот, мВт, не более 173 — —
/пот, мА, не более — 33 33
/пот, мА, не более — 21 12
/вх, мА, не более —1,6 —1,6 —1,6
/вх, мА, не более 0,04 0,04 0,04
Ууг. пых* мА, не более — — 0,25
t/вых, В, не более 0,4 0,4 0,4
//вых, В, не менее 2,4 2,4 —
/зд, р, нс, не более 15 27 15
/зд, р, нс, не более 22 19 55
Крае 10 — 10
Таблица 2-52
Обозначение параметра К155КП1
Рпот, мВт, не более 360
/вх, мА, не более —1,6
/вх, мА, не более 0,04
//вых, В, не более 0,4
//вых, В, не менее 2,4
Uд, В, не более —1,5
/зд, р, нс, не более:
по информационному входу 8 14 -
по кодирующим входам 11, 13. 14. 15 33
по стробирующему входу 9 30
/зд, р, нс, не более
по информационному входу с 20
по кодирующим входам 11, 13, 14, 15 35
по стробирующему входу 9 24
/(раз 10
Краз 20
181
Таблица 2-53
Обозначение параметра К155ЛП5, КМ155ЛП5 К155ИП2, КМ155ИП2 К155ИД4, КМ155ИД4 К155ИП4, КМ155ИП4 1 К155КП2, ИМ155КП2
Р НОТ» мВт, не более 262,5 294 210 378 315
U ВЫХ} В, не более ОД, 0,4 0,4 0,4 0,4
<7вых, В, не менее 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4
*ЗД. р, НС, не более 17 68 27 22 —-
(при Z7BX = 0 на выводах 2, 5, 10, 13, 1, 4, 9, 12) 22 (при 7/вх=ЗВ на выводах 2, 5, 10, 13, 1, 4, 9, 12) (на выводе 5 при Т'вх=3 В на выводе 3; на выводе 6 при Свх=3 В на выводе 4) 38 (на выводе 5 при t/nx=3 В на выводе 4, на выводе 6 при t/BX=3 в на выводе 3) (15—9, 15— 10, 15—11, 15—12,3—7, 3—6, 3—9, 3—10) 32 (13—6, 13— 4, 13—10, 13—12) 30 (1-7) (13—12, 13-11, 13—9, 2—9, 2—10)
Сд, р, нс, не более Сд. р, нс, не более: 23 60 20 17 —
(при t/BX=0 В на выводах 2, 5, 10, 13, 1, 4, 9, 12) 30 (при 77вх=3 В на выводах 2, 5. 10, 13, 1, 4, 9, 12) (на выводе 5 при 1/вх=3 В на выводах 3, 5, 4) 48 (на выводе 5 при 6’„х—-3 В на выводах 4, 6, 3) (15—9, 15— 10, 15—11, 15—12, 3— 7, 3—6, 3— 9, 3—10) 32 (13—6, 13— 4, 13—10, 13—12) (13—12, 13—11, 13—9, 2—9, 2—10)
по адресным входам — — 24 (1—7) — 34
по информа- ционным входам — — — 23
по строби- рующим входам 23
182
Продолжение табл. 2-53
Обозначение параметра 1 К155ЛП5, КМ155ЛП5 1С55ИП2. КМ155ИП2 К155ИД4, КМ155ИД4 К155ИП4. КМ155ИП4 к/113 1-2 —. L0
,0.1 *ЗД. Р» нс, не более: по адресным 34
входам по информа- — — — 18
циоппым входам по строби- 30
ру ютим входам Араз 10 10 10 10 10
Краз 20 20 20 20 20
Таблица 2-54
Обозначение параметра К155ПР6, К1551 IP", КМ155ПР6, КМ155ПР7 К155РЕ21, К155РЕ22, К155РЕ23, К155РЕ24 К155РЕЗ
/пот, мА, не более 104 130 110
t/вых, В, не более 0,4 0,4 0,5
/вых, мКА, не более 100 100 100
/вх, мА, не более -1 —1 —1,6
/вх, мКА, не более 40 40 —
/зд, нс, не более 40 60 —
/зд (выборки адреса), нс, не более 40 60 —
/зд, р (по входу «Разрешение выбор- ки»), нс, не более 35 30 50
/зд, р (по входу «Разрешение выбор- ки»), нс, не более 35 30 50
183
Таблица 2-55
Обозначение параметр» К155ИР13
/пот. “А, не более 116
t/вых, В, не более 0,4
(/вых, В, не менее /зд, р, нс, не более: Э>4
по входу синхронизации 80
по входу установки «0» /зд. р, нс, не более: 30
по входу синхронизации 26
по входу установки «0» /вх, мГц, не более; 26
в режиме сдвига 30
в режиме приема параллельного кода информации 40
Таблица 2-56
обозначение параметра К155РУЗ Примечание
/вых (усилителя считывания в режиме 0,25 Вывод 14
полувыборки), мА, не более
t/вых (усилителя считывания «1» пос- 0,4 Вывод 14
ле режима полувыборки), В, не более
/вос (после записи), нс, не более 60 Си= 15 пФ; выводы 13, 14
/сч (по адресным шинам xL, уг), нс, 45 Сн= 15 пФ
не болеб 55 Св = 200 пФ
/сч (по адресным шинам xt, j/J, нс, 25 Сн = 15 пФ
не более 35 Сн = 200 пФ
/пот, мА, не более 91
/вх (усилителя записи «0» и «1»), мА, -1,6 . Выводы, 10, 11,
не более 15, 16
/вх (по адресным шинам х и у), мА, — И Выводы 1—4, 6—9
не более
/вх (усилителя записи), мА, не более 0,01 выводы 10, 11, 15, 16
184
Продолжение табл. 2~5в
Обозначение параметра К155РУЗ Пр имечание
„х (по адресным шинам х и у), мА, 0,4 Выводы 1—4, 6 —9
не более
них (усилителя считывания «0» в ре- 0,4 Вывод 13
жиме выборки), В, не более
пых (усилителя считывания «1» в ре- 0,25 Вывод 14
жиме выборки), мА, не более
вых (усилителя считывания «0» в ре- жиме полувыборки), мА, не более 0,25 Вывод 13
/вых (усилителя считывания «0» после режима полувыборки), В, не более 0,4 Вывод /3
вы» (усилителя считывания «0» в ре- 0,25 Вывод 13
жиме выборки), мА, не более
Т аб л и ц а 2-57
Обозн ачен ие параметра К 155Т./Т1 < 1Л X К155ЛП7 К155ЛИ5
/нот, мА, не более 32 — 11 05
/пот, мА, не более 23 — 4 11
/|10Т, мА, не более — 40 — —
/ ’пых, В, не более 0,4 0,4 0,4 —
/.'вых, В, не менее 2,4 2,4 2,4 —
/зд, р, нс, не более 22 70 — —
р, нс, не более 27 80 — —
/ут- пых. мА, не более — — 0,1 0,1
бп. ст. В. не менее 0,8 — — —
С'ост. St не более —. — 0,4 0,4
(/н = 100 мА) (/н = 100 мА)
0,7 0,7
(1а — 300 мА) (/и — 300 мА)
185
Г а б л и ц а 2-58
Обозначение параметра К155ЛЛ1 1 I К155ЛА12 S LO 2 К155ЛЕ2 К155ЛА10. КМ155ЛА10 К155ЛА11
1 цот, мА, не более 33 54 27 19 16,5 22
/;10Т, мА, не более 22 15,5 16 16 6 8
6/';ых, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
^ВЫХ’ В> не менее 2,4 2,4 2,4 2,4 — —
/VT вых- мА- не более —— — —— 0,05 0,05
р, нс, не более 22 15 15 15 15 17
р, не, не более 15 22 22 22 45 24
Zax, мА, не более —1,6 — 1,6 —1,6 —1,6 —1,6 —1,6
/их (стробирующего входа), — — — 6,4 — —
мА, не более
Гак, мА, не более 0.04 0,04 0,04 0,01 0,04 0,01
(стробирующего входа), — — — 0,16 — —
мА, не более
СЕРИЯ 156
Тип логики: ДТЛ.
Состав серии:
156лГ1А—156АПВ —формирователь временных интервалов.
156ЛА6А, 156ЛА6Б —мощный элемент 4И-НЕ с открытым коллек-
тором, с возможностью расширения по И.
156ЛА4А—156ЛА4В—элемент 6И-НЕ с возможностью расширения
по И.
156ЛА1 —элемент 6И-НЕ.
156ЛА2А—156ЛА2В— 2 элемента 4I4-HE.
156ЛД1А—156ЛД1В— 2 четырехвходовых расширителя по ИЛИ.
156ЛА5А, 156ЛА5Б —мощный элемент 4И-НЕ с возможностью рас-
ширения по И
156ЛДЗ —4 двухвходовых расширителя по И.
Напряжение питания всех микросхем Ди. п1 = 5 В±10%; L’ , =
= 3 В А 10% *.
Корпус металлостеклянный 401.14-2. Выводы: общий—4;
U а, п (^и. ill) 6', Ди. п2 &* •
Только для микросхем 156ЛА2А—156ЛА2В, 156ЛА4А—156ЛА4В»
186
15ВАГ1А~156АГ1В
12W 1
156ЯАМ ,15SAAS5
187
156ЛА1
156ЛА2А-15БЛА2В
188
15БЛДЗ
189
Таблица 2-59
Обозначение 156ЛА4А 156ЛА4Б 156ЛА4В 156ЛА1 156ЛА2А i 1 1 156ЛА2Б □ <О ю
Ргс,т, мВт, не бо- лее 17 17 17 25 34 34 35
/*х, мкА, не более 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,о
/"х, мА, не более_ 1,75 1,75 1,75 1,75 1,75 1,75 1,75
LTwv> В- не менее 2,СО 2,60 2,60 2,50 2,55 2,55 2,55
В, не более 0,54 0,43 0,42 0,42 0,54 0,48 0,42
/^ых, мкА, не более 20 20 20 — 20 20 20
/1’° нс, не более JA > Р 30 30 30 45 30 30 30
_, нс, не более оД> р 40 40 40 — 40 40 40
<0,1, нс, не более 20 20 20 25 20 20 20
Z1’0, нс, не более 150 150 150 30 150 150 150
Un, ст. В, не более 0,4 0,4 0,4 —• 0,4 0,4 0,4
Коб 10 10 10 6 4 4 4
КрцЗ 6 4 2 16 6 4 2
Таблица 2-60
Обозначение параметра 156ЛА6А 156ЛА6Б 156ЛА5А 156ЛА5Б
/‘х, мкА, не более 1,0 1,о 1,о 1,о
/°х, мА, не более 1,75 1,75 1,75 1,75
^вых> В, не менее —- — 2,55 2,55
^вых> В, не более 0,52 0,62 0,52 0,62
/вых, МА, не более 75 50 — —
/°’1, нс, не более 30 30 30 30
Z1’0, нс, не более 90 90 90 90
t‘'° нс, не более зД« Р 40 40 60 60
/и’‘ п, нс, не более 150 150 150 150
Краз — — 36 28
190
Таблица 2-61
Обозначение параметра 156ЛД1А 156ЛД1Б 156ЛД1В
ср> мВт, не более 34 34 34
мкА, не более 1,0 1,0 1,0
/„х, мА, не более 1,75 1,75 1,75
^вых’ В, не менее 2,55 2,55 2,55
1Х, В, не более 0,54 0,48 0,42
х, мкА, не более 20 20 20
р, нс, не более 30 30 30
t'\.[ р, нс, не более 40 40 40
нс, не более 20 20 20
нс, не более 150 150 150
Ра, ст, В, не более 0,4 0,4 0,4
р .13 6 4 2
об 4 4 4
Электрические параметры микросхем 156АГ1А—156АГ1В
Мощность потребления:
Р“от не более.......................1............... 65 мВт
Р'1т не более...................................... 71 мВт
'I ок:
/‘х не более.......................................... 1,0 мкА
/’х не менее...................................... 1,75 мА
Напряжение 1/^ых не менее.............................2,55 В
Напряжение 1/^ых не более:
для 156АГ1А .......................................... 0,54 В
для 156АГ1Б ...................................... 0,46 В
для 156АГ1В ..................................... 0,42 В
Минимальная длительность импульса /и на выходе 3
не более ........................................... 120 нс
Минимальная длительность импульса tn на выходе //
не более............................................ 220 нс
Время включения не более............................ 35 нс
Время выключения I1’0 не более.............• .... 130 нс
Время задержки выходного импульса по выходу 3 отно-
сительно входного /“д1 не более..................... 60 нс
Время задержки выходного импульса по выходу 11 отно-
сительно входного /‘д не более ..........35 но
Коэффициент разветвления Краз:
для 156АГ1А ....................................... 6
для 156АГ1Б ........................................... 4
для 156АГ1В ............................................2
191
Электрические параметры микросхемы 156ЛДЗ
Обратный ток /обр не более ......................... 1,0 мкА
Прямое падение напряжения (7*р..................... 0,60—0,87 В
Ток утечки на подложку /ут не более................. 1,5 мкА
Время восстановления /вос не более.................... 5 нс
СЕРИЯ К158
Тип логики: ТТЛ.
Состав серии:
К158ЛА1 —2 элемента 4И-НЕ.
К158ЛА2 — элемент 8И-НЕ.
К158ЛАЗ — 4 элемента 2И-НЕ.
К158ЛА.4—3 элемента ЗИ-НЕ.
К158ЛР1 - 2 элемента 2И-2ИЛИ-НЕ.
К158ЛРЗ — элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ.
К158ЛР4 — элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ.
К158ТВ1 — JK-триггер с логикой ЗИ на входе.
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1. Выводы: об-
щий—7; + £/„. п— 14
Напряжение питания всех микросхем <7И. п = 5 В ±5%.
К15Ш1
Электрические параметры микросхемы К158ТВ1
Мощность потребления Рпот в динамическом режиме не
более...............................................40 мВт
Напряжение t/Bblx не менее .......................... 2,4 В
Напряжение С/‘’ь1х не более , , , .................. 0,3 В
• При / = 1,0 мА.
192
Ток /"х по входам J и К не более....................—0,5 мА
Ток /£х по входам С, «Уст.» не более.................—1 мА
1ок ]‘дх по входам J и /С не более....................32 мкА
Ток /ix по входам «Уст.» и С не более................96 мкА
Время задержки включения от входа С не более............100 нс
Время задержки включения от входов установки логиче-
ского «0» и логической «1» не более................... 10Э нс
Рабочая частота fB!l не более...........................3 .МГц
''.лигелыюсть импульса на входе С не менее ............. 200 нс
Коэффициент разветвления по выходу Д'раз.................. 10
Таблица 2-62
Обозначение параметра К158ЛА1 К138ЛД2 < LO 2 К158ЛА4 К158ЛР1 К158ЛРЗ 2 ч СО ю 2
’!1от, мВт, не более 9,45 4,98 19,4 14,5 13,62 13,1 6,82
/;’1ых, В, не более 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3
^вых1 В. не менее 2,4 2,4 2.4 2,4 2,4 2,4 2,4
р, нс, не более 60 НО 60 60 80 80 80
р, нс, не более 60 60 60 60 80 140 80
в.{, мкА, не более —500 —500 —500 —500 —500 —500 —500
мкА, не более 32 32 32 32 32 32 32
/;11СТ, В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
'•раз 10 10 10 10 10 10 10
___ 8
— 8
xsJ.---
T-.
xsJL_
7 n/p Тарабрина Б. В,
У1
193
К.158 Л АЗ
194
К158ЛР1
К158ЛРЗ
К158ЛРЧ-
7*
195
Л158ТВ1
СЕРИЯ К166
Состав серии:
К1НТ661 — микросборка из высоковольтных транзисторов.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14-1.
K1HT6S1
Электрические параметры каждого транзистора
Начальный ток коллектора /кэо не более..............30 мкА
Коэффициент прямой передачи Л21э не менее............ 5
Напряжение насыщения (7КЭ нас не более................ 5 В
Максимально допускаемые напряжения:
^КЭ. макс ...................................... 250 В
^KD. макс....................................... 300 В
193
Максимально допустимые токи:
К. макс .....................................................
К. и макс.................................................
1 Б, макс .................................................
5 мА
10 мА
5 мА
СЕРИЯ К172
Тип логики: МОП-структуры.
Состав серии:
К172ЛМ1 —2 элемента 4ИЛИ-НЕ/4ИЛИ.
К172ЛМ2 — элемент 10ИЛИ-НЕ/10ИЛИ.
К172ЛИ1— 4 элемента 2И.
К172ЛК1 —2 элемента 2И-2ИЛИ/2И-2ИЛИ-НЕ.
R172TP1 —RS-триггер со сложной входной логикой.
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1. Выводы: общий —
- п—8.
Напряжение питания всех микросхем серии Ua. п = — 27 В±10%.
К172ЛМ1
187
К17271К1
К172ТР1
~Un.it
2 J 12 13
198
Таблица 2-63
Обозначение параметра 5 сч 2 К172ЛМ2 Е 2 2 ч СЧ 2 К172ТР1
/[10Т, мА, не более ^вых> В> не менее Иных» не б°лее /м, мкА, не более р, ср. МКС** 740м, не менее U„, ст> В, не более К раз 2,5 —7,5 —2,0 1.3 0,6 15 1,0 15 1,5 —7,5 —2,0 1,3 0,6 15 1,0 15 5,0 —7,5 —2,0 1,3 0,6 15 1,0 15 2,5 —7,5 —2,0 1,3 0,6 15 1,0 15 2,5 —7,5 —2,0 1,3* 0,6 15 1,0 15
* Частота следования входных импульсов не более 200 кГц.
*» При Сн = 20 пФ.
СЕРИЯ К176
Тип логики: дополняющие МОП-структуры.
Состав серии!
К176ЛП1 — элемент логический универсальный*.
К176ЛП4 — 2 элемента ЗИЛИ-НЕ и элемент НЕ.
К176ЛП11 —2 элемента 4ИЛИ-НЕ и элемент НЕ.
К176ЛП12 — 2 элемента 4И-НЕ и элемент НЕ.
К176ЛЕ5 —4 элемента 2ИЛИ-НЕ.
К176ЛЕ6 — 2 элемента 4ИЛИ-НЕ.
К176ЛЕ10 — 3 элемента ЗИЛИ-НЕ.
К176ЛА7 —4 элемента 2И-НЕ.
К176ЛА8 —2 элемента 4И-НЕ,
К176ЛА9 —3 элемента ЗИ-НЕ.
К176ТМ1 —20-триггера (с установкой «0»),
К176ЛП2 — 4 элемента «исключающие ИЛИ».
К176ЛС1 — 3 элемента ЗИ-ИЛИ.
К176ЛИ1 — элемент 9И и НЕ.
К176РМ1 —матрица-накопитель ОЗУ на 16 бит.
* Микросхема К176ЛП1 может быть использована в качестве? а) трех
Э7ементов НЕ; б) элемента ЗИЛИ-НЕ; в) элемента ЗИ-НЕ;. Г) элемента НЕ
с большим коэффициентом разветвления.
199
К176ИЕ1 —шестиразрядный двоичный счетчик.
К176ИЕ2 — пятиразрядный счетчик.
К176ИЕЗ — счетчик по модулю 6 с дешифратором для вывода ин-
формации на сегментный индикатор.
К176ИЕ4 —счетчик по модулю 10 с дешифратором для вывода
информации на сегментный индикатор.
К176ИЕ5 — пятнадцатиразрядный делитель частоты.
К176ИЕ8 —десятичный счетчик с дешифратором.
К176ИР2 — сдвоенный четырехразрядный статический регистр сдвига.
К176ИРЗ — четырех разрядный универсальный регистр сдвига.
К176ИР10 — восемнадцатиразрядный регистр сдвига.
К176КТ1 —четыре"двунаправленных переключателя.
К176ПУ1 —5 преобразователей уровня.
К176ПУ2 — 6 преобразователей уровня с инверсией.
К176ПУЗ —6 преобразователей уровня.
К176ИД1 —дешифратор 4 х Ю.
К176ИМ1 —четырехразрядный полный сумматор.
К176ТМ2 —2 D-триггера (с установкой «0» и <1>).
К176ТВ1 — 23К-триггера.
Корпус прямоугольный пластмассовый:
238.16-1 (К176ИР2, К176ПУ2, К176ПУЗ, К176ИЕ2, К176ИДП
К176ИЕ8, К176ТВ1);
201.14-1 (остальные схемы).
Выводы: общий — 8, -4-£/и п —16 (К176ИР2, К176ПУ2, К176ПУЗ,
К176ИЕ2, К176ИД1 К176ИЕ8,
К176ТВ1);
общий —7, +£/„.„—14 (остальные схемы).
Напряжение питания всех микросхем 9 В+5%.
К176ЛП1
200
201
КТ76ЛЕ5
хг2_ 1 ( ^1
Ъ-L. ttyJL 1 ( ^~У2
as-^- xsJL Я»
а7Л^. ^8— 1 ( ^У4
К178ЛА9
9 8 2 1
К176ЛЕ10
W +/;
11
12
13
8 2
/ 9
U$L BL
Hi
10 ‘
>ил т
а>1-й
хг-^-
xs—
Хц —
XS-L
хв—
х7 —
&
№..
1
1
1
>£-У1
202
203
204
К175ЛП2
К176ЛС1
К175ЛИ1
К175РМ1
К176ИЕ1
К176ИЕ2
205
К17ВИР2
К176ИЕЗ
Для одного-разряда.
С D R d
~х~ 0 1 X X 0 0 0 t 0 1 d 0
К176ИЕ5
Л '176ИРЗ
3 р Тр С1 RS 01 2
5 Сг Qz 12
1
13 11 1)1 Dz Оз 10
3 1)3 Оч 8.
К176ИР10
К176ИЕ8
К176КТ1
К17ВПУ1
К178ПУ2
206
207
К176ПУЗ
К176ИД1
К176ИМ1
К176ТМ2
К176ТВ1 -
208
Таблица 2-64
Обозначение параметра К176ЛП1 К176ЛП4 К176ЛП11 W 5 £ К176ЛЕ10 К176ЛА7 1 | К176ЛА8 К176ЛА9 § 2 К176ЛП12
1 пот» мкА, не более* о,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 о,1 0,1 0,1 0,1 0,1
t/вых, В, не бо- лее 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3
t/вых, В, не ме- нее 8,2 8,2 8,2 8,2 8,2 8,2 8,2 8,2 8,2 8,2 8,2
ly-г. вх. М!{А, не ' более 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05
/зд, р, нс, не более 200 200 200 200 200 200 — — — — —
<зд. р, нс, не более — — — — •— — 400 400 400 —• 400
/вх, МГц, не более 1,0 1,0 — 1,0 1,0 1,0 1,0 1,о 1,0 1,0 —-
£/п, ст, В, не более 0,9 0,9 0,9 0,9 0,9 0,9 0,9 0,9 0,9 0,9 0,9
Свх, пФ, не бо- лее 12 12 — 12 12 12 12 12 12 — —-
Краз * В статическо 100 м ре» 100 име. — 100 100 100 100 100 Т 100 а б л и ц а 2-65
Обозначение параметра К176ТМ2 К176РМ1
1 пот, мкА, не более 3 10
/вх, мкА, не более -0,1 —0,5
/вх, мкА, не более 0,1 0,5
/сч, мкА, не менее — 100
/сч, мкА, не более 2
/зп, мкА, не более — 1
/зп, мкА, не более — 1
t/вых, В, не более 0,3 —
//вых, В, не менее 8,2 —
/вх, МГц, не более 1,0 —
209
Таблица 2-65
Обозначение параметра К176ИЕЗ, К176ИЕ4 К176ИЕ5
/пот, мкА, не более 0,25 0,25
/вх, мкА, не менее —0,5 —0,5
/вх, мкА, не более 0,5 (выводы 4, 5, 6) 0,5 (выводы 2, 3, 9)
//вых, В, не более 0,3 (выводы 2, 4) 0,3 (выводы 6, 12)
t/вых, В, не менее 8,2 (выводы 1, 4) 8,2 (выводы 6, 12)
fBX, МГц,не более 1 (вывод 1) 1 (выводы 4, 5)
/С раз не более 15 15
Таблица 2-67
Обозначение параметра К176КТ1 К176ПУ1 К176ЛИ1
/пот. мкА, не более 0,4 0,7 0,4
/и (при ограничительном сопротивле- 0,7 — I
нии 10 кОм в цепи 2, 3, 9, 10 вы-
вода), мА, не менее
/ут, вых, мкА, не более 2 — —
/вх, мкА, не менее —0,1 —0,1 —0,1
/вх, мкА, не более 0,1 0,1 0,1
/зд, р, нс, не более 250 250 250
/зд, р, нс, не более — 250 250
//вых, В, не более — 0,3 0,3
//вых, В, не менее — 3 8,2
Т а б л и ц а 2-68
Обозначение параметра К176ПУ2, К176ПУЗ К176ИЕ2, К176ИЕ»
/пот, мкА, не более 5 100
/пот, мкА, не более 5 100
/вх, мкА, не менее —0,1 —0,1
/вх, мкА, не более 0,1 0,1
//вых, В, не более 0,4 0,3
//вых, В, не менее 2,4 8,2
/зд, р, нс, не более ПО —
/ад, р, нс, не более (вх, МГц, не более Свх, пФ, не более 130 2 14 10 (для К176ИЕ2)
210
Таблица 2-69
Обозначение параметра К176ИД1 К176ИР2
/пот, мкА, не более 100 100
/пот, мкА, не более 100 100
/вх, мкА, не менее —0,1 —0,5
/вх, мкА, не более 0,1 0,5
(/вых, В, не более 0,3 0,3
17вых» В, не менее 8,2 8,2
/зд, р, нс, не более 350 —
/зд, р, нс, не более 350 —
fBX, МГц, не более — 2,0
Свх, пФ, не более 10 10
Таблица 2-70
Обозначение параметра К176ИРЗ К176ИР10 К176ТВ1
/пот, мкА, не более 100 100 10
/пот, мкА, не менее 100 100 10
/вх, мкА, не менее —0,1 —0,5 —0,1
/вх, мкА, не более ОД 0,5 0,1
(/вых, В, не более 0,3 0,3 0,3
(/вых, В, не менее 8,2 8,2 8,2
/вх, МГц, не более 2 2 2
Свх, пФ, ие более 10 *— 12
Т а б л и ц а 2-71
Обозначение параметра щ X to S К176ИМ1 О to S 1 К176ЛП2
/пот, мкА, не более 10 10 10 10
/п0Т, мкА, не более 10 10 10 10
/вх, мкА: не менее — — — —0,1
не более 0,05 0,05 0,05
/вх, мкА, не более 0,05 0,05 0,05 —0,1
(/2ых, В, не более 0,5 0,5 0,5 0,3
211
Продолжение табл. 2-71
2 § и сч с
Обозначение параметра / S «э СО <£> СО
5 S й
и'пых, В, не менее 7,7 7,7 7,7 8,2
1зд, р, ср, нс, не более — — 500 '500
р (от входа суммы, входа переноса до — 1600 — —
выхода суммы), нс, не более С,,,, р (от входа суммы до выхода пере- 500
носа), нс, не более
/зл, р (от входа переноса до выхода пере- носа), нс, не более — 300 — —
(,.х, МГц, не более 1,0 — — —
СЕХ, пФ, не более 12,0 — — —
СЕРИИ 178 И К178
Тип логики: МОП-структуры.
Состав серий:
178ЛМ1, К178ЛМ1—2 элемента 4ИЛИ-НЕ/4ИЛИ.
178ЛМ2, К178ЛМ2 —элемент 10ИЛИ-НЕ/10ИЛИ.
178ЛИ1, К178ЛИ1 —4 элемента 2И.
178ЛК1, К178ЛК1—2 элемента 2И-2ИЛИ/2И-2ИЛИ-НЕ.
178ТР1, К178ТР1 —RS-триггер со сложной входной логикой.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14-2. Выводы:
общий — /; — UH. п — 8.
Напряжение питания всех микросхем 11И. п = 27 В±10%.
178ЛМГ.К178ЛМ1
~Уи.п
212
178ЛМ2')К178ЛМ2'
17ВЛИГ,К178ЛИ1
Un.n
1211
X2L
и '
^3^-.
Хц^.
х511.'
8
~У1
~У2
8
х.Ц
x'l4
Хд—
10
Уз
W
213
178ТР1-,КТ78ТР1
Таблица 2-72
Обозначение параметра J 1И1Ш1 1 К178ЛМ1
/ , мА> яе более 2,5 2,5
l/вых. в, не менее -9,5 -7,5
Уяых. В. не более -0,5 -2,0
/вх, мкА, ие более — 1,3
Л „ мкс, не зд- р> ср’ более 1,9** 0,6***
Лвх, МОм, не более 15 15
U В, не более п»ст’ 1.0 1,0
^раз 15 15
* Для микросхем 178ТР1 сов МГц.
•* При Сн = 200 пФ.
»*• При Сн = 20 пФ.
§ ч ОО § ОО 2 178ЛИ1 К178 ЛИ! 178ЛК1 К178ЛК1 1 178ТР1 К178ТР1
2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5
-9,5 -7,5 —9,5 -7,5 -9,5 -7,5 -9,5 -7,5
-0,5 -2,0 -0,5 —2,0 -0,5 —2,0' -0,5 -2,0
— 1.3 — 1,3 — 1,3 —• 1,3*
1,9** 0,6*** 1,9** 0,6**» 1,9** 0,6*** 1,9** 0,6***
15 15 15 15 15 15 15 15
1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0:
15 15 15 15 15 15 15 15
и К178ТР1 частота следования входных импуль.
214
СЕРИИ 185 И К185
Состав серий!
185РУ1, КД85РУ1— оперативное запоминающее устройство на основе
симметричного тиристорного триггера со схемами
управления емкостью 16 бит.
1Я5РУ2, К185РУ2 — ОЗУ емкостью 64 бит.
185РУЗ, К185РУЗ —ОЗУ емкостью 64 бит.
185РУ4, К185РУ4 —ОЗУ емкостью 256 бит.
Корпус плоский металлокерамический 402.16-3 (185РУ4, К185РУ4),
плоский металлостеклянный 401.14-3 (остальные схемы).
Напряжение источника питания всех микросхем серии 11и. п ==
= 5В± 10%
Микросхемы 185РУ1, К185РУ1. Выводы: координата xt — /;
координата х2 — 2; координата хя — 3; координата — 4; коорди-
ната ух — 5; координата у2 — 5; общий — 7; вход записи логического
«0» первого разряда — 8; вход записи логической «1» первого раз-
ряда—Р; выход первого разряда — /3; выход второго разряда — //;
вход записи логической «1» второго разряда — /2; вход записи логи-
ческого «0» второго разряда — 13; +17и. п — 14,
Микросхемы 185РУ2, К185РУ2, 185РУЗ, К185РУЗ. Выводы:
1 — 5 — адресные входы; 6 — вход выборки; 7 — общий; 8 — выход;
9— вход записи «1»; 10 — вход записи «0»; 11, 12 — свободные; 13 —
адресный вход; 14 — питание.
Микросхемы 185РУ4, К185РУ4. Выводы: 1—вход выборки;
2 — 5 — адресные входы; 6 — выход; 7, 12 — свободные; 8 — общий;
9— вход записи «0»; 10 — вход записи «1»; 11, 13, 14, 15 — адресные
входы; 16 — питание.
Таблица 2-73
Обозначение параметра 185РУ2 К185РУ2 185РУЗ 4 К185РУЗ
/пот, мА, не более — 50 » 15
в режиме хранения 40 —— 12,5 —
в режиме обращения 43 — 48 —
С7® ых> В> не более 0,35 0,42 0,35 0,42
/‘ых, мкА, не более 100 200 100 200
/ут. вых. И> мкА, не более 20 — 20 —
t„ сч, нс, не более (при 70 по 160 200
Си = 80 пФ)
/вос, нс, не более (при 80 150 120 200
Сн = 80 пФ)
/обр. МГц, не более 3 3 2 2
Свх,р, пФ, не более 6,5 — 4,0 —
Свх А, пФ, не более 4,0 — 4,0 —
Свь>х, пФ, на более 4,0 — 4,0 —
1/п, ст, В, не более 0,4 — 0,4
215
185РУ1;К185РУГ
Схемы:
и — функциональная; б — одной ячейки памяти записп/считывания; в —
входной цепи записи; г— выходной цепи считывания.
216
185 РУ2,,К185 РУ2
185РУЗ,К185РУЗ
сор
217
185PM,К185РУЦ'
218
Таблица 2-74
Обозначение параметра 185РУ1 К185РУ1 185РУ4 К185РУ4
/пот, МА, не более 40
в режиме хранения 4,7 6,7 29
в режиме обращения -— — 70 —
Рпот, МВт/бит, не более 1,75 2,5 — 1,0 (в режиме хранения)
^вых’ В- не более 0,37 0,4 0,35 0,35
/'вых, мкА, не более 15 20 160 —
tu, сч» ие, не более (при Сн = 80 пФ) 100 100 200 200
^вос» нс, не более (при Сн = 80 пФ) 120 120 180 200
fo6p. МГц, не более 2 2 2 2
Свых, разр» пф. не более 3 3 — —
Свх А, пФ, не более 2 2 — —
^вх> разр» пФ, не более 3 3 — —
Сн, пФ, не более 65 65 — ——
Коб, вых, не более 16 16 — —
(7п,ст> В, не менее 0,4 — 0,4 —
СЕРИЯ К187
Тип логики: ЭСЛ.
Состав серии:
К187ЛМ1А, К187ЛМ1Б—элемент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ с возможностью
расширения по ИЛИ, с резисторами на-
грузки на выходах.
К187ЛЕ1А, К187ЛЕ1Б — 2 элемента ЗИЛИ-НЕ с резисторами на-
грузки на выходах.
К187ЛМ2А, К187ЛМ2Б — элемент 5ИЛИ-НЕ/5ИЛИ с резисторами
нагрузки на выходах.
К187ЛД1А, К187ЛД1Б —2 трехвходовых расширителя по ИЛИ,
К187ТМ1А, К137ТМ1Б — D-триггер синхронный.
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1, Выводы:
—Uw. п— 6, 7; общий —14*.
Напряжение источника питания всех микросхем* С7Н, п =>
= -5В+5%.
* Кроме микросхем К187ЛД1А и К187ЛД1Б. Статическая помехоустой-
чивость микросхем серии К187 (кроме К187ЛД1А, К187ЛД1Б),
при t = 25 °C не более 160 мВ;
при t = —10 “С не более 30 mBj
при I — 70 °C не более 50 мВ.
219
К187ЛЕ1А;К1В7ЛЕ1Б
К187ЛМ1А;К187ЛМ1Б
Т а б л и ц а 2-75
Обозначение параметра К187ЛМ.1А, К187ЛМ1Б К187ЛЕ1А. К187ЛЕ1Б
7ПОТ, мЛ, не более 9,0 (К187ЛМ1А) 15 (К187ЛМ1Б) 13,5 (К187ЛЕ1А) 20,0 (К 187ЛЕ1 Б)
/£,х, мкА, не более в ^ых- в Ъ?э> мА* 80 —0,95 -з- —0,70 —1,9-ь—1,45 1,5—3,2 80 —0,95 -ь —0,70 —1,9-=-—1,45 1,5—3,2
f-'° „, нс, не более** зд, р’ ’ 11,0 11,0
р’ Нс’ не более ** К раз Коб Коб. ВЫХ 9,0 15 9 5(К187ЛМ1А) 1 (К187ЛМ1Б) 9,0 15 3 5 (К 187ЛЕ1 А) 1 (К187ЛЕ1Б)
220
П родолжение табл. 2-75
Обозначение параметра К187ЛМ2А. К187ЛМ2Б К187ТМ1А, К1В7ТМ1Б
/,.от, мА, не более 9,0 (К187ЛМ2А) 24
15 (К187ЛМ2Б)
1‘вх, мкА, не более 80 80
в —0,95 4- —0,70 —0,95 4- —0.70
В -1,9 4-—1,45 —1,9 4 1,45
(К187ТМ1А)
—1.75 4-—1,45
(К187ТМ1Б)
/Лэ, мА* 1,5—3,2 1,5—3,2
р, нс, не более** 11,0 14,0
/’д' р, нс, не более** 9,0 10,0
^раз 15 15
Коб 5 —
«об, вых 5(К187ЛМ2А) 1
1 (К187ЛМ2Б)
* Значение тока через резистор эмнттерного повторителя.
•* При С{{ = 15 пФ.
Т а б ли ц а 2-76
Наименование параметра К1К7ЛД1А К187ЛД1Б
Входное напряжение б/вх, В —0,81 4-—0,76 —0,82 4- —0,72
Входной ток /^х, мА, не более 0,16 0,16
!Б , мкА, не более* 1,0 1,0
/к , мкА, не более** 5,0 5,0
* Измеряется в режиме: на выводах 2, 12 напряжение О В; на выво-
дах /, 13 относительно выводов 2, 1'2 напряжение минус I В; на выводах
3. 4, 5. 8, 9, 10 напряжение минус 5 В.
** Измеряется в режиме: на выводах 2, 12 относительно выводов /, 13
напряжение 2 В, на выводе 7 напряжение минус 3 В.
221
К137ЛМ2А -,К187ЛМ2Б
М87ЛД1А-К1В7ЛД1Б
222
СЕРИЯ К188
Тип логики: дополняющие МОП-структуры,
Состав серии:
К188РМ1—матрица ячеек памяти емкостью 16 бит,
К188РУ1-матрица-накопитель ОЗУ емкостью 256 бит со схемами
управления.
К188РЕ1—ПЗУ емкостью 1024 бит.
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-3 (К188РМ1), прямо-
угольный металлокерамический 405.24-1 (К188РУ1, К188РЕ1).
Выводы: общие — / (К188РМ1), 8 (К188РУН, 9 (K188PE1L
^и.п-7 (К188РМ1), 22 (К188РУ1), 21 (К188РЕ1),
Напряжение источника питания С/И.п»
6В± 10% (К188РМ1);
5 В± 10% (К188РУ1, К188РЕ1),
Ячейка-f К1В8РМ1 Ячейка 15
Выводы 2, 3, 5, 6, 9, 10, 12, 13 — числовые шины ячеек. Шина 2 —
ячейки /, 2; шина 3 — ячейки 3, 4 ... и т. д. Выводы 4, 11 — разрядные
шины, Вывод 14 — подложка.
223
К188РУ1
224
У1 Уг Уз У*
8 ti/p Тарабрнна Б. В.
225
К188РЕ1
1 ~ I—--——
f--» Накопитель
32x32
32
7И0И2]
Выходы
226
Таблица 2-77
Обозначение параметра К188РМ1 К188РУ1 K1S8PEI
/'„от, мкВт, не более __ 100
/„от, хр. мкА, не более 10 18 18
Лют, дин» мА, не более — 1,0 1,1
/' , , мкА, не менее 60 40 __
мкА, не более 3,0 2,0 —
/нх, мкА, не более 10 — —
^вых’ В> не болеа — — 0,2
,7вых> в> не более — — 4,1
/и, а, нс, не более — 600 —
ю, нс, не более — 600 1100
/' зп> нс. не более 300 300 —
зп, нс, не более 300 300 —
/”*, нс, не более — 200 —.
О’», нс, не более — 200 —
7ут, вых’ мкА- не более 0,5 —0,1 —
/ут, вых. мкА. не более 0,5 0,1
^об« вых — 32 —
СЕРИИ 201 И К201
Тип логики: РТЛ,
Состав серий:
201ЛБ1, К201ЛБ1 —4 элемента НЕ.
201ЛБ2, К201ЛБ2. 1 4 элемента НЕ
201ЛБЗ, К201ЛБЗ J элемента не.
201ЛБ4, К201ЛБ4 —2 элемента НЕ и 2 элемента 2ИЛИ-НЕ.
201ЛБ5, К201ЛБ5 —5 элементов НЕ,
201ЛБ6, К201ЛБ6, »_5 элементо_ НЕ
201ЛБ7, К201ЛБ7 | Э элементов
201ЛС1, К201ЛС1 —2 элемента 2ИЛИ с возможностью расширения,
201HTL, К20ШТ1, 1
201НТ2, К201НТ2, > —набор транзисторов,
2О1НТЗ, К201НТЗ }
Корпус прямоугольный металлополимерный «Тропа», Выводы:
+^и .п — 4*; общий —10.
Напряжение питания всех микросхем 6/и, ц = 4 В +, 10%,
* Кроме наборов транзисторов.
201ЛБ1-К201ЛБ1
201ЛБ2;К201ЛБ2;201ЛБЗ;'К201ЛБЗ
201ЛБ6;К201ЛБ6; 201ЛБ7; К201ЛБ7
201ЛБ*;К201ЛМ '
2U1HT1;201НТ2; 201НТЗ;K201HT1;K20jHT2;К201НТЗ
229
228
ю со о Т а б л и ц а 2-78
Обозначение параметра 201ЛБ1 К201ЛБ1 201ЛБ2 К201ЛБ2 201ЛБЗ К201ЛБЗ 201ЛБ4 К201ЛБ4
Рпот, мВт, не более 15 15 30 30 30 30 25 25
(7’х, В, не более 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3
t0’’, нс, не более 270 270 270 270 270 270 270 270
/ ВХ) мА 0,58—0,71 0,58—0,71 1,09—1,33 1,09—1,33 1,09—1,33 1,09—1,33 0,58—0,71 0,53—0,8
7Vt. вых> мкА, не более 22 22 22 22 22 22 44 44
Лз.пр- мА 0,13—0,48 0,117—0,48 — — — — 0,13—0,48 —
Un, ст, В, не более 0,3 о,з 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3
Аоб* 6 — 6 — 6 — б —
* Для микросхем с индексом К не регламентируется.
Таблица 2-79
Управляющая
микросхема
Выходная нагрузка управляющей микросхемы
К201ЛБ1 )
К201ЛБ5 }
К201ЛС1 J
К201ЛБ4
201ЛБ1
201ЛС1
201ЛБ4
201ЛБ5
201ЛБ2
201ЛБЗ
201ЛБ2 1
201ЛБЗ J
2—10 входов К201ЛБ1, К201ЛБ4, К201ЛБ5, К201ЛС1
или 1 вход К201ЛБ2, К201ЛБЗ, К201ЛБ6, К201ЛБ7
( 2—11 входов Д201ЛБ1, К201ЛС1, К201ЛБ4, К201ЛБ5
1 или 1 вход К201ЛБ2, К2О1ЛБЗ, К201ЛБ6, К201ЛБ7
j 2 входа 201ЛБ1, 201ЛС1, 201ЛБ4, 201ЛБ5 или
j 1 вход 201ЛБ2, 201ЛБЗ, 201ЛБ6, 201ЛБ7
1 2—8 входов 201ЛБ1, 201ЛС1, 201ЛБ4, 201ЛБ5 или
j 1 вход 201ЛБ2, 201ЛБЗ, 201ЛБ6, 201ЛБ7
j 2 входа 201ЛБ1, 201ЛС1, 201ЛБ4, 201ЛБ5 или
\ 1 вход 201ЛБ2, 201ЛБЗ, 201ЛБ6, 201ЛБ7
I 2 входа 201ЛБ1, 201ЛС1, 201ЛБ4, 201ЛБ5 или
1 1 вход 201ЛБ2, 201ЛБЗ, 201ЛБ6, 201ЛБ7
2—5 входов 201ЛБ1, 201ЛС1, 201ЛБ4, 201ЛБ5
2—8 входов 201ЛБ1, 201ЛС1 201ЛБ4, 201ЛБ5
/1 вход 201ЛБ2, 201ЛБЗ, 201ЛБ6, 201ЛБ7
202ЛН1; 202ЛН2
Таблица 2-81
Обозначение параметра 201НТ1 201НТ2 2С1НТЗ K201HTI К201НТ2 К201НТЗ
в +5,0 +5,0 +5,0 +5,0 +5,о +5,0
Рмакс’ мВт 15 15 15 15 15 15
’ К. макс’ мА 15 15 15 15 15 15
/г.?1э ие менее 22 31 70 13 22 35
укэ. нас- в’ не более 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3
7КЁ0, ыкА1 не более 5,0 5,0 5,0 5,0 5,0 5,0
Тип логики: ДТЛ.
Состав серии;
СЕРИЯ 202
202ЛН1, 202ЛН2 —2 элемента НЕ.
202УИ1 —усилитель мощности.
202ЛС1, 202ЛС2 —элемент 2-2И с расширением по И и ИЛИ.
202ЛСЗ, 202ЛС4 —2 элемента 2И с расширением по И.
202ЛС5, 202ЛС6 —элемент 2-2И с расширением по И и ИЛИ.
202НК1, 202НК2—диодная матрица. ) г 9
202НД1, 202НД2—диодная матрица. J <• та
Корпус прямоугольный металлополимерный «Тропа»,
202ЛС1;202ЛС2
j---------* + л Г
202ЛСЗ;202ЛСЦ
2ШС5;202ЛС6
234
202НД1;202НД2'
2 чж 7
4 чж
1 чж .5
8 чж 7
10 чж 9_
12 —Ы— 11
х1 ° 88 Е —у/
н н я «ъ и, -с 88 Е —У2
г„ V Х3Я_ 88 Е —yt
Таблица 2-82
Обозначение параметра 202ЛН1, 202ЛН2 202УИ1 202ЛС1, 202ЛС2 202ЛСЗ, 202ЛС4 202ЛС5, 202ЛС6
Ч.П1- В* +4 (4) +4 (4) +4 (4) +4 (2) +4 (4)
Ч П2’ В‘ -4 (2) -4 (1) -4 (3) -4 (1) -4 (3)
Ч. п3- в’ —0,25 (1) —0,25 (3) —0,25 (2) —0,25 (4 ) —0,25 (2)
Р мВт, не более пот’ 28 41 19 67 19
£/gblX, В, не более -1,35 —1,35 —1,35 —1,35 -1,35
^вых» В» не более -0,33 —0,33 —0,33 —0,33 —0,33
4д р» нс’ не более 200 220 220 220 150
^зд р» нс’ не более 220 180 180 180 150
краз 3 (202ЛН1) 5 (202ЛН2) 15 3 (202ЛС1) 5 (202ЛС2) 3 (202ЛСЗ) 5 (202ЛС4) 3 (202ЛС5) 5 (202ЛС6)
{/ ст’ В* не ^олее 0,3 0,3 О.з О.з 0,3
*об — — 8 8 8
* Допускаемое отклонение для £7 П1 и Uм п2 не более ±5%, для
U п3 = ±15%; в скобках указаны номера выводов, к которым подключают
соответствующие источники питания,
235
СЕРИИ 204 И К204
Тип логики: РЕТЛ.
Состав серий:
204ТК1, К204ТК1 — RST-триггер*.
204ЛБ2^ К2МЛБ2’ } -элемента ИЛИ-НЕ/И-НЕ.
204НК1, К204НК1 — набор элементов комбинированный**.
204ЛИ1, К204ЛИ1 — элемент И.
Корпус прямоугольный металлополимерный «Трапеция».
20ЧТК1;К20ЧТК1
* Микросхема 204ЛИ1 работает совместно с микросхемой 204ТК1 при
следующем соединении выводов: выводы 2, 14, 8,6 микросхемы 204ЛИ1 соеди-
няются с выводами 3. 6, 2. 7 микросхемы 204ТК1 соответственно.
” Микросхема 204НК1 предназначена для образования дополнительных
входов управления микросхем 204ТК.1-
236
204ЛБ2;К204ЛБ2
204НК1-,К204НК1
р рр
6 5 4-321
237
Т а б л и ц а 2-83
Обозначение параметра 202НК1 202НК2 202НД1 202НД2
^и. пЬ В —4+5 % (3) —4+5% (3) —
Uи. П2» В — -4+50/0 (2) — —
Л,от. мВт, не более 23 16
/Обп, мкА, не более* з,о 3,0 0,5 0,5
t/„p, не менее 0,4** 0 7*** 0 4** 0 у*** 0 4** 0 7*** 0,4** 0 7***
^обр, макс» В 8,0 8,0 10 10
/rOc, нс, не болееП — — 20 20
1 Iipi мА, не более 5,0 5,0 5,0 5,0
‘ Обратный ток диода при Уобр, макс-
** При 7Пр » 10 мкА.
*** При /Пр = 1 мА.
□ Время восстановления обратного сопротивления диода.
Таблица 2-84
Обозначе- ние пар;1 метра 204ТК1 К204ТК1 204ЛБ1 К204ЛБ1 204 Л Б2 К204ЛБ2
"и. пГ В +4+Ю% +4+10% +4+10% +4+10% +4+10% +4±10%
"и. п2* В —4+10% —4+10% -4+10% —4+10% —4+10% —4±10%
рпот- мВт- 37 37 68 68 56 56
не более
1%х> А. в 2,5* 2,5* 2,5 2,5 2,5 2,5
'и, вх- мкс >0,3 > 0,3 0,4—1,0 0,4—1,0 0,4—1,0 0,4-1,0
fBX. кГц, не более 500 300 — — — —
^вых, К, +о,з++з,з +о,3+3,3 +0.3++3.3 +0,3++3,3 +0.6++3.3 +0,6++3,3
В**
^вых, Э* —0,3++2,4 —0.3++2.4 —0.3++2.4 —О.З++2.4 —0,2-.. |-2,4 —0.1++2.4
в***
мкс, не более 0,3 0,3 0,15 0,15 0,15 0,15
i0’1, мкс, не более 0,4 0,4 0,1 0,1 0,1 0.2
^эд, р» Мкс» 0,25 0,25 0,1 0.1 0.1 0,1
не более
*зд, р» мкс* 0,4 0,4 0.1 0,1 0,15 0,15
не более “а. ст* В» 0,4 0,4 0,4 0,4 0.4 0.4
не более
* Значение oip обеспечивается срабаа ицательного перепада ывание триггера. входного сигнала, п )И котором
** Напряжение иа коллекторных выходах.
**• Напряжение на выходах эмнттерных повторителей.
238
Таблица 2-85
Обозначение параметра 204HKI К204НК1 204ЛИ1 К204ЛИ1
Uy, В* 4-0,3-7-4- 3,0 «-1-0^3-s—|- 3,0 —0,Зч-4-3,0 —0,34-4-3,0
Рпот, мВт, не более — — 18 18
ивх, А> * 2 * 4 5 * * В> не более 3,5 3,5 3,5 3,5
мкс, не менее 1,0 1,0 1,0 1,0
t0,1 и tl’°, мкс, не более 0,1 0,1 0,1 0,1
/вх» МГц, не бо- лее — — 3 3
^вых, А» В, не менее 1,4 1,4 1,4 1,4
♦ Управляющее напряжение.
Таблица 2-86
Управляющая микросхема
204ТК1, эмиттерный вы
ход
204ТКД, коллекторный
выход
204ЛБ1, эмиттерный вы-
ход
204ЛБ2, коллекторный
выход
Выходная нагрузка управляющей
микросхемы
8 входов установки нуля 204ТК1, вхо-
дов 204ЛБ1, потенциальных входов
204ЛБ2
2 емкостных входа 204ТК1, счетных вхо-
да 204ЛИ 1
5 емкостных входов 204ЛБ2
4 потенциальных и емкостных входа
204НК1
6 потенциальных входов 204ЛИ1
2 потенциальных и емкостных входа
204ТК1, 204НК1
2 емкостных входа 204ТК1
10 входов установки нуля, потенциаль-
ных входов 204ТК1, потенциальных
входов 204ЛБ2, 204НЮ
6 потенциальных входов 204ЛИ1
5 емкостных входов 204ЛБ2
2 емкостных входа 204ТК1
4 емкостных входа 204НК1
2 счетных входа 204ЛИ1
2 емкостных входа 204НК1 входов уста-
новки нуля, потенциальных входов
204ТК1, 204ЛБ1
239
Продолжение табл. 2-86
Управляющая микросхема Выходная нагрузка управляющей микросхемы
204ЛБ2, эмиттерный вы- ход 10 потенциальных входов 204ЛБ2, 204НК1 2 счетных входа 204ЛИ1 5 емкостных входов 204ЛБ2 6 потенциальных входов 204ЛИ1
204НК1 1 вход установки нуля 204ТК1
204ЛИ1 1 вход установки нуля 204ТК1
К204ТК1, коллекторный выход 2 емкостных входа 204ЛБ2 2 потенциальных или 2 емкостных входа К204ТК1 2 потенциальных или 2 емкостных входа
К204ТК1, эмиттерный выход К204НК1 8 входов или 2 емкостных входа К204ТК1 8 входов К204ЛБ1 8 потенциальных или 5 емкостных вхо- дов К204ЛБ2 4 потенциальных или 4 емкостных вхо- да К204НК1 6 потенциальных или 2 счетных входа К204ЛИ1
К204ДБ1, коллекторный выход К204ЛБ1, эмиттерный выход 2 емкостных входа К204ТК1 10 входов установки нуля или 10 потен- циальных входов или 2 емкостных входа К204ТК1 10 входов К204ЛБ1 10 потенциальных или 5 емкостных вхо- дов К204ЛБ2 10 потенциальных или 4 емкостных входа К204ЛИ1 6 потенциальных или 2 счетных входа К204ЛИ1
К204ЛБ2, коллекторный выход К204Л Б2, эмиттер ный выход 2 емкостных входа К204НК1 10 входов установки нуля или 10 потен- циальных входов или 2 емкостных входа К204ТК1
204ЛБ2, эмиттерный вы- ход 10 входов К204ЛБ1 10 потенциальных или 5 емкостных вхо- дов К204ЛБ2 10 потенциальных или 2 емкостных входа К204НК1 6 потенциальных или 2 счетных входа К204ЛИ1
К204НК1 К204ЛИ1 1 вход установки нуля К204ТК1 1 вход установки нуля К204ТК1 или 2 емкостных входа К204ЛБ2
240
СЕРИЯ 205
Состав серии;
205ЛП1 — импульсно-потенциальная схема совпадения.
205ЛЕ1 — 2 элемента 2ИЛИ-НЕ.
205ЛЕ2, 205ЛЕЗ — 2 элемента ИЛИ-НЕ.
205ЛН1 —4 элемента НЕ.
205ЛР1 —половина триггера резервированного.
Корпус прямоугольный металлополимерный «Трапеция». Выводы:
+ £/и п у 205ЛЕ1 1, 2, 6, 7; у 205ЛЕ2, 205ЛЕЗ, 205ЛН1, 205ЛР1 —
1, 7. ‘
Напряжение питания всех микросхем, кроме 205ЛП1, ии п —
= 4 В ± 10%.
^з—
Хл 13
10
12
У1
Уг
УХ
УЧ
241
205ЛЕ2;205ЛЕГ
242
Электрические параметры импульсно-потенциальной
схемы совпадения 205ЛП1
Выходное напряжение £/°ых............................. О В
Выходное напряжение U^bix не менее .....................1 В
Амплитуда входного импульса UBX А не более............4,4 В
Амплитуда выходного импульса (/вых д не менее ........1,1 В
Максимальный выходной ток /вых не более.................5 мА
Таблица 2-87
Обозначение параметра 205ЛЕ1 205ЛЕ2, 205ЛЕЗ 205ЛН1 205 Л Р1
/>пот, мВт, не более 50 25 8,0 25
(7дых> не менее 1,4 1,4 3,0 1,4
7/вых, В, не более 0,3 0,3 0,3 0,3
/'•’ п> нс, не более 250 250 250 250
Un. ст. В, не более 0,1 0,1 0,1 0,1
раз 3 3 4 2
А'об — 3 — —•
СЕРИИ 210 И К210
Тип логики: РТЛ.
Состав серий;
210ЛА1, К210ЛА1 —элемент 4И-НЕ (элемент индикации).
Корпус прямоугольный из компаунда с 8 выводами.
210ЛА1;Х210ЛА1
243
210ЛЕ2;К210ЛЕ2А; К210ЛЕ2Б
У1
7
Т а б л и и а 2-88
Обозначение параметра 210ЛА1 K210J1А1 210ЛЕ2 К210ЛЕ2А К210ЛЕ2Б
"и. Hi- В’ 100** (6) 100** 05) —б.зД <б) —6,3** (6) -6,3 •• (6)
ия. П2’ В< — 1,5**’ (5) -1,5*** (5) 4-6,зД «) 4-6,3” (4) 4-6,3*’ (4)
Рпот- мВт 30 30 — — —
^вых. В 86 86 — -4,4 —4,1
^вых. В 0,60 0,60 —0^3 —0.20 —0,25
4/вх. В —5,40 — —4,30 — —
УВХ’ В —0,23 — — — —
1к, мА, не более 1,0 1,0 — — —
4д р’ мкс-не б°лее — — 1,5 0.175 025
Лп п» мкс, не более •ЗА* У — — — 1,2 1,8
«раз 4 4 3 3 3
ст’ В’ не ^олее — — 0.29 0,29 0,29
* В скобках указаны номера выводов, к которым подключается источ-
ник питания.
** Допускаемое отклонение ±5%.
Допускаемое отклонение ±1,5%.
Л Допускаемое отклонение ±10%.
СЕРИЯ 211
Тип логики: РТЛ.
Состав серии
211ЛЕ1, 211ЛЕ2, 211ЛЕЗ —8 элементов 2ИЛИ-НЕ.
211ЛЕ4, 211ЛЕ5, 211ЛЕ6 —2 элемента 5ИЛИ-НЕ.
211ХЛ1, 211ХЛ2, 211ХЛЗ —4 элемента 2ИЛИ-НЕ и элемент НЕ.
244
211ЛЕ10, 211ЛЕ11, 211ЛЕ12— 4 элемента 2ИЛИ-НЕ.
211ЛН1, 211ЛН2, 211ЛНЗ) о пп „Р
211ЛН4, 211ЛН5, 211ЛН6) — 5 элементов НЕ-
211ИР1, 211ИР2 —разряд регистра деления частоты.
211ИЕ1, 211ИЕ2 —разряд двоичного счетчика.
211ХЛ4, 211ХЛ5, 211ХЛ6 —2 RS-триггера.
Корпус прямоугольный металлополи.мерный 236МП17-1. Выводы:
+ t/и. п — 7; общий —16.
Напряжение источника питания всех микросхем (7И. п = 3 Bij"%,
211ЛЕЧ; 211ЛЕ5; 211ЛЕВ
1
хгЧ_
_
S 1
x3EL
У1
У2
245
211ХЛ1;211ХЛ2;211ХЛЗ
211ЛН1;211ЛН2;211ЛНЗ
Коэффициенты разветвления микросхем серии 211
Тип управляющей микросхемы
211ЛН1, 211ЛН4, 211ЛЕ1, 211ЛЕ4,
211ЛЕ10, 211ХЛ4, 211ИЕ1, 211ИР1
211ЛН2, 211ЛН5, 211ЛЕ2, 211ЛЕ5,
211ЛЕ11, 211ХЛ5, 211ИЕ2, 211ИР2
211ЛНЗ, 211ЛН6, 211 ЛЕЗ, 211ЛЕ6,
211ЛЕ12, 211ХЛ6
Значение коэффи-
циента разветвления
211ХЛ1, 3
211ХЛ2, 4
211ХЛЗ, 6
246
247
211ИР1;211ИР2
248
249
2
3
15
14
S
7
—01
Us/
S-f—_
^г—
R
ffl/—
1
-91
—У2
Таблица 2-89
Обозначение параметра 211ЛН1, 211ЛН2, 211ЛНЗ 211ЛН4, 211ЛН5, 211ЛН6 211ЛЕ.1, 211ЛЕ2, 211ЛЕЗ 211ЛЕ4, 211ЛЕ5, 211ЛЕ6 211ХЛ1, 211ХЛ2, 211ХЛЗ
Р иог мВт, не более 40 45 65 35 50
^ВЫХ' В 0,9—1,35 0,9—1,35 0,9—1,35 0,9—1,35 0,9—1,35
У вых- ие более 0,3 03 0,3 0.3 0,3
'зд.р, Ср-мкс-ие более 0,5 0,35 03 0,35 оз
Уд, ст. В’ не более 0,1 0.1 0,1 0,1 0,1
Продолжение табл. 2-89
Обозначение параметра 211 ЛЕЮ, 211ЛЕ11, 211ЛЕ12 211ХЛ4. 211ХЛ5, 211ХЛ6 211ИЕ1, 211ИЕ2 211ИР1, 211ИР2
/‘пот’ м®т> не более 40 45 35 40
^ВЫХ’ В 0,9—1,35 0,9—1,35 0,9—1,35 0,9-1,35
б'вых. В, не более 0,3 0,3 0,3 0.3
/зд,р.ер’МКС1Неболее 0,35 0,7 0,5 0,5
Uni ст, В, не более 0.1 0,1 0,1 0,1
250
СЕРИЯ 215
Тип логики: ДТЛ.
Состав серии:
215ЛН1
215ЛС1
215ЛС2
215УИ1
215ПН1, )
215ПН2 I
— элемент 2НЕ.
— элемент 2 (2И)-ИЛИ.
— 2 элемента И-ИЛИ.
— усилитель мощности,
— преобразователь напряжения.
Корпус прямоугольный металлополимерный «Тропа».
215ЛН1
215ЛС1
251
215ЛС2
215УИ1
+ Un.n1
Общ.
-ии.пЗ
215ПН1
252
215ПН2
Т а б л и ц а 2-90
Обозначение параметра 215ЛН1 215ЛС1 215ЛС2 215УИ1 215ПН1 215.ПН2
Уи.пГ В’ 4,0 (4) 4,0 (4) 4.0 (2) 4,0 (4) 4,0 (2) 4,0 (2)
"и.пз- В’ -4 (2) -4 (3) -4 (/) -4 (/> —4 (70) -4 (/2)
"и.ШГ В* —0,25 (/) —0.25 (2) —0,25 (1) -0.25 (3) — —
'’пот- мВт- не более 35 22 30 48 28 73
^вых* в* не более -1,40 —1,40 -1,40 -1,40 -3,45 -1,80 ,
^ВЫХ’ В, не менее -0,33 -0,33 -0,33 -0,33 -0.33 -0,33
'вых. макс’ мА — — — — 10 —
П-0 'зд, р» нс. не более 32 25 25 30 10о —
гЗД, р- нс- не более 43 22 22 18 150 150
U„ В, не п. ст более 0.3 0.3 0.3 0.3 0,3 0.3
К pas 5 5 5 5 — 5
К • * об» вых — 6 6 — 6 —
к об — 8 8 — — —
* Допускае.мое отклонение напряжения
п2 1,0 6олес 5%: ии. пз нс более ±15%- в
водов, на которые включают UIAt
♦* По выходу И.
••♦По входу ИЛИ.
источников питания и
скобках указаны номера вы-
253
СЕРИИ 217 И К217
Тип логики: ДТЛ,
Состав серий;
217ЛД1, К217ЛД1
217ЛД2, К217ЛД2
217ЛБ1А, К217ЛБ1АД
217ЛБ1Б, К217ЛБ1Б J
217ЛБ2А, К217ЛБ2АД
217ЛБ2Б, К217БЛ2Б f
217ЛБЗ, 217ЛБЗА, /
К217ЛБЗ, К217ЛБЗА )
217ЛБ4А, К217ЛБ4А.1
217ЛБ4Б, К217ЛБ4Б f
217ЛР1, К217ЛР1
217ТК1А, К217ТК1АД
217ТК1Б, К217ТК1Б |
217ТР1А, К217ТР1А, 1
217ТР1Б, К217ТР1Б )
217НТ1, К217НТ1, 1
217НТ2, К217НТ2, }
217НТЗ, К217НТЗ )
217НК1, К217НК1
— расширитель двойной*.
— расширитель1 * * *.
— элемент 8И-НЕ,
— 2 элемента ЗИ-НЕ.
— элемент 6И-НЕ с повышенным коэффи-
циентом разветвления.
— 3 элемента И-НЕ/ИЛИ-НЕ.
— элемент И-ИЛИ-НЕ низкочастотный.
— RST-триггер.
— RS-триггер.
— набор транзисторов структуры п-р-п.
— диодная сборка.
Корпус прямоугольный металлостеклянный «Посол». Выводы;
+ Б'и. и — б*; + t/и. пг — 1°\ общий — 12; корпус — 13.
1 Микросхемы 217ЛД1, 217ЛД2, К217ЛД1 и К217ЛД2 применяют для рас-
ширения логических возможностей микросхем 217ЛБЗ и К217ЛБЗ до 8 вхо-
дов ИЛИ.
* Кроме микросхем 217НК1 и К217НК1.
254
Электрические параметры микросхем 217НК1 и К217НК1
Напряжение источника питания1........................+6В + 10%
Мощность потребления не более..................... 11 мВт
Обратный ток диода при напряжении £/ogp = 4 В не более 1,0мкА
Прямое падение напряжения на диоде при токе /пр =
— 1 мА не более................................... 0,8В
То же при токе /пр = 0,05 мА не более2............ 0,5В
Таблица 2-91
Обозначение параметра 217ЛД1, К217ЛД1 217ЛД2, К217ЛД2
<4. П1. В * 4-6,0 4-6,0
Pnot, мВт, не более 18,5 9,0
^вых> В, не менее 5,3 5,3
^вых’ В, не более 0,3 0,3
р, нс, не более 12 12
р, нс, не более 40 35
К** Лоб 4 8
* Допускаемое отклонение ±10%.
** По входу И.
Таблица 2-92
Обозначение параметра 217ЛБ1А, К217ЛБ1А 217ЛБ1Б, К217ЛБ1Б 217ЛБ2А, К217ЛБ2А 217ЛБ2Б, К217ЛБ2Б
и». П1, В * 4-6,0 +6,0 + 6,0 + 6,0
Ua. П2, В * +3,0 4-3,0 4-3,0 4-з,о
Лють мВт, не более 13 13 26 26
Т’потг, мВт, не более 7,3 7,3 14,6 14,6
(%ых, В, не менее 2,6 2,6 2,6 2,6
С/“ых, В, не более 0,3 0,3 0,3 0,3
р, нс, не более 12 12 12 12
р, нс, не более 35 35 35 35
7ут, вых1 мкА> не более 1,0 1,0 1,0 1,0
7»х, мА 1,7—2,1 1,7—2,1 1,7—2,1 1,7—2,1
^раз 4 6 4 6
*об, вых 8 8 8 8
Коб 8 8 3 3
* Допускаемое отклонение ±10%
1 Положительный полюс источника питания включается на выводы 11 и 12.
« Регламентируется только для микросхем К217НК1»
Й55
217ЛД2;К217ЛД2
217ЛБ1А',217ЛБ1Б' К217ЛБ1А; К217ЛБ1Б
____10
+0ц.п2
11
12
Общ.
217ЛБ2А ;217ЛБ2Б; К217ЛБ2А; К217ЛБ2Б .
7
8
9
в._____
1~0tf.n1
£______
±______
5
256
217ЛБЗ; 217ЛБЗА; К217ЛБЗ;К217ЛБЗА
2Т7ЛБЧА’,2Т7ЛБ‘1Б; К217ЛБЧА; К217ЛБЧБ
Коэффициенты разветвления микросхем 217ТК1А, 217ТК1Б,
К217ТК1А, К217ТК1Б
Тип управляющей
микросхемы
217ТК1А, 217ТК1Б
Коэффициент разветвления
а) 4 входа 217ЛБ1А
б) 4 входа 217ЛБ1Б
в) 2 входа 217ЛБ1А и 1 счетный вход
217ТК1А
г) 2 входа 217ЛБ1Б и 1 счетный вход
217ТК1Б
9 п/р Тарабрина Б. В.
257
К217ТК1А, К217ТК1Б a) 4 входа К217ЛБ1А
б) 4 входа К217ЛБ1Б
в) 2 входа К217ЛБ1А и 1 счетный вход
К217ТК1А
г) 2 входа К217ЛБ1Б и 1 счетный вход
К217ТК1Б
217ЛР1;К217ЛР1
217ТК1А;217ТК1Б',К217ТК1А-}К217ТК1Б
Для реализации триггера соединяют выводы 1 и 3,
258
217ТР1А;217ТР1Б; К217ТР1А; К217ТР1Б
Для реализации триггера соединяют выводы 5 и 11.
217HT1,217HT2;217HT3;K217HT1;K217HT2;K217HT3
217HK1-K2I7HK1
9*
259
Электрические параметры транзисторных сборок
217НТ1—217НТЗ и К217НТ1—К217НТЗ
Максимально допускаемое напряжение ................. 10 В
Максимально допускаемый ток коллектора ?к макс......20 мА
^КЭ, нас не более...................................0>33 В
/Кб о не более*.....................................1,0 мкА
Время рассасывания не более......................... 25 нс
Статический коэффициент передачи тока Л2]Э:
217НТ1 и К217НТ1...............................30—90
217НТ2 и К217НТ2................................50—150
217НТЗ и К217НТЗ............................... 70—280
Максимальная мощность рассеяния на каждом транзисторе
Рмакс...............................................20 мВт
• При Uкб == 7 В»
Таблица 2-93
Обозначение параметра 217ЛБЗ, К217ЛБЗ 217ЛБЗА, К217ЛБЗА 217ЛБ4А, К217ЛБ4А 217ЛБ4Б, К217ЛБ4Б 217ЛР1, К217ЛР1
б^и. IJ1, В* 4-6,0 +6,0 +6,0 +6,0 +6,0
1/н. ns, В* +3,0 +3,о 4-3,0 +з,о 4-3,0
Т’пот!, мВт, не более 32 32 39 39 29
РПотг, мВт, не более 7,3 7,3 22 22 7,3
/“х, мА 1,0—1,5 1,0—1,5 1,7—2,1 1,7—2,1 1,25—1,6
В, не менее 2,6 2,6 2,6 2,6 2,6
В, не более 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3
р, нс, не более 20 20 12 12 40—100
/°;1 _, нс, не более ЗД» Р 35 45 35 35 30—100
/ут. т»».тт» мкА, не более — — з,о 3,0 —
^раз 8** 8 4 6 8**
кт 8 8 — — 8
*06 6 6 2 2 —:
• Допускаемое отклонение ±10%.
•* Число входов микросхем 217ЛБ1 А, 217ЛБ1Б, К217ЛБ1А.
По входу ИЛИ.
о По входу И.
260
Таблица 2-94
Обозначение параметра 217ТК1А, К217ТК1А 217ТК1Б К217ТК1Б 217ТР1А. К217ТР1А 217ТР1Б. К217ТР1Б
В* 4-6,0 4-6,0 4-6,0 4-6,0 4-6,0
Чя. п2, В* 4-3,0 4-3,0 4-3,0 4-3,0 4-3,0
/’||11Г1, мВт, не более 52 52 52 31 31
/’„от3, мВт, не более 7,3 7,3 7,3 7,3 7,3
мА, не более — — — 8 12
^вых> В> не менее 2,6 2,6 2,6 2,6 2,6
П“,ых, В> не более 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3
f„x, МГц, не более 3,0 5,0 з,о — —
/VCT, МГц, не более** 3,0 з,о 3,0 3,0 3,0
1/ст, В, не более 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5
^раз — — — 4 6
* Допускаемое отклонение ±10%.
•* Частота следования импульсов на входах установки.
СЕРИИ 218 И К218*
Тип логики: ДТЛ.
Состав серий;
218ЛБ1, К218ЛБ1 — элемент И-НЕ/ИЛИ-НЕ.
218ЛН1, К218ЛН1, )
218ЛН2, К218ЛН2, > —элемент НЕ
218ЛНЗ, К218ЛНЗ J
218ТК1, К218ТК1 — RST-триггер.
Корпус металлостеклянный прямоугольный 151.15-2. Выводы:
общий — /; ии, п1 — 4; ия. па—7 (только для 218ЛБ1 и К218ЛБ1).
Напряжение питания всех микросхем (/и. п (Ua_ п1) = 4-6,3 В ± 10%;
для 218ЛБ1 и К218ЛБ1 (7в.п3 = 4-1.2 В ± 10%.
* В составе серий имеются также аналоговые интегральные микросхемы
(см. стр. 415).
261
262
Таблица 2-95
Обозначение параметра 218ЛН2 К218ЛН2 218ЛНЗ К218ЛНЗ
’пот, мВт, не более * 27,8 27,8 27,5 27,5
'их. А, В 2,7—6,0 2,8—4,0 1,1—4,0 1,2—6,0
/11ых, а, В, не менее 4,0 3,5 4,0 3,5
мкс, не более 0,11 0,15 0,13 0,15
°, мкс, не более 0,20 0,25 0,20 0,25
^раз 3** 3** 3** 3**
/ост, В, не более — 0,20 — 0,20
♦ Во всем диапазоне рабочих температур.
♦♦ Нагрузка — инверторы 218ЛН2 или К218ЛН2.
Таблица 2-96
Обозначение параметра 218ТК1 К218ТК1
мВт, не более 21 21
/?„, Ом 820 820
Сл, пФ 100 100
(7 А» В** вх. А» —2,5—6,0 —2,5—6,0
/и, вх, мкс> не менее 0,3 *
, мкс, не более 0,5 0,5
/,,х, МГц, не более 2,0 —
U°, В, не более 0,15 0,15
1пых' мкс, не более 0,2 0,2
/,','ых, мкс, не более 0,1 0,1
Un. ст, В, не более** 0,8 0,8
U\, В, не менее 4,0 4,0
* Разрешающая способность по R- и S-входам равна 0,4 мкс,
••По Т-входу.
Т а б л и ц а
2-97
Обозначение параметра 218ЛБ1 К218ЛБ1 218ЛН1 К218ЛН1
Г/и. П2, В +1,2 +1,2 — —
7'|1от, мВт, не более 48,5 48,5 0,48 0,48
^вх,А. В 2,0—6,0 2,0—6,0 2,5—6,0 2,5—6,0
Аь вх> 0,3 (500) * 0,3 (500) * — —
^вых, А> не менее — — 4,5 4,0
263
Продолжение табл. 2-97
Обозначение параметра 218ЛБ1 К218ЛБ1 218ЛН1 К218ЛН1
U1, В, не менее 3,5 3,0
77°, В, не более 0,15 0,2 —
/°’1, мкс, не более 0,15 0,2 0,08 0,10
71,0, мкс, не более — — 0,15 0,2
R„, Ом ** 820 820 — —
С„, пФ 100 100 — —
^раз — — 3*** з***
• В скобках указано значение г вх при подаче сигнала через навес-
ной конденсатор.
•• Допускаемое отклонение ±5%.
Инверторы 218ЛН2 нли К218ЛН2.
СЕРИЯ 221
Тип логики: ДТЛ.
Состав серии:
221ТР1 —RS-триггер.
221ЛН1 — 2 элемента НЕ.
221ЛА1 —элемент И-НЕ.
221ЛР1 —элемент И-ИЛИ-НЕ.
221ЛП1—набор диодов.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 151.14-3 (252МС15).
264
3
221ТР1
Электрические параметры набора диодов 221ЛП1
(для каждого диода)
Обратный ток /о6р не менее...................... 2,0 мкА
Падение напряжения ППр:
при /пр= 10 мкА не менее.................... 0,4 В
при /Пп = 1 мА не более..................... 0,7 В
Входной ток /вх................................. 1,74—2,23 мА
Примечание. Постоянное напряжение питания микросхемы не
должно превышать допускаемого обратного напряжения диода Vo(-D = 10 В;
размах напряжения при питании МС импульсным двухполярным напряже-
нием не должен превышать 10 В.
265
221ЛР1 *
221ЛП1
266
Электрические параметры микросхемы 221ЛHl
П.шряжение источника питания (постоянное)*................4В + 10%
Мощность потребления не более............................ 50 мВт
Выходное напряжение не менее............................ 2,0 В
1’.тбочая частота ........................................ 2 МГц
Коэффициент разветвления................................. 4
•На выводе 11.
Таблица 2-98
Обозначение параметра 221ТР1 221ЛА1 221ЛР1
"и.п, В* 4,0 (4) 4,0 4,0
1 их- синхр» В +5,0 +5,0 +5,0
—3,0 —3,0 —з,о
МГц* 2,0 2,0 2,0
/’|1от, мВт, не более 25 15 25
вых, А, мин’ В * 2,8 2,5 1,5 (11)
2,5(12)
+-рб, В 0,9—1,4** — —
0,5—0,75*** — —
Лг. ВЫХт МКС 1,8—2,5 — —
^’iix’ мкс> не более 0,1 — —’
/И|.1Х, мА, не более 12 — —
А'.,б 6Д 10д
2° — 6°
раз — — 10
1 К, макс’ МА 7 — —
1/°, В, не более — — 0,3
1/рых’ В» не менее — — 2,3(77)
3,8 (72)
//п, ст, В, не более 0,5 0,5 0,5
* Допускаемые отклонения напряжений источников питания Un п и
частоты синхронизирующих импульсов /вх не более +10%. В скобках указаны
номера выводов, к которым подключается положительный полюс источника
питания, и номера выходных выводов.
•• По цепи запуска.
••• По цепи сброса.
А По входу И.
По входу ИЛИ.
267
СЕРИИ 223 И К223
Тип логики: ЭСЛ.
Состав серий:
223ЛЕ1, К223ЛЕ1 —4 элемента ЗИЛИ-НЕ.
223ЛМ1, К223ЛМ1— элементы 4ИЛИ/4ИЛИ-НЕ и 8ИЛИ.
223ЛЕ2, К223ЛЕ2—2 элемента ЗИЛИ/ЗИЛИ-НЕ и элемент
2ИЛИ/2ИЛИ-НЕ.
223ИЕ1, К223ИЕ1 —разряд счетчика (разряд регистра сдвига).
223ИД1, К223ИД1—дешифратор.
223ИЛ1, К223ИЛ1 —полусумматор.
223ТР1, К223ТР1 — 2 RS-триггер.
223ТК1, К223ТК1 - RST-триггер.
Корпус прямоугольный металлостеклянный «Вага 1Б». Выводы:
— ^и. п — 5; общий — 9.
Напряжение питания всех микросхем ии. п = —4 В± 10%.
223ЛЕ1;К223ЛЕ1
268
223ЛМ1;К223ЛМ1
223ИД1;К’223ИД1
269
223ИЕ1;К223ИЕ1
223ИЛ1;К223ИЛ1
270
223ТР1; К223ТР1
223ТК1; К223ТР1
9.
Общ.
16 - = =:. / . * ~ -
17
G_
14
л И/ Иг Иг и« т
3
4
2
10 13 11 12 S
i
8
271
Таблица 2-99
Обозначение параметра 223ЛЕ1, К223ЛЕ1 223ЛМ1, К223ЛМ1 223ЛЕ2. К223ЛЕ2
Рпот, мВт, не более 128 112 220
t/*ux, В, не менее —0,85 —0,85 —0,85
</"ых, В, не более —1,45 —1,45 —1,45
р, нс, не более ♦ 15 15 8,0
р, нс, не более * 15 15 8,0
17п, ст В, не более 0,15 0,15 0,15
Краз 10 10 4
* При Са = 35 пФ.
Таблица 2-100
Обозначение параметра 223ИЕ1, К223ИЕ1 223ТК1, К223ТК1 223ТР1, К223ТР1 223ИД1, К223ИД1
Лют, мВт, не более 185 300 128 171
</в‘ых, В, не менее —0,85 —0,85 —0,85 —0,85
t'Bblx, не более —1,45 —1,45 —1,45 —1,45
р, нс, не более 50 — 35 15
*зд, р> нс> не более 35 — 35 15
/вх> МГц, не более 20 50* 30 —
Un, ст, В, не более 0,15 0,15 0,15 0,15
^раз 10 2 10 10
* На С-входе.
Электрические параметры полусумматоров 223ИЛ1 и К223ИЛ1
Мощность потребления Рпот не более ................... 250 мВт
Напряжение (7BMX не менее ............................—0,85 В
Напряжение и^ы]1 не более.............................—1,45 В
Время задержки включения р не более:
полусуммы............................................. 20 нс
переноса.......................................... 15 нс
Статическая помехоустойчивость Ua. ст не более........ 0,15 В
Коэффициент разветвления по выходу Краз............... 10
272
СЕРИИ 229 И К229
Тип логики: ЭСЛ.
Состав серий:
229ТК1А, 229ТК1Б, К2ТК291А,
К2ТК291Б
229ИЛ1,
229ИД1,
К2ИЛ291
К2ИД291
229ЛМ4,
К2ЖЛ291
| — 4 RST-триггера.
— 4 полусумматора.
— четырехвходовый двухступенча-
тый дешифратор со стробирова-
нием.
— многофункциональный логиче-
ский элемент.
Корпус прямоугольный металлокерамический 421.48-1. Выводы:
общие — /, 24; —UK.n—25, 48.
Напряжение питания всех микросхем </и, п = —5 В ± 10%.
26
19
17
11
45
21
ш
35
32
41
58
35
36
25
9
i5
229ТХ1А‘,229ТК1Б;К2ТК291А;К2ТК291Б
47
37
16
8
12
273
229ИЛГ, К2ИЛ291
Схема
функциональная
274
275
229ЛМЦ;К2>Ш91
Таблица 2-101
Обозначение параметра 229ТК1А. 229ТК1Б, К2ТК291А. К2ТК2Э1Б 229ИЛ1. К2ИЛ291
РПот. Вт» не более ^ых. В ^ых. В № _, нс, не более* ЗД» р ^зд р» нс» не более* /вх» МГц, не более** Un, ст» В. не более (при /е=25®С) ^раз 1,4 —0,7-$-—0,9 —1,47-$—1,69 70 0,16 20 1,4 —0,7-$—0,9 -1,47-$—1,69 6,0 6,0 0,16 25
Продолжение табл. 2-101
Обозначение параметра 229ИД1, К2ИД291 229 ЛМ4. К2ЖЛ291
Рпот, Вт, не более 6/‘ь1х, В и° , В вых* /*" р, нс, не более* р, нс, не более* U„, ст В, не более (при /=25®С) К раз 1,4 -0,7-$—0,9 —1,47-$—1,69 8,0 8,0 0,16 25 1,3 —0,7-$—0,9 —1,47-$—1,69 6,0 6,0 0,16 25
• При Сн < 30 пФ.
** При Сн < 10 пФ; для 229ТД1Б и К2ТК291Б не более 100 МГц.
276
СЕРИИ 230 И К230
Тип логики: ТТЛ.
Состав серий:
230ИЕ1А, 230ИЕ1Б, 1
К230ИЕ1А, К230ИЕ1Б |
230ИЕ2А, 230ИЕ2Б, 1
К230ИЕ2А, К230ИЕ2Б |
230ИЕЗА, 230ИЕЗБ, 1
К230ИЕЗА, К230ИЕЗБ f
230ИР1А, 230ИР1Б, 1
К230ИР1А, К230ИР1Б|
230ИР2А, 230ИР2Б, I
К230ИР2А, К230ИР2Б f
230ИП1А, К230ИГПА
230ИК1, К230ИК1
— четырехразрядный счетчик с последова-
тельным переносом.
— четырехразрядный реверсивный счетчик
с параллельным переносом.
— четырехразрядный счетчик с параллель-
ным переносом.
— 2 четырехразрядных регистра хранения.
— четырехразрядный реверсивный регистр
сдвига.
— четырехразрядное устройство поразряд-
ного уравновешивания.
— преобразователь двоичного кода в деся-
тичный.
; Корпус прямоугольный металлокерамический 421.50-1. Выводы:
.’.'общие — 24, 25; UK. п — 4.9, 50.
Напряжение источника питания всех микросхем UK, n-=5B_tl0%.
Обозначения входов и выходов: R — установка нуля; Т,, Tt, Tt, Та — входы
тактовых импульсов; С— цепь разрешения записи; Vi, V>. Vt, VB — управ-
ляющие входы разрядов; Dt, Ds, Dt, D, — входы установки разрядов; mi,
m. — вспомогательные входы; Р„ — цепь выходного переноса; Р, — цепь
выходного переноса^ инверсная; Qt, Qt, Qu, <?« — выходы разрядов; Qi, Qt,
Qi, Qt — выходы разрядов инверсные.
277
ч
00
230ИЕ2А; 230ИЕ2Б; К230ИЕ2А;К230ИЕ2Б
Обозначения входов и выходов: R. — установка нуля; Тг — вход тактового импульса сложения; — вход тактового им-
пульса вычитания; С — цепь разрешения записи; Dif D2, D4, — входы разрядов; mt—гпл— вспомогательные входы; Qb Q2,
Q*. Q* — выходы разрядов; Qit Q2, Q3, Q4 — выходы разрядов инверсные; Р9 — цепь выходного переноса; Р2Г — цепь выход-
ного переноса сложения; Р21— цепь выходного переноса вычитания; Т — вход тактовых импульсов: Р\ — цепь переноса с
предыдущего узла; — цепь разрешения сложения; — цепь разрешения вычитания; glt g2 — промежуточные выходы.
J[71 230ИР1А',230ИР1Б; К230ИР1А' К230ИР1Б
¥ Ост Сз1 Я2 Яч $8 RO 1 2 Ч- 8 01 48
6 01 41
8 02 47 02 39
10 03 45
12 03 37
14- 04 43
3 04 35 01 42
СС42 ^31 Яг Яц % 1 2 Ч 8
5 01 34
17 ' 02 40 02 32
10 ОЗ 38
21 03 30
23 04 36
04 28
Qi
«г
Q
Обозначения входов и выходов: Ссч12 — цепи разрешения считывания: Сз1 2 —
цепи разрешения записи; Dlt D2, Dt, D, — входы разрядов; Q,, Q2, Q3. Q4—
выходы разрядов; Qb Q2, Q2, — выходы разрядов инверсные.
48
230ИП1А ;К230ИП1А
280
281
Обозначение параметра 230ИЕ1А, 230ИЕ1Б, К230ИЕ1А, К230ИЕ1Б 230ИЕ2А, К230ИЕ2А, 230ИЕ2Б, К230ИЕ2Б 230ИЕЗА. 230ИЕЗБ, К230ИЕЗА. К230ИЕЗБ 230ИР1А. 230ИР1Б, К230ИР1А, К230ИР1Б 230ИР2А 230ИР2Б, К230ИР2А, К230ИР2Б 230ИП1А, К230ИП1А
Рпот, Вт, не более 1,2 1,4 1,3 1,7 1,о 1,5
/пот, мА, не более 145 180 150 240 140 200
Ток /"х на один вход ИЛИ, мА, 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6 1,6
не более 80
Ток /^х на один вход И, мкА, 80 80 80 80 80
не более
В. не менее 2,3 2,3 2,3 2,3 2,3 2,3
UJ х, В, не более 0,35 0,35 0,35 0,35 0,35 0,35
/уст, МГц, не более 2,5 2,5 2,5 2.5 (230ИР1А, К230ИР1А) 4,0 — 5,0
(230ИР1Б, К230ИР1Б)
fcv, Мгц, не более 5(230ИЕ1А, К230ИЕ1А) 10 (230ИЕ1Б, К230ИЕ1Б) 5 (230ИЕ2А, К230ИЕ2А) 8 (230ИЕ2Б, К230ИЕ2Б) 5 (230ИЕЗА, К230ИЕЗА) 8 (230ИЕЗБ, К230ИЕЗБ) 10 10 ,1
Продолжение табл. 2-102
230ИП1А, К230ИП1А ! 3,0 0,3 15,5(32, I 36, 40, 44) 1 12,4(30, 34, 38, 42) 10,85 (10) 9,3 (20) 1,75(12, 18)
230ИР2А, 230ИР2Б, К230ИР2А, 1 К230ИР2Б 0,625 | (230ИР2А, К230ИР2А) 1,0 (230ИР2Б, К230ИР2Б) 0,3 13,95 (29, 31, 33, 38, с\Г 12,4 (35, 1 40, 44) 1
230ИР1А, 230ИР1Б. К230ИР1А, К230ИР1Б 1 со о 15,5 (28, 30, 32, 34, 35, 37, 39, 41) 12,4 (36, 38, 40, 42, 43, 45, 47, 48)
230ИЕЗА, 230ИЕЗБ, К230ИЕЗА, К230ИЕЗБ 1 0,3 15,5 (17, 22) 13,95 (41) 12,4(29, 33, 38, 42, 44) 10,85(35) 9,3 (31, 40)
230ИЕ2А, К230ИЕ2А, 230ИЕ2Б, К230ИЕ2Б 1 0,3 15,5(17, 21, 22) СО К СО 12,4(42, 44) •о iO оо ео о of со 1 6,2 (38)
230ИЕ1А, 1 230ИЕ1Б, К230ИЕ1А. К230ИЕ1Б 1 0,3 1 15,5(22) 13,9(6, 29, 35, 40) 12,4 (31, 33, 38, 42, 44)
Обозначение параметра /здв> МГц, не более | Un, ст, В, не более /ВЬ1Х, мА, не более
Обозначения! fC4 — частота счета; 7адв — частота сдвига; f уст — частота установки; цифрами в скобках обозначены
номера выводов, через которые допускаются указанные значения выходных т оков.
284
Электрические параметры микросхем 230ИК1, К230ИК1
Мощность потребления Рпох, макс не более..............0,6 Вт
Ток на один вход ИЛИ не более.........................1,6 мА
Ток I1 на один вход И не более........................80 мкА
Напряжение £/дЫХ не менее.............................190 В
Напряжение С^ых не более .............................5,0 В
Максимальное коммутируемое напряжение................. 200 В
Максимальный коммутируемый ток........................3,0 мА
Статическая помехоустойчивость Un, ст не менее........0,3 В
СЕРИЯ 231
Тип логики: РТЛ.
Состав серии:
231ИЕ1—счетчик по модулю 6, 10, 16.
Корпус прямоугольный металлокерамический 421.48-1. Выводы:
+ </и. п — 23, 24; общие —25, 26.
Электрические параметры микросхемы 231ИЕ1
Напряжение источника питания ии. ..................-J-4 В±10%
Мощность потребления Рпот не более.................. 35 мВт
Ток потребления /пот не более...................... 7,7 мА
Напряжение и*ых не более........................... 0,2 В
Выходной ток на выводах 48, 46, 44, 42, 41, 39, 37, 35,
45 не менее*..................................... 100 мкА
Входной ток**:
на выводах 1, 3, 5, 7, 10, 12, 14, 16 не менее ... 6 мкА
на выводах 11, 18, 22, 36 не менее............... 12 мкА
на выводе 13 не менее............................ 30 мкА
Частота счетных импульсов не более***.............. 300 кГц
Максимально допускаемое напряжение помех:
на открывание................................... 250 мВ
на запирание .................................... 40 мВ
Время задержки включения не более................. 1600 нс
Время задержки выключения не более................ 2200 нс
Коэффициент разветвления по выходу Краз............. 4
• Пр« С/вь.х = 1’05 В-
•* При t/BS = 0,78 В.
При С/ВХ1 1,5 В.
285
гмин
Обозначения входов и выходов: St, S8, S4, S8 — установка единицы I, II, III,
IV разрядов; Rit Rit Re — установка нуля I, II, ш, iv разрядов; T —
счетный вход /; Т\ — счетный вход 2; mi, mt, m4, ma — вспомогательные
входы I, II, III, IV разрядов; 2, 33 — дополнительные выходы III разряда;
6. 31 — дополнительные выходы IV разряда. Для реализации схем счетчиков
необходимо осуществить следующие внешние коммутации: а — для счетчика
по модулю 6 соединить выводы: 32 с 33, 2 с 4, /8 с 20, 29 с 30, 8 с 9, 22
с 21, 11 с 9, 36 с 34; б — для счетчика по модулю Ю соединить выводы:
18 с 19, 32 с 31, 4 с 6, 20 с 22, 29 с 30, 8 с 9, 11 с 9, 36 с 34; в — для
счетчика по модулю 16 соединить выводы; 28 с 29, 6 с 8, 2 с 4. 22 с 21,
18 с 19, 32 с 30. 11 с 9, 36 с 34.
СЕРИЯ 240
Тип логики: ДТЛ.
Состав серии:
240ЛА1А—240ЛА1В — 9 элементов И-НЕ.
240ЛА2 — 8 элементов И-НЕ с повышенным коэффи-
циентом разветвления.
240ЛАЗА—240ЛАЗВ—12 элементов И-НЕ (без коллекторных рези-
сторов).
240ЛА4А—240ЛА4В— 13 элементов И-НЕ.
240ЛА5 — 13 элементов И-НЕ с диодными выходами.
240ЛА6А—240ЛА6В — 8 элементов И-НЕ.
249ИР1А, 240ИР1Б — регистр на 4 двоичных разряда.
2 4ОИР2А, 240ИР2Б — регистр хранения на 8 разрядов с контролем
нулевого состояния.
240ИРЗА, 240ИРЗБ — регистр сдвига реверсивный на 3 разряда.
210ИЛ1А, 240ИЛ1Б — полусумматор на 8 разрядов.
240ИМ1А, 240ИМ1Б — сумматор на 2 двоичных разряда.
240ИЕ1А, 240ИЕ1Б — счетчик реверсивный на 2 разряда.
240ЛД1 — 12 расширителей по входу И.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 155.36-1. Выводы:
-|- Ни. П1 — 28; + (7и.п2—38*.
