Text
                    А.И.Атаев В.А.&оАоТнмков
АНАЛОrОВЫЕ
ИНТЕrРАЛЬНЫЕ
МИКРОСХЕМЫ
ДЛЯ БЬIТОВОй
РАдИОАППАРАТУРЬI
·в1
'
:
•
·1\
'
.
,,
Издательство МЭИ


,,. ' •• 1 - .... ,~. . ......"" .." «..' Аналоговые интегральные миkросхем:Ь1 ' . , для бытовой радиоаппаратуры ,Справочник Издательство МЭН Москва' 1991 .. • 1 • 1 \ , 1\ •' . '· ' " ' ' ' •1 " \. "•' . ' '
~92 'ДК: 621.396.6:64.049.77(035.5) Рецензентканд.техн.наукК.Э.Астратян Научный редактор А И. Гусев Атаев Д. И. О., Болотников В. А. Аналоговые интегральные микросхемы ~92 для бытовой радиоаппаратуры: Справоч­ ник. - М.: Изд-во МЭИ, 1991. - 240 с., ил. ISBN 5- 7046-0028-Х Рассмотрены аналоговые интегральные микросхемы (ИМС) отечественного производства, применяемые в бы­ товой радиоаппаратуре. Приведены структурные и прин­ ципиа..1ьные схемы , схемы включения , э,1ектрические па­ раметры , их зависимости от условий эксплуатации ИМС, чертежи корпусов, указаны назначение выводов и зару­ бежные аналоги. Для инженерно-технических работников и радио.1юби­ телей. занимающихся разработкой, эксплуатацией и ре­ монтом бытовой радиоаппаратуры. 2302030700 - 011 097(02) - 91 11 -90 ББК 32.844 SBN 5-7046-0028-Х © Атаев д.11.0" Болотников ВА.,1991 Со1 с кого щиро микр1 лий вен нс Ус1 ВО Tf парат улучu эстет~ ными времt: очере Пр ной 1 верш< НОВЫf руирс радио чески ристи требл дежнс ное q возмо как проиr др. Раз схем, 11арам лени1< бытов задач) тому этой МОЖНI пускаt ральн · Цеr ознакс стов с ко'tор1 приме: класса Для I< нике цuювс предеJ ~yatc
--r--~--------- Современный этап научно-техниче­ ского прогресса характеризуется широким внедрением достижений микроэлектроники в создание изде­ лий культурно-бытового и хозяйст­ венного назначения. Ускоренно развивается производст­ во технически сложной бытовой ап­ паратуры длительного пользования с улучшенными потребительскими и эстетическими свойствами, получен­ ными благодаря использованию со­ временных компонентов и, в первую очередь, интегральных микросхем. Применение современной элемент­ ной базьf позволило не только усо­ вершенствовать старые, но и создать новые методы проектирования, конст­ руирования и производства бытовой радиоаппаратуры, улучшить ее техни­ ческие и эксплуатационные характе­ ристики. Малые габариты, масса, по­ требляемая мощность, высокая на­ дежность, долговечность, многообраз­ ное функциональное назначение дали возможносJь создать такие устройства, как переносной микрокассетный проигрыватель, видеомаmитофон и др. Разнообразие интегральных микро­ схем, различающихся по назначению, параметрам, конструктивному оформ­ лению ставит перед разработчиками бытовой· радиоаппаратуры непростую задачу их оптимального выбора. Поэ­ тому разработчики и ремонтники этой аппаратуры должны иметь как можно более полные сведения о вы­ пускаемых промышленностью интег­ ральных микросхемах. · Цель настоящего справочника ознакомить широКИИ: круг специали­ стов с интегральными микросхемами, коТорые нашли или могут найти применение в различных видах и классах бытовой радиоаппаратуры. Для каждой микросхемы в справоч­ нике приведены структурная схема и тт,uювая схема включения, условия и предельно допустимые режимы экс­ ~уатации, электрические параметры и зависимости параметров от режи­ мов ~ условий применения. Типовая схема включения с эле­ ментами, подключаемыми к микро­ схеме для нормального ее функцио­ нирования представляет собой один из вариантов ее применения. Элект­ рические параметры микросхем из­ мерены при включении их по типо­ вой схеме в соответствии с ГОСТ 19799 - 74 "Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения элек­ трических параметров и определения характеристик". В справочнике все микросхемы в соответствии с областью примен~ния сгруппированы по функциональному назначению в трех разделах: исполь­ зуемые в звукотехнике (гл. 2), в маг­ нитной записи (гл. 3), для радиопри­ ема (гл. 4). В главах микросхемы расположены в поряд{(е возрастания номеров се­ рий. Для удобства пользования справоч­ ником описание микросхем унифи­ цировано, в Приложении 1 приведе­ ны оцифрованные. чертежи корпусов, а в соответствующих разделах указан тип корпуса и номер его чертежа. В Приложении 2 перечислены все микросхемы, включенные в справоч­ ник в порядке возрастания их номе­ ров, функциональное назначение каж­ дой микросхемы, ее зарубежный ана­ лог, номер чертежа корпуса и стра­ ница справочника, где описана дан­ ная микросхема. Необходимо отметить, что справоч­ ник не заменяет ГОСТов, ТУ, пас­ портов и других документов, устанав­ ливающих требования к интеграль­ ным микросхемам, поэтому в конк­ ретных официальных разработках следует руководствоваться норматив­ ными документами. Предложения и замечания по со­ держанию справочника просим на­ правлять по адресу: 105835, ГСП, Мо­ сква, Е-250, Красноказарменная ул" 14, Издательство МЭИ. 3
. Гла(fа 1 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ АНАJ10ГОВЫХ ИНТЕГРАТIЬНЫХ МИКРОСХЕ~ 1.1 . АНАЛОГОВАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА - ОСНОВА ЗАВЕРШЕННОГО ФУНКЦИОНАЛЬНОГО УЗЛА БЫТОВОЙ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЬI Аналоговые интегральные микро­ схемы (АИМС) предназначены для преобразования и обработки сиmалов, изменяющихся непрерывно по уров­ ню и во времени. Они находят ши­ рокое пр~~мененце в аппаратуре зву­ ковоспроизведения и звукоусиления, радиоприемниках и телевизорах, ви­ деомаmитофонах. и измерительных приборах, в аналоговых вь1чисшiтель­ ных машинах, технике связи и т. д. АИМС - конструктивно завершен­ ное устройство, которое в совокупно­ сти с ограниченным количеством внешних радиоэлементов позволяет создавать сложный завершенный функциональный . узел (например~ де­ кодер ПАЛ-СЕКАМ, УПЧ изображе­ ния, видеоусилитель, генератор и т. п.). . Функциональный узел [1] это группа радиоэлементов, объединен­ ных К()нструктивнр и технологически в. сборочную единИ:цу (модуль), пред­ назначенную для создания некоторой законченной части . радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), например, усили­ теля, фильтра, источника питания и Т. П. Взамен традиционного метода изго­ товления функциональных узлов пу­ тем сборки их из готовых электрора­ диоэлементов в модули с riрименени- 4 , ' ' 1'~ ' ем межсоединений и конструктивных. элементов в АИМС процессы изгото-­ вления входящих в узел электрора" диоэлементов и объединения их функциональную конструкtивно за вершенную структуру совмещаются Эта технология носит название ин!:.. тегральноu (от латинского integre ~ целый, неразрывно связанный). Фун кциональные узлы (ФУ) РЭА, изгота: вливаемые методом интегрально технологии называюtся интегр.альньr ми !'уtИкросхемами (ИМС). Характер ная особенность интегралыщй техн логии - высокий уровень ·миниатю­ ризации (до 106 элементов в\ одно корпусе). Для функциональных узлов •ради аппараtуры удобным по!(ЗЗателе уровня миниатюризации являете плотцость . упаковки, характеризуем отношением числа элементов, содеt жащихся в узле, к объему узла. При сборке маломощных функци нальных узлов . из готовых радиоэ ментов не удается поднять плотное упаковки выш~ 2 - 3 элементов в бическом сантиметре даже при и пользовании самых миниатюрнь полупроводниковых приборов и п сивных элементов. Интегральная технология цозволяет достигать пло ности упаковки' 104 - 105 элементов··. 1 см3 при невысокой _стоимостЦ ·, большой надежности ФУ. Эта особе ность интегральной технологии, обе печивающая ·большие возможное миниатюризации радиоэлектронны изделий, явилась причиной широко ~\',,l :J,J. ' ! ' • : •' /,.j' -' Jj 1~~l"'~ { ,;/, • • \ ...1,:_1 ,"_.. ~ '.,''. · :)}x';i~~fc·'t:t.il, и' МИJ 1 прс: цис роЕ НО1' ЦИI па~: ВЛI! рад их ши Сф эле peD НИJ дел ГИI! 1 ны по~ риз НЮ 1 ЦИI ело К= ляс: лог вхо эти пус ше~ 101 т. J. вук ТОЙ ВЫJ 1 ся све1 схе: (та! 1 Ше1 СБJ зна· пок рас, пре уда~ ныс
и быстрого внедрения интегральных микросхем в РЭА. Интегральная технология изменила представление об оптимальных функ­ циональных структурах радиоэлект­ ронных устройств и их функциональ­ ном базисе. Появились новые прин­ ципы и способы конструирования ап­ партуры, оказывающие значительное влия:еие на все этапы изготовления радиоэлектронных устройств, способы их эксплуатации и существенно рас­ ширяющие сфер_у . их применения. Сформировалась специальная отрасль электроники микроэлектроника, решающая проблемы конструирова­ ния и производства электронных из­ делий на базе интегральной техноло- гии. / В настоящее время стандартизова­ ны количественные и качественные показатели сложности ИМС, характе­ ризуемые числом содержащихся в них элементов. В ГОСТ 17021-75 степень интегра­ ции ИМС определена как показатель сложности, выражаемый формулой K=lgN, где К - коэффициент, округ­ ляемь1й до ближайшего большего це­ лого числа, N - число элементов, входящих в ИМС. В соответствии с этим по числу содержащихся в кор­ пусе ИМС элементов различают шесть. степеней интеграции: от 1 до 101 (пер'3Ш1), от 10 до 1()2 (вторая) и т. д. В настоящее время уже сущест­ вуют интегральные микросхемы шес­ той степени интеграции для цйфро­ вых униполярных ИМС. По сложности ИМС подразделяют­ ся на малые, средние, большие и сверхбольшие ~нтегральные микро­ схемы (МИС, СИС, БИС и СБИС) (табл. 1.1). - . Интегральные микросхемы повы­ шенного уровня интеграции (БИС, СБИС) имеют по сравнению с МИС значительно лучшие массогабариrnые показатели, меньшую стоимость в расчете на один ФУ, а также другие преимущества, благодаря которым удается существеннQ улучшить основ­ ные техщ1ко-экономические характе- J~- Тайлица 1.1 ' Наименование Структура Чnс.,о имс имс э.тtементов на криста..'Iле Малая интегра- Биполярная 1- 30 льная (МИС) Средняя интеr- Бщtопярная, 31-100 радьная (СИС) уншюпярная Большая интеr- Бипол~рная. 101- 300 рапьная (БИС) униполярная 1 Сверхбольшая Биполярная. Бо.1ее 300 интегральная униполярная (СБИС) ристики РЭА. Во-первых, значитель­ но уменьшается число соединений в аппаратуре из-за большей функцио­ нальной сложности caмrrx микросхем. Так как контактные соединения явля­ ются одной из основных причин от­ казов микроэлектронной аппаратуры, то использование микросхем повы­ шенной степени· интеграции. позволя- ет улучщить надежность аппаратуры на один-два порядка по сравнению с аппаратурой на микросхемах малой интеграции. Во-вторых, сокращается суммарная длина . соединительных линий' между элементами, снижаются паразиrnые емкости нагрузок и, сле­ довательно, повышается частотный диапазон аппаратуры. Создание аппа­ ратуры, работающей в СВЧ диапазо­ не принципиально возможно на' базе микросхем повышенного уровня и~­ теграции, в которых длину отдель­ ных соединений можно довести ' до 1 см, снизи~ тем самым задержку распространения сигналов между эле­ ментами до 0,05".0,1 нс. Вместе <; тем, микросхемы повы­ шенного уровня интеграции обладают особенностями, осложняющими раз­ работку аппаратуры на их основе, на­ пример, возрастание удельной рассеи­ ваемой мощности .при увеличении степени интеграции требует специ­ альных мер по обеспечению теплоот­ вода, а при удельной мощности вы­ ше 2 Вт/см2 - принудительного ох­ лаждения. Меньшая универсальность 5 .. .. "-~ .. ' ···-~с' ~-'.'' ... : ~~-
микросхемы повышенной степени интеграции ограничивает объем их выпуска, а следовательно, увеличива­ ет их стоимость . При повышении плотности упаковки усипивается элек­ тромаr:нитная связь между элемента­ ми, что приводит к снижению устой­ чивости работы устройства. Существенно ограничивают созда­ ние полупроводниковых интеграль­ ных схем повышенной степени ин­ теграции трудности, возникающие при изготовлении малых по разме­ рам корпусов ИМС с большим коли­ чеством выводов. Тем не менее повышение уровня интеграции микросхем является про­ грессивным направлением, которое помогает улучшить функциональные и эксплуатационные показатели РЭА. С помощью интегральной техноло­ mи можно изготовить большинство маломощных функциональных узлов РЭА в виде микросхем. Однако про­ мышленное производство микросхем определс!нноrо типа -целесообразно лишь при их массовом применении. При малом объеме сбыта затраты на разработку и подготовку производства значительно повысят стоимость ИМС, и их применение окажется не­ целесообразным, что приводит к - не­ обход1;1мости ограничения номенкла- туры микросхем. _ Следует отметить, что АИМС от­ носятся к комплектующим издел_иям, не имеющим самостоятельного назна­ чения, а применяемым лишь в сово­ купности с другими изделиями как составные · Части ба.Лее . сложных и различных по назначению устройств. Поэтому диапазон требований к мик­ росхемам со стороны потребителей весьма высок и их удовлетворение - непростая задача. Для эффективного решения этой задачи установлено плановое развитие номенклатуры микросхем и их стандартизация. 1.2. КJJАССИФИКАЦИЯ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ Интеграл1;>ные микросхемы в зави­ симости от технологии изготовления 6 б~1вают полупроводниковыми, пле­ ночными и гибридными. В соответствии с ГОСТ 17021 - 75, полупроводниковыми ИМС называ­ ются такие, в которых все элементы и межэлементные соединения выпол­ нены в объеме и на поверхности кристалла. Пленочными ИМС в которых все элементы и межэлемен­ тные соединения выполнены в виде пленок 1 проводящих и диэлектриче­ ских материалов. Существует два ва­ рианта этих ИМС: тонкоплецочные и толстопленочные. К первым относят­ ся ИМС с толщиной пленок 1 мкм и менее, вторым - с толщиной пле­ нок свыше 1 мкм. К гибридным от­ носятся ИМС, содержащие кроме элементов интегрально выполненных в кристалле полупроводника, и от­ дельные компоненты, изготовленные самостоятельно (например, бескорпус­ ной транзистор, керамический кон­ денсатор и т. п.). На практике одновременно с поня­ тием БИС используется и понятие базовый комплект БИС - это мини­ мальный состав совместимых по _ кон­ структивному исполнению и электри­ ческим параметрам БИС, обеспечива­ ющих построение завершенной мик­ роэлектронной аппаратуры. Государственные стандарты опреде­ ляют функциональную классифика" цию и типы ИМС, совокупность раз­ решенных значений · основных пара­ метров ИМС (параметричес~е ря­ ды), габаритных и прИ:соедИ:Нитель- ; ных размеров, типов и размеров кор- , пусов (размерные ряды). Функцио­ нальная классификация ИМС опреде­ лена ГОСТ 18682 - 73 . Интегральные микросхемы по вы­ полняемь1м ' функциям разбиты на подгруппы (усилители, генераторы, фИЛ!>трЬI и т. д.). в каждой из них ИМС подразделены по виду, выполня­ емой функции (усилители промежу­ точной частоты, фильтры низкой час­ тоты, преобразователи фазы и т. д.). В соответствии с функциональной клас­ сификацией микросхемы им присваи­ вают определенные наименования. ' .. ~t~~~~~"r"r :. ~".л р х, 4 р р и к 11 с· Р' н ц с ll м п кс р: Т( 1.: BI: ю кс м: П( с. BJ: ю Н( нс HI м: Ф: Н( м: TI:
;, 1- >l [- и в 1- ,е i- и г­ м r- 1e х r- 1e 1- 1- 1е I- 1- I- l- '<- l" 3- l- 1- !,- ; )-' :>- е- 1I- 1a ,1, IX я­ у­ с­ в с­ :1- При выборе микросхем для аппа­ ратуры конкретного назначения необ­ ходимо руководствоваться не только функциональным назначением мик­ росхемы, но и значениями парамет­ ров, характеризующих свойства ИМС и реж,имы работы. Обычно указыва­ ются ·функциональные параметры ИМС, характеризующие ее возможно­ сти; параметры рабочего режима, оп­ ределяющие совокупность условий, необходимых для правильного функ­ ционирования ИМС; предельно допу­ стимые уровни воздействий окружаю­ щей средь~, не нарушающие нор­ мального функционирования ИМС в пределах гарантированного ресурса; конструктивные параметры, характе­ ризующие 'Габаритные и присоедини­ тельные размеры. 1.3 . СИСТЕМА УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ Разработка и изготовление аналого­ вых ИМС производится сериями. Каждая серия отличается степенью комплектности и содержит несколько микросхем, которые в свою очередь подразделяются на типономиналы. Серия состоит из совокупности ИМС, выполняющих различные функции; имеющих единое конструктивно-тех­ нолоГическое исполнение и предназ­ наченных для совместного примене­ ния (ГОСТ 17021- 75). Интегральная микросхема, имеющая конкретное функциональное назначение и услшr­ ное обозначение, называется типоно­ миналом. Обозначение ИМС состоит из че­ тырех элементов: первый - цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе (1, 5, 6, 7 - полупро­ водниковые ИМС (цифра 7 присвоена бескорпусным полу­ проводниковым ИМС); ·2, · 4, 8 - гибридные ИМС; 3 - про­ чие ИМС); второй - две-три цифры, обозна- чающие порядковый номер разработки; третий - две буквы, определяю­ щие функциональное назначе­ ние (подгруппу) и вид ИМС (табл. 1.2); четвертый - одна или несколько цифр, обозначающих · порядко­ вый номер· разработки ИМС в данной серии. Иногда в конце условного обозна­ чения добавляется буква, определяю" Таблица 1.2 . Функциона..Jьное назначение (по;~группа) Генераторы гармонических сигналов прямоугольных сигналов линейно из:ченяющихся сигналов сигналов специальной формы шума прочие Детекторы амплитудные импульсные частотные фаЗовые прочие Коммутаторы и ключи тока напряжения прочие Многофункциональные ИМС аналоговые цифровые комбинированные_ цифровые аналоговые матрицы комбинированные (аналоговые и цифровые) матрицы прочие Модуляторы амплитудные частотные фазовые импульсные прочие Обозначение (фувкци11) гс гг. гл ГФ гм m ДА ДМ де ДФ ДI1I кr кн КП· ХА хл хк ХМ хн хт хп МА мс МФ ми мп 7
ч,~~. Фуи1Щ11оиа.~..;ос наэначен11е Обоsначен11е (noд!'PYJl!la) (фуu1Щ1t11) Наборы э..1ементов диодов Ид· транзисторов нт резисторов НР конденсаторов НЕ .. комринированные нк функциональные НФ прочие нп Преобразователи сиrн;щов часто'l'ЬJ пс длительности ПД напряжения (тока) пи мощности пм уровН.11 ПУ аналоrо-цифро~ые ПА цифроаналоrовые пв синтезаторы частоты пл делители частоть,~ аналоговые пк умножители частоты аналоговые ПЕ код-код ПР прочие пп Схемы источииков вторичноrо электроmrтания выпрямители ЕВ ~реобразователи ЕМ стабилизаторы напр.яже11ИЯ непрерывные ЕН стабилизаторы тока ЕТ стабилизаторы напряжения импульсные 'ЕК схемы управления импульсными стабилизаторами ЕУ прочие ЕП щая технологический разброс ;элект­ рических параметров типономинала. ,. Для ИМС, используемых в устрой­ ствах широкого применения, в нача­ ле обозначения указывается буква К. Для характеристики матерI;1аЛа и ти- f па корпуса перед цифровым обозна­ чением серии мшуr быть добавлены следующие буквы: А - пластмассовый планарный корпус; Б - ИС в бескорпусном варианте; Е - металлополимерный корпус второго типа; 8 ~J~ ,": ~ ·rJ,, ~~ . /·t·r: ;~_.._;,"\ , ~~ 1 :J~"r~irJ:(it~,i.c1', ,") . • ''•L", ~"'' "( ' Функц11она..1ьиое назначение " Обоэначенпе (п одгруппа) (~кщш) ' · Схемы задержки пассивные БМ активные БР прочие БП Схемы сравненяя ·амплитудные (уровН.11 сиrна..~а) СА в~)еменные св частотные се компараторы ск прочие сп Усклиrели высокой частоты УВ промежуточной частоты ур llJ9XOЙ частоты УН широкопо.1осные напряжения УК импульсных сиrналов УИ повторители УЕ считывания . и воспроизведения УЛ; индикации УМ постоянного тока УГ операIUЮнные УД диффере~циальные УС прочие УП Фильтры верхних частот ФБ нижних частот ФН полосковые ФЕ режекторные ФР прочие Ф11 И стеклокерамический плана аый корпус; М - керамический, металлоке мический и стеклокерами ский корпус второго типа; ' Р - ,пластмассовый корпус вто типа; ., ,' Ф - мин~атюрный . пластмассов корпус. Аапример, условное · обозначен · полупроводниковой ИМС широко применения в пластмассовом корпус предварительноrо усилителя записи : воспроизведения в канале звука с п ряд1 ром фун НОЛI J<ИМ 1.4. Кс от1 чива эле~v деж~ соед ради вод О; крис поrл ЭЛе!\1 отв ских н чиш ноле ИМ< ПQЛI' кера К< ным рам~ НИеl\ нова ревы 2 3 4 5
рядковым номером серии 1005, номе­ ром разработки в данной серии по функциональному признаку 1 и тех­ нологическим разбросом А будет та­ ким: КР1005УН1А. 1 1.4. ТИПОВЫЕ КОРПУСА АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ Корпус защищает элементы ИМС от влияния внешней среды, обеспе­ чивает электриЧескую связь между элементами схемы и выводами, на­ дежное механическое и эле,J<трическое соединение с другими элементами радиоэлектронного блока, а также· от- . вод тепла от кристалла ИМС. Одновременн9 корпус - защищает кристалл ИМС от во;щействия света, поглощает собственнс>е излучение элементов схемы и служит экраном от внешних магнитных и , электриче­ ских полей.- Наибольшее расriростра~е,ние полу­ чили пять видов конструктивно-тех­ нологического исполнения корпусов ИМС: металлостеклянные, металло­ пqлимерные, металлокерамические, керамические, пластмассовые. Корпу~ характеризуются габарит­ ными и присоединительными разме­ рами, числом выводов и расположе­ нием их относительно плоскости ос­ нования корпуса (планарные и шты­ ревые). Корпус В соответствии с ГОСТ 17467 - 79 "Микросхемы интегральные. Основ­ ные размеры" . применяются корпуса пяти типов (табл. 1.3). Конструкция и основные размеры корпусов приведе­ ны на рис. 1.1 - 1.6, где: п - общее число выводов; ПО - плоскость основания; УП - установочная плоскость; А - расстояние от УП до верхней точки ИМС; ·л 1 - расстояние между УП и плоскостью основания ИМС; А2 - расстояние от ПО до верх- ней точки ИМС; Е - ширина ИМС; Д - длина ИМС; НЕ - общая ширина ИМС; L, LD> LE - длина вывода, при­ годная для монтажа; l - шаг выводов. Заштрихованные области, условно показанные со стороны основания, предназначены для размещения кщо­ ча ИМС, показывающего позицию­ вывода после установки ИМС на плате. Корпуса типа 1 подразделяются на четыре подтипа (см. рис. 1.1), отли­ чающихся формой корпуса и поряд­ ком расположения выводов. Число выводов и основные размеры корпуса указаны в табл. 1.4; · Таблица J.Э _PacnO.. 'IO>f. .~Hlfe ВЫВО;10В nш 1 форма на П..'IОСКОС'ПI tх:НОВЗНJIЯ 1 относите•.'1 Ь И О пдо ск 0С1 11 основания· Шаг. мм - прямоуrо.1ъный 2 прямоуrо:льный 3 круглый 4 прямоугольный 5 прямоугол~,ный в пре.:~е.1ах проекции те~а корпуса за пределами проекции тела корпуса перпен;щКу.1Ярное 2,5 перпен;~ику.1Ярное 2,5 .в пре;хе.1ах и за пре;хе.1а\iИ перп.ен;щку.~ярное 1,25 по;~ проекции тe.ria корпуса по уr.1ом '360°/n окружности за пре;хе.1ами проекции те.1а пара.1ле.1ьное • 1.25 1'L1И 0,625 корпуса в пре;хе.1ах проекции корпуса без выводов 1,25 . ' 1( ' i
... " .'\f, ' а). Ь) 8) г) Е [. Е Рис. lJ. Конструкция корпуса типа 1 и его мо;щфикации ;~.1я '.!икросхем а) Б) ez В) 1'"' А l..a ·е1 =-! е1 Е 1 1~Е"'\ А1L 1 1 Рис. 1.2 . Конструкция корпуса типа 2 и его мо;~ификации для микросхем Для всех типоразмеров h111ax=0,5 мм, Стах=О,4 мм, lном=2,5 мм, Lmax=8 мм, La тах=О,7 мм, L1 ma.\'=0,5 мм. В корпусах подтипа 11 выводы расположены в один ряд (рис. 1.1 а), в корпусах подтипа 12 вдоль длинных сторон (рис. 1.1 б), в корпу­ сах подтипа 13 - по контуру корпу­ са (рис. 1.1 в), в корпусах подтипа 14 расположение выводов линейно­ многорядное (рис. 1.1 г). Минималь­ ное число выводов п =8, максималь­ ное n=304. · Корпуса рассмотренных подтипов имеют выводы круглого сечения, рас­ полагающиеся с шагом 2,5 мм как по одной, так и по другой коорди­ нате. 10 Корпуса типа 2 подразделяются ·н два подтипа (рис. 1.2, 1.3), отлича щихся способОм отгибки выводов расположением их вдоль граней новани.Я корпуса. Число выводов ! основные размеры корпусов цривед ны в табл. 1.5, 1.6. Для типоразме , А1 ~=1,8 мм, Ь1114Х=О:9 м ,. с"ш.х-0,36 мм, Ll1JIJX-5 М La 11ш.х=О,1 мм. В подтипе Zl разм lном~2,5 ММ. В корпусах подтипа 21 (рис. 1.2 выводы расположены вдоль длинн сторон основания корпуса и име одинаковую геометрию отгибки. М ··, нимальное число выводов - 8, м · симальное - 66 . В корпусах подти 22 (рис. 1.2 б) выводы также распол 1 жены вдоль длин~ых С1:орон основа· Т1 н р п д д р т т ч н у 3 н з: и u р Bi 6, п 8 Д. 61 Г( н м
ва· Таблица 1.4 Ч11с.10 выводов 1 Основные размеры, мм Типоразмер 11 D1 Dma.\ 1 Етах 1 Al.ma\ nE 1101 7 19,5 4,5 20,0 1201 10 14,5 7.0 1203 14 19,5 14.5 1205 16 22,0 19 ,5 7,5 1208 20 27,0 17,0 1210 28 37,0 27,О 1212 40 52,0 37 ,0 1213 46 59,0 39 ,5 10,0 1218 24 32,О 7,0} 20,0 1219 22 29,5 9,5 1301 4 4 12,0 ЦО} 1305 9 5 24,S 19,5 7,5 1401 5 5 14,5 14,5 1407 22 14 57,0 . 37,0 1nD'пЕ - число выводов по длине и шири­ не корпуса. ния корпуса, но они отогнуты на различных расстояниях в шахматном порядке. Минимальное число выво­ дов - 8, максимальное - 66 . В корпусах обоих подтипов выво­ ды имеют прямоугольное сечение, расположены с шагом 2,5 мм (под­ тип 21) и 1,25 мм (подтип 22). Корпуса типа 3 подразделяются на три подтипа (рис. 1.4). Возможное число выводов и большинство основ­ ных размеров указано в табл. 1.7- 1 .9 . Угол fЗ для типоразмеров 3101, 3103, 3105 равен 45°, ~ 0 и 30° соответствен­ но, /Зтах - 45 (для ти.поразмера 3201) и 36° (для 3204), f:Зmin - 11°15'.~ Корпуса подтипа 31 (рис. 1.4 а) имеют три типоразмера, отличаю­ щихся друг от друга в первую оче­ редь числом выводов, выполнены в виде цилиндра высотой 4,7 или 6,6 мм, диаметром 5 мм. Корпуса подтипа 32 (рис. 1.4 б) выполняют с 8 и 10 выводами, имеют ·отверстия для крепления и характеризуются большей теплоотдачей. Корпуса подтипа 33 (рис. 1.4 в) ·из­ готавливают с 36 выводами, выполне­ ны в виде таблетки высотой 5 и диа­ метром 16,5 мм. Корпуса типа 4 под- Таблица 1.5 Чнс.10 вы:водов Основные размеры. мм типоразмер -,, Dma\ l Етах 1 Ата.,· 2101 8 2104 18 2105 14 2109 24 2110 14 2114 32 2116 16 2123 40 2127 14 2134 48 2135 66 2139 32 l>O} 7,5} 5,0 24,5 19,5 10,0} 32,0 19,5 12,5 5 .0 42,0 . (6.25) 22,0J 15,0 52,О 19.5 щ} 62,0 84.5 20,0 7 ,5 42.0 27.5 ТИпо- Число Основные размеры, мМ раз- выводов Етахl tномl t1 иом 112 ном мер " D, тах 2201 14 19,5 , 7,5 2203 40 28,2 22,5 2207 48 33,2 17,5 2209 64 45, 7 25,0 r· ' 1 3 Рис. 1.3 . Вариант корпусов подтипа 22 1 L1 Lz 2,5 5,0 10,О 1,25 20,О 25,0 1,25 15 ,0 20,0 1,25 22,5 27,5 формовки ВЫВО;\ОВ IAma< 5,0 6,25 5,0 5,0 для 11 '. ,- ,, -
Таблица 1.7 Основные р33'-tеры, мм Типоразмер Чиспо · »18СЩQ8,11 А2тах dном ь,_, D' JJ/ та\ Lmax Llmax Lamax та\'" 3101 3103 3105 Тпnораз~ер Ч11сnо 8 '12 10 ВЬJВОДОВ 11 4,7 5.0 4,7 5.0 6,6 ! 5.0 ' 0.51 9.4 8.5 14,5 О,5 0.7 0,51 9.4 8,5 14,5 0,5 0,7 0,51 9.4 8.5 14.5 0.5 0.7 Таблица 1.8 Основные раэ!\1еры, чм Dl 1па< А2 ном Dl ном ...4~111(1\ dmax ьтах Lmax L11na\ Lamax 3201 8 40 27 16.5 3204 10 40 27 22.8 а) ' t:j $. ФО ФО1 "' "' '<{ '<{ по !JП ...J " .,, _, ... J -..1 ...J 15.О 7,5 ФJJ1 ·1 1• .. 11 ФЬ 12.5 12,5 9П ПО .,, -..1 1,0 1.0 "' ,, '<{ - -- --'- ....i i 9,2 2,0 1,5 9,2 2,0 1.5 ФЛ 1 . - - ~ l ФЬ'(Ьхс) 'по Рис. 1.4. Конструкция корпуса типа З и его модификации для микросхем разделяются на два подтипа (рис. 1.5), отличающиеся расположением выводов. В корпусах подтипа 41 (см. ·рис. 1.5 а) они расположены вдоль тirn~ чи""о Таблица 1..~. ..,... -· Основные ра)Меры. мм двух сторон корпуса, в корпусах под- раз- выво- 1----т--,.-1 --,----....--1 типа 42 .(см. ри.с. 1.5 б) - вдоль че- мер ДОВ/1 Dlmax A]ma• dно,.. ь"14< с L тырех сторон. Размеры , корпуса и число выводов приведены в табл. 3301 32 16.5 5,0 : 1~ о,вs 1..10, 1.11. Цля всех типоразмеров по~- ..,.i\.·.7,,J, ..... . ···.1·ъ(;Йl'.i%:~~"'~1n-'"~~::i1: ~:,,~1Xfi1мiiJll;;.,"~" ;•, ·~·· .. : :.. "~ ~,,,;;.~,'· ·М~с" · : .,,::;,,;.1"::; ·,",~,.,,;,)k,Ji~." _ TI L Q п lн 4 п О, .н (( 5 Т; JV р о т
8 -, 1 1• 0.7 D А ееее , А QУП ... " t.J ~~ ·-:-~ п ( ь - оЕ- н А Е - Е уп Q Gf - - еее ' 'LE , LE tp ' ~ - Lp ~- .--' '/ . ~ - ~ . .~- .~ t:\ . ~:{ .~ . - - ! .~ q, .~ - cu . .~ ь !'нс. 15., Конструкция корпуса ,типа .i и его -.~о;щфикации ;ця -.~икросхе~ ·\' '"А' J "'' '(' ' 1,,. типа 41 ь» =0,54 мм, с =0,2, Каждому выводу корnусов рюбQrо ' LE mi 11 =Ln mi11.::S,з мм, LP тах="No.7 мм, типа присваивается номер его tю3и- · Q,IШX=2,3 мм, Zном=l,25 мм (для ти- ции. На крышке корпуса делают .nо­ поразмеров 4147 и 4149 метку - 'ключ микросхемы,' указыва­ /ном=О,625 мм). В корпусах подтипов ющий начало О"Гсчета выводов. На 41, 42 выводы, располагающиеся в -рис. l.1- 1 .6, э~а область· показана плоскости тела корпуса, с шагом штриховкой, там же пр,иводится обоз-, 0,625 или 1,25 мм имеют прямоуrоль- начение типа микросхемы. · · ·, ' ное сечение размерами Расшифровка обозначения корпуса (0,3".О,5) х (0,05".0,3) мм. ·Корпуса типа тиnа 2, имеющего чертежнЬ1й номер 5 (рис. 1.6) не имеют выводов. Мон- 2121.28 - 2, показана на рис. 1.7. - таж микросхемы производится с по- Чертежи корпусов ИМС, включен­ мощью контактных площадок разме- ных в справочнике, приведены в Рами 1,6х0,9 мм. Число выводов и Приложении 1. основные размеры указаны в В последние годы широkо, приме- табл. 1.12. ,: , ,1 ня~тся безвыводные ~орпуса с :.~J!>:J'<'~-'"'' ~',:~ ~j"~,~~JШ~~~h.!.' \. r ~A1~~~,4.~i ~1~: ~ 1~~1?;\,1,~~" 1~; <V'f&, • ' 1 'r,
уменьшенными размерами или мик­ рокорпуса (МК). Они позвол~ют не только увеличить плотность компо­ новки БИС, но и улучшить их элек­ трические параметры, расширить воз­ можности автоматизированного конт­ роля и ат:rестации, а также умень­ шить стоимость производства аппара­ туры. Наиболее очевидным преимущест­ вом микрокорпусов по сравнению с традиционными корпусами ИМС яв­ ляется знач~тельное уменьшение , гео­ метрических параметров - основных размеров, площади и объема конст­ 'рукции, соответствующих одному и тому же кристаллу с одинаковым числом выводов. Так, размеры мик­ рокорпуса с 64 выводами составляют DxExA=18,62xl,84x3 мм, S=З,47 см2 и Y=l,04 смз, а размеры корпуса Число выво;::~;ов Типора:Nср nD //Е Dmax 1ном Ema\ HDmФ 4201 9 4 12,5 1,25 6,25 35 .0 4203 16 16 21.25 1 ,25 21.25 48 .0 ]) А eeeeeiee 14 Типо- Чисдо рммср выво­ дов п 4101 6 4102 14 4106 16 4108 16 4110 24 4116 18 4118 24 4122 40 4124 16 4128 40 4130 48 4135 61 4138 42 4142 48 4146 70 4147 16 4149 16 Таt1лица l.li 1 Основные размеры, мм Dпшх 4,50} 9,50 10,15 < lQ,75 15,75 12,00} 15,75 25,75 10.75} 25,75 30,75 40,75 27,00 30,75 44.50 5,115 5,175 5,0} 7,5 11,25 13,75 15,00 20,00 26,75 28,75 41,25 8,75 11,25 22,50} 25,00 2.s 28,75 36,25) 5,0 38,50 42,50 53.75 . 56,25} 68,75 7 · 5 21,25} 23,75 25 Таблица 1.11 Основныt раз:"1.1еры. мм E mai.: Ат~.- ьтах с LEmm' Lртат Qmax LDmm 32,0 5,0 0.54 0 ,2 5,3 0,7 2,3 48.0 5,0 0,54 0.2 5,3 0.7 2,3 Рис . 1.6 . Конструк!.DUI корпуса типа 5 ' , \ ....
1.1! 1 :,5 ,о .5 .5 1.11 - ?тах, 2,3 2.3 а) N -...! г) типораJмер ::i_ 21 21. '"" "'Р"У" _JT J поатuп и.орпуr:а =.J nоря8ко6м1 номер типораJмера Ь2 ~) 26-Z --• · 1т Щ•i.,,,,.,. -р раJра5отка Чимо 8ы8о8о8 '3td: ь_ь а ь01 А УП с Рис" 1.7 . Расшифровка обозначения кррnуса типа Z 8) Ь2 1"'' , ~·, ... tei ~1} ':'-~,::~~~. ~ ,... "J'(~~~':t\ -'~ ·~·.;~:, . , \ D 't' .. 1 1:11:11:11:1 ~ lil' 1-.t ' 1 . УП .\. " Рис. 1.8. Корпуса с выводными площадками (а, в), с 'выводами, применяемыми при отладке из­ делий (6) и сформированными для планарной установки на плате (г) . . '•' .';; i; ·.;:. ~ 't.i ~ -..·;
' мерпп0 510124 7 s10,0 5103 44 11 '11 15,0 5105 52 13 13 20,О ''. 1 S,O Та~~ 1.12 0,9 1,6 1,25 \>l;щif"i:,-' ' Уменьшение размеров МК приво-/ · дит к значительному сокращени~ расхода дороrостоящих материалов: золота, _керамики, сокращается номен­ клатура технологической оснастки. При обнаружении и отбраковке де­ фектной микросхемы применение не­ дорогого МК дает значительную эко­ номию по сравнению с корпусной · имс. / Использование микрокорпусов , ИМС подпша , 21 с тем же· числом улучшает электрические параметры выводов составляют 81,3х20,Зх3,5 мм, ИМС из-за - укорочения rокопроводя­ S=lб,5 см2 и V=5,77 смз. Следова- щих ,дорожек, снижения сопротивле- ' тельно, мякрокорпус занимает на ния и уменьшения межвывоЦной ем­ плате площадь в 4,8 раза и объем в кости, что повышает быстродействие 5,5 раза меньшие, чем обычный кор- ИМС. пус ИМС. Микрокорпус является частью кон-- Микрокорпуса более плотно расп·о- струкции ИМС (БИС) и предназна­ лагаются на плате в гибридной ИМС чен для защиты кристаллов от или микросборке, а также на печат- \внешних воздействий и соединения ной плате, .ч:то дает возможность до- их посредством выводных площадок стижения более плотной компонов- (выводов) с внешннми электрически- ки ФУ. ми цепями аппаратур~~. Табтща 1.13 Таблица 1.14 ~ Чиспо 8WJqlOa 1'llпoJ-rep п nD nED в,,_нтЬон,,_ Тllпора>мер Число выводоа Основные размеры, '"'' п1пр1пЕ / / D,,,ax 1E"lllX НО!1434 6,80 Н21 26 13 о о 0,625 8,80 12.SO 17,60 . 13,SO HOZ 1653 6,80 12,~ 15,20 . HZ2 52 26 н~2412 НlО287 Н14 40 11) Нlб 42 12 Н19 64 17 Н20 84 21 о 7 10 12 15 21 12,20 18,20 20,60 9,60 12,49 14,52 18,62 23,76 24,62 27,00 • Дт1 всех типоразмеров 1-1.' Конструкции основных типов МК приведены на рис. 1.8, а их .разме­ ры - в табл. 1.13 - 1.15. ' ' Каждому выводу присваивается но- · мер. Возможно отсуrствие некоторых, выводов, однако их номера сохраня­ ются для с~етствия контаКТJIЫМ , площадкам печатной платы. Вы~ 1 ·,, отмечается ключ о~ - точкой, размет :, щенной в заштрихованной зоне · (рис. 1.8). Номера выводов возрастают по пе- '' риметру МК против часовой стрелки . (если .смотреть сверху). ·".~· J~~~t • ' i.6 .( " ·.' .." ·,,." . " .".. ~·~,..\.~~\" 1"/ .1 р бl р1
( 3' r 1 < ' ' 1, '.1 ......,,) 1 Таt1ли.ца Тlmo- Число Осиоакые ра3Меры•, мм размер аыво-. D,, _ GmmG,,_ Е,,_ l\OB.n н_ моз 8 5,0 4,00 5,20 S,70 MOS 12 7,5 МО8 16 10,0 S,00 6,20 6,70 • Для всех размеров /=1,25. 1.5 . УСЛОВИЯ ЭКСПЛУАТАЦИИ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 1.15 н,,_ 6,30 7,30 Интегральные микросхемы для бытовой радиоэлектронной аппарату­ ры сохраняют свои параметры в Dепенъ В1rтегр8Ции преде.~μх норм, установленных техни­ ческими условиями на каждую конк­ ретную микросхему, при воздействии: и после воздействия различных экс­ плуатационных факторов. В табл. 1.16 привОдятся условия эксплуатации микросхем, включен­ ных в справочник. Для большинства ИМС, используе­ мых в бытовой РЭА, техническими условиями установлена минимальная наработка на отказ не менее 10 ООО или 15 ()(Ю ч, а в облегченных режи­ мах 25 ()(Ю ч. Минимальная наработ~ ка на отказ конкретных микросхем указывается в ТУ. В упаковке nредприятия-изrотови- ' ', теля или в составе аппартуры, а ,так- . же в комплекте ЗИП микросхемы ' 'i для бытовой РЭА могут храНJIТЬС}( J ~ не менее шести лет. , ·~- :,~/ 1 '·~ \Р ТайJШца 1.16 _.·;~: '' - .Температура кои- ВибрациониЬl<! нarpyзltll ' (миниМ&IJьное • макси- Иитер11&11 рабочих денсации мani при ! ·i' ~1.· Серия Ma.rtblloe IСОJ'l.ИЧОСТВО температур, 0С ЭJiемеитоа в ICOpnyce ИМС) К157 44"53 -2 5...+55 К171 14".27 - 60. •• +125 К174 41"501 -10."+60 К175 36" .17 2 - 2 5."+ss 1<525 30".62 -10."+70 1<538 14.. .31 -10. " +70 К548 40...62 -10...+70 KPlOOS 73".738 -10. " +70 KPlOlS 830".2490 '- 10... +70 arнocwren:ыroй в..'1.аж" циапаэо11. чacror, ROCТll 11О3Ц}'Ха. 98 % Гц 25 1".6 00 35 1.. .5000 25 1".600 25 1... 600 35 1".6 00 35 1.. .600 · 35 1...600 25 1".ш/ 35 1...2000 максималъаое · усхореиие, м/-g 100 400 100. 100 100 ··- :. 100 100 100. 100 1 ·~\ 1 '' 'J,.
~,./ Глава 2 ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ДЛЯ ЗВУКОВОСПРОИЗВОДЯЩЕЙ АППАРАТУРЫ 2.J . СЕРИЯ К174 Серия Kl74 представляет собой комплект аналоговых микросхем, nредназначенный для высококачест­ венной звуковоспроизводящей апnара­ туры. Микросхемы выполнены на биполярных транзисторах с изоля­ цией р-п переходом. Состав серии имс/ к114УНЗ предваритель­ ный усилитель низкой частоты ИМС Kl 74УН4А,Б усилитель мощности с . выходной мощно­ стью 1,4 Вт ИМС Kl 74УН5 - усилитель мощ­ ности звуковой частоты мощ­ ностью 2 Вт. на нагрузке 4 Ом ИМС Kl/4YH7 - усилитель ~ощ­ ности звуковой частоты с вы­ ходной мощностью 4,5 Вт ИМС Kl 74УН8 - усилитель мощ­ ности звуков6й частоты с но­ минальной выходной мощно­ стью 2 Вт при сопротивленци нагрузки 4 Ом ИМС Kl 74УН9А,Б усилитель мощности звуковой частоты с выходщ>й мощностью 5 Вт и защитой от перегрузок на вы­ ходе ИМС Kl 74УН10А,Б - двухканаль­ ный усилитель звуковой часто­ ты с электронной регулировкой частотной характеристики ИМС Kl 74УН11 - усилитель мощности звуковой частоты с выходной мощностью 15 Вт и защитой от перегрузок на выходе ИМС Kl 74УН12 - двухканальное регулирование громкости и ба­ ланса ИМС Kl 74УН14А,Б усилитель мощности звуковой частоты 18 ИМС Kl 74УН15 - двухканальный усилитель мощности звуковой частоты с выходной мощно­ стью на канал 9 Вт ИМС КФ174УН17 двухканаль­ ~ый усилитель звуковой частоты с выходом на стерео­ , телефоны ИМС Kl 74УН18 .- двухканальный . усилитель· мощности звуковой частоты для переносной аппа- . ратуры ИМС Kl 74УН19 усилитель мощности звуковой частоты · с выходной мощностью 15 Вт. ИМС .Кl74КП1 - двухканальный , переключатель низкочастотных сиrnалов Номера чертежей корпусов и ос­ новные эксплуатационные характери­ стики микросхем приведены в табл. 2.1 . ИМС Kl 74УНЗ (рис. 2.1) представ­ ляет собой предварительный усили- · тель звуковой частоты, используется в качестве микрофонных и телефон­ ных усилителей в радиоприемной аппаратуре, а также для усиления слабых с.игналов. Имеет коэффициент усиления бол~е 600, малый коэффи­ ц~ент шума и хорошую линейност выходной характеристики. Состоит из' двухкаскадного входного усилителя на транзисторах VTJ, VT2 с внешними нагрузками и цепями смещения и· двухкаскадного выходного усилителя на транзисторах VТЗ, VT4, VT9, ко торый через транзистор VT4 можно охватить внешней обратной связью.. Транзисторы VT5..• V.T8 в диодном· включении согласуют уровень коллек-· торного напряжения транзистора VТЗ и потенциал на базе выходного тран-' зи_стора по постоянному току. Приме-· ня.ется с большим числом навесны~ компонентов, определяющих темпера­ турную стабильность усилителя, его - -.
fЫЙ IВОЙ ~но- шь~ IВОЙ рео- IЫЙ · IВОЙ ша-. гель >1' с НЫЙ, ных ос­ ери­ в :тав­ -~:ли­ ется ~он­ шой :ния -1ент >Фи- ост r из' 1на ими ~и· геля ко жно зью.. ном лек-· vтз ран-~ ~ме­ ны~ ера- его - -. Таб.лица ~ Р1обочиА Гараити- Гараиmро- ICDlnRecтвo Номер Михрос:sема Напраженне JIR&Da30H poвaнlWI ......." SlleМOJn'Oll8 ••in-a Т1Ш ICOpnJC& пиnния, В темпер~nур. •с нарабаnса срох хра- ICOPDYQll ICOpnyc& на oncas," неиu, пет К174УН3 + 6,0±0,6 -25...+55 15 ООО 6 14 8 238.U -1 К174УН4А,Б + 9,0±0,9 -25...+55 15 ООО 6 31 1 201.9-1 К174УН5 +12,0±1,2 -25...+55 15 ООО 6 19 8 238.12 -1 К174УН7 +15,0±1,5 -10" . +60 15 ООО 10 41 2,8 201.12 -1, 238.12 -1 К174УН8 +12,0±1,2 -25...+55 15 ООО 6 31 1 201.9 -1. К174УН9А,Б +18,0±1,8 - 1 0".+55 15 ООО 10 140 24 2104.12~ 1 К174УН10А,Б +15,0±1,5 - 1 0".+55 15 ООО 10 204 9 238.16 -1 К174УН11 +15,0±1,5 - 10... +55 15 ООО 10 150 3 201.14 -1 К174УН12 +15,0±1,5 - 10... +55 15 ООО 10 215 9 238.16 -1 К174УН14 +15,0±1,5 -10...+55 25 ООО 10 86 19 1501IO.S -· К174УН15 +15,0±1,5 -10."+55 25 ООО 12 172 20 1503Ю.11- К174УН17 + 3,0±0.З -25...+70 50 ООО 8 • 35 ФОS.16•1. К174УН18 + 9,0±0,9 -25. " +70 50 ООО 10 127 21 1505Ю.17':' К174УН19 ±15,0±1,5 - 2 5".+70 50 ООО 10 • 19 1501.s'-1' ' К174КП1 +15,0±1,5 -25...+55 20 ООО 15 193 9 238.16 -1 • даин•IМИ ав т ор ы не распопаrаюr 1 Выход осз +U111.n +Uм.n на11 с811Jь 1 VT2 15 О6ратна11 1:811» 2 &ь1хоа ~ R3 ,. 6 D6ш,ui Ol'Jpamнa11 '611» 1 ) Рис. 2.1 L Принципиальная схема имс· К174УН3 13 j 12 11K174YHJ11 5 10 8 !J 7 8 оощии ocz Вход Смешение ОС1 частотную характерисmку и ко:ЭФФ1 циент усилениЯ. При сопротивленl! в цепи базы транзисrора УТ1 равно 1 кОм приведенное ко вхоДу напр. жение щумов усилителя составля1 2 мкВ в полосе частот 0...20 кГц. Элепрвчеспе параметрw ИМС Kl 74УН3 П] 2S±10"C в Ull.ll.IIOtd•6 В. Рис. 2.1 б. Расположения и назначение выводов ИМС К174У,Н3 Ток потреблеНЮI /пrrr' wA, при Uu•O, не более."..........".".....•."•."".....~........".."......•..."""" .. '\ . ~
', 1'> . · ·"· '' ·" /Y<rl"f><'•'• КоЭФФИЦиент усилеНJ111 по напряженюо транзисторах VТЗ, VT4. Постоянное (Куи) при:.. и,,,.=О.1 мВ, , . смещение ~а базу транзистора VТЗ i=l кГц...." .." ......... .."," ..... .. .. ... .. " .. .......... ....:.600...1400 подается через резистор RЗ. Транзи- Коэффициент rармоник (Kr), % . прИ сторам'! VT1, VT2 ()беспечивается и.~=О,5 в, /=1 кГц, не более ... ...... ..... .... ...... ... 1 ,2 . температурная стабилизация напря- Напряжение шумов, приведенное ко жения смещения. Выходной . сиmал , входу иШ.вх' мкВ, . в полосе дифференциа:лыtоrо каскада сцимает- . 0.. .20 кГц и сопротивлении ся через транзистор · VT6, в коллек- R6 vт1~1 кОм, не более....:..............:••.•. ".""........ ..:2 торную цепь kЩOp<)ro ВI<Лючена тер- Вхоilное сопротив.1ение Rв.~· . кОм, на мостабилизированная нагрузка на частоте 1 .кГц. не: менее"." ..". .. " .. .. . .. .. . " ... " ... .. " . 10 т.ранзисrорах VT7, VT8 и резисторе Предельные э11:сп.луатацнонные параметры wdc К174УНЗ Напряжение питания U , В, не н.п более................" ... ....... " ... .. ........ .> ."""." ."•••"."""".""•• ".7 Минимальное сопротив.1ение нагрузки Rн mm' кОм , не менее""" ..... ""..... "."""".""..... " .. 10 Коэффициент усиления Куи при темпе- ратуре -25...+55°С, не менее ..., "".... ... """.. " ..400 ИМС Kl 74Н4А, Kl 74УН4Б (рис. 2.2) предстааляют собой . усили­ тели мощности звуковой частоrы. Входной каскад усилителя построен по дифференциальной · схеме на +БВ С1 10мк x~JB + R1 100к . Jl8 . Далее .си111ал· постуUает в каскад· ·на ~оста-вном 'rр;~~зисТоре VТ9 vт10. 1 Этот каскаД выполн*т функщш пре- образователя уровня. · Плечи выходною Двухта~ноrо кас­ када · выполнены по схеме эмиттер­ нь1х · повториtелей на составных транзисторах VT14 VT15 и VT1.1 VT12 VT16. Порог открывания эмит­ терных повторителей определяется ,; падением напр.Яжения на .резисторе . RJO. Оrрицательная обратная связь с выхо)Jа усилителя через резистор R 14 ua . базу транзистора VT4 уменьшает нелинейные искажения, связанные со стуnенькой в выходном сигнале. За- ·. висимости основных параметров " ИМС от . режимов эксплуатации при- . вед ены на , рис. 23. ',. RЧ 101< ., -.' ',f RS 1к R6 68к оощий DA1 K17Ч.!JIJ3 l0мкх~38 Вь1хоо _.... + 10МК1<.~38 Вход С3 7Омкх~JВ сц. 6 t>M \2 R8 Ч.7к С6 JJO " _" ." ',, '1 '.' '. ' 1 ~' ,,," s-- Фu
6о.льтооба6на .-----.-----------+--------------6 . - -... .. ... .. ... .. .-- --. .,... ......-----c::::it-----+-----1----.....-------1--~--------~7 +им.n Выход . -. -. -- --1,_ .___ _ ..,..... __ , !/ст.тока 7 покоя BxoiJ ч .... .,___.. _.,,._-1. +98 ·~--· vt16 R1Ч 22н r " Оuщи.и.' '--------------------------------------~--;~z О6ратна11 сбязь Рис. 2.2 а. Прннциnиат.нu схема имс К174УН4А.Б Упра~лени~ ста6иАи- , .Jаторон тока 06ратнан сlнзь Tenлooh7ho8 вхо6 Фuлt.mp. оощий 8ЬIХО6 TeллoomlolJ. +U. "·" 8 oлt.m1Jo6a lка РиС. 2.2 б. Назначе!IИе' выводов ИМС К174УН4А.Б +с1 ~о~~щ_и_11_______J.,.Jsом.к х 1~в l DA 1 1<.17Ц.!1НЧ.А сч. Вход 11! сг 50мlf.X168 R1 ~Вк z r>M Jt--~~1•~+~-c=t---+-e 1+ ' С3 1мн х168 ' ~ 1000мк х, 168 + R2 1 ICSIС6 1мк ZООмкХ16В Рис. 2.2 в. ТИповая схема ВIUUОЧСНИЯ ИМС К174УН4А.Б 1 ' . . 21 fi!M1''1<tiд><.t""1.,.,_j fк.1"\'',t~J',}" .J :4,..f1i~:;;~ t);g;"1(,1-tч~:t,~\ "l."1~(,:JIJ.?-.f':д'VJN'~~~~~.,>f..":.d~~,i:~~/.iifj~/7d!Y).b~ ,,
JO t----t----1---1---1 CS: 2ОООмкФ 500 мкФ о '---~-~--L.-- 10 Рис . 2.3 а . Амп.~итуано-частотная характеристика ИМС К174УН4АБ · Рвых Вт · г i---t--+- --- 'I ' --; R"=-ц Ом 8 Uи.nJ В Рис . 2.3 б. Зависимость выхоаной мощности от напряжения питания ;~ля ИМС К174УН4АБ Эдектрические параметры ИМС Kl 74УН4 при (25:tl0)°C и Uи.п .ном=9 В Ном"!fа.1ьная вы ходная мощность Рвых• Вт, при Rн =4 Ом: . ИМС К174УН4А............. " .................... .:... ... .... f ИМО Кl74УН4Б ....... .. ... .... ............. .. ... .. .:.. . .. . 0 .7 Номинальное сопротивление , нагруз1н1 Rн, Ом...........:......... ................ ..... .. ...... ......... ........ .... .. ....4 Диапазон рабочих частот, кГц.. ..... ......."""" .. 0 ,03 ."2 0 Коэффициент уси.1ения по напряжению KyL' пр11 /=1 кГц.....~ .............. " .. ........ ... ... ... .:.. ... .4 ...40 Коэффициент гармо~ЩК ~ 'Л. при вы- . ХОJНОЙ МОЩНОСТИ: , 1 Вт (ИМС К174УН4А) . не бо- лее .............. ..... .... .. ..... ......... .... ... ........ ... .. " .... .. . " ... .. 2 0,7 Вт (ИМС К174УН4Б) . не бо.1ее ...................................." ............. ........ .... " .... 2 Вхоаное сопротив.1ение R 8 ,. кО\1, не менее ............................." ..... ". "". "". "" ... ..." ...... "" .... 10 22 J 3 2 \" .. ... ... ... r--~ ... Q 10 . Рис; 2.3 в. Зависи \l ость коэффици· ента гар"!ОНИ К от Ч;JСТО ТЫ ;~.1я имс К174УН4А.Б КГ1 °/о 8 f----11 ---1 -+---I б ц 1---+---Нf---1 2 f---~-1-+----J L о.__ __,__ ___. _ ___. 10-г 10-1 1 Р,Вт Рис . 2.3 г. Зависимость коэффици­ ента гармоник от выхоаной мощности д.1я ИМС К174УН4А.Б Нестаби.~ьно~;ть коэффициента уси.~е- ния по напряжению, %, не бо.1ее ...... .... ....... ....................... .. ..... ... :. .. . . . "". .. . . .... .. .. ±2 КПД. %, при выходной мощности: 1 Вт (ИМС К174УН4А), · не \lенее............ " .. ............ .. .. .. ........... .. .... ................ 5 0.7 Вт (ИМС К174УН4Б), не менее............... "" .. .". " .. ............ ... ..... ........" ... .. .". Ток потреб.1ения /пат· мА при U8 ,= 0, не бо.1ее............" .... ... ..... .. " .. ... " .. .". :... " ...... ... ." ." ... .:···! . Преде.1ьные эксп.1уаrационные пара... етры·· · ; микросхемы Kl 74УН4 · ·,-, ,, ~, Наriряжение питания и" .п· В: . i МИНИ"!а.1ьное ... ... .. " .." ..." ..... .. .. ..... . .... .. . ···· .. . ..... 5. МаКСИ'-13.lЬНое ... ...... .. ..... .. ...... ..... ... .. .. ... .... ... ,. ", 9 .9 ' ' '
+Uи.n ~~Ф~и~л~ьт~~:::.......--.~..-....,,,,-...---f:=J----------.,.--~-..,.... ц R1 20К VТ1 Вход 1 7~---f RS 1к VT2 Во.льт8ооа8ка8 VT11 Выход vп2 0 r- v ищи и . 1 R2 2//.К RЦ sao VТ7 Коррекция 2 .__ ___________.,..71 К орреки,и.я 1 J ~-'---'--------~ аощий 1г Рис. 2.4 а. Принципиа.1ьная схема ИМС Кl74УН5 Максимальное амплитудное значение тока в нагрузке / н А' мА ИМС К174УН4А"".. """""""""""""" .... "".860 ИМС К174УН~Б"""""""""""""".""""""-600 Температура кристалла, 0С, не более"""""."""1""""".""".""."""""""" ••• " "" ." "" • • "1 25 Тепловое сопротивление на границе кристалл-окружающая среда, 0с, не более""""""••""."""""""""""".""""""""""••""""".135 Те1L1овое сопротивление на границе кристалл-корпус, 0С/Вт, не бо.1ее."""""""."""60 +12В +С1 D_!щuii J5омк х isв --+--1 R1 Ч7к вхоа + 100мк х 158 + С3 10мк х 15В lf 71< Общий Выход +Uи.n · Фильтр Bxoil 2 2 .3 11 10 1<17lf.YHS ,,. g s 8 6 7 О5ший Корреки,ин. 2 Корреки,ин .t Вольтilоба8ка Вход1 Рис. 2.4 б. Распо.1ожение и назначение вы~;~ имс К174УН5 RЦ Ц7к DA1 1<17Ч.УНS Rн·q. 6 l>M z 7 ч U1 8 +U 1000мк х 158 12 9 ov FC 11 cs lf.70 FC 5 ov FC СБ + 1---1 70Ок 100MI< >< 158 Рис. 2.4 в. Типовая схема включения ИМС К174УНS
11 111/'1 ,'~ ~1 3 Rн=4Ом'/ / 11" / / "8 OJ\!."" 2 // ....- о •9 10 11 12 Uи.n,B PIJыx, l3r о 2q.Б Кг' О/о 9 8 7 б 5 '+ .3 2 8 Рис. 2.5 а. :мость вьkо;щой Зависи­ мощно- сти от напряжения пита­ ния при р:!З.lИЧНЫХ соп­ ротив.1ениях наrрузки ;х.1я ИМС К174УН5 Р1!~1х 1 Вт, 3 ' - Rн= ц. Ом irf .___ '\. 2 J v а~ v .... 10 20 30 Ч.О 501'/J 0/о Рис. 2.5 б. Зависи\fость выхоаной \tощнос:rи от КПД а.1я ИМС Кl74УН5 Rн,Ом Рис. 2.5 в. Зависимость выхоаной мощности от сопротив.1ения нагрузки при раз.1ичных на­ пряжениях питания 11я ИМС Ю74УН5 ' 10 го !0 liO SO l/бх,мВ ИМС Kl74YH5 (рис. 2.4) представ-: ляет собой усилитель мощности низ­ кой частоты с номинальной выход-1 ной мощностью 2 Вт - на нагрузке 4 Ом. Состоит из входного каскада. (на транзисторах VT1, VT2), соrласу-: ющеrо каскада (VТЗ), каскада усиле­ ния напряжения (VT7) и выходного каскада (VT8." VT 12). Входной каскад; })ыполнен по схеме цифференциаль,;! ного усилителя с несимметричны , выходом. С него сигнал через эмит терный повторитель ·на транзисто VТЗ поступает на усилитель напря' жения (VT7) и .далее на квазиком · лементарный выходной каскад, ВЬJ полненный на составных 'rранзи , рах VT8VT11 и VТ9VT JOVT 12. Н ' чальное смещение на базах· транз " сторов выходного каскада для рабо ; в режиме АВ задается транзисторам VT4•.• VT6. Применение ИМС без ц ·, полнительноrо теплоотвода не доп~\ скается. НацряжеН1Jе питания мо снижать до +9 В, при этом вых ная мощность усилителя уменьша ся (см. рис. 2.5 а). Зависимости новных nараметров ИМС от режима эксплуа~ции ·приведены_ на рис· Рис. 7.6 а. Зависимость 1<оэффициента ~:армо­ ник от входного напряжения при раз.'!Ичной температуре окружающей среды ;~.1я · ИМС К174УН5 "{jtJ 1 k1 10 10 2 10 3 10'fl,Гu, Рис. 2.6 б. Зависимость козффициента гармо­ ник от частоrы входного сигнала д.1я ИМС - 1 1С174УН5 " , =*' t i Jf'М!i!ф~?@;;.,P~1rш1~ . •~.''. ~'11 ' 2.5 - 2.7. . ~.". )", --:,J ' . :·~..,~. ,_ j_:·, t, . &'1 ±'<~ ~ f~~.' :~ ·.tr:1,d#ttfffi·L
в-: з­ ц-1 ке щ:, у-· е­ го· ад; :ь.;! IT Рис. 2.7 . Зависимость коэффициента неравно­ \lерности АЧХ от частоты вхоаного сигна.1а ;~.1я ИМС К174УН5 Э.1ектрические пара~етры ИМС Kl 74УН5 при 25±10°С и v11.п.но,1=12 в. Ток потреб.1енил / nar' МЛ. при Vв.~ ='О, не бо.1ее ........................................................................ 30 Коэффициент уси.1ения по напряжению Кус при V8 , = 10 мВ....." ................................. 80 .. .120 Нестаби.1ьность коэффициента уси.1е- ния по напряжению ~и· 9'. не бо- .1ее.... " ...." ...." ................... "········································ ±20 Коэффициент гармоник Kr. о/с. при. Рвъ1»=2 Вт и j=l к[Ц, не бо.1ее ............. " ........... l" Вхо;~ное сопротив.1ение Rвх· кОм, при /=1 к[Ц, Uв.~=1 В. не менее."....."." ...." ..........".ю По.1оса JЮспроизво;~имых частот, Л/, кГц. при Uвs.=10 мВ ...................................... 0 ,03 . .. 20 Выхо;~ная мощность Рвьrх< Вт. при /=1 кГц и Kr:Sl %, не менее..~ ......" .... " ............. 2 Преде.1ьнЬЦ! эксплуатационные пара.'14етры ИМС К174УН5 Напряжение питания Uи.n' В, не более........... "."""..." ......... _.""'""" .."""..." ..... ".""".13.2 Вхо;~ное напряжение U.,, , В, ·, не более...." ........ " ...." ....." .." ......." ....... "".".... "" .." .... "" .. 1,5 Входное синфазное. и,аnрJ1жение Uсф.n• В, не бо.1ее."....... ",'." ....... ".,""............ "." ... " ..... " ..... 5,S. Амплитудное значение тока в нагрузке (разового дейстВИJ1) 1и А' А. не более""...."."............"."""""............... :........... ""....... 1,45 Сопротивление нагрузки R". Ом,, не менее"""."".. " ......... " ..." ...".""." ................ " ..... " ........ 3,2 Температура кристалла, •с, не боли".." ..:. ....~.." ....." ..............""........ " .......... " ........... 125 Тепловое сопротивление на границе кристалл-окружающаа среда, 0С/Вт, не более ...1•••••.• " ••• "."••••••• " •••••••••••••••••••••••••.•••••••••••• 1000 Тепловое с~противление на границе кристалл-корпус, 0С/Вт, не более...... " .. .".. " .. .. .>IО . .\ · · - 1 1· ~.11.. .~~ ",: ..,11,~ • •"1.l1~J:1''1~i1;,-~~~,jд.1~f;r\~\lu'~ J·~'-"._i1 ~ .i,, ИМС Kl 74УН7 (рис. 2.8) является усилителем мощности звуковой час­ тоты. При сопротивлении наrрузкИ 4 Ом и напряжении источника пита~ ния 15 В его максимальная выходная­ мощность - 4,5 Вт. Входной каскад усилителя постро­ ен на составном транзисторе VTJVT2, нагрузкой которого является VTз. включенный как генератор тока. С эмиттерного. повторителя на VT7, на­ грузкой которого служат резистор R~ и транзистор VT6, усиленный по то.; ку сиmал подается на VT8 и VT10. В качестве коллекторной нагрузки VT10 используется генератор тока на, транзисторе VT9 и термостабилизиру:­ ющий диод VDЗ. . , ,. Транзисторы VT4, VT5 с резистQ­ рами RЗ".R7 и диоц V D2 в режиме покоя поддерживают выходное 1 напря~ жение (на выводе 12) равным поло­ вине напряжения Uи.п· Предокон~": ный фазоинверсный каскад выполнен. на транзисторах VT 14, VT11 разной структуры. Выходной каскад по дВfх" тактной схеме на транзисторах VTf 6; VT17 одинаковой струк'l:уры. . 1 Ток покоя этих транзисторов ·зада:~ ют генераторы тока на транзистораХ VT12, VTJЗ и диоды V[)4., V.Q.5~ ,Транзистор VT15 выполняет фупк" цию термостабилизатора выход:ноrо тока. К базе транзистора подключаIО'J внеniнюю цепь, корректирующую ам• плитудно-частотную характеристику на высоких частотах, а к выводу 6 - цепь. обратной связи, с помощь . которой регулируют · коэффиц~ент усиления. · При· ,работе ИМС в типовом ВЮIЮ чении (см. рис. 2.8 в) коэффициен гармонИк Кг составляет от 2 до 10 % При включениц микросхе('":lы так, ~ показано на рис. 2.8 г можно замети снизить коэффициент гармоник. этом случае в зависимости от экзем пляра ИМС коэффициент гармони на частоте 1000 Гц имеет значение интервале от 0,03 до 0,06 %. Искаже ния снижены благодаря изменени глубины вщ:шней отрицательной об ратной связи. Чтобы уменьшить ~о •\ ·' '. ' j"'' 1 rj"~· 'J!1't~~1°1• "1 • J J'(~~."' ifi~~ /lr_'n 11.'' /' ,~11..~f/t{ 1: 1., 1 , .. "~ \1 'L "A '. .. :, .1 1 1& н\ ·" /1 ~, ~r : \ 1J, 1,H1~~,~·ir}1,,J~ril'1/).1111~.~ ~
VIJ2 +Uи.п r-!te------+----+-_,1------.~-- 1 Фильтр RS' lfк 1--~------------------1. RtO VIJ3 · Обратная с8я.зь 1,lк Выход 5~~------t---+---+-C:::::Jo-+---t--+--4---l--.;,._~--+--;;o..~ Корреки,ия 5-E----_,1----+--+---+---t. vrз J--+- - -t ... vтs VT7 R7 R11 100 2_,3к R12 sз,sк R13 11 2к VT17 общий -- -. :;... 10 Общий ._ __ _._ _._ __._ __ ,,._ ___.. ._.... .____ ..,__ _ __ _~9 Рис. 2.8 а. Пр~щципиальная схема ИМС К174УН7 Рис. 2.8 б. РасположеНие и назначение выво­ дов ИМС К174УН7 +15'8 +С1 о.5щиU. I1ООА1кх2sв + Uи.n Вольтдо5а8ка Корреки.ия Обратная с8язь R2 100 Вход DA1 K171J!IH7 ' tl>M 12 100мк х2sв CJ Рис. 2.8 в. ТИповая схема включения ИМС К174УН7 26." / ,~.•' 1•'\• " ' 1'~,:, . ' " ' i;, ·. ~.JJ;~~·~\-.~ . ' CS' 2 11 3 1Q К17Ч!JН7 ц 5 6 св +1 9 д 7 Выход " 1ооомкх2sв Bыxoil общи.и аощий BxoiJ Фильтр :.
rnp -~ + fSB С1 100МК x2SB + ~ul R3 l/.7к RЦ 100 R2 вход 1Бк >Е 'JJA1 K17Q!JH7 8 9 10 С>М ov ov 12 Сб 100мк х 168 Rfi 1к . ' Рис. 2.8 r. Улrчшенная схема включения ИМС Ю74УН7 эффициент гармоник на высоких ча­ стотах в несколько раз должна быть уменьшена емкость конденсатора между выводами 5, 12 и удален кон­ денсатор, включенный между общим проводом и выводом 5. Однако это может привести к самовозбуждению отдельных ИМС. В этом случае сле­ дует пойти на компромисс, включив между общим проводом и выводом 5 конденсатор емкостью 330 пФ, что, естественно, несколько увеличит ко­ эффициент гармоник. В новом вари­ анте включения ИМС изменена так­ же цепь нагрузки, что уменьшает число конденсаторов. Коэффициент гармоник на частоте 20 кГц в зависи­ мости от экземпляра ИМС имеет значение в интервале от 0,1 до 0,2 %. Зависимости основных параметров ИМС от режимов эксплуатации при­ ведены на рис. 2.9 . Электрические параметры ИМС Kl 74УН7 при 2S±lO"C И lfил.иом=lS В l'ок потребления /пат' мА, при U,,. =О, не более.••• ""••.••.• . " .••••. .•.•. . . """ .""" ."•••••.• ""•• """•••••.20 l<оэффициент гармоник Kr' % , при 1'=1 кГц и выходной мощности 0,05 и 2,5 Вт"""""....." ......"."""".:",."".""""..."."".... "."".2 Полоса воспроизводимьlХ частот Л/, кГц.. ".....""................".""..."""".."."""".".".:.. "...0,4".20 Входное сопротивление RN' кОм, при /=1 кГц. не менее ".................... ""..."""....."."... ".50 КПД, %, при /= 1 кГц и выходной мощности Рвых=4,5 Вт, не менее".""."""..... ". 5 0 Предет.вые хmпуаrацвовиые параметры ИМС К17'8УН7 i Напрuсевне 1JНТ8НИJI U•л' В: МИНIОdа.JJЬННое ....""."."......." .....""""..."".--".3 максимальное...."..".""....:...."..".-."""".--.18 Махсимальное awnmrrynиoe . знЭченис тока нагрузки /вА' А: не более."•....... ""..• • • ""1,8 Амптrrудное значение входного напря- жеНЮI Uвх А• В, не бопсе".. " ....""............."..."".... 2 Допустимое постоJIИНое напряжение U, . В, не бопсе: на выводе 7.. """"..."".""""".""""".."."."......15· на выводе 8....... ""..".""""".. ""...... " .. -0,3".+2 Допустимая температура корпуса, •с, при температуре окружающей сре- ды Токр=60"С, не бопее.."""......""".""""".".."...85 Тепловое сопротивление на границе кристалл-окружающая среда, 0С/Вт, не бопее.. "...""..............."....""."............".....""......"100 Тепловое сопротивление на границе кристалл-корпус, 0С/Вт, не бопсе... " " " ." .. . . """20 1,, 'lf'1'''
~ ..... i. ~ i.' 1, ' -2 1 -ц -6 11 / 10 ' Рис. 2.9 а. Зависи\tость коэффиuж:нта нерав- номерности АЧХ o:r частоты вхо;хноrо сиrна.1а ;х.1я ИМС К17-tУН7 Kr, 0 /о s ц. 3 2 а \ \ \ 1\ ~ ~~ ...... с;, " 1< 8 1 0.1. ГJо б q. 2 о 1 /1 ' 7 v · Ри с . 2.9 б. Зависи\tость коэффициента ник от выходной мощности ~ Р11с. 2.9 в. Зависимость коэффици­ ента rарwоник от ч;tстоты входного С11П18J1а в . типовой схеме ВКJIЮчения ·1 имс К174УН7 10 11 10 1,Ги, На выводы 5; 6; 12 запрещено по­ давать постоянное напряжение от внешнего источника. Не допускается применять ИМС без дополнительно­ го теплоотвода ·при мощности в на­ грузке более 0,27 Вт. Имс устойчиво работает от -Источника сиmала с внутренним сопротивлением не более 15 кОм. . ' ИМС Kl 74УН8 (рис. 2.10) пред­ стаВJI.Яет собой усилитель мощности звуковой частоть1 с номинальной 'вы­ ходной мощностьЮ 2 Вт при сопро­ тивлении нагрузки 4 Ом. Входной каскад усилителя постро­ ен по дифференциальной схеме на · транзисторах VТЗ, VT5. Смещение на базу транзистора подается.через рези­ стор RЗ. Транзисторы VTJ, VT2 обес­ печивают температурную стабилиза­ цию напряжения смещения. Выход­ ной сиrnал дифференциального кас- 28 J,.; када через транзистор VT6, в колле торную цепь которого .включена т · мостабилиэированная нагрузка, полненная на транзисторах VT7, V и резисторе R8, поступает в кас на составном транзисторе VT8VT10. · Двухтактный выходной каскад в полнея на ' составных транзистор VTJ4VT15,_ VTJJVTJ2VT16, включ ных по схеме эмиперных ·повтор ", лей. Начальное смещение в вых ном каскаде определяется · падени, напряжения на резисторе RJO. цательная· обратная связь с вы усилителя через резистор R 14 на зу транзистора .VT5 уменьшает нел нейные искажения, связанньlе "ступенькой" в выходном сигнале. . Допускается включение нагру:}' относительно общего провода так, показано на рис. 2.10 r. РеrулироваТЬ коэффициент усил.
