А. И. КИЗЛКЖ
СПРАВОЧНИК
ПО УСТРОЙСТВУ И РЕМОНТУ ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТОВ ЗАРУБЕЖНОГО И ОТЕЧЕСТВЕННОГО ПРОИЗВОДСТВА
АНГСТРЕМ ГРАВИТОН ф ИНТЕГРАЛ 0
РОДОН (g)
ЭКСИТОН MOTOROLA @ Д HOLTEK HUALON ЕТГЕ
шшв вшв EJEJB ВШЕ
ELAN	SEIKO
SANYO	SA^YO	UMC	@
SAMSUNG fig	WINBOND	Qf
МОСКВА	i-
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ ОТ ВЕДУЩИХ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ
Infineon - эпоха полупроводниковых коммуникаций будущего
роттэ»'
зарубежья
ВВёТЕСН
ВСЕГДА НА СКЛАДЕ В ПРОМЫШЛЕННЫХ КОЛИЧЕСТВАХ
«я ведущих производителей
Фр«мко. д.40, пр.2, (095)73-75-999, почта: 121351, Москва, а/я100, email: platan@aha.ru Офис на те, fO5H>)284-46-28, prospectmira@platan.ru Офис на v. Курская: Москва, ул.Земляной вал, 34 VtaftM.nt Офис, it Смн»т Петербурге: Кронверкский просп., 73, (812)232-83-06, 232-59-87, platan@mail.wplus.net •17, cep@immsp.kiev.ua Региональные представители: Новосибирск: (3832)16-33-66 Казань, er-ealww a*‘ae'°®	<8352)64-05-61 Томск (3822)41-55-70 Уфа. (3472)32-33-42 Воронеж: (0732)597-557
Н»XrLtuБелгород: (0722)32-00-82 Омск. (3812)24-69-03
" ^П:	• Москва, ул.Бегоная, 2 « ул.Гиляровского, 39 • ул.Ивана Франко, д.40, стр.2
•”*Рбург, КроижвриокмЯпросп., 73 » Ярославль, пр.Ленина, 6а
ffTrTr .*Т.’
gBPHIUPS Iя i
JllT'in.nj
W ПЛАТАН
>-75-999 (многоканальный)
Г PCOS
Infineon
ht* 4

» »
Компоненты для проводных и беспроводных телекоммуникаций 8-, 16-, 32- разрядные и CAN контроллеры Высоковольтные силовые транзисторы Сверхбыстрые диоды Шоттки Линейные регуляторы с малым падением напряжения
Интеллектуальные нижние и верхние ключи Драйверы управления моторами
Бесплатный каталог и CD Платана высылаются по заявкам предприятий
А. И. КИЗЛКЖ
СПРАВОЧНИК
ПО УСТРОЙСТВУ И РЕМОНТУ ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТОВ ЗАРУБЕЖНОГО И ОТЕЧЕСТВЕННОГО
ПРОИЗВОДСТВА
Четвёртое издание (исправленное и дополненное)
МОСКВА
АНТЕЛКОМ
2003
ББК 32.844.1
Х31
Кизлюк А.И.
Х69 Справочник по устройству и ремонту телефонных аппаратов зарубежного и отечественного производства. Четвёртое издание. - М.: АНТЕЛКОМ, 2003. - 256 с.: ил.
ISBN 5-93604-004-6
Настоящий справочник содержит материал о принципе работы телефонных сетей и телефонных аппаратов (ТА), рассмотрена работа узлов и элементов ТА, приведены справочные данные, необходимые для ремонта и модернизации ТА.
В четвертое издание справочника внесены значительные изменения (по сравнению с третьим изданием), касающиеся справочных данных микросхем номеронабирателей (их стало более 500), дополнен раздел 4 -"Электрические принципиальные схемы телефонных аппаратов". В частности, приведены 4 схемы телефонных аппаратов фирмы "SIEMENS" марки Tel 01, FeTAp и POST. Значительно расширен раздел 9 - "Справочный материал" с учётом изменений, произошедших за последние несколько лет в ассортименте отечественных изготовителей транзисторов и диодов. Дополнен справочный материал по цветовой н кодовой маркировке транзисторов.
Помимо этого внесены изменения и в другие разделы. В частности приведена новая схема блокиратора параллельного телефона в разделе 5. В разделе 6 приведён пример, как заменить микросхемы UM91214A н UM91215A на отечественную микросхему КР1008ВЖ27.
ББК 32.844.1
Все авторские права защищены. Ни одна часть настоящей публикации не может быть воспроизведена илн передана в любой форме или любыми средствами, включая фотокопирование и магнитную запись, без письменного разрешения владельца авторского права.
Заявку на получение такого разрешения необходимо направлять по адресу:
123481, Москва, а/я 9, Кизлюку А.И.
E-mail - a.kizluk@relcom.ru
© А.И. Кнзлюк, 2003
© АНТЕЛКОМ, 2003
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение..........................................................5
Сокращения, принятые в справочнике................................5
1.	Основные понятия о работе телефонных станций и абонентских устройств.6
1.1.	Коротко об отечественных телефонных сетях....................6
1.2.	Спаренное включение телефонных аппаратов.....................11
1.3.	Технические характеристики и принцип работы аппаратуры АОН.......13
1.4.	Классификация телефонных аппаратов...........................16
1.5.	Принципы построения кнопочных телефонных аппаратов..........18
1.6.	Структурные схемы кнопочных телефонных аппаратов.............19
2.	Разнодности и характеристики отечественных и зарубежных ИС ЭНН......23
2.1.	Разновидности микросхем ЭНН.................................23
2.2.	Принцип работы микросхем ЭНН................................25
2.3.	ИС ЭНН К145ИК8П.............................................31
2.4.	ИС ЭНН КР1008ВЖ2............................................33
2.5.	Характеристики микросхем электронного набора номера.........37
2.6.	Назначение выводов микросхем номеронабирателей..............55
2.7.	Назначение кнопок клавиатуры в ТА с дополнительными функциональными возможностями....................................56
2.8.	Порядок программирования ИС ЭНН с дополнительной памятью на 10 номеров....................................................57
2.9.	Порядок программирования ИС ЭНН с дополнительной памятью более 10 номеров.................................................57
2.10.	Порядок работы с памятью отечественной ИС КР1008ВЖ5........57
3.	Разновидности и особенности схем узлов ТА......................82
3.1.	Вызывное устройство (ВУ)....................................82
3.2.	Схема “отбой”...............................................93
3.3.	Схема питания ИС номеронабирателя...........................94
3.4.	Элементы коммутации.........................................97
3.5.	Разговорный узел.......................................... 101
3.6.	Разговорный узел ТА с "громкой связью".................... 110
3.7.	Микрофонный усилитель на ИС КР1026УН1......................117
3.8.	Микрофоны..................................................119
3
4.	Электрические принципиальные схемы телефонных аппаратов....... 123
VEF TA-D........................................................ 123
VEF ТА-12........................................................125
VEFTA-32........................................................ 128
VEF Rita-201, Gunta-202, Inta-203.............................. 12!<
ТЕЛТА-201, ТЕЛТА-204............................................ 134
ТЕЛУР-202, СПЕКТР-201+203, ТЕЛТА-М217............................134
Электрические принципиальные схемы зарубежных ТА................ 134
5.	Блокиратор параллельного телефона..............................160
6.	Ремонт телефонных аппаратов..................................  163
6.1.	Поиск неисправностей и их устранение....................... 163
6.2.	Замена микросхемы номеронабирателя......................... 167
7.	Защита и доработка ТА..........................................176
7.1.	Защита микросхемы номеронабирателя......................... 176
7.2.	Защита импульсного ключа ТА................................ 177
7.3.	Доработка разговорного узла................................ 178
7.4.	Замена дискового номеронабирателя на кнопочный............. 180
7.5.	Устройства для проверки микросхем и транзисторов, применяемых в телефонных аппаратах...........................................183
8.	ИС КР1008ВЖ18 и КР1008ВЖ19.....................................186
9.	Справочный материал.........................................   200
9.1.	Кодовая н цветовая маркировка резисторов....................200
9.2.	Кодовая и цветовая маркировка конденсаторов................ 201
9.3.	Цветовая маркировка и параметры диодов и стабилитронов......204
9.4.	Цветовая и кодовая маркировка транзисторов..................216
9.5.	Обозначение зарубежных радиоэлементов...................... 218
9.6.	Параметры биполярных и полевых транзисторов.................220
9.7.	Замена зарубежных радиоэлементов............................249
4
ВВЕДЕНИЕ
В настоящее время весьма популярными стали телефонные аппараты (ТА) >с тастатурным (кнопочным) набором номера как отечественного, так и зарубежного производства. Большое количество таких аппаратов нз стран Юго - Восточной Азии продаётся сейчас по доступным ценам. Но, к сожалению, оборудование отечественных телефонных станций и сетей по своим параметрам не соответствуют требованиям мировых стандартов и многих стран - производителей, а также схемотехника большинства зарубежных ТА функционально отличается от принятой в нашей стране. Это различие приводит к некачественной работе телефонных аппаратов, а нередко, и к выходу их из строя. Вместе с тем, ни объём литературы, выпускаемой до настоящего времени по данной тематике, ни полноту содержащихся в ней сведений нельзя признать удовлетворительной.
Работая над справочником, автор стремился восполнить этот пробел, особенно в части ТА зарубежного производства. Была поставлена цель провести анализ большинства схем ТА, находящихся в настоящее время в эксплуатации, обобщить и систематизировать имеющийся материал, что помогло бы обеспечить грамотное применение ТА и их ремонт. Как это удалось - судить читателю.
В справочнике приведены также данные по ряду импортных и отечественных микросхем и транзисторов, применяемых в ТА, рассмотрена возможная их взаимозаменяемость. Приведён различный справочный материал по цветовой и кодовой маркировке компонентов радиоэлектронной аппаратуры, их параметры, а также большое количество принципиальных схем телефонных аппаратов (в том числе телефонов - трубок) зарубежного и отечественного производства.
Рассмотрены вопросы ремонта и модернизации ТА, а также оригинальные способы защиты их от выхода из строя.
В справочнике уделено внимание построению ТА с частотным набором, рассмотрен принцип работы аппаратуры АОН и спаренного включения ТА.
Автор надеется, что справочник будет весьма полезен как радиолюбителям, так и ремонтным организациям.
Автор признателен Зензевееву М. А. (почётный радист СССР) за ценные замечания, сделанные им при подготовке данного издания.
Автор будет признателен читателям, сообщившим свои критические замечания и предложения, которые будут обязательно учтены в следующих изданиях справочника.
Отзывы и предложения направляйте по адресу:
123481 г. Москва, а/я 9. Кизлюку Анатолию.
E-mail — a.kizluk@relcom.ru
СОКРАЩЕНИЯ, ПРИНЯТЫЕ В СПРАВОЧНИКЕ
АОН	- автоматический определитель номера;
АЛ	- абонентская линия;
АМТС	- автоматическая междугородная телефонная станция;
АРУ	- автоматическая регулировка усиления;
АТСК	- автоматическая телефонная станция координатная;
АТСКЭ	- автоматическая телефонная станция квази - электронная;
АУ	- абонентское устройство;
ВУ	- вызывное устройство;
ИК	- импульсный ключ;
ИС	- интегральная схема;
НН	- номеронабиратель;
ОЗУ	- оперативное запоминающее устройство;
ОУ	- операционный усилитель;
РК	- разговорный ключ;
ТА	- телефонный аппарат;
УНЧ	- усилитель низкой частоты;
ЭАТС	- электронная автоматическая телефонная станция;
ЭНН	- электронный номеронабиратель.
5
1.	ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ О РАБОТЕ ТЕЛЕФОННЫХ СТАНЦИЙ И АБОНЕНТСКИХ УСТРОЙСТВ
1.1.	КОРОТКО ОБ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТЕЛЕФОННЫХ СЕТЯХ
В первой главе попробуем кратко разобраться, что же такое телефонная связь н какой принцип положен в основу коммутации телефонных сетей, а так-
же в чем заключается основное отлнчие отечественных телефонных аппаратов от зарубежных и каковы величины основных параметров ТА.
С 1876 года, когда Велл изобрел первый двухпроводной телефон, принцип
телефонной связи практически не изменился и заключается в следующем. Микрофон преобразует звуко-
вые колебания в переменный ток. Этот ток передается по проводам к телефону, преобразующему его в звуковые колебания. Для обеспечения работы микрофона необходим источник питания, который и включается в цепь микрофона. Такое включение источника питания получило название "местной батареи". Для развязки цепей микрофона и телефона по постоянному току и согласования их сопротивлений необходим трансфор-
Рис. 1.1. Принцип односторонней телефонной передачи.
матор. Простейшая схема ТА с местной батареей питания приведена на рис. 1.1.
В настоящее время телефонные сети применяются только с центральной батареей питания микрофонных цепей ТА. Простейшая схема ТА с центральной батареей питания приведена на рис. 1.2.
Ток питания каждого микрофона проходит через дроссели L1 и L2, общие для цепей питания обоих микрофонов. Дроссели необходимы для того, чтобы не происходило замыкания переменного (разговорного) тока через центральную батарею GB, внутреннее сопротивление которой очень мало и составляет тысячные
доли ома.
Рис. 1.2. Схема телефонной передачи с центральной батареей питания.
Дроссели L1 и L2, имея относительно небольшое сопротивление постоянному току (не более 750 Ом), обладают большой индуктивностью и их полное сопротивление переменному (разговорному) току настолько велико, что он не ответвляется в ЦБ и практически полностью замыкается через аппарат второго абонента.
На АТС в качестве дросселей часто используются двухобмоточные реле, служащие одновременно для получения сигнала о вызове станции абонентом и сигнала окончания разговора (отбоя).
Коммутация абонентов первоначально выполнялась на телефонных станциях вручную, ио со временем начали применять автоматическое соединение абонентов с использованием шаговых искателей (АТС-54), координатных соединителей (АТСК), а позднее - квазнэлектронными (АТСКЭ) и электронными (ЭАТС) схемами коммутации АТС.
6
Элементами автоматизации являются шаговые искатели, электромагнитные
реле, многократные координатные соединители и электронные многоканальные
коммутаторы с программным управлением, которые осуществляют соединение между линиями абонентов АТС. Схемы коммутации АТС управляются импульсами постоянного тока, которые создаются номеронабирателем ТА при наборе абонентом цифр номера вызываемого абонента, или двухчастотным кодом (в ЭАТС).
Him
Рис. 1.3.
Распределение на-. грузок в АТС.
АТС осуществляет питание линии абонента постоянным напряжением 60 В (за рубежом 48 В). При снятой телефонной трубке к линии АТС в качестве нагрузки подключается микротелефонная пара трубки, в результате чего напряжение на линейных зажимах ТА падает до величины 5 +• 15 В в зависимости от класса ТА. Это происходит вследствие образования делителя напряжения, который состоит из сопротивления ТА - Rta и сопротивлений АТС - Ratc и линии (Rlni и Rln2). Ratc включает в себя сопротивления обмоток реле Rli и Rl2 (рис. 1.3). Сопротивление линии в большинстве случаев невелико, но иногда, при длинной линии, может достигать 1000 Ом и более, и его необходимо учитывать при согласовании с ТА для компенсации потерь сигнала и максимального подавления местного эффекта
(прослушивания в трубке собственного голоса). Сопротивления Rlni и RLN2 должны быть одинаковы. Это необходимо для того, чтобы нейтрализовать действие тока
линии на соседние провода, в которых могут наводиться помехи в виде постороннего разговора. Разговорный ток в прямом проводе создаёт падение напряжения с одним знаком, а в обратном проводе с противоположным знаком, и, следовательно, действия этих напряжений на соседние цепи нейтрализуются. Сопротивление центральной батареи (GB) можно не учитывать, так как его величина незначительна по сравнению с Ratc и Rta. Ratc в зависимости от типа станции составляет для:
-	АТС-54	-	до	1500 Ом;
-	АТСК	-	до	1200 Ом;
-	АТСКЭ	-	до	700 Ом.
Электрическое сопротивление ТА постоянному току при рабочем токе 35 мА
лежит в пределах 160 + 600 Ом (в зависимости от класса сложности).
Электрическое сопротивление ТА постоянному току во время набора номера со стороны линейных зажимов составляет:
-	при замыкании линии контактами ИК номеронабирателя < 50 Ом;
-	при размыкании линии контактами ИК номеронабирателя > 300 кОм.
Рассмотрим простейший принцип установления соединения на АТС (рис. 1.4).
Линия абонента №1 на станции включена в абонентское реле К1, через обмотки которого осуществляется питание микрофона ВМ1 аппарата абонента, а контакты номеронабирателя (НН) - ИК (импульсный ключ) н РК (разговорный ключ) используются для управления процессом соединения.
Когда абонент №1 снимает микротелефонную трубку с рычага SB1 аппарата (рычажный переключатель переводится в верхнее положение), то замыкается цепь питания двухобмоточного реле К1 через замкнутый контакт ИК, микрофон ВМ1 и обмотку трансформатора Т. Реле К1 размыкает свой контакт К1.2 и замыкает контакт К1.1, в результате чего срабатывает реле К2. Это реле замедлено на отпускание. При отсутствии тока в течение 0,1 с якорь реле остается в
притянутом состоянии.
При срабатывании реле К2 замыкается его контакт К2.2 и размыкается К2.1. Обмотка электромагнита шагового искателя КЗ остаётся обесточенной, так как цепь разомкнута контактом К1.2 реле К1.
Для ТА с дисковым номеронабирателем, набор номера абонента осуществляется следующим образом: при вращении диска по часовой стрелке до пальцевого упора разговорный ключ (РК) номеронабирателя замыкает линию накоротко, а при
Рис. 1.4. Схема простейшей АТС.
обратном вра размыкает Л1 торое соответ говорная 481 на ВМ1 и те. телефонной ч ка как в пря лении, шут разговорного диска номе!
подключается микротелефонная пара.
Следовательно, при наборе абонен-. том номера вызываемого ТА, цепь питания обмотки реле К1 прерывается контактом ИК. В течение времени размыкания цепн (tp), контакты реле К1 возвращаются в исходное состояние. При этом создаётся цепь питания обмотки электромагнита шагового искателя КЗ, так как время размыкания цепи меньше времени отпускания реле К2, что приводит к перемещению контактов шагового искателя на
одну позицию.
Каждое отпускание якоря реле К1 сопровождается притягиванием якоря электромагнита шагового искателя КЗ и передвижением контактов К3.1 и КЗ.2 на один шаг.
Таким образом, при наборе, например, цифры "5", ИК НН пять раз разомкнет цепь, а, следовательно, и контакты К3.1 и КЗ.2 установятся на пятой позиции, соединив линию вызывающего абонента с линией вызываемого.
Когда по окончании разговора абонент положит трубку на аппарат, реле К1 обесточится и вернет контакты К1.1 и К1.2 в исходное состояние. Спустя 0.1 с реле К2 также вернется в исходное состояние, замкнув контактами К2.1 цепь питания реле КЗ через сплошную ламель шагового искателя, подвижный контакт КЗ.З и самопрерывающийся контакт К3.4 (цепь К2.1 - КЗ.З - К3.4 предназначена для возврата шагового искателя в исходное положение по окончании разговора). При каждом притяжении якоря реле КЗ, контакт К3.4 размыкается, прерывая цепь пита-
Рис. 1.5. Временная диаграмма работы дискового номеронабирателя.
8
ния реле КЗ. Последнее отпускает якорь и вновь притягивает его, так как К3.4 замыкается. Работа реле КЗ продолжается до тех пор, пока подвижный контакт КЗ.З не займет исходного положения н через обмотку реле КЗ перестанет проходить ток.
Таким образом, если посмотреть на временную диаграмму работы номеронабирателя (рис. 1.5), то наглядно виден принцип формирования импульсной последовательности, управляющей работой АТС.
Четкость работы реле н электромагнита шагового искателя непосредственно зависит от времени размыкания контакта ИК номеронабирателя телефонного аппарата. Если время размыкания будет больше 0,1 с, то при размыкании контакта К1.2 реле К2 не сможет удержать якорь и соединения не произойдет, а АТС перейдёт в режим отбоя. При высокой частоте следования импульсов и малой их длительности электромагнит шагового искателя не успеет притянуть якорь и тогда соединения также не произойдёт.
Именно поэтому (в соответствии с ГОСТ 10710-81), к импульсным номеронабирателям ТА для обеспечения нормальной работы приборов АТС предъявляются достаточно жёсткие требования. Их временные характеристики приведены в табл. 1.1.
Табл. 1.1. Временные характеристики импульсных номеронабирателей ТА.
Характеристика	Допустимое значение	Номинальное значение
Частота создаваемых импульсов, имп./с	9 + 11	10
Период повторения, мс	95 + 105	100
Межсернйная пауза, мс, не менее	650 (но не более 10 с)	800
Время размыкания контактов ИК, tp, мс	53 + 70	60
Время замыкания контактов ИК, ts, мс	34 + 46	40
Импульсный коэффициент (отношение		
времени размыкания tp к времени замы-		
кания ta контакта импульсного ключа)	1,4 + 1,7	1,5
Кнопочные ТА с частотным набором номера используются при работе с электронными и квазиэлектронными АТС. Передача каждой цифры в соответствии с ГОСТ 25554-82 в частотном номеронабирателе осуществляется многочастотным кодом 2 из 8. Для этого применяются две группы частот:
-	нижняя группа частот - 697 Гц, 770 Гц, 852 Гц, 941 Гц;
-	верхняя группа частот - 1209 Гц, 1336 Гц, 1477 Гц, 1633 Гц.
Этот код обеспечивает 16 комбинаций сигнальных частот, 10 из которых используются для набора номера. Кнопки # и * используются при наборе кодов дополнительных видов обслуживания. Кнопки А, В, С и D применяются в расширенной клавиатуре. Длительность двухчастотной посылки должна быть не менее 40 мс, паузы - не менее 25 мс. Стабильность частот - не хуже ±1,5 %.
К	омбинации сигналов и соответствие частот каждой кнопке приведены в табл. 1.2.
Табл. 1.2. Многочастотный телефонный код.
Частота	1209 Гц	1336 Гц	1477 Гц	1633 Гц
697 Гц	1	2	3	А
770 Гц	4	5	6	В
852 Гц	7	8	9	С
941 Гц	*	0	#	D
9
Кроме сигналов набора номера от абонентского устройства (АУ) к АТС поступают сигналы, характеристики которых приведены в табл. 1.3. Все эти сигналы являются основными, т. е. обеспечивают взаимодействие АУ с АТС.
Табл. 1.3. Характеристики основных сигналов, поступающих от АУ к АТС.
Наименование сигнала	Характеристика сигнала
Вызов станции ("поднятие трубки" при исходящем вызове). Ответ ("поднятие трубки" при входящем вызове). Отбой.	Непрерывное замыкание шлейфа абонентской линии (АЛ) на время >250 мс. Замыкание шлейфа АЛ на время >500 мс. Размыкание шлейфа АЛ на время >400 мс (на время >800 мс, если используется дополнительный сигнал "нормированный разрыв шлейфа” (R).
На некоторых зарубежных ТА можно увидеть кнопку “R”. Эта кнопка предназначена для заказа дополнительных услуг в ЭАТС и формирует размыкание шлейфа абонентской линии на время 80 ± 40 мс.
Абоненты с АТС получают следующие виды сигналов:
-	ответ станции - непрерывный гудок, который слышит абонент после снятия телефонной трубки;
-	посылка вызова - сигнал вызова абонента;
-	контроль посылки вызова - сигнал, предназначенный для информирования абонента о посылке вызова;
-	занято - поступает при занятости абонентской линии вызываемого абонента;
-	занято — перегрузка - поступает при занятости соединительных (межстанционных) линий или коммутационного оборудования.
Х	арактеристики этих сигналов приведены в табл. 1.4.
Табл. 1.4. Характеристики основных сигналов, поступающих от АТС к АУ.
Наименование сигнала	Длительность, с		Уровень или напряжение	Частота, Гц
	Импульс	Пауза		
Ответ станции	Непрерывная передача		от -5 до -30 дБ	425 ± 25
Посылка вызова	0,8 ±0,1 или 1,0 ± 0,1	3,2 ±0,1 или 4,0 ± 0,1	16...110 В	16...50
Контроль посылки вызова	0,8 ±0,1 или 1,0 ±0,1	3,2 ±0,1 или 4,0 ± 0,1	от -5 до -30 дБ	425 ± 25
Занято	от 0,3 до 0,4	от 0,3 до 0,4	от -5 до -30 дБ	425 ± 25
Занято -перегрузка	от 0,15 до 0,2	от 0,15 до 0,2	от -5 до -30 дБ	425 ± 25
В фазе ’’исходное состояние" входное сопротивление абонентского устройства сигналу вызывного тока должно быть не менее 2,5 кОм на частоте 25 Гц (номинальная частота посылки вызова).
Кроме основных сигналов в АТС применяются также следующие дополнительные сигналы:
-	указательный - указывает на невозможность установления соединения или предоставления услуги, передаётся также перед механическим голосом;
10
-	предупреждение - предупреждение о записи на магнитофон;
-	вмешательство - информация о подключении оператора или третьего абонента;
-	уведомление - информация о поступлении нового вызова;
-	предупреждение об окончании оплаченного интервала времени - поступает в таксофон за 20 с до окончания оплаченного интервала времени;
-	неполный состав участников или отключение участника - используется при проведении конференц - связи.
Характеристики этих сигналов приведены в табл. 1.5.
Табл. 1.5. Характеристики дополнительных сигналов, поступающих от АТС к АУ.
Наименование	Длительность, с		Уровень или		Частота,
сигнала	Импульс	Пауза	напряжение		Гц
Указательный (частоты чередуются в указанном порядке)	0,33 ± 0,07 0,33 ± 0,07 0,33 ± 0,07	0,03 ± 0,003 0,03 ± 0,003 1,0 ± 0,25	-5 . -5 . -5 .	.. -30 дБ .. -30 дБ .. -30 дБ	950 ± 50 1400 ± 50 1800 ± 50
Предупреждение	0,4 ± 0,04	. 15 ± 3	-10	... -35 дБ	425 ± 25
Вмешательство (паузы чередуются в указанном порядке)	0,25 ± 0,025	0,25 ± 0,025 1,25 ± 0,3	-10	... -35 дБ	425 ± 25
Уведомление	0,25 ± 0,025	5,525 ± 0,8	-10	... -35 дБ	425 ± 25
Предупреждение об окончании оплаченного интервала времени	0,4 ± 0,04	5,525 ± 0,8	-10	... -35 дБ	1400 ± 20
Неполный состав участников или отключение участника	от 0,3 до 1	Посылается одиночный импульс	-10	... -35 дБ	425 ± 25
1.2. СПАРЕННОЕ ВКЛЮЧЕНИЕ ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТОВ
Включение двух абонентов с разными абонентскими номерами к одной линии АТС называют спаренным включением ТА. Как правило, номера абонентов отличаются только последней или предпоследней цифрой номера. Особенность такого включения состоит в том, что при разговоре одного из абонентов аппарат другого абонента автоматически отключается. Вызов со стороны АТС поступает только на тот аппарат, номер которого был набран.
Для спаренного включения ТА на АТС применяются станционные устройства спаривания телефонов, а у абонентов устанавливаются приставки диодного разделения цепей, которые устанавливаются вместо розеток.
Принцип работы аппаратуры спаренного включения ТА показан на рнс. 1.6. Станционное устройство спаривания телефонов производит постоянный опрос абонентов путём изменения полярности линии с частотой 0,5 + 1,0 Гц (т.е. время опроса каждого ТА составляет 0,5 + 1,0 с). Работа приставки диодного разделения основана на обеспечении питанием ТА, занявшего абонентскую линию, и блокированием цепи питания другого ТА, паралельно включенного через блокиратор. Это достигается включением в линейные цепи аппаратов блокировочных диодов так, чтобы диоды одного ТА были направлены навстречу диодам другого аппарата. Поэтому напряжение подаётся на каждый аппарат по очереди. Абонент, который первым снимет трубку, занимает линию. При этом на АТС станционное устройство спаривания устанавливает ту полярность, которая обеспечивает питание занявшего линию ТА.
11
Рис. 1.6. Схема подключения спаренных телефонов.
В спаренных телефонах переменное напряжение вызывного сигнала подаётся не относительно нулевого потенциала, а относительно полярности напряжения питания вызываемого ТА. Следовательно амплитудное значение вызывного сигнала не должно превышать 60 В, иначе напряжение вызывного сигнала одного ТА будет поступать на другой.
Сигналы переменного тока (разговорного или вызывного) пропускаются диодами только того из двух ТА, с которого поступает или к которому направляется вызов. Этим обеспечивается избирательность вызова и исключается возможность подслушивания.
При посылке вызова абоненту с АТС, в зависимости от полярности на проводах общей абонентской линии, открываются диоды в одном из аппаратов н работает звонок данного аппарата. Для разряда конденсатора в цепи звонка (конденсатор не может разрядится через станционные устройства АТС из-за включенных диодов) приставки диодного разделения снабжены разрядной цепью.
На рис. 1.7 представлены схемы приставок диодного разделения цепей. В приставке ПДТ-1 (рис. 1.7,а) транзистор VT1 с закороченными выводами "эмит
0)
Рис. 1.7. Схемы приставок диодного разделения цепей (а, б, в) н адаптеров с улучшенной разрядной цепью (г, д').
12
тер - база" работает в режиме лавинного пробоя. При указанном на рис. 1.7,а включении он обеспечивает напряжение пробоя 65 + 110 В. В качестве порогового элемента в приставке ПДТ-2 (рис. 1.7,6) использован транзистор VT1 и в ПДТ-3 (рис. 1.7,в) VT1, VT2, соединённые по схеме составного транзистора. Транзисторы КТ605БМ для приставки ПДТ-2 должны отбраковываться по статическому коэффициенту передачи тока (не менее 50).
Эти приставки рассчитаны для подключения ТА с электромеханическими звонками и, как правило, не обеспечивают достаточный разряд разделительного конденсатора в цепи вызывного устройства. В электронных ТА заряженный конденсатор создаёт дополнительное сопротивление в цепи вызывного устройства, что может привести к несрабатыванию вызывного устройства. В схемах на рис. 1.7,г,5 в момент изменения полярности переменного тока вызывного сигнала транзисторы VT2 замыкают линию накоротко и разделительный конденсатор полностью разряжается. Использование адаптеров позволяет включать в спаренную телефонную линию автоответчики, радиотелефоны, факсы, модемы.
Применение блокираторов было вызвано нехваткой абонентских линий и позволяло подключить к АТС дополнительные номера. В настоящее время применение блокираторов не рекомендуется из-за усложнения аппаратуры АТС и присущих им недостатков:
-	отсутствует возможность связи между спаренными телефонами;
-	невозможность пользоваться телефонной связью при занятости линии другим абонентом;
-	так как прн занятии линии абонентом спаренного ТА напряжение на клеммах подключения другого аппарата пропадает, то в тех кнопочных ТА, где отсутствует дополнительное питание микросхемы номеронабирателя, возможна потеря номеров, находящихся в ОЗУ микросхемы;
-	поскольку в спаренных телефонных линиях используется пониженный уровень вызывного сигнала и диоды разделения цепей ТА препятствуют разряду разделительного конденсатора в цепи вызывного устройства через станционные устройства АТС, то вызывные устройства некоторых зарубежных ТА, в которых схема рассчитана на номинальное напряжение вызывного сигнала, при спаренном включении ТА могут не работать.
-	в тех ТА, в которых применяется жидкокристаллический индикатор и осуществляется его питание от линии, яркость индикатора изменяется с частотой переключения блокиратора;
-	если поменять местами клеммы подключения к линии приставки диодного разделения цепей, то можно подключиться параллельно телефону другого абонента.
1.3.	ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПРИНЦИП РАБОТЫ АППАРАТУРЫ АОН
Аппаратура АОН предназначена для автоматического определения номера телефона вызывающего абонента. Сведения о номере телефона вызывающего абонента необходимы для выписки счёта на оплату междугородного разговора. Аппаратура АОН кроме автоматической выдачи номера вызывающего абонента позволяет осуществить выдачу номера категории, присвоенного тому или иному абоненту.
Существует десять видов категорий:
Табл. 1.6. Категории абонентов АТС.
Категория	Характеристика
1	Абоненты квартирные, учрежденческие, имеющие право междугородной и международной связи;
2	Абоненты гостиниц, имеющие право на те же виды связи (эта категория абонентов выделена, поскольку в этом случае счёт должен быть выслан немедленно);
3	Абоненты, не имеющие права выхода на междугородные н международные сети (например, общежития);
4	Абоненты, имеющие преимущество при установлении связи (приоритет);
5	Абоненты, имеющие право связи без тарификации;
6	Категория междугородных телефонов - автоматов;
13
Категория	Характеристика
7	Абоненты, имеющие право кроме связи с междугородными и международными сетями получать дополнительные платные услуги;
8	Абоненты, имеющие преимущество при установлении связи в междугородных сетях и право на платные услуги;
9	Категория городских телефонов - автоматов;
0	Резерв.
Выдача номера и категории телефона вызывающего абонента осуществляется многочастотным беспаузным способом "два из шести". Для этой цели используются частоты 700, 000, 1100, 1300, 1500 и 1700 Гц. Действующее значение сигнала - 0,33 В. Всего применяется 12 комбинаций частот.
Код "два нз шести” для АОН приведён в табл. 1.7.
Табл. 1.7. Код "два из щести" для АОН.
Значение кодовой комбинации	Комбинация передаваемых частот, Гц
1	700, 900
2	700, 1100
3	900, 1100
4	700, 1300
5	900, 1300
6	1100, 1300
7	700, 1500
8	900, 1500
9	1100, 1500
0	1300, 1500
"Начало"	1100, 1700
"Повтор"	1300, 1700
"Начало" - обозначает начало или окончание пакета двухчастотных посылок.
"Повтор" - применяется в случае, когда в номере вызывающего абонента подряд следуют одинаковые цифры. При беспаузном способе передачи информации отличить такие комбинации друг от друга невозможно.
Длительность каждой двухчастотной посылки - 40 ± 2 мс. Информация о категории и номере вызывающего абонента содержит 10 двухчастотных посылок.
Порядок выдачи цифр номера Вызывающего абонента передающим устройством АОН и пример номера 495-27-74 категории 1 приведены в табл. 1.8.
Табл. 1.8. Порядок выдачи цифр номера передающим устройством АОН.
№ п/п	Порядок выдачи цифр номера передающим устройством АОН	Пример	
		категория и номер	частотный код
1.	"Начало"		1100, 1700
2.	Цифра категории	1	700, 900
3.	Цифра единиц номера	4	700, 1300
4.	Цифра десятков номера	7	700, 1500
5.	Цифра сотен номера	7	1300, 1700
1 6-	Цифра тысяч номера	2	700, 1100
1 7-	Третья цифра индекса станции	5	900, 1300
I 8.	Вторая цифра индекса станции	9	1100, 1500
9.	Первая цифра индекса станции	4	700, 1300
| 10’	"Начало”		1100, 1700
Аппаратура АОН состоит из передающих и приёмных устройств. Передающие устройства устанавливаются на районных АТС, приёмные на автоматической междугородной станции (АМТС). Приёмным устройством также может служить ТА местной связи с АОН. Структурная схема включения аппаратуры АОН в АТС приведена на рис. 1.8.
Рис. 1.8. Подключение аппаратуры АОН к АТС.
После набора номера вызываемого абонента и занятия приёмного устройства на АМТС (или ответа ТА местной связи), срабатывает реле определения номера К2 на время 400 мс. При этом замыкается контакт К2.3 и подключается передающее устройство АОН. Абонентская линия отключается контактами К2.1 и К2.2. Это необходимо для того, чтобы сигналы, появляющиеся на выходе микрофона в телефоне вызывающего абонента не влияли на передачу информации. Если за это время (400 мс) по соединительной линии от приёмного устройства поступит синусоидальный сигнал запроса частотой 500 Гц ± 1% с уровнем 4,3 дБ и длительностью 100 мс, то схема общестативной выдержки времени продлевает время удержания реле К2 ещё на 500 мс для передачи информации о категории и номере телефона вызывающего абонента.
Переменный ток сигнала запроса индуктируется в обмотку Ш трансформатора Т2 и через абонентский комплект поступает в передающее устройство АОН. Последнее, получив частотный запрос, начинает выдачу информации. Информация из передающего устройства АОН передаётся в обмотку III трансформатора, индуктируется в обмотки I и П и передаётся по соединительной линии на АМТС. Приёмные устройства на АМТС преобразуют частотные комбинации в числовой код и запоминают поступивший номер.
После получения сведений о номере и категории вызывающего абонента на АМТС начинается установление соединения к абоненту другого города.
Для повышения надёжности определения номера и категории телефона вызывающего абонента в системе АОН принят трёхкратный запуск передающих устройств. Так, если при первом запуске АОН на приёмном конце номер не определился, (по каким либо причинам информация АОН не была принята), то приёмные устройства кратковременно освобождаются (без нарушения соединения) и вновь посылают сигнал запроса для запуска передающих устройств. Если и при этом информация не будет принята, то формируется третий сигнал запроса. В случае отсутствия определения номера и после третьего запуска выход на АМТС прерывается.
Передающее устройство АОН будет работать аналогично, если сигнал запроса будет передаваться не с приёмного устройства АМТС, а с местного телефона с АОН.
15
1.4.	КЛАССИФИКАЦИЯ ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТОВ И ИХ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
В зависимости от конструктивного исполнения и выполняемых функций (ГОСТ 7153-85) телефонные аппараты подразделяются на четыре класса сложности (табл. 1.9).
Табл. 1.9. Классы сложности телефонных аппаратов.
Основное исполнение	Класс сложности	
	Наименование	Шифр
Многофункциональные ТА.	Высший	0
ТА с дополнительными функциями и возможностями.	Первый	1
ТА с кнопочным номеронабирателем, тональным приёмником вызова, неугольным микрофоном.	Второй	2
ТА с дисковым номеронабирателем, электромеханическим приёмником вызова, угольным микрофоном.	Третий	3
Параметры, характеризующие качество телефонных аппаратов, можно разделить на электрические, телефонометрические, электроакустические и временные.
Основные электрические параметры ТА различных классов приведены в табл. 1.10.
Временные параметры набора для ТА с импульсным способом передачи сигналов набора номера приведены в табл. 1.11.
Телефонометрические и электроакустические параметры характеризуют качество телефонной передачи по громкости. Для их оценки используется эквивалент затухания передачи, приёма и местного эффекта, а также коэффициент гармоник на передачу и на приём. Поскольку для измерения и объективной оценки этих параметров требуется специальное оборудование, имеющееся лишь в специализированных лабораториях, эти данные в настоящем издании не приводятся.
Табл. 1.10. Основные электрические параметры ТА.
Параметр	Норма по классам сложности			
	0	1	2	3
Напряжение собственного шума, мВ, не более Модуль входного электрического сопротивления в режиме: -	разговорном. Ом -	ожидания вызова, кОм, не менее -	вызова, кОм, не менее	0,5 450 + 800 10 4	0,5 450 + 800 10 4	0,5	0,4
16
Параметр	Норма по классам сложности			
	0	1	2	3
Электрическое сопротивление постоянному току, Ом, в разговорном режиме при токе 35 мА в положении микротелефонной трубки: - вертикальном	160 +400	160 +400	160 + 400	<320
- горизонтальном	160 + 400	160 + 400	160 + 400	<600
Электрическое сопротивление постоянному току в режиме набора номера для ТА с импульсным способом передачи набора номера при токе питания 35 мА: - при замыкании шлейфа, Ом, не более	150	150	50	
- при размыкании шлейфа, кОм, не менее	300	300	300	—
Постоянный ток, потребляемый ТА в режимах ожидания вызова и отбоя, мА, не более	1,0	0,5	0,5	-
Переменный ток, потребляемый приёмником вызывного сигнала при максимальной громкости вызывного сигнала, мА, не более	8,0	8,0	8,0	8,0
Время разрыва шлейфа для ТА, содержащих устройство нормированного разрыва шлейфа, мс	80 + 40	80 + 40	--	—
Значность программируемого набора номера, не менее	8	8	8	-
Табл. 1.11. Временные параметры набора номера для ТА с импульсным способом передачи сигналов набора номера.
Параметр	Норма по классам сложности			
	0	1	2	3
Период импульса в серии (Т), мс	100 ± 5	100 ± 5	100 ± 5	100 ± 10
Импульсный коэффициент	1,4 + 1,6	1,4 + 1,6	1,4 4-1,6	1,4+ 1,7 I
Пауза между двумя сериями импульсов, с, не менее	4Т + 10Т	4Т + ЮТ	4Т + 10Т	>800
Программируемая пауза между двумя сериями импульсов, с, не менее ===================	2	2	2	-
17
2-79
1.5. ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ КНОПОЧНЫХ ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТОВ
В кнопочных ТА функцию механических контактов номеронабирателя выполняют электронные ключи. Их подключение несколько отличается от принятого в дисковом номеронабирателе. Рассмотрим его работу по упрощенной структурной схеме кнопочного ТА отечественного производства (рис. 1.9).
С момента нажатия кнопки на наборном поле ТА и до окончания набора, РК отключает разговорную часть. Одновременно ИК замыкает линию накоротко и размыкает ее количество раз, равное цифре набора. Таким образом, диаграмма работы кнопочного НН (рис. 1.10) получается аналогичной диаграмме работы дискового с той лишь разницей, что паузы между импульсами набора и межсерийные паузы при использовании кнопочного НН нормированы и близки к оптимальным. Это повышает стабильность работы АТС и уменьшает время соединения.
Рис. 1.9. Включение НН в кнопочных ТА отечественного производства.
Рис. 1.10. Временная диаграмма работы номеронабирателя в кнопочных ТА отечественного производства.
В импортных ТА ЙК включается последовательно с нагрузкой, в качестве которой может быть использована разговорная часть ТА (рис. 1.11,а), или в ТА более высокого класса - резистор сопротивлением 130 + 150 Ом (рис. 1.11,6). В первом случае ИК коммутирует разговорную часть, во втором - разговорная часть на время набора отключается, а нагрузкой ЙК является резистор Нн. Часто в зарубежных ТА для устранения щелчков во время набора номера применяется схема блокировки входов микрофонного и телефонного усилителей.
Диаграмма работы этих ТА одна и та же и представлена на рис. 1.12.
Рис. 1.11. Подключение НН в кнопочных ТА зарубежного производства.

18
Рис. 1.12. Временная диаграмма работы номеронабирателя в кнопочных ТА зарубежного производства.
Повышенное сопротивление ИК в замкнутом состоянии может иногда приводить к сбоям в работе и неправильному соединению при использовании ТА на линиях связи отечественных АТС.
Таким образом, отличие всех вариантов заключается лишь в различии L схемотехники НН, управляющих работой ИК, и в особенностях коммутации линии АТС.
1.6.	СТРУКТУРНЫЕ СХЕМЫ КНОПОЧНЫХ ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТОВ
Структурные схемы кнопочных телефонных аппаратов приведены на рис. " 1.14 + 1.16. Всем им присущи следующие основные узлы:
-	вызывное устройство (ВУ) - предназначено для приема сигнала индуктора (вызова абонента АТС) и преобразования его в звуковые колебания;
-	диодный мост - исключает влияние полярности напряжения линии на полярность включения ТА;
-	схема "отбой" - осуществляет начальную установку ИС ЭНН;
-	микропереключатель - отключает питание схемы ТА при уложенной на рычаг трубке;
-	времязадающие элементы генератора определяют частоту внутреннего тактового генератора, от которой зависят все временные параметры сигналов вырабатываемых ИС ЭНН (частота набора, длительность импульсов и межсерийной паузы и т.п.);
-	схема питания микросхемы НН - обеспечивает питание микросхемы во время набора номера и поддержку питания ОЗУ при уложенной на рычаг трубки;
-	микросхема иомероиабирателя (ИС НН) - изготавливается по КМОП -технологии и выполняет следующие функции:
-	опроса клавиатуры;
-	формирования сигналов набора номера, управляющих работой импульсного ключа;
-	формирования сигнала отключения разговорной части во время набора номера, управляющего работой разговорного ключа;
-	запоминания последнего или нескольких набираемых номеров;
-	импульсный ключ - формирует импульсы набора в линию;
-	Rh - резистор нагрузки линии, исключающий ее замыкание накоротко во время формирования импульсов набора;
-	телефонный усилитель - усиливает речевой сигнал до уровня нормальной слышимости и согласует сопротивление линии с сопротивлением звукоизлучающего элемента;
-	микрофонный усилитель - усиливает сигнал микрофона. В схеме рис. 1.15 сигнал микрофона, через разделительный конденсатор С, подается на вход ИК, работающего во время разговора в режиме усилителя тока;
19
Рис. 1.13. Подключение стандартной клавиатуры к ИС НН.
-	противоместная схема - устраняет местный эффект, т.е. возможность прослушивания в телефоне трубки собственного голоса;
-	разговорный ключ - отключает разговорную часть на время прохождения импульсов набора, что устраняет неприятные щелчки в телефоне трубки;
-	клавиатура - выполняет функцию датчика ИС НН. Она построена по координатной схеме (рис. 1.13), где:
-	COL - координаты столбцов (Column) входов;
-	ROW - координаты строк (Row) выходов или входов в зависимости от типа ИС.
Рассмотрим принцип работы ТА по структурным схемам. Структурная схема, по которой строятся ТА отечественного производства приведена на рис. 1.14.
При снятии трубки, рычажный переключатель SB подключает ТА к линии АТС. В результате образования делителя (см. рис. 1.3), напряжение на линейных зажимах снижается до величины 5 + 15 В. При этом схема "отбой", вследствие подачи напря
жения в схему, осуществляет начальную установку ИС НН (режим готовности к набору номера).
В режиме готовности к набору номера ИС НН вырабатывает сигналы управления ИК и РК, вследствие которых разговорный узел, состоящий из микрофонного и телефонного усилителей и противоместной схемы, посредством разговорного ключа подключается к линии и в трубке прослушивается ответ станции (гудок). ИК - находится в разомкнутом (закрытом) состоянии.
При нажатии кнопок клавиатуры, ИС НН формирует последовательности импульсов, управляющих работой ИК и РК. ИК замыкает линию накоротко и размыкает ее, формируя посылки постоянного тока управляющие работой АТС. РК отключает разговорный узел от общего провода на время следования посылок набора номера, что устраняет неприятные щелчки в телефоне трубки при наборе номера.
По окончании набора РК вновь подключает разговорный узел и в трубке слышны тональные посылки АТС, свидетельствующие об окончании процесса соединения и поступлении на линию вызываемого абонента посылок вызывного сигнала. При снятии абонентом трубки, Вы слышите его голос.
Рис. 1.14. Структурная схема кнопочного ТА отечественного производства.
20
По окончании разговора трубка укладывается на рычаг. Рычажный переключатель SB размыкает цепь и схема ТА переходит в дежурный режим. В дежурном режиме схема питания микросхемы обеспечивает подпитку ОЗУ ИС НН, в котором хранится последний набранный номер, схема "отбой" запрещает набор номера с клавиатуры с целью сохранения последнего набранного номера, а вызывное устройство готово к приему сигналов вызова АТС.
При поступлении сигнала вызова от АТС, вызывное устройство вырабатывает звуковые сигналы информирующие о вызове другим абонентом. До снятия трубки схема ТА находится в дежурном режиме. При снятии трубки ИС устанавливается в исходное состояние с той лишь разницей, что вместо ответа станции (гудка), Вы слышите голос вызывающего вас абонента.
При кратковременном нажатии на рычажный переключатель, или нажатии кнопки "отбой" на наборном поле клавиатуры, посредством схемы "отбой" ТА переводится в исходное состояние.
Структурная схема ТА зарубежного производства, использующего в качестве нагрузки разговорный узел, приведена на рис. 1.15.
Рис. 1.15. Структурная схема кнопочного ТА зарубежного производства, использующего в качестве нагрузки разговорный узел.
Работа этой схемы несколько отличается от предадущей. При снятии трубки переключатель SB переходит в верхнее по схеме положение. В результате этого схема "отбой" подключает к общему проводу соответствующий вход ИС НН, осуществляя установку последней в исходное состояние при подаче напряжения на схему питания ИС. В исходном состоянии, через замкнутый (открытый) ИК, к линии АТС подключается разговорный узел и в трубке слышен ответ станции.
При наборе номера ИК отключает от линии разговорный узел и подключает его вновь, формируя тем самым импульсы набора управляющие работой АТС.
По окончании набора номера ИК остается в замкнутом состоянии. Разговорный узел подключен к линии и в трубке тональные посылки АТС, свидетельствующие об окончании процесса соединения.
Во время разговора ИК выполняет функцию усилителя тока сигнала микрофона.
По окончании разговора, уложенная на рычаг трубка переводит переключатель SB в нижнее по схеме положение, снимая напряжение питания с ИС ЭНН н подключая схему "отбой", которая в этом режиме запрещает набор номера и обеспечивает подпитку ОЗУ ИС.
21
При поступлении сигнала вызова ВУ работает так же, как и в предыдущей схеме. При снятии трубки осуществляется начальная установка ИС, в результате чего через открытый ИК разговорный узел подключается к линии и Вы слышите голос вызывающего Вас абонента.
Структурная схема зарубежных ТА. использующих в качестве нагрузки АТС, при наборе номера, резистор R (рис. 1.16), работает аналогично схеме приведенной на рис. 1.14. Отличие состоит в том, что ИК, при наборе номера, не закорачивает линию, а замыкает ее на резистор. Разговорный ключ, в этой схеме, отключает разговорный узел от линии, а не от корпусной шины.
Рис. 1.16. Структурная схема кнопочного ТА, использующего в качестве нагрузки импульсного ключа резистор R.
В следующих главах подробно рассмотрена не только работа всех узлов ТА, но и способы их совершенствования с целью улучшения потребительских характеристик и повышения надежности работы ТА в целом.
22
2.	РАЗНОВИДНОСТИ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ И ЗАРУБЕЖНЫХ ИС ЭНН

Сравнивая структурные схемы ТА (рис. 1.14, 1.15, 1.16), нетрудно заметить, что всем микросхемам ЭНН присущи следующие основные входы и выходы:
-	подключения клавиатуры;
-	подключения времязадающих элементов генератора;
-	вход схемы "отбой";
-	вход питания микросхемы;
-	выход "импульсный ключ”;
-	выход "разговорный ключ".
В микросхемах номеронабирателей выход импульсного и разговорного ключа может быть либо "логический", либо с "открытым стоком".
Выход с "открытым стоком" выполнен на n-канальиом полевом транзисторе с изолированным затвором (рис. 2.1,а). Подключение выхода с "открытым стоком" показано на рис. 2.1,6. Сопротивление резистора Rh, как правило, составляет от 220 до 680 кОм. Когда ключ микросхемы открыт, он подключает ИК схемы на корпус и закрывает его, в результате чего линия размыкается (на линии 60 В). Если ключ микросхемы закрыт, напряжение с линии через рези- стор Rh открывает ИК схемы, который подключает разговорный узел и напряжение в линии падает до 5 + 15 В. Напряжение пробоя такого транзистора не превышает 30 В. Поэтому, если не предпринять дополнительных мер защиты (подробно описано в разделе 6.2), то при определённых условиях выход ИК или РК микросхемы может быть пробит.
выход
на внутренние цепи микросхемы
а)
+U линии
на внутренние цепи микросхемы
б)
наИК схемы
в)
Рис. 2.1. Выходы импульсного и разговорного ключей ИС ЭНН.
"Логический” выход микросхемы представляет собой КМОП - инвертор и является основной структурой всего семейства логических схем КМОП (рис. 2.1,в). Выход микросхемы подключает управляющий вход ИК схемы ТА либо на корпус, (через открытый транзистор VT2), либо к плюсу питания микросхемы (через открытый транзистор VT1).
В зависимости от типа выхода ИК микросхемы, к нему подключают импульсные ключи ТА, выполненные по различным схемам (они подробно рассмотрены в разделе 3.4). Следует иметь ввиду, что все ключи в схемах ТА закрыты при подаче на управляющий вход "низкого" уровня и открыты при "высоком".
2.1. РАЗНОВИДНОСТИ МИКРОСХЕМ ЭНН
Микросхемы ЭНН по своим возможностям и схемотехническим особенностям можно разделить на семь основных групп:
23
1. ЭНН с открытым стоком выхода ИК, открытым стоком выхода РК и запоминанием последнего номера:
CIC9192BE	KS5805A	LR40993	TR50981AN
ЕТ40982	KS5805B	МК50581	WE9192B
ЕТ40992	KS58C05	MK50992N	ВЦ1000А
FT58C51	KS58D05	МК50993	КР1008ВЖ10
HM9100AL	KS5851	MK5173AN	КР1008ВЖ11
НМ9100В	KS5853	Т40992	КС1008ВЖ12
HD970040D	LR40981A	Т40993	КР1008ВЖ14
KS5804	LR40992	ТС31006Р	КР1008ВЖ15
2. ЭНН с открытым стоком выхода ИК, логическим выходом РК и запоминанием последнего номера:
CIC9102E	UM9151	WE9102	FT9151-3
CIC9104E	UM9151-3	WE9104	КР1008ВЖ17
3.	ЭНН с логическим выходом ИК, логическим выходом РК и запоминанием последнего номера:
КР1002ХЛ2	КР1008ВЖ1	КР1008ВЖ7	КР1008ВЖ28
КР1083ВЖЗ	КР1089ВЖ2	КР1064ВЖ7	КР1008ВЖ29
4. ЭНН с логическим выходом ИК, логическим выходом РК, запоминанием последнего номера и дополнительной памятью на десять и более номеров:
LC7350	S7210A	VT91611	КР1089ВЖ1
М2561АВ	STC52560C	WE9110	
S2560A	UM91610A	КР1008ВЖ5	
S25610	UM91611	КР1064ВЖ5	
5. ЭНН с импульсным и частотным набором номера и запоминанием по-			
следнего номера: FT93210C	KS5820		UM91210C	КР1008ВЖ16
НМ9102	KS58C20N	UM91260C	КР1008ВЖ27
HT9102F	LC7360	UM912611	КР1091ВЖ1
KS58006	МС145412Р	КР1008ВЖ6	КР1091ВЖ2
6. ЭНН	с импульсным и	частотным набором номера,	, запоминанием по-
следнего номера и дополнительной памятью на десять и более номеров:			
CIC9145E	НМ9121	НТ9115В	HM9110D
НМ9112А	НМ91650В	VT9145	HT9112D
7. ЭНН	с частотным набором номера:		
HD970019-L	НМ9187	MK5092N	KS5808A
Полный перечень микросхем номеронабирателей приведён в табл. 2.7.
Табл. 2.1. Микросхемы номеронабирателей, выпускаемые в странах СНГ, и их зарубежные аналоги.
ИС ЭНН	Зарувежный аналог	Изготовитель
КР1008ВЖ10 (FT58C51)	KS5851	НПО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск
КР1008ВЖ11	KS5805A	НПО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск
КР1008ВЖ14	WE9192B	ОАО "ЭЛЕКС", г. Александров
КР1008ВЖ16 (FT9321OC)	KS58006	ОАО "АНГСТРЕМ", г. Зеленоград
КР1008ВЖ17 (FT9151-3)	UM9151-3	НПО "ИНТЕГРАЛ”, г. Минск
КР1091ВЖ1	UM91260C	НПО "ЭЛЕКТРОНИКА", г. Воронеж
КР1091ВЖ2	UM91261	НПО "ЭЛЕКТРОНИКА", г. Воронеж
24
2.2.	ПРИНЦИП РАБОТЫ МИКРОСХЕМ ЭНН
Рассмотрим структуру и принцип работы микросхемы ЭНН на примере широко распространенной микросхемы фирмы "SAMSUNG" KS5805A (рис. 2.2).