Напряжение питания микросхем: Uu. п1 = -|-5 В ± 10%; UH. п2 =
-+3 В ± 10%.
* Кроме микросхем 240ЛА2 и 240ЛАЗА—240ЛАЗВ.
Электрические параметры микросхемы 240ЛД1
Прямое падение напряжения на диоде (7пр не более .... 0,95 В
Обратный ток диода /Обр не более .....................1,0 мкА
Емкость диода Сд не более.............................5,0 пФ
Прямой ток /пр не более...............................20 мА
Время восстановления /вос не более....................5,0 нс
287
2$0ЛА 1А; 240ЛА1Б; 240ЛА Iff
2Ч-0ЛА2
2Ч0ЛА ЗА; 240Л А ЗБ; 240ЛА ЗВ
283
240 ЛА 4А; 240ЛА4Б; 240ЛА4В
240ЛА5
240ЛА SA; 240ЛА 6 Б; 240Л ABB
10 а/p ТараСрина Б. В.
289
240ИР1А-,240ИР1Б
35 м
11136
2Ц0ИР2А;2ШР2Б
290
.10
291
2ЩШЕ1А;2Щ)ИЕ1Б J
2Ч0ЛД1
292
293
Таблица 2-103
Таблица 2-104
Обозначение параметра 240ИР1А 240ИР1Б 240ИР2А 240ИР2Б 1 240ИРЗА 240ИРЗБ
/’рас, мВт, не более 420 420 380 380 430 430
В’ не менее 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5
В, не более ВЫХ’ ’ 0,62 0,55 0,62 0,55 0,62 0,55
/>д. сч» нс, не более 225 225 — — — —
/м, пер» нс, не более 300 300 — — — —
t"a, уст, нс, не более* — — 90 90 250 250
/зд, к» нс, не более* — — 150 150 170 170
Un. ст» В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
^раз 5 3 5 3 5 3
Примечание. <ЗД/ сч —время задержки счета;
дсржки переноса; уст — время задержки установки
/Зд. пер “ вРемя За
в состояние логиче-
ского нуля; к — время задержки записи кода; все эти параметры изме-
ряются при Са = 30 пФ.
Таблица 2-105
Обозначение параметра 240ИМ1А 240ИМ1Б 240ИЕ1А 240ИЕ1Б
Ррас, мВт, не более ЗОЭ 300 __
//рых» В’ не менее 2,5 2,5 2,5 2,5
//£ых, В, не более /зд2, нс, не более: 0,55 0,62 0,48 0,62
I разряд 250 250 — —
II разряд 340 340 — ——
/ пЕ, нс, не более* 250 250 — —
/зд, п, нс, не более* — — 215 215
/зд. сч» нс, не более* — — 165 165
Время задержки распростра- нения информации в уп- равляющих цепях, нс, не более* 160 160
Un, ст, В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4
^раз • При С = 30 пФ. 6 4 6 4
Обозначения: (зд j — время задержки по выходу суммы; /зд - время
задержки сумматора по выходу переноса; ^зд а — время задержки по цепи
переноса; *ЗД( сч — время задержки импульсов счета.
294
295
СЕРИИ 243 И К243
Тип логики: ТТЛ.
Состав серий:
243ЛА1, К243ЛА1— элемент 6И-НЕ.
243ЛА2, К243ЛА2 — 2 элемента ЗИ-НЕ.
243ЛАЗ, К243ЛАЗ — элемент ЗИ-НЕ и трехвходовый расширитель
по ИЛИ.
243ЛА4, К243ЛА4 — 2 элемента 2И-НЕ и двухвходовый расшири-
тель по ИЛИ.
243ЛА5, К243ЛА5.— элемент 2И-НЕ и 2 двухвходовых расширителя
по ИЛИ.
243ЛА6, К243ЛА6 — элемент ЗИ-НЕ с повышенным коэффициентом
разветвления.
243ЛН1, К243ЛН1 — 5 элементов НЕ с открытым коллекторным вы-
ходом.
243ЛН2, К243ЛН2 — 5 элементов НЕ.
243ЛНЗ, К243ЛНЗ — 3 элемента НЕ.
243РП1, К243РП1—элемент памяти.
243УП1, К243УП1—усилитель магистральный.
243УМ1 — 2 усилителя индикации.
243УЛ1 — усилитель воспроизведения с магнитной пленки.
243УЛ2 — входной каскад усилителя считывания сигна-
лов с магнитной пленки.
243УЛЗ — 2 оконечных каскада усилителя считывания сиг-
налов с магнитной пленки.
243ЛП1 —логический элемент с порогом переключения 4,
имеющий два входа с весом 2 и три входа
с весом 1.
243ЛП2 — логический элемент с порогом переключения 3,
имеющий четыре входа с весом 1.
243ЛД1 — 2 трехвходовых расширителя логических воз-
можностей пороговых элементов.
243НТ1, 243НТ2,1 ,
243HT3 ( — набор транзисторов структуры п-р-п.
Корпус прямоугольный металлополимерный «Тропа».
296
w?
2ЧЗЛА5’,К2ЦЗЛА5
2ЧЗЛА6',К2Ч-ЗЛА6
2Ч-ЗЛН2; К2Ч-ЗЛН2
299
2УЗУЛ1
2ЧЗУЛ2
300
301
2ЦЗЛП1
302
Таблица 2-105
Обозначение параметра 24 ЗЛА), К243ЛА1 243ЛА2, К243ЛА2 243ЛАЗ, К243ЛАЗ 243ЛА4, К243ЛА4 243ЛА5, К243ЛА5 243Л А6, К243ЛА6
</и.п. В* 3,0 з,о 3,0 3,0 3,0 4,0
(Ю, 1) (в, 12) (12, 8) (1) (1) (7)
^пот< макс» ^пот. ср» мВт 19,1 40 24,0 43,0 28,6 33,0
11,0 22 15,0 25,6 18,5 20,0
с/‘ых, В, не ме- 2,3 2,3 2,3 2,3 2,3 2,6
нее
<7"ых, В, не бо- 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25
лее
^зд. р» ср» нс» более 10 10 10 10 10 10
Un, ст. В, не бо- 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25
лее
Коб Краз для микро- схем-нагрузок: 6 3 3 2 2 3
243ЛА1, 243ЛА2, 243ЛАЗ, 243ЛА4, 243ЛА5 243ЛН2, 6 6 6 6 6 16
243ЛА6, 243ЛН1 4 4 4 4 4 7
•Допускаемое отклонение ±10%; в скобках указаны номера выводов, на
которые включается положительный полюс источника питания.
Таблица 2-107
Обозначение параметра 243ЛН1, К243ЛН1 243ЛН2, К243ЛН2
иа. п, В* з,о 3,0
^пот. макс» мВт 25,0 65,0
^пот. ср» мВт 23,6 46,1
^вых' В, не менее 2,3 2,3
6/“ых> В, не более 0,25 0,25
/зд, р. ср, нс> не 6o^ee 10,0 10,0
Un. ст. В, не менее 0,25 0,25
^раз 10*** 6** у#**
•Допускаемое отклонение ± 10%, положительный полюс включается на
вывод «3.
♦♦Число микросхем 243ЛА1, 243ЛА2, 243ЛАЗ, 243ЛА4, 243ЛА5» 243ЛА6.
••♦Число микросхем 243ЛН1, 243ЛН2.
зол
Таблица 2-108
Обозначение параметра 243ЛНЗ, К243ЛНЗ 243РП1, К243РП1 243УП1. К243УП1
С'и. П. В* + 3,о (3,7) +3,0 (4) + 4,0(4)
п2» В* —— + 6,0 (2)
йот, макс» мВт 50 19 65
^вых’ В’ не менее 2,3 2,3 2,1
^вых’ В’ не б°лее 0,25 0,25 0,25
^зд, pi ср» нс, не более 10 — 20
Ип> ст> В, не более 0,5 0,25 0,25
/вх» МГц, не более Лраз Для микросхем-нагрузок: — 15 —
243ЛА1,243ЛА2, 243ЛАЗ, 243ЛА4, 6 6 6
243ЛА5 243ЛН1, 243ЛН2 4 4 3
243ЛА6 4 4 3
’Допускаемое отклонение ±10%; в скобках указаны номера выводов,
на которые включается положительный полюс источника питания.
Таблица 2-109
Обозначение параметра 243ЛП1 243Л П2 243УЛ1 243 У Л2 243 УЛз 243У1Л1 243ЛД1
ии. П1. В» 6,0 6,0 6,0 4,0 4,0 3,о 6,0
П2» — 3,0 — 3,0 — — — 6,0
^П. ст» ^» 0,27 0,27 ——
не менее
Р йот, макс» 70 61,6 45 14 80 10 30
мВт
р. ср> 15 15 20 20° 20° —
/нс, не более
U1 . В VBblX' 2,3 2,3 — — —
не менее
^ых» В, 0,25 0,25 0,25 0,2 0,25 1,4 —
не более
^вых, А, В» —— — 1,0** 0,06** 1,2 — —»
не менее
мА, — — — — 0,12 —.
не более
/“х, мА*** 0,62—0,73 (3, 6, 7) 0,62—0,73 (2, 5, (У) — — — — 0,62—0,73 (3, 5, 6, 8, 11)
1,24—1,45 (9. 10) 0,72—0,81 (7, 10) —’ —* — 1,85—2,2 (4, 12)
Краз 6 6 1 1 1 1 2
’Допускаемое отклонение + 2%.
••Для микросхемы 243УЛ2 указано максимальное значение амплитуды
выходного напряжения при воздействии синфазной помехи.
•••В скобках указаны номера входных выводов.
“Задержка распространения по отношению к фронту входного сигнала.
204
Таблица 2-110
Обозначение параметра 243HTI 243НТ2 243HT3
/КБО, МКА> не более* 0,5 0,5 0,5
'7K3. нас- В- не более 0,27 0,27 0,27
Л21Э 30—90 60—150 70—280
/рас, нс, не более 15 15 15
•При С/цб = 7 в.
M3HT1;243HT2;243HT3
СЕРИЯ 263
Состав серии:
263УИ1— усилитель-приемник сигналов с кабельной магистрали.
263АГ1 —формирователь импульсов из логического перепада.
263АА1—формирователь втекающего тока.
263ГГ1 —генератор прямоугольных импульсов*.
263ПУ1—2 преобразователя уровней напряжения.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 151.15-5.
•Генератор предназначен для работы на преобразователь 263ПУ1.
305
263АГ1
Вывод 13-контрольной.
306
2ВЗПУ1
Общ.
12
11
Таблица 2-111
Обозначение параметра 263УИ1 263АП 263ГП
<А,.п. Вд Рпот, мВт, не более ^здр> нс> не более* р1 нс’ не более* UaK, В, не менее <А,ых. В /и, мкс, *** 5,0 ± 10% (14) 65 40 25 0,7—1,7 0,4—2,4 -5,0 + 10% (7) 90 12 10 0,5 —1,5 4-—2,2 0,1 —1,0 —5.0 х 10% (7) 50 10 15 0,4**
• При С„= Ю пФ.
•* Амплитудное значение.
Диапазон длительности формируемых сигналов.
д В скобках указаны номера выводов.
Таблица 2-112
Обозначение параметра 263AAI 263ПУ1
^и.„1. В* -5,0 х 10% (7) —5,0 х Ю% (7)
Ои.п2, В* —12,6 ± 10% (12) ——
^Lx. в —0,4 -ь —1,05 —1,6 —2,2
^ых> в 0—0,1 —0,6 4- —0,85
/вых, мА, не менее 0,7 —
/зд,р,ср, нс, не более fBX, МГц, не более*** 10 25 10**
77Вых,а, В, не менее 0,4 —
2 (263ГГ1) 4 логических вхо-
10(263УИ1) да МС серии К137
• Допускаемое отклонение X 10%; в скобках указаны номера выводов.
•* При Сн = 10 пФ.
*** Максимальная частота входного сигнала формирователя; микросхему
263AAI можно использовать для генерирования колебаний с частотами
1кГц—40 МГц.
307
СЕРИЯ К500
Тип логики: ЭСЛ.
Состав серии:
К500ЛМ101, ' К500ЛМ101Т | — 4 элемента 2ИЛИ-НЕ/ИЛИ с одним общим входом.
К500ЛМ102Т }“4 элемента 2ИЛИ-НЕ/ИЛИ.
SE’ }-3 э"а ИЛИ/ИЛИ-НЕ.
К500ЛМ109, К500ЛМЮ9М К500ЛЕ106Т, ' К500ЛЕ106М К500ЛП107, 1 К500ЛП107М : К500ЛП115, 1 К500ЛП115Т К500ЛШ16Т, К500ЛП116М К500ЛК117, К500ЛКП7М К500ЛЛНОТ, К500ЛЛ110М, К500ЛЛ210Т К500ЛЕ111Т, К500ЛЕ111М, К500ЛЕ211Т К500ЛС118М К500ЛС119М К500ЛК121, К500ЛК121М К500НР400Т, К500НР400М К500РУ401, К500РУ401М К500РУ410 — 2 элемента 5 ИЛИ-НЕ/ИЛИ, 4 ИЛИ-НЕ/ИЛИ. | — 3 элемента ИЛИ-НЕ. j- — 3 элемента «исключение ИЛИ-НЕ/ИЛИ». — 4 приемника с линии. | — 3 приемника с линии. | — 2 элемента 2-ЗИЛИ-2И/ИЛИ-2И-НЕ. . У — 2 элемента ИЛИ с мощным выходом. | — 2 элемента ИЛИ-НЕ с мощным выходом. — 2 элемента ЗИЛИ-2И. — элемент 4-3-3-ЗИЛИ-4И. — элемент ИЛИ-И/ИЛИ-И-НЕ. — матрица резисторов. — сверхоперативное запоминающее устройство на 16 бит со схемами управления. — ОЗУ на 256 бит (256 словх1 разряд) со схемами управления.
К500РУ4П, К500РУ412 К500РУ148, К500РУ148М К500РЕ149 — ОЗУ на 128 бит со схемами управления. — сверхоперативное запоминающее устройство 64 словах! разряд. — ППЗУ на 1024 бит,
308
К500ИЕ136,
К500ИЕ137
К500ИР141
К500ПУГ24,
К500ПУ124Т
К500ПУ125,
К500ПУ125Т
К500ИД161М
К500ИД162М
К500ИД164М
К500ИВ165
К500ИЕ160,
К500ИЕ160Т
К50ЭИП179,
К500ИП179Т
К500ИМ180,
К500ИМ180Т
К500ИП181,
К500ИП181Т
К500ЛП128
К500ЛП129
К500ТМ130,
К500ТМ130М
К500ТМ131Т,
К500ТМ131М
К500ТМ133Т,
К500ТМ133М
К500ТМ134,
К500ТМ134М
К500ТМ173
— счетчик двоичный универсальный четырехразряд-
ный.
— универсальный сдвиговый регистр.
— 4 преобразователя уровня ТТЛ-ЭСЛ,
— 4 преобразователя уровня ЭСЛ-ТТЛ.
— трехразрядный дешифратор низкой частоты.
— трехразрядный дешифратор высокой частоты,
— восьмиканальный мультиплексор.
— кодирующий элемент с приоритетом.
— схема контроля четности на 12 входов.
— схема быстрого переноса.
— сдвоенный высокоскоростной сумматор-вычислитель.
— арифметико-логическое устройство на 16 операций
с двумя четырехбитными словами,
— возбудитель линии.
— приемник с линии,
— 2 D-триггера.
— 2 D-триггера.
— 4 триггера с защелкой.
— 2 D-триггера.
— 4 D-триггера с входными мультиплексорами.
Основной базовый элемент серии К.500,
309
К500ЛЕ10БТ, К500ЛС118М
' т II. I
К500РУЧ10 К500РУШ1 кзоорущг
Вход / Выход Режим работы
V с D
1 н н и Хра- нение
0 0 0 0 Запись х0>
и 0 1 0 Запись
0 1 н Инфор- мация в пря- мом коде Считы- вание
Xбезразличное состояние.
Состояние входов Состояние выходов Опера- ция
X, Х6 X, X ю
1 1 X 0 Запрет обраще- ния
° * и
0 1 X 0
0 и 1 h Соответст вуст информации, хранимой по выбранному адресу Считы- вание
0 0 0 1 0 Запись «Ь
0 0 0 0 0 Запись «Ох
312
К микросхеме К500РЕ149
Вход вы- борки кристалла Входы адреса Выходы разрядов
вк о| 1|2|з|4[&[б|7 Q, | Q,1 Q, | Q.
1 х|х|х|х|х|х|х|х 0 | 0 | 0 | 0
0 Состояния выходов разрядов соответствуют заложенной программе
j Выход 1 выборки кристалла Входы адреса Выходы разрядов
вк и|г|2|з{4|5|б|7 <?. | Qi | Q, |
0 x|x|x|xjx|x|x|x 1 1 1 1 1 1
1 Состояния выходов разрядов соответствуют заложенной программе
X — безразличное состояние.
K500PVW8,
К500РЕ1Ч9
К500ИЕ137
313
К500ИР1М
_4 10 7 5 13 12 11 J_ с $1 Si л A. Do Di Di »3 RG Qo Sy «3 15_ Z_ 5.
•St S. Режим
0 0 Установка числа
0 I Сдвиг вправо
1 0 Сдвиг влево
1 1 Хранение числа
К500ПУ124,
К500ПУ124Т
5 ' ПУ ПУ ПУ ПУ V г
6
7 3
10 — 1_ 12 15 13_ 14
11 —
Входы Выходы
*1 | «а | Хя | X, | хъ z/l | Уг I У» | Уг | У1 | Уа | Vi | у%
1 1 1 Ы 1 1 1 0 | 1 | ° | 1 1 0 | 1 | 0 | 1
1 | о| 1 | 1 | 1 1 I 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0
0 | 1 | 0 | 0 | 0 1 i 0 | 1 I 0 | , | 0 | ! | °
0 I 0 | 0 { 0 | 0 l|o|l|o|l|ojl|o
И^ППУ^Ч. Входы Выходы
Xi Х3 Xi Хз Хв х7 X» Z/i Уг У* У*
К300ПУ1 2 %ПУ 25Т 0 1 0 1 0 1 0 ) 1 1 1 1
3-— Б ц. 1 0 1 0 1 0 1 О 0 0 0 0
1 10 7ту 5 1 Uon 1 Уоп 1 Уоп 1 "оп 0 0 0 0
11 14 ~ПУ 13 0 иоп 0 0 и ь оп 0 Уоп 1 1 1 1
15 1 иоп 1 Уоп 1 "ог. 1 иоп 1 1 1 1 1
и0П 0 "он 0 "on О Uou () 0 0 0 0
314
К500ИД181М К500ИД1В2М
К500ИВ165
хо—— 0 CD 15 „
и 7 У1
— Jio 1 2 3 2 —^~У2
4 t? f? 4 5 1 —Уз
6
x7J— 7 14
1 Уч
XS 1
К микросхеме К500ИВ165
Входы I Выходы
*0 х. х. Xs x* x. x. X, X. ^Kn+ll У г in+i) ^3 (Л+Ь *4 <П+1>
1 1/0 I/O 1/0 1/0 1/0 1/0 1/0 0 0 0 ! 0 1
0 1 1/0 1/0 1/0 1/0 1/0 1/0 0 0 0 1 1 1
0 0 1 1/0 1/0 1/0 1/0 1/0 0 0 1 0 1
0 0 0 1 1/0 1/0 1/0 1/0 0 0 1 1 1 1
0 0 0 0 1 1/0 1/0 1/0 0 1 0 0 1
0 0 0 0 0 > I/O 1/0 0 > 0 1 1
0 0 0 0 0 0 1/0 0 1 1 0 1
' 0 0 0 0 0 0 0 1 0 I 1 I 1
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
1/0 1/0 1/0 1/0 1/0 1/0 1/0 1/0 1 i0> ^2(0) у3 <0> У4 10,
1/0— состояние 1 или 0.
31&
К500ИЕ1В0,
К500ИЕ150Т
К500ИП179,
К500ИМ180,
К500ИМ180Т
2 £ А, В, SM Si «
7 Р1 St 2
11 Sai SbI $лг %г Л й £ 19
10 Аг & 1_
12 Рг вг W
Таблица логических и арифметических операций
Состояние входов управления Логические функции при М — 1 Арифмети- ческие действия при М ® 0, С =* 0
D„ Dt Dt °C
- 0 0 0 0 « = А V = А
0 0 0 1 у = А+ В у~А+ (АВ) *- К микросхеме К500ИП181
0 0 1 0 у = А + В У — А (Л В)
0 0 1 1 Р = 1 У — А-2 К50С 1ИП181
0 1 0 0 Р = АВ у = (ЛВ) 4-о 1± 17 7>0 7)1 7)2 7)3 А/1У Y1 Yz 2_
0 "l 0 1 у = В у = (АВ) + 4- (А 4- В) 15 13 21 J 7_ 6_
0 1 0 у= АВ+ АВ Р = А + В 20 18 19 16 11 10 Ад Во Y3
0 1 i 1 у = А + В у = А + + (А + В) А1 В1 Аг Y<f
1 0 ° 0 У = АВ У = (А +В)+0 Вг Аз ^1 *2 £
! 0 0 i у = АВ + АВ у —А —В — ) 9 23 Вз 5
1 0 1 0 у= В у ех ( А + В) 4- + (Л 4-й) 22 м т Х3 £
1 0 1 1 У = А + В У=А + + (А+В)
1 I 0 0 У=0 У = 1
1 1 0 1 У= АВ у = (АВ) — 1 -
1 1 1 0 у= АВ у = (АВ)-1
1 1 i 1 1 у= А у — А — (
316
Входы Выход
D, с S R Qi <П+1)
7. 1 ч> 0
7» 1 7» 1 0
0 0 0 7о 0
7. 1 0 0 У/ (П>
1 0 0 7» 1
Г= 1. 2.
Х500ЛП128
Ч-________________________________ и.^2-™
O6u^UrU.-O1fO9fl6
Входы Выход
Di с S я <л+1)
7о 7. 0 7» 0
7» 1 7» 1 0
0 0 1 7о 0
7« 1 1 0
1 0 1 7о 1
i = 0, 1, 2, 3.
317
К500ТМ130,
К500ТМ130М
4 R Л С Се Г 2 D С сц 1^ ^Л+1
.7
6 3 0 0 0 0 1 1 1 1 и 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 % Чп Чп 1 «п !-п
5 15.
12
S Се С Г
9
11 14
10
Л 7
13
К500ТМ131Г,
К500ТМ131М
4 R Т
5 S
6 Се
1 Л
9—Г Сс
Сс т
10 Л
11 ' Се
12 S
13 R
Входы Выходы
D С£ V сс R S уп+1 ул+1
X 1 0 и Qn
X 0 0 и «и
1 '• 0 и 1 и
0 0 0 i
X X 1 ° 0 1
X X 1 0 0 1
X х ° 1 1 °
X х 1 1 н/о н/о
х — произвольное состояние.
н/о — неопределенное состояние.
318
К500ТМ133Т,
в D CVCC
0 1 ! 1
0 0 1 о
0 X 0 Qn
1 X X 0
X — произвольное состояние.
К500ТМ13Ч,
D с св О 12 11 К500ТМ13ЧМ 11 Т
”т *’
0 0 0 0 13 ц
0 0 1 — 3? 15
0 1 0 9 С*
0 1 1 % / L С
1 С т
1 0 1 Q„ IU — — 3
1 1 1 ц 9 — Hz
-f— <5
L 2
3
319
К500ТМ173
*10 *2i *2i+l <л+1>
0 0 0 7» 0
0 ° 1 Vo 1
0 1 7» 0 0
0 i 7» 1 1
1 '/• 7» 7. yi <ni
Корпуса;
прямоугольный пластмассовый 238.16-2 (К500ЛМ101, К5ООЛМЮ2,
К500ЛМ109, К500ЛП107, К500ЛП115, К500ЛКШ, К500ЛК.121,
К500РУ401, К500РУ410, К500РУ411, К500РУ412, К500РУ148,
К500РЕ149, К500ИЕ136, К500ИЕ137, К5ООИР141, К5ООПУ124,
К500ПУ125, К500ИВ165, К500ИЕ160, К500ИП179, К500ИМ180,
К500ЛП128, К500ЛП129, К500ТМ130, К500ТМ134, К500ТМ173);
прямоугольный керамический 201.16-1 (К500ЛМ101Т, К500ЛМ102Т,
К500ЛМ105Т, К500ЛЕ106Т, К500ЛП115Т, К500ЛП116Т, К500ЛЛ110Т,
К500ЛЛ210Т, К500ЛЕ111Т,.К500ЛЕ211Т, К500НР400Т, К500ПУ124Т,
К500ПУ125Т, К500ИЕ160Т, К500ИП179Т, К500ИМ180Т, К500ТМ131Т,
К500ТМ133Т);
прямоугольный керамический 201.16-5 (К500ЛМ105М, К500ЛЛ110М,
К500ЛЕ11 IM, К500НР400М, К500ЛС118М, К500ЛС119М, К500ИД161М,
К500ИД162М, К500ИД164М, К500ЛЕ106М, К500ЛП116М,
К500ТМ131М, К500ТМ133М);
прямоугольный керамический 201.16-6 (К500ЛМ109, К500ЛП107А1,
К500ЛК117М, К500РУ401М, К500ЛК121М, К500ТМ130М, К500ТМ134М,
К500РУ148М);
прямоугольный пластмассовый 239.24-2 (К500ИП181);
прямоугольный металлокерамический 405,24-1 (К500ИП181Т1,
320
Таблица 2-113
Обозначение параметра К500НР400М', К500НР400Т
Сопротивление резистора Rlf Re, Rs, Ом: не менее не более 230 310
Сопротивление резистора R2, Rs, -ft,, R3, Rt,
Ом:
не менее не более 425 575
Таблица 2-114
Обозначение параметра К500ЛМ105М. К500ЛМ105Т К500ЛЛ110М, К500ЛЛ110Т К 500ЛЕ HIM, К500ЛЕ111Т
/,,от, мА, не более 21 38 38
/вх, мкА, не более 265 435 435
/вх, мкА, не менее 0,5 0,5 0,5
^вых.пор, В, не менее —0,98 —0,98 —0,98
^вых.пор, В, не более —1,63 —1,63 —1,63
^дгр.ср, нс> не более 2,9 3,5 3,5
Таблица 2-115
Обозначение параметра
К500РУ401, К500РУ401М
/11от, мА, не менее
/вх, мкА, не более
(/вых, пор, в, не менее
(/вых,пор, В, не более
Гц, сч, не, не более
/вх, мкА, не более
(Уп.ст.мВ, не менее*
(7п, ст, мВ, не менее**
70
50
(выводы 4, 5)
150
(выводы 6, 7, 10—15}
—0,98
—1,65
10
140
100
160
* ^п ст — статическая помехоустойчивость по уровню логической «1».
»• ст ~ статическая помехоустойчивость по уровню логического «О»
*11 н/p Тарабрина Б, В,
321
Таблица 2-116
Обозначение параметра К500ЛМ101. К5С0ЛМ101Т 1 К500ЛМ102, К500ЛМ102Т К500ЛП115.1 К500ЛП115Т К500ЛП107, К500ЛП107М К500ЛМ109. К500ЛМ109М К500ЛК117, К500ЛКИ 7М
/пот. МА: не менее — — 28 28 14 26
не более 26 26 — — — —•
1вх, мкА, не более 500 (вывод /2) 265 (выводы 4, 7, 10, 13) 265 100 350 (выводы 4, 9, 14) 265 (выводы 5, 7, 15) 265 265 ( ВЫВОДЫ 4—7. 10—13) 355 (вывод 9)
/вх, мкА, не менее 0,5 0,5 — 0,5 0,5 0,5
7ут,вых1 мкА, не более — 1 — — —•
£/вых,пор> В, не менее —0,98 —0,98 —0,98 —0,98 —0,98 —0,98
f^Bbix.nop» В, не более —1,63 —1,63 —1,63 —1,63 —1,63 — 1,63
гзд>р>ср, нс, не более 2,9 2,9 2,9 3,9 2,9 3,4
f/п.ст, мВ, не менее 155 155 155 155 155 155
Un.cr, мВ, не менее 125 125 125 125 125 125
Таблица 2-117
Обозначение параметра К500ЛС118М К50СЛСП9М К500ИД161М К500ИД162М К500ИД164М
/пог, мА, не менее 26 26 125 125 125
/вх, мкА, не менее 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5
/вх, мА, не более 0,265 (выводы 3—7, 10—14) 0,37 (вывод 9) 0,265 (выводы 3—7, 9, 11—15) 0,37 (вывод 10) 0,265 0,265 0,265
//вых.пор, В, не менее —0,98 —0,98 —0,98 —0,98 —0,98
Ulbix.nop, В, не более —1,63 —1,63 —1,63 —1,63 — 1,63
'зд>р> ср. нс, не более 3,4 3,4 6,0 6,0 8,0
322
Таблица 2-118
Обозначение параметра К500ЛК121, К5С0ЛК121М К500ТМ130, К500ТМ130М К500ТМ134 К600ТМ134М
Лют 26 35 55
^/вых.пор, В, не менее —0,08 —0,98 —0,98
/'вмх.пор, В, не более —1,63 —1,63 —1,63
/вх, мкА, не более 265 220 220
(выводы 4—7, (выводы 6, (выводы 6, 9,
9, 11—15) 11) 10, 11)
355 265 290
(вывод 10) (вывод 9) (выводы 4, 5,
285 12, 13, 7)
(выводы 4, 5,
7, 10, 12 13)
/вх, мкА, не менее 0,5 0,5 0,5
г'зд, р, нс, не более 3,4 — —-
по входу D — 3,5 4,0
по входу С 4,0 3,5
по входу S 4,7
по входу R — 3,5 —
/"д.р, нс, не более 3,4 — —
по входу D —— 3,5 4,0
по входу С — 4,0 5,5
по входу S — 3,5 4,7
Таблица 2-119
Обозначение параметра K500J1E106T, К500ЛЕ106М К500ЛП116Т, К500ЛП116М K500TM13IT, К500ТМ131М К500ТМ133Т, К500ТМ133М
/иот, мА, не бо- лее 21 21 56 75
/вх, мкА, не бо- лее 265 265 330 (выводы 4, 5, 12, 13) 220 (выводы 6, 11) 245 (выводы 7, 10) 265 (вывод 9) 265 (выводы 3, 7, 9, 14) 350 (выводы 4, 5, 10, 12) 500 (вывод 13)
/вх, мкА, не менее 0,5 — 0,5 0,5
11*
323
т а б л и ц а 2-120
06Т. С6М 16Т, 16М ГО со ззт, ззм
Обозначение Ес 5?
параметра I/O1 LCOt
22 и: щ XX 22 22
//пых .пор, В, не менее —0,98 —0,98 —0,98 —0,98
^вых.пор, В, не более —1,63 — 1,63 —1,63 —1,63
/зд, р, нс, не более 2,9 2,9 .
по входу С —- — 4,5 5,4
по входу /? — —. 4,3
по входу S — — 4,3
по входу D — — 4,4
по входу G — — — 3,0
/зд, р, нс, не более 2,9 2,9 — ——
по входу С — — 4,5 5,4
по входу R — —— 4,3 5,4
по входу 8 — — 4,3 -—
по входу D — —- 4.4
по входу G — —— •— 3,0
/ут,вь,х, мкА, не более — 1,0 — -—
^ОП» Ь — -1,35-5-1,23 — —•
Таблица 2-121
Обозначение параметра К5.00ПУ124, К500ПУ124Т Кб(-0ПУ125, К500ПУ125Т
/пот (от источников отрица- тельного напряжения), мА, не более 66 40
/пог (от источника положи- тельного напряжения), мА, не более 25 52
/вх, мкА, не более 200 (вывод 6) 50 (выводы 5, 7, 10, 11} 115
/вх, мА, не более 12,8 (вывод 6) 3,2 (выводы 5, 7, 10, 11} 10
(/вых.пор» Б, не менее —0,98 2,5
t/вых.пор, В, не более —1,63 0,5
/зд.р, нс, не более 6 10
/зд, р, нс, не более 6 10
324
Таблица 2 122
обозначение параметра
К 5001-IP141
К500ИЕ1 и,
К500ИЫ1.5?
/пот, мА, не менее 120 150
/вх, мкА, не более 220 220
(выводы 5, 6, (выводы 5,
11, 12, 13) 6, И, 12)
265 265
(вывод 4) (вывод 7)
245 245
(выводы 7, 10) (вывод 10)
290
(вывод 13)
/вх, мкА, пе менее 0,5 0,5
Л'вых.пор, В, не менее —0,98 —0,98
t/'вых.пор, В, не более — 1,63 — 1,63
Од, р (по входу С), нс:
не более 4,3 4,5
не менее 1,0 ——
Од.р (по входу С), нс:
не более 4,3 4,5
не менее 1,0 —
Таблица 2-123
Обозначение параметра К5С-011Н J G0, К5(ЮИЕ160Т К 500 И и 179. К500ИН179Т К500И П180. К500ИП180Т К500ИП181, К500ИП181Т
/11ОТ* мА, не бо- 78 90 90 145
лее
/вх, мкА, не 265 350 350 245
билее (выводы 4, 7, И) 265 (выводы 4, 12, 7, 9) 265 (выводы 9, И. 19, 20) 220
(выводы 5, 9) 550 (выводы 5, 6, 10, 11) (выводы 10, 10, 18, 21) 200
(выводы 10, 13) 500 (выводы 13, 23) 290
(вывод 12) 425 (вывод 22) 265
(вывод 14) (выводы 15, 17. 14)
/вх, мкА, не 0,5 0,5 03 0,5
более
(/вых,пор» В, не —0,08 —0,98 —0,98 —0,98
менее
325
Таблица 2-124
Обозначение параметра К500ИЕ160, K5U0I-IE160Т К500ИП179, К500ИП179Т К500ИП180, К500ИП180Т К500ИП181, К500ИП181Т
С^вых.пор» В, не более —1,63 — 1,63 — 1,63 — 1,63
^зд?р)ср, нс» не более 8,0 2,9 2,9 11
7/п,ст, мВ, не менее* 125 125 125 125
//п.ст, мВ, не менее** 155 155 155 155
* Статическая помехоустойчивость по уровню логической «1».
*♦ Статическая помехоустойчивость по уровню логического «О».
Таблица 2-125
Обозначение параметра К500ЛП128 К500ЛП129
/пот, мА 97—73 172—80
i/вых.пор, не менее 2,5 —0,98
f^Bbix.nopj В, не более 0,5 —1,63
/вх, мА, не менее 0,0005 —0,001
—0,0005
//вых, В, не менее 2,5 —0,96 4-— 0,81
//вых, В, не более 0,5 -1,85 4-—1,65
/зд", р, нс, не более 16 18
/зд, р, нс, не более 16 18
/1|1’, нс, не более 15 4
/?Н, Ом 50 50
Таблица 2-126
Обозначение параметра К500ИВ165 К500ТМ173
/Пот> мА, не менее — 140 —66
£^вых,пор, В> нс менее —9,8 —0,98
С/вых(пор, В, не более —1,63 —1,63
4/п,ст, В, не менее 0,125 0,125
/вх, мА, не менее 0,0005 0,0005
326
Продолжение табл. 2-116
Обозначение параметра К500ИВ1С5 К500ТМ173
';пых, В —0,96 4- — 0,81 —0,95 4-—0,81
1 'пых, в —1,85 4-—1,65 —1,85 4-—1,05
'пд.р, нс, не более 18 (вывод 3) 12 (вывод 15) 4 (выводы 5, 6, 3, 4, 12, 13) 5,5 (вывод 9)
'зд,р, нс, не более 18 (вывод 3) 12 (вывод 15) 4 (выводы 5, 6, 3, 4, 12, 13 10. 11) 5,5 (вывод 9)
Р1», нс, не более 6 4,5
‘нс, не более 6 4,5
Таблица 2-127
Обозначение параметра К500ЛП11СМ, К500ЛП116Т
/,,от, мА, не более /'вых,пор, В, не менее О'вых.пор, В, не более /вх, мкА, не более мкА, не менее /v.r>BX, мкА, не более /Топ. В /"д, р, нс, не более /зд,р, нс, не более 21 —0,98 —1,63 265 0,5 1,0 —1,35 4-—1,23 2,9 2,9 Таблица 2-123
Обозначение параметра К5ООРУ4Ю, К50СРУ4И, К50СРУ412 | К500РЕ149 К500ЛЛ2ЮТ, К500ЛЕ211Т
/,,от, мА, не менее /вх, мкА, не более 130 50 (выводы /, 2, 3, 4, 9, 10. И, 12, 13, 14) 265 (выводы 5, 6, 7) 140 265 38,0 410
327
Продолжение табл. 2-128
Обозна некие параметра К500РУ4Н», К500РУ411, К500РУ412 K50CPEI49 К500ЛЛ210Т, К500ЛЕ211Т
/вх, мкА, не менее -20 (выводы 1, 2, 3, 4, 9, 10, 11, 12,13, 14) 50 (выводы 6', 5, 7) 0,5 0,5
//вых, В, не менее —1,0 —0,98 —0,98
//'вых, В, не более —1,6 —1,62 —1,63
/и,а, нс, нс более 45 .— —
/в)р, нс, не более —> 15 2,5
Таблица 2-129
Обозначение параметра
К5ССРУН8, К5ССРУ148М
1 нот, мА, не менее
/вх, мкА, не более
/вх, мкА, не менее
l/пор, В, не менее
t/пор, В, не более
1/к.х, В
//вых, В
/восзп» Ис
t не**
'сх>сч,р, bk-
/в,а, не, не более
/В1М, нс, не более
120
265
0,5
—0,98
—1,63
—0,96 4-—0,81
-1,99 4-—1,65
15
3
15
12
* ^во-»зп — вРеМЯ восстановления сигнала записи;
* гсх» сч> р вРемя сохранения после сигнала разрешения.
Выводы: общий — /,/6‘; — U„, п — 8 (кроме К500НР400Т
К500НР400М, К500ПУ124, К500ПУ124Т, К500ПУ125, К500ПУ125Т
К500ИП181, К500ИП181Т, К500ЛП128, К500ЛП129).
Для микросхем К500ПУ124, К500ПУ124Т, К500ЛП128,
К500ЛП129 выводы: общий — 16, (для К500ЛП128 — выводы /, 9, 16,
для К500ЛП129 —выводы /, 16), ии^п1 — 8, им.п2 — 9 (для
К500ЛП128 — 14)\ для микросхем К500рУ125, К.500ПУ125Т выводы:
общий — 16, //„.п1 — 8, — 9, Uo„ /; дл\ микросхем К500ИП181,
К500ИП181Т выводы: общий — 1, 2, 4, UKJ—12.
Напряжение источника питания всех микросхем £/и.п = —5,2 В ь
±5% (у микросхем К500ПУ124, К500ПУ124Т, К500ПУ125,
К500ПУ12оТ, К500ЛП128, К500ЛП129 напряжение питания //и.Л1 =
— 5,2 В ±5%, //„ ,П2 = 5 Bi 5%),
328
СЕРИЯ К5П
Тип логики: ДТЛ.
Состав серии:
К511ЛА1—4 элемента 2И-НЕ.
К511ЛА2— 3 элемента ЗИ-НЕ.
К511ЛАЗ —2 элемента 4И-НЕ с пассивным выходом и расширением
по И.
К511ЛА4 —2 элемента 4И-НЕ с расширением по И.
К511ЛА5 —4 элемента 2И-НЕ с пассивным выходом.
К511ЛИ1—2 элемента 4И с расширением по И и открытым коллек-
торным выходом.
К511ПУ1 — преобразователь высокого уровня в низкий: 2 элемента
2И-НЕ и 2 элемента НЕ с расширением по И.
К511Г1У2— преобразователь низкого уровня в высокий: 2 элемента
2И-НЕ и 2 элемента с расширением по И.
К511ТВ1—2 //(-триггера.
К511ИЕ1—двоично-десятичный счетчик (универсальный декадный
счетчик с предустановом для систем промышленной авто-
матики).
К511ИД1 —дешифратор двоично-десятичного кода в десятичный.
Корпус прямоугольный металлокерамический 201.14-7. Выводы:
общий — 7, U„. п —14.
Напряжение питания всех микросхем (7И.П—-|-25 В ± 10%,
К511ИЕ1
329
К511ЛА1
8
co
К511ЛА5
К511ЛИ1
К511ПУ1
338
339
'Л'ИИЕ'Г
840
341
К511ИД1
343
342
Таблица 2-130
Обозначение парамэтра К511ЛА1, К511ЛА2. К511ЛА4 К511ЛАЗ, К511ЛА5 К511ЛИ1 К511ПУ1 К511ПУ2
С'вых» не более ^вых» В, не менее 'вых* мА 'вх п0 расшири- тельным входам, мА 'вх по остальяым входам, мА, не более /* , мА, не бо- лее 4д, р- нс> не б°- лее 'эд, р’ нс> не б0’ лее ^раз 'п0Т, МА» но бо- лее /пот* МА» не бо- лее 1,5 12 -1,33 —0,48 0,005 150 300 25 30 (К511ЛА1) 22,5 (К511ЛА2) 15 (КБ11ЛА4) 10 (К511ЛА1) 7,5 (К511ЛА2) 5 (К511ЛА4) 1,5 12 -1,33 —0,48 0,005 150 400 25 15 (К5ПЛАЗ) 30 (К511ЛА5) 5 (К511ЛАЗ) 10 (К511ЛА5) 1,5 0.1 —1,33 -0,48 0,005 200 250 200 12 9 0,45 0,03 (ивь,х = 5-5 В) 0,1 (Увых=!6-5 В) —1,33 —0,48 0,005 150 300 35 24 10 Таблица 1.5 12 —1,33 —0,48 0.005 150 300 20 10 2-131
Обозначение параметра К511ТВ1 К511ИЕ1 К511ИД1 Режим
/цОТ> М-А 35 36 30 —
t/вых» В, не бо- лее 1,5 1,5 1,5 /н = 12 мА, 13,5 В
^вых- В- не ме- 12 12 55 /н= —0,2 мА, ^.п=13,5 В
нее — 15 — /и= —0,2 мА, (7И.П = 16,5 В
344
Продолжение табл. 2-131
Обозначение параметра К511ТВ1 К511ИЕ1 К511ИД1 Режим
;/вых> В> не ме- нее 13,5 13,5 — и.п = 15 В
/»х > мА — 0,48 (входы 1, 13) — 0,64 (входы 2—4, 10-12) -0,48 (входы 5, 6) -2,56 (вход 8) 0,64 (входы 2, 4, 9, 12) — 0,48
7ВХ’ мА 0,005 (входы 2, 3, 11, 12) 0,01 (входы 1, 4, 10, 13) 0,005 (входы 2, 4—6, 9—12) 0.02 (вход 8) 0,005
Сц, р, нс, не бо- лее 400 403 — —
р, нс, не бо- лее 600 600 — —
РАЗДЕЛ ТРЕТИЙ
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
В настоящем разделе приводятся численные значения электриче-
ских параметров, электрические принципиальные схемы и схемы вклю-
чения аналоговых интегральных микросхем, выпускаемых отечествен-
ной электронной промышленностью. На схеме включения, как правило,
изображены только те выводы, элементы, их соединения, которые необ-
ходимы при измерении электрических параметров. Если нет указания,
что значения параметров сохраняются во всем диапазоне рабочих тем-
ператур, установленном для микросхем данной серии, эти параметры
соответствуют нормальной температуре окружающей среды,
СЕРИИ 101 и К101
Состав серий:
101КТ1А- 101КТ1Г, КЮ1КТ1А —КЮ1КТ1Г-прерыватель.
К101УТ1А —К101УТ1Б — усилитель постоянного тока.
Корпус круглый металлостекляпный 301.8-2
101КТ1А-101КТ1Г;К101КТ1А-К101КТ1Г
. 3 К101УТ1А-К101УТ1Б
2 1 * т i -5
5 1 Це™ й| 1 Коммутируемая
-г управления 1 цепь
8 ) 5 7
*) 7 *— —
346
Таблица 3-1
Обозначение параметра 101КТ1А И й 101КТ1В 101КТ1Г К101КТ1А К101КТ1Б К.101КТ1В 1 KioiKTir 1
^ЭЭ, макс, В* 6,3 6.3 3,0 3,0 6,3 6,3 3,0 3,0
^БЭ, макс, В 6,5 6,5 3,5 3,5 —• — — —
^КБ, макс, В** 3,5 3,5 3,5 3,5 — — '— —
^К. макс, ^Э, макс ’ 10 10 10 10 — — — —
^КВ, пр* в 0,6—0,9 0,6—0,9 0,6—0,9 0,6—0,9 — — — —
^ВЫХ, ОСТ’ мкВ 50 150 50 150 100 300 100 300
^ЭЭ’ 0м» ие более*** 100 100 100 100 120 120 120 120
^ут. вых* нД не более 10 10 10 10 40 40 40 40
* Максимальное допустимое напряжение между эмиттерами.
♦♦ Во всем диапазоне температур.
**♦ Сопротивление открытого ключа (между эмиттерами).
Таблица 3-2
Обозначение параметра К101УТ1А К101УТ1Б
ин.и, в /Б, мкА, не более 9±10% 9jtl0%
15 30
1К. макс- мА 10 10
иК.Э, макс- В 12 12
^ЭЭ, макс* В 3,0 3,0
/КБО, мкА> не более 0,5 1,0
Рцог. мВт 150 150
СЕРИЯ КИ8
Состав серии?
К118УН1А—КН8УН.1Д — усилитель двухкаскадный.
К118УН2А — К118УН2В — усилитель каскодный.
КИ8УД1А —КН8УД1В — однокаскадныи дифференциальный УПТ.
КН8УША— КП8УШГ —видеоусилитель.
К.118ТЛ1А —КП8ТЛ1Д— триггер Шмитта.
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1.
347
К118УН1А-К118УН1Д
К118УН2Д-К118УН2В
К118УД1А-К118УД1В
348
К118УП1А-К118УП1Г
К118ТЛ1А-К118ТЛ1Д
~^'и.п2
ивых
Таблица 3-3
Т ип мнк рос хе мы и* , в И. п Л U ие менее н.: частотах ^вых’ В, нс ме- нее** «вых- кОм и***, вх В, не более «вх. кОм, не менее
1'2 кГц 5 Ml и
КП8УН1А + 6„3 250 30 1,0 1,2—3.0 1,2 2.0
К118УН1Б + 6.3 400 30 0,5 1,2—3,0 1,2 2,0
К118УН1В + 12,6 350 50 2 2 1,2-3,О 1,2 2,0
К118УН1Г 4-12,6 500 50 1,8 1,2—3,0 1,2 2,0
КП8УН1Д + 12,6 800 50 1,8 1,2—3,0 1,2 —
К118УП1А + 8,3 900 — — — —
К118УП1Б + 6,3 +1 ‘2,6 1300 — —. — — —
К118УП1В 1500 — — —• — —
КИ8УП1Г + 12,6 2000 — — — — —
* Допускаемое отклонение + 10%,
** При Кг = 5%.
»** Постоянное и переменное.
349
Таблица 3-4
Обозначе- ние пара- метра К118УН2А К118УН2Б КН8УН2В К118УД1
А Б В
(7ц.п1> В* +4,0 +6,3 +6,3 +4,0 + 6,3 +6,3
(/„.ns. В* А’вых» кОм —- — — —4,0 —6,3 —6,3
1,2—3,0 1,2—3,0 1,2—3,0 3—7,0 3—7,0 3—7,0
^вх> кОм, не менее 1,0 1,0 1,0 6,0 з,о 6,0
^Л?х> макс» мВ 100 100 50 — —- —
1 „х, мкА, ис более —- — 10 10 20
Д/„х, мкА 1 1 — —" ±2,0 ±2,0 ±4,0
^сф- нх>^ — — — ± 2,0 ±3,0 ±3,0
^вх» В — — — — 2 + + + 1,0 — з + + +1,о — 3-ь ++1,о
^у. U' '!С менее** 15 25 40 15 22 22
Л'у. и, .# * * •— — 5,0 8,0 8,0
* Допускаемое отклонение + 10%.
** На частоте f — 12 кГц.
*** На частоте/ = 5 МГ ц.
Таблица 3-5
Обозначение параметра К118ТЛ1А К118ТЛ1Б К118ТЛ1В К118ТЛ1Г К118ТЛ1Д
(/„.т, В* +з,о +4,0 +4,0 +6,3 +6,3
(/„. пэ. В* —3,0 —4,0 —4,0 —6,3 —6,3
/вх, мкА, не более 20 40 20 40 20
(/ерб, В 0—0,35 0—0,35 0-0,35 0—0,4 0—0,4
^атпг В 0 + 0 + 0 + 0-J-—0,7 0 4- —0,7
-I 0,35 4 0,35 4 0.35 «
^вых» мин» В — 0,4 + — 0.4 4- -0,4 + — 0,4 4- — 0,4-4-
+ + 0,9 + + 0,9 + + 0,9 + +1,2 + +1,2
^вых» макс» В + 3,75 -4- + 3,75 -4- + 6,0 + + 6,0 +
4- + 3,05 + + 4,05 + + 4,05 + + 6,35 + ± 6,35
* Допускаемое отклонение -f 10%.
350
СЕРИИ 119 и К119
Состав серий;
119УТ1, К119УТ1 119УН1, КП9УН1 119УН2, КН9УН2 119УИ1, КН9УИ1 119УЕ1, КП9УЕ1 119АГ1, К119АГ1 — усилитель постоянного тока. — усилитель входной. — усилитель. — видеоусилитель. — эмиттерный повторитель. — элемент ждущего блоклнг-генера- тора.
119ГГ1А—119ГГ1В, К119ГГ1 —мультивибратор с самовозбуждени- ем.
1 19ТЛ1, К119ТЛ1 —чувствительный триггер Шмитта,
119ДА1А, 119ДА1Б, К119ДА1—детектор АРУ.
119МА1А, 119МА1Б, KI 19МА1 — регулирующий элемент АРУ,
119ПП1, КИ9ПП1 —диодный мост.
119CBIA, 119СВ1Б, К119СВ1 — пропускатель линейный.
119КП1, К119КП1 —коммутатор.
119СС1А, 119СС1Б, К119СС1А, —элемент схемы частотной селекции.
КН9СС1Б
119СС2, КН9СС2 —элемент схемы частотной селекции
активный.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14-4
351
13
119УН1;ШУН1
352
119УЕ1;К119УЕ1
13 6 Ч
5 12 2 11 9
119АП "}К119АГ1
119ГГ1А ~119ГГ1В;К119ГГ1
12 4 Б 10
12 п/р Тарабрина Б. В.
ивы*
353
119ТЛ1>К119ТЛ1
119ДА 1А; 119ДА 1Б; К119ДА1
354
119 ПП1; Д' 119 П /77
13
119СВ1А; 119СВ1Б; К119СВ1
119КП1; К119КП1
355
12*
356
Таблица 3-6
Обозначение параметра 1 119УН1 К119УН1 S К119УН2 119УТ1 1 КН9УТ1
^.ПГ В* 4 6,3 4-6,3 4-6.3 +6,3 +6.3 46,3
^И.ПЗ-6’ -6,3 -6,3 -6.3 -6,3 —6,3 —6.3
^пот!’ h’A* не бо- лее 1.2 2.0 2.5 2.5 1,8 2.5
Люта’ мА> не б°- лее 1,2 2.0 2,5 2,5 1,8 2.5
Лу’ г/ 3.2 ± 20% 24—5.0 ю ± 20% 10 + 30%, 4,2 ± 25% 2-5
URV В4, не бо- лее о,з 0,5 0.5 1,0 03 05
/?вх, кОм, не ме- нее 5.0 4,0 — — 5,0 4,0
^вых’ в- не ме- нее* ** 0,75 0,70 0.80 0,70 0,70 0,70
* Допускаемое отклонение ±10%.
"• На частоте 10 кГц.
1* При КГ<Ю%,
Д Действующее значение.
Таблица 3-7
Обозначение параметра П9УИ1 ! КП9УИ1
4/в.п, В* +6,3 + 6,3
/ПОт, МА. не более 6,0 6,0
4. U** 4—10
4х. А’ В 0,1—1.0 0,1 —1,0
^й, вх, МКС 0,3—500 0,3—500
л. В, не менее 6 о! X , А ’ ’ з.о 2,0
* Допускаемое отклонение Ю%«
•* При длительности импульсов 1 — 2 мкс и частоте следования 2 кГц.
Табл и ц а 3-8
Обозначение параметра
iVni. в*
Ua. п2> В*
357
Продолжение табл. 3-8
Обозначение параметра 119УЕ1 К119УЕ1
Люто мА, не более 1,3 2,5
/ПОт2> мА, не Солее 1,3 2,5
А., Гц 0 20
fB, МГц 0,55 2,0
0,8 0,7
UBX, В (эфф), не более 1,5 1,5
RBX, кОм 13—30 5s 10
1/вь,х, В, не менее*** 0,6 0,5
^0, вых» 4-0,1 4 0,08 4-0,2 4- —0,2
* Допускаемое отклонение +10%.
** Для синусоидального сигнала с частотой 1 кГц.
••• При Лг«10%.
Таблица 3-9
Обозначение параметра 119АГ1 К119АГ1 119ГГ1А
П 14* ии.п» ° +6,3 +6,3 +з,о
/пот, мА, не более 2,5 3,0 6,0
г/ 14** Ubx,A* й 3,5 + 10% 3,5 —
/вх» кГц, не более 100 100 —
^И.ВХ» 0,2—0,4 0,2—0,2 —
/ф, вх, мкс, не более 0,1 0,1 —
Г'вых.и, А’ мкс> не более 4,5 3,0 1,4
61, вых, В, не менее 0,5—1,4 0,3—1,4 Ю 20***
/ф, вых, мкс, не более 0,15 0,30 0,25
^с,вых, мкс> не более 0,40 0,50 0,8л
Пп, В, не хуже 0,6 0,5 —
/?Н1 кОм 1,0 1,0 —
Продолжение табл. 3-9
Обозначение параметра 119ГГ2Б 119ГГ2В К119ГГ1
1/и.п, В* +3,0 +з,о 4-3,0
/пот, мА, не более 6,0 6,0 6,0
^вх.А- В** — — —
fBX, кГц, не более — — —.
Лв их» мкс —“ •— ——
858
Продолжение табл. 3-9
Обозначение параметра 119ГГ2Б 119ГГ2В киэТп
^Ф,вх> мкс, не более — 0,5
^вых.и. А* ЫХС- »е более — — 1,0
'„.вых, В, не менее Ю—20*** 10—20*** 7—25***
'ф. вых, мкс, не более 0,55 0,85 0,5
'с. вых, мкс, не более 1,8Л 1,8Д 1,8
* Допускаемое отклонение + 10%.
** Полярность положительная.
*** Зависит от параметров навесных элементов.
Д От уровня 0,9 до уровня 0,3.
Таблица 3-10
Обозначение параметра П9ПГИ КН9ПГП
fR, МГц, не менее 2,0 1,0
!пк, мА, не более 10 10
ЛП1[/ не менее* 0,6 0,5
/„т,вх, мкА, не более** 1,0 —
/?и, кОм 1,5 1,5
1 j t? * £ ♦ с/вх.макс> u 10 10
* В режиме выпрямления несущей частоты f = 10 кГц.
** При обратном напряжении 6,3 В.
*** Действующее значение.
Таблица 3-11
Обозначение параметра ПЭМА! А 119М А1Б К119МЛ1
Напряжение источника питания U,. п, В* -4-6,3 + 0,3 + 6,3
Максимальное входное напряжение // R** <^вх.макс» D 0,5 0,5 0,5
Верхняя граничная частота /в, МГц, не менее 0,2 0,2 0,2
Коэффициент ослабления при /рег = 0 I дубина регулирования коэффициента ослаблении: 2,6—5,7 2,0—8,0 2,0—9,0
при /рег = 50 мкА не менее 16 5 —
при 7рег= 100 мкА не менее 50 16 5
4 Допускаемое отклонение + Ю%«
Действующее значение.
359
Таблица 3-!2
Обозначение параметра П9ДА1А. П9ДА1Б К119ДА1
1) Р,* vti. п» ь /пот» мА, не более ^п,и менее** ^вхт макс» В*** /и, Гц /в» кГц ** D^OnyCt<aeMOe ОТКЛОН€ИИС + п режиме выпрямления нес * Действующее значение. —6,3 1,0 1,2 3,0 5 40 10 %. ущей частоты / = 1о кГц. —6,3 2,0 0,6 3,0 5 40
Таблица 3-13
Обозначение параметра 119ТЛ1 КПэТЛ!
В* ^И.П2> В* Лют, мА, не более 7?вх, Ом, не менее Гн, Гц f«, кГц ип, в** </„х. В*** Гистерезис, В ^ВЫХ.Срб, В Т^вых.отп, В ^Срб> В Т^отп, В +3 —3 3,5 800 0 100 1,5 2,5 4- +2,5 0 4- 0,08 +2,0 — 1,0 0 <. 0,08 0 + 0,08 +3 —3 5,0 0 100 2,0 —2,5 4- +2,5 0,15 + 1,3 -0,7 0 + 0.25 0 ± 0,25
’ Допускаемое отклонение +49%. * * Действующее значение переменного Постоянное входное напряжение. входного Напру женпя.
Таблица 3-14
Обозначение параметра 119КП1 к. 1 НКЛ1
I] Р.* Ь'и.п, Ь /пот, мА, не более ^пот, мкА, не более /вх» мА, не более /у1 R** ^вх.макс’ и JJO П** вх, макс» ° +3,0 2,6 3,5 1,0 2,0—3,0 -3,0-0 +3,0 3,0 10 1,0 2,0—3,0 —3,0—0
* Допускаемое отклонение +10%. ** Действующее значение.
119СС2. К.119СС2 + 12 1,0 3,0 0,9.5 (одной СЙИДИИ) 5 20
| КП9СС1Б ю ст. £2 ю о о . । о сч .ст о io о . j со r-Г со 1 1 L° © I 1
КИ9СС1А i ш гО £2 »о о о , , О ОТ СТ о" lO о . 7 оэ - со 1 1 о о I сч I
119СС1Б 1 S £2 Ю О О , I о сч ст о ю о , со" —Г со" 1 1 g о" j 1 о"
119СС1А Ю О'] LO А, £_! Ю О О I , О CN ст о ю о . со" —? СО" 1 1 § О | 04 1 о
КП9СВ1 со со о ю о f 1 1 f f I I s- I I i s-
119СВ1Б —6,3 2,5 —6,3 —4,0 0,7 1 0,35
119СВ1А co CO О Ю o" » t о ’’ф" » । °9. । j । сч | CM 1 1 | | 1 1 о 1 1 1 о
Обозначение параметра CJ о * * go) ГЕ * * О Е» CD о 'О § s Ч 8 £ '° 2 40 3 S СО о - СП *<+= m X “ S 5 “ s = I “ X - 8 « X “ е 12 - а г. £—< bi н s°gcaeca«t-C < Д - о
* Допускаемое отклонение + 10%.
” ПРИ Увых = 2В-
»’ При Увх2 = 0.
д Коэффициент передачи цепи обраткой связи.
360
361
СЕРИИ 123 и К123
Состав серий!
123УН1А — 123УН1В, К1УС231А —К1УС231 В—усилитель НЧ.
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-1.
1ШН1А-12ЫШ; К1УС231А-К1УС231В
Электрические параметры
^п.п..............................................6,3 Вт-10%
пот не оолее........................................ 15 мВт
/<>х не менее......................................... 10 кОм
^'вх.макс........................................... 0,5 В
А, .................................................. 20 Гц
/в .................................................. 100 кГц
Остальные параметры микросхем серий 123 и К123 при сопро-
тивлении нагрузки Лн2м500 кОм приведены в табл. 3-16.
Таблица 3-16
Обозначение параметра 123УН1А 123УН1Б 123УН1В К1УС231А К1УС231Б К1УС231В
^у, и 300—500 100—350 30—120 300—500 100—350 30—500
Л г. %, не более* 2,0 2,0 2,0 2,0 2,0 2,0
Л’„р,АЧ> ДБ> нс более 1,4 1,4 1,4 — —
k HI.ИХ» мВ, не более 2,0 1,5 1,0 —— — —•
^ных» Ом, не более 100 100 100 200 200 200
* Для микросхем 123УН1А—123УН1В при У =0.8 В, для микросхем
К1УС231А-К1УС2ЯВ при ^п„.^0,5 В.
362
СЕРИИ 124 и К124
Состав серий:
124КТ1А, 124КТ1Б, К124КТ1—прерыватель.
Корпус круглый металлостеклянйый 301.8-2,
12Ш1А; 12Ш1Б;К12ЩТ1
3
Таблица 3-17
Обозначение параметра 124КТ1А 124КТ1Б К124КТ1
t/0CT, мкВ, не более 100 200 300
/ут, вых. иА, не более 45 45 50
/?ээ, Ом, не более 100 100 100
Оээ, В, не более ±30 ±30 ±30
Примечание. Все параметры измеряются между выводами эмиттеров.
363
СЕРИИ 129 и К129
Состав серий:
129НТ1А-1— 129НТ1И-1, 1 —пара транзисторов структуры п-р-п
К1НТ291А— К1НТ291Ж, ? (базовые элементы дифференциального.
К1НТ291И J усилителя).
Бескорпусные микросхемы с герметизацией компаундом,
'123НТ1А-1 ~ 129НТ1И-1
К1НТ291А-К1НТ291И
Электрические параметры микросхем
Рассеиваемая мощность Ррас не более...............15 мВт
Коэффициент передачи тока Л2и при f = 50 Гц, £/КБ = 5В,
/э=1 мА:
129HTJA-I, 129НТ1Г-1............................ 30—90
К1НТ291 (А, Г).................................. 20—80
129НТ1Б-1, 129НТ1Д-1............................. 60—180
К1НТ291 (Б, Д) .................................. 60-180
129НТ1В-1, 129НТ1Е-1............................... >80
К.1НТ291 (В, Е)................................ =—80
129НТ1Ж-1, 129НТ1И-1 ............................ 40—160
К1НТ291 (Ж, И)................................. 40-160
Отношение коэффициентов передачи тока не менее:
129НТ1 (А-1, Б-1, ИС-1)......................... 0,90
К1НТ291 (А, Б, В, Ж)........................... 0,85
129НТ1В-1..................................: . . 0,92
К1НТ291 (Г, Д, Е, И)........................... 0,75
129НТ1 (Г-1, Д-1, Е-1, И-1).................... 0.80
Модуль коэффициента передачи тока при [=100 МГц не
менее:
КШТ291А-К1НТ291И............................... 2,5
129НТ1 (А-1, Г-1, Д-1, Е-1.Ж-1, И-1)........... 2.5
129НТ1Б........................................ 3 5
129НТ1В........................................ 4,5
Обратный ток коллектора при (7КБ = 15 В не более:
129НТ1 ............................................ 20 нА
КШТ291 ........................................ 200 нА
364
Обратный ток эмиттера /БЭО при (?ЭБ=4 В не более:
129НТ1 .......................................... 50 нА
К1НТ291 ......................................... 500 нА
Максимально допускаемое напряжение коллектор — база
^КБ, макс*'
129НТ1 ........................................... 20 В
К1НТ291........................................... 15 В
Ток утечки между транзисторами /ут не более (129НТ1) . . 10 нА
Разность прямых падений напряжения эмиттер — база не
более:
I29HT1 (А-1, Б-1, В-1, Ж-1), К1НТ291 (А, Б, В, Ж) 3 мВ
129HTI (Г-1, Д-1, Е-i, И-1)....................... 10 мВ
KIHT291 (Г, Д, Е, И).............................. 15 мВ
Начальный ток коллектора /кзо не более (129НТ1) .... 50 нА
Емкость коллекторного перехода Ск не более:
129НТ1 ......................................... 3 пФ
К1НТ291............................................ 4 пФ
Емкость эмиттерного перехода Сэ не более:
I29HTI, К1НТ291.................................. 4 пФ
* Во всем диапазоне рабочих температур.
СЕРИИ 140, К140, КР140
Состав серий:
140УД1А, 140УД1Б, К140УД1А,—операционный усилитель.
К140УД1В.Б
140УД2А, К140УД2А, К140УД2Б —операционный усилитель.
14ОУД5А, 140УД5Б, К140УД5А, — операционный усилитель.
К140УД5Б
140УД6А, 140УД6Б, К140УД6 — операционный усилитель с ма-
лыми входными токами и внут-
ренней коррекцией.
140УД7, К140УД7 —операционный усилитель с внут-
ренней коррекцией амплитудно-
частотной характеристики, за-
щитой входа и выхода от ко-
140УД8А, 140УД8Б, К140УД8А,
К140УД8Б, К140УД8В
140УД9
К140УД11
140УД13; К140УД13
140УД14
ротного замыкания и установ-
кой нуля.
— он грационный усилитель.
— операционный усилитель.
— быстродействующий операцион-
ный усилитель.
— прецизионный усилитель посто-
йного тока с дифференциаль-
ными входами.
— операционный усилитель.
365
140МА1А, 140МА1Б, K140MAI —балансный модулятор (перемно-
житель).
140ХА1 — фазочувствительный усилитель-
преобразователь.
КР140УД1А— КР140УД1В —операционный усилитель.
Корпус круглый металлостекляпный 301.8-2, 301.12-1 —для мик-
росхем серии 140, К140; корпус прямоугольный пластмассовый
201.14-1 —для микросхем серии КР140.
1Ц0УД1А,Б;К1Ч0УД1А,Б,В
1Ч0УД5(А,Б) ;К1ЮУД5(А,Б)
366
'1ШД2;К1ШД2^,Б)
367
ЩОУДЗ(А,Б) ;К1Ч0УД8(А,Б) 3
1Ч-0УД7; К1Ч0УД7
369
368
ue
(9‘vjLWm
oze
KP140Vfi1(A-B)
372
Г а б л и ц а 3-1J
Обозначение параметра 140УД1А 140УД1Б К140УД1А К140УД1Б К140 УД 1В
t/и. П1, В * +6,3 +12,6 +6,3 4 12,6 + 12,6
<+И. п2, В * —0,3 —12,6 —6,3 —12,6 —12,6
/пот, мА, не более 6,0 12,0 — —
'<у, и 600—4500 1600— 11 500 500—4500 1350— 12 000 SOOO
/вх, мкА, не более 6,0 9,0 7,0 9,0 9,0
Uсм, мВ, не более ±7,5 ±7,5 ±17 ±17 ±17
Д/вх, мкА, не более ±1,7 ±1,7 ±2,5 ±2,5 ±2,5
/Сое. сф» ^0- 60 60 — — —
лее
t/вых. В +2,9 —2,4 +5,7 —5,0 +2,8 —2,8 +6,0 —5,7 +6,0 —5,7
7?вх, кОм, не ме- 4,0 4,0 — — —
нее
/?вых> 0м. не более 700 700 — —
Рн, кОм, не менее 5,05 5,05 5,05 5,05 5,05
* Допускаемое отклонение значения напряжений питания микросхем
с индексом К не более ±5%, для остальных микросхем ±10%.
Таблица 3-19
Обозначение параметра 140УД2 К140УД2А К140УД2Б К140УД11 140УД9
^И. П1> В + 12,6 + 12,6 +6,3 4-18 4-12,6
t/н. И2, В —12,6 — 12,6 — 6,3 — 18 — 12,6
/лот, мА, не более 8,0 8,0 5,0 10 8.0
у. V 35 000— 150 000 35 000— 200 000 3000— 35 000 25 000 35 000
/8Х. мкА, не более 0,7 0,7 0,7 0,5 0,35
17см, мВ, не более ±5 ±5 ±7 ±10 ±5,0
Д/вх, мкА, не более 0,2 0,2 0,2 0,2 0,01
t/BUx. В ±10 ±10 ±3,0 ±12 ±10
^ос.сф, дБ, не менее 80 — — 70 80
Явх, кОм, не менее 300 — ~~ — 300
373
Табл и ц а 3-20
Обозначение параметра 140УД6А 140УД6Б К140УД6 140УД7 К140УД7
Уи.п1> В + 15 + 15 + 15 + 15 + 15
^И. П2> В — 15 — 15 — 15 — 15 — 15
/пот, мА, не более 2,8 2,8 4 2,8 3,5
«у,и 70 000 50 000 30 000 50 000 30 000
Т'вых, В + 12 —10 + 12 —10 ±11 ±11,5 ±10,5
/вх, нА, не более 30 50 100 200 400
7/см, мВ, не более ±5 ±8 ±10 ±4 ±9
Д/вх, нА, не более 10 15 25 50 200
Кос. сф* ДБ> не менее 80 70 70 70 —
RBX, МОм, не менее . 2 1 1 0,4 0,4
1?а, кОм, не менее — — — 2 2
Таблица 3-21
Обозначение параметра 140УД8А 140УД8Б К140УД8А К140УД8Б К140УД8В
<4. П1* В + 15 + 15 +15 + 15 + 15
UН. П2> В — 15 —15 —15 — 15 —15
/„от, мА, не более 5 5 5 5 5
Ку, U 5- 10* 5-104 5- 10* 5-104 2 • 10*
Д/вх,11 + не более 0,15 0,15 — —
JBX, нА, не более 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2
исы, мВ, не более 20 100 — — —
Т а б л и ц а 3-22
Обозначение параметра 140УД13 К140УД13 140УД14 140УД5 А 140УД5Б
<4. П1» В + 15 + 15 + 15 + 12 + 12
Ми.пг, В —15 —15 —15 —12 —12
^ВЫХ» В ±1,0 ±1,0 ±13 — —
Ку, у 10 10 50000 11 000 17 000
/вх, нА, не более 0,5 0,5 2,0 1000 5100
Д/вх, нА, не более 0,2 0,2 0,2 200 1500
UCM, мкВ, не более 50 50 +2000 7000 4500
Кос, сф, дБ, не менее 90 90 85 '— —
RBK, МОм, не менее 50 50 30 0,1 0,01
Квых, кОм, не более 10 10 — —
^ПОТ> 2 2 0,6 10 10
374
Т а б л и Ц а 3-23
Обозначение параметра КР140УД1А КР140УД1Б • КР140УД1В К140УД5А 1 К140УД5Б
гл» В +6,3 + 12,6 + 12,6 -4-12 + ’2
U',l. И2- В —6,3 —12,6 —12,6 —12 —12
'<у, V 500—4500 1350—12 000 8000 500 1000
7ВХ, мкА, не более 7,0 9,0 9,0 5,0 10
А/вх, мкА, не более 2,5 2,5 2,5 1,0 5,0
{/см, мВ, не более •+-7,0 ±7,0 ±7,0 + 10 ±5
(/вых, В +3,0 + 6,0 +6,0 +6,5 +6,5
—2,8 —5,7 —5,7 —4,5 -4>5
Т а б л и ц а 3-24
Обозначение параметра 140ХА1 140МА1А 140МА1Б К140МА1
^Ль п!» В +6,3 ±6 ±6 + 12
'+< П2, В —6,3 ±12 ±12 —12
*у, и — 2,9 2,9 2,8
7<пр 900—1500
{/вых, В ±1,8 3,0 3,0 2,8
1/св, вых. мВ, не более 20 — — —
^ПОТ1 МА 8 — — —’
/?|(Х, кОм, не менее 4 —— ——
— ±10 ±10 -+-14
см» упр» — ±20 ±20 -*~30
нх> упр» мкА — 12 12 15
ПХ. оп» — 40 40 50
СЕРИЯ КМ2
Состав серии:
К142НД1 —диодный мост.
К142НД2 —диодная матрица из четырех диодов
с общим катодом.
К142НДЗ —диодная матрица из четырех диодов
с общим анодом.
К142НД4, —две пары последовательно включенных
диодов.
К142НД5 —четыре изолированных диода.
К142ЕН2А —К142ЕН2Г' | — РегУлнРУемь,й стабилизатор напряжения.
Корпус металлокерамический 402.16-2,
375
378
К1Ч-8УН2
СЕРИИ 149 и К149
Состав серий:
149К Г1А—149КТ1В, ) токовый
К149КТ1А —К149КТ1В f ключ т 0 1
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14-4.
1Ч9КТ1; К1Ч9КТ1
КошаутируЕМыег
379
Напряжение источника питания;
149КТ1А, К149КТ1А.................................... 3 В + 10%
149КТ1Б, К149КТ15.................................... 5 В+10%
149КТ1В, К149КТ1В . ,..............................12,6 В + 10%
Рассеиваемая на корпусе мощность не более ......... 0,4 Вт
Входное обратное напряжение не более........... . 4 В
Входной ток не более , ............................ 50 мА
Таблица 3-27
Обозначение параметра 149КТ1А - 149КТ1В KI49KTIA - К149КТ1В
Jком- макс» мА* 200 120
1/'вх, В, не более** 1,6 1,9
U0ZT, В, не более 0,65 0,80
/gUX, мкА, не более 20 50
нс, не более 100 500
/2-1, нс, не более 300 —
* Во всем диапазоне температур.
•• Для открытой микросхемы /вх = 4 мА.
СЕРИИ 153 и К153
Состав серии:
153УДЦК153УД1
153УД1, К153УД1, 153УД2,
К153УД2, 153УДЗ, 153УД4,
153УД5А, 153УД5Б, К153УД5,
153УД.6
— усилитель операционный.
Корпус круглый металлостекляпный 301.8-2.
Напряжение источников питания всех микросхем кроме 153УД4:
UtI. п1 = + 15 В+Д0%; (7И. П2 = — 15 В±10%. Для микросхем
153УД4 1/и.п1 = + 6,0 В + 10%; 1/и. п2 = -6,0 В + 10%,
153УД2;К15ЫД2
381
380
153УДЗ
382
383
Таблица 3-28
Обоз и а чс i! !': п а р з ме 7 р л 153 УД 1 К133УД1А
/пот, мА, пе более 6 6
(20 80) • 10* (15-;- 80) - 10*
!ях, м:;Л, не более 0,6* 1,5
Uzu, мВ, пе более । 5** ± 7,5
Д/вх, мкА, не более 0,25*** 0,5
Хосеф- ДБ, иг менее 65 65
//вых, В, не менее ± 10 ± 10
Rnx, кОм, не менее 100 100
Хвых, 0м, не более 200 200
V,, В/мкс, не менее (У , UNA 1 ' 0,06 —
//Сф,пх, В, не более ± 8,0 ± 3,0
7/вх, В, не более 5,0 ± 5,0
/?н, кОм, не менее 2,0 2,0
* Средний температурный дрейф входного тока в интервале температур
от 20 до — 60°С не более 17 нА/°C.
** Средний температурный Дрейф напряжения смешения в интервале
температур от 20 до 125®С не более 30 мкВ/°С и в интервале температур от 20
до — 60’С ие более 35 мкВ/°С.
*** Средний температурный дрейф разности входных токов не более
5 нА/°С.
Таблица 3-29
Обозначение параметра 153 У Д2 153УДЗ 153УД6 К1-53УД2
Ху (7 50- КО 25-103 50- 10з 20- 103
(Л1Ь1Х, В, не менее ± 11 ± ю ± 10 •- 10'
</см, мВ, не более 5 2 2 7,5
/„х, нА, не более 500 200 75 1500
/пот, МА- не более 3 3,6 3
Д/вх, мкА, не более 0,2 0,05 0,01 0,5
Т а б л и ц а 3-30
Обозначение параметра 153 УД4 153УД5А 153УД5Б К153УД5
О'см, мВ, HS более 5 1,0 1,0 2,5
/вх, нА, ие более 400 100 100 125
Д/вх, нА, не более 150 20 20 35
5000 1 - 10» 1 - 10» 0,25-10»
ХОс,сф, ДБ, не менее 70 ПО 100 94
//вых, В. не менее ± 4,0 + Ю ± 10 ± ю
1,1пт, мА, не более 0,7 3,5 3,5 5,0
384
СЕРИИ 159 и К159
Состав серий:
159НТ1А—159НТ1Ж, 1 —пара транзисторов структуры п-р-п
К1НТ591А — K1HT59IE > (базовые элементы дифференциального
J усилителя).
Корпус круглый металлостеклянный 301.8-2.
159НТ1А-159НТ1Ж
К1НТ591А-К1НТ591Е:
Параметры микросхем
Коэффициент передачи тока в режиме большого сигнала |й21э|
159НТ1А, 159НТ1Г................................ 30—90
159НТ1Б, 159НТ1Д............................... 60—180
К1НТ591А. К1НТ591Г.............................. 20—80
К1НТ591Б, KlHT59ijr............................ 60—180
К1НТ591В, K1HT59IE............................ 80
159НТ1Ж....................................... 50
Отношение коэффициентов прямой передачи тока в режиме большого
сигнала не менее:
159НТ1А, 159НТ1Б............................. 0,90
159НТ1В.........•............................ 0,92
159НТ1Г, 159НТ1Д, 159НТ1Е.................... 0,80
КШТ591А, К1НТ591ТГКТПТ591В................... 0,85
К1НТ591Г, К1НТ591Д, К1НТ591Е................. 0,75
Разность прямых падений напряжений эмиттер — база, мВ, не более:
159НТ1А- 159НТ1Ж ............................. 3
159НТ1Г - 159НП.Е-............................ 10
К1НТ591А — К1НТ591Г........................... 3
К1НТ591Д, К1НТ591Е............................ 15
Остальные параметры каждого из транзисторов, входящих в на-
бор, приведены в табл. 3-31.
13 п;р Гарабрика Б. В.
385
Таблица 3-31
Обозначение параметра 15ЭНТ1А-159НТ1Ж К1НТ5Я1А-К1НТ591Е
|й21э! не менее 2,5 2,0
Ск, пФ, не более 3,0 4,0
С9, пФ, не более 4,0 5,0
/КБО, нА> не более 20 200
^КЭО* н;!1* не более 50 —
/ут. нА* 10 20
/ЗБ0, Ь’А, не более 50 500
* Ток утечки между коллекторами.
СЕРИИ 162 и К162
Состав серий:
162КТ1А, 162КТ1Б, I
К162КТ1 | —прерыватель.
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-3.
'162КТКА}Б}‘, К162КТ1
12 и* 'тг 1 » 1 I- f
у Ч Цепь Ю f управления 10 |> у Коммутируемая цепь 7
Ц 7
Таблица 3-32
Обозначение параметра 1Й2КТ1А 162КТ1Б KI62KTI
U0Ct, мкВ, не более* 100 200 300
/ут.вых, нА, не более* Сопротивление открытого 45 45 50
100 100 100
ключа, Ом, не более* иээ, В, не более** ±30 ±30 ± 30
^КБ.макс. В“ 20 20 —
^ЭБ.макс В** 31 31
• Между эмиттерами.
** Во всем диапазоне рабочих температур.
386
СЕРИЯ К167.
Состав серии:
К1С.7УН1 — усилитель НЧ.
К167УНЗ — предварительный усилитель НЧ.
Корпус круглый металлостеклянный 301.8-2.
Обозначение параметра К167УН1 К167УНЗ
4/и.п, В* /пот. мА, не более к ** Лу. и f«, кГц Л'ш, дБ Сих. пФ, не более 7^вых, кОм, не более Кг. %, не более Выходное напряжение покоя, В —12 5,0 500—1300 100 6,5 80 20 5 —12 6,0 100—150 100 300 1,6-2,5 4-7
* Допускаемое отклонение ±10%.
•• При /= 1 кГц.
СЕРИЯ 168
Состав серии:
168КТ2А — 168КТ2В — переключатель четырехканальный.
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-3.
13*
387
18Ш2(А,Б,В)
Таблица 3-34
Обозначение параметра 168КТ2А 168КТ2Б I68KT2B
^СП, макс’ В 10 15 25
^ИП.макс’ 10 15 25
^ЗП, маке В 30 30 30
^ком, макс» мА 20 20 20
/’макс, мВт 100 100 100
га, Ом, не более 100 100 100
/с ут, нА, не более 20 20 100
/Иут, нА, не более 20 20 100
/ч нА, не более 20 20 20
4кл> мкс> не более 0,3 0,3 0,3
^выкл, мкс, не более 0,7 0,7 0,7
^ЗИ.пор, в 3,0—6,0 3,0—6,0 3,0—6,0
Примечания! 1. Указанные в таблице максимальные значения на-
пряжений относительно подложки допустимы во всем диапазоне рабочих тем-
ператур.
2. Максимально допустимую мощность в милливаттах, рассеиваемую мик-
росхемой при температуре окружающей среды выше 4-85®С, рассчитывают по
Формуле
150*С-Ги
п ОКр
макс 0,7*С/мВт ’
3. Максимальный импульсный коммутируемый ток определяют, исходя из
условия испревышения мощности рассеивания и предельных ьлектрических
параметров.
4. Значения токов утечки указаны для значений напряжений Uq^ макс
иИП,макс 11 уЗП,макс соответственно.
5, Динамическое сопротивление гд измеряют при 1/^^ = —15 В.
388
СЕРИЯ К170
Состав серии:
К170УЛ1—четырехканальный однополярный усилитель воспроизве-
дения.
К170УЛ2— двухканальный усилитель воспроизведения с управляемой
полярочувствительностью.
К170УЛ4 —двухканальный двухполярный усилитель воспроизведения.
К170УЛ5 — двухканальный усилитель воспроизведения с управляемой
полярочувствительностью и триггерным выходом.
К170УЛ6 — двухканальный двухполярный усилитель воспроизведения
с триггерным выходом.
К170УЛ7— одноканальный высокочувствительный усилитель воспро-
изведения.
К170АА1 —два формирователя втекающих токов на 200 мА.
К170АА2 — формирователь втекающего тока на 500 мА.
К170АА4— формирователь вытекающего тока на 500 мА.
К170АА6 — два формирователя вытекающих токов на 200 мА с функ-
цией ИЛИ.
К170АП1 —два формирователя сигналов для линий связи блоков ЭВМ.
К170УП1—два усилителя сигналов для линий связи блоков ЭВМ,
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1 или 201.14-2.
Напряжение источников питания: С/И.п1=5 В ± 5%; Уи.п2 =>
=—5 В+ 5%.
389
Упра.влени.е
полярностью 1
390
391
К170A AS
392
Таблица 3-35
Наименование параметра К170УЛ1 К170УЛ2 К170УЛ4 К170УЛ5 К170УЛ6 К170УЛ7 К170АП1 j К170УП1
/пот на стробвходах, мА, не более /пот на стробвходе, входах управления каналами, управления полярностью, мА, не более /пот на стробвходе, входе управления каналами, мА, не более /'пот, мА, не более /пот, мА, не более выходной ток открытого СО- СТОЯНИЯ, мА, не более Выходной ток закрытого со- стояния, мА, не более 30 36 36 38 41 46 35 35 15 0,1 30
//вых, В, не более 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 — 0,4
/'вых, В, не менее 2,4 2,4 2,4 2,4 2,4 2 4 — 2,4
/б(’р, нс, не более (при С„ = 22 пФ) 45 60 60 — -— 60 — —
/"ci,р, нс, не более — — — — — 40 15 25
/’,дтР, нс, не более — — — 40 45 — 15 25
Таблица 3-36
Обозначение параметра К170АА1 К170АА2 К17ПЛАЗ KI70AA4 К170ЛА6
/Аот, мА, не более 30 27 4 (вывод /0) .5 (вывод 14) 5 (вывод Ю) 30
/йот, мА, не более 15 15 7 (вывод Ю) 10 (вывод 14) 7 (вывод Ю) 14 (вывод 7) 14
393
Продолжение табл. 3-36
Обозначение параметра IU70AA1 K17GAA2 K17SAA3 К170 АЛ 4 K17GAA6
t/ост. В 0,85—1,45 0,8—1,4 0,9—1,5 0,9—1,5 0,7—1,2
Выходной ток за- крытой схемы, мА, не более 0,025 0,05 0,2 0,1 0,025
Выходной ток от- крытой схемы, мА, не более — — — 2,5 —
/зд, р, нс, пе более 95 95 65 50 40
/зд, р, нс, не более 40 40 50 65 40
СЕРИЯ К174
Состав серии;
К174УН5 К174УН7 — усилитель мощности. — усилитель мощности звуковой частоты.
К174УН8 — усилитель мощности.
К174УР1 — усилитель ПЧ звукового канала телеви- зионного приемника.
К1УС744А — К1УС744Б — усилитель мощности.
К174УР2А — К174УР2Б —усилитель ПЧ изображения.
К174УРЗ — усилитель-ограничитель с ЧД и предва- рительный усилитель НЧ.
К174АФ1 — схема селектора и генератора строчной развертки.
К174АФ4 — получение R-G-B цветовых сигналов, регулировка насыщенности.
К174ХА1 — выделение цветоразностного красного (си- него) видеосигнала.
К174УП1 — усилитель яркостного сигнала, электрон- ная регулировка размаха выходного сиг- нала, привязка и регулировка уровня «черного».
Корпуса: схемы К174УН5, К174УН7 — прямоугольный пластмас-
совый 238.12-1; схемы К174УН8, К.1УС744 (А, Б) — прямоугольный
пластмассовый 201.9-1; схемы К174УР1, К174УРЗ — прямоугольный
керамический 201.14-6; схемы К174УР2 — прямоугольный пластмас-
совый 238.16-4; схемы К174ДФ1, К174АФ4, К174ХА1, К.174УП1 —
прямоугольный пластмассовый 238.16-2.
394
Электрические параметры микросхемы К174УР1
Напряжение источника питания........................12 В ± 10%
Ток потребления не более............................. 22 мА
Коэффициент передачи при /=1000 Гц не менее........ 6,0 мВ/кГц
Коэффициент подавления амплитудной модуляции при
/ = 6500 кГц, Д/ = 50 кГц............................ 46 дБ
Диапазон электронной регулировки передачи при / =
== 6500 кГц, А/= 50 кГц не менее................... 60 дБ
Электрические параметры микросхемы К174УР2
Напряжение источника питания.................. —12 В ± 10%
Ток потребления не более...................... 75 мА
Чувствительность............................... 500 мкВ (гр. А)
300 мкВ (гр. Б)
Размах выходного сигнала положительной и отри-
цательной полярности.......................... 2,4—4,2 В
395
Электрические параметры микросхемы К174УРЗ
Напряжение источника питания.................... 6 В + 5%
Ток потребления не более........................... 12 мА
Выходное напряжение НЧ при fKX=10,7 мГц, Д/=
= ±50 кГц, /нод=1 кГц не менее................... 100 мВ
Входное напряжение при ограничении не более........ 100 мкВ
Коэффициент гармоник не более...................... 2,0%
Коэффициент ослабления амплитудной модуляции при
fBX==10,7 МГц, Д/ = ±50 кГц, /ш=1 кГц............ 40 дБ
Электрические параметры микросхемы К174АФ1
Напряжение источника питания.........................
Ток потребления гте более............................
Амплитуда выходного строчного импульса...............
Длительность выходного строчного импульса............
Полоса захвата не менее..............................
12 В ±5%
54 мА
8,0 В
12—32 мкс
± 800 Гц
395
Электрические параметры микросхемы К174АФ4
Напряжение источника питания .......................12 В ±10%
i ок потребления не более............................. 55 мА
Полоса пропускания по яркостному каналу не менее . . 6,0 мГц
11олоса пропускания по цветоразностным каналам не ме-
нее .................................................. 1,5 мГц
11одавление перекрестных искажений не менее........... 36 дБ
Гходное сопротивление не менее....................... 100 кОм
Гмкость входа не более................................. 5 пФ
Электрические параметры микросхемы К174ХА1
Напряжение источника питания.......................12 В ± 10%
потребления не более.......................... 30—50 мА
i ’азмах выходного цветоразностного сигнала при В,, =
-= 100 кОм и А/= ±250 кГц....................... 1,1В
Нелинейность АЧХ при Д/ = ±250 кГц, %................. 5
397
K17WP1
Электрические параметры микросхемы К174УП1
Напряжение источника питания....................12 В±<5%
Ток потребления не более........................ 16—34 мА
Диапазон регулировки уровня «черного» не более . . 1,2—3,7 В
Нелинейность характеристики регулирования конт-
растности не более.............................. 0,1
Диапазон регулировки контрастности.............. 4—6 В
Коэффициент усиления............................ 2—2,8
Приращение выходного напряжения при приращении
входного напряжения на 400 мВ................... 800—1120 мВ
398
Наименование параметра К174УН5 К174УН7 К174УН8 К1УС744 (А, Б)‘
^Льп» В 12 ± 10% 15 ± 10% 12 ± 10% 9±1о%
/,,от, мА, не бо- 30 20 15 10
лее
^у,с/, не менее 80—120 — 4—40 4—40
7?„х, кОм, не 10 50 10 10
менее
Д/, Гц 30—20 000 40—20 000 30—20 000 30—20 000
ГцЫХ> Вт — — 2,0 1,0
Кг, %, не бо- 1,0* ** 1Q**# 2,0** 2,0й
лее
* Для группы Б выходная мощность Pvm = P Вт.
** При Рвых = 2 Вт, 1 = 1 кГц.
При Рвых = 4,5 Вт, f=l кГц
д При Рвых = 1 Вт и С/вых —2 В для группы А.
При Рвых = 0.7 Вт и С/Вых=>.7 В для группы Б.
399
400
Цепь Конт
Вход 13
Блоки- 12
ровна 14
Выход 3
В.Н 5
Фазо- сдвига- юш,и.й контур 2 6
Усили-
тель-
ограни-
читель
К17Ч-УРЗ
Частот-
ный,
детек-
тор
Усили-
тель
+Un.n
Конт. Цепь
9 Питание +Un.n
1 Питание ~Ои.п
8 Выход КЧ
7 Вывод
10 Выход Н.Ч
Выход
13
12
К174УРЗ
&
КТ7ЧАФЧ-
401
ктАФ1
402
5/3)8~/штани.е) 6,1О~входы) 2~выхо8
403
K17Wnt
104
СЕРИИ 175 и К175
Состав серии:
К175УВ1 А, К175УВ1Б,
175УВ1А, 175УВ1Б
К175УВ2А, К175УВ2Б,
175УВ2
К175УВЗА, К175УВЗБ,
175УВЗА, 175УВЗБ
К175ДА1, 175ДА1
К175УВ4, 175УВ4
— усилитель широкополосный,
— универсальная усилительная схема.
— усилитель стабилизированный эконо-
мичный.
— детектор AM сигналов и детектор АРУ
с- УПТ.
— усилитель-преобразователь высокой
частоты.
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-3.
К175УВ1(А,Б); 175УВ1(А,Б)
К175УВ2(А,Б)-, 175УВ2
812 11 9 10 2 7 3 9 5 613191
405
± гг
01 0,1 ^8
нн^
~ЧН -
75 0,1
Ti Vz 6 s 6 7
0,1
0,1
0,1 10,0
9
406
Таблица 3-38
Обозначение параметра 175ДА1 К175ДА1
В 6+10% 6 + 10%
/пот, мА, не более 3 3,5
Коэффициент передачи детектора не ме- 0,5 0,4
нее
Коэффициент передачи по цепи АРУ 20 16
Та блица 3-39
Обозначение параметра 175УВЗА 175УВЗБ К175УВЗА К175УВЗБ
п> В 7ПОТ, мА, не более 6+10% 2 6+ 10% 2 6 + 10% 2 6 + 10% 2
SBA, мА/B, не менее 300 500 250 400
fB, МГц, не менее 3,0 з,о 2,5 2,5
/?вх, кОм, не менее* 0,75 0,75 0,75 0,75
Кш, дБ, не более** 8 8 10 10
* На частоте f = ОД МГц. ** На частоте f ~ 1,6 МГц.
407
Таблица 3-40
Обозначение параметра 175УВ1А 175УВ1Б К175УВ1А I К175УВ1Б 175УВ4 К175УВ4
ии.п. В 6.3 ± 10% 6,3 ± 10% 6.3 ± 10% 6,3 ± 10% 6,3 ± 10% 6,3 ± 10%
/пот» мА, не более 15 15 15 15 3 3
мА/B, не менее — — — — 10 10
Iq , МГц, не менее 45 60 30 45 150 150
Ку( у, не менее 12 12 10 10 —
Кг, %» не более* 5 5 10 10 — —
^пх, кОм, не менее** 1 1 1 1 — —
КЕЫХ. Ом 75 75 — — — —
* При ^вых = 0,5 В, f = 40 /АГц.
** На частоте f — 0,1 МГц.
Таблица 3-41
Обозначение параметра 175УВ2 К175УВ2А К175УВ2Б
t/n.n. В 6± 10% 6± 10% 6 ± 10%
/пот, МА, не более 3 3,5 3,5
5ВЛ, мА/B, не менее 10 10 10
/Е, МГц, не менее 65 40 55
/%х, кОм, не менее* 1 1 1
Кш, дБ, не более** 6 10 10
* На частоте f = 0,1 МГц.
** На частоте f — 20 МГц.
СЕРИИ 177 и К177.