:арм IЦН- ого 1fИЯ ·1 rсил .~1~ Волотдооа!жа 5 +llм.n 7 Выход 6 Уст. тока покоя вхtЮ R1Ч. " zzк RS 10к обратная ~.зь ' z. ' 1i''t~1J оБш,ий 9 Рис. 2.10 а. Принципиальная схема ИМС К174УН8 !lстаноВка тока покоя 9 О5щий О6ратная с8.11Jь 2 8 выход Рис. 2.10 б. Расп0ло- . - · ' 1· i/ жение и назначение ВЫВ<>'' · • l~· J J Вхо0 K17lfH8 q 7 .+Uи.n дов ИМС К174УН8 Фильтр s 6 ВольтВо5а6ка +128 +С1 ... о"...ащ_.и_и_· _ _Т_.sоомк х 168 1 11А1 К17'1!:/Н8 BxoiJ С2 50мкхt68 ---- 8 1ооом11х168 f--il---·--f:::::Jf--1~2~ l>M "с3 + Rt 1,вк + 1мк х 168 DV' R2 1 + cs 'Cf) ZOOМ«xts~[ Itмк Рис. 2.10 в. Типовая· схема включения ИМС К174У1:18 +128 С1 50мк х168 06Щuti +_ " I S'Ом~~168 11А1 K174!JN8 Н+2 8 l>M 3.1оа fR1~Вк q . + CJ sомихтsв {'' RZ 300 -С6 + Btrtxd 7000/r/K Х 168 cs ZООмк 1( 168
ния на низких частотах можно изме­ , нением емкости конденсаторов С2, · С5, а во всей полосе пропускания - изменением rлубинъ1 ООС резисто­ ром Rl и конденсатором С2 (см. рис. 2.10 в, г}. Э.'lепричесхие параметры ИМС Kl 74УН8 при 2S±l0°C и Uи.п.ном=12 В. Ток потреб,riения /пот' мА. при U&."=O, не более"""..,.....".".i•.."""".""......""...""".." ...." ......15 Коэффициент усиления по напряжению ~и при /=1 кI'ц..".".. ".""".... "".".".".. "".... " .. 4..:40 Нестабильность коэффициента усиле- ния по напряжению ЛКrи• %, не бо- лее ... "".".""""..,.""."".""""."" ..."""""."".. " .... "..... ±20 Коэффициент гармоник ~ %, при /= 1 кГц и выходной мощности 2 Вт, не более """.... """.".".".".".. ".""".""""""."".2 Входное сопротив.11ение Rax' кОм, при /=1 кГц, не менее "". ". "" ". """" ." " .. "". """. """". 10 Полоса воспроизводимых частот Л/, кI'ц"""""."""""".. """" """". ". """"" """". ". """0,03". 20 Выходная мощность Раых• Вт, при /=1. кГц и ~=2 %""".""".""."".".".""."""""""".2 КПД, %, rtpи /=1 кГц и Раъ~х=2 Вт."".".""".. ""sо- Пре;:tе.1ьные эксп..'l)'аrационные параметры микросхемы Kl 74УН8 Напряжение питания Uи.п• В, не более""".".. "."""""""."""."... "."""...• ""."."...... ".... 13,2 Максимальная выходная мощность Рвыхтах• Вт, при /=1 кГц и ~=10 %""""" .""""""" ."""." ".""""" """.".• """"" .. 2,5 .А.чnлиrудное значение тока в нагрузке I и..!\• мА, не более ..." ..".".."".•":.. "."...""..""."".1090 Температура кристалла, •с, не более"".•." ......"""....""."..""""...................".".".... +125 Тепловое сопро'ПIВJ!ение на границе кристалл-окружа~q!ЩUI среда, 0С/Вт, не более"""""""."•. "," "" "" "" ."" "" "" "" "" "" "" "" .135 Тепловое сопротивление на границе- кристалл-корпус, 0С/Вт, не более."""""""".""60 ИМС / К174УН9А, ~174УН9Б, К174УН9В (рис. 2.11) представляют собой усилители мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощностью 5 Вт при сопротивлении нагрузки 4 Ом. Входной каскад усилителя постро­ ен на составном транзисторе VTJVT2, нагрузкой которого является транзи­ стор VТЗ, включенный как генератор тока. Усилитель напряжения выпол­ нен на транзисторе VT8, в качестве коллекторной нагрузки которого включен VT11 как генератор тока и 1 термостабилизирующий VT12 в диод- · ном включении. В двухтактном выходном каскаде используются транзисторы VТ2З, VT25, образующие одно · плечо, а VT1З, VT26 - другое. Стабилизатор устанавливает на вы- . j ходе микросхемы постоянное напря- жение, равное половине напряжения питания в диапазоне от 6 до 18 В.. При коротком замыкании усилителя устройство защиты фиксирует ток выходного каскада на уровне 0,5 А. При нарушении теплового контакта : между теплоотводом микросхемы и внешним резистором устройство теп- · ловой защиты отключает предвари- . тельный усилитель. Микросхема имеет встроенное уст­ ройство стабилизации тока покоя транзисторов выходного каскада, что , обеспе~ивает высокую временную и 1 . .температурную стабильность выход­ ных параметров усилителя. Имеются. также устройства защиты выходных транзисторов от короткого замыкания и защиты кристалла от термопереr­ рева, чем обеспечивается долговре­ менная и высоконадежная работа· ИМС. Хотя ИМС имеет внуi-ренние; узлы защи:rы от электрических тепловых перегрузок., при построен , конкретных }73Ч на основе ИМ · К174УН9 необходимо ограничить ток нагрузки значением 1,8 А. Если' мощность, отдаваемая в нагрузку, превышает 300 мВт, ИМС следуеi снабдить дополнительным теплООТJЮ­ дом с эффективной поверхностью не менее 30 см2. · В зависимости от коэффициента· гармоник и полосы пропускания ИМС К174УН9 подразделяются на· группы: А, Б и Б. \ Допускается эксnлуатация при на- пряже~ии, ~и~.;18 В."Пр~-i·
тро- 1т2, нзи- 1тор rюл­ стве poro :а и1 иод- каде Т2З, '• а вы­ пря­ :ния .8 в.' тел я ток 5А. ·акта.' >1и теп-' :ари- . уст­ окоя что'1 юи. [ХОД­ ЮТСЯ. [НЫХ шия eper- )Bpe- Lбота· нние., х ток Если' узку, щуеi DТJI0- 0не 1ента ания на· на­ При С1~;1:стная с8яJо 6-< - в~-- 3 111( ) f' C,J{ICKЦ/JЯ s- +ии.п Вольтдооа8ка Коррекцця Ооратная сбязь VТЧ- 1?5" 3Sк Rд JSк VT1S VT11 VТ12 , Волоmдиба'вка ! · RZO 410 +Uи.п-,, - f VTlS ,_______. Bы xo il ---- ', 1г "1 Рис. 2.11 а. Принципиа.1ьная схема ИМС Kl 74УН9 Выход 11 3 10 Dощцй К17Ч-!:JН9 lf 9 Общий. Вход Фц.льтр Рис. 2.11 15 . Распо.1ожение и назначениие вы­ водов ИМС К174УН9 s 8 6 7 +188 С3 100мкХ258 + t1 RZ о§щиu ]О,1мКТ 100 ~ :t- . DA 1 К17Ч.УН9 ... ~...хо_о_ _... 1 . ..с_ 2_ 1 1' f_ к__в... 1>М L...:=12-+_с...s_1_о_ом"к_х _1s...в.,_.;..+-1с~{~ 0 -в_ь_1х_о_! R1 1000мк Х158 130к i.--_ __ _. + С7 Ril g ' L.,;;..---~510 1 6 rоомк х3В 7 . +сб + nRз СВ С9 сч. I ~'5 lч.70{0,1мк 100мк х1sв " ".·Рис· ~ц ~··~о~ с~~~'··~,СJЩ/1 !1М' ~~71t~~? ," ',\J, • j
':'' I 111r, мА 18 l--4 --+-+ .,1&-+-- -i 10 111 18 и•.n)8 Рис:. 212 а. Зависимость тока потреб,1ения от напряжения питак.ия для ИМС Ю74УН9 Кг= 10% ~L---1---1-+..-L-4----,.lf---+-+---i J ~-+--1~....J-~-+--+-+---i z~-+,,~L,.t::+--f-+--t-i---1 1U:::....W!::-..L-...l..-...L---L-...L..-I---' 68101211116,"и".а,е Рис:. 2.12 б. Зависююсть выходной мощности длЯ ИМС К174УН9 от напряжения пигания Рис. 2.12 в. Зависимость КПД от выходной мощности при раэ.личных значениях сопро'ПОJJе­ ния нагрузки .о1ЛЯ ИМС К174УН9 . Рис: . 212 r. Зависимость мощности, рассе емой NИКросхеыой, от выходной мощности п раз.1ИЧИЫХ значениях сопротивления наrру длЯ ИМС Ю74УН9 Kr, 0/о 8 б z о 1 2 J \' Рис;, 2.12 д. Зависиыость . коэффициента га моних от выходной мощности Д..1.Я и Кl74УН9 '" понижении напряжения питания 5,4 В соответственно снижается потребляемый микросхемой, и ходная мощность (см. рис. 2.12 а, Зависимости основных парамет ' ИМС.' от режимов эксплуатации п , ведены на рис. 2.12. ЭлеПричес~е параметры ' ИМС К174УН9~ Dpll 25±10"С 11 Uа.n.иом"18 В ~:'.°· Ток. потребления /мr' wA. при U.,.=O, .; не более ~ .'' ИМС К174VН9А,Б.."..""....".." ........ ... ....." . ИМС К174VН9В"... "".. """".. "".... " .. .... ..... • , и "'в при вы- Входное напряжение ., .. ' · р ...s Вт".. """. """ .... 50.. . ХОДНОЙ МОЩНОС1'11 ,~ , , • ""18.._~""':tl • . ,· ."";",)e.~. :""·~ ,",,,.,;ii,,•AfFsE-К:.". ·
1ссе :ти п arpy . ,\' а Г11 и fЯ [ а, 1ет' п 19А.' ' " '., .. 50... 73 г 1 '1 1 1 Рис. 2.13 а. Структурна.1{ схема ИМС K1'4VH18 L_ 1 +и""4 _ ____ J А3 10g 11 оэффициент гармоник Kr' % , не бо­ лее, при /=1 кfц и Рвъ~х=_О,05.•.5 Вт (ИМС К174УН9А)......" ............. 1 Рвьrх=О,05":5 Вт (ИМС К174УН9Б)..""...............2 Рвьrх=О,05...4,5 Вт (ИМС Kl74УН9В)."""...." ...."""".".....""........."""10 аnряжение шумов Uш• мВ, на выхо- де при сопротимеЮfИ генератора 50 кОм (ИМС К174УН9А,Б), не бо- лее.........................".........."..................................."...... 1.5 олоса воспроизводимых частот Л/, кГц ИМС К174УН9А... " ... " ... "". .. . .. . . """.. "О,04 ...20 ИМС К174УН9Б,В...""".. " ......" ...." .... О,04...16 ходное сопротивление R"", кОм, при /=1 кfц........"......"......"......."."."."...""............"".."100 Предельные эксп..1)'атационные параметfы ИМС К174УН9А,Б,В апряжение питания ии.n• в, при U""=O, не бо.лее ...."....."".. "............•."".............."""24 аксимальная BЬIXi)днaJI мощность Рвьrх тах' Вт, при Xr=lO %, не ·более ИМС К174УН9А,Б"........ " .. " ... "" ."."" ".. """" 7 ИМС Kl74YH9B.......... """".. ."""". .. . . . . .. . . ""4.S При температуре корпуса ИМС бо­ ее 55°С максимальную рассеиваемую ощность Ррасе тах рассчитываюТ по рмуле: = 150-:-iкор 12 Це fкор - температур~ 1\Орпуса МИl\­ Осхемы, измеренная на теплоотводе ~С у основанюr корпуса~ з••. 926 02 16 s 1х тах=150"С - максимальная тем- .. ' μЕратура кристалла принята условно, при коrорой гарантируется надежная ~­ работа ИМС; R=12°С/Вт - теriло~. ,· сопротивление на границе 1\ристалл- 1\Орпус. . · ИМС К174УН10 (рис. 2.13) пред­ ставляет собой двухканальный усили­ тель с электронноЦ регулировкой час- . тотной характеристики и предназна- · чен мя построения двухканальноrо регулятора тембра. В состав ' ИМС · входят четыре усилителя AJ." A 4, YJ:!· равляемых напряжением и два пре­ образователя напряжения cJJ, U2. Qc·. новой собственно регулятора служ.Иt каскадный усилитель (схема nеремн~ жителя Джильберта). Эта схема Щс­ печивает электронную регулировку частотной .характеристики. Второй ка~ скад выполнен на основе диффереи­ циальнЬrо усилителя. На входе регу­ лятора установлены два последова• тельно ВIСЛючениьrх эмиттерных по­ вtорителя. Преобразоватеm> · напряжения UJ(U2) ~nолнен по схеме лиффе- · peнЦШUJЬiloro усили-rе11а на . транзй­ сторах VT1... VT6. Электронная реrу­ ЛИfЮВI'З частоmой характеристики осущесТв.ляется ЗUIИОЮВым перемн~ жителем, выполненным на основе счетвереиноrо дифференциальпоrо ка- . сl<аДа · с перекрестными связями на транзисторах VT8, VТ9 (VT34, VT35) и VT/2, VT/3 (VTJ9, УТ.Ю). Сиmал с выхода аналоrовоrо перемножителя поступает · на инвертирующий вход
' . / &·-·--·--·--·----- ·--·-·-- ·-- ·--·--·-- ·-- ·--·--·--·--·--·-- .-- ·--·-- . lf1711VH10 l'T!l lt5R6 ' Rl7 Rl6 R19 RZ6 VD! ,. R.52 IR .56 ftl/O 1 tt•t 1 •. 1 "С1 ' 8 ~·1 t' - k 1 "2;'~"' ""l . ~твr~ :m )RJ R7,} )-- - r...~,1~v:;: r--!: '1ТZ , VТll ":i.- .R!3 R111 )"-,. j nY:: ·4,SAI 7iii R6. .· \.. 1'7 , "' '"'~" ~''" '"' . . S,7н s,7к ' · •. VТ11 VТ15 1 1tz · vrs:>-· ·RЗ 1 '. 600 24 1 . .. VDf' l R1 V.DZ'r R!~] R11 1 6ЧО ) R12 1 R15 ft16 Zк. Zк l'И/ ~ . ·~·-~---, ·-· ·- -· lf(U) 1(1} f ~ ·.· . ;;_-· - ' - ~. Вход п ~ч вхоа. I НЧ " г .Вьiход :НЧ·. . . J Уnр4_6ленuе нч : . 11 -• • Вь1хw · нtt· ·· s· !Jxoi I НЧ '. ic_ .вход ri:нч .·· : ·~ -.,- LQ 19. • 'f:(.~ .7J t:::I :i: .1Z g f(- :..:: ··.to ..· +ll":n~ . 8..: ,.J;f........,~"";~-~-:.. . - .-- _ ~---,_.... _ .... ~_ ~- __ :-; "' :::. ~..1. :,.. .. :' Z(IQ} . Jlll) ·оащий вход п вч BxoiJ I ВЧ выхоiJ ВЧ !lnраВление ВЧ Выхо0 ВЧ Вхо8 I ВЧ Вход П ВЧ -~- cz ~ VJJ'I '' .. ··\ ~ш ,,.,.ш 1 1 vrsri VT35 l'Т3J VTO/i • JR.?I 1 1 ~~h\ 1 R"J.7 . vm VDJ' RZZ ~ VDIO' R38 VТ21 vrz2 VТ26 VT27 IШ ")- r~ vr?\ f "' .. " .. .... - .... ;г VТJJ . Rlf.5 R4S ~ 1 1 R24 ft27 ЮО 1 RJ// vria !J~'lк 9/lк vrn . VT2ti VТ23 . VТ25 VT26 1 ~r' · .r:: 1'129 VТJ8n ir-<V74.5 i 1 г< : R4Z Rtd JЩ" RZB ' lt29 RJ/ • J'J.! ]R•• lt'8 ] 61/О 21< 21< " 11 i 1'6 А .__. __& ·- ·- 111~} (1ч) 'Рис . 2.13 б. ПринЦипиальная схема ИМС I074YHJO Рис. 2.13 в. Распо:южение и назначение выводов имс К174УН10 - · 7(15) ~ :::: r ...,. z:: ." !?C:rtr:"'lf"i't:::Ja:!l"'J~•__.,.,....-.. ..... 1 ' "" "1
• 1:J , RI/. :59к R8 39к Вход 1 Выход 1 1 2 39к t3R1239к s 18Ок 6 12к. DA1 К17Ч!IН10 7J ,, +158 о6щиu CZ 100мкх 258 t- 1 -- 10 "1 С1+ 121- ' Z.__ _9""'4 ~1 3,, мк --""-4 Rf tОк 11q. 15 5 6 7 72 l>M 11 13 5 3 ВЧ НЧ 10!1 q. +и1 ,..в_ ___, Уnра6ление !Jnра8ление 10 12 иг 16 Вход 2 • сч. 1 Выход 2 1мк С12 ОJ133мк R7 391< R11 391< Рис. 2.13 r. ТИповая схема включения. ИМС К174УН10 операционного усилителя (QY) на транзисторах VT17." VT24 (VT26... VТЗЗ). Неинвертирующий вход ОУ базы транзисторов VT22, VT26 соединен с внутренним источ­ ником опорною напряжения на эле­ ментах VDЗ..• VDJO, VT25. Выходной сигнал ОУ снимается с двух последо­ вательно включенных эмиттерных повторителей на транзисторах VT18 VTJ9 (VTJJ, VТЗ2). В зависимости а: коэффициента гармоник и уровня Uiyмa ИМС К174УН10 подраЗделяют­ сянагруппыАиБ. Переменными реЗиет<)рами R9 ре­ rулируют высокочастотнь1е составляю- IЦие, R/6 низкочастотные (см. _рис. 2.13 r). , Зависимостл ряда ОСlfОВИЫХ пара· ~етров от режимов эксплуатаций n~иведены на рве. 2.1<4 - 2 .15• • • \ '1' ' ',), ,,, Куu,дБ Uq. = 108~-...... 88 -12t-+----+---t---+----- A -~1-17~~+--+-----t----1 -_кgu, дБ ' .ftк. 2.14 а. Амплиrу.1$>-частотиая характери- СТИkа при различных YJIC*ll.IX petyJJИpOJll(И каж­ дОl'О ~ дВуJt цВалов д.ця t~ыводов /J, 4·
", '\ ll~ыx111 Б , Jl. Uвх 111 о -10 ll8ь1r:1 n -Б ___._,д U&х~П , ,~'\" ~~"· ('.-; ~r"jtl>f<' · 1' о -10 IJ'f( 5 ,1. Рис . 2.14 б. РеrуJiи~чная харак;rерж:1ИКа каждоrо· ·из двух J\анааов миКр6схеЫьi на часто- ' ' 1." Рис. 2.14 в. Регу,1Ировочliая характерис , каждого из дВух "кailaJJoв микросхе)dы на ча· те40Гц ' те 15 кРц ' K9v,JJ.Б 12 ·12 8 8 q. q. о 2 о1 -Ц. -ч. ''.~8 -8 -12 -_ 12 -1Ч. -16 -16 -Kgv,.AБ - r, (1'. "·1 ё' ,' .:~'' 16 12 8 q. о -q. -.в -12 -16· .~кyv; JJ.B · r· 1· · " 1 'i' ".t"! ~ ~ ..:,.., ~~·:.~; Рис. 2.14 е. Регу, Рис. 2.14 r. Pery.'llfPOВOЧ- ная характеристиха каждого ная характерис1ИКа Рис. 2.14 д. Реrулировоч- IWI характеристика каждого из четырех усилите.лей на из четырех усилител из четырех усилителей . на , , частоте 1 кГц при раЗJJИЧ· ~ .~, кГц при частоте · 1 кГц nри ра~- ной ~мпературе окру~аю- ' ~-,щ•щwкении пига ном напряжении питания щей среды · ' """'"'. •:·\ " .." ·" . ' . . ' · .... .' .· .( "· . " :' . ,"" "" . '"'""': ~.~!·'"' ·!•, . .".".,1 "."<· ~ .. •". ",) .",.. ," · ~ · ~·"'м·.'t'·i't;,;i•.J-\; , <,-ы<iv '"·~ • 1, ·, л >1J1 •..,_~.11J1Л'"'1'i.., ~i.".i., ,1.)), blrЯwtt>!.V.:.I.w.~ .~,....-....D' l >Wf ' ' (.о.: ! t :> U<f,
1" ерис KIJ,11 нч, дБ 2S 20 15 10 - 1 1 Uч. =t!НJ 1~5' 1'f 1Ч.,S 1S !.. ~ Uи.rt,B Рис. 2.15 а. ЗависИМОj:ТЬ коэффициента ус11- ения канаJtа НЧ от напряжения питанl(JI nри апряжении 10 В на вывоае · 4 мя ИМС J74УН10 1 Urz = 10В 15 " 19 1--.,,,...~+--.J---+--i 18 ...____.....____._ ___, _ __,,_____, 13"5 1Ч. 1Ч,S t5 Рис. 2.15 г. Зависимес'f~ к0эффициента уем.­ пения кана.яа ВЧ" от н~Rfмжения питания арм: напряжении 1 В на выво1е 12 .апя ИМС .\; К174УН10 Inoт 1 MA 27~\~..--т~-..---.~- 1,,; 1а ча· 10 ,tlf' 1'1 1 5' 1S ' J 13,S 11J. 11J.1 S 15 Uн.nJ В Рис" 2.15 д. Зависимость тока ' поТрс~нwr·.:: Рис. 2.15 15. Зависимость коэффиU»ента усп­ ения канала ВЧ от напряжения питаниi при Напряжении 10 ·в НЗ выводе 12 дJIЯ ИМС. К174УН10 от нацряжения питания· а.1я ИМС К114УНIО · Кr1 °/о 0,1 о ....__._~......-i...~.___, 13,S 1Ч. · ~'1,S 1S Uи.n, В ,•. ·1 !:\ 18 1--::.,..q:....--h - -+- -4..,..--i 17.___...._ _._ _ .....__ J...- .......J 13,S 1/f ~Ч.,5 15 ~,в Рис. 2.15 е. ~вж:имость 'kоэфФицие~а rap. моник от напряЖения , пиtаНия д..1я : · WMC ~" -~ , Kl 74Y.l-JIO Рис. 2.15 .в. ·Зависимость коэффициента уси-' \'· · .1ения '"' канма п -i от напряжения питания · пnи наnря:.кении 1 В ,..... 1<174УН10 на выводе 4 ддя ИМС l<r 1 °/о О,1 ... .. -. ~ !.--' 1--0 05 J !'; Рис. 2.15 ж. Зависимость 1<о~ита .гар­ моник от температуры ИМС К174УН10
Элепричесuе параметры ИМС Kl 74УН10А.Б пр11 25:tlO"C и Uв.п.иом•15 В Ток потре6пеЮU1 1nw wA, не более""."""""""".40 Коэффициент усиления по наriряжению К~е:н:;~;;;;"·~~"·~~;;;~~"".. 15 дБ нию Куи,• не менее"""~""""""""""""""... " ". 15 дБ КОЭФФИЦftент гармоник ~ %, не бо- лее ИМС Kl 7~УН1 l (рис. 2Д6) п ставляет собОй усилитель мощи звуковой частоты. По структур схеме напоминает ИМС К174У Однако вследствие применения д ференциальноrо усилителя в каче входного каскада УНЧ, двухтактн выходного усилителя и двуmоляр · го напряжения питания (± 15 В) рактеристики УНЧ значительно ул имс К174УН1ОА"".." " " ""... " " .-.. .. """""".о,2 шены. Например, обеспечена вых: ·ИМС К174УН1ОБ"".• """ """"."""""""""" .о,s ная мощность· до 15 Вт на наrр · · Напряжение шумое на выходе и сопро.тивлением ..4 Ом, при этом .. мВ, не более w' эффициент гармоник не превьпiI ИМС К174УН10А"."".. "" ". . "" .""" """ " " ." "50 1 %. . имс К174УН10Б."""""".""""".:"".""""" 100 Входной · каскад усилителя Отношение СИПWI/шум ~ дБ, не менее строен по дифферецциальной сх имс Ю74УН1ОА"""."".""".""".".""""".... б6 на транзисторах VT7, VТ9.:. VTJJ, , имс К174УЮОБ..~."."""""."""."""""" ... .. . 60 · rрузкой каскада являются транзи Выходное напрЯжеНие ивьtt' в, при ры VT14, VT15, включенные как ' U""=lOO мВ, /=1 кrц нераторы тока. Эмиттерные ц на выводах J, 5 """."""""."" """""" .0,35".О,6 VT7, VТ9 питаются от источника · на выводах 11, JJ"""""".""":""."" . . "0,1".1,2 ка · на транзисторе VT6. Выход сиmал дифференциального кас ПредеJIЬНЫе э1tсплуаrационвые параметры ИМС Kl 74УН10А.Б Напряжение IDПЗIOUI Uв.п' B"""." .. "" ". "". 1,3.S" .1 6,S YIIpaВJ1JIJOщee напряжение (выводы 4, 12) U4, u• В, не более"."""""".... ".""..""..."":""12 Напряжение U, В, на выводах 1, 2 , 6, 1, 9, 10, 14, 15, не более""""""..""""""".""."". 1 СопроТИВJiенис нагрузки 'R 8 , кОм, не менее"...""".""""..... """..... " .. """."""""".""""""""""5 7 Защита от XDpDflllШtJJi-.---t ЗQM/JIKaHUJI 1 10 поступает на :каскад усиления по пряжению на транзи;сторах V . VТ2З, в качеqве коллекторной грузки которого включен . VT16 · генератор тока. В двухтактном выходном кас · используются · транзисторы V VT26, образующие одно плечо;' VТЗО, VTЗJ другое. Начал смещение выходного касюща и пературная стабилизация тока п ч выходных транзисторов обеспечи ся транзисторами VT18".VT2J, И J !;' Входноil каскад Усилител1Jнь1ii. каскад Мощный Выходнеil. каскоо 12 38 Темо6ая Jащита ~' Рис. 2.16 а. Структурная схема, ИМС К174УН11 " ' '.. к .- Т2 V.D1 Вь В>
К17Ч.УН11 10 . . . --- -~--~--~--~- 111 J s 7 9 Рис. 2.16 б. Принци~а.iьная схема ИМС К174УН11 +Uиn Вы6од -Uиn BxoiJ fЦ BыxoiJ 13 3 ~72 Вы6оi1 • ~11 Рис. 2.16 в. Распо.~ожение и назначение вы- t-- . BOiIOB ИМС К174УН11 s~ KopplKЦUR ::.:: 6 KopplKЦl/.R 7 8 о5ратная с8яJь + 158 С3 200мк х 25В R3 fООк + оБщиu .L с1 J" Е r7M':L :ОА1 К17Ч.УН17 Вход cs ~1мк. 7 'Е /i--.~-+--t--~ -1sв R1 700к t>M -и 5мк х 25В ...._____.__. Т+ сч. .J..: 200мк х 258 12 Cl 58 RЧ- 1 Выход св I О,1мк Рис. 2.16 г. ТИповая схема включения ИМС К174УН11 39 ,д,\ r.;" , : J~<ti'''',,_ i~1.t -:
40 .~/ 'r11~",~~Y~·r r ''1 • ifr '• ' +15В СБ Sмк/;: ~ 31 .f R3 100к + Общий т_с1 Т С3 ~,1м~ООмкх2sв -~-..;....j Вход Е - 158 С2 О/мкI Т+ сч ..L. 10Омк >< 258 R6 1 С11 С10 :Е',tмк --------С- 8_. ОJ15мк :ОА1 K171/.!:IH11 RS J 8 ~м ~'-4.......Б_в. .. .._Б_в--t ___ _ . 7 s+и 3-и 12 R7 1 С12 Iо,1мк .\ Рис. 2.16 д. Мостовая схема вк.1ючения ИМС К1ЧУН11 +158 С3 200мк x2SB Вход cs о,1мк ""Е 1 R1 : 1 100~ R2. 2,2к R43K Сб lо,fмк IL 2оомк х 2sв + Clf RJ С2 -1sв о,tмк 2/к RS 1001<, JJA1 K17l/.!JH11 8 1Ч R61 7 t> 1 s+и 3-и 12 С7 68 FC g,_ .;С9I ·о,1мк С10 0)22мк VT1 КТ818Б ' ,~' ·Вь VT2 "КТ819Б r Рис. 2.16 е. Схема вк11ючения ИМС К174УН11 с увеличенной выходной мощностью-. • j
.f .\ '8Б' ,~' ·Вь '9Б ,[ . i I1меет устройства защиты выходных транзисторов от короткого замыкания в нагрузке и защиты кристалла от термоперегрева, чем обеспечивается ее долговременная и высоконадежная работа. Хотя ИМС имеет внутренние узлы защиты от электрических и тепло­ вых перегрузок, при построении кон­ кретных УЗЧ на основе ИМС К174УН11 необходимо ограничить ток наrрузКJf значением 2,4 А. Микросхе­ мы необходимо устанавливать на теплоотводе, если мощность, отдавае­ мая в нагрузку, превышает 300 мВт. Рв 12 10 8 6 q. 2 L• ых, Вт / / , / / / /, 6 8 10 12±0,_.n, В Рис. 2.17 а. Зависимость выходной мощности от напряжения питания при коэффициенте гар­ моник 1 %, коэффициенте усиления по напря­ жению 30 цБ, частоте 1 кГц, сопротивлении на­ грузки 4 Ом, входном напряжении 0.. 250 мВ дЛЯ имс К174УН11 Kr, о/о 1,0 0,8 0,6 o,lf.. 0,2 ... , \. " ... ____ ~05 0,1 1 1 f=1кГц "' - 1 15кГц --~ ...... J , s1020 Рвых,Вт Рис. 2.17 б. Зависимость коэффициента rap- 011Jfк от выходной мощности при наriряжении айия ±17 В, сопротивлении нагрузки 4 Ом, 0Зффициенте усиления по напряжению 30 дБ, · ~0:.~ном напряжении 0.. 250 мВ для ИМС 174УН11 . Эффективная поверхность ,пластин теплоотвода должна быть не менее 100 см2. Если использовать К174УН11 в ка­ честве предоконечноrо каскада (см. рис. 2.16 е) и добавить оконечные транзисторы, можно построить усили­ тель звуковой частоты с выходной мощностью 25 ...35 Вт. Применив две ИМС К174УН11, усилитель мощности звуковой частоты можно выполниrrь по мостовой схеме ~м. рис. 2.16 ц). Завйсимости ОСИОВJIЫХ параметров ИМС от режимов эксплуатации при­ ведены на рис. 2.17. Kr, о/о О,7 г---т----т------- 015 1-----1- - - o,J t-"Ф===:i:;;;::;;;~7~ 0 1 1 .....___._____,__ ___!.,~ зо 1oz ~oJ Рис. 2.17 в. Зависимость коэффициента гар­ моник от частоты при напряжении питания ;t 17 В, сопроniвлении нагрузки 4 Ом, коэффи­ Щlенте усиления по напряжению 30 дБ WJЯ имс К174УН11 ' 1'/• "/о Ppafcc,.._B_r 1 - =::i;:;=;;:i:=:::::::i 70 1г1-.----~-....__--! 50 10 l-4-4 -- -+- -1-.,.,-e.:;;.i 8!-#--+----"--+ ·30 6 q. 1---#-+---+---+---1 102 О О'--~---~...._~_. 8 Рис. 2.17 г. ЗависиМость мощности рассеяния и КПД от выходной мощности при напряжении · пиrаиия ±17 В, сопротивлении нагрузки 4 Ом, аходном напряжении 0...250 мВ для ИМС К174УН11 . ' '_ 1-.' J< ,'~'[..- 1~ ' - ""!)"'"{ J , ' 1 '1."~(-'~'~'
Рис. 2.17 д. Амплиту;uю-частотная характеристика ИМС К174УН11 Электрические параметры ИМС K174YHll при 25±IO"C в Uнл.иом=±IS В Ток потребления /nrrr• мА, в режиме покоя, не бопее........................................................ 100 Выходное напряжение U•ь'« В........... " ................ 3.. .5 Напряжение смещения Uсм' мВ, не бо- лее ................................................................................. НЮ Напряжение шумов на выход~ Uш• мВ, не более ................................... """" ... " .. """" .. . .. .. 1 Входное напряжение. Ursx' мВ, при Раых=lО Вт, не бопее"."""".......... ":" .. "" ." . .. . . .. . 250 Коэффициент гармоник ~ %, при Рвьrх=О,15."10 Вт, не более."...... "."""""............... 1 Коэффициент подавления пульсаций ~. дБ, при 1=100 Ii.J,......• "".".""""••.•. .'.•..•........ " ..45 Входное сопротивление Rrsx, кОм ....................... " .. 95 Тепловое сопротивление на границе кристалл-среда Rк-с• 0С/Вт......" ..." .." ..." ......... " ... 70 Полоса воспроизводимых частот Л/, кIЦ.............. """ ..................................................... 0,02...20 Предельные эксhлуаrациоввые параметры ИМС KI 74УН11 Напряжение rmтания U..п• В"...................... ±5".±18 Максимальный ток нагрузки / н """'' А, при Rн=О,1 Ом, не более...................... "" . .. . . .. . . .. 2,4 Максимальное входное напряжение и.,,_, в, не более............." ........" ........................ 10 Входная мощность Рвь'« Вт, при Kr=l % и Uн0=±17 В, не менее.."..."":"."".. 15 . , ИМС К174УН12 (рис. 2.18) пред­ ставляет собой двухканальный усили­ тель с электронной регулировкой уровня сигнала и предназначен для регулирования громкости и баланса в стереоаппаратуре. Основу схемы составляют каскад­ ные усилители, построенные по схе­ ме Джильберта, аналогично использо­ ванным в ИМС К174УН10 и 'приспо- 42 собленныеi для компенсированной гулировки уровней громкости и ланса каналов в стереофоничес аппаратуре. В состав схемы входят два пре разователя напряжения U 1, U2, д. · управляемых напряжением регуля ра уровня сигнала Al, А2 и два равляемых напряжением усилите АЗ, А4. С помощью потенциометра , регулируется баланс, а с помощ потенциомера R18 - громкость (, рис. 2.18 в). Переключатель SAJ положении 3 отключает тонкорр цию, в попожении 1 включа,ет с дартную тонкоррекцию, в положен, 2 - позволяет подобрать оптим ную тонкоррекцию для конкретн помещения и акустических систем. За~симоСти основных параме ИМС от режимов эксплуатации п ведены на рис. 2.19. 9 7 6 11 1q, 161213 1 2 Рис"_ 2.18 а. ~~~JPlfllJI схема ИМС ~174
Вхоа усилите.ля праВыu Выход регулятора пра8ыU. Bxoil усилителя пра8ь1й 15 О~щий Выход усилителя пра8ый J N 1Ч Вход регул11торо. про.~ый - Тонкоррекция 11- ::i:: 73 Регулиро6ка ~омкости ::n BыxoiJ усилителя .ле6ый s;;t12 Регулиро6ко. а.ланса ~ BxoiJ усилителя ле8ыiJ. 6 '>:: 11 Вход регулятора ле&1й Вход усμ11ителя леВый 7 10 Вы6од +llи.n 8 9 Bыxoil регулятрра леDмl Рис. 2.18 б. Расположение и назначение вывоаов ИМС К174УН12 + 15В 100МК ~ 2SB С1 +С2 Сб RS 560 Нl----{=:э---. о,01sмк RБ R7 18к 8200 10к DA1 K171f.YH12 6 7 Вхоu"Л"с3 01МК --.:;1---....:-'---+-----~ ~~+--++-----'-! R3 10К Баланс RЧ. к 5 9 Громкость R10 11111< · t--C:::J------... С10 S1 8ыхоu.л• !. 2 R17 R18 ]' ~· · ВЬ1ход"п" Тонкор/}екЧ,UR Рис. 2.18 в. Схема включеюiя ИМС К174УН12 \
1а К nrp·, .1.Б_.__.μ--1 ог - 10 1---+ --w'--+ " -1 ' - 20 ~-+-..,,,..-+---! . - Jf1 1--~i:+---+--f - llf} l--~-f---1"""""1 Inn JO 28 26 zч 22 IМА i- ./ / ..... v Ку 23 21 21 20 7J !.1.Б / --- - 50 .__....._~_.._... 73 1'1- 1S 16 11•.", 8 131t1 15 10и".",а lме. 2.19.а-. P•ryлиpollO'l- 1118 :uрптермтика ИМС К1?4УК12 , 'fмt , 2.19 6. Зuиоиместь теu nетреблеНМll ar •flPJI· JICCJlllll ' J1И1'8НМ М11 ИМС Рж:. 2.19 а. Завиеимес:ть ltOeфclllqleнтa усюrеНИ11 от иапр.1ж~ИИ11 mrraнм о,• .- 1. ... ............... ' e,s в; К174УН12 JН<у,АБ 12 ! 1--.....,.,,__.,,~~,6--I q._ _._ _ .--- 1_ .1 ---1 о_ _,_ _._ __ .._,,_ __, -ц~------""' -8 ,..._.........,_--4_..,,____, 13111 15 16Uм.n,В - 60-Ч.О -20 О 10К'lt"дЬ -12 ....._... __......__. _-J.._J Рис. 2.19 r. 3ависимость коэффициента rармоюос от напр..жсяия питаR1U1 .длJ1 имс К174УИ12 Рмс. 2.19 Д. Зависимость коэффнцмснта rармоник от коэффюulснта ус:кnеRИЯ дц ИМС К174УН12 Рж:. 2.19 с; Харахтсрмс111- u стсреобапанса ИМС К174УН12 о,ц .___~_..__, 0,2. ....__..._... __ _._ _ _, -20о 209060т,•с.. / Рис. 2.19 ж. 3а1ИСИМОСТЬ ко'ЭФФНЦИСнТа rap- _ МOfllllt от температуры A1LI ИМС К174УН12 Э.11епркч~е параметры ИМС: К174УН12 . ори 25±10"С и U11.11.11ом•15 В . . Ток ~1_,. мА, нс ~"".""""."."".40 ~нт усмснм по нanpJIЖCIИO . Куи. дБ, в ~еиее,_"" ,_" ..""... " "."""""""" " " -""17 Диапаэон реrулиро81С11 выходных на- - " - :~,-~, _".'. - 10 t-8 -"'"' -"- -, .-- -.i .,,c.. -2Di--~~.--i1-=~'--<--~ -JOt----t_....~=--+--- -+o.___.J1.-.-3~-&........-1....;,_~ Рн1:'. 2.19 3. · А1mпитуJ1НО-частотнu ~ стиха при разmrtных напр.11женооt на !З ИМС К174УН12 . ! .t1 '. ~~снd балан~ к дБ,'нс' ме- i --peri 1• нocr······-··"·····r·······-······-··········-,,............ ".. .. .. . . . . . -.. Разиос:ть JIЬlходных наIJР.яжсннй ' бамн- . са АUбеп' ii:В. не бопее__:"_."••.•" .",._ _ "...;..., . . .Отно wо~ Clll'К8Л/llJY)C ~· .1Б, нс , ;' weJtee --·················~·-~-··-·---············-···· ·· ················· )(оэффкщtент rapWOlllllt JC,. % , ие бо- лее-"".."" ....-".,".--"".".-"""".- .. "" ........ ."".... "....... ·. ' ,• • . li1 ~..:,,W",
IСТЬ 1!1Т llCТll­ iMC ....".......,. . / 1 2 Рис. 2.20 а. Структурная схема имс К174УН14 Неин8ертирующцu 8ход 1 ::t- Ин6ертирующий Вход 2 .... =t: ooщuil. J ;:,, .j- Во1ход ч r-. ..... +Uи n s~ Рис. 2.20 б. Распо.1ожение и назначение вы­ водов имс К174УН14 Вход С3 DA f 1<t 7Ч.YHfif Сб 1000мк х 258 ~-----11-----1-1 t>M 1-ц__,-....;+-11-----~ 2 выхаil + RЦ 1 10мк х1ов +158 5 Cf + • 0J1MI< С2 .~ЬщийI rоомкхгsв C!iт t J R3 220 500мкх 108 ' 1~" Рис. 2.Ш в. Типовая схема 11ключенния ИМС К174УН14 Предельные пс.П.ауаrационмые параМетрw ИМС К174УН11 Напряжение ,пиrаниJI UUJ' В. не бо.лее".••••• " ••••••• "."••••" •••• " ....."-•• "_••" •••• ,•. " .• .. " .. . .. . . 18 Упра11ЛJ1ющес напряжение (аывОды 12, /) Uи. 1, В, не бallee,".".".""" . . . ""•. -"""" .,. . . "". . 12 Напряжение U, В, на вьiводах 1, 2, 6, 7, 11 не более"\""""."••""••""""""""""."""."""."."1 СопРоТИВJJенис ·наrруЗЮ1 .R _ . ~Ом. не Менее........."•...._.,.•..~.....................,...,.......,..•... -"' ........ ".. ~..s ИМС К174УН14 (рис. 2.20) Пре+'· ставляет собой усилитель мощнОС'J"И звуковой частоты с номинальной ·вы­ ходной мощностью 2,5 Вт при сопро- тивлении нафузки 4 Ом. · · . В сОС'tав схемы· входит дифферен­ циальный усилитель Al в качестве входного каскада УНЧ упрамяющий I<аскад А2, двухтактный· выходной ка­ скад АЗ, устройство защиты выхода от перегрузок А4 и тепловая защита м. . Допус:t<ается эксплуатация nри на­ пряжении питания менее 15 В. При этом соответстве}Jно, снижаются / ток, потребляемый МИ1'росхемой (см. рис. 2.21 а), и выходная мощность (см. рис. 2.21 - 6). ИМС К174УН14 без до­ полнительного теплоотвода приме- пять нельзя. " .....--_....--.........--..-------.' . ца1.---1--.,..'4---+-~--1--~ зо~...:.....,.е.:.....4~--+--+-~--1~-~ го 1..----L---'---+----L-.;_..~ 8 10 12 111 Рис. 2.21 а. зi~висимость тока потреб.itеIОа от напряжения питания nри температуРе' <Жру· жающей среды (25±10) 0С дm1 ИМС К174УН14 >~i.
PS.1x1 1Jr 10 1--+ ---1---+--1 '. о "--_.___..___.L.-_.__ _. 610t2 ," и•.•,8 Рис. 2.21 б. Зависныость ВЫХОДНОЙ МОЩIЮСТИ \ от напряженм питаНЮ1 при частоте cнnwra 1 11:Гц. коэффициеите rapиo11111t 10 %, темпера­ туре окружа!ОIЦеЙ среды 2S"C± lO"C и ' различ: ном . СОDрОТ118ЛеННИ нагрузки AJJJI имс К174УН14 , , % Рра"7/Jт 707 10 5D 40 ' JO ' 2D2 101 1D 2 4~,6т Рмс. 2.21 r. Эuисимосn. МОЩИОС:ТИ pacceнaa­ IDIЯ и КПД мнхросхеwы от auXOJIНOI МОЩНОС111 при напрuсеиии 15 В, ~ уСК11еН1111 НАПРJIЖСНЮI 40 дБ, частоте ПОJUЮГО сиrна.ла 1 кГц. СОDрОТ1111J1СН1 нагрузки 4 Ow дЛJ1 ИМС К174УН14 46 ,, ~ Ppatf,8r 701 101 ЯJ •о ' 303 202 10 оD 2 •1 PJ.ix, 8т Рис. 2.21 а. Зuисимосn мощности расе НЮJ и КПД МНJ(росхемы от аыхоцной мощи при вапр11Жеи181 mпанм 15 В. JtОэффнцие усиnеиu нai1JN!JlteIOUI 40 дБ, · частоте входи СИJ11ала 1 хГц. сопротивлеюrк нагрузки' 2 ·.im ИМС K174Vlf14 ,". •,о ·2 ,0 110 О/ о 0,05 lt11=•0,,,.. ..... j , ~ ' r ) 2-""' 10 Ра.,.,Вт Рис. 2.21 д. Зuмсимос:n. коэффициента wоник Мllltpocxeмw от 11WХОдво8 мощности напряжеН1111 11ИJ'11НИ11 15 в, коэффиЦиенте у ИИ11 наnряжен1U1 40 дБ, час:тоте подноrо ла 1 кГц .au ИМС K174Yll14 с о с с
r ICC щи щие tоДН '2 т а 1'И у :·t=t= ! 1 R1 Рис. 2.21 е. Частотная эависимост~. коэффициента усиления ·при наnрl!Же- нии питания 15 В, выходной мощно- сти 1 Вт и сопротивлении наrруэки 4 Ом для ИМС К174УН14 чо 102 10J :иоJ 10" f, rи. Микросхема может работать с со­ ротивлением нагрузки более 4 Ом с тветствуЮщим умеНQшением вы- одной мощности (см. рис. 2.21 б). Зависимости основных· параметров мс от реЖимов эксплуатации при­ дены на рис. 2.21 . Электрические параметры ИМС Kl 74УН14 при '25±10"С и Uи.п.иОм=IS В ок потребления /~ мА, при ивх=0........."....."...."..................•.....•........"...•........10.• .80 оэффюJ,иент усиления по напряжению ~и· дБ•.."..••.....,.., .•.;., ....•.•."."•..••...... ..,.-·-···Э9,S."4Q,S оэффищrект rармоIЩК ~ %, .~ P8 ." '=0,05...2,S Вт,·; R11=4 Ом, /=1 кГц, не более.•••.•......•.•...•.•.•. ~ .••".:•••......•. :...•.•• 0,5 Предельные эксn.луаrационвые параметры ИМС Kl 74УН14 апряжение .питания Uи.n• . В, не более..••••.•••• .• " .••• , •••••••••••• ..•••• , ••••• ... .• .•••••••.•••••.••••••••••• . 16,5 апряжение питания и•.п• в, при . Uвх=О, не более .......................................... •. . . . . . . .. . . . . . 1 8 3--4--~ г_..__ _.+,.. .J Входное напряжение Uвх, мВ, не более.•••..•.....••.....•••••.......•...••..................•.. " •••••••.•••........ 42 Максимальная выходная мощность Раьат<и' Вт, при Х.,,=10 %.............,.................... 5,S Сопротивление наrрузки Rи; Ом, не менее..........................." .........:.........................................2 ИМС Kl 74УН15 (рис. 2.22) пред­ ставляет собой двухцнальный усили­ тель мощности · ~овой частоты, предназначенный. для использования' в переносных ст~нических уст~ ройствах. . Номинальная выходнаЯ мощность - 6 Вт при сопротивле­ нии нагрузки 2 Ом. В состав схемы входит дифферен­ циальный входной усилитель А! (А6), предвыхедной каскад А2(А7), двухтактный выходной усилитель мощности М(А!О), устройство защи­ ты выхода от nереrрузок .А4(А8) и тепловая_ защита АЗ(А9). При питании напряженJ{ем менее 15 В снижаются ток, потребляемый ИМС (см. рис. 2.23 а), и выходная мощность (см. рис. 2.23 б). 7 а '" ' ~' ~·' '' 1,\ . РнС. 2.~ а. Структурная схема ИМС К174УН15 47, ~
'' о6щий H1ин8epmuptj1t1щuil. 6хоа к.анала 1 l llн6epmщJtJющuu lxDD к.анала 7 .J 1 о6щий • 8•1xoi ' KQНQAQ 1 5~ , ~ +l/м.n 6 ;:,, 80/f(oi канала 2 7 .,,. t:: О6щuй ' :.:: lfн6tpmupyющuil. 6кн канала 2 J Htuн6epmup(JNНМUil. 6кt1i кана l/tl 2 tD о~шиu 11 i-158 f+CJ 10Mfl. Х 10/!, 8к1l 2 • 1Омк х 108 .._... .. "." .. 1'••••, • Рис. 2.22 б. Расnопожение и ие:тачеllИе IOJI08 ИМС J<174УН15 ,. DA 1 К17Ч!JН15 z s cg + ~&1хоа7 11-М . .J JJOQ/!l(J( х 258 R7 1 С11 I о,1мк С10 J300МК ~258 :J 7 ·т5",ко112 . R6 " . 1 С12 I О,tмк " / " 1:, ,<.;"··. ·~:\\~· ~. 2.22 в. ТИповая CXeNa вклюЧеНW! ИМ~ К174УН15 · =··1 ... " :'~. \. . . \ " ·1 .'" " ..·-; ·' ."., ;- -. Рис . 2.23 а. ЗuНсиwссть тока потрс от иапряженм ~ nрн температуре жающей с:редw +:ZS"C ...,. имс К174УН1s ~\.
·' \. :' Рис. 2.23 б. Зависимость максима.1ьной вы­ ходной мощности от напр11жеиия питания при коэфФиUJ!еите гармоник 10 %, частоте вхо;~ного сиrнала 1 кГц, сопротивдении нагрузки 2. 4 О~ (1. 2 кривая соответственно), температуре ок­ ружающей среды 25°С ;ця ИМС I07-iYH15 1 Inoт ,,.,д 110 100 / -- ---- _L.--- 90 -30 -15 о 15 30 Ч.5 т,0с. Рис. 2.23 г. Зависю~ость мощности рассеЯНИJ! . от выхо;~ной мощности при напряжении Пита­ ния 15 8, частоте вхо;~ного сигнада 1 кГц. i::о­ противленИJ1 нагрузки 2 о~. температуре окру­ жающей среды 25°С ИМС К174УН15 '"!о ' J Rн= Ц. Ом .__/ 11 ~ 1 1 ].__._ 2 Ом- 1 ,J .\. \ .... -~ 1'"' ... / о 0)05 0.1 ') 1 /1. Р8ых mo.x, Вт 10 12 Рис. 2.23 в. Зависи~ость тока по­ треблеНИJI от температуры окружаю­ щей среды при напряжении rnпaНИJI 15 8 д.'IЯ ИМС К174УН15 1Вт с, 10 8 6 4 о v -- ~ / / 2 6 Рис. 2.23 д. Зависимость коэффици­ ента гармоник от выходной мощности при напряженнИ питанИJI 15 В, часто­ те входноrо сигнала 1 кГц, сопротив­ лении наrру3ки R81 =2 Ом, R82=4 Ом. температуре окружающей среды 25"С ддя ИМС К174УН15 -' '' ' ~ ,'~ • • ':~ t"- '( ''
ть коэффици- Рис. 2.23 е. Зависимое ента переходного затухания ты входного СИПfала при питания lS В, выходно от часто- сх,!дб напряжении й мощности грузки 2 Ом. 40 дБ, темпе- 6 Вт, сопротимеюtИ на коэффициенте усиления ратуре окружающей · ереДЫ 25°С ДЛЯ ИМС К174УН1S Кг, 0/о 1,75 1,ч5 1} 15 O,lJ!i 01 55 ,' О,25 10 10 """"" - 10J 53 51 ц.g ц.7 ц.s ~ ть коэффиwtента одной мощности 10 ~ i' по- при Рис. 2.23 з. Зависимое ле:щоrо ·дейсТВИА от вых напряжеЮ111 питания 1S сИпtала 1 кГц,. сопротивл темпера'tуре окружающе в, частоте ВХОДНОГО еЮIИ нагрузки 2 Ом, й среды 25•с Д.1Я ИМС K174YНIS 50 11 ' - ; ...... !\ ~ ' , ' vJ v ~ \· 11 1 '• 7r)Z 103 . ;,гUi ) Рис. 2.23 ж. Зависимость коэффи- циента гармоник от частоты входного CИПlaJJa при напряжеЮ111 питания 1 lS В, выходной мощносm 2,S Вт, со- , противлеЮ111 , ~грущ1 2 Ом, коэффи- циенте усиления напряжения 40 дБ, температуре окружающей среды 25°С ; для ИМС К174УН1S '• ',) /•w < '< ') 1 f,Ги, 1 " 'f/, °!о ., " ' "-: 60 ~J1 v ~ "' ' ' . v ~ ' чо /,\ ./ j -!Jf) 1о 2 lf 6 Ре~1х, Br~ \ - ,;,~,:,.\,JG .. ."
:ри- } ого 11ИЯ со- ри­ дБ, s0 c; ,вr Зависимости основных параметеров 11МС от режимов эксплуатации при­ ведены на рис. 2.23 . Электричесuе параметры ИМС К174УН15 при 2S±10°C Uи.п.ном=15 В, R8 =2 Ом и fвx=l d'ц Ток потребления /паr' мА, при Uвх=О.....".""""".."""."."""".. "."".".""" ............ 40 ...120 Коэффициент усидения по напряжению Куи• дБ""".. """""...."." .. """.. """.""""..... ""." ."40.. .44 Переходное затухаllие между кана.1ами К0, дБ, не менее........ """.. " ... "."" ... ".""."."""""".50 Приведенное ко входу напряжение шумов Uш.в.~· мкВ, не более"""""""."""." .. "" ""5 Полоса воспроизводимых частот Л/, кГц"".""..."""".""".""".".... """"".""""."""".... 0,03."20 Коэффициент rapмOIOllC кг' %, при Рвых=0,1".6 Вт, ве более .""...""... "."" .""""""".".1 Предельные эксплуатационные параметры ИМС Kl 74УН15 Напряжение rtитания . Uи.п• В. не более...." ............................................... ""................... 16.5 СопроТИВJiение нагрузки R8 , Ом, не менее.""."""".""."""........ ".""". " .. "" " ... .. " " " " " " .... ,.1,6 Напряжение входного сигнала Uах• мВ, не более....... "............................................................... 38 Максимальная выходная мощность Рвъrхтах• Вт, при Кг=lО %".. " . . "".. . .. . . ""."""""."9 Допускается увеличение 'напряже­ ния входного сигнала при сопротив­ лении нагрузки более 1,6 Ом, при +llм.n канала 2 г ВольтдоЬа6ка канала 2 э Неин6ерти.рgющи~ 8xot3 канала 2 .,. +им.n 5 Неин8ертирgющμU. 6ход канала 1 6 Вольтдо~а6ка канала т 7 +t/м.n канала 1 .5 этом выходная мощность не должна превышать 9 Вт. ИМС КФ174УН17 (рис. 2.24) пред­ ставляет 'собой двухканальный усили­ тель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощностью 10 мВт на сопротивлении нагрузки 40 Ом. ИМС предназначеnа для ис­ пользования в переносной стереофо­ нической аппаратуре в качестве уси­ лителя головных стереотелефонов., При напряжении питания ниже 3 В соответственно уменьшается вы­ ходная мощность (см. рис. 2.25 а) и незначительно изменяется ток по­ требления (см. рис. 2.25 б). ИМС может работать на сопротив­ лении нагрузки менее 40 Ом, При этом выходная мощность возрастает (см. рис. 2.25 а). Зависимости основных параметров ИМС от режимов эксплуатации при­ ведены на рис, 2.25. Электричесuе параметры ИМС КФ174Н17 при 25±10"С и Uнл.ном=Э в· Ток потребления 1пr:л' мА, не бол~" .. """ ".:.. .. . . " .. S Коэффициент усиления по напряжению ~и· дБ, 1 на частоте 1 кГц. не менее".................... " .. ".................................................. 20 Коэффициент рассогласования стерео­ кана.11ов по усилению Красс' дБ, не более..."".. " ...... "..... """""........ """" .... "............... ".. " .... 1 Напряжение шумов Uш, мВ, не более.. "."..." .. """............ """...... ".""."...... " .............. 0.06 Коэффициент гармоник ~ %, при Р••~х=lО·мВт, /=1 кГц. не более............ " .. . .. .. " .. 1 Вь1хо8 канала 2 15 .. .. 71/. of;щuu канала 2 - ~ 13 ин6ертирgющиu 6xod канала 2 .... ~tZ Ин6ертирgющи.U 8хо8 канала 1 6- "" t7 05щuii. канала 1 70 9 BыxoiJ канала 1 Рис. 2.24 а. Расположение и назначение выво;~ов ИМС КФ174УН17 51 i.
..-JB С1 +С2 ~щиu f,1м:roo~1e><f,.J8 вхоi1 CJ 1м1t .... 1 R5 21< +сн R6 1211 '117U1<" 6,'8 R7 221< '---i~-·-iн R10 100 С11 ZООм1< "6,38 + RB 2к ~6 ч,7м«" 6,J·B ~' - 2.24 б. l)rлщJая ~х~~~ включеНИR ИМС КФ174УН17 Рис. 2.25 а. Зависижх:ть макси- ма.~ьной выходной МОIЦНОСТИ от на- пряжения rurтatDUI при коэффмцt~енте ~ 1---+---+--~'"--~<----.14~-.....,.--_.. гармоник 10 %, сопротив..1ении на- грузки 16 и 40 Ом ДЛJ1 ИМС КФl 74УН17 ЧfJ l---~--_....-~IJ-_..~-----1---....;.....+---8 Iпот1МА 5 ч '• j z 1 z 3' liv•.•,1 ,,." . 2 .. " '~ ~. Рис. 2.25 б. Замсимостъ тока · потребле' от H8ПfJIЖCHИJI ПИТАЩ!Я Д.ЛJI И.МС КФ174УН1 ' { ~1,"'..... . с· . · iJ~.l :aik~ ·./. ."'~. Kr: о,б 0;4 О,2 D фм пр то· вы пр И1 2- lia Вх, Со1 cr;
L. Kr, о,б о;ч o,z 1 О/о ~ о 20 '~~ ...... """ ... ш~ 100 Рис. 2.2S г. Зависнмосn. коаф­ фИ1.1J1еНТ1 ослаСМСНИ11 вхщык на­ пряжений меж.~tу каналаМll от чае­ тоты при напряжении ПИТаltИll 3 В, выходной мощности 16 мlk и оо­ противлении наrруэки 40 Ом N1JI ИМС КФ174УН17: 1 - Rr=O; 2 - Rr=oo о -~ - еж, r'.дБ 60 i,..."" I• 40 - 20 о 20 Рис. 2.25 в, З!tвисимость коэффиЩ1ента гармоник от частО1ГЬ1 при напряжении пита­ ниж 3 в. IЫJЩl\НОЙ мощности 10 мВт и со­ ЩЮТJIВЛСНИИ нагрузки · 40 Ом дт1 ИМС КФ174УН17 i. 1-- " ....... .1' ~ 2, .... ~~ 100 + 10 t;Гц ·'' ~~~ ,... ",..._~_ Рис. 2.25 д. Амплиrудно-частотная характерисП!Ка при частоте 20 IЦ. ..20 кГц, напряжеНЮI питания 3 В, выходной мощности 10 мВт дт1 ИМС КФ174УН17 2 v 1..11< 30 100 Предельные эхсплуаrациоиные параметры ИМС КФ174УН17 Напряжение питания Uи.п• В"""...." .. - .. . .. .. . •. . 1,6."6,6 Входное напряжение Uar мВ, не более··········································-·································150 • 1 1 тель мощности звуковой частоты с номинальной · выходной мощностью. 1 Bjr при сопротиВ.лении . нагрузки 4 Ом. Предназначена для переносной стереофОИ'иЧеской 'аtшараТурЬ1, - уста­ навливается только на теплоотвод. ~ COC"FaB схемы усилителя входят: предварителыtый усилитель канала А2(А4), упр~вляющий каскад АЗ, ИМС :К174УН18 (рис. 2.26) пред- предмощ11ый управляющий. каскад стаВJU1ет собой двухканальный усили- А.5(А6), мощный каскад , AJJ(Al2), \ " ' '\ . "',t Соnративление нагрузки Rи, Ом, не менее......;..........................•............................................ 30 1 1 '·1 "~('_>',"~~'l.'i<...:'.. ~.'.t;,·',,,.j·\, .... ~ , ,}::..,t-!,'·, ,~ r.~' .~•;;, • .1 ':<1.!> 1 1' 1>1..Jt,.:.:~··1''.s!i 0 •,'_:~.ц... .: ' ... ~·~ !..l~~-A·JM' 1
15.-.---...... 10~+--i 6 5' 12 13 Al !---+----!~· 7 ..- ---- 4-- -17 ....----!--'!• 111 Рис. 2.26 а. Структ~рная схема ИМС К174УН18 оьщиu канала 1(сильноточный) 1 оБщи.u канала 7 (сАа6оточны/l) 2 Выход 1 J + tlм n мощно~о 8ыхоiJного каскаоа 1 11 вольтооьа6ка 1 s 1<.оррекци11 1 6 Аелитель ООС 1 7 111) 6xoiJ 1 85: + tlм.n nреiJмощных каска'i1о8 ::. , ' .: :f- Bxoi 2 " 10 ... ::.: ,/J.,tлитель оос 2 11 Коррекция 2 12 8ольтiJоБа6ка 2 13 +llн.rr мощного 6ыхо0ного каскаilа 2 711 BыxoiJ 2 15 оощиu канала 2 (сла6оточный) 76 оощи.u канала 2 (сильноточный) 17 Рис. 2.26 б. Расположение и назначение вы­ водов ИМС К174УН18 цепь отрицательной обратной свя А7(А10), защита выхода от пере · зок А8(А9) и тепловая защита Al. . Допускается эксплуатация при ниженном напряжении питания, .1:1 этом соответственно уМеньшаетсЯ · . ходitая мощность (см. рис. 2.27 r). : '1, ЭлеприЧесuе rU!рlщетры ·~Мс Kl 74УНt при2S:t:10"CиU , =9В и.п.ном Коэффициент уСИJ1е1ЩЯ no напряжению К,,и• дБ, на частоте /=1 кГц.:".:"".. " .. " " .. . :42:, КоэФФициент гармоник Kr, %, при · " Pa•ix=l Вт И Rи=4 Ом, не более"... ""....... "~~-.; Коэффициент рассогласования стерео- · каналов по усилению Красс. дБ, при Раых=l Вт, не более"""".".. " "" . "" " .. """"" """.. , '"
свя 'е 1" ..:42. ";. ······~~· " .... ".", '• +98 С2 100мк х 158 + о~щийf с1 I О)мк С13 С3 IJA1 K1lЧYHlB , 2200мкх 108 .... ...;:~-----1j 1-+- - -1_.. .;lJ:;,.,i t>М 3 С5 100мкх 108 + выход 1 вxoil 7 7мк х 158 t--9 -1 q. 13 С7+ Fc 12 1оомкх108 ч10 '---' - - -L.;..;FC;..i 11 +Н С1). С8 10Омх х1ов I 3~00 Bыxoil 2 R2 1 С16 I о,1мк Рис. 2.26 в. Типовая схема вк.1ючения ИМС К174УН18 1 Ua, 8 2,0 1 1,в 1,s 1,'1 о,ог 0,1 10 ',кГи, Рис. 2.27 а. Амплиту;tно-частотная харак­ теристика при напряжеНЮ1 пиrания 9 В, входном напряжении 10 мВ и сопротив.1еНЮ1 нагрузки 40 Ом для ИМС Ю74УН18 Предельные эксп.дуаrационные параметры ИМС К174УН18 ~аnряжение пиrания ии.п• в".. """""" ."""" .. " "5 . "12 ок потребления / _ мА, при U =О и Пv• П' М и.п=12 В, не более"".""."."""."""""""."""."""25 аксимальная выходная мощность 1( рвыхтаж• Вт"""""""".""""".:"."."."""""."".""".""."2 0:ЭФФициент гармоник ~ %, при рвыхтаж=2 Вт и Rи=4 Ом, не бо.лее.""".""""."......."..."" ......."..."""" ........ """""" .... 10 1 Кг, D/o ~о 2)0 0,11 о, 4. 0,2 \ \ Рис. 2.27 б. Зависимость коэффициента гар­ моник от выходной мощности при напряжении питания 9 В, входной частоте 1 кГц. сопротив­ леНЮ1 нагрузки· 4 Ом для ИМС К174УН18 Напряжение шумов Uш• мВ, при ии.п=12 в, не более."."."""""""""..... ". " " .. . ~"". :". Входное напряжение Uп' мВ, не более."""""""""""".""""."""".""".".""""""""""".5 Сопротивление нагрузки Rи, Ом, не менее"""".:"""."."""""""".""".".""".""".""""".".~.з.
