/
Tags: электроника электротехника
Similar
Text
АНАЛИЗАТОРЫ СПЕКТРА
С4-27, С4-28
ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ
И ИНСТРУКЦИЯ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ
ЕЭО. 140.008 ТО
ЧАСТЬ II
(ПРИЛОЖЕНИЯ)
СОДЬРЖАНИЬ
Часть 2
Приложение 1. Схемы электрические принципиальные
с перечнями элементов 3
Блок СВЧ 7
Блок гетеродинов 9
Усилитель промежуточной частоты 11
Блок питания блока СВЧ 15
Анализатор спектра ПЧ 18
Преобразователь 20
Модулятор 24
Фильтр кварцевый 26
Аттенюатор отсчетный 29
Усилитель промежуточной частоты 32
Усилитель операционный 34
Усилитель подсвета 36
Блок развертки 36
Генератор 160 МГц 40
Калибратор 42
Блок питания 45
Фильтр питания 4$
Синхронизатор 49
Блок фазового детектора 51
Блок опорного сигнала 56
Генератор 2,5 МГц ......................................... 59
Блок генератора гармоник 61
влок питания синхронизатора . . . 63
Приложение 2. Планы размещения электрических э.тсме|Ыэп
основных блоков прибора 65
Приложение 3. Таблицы режимов 195
Приложение 4. Намоточные данные ... 114
ПРИЛОЖЕНИЯ
Приложение 1
Схемы электрические принципиальные с перечнями элементов
ВНИМАНИЕ!
В приборе могут быть установлены комплектующие изде-
лия других типов и номинальных значений, не влияющие на
технические данные прибора.
Анализатор спектра С4-27
Перечень элементов
Поз. обознач. Наименование и тип Кол. Прпмеч.
Ш1, Ш5 Вилка ВД1 2
Ш2, Ш6 Вставка ШР16П2НШ5 2
ШЗ, Ш4 Вилка 2
У1 Анализатор спектра ПЧ С4-27 1
У2 Блок СВЧ С4-27 1
Рис. 2. Анализатор спектра С4-28.
Схема электрическая принципиальная.
6
Блок СВЧ
Перечень элементов
• — ?' ; Поз. обознач. Наименование и тип Кол. Примем.
R1 R2 ’ Л1, Л2 • Д1, Д2 ЖВ1 >К.Л ’ ‘Ш2, ШЗ •Щ14 F ; III7- Ш29 - JLII3O П131 Ш32 ШЗЗ Ш34 Резистор ОМЛТ-0,25-56 Ом+10% Резистор СП4-11а-'1О кОм-А-20 Лампа МН 13,5-0jl6-il Диод полупроводниковый Д237Б Тумблер ТЗ Индикатор вертикальный М4248 50-0-50 кл. 2,5 Клемма Розетка приборно-кабельная CP-50-272 С Вилка СР-50-141 Ф Вилка Розетка Розетка приборно-кабельная CP-50-272 С Вилка Розетка —»— РП10-11 Вилка РП10-7 -»— РШ2Н-1-18 —»— РП10-15 1 1 2 2 1 1 1 1 2 1 1 1 23 1 1 1 1 1
У1, У4 Аттенюатор 2
R1 R2 R3 Ш2 Резистор УНУ-0,25-14,2 Ом Сопротивление МОУ-Ш-0,5 Вт-А-82 Ом Резистор УНУ-0,25-14,2 Ом Розетка Вилка 1 1 1 1 I
У2, У5 Смеситель 2
Rl, R2 ; R3 ;-С1 f Д1 ' Ш1—ШЗ Резистор УНУ-0,25-14,2 Ом Сопротивление МОУ-Ш-0,5 Вт-А-82 Ом Конденсатор конструктивный Диод полупроводниковый ДК-С7М Розетка 2 1 1 i 3
' УЗ, Уб Согласующее устройство 2
Rl, R2 С1 Резистор ОМЛТ-0,25-56 Ом±10% Конденсатор 2
КДО-1-Н70-1500 пФ +20 % 1
Др1 Ш1 IU2 Катушка Вилка Розетка 1 1 1
7
Поз. обознач. Наименование и тип Кол. Примеч.
У7 Смеситель 1
С1 Конденсатор конструктивный 1
С2 То же 1
Д1 Диод полупроводниковый 2А101А 1
Ш1, Ш2 Розетка 2
У8, УК), У12 Аттенюатор 3
R1 Резистор УНУ-0,25-14,2 Ом 1
R2 Сопротивление
МОУ-Ш-0,5 Вт-А-82 Ом 1
R3 Резистор УНУ-0,25-14,2 Ом I
О1 Конденсатор конструктивный 1
Ш1 Вилка 1
Ш2 Розетка 1
У9 Смеситель 1
С1 Конденсатор конструктивный 1
С2 То же 1
Д1 Диод полупроводниковый 2А101А d
Ш1, Ш2 Розетка 2
У11 Смеситель 1
С1 Конденсатор конструктивный 1
С2 То же 1
Д1 Диод полупроводниковый 2А101А 1
Ш1, Ш2 Розетка 2
У13 Блок переключателей 1
В1 Переключатель коаксиальный 1
В2, ВЗ Микропереключатель МП 11 2
В4 Переключатель коаксиальный 1
Ш1— шп Розетка 11
У14 Аттенюатор 1
Ril Резистор УНУ-0,25-14,2 Ом 1
R2 Сопротивление
МОУ-Ш-0,5 Вт-А-82 Ом 1
R3 Резистор УНУ-0,25-14,2 Ом 1
Ш,1 Вилка 1
Ш2 Розетка 1
У15 Блок гетеродинов 1
У16 Усилитель промежуточной частоты 1
У17 Блок питания 1
Э1 Блок аттенюаторов 1
Ш1-Ш4 Розетка 4
Э2 Блок аттенюаторов 1
8
ВХОД
АТТЕН. GHz
ВЫХОД
АТТЕН.
ВХОД 0,01-1,9
GHz
ОСЛАБЛЕНИЕ
ЛОМ Q
1,9-12
17-26
26-40
НАСТРОЙКА УРОВЕНЬ ГЕТЕРОДИНА СИНХРОНИЗАЦИЯ
шз
IL 2
шз
R3
Д'
У 7
У8
12-17
т.
11125,
R2
J
412
ТОК СМЕСИ
1,9-12
SI
-26-ад
ВЫХОД вч
ДИАПАЗОН GHz
0,01-1,9
е
02
С1
R3 Ш21Ш15
-Q-
С1ф Ш21Ш1Й1
К1
шп
а-®
Ш1О1
Iй
I R2
1У2
Др1
012 |шч
R2
С1
R2
С1!
У5
Уб
Ш20 _
КОНТ
1А
16
2А
2Б
ЗА
36
ДА.
46
5А
56
цепь
-5006.0,01 А
+500В;0,01А
*6.зб; о,г а
-6,3 6; 0,8 А
7^506; 0,04А
-250В;0,№А
*12,6 6:0,08А
-12,6 В\0.08А
±12,6В; 0,08А
Корпус
КОНТ
IA
1Б
26
ЗА
ЗБ
, 4А
46
. 5А
5Б
«
Api
А1 шз
1 Ш21W15
г
шь
ЗМ
1А
16
2А
26
ЗА
_____Ш32
Цепь
-12,66; 0,08А
*6,3 В; 0,8А
*12,6 В;0,08А
*6,3в; 0,8А
±12,6 8;0,08А
КОНТ
1А
16
2А
ЗА
Ш21
ПОЛОСА
80 MHz
ФИЛЬТРА
5 MHz
ЦП
квит
кон _____________
2А -5006,0,01 А
шзч
цепь
1А
66
5А
Ш14
02
е
♦---------------
}__________У9.__
R2
411
Ш23
-е—(
вход с
УПТ
ВЫХОД
160 MHz.
Рис. 3. Блок СВЧ.
Схема электрическая принципиальная.
шзз
цепь кон
игжож
-1г,бв,о,о8д
корпус
-12,66; о,ОЗА
♦t2,6B,Q.05A
Микроампер
-12,66,0,06*
•12.66,0,06*
6_
2
БА
46
7А
М
56
36
7Б
26
-5008,0,01А
~ггов
-6,36, 0,8А
-250В;0,04А
<-2508,0.04А
*6,36,0,8 А
М2,66;0,08А
корпус
*12.БВ.О,ОЗА
~гго в
-12,6 В. 0.06 А
-2206
-2206
1Б Н2.6 В'.Р.ОБА
1А
66.
SA
ЗА
4 А
БА
%
7А
8А
5Б
5Е>
7Б
?Е>
1Б
(У41Ш1
СЕТЬ
22DP
0ШЗО
Поз. обознач. Наименование и тип Кол. Примеч.
У7 Смеситель 1
С1 Конденсатор конструктивный 1
С2 То же 1
Д1 Диод полупроводниковый 2А101А 1
ПП, Ш2 Розетка 2
У8, У10,
У12 Аттенюатор 3
R1 Резистор УНУ-0.25-14,2 Ом 1
R2 Сопротивление
МОУ-Ш-0,5 Вт-А-82 Ом 1
R3 Резистор УНУ-0,25-14,2 Ом 1
СИ Конденсатор конструктивный 1
ПИ Вилка 1
Ш2 Розетка 1
У9 Смеситель 1
С1 Конденсатор конструктивный 1
С2 То же 1
Д1 Диод полупроводниковый 2А101А J
Ш1, Ш2 Розетка 2
У11 Смеситель 1
С1 Конденсатор конструктивный 1
С2 То же 1
Д1 Диод полупроводниковый 2А1О1А 1
Ш1, Ш2 Розетка 2
У13 Блок переключателей 1
В1 Переключатель коаксиальный 1
В2, ВЗ Микропереключатель МП 11 2
В4 Переключатель коаксиальный 1
Ш1-Ш11 Розетка 11
У14 Аттенюатор 1
R1 Резистор УНУ-0,25-14,2 Ом 1
R2 Сопротивление
МОУ-Ш-0,5 Вт-А-82 Ом 1
R3 Резистор УНУ-0,25-14,2 Ом 1
Ш,1 Вилка 1
Ш2 Розетка 1
У15 Блок гетеродинов 1
У16 Усилитель промежуточной частоты 1
У17 Блок питания 1
Э1 Блок аттенюаторов 1
Ш1-1Ш Розетка 4
32 Блок аттенюаторов 1
8
ьлок гетеродинов
Перечень элементов
Поз. »?'' обознач. Наименование и тип Кол. Примеч.
* Резисторы
tel л ОМЛТ-0,5-47 кОм±)Ю% ОМЛТ-2-27 кОм хЮ7о II СП-П-1-А-33 кОм ±20% II СП-П-1-А-10 кОм±207о I 1 1 1
»О5 ОМЛТ-2-42 !кОм±10% 1
ОМЛТ-2-И8 кОм±!Ю% 1 15—22 кОм
II СП-П-1-А-10 кОм±20% 1
Потенциометр ПТП 52Б ±0.’-3~40±5 ±0,3-40±5 1
11 СП-П-1-А-10 кОм±20% 1
|зЙ0* ОМЛТ-2-4,7 кОм±Ю% 1 3,9—6,8 кОм
Rfcil—R14 ОМЛТ-2-39 кОм±!10% 4
.Цб15 02^110-0,25-49,9 Ом±|1% 1
ОМЛТ-1-8,2 Ом±Ю% 1
»®|1-С5 Конденсатор конструктивный 5
1i®C6-—C8 Конденсатор
КТП-1Аа-Н70-3300 нФ ^°/о 3
fis 312 £Др1-Дрб Конденсатор К50-ЗБ-350-20 Клистрон К-351 Лампа ГС-ИЗ Дроссель высокочастотный 1 1 1
Д1-4,2-1±10 6
Pl, P2 Реле РЭС9 РС4.524.203П2 2
Микропереключатель МП 11 1
B2 Тумблер ТЗ 1
B3 Микропереключатель МП 11 1
Ш1 Вилка 1
••Ш2 Розетка 1
U13 Вилка РП10-14 1
Ш4 Розетка 1
. Ш5 Розетка 2РМ14БПН4Г1В1 1
. UI6 —»— РП10-7 1
Синхронизация
НАСТРОЙКА
ВыхоЗ вч
УРОВЕНЬ
ГЕТЕРОДИНА
Др1
2А
С8
С6
-1
=^1
ЛоЭбироется при регулировании
Контакты реле Р1 и Р2 Зоны 6
положении, когЭа обмотки накоЭятся
по? напряжением.
C5
ДрА
ЙРЗ
Рис. 4. Блок гетеродинов.
Схема электрическая принципиальная.
-I-
Ш5
569.633.660.628
1А
1Б
2А
ЗА
36
4A
46
5A
56
ЩЗ
цело
-5Р0В;О,Р1А
'5ОВД01А
>SffiC,8A
-Ы8Д8А
нгдодвл
-12,БЩЬА
Корпус
шб
цепь
С2
СЗ
Л2
1А -12^ВОЛ8А
16_ н6,Л8;С,аА
_ >12даО8А
2Б~кз&,0,6А
за ртедада
'блокаЬч I I Ш31 Блока сво
10
Усилитель промежуточной частоты блока СВЧ
Перечень элементов
Поз. обознач. Наименование и тип Кол. Примем.