Состав серий:
177УД1, К177УДА —К177УДБ — усилитель дифференциальный.
177УП1, К177УП1 —усилитель напряжения двухтакт-
ный.
Корпус прямоугольный стеклянный 401,14-3.
408
177УД1’,К177ДКА>Б)
177УП1;К177УП1 '
+17и.п
409
Я
Таблица ЗЛ2'
Обозначение параметра 1 1 77 УД1 1 ' КП7УД1А К177 .УД! 13 177УГ11 К177УП1
// R* vn.n> D ± 6,3 ± 6,3 ± 6,3 + 12,6 ± 12,6
/пот, мА, не более* 3,0 4,0 4,0 5,0 5,о
40—80 35—80 35—80 90—180 80—150
/лх, мкА, не более 3,0 5,0 2,5 —- —
Д/вх, мкА, не более 1.2 — — —
.'/см, мВ, не более 10 15 15 —.
'--^вых. макс» и® г^енее 6,0** 5,5** 5,5** 6,5 6,0
^ос.сф. дБ, не менее 70 — — —• —
г; D*** ^ВЫХ’ ° 1,9—3,1 — — —. —»
t/RX, в — — —— 1,9—3,1
RBX, кОм, не менее** — 100 500 40 40
/?вых, Ом, не более** — — — 30 50
* Допускаемое отклонение Г/и ± 10%; значение /поТ указано при
Увх = °'
** На частоте f = 1 кГц.
*** Постоянное напряжение.
СЕРИИ 190 и К190
Состав серий:
190КТ1, К190КТ1—коммутатор пятиканальный.
190КТ2, К190КТ2 — коммутатор четырехканальный.
Корпус круглый металлостеклянный 301.12-1,
190КТ1;К190КТ1
410
190КТ2', К190КТ2
Таблица 3-43
Обозначение параметра 19ПКТ1 KI00KT1 190КТ2 К120КТ2
Пороговое напряжение 67пор, В, не —6 —6 —6 6
менее
Ток затвора /3 , нЛ, не более 30 30 30 30
Ток закрытого канала, нА, не бо- 50 — 50 —
лее
Суммарный ток закрытых каналов, 250 250 150 150
нА, не более
Ток истока, 1 и, нА, не более 200 200 150 150
Сопротивление открытого канала, Ом, не более* 300 300 50 50
Сопротивление открытого канала, 700 700 120 120
Ом, не более**
Входная емкость, Спи, пФ, не бо- 5,0 5,0 24 24
лее
Проходная емкость, пФ, не более 1,0 1,0 9,0 9,0
Выходная емкость, С22и, пФ, не более 3,5 3,5 15 15
* При напряжении затвор — исток 20 В.
** При напряжении затвор—исток Пзр) = —10 В.
411
СЕРИИ 198 и К198
Состав серий:
198УТ1А, 198УТ1Б, К198УТ1А,
К198УТ1Б
198УН1А—198УН1В,
К198УН1А-К198УН1В
198НТ1А, 198НТ15, К198НТ1А,
К198НТ1Б, 198НТ2А, 198НТ2Б,
К198НТ2А, К198НТ2Б, 198НТЗ,
К198НТЗА, К198НТЗБ,
К198НТ4А, К198НТ4Б
198НТ5А, 198НТ5Б, К198НТ5А,
К198НТ5Б, 198НТ6А, 198НТ6Б,
К198НТ6А, К198НТ6Б, 198НТ7А,
198НТ7Б, К198НТ7А, К198НТ7Б,
198НТ8А, 198НТ8Б, К198НТ8А,
К198НТ8Б
I — многофункциональный диффе-
I ренциальный усилитель.
1 — универсальный линейный кас-
I кад.
— матрицы транзисторов п-р-п
типа.
— матрицы транзисторов р-п-р
типа.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14-4.
Напряжение источников питания микросхем серий 198 и К198,
выполняющих функции усилителей: Ua ni = 6,3 В ± 10%; ия. па =
= —6,3 Bi 10%.
198УТ1(А, Б); К198УТ1(А,Б)
412
198УН1(А,Б,В); К198УН1(А,Б,В)
. 198НТ2(А,Б);Н198НТ2(А,Б)
198НТ1(А,Б); К198НТ1(А.Б)
ууууу шум
«I 111 г\ si 5? 1/ЗГ \11 \г Is
198НТ8,К198Н77(А!Б)
g и сш
п\ 21 Si si
198НТ5(А,Б); К198НТ5(А,Б)
ил у м у
7J1 11\ 2\ Si si
К198НТЧ(А,Б)
198НТ8(А,Б) ;К198НТ6(А,Б)
>14- 1г\ ю\ \1 Ji q
-уЧиг у* у*
?j| 1'\ 2\ d
198НТ7(А,Б); К198НТ7(А,Б)
ii\
198НТ8ГА,Б); К198НТ8(А,Б)
и и и
131 2\ si
413
Таблица 3-44
Обозначение параметра 198УТ1А 198УТ1Б К1Э8УТ1А К198УТ1Б
Лют- МЛ, не более 4,5 4,5 5,° 5,0
/вх, мкА, не более 8,0 15 10 20
Д/вх, мкА, не более 2,0 з,о 3,0 8,0
Ку.и* 30—60 30—60 20—70 20—70
п *♦ vвых. макс. 3,5 3,5 2,5 2,5
t/CM, мВ, не более 5,0 10 8,0 15
♦ На частоте f = 10 кГц. ** При К < 10%.
Таблица 3-45
Обозначение параметра 198УН1Л 1 198УН1Б 1 198УН1В К198УН1А ад Е ^5 Е К198УН1В
/пот, мА, не более 6,0 6,0 6,0 7,0 7,0 7,0
4,5 4,5 3,0 4,0 4,0 2,0
Кш< дБ, не более** 20 30 — 30 — —
* На частоте 10 кГц.
*♦ Значение коэффициента шума.
-• Та блиц а 3-46
Обозначение параметра 198НТ1А, 198НТ1Б, 19SHT2A, 198НТ2Б, 198НТЗ 198НТ5А, 198НТ6А, 198НТ7А, 198НТ8А, 198НТ5Б, 198НТ6Б, 198НТ7Б, 198НТ8Б К198НТ1А. К198НТ2А, К198НТЗА, К198НТ4А
Л21Э 30—200 30- -250 20—100
/КБО’ МКА, не более 0,075 0,1 0,25 0,1
^БЭ. нас’ В- нс более 0,80 0,85 0,85 1,0
(7КЭ_ нас> в> не более 0,40 0,5 0,75 0,7
414
Таблица 3-47
Обозначение па ра метра К198НТ1Б, К198НТ2Б, К198НТЗБ, К198НТ4Б К198НТ5А, К198НТ6А, KI98HT7A. К198НТ8А К198НТ5Б, К198НТ6Б, К198НТ7Б, К198НТ8Б
Л21Э 60—250 20—100 60—300
/КБО> мкА, не более 0,1 0,5 0,5
£’бЭ. нас’ В’ не более 1,0 1,0 1,0
^КЭ, нас’ В’ не более 0,7 1,о 1,0
Примечания! 1, Разброс значений /1213 транзисторов для диффе-
реициалыюй пары микросхем 198НТ5 — 198НТ8 ие более + 5%, для. микро*
схем 198НТ1 (А, Б); 198НТ2 (А. Б); 198НТЗ; К198НТ1 (А, Б>: К198НТ2 (А. Б):
KI98HT5 (А, Б) и К198НТ6Б не более + 15%.
2. Разброс значений УбЭ транзисторов для дифференциальной пары
198НТ1А, 198НТ2А не более 3 мВ, для 198НТ1Б, 198НТ2Б, К198НТ5 (А, Б)
не более 10 мВ, для 198НТ6 (А, Б) не более 4 мВ. для К198НТ1А, К198НТ2
А, Б) ие более 5 мВ.
СЕРИИ 218 и К218
Состав серий:
218УИ1, К218УИ1— усилитель импульсный (на положительную по- лярность).
218УИ2, К218УИ2 — усилитель импульсный (на отрицательную по- лярность).
218УИЗ, 218УЕ1, К218УИЗ — усилитель импульсный (биполярный). К218УЕ1—усилитель-повторитель (эмиттерный повторитель на положительную полярность).
218УЕ2,- К218УЕ2 — усилитель-повторитель (биполярный эмиттерный повторитель).
218ГГ1, 218АГ1, 218УР1, 218ДА1, 218ТК1, К218ГГ1 —мультивибратор автоколебательный. К218АГ1—мультивибратор ждущий. К218УР1—усилитель промежуточной частоты. К218ДА1—детектор амплитудный. К218ТК1—триггер с комбинированным запуском.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 151,15-2. (Уи П1
= 6,ЗВ±10%%
415
416
218УЕ1,К218УЕ1
218ГГ1,К218ГГ1
14 п/р Гарабрина В. В.
417
218УР1,К218УР1
L
14
^вн
8
418
Таблица 3-48
Обозначение параметра 218ГГ1 К218ГГ1 218АГ1 К218АГ1
Рпт, мВт, не более 86 86 76 76
^ВХ» В — 2,5—6,0* 0,3 2,5—6,0*
Длительность запускающего — — 0,3
импульса, мкс, не менее 2,8 2,8
UBbtx, а, В, не менее Период повторения выход- 2,8 2,8
0,6—1,5 0,6—1,5 — —
ных импульсов, мкс ** ^вых> мкс* не более <Э.Г (2s 4,0) 1,0 1,0 1,0
i'f/bix, мкс, не более 0,2 0,2 0,15 0,15
сых« МКС ** —- — 0,6—1,5 0,6—1,7
Нестабильность длительно- 15 — (2=2,0) 15
сти выходного импульса в диапазоне температур —60-=-70GC, %, не более
RH, кОм 2,0+5% 2,0 + 5% 2,0+5% 2,0 + 5%
Сн, пФ 100 100 100 100
ип, В, не хуже ; — —- 0,8 0,8
* Полярность запускающего импульса отрицательная.
** В скобках указано значение периода повторения выходных импуль-
сов и их длительность <н ВЬ]Х при подключении навесного конденсатора;
нестабильность периода повторения выходных импульсов микросхем 218ГГ1,
К218ГГ1 в диапазоне температур от —60 до -j-70” (3 не более 15%.
Таблица 3-49
гилвтгМ й 3* +0,8 0,3—1,5 О o' О 400 001 1
8НА813 со со 3,5 +0,8 0,3—1,5 © О 0,85 8 8 1
ю
ihasizm о © © со” мт + 0,3—1 © о 6‘0 8 8 1
in
1HA8I8 о ссГ iO со” + 0,3—1 О о О о” 400 100 1
8ИЛ813Х 48,5 00 © ' +0,25 0,3—1,0 « 500) © о ю со 400 100 © •-М
еилви 48,5 со +0,25 0,3—1,0 (=== 500) о” о” ю со 400 001 © —1
гил 81351 31,5 © © 7 0,3—1,0 (=== 500) © о” со О о 100 ©
2ИЛ813 31,5 0,75 ©^ 0,3—1,0 (sg 500) © о ю со 400 100 ©
ША813Я . 22,0 । 00 © ©^ 0,3—1,0 (sg 500) © о ю со 400 100 ©
1ИА813 о OJ г—* +1,0 0,3—1,0 (< 500) © о ю со1 400 100 ©
га а
Обозначение парамеч Рпот, мВт, не более Ф Ф яз Ф 2 Ф яз яГ О к 03 Qi 0) Ф ч о © 0) к CQ м ffi вх» МКС * ф ф ч о © ф № сГ S К -з ©И ф ф ч © к о W 5S к ш 8 S S ф и S S О о QJ • • е G S и <3 8 ч о © ф СЙ «ч© О'» ьг
• В скобках указана длительность импульса при наличии навесного конденсатора на входе.
•• Допустимое отклонение /?н + 5%.
»» Допускаемое отклонение Сд для микросхем с индексом К не более +5%, для остальных +10%«
Д При С/вых - (0.2 4- 0.8) ивых> наке.
420
Т а б л и ц а ' 3-50
Обозначение параметра 218УР1 К218УР1 218ДА1 К218ДА1
/’,1ОТ, мВт, не более Л'у и не менее ' /<„р. Ач, дБ, не более •• Линейный участок амплитуд- ной характеристики, мВ, не более: 62 62 13,8 13,8
7 4 0,6—1,0* 0,5*
2,3 3,2 —
по входу 30 30 —
по выходу 200 200 400 400
Диапазон входного напря- жения линейной области логарифмической ампли- тудной характеристики, дБ, не менее 9,5 9,5 )
RH, кОм ♦♦♦ 1,2
» Прн Увх = 200 мВ, f = 30 МГц.
•* В диапазоне частот 22,5—37,5 МГц.
Микросхемы 218УР1. 218ДА1.
О Микросхемы К218УР1, К218ДА1.
СЕРИЯ 219
Состав серии;
219ГС1, 219ГС2 219ГСЗ 219ДС1 219МС1, 219МС2 219НТ1 219НТ2 —генератор кварцевый. —генератор ЧМ. — ограничитель-дискриминатор» — подмодулятор. —транзисторный блок. — транзисторная сборка.
219ПС1А, 219ПС1Б — смеситель частоты.
219УВ1А, 219УВ1Б — усилитель ВЧ.
219УР1 219УН1 — усилитель промежуточной частоты. — усилитель микрофонный.
219УП1 — усилитель шумов.
Корпус прямоугольный металлополимерный «Акция»,
^ 4§1
Кварцевый резонатор выбирается в зависимости от требуемой частоты
и добротности.
219ДС1
219МС1,
11 8
219МС2
.5
1
3
4
219НТ1 219НТ2
3 4 5 9 8 11 1 2 6 5 7 8 11
2 1 6 10 7 3 4 9 10
424
Электрические параметры микросхемы 219ДС1
*Л.,п............................................+5 В ±10%
Потребляемая мощность не более................... 2,5 мВт
Полоса пропускания............................... 0,5—1,0МГц
Коэффициент передачи при 1/вх=1 В, т = 30% не
менее............................................ 0,15
Напряжение ограничения при 1/вх = 1—4 мВ, т = 50% 0,9—1,4 В
Примечание. Коэффициент передачи и напряжение ограничения
измеряют на несущей частоте 0,65 МГц прн частоте модуляции 1 кГц.
2 4 1
219УР1
Электрические параметры микросхем 219ПС1 (А — Б)
Напряжение источника питания......................5,0 или 8,0 В
±10%
Ток потребления не более......................... 2,8 мА
Коэффициент преобразования не менее: ~
при £/вх = 10 мВ, /;вх = 48 МГц, (/гет = 200 мВ,
/гет = 34 МГц.................................. 30*
при С/вх = 5 мВ, fBX=14 МГц, {/гет = 250 мВ,
/гет= 1'3,35 МГц............................ 80
Относительная нестабильность коэффициента преобра-
зования не более................................. 30%
Верхняя граничная частота не менее............... 50 МГц
* Для микросхемы 219ПС1Б значение коэффициента преобразования не
нормировано.
426 ' ,
Т а б л и ц а 3-51
Обозначение параметра 219УВ1А 219УВ1Б 219УР1 219УН1 219УП1
<Л.,п. В 4-5 ±10% или +8 ±Ю% +5 ±10% +5 ±10% +5 ±10%
/пот, мА, не более 2,4 1,6 1,5 1,7
Рпот, мВт, не более — 10 10
/?вх, Ом, не менее 25 25 600 —» ——
А/, мГц 44—55 44—55 0,5—1,0 2, Ю-«4-5 3- 10-44-5
W ' Относительная неста- бильность коэффи- циента усиления, %, не более: при t = = (—60 4- +70) *С; 20—35 28—70 Ss600 3=200 —
± 20 +40 —30 ±20 4. .‘..г,*
/?н, кОм =• 3,3 0,3
Кг, %, не более ((/„= = 0,2 мВ, /= 1 кГц) — 5 —
— — ——
[(/вх = 0,2 мВ, / = = (300 4-34 000) Гц] — 8—14 —
^вых. мВ (f = 3 кГц, {/вх в 30 мВ) Относительная неста- бильность выходно- го напряжения, %, не более: 750
при 1 = (—60 4- +25) "С — — ±25
при <=(+25 4- +70) ’С 1 —
* Для микросхем 219УВ1 (А, Б) при VBX = 10 мВ, 1 = 50 МГц; для 219УР1
при 1?вХ = 0,1 мВ, 1 = 0,65 МГц; для 219УН1 при UelL = 0,2 мВ, 1=1 МГц.
Таблица 3-52
Обозначение параметра 219MG1 - 212MG2 *
[/ R * 5(8) 5
Рпот, мВт, не более 18 15
/?н, Ом, не менее * 300 500 '
Ку у не менее 18 ** —
/?вх, Ом, не менее 600
fa, Гц • 200 200
fB, МГц ' 5,0 1,5
427
Продолжение табл. 3-52
Обозначение параметра 219МС1 219МС2
Выходное неограниченное напряжение на выходах 1 и 2, мВ, не менее — 800
Кг, %, не более — 15
Подъем частотной характеристики в диа- пазоне частот 300—34 000 Г ц, дБ 8-15
• Допустимое отклонение ±10%.
** На выходах 1 и 2; относительная нестабильность коэффициента уси»
леиия не более ±35% во всем диапазоне рабочих температур.
Таблица 3*53
Обозначение параметра 219ГС1 219ГС2 219ГСЗ
Напряжение источника пи- тания, В Потребляемая мощность, мВт, не более * 5,0 ± 10% 5,0 ± 10% 5,0 ± 10%
15 15 15
Выходное напряжение, мВ, не менее 130** 230 *** 45д
Относительная нестабиль- ность частоты при измене- нии напряжения питания не более Относительная нестабиль- ность частоты в интервале температур (без учета не- стабильности частоты квар- цевого резонатора) не бо- лее: ±2.10-0** ±2.10*0 *** -
Д/= —60 4-+25*С и Ы = +25 -=- +70‘С ±5-10-«** ±10.10-0*** ±30 • 10-8
Диапазон генерирования, МГц Пределы коррекции частоты, %, при < = (+25±10)*С 30—70 1,0—30 — •
±0,05** ±0,05 *** ±0,05д
Номинальная девиация ча- стот, кГц, при [ = 14 МГц, /т=1000 Гц, £/т<2 В —— ±5
Коэффициент гармоник, %, не более при [=14 МГц, [т=1 кГц, 2Д/ = ±5 кГц, В 13
428
Продолжение табл. 3-53
Обозначение параметра 219ГС1 219ГС2 219ГСЗ
Относительная нестабиль- ность девиации частоты, %, не более при t = (+254- +70)42, < = (+254- -60)’С, <+, = 0 4-2 В, fm = 1000 Гц — — ±20
* Во всем диапазоне рабочих температур.
** При f = 34 МГц, Ru = 200 Ом, Сд = 10 пФ.
•»* При f = 13,35 МГц, RB = 100 Ом, Сн = 50 пФ.
А Прн f = 14 МГц, Ra = 250 Ом, Сн = 50 пФ.
Таблица 3-54
Обозначение параметра 219НТ1 219НТ2
Ц,.п. в 5,0 ± 10% 6,0 ± 10%
/’пот, мВт, не более 20
80—250 40—120
/ГБО, мкА, не более** 22 0,2
Л’ 0м *** ЬЭ, пр* 150—300 —
^БЭ. обр- МОм- Не Менее*** 1,0
* Для транзисторов 7\ — Т, при Ujo =1 В- = 1 мА.
Для транзисторов Г, — Tt прн = 5 В.
»*• Обратное сопротивление перехода база — эмиттер транзистора Т».
СЕРИЯ К224
Состав серии;
К2УС242 —усилитель универсальный. 7
К2УС245 — усилитель НЧ.
К2УС247 —усилитель ПЧ изображения.
К2УС248, К2УС2416 —усилитель ПЧ звукового сопровождения.
К2ЖА242 —преобразователь частоты.
К2ЖА243 —детектор AM и усилитель АРУ.
К2ЖА244 ' —усилитель-ограничитель.
К2ПП241 —стабилизатор напряжения.
К224НТ1А—К224НТ1В — набор транзисторов структуры п-р-п.
К2УС2413 —усилитель радиочастоты регулируемый.
К224УН2 —усилитель со специальной частотной харак-
теристикой.
К224ГГ1 —мультивибратор универсальный.
К224ПН1 —преобразователь напряжения. .
К224УН16, К224УН17—усилитель НЧ. - 7/
К224УН18, К224УН19—усилитель кадровой развертки.
К224УПЗ —видеоусилитель.
К224УП2 —усилитель-ограничитель сигналов цветности,
К224ТП1 —триггер коммутирующих сигналов.
К224ХП1 ...... —устройство опознавания.
К224УП1 —усилитель сигналов цветности.
К224НР1, К224НР2 —набор резисторов.
К224АГ1 . —ждущий мультивибратор с переменным вре-
менем установления выходного напряжения.
К224АГ2 —ждущий мультивибратор с постоянным вре-
менем установления выходного напряжения.
К224ГГ2 —генератор прямоугольных импульсов.
К224ТК1 —триггер ждущий с пороговым устройством.
К224САЗ • —схема сравнения амплитудная,
К224АГЗ —формирователь импульсов.
К2УС2Ч8
432
433
К22ЧГГ1
434
Уст.реншма.
выход 2
K22WH19
Уст.режима. ' К22Ч-УПЗ
режима.
436
437
438
К22ЧАГ2
Электрические параметры микросхемы К224УП1
Напряжение питания ии. п ..................... 12 В± 10%
Входное напряжение (размах)....................... 2,5 В
Частота входного сигнала......................2,0—10,0 МГц
Электрические параметры микросхемы К224АГ2
Выходное напряжение.............................. 11,0 В
Время установления выходного напряжения не менее 2000 мкс
Ток потребления.................................. 8,0 мА
Электрические параметры микросхемы К224ТК1
Выходное напряжение:
Uвых2 ............................................. 8,5 В
^вых7........................................... 11,5 В
^выкв............................................. 9,5 В
Ток потребления .......................................8,0 мА
440
Таблица 3-55
Обозначение параметра К2УС242 КУС245 2УС247 К2УС248, К2УС2416
t/и. п1, В 3,6—9,0 5,4—12,0 12+10% 12+10%
t/и. И2. В 3,0+5% — — —
/пот. МА, не более 1.8 5,0 28 15
SBA, мА/B, не менее 25* 50** 1000***
К^ ц не менее Явх, Ом, не менее /н. гц 150* 140 15 кОмЛ — —
80 — —
/н. МГц 0,15 — 30 4,0
/в. кГц 20 — —
/в, МГц 30 45 10
/С„г ди, ДВ> не более 12 — з,о 3,0
Kt, %, не более — 0,4 — •—
И * На частоте f = 10 МГц.
•• На частоте / = 35МГц. Диапазон регулировки крутизны К2УС246
40 дБ при U =54-8 В.
*** На частоте / = 6,5 МГц.
' Л На частоте f = 1 кГц.
Таблица 3-56
, Обозначение 4 параметра К224УН16 К224УН17 К224УН18 К224УН19
<4. П1» В —зо+ю% 4-24+10% 4-12+10% 4-12+10%
t/и. П2. В — —24 + 10% — .—
Рвых, Вт, не менее 4* 20* — .—
Чувствительность по 1,0* 0,8* — .—
входу, В, не более
Кш, %, не более 2,5 1,5 — —-
/раб. Гц —кГц 20—20 20—20 50 Гц * 50 Гц
$вх, кОм, не менее 300 10 5 5
Ток отклонения, А, — — 0,4 1,1
не менее
Напряжение вольто- — — 4-30 4-40
добавки, В
Длительность обрат- — — 1,0 1,0
, него хода, мс, не
более
Амплитуда гасящих •—• 25** 100**
импульсов, В, не
менее -
На частоте I = 1000 Гц.
** /Вх = 50 Гц-
441
Таблица 3-57
Обозначение параметра К.224 УП2 К.224 У ПЗ К224ХП1 К224ТП1
^И. П11 В 12+10% 200+10% 12+10% 12+10%
<4. П2» В — 12+10% —- —
1пот, мА, не более 10 22 6 8,5
Ку, и не менее — 30 — —
Zpa6i Гц —МГц — 50—7,0 — l-l —
Квх’ кОм, не менее — 3 — —. -
Rv, кОм, не менее — 100 — 1-
Выходное напряже- ние, В — 120 —• ——
^вь1х4 370—530 мВ .— — 6
^вых9 12-20 1— — —
U ВЫХ7 — — 9,5 —
^ВЫХ8 — — 8,5 —1
^выха ~— — 6
Таблица 3-58
Обозначение параметра К224ГГ1 К2УС2413 К224УН2 К224ПН1
t/и. п» В 9+20% 12 + 10% 9+20% 3,4+10%
Pnot, мВт, не более 100 100 250 130
/пот, мА, не более 6 8 28 35
Т'имгр МКС 95—135 — — —.
Период повторения им- 220—270 .— — —1—•
пульсов, мкс
Амплитуда импульса, В 7 -— — —
Частота — 30—45 300—
МГц 3400 Гц
7СНр, Ач> ДБ> не более — 1 — —.
•$ВА’ мА/B, не менее — 25* — ——-
Ку, jj не менее — — 5,0** —"
* На частоте f = 35 МГц.
** При (УвХ = ЮО мВ на частоте / = 1000 Гц.
442
Таблица 3-59
Обозначение параметра К224НТ1А К224НТ1Б К224НТ1В
UK ч, к> В, не более 15 15 15
^21Э 30—90 50—150 70—280
, макс’ 20 20 20
/КБО, МКА, не более2 0,5 0,5 0,5
/ЭБО, мкА, не более3 1,0 1,0 1,0
^КЭ.нас- В> не более 0,7 0,7 0,7
/г21э не менее 4 3,0 3,0 3,0
Сэ, пФ, не более Ъ 6,0 6,0 6,0
Ск, пФ, не более 5,0 5,0 5,0
Постоянная времени цепи 100 100 100
обратной связи, нс6
F, дБ, не более 1 6,0 6,0 6,0
1 При = L0 В.
2 При £/^Б = Ю В.
» При Пбэ = 3,5 В.
4 При Пкэ = 2,0 В, f ~ ЮО МГц.
5 При f = 10 МГц.
• При Пкэ = 2 В, f = 10 МГц.
» При Пкэ = 2,0 В.
Электрические параметры микросхемы К224АГ1
Выходное напряжение не менее ..................... 11,5В
Время установления выходного напряжения .......... 1500—2000 мкс
Ток потребления не более.......................... 8,0 мА
Электрические параметры микросхемы К224ГГ2
Выходное напряжение:
иВын1 не более . , ................. 0,5 В
О'выхэ не более . . .'............... 11,0 В
Ток потребления не более .................. 70 мА
Электрические параметры микросхемы К224АГЗ
Выходное напряжение:
0/ВЬ1Х4 не менее .................................... 11,6 В
5/Выхв не менее .................................... 11,6 В
ивых7- не менее .................................... 3,5 В
не более ..................................... 5,5 В
О^выхя* не менее ..................................... 4,0 В
не более ..................................... 6,0 В
Ток потребления не более ................................... 50 мА
443
Состав серии!
СЕРИИ 226 и К226
226УН1А — 226УНВ, К226УНЗА— К226УНЗВ,
К226УН1А — К226УН1 В, 226УН4А — 226У Н4В,
226УН2А — 226УН2В, К226УН4А— К226УН4В,
К226УН2А —К226УН2В, 226УН5А —226УН5В,
226УНЗА —226УНЗВ, К226УН5А— К226УН5В
— усилитель НЧ.
Корпус металлостеклянный прямоугольный 151.15-2,;
22БУНЗ(А~Б) • К226УНЗ(А-В)
226УНЦ(А-Б)->К226УНЧ (А -Б)
22БУН1(А-В)‘,К22БУН1(А~В) ’
Напряжение (7и.п2 подается на вывод 7,
22БУН2(А-В);К226УН2(А-В)
226УН5(А-В); К226УН5(А-В)
445
444
<-
Таблица 3-60
Обозначение параметра 226УН1 (А- В), К226УН1 (А- В), 226 У Н5 (А - В). К226УН5 (А - В) 226 У Н2 (А- В), К226УН2 (А-В) 226УНЗ (А-Б). К226УНЗ (А - В) 226УН4 К226УН4 ((А - В)
СН. nil В * + 12,6 + 12,6 +6,0 +6,0
U„. П2. В * —6,3 —6,3 —9,0 —9,0
60 50 15 10
55 45 45 25
Кг, %** 5,0 5,0 5,0 5,0
Гн. Гц*** 20 20 20 20
fB, кГц*** 100 100 100 100
/?вх, МОм, не менее & 10 10 10 10
/?вых> Ом, не более 100 100 100 300
Свх, пФ, не более 20 20 —
• Допускаемое отклонение ±10%.
•* При /?й=3 кОм и 1.5 В.
♦♦ Снижение усиления на частотах и f не более 3 дБ.
А Прн Свх = 20 пФ.
Таблица 3-61
Тнп интегральной *у Напряжение шумов С7Щ, мВ. не более *
микросхемы
226УН1А, К226УН1А 276—324 5,0
226УН1Б, К226УН1Б 250—310 12
226УН1В, К226УН1В 290—350 12
226УН2А, К226УН2А 27,6—32,4 5,0
226УН2Б, К226УН2Б 25,0—31,0 12
226УН2В, К226УН2В 29,0—35,0 12
226УНЗА, К226УНЗА 270—330 5,0
226УНЗБ, К226УНЗБ 270—330 12
226УНЗВ, К226УНЗВ 270—330 18
226УН4А, К226УН4А 9,0—11,0 5,0
226УН4Б, К226УН4Б 9,0—11,0 12
226УН4В, К226УН4В 9,0—11,0 18
226УН5А, К226УН5А 92—108 5,0
226УН5Б, К226УН5Б 80—120 12
226УН5В, К226УН5В 92—120 12
* В полосе частот 20 Гц —20 кГц при подключении на вход емкости
4700 пФ. . ,
446
СЕРИИ 228 и К228
Состав серий:
228УВ1, К228УВ1
228УВ2, К228УВ2
228УВЗ, К228УВЗ
228УВ4, К228УВ4
228СА1, К228СА1
228КН1, К227КН1
228ПШ, К228ПП1,!
228ПП2, К227ПП2 J
228НК1, К227НК1
Й28НЕ1, К228НЕ1
—усилитель универсальный.
—усилитель регулируемый,
—усилитель каскодный.
—усилитель балансный.
— схема сравнения токов.
—ключ Диодный.
— преобразователь декодирующий.
—матрица комбинированная,
— набор конденсаторов.
Корпус металлостеклянный прямоугольный 151.15-2.
Напряжение источников питания всех
«= + 6,3 В±10%; 14,п2= — 6,3 В±10%.
микросхем:
UK. П1 -
228УВ2'К22дУВ2
447
228УВЗ;К228УВЗ
ггвув^кггвувч
On.n1
Uex1 1
6,2 к
6,2 к
% 2
14 0вых 1'
Tiioo"
idz+fK
« к-i
f J l/sux 2
5 WO " 1
4П
Taj
0,022 ,
15
8ц.л2
443
228КН1;К228КН1
228ПП1;К228ПП1
Ugx1 1
Ugx2 2
Ugx3 3
Ugx4 4
USx5 5
Овхб 6
Овх7 7
14 Ugux 1
13 ивых г
12 UgwxS
11 ивыхЧ-
10 ивых5
9 ЦвыхВ,Т
«ПТ
Un.it
Электрические параметры микросхем 228СА1 и К228СА1
Потребляемая мощность не более................... 65 мВт
Постоянное напряжение на входе.....................1,3—1,45 В
Напряжение на выходе:
। не более......................................... —0.5 В
не менее........................................ +2,7 В
Ток срабатывания при изменении выходного напряже-
ния от +2,3 до —0,4 В не более..................... 20 мкА
Электрические параметры микросхем 228КН1 и К228КН1
Потребляемая мощность не более....................... 100 мВт
Отношение выходных напряжений открытого и закры-
того ключа не менее.................................... Ю0
1В п/р Тарабрина Б. В. 449
228ПП2‘,К228Ш
USx1 1
Ugx2 2
ивхЗ 3
USxV ¥
fax 5 5
fax 6 6
fax 7 7
14 fauxl'
13 ивыхг
12 faux 3
11 ЧвыхЧ-
10 faux S
9 fanxSJ
228НКГ, K228HK1, 228HE1; K228HE1
14
15
13
вровень ограничения выходного сигнала, не
менее....................................... 0,4 В
Сопротивление нагрузки R„.................. , , , 300 Ом
Уровни напряжений управляющих сигналов:
верхний............................................+2,5 В
нижний.................................... Ц-0,5 В
Напряжение на выходе открытого ключа ...........0,15—0,17 В
Электрические параметры матриц 228НК.1 и К228НК1
Относительный разброс прямого падения напряжения
на диодах при токе 1 мА не более ............. , 15%
Сопротивление резисторов..........-................. 2 кОм
Относительный разброс номинальных сопротивлений
резисторов не более .............................. 0,8%
Мощность резисторов............................... 5 мВт
Прямой ток каждого диода не более................... 5 мА
450
Электрические параметры конденсаторов микросхем
228НЕ1 и К228НЕ1
ёмкость каждого конденсатора не менее................ 0,012 мкФ
Напряжение конденсаторов не более....................... 15 В
Тангенс угла потерь не более * *...................... 0,035
Электрические параметры микросхем 228ЯП1, К228ПП1
228ПП2 и К228ПП2
Напряжение источника питания 2ПД281, К2ПД281 , . —6,3 В±10%
Напряжение источника питания 2ПД282, К2ПД282 . , +6,3 В±10%
Потребляемая мощность не более*.................. 50 мВт
Значение разрядного тока **:
71=7з±2%
/2 = 1з'—2%
/3 = 1,93 4-2,17 мА
/4=А±2о/0
/в= ±5%
А±.юо/о
Управляющее напряжение 77упр............... ±1 В
Таблица 3-62
Обозначение параметра 228УВ1, К228УВ1 228УВ2. К228УВ2 228УВЗ, К228УВЗ 228УВ4, К228УВ4
Р„ог, мВт, не более * 70 70 70 85
SU.A при / = 5 МГц, мА/В, 9,5—10,5 9,5—10,5 9,5—10,5 Э5 5,0
пе менее
iS0.A при/ = 60МГц, мА/В, 7,5 7,5** 7,5 —
не менее 2,0—2,8Д
вых’ мА 3,2—4,0 3,1—4,6 3,0—4,6
при /==60 МГц, Ом, не 400 400 400 400
менее Яных при / = МГц, кОм, 50 100 100 50
пе более
* Во всем рабочем диапазоне температур.
»* Диапазон регулирования S g,д ± 50 дБ; изменение регулирующего
напряжения в диапазоне регулировки 5в.д в пределах 40 дБ составляет
’ I 1.25 В.
Н А Разбаланс выходных напряжений при f = 5 МГц не более 3%.
• Во всем диапазоне рабочих’температур.
* Цифровой индекс обозначает номер разряда.
16*
451
СЕРИЯ 235
Состав серии:
235УВ1А, 235УВ1Б — усилитель высокой частоты.
235УР2, 235УР8 — усилитель промежуточной частоты.
235УРЗ, 235УР9 — усилитель промежуточной частоты с глубокой
АРУ.
235УН4, 235УН10 — усилитель с эмиттерными повторителями.
235УН5 — усилитель низкой частоты.
235ХА6 — универсальный каскад.
235УР7, 235УР11 —усилитель промежуточной частоты с АРУ и
эмиттерным повторителем.
235ДА1, 235ДА2 — детектор амплитудной модуляции сигналов и
АРУ с УПТ.
235МП1, 235МП2 —кольцевой модулятор.
235ПП1 — делитель напряжения управляемый для систем
235ДС1 — частотный детектор с ограничителем.
235ПС1, 235ПС2 —преобразователь частоты.
235АП1 —формирователь импульсных сигналов.
235КП1, 235КП2 — электронный коммутатор.
Корпус металлополимерный прямоугольный «Акция». Напряже-
ние питания всех микросхем UK. п==6,3 В ± 10%.
235УВ1(А,Б)
& СП ю }[ X— • —KJ—j-< < j=>-t ,_j- Оо— CJ, —if-— ф с—J—_ St +Un.ir _jJ— 9 ч > ш | дау ? I ивЬ1Х
453
235УНЧ-
455
454
235УН5'
235УР7
Значения С и L выбирают в зависимости от требуемой частоты и
добротности.
457
235МП1;235МП2
458
Тр — дифференциальный трансформатор промежуточной частоты (/ =1,6 МГц).
459
235АГИ
235КП2
]7 l£ /Л
460
Электрические параметры микросхемы 235АП1
Потребляемая мощность не более..........................,20 мВт
Амплитуда выходного импульса не менее . ................2,5 В
Напряжение срабатывания не более........................ 225 мВ
Максимальная частота запускающих импульсов не менее . , 1 МГц
Входное сопротивление не менее . , ....................... 5 кОм
Сопротивление нагрузки не менее ............1 кОм
Электрические параметры микросхем 235ПС1, 235ПС2
Потребляемая мощность не более 35 мВт
Крутизна преобразования не менее:
при fBx= Ю МГц, (7вх=10 мВ, freT==8,4 МГц, UTeT =
= 100 мВ............................................4,5 мА/В
при /вх = 150МГц, Z7gx = 10 мВ, /гет= 148,4 МГц,
(7гет = 100 мВ................................... 2,5 мА/В
Нижняя граничная частота не более**:
по входу сигнала........................................ 600 кГц
по гетеродинному входу............................... . 50 кГц
Коэффициент подавления частоты:
по сигнальному входу не менее............................. 10 дБ
по гетеродинному входу не менее ...................... 10 дБ
Входное сопротивление* ••:
сигнального входа не менее..............................1,0 кОм
гетеродинного входа не менее........................1,5 кОм
Входная емкость:
сигнального входа не более ...............25 пФ
гетеродинного входа не более........................25 цФ
Напряжение собственного гетеродина не менее 300 мВ
* На частоте f <= 10 МГц,
•• На уровне —6 дБ
Электрические параметры микросхемы 235ПП1
Ток потребления не более............... . ..............3,2 мА
Ток потребления цепи управления при [7упр = 4 В, UBX —
= 200 мВ, fBX = 0,5 МГц не более .....................2,2 мА
Коэффициент ослабления при 4/уПр = 4 В не менее.........46 дБ
Начальное ослабление при 17упр = 0,8 В не более......... 8 дБ
Электрические параметры микросхемы 235ДС1
Крутизна вольт-амперной характеристики SB.A не ме-
нее* .............................................. 10 мА/В
Крутизна вольт-амперной характеристики не менее*** 5 мА/В
Максимальное выходное напряжение в режиме ограниче-
ния не менее....................................... 2,5 В
Максимальные пределы регулирования по цепи АРУ не
менее.....................................46 дБ
Напряжение задержки АРУ ............................,2,3 В ± 10%
461
Входное сопротивление не менее**.................... 15 кОм
Входная емкость не более ..........................у 25 пФ
Входное напряжение, соответствующее порогу ограниче-
ния выходного тока.................................. 90 ± 30 мВ
Нижняя граничная частота не более .................. 0,1 МГц
Выходная емкость не более........................... 12 пФ
* При = 10 мВ, 1= 1,6 МГц, = 100 Ом.
* * На частоте /==1.6 МГц.
♦•* На частоте f — 100 МГц.
Электрические параметры микросхем 235ДА1, 235ДА2
Потребляемая мощность не более................... 15,2 мВт ’
Коэффициент передачи детектора не менее*.......... 0,4
Коэффициент передачи по управляющему напряжению
АРУ не менее................................... 20 дБ
Входное сопротивление не менее** . ................... 3 кОм
Входная емкость не более ............................ 25 пФ
Начальное выходное напряжение АРУ не более........ 0,8 В
Верхняя граничная частота детектора не менее..... 100 МГц
Нижняя граничная частота детектора не более...... 300 кГц
Верхняя граничная частота модуляции не менее ..... 12 кГц
Коэффициент гармоник не более.......................... 5%
Максимальное выходное напряжение АРУ не менее ... 4 В
•При <7вх=0,18 В, несущей частоте 1,6 МГц, частоте модуляции
0,1МГц, коэффициенте модуляции т = 0,3, сопротивлении нагрузки =»
== В,1 кОм.
*• На частоте 1.6 МГц.
Электрические параметры микросхем 235МП1, 235МП2
Коэффициент передачи напряжения *:
при fBX = 2500 кГц не менее 0,1
при /вХ = 50200 кГц не менее............... 0,2
Крутизна характеристики в режиме фазового детектора
не менее*...........................................6,5 мВ/град
Коэффициент подавления высокой частоты *:
при /вх = 2500 кГц не менее......................... 14 дБ
при — 50 -I- 200 кГц не менее .................. 26 дБ
Асимметрия коэффициента передачи при прямом и инверс-
ном включении*:
при /вх —2500 кГц не менее ........................ 12%
при fBx — 50-4- 200 кГц не более . .............. 10%
Входное сопротивление Двх:
по сигнальному входу не менее..................... 2,5 кОм
по модулирующему входу не менее................. 3,0 кОм
Нижняя граничная -частота по сигнальному входу не
более ........................................... . 10 кГц
• При = 1,6 В, Умод = 0,5 В, /вод= 1 кГц.
462
Электрические параметры микросхем 235КП1, 235КП2
Ток потребления не более .......................... 0,5 мА
Напряжение управления............................ 4-6,3 В
Ток управления не более............................. 2,5 мА
Затухание сигнала:
в открытом канале не более........................ 6 дБ
в закрытом канале не менее....................... 34 дБ
между каналами не менее.......................... 34 дБ
Нижняя граничная частота не более . ................ 350 кГц
Т а б л и ц а 3-63
Наименование параметра 235УВ1А 2.35УВ1В 235 УР2, 235 У Р8 235УРЗ, 235УР9 235ХА6 235УР7, 235УР11
РПот> мВт, не более* 20,0 17,5 23,0 28,0 30,0
$в.а> мА/B, не ме- 20(10) 75(1,6) 70(1,6) 12(10) 10
нее ** 7(170) 25 (25) 30(25) 5,0(100) 5,0 (200)
fn, МГц, не более 1,0 0,25 0,12 0,1 0,5
Явх, кОм, не менее*** 0,5 3,0 2,5 1,2 2,0
См, пФ, не более 25 15 20 15 20
Явых> кОм, не более 30 — 15 20 10
Свых, пФ 6 + 3 — 6 + 3 6+3 15
*у, U 200 300 400 100
Максимальная глубина регулировки по цепи АРУ при UАРу = = 4 В, дБ, не ме- нее 46 18п 86 46
Напряжение задерж- ки АРУ, В, не ме- нее +1,7 + + 10% — 2,2 + + 15% — 2,2+15%
F, дБ, не более 7—10 — — — —,
^вых, макс» В, не ме- нее^ —• 1,5 2,3 0,5 2,5
* Во всем диапазоне рабочих температур.
** При эквивалентном сопротивлении нагрузки R = 100 Ом; в скоб’
ках указаны значения частот в мегагерцах, на которых измеряют крутизну
вольт-амперной характеристики 5g. д.
*** Для микросхем 235УВ1А и 235УВ1Б на частоте /-=10 МГц, для
остальных микросхем на частоте f= 1,6 МГц.
Максимальное выходное напряжение в режиме ограничения; для
микросхем 235УР2, 235УРЗ, 235УР7 при f = 1,6 МГц, RQg == 10 кОм; для мик-
росхемы235УР2 при / = 10 МГц, Roe = 1 кОм
О Для микросхемы 235ХА6 указана глубина регулировки усиления
внешним резистором, подключенным к выводам 2 и 5.
463,
Таблица 3-64
Наименование параметра 235УН4, 235УН10 235 У Н5
Рпот, мВт, не более 23,0 14,0
Ку> v не менее 16* 400**
Коэффициент асимметрии выходных на- 10* 15**
пряжений, %, не более
/в, МГц, не менее*** 4,0 (7,5) 0,01
fB, Гц, не более*** (2500) 25
i/вых, макс при Кг = 5%, В, не менее 0,6 1,0
Выходное напряжение в режиме ограни- 1,2 А 1,6*
чения по несимметричному выходу, В,
не менее
Входное сопротивление RBX, кОм, не ме- 4,0 4,0
нее
i/orp, вх> мВ, не менее 60 —•
Глубина регулировки усиления, дБ, не 4,0
менее
Кос,сф при /=120 кГц, дБ, не менее 40 —-
* При f = 10 кГц, t/BX = 10 мВ.
** При f — 1 кГц, t/BX = 2 мВ.
*** На уровне — 3 (—6) дБ-
А При / = 10 кГц, UBK = 0,5 В.
СЕРИЯ К237
Состав серии
К237УН1 )
К237УН2 К237УНЗ > — усилитель нч.
К237УН5 — усилитель ПЧ, ЧМ тракта.
К237ХК1 — усилитель и преобразователь частоты в AM трактах,
К237ХК2 — усилитель ПЧ с детектором АРУ.
K237XK3 — оконечный усилитель записи и‘усилитель с выпрями-
К237ХК5 телем для индикатора уровня записи.
— усилитель и преобразователь частоты УКВ диапазона.
К237ХК6 — усилитель ПЧ ЧМ сигналов.
К237ГС1 — генератор тока стирания — подмагничивания и стаби-
лизатор напряжения-
Корпус прямоугольный полимерный «Кулон»,
464
К237УН2
465
К237Ш
К237ХК2
466
467
K237XK3
Режим _ . _ сл л
воспр. 6j8k
Ugx1
11\8
7
3300
1,0
1312 3 Ф
1>° + 10,0.
|73|6 15
Is
'ЫОи.п
„ Ток
nod магнии
>>ип 11
Уст. тока''
записи.
ЦП — стрелочный индикатор типа М478/3; МГ — магнитная головка У Г = 9
(L + 12 мГ ± 20%. 7? = 50 Ом _Ь 15%, Q = 2.2 ± 10%); Ia =] 0.3 мА (опти-
мальный).
Параметры элементов Lt. Ct выбирают ориентировочно, исходя из условий)
Рк = 430 -с. 480 Ом; QK 10: параметры элементов L2, С2 выбирают ориен-
тировочно, исходя нз условий; рк = 1,4-j-1,8 кОм; QK > 30.
К237ХК5
Диод германиевый Д применяют в случае необходимости уменьшения
влияния значения входного сигнала на частоту гетеродина,
468
К237ХК6
469
1213 6 5 4 7 8
МГ\ — магнитная головка УГ-9 (L = 12 мГ); МГ3— магнитная головка
СГ-9 (L = 0,3 мГ).
Трансформатор Тр и дроссель Др выполнены на броневых сердечниках из
материала 1500 ИМЗ типов Б11 и 69 соответственно. Вйтки обмоток н провода;
I^i-з = 28 4- 2 В (ф 0,15); №4-5 == 16 (ф 0,1); Wa^ = 60 (ф 0,13) — у транс-
форматора, W — 100 (ф 0,1) — у дросселя. Индуктивность дросселя L
> 2 мГ при /„ = 15 мА. Д
Т а б л и ц а 3-65
Обозначение параметра К237УН1 К237УН2
Ц,.п. в +9,О±ьо + 12,0±«;«
Рпот, мВт, не более 50 225
^ВЫХ» В 1,8* —
15—30 25—50
Кг, %, не более** 0,3 1,0
^вых, макс» менее 2,2 ——
/и, Гц 60 30
/в. кГц 10 15
* Номинальное выходное напряжение на выходе оконечного каскада
на транзисторах при номинальной выходной мощности 0,5 Вт и сопротивле-
нии нагрузки 6,5 Ом.
* * На частоте f == 1 кГц при номинальной выходной мощности (для
К237УН1 = 1,8 В, для К237УН2 == 3,5 В'
ВЫХ ВЫл /
Электрические параметры микросхемы К237ХК1
Напряжение источника питания 4,0—6,4 В
Потребляемая мощность не более 25 мВт
Ток потребления не более ......................... 3 мА
Уменьшение усиления на частоте 15 МГц. по отношению
к усилению на частоте 150 кГц не более............. 5 дБ*
Напряжение гетеродина (на эквивалентном сопротивле-
нии контура гетеродина, равном R,, кОм, между
выводами 5 и 8 на частоте 15 МГц) 300—450 мВ
470
Коэффициент шума (при включении режекторного
фильтра Ц,Сф) на несущей 150 кГц не более ..... 6 дБ *
Коэффициент усиления (при нагрузке смесителя на экви-
валентное сопротивление 10 кОм между выводами 10
и 12 на частоте сигнала 150 кГц).................. . 150—300*
• В режиме преобразования частоты.
Электрические параметры микросхемы К237ХК2
Напряжение источника питания , ............... 4,0—6,4 В
Потребляемая мощность не более ................ 25 мВт
Ток потребления не более....................... 4,0 мА
Входное напряжение частоты 465 кГц при коэффи-
циенте модуляции т = 0,3 и напряжении НЧ на
выходе детектора 30 мВ ...................... 12—25 мкВ
Изменение напряжения НЧ на выходе детектора при
изменении напряжения ВЧ на входе усилителя ПЧ
от 50 до 3000 мкВ не более..................... 6 дБ
Коэффициент гармоник на выходе детектора при
коэффициенте модуляции напряжения ПЧ т = 0,8,
частоте модулирующего напряжения 400 Гц и вход-
ном напряжении 300 мкВ не более................ 3%
Входное сопротивление ........................ 430—1000 Ом
Таблица 3-66
Наименование параметра К237УНЗ К237УН5 K237XK3 К237ХК5
Напряжение источника питания, В /*11ОТ, мВт, не более* 5 ± 10% 6,0±’;« 5,0 + 10% 6,0 ± 10%
20 50 22 80
/<у v на частоте 10,7 МГц Эе 1900 Ss 150 6,5—8,0 10—25
Utu, мкВ, не более 1,1 — — —
/и, Гц 30Л — — —
/и. кГц /иот, мА, не более 15д — — 108
2,5 3,0 4,0 5,5
/\г не более 0,7 —. 1,6
Rих, Ом, не менее —. 300 — —
Потенциалы выводов, В: — — — 120—180
2 1II» 0,6—0,72 —
5 0,62—0,75 —
11 —— 5,4—5,6 — —.
4 ма 0,06—0,12 —
6 при (7Вых = 0 — 0,04—0,12
6 при (/вых=0,8 В — — 0,8—1,0 —
* Во всем рабочем диапазоне температур.
А Неравномерность АЧХ не более 3 дБ.
471
Параметры микросхемы К237ХК6
Напряжение источника питания 1/и, п .............6,0 В ± 10%
Ток потребления /пот не более...................... 6,0 мА
Потребляемая мощность Рпот не более ................ 80 мВт
Входное сопротивление не менее..................... 300 Ом
Крутизна преобразования не менее .................. 2,0 мА/В
Подавление сопутствующей амплитудной модуляции
не менее ......................................... 20 дБ
Параметры микросхемы К237ГС1
Напряжение источника питания........9+| В
Стабилизированное напряжение ................... 4,0—5,4 В *
Суммарное значение /кэо транзисторов 1\ и Т2 не
более................................................ 30,0 мкА
Напряжение насыщения регулирующих транзисторов
7\ и Т2......................................... 0,1—0,5 В
Ток потребления 7ПОТ............................25—31 мА**
Потребляемая мощность не более................... 300 мВт
♦ При замкнутых накоротко выводах 6—10,
•• При напряжении питания п == 9 В.
СЕРИЯ К252
Состав серии:
К252СА1 —блок компараторов.
К252УДЗА, К252УДЗБ — блок операционных усилителей.
К252ПН1 —преобразователь напряжения.
К252ПА1 — преобразователь декодирующий восьмираз-
рядный положительных токов.
К252КТ1А, К252КТ1Б —коммутатор токов.
К252ПА2 —преобразователь декодирующий восьмираз-
рядный отрицательных токов.
К252ПАЗ — преобразователь декодирующий десятираз-
рядный отрицательных токов.
Корпус металлостеклянный 157.29-1.
Электрические параметры микросхемы К252СА1
Напряжение источника питания 1/и. w ........ 12 В+}°%
Напряжение источника питания 1/и. „а ......... —6 В+}°%
Коэффициент усиления с эмиттерным повторителем на
входе Ку, v не менее............................ 600
Коэффициент усиления без эмиттерного повторителя
на входе Ку, v не менее......................... 900
Ток смещения на входе с эмиттерным повторителем
на входе /ах не более ......................«... 0,5 мкА
472
К252СА1
473
К252ПН1
К252ПА1
28 27 14 4 25 5 24 6 23 8 2122. 9 20 18 10 19 16 12 17 26 29
~|
476
К252ПАЗ
18 мкА
Ток смещения на входе без эмиттерного повторителя
на входе /вх не более............................
Напряжение смещения нуля на входе с эмиттерным
повторителем на входе (7СМ.................. . , . .
Верхний уровень выходного напряжения • • •
Нижний уровень выходного напряжения 7/вых • • • •
Ток нагрузки 1а не более ........................
Электрические параметры микросхем К252УДЗА, К252УДЗБ
6±{»%
6+}°%
7000
900 кОм
2,7 В
0,1 В
3 мА
Напряжение источника питания (7И. .............
Напряжение источника питания Ua. ..............
Коэффициент усиления по напряжению /<у.........
Входное сопротивление Квх не менее ............
Напряжение смещения нуля на входе t/CM не более
Амплитуда напряжения на выходе не менее , . . , .
Ток нагрузки /и................................
Полоса пропускания (при малом сигнале) .......
Электрические параметры микросхемы К252ПН1
Напряжение источника питания (7И. П1 >
Напряжение источника питания ии. па .
Напряжение управления ^упр .....
Выходное напряжение £/вых ..........
Входное напряжение U’BX не менее . . .
Входное напряжение 7/"х не более . , ,
8 мА
0—5,5 МГц
6В ± 10%
—6В ± 10%
0,5—2,4 В
0,7-г—0,8В
2,4 В
0,5 В
478
479
Электрические параметры микросхем К252ПА1, К252ПА2
Напряжение источника питания /7И.П]............. 6В ± 10%
Напряжение источника питания Uv_. п2........ —6В ± 10%
Напряжение источника питания //и.п3 (для К252ПА2) —12В ±1%
Напряжение источника питания //и.п3 (для К252ПА1) -J-12B ± 1%
Напряжение опорного источника питания Uon .... 6 ±0,1 %
Весовой ток 1-го разряда [г ...................2,5 мА ± 0,075
Весовой ток 2-го разряда 12................... 1/2/] ±0,1 %
Весовой ток 3-го разряда 13......................... 1/4/7±О,2%
Весовой ток 4-го разряда /4......................... 1/8/7±0,4%
Весовой ток 5-го разряда /6................... 1/16/] ± 0,8%
Весовой ток 6-го разряда /в................... 1/32/! ± 1,6%
Весовой ток 7-го разряда /7................... 1/64/! ±3,2%
Весовой ток 8-го разряда /3...................1/128/х ± 6,4%
Входное напряжение не менее...................... 24 В
Входное напряжение (%х не более.................. 0,5 В
Электрические параметры микросхем К252ТК1А, К252ТК1Б'
Напряжение источника питания //и.п1 . . . . .
Напряжение источника питания ии,па . ... ,
Входное напряжение //*х не менее .......
Входное напряжение //’х не более .......
Напряжение смещения нуля на выходе откры-
того ключа Uza ........ ................
Коэффициент передачи открытого ключа по пе-
ременному току Ко’-
не менее ................................
не более .................................
Коэффициент передачи открытого ключа по по-
стоянному току /<0:
не менее...............................
не более ..............................
не менее ..............................
не более ..............................
6 ± 10%
-6 ± 10%
2,4 В
0,5 В
± 3 мВ
0,75 КТ1А
0,78 . КТ1Б
0,95 КТ1А
0,98 КТ1Б
g | для К235КТ1А
I для К235КТ1Б
Электрические параметры микросхемы К252ПАЗ
Напряжение источника питания 6/и.п ..........—12В ±1%
Напряжение опорного источника Еоп , , ......—6В ± 0,1 %
Входное напряжение 1/^х не менее ............ 0,7 В
Входное напряжение //’х не более............. —0,8 В
Весовой ток:
1-го разряда Ц . . , . ..................2,5 мА ± 0,075
2-го разряда /2..................... • • l/2/i±0,05%
3-го разряда /3 . ,....................... 1/4/г ± 0,1%
4-го разряда /4.......................... l/8/i ± 0,1%
5-го разряда /б.......................... l/16/i ±0,2%
6-го разряда /в.......................... 1/32/]± 0,2%
7-го разряда /7......................... l/64/i ± 0,4%
8-го разряда /8.........................1/128/] ± 0,8%
9-го разряда /9 ........................1/256/] ±1,6%
10-го разряда /10 .................. 1/512/] ± 3,2%
480
СЕРИЯ К264
Состав серии:
К264УМ1, К264УМ2 — три усилителя индикации,
К264Г Ф1 — усилитель-формирователь.
К264УИ1 — усилитель импульсов со стабилизацией ампли-
туды выходного напряжения.
Корпус прямоугольный металлополимерный «Тропа»,
~Un,n1 ‘~U'n.nZ
Ugxf
Увх 2
Ugx3
16 п/р Тарабрина Б. В,
481
Электрические параметры микросхем К264УМ1, К264УМ2
Напряжение питания (7И,П1....................
Напряжение /7и.па............................
Потребляемая мощность:
от источника питания Ua. ................
от источника питания £7H.ni .............
Входной ток открытого ключа /^х..............
Входной ток закрытого ключа /°х..............
Выходной ток /вых, макс:
постоянный...................................
импульсный (при скважности, равной 9) . . .
Напряжение входного сигнала:
—48 В ± 10%
—24 В + 10%
Длительность импульса.......................
Частота /вх.................................
Напряжение выходного сигнала:
/^макс —’
Рс =65 мВт
^р
Рмакс = 323,
Рср=162 мВт
3,0 мкА
1,2 мА
8 мА
18 мА
—1,5...— 2,5 В
+1,5...+4,0 В
40 мкс
1 МГц
771 ..........................................
ВЫХ ................................................
—0,5 В
—40 В
Электрические параметры микросхемы К264ГФ1
Напряжение питания £/и. п .....................
Амплитуда выходного напряжения.................
Потребляемая мощность не более ................
Нестабильность амплитуды выходного напряжения не
более , , .....................................
1,3—1,6 В
0,7—1,1 В
720 мкВт
60 мВ
Электрические параметры микросхемы К264УИ1
Напряжение питания Ua. п . . . . ............. 8,0—16,0 В
Амплитуда выходного напряжения................. 6,5—8,3 В
Средний ток потребления ................. , , . 2,0—2,8 мА
482
СЕРИИ 265 и К265
Состав серий:
265УВ1, К265УВ1—усилитель универсальный.
265УВ2, К265УВ2 — усилитель регулируемый.
265УВЗ, К265УВЗ — усилитель касцодный.
265УВ4, К265УВ4 — усилитель балансный.
265УВ5, К265УВ5 — усилитель универсальный.
265УД1, К265УД1—усилитель дифференциальный.
265УВ6, К265УВ6 — усилитель каскодный.
265УВ7, К265УВ7 — усилитель широкополосный.
265КН1, К265КН1—ключ электронный диодный.
265ПП1, К265ГШ1
265ПГТ2, К265ПП2 — преобразователь декодирующий.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 151.15-4.
Напряжения источников питания всех микросхем: Уи.п1 =
= 6,3 В zt 10%; (Уи.п2==—6,3 В ± 10% (кроме 265УВ7 и К265УВ7).
265УВ1;К265УВ1
(Напряжение [7и.п1 подается на вывод 10, напряжение 1/и,па — на вывод/.
16*
483
265УВЗ; К265УВЗ
265УВЧ;К265УВЧ-
265УД1 ',К265УД1
2В5УВ6-}К265УВ6
484
485
265КН1;К265КН1
11
Электрические параметры микросхем 265УВ7, К265УВ7
Напряжение источника питания ...................zfcl2,6B±I0%
Потребляемая мощность не более.................. 206 мВт
Ток потребления /пот............................ 9—13 мА
Коэффициент усиления напряжения К„ у'на частоте
f = 30 МГц.......................;.............. 7,5—11,5
То же на частоте/—- 10 МГц...................... 7,0—11,0
Изменение коэффициента усиления в рабочем диапа-
зоне температур не более......................... + 10о,
—21 /о
Коэффициент неравномерности АЧХ в диапазоне ча-
стот 10 — 80 МГн не более........................ 6 дБ
Электрические параметры микросхем 265ПП1, К265ПП1,
265ПП2, К265ПП2
Напряжение источника питания 265ПП1, К265ПП1 . , . —6,3 В*
Напряжение источника питания 265ПП2, К265ПП2 . . . +6,3 В
Потребляемая мощность не более**.................... 70 мВт'
Значения разрядных токов:
/1 =/з ± 0,25%
72 = 1ъ — 0,25%
/3= 1,88 4-2,12
Ц ± 0,5%
/в=4-±!%
/6=-^-±2%
О
Управляющее напряжение.................. . , ± 1,0 В
* Допускаемое отклонение ± 10%.
* * Во всем рабочем диапазоне температур.
486
265ПП2;К265ПП2
487
Таблица 3-67
эялвэгм ‘эалвэг о 3,0—4,6 9,5—10,5 7,5—12,0 100 400 S о LO 1 1 -
ITTAS9E>I ‘ИГлвэг о : 10 3=4,0 ] 100 1 о | 17 3,0
езАедг'я ‘еяАзэг о 1 3,2—4,0 9,5—10,5 7,5—11,0 S 400 3 1 О 1О 1 1
T3AS9EM ‘ТЯЛ99Е 05 00 1,8—3,0 >=5 S 400 о ю со 1 1 1
gaAggz о 3,0—4,6 9,5—10,5 7,5—12,0 100 400 S 1 1 1 1
ZaAS9Z^I ‘галздг о 2,4—3,6 Ss8,0 _ 7,0 О 1 1 1 1 1 1
ШАддЕй •laxsgs о 3,2—4,0 9,5—10,5 7,5-11,0 о ю 400 о со 1 1 1 1
Обозначение параметра Рпот, мВт, не более Ток коллектора. мА SB А на частоте 5 МГц, мА/В Sb.А на частоте 60 МГц, мА/В 7?вых на частоте 5 МГц, кОм, не более* /?ях на частоте 60 МГц, Ом, не менее* Д' £ к Разбаланс выходных напряжений, । %, не более** 1 <1 8 ч о ю о д сд =t а К Кое. еф, дБ, не менееа Дрейф разброса выходных напря- жений, мВ/°С
* Во всем рабочем диапазоне температур.
** На частоте МГц.
А В диапазоне частот 5-~60 МГц.
□ На частоте f = 60 МГц.
488
Электрические параметры микросхем 265КН1, К265КН1
Потребляемая мощность не более*................... 111 мВт
Коэффициент передачи открытого ключа**.......... 0,8 ± 0,1
Уровень ограничения выходного сигнала не менее0 0,4 В
Напряжение разбаланса открытого ключа не более0 9,0 мВ
Напряжение на выходе открытого ключа:
постоянное...................................... 0,218—0,260 В
переменное^................................. 0,146—0,174 В
* Во всем рабочем диапазоне температур.
to ♦* При — 300 Ом, f = 15‘ МГц.
* □ При R = 300 Ом указаны действующие значения напряжения.
А Отношение выходных напряжений открытого ({7уПр = 2,5 В) и закры-
того (U„„n = 0,5 В} ключа при L, = 15 МГц не менее 40 дБ.
ЙК1 4 УПР ’ вх
СЕРИИ 272 и К272
Состав серий:
272УВ1А—272УВ1Т
К272УВ1А— К272УВ1Т
272УВ2А—272УВ2Т
К272УВ2А—К272УВ2Т
272УВЗА—272УВЗТ
К272УВЗА—К272УВЗТ
. К272УВ4А—К272УВ4Т
1, К272У В5А—К272У В5Т
К272УВ6А—К272УВ6Т
—СВЧ усилители мощности
Корпус металлостеклянный «Гриф»,
Напряжение питания всех микросхем (7И. п = 27 В ± 10%.
Usx
К272УВЧ(А~М)
272УВ2(А-М)
К272УВ2(А~М)
272УВЗ(А~М)
+1Ъ.П
К272УВЗ(А~М) II,
К272УВ5(А~М) /__]
К272УВ6(А~М) Г~ 1
и«ых
489
272УВЦН-Т)
К272УВ1(Н~Т)
272 У83(Н~Т)
К272УВЗ[Н~Т)
272УВ2[Н-Т]
К272УВ2(Н-У
К272УВЩН-7)
К272УВ5/Н-Т)
К272УВ&Н-Т)
1Н
Таблица 3-68
Обозначение параметра 272УВ1А- 272УВ1М К272УВ1А- К272УВ1М 1 272УВ2А-- 272УВ2М ... К272УВ2А— К272УВ2М 1 _. 272УВЗА- 272УВЗМ К272УВЗА- К272УВЗМ
Рпот> Вт, не более* 4,0 4,0 9,0 9,0 25 25
Р ВЫХ> Вт 0,7—1,0 0,6—1,0 2,5—3,0 2,4—3,0 8,0—10 7,0—10
Ку, р, не менее КСВН по входу не не более** 7,0 6,0 5,0 4,0 3,2 2,6
1,5 2,0 1,5 2,0 1,5 2,0
КПД, %, не менее 35 30 37 33 42 35
* Во всем диапазоне рабочих температур.
**• При номинальной выходной мощности иа центральной частоте полосы
пропускания.
Таблица 3-69
Обозначение параметра 272УВ1Н- 272УВ1Т К272УВ1Н- К272УВ1Т 272УВ2Н- 272УВ2Т К272УВ2Н- К272УВ2Т 272УВЗН- 272УВЗТ К272УВЗН- К272УВЗТ i
/-’|10Т, Вт, не более 4,0 3,3 4,0 9,0 22 27
Р ВЫХ> Вт 0,7—1,0 0,6—1,0 2,5—3,0 2,4—3,0 8,0—10 7,0-10
Ку, р не менее КСВН по входу не более 8,0 6,0 з,о 2,5 4,2 3,5
1,5 1,8 1,8 2,5 1,5 1,8
КПД, %, не менее 35 30 37 33 42 38
490
Полоса пропускания микросхем
К272УВ4А К272УВ5А К272УВ6А 145—155 МГц
К272УВ4Б К272УВ5Б К272УВ6Б 155—165 МГц
К272УВ4В К272УВ5В К272УВ6В 165—175 МГц
К272УВ4Г К272УВ5Г К272УВ6Г 175—185 МГц
К272УВ4Д К272УВ5Д К272УВ6Д 185—195 МГц
К272УВ4Е К272УВ5Е К272УВ6Е 195—205 МГц
К272УВ4Ж К272УВ5Ж К272УВ6Ж 205—215 МГц
К272УВ4И К272УВ5И К272УВ6И 215-225 МГц
К272УВ4К К272УВ5К К272УВ6К 225—235 МГц
К272УВ4Л К272УВ5Л К272УВ6Л 235—245 МГц
К272УВ4М К272УВ5М К272УВ6М 245—255 МГц
К272УВ4Н К272УВ5Н К272УВ6Н 290—3:0 МГц
К272УВ4О К272УВ5О К272УВ6О 310-330 МГц
К272УВ4П К272УВ5П К272УВ6П 330—350 МГц
К272УВ4Р К272УВ5Р К272УВ6Р 350—370 МГц
К272УВ4С К272УВ5С К272УВ6С 370—390 МГц
К272УВ4Т К272УВ5Т К272УВ6Т 390—410 МГц
К272УВ1А К272УВ2А К272УВЗА 145—155 МГц
К272УВ1Б К272УВ2Б К272УВЗБ 155—165 МГц
К272УВ1В К272УВ2В К272УВЗВ 165—175 МГц
К272УВ1Г К272УВ2Г К272УВЗГ 175—185 МГц
К272УВ1Д К272УВ2Д К272УВЗД 185—195 МГц
К272УВ1Е К272УВ2Е К272УВЗЕ 195—205 МГЦ
К272УВ1Ж К272УВ2Ж К272УВЗЖ 205—215 МГц
К272УВ1И К272УВ2И К272УВЗИ 215—225 МГц
К272УВ1К К272УВ2К К272УВЗК 225—235 МГц
К272УВ1Л К272УВ2Л К272УВЗЛ 235—245 МГц
К272УВ1М К272УВ2М К272УВЗМ 245—255 МГц
К272УВ1Н К272УВ2Н К272УВЗН 290—310 МГЦ
К272УВ1О К272УВ2О К272УВЗО 310—330 МГц
К272УВ1П К272УВ2П К272УВЗП 330—350 МГц
К272УВ1Р К272УВ2Р К272УВЗР 350—370 МГц
К272УВ1С К272УВ2С К272УВЗС 370—390 МГц
К272УВ1Т К272УВ2Т К272УВЗТ 390—410 МГц
272УВ1А 272УВ2А 272УВЗА 145—155 МГц
272УВ1Б 272УВ2В 272УВЗБ 155—165 МГц
272УВ1В 272УВ2В 272УВЗВ 165—175 МГц
272УВ1Г 272УВ2Г 272УВЗГ 175—185 МГц
272УВ1Д 272УВ2Д 272УВЗД 185—195 МГц
272УВ1Е 272УВ2Е 272УВЗЕ 195—205 МГц
272УВ1Ж 272УВ2Ж 272УВЗЖ 205—215 МГц
272УВ1И 272УВ2И 272УВЗИ 215—225 МГц
272УВ1К 272УВ2К 272УВЗК 225—235 МГц
272УВ1Л 272УВ2Л 272УВЗЛ 235—245 МГц
272УВ1М 272УВ2М 272УВЗМ 245—255 МГц
272УВ1Н 272УВ2Н 272УВЗН 290—310 МГц
272УВ1О 272УВ2О 272УВЗО 310—330 МГц
272УВ1П 272УВ2П 272УВЗП 330—350 МГц
272УВ1Р 272УВ2Р 272УВЗР 350—370 МГц
272УВ1С 272УВ2С 272УВЗС 370—390 МГц
272УВ1Т 272УВ2Т 272УВЗТ 390—410 МГц
491
СЕРИИ 284 и К284
Состав серий:
284СС2А, 284СС2Б, —два самостоятельных истоковых повтори-
К284СС2А, К284СС2Б теля и инвертирующий усилитель.
284УЕ1А, 284УЕ1Б, — истоковый повторитель на полевых тран-
К284УЕ1А, К284УЕ1Б зисторах.
284УД2, К284УД2 — усилитель с дифференциальным входом,
предназначенный для активных КС-фильт-
ров.
К284УД1А, К284УД1Б, — дифференциальный операционный усили-
К284УД1В тель.
284КН1, К284КН1 —коммутатор напряжения постоянного и пе-
ременного тока.
284ПУ1, К284ПУ1 —преобразователь уровня управляемый.
К284УН1 А, К284УН1Б — усилитель низкой частоты малошумящий.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 151.15-4.
Электрические параметры микросхемы 284ПУ1
Напряжение источника питания ......................± 15 В ± 10%
Выходное напряжение ограничения:
не менее ..................................... ± 0,97 В (
не более .................................... +z 1,03 В
Выходное напряжение не менее...................... ± 10,5 В
Выходное напряжение покоя не более................ ± 50 мВ
Электрические параметры микросхемы К284ПУ1
Напряжение источника питания ......................± 15 В ± 10%
Выходное напряжение ограничения:
не менее....................................0,97 В — 1,03 В
не более ...................................1,03 В — 0,97 В
Выходное напряжение не менее........................ +10 В
Выходное напряжение покоя не более.............. ± 50 мВ
Электрические параметры микросхемы К284УН1
Напряжение источника питания Коэффициент усиления напряжения . . . . Нормированная ЭДС шума не более . . . . Выходное сопротивление, кОм 492 .... ± 12 В ± 10% .... 100_ . . . . 200 нВ/КГц (гр. А) 500 цВ/р^Гц (гр. Б)
284СС2(А,Б);!(28МС2(А,Б}
<4
28ЧУЕ1(А,Б) ‘>К28ЧУЕ1(А)Б)
493
494
гвт^гет
Выход 2
В Н.П
вупр. 2
Выход 3
Вц.п
дупрЗ
/<28ЧУН1(А,Б)
495
Таблица 3-70
Обозначение параметра 284 УД2, К284УД2 К284УД1А К284УД1Б К284УД1В
^и.п ±6 В ± ± 10% ± 9 В ± ± 10% + 9В± ± 10% ±9 В ± ± 10%
РПОт, мВт, не более 80 55 55 55
Ку. у не менее 5000 20 000 20 000 20 000
17см, мВ, не более ±20 ± 10 ± 10 ± 10
Кое, сф> ДБ, не менее 40 70 70 60
/?вых, Ом, не более 10* 200 200 200
7?Bblx, кОм (высокоомный вы- ход) 300 — —
/?вх, МОм, не менее 200 5 5 5
7ВХ, нА, не более 10 — — —
£/вых, В, не менее 1,5** 5 5 5
* Низкоомиый выход в режиме масштабного усиления с /< = 10.
** В режиме масштабного усиления с К = 10 при Кг=1%.
Таблица 3-71
Обозначение параметра 284КН1 К284КН1
^и. п —15 В ± 10% —15 В ± 10%
^Лсом, В.'
не менее —9 —9
не более + 10 +10
/пот, мА, не более 12 12
^2упр> В 2,3—2,5* 2,3—2,5*
0—0,35** 0—0,4**
/ут, нА, не более 10 10
/?от, Ом, не более 250 250
/ком, м^, не более 5 5
fK, МГц, не более 1,0 1,0
/вкл, мкс, не более — 3
/ВЫКл, мкс, не более — 2
* В открытом состоянии.
** В закрытом состоянии.
496
Таблица 3-72
Обозначение параметра 284СС2А, 284СС2В, К284СС2А, К284СС2Б
Истоковые повторители Инверти- рующий усилитель
гр. А гр. Б
^и. П1 + 6 В ± 10% +6 В ± 10% 4-6 В± 10%
^й. П2 — — —6 В ± 10%
Рпот, мВт, не более 100 100 100
Коэффициент передачи на частоте 40 Гц в диапазоне температур окружающей среды от —60 до 4~85’С: не менее* 0,988 0,980 —
и на частоте 40 Гц в диапазоне температур окружающей среды от —60 до -!-85яС не менее* — — 200
Явх на частоте 40 Гц, МОм, не менее 400 400 10
Свх, пФ, не более 3 3 —
Квых, Ом, не более* 75 75 350
1/вых при подаче на вход нулевого потенциала, В, не более —1 —1 —
1/вых в режиме масштабного усиления с коэффициентом К=1, В, не более* — — ± 1
^вых.макс на частоте 1 кГц и (У коэффициентом гармо- ник 0,8%, В, не менее 1 1 —
Ввых- макс в режиме мас- штабного усиления с коэф- фициентом/<—1, В, не ме- нее* — 1
Кн₽1 Ач в диапазоне частот 1 Гц —200 кГц, дБ, не более* 0,5 0,5 0,5*’
Динамический диапазон при Рс/^ш —3 ДБ не менее 86 86 80**
* При /?н.®= Ю кОм, С «=40 пФ.
** В режиме масштабного усиления с коэффициентом Л == 1 в полосе ча-
стот 1Гц —100 кГц при 7?н= 10 кОм, Сн = 40 пФ.
497
Таблица 3-73
Обозначение параметра 284УЕ1А, К284УЕ1А 284УЕ1Б, К284УЕ1Б
Пи. П1> В 6 ± 10% 6 ± 10%
1^И. П2, В —6 ± 10% -6 ± 10%
Р„от, мВт, не болееА 18 18
КУ1 у не менее* 0,97 0,97
Уровень собственных шумов, мкВ, не более 10 20
Ивых» В, не менее 1,0 1,0
Свх, пФ, не более 12 12
^вых> Ом, не более 150 150
Анр. Ач’ дБ> не более*‘ 5,0 5,0
* Нестабильность коэффициента усиления напряжения при изменении
температуры от ±25 до ±70® С или от —60 до ±25® С не более ±2,5%.
** В полосе частот Д/ = 20 Гц±20 кГп при 7?н==10 кОм, Кг^2%-
д Во всем рабочем диапазоне температур.
СЕРИЯ 301
Состав серии:
301НР1А —301НР1М
301НР2
301НРЗ,
301НР4А —301НР4М,
301НР5А —301НР5М,
301НР6А — 301НР6М
301НР7, 301НР8,
301НР9, 301НР10
301НР11
301НР12
— декодирующая резистивная матрица
Я = 2 R.
— последовательный делитель напряжения,
— матрица декодирующая резистивная типа
R = 2 R.
— последовательный делитель напряжения.
— декодирующая двоично-десятичная рези-
сторная матрица.
— декодирующая резисторная матрица типа
Я = 2 R.
Корпус прямоугольный 255,АМП,28-1.
498
301НР1А-301НР1М
1 3 25 5 23 7 21 9 19 11 16 13
301НР2
Ri
Rz
28 2 26
25
Rs
Rs
9
Rs
otc=b
Rg Rg.
Rio Ru Riz
23 6 7 21 9 19 18
11 16 12 H
301HP3;301HPi4(A-M);
301HP5(A -M); 301HP6(A ~M)
499
301HP3 301НР4А — 301НР4М 301НР5А — 301НР5М 301НР6А —301НР6М 301НР2 j 301НР1А —301НР1М Тип микросхемы
л 1 2047 °Т 2048 Д° 2048 Через 2048 „ 1 1023 От 1024 Д° 1024 1 дискретно через Коэффициент деления
н о о о 1+ о “о ±0,0135 Относитель- ная погреш- ность коэффи- циента деле- ния, %, не более
12,6 СС о 12,6 Напряжение на входе, В, не более
150 Б01 300 Сл О Рассеиваемая мощность, мВт, не более
ел
Относительная по- грешность коэффи- циента деления, %, не более Рассеиваемая мощ- ность, мВт, не бо- лее Время установления переходного про- цесса, мкс Наименование параметра Таблица 3-74
± 0,0175 70 1 301НР7 Тип микросхемы
1+ 8 £ © ° 8 301НР8
1+ О ~ О СС о О ОД 301НР9
1т ±73 -Р 01 ° § 301НР10
1+ 5^ о о Ел ° о с? 301НР11
Н -° £ © о © 301НР12
Таблица 3-76
Наименование па раметра
Тнп микро- схемы Сопротивление резисторов Коэффициенты деления
Буквенное обозначен не Номиналь- ное значе- ние, кОм Буквенное обозначение Номинальное значение Допустимое отклонение, % Входное напряжение, В, не более
301НР7 ^?i -5- Ru 30 К1=К2=... Ri3 = Ri: (^1 + ^2) — = Ri: (Ri + Ru) 0,5 ±0,035 24
Ri> R& R& Rq\ Rg‘t Rio 15 ® сл 4» со ta _ II II II II II II 2° 3° 23 23 йэ 5з >3 ++++++ Лэ йз йз йз Лз Лз to 0,5000 0,3261 0,9375 0,5000 0,5000 0,3261 24 30 12
301НР8 Ra; Ri-, Ru 31 24 24 30
R^t Rg> R12 1 СО W »-» о СО 00 -О II II II II II II II 23 23 ^2 >0 >0 ЙЭ 50 5р 50 50 50 >□ 50 +++++++ 50 50 50 50 50 50 50 5L- 0,9375 0,5000 0,5000 0,3261 0,9375 ±0,05 12 24 24 30 12
Л13 30
R14 18,58 0,4467 30 24
Продолжение табл. 3-76
Тип микро- схемы Н аи мено ва н ие пар а метра
Сопротивление резисторов Коэффициенты деления
Буквенное обозначение Номинальное значение, кОм Буквенное обозначение Номинальное значение Допустимое отклонение, % Входное напряжение, В, не более
301НР9 Rr* R^ R&’ Re» Ra» Rio 4,5 й'с?с?с<сес£|^с£с£о7сеа7с7 +++++++++++++ 'гЧ"И г** т* | S S S. S SS S> Si Si S II 11 II II II II II II II II II II И 0,5000 0,3261 0,9375 0,5000 0,5000 0,3261 • 0,9375 0,5000 0,5000 0,3261 0,9375 0,3333 0,4467 ' ±0,05 12 15 6 12 15 6 12 12 15 6 15 12
Rs, Ri, Ru 9,3
Ri, Rs, Ru 0,3
R13 9
R14 5,574
301НРЮ Ri Rz /?3 Ri 135,886 19,357 48,502 21,936 Ki — Ru : (7?i + Р15) Ks=Ru-(Rz+Ru) Кз—Ru' (-Pie + Pis) Ri — Ru: (Ri ~h Ru) 0,0994 0,43659 0,50000 0,40611 ±0,035 24
Продолжение табл. 3-76
Тип микро- схемы Наименование параметра
Сопротивление резисторов Коэффициенты деления
Буквенное обозначение Номинальное значение, кОм Буквенное обозначение Номинальное значение Допустимое отклонен ие, % Входное напряжение, В, не более
301НР10 Rs Re R, Rs Rs Rio Rn R12 Ris Ru Ris—Ru 66,564 20,421 55,858 21,090 83,015 19,908 43,248 22,977 15,000 14,985 15,000 ******>;>; -»о>сл>иоэ«я1->о5оаэмо>сл II II II II II II II II II II II II II X) Лз йзЛзйзгпйзйзйзДдХзХзйз м i-i 'О'^Лз'ЛэЛз >5йз5з5з ; S Е 8 S • S К - • К » « “ +++++++++++++ Л Лэ йз>з йзд0^3 со_ to 1 ч__</-У_- 0,23621 0,18390 0,42348 0,50000 0,41563 0,21169 0,50000 0,50025 • 0,15304 0,42970 0,50000 0,39497 0,25572 ±0,035 24
301НР11 Ri! Re! Rn 12,5 Кт К2 К3 к4 к6 к6 к, Кв Кв Кю 0,4. 0,2 0,2 0,1 0,04 0,02 0,02 0,01 0,004 0,002 0,053 ~ Кп 12
co » й Oja; *<m *<» Ojct; 25
Ri! Rs! Ria! Ris 50
Продолжение табл. 3-76
уг Тнп микро- схемы Наименование параметра ,
Сопротивление резисторов Коэффициенты деления
Буквенное обозначение Номинальное значение, кОм Буквенное обозначение Номинальное значение Допустимое отклонение, % Входное напряжение, В, не более
301НР11 /?ю 45 Й S в 0,002 0,001 Соответствует линейной комбинации вышеуказан- ных коэффициентов от 0,001 до 0,999 дискретно через 0,001 0,053 ±_КП 12
301НР12 R4; R2! Rt! Ro! Rs! Riol Riol Riii Riel Riel R20I R21I R22 30 К1 Ко К3 К4 К6 Кв К, К, к9 Кю ка 1/2 1/4 1/8 1/16 1/32 1/64 1/128 1/256 1/512 1/1024 Соответствует линейной комбинации вышеуказан- ных коэффициентов от 1/1024 до 1/1023/1024 дис- кретно через 1/1024 0,0326 - кп 30
R3, ^7’ ^9» ^115 £ЛЗ! ^?15> ^?17» ^19 15
Таблица 3-77
Условное обозначе- ние Расчетный номинал, кОм
301 HP 1 301НР2 301НРЗ 301НР4 301НР5 301НР6
R 5 5 1 5 10 20
2R 10 10 2 10 20 40
Таблица 3-78
Номинал резистора Позиционное обозначе- ние Номинал резистора
Позиционное обозначение ! i 301НР1А—301НР1М 301НР2 ЗОШРЗ 301НР4А—301НР4М, 301НР5А—301НР5М, 301НР6А—301НР6М 301НР1А—- 301НР1М 301НР2 ЗОШРЗ 30IHP4A—301НР4М, 301НР5А—301НР5М, 301НР6А—301НР6М
Ri Яг Я3 Яя Яз Яв я, Яв я9 Я10 Ян Я12 2R 2R — &R R 2R — &R R 2R — &R R 2R — &R R 2R — &R R 2R-—&R я я 2R R R 2R R R 2R R R 2R 2R 2R R 2R R 2R R 2R R 2R R 2R 2R 2R R 2R — &R Я 2R — &R R 2R — \R R 2R—AR R 2R — &R Я13 Я14 Як, Я16 Я17 Я1в Я19 Яго Яг1 Ягг Ягз а: о; Qj о; < о «а 1 1 1 1111 ОС ОС 07 Дг ОС о; ОС ОС ся ся <м ся 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Я 2R R 2R R 2R R 2R 2R 2R 2R о; с^сеосос < <3 < <1 < <1 < 1 1 1 1111 QCCiCQCQCQCftC^QcOCQCClc сч ся ся ся ея ся ся
Примечание. С целью снижения погрешности коэффициентов деле-
ния при работе с источниками напряжения, имеющими определенное внут-
реннее сопротивление, разрядные резисторы /?2. Rs> Кю» Я12» Я14, /?ie,
Ли, «го для 301НР1 и Я4, 7?0, «8, «ю. «12. «и. «м, «is, «20, «гг и «83 в микро-
схемах 301НР4— 301НР6 изготавливаются уменьшенными на значение Д7?,
указанное ниже.
Подтип
микросхемы
А
Б
В
Г
д
Е
Зна чениа
Д«, Ом
О
10
20
30
40
50
Подтип
микросхемы
Ж
и
к
л
м
Значение
ДЯ, Ом
60
70
80
90
100
506
"J ’ 1
Состав серий:
СЕРИИ 504 и К504
504УН1А — 504УН 1 В, К504УН1А — К504У Н1В Д
504 УН2А - 504 УН2В, К504УН2А — К504У Н2В J
504НТ1А-504НТ1В,
К504НТ1А—-К504НТ1В
504НТ2А —504НТ2В,
К504НТ2А—-К504НТ2В
504НТЗА—504НТЗВ,
К504НТЗА — К504НТЗВ
504НТ4А —504НТ4В,
К504НТ4А — К504НТ4В
усилитель.
— пара полевых тран-
зисторов слаботоч-
ная согласованная.
— пара полевых тран-
зисторов слаботоч-
ная согласованная.
— пара полевых тран-
зисторов сильно-
точная согласован-
ная.
— пара полевых тран-
зисторов сильно-
точная согласован-
ная.
Корпус круглый металлостеклянный 301.8-2.
50ЧУН1(А,Б> В); К50ШН1(А,Б,В)
50ЮН2(А,Б,В); K50WH2(A,5, В)
1
БОШ^А^В); К50ЧНТ1 (А,Б,В)
50ЧНТ2(А,Б,В)- К50Ч-НТ2 (А,Б,В)
50 ЧНТ5(А,Б, В); К50 W ТВ (А, Б, В)
50ЧНТЧ (А,Б,В); K50WT4 (А,Б,В)
507
Таблица 3-79
Обозначение параметра 504УН1, 504УН2, К504УН1. К504УН2
А Б В
t/и. П. В * —12,0 —12,0 -12,0
к ** Лу, £7 10—60 40—120 80—200
/пот, мА, не более*** 10 10 10
£^вых, мзке» В, не менее0 0,5 0,5 0,5
(/ш, мкВ, не более-:
для 504УН1, К504УН1 3,0 3,0 3,0
для К504УН2 10 10 10
для 504УН2 5,0 5,0 5,0
* Допускаемое отклонение +10%.
При UBX « 1 мВ, f = 1 кГц-
Во всем диапазоне рабочих температур.
° При = 3 кОм, f = 1 кГц, Хг = 10%.
А В полосе частот 5 Гц — 10 кГц.
Таблица 3-80
Обозначение параметра 504НТ1, 504НТ2, К504НТ1, К504НТ2 504 НТЗ, 504 НТ4, К504НТЗ, К504НТ4
А Б В А Б В
!е, иач, мА 1 0,1— 0,7 0,4— 1,5 1—2 1,5— 7,5 5—15 10—20
t/.чи оте, В, не более2 5,0 5,0 5,0 5,0 5,0 5,0
SB А, мА/B, не менеез 0,3 0,5 0,8 1,5 3,0 5,0
/3, нА, не более4 2,0 2,0 2,0 2,0 2,0 2,0
Напряжение смещения нуле- 30 30 30 30 30 30
вого уровня, мВ, не более?
> При 4Zcpj==—10 В, t/3pj = 0: Для паР транзисторов 504НТ2, К504НТ2,
5О4НТ4, К504НТ4 отношение начальных токов не менее 0,05.
t При 1/си = —5 В: «ля наборов 504НТ1, К604НТ1, 504НТ2 и К504НТ2
при Iq = 1 мкА, Для наборов остальных типов при = 10 мкА.
8 При С/Си = -10 В: для наборов 504НТ2, К504НТ2, 504НТ4 и К504НТ4
отношение значений 5g. д не менее 0,85.
4 При Пси = 5 В.
в Указаны значения напряжения для наборов транзисторов &04HTL
К504НТ1, 504НТЗ и К504НТЗ.
РАЗДЕЛ ЧЕТВЕРТЫЙ
МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ
ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
4-1. ОСОБЕННОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ МИКРОСХЕМ
Методика измерений электрических параметров интегральных
микросхем по форме и содержанию значительно отличается от методов
измерения параметров полупроводниковых приборов. Методы измерения
электрических параметров полупроводниковых приборов к настоя-
щему времени в достаточной степени определились. Как правило, при
описании метода измерения приводятся принципиальная схема изме-
ряемого прибора (транзистора, диода, динистора, трииистора и т. д.),
применяемые измерительные приборы и элементы измерительной схемы
с указанием их точности, рекомендации по выбору и конкретные зна-
чения электрических параметров элементов измерительной схемы, ука-
зания о точности поддержания электрических режимов в процессе
измерений. Такая полнота и конкретность изложения позволяют непо-
средственно применять их для измерения электрических параметров
полупроводниковых приборов. Обусловлено такое положение тем, что
имеется сравнительно краткая и устоявшаяся система параметров
полупроводниковых приборов, что стало возможным благодаря подобию
принципов действия и устройств этих приборов. Однако в силу целого
ряда особенностей МС (особенно аналоговых) изложить методы измере-
ния их электрических параметров в такой же форме не представляется
возможным по следующим причинам.
В отличие от полупроводниковых приборов МС представляют собою
узлы, предназначенные для выполнения самых разнообразных функ-
ций, и поэтому характеризуются различными электрическими пара-
метрами.
Многообразие этих узлов, а следовательно, и электрических пара-
метров, их характеризующих, что особенно типично для аналоговых
МС, создает серьезные трудности на пути создания единой системы
параметров для всех микросхем.
Перечисленными причинами обусловлены некоторые особенности
описаний методов измерения, изложенные в данном разделе.
Ряду современных микросхем, преимущественно аналоговых, свой-
ственна функциональная незавершенность; чтобы МС смогла выполнять
свою функцию, к ее выводам необходимо подключить так называемые
навесные (внешние) элементы: резонансные контуры, разделительные
или развязывающие конденсаторы и т. п. В силу того, что каждый тип
МС имеет свою индивидуальную схему включения, на которой показы-
ваются нумерация выводов, необходимые перемычки между выводами,
509
места подключения дополнительных навесных элементов и источников
питания, типы и номиналы навесных элементов, функциональные схемы
измерения электрических параметров, приведённые в настоящем раз-
деле, не могут непосредственно использоваться как схемы измерения.
На их основе в каждом конкретном случае должны составляться кон-
кретные функциональные схемы измерений с указанием всех необхо-
димых элементов и соединений.
И, наконец, различные типы МС даже одного класса сильно раз-
личаются между собою значениями электрических параметров, элект-
рическими схемами, технологией изготовления. Все это приводит к тому,
что электрические параметры различных типов МС изменяются по раз-
ным законам при изменении того или иного воздействующего фактора
в одинаковых пределах. В силу того, что воздействующие факторы для
разных типов МС могут быть различны и коэффициенты влияния этих
факторов на значения электрических параметров МС в общем случае
неизвестны, методы измерения, приведенные в настоящем разделе, не
содержат рекомендаций по вопросам, связанным с погрешностями
измерения электрических параметров. В общем виде некоторые вопросы,
связанные с погрешностями, будут освещены в подразделах, описываю-
щих сами методы измерения электрических параметров аналоговых и
цифровых МС. Конкретные значения погрешностей измерений электри-
ческих параметров указаны в технических условиях на МС
конкретных типов.
При измерении электрических параметров интегральных микро-
схем должны выполняться следующие основные требования.
В процессе измерения не должны нарушаться электрические и
тепловые режимы микросхем, для чего отсчет измеряемых параметров
следует производить сразу после подачи питающих напряжений или
через определенный момент времени, указываемый в технической доку-
ментации (НТД). Для защиты микросхем от перегрузок, возникающих
при воздействии переходных процессов, при включении, выключении,
коммутации различных цепей и элементов структурных схем, а также
от воздействия статического электричества должны быть предусмотрены
различные защитные устройства, предупреждающие выход микросхем
из строя в процессе измерений.