11, •1. 601----+---1---......----i Рис. 2.2/ В. Зависимость ' КПД . ОТ ВЫХОД~Й мо1Ц1ЮС111 при напряжении , питанюr 9 В, вход­ ной 'fаСТОТе 1 кГц, сопро1'Н8ЛеНЮ1 нагрузки 4 Ом дпJ1 ИМС К174УН18 Rax, и.Ом ::=1 11 l=lllllJ1=11111111 0,1 1,0 , z Рlнхтох, 8т 310 1,s · 1,s~-1--_...--+-~ 1..___.,____.._ _.__~ S" ·7f N и•.",& Рис. 2.27 r. Зависимость максимальной ходной мощнОС111 от напряжения питания входной частоте 1 кГц и оопро1118Лении наrр ки 4 Ом дпJ1 ИМС К174УН18 Рис. .2.27 Д. 3аввсИ!llОСТЬ ВХОДIЮГО СОП ления от чаСТО'l'Ы входного с11111ала при в . ном на{!ряжеНИИ 10 мВ и напряжении 9 в д;и1 имс К174УН18 s "· '· "r Рис. 2.28 ':- Фу~наir.ьнаJI схема ИМС К174УН19 ' •' ИМС К174УН19 (lrиc. 2.28) nред­ ставляет собой усилитель мощности звуковой частоты с номИнюiькой вы­ ходной мощностью 15 Вт на нагрузке сопротивлением 4 Ом и предназна­ чен для применения в высококачест- 56 , ••: !~('",' •t 1.... •' ' венной звуковоспроизводящей и ВИЗRОННОЙ аппаратуре. имс жит источник ror<a Al, входной ференциальнwй касющ А2, верторный исх.ад АЗ, каскад те вой защиты .А4, касuд форми "~· . 1"'lf.i 'r .~;,;,:. " · 't....c.'lr~...U11.t·
Рис. 2.28 б. Принципиа.1ьная схема ИМС К174УН19 j:. 5 V.08 R8 .J flеиндертир!JЮЩцЦ 8xoiJ Индерmи.р~ющш1 дxoiJ 1. 2 J 4 5 1 Рис. _2.28 в. на.~.ачение выводов -U".n 8ь1хоа +Uн.n -и" n имс Jа'74УН19 V.01 КД208 . V.02 •. · кдzоа .' ' ___ ...__.._......:./5+{/ 8xol • 1( Рис. 2.28 r. ТИповая схема вк.1ючения ИМС 174УН19 с двухполярным источЮlkом питания f RJ 2N С7 2!" 'нt · t> '· 1 zzн - -c : >--if<- . R+ 22к, 8Z. .IIJ,22мк R2' . .·.' 1 680 +с6 J: ZZмк • 1ti8 '~;1-' ;.. "' 8ь1хо8
С1 1000мк 1t508 С4 22мк•Z58 VJJ1 1(,4 .208 VJJ2 КД208 5 .-.~-4~..__...;::.,i._~..;..iФU 8xoiJ CZ ~i-;.+__.__~ 1мкх2sв 2 t> JJA1 К174УН15 8ь1xoiJ • Н5 15к СБ н 7 ZОООмкх2sв 1 С7 -c:::r--11 -: Н6 150к 10 I D,22мк Рис. 2.28 д. Типовая схема вк.1ю.чеНИ11 ИМС К174УН19 с однопо.1ярнЫ)1.1 источником питания ........ ,вт Z+. zo1-....L..---1~..__--1_,,,:.&-...,j 16 1-..J...--&-'-+-..д.-+--'< 1z1-..J...---1~"'---1."-.--...,j 81-....L..--'1~"'---i-+-...,j t,.i.......q,..o!::....i.---1~+--+---I r8 !:10 !12 !:14 и. noB Рро.сс 1 Вт н 201--+ -_.___-+ - ~ - + -. ...t-+--t-~ 1s1----1----1~..___,.,~.io..._.__.._-1-__.- 1z1--+-~::o....'=-+---t~.P...4-4rl-+-~ дl-+--+--+-+......;::j'-'"+.-:~..+::i~~ t,.1-4---1~+--+~+--+-P.~~~~ ~o-zoо20•о60во 1001zo т,•с Рис. 2.29 а. ЗависJNость выходной :мощности от напряжения питания при раз..~ичных значени­ ях коэффИUJiенТа гармоник .:1.1я ИМС К174УН19 Рис. 2.29 б. Зависимость мощности рассс ния от температуры ;~ля ИМС К174УН19 58 /J/(IJ• о -1 -2 1 U1АБ -J 10 ~ / """ ": ~ !.~ ..... .... " 104 J·104 f, Гu, Рис. 2.29 в. АмrLlИТу;~но-частотна.я характерис'JЮ(а ИМС К174УН19 'i
!НИЯ ,•с ра 119 l<r О,'1 O,J 0,2 0,1 1 7 О/о --. . о 10 """"'~ j / Jv 1111 1 111 104 3·104 f,Гu, Рис. 2.29 r. Зависимость коэффициента гармоник от частоты цля ИМС К174УН19 ния тока покоя А.5, схему защиты от короткого замыкания А6, двухтакт­ ный выходной каскад А7. ИМС уСтойчива при тепловых пе­ регрузках и не выходит из строя при коротких замыканиях в нагрузке. Зависимости основных параметров ИМС от режимов эксплуатации при­ ведены на рис. 2.29. Элепричесхие параметры ИМС К174УН19 при :ZS±IO"C и lfи.п.иом=±IS В Ток -потребления 1паr' мА, при R =4 Ом, не более."....".........•......,.........•.." ..........65 и . Выходная моnщость РВЬD!! Вт, при Rн=4 Ом, К).u=ЗО дБ, /=1 кIЦ, К,.=10 %: . не менее....•." .........""........ " ..".""..•" ................ 15 типовое значение..." .......".... ,"."" ............ "".... 18 Выходное напряжение U__. В, при Rн=4 Ом, /=1 кIЦ: U8 .n =±16,S В, Uu=235 мВ".".".".. " .. . 7 ...7 ,9 U8 .n=±12 В, U.,.•17S мВ, Т=-10...+70"С..........." .....""...."••"."..." ...." .. 5...6 Выходное напряжение покоя U"ых' мВ, при Uвх=О, R.,=4 Ом, не более""......" .......... ±20 Приведенное ко входу напряжение шумов Uш.вх• мкВ, при ~=~ Ом, не более.. "....""..............." ..."......""."..:"."..".".".....,.10 Коэффициент усиления ·напряжения Куи• дБ, при Uвх=200 мВ, /=1 кIЦ, · Rн=4 Ом."......" .. ".......... " ..... """.." .. "...... " ....... " .••..... 30 Коэффициент гармоник :К,.. %, при Rн=4 Ом, /=1 кIЦ, не более: Uвъ~х=О,632 В, Рвъ~х=О,1 Вт...........: .. . " .. .. ".0,5 UВ>D.=7,74 В, РВ>D.=15 Вт"............ •. .... " ... "10 Коэффициент подавления пульсаций нс~ точника питания ~од' дБ, при ~u=ЗО дБ, /=1 кIЦ, Rн=4 Ом, не менее.." .....".".....""........ """.. "..... " .... " ..... "."."..•" ...... 4( Входное сопротивление R""" кОм, при: двухполярном напряжении ис- точника питания ±15 В""".. " .. ". "". "." ". .. . 2( однополярном +зо в""".... ".""."."" .. . . . . ". 15( Температура кристалла Т"' 0С, при срабатывании схемы тепловой защи- ты.....""" .."...... """ ...""""".""."...".."." ...":.. "......... +14S ПредеJIЬные эксп.пуаrационные параметры ИМС Kl74УН19 Напряжение пиганюt Uв.П' В: двухполярное.... ".."""...... ".......... "."". ±6...±18 однополярное"""....•"." .. ,.... " .................... и".36 Максимальный выходной ток 1вь~ А .. """"" ... ".3,5 Максимальное выходное напряжение Uвых' B"".... ".".... " .. "".".... :.".".... "".".... "±(Uв.n-1,S) Минимальнное ~ротивление нагрузки · R.,. Ом.".. "........ "........ "."..... " .. "." ... """.".... " ....... "".3,2 ИМС Kl 74КП1 -(рис. 2.30) пред­ ставляет собой двухканальный ком­ мутатор аналоговых сиmалов на че­ тыре положения с электронным уп­ равлением, предназначенный для коммутации низкочастотных сиmалов в стереофонической аппаратуре. · В состав схемы входят усилители входных сиmалов Al...А8, электрон· ные коммутаторы аналоговых сигна­ лов Sl, S2, общая схема управления их переключением АJЗ, стабилизатор напряжения Al1 и источник н·апряi жения смещения Al2. 59
Рис. 2.30 б. Расположение · ·' BxaiJ 1А и назначение ВЫllОдов Вхоа 18 2 ИМС К174КП1 Вход 1С • J· Вход 1D " Bxtn1 2А' 5 Вхоа 2в 6 11} 77 12 g 16 15 · - ," i::: :::.:: ," ~ с--.. 1Z :::.:: 11 flиc. 2.30 а. Структурнu аема ИМС К174КП1 ОощцU. Выкод канала 1 . +Uи.n }Упр~Вление 6хооами ': Bxod 2С 7 10 Выход напряженшr смеше 8хад 20 ~ 9 Выхаа канала 2 + 1SB Ct 50мк х 2S8 R1R2R3RIJ~5.RБR7R8 + OfЩUU I · С10'10Омк х 258 + I DA К17i1КП1 Вход 1А 1 ----- В~оа 18 .___._~~--1---1~1--~.+----.....12 lA SWT " j78 ~в~~о~д_.1с.._• . _.- : ..: . ___._-+-- 1--1~~+- -~...., .;;..~ч tc 8400 \ 1D t,.;.;;; ....o ... .___,._- + --+ _..- 1- - - - -; ..i 1D Вход 2А '·; S ~ .__________.._.. _ _. _ _.___ ___._.2А BJDд 28 i..=.,::_.._____.._" -- _, ____..;6:..t 28 вхад 2с 7 с ..,_.;...;.,..,.___.,......____..._-+-----....zc ~в1~а~а_,;;2~D-~~-=----------+-----,-8~ 2в ·'\ . " ~ 1 _"' - ' С2-С9 0122~, . R1- R8 470кОм Рис. 2.30 в. ТИповая схема включеНИJI ИМС КI74КП1 '•. , .~ ~' .. 'llr, .,:,,;!"•~J'\..~' .rl \
еше 1 Допускается эксплуатация ИМС при снижении напряжения питания до 6 В. При этом соответственно сле- дует уменьшить амплитуду коммути­ руемых аналоговых сиmалов. Значение переключаемых аналоrо­ вь1х сиmалов (двойная амплитуда) не должно превышать напряжения источника питания микросхемы. Для коммутации входных сигналов на уп­ равляющие выводы 11, 12, 13 необ­ ходимо подать напряжение в соответ­ ствии с табл. 2.2 . Переключатель Sl коммутирует входы ханалов· также соответственно данным табл. 2.2 . Э.~епрические параметры ИМС К174КПI при 25±100С и Uи.n.иoм""IS В Ток потребления Irrm' wA. не бо/Jее"."""""." .. . . " " 5 Коэффициент уСJЩСИЮI РО напряжеюоо К и• дБ, не менее""""""""."."••..... " ...• " ...." .. ". -2.S у ' Коэффициент ослаблеНЮI aD1Wl8 с~ смежного вхо;~а одного ' канала Кп.в.~~ дБ, при fв."=1 кГц. Rr=47 кОм, не менее.. "....".. """""...."".".".. "."... "."... """"."""."...... 60 Коэффициент ослабления сигнала со. смежного канала Kn.x• · ;~Б, при j"'=l кГц. Rr=47 кОм, не менее."" ... :"" .. ""."7 0 Коэффициент гармоник Кг, %. при и.х=З В, f""=l кГц, не бо.1ее.."."""."."""""".о,1 Отношение сигнал/шум. дБ, при ив.,=1 В, R,=47 кОм, не менее ..".... ".""""".".97 Выхо;~ное напряжение шумов Uш.аьа' мкВ. при Rг=47 кОм, не бо.~ее"""""".. "" ". "". " 5 Неравномерность АЧХ, дБ. при /=0,02...20 кГц, ив.п=б".23 в. не бо- .1ее ····························~·······•··········~·······:............................ 0 ,2 Выходное сопрОТИllJJение 1 , .Rаьа• Ом """" . ".. " ":" " ." ."" " ". "," " ." .. "i"".": .. "."".".~.350."450 l<оэффициент , ослаО.,1еЩ1Я сф-на.1а со смежного входа ~дноrо канала Kn_; .,.. дБ, при t,;,,=10 кГц, Uи~=б."23 В, Rr=47 кОм, не менее."""".."н"" ..... "" "" "" ". ": - ". 46 l<оэффиwrент осла!5ления сиrна:tа ~о · смежного кafia.~a "fС.п.х• дБ, при /=10 кГц, Rr=47 кОм, не '!1.fенее.""... " " "" " " " " 66 l<оэффициент уqs.'lеНИЯ по напряжеюоо ~и· при Rг...о• Rн ...О!)".""."." ••••••• "."""."""""".""1 l<озфФициент гармоник к,.. %, при /"'0,02."20 кГц. u11 .n=6".23 в, не бо- "1ее .. " .. """.".".. """"""""""""".".. """"""."."... "." ... О,05 Та6Jшца 2.2 COCl'Ollннe ynp&a1111· IОЩИХ 8ЪlllOД08 ПодхпlО'lеН· ---,.,--....--,--! ИЬIС ""'°дЬI 11 12 13 1 1 1А;2А 1 о 18;28 1 о х IC;2С о хх1;2 1-15;5-9 2-15;6-9 3-15;7-9 4-15;8-9 Прнмечавве: Состоянию 'О" COO'rllemmly.. RШp>lll(eRRC 0...2 8, :1:. - з.з в".ин.п х - о в...ии.п Преде.льные э11:сWJуаrационные рараметры ИМС К174КП1 Напряжение питания Uи.п• В ." "." "". ". """". """ 6".. 2 3 Предельное постоянное входное напр~~- жс~, ·, иах.пред• на вь1водах. . l".8 ..."."~.." .•i.""".•""."""".""""•• """""."•••• -0,S."Uи.n' YnpaВJIЯIOIUee напряжение uynp' в, на выводах 11, 12, 13.""".""".""""""".""".••."."..0".23 Сопротивлеюrе нагрузки R8 , 11:Оы (вы- воды 9, 1.5), не менее."."..." ...."""""."."".""... ".4,7 ЕмкостЬ нагрузки С8, пФ, (выводы 9, 1.5), не более" .. " "" " ." " ". .. . "". "." """." """". """." .100 2.2, СЕРИI( KS38. КР5З8 Ансщоrовые интегральные .микро­ схемы серий К538, КР538 предназна­ чены для усиления малых электри:. ческих сиmалов от генераторов с низким сопротивлением в радионзме­ ритель~ой, цередающей, приемной и звукоусилительлой . ann~pa'l.)'pe.' Мик­ росхемы .выЩ)JЩеJJы на биполярных транзисторах с изоляцией 'диэлектри­ ком. Состав серии . ' ИМС К538УН1А,Б } мало- ИМС К538УН3 шумящий . ИМС КР538УНЗА,Б усилитель ИМС серии К538 выпускаются в круглых металл~еских корпусах 301.S - 2 с перпендикулярным распо- ~1
Та6лица 2. Напряжение Рабочий д118П8ЭОК Гаракт11рован· Гарактиро· Количество Номер ч Микрос:Rма питания, В -rемператур, •с кая наработка ванный срок элементов в iwpnyca на отказ, ч храНСНШI, пет корпусе 1<5381А,Б +15,0±1,5 - 40... +85 1<538УН3 + 6,0±0,6 -60...+85 КР538УНЗА,Б + 6,0±0,6 - 10... +70 ложением выводов, серии КР538 - в nрямоуrолы:1ых_ полимерных корпу­ сах 2101.8 - 1 с перпендикулярным расположением выводов. Номера чертежей корпусов и ос­ новные эксплуатационные характери­ стики микросхем приведены в табл. 23. ИМС К538УН1А, К538УН1Б (рис. 2.31) являются предварительными усилителями с улучшенными харак­ теристиIСаМи. В зависимости от значе­ ния шума К538УН1 подразделяются на группы А и Б. Усилитель постро­ ен по двухкаскадной схеме, что по­ зволило получить коэффициент уси­ ления не менее lOS. Входной каскад построен по диф­ ференциалЬной схеме на транзисто­ рах VT2, VT4. Питание на него по­ ступает через эмитrерный повтори­ тель VT1. Эмиттерный повторитель на составном; транзисторе VT8VТ9 служит для согласования входного и выходного каскадов. Ток этого эмит­ терного повторителя определяется VT7. Трацзистор VT12, активной на­ грузкой которого являются VTJO, VT11, ИJJвертирует сиmалы, поступа­ ющие с VТ9. Выходной каскад на транзисторах VTJЗ, VT15 и VT16 обладает хоро­ шей линейностью и позволяет полу­ чить коэффициент гармоник ·на пре­ вышающий 0,1 %. Транзистор VT14 служит дЛя защиты выходного каска­ да . от перегрузки по току. С по­ мощью стабилизатора напряжения, оцределяющего всю работу ИМС по постоянному току и постр<;>енного на обратно смещенных диодах V D2, V DЗ, улучшается температурная ста- 62 15 ООО 10 31 14 15 ООО 10 24 14 15 ООО 10 24 22 1бильность и уменьшается влиян · напряжения питания. Кроме то эти диоды понижают напряже коллектор-эмиттер транзисторов вх ного каскада. Корректирующий к денсатор Cl улучшает АЧХ ИМ Частmа единичного усиления И достигает 15 МГц, а приведенное входу· в полосе частот 0,1".10 кГц пряжение шумов равно 1,2 мкВ п коэффициенте усиления 500. Для нормальной работы усили предусмотрена внешняя обрат связь с выхода ИМС на эмитте входного каскада (вывод 5). Для вышения усrойчивости работы ус теля, емкость внутреннего конде тора обратной связи С 1 можно личиваrь, подключая параллел VT3 VTS vпо ) R1 vm VТ13 УТб VD2 VT1 VТ7 v RЧ. ' V.DЧ. R8 R3 R5 V.DS VI11 VI13 6 VTB С1 ../. 3 vтг 1# vтg 5 vтч. r," R2RбR7 VТ12 v Рис. 2.31 а. Принщmиальнаи схема и 1<538УН1А,Б ~..r ' .j, ,J<:rl~
(Q 2. ч пуса 14 14 22 ft:ЯH то 1Ке вх к им и ое 'ц ~п и >ат тте я rc це ) :ел v r," v и Выхоа Корре1<цuя 8ы8оо--..J Вход uн8ертuрующuй 8ход неuн8ертuрующuй Рис. 2.31 б. Распможение и назначение выводов ИМС К538УН1А,Б +7SB 500мк х 108 Cf./ . 10 '" Рис. 2.31 11 . Т'иповая схема 11ключеНЮ1 ИМС К538УН1А,Б внутренней емкости внешний ·конден­ сатор СЗ (выводы 6 и 7). Эдепрические параметры ИМС К538УНIА,Б при 25±10"С и Uн.п.ном=l.5 В Ток потребления /8rл' мА, не более""."".. """ ""... 8 Коэффициент усиления по напряжению ~и· при R8 =10 кОм, Uвых посr=7 В, Uвых А=2 В, /=20 ,Гц, не менее....." .............." ..""""....."............"".......""".10·104 Напряжение шумов Uw.вх' мкВ. приве­ денное ко входу при Xyu=SOO. Rr=SOO Ом, . д/=О,1 ... 10 кГц. R8 =10 кОм, не более К538УН1А """"""""""""""". .. . " "" " . .. . .. . """.. 1 ,2 К538УН1Б ".,"".~"""""".""""""".. """ .. .. . " " 0,85 1.J:астота едиНИЧноrо усиления /т, мГц, прИ R 8 =10 кОм, U»IXпocr=S В, не менее К538УН1А.".".""""".".. """.. .. .""""" ." . .. . .. . . ""15 К538УН1Б """." .. """""""""""""""" ." ."."" .... 10 l(оэффициент гармоник Kr' %, при Uвьvr. А=2 В. /=1 кГц, A).u=SO, не бoJiee""""".".. " .. """"".".""""."".. " ."""""""" .... "" 1 ." 0,1 Предельные эксп.пуаrационные парамеТры · ИМС К538УНIА,Б Максимальное напрJ1Жение питания ии.п. '"""' в."" ....."""".""""""""." ....... """ .. """"""".18 Максимальный ток нагрузки 1в ,,_ , мА"""""."".. " ... " ..""""""".. "."........ ""."...... """"".. ".".1 Максимальная амплитуда выходного напряжения Uвыж ,,,. . .. . В. при .' R8 =10 кОм, /=20 Гц""".. " ... ".".. """... "".(U8 .0 -3) Максимальное входное напряжение и"""""'' в""""".".".""".""""""""""."".. "". . : .. . . """.о.з ИМС К538УНЗ, КРSЗ8УНЗА КР538УНЗБ (рис. 2.32) представляю собой малошумящий. усилитель1- рас считаннь1й на работу с низкоомным (сотни ом - единицы килоом) нс точниками сиmала.- ИМС I<538YH отличается от ИМС КР~38УН3.. типо . корпуса и нумерацией выводов (дл КР538УН3 на рис. 2.32 а они .указаны в скобках). , Усилитель состоит из входного и предоконечноrо каскадов усилителя 63
Vl11 R2 R3 VD2 Vll.3 Vl1Ч VD5 Vl16 3(7} Ц{8) 6t1D) 519) О6щий Фильтр Pez1J11upo8кa козффици- 1нта gси11ения LQ 13 +lJм n 3~~!.? :t: · ч ::... 11 1О 5~10 С1. 6 "" g KopptKЩJ.Jf 7 IJ RB 1/3} vтч R10 8/72) vтs vтв 7(11) Рис. 2;32 а. Принt1JЦ1ИаЛьная схема ИМС КS38УН3 .+v•." KoppeКJJ,UR . Вход +U• .n выхоо 7 О6щий KoppeкqUR 3 6 Фильтр Корре1щш1 вхоD • 5 PelljЛUpD8К/J б111xoiJ козффици1нта о6щий усиления Фильтр Рlzулиро6ка козффицц1нта усиления . вход ;i . . Рис. 2.32 б. Распо.10Жение и назначение JW80AOll ИМС КS38УН3, 1СРS38УН3А.Ь " +68 '· С1 D~uti · T_ ·o,,t"1t • ' 1:L . JAf'. UJfjN.J BxDi Cl+ 1 &.11tм ..."-----111i..;...--•o1·с. м ~~' ~----............." 10МIС>С 10/J +.CJ I 6,,,, .1 Jt101 Рис . 2.32 в. Типовая схема включения ИМС КSjSУНЗ . ' ; ''~· ,.' ~-·•\ .~....... .~ '.'•' .. ... '... -··~"-· . ' ,,,.,, .. \ v .· ~~.:1~.il.- 1.. ,, .1 . ". ' 1. 3
;i J +68. О§щuй Ct ...,""'"""_,..l017Sмl( DA1 KPS3BYHJ cs . .,8 1 x...D _u ___" 1 ...+ _ _,в... с. м ...1_2 _ ___ 1 __ в_ь1х_оf.,. С2 1MI( S'иr х 108 СЦ 68 +CJ .:i:, SОмк х1ов Рис. 2.32 г. Ткповая cxewa llJСЛЮЧСНИЯ ИМС КРS38УНЗ +GB С1 +С2 о&и.иu ТD,15мкlsомкх 1ов .,.. .,_. __:L" JJA1 КРS3~!/НЗ6 ~хм 1+ t>M ...1...;.z_._. _ __ _ _~'fB/JIXO: "' 5мкх158 1мк cs ", Рис. 2.32 д. Вариант вк.mоченкя ИМС КРS38УНЗ напряжения, выходного каскада уси­ ления тока и стабилизатора наn'ряже­ ния питания усилителя. Входной каскад выполнен на тран­ зисторе VТЗ, включенном по схеме с общим эмиттером. Следу~qщий кас­ щ - эмиттерный повторитель на транзисторе VT4 - позволяет сохра­ нить высокое усиление входного кас­ kЗДа, так как не шунтирует его на­ грузку. Далее, .с нагрузки эмиnерного nовторителя резистора R7, сиmал по­ ступает на транзистор VT5, включен­ lfый по схеме с общим эмиттером. Резистор R9 является его коллектор­ lfой нагрузкой. К ней подключен вы­ ходной каскад - эмиттерный повто­ ритель на транзисторе VT7 с актив­ lfой нагрузкой на VT8. Транзистор ~Тб и резистор RJO служат для за­ Щиты усилителя от коротких замы­ tаний. Для питания входного каскада уси­ Jrителя стабилизированны,м нцпряже- 3 Зак. 0 926 ''' · ·t ·\i<·•;:-,\,,i,, ·•'т<'·У.·,,, , \' ' rtl'· нием исnользуется внутренний стаби­ лизатор (на диодах VDJ".VD6 и тран:шсторах VTJ, VT2), питающий базовую и коллекторную цепь транзи­ стора VТЗ. Ко~ициент усиления (100..,300 при полосе пропускания до 3 МГц) стабилизирован цепью внут­ ренней ООС. При необходимости цепь ООС можно ·отключить, соеди­ нив ВЫВОДЫ 5 (9) И 7 (JJ). В ЭТОМ . случае коэффициент усиления возра­ стает прв:мерно до 3000, а полоса пропускания сузится до 200 кГц" Приведенное ко входу нормированное напряжение шума при сопротивле­ нии источника сиmала 500 Ом 2 нВ/Гц. Линейный· усилитель (см. рис. 2.32 д) может быть использован в ка­ честве предрарительного в различных радиотехнических устройствах. Диапа­ зон его рабочих частот 0,01".100 кГц при неравномерности АЧХ на краях диапазона не более ±1 дБ. Оrноси-
2.3 . СЕРИЯ К548 · тельный уровень шумов превышает 78 дБ. Максимальное неискаженное выхоμное напряжение - не менее 1,6 В. Коэффициент гармоник при Серия К548 представляет собо амплитуде выходного сиrнала 1 В не комплект аналоговых ИМС, предназ· превышает 0,2 %. Коэффициент уси- наченных для высококачественно ления по напряжению можно реrули- низкочастотной студийной и бытово ровать в пределах 150.. .500 (при радиоэлектронной аппаратуры, а так. уменьшении сопротивления подстро- же для усиления малых электриче ечного резистора Rl он возрастает, а ских сиrналов от генераторов с ни при увеличении снижается). Емкость ким выходным сопротивлением. конденсатора С.5 выбирают в зависи- · Микросхемы выполнены на бип мости от требуемой полосы рабочих лярных транзисторах с изоляцие частот усилителя. Конденсаторы С2, диэлектриком. СЗ устраняют паразитную связь 1 по цепи питания и являются переход­ ными. Если объединить два таких устрой­ ства, получится стереофонический предварительный усилитель ЗЧ. Что­ бы . регулировать стереобаланс, между выводами 9 микросхем включают переменный резистор сопротивлени­ ем 470 Ом, движок которого соединя­ ют с общим проводом. Э.1ектричес~mе параметры ИМС К538УНЗ, , КР538УНЗА,Б при 2·s±I0°C и Uи.п.ном=6 В Ток потребления / пот' мА, не более.......... " .. .. . . " ." .5 Коэффициент усиления по напряжению ~и· при Rн=IO кОм, /=1 кГц, Uвx=l мВ, не менее ИМС К538УНЗ ........................................50 ООО ИМС КР538УНЗА................... ".......... 200 ...ЗОО ИМС КР538УНЗБ... ".. ""........".......".100".ЗОО Напряжение шумов, приведенное ко входу Uш.вх' мВ/Гц, при Rг=500 Ом, Rн=10 кОм, Uвx=l мВ, не более""".. """"""""5 Предельные эхсплуаrациоиные параметры ИМС К538УНЗ, КР538УНЗА,Б Напряжение питания Uи.п• В.. """""":···········""5".7,5 Входное напряжение U , В, не • 8Х более...........:·······" ..." ......"" ....." .. "." ....... "" ..... " .. " ... ".0,2 Ток нагрузки 18 , мА, не более .. " ....."." ..."" ...""."."2 Максимальное выходное напряжение U»а тах' В, при Uв.х =1 мВ, Rи=2 кОм, ~=10 %, не менее ·имс КSЗSУНЗ."..." .."."."..".".".".............".0,5 ИМС КР538УНЗА""....".".. "...".......... ".. "... О,5 имс КР538УНЗБ""........""................. "."."о.з 66 Состав серии К548УН1А,Б,В двухканальнь малошумящий усилитель К548УН3 - малошумящий усил тель дл.я слуховых аппаратов 1 ИМС К548УН1 выполнены в пр моуrольном полимерном корпу 201.14-1 с перпендикулярным расп ложением выводов, ИМС К548УН3 в прямоугольном полимерном корп се 4153.12 - 1 с параллельным расп ложением выводов. Номера чертежей корпусов и новные эксплуатационные характер стики микросхем рассматриваем типов прИJilедены в табл. 2.4 . 1 ИМС KS48YH1A, КS48УНЖ К548УН1В (рис. 2.33) представля собой двухканальный малошумящ усилитель, предназначенный для у . ления низкоуровневых сиrналов. ботают от однополярноrо источц питания напряжением от 9 до 30 имеют внутреннюю компенсацию';, защиту от короткего замыкания; . зависимости от значения ш : К548УН1 1 подразделяются на rруЧ А,Б,В. · '~ Оба предусилителя в схеме а · лютно идентичны, имеют внутренн прецизионный стабилизатор в ц питания, уменьшающий влияние · стабильности источника питания ·: 120 дБ и обеспечивающий разделе между каналами в 60 дБ. По срав нию с операционным усилител ИМС, выполняющая функции пр
Таtiлица 2.4 Номинальное Рабочий днапа30В Гарантирован- напряжение те'V!ператур, 0С ная наработ!<а питания, В на отказ. ч 12 -45."+70 25 ООО 1.3 - 1 0".+70 15 ООО VD1 1(tlf) Гараитиро- ваинъ1ii срок хранения, лет 12 10 9 Ко.пичество элементов в корпусе 62 40 6(10) ~9 7(8) VT16 Рис. 2.33 а. Принципиальная схема ИМС К548УН1 (оцин канал) Вхоа не1.1.Г18ертирующий. 1 Вход неин8ерти.рующиii. 2 Вхоа ин8ерти.рующий 1 z 13 Вхоа и.н8ертирующиii z в111доа 1 3 12 8111800 2 05щui1 :z:: - Коррекция Z li:n11 Коррекция1 "" J<орреки,ия 2 s ""' 10 i.., Коррекиия 1 6 - з +Uм.n выхоа 1 7 8 Выхоо 2 Рис. 2.33 б. Распо.;южение и назначение выводов ИМС К548УН1 j;1• • '. Номер· чертеzа корпуса 3 33
+12В IJA 1 l<SЦBYHfA Вхоа 1(14) " t>M С1 ~22мк 3(12) +и ~) ov R1 2,цк Iсз О;f мк 7(8 з ц i:=:::J R3 Выкод Рис . 2.33 в. ' ТИповая схе включеКИJ1 ИМС К548УН1 ~R2I С2 + 12б DA1 CJ К5118УН1А Iо,tмк j Вход 1(14) 7(8) в " t>M С1 9 Рис . 2.33 r. Малошумящая схема ВКЛЮЧеИЮI ИМС J<548YH1 о,22мк 2{1J) +и ov ,,. . +128 R1 2цок, R3 cs DA1 I 0/МК С1 О,22мк J<SlfB!IH1A ... в"х_оа-.---н---_;_1(:.;.1ц..:.;)-1 t> м 1--11_в_J-1---в"ь_1х...;о_iJ R1 Ч7к 2(13) R2 R3 С3 21/-0 2ЧОк + С2 . rомкх 108 RS 1,2м 1000 усилителя, имеет существенно мень­ ший уровень шума, цля ее питания требуется однополярный . исто:'lник напряжением 9."30 В со значительно менее жесткими требованиями ~ ста­ бильности напряжения и уровню его пульсаций. Кроме того, из-за внут­ ренней коррекции, обеспечивается ус­ тойчивость рабо·rы усилителей при глубокой отрица-rельной обраmой связи. 68 11 ,., ' ,/' '\ 1 Р~к. 2.33 д. Пред усИЛJП'ет.-ко тор ДЛJ1 маnоtтной головки звуж мателя на ИМС Ю48УН1 . · ~ ' ~· Принципиальная ·сх~ма од~ " нала усiμtителя (по схеме он rичен микросхеме К538УН1) по на рис. 2.33 а. Он состоит из в ro и предоконечного IеасJ<адов )'! ния напряжения, выходного усиления тока ,, и стабилизатора · пряжения шпания усилителя . ~ · Входной каскад построен по ференциальной схеме на транз рах VT2, VT4, работающих при ~
схе I1 в ',!' 1 1 +1ZB Рис. 2.33 е. Уси.1ИТе.1ь воспроизве- дения д.1Я магнитофона на имс JJA1 I С5 К548УН1 о,tмк С1 О,22мк К5Ч.ВУН1А 8ь1ход 1( 1Ц.) 7(81 r>м 2(13) С3 120 RS" бdО R2 2ЧОк Rб zq.o R1 RЗ RЧ.* Е1 21< 21< lJ.lк С2 + сц. I2мкх1ов I 2frfl( )( 108 +128 сц. IlA1 I О,1мк Cf 022 1<5Ч.8УН1А ' 1( 1ц.) r>M 7(8) Рис. 2.33 ж. Усилиrель записи д.lЯ мanurroфoнa на ИМС К548УН1 вм лых коллекторных токах, а следова­ тельно, и с минимальным коэфф~­ циентом шума. Причем, если требо­ вания к уровню шумов не очень же­ сткие, то транзисторы VT2, VT4 мож­ liо использовать в дифференциаль­ Rом включении. В этом случае вход­ liОЙ сиmал должен поступать на базу транзистора УТ4, а сигнал обратной связи на базу VT2. Если , жела­ tельно иметь более низкий уровень IUумов сиmал обратной связи nодают в цепь эмиттеров транзисто­ ров VT2, VT4 (выводы J, 12), а базу l'ранзистора VT2 заземляют. При :этом из общего уровня шума исклю­ 'iаются шумы этоrо транзистора. Rif 3бк RЗ С2 С3 Z/+к II 1< ГСП чтОбы исключить шунтирование входного CJtmaлa делителем R4VD4VD5, смещение на базу тран· ЗИСТQра VT4 подают через ВЫСОКООМ· ный резистр R5. Шумы последующе­ го каскада не влияют на коэффици­ ент шума всеrо усющтеля, если ус~­ ление первого касща достаточно ве­ лико. Для этого в ~оллекторную цеп'ь тразистора VT4 включена достаточно высокоомная нагрузка , - реЗJtСТОР RЗ. Следующий каскад· - составной эмиттерный повторитель на транзи· сторах. VT8, VТ9 - позволяет сохра· нить высокое усиление входногр диф· ференциальноrо каскада, так как не шунтирует ero высокоомную нагрузку. 6S \ . 1 1 ' ·" '; 'tl..' _... . }!.>( ~ "~.:t - . 1 J.," , 1.t1~ ~.- ,J \.,,.. ·"- " :. ~, ;-J~~lit-j\~~.,
Uвыхmах1 В !О 8 6 4 z \ 1\ "r-. о 101+ 10s 106 f,rц Рис. 2.>4 а. Зависимость максима.1ъной амп­ .1и~уды выходного напряжения от частоты при напряжении пи~ания 13 В и коэффициенте гар­ \Юник 10 '7с для ИМС К548УН1 101 ~ ,......_ ... .. ~ 10 102 103 10'+ f,Ги, Рис. 2.>4 в. Спектральная п.1отность напря­ жения собственных шумов усИ.JIИТеля для ИМС 1<548УН1 Далее, с нагрузки эмиттерного по­ вторителя резистора R7, сиmал по­ ступает на транзистор VT12, вклю­ ченный по схеме с общим эмитте: ром. В ero коллекторную цепь вклю­ чена активная нагрузка, состоящая из транзисторов VT10, VT11. Между коллектором VT12 и базой VT8 включена небольшая корректирую­ щая емкость Cl, придающая устой­ чивость усилителю при охвате его глубокой ООС. К нагрузке транзисто­ ра VT 12 подключен выходной каскад составной эмиттерный повтори­ тель на VTJЗ, VT15 с активной на­ грузкой на VT16. На транзисторе VT14 и резисторе R9 выполнен узел защиты усилителя от коротких замы­ каний в цепи нагрузки, ограничиваю­ щий выходной ток 1ta уровне 12 мА. Входные каскады усилителя пита­ ются через внутренний стабилизатор, выполненный на стабилитроне V D19 и транзисторах VT1, VT5... VT7 . Отли­ чие этого стабилизатора от традици­ онного в том, что ток через стаби- 70 ~ГJ ~fo о,ц 0,3 о,г 0,1 о j ' -- v 10 102 10j f,Ги, Рис. 2.>4 б. Зависи\.lость коэффициента гар­ монических искажений от частоты д.1я ИМС К548УН1 M'Ri 111001 10 1 102 10:3 f,Ги, Рис. 2.34 г. Зависимость коэффициента ос­ .1аб.1ения соседнего канала от частоты д.1я имс К548УН1 литрон V D19 задается не резистором, , как обычно, а через источник тока на транзисторах VT5, VT6. Такое по­ строение, благодаря большому отно­ шению внутренних сопротивлений источника тока и стабилитрона, по­ зволяет подавить пульсации напряже­ ния питания на 120 дБ. Для допол нительной стабилизации напряжени смещения входного каскада в дели _тель включены диоды V D20, V D21. Предусилитель может использ ' ваться в двух вариантах включени с дифференциальным входом и од: ним заземленным входом . .В первом случае (рис. 2.33 в) р жим работы входного каскада по п стоянному току задается отрицател · ной обратной связью в виде рез сторноrо делителя RJRЗ, среди точка которого подключена к неи вертирующему входу предусилител (вывод 2 или 1З). Чтобы обеспечи стабильность напряжения смещени тока через резистор R 1 должен н менее чем в 10 раз превышать вход· '-·''-'- р ~ени рдЯ 1!0~ рав 1 с( Z.32 !IЛI ДО\'. !10С зис дан !IOC рез кра ток ЭМI в1 !1Зl1 100 paJV тац вх ЛJ .1е
,р­ [С •С- lЯ 1М, 1ка ю­ ю­ ий ю­ <е­ )Л "yU1AO :иЕН 11111 iП 111111 9 12 15 18 21 211 l/~.n,В 9 12 15 1tJ 21 2Ч llн.n,B Рис. 2.34 д. Зависимость коэффициента уси- Рис. 2.34 е. Зависимость коэффициента влия- ~ения по напряжению от напряжения питания ния источника питания на выходное напряжение рдя ИМС К548УН1 для ИМС К548УН1 1юй ток /вх• который приблизительно равен 0,5 мкА~ При использовании предусилителя с одним заземленным входом (рис. Z.33 r) инвертирующий вход (вывод 2 или 1З) соединяют с общим прово­ дом, а отрицательная обратная связь 11оступает на эмиттер входного тран­ зистора (вывод З или 12). Чтобы в данном случае обеспечить стабиль- 11ость напряжения смещения, ток че­ рез резисторный делитель должен, по крайней мере, в пять раз превышать ток из средней точки делителя в эмиттер входного транзистора /ос (ток в цепи обратной связи), который в наихудшем случае не превышает 100 мкА. Зависимости основных па7 раметров ИМС от режимов эксплуа­ тации приведены на рис. 2.34. \ лектричесitИе параметры ИМС К548УН1А,Б,В при 25±10°С и U11.п.ном=12 В ок потребления /пот' мА, не более""""""""".".15 озффициент усиления по напряжению ~и при Rн'"'lO кОм, Uвых=2 В, fвх=100 Гц, не менее """"""""""""... . ". "" .. ". 5 · Hf апряжение шумов, приведенное ко входу Uш.вх• мкВ, при Rг=500 Ом, Лf=О,02".10 кГц, Rн=lO кОм, не бо- .1ее К548УН1А"""""......"."".""" .. """""."""""" .. 0,7 К548УН1Б"."""""""""".. "" """ .".".. "".. "" "" ".1 К548УН1В "."." .. """"""""""""""".""""" .. " .. 1,6 озффИЦИент гармоник ~ %, при Kyu=50, Uвых=2 В, Rн=2 кОм, fвх=1 кГц, не более""""""""."""""."""""."."""0,1 астота единичного усиления F~· МГц при Uвх=5 мВ, Rн=lO кОм, не ме- нее.""."""""""""".. "" ." """ ." "." """ ." ." ". ". "". """ ". "20 озФФициент ослабления сигнала со- седнего канала Кос.к• дБ, при Rн=10 кОм, A).v=lOOO, fвx=l кГц, не менее К548УН1А.".""...." ..... " ... """"""..... ""."."." .... 60 К548УН1Б .. """"""""."""""".. "" ..... """."." .. "62 К548УН1В """""""""".".. """"""""""""" .... ".62 Коэффициент &1ИЯНИЯ нестабильности источника питания на входной сш­ нал Коо.и.n' дБ, при f вх= 1 кГц, не менее К548УН1А."""""""""""".... """".""."... """"100 К548УН1Б """..... """""""." ...... """".. """."".110 К548УН1В."".. " .. """"""...... """."."." .. ".""".110 Входное сопротивление Rвх, кОм (ти- повое значение)""."""".".""".. " .. ... . " .. ". " .. .. . " "" " .250 Предельные эк:сплуаrационные параметры ИМС К548УН1А,Б,В Напряжение источника питания Uи.п• В, не более.""""."""""""."""" .. "." "" "" . .. " ." " " " . " .30 Входное напряжение Uвх, мВ, , не более.""""""".""".""""".""."."."""""."""""".. 300 Максимальная амплитуда импульсов выходного напряжения Uвых А тах• В, при ии.п'"'12 в, ивыхпосr=5 в, Rн=S кОм, f uS100 Гц, не менее ... "". " . .. """".. . " .. "" ".. . ". ". . """"."."."""""и11.п -з ИМС К548УН3 (рис. 2.35) пред­ ставляет собой малошумящий усили­ тель звуковой частоты и предназна­ чен для. применения в миниатюрных слуховых аппаратах. В его состав вхо­ дит предварительный усилитель Al и выходной усилитель мощности А2. Предварительный усилитель выпол­ нен на основе дифференциального усилителя, выходной усилитель мощ­ ности содержит двухтактный выход­ ной каскад. 71 1 111
"" ,J. 12 11109 в ,7 Рис. 2.35 а. Структурная схема И К548УНЗ Htuн8epmupyющuiJ 8xot1 П!I Ин!ертирующиi1 Вход о6щий ПУ Рис. ,2.35 б. Расположение 11 Выход П!J 3~10 Фильтр "" "" и назначение выводов ИМС К548УНЗ BxoiJ B'i Bь18oiJ выход 8'i1 * .: :t- .... "< з вь1Воа выхоiJ 5' 8 B!J2 общий B!J 6 7 +l/м.n +рв R1 200 R2 30к С2 DA1.1 СЧ C!i 1Jд1. 2 I1мк 12 r>M 11 1М 0J1 МК r>M 5 Rн13QO Вход с7 8 " 1 ~3 Rн2 300 о,1мк Ок 2 10 7 ч. ov FC +и FC 6 ov 9 Сб С7 +С3 f:"C 1м'к 1мк JJA 1 l<SЧ8YH3 rамкх 108 II Рис. 2.35 в. Типовая схема включения ИМС К548УНЗ +1,38 RJ 30к JJA1.1 12 t>M ВМ1 С1 2 ov R1 '+,?к С3 Темор ЧО,ОSмк 1JA1 10мкх6,JВ R2Па - · г)к о строика ~ 72 11 + cr+ ,l1амкхб13В K5r+8!JH3 IJCUl/eHUЯ .DA1.2 t>M 3FI 7 +и ov Рис. 2.35 г. Применение ИМС К548УНЗ в качестве микрофониоrо усилителя !~.·
raИ •ii Вход ~н2 3ОО 1гра11uче Р6ых· х6,3В r fMC IНOl"O э.1ектрические пара.четры ИМС К548УН3 при 2S±lO"C и Uи.п.ном=+l,3 В 1·ок поотребления / пот' мА. при Rн=600 Ом, не более"""""""""""""... """"""" .. .. . 2 коЭФФиu.иент усиления по напряжению Куи при Rи=600 Ом, Uвых=0,2 В, не J \leнee"""""""""""""""""""".""""""""."" . • "" .. " . .i · 10 Напряжение шумов предуси.1ите.1я А/, приведенное ко входу Uш.в,· мкВ, при Rг=2 кОм, Лj=О,1"5 кГц, не более.""""."."".... ""."".".. "." .... " ........ """ ... "" ......"".1,5 - коэффициент усиления по напряжению пре;~усилителя А/ Куи при Rн=20 кОм и i= 1 кГц, не менее""""""""""100 Коэффициент усиления по напряжению выходного усилителя А2 Куи 2 при RH =600 Ом и /=1 кrц""""""""""."".""""50".150 Пре,де.1Ьные эксJLтуаrационные параметры ИМС К548УН3 Напряжение пит~ния Uи.п' В".".".""""""".".1.1."1 Максимальное выхо;~ное напряжение Uвь"'' В, предусилите.1я А/ при Uи.п=l,3 В, Rн=20 кОм, /=1 кГц, не более... " .. "" .. """ ...... ".""." .. """"" ...... "" ..... "".".""" ..о Коэффициент гармоник Кг 1, o/i:, пред­ усилителя А 1 при Uвьrх та• 1• не бо- лее .. """".""" ... "".""".""" ....... " ........... " ......... "" .. """" Максимальное выходное напряжение Uвьtх тах 2• В. выходного уси.1ителя А2 при U11.n=l,З В, R 8 =600 Ом, /= 1 кГц, не менее """""".""" """".""""""."."" "(! Коэффициент гармоник Кг 2, %, выход­ ного уси.!JИТеля при ивьrх та<' не бо- .1ее .... """""""""." ... """""... """ ... " ...... "".".. "".""""". Глава З ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ДЛЯ АППАРАТУРЫ . · . МАГНИТНОЙ ЗАПИСИ 3.1 . СЕРИЯ К157 Серия К157 представляет собой комплект функционально сопряжен­ ных микр~хем, разработанных для стереофонических катушечных и кас­ сетных магнитофонов, но их можно применять и в других устройствах РЭА. Микросхемы выполнены на бн­ nолярных транзисторах с изоляцией Р-п - переходом. Состав серии ИМС К157УД1 операционный усилитель средней мощности ИМС К157УД2 двухканальный операционный усилитель ИМС К157УЛ1А,Б двухканаль- ный предварительны~ усили­ те.Ль воспроизведения ИМС К157УП1А,Б - двухканаль­ ный микрофонный усилитель с двухканальным предваритель­ ным усилителем записи ИМС К157УП2А,Б двухканал1 ный микрофонный усилител с двухканальным предварител1 ным усилителем записи ИМС К157УН1А,Б усилител низкой частоты ИМС К157ДА1 двухканальны двухполупериодный 13ыпрям1 тель среднеrо значения сиrн; лов ИМС К157ХП1 двухканальн< пороrовое устройство управл1 ния приборами индикации ПJ ковых · уровней записи с вь прямителем для систем АРУЗ : ИМС К157ХП2 - стабилизатор н пряжен:ия с электронным У1 равлением; генератор ток< стирания и подмаmичивания ИМС К157ХП3 динамичесКI! шумопонижающий фильтр. Микросхемы вьшускаются в пр моуrольных полимерных корпусах
Таблица Диапазон Гарантиро- Гарантиро- Количество Ном. Микр<>схема Напряжение рабочих ванная ванный срок эле"1ентов в Гип корпус а черте питания, В темпераrур, 0С наработка хранения, корпусе KOpII' - на отказ. ч: ,,ет К157УД1 ±15±1,5 - 25". +70 К157УД2 ±15±1,5 -25...+70 К157УЛ1А,Б + 9±0,9 -25.. .+70 К157УП1А,Б +12±1,2 -25".+70 К157УП2А,Б +12±1,2 - 25."+70 К157УН1А,Б +12±1,2 - 25 ."+70 К157ДА1 ±15±1,5 -25." +70 К157ХП1 +15±1,S - 25". +70 К157ХП2 - - 25... +70 К157ХПЗ ±15±1,5 - 25 ."+70 • Данными авторы не располаrают перпендикулярным . расположением выводов. Номера чертежей корпусов и ос­ новные эксплуатационные характери­ стики микросхем приведены в табл. 3.1 . ИМС К157УД1 (рис. 3.1) представ­ ляет собой универсальный операци­ онный усилитель (ОУ) средн~й мощ­ ности с максимальнь1м выходным током . 300 мА, разработанный для аппаратуры магнитной записи и вос­ произведения звука. Применение ря- да конструктивно-технических и схе­ мотехнических приемов позволило отодвинуть верхнюю частоту эффек­ тивной работы этого ОУ до 100 кГц, а отсутствие внутренней коррекции - расширить область применения. В дифференциальном усилителе для уменьшения входных токов ис­ пользовано составное включение транзисторов (VTJ, VТЗ и VT9, VT7). Высокое усиление 1<аскада обеспечи­ вается динамической нагрузкой на транзисторах VT4, VT6. Благодаря применению во входном каскаде транзисторов структуры р-п-р нет не­ обходимости принимать специальные меры по защите входа от высоких уровней входных дифференциальных напряжений в режиме· перегрузки (соизмеримых с напряжением пита­ ния). 74 10 ООО 6 44 201.9 - 1 1 15 ООО 10 53 201.14 - 1 3 15 ООО 10 52 201.14 - 1 3 15 ООО 10 63 201.14 - 1 3 15 ООО 10 63 201.14 - 1 3 15 ООО 10 23 201.14 - 1 3 15 ООО 10 63 201.14 - 1 3 15 ООО 10 89 201.14 - 1 3 15 ООО 10 52 201.14 - 1 3 15 ООО 10 *) 2120.24 - 3 2li Коллекторные токи транзистоJ VТЗ, VT7 равны 150 мкА и задаJ генератором тока на VT5. Ток смеu ния транзисторов VT1, VT9 ра примерно 11 мкА. Промежу1очный каскад - уси тель напряжения - выполнен транзисторах VT15, VT17, включ ных сооrветственно по схеме с щим коллектором и общим эми1 ром с динамической нагрузкой, оо зованной генератором тока на VJ Режим работы эмиттерного повто теля (VT15) выбран таким, чтобы грузка обоих плеч дифференциал~ го усилителя была одинаковой. Усилитель мощности - двухт~ ный. Сигналы положительной ПОJ1 ности усиливаются по току траt сторами VT19, VT25, VT27, ВКЛЮ" ными по схеме эмиттерного повтс теля, отрицательной полярности транзисторами VT22, VT26, VT28, вивалентными р-п-р транзистору. Высокая линейность каскада усилении малых уровней выхощ сигнала достигнута подачей начал го смещения, выделяющегося эмиттерных переходах транзис'li VT19, VT20, VT21 и резисторе · между базами транзисторов усищ ля мощности. Начальный ток чс выходные транзисторы VT27, V при выбранной площади эмитте -
iлица Ном черте корп: 3, 3 3 3 3 3 3 3. ~ !ИСТО) зада: смеr: ' pai уси. иен ключ ес ЭМИ" й, ос аV1 ювто ·обы (и аль i. :вухт< 1пщ траF, КЛЮ"LI IIOBTQ ости Т28, 1ру. ща .IXOДJ ачал ося зисrt ·оре' усищ )К чс ;,v ..~итте - G 5 2 Рис. 3.1 а. Принщшиальная схема ИМС К157УД1 Рис. 3.1 б. Назначение выводов ИМС К157УД1 IJA 1 ко11рекци.я - llи.n Коррекция l<оррекv,ия RЗ l з * 5 "" в ~J ,..... ~7 ~ 6' BxotJ К157!1Д1 9 8 Н1 RZ IC1 [> 00 G Bь1xoiJ !------~-...:;.. +158 1------~-..:;..-1sв Неин8ертир!fющиu 4xoi Ин8е11тир!lющиu Вхоо +ии.n Bыxoil Рис. 3.1 в. Типовая tx~ вк,~ючения ИМС К157УД1
транзисторов микросхемы определя­ ется резисторами Rl2, RlЗ. Чтобы предотвратить выход ИМС из строя при переходных процессах или кратковременном коротком за­ мыкании на выходе, в ОУ предус­ мотрено ограничение максимального импульса тока на уровне 0,4 ...1 А. Это достигнуто шунтированием базо­ вой цепи транзистора VT25 перехо­ дом , коллектор-эмиттер транзистора VT23, который открывается при падении напряжения на резисторе R 14 выше допустимого. Аналогично происходит и ограничение импульса тока отрицательной полярности. При падении напряжения на рези­ сторе R 15 . достаточным для открыва­ ния транзистора VT24, последний шунтирует базовую цепь транзистора VT26. Ток, протекающий через VT24, определяется транзистором VT22, ко­ эффициент усиления которого резко уменьшается при больших коллек­ торных токах, что также способствует ограничению импульса тока на выхо­ де ОУ. Резисторы R9, Rl 1 предотвра­ щают самовозбуждение ОУ в режиме ограничения на частотах УКВ диапа­ зона. Транзистор VT/ З также является защитным: при чрезмерном увеличе­ нии падения напряжения на резисто- ifOL--. . 1 . о L..--.....i...--.L--....1...--'---~--J 10 10z 10J fO" 10s 10 6 f, Гц Рис . 3.2 а . Зависw.1ость коэффициента усИ11е­ ния от частоты уси.,1иваемоrо cиrna.1a а.1я ИМС К157УД1 76 ре R6 он открывается и шунтирует вход транзистора VT15, предотвращая перегрузку VT15 и VT17. Диод VDl устраняет · насыщение транзистора VT17, улучшая работу каскада на вы-: соких частоrах при максимальном выходном напряжении. Генераторы тока на транзисторах.: VT2, VT5, VT8, VT16, VT18 получа ют смещение от VT10 в диодно включении, который возбуждаете стабилизированным током, задавае мым транзисторами VT11, VT1 VT14 и резистором R4. Чтобы повысить устойчивое ИМС при работе с различными на грузками рекомендуется, кроме основ ной коррекции, подключаемой межд выводами 1- 4 или 1 - 5, и соедине. ния выводов 2 и 7 через конденса · ры вблизи корпуса микросхемы с щим проводом устройства, подкл чать дополнительную RС-цепь межд · выводами 4 и 5. Операционный усилитель можн использовать в самых разнообразны узлах радиоолектронной аппаратурь предварительных усилителях мощи сти, усилителях ЗЧ для стереотел q)онов, генераторах с рабочей част той до 100 кГц, всевозможных испо нительных устройствах. Зависимости основных параметр 10 1----1----1--.::::::~-~-'"---11 Ск = +,7... JJпФ 10 10~ Рис. 3.2 б. Зависимость максимальной ~м ту;~ы выходного налряженм от частоты вае:-.соrо сигна..1а д,1я ИМС К157УД1 эле к [{о эф Ку, 11е макс ив, Н апр .1е1 вход! [{оэф \!Х( ме Част< Скор< же· Teчnt нс ПJ Ток Rи Ток . RH Макс ив Cl!Нcj: в. Выхс Расе< to, Не
н:МС от режимоо эксплуатации при· 13едены на рис. 3.2 . электричесl[Jlе параметры ИМС К157УД1 при 25±10-С и Uи.n.иoм=±IS В Коэффициент усиления по напряжению Куи при Rи-200 Ом и /=О".50 Гц, не менее"""........................." ...." ........." ............ 50 ООО Максимальное выходное нщ1ряжение Uвых тах' В, не менее .......................................... ::t 12 Напряжение смещения Uсм• мВ, не бо- .1ее...... _......................................................................... ±5 Входной ток 1В>f нА, не бо.,1ее .............................. 500 Коэффициент ослабления синфазного входного наnряжения Кос.сфt дБ, не менее..•..........•..............................................•.................70 Частота среза /ер• мГц, не менее...."".................. 0,5 Скорость нарастания выходного напря- жения VUвых• В/мкс, не менее .......................... 0,5 Теv~пера:rурный дрейф aUBЪV<' мкВ/0С, нс более .................................................................... ±50 Предельные эксплуатационные параметры ИМС К157УД1 Напряжение пиrания Uи.n• В, при Rн=200 Ом . . минимальное .......................................... • .. . . . . . .. ±3 максимальное......... " ............•.... ".".."""""". ± 20 Ток потребления · /пот' мА, при R,/=200 Ом, Uи.п=±18 В, не более"""""".".".10 Ток короткоrо замыкания 1к.з• мА, nри · RH;=O, ии.n=±5 в"" .....".. """"." ... "" ..""""400."1000 Максимальное выходное напряжение Uвых тах' В, не менее, при ии.n±18"".. "" ..".""..... ".. """""".." .. "". ±15 ::!: 3.. ""......".""""""."""....".. """ ±1,2 Синфазное входное напряжение U . с.ф• В, не более"..""...........""......"...""""."""""".""" ±20 Выходной ток /вых> мА, не более ... " " ... """.""". 300 Рассеиваемая мощность Р , Вт, при t - -2 5 +25°С без расе окр.ер- ". ' теплоотвода, не бo.iree ...•..•...•..•......•••.. "."... "."".:.".......•.•• " ..•••........ 0,5 При температуре окружающей сре­ ды выше +25°С рассеиваемую мощ­ IIость рассч:итывают по формулам: если ИМС не имеет внеwнего теп· JJоотвода Ррасс. = 125-toкp.cJ!._ 200 если есть внешний теплоотвод и температура теплоотводящих выводов tт, = 125-tокр.ср. + 250 125-tт 150 ИМС Кl57УД2 (рис. 3.3) представ­ ляет собой двухканальный ОУ уни­ версального назначения, обладающий низким уровнем собственных шумов (типовое значение напряжения шу­ мов, приведенных ко входу ОУ, со­ ставляет 1,6 мкВ в полосе частот 20".20 ООО Гц при сопротивлении ис­ точника сиmала равном О. Операци- онный усилитель допускает большой диапазон входных дифференциаль­ ных нЩiряжений, имеет защиту от коротких замыканий на выходе. Входной каскад выполнен по диф­ ференциальной схеме на транзисто­ рах VT6, VT15 (VT7, VT16) с гори­ зонтальной р-п-р структурой. Чтобы получить максимальное усиление, ис· пользована динамическая нагрузка в виде отражателя тока на VT8, VT1З (VT9" VT14) обеспечивающая также переход к несимметричной нагрузке. Коллекторные токи VT6, VT15 (VT7, VT16) 10... 12 мкА заданы генератором тока на транзисторе VT11 (VT12) и резисторе R2 (RЗ). Промежуточный каскад усили- тель напряжения выполнен на транзисторах VT19, VT21 (VT20, VT22), включенных соответственно по схеме с общим коллектором и об­ щим эмиттером. Здесь также исполь· зуется динамическая нагрузка, образо· ванная транзистором VТ2З (VT24). Режим работы эмиттерного повтори· теля на транзисторе VT19 (VT20) вы­ бран таким, чтобы нагрузn обоих плеч дифференциального усилителя бьmа примерно одинаковой. Усилитель мощности - двухтакт­ ный. Сиmал положительной поляр­ ности поступает на выход ОУ через VT26, VТЗ7 (VTЗl, VT40), отрица­ тельный - через VT27, VТЗ8 (VT29, VТЗ9), в:ключенные по схеме эмит- 77
1 1'f VTZ VТf VTJ t---+-~--t VTlO VIJZ в 7 Рис. З.З а. Принципиальная схема ИМС К157УД2 Корреки,и.н O!lf 1 14 Коррехцин 0!11 неин~ертирующиu !xoJ " z 1J дыхоil 1 ~' инВе-рти.р!Jющиu !xotl / зt\j1Z - l7и.п 4~11 + llи.n "" инВRртцр!Jющи.u tixoil 2 -5~-fO He~нt!epmu.pgющu.il !хоа 2. :1,:: g 6 Выход 2. Корренци.я 0!12 7 8 Коррекц,и.~ ОУ2 . Рис. 3.3 б. Назначение выводов ИМС К157Уд2 78
.' терноrо повторителя. Начальное на­ пряжение смещения, необходимое для уменьшения переходных искаже­ ний, выделяется на эмиттерном пе­ реходе транзисторов VT26 (VT31) и VT27 (VТЗО). В усилителе мощности предусмот­ рена защита от короткого замыкания на выходе как при положительной, так и отрицательной полярности вы­ ходного сцгнала. При возрастании выходного тока увеличивается паде­ ние напряжения на резисторах R8 (Rll) и R9 (RlO), из-за чего выход усилителя напряжения - коллектор транзистора VT21 (VT22) - шунти­ руется низким сопротивлением от­ крытых VT34 (VT35) при сигнале по­ ложительной полярности или VT33 (VT36) при сигнале отрицательной полярности, а следовательно, и огра­ ничивается ток. Транзистор VT17 (VT18) предотвра­ щает перегрузку VT19, VT21, VT27, VT28 (VT20, VT22, VT29, VT30) при большом уровне входного сигнала. Этот транзистор открывается при уве­ личении падения напряжения на ре­ зисторе R6 (R7) и шунтирует вход транзистора VT19 (VT20). Диод VDl (VD2) устраняет насыщение транзи­ стора VT21 (VT22) и улучшает рабо- ту каскада на высоких частотах при максимальном выходном напряжен.и (особенно в начальной области реЖJ ма ограничения). Режим работы ОУ по цостоянноr. току определяется генераторами то1 на VTJJ, VT23, VT25, (VT12, VT2 VT32), управляемых через VT4 (VТ. в диодном включении током транЗ: стара VT2 (VT3), который, в свс очередь, возбуждается от общего ДJ обоих каналов устройства стабилщ ции режима, выполненного на тра зисторах VTl, VTJO и резисторе Rl. Чтобы каждый из ОУ с замкнут< петлей ООС работал устойчиво, к с ответствующим выводам ( 1, 14 из 7, 8) ИМС подключают корректиру~ щие конденсаторы. Емкость конде сатора зависит от глубины обратнс связи. Допускается подключать ко ректирующие конденсаторы также между другими выводами, наприм~ между1и13(7и9)иливыводе 1 (7) и общим проводом двухполя нога источника питания. При знач тельной длине проводов, подводящ1 напряжение питания к выводам 11 4, следует устанавливать допол тельный блокирующий конденса ИМС можно использовать в сам разнообразных устройствах низко статной стереофонической аппара ры. RJ Bxoil 1 R1 3 z JJA 1.1 13 ~{] 11 -и4 1 Выхо + 15В -158 .ОМ К157.!IД Z Bxoilz· RZ Рис. 3.3 в. ТИповая схема включения ИМ С К157УД2 s 6 1> 00 FC FC 14 Rt,. JJA 1.2. g Bыxoil С> 00 FC 7 FC 8
KyU 150 f+O 1JO f20 f10 100 90 80 70 во 50 40 JO 2,0 10 о 10 102 10.J 10" ю5 10G f,rц Рис. 3.4 а. Зависимость коэффициента усилеюtJ1 от частоты уси.ТJИВаемого СЮ11а..1а д.,'VI ИМ К157УД2 Зависимости основных параметров ИМС от реЖимов эксплуатации при­ ведены на рис. 3.4 . Элек.тричесuе параметры ИМС К157УД2 при 25±100С И Vи.п.и01ot=±lS 8 Ток потребления 1пиr' мА, не более ................ .....7 Коэ<IФщиент ycилeIOfJI по напряжению ~и при R8 =200 Ом, не менее, при частоте : 0•• .50 Гц ..................... .................. " .. . . . . . ... .. . .50 ООО 20 кГц... ". " ..... .." .. .... ...... ... .. .... .... " .. .... 300".800 Максимальное выходное напряжение v.ЬD< ,,_, в. не менее ........... .. .......... ...........• . . .. . .. ±13 Напряжение смещения Uсм• мВ, не бо- лее ............... .. ... ........ ............ .. ... .......... .... ....... ..... ...... .. ±10 Входной ток /""- , нА, не более .. .. .............. ..... ... .. " 500 Коэффициент ослабления сйнфазного входного напряжения K 00 .al>' дБ , не менее .......... ... .. ........ .. ... ........... ......... ... ........... ... .......... .. .70 80 '·. Частота среза /ер• МГц, Не мунее..... ".......,.......... . Скорость нарастания выходного напря- . ЖeIOfJI Уи8ЫХ' В/мкс, не менее......".......".... .. ... О Температурный дрейф · aU••rx.' мкВfС, не более.........""... ...... ... ...... ... .. .... ..... ....... ...... ...... .... ± Преде.llЪНWе эксплуаrационные п~етры ИМС К157УД2 Напряжение питания Uи.n• В, при R.,,_•200 Ом: t.qlJIИМaJJЬНOC••••••.• " " •••••• "."" ••• .•••••••" ••••• •• .••" •• махсииальиое.•....."."..""......."."................ .. ± Тох потреблеюц / _,. мА, при R.,,_1'200 Ом и U8 .n•±l8 8, не 1 более"..." .......""."""" ."".. ,•.""."......... ".... ."......".. .. ...." Тох хоротхого эаМЫJСаюu 1u мА, при . R8 •0 и U8 .n•±1S В, не более..".. ""..." ...•......... Махаоwп.иое ПО.!IНОе наnрuсенне urw:!I.,,_, в. не менее, при и•.n =1~ ::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::.~~ ' '{f5,... 1 1Z !1 10 g 8 7 5 s " J z 1 (} Рк ЗМП.11f уси.;оо
10---- Синфазное входное напряжение UСФ' В, не более .................................................................... ±18 Рассеиваемая мощность Р .. , 0 • при tокр.ср==-2S ... +2S°C, Bt, не &:~е .......................0,5 При температуре окружающей среды более +2S°C рассеиваемую мощ- ность рассчитывают по форму.1е: ррасс = 125- toкp.cr 220 ИМС Кl57УЛ1А.Б (рис. 3.5) пред­ ставляют собой двухканальный уси­ литель воспроизведения для стерео­ фонических маmитофонов, обладаю­ щий низким уровнем шумов типа 1//. Спектральная плотность напря­ жения шумов в диапазоне частот 10".100 Гц не превышает 4 нВ/~ о.__~...._~........~~~. .. . .. ..._~~~~ Напряжение шумов, приведенное ко входу функционального узла уси­ лителя воспроизведения кассетного маmитофона с маmитной головкой 3Д24Н в полосе частот 0,02".20 кГц, составляет не более 0,5 мкВ, что по­ зволяет получить отношение сиг­ нал /шум не менее 54 дБ. 10l 10" f,ГЦ Рис. 3.4 б. Завис:имостъ максимальной амп.1И'rуды ВЫХОДНОГО напряженЮI ОТ частоты усиливаемого сиrнала JIJIJI ИМС К1S7УД2 На функциональной схеме ИМС показаны: Al, А4 - входной каскад, A.S, А6 - каскад основного усиления, Ai, А8 - выходной к~скад, А2, АЗ - стабилизатор режима, задающий и Рис. 3.5 а. Функциональная схема 11мс К157УША.Б выdoll ос канала 1 вxoil канала 1 -- -+- -1 z оощиii канала 1 J оощиu 1шнал4 Z 5 Bxotl наналр. Z 5 8ь1dot7 ОС 7 ханалаz Bыdoil срильтра канало 1 Al выхоil канала 1 1J + lfип канала 1 ~~~......~~~--~-+1~Z~ + Uм.n канала Z ~~~.,_~~~..,...~-+1~0~ А6 8ыxoil канала z .9 8 8ыбоil фильтра канала l. 81
82 г ---- ---- -;;;-·-:--;:------ 1 1 1 1 1 z1 Rl 6' 1 1501( 1 11 11 1 R1J 15к VT1!i L' VT8 ------------- Рис. 3.5 б. Принципиа.1ьная cxe\la ИМС К157УЛlА.Б вы!оа ОС хана ла 1 выt!оа tри.льтра Bxoil канала ( z fJ ВыхоJ канала 1 ooщuli канала ( :! ""' 'fZ + Uи.п канала .f *~11 ОощиЙ ханала Z "' 5~10 + Uи.n канала Z BxotJ канала 2 G =-с g Bыxotl канала 2 12. 1J 1 11 .1 1 ' 1 • \' 10 канала 8ь1!0J ОС канала z 7 .! Вь1Jоа tр'!льтра хана ла Рис. 3.5 в. Назначение выво;~,ов ИМС К157УЛ1А.Б 1 2 < К1 П( CI< ус 01 Cl в• се (i ш rr CI О) v (J Н1 В( ре KI (1 С1 п 1' м хе ВJ С1 Т)
10Онкк158 :Г1 С10 ВыхаiJЛК 2 п +1 ;;.. Z0/'11(к158 10М!(Х 158 J Е1 1Z R1Z 200 +9/J ~~) ,, 10 cg 5 + C'f I100/'1KX158 l.OMK"158 {j g с11 выха/Jпк С8 +1 >- 8 + 1---f f0мкхf58 RfO 4,7к 2ZOO 100I0<"151J Рис. 3.5 r. ТИповая схема двухканального предварите.%ноrо усилителя воспроизведения на ИМС К157УЛ1А,Б поддерживаюrtщй режим входного ка­ скада по постоянному току. Входной каскад с коэффициентом усиления около 30 оптимизирован по отношению сиmал/шум в полосе ча­ стот 0,02 ...20 кГц при его работе со­ вместно с М'\Пiитной головкой. Он состоит из одного транзистора VT1 (VT2), включенного по схеме с об­ щим эмиттером и резистивной на­ грузкой. Отрицательная обратная связь по постоянному току, которой охвачены транзисторы VT1 (VT2) и VT9 (У.Т10) через резисторы · R 1, R5 (R2, R6), стабилизирует режимr вход­ ного каскада. Чтобы уменьшить уро­ вень шумов в микросхеме предусмот­ рены специальные меры, в частности коллекторный ток транзистора VT1 (VT2) задан на уровне 50...60 мкА, статический коэффициент усиления no току базы составляет не менее 150, эмиттер имеет форму круга диа­ метром 100 мкм, эмиттерный пере­ ход перекрыт алюминиевой шиной, выводы базы расположены с двух сторон эмиттера. В основной каскад усиления входят транзисторы VT9, VTlЗ, VT15 (VTJO, :J .;,. VT14, VT16), коэффициент усиления около 400. Благодаря уменьшению коллекторного тока транзистора VT9 (VT10) до 30 мкА и увеличению пло­ щади эмиттера удалось снижать уро­ вень собственных шумов этого каска­ да. На выходе усилителя включен эмиттерный повторитель с динамиче­ ской · нагрузкой транзисторы VT19, VT20 (VT22, VT21) - и защи­ та от короткого замыкания по выхо­ ду на VT17 (VT18). Стабилизируют режим входного ка­ скада основного усилителя диоды VD1 ... VD4 (VD$... VD8) и транзисторы 'VT5, VTJJ, VTlЗ (VT8, VT12, VT14). Транзисtор VT6 (VT7) служит для предотвращения насыщения VT9 (VT10) в момент подачи напряжения питания. Амплитудно-частотная характери- стика (АЧХ) усилителя определяется внешней· цепью ООС по току, вклю­ чаемой между выходом усилителя. и эмиттером транзистора VT1 (VT2), а коэффициент усиления - сопротив­ лением внешнего резистора, включае­ мого между выводами 1 (7) и З (5). 83
Чтобы устранить ООС по переменно­ му току во входном усилителе и по­ лутшть максимальное усиление в кас­ каде основного усиления, между вы­ водами 14 (8) и 3 (5) включает кон­ денсатор больщой емкости. Для ус­ тойчивой работы усилителя с маг­ нитной головкой на входе между вы­ водами 2 (6) и З (5) также необходи­ мо установить .конденсатор. Его ем­ кость определяется индуктивностью магнитной головки и требуемой фор­ мой АЧХ. Эдектри·~еские параметры ИМС KIS7YЛIA. КIS7УЛ1Б при 2S±I0°C и Uи.n.ком""9 В Ток ПОТР'"б.,еНW! / " .,. ,. (п о двум кана- ,1ам), мЛ, не бо .'!~е ..... ............ ... .......... .... .. .. .......... 3... 6 Коэффициент усил~ния по напряжению Куи при /=О.02".20 кIЦ без ООС, не \4енее.,.. "" .."... ... ..... .. .. .. " ..".. .".... .. ...." ." ." ... 8000 ...13000 Вход~<ое сопротив.1ение_ R 8 ,. кОм, не менее."" ..... ....... " ." .."".. "...." ... ...... ..." .. .. .... .. "".." ...... ..60 Dыходное соn ротив.1ение R 8ы,· 0\4, не более.......""". ".. .." ... ... .. ."" ....." ."".." ..... ..... .... " ... .. .....300 Коэффиw•ент гармоник Кг, о/с, при и••"== l n . !-=~()О IЦ, не бо,1ее."" .. """" """" ""о.2 Коэффициент ос .1аб:1ения соседнего ка- нала, дБ, не менее ":"""""""""""""""""""".".. " . 70 Напря жение шумов, приведенное ко входу Uш.в~· мкВ, при /=0.02 ." 2 0 кГц, R11ст=10 Ом. тнч=3180 мкс. т8ч=70 мкс, не бо- лее: К157УЛ1А ."".""""""."..............." " ""... .... " "" .О,3 К157УЛ1Б ." ." " ..""" .." ...... " ." ... ."""..." .... 0,6".1.О Преде.n.нwе эхсru~уаrациоиные параметры ИМС KIS7YЛIА, KIS7YЛIВ Напряжение питаЮIЯ Uи.о' В, минимальное"....""".". "........." ..." ... ................8,1 максимальное.........,""................ .. .... ""."...".".20 Выходной ток / аых• мА, не OOJiee ... ... . "." . . . .""" .." ..5 Входной ток /ах' мА, не более.. " ..""..... ." ....." .." "". 1 Рассеиваемая мощность Ррасе• мВт, не более.......•. ... ." ... .... ........... .." ........ ........"""." .""..•...... .250 · ИМС К1S7УП1, К157УП2 (рис. 3.6) представляют собой две модифика­ ции двухканального микрофонного усилителя , .конструктивно совмещен ­ ного с двухканальным предваритель­ ным усил_ителем записи. Оба усили- 84 теля имеют малый уровень собствен­ ных шумов и обеспечивают усиление , сигналов 160 мкВ".10 мВ, подводи­ мых соответственно к входу микро­ фонного и предварительного усилите- · ля, до стандартного уровня на линей ­ ном выходе маrnитофона (250 мВ). ИМС · К157УП1 и К157УП2 вьшол- · нены на одинаковых кристаллах, но по-разному подключенных . к внеш­ ним выводам. По электрическим па­ раметрам К157УП1 и К157УП2 совер­ шенно идентичны. ИМС предназначены для примене ния в высококачественной аппаратур . магнитной записи и другой низкоча­ стотной стереофонической аппарату (УЗЧ, электрофонах и т. п.). Высок перегрузочная способность (по микр фонному входу свыше 36 дБ, по вх ду предварительного усилителя запи си - 16 дБ) позволяет использоват ИМС в ЗЧ трактах с автоматическо регулировкой усиления. 1 На функциональной схеме показа ны (в скобках дана нумерация выво дав для ИС К157УП2): Al, А2 микрофонные усилители, АЗ, А4 -: предварительные усИ'лителя записи. ИМС К157УП1 отличается К157УП2 тем, что первая требу применения регулирующих элемен тов АРУ (транзисторы VT1, VT2), yn равляемых положительным напря~е нием, а вторая отрицательны Микросхемы отличаются тaiq<e и ц колев.кой (нумерация выводов дл К157УП2 на схеме указана в скобках , .r-~~~~--1~~~:..:...:.~ ---~J 2 7 6 Рис. 3.6 а. Функщюнальна.я . схе~а ИМС К157УП1 (К157УП2) AJ fJ ff Alt 9(t0}
твен- 1ение води- 1 икро­ лите-­ flней- В). •~пол-· "· но ~неш- !f па­ :овер- 1 жаза вы во 2 си. -' ,:; z rF ----- HJ ~8 DI( 1К 1 1 Рмс. 3.6 б. Принципиальная схема ИМС К157УП1 (К157УП2) Bxo/J лр,'74йриЛ111F'А1>н,zо уси­ лит'л" Jалиси 1rанала f 8111xoiJ HU1tf1Df/J11NHDZtl уси­ литем lfанала f 8J1.oi/ нинр~онноzо !JCU - .11ител" lfанала f otiщиu lfaнa .11а " о6щиu канала z 81108 мu1tpotpDNHOID !JCUAU- mrл11 1tан11ла t 8611108 HU1tpot/JDNНOIO .rси­ лит,л• 1tаН1Жлt1 2 t 11 1 1t '<1 ... ::· 11 ~ s...10 ~ 8'с.9 7 8 8611100 пре94ари~л1>но111 уси­ лител" Jалиси каналtz f 8011108 АРУ канала f Выхоа АР!.' ltQHQЛQ 2 80/JtOfi лp,f14apumrЛl>NDU усилит,.тr .zanur:u. lfitнaлa 2 /Jкo/J nр1t14арцт1л1>но1111 grи­ лиmел" :Jt1nur:u 1tанала Z Рис. 3.6 в. Наэначение вы11Одов ИМС К157УП1А.Б 85
Вход nр,аАарит,льио'о уси­ лителR записи ханало. 1 Bыxoil мш•роtронно'о 9си­ лите лн 1'анала " 2 1J Выхо8 АРУ канала 1 BыxoiJ npeilBapumt!льнozo уt:илителя записи 1rанала 1 Вхоа HU1'pDtpoNHD,D !Jf:UЛl.l­ meлн хаиало. 1 J'<>1Z ..... "' оощиu каиала 1 " §; 11 +Uи.п о~щиu "аиал• 2 Bxo/J ми"роtронио20 уси ли.­ телн ханала 2 " " ~ " 11<: 10 Выхо8 npeil!Japumt!ЛЬNDi!O 9силиmелR записи канала 2 8 , Bь1xoil АРУ 1'анала 2 861xt18 микроtронн020 усили­ m,ЛR ханала 2 7 8 Вхо8 nрt!iИарительного уси­ лителя записи ханала Z Рис. 3.6 r. Назначение выводов ИМС К157УП2А.Б 8хОd2ЛК ~-<:Шf--~ B~l.1(oiJ1Лlr 21 1Z(1't) "н1z• " 4QGK 3 ВыхоiJ2ЛК 1J Вхоd1ЛК ~ 1f 5 +Uи.п BxoiJ1ПK !J(fQ) Bыxot12ff!( 78 вхооzпк ..._------~-- lfyпp Рис. 3.6 д. ТИповое включение ИМС К157УП1 (К157УП2) в схеме двухканального микр го усилителя и предварительного усилителя записи Трехкаскадный микрофонный уси­ литель выполнен на транзисторах VT2, VT7, VTll (VТЗ, VT8, VT12). Коэффициент передачи усилителя определяется отношением параллель­ но включенных сопротивления на­ грузки (подключаемой к выводу 2 или 7) и суммарного сопротивления резисторов RB (Rl 5) и R9 (R14) к со­ противлению резистора обратной свя­ зи Rll (RJЗ). Без внешней нагрузки коэффициент передачи равен при- 86 мерно 46 дБ, с нагрузкой 42: Низкий уровень шумов дости благодаря малой плотности эмиттера входного транзистора ' (VТЗ). Для стабильности усилитель охватывают отрицатеJ1 обратной связью как по посrоянн так и по переменному току - м входом и выходом (выводы 2, З 6) включают внешний резистор, него также зависит входное сопро
ление усилителя. Если сопротивление резистора равно 270 ...280 кОм, то входное сопротивление усилителя - примерно 2 кОм. Предварительный усилитель запи­ си (также трехкаскадный) выполнен на транзисторах VT15, VT19, VT21 (VT18j VT20, VT22) по схеме, схожей со схемой микрофонного усилителя, с добавлением на входе и выходе эмиттерных повторителей. Коэффи­ циент передачи этого усилителя из-за того, что глубина ООС увеличена, уменьшен до 24 дБ. Эмиттерный повторитель на тран­ зисторе VT1З (VT14) на входе усили­ теля работает при коллекторном токе око.По 10 мкА. Входное сопротивле­ ние каскада при этом превышает не­ сколько мегаом, поэтому необходимое входное сопротивление усилителя мо­ жет быть легко обеспечено включени­ ем внешнего резистора заданного со­ противления. Чтобы получить на вы­ ходе сиmал с максимальной неиска­ женной амплитудой напряжения, че­ рез этот резистор на вход усилителя (выводы 1, 8) следует подводить на­ пряжение смещеюiя около 300 мВ. Эмиттерный повторитель на транзи­ сторе VT23 (VT24) уменьшает выход­ ное сопротивление усилителя. На-, грузку подключают к выходу эмит­ терного пов'Горителя через ограничи­ тельный резистор RЗ4 (RЗ5). Рабочий 11 C1'1eЩl!HUI! 10 ток каскада задан резистором RЗО (RЗЗ). Выбранный режим обеспечива­ ет работу схемы с нагрузкой сопро­ тивлением не менее 15 кОм. Если сопротивление нагрузки около 6 кОМ, между выводами 1З и 4 (9 и 5) следует включить резистор сопро­ тивлением 4,7 кОм. Чтобы уменьшить нелинейные ис­ ~ения, вносимые в тракт записи регулирующим элементом АРУ, в ИМС предусмотрены дополнитель­ ные выводы, на которые поступает инвертированное входное напряжение через эмиттерные повторители, вы­ полненные на транзисторах структу­ ры р-п-р (для К157УП1) или п-р-п - (для К157УП2). Электрические пара.'11етры ИМС К157УП1,2 при 25±10°С и и11.п.ном=12 в Ток потребления /пел• мА (суммарный в обоих каналах) ................................................. 5. .. 9,5 Коэфф1ЩИент усиления Куи: · микрофонного усилите.1я... " ............. 100...165 предварительного уси.1ИТе.1Я за- писи..." ...." .... """....................."""............. 19,5...28 Коэфф1ЩИент гармоник Кг, % микро­ фонного уси.1ИТе.1Я при Uвых = 1 В, /=400 Гц и предварительного уси.1и­ теля записи при Uвых = 1.5 В, /=400 Гц, не более ..... """ ... """"." ... "".".. " .. """"0,2 RB +Uн.п коррекция --~~...-~~--t~-..~.-L:::J~+-.....-~9 \ J BxoiJ 1 ос VTZ коррекция -..~--1f--~•в-~~а·и1 7 !Ul Рис. 3.7 а. Принципиальная схема ИМС К157УН1АБ 87
.,, 00pam/.fQR с811зъ Реzулиро8ха усиления 2 13 BxoiJ J "" 12. Оош,и.u у~ 11 С1'1ещение ~ " Снещени.е .5~ю 1<орре1щин Коррекция :..:: G 9 + Uм.n Выход 7 IJ Рис. 3.7 б. Назначение выводов ИМС К157УН1А.Б С• 100нк • 158 н+ н CS .5Онк•168 f1 g DA 1 Kf57!1111A (КfЛУН1б) R1 fOX CZ -c:J-1 1НХ 2 RZ 100 + Cf •f!iB 7 6 5 CG 200 +Uw п Rн б RJ 33Х ' · 1'00HlfX "-~~~~~~~~~~--' Рис. 3.7 в. ТИповая схема включения ИМС К157УН1А,Б 1::~·~ряжение шумов при !;/=О,02."20 кГц, приведенное ко зходу усилителя, Uш.вх' мкВ, не более: микрофонного при R.=200 Ом.\.. "."."".""." .. ""."" .. " ... "."."".0.6".1 предварительно,го ус:и..~ителя за- писи Rr=16 кОм."."..1"".""""."."".".".3,2"5.2 В-.одное сопротив.1ение Rвх, кОм: микрофонного уси.аите..1я """""""". ". 1 ,6 ." 2 ,4 предваритедьного уси:nпеля за- писи""... ".""..... ""."""" ."."""" .""" ."" ." .160...240 Н"1хо;:~ное сопроТИВ.'lеиие Rаых• кОм, не бо.1ее микрофонного уси.лите.1Я ........ " . .. . . " .. " .. " .. . " .5 предварите.1ьного усилителя за- писи".. " .. """....... "".." .. " ...." .. " .. "."""."",".""".".1 Коэффициент ослабдения сигнала со- седнего кана.1а, дБ, не менее".... ""."" .. " ....... - 70 88 ' Преде.1ьные э1tсплуаrационные пара:11етры имс К157УП1, 2 Напряжение питания Uи п' В: минимальное"""."."."."""""" .. "." "" ."" "." "" .. максимально,е." ....... "".".. """.".. """"..".".".". Выходной ток 1вых• мА: микрофонного · усилителя и предварите.1ьного усилите.1Я за- писи, не более.""..".""..." .......""......" .......... . Рассеиваемая мощность Ррасе• мВт, не более."."....." ...."".............."."................ "."".""."."." ИМС KIS7YH1A, К157УН 1 (рис. 3.7) представляют собой уси тели звуковой частоты. В зависи сти от напряжения питания И подразделяются на группы А и Номинальное напряжение первой +9 В, второй + 12 В.