Рис. 2.2. Структурная схема ИС ЭНН KS5805A.
При подаче напряжения питания схема начальной установки приводит 'все узлы микросхемы НН в исходное состояние. При нажатии на одну из кнопок клавиатуры включается тактовый генератор с частотой 4 кГц, которая устанав-
ливается RC-цепью, подключаемой к выводам 7, 8, 9. Импульсы с тактового генератора поступают на формирователь тактовых импульсов, который форми-
рует
импульсы,
управляющие работой всех
узлов
схемы.
Формирователь им-
пульсного сигнала в зависимости от кода, поступающего со схемы выбора частоты
набора формирует временной интервал межсерийной паузы (800 или 400 мс).
Схема опроса клавиатуры в момент нажатия кнопки (например "1") кла-
виатуры - tl формирует на входах COL2 и C0L3 опроса клавиатуры синфазные последовательности положительных импульсов, а на входах R0W2, ROW3,
ROW4 - синфазные последовательности отрицательных импульсов частотой 500
Гц и скважностью 2 (рис. 2.3). На входе R0W1 при этом устанавливается, а на
входе COL1 удерживается низкий уровень.
и
сои
о -ид
ROW1 о -
C0L2
C0L3 0L
ROW? -
ROWS
ROVW fl -
1=500Гц
ппппппппппп
1 ппппппппппг ппппппппппппппп 1ППППППППППППППГ 11 12 13
Рис. 2.3. Временная диаграмма сигналов на выводах подключения клавиатуры ИС ЭНН KS5805A.
При замыкании кнопки (в течение интервала порядка 1 мс) её контакты

входят в соприкосновение друг с другом обычно от 10 до 100 раз. Чтобы на одно
нажатие кнопки микросхема не набирала несколько раз одну и ту же цифру
25
применяется схема устранения дребезга. Схема устранения дребезга через 10 мс (длительность времени "антидребезга") включает схему разрешения преобразования, которая управляет работой шифратора двоичного кода и схемой управления ОЗУ. Схема управления ОЗУ при поступлении импульса со схемы разрешения преобразования записывает код набранной цифры в ОЗУ, а при поступлении импульса с дешифратора двоичного кода считывает из ОЗУ.
В момент отпускания кнопки на входе COL1 появляются положительные, а на входе R0W1 отрицательные импульсы, синхронные с импульсами на соответствующих COL и ROW входах. По окончании набора заданной цифры (момент времени t3) на входах C0L1, C0L2, C0L3 вновь устанавливается исходный низкий уровень, а на входах R0W1, R0W2, ROW3, R0W4 - исходный высокий уровень. При нажатии кнопки сброса "отбой" на входе схемы начальной установки (выводе 17 микросхемы) (момент времени t4), на всех входах COL -устанавливается, а на ROW - удерживается высокий уровень до момента отпускания кнопки (t5), после чего на входах вновь устанавливается исходное состояние.
По окончании временного интервала межсерийной паузы формирователь выходных сигналов разрешает работу дешифратора двоичного кода, который через схему управления ОЗУ разрешает считывание двоичного кода набранной цифры. Дешифратор двоичного кода преобразует код во временной интервал, на время которого снимается удержание с триггеров формирователя выходных сигналов и на выходе 18 микросхемы (PULSE) появляется последовательность импульсов частотой 10 Гц. Число импульсов соответствует цифре нажатой кнопки. Выход разговорного ключа (MUTE) с момента нажатия кнопки открывается и закрывается через 5 мс после прохождения последнего импульса набора.
Схема выбора частоты набора в зависимости от логического состояния входа DRS (вывод 10), устанавливает частоту импульсов набора при "низком" уровне - 10 Гц, при "высоком" - 20 Гц и длительность межсерийной паузы соответственно 800 и 400 мс. Временные диаграммы выходов импульсного и разговорного ключей микросхемы KS5805A приведены на рис. 2.7.
В зависимости от логического состояния входа схемы выбора импульсного коэффициента М/В (вывод 11), импульсный коэффициент принимает значения:
-	1,5 при уровне "0" на выводе 11;
-	2,0 при уровне "1" на выводе 11 (рис. 2.4).
Рис. 2.4. Временная диаграмма выхода "импульсного ключа" при различных значениях напряжения на входе схемы выбора импульсного коэффициента.
Вход HS ("отбой") через встроенный диод соединён с входом питания микросхемы U (вывод 1). Это защищает ИС от перенапряжений на входе HS н поддерживает питание ОЗУ при уложенной на рычаг трубке, сохраняя тем самым последний набранный номер, Минимальное напряжение, которое необходимо для удержания номера в ОЗУ составляет 1,0 В.
Особенностью некоторых зарубежных ИС ЭНН является то, что они имеют встроенный по питанию стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 3,0 В. Анод стабилитрона имеет отдельный вывод GNDS. Поэтому, для обеспечения питания ИС достаточно подать напряжение на вход U с линии или с
26
разговорного узла через резистор, обеспечивающий номинальный ток стабилизации 1ст., значение которого для ряда микросхем НН приведено в таблице 2.7. Вывод GNDS следует подключить на корпус.
Наличие отдельного вывода анода стабилитрона позволяет в ряде случаев восстановить работоспособность ИС. Это возможно, если пробитый накоротко стабилитрон шунтирует питание ИС. Отключив вывод анода от корпуса, необходимо обеспечить ИС напряжением питания порядка 3 В от внешнего стабилитрона.
Выход ИК имеет защиту от перенапряжений. С выхода ИК на землю включен стабилитрон (на рис 2.2 не показан), напряжением порядка 30 В.
В связи с отличиями схемотехники ТА зарубежного и отечественного производства, кратко рассмотренными в главе 1, целесообразно также рассмотреть структуру и принцип работы базовой отечественной микросхемы КР1008ВЖ1 (рис. 2.5), которую производят на з-де "ЭКСИТОН" в г. Павловский Посад и на з-де "ГРАВИТОН" в г. Черновцы.
Рис. 2.5. Структурная схема ИС НН КР1008ВЖ1.
При подаче напряжения питания схема начальной установки устанавливает все триггеры микросхемы в исходное состояние, после чего формирует сигнал, отключающий генератор. При нажатии на одну из кнопок клавиатуры включается тактовый генератор с частотой 18 кГц, и формирователь импульсов опроса клавиатуры формирует на выводах 19, 20 и 21 последовательности импульсов с частотой 200 Гц и скважностью 3. Эти последовательности сдвинуты по фазе относительно друг друга (рис. 2.6). При нажатии кнопки одна из последовательностей поступает на соответствующий вход микросхемы (22, 1, 2, 5),
27
начало набора
Рис. 2.6. Временная диаграмма сигналов на выводах подключения клавиатуры ИС ЭНН КР1008ВЖ1.
преобразуется в двоичный код и поступает в оперативное запоминающее устройство (ОЗУ). Схема устранения дребезга устраняет дребезг и анализирует истинность нажатия кнопки (время замыкания не менее 10 мс и сопротивление замыкания не более 1 кОм). При истинном нажатии формирователь сигнала разрешения преобразования формирует сигнал разрешения преобразования и разрешает запись двоичного кода цифры в ОЗУ. Одновременно срабатывает схема управления дешифратором, и дешифратор двоичного кода преобразует код, поступающий со схемы программирования, межсерийной паузы во временной интервал, соответствующий длительности межсерийной паузы.
По окончании этого интервала в схеме управления дешифратором формируется сигнал разрешения считывания из ОЗУ кода набранного числа. Этот код, поступив в дешифратор двоичного кода, также преобразуется во временной интервал. На время этого интервала снимается удержание с триггеров формирователя выходных сигналов и на "логическом" выходе PULSE микросхемы появляется последовательность импульсов частотой 10 Гц. Число импульсов соответствует номеру нажатой кнопки. Скважность импульсов соответствует двоичному коду, поступающему со схемы программирования импульсного коэффициента. После обработки набранной цифры тактовый генератор отключается.
Временные диаграммы выходов микросхемы КР1008ВЖ1 приведены на рис. 2.8.
На выводе 4 (КТ) микросхема формирует серии импульсов частотой 2,4 кГц и длительностью 60 мс при каждом истинном нажатии кнопки (момент времени tl и t2 на рис 2.8). После заполнения ОЗУ (22 нажатия) при нажатии любой кнопки на этом выводе появляется непрерывный сигнал с указанной частотой. Этот вывод используется для формирования сигнала нажатия кнопки и подаётся непосредственно на пьезоэлектрический излучатель типа ЗП-З, ЗП-5 и т. п., или на вход усилителя приёма.
На выводе 10 (IDPO) формируются положительные импульсы длительностью межсерийной паузы.
На выводе 11 (KS) "ключ подпитки" на период следования импульсов набора устанавливается "высокий" уровень, обеспечивающий, при необходимости подпитку ОЗУ микросхемы.
В микросхеме есть два выхода "разговорный ключ" - вывод 16 (MUTE1) и вывод 18 (MUTE2). На выводе 16 на протяжении всего набора номера удерживается "низкий" уровень, а на выводе 18 "низкий" уровень удерживается только на период следования импульсов набора. Использование выхода MUTE2 предпочтительнее, поскольку позволяет в течение межсерийной паузы прослушивать линию. Если произойдёт сбой, Вы услышите гудок и не будете дожидаться окончания набора всего номера.
28
29
Микросхема приводится в исходное состояние нажатием кнопки "#" ("отбой") или подачей на вход HS (вывод 15) напряжения "высокого" уровня. Следует отметить, что все микросхемы номеронабирателей, как отечественного, так и зарубежного производства приводятся в исходное состояние при подаче на вход HS "высокого" уровня. Кнопка "#” в большинстве импортных телефонах используется для повторного набора номера.
В микросхеме КР1008ВЖ1 для повторного набора номера используется кнопка которую после снятия режима "отбой" необходимо кратковременно нажать. Если кнопка "*" нажата после любой цифровой кнопки, то по обработке цифры, соответствующей этой кнопке, межсерийная пауза будет увеличена на 2,6 с. Это можно использовать при наборе междугороднего номера, где для подключения к междугородней телефонной станции необходима увеличенная пауза.
Во многих недорогих зарубежных ТА кнопка часто используется для отключения микрофона и ни к одному из выводов микросхемы не подключена.
Плюс напряжения питания микросхемы (от 2,5 до 5,0 В) подаётся на вывод 6 (U). Вывод 17 (GND) соединяется с общим проводом (корпус). Через вывод 3 (UMEM) осуществляется подпитка ОЗУ в дежурном режиме (когда трубка лежит на аппарате).
ИС КР1008ВЖ1 позволяет изменять длительность межсерийной паузы и значение импульсного коэффициента. Изменение этих параметров осуществляется изменением управляющих воздействий на входах схемы программирования межсерийной паузы (М/В) и схемы программирования импульсного коэффициента (ЮР). Значения этих параметров приведены в табл. 2.2.
Табл. 2.2. Программирование величины межсерийной паузы и импульсного коэффициента ИС КР1008ВЖ1 .
Программирование величины импульсного коэффициента		Программирование величины межсерийной паузы	
Соединить вывод 13 (М/В)	Величина импульсного коэффициента	Соединить вывод 14 (ГОР)	Величина межсерийной паузы, мс
с выводом 8 (С) с выводом 6 (U) с выводом 17 (GND) с выводом 9 (R)	2,3 2,0 1,5 1,0	с выводом 8 (С) с выводом 6 (U) с выводом 17 (GND)	640 740 840
Сравнивая структурные схемы ИС KS5805A и ИС КР1008ВЖ1 несложно заметить, что их функциональное построение сходно. И, если не затрагивать отличий в частотах тактовых генераторов, сигналах управления клавиатурой, и разных функционально-сервисных возможностях, которые и во многих зарубежных микросхемах разные, то можно выделить лишь одно принципиальное отличие - микросхема КР1008ВЖ1 предназначена для работы только совместно с разговорным ключом. Попробуем это объяснить.
Если сравнивать временные диаграммы выходов разговорного ключа (MUTE) (рис. 2.7 и 2.8), то нетрудно заметить, что до набора и после набора номера у обеих микросхем "высокий" уровень. Во время прохождения импульсов набора - "низкий". Следовательно, логика работы выходов разговорного ключа у обеих микросхем одинакова. На выходе импульсного ключа (PULSE) до набора номера у микросхемы КР1008ВЖ1 - "низкий" уровень, а у микросхемы KS5805A - "высокий". Это принципиальное отличие, так как "низкий" уровень удерживает ИК схемы в закрытом состоянии и он не может использоваться для коммутации разговорного узла, как в схе »о на рис. 1.15. Как это отличие обойти при замене микросхем описано в разделе 6.2. Импульсы набора как первая, так и вторая микросхема формирует "низкого" уровня, т. е. низкий уровень на выходе PULSE микросхемы во время набора номера размыкает линию, а "высокий" - замыкает. Причём это характерно для всех микросхем ЭНН.
30
ОАО "АНГСТРЕМ" выпускает ИС номеронабирателя КР1008ВЖ28 (с ОЗУ на 31 цифру), которая является аналогом КР1008ВЖ1 и полностью заменяет её. Единственное отличие в том, что КР1008ВЖ28 обеспечивает повторный набор Номера не только кнопкой но и кнопкой если любая из них нажата первой после снятия режима"отбой". Поскольку режим "отбой" в обоих микросхемах обеспечивается кнопкой "#", то для КР1008ВЖ28 отбой и повтор номера можно также произвести нажав два раза подряд кнопку "#".
2.3.	ИС ЭНН К145ИК8П
ИС К145ИК8П является одной из первых отечественных ИС ЭНН со встроенным ОЗУ на 20 цифр и в настоящее время в телефонах больше не устанавливается. Но в эксплуатации находятся ещё много ТА, в которых она используется в качестве номеронабирателя как самостоятельно (в простейших ТА с ЭНН), так и совместно с ИС К145ИК11П и К561РУ2 (в ТА, обеспечивающих хранение номеров постоянных абонентов). Работу этих микросхем Вы можете рассмотреть на примере схем телефонов VEF ТА-12 и VEF ТА-32 в главе 4.
Цоколёвка ИС К145ИК8П приведена на рис. 2.12,6, назначение выводов в табл. 2.3.
Табл. 2.3. Назначение выводов микросхемы К145ИК8П.
I Вывод | ИС	Обозначение	Назначение	Примечание
1	и	Питание	и = 6 + 12 В
2	НУ	Вход "Начальная установка"	Логическая "1" устанавливает в исходное состояние все узлы ИС.
3	#	Вход "Кнопка "Отбой #"	Логический ”0" вызывает появление логической "1" на выходах MUTE и ОК и логического "0" иа выходе PULSE.
4	ок	Выход "Ключ отбоя"	На время нажатия кнопки "Отбой” устанавливается логическая "1", что может быть использовано для обеспечения напряжения питания при разомкнутой линии АТС.
5	MUTE	Выход "Разговорный ключ"	Логический "0" вызывает подключение разговорных приборов ТА для прослушивания сигналов АТС, логическая ”1" - отключение разговорных приборов во время набора номера.
6	ГИ	Выход "Пуск внешнего генератора"	Логическая "1" производит запуск внешнего генератора, если используется отдельный генератор для синхронизации работы ИС.
7	*	Вход "Кнопка повтора *"	Логический "0" вызывает повторный набор ранее набранного номера из ОЗУ ИС.
8	пг	Вход "Пуск генератора импульсов от ЗУ"	Логическая ”1” вызывает включение внутреннего генератора импульсов.
31
Вывод ИС	Обозначение	Назначение	Примечание
9	RC	Вход "Общая точка RC генератора”.	Выводы для подключения вре-мязадающих элементов внут-
10	R	Выход "Резистор R генератора”.	реннего генератора импульсов.
11	С	Выход ”12,8 кГц, точка С генератора".	
12	БК	Вход "Блокировка кодопреобразователя "	Логический "0" запрещает работу делителя частоты иа 5 и счётчика кодопреобразователя. Такой режим необходим для форсированной выборки содержимого сдвиговых регистров ОЗУ при одновременной подаче последовательности импульсов на вход СЧ.
13	10/20	Вход "Установка частоты набора 10/20 Гц"	Логическая "1" устанавливает набор номера частотой 10 Гц, а логический 0 - 20 Гц.
14	F/128	Выход "7-й разряд делителя частоты"	При работе генератора с частотой F на выводах 14, 15 и 16 -
15	F/64	Выход "6-й разряд делителя частоты”	выход частоты F/128, F/64 и F/8 соответственно.
16	F/8	Выход "3-й разряд делителя частоты"	
, 17	БС	Выход "Блокировка считывания ЗУ"	Логический "0" сигнализирует о динамическом режиме работы сдвиговых регистров ОЗУ.
18	БЗ	Вход "Блокировка записи в ОЗУ"	Логический "0" запрещает запись поступающей в ОЗУ информации. Такой режим используется при совместной работе с ИС К145ИК11П.
19	PULSE	Выход "Импульсный ключ”	Логический 0 вызывает размыкание линии АТС, а логическая "1" - замыкание.
20	сч	Вход "Считывание ОЗУ"	Логическая "1" включает динамический режим работы сдвиговых регистров в ОЗУ.
21	GND	Общий	
22	8	Выход "Запись ЗУ "8"	При каждом иажатии на цифро-
25	4	Выход "Запись ЗУ "4"	вые кнопки появляется двоич-
32	2	Выход "Запись ЗУ "2"	ный код нажатой кнопки в им-
35	1	Выход "Запись ЗУ "1"	пульсном виде.
23	8	Вход "Кнопка "8"	Вывод подключения цифровой
24	0	Вход "Кнопка "0"	КНОПКИ.
26	4	Вход "Кнопка "4"	
27	6	Вход "Кнопка "6"	
28	7	Вход "Кнопка "7"	
29	2	Вход "Кнопка "2"	
30	9	Вход "Кнопка "9"	
31	5	Вход "Кнопка "5"	
33	1	Вход "Кнопка "1"	
34	3	Вход "Кнопка "3"	
32
Вывод ИС	Обозначение	Назначение	Примечание
36	ВТ	Вход ’’Блокировка тастату-ры"	Логическая "1" запрещает работу цифровых кнопок клавиатуры.
37	1	Вход "Считывание ЗУ "1"	Предназначены для совместной
38	2	Вход "Считывание ЗУ "2"	работы с ИС К145ИК11П и
39	4	Вход "Считывание ЗУ ”3"	К561РУ2 Информация поступает в импульсном виде на входы
40	8	Вход Считывание ЗУ 8	считывания.
2.4.	ИС ЭНН КР1008ВЖ2
ИС КР1008ВЖ2 предназначена для использования в ТА с расширенными функциональными возможностями. Цоколёвка ИС КР1008ВЖ2 приведена на ,рис. 2.12,а, назначение выводов в табл. 2.4. Пример подключения ИС КР1008ВЖ2 совместно со схемой управления индикацией КР1008ВЖЗ и внешним ОЗУ (КР537РУ2А) приведён на рис. 2.9.
Табл. 2.4. Назначение выводов ИС КР1008ВЖ2.
Вывод ИС	Обозначение	Назначение
1	вс	Вход генератора.
2	R	Выход генератора. R = 270к.
3	С	Выход генератора. С = 47 пФ.
4	мк	Выход "Задержка". Служит для управления схемой индикации. В исходном состоянии "низкий” уровень. Выход переходит в состояние "высокого" уровня на время нажатия кнопки, набора номера, а также после выбора адреса в режиме записи или чтения.
5	HS	Вход "Отбой". При подаче "высокого" уровня запускается тактовый генератор на 0,25 с и схема переводится в исходное состояние. "Низкий" уровень разрешает работу микросхемы.
6	HSG	Вход "Гарантированный отбой". При подаче "высокого" уровня минимальное время отбоя по входу HS становится равным 0,8 с.
7 8 9	ROW2 R0W1 ROWO	Выходы клавиатурные. В исходном состоянии на выходах "высокий" уровень. При нажатии на любую кнопку клавиатуры на этих выходах появляются последовательности импульсов со скважностью 4, сдвинутые по фазе относительно друг друга.
10 11	R0W4 R0W3	Выходы клавиатурные. В исходном состоянии на выходах "низкий" уровень. Служат для установки режимов, выбираемых замыканием этих выводов на клавиатурные входы.
3-79
33
у Вывод В ИС	Обозначение	Назначение
12	COL7	Входы клавиатурные. На клавиатурные входы поступают
13	COL6	импульсы с выходов ROWO, R0W1 и ROW2 во время на-
14	COL5	жатия кнопки набора номера или программирования.
15	COL4	
16	COL3	
17	COL2	
18	COL1	
19	COLO	
20	MUTE	Выход "Разговорный ключ".
21	PULSE	Выход "Импульсный ключ".
22	CH	Вход "Просмотр ЗУ".
23	DO	Выходы информационные. На выходах DO, DI, D2 и D3
25	DI	формируется двоичный код цифры во время её набора в
26	D2	линию АТС.
27	D3	
24	GND	Общий.
28	DW	Выход информационный в ЗУ. В режиме записи в ЗУ формируется последовательный код записываемой цифры.
29	MOM	Вход - "Режим внешнего ЗУ". Подачей "высокого" уровня программируется работа с ЗУ ёмкостью 1 К, "низкого"- 2 К.
30	CS3/A9	Выходы адресные. В режиме 1 К - осуществляют выбор
31	CS2/A10	адреса во внешнем ЗУ. В режиме 2 К формируют импульсы
33	CS4/A8	выбора ячеек в ЗУ.
32	CS1	Выход адресный. На выходе формируются импульсы выбора ячеек в ЗУ.
34	A7	Выходы адресные. На выходах формируется двоичный код
35	A6	выбора адреса в ЗУ.
36	A5	
37	A4	
38	A3	
39	A2	
40	AO	
41	Al	
42	DR	Вход информации из ЗУ. В режиме считывания на вход поступает информация в последовательном коде из внешнего ЗУ.
43	SR	Выход "Сброс". При выборе адреса в режиме работы с ЗУ на выходе формируется импульс сброса длительностью 16 мс для схемы управления индикации.
44	EWR	Выход запись/чтение. После выбора адреса в режиме за-пись/чтение формируется "высокий" уровень.
45	WRM	Вход запись/чтение. Подачей "высокого" уровня программируется режим чтения из ЗУ, подачей "низкого" - режим записи.
46	KT	Выход сигнала нажатия кнопки. На время нажатия кнопки клавиатуры формируется сигнал частотой 512 Гц и скважностью 2.
47	WI	Вход "Прерывание". При подаче "высокого" уровня запускается генератор на время 0,25 с.
48	и	Питание. U = 2,5 + 5 В.
34
Табл. 2.5. Программирование параметров импульсов набора ИС КР1008ВЖ2.
Замыкание выводов между собой	Частота набора, Гц	Импульсный коэффициент	Межсерийиая пауза
нет	10	1,5	8Т набора
10, 19	16	1,5	8Т набора
10, 18	20	1,5	8Т набора
10, 18, 19	600	1,5	8Т набора
10, 17	10	1,6	8Т набора
10, 16	10	1,0	8Т набора
10, 16, 17	10	2,0	8Т набора
10, 15	10	1,5	4Т набора
10, 14	10	1,5	6Т набора
10, 14, 15	10	1,5	10Т набора
Рассмотрим работу схемы, приведённой на рис. 2.9.
Схема электронного номеронабирателя с помощью ИС КР1008ВЖ2 обеспечивает формирование импульсов набора номера и управление запоминающим
устройством.
На выходе импульсного ключа (PULSE) (вывод 21) DD1 формируются серии импульсов, соответствующие нажатым цифровым кнопкам номеронабирателя, а на выходе разговорного ключа (MUTE) (вывод 20) формируется "низкий" уровень на время следования каждой серии импульсов. Указанные сигналы обеспечивают работу электронных импульсного и разговорного ключей, в качестве которых могут использоваться токовые ключи КР1014КТ1А(В).
При уложенной на аппарат микротелефонной трубке или же при нажатой кнопке # ("отбой") ИС DD1 заблокирована подачей на вход HS (вывод 5) напряжения логической "1". В этом состоянии схемы набор номера невозможен. При снятии микротелефонной трубки на выходе PULSE формируется импульс занятия АТС длительностью около 250 мс.
Запоминающее устройство, состоящее из ИС КР537РУ2А ёмкостью 4096 бит, управляется ИС DD1 и обеспечивает запись и хранение информации о 40 двенадцатизначных номерах, а также выдачу сигналов на DD1 в режиме чтения
информации.
При нажатии кнопки выбора адреса ЗУ вследствие
DD1
(вывод
45).
УД ИС DD1 устанавливается в режим записи и подачи напряжения логического "0" на вход WRM
Выбор адреса производится последовательным
нажатием одной
из кнопок А, В, С или D и одной из цифровых кнопок, в результате чего ЗУ
переводится в режим записи подачей напряжения логической "1" с выхода EWR
(вывод 44) DD1. На адресных выходах АО + А10 при этом устанавливается комбинация уровней сигналов, соответствующая выбранной ячейке ЗУ. При записи информации в выбранную ячейку ЗУ на выходе DW (вывод 28) DD1 формируется последовательный код нажатой кнопки.
При "низком" уровне на входе ЕХ (вывод 7) DD4 происходит обнуление ОЗУ при его переполнении, при "высоком” уровне обнуления не происходит.
Работа схемы в режиме набора запрограммированного номера происходит । следующим образом. При выборе адреса в режиме чтения информация, записанная по этому адресу, с выхода D0 (вывод 7) DD3 поступает на вход DR (вывод
42) DD1. При записи в ЗУ н при чтении информации из ЗУ на выходах D0 + D3 (выводы 23, 25, 26, 27) DD1 появляются сигналы в параллельном коде, которые поступают на ИС управления индикацией КР1008ВЖЗ и используется для индикации номера телефона. В режиме "Просмотр ЗУ" на вход СП (вывод 22) DD1 при нажатии кнопки М> подаётся напряжение логического "0".
35
10
		8	
	8^	ЗП/	7
			19
	9^,	А^	18
2^	0^	В^-	17
		С^	16
A,		d^	15
	Вк^	Е^.	14
	Ск^	Е^	13
	DK^	код^	12
24
и = ЗВ
DD1 КР1008ВЖ2
5
47
11
HS Wl хз X4 XO X1 X2 YO Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 OV MOM RC HSG U CH WRM	D/DEK	AO A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 DW EWR CS1 DR PULSE MUTE KT R C DO D1 D2 D3 MK SR
32
42
46
2
3
23
25
26
27
21
20
41	15	
40	16
39	17
38	1
37	2
36	3
35	4
34	5
33	6
30	14
31	13
DD2	12
К561ЛН2 1—	[~~9
, 	18	
	
28	11
DD2.1'	
44 1ПГД2	8
DD2.2
DD3 КР537РУ2А
АО А1 А2 АЗ А4 А5 А6 А7 А8 А9 А10 А11 OV и DI EWR СЕ	RAM	DO
7
U—
24
__8
20
19
17
16
15
14
18
VD1 --КД521В
z КД521В
"Отбой’1
[43_^_
VD3 КД521В
R3
1М
R4
1М
R7
1М
22
R5
1М
21
R6
1М
7
9
11
12
23
6
DD4 КР1008ВЖЗ
и OV Е MON DO 01 D2 D3 МК SR OF Р TON МО КОЕ ЕХ KHS 00	В /75	HS WI АЗ А2 А1 С11 С12 С13 С21 С22 С23 С31 С32 СЗЗ С41 С42 С43 С51 С52 С53 С61 С62 С63 С71 С72 С73
		С81 С82 С83 Q1
R8 15М
HG1 ИЖВ1-8/7
30,
13
10 2
3	29
4	28
1	27
47	26
46	25
45	24
44	23
43	22
42	21
41	20
40	19
39	18
38	17
37	16
36	15
35	14
34	13
33	12
32	11
31	10
30	9
29	8
28	7
27	6
26	5
25	4
5
*Н75
со
со
со
со
со
Рнс. 2.9. Пример подключения ИС КР1008ВЖ2 совместно со схемой управления индикацией КР1008ВЖЗ и внешнего ОЗУ (КР537РУ2А).
36
BQ1 РК-724А
Т.20	32768 ГЦ
flR9
Н 560k
Тф* С2
20
Схема индикации с программатором событий включает в себя микросхему управления индикацией DD4 и восьмиразрядный семисегментный жидкокристаллический индикатор HG1, управляемый четырёхуровневыми сигналами. ИС
DD4 работает от кварцевого генератора BQ1 частотой 32768 Гц. Существует четыре основных режима работы ИС КР1008ВЖЗ. Режим выбирается схемой управления при подаче на входы микросхемы KHS (вывод 22) и МО (вывод 23)
логического уровня в соответствии с табл. 2.6.
Логический уровень "1" на входе KHS соответствует уложенной на рычаг
аппарата телефонной трубке.
Табл. 2.6. Режимы работы ИС КР1008ВЖЗ.
Логический уровень		Режим
KHS	МО	
1	0	Текущее время.
1	1	Установка часов и ми-
		нут текущего времени.
• 0	1	Время разговора.
0	0	Номер телефона.
ИС КР1008ВЖЗ имеет программно - временное устройство, позволяющее программировать до 40 событий на разное время суток. С этой целью на выходе WI (вывод 10) в начале каждой текущей минуты формируется импульс длительностью около 500 мс. Этот импульс подаётся на вход WI (вывод
47) DD1, в результате чего производится опрос всего содержимого ЗУ путём по-
следовательного просмотра всех адресов.
Информация Из ЗУ поступает на вход DR (вывод 42) DD1, преобразуется и в параллельном четырёхбитном коде поступает на входы DO -е D3 (выводы 15, 16, 17, 19) DD4. ИС КР1008ВЖЗ осуществляет преобразование поступившей информации и сравнение её с информацией текущего времени. При совпадении информации запрограммированного события с текущим временем на индикаторе HG1 отображаются в первом разряде символы событий "С” или "Н", в последующих разрядах - номер запрограммированного события или же номер телефона. Одновременно с выхода КТ (вывод 12) DD4 появляется сигнал звуковой частоты, предупреждающий абонента о наступлении одного из запрограммированных событий. Этот сигнал можно подать на пьзокекерамический преобразователь типа ЗП-З, ЗП-5 через импульсный усилитель, в качестве которого можно использовать инвертор ИС К561ЛН2. Выключение сигнала производится либо вручную при нажатии абонентом кнопки СФ ("Сброс"), либо автоматически через 40 с.
Вход MON (вывод 20) DD4 предназначен для выбора режима работы ИС со светодиодным индикатором или с жидкокристаллическим.
Выход OF и вход Е DD4 предназначены для наращивания разрядности индикатора при подключении двух ИС КР1008ВЖЗ. При этом вывод 9 соединяется с выводом 8.
Выход Р (вывод 11) DD4 предназначен для управления внешним устройством.
2.5.	ХАРАКТЕРИСТИКИ МИКРОСХЕМ ЭЛЕКТРОННОГО НАБОРА НОМЕРА
В таблице 2.7 приведены основные параметры ряда зарубежных и отечественных микросхем ЭНН, наиболее часто применяемых в ТА.
Сокращения принятые в таблицах:
Кол-во выв. — количество выводов в микросхеме.
Клавиатура - конфигурация клавиатуры. Количество координат столбцов (Column) и количество координат строк (Row).
37
ипит. - номинальное напряжение питания ИС.
ОЗУ, знаков - количество знаков последнего набранного номера, которое может быть сохранено в ОЗУ. Если ИС имеет дополнительную память, то вторая цифра обозначает количество знаков, которые могут быть сохранены в номере дополнительной памяти.
Доп. ОЗУ номеров - для ИС, имеющих дополнительную память. Количество номеров, которое может быть сохранено и вызвано посредством функциональных клавиш (прочерк означает отсутствие дополнительной памяти). Количество знаков в номере, как правило, не соответствует количеству знаков, запоминаемых в последнем набранном номере. В большинстве ИС ЭНН количество знаков номера в дополнительной памяти не превышает 16.
DTMF/Pause Redial - отношение длительности двухчастотной посылки тонального сигнала (DTMF) к межцифровой паузе (в мс) в режиме повтора номера. Прочерк обозначает отсутствие тонального режима в данной микросхеме.
Тип выхода - схемотехническое решение организации выхода импульсного (PULSE) и разговорного (MUTE и XMUTE) ключей.
MUTE - выход разговорного ключа для импульсного или тонального режимов работы ИС. Выход активный в одном режиме. Если микросхема обеспечивает импульсный и тональный набор номера, то выход MUTE, в большинстве случаев, является выходом разговорного ключа для импульсного режима работы ИС.
XMUTE - выход разговорного ключа для импульсного и тонального режимов работы ИС. Выход активный в двух режимах.
ОС - выход с открытым стоком (NMOS) (рис. 2.1,а). Представляет собой открытый сток п-канального полевого транзистора. Этот выход открыт во время набора номера (в моменты размыкания линии) и в режиме кратковременного отбоя (FLASH) (для выхода PULSE). Во всех других случаях выход находится в состоянии высокого сопротивленя (высокоимпендансном состоянии).
Л - логический выход (CMOS) (рис. 2.1,в). На выходе PULSE присутствует "высокий" уровень во время набора номера (в моменты размыкания линии) и в режиме кратковременного отбоя (FLASH). Во всех других случаях на выходе "низкий" уровень.
Л1 - логический выход РК, формирующий низкий уровень на весь период набора номера (пример - рис. 2.34, ИС КР1008ВЖ10).
Л2 - логический выход РК, формирующий низкий уровень на период набора одного знака (пример - рис. 2.33 ИС КР1008ВЖ12).
ЛЗ - логический выход РК, формирующий высокий уровень на весь период набора номера (пример - рис. 2.32 ИС КР1008ВЖ17).
М/В - значение импульсного коэффициента в зависимости от логического состояния входа М/В ("О'' или "1").
IDP - значение длительности межсерийной паузы в мс в зависимости от логического состояния входа IDP. Через дробь приведено значение длительности межсерийной паузы для частоты импульсного набора - 20 Гц.
DBS - значение частоты набора в Гц в зависимости от логического состояния входа DRS. Частота набора большинства современных микросхем номеронабирателей определяется выводом MODE.
MODE - режим работы микросхемы "Р"- импульсный (10 или 20 Гц), "Т"- частотный, в зависимости от состояния входа (неподключенный или подключенный к положительному или общему выводу питания). Если программируемая частота набора имеет определённый имульсиый коэффициент, то значение приводится через дробь. Например: 10/1,5 - обозначает частоту набора 10 Гц с импульсным коэффициентом 1,5.
38
KT (Key Tone) — функция звукового подтверждения нажатия кнопки клавиатуры.
Hold Line - режим удержания линии при положенной на рычаг телефона трубке. При включении режима HOLD можно положить на рычаг трубку (абонент при этом остаётся на линии) перейти к другому телефону, снять на нём трубку, н в этот момент первый телефон отключится.
Hand Free - режим громкой связи. При включении этого режима микрофон н телефон в трубке отключаются, и включается специальная схема громкой связи с отдельными микрофоном и динамиком. Схема громкой связи обеспечивает прием звуковых сигналов на отдалении от телефонного аппарата и обладает системой, способной усилить звуковой сигнал второго абонента до уровня, обеспечивающего хорошую слышимость на расстоянии от ТА (подробно в разделе 3.6). Микросхема номеронабирателя обеспечивает только включение и отключение режима громкой связи.
LCD Interface - цифровой выход на контроллер жидкокристаллического индикатора.
Lock Function - функция блокировки определённых цифр н в определённом порядке для предотвращения набора заданной последовательности цифр. Например, для запрета набора междугородних телефонов.
Flash - нормированный обрыв абонентской линии (функция режима "отбой"). При нажатии кнопки FLASH происходит разрыв абонентской линии на время от 600 до 1200 мс в импульсном режиме (для частоты 10 Гц) и от 80 до 300 мс в тональном режиме.
Если в графе "выходные параметры ИК при логическом состоянии входов” приведено одно значение, то в этой ИС отсутствует вход управления данным параметром и он в микросхеме жестко определен (прочерк означает отсутствие данного режима). Если приведено два параметра в одной ячейке, то параметр программируется либо при помощи другого вывода, либо путём подключения определённых выводов клавиатуры к положительному или общему выводу питания через резистор (в ИС ЭНН фирмы HOLTEK этот резистор имеет сопротивление 330 кОм, HUAL0N - 820 кОм, ELAN - 560 кОм).
Буква "Y" (yes) обозначает наличие функции, которая обозначена в колонке.
На рис. 2.10 + 2.29 приведены цоколёвки микросхем как зарубежного, так в отечественного производства.
На рис. 2.30 приведены схемы подключения времязадающих элементов генератора ИС ЭНН. Кварцевый резонатор на частоту 3,579545 МГц, который используется в большинстве зарубежных ИС ЭНН, применяется в декодерах цветных телевизоров системы NTSI, вследствие чего получил большое распространение и является самым недорогим из стандартных кварцевых резонаторов.
На рис. 2.32 + 2.34 приведены для примера временные диаграммы выходов импульсного (PULSE) и разговорного (MUTE) ключей некоторых микросхем ЭНН. Различия выходных сигналов определяются отнюдь не страной - производителем, а принципом построения ИС для ее использованием в той или иной схеме.
Фирма "WINBOND" с 1997 года ввела изменения в маркировку микросхем номеронабирателей, название которых теперь в основном заканчивается буквой "N". Большинство микросхем одной серии, которые имеют одинаковое количество выводов, не имеют в маркировке других букв, кроме "N", и отличающиеся только последней цифрой маркировки, взаимозаменяемы. Например, микросхему W91341, которая выпускалась до 1997 года можно заменить на W91340N. Микросхемы W91444 или W91446 заменяемы на W91442N и т. д.
39
о Таблица. 2.7. Характеристики микросхем номеронабирателей.
Тип ИС	Кол* во выв.	Кла-ВИ* атура	Опит.	ОЗУ знаков	Доп. ОЗУ номеров	DTMF /Pause Redial	Тип выхода			Выходные параметры ИС при логическом состоянии входов								КТ	Hold Line	Hand Free	LCD Interface	Lock Func -lion	Flash MC	Рис. генератора	Рис.
										мл		ЮР		DRS	MODE (Гц/МВ)										
							PULSE	MUTE	XMUTE	0	1	0	1	о|1	X	0	1								
CIC9102E	18	3x4	2+5,5	22			ОС	лз	-	1.5	2	800	600	10	р			-						2290	2.10e
CIC9104E	16	3x4	2+5,5	22	—		ОС	лз		1.5	2	800		10	р									2.290	2.1 Oe
CIC9145E	22	4x5	2+5,5	32/16	15	93/93	л	л	Л	2	1.5	800		.10	—	Т	10	Y					600/305/98	2.29a	2.15e
CIC9192BE	16	3x4	2,5+5,5	17	-	-	ОС	ОС	—	1	5	800		10	р			—	—			__		2.29e	2.10e
CIC9193	16	3x4	2,5+6	17	—	-	ОС	ОС	—	1,5	2	800		10 |20	р			Y						2.29e	2.106
ЕМ91203АР	18	4x5	2+5,5	32/16	3	98/98	ОС/Л	—	ОС	1.5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y					600/300/100/80	2.29a	2.23ж
ЕМ91203ВР	20	4x5	2+5,5	32/16	3	98/98	ОС/Л	-	ОС	15/2		800/500		10/20	т	10	20	Y		Y			600/300/100/80	2.29a	2.23u
ЕМ91203СК	22	4x5	2+5.5	32/16	3	98/98	ОС/Л	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y		Y	Y		600/300/100/80	2.29a	2.23.x
ЕМ91210АР	18	4x5	2+5,5	32/16	10	98/98	ОС/Л	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y					600/300/100/80	2.29a	2.23ж
ЕМ91210ВР	20	4x5	2+5,5	32/16	10	98/98	ОС/Л		ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	—	Y			600/300/100/80	2.29a	2.23 и
ЕМ91210СК	22	4x5	2+5,5	32/16	10	98/98	ОС/Л	—	ОС	1.5/2		800/500		10/20	т	10	20	У		Y	Y		600/300/100/80	2.29a	2.23.x
ЕМ91215АР	18	5x6	2+5,5	32/16	13	98/98	ОС/Л	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	—				600/300/100/80	2.29a	2.23ж
ЕМ91215ВР	20	5x6	2+5.5	32/16	13	98/98	ОС/Л	—	ОС	1,5	/2	800/500		10/20	т	10	20	Y		Y			600/300/100/80	2.29a	2.23u
ЕМ91220АР	18	4x5	2+5.5	32/16	20	98/98	ОС/Л	—	ОС	Ц	/2	800/500		10/20	т	10	20	Y					600/300/100/80	2.29a	223ж
ЕМ91220ВР	20	4x5	2+5,5	32/16	20	98/98	ОС/Л	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y		Y			600/300/100/80	2.29a	2.23u
ЕМ91220СК	22	4x5	2+5,5	32/16	20	98/98	ОС/Л	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y		Y	Y		600/300/100/80	2.29a	2.23k
ЕМ91403АР	18	4x5	2+5.5	32/16	3	98/98	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y		....	Y	600/300/100/80	2.29a	215k
ЕМ91403ВР	20	4x5	2+5.5	32/16	3	98/98	ОС		ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y	Y		Y	600/300/100/80	2.29a	2.16a
ЕМ91403СК	22	4x5	2+5,5	32/16	3	98/98	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y	Y	Y	Y	600/300/100/80	2.29a	2.15e
EM91403DK	24	4x5	2+55	32/16	3	98/98	ОС	ОС	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y	Y	Y	Y	600/300/100/80	2.29a	2.20г
ЕМ91440АР	18	4x5	2+55	32/16	40	98/98	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y		__	Y	600/300/100/80	2.29a	2.15к
ЕМ91440ВР	20	4x5	2+5,5	32/16	40	98/98	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y	Y		Y	600/300/100/80	2.29a	2.16a
ЕМ91440СК	22	4x5	2+5,5	32/16	40	98/98	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	У	Y	Y	Y	Y	600/300/100/80	2.29a	2.15e
EM91440DK	24	4x5	2+5,5	32/16	40	98/98	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y	Y	Y	Y	600/300/100/80	2.29a	2.20e
EM9145LB	24	5x5	2+55	32/16	14	98/98	л	л	л	2	1.5	800		10	—	т	Р	Y		Y		Y	600/300/100	229a	2.27a
ЕМ91450АР	18	4x4	2+5,5	32/16	20	98/98	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y			Y	600/300/100/80	2.29a	2.20ж
ЕМ91450ВР	20	4x4	2+5,5	32/16	20	98/98	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y	Y		Y	600/300/100/80	2.29a	2.20u
ЕМ91450СР	22	4x4	2+5,5	32/16	20	98/98	ОС	—	ОС	1.5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y	Y	Y	Y	600/300/100/80	2.29a	220k
ЕМ91455АР	18	4x5	2+5,5	32/16	13	98/98	ОС		ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y			Y	600/300/100/80	2.29a	2.15k
ЕМ91455ВР	20	4x5	2+5,5	32/16	13	98/98	ОС	-	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y	Y		Y	600/300/100/80	2.29a	2.16a
ЕМ91455СК	22	4x5	2+5,5	32/16	13	98/98	ОС	—	ОС	1.5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y	Y	Y	Y	600/300/100/80	2.29a	215e
EM91455DK	24	4x5	2+5,5	32/16	13	98/98	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y	Y	Y	Y	600/300/100/80	229a	220г
ЕМ91465АР	18	5x6	2+55	32/16	3	98/98	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y			Y	600/300/100/80	229a	215k
ЕМ91465ВР	20	5x6	2+5,5	32/16	3	98/98	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y	Y		Y	600/300/100/80	2.29a	2.16a
ЕМ91465СК	22	5x6	2+5,5	32/16	3	98/98	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	т	10	20	Y	Y	Y	Y	Y	600/300/100/80	229a	2 15e
EM9171QA	16	4x4	2+5,5	32	—	98/98	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	20	т	10						600/300/100/80	2.29a	2.14k
ЕМ91710В	18	4x4	2+5,5	32					98/98	ОС		ОС	1,5/2		800/500		10/20	20	т	10	-	-	Y	-	-	600/300/100/80	2.29a	2.15ж
Тип ИС	Кол-во выв.	Клавиатура	Плит.	ОЗУ знаков	Доп. ОЗУ номеров	DTMF /Pause Redial	Тип выхода			Выходные параметры ИС при логическом состоянии входов								кт	Hold Line	Hand Free	LCD Interface	Lock Func -lion	Flash мс	Рис. генератора	Рис.
										м/в		ЮР	DRS		MODE (ГцМВ)										
							PULSE	MUTE	XMUTE	°|	1	0 | 1	0	1	X	0	1								
EM91810A	18	4x4	2+5,5	32		98/98	ОС	—	ОС	1.5/2		800/500	10/20		20	Т	10	Y	—	—	У	—	600/300/100/80	2.29а	2.15и
EM91810B	20	4x4	2+5,5	32		98/98	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	т	10	Y	—	У	У	—	600/300/100/80	2.29а	i.16.6
ET40982	16	3x4	2,5+6	17			ОС	ОС	-	2	1,5	820	10		Р			-	—	—	-		-	2.296	zm
ET40992'	18	3x4	2,5+6	17			ОС	ОС	—	1.5	2	800	10	20	Р			—	—	—	—	—	--	2.29а	2.10а
FT58C51	18	3x4	2+6	32			ОС	ОС	-	1.5	2	800	10	20	Р			—			—	—		2.29г	2.10а
FT9151-3	16	3x4	2+5,5	22			ОС	лз		1.5	2	800	1		Р			—	-	—	-	-		2.29д	2.10а
FT93210C	18	4x4	2+5,5	32		110/110	ОС		ОС	1.5	2	800	10		ч- I	J—I	р	—		—	—	—	604	2.29а	2.11а
HD970040D	16	3x4	2,5+6	17			ОС	ОС		2	1.5	820	10		Р			—	-	—	—	—		2.296	2.100
HM9100A1	18	3x4	2+5,5	17			ОС	ОС		1Д	2	800	10 120		Р			-	-	-	—	-		2.29в	2.10а
HM9100B	16	3x4	2+5,5	17	—		ОС	ОС	—	1.5	2	800	1	0	Р			—	-	—	—	—	—	2.29а	2.10ж
HM9102	18		2+5,5	32/16	—	100/106	ОС	—	ОС	1.5	2	800/500	10/20		20	т	10	—	—	—	—	—	600/100 ’	2.29а	2.11,а
HM9102C	18	4x4	2+5,5	32/16		100/106	ОС		ОС	1,5	2	800/500	10/20		20	т	10	—	-	—	—	—	100/600	2.29а	2.11а
HM9102D	18	4x4	2+5,5	32/16		100/106	ОС	—	ОС	1.5	2	800/500	10/20		20	т	10	—	—	-	—	-	600/100	2.29а	2.11а
HM9110D	18	4x4	2+5,5	32/16	10	100/106	ОС	—	ОС	1.5	2	800/500	10/20		20	т	10	—	—	—	—	-	600/100	2.29а	2.11а
HM9110E	18	4x4	2+5,5	32/16	10	100/106	ОС		ОС	1.5	2	800/500	10/20		20	г	10			—	—	—	100/600	2.29а	2.11а
HM9112A	22	4x5	2+5,5	31/16	14	100/106	ОС	—	ОС	2	1.5	800	10			т	10	Y		—	—	—	600/100	2.29а	2.15в
HM9113A	22	4x5	2+5,5	31/16	14	100/106	ОС	-	ОС	2	1.5	800	10			I	10	Y	—	—	—	—	600/100	2.29а	2.15в
HM9114	22	4x5	2+5,5	31/16	15	100/106	ОС		ОС	2	1.5	800/500	10	20	—	г	10	Y	—	—	—	—	600/100	2.29а	2.15а
HM9114C	22	4x5	2+5,5	31/16	15	100/106	ОС		ОС	2	1.5	800/500	10	20	-	т	10	Y	—	—	—	—	600/100	2.29а	2.15е
HM9120	28	5x8	2+5,5	32/16	20	100/106	л	—	ОС	1,5	2	800/500	10/20		20	т	10	Y	—	Y	—	—	600/100	2.29а	2.28а
HM9121	28	5x8	2+5.5	32/16	20	100/106	л	—	ОС	1,5	2	800/500	10/20		20	т	10	Y		У	—		600/100	2.29а	2.28а
HM9121C	28	5x8	2+5,5	32/16	20	100/106	л	__	ОС	1.5	2	800/500	10/20		20	т	10	Y	—	У	—	—	100/600	2.29а	2.26а
HM91510A	18	4x4	2+5,5	32/16		100/106	л		ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	т	10	Y		—	—	—	600/300/200/93	2.29а	2.22е
HM91510B	22	4x4	2+5,5	32/16		100/106	л	—	ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	т	10	Y	У	У	—	—	60СУЗО0/200«3	2.29а	2.1бж
HM91511A	18	4x4	2+5,5	32/16	-	100/106	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	1	10	Y	—	—	—	—	600/300/200/93	2.29а	2.22в
HM91511B	22	4X4	2+5,5	32/16		100/106	ОС	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	г	10	Y	У	У	—	-	600/300/200/93	2.29а	2.16ж
HM91512A	18	4x4	2+5,5	32/16	-	91/91	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	1	10	У				-	600/300/100/80	2.29а	2.22в
HM91512B	22	4x4	2+5,5	32/16		91/91	ОС	л	ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	т	10	Y		У	—	—	600/300/100/80	2.29а	2.16и
HM91520A	18	4x4	2+5,5	32/16	save	100/106	л	—	ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	т	10	У	—	—	—	—	600/300/200/93	2.29а	2.22в
HM91520B	22	4x4	2+5,5	32/16	save	100/106	л		ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	т	10	У	У	У		—	800/300/200/93	2.29а	2.16ж
HM91521A	18	4x4	2+5.5	32/16	save	100/106	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	1	10	 У	—	—	—	-	600/300/200/93	2.29а	2.22в
HM91521B	22		2+55	32/16	save	100/106	ОС	—	ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	т	10	У	У	У	—		600/300/200/93	2.29а	2.16ж
HM91522A	18	4х,«	2+5,5	32/16	save	91/91	ОС		ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	т	10	Y	—	—	—	-	600/300/100/80	2.29а	2.22в
HM91522B	22	4x4	2+5,5	32/16	save	91/91	ОС	л	ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	т	10	Y	—	У		-	600/300/100/80	2.29а	2.16и
HM91530A	18	4x4	2+5,5	32/16	3	100/106	л		ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	1	10	Y	—			-	600/300/90	2.29а	2.22s
HM91530B	22	4x4	2+5,5	32/16	3	100/106	л	—	ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	т	10	Y		У	—		600/300^0	2.29а	2.16ж
HM91550A	18	4x5	2+5,5	32/16	3	100/106	л	—	ОС	1,5/2		800/500	10/20		20	т	10	—	I —	—	—	—	600/300/200/93	2.29а 2.223	
Тип ИС	Колею выв.	Клавиатура	ипит.	ОЗУ знаков	Доп. ОЗУ номеров	DTMF Л>аве Redbl	Тип выхода			Выходные параметры ИС при логическом состоянии входов								кт	Hold Line	Hand Free	LCD Interface	Lock Func -Hon	Flash MC	Рис. генератора	Рис.
										м/в		ЮР		DRS	MODE (Гц/МВ)										
							PULSE	MUTE	XMUTE	0	1	0	1	о I 1	X	0	1								
НМ91550В	22	4x5	2+5,5	32/16	3	100/106	л		ос	1.5/2		800/500		10/20	20	Т	10	-	Y	Y		-	600/300/200/93	2.29a	2.266
НМ91551А	18	4x5	2+5,5	32/16	3	100/106	ОС	-	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	Т	10	—	—	-		-	600/300/200/93	2.29a	2.22a
НМ91551В	20	4x5	2+5,5	32/16	3	100Л06	ОС		ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	Т	10	-	Y	Y	-	-	600/300/200/93	2.29a	2.266
НМ91552А	18	4x5	2+5,5	32/16	3	91/91	ОС		ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	Т	10		-		-		600/300/100/80	2.29a	2.22a
НМ91552В	22	4x5	2+5,5	32/16	3	91/91	ОС	л	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	Т	10	Y		Y	-		600/300/100/80	2.29a	2.16/f
НМ91610А	20	5x6	2+5,5	32/16	13	100/106	л	-	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	Т	10		-				600/300/200/93	2.29a	2.16a
НМ91610В	22	5x6	2+5,5	32/16	, 13	100/106	л		ОС	1,5/2		800/500		10/20	20	Т	10	—	-	Y	-		600/300/200/93	2.29a	2.16a
НМ91610С	22	5x6	2+5,5	32/16	13	100/106	л	-	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	т	10		Y	—		—	600/300/200/93	2.29a	2.160
HM91610D	24	5x6	2+5,5	32/16	13	100/106	л	-	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	т	10	—	Y	Y	-	—	600/300/200/93	2.29a	2.206
НМ91611А	20	5x6	2+5,5	32/16	13	100/106	ОС	-	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	т	10	-		—	-	—	600/300/200/93	2.29a	2.16a
НМ91611В	22	5x6	2+5,5	32/16	13	100/106	ОС	-	ОС	1	5/2	800/500		10/20	20	т	10	-		Y	-		600/300/200/93	2.29a	2.16г
НМ91611С	22	5x6	2+5,5	32/16	13	100/106	ОС	-	ОС	1	,5/2	800/500		10/20	20	Т	10		Y	—		-	600/300/200/93	2.29a	2.160
HM91611D	24	5x6	2+5,5	32/16	13	100/106	ОС	—	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	Т	10		Y	Y	__		600/300/200/93	2.29a	2.200
НМ91612А	20	5x6	2+5,5	32/16	13	91/91	ОС	-	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	т	10	-	-=	-			600/300/100/80	2.29a	2.16a
НМ91612В	22	5x6	2+5,5	32/16	13	91/91	ОС		ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	Т	10			Y		—	600/300/100/80	2.29a	2.16a
НМ91612С	22	5x6	2+5,5	32/16	13	91 /91	ОС	л	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	Т	10	Y	—	—		—	600/300/100/80	2.29a	2.16e
HM91612D	24	5x6	2+5,5	32/16	13	91/91	ОС	л	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	Т	10	Y	-	Y	-		600/300/100/80	2.29a	2.20e
НМ91620А	18	4x5	2+5,5	32/16	10	100/106	л	—	ОС	1,5/2		800/500		10/20	20	Т	10			—	__		600/300/90	2.29a	2.22a
НМ91620В	22	4x5	2+5,5	32/16	10	100/106	л	-	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	Т	10	-	Y	Y	__		600/300/90	2.29a	2.266
НМ91650А	18	4x5	2+5,5	32/16	13	100/106	л	—	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	т	10		—		__	—	600/300/200/93	2.29a	2.22a
НМ91650В	22	4x5	2+5,5 ‘	32/16	13	100/106	л	-	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	Т	10		Y	Y	—		600/300/200/93	2.29a	2.266
НМ91651А	16	4x5	2+5,5	32/16	13	100/106	ОС		ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	Т	10	—		-	__		600/300/200/93	2.29a	2.22a
НМ91651В	22	4x5	2+5,5	32/16	13	100/106	ОС	-	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	Т	10		Y	Y	—		600/300/200/93	2.29a	2.266
НМ91652А	18	4x5	2+5,5	32/16	13	91/91	ОС	-	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	т	10	-	—	-	—		600/300/100/80	2.29a	2.22a
НМ91652В	22	4x5	2+5,5	32/16	13	91/91	ОС	л	ОС	1,5/2		800/500		10/20	20	т	10	Y	__	Y	—	-	600/300/100/80	2.29a	2.16»
НМ91710А	16	4x4	2+5,5	32	—	98/98	ОС	-	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	т	10		-	-	-		600/300/100/80	2.29a	2.14x
НМ91710В	18	4x4	2+5,5	32	—	98/98	ОС	-	ОС	1,5/2		800/500		10/20	20	т	10		—	Y	—		600/300/100/80	2.29a	2.15ж
НМ9187	16	4x4	2+5,5	—	-	-		л	л	-		—		—		т		—	—		—	-		2.29a	2.13a
HT9102F	18	4x4	2+5,5	22	—	83/86	л	—	Л1	1,5		800		10	-	т	р	—	—	—	—		600/300/98	2.29a	2.22s
НТ9115В	22	4x5	2+5,5	32	14	83/86	л	—	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	т	10	—	Y	Y		-	600/300/98	2.29a	2.266
НТ9201А	16	4x4	2+5,5	-	-	DTMF	-	л	ОС	-				-	Т					-	—	-	-	2.29a	2.136
НТ9201В	16	4x4	2+5,5	—		DTMF	—	л	ОС	—		-		-	т			-	—	—	—		600/300/200/90	2.29a	2.136
НТ9202А	18	4x4	2+5,5	32	—	83/86	л	—	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	т	10	—	—	-	—	—	600/300/98	2.29a	2.22a
НТ9202В	22	4x4	2+5,5	32	—	83/86	л	-	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	т	10	—	Y	Y	—	—	600/300/98	2.29a	2.23a
НТ9202С	20	4x4	2+5,5	32	—	83/86	л	—	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	т	10	—	—	—	Y		600/300/98	2.29a	2.22k
HT9202D	24	4x4	2+5,5	32	-	83/86	л	-	ОС	1.5/2		800/500		10/20	20	т	10		Y	Y	Y		600/300/98	2.29a	2.23e
HT9202F	18	4x4	2+5,5	32	save	83/86	л	====ЙИВ	ОС	1,5/2		800/500		10/20	20	т	10	-	-	-	-		600/300/98	2.29a	2.22a
Тип ИС	Кол-во выв.	Клавиатура	ипит.	ОЗУ знаков	Доп. ОЗУ номеров	DTMF /Peuse Redial	Ten выхода			Выходные параметры ИС при логическом состоянии входов	'							кт	Hold Line	Hand Free	LCD Interface	Lock Func tlon	Flash MC	Рис. генератора	Pec.
										М/В	ЮР	DRS		MODE {ГцЛйВ)										
							PULSE	MUTE	XMUTE	_oJ_L	011	0	1	X	0	1								
HT9202G	16	4x4	2+5,5	32	save	100/106	Л		oc	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	-	-	—			600/300/98	2.29a	2.14U
HT9202H	18	4x4	2+5,5	32	save	83/86	Л	-	ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10			—			600/300/98	2.29s	2.22a
HT9202L	18	4x4	2+5,5	32	save	83/86	Л	—	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	—	—	-	Y	600/300/98	2.29s	2.22s
HT9202S	20	4x4	2+5,5	32	—	83/86	Л		ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10		Y				600/300/98	2.29s	2.22s
HT9205A	18	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	Л		ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10				__		600/300/98	2.29s	2.22d
HT9205B	22	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	Л		ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10		Y	Y	—		600/300/98	2.29s	2.26a
HT9205C	20	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	Л		ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10			__	Y		600/300/98	2.29s	2.26a
HT9205D	24	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	Л		ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	Y	Y	Y		600/300/98	2.29s	2.26a
HT9205K	22	4x5	2+5,5	32/32	5	100/106	Л	—	ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10	__	Y	Y		__	600/300/98	2.29s	2.26a
HT9212A	18	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	Л		ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—				__	600/300/98	2.29s	2.226
HT9212B	22	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	Л	-	ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10	-	Y	Y	—	—	600/300/98	2.29a	2.26a
HT9212C	20	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	Л	—	ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10	-			Y		600/300/98	2.29a	2.26a
HT9212D	24	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	Л		ОС	1.5/2	800/500	10/Й)		20	т	10	__	Y	Y	Y		600/300/98	2.29a	2.26a
HT9214A	22	4x5	2+5,5	32/32	14	91/91	Л	Л	Л	2 1,5	800/600	20	10	—	т	р	Y			—		600/98	2.29s	2.15a
HT9214B	24	4x5	2+5,5	32/32	14	91/91	Л	Л	л	2 1,5	800/600	20	10	-	т	р	Y	—	Y	-	-	600/98	2.29a	2.276
HT9214AL	22	4x5	2+5,5	32/32	14	91S1	Л	Л	л	2 1,5	800/600	10		—	т	р	Y	__		—	Y	600/98	2.29a	2.156
HT9214BL	24	4x5	2+5,5	32/32	14	91/91	Л	Л	л	2 1,5	800/600	10			т	р	Y		Y		Y	600/98	2.29a	2.27a
HT9214CL	24	4x5	2+5,5	32/32	14	91/91	Л	Л	л	2 1,5	800/600	10		—	т	р	Y		—	Y	Y	600/98	2.29a	2.276
HT9214DL	28	4x5	2+5,5	32/32	14	91/91	Л	Л	л	2 1,5	800/600	10		—	т	р	Y	Y	Y	Y	Y	600/98	2.29a	2.28e
HT9215A	18	4x5	2+5,5	32/32-	14	83/86	Л		ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	—		—		600/300/98	2.29a	2.22d
HT9215B	22	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	Л		ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	Y	Y			600/300/98	2.29s	2.26s
HT9215C	20	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	Л		ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10				Y		600/300/98	2.29s	2.26s
HT9215D	24	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	Л	-	ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10		Y	Y	Y		600/300/98	2.29s	2.26a
HT9220A	28	5x6	2+5,5	32/32	21	83/86	Л	—	ОС	2 |1,5	800/500	10/20		20	т	10	-	Y	Y	-	-	600/300/98	2.29a	2.26г
HT9220B	28	5x6	2+5,5	32/32	21	83/86	Л		ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	Y	Y	Y		600/300/98	2.29a	2.26d
HT9220C	22	5x6	2+5,5	32/32	21	83/86	Л	-	ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10	—					600/300/98	2.29s	2.27г
HT9220H	28	5x6	2+5,5	32/32	21	83/86	Л	-	ОС	1,5| 2	800/500	10/20		20	т	10		Y	Y	—		600/100	2.29s	2.26г
HT9220K	28	5x6	2+5,5	32/32	21	83/86	Л		ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y	Y	Y		-	600/300/98	2.29s	2.26e
HT9220L	28	5x6	2+5,5	32/32	21	83/86	Л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	-	Y	Y	Y		600/300/98	2.29s	2.26d
HT9242A	22	5x5	2+5,5	32/32	11	91/91	Л	Л	л	2 1,5	800	10		—	т	р	Y		—			600/300/98	2.29a	2.15a
HT9242B	24	5x5	2+5,5	32/32	11	91/91	Л	Л	л	2 1,5	800	10			т	р	Y	—	У			600/300/98	2.29a	2.27s
HT9242AL	22	5x5	2+5,5	32/32	11	91S1	Л	Л	л	2 1,5	800	10			т	р	Y	—	—	-	Y	600/300/98	2.29a	2.156
HT9242BL	24	5x5	2+5,5	32/32	11	91S1	Л	Л	л	2 1,5	800	10			т	р	Y		Y	-	Y	600/300/98	2.29s	2.27a
HT9242CL	24	5x5	2+5,5	32/32	11	91/91	Л	Л	л	2 1,5	800	10			т	р	Y		-	Y	Y	600/300/98	2.29s	2.276
HT9242DL	28	5x5	2+5,5	32/32	11	91/91	Л	Л	л	2 1,5	800	10			т	р	Y	Y	Y	Y	Y	600/300/98	2.29s	2.28e
HT9245A	22	5x5	2+5,5	32/32	14	91/91	Л	Л	л	2 1,5	800	10		—	т	р	Y					600/300/98	2.29s	2.15a
HT9245AL	22	5x5	2+5,5	32/32	14	91/91	Л	Л	л	2 1,5	800	10		-	т	р	Y	-		-	Y	60Q/300/98	2.29s	2.156
Тип ИС	Кол-во выв.	Клавиатура	Впит.	ОЗУ знаков	Доп. ОЗУ номеров	DTMF /Fffisa Redal	Тип выхода			Выходные параметры ИС при логическом состоянии входов							кт	Hold Line	Hand Free	LCD Interface	Lock Func -lion	Flash MC	Рис. генератора	Рас.
										М/В		IDP	DRS	MODE (ГцЛЛВ)										
							PULSE	MUTE	XMUTE	0	1	° I 1	0 | 1	X	0	1								
НТ9245В	24	5x5	2+5,5	32/32	14	91/91	Л	л	л	2	1,5	800	10	—	т	р	Y		Y	—		600/300/98	2.29a	2.27e
HT9245BL	24	5x5	2+55	32/32	14	91/91	Л	л	л	2	1,5	800	10	—	т	р	Y		Y	—	Y	600/300/98	2.29a	2.27a
HT9245CL	24	5x5	2+5,5	32/32	14	91/91	Л	л	л	2	1,5	800	10		т	р	Y		—	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.276
HT9245DL	28	5x5	2+5,5	32/32	14	91/91	Л	л	л	2	1,5	800	10		т	р	Y	Y	Y	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.2fie
НТ9246А	22	5x5	2+5,5	32/32	4	91/91	Л	л	л	2	1,5	800	10		т	р	Y	—		-	—	600/300/98	2.29a	2.15e
НТ9246В	24	5x5	2+5,5	32/32	4	91/91	п	л	л	2	1,5	800	10	—	т	р	Y		Y	-	—	600/300/98	2.29a	2.27e
]HT9246AL	22	5x5	2+5,5	32/32	4	91/91	Л	п	л	2	1,5	800	10	—	т	р	Y	—	—		Y	600/300/98	2.29a	2.156
HT9246BL	24	5x5	2+5,5	32/32	4	91/91	Л	л	л	2	1,5	800	10	—	т	р	Y	—	Y	—	Y	600/300/98	2.29a	2.27a
HT9246CL	24	5x5	2+5,5	32/32	4	91/91	Л	л	л	2	1,5	800	10	—	т	р	Y		—	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.276
HT9246DL	28	5x5	2+5,5	32/32	4	91/91	л	л	л	2	1,5	800	10	—	т	р	Y	Y	Y	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.28e
НТ9302А	18	4x4	2+5,5	32	—	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10		—	—	—	Y	6ОСЮ00/98	2.29a	2.22a
НТ9302В	22	4x4	2+5,5	32	—	83/86	л		ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	—	Y	Y		Y	600/300/98	2.29a	2.27*
НТ9302С	20	4x4	2+5,5	32	—	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	—	—		Y	Y	600800/98	2.29a	2.27u
HT9302D	24	4x4	2+5,5	32	—	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	—	Y	Y	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.27e
HT9302F	18	4x4	2+5,5	32		83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	—	—		—		600/300/98	2.29a	2.22a
HT9302G	16	4x4	2+5,5	32		100/106	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	—	-	—		—	600/300/98	2.29a	2.14u
НТ9302Н	18	4x4	2+5,5	32		83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10		-	__			600/300/98	2.29a	2.22a
НТ93О2АТ	18	4x4	2+5,5	32	—	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	Y	-				600/300/98	2.29a	2.22a
HT9302BT	22	4x4	2+5,5	32		83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	Y	Y	Y	—		600/300/98	2.29a	2.23e
НТ9302СТ	20	4x4	2+5,5	32	-	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	Y		—	Y		600/300/98	2.29a	2.22*
IHT9302DT	24	4x4	2+5,5	32		83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	Y	Y	Y	Y		600/300/98	2.29a	2.23г
HT9302ALT	18	4x5	2+5,5	32	—	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	Y	—	—	-	—	600/300/98	2.29a	2.228
HT9302BLT	22	4x5	2+5,5	32	-	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	Y	Y	Y		—	60СУ300/98	2.29a	2.23e
HT9302CLT	20	4x5	2+5,5	32	—	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	Y	—		Y		600/300/98	2.29a	2.22*
HT9302DLT	24	4x5	2+5,5	32	—	83/86	л		ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	Y	Y	Y	Y	—	600/300/98	2.29a	2.23г
HT9305A	18	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	—		—			600/300/98	2.29a	2.220
HT9305B	22	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10		Y	Y		—	600/300/98	2.29a	2.266
HT93O5C	20	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	—			Y	—	600/300/98	2.29a	2.26a
HT9305D	24	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	—	Y	Y	Y		600/300/98	2.29a	2.26e
HT9305AI	18	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	—	—		—	Y	600/300/98	2.29a	2.220
HT9305BI	22	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	—	Y	Y	—	Y	600/300/98	2.29a	2.266
HT9305CI	20	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л		ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	—	-	—	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.26a
HT9305DI	24	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10		Y	Y	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.26s
HT9305AL	18	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	—	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10		-	—	—	YP	600/300/98	2.29a	2.220
HT9305BL	22	4x5	2+5.5	32/32	4	83/86	л	—	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	-	Y	Y	—	YP	600/300/98	2.29a	2.266
HT93O5CL	20	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	-		—	Y	YP	600/300/98	2.29a	2.26a
HT9305DL	24	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2		800/500	10/20	20	т	10	-	Y	Y	Y	YP	600/300/98	2.29a	2.26e