Необходимо также убедиться в том, чтобы во время измерений не
возникало паразитной генерации испытуемой МС, которая может по-
явиться в результате неудачно выполненного монтажа или плохих
контактов в измерительных цепях. Во избежание этого подключение МС
к схеме измерений должно осуществляться через контактирующие
устройства, обеспечивающие надежный электрический контакт без меха-
нических повреждений выводов МС. Не рекомендуются припайка вы-
водов МС, их обрезание или изгибание. Для измерения электрических
параметров следует применять источники питания, обеспечивающие
установку величины питающего напряжения с точностью 0,5—1%, при
этом коэффициент пульсаций должен быть в пределах 0,5—2%, если
в НТД не оговорена другая величина. Температура окружающей среды
в процессе измерений должна соответствовать НТД или справочным
данным на МС.
С учетом вышеизложенного методы измерения электрических пара-
метров МС, описываемые в данном разделе, могут быть использованы:
при измерении и определении значений электрических параметров
и характеристик интегральных схем;
при разработке НТД, устанавливающей методы измерения электри-
ческих параметров МС;
510
для определения различных функциональных зависимостей элект-
рических параметров МС, необходимых при расчете и конструирова-
Рис. 4-1. Условные графические обозначения схем для измерения
электрических параметров интегральных микросхем.
а — измеряемая цифровая или аналоговая интегральная микросхема, общее
обозначение; б — измеряемая аналоговая микросхема с двумя входами и одним-
двумя выходами; в — источник опорного напряжения; г —. генератоо тока
нагрузки; д — генератор сигналов; е — операционный измерительный уси-
литель (знаком «минус» отмечается инверсный вход); ж — фильтр нижних
частот; з — измеритель переменного напряжения, например вольтметр; и —
измеритель постоянного напряжения, например вольтметр; к — измеритель
переменного тока, например миллиамперметр; л — измеритель постоянного
тока, например микроамперметр; м — измеритель частоты; н — измеритель
фазового сдвига; о — измеритель коэффициента гармоник; п — осциллограф
. (измеритель временных интервалов); р — нагрузочный регистр, эквивалент
Н нагрузки микросхемы.
На всех приводимых ниже функциональных схемах устройств,
‘ используемых для измерения электрических параметров и характери-
стик интегральных микросхем, приняты условные графические обоз-
начения элементов, представленные на рис. 4-1.
4-2. ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ
ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
Изложенные в данном параграфе методы измерения параметров
применимы для следующих логических элементов микросхем:
группа I — микросхемы, реализованные на принципе резисторно-
транзисторной логики (РТЛ), транзисторной логики с непосредствен-
ными связями на МОП структурах и транзисторной логики с рези-
сторно-емкостными связями (РЕТЛ);
группа II — микросхемы, реализованные на принципе диодно-
транзисторной логики (ДТЛ) и транзисторно-транзисторной логики
(ТТЛ);
группа III — микросхемы, реализованные на принципе транзистор-
ной логики с эмиттерными связями (ЭСЛ).
Погрешность измерения электрических параметров микросхем,
включающая погрешности установления испытательного режима на
511
входных и выходных выводах, выводах питания, параметров нагрузки
и точности измерительных приборов, не должна превышать ±5% в ста-
тическом режиме для микросхем всех групп; в динамическом режиме
для микросхем всех групп: ±10% — для микросхем со средним вре-
менем задержки распространения 5 нс и более; ±15% —для микро-
схем со средним временем задержки распространения от 1,0 до 5,0 нс;
±20% — для микросхем со средним временем задержки распростра-
нения до 1,0 нс. Конкретные значения погрешности измерения электри-
ческих параметров указываются в технической документации на микро-
схемы (НТД).
Измерение значений параметров микросхем проводится в точках
входной, выходной и передаточной характеристик для статических
параметров и в точках огибающей импульсных сигналов для динамиче-
ских параметров.
При измерении динамических параметров в качестве источника
импульсных сигналов может применяться генератор или микросхема
того же типа, что и измеряемая. Параметры прямоугольного импульса
и частота следования на входе измеряемой МС (амплитуда и длитель-
ность импульса, длительности фронта и среза, выбросы на вершине и
в паузе между импульсами) должны соответствовать условиям совмест-
ной работы микросхем одного типа.
Источник сигналов и измеритель динамических параметров должны,
как правило, соединяться с измеряемой МС при помощи согласованной
линии связи (условия согласования приводятся в технической докумен-
тации на микросхемы).
В качестве нагрузки при измерении динамических параметров при-
меняют микросхемы, аналогичные микросхемам, у которых измеряются
динамические параметры или эквивалент нагрузки из набора дискрет-
ных элементов (диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов),
имитирующих типовые режимы при измерениях, В приводимых ниже
схемах измерения источник опорного напряжения для МС группы III
может отсутствовать, если такой источник содержится внутри микро-
схем.
Для микросхем, имеющих инвертирующий и неинвертирующий
выходы или несколько отдельных логических элементов в составе мик-
росхемы, измерения электрических параметров следует производить
по каждому выходу.
Для микросхем группы III, имеющих источник смещения выходных
уровней (/ем. у, измерение параметров t/вых; (/вых; /пот, /пот; /зд,р»
/эд, р должно производиться при подключенном сопротивлении нагрузки
между выходом микросхемы и источником напряжения (/см,у.
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ НАПРЯЖЕНИЯ
Измерение пороговых напряжений логического нуля и логической
единицы. Схемы устройства для измерения (/пор и (/пор приведены на
рис. 4-2. Значения пороговых напряжений определяют сравнением
переменных напряжений на входе и выходе МС при определенном дина-
мическом коэффициенте передачи. На вход МС подают изменяемое по
величине постоянное напряжение и одновременно переменное напряже-
ние. Для измерения напряжения (/’юр входное постоянное напряже-
ние изменяют от уровня логического нуля до уровня логической еди-
ницы, а при измерении напряжения Unop — от уровня логической еди-
ницы до уровня логического нуля,
512
Выходное сопротивление генератора переменного напряжения
должно быть таким, чтобы амплитуда сигнала не изменялась при изме-
нениях входного постоянного напряжения микросхемы. Частоту сиг-
нала переменного напряжения устанавливают значительно ниже пре-
дельной частоты переключения измеряемой микросхемы. Значения по-
роговых постоянных напряжений СЛ'юр и (/пор определяют в момент
срабатывания схемы сравнения.
Рис. 4-2. Схема измерения параметров (/пор и (/пор цифровых микро-
схем.
Измерение выходного напряжения логического нуля. При изме-
рении (/вых цифровой МС на ее проверяемом выходе должен обеспечи-
ваться низкий уровень напряжения при наличии выходного тока и изме-
ряется результирующее выходное напряжение. На проверяемом вы-
Рис. 4-3. Схемы измерения параметра Пвых цифровых микросхем
группы I.
а — нсиивсртирующих; б — инвертирующих.
ходе микросхем групп I и Ш устанавливают ток нагрузки подключе-
нием соответствующего сопротивления нагрузки, а при измерении мик-
росхем группы II на проверяемый выход подают втекающий ток от
генератора тока. Значение сопротивления нагрузки или задаваемого
тока в цепи нагрузки определяется коэффициентом разветвления по
выходу.
17 п/р Тарабрина Б. В,
513
У микросхем групп I и III источник тока (резистор) в схеме изме-
рений может отсутствовать, если при напряжении (/вх на входе микро-
',0
схемы отсутствует ток /вх.
Для обеспечения на выходе микросхемы низкого уровня напряже-
ния на ее входы подают для инвертирующих микросхем групп I и III
на один вход логического элемента — пороговое напряжение (/нор,
а на остальные входы — напряжение логического нуля 6'вх (или напря-
жение логической единицы Ubx) (рис. 4-3, б и 4-4, а).
О
Рис. 4-4. Схемы измерения параметра [/вых цифровых
группы III.
а — инвертирующих; б — неинвертирующих.
микросхем
Для микросхем группы III, входы которых соединены с источни-
ком питания через внутренние резисторы микросхем, подается только
пороговое напряжение (/пор, остальные входы остаются свободными;
па все объединенные входы неинвертирующих микросхем групп I
и III — пороговое напряжение (/пор (рис. 4-3, а и 4-4, б);
на все объединенные входы инвертирующих микросхем группы II —
пороговое напряжение (/пор (рис. 4-5);
для неинвертирующих микросхем группы II на один вход логиче-
ского элемента — пороговое напряжение Упор , а на остальные входы —
514
Напряжение логической единицы Ь'*х (или напряжение логического
нуля (/вх) (рис. 4-6).
При измерении параметра Unux у микросхем группы III, имеющих
отрицательное напряжение источника питания, эквивалент нагрузки
следует подключать между выходом микросхемы н источником питания.
Рис. 4-5. Схема измерения па-
раметров //вых инвертирующих
и (/вых неинвертирующих ци-
фровых - микросхем группы II,
Рис. 4-6. Схема измерения па-
раметров (/вых неинвертирую-
щих и (/ibix инвертирующих
цифровых микросхем группы И.
Измерение выходного напряжения логической единицы. При изме-
рении t/ibix цифровой МС на ее проверяемом выходе должен обеспечи-
ваться высокий уровень напряжения при заданном выходном токе и
измеряется результирующее выходное напряжение.
Рис. 4-7, Схемы измерения параметра (/вых инвертирующих цифровых
микросхем группы I (а) и группы III (б).
Вход 1
'Вход т-1
ГВхо^т"
и°
На проверяемом выходе микросхем групп I н III устанавливают
ток нагрузки подключением соответствующего сопротивления нагрузки,
а при измерении микросхем группы II па проверяемый выход подают
вытекающий ток от генератора тока. Значение сопротивления нагрузки
или задаваемого тока в цепи nai рузки определяется коэффициентом
разветвления по выходу.
Для обеспечения на выходе микросхемы высокого уровня напряже-
ния на ее входы подают;
17*
515
для шшерти[>уюших микросхем групп I и III на все объединенные
входы — пороговое напряжение Unop (рис. 4-7);
для иеиг.вертирующих микросхем групп I и III на один вход логи-
ческого элемента — пороговое напряжение Unop’ а на остальные вхо-
ды — напряжение логического нуля с/вх (или напряжение логической
единицы Ubx) (рис. 4-8).
Для микросхем 1 руппы III, входы которых соединены с источником
питания через внутренние резисторы микросхем, подается только поро-
говое напряжение Unop, остальные входы остаются свободными;
Гис. 4-8. Схемы измерения параметра и’ВЬ1Х неинвертирующих цифро-
вых микросхем группы I (а) и группы III (б).
для инвертирующих микросхем группы II на один вход логического
элемента — пороговое напряжение (Упор, а на остальные входы —
напряжение логической единицы С’вх (или напряжение логического
нуля 7/вХ) (рис. 4-6);
для неинвертирующих микросхем группы II на все объединенные
входы — напряжение Uhop (рис. 4-5).
При измерении параметра l/вых у микросхем группы П1, имеющих
отрицательное напряжение источника питания, эквивалент нагрузки
Следует подключать между выходом микросхемы и источником питани;1.
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ ТОКА
Измерение входного тока логического нуля. При измерении 7ВХ
на проверяемый вход микросхемы группы II подают напряжение 1/вх
и измеряют результирующий ток в цепи входа. При этом на остальные
объединенные входы МС подают напряжение 7/вх, а выход микросхемы
остается свободным (рис. 4-9). Входной ток логического нуля МС групп I
и III не измеряют.
Измерение входного тока логической единицы. При измерении /вх
микросхем всех групп на проверяемый вход подают напряжение Свх
и измеряют результирующий ток в цепи вывода. При этом на осталь-
ные входы МС групп II и III подают напряжение Них (рис. 4-10, б, а)
и напряжение Uhx (или U"tix), обеспечивающее максимальный входной
516
ток в цепи измеряемого вывода для микросхем группы I (рис. 4-10, в).
Для микросхем группы III, входы которых соединены с источником
питания через внутренние резисторы микросхем, должно подаваться
Рис. 4-9. Схема измерения параметра /вх цифровых микросхем
группы II,
только напряжение Двх, остальные входы остаются свободными. Выход
измеряемой микросхемы оставляют свободным.
Рас. 4-10. Схемы измерения параметра /их цифровых микросхем
группы I (а), группы II (б) и группы III (в).
Г
! Измерение тока утечки на выходе. При измерении /ут, ВЬ1Х у микро-
схем I и II групп на проверяемый выход МС подают напряжение пита-
ния и измеряют результирующий ток, проходящий в цепи вывода.
г ' Ы7
При этом:
на все объединенные входы инвертирующей микросхемы группы I —
напряжение Ubx (рис. 4-11, а);
па один вход неинвертирующей микросхемы группы I —напряже-
ние и'Вх, а на остальные объединенные входы — напряжение 1/вХ
(рис. 4-11, б);
Рис. 4-11. Схемы измерения параметра /уТ,ЕЬ1х инвертирующих (а)
и нсинвертирующих (б) цифровых микросхем группы I.
на один вход инвертирующей микросхемы группы II — напряже-
ние Увх, а на остальные объединенные входы — напряжение Ubx.
(рис. 4-12, а);;
па все объединенные входы неинвертирующей микросхемы груп-
пы II — напряжение t/вх (рис. 4-12, б).
Ток утечки на выходе микросхем группы III не измеряют.
Рис. 4-12. Схемы измерения параметра /уТ,вых инвертирующих (а) и
нсинвертирующих (б) цифровых микросхем группы II,
Измерение выходного тока логической единицы. При измерении
/вых МС группы I на проверяемый выход подают напряжение I/вых и
измеряют ток в цепи вывода.
При этом:
па все объединенные входы инвертирующей ЛК группы I — на-
пряжение Пнор (рис. 4-13, а);
на один вход неинвертирующей микросхемы группы I — напряже-
ние Uho-p, а на остальные входы —- напряжение С/вх (или напряже-
518
ние Ubx), обеспечивающее выходной ток 1'РЪ<х в цепи измеряемого вы-
вода (рис. 4-13, б).
Выходной ток логической единицы у микросхем II и III групп не
измеряют, а задают в виде режима при измерении выходных напряже-
ний {/вых, СвыХ.
Рис. 4-13. Схемы измерения параметра /вых инвертирующих (а) и
неинвертирующих (б) цифровых микросхем группы I.
Измерение тока потребления от источника питания. При измере-
нии тока потребления /пот на выходе микросхемы обеспечивают низкий
уровень напряжения при отсутствии сопротивления нагрузки и измеря-
ют значения токов в цепи выводов питания. На все объединенные входы
Рис. 4-14. Схемы измерения параметров /?ют нсинвертирующих (а) и
/пот инвертирующих (б) цифровых микросхем.
неиивертирующих микросхем подают напряжение t/'вх (рис. 4-14) и
(/вх для инвертирующих микросхем (рис. 4-15).
При измерении параметра /пот на выходе микросхемы обеспечи-
вают высокий уровень напряжения l/вых без внешней нагрузки и изме-
ряют ток в цепи выводов питания; при этом на все объединенные входы
неинвертирующих микросхем подают напряжение С'вх (рис, 4-15) и
для инвертирующих микросхем (рис. 4-14),
519
Измерение входного предельно допустимого тока. При измерении
/вх, ло» МС группы II к проверяемому входу прикладывают заданное
предельно допустимое напряжение Ubx, пр, допИ измеряют ток в цепи
вывода; остальные объединенные входы измеряемой микросхемы при
этом присоединяют к общей цепи, имеющей нулевой потенциал (рис.4-16).
Рис. 4-15. Схемы измерения параметров /пот неинвертирующих (а)
и /пот инвертирующих (б) цифровых микросхем.
Входной предельно допустимый ток микросхем 1 и III групп не
измеряют.
Измерение тока короткого замыкания на выходе. При измере-
нии /к,3 микросхем группы II проверяемый выход, на котором должен
Р.Д. 4-16. Схема измерения параметра /вых. пр, доп цифровых микро-
схем группы II.
быть обеспечен высокий уровень напряжения, кратковременно (не
более 1 с), присоединяют к общей цепи, имеющей нулевой потенциал,
и измеряют результирующий ток, проходящий в цепи вывода. При »том
поди ЮТ'.
на все объединенные входы инвертирующих микросхем — напря-
жение I/вх (рис. 4-17, а);
520
на все объединенные входы неинвертируюших
пряжение l/вх (рис. 4-17, б).
микросхем — на-
Рие. 4-17. Схемы измерения параметра /к. 3 инвертирующих (а) и
неинвертирующих (б) цифровых микросхем группы I.
Ток короткого замыкания на выходе микросхем групп I и III не
измеряют.
ИЗМЕРЕНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ВРЕМЕН
ЗАДЕРЖКИ ВКЛЮЧЕНИЯ, ВЫКЛЮЧЕНИЯ,
ЗАДЕРЖКИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ при ВКЛЮЧЕНИИ
И ЗАДЕРЖКИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ПРИ ВЫКЛЮЧЕНИИ
Динамические параметры МС всех групп измеряют с помощью
двухлучевого осциллографа (рис. 4-18).
Прямоугольные импульсы напряжения от генератора подают на
один из входов МС и измеритель динамических параметров, в качестве
которого может служить двухлучевой осциллограф. На остальные входы
МС подают напряжения I/вх, и'вл или их комбинацию, обеспечивающую
переключение микросхемы от воздействия прямоугольного импульса.
Импульсы с выхода нагруженной микросхемы подаются на другой вход
измерителя динамических параметров.
Пример отсчета динамических параметров МС показан па рис. 4-19.
Время задержки включения (зд измеряют:
для инвертирующих микросхем как интервал между уровнем
0,1 I/ А входного сигнала и уровнем 0,9 1/вых Авыходного сигнала;
для неинвертируюших микросхем как интервал между уровнем
0,9 UBX д входного сигнала и уровнем 0,9 (/ВЬ1Х А выходного сигнала.
Время задержки выключения (зд измеряют:
для инвертирующих микросхем как интервал между уровнем
0,9 UBX А входного сигнала и уровнем 0,1 (7ВЬ1Х А выходного сигнала;
для неинвертирующих микросхем как интервал между уровнем
0,1 t/BX А входного сигнала и уровнем 0,1 Квых А выходного сигнала.
Времена задержки распространения при включении (зд, р и выклю*.
ченпи (З'д, р инвертирующих микросхем измеряют как интервал между
уровнем 0,5 (/вх А входного сигнала и уровнем 0,5 (/вых А выходного
сигнала.
621
Среднее время задержки распространения информации определяют
по формуле
hn, р, ср = (9д, р-Нзд, р)/2.
При измерении параметров нф?; ^2; Фд? р; йцр допускается вместо
относительных уровней отсчета, показанных на рис. 4-19, использовать
фиксированные уровни отсчета.
Рио. 4-18,Схема измерения динамических параметров цифровых микросхем о
применением двухлучевого осциллографа.
Рис. 4-19. Пример отсчета параметров /’д°с ^д1, 4д, р и *зд, р ПО эпюрам вхо*
дных и выходных импульсов цифровых микросхем.
£7ВХ А амплитуда входного импульса; </вых А амплитуда выходного
импульса неинвертирующей микросхемы; UBWXj. А амплитуда выходного
сигнала инвертирующей микросхемы.
4-3, МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
При изложении методов измерения электрических параметров ана-
логовых микросхем имеются некоторые условности, которые следует
учитывать при составлении схемы измерения того или другого пара-
метра конкретной МС и описании метода. Некоторые измерительные
установки, электрические принципиальные схемы которых приведены
в этом параграфе, содержат элементы, не используемые при определе-
нии того или иного параметра. Преобразование схем для измерения
различных параметров осуществляется элементами коммутации, кото-
рые на схемах условно показаны в виде переключателей. При реали-
зации измерительных установок (устройств) переключатели могут быть
заменены другими коммутационными элементами (реле, полупроводни-
522
ковыми приборами и т. п.), однако вносимые этим^элементами погрет*
пости не должны искажать результаты измерений. На схемах не пока-
заны разделительные конденсаторы на входах и выходах МС, так как
некоторые ?АС содержат эти конденсаторы внутри, а в некоторых они
отсутствуют. В случае необходимости измерительная установка должна
быть дополнена входными и выходными конденсаторами. Все источники
постоянного напряжения на измерительных схемах названы «источник
питания» независимо от их назначения (балансировка, смещение, управ-
ление и т. п.). Нагрузочные сопротивления условно показаны как
резисторы Вид нагрузки, ее величину и схему подключения, если
ато окажется необходимым, следует уточнить.
При описании методов измерения электрических параметров мик-
росхем с двумя входами (дифференциальные усилители и операционные
усилители с дифференциальным входом) применен термин «балансировка
микросхемы». Он означает следующее: для того чтобы скомпенсировать
асимметрию усилителя, изменяют значение-постоянного напряжения
(а при необходимости и его полярность) на одном из входов МС до тех
пор, пока постоянное напряжение на выходе (между выходами) МС
станет равным нулю или другому оговоренному в НТД значению.
Балансировку можно осуществлять вручную или автоматически с по-
мощью операционного усилителя, включенного в цепь обратной связи.
В случае применения схемы с автоматической балансировкой указания
о балансировке МС опущены.
В связи с тем, что форма изложения методов измерения элежтри-
ческих параметров аналоговых микросхем несколько отличается от
общепринятой, а также с целью облегчения применения этих методов
на практике ниже рекомендуется порядок разработки конкретного ме-
тода. Схему, выбранную для измерения параметра, в случае необходи-
мости дополняют необходимыми для испытаний конкретной МС элект-
рическими цепями, внешними навесными элементами, фильтрами в це-
пях питания, цепями обратных связей, перемычками между выводами
ИС и т. п. В прямоугольник, обозначающий испытуемую МС, вписы-
вают ее условное обозначение и нумерацию выводов.
Приводят конкретные значения параметров резисторов и конден-
саторов измерительной схемы, конкретизируют типы измерительных
приборов и элементов коммутации. В описании метода необходимо
указать конкретные значения основных параметров испытательных
напряжений и сигналов, которыми определяются режим испытаний и
допускаемые отклонения. Полные сопротивления источников литания
практически должны быть равны нулю для всех используемых при
измерениях частот.
Исходными данными для определения точностных характеристик
измерительных приборов и источников испытательных сигналов яв-
ляются: 1) допустимое отклонение измеряемого параметра; 2) формула,
с помощью которой находят значение измеряемого параметра; 3) воз-
действия, определяющиеся изменением измеряемой величины при под-
ключении измерительного прибора.
Если измеряемая величина прямо характеризует определяемый пара-
метр (например, <7ВЬ.Х) или если для его определения нужно изме-
рить только одну величину (например, UVx, ^!;1р), то погрешность изме-
рительного прибора должна быть меньше допускаемого отклонения для
измеряемого параметра:
не менее чем в 5 раз,, если погрешность измерительного прибора
определяется в процентах от номинального значения шкалы измерения
или значения предела измерения;
52а
не менее чем в 3 раза, если погрешность измерительного прибора
исчисляется в процентах от текущего значения измеряемой величины;
не менее чем в 3 раза, если погрешность измерительного прибора
указывается как сумма относительной и абсолютной погрешности;
в этом случае принимают реальную погрешность в точке измерения при
номинальном значении измеряемой величины.
Если значение параметра вычисляется по двум или более измерен-
ным значениям, то эги требования относятся к корню квадратному из
суммы квадратов погрешностей измерения каждой величины, т. е.
где 6 — погрешность измерения параметра; 6Х; 62; — погрешности
измерительных приборов, с помощью которых измеряют электрические
величины, входящие в формулу для определения параметра.
При измерении временных параметров с помощью осциллографа
или другого измерительного устройства, характеризуемого шириной
полосы пропускания Af или временем нарастания /нар = 350/А/, где А/,
МГц, и ?11ар, нс, необходимо, чтобы длительность измеряемого времен-
ного параметра превышала время нарастания измерительного прибора
не менее чем в 3 раза, а погрешность измерения временного интервала
была не менее чем в 3 раза меньше допуска на его значение. Полное
выходное сопротивление измерительного прибора должно превышать
полное сопротивление между точками его подключения не менее чем
в 100 раз. Если это требование технически трудноосуществимо, то влия-
ние подключения измерительного прибора должно быть оценено, и
в результат измерения параметра вносят соответствующую поправку.
Во избежание получения неверных результатов следует учитывать,
что большинство электрических параметров аналоговых МС измеряют
при их работе в линейном режиме. Для того чтобы убедиться в том, что
измерение проводится на линейном участке амплитудной характери-
стики Л1С, напряжение входного сигнала следует уменьшить в 2 раза;
при этом напряжение выходного сигнала должно соответственно умень-
шаться также в 2 раза.
Во всех приводимых ниже формулах буквенное обозначение
присвоено входным сопротивлениям микросхем, а буквенное обозначе-
ние /?н — сопротивлению нагрузочного резистора, включаемого на вы-
ход микросхемы.
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ НАПРЯЖЕНИЯ
Измерение входного и выходного напряжений. Измерение
и (А,Ых проводят в заданном режиме измерителями напряжения, под-
ключаемыми соответственно к входу и выходу микросхемы (рис. 4-20).
Измерение максимального входного напряжения МС с одним входом.
От генератора сигналов (рис. 4-20, а) подают на вход МС напряжение
с указанными в НТД параметрами. Плавно изменяя напряжение ынх,
устанавливают напряжение равное указанному в НТД значению.
Выходное напряжение измеряют измерителем переменного напряжения,
подключенным к выходу МС переключателем В3. После этого измери-
телем переменного напряжения, подключенным к входу МС, измеряют
значение Д,,. к„,(с.
Измерение максимального входного напряжения МС с двумя вхо-
дами. Для измерения 1/вх,мзвс используют структурную схему, пред-
ставленную на рис, 4-20, б. Сопротивления входящих в нее резисторов
524
1
Рис. 4»20. Схемы для измерения входных и выходных параметров, коэф-
фициентов усиления, времен нарастания и задержки аналоговых микро-
схем.
525
должны удовлетворять следующим условиям: Rj = R2 С 0,01 RBX;
Ка = R, > R2.
Положение переключателей при измерении UBX, маЕС микросхем
с двумя выходами показано на рис. 4-20, б. При использовании устрой-
ства по этой схеме для измерения £/зх, макс микросхемы с одним выхо-
дом переключатель Ва устанавливают в положение 2. Осуществив балан-
сировку МС, подают на нее входное напряжение с параметрами, ука-
занными в НТД, и, установив переключатель В,, в положение 2, повы-
шают напряжение входного сигнала до тех пор, пока {/вых не достигнет
заданного значения. Измерителем переменного напряжения, подключен-
ным между входом микросхемы и общим выводом, измеряют максималь-
в ое входное напряжение. Значение Vax, ваЕС можно также определить
п о формуле
ВХ, —
где К ~ RJiRi + R3) — R2KR2 + R4); Ur — значение напряжения на
выходе генератора сигналов.
Измерение минимального входного напряжения МС с одним входом.
Измерение б'ВХ1М1Ш производят методом, аналогичным используемому
для измерения ПВХ,М8КС микросхемы с одним входом, но входное на-
пряжение не увеличивают, а уменьшают до тех пор, пока напряжение
С'вых не достигнет указанного в НТД значения.
Измерение минимального входного напряжения МС с двумя входами.
Измерение 1/вх,мин производят подооио тому, как и измерение
микросхемы с двумя входами, но входное напряжение не повышают,
а уменьшают до тех пор, пока напряжение на выходе МС не достигнет
указанного в НТД значения.
Определение диапазона входных напряжений. Измерив соответ-
ствующими методами значения максимального 1/вх, макс и минималь-
ного входного напряжения (7ВХ, мин, определяют диапазон входных
напряжений по формуле
л.ч __if _j]
вх--v вх, мзкс ВХ» МИН1
Измерение входного и выходного напряжений покоя. Для изме-
рения Vo, вх и Uo, зых используют структурную схему, изображенную
на рис. 4-20, в.
Для уменьшения влияния возможных наводок емкость конденса-
тора C-l выбирают из условия: Хс sgO.l RBX.
При указанном на схеме положении переключателя измерите-
лем постоянного напряжения определяют значение напряжения на
выходе МС, которое и будет выходным напряжением покоя вых.
Для измерения входного напряжения покоя переключатель В,
переводят в положение 2 и измерителем постоянного напряжения
определяют значение напряжения на входе МС, которое и будет яв-
ляться входным напряжением покоя.
Измерение диапазона выходного постоянного напряжения. Для
измерения 1/вых, пост используют схему, изображенную на рис. 4-21, а.
Положение переключателей для измерения {7ВЫХ,ПОСТ показано на схеме.
При использовании схемы для измерения 1/ВЫХ1 ПОгт микросхемы с од-
ним выходом переключатели В4 и S5 устанавливают в положение 2.
На вход МС подают напряжения двух значений, указанных в НТД,
обеспечивающие получение двух граничных значений диапазона вы-
ходного напряжения микросхем. Измерителем постоянного напряжения,
подключенным к выходу МС, измеряют указанные значения выходных
526
Рис. 4-21, Схемы для измерения напряжения смещения и напряжения
баланса аналоговых микросхем.
а —- с ручной балансировкой; б — о автоматической балансировкой.
527
напряжений. Диапазон выходного постоянного напряжения определяют
как алгебраическую разность измеренных выходных напряжений.
Измерение входного напряжения ограничения. Для измерения
^1>гр.,дх можно использовать одну из схем, применяемых для измерения
коэффициента усиления напряжения К г у, соответствующих измеряе-
мой микросхеме.
С выхода генератора сигналов на вход МС подают синусоидальное
напряжение t/1BX (соответствующее заданному значению или оговорен-
ное в НТД) и измеряют напряжение Д1!!Ь!Х на выходе МС. Затем изме-
ряют напряжение <7гвых на выходе при значении входного напряжения,
равном Д2,,х =1,1 (71вх, и определяют дифференциальный коэффициент
усиления по формуле
V ^2 ВЫХ ВЫХ
После этого значение ?7ВХ изменяют до тех пор, пока определяемое
таким образом значение Куд не станет равным 0,1 К1уд. Соответствующее
этому случаю значение входного напряжения и будет являться вход-
ным напряжением ограничения С'огр, вх.
Измерение максимального выходного напряжения МС с одним вхо-
дом. Для измерения Пвых, юакс используют установку по схеме, изобра-
женной на рис. 4-20, а. От генератора сигналов подают на МС входное
напряжение с заданными параметрами. После этого, плавно увеличивая
напряжение входного сигнала, устанавливают такое его значение,
при котором параметры МС примут значения, указанные в НТД. Зна-
чение 1/вых, макс определяют по измерителю напряжения, подключен-
ному к выходу.
Измерение максимального выходного напряжения МС с двумя
входами. Метод измерения Uem, юакс аналогичен методике измерения
^'вх.махс микросхемы с двумя входами, но в этом случае режим МС
определяется не оговоренным значением выходного напряжения, а зна-
чениями параметров, указанными в НТД, и измеряется не входное
напряжение, а выходное.
Измерение минимального выходного напряжения МС. Метод изме-
рения ПВ,.1Х.„Н11 аналогичен методу измерения МС с одним и
двумя входами: входное напряжение также уменьшают до тех пор, пока
выходное напряжегше не достигнет заданного значения или значения,
указанного в НТД. После этого измеряют напряжение на выходе мик-
росхемы.
Измерение напряжения смешения мжросхемы. Для измерения Дса
используют схему, показанную на рис. 4-21, а. Здесь сопротивления:
резисторов должны быть связаны следующими соотношениями: С; =
— = 0,01 Авх; Дз = Rq R*.
Положение переключателей при измерении Т'см микросхемы с
двумя выходами показано на рис. 4-21, а, для микросхемы с одним вы-
ходом переключатели /М и й5 устанавливают в положение 2. После
балансировки МС измеряют напряжение смещения измерителем по-
стоянного напряжения, подключенным между входами микросхемы,
Значение UC№ можно также определить по формуле
ТСМ — KUи. т11>
где Un.nl — значение напряжения источника питания в момент дости-
жения баланса МС, и
К = Дг/ (R г + А’з).
528
Измерение напряжения смещения и выходного напряжения баланса
микросхемы с двумя входами с автоматической балансировкой испыты-
ваемой МС. Для измерения 1/см используют схему, изображенную на
рис. 4-21, б. Здесь сопротивления резисторов должны удовлетворять
следующим условиям: = R2 «g 0,01 /?вх; /?3 = R. > R2; R, ~ Rlo;
Rs = Д9-
Резисторы Re, Re предназначены для того, чтобы напряжения на
входах вспомогательного усилителя не превышали допустимых значе-
ний. режим работы и параметры усилителя определяются режимом ра-
боты и параметрами испытываемой МС. Положение переключателей
для измерения Е/Сммикросхемыс двумя выходами показано на рис. 4-21,6,
Рис. 4-22. Схемы для измерения синфазного входного напряжения
аналоговых микросхем.
При выполнении всех перечисленных выше требований и условий
измеряют напряжения С' на выходе вспомогательного усилителя изме-
рителем постоянного напряжения и определяют значение напряжения
смещения по формуле
U(K^KU'-,
вдесь К = R1/(R1+ Д-).
Выходное напряжение баланса определяют также при указанном
на рис. 4-21, б поло’кении переключателей измерителем постоянного
напряжения, включенным между одним из выходов МС н се общим
выводом.
Измерение чувствительности МС. От генератора сигналов подают
на вход микросхемы (рис. 4-20, а) напряжение с параметрами, указан-
ными в НТД. После этого входное напряжение, поступающее от гене-
-ратора сигналов, плавно уменьшают до значения, при котором пара-
метры измеряемой микросхемы будут соответствовать заданным значе-
-ниям. По достижении этого измерителем напряжения определяют зна-
чение t7FX, которое и будет определять численное значение чувстви-
тельности микросхемы.
Измерение синфазного входного напряжения. Для измерения
t/’сф вх используют структурную схему, приведенную па рис. 4-22.
525
Сопротивления резисторов должны удовлетворять соотношениям Ri --
= R2 < 0,01 RBX; R3 = R4 > R2.
На микросхему подают (7Сф,вх с параметрами, указанными в НТД
и измеряют его напряжение измерителем напряжения.
Измерение максимального синфазного входного напряжения. Для
определения ДСф,РХ.макс измеряют коэффициент ослабления синфаз-
ных входных напряжений Дос, Сф по методике, изложенной ниже.
Затем плавно увеличивают напряжение входного синфазного сигнала
до значения, при котором КОс,сф уменьшается на 6 дБ, при этом регист-
рируют постоянное напряжение входного синфазного сигнала или ам-
плитуду синусоидального входного синфазного сигнала (при измерении
на переменном токе), которые и равны (7СЙ>вх,макс.
Рис. 4-23. Схема для измерения
приведенного ко входу напря-
жения шумов,
Рис. 4-24. Схема для измерения
напряжений и токов срабатыва-
ния и отпускания, токов утеч-
ки и токов покоя аналоговых
микросхем.
Измерение выходного напряжения баланса МС с двумя входами.
Структурная схема измерения и соотношение сопротивлений резисто-
ров такие же, как и при измерении Двх,какс- Переключатели уста-
навливают в положения, указанные на рис. 4-21, а, и производят ба-
лансировку схемы. Затем, установив переключатель В4 в положение 2,
измерителем постоянного напряжения измеряют значение 1/вь1Х1 бал-
Измерение приведенного ко входу напряжения шумов МС с одним
входом. В соответствии с определением напряжение шумов, приве-
денное ко входу, может быть рассчитано по формуле
иш, вх = Уш^у,
где Um — напряжение шумов на выходе микросхемы; у — ее коэф-
фициент усиления.
Измерение 1/ш производят в устройстве по схеме рис. 4-23 при замк-
нутом накоротко через емкость Q входе микросхемы. Значение емкости
определяется из соотношения А'. <0,1 RBX. Значение Um измеряется
непосредственно на выходе микросхемы при помощи измерителя пере-
менного напряжения, подключенного параллельно нагрузочному ре-
зистору R,,.
Коэффициент усиления МС может быть определен любым из мето-
дов, приведенных ниже, с учетом вида испытуемой микросхемы.
Измерение приведенного ко входу напряжения шумов МС с двумя
входами. Для измерения Дш> вх используют структурную схему, изобра-
женную на рис, 4-20, б, Параметры резисторов и конденсаторов в этой
530
схеме должны отвечать следующим условиям: = R2 < 0,01 R„x;
Ra = R4 > Ra; Сх — C2; ХС1 < 0,01 RBJ[. Положение переключате-
лей, указанное на рис. 4-20, б, соответствует случаю измерения (7Ш, вх
микросхемы с двумя выходами, при измерении микросхемы с одним вы-
ходом переключатель Ва устанавливают в положение 2.
При помощи переключателей и Д> входы микросхемы замыкают
на общий вывод через конденсаторы и С2 и производят балансировку
микросхемы. После этого переключатель В5 устанавливают в положе-
ние 2 и измерителем переменного напряжения измеряют действующее
значение напряжения шумов UIO непосредственно на выходе микро-
схемы. После этого определяют коэффициент усиления напряжения Ку и
методом, выбранным для испытаний данной микросхемы и изложенным
ниже. Приведенное ко входу напряжение шумов определяют по фор-
муле
U = U /К т!.
ш, вх иг у, и *
Рис, 4-25. Схема для измерения тока коммутации и остаточного напря-
жения электронного ключа.
На вход микросхемы подают управляющее напряжение, значение
которого соответствует открытому состоянию микросхемы. Остаточное
напряжение определяют измерителем напряжения, подключенным к вы-
ходу микросхемы.
Измерение напряжения срабатывания. Для измерения £/срб исполь-
зуют структурную схему, изображенную на рис. 4-24. На вход закрытой
микросхемы подают управляющее напряжение, значение которого
ниже порога срабатывания. После этого плавно увеличивают это на-
пряжение до момента срабатывания микросхемы. Значение управляю-
щего напряжения, измеренное в момент скачкообразного изменения его
выходного напряжения, и является напряжением срабатывания Усрб-
Измерение напряжения отпускания. Измерение (7ОТП производят
по структурной схеме, изображенной на рис. 4-24. Управляющее на-
пряжение 1/уПр уменьшают до значения, при котором происходит сра-
батывание микросхемы; значение управляющего напряжения в момент
срабатывания и будет являться напряжением отпускания (701п.
Измерение остаточного напряжения электронного ключа. Для
измерения ГОСт,о на переменном или на постоянном токе используют
схему, приведенную на рис, 4-25, а.
531
На микросхему подают управляющее напряжение, значение кото-
рого соответствует ее открытому состоянию. На вход микросхемы по-
дают постоянное или переменное напряжение заданного значения (/вх.
Переключатель Вх переводят в положение 2 и измеряют напряжение
па выходе микросхемы L/Bblx.
Остаточное напряжение электронного ключа в открытом состоянии
^ОСТ. О ” О^БХ ВЫХ-
С помощью устройства, построенного по схеме на рис. 4-25, б,
можно измерить остаточное напряжение электронного ключа непосред-
ственно. При заданном режиме работы открытой микросхемы п уста-
новке переключателя в положение 1 измерителем напряжения опре-
деляют значение L/OCI>0 на работающей микросхеме.
Рис. 4-26. Схема для измерения импульсных параметров аналоговых
микросхем.
Измерение максимальной амплитуды импульсов входного и выход-
ного напряжения. Для измерения t/BX, А>макс ; f/BbIX)A,MaKC используют
схему, изображенную на рис. 4-26. Элементы R, и Сд выбирают из сле-
дующих условий: R, % RBX; X,., «6 0,01
Амплитуду входных импульсов, подаваемых от генератора сигна-
лов, увеличивают до значения, при котором искажения формы импуль-
сов выходного напряжения станут равными значениям, указанным
в НТД. После этого измеряется максимальная амплитуда импульсов
входного (выходного) напряжения.
Измерение диапазона изменения выходного напряжения ограниче-
ния. Измерение Д(70Гр производят по той же схеме, по которой изме-
ряют коэффициент усиления напряжения Ку, 'и данной микросхемы
(см. ниже). На вход измеряе?лой МС подают два значения входного
напряжения t/вх = (7огр и (Увх = 1,5 Д01.й и измеряют соответствую-
щие этим значениям выходные напряжения С'вЫ< и Йых. Диапазон
изменения выходного напряжения ограничения определяется по фор-
муле
—G'BblX .. (Дых.
532
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ ТОКА
Измерение входных токов с ручной балансировкой. Для измере-
ния /вх1, /ВХ2 используется структурная схема, изображенная на
рис. 4-21, а. Сопротивления резисторов, входящих в эту схему, должны
удовлетворять следующим требованиям: R, = Д2 < 0,01 RBX; R3 =
= > /?2; Д5 = Дв = (1 -г- 2) Дм.
Метод может быть использован для измерения параметров микро-
схем с одним и двумя выходами. При определении /вх] и 1вх2 микро-
схем с двумя выходами положение переключателей указано на упомя-
нутой схеме, а для микросхем с одним выходом переключатели В, и />5
переводя i в положение 2.
Устанавливают выключатели В, и В2 в положения, указанные на
рис. 4-21, а. Производят балансировку МС и измеряют напряжение
Пи.п1 измерителем постоянного напряжения. Затем размыкают выклю-
чатель В,, снова балансируют микросхему и изменяют напряжение 17».ni-
После этого выключатель 8г замыкают, выключатель й3 размыкают,
снова балансируют микросхему и измеряют напряжение 1/и.пЬ
Входные токи определяют по формулам:
/вх х = К (Uи. п 1 — Uа. п /Вх 2 = К и, п 1 —//и. п
где К = /?!?(/?! + /?3) = R2/(R.3 + RJ.
При расчете значений входных токов должны браться алгебраиче-
ские значения напряжений питания Если позволяют параметры
микросхемы, может производиться непосредственное измерение вход-
ных токов.
Измерение входных токов с автоматической балансировкой испы-
тываемой микросхемы. Для измерения входных токов микросхем
с одним и двумя выходами используют установку по схеме, изображен-
ной на рис. 4-21, б. Сопротивления, входящие в нее, должны удовлет-
ворять следующим требованиям: Rx = R2 < 0,01 RBX; R3 = R4 > R2;
= Re = (1 - 2) RBX; Ri = R1(1; Rs = Rs.
Резисторы Rs и R9 могут отсутствовать, если напряжение на входах
вспомогательного усилителя не превышает допустимых значений. Пара-
метры вспомогательного усилителя должны быть определены исходя
из параметров испытуемой микросхемы.
При измерении /вх1 и /ВХ2 микросхем с двумя выходами положение
переключателя В4 указано на рис. 4-21, б, а для микросхем с одним вы-
ходом переключатель В, переводится в положение 2.
Порядок измерения следующий. При замкнутых накоротко рези-
сторах и Re измеряется U\ измерителем постоянного напряжения,
подключенным к выходу операционного усилителя. Затем размыкается
выключатель Вь и снова измеряются U'{. После этого выключатель Вг
замыкают, а выключатель /О размыкают и измеряют U\".
Входные токи вычисляют по формулам, -приведенным в методике
их измерения при ручной балансировке микросхемы.
Измерение входных токов методом непосредственного отсчета. Для
измерения входных токов /пх] и /ви этим метолом используют структур-
ную схему (рис. 4-21, а).
Сопротивления резисторов R, — Re в этой схеме должны удовлет-
ворять следующим требованиям: /?, = R, < 0.01 /<,-х; R, = Rt > Д2;
R, = R, = (1 - 2) Rex.
Данная методика распространяется на микросхемы с одним и
двумя выходами: положение переключателей для микросхем с двумя
f11 533
выходами приведено на рис. 4-21, а, а для микросхем с одним выходом
переключатели В4 и переводят в положение 2. Порядок измерений:
переключатель В3 устанавливают в положение 1, положение переклю-
чателей В± и В2 должно соответствовать показанному на схеме. При
l/ц. = 0 производится с заданной точностью балансировка микро-
схемы изменением напряжения U„. Г11. Затем размыкаются выключа-
тели (В2), производится балансировка микросхемы изменением
напряжения (7И.П) с точностью, указанной в НТД, и по шкале измери-
теля постоянного напряжения, подключенного к источнику питания
с напряжением 1/и.П1[, отградуированного в единицах тока, измеряют
входной ток /вх1 (/вх2).
Калибровка измерителя постоянного напряжения производится
в соответствии с условием
/вх, кал =
где /вх,кял — значение /вх, при котором производится калибровка;
К =
(/?i ~Ь Д3) А’5 (А3 + Rt) Rg ’
U{ — показание измерителя постоянного напряжения.
Измерение разности входных токов с ручной балансировкой. Изме-
рение разности входных токов Д/вх производят в схеме, приведенной
на рис. 4-21, а; входящие в нее резисторы должны удовлетворять сле-
дующим требованиям; R, = R2 < 0,01 Явт; Rs — R4 >> R%; R6 =-
- Rg = (1 -5- 2) RBX.
Положения переключателей при определении Д/вх МС с двумя
выходами показаны на схеме; для микросхем с одним выходом пере-
ключатели В4 и В5 переводят в положение 2. Балансируют микросхему
с заданной точностью, после чего измеряют и фиксируют значение пи-
тающего напряжения 1/и.п1, при помощи которого проводилась балан-
сировка. Затем выключатели и В2 размыкают, снова балансируют
микросхему и измеряют и фиксируют значение питающего напряжения
Й.п1> Разность входных токов определяют по формуле
Д/ВХ — К (иН.П 1 -UН.П l)/Rn.
где
При расчете должны браться алгебраические значения напряже-
ний 1/и.п! и Un.ni в момент достижения баланса.
Измерение разности входных токов с автоматической балансиров-
кой испытываемой микросхемы. Для измерения Д/вх используют схему,
приведенную на рис. 4-21, б; сопротивления входящих в нее резисторов
связаны между собой следующими соотношениями: R: = 0,01 /?БХ;
R3 ™ R& R-zi R5 = == (1 4- 2) RBX; Rj — Rto» /?в = R>>‘
Положение переключателя В4 для измерения Д/вх микросхем
с двумя выходами указано на схеме, а для микросхем с одним выходом
переключатель В4 переводят в положение 2.
При замкнутых выключателях Bs и В.2 отмечают показания измери-
теля постоянного напряжения па выходе операционного усилителя.
Затем эти выключатели размыкают и снова отмечают показание измери-
теля постоянного напряжения, Разность входных токов определяют
534
по формуле
где U’ — показание измерителя прн разомкнутых выключателях Bj
и В2; U't — при замкнутых;
г<- ___
" (А’Н-А’з) ' '(«.> + «!)
При расчете должны использоваться алгебраические значения
напряжений.
Измерение разности входных токов непосредственным отсчетом.
Для измерения Д7ВХ используется схема, изображенная на рис. 4-21, а;
входящие в нее элементы должны удовлетворять требованиям, указан-
ным в описании метода измерения /вх с ручной балансировкой.
Положение переключателей при измерении Д/в! микросхем с
двумя выходами показано на упомянутой схеме; для микросхем с одним
выходом переключатели и В5 переводят в положение 2.
Вначале переключатель Вя устанавливают в положение 2. Балан-
сируют микросхему при помощи источника питания с заданной точ-
ностью. Затем выключатели Bj и В2 размыкают и снова балансируют
микросхему при помощи источника питания (7и,п4.
При помощи измерителя постоянного напряжения, отградуирован-
ного в единицах тока и подключенного к источнику питания с напря-
жением £/и.п4> измеряется разность входных токов Д/зх.
Калибровка измерителя постоянного напряжения производится
в соответствии с условием
вх, кал “ /^1»
где Дх. кал — значение тока, при котором производится калибровка;
— показание измерителя постоянного напряжения;
д- __ Ri Да
(/?1 + Rs) Rs (Ri + Rt) Rs
Измерение выходного тока. Измерив изложенным выше методом
напряжение б/вь|х, определяют выходной ток по формуле
^вых ~ ^вых/^н*
Измерение максимального выходного тока МС с одним выходом.
Для измерения /вых, макс используют приведенную па рис. 4-20, а
схему прн установке переключателей в положения, показанные на
этом рисунке.
Изменяя напряжение входного синусоидального сигнала, при по-
минальном значении сопротивления нагрузки, указанном в НТД,
устанавливают на выходе напряжение В'вых, макс> измеренное по опи-
санному выше методу.
После этого сопротивление нагрузки заменяют резистором с сопро-
тивлением Rh, указанным в НТД, измеряют значение С/вых и определяют
Максимальный выходной ток по формуле
)вых, ыакс Rвых/Rh-
Измерение максимального выходного тока МС с двумя входами.
Для измерения /вых, иакс используют схему, изображенную на
535
рис. 4-20, б; входящие в нее элементы должны удовлетворять требова-
ниям. указанным в методе измерения (/вх. макс-
При определении /вь,х, макс микросхемы с двумя выходами поло-
жение переключателей показано на рисунке, а для микросхем с одним
выходом переключатель В3 переводят в положение 2.
Микросхему балансируют с заданной точностью, после чего пере-
ключатель В5 переводят в положение 2. Путем плавного изменения
значения синусоидального сигнала, поступающего от генератора, при
номинальном значении сопротивления нагрузки, указанном в НТД,
на выходе МС устанавливают максимальное выходное напряжение
(/Вых, «ж, измеренное по методу, приведенному выше.
Сопротивление нагрузки заменяют резистором сопротивлением /?н,
указанным в НТД, измеряют выходное напряжение (/'вых и определяют
максимальный выходной ток по формуле
/вых. макс ~ (/вых//?т|.
Измерение минимального выходного тока. Измерив минимальное
выходное напряжение 6'вых,юин одним из приведенных выше методов,
значение минимального выходного тока определяют по формуле
/ВЫХ, МИН — ^ВЫХ. мин//?И-
Измерение токов утечки на входе и выходе. Для измерения зна-
чений /ут,вх и /ут, ВЬ1Х используют схему, приведенную на рис. 4-26.
Входящие в нее элементы должны удовлетворять условиям: /?вх.
ХС1 < 0,01 «г
На вход микросхемы подают напряжение с параметрами, указан-
ными в НТД. Размыкают выключатель В2 и закрывают входную (вы-
ходную) цепь микросхемы. Затем измеряют падение напряжения АД
на резисторе (выходное напряжение микросхемы t/вых)- Токи утечки
на входе и выходе определяют по формулам:
/j-Т. ВХ = ^////?1> /ут. ВЫХ — О^вых/^н-
Измерение входного и выходного токов покоя. Измерение /РХ,е
и /Вых, о производится по схеме, изображенной на рис. 4-26. Параметры,
входящие в схему резистора и конденсатора, должны удовлетворять
требованиям, указанным в предыдущем методе.
Размыкают выключатель В3 и при [/вх = 0 измеряют падение
напряжения Д(7 на резисторе (выходное напряжение микросхемы
(/вых). Токи покоя определяют по формулам:
/вх, о = Д////?1)
/вых, 0 “ //вых //?п-
Измерение тока потребления /пот производят с использованием
схем, приведенных на рис. 4-27.
В точке А схемы, показанной на рис. 4-27, а, устанавливают за-
данный режим питания микросхемы и при помощи измерителя тока
определяют значение потребляемого тока.
Измерение тока потребления с помощью добавочного резистора
производят в устройстве по схеме на рис. 4-27, б, обеспечивая указан-
ный в НТД режим питания микросхемы.
Этот метод удобен при автоматизации измерения /пот.
536
Измерителем постоянного напряжения определяют падение напря-
жения U' на резисторе R и ток потребления по формуле
lnos = U'IR.
Ток потребления МС с одним источником питания, позволяющим
включать резистор между общим выводом микросхемы и «землей»,
измеряют, используя схему измерения, приведенную на рис. 4-27, в.
В этом случае напряжение источника питания должно быть увеличено
на значение падения напряжения на резисторе R. Измеряют падение
напряжения U' на резисторе R и ток потребления по последней при-
веденной формуле.
Измерение тока короткого замыкания производят при замкнутом
накоротко выходе микросхемы, любым из вышеизложенных методов
измеряется ток потребления.
Измерение тока холостого хода. Отключают от микросхемы на-
грузку и измеряют ток потребления /х.х любым из вышеизложенных
методов.
Рис. 4-27. Схемы для измерения токов потребления микросхем.
Измерение максимального гока закрытой схемы. Для измерения
/3, ма!;с используют схему, изображенную на рис. 4-25, а.
Значение управляющего напряжения С7уП0, соответствующее закры-
тому состоянию микросхемы, амплитуду входного переменного напря-
жения UQX А или входное постоянное напряжение Двх устанавливают
равными заданным значениям (или значениям, указанным в НТД).
Установив переключатель /Д в положение 2, соединенным с ним изме-'
ригелем напряжения измеряют амплитуду выходного переменного
напряжения или выходное постоянное напряжение UK:,IX.
Максимальный ток закрытой схемы /3, М.1КС определяют по формуле
/з,
Измерение максимального тока закрытой схемы методом непо-
средственного измерения. Измерение /3, мпкс производится в соответст-
вии со структурной схемой, приведенной на рис. 4-25, б, при переклю-
чателе В], установленном в положение 2. Управляющее напряже-
ние t/ynp, соответствующее закрытог.гу состоянию микросхемы, и вход-
ное постоянное напряжение U„x устанавливают равными заданным
значениям или значениям, указанным в НТД. Измерителем тока изме-
ряют максимальный ток закрытой схемы.
Измерение максимального коммутируемого тока. Для измере-
ния ^'ком.макс используют схему, приведенную на рис. 4-25, а. при
положении переключателя Рх, показанном на этом рисунке.
Управляющее напряжение 7/упр, соответствующее открытому со-
стоянию микросхемы, устанавливают равным значению, указанному
537
в НТД. Изменяют входное напряжение UBX до значения, при котором
остаточное напряжение электронного ключа £/ост,0, измеренное одним
из ранее приведенных методов, примет указанное в НТД значение
^ост. о. микс- Максимальный коммутируемый ток определяют по формуле
ком. макс ~~ ^выхДчД
где Пвых—значение выходного напряжения при С7ост,0 = Т'ост>0, макс.
Измерение тока срабатывания. Измерение /срд производят в уст-
ройстве по схеме, изображенной на рис. 4-24. Управляющее напряже-
ние С/у„р увеличивают от значения U\ < (7С1’б> указанного в НТД,
до значения t/упр, при котором выходное напряжение скачкообразно
изменяется. При этом измеряют значение тока, потребляемого от источ-
ника питания, одним из описанных ранее методов. Значение этого тока
в момент срабатывания микросхемы и равно Zepc-
Измерение среднего входного тока с ручной балансировкой. Для
измерения 7ВХ, ср используют схему, приведенную на рис. 4-24, а. Со-
противления резисторов —- R;, должны удовлетворять требованиям,
указанным в методе измерения входных токов.
Положение переключателей для измерения /вх,ср МС с двумя
выходами показано на схеме. Для МСс одним выходом переключатели Д
и В6 переводят в положение 2.
При разомкнутом выключателе Bt производят балансировку микро-
схемы с заданной точностью и отмечают значение напряжения £/и. п1.
Затем выключатель В( замыкают, а выключатель В2 размыкается, снова
производят балансировку микросхемы изменением напряжения 1/'в П1
и отмечают значение напряжения (/" п1.
Средний входной ток определяют по формуле
/вх- ср = 0,5Я (иа. п 1 — Ди. п
где R.KRi-V = Rj(Rt + Rd-
Для напряжений Un.nl и £7и.п1 должны браться их алгебраические
вначения.
Измерение среднего входного тока с автоматической балансиров-
кой испытуемой МС. Для измерения /вх. ср используют схему, приве-
денную на рис. 4-21, б. Основные элементы, входящие в структурную
схему, должны удовлетворять требованиям, указанным при измерении
7ВХ1 и /ВХ2 таким же методом.
Положение переключателя В4 для измерения /вх. ср микросхем
с двумя выходами показано на рис. 4-21, б. Для микросхем с одним
выходом переключатель В4 переводится в положение 2.
Измерение производится следующим образом. Размыкается вы-
ключатель и регистрируется показание измерителя постоянного на-
пряжения, включенного на выходе операционного усилителя U't. Затем
выключатель В1 замыкают, а выключатель В2 размыкают, регистрируют
показание измерителя постоянного напряжения U’t и средний входной
ток определяют по последней приведенной формуле.
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ МОЩНОСТИ
Измерение потребляемой мощности. Измерив токи, потребляемые
микросхемой, любым из изложенных выше методов, определяют по-
требляемую мощность по формуле
Rnot ~ I ПОИ^И. п 1 + /потами. п 2 - • - 4" ^пот п^и. п
Б38
Где /пст1, /Пот2> /пот л— токи через выводы питания микросхемы;
ик. п1, 1/и.Г|2, , и„.п„ — напряжения питания микросхемы.
Измерение максимальной потребляемой мощности производят выше-
изложенным методом при работе МС в предельном режиме по потребле-
нию.
Измерение рассеиваемой мощности. Определив потребляемую мощ-
ность Р,,от и выходную мощность Рв,.,х изложенным ниже методом, рас-
сеиваемую мощность определяют по формуле
Р ____р _____р
1 рас — г пот т вых*
Измерение выходной мощности. Измерив напряжение. [/В,,1Х изло-
женным ранее методом, определяют выходную мощность по формуле
Р ВЫХ — /7вых//?н>
где Rk — сопротивление нагрузки, указанное в НТД.
Измерение максимальной выходной мощности. Измерив макси-
мальное выходное напряжение (7KLIX, макс изложенным ранее методом,
определяют максимальную выходную мощность по формуле
Рцых, макс = Ubux, макс//?н-
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ ЧАСТОТЫ
Измерение полосы пропускания Af, верхней граничной частоты
fB и нижней граничной частоты fn, Измерение i\f производят в устрой-
стве по схеме, выбранной для измерения коэффициента усиления Ку у
в соответствии с типом микросхемы. На ее вход подают синусоидальный
сигнал, напряжение и частота которого указаны в НТД, и измеряют
переменное напряжение на выходе, микросхемы иВых,
Плавно увеличивая частоту входного сигнала, поддерживают
его напряжение постоянным до тех пор, пока напряжение на выходе
МС уменьшится до значения UBtiix = 0,707 t/вых, при этом регистрируют
верхнюю граничную частоту входного сигнала /в. Затем плавно умень-
шают частоту входного сигнала, поддерживая значение его напря-
жения постоянным до тех пор, пока напряжение на выходе микросхемы
уменьшится до значения [/вых = 0,707 [/ВЫх. При этом регистрируют
нижнюю граничную частоту входного сигнала.
Полосу пропускания 1ЛС определяют по формуле
Измерение центральной частоты. Измерив значения /„ и по пре-
дыдущему методу, определяют центральную частоту полосы пропуска-
ния по формуле
Измерение частоты единичного усиления микросхемы с одним
выходом производят в устройстве по схеме, приведенной на рис. 4-28, а.
Входящие в нее элементы должны удовлетворять следующим тре-
бованиям: ХС1 Щ Rf, /?пь!Х < R2 < RBX; Rl «= R„; < R2, где Rr —
выходное сопротивление генератора.
Измерение микросхемы с двумя выходами производят в устрой-
стве по схеме, приведенной на рис. 4-28, б. Входящие в нее элементы
должны удовлетворять следующим требованиям: Rx = R2, R:i = R4;
539
R., = Rs- Ri < R:> Rbv Xci <C Rz't R<-.> «С Re- Параметры вспомога-
тельного усилителя зависят от параметров испытуемой МС.
Измерение производят следующим образом: плавно увеличивают
частоту входного сигнала при постоянном значении его напряжения до
тех пор, пока значение выходного напряжения станет равным значению
входного напряжения; при этом регистрируют частоту входного сигнала,
которая и будет равна частоте единичного усиления /\.
Измерение частот резонанса и квазирезопанса. Измерение fa
производят согласно схеме, выбранной для измерения коэффициента
усиления ЛГу и микросхемы данного типа. На ее вход подают синусои-
дальный сигнал, частоту которого плавно изменяют, поддерживая
постоянным значение его напряжения. Частота, при которой выходное
Рис. 4-28. Схемы для измерения частоты единичного усиления анало-
говых микросхем.
напряжение принимает максимальное (минимальное) значение, является
частотой резонанса (квазирезонанса).
Измерение нижней и верхней частот полосы задержания. Изме-
рение /зд. „ и /Зд, в производится в устройстве по схеме, приведенной
на рис. 4-26; входящие в нее элементы должны удовлетворять требова-
ниям, указанным в методе измерения максимальной амплитуды импуль-
сов входного (выходного) напряжения.
На вход микросхемы подают напряжение с параметрами, указан-
ными в НТД, и измеряют коэффициент передачи. Затем плавно умень-
шают (увеличивают) частоту входного сигнала до тех пор, пока коэф-
фициент передачи МС уменьшится в заданное число раз; при этом реги-
стрируется частота входного сигнала, которая и равна верхней (нижней)
частоте полосы задержания.
Измерение полосы задержания. Измерив f3Xl н и в, по предыду-
щему методу определяют полосу задержания по формуле
Afsn—fsn- а 1зи, в *
540
Измерение частоты среза. Для измерения частоты среза опре-
деляют АЧХ микросхемы методом, изложенным ниже *, и определяют
частоты, на которых /< у = 1. Эти частоты и будут являться часто-
тами среза.
Измерение частоты генерирования /г и частоты следования
импульсов. Измерение fr и /и производится по структурной схеме, при-
веденной на рис. 4-29.
На микросхему задается электрический режим, указанный в НТД,
и измерителем частоты определяют значения fr и /и.
Измерение максимальной частоты следования импульсов. Изме-
рение максимальной частоты следования импульсов /м,кс производится
согласно структурной схеме, приведенной на рис. 4-26.
Рис. 4-29. Схемы для измерения частоты
среза микросхем.
Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовле-
творять требованиям, указанным в методе измерения UBX л макс(мин)-
На вход микросхемы подают от генератора импульсы, частоту
следования которых плавно увеличивают до тех пор, пока искажение
формы импульса на выходе микросхемы, определяемое по осциллографу,
станет равным значению, указанному в НТД. После этого определяют
значение /взкс.
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ ВРЕМЕНИ
Измерение времени задержки. Измерение производят в схеме,
приведенной на рис. 4-26; входящие в нее элементы должны удовлетво-
рять требованиям, указанным в методе измерения UBX ,, макс и
У ВХ, А, МИИ о
Положение переключателей для измерения показано на рисунке.
На вход МС подают импульс прямоугольной формы с параметрами,
указанными в НТД, и измеряют ф,( измерителем временных интервалов
или определяют по изображениям входного и выходного импульсов на
экране осциллографа как интервал времени, измеренный между момен-
тами достижения фронтами входного и выходного импульсов уровней,
указанных в НТД.
Измерение времени нарастания выходного напряжений МС с од-
ним входом. Для измерения используют схему, приведенную на
рис. 4-20, а, при этом выключатели Вг и В2 даны быть замкнуты,
а переключатель В3 установлен в положение 3.
На вход микросхемы подают импульс прямоугольной формы с
указанными в НТД параметрами и измерителем временных интервалов
измеряют интервал времени, за который выходное напряжение МС
изменяется от момента первого достижения уровня 0,1 до момента пер-
* См. «Измерение коэффициента неравномерности АЧХ».
541
?ого достижения уровня 0,9 установившегося значения, Это значение
й будет соответствовать времени нарастания Лир.
Измерение времени нарастания выходного напряжения МС с
двумя входами. Для измерения С,зр используют схему, приведенную
на рис. 4-20, б; входящие в нее элементы должны удовлетворять требо-
ваниям, указанным в методе измерения £/вх, м,кс МС с двумя входами.
Положение переключателей при измерении ^,ар микросхемы с двумя
выходами показано на рисунке; для микросхем с одним выходом пере-
ключатель В3 переводят в положение 2.
Осуществив балансировку МС с точностью, указанной в НТД,
переводят переключатель В5 в положение 3 и подают на вход МС импульс
прямоугольной формы с параметрами, указанными в НТД.
Измерителем временных интервалов измеряют интервал времени,
за который выходное напряжение МС изменяется от момента первого
достижения уровня 0,1 до момента первого достижения уровня 0,9
установившегося значения. Это значение и будет соответствовать вре-
мени нарастания 018р.
Измерение времени установления выходного напряжения. Изме-
рение Дст производят в устройстве по схеме, изображенной на рис. 4-20, а
при замкнутых выключателях Вг и Ва; переключатель В3 устанавливают
в положение 3. На вход МС подают импульс прямоугольной формы с
указанными в НТД параметрами и измерителем временных интервалов
определяют интервал времени, за который выходное напряжение МС
изменяется от момента первого достижения уровня 0,1 до момента по-
следнего достижения уровня 0,9 установившегося значения. Этот интер-
вал и будет соответствовать времени установления.
Измерение времени установления выходного напряжения МС
с двумя входами. В этом случае используют схему, приведенную
на рис. 4-20, б; входящие в нее элементы должны удовлетворять тре-
бованиям, указанным в методе измерения Двх,иакс Для МС с двумя
входами.
Положение переключателей при измерении ^уст микросхемы с двумя
выходами показано на рисунке; для микросхем'с одним выходом пере-
ключатель Вя переводится в положение 2.
Осуществив балансировку МС с точностью, указанной в НТД,
переводят переключатель В6 в положение 3.
На вход ?АС подают импульс прямоугольной формы с указанными
в НТД параметрами и измеряют интервал времени, за который выходное
напряжение МС изменяется от момента первого достижения уровня
0,1 до момента последнего достижения уровня 0,9 установившегося
значения. Измеренный интервал времени и будет соответствовать вре-
мени установления.
Измерение времени восстановления. Измерение iB0C производится
на установке по схеме, приведенной на рис. 4-20, б; входящие в нее
элементы должны удовлетворять требованиям, указанным в предыдущем
методе.
На схеме показано положение переключателей для измерения
-вое микросхемы с двумя выходами; для микросхемы с одним выходом
переключатель В3 переводится в положение 2.
Вначале микросхему балансируют с точностью, указанной в НТД,
переключатель В3 устанавливают в положение 3 и на вход МС подают
импульс прямоугольной формы с параметрами, указанными в НТД.
Измерителем временных интервалов изглеряют интервал времени
между моментом достижения срезом входного импульса уровня 0,5
его амплитуды и моментом достижения выходным напряжением уровня
542
0,1 его установившегося значения. Измеренный интервал времени
и равен Гвос.
Измерение времени готовности. Регистрируют момент времени
соответствующий включению МС и началу периодического измене-
ния контролируемого параметра, который является критерием для
определения времени готовности. Регистрируется момент времени ^2,
соответствующий времени, когда контролируемый параметр, являю-
щийся критерием, принимает значение, указанное в НТД. Время готов-
ности определяют по формуле
Кт —t3 К-
Измерение параметров, которые являются критериями для опре-
деления времени готовности, производят согласно методам, выбранным
для их измерения.
ИЗМЕРЕНИЕ ОТНОСИТЕЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ
Измерение коэффициента усиления напряжения МС с одним вхо*
дом. Если ле требуется высокая точность определения Ку у или когда
подаваемое на вход испытуемой МС напряжение не может быть изме-
рено непосредственно (например, на высоких частотах), для измере-
ния Ку v используют установку, выполненную по схеме на рис. 4-20, а.
Переключатели должны быть установлены в положения, показанные
на этом рисунке. На вход микросхемы подают от генератора сигналов
синусоидальный сигнал О’,,, с параметрами, указанными в НТД, изме-
ряют переменное напряжение на выходе МС Двых с помощью измерителя
напряжения и вычисляют коэффициент усиления напряжения по
формуле
К /U
у, U пых' ВХ
Для измерения Ку у микросхем с малым входным сигналом приме-
няют устройство по схеме, представленной на рис. 4-30, а; здесь 7?а <
< 0,01 RBX. Метод позволяет уменьшить погрешность измерения Ку Ut
связанную с погрешностью измерителя переменного напряжения.
При измерениях на высоких частотах в качестве делителя допускается
использовать высокочастотный калиброванный аттенюатор.
Измерив напряжение на выходе генератора Ur, переводят переклю-
чатель Bj в положение 2, измеряют напряжение на выходе микросхемы
17ЕЬ!Х и определяют коэффициент усиления напряжения по формуле
где к = (/?! +
Значение К рекомендуется выбирать равным номинальному зна-
чению коэффициента усиления напряжения испытуемой микросхемы.
Для измерения Ку у микросхем с большим уровнем входного
сигнала применяют устройство по схеме на рис. 4-30, б при R-, +
+ Rz = R„. Метод позволяет уменьшить погрешность измерения Ку_ у,
связанную с погрешностью измерителя переменного напряжения.
Измерив значение (Дх, переключатель /Д переводят в положение
2 и измеряют напряжение Д'ых на резисторе Р2. Коэффициент усиления
напряжения определяют по формуле
Лу, С/ = /^вых^вх»
где К = (Ri + Ri)/R2'
543
. Схемы для измерения коэффициентов усиления напряжения аналоговых микросхем,
с ручной балансировкой; д — с автоматической балансировкой.
544
I
I
Значение К рекомендуется выбирать равным номинальному значе-
нию коэффициента усиления напряжения испытуемой микросхемы.
Измерение коэффициента усиления напряжения МС с двумя вхо-
дами. При испытаниях МС с малым входным сигналом метод
позволяет уменьшить погрешность определения Куф/, связанную с
погрешностью измерителя переменного напряжения.
Схема измерения Ку,и приведена на рис. 4-30, е; при измерении
па высоких' частотах в качестве делителя может быть использован
высокочастотный калиброванный аттенюатор.
Резисторы и конденсатор, входящие в устройство, должны удовлет-
ворять следующим требованиям: R2 < 0,01 Хс < 0,01 Ra.
Положение переключателя /ф показано для измерения Ку
микросхем с двумя выходами; для микросхем с одним выходом переклю-
чатель С] переводят в положение 2.
Осуществив балансировку микросхемы с точностью, указанной
в НТД (или с требуемой по условиям измерений), размыкают выключа-
тель S3, подают на вход усилителя синусоидальный сигнал и измеряют
напряжение на выходе генератора (7Г. После этого переключатель В2
переводят в положение 2, измеряют напряжение на выходе микросхемы
1/вых и определяют коэффициент усиления напряжения по формуле
гДе j—коэффициент деления делителя, включенного па входе
микросхемы (значение этого коэффициента рекомендуется выбнржь
равным номинальному значению коэффициента усиления напряжения
испытуемой микросхемы).
При испытаниях МС с большим входным сигналом описываемый
ниже метод позволяет уменьшить по! решьость измерения коэффициента
усиления напряжения, связанную с погрешностью измерителя нере-
шенного напряжения.
Схема установки для измерения Ку ц этим методом приведена
на рис. 4-30, г; элементы, входящие в схему, должны удовлетворять
следующим требованиям: R,3 + /?t = /?и; А'С1 <0,01 R..
На рисунке показано положение переключателей для измерения
Ку и для микросхем с двумя выходами; для микросхемы с одним
выходом переключатель Вг переводят в положение 2.
Осуществив балансировку МС с точностью, указ-чшой в НТД,
размыкают выключатель В->, подают на зходМС синусоидальный сигнал
и измеряют напряжение на ее входе 17,,х. После этого переключатель
Д> переводят в положение 2 и измеряют напряжение (7'Ь1Х на резисторе
/ф. Коэффициент усиления напряжения определяют по формуле
Лу,£/ = ^Л.
где К = (₽з + Значение коэффициента К рекомендуется вы-
бирать равным номинальному значению коэффициента усиления напря-
жения испытуемой микросхемы.
Для измерения коэффициента усиления напряжения на постоянном
и переменном токе МС с двумя входами с автоматической балансировкой
испытываемой микросхемы применяют устройство, выполненное по
схеме, представленной на рис. 4-30, 5,
18 н/р Тарабрииа Б. В,
515
Входящие в нее резисторы должны удовлетворять следующим
условиям: Rt = R2; Rs = R4; Rs — Re, Rj =< R3 <C RBX. Параметры
вспомогательного усилителя зависят от параметров испытываемой
микросхемы.
При измерении на постоянном тске переключатели и £>г устанав-
ливают в положение 1, подают на вход вспомогательного усилителя
напряжение положительной полярности (7о,д, указанное в НТД, и
регистрируют показание измерителя напряжения и{.
Затем переключатель В2 переводят в положение 2 и подают напря-
жение отрицательной полярности иогЛ. Опорные напряжения Uon,
подаваемые в обоих случаях на вход микросхемы, должны быть равны
по абсолютному значению. Регистрируется показание измерителя
напряжения 17*.
Коэффициент усиления по напряжению на постоянном токе опре-
деляют по формуле
где /< = (Rt + Rs)/R, = (R2 + R4)/R2-
При измерении на переменном токе переключатель В^ переводят
в положение 2, переключатель В3 переводят в положение 3, подают на
вход вспомогательного усилителя от генератора синусоидальный сиг-
нал Uon и регистрируют показание измерителя переменного напряже-
ния U'2. Коэффициент усиления по напряжению на переменном токе
определяют по формуле
Коэффициент К имеет такое же значение, как при измерении
ZC у на постоянном токе.
Коэффициент усиления напряжения МС с двумя выходами с авто-
матической балансировкой микросхемы можно также измерить, исполь-
зуя схему, приведенную на рис. 4-28, б; входящие в нее элементы
должны удовлетворять требованиям, указанным в методе измерения
частоты единичного усиления.
На вход испытываемой МС подают синусоидальный сигнал Ur,
измерителем переменного напряжения измеряют напряжение 77вь,х
на выходе микросхемы и коэффициент усиления напряжения опреде-
ляют по формуле
где К “ (Rj + R»)/R, = (R2+ R^/Rf
Измерение коэффициента усиления тока, Для измерения
Кг ; используют значение Ку v, измеренное выбранным для данной
МС методом, приведенным выше, и Rnj[, измеренное выбранным для дан-
ной микросхемы методом, приведенным ниже.
Коэффициент усиления тока определяют по формуле
// ! ВЫХ ^BbfvR-x rs Rpx
у, I - TT~i7~ “Л у и ’
‘ви ывх/<и Ru
где К1 ;1 — коэффициент усиления напряжения микросхемы; R' —
активная составляющая результирующей нагрузки микросхемы.
Измерение коэффициента усиления мощности. Определив зна-
чения К и и RBX, выбранным для данной микросхемы приведенным
546
ниже методом, определяют коэффициент усиления мощности по формуле
дг Кзх
У’Р“ РВх ~ U'IxRh ~ V,U R«’
где К и—коэффициент усиления напряжения микросхемы; R' —
активная составляющая ее результирующей нагрузки.
Измерение коэффициента усиления синфазных входных напря-
жений. Для измерения Ку, сф используют схему, приведенную на
рис. 4-22; входящие в нее элементы должны удовлетворять требова-
ниям, указанным в методе измерения синфазного входного напряженья.
Положение переключателей для измерения Ку, Сф микросхем с
двумя выходами показано на схеме, в случае микросхемы с одним
выходом переключатель В2 переводят в положение 2.
При напряжении входного сигнала Пвх = 0 производят баланси-
ровку МС с заданной точностью или указанной в НТД, изменяя напря-
жение (7И. п4.
При измерении на постоянном токе на входы микросхемы вначале
подают сигнал положительной полярности и регистрируют показание
измерителя постоянного напряжения о; вых на выходе микросхемы.
Затем на входы МС подают сигнал иах отрицательной полярности по
абсолютному значению, равный сигналу положительной полярности
UB!l, и регистрируют показание измерителя постоянного напряжения
СЧвых-
Коэффициент усиления синфазного сигнала на постоянном токе
определяют по формуле
Ку, Сф = 0,5(У 1 вых ВЫХ)/Увх.
где Пиых и t/Гвых — алгебраические значения выходных напряжений.
При измерении на переменном токе переключатель Вг устанавли-
вают в положение 3, а переключатель В3 в положение 2.
Производят балансировку МС при напряжении входного сигнала
ияк — 0, изменяя напряжение U„. п4 с точностью, указанной в НТД.
На входы МС подают синусоидальный сигнал UBi, регистрируют пока-
зание измерителя переменного напряжения У2вь1х и определяют коэф-
фициент усиления синфазных входных напряжений но формуле
Ку, сф“^2ВЫх/^ВХ-
Измерение коэффициента ослабления синфазных входных напря-
жений. Используют значения у н c(J), измеренные выбранными
для данного усилителя методами, определяют коэффициент ослабления
синфазных входных напряжений по формуле
К ос, сф = ^у, сф-
Для измерения коэффициента ослабления синфазных входных
напряжений с автоматической балансировкой испытываемой микросхемы
используют устройство, выполненное но схеме, приведенной на рис. 4-31;
входящие в нее резисторы должны удовлетворять следующим требова-
ниям: l\'t = &i, Rs — К4; Kf -< < R3X; R7 = Ra\ Ri, = Rs. Если
напряжения на входах вспомогательного усилителя не превышают до-
пустимых значений, резисторы R., и Rs можно из схемы исключить.
Параметры вспомогательного усилителя зависят от параметров испы-
тываемой микросхемы.
18*
547
При измерении КОс,сф микросхемы с двумя выходами положение
переключателя В3 показано на рис. 4-31, а при измерении микросхемы
с одним выходом переключатель Вя переводят в положение 2.
На вход микросхемы подают сигнал положительной полярности
Ь'гф.вх, указанный в НТД, и регистрируют показание измерителя
постоянного напряжения U{. После этого переключатель В, переводят
в положение 2 и на вход микросхемы подают сигнал отрицательной
полярности c/сф.вх. В обоих случаях напряжения подаваемых сигна-
лов равны по абсолютным значениям. Регистрируют показание измери-
теля постоянного напряжения U'\.
Рис, 4-31. Схема для измерения синфазных входных напряжений
с автоматической балансировкой аналоговых микросхем.
Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений на
постоянном токе определяется по формуле
2/Д Ссф, Рх
При измерении на переменном токе переключатель ВЛ переводят
в положение 3, а переключатель /Д — в положение 2, подают на вход
микросхемы синусоидальный сигнал ДСф,вх и регистрируют показание
измерителя переменного напряжения l/'s. Коэффициент ослабления
синфазного сигнала на переменном токе определяют по формуле
С^сф. вх
Л °C, •
Измерение коэффициента нелинейности амплитудной характе-
ристики; Для измерения KVJi А используют схему, выбранную для изме-
рения коэффициента усиления напряжения данной микросхемы, На
548
ее вход подают синусоидальной (или импульсное) напряжение U,.K. м.„|,
а затем [/рх> м,кс, указанные в НТД, и определяют соответствен^ >
f/цых, мин и '-/вых, макс- Затем 1/вх, макс уменьшают, a 1/вх,мии увеличи-
вают на одно и то же значение АД, указанное в НТД, и определяют
соответственно (/вых, макс и Иных, мин. Измерение производят на задан-
ной частоте. Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики
определяют по формуле
ы _ (Увых. мин — Кзых. — ((Дых. MSKC — Uвых, макс)
Лпл. А /п ~ и \
I и гых’ МЗКС иЧЫХ. МИН j
\ Uвх. макс (Дх> мин J
Определение коэффициента прямоугольиости. Для измерения
Кп определяют полосу пропускания Af по приведенному выше методу,
по уровню 0,01 Двых — Д/Д», или по уровню 0,001 (Дых— A/o>cci»
Рис. 4-32. Схема измерения
коэффициентов деления и ум-
ножения частоты аналоговых
микросхем.
т. е. разность между значениями частот, на которых выходное напря-
жение уменьшается в 100 или 1000 раз относительно выходного напря-
жения на частоте, указанное в НТД. Коэффициент прямоугольиости
определяется по формулам:
Кп (о 01) = ДДог/Д')
Кч (Одон — АДни/АЛ
Измерение коэффициентов деления и умножения частоты. Для
измерения Кдел f и Кунц/ используют устройство, выполненное по схеме
на рис. 4-32.
Измерив значения частоты входного Дх и выходного /11ЫХ сигналов,
определяют коэффициент деления частоты по формуле
Ддел) ” /'.х//1ч,)х>
а коэффициент умножения часто гы по формуле
^умп, / “ /:1ЫХ'/ их-
Измерение коэффициента влияния нестабильности источников
питания на входной ток. Для измерения КВЛ,И.Г1 дважды измеряют вход-
ной ток по приведенным выше методам. Первое измерение входного тока
Дх производят при повышенном напряжении одного из источников
питания Ди.п+ АДП.Второе измерение входного тока /вх произво-
дят при пониженном напряжении того же источника питания (Д. „ —•
Д(Д. п, Коэффициент влияния нестабильности источников питания на
549
сводной ток определяют по формуле
R ВЛ- И. И === 0,5 (/вх 1 рх)/Ас/п.
Измерение коэффициента влияния нестабильности источпиксз
питания на разность входных токов. Для определения Къл, и.п дважды
по методам, приведенным выше, измеряют разность входных токов.
Первое измерение разности входных токов Д/вх производится при повы-
шенном напряжении одного из источников питания па значение Д(/и.
Второе измерение разности входных токов Д/Ех производится
при пониженном напряжении того же источника питания на значение
Д(/И.п. Коэффициент влияния нестабильности источников питания на
разность входных токов определяют по формуле
/Сил, И. П “ 0,5 ^Д/вх-Д/вх)/ Ас/И. и*
Измерение коэффициента влияния нестабильности источника
питания ва напряжение смещения. Измерение КФл, н.п производят по
структурной схеме, изображенной на рис. 4-21, а; входящие в нее
элементы должны удовлетворять требованиям, указанным в методе
измерения напряжения смешения.
Для испытания МС с двумя выходами положение переключателей
показано на упомянутой схеме, а для микросхем с одним выходом пере-
ключатели В4 и В5 переводят в положение 2. Вначале производится
балансировка микросхемы с заданной точностью или указанной в НТД,
после чего регистрируется значение питающего напряжения (7и.п1-
Увеличивают напряжение одного из источников питания И,,.гЛ или
1/и.г3 по абсолютному значению ва Д{/И.п, указанное в НТД, вновь
балансируют микросхему, после чего регистрируется значение 1/и.п!.
Уменьшают напряжение того же источника питания на Д{/я. п, опять
балансируют микросхему и регистрируют значение Д//'"[.
Вычисляют вспомогательные коэффициенты:
/<'-/< (д;;.п!-Ди. п1)/АДи.п;
К — /( (//и, П 1 -//и. П 1)/ДОк. и,
где /<- + Я3) = Rj(Ri+ RJ-
Коэффициент влияния нестабильности источника питания па
напряжение смещения определяют по формуле
Квл, И. П = (Л -}- /\ )/2.
Измерение коэффициента слияния нестабильности источника пи-
тания на напряжение смешения на постоянном токе с автоматиче-
ской балансировкой испытываемой микросхемы производится
в устройстве по схеме, приведенной на рис. 4-21. б; входящие в нее
резисторы должны удовлетворять требованиям, указанным в метоле
измерения напряжения смещения’ с автоматической балансировкой
испытываемой микросхемы.
Положение переключателей для испытания микросхем с двумя
выходами указано на упомянутой схеме; для микросхем с одним выходом
переключатель В4 переводится в положение 2. Измерение производится
в следующем порядке. Увеличивается напряжение источника питания
f/и.п! или f/и-пг по абсолютному значению на ДДИ.П, указанное в НТД,
550
и регистрируется показание измерителя постоянного напряжения U{.
Затем уменьшают напряжение того же источника питания на А^'и.п
и регистрируют показание U".
Коэффициент влияния нестабильности источника питания на напря-
жение смещения определяют по формуле
KLi, и. п= 0,5К (Ui-Ui)/AUa. а,
где К = Ri/(Rt + R3) = R2/(R-2 + RJ-
Измерение коэффициента влияния нестабильности источника пита-
ния на напряжение смещения на переменном токе с автоматической
балансировкой испытываемой микросхемы осуществляют на установке,
выполненной по схеме, приведенной на рис. 4-33.
Рис. 4-33. Схема для измерения коэффициента влияния нестабильности
по напряжению.
Сопротивления входящих в схему резисторов должны удовлетворять
следующим соотношениям: — R2 < 0,01 RBX; R3 — Rt > R.2; R3 =
= Re; R,= R8.
Если напряжение на входах вспомогательного усилителя не превы-
шает допустимых значений, резисторы R5 и Re можно исключить.
Параметры вспомогательного усилителя определяют в зависимости
от параметров испытываемой микросхемы.
Положение переключателя Вг для испытания МС с двумя выходами
указано на схеме, а для микросхемы с одним выходом переключатель
Bt переводят в положение 2. В цель одного из источников питания
подключают генератор и регистрируют показание измерителя перемен-
ного напряжения l/j.
Коэффициент влияния нестабильности источника питания на пере-
менном токе' определяют по формуле
Квл, И. Ц —RUjJUci
651
где Uv — напряжение на выходе генератора;
Л' = /?,/(/?, + /?3) = /?а/(/?2-{- ,'?4).
Определение относительного динамического диапазона по напря-
жению. Используя значения максимального и минимального выходного
напряжения ^вых.макс !! ^ВЬ1Х,измеренные по приведенным выше
методам, относительный динамический диапазон по напряжению в
децибелах определяют по формуле
Л— 90]г, ^'вых, макс
ЛИП. ОТН----, , •
О вых. мин
Определение относительного динамического диапазона по мощ-
ности. Используя значения максимальной и минимальной выходной
мощности РВых,макс 11 ^вых.мин. измеренные по методам, приведенным
выше, относительный динамический диапазон по напряжению в децибе-
лах определяют по формуле
Р
лр — 1 П!г> ВЫХ| макс
Л' Д!Ы. ОТВ- 1<J1s ^5 •
* ПЫХ, МИИ
Измерение относительного диапазона АРУ по напряжению. Для
измерения Дс/Ару отн определяют два значения коэффициента усиления
напряжения Ку, и и 7<у, и по приведенным выше методам, соответствую-
щие двум значениям входного напряжения Двх и (7вх, указанным
в НТД.
Относительный диапазон АРУ по напряжению
Д£ЛарУ, ОТН- Лу.у/Ау". U.
где Ку у — наибольшее значение коэффициента усиления напряже-
ния; Ку и — наименьшее значение коэффициента усиления напря-
жения.
Измерение относительного диапазона АРУ по току. Определяют
. по методам, приведенным выше, два значения коэффициента усиления
тока Ку, 1 и Ку, I, соответствующие двум указанным в НТД значениям
входного напряжения Ubx, Ubx, и вычисляют относительный диапазон
АРУ по току по формуле
Л/АРУ, отн = Ку, l/K'y, I
где Ку, I — наибольшее значение коэффициента усиления тока; Ку, I —
наименьшее значение коэффициента усиления тока.
Измерение относительного диапазона АРУ по мощности. Опре-
деляют два значения коэффициента усиления мощности Ку.Р и Ку, р
по методам, приведенным выше (соответствующие двум значениям вход-
ного напряжения Ubx и Ubx, указанным в НТД), и вычисляют относи-
тельный диапазон АРУ по мощности по формуле
ДРарУ, от —к'у, р/Ку, Р,
Ку, Р — наибольшее значение коэффициента усиления мощности;
Ку, Р —наименьшее значение коэффициента усиления мощности.
Измерение коэффициента гармоник МС с одним входом. Измере-
ние Кв производится в установке по схеме, приведенной на рис. 4-20, а.
552
Плавно увеличивая напряжение входного синусоидального сигнала
и измеряя напряжение выходного сигнала, устанавливают значение
напряжения выходного сигнала, указанное в НТД. После этого пере-
ключатель В3 переводят в положение 2 и измеряют коэффициент гармо-
ник выходного сигнала с помощью измерителя нелинейных искажений.
Измерение коэффициента гармоник МС с двумя входами произво-
дят в установке, выполненной по схеме на рис. 4-20, б; резисторы, вхо-
дящие в схему, должны удовлетворять требованиям, указанным в описа-
нии метода измерения максимального входного напряжения.
Положение переключателей для испытания МС с двумя выходами
показано на упомянутой схеме; для микросхем с одним выходом пере-
ключатель В3 устанавливают в положение 2 и производят балансировку
микросхемы с точностью, указанной в НТД. Переключатель перево-
дят в положение 2, плавно увеличивают напряжение входного синусои-
Рис. 4-34. Схема для измерения коэф-
фициента влияния нестабильности по
напряжению. ।
дальнего сигнала до тех пор, пока значение напряжения выходного
сигнала станет равным значению, указанному в НТД. После этого
переключатель Вь переводят в положение 4 и измеряют коэффициент
гармоник выходного сигнала с помощью измерителя нелинейных иска-
жений.
Измерение коэффициента нестабильности по напряжению. Схема
устройства для измерения Kuf и приведена на рис. 4-34.
Метод первый. Измеряют выходное напряжение (/вых при
указанном в НТД значении входного напряжения (/вх. Изменяя вход-
ное напряжение до указанного в НТД значения (/Вх, измеряют выход-
ное напряжение (/ВЫх. Коэффициент нестабильности по напряжению
определяют по формуле
„ _ ({/вых — {/вых) (/вх
ас’ U ” ({/вх-{/вх) (Ль,Х ’
Метод второй. Измеряют выходной ток /вых при входном
напряжении (/вх, указанном в НТД. Выходной ток измеряют по одному
из приведенных выше методов. Изменяя входное напряжение до значе-
ния Ubx, указанного в НТД, измеряют выходной ток /вых. Коэффициент
нестабильности по напряжению определяют по формуле
__ (/вых — /вых ) {/вх
uc, U / г г11 г >f х i1 *
вх — U вх/ I вых
553
Измерение коэффициента нестабильности по току. Для измере-
ния /(нс, I также используют схему, показанную на рис. 4-34.
Метод первый. Измеряют выходное напряжение с/Вых при
указанном в НТД значении выходного тока /вых. Выходной ток изме-
ряется но одному из методов, приведенных выше. Изменяя выходной
ток до указанного в НТД значения /вых, измеряют выходное напряже
ние УВых. Коэффициент нестабильности по току определяют по формуле
__ ( //вых — Uвых) /вых
НС’ (/вых ---/вых) Uвых
Метод второй. Измеряют выходной ток /вых одним из мето-
дов, приведенных выше, при указанном в НТД сопротивлении нагрузки
/?н. После этого изменяют сопротивление резистора нагрузки до указан-
ного в НТД значения и измеряют выходной ток /вых. Коэффициент
нестабильности по току определяют по формуле
__ (/вых — /вых ) /?н
(/?н — /\н) /вых
Измерение коэффициента пульсации. Измерив амплитудное
значение напряжения пульсаций и постоянную составляющую
напряжения U, определяют коэффициент пульсаций по формуле
кпл=и^/и.
Измерение коэффициента сглаживания пульсации. Измерение
/<сг производят в устройстве, выполненном по схеме, приведенной на
рис. 4-34.
Измерив амплитудное значение пульсаций входного (7вх^ и выход-
ного //нкх напряжений, определяют коэффициент сглаживания пуль-
саций по формуле
^сг“^вх^7|-'/вых—'.
Измерение коэффициентов ослабления усиления на нижней и
верхней граничных частотах. Определяют коэффициент усиления
напряжения Ку и по одному из методов, приведенных выше.
Не изменяя значения напряжения входного сигнала (параметры
входного сигнала устанавливаются в НТД) с/вх, устанавливают частоту,
равную указанной в НТД нижней (верхней) граничной частоте, и опре-
деляют коэффициенты усилений Ку и н и Ку в-
Коэффициенты ослабления усиления в децибелах на нижней и
верхней граничных частотах вычисляют по формулам;
Кос, н = 201g
к
в — 201g и- * .
''у, и
Измерение коэффициента неравномерности АЧХ. Для измерения
Кнр Ач используют схему, выбранную для измерения коэффициента
&54
усиления напряжения данной микросхемы. На ее вход подают сину-
соидальный сигнал с напряжением и частотой, указанными в НТД.
Плавно изменяя частоту входного сигнала в заданном диапазоне и при
этом поддерживая его напряжение постоянным, регистрируют наиболь-
шее Иных и наименьшее t/вых значения выходного напряжения. Коэф-
фициент неравномерности АЧХ в децибелах определяют по формуле
Измерение коэффициента ограничения выходного напряжения.
Для измерения Когр используют схему, приведенную па рис. 4-26;
входящие в нее элементы должны удовлетворять требованиям, указан-
ным в методе измерения максимальной амплитуды импульсов входного
напряжения.
На микросхему подают входной сигнал с указанными в НТД
параметрами и измеряют выходное напряжение (7ЧЫх. Затем, увеличивая
напряжение входного сигнала до указанного в НТД значения U"vx
измеряют выходное напряжение t/вых- Коэффициент ограничения вы-
ходного напряжения определяют по формуле
IS t/вых—t/вых
Л огр----~7,-----7--•
t/вх — t/вх
Измерение днффереццнадзмздго коэфф ии>.«ята. усииеита. Для
измерения Ку д используют схему, выбранную для определения Ку у
данной микросхемы. Измерив выходное напряжение при двух зна-
чениях входного напряжения (7вхи(/вх = 1,1 t/вх, указанных в НТД,
вычисляют дифференциальный коэффициент усиления по формуле
,, t/вых—t/вых
А у, д---------~f ,
o,it4x
где t/вых и (/вых — выходные напряжения, измеренные при входных
напряжениях t/вх и (7Пх соответственно.