lbl 11 ан Входной каскад выполнен по диф­ ференциальной схеме ·на транзисто­ рах VT2, VT5. Чтобы получить мак­ симальное усиление, использована динамическая нагрузка в виде отра­ жателя тока на транзисторах VT1, VT4, обеспечивающая также переход к несимметричной нагрузке. Коллек­ торные токи VT2, VT5 заданы гене­ ратором тока на транзисторе VTJ и rезисторе RЗ. Промежуточный каскад выполнен на транзисторе VT8, включенном по схеме с общим коллектором, нагрузка которого создается резистором R4 и транзистором VTi. С эмиттерного по­ nторителя VT8 усиленный по току сиmал поступает на базу транзистора VТ9, а с коллектора последнего - на вход каскада на VT10. Далее сигнал rюдается на вход оконечного каскада на транзИ'сторе VT11. В его коллек­ торную цепь к выводу i подключают нагрузку. Резисторы R6, RlO и дели­ тель Rll, Rl2 ·обеспечивают необхо­ димые напряжения смещения для транзисторов VTlO, VTJJ, VT5. От­ сутствие шунтирующих конденсаторов создает в соответствуюЦ(ИХ каскадах ООС. ИМС можно использовать в разно· образных устройствах ЗЧ. Входное сопротив.r.rение в данном случае в ос­ новном определяется внешним рези­ стором Rl. Значительное уменьше­ ние его сопротивления приводит к уменьшению глубины ООС и увели­ чению влияния выходного сопротив­ ления источника сигнала на устойчи­ l!ость усилителя.. Конденсатор CJ улучшает шумовые характеристики усилителя. В устройствах, где не 11редъявляются требования к шумо­ вым характеристикам, конденсатор CJ не обязателен. Значительное увеличе­ ние емкости конденсатора СЗ может 11ривести к возбуждению усилителя. Изменяя сопротивление резистора R2 в цепи ООС усилителя можно в небольших пределах регулировать ко­ эффициент усиления. Если чрезмер­ но уменьшить сопротивление рези­ стора R2, возрастет уровень нелиней­ ных искажений из-за уменьшения об- •.1 ....... ратной связи. С увеличением сопро­ тивления резистора R2, уменьшаются усиление и нелинейные искажения (из-за увеличения глубины ООС). Значительное увеличение сопротивле­ ния резистора R2 вызывает возбужде­ ние усйлителя, что присуще усилите­ лям с глубокой обратной связью. Ча­ стотная характеристика в области низких частот определяется постоян­ ными времени цепей RlC2, R2C1, RнС~. Чтобы повысить устойчивость усилителя, рекомендуется к выводу 10 ИМС подключать конденсатор ем­ костью 100 мкф. Электричесое параметры ИМС К157УН1А,Б при 25±10"С и Uи.п.ном Ток потребления Jпar' мА, не более: K157YH1A.""..""""".""..""........•....................... S К157УН1Б ...... ""."""""".""."""."" .. """"." ... ""6 Номинальное напряжение mrraНИJI Uи.п.ном' В: К157УН1А.""""..... """"""".. " ... ".............. "."""9' К157УН1Б."""."""."""".""""".. "."""" ... """"12 Чувствкrельность S, мВ: К157УН1А при Uвъпс""l,8 В, /=1 кГц, Rн=6,5 Ом"""""""."".. """" .1 5". 3 1 К157УН1Б при U8 wx=3 В, /•1 кГц, Rн =6,5 Ом """""""""""""""i!l". 50 Коэффициент гармоник Kr' %, не бо- лее: К157УН1А при U.,,ъix ==2,2 В, /==1 кГц, R. =6 ,S ом""""""""""""""""."""s К157УН1Б при Uвь~х""3 В. /•1 кГц, Rи=6,5 Ом."":"""""""".""""""""1 Полоса пропускания Л/, кГц. при Uвх=2 мВ, Rн=6,5 dм""""""""""""""""".0,05."15 Предмъные эксплуаrационные параметры ИМС К157УН1А,Б Минимальное • напряжение питания Uн.п• В: К157УН1А." ..."."....."...""".""."."........ """.....5,6 К157УН1Б"."."""."""""""""""""""""."""."".9 Максимат.нос напряжение питания Uнл• В: К157УН1А-""."""".. "" " ". " "" "" . " "" ".. """"" .10 К157УН1Б"."".""""".. "".."""""""""""""."".15 . 89
11 Напряжение на выводах 7, 1 U1.1 , В, не более: К157УН1А ........... ".". """. """.". """"". """. "" .. 10 К157УН1Б """""."""""".... """"""""""""""".15 Выходной ток 1аьrх' мА, не бо.'!ее "."""".""."".""15 Выходная мощность Рвых• мВт, не бо- лее.. """" ... """".. "."""." .. ""."""""."" .... "" ...... "........ "30 ИМС К157ДА,1 (рис. 3.8) представ­ ляет собой двухканальный двухполу­ периодный выпрямитель среднего значения сиmалов. ИМС используют в цепи УГ):равления приборами инди­ кации средних уровней. записываемо­ го сиmала в ст~реофонических маг­ нитофонах. Функциональная схема ИМС состо­ ит из буферных усилителей Al, АЗ, преобразователей А4, А5 двухполяр­ ного сиmала в однополярный и ста­ билизатора режима А2. Выходные напряЖения на нагрузке каждого канала ИМС (конденсаторах фильтра Cl, С2 и стрелочных изме­ рительных приборах Р1, Р2 (рис. 3.8 r) имеют положительную поляр­ ность. Уровни выходных напряжений с высокой точностью соответствуют средневыпрямленным значениям входных сиmалов в диапазоне свыше 50 дБ, что позволяет использовать ИМС в различных устройствах быто­ вой аппаратуры маmитной записи, а также измерительной технике в каче- канала 1 z А1 Bxoil 1 вxoiloc f J -llм.n 1f Вход Z G вкоtl ос 2 5 BмxotJ ОС z канала t стве преобразователя переменного на­ пряжения в постоянное. Предвари­ тельные усилители построены анало­ гично ИМС К157УД2, т. е. являются операционными усилителями, с той лишь разницей, что в К157ДА1 кор­ ректирующие конденсаторы и рези­ сторы цепи общей ООС, определяю­ щие коЭФФициент передачи, находят­ ся в кристалле. Входные каскады усилителей обоих каналов выполнены по дифференци­ альной схеме на транзисторах VT1, VT9 (VT2, VT10) (см. рис. 3.8 6). Вторые каскады - усилители на­ пряжения - собраны на тра.нзисто­ рах VTJJ, VTJЗ (VT12, VT14). Усилители мощности - на тран зисторах VT17, VT18 (VT19 VT20) - дву..хтактные, работающи без начального смещения. Коллекто ры каждого из транзисторов усилите ля мощности подключены к "токов му зеркалу" на парах транзистора VT21, VT23 (VT22, VT24) и VT2 VТЗ2 (VT28, VТЗЗ). Нагрузкой каска: да является делитель RJR5 (R2R6) цепи СХХ::. Воздействие на вход усилител сиmалов отрицательной или поло тельной полярности приводит к п явлению импульса тока в коллекто ной цепи транзистора структур р-п-р или п-р-п усилителя мощи выВоаос1 А~ вы11оi1 tie- mexmopa 1 1--. i-;;:...- Bь 1x oi l 1 11 + llи.n А5 10 выхоil z j Bы6oil ile- 8 ml!кmopa2 вы&оil ocz Рис. 3.8 а. Функциональная схема ИМС К157ДА1 90
на­ ;ари- 1ало­ :отся той кор­ >ези­ fIЯЮ­ )ДЯТ- боих нци­ VТJ, на­ исто- гран ITJ9 ГN~- ----·- --·--- · Jx ' Rf 1'f :JK f1 l .! 7 Рис. 3.8 б. Принципиальная схе~а ИМС К157ДА1 Выхоа сигнала Вы&оа Велителя ОС канала f оС канала f 1 f~ ilля соеоцнениа с оощим Bxoil lfанала 1 z 1.J Вь;8оа tJemeкmo/1a 1<анала 1 Bxoil сигнала ilля соеi!иненця с оощцм ОС ханала. f .! {2. . Выхо8 канала f' ~ -llи.n "" ~11 + ll'м.n Вхоа си.гнала ос 5 ~ 10 Выхоа канала Z канала l. ~ Bыt1oil оетенmора канала 2 в)( оа канала /!. G~!1 il.лa соеdиненая с общим BыxoiJ сигнала ОС Вь1&08 оелцтеля ОС канала 2 канала 2 7 8 ilля соеаиненин с оощим Рис. 3.8 в. Назначение выводов ИМС К157ДА1 ~1'1t, которые затем подаются в виде ~11ульсов тока одной полярности к · (lJIJJeктopy и базе транзистора VT27 1'28) в диодном включении и cвя­ Ulforo с ним транзистора VТЗ2 V'l'Зз). Последний эквивалентен трем параллельно включенным транзисто- · рам VT27 (VT28), и поэтому ампли­ туда импульсов его коллекторного то­ ка в три раза превышает амплитуду тока транзисторов VT27 (VT28). Вы­ ходное напряжение, представляющ~ 91
DAI Н 157. А! бход //К 2 12 + RJ 15к С1 R'+ f5к 11+Uи.n сг1 + BxoiJ ПI< 101 с1,с2 10мк х1sв Рис. 3.8 г. Тмповое Вl(ЛJ()чеиие ИМС К157дА1 в схеме цвухканальиоrо цвухполупериодиоrо прямител:я срешrего значения СН111ала собой усиленное и выпрямленное входное наnряжение (обеих полярно­ стей), вьщеляется на нагрузочных ре­ зисторах Rl6 (R11) и подводится к выходу через эмитrерный повтори­ тель на VТЗ6 (VТЗ1). Транзистор VТЗО (VTЗI) компенсирует постоян­ ное напряжение база-эмиттер транзи­ стора эмиттерною повторителя. Для устойчивой работы в микросхеме предусмотрена внутренняя коррекция АЧХ (mнденсаторы CJ, С2)'. Постоянные времени заряда и раз­ ряда определяются произведениями емкостИ усредняющего конденсатора фильтра (подключаемого к выводу 12 в одном канале и 10 в другом) на сопротивление резистора R20 (R2 l) микросхемы и сопротивление наrруз- JСИ. " Элепркчеаие параметрw ИМС К157ДА1 ари 25±10"С 11 Uх.а.аом•±15 В Коэффициент усиленu по напряжению Куи·········-·············· ················································ ·· ··7...10 Выходное напряжение иаых' в, не ме- нее.................................................. 1••••••••• •••••••••••••••••• •••• • ••9 Выходное наПр.11Же181С ПОКОЯ Uawa.п, мВ, не более.........••.. . . .. . . ..• .....••• ........ . . ....... ... ... ... . .. . .••50 Входной ток 1"" каждоrо канала , нА, не более........•••.. .••.. ...••..•••.•..•..... .." .... ................. .......200 92 Ток потребления 1aar в отсутствие сиг­ нала (по двум каналам), мА, не бо- лее.................. ".. ... .... ................................................. . Выходной ток 1.. ,. каждого канала, мА, не менее.•.- " " .....""""........." ..."""".•" ....•"2 Преде.о.нwе ЭtЦ:llJIУгrационные парам ИМС К157ДА1 • Напряжение ПИТаIОUI Uк.а• В: минимальное ............. ... ..... ...................... ...... . максимальное ............... ................................ . ВepxlWI граничная частота / rp. -• _кГц, _.,· не менее ..•. ...• ... .. .• ..•.. . .. . . . .• .• .. ..•.••• ....•..•.•.:•••••••••••••• Рассеиваемая мощность Рре1Х' мВт при , -2Sy.+2S°C, не более •.•..•.••.......•... .........•...•••••••• При питании от двухполярного " точника (си. рис. 3.8 а) выводы ! 14 ИМС еоединящ с общим п дом и относительно него сии пропорциональное входному си .. выходное напряжение · (вывод · Однако в некоторых устройствах, , 1 пример, в портативных, удобнее " пользовать один источник литани этом случае ИМС включают, как : • 1 казано на рис. 3.9. Здесь вывод соединен с отрицательным пол : источника питания, поэтому и прямленное напряжение измер относительно ~.....::ro пr.л1vе.а. ин ли ро: ма на• ки 10 на1 ка~ ра: J'OJ ' fC: 'f P' ни :те ro TOI пр \М 110, пр ча• _< ИС ;. 1у •.Ч( ШI схс ги ра· но
Эта возможность использована в индикаторе уровней сигнала (ИУС) с л.инейным газоразрядным индикато­ ром ИН13 (рис. 3.10). Для его нор­ мальной работы необходимо, чтобы начальная длина светящейся линей­ ки была равна приблизительно 10 мм. Одна1'.о коэффициент, связы­ вающий ее длину и ток через инди­ катор, для разных экземпляров ИН13 различен -(разброс около 30 %), поэ­ гому устройство должно обеспечивать 'rезависимую регулировку начального ' f ровня :и коэффициент преобразова­ ния переменного напряжения в по­ .·тоянное. ИУС состоит из двухполупериодно­ rо детектора (DAJ) и стабилизатора тока на транзисторе VT1. Этот ток пропорционален сумме напряжения смещения, поступающего с движка подстроечного резистора R2, и вы­ прямленного напряжения звуковой частоты. При наладке устройства ре­ _<истором R2 устанавливают необхqди- 1.1ую длину светящейся линейки в ·лсутствие входного сиmала (начало шкалы), а затем резистором Rl - .'~,1ину, соответствующую ОдБ (0,775 В) при номинальном уровне напряжения на входе. Чувствитель- .ность измерителя можно регулиро­ вать подбором резистора RЗ. Измерители, собранные по типовой схеме и по схемам, приведены на рис. 3.9. и 3.10, обеспечивают регист­ рацию квазипиковых значений вход­ ного сигнала. Время интеграции та- Рис. 3.10 . Индикатор уровней сигнма с линей­ ным газораJрядным ин;:~и­ катором на ИМС К157ДА1 • 1 BxoiJ Rf G8к z кого измерителя определяется -сопро­ тивлением резистора R20 (R21) (см. рис. 3.8 б), емкостью конденсатора С3 (см. рис. 3.9) и при ука.занных на схемах номиналах примерно равно 10 мс. Время обратного хода зависит от сопротивления цепи разряда кон­ денсатора С3 и в дз.нном случае со­ ставляет около 300 мс. ИМС К157ДА1 . позволяет реrистрировзть максималь­ ный квазипикоnый уровень двух и более (если используется несколько микросхем) каналов на одном инди­ каторе. Для этого низкоомные выхо- IJA 1 К157ДА1 +f58 C'f 1МК -= 1 Bxoil IN; 27/r / 100мкх158 1f z 1 з 1'1 - 4 I CJ10мнх 158 + 12 Rft 22К '' R5 22к Dощш1 Рис. 3.9. Включение ИМС К157ДА1 при о;:х­ ноnо..1J!рном источнике nитания .--------"'~ + f 5 8 12 IJAf К157ДА 1 HL1 ИН1J VT1 KTG05A ; +lOOfJ Rlf .5l0к OOЩ/J.U -1 58 93
+Uи.n R2 ~ DA1 70к 1<157ДА1 11 вход 2 Е С1 1МК R3 ' ~ С3 10мк х 158 .27к 13 + + С2 + R'+ 22к ~R2 4 - rоомкх 758 10к Рис. 3.11 . Схема ИУС среднего значения сигнала на ИМС к1s1Дл1 ды (выводы 10, 12) соединяют вме­ сте и используют один запоминаю­ щий конденсатор и регистрирующий прибор. Часто требуется измерять не квази­ пиковое, а среднее значение сигнала. В звуковоспроизводящей аппаратуре оно, более точно соответствует субъек­ тивному восприятию громкости зву­ чания, а в измерительной технике позволяет точнее оценить эффектив­ ное значение переменного напряже­ ния с неизвестным гармоническим составом. Для построения преобразо­ вателей среднего значения перемен­ ного напряжения в постоянное мож­ но использовать высокоомный выход микросхемы (вывод 13), усредняя выходной ток конденсатором С З (рис. 3.11). Коэффициент преобразова­ ния ИМС в таком включении - около 50 мкА/В. Его можно регули­ ровать, изменяя глубину ООС (рези­ стором R4), охватывающей усили­ тельную часть микросхемы. Высокоомный 11ыход микросхемы весьма удобен для построения изме­ рителей переменного напряжения звуковой частоты с неравномерной, например, логарифмической шкалой. При этом, если обеспечить на нем нулевой потенциал, низкоомный вы­ ход (вы.вод 12) можно использовать одновременно для регистрации пико­ вых значений входного сиmала. На 94 рис. 3.12 а приведена схема такого комбинированного ИУС. Здесь низко­ омный выход микросхемы DAl ис пользован для запуска одновибратор (DDl, Cl, R9), нагруженного индика тором пиковой перегрузки свето диодом HLi, а высокоомный - д формирования ло~рифмической шка лы показаний измерительного при - ра PAl. Порог срабатывания пиково _ индикатора устанавливают подстроеч ным резистором R7. Выходное напряжение индикато зависит от уровня входного сиmал (рис. 3.12 б). Наладку индикатора начинают подачи на вход сиmала, соответств ющего уровню О дБ (775 мВ). ·по строечным резистором R7 устанавл вают на конденсаторе С2 напряжен 3,5 В, а резистором Rl2 добиваю отклонения стрелки прибора PAl отметки О дБ. После этого сиmал входе увеличивают на 1,5 дБ и старом R7 добиваются зажигания тодиода НLl. На этом регулиро можно считать законченной. ИМС KIS7XПI (рис. 3.13) предн ' начена для управления прибор индикации пиковых сиmалов в ка . ле записи стереофонических маmи фонов и формирования сиmалов равления для системы автомати ского регулирования уровня запи (АРУЗ). Представляет собой двух
lКОГО IЗКО· 11 Rlffl< К1ПДА1 2 12 1 R5" llX " Bxoil 13 -78 и,",. 4 ,в J / 11' J 2 1 о / С11НК D01 К175АЕ5 _v !....- - ' ,.... -&о -'tO -ZO HL1 'AЛJ07/iH б О~х•дБ /( !!Jl8otlg 7 JJ]}f ])Дf VD10 КДS21А VD11 1<Д521А К Bы8odg1'f IlD1 Рис. 3.12 а. Схема комбинированного ИУС на ИМС К157дА1 Рис. 3.12 б. Зависимость выходного напряжения комбинированного ИУС на ИМС К157дА1 от уровня входного сигнала lJxofJ n.!11 .f'I' lJы.кotl опо,оно~о 1J наk11женин Ин Rртирующш'i 12 161.lOQ А P!I 11 + l/u.n Неинt!ертuрую- 10 щшi t!ыxoiJАР!/ ooщuii .9 BxotJ Л!IZ. 8 А1 1 lJЬf)(Od Л!lf 1--~-..__,1--~ t. Bxotl И!11 .--........,....--1-~~ выхоiJИ!11 ВыхоiJИ!12 8Jf.Od И!IZ А2 выхоil П!IZ Рис. 3.13 а. Функциональная схема ИМС К157ХП1 lfальное устройство, каждый канал ~оторого состоит из предварительного Усилителя (Al, А2) с амплитудным 4искриминатором на входе (выраба­ tьшающим сиmал, если амплитуда !!.1;одноrо сиmала положительной по- лярности превышает образцовое на­ пряжение) и индикаторного усилите­ ля (АЗ, А4), включающего в1 себя формирователи временных интерва­ лов и выходных импульсов с усили­ телем мощности для управления 95
'fz Рис. 3.13 б. Принщтиальная схема ИМС Кl57ХП1 Выхоа п/Мut!арцmельноzо 1 ;flf. Bxoi лреt14арительноzо gсц- gсили.т1л11 l(анала f лцтелн lfQHQЛQ f Bxoil uнuuxamopнoz!J gси- z 1J BьtxoiJ uсточниха опорноzо \ лителя канала f налряженц я Bь1xoil инilикаторноzо 1 1Z Ин8ертuр!J1!'щиu Вь1хо/J АР!/ !JCUЛUmemr l(QHQЛQ 1 ..... о!ЩUД "' с::: 11 +Uи.n )'( Выхоа ин8цкаторноzо to... Неин4"11тир!JЮЩUU Jыxoil AP!I '~ !JCUAUmlЛlf l(QHQЛa Z s~10 \ :lt:: 8хо/1 ижJимmорноzо G .9 оощи.u 9силите ЛR канало Z . BыxoiJ лреilарит1льно2е 1 8 8xoil пре84арительно20 gcu- gсилителя канqла z лиmеля канала z Рис. 3.13 в. Назначение выводов ИМС Ю.57ХП1 96 . ""1..нWА4ШЖ"
'9 ·и- DA1 К157ХП1 С1 10Htr>i 158 1 Вхоt1ЛК 1't А1 81J1xoil Uasp 13 z + 1Z +uи.п 11 10 g вxoilnк 8 Al Рис. 3.13 г. ТИповое вк..1ючение ИМС К157ХП1 в схе:ме двухканального порогового устройс11 уnрав.1ения прибора\lи индикации пиковых уровней записи с выпрямителем для системы АРУЗ внешними индикаторными прибора­ ми. Общим· для обоих каналов явля­ ются устройство Gl, задающее образ­ цовые и смещающие напряжения для обоих усилителей, и выпрями­ тель U1 системы АРУЗ, обрабатываю­ щий сумму сигналов двух каналов. Амплитудный дискриминатор вы­ полнен на дифференциальной паре транзисторов VTl, VТ5 (VT2, VT6). База транзистора VT 1 (VT2) подклю­ чена к внутреннему источнику образ­ цового напряжения иобР.=1,25".1,35 в. Суммарный эмиттерный ток этих транзисторов определяется генерато­ ром тока на VTЗ (VT4) и равен 100 мкА. Изменение уровня входного сигнала на базе транзистора VT5 (VT6) в диапазоне от -125 до +125 мВ (эквивалентное изменение амплитудного значения напряжения сигнала на 250 мВ) приводит к пере­ ходу транзисторов дифференциальной IIapы из одного устойчивого сос'rоя­ liия в другое. Благодаря резисторам в Цепи эмиттеров дифференциальной tiapы расширен диапазон входных сигналов амплитудного дискримина­ 'l'ора микросхемы, обеспечивающий более четкую индикацию моментов t~ерегрузки кратковременными сиmа­ J:Iами канала записи. Импульс тока, t!озникающий в цепи· коллектора 4 3ак 926 транзистора VТ5 (VT6) · при появлс нии сиmалов с уровнем, превыщак щим пороговое значение, поступает диодное плечо первого токового отрс жателя, выполненного на VT7 (V:Т9: а с него - через отражатель тока н транзисторах VTJJ, VT14 (VTl~ VT15) и резисторы Rl5, RJO (Rn Rl1) - на базы "нормально закры тых" транзисторов ТТ17 (VT18) вре мязадающего устройства и транзиСТ<J ры VT40 (VT4 l) устройства формир<J вания сигналов ~я системы АРУЗ. Соотношение резисторов R8 (R9) 1 Rl6 (R17), а также топология транзи стора VT7 (VT9) выбраны так, ч11 коллекторный ток VT14 (VT15) в де сять раз больше коллекторного ток; VT5 (VT6). Транзистор VTli (VT18 обеспечивает дальнейшее усиление то ка, необходимого для быстрой зарядю времязадающего конденсатора, вклю чаемого между выводqм 1 (7) ИМС 1 положительным полюсом источник; питания. Времязадающий конденса тор заряжается до напряжения, равно го падению напряжения, создаваемоn импульсом тока на резисторах RJ: (R18) и RJO (Rl J), за вычетом напря жения на эмиттерном переходе трар зистора VT 17 (VT18). Это напряженю для случая максимальной переrрузкl' равно примерно 5,3 В. 9
Постоянная времени зарядки равна 1роизведению сопротивления резисто­ 'а R20 (R21) на емкость внешнего <ОНденсатора, подЮiючаемого между зыводом 2 (6) и положительным по­ носом источника питания. При по­ зышении напряжения на конденсато­ 'е до 0,7 В транзистор VT23 (VT24) :~:ифференциальной пары формирова­ rеля выходных импульсов открывает­ ;я, а. VT29 (VТЗО) закрывается. Нагрузкой усилителя мощности на VТЗ8, VT42 (VТЗ9, VT43), является 1рибор световой индикации перегруз­ <И, подЮiючаемый к выходу З (4). Источник образцового напряжения эыполнен на транзисторах VT8, VTJO, VTJЗ, VT16, возбуждаемых ге­ Iератором тока на VT21, VT25 и ре­ шсторе R22. Режимы работы ИМС 10 постоянному току задают генера­ rоры тока на VT26, VТЗ4, VТЗ5 и юковые отражатели на VTЗJ, VТЗ2, '1Т27, VT28, VТЗЗ, VТЗ, VT4. Сигнал щя системы АРУЗ формирует VT44, юторый управляется напряжением, JЫделяемым на R43 нагрузке 'ранзисторов VT40 и VT41. Для индикации могут быть ис­ юльзованы светодиоды, лампы нака­ швания и др. Постоянная времени шдикации определяется емкостью юнденсаторов Cl, С2. }депричесuе параметры ИМС К157ХП1 при Максимальный выходной ток 1max за­ крытого ЮlдИКаторного усилитедя, мкА, не более.. " .. "".""""".""" ... """.. """"."""." ... ". Выходной ток покоя 1nox выпрямителя системы АРУЗ, мА, не более"""".""."".. """"" Входной ток предварительного усили- теля 1ах' мА, не более"""""."""""""""."""".""". Предельные эJССплуаrациониые параметры ИМС К157ХП1 Напряжение источника mпаиия, В: минимальное".".""".. """.""""" . .. "" ."""" .. "" 7 максимальное""".."".""".... """".................... . Напряжение на входах предварительно- го усюцrгеля ивх' в не более""" ... "" "" "" ". ". Выходной ток по выводам З н 5 1з.s• мА, не более."."""..." ......"""."... """""."........... ".". Выходной ток по выводам 10 и 12 110.12, мА, не более."."""."" ..."""""""."""""""".. Рассеиваемая мощность Ррасе• мВт, не более""""".""".. " .. " .. " .. """.""."""".".. ".""""" .""".? ИМС :rо57ХП2 (рис. 3.14) предна начена для создания генератора ток стирания и подмагничивания и с билизатора напряжения с электро ным управлением. Она ВЮiючает себя источник образцового напряж ния GJ с устройством управлен временем включения и выЮiюченИ усилитель сигнала рассоrласован 5 G7 25±10°С и ии.п.ном=15 в ) J __ .___ _ ~ок потребления Jnar' мА, не более""" ... . " . .. . . . . 5 ...9 t 3ыходное образцовое напряжение Uо6р' ·~-~--r в"""""""""."."""."."""."."".. " . . ". "" ". "." ". . ".1, 21." 1,зs -lапряжеиие порога срабатывания по выходу исрб индикаторного усилите- ' ля и системы АРУЗ, В"""".""""""""."""1,0."1,45 -lапряжение оmускаиия Uаrп по выхо- ду индикаторного усилителя и систе- мы АРУЗ, В, не менее "".. "" ." """ "" ." ". ". . """"0,9 3ыходиой ток покоя предвариrельноrо уси.лителя Jвых' мА"."""".." .. "."."""""."."".""4".10 3ходной ток покоя иидикаторRого уси- тrrеля 1ах' мкА""""."""""."""""""".. " "" " " ". 3 5 ". 6 5 " 12 "" 10 Эыходное напряжение предварительно- го усилителя иаых• в".. """ .. """.""""""" .. " "" . 5". 10 Рис. 3.14 а. Функционмьная схема ИМС К15 -'•а~,,:- Г~' 1 ' . 1 ' J9 j" 1 u A.J, pery; 1\овой и !\еJiитель liь1e стр, 4JI.я созд; lilf,я и : ~Ое выхс ~Ора МШ
------------· 1f --r-~-т---~-...------.,-c:::J-.......... VT2lf 111G 101< ' 1'f Z- 1 111+ ~51'. 10 IШ 15К ' VTl1 vти 8 9 7 Рис. 3.14 б. Принципиа.1ьная схема ИМС К157ХП2 Bь18oiJ ,;1,эz вы!оiJ Вы8оо 51 1.1 Вы8оd БZ 8ы8oil К! .J 1Z BыJoiJ xz ?ег!lларо!на ll6ыx "' N 11 Выхоо t::: Peг!fЛl.ll'o!нa Uбых .5><10 Bxoil " Bxoil C'll.lнaлa рас- -~ в :\,: g Вы!оо оля упра!лени.я соzна.соJани.н 7 Bм~oiJ onoplo~o на- Оощцii 8 nряженин Рис. 3.14 в. Назначение выводов ИМС К157ХП2 A.J, регулирующий элемент А2 с то- 1\овой и тепловой защитой, выходной ЦеJiитель АЗ и отдельные транзистор­ liь1е структурь1 с цепями смещения ЦJI.я создания генератора токов стира­ li11.я и подмагничивания. Необходи­ ~Ое выходное напряжение стабилиза­ '0ра может быть установлено как внутренним, так и внешним делите­ лем, подключаемым к выводам 11, 6, 7 микросхемы. Допускается совме­ стное использование делителей. В случае, когда применяется внутрен­ ний делитель, могут быть установле­ ны выходные напряжения, близкие к указанным ниже. 99
Е1 х ПА1 lf1.f7XП2 С1 100 1 1 '---4- -4- -+ ---' 1 Rf 47К RZ 1 1 1 1 "7 1( 1 ....+~'----!'---_,.. ~ 1 ~~1 RJ zz C't f500 L1 ~ ~ 1 _________. :::i 1::1, L-----+- - - - ~~ '-----' ~ Рис. 3.14 r. Типовое вк.1ючение ИМС К157ХП2 в схе~е стаби.1изатора напряжения с ны"I управ.1ение~ и генератора токов стирания и по;~"!аrничивания Напряжение, В 12 10,5 Соеаиняемые выводы 5-6 4-6 Напряжение, В 9 5.5 Соединяемые выводы 4-6, 5-7 4-6 Напряжение, В 3 1,3 Сое;IИНЯемые выводы 5-6,4-11 6- 11 Источник образцового напряжения (в пределах 1,25 ... 1,35 В, т. е. весьма близко к напряжению энергетической зоны полупроводникового материала для кремния - 1,206) выполнен по термокомпенсированной схеме на транзисторах VTJO; VTJ2, VT15, VT17, при этом темпераТ)рный коэф­ фициент напряжения не превышает 0,01 мВ/ 0 С. Питание транзисторов ис­ точника обеспечивает генератор тока на VT2, VT4, VT7 и токовый отра­ жатель на VT5, VT9. Усилитель сигнала рассогласования построен на транзисторах VT20, VT27 и VT21, VT26, образующих. входной дифференциальный каскад с активной нагрузкой на VT23, VT25. Один из коллекторов транзистора VT14 служит динамической нагрузкой выходного каскада усилителя сигнала рассогласования, а остальные - гене­ раторами тока. Режим работы транзи­ стора VT14 задает источник тока на VTJ, VТЗ, VT6, VT8. Регулирующий 100 транзистор VT24 управляется телем рассогласования через эми ный повторитель на VT22. Для защиты стабилизатора от регрузок (при превышении тока грузки более 200 мА) предназнач транзистор VTJ9 в диодном вкл нии и резистор R12, падение на жения, на котором при пере открывает диод и закрывает тр , стор. Проводимость после уменьшается, а следовательно, шаются и базовые токи транзис VT22 и VT24, что ведет к огра нию проходящего через них то грузки. Транзистор VT18, на базу ко подана часть образцового наn ния, недостаточная для его от ния при нормальной температу щищает кристалл от перегрева. температура кристалла повыш до 165... 180°С, транзистор VT/8( крывается и шунтирует базовую VT22. Транзисторы VT29 и зуются при построении rенер тока стирания и подмаmичивани С помощью внешнего дели можно установить выходное напр ние в интервале 1,3".33 В. Для r.taл goe ВЫ" Вре ход1 опр аод: r,tИ~ [ ды НОС1 ле: Эле~ Пред пр Бы хо би; Ток : Ток : /за: Бход1 ла< Быхо ле1 мА Ток, .1е1 мА Коэф лее Отн0< фи~ %/ Ток 1 бол Н:апрJ ЭМI! стр В, Напр} иэ.б при бол Начал CTOj ~=
r.tальной работы стабилизатора вход­ gое напряжение должно превышать выходное не менее чем на 2,5 В. Время включения и выключения вы­ ходного напряжения стабилизатора определяется емкостью конденсатора, подключаемого к выводам 7 и 8 r,tикросхемы. При температуре окружающей сре­ ды от 25 до 70°С рассеиваемая мощ­ ность, Вт, рассчитывается по форму­ ле: = 125-tокр.ср. 100 Эдектрические параметры ИМС К157ХП2 при 25±10"С Пределы регуЛИ]ЮваНИJI выходного на- пряжения ивых• в .. "......................................... 1,3...33 Выходное напряжение закрытого ста- билизатора Uзш, В, не более .............................. 0,1 Ток холостого хода /х.х, мА ............................. 3,2 ... 7,0 Ток холостого закрытого стабилизатора /зап• мА................................................................. 0,5... 2,О Входной ток усилителя сигнала рассог- ласоваНИJI /вх, мкА, не более .............................. 0,5 Выходной ток / вых устройства управ- ления временем включеиия, мА ...........................................................................0,1 ...2,6 Ток, потребляемый устройством управ­ .1еиия временем включеНИJI, /упр• мА....•...........................................•.................•........1,0...2,9 Коэффициент нестабильности, не бо- лее: по напряжению...........'................."......... ±0,002 по току························································ ±0,01 ОтноситеJIЬный температурный коэф- фициент . выходного напряжения, %/0С, не более .................................................... ±0,05 Ток короткого заМЬlJ(аНИJI / х.з' мА, не более .................................................................... 150 .. .450 Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Uк.э.нас транзисторных структур при /к=lОО мА, / 6 =2,5 мА, В, не более............................................................... 0,75 Напряжение насыщения база-эмиттер иэ.б.нас транзисторных структур, в, при /к=lОО мА, /6=2,5 мА, не более•••••••••••••...•. . ..•• .. . .••••• .••.• .. . . .•••.•• .•• .•.••. .•••••••••• . .•• .•. . 1,25 Начальный ток коллектора / н транзи- сторных структур, мкА, - при Rr, =10 кОм, не более ................................................ 1 1- Предельные э1:сплуатационные параметры ИМС К157ХП2 Входное напряжение Uвх, В ................................ .4 .. .40 Выходной ток стабилизатора / вых' мА, не более.."."........."....".. ".......................................... 150 Напряжение коллектор-эмиттер Uх:э транзисторных структур, В, не бо- лее ................................................................................... 40 Напряжение эмиттер-база транзистор- ных структур иэ.б• в, не более ··························· 7 Постоянный ток коллектора / к транзи- сторных структур, мА, не более......." ............ 150 Рассеиваемая мощность Ррасе' Вт, в ди- апазоне температур -25...+25°С......"................... 1 ИМС К157ХП3 (рис. 3.15) предназ­ начена для систем понижения шумов при прослушивании звуковых про­ грамм. Ее основная часть - управ­ ляемый ФНЧ, полоса пропускания которого автоматически изменяется в зависимости от спектра входного сиг­ нала с учетом особенностей слухового восприятия звука. Функциональная схема ИМС при­ ведена на рис. 3.15. Управляемый фильтр (УФ) с пере­ страиваемой частотой среза представ­ ляет собой активный ФНЧ 2-го по­ рядка, выполненный на ОУ АЗ. В ка­ честве управляемых напряжением ре­ зисторов RU1 и RU2 и~пользованы каналь1 линеаризированных и иден­ тичных по конструкции МДП-транзи­ сторов с индуцированным каналом р­ типа. Коэффициент передачи ФНЧ в полосе пропускания задан отношени­ ем сопротивлений резисторов R2, R4 и равен 5. Форма АЧХ УФ определя­ ется соотношением емкостей конден­ саторов, включаемых между вывода­ ми11и18вцепиООСиемкостью конденсатора на входе усилителя (между выводом 12 и общим прово­ дом). Для уменьшения исК?Жений номинальное входное напряжение (его подают на вывод 17) выбрано небольшим, около 100 мВ. На входе ИМС включен повторитель напряже­ ния Al, ослабляющий влияние внеш­ него входного делителя на АЧХ УФ. Сигнал, усиленный ОУ АЗ до уровня 101
191J16 14 15 1'1 1г 11 17 Z'f 1 J Рис. 3.15 а. Функциона.1ьная схема ИМС К157ХП3 Pl'lflAUpolкo 6,011н11ни уста- 11о!л1ни11 t+ 05'щшi Вьпrлю•"NШ! шyнol7l/NUA!rl!HUlf 2. l.J Bыxoil ozpaнцvum11л11 ниним!lна Р11улироlко lр11н11ни !ft'- moнo!Al!NU1' :1 22 З61но 2 ll'coloz.o фильтра 8xt1l lиtptp'l"нquamo;нz • Zf J811но f 811col1110 (Jильтра Atryлuf'll!кt:t. l7Df'lllt1. lина- s to BыxoiJ али5раul/11ско1tо С!fннатора !Wll/l!t'NO!t/J шgнDl70HU/lrl!HUll .P11tgлupo!1<a !11,1Jxн11u , в~ 1!1 Нl!ин611рти,о!lющи.u !хоа али5раи- 11астоmы cp11.Ja 1111сноzо с9мматора Pl'Z!JAU,DtJ!нa HUЖHl!U ).; Sъ1xoi/ .Ji11нo. f осна!но20 9пра8л11- " i:-.. 14 частоты t:pi!Jt:t. ~ 11иоzа tрильmра Sн!l._111Pl!HН1fR !lcmaнo!1ra 6911- в :1о: .,., Bxoil iluнaнu1111c1<0211 fильтра Нl!U vacmomы ср1,о. · Bь 1 x o i i лин1ал и1ир!f ющеzо gcmpoilcm8a -Uн.n 9 1G J!llia f осно8но10 !f17pa!лttl'NDlo tрильmра +Uи.n fO 15 81>1xoii лин11а.ли:sирую':j,1110 ycmpoucmk ;s/l!NQ 2 DCNO!нoza flЛpD ' .17111'NOIO l/JU Л6z0..· /!ыхоо t1инаниwскоzо 11иль - и "" !lлраlлNющш'i 8xoil :s6t'нa 2. осно нQ- l!itl у1111а8л111ноzо 1/'Uльтра mpt:t. ' Улра'!т:ющш'i !x.oiJ .J!ена 1 осно!но- Bыxoil .:s8ена 2 осно8ноzо f2 1$ ео и /ололнительноzо 9лро.!л11ень1х !fлра4ляющ11ю f/'UAьmpa tрильтро6 Рис. 3.15 б. Назначение выводов ИМС К157ХП3 102 .,~1~~.·, 9xoiJ !<1 1JK {f2 .о/( 500 ва~ д 4, ~) ~ "•u Ом
" ~ ~ ' 9xoil !<1 1JK {f2 .о/( ПА1 !< 157ХП3 , С1 ~2 19 2.0 l/J l201< То ZlOO fOOO f6 1Ь шумопониженuе С6 1800 Jсвпоо f'f 12 С!/ RG 0/НК JJOк порог 11 С10 150 l J R7* о... 150к Рис. 3.15 в. Типовая схема вк.1ючения ИМС К157ХПЗ выхоо 10 8 +158 - 158 500 мВ, поступает на вь1ход устройст- Эффект понижения шума в дина- ва (вывод 11). мической системе шумопонижения Канал управления состоит из ал- (ДСПШ), выполненной на ИМС гебраическоrо сумматора А2, управля- К157ХПЗ, основан на следующем щего усилителя А4, ограничителя принципе. При отсутствии входного инимума UЗ, частотного корректора- сигнала или очень малом уровне вы- ифференциатора А.5, амплитудного сокочастотных составляющих в его етектора U5, регулятора U 1 началь- спектре полоса пропускания УФ огра- ого (нижнего) значения частоты ничена частотой fв.гр.н• равной "~ реза (/в.гр.н) и регулятора-ограничи- 800...1600 Гц (в зависимости от уста­ еля U2 ее конечного (верхнего) зна- новленного начального значения час­ ения Uв.rр.к)· Кроме того, в ИМС тоты среза). Сужение полосы пропу­ ходят источники образцового напря- скания приводит к снижению общего ения и стабилизированных токов, уровня напряжения шума на выходе словно объединенные на схеме в устройства. Это понижение пропорци­ зел U4. опально корню квадратному из отно­ Шумопонижающее устройство на шения частот /в.гр.к и /в.гр.и· Если, МС К157ХПЗ (см. рис. 3.15 в) спо- например, первая из них установлена Обно подавлять шумы звуковой про- равной 20, а вторая 1,6 кГц, то аммы с динамическим диапазоном выигрыш по шумам составит около 7".50 дБ, практически не внося иска- 11 дБ. При более широкой полосе ений в обрабатываемый сигнал. (0,8".20 кГц) эффективность системы ~еньшение напряжения шума на возрастает до 14 дБ. Оценка эффек­ Ь1ходе фильтра в широкой полосе тивности системы с использованием астот достигает 15 дБ, в области вы- частотно-взвешивающего фильтра !.tiиx звуковых частот - превышает МЭК-А показывает, что снижение на­ дБ. При номиналах конденсаторов пряжения шума в последнем случае 4, С6, С8, указанных на схеме превышает 15 дБ. ~Х УФ вблизи частоты среза имеет Когда во входном сигнале появля­ ебольшой подъем (около 0,5 дБ), а ются высокочастотные составляющие Ь1ще этой частоты падает с накло-· достаточного уровня, полоса пропу­ ом - 12 дБ на октаву. скания УФ соответствующим образом юз ., ,,.