ТипИС	Кол-во выв.	Клавиатура	ипит.	ОЗУ знаков	Доп. ОЗУ номеров	DTMF /Pause Redal	Тип выхода			Выходные параметры ИС при логическом состоянии входов						кт	Hold Line	Hand Free	LCD Interface	Lock Func -tion	Hash MC	Рис. генератора	Рис.
										М/В	IDP	DRS	MODE (Гц/МВ)										
							PULSE	MUTE	XMUTE	0 I 1	0 I 1	011	X	0	1								
HT9305AT	20	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	то	Y	—	—	-	—	600/300/98	2.29a	2.22u
НТ9Э05ВТ	24	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1.5/2	800/500	10/20	20	т	10	Y	Y	Y		—	600/300/98	2.29a	2.23d
HT9305CT	22	4x5	2+55	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1.5/2	800/500	10/20	20	г	10	Y	—		Y		600/300/98	2.29a	2.236
HT9305DT	24	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	г	10	Y	Y	Y	Y	—	600/300/98	2.29a	2.26d
HT9305AIT	20	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10	Y				Y	600/300/98	2.29a	2.22U
НТ9305ВГГ	24	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	г	10	Y	Y	Y		Y	600/300/98	2.29a	2.23d
НТ9305СГГ	22	4x5	2+5.5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10	Y	—	—	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.236
НТ9305ИТ	24	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	г	10	Y	Y	Y	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.2Bd
HT9305ALT	20	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л		ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	г	10	Y	—	__	—	YP	600/300/98	2.29a	2.22u
HT9305BLT	24	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	г	10	Y	Y	Y		YP	600/300/98	2.29a	2.23d
HT9305CLT	22	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	Т	10	Y		—	Y	YP	600/300/98	2.29a	2.236
HT9305DLT	24	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	Т	10	Y	Y	Y	Y	YP	600/300/98	2.29a	2.28d
HT9306A	18	4x5	2+5.5	32/32	4	83/86	л	—	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10	—	—	—	—	—	600/300/98	2.29a	2.220 i
HT9306B	22	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1.5/2	800/500	10/20	20	т	10		Y	Y		—	600/300/98	2.29a	2.266
HT9306C	20	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	—	ОС	1,5/2	• 800/500	10/20	20	т	10	—	—	—	Y	—	600/300/98	2.29a	2.26a
HT9306D	24	4x5	2+5,5	32/32	4	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10		Y	Y	Y		600/300/98	2.29a	2.26e
HT9312A	18	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	—	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10	—	—	—	—		600/300/98	2.29a	2.220
HT9312B	22	4x5	2+53	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10	—	Y	Y		—	600/300/98	2.29a	2.266
HT9312C	20	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л		ОС	1.5/2	800/500	10/20	20	т	10	—	-		Y	—	600/300/98	2.29a	2.26a
HT9312D	24	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10		Y	Y	Y		600/300/98	2.29a	2.26e
HT9312AI	18	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10				—	Y	600/300/98	2.29a	2.220
HT9312BI	22	4x5	2+5.5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10		Y	Y		Y	600/300/98	2.29a	2.266
HT9312CI	20	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л		ОС	1.5/2	800/500	10/20	20	т	10	-	-	—	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.26a
HT9312DI	24	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10	-	Y	Y	Y	¥	600/300/98	2.29a	2.268
HT9312AL	18	4x5	2+5.5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10	-	-		-	YP	600/300/98	2.29a-	2.220
HT9312BL	22	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	г	10	—	Y	Y		YP	600/300/98	2.29a	2.266
HT9312CL	20	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10	-			Y	YP	600/300/98	2.29a	2.26a
HT9312DL	24	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10	-	Y	Y	Y	YP	600/300/98	2.29a	2.26e
HT9312AT	20	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	8,00/500	10/20	20	т	10	Y		-	—	—	600/300/98	2.29a	2.22u
HT9312BT	24	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л		ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	г	10	Y	Y	Y			600/300/98	2.29a	2.23d
HT9312CT	22	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10	Y	—		Y		600/300/98	2.29a	2.236
HT9312DT	24	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1.5/2	800/500	10/20	20	т	10	Y	Y	Y	Y		600/300/98	2.29a	2.280
HT9312AIT	20	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	г	10	Y				Y	600/300/98	2.29a	2.22u
НТ9312ВГГ	24	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10	Y	Y	Y	—	Y	600/300/98	2.29a	2.230
НТ9312СГГ	22	4x5	2+53	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10	Y	-	-	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.236
HT9312DTT	24	4x5	2+53	32/32	11	83/86	п		ОС	1.5/2	800/500	10/20	20	т	10	Y	Y	Y	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.2Вд
HT9312ALT	20	4x5	2+5.5	32/32	11	83/86	л		ОС	1,5/2	800/500	10/20	20	т	10	Y	-	-	-	YP	600/300/98	2.29a	2.22u
Тип ИС	Кол-во выв.	Клавиатура	ипит.	ОЗУ знаков	Доп. ОЗУ номеров	DTMF /Fffisa Redal	Тип выхода			Выходные параметры ИС при логическом состоянии входов							кт	Hold Line	Hand Free	LCD Interface	Lock Func -tlon	Flash MC	Рис. генератора	Pec.
										м/в	ЮР	DRS		MODE (ГЦМВ)										
							PULSE	MUTE	XMUTE	0 11	011	0	1	X	0	1								
HT9312BLT	24	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	Л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y	Y	Y		YP	600/300/98	2.29a	2.23d
HT9312CLT	22	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	Л	-	ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y	—	—	Y	YP	600/300/98	2.29a	2.236
HT9312DLT	24	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y	Y	Y	Y	YP	600/300/98	2.29a	2.280
НТ9313А	18	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	__	-	—		—	600/300/98	2.29a	2.220
НТ9313В	22	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	Y	Y	—	—	600/300/98	2.29a	2.266
НТ9313С	20	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	15/2	800/500	10/20		20	т	10	—			Y		600/300/98	2.29a	2.26a
HT9313D	24	4x5	2+5,5	32/32	11	83/86	л	-	ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	Y	Y	Y	—	600/300/98	2.29a	2.28e
НТ9315А	18	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10		—	—	—		600/300/98	2.29a	2.220
IHT9315B	22	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	Y	Y	—		600/300/98	2.29a	2.266
НТ9315С	20	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	—	—	Y		600/300/98	2.29a	2.26a
HT9315D	24	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	Y	Y	Y	—	600/300/98	2.29a	2.26e
HT9315AI	18	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—		—	—	Y	600/300/98	2.29a	2.220
HT9315BI	22	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	Y	Y		Y	600/300/98	2.29a	2.266
HT9315CI	20	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—			Y	Y	600/300/98	2.29a	2.26a
HT9315DI	24	4x5	2+5.5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	Y	Y	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.26e
HT9315AL	18	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—		—	—	YP	600/300/98	2.29a	~22S
HT9315BL	22	4x5	2+5,5	32/32	14	. 83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	Y	Y		YP	600/300/98	2.29a	2.266
HT9315CL	9А	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10		-	—	Y	YP	600/300/98	2.29a	2.26a
HT9315DL	24	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	Y	Y	Y	YP	600/300/98	2.29a	2.26a
НТ9315АТ	20	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y		—	—	—	600/300/98	2.29a	2.22u
НТ9315ВТ	24	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л		ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y	Y	Y	-	—	600/300/98	2.29a	2.23d
НТ9315СТ	22	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y	—	-	Y	—	800/300/98	2.29a	2.236
HT9315DT	24	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	I	10	Y	Y	Y	Y	—	600/300/98	2.29a	2.280
HT9315ALT	20	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y	—	—	-	Y	600/300/98	2.29a	2.22u
HT9315BLT	24	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	—	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y	Y	Y	—	Y	600/300/98	2.29a	2.23d
HT9315CLT	22	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y	—	—	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.236
HT9315DLT	24	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y	Y	Y	Y	Y	600/300/98	2.29a	2.280
HT9315AIT	20	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1.5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y		—	—	YP	600/300/98	2.29a	2.22u
НТ9315ВГГ	24	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y	Y	Y		YP	600/300/98	2.29a	2.230
НТ9315СГГ	22	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y	-	-	Y	YP	600/300/98	2.29a	2.236
HT9315DIT	24	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	Y	Y	Y	Y	YP	600/300/98	2.29a	2.280
НТ9316А	18	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	-	—		-		600/300/98	2.29a	2.220
НТ9316В	22	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10		Y	Y	—		600/300/98	2.29a	2.266
НТ9316С	20	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л		ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	—	—	Y	—	600/300/98	2.29a	2.26a
HT9316D	24	4x5	2+5,5	32/32	14	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	Y	Y	Y		600/300/98	2.29a	2.2fe
НТ9320А	28	5x8	2+5,5	32/32	21	83/86	л	—	ОС	2 |1.5	800/500	10/20		20	т	10	—	Y	Y		—	600/300/98	2.29a	2.26г
НТ9320В	28	5x8	2+5,5	32/32	21	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10	—	Y	Y	Y	—	600/300/98	2.29a	2.260
НТ9320С	22	5x8	2+5,5	32/32	21	83/86	л	-	ОС	1,5/2	800/500	10/20		20	т	10		-	-		-	600/300/98	2.29a	2.27г
Тип ИС	Kon-BO выв.	Клавиатура	ипит.	ОЗУ знаков	Доп. ОЗУ номеров	DTMF /Pause Redal	Тип выхода			Выходные параметры ИС при логическом состоянии входов										КТ	Hold Line	Hand Free	LCD Interface	Lock Func -tlon	Flash MC	Рис. генератора	Рис.
										мт			IDP		DRS		MODE (T1VMB)										
							PULSE	MUTE	XMUTE	0	1		0	1	0	1	X	0	1								
НТ9320Н	28	5x8	2+5,5	32/32	21	83/86	л	—	ОС	1,5	2		800/500		10/20		20	т	10		Y	Y	—	—	600/100	2.29a	2,26г
НТ9320К	28	5x8	2+5,5	32/32	21	83/86	л	—	ОС	1,5/2			800/500		10/20		20	т	10	Y	Y	Y			600/300/98	2.29a	г.26е
IhT9320L	28	5x8	2+5,5	32/32	21	83/86	Л	—	ОС	1,5/2			800/500		10/20		20	I	10		Y	Y	Y	—	600/300/98	2.29a	2.26д
I HT93214A	16	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС	—	ОС	2			800/500		10/20		20/2	т	10/2		-				600/300	2.29a	2.24а
HT93214B	18	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС	—	ОС	2			800/500		10/20		20/2	I	10/2	—	-	Y	—	—	600/300	2.29a	2.24а
I HT93214C	18	4x4	2+5Д	32/32		94/96	ОС	—	ОС	2			800/500		10/20		20/2	I	10/2	—	-	-	Y	—	600/300	2.29a	2.256
flHT93214D	20	4x4	2+53	32/32		94/96	ОС	—	ОС	2			800/500		10/20		20/2	I	10/2	—	-	Y	Y	-	600/300	2.29a	2.243
IHT93214AL	18	4x4	2+5,5	32/32	—	94/96	ОС	—	ОС	2			800/500		10/20		20/2	г	10/2	-		—		Y	600/300	2.29a	2.2 5в
BhT93214BL	20	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС		ОС	2			800/500		10/20		20/2	т	10/2		-	Y	-	Y	600/300	2.29a	2.24е
HhT93214CL	20	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС		ОС	2			800/500		10/20		20/2	т	10/2	-	—	-	Y	Y	600/300	2.29a	2,24к
|hT93214DL	22	4x4	2+53	32/32		94/96	ОС	-	ОС	2			800/500		10/20		20/2	т	10/2	-	—	Y	Y	Y	600/300	2.29a	2.25г
|НТ93214АТ	18	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС		ОС	2			800/500		10/20		20/2	т	10/2	Y	—	—	-		600/300	2.29a	2,246
IhT93214BT	20	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС		ОС	2			800/500’		10/20		20/2	г	10/2	Y	—	Y	—	—	600/300	2.29a	2.24г
|hT93214CT	20	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС	—	ОС	2			800/500		10/20		20/2	т	10/2	Y	—	-	Y	—	600/300	2.29a	2.25г
BhT93214DT	22	4x4	2+5/5	32/32		94/96	ОС		ОС	2			800/500		10/20		20/2	т	10/2	Y		Y	Y	—	600/300	2.29a	2.256
HHT93214ALT	20	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС	—	ОС	2			800/500		10/20		20/2	I	10/2	Y	—		—	Y	600/300	2.29a	2.24и
I|hT93214BLT	22	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС		ОС	2			800/500		10/20		20/2	т	10/2	Y		Y		Y	600/300	2.29a	2.25ж
BHT93214CLT	22	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС		ОС	2			800/500		10/20		20/2	т	10/2	Y		—	Y	Y	600/300	2.29a	2.25и
||HT93214DLT	24	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС	—	ОС	2			800/500		10/20		20/2	1	10/2	Y	-	Y	Y	Y	600/300	2.29a	2.25к
|HT93215A	16	4x4	2+5.5	32/32		94/96	ОС	—	ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	1	10/1,5	Т-	—	—		-	600/98	2.29a	2.24а
|НТ93215В	18	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС		ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	т	10/1,5	—		Y	—	—	600/98	2.29a	2.24в
HHT93215C	18	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС	—	ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	т	10/1,5	-	-	—	Y		600/98	2.29a	2.256
|HT93215D	20	4x4	2+53	32/32		94/96	ОС	—	ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	г	10/1,5	—	—	Y	Y		600/98	2.29a	2246
|hT93215AL	18	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС	—	ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	т	10/1,5	—		—		Y	600/98	2.29a	2.25а
|HT93215BL	20	4x4	2+5,5	32/32	—	94/96	ОС		ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	г	10/1,5	-		Y	-	Y	600/98 _	2.29a	2.24в
[HT93215CL	20	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС	—	ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	1	10/1,5				Y	Y	600/98	2.29a	2.24к
[HT93215DL	22	4x4	2+5,5	32/32	—	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	т	10/1,5			Y	Y	Y	600/98	2.29a	2.25г
|НТ93215АТ	18	4x4	2+5,5	32/32	—	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	т	10/1,5	Y	—		—	-	600/98	2.29a	2.246
HT93215BT	20	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС	-	ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	г	10/13	Y		Y		-	600/98	2.29a	2.24г
HT93215CT	20	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС	—	ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	1	10/1,5	Y	—	—	Y	—	600/98	2.29a	2.25в
HT93215DT	22	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС		ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	т	10/1,5	Y	-	Y	Y	—	600/98	2.29a	2.256
HT93215ALT	20	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС	—	ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	г	10/1,5	Y		—		Y	600/98	2.29a	2.24и
HT93215BLT	22	4x4	2+5,5	32/32	—	94/96	ОС		ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	т	10/1,5	Y		Y	—	Y	600/98	2.29a	2.25ж
HT93215CLT	22	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС		ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	т	10/1,5	Y	—		Y	Y	600/98	2.29a	2.25и
IhT93215DLT	2.4	4x4	2+5,5	32/32		94/96	ОС		ОС	1,5/2			800/500		10		10/2	т	10/1,5	Y		Y	Y	Y	600/98	2.29a	2.25к
KS58006	18	4x4	2+5,5	32	—	110/110	ОС	—	ОС	1,5		2	800		10			т	Р		—		—	—	604	129a	2.11а
|KS58008	18	4x4	2+6	32	-	1103/103	ОС	-	ОС	2		1,5	824/617		10/20		10	т	20		-			-	617/98	2.29a	2.11а
Тип ИС	Кол-во выв.	Клавиатура	ипит.	ОЗУ знаков	Доп. ОЗУ номеров	DTMF IPause Redal	Тип выхода			Выходные параметры ИС при логическом состоянии входов								кт	Hold Line	Hand Free	LCD Interface	Lock Func -tion	Flash MC	Рис. генератора	Pec.
										мт		IDP	DRS		MODE (Гц/МВ)										
							PULSE	MUTE	XMUTE	0	1	011	0	1	X	0	1								
KS58010	20	4x4	2+6	32		103/103	ОС	-	ОС	2	15	824/617	10/20		10	т	20	—	-	Y			617/98	2.29a	2.14e
KS58012	22	4x4	2+6	32		103/103	ОС	-	ОС	2	1.5	824/617	10/20		10	т	20	-	Y	Y	—	-	617/98	2.29a	2.146
KS58013	22	4x4	2+6	32	—	103/103	ОС	—	ОС	2	1,5	824/617	10/20		10	г	20	—	Y	Y	—	-	617/98	2.29a	2.146
KS58014	22	4x4	2+6	32		103/103	ОС	—	ОС	2	1,5	824/617	10/20		10	т	20	Y		Y		-	617/288/98	2.29a	2.146
KS5804	16	3x4	2,5+6	17	—	—	ОС	ОС		2	1,5	820	10		р			—	—	—	—	—	—	2.296	2.106
KS5805A	18	3x4	25+6	17	—	—	ОС	ОС	—	1,5	2	800	10	20	р			-	—	—	—	—	—	2.29e	2.10a
KS5805B	18	3x4	2,5+6	17		—	ОС	ОС	—	1,5	2	800	10	20	р			Y	—	—	-	—	—	2.29e	2.106
KS58C05	18	3x4	2,5+6	17	—	—	ОС	ОС	—	1,5	2	800	10	20	р			—	—	—	—	—	—	2.29e	2.10a
KS58C20N	18	4x4	2+5,5	22	—	110/110	ОС		ОС	1,5	2	830	10			Т	р	-	—	-	-	—	604	2.29a	2.11a
KS5809	16	4x4	2+5,5		—	DTMF	—	ОС	—			—	-		Т				—	—	—	—	—	2.29a	2.13a
KS5810	16	4x4	2+5,5		1	DTMF	—	ОС	—	—					Т			—	—		-	—	—	2.29a	2.13a
KS5811	16	4x4	2+5,5		1	DTMF	—	ОС	—			—			т			—			-			2.29a	2.13a
KS5851	18	3x4	2+6	32		—	ОС	ОС	—	1,5	2	800	10 |20		р					—	—	—	—	2.29г	2.10a
KS5853	16	3x4	2+6	32			ОС	ОС	—	1,5	2	800	1		р				—	—	—	—	—	2.290	2.10ж
KS58550	22	4x5	2+6	32/16	10	92/92	л	—	ОС	2	1.5	805/585	10/20		10	т	20	Y	Y	Y	—		608/312/92	2.29a	2.148
KS58555B	22	5x5	2+6	32/16	15	101/104	л	—	ОС	2	1,5	800/600	10/20		10	т	20	—	Y	Y	—	—	604/303/100	2.29a	2.14a
LC7350	18	3x4	2+6	20			л	Л1	-	2	1,5	800 1400	10	20	р			—					-	2.29a	2.116
LC7363J	22	4x4	2+6	31		98/101	ОС	ОС	ОС	2	1,5	840/520	10	20	—	р	Т	Y	__	—			605	2.29a	2.13ж
LC7364J	22	4x4	2+6	31	—	98/101	ОС	ОС	ОС	2	1,5	840/520	10	20	—	р	Т	Y		—			605	2.29a	2.13ж
LC7365N	16	4x4	2,5+10	— .		DTMF	—	л	—	—		—	—		т			—	—	—	—	—	—	2.29a	2.13a
LC7366N	16	4x4	2,5+10			DTMF	—	л	—						т			—		—	—	—	—	2.29a	2.13a
LC7367J	22	4x4	2+6	31	—	98/101	ОС	ОС	ОС	2	1.5	840/520	10	20	—	р	т	Y	—	—	—	—	605	2.29a	2.13ж
LC7368J	22	4x4	2+6	31	—	98/101	ОС	ОС	ОС	2	15	840/520	10	20	—	р	т	Y		—	—	—	605	2.29a	2.13ж
LR40981A	16	3x4	2,5+6	17			ОС	ОС	—	2	15	820	10		р					—	-	—	-	2.296	2.106
LR40992	18	3x4	2.5+6	17	—	—	ОС	ОС	—	15	2	800	10	20	р			—	—	—	—		-	2.29a	2.10a
LR40993	18	3x4	2,5+6	17	-	-	ОС	ОС	—	1,5	2	800	10	20	р			Y			—	—	—	2.29e	2.106
М2561АВ	18	3x4	2+6	22	-		л	Л2	—	2	1.5	ВСЮ |400	10	20	р				-	—	-	—	—	2.29г	2.116
МС145412Р	18	4x4	2,5x5,5	18/18	10	102/98	ОС	—	ОС	1.5		1000/500	10/20		10	т	20	Y	—	—	—	—	-	2.29a	2.13a
МС145413Р	18	4x4	2,5x5,5	18/18	10	102/98	ОС	—	ОС	1,5		1000/500	10/20		10	т	20	Y	—	—	—	—		2.29a	2.13e
МС145512Р	18	4x4	2,5x5,5	18/18	10	102/98	ОС		ОС	2		1000/500	10/20		10	т	20	Y	—	—	—	—	-	2.29a	2.13a
МК50981	16	3x4	2,5+6	17	—		ОС	ОС	—	2	1,5	820	10		р			—	—	—		—		2.296	2.106
MK50992N	18	3x4	2,5+6	17	—		ОС	ОС		1,5	2	800	10	20	р				—			—	—	2.29e	2.10a
МК50993	18	3x4	2,5+6	17			ОС	ОС	—	1,5	2	800	10	20	р			Y	-	—	—	-	-	2.29e	2.106
MK5173AN	16	3x4	2,5+6	17	—	—	ОС	ОС	—	2	15	820	10		р			—	—	—	—	—	—	2.296	2.106
MV4320	18	3x4	2+7	20	—	—	л	Л1		2	15	800	10	20	р			Y	—	—	—	—	—	2.296	2.136
РСВ3326Р	18	3x4	2+6	23	—	—	л	л	—	1,5 .		790/515	10	15	р			—	—	-			__	2.296	2.13e
PSB8510-1	20	4x4	3+6	22		90/90	ОС	л	л	1,5/2		820	10		т	р	р	—	—	-	-		970/420/80	2.29a	2.146
PSB8510-6	20	4x4	3+6	22	-	90/90	ОС	л	л	1,5/2		800/400	10/20		Т/Р								550	2.29a	2.14e

4-79
Тип ИС	Кол-во выв.	Клавиатура	ипит.	ОЗУ знаков	Доп. ОЗУ номеров	DTMF /Pause Redial	Тип выхода			Выходные параметры ИС при логическом состоянии входов									кт	Hold Line	Hand Free	LCD 1 Interface	Lock Func -tion	Flash MC	Рис. I генератора	Рис.
										мт		IDP		DRS		MODE (Гц/МВ)										
							PULSE	MUTE	XMUTE	0	1	0	1	0	1	X |	jlL	1								
S2560A	18	3x4	2+5	22/18	10		Л	Л1	__	2	1,5	800	400	10	20	р				—		—		—	2.29г	2.116
S25610	18	3x4	2+5	22/18	10	—	л	Л1		2	1,5	800	400	10	20	р			—		—	—	-	—	2.29г	2.116
S2571	18	3x4	2+6	23			л	л		1,5		790/515		10	15	р			—	—	—		—	—	2.296	2.13a
S7210A	16	3x4	2+5	22/18	10	—	ОС	ОС		2	1.5	800		10	20	^~р			-	—	—	—	-	-	2.29a	2.10а
S7230A	22	4x5	2+5,5	32	—	79/74	ОС	ОС	ОС	2		845/829		10	20	—	т	р	Y		—		—	—	2.29a	2.13u
S7230B	22	4x5	2+5,5	32		79/74	ОС	ОС	ОС	1,5		852/832		10	20		I	р	Y	—	—	—			2.29a	2.1 Зи
STC2580C	22	4x4	2,5+6	24/18	10	93/61	л	л	л	2	1,5	618/463		10	20	—	I	р			—	—	—	- —	2.29a	2.22k
STC52560C	18	3x4	2+5	22/18	10		л	Л2	-	2	1,5	800	400	10	20	р					—	—	—	—	2.29a	2.116
T40992	18	3x4	2,5+6	17		—	ОС	ОС	—	1,5	2	800		10	20	р			—	--		—	—	—	2.29e	2.10a
T40993	18	3x4	2,5+6	17	—	—	ОС	ОС		1,5	2	800		10	20	р			Y	—	—	—	—	—	2.29a	2.106
TC31006P	18	3x4	2+7	20	—	—	л	Л1	—	2	1,5	600		10	20	р			Y		—	—		—	2.296	2.13d
TR50981AN	16	3x4	2,5+6	17	—		ОС	ОС	—	2	1,5	820		10		р			—	—	—		—	—	2.296	2.106
UM91210C	18	4x4	1.8+5,5	32	—	110/110	ОС	—	ОС	15	2	800		10		—	т	р	—	—		—	—	—	2.29a	2.11a
UM91214A	16	4x4	2+5,5	32	—	94/96	ОС	—	ОС	2		824/458		10/20		20/2	I	10/2		—	—		—	640/297	2.29a	2.24a
UM91214B	18	4x4	2+5,5	32		94/96	ОС	—	ОС	2		824/458		10/20		20/2	I	10/2	Y			—	—	640/297	2.29a	2.246
UM91214C	18	4x4	2+5,5	32	—	94/96	ОС		ОС	2		824/458		10/20		20/2	1	10/2			Y			640/297	2.29a	2.24e
UM91214D	20	4x4	2+5,5	32		94/96	ОС	—	ОС	2		824/458		10/20		20/2	1	10/2	Y		Y	—	—	840/297	2.29a	2.24г
UM91215A	16	4x4	2+5,5	32		94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458		10		10/2	1	10/1,5	—	—		—		640/96	2.29a	2.24e
UM91215B	18	4x4	2+5,5	32		94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458		10		10/2	1	10/1.5	Y			—	—	640/96	2.29a	2.246
UM91215C	18	4x4	2+5,5	32	—	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458		10		10/2	1	10/1,5	—		Y		—	640/96	2.29a	2,24a
UM91215D	20	4x4	2+5,5	32		94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458		10		10/2	1	10/1,5	Y	—	Y	—	—	640/96	2.29a	2,24г
UM91234A	16	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	—	ОС	2		824/458		10/20		20/2	1	10/2	—	—	—	—	—	640	2.29a	2.24e
UM91234B	18	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	—	ОС	2		824/458		10/20		20/2	1	10/2	Y	—	—	-	—	840	2.29a	2.246
UM91234C	18	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	—	ОС	2		824/458		10/20		20/2	1	10/2	—	—	Y			640	2.29a	2.24e
UM91234D	20	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	—	ОС	2		824/458		10/20		20/2	1	10/2	Y	—	Y	—		640	2.29a	2.24a
UM91235A	16	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	__	ОС	1,5/2		824/458		10		10/2	1	10/1,5	-	—				640	2.29a	2.24a
UM91235B	18	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458		10		10/2	1	1(У1,5	Y	—		—	—	640	2.29a	2.246
UM91235C	18	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458		10		10/2	1	10/1,5	—	-	Y	—	—	640	2.29a	2.24e
UM91235D	20	4x5	2+5.5	32/16	3	94/96	ОС	—	ОС	1.5/2		824/458		10		10/2	1	10/1,b	Y	—	Y	—	-	640	2.29a	2.24г
UM91235AL	16	5x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458		10		10/2	1	10/1,5	—		-	—	-	640/300/100	2.29a	2.24e
UM91235BL	18	5x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458		10		10/2	1	10/1,5	—		Y	—	—	640/300/100	2.29a	2.24e
UM91235CL	20	5x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458		10		10/2	1	10/1,5		Y	Y		—	640/300/100	2.29a	2.24x||
UM91235DL	22	5x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458		10		10/2	1	10/1,5	Y	Y	Y			640/300/100	2.29a	2.25e
UM91236A	16	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС		ОС	1.5/2		824/458		10		10/2	1	10/1,5	—	—		-	—	96	2.29a	2.24a ||
UM91236B	18	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС		ОС	1.5/2		824/458		10		10/2	1	10/1,5	Y		—	—	—	96	2.29a	2.246 II
UM91236C	18	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС		ОС	1,5/2		824/458		10		10/2	1	10/1,5	—	—	Y	-		96	2.29a	2.24a
UM91236D	20	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС		ОС	1,5/2		824/458		10		10/2	1	10/1,5	Y		Y	-	-	96	2.29a	2.24г ||
UM91237A	16	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	—	ОС	1Д/2		824/458			10	10/2	1	10/1,5	—		—	—	—	297	2.29a 2.29a	2.24a || “Z246||
|UM91237B	18	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	-	ОС	1,5/2		824/458			10	10/2	г	10/1,5	Y	। _		-	-	287		
ТипИС	Кол-во выв.	Клавиатура	Цпит.	ОЗУ знаков	Доп. ОЗУ номеров	DTMF /Pause Redal	Тип выхода			Выходные параметры ИС при логическом состоянии входов								КТ	Hold Line	Hand Free	LCD Interface	Lock Func -tlon	Flash MC	Рис. генератора	Pec.
										М/В		ЮР	DRS		MODE (Гц/МВ)										
							PULSE	MUTE	XMUTE	0	1	011	0	1	X	0	1								
UM91237C	18	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	Т	10/1,5	—	—	Y			297	2.29a	2.24e
UM91237D	20	4x5	2+5,5	32/16	3	94/96	ОС	—	ОС	1.5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5	Y		Y		—	297	2.29a	2.24г
UM91260A	18	4x4	1,8+5,5	32/18	10	110/110	ОС	—	ОС	1,5	2	800	10			т	р		—				—	2.296	2.11a
UM91260B	18	4x4	1,8+5,5	32/18	10	110/110	ОС	—	ОС	1,5	2	520	20			т	р		—	—	—	—	—	2.296	2.11a
UM91260C	18	4x4	1,8+5,5	32/16	10	110/110	ОС	—	ОС	1,5	2	800	10			т	р	—		—	—	—		2.296	2.11a
UM91260D	18	4x4	1,8+5,5	32/16	10	110/110	ОС	—	ОС	1,5	2	520	20		—	т	р			—	—			2.296	2.11a
UM91281	22	4x4	1,8+5,5	32/16	10	110/110	ОС	ОС	ОС	1,5	2	800/520	10	20	—	т	р	Y	—	__		—	—	2.296	2.13k
UM91270	28	5x8	1,8+5	32/18	20	100/100	ОС	ОС	ОС	1,5	2	82М500	10	20	—	т	р			—			800	2.296	2.28г
UM91270A	28	5x8	1,8+5	32/18	20	100/100	ОС	ОС	ОС	1,5	2	820/600	10	20	—	т	р	—		—	—	—	100 1	2.296	2.28г
UM91270B	28	5x8	1,8+5	32/18	20	100/100	ОС	ОС	ОС	1,5	2	820/600	10	20		т	р	—		—	—	—	800	2.296	2.28г
UM91271	28	5x8	13+5	32/16	20	100/100	ОС	ОС	ОС	1,5	2	830/610	10	20		т	р	Y				—	600	2.296	2.266
UM91272	28	5x8	1,8+5	32/16	20	100/100	ОС	ОС	ОС	1.5	2	830/610	10	20	—	т	р	Y	-	—	—	—	600	2.296	2.266
UM91273A	28	5x8	1,8+5	32/16	20	100/100	ОС		ОС	1,5	2	800	10		—	т	10	—	Y	Y	—	—	800	2.296	2.28в
UM91273B	28	5x8	1,8+5	32/16	20	100/100	ОС	—	ОС	1,5	2	800	10			т	10	—	Y	Y	—	—	800	2.296	2.28в
UM91273C	28	5x8	1,8+5	32/16	20	100/100	ОС	—	ОС	1,5	2	800	10			т	10	—	Y	Y			100	2.296	2.28в
UM91273D	28	5x8	1,8+5	32/16	20	100/100	ОС		ОС	1.5	2	800	10			т	10		Y	Y	—		100	2.296	2.28в
UM91273E	28	5x8	13+5	32/16	20	100/100	ОС	—	ОС	1,5	2	800	20			т	20	—	Y	Y	—	—	600	2.296	2.28в
UM91314A	16	5x5	2+5,5	32/16	13	94/96	ОС	—	ОС	2		824/458	10/20		20/2	т	10/2	—			—	—	640	2.29a	2.24в
UM91314B	18	5x5	2+5,5	32/16	13	94/96	ОС		ОС	2		824/458	10/20		20/2	т	10/2	Y	—	—			640	2.29a	2.246
IUM91314C	18	5x5	2-^83	32/18	13	94/96	ОС	—	ОС	2		824/458	10/20		20/2	т	10/2	—	—	Y	—		640	2.29a	2.24в
IUM91314D	20	5x5	2+5,5	32/16	13	94/96	ОС		ОС	2		824/458	10/20		20/2	т	10/2	Y	—	Y			640	2.29a	2.24г
IUM91315A	16	5x5	'2+5,5	32/16	13	94/96	ОС		ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5		-	—	—		640	2.29a	2.24е
UM91315B	18	5x5	2+53	32/18	13	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5	Y		—		—	640	2.29a	2.246
UM91315C	18	5x5	2+5,5	32/16	13	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5	—	__	Y	—	—	640	2.29a	2.24в
UM91315D	20	5x5	2+5,5	32/16	13	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	г	10/1,5	Y	—	Y	__		640	2.29a	2.24г
UM91315AL	16	5x5	2+53	32/16	13	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5			—			640/300/100	2.29a	2.24е
UM91315BL	18	5x5	2+5,5	32/16	13	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5		—	Y			640/300/100	2.29a	2.24в
UM91315CL	20	5x5	2+5,5	32/16	13	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5	—	Y	Y	—	—	840/300/100	2.29a	2.24ж
UM91315DL	22	5x5	2+5,5	32/16	13	94/96	ОС		ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5	Y	Y	Y			640/300/100	2.29a	2.25е
UM91316A	16	5x5	2+5,5	32/16	13	94/96	ОС		ОС	1.5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5	—	—	—	—	—	96	2.29a	2.24е
UM91316B	18	5x5	2+5,5	32/16	13	94/96	ОС	-	ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5	Y	—	—	—	—	96	2.29a	2.246
UM91316C	18	5x5	2+5,5	32/16	13	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5	-		Y	—	—	96	2.29a	2.24в
UM91316D	20	5x5	2+5,5	32/16	13	94/96	ОС		ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	т	10/15	у .	—	Y		-	96	2.29a	2.24г
UM91317A	16	5x5	2+5,5	32/16	13	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5		—	—			, 297	2.29a	2.24а
UM91317B	18	5x5	2+53	32/16	13	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5	Y		—	—	—	297	2.29a	2.246
UM91317C	18	5x5	2+5,5	32/16	13	94/96	ОС	—	ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5	—	-	Y	—	—	297	2.29a	2.24в
UM91317D	20	5x5	2+53	32/16	13	94/96	ОС		ОС	1,5/2		824/458	10		10/2	т	10/1,5	Y	—	Y	—	—	297	2.29a	2.24г
UM9151	18	3x4	2+5,5	22	-	-	ОС	лз	-	1,5	2	800 1 800	10		Р			-	-	-	-		-	2.296	2.10в
--------------------------..........................................................  HI	............................. ................................................ . »....I...... I . U	.. .  .............	,.U ............................       1ДШ......... J,
Тип ИС	Кол-во выв.	Клавиатура	Цпит.	ОЗУ знаков	Доп. ОЗУ номеров	DTMF IP&use Redal	Тип выхода			Выходкйе параметры ИС при логическом состоянии входов								КТ	Hold Line	Hand Free	LCD Interface	Lock Func -tion	Flash MC	Рис. генератора	Рис.
										мт		IDP	DRS		MODE (ГцА1В)										
							PULSE	MUTE	XMUTE	0	1	011	0	1	Х	0	1								
UM9151-3	16	3x4	2+5,5	22		—	ОС	лз		1,5	2	800	10		Р			—	-					2.29д	2.10a
UM91610A	18	3x4	2+5,5	22	10	—	Л	Л2		2	1.5	800	10	20	Р			Y					—	2.29a	2.11e
UM91611	18	3x4	2+5,5	22/18	10	—	л	Л2		2	1,5	800 1 400	10	20	Р			-	—		—	-		2.29a	2.116
UM95088	14	3x4	1,5+5,5			DTMF	—	л	л			—			т					—	-			2.296	2.13г
UM95089	16	4x4	2,5+10			DTMF		ОС	—						т				—		—		—	2.29a	2.13a
VT9145	22	4x5	2+5,5	32/16	15	93/93	л	л	л	2	1.5	800	10		-	Т	10	Y	—	—	—		600/305/98	2.29a	2.15e
VT91611	18	3x4	2+5	22/18	10	-	л	Л1	—	2	1,5	800 1 400	10	20	р			—	—		—			2.29a	2.116
W91212	16	4x4	2+5Д	32		87/97	ОС	—	ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1,5	-	—			—	600/300/100	2.29a	2.14ж
W91214	16	4x4	2+5,5	32	—	87/87	ОС		ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1,5	-		—	—	—	600/300/100	2.29a	2.14ж
W91214A	16	4x4	2+5,5	32		87/87	ОС		ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1,5		—		—	—	600/300/100	2.29a	2.14ж
W91216	16	4x4	2+5,5	32		87/87	ОС		ОС	1,5/2		800	10		10/2	г	10/1,5						600/300/100	2.29a	2.14ж
W91312	18	4x4	2+5,5	32	—	100/100	ОС	—	ОС	2	1,5	800	10/20		20	г	10	—	—		—		800	2.29a	2.18e
W91312A	18	4x4	2+5,5	32		100/100	ОС		ОС	2	1,5	800	10/20		20	т	10	-			—		300	2.29a	2.18e
W91314	18	4x4	2+5,5	32		100/100	ОС		ОС	2	1,5	800	10/20		20	г	10	—				—	73	2.29a	2.18e
W91314A	18	4x4	2+5,5	32		100/100	ОС	—	ОС	2	1.5	800	10/20		20	т	10	—		—			100	2.29a	2.188
W91316	18	4x4	2+5.5	32	—	100/100	ОС		ОС	2	1.5	800	10/20		20	т	10		—	—	—		600	2.29a	2.18e
W91320N	18	5x5	2+5,5	32		93/93	ОС	л	ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1.5	—			—		600/300/100/73	2.29a	2.19d
W91321N	18	5x5	2+5,5	32		93/93	ОС	Л	ОС	1,5/2		500	20		20/2	т	20/1,5	—				—	600/300/100/73	2.29a	2.196
W91320AN	20	5x5	2+5,5	32	-	93/93	ОС	л	ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1,5	—		Y		—	600/300/100/73	2.29a	2.186
W91321AN	20	5x5	2+5,5	32	—	93/93	ОС	л	ОС	1.5/2		500	20		20/2	г	20/1,5			Y			600/300/100/73	2.29a	2.186
W91320LN	20	5x5	2+5,5	32		93/93	ОС	л	ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1,5	—	—			Y	600/300/100/73	2.29a	2.17г
W91320ALN	22	5x5	2+5,5	32	—	93/93	ОС	л	ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1,5	—	-	Y	—	• Y	600/300/100/73	2.29a	2.17ж
W91330N	18	5x4	2+5,5	32		93/93	ОС		ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1,5	Y	—	—	—		600/300/100/73	2.29a	2.19a
W91331N	18	5x4	2+5,5	32		93/93	ОС	—	ОС	1,5/2		500	20		20/2	т	20/1,5	Y		—	—		600/300/100/73	2.29a	2.19a
W91330AN	20	5x4	2+5,5	32	—	93/93	ОС	—	ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1,5	Y	—	Y	—		600/300/100/73	2.29a	2.17e
W91331AN	20	5x4	2+5,5	32	—	93/93	ОС		ОС	1,5/2		500	20		20/2	т	20/1,5	Y	—	Y	—		600/300/100/73	2.29a	2.17e
W91330LN	18	5x4	2+5,5	32		93/93	ОС	—	ОС	1.5/2		800	10		10/2	т	10/1,5			—	—	Y	600/300/100/73	2.29a	2.19e
W91330ALN	20	5x4	2+5,5	32	-	93/93	ОС	—	ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1,5		—	Y	—	Y	600/300/100/73	2.29a	2.170
W91340AN	20	5x4	2+55	32/16	10	93/93	ОС	л	ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1,5			Y	—		600/300/100/73	2.29a	2.18г
W91340N	18	5x4	2+5,5	32/18	10	93/93	ОС	л	ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1,5	-	-			—	600/300/100/73	2.29a	2.196
W91342N	18	5x4	2+5,5	32/18	10	93/93	ОС	л	ОС	1,5/2		500	20		20/2	т	20/1,5		—	—	—	—	600/300/100/73	2.29a	2.196
W91342AN	20	5x4	2+5,5	32/16	10	93/93	ОС	л	ОС	1,5/2		500	20		20/2	т	20/1,5			Y		—	600/300/100/73	2.29a	2.18г
W91344AN	20	5x4	2+5,5	32/16	10	87/87	ОС	л	ОС	1^/2		800	10		10/2	т	10/1,5	—		Y		—	600/300/100/73	2.29a	2.18г
W91350N	18	5x5	2+5,5	32/16	13	93/93	ОС	л	ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1,5						600/300/100/73	2.29a	2.19в
W91352N	18	5x5	2+5,5	32/16	13	93/93	ОС	л	ОС	1,5/2		500	20		20/2	т	20/1,5	—					600/300/100/73	2.29a	2.19г
W91350AN	20	5x5	2+5,5	32/16	13	93/93	ОС	л	ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1,5	—	-	Y		—	600/300/100/73	2.29a	2.186
W91352AN	20	5x5	2+5,5	32/16	13	93/93	ОС	л	ОС	1,5/2		800	20		20/2	т	20/15	—		Y			600/300/100/73	2.29a	2.186
W91354AN	20	5x5	2+5,5	32/16	13	87/87	ОС	л	ОС	1,5/2		800	10		10/2	т	10/1,5		-	Y	-	-	600/300/100/73	I 2.29a	2.186
				ОЗУ зна-	Доп,	DTMF /Pause					Выходные параметры ИС при												r		
Tan ИС	80		Umrr.		ОЗУ		тип выхода				логическом состоянии входов								Hold Line Y У Y Y Y Y	Hand	LCD	Lock	Flash MC 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/305/98 600/305/98 600/305/98 600/305/98 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/305/98 600/305/98 600/305/98 > 600/305/98 600/305/98 600/305/98 600/305/98 600/305/98 600/305/98 600/305/96 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73 600/300/100/73		
					номе-					м/в		ЮР	DRS		MODE (ГцЛ1В)			КТ			Inter-	Func		геиера-	Рис.
W91360AN W91360N W91432N W91433N W91442N W91443N W9145 W9145A W9145L W9145AL W91462N W91466N W91472N W91472AN W91472BN W91472CN W91473 W91473A W91473B W91473C W91473D W91473L W91473AL W91473BL W91473CL W91473DL W91510N W91510AN W91511N W91511AN W91520N W91520AN W91521N W91521AN W91530N W91530AN W91531ALN W91531LN	20 18 16 18 18 18 22 24 22 24 18 18 18 20 18 20 22 24 28 28 22 22 24 28 28 22 18 20 18 20 18 20 18 20 18 20 20 18	5x5 5x5 5x5 5x5 5x5 5x5 5x5 5x5 5x5 5x5 5x5 5x5 5x6 5x6 5x6 5x6 7x5 7x5 7x5 7x5 7x5 7x5 7x5 7x5 7x5 7x5 5x4 5x4 5x4 5x4 5x5 5x5 5x5 5x5 5x5 5x5 5x5 5x5	2+5,5 2+5,5 2*5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2-5,5 2-5,5 2*5,5 2+5,5 2+5,5 2*5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5 2+5,5	32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32/16 32 32 32 32 32 32 32 32 32/16 32/16 32/16 32/16	ров 3 3 13 13 10 10 15 15 15 15 3 3 6 6 6 6 14 14 14 14 14 14 14 14 14 14 save save save save-save save save save 13 13 13 13	93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93 93/93	PULSE ос ОС ОС ОС ОС ОС л л л л ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС	MUTE л л л л л л л л л л л л л л л л л	XMUTE ОС ОС ОС ОС ОС ОС л л л л ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС ОС	0 1, 1, 1, 1, 1, 1,Е 2 2 2 2 1.Е 1,Е 1.Е 1,5 1,5 1,5 1,5 1.5 1,5 1.5 1,5 1,5 1,5 1.5 1.5 1,5 1,5 1,5 1.5 1,5 1.5 1,5/ 1.5/ 1.5/ 15. 1.5/ 1.5/ 1,5/	1 5/2 5/2 5/2 5/2 А )/2 1.5 1,5 1,5 1,5 А «/2 А 12 J2 А /2 /2 /2 12 12 2 2 2 2 12 2 <2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2	0 I 1 800 800 800 500 800 500 800 800 800 800 800 500 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 500 500 800 800 500 500 800 800 800 800	0 —2 1 1 20 20 1 1 1 20 20 1 1 1 2 21 1 1 2! 2( 1 К К К	11 0 0 0 >0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 10 10 0 0 0 10 10	X 10/2 10/2 10/2 20/2 10/2 20/2 10/2 20/2 10/2 10/2 20/2 20/2 10/2 10/2 Р/2 Р/2 10/2 10/2 10/2 Р/2 Р/2 10/2 10/2 10/2 20/2 20/2 10/2 10/2 20/2 20/2 10/2 10/2 10/2 10/2	0 т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т т	1 10/1,5 10/1,5 10/1,5 20/1,5 10/1,5 20/1,5 10 10 10 10 10/1,5 20/1,5 10/1,5 10/1,5 20/1,5 20/1,5 10/1,5 10/1,5 Р/1,5 Р/1,5 10/1,5 10/1,5 10/1,5 Р/1.5 Р/1,5 im,5 10/1,5 10/1,5 20/1,5 20/1,5 10/1,5 10/1,5 20/1,5 20/1,5 10/1,5 10/1,5 10/1,5 10/1,5	Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y		Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y Y	face	-tlon Y Y Y Y Y Y Y		тора 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a 2.29a	2.1M 2.19a 2.155 2.185 2.185 2.185 2.15a 2.17к I 2.158 2.17u 2.186 2.185 2.16a 2.16a 2.16a 2.18e 2.17a 2.18ж 2.21a 2.21a 2.17s 2.18a 2.18u 2.216 2.21d 2.18a 2.19a 2.17e 2.19a 2.17e 2.19г 2.168 2.19г 2.18д 2.19г 2.17а 2.176 2.19е
1  WMilM
Тип ИС	Кол-во выв.	Клавиатура	Спит.	ОЗУ знаков	Доп. ОЗУ номеров	DTMF /Раве Redial	Тип выхода			Выходные параметры ИС при логическом состоянии входов							кт	Hold Line	Hand Free	LCD Interface	Lock Func -tlon	Flash MC	Рис. генератора	Рис.
										мт	ЮР	DRS		MODE (Гц/MB)										
							PULSE	MUTE	XMUTE	тут	° 11	o[i		X	0	1								
W91532N	18	5x5	2+5,5	32/16	13	93/93	ос	—	ОС	1,5/2	500	20		20/2	т	20/1,5	Y	—	—	-		600/300/100/73	2.29a	2.19a
W91532AN	20	5x5	2+5,5	39/16	13	93/93	ОС	—	ОС	1,5/2	500	20		20/2	1	20/1,5	У		Y	—	-	600/300/100/73	2.29a	2.17a
W91534AN	20	5x5	2+5,5	32/16	Пз-	87/87	ОС	—	ОС	1,5/2	800	10		10/2	т	10/1,5	Y	-	Y	-	-	600/300/100/73	2.29a	2.17a
W91540N	18	5x5	2+5,5	32/16	10	93/93	ОС		ОС	1.5/2	800	10		10/2	т	10/1,5	Y			-	-	600/300/100/73	2.29a	2.19a
W91540AN	20	5x5	2+5,5	32/16	10	93/93	ОС	-	ОС	1,5/2	800	10		10/2	т	10/1,5	Y	—	Y	-	-	600/300/100/73	2.29a	2.17 a
W91542N	18	5x5	2+5,5	32/16	10	93/93	ОС	-	ОС	1,5/2	500	20		20/2	г	20/1,5	Y	—	—	—	-	600/300/100/73	2.29a	2.19a
W91541LN	18	5x5	2+5,5	32/16	10	93/93	ОС	—	ОС	1,5/2	800	10		10/2	т	10/1,5	-	—	—	-	Y	600/300/100/73	2.29a	2,19a
W91541ALN	2П	5x5	2+5,5	32/16	10	93/93	ОС	—	ОС	1,5/2	800	10		10/2	т	10/1,5	-	—	Y	-	Y	600/300/100/73	2.29a	2.176
W91542AN	20	5x5	2+5,5	39/16	10	93/93	ОС	—	ОС	1.5/2	500	20		20/2	т	20/1,5	Y	-	Y	-	-	600/300/100/73	2.29a	2.17a
W91544AN	20	5x5	2+5,5	32/16	10	87/87	ОС	—	ОС	1.5/2	800	10		10/2	т	10/1,5	Y	—	Y	—	—	600/300/100/73	2.29a	2.17a
W91560N	18	5x5	2+5,5	32/16	3	93/93	ОС	—	ОС	1,5/2	800	10		10/2	1	10/1,5	Y	-	—	—	—	бОО/ЗО" '100/73	2.29a	2.19a
W91560AN	20	5x5	2+5,5	32/16	3	93/93	ОС	—	ОС	1,5/2	800	10		10/2	т	10/1,5	Y	-	Y	—	—	600/30* 100/73	2.29a	2.17a
W91560BN	20	5x5	2+5,5	32/16	3	93/93	ОС	—	ОС	1,5/2	500	20		20/2	т	20/1,5	Y	-	Y	—	—	600/300/100/73	2.29a	2.17a
W91561LN	18	5x5	2+5,5	32/16	3	93/93	ОС	-	ОС	1,5/2	800	10		10/2	т	10/1,5	—	—	—	—	Y	600/300/100/73	2.29a	2.19a
W91561ALN	20	5x5	2+5,5	32/16	3	93/93	ОС		ОС	1,5/2	800	10		10/2	т	10/1,5		—	Y	—	Y	600/300/100/73	2.29e	2.176
W91560	22	9x5	2+5,5	32/16	20	100/100	ОС	—	ОС	1.5/2	800	10		10/2	т	10/1,5	-	—	-	—	-	600/305/98	2.29a	2.19ж
W91580A	24	9x5	2+5,5	32/16	20	100/100	ОС	-	ОС	1,5/2	800	10		10/2	1	10/1,5	—	—	Y	—	—	600/305/98	2.29a	2.20a
W91560B	28	9x5	2+5,5	32/16	24	100/100	ОС	л	ОС	1,5/2	800	20	10	Р/2	т	Р/1,5	Y	Y	Y	—	-	600/305/98	2.29a	2.21a
W91580C	28	9x5	2+5,5	32/16	24	100/100	ОС	л	ОС	1,5/2	800	20	10	Р/2	т	Р/1,5	Y	Y	Y	—	-	600/305/98	2.29a	2.21a
W91590	22	9x5	2+5,5	32/16	20	93/93	ОС	—	ОС	1,5/2	800	10		10/2	т	10/1,5	—	—	—	—	—	600/305/98	2.29a	2.19ж
W91590A	24	9x5	2+5,5	32/16	20	93/93	ОС	—	ОС	1,5/2	800	10		10/2	1	10/1,5		—	Y		—	600/305/98	2.29a	2.20e
W91590B	28	9x5	2+5,5	32/16	24	93/93	ОС	л	ОС	1.5/2	800	20	10	Р/2	1	Р/1.5	Y	Y	Y	—	—	600/305/98	2.29a	2.21a
W91590C	28	9x5	2+5,5	32/16	24	93/93	ОС	л	ОС	1,5/2	800	20	10	Р/2	т	Р/1,5	Y	Y	Y	-	-	600/305/98	2.29a	2.21a
W91590BL	28	9X5	2+5,5	32/16	24	93/93	ОС	л	ОС	1,5/2	800	20	10	Р/2	т	Р/1,5	Y	Y	Y	—	Y	600/305/98	2.29a	2.21e
W91590CL	28	9x5	2+5,5	32/16	24	93/93	ОС	л	ОС	1,5/2	800	20	10	Р/2	т	Р/1,5	Y	Y	Y	—	Y	600/305/98	2.29a	2.21e
W91610	18	4x5	2+5,5	32	—	90/90	ОС	л	ОС	2	800	10		10	т	10	—	—	-	—	—	100	2.29a	2.19d
W91611	1R	4x5	2+5,5	32		90/90	ОС	л	ОС	1,5	800	10		10	т	10	—	—	-	—	—	100	2.29a	2.19d
W91620	18	4x5	2+5,5	32/32	10	90/90	ОС	л	ОС	2	800	10		10	т	10	-		-	—	-	100	2.29a	2.190
W91621	18	4x5	2+5,5	32/32	10	90/90	ОС	л	ОС	1,5	800	10		10	т	10	—	—	-	—	-	100	2.29a	2.190
W91630	18	4x5	2+5,5	32/32	10	90/90	ОС	л	ОС	2	800	10		10	т	10	—	—	—	—	—	300	2.29a	2.190
W91631	18	4x5	2+5,5	32/32	10	90/90	ОС	л	ОС	1,5	800	10		10	т	10	-	-	-	-	-	300	2.29a	2.196
W91632	18	4x5	2+5,5	32/32	10	90/90	ОС	л	ОС	2	800	10		10	1	10		—	—		-	100	2.29a	2.196
W91633	18	4x5	2+5,5	32/32	10	90/90	ОС	л	ОС	1,5	800	10		10	1	10		—	—	—	—	100	2.29a	2.196
W91810ALN	24	6x6	2+5,5	32/32	23	93/93	ОС	ОС	ОС	1,5/2	800	10		10/2	т	10/1,5	-	-	Y	—	Y	600/300/100/73	2.29a	2.20e
W91810AN	24	6x6	2+5,5	32/32	23	93/93	ОС	ОС	ОС	1.5С	800	10		10/2	т	10/1,5	Y	-	Y	-	-	600/300/100/73	2.29a	2.206
W91810LN	22	6x6	2+5,5	32/32	23	93/93	ОС	ОС	ОС	1,5/2	800	10		10/2	г	10/1,5	-	—	-	-	Y	600/300/100/73	2.29a	2.19k
W91S10N	22	6x6	2+5,5	32/32	23	93/93	ОС	ОС	ОС	1.5/2	800	10		10/2	т	10/1,5	Y	-	-	—		600/300/100/73	2.29a	2.19u
О £	«»	co	8 CM	3	E	<	3		<s	Л CM	CM	*	2.ИХ								3	<3	CM	£	ro	8	CM		a		2.ШН			IM	CM	«J	5
Рис. генератора	«то	to CD cm CM	£ cm	«TO	S CM	S CM	8 CM CM		TO	TO cd CM cm	8 CM	& cm	3	cd CM	TO CM	TO CD CM	TO		<$ CM	s	g CM	g	CM	£ CM CM	TO o> CM	!	TO CD CM	s CM	g	8	Й	TO CD CM		a cm CM	8	§ CM	8 CM
Flash мс	1 1	ст s 1 §	co § 1	co g § i	co g 1	1	I		1	1	1	«	4S	4S	4t	4S	1 1		4S	4S	1	I	4S	1	§	1	о i 1	i 1	4S	4S	4S	4S	4S	4S	4S	1	1
Lock Func -tion	>•	1	1	1	1	1	1	।	1	1	1	1	•	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	I	1	f	1	1	1	1	1	1	1	1	1
	1	1	1	1	1	•	1	।	1	1	1	1	1	1	1	<	1	1	•	1	1	f	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
—		 Hand Free	>-	>-	>-	1		1	1		1	1	1	1	1	1	1	1	1	•	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
Ной Line	1	1	1	1	1	1	1	i	1	1	1	1	•	I	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1	i
s	1	>-	>-	>•		1	1	।	1	1	1	>-	>	>-	>	>-	>	>-	>-	>-	1	1	1	1	1	1	1	1	>	1	>-	>-	>'	>-	>	1	
S' ” i	LQ §	«г §	§	Q §	iQ §	Q-	O-	o_	Q_	Q_	O-	D_	£L_	D,	O-	o_	1	O-	o-	D_	□_	CL.		CL.	CL 1	O-	o-	CL.	Q.	Q_	O-	o-	CL.	Q_		o-	o-
fl 5 °	h-	и-	J—	H-	»-																						I-	1—								»-	
	s	s	§	§	s CM																						1	1								•	I
парамет состоя» DRS Ill	о	о	8	8	8	О	о	8 О	О	8 О	о	О	О	8	a	8	8	a	8	8	8	8	a	О	О	о	о	О	О	О	8	a		8	a	о	8
														О	о	О	О	о	o	О	О	О	о								О	о		О	о		О
ыходные i отческом IDP ° 11	§	§	§	§	§	§ §	§	§ §	§	§	§	§	§	§	§	§	«?	§	§	§	§	§	§ §	§	§	§	§	§	§	§	§	§	§	§	§	§	I
												§	i	8	8	8		8	8	8									§		8	8		8	8		
am U 8	§	в	В	В	В	CM	CM	ст		CM		CM	CM		«5	CD					CM	CM	CT		CM	CM		“Q	CM «г	•Q	CD		CM	«>		CT	CT
						ст	•Q	CM		>Q		'Q	ст		ст	IO	T-	•Л	•Л	»Q	‘Q.	*0.	CM		«г	«г					«1	cQ.	•Q	‘Q.			•Q.
ia XMUTE	8	8	8	8	8	1	1	I	1	1	1	1	I	1	1	1		i	1	1	1	1	1	1	8	i	ex	«=	i	1	1	1	4	«	1	8	8
© ! 5 “	2	8	8	8	8	8	s	s	ст	8	8	E	ex	EX	ст	CM ex	CM t=;		e	s	a	8	8	CM ex	8	1	£	8	8	ex	CX	CM CX	cm ex	EX	ex	a	1	8
*—	Ui i	8	8	8	8	8	8	8	‘X	8	8		ex	«=	c	ex		c;	c;	ex	ex	8	8	e;	8	8	8	EX	ex		ex	EX	ex	EX	EX	EX	8	8
DTMF /Pause Recfial	i	co §	co s о	co §	co s CD	1	1	1	1	1	i	1	1	1	1	i	CT §	i	1	1	I	1	1	1	о §	1	8 §	8 §	1	1	1	1	1	1	1	о s	|
Доп. ОЗУ номеров	8	co CM	co CM	CD CM	CO CM	1	1	о	1	1	।	1	1	о	о	о	1	i	1	1	1	•	1	1	1	1	1	1	I	1	о	1	1	о	1	CD	O
ОЗУ знаков	i	в	8 co	§	§ CD	8	8	CO §			CD	8	8	8	8	8	CM CT	CM CM	8	8	CM CT	£	8	£	8	CM CM	CM CT	CM CT	CT	CT	CM CM	8	CM CM	co	CO	<D §	CD i
Unirr.	ст *+ СТ	CT •? CM	ID 2	ID 3	1П ст	•Q *? CM	ст •?' CM		s CT	“1 CT	«г I	A CT	'I CT	3 CM	3 CM	J CM	s CM	J CM	3 CM	2 CM	T CM	s CM	CM s	CT 2 CM	СТ *$ CM	CT CM	CT CT Л	CT •¥ CM	X CM	«Q X cm"	3 CM	I	X CM	CT 4 CM	CT 4 cm'	3	t CT
Клавиатура	X	£	s	I	g	s	Й	"x co	X co	CT	X co	X co	tJ- co	CT	Й	Й	5	CT	s	X CT	"x CT	CT	I	Й	x:	X CT	X		Tl-X CT	CT		Д	CT	CT	X CT	X	3< XT
Кол-во выв.	CO CM	co CM	a	8	CO CM	co	CD	co	CD	8	CD	CM CM	8	8	8	8	8	CM CM	8	CM CM	co	co	u>	CD	co	CD	co	a	8	*	8	8	8	CT	CT	co	8
Тип ИС	I CO CD 5	§ s 1	В CO s 5	S s g	I CD 1	§ ci	3 Ш 5	о CD £	CD § CD Ш	О g 3г CD	1 8 £	5Ё CD 8 £	эё CD 8 i	ст 8 £	5 g 8 £	a g 8 £	CD CD 8 ё	Й CD i £	I 6	LD Й co о £	Л	i 8 £	CM i 8 £	1 £	CD CD 8 E	CD 8 E		i g	CO CM 1 £	a ! £	CT 1 £	1 £	S? CD CT £	i CD 8 £	CM I s £	i 3 £	Э? CD 8 fl
54
2.6.	НАЗНАЧЕНИЕ ВЫВОДОВ МИКРОСХЕМ НОМЕРОНАБИРАТЕЛЕЙ
С	- вывод подключения RC-цепи генератора;
CLOCK	- выход синхронизации LCDO;
COL1.COL8	- координаты столбцов (Column) клавиатурных входов;
DRING	- вход детектирования вызывного сигнала;
DRS	- вход программирования частоты набора (Dialing Rate Select);
DRSS	- дополнительный вход программирования частоты набора;
DTMF	- выход двухтонального многочастотного сигнала (DTMF);
GND	- общий вывод (корпус) (Ground);
GNDS *	- общий вывод источника опорного напряжения;
HDI	- вход управления режимом "HOLD";
HDO	- выход управления режимом "HOLD";
HFI	- вход управления режимом “HANDSFREE’;
HFO	- выход управления режимом "HANDSFREE”;
HS	- вход "отбой" рычажный переключатель, (Hook Switch);
IDP	- вход программирования длительности межцифровой паузы (Inter-Digit Pause);
IDPO	- выход межцифровой паузы;
KS	- выход "ключ подпитки";
KT	- выход звукового подтверждения нажатия клавиши (Key Топе);
LCDO	- цифровой выход на контроллер жидкокристаллического индикатора;
LOCK	- вход блокировки определённых цифр и в определённом порядке для предотвращения набора заданной последовательности цифр;
M/B	- вход программирования импульсного коэффициента (Make/Break ratio select)
mo	- выход индикации способа набора (Mode Out);
MODE	- вход выбора способа набора (импульсным или DTMF) (Mode Select);
MUTE	- выход разговорного ключа только в режиме "PULSE" (в большинстве случаев) или только в режиме "DTMF" (редко). Выход активный в одном режиме;
MUTE1	- выход разговорного ключа 1;
MUTE2	- выход разговорного ключа 2;
OSCI	- вход подключения кварцевого резонатора генератора;
OSCO	- выход подключения кварцевого резонатора генератора;
PROG1+PROG3	- входы программирования режимов работы микросхемы;
PULSE	- выход импульсного ключа (Dialing Pulse);
R	- вывод подключения RC-цепи генератора;
R1	- вывод подключения RC-цепи генератора;
R2	- вывод подключения RC-цепи генератора;
RC	- вывод подключения RC-цепи генератора;
ROW1+ROW5	- координаты строк (Row) клавиатурных входов;
STI	- вход режима управления памятью (запоминание при снятой или положенной на рычаг трубке);
STO	- выход индикации режима управления памятью;
TEST	- вход тестирования микросхемы;
U	- напряжение питания;
UMEM	- напряжение питания ОЗУ;
VOL1+VOL2	- выводы регулировки уровня громкости (Volume up, Volume down);
XMUTE	- выход разговорного ключа в режиме "PULSE" или "DTMF" (в зависимости от режима набора номера). Выход активный в обоих режимвх.
Многие ИС имеют выводы двойного назначения. Например - ROW1/MODE обозначает, что этот клавиатурный вывод также предназначен для программирования способа набора номера.
Большинство современных ИС (например ЕМ91403АР, НМ9121, HT9102F и
55
др.) при "высоком" или "низком" логическом уровне на входе MODE, находятся соответственно в импульсном (10 Гц) или частотном режиме набора номера. Если же этот вход находится в неподключенном состоянии, то набор номера осуществляется в импульсном режиме с частотой 20 Гц.
Микросхемы ТС31006Р и MV4320 имеют дополнительный вход выбора частоты набора DRSS. Значение частоты набора в табл. 2.8 приведено при "низком" уровне на входе DRSS. Если на этот вход подать "высокий" уровень, то частота на выходе PULSE увеличится в 16 раз.
Вход TEST в ИС ЭНН используется в процессе производства микросхемы для перевода в режим тестирования. При подключении в ТА на вход TEST необходимо подать "высокий" уровень или оставить его неподключенным.
На выходе DTMF присутствует двухчастотный код (DTMF) при нажатой кнопке на наборном поле. Исключение представляют только некоторые ИС (например КР1008ВЖ6, у которой фиксирована длительность двухчастотной посылки (50 мс). ИС должна при этом находиться режиме частотного набора номера ("высокий" уровень на входе MODE).
В исходном состоянии входы HFI и STI не подключены ни к выводу питания ни к общему. На выходах HFO и STO "низкий" уровень.
Вход HFI (HANDS FREE) предназначен для перевода ИС в режим управления "громкой связью" путем кратковременной подачи на этот вход "высокого" уровня (в большинстве микросхем). При этом на выходе HF0 устанавливается "высокий" уровень, который переводит схему телефона в режим "громкой связи". Причём перевести ИС в режим "громкой связи" можно независимо от того, какой уровень на входе HS. В этом режиме можно осуществлять набор номера при любом уровне на входе HS. При повторной подаче на вход HFI "высокого" уровня (или уровня, противоположного тому, который присутствовал на входе HS) на выходе HFO восстанавливается "низкий" уровень.
Вход STI предназначен для перевода ИС в режим управления памятью путем кратковременной подачи на этот вход "низкого" уровня. При этом на выходе STO устанавливается "высокий" уровень. В этом режиме при нажатии кнопок клавиатуры набора номера не происходит, но набранный номер заносится в ОЗУ микросхемы. Прй повторной подаче на вход STI "низкого" уровня (или "высокого" уровня на вход HS) на выходе STO восстанавливается "низкий" уровень и разрешается набор номера.
2.7.	НАЗНАЧЕНИЕ КНОПОК КЛАВИАТУРЫ В ТА
С ДОПОЛНИТЕЛЬНЫМИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫМИ ВОЗМОЖНОСТЯМИ
На рис. 2.14	2.17 приведены схемы подключения клавиатуры в ИС
ЭНН с дополнительными функциональными возможностями. Рассмотрим назначение дополнительных кнопок.
А, В, С и D кнопки заказа дополнительных услуг на ЭАТС в частотном режиме набора номера.
Ml, М2, М3 и М4 кнопки прямого доступа к дополнительной памяти. Обычно на телефонах их обозначают как FIRE, POLICE, DOCTOR и SAVE.
F(XXX) кнопка нормированного обрыва линии. При нажатии на зту кнопку на выходе PULSE микросхемы номеронабирателя появляется низкий уровень на время XXX мс.
FLASH кнопка нормированного обрыва линии. При нажатии на эту кнопку на выходе PULSE микросхемы номеронабирателя появляется низкий уровень на время от 640 до 1200 мс. Фактически это кнопка "отбой".
PAUSE если эта кнопка нажата после любой цифровой кнопки, то по обработке цифры, соответствующей этой кнопке, межсерийная пауза будет увеличена иа время от 2 до 3 с в зависимости от тийа ИС.
REDIAL кнопка повтора последнего набранного номера. Её нужно нажимать после снятия режима "отбой". Если она нажата во время набора номера после любой цифровой кнопки, то будет выполнена функция кнопки PAUSE.
SAVE кнопка записи последнего набранного номера в дополнительную память.
STORE кнопка записи номера в дополнительную память.
56
AUTO кнопка вызова номера из дополнительной памяти. На некоторых ТА эта кнопка имеет обозначение RECALL.
Р/Т кнопка переключения в режим частотного (DTMF) набора номера. Для возврата в режим импульсного (PULSE) набора номера необходимо нажать рычажный переключатель или кнопку FLASHE.
2.8.	ПОРЯДОК ПРОГРАММИРОВАНИЯ ИС ЭНН С ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ПАМЯТЬЮ НА 10 НОМЕРОВ
Отбой (*) и (#) одновременно.
Повтор (#), (#).
Стирание номера из ячейки памяти N (N=0...9) (*), (#), (*), (N).
Запись номера в память.
1)	Снять трубку.
2)	Нажать кнопку (*).
3)	Набрать номер телефона (например, 495-27-74).
. 4) Нажать кнопку (*).
5) Нажать цифру на клавиатуре (0...9).
Выбор номера из памяти.
i 1) Снять трубку.
2)	Нажать кнопку (#).
3)	Нажать цифру на клавиатуре, под которой хранится номер в ОЗУ.
2.9. ПОРЯДОК ПРОГРАММИРОВАНИЯ ИС ЭНН С ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ПАМЯТЬЮ БОЛЕЕ 10 НОМЕРОВ
Запись номера в память.
1)	Снять трубку.
2)	Нажать кнопку STORE.
3)	Набрать иомер телефона (например, 495-27-74).
4)	Нажать кнопку STORE.
5)	Нажать цифру на клавиатуре (0...9) или одну из дополнительных кнопок (FIRE, POLICE, DOCTOR, или SAVE), предназначенных для хранения номеров в ОЗУ.
Выбор номера нз памяти (вариант 1).
1) Снять трубку.
| 2) Нажать одну из дополнительных кнопок, под которой хранится номер в ОЗУ.
Выбор номера нз памяти (вариант 2).
| 1) Снять трубку.
I 2) Нажать кнопку AUTO (RECALL).
L 3) Нажать цифру на клавиатуре (0...9).
2.10. ПОРЯДОК РАБОТЫ С ПАМЯТЬЮ ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ИС КР1008ВЖ5
(#)	отбой
(*). (*)	повтор последнего набранного номера
(*), (#), (#), (N)," запоминаемый номер", (#), (#)	занесение первого номера в ячейку памяти N (N=0...9)
(*). (#). (#). (N), (#). „ запоминаемый номер , (#), (#)	занесение второго номера в ячейку памяти N
(*). (#), (#). (*), (#), (N)	полная очистка ячейки памяти N
(*). (N)	набор первого номера из ячейки памяти N
(*), (#). (N)	набор второго номера из ячейки памяти N
57
1	и		PULSE	18	1	и		PULSE	18	1	UMEM		ROW1	18
2	GNDS	X/Y	HS	17	2	КТ	X/Y	HS	17	2	R0W2	W	C0L3	17
3	СОИ		R0W1	16	3	сои		R0W1	16	3	ROW3		C0L2	16
4	C0L2		R0W2	15	4	C0L2		R0W2	15	4	R0W4		C0L1	15
5	C0L3		R0W3	14	5	C0L3		R0W3	14	5	U		GND	14
6	GND		R0W4	13	6	GND		R0W4	13	6	RC		MUTE	13
7	R1		MUTE	12	7	R1		MUTE	12	7	C		HS	12
6	С		MB	11	8	С		MB	11	8	R		1DP	11
9	R2		DRS	10	9	R2		DRS	10	9	PULSE		MB	10
а)	б)	в)
ET40992	KS5851	CIC9193	CIC9102E
FT58C51	LR40992	KS5805B	UM9151
HM9100A1	MK50992N	LR40993	WE9102
KS5805A	T40992	MK50993	
KS58C05	КР1008ВЖ10	T40993	
KS58D05	КР1008ВЖ11		
1 2 3 4 5 6 7 8	U GNDS C0L1 C0L2 C0L3 GND R1 C	X/Y	PULSE HS R0W1 ROW2 R0W3 R0W4 MUTE R2	16	1 15	2 14	3 13	4 12	5 11	6 10	7 9	8	U GNDS C0L1 C0L2 C0L3 /gnd OSCI OSCO	X/Y	PULSE HS ROW1 R0W2 R0W3 R0W4 MUTE MB	16	1 15	2 14	3 13	4 12	5 11	6 10	7 9	8	R0W1 R0W2 R0W3 R0W4 U RC C R	WY	C0L3 C0L2 C0L1 MUTE GND HS MB PULSE	16 15 14 13 12 11 10 9
	г) CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14			d) ч-	ЁТ40982	MK5173AN HD970040D	MK50981 KSS804	TR50981AN LR40981A					e) CIC9104E FT9151-3 UM9151-3 WE9104 КР1008ВЖ17			
	1 2 3 4 5 6 7 8	u C0L1 C0L2 C0L3 GND R1 C R2	X/Y	PULSE HS R0W1 R0W2 R0W3 R0W4 MUTE MB	16	. 	1 15	2 14	3 13	4 12	5 11	6 10	7 9	8	R0W1 R0W2 R0W3 R0W4 HS OSCI OSCO и	X/Y	C0L3 C0L2 C0L1 MUTE GND PULSE MB DRS	16	1 15	2 14	3 13	4 12	5 11	6 10	7	R0W2 R0W3 R0W4 U RC R PULSE	ХАГ	R0W1 C0L3 C0L2 C0L1 MUTE GND HS	14 13 12 11 10 9 8
								9				
	Ж) HM9100B KS5853				U) S7210A			КР1008ВЖ29				
Рис. 2.10. Цоколёвки ИС ЭНН.
58
1 2	R0W1 R0W2	X/Y	C0L4 COL3	18 17	1 2	R0W4 R0W1	X/Y	C0L3 C0L2	18 17		1 2	R0W4 R0W1	X/Y	C0L3 C0L2	18 17
3	R0W3		COL2	16	3	R0W2		C0L1	16	3	R0W2		C0L1	16
4	R0W4		con	15	4	R0W3		IPS	15	4	ROW3		KT	15
5	HS		PULSE	14	5	HS		DRS	14	5	HS		DRS	14
6	М/В		XMUTE	13	6	R1		U	13	6	R1		U	13
7	MODE		DTMF	12	7	C		M/B	12	7	C		M/B	12
8	OSCI		GND	11	8	R2		MUTE	11	8	R2		MUTE	11
9	OSCO		U	10	9	PULSE		GND	10	9	PULSE		GND	10
		a)					6)					B)		
FT9321OC		HM9110D		UM91260A		LC7350	WE9110					UM91610A			
НМ9102		HM9110E		UM91260B		Й2561АВ I		JTC52560C						
НМ9102А		KS58006		UM91260C		UM91611	£		2560A						
НМ91О2С		KS58006		UM91260D	VT91611	S			25610						
HM9102D		KS5820		КР1008ВЖ16										
НМ9110В		KSS8C2ON		КР1091ВЖ1										
НМ9110С		UM91210C									1	R0W2		ROW1	22
						1	HS		R0W4	,20	2	R0W3	XJY	C0L4	21
1	HS			R0W4	18	2	MODE	w	R0W3	19	3	R0W4		C0L3	20
2	LODE	X/Y	R0W3	17	3	OSCI		R0W2	.18	4	R0W5		C0L2	19
3	OSCI		R0W2	16	4	OSCO		R0W1	17	5	M/B		C0L1	18
4	OSCO		R0W1	15	5	GND		C0L3	16	6	HS		PULSE	17
S	GND		COL3	14	6	X		X	15	7	MODE		XMUTE	16
6	U		COL2	13	7	U		C0L2	14	8	KT		GND	15
7	DTMF		COL1	12	8	DTMF		con	13	9	OSCI		U	14
8	XMUTE		PULSE	11	9	XMUTE		PULSE	12	10	OSCO		DTMF	13
9	MO		MUTE	10	10	MO		MUTE	11	11	MO		MUTE	12
		г)					S)					e)		
	КР1008ВЖ27					КФ1008ВЖ27					КР1008ВЖ6			
1	R0W2		R0W1	22
2	R0W3	X/Y	C0L3	21
3	UMEM		C0L2	20
4	KT		con	19
5	R0W4		MUTE2	18
6	U		GND	17
7	RC		MUTE1	16
8	C		HS	15
9	R		IDP	14
10	IDPO		M/B	13
11	KS		PULSE	12
1	R0W2		R0W1	22
2	R0W3	X/Y	C0L3	21
3				20
	TEST		C0L2	
4				19
	KT		C0L1	
	5	R0W4		MUTE2	18
6				17
	U		GND	
7	RC		MUTE1	16
8				15
	c		HS	
9				14
	R		IDP	
10				13
	IDPO		M/B	
11	KS		PULSE	12
1	R0W2		R0W1	22
2	R0W3	X/Y	C0L3	21
3				20
	U		C0L2	
4	KT		C0L1	19
5				18
	R0W4		MUTE	
6	HS		GND	17
7				16
	RC		X	
8				15
	C		DRS	
9	R		IDP	14
10	TEST		M/B	13
11				12
	X		PULSE	
ж)
КР1008ВЖ1
КМ1008ВЖ1
КР1008ВЖ28
КМ1008ВЖ28
к)
КР1008ВЖ5	КР1008ВЖ7А
КР1008ВЖ5А	КР1008ВЖ7Б
КР1008ВЖ5Б	КР1064ВЖ5
КР1008ВЖ7	КР1064ВЖ7
Рис. 2.11. Цоколёвки ИС ЭНН.
59
	1 2 3	RC R С	D/DEC	U W1 KT	48 47 46	37 38 39	1 2 3	X/Y	1 2 4	35 32 25		1 2 3	ROW2 R0W3 U	X/Y	ROW! C0L3 C0L2	24 23 22
4	МК		WRM	45	40	4		8	22	4	KT		C0L1	21
5	HS		EWR	44	зе	БТ		F/128	14		5	ROW4		MUTE	
6	HSG		SR	43	8	ПГ				6	HS		GND	19
7	C0L3		DR	42	16	БЗ		F/64	15	7	RC		X	18
8	C0L2		Al	41	13	10/20				8	C		DRS	17
9	C0L1		AO	40	7	*		F/8	16	9	R		IDP	16
10	C0L5		A2	39	33	1				10	TEST		M/B	15
11	C0L4		A3	38	29	2		UK	19	11	X		PULSE	14
12	ROWS		A4	37	34	3				12	X		X	13
13				36	26				17					
	R0W7		A5			4		b(J				в)		
14	ROWS		A6	35	31	5					КР1089ВЖ1			
15	ROWS		A7	34	27	6		PK	5			КР1089ВЖ2			
16				33	28									
	R0W4		CS4/A6			7								
17	R0W3		CS1	32	23	8		OK	4	1	U		PULSE	16
18	ROW2		CS2/A10	31	30	9				2	X	X/Y	HS	15
19	ROW1		CS3/A9	30	24	0		ГИ	6	3	C0L1		R0W1	14
20	MUTE		MOM	29	12	БК				4	C0L2		ROW2	13
21	PULSE		DW	28	2	НУ		c	11	5	C0L3		ROW3	12
22	CH		D3	27	20	СЧ		R	10	6	RC		ROW4	11
23	DO		D2	26	3	#		u	1		7	R		MUTE	10
24	ov		D1	25	9	RC		GND	21		8	X		GND	
а)	б)	г)
КР1008ВЖ2	КР145ИК8П	КР1002ХЛ2
1	ROW2		R0W1	120
2	R0W3	X/Y	C0L3	19
3	UMEM		C0L2	18
4	KT		C0L1	17
	5	ROW4		MUTE2	16
6	U		GND	15
7	RC		MUTE1	14
8	C		HS	13
9	R		M/B	12
10	KS		PULSE	11
		d)		
КР1083ВЖЗ
1	HS		R1	18
2	R0W3	X/Y	C	17
3	ROW2		R2	16
4	R0W1		PULSE	15
5	ROW4		GND	14
6	C0L3		MUTE	13
7	C0L2		M/B	12
8	C0L1		U	11
9	IPS		DRS	10
1	U		PULSE	20
2	GNDS	X/Y	HS	19
3	C0L1		ROW1	18
4	C0L2		R0W2	17
5	C0L3		ROW3	16
6	GND		R0W4	15
7	R1		MUTE	14
8	C		M/B	13
9	R2		DRS	12
10	X		X	11
КС1008ВЖ12
ж)
ВЦ1000А (не маркируется)
60
Рис. 2.12. Цоколёвки ИС ЭНН.
1	и		DTMF	16		1	U		DTMF	16	1	HD	X/Y	R0W1	18
2	HS	X/Y	SINGLE DTMF	15 14 13	2 3 4	NMUTE	X/Y	TEST	15 14 13	2 3 4	U		R0W2	17 16 15
4	COL1 COL2		ROW1 R0W2			C0L1 C0L2		ROW1 R0W2			PULSE MUTE		R0W3 R0W4	
5	COL3		R0W3	12		5	C0L3		ROW3	12		5	DRS1		PP	14
6 7	GND OSCI		R0W4 MUTE	11 10	6 7	GND OSCI		R0W4 MUTE	11 10	6 7	DRS2 HS		C0L1 C0L2	13 12
8	OSCO		COL4	9	8	OSCO		C0L4	9	8	OSCI		C0L3	11
		а)					6)				9	OSCO		GND	10
														