Rl— R3 Резистор ОМЛТ-0,25-56 Ом±Ю% 3
R4 —»— ОМЛТ-0,25-120 Ом±10% 1
R5-R8 —»— ОМЛТ-О,25-56 Ом±10% 4
J.C1—06 Конденсатор
КТП-1 Аа-Н70-3300 иФ % —ZU 16
Др1—Др8 Дроссель высокочастотный
Д1-0,6-6±5 8
Др9 ДрЮ, ДрП Дроссель высокочастотный Дроссель высокочастотный 1
Д 1-0,66+5 Розетка приборно-кабельная 2
Ш1, ШЗ
CP-50-272 С 2
1112 Розетка РГ1Н-1-3 1
Г5 ’ Плата 696.ЕЭ3.660.641
R1-R4 Резистор ОМЛТ-0,125-1,8 кОм±Ю% 4
Конденсаторы
;ci КМ-56-М47-120 пФ±10% 1
- С2 КМ-56-ИЗО-2200 пФ 1
. СЗ КМ-56-М47-47 пФ±.10% 1
; С4 КТ-1-М47-15 пФ±10%-3 1
С5 КТ2-17-1,5/5 1
С6 Конденсатор конструктивный 1
С7 КТ-1-М47-15 пФ±10%-3 1
С8 КТ2-17-1,5/5 1
С9 КМ-56-М47-56 пФ ±10% 1
Л СЮ, СИ КТ2-19-1.9/15 2
‘.С12 КМ-56-М47-56 иФ+10% т
С13 КТ-1-М47-15 пФ±10%-3 1
> с 14 КТ2-17-1.5/5 1
С15 Конденсатор конструктивный 1
СЮ КТ-1-М47-Р5 нФ±.1б%-3 1
С17 КТ2-17-1,5/5 1
С18 КМ-56-М47-47 нФ ±10% 1
С19 KM-56-H30-2200 пФ 1
С20 КМ-56-М47-120 пФ±10% 1
LI—L5 Катушка индуктивности 5
L6 То же 1
L7—L9 —»— 3
Д1-Д6 Диод полупроводниковый 2Д503Б 6
Поз. обознач. Наименование и тип Кол. Примеч.
Плата 695.ЕЭ3.660.642
Rll —R4 Резистор ОМЛТ-0,125-1,8 кОм±10% 4
Конденсаторы
С.1 КМ-56-М47-120 пФ ± 10 % 1
С2 КМ-56-НЗО-2200 пФ 1
СЗ, С4 КТ2-1.9Д5 2
С5 КТ-1-М47-12 пФ±10%-3 1
С6 КТ2-19-1,9/15 1
С7 КМ-56-М47-27 пФ ±40% 1
С8, С9 КТ2-19-1.9/15 2
СЮ КТ-1-М47-12 пФ±10%-3 1
Chi, С12 КТ2-1Ц-1,9/15 2
С13 КМ-56-Н30-2200 пФ 1
С14 КМ-56-М47-120 пФ±10% 1
L1 Катушка индуктивности 1
L2—.L4 То же 3
L5 —»— 1
L6 —»— 1
1.7 —»— 1
Д1-Д6 Диод полупроводниковый 2Д503Б 6
Плата 694.ЕЭ3.660.643
Резисторы
R1 ОМЛТ-0,125-470 Ом±.10% 1
R2 ОМЛТ-0,125-220 Ом±Ю% 1
R3 ОМЛТ-0,125-1 кОм±10% 1
R4 ОМЛТ-0,125-1,8 кОм±Ю% 1
R5 ОМЛТ-0,125-470 0м±10% 1
R6 ОМЛТ-0,125-66 Ом±Ю% 1
R7 ОМЛТ-0,125-220 Ом±Ю% 1
R8 ОМЛТ-0,125-27 Ом±10% 1
R9 ОМЛТ-0,125-220 Ом±|Ю% 1
R10 ОМЛТ-0,.125-1 кОм ±10% 1
RU1 ОМЛТ-0,125-1,8 кОм±Ю% .1
R12—R14 ОМЛТ-0,125-56 Ом±Ю% 3
Конденсаторы
С1* КМ-56-М47-120 пФ±10% 1
С2, СЗ KM-56-H30-2200 пФ 2
С4 КМ-56-М47-82 пФ ±40 % 1
С5 КМ-56-Н30-2200 пФ 1
С6 КТ2-18-1.5/10 1
С7 КТ-1-М47-12 пФ±10% 1
91—,180 пФ
12
ft-
Поз. |,обознач. Наименование и тип Кол. Примеч.
t i Конденсаторы КМ-56-M47-82 пФ±10% 1
) КМ-66-Н30-2200 пФ 1
0 КМ-56-М47-82 пФ±<10% 1
.1. C12 КМ-56-Н30-2200 пФ 2
3 КТ2-18-1,5/10 1
4 КМ-56-Н30-2200 пФ 1
Катушка индуктивности То же 1 1 0,2 мкГц
11—ПП4 Прибор полупроводниковый 1Т313В 4.
Усилитель промежуточной частоты.
8 6921+
<7 8 921-
L 8ff2k-
£ 8821+
9 0 921+
г 99'ZL?
9' оАийом
И №рос1млы
ггп
gH;
14
олок питании илока
Перечень элементов
Е Поз. Ж-'обознач. Наименование и тип Кол. Примем.
ж. R2 R4 Резистор ОМЛТ-2-ЮО кОм+10% —ОМЛТ-2-1,8 кОм + 10% Конденсаторы 2 2
Jl, С2 К50-ЗБ-450-20 2
£5 К50-ЗБ-50-200 1
£б К50-ЗБ-450-20 5 соединены
параллельно
ь К50-ЗБ-300-50 К50-ЗБ-50-200 1 1
М° К50-ЗБ-25-1000 3 соединены параллельно
£11 К50-ЗБ-50-200 1
612 К50-ЗБ-12-'1000 1
£13 К50-ЗБ-50-200 1
£14 К50-ЗБ-25-1000 1
£16 К50-ЗБ-25-20 1
€16 К50-ЗБ-50-200 1
€17 К50-ЗБ-25-1000 1
€.18 К50-ЗБ-25-20 1
€19. С20 К50-ЗБ-25-500 2
Д1 Прибор электровакуумный 6С19П-В 1
ДЗ, Д4 Диод полупроводниковый Д231 2
Tlftl—ППЗ Прибор полупроводниковый ПЗО6А 3
ПП4 ПП5 То же П214В -»— П217В 1 1
НПб, ПП7 —»— П214В 2
Jflpl, Пр2 Предохранитель ВП 1-1-2А 2
Др1 Трансформатор 1
1111 Розетка РП10-15 1
in—Г5 Г нездо 5
Плата ЕЭ5.283.721
€3 Конденсатор К42У-2-1000-0,22+10% 1
С4 У2 —К42У-2-630-0,22+10% 2 соединены параллельно
Усилитель стабилизатора Я5-41А 1
УЗ Усилитель стабилизатора Я5-43А 1
У4 Фильтр питания 1
15
Рис. 6. Блок питания блока СВЧ,
Схема электрическая принципиальная.
LU1
Конг Цепь Одр.
36 Тумблер S О СЗ СО 3
,55 Тумблер
65 Тумблер
7S тумблер
'М КОРПУС
за /б ★izwaosA -1г,бВ'Л01А
ЗБ -12£В:0.03А
4Б +12.ЕВ: о.08а
+5пов: 0,01 а
2А -500В'. 0,01 А
ЗА г5ОВ:0.0АА
4А +25DB0.0AA
5А 6А -s,3b;q.sa +6.3В'. 0.8 А
^Поддирается при регулировании.
Рис. 6. Блок питания блока СВЧ,
Схема электрическая принципиальная.
Поз.
обознач.
Наименование и тип
Кол.
Примем.
Плата 599.ЕЭ5.283.373
Резисторы
R1 ОМЛТ-0,5-1 МОм ±10% 1
R2 ОМЛТ-0,5-470 кОм±10% ОМЛТ-1-68 кОм ±'10 % 11
R3* 1
R4 ОМЛТ-1-75 кОм±10% 1
R5 ОМЛТ-1-56 кОм±Ю% 1
R6 ОМЛТ-0,5-330 Ом±!10% 1
R7, R8 ОМЛТ-0,5-100 Ом ±'10% 2
R9 ОМЛТ-2-47 кОм±Ю% 1
R10 ОМЛТ-0,5-1 М0м±Ю% 1
R11 ОМ Л Т-0,5-470 кОм ±10% 1
R12, R13 ОМЛТ-1-82 кОм±!Ю% 2
R14 ОМЛТ-0,5-100 Ом ±10% 1
r;is ОМЛТ-1-56 кОм±10% 1
R16 ОМЛТ-1-75 кОм±Ю% 1
R17 Резистор переменный СП5-|М 10 кОм 1
56—82 кОм
R18 Резистор ОМЛТ-0,5-56 кОм±Ю% 1
Cl, С2 Конденсатор К42У-2-630-0,22± 10% 2
СЗ —»— К42У-2-250-0,47 ± 10% 1
С4 —»— К42У-2-250-0,22± 10% 1
Л1 Прибор электровакуумный 6Н21Б 1
Л2 —»— 6С46Г-В 1
ЛЗ —»— 6Н21Б 1
Л4, Л5 —»— СГ202Б 2
Д1—Д4 Диод полупроводниковый МД 218 4
Плата 598.ЕЭ5.283.372
Резисторы
R5 ОМЛТ-1-120 кОм±Ю% 1
R6 ОМЛТ-2-3,9 кОм±Ю% 1
R7 ОМЛТ-2-4,3 кОм ±10% 1 '
R8 ОМЛТ-2-1,2 кОм±Ю% 1
R10 ОМЛТ-2-680 Ом±10% 1*
С7 Конденсатор
К42У-2-160-4±40% 1
Д|1, Д2 Диод полупроводниковый Д237А 2
Д5-Д11 —»— Д237А 7
16
(озюр. Наименование н тип Кол. Прнмеч.
Плата ЕЭ5.283.371
Резисторы
ОМЛТ-1-820 0м±10% 1 ОМЛТ-1-120 кОм±Ю% ,1 ОМЛТ-0,5-1150 кОм±10% 1 ОМЛТ-0,5-8,2 к0м±10% 1 ОМЛТ-1-39 кОм ±10% 1 ОМЛТ-0,5-47 кОм ±10% 1 ОМЛТ-0,5-82 кОм±Ю% х 1 ОМЛТ-1-47 кОм ±110 % 1 ПТМН-ОД-3,9 кОм±Ь% 1 Резистор переменный СП5-14 10 кОм 1 ПТМН-0,5-68 кОм±1% 1
С2 Конденсатор
К42У-2-250-0.1 ± 10% 2 Конденсатор К42У-2-160-0,! ±110% 1
: Д2 Д4 И, ПП2 8 t Диод полупроводниковый Д814Г 2 —»— Д814А 2 Прибор полупроводниковый МП 15 2 —МП101 1 Плата 536.ЕЭ5.283.594 Резисторы
ОМЛТ-11-1,2 кОм±1Ю% 1 ОМЛТ-0,5-560 Ом ±10% 1 ОМЛТ-0,5-3,9 кОм±Ю% 1 ОМЛ Т-0,5-820 Ом±Ю% 1 Резистор переменный СП5-14-680 Ом 1 Резистор ОМЛТ-0,5-560 Ом±:Ю% • 1 Конденсатор К42У-24И60-0,1±10% 1
Н4 Диод полупроводниковый Д814А 4 Прибор полупроводниковый МП 15 1
f 1 Выпрямитель ЕЯ3.215.027
1 Дб F—ДЮ Диод полупроводниковый Д237А 2 —МД218 4
17
Фильтр кварцевый
Перечень элементов
Поз. обознач. Наименование и тип Кол. Примем.