DAf к157хпз BblXDd Со 1800 CJ о,1нк 13 Вход f't 11 С7 f5 10 -t-158 0,fНI( R1 fG .9 ooщu.ii J!Jк " " 17 ~ 6 RJ RZ _, 16 7 68 /( -f58 10к " ,, cz· Cf z SAf zz 4 J C't ZJ Z'!OO Z4 1 CfO 150 Рис. 3.16 . Схема включения ИМС К157ХП~ в мас­ совой радиоаппаратуре расширяется, но, возрастающий при этом шум не воспринимается слухом из-за эффекта маскирования его по­ лезным сиmалом с более высокой энерmей. Точность управления поло­ сой пропускания УФ в значительной степени определяется амплитудно-ча- · стотной и переходной характеристи- ками канала управления. , Включение (выключение) режима шумопонижения осуществляется раз­ мыканием (замыканием) контактов выключателя SAJ. Схема включения ИМС К157ХПЗ в массовой аппаратуре приведена на рис. 3.16 . Начальное и конечное значения верхней граничной частоты !в.гр.и и !в.гр.к можно изменить соответствую­ щим подбором конденсаторов С4, С6, С8 (зависимость обратно пропор­ циональная). Кроме того, предусмот­ рена возможность раздельной уста­ новки этих частот изменеuием мини­ мального (резистором RЗ на рис. 3.15 в) и максимального (рези- 104 стором R4) сопротивлений упра мых резисторов RU1 и RU2 (у чение сопротивлений этих резис понижает оба значения верхней ничной частоты, уменьшение - личивает). Перед тем как устано требуемую f в.гр.к вывод 20 необх. мо соединить с общим проводом. Под порогом шумопонижени рассматрJJваемой ДСПШ подразумl ется такой уровень входного си ' 6 кГц, при котором коэффициент редачи УФ уменьшается на 3 д отношению к коэффици~нту пе чи на этой частоте при выкл rюм режиме шумопонижения. К157ХПЗ допускает установку не димого порога как с помощью лируемоrо резистора RUЗ рис. ·З.15 а), так и соответствую выбором внешнего делителя. Пе из этих способов предпочтитель если резистор оперативной реtули ки порога необходимо располо вдали от ИМС, и на входе ее кан управления возможны наводки. Э' OI tI р tI /{ С1 lf 11 tJI ж м J(J р< м Д( 5 R А BI TI А п о Д1 в: с Д1 61 н у; р; ж ф у li '-!; fJ
:ан и. 3rом случае порог шумопонижения ции на спад сигнала максимального 0nределяется суммарным сопротивле- уровня 100 мс. Если необходимо tlием резисторов R5, R6 (см. другое время реакции, можно ис­ рис. 3.15 в): при R6=0 он находится пользовать конденсаторы СЗ и С7 t1a уровне -30 дБ, а при другой емкости. J<6=330 кОм достигает -50 дБ. Рези- При этом емкость конденсатора СЗ стар R5 предотвращает выход ИМС должна быть равна емкости С7 и со- 11з нормального режима при ·павы- отношение между временем реакции шенном напряжении питания и пол- на нарастание и спад сигнала оста­ ностью введенном резисторе R6. Если нется неизменным. Время реакции же необходимости в оперативном из- ДСПШ на нарастание сигналов мало­ менении порога нет, его устанавлива- го уровня (от -20 до -40 дБ) можно ют включением постоянного резиста- регулировать (в сторону увеличения) ра сопротивлением около 30 кОм подбором резистора R27, включенного между выводом 20 и общим выво- между выводами 1 и З. Увеличение, дом (резистор R28, рис. 3.16). Вывод времени реакции пропорционально 5 при этом не используют. сумме сопротивлений этого резистора и резистора R7. Конденсаторы С5, С9, резисторы RI, RЗ и управляющий усилитель Напряжение входного сигнала на А4 (см. рис. 3.23 а) образуют фильтр выводе 17 устанавливают близким к верхних часmт. 2-го rrорядка с часто- 100 мВ (номинальное· значение) под­ тай среза около 1,6 кГц и наклоном бором резисторов делителя R 1R2. Но­ АЧХ 12 дБ на октаву. Спад АЧХ за миналы резисторов не должны быть пределом рабочего диапазона частот слишком большими, поскольку при определяется резистором R6 и кон- этом увеличиваются шумы на выхо­ денсатором сJ в цепи ООС, охваты- де устройства и напряжение смеще­ вающей усилитель А5. Конденсаtор ния усилителя Al. Номинальное зна­ С2 увеличивает крутизну спада АЧХ чение входного напряжения может. до 18 дБ на октаву. Его емкость вы- быть выбрано и другим, однако это бирают из условия С2=0,2С8. Если приведет к соответствующему измене­ необходимо изменить АЧХ канала нию порога шумопонижения (зави­ управления для большего подавления симость обратно пропорциональная). различных помех, например, напря- ДСПШ на ИМС К157ХП3 допуска­ жения родмаmичивания в маmито- ет четырехкратную перегрузку по фоне или поднесущей частоты в входу при коэффициенте гармоник УКВ ЧМ приемнике, дополнитель- Кг не более 0,5 % (типовое значение liьre элементы рекомендуется вклю- Кг при уровне входного сиmала '-!ать между выводом 20 и общим 400 мВ - 0,1 %). r~роводом устройства. Для некоторых экземпляров Элементы, определяющие время' К157ХП3 напряжение· питания может · реакции УФ на нарастание и спад быть снижено' до значений сигнала, за исключением интегрирую- +ии.п=4 В, -ии.п=-8 В (в чем сле­ l:Цих конденсаторов СЗ и С7 в управ- дует убедиться экспериментально). !!яющих цепях резисторов kUJ и Для устройств, в которых верхняя ~И2, входят в состав ИМС. По этой граничная частота /в.гр.к не превыша­ f!ричине независимое изменение вре- ет 12."13 кГц, напряжение -U~п' мо­ ~ени реакции ДСПШ на нарастание жет быть снижено до -(6...7) i:s бла­ ~~ спад сиmала невозможно. При но- годаря сужени~ требуемого диапазона ~иналах конденсаторов СЗ и С7, ука- изменения управляющего на~ряже­ занных на рис. 3.15 в время реакции ния. lia нарастание сигнала номинального Схема включения ИМС К157ХП3 Уровня, примерно равно 1 мс, уровня при питании от однополярного ис­ --4 0 дБ - около 10 мс, время реак- точника, отрицательный полюс кото- 105
С6 1600 С12 выход + С11 CJ с~ 1Омк><.25в +Uи.n Вкоа 1 1J 12 н " O,.J.Jм11 0/МК 7У 11 lf.700 3 С7 15 10 R11 о,1мк J,911 16 9 17 С2 1000 16 -U.n RZ1 10к 1 19 С13 " 20 sомк XZ'SB l <:::. DAf ц. .Sд1 1<.157ХП3 0,1 мк Rц.11 С10 JОк f 150 Рис. 3.17. Схе~а вк.1ючения ИМС К157ХПЗ с о;~нопо.1ярны~ источ­ ником питания о z 4 О'~пр1 В Рис. 3.18 . Завис~ость верхней граничной ча­ стоты от управ..1яющего напряжения 106 рого соединен с общим проводом тройства, показана ~а рис. 3.17. в качестве общего провода испол ·ют положительный полюс источи питания, перемычкой соединяют ю такты 2 и З, а полярность конде торов С2 и СЗ изменяют на прот положную. Напряжение однополярноrо и ника питания должно равняться ме напряжений источников +Ин. -Ии.п• при этом на выводе 24 он должно ВЫХОДИТЬ за границы дельно допустимых значеций напряжений. Необходимо также тывать возможность протекания в пях выводов 24, 9 и делителя дополнительного тока 0,2 ...0,8 меняющего напряжение на 24. При необходимости его ко сируют более тщательным под резисторов R5 и R6. . Напряжения, которые подают~ выводы 13 и 14 имс, могут использованы для управления ройством индикации, отображаю текущее значение полосы пропу ния управляемого фильтра. Вход ' 1," L(I fJC tI С1' 01 Чf та pf те Bl: с с n IJ1
L(епь такоrо устройства следует вы­ fJОЛНИТЬ на полевых транзисторах. tia рис. 3.18 приведена типовая зави­ симость верхней граничной частоты от управляющеrо напряжения Uупр· К157ХПЗ можно использовать в ка­ честве ФНЧ как с фиксированной, так и с изменяемой (переменным резистором в цепи вывода 6) часто­ той среза в режиме "Шумопонижение выключено". Элепричеспе параметры ИМС К157ХП3 при 25±IOOC и Uи.п.иом""±15 В Коэффициент уСИТJеНИJI по напряжению Куи при Uвx=lOO мВ, /вх•400 Гц и коэффициенте передачи делителя 5.""."."...•.•."""."••"."""....""•..""."........""....""".4,7...5,3 Ослабление уСИ11ения на верхней гра­ ничной частоте входного сигнала кос"• дБ: при Uвx=lOO мВ, f вх""20 кГц.".""""""""."".".. "". """ ." -2,5." +1 Uвx=lOO мв; /вх=32 кГц, не бо- лее.".""..• ".""".• " .."""""".. ".".""."".".•""""."-3 Uвx=lO мВ, fu.=1 кIЦ, не ме- нее".""""""."""""""""".""""""""""."""""". -3 Uвx=lO мВ, fu." " 2,5 кГц, не бо- лее"""""".""""""""".""""""""""""""""""". -3 Uвх=О,32 мВ, fвх=6 кГц, не ме- нее""""""."."""""""."""""""""""""""""""" -3 Uвх=3,2 мВ, f u.=6 кГц, не бо- лее.""."".".. """."""."..."""""""""."""""".. " .. -3 Uвx=l мВ, fu.=10 кГц, не бо- лее........... "" .. """"-".- """" """"".. """ .. . . .. ".. . - 3 Ослабление усилеНЮI на нижней гра­ ничной частоте к00.., дБ при Uвx=SO мВ, /=1 кГц, не более".""."""."."." -16 l<оэффициент rapMOIDIК ~ %, при Uи.п""±12 В, Uвх=400 мВ, 1=4f:IO Гц, . а также /=20 ООО Гц, не более"".. "". """. "". "0,5 Входной ток I_ . иА, через вывод 17, не более"""...".. ""."""".•"""".""".."."..........." ..."".0,5 Выходной ток 1aьrr мкА, через выводы 13, 14: при и.,.""о"."."... "."" ... "" ... "... "... """"." .. 1з".26 U =1 мВ, /=10 кIЦ""""""""""""""""3."10 - U •10 мВ, /=10 кrц"""".""""""".150".450 llыходиоеu.напряжение покоя U8ьа о• В, не более"".""""""""""""""""""""."""""""""". ±0,5 Приведенное ко входу напряжение шумов Uш.вх' мкВ, при Uвх =О, /=0,02...20 кГц, не более""".""".""""""."" .... ". "1 5 Преде.пьные эксплуатационные параметры ИМС К157ХП3 Напряжение питаИИJ1 Uи.п• В: минимальное".".... ".""" .. " .. . . " ... """... . ""." .. ±12 максимальное.".... ".".".".".".""""."."".". ±16,5 Ток потреблеИИJ1 1nrrr> мА, от одного источника при Uвх=О, Uи.п=±16,5 В, не более"""... "."".""""."""".. ".""""....... ""..... " .. " .. 8,5 Максимальное входное напряжение Uвх ,,,.... не более""""""""" .. """....... "".......... "±Uи.п Максимальное выходное напряжение Uвыхтах• В, при Uвх=±З В, ии.n=±15 в не менее"""""..... """""""""""".. ±11 Максимальный выходной ток / вых тах• мА, через вывод 11 при Uвх=±З В, ии.n=±15 в.""""."""""""""""""."""""""".. " "• . 6 ". 2 0 3.2 . СЕРИЯ KI 74 Серия Kl74 представляет собой комплект аналоrовых микросхем для звукопроводящей аппаратуры. Микро­ схемы выполн.ены на биполярных транзисторах с изоляцией р-п перехо­ дом. Состав серии ИМС К174УН13 - писисАРУи ный усилитель ния звука усилитель за­ _предваритель­ воспроизведе- ИМС К174ХАЗА,Б устройство подавления шумов в трактах приема-передачи звуковой ин­ формации Микросхемы выпускаются в пря­ моуrольном полимерном корпусе с перпендикулярным расположением выводов. Номер чертежа корпуса и основ­ ные эксплуатационные характеристи­ ки микросхем помещены в табл. 3.2 . ИМС К174УН13 (рис. 3.19) пред­ ставляет собой устройство, содержа- 107
Таблица З. Номииата~ Рабо<!ий 11Иапаэов Гарантирован- Гарантиро- Номер ч Михросrема вапряжеиvе. темnера1ур, •с IWI наработка ванный срок ТИn корпуса корпуса mrтания, В на отказ, ч zраиеивя, пет К174УН13 +9±10% - 25... +55 25 ООО 12 238.16-1 9 К174ХАЗ +15±10 % -10...+55 15 ООО 10 238.16-1 9 15 ,~ 1;, 72 11 10 16 AJ g 2 7 8 Рис. 3.19 а. Функциональная схема ИМС К174УН13 BxoiJ fl!:IB Vн.n П!IВ Bxoll ое П!IВ z Uи.n!JJи АР!IЗ Bы8otJ J "" Вхоа АР!:IЗ BыxotJ П!/8 " ~п Вхоа AP!l.J оощиii n!IB 5 ::.:: 12. Вь111оi1 ~ В1;1хоо АР!:IЗ в~{f Вы&о8 инSертирgющиii. "' '' 7~10 оощи.U. Уз Вхоа УЗ ., Неинgертирgю- в !J BыxoiJ !IЗ щи.й BxoiJ УЗ Рис . 3.19 б. Назначение выводов ИМС К174УН1З щее 11редварите.пьиый усилитель Al, узел автоматаческой реrулировки уровня записи А2 и усилитель запи­ си АЗ. ИМС предназначена для ис­ пользования в усилителе записи с АРУ и предварительных усилителях воспроизведения маtнитофонов.· Ос­ новные зависимости параметров от режимов работы ИМС приведены на рис. 3.20 а...3 .20 r. " Э.вепрвчесюtе парамеrры ИМС К174УНl при 25±10"С и Uв.n.иом=9 В Ток потребления 1nor' мА: предвариrельноrо усилиrеля " . ". """ "".." усилителя записи с АРУ""""""""""". •• 6-;: Коэффищtеит усилеНllЯ напряжения ~и· дБ, уситrrеля записи с АРУ, не менее .............. "....•..--········"......... .. .......... ...... ... " Рис 1L1я ИI
J 't567 + С+. +98 BыxotJ Cf9 Z20 С20 qо15нк Рис. 3.19 в. ТИповая схе~а включения ИМС КlдУНlЗ Iпот' мА 11 /О 9 8 7 6 s lf J 5 6 7 8 9 10 lГи.n• В Рис. 3.20 а. Зависимость тока потребления предварительного усИJIИТеля от напряжения питания 'L1я ИМС К174УН13
7 /j 5 ~ J 2 f 1 .,., мА . - ... - -... ,... ~ 5 ~ ~ ~ ~ _..- - G 7 ~ ~ .... .- - - ~ ~ - ~ - - ' 1 8 10 Рис. 3.20 б. Зависимость тока потребления усилителя записи с АРУ от напряжения питания имс К174УН13 л UдР!11дб 3,'f з;z 3,0 2,8 l,S 2,lf- z,z zp 1,8 1,G 1,* G7 5 891011Uи.п Рис. 3.20 в. Зависимость диапазона АРУ по напряжению от напряжения питания д11J1 ИМС К174УН13 Коэфф1ЩИент гармоник ~ %, не бо­ лее предварительного уСИJJИТеля при коэфф1ЩИеите усиления 28 дБ...........................................................•. . . . . . . 0,2 усилителя записи без АРУ при коэфф1ЩИСите уси.'lения 54 дБ................................................................... 0,4 Диапазон АРУ по напряжению дUАРУ• дБ, не более.....•......••••..•.......................•.......................6 о255075 Рис. 3.20 r. Зависимость мощиосm рас ния от температуры окружающей среды имс К174УН13 Приведенное ко входу напряжение шумов Uax.w• мкВ, не более ...........• . . .. . . .. . .• ." .• Преде.11ьные эхсп.луаrационные имс Кl74УН13 Напряжение питания на выводах 15, 16 U15, U16, В 1 " минимальное .................................................... . максимальНОt.·······;··········· 00 ••••••••••••••••••••••••••••• oФt'11;_~~"•• Jtlt..;f Вход~ бо.1 Со пр ме и ляе 1 стаб тел~ А2- мыi и и11 чи: ЭЛЕ Ток 1 Ко эф ~1 Коэф ~l l/В'J ПодЪ< 5~ вхс Вход~ ме1
Входное напряжеиие Uвх, мВ, не более...."....................................................................... 100 Сопротивление нагрузки R8 , кО:1.1, не менее .............................................................................. 10 ИМС К174ХА3 (рис. 3.21) представ­ ляет собой устройство, содержащее стабилизатор напряжения Al, усили­ тели с дифференциальным. входом А2 - А6, ограничитель ZLJ, управляе­ мый резистор А7 и детектор U1. ИМС предназначена для усиления и шумоподавления в трактах переда­ чи звукового сиrnала. Электричесkие параметры ИМС К174ХА3 при 25±10°С и и".п.ном=15 в Ток потребления /пrл:• мА ................................... 15 ... 30 Коэфф!fi.\Иент уси.nения напряжения Куи при Uвx=lO мВ: 1 - 3 -ro усилителей .................................. 16 . .. 24 4, 5-ro усилителей ............................... 480 ... 720 Коэфф1ЩИСит усиления напряжения Куи 3, 4-ro усилите.1ей при l/вx=l мВ............................................................... 10 . .. 17 Подъем АЧХ Клчх• дБ, на частоте 5 кIЦ в режиме записи прИ уровне входного сшнала -30 дБ.............................. 6,5 ...9,5 Входное сопротивлеиие Rвх, кОм, не менее: 1-ro усилителя ................................................. .50 2-ro усилителя .................................................... 5 Коэфф1ЩИСнт гармоник ~ %, при ивых=2 в, не более: 1, 2, 3-ro усилителей .................................... 0,5 4, 5-ro усилителей .......................................... 10 Коэфф1ЩИент rармоJЩК Kr' '7с 3. 4 -ro усилите.1ей при Uвых=О,2 В. не бо- дее .......................................................... " . . .. . . . . . . .. . . . . . .. . . . . . . 1 Постоянное напряжеиие на выво;~ах 4, 7, 11, U4 , U7, U11, В........... """ .. " ...... """"".6.5".9.5 Выходное сопротивдение Rвьг.:· кО\!. 1-ro уси.1ите.т~я ............. " ... .. "" . .. """ ". """". " .. ". 2 .5 .. . 3.5 КоэффiЩИент ос.1аб.,1ения Кос· зБ. на fв.rp на частоте 20 кГц, не бо.1ее ............ " . .. "" ."3 Отношение сиrиа.1/шум Кш. зБ. отно- сите.1ьно Uвых=730 мВ. не менее: К174ХАЗА........ " ......... """ .. " .. """""""" .. ""."".66 К174ХАЗБ .................... " .... .. " ." ". "" .. . " .. . """"". 60 Коэфф1ЩИент ос.1аб.1ения вхозноrо на­ пряжения Кос.ах· ;~Б, :1.1ежзу кана.1а­ !>!И при U8 , =Uвых=l В, j= 1 кГц: 12 кГц, не менее.......:.. " .......... """"".,.. ""." ... " .. " .. 56 По.1оса пропускания Л/, Гц. при Kyu=O .аБ......................................................... 20 . .. 20000 Вх_одное сопротивление Rвх, кО:1.1. в ти- повой схеме, не менее..........." ............................ 250 Предельные Эkсплуаrационные параметры ИМС Кl74ХА3 Напряжение питания Uн.п' В .............. " . .. . . . . .. . . . . 10 ...20 3.3 СЕРИЯ К547 Серия К547 представляет собой аналоговые микросхемы для стерео­ фонических катушечных и кассетных маrnитофонов, но их можно приме­ нять и в других узлах аппаратуры зч. 1.I 1'f . 15 Рис. 3.21 а. Функциона.1ьная схема ИМС К174ХАЗ Цl
:.- - i~ ~1" : ...... ...... N 2 3 15 1 К174ХА3 VT20 VТ33 VТ1 /1 1 Rtб 20к 4.' ·------- ------ --------------------------~----·---- --- · VT39 8 VTLf.1 ·~ VJJ/1 С5 5 , -+ rirrч6•Ф iIO±'"Uтtscпrz&s - r-:чn, ; ? •• " 2n.7У*•аtc 71_Фn 1 ... 710 11
... - .. ..~ ~ ~ 710 11 --·--· -·---· --- . ·- --- -- --- --·- ·1 Rlfб Rб7 · ~~==-=---=-Н=====~~~30 1 R38 S,'+к ------· --· --- --- -- - --- ----- --- -- - --- 15" 13 12 1:;. Рис. З.21 б. Принципиальная схема ИМС К174ХА3 1 . 1 i. 1 1 1 . ________ _J
б,x.off ~ усилителя 1 16 + Uи.п Вхо8 Z gсцлumелн z f.5 BыxoiJ ВетекП7017а Вхоа сумматора 3 "~ вы8оа Вы8оi1 i,, ..... п Вы8о8 Bыxoil 1 усилителя s~12 Вхоа 8e177exmopa. ::..: Bыxotl 2 !lсилителн 'J. G"- 11 Вхо8 .5 !/сцли.телff ~ Вь1хоо сумматрра 7 ;i, .; вы~оа 16 Bor&oa 8 17 Оош,и.Й. Рис . 3.21 в . Назначение выводов ИМС К174ХА3 +98 С1 2SОмк х 108 Вход 6 JOOO ч16 !! 12 С14 10мкх68 д 1 + Выхо R7 ~3к С13 10мкх68 + 1 ... RB 180 Рис. 3.21 r. Типовая схема включения ИМС К174ХА3 Состав серии 47КП1А-Г - четырехканальный электронный переключатель :кросхемы выполнены по МОП логик с индуцированным kа.На­ ,_типа. кросхемы выпускаются в пря­ льном nолимерном корпусе с ндикулярным расположением \ОБ. Номера чертежей корпусов 1, и основные эксплуатационные ха теристики микросхемы приведеньt табл. 3.3 . К547КП1 Робочиi ДJWIAЗOH темперmур,0С - 2 5".+70 Тип корпуса 201.14 -1 . . · .. ;...а... 3 исток 1 зат~ор 1 Исmо1< 2. Зат/Jор 2 исток J Заm/1017 J' Истои 4 затJ017 4 имс] начена ДJ сигналов. тичных индуцирс Ключи 1 сопротивJ крытом цию по пями уп ми ком: исток) и ским pt сигнала 1 Откры творы на лярности максимсu жение к стоке ил значение ключа ( ключа BJ Цля зак~ должно наnряже1 Наnряже быть по: I< стоку симальнс liиe сиm
Подложка Рис. З.22 а. Принципиальная схема ИМС I<547КП1 11 1 3 -:ток 1 Сток 1 7m8ap 1 z 7 5 ·сток г. Сток 2. zm/Jop 2 G 8 fD ·сток J Сток :J zm/Jap J' g 1'f 12 •стаи 4 Сток 4 12rп!ор 4 1J ИМС К547КП1 (рис. 3.22) предназ­ ачена для переключения аналоговых 11гналов. Она содержит четыре иден­ i1ЧНЫХ МОП-транзистора (ключа) с ндуцированным каналом р-типа. :Лючи имеют большое отношение )Противлений в проводящем и за­ рытом состоянии, хорошую изоля­ ию по постоянному току между це­ ями управления (затворов) и цепя­ rи коммутируемого сигнала (сток, сток) и, подобно электромеханиче­ ким реле, обеспечивают передачу игнала в обоих направлениях. Открывают ключи подавая на за­ воры напряжени'я отрицательной по­ ярности, которое должно превышать 1аксимальное отрицательное напря­ •ение коммутируемого сиmала (на токе или истоке) не менее чем на начение порогового напряжения люча (для надежuоrо открывания люча выбирают обычно около 3 В). (ля закрывания ключей на затворы .олжно быть подано положительное rаnряжение коммутируемого сигнала. Iапряжение на подложке должно ыть положительным по отношению : стоку и истоку и превышать мак­ имальное положительное напряже~ ше сигнала. Истох 1 1 "* Истои .,. ЗаrпВор, 1 2. t:I .7ат4ор 4 Стах 1 J '12 Сток 4 "' 4 ~"1 поаложка Сток ~ 5 " 10 Сток~ ~ 3ат8ор 2 6~g Зат~ор :J Исток Z 7 8 Исток .J Рис. 3.22 б. Назначение вывоцов ИМС I<547КП1 ИМС К547КП1 подразделяются на четыре группы (А... Г), отличающиеся максимально допустимым напряже- , нием межцу стоком (истоком), и под­ ложкой. Кроме того, для ИМС груп­ пы Г нормирован коэффициент ди­ намических сопротивлений между стоком и истоком транзисторов, что позволяет использовать их в многока­ нальных аттенюаторах напряжения. На рис. 3.22 в показан пример применения ИМС для коммутации сигнала на входе усилителя звуковой частоты в режиме "Монитор". Этот режим позволяет при подключении маrниtофона со сквозным каналом одновременно с записью контролиро­ вать на , слух записываемую фоног­ рамму, а также прослушивать во вре­ мя записи на магнитофон любой другой источник сигнала. . На два входа (выводы 7, 8) ИМС DAJ поступают сигналы с любого ис­ точника (тюнера, магнитофона, про­ игрывателя, телевизора) на два дру­ гих (выводы 1, 14) - стереофониче­ ский сигнал с магнитофона со сквоз­ ным трактом. Режим "Монитор" уста­ навливают нажатием на кнопку SB 1. При этом напряжение отрицательной (открывающей ключи) полярности' 115
+158 fЗ,2 /( ~5к 11 DA1 K5't7 КП1Б R·t 1 вхаалк 1К ~ Выха'аЛJ( R2 7 "'€3- 15Dx <::, RЗ ~ 8 :::i выхаапк ~ 150х "'t::i ~ R4 >:: вхад Пf( , 'lf 1к t::i -15 _8 °' ' :::, " вхаалх-------' J 2 5 б 10 ·g 12 fJ Ha/./umop R8 220/f VT1 . KTJ1026' С3 выхаilл '+ Юмк xf68 R!l tlx ,, vтг KТJ1f12 ['lf выхоiJ llK. + 20нtr• • 16в ~ {BxoiJ Пff ~ Рис. 3.22 в. ТИповая схема вкJiючения ИМС К547КП1 ~ "" юступает на выводы 2, 13, а поло- кительный (закрывающей) - на вы­ юды 6, 9. В результате на выводы r, 5 и 10, 12 ИМС поступает только :игнаJI с маmитофона. Применение 1миттерных повторителей на транзи­ :торах VT1, VT2 обеспечивает стан­ [арпюе (220 кОм) входное сопротив­ rение входов, а также способствует охранению большого переходного за­ ухания (благодаря низкому выходно- 1у сопротивлению). Необходимое напряжение на под­ ·ожке полевых · транзисторов ИМС беспечивается делителем R5R6. Электрические параметры ИМС К547КП1 при 2s±10°c lороговое напряжение ипор' в"......." .. . . .. . . "-(3."6) ~инамическое соnротивление в откры- том состоянии Rоткр' Ом, не более.""""..""".".""."""""""""."""""".""" .. """"".l<JО 'ок утечки Iyr, мкА, при предельно допустимых напряжениях, не более""""""""""""""""""".""".. """ .. " .. """" .. "" """ 50 'ок утечки закрытого ключа 1 , мкА, не более.." ....."" ............ " ........ ".~:~ .. " ...........50 16 коэф(t~ициент неидентичности динами­ ческих сопротивлений сток-исток транзисторов KR, дБ, (только ДЛJ1 группы I), не более".."""""""""""""""." ... """".• Предельные эксплуатационные пара'fетры ИМС К547КП1 Напряжение между затвором и под­ ложкой и,.n· в, не более""""""""""".""""""". . Напряжение между стоком (истоком) и подложкой ис.п' ин.n' в, не более, для групп: А"."".. """.. .. """"""., "".""""""."""" ."""""".. ", Б"""".... """"""".. "."""."."""."".".. """"".. ""." в и r."" ...".........".."""" ..".."""",......"" ........... Наибольший коммутируемый ток 1ком• мА.. " "" "". " ." . ". "" "... """""". .• """"".""""".:"""" """. Рассеивае11tая мощность Ррасе' мВт, (в диапазоне температур -25".+25°С), не более".""..."".."...."."."""" ...... """" ...." ............. . При температуре окружающей ды Т>25°С допустимую рассеивае мощность (мВт) рассчитывают ·формуле: ррасс = 125-Т 0,22 Се фуш собоi fJOCT] ради' магн на б1 цией К1 К1 М1 моуn 201.1• ложе Ос тер и( схем и~ (рис. тел и телеr. НЫЙ VT2". И ОТ) нат роль с отр напр.~ рези с Мик> юsт, юsт,
r.лава 4 ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ДJ1Я РАДИОПРИЕМНОЙ АППАРАТУРЫ 4.1. СЕРИЯ К157 Серия К157 представляет собой функционально сопряженные между собой ИМС, предназначенные для rюстроения функциональных узлов радиовещательных приемников и магнитол. Микросхемы выполнены на биполярных транзисторах с изоля­ цией р-п переходом. Состав серии К157ХА1А,Б - усилитель высокой частоты с преобразователем К157ХА2 усилитель промежу- точной частоты с автоматиче­ ской регулировкой усиления Микросхемы выпускаются в пря­ моугольных полимерных. корпусах 201.14-1 с перпендикулярным распо­ ложением выводов. Основные эксплуатационные харак­ теристики приведенных типов микро­ схем помещены в табл. 4.1. ИМС К157ХА1А, К157ХА1Б (рис. 4.1) представляют собой усили­ тели высокой частоты с преобразова­ телем и содержат дифференциаль­ ный усилитель на транзисторах VT2 .. . VT6 без коллекторных нагрузок и отдельный транзистор VT1. Каскад на транзисторе VT1 обычно играет роль апериодическоrо усилителя ВЧ с отрицательной обратной связью по напряжению, регулируемой внешним резистором, который подключают к Номинальное Микросхема иаnряжевве Рабочий ;1иапаэон тmuпtя,В температур. •с выводам 1, 14. На транзисторах VТЗ, VT4, VT6 собирают гетеродин (по ав­ тоrенераторноfi схеме). Транзистор VTЗ служит для автоматической регу­ лировки амплитуды колебаний гете­ родина. Смеситель выполнен на транзисторах VT2 и VT5. Преобразо­ ванный сигнал снимается с выводов 10 и 12, напряжение внешней АРУ подается на вывод 13. В зависимости от верхней гранич- . ной частоты полосы пропускания ВЧ тракта ИМС подразделяются на груп­ пы А и Б. К157ХА1А имеет верх­ нюю граничную частоту полосы про­ пускания не менее 15 МГц, К157ХА1Б - не менее 25 МГц. При разработке блока усилителя высокой частоты и преобразователя с использованием ИМС К157ХА1 необ­ ходимо учитывать следующее. Усили­ тель высокой частоты может быть выполнен как с резонансной, так и с нерезонансной нагрузкой. В послед­ нем случае, если требуется получить оптимальные шумовые характеристи­ ки схемы, рекомендуемое значение внутреннего сопротивления источника сигнала должно составлять 0,5 ... 1 кОм. Высокочастотный сигнал через конденсатор CJ подают на вы­ вод 1 ИМС. Усиленный УВЧ сигнал поступает на смеситель. Гетеродин для упрощения коммутации в мноrо­ ~иапазонных устройствах выполнен по схеме с отрицательным сопротив­ лением и стабилизацией амплитуды Таблица 4.1 Гара1m1рован- Гарантиро- ная наработка ванный срок Ч11с.:10 Номер чертежJI м1tкроа.-емы хранен1tя, ""lет э.."Jе'1!ентов корпу9'- на отказ. ч Ю57ХА1 Ю57ХА2 +5±0,5 +5±0,5 - 25... +70 -25...+70 10 ООО 10 ООО 6 6 13 33 з з ' 11'7
!! g !J 8 .f 14 б ! 2 7 Рис . 4.1 а. Принципиа.1ьная схе:1о1а имс Ю57ХА1.А,Б ёк_; . Т1 +58 С7 t!,OJJ11к r:i. 27 BxorJ ! 8шotl ВЧ OtfщuJ. 2 ....._ /J +UAPI/ ~ J ""'..J2 BыxorJ ПЧ 8Aod 4 '::::: 11 смесителя Цепь 5 ~ f0 8ыxotJ Пt/ ·. remeporluнa ~ Коррекция б ~ g +Uн.п ~ Otfщuil. 7 8 Корре1ш,11 . Рис. 4.1 б . Назначение выводов микросхе Кl57ХА1 Рис . 4.1 в. Тhповая схема включения Кl57ХА1.А,Б. Цепь RЗ, СВ устанавливаете.я~ поямении паразитных колебаний и вы из условия R5" . 8 s1,5 кОм, rде Rs".в - тивление паразитного контура на ero собс ной частоте .DA f Kf.J7XAIA (К tff7XA!б) eg Сб QOJJнк колебаний на базе трнзисторов ИМС и внешнего контура L2C9. Эквивален­ тное сопротивление частотнозадающе­ rо контура L2C9, приведенное к вы­ водам 5, 8 ИМС, рекомендуется вы­ бирать в пределах 4... 10 кОм. При уменьшении эквивалентного сопро­ тивления ухудшаются условия воз­ буждения, при увеличении - снижа­ ется стабильность частоты. Для более стабильной работы гете­ родина с изменением частоты генера­ ции, расстояние между конденсатора­ ми С5, Сб и выводами 6, 8 должно быть минимальным. Смеситель выполнен по балансной схеме . Чтобы на его выход не про­ никало напряжение гетеродина, не влияло на выход смесителя (выводы 10, 12), необходимо обе половины обмотки 1 трансформатора т1 изгото­ вить симметричными по отношению к среднему отводу. Это достиrаетсjj: 118 ,\, одновременно намоткой общих тей первичной обмотки в два пр' Щi и их последовательным включ ем . В правильно спроектирован устройстве напряжение гетеродина , выводах 10, 12 относительно кор не должно превышать 100...200 м всем частотном диапазоне rетерод- · Эквивалентное сопротивление тура смесителя (между выводами ;. 12) с учетом подключаемой наrр · (обычно фильтра с входным со .. тивлением 1, 2 кОм) желательно бирать примерно равным 10 кОм. Параметры режекторноrо кон LJC2 следует выбирать таким зом, чтобы он обеспечивал эффек · ное подавление ПЧ, т. е. его соп тивление на этой частоте дол быть значительно меньше сопро ' ления ~аrрузки УВЧ, приблизите но равного 240 Ом. В то же вре· на рабочих частотах, на~более бл '. \.(:\"••"~~-1 КЮ! ДЛll вол же1 ув1 ЭЛЕ Ток н Ко:э< к !, КОЭI !< лах где ВХО, цие МИI ние Л/= ния ля, ШУJ ми ныi УП пр11 соо·
ких к промежуточной (в диапазонах длинных волн (408 кГц) и средних волн (525 кГц), этот контур не дол­ жен заметно шунтировать нагрузку УВЧ. Элепрические параметры ИМС К157ХА1 при 25±10°С и Uи.п.ном=S В Ток потребления /пrrr' мА, при Uвх=О, не более".......... """...""..... """"".......... " ................... 3,3 Коэффициент усиления по напряжению ~и при Uвх=О,2 мВ, f=0.15 МГц, !мод=l кГц, т=О,3"......" .."...........................150".350 Коэффициент шума ~. дБ, не более " ... .. " " ... "".6 Коэффициент шума Кш (в децибе­ лах) вычисляют по формуле К = 201 8mКдUвх Uш ш g ./ЛfRЗ' Uc где т=О,3 глубина модуляции входного сигнала, Кд=О,1 - коэффи­ циент передачи делителя на входе микросхемы, Uвх• мкВ напряже- ние входного сигнала, Л/=10,5±0,5 кГц - полоса пропуска­ ния тракта УПЧ и контура сместите­ ля, RЗ=О,576 кОм сопротивление шумового резистора (между вывода­ ми 1 и 14 ИМС), Uc - максималь­ ный выходной сигнал на выходе УПЧ в пределах полосы пропускания при параметрах входного сигнала в соответствии с указанными выше электрическими параметрами, UJJJ. - напряжение шума на выходе У ПЧ при отключенной модуляции несу­ щей частоты. Предельные экспдуаrационные параметры ИМС К157ХА1 Напряжение питания U , В: , и.п минимальное........ " ...... "." .... "......... "".""..... ".3,6 максимальное .................. "" " ... " ". " .. .. . . " ". " ... . ". 6 Ток потребления / пот• мА, не более: Uвх=О, Uи.п=6 В, t=70°C .........""" .. " .........".4 Uвх=О, Uи.п=3,6 В, t=-25°C"......... "." .. ""3,l Коэффициент усиления по напряжению ?и_ при tокр.ср=-25... +70°С, и.п-3,6...6 в."." ............................... "" ........... 100...400 Ток в цепи вывода 14 при подключен­ ной внешней нагрузке 114, мА, не более ............................................................................... 10 Потребляемая мощность Рпот' мВт, не более ............................................................................... 25 Имс R1S7XA2 (рис. 4.2) представ­ ляет собой усилитель промежуточной частоты с амплитудным детектором и системой АРУ на базе дифферен­ циального усилителя. Усилитель ПЧ состоит из регули- ' руемого каскада на транзисторах VT1, VT2, управляемого по выводу 1З на­ пряжением, и основного усилителя на транзисторах VT4 ...VTJJ . Основной усилитель построен по дифференциальной схеме на транзи­ сторах VT6, VT9 с динамической на­ грузкой в цепи коллектора транзисто- Рис. 4.2 а. Принципиальная схема микросхемы К157ХА2 119
Шоd f ' 14 Bьuorl f Корре1Сц,ш1 2 !J Bьa·orJAPY Otfщuii J t\j !2 КоррекццfJ Р"егулятор 4 ~ 1f rUиn (/CUЛeffuf:l Bxod2 .7~fO КоррекциfJ ~ Коррекция б< g Bыxoil rleme1Cmopa 7 8 Рис. 4.2 б. На значение выводов ИМС К157ХА2 .DAf Kf57.XA2 r.ffB JJA f К!57ХА2 Рис. 4.2 в. Типовая схема включения ИМС К15 Рис. 4.2 r. Схема включения оди­ ночного контура к ИМС КJ57ХА2 ра VT6. Второй каскад основного уси­ лителя выполнен на транзисторе VT11 по схеме с общим эмиттером. Усилитель имеет обратную связь по постоянному току, глубина которой определяется делителем, образован­ ным резистором RlЗ и цепочкой, подключаемой к выводу 4. Оrличи­ тельной особен;ностью амплитудного детектора на транзисторе VTlЗ явля­ ется ero способность работать в ши­ роком диапазоне уровней входноrо сигнала. Усилитель напряжения сис­ темы АРУ - двухкаскадный усили­ тель постоянноrо тока. Транзистор VT14 в нем включен по схеме с об­ щим эмиттером, а транзистор VTЗ - по схеме с общим коллектором. Нагрузкой последнеrо является регу­ лируемый усилитель ИМС. Усиление регулируют с помощью QOC, сигнал которой подается с вы­ хода усилителя на вывод 4. Чтобы обеспечить устойчивость работы и улучшить характеристики узла УПЧ, рекомендуется к ИМС подключить одиночный колебательный контур или полосовой фильтр. Одиночны контур включают между выводам 14, З и 5 (см. рис. 4.2 r). Волнов сопротивление части контура, по ключаемой к выводам 3, 14, прив денное ~к этим выводам, выбира так, чтооы получить требуемую пол · су пропускания с учетом шунтиро ния контура внутренним сопротивл нием ИМС (между выводами З 14). Элепричеспе параметры ИМС К157ХА2 п 25±10"С и Uи.п.иом=+5 В, /8х =465 кГц и , fмор,=1 кГц. Ток потребления /паr' мА, при Uвх=О, . R8 =oo, не более .... .. ...... .. .... .. .... .. .... ... .......... ........ ... .. Напряжение АРУ· UАРУ' В, при Uвх =О, R8=З,9 кОм ............................... ... .............. ....." .... З.. . Относительное изменение напряжения АРУ дUАРУ D11I при Uвх =0,5 ...30 мВ, '' Rн=оо, m=ЗО % ................. ... .... ........ .. ........ .... ...... ... } КоЭФФЮUtент гармоник ~ %, при Uвх=3 wB, Rн=оо, m=80 %, не бо- \: лее ................................................................................ "1 Входное со'про1ИВJ1ение Rвх' кОм, при Uаых=20...40 wB, R8 =oo, , m=ЗО %..........."".... .... ....... ... "" ... .... ........... ..... .. ... 0,43 Оrносительное изменение напря ·. ния АРУ определяется по формул~ : . дUАРУотн = 60 U'вых U"вых Ще U' ВЫХ• lJ"ВWХ . НаИООЛЬШее наименьшее зна~ выходного н • '.._.. ~· "J..J. it._ !.,., _
+.ffB APlJ >l.XOd \ .. 3... ...... 1 ' .0,43 ря. ул~: ее DН пряжения, которым соответствуют два выполнены на биполярных транз~ крайних значения входного напряже- сторах с изоляцией р-п переходом. ния. Предельные эксплуатационные параметры ИМС К157ХА2 Напряжение питания Uи.п• В: минимальное ........................................................ 3 максимальное............... " ....... "".".......... ".... ""... 6 Ток потребления /nar• мА, при Uи.п=6 В, t=70"C, U""=O, не более"...........""...................""........... " ....." ............."".5.5 Напряжение между выводами 10, 11 U10,11 , В, не более ........"""....""""..""""."".."""1,75 Ток в цепи вывода 13 113, мА, при подключенной внешней нагрузке, не более.".".. " ... " ... """"""".."".""."".... """... "."""........ 1,5 Чувствиrельность S, мкВ, при Uвьn>=30 мВ, т=30 %, t=25°C: ии.п=6 в""""".••• .•••...•• ." . . . . . "".....""."".. .•. .• 9".30 Uи.п=3,6 В... """.." . . . .. . . . .""".." ... "."........... 11".42 Относительное изменение напряжения АРУ ЛU.дJ'У отн: Uи.п=6 В, U""=5 ...300 мВ, Rи=оо, m=30 %, t=70°C" .. .. ". "".......... " .. . 1 20 Uи.п=5 В, U""=0,5".30 мВ, Rн=оо, m=30 %, t=-25°C""""..... """"".. 150 4.2 . СЕРИЯ К171 Серия К171 представляет собой комплект ИМС, предназначенных для аппаратуры радиосвязи и радио­ электронной техники. Микросхемы !О ,;~~-+-~-1--r-,....~i=::....!.:~~ 8 Состав серии Кl71УВ1А,Б широкополосны: регулируемый усилитель Kl71YB2 - видеоусилитель Kl7lYPl ~ - усилитель промеж) точнои частоты с электронно1 регулировкой усиления ИМС выпускаются в круглых ме таллостеклянных корпусах 301.12 - 1 перпендикулярным расположение11 выводов. Основные эксплуатационные хара1< теристики приведенных типов ИМ< приведены в табл. 4.2 . ИМС Kl71YB1A, Kl7lYBlJ (рис. 4.3) представляют собой широ кополосные трехкаскадные регулируе мые усилители, имеющие отрица тельные обратные связи. В зависимо сти от верхней граничной частоть полосы пропускания микросхемь подразделяются на группы А и Б ИМС К171УВ1А имеет верхнюю гра яичную частоту не менее 80 МГц К171УВ1Б - не менее 60 МГц. Элеприческ:ие параметры ИМС Kl 71 YBlA,.E при 25±10°С и Uи.п.иом=6 В Ток потребления /паr• мА, не 'более.. ". " .. .. . " .. """: КоЭФФИЦиент усиления По напряжению 6 J § АРУ осщшi 1 4 7 С11еще!fце !2 /JxorJ +Uн.п Резистор tJыtJorJ Orfщuil 2 BыtJorJ ' Выхоd tJыfJod., Рис. 4.3 б. Назначение выводов Рис. 4.Э а. Принципиальная схема ИМС К171УВ1А,Б ИМС К171УВ1А,Б
Та6.лица 4.2 Номинальное Гаранmроваи- Гаранn<роааи- Номер черrежа . Михроасма напряжение Рабочий диапазон ная наработка ныil срок Число nитаншr , В темперnур , 0С микросхемы хранева 1 ne-r mементов корпуса на onta3, ч К171УВ1А,Б +6±0,6 -6 0. .. +100 К171УВ2 ±6±0,6 -6 0... +100 К171УР1 ±6±0,6 -6 0". +125 ~и при иllX=lO ыВ, /llX=20 МГц, не менее"""."."""."".. """"." ""."""""" """.. ....".... ""."""7 Диапазон АРУ КАРУ' дБ , при UllX-10 мВ, /ВJ(,=2.0 МГц."".""""" """. ," "." " " ". ".40 Предельные э~ссп.дуаrациоиные параметры ИМС К171УВ1А,Б Напряжение питания ии.п• В, не более".."""" ..."."." ... """"""" .. """."" ..... .. ",."." .. .. .... .6,6 Ток потреб.леНИJI / паr' мА, при uи:ri=6,6 в, не бо.лее"""""".".""" """""" """"" ". 20 ИМС К171УВ2 (рис. 4.4) представ­ ляет собой широкополосный усили­ тель и состоит из двух дифференци­ альных каскадов усиления и окdнеч­ ных эмиттерных повторителей, обра­ зующих парафазные выходы. Рези­ сторы R2, RЗ, R6, R7 в эмиттерных цепях транзисторов VTl, VТЗ приме­ нены для получения равномерной полосы усиления до 100".120 МГц при малых фазовых искажениях, а также для стабилизации коэффициен­ тов усиления. Включая между выво­ дами 8, 11 и 7, 12 резисторы и пе­ ремычки можно изменять коэффици­ ент усиления по напряжению Куи от нескольких единиц до нескольких со­ тен. При увеличении Куи пропорцио­ нально сужается полоса усиления. Во всех каскадах применены термоком­ пенсированные генераторы стабильно­ го тока на транзисторах VT2, VT4, VT6, VT9, VT11, что позволило по­ J.IУЧИТЬ на высоких частотах коэфф~­ циент подавления синфазного сигна­ ла в пределах 40".80 дБ (в зависимо­ сти от выбранного коэффициента 122 15 ООО 10 27 15 15 ООО 10 24 15 15 ООО 10 14 15 усиления) и коэффициент ослаблени влияния напряжения источника пи тания более 50 дБ. 9 7 8 1=+cJ+--+- - 2 ~-н:::Jt-t---5 11----,..,.... 12 ___.. .__, Рис. 4.4 а. Ю71УВ2 BыtJo(} Выдоd B.fotl Z BxoiJ ! BыtJotJ Bы(JorJ РИс. 4.4 б. К171УВ2 К16 Принципиальная схема И l3111xotJ t · . +Uкп Назначение выводов
4.2 лежа. :а :ни пи и Элепрические параметры ИМС Kl 71 УВ2 при 25±10°с и ии.п.иом = ±6 В Ток потребления / поо:' мА не более""""""".""""25 Коэффициент усиления по напряжению Куи• не менее: при разомкнутых выводах 7, 8 , 11, 12 Uвх=З мВ, fвх=НЮ МГц.""."""""""""""""""""""""".""з при замкнутых выводах 7, 12 Uвх=10 мВ, /""=НЮ кГц""""."""""""""".40 Входное сопротивление R"", кОм, не менее"..""""""""""""""""."""".""".".""""""•... "."".2 коэффициент шума ~. дБ"""""""""""""""""""2 Предельные эксплуатационные параметры имс К171УВ2 Напряжение питания Uи.п' В, не более"".".".""."."".""""""".. "" " "" " "" " "" " ". "" ." ± 6,6 ИМС К171УР1 (рис. 4.5) представ­ ляет собой трехкаскадный усилитель промежуточной частоты с электрон­ ной реrулировкой усиления. Элепрические параметры ИМС Kl 71 YPl при 25±10°С и ·ии.п.иом=±6 В Коэффициент усиления по току Ку1 при Uвх=ЗО мВ, f ах=ЗО МГц, не ме- нее""""""".""."".""... "". " .. "" "". " "". " ". "" "" .. "" ". " .. 16 J R7 1 ~-~-1-.....-- -r . 702, 12 4-----f". " ______ _. Коэti>фициент шума Кш, дБ, при !,,..,,.zo МГц, не болеt""""".""""""""""""."""".10 r1Редельные эк:сплуаrационные параметры ИМС El71YPl На11Р.11жение питания Uи.п' В, не бOJtee".".".. ".... """" .. " ...•. "...""."" ... """""""""."" ±6,6 Ток потребления lntr' мА, при и".11=±6,6 в, не более: 11 ( +Uи.п)""""""".""""""""""""."".""""""". 7 12 (-U11•0 )"""""".".".".""."""""""""""""""""4 4.3 . СЕРИЯ Кl74 Серия К174 представляет собой " комnлект ИМС, предназначенных для высококачест:венной радиовеща­ тельной звуковоспроизводящей аппа­ ратуры. Микросхемы выполнены на биполярных транзисторах с изоля­ цией р-п переходом.. Состае серии ИМС Kl 74УР3 - тракт усиления, ограничения промежуточной частоты, частотного детектиро-. вания, предвiрительного усиле­ ния низкой частоть1 ИМС Kl 74УР7 - усилитель-огра­ ничитель и частотный детек­ тор ЧМ сигнала &orJ 2 8xod1 2 ОощшJ +Uнп АРУ 8ыtJod g Вьиоd 8ыtJod ·Uн.п BыtJod 05щцiJ. 8ы0оd 6-----------i -.. .J-__._ , r - э - - 8 Рис. 4.5 б. Назначение выводов ИМС К171УР1 s------------~------i.--~--~~ ,а t·. С2 п 'ИМ 10 f'нс. 4.5 а. Принципиальная схема ИМС К171УР1 123 ·-
Таблица 4 Номина..'tьное напряжение ПИt'8ЯИJI, В Рабочий Гарантирован- Гарантиро- Номер чертежа kорпуса ТИп kОрпу Миkрос:хема .цшпазон IWI нарабсmса ванный cpok Число ТСМПе~-rУJ>, 0С МJП<рОСХеМ храиеиия, ментов на оnсаз. ч К174УР3 + 6±0,6 -2 5... +55 16 ООО К174УР7 + 6±0,6 -25.. .+55 25 ООО К174ПС1 + 9±0,9 - 25". +55 20 ООО КФ174ПС1 + 9±0,9 - 2 5".+55 20 ООО К174ХА2 + 9±0,9 - 25". +55 15 ООО Кl74ХА4 +15±0,75 -2 5".+5s 15 ООО К174ХА5 +12±1,2 -25".+55 15 ООО К174ХА6 +12±1,2 - 25-.. +55 15 ООО К174ХА7 + 9±0,9 - 25". +55 15 ООО К174ХА10 + 9±0,9 - 25" .+5s 15 ООО Кl74ХА12 +18±1,8 -25" .+55 15 ООО К174ХА14 +12±1,2 -25" . +55 25 ООО К174ХА15 + 9±0,45 -25".+55 15 ООО К174ХА19 + 9±0,9 -25." +55 25 ООО ИМС К174ПС1 - двойной баланс­ ный смеситель до 200 МГц ИМС Kl 74ХА1 - приемно-усили­ тельный тракт АМ приемни­ ков с системой АРУ ИМС Kl 74ХА4 - тракт фазовой автоподстройки частоты ИМС Kl 74ХА5 - ЧМ тракт ра­ диовещания ИМС Kl 74ХА6 - усилитель-огра­ ничитель и детектор ЧМ-сиmа­ ла ИМС Kl 74ХА7 многофазный перемножитель сиmалов для выделения одной боковой по­ лосы ИМС К174ХА10 - однокристаль­ ный радиоприемник IV класса ИМС К174ХА11 - тракт фазовой автоподстройки частоты 124 Рис . 4.6 а. Структурная схема ИМС К174УР3 \ лет 10 114 4 201 .14-1 12 86 12 238 .16 -1 12 17 4 201.14 - 12 17 34 МО4.10 10 112 12 238.16- 10 81 9 201 .16 - 10 233 14 238.18 - 10 233 15 238.18 - 10 63 9 201 .16 - 10 135 12 238.16- 10 81 12 238.16 - 10 208 40 2120_24 10 36 12 238.16 - 10 117 23 2103 .16 ИМС К174ХА14 стереодек системы с полярной моду . цией ИМС К174ХА15 - мноrофункц нальная ИМС для УКВ бло ИМС К174ХА19 стабилиза управляющего напряжения стройки. Микросхемы вьmускаются в n моугольных полимерных и мет керамических корпусах с перпенд лярным расположением выводов. : Основные эксплуатационные ха теристики приведенных типов приведены в табл. 4.3 . . ИМС К174УР3 (рис. 4.6) содер усилитель-ограничитель промеж . ной частоты Al, частотный дете Ul и предварительный усили . звуковой частоты А2. После ,\,,,,it' "~~·
13 G • 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 - - -~..::- - _"!'--...... - • ' Kfl'f !IPJ • 1 !----- г-------1 1 ,.L.R22.l lf24- · ' l 1700П7DD 1 1 VT2~ VT26 R251 IR27 Jк IJк {:Z;:.:!5;::;::;_.;::;::;_.~~;....;::;_. ...... °'~°'°'°'00000\0\. ~°'~ Q\1.1111111с;111 _.--.._~ 9"2 VT28 i R29 6к VTJ5 RJO JOO R28 7к VTJ1 VTJ7 VTJJ VТJ8 i1 l--f:-----~-------+--+:--------+-i----......-.--------------------- 1 L _______..J L_______J' -·--~~-- . "'-t .[1rJ · ---- '• "" '{; ~
~ ЯJ5 6н· R;J7 800 ff'tO 5,5к кн 11tK ~~~~~ ~g~~g~~~~~=~ =~ш~~ ~ 0 ~~ о ~~ ~~~~~~~ ~~~о~ ;~~a~na~~Шnrd~~~~~W~n~~~ !f'tб 390 R+7 1+к VIJ5 VT5J 7 K5J 6к VT55 R55 800 R5+ 271( \9• 8 1
ooщuli 14 5ло1шроtJна ! Фозосtl!Jигающиil /J Bxod 1rонт11р Вы.хоdЛl/ ~ IZ QЛO!(lJpOIJнa 2 4 ;:i., 11 * Оьиаd ЛI/ .f t-... 10 8ыxorl Hl/ "'" Фазосd8игающиii ~ l(OHmijp 5 9 .,.U"n PeZljляmop 7 11 Bь1xorJ наnр(lженuя HI./ Рис. 4.6 в. Назначение выводов ИМС К174УР3 С3 арt7нкI :ОА 1 Х17+!1Р3 g 10 7 РеzулироЬка. напр11женu113Ч Рис. 4.6 r. Типовая схема вк,1ючения ИМС Кl74УРЗ имеет электронный аттенюатор, по- лучить сдвинутый по фазе относи­ зволяющий дистанционно регулиро- тельно входного сиmал, для управле­ вать уровень выходного сиmала. ния базами транзисторов узла умнр­ ИМС предназначена для применения жения детектора (транзисторы VT28, в трактах радиоприемных устройств. VT42) к выводам 2, 6, должен быть Входной сиmал поступает на уси- подключен внешний параллельный литель-оrраничитель, который состо- контур, настроенный на частоту ит из восьми последовательно связан- 10,7 МГц. Предварительный усили- 11ых дифференциальных усилителей тель сиmала звуковой частоты вы- 11а транзисторах VTJ .. .VT24 и двух полнея на транзисторах VT52".VT55. выходных эмиттерных повторителей Сигнал электронной регулировки lla транзисторах VT2.5, VT26. Усили- усиления подают на вывод 7. Так !ель-ограничитель охвачен глубокой как ЗЧ сиmал не проходит по цепи ООС через резистор R5, что обеспе- реrулировки громкости, он не подвер­ чивает подавление паразитной амп- жен влиянию фоновых наводок. JJитудной модуляции (40 дБ) в широ- Внутренний стабилизатор, выполнен­ l(ом Динамическом диапазоне уровней ный на распределенных . транзисто­ l!ходных сигналов. рах, уменьшает влияние изменения С выхода каскадов усиления orpa- . напряжения питания на параметры liиченный сигнал подается на вход ИМС. Частотного квадратурного детектора, Зависимости основных электриче­ tюторый представляет собой баланс- ских характеристик ИМС от режи­ lfь1й модулятор, построенный на мов эксплуатации · приведены на '\'ранзисторах VT30".VT38. Чтобы по- рис. 4.7.
!J 1----. - -- -- -1",__-1 12 1----t- - -.1'-W'--+- - -i tf 10 9 8 6 7 Q llн.n,D Рис. 4.7 а. Зависиwости тока потребления ИМС К174УР3 от напряжения пи­ тания прИ различных значе­ ниях температуры окружаю­ щей среды /(_. Al'f, ДО 45 l---t-751~:>-c-1-.=-I JO i...-_ ...._ _..__....._~ $ 678Uк.n,IJ Рис. 4.7 г. Зависимость коэффициента подавления амплиrудной . модуляции от напряжения питания при различной температуре ок­ ружающей ' среды для ИМС К174УР3 >!р,~ UtJxo мкВ !50 125 100 75 50 25 о , ~t=-·2.f"C ..._ ';:_... +.f5 "C ~ ~ +.ZO"C ~ ~ 5 6 7 8Uн.п,IJ Рис. 4.7 б. Зависимости входного напряжения от на­ пряжения питания при раз­ личной температуре окру­ жающей среды для ИМС К174УР3 :,.,t) 1 150 !00 50 ·о 10 , , К17111/PJ 1г 10 •J 10 Uвх, нк/J Рис. 4.7 д. А.\lrшитудно- частотная характерИСтика ИМС К174УРЗ soo1---+-+-.......~-1 1100 t---+ -+ ..l ' -+ --1 JIJO 2 2.8/J t--.- ---1---- ''---1 188 1020J6 --..---т--.----1• )ЛI l<Ж 1..--1--~~~--~--1• н J\ bl> 150 1-..м,r.~-1-~~"-I• с. н /00 и---~.--+---+--• !1ХО 505 6 Рис. 4.7 в. 7 ви" Зависим выходного напряжения от напряжения питания раЗJJИЧной температуре ружающей среды для И К174УР3 JO 1--i..c:~L-...JL.......1---J:--L--1 K/7~!/PJ 20 j---,f--+--~~+-~~_J Юt+-t--+-+-+-+-....._....._~ с. " IJ( м и 1'Х CP IIJ 102 10 /О U&,н. Т~ Рис. 4.7 е. Зависимост коэффициента по;~амен амп.1итудной мо;~v.1яции о ВХО;:\НОГО напряж'ения ;:(, ' ИМС К174УРЗ !!( бл, Рис. 4.7 ж. Зависимости выходного напр11же­ ния низкой частоты (с вывода 8) и коэффици­ ента г:~рмоник от ;~обротности контура L6C6 дЛя имс К174УР3 Рис. 4.7 з. Зависимость выходного nocтoll го напряжения (с выво;~а 10) от расс т ройки стоты входного сиmа.1а ;~.1я ИМС Кl 74УРЗ fj 128
1Я е roll i-iки РЗ ' /' ·(,J' :Электрические пара.'llетры ИМс Kl 74ур3 при 25±IO"C и Uи.п.но~1 ==6 в 1ок потреб.1ения / пот' мА. при U =О. не бо.1ее"....... " ........" ....." .. " ... "".........~:~ ....... "" "".12 ныходное напряжение на выводе 8 Uвых 8, мВ, при Uвх=О,5 мВ. не ме- нее""""""""""""""""."."""".""""""""."".""". " .1 0 0 11ходное напряжение при ограничении Uвх.огр' мкВ. не более"".""."""".""" " " . . . . . . . " 10 0 \\ 1.эффициент подавления амп.1итудной моду.'!Яции КпАМ· дБ, при Uвх АМ-чм=О.5 мВ. fмод=l кГц. 111=30 о/с, не менее""""""."."."""""."." """"":.40 ~· .эффициент гармоник Кг. при Uвх=О,5 мВ, не более"""."""""" .. "" . ". ". "" """ .. " .2 \j .\!енение выходного напряжения на ныводе 8 ЛUвых 8, дБ, nри подаче rока управдения на вывод 7. нс \le- i-Jee""." ."." .. .. .. " ."" ."""""" ."":..... " .... ..... ..... ..... ..... . " . .. 60 т~' у11рав.1ения на выво;~е 7. 17. мА""""""".""""""""""."""""" . "" """"".0.05 "1 Входное сопротив.1ение Ra.~· кОм. при j=15 мГц, не менее.".""."""""" .. " """ .. """ ""3.9 Выходное сопротив.1ение Rвы>.' кО\1. не более.".""""".... ".""""... " .... "".................................... 1.5 Сшротивление по постоянному гоку ({ 12 _13 Ом, между выводами 12. 13, !1е более"".".. "."."".""" .. """"".................. " .. ""." ..500 Рис. ~.8 а. Ф} нкциона.1ьная схема ИМС К17~УР7 4 Предельные эксп.1уаrационные пара.'llетры ИМС К174УР3 Напряжение питания Uи.п• В минима.1ьное.. """.................. " ....................... " ... 5 максима.1ьное""""""""""""""""""""""".""" 9 Ток потребления /пел· мА. при Uа.~ =О. t = -25."+55°С, не более """"".""" .. "."""""13 окр ер Входное напряжение Uвх• мВ, не более"""."..... ".""." ..".""."."... " ....... """""."".. " ....... 300 Выходное напряжение низкой частоты Uвщ' мВ. при t=55°C, не менее"""""""""""".80 ИМС К174УР7 (рис. 4.8) представ­ ляет собой специализированную ИМС для радиоприемников, содержа­ щую усилитель-ограничитель проме­ жуточной частоты ЧМ-тракта Al, ба­ лансный ЧМ-детектор U 1 и предва­ рительный усилитель низкой частоты А2. i·~ J,I •,;.~/ 1" ~\ .;1' ~: Jr· J,}, сигнал поступает на вход частотноrо ~~ детектора U1. Выход частотного де- . .'"(.~. тектора соединен с не инвертирую- · ' t ·~ щим входом операционного усилите- У~ ля А2, который осуществляет предва- :1· · Типовая схема включения показана на рис. 4.8 в. Входной сигнал посту­ пает на вход усилителя-ограничителя Al, с выхода которого ограниченный ' 1~1.' l/,,':i, . ~\... .N\' l•i -- -, \,'t А2,)К· ~~4 tJ:11,1 " .J'/ ~·~ ;~;;'f' '15'J• '-------+ - -- - - - -.....--... "~. ' ,~,,.. ,1;;' • !б' ~------ BxoiJ ПЧ Общий 2 Б1:uниро!Jна 2 +Uи.п J flf б ilDH11po!Jнa 4 t--. !J Bыxotl ОУ Рис. 4.8 б. Назиачение ВЫВОДQ8 Cl.. eoщuzl 1 5' :::.., 12 Неuн!Jерт11рующшl t!xotJ ОУ ИJ\fC К174УР7 ::,.. BыxoiJ f пч б ..... " ИнtJepmиp!Jющuii. !fxod О!/ ._ :!ыхоd 2.Пl/ 7 '1::: то Выхоd HI/ IJ xorJ f l/Д 8 9 Вхоil2ЧД ~ J}\ 926 . 129
L/ Cf ВxorJ ~1-~Ll_..,__._"tL~~~S:.~~;..:..-IJы.rod [JJJl'fl( С2 JJA f Kf741JP7 Рис . ~ -8 !! . Тиnовая схем;~ включенw~ ИМС КlдУР7 рительное у<:иление зву1<овой часто­ ты. Зависимости основных электричес­ ких параметров ИМС от реж1;1мов эксплуатации приведены на рис . 4.9. Э.1епричес11:ие параметры ИМС KI 74УР7 при 25±10°С И UllП.H0\! =6 В Ток потреб.1ения / пот· мА, не бо.1ее " ... """ "" """О.6 Вхоnное напряжение ограничения Ua.~orp' мкВ. при !в.,=0.2.5 МГц. fмo:t=l кГц. не бодее """ "" . "" """" """""""" " "". 70 Выходное напряжение низкой частоты U8м, НЧ' чВ. при U8 ,=l0 мВ. f.,=0.25 мГц. f"щ=l кГц. не менее........ ".... .. "....... "... ....... ".. ..... ...... ... .. ........ .... ....... .. 90 Коэффициент nодав.1ения а'\.!n.1И1у ;~ной модуля!.ОiИ KrL.\M' дБ. при U""=10 мВ. !.,,.=О.2.5 МГц. / "0д=1 кГц. не менее."""""" "." ."""".".""".""" .30 Предельные экспдуаrационные пара.'lетры ИМС К174УР7 Напряжение питания Uи.п· В: минима.~ьное."..... "" ... ... ......... "... ...... ".... ... "... .5.4 максима.1ьное... "." .."""... ".. " .. ... ....... .. " ...... .. .. 6.6 Напряжение вхо;~ного сиmа.1а И"'. мВ, не бо.~ее.".". """"."""""".""""".""""""""." ."".""100 Выходной ток /вых' мА. не бо.1ее""..... .".. """"... 0.1 130 ИМС Kl74ПCl, КФ174ПС1 (р 4.10) представляют собой двойной ,.. лансный смеситель для частот 200 МГц и предназ:пачена для пре разования частот- УКВ-диапазона радиоприемной и связной аппарату Основным узлом ИМС (с рис. 4.10 а) является счетверенн дифференциальный усилитель с рекрестными связями на транзис рах VТJ, VТЗ, VT4, VT6. Пода разное напряжение на базы тран сторов VT2, VT5 регулируются то эмиттеров. Внутренний стабилиза (резистор R1 и диоды VDJ.. .V , обеспечивает стабильную работу И по постоянному току, задавая смеt ние на транзисторы. Рис . 4.9 а. Зависи\lость вхоJноrо н;~пряже ограничения от напряжения питания микрvс мы при частоте вхозноrо cиrn;i.1a 250 кГц. ч . тоте мо;~у.1яw~и ЧМ режи'\.!а 1 кГц . ;~ евиа частоты ±3,5 кГц. rемnературе среды 25 °С д.1я ИМС Kl 74УР7
1 .. .v rИ .,8 Рис. 4.9 б. Зависи'\!ость выходного напряжения НЧ от входного напря­ жения при напряжении питания 6 В; частоте входного сигнала 250 кГц; ча­ стоте модуляции ЧМ режима 1 кГц: температуре окружающей среды 25°С д.1Я ИМС К174УР7: 1 девиация частоты ±3,5 кГц; 2 - девиация час­ тоты ±7,5 кГц 1200 !ООО 800 бОО 400 1111111 ",мtJ -) ГJ ~ ~ 1 L1Fнr= '[5кГи, " 1 ' J,fкli. ; 11 11 11 11 1/ !О Eit1Ifdd 800 5 б78 9и.в н.п, Рис. 4.9 в. Зависимость выходного напряже­ ния НЧ от напряжения питания при входном напряжеЮ1И 10 мВ, частоте входного сигнала 250 кГц, частоте модулящ~и ЧМ режима 1 кГц, девиации частоты ±3,5 кГц, температуре окру­ жающей среды 25°С для ИМС К174УР7. Uдых, h!J 800 600 400 200 о 1 i/ IJ J ' J 10 Rн, кО/'1 Рис. 4.9 r. Зависимость выходного напряже­ ния НЧ от сопротивления нагрузки при ~апря­ жении питания 6 В, входном напряжении 10 мВ, частоте входного сИ111ала 250 кГц, частоте модулящ~и ЧМ режима 1 кГц, девиации частоты ±3,5 кГц, температуре окружающей среды 25°С для ИМС К174УР7 5* ........ ~ Uвы ,мВ ~ ...... ""'" f""' -.... 750 ........ """-- 650 ~r-,. -20 -ro и 10 20 JO tокрер,' Рис. 4.9 д. Зависимость !jыходного нащ: ния низкой частоты от температурь~ окру щей среды при напряжении питания 6 В, ном напряжении 10 мВ, частоте входного на.1а 250 кГц, .частоте модуляции 1 кГц, д ции частоты ±3,5 кГц для ИМС К174УР7 ~~itff+fj 5 б78 9 llн.п~ Рис. 4.9 е. Зависимость тока потреб.1ею напряжения питания при температуре 25°( ИМС К174УР7 .... Iлоr',.,кА ...... ......... . ~ "" 480 ........... _ 440 ........... .......... 400 ' -20 -toО/О20JO Рис. 4.9 ж. Зависимость тока потреблен температуры окружающей среды при нап нии питания 6 В для К174УР7
______ __,,.J.,,,(l~O)tJыxotJ ЛI/ _____ ....... . '!J._ВыднJЛI/ Рис. 4.10 а. Принципи- а.1ьная cxe\fa ИМС К174ПС1 (КФ174ЛС1) !О(4) rррекц11я f2(6 /(() 'Рf!КЦШl Н7 " Ик t,4,б.9,14(8} Оощ1.111 05щш1 выхоu ЛI/ Bы.rod ЛI/ Оощшi +U"n Otfщцii Bxod Uon B.rod KOppt!KЦIJR Bxod корр~кция B.rou и°" +U"n IJ.xod Uon !1.rod U0n Коррекция &od выхоd ПI/ выхоd п11 О5щиt1 8.roj K11pp~KЦUR Рис. 4.10 б. Назначение выводов ИМС К17-ШС1 (КФ174ПС1) +gв Рис. 4.10 в. Типовая схема вКЛJОче!iЮ! ИМС К174ПС1 (КФ174ПС1). Выводы, указанные в скобках, - для корпуса МО4.10-1 Типовая рис. 4.10 . схема показана на Элементы Ll, С4 (см. рис. 4.10 в) выбирают в зависимости от использу­ емой промежуточной частоты. Рези­ сторы Rl, R2 в схеме необязательны, их устанавливают, чтобы увеличить крутизну преобразования. Типовая за­ висимость крутизны преобразования от амцлитуды опорного напряжения приведена на рис. 4.11 . Микросхема может быть .использо- вана в различных радиотехнически устройствах. _Рассмотрим некоторы , из возможных вариантов ее примене~ ния. t На рис. 4.12 а показана схема уси­ лительного устройс'JJВЗ, которое может 1 выполнять функции усилителя звуко- · вой частоты, с высокой скоростью нарастания выходного напряжения, усилителя радиочастоты и АРУ ра­ диоприемников. Оно представляет со­ бой дифференциальный усилитель с о( Н1
Sпро, 5 4 J 2 ' 1 ,.,~ в .1~" 11/ 1// 11 ill/ 100 Uн =158 t-flB п/ ""' 9f, ~ ,_- 'fU 200 Рис. 4.11. Типовая Jависимость крутиJны пре- Ри •1'бр • с. ". - . езонансныи усил~пе.1ь рааиоча- образования от а"'плmуды опорного напряже- стоты на ИМС К174ПС1 ния д.1я ИМС К174ПС1 +90 -4-~~-'-i7..........~f~=---"'~ BxotJ 8 .DA 1 Kf74ПCI Рис. 4.12 а. Схема дифференциа.1ьного уси- 1ителя на ИМС К174ПС1 98 +98 JJA1 Н171/ЛС1 tJ aotl С4 С9 ~ qo47ffX( 1~D 1 fl047мк fООк кО!О9 R2 /ООк Рис. 4.12 в. Преобразовате.1Jь частоты радио­ вещательного приемника на ИМС KlHПCl R2 б,2х Вхоо2~ r2 1з 0,01 нн ...___ВС-3~,-f-4_! .. .. , 4 ,б,!l, 14 101N~О!мк .DA 1 Kf74ПCI Рис. 4.12 г. Декодер цвета си<'темы ПАЛ и НТСЦ на LfM(' К174ПС:1
t-98 /(5 t.f"к VT!, VT2 KTJ !07Ж L..----.-...ft---:e;~......,--;:;~8ьиod f .,._....,..,,~____,._~~в~,rоа2 Рис. 4.12 д. Кварцевый генератор с ФАПЧ декодера цветности системы ПAJI на ИМС К174ПС1 регулируемой полосой пропускания и коэффициентом усиления . При пода­ че максимального (около 10 В) уп­ равляющего напряжения через дели­ тель RJR2 на базу транзистора VTJ, μротекающий через него коллектор­ ный ток полностью закрывает тран­ зистор VT2 ИМС DAJ (см. рис. 4.10 а) и исключает из ее усили­ тельного тракта дифференциальный каскад на VTJ, VТЗ. В таком режиме ИМС DAJ имеет максимальный (не менее 20 дБ) коэффициент передачи. По мере снижения регулирующего напряжения коллекторный ток VT1 будет уменьшаться, транзистор VT5 микросхемы начнет открываться и включает дифференциальный каскад на транзисторах VTJ, VТЗ. Работая в противофазе с каскадом на транзисто­ рах VT4, VT6, он будет снижать ко­ эффициент передачи микросхемы DAJ. При управляющем напряжении менее 0,6 В транзистор VT1 закроет­ ся, коллекторные токи VT2, VT5 микросхемы DAJ уравняются и коэф­ фициент ее передачи станет равным нулю. Глубина регулировки коэффи­ циента усиления не менее 40 дБ. По­ лосv ПООПVСJСЯНИЯ можно И:\Менятh резистором R5, причем наиболее рокой (200 МГц) полосе соответст ют верхнее ho схеме положен движка этого резистора. На рис. 4.12 б приведена схема зонансного усилителя радиочасто коэффициент его передачи ок 20 дБ . Частоту настройки (в преде 160 кГц."230 МГц) изменяют кон сатором переменной емкости СЗ, дящим в контур LJCЗ. Коэффици передачи усилителя зависит от ре ма работы каскада на транзис VT1, что . позволяет ввести в уси тель АРУ с глубиной регулировки 40 дБ. На рис. 4.12 в приведена схе. преобразования частоты радиове тельного приемника. Резонансная стота 1<0нтура LJC5 равна проме точной частоте. Настройка гетероди определяется ' канту . L2C4C7C9VDJ. При отсутствии вар капа элементы С4, С9, Rl, R2 мо исключить и настраивать контур re родина конденсатором перемени емкости" · включенным параллельн катушке ".индуктивности L2. Микросхемы К174ПС1 и КФ174ПС мnжио использовать для детектирова