НМ9187 KS5809 KS5810 KS5811 LC7365N LC7366N		HD970019-L МК5085 МК5089 MK5092N UM95089				HT9201A HT9201B					в) PCB3326P S2571			
					1 2	U PULSE	xjy	KT R0W4	18 17	1 2	u C0L4	X/Y	DTMF PULSE	18 17 16 15 14 13 12 11 10
1 2 3 4 5 6 7	R0W4 R0W3 R0W2 R0W1 OSCI OSCO GND	X/Y	COL3 COL2 СОИ MUTE NMUTE DTMF U	14 13 12 ,11 10 9 8		3 4 5 6 7 8 9	MUTE M/B DRS1 DRS2 HS OSCI OSCO		R0W3 ROW2 R0W1 C0L3 C0L2 C0L1 GND	16 15 14 13 12 11 10		3 4 5 6 7 8 9	C0L1 C0L2 C0L3 GND KT OSCI OSCO		R0W1 R0W2 R0W3 R0W4 HS XMUTE MODE	
		г)					d)					e)		
	UM95088					MV4320 TC31006P					MC145412P MC145413P MC145512P			22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12
Id (о |<О [св |>1 |сН |(Л 1*. |о> |кэ 1-Л	RCW1 R0W2 R0W3 R0W4 HS DRS MODE М/В OSCI OSCO и	x/y	COL4 COL3 COL2 COL1 KT PULSE MUTE XMUTE DTMF MO GND	22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12	1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11	R0W1 R0W2 R0W3 R0W4 HS DRS MO MOOE OSCI OSCO U	K/Y	C0L4 C0L3 C0L2 C0L1 PULSE MUTE XMUTE DTMF PMODE KT GND	22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12	1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11	R0W1 R0W2 ROW3 R0W4 HS M/B DRS MODE OSCI OSCO u	YJY	C0L4 C0L3 C0L2 C0L1 PULSE MUTE XMUTE DTMF STI KT GND	
		ж)					U)					К)		
	LC7363J	LC7367J LC7364J	LC7368J						S7230A S7230B				UM91261 КР1091ВЖ2			
If.’..
Рис. 2.13. Цоколёвки ИС ЭНН.
61
•11	R0W5	—	HFO	22		1	HFI		HFO	22	1	R0W5		HFO	22
2	R0W1	x/y	C0L4	21	2	R0I/V1	X/Y	C0L4	21	2	R0W1	X/Y	C0L4	21
3	R0W2		C0L3	20	3	R0W2		C0L3	20	3	ROW2		C0L3	20
4	R0W3		C0L2	19	4	R0W3		C0L2	19	4	R0W3		C0L2	19
5	R0W4		C0L1	18	5	R0W4		C0L1	18	5	R0W4		C0L1	18
6	HS		PULSE	17	6	HS		PULSE	17	6	HS		PULSE	17
7	М/В		XMUTE	16	7	M/B		XMUTE	16	7	M/B		XMUTE	16
8	MODE		DTMF	15	8	MODE		DTMF	15	8	MODE		DTMF	15
9	OSCI		GND	14	9	OSCI		GND	14	9	OSCI		GND	14
10	OSCO		U	13	10	OSCO		U	13	10	OSCO		и	13
11	COLS		HDO	12	11	HDI		HDO	12	11	KT		HDO	12
а)	б)	в)
KS58555B	KS58012	KS58550
KS56013 KS58014
1	HFI		HFO	20	1	C0L2		PR0G1	20	1	C0L2		PR0G1	20
2	R0W1	X/Y	C0L4	19	2	C0L3	X/Y	C0L1	19	2	C0L3	X/Y	C0L1	19
3	R0W2		C0L3	18	3	C0L4		R0W1	18	3	C0L4		R0W1	18
4	R0W3		C0L2	17	4	OSCI		R0W2	17	4	OSCI		R0W2	17
5	R0W4		C0L1	16	5	OSCO		R0W3	16	5	OSCO		R0W3	16
6	• HS		PULSE	15	4	6	HS		ROW4	15	6	HS		R0W4	15
7	M/B		XMUTE	14	7	MUTE		XMUTE	14	7	PROGO		XMUTE	14
8	MODE		DTMF	13	8	DTMF		PULSE	13	8	DTMF		PULSE	13
9	OSCI		GND	12	9	PR0G2		LGND	12	9	PR0G2		MUTE	12
10	OSCO		U	11	10	u		GND	11	10	U		GND	11
г)	д)	е)
KS58010	PSB8510-1	PSB8510-6
1 ?	C0L1	X/Y	ROW4	16 15
	C0L2		R0W3	
3	C0L3		R0W2	14
4	MODE		ROW1	13
5	GND		U	12
6	OSCI		DTMF	11
7 8	OSCO		PULSE /C0L4	10 9
	XMUTE		HS	
1 2	C0L1 C0L2	X/Y	R0W4 R0W3	16 15
3	C0L3		R0W2	14
4	OSCI		R0W1	13
5	OSCO		MODE	12
6	XMUTE		DTMF	11
7	GND		PULSE	10
8	U		HS	9
1	C0L2		R0W3	16
2	C0L3		R0W2 M/B	15
3	C0L4		R0W1 AWE	14
4	C0L1		R0W4	13
5	OSCI		DTMF	12
6	OSCO		PULSE	11
7	XMUTE		HS	10
8	GND		U	9
Ж)
W91212	W91214A
W91214	W91216
и)
HT92(?G
HT93O2G
к)
ЕМ9171ОА
НМ91710А
62
Рис. 2.14. Цоколёвки ИС ЭНН.
	1 2	C0L1 C0L2	W	R0W5 R0W4	22 21
3	C0L3		R0W3	20
4	C0L4		R0W2	19
5	GND		R0W1	18
6	OSCI		U	17
7	OSCO		M/B	16
8	XMUTE		DRS	15
9	HS		MODE	14
10	PULSE		MUTE	13
11	DTMF		KT	12
a)
HM9114 HM9114A HT9214A
	1	C0L1		R0W5	22
2	C0L2	XfY	R0W4	21
3	C0L3		R0W3	20
4	C0L4		R0W2	19
5	GND		R0W1	18
6	OSCI		U	17
7	OSCO		M/B	16
8	XMUTE		LOCK	15
9	HS		MODE	14
10	PULSE		MUTE	13
11	DTMF		KT	12
		6)		
HT9214AL HT9245AL
HT9242AL HT9246AL
1	C0L1		ROWS	22
2	C0L2	X/Y	R0W4	21
3	C0L3		R0W3	20
4	C0L4		R0W2	19
5	GND		ROW1	18
6	OSCI		U	17
7	OSCO		M/B	16
8	XMUTE		TEST	15
9	HS		MODE	14
10	PULSE /C0L5		MUTE	13 12
	DTMF		KT	
г)
W914S
	1	C0L1		ROW5	22
2	C0L2	X/Y	R0W4	21
3	C0L3		R0W3	20
4	C0L4		ROW2	19
5	GND		R0W1	18
6	OSCI		u	17
7	OSCO		M/B	16
8	XMUTE		LOCK	15
9	HS		MODE	14
10	PULSE /C0L5		MUTE	13 12
	DTMF		KT	
		d)		
W9145L
	1	C0L1		R0W5	22
2	C0L2	XJY	R0W4	21
3	C0L3		R0W3	20
4	C0L4		R0W2	19
5	GND		ROW1	18
6	OSCI		u	17
7	OSCO		M/B	16
8	XMUTE		TEST	15
9	HS		MODE	14
10	PULSE		MUTE	13
11	DTMF		KT	12
		B)		
CIC9145E HT924SA
HM9112A	HT9246A
HM9113A	VT9145
HT9242A
1	X		LCDO	22
		X/Y		21
	C0L5		HDO	
3	C0L4 /КТ		PULSE	20
	4	C0L3		R0W4	
5	C0L2		R0W3	18
6	C0L1		R0W2 M/B	17
7	OSCI		R0W1 AWE	16
8	OSCO		HS	15
9	XMUTE		и	14
10	GND		DTMF	13
11	HFI		HFO	12
e)
EM91403CK EM91455CK
EM91440CK EM91465CK
11	C0L2 C0L3	X/Y	R0W3	18 17		1 2	C0L2 C0L3	X/Y	ROW3	18 17	1 2	C0L5	X/Y	HDO PULSE	18 17
			R0W2 M/B _					R0W2 M/B			C0L4 /КТ			
3	C0L4		R0W1 /MODE	16	3	C0L4		R0W1 AWE	16	3	C0L3		R0W4	16
4	C0L1		R0W4	15	4	C0L1		R0W4	15	4	C0L2		R0W3	15
5	OSCI		DTMF	14	5	OSCI		DTMF	14		5.	C0L1		RCW2 M/B	14
6	OSCO		PULSE	13	6	OSCO		PULSE	13	6	OSCI		R0W1 AWE	13
7	XMUTE		HS	12	7	XMUTE		HS	12	7	OSCO		HS	12
8	GND		и	11	8	GND		U	11	8	XMUTE		и	11
9	HFI		HFO	10	9	LCDO		KT	10	9	GND		DTMF	10
Ж)	и)	к)
ЕМ91710В	ЕМ91810А	ЕМ91403АР	ЕМ91455АР
HMS171CB	ЕМ91440АР	ЕМ91465АР
Рис. 2.15. Цоколёвки ИС ЭНН.
63
1	C0L5		HDO	20
2	C0L4	X/Y	PULSE	19
3	/КТ C0L3		ROW4	18
4	C0L2		R0W3	17
5	C0L1		R0W2 MS	16
6			R0W1	15
	OSCI		/MODE	
7	OSCO		HS	14
8	XMUTE		и	13
9	GND		DTMF	12
10	HFI		HFO	11
1	C0L2		R0W3	20
2	C0L3		R0W2 MS	19
3	C0L4		R0W1 /MODE	18
4	C0L1		R0W4	17
5	OSCI		DTMF	16
6	OSCO		PULSE	15
7	XMUTE		HS	14
8	GND		U	13
9	HFI		HFO	12
10	LCDO		KT	11
1				20
	R0W6		R0W5	
		X/Y		19
	C0L1		R0W4	
3	C0L2		R0W3	18
4	C0L3		ROW2	17
5	C0L4		R0W1	16
6	C0L5		MODE	IS
7	OSCI		DTMF	14
8	OSCO		PULSE	13
9	XMUTE		HS	12
10	GND		и	11
a)
EM91403BP EM9145SBP
EM91440BP EM91465BP
б)
EM91810B
HM91610A	HM91612A
HM91611A
1i	R0W6		R0W6	22	1	ROWS		ROW5	22	1	R0W6		R0W5	22
2	C0L1	X/Y	R0W4	21	2	HDI	X/Y	HDO	21	2	MUTE	X/Y	KT	21
3	C0L2		R0W3	20	3	C0L1		R0W4	20	3	C0L1		R0W4	20
4	C0L3		R0W2	19	4	C0L2		R0W3	19	4	C0L2		R0W3	19
5	C0L4		R0W1	18	5	C0L3		R0W2	18	5	C0L3		R0W2	18
6	C0L5		MODE	17	6	C0L4		R0W1	17	6	C0L4		R0W1	17
7	OSCI		DTMF	16	7	COLS		MODE	16	7	C0L5		MODE	16
8	OSCO		PULSE	15	8	OSCI		DTMF	15	8	OSCl'		DTMF	15
9	XMUTE		HS	14	9	OSCO		PULSE	14	9	OSCO		PULSE	14
10	GND		U	13	10	XMUTE		HS	13	10	XMUTE		HS	13
11	HFI		HFO	12	11	GND		U	12	11	GND		и	12
г)	д)	
HM91610B	HM91612B	HM91610C	HM91612C
HM91611B	HM91611C	
1	HDI		HDO	22
2		X/Y		21
	C0L1		R0W4	
3	C0L2		R0W3	20
4	C0L3		R0W2	19
5	C0L4		R0W1	18
6	KT		MODE	17
7	OSCI		DTMF	16
8	OSCO		PULSE	15
9	XMUTE		HS	14
10	GND		и	13
11				12
	HFI		HFO	
1	MUTE		X	22
		X/Y		?1
	C0L1		R0W4	
3	C0L2		R0W3	20
4	C0L3		R0W2	19
5	C0L4		R0W1	18
6	KT		MODE	17
7	OSCI		DTMF	16
8	OSCO		PULSE	15
9	XMUTE		HS	14
10	GND		и	13
11				12
	HFI		HFO	
1	MUTE		KT	22
2	C0L1	X/Y	R0W4	21
3	C0L2		R0W3	20
4	C0L3		R0W2	19
5	C0L4		R0W1	18
6	KT		MODE	17
7	OSCI		DTMF	16
8	OSCO		PULSE	15
9				14
	XMUTE		HS	
10	GND		U	13
11				12
	HA		HFO	
Ж)
HM91510B	HM91521B
HM91511B	HM91530B
HM91520B
и)
НМ91512В
НМ91522В
К)
НМ91552В
НМ91652В
64
Рис. 2.16. Цоколёвки ИС ЭНН.
t __1_ 2 3 4 -.5 6 7 е 9 10	сои C0L2 C0L3 C0L4 КТ GND OSCI OSCO XMUTE HFI		R0W4 R0W3 ROW2 R0W1 U MODE DTMF	20	1 19	2 18	3 17	4 16	5 15	6 14	7 13	8 12	9 11	10	C0L1 C0L2 C0L3 C0L4 LOCK GND OSCI OSCO XMUTE HFI	X/Y	R0W4 R0W3 R0W2 ROW1 U MODE DTMF	20	1 19	2 18	3 17	4 16	5 15	6 14	7 13	8 12	9 11	10	C0L1 C0L2 C0L3 C0L4 C0L5 C0L6 COLT GND OSCI OSCO XMUTE	XJY	R0W5 R0W4 R0W3 R0W2 R0W1 MUTE U MODE DTMF PULSE HS	22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12
			PULSE /C0L5				PULSE /C0L5					
			HS HFO				HS HFO					
а) W91530AN W91542AN W91532AN W91544AN W91534AN W91S60AN W91S40AN W91S80BN					6) W91531ALN W91541ALN W91561ALN			11				
								20	1 19	2 18	3 17	4 16	5 15	6 14	7 13	8 12	9 11	10	0) W91473 W91473D			20 19 18 17 16 15 14 13 12 11
1 2 | __3 4 •' J5. в 7 Я 1 г 8 10	СОИ C0L2 C0L3 C0L4 LOCK MUTE GND OSCI OSCO XMUTE		R0W4 R0W3 R0W2 R0W1 U X MODE DTMF	20	1 19	2 18	3 17	4 16	5 15	6 14	7 13	8 12	9 11	10	kC0L1 C0L2 C0L3 C0L4 LOCK GND OSCI OSCO XMUTE HFI	X/Y	R0W4 R0W3 R0W2 R0W1 U MODE DTMF PULSE HS HFO		C0L1 C0L2 C0L3 C0L4 KT GND OSCI OSCO XMUTE HFI	XW	R0W4 R0W3 R0W2 fiOW1 u MODE DTMF PULSE HS HFO	
			PULSE /C0L5									
			HS									
	г) W91320LN				d) W91330ALN			e) W91330AN W91510AN W91331AN W91511AN				
1 2	C0L1 C0L2	xw	R0W4 R0W3	22 21
3	C0L3		R0W2	20
v 4	C0L4		ROW1	19
5	LOCK		U	18
6	MUTE		X	17
7	GND		MODE	16
g	OSCI		DTMF	15
				
	OSCO		PULSE /C0L5	14 13
ЗП	XMUTE		HS	
3	HFI		HFO	12
1	C0L1		R0W5	24
2	C0L2		R0W4	23
3	C0L3	X/Y	R0W3	22
4	COL4		R0W2	21
5	GND		R0W1	20
6	OSCI		u	19
7	OSCO			18
8	XMUTE		LOCK	17
9	HS		MODE	16
10	PULSE /C0L5		MUTE	15
11	DTMF		KT	14
12	HFI		. HFO	13
	1	C0L1		R0W5	24
2	C0L2		R0W4	23
3	C0L3	X/Y	R0W3	22
4	C0L4		R0W2	21
5	GND		R0W1	20
6	OSCI		U	19
7	OSCO		M/B	18
8	XMUTE		TEST	17
9	HS		MODE	16
10	PULSE /C0L5		MUTE	15
11	DTMF		KT	14
12	HFI		HFO	13
ж)
W91320ALN
uj
W9145AL
К)
W9145A
5-79
Рис. 2.17. Цоколёвки ИС ЭНН.
65
1	COL1		R0W4	18
2	COL2	X/Y	ROWS	17
3	COL3		R0W2	16
4	COL4		R0W1	15
5	COL5		и	14
6				13
	GND		MODE	
7	OSCI		DTMF	12
8	OSCO		PULSE	11
			/COL5	10
9	XMUTE		HS	
1	C0L1		R0W4	18
		X/Y		17
	C0L2		R0W3	
3	C0L3		R0W2	16
4	C0L4		R0W1	,15
5	C0L5		U	14
6	GND		MODE	13
7	OSCI		DTMF	12
8	OSCO		PULSE	11
9				10
	XMUTE		HS	
1 2	C0L1 C0L2	X/Y	ROM R0W3	18 17
3	C0L3		R0W2	16
4	C0L4		R0W1	15
5	M/B		u	14
6	GND		MODE	13
7	OSCI		DTMF	12
8	OSCO		PULSE	11
9	XMUTE		HS	10
в)
W91472N W91472BN
W91432N
W91433N
W91434G
W91435G
б)
W91442N
W91444A
W91443N
W91445A
W91446A
W91447A
W91462N
W91466N
a)
W91312	W91314A
W91312A	W91316
W91314
1	C0L1		R0W4	20
		x/y		19
	C0L2		R0W3	
3	0013		R0W2	18
4	C0L4		R0W1	17
5	MUTE		U	16
6	GND		MODE	15
7	OSCI		DTMF	14
8	OSCO		PULSE	13
9	XMUTE		HS	12
10	HFI		HFO	11
		г)		
W91340AN
W91342AN
W91344AN
	1	C0L1	x/y	R0W5	24 23
	C0L2		R0W4	
3	C0L3		R0W3	22
4	C0L4		R0W2	21
s	COLS		ROW1	20
6	COLS		MUTE	19
7	C0L7		U	18
8	GND		MODE	17
9	osa		DTMF	16
10	OSCO		PULSE	15
11	XMUTE		HS	14
12	HFI		HFO	13
Ж)
W91473A
1	C0L1		R0W4	20
2	C0L2	w	R0W3	19
_a	C0L3		R0W2	18
4	C0L4		R0W1	17
5	MUTE		U	16
				15
	GND		MODE	
7	OSCI		DTMF	14
8			PULSE	13
	OSCO		/C0L5	
9	XMUTE		HS	
10	HFI		HFO	11
W91320AN
W91321AN
W91350AN
W91352AN
W91354AN W91360AN W91520AN W91521AN
1 2	C0L1 C0L2	XH	R0W5 R0W4	24 23
3	C0L3		R0W3	22
4	C0L4		R0W2	21
5	COLS		R0W1	20
6	C0L6		LOCK	19
7	C0L7		u	18
8	GND		MODE	17
9	OSCI		DTMF	16
10	OSCO		PULSE	15
11	XMUTE		HS	14
12	HFI		HFO	13
и)
W91473AL
1	C0L1		R0W4	20
2	C0L2	X/Y	R0W3	19
3	C0L3		R0W2	18
4	C0L4		R0W1	17
5	C0L5		U	16
6	GND		MODE	15
7	OSCI		DTMF	14
R			PULSE	13
	OSCO		/COLS	
	9	XMUTE		HS	
10	HFI		HFO	11
t)
W91472AN W91472CN
1	C0L1		R0W5	22
		X/Y		21
	C0L2		R0W4	
3	C0L3		R0W3	20
4	C0L4		R0W2	19
5	COLS		R0W1	18
6	COLS		LOCK	17
7	C0L7		u	16
8	GW		MODE	15
9	osa		DTMF	14
10	OSCO		PULSE	13
11	XMUTE		HS	12
К)
W91473L W91473DL
66
Рис. 2.18. Цоколёвки ИС ЭНН.
	1 2 3 4 [	5 6 7 6 1 —	C0L1 C0L2 C0L3 C0L4 КТ GND OSCI OSCO XMUTE		W R0W3 R0W2 R0W1 U MODE DTMF PULSE HS	18	1 17	2 16	3 15	4 14	5 13	6 12	7 11	8 10	9	C0L1 C0L2 C0L3 C0L4 MUTE GND OSCI OSCO XMUTE	XA'	R0W4 R0W3 R0W2 ROW1 U MODE DTMF PULSE HS	18	1 17	2 16	3 15	4 14	5 13	6 12	7 11	8 10	9	C0L1 C0L2 C0L3 C0L4 LOCK GND OSCI OSCO XMUTE	X/Y	R0W4 R0W3 R0W2 R0W1 U MODE DTMF PULSE HS	18 17 16 15 14 13 12 11 10
а) W91330N	W91510N W91331N	W91511N					6) W91340N W91342N			18	1 17	2 16	3 15	4 14	5 13	6 12	7 11	8 10	9	B) W91330LN			
	1 2 з‘ 5 6 7 8 >_8	сои C0L2 C0L3 C0L4 КТ GND osa OSCO XMUTE		R0W4 ROWS R0W2 R0W1 U MODE DTMF	18	1 17	2 16	3 15	4 14	5 13	6 12	7 11	8 10	9	C0L1 C0L2 C0L3 C0L4 MUTE GND OSCI OSCO XMUTE	X/Y	R0W4 R0W3 R0W2 R0W1 U MODE DTMF		C0L1 C0L2 C0L3 C0L4 LOCK GND osa OSCO XMUTE	X/Y	R0W4 R0W3 ROW2 R0W1 u MODE DTMF	18 17 16 15 14 13 12 11 10
			PULSE /C0L5				PULSE /COLS				PULSE /C0L5	
			HS				HS				HS	
г) W91530N	W91542N W91532N	W91560N W91540N				Q) W91320N	W91520N	W91621 W91321N	W91521N	W91630 W91350N	W91610	W91631 W91352N	W91611	W91632 W91360N	W91620	W91633					e) W91531LN W91541 LN W91561LN			22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12
-1 2 ' JJ 4 5 1 *— 1 1 ? ^9 10 | ->1	C0L1 COLS C0L3 C0L4 C0L5 C0L6 C0L7 GND OSCI OSCO XMUTE		R0W6 R0W4 R0W3 R0W2 R0W1 X U MODE DTMF PULSE /COLS HS	22	1 21	2 20	3 19	4 18	5 17	6 16	7 15	8 14	9 13	10 12	11	C0L1 C0L2 C0L3 C0L4 C0L5 KT MUTE GND OSCI OSCO XMUTE	X/Y	R0W5 R0W4 R0W3 R0W2 R0W1 MMUTE U MODE DTMF PULSE HS	22	 1 21	2 20	3 19	4 18	5 17	6 16	7 15	8 14	9 13	10 12	11	C0L1 C0L2 C0L3 C0L4 COLS LOCK MUTE GND OSCI OSCO XMUTE	X/Y	ROWS R0W4 R0W3 R0W2 R0W1 MMUTE U MODE DTMF PULSE HS	
ж)	и)	к)
W91S60	W91810N	WI810LN
W91590	W91812N
Рис. 2.19. Цоколёвки ИС ЭНН.
67
1	СОИ		R0W5	24	1	C0L1		R0W5	24	1	C0L1		R0W5	24
-2	C0L2	X/Y	R0W4	23	2	C0L2	X/Y	R0W4	23	2	C0L2	X/Y	R0W4	23
3	C0L3		R0W3	22	3	C0L3		R0W3	22	3	C0L3		R0W3	22
4	C0L4		R0W2	21	4	C0L4		R0W2	21	4	C0L4		R0W2	21
5	C0L5		R0W1	20	5	C0L5		R0W1	20	5	C0L5		R0W1	20
6	C0L6		X	19	6	KT		MMUTE	19	6	LOCK		MMUTE	19
7	C0L7		и	18	7	MUTE		U	18	7	MUTE		и	18
8	GND		MODE	17	8	GND		MODE	17	8	GND		MODE	17
9	OSCI		DTMF	16	9	OSCI		DTMF	16	9	OSCI		DTMF	16
10	OSCO		PULSE /C0L9	15	10	OSCO		PULSE	15	10	OSCO		PULSE	15
11	XMUTE		HS	14	11	XMUTE		HS	14	11	XMUTE		HS	14
12	HFI		HFO	13	12	HFI		HFO	13	12	HFI		HFO	13
а)	б)	в)
W91560A	W91590A	'W91810AN WS1812AN	W91810ALN
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12	X C0L5	X/Y	LCDO HDO PULSE ROW4 R0W3	24	1 23	2 22	3 21	4 20	5 19	6 18	7 17	8 16	9 15	10 14	11 13	12	R0W6 HDI C0L1 C0L2 C0L3 C0L4 C0L5 OSCI OSCO XMUTE GND FFI	X/Y	R0W5 HDO R0W4 R0W3 R0W2 R0W1 MODE DTMF PULSE HS и HFO	24	\	1 23	2 22	3 21	4 20	5 19	6 18	7 17	8 16	9 15	10 14	11 13	12	ROW6 MUTE C0L1 C0L2 C0L3 C0L4 COLS OSCI OSCO XMUTE GND HFI	X/Y	R0W5 KT R0W4 R0W3 R0W2 R0W1 MODE DTMF PULSE HS U HFO	24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13
	C0L4 /КТ											
	C0L3 C0L2 C0L1 OSCI OSCO XMUTE GND HFI DRING											
			R0W2 M/B									
			R0W1 /MODE									
			HS и DTMF HFO RMUTE									
	t) EM91403DK EM91440DK				d) HM91610D HM91611D				e) HM91612D			
								1	LCDO	X/Y	HDO PULSE R0W4 R0W3 R0W2 R0W1 HS U DTMF HFO	20 19 18 17 16 15 14 13 12 11
				1	C0L4 /КТ	X/Y	PULSE R0W4 R0W3 R0W2 R0W1 HS U DTMF HFO	18	2 17	3 16	4 15	5 14	6 13	7 12	8 11	9 10	10	C0L4 /КТ			
1 2 3 4 5 6 7 8	C0L4 /КТ	X/Y	PULSE R0W4 R0W3 R0W2 R0W1 HS U DTMF	16	2 15	3 14	4 13	5 12	6 11	7 10	8 9	9	C0L3 C0L2 C0L1 OSCI OSCO XMUTE GND НЯ				C0L3 C0L2 C0L1 osa OSCO XMUTE . GND  HFI			
	C0L3 C0L2 СОИ OSCI OSCO XMUTE GND											
ж)	и)	к)
ЕМ91450АР	ЕМ91450ВР	ЕМ91450СР
68
Рис. 2.20. Цоколёвки ИС ЭНН.
1 . 2	C0L1 C0L2	X/Y	R0W5 R0W4	28 27	1 2	C0L1 C0L2	X/Y	ROW6 R0W5	28 27	1 2	C0L1 C0L2	X/Y	R0W6 R0W5	28 27
3	C0L3		R0W3	26	3	C0L3		R0W4	26	3	C0L3		R0W4	26
4	C0L4		R0W2	25	4	C0L4		R0W3	25	4	C0L4		R0W3	25
S	C0L5		R0W1	24	s	C0L5		R0W2	24	5	COLS		R0W2	24
‘ 6	C0L6		MUTE	23	6	COLS		R0W1	23	6	C0L6		R0W1	23
7	C0L7		X	22	7	KT		MMUTE	22	7	LOCK		MMUTE	22
18	C0L8		DRS	21	8	MUTE		и	21	8	MUTE		u	21
9	КТ		u	20	9	GND		MODE	20	9	GND		MODE	20
10	GND		MODE	19	10	OSCI		DTMF	19	10	OSCI		DTMF	19
11	OSCI		DTMF	18	11	OSCO		PULSE	18	11	osco		PULSE	18
12	OSCO		PULSE /COLS	17 16	12	XMUTE		HS	17 16	12	XMUTE		HS	17 16
13	XMUTE		HS			HFI		HFO			HFI		HFO	
14	HFI		HFO	15	14	V0L1		V0L2	15	14	V0L1		V0L2	15
>		a)					6)					B)		
WS1580B	W91590B W91580C	W91590C						W91811AN W91813AN			28 27		W91811ALN			
	сои C0L2	XfY	R0W5 R0W4	28 27		1 2	C0L1 C0L2	X/Y	R0W5 R0W4			1 2	C0L1 C0L2	X/Y	ROW5 ROW4	26 27
3	C0L3		R0W3	26	3	C0L3		R0W3	26	3	C0L3		R0W3	26
4	C0L4		R0W2	25	4	C0L4		R0W2	25	4	COW		R0W2	25
5	COLS		R0W1	24	5	C0L5		ROW1	24	5	C0L5		R0W1	24
6	COLS		MUTE	23	6	C0L6		MUTE	23	6	C0L6		MUTE	23
7	C0L7		X	22	7	C0L7		LOCK	22	7	cow		LOCK	22
6	X		DRS	21	8	X		DRS	21	8	COLS		DRS	21
9	KT		U	20	9	KT		U	20	9	(KT		U	20
10	GND		MODE	19	10	GND		MODE	19	10	GND		MODE	19
11	OSCI		DTMF	18	11	OSCI		DTMF	18	11	OSCI		DTMF	18
12 из	osco		PULSE	17	12	osco		PULSE	17 16	12	osco		PULSE /C0L9	17 16
	XMUTE		HS			XMUTE		HS			XMUTE		HS	
14	HFI		HFO	15	14	HFI		HFO	15	14	HA		HFO	15
		г)					d)					e)		
	W91473B W91473C					W91473BL W91473CL					W91590BL W91590CL			
Рис. 2.21. Цоколёвки ИС ЭНН.
Большой выбор отечественных радиодеталей: микросхемы, транзисторы, диоды, стабилитроны и т.д. Вы можете приобрести оптом и в розницу в тонаре Р-12 на Митинском радиорынке в г. Москве. Получить прайс и сделать предварительный заказ можно по E-mail: a.kizluk@relcom.ru
69
1	СОИ		R0W4	18	1	C0L1		ROW4	18	1	C0L1		R0W4	18
2	C0L2	X/Y	R0W3	17	2	C0L2	X/Y	R0W3	17	2	C0L2	X/Y	R0W3	17
3	C0L3		R0W2	16	_3	C0L3		R0W2	16	3	C0L3		R0W2	16
4	C0L4		R0W1	15	4	C0L4		R0W1	15	4	C0L4		R0W1	15
-5	C0L5		MODE	14	5	X		'mode	14	5	KT		MODE	14
6	OSCI		DTMF	13	6	OSCI		СТ»	13	6	OSCI		DTMF	13
7	OSCO		PULSE	12	7	OSCO		PULSE	12	7	OSCO		PULSE	12
8	XMUTE		HS	11	8	XMUTE		HS	11	8	XMUTE		HS	11
9				10	9				10	9				10
	GND		и			GND		и			GND		u	
a)		6)		B)	
HM91550A	HM91620A	HT9202A	HT9302F	HT9102F	HM91512A
HM91551A	HM91650A	HT9202F	HT9302H	HT9302AT	HM91520A
HM91552A	HM91651A	HT9202H		HT93O2ALT	HM91521A
	HM91652A			HM91510A	HM91522A
				HM91511A	«Л91530А
	C0L1 C0L2	X/Y	R0W4 R0W3	18 17	1, 2	C0L1 C0L2	X/Y	R0W4 R0W3	18 17	1 2	HDI C0L1	w	HDO ROW4	20 19
3	C0L3		R0W2	16	3	C0L3		R0W2	16	3	C0L2		R0W3	18
4	C0L4		R0W1	15	4	C0L4		R0W1	15	4	C0L3		ROW2	17
5	LOCK		MODE	14	5	C0L5		MODE	14	5	C0L4		R0W1	16
6	OSO		DTMF	13	6	OSCI		DTMF	13	8	X		MODE	15
7	OSCO		PULSE	12	7	OSCO		PULSE	12	7	OSCI		DTMF	14
8	XMUTE		HS	11	8	XMUTE		HS	11	8	OSCO		PULSE	13
9	GND		и	10	9	GND		U	10	9	XMUTE		HS	12
		г7					d)			10	GND		u	11
														