Ш1 Розетка приборная СР-50-112 Ф 1
Ш2 Розетка приборно-кабельная
СР-50-101 Ф 1
ШЗ Вилка РШ2Н-1-30 1
Плата 566.ЕЭ3.660.586
Резисторы
R1 ОМЛТ-0,25-5,6 кОм ± 10% 1
R2 ОМЛТ-0,25-3,6 кОм±10% 1
R3 ОМЛТ-0,25-68 Ом ±10% 1
R4 ОМЛТ-0,25-470 Ом±10% 1
R6 ОМЛТ-0,25-1,1 кОм±Ю% 1
R6 СП4-1а-1 кОм-А-16 1
Конденсаторы
Cl, С2 КМ-56-Н90-0.015 мкФ 2
СЗ КМ-56-М47ЛОО пФ±5% 1
£б—С9 КМ-56-М47-200 пФ±5% 1
КМ-6-Н50-0,015 мкФ 5
СЮ КМ-66-Н90-О.ОГ5 мкФ 1
ПП1 Прибор полупроводниковый 1Т308А 1
31 Фильтр ФП2П-277 1
И—РЗ Реле РЭС 15 РС4.591.001 П2 3
Плата ЕЭЗ.660.588-01
Резисторы
Я1 ОМЛТ-0,25-68 Ом ±|10% 1
да ОМЛТ-0,25-10 кОм £ 10% 1
R3 ОМЛТ-0,25-8,2 кОм ±10% 1
R4 ОМ Л Т-0,25-200 Ом±Ю% 1
RS ОМЛТ-О,25-680 Ом±10% 1
R6 ОМЛТ-0,25-1,3 кОм±5% 1
R7 ОМЛТ-О.25-5,6 кОм ±10% 1
R8 ОМЛТ-0,25-3,6 кОм ± 10 % 1
R9 ОМЛТ-0,25-470 Ом ±10% 1
RJ10 ОМЛТ-О.25-1,1 кОм±10% 1
R-11 СП4-1а-1 кОм-А-12
RI12 ' ОМЛТ-0,25-68 Ом±10% 1
R16 ОМЛТ-0,25-10 кОм±.Ю% 1
R14 ОМЛТ-0,25-8,2 кОм±10% 1
RI15 ОМЛТ-0,25-200 Ом ±10% 1
RI16 ОМЛТ-0,25-680 Ом ±10% 1
26
£7
£_
Й Наименование и тип Кол. Примеч.
i
k-. ' Резисторы
' ОМЛТ-О,25-1,3 kOm±5% 1
' «ОМЛТ-0,25-130 Ом ±5% 1 51—200 Ом
СП4-1а-33 кОм-В-16, 1
_ ОМЛТ-О,5-3,3 кОм ±10% 1
IpOiC ОМЛТ-О,25-130 Ом±10% 2
Е?*'' ОМЛТ-0,25-10 кОм±10% 1
ЧМЛТ-0,25-8,2 кОм±10% 1
£ □МЛТ-0,25-200 Ом±Ю% 1
ОМЛТ-О,25-680 Ом±Ю% 1
ОМЛТ-О,25-1,3 кОм±5% 1
ОМЛТ-О,25-5,6 кОм±Ю% 1
ОМЛТ-О,25-3,6 кОм±Ю% 1
ОМЛТ-0,25-470 Ом±10% 1
ОМЛТ-0,25-1,1 кОм±10% 1
СП4-1а-1 кОм-А-12 1
ОМЛТ-0,25-10 кОм± 10% 1
ОМЛТ-0,25-8,2 кОм±Ю% 1
ОМЛТ-0,25-200 Ом±Ю% 1
ОМЛТ-О,25-680 Ом ±10% 1
ОМ Л Т-0,25-1,3 кОм ±10 % 1 t
ОМЛТ-0,25-130 Ом±5% 1 51—330 Ом
СП4-1а-33 кОм-В-16 1
1. ОМЛТ-0,5-3,3 к0м±10% 1
|^42 ОМЛТ-0,25-130 Ом±10% 2
1 < ОМЛТ-0,25-10 кОм±Ю% 1
1 ОМЛТ-0,25-8,2 к0м±10% 1
ОМЛТ-О,25-200 Ом±Ю% 1
ОМЛТ-0,25-680 Ом±10% 1
ОМЛТ-0,25-1,3 кОм ±5% 1
ОМЛ Т-0,25-68 Ом ±10% 1
ОМЛТ-О,25-10 кОм±Ю% 1
ОМЛТ-0,25-8,2 кОм±Ю% 1
ОМЛТ-0,25-200 Ом ±10% 1
ОМЛТ-0,25-680 Ом±Ю% 1
ОМЛТ-О,25-1,3 кОм ±5% 1
Конденсаторы
к КМ-5б-Н90-0,01.5 мкФ 1
К 1'2 КМ-6-Н50-0,015 'МкФ 11
К ’ КТ2-17-1.5/5 1
Ж КТ2-19-1.9/15 1
ЙС16 <М-4б-Н30-0,01 мкФ Q
К-С26 {М-6-Н50-0.015 мкФ 16
Г' КТ2-17-1,5/5 1
1 КТ2-19-1.9/15 1
f СЗО KM-46-H30-0.01 мкФ 2
Г 1* 27
' |Поз. обозиач. 1 Наименование и тип Кол.
Конденсаторы
С31—С34
СЗб
С36
С37, С38
КМ-6-Н50-0.015 мкФ
КМ-5б-Н90-0,01б мкФ
КМ-6-Н50-0.015 мкФ
КД-1-М47-Ю пФ±10°/о-3
4
1
1
1
LI, L2 Л1, Л2 Катушка индуктивности Прибор электровакуумный 6С51Н-В 2 2
ПП1— ПП8 Прибор полупроводниковый 1Т308А 8
Tpl; Тр2 Трансформцтор высокочастотный 2
ПЭ1, ПЭ2 Резонатор кварцевый 8160 кГц 2
Pll, Р2 Реле РЭС 15 РС4.591.001 П2 Плата ЕЯЗ.290.006 Конденсаторы 2
С1 Км-4б-Н30-0,01 мкФ 1
С2, СЗ КМ-6-Н50-0.015 мкФ 2
С4 KM-46-H30-0.01 мкФ 1
С5, С6 КМ-6-Н50-0.015 мкФ 2
С7 KM-46-H30-0.01 мкФ 1
С8, С9 КМ-6-Н50-0.015 мкФ Дроссели высокочастотные 2
Др1 Д2-0,1-Ю0±5 1
Др2 Д2-0,15~51±5 1
ДрЗ, Др4 Д2-0,4-100±5 2
Др5 Д2-0,15-51±5 1
Дрб Д2-0,1-100±5 1
28
A ТТвтА Л’Т'ХХ»*
Примеч.
19 мкГн
vwU-qZiMW UM±1U%
ОМЛТ-0,25-680 Ом±10%
ОМЛТ-0,25-1,5 кОм ±5%
ОМЛТ-0,25-100 Ом±Ю%
ОМЛ Т-0,25-51 Ом ±10%
3-70
Rf8‘
6
л
6C51H-I
га_____
-P --,22 ™
1 пНт
ПОЛОСА ПРОПУСКАНИЯ kHz
Др.Ч
300
Др 5
С9
1 Корпус
ППА
С36
С38^=
С37-Щ
d
Е
Конт
15
14
5
2
СЗЗ
4Н
₽2[
С34
НН
<«
Иг Н!₽3-
ЕЯЗ.290.006
Лр1
24 ___
С1
27
!С2
'сз
Ск^=
Др 2
_Др.6_
LU3
Uent
Включение,
полосы э-70кгц
Включение
полосы <кги
+ 400&____
*676
-206
Включение
полосы ЗООкгц
'• сю
НН
си
НН
С12
С15
чн
С35
С16
г5НГ
Рнс. 10. Фильтр кварцевыми.
Схема электрическая принципиальная.
13
6_
7
8
9
11
12
Jt
I6
10
Корине
Подбирается при регулировке.
Расположение треугольника на резисторах
соотбетстбчет крайнему положению ручке
управления при вращении по часовой
• стрелке
Рнс. 10. Фильтр кварцевый.
Схема электрическая принципиальная.
Аттенюатор отсчетный
Перечень элементов
Наименование и тип Кол. Примеч.
Резисторы
02-10-0,25-203 Ом±0,б%
02-10-0,25-271 0м±0,5%
С2-10-0,25-291 Ом±0,5%
С2-10-0,25-298 Ом±0,5%
С2-10-0,25-140 Ом±0,5%
02-10-0,25-33,6 Ом±0,5%
02-10-0,25-9,76 Ом±1%
С2-10-0,25-3,01 Ом±1%
С2-10-0,25-31,6 Ом ±0,5%
С2-10-0^5-61,9 Ом±0,5%
02-10-0,25-86,6 Ом±0,5%
02-10-0,25-111 Ом ±0,5%
02-10-0,25-132 Ом±0,5%
02-10-0,25-150 Ом ±0,5 %
02-10-0,25-167 Ом±0,5%
02-10-0,25-180 Ом±0,5%
02-10-0,25-193 Ом±0,5%
02-10-0,25-2,58 кОм ±0,5% »
02-10-0,25-1,17 к0м±0,5%
02-10-0,25-750 Ом ±0,5%
02-10-0,25-517 Ом ±0,5%
02-10-0,25,388 Ом±0,5%
С2-10-0,25-301 Ом±0,б%
02-10-0,'25-240 Ом±0,5%
02-10-0,25-260 Ом±0,5%
02-10-0,25,167 Ом±0,5%
©2 Переключатель ПГМ-11H2H-V-3
t Ш2 Розетка приборная СР-50-112 Ф
Повторитель
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
4
2
2
1
Плата ЕЯ2.215.020
Резисторы
02-10-0,25-301 Ом±0,5% 1
ОМЛТ-0,25-10 кОм±Ю% 1
ОМЛТ-0,25-8,2 кОм±10% 1
ОМЛТ-0,25-100 Ом±Ю% 1
ОМЛТ-0,25-680 Ом±10% 1
ОМЛТ-0,25-1,5 кОм ±5% 1
ОМЛТ-0,25-100 Ом±10% 1
ОМ Л Т-0,25-51 Ом ±10% 1
29
Усилитель промежуточной частоты
Перечень элементов
Поз. обознач. Наименование н тип Кол. Примеч.
Резисторы
RH ОМЛТ-0,25-220 Om±10% 1
R2 ОМЛТ-0,25-1 кОм±Ю% 1
R3 СП4-1в-2,2 кОм-A 1
R4 ОМЛТ-0,25-100 Ом ±10% 1
R5 ОМЛ Т-0,25-8,2 кОм ± 10 % 1
R6 ОМЛТ-0,25-33 kOm±10% 1
R7 ОМЛТ-0,25-3,9 кОм±Ю7о 1
R8 ОМЛТ-0,25-820 Ом ±10% 1
R9 ОМЛТ-0,25-220 Ом±Ю% 1
R10 ОМЛТ-0,25-1 кОм ±10% 1.
R.ld ОМЛ Т-0,25-470 Ом ±10% 1
R/12 ОМЛТ-0,25-8,2 кОм±Ю% 1
R13 ОМЛТ-0,25-33 кОм±Ю% 1
R14 ОМЛТ-0,25-3,9 кОм±10% 1
R15 ОМЛТ-0,25-820 Ом±10% 1
R16 ОМЛТ-0,25-220 Ом ±10% 1
R|17~ ОМЛТ-0,25-1 кОм ±10% 1
RJ18 ОМЛТ-0,25-27 Ом±Ю% 1
R19 ОМЛТ-0,25-220 Ом ±10% 1
R2H ОМЛТ-0,25-10 кОм±Ю% 1
R22 ОМЛТ-0,25-1,5 кОм ±40 % 1
R23 ОМЛТ-О,25-33 кОм±Ю% .1
R24 ОМЛТ-0,25-27 кОм±10% 1
R25 ОМЛТ-0,25-220 Ом±Ю% 1
R20 ОМЛТ-0,25-1 кОм ±10% 1
R27 ОМЛТ-0,25-100 Ом ±10% . 1
Rl28 ОМЛТ-0,25-330 Ом±Ю% 1
Ri29 ОМЛТ-0,25-820 Ом ±10% 1
R30 ОМЛТ-0,25-8,2 кОм ±10% 1
R31 ОМЛТ-0,25-100 Ом±10% 1
R32 ОМЛТ-0,25-8,2 кОм±Ю% 1
R33 ОМЛТ-0,25-6,8 кОм±Ю% 1
R34 ОМЛТ-0,25-330 Ом ±10% 1
R35 ОМЛТ-0,25-8,2 кОм ±10% 1
R36 ОМЛТ-0,25-470 Ом±10% 1
R37 ОМЛТ-0,25-100 Ом±10% 1
R38 ОМЛТ-0,25-6,8 кОм±Ю% 1
R39* ОМЛТ-0,25-200 Ом±Ю% 1
R40 ОМЛТ-0,25-220 кОм ±10% 1
R44 ОМЛТ-0,5-470 Ом±10% 1
R42 ОМЛТ-О,25-220 кОм±10% 1
R43 СП4-1в-2,2 кОм-А 1
R44 СП4-1в-22 кОм-А 1
R45 ОМ ЛТ-0,25-47 ±Ом ± 10 % 1
R46 ОМЛТ-0,25-18 кОм±Ю% 1
120—330 Ом
32
оз. Кзначх Наименование и тип Кол. Примеч.
‘ Резисторы ОМЛТ-0,25-3,3 кОм±Ю% 1
ОМЛТ-0,25-2,2'^Ом± 10% 1 1
Коиденсатопы
2Д5ОЗА d
Дроссели высокочастотные
1
2
3, Др4
5
Р/Др7
S'Л 2
| Р2
S-T3
f
а, шг
Д2-0,1-100±5
Д 2-0,6-16±5
Д2-0,1-100±5
Д2-0,6-16±5
Д2-0,1-100±5
Лампа 6К6А-В
Реле РЭС15
Транзистор 1Т308В
Розетка приборная СР-50-112 Ф
Вилка РШ2Н-1-30
1
1
2
1
2
2
2
3
2
1
33
Рис. 12. Усилитель промежуточной частоты.
Схема электрическая принципиальная.
цепь
Усиление
41QOB
+6,76
КОрпуС
Корпус
Сигнал
-20В
Лоамасигг.
Строб.
ID
lol
10
10
1П
1П
in
in
in
IP
IC
in
IQ
IE
13
IQ
&
!
б!
t
2
Положение треуголь-
ника но резисторах
соотбетстбует край-
нему положению ручек
упраВления при Враще-
нии по часобои стрелке.