Определение коэффициента деления напряжения. Схема измере-
ния /<дел (7 приведена на рис. 4-35.
Устанавливают входное напряжение (/,,х, указанное в НТД, и
измеряют напряжение (7ВЫХ на каждом выходе микросхемы (переклю-
чатель в положениях 2, 3, ..., л).
Коэффициент деления напряжения для каждого выхода микросхемы
определяют как отношение (/вх/(/вых на каждом выходе микросхемы.
Измерение нестабильности частоты. Влияние на стабильность
частоты температуры, напряжения питания и т. д. производится в схеме,
показанной на рис. 4-2'.). Измеряв значения частот /' и Г для двух зна-
чений температуры, напряжения питания и т. д., определяют неста-
бильность частоты по формуле
&/ = (/'-/")//'•
Измерение нестабильности фазового сдвига в условиях изменяю-
щихся температуры, напряжения питания и т, д. производят в схеме,
приведенной на рис. 4-36,
655
Измерив значения фазового сдвига <р' и ф" по приведенному ниже
методу, 11|)и двух значениях интервала температур, напряжения пита-
ния и т. д. определяют нестабильность фазового сдвига по формуле
0.5фС- ф, •
Измерение нелинейности фазового сдвига. Измерение Суфс произво-
дят в устройстве по схеме, приведенной на рис. 4-36.
Рис. 4-36. Схема для из-
мерения нестабильности
фазового сдвига.
Рис, 4-Зо. Схема для измерения коэффи-
циента деления.
Измерив по приведенному ниже методу значения фазового сдвига
<р( и ц.> при двух указанных в НТД значениях частоты входного сигнала
Д и Д, определяют нелинейность фазового сдвига по формуле
6, 100%.
I ЧЧ <г I
ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ
СОПРОТИВЛЕНИЯ
Измерение входного сопротивления. Для измерения /<1!Х (МС с од-
ним входом) можно использовать схему, приведенную на рис. 4-20, а,
где е» Явх.
На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал и измерителем
переменного напряжения измеряют напряжение на ее выходе £Л,ых.
Затем выключатель размыкают, измеряют напряжение на выходе
микросхемы 17вых и определяют входное сопротивление по формуле
2ЧВХ- f •
U в Ы X |
Uвых
Измерение RBX можно также выполнить в устройстве по схеме,
приведенной на рис. 4-26, при этом входящие в нее элементы должны
656
удовлетворять требованиям, указанным в описании метода измерения
максимальной амплитуды импульсов входного напряжения. Переклю-
чатели В.,, В3 и /ф устанавливают в положение, указанное на упомяну-
той схеме, а переключатель S, переводят в положение 2.
Устанавливают входное напряжение (7Вх, указанное в НТД, размы-
кают выключатель В2 и восстанавливают первоначальное значение
входного напряжения Ubx путем увеличения выходного напряжения
генератора сигналов. Установив переключатель в положение 1, изме-
ряют выходное напряжение генератора сигналов и"&х.
Входное сопротивление определяют по формуле
р —____________
Авх-- , , » •
(А*
Измерение входного сопротивления МС с двумя входами производят
в устройствах, выполненных по схемам, приведенным на рис. 4-37.
Сопротивления резисторов, входящих в схему на рис. 4-37, а, долж-
ны удовлетворять следующим требованиям: Rt ~ R.> 0,01 Rsli,
Ля ~ Л^, /?8 = /?й «= (2 ч- 3) Rgx,
При измерении /?вх микросхемы с двумя выходами положение
переключателей показано на упомянутом рисунке (для микросхем
с одним выходом переключатель В3 переводится в положение 2). Произ-
водят балансировку МС с точностью, указанной в НТД, и после этого
переключатель В4 переводят в положение 2. На вход МС подают сину-
соидальный сигнал и измеряют напряжение на ее выходе СДых (значение
его ие должно превышать (7ВЫЛ, МЙКС, указанного в НТД). Затем размы-
кают выключатели Вг и снова измеряют напряжение на выходе
микросхемы t/вых. Входное сопротивление определяют по формуле
Р________
с/вых |
U вых
Измерение входного сопротивления микросхемы с автоматической
балансировкой производят в устройстве по схеме, приведенной на
рис. 4-37, б\ сопротивления входящих в нее резисторов должны удовлет-
ворять следующим требованиям: Rt — R2 0,01 Лвх; Rs = Rt > R2;
Rs — Rb ~ (2 s- 3) RBX; Ri — /?я; /Д — RiB.
Если напряжения на входах вспомогательного усилителя не пре-
вышают допустимых значений, резисторы R7 и Rs можно исключить.
Параметры вспомогательного усилителя зависят от параметров
испытуемой микросхемы,
На вход вспомогательного усилителя подают синусоидальный
сигнал и измерителем переменного напряжения измеряют напряжение
U'L, Затем размыкают выключатели В, и В2 и снова измеряют напряже-
ние на выходе U'[, Входное сопротивление определяют по формуле
Р
ВХ~
и;'
Изгдерение входного сопротивления при синфазных вход-
ных напряжениях микросхем с одним выходом. Для измерения
557
Рис, 4-37. Схема для измерения параметров аналоговой микросхемы,
имеющих размерность сопротивления.
558
Rex, сф используют схему, приведенную на рис. 4-33, с; входящие в ное
конденсаторы и резисторы должны удовлетворять следующим требо-
ваниям: ХС1 < 0,01 /?,; — R2; R, = (2 -г- 5) RBX.
Подают на вход микросхемы синусоидальный сигнал и измерителем
переменного напряжения измеряют напряжение на ее выходе; обозна-
чают его t/вых. Затем выключатель />> размыкают и снова измеряют
напряжение на выходе, обозначают его (/вых. Входное сопротивление
при синфазных входных напряжениях определяют по формуле
п _
Них, Сф— z
с/вых |
U вых
Измерение входного сопротивления при синфазных входных на-
пряжениях микросхемы с двумя выходами с автоматической баланси-
Рис. 4-38. Схемы для измерения параметров микросхемы, имеющих
размерность сопротивления.
ровкой производят в устройстве по схеме, приведенной па рис. 4-38, б;
входящие в нее резисторы и конденсаторы удовлетворяют следующим
требованиям: Хс1 < 0,01 Rf, = А‘, <-(2 -г 5) R„;, /С — /?4. Пара-
метры вспомогательного усилителя зависят от параметров испытуемой
микросхемы.
На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал и измерителем
переменного напряжения измеряют напряжение на выходе вспомога-
тельного усилителя; обозначают его (/вых. Затем выключатель раз-
мыкают .и снова измеряют напряжение на выходе усилителя; обозна-
чают его С7вых. Входное сопротивление при синфазных входных напря-
жениях вычисляют по формуле, приведенной в методике определения
входного сопротивления МС е одним входом.
Измерение выходного сопротивления МС с одним входом произ-
водят по схеме, приведенной на рис. 4-20, а.
На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал с указанными
в НТД параметрами и измеряют напряжение на выходе (переключатель
В3 в положении /).
559
Выходное напряжение микросхемы измеряют дважды: при под-
ключенной и при отключенной нагрузках. Выходное сопротивление
определяют по формуле
о _ » '! Uвых । j
Квых — «и! 7— — 1 I,
' ивах /
где /?ц — активная составляющая результирующей нагрузки микро-
схем; (/вых — напряжение при подключенной нагрузке; 17вых—напря-
жение при отключенной нагрузке.
Измерение выходного сопротивления МС с двумя входами произ-
водят по схеме, приведенной на рис. 4-20, б; входящие в нее резисторы
и конденсаторы удовлетворяют требованиям, указанным в методе
измерения напряжения смещения.
Положение переключателей показано на упомянутой схеме для
измерения /?!1Ь1Х МС с двумя выходами (для микросхемы с одним выходом
переключатель Ва устанавливают в положение 2). Производят балан-
сировку микросхемы с точностью, указанной в НТД, и переключатель р,
переводят в положение 2. На вход микросхемы подают синусоидальный
сигнал с параметрами, указанными в НТД, и дважды измеряют напря-
жение на выходе микросхемы: при подключенной и при отключенной
нагрузке Ru. Выходное сопротивление МС вычисляют по формуле,
приведенной в методике измерения выходного сопрошвления МС с одним
входом.
Измерение выходного сопротивления МС с двумя входами с ав-
томатической балансировкой. Для измерения Явнх исполь-
зуют схему, приведенную на рис. 4-37, в. Резисторы и конденсаторы,
входящие в схему, должны удовлетворять следующим требованиям:
*э~явь.х; ХС1= ХС2 0>001 «2: <0,01 R3-
На выход микросхемы подают синусоидальный сигнал (7( (напря-
жение и частота сигнала указываются в НТД), измерителем перемен-
ного напряжения измеряют напряжение на выходе микросхемы (7’ и
определяют выходное сопротивление по формуле
. АбЫХ - J •
_ 1
Измерение дифференциального сопротивления электронного ключа.
Для измерения R,, дважды измеряют остаточное напряжение электрон-
ного ключа t/OCT,o по приведенным выше методам. Первый раз при сопро-
тивлении нагрузки, указанном в НТД, и второй раз при сопротпп-
лении нагрузки, уменьшенном на 10%, Сопротивление /?д определяют
по формуле
р Uост, 0 — Uост, 0
Хд , р , р >
и пых О ВЫХ
Ru Ru
где 17ост,о — остаточное напряжение электронного ключа при первом
измерении; (7ост .»—остаточное напряжение электронного ключа
при втором измерении; R»— сопротивление нагрузки при певвэм
измерении; R'n— сопротивление патрузки при втором измерении.
560
ИЗМЕРЕНИЕ ПРОЧИХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
Измерение скорости нарастания выходного напряжения ГЛС с од-
ним входом производят в устройстве по схеме, приведенной на рис. 4-26;
входящие в нее резисторы и конденсаторы должны удовлетворять
требованиям, указанным в методе измерения максимальной амплитуды
импульсов входного напряжения.
На вход МС подают импульс прямоугольной формы с параметрами,
указанными в НТД. Измерителем временных интервалов измеряют
интервал времени т, за который выходное напряжение изменяется от
момента первого достижения уровня 0.1 до момента первого достижения
уровня 0,9 установившегося значения. Измеряют амплитуду выходного
импульса t/вых, А и определяют скорость нарастания выходного напря-
жения по формуле
V., = 0,8(7 д/т.
и» ВЫХ ВЫХ, А/
Измерение скорости нарастания выходного напряжения МС с
двумя входами производят в устройстве по схеме, приведенной па
Рис. 4-39, Схема для измерения коэффициента преобразования анало-
говой микросхемы.
рис. 4-20, б; входящие в нее резисторы и конденсаторы должны удовлет-
ворять требованиям, указанным в методе измерения (7ВХ,М,1КС.
Положение переключателей при измерении vu nhiX микросхемы
с двумя-выходами показано на рис. 4-20, б (для микросхем с одним
выходом переключатель вя переводится в положение 2). После балан-
сировки микросхемы с точностью, указанной в НТД. на ее вход подают
импульс прямоугольной формы с параметрами, указанными в НТД,
переключатель Ва переводят в положение 3 и измер!»ют интервал времени
т, за который выходное напряжение изменяется от момента первого
достижения уровня 0,1 до момента первого достижения уровня 0,9
установившегося значения. Затем измеряют амплитуду выходного
импульса </вых А и определяют скорость нарастания выходного напря-
жения по формуле, приведенной в методике определения этого параметра
для микросхемы с одним входом.
Измерение крутизны преобразования производят, используя схему,
приведенную на рис. 4-39.
На выходы микросхемы подают сигналы с указанными в НТД
параметрами, в том числе с напряжениями (7ВХ.С и (7ЧХ.Г. Путем изме-
нения частоты входного сигнала (/вх,с или (Л!К,Г устанавливается макси-
561
мальное напряжение промежуточной частоты на выходе микросхемы
^вых.п, ч- Крутизну преобразования определяют по формуле
•^прб
Uвых, п, ч
'вх. сДое
где Rnr — эквивалентное сопротивление нагрузки.
Измерение фазового сдвига производят измерителем фазы, вклю-
ченным между входом и выходом МС, согласно схеме, представленной
на рис. 4-36.
Измерение температурных коэффициентов электрических параметров
(aS U.№; а0/вх; а0/вх,ср; а6Д/вх и а0ф). Для определения аО UC№:
а9/вх; а0/рх,ср; аб А/вх и абф измеряют £7СМ; /вх; /вх,ср; А/ЕХ и ф при
двух указанных в НТД значениях температуры по методикам, приве-
денным выше, предварительно выдерживая МС при заданных темпера-
турах в течение интервалов времени, указанных в НТД.
Температурные коэффициенты напряжения смещения входного
тока, среднего входного тока, разности входных токов и фазового сдвига
определяются
по формулам:
aOZ,
U см с7см
КТ
/их — /вх
Кт *
/вх, ср — /вх
к“/ВХ. ср-
АГ
„ . , А/вх — А/сх
аОА/вх =-----------
где АТ = Т2 — T-f — разность значений температур, при которых
проводились измерения; значения параметров — алгебраические.
Измерение.нестабильности электрических параметров во времени.
Для измерения параметров ДДвх,ср; Д/А/вх и А/фрегистри-
руют момент времени включения микросхемы* и периодически, через
указанные в НТД интервалы времени, измеряют значения этих парамет-
ров по методам, приведенным выше, в течение промежутка времени,
указанного в НТД. По результатам измерений определяют максимальное
и минимальное значения (алгебраические) параметра за указанный
в НТД интервал времени.
Нестабильность напряжения смещения входного тока, среднего
входного тока, разности входных токов, фазового сдвига во времени
определяется по формулам:
А/с/сы ™ (7СМ, макс см, мин»
А//Вх — /вх. макс /вх. мин!
А^/вх. ср ” /вх, ср. макс /вх. ср. »лин»
А/А/„ = А/вх> маКс А/Вх, мин»
Д/ф = фмакс фмиа.
562
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК
Определение амплитудной характеристики. Для построения ам-
плитудной характеристики UЯЬ!К--f (Uпх) используют схему, выбран-
ную для измерения коэффициента усиления дайной МС, а также зна-
чение UBX, макс, измеренное приведенным выше методом.
Измерив выходное напряжение при десяти значениях напряжения
Uax (его изменяют равными ступенями по 0,15 UM, макс в пределах
от 0,15 t/вх.макс ДО 1,5 i/вх,макс), по результатам измерений строят
график зависимости (/ВЫх = f (UBX).
Определение амплитудно-частотных характеристик. Для построе-
ния амплитудно-частотных характеристик Ку и = ф (/) и Uвых == ф5 (/)
используют схему и метод, выбранные для измерения коэффициента
усиления данной микросхемы.
Измеряют коэффициент усиления или (/вых при (/вх = const при
десяти значениях частоты входного сигнала в диапазоне от Д до /10,
значения которых указаны в НТД, и по результатам строят графики
зависимости К v = Ф (/) или ^вых = фх (/) при (/м — const с лога-
рифмическим (линейным) масштабом по оси частот и линейным (логариф-
мическим) масштабом по оси Ку и или (/вых-
Определение нагрузочной характеристики. Для построения нагру-
зочной характеристики UBUX = f (RH) используют схему, выбранную
для определения коэффициента усиления микросхемы данного типа.
Измеряют выходное напряжение при различных сопротивлениях нагруз-
ки, значения и количества которых указаны в НТД. Напряжение на
входе поддерживают постоянным. По результатам измерений строят
график зависимости (/ВЬ|Х = f (Ru),
Определение фазочастотной характеристики. Измерив фазовый
сдвиг по приведенному выше методу при указанных в НТД значениях
частоты входного сигнала, строят график зависимости <р = ф (/) при
= const с логарифмическим (линейным) масштабом по оси частот f
и линейным (логарифмическим) масштабом по оси фазового сдвига <р.
4-4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОМЕХОУСТОЙЧИВОСТИ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Статическую помехоустойчивость цифровых микросхем определяют
по следующей методике, Измерив, как указано в § 4-2, значения выход-
ных напряжений (/вых, мин, (/вых, макс и пороговых напряжений (/пор,
^пор, вычисляют статическую помехоустойчивость по высокому уровню
с помощью формулы
(/п, ст = j (/вых, МНН-(/пор |»
статическую помехоустойчивость по низкому уровню по формуле
Un, ст = | (/пор — (/вых. макс |
и выбирают меньшее из двух полученных значений.
РАЗДЕЛ ПЯТЫЙ
ПРИМЕНЕНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
5-1. РЕКОМЕНДАЦИИ ПО МОНТАЖУ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Одним из основных условий, обеспечивающих надежную работу
РЭА, сконструированной с широким применением интегральных микро-
схем, является соблюдение правил по их установке, пайке и монтажу.
Основными элементами конструкции узлов и блоков РЭА, позволяю-
щими наиболее полно реализовать преимущества МС, являются печат-
ные платы. При установке МС на печатные платы необходимо соблюдать
следующие требования и условия:
установка и крепление микросхем на печатных платах должны
обеспечивать их нормальную работу в условиях эксплуатации аппара-
туры;
должны строго выдерживаться указанные в технической докумен-
тации расстояния от корпусов МС до мест изгибов и мест пайки их
выводов;
шаг установки МС на печатные платы должен быть кратен 2,5; 1,25
или 0,5 мм (в зависимости от типа корпуса и конструкции узла, блока);
должно соблюдаться линейно-многорядное (или шахматное) рас-
положение МС, обеспечивающее наибольшую плотность их компоновки
и возможность механизированной сборки узлов;
микросхемы с расстоянием между выводами, кратном 2,5 мм,
должны располагаться на печатной плате таким образом, чтобы их вы-
воды совпадали с узлами координатной сетки (рис. 5-1); если расстояние
между выводами МС не кратно 2,5 мм, они должны располагаться так,
чтобы один или несколько выводов микросхемы совпадали с узлами
координатной сетки;
установка и крепление микросхем должны обеспечивать доступ
к любой из них и возможность их замены;
для правильной ориентации МС на печатной плате должны быть
предусмотрены «ключи», определяющие положение первого вывода
каждой микросхемы (рис. 5-2);
расположение и крепление МС должны обеспечивать возможность
групповой пайки с последующей влагозащитен;
в случае необходимости плата с установленными МС должна быть
защищена от воздействия климатических факторов.
Кроме того, при расположении МС на печатных платах при констру-
ировании следует руководствоваться следующими положениями:
микросхемы должны быть удалены от элементов, которые при работе
выделяют большое количество тепла, на расстояния, исключающие
перегрев микросхем;
564
микросхемы недопустимо располагать в магнитных полях постоян-
ных магнитов, трансформаторов и дросселей;
необходимо обеспечивать конвекцию воздуха у радиаторов элемен-
тов и элементов, выделяющих большое количество тепла.
Рис. 5-1. Установка микросхе-
мы на печатную плату.
Рис. 5-2. Ориентация микросхе-
мы на печатной плате.
Необходимо принимать меры, исключающие воздействие на МС
статического электричества.
Микросхемы со штыревыми выводами в корпусах типа 1 должны
устанавливаться только с одной стороны печатной платы без дополни-
тельного крепления с зазором 1,(У°.5 мм между корпусом микросхемы
и платой (рис. 5-3) или через электроизоляционную прокладку толщн-
15мин
Микросхема.
со штыревыми,
выводами.
Печатная плата
Рис. 5-3. Установка микросхем
со штыревыми выводами, на пе-
чатную плату.
Микросхема Печатная
Клеите клеем Защитная
/IK-Z0, ВК~9,
мастика ЛИ
диэлектрическая
прокладки
Рис. 5-4. Односторонняя уста-
новка микросхем на печатную
плату.
ной 1,0—1,5 мм с дополнительным креплением к плате и всей плоскости
основания корпуса к прокладке клеем или обволакиванием их лаком,
если в ТУ на микросхемы отсутствуют другие указания. Прокладку
следует размещать под всей площадью основания корпуса или между
выводами на площади не ме.пее е/я основания, при этом опа должна
исключать возможность касания выступающих изоляторов выводов.
Зазор между корпусом МС и платой должен быть не более 1,5 мм; зазор
между корпусами МС должен быть не менее 1,6 мм; выступаю-
щие части выводов должны находиться над поверхностью платы
в пределах 0,5—1 мм (если в ТУ не оговорено иное),
565
Микросхемы к корпусах типа 2 следует устанавливать па платы
с металлизированными отверстиями с зазооом, который обеспечивается
конструкцией выводов.
Микросхемы с планарными выводами также рекомендуется уста-
навливать с одной стороны печатной платы (рис.5-4); лишь в техни-
чески обоснованных случаях допускается их устанавливать с обеих
сторон платы (рис. 5-5). Такие МС устанавливают на прокладку из изо-
ляционного материала или на перфоленту; их крепят к поверхности
печатной платы нитроклеем или эпоксидным клеем. В некоторых слу-
чаях допускается установка МС вплотную на плате или с зазором це
более 0,7 мм (если в ТУ не оговорено иное).
При установке МС на печатные платы часто возникает необходи-
мость формовки выводов (рис. 5-6). Требования, предъявленные к фор-
мовке, оговариваются в технической документации. Формовка круглых
или ленточных выводов и обжатие ленточных выводов должны произ-
водиться при помощи монтажного инструмента или приспособления
таким образом, чтобы исключались механические нагрузки на места
крепления вывода к корпусу.
Рис. 5-5. Двусторонняя установка микросхем на печатную плату.
Для МС с планарными выводами формовка, как правило, должна
производиться с радиусом изгиба не менее 2 с (с — толщина вывода) и
расстоянием от корпуса до центра окружности изгиба не менее 1 мм
(если в ТУ не оговорено иное).
Для микросхем со штырьковыми выводами формовка, как правило,
должна производиться с радиусом изгиба не мевее 2d (d — диаметр
вывода) и расстоянием от корпуса микросхемы до центра окружности
изгиба не менее 1 мм (если в ТУ не оговорено иное).
Микросхемы соединяют с другими элементами узлов и блоков РЭА,
как правило, путем пайки выводов, поэтому особенное внимание должно
быть обращено на качество монтажа. В серийном производстве часто
используют групповую пайку и папку «волной». В лабораторных усло-
виях и при замене микросхем в эксплуатации производят пайку одно-
жальным паяльником.
При распайке планарных выводов МС одножальным паяльником
должны соблюдаться следующие требования (если в ТУ не оговорено
иное); температуря жала паяльника должна быть не более 265°С,
время касания к каждому выводу не более 3 с, интервал между пайками
соседних выводов 3—10 с (в зависимости от типа корпуса МС), расстоя-
ние от корпуса до места пайки по длине вывода должно быть не менее 1 мм.
Для микросхем со штырьковыми выводами температура жала
паяльника не должна быть более 280°С,
566
В случае групповой распайки МС температура расплавленного при-
поя должна быть не более 265°С, время ее воздействия одновременно
на все выводы не должно превышать 2 с для планарного и 3 с для штырь-
кового выводов. Интервал между повторными пайками выводов одной /МС
должен быть не менее 5 мин.
Необходимо также защищать корпус и изоляторы выводов МС от
попадания на них паров и брызг паяльного флюса. После монтажа места
пайки необходимо очистить от флюса жидкостью, рекомендованной
Рис. 5-6. Формовка выводов микросхемы в корпусе типа 4 (а) и в кор-
пусе типа 3 (б).
в ТУ на микросхемы. После монтажа и очистки от флюса платы с микро-
схемами покрывают защитным лаком (марки лаков указываются в ТУ),
Для устранения влияния электростатических зарядов на микро-
схемы необходимо:
а) заземлять жало паяльника;
б) заземлять измерительную и испытательную аппаратуру;
в) операции по подготовке, монтажу и контролю микросхем произ-
водить с применением антиэлектростатических браслетов или других
способов снятия электрического заряда с оператора.
567
5-2. ПРИМЕРЫ ПОСТРОЕНИЯ
ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ РЭА
НА ЦИФРОВЫХ МИКРОСХЕМАХ
Серии цифровых микросхем, как правило, являются функционально
полными системами и могут быть использованы для построения логи-
ческих узлов цифровых вычислительных машин и устройств дискретной
автоматики любой функциональной сложности.
Каждая из серий цифровых микросхем реализуется преимуществен-
но на определенном логическом базисе. Так, например, серии микросхем
диодно-транзисторной и транзисторно-транзисторной логики (например,
серии 109, 217, К511, К131, К.155, КМ155, К158) содержат преиму-
щественно логические элементы И-НЕ, их комбинации, различные
виды триггеров. Популярные среди разработчиков аппаратуры серии
транзисторно-транзисторной логики (например, серии К.155, К.М155)
содержат практически готовые функциональные узлы (счетчики, ре-
гистры, сумматоры, дешифраторы, преобразователи кодов и т. д.).
Микросхемы на основе резистивно-транзисторной логики (серии 114,
115, 211), резистивно-емкостной транзисторной (серия 204), эмиттерпо-
связанной логики (серии К137, К138, К500), микросхем на МДП-тран-
зисторах (серии К172, К178) выполнены на базе логических элементов
ИЛИ-HE, из которых путем определенных соединений реализованы
элементы И-ИЛИ, И-ИЛИ-НЕ, И-ИЛИ/И-ИЛИ-НЕ и др.
Выпускаются серии цифровых микросхем (например, серия К176
на дополняющих МДП-транзисторах), состоящие из двух основных
видов логических элементов И-НЕ, ИЛИ-НЕ.
При проектировании цифровых вычислительных машин и устройств
дискретной автоматики возникает необходимость реализации многих
других дополнительных логических функций.
При конструировании функциональных узлов необходимо учитывать
такие параметры микросхем, как среднее время задержки распростра-
нения, скорости переключения, помехоустойчивость микросхем. Ука-
занные параметры особенно важно учитывать при конструировании
печатных плат, блоков, расчетах линий связи.
Поэтому ниже приведены примеры реализации логических и функ-
циональных узлов на основе цифровых микросхем с широким диапазо-
ном по быстродействию, помехоустойчивости, мощности потребления,
различного функционального состава микросхем серий:
К500 (на основе эмиттерно-связанной логики);
К511 (микросхем с высокой помехоустойчивостью);
К176 (микросхем с малой потребляемой мощностью на дополняю-
щих МДП-транзисторах);
К131, К.155, К158 (на основе транзисторно-транзисторной логики).
Все примеры соответствуют положительной логике, для которой
уровню логической единицы соответствует наиболее положительное,
а уровню логического нуля наименее положительное значение напря-
жения цифрового сигнала.
МИКРОСХЕМЫ СЕРИИ К500
Общие указания по применению. Рекомендации по способам под-
ключения входов и объединения выходов:
Микросхемы серии К500 могут применяться в различных вариантах
взаимного соединения, а также при работе с другими электрорадио-
568
элементами при условии соблюдения требований технических условий
на МС.
Неиспользуемые в схемных решениях входы и выходы микросхем
серии К500 остаются свободными, за исключением микросхем
К500ЛП115, К500ЛП116, К500ПУ124.
Свободные входы микросхем К500ЛП115 и К500ЛГ1116 подклю-
чаются к источнику опорного напряжения (к выводу 9для микросхемы
К500ЛП115 и к выводу 11 для микросхемы К500ЛТ1116) или к напряже-
нию источника питания минус 5,2 Bet 5%.
Свободные входы микросхем К500ПУ124 подключаются к напряже-
нию источника питания 5,0 В pt 5% через резистор 1 кОм. К одному
резистору допускается подключать до 20 свободных входов.
Если на печатной плате установлены микросхемы, на которые
нужно постоянно подавать напряжение логического нуля, то для полу-
чения такого напряжения можно использовать любую логическую микро-
Рис. 5-7. Схема объединения
прямых выходов в «монтаж-'
ное ИЛИ».
Рис. 5-8. Схема объединения
инверсных выходов в «мон-
тажное И».
схему, формирующую указанный уровень напряжения на выходах.
Количество подключаемых нагрузок к одному выходу такого элемента
не должно превышать 24.
Микросхемы серии К500 допускают объединение по выходам.
Выходы нескольких элементов (в том числе триггеров) разрешается
объединять в «монтажное ИЛИ» и «монтажное И» с коэффициентом
объединения Хоб вмх чт0 весьма удобно для построения jioi нческих
схем ИЛИ и И-ИЛИ-НЕ на большое число входов.
Примеры объединения микросхем по выходам и реализуемые
функции приведены на рис. 5-7—5-9.
Этот способ объединения позволяет также осуществлять прием и
передачу данных по одной общей сигнальной линии, связывающей
несколько узлов, как показано на рис. 5-10.
Следует учитывать, что в зависимости от количества объединений
по выходу /<0б,вых и количества объединенных входов Хоб.вх изменяются
уровни выходного напряжения t/вых, t/вых и снижается статическая
помехоустойчивость микросхем на величину, которую можно определить
по формуле
ПОМ (Коб. вх/боб. вых)’
В режиме объединения элементов в «монтажное ИЛИ» может
возникнуть ситуация, при которой напряжение логической единицы
669
на выходе передающих схем будет поддерживаться несколькими эле-
ментами.
При переключении хотя бы одного передающего элемента из со-
стояния логической «1» в состояние логического «О» на выходе объеди-
ненных схем появляется отрицательная помеха (С3 на диаграмма
А/ = а+о-ьс
/т, =fa.+Ji>+cJ+(i+e+/:
F; = d. + e+f
Рис. 5-9. Схема объ-
единения прямого вы-
хода с инверсным.
Рис. 5-10. Схема объединения элементов
в общую линию связи.
рис. 5-11, а) из-за перераспределения тока нагрузки между элементами,
объединенными в «монтажное ИЛИ», как показано на рис. 5-11, б,
Это напряжение помехи может привести к ложному срабатыванию
элементов нагрузки, что необходимо учитывать при построении функ-
циональных узлов.
Рис. 5-11. Схема связи при объединении в «монтажное ИЛИ» (а) и
временная диаграмма работы (б).
£>,, Д2, Ds — микросхемы серии К.500 (источник сигнала); — микросхема
серии К500 (элемент нагрузки); —- резисторная матрица типа Б19-3-5.
Амплитуда и длительность помехи зависят от длины линии связи,
соединяющей элементы в «монтажное ИЛИ».
Объединение по выходам для образования логических функций
разрешается производить в пределах только одного типового элемента
замены (ТЭЗ) и по возможности рядом расположенных объединенных
микросхем,
570
Выход из ТЭЗ осуществляется с любой микросхемы, пе имеющей
объединений по выходу.
Не рекомендуется производить передачу информации за пределы
ТЭЗ с инверсных выходов микросхем К500ЛК117, К500ЛЮ21, непосред-
ственно с выходов микросхем К500ИД161, К500ИД162, непосредственно
с выходов триггеров К500ТМ130, К500ТМ131, по допускается при ис-
пользовании па их выходе буферных элементов.
Рекомендации по нагрузочной способности микросхем. Вследствие
малого выходного сопротивления эмиттериых повторителей микросхем
и малого входного тока (менее 265 мкА) для одного входа логического
элемента подключение к выходу схемы даже значительного числа логи-
ческих нагрузок практически не оказывает существенного влияния на
статические параметры микросхем. Поэтому нагрузочная способность
зависит только от сопротивления нагрузочного резистора RUl необхо-
димого для получения требуемых выходных уровней напряжения в со-
стоянии логического нуля и логической единицы и требуемых задержек
выходных сигналов.
Максимальный коэффициент разветвления по выходу логического
элемента Кг,3 равен 20 при работе микросхем в пределах одного ТЭЗ и
10 — при работе на внешние линии связи.
Минимальный коэффициент разветвления для микросхем К500ЛЛ110
и К500ЛЕ111, предназначенных для работ одновременно на три линии
передачи, соответственно равен 30.
При работе логического элемента на нагрузочный резистор R —
— 51 Ом при подключении к напряжению смещения уровня б'сж.у =
—. —2 В приращение задержки при подключении каждого дополнитель-
ного входа микросхемы-нагрузки является минимальным и составляет
около 0,1 нс, а изменение длительности выходного фронта при нагрузке
от одного до 10 входов не превышает 0,5 ис.
Выход триггерных микросхем рекомендуется нагружать и? более
чем на 6 нагрузок. Выход микросхем, объединенных в «монтажное ИЛИ»,
рекомендуется нагружать не более чем на 16 нагрузок, при этом следует
учитывать увеличение времени задержки распространения и снижение
уровня выходного напряжения.
В этих случаях для определения допустимого количества входов
микросхем-нагрузок необходимо учитывать объединение нескольких
входов элементов внутри этих микросхем. Количество объединенных
входов микросхем указано в табл. 5-1.
Т а б л п ц а 5-1
Тип микросхемы Номер вывода (вход микро- схемы) Количест- во ВХОДОВ, подклю- ченных к данному выводу внутри микро- схемы Тип микросхемы Помер вывода (вход мп кро- схемы) 1\ е. nil честно входов, под- ключенных к даппему вы- воду внутри микросхемы
К500ЛМ101 12 4 К500ТМ130 09 2
К500ЛК117 09 2 К500ТМ131 09 2
К500ЛС118 09 2 К.500ТМ133 13, 10, 05 <>
К500ЛС119 10 2 К500ТМ134 07 2
К500ЛК121 10 2
571
Входы К
Рис. 5-12. Функциональная схема синхронного JK-триггера (а) и вре-
менная диаграмма работы (б).
Di — микросхема К500ЛМ105; В, — микросхема К500ЛМ109; О3 — микро-
схема Ц500ЛЦ117.
Рис. 5-13. Функциональная схема делителя частоты на 2 (а) и времен-
ная диаграмма работы (б).
Di — микросхема К500ТМ131; £>2 — микросхема К500ЛМ105.
572
t
Рис. 5-14. Функциональная схема делителя частоты на 3 (а) и времен-
ная диаграмма работы (б).
О; — микросхема К500ТМ13Г, О3 — микросхема К.500ЛМ105,
Рис. 5-15. Функциональная схема делителя частоты на 4 (а) и времен-
ная диаграмма работы (б).
Di — микросхема 1<500ТМ131; £>а — микросхема К500ЛМ1№).
573
При проектировании функциональных узлов на микросхемах
серии К500 необходимо иметь в виду, что в состав применяемых микро-
схем входят интегральные микросхемы, имеющие в своем составе разное
количество элементов и логических каскадов. Вследствие этого задержки
распространения сигнала для различных пар «вход — выход» могут
оказаться отличными друг от друга, К входу микросхемы может быть
Рис. 5-16. Функциональная схема делителя частоты на 5 (а) и времен-
ная диаграмма работы (б).
£>i. — микросхема Ц500ТМ131; — микросхема К500ЛМ109.
подсоединено (внутри микросхемы) различное количество элементов,
выходные элементы микросхемы могут быть нагружены на другие эле-
менты (внутри микросхемы).
Минимальная длительность импульсов установки и сброса на входе
микросхем К500ТМ131, при которой триггер надежно переключается
в состояние «О» или «1», равна 4 нс.
Частота входного сигнала по входу синхронизации микросхем
К500ТМ130, К500ТМ131, К500ТМ133, К500ТМ134 не должна пре-
вышать 200 мГц.
При непосредственной работе элементов друг на друга (короткие
несогласованные линии связи) в зависимости от числа нагрузок и тре-
буемого быстродействия в эмиттериых цепях выходных повторителей
574
могут использоваться нагрузочные резисторы различных помичалог,
подключаемые либо к источнику напряжения Un п = — 5,2 В, либо к
?Лм.у = --2,о в.
Низкоомный выходной импеданс элементов обеспечивает возмож-
ность возбуждать линии передач’! с волновым сопротивлением р =
= 50 Ом при сохранении высокого быстродействия и требуемой помехо-
устойчивости.
Рис. 5-17. Функциональная схема делителя частоты на 6 (а) и времен-
ная диаграмма работы (б).
Z),, Ds — микросхема КП00ТМ131;
D, — микросхема К500ЛМ109.
Значение статического потенциала па выводах микросхемы не долж-
но превышать напряжения источника питания.
Типовые схемы применения микросхем серим К500. Примеры по-
строения функциональных узлов на микросхемах серии К500.
Триггеры. В качестве примера на рис. 5-12 представлены JK-триг-
гер, выполненный на микросхемах К500ЛМ105, К500ЛМ109,
К500ЛК.П7, и временная диаграмма его работы в режиме счетного
Т-триггера.
Делители. На рис. 5-13—5-22 приведены схемы делителей частоты
на 2-10, построенные на триггерах К500ТМ131, и временные диаграммы,
поясняющие их работу. Для выделения соответствующего импульса
деления применяется стробирование по выходам,
575
§
Рис, 5-19. Функциональная схема делителя частоты
8 (а) и временная диаграмма работы (б).
£>4, D. — микросхема К600ТМ131; Иц — микросхема
Рис. 5-20. Функциональная схема делителя частоты на
9 (а) и временная диаграмма работы (б).
Dj, Ds — микросхема К.500ТМ131; Ds — микросхема К5ЬЧ)ЛМ109.
СЯ
Рис, 5-22, Временная диа!рамка работы делителя частоты на 10,
о
работы. Схема реализована на микросхемах К500ТМ131, К500ЛС118
и К500ЛМ105.
Рис. 5-23. Функциональная схема четырехразрядного регистра сдвига.
£>ь С2 — микросхемы КБ00ЛМ105; D31 D< — микросхемы К500ТМ131; D6 - Ds — микросхемы К500ЛС119.
»<?
Рис. 5-24. Функциональная схема синхронного двоичного счетчика от 0 до 15.
- микросхемы К500ЛС118; Os, DUl Da — микросхемы 1\500ТМ131; D, — микросхема К300ЛМ105.
При логической единице на входе, S схема работает как счетчик,
при логическом нуле на входе S схема работает как четыре триггера
и обеспечивает прие.м информации по входам Do — D3. Первоначально
счетчик обнуляется либо по входам Da—D3, либо принудительно по
входам ^-триггеров.
На рис. 5-26 представлена схема синхронного двоично-десятичного
счетчика, построенная па микросхемах К500ТМ131, К500ЛС119,
К500ЛС118 и К500ЛМ109. Двоично-десятичный счетчик считает от 0 до 9.
Принцип работы счетчика аналогичен работе двоичного счетчика,
показанного на рис. 5-24.
На рис. 5-27 представлена схема четырехразрядного кольцевого
счетчика, выполненная на микросхемах К500ТМ131.
Схема работает по принципу регистра сдвига. Обнуление счетчика
производится по входам /^-триггеров.
Qn+z
О.п+з
Рис. 5-25. Временная диаграмма работы синхронного двоичного счет-
чика от 0 до 15.
Дешифраторы. На рис. Б-28 и 5-29 представлены схемы дешифра-
торов на два входа и четыре выхода низкого и высокого уровня, выпол-
ненные на микросхемах К500ЛМ101 и К500ЛМ105.
На рис. 5-30 представлена схема дешифратора низкого уровня на
32 выхода, выполненная на микросхемах К500ЛМ105 и К500ИД161, а
на рис. 5-31 — схема дешифратора высокого уровня на 16 выходов,
выполненная па микросхемах К500ЛМ105 и К500ИД162.
Схема контрол я четности. На рис. 5-32 представлена схема контро-
ля четности, выполненная па микросхемах К500ИЕ160 и К500ЛГП07.
Арифметические устройства. На рис. 5-33 представлена схема
16-разрядного логико-арифметического устройства со схемой быстрого
переноса. Схема выполнена па микросхемах К500ИП181 и К500ИП179.
В зависимости от уровня напряжения на входе Л4 устройство вы-
полняет либо логические, либо арифметические операции.
При напряжении логической единицы па входе М схема выполняет
только логические преобразования входных переменных Ад — Л15 и
И„ — В15, а при напряжении логического нуля — арифметические
операции над этими переменными.
Коммутаторы. На рис. 5-34 представлена схема 32-канального
коммутатора, построенная на микросхемах К500ИД164.
Данная схема осуществляет преобразование параллельного кода
(входы Aj — X,,) в последовательный (выход К).
581
I
4
I
Q~
Ю
I
Q
Б82
Рис. 5-27. Функциональная схема кольцевого счетчика четырехраз-
рядного.
D1, D2 — микросхемы К50вТМ131.
Рис. 5-28. Функциональная схема де-
шифратора низкого уровня на 4 вы-
хода.
L>t —- микросхема К500ЛМ101.
Рис. 5-29. Функциональная схема дешифратора высокого уровня на
4 выхода.
£ц — микросхема К500ЛМ105; D2 — микросхема К500ЛМШ.
583
д?
Рис, 5-30. Функциональная схема дешифратора низкого уровня на
32 выхода.
£>i — микросхема К500ЛМ105; Ог — — микросхемы К500ИД161,
584
Рис. 5-31, Функциональная схема дешифратора высокого уровня на
16 выходов.
К500ЛМ105; £>г, Оэ — микросхемы К500ИД162.
Иг
М2
Di — микросхема
Bl__
Al
Bi
B1~T-
'Аг—£- Az
Bz-^-
AB4r
%-%-
Вч—И-
. Д5-^-
' д 18
R 15
P6----
М2
Вг
Аз
Вз
Ач
Вч
As
Bs
As
Bs
02
Al
B1
Az
Bz
Аз
Вз
АЧ
Вч
As
Bs
Ac
b12-JUbs
5/-^-
All -~-
BS-^-
Аз~-
Bs~-
A1Q-J2-
Вю—Й-
/'я~7Г
Ви-ЗЦ
&1Z—75"
Rii__12-
02
1>з
---i_
---Z_
11 IS-—
.A,s 10
B',S—
12
Biy —LL
Az
15
Аз
Вз
Au
Вч
As
Bs
В$
A-is—L
B1S —
Аго—~
В20
A21~
B21 —-r-
Аггг~г.
Вгг~^\
Агз
вл-3-мГ
Агч—tr
IM
-ШГМ2
В]
Аг
Вг
Аз
Вз
Ач
Вч
As
Bs
As
02
Ds
Рис. 5-32. Функциональ-
ная схема 48-входовой схе-
мы контроля четности.
Dt — Dt — микросхемы К500ИЕ1С0; D, — микросхема К500ЛП107
585
(Х>
05
Рис. 5-34. Функциональная схема тридцатидвухканального коммутатора,
Управление по адресным входам С9 — С4 может осуществляться
епетчикамк импульсов.
Прохождение импульсов е информационных входов
в а выход У зависит от состояния адресных входов С» — С.-.
Ркв. 5-35. Схема генератора импуль-
сов.
Генераторы импульсов. Для построения генератора импульсов
рекомендуется использовать микросхемы К500ЛП115, К500ЛП116,
К500ЛМ101, К500ЛМ105, К500ЛМ109 а применением конденсатора
или линии задержки.
Рис. 5-36. Схема генератора им«
пульсов и его временная ди-
грамма.
L
г_
”ц_
5
Дг
a
ЦИ п^5,0В+10%_
в
СМНв^-20
680
Рис. 5-37. Схема индикации ts
применением лампы накалива-
ния. Dj ~~ микросхема
К500ПУ125; Dt — микросхема
К155ЛА7.
На рис» Б-ЗБ приведена схема генератора импульсов, построенная
та микросхеме К500ЛП116 е применением внешних конденсатора н
резисторов.
На рис. 5-36 приведены схема генератора импульсов, построенная
не микросхеме К500ЛМ105 е. применением линии'задержки, а также
Временная диаграмма его работы.
В качестве линии задержки предпочтительно использовать кабель
е волновым сопротивлением р = 50 Ом типа РК50-1-21, Допускается
другой тии кабеля с р == 50 Ом.
588
Длительность импульсов генератора определяется суммой задержек
в логическом элементе и в линии задержки. Максимальная частота
работы генератора до 35 мГц.
Схема индикации. Рекомендуемая схема индикации, построенная
на микросхеме К500ПУ125 и микросхеме К155ЛА7 серии К155 с приме-
нением лампы накаливания СМН6,3-20, приведена на рис. 5-37.
Рекомендации по сопряжению микросхем серии К500 с другими
сериями. Для совместной работы микросхем серии К500 с микросхе-
Рие. 5-38. Микросхема К500Г1У125
мами типа ТТЛ (например, K.I31, К155) в состав серии входит микро-
схема К500ПУ125 — преобразователь уровня ЭСЛ — ТТЛ. На рис. 5-38
приведена четвертая часть принципиальной схемы микросхемы
К500ПУ125.
Каждый преобразователь состоит из токового ключа с транзистор-
ным генератором тока в эмиттер ной цепи, собранным на транзисторе
У7'„ и резисторе /?9, и насыщенного выходного каскада, аналогичного
инвертору ТТЛ-схем.
Встроенный источник опорных напряжений (VTlt VT2, VDlt VD>,
VD3, Г/Д, Rt, Rs, Rb Rd обеспечивает смещение на генератор тока
(КТв, Rai и вырабатывает два опорных напряжения'. равное
минус 2,8 В, снимаемое с коллектора транзистора VT2, и (/оп2, равное
минус 1,29 В, снимаемое с эмиттера транзистора К7\.
589
Онерие® напряжение t/onj необходимо для фиксации выходного
напряжения логического нуля, когда входы схемы подключены к источ-
нику минус 6,2 В или свободны.
При использовании схемы в качестве одновходового преобразова-
теля уровня напряжение 17оп2 с вывода 1 подключается к выводу 2
или 3 в зависимости от того, инвертированное или неинвертированное
преобразование должно быть выполнено схемой. Так, в случае подклю-
чения t/on2 к входу 3 и при напряжении логической единицы на входе 2
транзистор VTS открыт, a VT10 — закрыт и резистор Rs выбран таким,
что в рассматриваемом случае напряжение на базе транзистора VTS
составляет около 1 В, что достаточно для запирания транзистора VTRi
При этом делитель /?п) обеспечивает режим работы транзистора УТ?
для насыщения транзистора VT9, а на выходе 4 — напряжение логи-
ческого пуля.
При подаче на вход 2 напряжения логического' нуля открывается
транзистор УТ10, а транзистор VT3 закрывается. При этом потенциал
~ и. s 2
Рис. 5-39. Микросхема К500ПУ124.
базы транзистора VT9 понижается до минус 1 В и транзистор VTa
вакрывается, а на выходе 4 обеспечивается напряжение логической
единицы.
При использовании всех четырех элементов микросхемы К500ПУ125
опорное напряжение Поп г с вывода 1 подается на соответствующие
входы четырех элементов.
При проектировании функциональных узлов следует учитывать,
что выходное напряжение микросхемы К500ПУ125 (Лых<0,5 В, что
снижает помехоустойчивость на 100 мВ при согласовании с ТТЛ-схемами
серий К131, К155.
Режим работы микросхемы К500ПУ125: на вывод ^подается напря-
жение питания 6,0 В zt 5%, на вывод 8— напряжение питания 5,2 В
сЫЖ„ вывод 16 микросхемы — общий, выходами являются выводы
4, gt 12, IS,
Коэффициент раеветвления микросхемы К.500ПУ125 при работе на
логические элементы микросхем серий К155 не более 8, на элементы
аерни К.131 — не более 6.
Для перехода « уровней ТТЛ к уровням ЭСЛ в составе серии К500
применяется микросхема К500ПУ124. На рис, 5-39 приведена четвертая
часть схемы микросхемы К500ПУ124.
S9G
Каждый из четырех преобразователей состоит из входных диодов,
VD, — VDit входного эмпттерного повторителя на транзисторе V7\,
дифференциального усилителя на транзисторах VT6, VT7, работающего
в режиме переключателя тока, входных эмнттеряых повторителей и
источника опорных напряжений на транзисторах VTS, VT10.
Источник опорного напряжения формирует смещение на генератор
тока К7'в, снимаемое с эмиттера транзистора ТГц,, и два опорных напря-
жения: £70п1, равное минус 1,2 В, и 17оп2, равное минус 0,7 В.
Напряжение Uonl с эмиттера транзистора 1/Т'9 подается на правое
плечо дифференциального усилителя (К7’3), напряжение с резистора
подается на базу генератора тока (V7’s).
При напряжении логической единицы на входе, равном 2,4 В, на
базе транзистора 1/7’8 будет напряжение порядка 0,05 В, напряжение
на базе транзистора VT& при этом приблизительно минус 0,8 В, что
соответствует напряжению логической единицы ЭСЛ-схем. Транзистор
Выход 1
USK, ч=-2,0В±5^
-----------_о
иса.у=~2:ВВ+ 5%
_____--------о
Выходя
Рис, 5-40. Схема коммутирующее устройства на микросхеме
К500ЛМ105.
\'ТЛ открыт и на выходе 4 будет устанавливаться напряжение логиче-
скою нуля, а на выходе 2 — напряжение логической единицы.
Режим работы микросхемы К50011У124: на вывод 9подается напря-
жение питания 5,0 В dc5%, на вывод 8— напряжение питания минуо
5,2 В ±5%, вывод 16 — общий, нагрузка подключается соответственно
к парафазным выходам 4 и 2, 3 и Z, 12 и 15, 13 и 14.
В целях осуществления возможности стробирования всех четырех
элементов схемы вторые входы каждого элемента объединены на входе 6.
В схемах насыщенной логики, как известно, при переключении
возникают значительные импульсные помехи, которые могут привести
к сбою при передаче информации по сигнальным линиям. Для подавле-
ния таких помех все входы схемы связаны с общей шиной через обратно-
смещенные диоды VD,, VD2.
Сигнальные линии связи ЭСЛ и ТТЛ логических уровней должны
прокладываться раздельно экранированными жгутами или кабелями.
Рекомендации по сопряжению механических коммутирующих эле-
ментов с микросхемами серии К.500. Для ручного управления режимом
работы функциональных узлов применяются механические коммути-
рующие элементы.
Для преобразования состояния «включено — выключено» меха-
нических элементов (кнопок, тумблеров, переключателей и т. д.) в логи-
ческие уровни МС серии К500 рекомендуется использовать схемы пре-
образователей, приведенные на рис. 5-40, 5-41.
В логических цепях, где «дребезг» уровня напряжения на выходе ИС
преобразователя при переключении механических элементов можно
&91
допустить, рекомендуется применять схему коммутирующего устройства,
показанную па рис. 5-40.
В логических цепях, где «дребезг» уровня напряжения на выходе
МС преобразователя недопустим, рекомендуется применять схему
коммутирующего устройства триггерного типа, показанную па рис. 5-41.
Состоянию «включено» механического элемента соответствует высо-
кий уровень напряжения на прямом выходе ИС преобразователя и
низкий уровень напряжения на инверсном выходе.
Состоянию «выключено» механического элемента соответствует
низкий уровень напряжения на прямом выходе ИС преобразователя
и высокий — на инверсном выходе.
Связи между механическими элементами и входами преобразова-
телей рекомендуется выполнять одиночными неэкранированными про-
водами с укладкой в отдельный жгут.
Рис. 5-41. Схема коммутирующего устройства триггерного типа на
микросхеме К500ЛМ105.
Не допускается совмещение в одном жгуте связей с механических
элементов и сигнальных линий связей.
Рекомендации по согласованию и электрическим линиям связи.
1 передача сигналов за пределы ТЭЗ может производиться как пара-
фазным, так и однофазным сигналами. Передача парафазных сигналов
может осуществляться с помощью микросхем К500ЛП115, К500ЛП116,
которые представляют собой приемники сигналов с линии и исполь-
зуются в двух назначениях:
как приемники сигналов с линии приема парафазного сигнала
с двухпроводных линий связи, при этом выводы источников опорного
напряжения (вывод 9 микросхемы К500ЛП115 и вывод 11 микросхемы
К500ЛП116) не используются;
как логические элементы с постоянными напряжениями логиче-
ского нуля или логической единицы па входе при внешней коммутации
вывода 9 с входами 5, 6, 11, 12 или 7, 10, 13 микросхемы К500ЛГ1115
и коммутации вывода Ис входами 5, 10, 13 илн 4, 9, 12 микросхемы
К500ЛШ16.
592
Допускается одновременное использование обоих режимов для
элементов, входящих в один корпус микросхемы.
Однофазный сигнал должен поступать на один из входов прием-
ного элемента микросхемы К500ЛП115 или К500ЛП116, а на второй
вход должно подаваться опорное напряжение, которое вырабатывается
источником опорного напряжения в микросхеме К500ЛШ15 (вывод
или К500ЛП116 (вывод 11), расположенной в панели, передающей
сигнал.
Один источник опорного напряжения в передающей панели дол-
жен быть нагружен в приемной панели не более чем на 10 входов прием-
ников.
। Линия
I передачи, сигнала.
1 ~ ~
I
I Линия
j передачи сигнала.
у—
I
I
I Линия
। передачи сигнала.
I Линия передачи,
|опорного напряжения
Рис. 5-42. Схема мсжпанелыюй передачи сигналов.
D, — D, — микросхемы серии К.500; D, — О, — микросхемы К500ЛП115
(К500ЛШ16); Ci — Ct — конденсаторы развязки опорного напряжения.
Каждая микросхема К500Л11115 или К500ЛП11С> может использо-
ваться одновременно как источник опорного напряжения при пере-
дачах за пределы панели и приемник сигналов с линии.
Линия передачи опорного напряжения должна быть развязана
па передающем и на приемном конце конденсаторами емкостью не менее
1000 пФ.
Конденсаторы развязки должны стоять в каждом приемном ТЭЗ
по одному на каждом входе нриег.шых МС независимо от количества
приемных микросхем К50ОЛП115 или К500ЛП116 в данном ТЭЗ.
Схема межпанельной передачи сигналов представлена на рис. 5-42.
В пределах ТЭЗ рекомендуются три основных способа связи между
элементами: последовательный способ распределения нагрузки вдоль
линии связи (рис. 5-43) без отводов (элементы нагрузки /Т2, D3, Ds,
и с помощью отводов (элементы нагрузки D}. D&, Ье, D7); радиальный
(лучевой способ), как показано па рис. 5-44; способ сосредоточенной
нагрузки в конце линии связи, как показано на рис, 5-45,
593
При объединении элементов в «монтажное ИЛИ» связи между
ними рекомендуется выполнять следующими двумя способами:
односторонний способ, при котором элементы — источники сиг-
налов размещаются по одну сторону относительно выходов элементов
нагрузок, при этом не допускается чередование выходов элементов —
источников сигнала и входов элементов нагрузки вдоль линии связи;
двусторонний способ, при котором элементы — источники сигна-
лов размещаются по обе стороны относительно входов элементов на-
грузок, как показано на рис. 5-46, при этом входы элементов нагру-
зок подключаются к одной точке линии связи, объединяющей выходы
микросхемы.
2т
Вч
Рис, 5-43. Схема последовательного способа разделения нагрузки а
отводами.
Di — микросхема серин К500 (источник сигнала); £)2 — £>» — микросхемы
серии К500 (элемент нагрузки); Ri— резисторная матрица типа Б 19*3-5;
/1 — рекомендуемая длина линии связи Д, Б не более 200 мм; 12 — рекомендуе-
мая длина отвода линии связи не более 30 мм.
Линии связи рекомендуется согласовывать. В несогласованных
линиях связи, когда напряжение смещения уровня передающего эле-
мента осуществляется напряжением источника питания минус 5,2 В,
как показано на рис. 5-47, при переключении элемента ЕЦ на входе
элемента О2 возникает «дребезг», величина которого может переда-
ваться через открытый транзистор на выход элемента D.3. Возникно-
вение «дребезга» и величина его амплитуды зависят от длины линии
связи между элементами Dt, О2.
Рекомендуемая максимальная длина между элементами £>t, О2
микрополосковой линии с задержкой распространения сигнала в ли-
нии 0,05 нс/см и полосковой линии с задержкой распространения
594
сигнала в линии 0,1 нс/см в зависимости от количества подключенных
нагрузок Л' на элемент Dj приведена в табл. 5-3.
Рис. 5-44. Схема радиального
(лучевого) способа распределе-
ния нагрузки.
Di — микросхема серии К500 (ис-
точник сигнала); Оа — D9 — мик-
росхемы серии К500 (элемент на-
грузки); Ri — резисторная матри-
ца типа Б19-3-5; 12, 13 —• реко-
мендуемая длина линии связи не
более 70 мм.
Рис. 5-45. Схема сосредоточенного
способа разделения нагрузки.
Dx — микросхема серии К.500 (источ-
ник сигнала); О2 — — микросхема
серии К500 (элемент нагрузки); —
резисторная матрица типа Б19-3-5; /х —
рекомендуемая длина линии связи не
более 200 мм; /2 — рекомендуемая дли-
на отвода линии связи не более 200 мм.
При превышении длины связи, указанной в табл. 5-3, связь должна
быть согласованной.
Т а б л и ц а 5-3
«Пиния связи Сопротив- ление ли- нии р, Ом /V—1 (4 пФ) /, мм N—2 (8 пФ) 1, мм Л/^4 (16 пФ) /, мм W=8 (32 пФ) /, мм
Микрополосковая 50 200 190 170 145
ЛИНИЯ 75 175 150 115 90
100 160 130 90 65
Полосковая линия 50 165 150 130 115
75 135 115 90 70
100 120 100 70 55
Рекомендуются последовательный л параллельный способы согла-
сования.
595
Последовательный способ согласования рекомендуется произво-
дить для сосредоточенной нагрузки на конце линии связи. Схема по-
следовательного способа согласования приведена на рис. 5-48.
На рис. 5-48—5-51 для согласования линии связи рекомендована
резисторная матрица типа Б19-3-5 со следующими параметрами: Rt —
= 43 Ом, R? = 240 Ом для согласования линии связи с волновым
сопротивлением р = 50 Ом.
Допускается применять другие типы резисторных матриц или
отдельные резисторы.
Рис. 5-46. Схема двустороннего спо-
соба связи при объединении в «мон-
тажное ИЛИ».
Dx, D2, йъ DH — микросхемы серии К500
(элементы, объединенные в «монтажное
ИЛИ»); D3, Di, D&, D3 — микросхемы се-
рии К500 (элемент нагрузки); Ri — рези-
сторная матрица типа Б19-3-5; Z3 — ре-
комендуемая длина линии связи не более
150 мм; 13 — длина отвода линии связи
не более 30 мм.
Рис. 5-47. Схема подключе-
ния нагрузки на несогласо-
ванную линию связи.
Dt — микросхема серии К500
(источник сигнала); П2 — микро-
схема серии К500; — резистор
МЛТ-0,125-510 Ом ±5%; -
резистор МЛТ-0,125-510 Ом ±5%.
Сопротивление выбирается в пределах 10—75 Ом в зависи-
мости от волнового сопротивления линии связи и выбирается из усло-
вия равенства эквивалентного сопротивления до точки /1 (рис. 5-48)
волновому сопротивлению линии связи. Для линии связи с р = 75 Ом
сопротивление R1 около 68 Ом.
Недостатком последовательного способа согласования является
то, что нагрузка должна быть сосредоточенной на конце линии связи.
Допустимое число нагрузок на линию связи должно быть не бо-
лее 10.
Допускается при последовательном согласовании увеличение числа
параллельных линий связи, как показано на рис. 5-49.
Сопротивление R, — Rtl выбирается таким же, как при приме-
нении одной линии связи.
Значение сопротивления /?» должно быть выбрано таким образом,
чтобы обеспечить необходимый ток каждой липин согласования,
596
311
Рис. 5-48. Схема последователь-
ного согласования линии связи.
DX — микросхема серии К.500 (источ-
ник сигнала); £>2 — микросхема се-
рии К.500 (элемент нагрузки); Я1а
Яя — резисторная матрица тина
Б1У-3-5
Рис* 5-49. Схема последователь*
кого согласования с параллель-
ными линиями связи.
Dt — микросхсгла серии К.500 (исюч-
ник сигнала); D9 — D* •— микросхе-
ма серии К500 (элемент нагрузки!
и — количество параллельных ли-
ний связи; 7?!, /?3 -- резисторная
матрица типа Б19-3-5.
Рис, 5-50. Схема параллельного
согласования линий связи»
Di — микросхема серли К.500 (источ-
ник сигнала); Z>4 — микро-
схема серии К500 (элемент нагруз-
ки); — резисторная матрица ти-
па Б19-3-5.
Ряс, 5-51. Схема параллельного
согласования линий связи.
/>?— микросхема серяж К590 (исто*
чпик сигнала): D$e
серия К500 (элемент нагрузки); &г1
Ra резне ;орная матрица типа
Б19-3-&;
597
Максимальное значение /?2 может быть определено методом изме-
рения или оценено по следующей формуле:
„ 10р —/Д
где п — число параллельных линий согласования, не более 10. Общее
число нагрузок на линии связи должно быть не более 10. Для п = 4,
р = 75 Ом, = 68 Ом значение сопротивления резистова Я2 =
= 170 Ом.
Для повышения быстродействия и для управления элементами
нагрузки, распределенными вдоль линии связи, применяется парал-
лельное согласование линии связи.
Параллельное согласование (рис. 5-50) применяется для линий
связи с р = 50 Ом с использованием напряжения источника смещения
уровня (/си,у, равного минус 2 В± 5%.
Согласующий резистор сопротивлением 51 Ом устанавливается
после всех элементов нагрузки, он является также нагрузочным сопро-
тивлением выходного каскада микросхемы.
Допускается другой способ параллельного согласования (рис. 5-51)
при помощи двух резисторов с использованием напряжения источника
смещения уровня 1/см. у, равного минус 5,2 В ± 5%.
В табл. 5-4 приведены рекомендуемые значения сопротивлений
и /?3 в зависимости от волнового сопротивления р линии.
Таблица 5-4
р. Ом Rt, Ом R-, Ом
50 82 130
75 120 200
100 160 260
150 240 390
Длина линии связи, отводов от линии связи между элементами
нагрузок зависит от конкретной конструкции плат, расположения
микросхем на платах, что необходимо учитывать при проектировании
конкретной конструкции.
Оценка времени задержки распространения сигнала в цепях функ-
циональных схем. При оценке времени задержки распространения
сигнала в цепях функциональных схем следует иметь в виду, что вре-
мена задержки распространения в значительной мере зависят от длин
связей между элементами, от взаимного расположения микросхем.
Время задержки распространения сигнала в функциональных
схемах оценивается по формуле
^зд> р. п — ^зд, р. /г+^зд. р. св4"^иом>
гДе 4д,р,ц — время задержки распространения сигнала в цепи из п
логических элементов и п— 1 линий связи; <ЗД1Р, п — время задержки
распространения сигнала в л логических элементах; ^д.р.св — время
задержки распространения в п —• 1 линиях связи; 1аоя — длительность
помехи.
598
Время задержки
ментах складывается
распространения сигнала в п логических эле-
из величин:
зд. р. П 'зд, р> срт зд, р, N ' зд, р, £>
где ^зд.р.ср — среднее время задержки распространения сигнала в ло-
гических интегральных микросхемах; (зд,р,я — время задержки рас-
пространения сигнала, возникающее из-за влияния нагрузок (прием-
ников сигнала) в цепи; (ЗД1р,/, —• время задержки распространения
сигнала, возникающее из-за влияния нагрузок (источников сигнала)
в цепи при объединении источников сигнала по выходу.
Длительность помехи (яом определяется следующим образом: если
в цепи нет элементов, которые объединены по выходу, то (пом = 0;
если в цепи есть элементы, которые объединены по выходу и элементы
расположены в трех и более рядом расположенных корпусах микро-
схем, то (пом = 3 нс, если элементы расположены по длине линии связи
до 150 мм, то (пом = Ю нс-
Влияние импульсных помех триггерных схем на проектирование
функциональных узлов. При проектировании функциональных узлов
на микросхемах К500ТМ130, К500ТМ131, К500ТМ133, К500ТМ134
необходимо иметь в виду, что указанные микросхемы при синхрони-
зации, а также при установке и сбросе генерируют на выходах триг-
геров импульсные помехи, амплитуда которых может существенно вли-
ять в синхронизируемой системе на быстродействие систем и правиль-
ность функционирования отдельных узлов.
На фронтах синхроимпульса при переключении триггеров гене-
рируется импульсная помеха, максимальная амплитуда которой до-
стигает (60 мВ и длительности до 4 нс.
Рекомендации по фильтрации напряжения питания, разводке
питания и охлаждению. Напряжение источника питания фильтруется
относительно шины «земля». Рекомендуется устанавливать не менее
одного конденсатора 0,047 мкФ на 6 микросхем.
Рекомендуемые типы конденсаторов: КМ-5а-890-0,047 мкФ,
К53-4-15-6,8 ± 20% . Конденсаторы равномерно распределяются по
рядам установки микросхем.
Разводка питающего напряжения узлов и блоков, выполненных
на микросхемах серии К.500 (шин «питание» и «земля»), должна про-
водиться проводниками с возможно низким сопротивлением.
При использовании многослойных печатных плат рекомендуется
разводку шин «питание» производить в одном слое, а шин «земля»
в другом — соседнем слое. Шипы следует располагать одну над дру-
гой. При наличии свободной площади слоя рекомендуется использо-
вать ее для увеличения поверхности шины «земля».
При конструировании и эксплуатации аппаратуры с применением
микросхем серии К500 необходимо обеспечить рациональное охлажде-
ние микросхем постановкой радиаторов охлаждения или обдувом воз-
духом из условия обеспечения теплового сопротивления «кристалл —
среда» в пределах 25—50°С/Вт.
При применении микросхем серии К500 необходимо учитывать
время установления теплового равновесия, при котором стабилизи-
руются электрические параметры микросхем. Тепловое равновесие
зависит от условий теплоотвода,
599
При условии теплового сопротивления «кристалл — среда» не бо-
лее 50°С/Вт и обдуве воздухом со скоростью 2,8 м/с время установле-
ния составляет 10—30 с в зависимости от мощности схемы.
МИКРОСХЕМЫ СЕРИИ КБ11
Микросхемы серии К511 являются высокопомехоустойчивыми
логическими микросхемами (ВПЛ МС) и предназначены для исполь-
зования в устройствах промышленной автоматики, в системах числового
управления технологическими процессами, в устройствах передачи
данных на большие расстояния и способны функционировать в усло-
виях повышенных электрических помех.
Приводимые ниже положения представляют собой рекомендации
по наиболее эффективному применению ВПЛ МС.
Режим работы микросхем в составе аппаратуры не должен пре-
вышать режимов и условий эксплуатации, устанавливаемых техниче-
скими условиями.
Разводка питающего напряжения узлов и блоков, выполненных
на микросхемах серии К511 (шин «земля» и «питание»), должна про-
водиться проводниками с возможно низким сопротивлением.
При использовании многослойных печатных плат рекомендуется
разводку шин «питание» производить в одном слое, а шин «земля»
в другом — соседнем слое; шины располагать одна над другой. При
наличии свободной площади слоя рекомендуется использовать ее для
увеличения поверхности шины «земля».
При применении двусторонних плат наилучшие результаты дости-
гаются, если шины «питание» и «земля» образуют непрерывные замкну-
тые контуры. Крайние контакты торцевого разъема используются
для цепей земли, а контакты рядом с ними — для цепей питания.
По краям платы проводятся главные шины «питание» и «земля», а пер-
пендикулярно к ним и продольным осям корпусов ВПЛ МС проходят
шины, по которым осуществляются разводка питания н земля ко всем
ВПЛ МС. Посередине печатной платы все шины «питание» и «земля»
соединяются дополнительно полосками фольги.
Наиболее целесообразно использовать двусторонние печатные
платы с расположением проводников по принципу прямоугольной
координатной сетки и с размещением корпусов ВПЛ МС правильными
рядами.
Элементы, которые должны переключаться одновременно, целе-
сообразно размещать в разных корпусах.
При размещении корпусов ВПЛ МС на плате необходимо под-
ключать одновременно переключающиеся схемы к различным шинам
разводки питания. В случае подключения к одной шине необходимо
разделять их схемами, переключающимися в другие моменты времени.
Ширина проводников должна лежать в пределах 0,13—0,50 мм.
Для проводников такой ширины волновое сопротивление будет в пре-
делах 75—100 Ом для платы с внутренним земляным слоем. Такой
диапазон волновых сопротивлений вполне приемлем для плат с ВПЛ МС.
Максимально допустимая длина параллельно идущих проводников
с шагом 0,5 мм, при которой паразитные наводки не превышают порога
переключения ВПЛ МС, равна 1800 мм. Число одновременно переклю-
чающихся вентилей, соединенных с этими проводниками, может до-
стигать в этом случае 10.
Допускается увеличение длины параллельно идущих проводни-
ков до 3000 мм при увеличении шага проводников до 1,5 мм или умень-
600
шения до трех числа одновременно переключающихся проводни-
ков.
Для уменьшения перекрестных наводок между параллельно иду-
щими длинными линиями необходимо помещать более короткие.
На двусторонней печатной плате проводник длиной 3000 мм будет
создавать для логического элемента емкостную нагрузку около 180 пФ,
что вызовет задержку распространения сигнала /зд, р = 200 нс, 1^’, р —
= 100 нс.
Информационные линии связи между платами можно выполнять
с помощью монтажной панели или объемного монтажа.
Монтажная панель конструктивно может быть выполнена в виде
печатной платы или панели, имеющей экранирующее покрытие со сто-
роны монтажа. Экран должен быть соединен с шиной «земля» аппара-
туры и с шинами «земля» печатных плат. Длина линий связи на мон-
тажной панели выполняется с учетом длины этих линий на. плате.
Линии связи длиной до 10 м могут выполняться несогласован-
ными витыми парами.
Линии связи длиной более 10 м, а также линии связи, выходящие
за пределы устройств, рекомендуется выполнять согласованными
питыми парами или коаксиальным кабелем с волновым сопротивле-
нием р = 75 или 100 Ом.
Обратные провода витых пар или оплетка коаксиального кабеля
заземляются с двух концов.
Коммутационные линии связи (линии между переключателями,
тумблерами, контактами реле и микросхемами) рекомендуется выпол-
нять экранированным проводом.
Укладка в один жгут линий связи информационных, коммутацион-
ных и индикации не допускается.
Микросхемы К511ТВ1, К5Ш1Е1, К511ВД1, К511ЛИ1. Микро-
схема К511ЛИ1 может быть использована для управления элементами
индикации (лампами накаливания или полупроводниковыми источни-
ками света).
Работа микросхемы К511ЛИ1 в качестве устройства управления
элементами индикации показана па рис. 5-52. Рекомендуемый тип
лампы КМ-12-90.
Триггер К511ТВ1 JK-типа относится к разряду универсальных
триггеров, поскольку на его основе можно получить схемы, выполняю-
щие функции RS-, Т- и D-тригтеров.
Принцип работы триггера можно пояснить с помощью функцио-
нальной схемы, представленной на рис. 5-53.
Элементы и Ь4 представляют собой схемы, генерирующие пико-
вые напряжения ограниченной длительности при соответствующей
комбинации напряжений на входах триггера и подаче отрицательного
перепада на счетный вход. Входы /<, /2, /<, таковы, что когда хотя бы
на одном из них низкий уровень напряжения, генерация пикового
напряжения невозможна.
Элементы Dt, D2 являются основными запоминающими элементами
триггера.
Схема работает следующим образом.
Предположим, что в начальном состоянии на выходе Q напряже-
ние логической единицы, а на выходе Q — напряжение логического
нуля. Если на входах ./, К, S уровень логической единицы, то гене-
ратор D4 генерирует пиковое напряжение, так как на всех его входах
высокий уровень, в то время как генератор D3 при поступлении на
вход С импульса не срабатывает, так как на его входе, соединенном
601
с выходом Q, низкий уровень. При подаче импульса на вход С на одном
из входов вентиля О2 появляется отрицательный импульс напряжения,
который выключает вентиль. При этом вентиль D, включается.
При поступлении следующего импульса происходят аналогичные
процессы, только выходы триггера меняются ролями (на Q—напря-
жение логического нуля, на Q—напряжение логической единицы).
Таким образом, в данном случае триггер работает в режиме деления
частоты (счетный режим).
Если на входах J и К одновременно будет низкий уровень, оба
генератора работать не будут и отрицательный перепад на счетном
входе не будет вызывать переброса триггера.
Наконец, если на входе J — состояние логического нуля, а на
входе К состояние логической единицы или наоборот, то данная инфор-
мация будет передаваться на выходы при поступлении на вход со счет-
ного импульса.
Рис. 5-52. Схема индикации Рис, 5-53. Схема электрическая функ-
с применением лампы па- циональная JK-триггера.
наливания.
Действие асинхронного входа также видно из функциональной
схемы. Если на входе 3 низкий уровень напряжения, на выходе Q
будет высокий уровень, при этом под воздействием счетных импульсов
генератор импульсов не выдает и триггер сохраняет свое состояние.
Микросхема К511ИЕ1 представляет собой четырехразрядный
двоично-десятичный счетчик, построенный на Л<-триггерах. Позво-
ляя осуществить асинхронную предварительную установку и являясь
многофункциональной схемой, она может использоваться в самых
многочисленных сферах применения вычислительных устройств и
устройств промышленной автоматики. В счетчике предусмотрен парал-
лельный ввод информации при работе в режиме счета, а также имеется
возможность установки логического нуля во всех разрядах и пораз-
рядной установки логической единицы. Схема имеет два синхронных
входа схемы, выполняющей функцию ло1 ического умножения, вход
установки счетчика в нулевое состояние (Д) и четыре предустаиовоч-
ных входа (Sj, 3,. З3. 34), имеющих возможность установить любой
из триггеров в единичное состояние.
При синхронной» работе счетный импульс через схему И проходит
на входы одновременно всех триггеров, Триггер низшего разряда
602
изменяет свое состояние после прихода очередного импульса на счет-
ный вход, остальные триггеры изменяют свое состояние лишь в том
Рис. 5-54. Схема функциональная счетчиков с модулем счета от 3
до 9, построенных на основе схемы К511ИК1.
случае, когда па всех входах управляющих схем И имеется высокий
уровень напряжения.
Информация передается в основной триггер при положительном
перепаде напряжения на вход Сх, если на входе Сг высокий уровень.
603
Далее при поступлении на вход отрицательного перепада информация
передается во вспомогательный триггер и затем на .выход.
При асинхронной работе для установки триггера в нулевое состоя-
ние необходимо подать низкий уровень на сбросовый вход R, а для-
Рис. 5-56. Схема включения микросхемы К511ИД1 дешифратора
для работы на газоразрядную лампу типа ИН.
установки единицы в каком-либо из разрядов — на соответствующий
установочный вход. Наличие установочных входов St, S3, S3, S4 поз-
воляет установить любые числа от 0 до 9. На основе декадного счет-
чика К511ИЕ1 можно построить несколько вариантов счетчиков, кото-
Рис. 5-56. Схема включения микросхем К511ИЕ1 и К511ИД1 дешиф-
ратора и счетчика.
рые могут считать до меньшего числа. Для этого необходимо сигналы
с выходов, на которых заканчивается счет (на выходах логическая
единица), подать через элемент И — НЕ или НЕ. на шину сброса,
т. е. на вход 8, и счет прекратится. Примеры такого построения даны
на рис, 5-54.
604
Микросхема К511ИД1 представляет собой дешифратор двоипно-
десягичного кода в десятичный с высоковольтными выходами.
Схема включения дешифратора К513ИД1 для работы на газораз-
рядную лампу представлена на рис, 5-55, Выходные сигналы с высоко-
вольтных транзисторов поступают на катоды газонаполненных цифро-
вых ламп.
Во входных цепях дешифратора используются ВПЛ МС, в то время
как вся «внутренняя» логика построена на элементах резистивно-
транзисторной логики. Это сделано из условий экономичности схемы
и возможности согласования со схемами серии К511. Наличие на входе
элементов ВПЛ МС также оп-
ределяет помехоустойчивость
схемы дешифратора относитель-
но входной помехи.
При подаче на вход дешиф-
ратора избыточного кода имеет
место срабатывание одного или
двух выходов дешифратора.
Для исключения возможно-
сти получения на выходе ин-
формации избыточного кода не-
обходимо использовать дешиф-
ратор с двоичнодесятичным
счетчиком К511ИЕ1 согласно
рис. 5-56.
Дешифратор может работать
с лампами холодного свечения,
имеющими катодный ток до
7 мА.
Рекомендации по согласова-
нию микросхем серии К.511 с
другими сериями. Наличие в
серии К511 микросхем преоб-
разования уровней К511ПУ1 и
К511ПУ2 позволяет согласовы-
Рис. 5-57. Схема согласования
ЦВУ с периферийными устрой-
ствами на ВПЛ МС.
йать данную серию с микросхемами типа ТТЛ, например серией К153,
на которых могут быть выполнены центральные вычислительные я
управляющие устройства. Таким образом, может быть реализована
система, имеющая высокую помехоустойчивость ио входу и выходу,
обладающая высоким быстродействием. малыми габаритами и массой.
Схема применения ВПЛ МС для данного случая приведена на рис.
5-57.
Для преобразования логических уровней сигнала нуля еди-
ницы ВПЛ МС в логические уровни нуля '« едатнчцы ТТЛ, ДТЛ МС
используется микросхема К511ПУ1, которая состоит из обычного ВПЛ
вентиля, выходной каскад которой выполнен с открытым коллектором.
Амплитуда сигнала на выходе преобразователя зависит от напряжения,
подаваемого на дополнительный резистор, включенный последова-
тельно с выходным транзистором.
603
При преобразовании логических уровней напряжений микро-
схем серии К511 в логические уровни микросхем серии К.155 дополни-
тельный резистор подключается к источнику напряжения //и.п = б В
(рис. 5-58, а, б).
Если сигнал на входе элемента К511ПУ1 равен напряжению логи-
ческой единицы, то выходной транзистор схемы открыт и через него
течет ток нагрузки (/вых =12 мА при (7вЫх = 0,45 В).
При напряжении логического нуля на входе микросхемы К511ПУ1
выходной транзистор закрыт и через него течет только ток утечки
(/вых 0, । мА).
^п(5В)
---------о
Рис. 5-58. Схема согласования ВГ1Л
МС с низкоуровневыми сериями.
а — для состояния бвЫХ; б — для
состояния £/вых.
Рис, 5-59. Схема объедине-
ния по выходу элементов
микросхемы КЙ11ПУ1 для
организации функции
ИЛИ-НЁ.
Нагрузочное сопротивление для логического нуля на выходе
элемента К511ПУ1 надо выбирать таким образом, чтобы ток /, теку-
щий через него, в сумме с током управляемых элементов 17вх был
меньше или равен току /вых, текущему через транзистор элемента
К511ПУ1 (рис. 5-58, й):
v I II I 1 __ , ^И. п-- U ВЫХ.
L 1 вх -Г 1 == I вых, I =------------,
г;-ОвыХ
Л , . —-_ .
I вых •— вх
Вместе с тем для логической единицы па выходе К511ПУ1 (//вых)
сопротивление R должно быть не очень большим, для того чтобы обес-
606
печить ток, втекающий в управляемые элементы (рив, В-58,
/ f 1 | vif1 . / И. П О ВЫХ
1 1 ВЫХ -j- 2j' ВХ, ---------~7>--
и К, п-Увы X
! вых 4-ВХ
Выходы элементов К511ПУ1 могут быть объединены для реализа-
ции функции И-ИЛИ-НЕ (рис. 5-59). При этом номинальное значение
резистора зависит от числа объединяемых выходов и числа нагрузок.
Значения резистора R в зависимости от числа объединяемых выхо-
дов и коэффициента разветвления приведены в табл. 5-5.
Т а б л и п а 5-3
Серия К155((/и п -5 Bi Серия К5П(Ый 15 В)
«об, вых «раз Я, кОм '<об, вых pas кОм
45 1 1,0 50 1 !
30 3 1,0 80 10 2,4
15 5 1,5 10 26 6,8
К511ЛА1
На рис. 5-60 показана организация функции ИЛИ на выходе эле-
мента К51ШУ1, управляемого другими элементами серии К511.
Эпюры входного и выходного импульсов при согласовании се-
рии К511 с серией К155 даны на рис. 5-61.
Преобразование напряжений логических уровней нуля я еди-
ницы ТТЛ МС в напряжения логических уровней нуля и единицы
ВПЛ МС производится с помощью
преобразователя К511ПУ2. Схемы
этих вентилей отличаются от стан-
дартных тем, что диод Зенера в нем
заменен обычным диодом, вклю-
ченным в прямом направлении для
снижения напряжения, проходяще-
го через этот диод. Схема преобра-
зования логических уровней пред-
ставлена на рис. 5-62.
Рис. 5-60. Схема организации функ-
ции ИЛИ.
При согласовании элементов серии К155 с открытым коллектор-
ным выходом (К155ЛЛ7, К155ЛА8) и К511П.У2 к коллектору подклю-
чается резистор R. Резистор R берется из соотношения, показанного
на рис. 5-63, а, б.
Остальные элементы серии К155 согласуются с ВПЛ МС серин К511
без дополнительной нагрузки. Коэффициент разветвления для МС
серии К.155 при согласовании с микросхемой К511ПУ2 равен 30.
Эпюры входного и выходного импульсов ври согласовании се-
рии К155 с серией К511 даны на рис. 6-64,
607
Рис. 5-61. Входной и выходной
импульсы при согласовании мик-
росхем серин К511 и К155 для
микросхемы К511ПУ1.
(7ВХ — напряжение логического ну-
ля на входе (-Д 1,5 В); С/вх —
напряжение логической единицы на
входе (10 В< 1/‘х <12В);(/£Ых ~
напряжение логического нуля на
выходе (С/выХ^ 0,45 В); t7pb(X —
напряжение логической единицы
на выходе (^ьых^ 4,2 В).
Серия KI55
К511ПУ2 К511
ии.п(5В)
т о К511ПУ2
I । m
1°
Серия К155 „____
(с открытым коллектором)
„ТР , Uge/x ^,0
ZZfc -I------т,-----13ых
Рис. 5-62. Схема согласования
микросхем ТТЛ с ВПЛ МС.
R
21° । т?
Рис. 5-63. Согласование элементов с открытым коллекторным выходом
с другими элементами.
а — для состояния (/вь!х; б — Для состояния 1/вых
Рис. 5-64. Входной и выходной
импульсы при согласовании серий
К155 и КЗ 11 для микросхемы
К51ШУ2.
— напряжение логического нуля
на входе (t/Bx^ 0,4 В); U*BX—напря-
жение логической единицы на входе
(^вх^5 2,4 В); </вь1х — напряжение
логического нуля на выходе (<7°ь,х о'
^1.5 В); CJbIX — напряжение логичес-
кой единицы на выходе 1216),
9
608
Специальные случаи использования микросхем. Микросхемы се-
рии К511 можно применять при работе на линию с распределенными
параметрами (длинную линию). Надежное переключение приемной
схемы обеспечивается при передаче сигнала но коаксиальному кабелю
с волновым сопротивлением р = 100 или 75 Ом длиной до 300 м.
Для передачи сигналов по длинной липни используется микро-
схема К511ЛИ1, большой выходной ток логического пуля (1вых = 100 мА)
которой обеспечивает быстрый заряд паразитной емкости кабеля, что
приводит к 'меньшей затяжке заднего фронта импульса на выходе
кабеля.
В качестве приемных схем могут быть использованы микросхемы
К511ЛА1, К5ИЛА9, К511ЛЛЗ, К511ЛА4, К511ЛА5, К511ПУ1,
К5Ш1И1.
Рис. 5-65. Схема согласования
при передаче сигнала по коак-
сиальному кабелю с волновым
сопротивлением р= 100 Ом.
Рис. 5-66. Эпюры входного и
выходного импульсов прн пе-
редаче сигнала по коаксиально-
му кабелю длиной 1 = 200 м с
волновым сопротивлением
р = 100 Ом.
При передаче сигнала по коаксиальному кабелю с волновым со-
противлением р = 100 Ом для согласования используется резистор
= 85 Ом, который устанавливается на выходе управляющей схемы
К511ЛИ1.
Пример согласования прн передаче сигнала по коаксиальному
кабелю с волновым сопротивлением р = 100 Ом и заземленной оплет-
кой дан на рис. 6-65. Эпюры входного и выходного импульсов для дан-
ного согласования при длине коаксиального кабеля / = 200 м даны
на рис. 5-66.
Время задержки распространения сигнала по фронту импульса
^д’п~ 0,9 мкс, по срезу /зд, р = 1,1 мкс при частоте импультов f =
= ’10 кГц.
При передаче сигнала по коаксиальному кабелю с волновым со-
противлением р= 75 Ом для согласования используется резистор
/?! = 60 Ом. Пример согласования дан на рис. 5-67. Время задержки
распространения сигнала по длине кабеля I — 100 м по фронту
импульса ('з'в, р = 0,8 мкс, по срезу /зд, р = 1,0 мкс при частоте импуль-
сов f ~ 10 кГц.
Помехоустойчивость данной системы при передаче сигналов по
коаксиальному кабелю с волновым сопротивлением р = 100 Ом умень-
шается вследствие понижения уровня логической единицы ([/вых =
20 П/Р Тарабрина D. В. 60Э
= 11,2 В) и повышения уровня логического нуля (Увых = 3,8 В) за
счет падения напряжения на согласующих резисторах при напряже-
нии источника питания Уи.п =
Помехоустойчивость к положительной помехе при уровне логи-
ческого нуля па входе приемной схемы равна: ДУЙ = 6,5—3,8 — 2,7 В.
Помехоустойчивость к отрицательной помехе при уровне логиче-
ской единицы на входе приемной схемы равна: ДУп = 11,2—7,5= 3,7 В.
При использовании коаксиального кабеля или незаземленной
витой пары для передачи сигнал<
нии (например, по центральной
жиле и оплетке) в линиях воз-
никают синусоидальные колеба-
ния, связанные с отражением
синфазной волны рис. 5-68. Для
согласования данной системы
используются резисторы, вели-
ко двум каналам в одном направле-
т
S)
Рис. 5-67. Схема согласования
при передаче сигнала по коак-
сиальному кабелю с волновым
сопротивлением р=75 Ом.
Рис. 5-68. Эпюрь
ла (а), сигнала
дающей линии
помехи в точке
зовании кабеля
длиной
1 входною сигна-
в точке А, пере-
(о), перекрестной
В (а) при исполь-
с Р= 100 Ом,
!= 200 м.
чина которых равна R = р — где р — волновое сопротив-
ление линии; ₽вых = 15 Ом — выходное сопротивление ВПЛ МС
К511ЛИ1 при логическом нуле на выходе.
Пример согласования при передаче сигналов по центральной
жиле и оплетке коаксиального кабеля длиной I = 300 м с волновым
сопротивлением р = 100 Ом дан на рис. 5-69.
Время задержки распространения сигнала по фронту импульса
йд* р = 200 нс, по срезу 4д, р — 3 мкс при частоте импульсов f —10 кГц.
При использовании витой пары для многожильного кабеля, сиг-
налы по линиям (жилам) которого передаются в противоположных
направлениях, нужно рассматривать как синфазное Zem, так и диффе-
ренциальное Zr<m волновое сопротивление. Дифференциальное вол-
новое сопротивление Zrim связано с линиями, находящимися под рав-
ными, по противоположными потенциалами, по которым течет равный
ток, но в противоположных направлениях. Импеданс данной системы
обозначается как Z0G, В данном случае Zam — 2Z№,
610
Метод согласования синфазного и дифференциального волновых
сопротивлений заключается в следующем:
1. Линии «А» и «В», по которым будут передаваться сигналы в про-
тивоположных направлениях, согласуются с синфазным волновым
сопротивлением Zem резистором, равным Zem.
Рис. 5-69. Схема согласования при передаче синфазных сигналов по
коаксиальному кабелю с волновым сопротивлением р = 100 Ом.
2. Линия «А» возбуждается, и измеряется величина перекрестной
паводки на линии «В».
3. Связываем синфазный импеданс линии Zoe с дифференциаль-
ным:
7 _ в _ .
“ ^"Zoe + Z00’
7 UA~UB 7
^оо — I f । > / ^ое>
иА^и В
где UА — напряжение на линии «А»; UB — напряжение на линии «В».
4. Рассчитываем величину резистора, согласующего дифферен-
циальный сигнал при параллельном включении с 2Zem:
9/_, 7
п____ет
л 2/ — / , ’
^'ern *-{im
гле Zrfm = 2Z00.
Пример согласования коаксиального кабеля с волновым сопротив-
лением р = 100 Ом, длиной I — 200 м, сигналы по центральной жиле
и оплетке которого передаются в противоположных направлениях,
дан на рис. 5-70. Синфазный сигнал согласуется резисторами Rt ~ R& —
= 85 Ом.
Сопротивление резистора Аф, согласующего дифференциальный
сигнал, рассчитывается методом, указанным выше: сигнал величи-
ной 11,2 В, проходящий по оплетке кабеля, наводит в центральной
жиле перекрестную помеху, равную 1,7 В.
Дифференциальный импеданс линии равен:
г-= “11,2+ 1,7~ ’ 100 74 Ом •
20*
611
Сопротивление
нал, равно:
резистора, согласующего дифференциальный
сиг-
2.2-74.100
2- 100 —2-74
Ом.
Для передачи сигналов по длинной линии могут быть также ис-
пользованы микросхемы К511ЛА1, К511ЛА2, К511ЛА4. В качестве
Рис. 5-70. Схема согласования при использовании коаксиального
кабеля с р — 100 Ом для передачи сигналов в противоположных
направлениях.
приемных схем используются аналогичные микросхемы: факторами,
ограничивающими длину линии передачи, являются небольшой выход-
ной ток логического нуля данных ВПЛ МС (/вых = 12 мА) и емкость
кабеля, которые создают большую задержку импульса по заднему
фронту на выходе линии передачи.
Рис. 5-71. Схема согласования при передаче сигнала по коаксиальному
кабелю.
Пример передачи сигнала по коаксиальному кабелю с волновым
сопротивлением р = 75 Ом, длиной I = 100 м дан на рис. 5-71. Время
задержки распространения сигнала по фронту импульса /”д. р = 1 мкс,
задержка по срезу импульса Сд',’ р = 3 мкс.
Увеличение задержки распространения сигнала. Задержка распро-
странения сигнала может быть применена с целью уменьшения чув-
ствительности схемы к динамическим (импульсным) помехам.
На рис. 5-72, а показана схема использования расширительного
входа для увеличения времени задержки распространения сигнала.
Зависимость задержки распространения от величины емкости
конденсатора для микросхем К511ЛАЗ, К511ЛА4 дана на рис. 5-72, б.
612
Рис. 5-72. Пример
использования расширительного входа для увели-
чения времени включения сигнала.
Рис. 5-73. Пример использования входов микросхем К511ЛА1 и
К511ЛА5 для увеличения времени задержки распространения при вклю-
чении.
UDi — диод полупроьод чковый типов КД521. КД522Б.
G13
Тип конденсатора не регламентируется.
При отсутствии расширительного входа для увеличения времени
задержки распространения сигнала при включении р) может быть
использована схема, представленная на рис. 5-73, а.
Зависимость задержки распространения для микросхемы К511ЛА!
от емкости при использовании -диода КД521А или К.Д522Б представ-
лена на рис. 5-73, б.
Рис. 5-74. Схема функциональ-
ная увеличения длительности
импульса.
— диод полупроводниковый
’ТИПОВ КД503, КД521А. КД522Б.
Рис. 5-75. Схема электрическая
подключения микросхем серии
К511 к контактным реле.
На рис. 5-74 дана схема увеличения длительности импульса. Схема
управляется сигналом отрицательной полярности
“зд. р = 400 С,
где ^зд.р — задержка распространения сигнала, мс; С — емкость кон-
денсатора, мкФ.
Микросхемы серии К.511 можно применять в схемах с реле, рабо-
тающих при напряжении 15 В. В таких схемах сигнал от реле может
передаваться на расстояние до 20 м (рис. 5-75).
Работа микросхемы К5ПЛИ1 в качестве силового вентиля. Мно-
гие области промышленного применения требуют использования мощ-
ных вентилей, как, например, вентиль для работы (переключения)
с относительно высокими уровнями тока и приводящих в действие
лампы, реле. Для этого может быть использована микросхема К511ЛИ1.
Она состоит из двух расширительных вентилей с четырьмя входами.
По существу эта схема идентична схеме базового вентиля с тем допол-
нением, что на выходе добавлен силовой инвертирующий усилитель.
Выходной транзистор микросхемы К511ЛИ1 обеспечивает работу
с высоким уровнем тока до 100 мА. При таком токе Пвых =С 1,5 В,
как в обычных вентилях. Вместе с тем это выходное устройство поз-
воляет осуществить функцию ИЛИ на выходе.
614
Схема включения реле на выход микросхемы представлена на
рис. 5-76.
Построение функциональных узлов аппаратуры. Реализация логи-
ческих функций, кроме функции И-НЕ, реализованной непосредственно
элементами микросхем серии К511, осуществляется путем комбини-
рования соответствующим образом элементов И-НЕ.