	HT9202L HT9302A				HT9205A	HT9305AL	HT9313A HT9212A	HT9306A	HT9315A HT9215A	HT9312A	HT9315A1 HT9305A	HT9312AI	HT9315AL HT9305AI	HT9312AL	HT9316A						HT9202S			
1	C0L1		R0W4	20	1	TEST		KT	20	1	C0L1		R0W4	20
2	C0L2	X/Y	R0W3	19	2	C0L1	X/Y	R0W4	19	2	C0L2	X/Y	R0W3	19
3	C0L3		R0W2	18	3	C0L2		R0W3	18	3	C0L3		R0W2	18
4	C0L4		R0W1	17	4	C0L3		R0W2	17	4	C0L4		ROW1	17
5	KT		MODE	16	5	C0L4		R0W1	16	5	X		MODE	16
6	OSCI		DTMF	15	6	C0L5		MODE	15	6	OSCI		DTMF	15
7	OSCO		PULSE	14	7	OSCI		DTMF	14	7	OSCO		PULSE	14
8	XMUTE		HS	13	8	OSCO		PULSE	13	8	XMUTE		HS	13
9	GND		и	12	9	XMUTE		HS	12	9	GND		и	12
10	LCDO		CLOCK	11	10	GND		и	11	10	LCDO		CLOCK	11
		ж)										K)		
	HT9302CT				HT9305AT HT9312AT HT9315AT						HT9202C			
	HT9302CLT				HT9305AIT HT9312AIT HT9315AIT									
					HT9305ALT HT9312ALT HT9315ALT									
70
Рис. 2.22. Цоколёвки ИС ЭНН.
1 2	HDI C0L1	X/Y	HDO R0W4	22 21
3	C0L2		R0W3	20
4	C0L3		R0W2	19
У 5	C0L4		R0W1	18
6	X		MODE	17
7	OSCI		DTMF	16
8	osco		PULSE	15
9	XMUTE		HS	14
10	GND		u	13
11	HFI		HFO	12
1	TEST	X/Y	KT	22 21
	C0L1		ROW4	
3	C0L2		R0W3	20
4	C0L3		R0W2	19
5				18
	C0L4’<		R0W1	
6	C0L5		MODE	17
7				16
	OSCI		DTMF	
8	osco		PULSE	15
9				14
	XMUTE		HS	
10				13
	GND		u	
11				12
	LCDO		CLOCK	
a)
HT9202B
б)
HT930SCT НТ9312СТ НТ9315СТ
НТ9305С1Т HT9312CIT HT9315CIT
HT9305CLT HT9312CLT HT9315CLT
1 2	HDI C0L1	X/Y	HDO ROW4	22 21
3	C0L2		R0W3	20
4	C0L3		R0W2	19
5				18
	C0L4		R0W1	
6	KT		MODE	17
				16
	OSCI		DTMF	
8	osco		PULSE	
9				14
	XMUTE		HS	
10				13
	GND		и	" -
11	HFI		HFO	12
		e)		
НТ9302ВТ
HT9302BLT
1|			HDO	24
	HDI			
,2		X/Y		23
	C0L1		R0W4	
3				22
	C0L2		R0W3	
4	C0L3		R0W2	21
5				20
	COW		R0W1	
в	KT		MODE	19
7				18
	OSCI		DTMF	
8	OSCO		PULSE	17
9				16
	XMUTE		HS	
10	GND			15
			и	
11	HFI		HFO	14
12	LCDO		CLOCK	13
1	X		KT	24
2		X/Y		23
	HDI		HDO	
3	C0L1		R0W4	22
4	C0L2		ROW3	21
5				20
	C0L3		ROW2	
6				19
	C0L4		R0W1	
7	C0L5		MODE	18
8	OSCI		DTMF	17
9	OSCO		PULSE	16
10				15
	XMUTE		HS	
11				14
	GND		и	
12	HFI		HFO	13
1 2	HDI		HDO	24 23
	C0L1		R0W4	
3	C0L2		R0W3	22
4	C0L3		R0W2	21
5	C0L4		R0W1	20
6	X		MODE	19
7	OSCI		DTMF	18
8	osco		PULSE	17
9	XMUTE		HS	16
10	GND		и	15
11	HFI		HFO	14
12	LCDO		CLOCK	13
г) HT9302DT HT9302DLT
	d)	
HT9305BT	HT9312BT	HT9315BT
HT9305BIT	HT9312BIT	HT9315BIT
HT93O5BLT	HT9312BLT	HT9315BLT
е)
HT9202D
1	COLS		PULSE NMOS	18
2	C0L4 /КТ		PULSE CMOS	1/
3	C0L3		R0W4	16
. 4	C0L2		R0W3	15
5	C0L1		R0W2 /MB	14
6	OSCI		R0W1 /MODE	13
.7	OSCO		HS	12
i: 8	XMUTE		и	11
t 9	GND		DTMF	10
ж)
ЕМ91203АР ЕМ91210АР ЕМ91215АР ЕМ91220АР
1	C0L5	X/Y	PULSE NMOS	20
2	C0L4		PULSE	19
	/КТ		CMOS	18
3	C0L3		R0W4	
4	C0L2		R0W3	17
5	C0L1		ROW2	16
6	OSCI		ROW1	15
7	OSCO		HS	14
8	XMUTE		и	13
9	GND		DTMF	12
10	HFI		HFO	11
и)
ЕМ91203ВР	ЕМ91215ВР
ЕМ91210ВР	ЕМ91220ВР
1	X		LCDO	,22
2	C0L5		PULSE NMOS	21
3	C0L4		PULSE	20
	/КТ		CMOS	
4	C0L3		R0W4	19
5	C0L2		ROW3	18
6	C0L1		R0W2	17
7	OSCI		R0W1	16
8	OSCO		HS	15
9	XMUTE		и	14
10	GND		DTMF	13
11	HFI		HFO	12
К)
ЕМ91203СК	ЕМ91220СК
ЕМ91210СК
Рис. 2.23. Цоколёвки ИС ЭНН.
71
1 2	HS MODE	ХЛ'	R0W4 R0W3	16 15	1 2	HS MODE	X/Y	R0W4 ROW3	18 17	1 2	HFO HS	ХЛ'	HFI R0W4	18 17
3	OSCI		R0W2	14	3	osa		R0W2	16	3	MODE		R0W3	16
4	osco		R0W1	13	4	osco		ROW1	15	4	OSCI		R0W2	15
5	GND		C0L3	12	5	GND		C0L3	14	5	osco		R0W1	14
6	и		C0L2	11	6	U		C0L2	13	6	GND		C0L3	13
7	DTMF		C0L1	10	7	DTMF		C0L1	12	7	U		C0L2	12
В	XMUTE		PULSE	9	8	XMUTE		PULSE	11	8	DTMF		C0L1	11
					9				10					10
						MO		KT			XMUTE		PULSE	
UM91214A	UM91314A							6)					в)		
UM91215A	UM91315A														
UM91234A	UM91315AL					UM91214B	UM91314B					UM91214C	UM91236C		UM91316C	
UM91235A	UM91316A					UM91215B	UM91315B					UM91215C	UM91237C		UM91317C	
UM91235AL UM91317A					UM91234B	UM91316B					UM91234C	UM91314C		HT93214B	
UM91236A	НТ93214А					UM91235B	UM91317B					UM91235BL UM91315BL			HT93215B	
UM91237A	НТ93215А					UM91236B	HT93214AT					UM91235C	UM91315C			
					UM91237B	HT93215AT									
1	HFO		HFI	20		1	HFO		HFI	120	1	LOCK		X	20
2	HS	ХЛ'	R0W4	19	2	HS	X/Y	ROW	19	2	HFO	X/Y	HFI	19
3	MODE		R0W3	18	3	MODE		R0W3	18	3	HS		R0W4	18
4	OSCI		ROW2	17	4	OSCI		R0W2	17	4	MODE		R0W3	17
5	OSCO		R0W1	16	5	OSCO		ROW1	16	5	OSCI		R0W2	16
6	GND		C0L3	15	6	GND		C0L3	15	6	osco		R0W1	15
7	u		C0L2	14	7	U		C0L2	14	7	GND		C0L3	14
В	DTMF		C0L1	13	8	DTMF		C0L1	13	8	U		C0L2	13
9	XMUTE		PULSE	12	9	XMUTE		PULSE	12	9	DTMF		C0L1	12
10	MO		KT	11	10	LCDO		CLOCK	11	10	XMUTE		PULSE	11
		г)					д)					e)		
UM91214D		UM91236D		UM91316D		HT93214D					HT93214BL			
UM9121SD		UM912370		JM91317D		HT93215D					HT93215BL			
UM91234D		UM91314D		HT93214BT										
UM91235D		UM91315D		HT93215BT										
1	HFO		HFI	20	1	LOCK		X	20	1	LOCK		X	20
	HS	X/Y	R0W4	19	2	HS	X/Y	ROW4	19	2	HS	X/Y	R0W4	19
3	MODE		R0W3	18	3	MODE		ROW3	18	3	MODE		R0W3	18
4	OSCI		R0W2	17	4	OSCI		R0W2	17	4	OSCI		R0W2	17
5	OSCO		R0W1	16	5	OSCO		R0W1	16	5	osco		R0W1	16
6	GND		C0L3	15	6	GND		C0L3	15	6	GND		C0L3	15
7	U		C0L2	14	7	U		C0L2	14	7	и		C0L2	14
8	DTMF		C0L1	13	8	DTMF		C0L1	13	8	DTMF		C0L1	13
9	XMUTE		PULSE	12	9	XMUTE		PULSE	12	9	XMUTE		PULSE	12
10	HDO		HDI	11	10	MO		KT	11	10	LCDO		CLOCK	11
Ж)	U)	KJ
UM91235CL	HT93214ALT	HT93214CL
UM91315CL	HT93215ALT	HT93215CL
Рис. 2.24. Цоколёвки ИС ЭНН.
72
1	LOCK		X	18
2	HS	XJY	R0W4	17
3	MODE		R0W3	16
4	OSCI		R0W2	15
I S	OSCO		R0W1	14
6	GND		COL3	13
7	U		COL2	12
8,	DTMF		COL1	11
9	XMUTE		PULSE	10
a)
HT91314AL HT91315AL
•1				22
	LOCK		X	
		X/Y		21
	HFO		HFI	
3	HS		R0W4	20
4	MODE		R0W3	19
5	OSCI		R0W2	18
6	OSCO		R0W1	17
7	GND		C0L3	16
8	U		C0L2	15
9	DTMF		C0L1	14
10	XMUTE		PULSE	13
11	LCDO		CLOCK	12
г) HT93214DL HT93215DL
1	HS		R0W4	18
2	MODE	X/Y	R0W3	17
	OSCI		R0W2	16
4	osco		R0W1	15
5	GND		C0L3	14
6	U		C0L2	13
7	DTMF		C0L1	12
8	XMUTE		PULSE	11
9	LCDO		CLOCK	10
б)
НТ93214С НТ93215С
1	HFO		HFI	22
2	HS	X/Y	R0W4	21
3	MODE		R0W3	20
4	OSCI		R0W2	19
5	OSCO		R0W1	18
6	GND		C0L3	17
7	U		C0L2	16
8	DTMF		C0L1	15
9	XMUTE		PULSE	14
10	MO		KT	13
11	LCDO		CLOCK	12
		d)		
HT93214DT
HT93215DT
1	HS		R0W4	20
		X/Y		19
	MODE		R0W3	
3	OSCI		R0W2	18
4	OSCO		R0W1	17
5	GND		C0L3	16
6	U		C0L2	15
7	DTMF		C0L1	14
8	XMUTE		PULSE	13
9	MO		KT	12
10	LCDO		CLOCK	11
в)
НТ93214СТ НТ93215СТ
1	HFO		HFI	22
		X/Y		21
	HS		R0W4	
3	MODE		R0W3	20
4	OSCI		R0W2	19
5	OSCO		R0W1	18
6	GND		C0L3	17
7	U		C0L2	16
8	DTMF		C0L1	15
9	XMUTE		PULSE	14
10	HDO		HDI	13
11	C0L4		KT	12
		e)		
UM91235DL
UM91315OL
1	LOCK		X	22
		X/Y		21
	HFO		HFI	
3	HS		R0W4	20
4	MODE		R0W3	19
5	OSCI		R0W2	18
6	OSCO		R0W1	17
7	GND		C0L3	16
8	U		C0L2	15
9	DTMF		C0L1	14
10	XMUTE		PULSE	13
11	MO		KT	12
		Ж)		
HT93214BLT
HT93215BLT
1	LOCK-		X	22
2	HS	X/Y	R0W4	21
3	MODE		R0W3	20
4	OSCI		R0W2	19
5	OSCO		R0W1	18
6	GND		C0L3	17
7	U		C0L2	16
8	DTMF		C0L1	15
9	XMUTE		PULSE	14
10	MO		KT	13
11	LCDO		CLOCK	12
и)
HT93214CLT
HT93215CLT
1	LOCK		X	24
		XJY		23
	HFO		HFI	
3	HS		R0W4	22
4	MODE		ROW3	21
5	OSCI		R0W2	20
6	OSCO		R0W1	19
7	GND		C0L3	18
8	U		C0L2	17
9	DTMF		C0L1	16
10	XMUTE		PULSE	15
11	MO		KT	14
12	LCDO		CLOCK	13
К)
HT93214DLT
HT93215DLT
Рис. 2.25. Цоколёвки ИС ЭНН.
73
	£	СОИ		R0W4	20
		X/Y		19
	C0L2		R0W3	
3	C0L3		ROW2	18
4	C0L4		R0W1	17
5	C0L5		MODE	16
6	osa		DTMF	15
7	OSCO		PULSE	14
8	XMUTE		HS	13
9	GND		U	12
10	LCDO		CLOCK	11
a)
HT9205B	HT9312CI
HT9205C	HT9312CL
HT9205K	HT9313C
HT9212C	HT9315C
HT9215C	HT9315CI
HT9305C	HT9315CL
HT9305CI	HT9316C
HT9305CL	HT9212B
HT9306C	HT9215B
HT9312C
1				122
	HDI		HDO	
		X/Y		21
	C0L1		ROW4	
3	C0L2		R0W3	20
4	C0L3		R0W2	19
5	’ C0L4		R0W1	18
6	C0L5		MODE	17
7				16
	OSCI		DTMF	
8	OSCO		PULSE	15
9				14
	XMUTE		HS	
10				13
	GND		U	
11	HR		HFO	12
б)
HT9115B HTS305B HT9305BI HT930SBL
HT9306B
HT9312B HT9312B1 HT9312BL
HT9313B
HT9315B
HT9315BI
HT931SBL
HT9315B
HM91550B
HM91551B
HM91620B HM91650B HM91651B
1 2	HDI	X/Y	HDO	24 23
	C0L1		R0W4	
3	C0L2		R0W3	22
4	C0L3		R0W2	21
5	C0L4		R0W1	20
6	C0L5		MODE	19
7	OSCI		DTMF	18
8	OSCO		PULSE	17
9	XMUTE		HS	16
10	GND		и	15
11	HFI		HFO	14
12	LCDO		CLOCK	13
«)
HT9205D	HT9312D
HT9212D	HT9312DI
HT9215D	HT9312DL
HT9305D	HT9313D
HT9305D1	HT9315D
HT9305DL	HT9315DI
HT9306D	HT9315DL HT9316D
1] 2	C0L8 STORE	X/Y	C0L7 C0L6	28 27		C0L8 LCDO	X/Y	C0L7 C0L6	28 27		C0L8 KT	X/Y	C0L7 C0L6	28 27
3	R0W1		C0L5	28	3	R0W1		C0L5	28	3	R0W1		C0L5	26
4	R0W2		C0L4	25	4	R0W2		C0L4	25	4	ROWS		C0L4	25
5	R0W3		C0L3	24	5	R0W3		C0L3	24	5	R0W3		C0L3	24
6	R0W4		C0L2	23	6	ROW4		COLS	23	6	R0W4		COLS	23
7	R0W5		C0L1	22	7	R0W5		C0L1	22	7	R0W5		C0L1	22
8	HS		PULSE	21	8	HS		PULSE	21	8	HS		PULSE	21
9	M/B		HFO	20	9	CLOCK		HFO	20	9	X		HFO	20
10	HFI		XMUTE	19	10	HFI		XMUTE	19	10	HR		XMUTE	19
11	MODE		DTMF	18	11	MODE		OTMF	18	11	MODE		DTMF	18
12	OSCI		HDI	17	12	OSCI		HDI	17	12	OSCI		HDI	17
13	OSCO		HDO	16	13	OSCO		HDO	16	13	OSCO		HDO	16
14	и		GND	15	14	и		GND	1S	14	и		GND	15
г)		6)		e)
HT9220A	HT9320A	HT9220B	HT9320B	HT9220K
HT9220H	HT9320H	HT9220L	HT9320L	HT9320K
Рис. 2.26. Цоколёвки ИС ЭНН
				
	1				
	C0L1		ROW5	
		X/Y		23
	C0L2		R0W4	
3	C0L3		ROW3	22
4	C0L4		ROWS	21
5	GND		R0W1	20
6	OSCI		U	,19
< 7	OSCO		M/B	
8	XMUTE		LOCK	17
9				16
	HS		MODE	
10	PULSE		MUTE	15
11			KT	14
	DTMF			
12			HFO	13
	HFI			
а)
EM914SLB	HT9245BL
HT9214BL	HT9246BL
HT9242BL
...	i 2	C0L8	X/Y	C0L7	22 21
	R0W1		C0L6	
, 3	ROWS		C0L5	20
4	R0W3		C0L4	19
5	R0W4		C0L3	18
6	R0W5		C0L2	17
( 7	HS		C0L1	16
8	MODE		PULSE	15
9	OSCI		XMUTE	14
10	OSCO		DTMF	13
i _u	(J		GND	12
1 y.	г) HT9220C	HT9320C			20
1	C0L1		ROW4	
2	C0L2	X/Y	R0W3	19
F —	C0L3		R0W2	18
. i	C0L4		ROW1	17
•Ж 5	LOCK		MODE	16
'» 6	OSCI		DTMF	15
-L	OSCO		PULSE	14
8	XMUTE		HS	13
, 9	GND		U	12
10	LCDO		CLOCK	11
i 1 •		ж) HT9302E		
	1				24
	C0L1		R0W5	
		X/Y		23
	C0L2		ROW4	
3	C0L3		R0W3	22
4	C0L4		R0W2	21
5	GND		ROW1	20
6				19
	OSCI		U	
7				18
	OSCO		M/B	
8	XMUTE		LOCK	17
9				16
	HS		MODE	
10	PULSE		MUTE	15
11				14
	DTMF		KT	
12			CLOCK	13
	LCDO			
б)
HT9214CL	HT9245CL
HT9242CL	HT9246CL
1 2	C0L1	X/Y	R0W5	24 23
	C0L2		R0W4	
3	C0L3		R0W3	22
4	C0L4		R0W2	21
5	GND		R0W1	20
6	OSCI		U	19
7	OSCO		M/B	18
8	XMUTE		TEST	17
9	HS		MODE	16
10	PULSE		MUTE	15
11	DTMF		KT	14
12	HFI		HFO	13
б) НТ9242В НТ9245В НТ9246В
				22
	HDI		HDO	
		X/Y		21
	C0L1		R0W4	
3	C0L2		R0W3	20
4	C0L3		R0W2	19
5	C0L4		ROW1	18
6				17
	LOCK		MODE	
7	OSCI		DTMF	16
8	OSCO		PULSE	15
9				14
	XMUTE		HS	
10				13
	GND		и	—	
11	HFI		HFO	12
и)
НТЭ302С
Рис. 2.27. Цоколёвки ИС ЭНН
1	HDI		HDO	24
2		X/Y		23
	C0L1		R0W4	
3				22
	C0L2		R0W3	
4	C0L3		R0W2	21
5				20
	C0L4		R0W1	
6				19
	LOCK		MODE	
7	OSCI		DTMF	18
8	OSCO		PULSE	17
9				16
	XMUTE		HS	
10	GND		U	15
11	HFI		HFO	14
12	LCDO		CLOCK	13
•)
HT9302D
1				24
	C0L1		R0W5	
2		X/Y		23
	C0L2		R0W4	
3	C0L3		R0W3	22
4	C0L4		R0W2	21
5	GND		ROW1	20
				19
	OSCI		U	
7	OSCO		M/B	18
8	XMUTE		DRS	17
9				16
	HS		MODE	
10	PULSE		MUTE	15
11			KT	14
	DTMF			
12			HFO	13
	HFI			
а) НТ9214В
1	C0L1		R0W1	22
2	C0L2	X/Y	R0W2	21
3	C0L3		R0W3	20
4	C0L4		R0W4	19
5	MODE		KT	18
6	DRS		MUTE	17
7	M/B		XMUTE	16
8	HS		PULSE	15
9	GND		GNDC	14
10	OSCI		DTMF	13
11	OSCO		U	12
к)
STC2580C
74
75
	1	C0L8		C0L7	28
2	ON/OFF	X/Y	C0L8	27
3	STORE R0W1		COLS	26
4	R0W2		C0L4	25
5	R0W3		C0L3	24
6	R0W4		C0L2	23
7	ROWS		C0L1	22
В	HS		PULSE	21
9	М/В		HFO	20
10	HFI		XMUTE	19
11	MODE		DTMF	1B
12	OSCI		STORE	17
13	OSCO		кт	16
14	u		GND	15
	1	C0L8		C0L7	28
2	ON/OFF	X/Y	C0L6	27
3	STORE R0W1		C0L5	26
4	ROW2		C0L4	25
5	R0W3		C0L3	24
6	R0W4		C0L2	23
7	R0W5		C0L1	22
8	HS		PULSE	21
9	M/B		MUTE.	20
10	MO		XMUTE	19
11	MODE		DTMF	18
12	OSCI		STORE	17
13	OSCO		KT	16
14	и		GND	15
	1	C0L8		C0L7	28
2	R0W1	X/Y	COLS	27
3	R0W2		C0L5	26
4	R0W3		C0L4	25
5	R0W4		C0L3	24
6	R0W5		C0L2	23
7	HS		C0L1	22
8	M/B		PULSE	21
9	MO		XMUTE	20
10	MODE		DTMF	19
11	OSCI		HDI	18
12	OSCO		HDO	17
13	и		HFI	16
14	GND		HFO	15
a)
HM9120
HM9121
HM9121C
б)
UM91271
UM91272
в)
UM91273A	UM91273D
UM91273B	UM91273E
UM91273C
1	MO		STORE	28
2	MUTE	X/Y	MODE	27
3	u		ROWS	28
4	XMUTE		R0W4	25
5	PULSE		R0W3	24
6	DTMF		R0W2	23
7	M/B		R0W1	22
8	OSCO		HS	21
9	OSCI		C0L1	20
10	DRS		C0L2	19
11	COLB		C0L3	18
12	C0L7		C0L4	17
13	COLS		PAGE	16
14	COLS		GND	15
1				28
	X		X	
2		XJY		27
	X		KT	
3				26
	HDI		HDO	
4	C0L1		R0W4	25
5				24
	C0L2		R0W3	
6	C0L3		R0W2	23
7				22
	C0L4		R0W1	
8	C0L5		MODE	21
9				20
	OSCI		DTMF	
10				19
	OSCO		PULSE	
11				[18
	XMUTE		HS	
12	GND			17
			U	
13	HFI		HFO	16
14	LCDO		CLOCK	15
				