* Подбирают при регулировании.
Поз. обозначь Наименование и тип Кол. Примеч.
— Резисторы
о47 ОМЛТ-0,25-3,3 кОм±10% 1
R48 ОМЛТ-0,25-2,2'^Ом± 10% 1 1
Конденсатор^
Cl КМ-66-Н90-0.022 мкФ 1
С2-С12 КМ-56-Н90-0.015 мкФ 11
С13 КМ-56-М750-200 пФ±10% 1
С14 КМ-'5б-Н90-0,015 мкФ 1
Cl 5 КМ-56-Н90-0.022 мкФ 1
С16 КМ-56-М75-130 пФ ± 10 % 1
017 КМ-5б-Н90-0,022 мкФ 1 *
С18 КМ-56-М47-68 пФ ±5% 1
С19 КМ-5б-Н90-0,015 мкФ 1
С20 КМ-56-М750-200 пФ±10% 1
С21 КМ-46-Н30-0.01 мкФ 1
С22 КМ-56-Н90-0.022 мкФ 1
‘С23 КМ-66-М750-560 пФ±10% 1
C24 КМ-56-М47-82 пФ ±5% 1 *
г C25 КМ-56-М47-68 пФ ±5% 1
'C26 КМ-5б-Н90-0,015 мкФ 1
C27 КМ-46-НЗО-О.О1 мкФ 1
1C28 КМ-56-Н90-0.022 мкФ 1
C29 КМ-56-М47-39 пФ±10% 1
СЗО КМ-46-Н30-0.01 мкФ 1
СЭ1—C34 КМЛб-Н90-0,022 мкФ 4
C35 KM-46-H30-0,01 мкФ 1
LI, L2 Катушка индуктивности 2 6,46 мкГн
- Диоды полупроводниковые
Д1 Д814Г 1
Д2, ДЗ Д18 2
Д4 Д223Б 1
Д5 2Д5ОЗА d
Дроссели высокочастотные
Др I Д2-0,1-100±5 1
, Др2 Д2-0,6-16±5 1
1ДрЗ, Др4 Д2-0,1-100±5 2
Др5 Д2-О,6-16±б 1
Дрб. Др7 Д24),1-100±5 2
j Л1, Л2 Лампа 6К6А-В 2
1₽1, Р2 Реле РЭС15 2
pi—тз Транзистор 1Т308В 3
'Ш1,IU2 Розетка приборная СР-50-112 Ф 2
Вилка РШ2Н-1-30 1 33
Усилитель операционный
Перечень элементов
Поз. обознач. Наименование и тип Кол. Примеч.
Резисторы
Ril ОМЛТ-0,25-150 кОм+10% 1
R2 СП4-1б-2,2 кОм-A 1
R3, R4 ОМЛТ-0,25-1 кОм ±10% 2
R5 ОМЛТ-0,25-8,2 кОм±10% 1
R6 ОМЛТ-0,25-27 к0м±10% 1
R7 СП4-16-2,2 кОм-А 1
R8, R9 , ОМЛТ-0,25-3,3 кОм±Ю% 2
R10 ОМЛТ-0,25-1,5 кОм±Ю% 1
RH ОМЛТ-0,25-15 кОм+10% 1
R42 ОМЛТ-0,25-18 кОм±Ю.% 1
R13 ОМЛТ-0,25-8,2 к0м±10% 1
R44 ОМЛТ-0,25-470 Ом±10% 1
R|15 ОМЛТ-0,25-2,7 кОм±Ю% 1
R16 ОМЛТ-0,25-2,2 кОм±Ю% 1
R47 СП4-16-2,2 кОм-А 1
RH8 Терморезистор ММТ-4а-2,2 кОм±20% 1
R19 ОМЛТ-0,25-6,2 кОм+10% 1
R20 ОМЛТ-0,25-4,7 кОм±Ю% 1
R21 СП4-16-2,2 кОм-А 1
R22 ММТ-4а-2,2 кОм ±20% 1
R23 ОМЛТ-0,25-3 кОм ±10% 1
R24 ОМЛТ-0,25-2,2 кОм±Ю% 1
R25 СП4-1б-2,2 кОм-А 1
R26 ММТ-4а-2,2 кОм±20% 1
R27 ОМЛТ-0,25-680 Ом ±10% 1
R28 ОМЛТ-0,25-4,7 кОм±Ю% 1
R29 СП4-16-2.2 кОм-А I
R30 ОМЛТ-0,25-2,2 кОм±Ю% 1
R01 ОМЛТ-0,25-1,8 кОм±Ю% 1
R32, R33 ОМЛТ-0,25-470 Ом± 10 % 2
Cl, C2 Конденсатор К50-ЗБ-50-20 2
Bl Переключатель ПГМ-5П4Н-Ш-2 1
Диоды полупроводниковые
ДГ Д814Б 1
Д2-Д6 Д18 5
Транзисторы
T1 IT308B 1
T2, T3 МП104 2
T4 МП101 1
T5 МП 104 1
Ш1 Вилка РШ2Н-1-30 1
34
* Блок развертки Перечень элементов
Поз. обознач. Наименование и тип Кол. Примеч.
Резисторы
R1 СП4-1а-1 МОм-А-16 1
R2 СП4-1а-10 кОм-А-20 1
R3eR4 R5 ' СП4-1а-2,2 кОм-А-20 2
ОМЛТ-0,25-22 кОм ±10% 1
R6 СП4-1а-10 кОм-А-12 1
Конденсаторы
Cl К50-ЗБ-25-100 1
С2 КМ-6-М750-470 пФ±10% 1
СЗ КМ-6-М1500-1500 пФ ± 10% 1
С4 КМ-6-Ml500-4700 пФ±10% 1
С5 КМ-6-Н50-0,015 мкФ 1
В4 Переключатель ПГМ-5П4Н-УШ-2 1
В2 Переключатель ПГМ-5П2Н-Ш-1 1-
Ш1 Вилка РШ2Н-1-30 1
Ш2 Розетка приборная СР-50-112 Ф 1
Плата 840.5.283.450
Резисторы
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
R9
R110
R11
R42
ШЗ
R14, R15
R'16
R17
Ш8—R20
R21 .
R22
ОМЛТ-О,25-10 кОм±10%
ОМЛТ-0,25-33 кОм ±10%
ОМЛТ-О,25-4,7 кОм ±10%
ОМЛТ-0,25-2,2 кОм±Ю%
ОМЛТ-О,25-47 кОм±Ю%
ОМЛТ-0,25-10 кОм±Ю%
ОМЛТ-0,25-100 кОм±Ю%
ОМЛТ-0,25-47 кОм ±10
ОМЛТ-0,25-8,2 кОм±ИО%
СП4-1В-10 кОм-А
ОМЛТ-0,5-470 Ом±Ю%
ОМЛТ-1-39 кОм±Ю%
ОМЛТ-0,25-15 кОм ±10%
ОМЛТ-0,25-1 кОм ±10%
ОМЛТ-1-39 кОм±Ю%
ОМЛТ-0,25-15 кОм±Ю%
ОМЛТ-0,25-7,5 кОм±5%
ОМЛТ-1-39 кОм±Ю%
ОМЛТ-0,25-15 кОм ±10%
1
1
1
1
1
1
I
I ’
1
1
1
1
‘1
2
1
1
3
1
1
38
840.5.283*50
ппе
R24
R15
Rfl
038.5283.446
РАЗВЕРТКА 8/
3
С1
НН
Рис. 15. Блок развертки.
Схема электрическая принципиальная.
0.1
1ЫКЛ.
РАЗМЕР
СМЕЩЕНИЕ
цепь
Мр
ппю
а,ТЪТ
R1
E35.283.71fl
“V”
ПОСТОЯМ ВРЕМЕНИ mS
2
15
8
10
12
3
16
6
14
Синхр 50гц
Отклонение*
Отклонение 3
Отклонение5
Отклонение X
>1008
>206
Сигнал
-206
напряжение
разбержки
гашение
обр хоао,
Вклюн реле
корпус
Kopnsc.
Расширив
Е
Е
Расположение треугольника-
на резисторах соотЬетстЬуегтз
крайнему положению румек
управления при Ьращении
по часовой стрелке.
ПоЗ&ирается при регулирован
Примеч.
Поз.
обозиач.
Наименование и тип Кол.
Резисторы
R23 094 ОМЛТ-0,25-7,5 кОм±5% СП4-Ib-2,2 kOm-A 1 1
р95 ОМЛТ-0,25-10 кОм±Ю% 1
р^б ОМЛТ-1-39 кОм±Ю% 1
Р27 ОМЛТ-0,25-15 kOm±10% 1
tv»* R28 ОМЛТ-0,25-10 кОм±Ю% 1
R29 ОМЛТ-0,25-220 кОм±10% 1
Конденсаторы
Cl KM-6-M 1.500-3300 пФ±10% 1
C2 КМ-6-Н50-0.01 мкФ 1
C3 КМ-6-М1500-2200 пФ±10% 1
C4* КМ-6-М1500-3600 пФ±10% 1 3000—4700 пФ
Д1 Диод полупроводниковый Д223Б 1
Д2 То же Д18 1
..ДЗ —»— Д814Г 1
ПП1—ППЗ Прибор полупроводниковый 2Т301Д 3
ПП4, ПП5 То же МП101 2
, ПП6, ПП7 —»— 2Т301Д 2
• ПП8—ПП11 —»— П308 4
Плата 838.5.283.446 1
f Конденсаторы —
Cl МБМ-160-0,25±10% 1
C2 МБМ-160-0,5±1О°/о 1
C3 МБМ-160-1±10% 1
; C4 МБМ-160-0,4 ±110% 1
. C5 МБМ-160-0,25±10% 1
C6 МБМ-160-0,05± 10% 1
: C7-G10 МБМ-160-1±Ю% 4
Z. i Плата ЕЭ5.283.710
? R'l Резистор ОМЛТ-0,25-270 кОм±Ю% 1
R2 Резистор ОМЛТ-0,25-15 кОм±Ю% I
Конденсаторы
Ql МБМ-160-0,1±10% 1
02 МБМ-160-0,25-±10 % 1
C3 К50-ЗА-50-1 1
C4 К50-ЗА-25-2 1
.4 P2 Реле РЭС 15 РС4.591.001 П2 2
3.9
Генератор 160 МГц
Перечень элементов
Поз. обозиач. Наименование и тип Кол.
Резисторы
R1 ОМЛТ-0,25-1 кОм ±10% 1 ,
R2 ОМЛТ-0,25-16 кОм±10% Конденсаторы 1
С)1 КДО-1-Н70-1500 пФ 1
С2 КДО-2-Н70-2200 пФ +^ % 1
СЗ, С4 КТП-1Аа-Н70-3300 пФ +??% 2
С5 КДО-2-Н70-2200 пФ % 1
С6 КМ-бб-ПЗЗ-20 пФ±5% 1
С7* КД-il-М47-6.2 пФ±10%-3 1
С8 КД-1-М47-2.2 пФ±0,4-3 1
С9 конденсатор конструктивный 1
Lil (атушка индуктивности 1
L2 Петля связи 1
Л1 Прибор электровакуумный 6С51Н-В 1
Дроссели высокочастотные
Др1 Д1-0,15-20±5 1
Др2 Д2-0,15-51±5 1
Ш1 Розетка приборная СР-50-112 Ф 1
40
Примеч.
ПОДСТРОЙКА
1
i
5,1—7,5 пФ,
2/15 пФ 'j
0,1 мкГн !
j
(
♦206
Корпус
+ 6,76
* Подбирается при регулировании.
Рис. 16. Генератор 160 МГц.
Схема электрическая принципиальная.
41
44
Блок питания
Перечень элементов
Поз. обозиач. Наименование и тип Кол. Примеч.
Резисторы О|1 ПЭВ-7,5-43 Ом 10% 1 R2, R3 'ПЭВР410-10 Ом 110% 2 р4 ОМЛТ-1-1,5 кОм±Ю% 1 R5 R6 ’ Сопротивление проволочное 0,5 Ом 2 R7 ОМЛТ-2-680 Ом ±10% 1 Конденсаторы С1 К50-ЗБ-50-200 1 С2—С5 К50-ЗБ-50-200 4 С6 К50-ЗБ-50-200 1 С7-О12 К50-ЗБ-50-200 6 С43 К50-ЗБ-50-200 1 014—С16 К50-ЗБ-250-50 3 С17 К50-ЗБ-50-200 1 С18. 09 К50-ЗБ-25-1000 2 С20 К50-ЗБ-50-200 1 С21, С22 К50-ЗБ-50-200 2 С23 К50-ЗБ-250-50 1 С24, С25 К50-ЗБ-50-200 2 С26 К50-ЗБ-160-200 1 С27 К50-ЗБ-25-1000 1 Диоды полупроводниковые Д1-Д7 Д237А 7 Д8, Д9 Д237Б > 2 Д10—Д)3 Д237А 4 Д14, Д15 Д237Б 2 ДЮ, Д17 Д231Б 2 Транзисторы Т1—ТЗ П214Л 3 Т4, Т5 П217А 2 ТС> ПЗО6А 1 Т7 П217А 1 Т8 П306А 1 T9 П217А 1 Гр[ Трансформатор 1 Др1 Дроссель Г 7 соединены параллельно Pjv соединены Ж ' параллельно соединены параллельно соединены параллельно соединены параллельно соединены параллельно Д1—Д115 входят в блок диодов
45
'Я
~...................................