Поскольку всегда существует несколько вариантов реализации
функции, то при составлении схемы следует выбирать вариант с мень-
шим числом элементов в схеме. В табл. 5-6 приведены примеры реа-
лизации различных функций.
Функция И-ИЛИ-НЕ реализуется на элементах серии К511 с пас-
сивным коллекторным выходом (К51
нения выходов нескольких элемен-
тов. При этом, если объединяются
до 3 элементов, то коэффициент
разветвления по выходу равен 10.
При присоединении каждого по-
следующего элемента коэффициент
разветвления по выходу уменьшает-
ся на 2,5, т.е.Краз=10—(Коб.вых—
— 3) 2,5, где /<об.вых — число объ-
единяемых элементов по выходу.
При организации той или иной
функции берутся элементы серии по
Рис. 5-76. Схема управления вклю-
ЛАЗ, К511ЛА51 путем объеди-
нением реле.
числу входов, соответствующие реализуемой функции. Если в эле-
менте используются не все входы, то свободные входы схемы И должны
быть объединены с одним из сигнальных входов в пределах нагрузоч-
ной способности управляющего элемента или подключены к источ-
нику питания или к выходам неиспользуемых инверторов (в пределах
нагрузочной способности последних), входы которых заземлены.
Использование расширительных входов. Для увеличения количе-
ства входов микросхем используются расширительные входы, кото-
рые имеются в схемах типов К511ЛАЗ, К511ЛА4, К511ЛИ1, К511ПУ1.
К расширительному входу можно подключать диоды, диодные матрицы
(рекомендуются диоды Д18, 2Д502, ДЙ20, КД522).
Кроме того, можно увеличить количество входов, соединив рас-
ширительные входы двух вентилей микросхем.
При отсутствии расширительного входа увеличение нагрузочной
способности по входу достигается при подключении внешних диодов
и вспомогательного резистора Rm к любому из стандартных входов
схемы (рис. 5-77).
Величина резистора /Ад должна определяться в соответствии
с необходимым быстродействием схемы. Величина задержки распро-
странения сигнала будет возрастать при увеличении величины ,ДЛ.
При данном расширении нагрузочной способности по входу сни-
жается помехоустойчивость на низком уровне. Как видно, входное
напряжение логического нуля данной схемы будет уменьшаться за счет
падения напряжения на одном диоде. Поэтому значение помехоустой»
615
Таблица &-о
Реализация различных функций на интегральных схемах серии К511
Функция Тип микросхем Фун кциональпая схема
У — Л1Х2Х3 4“ Х4Л'5%6 -р >'7> я Г9 4/3 К511ЛА2 ПП Х2—I М Xj —-3 J 1 ЧП Х5 1 $ 1 < 1? Хб—LJ m * ^zFLI ДЦ—| I
у = ХЛЗД4- д-5л-вл-,л-8 К511ЛА4 и 1/4 К511ЛА1 ^-ЧЛ х2 -Ч J
Я Xif ~~i xs
*7 — 1 Xs 1
У = Х^ХзХдЛ'4 * К5ИЛА4 или К511ЛАЗ P= —I *2 1 —I — L Г T у У1
Xs xs — T7 — ^3 — £
У — Л'1 + Л'з 1/2 К511ЛА5 zi—-г—m Li £J
У — X-^X^X^Xi -!- AVj.l'jXg K511ЛАЗ S»~4r-» —la j ^"-1 27j -j | X ix 1 ~ГЛ xs •—1 J xj —। ¥ XQ I
616
Продслжен'ле таЬл. 5 6
Функция Тип микросхем Функтюна схема льна я
у = ад 1/2 К511ЛА1 или 1/2 К511ЛА5 х<—рТ_л lJ Ч П—!/
у == ^2X3X4 К511ЛА4 или К511ЛАЗ хч_Гч J-
у = ХгХ2Хз 1/3 К511ЛА2 и 1/4 К511ЛА1 Я 2 1 О 1— Х3 1 I 71 9— У
у = х1ха 4- ад 3/4 К511ЛА1 или 3/4 К511ЛА5 —[71 ®2 —! Г~1— хз—FLr xt—г । 3“^
Рис, 5-77. Схема расширения нагрузочной способности по входу при
отсутствии входа расширителя.
617
чивости на низком уровне будет приблизительно равно: U пх. маке —
- VO - = 6,0 - 0,8-1,5 = 3,7 В.
Примеры построения триггеров на элементах серии К511. На
логических элементах серии К511, выполняющих функцию И-НЕ,
можно построить ряд основных триггеров, применяющихся в интеграль-
ной схемотехнике.
На рис. 5-78 показано построение асинхронного RS-триггера,
Вход S является единичным, а вход R — нулевым, т. е. триггер уста-
навливается в состояние i (Q = 1) сигналом 5=0, а в состояние 0
Рис. 5-78. Функциона-
льная схема асинхрон-
ного RS-триггера.
Рис. 5-79. Функциональная
схема синхронного RS-триг-
гера.
(Q = 0) сигналом R = 0. Комбинация сигналов R — S — 0 для дан*
лого триггера является запрещенной.
На рис. 5-79 дан синхронный RS-триггер. В отличие от асинхрон-
ного тактируемый RS-триггер имеет на входе каждого плеча допол-
нительные схемы совпадения, первые
входы которых объединены и являют-
ся входами тактирующего импульса,
а вторые входы схем совпадения яв-
ляются информационными входами за-
писи «1» (Sc) и :<0» (/?с). Таким об-
разом, информация, поступающая на
входы и Зс, может быть передана
на собственно триггер только при по-
Рис. 5-80. Функциональная схема так-
тируемого D-триггера.
ступлении тактирующего импульса. При комбинации сигналов SC= 1
триггер устанавливается в состояние Q= 1. При комбинации сиг-
налов RSC = 1 триггер имеет неопределенное состояние, т. е. данная
комбинация сигналов для тактируемого RS-триггера запрещена.
Реализация однотактного триггера D-типа, управляемого уров-
нем тактового импульса, показана на рис. 5-80. Здесь вход D является
информационным, а вход С — тактовым. При С — 1 в триггер всегда
выписывается та информация, которая была на входе D до прихода
618
тактирующего импульса. Для устойчивости работы схемы необхо-
димо, чтобы информация на входе не изменялась во время действия
тактирующего импульса.
Построение однотактных триггерных уст-
ройств на элементах серии К511. Применяемые в ин-
тегральной схемотехнике однотактные триггерные устройства выпол-
няются в основном на базе триггеров RS-, D-, JK-типов, обладающих
свойством внутренней задержки. В триггерах с внутренней задержкой
новая информация на выходе триггера устанавливается только после
окончания действия тактирующего импульса. Эго важное свойство
триггеров с внутренней задержкой позволяет создавать на их основе
устройства цифровой обработки информации высокого быстродействия,
так как в одном такте может быть совмещен процесс считывания и за-
писи информации (например, режим работы счетчика адреса ЦВМ
и т. д.).
Рис. 5-81. Функциональная схема JKy-триггера,
Триггеры, обладающие свойством внутренней задержки, обозна-
чаются ниже индексом А стоящим рядом с обозначением тепа триггера.
Можно выделить три основные схемы построения однотактных
счетных триггеров:
схема MS;
схема трех триггеров (основного и двух коммутирующих);
схема с использованием элементов памяти.
По схеме MS триггерные устройства строятся, как правило, на
основе триггеров RS- и D-типа.
На рис. 5-81 показано построение триггера Жгтипа, выполнен-
ное по схеме MS с запрещающими связями. Данная схема реализуется
на основе RS-триггерных устройств посредством подключения выхо-
дов Q и Q ко входам Д’ и S соответственно и добавления двух входов J
и К. параллельно входам 5 и R. При С ~ 0 схема находится в состоя-
нии «О» независимо от уровня сигналов на входах J и 1\.
При J — О и С — К = 1 триггер устанавливается в состояние
Q = 0, а при J —- С — 1 и /< -- 0 в состояние Q — 1.
Триггеры JKy-типа являются многофункциональными триггерами,
так как на их основе могут быть выполнены RSr, Dr, Тгтриггеры.
Способ построения триггеров другого типа на основе Л</-триггсрз
показан на рис. 5-82.
619
На рис. 5 83 показан Df-триггер, выполненный по схеме трех
триггеров, элементы Z)5 и образуют основной, а элементы Dt, Dt
й D3, Dt — соответственно правый и левый коммутирующие триггеры.
Рис. 6-82. Схемы функциональные синхронных триггеров, выпол-
ненных на основе JK-триггеров.
о —. 6 —— RS^.
В отсутствие тактовых импульсов триггер переключается в состояние,
соответствующее информаций на входе. При D ==> 1 состояние на вы*
коде = 1, при D — 0 состояние на выходе С =« 0.
Рас. Б-83. Функциональная ехемя (а) и временная диаграмма работы (б)
D/-Tpnrrepa.
Дли работы схемы в режиме Т/-триггера необходимо выход основ-
ного триггера (J подключить ко входу D, а на вход 7 подать счетные
импульсы. Такой Т^трнггер, построенный на основе D^-триггера,
дан на риа. 6-84.
62С
Рис. 5-84. Функциональная схема (а) и временная диаграмма работы (б)
Т/-триггера, построенного на основе Df-триггера.
О 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 11
г лллллпллплл лллип л
Рис, 5-86, Функциональная схема (а) и временная диаграмма рабою (б)
двоичного счетчика на Л<.гтриггерах.
621
Построение счетчиков на основе JKrтриг-
геров. Счетный триггер является простейшим счетчиком, осущест-
вляющим подсчет импульсов по модулю 2. Соединив несколько счет-
ных триггеров определенным образом, можно получить схему много-
разрядного счетчика.
Па рис. 5-85 даны схема и временная диаграмма работы двоич-
ного счетчика на ЛК/-триггерах с непосредственной связью. Управ-
ляющими сигналами для старших разрядов счетчика являются уровни
сигналов с информационных входов младших разрядов.
Максимальная величина времени установления ^уст.Макс 15 счетчи-
ках последовательного типа определяется суммарной задержкой после-
довательной передачи информации из младшего разряда в старший
Рис. 5-86. Функциональная схема реверсивного счетчика последова-
тельного типа.
разряд счетчика я'уст, макс = A"tz, где .V— число разрядов счетчика;
ту— задержка переключения JK-триггера после окончания счетного
импульса (Т/ = 600 нс).
С учетом длительности счетного импульса получим:
Гсч = тп + Л'т/1 /сч = ’
где тп — длительность счетного импульса; 'Г,-., — период следования
счетных импульсов.
При работе последовательного счетчика в режиме делителя ча-
стоты, т. е. когда информация снимается с выхода старшего разряда,
предельная частота его работы будет определяться предельной часто-
той переключения счетного триггера первого разряда, т. е.
f —_____I___
,сч ТУ1-Г-1У*
Схема реверсивного счетчика на счетных гриперах приведена
на рис. 5-86.
622
Этот счетчик выполняет операцию суммирования и вычитания
импульсов в зависимости от разрешающего уровня на управляющих
входах. При состоянии на входе Ус — 1 происходит суммирование
импульсов, при Yв = 1 — вычитание импульсов, поступающих на
счетный вход. Одновременно действие разрешающих уровней исклю-
чается.
Схема работает в режиме вычитания следующим образом: пусть
код счетчика соответствует, например, числу 7=111. Поступающий
счетный импульс (Тсч = 1) перебросит _нервьш разряд в состояние
Qi == 0 (код 110). Уровень «1» с выхода Qt через вентиль D, поступит
0 1 2 J Ц 5 6 7 8 9 0
' ЛЖГкЛЛПЯШЖ^7'
^LrxrUTTTFl^^
Рис. 5-87. Функциональная схема десятичного счетчика па ,1К/-триг-
герах (а) и временная диаграмма работы (б).
на счетный вход второго разряда и подготовит его к переключению.
Второй счетный импульс перебросит первый разряд в состояние «1»,
а второй разряд — в состояние «0» (код 101). Уровень Q, = I под-
готовит к перебросу третий разряд счетчика и т. д.
Счетчики с произвольным коэффициентом
счета. Рассмотренные выше счетчики имели коэффициент пере-
счета, равный 2м, где N — число разряда счетчика. Принцип построе-
ния счетчиков с Кс„ ?.N (дсч == 3; 10 и г. д.) заключается в исклю-
чении «лишних» устойчивых состояний у счетчика с Кеч — 2, т. е, в орга-
низации схем, запрещающих некоторые состояния.
Число запрещенных состояний для любого счетчика можно опре-
делить из следующего выражения: М — 2‘v — Кс>1, где /И — число
623
запрещенных состояний, Л’сч — требуемый коэффициент счета; 2'* —
число устойчивых состояний двоичного счетчика.
На рос. 5-87 дано построение десятичного счетчика на ЛК^-тригге-
учх. Подсчет импульсов до девятого включительно происходит в соот-
ветственном порядке счета 0000, 0001, 0010, ..., 1001 точно так же,
ьак и в двоичном счетчике (см. рис. 5-85). После окончания восьмого
счетного импульса в счетчике фиксируется код 1000, что приведет
к закрыванию вентиля D. уров-
нем Qs = 0 и установлению на
входе J-триггера De уровня С.
После окончания 9-го им-
пульса в счетчике устанавливает-
ся код 1001. После скончания
10-го импульса триггер Dr пе-
реходит из состояния «1» в <-.0»
Рис. 5-88. Схема счетчика по
модулю 3 на JK-триггерах.
н переключает триггер D6 в состояние «0»; в результате после окон-
чания десятого импульса счетчик установится в исходное (нулевое)
состояние.
Построение счетчиков без применения до-
полнительных s л еме ито в. В основе построения таких
с четчиков лежит принцип организации счета по произвольному мо-
дулю на основе счетчиков по модулю 2'v + 1, т. е. на счетчиках, поз-
ьоляющих увеличить модуль счета на единицу.
Рис. 5-89. Функциональная схема безвектилыюго счетчика на шеста
JK-триггерах с КСч = 27.
Рассмотрим способ увеличения модуля счета на 1 на примере
схемы рис. 5-88, где показан счетчик по модулю 3 на Л\г-триггерах.
Исходное состояние счетчика пулевое (Q, = (?2 = 0). В резуль-
тате первый разряд по входу J — Qs— 1 подготовлен к переключению
п состояние 1, а второй по входу К = 1 к подтверждению нулевого
состояния. После окончания первого счетного импульса в счетчике
устанавливается код 01 (Qj 1; Q2 = 0).
После окончания второго импульса в счетчике установится код 10
(Qi = 0; Q2 = 1), поскольку оба ЛК/-триггера будут работать в ре-
жиме Т-триггера. Перед приходом третьего счетного импульса на вхо-
дах J обоих триггеров присутствует уровень 0, а на входах /\ — уро-
(24
вень 1. В результате после окончания третьего импульса оба триггера
на входах (К = 1) устанавливаются в 0.
Для построения счетчика с Д'сч 2 требуемый /ф.ч необходимо
представить в виде произведения сомножителей (групп), каждый из
которых состоит из чисел степени 2 или степени 2 и добавочных единиц.
Например, число 27 можно представить в виде произведения трех
сомножителей, каждый из которых является степенью 2 плюс 1 : 27 =
= (2 + 1) (2+1) (2 + 1).
На рис. 5-89 приведена схема счетчика с 7+, = 27, построенная
на основе счетчика с /+,, = 3.
Рис. 5-S0. Функциональная схема счетчика с коэффициентом пере-
счета К,;„ = 3 на JKf-триггерах (а) к временная диаграмма работы (б).
В табл. 5-7 в качестве примера приведены 5 схем ечеечиков с Кч
от 10 до 15 включительно. В графе 4 показан способ разбиения каждого
счетчика на группы.
На рис. 5-90 даны пример построения и временная диаграмма
работы счетчика с коэффициентом пересчета — 3 и формирования
сигнала со скважностью 2 (меандра) на выходе на микросхемах се-
рии К-511.
Если единичный триггер служит для увеличения на 1 коэффи-
циента счета нескольких последовательно включенных групп и отдель-
ных двоичных триггеров, каждый из которых в этом случае условно
можно считать отдельной группой, то у единичного триггера коли-
чество J-входов должно равняться количеству всех предшествующих
групп, а к этим входам необходимо подключить входы 0 всех пред-
шествующих групп счетчика.
625
Т а б л я ц а 5-7
Построение счетчиков с коэффициентом счета 10, 52—15
на JK-триггсрах
9
626
Так как в JK-триггсре серии К511 имеется всего лишь один вход J,
то сигналы от предшествующих групп подаются на J-вход триггера
через два последовательно включенных вентиля, реализующих в этом
случае функцию И.
Построение многостабильных триггеров на
основе микросхем серии К.511. Многостабильные триг-
геры применяются в различных областях цифровой техники: в ка-
честве пересчетных схем, делителей частоты, реверсивных счетчиков,
распределителей сигналов, устройств управления и т. п.
Трехстабильный триггер на элементах И-НЕ дан на рис. 5-91.
Переключение триггера в любое из трех состояний 011, 101, 110 осу-
ществляется сигналом у; = 0, где i = 1, 2, 3.
Например, триггер находится в состоянии 011, для переключе-
ния его в состояние 101 необходимо подать комбинацию сигналов
Рис. 5-91. Функциональная схе-
ма трехстабильного триггера.
Рис. 5-92. Функциональная схе-
ма тактируемого трехстабилыю-
го триггера.
Уч, = 0; уг — у3= 1. Сигнал у2 = 0 сформирует 1 па выходе Q, и одно-
временно подтвердит 1 на выходе Q2. При этом на выходе Q3 сформи-
руется уровень «0», который, поступая на входы элементов D} и D2,
будет удерживать их в состоянии «1» теперь уже независимо от сиг-
нала уа = 0. В результате после снятия управляющего сигнала (т. е.
при Уч = 1) триггер остается в состоянии «101». При поступлении
управляющего сигнала на вход£3 (т, = 0; = у., = 1) триггер перейдет
в третье состояние ПО.
Для построения многостабильных триггеров с тактируемыми
входами последовательно к управляющим входам подключаются допол-
нительные вентили (рис. 5-92).
Построение регистров на основе JK-триггеров серии К5!!. Четы-
рехразрядный парафазный однотактный сдвигающий регистр приведен
на рис. 5-93.
Все разряды регистра соединены последовательно, а тактирующие
входы всех разрядов присоединены к общей шине, являющейся такти-
рующим входом регистра,
G27
Каждый разряд числа поступает в регистр по двум входам: А и А.
Каждый поступающий тактирующий импульс обеспечивает сдвиг кода
числа в регистре на один разряд вправо, т. е. для записи разрядного
кода потребуются 4 тактирующих импульса. Схема реверсивного
сдвигающего регистра на JK-триггерах серии К.511 приведена на
рис. 5-94.
Регистр имеет 4 входа для записи информации (Л, В, С, D). Так-
тирующие входы вентилей 2, 3 и 4-го разрядов, служащих для пря-
мой последовательной передачи информации в регистре от старших
разрядов к младшим, объединены и образуют тактирующий вход пря-
мого сдвига (7'пг).
Тактирующие входы вентилей 1, 2 и 3-го разрядов, служащих
для обратной последовательной передачи информации в регистре
от младших разрядов к старшим, объединены и образуют тактирую-
щий вход обратного сдвига (Гос). Перезапись информации из тригге-
Рис. 5-93. Функциональная схема четырехразрядного парафазного
однотактного сдвигающего регистра.
ров старших разрядов в младшие происходит при поступлении такти-
рующих сигналов на входы 7’,,,. и 7\. Перезапись информации из триг-
геров младших разрядов в старшие происходит при поступлении так-
тирующих сигналов на входы Тос и Т1.
Запись кода в регистр можно осуществлять двумя способами:
1. Последовательной записью кода числа, для чего разряды кода
числа последовательно подаются через вентиль И-НЕ на вход S-триггера
младшего или старшего разряда и осуществляется сдвиг информации
соответственно в обратном или прямом порядке путем подачи серии
тактирующих импульсов.
2. Параллельной записью кода числа, для чего на входы S-тригге-
ров регистра через вентили одновременно подаются соответствующие
разряды кода числа.
Перед тем, как записать код числа в регистр, его надо устано-
вить в нулевое состояние, для этого на тактирующие входы 7ф1С и 7'ог
подается логический нуль, а на тактирующие входы триггеров —
логическая единица. При переходе сигнала на входе Г, из состояния
логической единицы в состояние логического нуля регистр устанавли-
вается в пулевое положение, так как на входах J и К JK-триггеров
будут уровни соответственно нуль и единица.
Построение распределителе й на микросхемах серии K.5II. На
рис. 5-95 показаны восьмиканальный распределитель уровней, выпол-
ненный на двухразрядном регистре с перекрестной связью и одном
628
JK-триггере, работающем в режиме счетного триггера, к его времени#»
диаграмма. Триггер тактируется сигналами с waxsaa Q младшего
разряда регистр#. Дешифратор уровней строится ев основе трехвхг>-
довых схем,
Переключающий импульс последсвательва включает каналы
р, — t>,t (Q^ » 1), а затеи последовательно включает каналы yt
(при QT =* 1),
Для установки распределителя в исходное (нулевое) состояние
на вход S распределителя необходимо подать импульс S = 0, а после
этого на вход Гп — два тактовых импульса; длительность импульса
установки должна удовлетворять неравенству тп.уст t№, уст, где
(зд.ует — задержка переключения разрядного триггера. Этим сигналом
триггеры установятся в состояние I (Q, = Qa = “ 1), После подачи
629
на вход 'Г,, двух тактовых импульсов регистр перейдет в состоишь
„О” (Qt = Qa = Qr - 0).
Рис. 5-95. Функциональная схема восьмиканального распределителя
(а) и временная диаграмма работы (б).
При построении распределителей импульсов дешифраторы выпол-
няются па четырехвходовых схемах И, у которых четвертый вход
подключается к шине переключения импульса распределителя.
630
Схема распределителя уровней на восемь каналов, построечного
па основе двух Т/-триггеров с переносом и заемом, показана на рис. 5-96.
Рис. 5-96. Функциональная схема распределителя комбинированного
типа (а) и временная диаграмма работы (б).
Схема работает при подаче на ее вход переключающих импульсов
типа «меандр».
631
Рис. 5-97. Функциональная схе-
ма преобразователя кода Джон-
сона в десятичный код.
Рис. 5-98. Функциональная схе-
ма преобразователя кода 1248
в десятичный код.
Входы Еди- ница счета
Ё д с в А
0 0 0 0 0 0
° 0 0 0 1 1
0 0 0 1 i 1 2
0 0 1 1 1 3
0 i 1 1 4
1 1 1 1 1 1 1 5
1 1 1 1 0 6
1 1 1 1 ° 0 7
J : 1 0 0 8
1 о о 0 0 9
632
При поступлении сигналов на вход распределителя с частотой
переключения время действия уровней на каждом из потенциаль-
ных выходов будет равно 1 /2 /пср. Длительность импульсов соответ-
ствует длительности переключаю-
щего импульса.
Выходы переноса П и заема 3
являются выходами двухканально-
го распределителя импульсов.
Построение распределителей на
произвольное число выходов осу-
ществляется на счетчиках с про-
извольным коэффициентом счета.
Формирование канальных сигна-
лов обеспечивается за счет под-
ключения к счетчику схем совпаде-
ния, число которых равно числу
состояний счетчика.
Построение дешифраторов. На
рис. 5-97, 5-98 приводятся схемы
функциональных преобразователей
кода Джонсона и кода «1248»
в десятичный код. Исходным состоя-
нием всех выходов является логи-
Рис. 5-99. Функциональная схема
трехразрядного дешифратора.
ческая единица. Входы подключаются к выходам соответствующих
разрядов счетчика. Работа преобразователя заключается в изменении
Рис. 5-100. Функциональная схема дешифратора на 16 выходов.
состояния одного из ключей при условии, что все его входы переве-
дутся в состояние 1 при подаче двоично-десятичного кода,
633
На рис. 5-99 приведена схема функциональная трехразрядного
дешифратора.
На рис. 5-100 показано построение дешифратора на 16 выходов
на основе двух дешифраторов серии К511. Выходами линейного деши-
фратора па 16 выходов будут выходы 0—7 первой ВПЛ МС и выходы
0 (S) — 7 (15) второй ВПЛ МС. Выходы 8н Зпервой ВПЛ ИС повторяют
состояние выходов 0; 1 второй ВПЛ МС, а выходы 8 и 9 второй ВПЛ
МС — состояние выходов 0; 1 первой ВПЛ МС.
Построение сумматоров. На рис. 5-101, а приведена функциональ-
ная схема одноразрядного сумматора. Функции суммы (3) и переноса (Р)
реализованы в соответствии с выражениями: S = АВС-т-Р(А 4- В 4- СУ,
Р = АВ + АС+ ВС.
Рис. 5-101. Функциональная схема одноразрядного сумматора.
В данной схеме для реализации функции Р используются эле-
менты с пассивным коллекторным выходом (К511ЛА5), выходы кото-
рых можно объединять для организации функции ИЛИ, Входы А,
В, С — однофазные. Задержка формирования суммы равна 3^зд,р,Ср.
На рис. 5-101, б приведена функциональная схема одноразрядного
сумматора.
Сумматор реализуется на девяти вентилях, имеет парафазные
входы и задержку формирования суммы и переноса, равную 5ZM,piCp.
Генераторы прямоугольных импульсов. На основе ВПЛ ?>1С се-
рии К511 можно построить ряд генераторов, дающих прямоугольные
импульсы длительностью от нескольких микросекунд до нескольких
секунд.
На рис. 5-102 представлены схема генератора прямоугольных
импульсов и его временная диаграмма, Генератор можно реализо-
634
вать на микросхеме К511ЛЛ1, Длительность импульсов определяется
уравнением
т==/гС,
где т — длительность импульса, мс; С — емкость конденсатора, мкФ;
k — 1 мс/мкФ, коэффициент.
Рис. 5-102. Функциональная схема генератора прямоугольных импуль-
сов (а) и временная диаграмма работы (б).
На рис. 5-103 показана схема генератора прямоугольных импуль-
сов с одной времязадаюшей цепью. Длительность импульсов задается
Рис. 5-103. Функциональная
схема генератора прямоуголь-
ных импульсов с одной время-
задающей цепью.
Рис. 5-104. Функциональная схе-
ма генератора прямоугольных
импульсов.
емкостью конденсатора и резистором. При R = 15 кОм длительность
импульсов определяется формулой
i~-kC, где k =12 мс/мкФ.
При С — 300 пФ длительность импульсов определяется по соот-
ношению
т=0,4/?,
где т — длительность импульсов, мкс; R — сопротивление резистора,
кОм.
На рис. 5-104 дана схема генератора прямоугольных импульсов,
у которого длительность импульсов задается емкостями Сф и С2 и регу-
635
лпруется резистором /?2, скважность регулируется резистором /?(.
При С, = 0.1 мкФ, (Д = 0.5 мкФ; — 1'5 кбм, /?, = 45 кОм дли-
тельность импульса — 5 мкс.
Рис. 5-106. График зависимости импульса т,,мп от значения сопротив-
ления резистора при различных емкостях.
Рис. 5-107. Функциональная
схема делителя частоты на осно-
ве одновибратора.
На рис. 5-105 приведена схема одновибратора, управляемого
импульсами отрицательной полярности. Длительность импульсов на
выходе одновибратора задается емкостью и регулируется резистором АД
График зависимости длительности импульса от значения сопро-
тивления резистора показан на рис, 5-106,
636
На рис. 5-107 представлен?! схема делителя частоты на основе
одновибратора.
МИКРОСХЕМЫ СЕРНИ К176
Общие рекомендации. Микросхемы серии К176 являются «семами
С очень малым уровнем мощности потребления в статическом режиме
(порядка нескольких микроватт), и их применение особенно эффек-
тивно в аппаратуре, работающей преимущественно в режиме ожида-
ния, или в устройствах с горячим резервированием.
Рис. 5-108. Зависимость динамического тока потребления однюя инвер-
тором микросхемы К176ЛА7 от емкостной нагрузки на разных частотах
переключения ({7И. п=9 В, =+25°С).
Для оценки мощности потребления микросхем на рис. 5-108 при-
веден график зависимости динамического тока потребления одним
инвертором микросхемы К176ЛА7 от емкостной нагрузки на разных
частотах переключения.
В табл. 5-8 приведены статистические значения входной емкости
в зависимости от количества объединяемых входов для микросхем
К176ЛЕ5, KI76TM1.
Мощность, потребляемая инвертором в динамическом режиме,
Рпот дин прямо пропорциональна сумме емкости нагрузки Сн, выход-
ной емкости инвертора СЗЬ1Х и частоте переключения инвертора i..,.
Эта мощность с точностью, достаточной для практического применения,
может быть оценена по формуле
Р и от. дин “ (^11 1-ных) ,п[ 7
где С„ = СМ0,|Т + С„х/<оаз — емкость нагрузки, пФ; Смопт— емкость
монтажа, пФ; CFK — емкость одного входа микросхемы-нагрузки, пФ;
/\раз — число подключенных входов микросхем-нагрузок; СЬЬ!Х <30 пФ;
637
Табл и п а 5-8
1\17СЛЕ5 | К1761М1
Входная емкость Входная емкость
Номера входов С пФ Номера входов С , пФ
вх'
1 7—10,3 3 11,0—15,0
1 и 2 И—21,3 3 и 4 21,0—27,5
5 7,2—10,3 3, 4 и 5 28,0—37,5
5 и 6 13,7—20,5 9 7,5—11,0
8 7,0—10,9 9 и 10 18,5—24,0
8 и 9 15,8—20,7 9, 10 и 11 31,5—39,0
12 8,0—11,2
12 и 13 15,3—21,2
f — рабочая частота, мГц; Ряот,днп—потребляемая мощность в дина-
мическом режиме, мкВт.
Требования к длительности фронта и среза входных сигналов.
При работе микросхем от других электрорадиоэлементов длительность
фронта и среза входных сигналов не должна превышать 15 мкс (кроме
микросхемы 176ЛП1 при включении внешнего сопротивления на-
грузки). При этом временные параметры для микросхем не регламен-
тируются.
Постоянный ток нагручки мощного инвертора, приведенного
на рис. 5-109, в, не должен превышать 2 мА. При этом напряжения
Пвых и Пвых для микросхем К176ЛП1 не регламентируются.
При эксплуатации микросхем серии К176 необходимо учитывать,
что опасное значение электростатического потенциала не должно пре-
вышать 30 В.
При проектировании аппаратуры на МС серии К176 следует учи-
тывать также, что напряжение источника питания должно быть подано
до напряжения входного сигнала, а свободные информационные входы
микросхем должны быть соединены с одной из шин питания (UM. п
или «Общий») с учетом функциональных особенностей той или иной
микросхемы.
Схемы применения микросхем серии KI78. Примеры реализации
различных логических функций микросхемой К176ЛП1 приведены
на рис. 5-109.
Регистры. Пример построения однотактного последовательного
регистра сдвига приведен на рис. 5-110. Четырехразрядкый регистр
реализован на двух микросхемах К176ТМ2.
На рис. 5-111 показав пример реализации универсального ре-
гистра. Каждый разряд регистра состоит из D-триггера и распреде-
лительного устройства. Четырехразрядный универсальный регистр
реализуется на двух микросхемах К176ТМ2, двух микросхемах К176ЛА7,
одной микросхеме К176ЛА9. Наличие распределительного устройства
на входе каждого разряда увеличивает функциональные возможности
схемы регистра, делая его универсальным.
Например, чтобы на основе данного универсального регистра
реализовать последовательный регистр сдвига слева направо, необ-
ходимо на вход управления У пр. подать низкий уровень напряжения,
638
в качестве информационного входа использовать вход Вхх. Для реа-
лизации сдвига справа палево необходимо на вход У пр. подать высо-
кий уровень напряжения, а в качестве информационного входа исполь-
зовать вход Вх4. Входы Вхх. Их,, Ех„, Вх4 могут использоваться для
Преобразования параллельного кода в последовательный.
Элементы
с мощным входом
ИЛИ-НЕ
Выводы
9;2,13 соединены
между собой.
И-НЕ
Выводы 2,11,19; 4,
8; 5,9 соединены
между собой.
Выводы 4,7,.9;11;1Ч
«)
Выводы 2,11,14,7,9
соединены
между собой. t
В)
соединены
между собой.
Элемент
с мощным выходим
ИЛИ-И-НЕ
Выводы 2,11,14;?,9
соединены
соединены между
собой.
между собой.
S)
Повторитель-распределитель
Рис. 5-109, Реализация логических функций
микросхемой К176ЛП1,
Разряд двухтактного регистра сдвига, построенный на основе
двух однотактных D-триггеров микросхемы К176ТМ2, и временная
диаграмма его работы приведены на рис. 5-112.
Для правильного функционирования устройств, выполненных
на D-триггерах, сигнал установки нуля й или установки единицы S
осуществляется высоким уровнем напряжения, длительность сигнала
639
установки должна быть не менее времени перехода D-триггера по вхо-
дам R, S (не менее 1 мкс).
Сигнал установки должен сниматься при выполнении одного
из условии:
к входу С приложен высокий уровень напряжения; снятие сиг-
нала установки производится в момент изменения напряжения на
входе С е высокого уровня на низкий;
Рис. 5-110. Функциональная схема однотактного четырехразрядного
регистра сдвига (а) и временная диаграмма работы (б).
— /)г микросхемы К176ТМ2; Уст. 1 — постоянный уровень логиче-
ского 0.
к входу С приложен низкий уровень напряжения, длительность
которого после снятия сигнала установки должна быть достаточной
для записи информации в триггер приема по входу D (не менее 1 мкс).
Целители частоты. Однотактпые делители частоты с последова-
тельным переносом являются наиболее простыми по схемотехнической
реализации. Они выполняются на D-триггерах путем соединения
выходов предыдущих разрядов со входам,! последующих разрядов.
Коэффициент деления такого делителя рагеи /(дел = 2", где п — число
разрядов делителя.
Схема однотактного делителя частоты на 2 и временная диаграмма
его работы показаны на рис. 5-113, делитель выполнен на микро-
схеме К176ТМ2.
Одпотактпый делитель частоты на 8 с последовательным перено-
сом и временная диаграмма его работы приведены на рис. 5-114, дели-
тель выполнен на 3/а микросхемах К176ТМ2,
640
Делители с групповым переносом. В делите-
лях с групповым переносом входные импульсы поступают на общую
для всех разрядов шину. Поступление входных импульсов на входы
разрядов данной группы определяется состоянием управляющего
выхода предыдущей группы разрядов. На микросхемах серии К176
наиболее целесообразно построение делителей с групповым переносом
Рис. 5-112. Функциональная схема разряда двухтактного регистра
на микросхеме К176ТМ2 (а) и временная диаграмма работы (б).
с небольшими коэффициентами деления (от 4 до 10) на схемах регистров
сдвига с перекрестными связями.
Пример делителя на 6 с групповым переносом на регистре с пере-
крестной связью, выполненного на микросхемах К176ТМ2, и времен-
ная диаграмма работы делителя приведены на рис. 5-115.
Л
Уст. 0- __£
Рис, 5-113. Функциональная схема однотактного делителя на 2 (а)
и временная диаграмма работы (б).
i'cm. 1 — постоянный уровень логического нуля.
Схема имеет 6 устойчивых состояний и под действием импульсов,
поступающих на ее вход, последовательно переходит из одного состоя-
ния в другое, обеспечивая деление входных импульсов на 6.
Делители на регистрах с перекрестной связью имеют четный коэф-
фициент деления /Сдел = 2и, где п — число разрядов.
Получение нечетного коэффициента деления /<дел =2/1—1 дости-
гается за счет введения дополнительной обратной связи с прямого
выхода старшего разряда на вход установки нуля младшего разряда.
642
Схема делителя с групповым переносом на 5, выполненная на
микросхемах К176ТМ2, и временная диаграмма работы делителя при-
ведены на рис. 5-116.
Реверсивный счетчик. Схема реверсивного счетчика па 5 приве-
дена на рис. 5-117.
Она предназначена для подсчета разности количества импульсов
двух последовательностей по входам Вх( и Вх2.
Реверсивный счетчик состоит из входного устройства (Dj — Ds),
делителя частоты (D6 — £>10), устройства управления (D22 — О2в),
Рис. 5-114. Функциональная схема однотактного делителя на 8 (а)
и временная диаграмма (б).
анализаторов каналов прямого и обратного счета (O2i, О24), анализа-
тора исходного состояния (_О20, £>37) и схемы начальной установки
(£>э, £>1з).
Входное устройство, представляющее собой схему сложения по
модулю 2, предназначено для запрещения подачи импульсов на вход
счетчика и запрещения прохождения информации на выход анализа-
торов каналов прямого и обратного счета в случае одновременного
прихода счетных импульсов по обоим каналам.
Для первоначальной установки счетчика в исходное состояние
на вход «Уст. О» необходимо подать уровень напряжения логической
единицы.
Делитель частоты представляет собой схему, выполненную на основе
делителя на 6 с перекрестными связями путем введения управляемой
схемы реверса, ’
21*
643
Устройство управления предназначено для исключения появления
ложных сигналов па выходах счетчика в случае срабатывания анали-
затора капала, по которому не производится счет.
Анализаторы каналов прямого и обратного счета настраиваются
на соответствующие комбинации счета и через схему ИЛИ подклю-
чаются к схеме начальной установки, которая осуществляет принуди-
тельную установку разрядов делителя в исходное состояние.
Рис. 5-115. Функциональная схема делителя на 6 с групповым пере-
носом (а) и временная диаграмма работы (б).
Сумматор. На рис. 5-118 показан пример реализации последова-
тельного сумматора с запоминанием переноса на трех микросхемах
К176ЛА7 и одной микросхеме К176ТМ2. Цифры суммы S и переноса
Р формируются по следующим булевым соотношениям:
S=“ ХгХ%РXiX2P;_i4-XiAaP/.i + XjXaPi-i’,
Р i = А'1Х2 + л1Х2/3г-_14- ХГХ2Р/-1,
где Pi “ перенос, сформированный в данном такте; — перенос,
сформированный в предыдущем такте.
Цифра переноса в данном такте сложения запоминается на триггере,
с выхода которого снимается сигнал переноса в следующем такте сло-
жения.
Распределитель импульсов. Распределитель импульсов предназна-
чен для использования в многотактных электронных устройствах
644
и представляет собой распределитель входной последовательности
импульсов на четыре выходные шипы.
Распределитель построен па микросхемах К176ЛА7, К176ЛА9,
К176ТМ2, К176ЛЕ5 и приведен на рис. 5-119. Временная диаграмма
работы представлена на рис. 5-120. При подаче на вход «сброс» напря-
жения логической единицы инверторы Da и D6 закрываются и входная
последовательность импульсов в распределитель пройти не может,
при этом на выводе 6 микросхемы £>2 и на выходе 9 микросхемы D3
Рис. 5-116. Функциональная схема делителя на 5 с групповым пере-
носом (а) и временная диаграмма работы (б).
уровень сигнала соответствует напряжению логической единицы. Схема,
собранная па элементах De и О7, «запоминает» это состояние и через
цепь обратной связи на элемент Dt подготавливает входную часть схемы
к следующему такту работы.
При подаче на вход «сброс» напряжения логического нуля на эле-
менты D3 и 1)3 подается разрешающий сигнал напряжения логической
единицы и последующий входной импульс, проходя через элемент С‘а
или Ds, на два входа которого в предыдущем такте были поданы сигналы
Ubx, изменяет выходной сигнал соответствующего элемента (Гл£ или D:,).
Эта информация запоминается схемой DK, D? для подготовки входной
части схемы к следующему такту и т. д. Выходные сигналы с элементов
645
I I
Q S
C4S
Рис. 5-118. Схема электрическая функциональная последовательного
сумматора.
Р1 £?и — микросхемы К176ЛА7; Di2 — микросхема К176ТМ2; Цепь А —
постоянный уровень логической единицы; Уст. 1 — постоянный уровень ло-
гического нуля.
Рис. 5-119. Функциональная схема распределителя импульсов.
Di, — микросхема К178ЛА7; D2, D3, De — микросхема К176ЛА9:
Ds, Dj —• микросхема K176TM1; 2?ю — D1$ — микросхема К176ЛА7.
647
Di11 Гу управляют состоянием триггеров Г8 и Do и вместе с выходными
сигналами этих триггеров управляют
выходными элементами О1П,
/Ль О12, Dls, обеспечивая
выдачу выходных импульсов.
Синхронизация работы
устройств обработки дискрет-
ной информации осуществ-
ляется за счет введения так-
тирующего генератора, обес-
печи в ающего формирован ие
последоЕ<ательностей такто-
вых игипульсов и их размно-
жение при разбиении синхро-
низируемых элементов памя-
ти (ЭП) на группы. Количе-
ство ЭП в каждой группе оп-
ределяется коэффициентом
разветвления усилителей так-
товых импульсов схемы раз-
множения.
Рис. 5-120. Временная диаг-
рамма распределителя им-
пульсов.
В качестве усилителя тактовых импульсов может быть использована
схема мощного инвертора, приведенная на рис. 5-109, собранная на
базе микросхемы К176ЛП1.
Коэффициент разветвления Aps3, дрн такого инвертора определяется
по формуле
Коб-0,29Рдоп
2 - С-МОНТ
ыи. пг
''паз. дин — 7—— ,
'-вх
где /<0б ™- число объединяемых элементов микросхемы; Рц0П — пре-
дельно допустимая мощность на один логический элемент, мкВт; Ни. п —
напряжение питания, В; р — рабочая частота, мГц; Смонт—емкость
монтажа, пФ; Свх — максимальная емкость одного входа микро-
схемы, пФ.
Суммарная емкость нагрузки усилителя при использовании его
в качестве усилителя тактовых импульсов и при /<од не менее 3 должна
быть не более 450 пФ (для Смонт = 50 пФ это соответствует Араз,дин
50) при обеспечении величины максимально допустимого /Пот,дии
не более 2 мА.
Синхронизация однотактных схем может осуществляться следую-
щими способами: последовательным, параллельным, комбинированным.
Схема организации тактового питания при последовательном спо-
собе синхронизации приведена на рис. 5-121. Исходная тактовая частота
подается на вход п последовательно включенных усилителей мощности,
выходы которых подключаются к синхронизирующим входам элементов
памяти (ЭП) таким образом, что выход первого усилителя мощности
подключается ко входам n-й группы ЭП," выход второго усилителя
мощности ко входам п — 1 и т. д„ а выход л-го усилителя мощности
648
ко входам первой группы ЭП. ЭП должны разбиваться на группы
в соответствии с направлением передачи информации.
При наличии обратных связей между последующими и предыду-
щими группами перед ЭП, на входы которых поступает обратная связь,
необходимо устанавливать согласующие элементы, представляющие
собой триггеры, управляемые уровнем логической единицы. Согласую-
Рис. 5-121, Схема тактового питания при последовательном способе
синхронизации.
щий элемент должен синхронизироваться тактовой частотой той группы
ЭП, на которую подается обратная связь.
При параллельном способе синхронизации исходная тактовая
частота подается на вход усилителя мощности, выход которого подклю-
чается ко входам п усилителей мощности, выходы последних в свою
очередь подключаются также ко входам усилителей мощности и т. д.
Рис. 5-122. Схема преобразования уровней для сопряжения микросхем
серии К176 с микросхемой типа ТТЛ.
£>i, £>2 — микросхемы К176ЛП1, выводы 4, 7, 9 микросхемы Dt подключаются
к шине «Земля», вывод 14 микросхемы Di подключается к шине = 9 В;
D3 — микросхема серии К134.
Число каскадов схемы размножения тактовых импульсов опреде-
ляется количеством синхронизируемых ЭП и коэффициентом разветвле-
ния /<раз усилителей мощности.
При параллельном способе синхронизации любой выходной уси-
литель может синхронизировать любую группу ЭП, однако в этом слу-
чае необходимо устанавливать согласующие элементы на входе каждого
ЭП, информация на который поступает от других групп.
При комбинированном способе синхронизации ЭП разбиваются
на группы, внутри которых синхронизация осуществляется последо-
вательным способом, а между группами — параллельным.
649
Сопряжение МС серии К176 с другими сериями. Сопряжение микро-
схем серии К176 с микросхемами типа ТТЛ, например, серии К!34
можно производить через схему преобразования уровней, приведен-
ную на рис. 5-122 и реализованную на двух микросхемах К176ЛП1.
Вход
о—
Рис. 5-123. Функциональная схема сопряжения микросхем серии
К134 и серии К176.
— микросхема К134ЛАЗ; D2 — микросхема К149КТ1В: Dg — микросхема
К 176Л Е5. Выводы 4, 14 микросхемы К134 ЛАЗ подключаются к £/и п = -|- 5,0 В.
а вывод 14 микросхемы К176ЛЕ5 к ии п s= -J- 9,0 В: вывод // микросхемы
К134ЛАЗ, выводы 7, 5 микросхемы К176ЛЕ5 и выводы 13, 14 микросхемы
К149КТ1В подключаются к шине «Земля».
Выход каждой схемы преобразования уровней может быть нагружен
не более чем на один логический элемент микросхем типа К134ЛА2.
Сопряжение микросхем серии К176 с микросхемами серий К.155,
К158 осуществляется через схему преобразования и микросхему серии
К134, приведенную на рис. 5-122.
Un. п — 9,0 В
Рис. 5-124. Функциональная схема сопряжения микросхем серии
К176 и серии К149, работающей в режиме усилителя индикации.
Di — микросхема К.176ЛП1; D,. D, — микросхема К.149КТ1В.
Выход микросхемы К134ЛА1 может быть нагружен не более чем
па один вход микросхем К155ЛА1, К155ЛА7, К155ЛА8 и не более чем
па четыре входа микросхемы К158ЛА1.
Сопряжение микросхем серии К134 с микросхемами серии К176
может быть осуществлено через микросхему К149КТ1В по схеме, при-
веденной па рис. 5-123.
(650
На рис. 5-124 приведена схема сопряжения мощного инвертора
на базе К176ЛП1 с микросхемой К149КТ1В, работающей в режиме
усилителя индикации.
На рис. 5-125 приведена схема работы микросхемы К149КТ1В на
лампу накаливания типа СМН6,3-20. Управление микросхемой
К149КТ1В производится от мощного инвертора на базе микросхемы
К176ЛП1.
иы=9,0В
Рис. 5-125. Функциональная схема сопряжения микросхем серии
К176 с микросхемой серии К149, работающей на лампу накаливания.
D, — микросхема К!76ЛП1; Ds, Ds — микросхема К149КТ1В.
Для работы микросхем серии К176 на мощные элементы целесо-
образно применять схему, приведенную на рис. 5-126, выполненную
на микросхемах серии К149. Запуск схемы осуществляется от мощного
инвертора, образованного параллельным соединением трех инверторов
микросхемы К176ЛП1. Напряжение питания (7И. п = 9,0 В ± 5%,
58 i 5 %
Рис. 5-126. Схема сопряжения микросхем серии К176 с микросхемами
серии К149.
Л), — Z)2 — микросхема К149К.Т1В.
Выходной ток схемы не должен превышать 75 мА; сопротивление
резистора /с, необходимое для обеспечения выходного тока, опреде-
ляется из соотношения
н~ ДН-0,15 ’
651
где /н не более 75 мА — ток нагрузки; R не менее 0,45 кОм — сопро-
тивление резистора Аф.
Мощность рассеивания резистора Ят должна быть не менее 0,25 Вт
при сопротивлении резистора до 600 Ом и не менее 0,125 Вт при сопро-
тивлении резистора более 600 Ом. Допустимое отклонение сопротив-
ления R от номинала должно быть не более ±5%.
Для запуска реле может быть применена схема, приведенная
на рис. 5-126.
Она обеспечивает запуск реле с параметрами по току не более 75 мА
и по напряжению не более 15 В с учетом допустимого отклонения на-
пряжения источника питания.
При выборе типа реле необходимо учитывать изменение сопротив-
ления обмотки реле от температуры.
Приведенная схема обеспечивает, например, запуск реле типа
РЭС-44. Реле включается вместо изображенного на схеме рис. 5-126
сопротивления нагрузки /?н. Напряжение питания выходного тран-
зистора от перегрузок по напряжению реле необходимо зашунтировать
диодом типа 2Д5С9А. Напряжение питания Ua пз должно быть 12 В ±
± 10%.
Указания по построению линий связи между микросхемами. При
конструировании аппаратуры на микросхемах серии К176 необходимо
учитывать, что емкость связи между проводниками, соединяющими
микросхемы-передатчики с микросхемами-приемниками информации,
является емкостью нагрузки для микросхем, передающих информацию,
увеличение которой приводит к увеличению динамического тока потреб-
ления микросхемами, и не должна превышать 100 пФ для исключения
влияния перекрестных помех между одиночными проводниками в асин-
хронных устройствах.
При конструировании аппаратуры на базе микросхем серии К176
необходимо предусматривать защиту от попадания импульсных помех
на 7 и 14 выводы микросхем, для чего в цепях питания рекомендуется
устанавливать развязывающие конденсаторы, одновременно низко-
частотные и высокочастотные. Типы конденсаторов и их емкости выби-
раются в зависимости от конструкции аппаратуры.
Ориентировочно емкости конденсаторов можно выбирать из расчета:
низкочастотного — 2,2 мкФ на каждые 50 шт. микросхем; высоко-
частотного — 0,68 мкФ также на каждые 50 шт. микросхем.
Развязывающие конденсаторы рекомендуется устанавливать рав-
номерно по площади печатной платы, а также вблизи разъемов.
Электрические линии связи между микросхемами внутри блоков
могут быть выполнены печатным монтажом и навесными проводами.
При смешанном монтаже (печать и навесные провода) рекомендуется
прокладывать провода перпендикулярно к печатным проводникам
на плате.
Система земляных шин и шин питания должна иметь минимально
возможные сопротивления и индуктивности (при максимально возмож-
ной емкости между ними).
Проводники тактовых импульсов длиной более. 30 см в жгутах
должны быть экранированы (каждый в отдельности). Длина проводника
выбирается исходя из предельно допустимой емкости нагрузки для уси-
лителя тактовых импульсов по формуле
СМ01П ~
о,29РдопЛ
lA.
— их
^>раз.
дни-
652
Длина проводников между микросхемами
предельно допустимой емкости нагрузки;
выбирается исходя из
(О _____^34РДОП
'“'МОНТ — , .<> ~
Ьй. пГ
^вх^раз- дни*
В однотактных синхронных устройствах и блоках допускается
в жгутовых линиях связи, содержащих информационные и тактовые
цепи, выполнять информационные цепи неэкранированными провод-
никами.
Переход от D-триггеров на жгут, состоящий из проводников длиной
более _ 30 см, должен осуществляться через инвертор микросхемы
Если емкость проводников жгута или кабеля превышает предельно
допустимую емкость нагрузки одиночного инвертора, следует осущест-
влять переход от D-триггеров на линию связи через усилитель, схема
которого приведена на рис. 5-109, а.
Во всех случаях емкость линии связи не должна превышать пре-
дельно допустимую емкость нагрузки для элемента, с которого осу-
ществляется переход на линию связи.
МИКРОСХЕМЫ СЕРИЙ К131, К155, К1Г.З
Рекомендации по подключению неиспользованных входов. Для
обеспечения максимального быстродействия и помехоустойчивости не-
используемые входы должны находиться под постоянным потенциалом.
Это позволяет исключить перезарядку емкости разомкнутого эмиттера
входного транзистора относительно выводов схемы, которая увели-
чивает задержку сигнала.
Существует целый ряд методов включения неиспользуемых входов.
Напряжение питания, ограниченное до значения 4,5 В, позволяет
подключать неиспользуемые входы непосредственно к источнику
питания.
Если напряжение источника питания превосходит 4,5 В, то из-за
опасности пробоя входа следует ограничить ток сопротивлением более
1 кОм. При этом к одному резистору может быть подключено до
20 входов.
Неиспользованные входы можно соединить с используемым входом
того же логического элемента, если при этом не будет превышена нагр\ -
зочная способность при выходном напряжении, соответствующем уровню
логической единицы.
Неиспользуемые входы могут быть подключены к выходу неисполь-
зуемой инвертирующей микросхемы, на вход которого подается напря-
жение логического пуля. При необходимости на отдельные неисполь-
зуемые входы микросхем серии К155 подается напряжение логическою
нуля, что определяется таблицей истинности соответствующей микро-
схемы.
Если у микросхем, выполняющих функции И-ИЛИ-НЕ, не исполь-
зуется одна из схем И, то ее входы необходимо заземлить. Неисполь-
зуемые входы для подключения расширителей остаются незадейство-
ванными.
653
Рекомендации по допустимым значениям фронта и среза входного
сигнала. Сигналы, которые поступают на вход микросхемы, должны
удовлетворять определенным требованиям, так как в противном случае
не может быть обеспечена безотказная работа элементов. Это в особен-
ности относится к случаю, когда МС управляются от внешних источ-
ников. Особенно критичными являются в данном случае длительности
фронта г. спада входных сигналов.
Для МС серий К.131, К155 допустимая длительность фронта и среза
входного сигнала не должна превышать 150 нс (кроме ИС К155ЛА7,
К155ЛА8). Для микросхем К155ЛА7, К155ЛА8 длительность фронта
и среза входного сигнала не критична.
Однако при запуске МС серий К131, К155 от ИС К155ЛА7,
К155ЛА8 длительность фронта и среза выходного сигнала последних,
зависящая от длительности фронта и среза входных сигналов, не должна
превышать 150 нс.
Для микросхем серии К158 максимальная длительность фронта
и среза входного сигнала: для триггеров — 150 нс; для логических
элементов — 500 нс.
Рекомендации по обеспечению коэффициентов разветвления. Для
обеспечения работоспособности логических микросхем различных серий
друг от друга при условии сохранения параметров микросхем, огово-
ренных в технических условиях на них, необходимо выполнять для всех
условий эксплуатации следующие требования:
а) Выходные напряжения микросхем-генераторов в открытом и
закрытом состоянии при определенном токе (зависит от количества
нагрузок) должны соответствовать входным пороговым напряжениям
закрытого и открытого состояния микросхемы-нагрузки с учетом
величины напряжения помехи, т. е.
Двых. г === Дпор— Uni
6'вых. г 2=.’ C'nop-f-f/n,
где Ь'вых. г и Ulax.r — выходное напряжение микросхемы генератора
соответственно в открытом и закрытом состоянии; [/пор и (Упор — соот-
ветственно порог отпирания и запирания по напряжению микросхемы-
нагрузки; Un и Un — соответственно допустимое напряжение помехи
на отпирание и запирание микросхемы-нагрузки.
б) Значение суммарных токов всех микросхем-нагрузок, подклю-
ченных к выходу микросхемы-генератора, не должно превышать зна-
чений выходных токов микросхемы-генератора в открытом и закрытом
состояниях:
«раз
/вых. Г Jjj /вх. н<>
i = 1
«раз
IВЫХ. Г 2& 2 /вх. К I )
i=l
где /и,1х. г и /вых. г -- соответственно выходные токи микросхемы-гене-
ратора в открытом и закрытом состоянии; /вх.н/ и/вх.щ — соответ-
ственно входные токи микросхемы-нагрузки в закрытом и открытом
состоянии для одного логического входа; Д'раз — число логических вхо-
654
дов микросхем-нагрузок, подключаемых к выходу микросхемы-генера-
тора.
в) Значение суммарной емкости входов микросхем-нагрузок (с уче-
том емкости монтажа), при которой регламентируются временные
параметры, т. е,
^раз ^раз
Сн. г 2 Свх. нГ + 2
( = 1 i = 1
где Сн.г — емкость нагрузки микросхемы-генератора, при которой
гарантируются временные параметры (15 пФ); Свх.н.; —максималь-
ная емкость входа микросхемы-нагрузки (примерно 3 пФ); См; — ем-
кость монтажа одного входа микросхемы-нагрузки относительно вы-
хода микросхемы-генератора.
При необходимости суммарная емкость нагрузки ИС-генератора
может достигать максимальной емкости нагрузки 200 пФ, но дина-
мические параметры при этом не регламентируются.
Коэффициент разветвления микросхемы-генератора при совмест-
ной работе логических микросхем друг на друга определяется меньшим
числом из значений Араз, Араз в соответствии с выражениями:
„О /вых. г
Лраз = —й----->
I ВХ. II
V-1 1 вых. г
Лраз = —।-----;
I вх. в
гл С.Ь Г С М
Лс-----у. ,
н
где Араз, Араз — соответственно нагрузочные способности по току
микросхемы-генератора в открытом и закрытом состоянии; Кс — емкост-
ная нагрузочная способность микросхемы-генератора.
При объединении нескольких входов одного логического элемента
И ток /в'х остается неизменным, а ток /вХувеличивается пропорционально
числу объединяемых входов.
Входы и выходы микросхем серий К131, К.155, К158 могут быть
подключены к любым элементам пли схемам на дискретных компонен-
тах, в том числе, например, к транзисторам, диодам, трансформаторам,
резисторам, контактам реле и т. д., если величина и форма напряжения
и тока на входе и выходе ИС удовлетворяют требованиям технических
условий. С целью соблюдения требований технических условий к вход-
ным и выходным сигналам микросхем серий К131, К155, К158 необхо-
димо проектировать схемы на дискретных компонентах таким образом,
чтобы исключить появление выбросов напряжений и токов, превышаю-
щих допустимые значения на входах и выходах МС, а также требования
по фронту и спаду импульсов.
Значения коэффициентов разветвлений при работе МС различных
серий друг на друга приведены в табл. 5-8—5-13.
Рекомендации по объединению микросхем но выходу. Схема объ-
единения микросхемы К155ЛА8 по выходу представлена на рис. 5-127.
При подключении резистора Ai к элементам микросхемы К155ЛА8
реализуется функция И-НЕ, а при объединении нескольких элементов
по выходам реализуется функция И-ИЛИ-НЕ,
655
Таблица 5-9
Номер нагру- жаемой серии Тип микросхемы Тип нагрузки — входы МС серии К155
К.155ЛА1, К155ЛА2, К155ЛАЗ, К155ЛА4, К155ЛА6, К155ЛР1, К155ЛРЗ. К155ЛР4, К155КП7, И155ИЕ6. К155ИЕ7, К155ЛИ1, К155ИДЗ, К155КП5, К155ЛП5 К155ТВ1 К155ИЕ2 К155ИЕ4 К155ИЕ5 К155ИР1
3, 4, 5, 9, 10, 11 2, 12, 13 L ‘9 ‘9 ‘г те со' TJ. СО 2 1, 2, 3, 4, 5, 8, 9 СО
К155 К155ЛА1, К155ЛА2, К155ЛАЗ, К155ЛА4, К155ЛР1, К155ЛРЗ, К155ЛР4, К155ТВ1, К155ИЕ2, К155ИЕ4, К155ИЕ5, К155ИР1, К155ТМ5, К155ТМ7, К155ИЕ6, К155ИЕ7, К155ИЕ8, К155ТМ2 10 10 5 10 5 2 10 5 2 10 5 10 5
К155ЛА6 30 30 15 30 15 7 30 15 7 30 15 30 15
К155КП7 10 10 5 10 5 2 10 5 2 10 5 10 5
К155ИМ1, вых. 4 5, 6 5 10 5 10 2 5 5 10 2 5 1 2 5 10 2 5 1 2 5 10 2 5 5 10 2 5
К155ИМ2, вых. 10 1, 12 5 10 5 10 2 5 5 10 2 5 1 2 5 10 2 5 1 2 5 10 2 5 5 10 2 5
К155ИМЗ, вых. 14 2, 6, 9, 15 5 10 5 10 2 5 5 10 2 5 1 2 5 10 2 5 1 2 5 10 2 5 5 10 2 5
К155ЛИ1, К155ЛП5, I 10 | К155К.П5, К155ИДЗ | | 10 5 10 | 5 2 10 5 2 10 5 10 5
Таблица 5-10
Номер натру» жае- мой серии Тил микросхемы Тип нагрузки — входы МС серии К155
KJ55TM3 К155ТМ7 К155ИМ! К155ИМ2 К155ИМЗ К155ИЕ8 К155ТМ2
от 3, 12 2, 3, 6, 7 | 4, 13 2, 8, 9. И, 12, 13 13, 14 2, 3, 5 1, 7, 8, 16 3, 4, 10, 11, 13 1, 2. 3, 4, 10. 11, 12, 13, 14, 15 09 С9 со 4, 10 3 _10_
К155 К155ЛА1, К155ЛА2, К155ЛАЗ, К155ЛА4, К155ЛР1, К155ЛРЗ, К.155ЛР4, К155ТВ1, К155ИЕ2, К155ИЕ4, К155ИЕ5, К155ИР1, К155ТМ5, К155ТМ7, К155ИЕ6, К155ИЕ7, К155ИЕ8, К155ТМ2 5 2 5 2 10 2 10 2 10 2 10 5 10 5 5 15
К155ЛА6 15 7 15 7 30 6 30 7 30 7 30 15 30 15
5 2 5 2 10 2 10 2 10 2 10 5 10 5 10 ь
К155ИМ1, вых. 4 5 6 2 5 1 2 2 5 1 2 5 10 1 2 5 10 1 2 5 10 1 2 5 10 2 5 5 10 2 5 2 5 1 3
К155ИМ2, вых. 10 1 12 2 5 I 2 2 5 1 2 5 10 1 2 5 10 1 2 5 10 1 2 5 10 2 5 5 10 5 2 5 1 3 1 т
К155ИМЗ, вых. 14 2, 6, 9, 15 2 5 5 1 2 5 1 2 5 10 1 2 5 10 1 2 5 10 1 2 5 10 2 5 5 to 2 5 2 5 1
— — 2 10 2 1 10 5 10 1 10 1 °
К155ЛИ1, К155КП5, 1 К155ЛП5, К155ИДЗ 2 5 2 10 2 1
Таблица 5-11
Номер нагру- жаемой серии Тип микросхема
К131 К131ЛА1, К131 ЛАЗ, К131ЛР1, К131ЛРЗ, К131ЛР4, К131ЛАЗ, К131ЛА4
К131ЛА6
К131ТВ1
К131ЛН1, К131ТМ2
К158 Все типы
Тип нагрузки — входы МС серии К155
К155ЛА1, К155ЛА2, К155ЛАЗ, К155ЛА4, К155ЛА6, К155ЛР1, К155ЛРЗ, К155ЛР4, К155КП7, К155ИЕ6, И155ИЕ7, К155ЛИ1, К155ИДЗ. К155КП5, К155ЛП5 К153ТВ1 К155ИЕ2 К155ИЕ4 К155ИЕ5 К15ЕИР1
з, 4, 5, 9, 10, 11 2, 12, 13 04 Г- 2, 3 1. 14 1, 2, 3, 4, 5, 8, 9
12 12 6 12 6 3 12 6 3 12 6 12 6
28 ,28 14 28 14 7 28 14 7 28 14 28 14
14 14 7 14 7 3 14 7 3 14 7 14 7
12 12 6 12 6 3 12 6 3 12 6 12 6
2 2 i 1 2 1 I 2 1 1 — 2 1 2 1
Таблица 5-12
i Номер нагру- мой серии Тип микросхемы Тип нагрузки — входы m К155ТМ5 I Х155ТМ7 | Ю®ИМ1 | К1а5ИМ2 | KlaobM. К155ИЕ8 К155ТМ2 J К155ИД1
о"
01 ‘t , 1, 13 1
1, 2, 5, G Cl 70 г— 04 EI ‘<3 'Н ‘В ‘Е 1 13, 1-4 04 91 '8 ‘L Т 3, 4, 10. 1Н 13 1, 2, 3, 4, ЬД 15, 11, 12, 13, 14 С-1 07 ] 3, 11
6 и 12 6
2 Г2 3 12 3 12 6 12 6
К131 К158 К131ЛА1, К131ЛА2, К131ЛР1, К131ЛРЗ, К131ЛР4, К131ЛАЗ, К131ЛА4 6 3 б 3 1 'Ч-
К131ЛА6 14 7 14 7 28 5 28 7 28 7 28 14 28 14 17 11 28 14
К131ТВ1 7 3 7 3 14 2 И 3 14 3 14 7 14 7 8 5 14 7
3 12 3 12 6 12 6 6 4- 12 6 1
К131ЛН1, К131ТМ2 6 1 — 6 1 3 12 2 12 2
2 — — 2 — 2 1 1 2 1 2 1 2
| Все типы i
Таблица
Тип микросхемы
К155ЛА1, К155ЛА2
К155ЛАЗ, К155ЛА4,
К155ЛР1, К155ЛРЗ
К155ЛР4, К155ТВ1
К155ИЕ2, К155ИЕ4
К155ИЕ5, К155ИР1
К155ТМ5, К155ТМ7
К155ИЕ6, К155ИЕ7’
К155ИЕ5, RJ55TM2’
К155ЛА6*
К155
К155КП7
К155ИМ1, вых. 4
5, 6__________
К155ИМ2, вых. 10
1, 12
Тип нагрузки — входы МС серии К131 I тЛ? ~------------
---------------.--------—1 1 Тип н“"РУзки- входы МС серии К153
К13! ЛА1,
К131ЛА2,
К131ЛР1,
К131ЛРЗ,
К131ЛР4,
К131Л АЗ,
К131ЛА4
! 12
К13ИВ1
С!
К131ТАА2
К158ЛА1, К158ЛА2. К158ЛАЗ, К158ЛА4, К158ЛР1, К158ЛРЗ, К158ЛР4. К158ЛН1 KJ58TBJ
3- 4, 5, 9, 10, 11 2, 12, 13 j
K15STM2
10
со
10 J 6
и ‘01
10 10
6
2 4 2 4 2 4 h 2 ' 1
2 2 2 1 1 1
4 4 4 ! 2 2 1
К155ИЛ13, еых. 14
2, 6, 9, 15
К155ЛИ1, К155ЛП5,
К155КП51
К155ИДЗ ---------
2 2 2
4 4 4
e 8 6
6 8 6
12 | 6 6 i 60 | 60 i 20 i 60 30 30 1 20 1 i 22 i 30 : 13j 25
8 4 5 40 | 40 1 16 1 40( 25 j 20! 16
2 1 4 2 1 2 10 20 10 20 3 1 10j 5 5 6 201 10 10 3 6 5| 5 10 | Ю
2 1 4 2 1 2 10 20 10 20 3 6 10| 5 5 20j 10 10 3 6 5l 5’ 10| 10
2 1 4 2 1 2 10 20 10 20 6 10 20 5 5 ! 3 5 5 10 10
10 10 6
8 j 4 4 40 40 13 40 20 i 20 j о 13 I 20 i
р [ [ -t j 40 40 [ 13 ,40120120,! 13 J 13; 20"
Таблица 5-14
К
ч
4
4
4
2
2
- I
2
; Номер нагружае- мой схемы Тип микросхемы Тип нагрузки — входы МС серии К131 Тип нагрузки — входы МС серии K1S8
К131ЛА1, К131ЛА2, К131ЛР1, К131ЛРЗ, К131ЛР4, К131 ЛАЗ, К131ЛА4 К131ЛН! K131TBI K13ITM2 К158ЛА1, К158ЛА2, К158ЛАЗ, К158ЛА4, К158ЛР1, К158ЛРЗ, К158ЛР4, К158ЛН1 К158ТВ1 К158ТМ2 К158ТР1
5. 4, 5, 9, К), 11 2, 13 со е-1 3, 11 | 4, 10 | 3, 4, 5, 9, 10, И 2, 12, 13 1 2, 12 4, 10 со СО 2, 12, 13 3, 4, 5, 9, 10, 11
К131ЛА1, К131ЛА2, К131ЛР1, К131ЛРЗ, К131ЛР4, К131ЛАЗ, К131ЛА4 10 10 5 2 2 1 5 2 2 25 25 8 25 12 12 о 12 25
K131 К131ЛА6* 20 20 20 10 10 6 20 10 10 70 70 23 70 35 35 23 27 50
К131ТВ1 10 10 7 3 3 2 7 3 3 35 35 11 35 17 17 11 17 25
К131ЛН1, К131ТМ2 8 10 5 2 2 1 2 2 25 25 8 25 12 12 8 12 25
К158 Все типы 1 2 1 __ 1 — 2 1 1 10 10 3 10 О 5 3 3 5
о коэффициент разветвления выбирается не более
учета емкости монтажных проводников С .
указанного в таблице с учетом обеспечения £vH — Си>п1ах, без
Значение резистора /ф выбирают в зависимости от требуе,мого коэф-
фициента объединения по выходу К'об и числа нагрузок Краз в соот»
ветствии с формулой
^и. п. Макс—t/вых р ^/и. п. мин— t/вых
/вых— /вхКраз /вх/Сраз + /выхАоб
где /Сраз — фактический коэффициент разветвления по выходу; Kog —
коэффициент объединения по выходу; /вх, /вх, /вых, /вых — входной
и выходной токи, мА; Rt — резистор, кОм.
Сопротивление резистора /?, выбирается таким образом, чтобы при
напряжении логической единицы на выходе токи утечки выходных
транзисторов и входные токи сле-
дующих входных эмиттеров тран-
зисторов создавали на резисторе
падение напряжения Ur, < 2,35 В,
чтобы при любых условиях на вхо-
де микросхем обеспечить напряже-
ние логической единицы. Кроме
того, величина резистора R, долж-
на быть такой, чтобы при напря-
жении логического нуля на выхо-
де ячейки ток через резистор R, и
нагрузочный ток от входов микро-
Рис. 5-127, Схема объединения по
выходу микросхем К155ЛА8,
Di, — микросхема К155ЛА8; D3 -~
микросхема К) 55 Л АЗ.
схем-нагрузок не превышал максимально допустимую величину то-
ка коллектора 16 мА.
Рассчитанные по вышеприведенной формуле значения резисторов
в зависимости от /Сраз и Коб приведены в табл. 5-15.
При подключении к выходу микросхемы К155ЛА8 входов микро-
схемы серии К158 значение R,, выбранное в соответствии с табл. 5-14,
следует увеличить в 2 раза, а при подключении входов микросхем
серии К131 уменьшить в 2 раза.
При нагрузке микросхемы К155РУ1 на другие типы микросхемы
серии К155 между выходным выводом микросхемы К155РУ1 и источ-
ником питания должен быть подключен резистор, величина которого
также определяется по вышеприведенной формуле.
Максимальное число объединений по схеме «монтажное ИЛИ»
без учета ухудшения динамических параметров микросхемы опреде-
ляется значениями выходных и входных параметров и рассчитывается
по формуле
t/и. п t/вх ,1 ,,
-----~_________/ вхА раз
_______________ Ан.мин_-_ _
/вых
662
Таблица 5-15
Сопротивление нагрузочного резистора (кОм) при объединении К
выходов (Ко§ ВЬ!Х) МС типа К155ЛА8
Максимальное
123456789 10
1
2
3
4
5
б
7
8
9
1,62
1,58
1,53
1,49
1,45
1,41
1,37
1,36
1,33
1,29
1,26
1,23
1,20
1,18
1,17
1,15
1,12
1,10
1,07
1,05
1,030
1,010
0,990
0,972
0,955
0,937
0,917
0,901
0,887
0,872
0,857
0,843
0,827
0,814
0,802
0,790
0,778
0,354
0,398
0,455
0,532
0,638
0,797
1,060
1,600
3,190
где К—максимальное число объединений; [7?н.мня — минимальное
значение сопротивления нагрузки, включаемого в цепь «источник
питания — коллектор выходного транзистора усилителя считывания»
микросхем К155РУ1:
All. мин— о 0
1 вых — J вхЛ раз
При большом количестве объединяемых с помощью «монтажного
ИЛИ» выходов МС необходимо учитывать зависимость динамических
параметров МС от величины емкости самих МС и емкости монтажа.
Рис. 5-128. Схема работы параллельно включенных элементов.
б)
Для увеличения нагрузочной способности МС допускается объеди-
нять входы и выходы двух логических элементов МС, находящихся
в одном корпусе. При этом нагрузочная способность увеличивается
в 1,9 раза. Схемы применения приведены на рис. 5-128, а, б.
Для построения запоминающих устройств с количеством разрядов
в информационном слове более одного для микросхемы К155РУ1 адрес-
663
ные и управляющие входы МС объединяются в пределах нагрузочной
способности управляющих элементов.
Работа МС на линии задержки. Для работы на линии задержки
рекомендуется применять микросхему К155ЛА8 в соответствии со
схемой, приведенной на рис. 5-129.
Рис. 5-129. Схема включения линии задержки на выходе элемента
К155ЛА8.
— микросхема К155ЛА8; Ds — микросхема К155ЛАЗ; L — линия задержки
МЛЗ-1-600.
Рекомендуемые линии задержки типов ИЛЗ и ЛЗТ с волновым
сопротивлением 600 Ом и временем задержки не более 1 мкс.
Длительность входного импульса должна быть:
не менее 0,5 мкс для времени задержки более 0,5 мкс;
не менее 0,3 мкс для времени задержки от 0,1 до 0,5 мкс;
не менее 0,15 мкс для времени задержки меньше 0,1 мкс.
Рис. 5-130. Схема каскадного включения линий задержки.
Он £>2 — микросхема К155ЛА8; D, — микросхема К155ЛАЗ; At, !-> — линия
задержки МЛЗ-1-600.
При необходимости иметь время задержки более 1 мкс реком:н-
дуется включать несколько линий задержки по схеме, приведенной
на рис. 5-130.
На выходе линии задержки допускается подключать только один
вход микросхемы серии К155.
Допускается подключение одного входа любой микросхемы серии
К155 к любому отводу линии задержки, при этом согласующий резистор
ставится на конце линии. Сигнал рекомендуется снимать с одного отвода
линии или только с конца линии задержки. Через линию задержки
сигнал необходимо передавать низким уровнем.
Работа МС на реле. На рис. 5-131 приведена схема согласования
микросхемы К155ЛА7 с реле типа РЭС-64А.
664
На рис. 5-132 приведена схема согласования микросхемы К155ЛЛ8
с реле типа РЭС-48.
Рис. 5-131. Схема согласования
микросхемы К.155ЛА7 с реле
типа РЭС64А.
U,..nl 5В±5°/а
Рис. 5-132. Схема согласования
микросхемы К155ЛА8 с реле
типа РЭС48,
Работа МС на элементы индикации. В качестве элементов индика-
ции логических сигналов рекомендуется применять лампу накаливания
Рис. 5-133. Схема согласования
микросхемы К155ЛА7 с лампой
накаливания.
Рис. 5-134. Схема согласования
микросхемы К155ЛА7 с инди-
катором накаливания ИВ-9.
типа НСМ6,3-20. Рекомендуемая схема включения приведена на
рис. 5-133. Лампа горит при наличии высоких уровней напряжения
ЗЛЮ 2 Б
Рис. 5-135. Схема индикации с применением светодиода при включе*
иии от высокого уровня напряжения.
D — микросхема К155ЛЛ8 или К155ЛА7.
на входах микросхемы К155ЛА7. На рис. 5-134 приведена рекомендуе-
мая схема согласования микросхемы К155ЛА7 с индикатором накали-
вания ИВ-9,
665
В случаях, когда удовлетворяет красный цвет свечения индикатора
и не предъявляется высоких требований к его яркостным характерис-
тикам, рекомендуется в качестве элемента индикации логических
сигналов применять светодиод ЗЛ102Б.
Схема индикации с применением светодиода при включении от высо-
кого уровня напряжения приведена на рис. 5-135. В этой схеме можно
также применять микросхемы К155ЛА1, К155ЛА2, К155ЛАЗ,
К155ЛА4, К155ЛА6.
Рис. 5-136. Схема индикации с
применением светодиода при
включении от низкого уровня
напряжения.
D — микросхема К155ЛА8 или
К155ЛА7.
12,бВ±10%
Рис. 5-137. Схема сопряжения
микросхемы К155ЛА8 с клю-
чевым транзисторным каска-
дом.
Схема индикации с применением светодиода при включении от низ-
кого уровня напряжения приведена па рис. 5-136.
Схемы согласования микросхем К155ЛА8, К155ЛА7 с ключевыми
транзисторными каскадами приведены на рис. 5-137, 5-138.
На рис. 5-139 приведены схема расширения входного импульса до
заданной величины и диаграмма, поясняющая принцип работы этой
схемы. -
На рис. 5-140 приведена схема формирования коротких импульсов
по срезу входного сигнала, выполненная на микросхемах К155ЛА7,
К155ЛА8. Схема предназначена для
и,.п 58+5%
формирования импульсов длитель-
ностью 0,9 — 1 мкс по срезу вход-
ного сигнала. Выделение импульсов
осуществляется за счет введения в
схему емкости С, обеспечивающей
задержку распространения сигнала
на указанную величину времени.
Рис. 138. Схема сопряжения мик-
росхемы К155ЛА7 с ключевым
транзисторным каскадом.
На рис. 5-141 приведены схема формирования коротких импульсов
и диаграмма, поясняющая принцип работы этой схемы.
Схема формирователя импульсов по фронту и срезу входного сиг-
нала, а также временная диаграмма работы приведены па рис. 5-142,
666
На рис. 5-143, 5-144 приведены схемы генераторов прямоугольных
импульсов и диаграммы, поясняющие принцип работы этих схем.
На рис. 5-145, 5-146 приведены схема генератора одиночных импуль-
сов и диаграмма, поясняющая принцип работы схемы, выполненная
па микросхемах К155ЛАЗ, К155ЛР1. f
Рис. 5-139. Устройство расширения входного импульса. Схема рас-
ширения входного импульса (а) и временная диаграмма (б).
Cj — выбирается в зависимости от выходной длительности импульса; —D& —
микросхема К155ЛА8.
На рис. 5-147 приведена схема устранения дребезга контактов,
выполненная на микросхеме К155ЛАЗ.
Для передачи информации между устройствами при значительном
удалении между ними рекомендуется применять микросхему
К109ЛИ1 (А, Б), которая работает непосредственно от микросхемы
серии К155 и может быть нагружена
коаксиальный кабель с волновым
сопротивлением 75 0м.
Для облегчения режима работы
микросхемы К109ЛИ1 при работе
на кабель рекомендуется передачу
информации осуществлять высоким
уровнем сигнала. При использова-
Рис. 5-140. Схема формирователя
коротких импульсов по срезу вход-
ного сигнала.
Dt — микросхема К155ЛА7; Dz —
микросхема К155ЛА8.
на микросхемы серии К.155 через
иии схемы рис. 5-148, а длительность импульса должна быть не ме-
нее 200 нс; при использовании схемы рис, Б-148, б длительность им-
пульса не менее 1 мкс.
При работе МС на согласованный кабель с волновым сопротивле-
нием 75 0м по схеме рис. 5-148, а непосредственно нз выход кабеля
допускается подключать не более четырех входов МС серии К155,
а по схеме рис, 5-148, б — один вход.
667
Максимальная длина кабеля по схеме рис. 5-148, а выбирается
таким образом, чтобы падение напряжения на кабеле не превышало
50 мВ.
Максимальная длина кабеля по схеме рис. 5-148, б не более 100 м.
Неиспользуемые входы микросхемы К109ЛИ1 /допускается под-
ключать к источнику питания +5В± 10%.
Рис. 5-141, Схема формирователя коротких импульсов (а) и временная
диаграмма работы (б).
Ct — конденсатор выбирается в зависимости от выходной длительности
импульса; — микросхема К155ЛА7; Д>2 — — микросхема К155ЛА8.
Микросхема КЮ9ЛИ1 может быть нагружена на МС серии К.155
через экранированный провод типа МГШВЭ. На выход экранирован-
ного провода допускается подключать не более двух входов МС серии
К155 при длине провода 5 м и не более одного входа при длине провода
до 30 м.
Схема включения приведена на рис. 5-149, а, б.
Рекомендации по обеспечению помехоустойчивости при конструи-
ровании аппаратуры. Разводка питающего напряжения узлов и блоков,
выполненных на МС серии К155 (шин «земля» и «питание»), должна
производиться проводниками с возможно более низким сопротивлением.
При использовании многослойных печатных плат рекомендуется
разводку шин «питание» производить в одном слое, а шин «земля»
668
Рис. 5-142. Схема формирователя импульсов по фронту и срезу вход-
ного сигнала (а) и временная диаграмма работы (б).
— D, .— микросхема К155ЛАЗ; D, — микросхема К155ЛР1; —
— хи+ (ЗД,р; ~ т ~ ги.вх ~ ТВ2 — ^Зд.р-, ТН1 = ти4 — п1зЦ<р +
4- (п — IX з'ц, р> п — четное число элементов, участвующих в задержке сигналов.
Рис. 5-143. Схема генератора прямоугольных импульсов (1 вариант)
(а) и временная диаграмма работы (б).
Dt — D, — микросхема К.155ЛА8; О4 — микросхема К155ЛАЗ; Ct — конден-
сатор выбирается в зависимости от выходной длительности импульса (не более
0,003 мкФ).
669
Рис. 5-144. Схема генератора прямоугольных импульсов (II вариант)
(а) и временная диаграмма работы (б).
С( — конденсатор выбирается в зависимости от выходной длительности им-
пульса (пе более 1 мкФ); Z>, — Dt —микросхема К15.5ЛА8; Ds — микросхема
К155ЛАЗ; Rt — резистор 1 кОм + 10%; U — источник питания -)-5В I 5%.
Рис, 5-145, Схема генератора одиночных импульсов.
670
Рис, 5-146. Временная диаграмма работы iоператора одиночных им-
пульсов.
Рис, 5-147. Схема устранения дре-
безга контактов,
ии.п БВ±57°
671
в другом соседнем; шины располагать одну над другой1 При наличии
свободной площади в слое рекомендуется использовать ее для увеличе-
ния поверхности шины «земля».
Рис. 5-148. Схема включения согласованного кабеля РК-75 на выход
элемента К109ЛИ1 (А, Б).
а — параллельное согласование; б — последовательное согласование.
Низкочастотные помехи, проникающие в систему по шинам пита-
ния, должны блокироваться с помощью конденсатора емкостью 0,1 мкФ
гттп
Рис. 5-149. Схема согласования микросхемы К109ЛИ1 с линией связи
и микросхемой К155ЛА8.
D, — микросхема К.109ЛИ1; £>, — микросхема К15БЛА8; Ц — провод
МГШВЭ-0,35 мыМ> м; Z;. — провод МГШВЭ-0,35 мм2-30 м.
на МС, включенного между выводами «питание» и «земля» непосред-
ственно в места начала проводника печатной платы.
Развязывающие емкости по высокой частоте должны быть равно-
мерно распределены по всей площади печатной платы относительно
МС из расчета один конденсатор на группу не более чем 10 микросхем,
емкостью не менее 0,002 мкФ на микросхему,
672
Конденсатор развязки, установленный в непосредственной бли-
зости от микросхемы, образует цепь низкого сопротивления высоким
частотам.
Конденсаторы устанавливают на той стороне платы, на которой
располагают МС, в непосредственной близости от них. Для блокировки
высокочастотных пульсаций следует использовать безындукционные
конденсаторы.
При наличии на плате МС К155ЛА6, К109ЛИ1 и других МС серии
К155 повышенной степени интеграции конденсаторы для каждой из
этих МС емкостью 0,1 мкФ при необходимости устанавливают в непо-
средственной близости от этих МС.
Микросхемы повышенной степени интеграции серии К155 должны
устанавливаться на платах по возможности ближе к разъемам и непо-
средственно у шин «земля».
Для подведения напряжения питания и подключения шины «земля»
рекомендуется использовать крайние контакты разъема.
Рекомендации по электрическим линиям связи. По назначению
электрические линии связи делятся на линии для передачи информации,
для синхронизации, для индикации, для коммутации и шины «питание»
и «земля».
Информационные линии связи предназначены для передачи инфор-
мационных сигналов. Эти линии связи в пределах платы рекомендуется
осуществлять с помощью печатного монтажа.
Проводники, расположенные на различных сторонах платы или
в соседних слоях, должны перекрещиваться под углом 45 или 90°.
Проводники должны быть по возможности короткими. Максимально
допустимая длина печатных параллельных проводников, расположен-
ных на одной стороне платы или в одном слое, при ширине печатных про-
водников 0,5—1,5 мм, не должна превышать значений, приведенных
в табл. 5-16 (длина печатных проводников приведена в миллиметрах).
Таблица 5-16
Количество парал- лельных провод- ки ков Интервалы между печатными проводниками, мм
0.5 1,0 1,5 3,0 5,0
2 100 120 130 150 170
3 60 70 75 90 100
4 50 60 65 75 80
5 40 50 60 65 70
П римечани е. Допустимая длина печатных проводников, не выхо-
дящих за пределы печатной платы, может быть увеличена на 40% относи-
тельно значений, указанных в таблице.
Информационные линии связи между платами рекомендуется осу-
ществлять с помощью монтажной панели, которая конструктивно может
быть выполнена в виде печатной платы или панели, имеющей экрани-
рующее покрытие со стороны монтажа. Экран должен быть соединен
с шиной «земля» печатных плат.
Длина линий связи на монтажной панели при выполнении их печат-
ным монтажом определяется как разность значений длины, полученной
но табл. 5-15 с учетом примечания, и длиной линии связи на плате.
22 n/р Тарабрииа Б, В,
673
Если длина информационных линий связи превышает 20 см, то
рекомендуется выполнять их с помощью объемного монтажа. Линии
связи длиной до 20 см для асинхронных устройств и до 30 см для син-
хронных устройств выполняются одиночными проводниками.
К выходу одного передающего элемента допускается подключать
до 5 радиальных линий с общей длиной не более 50 см.
Линии связи длиной от 0,2 до 1 м в пределах панели выполняют
несогласованными витыми парами. К выходу одного передающего эле-
мента допускается подключать не более трех витых пар с суммарной
длиной не более 2 м.
При организации связей с помощью несогласованных витых пар
время задержки сигналов увеличивается и может быть определено
по табл. 5-17.
Таблица 5-17
Схема связи Рекомендации по применению Приращение заде ржки на выходе передающего элемента Приращение задержки на выходе линии связи
А/0’1 шзд » нс А/1,0 ^'зд ’ ПС . ,о-1 лгзд» ИС д4д. нс
ll-витая . пара или, Ч N3 кабель с волновым сопротивлением 1000м При радиальном способе разводки нагрузка сосредо- точена на конце линии связи При комбиниро- ванном способе раз- водки нагрузка распределяется произвольно по длине линии связи =Z1 + Z2 + Z3s£ <2 м Длина каждой линии связи не бо- лее 1 м 8ZS 6/s 8Zz + 6Z2 4- + 6/г
Обратные провода витых пар должны «заземляться» на передаю-
щем и приемном концах. Длина раздельной части витой пары должна
быть не более 3 см. Допускается к одному контакту разъема подклю-
чать не более трех обратных проводов витых пар.
От несогласованной витой пары допускается делать отводы одиноч-
ным проводом в пределах нагрузочной способности передающих МС,
при этом суммарная длина отводов не должна превышать 0,2 м.
В линии связи, выполненной витой парой, отдельные участки
допускается проводить одиночным проводом, при этом суммарная длина
одиночных, проводов в данной линии связи не должна превышать 0,2 м,
а длина всей линии связи не более 1 м.
674
При разводке линий связи необходимо располагать их таким спо»
собом, который позволяет упростить линию связи и обеспечивает
минимальную ее длину.
Линии связи от 1 до 3 м, не выходящие за пределы устройства,
необходимо выполнять согласованными витыми парами. Согласованные
линии связи длиной более 3 м, а также линии связи, выходящие за пре-
делы устройства, необходимо выполнять с помощью коаксиального
кабеля с волновым сопротивлением 100 Ом. Согласование линий связи
осуществляется с помощью резистора 82 Ом с допустимым отклонением
сопротивления на ±5%, Резистор должен устанавливаться непосред-
ственно у выхода передающей МС согласно табл. 5-17.
Длина коаксиального кабеля и количество входов, подключаемых
непосредственно к выходу передающего элемента, а также на выходе
линии связи, не должны превышать значений, указанных в табл. 5-17.
При определении приращения задержки распространения Д(зд(табл.5-18)
длину I линии связи следует брать в метрах.
Нагрузка подключается одиночным проводом длиной не более
0,2 м или витой парой длиной не более 0,5 м.
Допускается осуществлять передачу информационных сигналов
в пределах устройства с помощью экранированного провода с обяза-
тельной посылкой стробирующего сигнала по коаксиальному кабелю.
Стробирующий сигнал должен быть задержан относительно инфор-
мационного на время действия переходных процессов, а длительность
импульса информационных сигналов должна выбираться из условия
стр 4“
где t3.стр —- время задержки стробирующего сигнала относительно
информационного; /Пер ~~ время переключения схемы, принимающей
информацию.
Линии связи для передачи сигналов синхронизации при печатном
монтаже должны быть удалены от информационных линий и от линий
синхронизации другой фазы на расстояние не менее 2,5 мм или заэкра-
нированы «земляным» печатным проводником, соединенным с общей
«землей» в одной точке. Ширина печатного экранирующего проводника
должна быть в 2—3 раза больше ширины проводника цепей синхрони-
зации. Длина линий связи в пределах печатной платы выбирается
с учетом данных в табл. 5-17.
Разводку линий связи для сигналов синхронизации в пределах
панели можно выполнять с помощью витой пары длиной до 35 см или
одиночным проводом длиной до 10 см. От витой пары допускается
делать отводы одиночным проводом длиной до 10 см, причем суммарная
длина одиночных проводников не должна превышать 20 см.
Линии связи сигналов синхронизации в пределах устройства с дли-
ной более 35 см необходимо выполнять с помощью согласованного или
несогласованного коаксиального кабеля при длине не более 50 см.
Линии связи о выхода МС до элементов индикации рекомендуется
выполнять одиночными проводами, которые можно укладывать в жгут.
Длина линий связи при этом определяется из условий обеспечения
максимально допустимого напряжения, приложенного к выходу
МС (5,25 В для К155ЛА8, 7 В для К155ЛА7, 60 В для К155ИД1).
Коммутационные линии связи (линии между переключателями,
тумблерами, контактами реле и микросхемой) рекомендуется выпол-
нять экранированным проводом.
Допускается применение одиночных проводников длиной до 0,3 м
И витых пар до 3 и,
22» 675
аблица 5-18
Тип передающего элемента Любой логический эле- мент с нагрузочной способностью 7<Ba32s 3= ю i Только К155ЛА6 Только К155ЛА6 Только К155ЛА6
Длина участков линии связи, и >> 1 со V/ СО V/ еЧ СО V/o <N>_' + v/ бО 1Т0 o'o'со V/V/V/
1 Оди- ночная 1 связь со V/ 1
Приращение заде ржки на выходе линии связи Ef О а < ю + о ю 4~ со ю + + СО + со
о -« m х ю + ФО ю + 00 + ФО ю + ©0 ю 4- 00
Приращение задержки срабатывания передающего элемента А^ЗД» ; НС СО со со со СО
т С[ о Я < 00 о + оо 00 со + ОО
Количество элементов нагрузки 55 • сч — сч см ~ сч СЧ
£ ю сч г- со г- со О
Схема связи -рп вгрм Н-Пг3 ' -1- Витая пара ила кабель с волновым сопротивлением о ~ WG Ом 1 IMIlj г Т t <Ц,г 1 р-тоом « 4 Фн s JTJh 1 г} j | iTs
676
Укладка в один жгут линий связи информационных, коммутацион-
ных и индикации не допускается.
Одиночные проводники нельзя укладывать в жгуты как отдельно,
так и с витыми парами. Несогласованные и согласованные витые пары
допускается укладывать в жгуты или группы проводов без связки,
а также в шлейфы.
При расширении логических возможностей микросхем К155ЛА1,
К155ЛР1, К155ЛРЗ, К155ЛР4 с помощью микросхем-расширителей
длина линий связи между МС и расширителями не должна превышать
4 см. При этом суммарная длина линий связи не должна превышать
12 см.
Выводы 7 микросхем К155ЛД1, К155ЛДЗ должны быть «заземлены».
Рис. 5-150. Схема организации внутриприборной кодовой магистрали.
Dt — микросхема К155ЛА7; Dz — микросхема КД55ЛАЗ; витая пара I 3 м.
На рис. 5-150 приведена функциональная схема организации внутри-
приборной кодовой магистрали, выполненной витыми парами.
Максимальная длина связи от передающей схемы до приемной не
должна превышать 3 м. В качестве передающих схем используется
микросхема К155ЛА7 (до 8 схем), а в качестве приемных — микросхемы
серий К131, К155, К158. При этом следует учитывать повышенную
нагрузку на передающую схему. Передающие и приемные схемы могут
подключаться в любом месте магистрали.
Длительность импульсов, передаваемых по магистрали, должна
быть не менее 0,4 мкс.