ния балансно-модулированных сигна­ лов в синхронных детекторах декоде­ ров цвета телевизионных систем ПАЛ и НТСЦ. Схема такого детекто­ ра приведена на рис. 4.12 г. На вход 1 подают сигнал цветовой поднесу­ щей, а на вход 2 - сигнал с кварце­ вого генератора декодера. Противо­ фазные продетектированные сигналы снимаются с резисторов Rl, R2. На выходе такого детектора получается один из цветоразностных сигналов. Для другого сигнала нужен второй детектор. Данное устройство может быть и удвоителем частоты, если объединить входы 1, 2. Тогда с вы­ ходов можно снимать сигналы с уд­ вое1щой частотой. Микросхемы можно также исполь­ зовать в качестве кварцевого генера­ тора с ФАПЧ декодера цветности си­ стемы ПАЛ (рис.• 4.12 д). Кварцевый генератор собран на транзисторах VT2, VT5, а фазовый детектор - VTl, VТЗ, VT4, VT6 ИМС (см. рис. 4.10 а). На вход генератора через конденсатор С 1 подают сигнал вспышки цветовой поднесущей. На­ пряжение ошибки фазы сигналов вспышки цветовой поднесущей и кварцевого генератора интегрируется элементами R4, R5, С5, CJO, усилива­ ется дифференциальным каскадом на. транзисторах VTl, VT2, затем снова интегрируется цепью CЗC4Rl с боль­ шим временем интеграции и подает­ ся на варикап VD 1, обеспечивая та­ ким образом подстройку кварцевого генератора. На выводах 10, 12 ИМС Рис. 4.13 а. Структурная схема ИМС Ю74ХА2 присутствуют два сигнала поднесущей частоты, сдвинутые один относитель­ но другого на 180°. На синхронный детектор "красного" цветоразностного сигнала сигнал снимается непосредст­ венно с вывода 12, а на синхронный детектор "синего" цветоразностноrо сигнала после цепочки R7Cl 1, сдвигающей фазу сигнала поднесу­ щей частоты на 90°. Электрические параметры ИМС Kl 74ПСI (КФl 74ПС1) при 25±10°С и Uи.п.ном=9 В Ток потребления /пот• мА, не более..... " ... . " "" " "2 .5 Крутизна преобразования Sпрб' мА/В, не менее.......... "" ................... "......... "......."""""....... 4.5 Коэффициент шума Кш. дБ, не бо.1ее """ ... .. " .. " .. 8 Верхняя граничная частота входного и опорного напряжения f rp' МГц, не менее."... ".......... ""..."........... "........"."....... "." .... "..... 200 Предельные эксплуаrационные пара:четры ИМС Kl 74ПС1 (КФl 74ПСI) Ток потребления /пот' мА, не бопее... " ... . "" ".. " .. ~. 5 Напряжение питания Uи.п' В: минимальнос... "." ........"........................... "......... 4 максима.1ьное........ ""... "" .. " ..... """ ..... " .... """15 Входное ив, и опорное U00 напряже- ния, не более".".... "... "."....... "... "." ... "" ......... "."....... 1 ИМС Kl 74ХА2 (рис. 4.13) предназ­ начена для работы в радиовещатель- ных приемниках АМ сиmалов третьей группы сложности, но может также использоваться и в радиовеща­ тельных приемниках второй группы сложности с внешним гетеродином,
...... (,; .) а- ;~ Гк;7f ХА2 1 1 1 1 R15 1К 2· 1 1 311 R2 400 VTZ" 1 • 1 RB 1RB 1,бк 1,бк - ---·----- 16 ---+---- -- 5 Рис. 4.13 б. Принципиальная схема ИМС К174ХА2 ·- _- :. ..-::.~ - -· ---·-- - -- - -~· - -- --- -~__ ,..._ 15" 9 14 R161 1 VD9 1,Bk VD1D VПБ '~~ --- 4- 12
13 Рис. 4.13 б. Принципиальная схема ИМС К174ХА2 -- ~-~ ·------- - --- -- -· - - --- __ ., .._ 'f5 t4- 12 --- - ----- - ----- -, 1 1 1 1 ' 11 11 v'128\ IV1JG 1 R36 ПRJ!J п R41 Бк Б"к 5к R't9 ГlRfIO 5'к 10к ------ - ---- - ---- Рис. 4.13 б. Принципиальная схема ИМС К174ХА2 (продОJiжение) - 7 1 VTJ4· 1 ' VTJ2 R671 200к\ 8 - --- - -1-----1 9 'f 10 1r l ' •
8.rot] YBI/ BыxoiJ смесителя BxoiJ УВЧ 8ьиоr7 смесителя BxotJYПT 14 + Uи.п Bыl)oiJ "'1 "'( IJ BыfJorJ Вы!Jоо s "'<: 12 BxorJ !/Пl/ ~ Bы/Jou !:'- . 8хоо УПЧ б-t! ~ BыxoiJ. IJЛЧ 7 to Иноинатарныu tJыxorJ Doщuii. 8 9 BxorJ !:IПТ Рис. 4.13 в. Назначение выво;~ов ИМС К174ХА2 +98 Cfl l41нк 14 IJA f 11!74ХА2 V.02 R4+Cf4 12к I5nкx 158 Рис. 4.13 г. ТИповая схема включения ИМС К174ХА2 дает повышенную устойчивость к екрестной помехе. ИМС содержит 11итель сигналов радиочастоты Al 'fстемой АРУ А2, смеситель UZl, 11итель промежуточной частоты с системой АРУ А5, гетеродин G1 rабилизатор АЗ. :иrнал с антенного контура пода­ t на усилитель РЧ, построенный иде однокаскадноrо апериодическо­ дифференциального усилителя на нзисторах VТЗ, VT4. Регулировка ления осуществляется комбиниро­ ~ым методом: по цепи управляе- 1 отрицательной ОС через диоды 1, VD5 в эмиттерных цепях тран­ rоров и путем управляемого шун- тирования нагрузки через диоды VDl."VDЗ. Ток диодов меняется уси­ лителем постоянного тока на транзи­ сторах VTl, VT2, VT5. В цепь стаби· , лизации режима работы входного ка­ скада по постоянному току включен . эмиттерный повторитель VT6. Смеситель выполнен по двойной балансной схеме на транзисторах VT7...VT12. Один из его выходов (вывод 15 или 16) может использо­ ваться для включения контура детек­ тора АРУ усилителя РЧ, а другой - для подачи сиmала ПЧ на пьезоэ­ лекiрический фияьтр с помощью со­ гласующего контура. Режим работы по постоянному току этого каскада т: стабю VD6." Гет транз~ 11одкл Ycl! Цифф - н~
L1 qu Bxotl JJ ПА1 К174ХА2 Рис. 4.14 а. Практическая cxe'>la вкпючения ИМС К174ХА2 U9 ,8 U10,В U7,м8 0,5 100 qJ О,Ч 80 ~3 O,Z бО 0,2 1/0 0,1 O,f 20 ооо Uю ;-- 1~~ r;,Vu; '/ 20 ;;...- ty, 40 бО 80 100 Uвх)мв Рис. 4.14 б. Зависи'>lости напряжения на выводах 7, 9 и 10 ИМС Kl 74ХА2 от а'>lпли­ т;·ilы входного сигнала (i!O 100 мВ) O,J2 о 61-4--+--+-~f-+-=-~~""F-t-+--t--1 ~45 1 104 О) 102 1--1-д.,..u=--~-J--+--+-t-+--t----1 0,2 о,ц О,б 0,8 Рис. 4.14 в. Зависимости напряжения на выводах 7, 9 и 10 ИМС К174ХА2 от ампли­ туды вхоi!ного сигнала (до 1 В) стабилизирован с помощью диодов VD6."VD8. Гетеродин в ИМС строится на транзисторе VT1З. Контур гетеродина 11одключают как внешний элемент. Усилитель ПЧ состоит из четырех дифференциальных каскадов: первый - на транзисторах VT18, VTJ9, вто- рой - на VT22, VT23, третий - на VT26, VT27, четвертый - на VT29, vтзо. Первые три каскада имеют регули­ ровку усиления через диоды VD15.. .VD20. Управляющий усилени­ ем сигнал подается с транзистора VTЗJ. Этот транзистор вместе с тран-
зисторами VT32".VT34 образует уси­ литель постоянного тока. С помощью ·этих цепей можно получить глубину реrулировки усиления УПЧ более 60 дБ. На элементах R21, VD9 ... VD14, VT15, VT16 выполнен стабилизатор напряжения для питания всех каска­ дов имс. Еще одна практическая схема включения К174ХА2 и ее характери­ стики .в зависимости от амплитуды входного сиmала показаны на рис. 4.14 Зависимости основных параметров ИМС от режимов эксплуатации пока­ заны на рис. 4.15 . Микросхемы можно использовать в качестве приемника (рис. 4.16). На рис. 4.16 а индуктивность ка­ тушки L1='36 мкГн; контур LJCJ на­ строенный на частоту 1,465 МГц, 50-~~-- Кg,дБ 301----..._--1---1 201--. .. .. ..-6 - --l- -- -I !Ut--4--6--+---1 о -"-..___._........__. а1 0/1- 0,5 lf.J ,в Рис. 4.15 а. Реrулировочнаи характеристика усилите.ля высокой частоты на ИМС К174ХА2 ,дб J IJПЧ 1 j 1, ~ О 0,2 О,11 O,fi Ug,B Рис. 4.15 б. РеrулИ)ювочная характеристика усилиrеля промежуточной ча~тоты на ИМС К174ХА2 имеет добротность 50; коэффициен включения катушки Ll - 0,28, коз фициент трансформации трансформ тора, образованного катушками Ll, L равен 0,125. Индуктивность катушк L3 - 110 мкГн. Трансформатор ра считан на прием сигнала с частото 1 МГц. Индуктивность катушки определяется коэффициентом тран формации, равным единице. Инду . тивность катушки L5 равна 78 мкГ контур L5C5 с добротностью 50 ра считан на частоту 465 кГц. В приемниках, где входной сиги превышает 5 мВ, целесообразно пр менять двухпетлевую систему АР (рис. 4.16 б). Здесь два детекто АРУ: первый детектор - диод v используется для выполнения ре лировки в усилителе РЧ, а второй диод VD2 - в усилителе ПЧ. Пр малых уровнях входного сигнала (д о," ..._-l--,jll.i::;__;~-1---1 o,z i.e:::.+--+-~-+----1 оl...-...Z.......&...--1"--._...J 0,01~1 f 10мВ,Ua Рис. 4.15 в. Передаточная характерис ИМС К174ХА2 с германиевым' 1 и кремние 2 диодами Кг, о/о б *1---+--4---1--J.-.-6.JL--_J z r--~--+--.-Ь.-!!loo,,,:1--.t~--.j 9 .............i .. . .-. --1.. .. .. .--1~--1~--1'----J 10- 1 10- 1 10° 101 102 103ll8x,M. Рис. 4.15 r . Зависимость коэффициента га моник от амплитуды входного сиrна.1а имс К174ХА2
циен коэ юрм r..J, L rушк ' ра :тот о и гран lнду мкг )ра игн пр АР ~кто v ре ой Пр 1а (д ~рис ..~ние ех,М. ~та га 1.1а J5~-......-~--..--~~ Sпplf мА/В 25 201---#---+---+----1 15'---'--------..1-----' !U 100 !UOO U5 ,мВ Рис. 4.15 д. Зависимость крутизны преобразо­ вания от напряжения на гетеродине ;~.1я ИМС К174ХА2 !(!!,дБ чо------1 JOi-.::+--N--+--1 2.0 t--+-fjН--t--1 1о1--.+R'-+---+--I 0 0,2 0,Ч 0,6U3 ,B Рис. 4.15 е. Зависимость коэффициента уси­ .1ения усилитСЛJI высокой частоты от напряже­ ния на выводе З ИМС К174ХА2 при амплитуде сиrна.1а гетеродина 50 мВ частотой 1 МГц Рис. 4.15 ж. Зависимость выходного напря жения на выводе 7 ИМС Kl 74ХА2 от напряж ния на выводе 9 при амплиrуде сигнал 100 мкВ частотой 465 кГц U1s, В 1(0 ~-.---т--.---т--, 3о 1.3,,~----..___.._--1 20 1--+-'1~-.---...--1 f о 1---1'-_..,.~--+--1 Рис. 4.15 з. Зависимость выходного напряж ния усилителя высокой частоты на ИМ К174ХА2 на выводе 15 от напряжения на в де З при амплиrуде сигнала 700 мкВ час 1 МГц Рис. 4.15 и. Зависимость напряжения АРУ промежуточной частоты (вывод 9) от амплиту­ ды входного сигнала частотой 465 кГц для ИМС R174XA2 0,2 -2 "'О-'''00 11 в /0 /С /4 UIJX.l/fli/J
tl,2 '-~~~..,.'--+-1 fl ! t-7":.,,,,-.t--т--t-1 ~tizt!l1 ш0rи'tJь упч,в Рис . 4.15 к . Переааточная характеристика ·илите.~я промеж уточной частоты на ИМС 174ХА2 при fпч=465 кГц, fнч=l кГц. m=0.8 llro,8 tИ t---t---т--.1~-t--1 Рис. 4.15 л . Зависимость напряжения на вы­ юае 10 ИМС К174ХА2 от напряжения на вы­ юае 9 Sпр5,мА/В JOI-+-~~~~ 20 1-+---.IЧ---+---"1 !О i-+-----+---+---1 О!О Рис. 4.15 м. Зависимость крути зны преоб- разования S=I15/U12• г;~е 115 - ток на входе :f>и.~ьтра УПЧ , V 12 - напря ж ение н а входе УВЧ. от амплитуды сигнала гетеродина при f8ч=l МГц, fнч=40 кГц, U3 :0 ношения Рис . 4.15 н . Зависимость соот на.~ / шум на вы ходе ИМС К174ХА2 стн вхоаного сигнала Рgтш. =U2go сиг- ' от .мощно- /4Rg. амплитуда входного сигиала. внутреннее сопротивление источ при fвч=l МГц, fнч=l кГц, m=O 1f ~-+--il'---Г--r----; f о 1--~-+--+---+----1 g l!ИКа ,.3 8 .__......._........__.___ б 8 /[} 12 (/кп,в где Ug0 Rg- сиrна.1а, 1 : Рис. 4.15 о. Зависимость ток от напряжения питания для ИМ а потреб.1ения ' С Ю74ХА2 tJнq, N8 98 - - 1/,58 x/1KfJ ряжения низкой го Рис. 4.15 п . Зависимость нап частоты от амплитуды входно различном напряженЮ1 пигания сигнала при · ДЛЯ имс К174ХА2 '• " ' ': ~ ) . г во::I• й но -6 п~ - у н 4 п об< а в и в л ы J п то• 2 т т с е1 а1 И:r уР' 1 с те; в в 1-Ie М( р1-1 IП lH er. rц ст IJ,t ч "Ге Ф:
~/. ,.;. ...;;.•18-+--+ -t--.' " 4 qб fllt 1]21-+ -+-+ --t- -i о-............- -. .. . /[} 20 ~О U1moxlU7' д5 Рис. 4.15 р. Завис~ость напряжения на вы­ воде 2 от коэффициента усиления промежуточ­ ной частоты на ИМС К174ХА2 -6 0 дБ) действует АРУ в усилителе ПЧ, при больших уровнях (до -4 0 дБ) - АРУ в усилителе РЧ. Управляющие характеристики для обоих систем АРУ см. соответственно на рис. 4.15 а и б. Необходимо иметь в виду, что тип диода, кремниевый или германиевый, влияет на уровень выходного сигнала микросхемы). Применение диодов Д18 дает переда­ точную характеристику 1, а Д223 - 2 (см. рис. 4.15 в). Тип диода в де­ текторе АРУ усилителя РЧ выбирают таким образом, чтобы начало работы системы АРУ в усилителе РЧ по уровням входного сигнала совпадало с окончанием действия АРУ в усили­ теле ПЧ. ИМС К174ХА2 можно использо­ вать в качестве усилителя-преобразо­ вателя для приемника различного 1-1азначения (рис. 4.17). Схема приемника АМ сигнала с 1-1есущей частотой 1 МГц и глубиной модуляции равной 0,3 приведена на рис. 4.17 а. Чувствительность прием­ liика равна 600 мкВ/м при отноше- 1-1ии сигнал-шум на выходе 20 дБ. На рис. 4.17 б показана схема при­ емника для входных сигналов с несу­ rцей частотой 27 МГц. Гетеродин, ча­ стота которого стабилизирована квар­ цевым резонатором ZQl, собран на rранзисторе VT1. Уровень сигнала ге­ rеродина на выводе 4 - 150 мВ. Фильтр на элементах С7".С9, IA".L6 lt J t--+--+ ----1 fl2 ., _ , _- +---+--t --t о 20 40 О,5/71(/;r/U,5,дб Рис. • .15 с. ЗависиJ.1ость напряжения на вы­ воде З от коэффициента усиления усилите.1я высокой частоты на ИМС К174ХА2 выделяет сигнал ПЧ (здесь он ослаб­ ляется на 20 дБ). Ширина полосы пропускания равна 5 кГц, чувстви­ тельность - 2 мкВ. Катушки Ll, L2 содержат по 13 витков, LЗ - 5 вит­ ков провода диаметром 0,2 мм. Еще один вариант применения ИМС К174ХА2 в приемнике, работа­ ющем в диапазонах ДБ, СВ и КВ, показан на рис. 4.18. В этой схеме избирательность по соседнему каналу составляет 35 дБ. Полоса пропуска­ ния по выходу ПЧ равна 10 кГц. Ко­ эффициент гармони к при глубине модуляции входного сигнала 80 % не превышает 3 %. Уровень сигнала ге­ теродина на выводах 4 и 5 100".150 мВ. Амплитуда выходного сигнала НЧ - не менее 100 мВ. Ка- тушка Ll имеет индуктивность 560 мкГн, L2 4,7 мГн, а осталь- ные катушки контуров имеют индук­ тивность согласно выбранному диапа­ зону частот и с учетом номиналов конденсаторов. Контур L14C29 на­ строен на частоту 5 кГц. На рис. 4.19 а приведена схема РЧ-ПЧ тракта, состоящего из усили­ теля РЧ, двойного балансного смеси­ теля, усилителя ПЧ и усилителя по­ стоянного тока системы АРУ. На­ стройка на сигналы станции осущест­ вляется с помощью варикапной мат­ рицы. В контур LЗС4С5 гетеродина входит один варикап. Во входной контур LJC JC2 два параллельно
" R2 R5 100 1,5к Rl· С5 . DA1 1<174XAZ C't 1Zк JJOO LJ в;ао ~ 10 J в 7 R11BO 5 g R10 1к 4 12 +Cl CtJ .I. 5мкх5В Б ~оrнн 1J R11 6 са 22н ~... +126 C1J 11 JJA! Х174ХА2 0,01 1С1 н ~141S 12 в L7 1 1 " С4 G cs Bыxofl О,Оtмн 'i 1. Рис. 4.16 . Варианты применеНИJ1 ИМС К174ХА2
Cf2 120 ыхо 7 V.IJ1 Д9б г с g О,02Zмк в Гсг~ JJA1 R2 13 !(174XAZ 1,Вк +sомк"10В Сд cs JJAZ ВА1 l(f74Ylf5 1 + С21 Б 1оомкк1ов +58 C1J 5мккбВ 'i 1. + С11 5мк хБВ Рис. 4.17. Схемы уси:штелей-преобразователей на ИМС К174ХА2
~ +JB g5 9& tCB.1 450 J z 8 R4 JJO +158 -c:J- V.DZ КД50JА Ut, C1S 16 t5l1Z l! 7 С!В Рис. 4.18 . Практическая схема приемника на ИМС К174ХА2 "·- -----.. Bыxo.tJ. НЧ CJ:J·--- JJOO.. • - >• · ; ~1 \\~1 о1~() о о оо 01 l/011~ с" i7101ol lo о с,о
+9В ~ 1 1 1 L--- DA1 КВС 120А t 22в RI+ 1t,7к +g/j 11+15 16 Rli 1к DA2 К174ХА1 Рис. 4.19 а. Схема тракта радиочастоты на ИМС К174ХА2 R15Юк R1б 1к 9 5',fк VIП КД50JА L-Г:з--:::.:...:.:..-~н R7 Stк С9 0,1 мк JJA1 кп+х112 Рис. 4.19 б. Схема приемника на фиксированную частоту на ИМС K174Xf'!\2 Выход +9В 147
L1 8:4 ~ св JJO св О,0+7нк 6 1.3 ~ R+ 1,~к R~ L4 8,2к С10 D,047мк 10 включенных. Смеситель нагружен на ~езисторы RJO, Rl 2 и пьезокерамиче­ ский1 фильтр Z 1, настроенный на промежуточную частоту, рацную 465 кГц. Выделенный фильтром сиг­ нал промежуточной частоты через катушку связи L5 поступает на фильтр ПЧ LfJC 17С 18 и далее на вход усилителя ПЧ ИМС, на фильтр L7C7 и на детектор. Выделенный сигнал через резистор R6 попадает в усилитель АРУ. Схема приемника на фиксированную частоту приведена на рис. 4.19 6. На транзисторе VT 1 со­ бран предварительный усилитель. С контура LЗС4 сигнал поступает в · ИМС, где взаимодействует с колеба­ ниями гетеродина, частоту которого можно подстроить резистором R7. Сигнал ПЧ (вывод 15) поступает на фильтр из элементов R17, R/8, С16."С18. Сигнал НЧ из ИМС посту­ пает на усилитель на транзисторе VT2. Чувствительность приемника (3".5 мкВ) регулируют при необходи­ мости переменным резисп,>ром R9 . 14Я "'f'Йtitd'trt , *' ~ в; 8 11 i.::9_____- - -1 + С16 4,7мкк15бI llA 1 К 174Х А2. Рис. 4.19 в. Схема +98 сп ЗJОО R11 J!к С16 1онк• 68 +~ ~ " I c1g ~ 3300 ИМ€ К174ХА2 с прецварительны усилителем на по.1ево-.~ транзисторе Параметры sлементов контуров выб рают в зависимости от частоты вхо ноrо сигнала . Схема включения микросхемы предварительным усилителем на п левом транзисторе VT 1 приведена · рис . 4.19 . Селекцию входного сиги осуществляет контур L2CJC2.1 . Ч , тота колебаний гетеродина опреде~ ется контуром LЗС2 . 2С6С7. Сиrн разностной частоты контруром L5C9 и последующ . полосовым фильтром Z 1. С ус или ля ПЧ через контур L7C15 сиrн приходит в детектор на диоде V D RC фильтр RJOC16 вьщеляет напр жение АРУ и оно подается вывод 9. При отсутствии входного сиги ьа выводах должны быть следующи постоянные напряжения: Номер вывода Напря­ жение. В 1,2,4,53,7-10,13611.1214 -1 2 о 8.4 1,8 9
о чен IЬНЫ ::.ре выб вхо !ГН ющи 14-1 9 /<.IJ50J5 VIJ 2 KIJSOJ5 С10 О,Об8мк G1J 1500 I Ct5 1500 I L10 IJA'L Kt'rO!IД 9 ]}А1 /<.17'tXA2 Рис. 4.19 r. Приемник сигналов частотой до 10 МГц на ИМС К174ХА2 JJA171tXA2 7 9 +с5 I5мк>< 68 .., +88 С2 выхоD Рис. 4.19 д. Схема подключения дополнительного фильтра к ИМС К174ХА2 +9В
Схема приемника, рассчитанного на прием сигналов с частотой до 10 МГц, показана на рис. 4.19 г. Входной сигнал с антенны через пе­ ременный резистор Rl и систему связанных фильтров поступает в уси­ литель на транзисторе VT1. Далее входной сигнал поступает на микро­ схему DAl, где он взаимодействует с колебаниями гетеродина; которые формирует контур L8C 14С 12VD9. Ча­ стоту настройки регулируют пе~емен­ ным резистором R5. Разностныи сиг­ нал с частотой 1 кГц выделяется в контуре LJOC16 и через вывод 12 по­ ступает на вход усилителя ПЧ, кото­ рый обеспечивает усиление прибли­ зительно в 1500 раз. Выходной кон­ тур усилителя ПЧ Ll 1С18 выделяет полезный сигнал и он приходит на ОУ DA2. Переменным резистором R 10 можно менять чувствительность приемника, которая составляет около О,1 мкВ. При приведенных на схеме номиналах элементов уход частоты не превышает 6 Гц в минуту. На рис. 4.19 д показано подключе­ ние дополнительного фильтра Zl к выходу микросхемы, что улучшает селекцию сигналов ПЧ. Транзистор VT1 обеспечивает дополнительное усиление. Э.~ектрические параметры ИМС Kl 74ХА2 при 25±10°С и ии.п=9 в Ток потребления /nar' мА, не более"""""""".:""16 Отношение сигнал-шум ~. дБ, при U8 ,=20 мкВ, не менее"""""""""."""""""""""".26 Выходное напряжение низкой частоты ивых 1 нч• мВ, при Uв.v.=20 мкВ, не менее".""""""".""""""."".. """" .""""" ." .... " "" ." ."." 6 0 Выходное напряжение низкой частоты Uвых 2 нч• мВ, при Uвх=5 · lOS мкВ""""""""""""""""""""."".".100".560 Коэффициент гармоник к,.. %, при Uвx=5·10S мкВ, не более""."""""""""""""""""10 Коэффициент гар:w:оник Кг, %. при Uвх=3·1О4 мкВ, не более""""""".""".""""" """".8 Частота входноrо сигна,,1а / вх• МГц, не более"""".".".""".""""""""."" ......... ".""""" ... .. "" ... .. 27 Входное сопротивление УВЧ Rвх УВЧ• • кОм, 'не менее...........- ...."............................................ 3 Входное- сопротивление УПЧ Rвх упч• кОм, не менее""".. """"".""""""""."".""."".".""""3 Выходное сопротивление Rвьг- 7 , кОм, на выводе 7. не менее"""""." ." ."""""""""""".60 Изменение выходного напряжения низ- кой частоты ЛUвых нч при из\.fене­ нии ии.п от 4,8 до 9В при Uвх=10 мкВ. т=ЗО %, не бо.1ее"" .. """"""""""б Пре;:~:е,tьные экСrL'l)'атацнонные пара~етры ИМС К174ХА2 Напряжение питания Uи.п• В: минимальное"... " .... " ......... " ... " .. ".. " .... " .......... 4,8 максима.1ьное """"""""" " ... "" "" """""" ." "".15 ИМС Kl 74ХА4 (рис. 4.20) предназ­ начена для фазовой автоподстройки частоты, может работать как синхрон ный АМ детектор и как узкополос ный фильтр с полосой пропускания до ± 1 % относительно центральной частоты. ИМС применяется в диапа зоне от 1 Гц до 15 МГц с реrулируе-. мым диапазоном слежения ±(1... 15 %). ИМС содержит фазовыif компаратор (перемножитель) U 1 фильтр НЧ Zl, усилители Al и А2 ограничитель ZLJ, генератор, управ­ ляемый напряжением (ГУН) G1, пе­ ремножитель U2, третий усилителы АЗ. Вход для АМ сигнала - выво 4, выход демодулированного сигнала - вывод 1. Входной сигнал с частотой / с п ступает на один вход фазового ком­ паратора-перемножителя (см. рис. 4.20 а), а на другой его вход подаются колебания с образцового re-: нератора Gl, частотой которого уп~ равляет напряжение, прошедшее че• рез фильтр НЧ Zl, усилитель и ог· раничитель ZLJ. Когда на входе сиг­ нала нет, ГУН настроен на централь­ ную частоту входного сигнала. В· этом случае на выходе перемножите­ ля сиmал отсутствует и генератор не управляется. Если на вход подать сигнал, то на выходе перемножителя будет сигнал рассогласования, пропор­ циональный разности частот и фаз между взаимодействующими сигнала­ ми. Полярность напряжения ошибки
...... 3 .... 60 ...... 6 )Ы " ... 4,8 " .... 15 наз- 1йки рои лас ния ной апа руе­ ния выlf Ul А2 рав­ пе­ гелы п ом­ ~см. ход re-! уп~ че• or• :иг­ lЛЬ- В· пе- не :ать еля ор­ :раз 1Ла- 5ки !2 fJ 2 J 7 бrv AJ 5 Рис. 4.20 а. Структурная схема ИМС К174ХА4 8ыxoiJHl/(AM} lб fUнп Регулироона l{Ocmomы r!IH 2 15 Bы.xorJ ФНЧ Рег!/лираUна 'lостоты Г!IН 3 14 Bы:roiJ ФН11 ::,. . Вхоо АМ ч~13 BxorJ 8112 """ выхоiJ ГУН 5~ 12 8xorJ 81/1 ПoiJcmpoЙlfa частоты Г!!Н .._ f/опряжение смещения б :.:::: 11 Ре~лираdна iJиапазана 7 !О BыxoiJ ФНЧ ел 'ЖСНllЯ OtJщuzi 8 g Bыxotl Нl/{ЧМ} Рис. 4.20 б. Назначение выводов ИМС К174ХА4 может быть как положительной, так 11 отрицательной в зависимости от того, какой из сигналов является ве­ дущим по фазе. Напряжение ошибки tюдается на фильтр НЧ, где ослабля­ !Отся высокочастотные составляющие. Сглаженное напряжение усиливается it поступает на вход ГУН. Частота ге­ liерируемых ГУН колебаний изменя­ ется таким образом, чтобы с умень­ tnением напряжения ошибки умень­ tnалась разность частот между вход­ liым и гетеродинным сигналами. На­ llряжение ошибки уменьшается до Тех пор, пока частоты сигнала и t'YH не уравняются, но между ними Остается конечная разность фаз, кото­ Рая здесь оказывается сигналом рас­ согласования, необходимым для удер­ *ания петли ОС в режиме смеще­ liия. Зависимости основных параметров ИМС от режимов эксплуатации при­ ведены на рис. 4.21. Используя ИМС К174ХА4 можно строить модуляторы и демодуляторы сигналов. На рис. 4.22 а показана схе­ ма детектора ЧМ сигналов без ка­ тушки индуктивности. Однако ИМС К174ХА4 не обеспечивает высокого качества демодуляции широковеща­ тельных ЧМ сигналов: во-первых, ГУН имеет недостаточную термоста­ бильиость, во-вторых, простой фильrр не может полностью пода­ вить несущую и она появляется на выходе. Для ЧМ детектора типичны следующие характеристики: порог де­ тектирования 120 мкВ; амплитуда де­ модулированного сигнала 60 мВ; уро­ вень нелинейных искажений 0,3 %; отношение сигнал/шум - 35 дБ.
1- ... ~--""" ~-----~--- ~-·---- ~rе}мrц 0,f D.Of 10/100//о zи~-250мк~ fS +250Ml<8 10 J о ;f,[g 10-2 7 10 102 10J с,пФ О,! f !ОU8х1м8 О 20 ЧО fркр ср,°С Рис. 4.21 а. Зависимость Рис. 4.21 б. Зависимость Рис. 4.21 в. Зависимость частоты IYH от емкости времязадающего конденсато­ ра для ИМС К174ХА4 Диапазона слежения от вход­ ного сигнала для ИМС К174ХА4 входного сигнала от темпе­ ратуры для ИМС К174ХА4 Рис. 4.21 r. Зависимость диапазона слежения от температуры для ИМС К174ХА4 fl5lJ Рис. 4.21 д. Зависимость частоты IYH тока управления для ИМС К174ХА4 RJ 15к С9 8ьшJ(} fl/lf i;..-.._....+'-1~ f01'fKX2.f8 5 С!О J-- 8/JIXOU '---2 -- - - -,-"" /lff'fK ГYll 150 ._______. 8ыхоd А/'1 .DA f К 174XAI/ Рис. 4.22 а. Детектор ЧМ сигнала без катушки ин­ дукmвности на ИМС К174ХА4 В режиме детектора АМ сиmалов микросхема работает как синхронный детектор (рис. 4.22 б). Усиление пре­ образованного АМ сиrnала составляет· U дБ, подаВление сигналов вне поло­ сы преобразования 30 дБ, уровень не­ линейных искажений 1 %. Элепрические параметры ИМС Kl 74ХА4 при 25:t:10"C и U".п=lS В Ток потребления 1пот' мА, не более ...................... 12 Диапаэон рабочих частот n 1 г.. '2.n 11.A''l"rw +!.fB 200 Рис. 4.22 б. Синхронный детектор АМ с лов на ИМС К174ХА4 Тещ n Вход Вход Bxoi и, Вых1 п ~И! Д1
Рис. 4.23 а. Структурная схема ИМС К174ХА5 Фазосабигшощшl контур BЫJ'OiJ ПI/ +Uип в.тiJбШН Выхоа 11а инilинотор ВыхоrJБШН 5локиро0ка блонироОка D.roa пч 2 17 3 '<") !б Фа:зос/Иигоющиii lfoнmyp BыxoiJ ПI/ BЬ!xoil HI/ ""< ч~15 5t::/~ б"с13 Фильтр Н11 ВшoiJ Ап'1 ФильтрНl/ 7 JZ RC- фильтр Omlfnюveнue АПЧ Общий 8 11 g10 Рис. 4.23 б. Назначение выводов ИМС К174ХА5 Температурный коэффициент частоты ГУН Лt, %/0С......................." ............................... ±0,6 Входное сопротивление Rвх, кОм......"..................... 2 Входная емкость Свх, пФ"............."........................... .4 Входное постоянное напряжение и ' 8 ..................................................................... .4 ах. пост Выходное постоянное напряжение ивых. пост' в .................................................................. 14 Амплиrуда выходного сигнала Uаых' В .................. .4 l<оэффициент подавления амплитудной модуляции К0од АМ• дБ........................................... 40 Предельные Э1'сплуаrационные параметры ИМС К174ХА4 1-iапряжение источника питания Uи.п• В: минимальное ................................................. 14,25 максимальное ............................................... 15,75 М:инимальный уровень сигнала, необхо- димый дл.я слежения Umm· мкВ ........................100 ИМС К174ХА5 (рис. 4.23) представ­ ляет собой специализированную мик­ росхему, содержащую комбинацию усилителя-ограничителя и квадратур­ ного частотного детектора, предназна­ чена для применения в трактах .ПЧ и в детекторе ЧМ приемников. В состав ИМС входят усилитель­ ограничитель Al; детектор урuвня А2; частотный детектор UZJ; стабилиза­ тор напряжения АЗ; усилитель А4; трютер А5. Основной тракт ИМС (усилитель­ ограничитель и детектор ЧМ) допол­ нен трактом бесшумной настройки (БШН), управляющий сигнал для ко­ торого снимают с каскада усилителя­ ограничителя через детектор уровня. Это же напряжение может использо­ ваться для индикации уровня сигна­ ла на входе. Кроме того имеются це­ пи коммутации тракта БШН и АПЧ (Sl, S2). 153
.'''!!"'Jff181111111••---------------·----·-----· ....--· ~r~,МГц .. 0,f 0.0f ' 10 102 103С,пФ Рис. 4 .21 а. Зависимость частот!.1 IYH от емкости времязадающего конденсато­ ра ц.1я ИМС К174ХА4 !0/10~°,lo zо~250мкв, 15 +2sомив fO J о 0,f f !О Uвх1М8 Рис . 4 .21 б. Зависимость Диапазона слежения от вход­ ного сигнала для ИМС К174ХА4 ;;~Q"jg 10-l О 20 ЧО fрнр. ср, 0 С Рис. 4.21 в. Зависимость , входного сиmала от темпе­ ратуры для ИМС К174ХА4 Рис. 4.21 r. Зависимость диапазона сдежения от температуры Д11J1 ИМС К174ХА4 Рис. 4.21 д. Зависимость частоты IYH тока упрамения для ИМС К174ХА4 +!5/J tSO IU 1511 DAf К f74XAI/ Рис. 4.22 а. Детектор ЧМ сЮ'НаJ\а без катушки ин­ дукmвности на ИМС К174ХА4 В режиме детектора АМ сиmалов микросхема работает как синхронный детектор (рис. 4.22 б). Усиление пре­ образованноrо АМ сиrnала составляет· U дБ, подавление сигналов вне поло­ сы преобразования 30 дБ, уровень не­ линейных искажений 1 %. Элепричесuе параметры ИМС Kl 74ХА4 при 25±10"С и u•.п=lS В Ток потребления / nar' мА, не бо.лее " ." ". " """""" 12 Диапазон рабочих частот lif.."" ..".."""".""".. """~"... "."""""." 0,1 Гц".30 МГц +f.fB 200 Рис. 4.22 б. Синхронный детектор АМ с лов на ИМС К174ХА4 Те,ше~: IYH Входно Входна Входко иц. Выход~ UBЬD A. '4runr: Коэфф мод~ Пре, f.tини1' ДИМI
J''12 Рис. 4.23 а. Структурная схема ИМС К174XAS ФаJос06игшощшl контур 1 18 фазос/Иигоющиu lfOHm!Jp ВыщiJ Пl/ 2 17 Выхоа ПI/ +Uип J ..... !б Bы.roil HI/ о.тrJьшн ч""15 Фильтр HI/ ~ Bыxoil на инilинотор 5~!~ Выкоа An11 - ВыхоrJБШН б ~ 13 ФильтрNoI 5локиро0ка 7 /2 RC- фильтр блонироОка 8 11 Omlfnюveнue АПЧ o.roa пч g 10 Общий Рис. 4.23 б. Назначение выводов ИМС Kl74XAS Те,шературный коэффициент частоты IYH Лt, %/0С........................................................ ±0,6 Входное сопротивление Rвх, кОм......." ..............." ... 2 Входная емкость с.,.. пФ ............................................. 4 Входное постоянное напряжение и ' 8"""....""."....""..""."..""".."""""""".." ..... .4 вх. пост Выходное постоянное напряжение ивъ~х. пост' в."""... """"".""""." .."... "."."" ... ".. ""." ... 14 А.'dплиrуда выходного сигнала ивых' 8 .. """.. .. " ... " 4 Коэффищfент подавления амплитудной модуляции Кпоn~. дБ..."." .." .. """.. ""......" .... " ... 40 Предельные эксплуаrационные параметры ИМС К174ХА4 liапряжение источника питания Uи.о' В: МИНИМа.'!ЬНое"""""."....." ..." ..............." ....".14,25 максимальное........""...." ............... " .........".15,75 /..1инима.1ьный уровень сигнала, необхо- дИМЫЙ для слежения Umm' мкВ ....... """ ." ... " ... 100 ИМС Kl 74ХА5 (рис. 4.23) представ­ ляет собой специализированную мик­ росхему, содержащую комбинацию усилителя-ограничителя и квадратур­ ного частотного детектора, предназна­ чена для применения в трактах ПЧ и в детекторе ЧМ приемников. · В состав ИМС входят усилитель­ оrраничитель Al; детектор урuвня А2; частотный детектор UZJ; стабилиза­ тор напряжения АЗ; усилитель А4; трисrер А5. . Основной тракт ИМС (усилитель­ ограничитель и детектор ЧМ) допол­ нен трактом бесшумной настройки (БШН), управляющий сигнал для ко­ торого снимают с каскада усилителя­ ограничителя через детектор уровня. Это же напряжение может использо­ ваться для индикации уровня сигна­ ла на входе. Кроме того имеются це­ пи коммутации тракта БШН и АПЧ (Sl, S2). 153
+!28 8ь1xoii А Пlf г----, . J L2о,qмкrн 1 R4f,2н 1 C!f вxoiJ ст J,,ч=ffJ,7мГц ~ " ,........__~...._-~~~-=~=="-~-J.::<.-...i..:..:,/7f 3 ~-__..-~ g г---- ~ 471"'и cz/ 8 I f,б"~Гц 1JO R7 1-- _J 7 /J !f Rб С/5 f,TK rOl.?мl< Отклюце1ше АП Рис. 4.23 в. Типовая схема включенИ11 ИМС К174ХА5 t> Рис. 4.24 а. Структурная схема ИМС К174ХА6 Входной контур ПЧ LJC2 и фазо­ сдвиrающий контур частотного детек­ тора L2C1З, добротность которого оп­ ределяется сопротивлением резистора R4 настраивают на частоту 10,7 МГц. Переменный резистор R6 позволяет установить желаемый уровень сраба­ тывания тракта БШН. Элепричес11:ке параме'Iры ИМС KI 74ХА5 при 2s±10·сии=12в и.п Ток nотребления / ttar' мА, · не бо,,ее .. """"""" .. " .. 30 Входное пороговое наnряжение огр"ни- чения Uвx.orp• мкВ, при fu.=10,7 МГц, fмод=l кГц, не более..••• """"..... """""" ... ..•. " ." .. ... . ." .. .. """"".. . . " . · Выходное напряжение низкой частоты Ur.ыx НЧ• мВ при Uax=lO мВ, f a:x=l0,7 МГц, fмоц=l кГц, д/= ±50 rГц, не менее..... "" "".""... . " ."•. . . " . . ..• Постоянное напряжение на выводах 5 и 6, U5,U6. В не менее ... "" ."..."""""..... ."".. " Коэффициент ослабления амплитудной модуляции Кос АМ• дБ. при Uax=lO мВ . / 0 =10,7 МГц, f,,.0ц=l кГц, m=ЗО %, Л/=±50 кГц, не менее ..... "".""".." ... .. """" .. " ...... "".. """".""".".
;?...,~~· ~~::j1 ... i~· ~" ~L'"<"") ш();) -""':>ti • i~ J::"Оо:~; :i: '1::1 ' <:::,'"") - :s: :S:• : - g::n:s: ~ i- t::. '-'"""' ~<:;; "" ...., ;i:: о- "" :ь. " ~~ ::;, :>:. §эз§i~ • Г1 - в ф_ +17 +тб i, 11___ 1 . 'Т1 12. 1 ' l--·----- 15 n.. - А '"IA "' n..............,m..яая ~хема ИМС К174ХА6
!!!Jl!_ -- --- ;Jl1 ~·2 о о VTS 760 R670 7,+к _J.2_ . 1О"' rzк ' OR7+360 о R1S 360 - R790 550 t5- 10((33J,7к - t~- • 1 о R9б9,2к VТЭ1 [(97 J2K ill[(1030 24к VТ102,.,-- -t VТ10' 1 VT~ ~ VT98 ,___ vтва ~91 1К VT92. R92[ 3,1к 17 1 ч z: H'?3WZY- -р r. ?Т -.-, j• 1- g*f - с - Qo • о.с~~;;;i ::r:: ~. ~. }~ VT9S R1DU 540 Vi'1U1 R101 ;+а 13 ' 1 ~­ ~ ' f1 L ь
. , #i"i**'V" ' ~".,..,..,,." OrJщuii f 18 !Jxod l/l/ Отключеttuе 2 17 5локиро8ка АПI/ RC срильтр J !б ffл!lКupo!Jкa срнч 4 rs Выхоd бШН ВЫ)(ОdАЛЧ 5 «::> 14 Вьаоd tfa ~ Utiduкamop ФНL/ б !J Bxod 5ШН {]Ьf)(Od HI/ 7~12 + l!ил .._ Выхоd ПЧ 8~ 11 !Jыxod ПЧ ФазосdtJигоющий. g 10 ФозосrJ(fигающ uii KOttmijp l<Otfmfjp Рис. 4.24 в. Назначение выводов ИМС Kl 74ХА6 ВыхоаАпч С4 1---J +- zомкх/58 R1 С5 I о,02Jмк 27К ехпа Cf fпч =!О,7мГц 12 5 " г---, 78 .: 1 47 иcz 1 ,,,. 1 ~150177 1--- ciJ1 2 0,022 мк 11 С7 CJ lо.022мк ~~ JJA1 Н174Хдб ~ Отнлючение А nч Рис. 4.24 r. Типовая схема включения ИМС К174ХА6 Предельные ЭltСПJIУаrациоииые параметры ИМС K174XAS Напряжение питания U'И.п' В: минимальиое ........................................................ 5 максимальиое .................................................... 15 ИМС Kl 74ХА6 (рис. 4.24) представ­ ляет собой мноrофункциональную микросхему, предназначенную для построения трактов промежуточной частоты УКВ ЧМ приемников. Она обеспечивает усиление, ограничение входного сигнала, бесшумную на­ стройку, формирование напряжения для индикации, автоматическую на­ стройку частоты и детектирование ЧМ сигнала. По выполняемым функ­ циям она аналогична ИМС К174ХА5, но обладает лучшими характеристи­ ками и отличается разводкой цепей по номерам выводов корпуса. Микросхема содержит усилитель­ ограничитель Al, детектор уровня А2, частотный детектор UZ1, стабилиза­ тор напряжения АЗ, усилитель А4, .,,.,.,
трютер А.5 и ключи Sl, S2. Основ­ ной тракт ИМС (см. рис. 4.24 б), со­ стоящий из многокаскадного усилите- ля-оrраничителя на транзисторах VT1 ...VТ3, VT5...VT7, VT13.. .VT15, VT18, VT20, VT21, VT24...VT26, VТЗ2.. .VТЗ4, VТЗ7, VТЗ8, VТ4З и де­ тектор ЧМ . (на транзисторах VT53 .. .VT62) дополнен трактом бес­ шумной настройки (БШН), управля­ ющий с~mал которого снимают с ка­ скада усилителя-оrраничителя через детектор уровня . Это же напряжение используется для индикации уровня сиmала на входе. На рис. 4.24 r показана типовая схема включения ИМС. Порог срабатывания устройства БШН устанавливают подстроечньiм резистором R6. Во время настройки на принимаемую частоту система АПЧ может быть отключена либо подключением вывода 2 ИМС к об­ щему проводу, либо автоматически подачей управляющего напряже­ ния на вывод 2 через конденсатор С7. Минимальное напряжение управ­ ляющего сиmала, при котором систе­ ма АПЧ отключается, не превышает 20 мВ. Напряжение сиmала АПЧ на выводе 5 равно 2.. .4,5 В. Сопротивле­ ние цепей по постоянному току, включенных между выводами 17 и 18, не должно превышать 390 Ом. Выводы 14, 15 предназначены соот­ ветственно для подключения индика-· тора напряженности поля и управле­ ния системой БШН. При включен- ной системе БШН входной сиги подавляется не менее 60 дБ. Систе бесшумной настройки отключаете если вывод 15 соединить с общи проводом. Остаточный уровень сиm ла при отсутствии несущей частот определяется резистором (сопротивл нием не менее 10 кОм), включаемо между 6 и 12. Полоса пропускания усилителя П и коэффициент гармоник определяе ся резистором R4. Для входного н пряжения 10 мВ и добротности ко тура, подключенного к выводам 9, 1 равной 35, коэффициент rармон выходного напряжения не превыша 1 %, а при том же входном напр жении и добротности, равной 20, к эффициент гармоник становится ра ным менее 0,25 %. Зависимости п раметров ИМС от режимов эксплу тации приведены на рис. 4.25. приведенные характеристики сия при напряжении питания 12 В, ча тоте входного сиmала 10,7 МГц, д виации несущей частоты ±50 кГ ':{астоте модуляции 1 кГц и коэфф циенте модуляции 30 %. ЭлепричесЮtе параметры ИМС KI 74ХА6 п 25±10°С и U =12 В и.п Ток потребления / поr• мА, не более""""""" """ ,. Входное напряжение ограНJf'lения Uax orp' мкВ. при /ax=l0,7 МIЦ, не более•... ." " .""" .".".."."" ."" " "" .""""""." .. .. .. " ." .. " .."" 1(0САМ,д5 80r----r ----r ---. 150~--~~=t=~ 120 / 80/ l/0"-' --+ ---+---1 о.___ _._,......__.~- ~~·ь170 15' 150 601-----l~~:::i 40 / / го....,...--+---+~ о ____._ __......_~ 10 10J 10 5 Uвr1 мхВ 10 10 1 f0 5U6x,м мкВ Рис. 4.25 а. Амплитудно- частотнан характеристиха ИМС К174ХА6 О lf 8 12Uи.п1В Рис . 4.25 б. Зависимость выходного напряж ения от напряжения источника пиrа­ ния при Uax=lO мВ для имс К174ХА6 Рис. 4.25 в. Зависимость коэффициента ослабления паразитной амплитудной мо­ ду.1яции от напряжения входного сигнала для ИМС К174ХА6
им ость бления )Й мо- 1жения имс ба/ ча 20 1----+- --+ -1 aL...,- --'- --.. 1. .-1 10' 10 1 ro ~и8~/'1нв Рис. 4.25 r. Зависимость отношения сиг­ нал/шум от входного напряжения мя ИМС К174ХА6 Рис. 4.25 е. Зависимость тока потреб.~ения от напряжения источника питания аля ИМС К174ХА6 Выходное напряжение низкой частоты Uвых НЧ' мВ, при Uв.x=lO мВ, /вх=lО,7 МГц, д/=±50 кГц. /, :1 кГц, не менее "" .. """ . .. " .. """"""""""" .. 160 мод Коэффициент ослабления амrщитудной модуля!ЩИ К°" АМ• дБ, при Uвх"'~О мВ, fвx:l0,7 мГц, д/=±50 кГц, /мод"'l кГц, m=ЗО %, не менее .. ""."." .........""".""."."" .. ".""""" .. """..... ".46 Каэффициент гармоник Кг, %, при Uвх=10 мВ, fв.x=l0,7 мГц, д/=±50 кГц. fмод=l кГц, не более.""" ..... "" "" 1 Предельные эrtеплуаrационные параметры ИМС Кl74ХА6 Напряжение питания Uи.п• В: минимальное.. ""."".. " .... """"".. "."".... ".""""4,5 максимальное".""""....""."".......""""............. 18 Ток потребления /пиr' мА. при ии.п=18 в, не более ." """". """""" .". ". ". """. "." "21 Максимальный ток, мА: через вывод 14 114 ,,_ .. """".""."" ...."".""••• 3 через вывод 15 115 ,,_" """. """"". """""" "" l Максимальное сопротивление по по­ стоянному току между выводами /7 Рис. 4.25 ;i. Зависи\lость напряже11ия на вы· воаах 14, 15 от вхозноr0 сиrна.~а .:~.1я ИМС Кl74ХА6 Uвх.огр, мн В 50r--.---т--,.--.----,.--, L ...... 4-..+-....-t--'f.~=j 40г 201---+--+--+--1'--+-~ Olf 6 8 10 12 !ЧUип18 Рис. 4.25 ж. Зависимость изменения поро1 ограничения вхо;~ного сиrна.1а от напряжен~ питания ддя ИМС Кl74ХА6 ИМС Kl 74ХА7 (рис. 4.26) представ· ляет собой многофазный перемножи тель сиmалов и предназначен дш использования в узлах радиовеща тельной и связной аппаратуры. Элепричесuе параметры ИМС Kl 74ХА7 при 25±10°С и ии.п=:!::9 в Ток nотреб,1ения /паг• мА. не бо.1ее""""""".""."~ Выходное напряжение U8 •"'' мВ, при Uвх"'65 мВ, fвх=5 МГц, не менее"""."""".".30( 8ыfJod ОощцiJ. 8ь1fJod Bxod +U11n 3 f4 8ыfJod Выхоd 4 r:.... / .J Oxorl ooщuii 5 ~ 12 8ыfJod 8ыfJod б~ff !Jxod 7 ...... !О BыfJod -Uип 8 <: g 8xotl и 18 R11, 18 ,,_, Ом .. """""".".""""""""""""""." 390 Рис. 4.26 а. Назначение вывопов ИМС К174ХА 15
+9fJ ft и, n и, l1 Af М-фазоdрощогели Hg 10 Cl-C!J -1,0 .fl ! нtr -98 L2 2 RI SltJ 1/2 510 Cll CIJ Н;ьОd 101 Рис. 4.26 б . Типовая схема включения ИМС К174ХА7 Предедьные эа:С1Ltуаrационные параметры ИМС К174ХА7 ' Напряжение nитаНЮI ии.п' в." ."""" ""." . ±8,1 ." ::!:9,9 зованный сигнал через внешний ко тур и входной пьезофильтр ПЧ п ступает через вывод 2 на УПЧ, стоящий из пяти последователь ИМС К174ХА10 (рис. 4.27) пред- ставляет собой многофункциональную инс к174 ХА !О схему с элементами АМ и ЧМ трак­ тов, предназначена для использова­ ния в АМ и АМ/ЧМ супергетеро­ динных приемниках не выше третьей группы сложности. В состав ИМС входят усилители промежуточной (УПЧ) Al, радио­ (УРЧ) А2 и звуковой (УЗЧ) АЗ час­ тоты, rде модулятор АМ и ЧМ сиг­ налов URJ, стабилизатор А4, смеси­ тель UZ1 и гетеродин G1. При приеме в АМ диапазоне сиг­ нал поступает на вывод 6, усиливает­ ся УВЧ (транзисторы VT301 VT34) и подается на смеситель (транзисторы VT29, VТ:Зl .. .VТЗЗ). Сюда же поступа­ ют и колебания гетеродина (транзи­ сторы VTЗ5 .. .VT45), внешний контур которого подключают к выводу 5 . С Рис. 4.27 а. Структурная схема Им выхода смесителя (вывод 4) преобра- К174ХА10
... ~·' =- :~ ф "" "' ...... О'\ ...... :s:' ::: lб - J " ч..... - 10 t: v 1- 1<171/ХА;О - -------. 7 (iJ ..с: ..с:;:>;< ~~ :>: t:7' - :;;1 о 15 - ------ - 59 Рис. 4.27 б. Принципиа..1ьная схема ИМС К174ХА10 jIf ·в -ll 'Ч! l _a гi!~."~ i~
В1оа 1 Уnч 81od 2 !JЛЧ 05щuti &mJiJ снесител11 /Jь11oiJ контура 11~poduНQ 8.lOd 1 Y8V Broa 2 !18'1 BшtJil deнodg11яmopa 5локиро8ка АРУ(Bur11t} 4fll/} Выrоа УЛI/ 8.rot} ti1нotl§ЛRmopa 1-Uи.п 861rotl YH'I Общиu 5локиро6ко l/1011 !IHV Рис. 4.27 в. Назначение выводов ИМС Кl74ХЛ10 ll Фпrл-0211 дм SAt.f Ct8 1000 Cf7 0,0221'11( CZJ IMK Рис. 4.27 г. ТИповая схема включения ИМС К! 74Х.<\10 lf61J16otJ. IJ DAt Рис. 4.27 д. Доnо,1Ни- тельный каскад усиления мощности, подключаемый к выходу имс К174ХА10 Рис. от Н< fl/=8 ( J074XA Рис от на имс р от1 11М
,..- ' 1 \ 1 ~ ~.J.t 2,0 ,Вт 1,~ 1,0 Ц5 о 24б8~п,8 Рис. 4.28 а. Зависимость выходной ыощности от напряжения питания при ic = 1 кГц. 90 70 §О 30 70 / ' v / 1, 20 40 30 80 lOOЛf ,КГц R,,,g Ом. К=10 " г % (1), Кг=2 % (2) ;1.1я ИМС Рис. 4.28 r ..Изменение напряжения на выхо­ де ЧМ детектора от девиаЩtИ частоты входно­ rо сИП1ала при частоте 10,7 МГц и амплитуде входноrо сИП1ала 1 мВ для ИМС К174ХА10 j{\7..\XAlO Inor• 15 12 70 8 2 Рис. 4.28 б. от напряжения Зависичость тока потреб.1ения питания при ЧМ сиrна.1е ;и.я ИМС К174ХА10 I"fff, мА Тб 14 72 70 8 2 4б8!0U. 1 В ип Рис. 4.28 в. от напряжения Зависимость тока потребления питания при АМ сигнале для ИМС К174ХА1о rальванически связанных дифферен­ усилителей на транзисто­ Т 10 и далее на АМ детек­ детектирования и усиле­ звуковой частоты с выво­ ют на регулятор громкости Циальных Рах VTJ ... v l'op. После !iия сиrnал n:a 8 пода 11 далее ч (!ia транзи ерез вывод 9 на вход УЗЧ сторах VT46" . V T66). Выход­ жение снимают с вывода lioe напря 12. Сиrnал 11оступает АРУ внутри микросхемы на УВЧ и УПЧ. При приеме в диапазоне УКВ сиг­ е внешнего блока УКВ и ьтра поступает на вывод 2 liaл посл ~ьезофил fIЧ. Пр ~· и этом. с помощью пере- 60 50 40 JO 20 z~ 1/ 24б8!Оf{n,8 Рис. 4.28 д. Изменение напряжения на выхо­ де АМ-детектора от напряжения питания при амп.1И'Гуде входноrо СИПfала 50 мВ. несущей частоте 1 МГц, частоте модуляЩtИ 1 кГц и ко­ эффициенте модуляЩtИ 0,3 для ИМС К174ХА10 80 бО 40 20 о - 1 J 1 1 zJ~•! /О /О /О /О /О /Jex,Ml<8 Рис. 4.28 е. Передаточная характеристика АМ тракта при напряжении питания 9 В, несу­ щей частоте 1 МГц, частоте модуляЩtИ 1 кГц, коэффициенте модуляции 0,3 для ИМС К174ХА10 Юiючателя ме;R"яют потенциал на вы­ воде 7 и микросхема оказывается пе­ реЮiюченной в режим приема ЧМ колебаний. В этом случае УПЧ (транзисторы VTJ". V TJO) работает как усилитель-ограничитель, а перемпо:
Ц/Uш ,Аб 50..----.--r--- 40 t--IЧ---+----j 30t-1--+---+----j 201+--+--+---I 10 ' ----" -r--' -.,. ..... .1 10 /О 10 Utu,нк8 Рис. 4.29 а. Зависим' л:ть отношения сиг­ нал/шум от ам11JIИТудь~ входного сигнала ЧМ трахта при частоте ВХ( ·дного сигнала 10,7 МГц, девиации частоты 50 кГц для ИМС К174ХА10 Ц;!Uш ,д§ 30 20 10/ ,J~ О 10 !О !О /Jвх /11(8 - 2 '" Рис. 4.29 б. Зависимость отношения сиг­ нал/Шум от амПJIИТУдЫ входного сиn1ала АМ тракта при частоте входного СШ'Нала ,1 МГц, частоте модуля~.um 1 кГц, коэффициенте моду­ ля~.um 0,3 дт1 ИМС К174ХА10 Рис. 4.29 в. Зависимость коэффициента гар­ моник от выходной мощности при частоте 1 кГц и сопротивлении нагрузки 8 Ом для ИМС К174ХА10 житель - как квадратурный ЧМ де­ тектор. Через выводы 14 и 15 к де­ тектору подключают фазосдвиrающий контур. Постоянное напряжение на выводе J6 может при этом использо­ ваться как напряжение АПЧ для уп­ равления варикапами УКВ блока. ~ходной мощности микросхемы 2,9-~14----4---.1 2,81--+-~.j.--.j...--/ 2,71--1--r-+--+--I l,бl---4--+-~~ 2,50 . 24б8°и.тв Рис. 4.29 r. Зависимость ко~ен:га моник от напряжения питания при час 1 кГц и сопротивлении нагрузки 8 Ом ИМС К174ХА10 /(r ,'fo,__~-.--.---.---. 2,0i--~4--1---1-~ 1)...-+---+--4-.~ !,Ot--1 --t --+:.A - -1 D,3 i--+~:::...+--1--1 О f 10 !f lJвx/'13 Рис. 4.29 д. 'Зависимость коэффициента моник от амплитуды входного сигнала при тоте 1 кГц и сопротивлении нагрузки 8 Ом имс К174ХА10 /(r> 'Уо --~--- 8 -----"""' - -' 6-----_, 4 f---~f--~.j...-1 21--~i...-~~ о ...._. ....,..._ _.L .- ....1.. ......, то шt!01 !04 тtlf1в11,111(в ". ~ ,, ' Рис. 4.29 е. Зависимость коэффиIJJrента..' моник всего трахта при АМ сигнале от туды входного сИ111ала частотой 1 МГц, те модуляции 1 кГц, коэффициенте 0,3 дт1 ИМС К174ХА10 достаточно для небольших ных приемников. Для более приемников требуется дополни НЫЙ каскад усиления МОЩНОСТИ, добный показанному на рис. 4.27 Зависимости параметров ИМС " режимов эксплуатации приведены · рис. 4.28, 4.29. ·
iC м ~'1 ' 1,: 70 бО\ 50 40 \... ЗОz. Ч б 8 10Uи.п•В Рис. 4.29 ж. Изменение порога ограничения от напряжения питания ДJ1JI ЧМ тракта на ИМС К174ХА10 Элеюрические параметры ИМС Kl 74ХА10 при 25±10"С и ии.п=9 В Ток потребления 1 , мА, не более................ """16 ' пот Выходное напряжение УНЧ Uвых УНЧ• В, при Uв.~=2.5 мВ, !вх=1 кГц, не менее ."."""."" ... "" .. """""""" ... "1,55 Выходное напряжение низкой частоты АМ тракта Uвых нч. АМ' мВ, при Uвх=50 мкВ, fвx=l МГц, m=30 %, fмод=l кГц, не менее ........1 ."..""""..............""..."30 Напряжение ограничения ЧМ тракта U0 rp чм• мкВ, при /'.,.=10,7 МГц, Л/=±50 кГц, fмод=l кГц, не более............. " .............................. """ ....................... "."50 Отношение сИПfал-щум АМ тракта КшАМ, дБ, при Uвх=50 мкВ, f, =1 МГц, т=30 %, fмод=l кГц, н":менее." ... "........ "................ "." .. "" ................. " ....... 20 Коэффициент гармоник УНЧ, Кг УНЧ' %, при Рвых=О,3 Вт, не более" .................... "."."2 Верхняя граничная частота УНЧ / 8 УНЧ• кГц, не 'менее .......................... " .. . . .. . . .. "" ... . 2.5 Входное сопротивление УНЧ Rвх 'УНЧ' кОм, не менее...... - ......... ".................................. "."100 Нижняя граничная частота входного напряжения АМ тракта fи АМ• кГц, не более..." ......"." ..................... " ...." ......................... 100 Верхняя граничная частота входного СИПfала АМ тракта в режиме преоб­ разования (по уровню 6 дБ) / 8 АМ• МГц, не менее................. " ...""""."" ............... " .. "12,5 I<оэффициент гармоник АМ тракта Кг АМ• %, при Uв.~= 1 мВ, /ВJl.=1 МГц, fмод=l кГц, не более.... "" """. " ". ". 5 Коэффициент подавления АМ сигнала ЧМ тракта К АМ• д~ не менее ..................... 40 ' or; •" ·~ U16 ,B ~-.---.J,z~-,.-~-.---,---, Рис. 4.29 з. Передаточная характеристика ЧМ детектора на ИМС К174ХА10 Отношение сИП1ал-шум ЧМ тракта ~ чм• дБ, не менее."".".""""""".""".":"... "" ""3 6 Коэффициент гармоник ЧМ тракта Кг чм• %, не более "." ... """"""""""""."" ...... "".""3 Предельные эксплуаrационные параметры ИМС Kl 74ХА10 Напряжение источника питания Uип• В: минимальное.'................. """"." .. "." . .. . . . .. . " .. . . .. . .. 3 максимальное....." ............ "...."" ...." .......... "." .. 12 Максимальн0е входное напряжение АМ тракта UВJi. та~ •...м• В, не более.....".""""" .............. ".... "........... """" ...................0,5 Максимальное входное напряжение УНЧ (на выводе 9) Uвх так Унч• мВ, не более...."." ....."..." .............. "" ... "" .......... "..............30 Максимальный выходной ток УНЧ (на выводе 12) / вьrх """' УНЧ• А, не более....:........................................... " ......" ...." ........... ".0.5 Максимальная выходная мощность УНЧ Рвыхтак УНЧ' Вт, при Rи=lO Ом, Кг=lО %, не менее" ............... "" .... 0,7 Рассеиваемая мощность Ррасе' Вт, не более..................... "................................. """ ...... " ......" ...1 Максимальный к~нт гармоник ~ ,,_, %, при Рвых =О,1 Вт, не бо- лее".""............ "................................ "." ...... "" .. "....... ".. 10 ИМС Kl 74ХА12 (рис. 4.30) пред ставляет собой управляемый rенера тор - универсальную высокочастот ную систему фазовой автоподстройк частоты (ФАПЧ) с замкнутым копту NM обратной связи, обеспечиваюх,ц :
независимую регулировку централь­ ной частоты и полосы удержания . Генератор содержит фазовый детек­ тор UR, генератор управляемый на­ пряжение Gl, эмиттерный повтори­ тель Al, синхронный детектор (JR2. Основным блоком в ИМС являет­ ся управляемый генератор, от которо­ го зависят такие параметры, как ста­ бильность частоты выходных колеба­ ний в диапазоне питающих напряже­ ний и температуры, линейность мо­ дуляционных и демодуляционных характеристик, частота спектра выход­ ного сигнала, диапазон рабочих ча­ стот. Управляемый генератор выпол­ нен в виде эмитrерно-связанного мультивибратора, который работоспо­ собен в широком диапазоне частот. Для минимизации температурного дрейфа частоты в нем предусмотрена температурная компенсация. Частота генератора определяется внеwним ча­ стотно-задающим конденсатором, под­ ключенным к выводам 2, 3. Изменяя номинал внешнего конденсатора в пределах 109..;tO пФ, можно устанав­ ливать частоту собственных колеба· ний ГУН в диапазоне 0... 107 Гц. Схе· матическое построение генератора предусматривает возможность внеш· него электронного управления часто· той генерации и полосой удержания. На вывод 6 подают управляющий ток 0... 10 мА для электронной под· стройки частоты генератора в преде­ лах ±30 %. Вывод 7 используется аналогичным способом для электрон· ной регулировки полосы удержания. Фазовый детектор построен по схе­ ме двойного балансного перемножите­ ля на дифференциальных усилите· лях. Фильтр НЧ образован выход­ ным сопротивлением фазового детек­ тора и внешними элементами, под­ ключаемыми к выводам 14 и 15. Фильтр нижних частот обеспечива­ ет необходимую полосу захвата путем подключения внешних элементов к выводам 14, 15. Номинал подключае­ мого конденсатора (в микрофарадах) можно определить по формуле С-::::.У,,3/Л/, где Л/, Гц - необходи­ мая полоса захвата. На базе ИМС Kl74ХА12 можно по строить высококачественный ЧМ де тектор, имеющий высокую линей ность и обеспечивающий дополни тельное ослабление паразитной А более чем 30 дБ. В ИМС предусмот рена возможность подключени внешнего конденсатора (вывод 10) образующего совместно с внутренни ' сопротивлением микросхемы цеп коррекции предыскажений и обеспе чивающего дополнительную фильтр цию несущей частоты. При исполь вании микросхемы в режиме следя щего фильтра выходной сигнал уп равляемого генератора снимают с вь вода 5 через развязывающий рез стор сопротивлением не мен 1 кОм. Наличие синхронного дете тора позволяет использовать ИМС режиме синхронного АМ детектор· имеющего нелинейные искажения н более 1 % и обеспечивающего вые кую помехоустойчивость. Для филь · рации ВЧ составляющих к выхо синхронного детектора подключа внешний конденсатор, который с вместно с выходным · сопротивление детектора определяет полосу проп скания звуковых частот АМ трак При работе в режиме АМ детекто сигналы на входах фазового и сии ронноrо детекторов должны бы сдвинуты по фазе друг относитель друга на 90°. Этого достигают с п мощью внешнего фазовращателя, ализованноrо в простейшем случ на RC звеньях. Рис. 4.30 а . Структурная схема ИМС К174ХА1
~tttt-tt-• 1 4 J !Н.!13 Hlf ~22 Z,7K VD12 Рис. 4.30 б. Принципиальная схема ИМС К174ХА12 Н25 ЧfО 15 15 10 11 RJlf 8
8ь1xoil НЧ(АМ) 'iРстотwаЬающий коН/Jt!нсО111ор 1/а.стотозоiЬющиii конtJенсотор ВхоЬ АМ ВыхооГ!IN Jлек111роНН11R noiJcmpoiiкa l/acrorwr!IH Ре2улиро6ка ОШJfl(].зона слf!Jl!Янuя 05щий + и".п Bыxoil ФНЧ Bыxoil ФНI/ Bxoil 81/2 Вход ВЧ1 Нопряжt!нuе смещения ФН'l(ЧМ dетенторо) Bыxoil H'lfl/111) Рис. 4.30 в. Назначение выводов ИМС К174ХА12 Усилитель низкой частоты, выпол­ ненный на основе дифференциально­ го усилителя и эмиттерного повтори­ теля, обеспечивает выходное напря­ жение с амплитудой сиrnала не ме­ нее 20 мВ. ИМС можно принять в синтезато­ рах частоты, следящих фильтрах, в устройствах регулировки и управле­ ния скоростью двигателя. Подключив кварцевый резонатор к выводам 2, З, можно построить кварцевый генера­ тор, выходное напряжение которого снимают с вывода 5 (нагрузку при этом необходимо подключать через последовательно соединенные конден­ сатор емкостью 0,1 мкФ и резистор сопротивлением 1 кОм). Зависимости основных параметров ИМС от режимов эксплуатации при­ ведены на рис. 4.31. На рис. 4.32 а приведена схема включения ИМС в режиме ЧМ де­ тектора. В этом режиме максималь­ ного коэффициента ослабления пара- f,Гц 106 105 104 103 102 t0' (/ "'" "~ .... !\.. ' ' ' !02 10" 106 . ........ ' ... С, лФ Рис. 4.31 а. Зависимость (частоты свободных колебаний IYH от частотозадающей емкосm длR ИМС К174ХА12 .м. f 50 ~о JO 20 10 00% ~,,,,,,.. 1/ / / v / ...... / о12J45б789Iб,нА Рис. 4.31 б. Зависимость частоты свобо колебаний IУН от тока управлеНИJ1 на де 6 ИМС К174ХА12 Рис. 4.31 в. Зависимость частоты ГУН ·., ' ка управлеНИJ1 на выводе 7 ИМС К174ХА1). ~х,нВ . !U O i---++- -1-1- -+-J-1 "' б810f,нгц Рис. 4.31 r. Зависимость полосы синхро ции от уровня входного сигнала ДЛJ1 И Ю74ХА12 ' ., •'
1б 17 18 19 Uи.niB Ри<:. 4.31 е. Завис и- мость частоты свободных колебаний IYH от изме­ . нения напряжения пита­ ния для ИМС К174ХА12 Рис. 4.31 д. Зависимость тока потребления or напряжения питания для ИМС К174ХА12 4t 100°1 f lo !0% ли11.100% Uп 0 -fOO% :вобо Рис. 4.31 ж. Температурная зависимость час- на тоты свободных колебаний IYH дЛЯ · ИМС К174ХА12 ·., 1 IНХро ляи '/ зитной АМ достигают при уровне входного сиmала от 1 до 5 мВ; при уровне входного сигнала менее 200 мкВ ухудшается отношение сиг­ нал-шум. В режиме синхронного АМ детек­ тора (рис. 4.32 б) оптимальным явля­ ется диапазон входных сигналов от 50 до 150 мВ, при котором коэффи­ циент гармоник составляет менее 1 %. При увеличении уровня входно­ rо сигнала цо 300 мВ нелинейные ~скажения могут возрасти до 10 %. Схема вюпочения ИМС в режиме СJ1едящего фильтра · приведена на Рнс. 4.32 в. Электрические параметры ИМС Kl 74ХА12 при 25±10°С и Uи.п=18 В ~ок потребления /пw мА, не более..~..................13 ьrходное напряжение генератора, уп­ равляемого напряжением (IYH) Uэых ГУН• мВ, при /=465 кГц. не ме- нее ................................ • .. . •. , • . .. 1••••••••• ••••••••••••••••••• ••••••••• 200 .' в в режиме ЧМ детектора при /=10,7 МГц. U=10мВ вх ' Л/=±50 кГц, fмоц=l кГц: кОЭФФИЦиент ослабления АМ сигнала Кос АМ• дБ, не менее ...................2 Коэффициент гармоник Кг чм· %, не более .......................... ............... . отнощение сигнал-шум кш чм• не менее....... " ........................ ............................ 1 выходное напряжение НЧ Uвъг..нч• мВ, не менее.. "............................. ~ режиме АМ детектора при /вх=465 к[Ц, Uвx=lO мВ, т=ЗО %, fмоц=l кГц: коЭФФициент передачи синхрон­ ного детектора кс. ц' дБ, не менее.............................• ............. .............. ............ : козффищ.~ент гармоник КгАМ· %, не более....................................... 1,~ отношение сигнал-шум Кш А~Ф дБ, не менее .................................... 4( входное сопротивление Rвх, кОм, не менее...................""................... : выходное сопротивление Rвых• ком, не более................ " ...................... ! J ....
Рис. 4.32. а. Схема включения ИМС К174ХА12 в режиме де­ тектора ЧМ сигнала при частоте 10,7 МГц +!8с DAt !(f74XA!2 fб +188 IJAf /(f7lfXAf2 cs сб 4fмк 6800 ''" ./2 10 !к Рис. 4.32 б. Схема включения ИМС К174ХА12 в режиме синх­ ронного детектора АМ сиn~ала при частоте 465 кГц Рис. 4.32 в. Схема включения ИМС К174ХА12 в режиме следящеrо фильтра при час 465 кГц Преде.J1Ы1Ые хаuуаrацвонные параметры имс :К:174ХА.12 Напряжение питания U•л' В..." .. " ." ...." ... """"14".20 Входное напряжение ЧМ сигнала Uu чм• мВ, при детектиро- вании.""""....""....... ..." ... ....." .." ..... ""........... " .. 0,15 ".150 Входное напряжение АМ сигнала Uвх АМ• мВ, при детектировании, не более•..••••••••.••.•••• .•• .•••• .••• ..•. ""•.•. .." . .. ." .•.. .• .• .. .. .. .. ..•• . .. .500 Диапазон частоты fоред················ ··· · О,1 Гц...15 Mri.J . ИМС Kl 74ХА14 (рис. 4.33) пред­ ставляет собой специализированную 170 микросхему на основе устройства· фазовой автоподстройкой час (ФАПЧ). ИМС предназначена · стереодекодеров с полярной моду цией, может использоваться в сте приемниках вплоть до первой rp · пы сложности. В . состав ИМС входят операци ные усИ1Iители Al, А4, эмиттерн повторители А2, АЗ, А6, А8, деко.n Ul, синхронный детектор URJ, ко мутатор Sl, ГYHGJ, делите частоты на два U2, переключат S2, усилитель с гистерезисом А5, с
1'1111: К174ХА/4 1 24 2 2J J А7 22 2f 20 19 18 9 17 10 " 12 Рис. 4.33 а. Структурная схема ИМС К174ХА14 Коррентирующиri 8'1-tрильтр Коррекция Alll1Jcиnиmenя киlll!nu В 8ы1оd конопа 8 Bыroil нонола А Корренция АЧХ усилителя конопа А Корректирgющиii 81/rрильтр фильтр 50мнс '/'ильтр 50мнс Фильтр перемюi/uтеля Фuпьтр переклюvотеля НжJин11 тор" стерео" ooщuii Кoppeнmuoljмщuii НЧ rрильтр 5лакиро8на +Uw.n в.код нес ~ Корректиоующии НЧ фи1tьтр 8ы1oiJ кб оdратора (преодрозо6аrел11} Пидстроiiка ча&mоты Г!/Н Фильтр дnч Bxod ФАnч фuльтр АПЧ f(онтроль частоты rlJH(Jf,ZSкrq) Рис. 4.33 б. Назначение выводов ИМС К174ХА14 билизатор напряжения А7, преобразо­ ватель UЗ, усилитель А9, фазовый де­ тектор петли ФАПЧ UR2, делитель частоты на два U4. Подстроечный резистор R5 уста­ навливают в устройствах первой и второй группы сложности. С его по­ мощью добиваются лучшего разделе­ ния каналов. Разрешается включать (принудительно) режим "МОНО" щунтированием резистора RJЗ (кото­ рым подстраиваюr частоту ГУН) про­ водником. Резистором R6 подстраива­ ют корректор ФНЧ. Зависимости основных параметров ИМС от режимов эксплуатации при­ ведены на рис. 4.34. Электрические параметры ИМС Kl 74ХА14 при 25±10"С и Uи.п·==12 В Ток потребле~ J , мА, не более""""""".""".22 ПQ'I' Выходное ·напряжение Uвьrх• мВ, при Uвх=250 мВ, fвх=Зl,5 кГц.".~.""""""""""220".350 Коэффициент .1ИНейного переходного затухания между каналами ак, дБ, не менее.... """""".""".. """"".".""""""".""." .......... 32 Коэффициент разбаланса выходных на­ пряжений между каналами Краз• дБ, не более""""".. """"".""""."."""."""".".".""""" ... "..З 171
Вкоt! .ОА f К174ХА14 ,__ __ " 1 Выкоtl trONtlna А Выкоd канала В Рис. 4.33 в. 1'иповая схема включения ИМС К174ХА14 потребления Рис. 4.34 ,а. Зависи:-.tость тока 'т температуры окружающей ~ре.аы при 100 =12 В для ИМС К174ХА14 /~f'Hff IE /О /! 12 !J 14 //ип,В Рис. 4.34 б. Зависимость тока 11отреб.1ения т напряжения питания при темпе~туре окру­ \ающей Сре,'1Ы 25°С Д.1Я ИМС К17.l?(AJ 4 72 / Рис. 4.34 в. Зависимость коэффициента га ,, моник от частоты мо.ау.1Яции при U 00 =12 ~ U1=250 'мВ; / 1=31 ,25 кГц; m=0 ,8; Т=25°С д.i ИМС К174ХА14 Коэффициент гармоник Kr' % , при Uвх=250 мВ, fвх=31,5 кГц, не ·\ более...." ............. " ......" .......... " ............... "."" .. " .. " .... ".о Отношение сигнал-шум Кш, дБ, при Uвх=250 мВ, fвх=Зl,5 кГц, не 'f менее""".... "....... """."""".""."""" .. " ........ """" ......... . Предельные ЭКСПJJУаrационные параметры ·i ИМС Кl 74ХА14 Напряжение питания Uн.п• В: минима.~ьное.".... " ....................... "" .................. 10 маКСИМЗ.'!ЬНое"""".. " ..... " ................ """"."" .... 16 Ри( ственt при Т Макс~ сиг Напр' и~. НапРJ нос Чеf Макс; во~ Вхощ Mel ilxoщ R2~ Выхо, 41 Выхо, RBI СопР< 41 ИJ С'таш схем бло1< ело~ высс с вяз.