Поз. обознач. Наименование н тип- Кол. Примеч..-
Пр'1, Пр2 Предохранитель ВП1-1-0,5А 2
ПрЗ Предохранитель ВП1-1-4А 1
Пр4 Предохранитель ВП1-1-0,5А 1
Пр5, Прб ВП1-1-2А 1 2
НИ Розетка РП10-15 1
Гн1—Гн4 - Гнездо 4
Кл1 Клемма 1
УИ-,1, И'1-а Уоштель стабилизатора Я5-123 2
У11—4 Усщиель стабилизатора Я5-41А 1
МП—5 Фильтр питания 1
У11-3 Плата ЕЯ2.032.053
Резисторы
Й1. ОМЛТ-1-820 Ом±Ю% 1
R2 ОМЛТ-0,5-33 кОм ±10% 1
R3 ОМЛТ-0,5-68 кОм±10% 1
R4 ОМЛТ-0,5-8,2 кОм±Ю% 1
Й5 ОМЛТ-0,5-18 кОм ±10% 1
R6 ОМЛТ-0,5-33 кОм±10% 1
R7 • ОМЛТ-1-47 кОм±Ю% 1
R8 ОМЛТ-1-18 кОм±Ю% 1
R9 ПТМН-0,5-2,2 кОм±1% 1
R10 СПб-2-2,2 к0м±10% 1
RH ОМЛТ-0,5-30 кОм±5% 1
Конденсаторы
01 К42У-2-160-0,1±10% 1
С2 КМ-Й-Н90-0,1±10% 1-
СЗ К42У-2-160-0,1 ± 10% 1
Диоды полупроводниковые
Д1.Д2 Д814Г' ' 2
ДЗ, Д4 Д814А 2
Транзисторы
П МП15 1
Т2 МП25А 1
ТЗ МПЦИ 1
Вп1 Выпрямитель 5000 В
(ЕЯ3.215.023) 1
Резисторы
R1 .ОМДТ-2-1,8 МОм±10% 1
R2 КЭВ-1100 М0м±Ю% 1
46
блок ЗиоЭоб
Гл"п
'г*
I
1Ь1.1
«11-1
C24<Jh1
4-----р
' =?С21,С22
ДБ
КОНТ.
Цепь
ЗБ |+208;0,2Р.
«11-2
12Б |-гов;о,4Я ।
I on I -±ой; 0.1Л" I
lZH I +808: oar I
5Б ~22В;50Гц
7Б
44-Я|-100В;0,17П]
с=эС1ч.,,С16ег5 C23
j^-Б Ноов;о,17я]
L__________
У 1-4
41Д |-6.78;15-Z5li
all
48^1-278,0,05^
12
+50008
Д1
J3
34
+1900B
ЕЯЗ. 215.022
-19008
JI
36
>рГнЗ
-|1Б I+6.78,'1,5-258
4 7А |*27В;0,05А
Т^гг
32
Т2
МП15
4ЗЯ [корпус j
“1-----0КЛ.1
а,ОМГ<р Ог
IR7
ЬкОм
] R8
пкОм
i Д16
'-М-
Др1
ЕЯЗ. 215_.О23
чР
Д7
Д8
09
________ttc08v
escapes
Ж
J_C6 „
4= Пр2
SC7 ..C12
«7
6-1
—р
г.1
14 • RI ।
Д9
21!^
я *
= C18,C19
i C20
№
C10
У11-3_________[
ЕЯ2.032.053 I
□СЭТфГнА-
II—--IP
Д1 Д2
К—1—м-
03, C4
Г Устанавливается 6 анализаторе спектра ПЙ"7
Рис. 18. Блок питания анализатора спектра ПЧ С4-27.
Схема электрическая принципиальная.
—~ G.3B
f
411-5
1 цепь копт
2 -220 1
-220 2
з‘—
Пре
ВЪоЗ- (Ьбознач. Наименование и тип У Кол. Примеч.
Конденсаторы . г9 К42У-2-1600-0,1 ±10% 9 £сц КВИ-3-10-3300 2 ц__дэ Диод полупроводниковый Д1О04 9 ап Вьдерямитель 1900 В (ЕЯЗ.215.022) 'j Резистор ОМЛТ-2-33 кОм±Ю% 1 1. Конденсаторы 1 С2 К41-1а-2,5-0,22±10% 2 3, С4 К41-1а-2,5-0,22±10% 2 соединены параллельно 1, Д2 Диод полупроводниковый Д1005А 2
Фильтр питайии
Перечень элементов
Поз. обознач.' Наименование и тип Кол. Примеч.
01—С4 Конденсатор
К40У-9-1000-1500±10% 4
ДрЯ—Др4 Дроссель вч ДЗ-1,0-51 ±5 4
Ш11 Колодка ШР16П2ЭШ5 1
Рис. 19. Фильтр питания.
Схема электрическая принципиальная.
Синхронизатор
Перечень элементов
Ь1оз. пЙознач. Наименование и тип Кол. Примеч.
вУд Резисторы
ОМЛТ-0,25-180 кОм±Ю% 1
ОМЛТ-0,25-270 кОм±10% 1
ОМЛТ-0,25-220 кОм±Ю% 1
Прибор электровакуумный ИНС-1 1
Переключатель ПГМ 5П2Н-1П 1 1
Ем Тумблер ТЗ 1
Индикаторы вертикальные
та, ИП2 М4248 0-100 кл. 2,5 2 1
М4248 50-0-50 кл. 2,5
Клемма 1
il-ШЗ Вилка кабельная СР-50-141 Ф 3
®4 Вилка РШ2Н-1-18 1
Кб, шб Вилка кабельная СР-50-111 Ф 2
В? Вилка РШ2Н-1-18 1
Вилка РП10-11 1
111 Розетка CP-50-272 С 1
|Ш2, ПИЗ Вилка С Р-50-270 С 2
№14 Вилка кабельная СР-50-111 Ф 1
№1'5 Розетка РП10-11 1
ЙЙ-6 Вилка кабельная СР-50-141 Ф 1
KI7 Вилка 2РМ14Б4Ш1В1 1
В-18 Розетка 2РМ14КУН4Г1В1 1
В1 Генератор 2,5 МГц 1
Блок опорного сигнала 1
Блок генератора гармоник 1
Г4 Смеситель 1
Ж1, R2 Резистор УНУ-0,25-14,2 Ом 2
Сопротивление
МОУ-Ш-0,5 Вт-А-82 Ом 1
& Конденсатор конструктивный 1
Диод полупроводниковый ДК-С7М 1
|Ш1—ШЗ Розетка 3
Ьв Блок фазового детектора 1
’!У6 Блок питания 1
Э1 Фильтр 1
49
Рис. 20. Синхронизатор.
Схема электрическая принципиальная.
Блок фазового детектора
Перечень элементов
|)Поз. Вознач. Наименование и тип Кол. Примеч.
|r3 1 1 !t kl—Др11 1. Ш2 3 4 к i- Резисторы ОМ Л Т-0,25-220 кОм ±10% 1 ОМЛТ-0,25-56 кОм±Ю% 2 ОМЛТ-0,25-180 кОм±Ю% 1 Конденсаторы К42У-2-1000-0,22+10% 1 КМ-6-1150-0,022 мкФ 1 КМ-56-М47-100 пФ±10% 1 КМ-6-Н50-0.022 мкФ 1 КМ-56-М47-100 пФ±10% ; КМ-6-Н50-0,022 мкФ 1 Дроссель высокочастотный Д1-0,15-20+5 11 Розетка приборная СР-50-112 Ф 2 Вилка 2РМ14Б4Ш1В1 1 Вилка РП10-11 1 Плата 961.ЕЭ3.660.811 Резисторы ОМЛТ-0,125-10 кОм+ПО% 1 ОМЛТ-0,125-390 Ом±.10% 1 430—560 Ом
г сз ь ши ОМЛТ-0,125-2,7 кОм±Ю% 1 ОМЛТ-0,125-1,2 кОм±Ю% 1 Конденсатор КМ-6-Н50-0.022 мкФ 3 Диод полупроводниковый ДЗПА 1 Прибор полупроводниковый 1Т308В 1
li, R3 R4 Й5 г. Г- Плата 643.ЕЭ3.660.617 Резисторы ОМЛТ-0,125-270 Ом±Ю% ' ОМЛТ-0,125-2,7 кОм±Ю% 1 ОМЛТ-0,125-10 кОм±Ю% 1 ОМЛТ-0,125-22 кОм±Ю% 1 ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 1 51
гу.лг,-:-
Поз. обозиач. Наименование и тип Кол. Примеч.
Конденсаторы
Cil КМ-6-Н50-0.022 мкФ 1
С2 КМ-6-М47-220 пФ ±10 % •1
СЗ—С5 КМ-6-Н50-0.022 мкФ 3
L1 Катушка индуктивности вч 1 2 мкГн
ПП1, ПП2 Прибор полупроводниковый 1Т308В Плата 962.ЕЭ3.660.810 Резисторы 2
RH ОМЛТ-О,125-22 кОм±Ю% 1
R2 ОМЛТ-О,125-1 к0м±10% 1
R3 ОМЛТ-0,425-2,7 кОм±Ю% 1
R4 ОМЛТ-О,1'25-10 кОм±Ю% 1
R5 ОМЛТ-О,125-4,7 к0м±10% Конденсаторы 1
G1—СЗ КМ-6-Н50-0.022 мкФ 3
С4 КМ-6-М47-220 пФ ±10 % 1
С5 КМ-6-Н50-0.022 мкФ 1
ПП1, ПП2 Прибор полупроводниковый 1Т308В Плата 963.ЕЭ3.660.809 2
R1 Резистор ОМЛТ-О, 125-270 Ом±Ю% 1
R2, R3 Резистор ОМЛТ-О,125-100 Ом±10% 2
R4 Резистор ОМЛТ-0,125-150 0м±10% 1
С1, СЗ, С4 Конденсатор КМ-6-Н50-0.022 мкФ 3
С2, С5 Конденсатор К50-6-Й5 В-10 мкФ-Нп 2
LI, L2 Катушка индуктивности вч 2 2 мкГн
Д|1—ДО Диод полупроводниковый Д311А Плата 968.ЕЭ3.660.808 Резисторы 6
R.1 ОМЛТ-0,125-4,7 кОм±Ю% 1
RJ2 ОМЛТ-0,125-2,7 кОм±10% 1
R3 ОМЛТ-0,125-10 кОм±!Ю% 1
R4 ОМЛТ-0,125-22 кОм± 10 % 1
R5 ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% Конденсаторы 1
G1 КМ-6-Н50-0.022 мк® 1
С2 КМ-6-М47-220 лФ ± 10 '/о 1
СЗ, С4 КМ-6-Н50-0.022 мкФ 2
С5 КМ-6-М47-220 пФ±10% 1
ПП1, ПП2 Прибор полупроводниковый 1Т308В 2
52
|Поз. гознач. Наименование и тип Кол. Примеч.
1 Плата 964.ЕЭ3.660.807
Резисторы
|R2 ОМЛТ-О,125-1 кОм±40% 2
ОМЛТ-О,125-33 кОм±10% ОМЛТ-О, 125-110 кОм±Ю% 1 1
Конденсаторы
КМ-6-М47-270 пФ±Ю% КМ-6-Н50-0,022 мкФ КМ-56-М47-82 пФ ±10% КМ-6-1150-0,022 мкФ 1 1 1 1
КМ-6-М47-270 пФ ±10% 1
Катушка индуктивности вч Прибор полупроводниковый 1Т308В 1 1 8 мкГн
Плата 965. ЕЭЗ.660.806
Резисторы
ОМЛТ-О, 125-470 Ом±,Ю% ОМЛТ-0,125-2,7 кОм ±10% 1 1
ОМЛТ-0,125-10 к0м±10% 1
ОМЛТ-Ojl25-2’2 кОм±Ю% 1
ОМЛТ-0,125-1 кОм±Ю% 1
Конденсаторы
КМ-6-Н50-0,022 мкФ КМ-56-ПЗЗ-ЗЭ пФ±10% 1 1
i~C5 ь КМ-6-Н50-0,022 мкФ 3
Катушка индуктивности вч 1 0,5 мкГн
J- ПП2 Прибор полупроводниковый 1Т308В 2
i- Плата 673.ЕЭ3.660.631
Резисторы
1 ОМЛТ-О,125-390 Ом±Ю% ОМЛТ-0,125-27 Ом±10% 1 1
ОМЛТ-0,125-22 кОм ±10% 1
№7 , ОМЛТ-0,125-120 кОм±Ю% •1
»•. ОМЛТ-0,125-1 кОм ±10% 1
ОМЛТ-0,125-2,7 кОм±Ю% ОМЛТ-0,125-10 кОм±10% ОМЛТ-0,125-270 Ом±10% 1 1 1
53
Поз. обознач. Наименование и тип Кол. Примеч.