1 2	HDI C0L1	X/Y	HDO R0W5	28 27
3	C0L2		ROW4	28
4	C0L3		R0W3	25
5	C0L4		R0W2	24
6	GND		R0W1	23
7	OSCI		и	22
8	OSCO		M/B	21
9	XMUTE		LOCK	20
10	HS		MODE	19
11	PULSE		MUTE	18
12	DTMF		KT	17
13	HFI		HFO	16
14	LCDO		CLOCK	15
е)
UM91270	305DT	HT9312DT	HT9315DT	HT9214DL
UM91270A	J305DIT	HT9312DIT	HT9315DIT	HT9242DL
UM91270B	J305DLT	HT9312DLT	HT9315DLT	, HT9245DL
HT9246DL
. 2.28. Цоколёвки ИС ЭНН.
76
С1 100
ZQ480 кГц[-1
С2 100
OSCI
OSCO
UM91214A, КР1008ВЖ27 и др.
а)
KS5804, иМ91260Сидр.
б)
KS5805A, КР1008ВЖ14 И Др.
в)
KS5851, КР1008ВЖ10 И др.
С147 6
R1 300k
д)
CICG102E	UMG151
CICG104E	UM9151-3
FT9151-3	WEG102
КР1008ВЖ17	WE9104
КР1008ВЖ5 (А,Б)
КР1008ВЖ7 (А,Б)
КР1064ВЖЗ	КР1086ВЖ1
КР1064ВЖ7	КР1086ВЖ2
КР1008ВЖ1 КР1008ВЖ2В КР1083ВЖЗ
КР1008ВЖ29
КР1002ХЛ2
ж)
Рис. 2.29. Подключение времязадающих элементов генераторов ИС ЭНН.
сс	)L1 СС 2^,	12 СС	L3 СС ^М1^	L4	СС 1	)L1 СС	12 СС	L3 СС ^М1^	L4
	5	6	^М2^	—— Kuvvi 4	5	6		rXUWl
1^				" KUVVZ	" "^			М3	IXUVVZ
*					 IMJVVO *			РЛ-	KUVVO 	 DfMAM
REDIAL’	STORE	AUTO	PAUSE		 KUW4 REDIAL	STORE	AUTO	FLASH	KUW4
a) CIC9145E, VT9145 и W9145	б) НМ9112А, НМ9113А, НТ9214А,В								
Рис. 2.30. Подключение клавиатуры ИС ЭНН.
77
5 S р
W
Д § я k 3 д л и Я ф «
Я I
К § § «
Щ	80 мс 40 мс	
PULSb	i	740 мс UM9151	J		,чимс	IHI II	II II I	i
UM9151-3	.9.	•	40 мс
КР1ПЛЯЯЖ17			
muteI	t	
PULSE
PULSE
НМ9100А1 г
НМ9100В U
WE9192B MUTE
UM91610A
MUTE
60 мс 40 мс
'780 мс	п п п	840 мс
40 мс
800 мс
60 мс 40 мс п п п
840 мс
5 мс
PULSE
KS5805A	,0
KS58O5B u*
MUTE
60 мс 40 мс
840 мс	п п п	840 мс	п п	t
5				мс
				t 	>.
<0
Рис. 2.32. Временные диаграммы выходов импульсного (NSI) и разговорного (NSA) ключей ИС ЭНН
OB о
набор цифры 3
Рис. 2.33. Временные диаграммы выходов импульсного (NSI) и разговорного (NSA) ключей ИС ЭНН.
начало набор цифры 4 набора
800 мс
В40 мс
840 мс
40 мс
40 мс
760 мс
PULSE
UM91210C
MUTE
15'мс
800 мс
815 мс
15 мс
набор цифры 3
конец набора
60 мс 40 мс
60 мс 40 мс
Ч PULSE ‘
MUTE --- oL
Ч.
KS58C20N J -
6-79
PULSE UM91650B HT9102F	.
НТ9115В	1
HM9110DM(JTC
40тс
40 мс
PULSE НМ9112А CIC9145E . VT9145 v'ra145 MUTE
PULSE
KS5851
KS5853	0
КР1008ВЖ10 Ч.
40тс
	60 мс 40тс 1 п п п	830 мс	790 мс	t	
4С	мс		h		
	60 мс 40 мс		п п					
	_плл_	865 мс		855 мс	:	(
MUTE
ol-----L__--------------
начало набор цифры 4 набора
Рис. 2.34. Временные диаграммы выходов импульсного (NSI) и разговорного (NSA) ключей ИС ЭНН.
3. РАЗНОВИДНОСТИ И ОСОБЕННОСТИ СХЕМ УЗЛОВ ТА
Рассмотрим работу отдельных узлов ТА, их схемное построение, разновидности и особенности работы.
3.1. ВЫЗЫВНОЕ УСТРОЙСТВО (ВУ)
Рис. 3.1. Схема простейшего ВУ.
Схема ВУ, применяемая в большинстве недорогих импортных ТА, приведена на рис. 3.1. Выключатель SA1 предназначен для отключения звонка. Конденсатор С1 является разделительным для постоянного тока линии. Его сопротивление переменному сигналу индукторного вызова составляет 12 кОм.
Схема представляет собой мультивибратор, который работает на частоте резонанса пьезоэлектрического излучателя порядка 3,5 кГц.
Пьезоэлектрический излучатель представляет собой металлическую пластину "В", на которой размещен кристалл искусственного пьезоэлектрика (двуокись кремния). Внешняя поверхность кристалла металлизирована двумя контактными плоскостями "R” и "G" . Если приложить напряжение между пластиной - В и одной из плоскостей металлизации - "R”, то кристалл будет деформироваться и, тем самым, создавать звуковые колебания. Упругие колебания кристалла в свою очередь генерируют напряжение на гранях кристалла (на плоскости металлизации - "G").
ВУ работает следующим образом.
Напряжение положительного полупериода вызывного сигнала через конденсатор С1 и резистор R1, являющийся коллекторной нагрузкой транзистора VT1, прикладывается к обкладкам ”В" - "R" пьезоэлектрика, что приводит к деформации последнего и излучению
звукового сигнала, усиливаемого металлической мембраной (обкладкой) - "В".
Деформация пьезоэлектрика, вызванная приложенным к обкладкам "В” - "R" напряжением, вызывает появление напряжения положительной полярности между обкладками "В" - "G". Через резистор R3, ограничивающий ток базы, это напряжение прикладывается к эмиттерному переходу VT1 и открывает его. Открытый транзистор шунтирует обкладки "В" - “R", что приводит к уменьшению приложенного к ним напряжения и, как следствие, обратной деформации пьезоэлектрика.
Обратная деформация пьезоэлектрика вызывает появление напряжения отрицательной полярности между обкладками "В” - "G”, которое через резистор R3 прикладывается к переходу эмиттер - база транзистора VT1 и запирает его.
Закрытый транзистор обладает большим сопротивлением, вследствие чего практически все напряжение вызывного сигнала вновь прикладывается к обкладкам "В" - "R" пьезоэлектрика и вновь вызывает его деформацию, появление положительного напряжения, открывание транзистора, т.е. процесс повторяется.
Таким образом, на протяжении положительного полупериода вызывного сигнала АТС частотой 25 Гц, возникают автоколебания с резонансной частотой пьезоэлектрика равной приблизительно 3,5 кГц. Отрицательный полупериод вызывного сигнала запирает транзистор и автоколебания прекращаются.
Резистор R2 устанавливает начальное смещение на базе транзистора VT1.
Следует отметить, что номиналы конденсатора С1 и сопротивлений Rl + R3 могут отличаться от приведенных на схеме, так как в определенных пределах не оказывают существенного влияния на ее работу.
При замене транзистора VT1 на транзистор структуры р-п-р схема будет работать аналогично, с тем лишь отличием, что автоколебания будут возникать во время отрицательного полупериода вызывного сигнала.
82
Если на входе вызывного устройства установить диодный мост VD1 + VD4 (рис. 3.2), то генератор будет работать при обоих полупериодах вызывного сигнала, что приведет к увеличению громкости I эвучания. Стабилитрон VD5 с напряжением стабили-эации порядка 36 + 47 В устраняет подзвонку пьезоэлектрического излучателя при наборе номера, т.к. для величины напряжения коммутации линии он представляет значительное сопротивление, в то время как для вызывного сигнала он препятствия практически не оказывает. В спаренном телефоне это устраняет непрерывное пощелкивание.
Необходимо убедиться в том, что пластина пьезоэлектрического излучателя не стеснена (сжата) элементами её крепления или другими деталями ТА, что может привести к снижению громкости ВУ.
Увеличить громкость пьезоизлучателя можно также путём увеличения площади центрального электрода "G" в 2 + 3 раза, сделав прорезь на металлизированной поверхности электрода "R" и соединив отделённую часть с электродом "G".
Рис. 3.2. Доработанная схема ВУ.
В отечественных ТА в качестве ВУ часто используется схема на специализированной ИС КР1008ВЖ4, которую производит концерн "РОДОП" в г. Ивано-Франковске. Микросхема позволяет воспроизводить три различные мелодии вызывного сигнала с соотношениями частот: 5/6; 4/5; 4/6/5.
Основные электрические параметры ИС КР1008ВЖ4:
«ение статического потенциала составляет 30 В.
RC2 R2 С2
C1 R1 RC1	ВС	GNO и
Рис. 3.3. Структурная схема ИС КР1008ВЖ4.
-напряжение питания Ucc = 6 + 15 В.
-ток потребления 1сс - не более 50 мкА (при Ucc = 6 В), - не более 100 мкА (при Ucc = 15 В).
Микросхема требует внимательного обращения, так как допустимое зна-
Структурная схема ИС представлена на рис. 3.3, назначение выводов в таблице 3.1.
Программируемый делитель частоты имеет три фиксированных коэффициента деления: 20, 24, 30. Порядок чередования этих коэффициентов определяется подачей двухразрядного двоичного кода на входы N1 и N2 (табл. 3.2), а скорость чередования устанавливается тактовым генератором. Высота звука вызывного сигнала определяется опорной частотой тонального генератора.
Выходной сигнал, формируемый на выходах L1 и
L2, при соответствующей схеме включения нагрузки обеспечивает ступенчатое нарастание уровня громкости. Первая посылка - малый уровень, вторая посылка - средний, третья и последующие посылки - максимальный. Данный режим обеспечивается благодаря тому, что во время первой посылки на выводах L1 и L2 формируются противофазные сигналы, во время второй - сигнал присутствует только на выводе L2 (на L1 - уровень логической 1), во время третьей - противо-
h
83
фазные сигналы. Вход S (вывод 5) при этом необходимо подключить к нулевой шине питания ИС. Прн соединении его с положительной шиной (вывод 8) максимальная громкость вызывного сигнала будет присутствовать во всех посылках.
ИС обеспечивает подавление импульсных помех по входу ВС длительностью менее 250 мс.
Табл. 3.1. Назначение выводов микросхемы КР1008ВЖ4.
Вывод ИС	Обозначение	Назначение
1	GND	Общий вывод.
2	RC2	Вход подключения времязадающих элементов тонального генератора.
3	R2	Вход подключения резистора, задающего частоту тонального генератора.
4	С2	Вход подключения конденсатора, задающего частоту тонального генератора.
5	S	Вход управления уровнем громкости посылок вызова.
6	L2	Выход звуковой частоты.
7	L1	Выход звуковой частоты.
8	и	Напряжение питания.
9	N1	Вход программирования мелодии вызывного сигнала.
10	N2	Вход программирования мелодии вызывного сигнала.
11	ВС	Вход разрешения запуска.
12	С1	Вход подключения конденсатора, задающего частоту тактового генератора.
13	R1	Вход подключения резистора, задающего частоту тактового генератора.
14	RC1	Вход подключения времязадающих элементов тактового генератора.
Табл. 3.2. Программирование мелодии вызывного сигнала.
Логический уровень на входах		Порядок чередования коэффициентов
N1 (вывод 9)	N2 (вывод 10)	
0	0	Начальная установка
0	1	20/24
1	0	24/30
1	1	20/30/24
Рассмотрим работу ВУ по схеме, приведенной на рис. 3.4.
Сигнал вызова абонента через ограничивающий резистор R1 и разделительный для постоянного тока линии конденсатор С1 поступает на диодный мост VD1 + VD4.
Выпрямленный сигнал ограничивается стабилитроном VD6 до величины 10 В и через диод VD7 поступает на вход питания ИС (вывод 8). Светодиод VD5 не является обязательным элементом схемы и предназначен для оптического дублирования вызывного сигнала.
Наличие напряжения "высокого" уровня на выводе 11 ИС разрешает запуск тонального и тактового генераторов.
Интегрирующая цепь R5, С6 в момент прихода первого вызывного сигнала формирует "низкий" уровень на выводе 10 ИС, осуществляя этим начальную установку микросхемы.
84
Рис. 3.4. Схема вызывного устройства на ИС КР1008ВЖ4.
По окончании зарядки конденсатора С6 на выводах 9 и 10 ИС устанавливается код (N1 - ”0", N2 - ”1”). Этот код соответствует выбору коэффициентов деления 24 и 20 (см. табл. 3.2) программируемого делителя частоты, который будет изменять их с частотой тактового генератора (10 Гц), формируя на выводах 6 и 7 ИС два чередующихся сигнала с соотношением частот 5/6. При номиналах, указанных в схеме опорная частота тонального генератора равна 51 кГц.
Подключенный к выводам 6 и 7 ИС пьезоэлектрический излучатель
«формирует двухтональный сигнал вызова.
По окончании первой посылки вызывного сигнала диод VD7 запирается, что предотвращает разряд конденсатора С5, поддерживающего питание ИС до следующей посылки. Время между двумя последовательными посылками вызова составляет 4 с.
По окончании вызывного сигнала конденсатор С5 разряжается через резистор R5. Конденсатор С2 защищает ВУ от импульсных помех.
Схема, приведенная на рис. 3.5, позволяет изменять код на входах N1 и N2 в соответствии с таблицей 3.2, выбирая переключателями SA1 и SA2 тональность вызывного сигнала. Схема включения нагрузки позволяет также обеспечить ступенчатое нарастание уровня громкости. Общий уровень громкости регулируется потенциометром R9.
Рис. 3.5. Схема ВУ на ИС КР1008ВЖ4 с программированием мелодии вызывного сигнала и ступенчатым нарастанием уровня громкости.
85
В настоящее время ОАО "СВЕТЛАНА" в г. С-Петербурге выпускает специализированную микросхему вызывного устройства КР1064ПП1, структурная схема которой приведена на рис. 3.6, назначение выводов в табл. 3.3. Зарубежный аналог фирмы "SGS-THOMSON" - L3240. Аналогичные микросхемы производят НПО "ЭЛЕКТРОНИКА" в г. Воронеже - КР1091ГП1 и концерн "РОДОН" в г. Ивано - Франковске - КР1085ПП1.
Рис. 3.6. Структурная схема ИС КР1064ПП1.
Табл. 3.3. Назначение выводов ИС КР1064ПП1, КР1091ГП1, КР1085ПП1.
Вывод ИС	Обозначение	Назначение
1	LN1	Вход напряжения переменного тока.
2	GND	Общий вывод.
3	С	Вывод подключения конденсатора, управляющего переключениями частот, fnep. = 750/С(нФ).
4	R	Вывод подключения резистора, управляющего тоном звуковой частоты, f> = 3,56x104/R(kOm); f2 = fi/1,38.
5	OUT1	Выход напряжения звуковой частоты.
6	OUT2	Инверсный выход напряжения звуковой частоты.
7	и	Напряжение питания. (Ucc < 32 В).
8	LN2	Вход напряжения переменного тока.
сз 10mk х50В
BQ1
ЗП-5
Рис. 3.7. Схема включения ИС ВУ КР1064ПП1.
Микросхема генерирует сигнал с двумя периодически переключающимися частотами (с соотношением 1,38) и непосредственно управляет пьезоэлектрическим излучателем. Встроенный гистерезис блокирует возможность ошибочного запуска от помех в линии и импульсов номеронабирателя. Напряжение включения ИС находится в пределах 12,1 + 13,1 В. Напряжение выключения - 7,9 + 8,9 В. Ток вызова без присоединённой нагрузки Icc < 1,8 мА. Амплитуда выходного напряжения иных. = (Ucc - 5) В.
Схема включения приведена на рис. 3.7. Конденсатор С2 устанавливает значение частоты, управляющей переключением звуковых частот, резистор R2 (8,2 + 56 кОм) опре
деляет тон звуковой частоты. Изменение номиналов С2 и R2 в широких преде-
лах позволяет получить на выходе сигнал близкий по звучанию сирены.
Микросхемы фирмы "SGS-THOMSON" - LS1240, LS1240A, LS1241 и "SIEMENS" - PSB6520-2, PSB6521-2, PSB6523-T включаются по такой же схеме. У них отсутствует инверсный выход напряжения звуковой частоты (вывод 6 не подключен к внутренним цепям ИС).
88
ОАО "АНГСТРЕМ" в г. Москве (Зеленоград) выпускает ИС вызывного устройства КР5001ГП1 (зарубежный аналог - LS1240A). Микросхема включается по такой же схеме как н КР1064ПП1 (рис. 3.7) и полностью заменяет её. В КР1051ГП1 до 2001 отсутствовал инверсный выход напряжения звуковой частоты (вывод 6 не был подключен к внутренним цепям ИС). С 2001 года КР5001ГП1 выпускается с задействованным выводом 6, который служит для регулировки порога включения. Фактически теперь это аналог КА2418.
В ИС фирмы "SAMSUNG" КА2418 и
Рис. 3.8. Схема включения ИС ВУ КА2418 (КР5001ГП1).
В. НПО "ИНТЕГРАЛ" в г. Минске выпускает
Рис. 3.9. Схема преобразования сигнала индукторного вызова в звуковой сигнал увеличенной громкости.
VD2 фор-напряже-сигнала Загорает-
КА2428 можно снизить напряжение включения до 8 + 10 В (отключить гистерезис), подключив резистор R2 (порядка 1 кОм) с вывода 6 (вход установки иапря-! жения включения) иа вывод 7 (рис. 3.8). Изменяя сопротивление резистора R2 от 1 К  до 91 кОм можно изменять напряжение включения от 8 + 10 В до 12,2 -t-13 В. Напряжение выключения - 8 + 8,8
I КА2418 с маркировкой ВТ2418. ИС КР1064ПП1 можно использовать в схеме звонка для слабослышащих (рис. 3.9). Дополнительное напряжение 12 + 27 В необходимо для питания звонка. При поступлении сигнала индукторного вызова на прямом и инверсном выходах
I ИС КР1О64ПП1 появляются прямоугольные импульсы и на катодах диодов VD1, мируется постоянное ние длительностью индукторного вызова,
ся светодиод транзисторного оптрона DA2 АОТПОА, открывается транзистор оптрона,
I транзистор VT1 и звенит зво-г нок. Вместо звонка можно ис-I пользовать лампу накаливания I или и то и другое вместе. За-
щитный диод VD3, включенный параллельно звонку, при использовании лампочки г ие нужен. Резистор R5 снимает остаточный заряд базы. Это необходимо для более быстрого переключения транзистора оптрона. Если вывод 6 ИС КР1064ПП1 отключить, то необходимо добавить конденсатор ёмкостью 1 мкФ между выводами 1
В 8,И 5 оптрона. Диоды VD1 и VD2 в этом случае следует исключить.
Если применяется звонок, который потребляет ток менее 200 мА, его Е следует подключить непосредственно к выводу 1 оптрона и плюсу питания. Хороший эффект можно получить, применив небольшое звуковое устройство, используемое в автомобильной сигнализации.
Вместо оптрона АОТПОА (1к щах = 200 мА, Uk = 30 В) можно использовать АОТ127А (Ik max — 70 мА, Uk = 30 В). Возможны различные варианты с использованием реле постоянного тока вместо транзистора VT1 и резисторов R6 и R7. Для подключения лампы на напряжение 220 В можно применить оптоэлектронное реле 5П19Т1 производства ОАО "ПРОТОН-ОПРОЭЛЕКТРОНИКА", г. Орёл (схема рис. 3.10).
к R3 HL1 <200 Вт
□А25П1ЭТ
Рис. 3.10.
87
Рис. 3.11. Структурная схема ИС ВУ КР1436АЛ1 и её аналогов.
НПО "ИНТЕГРАЛ" в г. Минске производит микросхемы вызывного устройства КР1436АП1 (аналог КА2410) и КР1436АП2 (аналог КА2411). В экспортном исполнении эти ИС маркируются как FT241O и FT2411.
Структурная схема этих микросхем приведена на рис. 3.11, назначение выводов - в табл. 3.4. Микросхемы генери-
руют сигнал с двумя периодически переключающимися частотами с соотношением 1,25.
Микросхемы для ВУ,
выпускаемые многими фирмами, можно разделить на две основные группы:
1) КР1436АП1, FT2410, КА2410, ML8204, CS8204, DBL5001, ТА31001,
KIA6401P, Т5876Н, ТА3100Р;
2) КР1436АП2, FT2411, КА2411, ML8205, ВА8205, CS82O5, DBL5002, ТА31002Р, CIC9106A, WTC9106.
Табл. 3.4. Назначение выводов ИС ВУ КР1436АП1 и её аналогов.
Вывод ИС	Обозначение	Назначение
1	и	Напряжение питания.
2	ВС	Вход управления.
3	RC1	Вход генератора низкой частоты.
4	R1	Выход генератора низкой частоты.
5	GND	Общий вывод (OV).
6	R2	Выход генератора высокой частоты.
7	RC2	Вход генератора высокой частоты.
8	OUT	Выход напряжения звуковой частоты.
Эти группы микросхем отличаются назначением входа управления (вывод 2). Основные характеристики у них одинаковы:
•	Напряжение включения ИС находится в пределах 17 + 21 В (типовое 18 В).
•	Напряжение выключения - 9,7 + 12 В (типовое 11 В).
• Напряжение питания Ucc S 29 В.
•	Ток потребления без присоединённой нагрузки 1сс = 1,4 + 4,2 мА (типовой ток потребления 2,5 мА).
•	Размах выходного напряжения равен величине напряжения питания ИС.
Для первой группы: При неподключенном выводе входа управления напряжение включения ИС соответствует основным характеристикам. Подсоединением входа управления через резистор Rbc к выводу напряжения питания (U) можно отключить триггер Шмидта (рис. 3.11) и напряжение включения ИС будет приблизительно равно напряжению отключения (9 + 12 В). Сопротивление резистора RBc должно быть не менее 20 кОм и не более (Ucc - 11)/0,01 (кОм). Типовое сопротивление RBc при напряжении питания 12 В составляет 51 кОм, а при Ucc = 27 В сопротивление Rbc = 220 кОм. Подключение входа управления на корпус позволяет принудительно отключить генерацию при напряжении питания ИС равном рабочему.
Для второй группы: Резистор Rbc, подключенный с вывода входа управления на корпус, позволяет изменять входное сопротивление микросхемы. При изменении сопротивления резистора от 3,6 кОм до 16 кОм ток потребления ИС
88
 изменяется от 4,5 мА до 1,1 мА (большему сопротивлению Rbc соответствует меньший ток потребления ИС). В основных характеристиках ток потребления ЙС приведён при Rbc = 6,8 кОм. Волее высокое входное сопротивление ИС может потребоваться при недостаточном уровне напряжения сигнала индукторного вызова (например, для спаренных телефонов), или при ёмкости блокировочного конденсатора менее 1 мкФ.
На рис. 3.12 приведён пример схемы ВУ на ИС КА2410.
Тональные частоты fHl, fH2 и частоту переключения fb при номиналах, указанных на схеме можно определить по следующим формулам:
fHi ---------tOOOOOO------- = 539 (Гц). fH2 = 1,25 х fHl — 674 (Гц);
1,515 xR4(k0m) хС4(нФ)	Ъ
1000	R4 = 180k; С4 = 6,8п;
fL 1, 234xR3(kOm) хСЗ(мФ)	11,5 (Гц>’ R3 = 150k; СЗ = 0,47mk.
Эти формулы справедливы для всех ВУ, где применяются микросхемы первой и второй группы.
Рис. 3.13. Схема вызывного устройства на ИС КА2411.
Схема ВУ, приведенная на рис. 3.13, отличается от схемы рис. 3.12 тем, что выход микросхемы КА2411 (вывод 8), через согласующий трансформатор Т1 нагружен на динамическую головку BF1 мощностью 0.25 Вт и номинальным электрическим сопротивлением 50 Ом. В схеме предусмотрена возможность уменьшения громкости звонка установкой переключателя “RINGER” в положение LOW, а также возможность отключения звонка установкой переключателя в положение OFF. При отключенном звонке вызывной сигнал будет индицироваться светодиодом VDf>.
На рис. 3.14 приведена схема ВУ, применяемая в телефонах фирмы "PANASONIC". Схема аналогична приведённым выше, но требует доработки при спаренном включении с диодным блокиратором.
Необходимость доработки обусловлена тем, что при спаренном включении ТА уровень напряжения вызывного сигнала понижен (см. раздел 1.2) и при номиналах резистора R1 и конденсатора С2, приведённых в схеме, напряжение на
89
Рис. 3.14. Схема ВУ, применяемая в телефонах фирмы "PANASONIC".
входе U (вывод 1 DA1) за время посылки вызова (1 с) не успевает нарасти до значения 18 В (типовое напряжение включения микросхемы). Чтобы обеспечить более быстрый заряд конденсатора С2 необходимо уменьшить сопротивление резистора R1 до 3 кОм и ёмкость конденсатора С2 до 1,0 + 4,7 мкФ.
Следует отметить, что все микросхемы ВУ первой и второй группы взаимозаменяемы. Необходимо лишь учитывать подключение входа управления (вывод 2).
На рис. 3.15а,б приведены схемы вызывного устройства на ИС МС34017-1Ри МС34017-2Р фирмы "MOTOROLA”.
Рис. 3.16. Схемы вызывного устройства на ИС МС34017-1Р и МС34017-2Р.
Микросхемы генерируют две периодически переключающиеся частоты. Соотношение частот - 1,25. Напряжение включения микросхем находится в пределах 34 + 41 В (типовое 37,5 В). Напряжение выключения - 14 + 22 В (типовое 16 В). Выходное напряжение равно напряжению питаний. Вазовая частота ИС
Рис. 3.15. Схема ВУ на ИС МС34012-1Р.
МС34017-1Р - 1000 Гц, МС34017-2Р - 2000 Гц, MC34017-3P - 500 Гц. Схема на рис. 3.15,а позволяли: ет плавно регулировать громкость сз звонка переменным резистором 'нов R2. Схема на рис. 3.15,6 имеет три фиксированных уровня регулировки. ИС L8611 имеет аналогичную схему включения.
ИС МС34012-1Р (рис. 3.16) также содержит диодный мост, схему защиты от переходных процессов и схему управления пьезо
90
электрическим преобразователем. ИС генерирует две периодически переключающиеся частоты с соотношением 1,25. Напряжение включения микросхемы - 31 + 38 В (типо-
вое 34,5 В). Напряжение выключения - 16 -г 25 В (типовое 20 В) (для ИС МС34012-1Р и MC43012-3P) н 13 + 22 В (типовое 18 В) для ИС МС34012-2Р. Выходное напряже
ние 19 + 23 В (типовое 20 В).
Для ИС МС34012-2Р и MC43012-3P схема включения аналогична. Для ИС МС34012-2Р ёмкость конденсатора С2 = 470 пФ, а для MC43012-3P С2 =
2000 пФ. Вазовые частоты такие же, как
Рис. 3.17. Схема ВУ на ИС SAA1094.
и для МС34017.
В телефонных аппаратах "FeTAp" и "POST" фирмы "SIEMENS" часто применяется вызывное устройство на ИС фирмы SGS-THOMSON SAA1094 или её аналог фирмы TEMIC U4076B (рис 3.17). Микросхема генерирует сигнал с тремя периодически переключающимися частотами (813 Гц, 1083 Гц и 1354 Гц) при частоте кварцевого резонатора ZQ1 равной 455 кГц. Частота переключения звуковых частот задаётся генератором с времяза-дающими элементами R3 и СЗ и определяется по формуле:
10е
f =------------------(Гц)
134,4 С3 (R3 +20)
Ёмкость конденсатора СЗ в нФ, а
сопротивление резистора R3 в кОм. При указанных в схеме номиналах резистора R3 и конденсатора СЗ частота переключения звуковых частот равна 11 Гц. При подключении дополнительного конденсатора С4 частота переключения составит 8 Гц.
Напряжение включения SAA1094 находится в пределах 6 + 7,5 В, напряжение
выключения 3 •+• 4,5 В. Конденсатор С2 является фильтрующим для схемы питания ИС. Выводом 1 (FR) определяется частота входного вызывного сигнала. При неподключенном выводе 1 эта частота равна 23 + 54 Гц. При подключении к выводу 4 (общий) микросхему можно применять для входных сигналов менее 20 Гц (от 12 до 54 Гц).
И в заключение рассмотрим два варианта схем ВУ на дискретных и логических элементах. Они могут представлять интерес для тех радиолюбителей, которым не удалось приобрести вышеперечисленные специализированные микросхемы ВУ.
На рис. 3.18 приведена схема ВУ, которое используется в некоторых телефонах VEF. Схема работает следующим образом. Напряжение вызывного сигнала АТС частотой 25 Гц через блокировочный для постоянного тока конденсатор С1 и ограничительный резистор R1 поступает на диодный мост VD1 + VD4. Здесь напряжение выпрямляется и конденсатором СЗ сглаживается. Выпрямленное напряжение стабилизируется параметрическим стабилизатором на резисторе R4, стабилитроне VD9 и конденсаторе С4. Это напряжение величиной порядка 8 В используется для питания схемы вызывного устройства.
Тональный генератор собран по схеме мультивибратора на транзисторах разной проводимости VT1 и VT2. Изменение частоты достигается переключением резисторов R14, R16 и R19 в цепи эмиттера транзистора VT1. Переключение производится подачей логического "0" с выходов мультивибратора, собранного на элементах DD1.2 + DD1.4 на диоды VD12 + VD14.
Пороговое устройство собрано на диодах VD5, VD6, стабилитронах VD7, VD8, резисторах R2, R3, конденсаторе С2 и логическом элементе DD1.1. Оно предназначено для отключения вызывного устройства при пониженном напряжении питания в конце каждой посылки вызова. После окончания посылки вызова на выходе логического элемента DD1.1 появляется логическая "1”. Через
91
R12.4K
Рис. 3.18. Схема ВУ, используемого в некоторых телефонах VEF.
диоды VD10, VD11 она подаётся в цепь базы транзистора VT2 и цепи эмиттеров транзисторов VT1, VT2 и срывает генерацию тонального генератора.
С коллектора транзистора VT2 сигнал тонального генератора подаётся на транзистор VT3. Здесь происходит его усиление по мощности. Для регулировки уровня громкости вызывного сигнала в коллектор транзистора VT3 последовательно с высокоомным электроакустическим преобразователем BF1 включен переменный резистор R5.
На рис. 3.19 приведена схема вызывного устройства на ИС К561ЛЕ5. Конденсатор С1 является блокировочным для постоянного тока линии. Резистор R1 ограничивает ток через стабилитрон VD1, который вместе с выпрямительным диодом VD2 и сглаживающим конденсатором С2 представляют собой схему питания вызывного устройства. Схема состоит из двух мультивибраторов. Мультивибратор на логических элементах DD1.1, DD1.2 генерирует частоту порядка 15 Гц и управляет вторым мультивибратором на логических элементах DD1.3 и DD1.4, с выхода которого сигнал звуковой частоты 3,5 кГц поступает на пьезоэлектрический излучатель ЗП-З.
Недостаток этой схемы в том, что у неё липп. одна частота тонального генератора и отсутствует пороговая схема отключения генератора при пониженном напряжении питания.
92
3.2. СХЕМА “ОТБОЙ’
“Отбой” - функция, осуществляющая начальную установку микросхемы
номеронабирателя в режим готовности к набору, повтору номера или к работе с
внутренней памятью ИС.
Следует отметить, что у всех зарубежных и отечественных ИС ЭНН функция "отбой” осуществляется подачей "высокого" уровня на вход HS.
В соответствии с логикой работы ИС схема “отбой” обеспечивает поддержание "высокого" уровня на входе HS в дежурном режиме (когда трубка уложена на аппарат), и "низкого" уровня в разговорном режиме или при наборе номера (когда трубка снята).
"Низкий" уровень на входе HS разрешает работу ИС ЭНН, при "высоком" уровне на входе
Рис. 3.20. Схема "отбой" ИС НН при двухпозиционном переключателе SB1.
HS набор номера невозможен.
Существуют две основные разновидности схем “отбой” (рис. 3.20, 3.21).
При двухпозиционном переключателе (рис. 3.20) схема “отбой” представляет собой делитель напряжения, состоящий из двух резисторов. Если переключатель
Рис. 3.21. Схема "отбой" ИС НН при однопозиционном переключателе SB1.
SB1 находится в положении “отбой” (нижнее по схеме), к делителю приложено напряжение линии - 60 В. При указанных на схеме номиналах резисторов, с делителя на вход HS ИС подаётся напряжение 2,7 В. Если переключатель находится в положении “разговор”, то через резистор R2, соединённый с нулевой шиной, на входе HS ИС поддерживается "низкий" уровень.
Следует отметить, что напряжение на входе HS ИС не может превышать напряжение питания микросхемы более чем на 0.6 В, так как этот вход соединен с входом питания ИС через встроенный диод, выполняющий функцию защиты ИС от
перенапряжения на входе HS (см. рис. 2.2).
На рис. 3.21 приведена схема “отбой”, с использованием однопозицнонно-го переключателя. Когда переключатель SB1 разомкнут (находится в положении “отбой”), база транзистора VT1 через резистор R2 подключена к нулевой шине,
что обеспечивает надежное запирание транзистора. Высокий уровень на входе HS
ИС поддерживается напряжением питания ИС (порядка 3 В) через резистор R3.
Когда переключатель SB1 замкнут (находится в положении “разговор”), ток задаваемый резистором R1 открывает транзистор VT1. Открытый транзистор подключает вход HS ИС к нулевой шине, обеспечивая на нем "низкий" уровень, разрешающий работу микросхемы.
На рис. 3.22 приведена некорректная схе-
кдиодному мосту
SS1
на схему телефона
на вход "отбой" микросхемы
ма “отбой”, которая иногда встречается в ТА низкого класса и может стать причиной неправильной работы ТА.
Рис. 3.22. Некорректная схема "отбой".
93
3.3. СХЕМА ПИТАНИЯ ИС НОМЕРОНАБИРАТЕЛЯ
Питание микросхем ЭНН осуществляется от линии АТС и обеспечивает
работу ИС при наборе номера, а также в разговорном режиме. В режиме “отбой”,
при уложенной на рычаг трубке, схема питания ИС обеспечивает питание ОЗУ микросхемы.
Схема питания состоит из двух узлов: внутреннего и внешнего.
Внутренний узел определяется структурой построения ИС. Он может быть выполнен как с источником опорного напряжения, в простейшем случае - внутренним стабилитроном (раздел 2.2, рис. 2.2), так и без него (раздел 2.2, рис. 2.5). Значение рабочего тока стабилитрона (Твн.ст.) составляет 0,01 + 0,5 мА в различных режимах работы.
Внешний узел обеспечивает подачу номинального напряжения на вывод питания микросхемы (U). Построение схемы внешнего узла, как правило, зависит от наличия в ИС
KSB1
на вход
----► питания
+ микросхемы
—*= C1
1Cmk*lOB
Рис. 3.23. Схема питания ИС НН.
встроенного источника опорного напряжения.
На	HI4,7k YP’
разговорный -«—I Р-------Э)—
узел	С1
Ютк
«10В
на вход - питания микросхемы
Рис. 3.24. Схема питания ИС НН.
Если в ИС имеется внутренний стабилитрон (см. рис. 2.2), то её питание осуществляется по одной из схем, приведенных на рис. 3.23 + 3.25. На рис. 3.23 питание подается со входа импульсного ключа , а на рис. 3.24 - с его выхода. Резистор R1 в обоих случаях задаёт ток
встроенного стабилитрона, величина которого составляет 0,1 + 1,0 мА, в зависи-
мости от типа микросхемы (см. табл. 2.5). Конденсатор С1 поддерживает питание ИС во время следования импульсов набора. Емкость конденсатора должна быть не менее 10 мкФ. Диод VD1 предотвращает разряд конденсатора по другим цепям схемы.
Следует отметить, что резистор R1 (рис. 3.23) в некоторых случаях (если его сопротивление менее 68 кОм) может служить причиной сбо-
на вход
"отбой" -ие-
на вход питания -микросхемы
VD2
-й-
С1 Ютк ИОВ
на разговорный узел
Рис. 3.25. Схема питания ИС НН совместно со схемой "отбой".
ев при наборе номера из-за его
Рис. 3.26. Схема питания ИС НН.
шунтирующего воздействия при разомкнутом
На рис. 3.25 приведена схема питания ИС НН совместно со схемой "отбой" (см. рис. 3.20). Питание на микросхему подаётся как со входа, так и с выхода ИК. Это обеспечивает более устойчивую работу микросхемы за счет того, что снижение тока внутреннего стабилитрона ИС через резистор R3 (при замкнутом ИК) компенсируется током через меньшее сопротивление ограничивающего резистора R4.
Если в микросхеме отсутствует встроенный источник опорного напря-
94
жения, то параллельно конденсатору С1 включается стабилитрон, как показано на рис. 3.26.
Способ питания ОЗУ ИС зависит от типа используемой схемы “отбой”. Если схема “отбой” выполнена по схеме рис. 3.20 (рис. 3.25), то питание ОЗУ осуществляется через переключатель SB1, резистор R1 н внутренний диод ИС соединяющий вход HS со входом питания (U) (рис. 2.2).
При использовании схемы “отбой”, приведенной на рнс. 3.21, питание ОЗУ прн уложенной на рычаг трубке обеспечивает резистор сопротивлением порядка 10 МОм, включенный между плюсовым выводом диодного моста и выводом питания ИС, как это показано на
В схемах питания отечественных ТА часто используется микромощный кремниевый планарный р-канальный МОП-стабилитрон КС106А (рис. 3.27). Ра-
бочий ток стабилитрона задает источник тока на стабилизаторе тока КЖ101А...В. Он представляет собой n-канальный МОП-транзистор с изолированным затвором и резисторами, задающими начальный ток стабилизации. Структурная электрическая схема стабилизатора тока КЖ101А...В представлена на рис. 3.28. Режим источника тока устанавливается подстроечным резистором R1. Номинальное сопротивление резистора R1 = 22 кОм.
Стабилизатор тока КЖ101А...В и стабилитрон КС106А(В) з-д "ГРАВИТОН" в г. Черновцы (в Корпусе типа 2101.8-1) (рис.
ДИОДНЫЙ МОСТ
С1 +
ЖовА
VT1
КЖ101А
R1
6Вк
на вход ---->- питания 2Д6.7 микросхемы
«10В
рис. 3.26.
2.3,в,7
4.S
Рис. 3.28.
КЖ101.
производит
Рис. 3.27. Схема
питания отечественных ИС НН.
3.29,а,б). Стабилизатор тока в таком же корпусе, но с маркировкой МС-СТ1 и стабилитрон МС-СН1(А) выпускает АО "ВОСХОД" в г. Калуге. ОАО "СВЕТЛА-(<НА" в г. С-Петербурге и ОКБ "ЭЛМИС” в г. Запорожье стабилитрон КС106А1 и стабилизатор тока КЖ101А1 выпускают в корпусе типа КТ-26 (Т092) (рис. 3.29,в,г.д). Основные предельно допустимые и электрические параметры КЖ101 и МС-СТ1 приведены в табл. 3.5. Основные параметры стабилитронов КС106 приведены в табл. 3.6.
Табл. 3.5. Основные предельно допустимые и электрические параметры стабилизаторов тока КЖ101 и МС-СТ1.
Параметр	Стабилизатор тока	Значение
Максимальное рабочее напряжение, не более	КЖ101А,А1,В; МС-СТ1 КЖ101Б	75 В 120 В
Максимальное импульсное рабочее напряжение (при т = 10 мс, Q = 2)^ не более	КЖ101А,А1,В,В; МС-СТ1	226 В
Начальный ток стабилизации	КЖ101А.А1 (при Uct = 60 В) КЖ101Б (при Uct = 100 В) КЖ101В (при Uct = 60 В)	100 + 160 мкА 300 + 500 мкА 140 + 350 мкА
Номинальный ток стабилизации	КЖ101А,А1,В,В; МС-СТ1	100 мкА
Ток стабилизации	КЖ101А.А1 (при Uct = 60 В) КЖ101Б (при Uct = 100 В) КЖ101В (при Uct = 60 В)	80 + 120 мкА 85 + 125 мкА 85 + 125 мкА
Импульсный ток стабилизации: при Иимп. = 60 В при Нимп. = 226 В	КЖ101А,А1,Б,В; МС-СТ1 КЖ101А,А1,В,В; МС-СТ1	1,5 мА 200 мкА
Рабочий диапазон температур	КЖ101А,А1,Б,В; МС-СТ1	-60 +70 °C
95
Табл. 3.6. Основные предельно допустимые и электрические параметры стабилитронов КС106 и MC-CHl(A).
Параметр	Стабилитрон	Значение
Максимально допустимый ток стабилизации, не более	КС106А,А1,В	500 мкА
Минимально допустимый ток стабилизации, не менее	КС106А,А1,Б	10 мкА
Напряжение стабилизации	КС106А.А1; МС-СН1 КС106В; МС-СН1А	2,9 + 3,5 В 3,3 + 3,9 В
Дифференциальное сопротивление	КС106А.А1 КС106Б	500 Ом 600 Ом
КЖ101А...В
МС-СТ1
КС106А(Б) МС-СН1(А)
Затвор с		з Затвор
Сток		^Jctok
Исток J		з Исток
а)
б)
Рнс. 3.29. Цоколёвка стабилизаторов тока КЖ101 и стабилитронов КС106.
НПО "ИНТЕГРАЛ" в г. Минске выпускает ИС маломощного источника питания ЭКР1436ЕП1 (зарубежный аналог ТЕА1080) для питания цифровых и аналоговых схем периферийных устройств телефонного аппарата. ИС использует часть избыточного тока линии, обычно отбираемого регулятором напряжения разговорной схемы. Функция сныижения мощности отключает микросхему от нагрузки и уменьшает входной ток. Назначение выводов ИС ЭКР1436ЕП1 приведены в табл. 3.7, основные электрические характеристики в табл. 3.8.
Табл. 3.7. Назначение выводов ИС ЭКР1436ЕП1.
|| Вывод	Обозначение	Назначение
	LN	Положительный вывод линии.
2	OV	Отрицательный вывод линии.
3	AD	Развязка усилителя.
4	PD	Выключение входа.
5	IF	Подключение входного фильтра.
6	VA	Регулировка выходного напряжения.
7	QS	Выход.
LU	SP	Напряжение питания схемы блокировки.
На рис. 3.30 приведена схема включения ИС ЭКР1436ЕП1. Конденсатор СЗ и резистор R1 являются элементами внешнего низкочастотного фильтра и предназначены для образовония функции индуктивности совместно с внутренними элементами схемы, благодаря чему схема обладает высоким входным сопротивлением. Конденсаторы С1 и С2 предназначены для устойчивой работы схемы и ограничения искажений при высоком входном токе и большом уровне сигнала на линии. Резистор Rv предназначен для регулировки уровня выходного напряжения.
96
Рис. 3.30. Схема подключения ИС ЭКР1436ЕП1.
Выходное напряжение схемы можно вычислить по формуле:
Uo = 2 х lynp. х Rv;
где lynp. - ток управления, типовое значение которого равно 20 мкА.
Если резистор Rv из схемы исключить, то выходное напряжение будет определяться по формуле:
Uo = Uln - [(Iint + k х Io) х Rs + 0,5]
где k - корректирующий коэффициент, зависящий от выходного тока; к = 1,04 для Io = 1 мА, к = 1,08 для 1о = 20 мА, к = 1,12 для 1о = 30 мА.
Uln, Iint, Io и Rs - см. табл. 3.8 (Rs - внутреннее сопротивление микросхемы между выводами 1 и 8).
Табл. 3.8. Основные электрические характеристики ИС ЭКР1436ЕП1.
Параметр	Обозна-чение	Значение		
		МИН.	тип.	макс.
Напряжене линии по постоянному току, В	Uln	2,5	-	10,0
Выходное напряжение по постоянному току, В	Uo	2,0	—	9,5
Падение напряжения линия - вход, В	Uln-Uo	—	0,5	—
| Последовательное сопротивление, Ом	Rs	—	20	—
Напряжение линии по переменному току, В	Uln(ck)	—	1,5	—
Выходной ток, мА (при Uln = 4,0 В)	Io	—	—	30,0
Внутренний ток потребления, мА (Uln = 4,0 В)	Iint	-	0,8	-
3.4.	ЭЛЕМЕНТЫ КОММУТАЦИИ
Как правило, любой телефонный аппарат имеет два элемента коммутации:
-	импульсный ключ (ИК), непосредственно формирующий при наборе иомера токовые и бестоковые посылки (путём замыкания и размыкания линии), которые управляют работой коммутационных устройств АТС, осуществляющих Соединение абонентов;
-	разговорный ключ (РК), отключающий разговорную часть ТА от линии АТС во время набора номера.
К указанным элементам коммутации предъявляются достаточно жёсткие требования. Они должны обеспечивать:
-	коммутацию постоянного напряжения 70 В при индуктивной нагрузке (обмотки реле АТС);
-	коммутацию тока до 100 мА;
-	выдерживать воздействие напряжения 220 В длительностью до 10 мс (в случае, когда телефонная трубка снимается во время поступления вызывного сигнала);
-	требуемые параметры ТА в режиме набора номера и разговорном режиме (гл. 1.4. табл. 1.10, 1.11);
-	минимальное потребление мощности по управляющей цепи.
7-79
97
на плюс
Рис. 3.31. Схема ИК, применяемая в первых моделях отечественных ТА.
В первых отечественных моделях ТА с кнопочным набором в качестве элементов коммутации использовались биполярные высоковольтные транзисторы, включенные по схеме Дарлингтона (рис. 3.31). Основное преимущество такой схемы -большое усиление по току, что позволяет снизить потребление тока управляющей цепью и соответственно микросхемой номеронабирателя. Недостаток - относительно большое падение напряжения на ключе в режиме насыщения (1,5 + 2,0 В).
В практических схемах ключей используются транзисторы КТ630Б, КТ683В, КТ940А, и КТ969А.
В современных моделях отечественных ТА в качестве элементов коммута-
ции, как правило, используется микросхема КР1014КТ1А(В). Она представляет
собой токовый ключ на полевом n-канальном транзисторе с индуцированным кана-
лом и изолированным затвором и обеспечивает:
-	малое сопротивление в режиме насыщения;
-	возможность работы иа индуктивную нагрузку;
-	защиту затвора стабилитроном затвор-исток;
-	защиту от обратного пробоя диодом исток-сток;
-	практически ие потребляет ток по цепи управления.
Структурная электрическая схема КР1014КТ1 приведена на рис. 3.32.
В табл. 3.9 приведены типы ключей, выпускаемых отечественными изготовителями, а на рис. 3.33 их цоколёвки.
Сток
Рис. 3.32. КР1014КТ1.
Табл. 3.9. Токовые ключи, выпускаемые отечественными изготовителями.
Тип	Изготовитель	Корпус	Рисунок
КР1014КТ1А...В	з-д "ГРАВИТОН", г. Черновцы з-д "ЭКСИТОН”, г. Павловский Посад	2101.8-1 (DIP-8)	3.33,а
КР1014КТ11А...Г	АО "ПРОТОН", г. Орел	2101.8-1 (DIP-8)	3.33, а |
КР1014КТ12А...Г	АО "ПРОТОН", г. Орел	2101.8-1 (DIP-8)	3.33,6
МС-КН1А.В	АО "ВОСХОД", г. Калуга	2101.8-1 (DIP-8)	З.ЗЗ.а
КР1014КТ1А1.В1	ПО "ГАММА" (ОКБ "ЭЛМИС"), г. Запорожье	КТ-26 (ТО-92)	3.33,6
КР1014КТ111А..Г	АО "ПРОТОН", г. Орел	КТ-26 (ТО-92)	3.33,е
КР1014КТ112А...Г	АО "ПРОТОН", г. Орел	КТ-26 (ТО-92)	3.33,ж
КР1014КТ1ВПАМ	АО “АНГСТРЕМ", г. Москва (Зеленоград)	КТ-26 (ТО-92)	3.33,6
КР1064КТ1А...Г	АО "СВЕТЛАНА", г. С-Петербурге	КТ-26 (ТО-92)	3.33, и
КР1014КТ1А2.В2	ПО "ГАММА" (ОКБ "ЭЛМИС"), г. Запорожье	КТ-27 (ТО-126)	3.33,6
КП501А...В	НПО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск	КТ-26 (ТО-92)	3.33,а
КП501А...В представляют собой полевые транзисторы (зарубежный аналог - ZVN2120) с несколько лучшими, чем у КР1014КТ1 характеристиками (для группы "A" Ukom. = 240 В, 1ком. = 180 мА), но у них отсутствуют защитные элементы (диод и стабилитрон).
Токовые ключи КР1014КТ1В были разработаны для управления логическими элементами ТТЛ и в настоящее время не выпускаются.
Основные предельно допустимые и электрические параметры токовых ключей приведены в табл. 3.10, цоколёвки на рис. 3.33.
98
КР1014КТ1А...В
КР1014КТ11А...Г
МС-КН1А.В
КР1014КТ12А...Г
Затвор 1 г 1 'с 2
С 3
Исток 1 С 4
Сток 1
8 л Затвор 2
6 3J
5 з Исток 2
б) сдвоенный ключ
КР1014КТ1А2.В2
КР1014КТ1А1.В1
КР1014КТ1ВПАМ
КР1014КТ111А...Г
Исток
КР1014КТ112А...Г
в)
Рис. 3.33. Структурная схема и цоколёвки токовых ключей.
Токовые ключи группп "А" и "В" имеют отличие только по максимальному допустимому коммутируемуму импульсному напряжению (при Uynp. = О В, f = 50 Гц, Q = 2, t = 100 мс) для группы "А” Оком. = 120 В, для группы "В” Ukom. = 230 В.
Табл. 3.10. Основные параметры токовых ключей КР1014КТ1 и КР1064КТ1.
Параметр	Обозначение	Значение
Коммутируемый ток	1ком.	<110 мА
Управляющий ток (при Uynp. = 3 В)	1упр.	<10 мкА
Сопротивление в открытом состоянии (при 1ком. = 35 мА, Uynp. = 2,5 В)	Иоткр.	510 Ом
Ток утечки на входе (при Ukom. = 75 В, Uynp. = 0 В)	1ут.вт.	<20 мкА
Обратное напряжение (при 1ком. = 110 мА)	Uo6p.	51,0 В
Допустимое значение статического потенциала	Uct.	500 В
Токовые ключи КР1014КТ1ВПАМ (маркировка "1В"), которые выпускает ОАО "АНГСТРЕМ" значительно превосходят по параметрам приборы других изготовителей.
Табл. 3.11. Электрические параметры токовых ключей КР1014КТ1ВПАМ.
Параметр	Обозначение	Значение
Коммутируемое напряжение	Uch	5230 В
Коммутируемый ток	1с	<300 мА
Рассеиваемая мощность	Ртах	50,35 Вт
Пороговое напряжение	Изи пор.	1,0 » 1,8 В
9S
Параметр	Обозначение	Значение
Напряжение включения защиты затвора	Нзи max	-30 + +30 В
Сопротивление в открытом состоянии	Неи	28 Ом
Обратное напряжение	Нобр.	21,0 В
Ток утечки затвора	1у ут.	<0,1 мкА
Начальный ток стока	1с нач.	22 0 мкА
[Напряжение затвор-сток в закрытом состоянии	Нзс	2230 В
[Рабочий диапазон температур	Траб.	-40 + +70 'С
полняет функцию диода. При изменении
При подаче иа исток токового ключа (выводы 4,5 на рис. 3.33,а) отрицательного по отношению к стоку (выводы 2,3,6,7) напряжения ключ ведёт себя как диод (рис. 3.32). Это свойство используется в схеме ИК на рис. 3.34, где ключевые элементы используются одновременно как плечи диодного моста. Во время набора номера линию коммутирует тот токовый ключ, на стоке которого положительный потенциал напряжения линии АТС, а второй вы
полярности напряжения линии АТС
диодом будет служить другой токовый ключ. Резистор R1 предназначен для за-
на	на
микхофон разговорный узел
Рис. 3.35. Схема ИК для ИС ЭНН с открытым стоком.
пирания транзисторов в отсутствие напряжения на йыходе ИК микросхемы, например при работе ТА в качестве дополнительного в системе "директор - секретарь".
В зарубежных ТА, как правило, применяются две разновидности схем ИК, в которых в качестве элементов коммутации используются высоковольтные биполярные транзисторы. На рис. 3.35 и 3.36 показаны схемы импульсных ключей для микросхем ЭНН, у которых выход ИК выполнен с открытым стоком.
На схеме рис. 3.35 транзисторы включены по схеме Дарлингтона. Как и в схеме, приведённой на рис. 3.31, данная схема также обеспечивает большой коэффициент усиления по току, что позволяет снизить потребление тока управляющей цепью, а, следовательно, и номеронабирателем в целом. Но её недостаток - относительно большое падение напряжения на ключе в режиме насыщения (1,5 + 2 В). Во время набора номера схема ИК коммутирует разговорный узел (рис. 1.11,а и 1.15).
В ряде схем ТА импульсный ключ, выпол
ненный по такой схеме, во время разговора используется в качестве микрофонного усилителя. Сигнал при этом поступает на базу первого транзистора через конденсатор ёмкостью 20 нФ. Эта возможность обусловлена тем, что при наличии на выходе ИК высокого уровня, что имеет место во время разговора абонентов, высокое выходное сопротивление ИС практически не оказывает влияния на
100
Рис. 3.36. Схема ИК для ИС ЭНН с открытым стоком.
передачу звукового сигнала от микрофона в линию.
В схеме на рис. 3.36 приведена двухкаскадная ключевая схема ИК, которая наиболее часто используется в аппаратах более высокого класса. Транзистор VT2 формирует импульсы набора номера (средний ток коллектора в режиме насыщения составляет порядка 35 мА), a VT1 согласует выход ИК ИС со входом ключа на транзисторе VT2. Резистор R2 обеспечивает надежное запирание транзистора VT2 при закрытом VT1. Резистор R1 задает начальное смещение на базу тран-
зистора VT1 и служит нагрузкой выхода ИС ЭНН с открытым стоком, a R3 ограничивает ток базы транзистора VT2. При использовании этой схемы, падение на
пряжения на ключе в режиме насыщения составляет 0,1 -е 0,2 В.
Схема ИК (рис. 3.37) работает аналогично приведённой на рис. 3.36, но применяется при использовании ИС ЭНН с логическим выходом ИК. "Низкий" уровень на Выходе микросхемы номеронабирателя запирает транзисторы VT1 и VT2.
Справочные данные по используемым в схемах ИК транзисторам и возможная их взаимозаменяемость, а также отечественные аналоги приведены в главе 9.
Рис. 3.37. Схема ИК для ИС ЭНН с логическим выходом.
3.5.	РАЗГОВОРНЫЙ УЗЕЛ
В состав разговорного узла входят:
-	усилитель сигнала микрофона;
-	усилитель НЧ сигнала принимаемого с линии;
- противоместная схема;
	схема питания микрофонного и телефонного усилителей.
На рис. 3.38 приведена одна из самых распространенных схем разговорного узла, применяемая в телефонах - трубках и ТА настольного типа, в сочета-
нии с различными микросхемами ЭНН.
Рис. 3.38. Схема разговорного узла, применяемого с ИС ЭНН с открытым стоком ИК.
В ней импульсный ключ одновременно выполняет функцию усилителя сигнала микрофона, что возможно только при использовании тех ИС ЭНН, ИК которых имеет выход с открытым стоком.
База транзистора VT1 подключена как к выходу микрофона, через разделительный конденсатор емкостью 20 нФ, так и к выходу ИК ИС ЭНН. Когда на выхо
101
де ИК ИС "высокий" уровень, транзисторы VT1 и VT2 выполняют функцию усилителя сигнала микрофона, т. к. при атом высокое сопротивление закрытого выходного транзистора ИК ИС как бы отключает выход ИК ИС от базы транзистора VT1. Начальное смещение иа базу VT1 задаётся резистором R1. Резистор R5 является элементом балансной цепи для согласования с импедансом линии. Резистор R6 представляет собой нагрузку линии.
Речевые колебания преобразуются в электрический НЧ сигнал электретным микрофоном, рабочий ток которого (0,25 ч- 0,5 мА) устанавливется резистором R2. От величины рабочего тока зависит уровень сигнала микрофона.
НЧ сигнал с микрофона через разделительный конденсатор С1 поступает на базу составного транзистора VT1-VT2, коллекторной нагрузкой которого является Ratc (см. гл. 1 рис. 1.3), На эмиттере VT2 НЧ сигнал повторяет входной по форме и напряжению. С коллектора VT2 усиленный по напряжению, ио противофазный входному, сигнал передается в линию ко второму абоненту.
Синфазный сигнал с эмиттера и противофазный сигнал с коллектора транзистора VT2, проходя через резисторы R3 и R4, которыми устанавливается
к точке А
Рис. 3.39. Усилитель электродинамического микрофона.
соотношение амплитуд для наилучшего подавления местного эффекта, складываясь в точке "В”, взаимопо-давляются. Этим достигается значительное снижение слышимости своего голоса при разговоре. Такое включение резисторов и транзистора в ТА, получило название противоместной схемы.
НЧ сигнал второго абонента с линии, через открытый транзистор VT2 и резистор R4 поступает в точку "В”, где складывается с синфазным сигналом, поступающим по другой цепи через R3, и через разделительный конденсатор С2 подаётся иа базу транзистора VT3,
Транзистор VT3, включенный по схеме с общим эмиттером, усиливает сигнал по напряжению, а транзистор VT4, который представляет собой эмиттерный повторитель, по току. С эмиттера через разделительный конденсатор СЗ усиленный сигнал подается на динамиче
скую головку BF1. Резистор R7, включенный в цепь отрицательной обратной связи, задает ток смещения на базу транзистора VT3. Резисторы R8 и R9 являются
соответственно коллекторной и эмиттерной нагрузками транзисторов VT3 и VT4.
Напряжение питания (порядка 3 В) телефонного усилителя н электретно-
го микрофона снимается с резистора R6.
При использовании электродинамического микрофона для обеспечения нормальной слышимости и разборчивости в схему вводится дополнительный усилитель, включенный по схеме с общим эмиттером (рис. 3.39).
При этом резистор R2 (рис. 3.38) выполняет функцию коллекторной нагрузки транзистора VT1 (рис. 3.39), а резистор R2 (рис. 3,39) задаёт начальное смещение на базу. Конденсатор С1 - разделительный, а резистор R1 служит для устранения возбуждения усилителя.
Рис. 3.40. Схема разговорного узла, применяемого с ИК или РК, приведенных на рис. 3.34, 3.36, 3.37.
102
На рис. 3.40 приведена еще одна разновидность разговорного узла, используемого в схемах ТА, в которых ИК или РК выполнен по одной из схем приведённых на рис. 3.34, 3.36, 3.37.
НЧ сигнал с электретного микрофона ВМ1, ток которого задается резистором R1, через разделительный конденсатор С2 поступает на базу транзистора :VT1, включенного по схеме с общим эмиттером. Коллекторной нагрузкой транзистора является резистор R3. Резистор R2 задаёт начальное смещение иа базу транзистора, a R4 увеличивает входное сопротивление каскада и стабилизирует ^рабочую точку транзистора. Конденсатор СЗ, включенный в цепь отрицательной обратной связи, устраняет возбуждение усилителя. Питание усилителя и микрофона осуществляется с выхода разговорного ключа через резистор R5.
Кнопка шунтирует сигнал микрофона при необходимости отключить его во время разговора.
С коллектора VT1 усиленный по напряжению сигнал поступает иа вход эмиттерного повторителя на транзисторе VT2 с противоместной схемой. С коллектора VT2 усиленный сигнал через открытый разговорный ключ подаётся в линию АТС.
НЧ сигнал второго абонента с линии через открытый РК, цепи противоместной схемы (VT2, R6, R7) и разделительный конденсатор С4 поступает на базу усилителя иа транзисторе VT3, коллекторной нагрузкой которого является динамическая головка BF1.
Питание телефонного усилителя (2,6 + 3 В) снимается с резистора R9.
Вместо резистора R9 часто используются два или три диода, включенных последовательно, Падение напряжения на каждом из диодов Составляет 0,7 В. Иногда используют стабилитрон с напряжением стабилизации 3,3 В.
Телефонный усилитель может быть выполнен и по схеме эмиттерного повторителя, приведённой на рис. 3.41.
На рис. 3.42 приведена схема разговорного узла с противоместной схемой Мостового типа. Эта схема наиболее часто применяется в ТА с дисковым номеронабирателем, ио иногда используется и в ТА с кнопочным набором.
В схеме используется угольный микрофон, питание которого осуществляется непосредственно с линии через обмотку I трансформатора (линейная обмотка). Микрофон включается в диагональ моста состоящего из: сопротивления АТС и линии, сопротивления линейной обмотки трансформатора (I), балансной обмотки трансформатора (П) и балансного контура, иа резисторах R1, R2 и конденсаторе С1, сопротивление которого равно эквивалентному сопротивлению линии и АТС.
Элементы балансного контура подбираются таким образом, чтобы уравновесить плечи моста, выравнивая токи в линейной и балансной обмотках.
При равных величинах токов в обмотках I и П уравновешенного моста они имеют разное направление, в результате чего токи, наводимые в телефонной обмотке (Ш) трансформатора, взаимно компенсируются и свой голос в телефоне трубки не прослушивается. Таким образом достигается подавление местного эффекта. При этом ток микрофона второго абонента не ослабляется, так как
входе противоместной схемы
Рис. 3.41.
Схема усилителя приёма.
KSB1
на разговорный ключ
Рис. 3.42. Притиво-местная мостовая схема разговорного узла.
103
протекает в обмотках I и П в одном направлении.
Амплитудный ограничитель уровня сигнала (фриттер) выполнен на встречно включенных диодах (FA1). Он предназначен для предохранения уха разговаривающих по телефону от акустических ударов, возникающих вследствие резкого увеличения звукового давления, развиваемого телефоном при импуль-
Рис. 3.43. Противоместная мостовая схема сах повышенного напряже-разговорного узла с электретным микрофоном. ния в линии. В качестве ограничителей могут использоваться варисторы и транзисторы. В общем случае, фриттер представляет собой активное нелинейное сопротивление, шунтирующее действие которого возрастает при увеличении напряжения на зажимах аппарата.
Схема, приведенная на рис. 3.43 работает аналогично предыдущей. Отличие состоит в использовании электретного микрофона с усилителем на транзисторах VT1, VT2 и наличием светодиода в балансном контуре. Кнопкой мож
но отключить микрофон во время разговора.
В схеме на рис 3.44 также применяется электретный микрофон с усилителем на транзисторах VT1 и VT2. Напряжение питания микрофона снимается с элементов балансного контура RIO, R11 и С5 и стабилизируется интегрирующей цепочкой на резисторе R9 и конденсаторе С4. Резистор R8 задаёт рабочий ток микрофона ВМ1. Резистор R5 и конденсатор СЗ предназначены для предотвращения возбуждения микрофона. Стабилитрон VD1 служит для защиты схемы от бро-
Рис. 3.44. Противоместная мостовая схема разговорного узла с электретным микрофоном.
сков напряжения при коммутации разговорного ключа.
На рис. 3.45 приведена схема разговорного узла с про-тивоместным дифференциальным трансформатором Т1 и балансным контуром на резисторах Rl, R3 и конденсаторе С1. Резистор R1 и конденсатор С1 обеспечивают также питание электретного микрофона.
Схема обладает хорошими характеристиками усиления сигнала микрофона и телефона, ио подавление местного эффекта здесь несколько хуже, чем в предыдущей схеме.
На з-де “ГРАВИТОН" в г. Черновцы в начале 90-х годов выпускалась специализированная микросхема разговорного узла - КР1038ХП1А (аналог -ТЕА1059).
104
Табл. 3.12. Назначение выводов ИС КР1038ХП1.
| Вывод	Назначение
1 1	Вход линии.
1 2	Общий вывод.
1 3	Плюс напряжения питания.
4	Вход тракта передачи.
5	Вход тракта передачи.
6	Вход блокировки передачи.
7	Вывод для фильтра.
8	Минус напряжения питания.
9	Вход регулировки ограничения.
10	Вход тракта приёма.
11	Вход регулировки усиления тракта приёма.
12	Выход тракта приёма.
13	Вход тонального сигнала.
14	Положительный выход моста.
15	Вход линии.
16	Выход тракта передачи.
В таблице 3.12 приведены назначения выводов КР1038ХП1. Схема её включения приведена на рис. 3.46. Подключение микросхемы ие требует соблюдения полярности напряжения на выводах 1 и 15, поскольку в ИС предусмотрен диодный мост иа входах линии. Схема имеет хорошие характеристики усиления и подавления местного эффекта. Резистор R10 позволяет регулировать громкость приема. В микросхеме имеется внутренний источник опорного напряжения для питания электретного микрофона (вывод 3).
Предусмотрена возможность работы микросхемы в телефонных аппаратах с частотным набором номера. В этом случае двухчастотный код с выхода DTMF микросхемы номеронабирателя подаётся на вывод 13 ИС КР1038ХП1. При этом "низкий" уровень на выводе 6 блокирует микрофоный усилитель (иа схеме не показано). Схема телефонных аппаратов СПЕКТР-201 + 203 с применением КР1038ХП1 приведена иа рис. 4.7.
ЛО "СВЕТЛАНА"
Рис. 3.45. Разговорный узел с про-тивоместным дифференциальным трансформатором.
Рис. 3.46. Схема включения ИС КР1038ХП1А.
в г. С-Петербурге производит ИС разговорного узла
КР1064УН1, которая является аналогом микросхемы ТЕА1067 фирмы
105
В
"PHILIPS". Концерн "РОДОН" в г. Иване - Франковске выпускает эту микросхему с маркировкой КР1085УШ. Микросхема имеет лучшие по сравнению с КР1038ХП1 характеристики и обладает следующими достоинствами:
-	имеет внутренний стабилизированный источник питания от линии;
-	возможность использования питания схемы для периферийных устройств;
-	широкий динамический и частотный диапазон усиления микрофонного усилителя и усилителя прослушивания;
-	симметричные высокоомные входы (64 кОм) для использования микрофонов динамического, магнитного и пьезоэдлектрического типа;
-	ассиметричный высокоомный вход (32 кОм) для использования микрофона электретного типа;
	1_	LN		SPLE	18
2	GAS1	X/Y	AGO	17
3	GAS2		REG	16
4	QR-		U	16
5	QR+		MUTE	14
6	GAR		DTMF	13
7	MIK-		PD	12
8	MIK+		IR	11
В	STAB		OV	10
Рис. 3.47. Цоколёвка ИС КР1О64УН1.
-	вход для передачи сигнала многочастотного сигнала набора номера (DTMF) и цифровой информации;
-	приёмный усилитель с выходом на нагрузку (телефон) магнитного, ди-
намического и пьезоэлектрического типа;
-	возможность отключения микрофона (приёма) при передаче импульсного или многочастотиого набора (вход MUTE);
-	снижение питания во время импульсного набора для отсутствия искажений сигнала и щелчков в телефонной трубке;
-	компенсация затухания линии;
-	автоматическая регулировка усиления сигнала телефонной линии.
Цоколёвка ИС КР1064УН1 приведена на рис. 3.47, назначение выводов в табл. 3.13.
Табл. 3.13. Назначение выводов ИС КР1064УН1.
I Вывод	Обозначение	Назначение
1	LN	Положительный вход линии.
2	GAS1	Регулировка коэффициента усиления передающего усилителя.
3	GAS2	Регулировка коэффициента усиления передающего усилителя.
4	QR-	Инверсный выход приёмного усилителя.
5	QR+	Неинверсиый выход приёмного усилителя.
6	GAR	Регулировка коэффициента усиления приёмного усилителя.
7	MIK-	Инверсный вход микрофонного усилителя.
8	MIK+	Неинверсиый вход микрофонного усилителя.
9	STAB	Выход стабилизатора тока.
10	OV	Отрицательный вход линии.
11	IR	Вход приёмного усилителя.
12	PD	Вход снижения мощности потребления.
13	DTMF	Вход многочастотного набора.
14	MUTE	Вход блокировки микрофонного усилителя.
15	UST	Выход "напряжение питания периферийных устройств".
16	REG	Вход регулировки напряжения питания.
17	AGC	Вход АРУ.
18	SPLE	Вход общей регулировки усиления.
Основные характеристики микросхемы разговорного узла КР1064УН1 приведены в табл. 3.14.
106
Табл. 3.14. Основные характеристики ИС КР1064УН1.
Параметр	Обозначение	Значение
Напряжение внутреннего стабилизированного источника питания при подключении к телефонной линии.	U1.N	4+ 4,5 В
Диапазон измеиеиия тока линии.	Iln	10 + 100 мА
Ток потребления, не более, при:		
- "низком" уровне на входе PD	ICCL	3 мА
- "высоком" уровне иа входе PD	Icch	100 мкА
Ток потребления периферийными устройствами при ILN = 35 мА, не более	Ip	3,0 мА
Диапазон усиления		
. микрофонного усилителя	Avd	44 + 60 дБ
- приёмного усилителя	Avd	17 + 39 дБ
Частотный диапазон	F	200 + 20000 Гц
На рис. 3.48 приведена схема включения ИС КР1064УН1.
Микросхема и её периферийные компоненты используют питание телефонной линии, с помощью которого ИС вырабатывает собственное стабилизированное напряжение UST. Выход UST может быть использован для питания ИС ЭНН и других периферийных компонентов.
на разговорный ключ
на вход и микросхемы номеронабирателя
на выход TONE микросхемы — номеронабирателя
на выход mute микросхемы — номеронабиретеля
Рис. 3.48. Схема подключения ИС КР1064УН1 (ТЕА1067).
Внутренний стабилизатор тока включается с помощью резистора R10 сопротивлением 3,6 кОм, подключаемого с вывода 9 (STAB) на корпус.
Резистор R8 задаёт ток нагрузки линии. Изменение сопротивления резистора R8 влияет иа коэффициент усиления микрофонного усилителя, усилителя сигнала приёма, местный эффект и максимальную амплитуду выходного сигнала на линию.
107
Микросхема содержит микрофонный усилитель со сбалансированным входным сопротивлением 64 кОм (2 по 32 кОм) и коэффициентом усиления 52 дВ. Это позволяет использовать микрофоны электретного типа, а также динамические и пьезоэлектрические.
Конденсатор С8 ёмкостью 100 пФ, подключенный между выводами 2 и 18 необходим для стабильной работы усилителя.
При подаче иа вход MUTE (вывод 14) "высокого" уровня отключаются микрофонный и телефонный усилители, что даёт возможность передачи сигнала многочастотного кода с микросхемы номеронабирателя, подаваемого на вход DTMF (вывод 13). Коэффициент усиления усилителя сигнала DTMF составляет 25,5 дБ и регулируется одновременно с микрофонным усилителем с помощью резистора R9.
Приёмный усилитель имеет одни вход IR (вывод 11) и два комплементарных выхода: прямой QR+ (вывод 5) н инверсный QR- (вывод 4). В зависимости от чувствительности и типа динамической головки могут быть задействован один или оба выхода. Коэффициент усиления приёмного усилителя составляет 25 дБ и регулируется в диапазоне ±8 дБ с помощью резистора R13. При использовании одновременно двух выходов усилителя усиление возрастает на 6 дБ, но при этом необходимо использовать прослушивающее устройство с сопротивлением выше 450 Ом (высокоомные динамические, магнитные и пьезоэлектрические прослушивающие устройства). Подключение конденсаторов С10 и С12 необходимо для стабильной работы усилителя.
Компенсация потерь в линии достигается автоматическим изменением коэффициента усиления микрофонного и приёмного усилителей. Это достигается включением резистора R11 с вывода 17 на корпус. Сопротивление резистора R11 выбирается в зависимости от напряжения питания в линии АТС и сопротивления питающего моста. Если нет необходимости в использовании АРУ, вывод 17 остаётся свободным. Усилители при этом обеспечивают максимальное усиление.
В течение импульсного набора происходит разрыв линии, вследствие чего прерывается питание периферийных устройств, подключенных к выводу 15. Интервалы прерывания сглаживаются конденсатором СЗ. "Высокий" уровень на входе PD (вывод 17) снижает потребление тока с 1 мА до 55 мкА и отсоединяет конденсатор С9, подключенный к выводу 16. Вследствие этого стабилизатор не имеет задержки включения после прерывания линии и форма тока 1сс в течение импульсного набора остаётся неискажённой.
Резисторы R3 + R8 составляют цепь компенсации местного эффекта.
НПО "ИНТЕГРАЛ" в г. Минске выпускает микросхему разговорного узла ЭКР1436ХА1 (часто маркируется как СТ7071). Аналог фирмы "PHILIPS" ТЕА1068. Эта микросхема имеет несколько лучшие характеристики, чем ИС КР1064УН1. В частности, в два раза снижен ток потребления. Цоколёвка ИС ЭКР1436ХА1 и схема включения такие же, как и КР1064УН1. На рис. 3.49 приведена схема включения ИС ЭКР1436ХА1 со специальным мостом подавления местного эффекта. Цепь компенсации местного эффекта состоит из резисторов R3, R6, R7, R9 + Rll, R13.
На рис. 3.50 представлена схема разговорного узла на широко распространённой микросхеме К157УД2. ИС К157УД2 представляет собой двухканальный операционный усилитель (ОУ) универсального назначения, обладающий низким уровнем собственных шумов и малым током потребления. ОУ допускает большой диапазон входных дифференциальных напряжений, имеет защиту от коротких замыканий на выходе. Номинальное напряжение питания ±15 В, но микросхема сохраняет работоспособность при напряжении питания от ±3 В, что даёт возможность использовать её в схеме разговорного узла телефона.
На DA1.1 собран усилитель сигнала микрофона, а на DA1.2 усилитель сигнала приёма с линии. ОУ включены по схеме иеинвертирующего усилителя переменного тока. На транзисторе VT1, резисторах R1 и R3, конденсаторе С1, стабилитроне VD1, диоде VD2 и светодиоде VD3 собран источник питания, кото-
108
на	R168
разговорный 1 ключ схемы
на вход и микросхемы номеронабирателя
на выход TONE микросхемы номеронабирателя
на выход mute микросхемы номеронабирателя
R8 2k
Рис. 3.49. Схема включения ИС ЭКР1436ХА1 (СТ7071) (ТЕА1068).
рый обеспечивает двухполярное питание ОУ.
Транзистор VT2 обеспечивает усиление по току сигнала микрофона с выхода DA1.1. Резисторы R9 и R10 представляют собой элементы противоместной схемы. Конденсатор С5 в цепи резистора обратной связи предназначен для исключения автоколебаний. Конденсаторы С4 и С9 предназначены для устойчивой работы ОУ с замкнутой обратной связью. Ёмкость конденсатора зависит от глубины обратной связи.
109
3.6. РАЗГОВОРНЫЙ УЗЕЛ ТА С "ГРОМКОЙ СВЯЗЬЮ"
НПО "ИНТЕГРАЛ" в г. Минске производит ИС для громкоговорящего ТА ЭКР1436ХА2 (аналог фирмы "MOTOROLA" - МС34118). АО "СВЕТЛАНА" в г. С-Петербурге выпускает эту микросхему с маркировкой КР1064ХА1.
Цоколёвка ИС ЭКР1436ХА2 приведена на рис. 3.51, назначение выводов в табл. 3.15. Структурная схема ИС ЭКР1436ХА2 приведена на рис. 3.52.
ИС ЭКР1436ХА2 представляет собой управляемый голосом усилитель для ТА с громкой связью. ИС включает в себя все необходимые усилители, аттенюаторы, детекторы уровня и логическую схему управления, являющиеся основой для высококачественных телефонных систем.
Микросхема включает в себя микрофонный усилитель с регулировкой усиления и блокировкой усилителя, приёмный и передающий аттенюаторы, работающие в дополняющем режиме, детекторы уровня на входах и выходах обоих аттенюаторов и идентификаторы фонового шума для каналов передачи и приёма. Детектор сигнала частотного набора номера блокирует выход приёмного идентификатора фонового шума во время сигнала частотного набора.
Микросхема включает в себя также два линейных уси-
1	FO		GND	28
2	Fl		CPR	27
3	CD		RLI1	26
4,	VCC		RLO1	26
	5	НТО+		TL01	24
6	НТО-		TLI1	23
7	HTI		RXO	22
8	тхо		RXI	21
9	TXI		RLI2	20
10	мео		RLO2	19
11	MCI		TL02	18
12	мит		TU2	17
13	VLC		СРТ	16
14	ст		VB	15
лителя мощности, которые могут использоваться для создания гибридной схемы связи с внешним трансформатором связи. Для фильтрации шума (50 Гц и др.) в приёмном канале может использоваться фильтр верхних частот. Вход блокировки микросхемы позволяет отключить питание всей схемы громкой
связи в то время, когда этот режим не используется. ИС ЭКР1436ХА2 может работать как от источника питания, так и от телефонной линии. Напряжение питания ИС находится в пределах от 2,8 до 6,5 В. Типовой ток потребления 5 мА.
Рис. 3.51.
Цоколёвка ИС ЭКР1436ХА2.
Рис. 3.52. Структурная схема ИС громкой связи ЭКР1436ХА2.
110
Табл. 3.15. Назначение выводов ИС ЭКР1436ХА2.
I № | вывода	Обозначение	Назначение
1	FO	Выход фильтра. Выходное сопротивление менее 50 Ом.
2	FI	Вход фильтра. Входное сопротивление более 1 МОм.
3	CD	Вход блокировки микросхемы. "Низкий" уровень (< 0,8 В) разрешает работу ИС. "Высокий" уровень (> 2,0 В) запрещает работу ИС. Номинальное входное сопротивление при этом составляет 90 кОм.
4	VCC	Напряжение питания. Рабочее напряжение находится в пределах от 2,8 до 6,5 В при потребляемом токе около 5,0 мА. При снижении VCC от 3,5 до 2,8 В схема АРУ понижает усиление приёмного аттенюатора до -25 дБ в режиме приёма.
б	НТО+	Выход второго парафазного усилителя. Имеет фиксированный коэффициент усиления и равен -1. Выходной сигнал противофазный относительно выхода НТО-.
6	НТО-	Выход первого парафазного усилителя. Коэффициент усиления устанавливается внешними резисторами.
7	HTI	Вход первого парафазного усилителя. Уровень постоянного напряжения примерно равен VB.
8	ТХО	Выход передающего аттенюатора. Уровень постоянного напряжения примерно равен VB.
9	TXI	Вход передающего аттенюатора. Максимальный уровень входного сигнала 350 мВ. Входное сопротивление равно 10 кОм.
10	мео	Выход микрофонного усилителя. Коэффициент усиления устанавливается внешними резисторами.
11	MCI	Вход микрофонного усилителя. Уровень постоянного напряжения примерно равен VB.
12	мит	Вход блокировки микрофона. "Низкий" уровень (< 0,8 В) разрешает работу микрофонного усилителя. "Высокий" уровень (> 2,0 В) блокирует микрофонный усилитель, не оказывая влияния иа остальные узлы схемы.
13	VLC	Вход управления громкостью. Приёмный аттенюатор имеет максимальное усиление в режиме приёма при напряжении иа входе VLC равном VB. При напряжении на входе VLC равном 0,3 В усиление приёмного аттенюатора менее -35 дБ. На усиление в режиме передачи не влияет.
14	СТ	Вход установления постоянной времени переключения аттенюаторов при помощи внешней RC-цепи.
15	VB	Выходное напряжение равное половине VCC. Это напряжение необходимо в качестве общей точки по переменному току и для управления уровнем громкости.
16	СРТ	Вход установления постоянной Времени идентификатора фонового шума передачи при помощи внешней RC-цепи.
17	ТЫ2	Вход детектора уровня передачи со стороны микрофона.
18	TLO2	Выход детектора уровня передачи со стороны микрофона и вход идентификатора фонового шума передачи.
19	RLO2	Выход детектора уровня приема со стороны громкоговорителя.
20	RLI2	Вход детектора уровня приёма со стороны громкоговорителя.
111
№ вывода	Обозначение	Назначение
21	RXI	Вход приёмного аттенюатора и детектора сигнала частотного набора номера. Максимальный уровень входного сигнала 350 мВ. Входное сопротивление равно 10 кОм.
22	RXO	Выход приёмного аттенюатора. Уровень постоянного напряжения примерно равен VB.
23	ТЫ1	Вход детектора уровня передачи со стороны линии.
24	TLO1	Выход детектора уровня передачи со стороны линии.
25	RLO1	Выход детектора уровня приёма со стороны линии и вход идентификатора фонового шума приёма.
26	RLI1	Вход детектора уровня приёма со стороны линии.
27	CPR	Вход установления постоянной времени идентификатора фонового шума приёма при помощи внешней RC-цепи.
28	GND	Общая точка схемы по постоянному току.
В обыкновенном телефоне оба абонента могут разговаривать одновременно и при этом передача разговора происходит в обоих направлениях. В громкоговорящем телефоне этот режим реализовать трудно. Вследствие высокого усиления в передающем и приёмном канале это приводит к возникновению самовозбуждения из-за обратной связи схемы и акустической связи громкоговорителя и микрофона. Поэтому в схеме реализован такой режим, что когда один из абонентов разговаривает, то включается соответствующий канал (передающий или приёмный) и выключается другой канал (уменьшается усиление канала). В этом случае усиление в петле обратной связи поддерживается меньше единицы. ИС ЭКР1436ХА2 обладает детекторами уровня, аттенюаторами и переключающей логической схемой, необходимой для правильной работы громкоговорящего ТА.
На рис. 3.53 приведена принципиальная электрическая схема громкоговорящего узла ТА на ИС ЭКР1436ХА2.
Часть схемы, обведённая пунктирной рамкой выполняет функцию индуктивности. Её можно заменить дросселем индуктивностью 1 Гн. Стабилитрон VD3 и конденсатор СЗ формируют питание схемы напряжением 5,6 В. Конденсатор фильтра СЗ нН плате телефона необходимо расположить рядом с выводом 4 ИС. В ИС реализовано.дополнительное напряжение питания VB (вывод 15), равное половине напряжения питания VCC. Это напряжение необходимо в качестве общей точки для переменного тока и обеспечивает регулировку уровня громкости путём изменения напряжения на входе VLC (вывод 13). При подаче иа вход CD (вывод 3) "высокого" уровня происходит блокировка микросхемы, что позволяет снизить потребляемую мощность.
Резисторы R4 и R5 задают ток питания электретного микрофона ВМ1. Входное сопротивление микрофонного усилителя составляет 10 кОм. Коэффициент усиления микрофонного усилителя определяется резисторами R6 и R9 (Ку = R9/R6). Конденсатор С8 предотвращает возбуждение усилителя. "Высокий" уровень на входе MUT (вывод 12) блокирует работу микрофонного усилителя.
Через конденсатор С9 сигнал с выхода микрофонного усилителя поступает на вход передающего аттенюатора TXI (вывод 9), а через конденсатор С8 и резистор R7 на вход детектора уровня передачи TLI2 (вывод 17). С выхода передающего аттенюатора ТХО (вывод 8) через резистор R11 и конденсатор СИ сигнал микрофона поступает на вход парафазного усилителя HTI (вывод 7). Коэффициент усиления первого парафазного усилителя определяется резисторами R11 и R12. Коэффициент усиления второго парафазного усилителя фиксирован и равен -1. Выходное сопротивление парафазных усилителей менее 10 Ом. С выхода второго парафазного усилителя НТО+ (вывод 5) сигнал микрофона через резистор R14 и конденсатор С18 подаётся на базу транзистора VT3. Транзистор согласует выходное сопротивление парафазного усилителя с импедансом линии.
112
на переключатель "SPEAKERPHONE"
С17 4,7mk
VT3 *16В
Рис. 3.53. Схема громкой связи ТА на ИС ЭКР1436ХА2 и ЭКР1436УН1.
Сигнал с линии через конденсатор С17, С19 и резистор R17 поступает на 1 вход фильтра FI (вывод 2). Элементы фильтра R20, R24, С22 и С23 подобраны I таким образом, чтобы срезать помехи сетевой частоты 50 Гц, которые могут на-( водиться на внешние провода телефонной линии. Конденсаторы С17, С19 и рези-I сторы R17, R18 представляют собой балансную цепь для согласования с импе-I дансом линии. С выхода фильтра FO (вывод 1) сигнал поступает через разделительный конденсатор С20 на вход приёмного аттенюатора RXI (вывод 21) и через конденсатор С21 и резистор R19 на вход детектора уровня приёма RLI1 (вывод . 26). С выхода приёмного аттенюатора RXO (вывод 22) через конденсатор С26 и резистор R25 сигнал подаётся на вход VIN (вывод 4) усилителя мощности на ИС ЭКР1436УН1. Резисторы R25 и R26 задают коэффициент усиления усилителя мощности DA2. Конденсатор С27 предназначен для исключения возбуждения I усилителя. С выхода усилителя мощности VO1 (вывод 5) усиленный сигнал по-1 даётся на громкоговоритель, а также через конденсатор С28 и резистор R27 на вход детектора уровня приёма RLI2 (вывод 20).
79
113
Четыре детектора уровня (два в приёмном канале и два в канале передачи) обеспечивают на своих выходах постоянное напряжение, пропорциональное уровню сигнала иа входах. Это достигается подключением конденсаторов С13, С14, С15 и С16 на выходах детекторов уровня. Конденсаторы имеют небольшое время заряда и большое время разряда, задаваемое внутренним источником тока 4 мкА. Конденсаторы на всех четырёх выходах должны иметь одинаковую ёмкость (±10%). Компараторы сравнивают уровни сигналов приёма и передачи с выходов детекторов уровня и в зависимости от того, уровень какого сигнала выше, посредством схемы управления аттенюаторами открывается соответствующий аттенюатор (передачи или приёма).
Передающий и приёмный аттенюаторы работают в дополняющем режиме, т. е. когда один имеет максимальное усиление (+6,0 дБ), то другой имеет максимальное ослабление сигнала (-46 дБ), и наоборот. Они не могут быть полностью включены или полностью выключены. Сумма их коэффициентов передачи остаётся постоянной и имеет значение -40 дБ. Аттенюаторы управляются схемой управления аттенюаторами. Резистор R23 и конденсатор С25 на входе СТ (вывод 14) задают время переключения аттенюаторов. Напряжение 240 мВ на входе СТ (вывод 14) относительно напряжения VB открывает приёмный аттенюатор и закрывает передающий. Напряжение -240 мВ переводит микросхему в режим передачи. Напряжение на входе СТ равное напряжению VB переводит микросхему в режим ожидания (коэффициент передачи обоих аттенюаторов равен -20 дБ).
Резисторы R7, R8 и конденсаторы С6, С7 задают постоянную времени иа входах СРТ (вывод 10) и CPR (вывод 27) идентификаторов фонового шума. Их назначение состоит в том, чтобы отличить сигнал речи (который содержит характерные всплески уровня) от фонового шума (сигнал сравнительно постоянного ровня). Выход идентификаторов фонового шума связан со схемой управления аттенюаторами.
CD FC2 FC1 VIN	t>	VO2 GND VCC VO1
Рис. 3.54. Цоколёвка ИС ЭКР1436УН1.
ИС ЭКР1436УН1, которая применяется в схеме громкой связи ТА имеет зарубежный аналог фирмы MOTOROLA -МС34119. АО "СВЕТЛАНА в г. С-Петербурге выпускает эту микросхему с маркировкой КР1064УН2. Цоколёвка ИС ЭКР1436УН1 приведена иа рис. 3.54. ИС создаёт максимум усиления при минимальном напряжении питания 2,0 В. Максимальное напряжение питания ИС 16 В. Типовой ток потребления 2,7 мА. Максимальное напряжение входного сигнала +1 В. Разделительные конденсаторы к громкоговорителю не нужны. ИС допускает применение громкоговорителей с сопротивлением от 8 до 100 Ом. Выходная мощность составляет 250 мВт при работе с громкогово-
Рис. 3.55. Структурная схема ИС ЭКР1436УН1 и типовая схема включения
рителем иа 32 Ом. Усилитель на ИС ЭКР1436УН1 обладает низкими нелинейными искажениями.
Подачей "высокого" уровня (> 2,0 В) на вход CD (вывод 1) устанавливается режим пониженной по-ребяемой мощности (ток покоя 65 мкА). "Низкий" уровень (< 0,8 В) разрешает работу микросхемы. (Rcd вх. = 90 кОм).
Структурная схема и типовая схема включения ИС ЭКР1436УН1 приведены на рис. 3.55.
114
Резисторами R1 и R2 устанавливается коэффициент усиления УНЧ, который может составлять от 0 до 46 дВ. Входы FC2 (вывод 2) и FC1 (вывод 3) предназначены для подключения корректирующих ёмкостей. Вход 'FC1 (вывод 3) является общей точкой по переменному току. Конденсатор С2 позволяет увеличить коэффициент подавления нестабильности источника питания. Этот вывод может быть использован как дополнительный вход. Конденсатор СЗ увеличивает •подавление пульсаций источника питания и также влияет на величину времени включения. Допускается оставлять этот вывод свободным, если достаточно ёмкости, подключенной к выводу FC1.
Рис. 3.56. Схема УНЧ на ИС ЭКР1436УН1 с высоким входным импедансом (Zbx. = 125 кОм).
В зарубежных ТА часто применяется ИС громкой связи МС34018 и её аналог SC77655S. Упрощённая структурная схема ИС МС34018 приведена на рис. 3.57.
МСО XDI XDC TXI
SKG SKI VLC RXO
ТХО
TLI
ПО
RLO
RLI
RXI
V+
Рис. 3.57. Упрощённая структурная схема ИС громкой связи МС34018.
Структурная схема ИС МС34018 аналогична ИС МС34118. Основное отличие состоит в том, что в ИС МС34018 есть свой усилитель приёма и отсутствуют парафазные усилители и фильтр высоких частот. Детекторов уровня не четыре, как в ИС МС34118, а два.
Схема включения ИС МС34018 приведена иа рис. 3.58.
Часть схемы, обведённая пунктирной рамкой, выполняет функцию индуктивности. Её можно заменить дросселем, индуктивностью 1 Гн.
Транзистор VT3, подключенный к выходу передающего аттенюатора ТХО (вывод 4), включен по схеме эмиттерного повторителя. С выхода эмиттерного повторителя сигнал подаётся иа базу транзистора VT4, который усиливает сигнал и передаёт его в линию.
115
Рис. 3.58. Схема громкой связи ТА на ИС МС34018.
Резисторы R20, R22, R23 н конденсатор С18 представляют собой балансную цепь для согласования с импедансом линии.
Конденсатор С4 на выходе детектора уровня передачи TLO (вывод 6) и С5 на выходе детектора уровня приёма RLO (вывод 8) обеспечивают постоянное напряжение иа выходах детекторов уровня, пропорциональное уровню сигнала на входе. Время разряда конденсаторов задаётся резисторами R7 и R8. Сигналы с выходов детекторов уровня сравниваются компаратором. С выхода компаратора сигнал поступает на схему управления аттенюаторами, который включает соответствующий канал (передачи или приёма), в зависимости от того, уровень какого сигнала выше.
Переключение аттенюаторов в ИС МС34018 осуществляется также, как и в ИС МС34118. Резистор R9 и конденсатор С6 на входе XDC (вывод 23) задают время переключения аттенюаторов. Напряжение на входе XXXI на 150 мВ меньше, чем VCC переключает аттенюаторы в режим приёма, а напряжение иа 6 мВ меньше, чем VCC переключает аттенюаторы в режим передачи.
116
И в заключение приведём схему громкой связи иа дискретных элементах (рис. 3.59). Эта схема встречается в недорогих ТА низкого класса типа TECHNIKA.
Дроссель Ы предназначен для увеличения максимального тока питания усилителя приёма. Выходной каскад усилителя приёма выполнен по двухтактной схеме иа транзисторах VT4, VT5 и обеспечивает номинальную выходную мощность 250 мВт на нагрузку 50 Ом. Диоды VD3 и VD4 смещают двухтактный каскад в состояние проводимости для устранения переходных искажений. Резистор R16 и конденсатор СИ представляют собой цепь отрицательной обратной связи для исключения возбуждения усилителя. Переменный резистор R9 и рези-
стор R8 обеспечивают согласование схемы с импедансом линии для максимального подавления местного эффекта. Переменным резистором R11 можно регулировать громкость приёмного усилителя.
Резисторы Rl, R2 и конденсатор С1 составляют цепь питания микрофона ВМ1. Усилитель сигнала микрофона выполнен на транзисторах VT1 и VT2.
Недостаток дайной схемы в том, что в ией отсутствует управление усили-I. телями приёма и передачи для их работы в дополняющем режиме.
\

3.7. МИКРОФОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ НА ИС КР1026УН1
I V
ИС КР1026УН1 производит з-д "ГРАВИТОН” в г. к Черновцы и ОАО "ОРБИТА" в г. Саранске. Она предна-R значена для усиления сигнала звуковой частоты электретного микрофона с согласующим каскадом в составе J телефонного аппарата.
Цоколёвка ИС КР1026УН1 приведена на рис. 3.60, й назначение выводов в табл. 3.16.
Основные технические данные.
К г минимальный ток потребления 5 мА;
~ максимальный ток потребления 100 мА;
Г - входное сопротивление усилителя от 9 до 12 кОм;
If - коэффициент усиления напряжения от 37 до 41 дБ;
К: - постоянное напряжение на выходе питания элек
I третного микрофона (выводы 3 и 5) от 4,8 до 7.0 В;
К' — напряжение шумов на выходе не более 130 мВ;
ft, ~ коэффициент гармоник не более 3%.
	1	X		REG5	14
2	MIK	>	REG4	13
3	и		REG3	12
4	X		REG2	11
5	OV		REG1	10
6	LN1		X	9
7	X		LN2	8
Рис. 3.60. Цоколёвка ИС КР1026УН1.
117
Табл. 3.16. Назначение выводов ИС КР1026УН1.
Номер вывода	Обозначение	Назначение	Номер вывода	Обозначение	Назначение
1		Свободный	8	LN2	Вход линии
2	MIK	Вход микрофона	9		Свободный
3	и	Напряжение питания электретного микрофона.	10	REG1	Вход регулировки коэффициента усиления
4		Свободный	11	REG2		-//	
5	OV	Общий	12	REG3		-//——
6	LN1	Вход линии	13	REG4		И	
7		Свободный		14	REG5		-//	
Рис. 3.61. Внутренняя электрическая схема ИС КР1026УН1.
Внутренняя электрическая схема ИС КР1026УН1 приведена на рис. 3.61.
Днодный мост на входе усилителя позволяет подключать ИС не зависимо от полярности напряжения на входе.
Первый каскад усиления выполнен на транзисторе VT1. Резисторы R2 и R3 задают смещение на базе транзистора VT1. Коэффициент усиления каскада определяется отношением резисторов в цепи коллектора и эмиттера. Таким образом, замыкая один из выводов 10, 11,12, 13 или 14 с выводом 5 можно изменять коэффициент усиления усилителя. Максимальное усиле
ние схемы достигается замыканием выводов 10 и 5.
На рис. 3.62 приведены два варианта схемы замены угольного микрофона в ТА на ИС КР1026УН1. В схеме на рис. 3.62,а используется микрофон с отдельным выводом питания, а на рис. 3.62,6 применяется электретный микрофон с двумя выводами. Резистор R2 задаёт ток питания электретного микрофона. Конденсатор С1 сглаживает пульсации напряжения питания электретного микрофона.
Рис. 3.62. Схемы замены угольного микрофона на ИС КР1026УН1.
118
3.8. МИКРОФОНЫ
Микрофоны классифицируются по признаку преобразования акустиче-[ ских колебаний в электрические и подразделяются на электродинамические. f электромагнитные, электростатические (конденсаторные и электретные), I угольные и пьезоэлектрические.
Микрофоны характеризуются следующими параметрами:
Чувствительность микрофона - это отношение напряжения на выходе микрофона к воздействующему на него звуковому давлению при заданной часто-i. те (как правило 1000 Гц), выраженное в милливольтах на паскаль (мВ/Па). Чем I больше это значение, тем выше чувствительность микрофона.
Номинальный диапазон рабочих частот - диапазон частот, в котором I микрофон воспринимает акустические колебания и в котором нормируются его j параметры .
Неравномерность частотной характеристики - разность между максимальным и минимальным уровнем чувствительности микрофона в номинальном I: диапазоне частот.
Модуль полного электрического сопротивления - нормированное значе-R ние выходного или внутреннего электрического сопротивления на частоте 1 кГц.
Характеристика направленности - зависимость чувствительности микрофона (в свободном поле на определённой частоте) от угла между осью микрофона и направлением на источник звука.
Уровень собственного шума микрофона - выраженное в децибелах отношение эффективного значения напряжения, обусловленного флуктуациями давления в окружающей среде и тепловыми шумами различных сопротивлений в ^электрической части микрофона, к напряжению, развиваемому микрофоном на нагрузке при давлении 1 Па при воздействии на микрофон полезного сигнала с эффективным давлением 0,1 Па.
В телефонных аппаратах, в основном, применяются электродинамиче-скне, электретные и угольные микрофоны. Но, как правило, в 95% кнопочных ТА применяются электретные микрофоны, которые имеют повышенные электроакустические и технические характеристики:
—	широкий частотный диапазон;
-	малую неравномерность частотной характеристики;
-	низкие нелинейные и переходные искажения;
-	высокую чувствительность;
-	низкий уровень собственных шумов.
На рис. 3.63 приведена схема, объясняющая принцип работы конденсаторного микрофона. Выполненные из электропроводного материала мембрана (1) и электрод (2) разделены I Изолирующим кольцом (3) и представляют собой конденсатор.
Жёстко натянутая мембрана под воздействием звукового давления совершает колебательные движения относительно неподвижного электрода. Конденсатор включен в электрическую цепь последовательно с источником напряжения постоянного тока GB и активным нагрузочным сопротивлением R. При колебаниях мембраны ёмкость конденсатора меняется с частотой воздействующего на мембрану звукового давления. В электрической цепи появляется переменный ток той же частоты и на нагрузочном сопротивлении возникает переменное | напряжение, являющееся выходным сигналом микрофона.	фона.
Рис. 3.63.
Схема включения конденсаторного микро-
119
Электретные микрофоны по принципу работы являются теми же конденсаторными, но постоянное напряжение в них обеспечивается зарядом электрета, тонким слоем нанесённого на мембрану и сохраняющим этот заряд продолжительное время (свыше 30 лет).
Поскольку электростатические микрофоны обладают высоким выходным сопротивлением, то для его уменьшения, как правило, в корпус микрофона встраивают нстоко-вый повторитель на полевом п-канальном транзисторе с р-п переходом. Это позволяет снизить выходное сопротивление до величины не более 3 + 4 кОм и уменьшить потери сигнала при подключении к входу усилителя сигнала микрофона.
На рис. 3.64 приведена внутренняя схема электретного микрофона с тремя выводами МКЭ-3.
У электретных микрофонов с двумя выводами выход микрофона выполнен по схеме усилителя с открытым стоком.
На рис. 3.65 приведена внутренняя схема электретного микрофона с двумя выводами МКЭ-389-1. Схема подключения такого микрофона приведена на рис. 3.66. По этой схеме можно подключать практически все электретные микрофоны с двумя выводами, и отечественные и импортные.
На рис. 3.69 приведены размеры и назначение выводов электретных микрофонов. В табл. 3.17 приведены их технические характеристики.
Выход
Рис. 3.65.
Внутренняя схема электретного микрофона МКЭ-389-1.
- Общий
Рис. 3.64.
Внутренняя схема электретного микрофона МКЭ-3.
+и=зв
Выход
Рис. 3.66. Схема подключения электретных микрофонов с двумя выводами.
Табл. 3.17. Технические характеристики электретных микрофонов.
Микрофон	Чувствительность, мВ/Па, ие менее	Номинальный диапазон рабочих частот, Гц	Уровень собственного шума, дБ, не более	Напряжение питания, В
М1-А2 "Сосна"	5 + 15	150 + 7000	28	-1,2 + 0 12
М1-Ь2 'Сосна"	10 + 20	150 + 7000	28	-1J2 ± 0 12
М7 "Сосна"	> 5	150 + 7000	26	-1,2 ±0,12
МЭК-1А	6 + 20	300 + 4000	30	2,3 + 47
МЭК-1Б	6 + 20	300 + 4000	30	2,3+ 4,7
МКЭ-3	4 + 20	50 + 15000	30	-4,5 ± 1,5
МКЭ-84	6 + 20	300 + 3400	30	1,3 + 4,5
МКЭ-377-1А	6 + 12	150 + 15000	33	2,3 + 60
МКЭ-377-1Б	10 + 20	150 + 15000	33	2,3 + 60
МКЭ-377-1В	18 + 36	150 + 15000	33	2,3 + 6,0
МКЭ-378А	6 + 12	30 +18000	33	2,3 + 6 0
МКЭ-378Б	10 + 20	30 +18000	33	2,3 + 6,0
МКЭ-389-1	6 + 12	300 + 4000	33	2,0 + 6,0
|	Чувствительность, мВ/Па, не менее	Номинальный диапазон рабочих частот, Гц	Уровень собственного шума, дБ, не более	Напряжение питания, В
МКЭ-332А	3 + 5	50 + 12500	30	2,0 + 9,0 1
МКЭ-332Б	6 + 12	50 + 12500	30	2,0 + 9,0
МКЭ-332В	12 + 24	50 + 12500	30	2,0 + 9,0
МКЭ-332Г	24 + 48	50 +12500	30	2,0 + 9,0
МКЭ-33 ЗА	3 + 5	50 + 12500	30	2,0 + 9,0
МКЭ-ЗЗЗБ	6 + 12	50 + 12500	30	2,0 + 9,0
МКЭ-ЗЗЗВ	12 + 24	50 + 12500	30	2,0 + 9,0
МКЭ-ЗЗЗГ	24 +48	50 + 12500	30	2,0 + 9,0
Ток потребления микрофона МЭК-1 не более 0,2 мА, МКЭ-377-1 и МКЭ-378 не более 0,35 мА. Потребляемый ток микрофонов М1-А2, М1-Б2 и М-7 не более 70 мкА.
Отличие микрофона МКЭ-332 от МКЭ-333 в том, что МКЭ-332 односто-'ронненаправленный, а МКЭ-333 ненаправленный.
Коэффициент гармоник на частоте 1000 Гц при звуковом давлении 3 Па /для микрофонов МКЭ-377-1 и МКЭ-389-1 не более 4 %, МКЭ-378 не более 1 %.
Неравномерность частотной характеристики чувствительности в номинальном диапазоне частот для микрофона МКЭ-3 не более 12 дБ, а для М1-А2, М1-Б2, МЭК-1 и МКЭ-389-1 не более +2 дБ.
Рнс. 3.67. Допусковая область частотной характеристики микрофона МКЭ 377 1.
Рис. 3.68. Допусковая область частотной характеристики микрофона МКЭ-378.
121
120
010,4
6,6
010
исток(-)
а; МКЭ-332, мкэззз.
б) CZN-15E.
г) МКЭ-389-1.
в) МЭК-1.
Цветная точка -маркировка группы:
е) МКЭ-377-1, 1МКЭ-378.
з) МКЭ-84.
минус
питания (красный, коричневый)
выход (белый, жёлтый, оранжевый) общий (синий, чёрный, зелёный)
Рис. 3.69. Электретные микрофоны.
122
4. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТОВ
Ассортимент выпускаемых телефонных аппаратов очень большой. Их производят фирмы во многих странах мира и, чтобы представить аппараты во всём их многообразии потребовалось бы многотомное издание. Поэтому автор вынужден был ограничиться электрическими принципиальными схемами лишь отдельных моделей телефонных аппаратов и телефонов-трубок различного класса сложности как зарубежного, так и отечественного производства, схемотехника которых является типовой для многих аппаратов данного класса. В качестве примера приведена также схема ТА с дисковым номеронабирателем. Автор надеется, что данный раздел поможет читателю лучше ориентироваться в схемотехнике различных ТА.
VEF TA-D
Электрическая принципиальная схема телефонного аппарата "VEF TA-D" (ТА-11432) с дисковым номеронабирателем представлена на рис. 4.1. Разговорный узел аппарата выполнен по противоместной схеме мостового типа с трансформатором Т1 и балансным контуром, состоящим из резисторов, Rl, R2 и конденсатора С4. Параллельно телефонному капсюлю-BF1 включен амплитудный, ограничитель избыточного уровня напряжения, состоящий из диодов VD8 и VD9. При уложенной на рычаг микротелефонной трубке разговорный узел закорачивается герконом S3 (КЭМ-ЗА). Набор номера осуществляется импульсными контактами 3-4 номеронабирателя S5. Контакты 1-2 во время набора замыкают разговорный узел накоротко для исключения щелчков в трубке телефона. Резистор R3 и конденсатор С5 представляют собой искрогасящую цепь во время набора номера.
В корпусе микротелефонной трубки размещаются микрофонный (МК-16-М) и телефонный (ТК-67-НТ) капсюли и постоянный магнит для управления герконом. Коммутация схемы обеспечивается герконом, срабатывающим при еиятии микротелефонной трубки с аппарата.
При нажатии кнопки SI f’S") происходит закорачивание микрофона, а при нажатии кнопки S2 ("отбой") - линия обрывается.
Вызывное устройство представляет собой тональный генератор с тремя переключающимися частотами. Напряжение вызывного сигнала АТС частотой 25 Гц через блокировочный для постоянного тока конденсатор СЗ поступает на диодный мост VD3 + VD6. Здесь напряжение выпрямляется и фильтруется конденсатором С5. Выпрямленное напряжение стабилизируется параметрическим стабилизатором на резисторе R6, стабилитроне VD11 и конденсаторе С7. Это напряжение величиной порядка 8 В используется для питания схемы вызывного устройства.
Тональный генератор собран по схеме мультивибратора на транзисторах резной проводимости VT2 и VT3. Изменение частоты достигается переключением резисторов R15, R19 и R20 в цепи эмиттера транзистора VT2. Переключение производится подачей логического ”0” с выходов мультивибратора, собранного ха элементах DD1.2 + DD1.4 'Ha диоды VD15 + VD17.
Пороговое устройство выполнено на диодах VD1, VD2, стабилитронах VD7, VD12, резисторах R9, R13, конденсаторе С9 и логическом элементе DD1.1. Оно предназначено для ограничения послезвучания ВУ. После окончания посылки вызова на выходе логического элемента DD1.1 появляется логическая *1". Через диоды VD13, VD14 она подаётся в цепь базы транзистора VT3 и цепи амиттеров транзисторов VT2, VT3 и срывает генерацию тонального генератора.
С коллектора транзистора VT3 сигнал тонального генератора подаётся на транзистор VT1. Здесь происходит его усиление по мощности. Для регулировки уровня громкости вызывного сигнала в коллектор транзистора VT1 последовательно с высокоомным электроакустическим преобразователем BF1 включен беременный резистор R8.
123
Верхняя плата
Рис. 4.1. Принципиальная электрическая схема телефонного аппарата VEF TA-D.
124
VEF TA-12
Телефонный аппарат VEF TA-12 (TA 11434) имеет кнопочный номеронабиратель. Аппарат обеспечивает выполнение следующих функций:
-	набор номера любой значности; неоднократный повтор последнего набранного номера значностью не более 20 цифр нажатием кнопок "#" ("отбой”) и Г*" ("повтор”);
-	прерывание набора номера на любом этапе набора и повторный набор
номера;
-	хранение информации последнего набранного номера при уложенной на аппарат микротелефонной трубке и возможность последующего набора нажатием кнопки "повтор" (хранение не ограниченно во времени при наличии питания АТС и не более одного часа после отключения питания АТС);
-	выключение микрофона во время разговора нажатием кнопки "S":
-	регулировку уровня громкости вызывного акустического сигнала;
- включение аппаратов по схеме "директор - секретарь", спаренное вклю-чение через блокиратор или приставку с диодным разделением цепей.
Принципиальная схема аппарата представлена на рис. 4.2. Она включает J в .себя следующие функциональные узлы: разговорную схему, выполненную на трансформаторе Т1 (плата ПЭ 7.109.268-1), с Подключенными к ней микрофона-: мй ВМ1 и телефоном BF1; электронный номеронабиратель, выполненный на базе ИС DD3 типа К145ИК8П с блоком кнопок В2 + В4 (плата ПК 7.109.221-XI);
: сильно - и слаботочные блоки питания; ВУ на элементах VT1 + VT3, DD1 (плата ‘ ПЭ 7.109.268-1); контакты рычажного переключателя на герконах 82 и S3; без-обрывные розетки XI, Х2 с вилкой ХЗ.
Разговорный узел выполнен по противоместной схеме мостового типа на I дифференциальном трансформаторе Т1 с балансным контуром и диодным ограничителем VD1, VD2 избыточного напряжения на телефонном капсюле BF1.
К абонентской линии разговорная схема подключается через диоды VD1, I VD2 и ключи номеронабирателя DD1, DD2, которые совместно образуют диод-) ный мост, преобразователь на транзисторах VT1, VT2 и разговорный электрон-. 1ный ключ на DD5.
Электронный номеронабиратель состоит из микросхем DD3 и DD4, им-'пульсного (DDlj DD2) и разговорного ключей (DD5). Управление номеронабирателем производится кнопками В2 В4. Электронный номеронабиратель работает 'Следующим образом. При снятии микротелефонной трубки с аппарата срабатывают герконы S2 и S3. Геркон S3 обрывает цепь ВУ и подключает разговорный узел, а S3 переключает ИС DD3 в состояние "разговор - посылка вызова". К або-Иентской линии подключается сильноточный импульсный блок питания на транзисторах VT1, VT2, конденсаторах С2, СЗ, резисторах Rl, R2 и трансформаторе Т1,
выполненный по схеме высокочастотного двухтактного мультивибратора с частотой преобразования 200 кГц. Преобразованное напряжение выпрямляется мостом VD3, фильтруется конденсаторами С4, С5 и стабилизируется стабилитроном VD4 до 9 В.
При подключении блока питания к линии происходит начальная установка
Элементов схемы номеронабирателя посредством подачи напряжения логического "О” на вход 2 и логической ”1" на вход 3 микросхемы DD3. На выводе 5 DD3 формируется напряжение логического "0", которое после инверсии элементом DD4.4
поступает на вход разговорного ключа DD5, открывая его. Абонентский шлейф ,3|мыкается по цепи: линия АТС (разъем Х7), перемычка 6-6 (между платами ПЭ и i; ПК), диодный мост (VD1, VD2, DD1, DD2), трансформатор Т1 (обмотки 2-3, 5-6), оцин из открытых транзисторов VT1, VT2, перемычка 2-2, разговорная схема (R1, R2, СЗ, Tl, ВМ1, BF1, VD1, VD2), вывод 5 обмотки трансформатора Т1, перемычка
-4 открытый разговорный ключ DD5, диодный мост (VD1, VD2, DD1, DD2),
гцжон S2, перемычца 3-3, линия АТС (разъем Х6).
При нажатии на цифровые кнопки номеронабирателя на соответствующих •ходах (1 + 0) микросхемы DD3 устанавливается напряжение логического "0".
125
Рис. 4.2. Принципиальная электрическая схема телефонного аппарата VEF ТА-12
В результате запускается встроенный в микросхему внутренний тактовый генератор с частотой 12,8 кГц. Его времязадающая цепь образована элементами R1, R18, С6. Происходит запись введенной кнопками информации в оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) микросхемы.
В результате преобразования введенной информации на выводе 19 микросхемы DD3 (выход ИК) формируются импульсные последовательности набираемых номеров со стандартными временными характеристиками. Их сигналы управляют работой импульсного электронного ключа на DD1, DD2. Одновременно на выводе 5 микросхемы DD3 (выход РК) на все время действия импульсной серии формируется напряжение логической "1". Через инвертор DD2.3 напряжение логического "О" поступает на вход разговорного ключа и закрывает его. Таким образом, разговорная схема отключается от абонентской линии.
Повтор последнего набранного номера производится последовательным нажатием кнопок В4 "#" и В2 При нажатии кнопки В4 "#" на вход 3 микросхемы DD3 подаётся напряжение логического "О", вследствие чего на ее выводе 5 (РК) формируется напряжение логической "1", которое закрывает разговорный ключ DD5. Цепь питания разговорной схемы обрывается и абонентская линия размыкается, обеспечивая отбой АТС. При нажатой кнопке В2 на вход 7 микросхемы DD3 подается напряжение логического "О". При этом на ее выводе 19 (ИК) формируются серии импульсов набранного перед этим и записанного в ОЗУ номера.
Питание микросхем в режиме хранения информации последнего набранного номера при уложенной микротелефонной трубке обеспечивает слаботочный узел питания <300 мкА, состоящий из резистора R3.
ВУ преобразует высоковольтный вызывной сигнал АТС частотой 25 Гц и напряжением 80 + 90 В в низковольтный звуковой сигнал, определенной частотно - временной структуры, воспроизводимый электроакустическим преобразователем BF2.
ВУ работает следующим образом. Напряжение вызывного сигнала АТС, поступающее на аппарат с помощью элементов VD3 -s- VD6, С5 и параметрического стабилизатора напряжения VD9, R12, С10 преобразуется в постоянное напряжение 9 В, используемое для питания двухчастотного генератора вызывного сигнала на элементах DD1.1 + DD1.4. Звуковой сигнал усиливается транзистором VT3 и подается на динамический излучатель BF2.
Схема на транзисторах VT1, VT2 является пороговым устройством, обеспечивающим необходимую скорость спадания уровня сигнала отключением питания ИС DD1 по окончании каждой посылки вызывного сигнала АТС. Уровень громкости вызывного сигнала регулируется переменным резистором R14. Ком мутация цепей ВУ производится герконом S2.
VEF ТА-32
Телефонный аппарат VEF ТА-32 (ТА-11430 ИН) с кнопочным набором номера и автоматическим набором до 32 программируемых абонентских номеров, предназначен для работы в абонентской линии АТС с импульсным набором номера. Обеспечивает набор номера любой значности с клавиатуры и неоднократный набор последнего набранного номера значностью до 20 цифр.
Принципиальная схема ТА приведена на рис. 4.3. Аппарат состоит из следующих основных узлов: разговорной схемы на трансформаторе Т2 с микрофоном ВМ1 и телефоном BF2; номеронабирателя на ИС DD1 с контактами кнопок ”1 -5- 0",	"#; программируемого ЗУ на микросхемах DD2, DD5 + DD8,
DD11 и DD12 с контактами кнопок "1 + 16”; сильноточного устройства питания номеронабирателя и ЗУ (4 мА), включающего в себя преобразователь постоянного напряжения на транзисторах VT1, VT2 и слаботочного (<0,3 мА) на резисторе
128
К7; тонального вызывного устройства на ИС 1DD1, транзисторах 1VT1 •*- 1VT3 и вызывном приборе BF1; контактов рычажного переключателя на герконах S14, S17.
Номеронабиратель построен на базе микросхемы DD1 К145ИК8П (см. VEF ТА-12).
Программируемое ЗУ построено на базе специализированной микросхемы управления DD2 типа К145ИК11П и микросхем ЗУ DD5 + DD8 типа К561РУ2А. В процессе записи номера в ЗУ должна быть постоянно нажата кнопка ”, обеспечивающая подачу на вход 8 DD2 и входы 15 DD5 + DD8 напряжения логической “1" для установки режима записи. При этом с выхода 9 DD2 на вход 18 DD1 подается напряжение логического "О”, блокирующее запись информации Программируемого номера в ОЗУ ИС DD1 и исключающее передачу номера в Линию в процессе его записи.
Выбор адреса программируемого номера происходит следующим образом. При замыкании кнопки "А" ("В") и замыкании контактов "1 + 16” одной иэ сменных кнопок происходит соединение одного из выходов 20 + 27 ИС DD2 с ее *ходами 1, 2 (3, 4) через схему выбора адреса на элементах DD11.1, DD11.3, DD12.1, DD12.3 (DD11.2, DD11.4, DD12.2, DD12.4). В результате на выходах 28 + 35 DD2 формируется код адреса ячейки памяти.
При нажатии на одну из кнопок "1 + 10” на выходах 22, 25, 32, 35 DD1 формируется параллельный двоичный код, поступающий на входы 36, 37, 38, 40 DD2 и далее на выходы 10 + 13 DD2 и входы 12 DD5 + DD8, где фиксируется в ячейках памяти. Одновременно с кодом номера на входы 16 DD5 + DD8 поступают тактовые импульсы выбора кристалла с выхода 14 DD2. Синхронно с этим осуществляется стирание ранее записанного по этому адресу абонентского номера.
Считывание кода запрограммированного номера с выхода 13 DD5 + DD8 происходит при поступлении тактовых импульсов с выхода 14 DD2. Считанная информация записывается в ОЗУ ИС DD1 по ее входам 37 + 40, в результате чего на выходе 19 DD1 формируются серии импульсов, соответствующие набранному номеру.
Питание схем ЗУ и номеронабирателя в режиме хранения записанной в ОЗУ и ЗУ информации при уложенной на рычаг трубке осуществляется через резистор R7 током не более 300 мкА.
Если телефон долго был отключен от линии АТС, то после включения необходимо подождать несколько минут для того чтобы зарядился конденсатор С7 источника питания.
VEF Rita-201, Gunta-202, Inta-203
Телефонные аппараты VEF Rita-201, Gunta-202 и Inta-203 обеспечивают выполнение следующих функций:
-	набор номера любой значности;
-	неоднократный повтор последнего набранного номера значностью не более 22 цифр нажатием кнопки (“повтор”) после отбоя соединения нажатием кнопки ”#" ("отбой") или рычажного переключателя;
-	прерывание набора номера на любом этапе набора и повторный набор номера заново;
-	хранение информации последнего набранного номера в течение неограниченного времени при уложенной на аппарат микротелефонной трубке и наличии питания в абонентской линии АТС;
-	возможность прослушивания акустических сигналов АТС во время межсерийных пауз при наборе номера;
-	возможность введения программируемой паузы увеличенной длительности между любыми двумя соседними цифрами номера;
•79
129
130
R1100k
01 К145ИК8П
419100k
1R9
39k
R16 160
VT1 KT940A
1R11
2,2k
BF2
ВП-1 3000 Ом
V03
КД906А
BF1 * ТК-67-УТ
СЧ
OV
R9 47k
26
410 47k
33
25
28
C2 120
27
16
ГИ
D3KP1014KT1A
23
430k
25
43
AO
RG1
Плата ПЗ 7.108.324-IX
33
34
55
23
37
RG2
R17 47k
F/128
55
Р7К561РУ2
D12.2
011.2
101 К561ЛА7
101.2
S5
011.1
n
43
5
012.4
D12.1
1R5 100k
1R6 100k
1RS 39k
RU 1800
VT2
КТЭ40А
1R2 1M
1R7
24k
1R4
150k
S17
КЭМ-2
R14 100k
1C1
1mk x250B
R7 220k
1V07 Д81ВВ
011, 12
К561ЛА7
1VT1
КТ503Д
1VT2 КТ503Д
1C2
68h
1V01...1VD4
КД105Б
1C4
0,47mk
A4
A5
AO
A1
BC
BK
-Й-V01 КД105Б
19
R11 100k
1R3 ,S5?e 150k КД522Б
Рис. 4.3. Принципиальная электрическая схема телефонного аппарата VEF ТА-32.
г 71V06
-Х-КД522Б
X 1С5 =Ь= 20mk х100В
13 [ 21 R18 100k
45
45
47
49
45
46
47
46
49
50____11
54____12
4_____15
55____16
45
47
48
49
50
28
29
28
23
1VT3 КТ503Д
1R1
2,4k
R20100k