;[J160Jf5 ~f 7 q," 0,2 •% \ \ "' то" ! . .......... _" 14 15 ик о л ----~~ .... -g2 -(/4 -flб Рис. 4.34 д. Зависимость неста'" -"~ости соб­ ственной частоты IYH от напряженЙя пигания при Т=25°С для ИМС К174ХА14 Максимальное напряжение входного сигнала Uвх тах• мВ, не более""""""".. " .. """" 800 Напряжение на выводах 7, 8 U1, U8, В, относиrельно вывода 12". ". """ "". . " "7 ". 15 Напj,яжение на выводе 11 U11 , В, от­ носиrельно вывода 12 при отклю- ченном ющикаторе •стерео" .......... ". "". "" ". 10. .. 16 Максимальный ток индикатора на вы- воде 11 111 тах• мА, не более.. ".""" .. "." .. "" ...". 75 Входное сопротивление Rвх' кОм, не менее.""".".""..".""."" ..." ...."" .............. " ...." ..."."" .... 25 ilходное сопротивление на выводе 24 R24, кОм, не менее"" .. """ ............. """ ..""....." ...... 25 Выходное сопротивление на выводах J, 4 Rвых з• Rвых 4' кОМ, не более"""""" .... "." ..... "1 Выходное сопротивление на выводе 20 Rвых 20, Ом, не более """"." .. "."."""""""""." ......50 Сопротивление нагрузки на выводах З, 4 Rи 3, Rи 4, кОм, не менее ..."." .............. """"..."1 ИМС Kl74XA1S (рис. 4.35) пред­ С'тавляет собой многофункциональную схему, предназначенную для УКВ блоков (аппаратов любой категории сложности до высшей). Достижение высоких параметров УКВ приема связано (рис. 4.35 . а) с тем, что ИМС Рис. 4.34 r. Зависимость ли­ нейного переходного затухания между каналами от частоты модуляции при U00 ,.,12 В; U1=250 мВ; / 1=31,25 кГц; m=0,8; Т=25°С для имс К174ХА14 Рис. 4.34 е. Зависимость линейного переход­ ного затух~ния между каналами от напряжения питания при U1=250 мВ; / 1=31,25 кГц; fm=1 кГц; т=О,8; Т=25°С для ИМС К174ХА14 ~~ lfJ661)(1HB 'F:.._!OL """ """ 1- ,_ ~ 200 ~1-- " '-L ... 1-1- 270 2б0 -20 -!О О /О 20 JO 40 tонр.с/'с Рис. 4.34 ж. Зависимость выходного напря- , жения от температуры окружающей среды при U..,=12 В; U1=250 мВ; / 1=31,25 кГц; fm=l кГц; m=0,8 длR ИМС К174ХА14 содержит симметричный смеситель­ перемножитель U1 с глубокой обрат­ ной связью, большим входным со­ противлением и значительным уси­ лением, балансный гетеродин G1, бу­ ферный каскад АЗ, предохраняющему гетеродин от входных сиmалов, уси­ литель АРУ А2, повышающий устой­ чивость блока УКВ к образованию паразитных каналов при(!ма, и высо­ кокачественный стабилизатор напря­ жения А4, обеспечивающий, в част­ ности, стабильность частоты гетеро­ дина при колебаниях питающего на­ пряжения. Кроме того, в состав ИМС входят усилитель высокой частоты Al и фильтр низкой частоты Zl. ИМС содержит все активные эле­ менты (см. рис. 4.35 б), необходимые для построения УКВ-блока. На тран- 17-\
Рис. 4.35 а. Структурная схема ИМС К174ХА15 Рис . 4.35 б. Принципиальная схема ИМС К174ХА15 Цель гетероiJина ' !б цепь гетероilина 8.lot7 стооилизотора 2 15 + Uн.11 BxorJ смесителя 3 Jlf ВьиоiJ ПЧ Bxoil смесителя lf '<) 13 Вышrl П11 ..... иощий '<t оощиzl 5"<:12 <::1-- BыxoiJ АРУ 5 t-... 11 BыxoiJ АР!/ ...... Цель АРУ, УВЧ 7~fO BxotJ !IBI/ Bыxoil !/81{ 8 9 Цель !181/ Рис. 4.35 в. Назначение выводов ИМС К174ХА15
Bxotl 81/ ______, Uтtп=~вв------. Umax=/08~---r-~ ~-'-+,L J ---- 8ь1xotJ С9 Пl/ г-~~::::;-1н VDff DAI К17'1ХА15 О,01 нк Рис. 4.35 г. ТИповая схема включения ИМС Kl 74ХА15 зисторе VT12 собирают усилитель ВЧ, на который сиrnал поступает с входного контура через вывод 10, а усиленное напряжение с вывода 8 подают на настраиваемый контур и затем через выводы З, 4 на смеси­ тель-перемножитель (на транзисторах VT6, VT8, VT10). Активными элемен­ тами гетеродина служат транзисторы VT2 и VТЗ (контур подключают к выводам 1 и 16). Колебания гетера~ дина через буферный усилитель на транзисторах VT4, VT.5 подают на пе­ ремножитель с помощью транзисто­ ров VT7, VT11. Сиrnал ПЧ поступает с коллекторов перемножителя на фильтры нижних частот на RC структурах и снимается с выводов 1З, 14. В ИМС предусмотрен также каскад на транзисторе (VT1З) внутренней АРУ для предотвращения перегрузки при сильных сигналах и стабилиза­ тор напряжения на транзисторе VT1 и диодах VD1".VD5 . Блок УКВ на базе ИМС имеет электронную настройку. Частотой на­ стройки управляют переменным ре­ зистором R 1. Подстроечные рези сто- Кf/11,дб 28 24 20 /{j б 9 12 l.f Uи.17,IJ Рис. 4.36 а. Зависимость коэффициента ус ления напряжения от напряжения пита11111 п входном напряжении 1 мВ, частоте входно сигнала 69 МГц, промежуточной час 10,7 МГц, температуре окружающей ере 25±10°С для имс К174ХА15 ffg11,d5 Uнп=!.7;58 .JO !/ 20 8.1 1 2J 4 § б иf1х,нв Рис. 4.36 б. Зависимость коэффициента ус ления от входного напряжения при часто входного сигнала 69 МГц, промежуточной ча тоте 10,7 МГц, температуре oкpyжaiqweii с ды 25±10°С для ИМС К174ХА15
1·-~.li;w;;;;.;10;, §lf'i1S;1;ii;~i\1t=#~t:~:!;!~;::,~!iii::::::~::;:.:..::::::::::::""':::::":.:~==-=v- ___ _ 1'~" -zs Ку U,д5 271--~--+-~-+1--~-t 23 D 25 SD tокрср, 11С Рис. 4.36 в. Зависимость коэффициента уси­ ления напряжения от температуры окружаю­ щей среды при напряжении питания 9 В, вход­ ном напряжении 1 мВ, частоте вх.одного сигна­ ла 69 МГц, промежуточной. частоте 10,7 МГц для ИМС К174ХА15 Int1ri нА .fOi-----1----+------1 20 i--o< .. .. --1 --- ----- --1 10 L..---1.---'--___._ ___ . б g 12 15 llк.п Рис. 4.36 г. Зависимость тока потребления от напряжения питания при частоте входного сиг­ нала 69 МГц. промежуточной частоте 10,7 МГц. температуре окружающей среды 25±10"С для ИМС К174ХА15 ры R2."R5 служат для точного сопря~ жения контуров. Основные парамет­ ры блоха УКВ: промежуточная часто­ та 10,7 МГц, ток потребления около 30 мА, коэффициент шума 6 дБ, уси­ ление мощности 28 дБ, полоса-про­ пусхания по ВЧ - 1,7 МГц, по ПЧ 0,5 МГц, подавление зерхальноrо ханала 80 дБ, ПЧ - 100 дБ. Завис~мости основных параметров ИМС от режимов эксплуатации при­ веден6 на р51с, '4.36 . .. Рис. 4.36 д. Зависимость тока потребления от температуры окружающей среды при напря­ жении питания 8,55; 9; 9,45 В; частоте входного сигнала 69 МГц. промежуточной частоте 10,7 МГц для ИМС К174ХА15 :r1n:1 о g 12 !S Uи.п Рис. 4.З<f е. Зависимость напряжения reтepo­ mrna от напряжения питанИя при входном на-; пряжении 1 мВ, частоте входного сигнал~ 69 МГц. промежуточной частоте 10,7 МГц. температуре окружающей среды 25±10°С дт& ИМС К174ХА15 Лfгет, к rц /OOi-----1 - - -+- - -1 50 r----. r-+--+ --- -t б 12 lfкл ..:.50 t----+ --- -+ -- -t -100r----+-----1---1 - ! 5 0 ----"----''---~ •' '" Рис: 4.36 ж. Зависимость изменения частоты ! гетеродина от напряжения питания при входном напряжении 1 мВ, температуре окружающей среды 2S±l0°C (Л/==f=и-79,7 МГц) для · .имс К174ХА15
с :блеюц напря­ (Одного, 'lастоте reтepo..i ом на·'1 ~ИГНалjl\ 7 мrц. 'С~ " •1 "· '' ,1 rастоты) :ХОДНОМ шющей i) для 1 1 ееr,кГи, LJ~ 5 _.._ / б J J 7 / 2 1 1/ о12J4.f/Jвx,/J Лfгеr, кГц 2.fO 1-----1- ---11-----1 -25 о Рис. 4.36 з. Зависимость изменею 11 частоты r,~ 1·еродина от входного напряжения ~ри напря­ жении питания 9 В, температуре окружающей ,,,еды 25±10°С (Л/==/=-79,7 МГц) для ИМС К!74ХА15 Рис. 4.36 1 и. Зависи'.iость изменения частоn гетеродина от температуры окружающей срещ при напряжении питания 9 В, входно'.f напрJJ жении 1 мВ (Л/==/= т-79,7 МГц) gк 85 Рис. 4.37 а. Структурнu схема ИМС К174ХА19 llodcmpoii!(a Оiюка, Терно!fомленсdцuя 'tlrJщuU: Dxotl tf!!9'Jepнoгo /(аснаdа fl..rod HO/ljlRЖt'lfUll hUCТ,OOlfкц rUнn .?l'fummep m17шt.Jнcmo,oa боза транзисrtюра J <:>, fl', .. ... -9 "{ f.f "< .}.~f2 6~ff 7 /О 8 g Bыxorl нинul'fольниго 11qлрnже1шя п" - 0 ,нострошщ 11оt1стриш~ L /1urlcmpori1ш / flьuod l'fifKCf/1'10/lblfUШ_ юлрпжения нacmpot.1lfli Оыхоd Af/ll !f.шd Alll/ 8..rotl V17,ООtlЛРЮЩего llOЛflll.ЖelfUЯ !(олпентор llljlt711.Jucmopa Рис. 4.37 б. Назначение выводов ИМС К174ХА19 ' ~\ - ~~\ . 1
Рис. 4.37 в. ТИповая схема включения ИМС К174ХА1 9 Э.1ектрические параметры ИМС Kl 74ХА15 при25±10°Сии=9в и.п Ток потреблеНИll 1пот• мА, не более"""""""""" "30 Коэффюг...~ент усиления по напряжению ~и· пБ, при Uвx=l мВ, /=69 МГц, не менее.. ".... "".""."." .... ....... ".............. ".".""..... ..... .22 Коэффициент шума Кш, дБ, не более"""".... "".... """".. """.."".""."" ...... ."""".. " .. " .... 10 ПJХ· .'!'ел ьные эксплуаrационные параметры ИМС Kl 74ХА15 . Напряжение питания Uи.п• В: минимальное".. ".".. ... ."....... ....." .... ".""....... ".. 8,1 максимальное ... " .. " .~: ..~~~~.~.~::.: .. .. . " ... .. " .. . 1 5 ,6 Ток на выводе 7 11, мА, не более~~'.'""""""" """." 5 Частота вхо;:~ноrо СШ'Нала f вх' МГц; не более.. "".. "".... """".. "".. ""... .""....... "........ """""".. .. 108 Сопротивление нагрузки R , Ом, не н ·т' менее :... ... "."." ."""""... """" ":" .""""" ~ ..~ .. " ..... ""... .. ".50 :,1 ИМС К17~А19 .(р~.с. .:i-~37) пред­ ставляет собои мноrофункщюнальную схему, предназначенную д:Ля форми­ рования стабилизированного управля­ ющего напряжения 'наст~ойки и об­ работки сигналов АПЧ в блоках УКВ радиоприемных устройств. 1'"70 В ее состав входят: блок ми мального напряжения настройки элементы термо~омпенсации блок максимального напряжен настройки АЗ, буферный каскад блок АПЧ А5, генератор постоянн тока А6, блок постоянного управл мого образцового напряжения А7.· транзистор VT1 для дополнительн функций. ' и 4J НйС1 ' /} ~-- .-- 4,93 ~,- ~ ~ 4,91 - ~ 4,89 f - ..... -:1 -" 4,87 - 2 ,,;~~ , -~- .....: :..о"' ~rs -80 -40 о Рис . 4.38 а. Зависимость напряЖения стройки от напряжения АПЧ для К174ХА19 при температуре окружающей 25±1D°C , напряжении питания 9 В, синфазн напряжении 4 В и управляющем напряже 1-0,6В;2-0,8В;3-1,0В;4- 5-0,7в
ми ки ;~жен ад ,.\ в Рис. 4.38 б. Зависимость максимального на­ пряжения настройки от температуры окружаю­ щей среды при напряжении питания 9 В, уп­ равляющем напряжении 1,2 В, синфгlном на­ пряжении 4 В для ИМС К174ХА19 J 1 1 l~ r,o б,б LL.JL....J.-.J..-1--L-...L-..L..-L.....1-..1..-1 7 g!!!J15Uи.11,8 Рис. 4.З8 в. Зависимость максимального на­ пряжения настройки от напряжения питания при температуре окружающей среды 2S:±:l0°C, синфазном напряжении 4 В, управляющем на­ пряжении 1,2 В для ИМС К174ХА19 ~ УКВ на базе ИМС К174ХА19 имеет электронную настройку. Часто­ ту настройки изменяют переменнь1м резистором R2. Подстроечные рези­ сторы RЗ".R5 служат для точного со­ пряжения контуров, R9 для тер­ мокомпенсации. Зависимости основных параметров ИМС от режимов эксплуатации при­ ведены на рис. 4.38 . Элек:трические параметры ИМС К174ХА19 при Z5±10°C и Uи.п=9 В Ток потребления / nar> мА, не более............. " .. . .. . 7,5. Напряжение настройки, В: минимальное Uиmin не более ...""............2,5 максимальное Uи та. не менее""... "" .. .. . .. . 6 Коэффициент влияния нестабильности источника питания К..Л на напряже- ние настройки, не более."".." ....""............... S -10-3 Максимальный коэффициент наклона, %, мВ, характеристики АПЧ Кнакл при напряжении настройки минимальном, не менее ............................ 0,06 максимальном, не менееz......... " . .. . . . .. . . . . ""0,05 Uнас mln , lJ 499---1- - - 1,841----! Рис. 4.38 r. Зависимость минимального пряжения настройки от температуры окру)i щей среды для ИМС К174ХА19 при напр~ нии питания 9 В, управляющем напряжс 1,2 В, синфазном напряжении 4 В и сопро лении между выводами 15 и З: 1 - 13 к 2-15,5кОм Uнacmin,8 1,81 1-t---+-~~:::.__-1---+_..:....--i ~801-Ь""7~~-+~-+~-+-~~ 1,79 .......~_._~_._~_._~_._~- 8 1012 1415Uкп,В Рис. 4.38 д. Зависимость минимального пряжения настройки от напряжения mm для ИМС К174ХА19 при температуре окр3 ющей среды 2S±l0°C, синфазном напряжс 4 В, управляющем напряжении 1,2 В и со1 тивлении между выводами 15 и З: 1 - 13 1< 2-15,5кОм Максимальное относиrельное измене­ ние напряжения настройки, вызван­ ное действием АПЧ при напряжении настройки: минимальном, не менее......" ........" .. " .. ( максимальном, не менее......... ". ". .. . . . . " ( Предельные ЭКСПJIУ8Т8ЦИОННЫе парамет) ИМС К174ХА19 НапряжеЙИе питания Uи.n• В .............. """. .. . . . 8" Напряжение АПЧ UАПЧ• мВ, не бЬ.лее"........." .. _........."""..." ..." ....................." .. " .. . Синфазное напряжение на входе АПЧ иСФдпч• в.:.......".."......"" ......"................"..."" ..1 Управляющее напряжение на выво- де 10 U10, В, не более ....." .............."".".""... .
•• Постоянный выходной ток в цепи вы- водов, мА: 9 - /9, не более........" ..." ......" ...." ......" ......3,6 13-1 13 , не более .....................................0 .08 14-1 14 , не более ...................................0,051 16-/ 16 , не болес:.........." ...................... " ...0,2 4.. 4. СЕРИЯ Kl 75 Серия К175 представляет собой комплект интегральных микросхем, предназначенных для применения в трактах промежуточной частоты ра­ диолокационной и связной техники, а также для узлов радиоэлектронной аппаратуры. Микросхемы выполнены на биполярных транзисторах с изоля­ цией р-п переходом. Состав серии К175УВ1А,Б усилитель К175УВ2А,Б широкополосный универсальный усилитель К175УВ3А,Б - экономичный ши­ рокополосный К175УВ4 - усилитель-преобразова­ тель высокой частоты К175ДА1 - детектор АМ ·сигналов и детектор АРУ с УПТ К175ПК1 - регенеративный ана­ логовой делитель частоты Микросхемы выпускаются в пря­ моугольном металло-стеклянном кор­ пусе 401.14- 4 с параллельным распо- ложением выводов. г:-,,/ 1 Ном11нальное Микросхема наnря>1<ение . 1'\!бочий .:1иапазон питания, В ""~!Пераrур, 0С .' .' ,_ ' i К175УВ1А,Б +6,3±0,63 ' -4$... +85 К175УВ2А,Б +6,0±0,6 - 4 5".+85 К175УВ3А,Б +6,0±0,6 -45...+85 К175УВ4 +6,0±0,63 -45...+85 Кl75ДА1 +6,0±0,6 -45...+85 1'17SП1р +6,0::!:0,6 -45."+85 Основные эксплуатационные харак­ теристики указанных типов ИМС. приведены в табл. 4.4. ИМС Kl75YBlA, Kl75YBlБ (рис" 4.39) представляет собой широкопо- · лосный усилитель и содержит трех­ каскадный усилн:ель на транзисторах 1 VT2".VT4 и отдельный транзистор: VTJ. с В зависимости от верхней гранич­ ной частоты полосы пропускания.' ИМС делится на группы А и Б. У первой верхняя граничная частота не . менее 30 МГц, у второй - не менее 45 МГц. Нижняя граничная частота· полосы пропускания определяется емкостью переходных конденсаторов. Cl, С4 (см. рис. 4.39 в). Амплитудно­ частотную характеристику усилителя можно корректировать, подбирая ем-. 1 кость конденсатора С2 (емкость в" пределах 0.. .30 пФ). Допускается рабо_. та ИМС на нагрузку сопротивлением имс /(f75fl8! 10 9 - 8 5.Jк "'= lt:. '1) R/1.J•"/l>c~s:i. 12~~ VТf <::. !Т~ !Р 1VT4 б ru RZ'(~ 1~1 1R?IJ 11R8 2/к;t1~ Zк 1Jк ' "-... .._ ~ 1 \1' 5~3 //! 21/J Рис. 4.39 а. Принципиальная схема ИМС К'175УВ1 Таблица '· t '\' 4.~. :1 Гарантирован- Гарантиро- ная наработка ванный срок Число Номер черте:са·~ мшqюсхемы хранения, элементо& кФрnуса ' на отказ. ч лет ' 10 ООО 6 12 16 10 ООО 6 14 16 ~._; 10 ООО 6 '! 10 16 10 оо.о 6 \ 14 16 10 ООО 6 21 16 1 10 OQO 6 ,42 ~6 •
apaк­ IJMC. (рис .. <ОПО-. трех­ :орах: 1стор нич­ ания.' Б.у а не· lенее ~тота ·. 1ется ·орОВ• rдно­ iТеля ем-,1 ъв, рабо-' :шем 1, t 1ерте>еа'1 уса ' 6 6 6 \ 6 6 6 О'бщиii !1/ tJ5ратнш1 с6язь 5локирооко г ц;- {J О5рит11оя соязь Ко11лектор троНJистора_ 1< J~12BкoiJ эмиттер транзистора з ч-11 С>:) ба.за транзистора Б 5 ~ !О !{оррекция " Вьииd б ~ !l Корре;rцш? \ 1) 7 8 +/Jнп 1 Рис. 4.39 б. Назначение выводов ИМС К175УВ1А.Б 11 1• менее 200 Ом и емкостью не бо­ •1::е 10 пФ, а также на последователь- 11ый резонансный кон'rур. J:1ектрические параметры ИМС К175УВ1А,Б при 25±10°С и и =+6,З в и.п.ном 1с,к потребления 1 - , мА , при U =О, пот вх не брлее".. "....... """"."... ".... ".... """"".... "...... "".... ".15 1~"1ходное напряжение U0 вых• В, при Uвх==О"... " .. """" ... """ ." .""""""""•......... "" .. "" .. .. .. 3 . ..4,5 1\1цффициент усиления по напряжению K 1 u при U8\ = 10 мВ, /8х='il МГц, не ·-~енее"""".. ".. "... ".".""."" .... ".".""." .. "........ ""."."..... 10 Коэффициент ГаJ'Моник Кг, %. при ивых=~; не более·.:".... ".".""""""""""""""""10 Кс1ффициент шума Кш, дБ, при j"'=20 1\-fГц. не более."... "."""""".""".""".. """"12 Rх•,;щое сопротивление Rr.x, к0:'11, при "·8 , =100 кГц. не менее""""""""""""""""""""."".1 Вь~:одное сопротивление R Ом ВЬL"!\' ' при /вх=lОО кГц, не более"""""""."""""""""".75 ) Предельные эксплуаrационные параметры ИМС Kl 75УВ1А,Б ~~Jnряжение mпания ии.п• в, не бо.1ее.".""".".. """""""""""""."""" ... """""""."""."""7 \!/а1;симальная амплитуда входного на- щ;лжения ивх тах• в""""""""""""."."".""""""".1,5 Нестабильность коэффициента усиле- ния Л!<уu• % при /окрер=-45".+ssoc"".""""."""""""".""""."""""".25 ИМС К175УВ2А, .К175УВ2Б (рис. 4 40) представляет собой универсаль­ t~ый усилитель, предназначенный для усиления преимущественно пере­ менного тока. ИМС содержит дифференциальный Усилитель на транзисторах VT 1, 1·. • Bxod 12 ~ С! fl!511к 5,J 8 . DA 1 К/7.7!181 Рис. 4.39 в. ТИповая схема включения ИМС К175УВ1 VT4."VT6 и два транзистора V1 VТЗ, на которых можно шх:rрои входные или выходные эмиттерю повторители. Отсутствие внутренн1 коллекторных наrрузок позволя подключать к ИМС различные изС рательные цепи. Режим работы ус лителя по постоянному току задаю1 помощью цепи смещения на транз ,, 10 lf5 J 6 2 7 13. 1~ Рис. 4.40 а. Принципиальная схема ИМС К175УВ2
. ~-=--=-- - ~--~-- " .. --·= - .,,,.,,..,.____________111111!11 оищиu ~ Фильтр Вы8оt] 2~~ BxotJ3 В-toiJ ! J '-- 12 База транзистора 2 ""' BыxoiJ 1 " ~ fl эмиттер т(Jонзисторо 2 ~ вьаоrJ 2 5~ Jмиттер транзистора 1 - 8,roiJ 2 8 <. g База тронзштора ! Bыoail 7 8 +ин.п Рис. 4.4 .0 б. Назначение выводов ИМС К175УВ2А.Б сторе VT1 и резисторах R2, RЗ. Рези­ сторы R6, R7 служат для подачи на­ пряжения смещения в цепи баз диф­ ференциальной пары транзисторов VT4, VT6. В зависимости от полосы пропу­ скания ИМС К175УВ2 подразделяют­ ся на rpyпriы А и Б. Микросхемы К175УВ2А имеют верхнюю гранич­ ную частоту около 40 МГц, Kl 75УВ2Б - около 55 МГц. В связи с тем, что ДУ предназначен для работы на пе­ ременном токе, параметры по посто­ янному току (Uсм• lвх• Л/вх и др .) не контролируются. На рис. 4.41 изображена схема од­ ного из возможных УВЧ с регулируе­ мым коэффициентом усиления, реа­ лизованный на ИМС К175УВ2. На рис. 4.42 а показана зависимость ко­ эффициента усиления этого усилите­ ля от управляющего напряжения. Зависимость крутизны вольт-ампер­ ной характеристики ИМС К175УВ2 от температуры окружающей среды при ­ ведена на рис. 4.42 б. Электрические параметры ИМС Kl 75УВ2 при 25±10°С и ии.n.ном==+б в Ток потреблеНИ11 /nar• мА, при Uвх==О , не более..........."...... ...... ...... ...... ... ..."... ..... .. ".... .. ....... .3,5 Крутизна вольт-амперной х~раtq;еристи- ки S, мА/В, п.ри Us.~==O, 'rtte: Ме~..................... 10 Коэффициент dlyмa KJ.i, . дБ , , nри 1вх=20 МГц, не более.......... "" .. .....-" ..... .... ... "... " .. . 10 Коэффициент передачи по цепи АРУ КАРУ, дБ: .. при U"x==lO мВ, /вх=l МГц ...... .. ... .......... ..60 При U8 ,==l0 мВ, fвx=lO МГц.." ..." ."" """.40 182 Рис. 4.40 в. ТИповая схема включен ИМС К175УВ2 Входное сопротивление Rвх, кОм , при fвx=lOO кГц, не менее....."........ "." ... "."... .. "... ... Коэффициент ослаблеНИI! синфазного напряжеНИ11 кос. сф• дБ ".. ......" .. . ... . .... .. .... ..." ... .. . Напряжение на выводах 4, 5 U4 , U5, В, при Uвх=О.................. "..... ".. .. .'"" ." ."" .."" ." 3,5 Напряжение на выводах 10, 11 , u 10 , U11, В, Пpii Uвх=О..........""....."".... "............."1,9 1JA{!(175!182 Н! JQO +llк.л Рис . 4.41 Схема усилителя высокой с регулируемым коэффициентом усиления ИМС К175УВ2А,Б '" ·;
-· -- •"""1!1111""""""""""1111.:!!':::'~ в код DA1 '5 IJ82 rючен ) i• " ..... 3,5. 1' """.1,9 :fOrl '"·; о L._........E;.._....._ _.. .. ._,..,j ~9 2,8 J,2Ugnp,8 Рис. 4.42 а. Зависимость коэффициента уси· ления от управ..1Яющего напряжения при раз­ личной коллекторной нагрузке VT6 д,1Я ИМС К175УВ2 g ......._ _. __ .... __ _.. _._ _. ..._ . -40-20 О 20 40 tокр.ср.°С Рис. 4.42 б. Зависимость крутизны вольт-ам­ перной характеристики ИМС К175УВ2 от тем­ пературы окружаЮЩей сре:1ы Предельные эксп.луаrационные параметры ИМС К175УВ2 Ток потребления Inr:л:' мА, при Uвх=О, ии.n=б,6 в, tокр.ср=-45°С не более"""""""""".4 Напряжени~ источника питания на вы- воде 8 иид• в, не более"""""""""""".""""."".6,6 Входное напряжение Uвх' В ...... " .. """""""""'- 2". +2 Синфазное входн~ напряжение Uар. вх' в..""..""""""."."""""."..""""".......... """".".".".-3".+3 Напряжение между выводами 5 и 1, 4 и 1, U5, U4, В, не более""""".""."."."""."""".""9 Ток коллектора эмиrтерных повторите· ' лей /", мА, не более""""""""""."""""""""".""."2 Обратное напряжение на базах транзи- сторов VT2, VТЗ Uэ.б """' В, не бо- лее."""".".""""""",""."".""."""""""""""."".. " ... . " " ". 3 Рассеиваемая мощность Ррасе• мВт, на одном транзисторе (VT2, VТЗ) при t0кp.cp:S+85°С, не более"""."""""""""" .""" .""" .10 Коэффициент нестаби.льности, %, кру- тизны вольт-амперной характеристи- ки ЛSвд при -45".+ss•c""."""".".""""-so".+зo ИМС К175УВ3А, К175УВ3Б (J 4.43) представляют собой широк< лосный усилитель с малой потрес емой мощностью. ИМС содер: двухкаскадный усилитель на тра1 сторах VT1." VTЗ и транзистор J.' на котором можно построить вход1 или выходной эмиттерный повто тель. В зависимости от крутизны во1. амперной характристики ИМС п разделяются на группы . А и К175УВ3А имеют крутизну 250 мА К175УВ3Б - 400 мА/В. Между выводами 6 и 8 микрос мы допускается включать внешli резистор Rн сопротивлен11 0,1."10 кОм. Разрешена работа И' на нагрузку сопротивлением не ме1 200 кОм и емкостью не более 10 1 а также на последовательный ре нансный контур. Электрические параметры ИМС Kl 75УВЗ l 2S±10°C и Uил.ном=б В Ток потреб.1енИя / nr:л:• мА, при Uвx=l мВ, не более.""""""""."".""""."""."""" Верхняя граничная частота /в.ер• МГц, при Uвx=l мВ, не менее"."""."""""""""""."" Коэффициент шума ~· дБ, при fвx=l,6 МГц, не более""""".""""."""".;""".".• " Входная емкость Свх, пФ, при fвx=l МГц, не более..."."" .. """"""""" .. """"."". Входное сопротивление Rвх, Ом, при f ..... =100 кГц, не менее""""""""."""""".".".""..' 5' tt !J 2 Нб t,lк +U11n 8 10 g 7 б J 12 ..___._ ___ , Рис. 4.43 а. Принципиальная схема ИМС К175~
+6/J Ooщuii 1 '* Dд ! К /751JB.J(A,5) Фил6тр z 13 8~oil !О 8ыxotJ2 J ~ 12 Обратная с6язь 1 q 4~ " Ооротная сбязь 2 ~ Фильтр 5 ...... 10 боза транзистора ~ BыxoiJ 1 б 9 Эмиттер mpa!iJucmopa !fогрgэка 7 8 +Uн.п Рис. 4.43 б. Назначение выводов ИМС К175УВ3АБ Рис. 4.43 в. Тюtовая схема вмюченил ИМС К175УВ3 Предельные эксп.луатациоииые параметры ИМС К175УВЗ Ток потребдооо1 / nОТ' мл. при Vвx=l мВ и t =-45°С не окр.ер • более ............ .......... ...................... ...... ........................... .2 .5 Коэффициент нестабильности вмьт-ам­ перной характеристики ЛSВА, %, при t~КS&>~ ......................................" .. . . . .. . . .. . . ... . . . . . . . -so -45°С (для К175УВЗА) ............... .............. -30 -45°С (i1J\JI К175УВЗБ) ... ........ ... ............... +35 Напряжение источника питания Uи.n' В, не более .............. ............ ........... .... .... ........... ... ...... 6,6 Амплитуда импульсов входного наnря- жеЩtЯ V ах' В, не более ........ ..... .. ..... ... .. ........ .......... . 2 Ток коллектора эwигrерного · nовтори- тел.я /к, мА, не более•.•..•.... .... ..........•......••.......•.... ..2 Обратное напряжение Uэ.б• В, на базе тран:зистора эwигrериого повторите- JtЯ, не бодее ....... ...... ................... ....... ... .......... .... ........ ..3 Рассеиваемая мощность Рр1&с' мВт, на тран:зисторе эмиттерного noвтopитe- JlJI, при, t0кp.cps +ss•c, не более... .................... ... 10 ИМС Kl7SYB4 (рис..~ 4r4t4) ,представ­ ляет собой о.цншсаскадный дифферен­ циальный усилитель, предназначен­ ный дл.Я усиления сиmалов высокой частоты. Микросхема состоит из диф-. ференциальной пары транзисторов VT2, VT4, генератора стабильного то­ ка (ГСТ) на транзисторе V·T J.., и цепи смещения, состоящей иэ реаисторов R l .. .R6 и транзистора VT 1 в диодном включении. Цепь смещения служит для задания режима работы ГСТ и температурной стабилизации этого реж_има . Резисторы R8, R 10 могут рыть использованы, например, для 1'!4 образования цепей смещения . транзисторов VT2, VT4. Для увеличения крутизны преобр · зования вольт-амперной характери стики допускается подача напряж ' нияпитания6Внавыводll ИМС Элепрические параметры ИМС Kl 75УВ-4 п 25:t10°C и ии.n.ном=6,3 в Ток потребления /nar' мА. при llвx=O, не бодее..................•••..•...............................•..........1,8. Напряжение на выводе 9 U9,. В .............. ... ....3,5... Напряжение на выводе ll U11, В'. ...... •........ .... 2.. . Напряжение на выводе 12 U12 , в.............................................................................. 1 ,3 .. . Напряжение на . выводе 13 U13, Воо•••••••ооооооо•••••••••оооо•оо•о•К•оооо•оо•••••••...о•оо•••••••••о•• ••••• •• О,9 • • • Напряжение между выводами /О и 2 , U1o.2 , В...... .... ...... .. .......................... ............... -0,2.. .+ " L-.-4-_;..;....+~ --- -1J " ,..С~+.{"=1~ .. ___ 14 Рис . 4.44 а. Принципиальная схема имс кt75УВ4 i.1
-~-----------·~·,,. а .1,3... .0,9 .. . 1 ,2...+ ' ..... '1 i.1 ooщuu llf BьaotJ эмиттера 8ьaoil2 2 13 BкotlJ Цепь регулиро6ания 1 J :::.. !2 Цель ноzрузнu 3 ~ &otl 2 lf~ " Цепь наzр!JЗН11 2 ~ 8ы8oiJ 5 ..... 10 DщorJ f :t:.: /!xotJ f 6 g Цепь но~рgз1ш 1 !/ f!ПЬ peг!JЛllflOOGHUЯ 2 7 8 -1-Uн.п Рис. 4.44 б. Назначение выводов ИМС К175УВ4 Крутизна вольт-амперной характеристи­ ки SВА, мА/В, при Uвx=lO мВ и /вх=l МГц, не менее....".......".........................".... 10 Коэффициент шума К , дБ, при ' ш • fвх=20 МГц, не более............................................. 10 Коэффициент АРУ КАРУ, ·дБ, при U13 =10 мВ, f вx=l МГц, не менее..................... 60 Нерхняя граничная частота /в.гр• МГц, при Uвx=lO мВ, не. менее ................................... 150 Предельные эксплуаrациониые параметры ИМС К175УВ4 Напряжение питания на выводе 8 Uи.п• В: · минимальное ........................................................3 максимальное ................................................... 9,5 i-lапряжение между выводами 10 и J, 2 и J, ul0-1• и2·1' в, не более .......................... 12,5 r'ходное дифференциальное наrtряже- ние Uв.'<-диф' В .................................................. - 2... +2 Входное синфазное напряжение Uaf>. вх• В............................................................... " ." . .. . . . . . .. . "2 ...4,4 Входное напряжение по выводу 1З Uвх 13 , В, не бол~_..,_ .._,,,~··········································1,2 Коэффициент нееТабильноеТИ JЮJiьт-ам- перной характеристики ЛSВА' %, при Uвx=lO мВ, /вх=О,1 МГц и tокр.ер +ss·c ..................................................... -40...+10 -4s•c ..................................................... -10":+40 ИМС Kl 75ДАi (рис. 4.45) содержит ,п,етектор амплитудно-модулирован­ ного сиmала и детектор автоматиче­ ской регулировки усиления (АРУ) с Усилителем постоянного тока (УПТ). Электрические параметры ИМС К175ДА1 при :Z5±10°C и Uи.п.ном=б В ток потребJJения / ntYI" мА. ~е бол~с; .......• . .. . . . .• . . . .. 3,5 ,\ 1 !;.r •• ' R1 75 JJA ! /(f75YlJ4 Рис. 4.44 в. ТИповая схема включения имс К175УВ4 Напряжение на выводе 9 u9, В ...................1,(}.••2, Напряжение на выводе 12 U , 12' в.......................................................................... 0,12. ..0, Коэффициент передачи "детектора ~ф.д при Uвx=lOO мВ, 1вх=65 МГц, не менее ......................................-... ( КоэффИЦИфltr t ~дачи по цепи АРУ ~.Р~· при и"~=50 мВ, !вх=65 МГц, не менее................ "......................... . ПредеJJЬные эксплуатационные параметры ИМС К175ДА1 j,tl . ,, Напряже~ще ПМТанйJ! Uи.n' В; ми0има.'IЬНое"•••••••••••.••••••........••...•...•.•.•.•••.......; максимальное ................................................... ! ИМС Kl 75КП1 (рис. 4.46) пр<: ставляет собой регенеративный ана.л говый делитель частоть1 для связн1 аппаратуры.
OrfщщJ. 1 14 Резистор Фильтр 2 /J вхоа 2 J .,._ 12 8ыхоd 1 " Фильтр! 4 ""{ " 8xod 1 Фильтр2 5~10 .._ 9 Вьиоd 2 ФипьтрJ б :.::: фuльтр4 7 д +Uнп Рис. 4.45 б. Назначение выводов микросхемы К175ДА1 12 11 3214 fб147 g8 Рис. 4.45 а. Принципиальная СJСема ИМС К175ДА1 Рис. 4.45 в. ТИповая схема включения ИМС К175дА1 g 8 12 1110 Рис. 4.46 а. Принципиальная схема ИМС К175ПК1 1,Q/;
~mo,o d! 1 7d2 7 !ОДОВ Вьаоd 1 ! +Uип 8ыхоd2 2 f}ы.xod /}flOKIJpOIJ!fa J ...... 12 -Uнп tJxod2 4 ~ 1! /Jxod Bxod! 5 ~ !О блокироtJка б ..... g fJxorJJ ;.11окироtJка ~ ooщuii 7 8 Oxod 't Рис. 4.46 б. Назначение выводов микросхемы 1--115ПК1 Основным узлом ИМС является \четверенный дифференциальный усилитель с перекрестными связями на транзисторах VT8, VT10 и VT12, VT14. Два других дифференциальных усилителя на транзисторах VТЗ, VT7 и VT16, VT19, VT9, VTJЗ управляют работой основного узла. Внутренний стабилизатор (резисторы R8".R15, ди­ оды VD1".VD4, транзисторы VT 20".VT23) обеспечивает стабильную работу ИМС по постоянному току и задает смещение на транзисторы VГ4, VTJ, VTJ7, поддерживая эмит­ терный ток дифференциальных уси­ лителей постоянным. 'J,~е~.трические параметры ИМС Kl 75ПК1 при 25±10°С и Uи.п.ном=б В 1ок потребления / паr' мА, не более"""" .. "" "" . "", 1 Предельные Э1'Сnлуатационные параметры ИМС К175ПК1 1/апряжение питания Uи.ri' В: минимальное"".""""."".. "" "... ". "". """. """". 5,4 максимальное""""""."....... "".... "." ... """.... ".6,6 4.5. СЕРИЯ К525 Серия К525 представляет собой 1<омплект ИМС, предназначенных цля аналоговой обработки и преобра­ зования сигналов в устройствах авто­ ~1атического управления радиоаппара- 1'урь1, а также измерительных и вы­ числительных устройствах аппарату­ Рь1 связи. Микросхемы выполнены .lia биполярных транзисторах с изоля­ ~ией р-п переходом. Состав серии К525ПС1А,Б аналоговый пе~: множитель снmалов средне класса точности (преобраз01 тель спектров) К525ПС2А.Б четырехкратнь аналоговый перемножите; сиmалов с операционным ус лителем на выходе (преобраз ватель спектров). Конструкция микросхемы выпуё~ ются в прямоугольных металлокер мических корпусах 201.14 - 10 с пе пендикулярным расположением в1 БОДОВ. Основные эксплуатационные хара теристики приведенных типов микр схем помещены в табл. 4.5 . ИМС К525ПС1А, К5~5ПСJ (рис. 4.47) представляют собой анал говый перемножитель сигналов 1 основе дифференциальных уеилит лей, могут использоваться в умнож. телях частоты, фазовых детекторе балансных модуляторов, а также пр меняться в системах автоматическо реrулирования в качестве перемнож телей и узлов возведения в степе Совместно с операционными усил телями аналоговые перемножите могут выполнять деление, извлечен корней и выделение тригонометри ских функций. ИМС (рис. 4.47 а) состоит из дв дифференциальных усилителей, ко рые управляют работой основного ла перемножения на транзистор VT12, v~-vtJ6, VT19. Диффер циальныи- -усилmель на транзистор VTJO, VT14, VT17, VT20 задает р ность токов_ эмиттеров двух пар тр зисторов узла перемножения проп ционально входцому дифференци ному си~:'-, Зависимость то эмиттеров перем·ножителя от нап жения на. входе 'у имеет нелинейн характер, что не позволяет получ хорошую линейность на выходе. Ч бы получить линейную зависим выходного напряжения при больш уровне напряжения по входу У, п ходится предварительно прологари
Таблица 4.$ Мик~ма Номинальное напряжение питания, В Рабочий диапазоо. темпера'!)'р. 0С Гаракткрован· JWI наработка м икросхемы Гараlrl'Иро­ ванный cpok хранения, Количесrво элем сито в Номер чертежа корпуса на onca.3, ч п~ К525ПС1А,Б К525ПС2А,Б ±15±0,75 ±15±1,5 -1 0." +70 - 10".+70 10 ООО 10 ООО 6 6 30 62 -------14 --i.---1----2 5 5 9---~~~...L-t======~~т--t-____. 8 4------i ~-~-------- в--------t--+-....; .._...._.:..;.;.._.,..!! .__ .... __._ ___., . , о 3.___ __ __ ____ -~-~---~tJ Рис. 4.47 а . Принципиальная схема ИМС К525ПС1А,Б +Vнп Вьаоt! шrtJepnюpyющuii. Устоно61rо molfo у-коноло !lецнdерт11р5ющцtidxoiJ у- 1тна11а f f!J! gщ1р0Dк.а. !JCU/lt!HШ/ !!f-КОнала Рег!/лироdна !fСиnения 2у-нонола 13 ~ 3~-12 '-...:. Bьuotl нeuнdepmup!fющutl !/сrпоноdка тока х-конола Ин1'ертuр!fющиt1 d.(ot/ х- 1!'011оло Рецл1.1ро1'1rа усuленuя ! А' -ко11оло Peiyлupodtro qr:иления 2 X-lfo1toлo НеинВертирvющиu U-rod х-коноло ИнtJepmup!fющutI tJ,rorJ у -коноло 4~11 f ~!О '< ') (j~g -Vи.л 7 8 ~··· t .~ ... Рис. 4.47 б. 'Назначение выводов ИМС К525ПС1А,Б мировать сиrnал по этому входу. Для этого в перемножитель введен диф­ ференциальный хаскад логарифмиро­ вания на транзисторах УТ1, VT3, VT6, VT8 с наrруз:кой на нtrранзисто­ рах VT2 и VT5, который преобразует входное напряжение · в ТОЮI с по­ мощью резистора R у, включенного между выводами 5 и 6. Начальный ток дифференциальных усилителей определяется генераторами токов на 1Я8 транзисторах VT4, VT7, VТ9 и V VT15, VT18 и нормируется с мощью резисторов, включаемых м ду выводам~ 3, 13 и общим п дом. Типовое включение ИМС в кач ве аналогового перемножителя п зано на рис. 4.47 в и позволяет ществить четырехквадранmое пе множение входных аналоговых сиг лов с уровнем цо ::t-10 р пr"• ампл I ] r r J', n
+Uнп Н4 R7 R!O NT2 101( 11,fK 2н 2к +и. Rf !2 2 !О lJx rок g тr 8 f lJy 1/ 6 13 7 R6 RТ1 JJAT К§25Лl'1 !Ок 1JK R9 5,Тк Рис. 4.47 в. Типовая схема ВКJiючения ИМС 1<525ПС1 Dьtкod +U!J ----- Рис. 4.47 г. Схема аналогового перемножнтеля на ИМС К525ПС1 со смещением уровня туде выходного сигнала ± 10 В. На рис. 4.47 г показана схема аналогово­ го перемножителя, снабженного уз­ лом смещения уровня, выполненного на ОУ К140УД7, который реализует передаточную функцию Uz= UxUу/10. Электрические параметры ИМС К525ПС1 при 25±10°С и ии.п.иом=±15 в Гок потребления от источника +Uип + . / пот• мА, не более: 1<525ПС1А......................................• .................. 4 ,6 К525ПС1Б.................................................... ....... 5 Гок потребления от источника -и,"п /-пот' МЛ., не более ................................................. 7 Погрешность перемножения е, %, не более: К525ПС1А"." ...................................................... 2 · 1<525ПС1Б........................." ..................................4 Остаточное напряжение Uocr, мВ, не более: по входу Х 1<525ПС1А ................................. 50 по входу Х 1<525ПС1Б...." ...........................80 по входу У К525ПС1А ............................... 100 по входу У К525ПС1Б ................. ~ . .. . . . . .. . . . 140 Напряжение смещения Uсм' мВ, по выходам Х, У, не более................................ " ... 5 0 0 Синфазное t1аnряже1111е по вхо;~ам Х, У UСФ' В, не менее: 1<525ПС1А.....•..............................,'. ............. ::tll.S КS;гSПСl"................" .................................. ::tl0,5 Входной ;mк, 11вх.I .~ по вхо;~ам Х, У., не бол~......~., .•.",..........................................................8 Разность 1вхq;~иы~. r,с>ков Л/, ., . . мкА, 110 входам,Х, iY, не более.....................•..........:........... 1 Разность Bl>IXOiUIЫX токов Л/зых• мкА, не более ..................................................... "" ."........... . 50 Полоса п'реобразования д/, .МГц, по входам Х, У. не менее: 1<525ПС1А.......................................................... 1.5 1<525ПС1Б............."..............................................1 •'·! . ....п,
Коэффициент влияния источников пита ­ ния на погрешность перемножения Квл, %, не бо,1ее: К525ПС1А ... ..... ....... ........О,1 К525ПС1Б.. .. ..... ............... О,2 Коэффициент ослаб.1ения синфазных напряжений КОСJ!.сф• дБ, по входам Х. У, не менее: К525ПС1А ...... .. ... .. ................. ... ... ...." .. .. ... .. .. . .. . . 50 К525ПС1Б."......................................." ... . . . . .. . . . . . . 40 Выходное напряжение . Uвьrх тах' В, не менее : К525ПС1А... .... .... ... .... ...... .. ..... .. ... .......... ... .. . ± 12,5 К525ПС1Б... .... ......... .... ............. .......... .. ... .... ±10.5 Входное сопроrnв.1ение Rвх• МОм, по входам Х, ~..................... ....... .." ... .. " .. . .. . 35 Выхо.:~ное сопротив.1ение Rвых' кО\! , не менее.................................. " ... .. .. .. . .. . .. . ..<•.•.••. .• . ••.•.• •••• .. . 50 Не;rnнейность перемножения N пер' %, не бо.1ее: К525ПС1А.........." .................. .. .. .... ."...................2 К525ПС1Б... ... .... ... ................... ......." ... .. .. .. . .. . . . . .. . . 4 Предельные э1.сп.;1уатационные параметры ИМС К515ПСI Напряжение питания , В: и+ ..........."... ..... ... ..."..... ... ..... ... ... ... .. .. .... +6...48 и.п и-и.п·········"......................... " ..""" .... ...... -6... -15 ИМС KS2SПC2A, КS2SПС2Б (рис. 4.48) представляют собой четы­ рехквадрантный аналоrовый перемно­ житель (АП) сиmалов с операцион­ ным усилителем на выходе. Умноже­ ние осуществляет счетверенный диф­ ференциальный каскад на транзисто­ рах VT9, VTJ2, VTJЗ, VТJ6-. · Перекре­ стные связи коллекторов этих тран­ зисторов обеспечивают инверсию сиг­ налов, необходимую для четырех­ квадрантноrо умножения. Входные каскады на транзисторах VT1.., VT5 и VT10, VT 14 преобразуют напряжения Их и Uy в токи. Узел смещения уровня выполнен на операционном усилителе на транзисторах VT17". VT27. . Примеры построения узлов на базе ИМС К525ПС2 приведены на рис. 4.49. ' . Элепрические параметры ИМС К515ПС1 при 15±10°С и Uи.п.ном ""±15 В Ток потребления от источника питания 1nrrr:• мА, не более: К525ПС2А......".. .... ...... ... ... ...... .. .... .... ...." .... ....... ..6 К525ПС2Б................ ... " ... .. .. . .. . . ...... .. . ... ... ... .. . ..... .. 7 Погрешность перемножения ЛКпер' % , . не более: ' К52SПС2А.......................... ...." .. . .. . .. .~.. . .. . . .... .. .. ±1 К525ПС2Б....................... .. .. .." " . .. . . . . .. . . ... . . ... .. ... ±2 Не.линейность перемножения N пер' %, не более : по входу Х К525ПС2А .. ..................... ..... ±0,8 по входу Х К525ПС2Б............" .......... ... .... ±1 по входу У К525ПС2А .... .. ................. ..... ±0,S по входу У К525ПС2Б . "... ............. ...... .. . ±0,7 Остаточное напряжение Uост' мВ, не более : по входу Х 1 К525ПС2А ....... .... .......... ..... ..... .. 80 по входу Х К525ПС2Б.............., ...... .......... 150 . по входу У К525ПС2А.."........." ........... ... ... "60 по входу У К525ПС2Б"."... ........ ... ... .. .... ...HJO Входной ток /ах, мкА, не более : по входу х..............................:............. ....... ... .. ..4 по входу У....""...... .. .. .... ....... ....... ......... ...... .... ...6 Полоса преобразования Л/, МГц, по входам, Х, У, не менее.........""................. .... ... .. О, . Коэффициент влияния источников пита­ ния на погрешность перемножения К811, %, не более: К52SПС2А.................... ..... ... .... .. ........ " .. . .. ... . .. ... О К52SПС2Б................... .... .. .. .... .................. ... ...... О, Выходное напряжение Uвых шах• В, не менее............." ............ .." ...... ...... ....... ...... ... ... .. .. .... . ±10 g !! 14 +Uнл 7 IJ -lJн.n 12 10 J . Рис . 4.48 а. Функциональная схема имс К525ПС2.А,Б
IИ "6 "7 t1 t2 0,8 ±1 o,s 0,7 .80 lSO .60 LOO ... 4 ... 6 :с 11 !"/ 1т vтt VTL/ R3J gR/ 1 '31 -о z R2 ~ f:Jlj 70 13 f2 J Рис. 4.4~ б. Принципиальная схема ИМС 1<525П_С2А,Б !Jxod z !Jыxod -1111.п 8xotix ' //! 2 ;;;;- /J J~'12 ' -..: .. 4C\J11 ~ 5~10 б~g 7~/1 -1ов~z~1ов -IOB:sX~ О +!Jн.п 8xod !/ Смещение !!о Снещение Z0 OtJщцii Смещение х0 Рис. 4.48 в. Назначение выводов ИМС 1<525П С2А,Б Предельные эксплуаrационные пар&1етры ИМС К525ПС2 Напряжение питания, В: +Uи.n .... " •.....................• . . .. . .. . . .. . .. . . .. . +13,5 ...+16,5 -ии.п..."" .."....".."." ..."........"." ...... -15,5." -13,5 Рис. 4.49 б. Схема дулеНJ:IЯ на ИМС К525ПС2
HJ 22Н +/JB~__..,-c::::J-~=-...~ -!§В ~-.!l~-C::J--+ JJA 7 Х525!IC2A 14 3 Рис. 4.49 в. Схема изв.1ечения квадратного корня на ИМС К525ПС2 RJ 22к + 158 --E--...-C::J.-;~~-~-.. '58 -108 "'i х~1(1в ---L. 1.:..q.- -L=---: .i:.: .:. .-. _.i ..;; llA11<525ПC2A 2 х llвых"' 10 7!--,- _,__ _,_ ...., ...--, .._ ___ ,_. Рис. 4.49 r. Схема возведения в квадрат на ИМС К525ПС2 4.6 . СЕРИЯ КР1005 ИМС 'серии КР1005 представляет собой комплект усилителей, предназ­ наченных для бытовой радиоаппа­ ратуры. Микросхемы выполнены на биполярных транзисторах с изоля­ цией р-п переходом. Состав серии КР1005ХА8А,Б многофункцио- нальный универсальный узел системы фазовой автоподстрой­ ки частоты с разомкнутой цепью управления rенератора управляемого напряжением. Микросхемы выпускаются в пря­ моугольном полимерном . корпусе 2120.24 - 6 с перпендикулярным рас­ положением выводов. Основные экс­ плуатационные характеристики мик­ росхемы приведены в табл. 4.6 . ИМС КР1005ХА8А, КР1005ХА8Б (рис. 450) представляют собой узел фазовой автоподстройки частоты и могут найти применение в различ­ ных устройствах, где требуется управ­ ление частотой . ИМС содержит пере- множитель U1, операционный ус тель Al и rенератор управляе напряжением G1. z 1> 13' 22 Z3 61 Zf 21/ 20 fJ 19 16 18 17 12 Рис. 4.50 а. Структурная схема КР1005ХА8А,В ) .1~.J ••
ус 1яе " \ Таблица Номинальное Гарантиро- Микросхема напряжение Рабочий диапазон r арантирован­ ная наработка микросхемы ванный срок Номер черте хранения, корпуса питания, В температур, 0С на отказ, ч лет КР1005ХА8А,Б 20±2 -25" . +70 15 ООО 10 30 Ин6ертирgюfl{иii !х(}(} О!! BxoiJ f!IH He11Н6epтupgюUjиii 8xotJ ОУ 25 BxoiJ Г!/Н 8ыхоа перемно.:ж:ителя J2Z Uи.п 8щоа перемно.жшпеля " ~21 BщoiJ ГУН Вхоа леремно.жите11.11 ~ izo 'lucmornOJ11mNllJ/UU кoнikкcomD{l Bxotl rтеремно.ж:ителя IQ l/acm.omOJOдoIOQ/UU конiJенсотор 6~1 BxoiJ перемно.жuтеля 7~18 !/лро6ление Г!IН Резистор о5ротноzi с!я.зи t::i 'lпра6ление ГIJH 8~17 Ре.шстор o!pamнoii с6яз11 "" 1.(ифро6ое уп/lf16ление vостопнпir!IN g16 PeJucmop o5pamнoii с6язи 10 15 1.(uфро6ое упри6ление 11ucmfJl110u rgн Резистор oopomнoii с6язц '" BыxoiJ 01/ оощиu Коррекqия А 'IX 0!1 Рис. 4.50 б. Назначение выводов ИМС КР1005ХА8А,Б множитель U 1, операционный усили­ тель Al и генератор управляемый напряжением G1. различных режимах приведены рис. 4.51 . Примеры испол'ьзования ИМС в Зависимости основных параме1 ИМС от режимов эксплуатации r ведены на рис. 4.52. JJA f KPIUUSXA8A ( KP!tl05XA85) ---------------;э...+lfк.п ~~ F- '--+-----,.-+....-::1::-t-t--;-~ Y.Df /fДSDJA L..--+--tie:l--i~A L----+- -IE:.-- ._ Б Y.D2KД!OJA Рис. 4.51 а. Применение ИМС КР1005ХА8А,Б в режиме генератора функций
.DA 1 КР!ООЫА8А (КР !005,,(А85) Rt'i5,!1< Рис. 4.51 б. При~енение ИМС КР1005ХА8 в режи\.\е ЧМ 1етектора Вы.коrJ Г!!lf ........,___ _~ .DA f !(Р100.5Х А8А (КР !005Х A8/i) С8 5Ш Рис. 4.51 в. При~енение ИМС КР1005ХА8 в nPutUU#" ,.. ... ",gJJJP..rn thu~'JhT08 ' '
' ' . Af..10 f7% 2 о -2 -4 - 111111111211 llIШWt8 ,,... • 1у- - 1/ Рис. 452 б. Зависимость выходного напряжения ГУН от частоты для ИМС KP100SXA8(----- грающы 95-процентноrо раз­ броса) ' -~· ....rп 1111111 23+.ип 5g!J1721Онп,8 1 np61 Вjpati /(. 1 tp о (J! / / 1 ~ /v / !О 2 !О Uox,1'18 Рис. 452 r.· Зависимость коэффициента пре­ Образования фазового детектора от уровня . "".l"t -~~'8.А Рис. 452 а. Зависимость изменения часто­ ты свободных колебаний ГУН от напряже- ния питания для ИМС KP100SXA8 (---- границы 95-процентноrо разброса) ! 2 J 4 5б789/0 ZO (,МГц Рис. 452 в. Зависимость верхней граничной частоты от напряжения питания (од­ нополярноrо) для ИМС KP100SXA8(----- грающы 95-процентноrо раз­ броса) _f fo J t--+-+-~~-t---i 2 1----+--..,""""'--+---+-~ О-4 -8 -10 - !2 Uип,В Рис. 452 д. Диапазон перестройки частот~ ГУН в зависимости от напряжения пиrани (двухполярноrо) для ИМС KP100SXA8: 1 - ВЬIВОДЫ IJ, 16 череа сопротиаnевие 1 кОм эаземпея> 2 - RJ.Пlt\7n..1 l'f 11{. 11, .. """ 11- ,,. --- .п. .т
16 14 12 !О 8 6 69121518ZI21127и".п,В Рис . 4.52 е. Зависимость тока потребления от напряжения питания (однополярноrо) для ИМС КР1005ХАВ ( - - rрающы 95- процентноrо разброса) A/_· f00% 2 ~ JJ~~- Inur, /'/А -20 -!О !О 20 JO 40 foxp.ер, 0 С Рис. 4.52 з. Зависимость тока потребления температуры окружающей среды для ИМ КР1005ХА8 ( - - - - - rрающы 95-проце тноrо разброса) f,кГц · 104 2.f о 25,~ 50tокрCpJос !О -! ч -2 -:J Рис . 4.52 ж. · Зависимость частоты ГУН от температуры окружающей среды для ИМС КР1005ХАВ ( - - - - - границы 95-процен­ тноrо разброса) Элепричесmе параметры ИМС КР100SХА8А,Б при 2S±I0°C и Uн .п.н ом=20 В Ток потребления /пот' мА, не бо.1ее...................... 20 Амплитуда выходного напряжения ГУН Uвь~х ГУН' В, не менее: КР1005ХА8А ................ ....... ............... ... .... ...... .. 1 .9 КР1005ХА8Б ..... ..... ....... .................... .. ........ .... .. 0,9 Выходное сопротивление фазового де- тектора (парафазный выход) Rвь~х' кОм .... ................................... .... .." . .. ... .... .. ... . 8" . 1 6 &рхняя граничная частота frp. МГц, нс мснее ... ......................................... .. ........ ....... .......... 15 '1 10 С,лФ Рис. 4.52 и. Зависичость частоты колебаний ГУН от значения частотоза ;щ ю . емкости для ИМС КР1005ХА8: 1 - цифро упрамение в по,1оже нии "выключено"; 2 "вк.1ючено" Предельные э11:сплуаrационные параметры. • ИМС КР1005ХА8А,Б Однополярное напряжение питания Uи.п' В: минимальное ......... ........ ... ....................... .......... . максимальное.. "................ ... ... .......... ........... .... . ДвухпОJIЯрное напряжение питания ±Uн.п' В: минимадьное ...... .... ....... ................... .. ... ..... ...... ± максимальное ............ ..... .................... ... . " .. ... ±1 Переменное напряжение входного сиг­ нала на выводах 5, 7, Uвл 5. И8, 7, В, не более ............ ........ .. .... ............................................... .
ср10С :ния им 1роце ";2 етры' ........ ± ". ". ::tl Напряжение смещения на выводах 5, 6,7,Uсм5, Uсм6, Uсм7, В, при на- пряжении питания 20 В... """ ..."" ............ "" ..... 9...11 Постояиное напряжение на выводах 1, 2, Up U2' В, при напряжении пита- ния 20 в".... " ."""" . . """"""""""""".. .. """""""""9".11 Постоянное напряжение на выводах 23, 24, U23, U24 , В, при напряжении питания 20 в""""""""""""""""""""""""""""10".17 Сопротивление нагрузки на выходе операционного усилителя Rн, кОм, не менее"""""."""""""""""""." .... """."""""""" .... "2 4. 7 . СЕРИЯ КР1015 Серия КР1015 представляет собой комплект интегральных микросхем, предназначенных для бытовой радио­ аппаратуры. Микросхемы выполнены по п-канальной МОП технологии. Состав серии КР1015ХК2А,Б - узел управления частотой настройки радиопри­ емных устройств. Микросхемы выпускаются в пря­ моугольном полимерном корпусе 2104.18 - 3 с перпендикулярным рас­ положением выводов. Основные экс­ плуатационные характеристики мик­ росхемы приведены в табл. 4.7. ИМС КР1015ХК2А, КР1015ХК2Б (рис. 4.53) представляет собой узел для цифровой настроjiки радиоаппа­ ратуры и находит применение в раз­ личных классах устройств, где требу­ ется управление частотой. В ИМС входят приемный регистр Al, буферный регистр (БР) А2, по­ глощающий счетчик (ПС) АЗ, дели­ тель с переменным коэффициентом деления (ДПКД) А7, логический блок Уnравления (ЛБУ) А4, образцовый re- liepaтop (ОГ) Gl, делитель (ОД) А5, 'Iастотно-фазовый дискриминатор (ЧФД) Ull. ' Зависимости параметров ИМС от Режимов эксплуатации приведены на Рис. 4.54 . · Электрические параметры ИМС КР1015ХК2А,Б при 25±10°С и Uи.п.ном=S Ток потребления /пот' мА, не более: КР1015ХК2А .. """"". """"".""".". . " "" " " "" . ".. КР1015ХК2Б"""..."""""..""... " ...................." .. Выходное напряжение низкого уровня транзистора интегратора l.fJвых' В, не более..."" ......"."""""" ...... "..."" ... "."".""" .. "." .. "( Выходное напряжение на выво;щх 1, 12, В: высокого уровня U11.12• не менее"".""""""""."".. """""".""""""""""".".: низкого уровня l.fJ 1•12 , не более"."... """""".""""""." .. "." ....... ".".""".""] Ток выключенного состояния транзи­ стора интегратора 1выкл• мкА, не более""""""""""""""""""""."""""".""".".".""""."С Входной ток, мкА, на выводах 6" .8 , 13, 15: низкого уровня fJвх• не более ........ ""." ... "" .. """""""."."""."".... "."" -J высокого уровня 11вх' не более"......." ..... "... " ...."."""................... ~..." ...... / Входной ток. мкА, на входе ДПКД, не более: низкого уровня .ТОRПКД ." " " " .. . .. . "." .".• ...• -t высокого уровня 1 дпкд ".""""""""".. """.t Выходной ток, мкА, на выходе ЧФД, не менее: высокого уровня J1вых·"·"""""""."."."."" .... низкого уровня fJ вых··-"" ......... " ." . ". " . .. ". "" " J А! 2 !7 Рис. 4.53 а. Структурная схема ИМ КР1015ХК2А,Б
Микросх<0ма КР1015ХЮА,Б Номинальное напряжение Р:абочий диапазон питания, В температур, 0С 5±0,5 - 25". +70 Klldшruцufl .10.х/Jата Qtfщutl 8Nкod u11mezpt1m11pa Вкоd u11mezpomopa И11qюрноция Синхросuzнап такт Bxod ПС и ДПКД Гарактирован- Гаранn1ро- наи наработка ванный срок микросхем ы хранения, на ~аз, ч лет 25 ООО 12 (высшая (высшая категорИJ!) категория) 15 ООО 10 (первая (первая категория) категория) 8NдJd 1/ФД 8/JlкоdДЛКД Выхоd dелителfl Отклю11ение 1/ФД Число элементов 2472 8x11il llO/JtlЗЦ11doz11 zt1ttfXlmop11 81J1кod tIOpqзЦtJ&zo ze11epumopa 811aod на пepeклlfJl/e11ue Р/ р •f ll,,_n Таблица 4.7 Номер чертежа корпуса 25 t>itc. 4 .53 б. Назначение выводов ИМС КР1015ХК2А,Ь ·; ' \ Рнс. 4.53 в. Типовая схема включения ИМС КРl015ХК2 Выходной ток высокого уровня на вы­ ходе переключения внешнего дсли- те.ля /1дел• мА, ие менее""""" """" """""""""" .5 Предельный коэффициент деления по- глощающего счетчика с дискретно- стью 1 кдел.п.с""'''"'''""""""""" """"""" ".""". 1".127 Предельный коэффициент дсле~щя 1~ ДПКД с дискретностью 1 КделДПКД"""""."•.... """.""•• """""" . "".......... 16" . Фиксированный коэффициент деления делителя Кдел первый"""."""".. " .. " ............. .... .. ..... ......... "."1024 второй........ "."" .. :...... ... ... " ....... " .... ......... ""... .