Конденсаторы
Cl—С6 КМ-6-Н50-0.022 мкФ 6
С7 КМ-6-М47-220 пФ±40% 1
С8 КМ-6-Н50-0.022 мкФ 1
LI, L2 Катушка .индуктивности вч 1 2 мкГн
ПП1, ПП2 Прибор полупроводниковый 1Т308В 2
Др-1 RI1 Дроссель высокочастотный Д1-0,15-20+5 Плата 642.ЕЭ3.660.618 Резисторы ОМЛТ-0,1-25-22 кОм±10% 1 1
R2 ОМЛТ-0,125-120 кОм + 10% 1
R3 ОМЛ Т-0,125-1 кОм+10% 1
R4 ОМЛТ-0,125-2,7 кОм+10% 1
R5 ОМЛТ-0,125-10 кОм+40% 1
R6 ОМЛТ-0,125-270 Ом+10% 1
Cl—С4 Конденсаторы КМ-6-Н.50-0,022 мкФ 4
С5 КМ-6-М47-220 пФ+.10% )1
С6 КМ-6-Н50-0.022 мкФ 1
L1 Катушка индуктивности вч 1 2 мкГн
ПП1, ПП2 Прибор полупроводниковый 4Т308В 2
R1 Плата 966.ЕЭ3.660.805 Резисторы ОМЛТ-0,125-22 кОм ±.10% 1
R2 ОМ.ЛТ-0,125-1 кОм + 10% 1
R3 ОМЛТ-0,125-2,7 кОм±Ю% 1
R4 ОМЛТ-0,125-10 кОм+10% 1
R5 ОМЛТ-0,1'25-270 Ом+10% 1
G1—СЗ Конденсаторы КМ-6-Н50-0.022 мкФ 1 3
С4 КМ-6-М47-220 пФ±40% 1
Со КМ-6-Н50-0,022 мкФ 1
ПП1, ПП2 Прибор полупроводниковый 1Т308В 2
54
963.ЕЭ3.660.809
i 4* Ы 965133.660.806
Ci 962ЕЭЗ. 660.810 '
968.ЕЭЗ. 660.808
964.ЕЭЗ. 660.807
02
R4
R3
Ri
сч
ПП1
R5rtC*
05,
ПП2
05-L
га
967 ЕЭ3.661ЖН.
2
C4-L-
ПП2
Подбирается при регулировании.
Е
О
С5
И
01 6
НН-
41
Сб I RJ
Рис. 21. Блок фазового детектора.
Схема электрическая принципиальная.
ПП2
R2
Др.5
ci 4=
Jp_8_
др. 7
EA2E33.660.618
366.E33.660.805
1
—И
R1
R3
17П1
ПП2
г
01
R2
02 iR2
02 6
41-
R2
б^.ЕЭЗ.Й 0.619
КОнТ цепь
Л5 ток с несите/ я
-206
61 ♦208
яг Сиг.апр.
Б2 ч
-12.6В
65 у робень пч
R6 Зсибат
ЯЗ
БЗ ♦12.6В
Корпус
дар.
I
Г 1 \ у ч к в г в Поз. внач. Наименование и тип Кол. Примеч.
Плата 967.ЕЭ3.660.804 Резисторы !R4 ОМЛТ-0,125-100 0м±10% 4 ОМЛТ-0,125-4,7 к0м±10% 1 СП4-1а-10 кОм-А-42 1 ОМЛТ-0,125-4,7 кОм±10% 1 Конденсатор КМ-6-Н50-0,022 мкФ 1 L2 Катушка индуктивности вч 2 2 мкГн , ПП2 Прибор полупроводниковый 1Т308В 2 Плата 644.ЕЭ3.660.619 Резисторы ОМЛТ-0,125-470 Ом±Ю% 1 ОМЛТ-0,125-2,7 кОм±10% 1 ОМЛТ-0,125-10 кОм±Ю% 1 ОМЛТ-0,125-22 кОм ±'10 % 1 1 ОМЛТ-0,125-1 к0м±10°/о 1 Конденсаторы КМ-6-Н50-0.022 мкФ 1 КМ-6-М47-220 пФ±10% 1 С4 КМ-6-П50-0,022 мкФ 2 . КМ-6-М47-220 пФ ±10% 1 , ПП2 Прибор полупроводниковый I1T308B 2
55
Блок опорного сигнала
Перечень элементов
Поз. обознач. Наименование и тип Кол. Примем.
Резисторы
R1 ОМЛТ-0,25-560 Ом±10% 1
R2 ОМЛТ-0,25-.10 кОм±Ю% 1
R3 ОМЛТ-0,25-3,3 кОм±Ю% 1
R4 ОМЛТ-0,25-750 Ом±ТО% 1
R5 ОМЛТ-0,25-560 Ом±Ю% 1
R6 ОМЛТ-0,25-220 Ом±10% 1
R7 ОМ Л Т-0,25-10 кОм ±10% 1
R8 ОМЛТ-0,25-1,5 кОм±Ю% 1
R9* ОМЛТ-0,25-220 Ом± 10% 1
RflO ОМЛТ-0,25-10 кОм±Ю% 1
R'1'l ОМЛТ-0,25-1,5 кОм±Ю% 1
R12 ОМЛТ-0,25-560 Ом±Ю% 1
R13 ОМЛТ-0,25-10 кОм±Ю% 1
RH4 ОМЛТ-0,25-1,5 кОм±Ю% 1
R15 ОМЛТ-0,25-3,3 кОм ±10% 1
R16 ОМЛТ-0,25-330 Ом±Ю% 1
R17 ОМЛТ-0,25-47 Ом±Ю% 1
R118 ОМЛТ-0,25-560 Ом ±10% 1
R19 ОМЛТ-0,25-10 к0м±10% 1
R20 ОМЛТ-0,25-1,5 кОм±Ю% 1
R2! ОМЛТ-0,25-3,3 кОм±Ю% 1
R22 ОМЛТ-0,25-330 Ом±Ю% 1
R.23 ОМЛ Т-0,25-47 Ом ± 10 % 1
R24 ОМЛТ-0,25-560 Ом±10% 1
R25, R26 ОМЛТ-0,25-47 Ом±Ю% 2
R27 ОМЛТ-0,25-1,5 кОм±Ю%
Р28 ОМЛТ-0,25-330 Ом±Ю% 1
R29 ОМЛТ-0,25-10 кОм±Ю% 1
R30 ОМЛТ-0,25-1,5 кОм±Ю% 1
R31 СМЛТ-0.25-220 Ом±Ю% 1
R32 ОМЛТ-0,25-47 Ом ±10% 1
R.33 ОМЛТ-0,25-1,5 кОм±10% 1
R34 ОМЛТ-0,25-330 Ом±10% 1
R36 ОМЛТ-0,25-10 кОм±10% 1
F-36 ОМЛТ-0,25-1,5 кОм±Ю% 1
R37 ОМЛТ-0,25-560 Ом ±10% 1
R38 ОМЛТ-0,25-47 Ом±10% 1
R39 ОМЛТ-0,25-3,3 кОм±йО% 1
R40 ОМЛТ-0,25-330 Ом±!0% 1
R4! ОМЛТ-0,25-10 кОм±.Ю%
R42 ОМЛТ-0,25-1,5 кОм±Ю% 1
150, 330 Ом
Конденсаторы
С1— сз КМ-6-Н50-0,022 мкФ 3
С4 КМ-56-М47-51 пФ±5% 1
Со КМ-6-М47-Ч80 пФ±5% 1
56
$•; 1
Йоз. Ьзнач. Наименование и тип Кол. Примеч.
J Конденсаторы
КМ-б-Н.50-0,022 мкФ 1
KM-6-M47-180 пФ±5% 1
SC9 KM-6-H50-0.022 мкФ 2
KM-6-M47-180 пФ ±5% 1
£ КМ-56-М47-51 пФ±5% 1
S' КТ-1-М47-2.7 пФ±0,4-3 i КМ-56-М47-51 пФ ±5% S КМ-6-М47-180 пФ±5% 1 1 1
&-С17 j; КМ-6-Н50-0.022 мкФ 3
КМ-6-М47-180 пФ ±5% 1
I КМ-56-М47-51 пФ ±5% 1
« КТ-1-М47-2.7 пФ ±0,4-3 1
1 к КМ-56-М47-51 пФ ±5% КМ-6-М47-180 пФ±5% 1 .1
—-С25 КМ-6-Н50-0.022 мкФ 3
if т КМ-6-М47-180 пФ±5% КМ-56-М47-51 пФ ±5% КМ-6-Н50-0,022 мкФ I 1 1
КТ-1-М47-2.7 пФ±О,4-3 1
—С32 КМ-56-М47-51 пФ ±5% 3
&, КМ-6-Н50-0,022 мкФ 1
КМ-56-М47-51 пФ±5% 1
К КТ-1-М47-2.7 пФ±О,4-3 1
В, С37 КМ-56-М47-51 пФ±5% 2
В—С4° KM-6-I-I50-0,022 мкФ 3
КМ-6-М47-180 пФ ±5% 1
КМ-56-М47-51 пФ±5% 1
КТ-1-М47-2.7 пФ±0,4-3 1
6—С48 КМ-56-М47-51 пФ±5% КМ-6-М47-180 пФ±5% 1 1
КМ-6-Н50-0.022 мкФ КМ-6-М47-180 пФ ±5 % 3 1
КМ-56-М47-51 пФ±5% 1
КТ-1-М47-2.7 пФ±0,4-3 КМ-56-М47-51 пФ±5% ч 1 1
кч КМ-6-М47-180 пФ ±5% 1
КМ-6-Н50-0,022 мкФ 3
Катушка индуктивности вч 43 0,6 мкГн
к>1—Др8 Дроссель высокочастотный
Г Д1-0,15-20±5 8
I-T7 Транзистор 1Т308В 7
Резонатор ПГ16ЕХ 22,5 МГц-Б1 1
|1—ШЗ Розетка приборная СР-50-112 Ф 3
Розетка РГ.1Н-1-3 1
J
57
Подбирается при регулировании
Генератор 2,5 МГц
Перечень элементов
Поз. эзнач. Наименование и тип Кол. Примеч.
Резисторы
ОМ Л Т-0,25-1,8 к0м±5% ОМ Л Т-0,25-3,6 кОм ±5 % 1 1
ОМЛТ-0,25-7,5 кОм±5% 1
ОМЛТ-0.25-.2 кОм ±5 % 1
Конденсаторы
Конденсатор конструктивный 1 27/32 пФ
КМ-56-М750-820 пФ±5% 1
КМ-56-М1500-1800 пФ±5% 1 1200—2000 пФ
КМ-56-М47-200 пФ±5% 1
С6 KM-56-II30-0,033 мкФ 2
Конденсатор конструктивный 1 1/8 пФ
/ Катушка 1 200 мкГн
1 Прибор полупроводниковый 1Т308В 1 1
Розетка приборная СР-50-112 Ф 1
59
НАСТРОЙКА
* Подбирается при регулировании.
Рис. 23. Генератор 2,5 МГц.
Схема электрическая принципиальная.
60
Блок генератора гармоник
Перечень элементов
арпоз. ©озиач. Наименование и тип Кол. Примеч.
я Резисторы 1 ОМЛТ-ОД125-.Ю к0м±’10% 1 м ОМЛТ-0,125-470 Ом±ИО% 1 UR6 ОМЛТ-0,125110 к0м±10% 3 Р ОМЛТ-0,1,25-1 к0м±10% 1 l:R8 ОМЛТ-0,11Й5-56 Ом±4О% 2 1 ОМЛТ-0,125-1 К0м±10% 1 J- ОМЛТ-0,125-27 Ом±.10% 1 ОМЛТ-0,125-68 Ом±10% 1 39—91 Ом Конденсаторы fc-СЗ КМ-6-Н50-0.022 мкФ 3 | КМ-56-М47-47 пФ ±110 % 1 ЙС8 КМ-6-Н50-0,022 мкФ 4 S КМ-56-М47-68 пФ±10% 1 0—CI3 КМ-6-Н50-0,022 мкФ 4 |L2 Катушка индуктивности вч 2 0,4 мкГц £ ? Диод полупроводниковый 1А401В 1 11—ПП4 Прибор полупроводниковый 1Т308В 4 й (1, Др2 Дроссель высокочастотный !’ Д1-0,15-20±5 2 Розетка приборная СР-50-112 Ф 1 Розетка 1 Розетка РГ1Н-1-3 1
61
Рис. 24. Блок генератора гармоник.
Схема электрическая принципиальная.
62
Блок питания синхронизатора
Перечень элементов
ГОоз. Иознач. Наименование и тип Кол. Приме1:.