Длина линий связи при совместной работе микросхем серин К131,
К155, К158 должна быть уменьшена в 1,5 раза, если передающими
элементами являются микросхемы серии К131, и может быть увеличена
в 1,5 раза, если в качестве передающего элемента используются микро-
схемы серии К158, по сравнению с рекомендациями, приведенными
для микросхем серии К155.
Приведенные в настоящем разделе рекомендации по обеспечению
помехоустойчивости не описывают все возможные случаи защиты от
помех, поэтому для создания оптимальной конструкции необходимы
дополнительные исследования в каждом конкретном случае,
677
Примеры построения функциональных узлов аппаратуры. Ниже
приводятся некоторые схемотехнические принципы реализации слож-
ных логических функций и построения функциональных узлов на микро-
схемах серий К131, К155, К158.
На рис. 5-151 приведена функциональная схема счетного несиммет-
ричного триггера на шести элементах И-НЕ. Временные диаграммы
его работы приведены на рис. 5-152. Триггер устанавливают в состояние
логического нуля ври одновременной подаче напряжения логического
нуля на входы элементов и независимо от уровня напряжения
на счетном входе С. При напряжении логического нуля на счетном входе
Рис. 5-151. Функциональная схе-
ма счетного триггера.
Рис. 5-152. Временная диаграм-
ма счетного триггера.
установка триггера в состояние логического нуля может быть произве-
дена при подаче напряжения логической единицы на счетном входе
на вход элемента £>6.
Установка триггера в состояние логической единицы при напря-
жении логического нуля на счетном входе осуществляется подачей
напряжения логического нуля на вход элемента Dlt при напряжении
логической единицы на счетном входе, и входах «Установка 0» (Rlt У?2) —
подачей напряжения логического нуля на вход элемента Оъ.
При одновременной подаче нулевого потенциала на входы элемен-
тов £>! и П5 установка в состояние логической единицы осуществляется
независимо от потенциала на счетном входе. Поэтому при записи в счет-
чик произвольного кода и при установке реверсивных счетчиков в со-
стояние логического «О» следует подавать импульсы установки на оба
входа «Установка «1» Sx, S2 одновременно или раздельно в зависимости
от рода работы. х
При построении суммирующего счетчика на входы последующих
разрядов подаются сигналы с выхода «О» (элементы /Л; предыдущего
триггера), а при построении вычитающего счетчика е выхода «1» (эле-
678
менты !)<_ предыдущих триггеров). На выходе элемента D-> повторяются
входные импульсы отрицательной полярности с частотой fBX/2.
Минимальная длительность импульсов установки для триггера
тп. уст. — Р. /ПО1с + <зц, р. max-
?Лшшмальная длительность цикла работы одиночного триггера
tmin = 3/ЗД, р + Изд, р •
Задержка распространения сигнала на один разряд при построении
последовательного счетчика
t _/Э.1 , уЬО
“ЗД. pip—'ЗД, р -f-Гзд, р-
Длительность входных импульсов отрицательной полярности:
ти > (зд, р-Нзд, р>
Длительность входных импульсов положительной полярности:
1 /Ь'1
тп > ^/ЗД, р Т'зд, р>
Если сигнал снимается с выхода элемента £)з> минимальный цикл
работы одиночного триггера и минимальные длительности входных
импульсов равны:
^и = 34д, р 4~3^зд, р»
ти > 2/зд, р +^ЗД. р>
ти > 2Дд, р +<зд, р-
Установка в состояние «0» схем, выполненных на JK- и D-триггерах
серий К131, К155, К158, осуществляется отрицательным импульсом,
подаваемым на вход Д. Запись кода осуществляется в два такта: сначала
установка в «0», затем запись «1» в соответствующий разряд.
При выполнении схем на микросхеме К155ТВ1 и использовании
предварительной установки и сброса на вход синхронизации необходимо
подавать уровень напряжения логического «0».
П ргобразователи кодов. Функциональная схема преобразователя
кода 2421 в семипозиционный код, построенная на логических элемен-
тах И-НЕ, приведена на рис. 5-153.
Быстродействие схемы определяется задержкой двух логических
элементов И-НЕ.
Преобразование кода 8421 в двоично-десятичный код используется
для ввода, обработки информации и управления элементами индикации.
Функциональная схема преобразователя кода 8421 в семипозиционный
двоично-десятичный код, построенная на логических элементах И-НЕ,
приведена на рис. 5-154. Быстродействие схемы определяется задержкой
четырех логических элементов И-НЕ.
Функциональная схема преобразователя кода 8421 в код 2421,
построенная на логических элементах И-НЕ, показана на рис. 5-155.
Быстродействие преобразователя кода 8421 в код 2421 определяется
задержкой трех логических элементов И-НЕ.
Функциональная схема преобразователя кода 2421 в код 8421,
построенная на логических элементах И-НЕ, приведена на рис. 5-156.
679
Рис. 5-153. Преобразователь кода 2421 в семипозиционный двоично-
десятичный код.
Деся- тич- ная цифра Код 2421 Семи позиционный двоично-десятичный код
Х3 Х1 Ух Уч. Уъ /74 Уъ //6 У1
0 0 0 0 0 0 ° 1 1 0 и 0 0
1 0 0 ° 1 1 1 1 0 0 1 1
2 ° 0 1 ° 0 1 1 | 0 0 1 0 0
3 ° 0 1 1 0 1 0 0 0 0 1
4 0 ! 0 0 i 0 0 0 0 1
5 1 0 1 > ° 0 \ ° > 0 0 1
6 1 1 0 0 \ 0 0 ! ° 0 0
7 ] 1 ° i 1 1 ° ° 1 1
8 1 1 1 0 ° 0 ° 0 0 0 0
9 1 1 1 ° 0 0 0 0 ° 1
Рис. 5-154. Преобразователь кода 8421 в семипозиционный двоично-
десятичный код.
Деся- ТИЧ’ ная цифра Код 8421 Семипозиционный двоично-десятичный код
х4 х3 х2 Xi Ui У'2 Уз У-1 Уь Уб У1
0 0 0 0 0 0 0 i 0 0 0 0
1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 ! 1
2 0 0 1 (1 1 0 0 1 0 0
3 0 0 1 ! 0 1 0 (( 0 0 1
4 0 1 0 « 1 0 0 ° 0 ' 1 1
5 0 1 1) 1 0 1 0 0
fi 0 1 0 0 0 ° 0 0 0
7 ° i 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 •
8 0 0 п » 0 0 0 0 0 0
9 1 0 1 0 0 о 0 0 о 1
681
Быстродействие преобразователя кода 2421 в код 8421 определяется
суммарной задержкой двух логических элементов И-НЕ.
Рис. 5-155. Преобразователь ко-
да 8421 в код 2421.
Рис. 5-156. Преобразователь ко-
да 2421 в код 8421.
1 Деся- тичная ' цифра Код 8421 Код 2421
х3 х3 *1 У* Уз Уъ j
0 0 0 0 0 0 0 0 0
1 0 0 0 1 0 0 0 i 1
2 0 01 1 0 0 0 110
3 0 0 1 1 0 0 1 1
4 0 1 0 0 0 1 0 1 0
б 0 0 1 0 1 i 1
6 0 1 1 0 i 1 | ! 0 1 0
7 0 1 1 1 11 1 01 1
8 0 0 0 1 1 1 | 0
9 1 0 0 1 р i > 1 1 1
Код 2421 Код 8421
1 Дсся тичн Циф! *4 Х3 *2 Х1 Уь У* Уг У1
0 0 0 0 0 0 0 0 0
1 0 0 0 1 0 0 0
2 0 0 1 0 0 0 1 0
3 0 0 1 0 0 1 1
4 0 1 0 0 ° 1 0 0
5 1 0 1 1 0 ° 1
6 1 0 0 0 1 1 0
1 > J 0 1 0 1 1 1
8 1 1 ! 0 1 0 0 0
9 1 1 1 1 0 0 ]
Функциональная схема преобразователя кода Джонсона в код
8421, построенная на логических элементах И-НЕ, представлена
на рис, 5-157с
682
Рис. 5-157. Преобразователь ко-
да Джонсона в код 8421.
Рис. 5-158. Преобразователь де-
сятичного кода в двоично-деся-
тичный код 8421.
Код деся- тич- ный 75 с 2 Л 1
8 4
0 0 0 0 0
1 0 « 1) 1
2 0 1 0
') ° 1 1
4 0 1 0
5 0 1 11 1
6 0 i 1 0
7 0 1 1 1
8 1 0 0
9 1 0 0 1
683
Функциональная схема преобразователя десятичного кода в двоич-
но-десятичный код 8421, построенная на логических элементах И-НЕ,
приведена па рис. 5-158.
Функциональная схема преобразователя кода 8421 в десятичный
код, построенная на логических элементах И-НЕ, приведена на
рис. 5-159.
Функциональная схема преобразователя кода Грея в код 8421,
построенная на логических элементах И-НЕ, И-ИЛИ-НЕ, приведена
на рис. 5-160.
Код деся- тич- ный D с в А
8 4 2 1
0 0 0 0 0
1 0 0 0 1
2 0 0 1 0
3 0 0 1 1
4 0 1 0 0
5 0 1 0 1
6 0 1 1 0
7 0 1 1
8 1 0 0 0
9 1 0 0 1
Рис. 5-159. Преобразователь
кода 8421 в десятичный код.
Функциональная схема преобразователя десятичного кода в код
Джонсона, построенная на логических элементах И-НЕ, приведена
на рис. 5-161.
Функциональная схема прё^бразователя кода Джонсона в десятич-
ный код, построенная на логических элементах И-НЕ, приведена
на рис. 5-162.
На рис. 5-163 приведена функциональная схема преобразователя
четырехразрядного кода Грея в двоичный четырехразрядный код с ис-
пользованием микросхемы К155ИМ1.
На МС типа К155ИР1 можно выполнить последовательно-парал-
лельные преобразователи (рис. 5-164). Положительный пусковой им-
пульс на входе А и такт ввода на входе С2 устанавливают регистр в
состояние 0000000. Затем при такте сдвига (вход С,) производится запись
информации словами по 7 бит. Информация в виде «1», которая сначала
была записана в первом разряде регистра, при этом сдвигается к концу
регистра. После седьмого тактового импульса производится переклю-
684
чение входа «режим работы» (вход Vi) регистра через микросхему
К155ЛР1 (ячейку ИЛИ), после чего выходные триггеры снова могут
быть установлены в начальное положение 0000000,
Рис. 5-160. Преобразователь кода Грея в двоично-десятичный код 8421,
Di Cl Si
и 0
0 в « 1
и u 1
0 0 1
° и
и 1 Ч 1
с i 1
1 1
1 0 u u
1 0 0 I
Сдвиговый регистр типа К155ИР1 благодаря возможности парал-
лельного ввода может быть использован в качестве г.араллелыю-посла-
довательного преобразователя, На рис, 5-165 представлен преобрхю-
ой
Рис, 5-161, Преобразователь десятичного кода в код Джонсона
1 £ D с в А
о 1 0 0 0 V 0
1 \1 0 0 0 u 1
2 j 0 0 1 1
3 | О 0 1 1
4 | и 1 1 - 1
& ) 1 1 1 1 1
6 1 1 1 1 0
1 1 ‘ 1 1 0 0
Ь | 1 1 0 0 0
9 i 1 -J —— и 0 0 0
CS6
Рис. 5-162. Преобразователь кода Джонсона в десятичный код.
Е D с в А
0 ° ° 0 11 0
1 0 ° 0 ° 1
2 ° ° 1 1
3 0 0 1 1
4 0 * 1 1
5 1 1 1 1
6 1 1 1 1 0
1 1 1 0 0
8 1 1 0 0 0
9 * 0 0 0 0
687
ватель для слов длиной 7 бит. Если регистр заполняется впервые,
то необходимо подать напряжение логического нуля на вход А («Запуск»)
преобразователя для установки микросхемы К155ИР1 на параллельный
вг.од. При этом одновременно в первый разряд регистра записывается
уровень логического нуля. После этого можно производить последова-
тельное смещение информации, при котором освобождающиеся разряды
Рис. 5-163. Преобразователь ко-
да Грея в двоичный код.
Рис. 5-164. Преобразователь
последовательно-параллельный.
регистра заполняются логической единицей. После шести тактов сдвига
(учитывается и такт ввода после седьмого тактового импульса) на выходе
появится последний бит информации.
Когда одновременно первые шесть разрядов регистра будут содер-
жать логическую единицу, срабатывает микросхема К155ЛА2, которая
переключает регистр из режима «сдвиг» в режим «ввод», в результате
чего при следующем тактовом импульсе регистр может воспринимать
новую информацию.
688
Счетчики. Функциональная схема четырехразрядного счетчика
(рис. 5-166) построена на основе элемента памяти с четырьмя устойчи-
выми состояниями и RS-триггера. Установка начального состояния
производится подачей сигнала логической единицы на шину R при
7 = 0. Функционирование четырехразрядного счетчика поясняется
таблицей истинности, приведен-
ной на этом рисунке.
Длительность счетного им-
пульса сигнала установки на-
чального состояния и паузы
между счетными импульсами не
должны быть менее 2 ^зд,р,^р.
Функциональная схема че-
тырехразрядного счетчика с ко-
дом Грея изображена на рис.
5-167.
Изменение выходных сигна-
лов счетчика происходит по счет-
ному импульсу (Т — 1). Установ-
ку начального состояния необ-
ходимо производить подачей сиг-
нала логического нуля на шину
7? («установка 0»).
Длительность счетных им-
пульсов, паузы между счетными
импульсами и установки на-
чального состояния не должны
Рис. 5-165. Преобразователь па-
раллельно-последовательный.
£>lt Dz — микросхема К155ИР1;
О3 — микросхема К155ЛАЗ; D4 —
микросхема KI 55ЛА2
быть менее 2 4д.р.сь- Работа счетчика описывается таблицей ис-
тинности (рис. 5-167).
На рис. 5-168 приведена функциональная схема восьмиразрядного
счетчика с кодом Джонсона, построенная на ИС И-ИЛИ-НЕ.
Функциональная схема «-разрядного счетчика с преобразователем
кода Грея на полусумматорах, построенная на микросхемах К155ТМ2,
К155ЛП5, приведена на рис. 5-169.
На рис. 5-170 приведена функциональная схема соединения микро-
схем К155ИЕ6, К155ИЕ7 при увеличении разрядности счетчиков.
Если схема счетчика используется как делитель частоты без парал-
лельной записи информации, то входы Dlt D2, Dt, Ds необходимо «зазем-
лить», а на вход С подать напряжение логической единицы.
Функциональные схемы асинхронных суммирующих счетчиков на
JK- и D-триггерах и временные диаграммы их работы приведены па
рис. 5-171—5-174. Если счетные входы триггеров после последующих
разрядов соединить с выходами ОЛРеДь,ДУщих разрядов для счетчиков
на JK.-триггерах и с выходами Q для счетчиков на D-триггерах, то
получаются вычитающие счетчики.
Если считывание состояния счетчика производится после каждого
входного импульса, то максимальная частота счета для последова-
689
Рис. 5-166. Четырехразрядный счетчик с унитарным кодированием.
Номер состояния счетчика Состояние выходов разрядов Номер состояния счетчика Состояние выходов разрядов
Q, Q, Qs Q, Q, & Q-i
0 1 1 ! 0 2 1 0 1
1 0 1 1 1 3 1 1 0 1
690
691
Рис. 5-168. Счетчик восьмиразрядный с кодом Джонсона.
Pg л ® к О 3" у S К ь О О О ж - Ж У и Состояния выходов разрядов £ га и к a s к О Ж у 2 К Ь ° ° у Состояния выходов разрядов
Qi Qu Q3 Q4 Q б Qe Q~ Qa «1 Уз «з Qt Qs> <2«
0 | 0 | 0 j U 0 | 0 0 0 0 9 0 1 1 1 ' 1 1 1
1 I 1 1 0 и и | 'и ° и | 0 Ю 0 G 1 1 1 1 1 1 I
2 1 | 1 0 и [ 0 0 0 | 0 11 0 0 V j ! ) ! 1 1
.ill 0 | 0 и 0 0
‘ 1 1 1 12 и и 1 1 1
4 р ! 1 1 1 ! ° 0 0
13 9 0 и 1 I 1
6 1 1 р 1 1 ! 1 0 ° 0
14 0 0 е | 9 9 и 1 1
6 1 J 1 1 11 1 0 0
7 | 1 I 1 11 1 1 1 i 1 0 1„ 0 и G | 3 0 L 0 1
8 j ! 1 Ч ! 1 р Р : * 1 1 18 |; и U и
692
Рис. 5-169. Счетчик «-разрядный с преобразователем кода Грея на
полусумматорах.
Номер состоя- ния счетчика Состояния выходов разрядов
Qgi ®G2 $Gk Q G&+1 Q-a (n—i) Qan
0 0 (1 0 0 0 0
1 1 0 0 0 0
2 1 1 0 0 0 0
3 0 1 0 0 ° 0
... 1
2k — 2 1 0 1 ° ... | 0 0
2ft-l 0 0 1 1 0 0
2fe 0 0 1 1 0 °
... ... ... ...
2n-i _ 2 0 ... ° 0 °
2я1 1 0 0 |> 0 1 0
2я’ 1 | 0 (1 ... | 0 0 -1 > 1
... I .. ... j ...
2я —2 1 0 0 0 0 1
2я- 1 0 0 ... 1 0 0 0 1
Входы X подключаются к источнику постоянного напряжения 2,4—4,5 В.
г Qck = Qk + Qk+v
I Qan^Qn-
й = 1, 2, ..., n — i.
693
тельного счетчика определяется меньшим числом из значений tC4 та.
в соответствии с выражениями:
fc.4. тлх— сч. max'»
_ 1
^^-(„_i)w + zcp,
где гсч, тах — максимальная частота счета триггера; п — количество
разрядов счетчика; /ЗЦ1 р — время задержки распространения при вклю-
чении для счетчиков на JK-триггерах
и выключении для счетчиков на D-триг-
герах; 1ср — время срабатывания
внешней схемы считывания.
Если считывается только оконча-
тельной состояние счетчика после се-
рии входных импульсов, то максималь-
ная частота счета равна максимальной
частоте счета JK- или D-триггера.
В результате неодновременного
переключения триггеров счетчика с
последовательным переносом при оп-
росе его состояний на выходе дешиф-
ратора появляются ложные сигналы,
поэтому на вход дешифратора должен
подаваться сигнал стробирования.
Построение асинхронных счетчиков
на JK-триггерах в ряде случаев нера-
ционально, так как счетчики на JK-
триггерах по сравнению со счетчика-
Рис. 5-170. Соединение счетчиков при
увеличении разрядности.
ми на D-триггерах имеют большие аппаратурные затраты и мень-
шее быстродействие.
Рис. 5-171. Функциональная схема асинхронного двоичного счетчика.
Для изменения коэффициента счета асинхронных счетчиков можно
использовать входы R- и S-триггеров, На рис, 5-175, 5-176 приведены
694
функциональная схема и временная диаграмма работы асинхронного
счетчика по модулю 10.
В общем случае для получения счетчика по модулю /< на вход МС
подаются сигналы с выходов Q разрядов, находящихся в состоянии логи-
Рис. 5-172. Временная диаграмма работы асинхронного двоичного
счетчика.
Рис. 5-173. Функциональная схема асинхронного двоичного счетчика.
Рис. 5-174. Временная диаграмма работы асинхронного двоичного
счетчика,
G95
ческой единицы при счете /(-I. Выход подсоединяют ко входу S
остальных разрядов.
На рис. 5-177, 5-178 приведены функциональная схема и временная
диаграмма работы асинхронного счетчика по модулю 20. Триггер на
Рис. 5-175. Функциональная схема асинхронного счетчика по
модулю 10.
микросхемах De, Ds введен для увеличения длительности отрицатель-
ного импульса на входе R-триггеров.
Для получения счетчика по модулю К с входами микросхем Р7
соединяют выходы Q разрядов, находящихся в состоянии логической
Рис. 5-176. Временная диаграмма работы асинхронного счетчика по
модулю 10.
единицы при счете /(, на вход R этих же разрядов подают сигнал с вы-
хода микросхемы Ов.
На рис. 5-179 приведены функциональная схема и временная
диаграмма работы счетчика по модулю 12, При достижении состояния
696
Рис, 5-177, Функциональная схема асинхронною счетчика по
модулю 20.
Рис, 5-178, Временная диаграмма работы асинхронною счетчика по
модулю 20,
G97
Рис. 5-179, Асинхронный счетчик по модулю 12 с собственной оста-
новкой.
Рис. 5-180. Функциональная схема асинхронного двоичного счетчика
с собственной остановкой на выбранном числе,
698
1100 счетчик останавливается. Для повторного цикла счета его необ-
ходимо установить в «0».
На рис. 5-180 приведена функциональная схема синхронного счет-
чика с собственной остановкой на выбранном числе. На входы микро-
Рис. 5-181. Функциональная схема асинхронного суммирующего декад-
ного счетчика.
схемы Ds, Dt, De, DB подается инверсный код числа, на котором не-
обходимо остановить счетчик.
На рис. 5-181 — 5-186 приведены функциональные схемы и времен-
ные диаграммы работы асинхронных декадных счетчиков.
На рис. 5-187 дана функциональная схема асинхронного ревер-
сивного декадного счетчика на микросхемах-триггерах К155ТВ1,
К158ТВ1.
Рис. 5-182. Временная диаграмма работы асинхронного суммирую-
щего декадного счетчика.
При сложении па вход «сложение» -|-7 подается напряжение логи-
ческого нуля, а на вход «вычитание» —1 — напряжение логической
единицы. При вычитании логические уровни на входах «сложение»
и «вычитание» меняются на противоположные. При изменении направ-
ления счета на управляющий вход V должно быть подано напряжение
логического нуля, а при работе напряжение логической единицы.
699
Рис. 5-183. Функциональная схема асинхронного вычитающего декад-
ного счетчика.
Рис. 5-184. Временная диаграмма работы асинхронного вычитающего
декадного счетчика.
Рис. 5-185, Функциональная схема асинхронного вычитающего декад-
ного счетчика.
700
В устройствах, где требуется высокое быстродействие, рекомен-
дуется применять синхронные счетчики с параллельным переносом.
Для построения таких счетчиков рекомендуется использован,
JK-триггеры. В связи с ограниченным количеством входов J и /< JK-
триггера счетчики с параллельным переносом без дополнительной логики
могут содержать только четыре разряда. Поэтому при большом числе
разрядов счетчик разбивают на группы по четыре разряда в каждой.
Функциональная схема одной такой группы с элементом группового
переноса приведена на рис. 5-188, временная диаграмма работы —
на рис. 5-189.
Максимальную частоту счета одной группы разрядов без съема
информации определяют максимальной частотой счета отдельного
JK-триггера.
Рис. 5-186. Временная диаграмма работы асинхронного вычитающего
декадного счетчика.
На рис. 5-190 приведена функциональная схема суммирующего
группового счетчика, построенного из одинаковых групп. Особенностью
построения счетчика является использование параллельного переноса
из первой группы в остальные и сквозного переноса между старшими
группами, начиная со второй.
При реализации группового счетчика (рис. 5-190) для п > 10
необходимы добавочные элементы образования параллельного переноса,
которые следует подсоединить, как показано штриховыми линиями.
На рис. 5-191, 5-192 приведены функциональная схема и времен-
ная диаграмма работы синхронного реверсивного счетчика с параллель-
ным переносом. Направление счета определяется логическим уровнем
на управляющем входе V, уровень логического нуля подготавливает
цепи формирования переноса с выходов Q триггеров для осуществления
суммирования, а уровень логической единицы — с выходов Q-тригге-
ров для осуществлении вычитания поступающих импульсов, Для исклю-
чения сбоев при реверсе счетчика, построенного на JK-триггерах серии
К.131, изменение сигналов на управляющем входе должно осуществлять-
ся при низком уровне на входе С. Увеличение числа разрядов в реверсив-
ном счетчике осуществляется соединением четырехразрядных групп
аналогично рис, 5-190,
701
Рис, 5-187, Функциональная схема асинхронного реверсивного декадного счетчика.
702
Ц-!
Q.Z
Рис, 5-188. Функциональная схема синхронного двоичного счетчика
с параллельным переносом.
Рис, 5-189, Временная диаграмма работы синхронного двоичного счет-
чика с параллельным переносом,
703
Если схему управления реверса выполнить в виде RS-триггера,
то функциональные возможности реверсивного счетчика расширяются.
В этом случае схема будет иметь ряд преимуществ:
переключение со сложения на вычитание и обратно можно будет
осуществлять короткими импульсами; у
кроме операции сложения и вычитания, возможна операция инвер-
тирования кода, записанного в счетчик, для чего следует подать низкие
уровни на оба входа RS-триггера управления, а затем импульс синхро-
Рис. 5-190. Функциональная схема суммирующего группового счет-
чика.
низании на счетный вход счетчика. (При этом надо учитывать, что низ-
кие уровни на входы R и S RS-триггера подавать можно и одновре-
менно, а снимать только поочередно.)
Быстродействие многоразрядных счетчиков с параллельным пере-
носом, в том числе и реверсивных, можно увеличить за счет введения
дополнительного триггера переноса в первой группе разрядов, как это
показано на рис. 5-193. При этом исключается задержка в схеме форми-
рования переноса, так как триггер переноса переключается синхронно
с триггерами в разрядах счетчика. Соединение первой группы разрядов
со следующими такое же, как на рис. 5-190.
На рис. 5-194 — 5-207 приведены функциональные схемы и времен-
ные диаграммы работы синхронных счетчиков на 3, 4, 5, 6, 7, 9, 10, 11,
12, 13 на основе триггеров JK- и D-типов серий микросхем К.131, К.155,
К158,
704
Рис» 5-191. Функциональная схема синхронного двоичного реверсивною счетчика с параллельным переносом.
23 “/₽ Тарабрииа Б. В,
705
Рис, 5-192. Временная диаграмма работы синхронного двоичною ре-,
версивнсчо счетчика с параллельным переносим.
Ряс. 5-193, Счетчик с параллельным переносом и 1рнпером запомина-
ния группового параллельного переноса. Схема электрическая функцио-
нальная.
Рис. 5-194. Функциональная схема (а) и временная диаграмма работы (б)
р,-'.' ... . счетчика по модулю 3,
Рис, 5-195. Функциональная схема (а) и временная диаграмма
работы (б) счетчика по модулю 4.
Рис. 5-196, Функциональная схема (а) и временная диаграмма работы
(б) счетчика по модулю 5,
23* \ . 707
Рис, 5-197. Функциональная схема (а) и временная диаграмма
работы (6) счетчика по модулю 5.
Рис, 5-198, Функциональная схема (а) и временная диаграмма
работы (б) счетчика по модулю 6,
708
Отличительной особенностью синхронных счетчиков с параллель-
ным переносом является снижение нагрузочной способности выходов
триггеров за счет использования их для организации параллельною
переноса.
Рис. 5-199. Функциональная схема (а) и временная диаграмма
работы (б) счетчика по модулю 7.
На рис. 5-208, 5-209 приведены функциональная схема и времен-
ная диаграмма работы счетчика с параллельно-последовательным
переносом.
Данный счетчик занимает\промежуточное положение между счет-
чиками с последовательным и параллельным переносами, сохраняя
, присущие счетчику с последовательным переносом высокую нагрузоч-
ную способность выходов и простоту разводки схемы,
709
Рис, Ь-201, Функциональная схема синхронного суммирующего декад*
него счетчика, <
рис, Ь-202, Временная диаграмма работы синхронного суммирующего
декадного счетчика.
Рис. 6-203, функциональная схема синхронного вычииющыо декад*
ного счетчика,
710
Рис. Ь»204. Временная диаграмма работы синхронного вычитающего
декадного счетчика.
Рис, &-Z05. Функциональная схема счетчика но модулю 11(
Рис, Ь-ДЛ, Функциональная схема счетчика но модулю 12,
711
Рис. 5-207. Функциональная схема счетчика по модулю 13.
Рис, 5-208. Функциональная схема двоичного счетчика с параллельно -
> последовательным переносом.
Рис. 5-209. Временная диаграмма работы двоичного счетчика с парад-
дельно-последовательным переносом. »
712
+7
Рио. 5-210. Функциональная схема синхронного декадного реверсив.
Рио. 5-211, Функциональная схема реверсивного группового декад-
ного очетчика.
713
Максимальную частоту счета таких счетчиков определяют по фор-
муле /сч, max, приведенной на стр. 694, в данном случае п — число после-
довательно соединенных групп разрядов счетчика.
б)
Рис, 5-212, Функциональная схема (а) и временная диаграмма ра-
боты (б) синхронного декадного счетчика в параллельным переносом.
На рис, 5-210 приведена функциональная схема синхронного декад-'
вого реверсивного счетчика, работающего в двоично-десятичном коде
с насчетом цифры 6 после кода 1001,
714
При прямом счете посла кода 1001 очередным считываемым сипы-
Лом первый и четвертый разряды декады переключаются в «0», а нулевым
сигналом Рс осуществляется блокировка второго разряда. При обрат-
ном счете после кода 0000 очередным считываемым сигналом первый
и четвертый разряды декады переключаются в «1», а нулевым сигналом
Рн блокируется переключение второго и третьего разрядов.
Реверсирование счетчика, построенного на JK-триггерах серии
К131, можно осуществлять только при низком уровне на счетном входе.
Функциональная схема соединения четырехразрядных групп при-
ведена на рис. 5-211.
На рис. 5-212 приведены функциональная схема и временная диа-
грамма работы синхронного декадного счетчика с параллельным перено-
сом.
Рид. 5-213. Функциональная схема синхронного реверсивного вчетчнка
со сквозным переносом.
На рис. 5-213 приведена функциональная схема синхронного ревер-
сивного счетчика со сквозным переносом. При сложении на вход «сло-
жение» 4*/ необходимо подать напряжение логической единицы, а на
вход «вычитан напряжение логического нуля. При вычитании
логические уровни меняются на противоположные.
Счетчик с переменным коэффициентом счета выполняет функцию
счета тактирующих импульсов в заданным коэффициентом деле-
ния К частоты тактирующих импульсов. На рис. 5-214, 5-215 при-
ведены функциональная схема и временная диаграмма работы счетчика
с переменным коэффициентом счета. При коде 1111 и высоком уровне
напряжения на счетом входе С на выходах Qr> и Q(i образуются отрица-
тельный и положительный выходные импульсы. Положительный
выходной импульс опрашивает входные элементы И-НЕ, на которые
подается управление в двоичном коде. При этом сигналы, подтверждаю-
щие установку в «1.4, поступают на входы S разрядов, которые имеют
код «1» е управляющем сигнале.
Коэффициент счета равен:
К = 16-Л\ '
715
Рис, 5-214, Функциональная схема счетчика с переменным коэффици-
ентом счета,
Рис, 5-215, Временная диатрамма работы счетчика с переменным
коэффициентом счета (Л = 12),
716
где N — десятичный эквивалент двоичного кода, поступающего на
входные элементы И-НЕ.
При увеличении числа разрядов необходимо сохранить парал-
лельный перенос и увеличить число входных элементов И-НЕ, на
которых собирается код 11...1.
Основой сдвигающего счетчика служит последовательный регистр.
Рис. 5-216. Функциональная схема сдвигающего счетчика с К = п.
Для построения сдвигающих счетчиков рекомендуется использовать
регистры на D-триггерах как наиболее экономичные.
Общей особенностью схем этого класса является наличие обратной
связи с выходов сдвигающего регистра на его последовательный вход.
Простейший сдвигающий счетчик приведен на рис. 5-216.
Обратная связь заведена с выхода Q„ последнего разряда. Счетчик
(имеет п состояний, где п — число разрядов.
Работа счетчика основана на последовательной перезаписи кода
• «1» или «О» из младшего разряда в старший, т. е. состояние счетчика
определяется местоположением кода «1» или «О».
; Счетчики с числом состояний К = п имеют 2" — п неиспользуемых
б состояний. Такие счетчики требуют предварительной установки и перио-
Едического очищения от неиспользуемых состояний,
717
На рис. 5-217 приведена функциональная схема счетчика с более
сложной обратной связью, которая обеспечивает переход в состоянье
в одной единицей в разрядах максимум за четыре входных импульса.
Рис, 5-218, Функциональная схема сдвигающего счетчика с К = 2я.
Если в сдвигающем счетчике обратную связь завести с выхода Q
последнего разряда, количество состояний счетчика увеличивается до
2п. Функциональная схема такого счетчика приведена на рис. 5-218.
Для дешифрации состояний счетчика необходимо иметь 2п двухвходо-
Рис, 5-219, Функциональная схема самовосстанавлйвающего сдви-
гающего счетчика с К — 2п,
вых элементов И, входы которых подсоединяются к выходам Q и Q
соседних разрядов. В таблице к рис. 5-220 приведены состояния сдви-
гающего счетчика с 2п состояниями и указано, какие пары выходов
необходимо подать на вход элемента И. На рис. 5-218 показано, как
можно осуществить дешифрацию п состояний счетчика, используя
713
элементы ИЛИ-HE. Аналогично производится дешифрация остальные
состояний.
Так как сдвигающий счетчик с К—2п использует не все возможные
2™ состояний, требуется первоначальная установка счетчика в исходное
состояние.
На рис. 5-219 приведена функциональная схема четырехразрядного
сдвигающего счетчика с самовосстановлением, первый разряд которого
выполнен на JK-триггере.
В общем случае для «-разрядного счетчика на вход элемента И
необходимо подать входы Q с i последних разрядов, где i >: п/3.
Счетчики с К = 2п могут быть использованы в роли распредели-
телей импульсов, выполняющих функцию поочередной выдачи отрица-
тельных или положительных импульсов по раздельным каналам.
Если состояния счетчика с К = 2п дешифрированы с использова-
нием элементов ИЛИ-HE (рис. 5-218), то на выходе этих элементов
появляются положительные импульсы с длительностью, равной периоду
тактирующих импульсов, и с частотой в 2п раз меньше. Временная
диаграмма распределителя импульсов для п = 4 приведена на
рис. 5-220 (0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 — выходы элементов ИЛИ-НЕ).
Если дешифрирование состояний счетчика с К = 2п осуществить
с помощью элементов И-НЕ (используя данные таблицы к рис. 5-220),
то получится распределитель отрицательных импульсов. Временная
диаграмма распределителя отрицательных импульсов для п = 4 при-
ведена на рис. 5-221. Особенностью данного распределителя импуль-
сов является перекрытие низких уровней иа выходах каждых соседних!
каналов, что обусловлено перекрытием высоких уровней на выходах
D-триггера.
На рис. 5-222 приведена функциональная схема «-разрядного
сдвигающего счетчика с К = 2п — 1. От счетчика с К. — 2п счетчик
с К = 2« — 1 отличается только тем, что благодаря наличию обратной
связи через элемент И в счетчике запрещено состояние Q1 = Q2...
Быстродействие счетчика с К — 2п — 1 за счет задержки элемента И
ниже, SMi у сдвигающего регистра.
Количество состояний К сдвигающих счетчиков может быть увели-
чено до 2Н 1, если использовать для обратной связи функцию «исклю-
чающее ИЛИ». Такие счетчики проще в проектировании, чем обычные
синхронные счетчики, так как при большом количестве разрядов они
более экономичны.
В таблице к рис. 5-222 приведены уравнения обратной связи для
сдвигающих счетчиков, имеющих до 12 разрядов.
Поскольку функция «исключающее ИЛИ» 0 равна «0», состояние
всех «0» является устойчивым состоянием, поэтому необходима предва-
рительная установка. Для того, чтобы счетчик самостоятельно выходил
из нулевого состояния, уравнение обратной связи должно быть равпо
логической сумме функций «исключающее ИЛИ» и <Q,, Q2, .... Qn.
Дополнив обратную связь элементами, позволяющими пропустить
необходимое количество состояний, можно получить сдвигающий
счетчик с /< < 2'*"1. В таблице к рис. 5-222 показаны состояния счет-
чика К, а также соответствующие им значения уравнений обратной
связи F для получения числа состояний К от 4 до 62.
Если значение уравнения обратной связи F должно быть равно
логической «1» (логическому «0»), функция «исключающее ИЛИ» логи-
чески складывается (умножается) с логическим произведением (инвер-
сией логического произведения) состояний разрядов счетчика, соответ-
ствующих заданному /(. Для счетчика с К = 12 уравнение обратной
719
л
с L л г 1 г 1 п пг 1 г 1 [ 1 п t
0.1 —
Hi t
Иг I — t
Иг t
Из । I — t
Из t
Чц t
Чч t
0 I 1 t
1 Ft
2 t
3 1
4 — I 1 t
5 1 1 i-
6 i ‘1 t
7 _rzL *
Рис. 5-220. Временная диаграмма распределителя положи тельных
импульсов.
Состояние * счетчика X Дешифратор логика (элемент И1 Состояние * ечс-тчика 1 Деши^ раюр логика : ‘элемент И>
Номер состоя H-l 3 n-1 n Номер СОСТОЯ1 | п~~1 п
0 000 1 10 0 2 lie 3 ill n —Illi n 111 0 0 0 0 1 1 o 0 0 0 1 (2i Qs <2a *2з Q3 Q4 n п + 1 0 1 1 п + 2 0 0 1 п 3 0 и 0 2п — 1 С 0 Ь 2п 0 G и 1 1 1 0 0 1 1 1 0 Qs Q3 У; У, (Сг-.) С У, Q„ Г<
720
связи равно:
Q-f ф Qu + Qi QiQaQt = Ф ф Qi+Q,
Для самовосстанавливающего счетчика с К — 8 уравнение обрат-
ной связи равно:
(Qa Ф Q4) (Q1Q2Q3Q4) + Q\Q?Q^Qt — Q3Q4 + Q1Q3Q4 + QiQzQt.
Функциональные схемы счетчиков с К = 12 и К = 8 приведены на
рис. 5-223, 5-224 соответственно.
Рис, 5-221. Временная диаграмма распределителя отрицательных им-
пульсов.
На рис. 5-225 приведены функциональные схемы формирователей
импульсов. Длительность импульсов регулируется числом элементов
721
Рис, 5-222, Схема электрическая функциональная n-разрядного сдви-
' тающего счетчика.
Таблица уравнений обратной связи для К — 2п— 1
Количе- ство разряда счетчика Уравнение обратной связи Количе- ство разряда счетчика Уравнение обратной связи
3 Qz © Q3 8 Q-t Ф Qs © Q& ® Qa
4 Q3 ® Qi 9 Qa © Qb
5 Q3 © Qs Qt ® Qio
6 <Zfj% ii Qa © Qu
7 Qa © Qt 12 Qe © Q8 © Qu © Qis
Таблица уравнений обратной связи для К = 2п 1
к Состояние счетчика К Состоялие счетчика к Состояние счетчика
4 по 1 0Ю01 1 45 601011 1
5 001 1 26 10100 1 46 101001 0
6 on 0 27 01101 0 47 111001 1
8 оно 0 28 ооою 1 48 110111 1
9 0010 1 29 11010 0 49 110001 1
10 ООП 1 30 они 0 50 001110 1
11 1100 1 32 011100 0 51 111000 1
12 0001 1 33 010011 0 52 101101 0
13 1101 1 34 000100 1 53 ОССОЮ 1
14 0111 0 35 111010 1 54 100111 0
16 01011 1 36 101100 0 55 010100 0
17 10001 0 37 ЮПП 0 56 010110 0
18 11000 0 38 101010 0 57 110000 1
19 10110 1 39 111110 1 58 000001 1
20 00111 0 40 1-00110 0 59 011011 0
21 10101 1 41 oooioi 1 60 110010 1
22 11110 1 42 111101 1' 61 110101 1
23 10010 0 43 001000 1 62 011111 0
24 01100 0 44 000011 1
722
НЕ. Для нечетного числа элементов НЕ используется схема рис. 5-225, а,
для четного — рис. 5-225, б. Схемы на JK-триггерах формируют им-
пульсы по срезу импульса, схемы на D-триггерах —- по фронту импульса.
Рис. 5-223, Функциональная схема сдвигающего счетчика с К ~ 12.
На рис. 5-226, 5-227 приведены схемы, позволяющие осуществить
привязку асинхронной информации к системе тактовых импульсов.
В связи с тем, что взаимное расположение фронтов и срезов сигна-
лов, поступающих на входы С и информационный вход, может быть
Рис. 5-224. Функциональная схема сдвигающего счетчика с К — 8.
произвольным, данные схемы могут быть выполнены только на микро-
схемах К155ТВ1, К158ТВ1.
Схема, приведенная на рис. 5-227, позволяет получать серию поло-
жительных импульсов в течение времени, пока на асинхронный вход
подается напряжение логической единицы. Длительность положитель-
ных импульсов равна промежутку времени, в течение которого на входе
С имеется напряжение логического нуля. Эта схема может быть исполь-
зована как детектор «1». Временная диаграмма для этого случая при-
ведена на рис. 5-227, б.
723
Рис, 5-225, Функциональные схемы
формирователей импульсов,
Рис. 5-226. Функциональные схемы (а) и временные диаграммы
работы (б) схем привязки асинхронной информации.
724
Регистры. Иля построения регистров хранения параллельного
типа рекомендуется использовать D-триггеры.
На рис. 5-228 приведены функциональная схема параллельного
регистра и временная диаграмма работы первого разряда при поочеред-
ной записи кодов «1» и «О».
Рис. 5-227. Функциональная схема (а) и временные диаграммы
работы (б, в) детектора единицы.
Параллельный код подается на входы D, — Dn. Запись осущест-
вляется положительным импульсом, подаваемым на вход С триггеров.
Код снимается с выходов Qj — Qn.
Сдвигающие регистры выполняют функцию преобразования парал-
лельного кода в последовательный и наоборот.
Рис, 5-228, Функциональная схема (а) и временные диаграммы работы
параллельного регистра (б).
С точки зрения уменьшения количества связей и оборудования
сдвигающие регистры более целесообразно строить на D-триггерах.
На рис. 5-229, а, б приведены функциональные схемы сдвигающих
регистров на JK- и D-триггерах. Установка регистров в «О» выполняется
отрицательным импульсом, подаваемым на вход R. Параллельный
725
код поступает на входы S, — Sn- Запись единиц параллельного кода
осуществляется положительным импульсом, подаваемым на вход С2.
Последовательный код поступает на вход Dt схемы, приведенной
на рис. 5-229, а, и парафазно на входы и Kt схемы, приведенной
на рис. 5-229, б.
Для определения необходимых требований к взаимной расстановке
перепадов на входах D, и Cj (рис. 5-229, а) и Jb Kt и Сг (рис. 5-229, б)
надо учитывать следующее:
JK-триггеры серий К131, К155, К158 являются универсальными
триггерами с парафазным приемом информации и с независимой уста-
новкой в состояние «О» и «1».
JK-триггеры серий К131, К155, К.158 являются двухступенчатыми,
запоминание информации в которых происходит при помощи вспомога-
тельного триггера.
• Логические структуры и временные диаграммы работы JK-тригге-
ров серий К131, К.155, К158 приведены на рис. 5-230 — 5-235.
JK-триггеры серий К.131, К155, К158 (рис. 5-230, 5-233, 5-234)
состоят из двух триггеров: основного (элементы Оя на рис. 5-230,
5-233 и элементы D3, D4 на рис. 5-234) и вспомогательного (элементы
йя, Di на рис. 5-230, элементы Ds, Dit D5, Ds на рис. 5-233, элементы
Dlt D2 на рис. 5-234).
С приходом фронта импульса синхронизации на вход С происходит
запись информации во вспомогательный триггер в соответствии со зна-
чением сигналов на входах J и К-
726
Рис. 5-230, Логическая структура микросхемы К.131ТВ1,
Рис, 5-231, Временная диаграмма работы микросхемы К131ТВ1,
Рис. 5-232, Временная диаграмма работы микросхемы К131ТВ1,
Рис, 5-233. Логическая структура микросхемы К155ТВ1,
728
Рис, 5-234, Логическая структура микросхемы К158ТВ1,
/29.
Одновременно импульс синхронизации блокирует .цепи перезаписи
информации из вспомогательного триггера в основной (в JK-триггере
К131ТВ1 полной блокировки не происходит). На время действия им-
пульса синхронизации в основном триггере сохраняется информация,
записанная в предыдущем такте.
С приходом среза импульса синхронизации блокировка снимается
и' происходит перезапись состояния из вспомогательного триггера
в основной.
Таким образом, запись информации в JK-триггер происходит по
фронту, а изменение состояния на выходе — по спаду импульса синхро-
низации.
В асинхронном режиме JK-триггеры серий К131, К155, К158 по
входам R и S работают аналогично обычному RS-триггеру (состояния
входов J, К, С — произвольны).
В связи с тем, что логическая структура ИС К.131ТВI отличается
от логической структуры микросхем К155ТВ1, К158ТВ1, имеются
существенные отличия в логике их работы.
Триггеры серий К131 (рис. 5-230) построены на элементах И-НЕ
и имеют транзисторную связь (элементы Ds, £)в) между основным и вспо-
могательным триггерами.
В логическую структуру JK-триггера К131ТВ1 также входят
элемент записи логической единицы в основной триггер (элемент DT),
элемент записи логического нуля в основной триггер (элемент О2).
Вход синхронизации С JK-триггера К131ТВ! логически эквива-
лентен любой паре JK-входов, поэтому с приходом фронта импульса
синхронизации не происходи! полной блокировки цепи перезаписи из
вспомогательного триггера в основной и при определенных условиях
(CJ= 1 или СКгКгКзО,— 1) по срезу на одном из (J или К)
входов происходит изменение выходной информации триггера. Времен-
ные диаграммы работы JK-триггера приведены на рис. 5-232, а — в
(при С = 1).
Эту особенность работы JK-триггеров серии К131 необходимо учи-
тывать при построении функциональных узлов на их основе. JK.-триг-
геры серии К155 (рис. 5-233) построены на элементах И-ИЛИ-НЕ
(вспомогательный триггер), транзисторах связи £>6, £>в и элементах
И-НЕ (основной триггер). JK-триггеры серии К158 построены на эле-
ментах И-ИЛИ-НЕ (рис. 5-234).
В каждое плечо основного и вспомогательного триггера включен
элемент управления сигналов синхронизации, так что на все четыре
элемента разрешение или запрет от входа синхронизации подается
одновременно, и происходит полная блокировка перезаписи информации
из вспомогательного триггера в основной.
При наличии на входе синхронизации уровня логической 1 поло-
жительный импульс на входе J (при (2 = 1) или на входе К (при Q = 1)
вызовет переключение вспомогательного триггера. В отличие от JK-
триггера серии К131 изменение состояния на выходе в данном случае
не произойдет, хотя вспомогательный триггер «запомнит» это изменение
на входе J или К. Поэтому не следует допускать появление лож-
ных сигналов на УК-входах во время действия импульса синхрони-
зации.
D-триггеры серий К131, К155, KI58 являются универсальными
триггерами с однофазным приемом информации и с независимой уста-
новкой в состояние «0» и «1». D-триггеры серий К131, К155, К158 имеют
одинаковую логическую структуру и принцип работы, но отличаются
быстродействием и потребляемой мощностью. Логическая структура,
730 ф
временная диаграмма работы и таблица истинности D-триггера при-
ведены ня рис. 5-236, 5-237,
\ Логическая структура D-триггера содержит следующие элементы!
t, основной асинхронный RS-триггер Ту,
И; вспомогательный синхронный RS-триггер записи логической «1»
•*В основной триггер Ту,
вспомогательный синхронный RS-триггер записи логического «0>>
В основной триггер Тг.
Рис. 5-236, Логическая структура микросхем К131ТМ2, К155ТМ2,
KI58TM2.
D-триггеры серий К131, KJ55, К!58 являются динамическими,
еапись информации в которых происходит по фронту импульса синхро-
низации.
С приходом фронта импульса синхронизации в момент времени
I информация, поступающая на вход D, принимается во вспомогатель-
ные триггеры 7\, 7\, но на выходе появляется с задержкой в момент
времени I ф- 1: Q (t ф- 1) = D (/).
Таким образом, D-триггер следит за изменением входной информа-
ции в момент прихода фронта импульса синхронизации.
Из динамического принципа работы D-триггера следует, что в силу
инерционности логических элементов, из которых построены |риггеры
7'1 — 7’3, справа и слева от фронта импульса синхронизации на входе С
" 731
существуют интервалы времени, в течение которых информация на
входе D не должна изменяться, иначе в D-триггере возникают «гонки»
и произойдет неоднозначная запись информации в триггер.
Рис. 5-237. Временная диаграмма работы микросхем К131ТМ2,
К155ТМ2, К158ТМ2.
Для устойчивой работы D-триггера должны соблюдаться следующие
соотношения (рис. 5-237):
/0,1 ЛЬ! Т /0,1
Jon, mln, Jon з, mint
.1.0 .1,0 rp .1,0 . ~ '
Jon, mtn Jon 1 —*3» mint
/0,1 /0,1 'ТУ /0.1 «
J3, min ^^з ‘on, mint
/1.0 /1,0 rr> /1,0
J3. min Си i —Jon. mint
где T — период следования импульсов синхронизации; /оп. Ion — время
опережения фронта и среза информации на входе D от фронта импульса
синхронизации на входе С; /3’1, d'° — время запаздывания фронта и
среза информации на входе D от фронта импульса синхронизации на
входе С; 7оп. min', ton, min', ta'mln', — предельные минимальные
значения времени; /on! ton, 7з’‘; /3“— то же соответственно, при кото-
рых сохраняется работоспособность D-триггера.
Стрелки на рис. 5-237 острым концом указывают тот момент времени
на оси t переменной, начиная с которого изменение этой переменной на
противоположное не скажется на процессах в D-триггере, так как оно
«заблокировано» изменением другой переменной, к которому обращен
тупой конец стрелки.
Величины ton, mtn, ton, min, ts, min, ^3, min являются динамическими
параметрами D-триггера и наряду с другими параметрами определяют
возможности построения и использования функциональных узлов
(например, сдвигающих регистров) на D-триггерах, Однако не все из
732 >-
параметров ton, min, *on. mtn", timin', ta?mtn являются необходимыми.
Из анализа рис. 5-237 следуют качественные соотношения:
> »оп. mtn. > *оп, mtn, >з, mm > Гз, mtn>
‘•И из рис. 5-237 видно, что при изменении состояния выходов Q и Q
D-триггера имеется перекрытие высоких уровней, т. е, сначала следует
Рис. 5-238. Функциональная схема реверсивного сдвигающего регистра.
фронт на одном из этих входов, а затем спад на другом, поэтому для
анализа работоспособности схем на D-триггерах достаточно учитывать
Рис. 5-239. Временная диаграмма работы реверсивного сдвигающего
регистра.
В асинхронном режиме D-триггеры серий К131, К155, К158 рабо-
тают аналогично RS-триггеру (состояния входов D, С произвольные),
Ьс Функциональные схемы реверсивных сдвигающих регистров и вре-
менные диаграммы их работы приведены на рис, 5-238 — 5-242,
733
Рис. 5-240. Функциональная схема реверсивного сдвигающего регистра.
Рис. 5-241. Функциональная схема реверсивного сдвигающего регистра.
Рис. 5-242, Временная диаграмма работы реверсивного сдвигающего
регистра.
л
Вывод Назначение
А Вход сдвига.
В Вход записи.
Р Вход реверса.
И Вход информационный
С Вход синхронизации.
Рис> 5-243, Функциональная схема восьмиразрядного реверсивного
сдвиI'ающе!о регистра.
735
Схема, приведенная на рис. 5-240, имеет большее быстродействие,
но в ней требуется большее число логических элементов, чем в схеме,
приведенной на рис. 5-241. Временная диаграмма работы схемы при-
ведена на рис. 5-242. Если две последние схемы выполнены на JK-
триггерах серии К131, то реверс V
Л
и изменение информации на информа-
ционном входе D должны осуще-
ствляться при отсутствии импуль-
са синхронизации на входе«Сдвиг»С.
На рис. 5-243 приведена схема
реверсивного сдвигающего регистра
на микросхеме К155ИР1 и с ис-
пользованием элементов малой сте-
пени интеграции.
Регистр сдвига на 10 разрядов
изображен на рис. 5-244. Он выпол-
нен на основе четырехразрядных
универсальных сдвиговых регист-
ров К155ИР1. Для построения
«-разрядного сдвигового регистра
необходимо выход последнего раз-
ряда универсального регистра со-
единить с последовательным вхо-
дом V последующего регистра. В
этом случае время, необходимое
для сдвига кода на п разрядов,
равно:
~ ^сдв>
где ^сдв — время, необходимое для
сдвига кода на 1 разряд.
В работе регистра сдвига воз-
можны два режима — «Запись» и
«Сдвиг». Управление режимами
осуществляется сигналом «Режим»,
поступающим на вход 1/2.
Рис. 5-244. Функциональная схема
регистра сдвига.
Д — вход режима; В — вход сдвига;
С — вход записи.
Если сигнал «Режим» равен «1», регистр работает в режиме «Запись».
В этом случае информацию, поступающую на входы Гф — Р4, записывают
в регистр по спаду сигнала синхронизации С2. Если сигнал «Режим»
равен «0», производится сдвиг информации по спаду сигнала синхро-
низации, поступающего на вход Сг.
Временные диаграммы, поясняющие работу регистра сдвига, при-
ведены на рис. 5-245.
Сумматоры. Функциональная схема одноразрядного сумматора
(рис. 5-246) с прямыми и инверсными кодами слагаемых построена
на логических элементах И-НЕ.
Функциональная схема одноразрядного сумматора (рис, 5-247)
построена на логических элементах И-ИЛИ-НЕ,
736 ' '
Функциональная схема одноразрядного сумматора с использо-
ванием только прямых кодов слагаемых (рис. 5-248) построена на логи-
ческих элементах И-НЕ.
Рис. 5-245. Временная диаграмма работы регистра сдвига,
Функциональная схема четырехразрядного сумматора с парал-
лельным переносом, построенная согласно системе структурных логи-
ческих уравнений, приведена на рис, 5-249,
24 п/р Тарабрина Б, В,
737
Рис. 5-247. Функциональная схема одноразрядного сумматора на логи-
ческих элементах И-ИЛИНЕ.
Ak в* pk-l sk р* Ak вк ° Л-1 sh рк
0 0 ° 0 0 0 1 0 1
0 0 1 1 0 1 0 1 0 1
0 1 0 1 0 1 1 и 0 1
1 0 0 1 0 1 ) > 1
75»
На рис, 5-250 изображен накапливающий сумматор, выполш-ппыП
на основе полных комбинационных сумматоров и регистра iuimmiii.
Перед началом суммирования все регистры памяти устанавливаются
в нулевое состояние, Для этого на входы 1'.2 подается сигнал переклю-
чения режимов — логический 0. На рис. 5-251 поясняется процесс
обнуления -регистра памяти на примере обнуления одного универсаль-
ного регистра £)4. На последовательный вход подается нулевой
сигнал. Далее этот сигнал последовательно записывается во все 4 раз-
Рк-1
Рис. 5-248. Функциональная схема одноразрядного сумматора с пря-
мыми кодами слагаемых.
Ak СО ay -‘к.л Ак 'Vi pk
0 и 0 и 0 0 1 1 0 1
0 0 • 1 0 1 0 i 0
0 1 0 1 0 i 1 (} 1
1 0 1 0 1 1 i
ряда регистра путем сдвига входной информации за 4 такта сигнала
«Обнуление», поступающего па вход С4. В результате данной операции
регистр устанавливается в нулевое состояние.
На вход полного комбинационного сумматора поступает код числа,
который складывается с содержимым регистра памяти. Полученная
сумма записывается в регистр памяти в момент спада сигнала «Запись»
С2, при сигнале переключения режимов, равном «1». Таким образом,
данная сумма будет слагаемым для последующею прибавляемого числа.
Время суммирования включает в себя время срабатывания сумматора
и время записи суммы в регистр:
С у fit -4- -
с * а?
24*
739
740
где п — количество полных комбинационных сумматоров; — макси-
мальное время суммирования полного комбинационного суммаюра;
/3 — время записи суммы в регистр памяти.
Разрешение
^1р
\2 Г
.г.р
\~~jp
ГХ2— 5п
^4
Мф
Рис. 5-250. Функциональная схема сумматора накапливающего.
Dt, D2 — микросхема К155ИМЗ; D,t — микросхема К15514М2; — D, —
микросхема К155ИР1.
741
На рис. 5-252 приведена функциональная схема сложения двух
четырехразрядных положительных чисел на микросхемах К155ИМ2,
К155ТМ5.
V/
С1
Вых. 7
Вых. Z
Вых. 3
Вых. ‘t
1та.кт. Вых.1
Вых. Z
Вых. 3
BbiX.'i
2 та. кт, Вых. 7
Вых.З
Вых.З
Вых.')
Зтакт. Вых. 1
Вых. 2
Вых.З
Вых.4
Цта.кт. Вых. 7
Вых. 2
Вых.З
Вых. Ц
Обнуление Иц V^=0
t
ШшАгкПЛППП -—--—>- i_
1 .. .
г ! 1 ।
__ _____ _ ___ ___ б
__H~l ' 1 __ . _ t.
1 i 1 । 1 i “
i 1 I __J III
1 1 J _ >_
i i L *
1 ; L
1 I t
"t.
7v
1 t.
" 1 1 t
1 1 t
______ L
1 i.
i к
1 „ /
I 1
Рис, 5-251, Временная диаграмма обнуления pel пора памяти накап-
ливающего сумматора,
На рис. 5-253 приведена функциональная схема последовательного
сумматора на микросхемах К155ТВ1 (Dlt D2, £>4), К155ИМ1 (D3) и эле-
ментах Й-НЕ. Триггеры Dj и D2 служат для преобразования прямого
кода в дополнительный, причем уровень логического нуля на входах
«Знак А» и «Знак В» соответствует положительному знаку числа, а логи-
ческая единила — отрицательному. Триггер D4 служит для запомина-
ния переноса предыдущего разряда,
742
Дешифраторы. Функциональная схема полного трсхр.ппядного
дешифратора, построенная на логических элементах И-НЕ, И-И./1П-(1Е,
приведена на рис. 5-254.
На ри@. 5-255 приведена схема дешифратора «1 из 32», выполнен-
ная на ИС К155ИДЗ. На вход дешифратора подается информация в виде
пятиразрядного двоичного числа. При этом четыре младших разряда
Рис. 5-252. Функциональная схема сложения двух чегырехразрядныв
положительных чисел 4 и В.
Dt, О2, D-. — микросхема К165ТМ5; Оз, О. — миироохема К155ИМ2.
числа подаются непосредственно на соответствующие информационные
входы Ло, А1г А,, А3. Старший разряд числа подается непосредственно
на стробирующий вход Wo микросхемы и на стробирующий вход
W'o микросхемы О3 через инвертор.
Для световой индикации десятичных цифр применяется высоко-
вольтный дешифратор К155ИД1. На рис. 5-256 приведена функциональ-
ная схема подключения микросхемы К155ИД1 к индикаторной лампе
ИН-16 (ИНД, ИН-12, ИН-14). В качестве индикаторов могут приме-
няться и другие лампы с рабочим напряжением на аноде 170—200 Bj
при этом следует учитывать, что рабочий ток катода не должен превы-
шать 7 мА, а ток утечки на катоде негорящей цифры не должен превы-
шать 250 мкА в диапазоне температур. Резистор R в цепи питания анода
743
применяется для снижения напряжения логической 1 на выходе деши-
фратора. Для подсветки цифры на входы Xt — Х4 подаются сигналы,
соответствующие высвечиваемой цифре в двоичном коде.
Схемы сравнения. Функциональная схема и логические уравнения
устройства сравнения, реализующего функцию равнозначности, при-
ведены на рис. 5-257.
На рис. 5-258 приведены функциональная схема и система логи-
ческих уравнений четырехразрядного устройства сравнения, реали-
зующего функцию равенства, строгого и нестрогого неравенства.
Рис. 5-253. Функциональная схема последовательного сумматора.
На рис. 5-259 приведена схема сравнения двух четырехразрядных
чисел, выполненная на микросхеме К155ИМ1 и элементах И-НЕ.
На рис. 5-260 приведена схема равенства двух четырехразрядных
чисел, выполненная на микросхемах К155ИДЗ, К155КП7 и элементах
И-НЕ.
На рис. 5-261 приведена схема импульсного фильтра, выполненного
на элементах И-НЕ, представляющих собой четыре RS-триггера (8 эле-
ментов И-НЕ), соединенных через четыре инвертора с элементом И-НЕ,
обеспечивающим формирование выходного сигнала.
Принцип работы поясняется временными диаграммами, приведен-
ными на рис. 5-262. Сигнал длительностью т,, подлежащий фильтрации,
в импульсы помех длительностью Atj поступают на вход X фильтра,
744
Деся- тич- ная цифра Двоично-десятич- ный код Десятичный код
х3 х2 Уч У. Уъ Уз Ул Уь //« Уч
0 0 0 G 1 ! 0 0 0 0 () 0 0
1 0 0 1 0 1 0 0 ° ° °
2 0 1 0 0 0 1 ° 0 0 0 °
3 0 - 1 0 0 0 1 ° 0 0
4 1 0 0 ° 0 0 0 i ° ° 0
5 1 0 1 ° 0 0 0 0 0 , 0
6 1 1 0 ° 0 0 ° 0 0 °
1 1 1 1 1 1 0 0 0 и 0
745
Рис. 5-255. Функциональная
схема дешифратора 1 из 32.
Рис. 5-256. Функциональная
схема совместной работы мик-
росхемы К155ИД1 в газоразряд-
ным индикатором.
Рис. 5-257. Функциональная схема устройства сравнения, реализу-
ющего функцию равнозначности.
<9
7-1'5
представляющий собой соединенные параллельно входы Л' четырех
RS-триггеров. На неосновные входы фильтра, представляющие собой
входы «О» RS-триггеров, поступают дополнительные импульсные ст
налы А, В, А, В.
Порядок подачи дополнительных импульсных сигналов приведен
на диаграмме. Длительность импульса дополнительного сигнала та
связана с длительностью импульса помехи Дту соотношением
Дтг« т2.
Помеха в зависимости от ее временного положения подавляется
в одном из четырех RS-триггеров,
Использование четырех RS-триггеров обеспечивает подавление
помех, произвольно расположенных во времени. При прохождении
входного импульса через триггеры происходит задержка его фронта
в случае, если фронт импульса на S-входе совпадает с положительным
напряжением импульса, поступающего на R-вход.
В результате воздействия на входы «О» или «1» RS-триггеров основ-
ного и дополнительных импульсных сигналов на входах Л RS-триггеров
формируются импульсы, которые поступают на вход элемента DA.
На выходе Y формируется отрицательный импульс, свободный от помех.
На рис, 6-263 приведена схема задержки импульсов. Схема состоит
из четырех элементов задержки, каждый из которых представляет собой
два последовательно соединенных RS-триггера.
Принцип работы схемы поясняется временными диаграммами,
приведенными на рис. 5-264.
Схема осуществляет задержку импульса, поступающего на вход X.
На выходе схемы задержки (выход У) формируется импульс, задержан-
ный по отношению к входному на == т2/2.
Для того, чтобы увеличить задержку в п раз, необходимо последо-
вательно соединить п элементов задержки, тогда общее время задержки
определяется как /зд = лт2/2.
В данном примере рассмотрен случай, когда необходимо осуществить
привязку фронта и среза входного импульса к фронту тактирующего
импульса, подаваемого на вход А, и срезу тактирующего импульса,
подаваемого на вход В. В данном случае также формируется импульс
(выход У), задержанный по отношению к входному.
На рис. 5-265 приведены схема формирователя импульсов и
диаграмма, поясняющая принцип работы схемы.
Формирователь импульсов представляет собой последовательно
соединенные через инвертор два RS-триггера, каждый из которых со-
стоит из двух элементов И-НЕ. Схема осуществляет расширение вход-
ного импульса. На основной вход х поступает импульс отрицательной
полярности с длительностью ту, а на вспомогательные входы х2, ту
подаются сдвинутые во времени тактирующие импульсы с периодом
повторения 2/2. Для случая ту I» приведен пример работы схемы
на рис. 5-265, б. С выхода Dj снимается импульс положительной поляр-
ности длительностью т2 — ту 4- г2/2.
С выхода формирователя импульсов снимают расширенный им-
пульс положительной полярности с длительностью т3 = ту 4- /2. Для л
последовательно соединенных через инверторы RS-триггеров схема
формирователя позволит получать расширенные импульсы длитель-
ностью т3 = Т| 4- п1.г.
На рис. 5-265, в показано получение на выходе элемента расширен-
ного импульса для случая ту
747
На рис. 5-266 приведена схема селектора-мультиплексора на 16 ка-
налов в один со стробированием, выполненная на микросхеме К)Г>Г>!<| 17
и логических элементах.
На рис. 5-267 показан пример применения микросхемы К155П112
в качестве девятиразрядной схемы контроля па четность.
На рис. 5-268 приведена схема накопителя с применением микро-
схем К155ТМ5 или К155ТМ7совместное клавишными переключателями.
При нажатии одной из 4 клавиш (S1 — S4) на соответствующем входе D
микросхемы К155ТМ5 (К155ТМ7) появляется напряжение логической
единицы. Через инвертор на вход синхронизации также подается напря-
жение логической единицы. Это вызывает установку выбранного триг-
гера. Так как на все другие D-входы подан логический нуль, все
остальные ячейки памяти сбрасываются в исходное состояние. На дан-
ную схему не оказывает влияния вибрация контактов клавиатуры.
Функциональная схема модуля оперативного запоминающего уст-
ройства (ОЗУ) объемом 64 одноразрядных слова с применением микро-
схем К155РУ1, К155ИД1 приведена на рис. 5-269.
Входы !F0 и IFj и выходы Л, микросхемы объединены соответственно.
Для получения 64 адресов входы X и входы Y соединены попарно.
На рис. 5-270 приведена схема ОЗУ на 16 четырехразрядных слов,
реализованная на микросхеме К155РУ1 и логических элементах.
Схема имеет 4 входа управления (А, В, C,D), позволяющие выбирать
нужное слово, вход разрешения выборки V, вход разрешения записи
информации I7, и входы записи информации 1р, 2р, Зр, 4р.
В сложных логических системах для управления отдельными
функциями требуются многофазные тактовые генераторы. На рис. 5-271
приведена схема многофазного тактового генератора, выполненного
на микросхемах К155ИР1, К155ЛИ1, К155ЛР4.
Рис. 5-258. Функциональная схема четырехразрядного устройства
сравнения, реализующего функцию равенства, строгого и нестрогого
неравенства.
Рв > А — + ЛА(ЛА + ЛЛ) + А2В2 (Л3В3 + Лзвз) (\В4 + У 4) +
+ ^РЛ(КД7Г^7)(Л3В347ЛА)р4й4+^4) +
+ йа (уз2+7а) (Уз+Т^^А+У^У
РА > В = А,В, +- А3В3 ИХ+У^) + ДА РА+ЛАУ+
+ Л А (А2В2 + АИВ-г) ( А3В3 + А3Вз) (Л4В4 + ЛА) +
+ АА+ЧбJ (АА СА3В3 + А3^) (АА + Л4В4У
у = (л А + ЛА) (АЛ + АА) (Азвз + Азвз) (ЛА +
7 А /В = FД = В-
748
749
Рис. 5-259. Функциональная схема
устройства сравнения двух четы-
рехразрядных чисел,
Рис. 5-261. Функциональная схема
импульсного фильтра.
Рис. 5-260. Функциональная схема
равенства двух четырехразрядных
чисел.
Все выходы регистра соединяются между собой через инвертирую-
щую ячейку ИЛИ, выход которой подключен к последовательному
входу регистра. Поэтому до тех пор, пока на одном из выходов регистра
имеется напряжение логической единицы, в регистр будут записываться
сигналы логического нуля. После четырех тактовых импульсов микро-
схема К155ЛИ1 переключается, после чего во время тактового периода
на последовательном входе будет напряжение логической единицы.
Рис. 5-265. Функциональная
схема (а) и временные диаграм-
мы (б, в) формирователя им-
пульсов.
Рис. 5-264. Временная диаграм-
ма устройства задержки,
Благодаря этому логическая единица будет только на одном выходе
регистра. Для того, чтобы предотвратить наложение друг на друга
образовавшихся таким образом тактовых сигналов, все выходы регистра
подключаются к микросхеме К155ЛН1, выполняющей функцию И, на
другие входы которой подается исходный тактовый сигнал.
На рис. 5-272 приведена схема быстродействующего параллельного
умножающего устройства, выполненного на четырех микросхемах
К155ЛИ1 и трех микросхемах К155ИМЗ.
752
Рис. 5-266, Функциональная
схема селектора-мультиплексора
16 каналов на 1.
Сумма „единиц, на информа- ционных входах выходы
| $1нечет. | шан г$ |
Четная 0 1
Нечетная 1 0
Рис. 5-267. Функциональная
схема контроля четности на де-
вять разрядов.
Рис. 5-268. Функциональная схема накопителя»
25 п/Р Тарабрина 6, В,
753
754
Рис, 5-270, Функциональная схема ОЗУ 16 слов на 4 разряда,
26*
755
Рис, 5-271, Функциональная схема (а) и временная диаграмма работы
(б) генератора многофазного тактового,
Рис. 5-272. Функциональная схема быстродействующего параллельного умножающего устройства.
757
756
5-3. ПРИМЕРЫ ПОСТРОЕНИЯ
ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ РЭА’
НА АНАЛОГОВЫХ МИКРОСХЕМАХ
В данном параграфе приведены некоторые примеры построения
схем функциональных узлов РЭА на аналоговых интегральных микро-
схемах с ориентировочными электрическими параметрами этих узлов
при нормальной температуре.
Рис. 5-273, Схемы избирательных усилителей на микросхемах
123УН1А.
а — на частоту 80 Гц; б — на частоту 160 Гц.
Избирательный усилитель на микросхеме 123УН1А
Центральная частота полосы пропускания ........ 80 Гц
Ширина полосы пропускания на уровне 0,7............... 6 Гц
Входное напряжение ............................... 1,0 мВ
Входное сопротивление.............................. 20 кОм
Выходное напряжение не менее , , , , ................. 2 В
758
Избирательный усилитель на микросхеме 123УН1Л
Центральная частота полосы пропускания . ........... НИ) Гц
Ширина полосы пропускания на уровне 0,7.............. 10 Гц
Входное напряжение ................................. 3,0 мВ
Выходное напряжение не менее , ..................... 1,5 В
Сх чз Тл/
Ah ДИ
Uh.h — 5,3В
01
10
13
100,0 пRl
9
3 6
05
Выход JTL
100,0
100,0^.
«2
500
Рис. 5-274. Схема усилителя-ограничителя на микросхеме 123УН1А,
Усилитель-ограничитель на микросхеме 123УН1А
Входное напряжение не более 0,4 В
Верхняя граничная частота не более 100 кГц
Напряжение ограничения на выходе ........... . , , , 0,8—2,0 В
с<зЧз Тсу
|— +1 500,0 Ои.п —5,3 В
Г Вход
Рис. 5-275, Схема видеоусилителя на микросхеме 123УН1А,
Видеоусилитель на базе микросхемы 123УН1А
Амплитуда входного импульса не более 0,4 В
Полярность входного импульса Положительная
(отрицательная)
Длительность импульса не менее..................... 10,0 мкс
Частота повторения не более........................ 50,0 кГц
Амплитуда выходного импульса не более............... 2,2 В
Полярность выходного импульса .......Положительная
(отрицательная)
759
Вход
ди п1~6)ЗВ
Выход
U,.n2^-6,3B
Рис. 5-276. Схема малошумящего усилителя на микросхеме 123УН1А.
Малошумящий усилитель низкой частоты
на микросхеме 123УН1А
Входное сопротивление не менее.................... 1,5 МОм
Неравномерность АЧХ в диапазоне 20 Гц—-200 кГц не
более............................................... 1,5 дБ
Максимальное выходное напряжение не менее........... 1,5 В
Входная емкость не более ........................... 10.0 пФ
Сопротивление нагрузки ..................... 500 Ом
Напряжение шумов в полосе частот 20 Гц —200 кГц . . 3—30 мкВ
Un п1~6В
Рис. 5-277. Схема фазового детектора на микросхемах 140МА1 и
140УД5.
Фазовый детектор на микросхемах 140МА1 и 140УД5
Напряжение управляющего сигнала................... 150 мВ
Напряжение опорного сигнала........................ 50 мВ
760
Частота входных сигналов (управляющего и опорного) Ж'МГн
Коэффициент подавления уровней входных сигналов на
выходе не менее............................... 37 д!>
Крутизна фазовой характеристики.......................100 мВ/град
Рис, 5-278, Схема формирователя пилообразного напряжения на
микросхеме 140УД1Б.
Формирователь пилообразного напряжения
на микросхеме 140УД1Б
Длительность рабочего хода ........................5—100 мкс
Длительность обратного хода ........................2—10 мкс
Коэффициент гармоник не более:
при £/Вых = 3,4 В..................................... 1%
при 7/Вых = 6,О В................................. 5%
Балансный модулятор на микросхеме 140МА1
Максимальное напряжение по входу I ................ 50 мВ
Максимальное напряжение по входу 2 ................ 200 мВ
Частота управляющего сигнала......................... 6 кГц
Частота опорного сигнала ...................... . 60 кГц
Дифференцирующий усилитель на микросхеме 140УД1Б
Длительность импульса входного сигнала............. 10 мкс
Частота следования входных импульсов............... 10 кГц
Максимальная амплитуда выходного сигнала........... +9,3 В
—7,2 В
761
иип1^12В
Рис, 5-279. Схема балансного модулятора на микросхеме 140МА1,
Рис. 5-280. Схема дифференцирующего усилителя на микросхеме
140УД1Б.
Резистор R2 подбирается при регулировании усилителя.
Длительность выходного импульса (по уровню 0,5):
положительного........................... -1-0,55 мкс
отрицательного..................................—0,65 мкс
Длительность фронта выходного импульса:
положительного ....................................0,13 мкс
отрицательного ................................0,3 мкс
Длительность среза выходного импульса:
положительного...................................... 1,2 мкс
отрицательного ....................... 1,5 мкс
762
Вход УТ2 П201 Д81ЧА Выход
Рис. 5-281. Схема стабилизатора напряжения на микросхеме
140УД1Б.
Стабилизатор напряжения на микросхеме 140УД1Б
Входное напряжение (/вх.......................... 17—27 В
Номинальное стабилизированное напряжение (7BWX .... 12,6 В
Диапазон регулировки стабилизированного напряжения 11—14 В
Точность стабилизации................................. 1%
Напряжение пульсации при 7Вых = 300 мА........... , 5 мВ
Генератор низкой частоты на микросхеме 140УД1Б
Выходное напряжение................................
Частота выходного сигнала............................
Нестабильность частоты выходного сигнала...........
Скважность выходных импульсов , ............. . , .
7,0—9,0 В
450 Гц
+ 10%
2 + 0.1
763
Рис, 5-283. Схема выпрямителя со стабилизатором напряжения на
микросхеме 140УД1Б.
Выпрямитель со стабилизатором напряжения на
микросхеме 140УД1Б
Стабилизированное выходное напряжение............ 12,6 В
Точность стабилизации............................. 1,0%
Напряжение пульсации не более ................... 2,0 мВ
Максимальный ток нагрузки........................... 0,8 А
Un.n1~12f6B Uhj>2~5B
Я>П VJ)1 ry.r
2Д503 ШУ
--------Й---------
Рис. 5-284. Схема усилителя на микросхеме 149КТ1Б.
Усилитель, работающий на кабель на микросхеме 149КТ1Б
Амплитуда входного сигнала........................... 3,0 В
Длительность импульса входного сигнала.............. 10,0 мкс
Частота следования . ................................. 10 кГц
764
Длительность спада выходного импульса не более .... 1.0 мне
Длительность фронта выходного импульса не более . . . О,-1' мкс
Амплитуда выходного сигнала........................ 2— I В
Рис. 5-285. Схема генератора прямоугольных импульсов на микро-
схеме 149КТ1Б.
Ои.п =5,0В+0,5В
300
Выход
Генератор прямоугольных импульсов на микросхеме 149КТ1Б
Амплитуда выходного импульса...................... 4,0 В
Длительность выходного импульса..................... 2,5 мкс
Длительность фронта выходного импульса.............. 0,3 мкс
Длительность среза выходного импульса............... 0,2 мкс
Частота следования импульсов ....................... 130 кГц
Скважность........................................ 3,0
Рис, 5-286, Схема одностабильного мультивибратора на микросхеме
153УД1,
765
Схема одностабильного мультивибратора на микросхеме
153УД1
Работу схемы можно синхронизовать подачей импульсов на вход
схемы через конденсатор С3.
Размах выходного напряжения не менее................ -t 10 В
Период повторения выходных импульсов.................10 000 мкс
Рис. 5-287, Схема генератора прямоугольных импульсов с регулиру-
емой длительностью на микросхеме 153УД1,
Схема генератора прямоугольных импульсов с регулируемой
длительностью на микросхеме 153УД1
Длительность выходных импульсов регулируется с помощью
резистора R3. Период повторения выходных импульсов регулируется
с помощью резистора р2.
Размах выходного напряжения не менее 10 В
Длительность выходных импульсов ................ 250—1600 мкс
Период повторения выходных импульсов 1750—8000 мкс
Схема коммутатора видеосигналов на микросхеме
168КТ2А
На входы 3 и 5 микросхемы 168КТ2А поступают видеосигналы
положительной полярности. Коммутация ключей осуществляется пода-
чей управляющих напряжений на входы 2, 6, У микросхемы.
Амплитуда входного импульса................ 0,05—4,5 В
Длительность входного импульса.................. 0,1—250 мкс
Амплитуда управляющего сигнала.................... дЮ В
760
Рис. 5-288. Схема коммутатора видеосигналов на микросхеме
168КТ2А.
Коэффициент передачи........................... 0,7—0,8
Полоса пропускания............................. 10,0 мГц
Динамический диапазон.......................... 30 дБ
Кабельный усилитель на микросхеме К170ААЗ
Схема работает на коаксиальный кабель е волновым сопротивле-
нием 75, 100 Ом, длина кабеля до 70 м.
Допустимая нагрузка, распределенная вдоль линии связи или
сосредоточенная на конце линии связи, не более 15 входов ТТЛ-схем
Рис. 5-289, Схема кабельного усилителя на микросхеме К170ААЗ.
типа 133ЛА1 с обеспечением амплитуды импульса на согласующем
сопротивлении 2,4 В, при этом ток нагрузки составляет примерно
8 мА.
767
Величина согласующего сопротивления R2 при работе на кабель
РК15, РК100 и нагрузке 15 входов ТТЛ-схем составляет 80—120 Ом.
Схема индикации на микросхеме К170АА1
Управление по входам производится от ТТЛ-схем серии К133
(К155).
Рис. 5-290. Схема индикации на микросхеме К170АА1.
В рабочем состоянии через открытый выходной транзистор форми-
рователя протекает ток порядка 80 мА.
Каскад логарифмического усилителя промежуточной частоты
на микросхеме 228УВ2
При таком включении микросхема выполняет функции усилителя-
ограничителя и детектора.
1/„.п=-6,ЗВ
56
С1 F
-г 3000
0,15.. 2000
6
3
7
10] g| gf
Входной,
сигнал ПЧ,
11
~Г100
Об_______
Выход
сигнала. ПЧ
Выход
сигнала
Ви.п = 6,ЗВ
[у/5 уЩз_
Рис. 5-291. Схема каскада усилителя промежуточной частоты с лога-
рифмической переходной характеристикой на микросхеме 228УВ2.
768
Коэффициент усиления не менее..................... 5
Верхняя граничная частота на уровне 0,7 не менее . . 80 МГц
Центральная частота............................. 30—80 МГн*
Полярность видеосигнала.........................Отрицательная
Вход
Ri
3,9к
Сг-р
3600 ' 1
Ry
к
3600
228УВЧ
1
"-pCi
к 8,2
U„.n = 6,3B
Rs4,7k
Cs
8
12
228УВЧ
2Чк
Rs
5,6к
11
2
Rn
100
иип=-~6,ЗВ
2Д503А
Ж1£.
Выход
Тч
Ci о
0,033
с 8 56
13
R13
6,8к
Cv+LCe
Л7.
228УВ2
В15
1,6к
R3
8
ж
А
у
15к
Рис. 5-292. Схема формирователя импульсов на микросхемах 228УВ4
и 228УВ2.
Формирователь импульсов на микросхемах ЖХИ2 я 228УВ4
Параметры входных импульсов положительной по-
лярности:
амплитуда .................................
длительность ........................... . .
частота следования ........................
Амплитуда выходных импульсов положительной
полярности не менее.............. . .........
0,5—2 В
0,1 мкс—1 мс
10 Гц—100 кГц
3,0 В
Эмиттерный повторитель на микросхеме 228УВ4
Нижняя граничная частота /н......................... 3 МГц
Верхняя граничная частота ..........................30 МГц
Коэффициент передачи................................0,92—1,0
Входное сопротивление не более...................... 120 Ом
* Значение емкости С4 соответствует частоте МГц.
7G9
U".„=12,SB
Вход в
эмитт поот. 1
Вход у си. лют у
С;
0,0 22
Выход эмитт. подт.
I Выход усилит.
.Су Су
0,022 ~Г0,022
Рис, 5-293. Схема эмиттерного
повторителя на микросхеме
228УВ4.
Рис. 5-294. Схема эмиттерного
повторителя и усилителя на
микросхеме 228УВ4.
Эмиттерный повторитель и усилитель на микросхеме 228УВ4
Амплитуда входного сигнала эмиттерного повторителя 150—200 мВ
Частота входного сигнала эмиттерного повторителя ... 5,0 МГц
Амплитуда входного сигнала усилителя не менее .... 20 мВ
Частота входного сигнала усилителя . ................ 5,0 МГц
ПРИЛОЖЕНИЕ I
Таблица П1-1
Условные графические обозначения логических элементов
Наименование Таблица истинности Обозначение
Повторитель Логически эквивалентная форма х У 0 0 1 1 фф 1
НЕ (инвертор) Логически эквивалентная форма х У 0 1 1 0 фф
ИЛИ (дизъюнктор)! Логически эквивалентная форма Х1 -Ч у ООО 0 1 1 1 0 1 1 1 1 — 7 у хг — —
ИЛИ — НЕ (элемент Пирса)! Логически эквивалентная форма -Ч *2 У 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 I 0 ”~й”
И (коиыонктор)! Логически эквивалентная форма %1 Х'2 у ООО 0 1 0 1 0 0 1 1 1 ф ф
И - НЕ (элемент Шеффера)1 Логически эквивалентная форма *1 У 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 I Ф W
771
Продолжение табл. JJl-t
Наименование Т аблица истин ности Обозначение
Сложение по модулю '2 (нечет- ность)!* Х2 Х3 у
0 0 0 0 0 0 11 0 10 1 0 110 10 0 1 10 10 110 0 1111
Х2 ХЗ м? У
Сложение по модулю 2 с отри- цанием (четность)! Л"1 Х2 Xg у 0 0 0 1 0 0 10 0 10 0 0 111 10 0 0 10 11 110 1 1110 агг £2 Mg У
Эквивалентность» Х2 Xg у 0 0 0 1 0 0 10 0 10 0 0 110 10 0 0 10 10 110 0 1111 1 хг = У
Исключающее ИЛИ («1 и толь- ко 1») Х1 х2 х3 у 0 0 0 0 0 0 11 0 10 1 0 110 10 0 1 10 10 110 0 1110 Х1' 1 = 1 У
772
Продолжение табл. П1-1
Наименование Таблица истинности Обозначен не
«п» и только «л»-4. Общее обо- значение Х1 *2 х3 У 0 0 0 0
0 0 10 0 10 0
0 111 10 0 0 10 11 110 1 1110
Логический порог3. Общее обо- значение Х1 л-2 х3 х4 у 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 10 0 0 0 111 0 10 0 0 0 10 11 0 110 1 0 1111 10 0 0 0 10 0 11 10 10 1 10 111 110 0 1 110 11 1110 1 11111 1 ! 1 У
Мажор итарность4 Xi Х2 х3 у 0 0 0 0 0 0 10 0 10 0 0 111 10 0 0 10 11 110 1 1111 xs У
773
Продолжение табл. П1~1
Наименование Таблица истинности Обозначение
Выводы, пе несущие логической
информации
1 Число входов может быть любым больше одного.
2 Число входов любое больше одного; ti— натуральное число, не превы-
шающее числа входов логического элемента, например элемент «2 и только 2».
3 Число входов любое больше одного; п— натуральное число, не равное
единице, меньшее общего числа входов элемента, например логический порог
2 из четырех переменных.
4 Число входов может быть любым, нечетным больше одного, например три*
Примеры обозначений комбинационных логических элементов с
равноценными входами
И-ИЛИ
И-ИЛИ-НЕ
ИЛИ-И
Примечание. Число входов и групп входов может быть любым.
Примеры изображения функциональных расширителей.
Функциональный расширитель И для рас-
ширения по И (однополюсное подключение
расширителя)
774
Функциональный расширитель И для рас-
ширения по ИЛИ (двухполюсное подключение
расширителя)
Функциональный расширитель И для рас-
ширения группы входов по И (однополюсное"—
подключение расширителя) —
88
Примечание. При изображении разнесенным способом функцио-
нальных расширителей и логических элементов, к которым расширители под-
ключены, символ функции расширителя указывает: а) операцию, выполняе-
мую над входными переменными расширителя, например И; б) функцию,
выполняемую основным элементом над результатом операции расширителя,
например ИЛИ.
Метки, обозначающие функциональные назначения входов триг-
геров.
Вход для раздельной установки триггера в состояние логиче-
ской единицы (S-вход) S*
Вход для раздельной установки триггера в состояние логиче-
ского нуля (R-вход) R
Вход для установки состояния логической единицы в уни-
версальном JK-триггере (J-вход) J
Вход для установки состояния логического нуля в универ-
сальном JK-триггере (К-вход) К
Счетный вход (Т-вход) Т**
Информационный вход для установки триггера в состояния
логической единицы и логического нуля (D-вход) D
Подготовительный управляющий вход для разрешения
приема информации (V-вход) V
Исполнительный управляющий (командный) вход для осуще-
ствления приема информации. Вход синхронизации (С-вход) С*
* При необходимости к буквам добавляются цифры, например SI, S2,
Cl, С2, СЗ и т. д.
* * Если триггер имеет только счетный вход, метка Т может отсутствовать.
Таблица П1-2
Обозначения элементарных асинхронных триггеров
Наименование Таблица состояний1 Обозначение2
RS-триггер с прямыми входами А В Q
(с раздельной установкой состоя- 0 0 Q* а Г7Г71 я
ний «0» и «1») 0 1 0 — $ ' Нт в п 1 Q
1 0 1 S— R 6—
1 1 н/о
775
Продолжение табл. П1-2
1 В таблицах состояний приняты следующие обозначения*
Q* — хранение состояния триггера;
Q* — изменение состояния триггера на противоположное:
Н/О — состояние триггера неопределенно.
2 Выход логического нуля отличается от выхода единицы индикатором
логического отрицания (Q). Логический индикатор на входе триггера указы-
вает, при каком значении логической переменной происходит определенное
воздействие на состояние триггера.
Примеры обозначений синхронных триггеров
со статическим управлением*
RS-триггер
* Значение двоичной переменной на статическом входе воспринимается
все время, пока сигнал на этом входе находится в одном определенном со-
стоянии.
776
D-триггер
DV-триггер (управляющие входы связаны по И)
или
DV-триггер (информационные входы связаны
по И)
DRS-триггер с асинхронными S- и R-входами
Двухступенчатый синхронный RS-триггер с асин-
хронными S- и R-входами и с выходами от первой
и второй ступени
'JKRS-триггер с динамическим С-входом
777
RST-триггер с синхронизирующим сцетным вхо.
дом С и асинхронными S- и R-входами
Синхронный RS-триггер, управляем^
сериями синхронизирующих сигналов
двумя
Примеры обозначений синхронных тригГеров с дииамическнм
исполнительным управляющим (синхро4изирующим) входом*
RS-триггер
^^"тйиггер
D-триггер
ЛК-трИггер
Примеры обозначений триггеров, nocT^^^ по принципу
двухступенчатого запоминания информации
RS-триггер
Т-триггер>
'JK-триггер
D-триггер,
—а'
* Значение двоично?! переменной на динами
только в те промежутки времени, когда сигнал
определенным образом. В отличие от статическое
обозначают треугольником.
ческом входе воспринимается
на этом входе изменяется
а входа динамический вход
778
Примеры обозначений триггеров со сложной входной логикой
Асинхронный RS-триггер. Входы в S- и R-rpyn-
пах связаны по ИЛИ (дизъюнктивно)
Асинхронный RS-триггер. Входы в S- и R-rpyn-
пах связаны по И (конъюнктивно)
Асинхронный RS-триггер, имеющий две группы
инверсных S-входов, связанных по ИЛИ, две группы
прямых S-входов, связанных по И, и один инверсный
R-вход
D-триггер
D-входы связаны по И-ИЛИ
С-входы связаны по И
8 R Г
Обозначения входов и выходов дешифраторов, шифраторов,
полусумматоров, сумматоров, кодовых преобразователей и регистров
Вход считывания информации С*
Вход сдвига D*
Выход по модулю «2» /И2
Вход установки в состояние «О» R
Выход полусумматора, вход сумматора или вход регистра
«Сумма по модулю 2»; вход установки в состояние «1» S*
Перенос Р
Вход подготовки приема информации И
Суммирующий счетный вход ф 1
Входы шифраторов, входы и выходы дешифраторов помечают чис-
лами, изображающими кодовые комбинации: 0, 1, 2...
Выходы шифраторов помечают числами, изображающими двоич-
ные веса: 1, 2, 4, 8.
Входы и выходы кодовых преобразователей обозначают арабскими
цифрами или латинскими буквами.
Условные графические изображения прямых и инверсных входов
и выходов сложных логических элементов отличают такими же спо-
собами, как и для более простых логических элементов.
* В обозначениях регистров и счетчиков применяют совместно с цифро-
выми индексами.