C3 68n
________ R15
Т----820
н=
Х7 | I
ВМ1 I
МК-16-160-Н
Б XS
св 0,47mk
C7 2000mk x1BB
VD4 Д818В
D10 К561ЛА7
1R10
2,2k
R21100k
R22 100k
R23 100k
R24 100k
R25 100k
R26 100k
R27100K
R28100k
R29100k
R30 100k
R31 100k
SI 4
КЭМ-3
Плата клавиатуры 7.109.227 KV!
R2 270k R3100k
VD5 VPS КД522Б КД522Б
DD10.4
0010.1
DD10.2
09 KP1014KT1A
20
21
БЗ
10/20 БК
F/128
OK
НУ
38
40
R4 100k
R 680k
R6 680k
R5 430k
VO2 £01055
D4KP1014KT1A
02К145ИК11П
05К561РУ2
32-64
OV
F/Z
Х1
X2
X3
X4
ЗП/СЧ
01
02
03
04
BM1
33
35
A4
A5 AO
BC BK
Р6К561РУ2
R8 100k
33____45
34___46
26___47
29___48
30___49
35___50
13____51_
12____52
11____53
10____54
14____55
44
45
46
47
48
48
50
1D1.4
14 101.3
1C3
6,Bn
C9
3,3n
21
АО А1 А2 АЗ А4 А5 А6 А7 0 ВС ВК	RG4	и OV
09К561РУ2		
АО А1 А2 АЗ А4 А5 АВ А7 0 ВС ВК	RGB	U OV
П
-	регулирование уровня громкости вызывного акустического сигнала;
-	включение аппаратов по схеме "директор - секретарь" и спаренное включение через приставки с диодным разделением цепей (без сохранения информации последнего набранного номера и возможности последующего набора нажатием кнопки "повтор").
Принципиальная электрическая схема телефонных аппаратов приведена на рис. 4.4. Аппарат состоит из следующих функциональных узлов:
-	вызывного устройства на ИС КР1008ВЖ4 (D4);
-	электронного номеронабирателя на базе ИС КР1008ВЖ1 (D2) с контактами кнопок клавиатуры;
-	узла питания ИС ЭНН, состоящего из стабилитрона VD7, конденсатора фильтра С9 и стабилизатора тока VT2;
-	импульсного ключа на токовых ключах КР1014КТ1В (D2, D3);
-	разговорного ключа на токовом ключе КР1014КТ1В (D5);
-	разговорного узла на транзисторах VT1, VT3, VT4;
-	контактов рычажного переключателя S1 и розетки XT.
При уложенной на рычаг телефонного аппарата трубке контактная группа S1 находится в исходном по схеме положении. К линии АТС через контакт S1.1 подключено вызывное устройство. Через резистор R6 подаётся напряжение на узел питания ИС ЭНН для поддержания напряжения на входе питания ОЗУ ИС ЭНН (вывод 3) и обеспечения повтора последнего набранного номера. Разговорный ключ заперт напряжением логического "О” на управляющем входе токового ключа D5 (выводы 1 и 8).
Токовые ключи D2 и D3 и диоды VD4, VD5 представляют собой диодный мост, поскольку при подаче на исток (выводы 4 и 5) токового ключа КР1014КТ1В отрицательного по отношению к стоку (выводы 2, 3, 6 и 7) напряжения, ключ ведёт себя как диод.
При снятии трубки с рычага аппарата вызывное устройство отключается контактом S1.1 и на разговорную схему с выхода моста подаётся положительное напряжение линии АТС. На вывод питания ИС ЭНН (UMEM) через контакт S1.2 рычажного переключателя подаётся напряжение 3 В со схемы питания. Диод VD6 исключает разряд конденсатора фильтра С9 через внешние цепи. Напряжение заряженного конденсатора поддерживает питание микросхемы номеронабирателя во время набора номера. Ток стабилизатора тока VT2 задаётся резистором R13.
На выходе PULSE D1 (вывод 12) остаётся напряжение логического "О”, а на выходе MUTE (вывод 18) появляется "высокий" уровень, который открывает разговорный ключ на D5, и к линии подключается разговорный узел. Разговорный узел соответствует приведённому на рис. 3. 37 раздела 3.5.
При нажатии на одну из кнопок клавиатуры на выходе MUTE D1 появляется "низкий" уровень, который закрывает разговорный ключ D5 и отключает разговорный узел. Одновременно на управляющие входы токовых ключей D2, D3 с выхода PULSE D1 поступают импульсы набора, "низкий" уровень которых размыкает линию на время 60 мс, а "высокий" замыкает линию накоротко на время 40 мс. Количество импульсов соответствует нажатой цифре на клавиатуре номеронабирателя. Напряжение "высокого" уровня на выходе MUTE появляется только во время посылок импульсов набора. Во время межсерийной паузы на выходе MUTE присутствует "высокий" уровень, что позволяет прослушивать линию в паузе между сериями импульсов набора. Если произойдёт сбой во время набора номера, то набор можно повторить сразу, не дожидаясь его окончания.
Стабилитрон VD9 защищает разговорный узел от выбросов напряжения во время коммутации разговорного ключа. Диод VD10 повышает напряжение питания усилителя приема на 0,6 В относительно общей точки. Переменным резистором R16 можно регулировать усиление микрофонного усилителя, а резистором R18 - глубину подавления местного эффекта.
132
Рис. 4.4. Электрическая принципиальная схема телефонных аппаратов VEP Rita-201, VEF Gunta-202, VEF Inta-203.
133
ТЕЛТА-201, ТЕЛТА-204
Телефонные аппараты ТЕЛТА-201 и ТЕЛТА-204 также обеспечивают выполнение тех же функций, что и аппараты VEF Rita-201, Gunta-202, Inta-203. Электрическая принципиальная схема аппаратов приведена на рис. 4.5. Отличия состоят в построении вызывного устройства, которое выполнено на ИС КР10в4ПП1, и разговорного узла. Работа вызывного устройства на ИС КР1064ПП1 подробно рассмотрена в разделе 3.1.
В качестве микрофона применяется электродинамический капсюль ПДК-1, который подключен к базам транзисторов VT2 и VT3. С коллектора транзистора VT3 усиленный по напряжению сигнал микрофона поступает на вход эмиттерного повторителя, выполненного на транзисторах VT4 и VT5, соединённых по схеме Дарлингтона. Сигналы на эмиттерах транзисторов VT2 и VT3 находятся в противофазе, что обеспечивает дополнительное усиление на транзисторе VT3. Подстроечным резистором R16 можно регулировать усиление микрофонного усилителя. Усилитель приёма сигнала с линии выполнен на транзисторе VT6. Питание усилителя осуществляется напряжением с анода стабилитрона VD5, который включен как диод. Вместо стабилитрона в прямом включении может применяться светодиод. Усиление транзистора VT6 регулируется подстроечным резистором R25.
Балансный контур состоит из резисторов R21 + R23 и конденсатора С9. Стабилитрон VD4 предназначен для защиты микрофонного усилителя от перегрузок импульсным напряжением.
ТЕЛУР-202, СПЕКТР-201+203, ТЕЛТА-М217
Электрическая Принципиальная схема телефонного аппарата ТЕЛУР-202 приведена на рис. 4.6. Функционально схема построена аналогично ТА ТЕЛТА-201. Вызывное устройство выполнено на ИС КР1008ВЖ4, работа которой была рассмотрена в разделе 3.1. Узел питания ИС КР1008ВЖ1 выполнен на стабилизаторе тока DA3 и элементах R8, VD2, VD1, С4. Токовые ключи DAI, DA2 осуществляют коммутацию линии при наборе номера, a DA5 отключает разговорный узел на ИС КР1064УН11которая подробно рассмотренавразделе 3.5.
Схемы ТА СПЕКТР-201, СПЕКТР-202 и СПЕКТР-203 с разговорным узлом на КР1038ХП1 и ИС ЭНН на КР1008ВЖ5 приведены на рис. 4.7.
Схема ТА ТЕЛТА-М217 с применением ИС номеронабирателя КР1008ВЖ27 и разговорным узлом на IL1068BN (КР1436ХА1) приведена на рис. 4.8.
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ЗАРУБЕЖНЫХ ТА
Схема, представленная на рис. 4.9 применяется в недорогих телефонах-трубках и практически не встречается в ТА настольного типа. Единственным достоинством этой схемы является простота. Все остальное, к сожалению, - недостатки. Транзисторы VT2, VT3 с резисторами R9, RIO, R11 представляют собой схему импульсного ключа, работа которого была рассмотрена в разделе 3.4 (рис. 3.36). Транзистор VT2 в этой схеме дополнительно согласует выходной сигнал микрофона со входом транзистора VT4, который усиливает сигнал микрофона по току. Транзистор VT3 работает в ключевом режиме и никаких других функций не выполняет.
Из-за отсутствия усилителя принимаемого сигнала с линии слышимость в ТА, использующих такую схему, достаточна низкая. Устранить этот недостаток можно применив динамическую головку, но в этом случае ослабнет сигнал микрофона. Схема такого типа может использоваться только с теми ИС ЭНН, выход ИК которых выполнен с открытым стоком. Она отличается от других схем повышенным напряжением линии в разговорном режиме (10 + 15 В).
Напряжение питания (порядка 3 В) электретного микрофона снимается с резистора R14. Конденсатор С5 в цепи динамической головки BF1 - разделительный.
На рис. 4.10 приведена схема, которая наиболее часто встречается в ТА настольного типа и телефон-трубках производства стран Юго-Восточной Азии. Схема применяется с различными микросхемами номеронабирателя (KS5805A, KS5851, UM9151-3 и т. п.). Функциональные узлы этой схемы подробно рассмотрены в соответствующих главах.
На рис. 4.11 приведена схема ТА с дополнительной памятью на 10 номеров. Порядок работы с дополнительной памятью описан в разделе 2.8. Работа ИК описана в разделе 3.4 (рис. 3.36). Разговорный узел выполнен по типу схемы, приведенной на рис. 3.38 раздела 3.5. Довольно часто в этой схеме применяется и разговорный узел, приведенный на рис. 3.40.
134
На рис. 4.12 представлена схема телефона "ВЕЛОГРАДЧИК" производства Болгарии с дополнительной памятью на 10 номеров. Схема имеет хорошие характеристики разговорного узла. Стабилитрон VD5 - защитный. Диод VD9 в разговорном режиме блокирует импульсный ключ, поскольку в этом режиме на выходе PULSE (вывод 9) ИС DD1 напряжение "высокого" уровня.
Во время набора номера разговорный узел отключается транзисторами разговорного ключа VT1, VT2. Катод диода VD9 при этом отключается от нулевого провода, разрешая работу импульсного ключа выполненного на транзисторах VT3, VT4.
Питание ИС обеспечивается диодами VD6 VD8, VD11.
На рис. 4.13 приведена схема ТА с режимом "HOLD".
Этот режим работает следующим образом. В разговорном режиме, когда трубка снята, транзисторы VT1.VT2 - заперты. При нажатии кнопки "HOLD" открывается транзистор VT1, который открывает транзистор VT2. Через открытый транзистор VT2, резистор R8, R12 и диод VD10 протекает ток и открывает транзистор VT3. Транзистор VT3 шунтирует микрофон ВМ1. Одновременно увеличивается ток через светодиод VD16, яркость свечения которого увеличивается.
Теперь, если уложить трубку на аппарат, переключатель SB1 вернется в исходное состояние, показанное на схеме. При этом подключение к линии будет удерживаться по цепи: открытый транзистор VT2, резистор R8, диод VD11, светодиод VD16. В этом режиме можно перейти к параллельному телефону и продолжить разговор.
При снятии трубки на параллельном телефоне, последний подключается ц линии, и являясь дополнительным сопротивлением, понижает напряжение линии. Так как напряжение на конденсаторе С2 в этот момент не изменилось, то больший потенциал на базе транзистора VT2 закрывает его и первый телефон отключается от линии.
На рис. 4.14 приведена схема ТА с частотным набором. По своему построению схема весьма сходна со схемой, приведенной на рис. 4.8 и отличается от неё лишь тем, что управление работой АТС осуществляется миогочастотным кодом 2 из 8, а ие посылками напряжения постоянного тока.
На рис. 4.14 представлена схема ТА, выполненного иа базе микросхемы UM9151. Напряжение смещения на выходе импульсного ключа с открытым стоком (вывод 9) подаётся с логического выхода разговорного ключа ИС (вывод 13) через резистор R16. Такое включение ИК исключает непосредственное воздействие напряжения линии на выход ИК ИС, что снижает вероятность выхода микросхемы номеронабирателя из строя.
На рис. 4.16 приведена схема телефонного аппарата "GALAX" модели UP-722ТР. Корпус ТА выполнен из прозрачной пластмассы. При поступлении сигнала индукторного вызова разноцветные неоновые лампочки LP1 + LP5 выполняют функцию световой индикации вызова. В разговорном режиме и во время набора номера светодиоды LED1 и LED2 осуществляют подсветку клавиатуры телефона.
В ТА, схема которого приведена на рис. 4.17, предусмотрена возможность работы как в импульсном (PULSE), так и в частотном (TONE) режимах. Порядок программирования ИС НМ9112А рассмотрен в разделе 2.9. Разговорный узел ТА состоит из двух независимых узлов, один из которых обеспечивает работу с трубкой, другой - режим "HANDSFREE" , т.е. работу со встроенными в корпус ТА микрофоном и динамической головкой, что дает возможность вести разговор по телефону не снимая трубки и иметь свободные руки.
В левом, по схеме, положении переключателя SW1.2 подключена телефонная трубка, в правом осуществляется режим "HANDSFREE".
На рис. 4.18 и 4.21 приведены типовые электрические принципиальные схема ТА марки Те! 01, FeTAp и POST фирмы "SIEMENS". Основное отличие схем в том, что импульсный ключ выполнен на р-канальном высоковольтном полевом транзисторе BSS92 (рис. 4.18) и BSS208 (рис. 4.19). ИС разговорного узла PSB4500 функционально не отличается от ИС ТЕА1068, подробно рассмотренной в главе 3. ИС PSB8510-1 представляет собой тонально-импульсный номеронабиратель, работа Которого программируется выводами 9 и 20 (подключением к плюсу питания, общему выводу или остаются неподключенными). Подключением Р1 и Р2 по схеме рис. 4.18 задаётся по умолчанию импульсный режим работы ИС, импульсный коэффициент 1,5 и программируемая пауза при наборе номера 3 с. Телефоны на ИС ЭНН РСВ3326Р (рис. 4.20 и 4.21) работают только в импульсном режиме.
На рис. 4.22 и 4.23 приведены схемы на ИС фирмы MOTOROLA.
Работа узлов схем, приведенных на рИс. 4.24 + 4.27, подробно описана в соответствующих разделах.
135
-EH-
VD1 КД243В
VD2 КД243В
телефонных аппаратов "ТЕЛТА-201" и "ТЕЛТА-204".
VT4 КТЗЮ7И
 ................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................•
Рис. 4.7. Электрическая принципиальная схема телефонных аппаратов "СПЕКТР-201", "СПЕКТР-201М”, "СПЕКТР-202”, "СПЕКТР-203”, "СПЕКТР-203М".
Рис. 4.8. Электрическая принципиальная схема телефонного аппарата "ТЕЛТА-М217".
139
140
Рис. 4.9. Электрическая принципиальная схема, применяемая в недорогих телефонах-трубках зарубежного производства.
Рис. 4.10. Наиболее распостранённая схема недорогих телефонов настольного типа и телефонов-трубок зарубежного производства.
VD1+VD4
Рис. 4.12. Электрическая принципиальная схема телефонных аппаратов "БЕЛОГРАДЧИК" ТА-620 и ТА-1300.
143
л £
SB2 "HOLD"
Рис. 4.13. Электрическая принципиальная схема телефонного аппарата "NORTH-AM PHONE" модель 733Р с режимом "HOLD”.
Рис. 4.14. Электрическая принципиальная схема телефонного аппарата с частотным набором номера.
Рис. 4.15. Электрическая принципиальная схема телефонного аппарата с разговорным узлом, выполненным по трансформаторной схеме.
148
Рис. 4.17. Электрическая принципиальная схема одного из вариантов громкоговорящего телефонного аппарата "TECHNIKA".
149
Рис. 4.18. Типовая электрическая принципиальная схема ТА марки Tel 01 и FeTAp фирмы "SIEMENS
DIJT2
470k
DAT Р8Ы500
OUT-
oTni
LAGC
TGI
C25
ROC
REG
ROMM
ERDE-
U i-Г. М-В-АЗ
10mk-B3V
OUT*
При'итогом* уровне на этом входе
трожходиг -отбой* ЫЯфОСХЭЫЫ.
телефоного аппарата фирмы ’’SIEMENS
<л
DD2U407BB -
ЙВ 10
R1S 100k
VD11
ZPD
B.2V
VT4 MPSA45
E*
VD5 UMOtfi
Пфммтры PSMB1B-1
U-2.S..J6B
|дин.  0.25 мА кт,  05 мкА ОЗУ-22 зима.
Рис. 4.19. Электрическая принципиальная схема марки "POST FeTAp" модель 751-2, плата "KRONE 6513
•FLASH"
Программирование входов PR0G1 и PROG2 ИС PCB8510-1
		Режим набора по умзпчанмо	Импульсный коэффициент	Пауза прм наборе номера
Р1{20)	Р2(9)			
0	0	PULSE	60M0	—
X	0	PULSE	60/40	Зс
1	О	PULSE	60/40	1,8с
0	1	PULSE	66,7133,3	—
X	1	PULSE	66,7133,3	Зс
1	1	PULSE	66,7/33,3	1,Вс
0	X	DTMF	—	
	X	OTMF	—	Зе
1	X	DTMF	—	1.8е
-И-
VD3
□01 PSB8510-1
PULSE
R14
100*
-К-
VD12 1N414B
COM
COL2
COL3
cou
MUTE
ROWI
ROWE
RCW3
XMUTE
DTMF
GND
PROG2
PROCI
Вход “НВ" MC PBBBS1M
AGE
REF
ТАСС
С27 4,7и*-63и
01 K)
РР«О
РР»1
ЯОО
PID»1
Н8“0
Н5»1
DI SAA1094-2
LN1
0UT2
LN2
0SC1
Входы ИС РС833МР
OUTI
OSC2
OV
AS12
X8
логический выход
Тип выхода
R5 2,2k
RV1 470k
логический выход
Ыия
Ьыя
(нам hue
R3 91k
1mkx25CV
Гц
15,54
64,4
DOUT
AS1.1
3,28
1N4004
1N4004
Выходы ИС РСВ3328Р
MPSA43
R17
PULSE
ROW4
1N4148
1N4148
1N4148
F01
»6V
F02
R14
OSCO
HS
R23 22Л
V14 1N5401
ZNR 82V
V24
BC558B
V15
MPS-A93
С5 З.Зтк xtOV
R21	V Т VW
22к	2 - V17 J ~ 1N41
R22	VV19
*7 -Т- ,	1N41
515
2,03
4,09
V22 1N4148	1N4148
—1—й—'"“Ь
±1_С6 BC32SJ0
10,13
98,7 790
3.12
628
.	1/44002
R8 150
19,42 51.5
Межеериймая пауза hex добэагвмтся перед набором первой цифры номера Межсерийная пауза Ьнд овипмтся после набора поспедией цифры номера Принтом уровне нз этом входе длительностью более 158 мс происходит •отбой* микросхемы.__________
Разрешает кабод номера
Неподкпюченние входа равнозяхно подзче иа меге ’О'.
Выход
PULSE
MUTE
AS1.3 4-
BCS58B
О2РСВ3326Р
COL1
COL2
COL3
PID
GND
Выходные пврзмгтры
10; 15; 20; 932 Гц; Импульсный коэффициент • 3/2
"Г при наборе номера
R0W1
ROW?
ROWS
MUTE
RIB 220k
V10 BC337-40
BS112
VII MPSA43
220k
V21 BC337-16
3275,900 Hz
Рис. 4.20. Электрическая принципиальная схема
телефоного аппарата "FeTAp 0111" плата АЗ.
2
Рис. 22. Электрическая принципиальная схема телефонного аппарата фирмы "GENERAL ELECTRIC", модель №2-9230.
0—
линия
АТС
SB1.1
Импульсный коэффициент
VD1...VD4 1N4004
R.7 10M
VT2 2N5551
MC 145412 40/60
MC145413	40/60
MC 145512 32/68
VD5 71? 1N5274 (130B)
С1
=*= 1mk x250B
R1 6,8k
3
5
2
15
16
14
C0L1
C0L2
C0L3
C0L4
ROW1
ROW2
R0W3
DD1 МС 145412Р
x/y
PULSE
HS
DTMF
17
1N4148
Входы ИС МС145412Р
I ____
3.58МГц Ч—3
ROW4
OSCI
OSCO
MODE
SB1.2
12.
R8 300k
VT1 2N5551
R9 100k
_____14_
. VD9 7C 1N4742
(12B)
15-
х10В
18
R11 100k
VD8 1N4148
C5 47mk xlOB
R1212k 17
C6 1n
♦ C7
33mk
Вход	и	GND	X
MODE	PULSE 20 Гц	DTMF	PULSE 10 Гц
HS	ОТБОЙ	РАБОТА	ОТБОЙ
C10
22n
BQ1 KSN1113
LN1
OUT1
OUT2
±2
R3 27k
GN
10
18
MUTE
KT
. VD7 1N4148
Й----------
7
R13 100k
C3 560
R5 150k
C9 47n
BM1 EM-95
тхо
U
DA1 MC34017-2P
LN2
OV
RC2
RC1
C4 4,7mk x50B
R15
500
DA1 МС34014Р
V+
VDO
DTMF
MODE
MUTE
VR
EQ
TX1
MIK
R17 240k
R19
4.3K
C12
47n
RXO
LR
R20
56k
C14 0,22mk
C13 lOmk хЮВ
VT3 2N2222A
C4 47n
RMT
R18
3,3k
BF1 DH-34
C24,7mk xSOB
155
Рис. 23. Электрическая принципиальная схема телефонного аппарата фирмы ПТ, модель №602106.
Рис. 4.24. Электрическая принципиальная схема телефонного аппарата с импульсным и частотным набором номера.
Рис. 4.25. Электрическая принципиальная схема телефонного аппарата PANAPHONE P2308-DX.
D91N4148
Рис. 4.26. Электрическая принципиальная схема телефонного аппарата LELUX модель 173.
5 7 D121N4140
Рис. 27. Электрическая принципиальная схема телефонного аппарата GRANTEE
<л
<0
SOUNDISIGN, модель M7035BLK.
5. БЛОКИРАТОР ПАРАЛЛЕЛЬНОГО ТЕЛЕФОНА
Блокиратор параллельного телефона (его не следует путать с блокиратором спаренного телефона) предназначен для исключения мешающего воздействия другого телефона при занятии линии одним из иих. Его применение позволяет исключить возможность прослушивания разговора, ведущегося с одного из аппаратов, на другом (блокируемом). Кроме этого, блокиратор предотвращает помехи набору номера с незаблокированного ТА при любых манипуляциях с заблокированным. Блокиратор полезен также, если параллельно телефону подключен факс или модем.
Для всех блокираторов параллельного телефона обязательно соблюдение полярности подключения к линии АТС.
 ЗАО "НТЦ СИТ" в г. Брянске выпускает микросхе-
му КР1059КП1, которая представляет собой электронный коммутатор двух параллельных телефонных аппаратов. Её цоколёвка приведена на рис. 5.1, а структурная электрическая схема на рис. 5.2. Выводы 3, 4, 6, 7, и 16 в микросхеме не задействованы. Назначение остальных выводов понятны из структурной и принципиальной схем.
На рис. 5.3 приведена принципиальная электрическая схема блокиратора параллельного телефона на ИС КР1059КП1. Её работа осуществляется следующим образом.
Если снять трубку на первом ТА, то тиристор VS1 (рис. 5.2) откроется и телефон подключится к линии. Падение напряжения на тиристоре составляет не более 2 В. Одновременно схема управления запирает управляющий электрод тиристора VS2 в цепи второго ТА, что позволяет его отключить на время, пока не будет положена трубка на рычаг первого ТА. Если на момент отбоя первого ТА трубка второго окажется снятой, то происходит перекомму-тация аппаратов на линию. Ток потребления ТА от линии при уложенной на рычаг трубке должен быть не
LN- ТА1А X X С1+ X X LN+	SW	X ТА2С ТА2А СЗ+ С2+ ТА1А ТАЮ LN-
Рис. 5.1. Цоколёвка ИС КР1059КП1.
Рис. 5.2. Структурная электрическая схема ИС КР1059КП1.
Рис. 5.3. Принципиальная электрическая схема блокиратора параллельного телефона на ИС КР1059КП1.
160
более 0,4 мА, иначе тиристор в цепи ТА не закроется после окончания разговора.
Во время набора номера на одном из аппаратов, в момент разрыва шлейфа линии происходит кратковременное отключение этого ТА от линии. Чтобы снятие трубки другого аппарата на этом интервале времени не вызывало пере-коммутации телефонов, в цепь схемы управления включены конденсаторы С2 и СЗ, которые формируют задержку переключения аппаратов. Ёмкость конденсаторов должна быть в пределах 5 + 10 мкФ.
Светодиоды VD1 и VD2 (рис. 5.3) предназначены для индикации ТА, находящегося в разговорном режиме. Их можно не устанавливать.
При поступлении переменного напряжения индукторного вызова (70 + 90 В) положительный полупериод на входе LN+ (вывод 8) ИС КР1О59КП1 открывает ; транзистор VT1 (рис. 5.2) и через Диоды VD2 и VD3 шунтирует оба тиристора в цепи телефонных аппаратов. Напряжение стабилизации стабилитрона VD1 должно быть в пределах 65 + 85 В. Это необходимо для того, чтобы транзистор не откры-I вался при номинальном напряжении абонентской линии 60 В. Отрицательный f полупериод вызывного сигнала проходит на оба телефона через диоды VD4 и VD5.
Для телефонных линий, где максимальное напряжение в режиме набора номера превышает 70 В (ограничивается напряжением стабилизации стабилитрона), схему подключения необходимо изменить следующим образом: конденсатор С1 не подключать, а вывод 5 ИС DA1 соединить с выводами 1 и 9. При этом несколько ухудшится звучание звонка на одном из аппаратов.
Максимальное входное напряжение схемы не должно превышать 160 В. Максимальный входной ток - 100 мА. Это не значит, что такие напряжение и ток могут появиться в схеме. Это предельно допустимые значения параметров микросхемы. Ток потребления ИС КР1059КП1 при снятой трубке на одном из ТА не превышает 1,0 мА. Ток утечки тиристоров в закрытом состоянии не более 0,1 мА.
Простой блокиратор параллельного телефона можно выполнить на дискретных элементах. Его рхеыа приведена на рис. 5.4.
Когда абонент первого аппарата снимает Трубку, к аноду тиристора VS1 прикладывается напряжения линии 60 В. На управляющем электроде •иристора напряжение «еныпе на величину падения напряжения на
табилитроне VD1. Тиристор открывается и ТА1 подключается к линии. Если грсле этого второй абонент снимет трубку, к тиристору VS2 будет приложено .статочное напряжение линии 5 + 15 В, которое меньше напряжения открывания стабилитрона VD3. Напряжение на управляющий электрод не подаётся и тиристор остаётся запертым. ТА2 будет отключен до тех пор, пока первый абонент не положит трубку на рычаг аппарата. Диоды VD2 и VD4 предназначены для пропускания отрицательного полупериода переменного напряжения индукторного вызова. Конденсаторы С1 и С2 предотвращают открывание тиристоров при перепадах напряжения в линии.
Недостаток схемы состоит в том, что при снятой с рычага аппарата трубке на одном из ТА в то время, когда на другом происходит набор номера, будут Создаваться помехи набору номера (происходить перекоммутация абонентов на линию). В некоторых случаях может потребоваться замена стабилитрона КС515А па стабилитрон с другим номинальным напряжением (КС512А, КС518А и т. п.). Возможно применение других диодов и тиристоров с допустимым напряжением не менее 100 В и током не менее 100 мА.
На рис. 5.5 приведена ещё одна схема достаточно простого блокиратора Параллельного телефона с использованием оптрона АОТ101А. Блокиратор рабо-
0-
ЛИНИЯ АТС
VD1 KC515A
R1 180
VS1 КУ112А
+ ci
=ф= 10 mk «16В
VD3 KC515A
+ С2
10 mk «16В
VS2 КУ112А
prVD4
КД209А
Рис. 5.4. Принципиальная электрическая схема блокиратора параллельного телефона на тиристорах КУ112А.
-79
161
Рис. 5.5. Принципиальная электрическая схема блокиратора параллельного телефона с использованием оптрона.
тает следующим образом. Если сиять трубку иа первом ТА, то откроется транзистор VT1, и аппарат подключится к линии. Ток подключенного к линии ТА1 будет протекать через резистор R2 и светодиод оптрона DA1.2. Транзистор оптрона DA1.2 откроется и зашунтирует переход база-эмиттер транзистора VT2.
Теперь, если снять трубку с рычага второго ТА, то он останется неподключенным к линии до тех пор, пока абонент первого аппарата не положит на рычаг трубку. Схема имеет те же недостатки, что и схема на рис. 5.4.
Схема свободного от всех не
достатков блокиратора параллельного
телефона приведена на рис. 5.6. Блокиратор незначительно сложнее приведённых выше, но обладает очень хорошими характеристиками и вносит минималь-
ное затухание для разговорного тока.
Резистор R1, диод VD1, стабилитрон VD2 и конденсатор С2 представляют собой источник питания напряжением 7,5 В для схемы блокиратора. Резисторы R4 и R5 выполняют функцию коллекторной нагрузки для ключевых транзисторов VT1 и VT2 соответственно. В начальный момент, когда трубки телефонов ТА1 и ТА2 уложены на рычаги аппаратов, транзисторы VT1 и VT2 закрыты (падение напряжения на резисторах R2 и R7 близко к нулю). На затворах ключей DA1 и ПА2 напряжение равно приблизительно напряжению питания схемы (7,5 В) н они
открыты, что обеспечивает прохождение переменного напряжения сигнала индукторного вызова на оба аппарата. Отрицательный полупериод вызывного сигнала проходит через защитные диоды ключей КР1014КТ1А (рис. 3.32).
Если, например первым снимет трубку абонент ТА1, то Ток линии (порядка 35 мА) создаст падение напряжения на резисторе R2, откроется транзистор VT2,
который закроет ключ DA2 и отключит второй аппарат. На резисторе R6 и конденсаторе СЗ выполнена цепь задержки включения и отключения ключа DA2. Это необходимо для того, чтобы во время набора иомера первым абонентом не произошло переключения линии на второго абонента, если он в это время снимет трубку (во время набора номера на одном из аппаратов интегрирующая цепочка R3, С1 для первого ТА и R6, СЗ для второго ТА удерживает заблокированный аппарат в отключенном состоянии и переком-мутация телефонов не происходит). Аналогичным способом работает схема, когда первый снимает трубку абонент телефона ТА2.
Рис. 5.6. Принципиальная электрическая схема блокиратора параллельного телефона с высокими рабочими характеристиками.
162
6.	РЕМОНТ ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТОВ
Как правило, вопросы совершенствования схем ТА (защита и улучшение [потребительских качеств) начинают волновать Вас после выхода аппарата из строя. Но если Вы предусмотрительны, то переходите сразу к главе 7, чтобы не 'пришлось прорабатывать раздел 6.1 в ближайшем будущем.
6.1.	ПОИСК НЕИСПРАВНОСТЕЙ И ИХ УСТРАНЕНИЕ
Наиболее часто в ТА выходят из строя транзисторы импульсного ключа и микросхема номеронабирателя, что составляет примерно 90% всех неисправностей. Ещё 9% можно отнести на неисправность электретного микрофона и 1% -на все остальные. Такое соотношение весьма приблизительно, ио оно даст Вам представление о характере неисправностей в ТА и поможет избежать таких ошибок, как перепайка транзисторов разговорного узла или замена электролитических конденсаторов.
Если нет схемы телефонного аппарата, который Вы собираетесь ремонтировать, не расстраивайтесь. Практически для ремонта ТА схема не нужна.
Прежде всего, необходимо определить в микросхеме номеронабирателя иомер вывода её импульсного ключа (рис. 2.10 + 2.18), а также по таблице 2.7 тип выхода - с открытым стоком нли логический. От типа выхода зависит построение схемы ИК телефона. На рис 6.1 приведены три основные разновидности схем импульсного ключа, применяемых в зарубежных ТА. Ключи, приведённые иа рис. 6.1,а и 6.1,6, применяются с микросхемой номеронабирателя, у которой выход ИК с открытым стоком. Ключ, приведённый на рйс. 6.1,в, применяется с ЙС номеронабирателя с логическим выходом её импульсного ключа. Схема ИК, приведённая на рис. 6.1,а, применяется в основном в недорогих ТА с минимальным количеством функций и невысокими потребительскими характеристиками.
Рис. 6.1. Разновидности импульсных ключей в телефонных аппаратах.
Рассмотрим алгоритм поиска неисправностей.
Прежде всего, следует проверить напряжения в контрольных точках схе-'мы (рис. 6.1):
-	на входе ИК ТА (КТ1);
-	на выходе ИК микросхемы номеронабирателя (КТ2);
-	на выводе питания ИС (КТЗ).
При снятой трубке напряжение в точке КТ1 должно составлять 5 + 15 В. В точке КТЗ - соответствовать напряжению питания ИС (2,5 + 3,5 В). В точке ЙТ2 - для ИС с открытым стоком выхода ИК должно быть на 1 + 2 В меньше, [Чем в точке КТ1, а для ИС с логическим выходом ИК должно быть незначительно меньше, чем в точке КТЗ.
163
Напряжение на выходе диодного моста (равное напряжению в точке КТ1) должно быть на 1,2 В меньше напряжения на клеммах подключения ТА к линии АТС за счет падения на диодах.
Анализируя результаты измерений, можно дать предварительную оценку характера неисправности.
Напряжение в точке КТ2 близкое к нулю может свидетельствовать о неисправности микросхемы.
Если в точке КТЗ напряжение близко к нулю, можно предположить, что вышла из строя микросхема. Чтобы убедиться в этом, необходимо проверить всю цепь питания ИС (см. раздел 3.3). Только при гарантии исправности цепи питания можно приступать к замене микросхемы.
Напряжение в точке КТ1 менее 5 В может свидетельствовать о пробое диодов моста, что встречается крайне редко.
Рассмотрим различные варианты:
а)	Если напряжение в точке КТ1 близко к 60 В, а в точке КТ2 близко к нулю (прн номинальном напряжении питания ИС), это может свидетельствовать о том, что транзисторы ИК исправны. В этом случае, скорее всего, пробит выход ИК ИС, который замыкает базу первого транзистора ИК ТА на землю и держит его в закрытом состоянии. Для того чтобы убедиться в этом, отпаяйте выход ИК ИС от схемы ТА. Это можно сделать, сняв припой с вывода ИК ИС монтажным отсосом, или перерезав на плате дорожку от вывода ИК ИС. Если после этого напряжение в точке КТ1 (для схем ИК, приведённых рис. 6.1,а и 6.1,6) будет в норме, смело выпаивайте микросхему. Для схемы ИК, приведённой на рис. 6.1,в, чтобы открыть ключ, необходимо дополнительно соединить точки КТ2 и КТЗ перемычкой.
б)	Если в точке КТ1 (рис. 6.1,а) напряжение в норме, а в точке КТ2 на 0,5 + 0,7 В, а не на 1 + 2 В, меньше, чем в точке КТ1, следовательно, пробит один из транзисторов импульсного ключа, а микросхема исправна.
в)	Если напряжение в точке КТ1 в норме, а в точке КТ2 близко к нулю, то пробиты как выход ИК ИС, так и один или оба ключевых транзистора.
Чтобы убедиться в правильности работы импульсного ключа, при отключенном выводе ИК ИС к базе первого транзистора (VT1) подпаяйте кнопку SB с нормально разомкнутым контактом, как показано на схемах рис. 6.1,а + 6.1,в пунктирной линией.
При разомкнутой кнопке SB напряжение в точке КТ1 должно быть в пределах 5 + 15 В, при её замыкании напряжение должно увеличиться до 60 В. При кратковременном замыкании сигнал станции (непрерывный гудок) прекращается, что свидетельствует о приеме АТС посылки набора номера и полной исправности импульсного ключа. Если при замыкании SB напряжение в точке КТ1 не изменилось, или изменилось незначительно, то пробит один из ключевых транзисторов. Если же напряжение в точке КТ1 после замыкания кнопки будет менее 60 В, но не равно номинальному, то шунтирующее воздействие оказывает какой-нибудь другой элемент схемы. Им может быть пробитый защитный стабилитрон на напряжение 100 В, который устанавливается в некоторых телефонах на выходе диодного моста.
Если в Вашем ТА задействован выход разговорного ключа, следует описанную выше проверку провести также и для этого ключа.
При выходе из строя одного из ключевых транзисторов желательно заменить оба на отечественные, как более надёжные.
Транзисторы типа 2N5551 или MPS А-42 можно заменить любым из перечисленных: КТ503Е, КТ520А, КТ6117А, КТ630Б. КТ683В, КТ698Ж (И, К). КТ940А, КТ969А. Транзисторы 2N5401 или MPS А-92 можно заменить на КТ502Е, КТ521А, КТ6116А, КТ6127Ж (И, К), КТ9115А. Справочные данные и цоколёвка транзисторов приведены в главе 9.
Основные неисправности и способы их устранения приведены в таблице 6.1.
164
Табл. 6.1. Основные неисправности в ТА и способы их устранения.
Характер неисправности	Вероятная причина	Способ выявления н устранения неисправности
Не набирается номер, гудок не прерывается.	1.	Пробит один или оба транзистора в импульсном ключе. 2.	Пробит транзистор импульсного ключа и выход ИК микросхемы ЭНН. 3.	Пробит защитный стабилитрон. « 4.	Пробит диод моста.	Если при попытке набора номера в трубке слышны характерные щелчки, то пробит один или оба ключевых транзистора импульсного ключа ТА. Если щелчки при наборе номера не прослушиваются, и напряжение на выходе ИК микросхемы ЭНН равно нулю, то это свидетельствует о выходе из строя микросхемы. Но сначала необходимо убедиться в исправности транзисторов импульсного ключа. Подключите базу первого транзистора ИК на землю. Если один из транзисторов пробит, то напряжение на линии изменится незначительно. При обоих исправных транзисторах ключ закроется полностью и напряжение на линии поднимется до 60 В. Если разговорный узел при подключении базы первого ключевого транзистора на землю отключится (пропадёт гудок), но при этом напряжение на линии будет менее 60 В, то это свидетельствует о пробое защитного стабилитрона на напряжение 100 В, устанавливаемого в некоторых телефонах на выходе диодного моста или одного из диодов моста. Для проверки диодов моста достаточно поменять местами клеммы подключения телефона к линии. Если после этого работа ТА восстановится, значит имеет место пробой диода. Следует отметить, что диоды моста выходят из строя крайне редко.
Телефон не работает, нет гудка.	1. Пробит выход ИК микросхемы ЭНН.	Необходимо проверить напряжение на выходе ИК микросхемы ЭЙН и на входе ключевых транзисторов. Если напряжение на входе ключевых транзисторов близко к 60 В, а на выходе ИК микросхемы близко к нулю, значит транзисторы заперты потенция-, лом корпуса, поступающим через пробитый выход ИК микросхемы. Убедиться в этом, можно отпаяв выход ИК микросхемы или перерезав у вывода микросхемы дорожку печатной платы, ведущую к базе первого транзистора импульсного ключа. Если выход импульсного ключа ИС номеронабирателя имеет открытый сток, то транзисторы ИК откроются, разговорный узел подключится к линии, и в трубке появится гудок. Если ИС ЭНН имеет логический выход импульсного ключа, то для открытия ИК необходимо подать напряжение на его вход с вывода питания (U) ИС ЭНН.
165
Характер неисправности	Вероятная причина	Способ выявления и устранения неисправности
	2. Нет контакта в цепи от клемм подключения телефона к линии.	Если напряжение на входе ключевых транзисторов отсутствует, то необходимо проверить цепь от клемм подключения линии до транзисторов импульсного ключа. Особое внимание следует обратить на наличие контакта в микропереключателе.
При наборе номера происходит прерывание после первого набранного импульса.	1. Неисправен фильтрующий конденсатор схемы питания ИС.	Измерить напряжение на выводе питания микросхемы номеронабирателя. Его значение должно • быть в пределах +1 В от номинального значения. Если прн отключении телефона от линии напряжение иа фильтрующем конденсаторе сразу падает до нуля, конденсатор неисправен.
При наборе номера набираются не все цифры.	1.	Обрыв в шлейфе, соединяющим плату, на которой расположена микросхема номеронабирателя с платой клавиатуры. 2.	Неисправна микросхема номеронабирателя. 3.	Отсутствует замыкающий контакт на резинке клавиатуры.	Проверить шлейф, соединяющий плату, иа которой расположена микросхема номеронабирателя с платой клавиатуры. Если шлейф исправен и платы не имеют механических повреждений, значит отсутствует замыкающий контакт на резинке клавиатуры или неисправна микросхема. « Восстановить замыкающий контакт на резинке клавиатуры, для чего вырезать контактную площадку из тонкой фольги и приклеить её клеем типа ' Момент" или двухсторонним скотчем.
При однократном нажатии кнопки одной из цифр в линию поступает несколько пачек импульсов.	1.	Загрязнение контактной площадки клавиатуры. 2.	Нарушен замыкающий контакт на резинке клавиатуры. 3.	Напряжение питания микросхемы номеронабирателя менее 2 В.	Протереть контактные площадки клавиатуры чистой ветошью, смоченной спиртом и прочистить кисточкой поверхность кнопок на резинке. Заменить замыкающий контакт на резинке клавиатуры, для чего вырезать контактную площадку из тонкой фольги и приклеить её клеем типа Момент" или двухсторонним скотчем. Проверить напряжение питания микросхемы номеронабирателя. Если оно менее 2 В, необходимо увеличить ток источника опорного напряжения ИС (встроенного стабилитрона микросхемы номеронабирателя) если он есть в данной микросхеме (см. табл. 2.1) или ток стабилитрона, установленного в схеме питания ИС ЭНН (см. раздел 3.3).
Вас не слышит абонент.	1. Неисправен микрофон. 2.Обрыв цепи схемы микрофонного усилителя. 3. Отсутствует напряжение питания электретного микрофона.	Если при касании отвёрткой или пинцетом вывода микрофона (со стороны разделительного конденсатора) в трубке телефона раздаются щелчки, то микрофон неисправен. В противном случае проверить цепь прохождения сигнала микрофона. У электретного микрофона проверить напряжение питания на положительном выводе. Оно должно быть в пределах 1 + 1,5 В.
166
Характер неисправности	Вероятная причина	Способ выявления и устранения неисправности
Малый уровень сигнала микрофона при значительном уровне собственного шума микрофона.	Отсутствует контакт между общим выводом микрофона и металлическим корпусом микрофона.	Обжать ободок металлического корпуса микрофона в месте соприкосновения с выходом общего вывода микрофона.
В динамической головке слышен фон, усиливающийся при закрывании микрофона рукой.	1. Акустическая связь микрофона и динамической головки. 2. Несбалансированна дифференциальная схема.	Акустическая связь устраняется амортизацией микрофона и динамической головки от корпуса трубки при помощи пористой резины или поролона. Дифференциальная схема балансируется увеличением сопротивления резистора в балансной цепи (иапрн-мер, R3 на рис. 3.36).
Нет вызывного сигнала.	1.Обрыв цепи в схеме приёма индукторного вызова. 2. Вышел из строя транзистор или микросхема мультивибратора вызывного устройства. 3. Неисправен пьезоэлектрический излучатель.	Замкнуть накоротко выключатель схемы вызывного устройства и разделительный конденсатор. При этом должен появиться тональный сигнал пьезоизлучателя. Если сигнала нет, проверить параметры транзистора или микросхемы ВУ, а также исправность пьезоэлектрического излучателя.
6.2. ЗАМЕНА МИКРОСХЕМЫ НОМЕРОНАБИРАТЕЛЯ
Вы убедились, что микросхема вышла из строя, и перед Вами встает вопрос "чем ее заменить?". Промышленность стран СНГ производит широкий ассортимент микросхем номеронабирателей. Большинство из них имеют зарубежные аналоги. Их цоколёвки приведены на рис. 2.10 + 2.28, а характеристики в табл. 2.7. В большинстве случаев Вы сможете подобрать подходящий аналог для замены вышедшей из строя микросхемы. Кроме того, многие микросхемы условно взаимозаменяемы, т.е. заменяемы с небольшими доработками.
Возможность такой замены и необходимые изменения приведены в таблице 6.2.
Табл. 6.2. Возможная замена ИС ЭНН при ремонте и необходимые изменения при замене.
Заменяемая микросхема	Возможная замена	Необходимые изменения в схеме при замене
ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11	KS5805B LR40993 МК50993 Т40993	1. Поскольку в ИС возможной замены отсутствует внутренний источник опорного напряжения, то необходимо между выводом питания (1) и корпусом (вывод 6) установить стабилитрон с напряжением стабилизации 3 + 4 В (КС133Г, КС139А(Г) и т. п.). 2. Вывод 2 отключить от всех цепей схемы.
167
II Заменяемая микросхема	Возможная замена	Необходимые изменения в схеме при замене
	ВЦ1000А FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10 CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14	3.	Заменяется без внесения в схему изменений. ИС ВЦ1000А имеет 20 выводов, из которых 10 и 11 остаются неподключенными. 4.	Изменить параметры частотозадающей цепи встроенного генератора путём увеличения сопротивления резистора, подключенного к выводу 9 микросхемы, в 1,8 раза. 5.	Микросхемы возможной замены имеют 16 выводов и в целом, если считать от первого вывода их цоколёвка совпадает с цоколёвкой заменяемых микросхем. Для замены необходимо установить микросхему таким образом, чтобы первый вывод ИС совпадал с контактной площадкой первого вывода выпаянной ИС. 6. Контактную площадку вывода 11 выпаянной ИС отсоединить от корпусной шины и соединить перемычкой с контактной площадкой вывода 9.
	ЕТ40982 HD970040D KS58O4 LR40981A MK5173AN МК50981 TR5O981AN	Выполнить пункт 5. 7.	Контактную площадку вывода 11 выпаянной ИС отсоединить от корпусной шины и соединить с плюсом питания микросхемы (вывод 1). 8.	Выпаять резистор,, подключенный к контактной площадке 7 и конденсатор, подключенный к контактной площадке 8. 9.	От контактных площадок 7 н 8 на место выпаянных резистора и конденсатора установить конденсаторы ёмкостью по 100 пФ каждый. Противоположные выводы конденсаторов соединить с корпусной шиной (вывод 6). Между выводами 7 н 8 установить дроссель индуктивностью 1,7 мГн. Вместо дросселя можно использовать кварц частотой 480 кГц.
KS58C05	ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11	Микросхемы заменяются без каких-либо изменений в схеме. Обратную замену производить нельзя.
	FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10	Выполнить пункт 4.
	CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14	Выполнить пункты 5 и б.
	ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК50981 TR50981AN	Выполнить пункт S, 7, 8 и 9.
168
Заменяемая микросхема	Возможная замена	Необходимые изменения в схеме при замене
KS5805B LR40993 МК50993 Т40993	ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11	Микросхемы заменяются без каких-либо изменений в схеме. После замены не будет выполняться функция звукового подтверждения нажатия кнопок набора номера, которая в микросхемах возможной замены отсутствует.
	FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10	Выполнить пункт 4.
	CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14	Выполнить пункты 5 и 6.
	ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК50981 TR50981AN	Выполнить пункт 5, 7, 8 и 9.
FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10	ЕТ4О992 НМ9100А1 KS58O5A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11	10. Изменить ' параметры частотозадающей цепи встроенного генератора путём уменьшения сопротивления резистора, подключенного к выводу 9 микросхемы, в 1,8 раза.
	KS58O5B	Выполнить пункты 10,1 и 2.
	CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14	Выполнить пункты 10, 5 и 6.
	ЕТ4О982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК50981 TR50981AN	Выполнить пункты 5,7,8 и 9.
CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14	ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11	11. Заменяемые микросхемы имеют 16 выводов, но обычно на платах ТА, где они установлены, предусмотрены дополнительные контактные площадки для ИС с 18 выводами. Снимите перемычки между контактными площадками 9 и 11 на плате ТА и установите перемычки с контактных площадок 10 и 11 на корпусную шину (вывод 6).
	KS5805B LR40993 МК50993 Т40993	Выполнить пункты 11, 1 и 2.
	FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10	Выполнить пункты 11 и 4.
169
Заменяемая микросхема	Возможная замена	Необходимые изменения в схеме прн замене
	ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК50981 TR50981AN	12. Удалить резисторы, подключенные к выводам 7 и 9, и конденсатор, подключенный к выводу 8. Вывод 9 соединить с плюсом питания ИС (вывод 1). Выполнить пункт 9.
ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК50981 TR50981AN	CIC9192BE WE9192B КР1008ВЖ14	13.	Отсоединить контактную площадку вывода 9 заменяемой микросхемы от плюса питания ИС- 14.	Удалить конденсаторы и дроссель, подключенные к контактным площадкам 7 и 8. С вывода 7 на место конденсатора установить резистор сопротивлением 2 МОм. С вывода 8 на место второго конденсатора установить конденсатор ёмкостью 390 пФ. 15,	От вывода 9 микросхемы возможной замены к общей точке предыдущих элементов установить резистор сопротивлением 240 кОм. 16.	Общую точку этих трёх элементов отсоединить от корпусной шины.
	ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A LR40992 MK50992N Т40992 КР1008ВЖ11	Заменяемые микросхемы имеют 16 выводов, но обычно на платах ТА, где они установлены, предусмотрены дополнительные контактные площадки для ИС с 18 выводами. 17. Отсоединить контактную площадку 11 (вывод 9 заменяемой микросхемы) от плюса питания ИС. Контактные площадки 10 и 11 соединить с корпусной шиной микросхемы (вывод 6). Выполнить пункты 14, 15 и 16.
	FT58C51 KS5851 КР1008ВЖ10	Выполнить пункты 17 и 14. 18. От вывода 9 микросхемы возможной замены к общей точке предыдущих элементов установить резистор сопротивлением 430 кОм. Выполнить пункт 16.
	KS5805B LR40993 МК50993 Т40993	Выполнить пункты 17, 14, 15 и 16.
KS5853	НМ9100В	19. Изменить параметры частотозадающей цепи встроенного генератора путём уменьшения сопротивления резистора, подключенного к выводу 8 микросхемы в два раза.
НМ9100В	KS5853	,	20. Изменить параметры частотозадающей цепи встроенного генератора путём увеличения сопротивления резистора, подключенного к выводу 8 микросхемы в два раза.
170
				