Резистор ОМЛТ-О,5-2 кОм±Ю% 1
Конденсаторы
К50-ЗБ-50-200 1 К50-ЗБ-25-И000 1
рС9 К50-ЗБ-50-200 7
ГД9 |. ПП2 Диод полупроводниковый Д237А 9 Прибор полупроводниковый П214В 2 То же П217В 2 —»— П214В 1
Трансформатор 1 Предохранитель ВП1-1-0,5А 1 Колодка ШР16П2ЭШ5 1 Розетка РП10-11 1
|у2 Усилитель стабилизатора Я5-123 2
। Плата 536.ЕЭ5.283.594 Резисторы ОМЛТ-1-,1,2 кОм ±10% 1 ОМЛТ-0,5-560 Ом±Ю% 1 ОМЛТ-0,5-3,9 кОм±Ю% 1 ОМЛТ-0,5-820 Ом ±10% _ 1 Резистор переменный СП5-14 680 Ом 1 Резистор ОМЛТ-0,5-560 Ом ±10% 1 Конденсатор К42У-2-160-0,1±10% 1
-Д4 Диод полупроводниковый Д814А 4
1 Прибор полупроводниковый МП 15 1
63
Приложение 2
ПЛАНЫ РАЗМЕЩЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ЭЛЕМЕНТОВ ОСНОВНЫХ БЛОКОВ ПРИБОРА
&
4
i У16
' Усилитель
промежуточной частоты)
417
(блок питания)
У1
У4
Э( (6-лок
агтенюатероЬ
УЗ
У2
R2
ИМ
Уб
У5
Рис. 1. Блок СВЧ С4-27 (вид сверху).
(блок аттенюаторов)
У13
64
65
ОС
Рис. 5. Плата 695.ЕЭ3.660.642.
СП
СО
Рис. 7. Блок питания блока СВЧ.
70
71
72
Рис. 12. Плата ЕЯ3.215.027.
73
Рис. 13. Расположение основных блоков анализатора
спектра ПЧ С4-27 (вид сверху)-.
74
(У10)
fcunumenb операционный
Преобразователь
(У1)
Рис. 14. Расположение основных блоков анализатора
Г Ш1 I
спектра ПЧ С4-27 (вид снизу).
75
Рнс. 15. Плата 300.5.283.212.
Рис. 16. Выпрямитель 1900 В.
76
ВиЭ спраЬа
77
Рис. 18. Плата ЕЯ2.032.053.
Рис. 19. Блок диодов.
78
Рис. 20. Фильтр питания.
79
80
Рис. 22. Плата 456.ЕЭ3.660.536.
Рис, 21.
Рис. :23. Усилитель промежуточной частоты.
81
Рис. 24. Плата ЕЯ5.031.007.
83
Рис. 26. Усилитель операционный.
Рис. 27. Плата ЕЯ5.108.008.
86
Рис. 29. Плата 566.3.660.586.
Рис. 30. Плата ЕЯЗ.290.006.
87
88
Рис. 31. Плата ЕЭ3.660 588-01.
89
I
Рис. 34. Плата ЕЯ5.031.005.
90
I
у уу| 296.ЕЭ3660А74
ЕЯ5.081.013
Рис. 35. Модулятор.
91
29о ЗОо о23 о31 о27 о26 о25 о с
ГЛ ГЛ ГЛ ГЛ ГЛ ГЛ ГЛ ГЛ2& 21
Рис. 40. Плата 838.5.583.446.
Рис. 41. Плата 840.5.283..450.
96
ЕЭ5.283.710
Рис. 42. Плата 5.283.710.
97
Рис. 45. Синхронизатор С4-28 (вид сверху).
100
961.ЕЭ3.66О.811
CA1JBJ
к Б 04
ст О э
643.ЕЭ3.660.617__,
к э к1-^
9В2.ЕЭ3.6608Ю
20 CRF1 б
О
4
Г~й4~~1 Э63.ЕЭЗ£СС.аО5
I 04 |[Ё2^
С"Д1 )
(KSSD
CE2SD
(ХД5 )
I оз I
( »<ДЗ) ОЗ
50
40
С5
ЧДр£ |~
ЧТДрЗЪ
Ч Др4|-
ЧТДрБТ
С1
673. ЕЭЗ.660.631
04
ОХ
20
(njw) (Qin:
Р^П о/ э к
5
642.ЕЭ3.660.618
О2
6 О3
I I R4 I
1
Ч. Арб н
gLul
966.ЕЭ3.660.805
1 3 Г о
° L ^F°3
□ (О) (М Д и
4
2 9Б&. ЕЭЗ.660.808
О к эСЕЗЬб
о 964.E35fi60.807
_ 2 г—!
04
965X33.660.806,
’’ЙПК ЭГ
' _____\ 1 z-ч
о СЕПБ э Я
, гЛ гг» (Л Г-4^
О
3
С2
О-)
15 о ww (xW Н
20 СИЗЬ э Я
__ ______ $
СО
о
CD
CD
ГО
СП
Б
О
R2
Ч----ГС4~|
ГСП Э
[~RT~1
э
(1ПП277с
А=7 5о
1X5
01 20
30 Er5j
Ы
Рис. 46. Блок фазового детектора.
!чта~ъ -пст-
R4
3
О
2
чз&пь
Ч. ДР..7 J- Ч ДР Ю Н
644. ЕЭЗ. S60.619
О1
4
О
Ш4
Э1
(Фи/
Рис. 45. Синхронизатор С4-28 (вид сверху).
100
Рис. 47. Блок опорного сигнала.
Рис. 48. Блок генератора гармоник.
hSf £9?№7/z9
Блок питания
Таблица 4
В
Поз. обознач. Напряжение на выводах
коллектор- эмиттер эмиттер- база Примеч.
ПП1 —51 —0,55
ПП2 —52 —0,5
ППЗ —51 —(0,4—0,7)
ПП4 —5,3 — (0,12—0,2)
ПП5 —5.5' — (0,12—0,25)
ПП6 —10,2 — (0,1—0,4)
ПП7 —10,2 —(0,1—0,4)
Плата ЕЭ5.283.371
ПП1 —10 ±(0,1—0,3)
ПП2 —12 ±(0,1—0,3)
ППЗ ±2,5 —0,5
Плата 536.ЕЭ5.283.594
ПП1 —4,8 ±(0,1—0,25) УПЧ В Таблица 5
Поз. обознач. Напряжение на выводах Примеч.
коллектор эмиттер база
ПП1 —6,8 + (0,2—0,4) 0
ПП2 —8,4 ±0,3 0
ППЗ —7,6 ±0,3 0
ПП4 —9,0 ±0,3 0
Примечания: 1. Режимы измерять вольтметром типа В7-13.
2. Все напряжения, кроме особо оговоренных, измерять относительно
корпуса.
3. Напряжение питающей сети должно соответствовать номинальному
значению 220 В ±2%.
4. Режимы транзисторов указаны с погрешностью ±20% для напря-
жений больших 3 В; ±0,6 В — для напряжений меньших 3 В и ±0,2 В—
для напряжений меньших 1 В.
106
Анализатор спектра ПЧ
Режимы полупроводниковых приборов
Таблица 6
В
Поз. обознач. i. Напряжение на выводе Примечание
коллектор эмиттер„ •база
1ft, Г},' Преобразователь
ft-
ПП1 з 0 — 8,8 —9,0
iv l-! tv Фильтр кварцевый
I; Плата 566.ЕЭ3.660.586
ПП1 —10 —5,5 —5,8
Плата ЕЯ5.067.104
ПП1 —15 —7,6 —7,9
ПП2 —10 —5,7 —6,0
ППЗ —14,5 —7,4 —7,7
ПП4 —15 —7,5 —7,8
ПП5 —10 —5,8 —6,0
ПП6 —14,7 —7,5 —7,7
ПП7 —15 —7,6 —7,8
ПП8 —15 —7,6 —7.8
Аттенюатор отсчетный
fl. —16 —6,6 -6,8
Усилитель промежуточной частоты
ПП1 —9.0 -0,7 —0,82 Напряжения иа тран-
ПП2 —9.0 —0,55 —0,75 зисторах УПЧ измерены
. ... ППЗ —7,2 . — и ,45 —11,7 при установке ручки
РАЗВЕРТКА S в. поло-
Г жение ВЫКЛ.
Калибратор
ПП1 —5,75 — 1,8 —2,0 Напряжения на тран-
► ПП2 — 11 —3,6 —3,85 зисторах калибратора из-
. ППЗ — 11 0 — мерены при установке
ПП4 + 2,65 + 0,6 +0.85 ручки МЕТКИ MHz в
ППЗ +4,9 +2,65 + 2,9 положение НЕСУЩАЯ.
ПП6 + 2,6 +0,65 + 0,9
ПП7 +4,9 + 2,6 +2,9
ПП8 + 3,3 +0,9 + 1,2
107
В Продолжение табл, б
Поз. обозпач. Напряжение иа выводе Примем.
коллектор эмиттер база
Модулятор
ПП1 —7,3 + (0Д—<1,0) 0 Напряжения измерены
ПП2 —.12 + (0,3—.1,2) +'(0„1—11,0) при минимальной поло-
ППЗ —Н2 — (0,8—1,3) — (1—1,5) се обзора и токе на
ПП4 —1,65 —13,0 —12,5 выходе модулятора (кои-
ПП5 +4,3 —2,2 —1,65 такты «3»—«12»), рав-
ПП6 —3,5 —2,2 —2,75 ном 30 мА.
ПП7 —20 —2,9 —3,5
ПП8 —20 —2,75 —2,9 Усилитель подсвета
ПП1 — 14 —4,6 —4,8
ПП2 —14 —4,4 —4,6
Блок развертки
ПП1 +11 0
ПП2 + (0,1—0,5) 0
ППЗ + Н -(0,1-0,4)
ПП4 + 11 0
ПП5 + Н 0
ПП6 + 10 0
ПП7 + И +9
ПП8 + (8-17) + (0,2—0,8)
ПП9 +90 — (0,2—0,7)
ПП10 +70 —(1,0—1,5)
ппн +36 — (0,8—1,4)
+ (0,1—0,5) Напряжения измерены
+0,7 после совмещения линии
+ (0,1—0,5) развертки с иижней ли-
0 иней масштабной сетки
0 ЭЛТ установки ампли-
0 туды развертки, равной
+ 10 ширине масштабной сет-
+ (0,8—1,4)ки (70 мм) и выключе-
+ (0 — ± 1) ния генератора разверт-
— (0,2—0,7) ки (ручка РАЗВЕРТКА
— (0,1—0,3) S в положении ВЫКЛ.).
Усилитель операционный
ПП1 —9,8 +0,5 + (0,1—0,3) Напряжения измерены
ПП2 —20 + 1,1 +0,55 при установке ручек ОТ-
ППЗ — 19 +1,6 + 1,1 СЧЕТ АМПЛИТУД <1В
ПП4 -(2,1-3) —19,5 —19 в положение «0», а
ПП5 —20 —(1,6—2,3) -(2,1-3) ВЕРТ. МАСШТАБ — в
положение ЛИН.
108
в
Продолжение табл. 6
Напряжение на электроде
относительно шасси, В
Поз. обознач. эмиттер база коллектор Примеч.
Блок питания
Т1 —0,2 —0,3 —8,5
Т2 —20,2 —20,3 —28
ТЗ —0,7 —0,9 —3,7
Т4 0 —i0,2 —8,5
Т5 —20 —20,2 —28
Тб —0,8 —1.4 —34
Т7 —0,4 —0,7 —3,7
Т8 0 —0,8 .—«34
T9 —0,4 —0,7 —3,7
Плата У11-1
Т1 —0,3 —0,4 —10
Т2 + 12 + 11,8 —0,4 Плата У11-2
Т1 —20,3 —20.5 —29
Т2 —7 —7,2 - -20,5 Плата У11-3
Т1 —1,7 —1,5 —11
Т2 + 11 + 10,8 —1,5
ТЗ +8,4 +8,9 + 10,8
Плата У11-4
Т1 —0,9 —1,1 —8
Т2 +6,7 +6,6 — 1.1
Примечания: 1 Режимы транзисторов измерять вольтметром типа
В7-13.
2. Напряжение питающей сети должно соответствовать номинальному
значению 220 В ±2%.
3. Режимы транзисторов указаны с погрешностью ±20% для напря-
жений больших 3 В; ±0,6 В — для напряжений меньших 3 В и ±0,2 В—
меньших I В.
4. Знак (—) указывает, что режим ие контролируется.
109
Режимы электровакуумных приборов
В Таблица ?
Поз.
обо-
знач.
Напряжение на электроде относительно корпуса
накал катод 1-я сетка 2-я сетка анод
При-
меч.
Преобразователь
Л1 +6,3
Л2 +6,3
ЛЗ +6,3
Л4 +6,3
Л5 +6,3
Л6 +6,3
Л7 +6,3
Л1,Л2 +6,3
+ (0,2—1,2) 0 _
+50 +50 —
0 — +47
О — +47
— 0 —
+0,8 0 +55
Фильтр кварцевый
+0,8 — —
+90
+50
+98
+95
+95
+87
+95
+70
Усилитель промежуточной частоты
Л1
Л2
+6,3 +1,9 — +90 +90 Напряже-
+6,3 +2,3 — +94 +94 ния измере-
ны в поло-
жении ЛОГ.
ручки
ВЕРТ.
МАСШТАБ
Генератор 160 МГц
Л1 +6,3
О — — — +18
Примечания: 1. Напряжения на электродах электровакуумных
приборов измерены вольтметром В7-13.
2. Напряжение питающей сети должно соответствовать номинальному
значению 220 В ±2%.
3. Режимы указаны с погрешностью ±20% для напряжений больших
3 В; ±0,6 В — для напряжений меньших' 3 В и ±0,2 В — для напря-
жений меньших 1 В.