779
Примеры построения условных графических обозначений слож-
ных логических элементов
Дешифратор (де-
кодер), обш.ее обо-
значение Р~'2п~1\
т = 2п — 1, где п —
число двоичных
разрядов дешифри-
руемого кода
Одноразрядный
сумматор ком-
бинационный Ух —
= ЛДХ2Х3 + Л']Х2Л'з Д-
+ ХхХ2Х3 + ххХ2Ха
Уч~ Х\Х2 4- х2%з
Кодовый
разователь
преоб-
Дешифратор с
парафазными вхо-
дами
Полусумматор
у = ХхХ2-рХ1Х2
У 2= XiX2
А В С 5 Е F G Н
Двоичпый счет-
чик с двухтактной
синхронизацией,
возможностью уста-
новки кода и асин-
хронным входом
установки счетчика
в состояние логиче-
ского нуля
(ко-
0 1 2 2 Ч S S 7 8 9 10 11 12 18 14 15 CD 1 2 7 8
780
Il I' Il .III) >11 Л II II !: 2
Переводная таблица условных обозначений микросхем,
сведения о которых помещены в справочнике
Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73
Цифровые интегральные микросхемы
1ЛИ091 109ЛИ1 К1ИЛ141Б КП4ИЛ1Б
К1ЛИ091А К109ЛИ1А КШР141А К114ИР1А
К1ЛИ091Б КЮ9ЛИ1Б К1ИР141Б КН4ИР1Б
1ЛП141А 114ЛП1А К1ТР141А К114ТР1А
1ЛП141Б 114ЛП1Б К1ТР141Б К! 14ТР1Б
1ЛП142А 114ЛД1А 1ЛБ151 115ЛЕ1
1ЛП142Б 114ЛД1Б 1ЛБ152 115ЛЕ2
1ЛП143А 114ЛП2А 1ЛБ153 П5ЛЕ0
1ЛП143Б 114ЛП2Б 1ЛБ154 115ЛЕ4
1ЛП144А 114ЛПЗА 1ЛП151 115ЛП1
1ЛП144Б 114ЛПЗБ 1ЛС151 115ЛС1
1ЛП145А 114ЛД2А 1ТР151 115ТР1
1ЛП145Б 114ЛД2Б К1ЛБ151 КИ5ЛЕ1
1ЛБ141А 114ЛЕ1А К1ЛБ152 К115ЛЕ2
1ЛБ141Б 114ЛЕ1Б К1ЛБ153 КИ5ЛЕЗ
1ЛБ142А 114ЛЛ1А К1ЛБ154 КИ5ЛЕ4
1ЛБ142Б 114ЛЛ1Б К1ЛП151 КН5ЛП1
1ЛБ143А 114ЛЛ2А К1ЛС151 КП5ЛС1
1ЛБ143Б 114ЛЛ2Б К1ТР151 К115ТР1
1ИЛ141А 114ИЛ1А 1ЛБ211А 121ЛА1А
1ИЛ141Б 114ИЛ1Б 1ЛБ211Б 121ЛА1Б
1ИР141А 114ИР1А 1ЛБ211В 121ЛА1В
1ИР141Б 114ИР1Б 1ЛБ211Г 121ЛА1Г
1ТР141А 114ТР1А 1ЛБ212А 121ЛА2А
1ТР141Б 114ТР1Б 1ЛБ212Б 121ЛА2Б
К1ЛП141А К114ЛП1А 1ЛП211 121ЛД1
К1ЛП141Б К114ЛП1Б К1ЛБ211А К121ЛА1А
К1ЛШ42А КН4ЛД1А К1ЛБ211Б К121ЛА1Б
К1ЛП142Б К114ЛД1Б К1ЛБ211В Щ21ЛА1В
К1ЛП143А К114ЛП2А К1ЛБ2НГ К121ЛА1Г
К1ЛП143Б К114ЛП2Б К1ЛБ212А К121ЛА2А
К1ЛП144А КИ4ЛПЗА К1ЛБ212Б К121ЛА2Б
К1ЛП144Б КП4ЛПЗБ К1ЛП211 К121ЛД1
К1ЛП145А КИ4ЛД2А 1ЛС281А 128ЛС1А
К1ЛП145Б К114ЛД2Б 1ЛС282Б 128ЛС1Б
К1ЛБ141А КП4ЛЕ1А 1ЛС281В 128ЛС1В
К1ЛБ141Б КИ4ЛЕ1Б 1ЛР281А 128ЛР1А
К1ЛБ142А К114ЛЛ1А 1ЛР281Б 128ЛР1Б
К1ЛБ142Б КН4ЛЛ1Б 1ЛР281В 128ЛР1В
К1ЛБ143А К114ЛЛ2А 1ЛП281 128ЛД1
К1ЛБ143Б К114ЛЛ2Б К1ЛС281А К128ЛС1А
К1ИЛ141А К114ИЛ1А К1ЛС281Б К128ЛС1Б
781
Продолжение приложения 2
Продолжение приложения 2
Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73
К1ЛС281В К128ЛС1В К1лрзз1 К133ЛР1
К1ЛР281Д К128ЛР1Д К1ЛРЗЗЗ К133ЛРЗ
К1ЛР281Б К128ЛР1Б К1ЛР334 К133ЛР4
КIЛ2Й1В К128ЛР1В К1ЛП331 К1ззлд1
К1ЛП281 К128ЛД1 К1ЛПЗЗЗ К133ЛДЗ
1 Jl ЬЗО1 130ЛА1 K1TK33I К133ТВ1
1Л Б302 130ЛА2 1ЛБ341А 134ЛБ1А
1Л ьзоз 1 ЗОЛ АЗ 1ЛБ341Б 134ЛБ1Б
1Л Ь304 130ЛА4 1ЛБ343А 134ЛБ2А
1ЛБ306 130ЛА6 1ЛБ342Б 134ЛБ2Б
1J1P3U1 130ЛР1 1ЛБ343А 134ЛА8А
1ЛР303 130ЛРЗ 1ЛБ343Б 134ЛА8Б
1ЛР304 130ЛР4 1ЛБ344А 134 ЛА 2 А
1Л11зо 1 130ЛД1 1ЛБ344Б 134ЛА2Б
1ТК301 130ТВ1 1ЛР341А 134ЛР1А
К1Л ьз 11 К131ЛА1 1ЛР341Б 134ЛР1Б
К1ЛБ312 К131ЛА2 1ЛР342А 134ЛР2А
К1Л ЬЗ13 К131ЛАЗ 1ЛР342Б 134ЛР2Б '
К 1ЛБ314 К131ЛА4 1ЛР343А 134ЛР4А
К1ЛБ316 К131ЛА6 1ЛР343Б 134ЛР4Б
К1Л11311 К131ЛД1 1ЖЛ341 134ХЛЗ
К1ЛР311 К131ЛР1 1ТК342 134ТВ1
К1ЛР313 К131ЛРЗ 1ТК343 134ТВ14
К1ЛР314 К131ЛР4 1ТК344А 134ТМ2А
к 1ТК.311 К131ТВ1 1ТК344Б 134ТМ2Б
1ЛБ331 133ЛА1 К1ЛБ341 К134ЛБ1
1ЛБ332 133ЛА2 К1ЛБ342 К134ЛБ2
1 лбЗзз 133ЛАЗ К134ЛБЗ К134ЛА8
1ЛБ334 133ЛА4 К134ЛБ4 К134ЛА2
1Л БЗЗб 133ЛА6 К1ЛР341 К134ЛР1
1ЛБ337 133ЛА7 К1ЛР342 К134ЛР2
1Л БЗЗЙ 133ЛА8 К134ЛРЗ К134ЛР4
1ЛР331 133ЛР1 К1ЖЛ341 К134ХЛЗ
1ЛРЗЗЗ 133ЛРЗ К1ТК342 К134ТВ1
1ЛР334 133ЛР4 К1ТК343 К134ТВ14
1ЛП331 133ЛД1 К134ТК4 К134ТМ2
1Л11ззз 133ЛДЗ 1ЛБ361 136ЛА1
1ТК331 133ГВ1 1ЛБ362 136ЛА2
1ТК332 133ТМ2 1ЛБ363 136 ЛАЗ
К1ЛБ331 К133ЛА1 1ЛБ364 136ЛА4
К1ЛБ332 К133ЛА2 1ЛР361 136ЛР1
К1 ЛБЗЗЗ К133 Л АЗ 1ЛР363 136ЛРЗ
К1ЛБ334 К133ЛА4 1ЛР364 136ЛР4
К1ЛБ336 К133ЛА6 1ТК361 136ТВ1
К1ЛБ337 К133ЛА7 К1ЛБ361 К136ЛА1
к 1Л ьззз К133ЛА8 К1ЛБ362 К136ЛА2
Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73
К1ЛБ363 К136ЛАЗ К1ТК551 К155ТВ1
К1ЛБ364 К136ЛА4 К1ТК552 К155ТМ2
К1ЛР361 К136ЛР1 К1ЖЛ551 К155АШ
К1ЛР363 К136ЛРЗ КШЕ551 К155ИЕ1
К1ЛР364 К136ЛР4 1ПМ561А 156АГ1А
К1ТК361 К136ТВ1 1ПМ561Б 156АГ1Б
К1ЛБ371 К137ЛМ1 1ПМ561В 156АГ1В
К1ЛБ3719 К137ЛМ2 1УП561А 156ЛА6А
К1ЛБ372 К137ЛЕ1 1УП561Б 156ЛА6Б
К1ЛБ379 К137ЛЕ2 1ЛБ561А 156ЛА4А
К1ЛБ375 К137ЛМЗ 1ЛБ561Б 156ЛА4Б
К1ЛБ376 К137ЛМ4 1ЛБ561В 156ЛА4В
К1ЛБ3717 К137ЛМ5 1ЛБ562 156ЛА1
К1ЛП371 К137ЛД1 1ЛБ563А 156ЛА2А
К1ЛП372 К137ЛД2 1ЛБ563Б 156ЛА2Б
К1ИЛ371 К137ИЛ1 1ЛБ563В 156ЛА2В
КШЛ372 К137ИЛ2 1ЛБ564А 156ЛД1А
К1ТР371 К137ТР1 1ЛБ564Б 156ЛД1Б
К1ТР374 К137ТМ1 1ЛБ564В 156ЛД1В
К1ИР441 К144ИР1 1ЛБ566А 156ЛА5А
1ЛБ551 155ЛА1 1ЛБ566Б 156ЛА5Б
1ЛБ552 155ЛА2 1ЛП561 156ЛДЗ
1ЛБ553 155ЛАЗ К1ЛБ581 К158ЛА1
1ЛБ554 155ЛА4 К1ЛБ582 К158ЛА2
1ЛБ556 155ЛА6 К1ЛБ583 К158ЛАЗ
1ЛБ557 155ЛА7 К.1ЛБ584 К158ЛА4
1ЛБ558 155ЛА8 К1ЛР581 К158ЛР1
1ЛР551 155ЛР1 К1ЛР583 К158ЛРЗ
1ЛР553 155ЛРЗ К1ЛР584 К158ЛР4
1ЛР554 155ЛР4 К1ТК581 К158ТВ1
1ЛП551 155ЛД1 К1ЛБ721 К172ЛМ1
1ЛП553 155ЛДЗ К1ЛБ722 К172ЛМ2
1ТК551 155ТВ1 К1ЛИ721 К172ЛИ1
1ТК552 155ТМ2 К1ЛР721 К172ЛК.1
К1ЛБ551 К155ЛА1 К1ТР721 К172ТР1
К1ЛБ552 К155ЛА2 1ЛБ781 178ЛМ1
К1ЛБ553 К155 ЛАЗ 1ЛБ782 178ЛМ2
К1ЛБ554 К155ЛА4 1ЛИ781 178ЛИ1
К1ЛБ556 К155ЛА6 1ЛР781 178ЛК1
К1ЛБ557 К155ЛА7 1ТР781 178ТР1
К1ЛБ558 К155ЛА8 К1ЛБ781 К178ЛМ1
К1ЛР551 К155ЛР1 К1ЛБ782 К178ЛМ2
К1ЛР553 К155ЛРЗ К1ЛИ781 К178ЛИ1
К1ЛР554 К155ЛР4 К1ЛР781 К178ЛК1
К1ЛП551 К155ЛД1 К1ТР781 К178ТР1
К1ЛП553 К155ЛДЗ К1ЛБ873 К187ЛМ1А
783
782
Продолжение приложения 2
Продолжение приложения 2
Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73
К1ЛБ8711 К187ЛМ1Б 2ЛБ041 204ЛБ1
К1ЛБ874 К187ЛЕ1А 2ЛБ042 204ЛБ2
К1ЛБ8713 К187ЛЕ1Б 2НК041 204НК1
К1ЛБ877 К187ЛМ2А 2ЛИ041 204ЛИ 1
К1ЛБ8715 К187ЛМ2Б К2ТК041 К204ТК1
К1ЛП871 К187ЛД1А К2ЛБ041 К204ЛБ1
К1ЛП872 К187ЛД1Б К2ЛБ042 К204ЛБ2
К1ТР872 К187ТМ1А К2НК041 К204НКД
К1ТР875 К187ТМ1Б К2ЛИ041 К 204ЛИ 1
1ЯМ881 188РМ1 2НК051 205ЛП1
2ЛБ011 201ЛБ1 2ЛБ051 205ЛЕ1
2ЛБ012 201ЛБ2 2ЛБ052 205ЛЕ2
2ЛБ013 201ЛБЗ 2ЛБ053 205ЛЕЗ
2ЛБ014 201ЛБ4 2ЛН051 205ЛИ 1
2ЛБ015 201ЛБ5 2ТС051 205ЛР1
2ЛБ016 201ЛБ6 2ЛБ101 210ЛА1
2ЛБ017 201ЛБ7 2ЛБ102 210ЛЕ2
2ЛС011 201ЛС1 К2ЛБ101 К210ЛА1
2НТ011 201НТ1 К2ЛБ102А К210ЛЕ2А
2НТ012 201НТ2 К2ЛБ102Б К210ЛЕ2Б
2НТ013 201НТЗ 2ЛБ111 211ЛЕ1
К2ЛБ011 К201ЛБ1 2ЛБ112 211ЛЕ2
К2ЛБ012 К201ЛБ2 2ЛБ113 211 ЛЕЗ
К2ЛБ013 К201ЛБЗ 2ЛБ114 211ЛЕ4
К2ЛБ014 К201ЛБ4 2ЛБ115 211ЛЕ5
К2ЛБ015 К201ЛБ5 2ЛБ116 211ЛЕ6
К2ЛБ016 К201ЛБ6 2ЛБ117 211ХЛ1
К2ЛБ017 К201ЛБ7 2ЛБ118 211ХЛ2
К2ЛС011 К201ЛС1 2ЛБ119 211ХЛЗ
K2HT01I К201НТ1 2ЛБ1110 211ЛЕ10
К2НТ012 К201НТ2 2ЛБ1111 211ЛЕ11
К2НТ013 К201НТЗ 2ЛБ1112 211ЛЕ12
2ЛН021 202ЛН1 2ЛН111 211ЛН1
2ЛН022 202ЛН2 2ЛН112 211ЛН2
2УИ021 202УИ1 2ЛН113 211ЛНЗ
2ЛС021 202ЛС1 2ЛН114 211ЛН4
2ЛС022 202ЛС2 2ЛН115 211ЛН5
2ЛС023 202ЛСЗ 2ЛН116 211ЛН6
2ЛС024 202ЛС4 2ИР111 211ИР1
2ЛС025 202ЛС5 2ИР112 211ИР2
2ЛС026 202.ЛС6 2ИЕШ 211ИЕ
2ЛП021 202НК1 2ИЕ112 211ИЕ2
2ЛП022 202НК2 2ТР111 211ХЛ4
2НД021 202НД1 2ТР112 211ХЛ5
2НД022 202 НД2 2ТР113 211ХЛ6
2ТК041 204ТК1 2ТР114 —
Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73
215ЛН1 2ЛН182 218ЛН2
2ЛС151 215ЛС1 2ЛН183 218ЛНЗ
2ЛС152 215ЛС2 2ТК181 218ТК1
2УИ151 215УИ1 К2ЛБ181 К218ЛБ1
2ПН151 215ПН1 К2ЛН181 К218ЛН1
2ПН152 215ПН2 К2ЛН182 К218ЛН2
2ЛБ171А 217ЛБ1А К2ЛН183 К218ЛНЗ
2ЛБ171Б 217ЛБ1Б К2ТК181 К218ТК.1
2ЛБ172А 217ЛБ2А 2ТР211 221ТР1
2ЛБ172Б 217ЛБ2А 2ЛН2П 221ЛН1
2ЛБ173 217ЛБЗ 2ЛБ211 221 ЛА 1
2ЛБ173А 217ЛБЗА 2ЛР211 221ЛР1
2ЛБ174А 217ЛБ4А 2ЛП211 221ЛП1
2ЛБ174Б 217ЛБ4Б 2ЛБ231 223ЛЕ1
2ЛР171 217ЛР1 2ЛБ232 223ЛМ1
2ТК171А 217ТК1А 2ЛБ233 223ЛЕ2
2ТК.171Б 217ТК1Б 2ИЕ231 223ИЕ1
2ТР171А 217ТР1А 2ИД231 223ИД1
2ТР171Б 217ТР1Б 2ИЛ231 223ИЛ1
2НТ171 217НТ1 2ТР231 223ТР1
2НТ172 217НТ2 2ТК231 223ТК1
2НТ173 217НТЗ К2ЛБ231 К223ЛЕ1
2ЛП171 217ЛД1 К2ЛБ232 К223ЛМ1
2ЛП172 217ЛД2 К2ЛБ233 К223ЛЕ2
2ЛП173 217НК1 К2ИЕ231 К223ИЕ1
К2ЛБ171А К217ЛБ1А К2ИД231 К223ИД1
К2ЛБ171Б К217ЛБ1Б К2ИЛ231 К223ИЛ1
К2ЛБ172А К217ЛБ2А К2ТР231 К223ТР1
К.2ЛБ172Б К217ЛБ2Б К2ТК231 K223TKI
К2ЛБ173 К217ЛБЗ 2ТК291А 229ТК1А
К2ЛБ173А К217ЛБЗА 2ТК291Б 229ТК1Б
К2ЛБ174А К217ЛБ4А 2ИЛ291 229ИЛ1
К2ЛБ174Б К217ЛБ4Б 2ИД281 229ИД1
\2ЛР171 К217ЛР1 2ЖЛ291 229ЛМ4
К2ТК171А К217ТК1А К2ТК291А К229ТК1А
К2ТК171Б К217ТК1Б К2ТК291Б К229ТК1Б
С2ТР171А К217ТР1А К2ИЛ291 К229ИЛ1
С2ТР171Б К217ТР1Б К2ИД291 К229ИД1
К.2НТ171 К217НТ1 К2ЖЛ291 К229ЛМ4
С2НТ172 К217НТ2 2ИЕ301А 230ИЕ1А
<2НТ173 К217НТЗ 2ИЕ301Б 230ИЕ1Б
<2ЛП171 К217ЛД1 2ИЕ302А 230ИЕ2А
С2ЛП172 К217ЛД2 2ИЕ302Б 230ИК2Б
<2ЛП173 К217ЛДЗ 2ИЕ303А 230ИЕЗА
1ЛБ181 218ЛБ1 2ИЕ303Б 230ИЕЗБ
1ЛН181 218ЛН1 2ИР301А 230ИР1А
26 п/р Тарабрина Б. В,
785
784
Продолжение приложения 2
Продолжение приложения 2
Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73
2ИР301Б 230ИР1Б 2ИЛ401Б 240ИЛ1Б
2ИР302А 230ИР2А 2ИС401А 240ИМ1А
2ИР302Б 240ИР2Б 2ИС401Б 240ИМ1Б
2ИП301П 230ИП1А 2ИЕ401Б 24СИЕ1Б
2ПК.301 230ИК.1 2ИЕ401В 240ИЕ1В
К2ИЕ301А К230ИЕ1А 2ЛП401 240ЛД1
К2ИЕЗО1Б К230ИЕ1Б 2ЛБ431 243ЛА1
К2ИЕ302А К230ИЕ2А 2ЛБ432 243ЛА2
К2ИЕ302Б К230ИЕ2Б 2ЛБ433 243ЛАЗ
К2ИЕ303А К230ИЕЗА 2ЛБ434 243ЛА4
К2ИЕ303Б К230ИЕЗБ 2ЛБ435 243ЛА5
К2ИР301А К230ИР1А 2ЛБ436 243ЛА6
К2ИР301Б К230ИР1Б 2ЛН431 243ЛН1
К2ИР302А К23.0ИР2А 2ЛН432 243ЛН2
К2ИР302Б К230ИР2Б 2ЛН433 243ЛНЗ
К2ИП301А К230ИП1А 2ЯП431 243РП1
К2ПК301П К230ИК1А 2УП431 243УП1
2ИЕ311 231ИЕ1 2УП432 243УМ1
2ЛБ401А 240ЛА1А 2УИ431 243УЛ1
2ЛБ401Б 240ЛА1Б 2УИ432 243УЛ2
2ЛБ401В 240ЛА1В 2УИ433 243УЛЗ
2ЛБ402 240ЛА2 2ЛИ431 243ЛП1
2ЛБ403А 240ЛАЗА 2ЛИ432 243ЛП2
2ЛБ403Б 240ЛАЗБ 2ЛП431 243ЛД1
2ЛБ403В 240ЛАЗВ 2НТ431 243НТ1
2ЛБ404А 240ЛА4А 2НТ432 243НТ2
2ЛБ404Б 240ЛА4Б 2НТ433 243HT3
2ЛБ404В 240ЛА4В К2ЛБ431 К243ЛА1
2ЛБ405 240ЛА5 К2ЛБ432 К243ЛА2
2ЛБ406А 240ЛА6А К2ЛБ433 К243ЛАЗ
2ЛБ406Б 240ЛА6Б К2ЛБ434 К243ЛА4
2ЛБ406В 240ЛА6В К2ЛБ435 К243ЛА5
2ИР401А 240ИР1А К2ЛБ436 К243ЛА6
2ИР401Б 240ИР1Б К2ЛН431 К243ЛН1
2ИР402А 240ИР2А К2ЛН432 К243ЛН2
2ИР402Б 240ИР2Б К2ЛН433 К243ЛНЗ
2ИР403А 240ИРЗА К2ЯП431 К243РП1
2ИР403Б 240ИРЗБ К2УП431 К243УП1
2ИЛ401А 240ИЛ1А
Аналоговые интегральные микросхемы
1КТ011А I01KT1A К1КТ011Б К101КТ1Б
1КТ011Б 101КТ1Б К1КТ011В К101КТ1В
1КТ011В 101КТ1В К1КТ011Г К101КТ1Г
1КТ011Г 101КТ1Г К1УТ101А К101УТ1А
К1КТ011А К101КТ1А К1УТ101Б К101УТ1Е
Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73
К1УС181А КИ8УН1А К1СС191А КН9СС1А
К1УС181Б КИ8УН1Б К1СС191Б К119СС1Б
К1УС181В КИ8УН1В К1СС192 КП9СС2
К1УС181Г КИ8УН1Г К1СВ191 KU9CB1
К1УС181Д КН8УН1Д К1УС191 КИ9УН1
К1 УС 182 А КН8УН2А К1УС192 КИ9УН2
К1УС182Б КН8УН2Б К1УТ191 КИ9УТ1
К1УС182В КН8УН2В К1КП191 КП9КП1
К1ТШ181А КП8ТЛА К1УЭ191 КП9УЕ1
К1ТШ181Б КИ8ТЛБ К1УБ191 КП9УП1
К1ТШ181В КН8ТЛВ 1УС231А 123УН1А
К1ТШ181Г КН8ТЛГ 1УС231Б 123УН1Б
К1ТШ181Д КП8ТЛД 1УС231В 123УН1В
К1УБ181А КП8УП1А К1УС231А К1УС231А
К1УБ181Б КИ8УП1Б К1УС231Б К1УС231Б
К1УБ181В КН8УП1В К1УС231В К1УС231В
К1УБ181Г К118УП1Г 1КТ241А 124КТ1А
К1УТ181А КИ8УД1А 1КТ241Б 124КТ1Б
К1УТ181Б КН8УД1Б К1КТ241 К.124КТ1
К1УТ181В КН8УД1В 1НТ291А 129НТ1А-1
1ДА191А 119ДА1А 1НТ291Б 12ЭНТ1Б-1
1ДА191Б 119ДА1Б 1НТ291В 129НТ1В-1
1ГФ191 119АГ1 1НТ291Г 129НТ1Г-1
1ГФ192А 119ГГ1А 1НТ291Д 12ЭНТ1Д-1
1ГФ192Б 119ГГ1Б 1НТ291Е 129НТ1Е-1
1 ГФ 192В 119ГГ1В 1НТ291Ж 129НТ1Ж-1
1ТШ191 119ТЛ1 1НТ2913 129НТ13-1
1МА191А 119МА1А 1НТ291И 129НТ1И-1
1МА191Б 119МА1Б К1НТ291А К129НТ1А
1ПП191 119ПП1 К1НТ291Б К129НТ1Б
1СС191А 119СС1А К1НТ291В К129НТ1В
1СС191Б 119СС1Б К1НТ291Г К129НТ1Г
1СС192 119СС2 К1НТ291Д К129НТ1Д
1СВ191А 119СВ1А К1НТ291И К129НТ1И
1СВ191Б 119СВ1Б 1УТ401А 140УД1А
1УС191 119УН1 1УТ401Б 140УД1Б
1УС192 119УН2 1УТ402 140УД2
1УТ191 119УТ1 — 140УД5А
1УЭ191 119УЕ1 — 140УД5Б
1КП191 119КП1 — 140УД6А
1УБ191 119УП1 — 140УД6Б
К1ДА191 КН9ДА1 140УД7
К1ГФ191 КН9АГ1 — 140УД8А
К1ТШ191 КП9ТЛ1 — 140УД8Б
К1МА191 КИ9МА1 — 140УД9
К1ПП191 КП9ПП1 — 140УД13
786
26*
787
П родолжение приложения 2
Продолжение приложения 2
Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73
140УД14 К153УД2
— 140МА1А — К153УД5
— 140МА1Б 1НТ591А 159НТ1А
— 140ХА1 1НТ591Б 159НТ1Б
К1УТ401А К140УД1А 1НТ591В 159НТ1В
К1УТ401Б К140УД1Б 1НТ591Г 159НТ1Г
К1УТ401В К140УД1В 1НТ591Д 159НТ1Д
К1УТ402А К140УД2А 1НТ591Е 159НТ1Е
К1УТ402Б К140УД2Б 1НТ591Ж 159НТ1Ж
— К140УД5А КШТ591А К1НТ591А
— К140УД5Б К1НТ591Б К1НТ591Б
—— К140УД6 КШТ591В КШТ591В
— К140УД7 К1НТ591Г К1НТ591Г
—— К140УД8А К1НТ591Д К1НТ591Д
— К140УД8Б КШТ591Е К1НТ591Е
•— К140УД8В 1KT62IA 162КТ1А
—— К140УД11 1КТ621Б 162КТ1Б
— К140УД13 К1КТ621 K162KTI
— К140МА1 К1УС671 К167УН1
—- КР140УД1А К167УНЗ
•— КР140УД1Б 1КТ682А 168КТ2А
— КР140УД1В 1КТ682Б 168КТ2Б
— 142ЕН1А — К170УП1
—— 142ЕН1Б —_ К174АФ1
—— 142ЕН1В — К174АФ4
—— 142ЕН1Г — К174ХА1
—- К142ЕН2А —. К174УР1
—— К142ЕН2В — К174УР2А
— К142ЕН2В К174УР2Б
К142ЕН2Г — К174УРЗ
—— К148УН1 — К174УН5
— К148УН2 —. К174УН7
1КТ491А 149КТ1А К174УН8
1КТ491Б 149КТ1Б К1УС744А К1УС744А
1КТ491В 149КТ1В К1УС744Б К1УС744Б
KIKT491A KU9KT1A —. К174УП1
К1КТ491Б KI49KT1B 1ДА751 175ДА1
К1КТ491В К149КТ1В 1УС751А 175УВ1А
1УТ531 153УД1 1УС751Б 175УВ1Б
—• 153УД2 1УС752Б 175УВ2
— 153УДЗ 1УС753А 175УВЗА
153УД4 1УС753Б 175УВЗБ
— 153УД5А — 175УВ4
— 153УД5Б К1ДА751 К175 ДА!
— 153УД6 — К175УВ1А
К1УТ531А К153УД1 — К175УВ1Б
Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73
К175УВ2А К1НТ985Б К198НТ5Б
К175УВ2Б К1НТ986А К198НТ6А
__ К175УВЗА К1НТ986Б К198НТ6Б
— К175УВЗБ К1НТ987А К198НТ7А
— К175УВ4 К1НТ987Б К198НТ7Б
1УС771 177УП1 К1НТ988А К198НТ8А
1УТ771 177УД1 К1НТ988Б К198НТ8Б
— К177УП1 2УИ181 218УИ1
К1УТ771А К177УД1А 2УИ182 218УИ2
К1УТ771Б К177УД1Б 2УИ185 218УИЗ
1КТ901 190КТ1 2ТК181 218ТКД
1КТ902 190КТ2 2ГФ181 218ГГ1
К1КТ901 К190КТ1 2ГФ182 218АГ1
К1КТ902 К190КТ2 2УС181 218УР1
1УС981А 198УН1А 2УЭ181 218УЕ1
1УС981Б 198УН1Б 2УЭ182 218УК2
1УС981В 198УН1В 2ДА181 218ДА1
1УТ981А 198УТ1А К2УИ181 К218УИ1
1УТ981Б 198УТ1Б К2УИ182 К218УИ2
1НТ981А 198НТ1А К2УИ183 К218УИЗ
1НТ981Б 198НТ1Б К2ТК181 К218ТК1
1НТ982А 198НТ2А К2ГФ181 К218ГГ1
1НТ982Б 198НТ2Б К2УС181 К218УР11
1НТ983 198НТЗ К2ГФ182 К218АГ1;
1НТ985А 198НТ5А К2УЭ181 К218УЕ1
1НТ985Б 198НТ5Б К2УЭ182 К218УЕ2
1НТ986А 198НТ6А К2ДА181 К218ДА1
1НТ986Б 198НТ6Б 2НТ192 219НТ2
1НТ987А 198НТ7А 2ГС191 219ГС1,
1НТ987Б 198НТ7Б 2ГС192 219ГС2
1НТ988А 198НТ8А 2ГС193 219ГСЗ
1НТ988Б 198НТ8Б 2ДС191 219ДС1
К1УС981А К198УН1А 2МС191 219МС1.'
К1УС981Б К198УН1Б 2МС192 219МС2 .
К1УС981В К198УН1В 2ПС191А 219ПС1А I
К1УТ981А К198УТ1А 2ПС191Б 219ПС1Б
К1УТ981Б К198УТ1Б 2УС191А 219УВ1А
К1НТ981А К198НТ1А 2УС191Б 219УВ1Б
К1НТ981Б К198НТ1Б 2УС192 219УР1 '
К1НТ982А К198НТ2А 2УС194 219УП1
К1НТ982Б К198НТ2Б 2УС193 219УН1
К1НТ983А К198НТЗА — К224АГ1
К1НТ983Б К198НТЗБ К224АГ2
К1НТ984А К198НТ4А —— К224АГЗ
К1НТ984Б К198НТ4Б — К224ГГ1
К1НТ985А К198НТ5А — К224ГГ2
788
789
Продолжение приложения 2
Продолжение приложения 2
Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения но нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73
К224ТШ 2УС264Б 226УН4Б 2ПС351 235ПС1 2УС658 265УВ7
— К224ТК1 2УС265А 226УН5А 2ПС352 235ПС2 — К265КН1
— К224УП1 2УС265Б 226УН5Б 2ПМ351 235АШ — К265ПП1
— К224УП2 2УС265В 226УН5В 2ПП351 235ПП1 — К265ПП2
К2УС242 К2УС242 К2УС261А К226УН1А 2УС351А 235УВ1А К2УС651 К265УВ1
К2УС245 К2УС245 К2УС261Б К226УН1Б 2УС351Б 235УВ1Б К2УС652 К265УВ2
К2УС247 К2УС247 К2УС261В К226УН1В 2УС352 235УР2 К2УС653 К265УВЗ
К2УС248 К2УС248 К2УС262А К226УН2А 2УС353 235УРЗ К2УС654 К265УВ4
К2УС2413 К2УС2413 К2УС262Б К226УН2Б 2УС354 235УН4 К2УС655 К265УВ5
К2УС2416 К2УС2416 К2УС262В К226УН2В 2УС355 235УН5 К2УС657 К265УВ6
К2ПП241 К2ПП241 К2УС263А К226УНЗА 2УС357 235УР7 К2УС658 К265УВ7
К2ЖА242 К2ЖА242 К2УС263Б К226УНЗБ 2УС358 235УР8 К2УС656 К265УД1
К2ЖЛ243 К2ЖА243 К2УС263В К226УНЗВ 2УС359 235УР9 2УС721А 272УВ1А
К2ЖА244 К2ЖА244 К2УС264А К226УН4А 2УС3510 235УН10 2УС721Б 272УВ1Б
— К224ПН1 К2УС264Б К226УН4Б 2УС3511 235УР11 2УС721В 272УВ1В
К2УП241 К224УП1 К2УС264В К226УН4В К2ЖА371 К237ХК1 2УС721Г 272УВ1Г
—— К224УП2 К2УС265А К226УН5А К2ЖА372 К237ХК2 2УС721Д 272УВ1Д
—— К224УПЗ К2УС265Б К226УН5Б К2ЖА373 К237ХКЗ 2УС721Е 272УВ1Е
— К224ХП1 К2УС265В К226УН5В К2ЖА375 К237ХК5 2УС721Ж 272УВ1Ж
— К224САЗ 2КД281 228КН1 К2ГС371 К237ГС1 2УС7213 272УВ13
—— К224УН2 2ПД281 228ПП1 К2ЖА376 К237ХК6 2УС721И 272УВ1И
К224УН16 2ПД282 228ПП2 К2УС371 К237УН1 2УС721К 272УВ1К
— К224УН17 2СА281 228СА1 К2УС372 К237УН2 2УС721Л 272УВ1Л
К224УН18 2УС281 228УВ1 К2УС373 К237УНЗ 2УС721М 272УВ1М
— К224УН19 2УС283 228УВЗ К2УС375 К237УН5 2УС721Н 272УВ1Н
1 К224ГГ1 2УС284 228УВ4 К2КД521А К252КТ1А 2УС721О 272УВ1О
— К224ГГ2 2УС282 228УВ2 К2КД521Б К252КТ1Б 2УС721П 272УВ1П
К2НТ241А К224НТ1А 2НК281 228НК1 К2ПД521 К252ПА1 2УС721Р 272УВ1Р
К2НТ241Б К224НТ1Б 2НЕ281 228НЕ1 К2ПД522 К252ПА2 2УС721С 272УВ1С
К2НТ241В К224НТ1В ___ К228КН1 К2ПД524 К252ПАЗ 2УС721Т 272УВ1Т
— К224НТ1 К228ПП1 К2ПН521 К252ПН1 2УС722А 272УВ2А
— К224НР2 __ К228ПП2 2КСА521 К252СА1 2УС722Б 272УВ2Б
К224ТП1 К228СА1 К2ЖА521А К252УДЗА 2УС722В 272УВ2В .
—— К224ТК1 К2УС28! К228УВ1 К2ЖА521Б К252УДЗБ 2УС722Г 272УВ2Г
—— К224АГ1 К2УС282 К228УВ2 — К264ГФ1 2УС722Д 272УВ2Д
— К224АГ2 К2УС283 К228УВЗ — К264УИ1 2УС722Е 272УВ2Е
—— К224АГЗ К2УС284 К228УВ4 2КД651 265КН1 2УС722Ж 272УВ2Ж
2УС261А 226УН1А К2НК281 К228НК1 2ПД651 265Г1П1 2УС7223 272УВ23
2УС261Б 226УН1Б К2НЕ281 К228НЕ1 2ПД652 265ПП2 2УС722И 272УВ2И
2УС261В 226УН1В 2ДА351 235ДА1 2УС651 265УВ1 2УС722К 272УВ2К
2УС262А 226УН2А 2ДА352 235ДА2 2УС652 265УВ2 2УС722Л 272УВ2Л
2УС262Б 226УН2Б 2ДС351 235ДС1 2УС653 265УВЗ 2УС722М 272УВ2М
2УС262В 226УН2В 2К.Д351 235 КП I 2УС654 265УВ4 2УС722Н 272УВ2М
2УС263А 226УНЗА 2КД352 235КП2 2УС655 265УВ5 2УС722О 272УВ2О
2УС263Б 226УНЗБ 2МП351 235МП1 2УС656 265УД1 2УС722П 272УП2П
2УС264А 226УН4А 2МП352 235МП2 2УС657 265УВ6 2УС722Р 272УВ2Р
790
791
Продолжение приложения 2
Продолжение приложения 2
Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73
2УС722С 272УВ2С К2УС722И К272УВ2И
2УС722Т 272УВ2Т К2УС722К К272УВ2К.
2УС723А 272УВ2А К2УС722Л К272УВ2Л
2УС723Б 272УВ2Б К2УС722М К272УВ2М
2УС723В 272УВ2В К2УС722Н К272УВ2Н
2УС723Г 272УВ2Г К2УС722О К272УВ2О
2УС723Д 272УВ2Д К2УС722П К272УВ2П
2УС723Е 272УВ2Е К2УС722Р К272УВ2Р
2УС723Ж 272УВ2Ж К2УС722С К272УВ2С
2УС7233 272УВ23 К2УС722Т К272УВ2Т
2УС723И 272УВ2И К2УС723А К272УВЗА
2УС723К 272УВ2К К2УС723Б К272УВЗБ
2УС723Л 272УВ2Л К2УС723В К272УВЗВ
2УС723М 272УВ2М К2УС723Г К272УВЗГ
2УС723Н 272УВ2Н К2УС723Д К272УВЗД
2УС723О 272УВ2О К2УС723Е К272УВЗЕ
2УС723П 272УВ2П К2УС723Ж К272УВЗЖ
2УС723Р 272УВ2Р К2УС7233 К272УВЗЗ
2УС723С 272УВ2С К2УС723И К272УВЗИ
2УС723Т 272УВ2Т К2УС723К К272УВЗК
К2УС721А К272УВ1А К2УС723Л К272УВЗЛ
К2УС721Б К272УВ1Б К2УС723М К272УВЗМ
К2УС721В К272УВ1В К2УС723Н К272УВЗН
К2УС721Г К272УВ1Г К2УС723О К272УВЗО
К2УС721Д К272УВ1Д К2УС723П К272УВЗП
К2УС721Е К272УВ1Е К2УС723Р К272УВЗР
К2УС721Ж К272УВ1Ж К2УС723С К272УВЗС
К2УС7213 К272УВ13 К2УС723Т К272УВЗТ
К2УС721И К272УВ1И К2УС724А К272УВ4А
К2УС721К К272УВ1К К2УС724Б К272УВ4Б
К2УС721Л К272УВ1Л К2КС724В К272УВ4В
К2УС721М К272УВ1М К2УС724Г К272УВ4Г
К2УС721Н К272УВ1Н К2УС724Д К272УВ4Ц
К2УС721О К272УВ1О К2УС724Е К272УВ4Е
К2УС721П К272УВ1П К2УС724Ж К272УВ4Ж
К2УС721Р К272УВ1Р К2УС7243 К272УВ43
К2УС721С К272УВ1С К2УС724И К272УВ4И
К2УС721Т К272УВ1Т К2УС724К К272УВ4К
К2УС722А К272УВ2А К2УС724Л К272УВ4Л
К2УС722Б К272УВ2Б К2УС724М К272УВ4М
К2УС722В К272УВ2В К2УС724Н К272УВ4Н
К2УС722Г К272УВ2Г К2УС724О К272УВ4О
К2УС722Д К272УВ2Д К2УС724П К272УВ4П
К2УС722Е К272УВ2Е К2УС724Р К272УВ4Р
К2УС722Ж К272УВ2Ж К2УС724С К272УВ4С
К2УС7223 К272УВ23 К2УС724Т К272УВ4Т
Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73
К2УС725А К272УВ5А К284ПУ1
К2УС725Б К272УВ5Б К2СС842А К284СС2А
К2УС725В К272УВ5В К2СС842Б К284СС2Б
К2УС725Г К272УВ5Г К2УЭ841А К284УЕ1А
К2УС725Д К272УВ5Д К2УЭ841Б К284УЕ1Б
К2УС725Е К272УВ5Е К284УД2
К2УС725Ж К272УВ5Ж К284УД1А
К2УС7253 К272УВ53 — К284УД1Б
К2УС725И К272УВ5И — К284УД1В
К2УС725К К272УВ5К ЗНС01 1А 301НР1А
К2УС725Л К272УВ5Л ЗНС011Б 301НР1Б
К2УС725М К272УВ5М ЗНС011В 301НР1В
К2УС725Н К272УВ5Н ЗНС011Г 301НР1Г
К2УС725О К272УВ5О знсонд 301НР1Д
К2УС725П К272УВ5П ЗНС011Е 301НР1Е
К2УС725Р К272УВ5Р знсоиж 301НР1Ж
К2УС725С К272УВ5С ЗНСОНЗ 301НР13
К2УС725Т К272УВ5Т знсопи 301НР1И
К 2У С 726А К272УВ6А знсопк 301НР1К
К2УС726Б К272УВ6Б знсопл 301НР1Л
К2УС726В К272УВ6В знсоим 301НР1М
К2УС726Г К272УВ6Г 3HC012 301НР2
К2УС726Д К272УВ6Д 3HC013 ЗОШРЗ
К2УС726Е К272УВ6Е 3HC014A 301НР4А
К2УС726Ж К272УВ6Ж ЗНС014Б 301НР4Б
К2УС7263 К272УВ63 ЗНС014В 301НР4В
К2УС726И К272УВ6И ЗНС014Г 301НР4Г
К2УС726К К272УВ6К знсонд 301НР4Д
К2УС726Л К272УВ6Л ЗНС014Е 301НР4Е
К2УС726М К272УВ6М ЗНС014Ж 301НР4Ж
К2УС726Н К272УВ6Н 3HC0143 301НР43
К2УС726О К272УВ6О ЗНС014И 301НР4И
К2УС726П К272УВ6П ЗНС014К 301НР4К
К2УС726Р К272УВ6Р ЗНС014Л 301НР4Л
К2УС726С К272УВ6С знсоим 301НР4М
К2УС726Т К272УВ6Т ЗНС015А 301НР5А
284КН1 ЗНС015Б 301НР5Б
- 284ПУ1 ЗНС015В 301НР5В
2СС842А 284СС2А ЗНС015Г 301НВ5Г
2СС842Б 284СС2Б ЗНС015Д 301НР5Д
2УЭ841А 284УЕ1А ЗНС015Е 301НР5Е
2УЭ841Б 284УЕ1Б ЗНС015Ж 301НР5Ж
— 284УД2 3HC0153 301НР53
—- К284УН1А ЗНС015И 301НР5И
К284УН1Б ЗНС0!5К 301НР5К
— К284КН1 ЗНС015Л 301НР5Л
793
792
Продолжение приложения 2
Обозначения по нормали, дей- ствующей. до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73 Обозначения по нормали, дей- ствующей до введения ГОСТ Обозначения после введения ГОСТ 18682-73
ЗНС015М 301НР5М 6НТ043А 504НТЗА
ЗНС016А 301НР6А 5НТ043Б 504НТЗБ
ЗНС016Б 301НР6Б 5НТ043В 504НТЗВ
ЗНС016В 301НР6В 5НТ044А 504НТ4А
ЗНС016Г 301НР6Г 5НТ044Б 504НТ4Б
ЗНС016Д 301НР6Д 5НТ044В 504НТ4В
ЗНС016Б 301НР6Е К5УС041А К504УН1А
знсо1бж 301НР6Ж К5УС041Б К504УН1Б
3HC0163 301НР63 К5УС041В К504УН1В
ЗНС016И 301НР6И К5УС042А К504УН2А
ЗНС016К 301НР6К К5УС042Б К504УН2Б
ЗНС016Л 301НР6Л К5УС042В К504УН2В
ЗНС016М 301НР6М К5НТ041А К504НТ1А
— 301НР7 К5НТ041Б К504НТ1Б
— 301НР8 К5НТ041В К5Э4НТ1В
— 301НР9 К5НТ042А К504НТ2А
— 301НР10 К5НТ042Б К504НТ2Б
— 301НР11 К5НТ042В K504HT2B
5УС041А 504УН1А К5НТ043А К504НТЗА
5УС041Б 504УН1Б К5НТ043Б К504НТЗБ
5УС041В 504УН1В К5НТ043В К504НТЗВ
5УС042А 504УН2А К5НТ044А К504НТ4А
5УС042Б 504УН2Б К5НТ044Б К504НТ4Б
5УС042В 504УН2В К5НТ044В К504НТ4В
5НТ041А 504НТ1А К1НД421 К542НД1
5НТ04!Б 504НТ1Б К1НД422 К542НД2
5НТ041В 504НТ1В К1НД423 К542НДЗ
5НТ042А 504НТ2А К1НД424 К542НД4
5НТ042Б 504НТ2Б К1НД425 К543НД5
5НТ042В 504НТ2В
794
ПРИЛОЖЕНИЕ 3
Указатель типов микросхем, сведения о которых
помещены в справочнике
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
ЦИФРОВЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Логические элементы НЕ
6 элементов НЕ К131ЛН1 83
6 элементов НЕ К155ЛН1 181
6 элементов НЕ с открытым кол- К155ЛН2 181
лекторным выходом
6 элементов НЕ 136ЛН1 105
2 элемента НЕ 202ЛН1, 202ЛН 2 235
4 элемента НЕ 201ЛБ1, К201ЛВ1,. 230
201ЛБ2, К201ЛБ2, 230
201ЛБЗ, К201ЛБЗ' 230
5 элементов НЕ 201ЛБ5, К201ЛБ5, 231
201ЛБ6, К201ЛБ6, 231
201ЛБ7, К201ЛБ7 231
2 элемента НЕ и 2 элемента 201ЛБ4, К201ЛБ4 230
2ИЛИ-НЕ
4 элемента НЕ 205ЛН1 243
5 элементов НЕ 211ЛН1, 211ЛН2, 250
211ЛНЗ, 211ЛН4,. 250
211ЛН5, 211ЛН6 250
Элемент 2НЕ 215ЛН1 253
Элемент НЕ 218ЛН1, К218ЛН1, 263
218ЛН2, К218ЛН2, 263
218ЛНЗ, К218ЛНЗ 263
2 элемента НЕ 221ЛН1 267
5 элементов НЕ с открытым кол- 243ЛН1, К243ЛН1 303
лекторным выходом
5 элементов НЕ 243ЛН2, К243ЛН2 303
3 элемента НЕ 243ЛНЗ, К243ЛНЗ 304
Логические элементы И
Элемент 6И для работы на низко- 109ЛИ1, КЮ9ЛИ1А, 47
омную нагрузку КЮ9ЛИ1Б 47
Элементы 2И и 2И-ИЛИ, оба рас- 128ЛС1А, 128ЛС1Б, 66
ширяемые по И 128 ЛОВ 66
4 элемента 2И К155ЛИ1 181
2 элемента И с открытым коллек- К155ЛИ5 185
торным выходом Элемент 2-2И с расширением по И 202ЛС1, 202ЛС2, 235
и ИЛИ 202ЛС5, 202ЛС6 235
2 элемента 2И с расширением по И 202ЛЕЗ, 202ЛС4 235
795
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
4 элемента 2И 178ЛИ1, К178ЛИ1, К172ЛИ1 214 199
Элемент И 204ЛИ 1, К204ЛИ1 239
2 элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным выходом К511ЛИ1 344
Элемент 9И и НЕ Логические эл К176ЛИ1 ементы ИЛИ 210
4 элемента 2ИЛИ К138ЛП1 118
4 элемента 2ИЛИ К155ЛЛ1 186
4 элемента «исключающее ИЛИ» К176ЛП2 211
2 элемента 2ИЛИ с возможностью расширения 201ЛС1, К201ЛС1 231
2 элемента ИЛИ с мощным выхо- К500ЛЛ110Т, 321
ДОМ Логические элел К500ЛЛ110М, К500ЛЛ210Т генты И-ИЛИ 321 328
Элемент 2И-ИЛИ и элемент 128ЛР1А, 128ЛР1Б, 66
2И-ИЛИ-НЕ, оба расширяемые 128ЛР1В, К128ЛР1А, 66
по входу И и ИЛИ (с общим входом по И) К128ЛР1Б, К128ЛР1В 66
Элемент 3-3-4И-ЗИЛИ, комбиниро- ванный с синхронным полупе- риодом D-триггером 128ЛС4, К128ЛС4 68, 67
Элемент 3-ЗИ-2ИЛИ, расширяемый по ИЛИ, комбинированный с однопериодным D-триггером 128ЛС5, К128ЛС5 68, 67
2 элемента 2И-ИЛИ/ЗИ-ИЛИ, рас- ширяемые по ИЛИ, оба комби- нированные с синхронным полу- периодным D-триггером 128 ЛСЗ, К128ЛСЗ 68, 67
Элемент 3-ЗИ-2ИЛИ/3-ЗИ-2ИЛИ- НЕ, расширяемый по ИЛИ, ком- бинированный с синхронным по- лупериодным D-триггером 128ЛК1, К128ЛК1 68, 67
Элемент 2(2И)-ИЛИ 215ЛС1 253
2 элемента И-ИЛИ 215ЛС2 253
2 элемента 2-ЗИЛИ-2И/ИЛИ-2И-НЕ К 500Л К117, К500ЛК117М 322
796
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая Условное обозначение
микросхемой микросхемы Стр.
2 элемента ЗИЛИ-2И К500ЛС118М 322
Элемент 4-3-3-ЗИЛИ-4И К500ЛС119М 322
Элемент ИЛИ-И/ИЛИ И-НЕ К500ЛК121, К500ЛК121М 323
3 элемента ЗИ-ИЛИ К176ЛС1 211
Логические элементы И-НЕ и элементы ИЛИ-НЕ
Элемент ЗИ-НЕ с расширением К1ЛБ091А, К1ЛБ091Б, 47
по И К1ЛБ091В, К1ЛБ091Г, 47
121ЛА1А, К121ЛА1А, 59
121ЛА1Б, К121ЛА1Б, 59
121ЛА1В, К121ЛА1В, 59
121ЛА1Г, К121ЛА1Г 59
Элемент ЗИ-НЕ с повышенным К1ЛБ092А, К1ЛБ092Б, 47
коэффициентом и расширением 121ЛА2А, К121ЛА2А, 59
по И 121ЛА2Б, К121ЛА2Б 59
2 элемента 4И-НЕ 130ЛА1, К130ЛА1, 75
К131ЛА1 83
Элемент 8И-НЕ 130ЛА2, К130ЛА2, 75
К131ЛА2, 83
133ЛА2, К133ЛА2, 89
134ЛА2А, 134ЛА2Б, 98
К134ЛА2 92
4 элемента 2И-НЕ 130ЛАЗ, К130ЛАЗ, 75
К131ЛАЗ, 133ЛАЗ, 83, 89
К133ЛАЗ, 134ЛБ1А, 89, 98
134ЛБ1Б, К134ЛБ1 98
3 элемента ЗИ-НЕ 130ЛА4, К130ЛА4, 75
К131ЛА4, 133ЛА4, 83, 89
К133ЛА4 89
2 элемента 4И-НЕ с большим коэф- 130ЛА6, К130ЛА6, 75
фициентом разветвления К131ЛА6, 133ЛА6, 83, 90
К133ЛА6 90
2 элемента 4И-НЕ, один расши- 133ЛА1, К133ЛА1 89
ряемый по ИЛИ
2 элемента 4И-НЕ с открытым кол- 133ЛА7, К133ЛА7 90
лекторпым выходом (элементы
индикации)
4 элемента 2И-НЕ с открытым 133ЛА8, К133ЛА8 90
коллекторным выходом (элемеи-
ты контроля)
2 элемента 4И-НЕ и элемент НЕ 134ЛБ2А, 134ЛБ2Б, 98
К134ЛБ2 98
4 элемента 2И-НЕ с открытым 134ЛА8А, 134ЛА8Б, 98
коллекторным выходом К134ЛА8 91
2 элемента 4И-НЕ 13СЛА1, К136ЛА1 105
Элемент 8И-НЕ 136ЛА2, К136ЛА2 105
4 элемента 2И-НЕ 136ЛАЗ, К136 Л АЗ 105
3 элемента ЗИ-НЕ 136ЛА4, К136ЛА4 105
'1'-Л
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
2 элемента 4И-НЕ 155ЛА1, К155ЛА1, 173
КМ 155 ЛА 1 173
Элемент 8И-НЕ 155ЛА2, К155ЛА2, 173
КМ155ЛА2 173
4 элемента 2И-НЕ 155ЛАЗ, К155ЛАЗ, 173
КМ155ЛАЗ 173
3 элемента ЗИ-НЕ 155ЛА4, К155ЛА4, 173
КМ155ЛА4 173
2 элемента 4И-НЕ с большим коэф- 155ЛА6, К155ЛА6, 173
фициентом разветвления КМ155ЛА6 173
2 элемента 4И-НЕ с открытым кол- 155ЛА7, К155ЛА7, 173
лекторным выходом КМ155ЛА7 173
4 элемента 2И-НЕ с открытым кол- 155ЛА8, К155ЛА8, 173
лекторным выходом КМ155ЛА8 173
2 элемента 2И-НЕ с общим входом К155ЛП7 185
и двумя мощными транзисторами
4 высоковольтных элемента 2И-НЕ К155ЛА11 186
с открытым коллектором
4 элемента 2И-НЕ с высокой на- К155ЛА12 186
грузочной способностью
3 элемента ЗИ-НЕ с открытым кол- К155ЛА10, КМ155ЛА10 186
лекторным выходом
Элемент 4И-НЕ мощный, с откры- 156ЛА6А, 156ЛА6Б 190
тым коллектором, с возможностью
расширения по И
Элемент 6И-НЕ с возможностью 156ЛА4А—156ЛА4В 190
расширения по И
Элемент ОИ-НЕ 156ЛА1 190
Мощный элемент 4И-НЕ с возмож- 156ЛА5А, 156ЛА5Б 190
ностью расширения по И
2 элемента 4И-НЕ К158ЛА1, 156ЛА2А — 193, 190
156ЛА2В 190
Элемент 8И-НЕ К158ЛА2 193
4 элемента 2И-НЕ К158ЛАЗ 193
3 элемента ЗИ-НЕ К158ЛА4 193
2 элемента 4И-НЕ и элемент НЕ К176ЛП12 209
4 элемента 2И-НЕ К176ЛА7 209
2 элемента 4И-НЕ К176ЛА8 209
3 элемента ЗИ-НЕ К176ЛА9 209
Элемент 4И-НЕ (элемент индикации) 2ЮЛА1, К210ЛА1, 244
Элемент 8И-НЕ 217ЛБ1А, К217ЛБ1А, 255
217ЛБ1Б, К217ЛБ1Б 255
2 элемента ЗИ-НЕ 217ЛБ2А, К217ЛБ2А, 255
217ЛБ2Б, К217ЛБ2Б 255
Элемент ОИ-НЕ с повышенным 217ЛБЗ, К217ЛБЗ, 260
коэффициентом разветвления 217ЛБЗА, К217ЛБЗА 260
3 элемента И-НЕ/ИЛИ-НЕ 217ЛБ4А, К217ЛБ4А, 260
217ЛБ4Б, К217ЛБ4Б 260
798
Продолжение приложении 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
Элемент И-НЕ/ИЛИ-НЕ 218ЛБ1, К218ЛБ1 263
Элемент И-НЕ 221ЛА1 267
9 элементов И-НЕ 240ЛА1А — 240ЛА1В 294
8 элементов И-НЕ с повышенным 240ЛА2 294
коэффициентом разветвления 12 элементов И-НЕ (без коллек- 240ЛАЗА —240ЛАЗВ 294
торных резисторов) 13 элементов И-НЕ 240ЛА4А —240ЛА4В 294
13 элементов И-НЕ с диодными 240ЛА5 294
выходами 8 элементов И-НЕ 240ЛА6А —240ЛА6В 294
Элемент 6И-НЕ 243ЛА1, К243ЛА1 303
2 элемента ЗИ-НЕ 243ЛА2, К243ЛА2 303
Элемент ЗИ-НЕ и трехвходовый 243ЛАЗ, К242ЛАЗ 303
расширитель по ИЛИ 2 элемента 2И-НЕ и двухвходовый 243ЛА4, К243ЛА4 303
расширитель по ИЛИ Элемент 2И-НЕ и 2 двухвходовых 243ЛА5, К243ЛА5 303
расширителя по ИЛИ Элемент ЗИ-НЕ с повышенным 243ЛА6, К243ЛА6 303
коэффициентом разветвления 4 элемента 2И-НЕ К511ЛА1 344
3 элемента ЗИ-НЕ К511ЛА2 344
2 элемента 4И-НЕ с пассивным К511ЛАЗ 344
выходом и расширением по И 2 элемента 4И-НЕ с расширением К511ЛА4 344
по И 4 элемента 2И-НЕ с пассивным вы- К511ЛА5 344
ХОДОМ 2 элемента 4НЕ-ИЛИ со строби- К155ЛЕ2 186
рующим импульсом и расширяю- щими узлами 2 элемента 4ИЛИ-НЕ 114ЛЕ1А, КИ4ЛЕ1А, 53
114ЛЕ1Б, КН4ЛЕ1Б, 53
115ЛЕ2, КИ5ЛЕ2 57
Элемент ИЛИ-НЕ с повышенным 114ЛЛ1А, К114ЛЛ1А, 53
коэффициентом разветвления 114ЛЛ1Б, КП4ЛЛ1Б 53
4 элемента 2ИЛИ-НЕ 115ЛЕ1, КН5ЛЕ1 57
Элементы 2ИЛИ-НЕ и ЗИЛИ-НЕ 115ЛЕЗ, КН5ЛЕЗ 57
с повышенным коэффициентом разветвления Элемент ЗИЛИ-НЕ с повышенным 115ЛЕ4, КП5ЛЕ4 57
коэффициентом разветвления 4 элемента 2ИЛИ-НЕ К138ЛЕ1 118
2 элемента ЗИЛИ-НЕ с нагрузоч- К137ЛЕ1, К137ЛЕ2 112
ными резисторами на выходах 2 элемента ЗИЛИ-НЕ К137ЛЕЗ 112
799
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
4 элемента 2ИЛИ-НЕ К155ЛЕ1 186
3 элемента ИЛИ-НЕ К5ООЛЕ1О6Т, 323
К500ЛЕ106М 323
2 элемента ИЛИ-HE с мощным К500ЛЕ111Т, 321
ВЫХОДОМ К500ЛЕ111М, 321
К500ЛЕ211Т 327
4 элемента 2ИЛИ-НЕ К176ЛП5 209
2 элемента 4ИЛИ-НЕ К176ЛП6 209
3 элемента ЗИЛИ-НЕ К176ЛЕ10 209
2 элемента ЗИЛИ-НЕ и элемент НЕ К176ЛП4 209
2 элемента 4ИЛИ-НЕ и элемент НЕ К176ЛП11 209
2 элемента 2ИЛИ-НЕ 205ЛЕ1 243
2 элемента ИЛИ-НЕ 205ЛЕ2, 205ЛЕЗ 243
2 элемента ИЛИ-НЕ/И-НЕ 204ЛБ1, К204ЛБ1, 238
204ЛБ2, К204ЛБ2 238
4 элемента ЗИЛИ-НЕ 223ЛЕ1, К223ЛЕ1 272
Элемент ИЛИ-НЕ 210ЛЕ2, К210ЛЕ2А, 244
К210ЛЕ2Б 244
8 элементов 2ИЛИ-НЕ 211ЛЕ1, 211ЛЕ2, 250
211ЛЕЗ 250
2 элемента 5ИЛИ-НЕ 211ЛЕ4, 211ЛЕ5, 250
211ЛЕ6 250
4 элемента 2ИЛИ-НЕ и элемент 211ХЛ1, 211ХЛ2, 250
НЕ 211ХЛЗ 250
4 элемента 2ИЛИ-НЕ 211ЛЕ10, 211ЛЕ11, 250
211ЛЕ12 250
2 элемента ИЛИ-НЕ и 2 RS-триг- 211ИЕ1, 211ИЕ2 250
гера
Логические элементы ИЛИ-НЕ/ИЛИ
Элемент 2ИЛИ-НЕ и 3 двухвходо-
вых расширителя по ИЛИ
Элемент 4ИЛИ-И и элемент 2ИЛИ-
НЕ
Элемент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ с воз-
можностью расширения по ИЛИ,
с резисторами нагрузки на вы-
ходах
Элемент 5ИЛИ-НЕ/5ИЛИ с рези-
сторами нагрузки на выходах
Элемент 5ИЛИ-НЕ/5ИЛИ
Элемент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ с воз-
можностью расширения по ИЛИ
Элемент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ с повы-
шенным коэффициентом развет-
вления
115ЛП1, К115ЛП1 57
П5ЛС1, К115ЛС1 57
К137ЛМ1, К137ЛМ2, 112
К187ЛМ1А, К187ЛМ1Б 220
К137ЛМ4, К137ЛМ5, 112
К187ЛМ2А, К187ЛМ2Б 220
К137ЛМ8 112
К137ЛМ6 112
К137ЛМ7 112
800
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
Элемент ЗИЛИ-НЕ/ЗИЛИ с повы- К137 Л М3 112
шейным коэффициентом развет- вления и нагрузочными резисто- рами на выходах
Элемент 8ИЛИ-НЕ/8ИЛИ К138ЛМ1 118
2 элемента 4ИЛИ-НЕ/4ИЛИ 178ЛМ1, К178ЛМ1, К172ЛМ1, К138ЛМ2 214 199, 118
Элемент 10ИЛИ-НЕ/10ИЛИ 178ЛМ2, К178ЛМ2, К172ЛМ2 214 199
2 элемента ЗИЛИ-НЕ с резисто- К187ЛЕ1А, К187ЛЕ1Б 220
рами нагрузки на выходах
Элементы 4ИЛИ/4ИЛИ-НЕ и 8 ИЛИ 223ЛМ1, К223ЛМ1 272
2 элемента ЗИЛИ/ЗИЛИ-НЕ и 223ЛЕ2, К223ЛЕ2 272
элемент 2ИЛИ/2ИЛИ-НЕ
4 элемента 2ИЛИ-НЕ/ИЛИ с одним общим входом К500ЛМ101, К500ЛМ101Т 322
4 элемента 2ИЛИ-НЕ/ИЛИ К500ЛМЮ2, К500ЛМ102Т 322
2 элемента 5ИЛИ-НЕ/ИЛИ, 4ИЛИ- НЕ/ИЛИ К500ЛМ109, К500ЛМ109М 322
3 элемента «исключение ИЛИ- . НЕ/ИЛИ» К500ЛП107, К500ЛП107М 322
Логические элементы И-ИЛИ-НЕ
2 элемента ЗИ-2ИЛИ-НЕ (кворум- К1ЛР081 42
элемент)
2 элемента 2И-ИЛИ-НЕ, один рас- 130ЛР1, К130ЛР1, 75
ширяемый по ИЛИ К131ЛР1, 133ЛР1, 82, 99
К133ЛР1 90
Элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ с воз- 130ЛРЗ, К130ЛРЗ, 74
можностью расширения по ИЛИ К131ЛРЗ, 82
133ЛРЗ, К133ЛРЗ 89
Элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с возмож- 130ЛР4, К130ЛР4, 74
ностью расширения по ИЛИ К131ЛР4, 133ЛР4, 82, 89
К133ЛР4 89
Элементы 2-2И-2ИЛИ-НЕ и 2-4И- 134ЛР1А, 134ЛР1Б, 98
2ИЛИ-НЕ К134ЛР1 98
Элемент 2-2-3-4ИЛИ-НЕ 134ЛР2А, 134ЛР2Б, 98
К134ЛР2 98
Элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ 134ЛР4А, 134ЛР4Б, 98
К134ЛР4 98
2 элемента 2И-2ИЛИ-НЕ 136ЛР1, К136ЛР1 105
Элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ 136ЛРЗ, К136ЛРЗ 105
Элемент 4И-4И-2ИЛИ-НЕ 136ЛР4, К136ЛР4 105
2 элемента 2-2И-2ИЛИ-НЕ (один 155ЛР1, К155ЛР1, 173
расширяемый по ИЛИ) КМ155ЛР1 173
801
Продолжение приложения 7
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
Элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ с воз- 155ЛРЗ, К155ЛРЗ, 174
можностью расширения по ИЛИ КМ155ЛРЗ 174
Элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с возмож- 155ЛР4, К155ЛР4, 174
ностью расширения по ИЛИ КМ155ЛР4 174
2 элемента 2И-2ИЛИ-НЕ К158ЛР1 193
Элемент 2-2-2-ЗИ-4ИЛИ-НЕ К158ЛРЗ 193
Элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ К158ЛР4 193
Элемент И-ИЛИ-НЕ низкочастот- 217ЛР1, К217ЛР1 260
ный
Элемент И-ИЛИ-НЕ 221ЛР1 267
Расширители
2 трехнходовых расширителя по И К1ЛП091, 121ЛД1, К121ЛД1 45 58
2 четырехвходовых расширителя по 114ЛД2А, КП4ЛД2А, 54
ИЛИ И4ЛД2Б, КН4ЛД2Б, 54
130ЛД1, К130ЛД1, 74
К131ЛД1, 133ЛД1, 82, 89
К133ЛД1 89
Восьмивходовый расширитель по или 133ЛДЗ, К133ЛДЗ 89
4 расширителя по НЕТ 114ЛД1А, К114ЛД1А, 54
114ЛД1Б, КИ4ЛД1Б 54
Расширитель по И, расширитель 128ЛД1, К128ЛД1 66
по ИЛИ
2 четырехвходовых расширителя по ИЛИ 128ЛДЗ, К128ЛДЗ 68, 67
Восьмивходовый расширитель по 128ЛД4, К128ЛД4 68, 67
ИЛИ
2 четырехвходовых расширителя 155ЛД1, К155ЛД1, 175
по ИЛИ КМ155ЛД1 175
Восьмивходовый расширитель по 155ЛДЗ, К155ЛДЗ, 175
ИЛИ КМ155ЛДЗ 175
2 четырехвходовых расширителя 156ЛД1А—156ЛД1В 191
по ИЛИ
4 двухвходовых расширителя по И 156 Л ДЗ 192
2 трехвходовых расширителя по К187ЛД1А, К187ЛД1Б, 221
ИЛИ К137ЛД1, К137ЛД2 113
Расширитель двойной 217ЛД1, К217ЛД1 255
Расширитель 217ЛД2, К217ЛД2 255
Расширитель по И (12 элементов) 240ЛД1 287
2 трехвходовых расширителя поро- 243ЛД1 304
говых элементов •
Регистры
Разряд двухтактного сдвигового 114ИР1А, КН4ИР1А, регистра 114ИР1Б, КИ4ИР2Б 52 52
802
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
Восьмивходовый сдвиговый регистр с входной логикой 2И-ЗИ-2ИЛИ с прямым выходом с 7-го разряда и прямым и инверсным выходами с 8-го разряда Четырехразрядный универсальный 128ИР1, К128ИР1 155ИР1, КМ155ИР1 68, 67 178
СДВИГОВЫЙ Разряд регистра деления частоты 211ИР1, 211ИР2 250
Разряд регистра сдвига (разряд 223ИЕ1, К223ИЕ1 272
счетчика) 2 четырехразрядных статических К176ИР2 211
СДВИГОВЫХ Четырехразрядный универсальный К176ИРЗ 211
сдвиговый Восемнадцатиразрядный сдвиговый К176ИР10 211
2 четырехразрядных регистра хра- 230ИР1А, 230ИР1Б, 283
нения К230ИР1А, К230ИР1Б 283
Четырехразрядный реверсивный 230ИР2А, 230ИР2Б, 283
сдвиговый К230ИР2А, К230ИР2Б 283
Четырехразрядное устройство по- 230ИП1А, К230ИП1А 283
разрядного уравновешивания
Сумматоры
Одноразрядный полный сумматор К155ИМ1, КМ155ИМ1 177
Двухразрядный полный сумматор К155ИМ2, КМ155ИМ2 177
Четырехразрядный сумматор К155ИМЗ, КМ155ИМЗ 177
Четырехразрядный сумматор К176ИМ1- 211
Сдвоенный высокоскоростной сум- К500ИМ180, К500ИМ180Т 316
матор-вычислитель
Полусумматоры
Полусумматор и элемент 2ИЛИ-НЕ 114ИЛ1А, КН4ИЛ1А, 52
114ИЛ1Б, КИ4ИЛ1Б 52
Полусумматор К137ИЛЗ 113
Полусумматор с нагрузочными ре- К137ИЛ1, К137ИЛ2 ИЗ
зисторами на выходах Полусумматор 223ИЛ1, К223ИЛ1 272
4 полусумматора 229ИЛ1, К2ИЛ291 276
Счетчики
Декадный с фазоимпульсным пред- К155ИЕ1 176
ставлением информации Двоично-десятичный четырехраз- К155ИЕ2, К.М155ИЕ2 176
рядный Счетчик-делитель на 12 К155ИЕ4, КМ155ИЕ4 176
Двоично-десятичный реверсивный К155ИЕ5, КМ155ИЕ5, 176
К155ИЕ6, КМ155ИЕ6 177
803
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
Четырехразрядный двоичный ревер- К155ИЕ7, КМ155ИЕ7 177
сивный Делитель частоты с переменным К155ИЕ8 117
коэффициентом деления Шести разрядный двоичный К176ИЕ1 211
Пятиразрядный счетчик К176ИЕ2 210
По модулю 6 с дешифратором для К176ИЕЗ 210
вывода информации на сегмент- ный индикатор По модулю 10 с дешифратором для К176ИЕ4 210
вывода информации на сегмент- ный индикатор Десятичный с дешифратором К176ИЕ8 210
Четырехразрядный с последова- 230ИЕ1А, 230ИЕ1Б, 283
тельным переносом К230ИЕ1А, К230ИЕ1Б 283
Четырехразрядный реверсивный с 230ИЕ2А, 230ИЕ2Б, 283
параллельным переносом К230ИЕ2А, К230ИЕ2Б 283
Четырехразрядный с параллельным 230ИЕЗА, 230ИЕЗБ, 283
переносом К230ИЕЗА, К230ИЕЗБ - 283
По модулю 6, 10, 16 231ИЕ1, К231ИЕ1 285
Четырехразрядный двоичный уни- К500ИЕ136, К500ИЕ137 325
версальный Схема контроля четности на 12 К500ИЕ160, К500ИЕ160Т 325
входов Двоично-десятичный (универсаль- К511ИЕ1 344
ный) декадный с предустановкой
Шифраторы, дешифраторы и прочие элементы
дискретных устройств
Сдвоенный дешифратор-мультиплек- К155ИД4, КМ155ИД4 182
сор 2—4 Дешифратор-демультиплексор, 4 ли- К155ИДЗ 168
нич на 16 (преобразование двоич- но-десятичного кода в десятич- ный) Арифметико-логическое устройство К155ИПЗ 168
Сдвоенный цифровой селектор-муль- К155КП2, КМ155КП2 182
типлексор 4—1 Блок ускоренного переноса для К155ИП4, КМ155ИП4 182
арифметического узла Однов’ибратор с логическим эле- К155 АП 185
ментом на входе Коммутатор 8 каналов на один К155КП5, КМ155КП5 180
без стробирования Коммутатор 8 каналов на один со К155КП7, КМ155КП7 180
стробированием Формирователь временных интер- 156АГ1А—156АГ1В 191
валов
804
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
Дешифратор 4x10 К176ИД1 211
Дешифратор 223ИД1, К223ИД1 272
Дешифратор двухступенчатый на 4 входа со стробированием 229ИД1, К2ИД291 276
Формирователь импульсов (прямо- угольной формы) из логического перепада 263АГ1 307
Формирователь втекающего тока 263АА1 307
Дешифратор двоично-десятичного кода в десятичный К511ИД1 344
Трехразрядный дешифратор низкой частоты К500ИД161М 322
Трехразрядный дешифратор высо- кой частоты К500ИД162М 322
Восьмиканальный мультиплексор К500ИД164М 322
Схема быстрого переноса Элементы запомине К500ИП179, К500ИП179Т ющих устройств 325
ОЗУ на 16 бит со схемами управ- ления К155РУ1, КМ155РУ1 178
ОЗУ на 64 бит с произвольной вы- боркой К155РУ2, КМ155РУ2 179
ПЗУ на 1024 бит с использованием в качестве преобразователя двои- чного кода в код знаков рус- ского алфавита К155РЕ21 183
ПЗУ на 1024 бит с использованием в качестве преобразователя двоич- ного кода в код знаков латин- ского алфавита К155РЕ22 183
ПЗУ на 1024 бит с использованием в качестве преобразователя двоич- ного кода в код арифметических знаков и цифр К155РЕ23 183
ПЗУ на 1024 бит с использованием в качестве преобразователя двоич- ного кода в код дополнительных знаков К155РЕ24 183
ОЗУ на 16 бит с вентильным вхо- дом усилителей записи К155РУЗ 184
Матрица ЗУ емкостью 32 бита (8 слов х4 разряда) К1ЯМ411 121
Матрица ЗУ емкостью 16 бит (4 словах4 разряда) К1ЯМ412 121
Матрица ЗУ емкостью 16 бит (4 словах4 разряда) К1ЯМ413 121
Матрица-накопитель ОЗУ на 16 бит К176РМ1 209
Элемент памяти 243РП1, К243РП1 304
805
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой у- Условное обозначение микросхемы Стр.
Матрица резисторов К500НР400Т, К500НР400М 321 321
Сверхоперативное запоминающее устройство на 16 бит со схемами управления К500РУ401, К500РУ401М 321
ОЗУ на 256 бит (256 слову! раз- ряд) со схемами управления К500РУ410 327
ОЗУ на 128 бит со схемами управ- ления К500РУ411, К500РУ412 327
Сверхоперативное запоминающее устройство (64 словах! разряд) К500РУ148, К500РУ148М 328
ППЗУ на 1024 бит К500РЕ149 328
Арифметико-логическое устройство на 16 операций с двумя четырех- битными словами К500ИП181, К500ИП181Т 326
Преобразователи
Преобразователь двоично-десятич- ного кода в двоичный К155ПР6, КМ155ПР6 183
Преобразователь двоичного кода в двоично-десятичный К155ПР7, КМ155ПР7 183
Преобразователь двоично-десятич- ного кода в десятичный и управ- ление высоковольтным индикато- ром К155ИД1, КМ155ИД1 180
5 преобразователей уровня К176ПУ1 210
6 преобразователей уровня с ин- версией К176ПУ2 210
6 преобразователей уровня К176ПУЗ 210
Преобразователь напряжения 215ПН1, 215ПН2 253
Преобразователь двоичного кода в десятичный 230ИК1, К230ИК1 285
2 преобразователя уровней напря- жения 263ПУ1 307
4 преобразователя уровня ТТЛ — ЭСЛ К500ПУ124, К500ПУ124Т 324
4 преобразователя уровня ЭСЛ — ТТЛ К500ПУ125, К500ПУ125Т 324
Преобразователь высокого уровня в низкий, два элемента 2И-НЕ и два элемента НЕ с расшире- нием по И Преобразователь низкого уровня в высокий: К511ПУ1 344
два логических элемента 2И-НЕ и два логических элемента НЕ с расширением по И К511ПУ2 344
806
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
Цифровые многофункциональные микросхемы
Многофункциональный логический К1ЖЛ081 48
элемент Многоцелевой элемент цифровых 134ХЛЗ, К134ХЛЗ 97
структур (МЭЦС) Формирователь разрядной записи, К155АП1 176
усилитель воспроизведения и схема установки нуля Многофункциональный элемент для К155ХЛ1, КМ155ХЛ1 180
ЭВМ Многофункциональный логический 229ЛМ4, К2ЖЛ291 276
элемент
Усилители
Усилитель-формирователь 128УП1, К128УП1 68, 67
Усилитель мощности 202УИ1 235
Усилитель мощности 215УИ1 253
Усилитель магистральный 243УП1, К243УП1 304
2 усилителя индикации 243 УМ! 304
Усилитель воспроизведения с маг- нитной пленки 243УЛ1 304
Входной каскад усилителя считы- вания сигналов с магнитной пленки 243УЛ2 304
2 оконечных каскада усилителя считывания сигналов с магнитной пленки 243УЛЗ 304
Усилитель-приемник сигналов с ка- бельной магистрали 263 УИ1 307
Прочие логические элементы
4 элемента НЕ-НЕТ 114ЛП1А, КП4ЛП1А, 53
114ЛП1Б, КИ4ЛП1Б 53
2 элемента 2ИЛИ-НЕТ 114ЛПЗА, КН4ЛПЗА, 53
114ЛПЗБ, КИ4ЛПЗБ 53
Элементы 2ИЛИ-НЕ и 2ИЛИ с по- 114ЛЛ2А, КИ4ЛЛ2А, 53
вышенным коэффициентом раз- 114ЛЛ2Б, КП4ЛЛ2Б 53
ветвления
Элемент 6ИЛИ-НЕТ 114ЛП2А, К114ЛП2А, 53
114ЛП2Б, КИ4ЛП2Б 53
Дифференциальный приемник сиг- К138ЛП1 114
нала с линии
4 двухвходовых элемента «исклю- К155ЛП5, КМ155ЛП5 182
чающее ИЛИ-»
Элемент логический универсальный К176ЛП1 209
Импульсно-потенциальная схема 205ЛП1 243
совпадения
807
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
Элемент с порогом переключения 4, имеющий два входа с весом 2 и три входа с весом 1 243ЛП1 304
Элемент с порогом переключения 3, имеющий 4 входа с весом 1 243ЛП2 304
Триггеры
2 двухступенчатых RS-триггера
RS-триггер
RS-триггер и элемент 2ИЛИ-НЕ
JK-триггер с логикой ЗИ на входе
J К-триггер
RS-триггер
J К-триггер с логикой ЗИ на входе
2J К-триггера
20-триггера
20-триггера
RS-триггер
D-триггер
RS-триггер синхронный
RS-триггер синхронный с нагру-
зочными резисторами на выходах
JK-триггер с элементом ЗИ на
входе
20-триггера
4О-триггера
40-триггера с прямыми и инвер-
сными выходами
2 триггера Шмитта с логическим
элементом на входе
JK-триггер с логикой ЗИ на входе
2О-триггера (с установкой «О»)
RS-триггер со сложной входной
логикой
D-триггер синхронный
Половина триггера резервирован-
ного
RST-триггер
2RS-TpHrrepa и 2 элемента 2ИЛИ-
НЕ
2RS-Tpnrrepa
К1ТК081 42
114ТР1А, КП4ТР1А, 52
114ТР1Б, КП4ТР1Б 52
115ТР1, К115ТР1 57
130ТВ1, К130ТВ1, 74
К131ТВ1, 133ТВ1, 82, 90
К133ТВ1 90
134ТВ1, К134ТВ1 97
136ТР1 99
136ТВ1, К136ТВ1 99
134ТВ14, К134ТВ14 97
К131ТМ2, 133ТМ2, 82, 90
К133ТМ2, 134ТМ2А, 90, 97
134ТМ2Б, К134ТМ2 97
136ТМ2 99
К138ТР1 118
К138ТМ1, К137ТМ1 118, ИЗ
К137ТР2 113
К137ТР1 113
155ТВ1, К155ТВ1, 174, 175
КМ155ТВ1 175
155ТМ2, К155ТМ2, 175
КМ155ТМ2 175
К155ТМ5, КМ155ТМ5 178
К155ТМ7, КМ155ТМ7 178
К155ТЛ1 185
К158ТВ1 192
К176ТМ1 209
178ТР1, К178ТР1, 214
К172ТР1 199
К187ТМ1А, К187ТМ1Б 221
205ЛР1 243
204ТК1, К204ТК1 238
211ИЕ1, 211ИЕ2 250
211ХЛ4, 211ХЛ5, 250
211ХЛ6 250
808
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
RST-триггер 217ТК1А, К217ТК1А, 217ТК1Б, К217ТК1Б 261 261
RS-триггер 217ТР1А, К217ТР1А, 217ТР1Б, К217ТР1Б 261 261
RST-триггер 218ТК1, К218ТК1 263
RS-триггер 221ТР1 267
2RS-ipHrrepa 223ТР1, К223ТР1 272
RST-триггер 223ТК1, К223ТК1 272
20-триггера К500ТМ130, К500ТМ130М 323
2О-триггера К500ТМ131М, К500ТМ131М 323
4 триггера с защелкой К500ТМ133Т, К500ТМ133М 323
20-триггера К500ТМ134, К500ТМ134М 323
4О-триггера с входными мульти- К500ТМ173 326
плексорами К511ТВ1 344
АНАЛОГОВЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Генераторы гармонических сигналов
Генератор кварцевый I 219ГС1, 219ГС2 1 428
ЧМ-генератор | 219ГСЗ 1 428
Генераторы сигналов специальной формы
Мультивибр ат ор автоколебательный 218ГГ1, К218ГГ1 419
Мультивибратор ждущий 218АГ1, К218АГ1, 419
К224АГ1, К224АГ2 443, 440
Элемент блокинг-генератора жду- щего Н9АГ1, КИ9АГ1 358
Мультивибратор с самовозбужде- 119ГГ1А—119ГГ1В, 358
нием КИ9ГГ1 359
Мультивибратор универсальный К224ГГ1 442
Генератор прямоугольных импуль- сов К224ГГ2 443
Триггер Шмитта КИ8ТЛ1А-КП8ТЛ1Д 350
Чувствительный триггер Шмитта И9ТЛ1, КП9ТЛ1 360
Триггер с комбинированным запу- ском 218ТК1, К218ТК1
Триггер коммутирующих сигналов К224ТП1 442
Триггер ждущий с пороговым устройством К224ТК1 440
Формирователь импульсов К224АГЗ 443
Схема селектора и генератора строчной развертки К174АФ1 396
Получение R-G-B цветовых сигна- лов, регулировка насыщенности Генератор прямоугольных импуль- К174АФ4 397
263ГГ1 307
сов
809
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр
Детекторы
Детектор АРУ 119ДА1А, 119ДА1Б, К119ДА1 360 360
Детектор AM сигналов и детектор 175ДА1, К175ДА1, 235ДА1, 235ДА2 407
АРУ с УПТ 462
Детектор AM сигналов 218ДА1, К218ДА1 421
Ограничитель-дискриминатор 219ДС1 425
Детектор ЧМ сигналов с ограни- чителем 235ДС1 461
Коммутаторы и ключи транзисторные
Прерыватель 101КТ1А- 101КТ1Г, 347
К101КТ1 А-КЮ1КТ1Г, 347
124КТ1А-124КТ1Б, 363
К124КТ1, 162КТ1А — 363
162КТ1Б, К162КТ1 386
Коммутатор 119КП1, КП9КП1 360
Коммутатор на 6 каналов К1КТ081 42
Ключ токовый 149КТ1 (А —В), 380
К149КТ1 (А-В), 380
К252КТ1 (А, Б) 480
Коммутатор четырехканальный 190КТ2, К190КТ2 411
Переключатель четырехканальный 168КТ2(А, Б, В) 388
Коммутатор пятиканальный 190КТ1, К190КТ1 411
Коммутаторы и ключи диодные
Ключ электронный 228КН1, К228КН1, 449
265КН1, К265КН1, 489
284КН1, К284КН1 496
Коммутатор электронный 235КП1, 235КП2 463
Модуляторы и подмодуляторы
Регулирующий элемент АРУ 119МА1 (А, Б), КП9МА1 359
Модулятор балансный 140МА1 (А, Б), К140МА1 375
Модулятор кольцевой 235МП1, 235МП2 462
Подмодулятор 219МС1, 219МС2 427
Многофункциональные микросхемы
Преобразователь частоты (смеситель К2ЖА242 432
и гетеродин) Детектор AM сигналов и усили- К2ЖА243 432
тель АРУ У сили I ель-ограничитель К2ЖА244 432
Усилитель и преобразователь ча- К237ХК1 470
стоты Усилитель промежуточной частоты К237ХК2 471
с детектором АРУ
816
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
Оконечный усилитель записи и уси- литель с выпрямителем для ин- дикатора уровня записи K237XK3 471
Усилитель и преобразователь ча- стоты сигналов УКВ диапазона К237ХК5 471
Генератор тока стирания-подмагни- чивания и стабилизатор напря- жения К237ГС1 472
Усилитель-формирователь К264ГФ1 482
Усилитель ПЧ ЧМ сигналов К237ХК6 472
Преобразователи
Смеситель частот 219ПС1 (А, Б) 426
Преобразователь частоты 235ПС1, 235ПС2 461
Преобразователь декодирующий 228ПП1, К228ПП1, 451
228ПП2, К228ПП2, 451
- 265ПП1, К265ПП1, 486
265ПП2, К265ПП2, 486
К252ПА1, К252ПА2, 480
К252ПАЗ 480
Выделение цветоразностного видео- К174ХА1 397
сигнала
Формирователь импульсных сигна- 235АП 1 461
лов
Делитель напряжения для систем 235ПП1 461
АРУ
Преобразователь напряжения К224ПН1, К252ПН1 442
Фазочувствительный усилитель- 140ХА1 375
преобразователь
Преобразователь уровня управляе- 284ПУ1, К284ПУ1 492
мый
Вторичные источники питания
Диодный мост 119ПП1, К119ПП1, 359
КН2НД1 376
Стабилизатор напряжения К2ПП241 433
Стабилизатор напряжения регули- KI42EH1 (А —Г), 377
руемый К142ЕН2(А—Г) 377
Схемы селекции и сравнения
Схема сравнения токов 228СА1, К228СА1 449
Активный элемент частотной селек- 119СС1 (А. Б), 361
ции КИ9СС1 (А, Б), 361
119СС2, КИ9СС2 362
Пропускатель линейный 119СА1 (А, Б), КП9СВ1 361
Два истоковых повторителя и ин- 284СС2 (А, Б), 497
вертирующий усилитель К284СС2 (А, Б) 497
811
П родолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
Устройство опознавания К224ХП1 442
Блок компараторов К252СА1 472
Усилители высокой и промежуточной частоты
Усилитель ВЧ
Усилитель ПЧ
Универсальная усилительная схема
Экономичная усилительная стаби-
лизированная схема
Усилитель ПЧ с АРУ
Усилитель ПЧ с АРУ и эмиттер-
ным повторителем
Усилитель двухкаскадный
Усилитель каскодный
Усилитель ПЧ изображения
Усилитель ПЧ звукового сопро-
вождения
Усилитель регулируемый
Усилитель балансный
СВЧ усилитель мощности
Усилитель-ограничитель с ЧД и
предварительный усилитель
175УВ4, К175УВ4,! 235УВ1 (А, Б), 219УВ1 (А, Б) 218УР1, К218УР1, 408 463 427 421
235УР2, 235УР8, 463
К237УН5, 218УР1 471, 421
175УВ2, 408
К175УВ2(А, Б), 488
265УВ1, К265УВ1, 488
265УВ5, К265УВ5, 488
К2УС242, 228УВ1, 441
К228УВ1 451
175УВЗ(А, Б), 407
К175УВЗ(А, Б) 407
235УРЗ, 235УР9 463
235УР7, 235УР11 463
КИ8УН1 (А-Д) 349
КП8УН2 (А—В), 350
228УВЗ, К228УВЗ, 451
265УВЗ, К265УВЗ, 488
К265УВ6, 265УВ6 488
К2УС247, 441, 395
К174УР2(А, Б)
К2УС248, К2УС2416, 441
К174УР1 395
228УВ2, К228УВ2, 451
265УВ2, К265УВ2 488
228УВ4, К228УВ4, 451
265УВ4, К265УВ4 488
272УВ1 (А —Т), 490
К272УВ1 (А —Т), 490
272УВ2 (А —Т), 490
К272УВ2(А —Т), 490
272УВЗ(А —Т), 490
К272УВЗ (А-Т), 490
К272УВ4 (А —Т), 490
К272УВ5 (А-Т), 490
К276УВ6(А- Т) 490
К174УРЗ 396
812
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
Усилители низкой частоты
Усилитель НЧ
Усилитель мощности
Усилитель НЧ входной
Усилитель напряжения
ный
Универсальный каскад
двухтакт-
119УН2, КП9УН2, 357
123УН1 (А —В), 362
К1УС231 (А-В), 362
К148УН1, К148УН2, 377
К167УН1, К167УНЗ, 387
К2УС245, К224УН16, 441
К224УН17, 441
226УН1 (А —В), 446
К226УН1 (А-В), 446
К226УН2 (А-В), 446
226УН2(А — В), 446
226УНЗ (А, Б), 446
К226УНЗ (А-В), 446
226УН4 (А, Б), 446
К226УН4 (А—В), 446
226УН5 (А-В), 446
К226УН5 (А-В), 446
235УН5, К237УН1, 464, 470
К237УН2, К237УНЗ, 470, 471
504УН1 (А-В), 508
К504УН! (А—В), 508
504УН2(А —В), 508
К504УН2 (А-В) 508
К174УН5, К174УН7, 399
К174УН8, 399
К1УС744(А,Б) 119УН1, КИ9УН1 357
177УП1, К177УП1 410
Усилитель радиочастоты регули-
руемый
Усилитель со специальной частот-
ной характеристикой
Усилитель кадровой развертки
Усилитель сигналов цветности
Усилитель НЧ малошумящий
Уси'литель шумов
Усилитель яркостного сигнала
Два усилителя сигналов для линии
связи блоков ЭВМ
Усилитель микрофонный
198УН1 (А-В), 414
К198УН1 (А-В) 414
К2УС2413 442
К224УН2 442
К224УН18, К224УН19 441
К224УП1 440
К284УН1 (А, Б) 492
219УП1 427
К174УП1 398
К170УП1 393
219УН1 427
813
Продолжение приложения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
Повторители
Эмиттерный повторитель 119УЕ1, КП9УЕ1 357
Усилитель-повторитель 218УЕ1, К218УЕ1, 218УЕ2, К218УЕ2, 420
420
235УН4, 235УН10 464
Истоковый повторитель на поле- 284УЕ1(А, Б), 498
вых транзисторах К284УЕЦА, Б) 498
Усилители импульсных сигналов
Видеоусилитель
Усилитель широкополосный
Усилитель импульсный
Усилитель-ограничитель сигналов
цветности
Усилитель импульсов со стабилиза-
цией амплитуды выходного сигнала
КН8УП1 (А—Г),
119УИ1,
К119УИ1, К224УПЗ
175УВ1 (А, Б),
К175УВ1(А, Б),
265УВ7, К265УВ7
218УИ1, К218УИ1,
218УИ2, К218УИ2,
218УИЗ, К218УИЗ
К224УП2
К264УИ1
349
357, 442
408
408
489
420
420
420
442
482
Усилители постоянного тока, операционные и дифференциальные
Усилитель постоянного тока КЮ1УТ1 (А, Б), 347
119УТ1,
КН9УТ1 357
УПТ однокаскадный дифферен- КП8УДЦА, В) '350
циальный
Усилитель операционный 140УД1 (А, Б), 373
К140УД1 (А —В), 373
140УД2, 373
К140УД2(А, Б),
140УД5(А, Б), 374
КЬ40УД5(А, Б), 375
140УД8(А, Б), 374
К140УД8(А—В), 374
140УД9, 140УД14, 373, 374
КР140УД1 (А —В), 375
153УД1, К153УД1, 384
153УД2, К153УД2, 389
153УДЗ, 154УД4, 384
153УД5(А, Б), 384
К153УД5, 153УД6 384
Операционный усилитель быстро- К140УД11 373
действующий
814
Продолжение npi ло.шения 3
Функция, выполняемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
Операционный усилитель с малыми входными токами и внутренней коррекцией 140УД6(А, Б), К140УД6 ' 374
Операционный усилитель с внут- ренней коррекцией АЧХ, защи- той входа и выхода от КЗ и установкой нуля 140УД7, К140УД7 374
Прецизионный усилитель постояв- 140УД13, К140УД13 374
ного тока с дифференциальными входами
Усилитель дифференциальный 177УД1, К177УД1 (А, Б), 410
265УД1, К265УД1, 488
К284УД1 (А-В) 496
Усилитель многофункциональный 198УТ1 (А, Б), 414
дифференциальный К198УТ1 (А, Б) 414
Блок операционных усилителей К252УДЗ(А, Б) 479
Усилитель с дифференциальным входом 284УД2, К284УД2 496
Наборы элементов, компонентов и матрицы
Пара транзисторов структуры п-р-п 129НТ1 (А—И)-1, 364
(базовые элементы дифферен- К129НТ1 (А —И)-1, 364
циального усилителя) 159НТ1 (А-Ж), 386
К1НТ591(А-Е) 386
Набор диодов К142НД2, К142НДЗ, 376
К142НД4, К142НД5 376
Матрицы транзисторов п-р-п типа 198НТ1 (А, Б), 414
К198НТ1 (А, Б), 414
198НТ2(А, Б), 414
К198НТ2(А, Б), 414
198НТЗ, 414
К198НТЗ(А, Б), 414
К198НТ4(А, Б) 414
Матрицы транзисторов р-п-р типа 198НТ5(А, Б), 414
К198НТ5(А, Б), 415
198НТ6 (А, Б), 414
К198НТ6(А, Б), 415
198НТ7(А, Б), 414
К198НТ7(А, Б), 415
198НТ8(А, Б), 414
1 К198НТ8(А, Б) 415
815
П родолжение приложения 3
Фу нкция. выполи яемая микросхемой Условное обозначение микросхемы Стр.
Набор транзисторов структуры К224НТ1 (А-В), 443
п-р~п 219НТ1, 219НТ2 429
Набор резисторов К224НР1, К224НР2 438
Матрица комбинированная 228НК1, К228НК1 450
Набор конденсаторов 228НЕ1, К228НЕ1 451
Пара полевых транзисторов слабо- 504НТ1 (А-В), 508
точная согласованная К504НТ1 (А-В), 508
504НТ2 (А-В), 508
К504НТ2 (А —В) 508
Пара полевых транзисторов силь- 504НТЗ (А-В), 508
поточная согласованная К504НТЗ (А-В), 508
504НТ4 (А-В), 508
К504НТ4 (А —В) 508
Матрица декодирующая резистив- 301НР1А — 301НР1М, 501
ная ЗОШРЗ, 501
301НР4А —301НР4М, 501
301НР5А-301НР5М, 501
301НР6А-301НР6М, 501
301НР11 501
Последовательный делитель напря- 301НР2, 301НР7, 501, 502
жен и я 301НР8, 301НР9, 502, 503
301 HP 10 503
Диодная матрица 202НК1, 202НК2, 238
202НД1, 202НД2 238
Набор транзисторов 201НТ1, К201НТ1, 232
201НТ2, К201НТ2, 232
201НТЗ, К201НТЗ 232
Микросборка из высоковольтных К1НТ661 196
транзисторов
Набор транзисторов структуры 243НТ1, 243НТ2, 305
П-Р'П 243HT3 305
Набор элементов комбинирован- 204НК1, К204НК1 239
ный
Набор транзисторов п-р-п 217НТ1, К217НТ1, 260
217НТ2, К217НТ2, 260
217НТЗ, К217НТЗ 260
Диодная сборка 217НК1, К217НК1 259
Набор диодов 221ЛП1 265
816