7 Inor. мА 20 !б !2 8 45 Рис. 4.54 б. Зависимость тока потребления от входного напряже­ ния при предельном коэффициенте деления, равном 16, предедьном коэффициенте деления ПС 13, час­ тоте входного сиrнма 6 МГц, час­ тоте опорного генератора 6 МГц, напряжения питания 5.5, 5 и 4,5 В для ИМС КР1015ХК2 lnor~ мА 121-----1~-::J...-"""!=='--~ 6 .__ _... __. ...._ _.. ..__ _, ~5 5 ~5 ~ fвх,МГц Рис. 4.54 в. Зависимость тока потребления от входной частоты при входном напряжении низкого уровня 0,4 В, преде"1Ьном коэффициен­ те деления, равном 16, предельном коэффициен­ те деле!mЯ ПС 13, частоте опорного сигнала 6 МГц, температуре 25°С для имс КР1015ХК2 111 Рис. 4.54 а. Зависи\lость тока потребления от напряжения пита­ ния при частоте входного сигнма 6 МГц, входном напряжении низ­ кого уровня 0.4 В, предельном ко­ эффmщенте деления ПС 127, час­ тоте опорного генератора 6 МГц, предельных коэффициентах деле­ ния ДПКД 16 (/) и 4095 (2) для ИМС КР1015ХК2 ! 2J о 25 55 tакр.срос Рис. 4.54 г. Зависимость тока потреб.1ения от температуры при входном напряжении низкого уровни 0,4 В, частоте входного сиrнма 6 МГц, частоте опорного генератора 6 МГц, предель­ ном коэффициенте дедения, равном 16, предель­ ном коэффициенте деления ПС 14, напряжении питания 5,5, 5 и 4,5 мя ИМС КР1015ХК2 !OJ Nдпкд, отн. ед Рис. 4.54 д. Зависимость тока по­ требдения от предельного коэффmщ­ ента деления при напряжении пита­ ния 5 В, предельном коэффициенте деления ПС 127, ~астоте входного сигнма 6 МГц, входном напряжении низкого уровня 0,4 В, температуре ±25°С, частоте опорного генератора 6 МГц для ИМС КР1015ХК2
Рис. 4.54 е. Зависимость максимальной вход­ ной частоты от температуры окружающей сре­ ды при напряжении питания 5 В, входном на­ пряжении низкого уровня 0,4 В для ИМС КР1015ХК2 Погрешность поддержания электри­ ческих режимов не должна превы­ шать: ±2 % ~ля установки напряже­ ния питания, ±6 % для установки размаха синусоидального сиmала, ± 10 % для установки напряжения и частоты входного сиmала. Предельные Э!!:Сnлуаrационные параметры ИМС КР1015ХК2А,Б Напряжение питания Uи.п• В: минимальное ... .. ................................................4,5 максимальное ... ................. ................ ........ ....... 5 ,5 Размах сигнала на входе ДПКД (вы­ вод 9) U9, В: КР1015ХК2А .. ........................................... О,4 .. .5,5 КР1015ХК2Б ..... ........................................ 0 ,8 .. .5 ,5 Напряжение стока транзистора интег- ратора (вывод З) U3, В ... ........................... .4,5 .. .16,5 Входное напряжение, В, на выводах 6, 7, 8: низкого уровня, сР6, сР7, cf18........••.........•........."".............•....................o...o,4 высокого уровня, U16• U 1 7• . и1 8...•..........................".... ..... .......................2,4...5,5 '· Выходной ток, мА, в цепи выводов, не менее: 11 /вы:. 11....." .......................................................5 l, 121 вых1• 1вых 12················" ·······················" l6, 17 / ВЬIХ 16' / ВЬIХ п················"·········"····· 0•0 l8 1вых 18·· ······ ······· ·············· ································· ·частота синхроимпульсов (вывод 7) /с.и' кГц, не более .......... ..... ..... ... ... ......................... .5 Частота входного сигнала (на выводе 9) /вх' МГц: КР1015ХК2А..............." .............................0,05... КР1015ХК2Б ............. .............................. 0,05 ...4 Глава 5 РЕКОМЕIЩАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ДТ1Я БЫТОВОЙ РАДИОАППАРАТУРЫ 5.1 . ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ Аналоговые ИМС становятся ос­ новной элементной базой современ­ ной бытовой радиоаппаратуры преж­ де всего благодаря своей высокой на­ дежности и функциональной завер­ шенности. Изготовление десятков тысяч ИМС в едином технологическом цикле, строго контролируемые режимы и ?()() технологические среды, минимальн использование ручного труда обеспе чивают высокую надежность работ как всех кристаллов, так и элемента в каждом из них. Вакуумное напыле• ние металлизации и термокомпресси­ онная сварка, используемые при и готовлении ИМС, обеспечивают более надежное (по сравнению с паяным) соединение элементов на· молекуляр­ ном уровне . Отношение числа "внут-
i,s ),5 S,5 5,5 6,5 Гiее !М) яр­ ут- ренних" соединений к "внешним" в современных ИМС от 100 до 10 ООО. Следовательно, подавляющее число межсоединений выполняется без применения ручного труда - ис­ точника ненадежности. Большинство ИМС различных ти­ пов имеют небольшую потребляемую мощность. При малой мощности рас­ сеяния рабочая температура кристал­ ла по сравнению с температурой ок­ ружающей среды повышается незна­ чительно, что создает благоприятные условия для замедления физико-хи­ мических процессов, приводящих к отказам внутренних соединений. ' Надежность радиоэлектронного бло­ ка, изготовленного с применением ИМС, оказывается существенно более высокой по сравнению с надежно­ стью аналогичного устройства, выпол­ ненного на дискретных комплектую­ щих изделиях. Однако использование высокона­ дежных ИМС не всегда автоматиче­ ски обеспечивает получение СТО!JЬ же надежной аппаратуры. Сохранение надежности ИМС в аппаратуре в значительной степени определяется правильностью ее применения на всех стадиях: разработки, производст­ ва и эксплуатации. Под правильно­ стью применения ИМС подразумева­ ется, что выполняются рекомендации по электрическим режимам и мето­ дике монтажа, отработан технологиче­ ский процесс изготовления аппарату­ ры, используются средства защиты ИМС от статического электричества, тепловых и других воздействий. В этой главе рассматриваются не- 1шторые меры обеспечения высокой liадежности РЭА, в которой использу­ IОтся аналоговые ИМС. ·s.2 . ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ИСПЬIТАНИЯ ИМС ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ РЭА При производстве ИМС ведется l!Ю-процентная проверка и отбраковка готовых изделий, чтобы выявить сре­ ди них имеющие как явные, так и, no возможности, скрытые дефекты. Для этого установлены нормы и ме­ тоды граничных испытаний, позволя­ ющие определять запасы по электри­ ческим и механическим свойствам ИМС. Отбраковочные испытания предусматривают ряд радикальных видов воздействий на ИМС, позволя­ ющих исключить из всей продукции изделия с дефектами. Однако выходной контроль на предприятии-изготовителе может ока­ заться недостаточным, и возникает необходимость проводить дополни­ тельные испытания ИМС в техноло­ гическом процессе изготовления РЭА. Объем и продолжительность этих ис­ пытаний зависит от назначения РЭА. Изготовители аппаратуры вводят дополнительные испытания, если ин­ тенсивность отказов ИМС при экс­ плуатации не удовлетворяет требова­ ниям по надежности, предъявляе­ мым к разрабатываемой аппаратуре. Обычно это возникает тогда, когда требования разработчиков РЭА пре­ вышают возможности изготовителей ИМС. При этом отбор компонентов потребителем становится единствен­ ным средством повышения надежно­ сти разрабатываемой аппаратуры. Объем дополнительных испытаний определяется экономическим факто­ ром. Изготовитель РЭА выбирает, как проще и дешевле выявить дефект­ ную ИМС: испытанием перед уста­ новкой на печатную плату или позд­ нее, и,спытывая модуль, блок либо всю систему. По экспериментальным данным соотношение стоимости замены ИМС на входном контроле, после монтажа на печатную плату и при эксплуата­ ции РЭА составляет 2:5:50 [3]. При массовом производстве РЭА капи­ тальные вложения JJa испытательное оборудование ИМС Достаточно быст­ ро окупаются и в конечном счете приводят к резкому улучшению каче­ ства выпускаемой продукции. В настоящее время предприятия, разрабатывающие и изrотавляющие · РЭА, чтобы повысить эксплуатацион­ ную надежность проводят, как прави-
ло, терt.tотренировку, термоциклиро­ вание и электротермотренировку ИМС и ячеек с установленными эле­ ментами. Статистика показывает [3], , что от 50 до 70 % отказов ИМС (причем почти все они связаны со старением приборо11 во времени) приходится на те из ннх, которые не подвергались перегруз1<ам в процессе испытаний. Чтобы уменьшить число таких . отка­ зов, проводят термостарение ИМС в течение четырех суток и термоцик­ лирован11е (до 10 циклов). Последний процесс позволяет выявить несогласо­ вание коэффициентов теплового рас­ ширеню1 отдельных частей ИМС. Для нахождения скрытых дефектов достаточно провести пять термоцик­ лов. Если же увеличить их число (особенно более 10), то может про­ изойти "расшатывание" конструкции и отказ ИМС, или превращение на­ дежного изделия в имеющее скрытые дефекты. Анал11з статистического материала показывает, что технологические ис­ пытания должны состоять из элект­ ротермотренировки (ускоряющей про­ явление скрытых дефектов), термо­ выдерЖI<И (для некоторых типов ИМС), контроля статических пара­ метров в интервале температур и ди­ намических параметров в нормаль­ ных условиях (это результирующие испытюшя, определяющие годность ИМС), а также проверки на герме­ тичность. Электротермотренировку необходи­ мо проводить при максимальной температуре и предельных электри­ ческих режимах, разрешенных в тех­ нических условиях на конкретную ИМС. Обычно ее продолжительность 96 ч или три последовательных цик­ ла по 96 ч каждый. Данные, полу­ ченные по результатам подобных ис­ пытаний показывают, что ИМС со скрытыми дефектами до испытаний составляли 0,3 %, после первого цик­ ла - 0,1 %, после второго - 0,03 %, третьего 0,007 %, что говорит о высокой эффективности "процедуры " . S.3 ВНЕШНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ИМС ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ РЭА В технологическом процессе изго­ товления РЭА с применением ИМС каждая из них в процессе формовки и обрезки выводов; лужения выводов; комплектования для конкретного · из­ делия; обрезки незадействованных выводов; установки на плату; пайки; очистки плат от флюса; настройки; покрытия лаком; проверки на функ- i цианирование и контроля параметров подвергается различным факторам внешнего воздействия (механическим, температурным, химическим, элект- рическим). . Механические усилия прикладыва­ ются к ИМС во время комплекта­ ции, формовки и обрезки выводов,' установки и приклеивания I< печат­ ной плате. Усилия, воздействующие,1 на выводы и их изоляцию, могут на•:, рушить герметичность корпуса. Тем-· пературные воздействия связаны лужением, пайкой, демонтажом. При· этих операциях тепло проходит чере ' выводы к кристаллу или подложке вызывает нагрев элементов конструк~ ции ИМС. Химические воздействи оказывают влияние на материал п крытия корпуса и маркировку ИМ при флюсовании, очистке печатны плат от остатков флюса, влагозащи и демонтаже. И, наконец, электричо ские воздействия связаны с разряда ми статического электричества че ИМС. Эrи воздействия имеют ме при всех технологических операция если не принять мер по уменьше нию зарядов статического электричt ства в производственных помещенJJ · ях. В процессе сборки изделия ИМ многократно, хотя и в разной степе ни, подвергаются воздействиям ра .· ных внешних факторов среды. Наи-: более опасный из них - воздействие оператора, так как оно в большей.. степени зависит от его индивидуаль- : ной подготовки и наиболее трудно контролируются. Поэтому профессио-1 нальной подготовке оператора, мои- · тажника и регулировщика должно ·~
il 1; i- к: r; r; :-! в Объе1сr воздейеmия Выводы Технологическая операция Воздейеmующий фактор Рихтовка, формов- Растягивающее ка и обрезка усилие. Прижатие вывода Та6.лица 5.1 Возможные нарушения и отказы Растрескивание изолятора, вы­ зывающее нарушение герме­ тичности корпуса; деформация выводов (пережатие, скручива­ ние, излом) ..i: Изолятор, основание Установка и при- Статическое усилие Растрескивание изолятора, вы- .t, корпуса, rибкие соедине- клейка ИМС на прижатия корпуса зывающее нарушение герме- r- НИJ!, кристалл или под- плату, демонтаж к плате тичности. Деформация дна э.­ а- И-, iC :й ь-': 10 0-1 н-' 10'/ ложка Покрытие выводов Входной контроль, Усилие рихтовка, формов- вывода ка и обрезка корпуса, вызывающая растре­ скивание и отрыв rибких про­ водников. Разрушение корпуса прижатия Вмятины и царапины на выво­ дах, приводящие к коррозии Изолятор выводов, кри- Лужение, пайка, Перегрев выводов Растрескивание изолятора, вы­ зывающее нарушение герме­ тичности. Отслаивание подлож­ ки или кристалла (в случае их приклейки) от монтажной зоны корпуса, приводящее к обрыву rnбких выводов сталл, подложка, актив- демонтаж, сушка от припоя ные элементы и rибкие выводы Повышенная пература тем- Термодеформация защитных покрытий кристаллов, приводя· щая к обрыву rnбких выводов Покрытие, маркировка Флюсование, очист- Химическая актив- Коррозия покрытия или основ- ка, влагозащита, ность демонтаж Пассивные и активные Все технолоrиче- элементы ИМС, метал- ские операции ·1Изация, р-п переходы, защитный окс1Щ Электрический за­ ряд (количество воздействий, ем· кость и сопротив· ление в цепи раз· ряда, разность .по­ те•щиалов) ноrо материала выводов и кор­ пуса, нарушение целостности (растворение) маркировочных обозначений и лакокрасо'tНЫХ по"крытий Пробой оксида, деградация па­ раметров ИМС из-за пробоя 8 полупроводниковой структуре
быть уделено самое тщательное вни­ мание. Основные виды возможных отказов ИМС при различных воздействиях приведены в табл. 5.1 . S.4 . ФОРМОВКА И ОБРЕЗКА ВЫВОДОВ имс Корпус ИМС должен обеспечивать сохранение внутри него относительно сухой атмосферы в течение всего срока службы микросхемы. Поэтому любые внешние воздействия не дол­ жны нарушать герметичность корпу­ са. Любая поверхность веществ при нормальных условиях покрыта тон­ кой пленкой влаrи толщиной от 0,01 до 0,001 мкм. Из-за малых размеров молекулы (2,7·10 -10 м) и малой вяз­ кости воды влага способна проникать даже в молекулярные промежутки сложных неорганических соединений. При этом происходят механическое разрушение материалов, изменение электрических свойств поверхностей, коррозия металлов и их сплавов . Чтобы избежать этого, герметизацию корпусов ИМС обычно проводят в атмосфере сухого азота, где содержа­ ние воды не превышает 10-S . Металлы, стекло и керамика, ис ­ пользуемые для изготовления корпу­ сов ИМС, практически газо- и влаго­ непроницаемы. Большинство пласт­ масс в той или иной степени гигро­ скопично. Чтобы сохранить сухую инертную атмосферу внутри корпуса, его швы между разнородными мате­ риалами дожны быть максимально герметичными. Согласно принятым нормам через спай с хорошей герме­ тичностью при разности давления НР Па в течение 30 лет натекает не более 1 смЗ газообразного гелия (практически это означает абсолют­ ную воздухонепроницаемость). Металлы между собой соединяют пайкой мягкими или твердыми при­ поями, горячей или холодной свар­ кой или их комбинациями. Спаи ~текла со стеклом или .керамикой осуществляют либо плавлением их при высоких температурах, либо склеиванием более легкоплавким стеклом. Герметизация металлостек­ лянных спаев, · с помощью которых от корпуса ИМС электрически изоли­ руют выводы, представляет сложную техническую задачу. Это связано с тем, что большинство обычных сте- · кол им~ет низкие температурные ко­ эффициенты линейного расширения (ТКР) и теплопроводности, тогда как в своем большинстве металлы хоро- '. шо проводят тепло и имеют боль­ шие коэффициенты линейного рас­ ширения. Различие в скоростях на­ грева и остывания стеклянных и ме­ таллических частей спаев и несоот­ ветствие коэффициентов линейного расширения приводит к механиче..: ским напряжениям и повреждению спаев. Применительно к условия эксплуатации ИМС стекло и метал считаются совместимыми, если раЗ-< ность их ТКР не превь1шае 4·10-7 1/0С. Существенная особенность шинства типов корпусов ИМС заклю чается в том, что некоторая час длины вывода находится под наплы вом стекла (или керамики). Пр формовке выводов повреждать нельзя. К корпусу ИМС предъявляют противоречивые требования. Так, ко пус должен обладать достаточной ме. ханической прочностью, что бы вы держать нагрузки, возникающие пр производстве аппаратуры и ее эк плуатации, и в то же время долже иметь минимальные размеры, прИ чем его форма должна способствова получению наибольшего выигрыш по плотности монтажа РЭА. С эти~· противоречием необходимо считатьсяа. обеспечивая комплекс технически мероприятий, направленных на со­ хранение надежности ИМС при кон~. струировании и производстве аппара­ туры. При выполнении технологических операций по подготовке ИМС к мон­ тажу на печатную плату (рихтовка,
их fiбo :им :ек- 1ых ли- 1ую 1с ~те­ ко­ iИЯ как •рО-'. шь­ >ас­ на-, ме­ ют­ юго 1че~ IИЮ юн-. э.ра- ких юн­ вка, _""""""""""""""111111"""""11.z:::;;.;--;;;i.illl.i~------.-;; " -," Рис. 5.1 . Направление растяrnвающеrо усилия при формовке и обрезке выво;~ов б} Рис. 5.2 . Формовка и обрезка выво;~ов мик­ росхем формовка и обрезка выводов) выводы подвергают растяжению, изгибу и сжатию. При этом растягивающее усилие Р1 приложено к наиболее чув­ ствительной к механическим воздей­ ствиям зоне корпуса - гермовводу (рис. 5.1). Если растягивающее уси­ лие будет чрезмерным, в месте за­ делки выводов в корпус моrут воз­ liикнуть трещины по стеклу или ке­ рамике тела корпуса, приводящие к liемедленной или, что еще хуже, по­ степенной разгерметизации корпуса. а) 8) Рис. 5.3 . Правильная и неправильная форм ка выводов планарного корпуса Конструкция штампа для форм ки и обрезки выводов (рис. 5.2) до жна обеспечивать создание независ мых и последовательных усил прижатия Р2, формовки Р3 и обрез Р4. Эти усилия подбирают таким чтобы обеспечить целостность галь нического покрытия выводов, прил жить минимальное растягивающ усилие вдоль оси вывода и получи заданную конфигурацию формовк При формовке и обрезке выводов д пускаются следы (отпечатки) от инс румента на них, не приводящие нарушению гальванического покр тия. Штамп должен обеспечивать же кое крепление каждого вывода И вне зоны наплыва стекла или ке мики. Участок вывода на расстоян 1 мм от тела корпуса не долж подвергаться изгибающим и крут щим деформациям. При формов должны быть соблюдены допустим
Слои 1 08JE~7 ~ Рис. 5.4 . Правильная и неправильная установка п.1анарных корпусов на мноrос.1ойную печатную' плату с открытыми контактными площа;хками радиусы изгиба. Если выводы прямо­ уrольноrо поперечного сечения, то радиус изгиба - Jie менее двух тол­ щин вывода, если круглого - не ме­ нее двух диаметров. Обрезать неза­ действованные внутри корпуса выво­ ды ИМС или вьtводы, которые не используются в даt1ном вю1ючении и не влияют на рабОтоспособность уст­ ройства, можно нэ расстоянии 1 · мм от тела корпуса, однако следует учесть, что по tJЫводам от ИМС (особенно малого размера) отводится значительная часть тепла. В типично неправильной конструк­ ции технологического приспособле­ ния формовки выводов корпусов ти­ па 4 (рис. 5.3) не оставлен зазор (не менее 0,5 мм от rела корпуса), необ­ ходимый для сохранения в целости керамики. Штамп такой конструкции может нарушать rерметичность кор­ пуса ИМС. На рис. 5.4 по~<азано происхожде­ ние типовой ош~бки при монтаже. Предположим, что формовка выводов ИМС, предназначенных для установ­ ки на многослойную печатную плату с открытыми ко~тактными площад­ ками, 'произведена под второй-третий сщ>й (рис. 5.4 а). Фактически ИМС 11 распаивается на контактные площа ки друmх слоев. При монтаже вы ды подогнуты вручную у самого ге моввода (угол загиба в вертикально плоскости может достигать ±6О0С. Подрихтовка выводов, проведенн без жесткого закрепления зоны вы да на участке длиной 1 мм от те корпуса (т. е. без применения техн логического приспособления), мож привести к нарушению герметич сти вывода у корпуса. При так способе установки потеря гермет ности ИМС может произойти во в мя последующих механических действий при эксплуатации аппара ры, так как деформированные вы ды находятся в напряженном сост нии (см. рис. 5.4 б). S.S. ЛУЖЕНИЕ И ПАЙКА ВЫВОДОВ ИМ Режимы операций лужения и п ки выводов ИМС (температура ра плавленного припоя с выводам площадь зоны контакта вывода припоем) обычно выбирают с учето. характеристик теплопередачи ко кретных типов корпусов ИМС. противном случае тепловые удар
ую' ro :о - 5 А 5 Рис. 5.5 . Схема теплообмена между внешними выводами и кристаллом при лужениl! и пайке микросхем могут привести к необратимому раз­ рушению ИМС. На рис. 5.5 схематично показаны отдельные элементы конструкции ИМС, которые подвергаются теплово­ му, воздействию и участвуют в пере­ даче тепла. При контакт~ с расплав­ ленным припоем 1 вдоль вывода со­ здается перепад температуры, вызы­ вающий передачу тепла. Теплообмен осуществляется от зоны пайки (зона А) через металлический вывод 2 к керамической основе тела корпуса 5 и далее к кристаллу 4. Тепловой по­ ток передается к кристаллу также от внутренней части вывода (зона Б) че­ рез внутренний соединительный про­ водник 3. Скорость передачи тепла зависит от разности температур, теп­ лопроводности материала и конфигу­ рации элементов конструкции ИМС. При производстве РЭА с использо­ ванием микросхем широко использу­ ются лужение выводов ИМС спосо­ бом "окунания в расплавленный при­ пой" и пайки методом "волны". Учитывая, допустимые температу­ ры нагрева элементов конструкции корпусов ИМС, определены следую­ щие условия лужения с помощью погружения в расплавленный припой. IIредельная температура, •с............................. 250±5 IIредельное время нахождения выводов в расплавленном припое, с .................................. 2 .0 Минимальное расстояние от тела кор- пуса до границы припоя по длине вывода, им .................................................................. 1,3 Предельно допустимое число погруже­ ний одиИХ и 'rex же выводов в при- nой..........•......." ....." ..............." ................."".""............... 2 Минимадьный интервал времени меж­ ду двумя погружениями одних и тех же выводов в припой, мин..... "....... - ............... " .... 5 При лужении нельзя касаться при­ поем гермовводов. Припой не должен также попадать на стеклянные и ке­ рамические части корпуса. Граница растекания припоя по выводам долж­ на быть не ближе, чем на расстоя­ нии 1 мм от тела корпуса ИМС, при этом допускается некоторая неравно­ мерность лужения по длине выводов. Необходимо исключить образование перемычки между выводами, поверх­ ность прщюя на выводах должна быть сплошной, без трещин, пор, необлуженных участков. Паяные соединения дожны иметь светлую или светло-серую поверх­ ность, без темных пятен и посторон­ них включений. Через припой долж­ ны проявляться контуры входящих в соединение выводов элементов. Примеры лужения и пайки выво­ дов планарного .корпуса приведены на рис.5.6 а- r. При пайке ИМС в корпусе с пла­ нарными выводами допускаютс.11 за­ ливная форма пайки, при которой контуры отдельных выводов полно­ стью скрыты под припоем со сторо­ ны пайки соединения (рис. 5.6 д, е), неполное покрытие припоем поверх­ ности контактной площадки по пери­ метру пайки, но не более чем в двух местах, не превышающих 15 % об­ щей площади (рис. 5.6 ж), наплывы припоя конусообразной (рис. 5.6 з) и скругленной (рис. 5.6 и) формы в месте отрыва паяльника, небольшое
I Л•μиы~ I - неоолуженныи а) 5) 6) г) участок f 5 J d) + r 5 J + J) и) Рис. 5.6. Примеры лужения и пайки выводов планарного корпуса 5) ~sа)4 6" 1J iJ) смещение вывода в пределах контак­ тной площади (рис. 5.6 к), растека­ ние припоя (рис. 5.6 а) (только в пределах длины выводов, пригодной для монтажа). Форма соединения при запайке вы­ водов ИМС. в металлизированные от­ верстия должна соответство°"'ть эски­ зам, приведенным на рис. 5.7 а - r. Припой со стороны IЦ)Р,пусов не дол- ~ ~ецнt: ООЛ!JЖl!Н . 6) ж) z) Рис. 5.7. Примеры пайки корпу&>в со шты­ рьковыми выводами жен растекаться за пределы конта ных площадок. Конец вывода мож быть нелуженым. Монтажные мет лизированные отверстия долЖfl быть заполнены припоем на вые не менее 2/3 толщины платы. Ис . равление дефектных соединений стороны установки ИМС на пла нежелательно. Формы паяного . соединения пр
Параметр Пайка ИМС с планарным11 выводами Таблиц~ $. Пайка ИМС со шrь1рЬl(()выми выюдами одножальным rрудповым одножальным групповым Мах---.ная температура стержня паЮIЬНИКЗ, °С MaxellNoIJIЬllOC время касания каждого llW!IO,ll8, с: МИН1О11аJ1W1Ь1Й интервал времени между naiuwи соседних выводов, с МакС11К8.ЛЬНЗЯ температура расвnзвлениоrо пpIOIOJ1, •с MaкCllWIJJblfoe время соприкосновеlfИJI каждоrо ВЫВода с припоем, с макс:аrмалыiое рас:стоя:ние от тела корпуса до.~ припОJ1 по длине вывода, им МНН111о18дЬНЫЙ интервал времени между двywtt повторныыи пайками одних и тех же ВЬJВОдов, ·мин пайке рыводов ИМС на конта1<тные площадки печаmых плат с неметал­ лизированными отверстиями приве­ дены на рис. 5.1 д - ж. Растекание. припоя по выводам ИМС не должно ~еньшать минимального расстояния от корпуса до места пайки, т. е. быть в пределах зоны, пригодной для монтажа и оговоренной в техниче- паяльником способом ПЭЯJ!ЬНИКОМ способом 280 3 3 3 3 265 2 3 1 1 1 1 5 s 5 s заземления не более 5 Ом). табл. 5.2 приведены рекомендуемы режимы пайки ИМС одножальным и групповым способами. 5.6 . ОСОБЕННОСТИ УСТАНОВКИ ИМС НА ПЕЧАТНУЮ ПЛАТУ ской документации. На торцах выво- При установке ИМС на пеЧатную дов допускается отсутствие припоя. плату должн111 быть приняты все ме- Оборудование и оснастка, применя- ры предосторожности, чтобы защи­ емые при. пайке, должны обеспечи- тить ее корпус от недопустимых де~ вать автоматическое поддержание и формаций, С одной стороны должна контроль температуры расплавленно- быть обеспечена механическая проч­ rо припоя с погрешностью ±S°C при ность, гарантирующая устойчивость к выполнении операции "волной при- механическим нагрузкам, возможным поя", ·поддержание и периодический при эксплуатации изделия, с друfой контроль (через 1- 2 ч) температуры определенная "tибкос;:ть" крепп'е­ жала паяльника с погрешностью ния, чтобы деформация печаmой ±S°C при индивидуальном способе платы не привела к заметным меха­ зыполнения операции пайки ИМС, ническим нагрузкам на корпус ИМС. контроль времени, контактирования Например, "жесткое" крепление ИМG выводов ИМС с жалом паяльника на печаmую плату, имеющую стрелу liли с расплавленным ~;~рипоем при всего в несколько десятых миллимет­ rрупповых методах пайки, а таl\же ра может вызвать растрескивание rер- 1<онтроль расстояния от тела корпуса метизирующих швов корпуса, либо до rраницы припоя по длине выво- деформациJQ дна (толщина которого дов. Жало паялыuпса должно ()ыть 0,1 ...0,2 мм) и отрыв от него подлож- за~мл~о, ·&пере~~"~~~вление , ки или кри~а. "1""•, :,, ·~'·.!..· .
1 а) uuuuuuu 2) i!) ~) ж) Рис . 5.8 . Варианты установки раз.1Ичных корпусов на печатную 1L1ату с мета.;1.;rnзированными отверсmями В большинстве случаев примене­ ния ИМС механическая устойчивость обеспечивается лишь распайкой всех выводов на контактные площадки . Необходимость и способы дополни­ тельного крепления ИМС на плате определяются жесткостью условий эксплуатации аппаратуры, а также массой и габаритами корпуса ИМС. Конструкция платы и компоновка элементов на ней должна обеспечи­ вать эффективный отвод тепла за счет конвекции воздуха или с по­ мощью теплоотводов. Конвекцию обеспечивают установкой корпусов с максимально допустимыми зазорами между плоскостью платы и дном корпуса. Размещение корпусов на пе­ чатной плате должно обеспечить воз­ можность покрытия влагозащитным лаком без попадания его на . места, не подлежащие покрытию, и свобод­ ный доступ к любой ИМС для ее монтажа . С учетом требований обес­ печения целостности корпуса и отво­ да тепла можно предложить следую­ щие рекомендации по установке на печатную плату различных типов имс. 1. ИМС со штырьковыми вывода­ ми (корпуса 151.15 - 4 и 151.15 - 6) це­ лесообразно устанавливать непосред­ сrвенно на металлизированные отвер­ стия с высотой над платой 1+o,s мм : Выводы ИМС Ф>рмовать не следует. Дополнительных l;'~П!!ений не требу- -- -- ,___ _ r'о - «'\ . 2. Более крупные ИМС со штырь­ ковыми выводами (корпуса 151.15 - 2, 151.15 - 3 и "Акация") требуют допол­ нительного крепления. Их приклеи­ вают на изоляцQонные прокладки, например, из материала ДСВ-2-Р-2М ' или АГ-4. Прокладки необходимо же­ стко закрепить на печатной плате, например, мастикой ЛН. Размеры изоляционных прокладок должны быть максимально приближены к , размерам основания ИМС с сохране- нием целостности rермовводов (рис. 5.8 в, г). . 3. ИМС в пластмассовых корпусах с прямоугольными выводами (карпу- . са 201.14 - 3, 201 .16 - 6) устанавливают на печатные платы с односторонним или двухсторонним расположением печаmых проводников в металлизи) рованные отверстия с зазором, кото-, рый обеспечивается конструкцией выводов (рис. 5.8 д). -~ 4. ИМС в · круглых корпусах (кор:, пуса 301.8 -1, 301.12- 1) устанавлива~ ют с отф)рмованными выводами 'с зазором от печатной платы 3+o.s мм (рис. 5.8 е). Если аппаратура подвер­ гается повышенным механическим воздействиям при эксплуатации, то под ИМС необходимо устанавливаТь, lc 11 (] У< прокладку из электроизоляционного се: материала (рис. 5.8 ж) . Прокладка , 1<< должна быть приклеена к плате и основанию ИМС. В простейшем слу- 111 чае ИМС в круглых корпусах можно ~ ",...."я"ппиАЯ-м-. непосоепственно на ме- •
,, " 1' :- . ,, .1 11 к :- в х ,." ~ З.• 'с 114 р­ м rь го ка и у- -10 .е- а} д) о) Рис. 5.9. Способы установки планарных корпусов ~ а) ... 5) Рис. 5.10. Правильная и неправильная установка планар­ ного корпуса на печатную плату таллизированные отверстия без фор­ мовки выводов с зазором от пове.рх­ ffОСТИ платы 1+o,s мм. 5. ИМС с планарными корпусами ·! отформованными выводами (корпу­ сэ 401.14 - 3, 4118.24 - 1) можно уста­ Нdвливать на платы с односторонним 1111и двусторонним расположением ароводников следующим способом: вплотную на печатную плату (рис. 5.9 а), с зазором 0,3 мм (рис. 5.9 б) или вплотную на про­ l<Ладку (рис. 5.9 в). Последующее об- 1юлакивание лаком обеспечивает до­ !Jолнительное крепленние ИМС. При :Установке ИМС в планарных карпу-· сах допускается смещение свободных l<онцов в горизонтальной плоскости в 11ределах ±.0,2 мм для их совмеще­ liия с контактными площадками. В nертикальной плос~и. свободные концы выводов можно перемещать в пределах ±0,4 мм от положения вы­ водов после формовки. · 6 . Приклеивать ИМС к печатным платам рекомендуется клеями ВК-9 (ЩИО.026.400 ТУ), АК-20 (ТУ6 - 10 - 1293 - 72) или мастикой ЛН (ТУ МКЛ.3052 - 55). Оптимальная температура сущки 65±5°С. Прй приклеивании ИМС к печат­ ной плате усилие прижатия не долж­ но превышато 0,08 мкПа. Не допу­ скается приклеивать ИМС клеем или мастикой, нанесенными отдельными точками на ее основание или торцы корпуса. 7. Недопустимо попадание влагоза­ щитного лака УР-231 в зазор меЖду корпусом ИМС и платой (рис. 5.10), так как при п~имер1ра~1ш о:ц ~ч~ t-Мь.f'r ..." 811\._А__ • , 1 1
пуса, отклеивание кристалла или об­ рыв внуrренних соединений ИМС. 8. Во всех случаях при установке ИМС на печатную плату нельзя при­ кладывать усилия, приводящие к их деформации. S. 1. СПОСОБЫ ЗАЩИТЫ ИМС ОТ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ По мере совершенствования техно­ лоmи изrотовления ИМС увеличива­ ется плотность компоновки элемен­ тов на поверхности пластины, что улучшает электрические и функцио­ нальные характеристики ИМС, но одновременно вызывает fнижение до­ пустимых эле1<трических нагрузок и увеличивает чувствительность микро­ схем к разрядам статического элект­ ричества. Анализ отказов ИМС, вышедших из строя в процессе производства и испытаний, показывает, что причи­ ной 40...50 % из них являются элект­ рические перегрузки. Для таких ИМС характерны оплавление, разбрызгива­ ние алюминия и образование 1<орот­ козамкнутых соседних участков ме­ таллизации. Разрывы чаще всего слу­ чаются в наиболее слабых местах то­ коведущих дорожек, имеющих умень­ шение площади поперечного сече­ ния. Причинами электрических перегру­ зо~ являются воздействие на ИМС разрядов статического электричества, возникающих при выПDЛнении раз­ личных технологичесщ операций, или значительные сетевые наводки (из-за плох.ого заземления корпусов приборов и технологического инстру­ мента). Появление статических заря­ дов обусловлено несколькими меха­ низмами генерации и значение этих зарядов зависит от многих факторов. Статические потенциалы (Uст) на поверхности диэлектриков независимо от механизма их генерации всегда оказываются пропорциональными удельным поверхностным сопротив­ лениям материалов (р,). В этом лег­ ко убедиться, анализируя эксперимен- ')1? тальные данные о статических потен­ циалах, возникающих на поверхно­ сти некоторых материалов при отно­ сительной влажности 50 % (табл. 5.3). На рис. 5.11 представлена зависи­ мость статических потенциалов лавса­ на и хлопчатобумажной ткани, широ­ ко используемых для спецодежды производственного персонала, от от­ носительной влажности воздуха. Ана­ лиз данных графиков позволяет сде­ лать выводы, что статические потен­ циалы при низкой относительной влажности воздуха (40 .. .50 %) достига­ ют 3... 10 кВ, статический потенциал лавсана выше, чем хлопчатобумаж- ' ной ткани, и сильно зависит от отно­ сительной влажности воздуха (при влажности 65 % потенциал хлопчато- •· бумажной ткани равен нулю, лавсана : - превышает 3 кВ). При разработке способов защиты: ИМС от воздействия разрядов стати-: ческоrо электричества необходимо учитывать и способность изоляцион­ ных материалов сохранять в течение определенного времени накопленные на их поверхности заряды. За время' ' 10000 "" '\ 1\ ['\ r\ 1 1000 2 100 1 10 so \ Рис. 5.11. ЗависимостЬ статического ала от относительной влажности воздуха хлопчатобумажной ткани и ткани из лавсана .•' ' нс Cli
УдерЖания заряда (ry) принято вре­ мя, в течение которого накоплен­ ный статический потенциал умень­ ша~ в 2...3 раза. В табл. 5.4 приведены эксперимен­ тальные данные об удержании заряда при относительной влажности воздуха 65 %. Время удержания зарядов на поверхности синтетического линолеу­ ма измерялось при меньшей влажно­ сти .~ .60 %. Из· экспериментальной зависимо­ сти, показанной на рис. 5.12, можно сделать вывод, что при увеличении влажности от 40 до 83 % удельное поверхностное сопротивление поливи­ нилхлорида уменьшается на пять по­ рядков. При организации производства ап­ паратуры с применением ИМС необ­ ходимо помнить, что на руках опера­ торов при выполнении различных технологических операций создаются значительные статические потенциа­ лы - от сотен до нескольких тысяч д,ом 106 ..._.....__ __.__......_....:._, 70 Р, о/о JD SD Рис. S.12 . Зависимость удельного поверхност­ ного сопроn~вленu · 110JIНllИНИJlХлорида от отно­ ситепьиой llJlаЖИОСТИ ~ Таблица 5.3 Материал ист, кВ р,,мо"' Винюиаст 1,З".2,8 1,О· 108 Дерево 0,7 1,4-107 Стекло 0,6. "0 ,8 9,6·1а6 Гетинакс 0,45 4,З·lа6 Таблица 5.4 Материал ту, с р,. Ом Бумага 25 (3,3".9,8) ·1011 . Лакированное дерево 1200 1,4·1а3 По.лих.1орвинил- хлорид 7800 1,О· 1014 Органическое 2,2·1015 стекло 9000 Синтетический ,'JИНолеум 12 ООО 4,О· 1014 вольт. Значение и полярность :этих потенциалов зависит от множества факторов, в числе которых относи­ тельная влажность воздуха в помеще­ нии, материалы одежды, покрытия ст.ола, стула, технологического и ис­ пытательного оборудования, степень изоляции оператора от "земли" (мате­ риал обуви и пола) (рис. 5.13). Анализ данных рис. 5.13 показыва­ ет, что при работе в обуви на рези­ новой подошве (кривые 2) статиче­ ский потенциал на руке операторов в 2".2,5 раза выше, чем при рабоТе в - кожаной обуви (кривые 1). Это с.вяза­ но с тем, что сопротивление ~чки обуви на резиновой и кожаной подо­ шве различаются почти на два по­ рядка (сопротивление утечки обуви на резиновой подошве равно l,8· lOS".2,8· 109 Ом, на кожаной - 5,6·106".1,9·107 Ом). Существенно и то, что большие значения статиче­ ских потенциалов на руке оператора соответств)'ют случаю использования на .рабочем месте диэлектриков с по­ вышенным удельным поверхностным сопротивлением.
Uст, В 4-000 1000 600 JOO Ucтt В 1000 600 .JOO 100 10 .90 - 50 Uст,В 600 400 200 2 100 1 2 10 70 р,о/о .JO 50 70 Р, 0/о а) о) Uст,В 1о001--4-----4----1----j ""' 500 t--+---'..-t---т------t . ]00 ___________. . . . . 100 t--+---'~~-т-------t "~ 1 1 1 10 ,__....__.......__.__ _..,j 70 !JO Р, 0/о 50 d} 70 !JO Р, D/0 г) >ис. 5.13 . Зависимость статического потенциа.1а, возникающего на руке оператора при трении о ~ичные материа.1ы, от относительной влажности воз;:~уха при поливинилх.1ори;:~ной поверхности 1а (а}, деревянной, покрытой лако~ (б), тексто.1итовой (в). покрытой стеклом (г). Обувь опе­ Jра на кожаной 1 и резиновой 2 подошве {огда оператор ходит по полу, по­ .пому синтетическим линолеумом, нем также накапливаются заряды 1с. 5.14). Борьба с зарядами стати­ :коrо электричества в производст­ шом процессе должна идти по 'М направлениям: во-первых, необ­ ~имо уменьшать возможности для ерации зарядов статического элек- 1ч~ства и, во-вторых, обеспечивать юд накопленных зарядов с произ­ {ственного и технолоmческого обо- 1ования и операторов. Uст1 В.---........--~-~----~~ 1000 10 ...__.....__....__ _...._ _..______ Р1 °/о 50 70 ., При организации участков произ- 1ства аппаратуры, в которой ис- 1ьзуются ИМС, не рекомендуется flменять отделочные материалы с 1ьшим удельным поверхностным 1ротивлением. Использование для {елки поверхностей производствен­ ~ мебели, полов, испытательного и .нологического оборудования мате- Рис. 5.14. Зависимость статического потенци­ ала на операторе при раз.ТJичной относительной влажности и изо:IЯции от пола. Обувь операто­ ра на кожаной (1) ~ резиновой (2) по;:~ошве 1; 1 ного вре~ риа (1".; ДИ~ ния ства жет анп теш: уде.л ное удер анти ны] ПJ ноле: l<ОПЛ< опер~ выпо ской 1<рыт1 обесп Синт1 облад СКИМJ lIOCТH
1 •. i~··· 10'8.1~-~.--i~r-t--+---+-__ -~__-_---±:----2--~ ," ~.,,,,,,,,. ----- J ., ,/ . ...- / / --- / "Jt!i......__,1-+1f+q~_,,~=f----+--+-:;p,..__- J - 10 I/ / :~ J.'. V'- _ _ _ ............ . 1Q~ ~ .1/ ~~~·:. о 1 3 5 7 t,сутки. ;k~~ Pilti:.i ;..1 .$ . Зависимость удельного поверхнест- ного ~тивления раз:1ичных :материа.1ов от вpeмetlr Рю и после обработю1 их антистатиком :-/": ~·-· риалбk··:с малым Ps не более (1."5)~109 Ом - обеспечивает необхо­ димЬ«о/. условия для быстрого стека­ ния $1рядов статического электри~е­ ства. ,АЛя покрытия поверхностей мо_:­ жет ~ рекомендован специальным антис;аmческий линолеум. Сравни­ тель• электрические параметры - удел.ЫJое поверхностное (р5) и объем­ ное · (оу) сопротивление и время удержания заряда (r ) - обычного и антистатического лиhолеума приведе­ ны в табл. 5.5. Применение антистатичес:кого ли­ нолеума · исключает возможность на­ копления статических зарядов на операторе: контакт руки оператора до выполнения очередной технолоmче­ ской операции . с поверхностью, по­ крытой антистатическим линолеумом, обеспечивает стекание заряда за 1 с. Синтетическое покрытие 11.2.Э - С.5 обладает еще лучши~и антистатиче­ скими свойствами. Удельное поверх­ IIостное сопротивление материала Таблица 5.5 Параметр Обычный Антистат11чес- Удельное поверх­ ностное сопротив- линолеум кнй линоле)71't1 ление Р" Ом 4,0 ·1014 5,0 ·109 Объемное сопротив- ление Pv• Ом· см 5.9 ·1017 2,4·109 Время удержанил заряда ту 12 ООО 0,5 равно 106 Ом. Применение такого материала обеспечивает полное сня­ тие статических зарядов, так как вре­ мя стекания зарядов с человека со­ ставит всего 2 · 10-4 с. В качестве одного из методов сни­ жения удельного поверхностного со­ противления покрытий рекомендует­ ся применять поверхностно-активные вещества, например, антистатическую пасту "Чародейка" (ТУ 6.15.604 - 71), которую наносят тонким слоем на рабочие диэлектрические поверхности столов, испытательного и технолоm­ ческоrо оборудования и приспособле­ ний, тары для хранения ИМС и сбо­ рочных единиц и используют для протирки пwiов и при стирке хлоп­ чатобумажных чехлов для производ­ ственнQй мебели. Антистатические свойства пасты во времени хара:кте­ ризуются экспериментальными дан­ ными (рис. 5.15). Сплоruной линией на рисунке показаны зависим<?Сть д<? обработки материалов пастой "Чаро­ дейка", штриховой - после. Возрастание поверхностного сопро­ тивления обработанной поверхности во времени объясняется естествен­ ным усыханием и старением пасты, а также стиранием ее при работе. Сопротивление возрастает на порядок за 10".15 дней, поэтому периодич· ность нанесения пасты должна опре­ деляться из конкретных условий про­ изводства. Как в случае применения антистатического линолеума, так и поверхностно-активных веществ для· стекания зарядов необходимо обеспе-
чить хороший электрический контакт одной-двух точек обработанной повер­ хности (площадь контакта не менее 1 см2) с "землей". . Чтобы снизить поверхностное со­ противление покрытий на рабочем месте операторов, рекомендуется обеспеч1;1вать максимально возмож­ ную относительную влажность в про- , изводственных помещениях (удовлет­ ворительный результат может быть достиmут при влажности 65 ...70 %). Для изготовления межоперацион­ ной тары рекомендуется использовать материалы с поверхностным сопро­ mвлением 106... 1<>8 Ом. Материал та­ ры может быть покрыт токопроводя­ щей алюминиевой краской. Слой ее не препятствует стеканию зарядов, так как имеет невысокое Ps· Должен быть обеспечен непрерыв­ ный контакт оператора с "землей" с помощью специального антистатиче­ ского браслета, соединенного через высоковольтный резистор (например, '1 1 1'1 1 .1 i 'lfi..I 1•• типа IOIB 11а 10 кВ). Однако надо учесть, что применение антистатиче­ ского браслета эффективно лишь в том случае, если рабочее место, тара и приспособления выполнены с при­ менением материалов с малым по­ верхностным сопротивлением, исклю­ чающим накопление на них зарядов стаmЧеского электричества (с учетом отвода заряда с помощью заземле­ ния). В противном случае вероят­ ность повреждения ИМС велика. Действительно, заряды статического , электричества, накопленные на высо­ коомной поверхносm, например, на ме.жоперационной таре, могут создать потенциал до нескольких тысяч вольт как на самой таре, так и на находящейся в ней ИМС. В момент контакта оператора с ИМС при пали- .· чии цепи прохождения тока ИМС - оператор - "земля" импульс разряд- : ноrо тока . может вызвать отказ мик- · росхемы. ' " ''
адо 1че­ , в rapa 1ри- по­ :лю­ IДОВ :том .tле­ оят­ ика. кого ' ысо- на дать IСЯЧ на lfент али-.· .ряд-: мик-. '' Приложение 1. Конструкции и чертежи корпусов анало интегра.1ьных микросхем для бытовой ра;щоаппаратуры ~ >< ~ ~ ~-~O;:::;:;==i===~..::o:I.~ 19,Smax r,!!:~~:::;:=!:::!!:!::!:~~-Т,N <::;' +1 ~ ~ ~ 1-!;;::;:;;;:;;:;;:;:=:::l:=::;::;:=::::;::;=!i._.L~... 19i~max .1. 201. 9-1 (nOAu мерный) 201. 12 -1 (подимерныii.}
201. 11/- 1 201. 11/ -12_ (пмимtрныи) 1 ·' '\1\ '4 1 .1 j.~ , ,-,
o,S9max ( f48tJ18oдo6) ,-, ,. ,'1 1{1 'i1 . О,Збmах ' 201. f'l-10 (металлокерамическиii) 201. fб-б
1,2 тах 0 _J ~· 1 .~' ~ ~,~ 1.·, . ~ i/I ' 0,32max ," 1тJ 201 . 16-fJ (,.,1та AЛOl<lfJOJttl/Ч«ICUU) f9,2max 2от6 fJJ,2 ~O,tl 2J8. 12-1 )' • ,, ,; ' ~1 f••1
1\ " \ 1 1< ,, . ,·, . .,, ~- ,. 1 /•, ~ O,Smo.x ( f6&n6oilo6) • O,Jlf .maк j ~ 238.16- f 238. f6-2 2f,Smaк (полимернь1u) 1 лl 1;\ '71 ' . '.~. ---~' "it )( . flЗ4max ~ ' ~ 7,51 ::t-" ~ 19,Smax . 238.16 -5" (п0Аимернь1й) ' 1 ,:: 1 -Dfl,
/ 1 28max ~. О 59тах (188ь16одо6) 22max 1,Sma'JI: ~5тах (18быбооо6) 22тах 222. '" 'l. ~Отах 3,,9 тах 0)3Smax 12Smax 1 1 1 1 ~-i 238. 18-1 · (металлокерамическ11i1) ,'1 /·. t/} О,35тах 238.18-3 (nОАимерныu) ~J ."
~J ~9тах 1 1.5тах ' 13 ----L·-·-· ' 1 З~Sтах 13 §j . )( ~.... "' ФО,Smах(128ь18одо6) JOf.8 -2 (металлостеклянныli) )( t::s е:: ~ ~' -Ключ 0.9 тах ' - ' 11-----,, 1 ,\ t/' '\i 0,3 тах IE~ 239.24 -f 239. 2l/. -2 239. 2(/. -б 239. 2l/. - 7 (полимерныЦ )·· Ф8,Sтах Ф ~S"max (12 !ы5одо8) 301, 12- f (метал.лостекляннь1й)
/ 128тах ~. О 59тах (188ыВодоВ) 22max 1,S"ma'J< О/Гтах (18бь1бо80В) 22тах 222 -, '~-_' -""· . ~Отах 1 2Smax 238.18-1 1 1 1 1 (металлокерамически.u) ,'1 /•' {// 0,35max 238.18-3 (полимерный) '•' •:' ',•
fJ,9max 1 0,5 тах (2ц. бы8о8а) ' 13 --.-L·-·-· ' 1 31,Smax . '< ~.... "' ФO,Smax (128ь18ооо6) 301.8-2 (метамостекляннь1ii) ' ' ~·1'----1--1---' l 1 1 ,\ !Г ·i.1 0,3 тах 239. 2l/. - f 239. 2l/. -2 239. 2'1- -б 239. 2l/. - 7 (полимерныЦ)~ Ф8,Sтах )( ~~ :::!- ~.... С\/ 1 Ф ~S"max ( 12 !ыВо8о8) 301, 12-1 (метал.лостеклянный) . ''~ .. "" .'...;_
!jс:)' . - - - ... . ~7Smtzx А ( J J .... .... 1. s 8 17 1 -~-~- 14 1 i 6,Smax 16max 1 ~2тах 1 е R0,125 9 > ) .... . - --- . . ~1 ... )( . - " ~ ~ - - \С!) .... :~" .... ~ х1О ... - .... / lц.,Sтin 1 ключ ."" 1/-01. fl/- - //. (металлостеКЛ11ннь1й) ,.... ..... ~ 1 <$'" ~" !+1 .., ~ ~26-~06 1101Ю. 7-1 " 1 ), ,,1 ' 1 1 1 1 1 ·\
t· ~~ 1;1:' /' 1 21.Smax j 1 1 ----~·-· \1 1 ·\ 1,S. 2 ' . /. 6 6ы6оi1о6 O,S-o,1zl 7x/2,s/=§ "j 1102.д-1 1S,7S±D,3 22,S±0,3 1so1ю.s-1 225 ") .'
1,5 тах ' ,, 1. :и~'·' ,~, . 1·' ц.' O,Jmax · 1,2mar t,Sma,x - 21,S 'max 2101.8 -1 (полимерныii) §]' 2103.16 -9 (поли_мерно1ii) 1 1 'i "·
"i ', 1' '1 ·' •, • '1. I,' ,'г i'' ~ ~· 0.SmtJx (12&1 ~ 22mt1x ~ j.., гх[0=[2~~ 0,59 тах (166ы8fJIJo6) i... . J 21011. 12-1 (полимернь1й) 1 1./ 1., . l/1 1 f1 О.3так 2101f..18 -3 (полимерный)
.- 2f()fl.. ftl-б ;-· 7..1() 11'
i J1max •> • 2120. 2q-3 (полимернь1i1.) 21гd. 2•-~· - (nDAU!WepHb/U) ',. .~. •,_ ~.',
/ п.5 2120. 2q-5 2121. 28 -12 232 i" (,.. ' :.- ·• "~. •1 ,,1
q2i3-o,2 f,S-o,~ t· "- -. -jJ · 0,3-oog ~+ ·~ .~ · ;1412sвLJ_W '~~~;;:=--==-~ч-~-- :1· - • rm. -оЕ "1 36-o,s- 2121. 29 -1 Е*· f.J:f 1 225тах ~ 1 1 --· 1 ~· ~· ['- , 1о ·- 1 - . 11 . . ·-· ffi] ~-t· L- . .... )( 11") . . ------ - . 1 ...... ' --- C\J . . .... [\..''" )( 1- 8,Smin 1' t:I Зона ключа ~с:::." <:с;) <€: -8 IJ.153. 12-1 :о . (полимернь1и)
. --· -t -· , -- 3q.s 4 ~1 min MOl/-. 10-1 -~ . .е;..• ..... · i:::s"7,2max ФО4.16-1 (поли мерный) 0,25min .· i' пJ) их: Ус.10 . имс ; ИМС имс 1 ' 1 ИМС имс имс ИМС имс ИМС ИМС ~мс с. имс ~ ИМС имс с. j Имс , имс 1 имс
П р и .1 о :ж е и и е 2. Указатедь анадоrовых интеrра.1ьных микросхем и их зарубежных ана.1оrов Ус.1овное обо1начею1е м11кросхе~1ы Серия К/57 ИМС К157ДА1 ' имс К157УД1 ; имс К157Уд2 ' 1 ИМС 157УП1А.Б ИМС Кl57УП2А.Б ИМС К157УН1АБ ИМС К157УЛ1АБ ИМС К157ХП1 ИМС К157ХП2 ИМС К157ХПЗ ИМС К1S7ХА1А.Б ИМС К1S7ХА2 ~мс юs7ХАЗ Серия К/71 ИМС К171УВ1А.Б ИМС К171УВ2 ИМС К171УР1 Серия К/74 Имс К174УН3 ИМС К174УН4А.Б ИМС Ю74УН5 '· ·" 1...., " , · " · : AoL.<l~:bl..., ~, Таблица П2.1 Фуикщ1она.1ЬНОС назначенttе Двухкана.1ьный двухпо.1упериодный среднего значения сиrна.1ов " 1 - ~(' " ОпераLUЮнный уси.1ите.1ь средней мощности Двухкана.1ьныif операционн1>1й уси.'1Итель Двухкана.1ьи1>1А микрофонный уси.•1итс11ь с .!UIYX · каиа.01ьным предварите.'lьным уси.1ИТелем записи Двухкана.1ьный wикрофонный уси.1ите.'lь с двух­ канальным предВJриrельным уси.'IИ'fе.'!ем записи Уси.1ите.1ь низкой частоты Двухкана.1ьный предварите.1ьный уси.1Ите.1ь восп­ роизведения Двухкана.1ьное пороговое устроЙС'J'ВО управ.1ения приборами ИtL1ИКацJВ1 пиковых уровней записи с выпрямите.'lем д.1Я системы АРУЗ Стабилизатор напряжения с ",ектронным управ­ лением и э.1ементы генератора токов cтиpa!QIJI и подмагничивания ДинамическЩ\ щумопонижаlОUD!Й фи.1ьтр УСИJ1ите.1ь высQкой частоты с прсобразовате.1ем }'си.:~ите.1ь проМежуточной частоты с, АРУ Схема уnравлеии.я бес1окrактным двигате.1Jем д.'18 кассетных магнитофон0в . · Широкопо.юсный реrу.1Ируемый ус:к~mте.'IЬ Вю~еоусилитель ЗарубсжныR аналог SL610 InA733 Усилите.1ь промежуточной частоты с э.1ектрон- SLSOl ной регулировкой ус:и.1ения Предварюе.1ьныА ус:и.1ИТель ниэкой частоты Yc:и.·urrc:u. НИ31СоЙ частоты с выходной мощно­ стью 1.4 Вт УСИJ1ИТе..1Ь НИ31Сой частоты с выходной мощно­ с:тыо 2 Вт Номер черте· жа корпуса (страи1ща справочншса) 3 (с:. 90) 1 (с:.. 74) з (е. 11> 3 (с:. 84) 3 (с:. 84) 3 (с. 88) 3 (с. 81) 3 (с. 94) \,, '' ·· ... \ :} 15 (c'\;':t,21) 15 (с:. ·42>~ 1S (с:. 1Ц}" ,)' ~W} 8 (с. 18) 1 (с. 20) 8 (с: 24)
имс К174УН7 ИМС К174УН8 ИМС К174УН9А.Б ИМС К174УН10А.Б имс К174УН11 имс К174УН12 им.с К174УН13 имс К174УН14 ИМС IШ4УН15 ИМС КФ174УН17 ИМС Kl 74УН18 ИМС К174УН19 ИМС К174КП1 имс К174УР3 ИМС К174УР7 имс К174АХ2 ИМС К174ХАЗА.Б ИМС К174ХА4 ИМС I074XAS f'IMC Кl74ХА6 w Ус~ ~ой частоты с выходиоii мощно- А210К. стью 4.S Вт ТВА-810 ТВА-810S r• ))f УСИ1JИТеJ1ь низкой частоrw с вwходноА мощио- стыо 2' 'Jtf '" 1 ' 1 ' Усилите.1ь низкой частоты с выxOJUIOi wощно- ТСА-940 стью ~ Вт "'-' • ,.. r ,, Двухканапьный элсктроННЪlй pery.uтop тембре ТСА-740А Усилкrет. низкой частоты с выходной моЩJtО- ТDА-2020 стью 1S Вт Двухканальный электронный реrумтор громко- ТСА- 730А сти и баланса YcиnclUIC записи с АРУ и прсдмрителwюе ycllJIC- ТDА-1002 IUIC IЮСПроиэведеНИll звука УсИJJИТС.'IЬ низкоi частоты с тcWJOllOi и ТОIСоеоА ТDА·2003 эаЩlll'ОЙ Двухканальный уаwпе.'11> Н1131ЮА частотw с w· ТDА-2004 ходноА мощностью на KaИllJJ 9 Вт Двухканальнwй yCКllН'1'CJJЬ НIDКоА частотw с 11Ы- ТDА·7688 ходом на стсреотслефоны Двухкана.пWIЫй у~ llН:il'oi частотw д..111 AN-7145 nepcиoctIOA аппаратурw (AN-7146) УСИJDП'С.11Ь низкой частоТы с НОNИКаJJыюl 1DА·20ЭО вwходноl ыощиостыо 15 Вт Аиаяоrо1wй дayuaнaлwtWI nepe1CJ1Dvre.iu. на '1О- ТDА-1029 тwре входа и ОJ1НН 11а1ХОд 1 IWIUIOм IC4IWle YCИllJl'J'eJJь промсжуточиоl Частоты эаука, 'llСТОТ- ныА детектор, npeдвaJlllТCJIЬllWI yCНJllПCJJЬ Н113Коl частоты М..росхсwа Jr.U у~ • '18С- ТСА·7?0 ТО111О1"О ЧМ Clll1l8Jll ИнтcrpaJJЫWI мнкросхема тр8КТО8 AJd llpИcN181- ТСА--440 ков Интсrра.'IЫWI wнкросхсма фaЭOllOi а1тооо.астроа.. N&S61 кн частотw Интегральная NИКросхсwа дJIJI ЧМ тракта р1J1Ио- ТDА-1047 всщаюur Интсгрlщ.ная wикросхсма дм yC11J1ellll8. О1"р11111- ТDА-1047 чени.11 и детсктироN.Иllll ЧМ С11П1аJ1а \Е:Е2. 8 (с. 25) 1 (с. 28) 24 (с. 30) } 9(с.33) 3 (с. 38) 9 (с. 42) 9 (с. 107) 19 (с. 4S) 20 (с. 47) 3S (с.• Sl) 21 (с.SЗ) 19 (с. ~) 9 (С. 59) 3(с.124)' ) 9(с.129)! ' 9 (с. 13.S) :. 9 (с. 111) 7 (с. 150) 11 (с. ·153) , u (с. 157)
---, (с. 25) 28) :. 30) 33) 38) 42) 107) :. 4S) :. 47) ·.• Sl) :.SЗ) .~) 59) 11.4) ' ) 129) ! 135) t. 111) LSO) '· 153) ' 157) Условное обозиачею1е м11кросхемы ИМС К174ХА7 ИМС К174ХА10 ИМС К174ХА12 ИМС Ю74ХА14 ИМС К174ХА15 ИМС К174ХА19 ИМС К174ПС1 ИМС КФ174ПС1 Серия К/75 ИМС К175УВ1АБ ИМС Ю75УВ2А,Б ИМС К175УВЗАБ имс К175УВ4 имс 'К175ДА1 ИМС К175ПК1 Серия I02.S ИМС К525ПС1А.Б ИМС КS~ПС2А.Б Серия IOJ8 ИМС КSЭ8УН1А.В имс К538УН3 ИМС К538УНЗАБ Серия Ю4'7 ИМС К547КП1 Серия Ю48 ИМС К548УН1АБ ИМС КS48УН3 'i),i~ '1 Функц11оиадьное назначен11е Многофазный перемножитель сиrnа.1ов l!t.'Тя вЬЩе­ ления одной боковой по.1осы Зарубежный Ut&llOI' Однокриста.1ьный радиоприемник IV класса ffiA-1083 l!NI• . Интеrр<i.'lьная микросхема фазовой автоподст_рой- NE-561 ки частоты с замкнутым контуром обратной свя- 3И " ' Стереодекодер системы с пмярной мoдy.uiut~й ИС N .!J:d1 uH1,, Интегральная МИ/(росхема для УКВ-блока ffiA-1062 Стабk'IИ3"тор упрамяющего напряжения настрой- ки Двойной балансный смесите.1ь до 200 МГц Двойной ба.1ансный смесите.ТJь до 200 МГц Широкополосный уси.'IИТе.Т\Ь Уииверсадьная уси.ТJите.;~ьная схема · Экономичная усилите.ТJьная схема 5042 S042 Уси.ТJИТе.ТJь-преобразовате.Т\Ь высокой частоты СА-3028 Детектор АМ сиrnа.ТJов и детектор АРУ с УПТ Регенеративный аналоговый де.1итель частоты Аналоговый перемножите.Т\Ь сиmалов среднего MC-1S9S масса точности (преобразоватмь спектров) Четырехквадрантный ана.1оговый перемножите.1ь 530 сиrnалов Малошумящий предварительный уси..1ите.1ь низ- LM-382 кой частоты Ма.ТJошумящий предварительный уси.'IИТе.'IЬ низ­ кой частоты с напряжением шумов на входе 5 мВ/Гц Переключате.'lь анмоговык сигнцов Сдвоенный ммошумяший предварительный уси- LM-381 литС:.ТJь низкой частоты Спе1U1ЗЛИзированная интеrра.ТJьная микросхема ддя. LC-506 11Ысокока.чественных сдуховых аппаратов 7 (с. 159) 9 (с. 160) 9 (с. 165) 30 (с. 170] 9 (с. 173) 23 (с. 178' 3 (с. 130) 34 (с. lЭIJ 16 '(с. 18' rl6 (с. 181 16 (с. lВ.:: 16 (с. 18' 16 (с. 18: 16 (с. 18: 3 (с. 187 3 (с. 19'1 14(с.~ 22 (с. 6: 3(с:11 3 (с.~ 33 (с.
Номер черте· Ус~,овное обозначение •шкросхе:о.u.1 . Функционал"ное назначение 1 r..ь'I 1~,·;11; l .. Зарубежный аналог жа корпуса (Сiраннца справочника) ;1"-·~н пс , , T(.j)i Серия КРJОО.5 ИМС КР1005ХА8А,Б Мноrофуик~альная подстройки '-'iat.lroты с ления ГУН -:~:;-..л микросхема фазовой авто­ разомкнутой цепью управ- XR-200 30 (с. 192) •.11t11qт " .." .~!!IJ<\}I Серия КPJOJ.5 ИМС KPaOlIO(:IC И1«те~I микросхема упрамения .- ' настр11йКJ11~nриемяь~х· устройств частотой МР02819с ' 25 (~. 197) ' . ~-. ~ f, .~(-,' ., сnисок ЛИТЕРАТУРЫ 1. Атаеа д. И.. Бо.;юtни~с\'ИI в. А. Фущщи­ ональные уЗJ1ы уск111Пелей вЬ14ококачественноrо звуковоспроизведении.· М.: Радио и связь, 1989. 144 с.: ил. (Массtlвая радиобиблиотека. Вып. 1140). ,~ '2. Аналоrовые интеrральные микросхемы: СnраЩ)ЧНИК /Б. П. Кудряшов. Ю. В. Назаров, Б. В. Тарабрин, В. А. УlШ!бышев. ~.: Радио и связь, 1981. 3. Аналоговые и цифровые интсrральные микросхемы. Справочное пособие /С. В. Яку­ бовский, Н. А. Барканов, Л. И. Ниссельсон и др.; Под ред. С. В. Якубовского. 2-с изд., пере­ раб. и доп. ~.: Радио и связь, 1985. 432 с. 4. Горошков Б. И. Элементы радиоэлект­ ронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1988. 5. Ииrеrрадьные схемы. Каталог. М.: ЦНИJ:f Электроника. Вып. 1 - б. 6. гост 11021 - 75 . МиКросхемы интеrра.щ•• н1:-1е. Термины и определеНW1. 7. ОСТ 11.073 .915 - 80 . Михросхемы ра.1ьяые. · Классифихация и система обозяачений. 8. Гост 19480 - 74 . Михросхемы интеrр ные. Термины. опредмения и буквенные обо начения. 9. ГОСТ 17467 - 79 . Микросхемы интегрм ные. Основные размеры. 10. Радиоежеrодник - 86 / Сост. А. В. Го ховский. М.: ДОСААФ, 1986. 144.с. С. 119-14 11. Лукы~нов д. Измерите,,1и уровня с ла на ИС К157дА1 // Радио. 1985. No с. 31-33. 12. Все о микросхеме К157ХП3 /В. В. AнJ,f рианов, r. П. Апреленко, А. И. Рwбалко, о. Ф. Таrоня // Радио. 1985. No 11. с. 33 - 36. 13. Бурмистров Ю., Шацров А. ПримеНО" иие михросхемы К548УН1 / / Радио. 1981. No 9: с. 34-35. ' ' Пр r: r r
ка) ~2) .97) Ан1:1 IЛКО, 16. IСНО" ~9: ОГЛАВЛЕНИЕ Прецисловие....""........"."""."".." ......" ...""".. "........."."".3 r . '1 а в а 1. Общие cвe~eHIUI об ана.1оrо- вых интеrра.1ьных :11иr;росхеиах .......................... 4 1.1 . Аналоговая интеrра.1ьная микросхема -. основа завершенного функuиона.1ь­ ноrо уз..1а бытовой ра;~,иоэ.1ектронной аппаратуры........""..." ........" ................." .............. 4 1.2 . К.1ассификаUW1 ана.1оrовых интеrра.1ь- ных микросхем ..................................................... 6 1.3. Система ус.1овных обозначений ана.10- rовых интеrра.1ьных микросхе:11..................... 7 1.4 . ТИповые корпуса ана.1оrовых интег- ра.1ьных микросхе!\1............." .............................. 9 1.S. Ус..1овия экс1L1уатации ана.1оrовых ин- теrра.1ьных микросхем ..................................... 17 Г л а в а 2. Интеrра.1ьные миr;росхемы ;uя 3вуковоспрои3во;~ящей аппараtуры ......... 18 2.1 . Серия Kl74 ........................................................... 18 2.2. Серl'!И К538. КР538 ............................................61 2.3. Серия 1\548........." ...""......................".".............. 66 Г ,1 а·в а 3. Интеrра.1ьные михросхемы Д.1Я аппаратуры :118fНИ1110Й 3аПИСИ •• ""•.•• •••••••• 73 3.1. Серия К157 ................." ................." ..................... 73 3,2. Серия Kl74 ............................................. " . . .. . . . . . . 1 07 3.3. Серия К547 .........................................................111 l· ..а. .. r .1 а в а 4. Интеrра.1ьные миr;росхемы д.1я раз.иоr1р_иемl!QЙ аппаратуры .......... " . .. . . .. . . . 1 17 4.1.Серия К157 ..................................................... " .. 1 17 4.2. Серия Kl71 ................. " ...............".".................. 121 4.3. Серия il'1t7i4•.,.."." .. ""." ............ "."."" ........•."." .. 123 4.4. Серия ~~~ •1.,",•• " •.•••••••••••••• "."•••••••••••• " •• " ••••••• 180 4.5. Серия К52S:°':.~.f .." .." ... " ......"".."".""..."".".."187 4.6. Серия 'КР1005 .............""•...•....."•........ """...." .. 192 4.7. Серия KP1015..................." .............." ........ .'.... .""l91 Г ,1 а В а 51 В8хQМЦ;UЩИИ ПО npll~He<i нию аиа.wRЩЫХАнJ1нтеrра.1ьных миr;ро- ' cxe!tf д.;111 быrовой раз.иоаппаратуры."."""""200 5.1. Общие по.1ожения""""""""."" ... " .. " "" ." .. " ... 2ОО 5.2 . Допо.1ниrе.1ьные испытания ИМС при изrотов.1еЮfИ РЭА".""""" .. "".. """""". ".""". 201 5.3. Внешние воздействия на ИМС щж производстве РЭА.".."""""........" .." .." ......." ..202 5.4 . Формовка и обрезка вывод<>. имс" .. ".. 204 5.S. Лужение и пайка вьuю;~ов ИМС"" ... ".""206 5.6. Особенности установки ИМС на пе- чатную IL'laтy:"".." ....."","""".. " ..,..."."........".209 5.7. Способы защиты ИМС от э.1сктричс- ских воздействий " ..•.........".".":.................".".212 При.1ожение 1. Конструr;ции и чертежи корпусов ана.1оrовых интеr­ ра.1ЬJ1ых :11икросхем д..1я бы­ товой ра;\иоаnпаратуры """" ." " . 217 При.1ожекис 2. Указате.:~ь аиалоrовых интеr­ ра.1ьных иихросхем 11 их зарубежных аиа.1оrов••• ".".""-23S Сnис<Ж ;~иrературы"".. " .. """.. " ......... " .. "."""" .. "."."238 r-: • '',!!!
Сп равочНИ& А гаев Дж.ав.аншир Исмаил Оглы Болотников Владимир Александрович Ана.1юrоsые интеrра.аьные wиJ~::росхем.ы д;1S1 бwтооой pa;J.N.oanпapa туры Ре.з.актор АЛ. Цunt~iao 1 TexfUIЧCCJGIЙ рс,<аХтор Н. Н. Хотрево. Коррект01' В. В. Со..асСNoа ИБ 1\0 23 H.1&Jp w верtтка IШJЮllЖ!НЫ jja коошwотерц ~те:~.сп.а МЭИ Oncprtopw М. С. H(NoJ.1'hв/J, Е Б. Ух.~ Подnис.а11О • !Jе'IИЬ с optnUWlli~S 20.03 .91 Форwат 70Xl00/16 Бумага офссrиu Nr 2 Гарвтура Tahc Печать~ YG)I. П\N. .& . 19,J.5 Усл Iр.-ОТТ. 19,д Уч.-llЗД. л 15,bll Доп. ntpa;& 1О ООО •s. ~ 9'26. Цека 11 р. Издате.118С'tWО МЭИ 105835, Мое.ква, f'GП, Е-205, 6(.р~м;:моцзармеU1;UU1 y,w .., д. 14 Т11по~а No 4 ГосударствеНJЮЙ ассn11щmим 11~11, 0111 ·ан;1знцнИ и о6ъеД1tНеннi1 nолшl)Афмчеа.;ой пр0м.ьuw~еюю.."'Т11 .лспол" : 129().4\, Мосх.а, Б. ~· Jllч ..Ц. . "l '' •~ ' ,.,~ ;.'\l-:.i\ _, . - " ...... ;,t...:i,.. "rii.J .,. ... ~iiт...J.A:.<.:...~o:+~;
11 Р· ГОСУДАРСТВЕННАЯ ИffiIОВАЦИОННАЯ ФИРМА . ''СОЦИННОВАЦИЯ" О(:УЩЕСТ8ЛПТ ·~к : рэ зраоо1·ч· ,1 l\fe;Jf)'e~ a&ilнr.apmыx см~::теч. н фор~ работы оо ссl"ttт- 11енн о -.. у o iдOpo~ltIOO че..1овека . эдороеому ое)рв:rу JКlr3fllC. л еааГОПD1е 11 в.осnи­ nни~о. охрзке 011:руж .~ ющей среды. с~у лрае1оvро11аt1ию . техно.1оntА~ 1-АСПОJIАГАЕТ ПРОВО.11.ИТ ПРЕд.111'-ГАЕТ ДЛК ИАЛЫХ rwi:.1нnaиvтиR ГAPAlfПlpytt BHE.ll,PU:Т Проюю.а стм C тpotffe .lWl\o.IX 'Jllll'e(JWIЛOIL. lo&WllCИ . ~ 14 пряборое • по l!llCC\f н.anpu.1eн1tJ1\I 11Сяiс..1ЫI0Стн ~~~ c lUfIOt материала- . ' 1." ' ' '>fК. 'ГC~ IIO.l(flU\4\j . ' 00ору.108аtа1СИ · • n p»,lt!Ч« 181е за нxrnJI. .-он<.-у ;-ПJ:l,НIL Jle&LllW • сотру.з.ничесnо со ~е No\. кто стреМ11ТСJ1 11; c'lllCТ.~ 11Шэнн 1 ФИРМА •• СОЦИННОВАЦИЯ ." ·~а~ 11pakтм~oft. !«ro;wчttl.OИ lf No)"IЖ>Й 11ОNО1.Ц15 11 ~ •<>pra111tJ3oUИ,!! :Jффе1н1ФИ0rо и ~ltOf'O X OЗJIЙCтaotWIИll "тю.]l"(YtUflКa ka))p011 сяе~ ФИРМА " СОЦИННОВАЦИЯ " ''. . •ФЩЦ м.мl~ ~ теХ11t1;юmМ: nре эеито~~ tIOSЫX разvаJ!lопж на ВДНХ. теле~ ...._ а фeJIC<'fJl•J. ...OCo l!IJit ~(]~ • ПOllCll. от6ор. .JI(~ ртюа i 11 аукЦIЮt! мдеА. выстаи:R. ceblJIШ ры "Вашу ~.аа:СМ~1Ыlую nри&ыъ ni;tt ~'Jbltblx заrратах ·~'! ~~ ---~~ ~ reJtlIOJIOПIИ 11 оборуд~ ПО Пpotf:J80illtТI! ~lbl!Ьll.'.'ilai.l;!pМa.'IOll IU ОТХОЗОI\ ·~ тt:l.ВЬ.10ПiИ пQ теNo~е 1а0ровоrо обрюа *1f11W4 ·~ 111 ~ уннка!\Ыiый nyn. рц .111'61 Баш е к ~роду к~. • ~зра,'\(Угок - а:~нй путь 11. устаltОО.'КНМIО nр.1ш.1х свя зе й с cmicтckМNof i. ~.иwми 1\арт!iер&wм 'j .,, Щ:ЛИ .flbl ЖЕ.ЛАЕТЕ ЗАНЯТЪСА: НЕ ТОЛЬКО БИЗНЕСОМ. '; НО 'JI PE.AJJH3.ЦUEЙ НОВЫХ. ИДЕЙ, ·' «СОЦИННОВАЦИR», мьt ЖД~М ВАС! '.: 1 06рQщанt~ nР<Хи.м по адрсiу: i~μ. ~осщ. вднх се~• • ~1 ...IQи,we "JeDIJW(" .' . "~" 1 .". .~ ~
ЛА наJ13· .' ~l>!Ule- па 'lf • 1No( " ",1 '' .,, ~м. ,, :~1 '.:(_, ~, 1~~ ' ·- ~ " :\J ~'i1 ·:, L .Ji',),-., ,\. t ..- .