Режим электроннолучевой трубки
в Таблица 8
Поз. обо- зиач. Напряжение на электроде относительно корпуса
накал (1-14) катод (2) модуля- тор (3) 1-й анод (5) 2-й аиод (9) 3-й анод
Л1 — 6,3 —1800 —1850 —1680 +50 +4900
Примечания: 1. Напряжения на электродах ЭЛТ измерены вольт-
метрами В7-13, АВО-5М (с делителем). .
2. Напряжение на электроде «1» измерено относительно электрода «14».
3. Напряжение питающей сети Должно соответствовать номинальному
значению 220 В ±2%.
4. Режимы указаны с погрешностью ±20% для напряжений больших
3 В; ±0,6 В — для напряжений меиьших 3 В и ±0,2 — для напряжений
меньших 1 В.
ПО
Синхронизатор
Режимы полупроводниковых приборов
Таблица 9
В
Поз. > обознач. Напряжение иа выводе
эмиттер | база | коллектор
Блок опорного сигнала ЕЭЗ.660.627 >; Т1 —3,4 —3,5 —15 Г. Т2 —0,55 —0,6 —3,45 £ ТЗ —1,1 —1,3 —9,9 Т4 -1,05 —1,3 —9,7 ЕЭЗ.660.626 Т5 —0,6 —0,9 —5,4 Тб —1,1 —1,4 —9,8 Т7 —1,0 —1,3 —9,8 Генератор 2,5 МГц 641.ЕЭ5.283.354 ПП1 -6,7 —6,3 —12,5
Примеч.
Блок генератора гармоник
681.ЕЭ3.660.635
ПП1
ПП2
ППЗ
ПП4
—4,2
—5,4
—0,7
—0,7
—4,6
—5,7
—0,9
—0,9
—5,4
—12,6
—12,0
—12,0
При отключенном
разъеме Ш1
Блок фазового детектора
961.ЕЭ3.660.811
ПП1 — — —(6,8—10) 643.ЕЭ3.660.617
ПП1 —9,4 —9,8 —1.2,6
ПП2 —8,0 -8,2 —9,4
962.ЕЭ3.660.810
ПШ —7,6. —7,8 —9,4
ПП2 —9,4 —9,8 —12,6
111
Продолжение табл. 9
В
Поз. обознач. Напряжение иа выводе Примем.
эмиттер 1 база | коллектор
968.ЕЭ3.660.808
ПП1 —9,3 —9,6 —12,6 Напряжения измерены
ПП2 —7,8 —8,0 —9,3 при отключенном пи-
ПП1 —3,0 964.ЕЭ3.660.807 —2,9 —126 тании иа плате 964.ЕЭ3.660.807
ПП1 —9,3 965.ЕЭ3.660.806 —9,6 —126 Напряжения измерены
ПП2 —7,8 —8,0 —9,3 при отключенном пи-
ПП1 -(4-7) 673.ЕЭ3.660.631 — (4—7,3) -9,3 тании на плате 964.ЕЭ3.660.807 •
ПП2 —9,3 —9,6 —12,6
П<П1 -,(4-7) 642.ЕЭ3.660.618 — (4—7,3) —9,3
ПП2 —9,3 —9,6 —12,6
ПП1 —7,0 96в.ЕЭ3.660.805 —7,3 —93
ПП2 —9,3 —9,6 —12,6
ПП1 -(0,1—0,25) 967.ЕЭ3.660.804 - -(8-13) Напряжение измерено
ПП2 —(0,1—0,25) - -.(8-13) относительно точки 3.
ПП1 —9,3 644.ЕЭ3.660.619 —9,6 —12,6 Напряжение измерено
ПП2 —7,0 —7,3 —9,3 при отключенном пи-
Примечания: 1. ! тании на плате / 984.ЕЭ3.660.807 Режимы транзисторов измерять вольтметром ти-
па В7-13. 2. Все напряжения, кроме особо оговоренных, измерены относительно
корпуса.
3. Напряжение питающей сети должно соответствовать номинальному
значению 220 В ±2%.
4. Режимы транзисторов указаны с погрешностью ±20% для напря-
жений больших 3 В; ±0,6 В — для напряжений меньших 3 В и ±0,2 В—
для напряжений меньших 1 В.
112
Таблица 10
Поз. обознач. Напряжение на выводе
эмиттер база коллектор Примем.
Блок питания
ПП1 — 12,9 —13,0 —21,4
i ПП2 —12,8 —12,9 —21,4
1 ППЗ —20 —20,1 —33,3
г ПП4 t —20 —20,1 —30 Измерено относительно ±20 В (+С9)
Примечания; I. Напряжения на выводах измерять вольтметром
В7-13.
2. Все напряжения, кроме особо оговоренных, измерены относительно
; корпуса.
3. Напряжение питающей сети должно соответствовать номинальному
значению 220 В ±2%.
_ 4. Режимы транзисторов указаны с погрешностью ±20% для напря-
жений больших 3 В; ±0,6 В — для напряжений меньших 3 В и ±0,2 В—
для напряжений меньших 1 В.
Приложение 4
НАМОТОЧНЫЕ ДАННЫЕ
Блок СВЧ Трансформатор Тр1 (блока питания) Таблица 1
Обмотка Вывод И .3 о л я п и я
номер марка провода и диаметр, мм число витков число слоев обозначение выводов (нач,—кон.) марка провода и сечение, мм5 межслоевая межобмоточная
2 0 15 2320 о '~2 *МГТФ °’14 К-120 2К-120 3 0 2 И7° ? -~4 МГТФЛ 0,12 КТ-0,5 К-120, П* 4 »- 0 27 (L ? 5-6 МГТФ 0,14 К-120 5.' ZL ?g iS ’ Г то7-/,’ М7гт^’!1 К-120 0 23 70 tu Г ° °''4 КТ-0.5 6. 0 23 70 LI КТ-0,5 ОДО 70 1 L 7 К-120 Т- —»— 0,15 (05 1 21 22 • ~ * * 8. —0,15 1,05 1 2L.94 “ ~ »: —о’й & I fcff ЕН ЕН И ’ _L 074 39 2 32~33 проводом К-120 КЧ20 12. 0 64 28 1 0бМ0тки К-120 К-120 1з. 1,о "L ZL
Магнитопровод ШЛ 25X 32, сталь Э310, толщина 0,35 мм
11 пленка триацетатная слабопластифицированная.
Анализатор спектра ПЧ
Трансформатор Тр1 (блок питания)
Таблица 4
Обмотка Выводы Изоляция
порядок ЧИСЛО витков обмотки ЧИСЛО число марка провода обозна- чение марка провода межслое- межобмо-
намотки в ряду рядов и диаметр, мм выводов и диаметр, мм вая точная
[ 690 89 8 ПЭВ-2 0,59 1-н2 МГТФ 0,35 К-120 К-120
2 1,2 экран 17 МГТФЛ 0,14 —»— К-120, пленка*
з 1460 395 4 ПЭВ-2 ‘0,1 32—33 ПВТФ-2 0,35 Кон-1 0,02 —»—
4 2380 388 7 —»— 0,1 34—35 —»— 0,35 —»— —»—
5 73 —»— 0,2 6—7 МГТФ 0,14 К-120 К-120
6 131 203 1 —»— 0,2 16—31—27 —»— 0,14 — К-120
7 73 209 —»— 0,2 25—26 —»— 0,14 К-120 —»—
8 29 —»— 0,2 21—22 —»— 0,14 —»— —»—
9 146 106 2 —»— 0,41 3—4—б —»— 0,35 —»— —»—
10 330 93 4 —»— 0,47 14-15 —»— 0,35 —»— К-120, —»—
11 146 79 2 —»— 0,55 11-12-13 —»— 0,35 —»—
пленка*
12 21 21 —».— 0,64 36—37 МГТФЛ 0,35 —»— —»—
13 92 38 3 —»— 1,00 22—23—24 проводом К-120
обмотки —»—
* Пленка триацетатная слабонластифицироваиная 0,07 X 60 ТУ № 1676.
Дроссель Др1 (блок питания)
Таблица 5
Сердечник Обмотка Электрическ не параметры
железо, гипо- размер и «я S 3 f-v Sag* S Й « s s s RJ s д « S марка провода и диаметр, мм число витков число слоев Обозначение выводов (нач.—кон.) Изоляция межслоевая индуктив. ность с под магничива- ннем, мкГн ток под- магничива- ния, А
ШЛ16Х25 0,48 ПЭВ-2 1,35 175 9 1—2 К-120 0,035 3,0
Таблица 6 Катушка индуктивности
Поз. обознач. Место установки Число витков Марка провода и диаметр, мм Индуктивность без сердечника, мкГи Частота, МГц Доброт- ность
L1 Преобразователь 2,5 ММ; 0,51 0,03 L2 —»— 5 То же 0,05 L3, L4 —»— 6 —»— 0,06 — _ L5 —>— 5 —»— 0,05 L6 —»— 2,5 —»— 0,03 L7 —»— 4 тента 1,5X0,1 0,1 L9 —»— 3,5 ММ; 1,0 0,1* — _ L11 —24,5 ПЭВ-2; 0,31 2,6±5% — — L13 —»— 8 ПЭВ-2; 0,23 — _ _ L14 —»— 7 ММ; 1,0 0,2 — _ 1.15, JL16 —»— 3,5 То же 0,1 L17, L18 —»— 6,5 —>— 0,2 — _ L19 —28 ПЭВ-2; 0,41 4±10% — _ L20, L21 —»— '20 ПЭВ-2; 0,31 2,2±10% — — L22 —»— 28 ПЭВ-2; 0,41 4±10% — — L1 Калибратор 6,5 ММ; 1,0 0,14 — — L2 —»— 5,5 То же 0,11 LI, L2 УПЧ 30 ПЭВ-2; 0,15 6,4±10%* 8 >75 L1 Усилитель Выводы: подсвета «1»—«2»—11 ПЭВ-2; 0,15 «1»—«3>—33 То же 7±10%* 8 >75 LI, L2 * Кварцевый Выводы: фильтр «1»—ч:2»—38 ПЭВ-2; 0,12 «1»—«3»—58 То же 17,6±5%* 8 >50 Примечая и я: 1. Величины индуктивностей без допуска— ориентировочные. 2. «*» — величина индуктивности с полностью введенным сердечником.
Синхронизатор
Трансформатор Tpl (блок питания)
Таблица 7
номер 0 б м от к а марка ЧИСЛО слоев Вь обозначение вывода (нач.—кои.) 1ВОДЫ марка провода и сечение, мм2 Из межслоевая ОЛЯ и и я межобмо- точная
провода и диаметр, мм ЧИСЛО витков
1. ПЭВ-2 0,23 1830 16 1—2 МГТФЛ 0,14 мм2 КТ-ОД ПЛ-0,07X1
2. ПЭВ-2 0,2 205 4 12—13 13—14 21—22 22—23 —»— —>— К-120
3. ПЭВ-2 0,25 205 204 204 5 —»— 11! 1Т1 К-120Х1 К-120Х2
4. ПЭВ-2 0,41 135 135 5 32—33 33—34 —»— —»— —>—
Магнитопровод ШЛ 16X25, сталь Э310, толщина 0,35 мм,
Катушки индуктивности
Таблица 8
Поз. обознач. Место установки Номера ВЫВОДОВ Число витков Марка провода и диаметр, мм2 Индуктивность без сердечника, мкГн Частота, МГц Доброт- ность
LI—L13 Блок 1—2 п ПЭТВ 0,21 0,6+10% 30 >80 опорного сигнала L1 Генератор 2,5 МГц 114 ПЭВ-2; 0,15 200—205 L1 Блок 1—3 8 ——»— 0,4±10% генератора 4—5 4 ПЭВ-2; 0,2 0,13+15% гармоник 5—€ 4 —»— —»— 0,13±15% 4—6 8 —»— —0,4 ±10% L2 То же 1—2 5 —»— —»— 0,2±10% 2—3 5 ъ ~ —»• 0,2± 10 % 4—6 2,5 —»— —»— 0,05+20% 1—о Ю —»— —»— 0,6±10% L1 плата Блок фазового 964.ЕЭ3.660.807 детектора 1—2 44 ПЭТВ; 0,07 8±5% 8 >70
Катушки индуктивности
Продолжение табл. 8
Поз. обознач. Место установки Номера выводов Число витков Марка провода и диаметр, мм2 Индуктивность без сердечника, мкГи Частота, МГц Доброт- ность
L1 плата Блок 1-2 14 ПЭЛШО; 0,38 0,5+10% >100 965.ЕЭ3.660.806 фазового 3—4 3 ——»— 0,05 + 20 % 41 LI, L2 плата дет^_°р j_2 23 ПЭВ-2; 0,15 “7^Z”4 — й » ПЭЛШО; мГ 2. 643.ЕЭ3.660.617 3—4 9 —»— —<ХЗ±15 LI, L2 плата —»— 1—2 28 —»— —» 2—10 А » » 963.ЕЭ3.660.809 3-4 9 ——»- 0,3=1=15% L1 плата —»— 1—2 28 »— —»— 2 10 А » 673.ЕЭ3.660.631 3—4 9 ——»- <ХЗ±15А „ L1 плата -»- 1-2 28 -»- -»- 2±!0% ~*~ 642.ЕЭ3.660.618 3—4 9 —»— —»— 0,3+15%
ю