: с	Заменяемая микросхема	Возможная замена	Необходимые изменения в схеме при замене	
• • t S' i' i [	LC7350 M2561AB UM91611 VT91611 WE9110 STC52560C S25610	UM91610A	21. Отсоединить вывод 15 микросхемы от всех других цепей схемы.	
	UM91610A	LC735O М2561АВ UM91611 VT91611 WE9110 STC5256OC S25610	22. Соединить вывод 15 микросхемы с корпусной шиной (вывод 10).	
	КР1008ВЖ1	КР1008ВЖ5 КР1008ВЖ7 КР1064ВЖ5 КР1064ВЖ7 КР1089ВЖ1 КР1089ВЖ2	23. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путём увеличения сопротивления резистора, подключенного к выводу 9 в три раза. Вывод 15 отсоединить от других цепей схемы н соединить с корпусной шиной (вывод 17). Вывод 6 отсоединить от других цепей схемы и подключить в точку, где ранее был подключен вывод 15. При замене микросхемы КР1008ВЖ1 на КР1008ВЖ5, КР1064ВЖ5 и КР1089ВЖ1 Ваш телефон будет обладать дополнительной памятью на 10 номеров.	
	КР1008ВЖ5 КР1008ВЖ7 КР1064ВЖ5 КР1064ВЖ7 КР1089ВЖ1 КР1О89ВЖ2	КР1008ВЖ1 /	24. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путём уменьшения сопротивления резистора, подключенного к выводу 9 в три раза. Вывод 6 отсоединить от других цепей схемы и соединить с плюсом питания (вывод 3). Вывод 15 отсоединить от других цепей схемы и подключить в точку, где ранее был подключен вывод 6. При замене ИС КР1008ВЖ5, КР1064ВЖ5 и КР1089ВЖ1 на КР1008ВЖ1 Ваш телефон потеряет дополнительные сервисные возможности и будет сохранять только последний набранный номер.	
	КР1008ВЖ7 КР1064ВЖ7 КР1089ВЖ2	КР1008ВЖ5 КР1064ВЖ5 КР1089ВЖ1	Микросхемы заменяются без каких-либо изменений в схеме. После замены Ваш телефон будет обладать дополнительной памятью на 10 номеров.	
	КР1008ВЖ5 КР1064ВЖ5 КР1089ВЖ1	КР1008ВЖ7 КР1064ВЖ7 КР1089ВЖ2	Микросхемы заменяются без каких-либо изменений в схеме. После замены Ваш телефон потеряет дополнительные сервисные возможности и будет сохранять только последний набранный номер.	
	HM9102 HM9110D KS58006 KS5820 KS58C2ON UM91210C КР1008ВЖ16	UM91260C КР1091ВЖ1	25. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путём замены кварцевого резонатора, подключенного к выводам 8 и 9 на частоту 480 кГц.	
171
Заменяемая микросхема	Возможная замена	Необходимые изменения в схеме при замене
UM91260C КР1091ВЖ1	НМ9102 HM9110D KS58006 KS5820 KS58C20N UM91210C КР1008ВЖ16	26. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путём замены кварцевого резонатора, подключенного к выводам 8 и 9, на частоту 3,58 МГц.
UM91214A UM91215A	КР1008ВЖ27	27. При замене UM91214A или UM91215A (имеют 16 выводов) на КР1008ВЖ27 (18 выводов), выводы 8 и 9 КР1008ВЖ27 можно удалить (онн не нужны), выводы 10 и 11 отгибаются и остаются над платой. Вывод 10 подсоединяется к контактной площадке 8 на плате. Вывод 11 подсоединяется к контактной площадке 9 через транзистор КП501А. Вывод 1 (затвор) транзистора соединить с выводом 11 КР1008ВЖ27, вывод 2 (сток) с контактной площадкой 9 на плате, вывод 3 (исток) с общим проводом (вывод 5 ИС КР1008ВЖ27 и контактная площадка 5) на плате.
Но что же делать, если Вам так и не удалось найти подходящую микросхему номеронабирателя для замены?
В этом случае Вам поможет универсальная схема, при помощи которой Вы сможете заменить большинство зарубежных ИС ЭНН.
Наибольшее распространение получили ИС ЭНН КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7. Эти микросхемы выпускаются уже около 10 лет и наиболее доступны. Поэтому рассмотрим возможность замены большинства зарубежных ИС ЭНН именно этими микросхемами.
У всех ИС ЭНН имеются такие выводы, как:
-	выводы подключения клавиатуры (C0L1 + C0L3, R0W1 + ROW4);
-	вывод питания (U);
-	общий вывод (GND);
-	вход ’’отбой” (HS);
-	выводы для подключения времязадающих элементов генератора;
-	выход импульсного ключа (PULSE);
-	выход разговорного ключа (MUTE).
Различные ИС ЭНН отличаются только логикой работы выходов ИК (PULSE) и РК (MUTE) и параметрами времязадающих элементов генератора (здесь мы не рассматриваем многофункциональные ИС для телефонов высокого класса). Функционирование по остальным выводам у всех ИС ЭНН одинаково. Во многих зарубежных телефонах выход разговорного ключа микросхемы не задействован. Поэтому если при помощи внешних элементов привести в соответствие выход импульсного ключа микросхемы, то можно заменить неисправную микросхему, подключив соответствующие выводы к контактным площадкам выпаянной микросхемы.
Если сравнивать временные диаграммы выходов разговорного ключа (MUTE) (рис. 2.32 + 2.34) ИС ЭНН КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 с другими ИС ЭНН, то нетрудно заметить, что до набора и после набора номера у всех микросхем (кроме CIC9102E, CIC9104E, FT9151-3, UM9151, UM9161-3, WE9102, WE9104 и КР1008ВЖ17) “высокий" уровень. Во время прохождения импульсов набора - “низкий". Следовательно, логика работы выходов разговорного ключа у этих микросхем одинакова. У выходов импульсного ключа (PULSE) до набора и после набора номера у микросхем КР1008ВЖ1,
172
Рис. 6.2. Схема замены ИС ЭНН с логическим выходом ИК на ИС КР1008ВЖ1.
КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 - "низкий" уровень, а у остальных микросхем - "высокий". Это отличие обусловлено тем, что микросхемы КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 предназначены для работы только совместно с разговорным ключом. ''Низкий" уровень удерживает ИК ТА в закрытом состоянии и он не может использоваться для коммутации разговорного узла, как в схеме на рис. 1.15. Импульсы набора все микросхемы номеронабирателей формируют "низкого" уровня, т. е. "низкий" уровень выхода микросхемы во время набора номера размыкает линию, а "высокий" - замыкает.
Для замены импортной ИС на КР1008ВЖ1,	КР1008ВЖ5 или
КР1008ВЖ7 необходимо при помощи дополнительных элементов привести в соот-
ветствие временные параметры сигналов, формируемых на выходах ИК и РК, заменяемой и заменяющей микросхем. Кроме того, в зависимости от типа выхода ИК (логический или с открытым стоком) заменяемой микросхемы необходимо обеспечить его согласование со входом импульсного ключа ТА.
Временные параметры приводятся в соответствие посредством двух диодов, включаемых с выходов ИК (PULSE) и РК (MUTE) микросхемы КР1008ВЖ1 по схеме "ИЛИ", как показано на рис. 6.2. В результате, на выходе (в точке соединения диодов VD1 и VD2), формируется сигнал с временными параметрами, соответствующими параметрам выходных сигналов ИК импортных микросхем.
Эту схему можно применять для замены микросхем номеронабирателя с логическим выходом импульсного ключа, так как в точке соединения диодов VD1 и VD2 формируется сигнал с уровнем, соответствующим логическому выходу ИС КР1008ВЖ1. В схеме, при
необходимости, можно задействовать выход разговорного ключа (MUTE) (вывод 18).
Аналогичная схема на ИС КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 приведена на рнс. 6.3.
На рис. 6.4 приведена схема замены импортной ИС с открытым стоком выхода ИК. Диоды VD1 и VD2 формируют соответствующую импульсную последовательность, а транзисторы VT1 и VT2, образуя выход с открытым коллектором, моделируют выход ИК ИС с открытым стоком.
Выводы микросхемы COL1 + COL3, ROW1 + ROW4, GND, U, HS и PULSE подключаются на соответствующие контактные площадки заменяемой ИС. Вывод SB подключается к выводу микропереключателя со стороны транзисторов импульсного ключа (точка КТ1 на рис. 6.1).
Для замены импортной микросхемы на отечественную КР1008ВЖ1 можно изготовить переходную плату, разместив на ней необходимые дополнительные элементы. На рис. 6.5 показан чертеж переходной платы для схемы, приведенной на рис. 6.4. Форма и размеры переходной платы выбраны с учётом размещения её в телефон-трубке между основной платой и динамической головкой.
GND
DD1 КР1008ВЖ5(П
14
15
17
22
R0W1-*---—
ROW2-*----
2
ROW3-*----
R0W4-*----
6
HS-*-----
_____13
и-<----
R0W1 R0W2	X/Y	C0L3 C0L2
R0W3 R0W4 HS		СОИ RC С
мл		R
IDP DRS		PULSE
GND и		MUTE
~---»-C0L3
—---J-C0L2
~—>>C0L1
Cl 270
9
R1 300k
VD1 КД522Б
12 Г>| IMPULSE
i^__J
VD2 КД522Б
Рис. 6.3. Схема замены ИС ЭНН с логическим выходом ИК на ИС КР1008ВЖ5(7).
173
Контактные площадки переходной платы (в рамке па рис. 6.5) и контактные площадки заменяемой ИС на основной плате телефона соединяются между собой жгутом из тонких проводов. Схемы соединения кон-актных Площадок переходной платы с контактными площадками основной платы, из которой выпаяна ИС ЭНН, для различных типов ИС различны и приведены в таблице 6.3. В ячейках таблицы показаны номера
Рис. 6.4. Схема замены ИС ЭНН с открытым стоком выхода ИК на KP1008BJK1.
выводов контактных площадок заменяемой микросхемы на основной плате телефона. Расположение самих ячеек соответствует плате. Например, для микросхемы KS5805A контактную площадку ROW1, кото-
расположению контактных площадок на переходной
рая расположена рядом с выводом 22 ИС КР1008ВЖ1, необходимо соединить с контактной площадкой от вывода 16 микросхемы KS5805A на основной плате.
Для того чтобы в телефоне работал повтор последнего набранного номера, необходимо внести изменения иа плате наборного поля. Нужно разорвать дорожку, которая идет от контактной площадки COL3 к кнопке "#”, и соединить разорванный конец дорожки от этой кнопки к контактной площадке ХО. В телефонах-трубках, если принять контактную площадку, расположенную ближе к динамической головке за первую, то контактная площадка COL1 -
третья, a COL3 - седьмая.
Если все соединения сделаны правильно, а номер не набирается, следует проверить напряжение на стабилитроне переходной платы. При пониженном его значении (менее 2,0 В) необходимо увеличить ток через стабилитрон при помощи резистора в цепи питания микросхемы (раздел 3.3). При замене микросхем CIC9102E, CIC9104E, KS5805B, LR40993, МК50993, Т40993, UM9151, UM9151-3, WE9102 и WE9104 стабилитрон VD1 может не понадобится, так как он должен иметься на основной плате телефона.
Рис. 6.5. Переходная плата для замены ИС ЭНН с открытым стоком выхода ИК микросхемой КР1008ВЖ1.
ооооооооооо ©к о
22	12OVT1 ДМ
'810
и VT2OE,
КР100ВВЖ1
COLS
B0W1
=ulse
О
HS
GND U HOWL
SB BOW? ROWS
174
Табл. 6.3. Соответствие контактных площадок переходной платы с контактными площадками заменяемой микросхемы.
Соответствие контактных площадок переходной платы контактным площадкам заменяемой микросхемы:
ЕТ40992 НМ9100А1 KS5805A KS5805B KS58C05 KS5851 LR40992 LR40993 MK50992N МК50993 Т40992 Т40993	•			CIC9192BE ЕТ40982 HD970040D KS5804 LR40981A MK5173AN МК50981 TR50981AN WE9192B			НМ9100В KS5853			CIC9104E UM9151-3 WE9104			CIC9102E UM9151 WE9102		
4	5	16	4	5	14	3	4	14	15	16	1	16	17	18
3	18	17	3	16	15	2	16	15	14	9	11	15	9	12
6	1	13	6	1	11	5	1	11	12	5	4	10	5	4
SB L=J	15	14	SB	13	12	SB	13	12	SB	2	3	SB	2	3 1
Второй вариант замены ИС ЭНН с логическим выходом ИК показан на рис. 6.6. В этом случае необходимо добавить ключ на полевом п-канальном транзисторе с индуцированным каналом и изолированным затвором КР1014КТ1А,(В), подключив его параллельно выходу диодного моста. Особенность схемы состоит в том, что импульсный ключ ТА используется как разговорный ключ, а набор номера осуществляется токовым ключом на КР1014КТ1А,(В). Если в ТА присутствует разговорный ключ, то вывод 18 ИС КР1008ВЖ5,(7) необходимо подключить на него, а импульсный ключ ТА отключить (вместо него будет работать токовый ключ на КР1014КТ1А,(В).
Импульсы, управляющие работой ключа, подаются на затвор токового ключа с выхода ИК ИС и полностью соответствуют требованиям технических условий для отечественных телефонных сетей, так как ИС КР1014КТ1А,(В) в режиме насыщения имеет сопротивление менее 50 Ом.
Рис. 6.6. Схема замены микросхемы номеронабирателя на ИС КР1008ВЖ5,(7) и токовый ключ КР1014КТ1В.
7. ЗАЩИТА И ДОРАБОТКА ТА
Амплитуда посылок сигнала индукторного вызова достигает 120 В, а на некоторых станциях и 200 В. Именно это напряжение представляет наибольшую опасность для электронной "начинки” телефона. При снятии трубки во время звонка напряжение посылок индукторного вызова может вывести из строя основные элементы ТА (импульсный ключ, микросхему номеронабирателя, электретный микрофон). Это может произойти как из-за пробоя внутри элементов, так и за счёт превышения допустимой рассеиваемой мощности на них.
7.1. ЗАЩИТА МИКРОСХЕМЫ НОМЕРОНАБИРАТЕЛЯ
Самым слабым местом в ИС является выход импульсного ключа. Для ИС ЭНН пробой внутреннего полевого транзистора импульсного ключа с открытым стоком наступает при напряжении свыше 30 В. Естественно, напрашивается простейший способ защиты - ограничить напряжение, которое может появиться на выходе ИК ИС при пробое транзисторов ИК ТА или снятии трубки во время звонка.
Для этого между нулевой шиной и выходом ИК ИС включается быстродействующий стабилитрон с напряжением стабилизации 13 + 15 В (рис. 7.1). Но этот способ защиты не дает гарантии полной защиты, поскольку при пробитом коллекторном переходе транзистора VT1 импульсного ключа ТА (рис. 6.1,а и 6.1,6) и попытке набора номера, через открытый выход ИК ИС пойдет весь ток линии, что моментально приведет к выходу из строя микросхемы номеронабирателя.
на выход _	на вход
икисэнн Г	ик ТА
7RVD1 ф 13Ч5В
Рис. 7.1. Способ защиты выхода ИК ИС ЭНН с открытым стоком.
на вход ИКТА
Рис. 7.2. Рекомендуемая схема защиты выхода ИК ИС ЭНН с открытым
Гарантированную защиту выхода ИК ИС обеспечивает применение дополнительного транзистора, включенного по схеме, приведенной на рис. 7.2. Здесь транзистор VT1 включен по схеме эмиттерного повторителя. Когда выход ИК микросхемы ЭНН находится в высокоимпедансном состоянии, то переход эмиттер - коллектор транзистора VT1 закрыт. При наборе номера выход ИК ИС подключается к обшей шине. Ток, протекающий через резистор
R1 (рис. 6.1,а и 6.1,6) и переход база-эмиттер защитного транзистора VT1, открывает его и подключает вход ИК ТА на землю. Импульсный ключ ТА закрывается.
Если к эмиттеру транзистора VT1 (рис. 7.2) по любой причине будет приложен высокий потенциал, то при
стоком.	появлении малейшего тока в цепи: эмиттер-база транзи-
стора VT1 - выход ИК ИС - корпус, транзистор VT1 открывается и весь ток проходит через него. Это исключает выход из строя микросхемы номеронабирателя.
Наиболее опытные радиолюбители могут возразить, что защитный транзистор следует подключать так, как показано на рис. 7.3. Однако продолжительная практика использования схемы, приведённой на рис. 7.2, показала её полную надёжность.
Такой способ защиты весьма эффективен и позволяет снимать трубку даже
во время междугороднего звонка, если, конечно, защищены транзисторы ИК. Междугородный звонок при отсутствии описанной защиты наиболее опасен для ТА из-за повышенной частоты следования посылок вызывного сигнала, что повышает вероятность снятия трубки во время звонка.
Для ИС с логическим выходом ИК перечисленные способы не пригодны, так как напряжение выхода ИК ИС не превышает напряжение питания ИС. В этом случае выход ИК ИС следует включить через диод, как показано на рис. 7.4. Для обеспечения надежного запирания транзистора VT1 при напряжении низкого уровня на выходе ИК ИС с его базы на корпус необходимо включить резистор R2 сопротивлением 100 + 300 кОм. Резистор R1
на вход ИКТА
VT1
КТ502Е
Рис. 7.3. Схема защиты выхода ИК ИС ЭНН с открытым стоком и резисторами в базовой цепи.
176
R1 VD1
на выход ик микросхемы
22k КД522Б
на вход ик схемы
Рис. 7.4. Способ защиты выхода ИК ИС номеронабирателя с логическим выходом.
должен присутствовать на плате телефона. Его сопротивление может находиться в довольно широких пределах.
Микросхему номеронабирателя с встроенным источником опорного напряжения можно защитить и по цепи питания.
Для этого необходимо с входа питания ИС на корпус включить стабилитрон с напряжением стабилизации 4,7	+	5,6 В
(КС147А.Г; КС156А.Г и т. п.). Но в этом, как правило, нет необходимости. При на-
дежно защищенном выходе ИК микросхемы номеронабирателей практически не выходят из строя по питанию благодаря внутренней защите.
7.2. ЗАЩИТА ИМПУЛЬСНОГО КЛЮЧА ТА
Сравним параметры отечественных и импортных транзисторов наиболее часто используемых в схемах ИК:
Транзистор	Икэ макс, В	1к и макс, мА	Рк макс, Вт
2N5551	180	600	0,35
КТ503Е	100	350	0,35
2N5401	160	600	0,35
КТ502Е	90	350	0,35
Предельно допустимые значения напряжения и импульсного тока зарубежных транзисторов значительно превышает аналогичные параметры отечественных. Поэтому они кажутся на первый взгляд более надежными, однако, зто не так. Практика показывает, что зарубежные транзисторы выходят из строя . довольно часто, чего нельзя сказать об указанных отечественных, успешно используемых для их замены. Причина состоит в том, что вследствие бросков напряжения, возникающих при наборе номера, а равно воздействия высокого напряжения индукторного вызова происходит превышение предельно допустимой рассеиваемой мощности. У отечественных транзисторов имеется больший запас по допустимой рассеиваемой мощности, чем у зарубежных, несмотря на то, что I паспортные данные у них одинаковые. Кроме того, необходимо также учитывать, что в недорогих импортных телефонах могут устанавливаться некондици-’•онные компоненты, у которых параметры не соответствуют паспортным, тогда '.как для отечественных транзисторов это практически исключено. Некоторые i радиолюбителя считают, что отечественные транзисторы реже выходят из строя из-за большего обратного тока, что, как бы демпфирует броски напряжения.
Если в линии отсутствуют броски напряжения, а трубку Вы снимаете всегда во время паузы между звонками, Ваш телефон будет длительное время работать исправно. Тем не менее, защиту следует ввести. Ведь её реализация проста и не трудоемка.
На рис. 7.5 приведены схемы подключения защитного элемента, в качестве которого можно использовать стабилитрон, транзистор (в режиме лавинного пробоя), варистор или неоновую лампочку. Основное назначение защитного элемента - ограничить броски напряжения в линии до величины, безопасной для транзисторов ИК.
Стабилитрон (рис. 7.5,а) необходимо использовать с напряжением стабилизации от 70 до 100 В (КС568В, КС582В, КС591А, КС596В, КС600А и т. п.). Его нужно включать только после микропереключателя, иначе, после первой же посылки сигнала индукторного вызова Ваш абонент услышит короткие гудки.
Вместо стабилитрона можно использовать метод (рис. 7.5,6), рекомендованный известным радиолюбителем Александром Пысь. Граничное напряжение тран-зисторов КТ814Б, КТ816В, КТ639В при отключенной базе составляет 60 + 100 В.  При превышении этого напряжения наступает лавинный пробой транзистора. На-I пряжение коллектор - эмиттер изменяется незначительно при дальнейшем увели-. чении тока. При лавинном пробое, в отличие от теплового, характеристики транзистора восстанавливаются после снятия граничного напряжения. Для большинства
12-79
177
Рис. 7.5. Схемы включения защитных элементов ИК схемы ТА.
транзисторов КТ814В (>80 %) это напряжение составляет 65 75 В.
Варистор (рис. 7.5,в) представляет собой полупроводниковый резистор, сопротивление которого уменьшается с увеличением приложенного напряжения. Их желательно использовать на напряжение 100 + 180 В типа СИ 1-2-1. Варисторы с напряжением ниже 100 В применять не рекомендуется, поскольку это может вызывать сбои при наборе номерах
Неоновая лампочка (рис. 7.5,г) выполняет функцию порогового элемента с напряжением ограничения 70 + 85 В. Металлический цоколь лампочки необходимо подключать к плюсовой цепи.
Варистор и неоновую лампочку, в отличие от стабилитрона, можно включать перед микропереключателем, непосредственно к положительному выходу диодного моста. Неоновую лампочку в этом случае необходимо включить последовательно с резистором 47 кОм. Во время посылки сигнала индукторного вызова оиа будет выполнять также функцию светового индикатора вызова.
7.3. ДОРАБОТКА РАЗГОВОРНОГО УЗЛА
Если выполнена защита микросхемы и транзисторов ИК, то никаких специальных методов защиты разговорного узла применять не надо.
Целью доработки является улучшение потребительских параметров ТА, исходя из принципа - хорошо слышу я, хорошо слышат меня. Эта цель достигается улучшением характеристик микрофонного и телефонного усилителей.
Качество работы микрофонного усилителя очень зависит от типа применяемого микрофона. Если в Вашем телефоне уставав
Cl 4,7mk «10В
♦за
R3 4,7k
С220п на схему — —► усиления и
11 согласования
R3
4,7k
С2.?0п на схему — —»- усилениям
11 согласования
BM1
R1
100
R2 220k
VT1 КГ3102Е
Рис. 7.6. Схема подключения электродинамического микрофона.
Рис. 7.7. Схема подключения электретного микрофона.
новлен электродинамический микрофон (рис. 7.6), то улучшить работу ТА можно лишь заменив этот микрофон на	электретный
(рис. 7.7), обладающий	значительно
лучшими параметрами. В некоторых случаях этого бывает достаточно, чтобы Вас слышали хорошо.
Если уровень сигнала микрофона остался неудовлетворительным, то необходимо согласовать выходное сопротивление микрофона с входным сопротивлением микро
178
фонного усилителя посредством эмиттерного повторителя. Его схема приведена на рис. 7.8.
Необходимость согласования обусловлена тем, что выход электретного микрофона, выполненный на полевом транзисторе, обладает высоким сопротивлением, соизмеримым с входным сопротивлением усилителя. Вследствие этого образуется делитель напряжения, ослабляющий сигнал.
Эмиттерный повторитель уменьшает выходное сопротивление микрофона, в результате чего всё напряжение сигнала прикладывается ко входу усилителя. В этом случае усиление воз-
Ucc d	biN
t	з
OUTt	3GND
з1---Ч
Рис. 7.9.
Рис. 7.8. Схема согласования выходного сопротивления электретного микрофона.
Цоколёвка растает настолько, что приходится применять меры против
ИС КА1436УЕ1.
IN GND
Рис. 7,10.
Цоколёвка ИС КА1403УЕ2.
возбуждения. Возбуждение устраняется увеличением сопротивления балансного резистора противоместной схемы (например, R3 на рис. 3.36) примерно вдвое.
Можно также применить микросхемы КА1436УЕ1 или КА1403УЕ2А(Б), предназначенные для работы в качестве усилителя-повторителя для согласования выходного сопротивления электретного микрофона с входным сопротивлением усилителя НЧ. ИС КА1436УЕ1 производит НПО ”ИНТЕГРАЛ" в г. Минске.
Цоколёвка ИС КА1436УЕ1 приведена на рис. 7.9, а КА1403УЕ2А(Б) на рис. 7.10. Их внутренняя электрическая схема приведена на рис. 7.11.
ИС представляют собой истоковый повторитель на полевом n-канальном транзисторе с р-n переходом.
Назначение выводов: 1 - плюс питания, 4 - общий, 6 -
вход, 3 - выход, 2 и 5 не задействованы.
Основные электрические характеристики ИС КА1436УЕ1 и КА1403УЕ2А(Б):
-	напряжение питания 0,8 + 5,0 В;
-	напряжение входного сигнала в пределах ±0,4 В;
-	входное сопротивление не менее 20 МОм;
-	выходное сопротивление не более 2,5 кОм;
-	коэффициент усиления напряжения не менее 0,4;
-	ток потребления не более 160 мкА (для КА1403Б не более 180 мкА);
-	эквивалентное полное напряжение шумов не более 3,5 мкВ.
Если Вы плохо слышите абонента, то можно установить в трубке телефона вместо часто используемого электромагнитного микрофонного капсюля. динамическую головку мощностью
Рис. 7.11.
Внутренняя электрическая схема ИС
КА1436УЕ1 и КА1403УЕ2.
0,25 + 0,5 Вт и номинальным электрическим сопротивлением 8 + 50 Ом (0,25ГД-10; 0,5ГДШ-9; 0.5ГД-13 и т.п.). Если этого будет недостаточно, необходимо заменить или дополнить усилитель приёма (например, усилителем НЧ на ИС ЭКР1436УН1).
Для повышения стабильности работы разговорного узла вместо нагрузочного резистора линии (например, R6 на рис. 3.36) желательно установить стабилитрон типа КС133А или КС433А н подключить параллельно ему электролитический конденсатор емкостью 47 мкФ х 10 В. Можно использовать схему рис. 7.12, выполняющую одновременно функции стабилитрона и источника тока для светодиода VD1. Светодиод можно использовать в качестве индикатора поднятой трубки телефона.
Рис. 7.12.
Схема замены нагрузочного резистора линии в ТА.
179
7.4.	ЗАМЕНА ДИСКОВОГО НОМЕРОНАБИРАТЕЛЯ НА КНОПОЧНЫЙ
Телефонные аппараты и другие оконечные абонентские устройства с дисковым номеронабирателем можно модернизировать в части установки в них кнопочного номеронабирателя. Для этого можно применить выпускаемые промышленностью номеронабиратели ’’ЭЛЕКТРОНИКА НК-01", ’’ ЭЛЕКТРОНИКА НК-02" и ” ЭЛЕКТРОНИКА НК-03".
Эти номеронабиратели полностью удовлетворяют требованиям, изложенным в разделе 1.1 и обеспечивают выполнение следующих функций:
-	набор номера значностью до 22 цифр;
-	неоднократное повторение набранного номера нажатием кнопки (повтор) ;
-	прерывание набора номера на любом его этапе и последующее его повторение, начиная с первой цифры;
-	прослушивание сигналов АТС в паузах между цифрами набираемого номера;
-	программирование паузы увеличенной длительности (2,7 с на одно нажатие кнопки^ "*") между любыми последовательными цифрами номера;
-	отбой АТС нажатием кнопки (отбой).
Схема номеронабирателя "ЭЛЕЮГРОНИКА НК-01" приведена на рис. 7.13.
Диоды VD2, VD6 и переходы "сток - подложка" токовых ключей DA2, DA3 образуют диодный мост, который обеспечивает схему положительным На-
ROW1
ROW2
ROW3
ROW4
GNO
М/В
RC
С247
220k
R2 270k
С1_С R1 47
ODI КР1008ВЖ1
COL3
X/Y
COL2
СОИ
UMEM
DA1 КЖ101А
’ R5
Г 68k
С4 20nikx6,3B
270k
ЮР
HS
PUL3E
MUTE2|-^-|
R6 100k
СЗ
10 Г!
RU1 I 180BJ VD4 КД102А -и-
Таблица подключения выводов НК-01 к телефонному аппарату
Наименование
Контакт
Линия АТС
Разговорный узел
XS2.XS3
XS1.XS2
VD1 КС108А
R3 100k
VD2 КД102А -к-
VD3 КД102А
11 XS2 ХТ2
---------------—«-< DA2 КР1014КТ1А синий
DA3KP1014KT1A
R8
R7
1.5М
VT2 КТ315Г
-W-VD5 КДЮ2А
„ „ DA4KP1014KT1A R10 ЗМ
VT1
КТ503Е
VT3 КТ315Г
XS3 ХТЗ
жёлтый
XS1 ХТ1
-«-< красный
R11 зм
DA5KP1014KT1A
Рис. 7.13. Принципиальная электрическая схема кнопочного номеронабирателя "ЭЛЕКТРОНИКА НК-01".
180
пряжением питания. Питание микросхемы номеронабирателя DD1 напряжением 3,2 В осуществляется стабилизатором напряжения, выполненным на стабилизаторе тока DA1, стабилитроне VD1 и конденсаторе С4. Подстроечным резистором R5 регулируется начальный ток стабилизатора тока DA1.
Разговорный ключ номеронабирателя выполнен на токовых ключах DA4, DA5 и управляется с выхода MUTE2 DD1 (вывод 18). Он обеспечивает подключение телефонного аппарата к абонентской линии в разговорном режиме и отключение от неё в режиме набора номера. Транзисторы VT2 и VT3 необходимы для обеспечения работы разговорного ключа при любой полярности подключения номеронабирателя к линии АТС. Управление токовыми ключами DA4, DA5 осуществляет тот транзистор, на коллекторе которого присутствует положительный потенциал.
Импульсный ключ, построенный на токовых ключах DA2, DA3 и подключенный параллельно линейным клеммам XS2, XS3, обеспечивает передачу импульсов набора номера, формируемых на выходе PULSE DD1 (вывод 12), в абонентскую линию. Межсерийная пауза увеличенной длительности формируется нажатием кнопки (повтор) во время набора номера.
Нажатие кнопки (отбой) приводит к закрыванию разговорного ключа, отключению разговорной схемы ТА от абонентской линии и отбою приборов АТС. Режим "отбой” осуществляется также при уложенной на аппарат трубке. При этом напряжение на клеммах XS2, XS3 исчезает. Напряжение "высокого" уровня с заряженного конденсатора С4 через резистор R4 поступает на вход HS DD1 (вывод 15) и осуществляет подготовку ИС к повтору номера. Диоды VD3, VD4 обеспечивают "низкий" уровень на входе HS DD1 в разговорном режиме и
2
ROW1
ROW2
ROW3
ROW4
GNO
М/В
RC
4 22
С2 47
220k
R2 270k
MUTE2
DD1 КР1008ВЖ1
COL3
COL2
СОЦ
UMEM
ЮР
HS
PULSE
R3
1,5M
DAI КЖ101А
' R4 reek
2,3.
6.7
VD1 KC106A
СЗ 20mkx6.3B
1.8
&316Г	R61.5M
VD2 КД102А H4-
DA2 КР1014КТ1А
RU1 ifice
VD3 КД102А -И-
DA3 КР1014КТ1А
10 XS2 ХТ2 —
СР9НИЙ
XS3 хтз
С4 d? VD5 Жёлть'й 10п — ~КДЮ2А
Таблица подключения выводов НК-02 к телефонному аппарату
Наименование	Контакт
Линия АТС	XS2.XS3
Разговорный узел	XS1.XS2
DA4 КР1014КТ1А
б
R8 100k
R5
1.5M
XS1 ХТ1
красный
R7
33k
DA5KP1014KT1A
Рис. 7.14. Принципиальная электрическая схема кнопочного номеронабирателя "ЭЛЕКТРОНИКА НК-02".
VT2
KT851A
181
предотвращают разряд конденсатора С4 при уложенной на рычаг трубке.
Варистор RU1 защищает токовые ключи от пробоя при бросках напряжения на линии и от высокого напряжения индукторного вызова. Подстроечным резистором R1 регулируется частота набора номера.
Номеронабиратель "ЭЛЕКТРОНИКА НК-02" (рис. 7.14) отличается от номеронабирателя "ЭЛЕКТРОНИКА НК-01” усовершенствованными схемами "отбой" и отключения разговорного узла. "Низкий" уровень на входе HS в разговорном режиме обеспечивает открытый транзистор VT1. При уложенной на рычаг трубке напряжение на базе транзистора VT1 равно нулю, транзистор закрыт и на входе HS DD1 через резистор R3 с заряженного конденсатора СЗ подаётся "высокий" уровень. Такая схема обеспечивает более длительный разряд конденсатора С1 и, как следствие, продолжительное время удержания в памяти ОЗУ микросхемы ЭНН последнего набранного номера.
Разговорный узел при положительном потенциале линии АТС на клемме XS3 подключается к линии АТС через диод VD5 и открытый транзистор VT2 (его можно заменить на КТ3157А или КТ521А). Транзистор VT2 открывается тогда, когда открывается токовый ключ DA4 и через резистор R7 подключает базу транзистора иа корпус. При отрицательном потенциале на клемме XS3 разговорный узел подключается к линии через открытый токовый ключ DA5 и диод VD4.
На рис. 7.15 приведена принципиальная электрическая схема кнопочного номеронабирателя "ЭЛЕКТРОНИКА НК-03". Узел "отбой" в нём выполнен как в "НК-01", а схема отключения разговорного узла аналогична "НК-02". Добавлена интегрирующая цепь на выводе 5 ИС ЭНН для увеличения времени антидребезга.
VD2 КД1О2А НФ
VD3 КД1О2А НФ
DA2 КР10МКТ1В
RU1 I 1B0BJ
VD4 КД 102 А 4Ф
DA3 КР1014КТ1В
«-< СИНИЙ
10 XS2 ХТ2
Таблица подключения выводов НК-03 к телефонному аппарату
Наименование	Контакт
Линия АТС Разговорный узел	XS2.XS3 XS1.XS2
нф VD5 КД102А
0 XS3 хтз
—«—<
DAS КР1О14КТ1В
Рис. 7.15. Принципиальная электрическая схема кнопочного номеронабирателя "ЭЛЕКТРОНИКА НК-03".
182
7.5.	УСТРОЙСТВА ДЛЯ ПРОВЕРКИ МИКРОСХЕМ И ТРАНЗИСТОРОВ, ПРИМЕНЯЕМЫХ В ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТАХ
Часто возникает необходимость проверить работоспособность микросхемы или транзистора перед установкой в схему, или удостовериться в исправности Выпаянных элементов схемы.
На рис. 7.16 приведена схема устройства, позволяющего произвести проверку микросхем КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5, КР1008ВЖ7, КР1064ВЖ5, КР1064ВЖ7.
.US+SB
Рис. 7.16. Схема для проверки исправности ИС КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5(7).
Для подключения проверяемой микросхемы предусмотрена панель, в ко-торую вставляется ИС при проверке. Питание схемы осуществляется напряже-(нием 5 + S В. Резистор R1, конденсатор С1 и стабилитрон VD1 обеспечивают проверяемую ИС напряжением питания 3 В.
Цоколёвка микросхем КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 одинакова, что позволяет проверять их без каких-либо дополнений. Цоколёвка ИС КР1008ВЖ1 отличается от их цоколёвки назначением двух выводов - 6 и 15.
Вывод 15 в ИС КР1008ВЖ1 - вход "отбой" (HS), а в ИС КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 - вход установки частоты набора - 10/20 Гц (DRS). Так как функцию "отбой" можно осуществлять кнопкой "#" клавиатуры, то вывод 15 подключается к общему проводу.
Вывод 6 в ИС КР1008ВЖ1 - вход напряжения питания (U), а в ИС КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 - вход "отбой" (HS).
Переключатель SA1 в нижнем (по схеме) положении контактов позволяет осуществлять проверку ИС КР1008ВЖ1, а в верхнем - КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7.
При проверке ИС КР1008ВЖ1 на вывод 6 подаётся напряжение со стабилитрона VD1, а при проверке ИС КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 вывод 6 соединяется с общим проводом.
Поскольку при тех же параметрах времязадающей цепи (С2 и R2) частота набора у ИС КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 в три раза выше, то для обеспечения номинальной частоты набора второй контакт SA1 подключает при проверке этих микросхем в цепи генератора дополнительно резистор R3.
С выхода импульсного ключа ИС DD1 (вывод 12) импульсы набора через согласующие транзисторы VT1 и VT3 поступают на вход "С" счетчика DD2 (вывод 4), определяющего число импульсов, поступивших с выхода ИК ИС, и формирующего сигналы управления семисегментным светодиодным индикатором HG1. Светодиодный индикатор отображает число принятых импульсов в десятичном виде. Транзисторы VT4 + VT10 согласуют выход счетчика - дешифратора со светодиодным индикатором, номинальный ток которого обеспечивают резисторы Rll + R17. Импульсы набора изменяют состояние счетчика по спаду положительных импульсов на входе "С" (вывод 4).
183
Рис. 7.17. Схема подключения светодиодного индикатора с общим анодом.
общим анодом -
Рис. 7.18. Схема подключения светодиодного индикатора АЛ304Г.
Светодиод VD2 мигает с частотой 10 Гц во время следова ния импульсов набора. В качестве него можно использовать точку светодиодной матрицы HG1.
С выхода разговорного ключа ИС DD1 (вывод 18) отрицательный перепад импульса инвертируется транзистором VT2 и поступает на дифференцирующую цепь С2, R10. Короткий импульс положительного напряжения, сформированный ею, поступает на вход R DD2 (вывод 5) и устанавливает счетчик в исходное состояние перед началом каждой серии импульсов набора.
В схеме применён индикатор АЛС324А с общим катодом. Вместо него могут быть использованы индикаторы АЛ304А,Б,В, АЛС321А, АЛС313А, АЛС314А, АЛСЗЗЗА.В, АЛС339А. Светодиодные матрицы с АЛ304Г, АЛС321Б, АЛС324Б, АЛСЗЗЗБ.Г следует включать по схеме, приведённой на рис. 7.17.
Высокочувствительные индикаторы типа АЛ304Г можно включать непосредственно к выходам микросхемы, как показано на рис. 7.18. Однако из-за разброса тока короткого замыкания микросхем, не нормируемого техническими условиями, яркость свечения индикаторов может быть различной. Идентичности яркости свечения частично можно достичь подбором напряжения питания индикаторов.
Для согласования выходов микросхемы К176ИЕ4 со светодиодными индикаторами, имеющими общий анод можно использовать микросхемы К176ПУ1, К176ПУ2, К176ПУЗ, К561ПУ4 и К561ЛН2, как показано на рис. 7.19. неинвертирующих следует соединить
При использовании вход S (вывод 6) К176ИЕ4
ИС К176ИЕ4 со светодиодными индикаторами, имеющими общий анодом.
микросхем (К176ПУЗ, К561ПУ4) с входом U, а при использовании инвертирующих (К176ПУ1, К176ПУ2, К561ЛН2) - с общим проводом.
На рис. 7.20 представлена схема для проверки работоспособности двух наиболее распространенных групп зарубеж ных ИС. В первую входят ИС KS5805A, KS5851 и их аналоги, приведенные в таблице 6.2. Во вторую - WE9192B и ее аналоги.
Микросхема KS5805A имеет 18 выводов, a WE9192B -16 выводов. Но её цоколёвка повторяет цоколёвку KS5805A за исключением выводов 9 -
184
Рис. 7.20. Схема для проверки исправности ИС KS5805A, KS5851, WE9192B и их аналогов.
М/В и 10 - DRS, которые у нее отсутствуют. На рис. 7.20 в скобках указаны номера выводов для ИС WE9192B. Переключатель SA1 служит для выбора типа проверяемой микросхемы. В положении "1" проверяются микросхемы второй группы, в положении "2" - первой.
Работа устройства осуществляется следующим образом. Импульсы набора отрицательной полярности с выхода импульсного ключа PULSE (вывод 18 для KS5805A и 16 для WE9192B) проверяемой ИС инвертируются транзистором VT1 и поступают на вход "С" (вывод 4) счетчика-дешифратора К176ИЕ4. Как и в предыдущей схеме число пришедших импульсов отображается на индикаторе. В проверяемых микросхемах выход разговорного ключа MUTE (вывод 12 для
KS5805A и 10 для WE9192B) формирует импульс на весь период набора. Для осуществления начальной установки счетчика после набора каждой цифры имеется формирователь сброса на микросхеме DD2. С выхода разговорного ключа MUTE импульс отрицательной полярности через инвертор иа элементе DD2.1
управляет ключом иа элементе DD2.2, разрешающим прохождение импульсов набора на интегрирующую цепочку R8, R9, VD1, С2.
Элементы цепочки рассчитаны таким образом, чтобы импульсы набора не
позволяли разрядиться конденсатору С2, поддерживающему на время следования импульсов набора одной цифры потенциал логической ”1” на входе инвертора DD2.3. За период межсерийной паузы конденсатор С2 разряжается до уровня переключения логического элемента DD2.3. Дифференцирующая цепочка на выходе последнего формирует короткий отрицательный импульс, который ин-
вертируется элементом DD2.4 и устанавливает счетчик в исходное состояние.
Рис. 7.21. Схема для проверки исправности транзисторов.
BQ1 частотой около 3,5 кГц. Схема
Для проверки работоспособности транзисторов можно применить простое и надёжное устройство, в основу которого положено использование импортного трехвыводного пъезоизлучателя. Схема устройства приведена на рис. 7.21. Схема не критична к напряжению питания, которое может быть в пределах 5 + 15 В. В верхнем по схеме положении переключателя SA1 проверяются транзисторы структуры р-п-р, а в нижнем - n-p-п. Если транзистор исправен и цоколёвка совпадает с указанной, Вы услышите тональный сигнал пьезоизлучателя позволяет не только определять исправность
транзисторов, но и определять структуру и цоколёвку транзисторов, на которые
нет справочных данных, так как неправильное включение не выводит транзи-
сторы из строя.
185
8. ИС КР1008ВЖ18 И КР1008ВЖ19.
ИС КР1008ВЖ18 (аналог фирмы SAMSUNG - КТ3170, MITEL - МТ8870, HUALON - НМ9270) и КР1008ВЖ19 (аналог фирмы UMC - UM91531) производит НПО "ИНТЕГРАЛ" в г. Минске.
ИС КР1008ВЖ19 представляет собой тонально - импульсный (DTMF/PULSE) номеронабиратель с параллельным вводом информации. Работает под управлением микроконтроллера (компьютера) и вырабатывает как DTMF, так и импульсные сигналы набора номера. Частоты всех необходимых двухтональных и импульсных сигналов формируются кварцевым генератором. ИС применима в аппаратуре телефонной, факсимильной и модемной связи, системах дистанционного управления.
Основные характеристики ИС КР1008ВЖ19
•	Параллельный ввод 4-разрядной информации с микроконтроллера (компьютера).
•	Входы и выходы микросхемы ТТЛ совместимые.
•	Для обеспечения высокой точности и стабильности частот используется кварцевый генератор с частотой 3,579545 МГц.
•	Напряжение питания 2,5 5,5 В.
•	Возможность выбора импульсного коэффициента.
•	Частота импульсов набора 10 Гц.
•	Тональная (DTMF) передача цифр 0 + 9, *, #, А, В, С, D.
•	Импульсная (PULSE) передача цифр 0 + 9, *, #, А.
•	Высокий уровень выходного тонального сигнала: 2 дВ.
•	Малые нелинейные искажения DTMF сигнала.
•	Совместимость с интерфейсом RS-470 и СЕРТ.
1	MODE		и	16
2	LATCH	X/Y	DTMF	15
3	М/В		АСК	14
	Т/Р		СЕ	13_
5	DO		0SC1	12
6	D1		osco	11
7	D2		GND	10
8	D3		PULSE	9
Рис. 8.1. ИС КР1008ВЖ19.
Цоколёвка ИС приведена на рис. 8.1, назначение выводов в табл. 8.1, структурная схема на рнс. 8.2. Временные диаграммы входов и выходов ИС КР1008ВЖ19 приведены иа рис. 8.3, статические и динамические характеристики в табл. 8.2 и 8.3. Выходные сигналы DTMF и PULSE ИС КР1008ВЖ19, соответствующие параллельному коду на входах DO + D3, приведены в табл. 8.4.
Рис. 8.2. Структурная схема ИС КР1008ВЖ19.
186
Табл. 8.1. Назначение выводов ИС КР1008ВЖ19.
Вывод	Обозначение	Назначение
1	MODE	Вход выбора режима тональной (DTMF) передачи. При "высоком" уровне на этом входе работа выхода DTMF и АСК нормальна (см. назначение выводов 14 и 15). При "низком" уровне DTMF сигнал на выходе DTMF генерируется непрерывно и любые новые данные на 4-х разрядном параллельном входе DO + D3 игнорируются. Этот вход работает только тогда, когда ИС находится в режиме DTMF сигнала (на входе Т/Р - "низкий" уровень).
2	LATCH	Вход "загрузки". Когда входной сигнал иа этом входе переходит из "низкого" уровня в "высокий" (по переднему фронту), ИС загружает данные на 4-х разрядном входе данных DO + D3 и входе Т/Р (вывод 4). Набор номера начинается при изменении уровня на входе LATCH из "высокого" в "низкий”. Уровень сигнала на входе LATCH не должен изменяться снова от "низкого" к "высокому" и новые данные не могут быть загружены, пока уровень на выходе АСК (вывод 14) остаётся "низким".
3	М/В	Вход выбора импульсного коэффициента. "Высокий" уровень на этом входе устанавливает импульсный коэффициент 1,5, "низкий" - 2 (вход должен быть подсоединён либо к плюсу питания, либо к общему выводу). Изменение состояния этого вывода, когда вход выборки кристалла СЕ (вывод 13) находится в активном ("низкий" уровень) состоянии, разрешает тестовый режим.
4	Т/Р	Вход выбора способа передачи (DTMF или PULSE). Вход устанавливает, какой из режимов - тональный ("низкий" уровень) или импульсный ("высокий” уровень) будет активным. Он загружается вместе с 4-х разрядным кодом данных по входам DO + D3.
5 6 7 8	D0 D1 D2 D3	4-х разрядный вход данных. Этот 4-х разрядный параллельный вход используется для получения данных с микроконтроллера. (Диаграмма входных и выходных сигналов показана на рис. 8.3). Входные данные на этих входах должны быть поданы до или во время переднего фронта сигнала "загрузки".
9	PULSE	Выход импульсного ключа. Выход выполнен на n-канальном КМОП транзисторе с открытым стоком. Во время набора импульсы разрыва линии замыкаются ключом на общий провод. Во всех других случаях ключ закрыт. Частота набора составляет 10 Гц, а межсерийная пауза - 823 мс. (Состояние этого вывода в тестовом режиме описано ниже).
10	GND	Общий вывод (минус питания).
11	OSCO	Выход генератора.
187
Вывод	Обозначение	Назначение
12	OSCI	Вход генератора. ИС содержит генератор с необходимыми развязывающими конденсаторами и резистором обратной связи в своём корпусе. Поэтому для работы генератора достаточно подключить стандартный телевизионный кварц на частоту 3,579545 МГц к выводам OSCO и 0SC1. (Практика показала, что в некоторых случаях генератор ИС КР1008ВЖ19 не запускается без конденсаторов ёмкостью 30 пкФ, подключенных с выводов OSCO и OSCI к общему проводу). Можно также подать внешнюю тактовую частоту непосредственно на вывод 0SC1. Работа генератора возможна только при "низком" уровне на входе СЕ.
13	СЕ	Вход выборки кристалла. Вход контролирует запуск генератора и служит для начальной установки микросхемы. "Низкий" уровень разрешает работу микросхемы, "высокий” - запрещает.
14	АСК	Выход "подтверждение”. Формирует сигнал "подтверждение" для микроконтроллера. Когда ИС готова набрать следующую цифру, на выводе АСК появляется “высокий" уровень. Он становится "низким" сразу после прохождения переднего фронта сигнала "загрузки" и остаётся в этом состоянии до тех Нор, пока ие освободится регистр входных данных (рис. 8.2), т. е. не закончится набор загруженной цифры.
15	DTMF	Выход тонального (DTMF) сигнала. Состоит из п-р-п транзистора, коллектор которого подключен внутри ИС к плюсу питания, а эмиттер является выходом DTMF сигнала. Сформированный DTMF сигнал внутри ИС подаётся на базу этого транзистора, включенного по схеме эмиттериого повторителя с резистором, установленным между выводом ИС и общим проводом. С резистора сигнал подаётся иа внешний усилитель на транзисторе с общим коллектором, или включенным по схеме Дарлингтона. Длительность DTMF сигнала составляет 70 мс, межцифровой интервал - 70 мс. Типовое выходное сопротивление DTMF сигнала составляет 1,25 кОм. Статический коэффициент передачи тока (Ьгш) п-р-п транзистора не менее 30 при токе коллектора (1к) = 3 мА.
16	и	Напряжение питания (2,5...5,5 В). (Плюс питания).
Предельно допустимые характеристики ИС КР1008ВЖ19:
•	Напряжение питания (OV Udd)....................от	-0.3 В до +10 В.
•	Входное напряжение (Um)..................от -0,3 В до (Udd + 0,3) В.
•	Допустимая рассеиваемая мощность (при 25” С)............ 600 мВт.
•	Рабочая температура (Тор)......................от	-20” С до +70” С.
•	Температура хранения (Tstg)....................от	-55" С до +125” С.
Работа ИС в предельных режимах не рекомендуется. Их превышение вызывает повреждение микросхемы. Для надёжной работы ИС рекомендуется руководствоваться статическими и динамическими характеристиками, приведёнными в табл. 8.2 и 8.3.
188
Табл. 8.2. Статические характеристики ИС КР1008ВЖ19.
Параметры	Обозначение	Значение			Режим измерения
		МИН.	ТИП.	макс.	
Напряжение питания, В	Udd	2,5		5,5	
Ток потребления, мА	Idd		0,42	1	СЕ = "О"
Ток хранения, мкА	Iso		5	8	СЕ = "1"
Входной ток по выводу	loti	1			Uro=2,5 В; Uol=0,4 В
PULSE, мА	IoL2	3			UDD = 5 В; UOL= 0,4 В
Входное напряжение "высокого" уровня, В	uIH	0,8		Upn	
Входное напряжение "низкого" уровня, В	Un.	0		0,2	U№ = 3,5 В
Входной ток "высокого" уровня, мкА	IlH		0,05		
Входной ток "низкого" уровня, мкА	IlL		-0,05		
Выходной ток по выводу АСК, мА	loHACK	1.6			UDD= 5 В; U0H= 2,4 В
Входной ток по выводу АСК, мА	loLACK	4			UDD= 5 В; Uol= 0,4 В
Амплитуда DTMF сигнала верхней группы частот, В (от пика до пика)	UqR	0,779 0,98	0,84 1,07	0,91 1,16	ии=2,5В; Rl=2,2kOm Udd=5B; Rl=2,2kOm
Амплитуда DTMF сигнала нижней группы частот, В (от пика до пика)	Uqr	0,98 1,25	1,06 1,35	1,16 1,45	Udd~2,5Bj Rl=2,2kOm Udd^SB; Rl=2,2kOm
Нелинейные искажения DTMF сигнала, %	Dis		1	5	
Табл. 8.3. Динамические характеристики ИС КР1008ВЖ19.
Параметры	Обозначение	Значение			Режим измерения И
		МИН.	ТИП.	макс.	
Импульсный (PULSE) режим набора					
Импульсный коэффициент	М/В		2 1.5		М/В = "0" М/В = "1"
Длительность замыкающих импульсов набора, мс	Тм		33,3 40		М/В ="0" М/В = "1”
Длительность размыкающих импульсов набора, мс	Тв		66,6 60		М/В = "0” М/В = ’ г
Межсерийная пауза, мс	Тшг		783 790		М/В = "1" М/В - ”0"
Предсерийная пауза, мс	Трое		15 15		М/В = "1" М/В = "0“
Тональный	'DTMF) режим набора				
Длительность тональной посылки, мс	Tmfd	70			
Межцифровая пауза между тональными посылками, мс	TyiDP	70			
Предцифровая пауза, мс	Ttpdp		0		
Время запуска генератора, мс	Tstart		5		
189
ACK ; I	140 мс
Рис. 8.3. Временные диаграммы входов и выходов микросхемы КР1008ВЖ19.
190
Табл. 8.4. Выходные сигналы ИС КР1008ВЖ19, соответствующие параллельному коду на входах DO D3.
Уровни "логического" сигнала на входах				DTMF передача	Импульсная передача (число импульсов)
D3	D2	D1	DO		
0	0	0	0	к	10
0	0	0	1	1	1
0	0	1	0	2	2
0	0	1	1	3	3
0	1	0	0	4	4
0	1	0	1	5	5
0	1	1	0	6	6
0	1	1	1	7	7
1	0	0	0	8	8
1	0	0	1	9	9
1	0	1	0	0	10
1	0	1	1	#	11
1	1	0	0	А	12
1	1	0	1	В	13
1	1	1	0	С	14
1	1	1	1	D	Запрещ. комбинация
Рис. 8.4. Схема включения ИС КР1008ВЖ19.
На рис. 8.4. приведена схема включения ИС КР1008ВЖ19. Входы DO + D3, LATCH и выход АСК подключены к микроконтроллеру. Выход DTMF подключен к усилителю сигнала DTMF, a PUISE к импульсному ключу. Если используется ИС UM91531, то конденсаторы С2 и СЗ можно не применять.
На рис. 8.5 приведена схема включения ИС КР1008ВЖ19 в качестве номеронабирателя. Для преобразования сигналов клавиатуры в двоичный код используется ИС приоритетного

шифратора 8-3 К555ИВ1. При нажатии одной из кнопок клавиатуры "О" + "Т на
выходах АО + АЗ (выводы 9, 7, 6) формируется двоичный код этой цифры. Логиче-
ские элементы DD2.4	DD2.6 инвертируют его и подают на входы DO + D2 ИС
КР1008ВЖ19. На выходе GS ИС К555ИВ1 (вывод 14) в момент нажатия кнопки клавиатуры изменяется уровень из "высокого" в "низкий", а на выходе инвертора DD2.3 из "низкого" в "высокий". Изменение уровня из "низкого" в "высокий" на входе LATCH загружает двоичный код на входах DO + D3. В момент отпускания кнопки клавиатуры обратное изменение уровня на выходе GS ИС К555ИВ1 и на входе LATCH ИС КР1008ВЖ19 приводит к набору номера на выходе DTMF
191
Рис. 8.5 Схема включения ИС КР1008ВЖ19 в качестве номеронабирателя.
или PULSE (в зависимости от положения переключателя SAI). С момента загрузки двоичного кода и до окончания набора цифры горит светодиод VD1. Во время свечения светодиода VD1 набор следующей цифры невозможен. Если перевести переключатель SA2 в разомкнутое состояние, то это позволит производить набор цифр больше 7.
В тестовом режиме ИС КР1008ВЖ19 позволяет осуществлять тональный и импульсный набор номера с гораздо более высокой скоростью. Если изменить состояние входа М/В, когда вход выборки кристалла СЕ (вывод 13) находится в активном ("низкий" уровень) состоянии, включается тестовый режим. ИС остаётся в тестовом режиме до тех пор, пока не будет отключена. Импульсный набор номера в тестовом режиме осуществляется в 48 раз быстрее (с частотой 480 Гц). Тональный набор номера осуществляется в 8 раз быстрее (длительность тональной посылки и паузы между тональными посылками составляет 8,75 мс). При этом нижняя и верхняя группа частот разделяются по выходам DTMF и P.ULSE. Для цифр 0, 1, 6, 8 на выходе DTMF будет присутствовать сигнал с частотой нижней группы двухчастотной посылки, а на выходе PULSE - верхней. Для цифр 2, 3, 4, 5, 8, 9, *, #, А, В, С, D на выходе DTMF будет присутствовать сигнал с частотой верхней группы, а на выходе PULSE - нижней. На выход DTMF подаётся синусоидальный сигнал, а на выход PULSE - прямоугольные импульсы соответствующей частоты.
Микросхема КР1008ВЖ18 представляет собой приёмник - декодер двухтонального (DTMF) сигнала (код 2 из 8). ИС изготавливается в пластмассовом корпусе типа 2104.18-А (DIP-18) по КМОП технологии и содержит полосовые фильтры нд переключаемых конденсаторах. Микросхема контролирует длительности поступающих двухтональных посылок и пауз между ними. Выходная информация выводится в виде 4-разрядного двоичного кода. Тактирование микросхемы осуществляется кварцевым генератором.
Основные характеристики ИС КР1008ВЖ18
•	Детектирование всех 16 стандартных DTMF сигналов.
•	Низкая потребляемая мощность: 15 мВт.
•	Один источник питания: 5 В±5%.
•	Используется стандартный телевизионный кварцевый резонатор с частотой 3,579545 МГц.
•	Выходы с тремя состояниями.
192
•	Режим понижения потребляемой мощности в неактивном состоянии.
•	Низкая вероятность ошибки декодирования: 1/10000.
Основные области применения ИС КР1008ВЖ18
•	Приёмные устройства АТС.
•	Системы передачи сигнала поискового вызова.
•	Дистанционные системы управления.
•	Системы кредитных карт.
•	Пейджеры.
•	Автоответчики.
•	Бытовые автоматические системы.
•	Мобильные радиосистемы.
1	IN+		Udd	18
2	IN-	X/Y	SI/GTO	17
3	GS		ESO	16
4	Ust		DSO	15
5	IlN		Q4	14
6	PDN		Q3	13
7	OSC1		Q2	12
8	OSC2		Q1	11
9	GND		OE	10
Рис. 8.6. ИС КР1008ВЖ18.
Цоколёвка ИС приведена на рис. 8,6, назначение выводов в табл. 8.5, структурная схема на рис. 8.7. Электрические и временные характеристики приведены в табл. 8.6. Временные диаграммы входов и выходов приведены на рис. 8.8, параллельный код на выходах Q1 Q4, соответствующий входному двухто-иальному (DTMF) сигналу, - в табл. 8.7.
Рис. 8.7. Структурная схема ИС КР1008ВЖ18.
Табл. 8.5. Назначение выводов ИС КР1008ВЖ18.
Вывод	Обозначение	Назначение
1	IN+	Неинвертирующий вход операционного усилителя.
2	IN-	Инвертирующий вход операционного усилителя.
3	GS	Выход операционного усилителя. Используется для подключения резистора, который задаёт коэффициент усиления операционного усилителя.
।	4	Ust	Выход опорного напряжения (U/2). Может использоваться для смещения входов операционного усилителя.
В-79
193
Вывод	Обозначение	Назначение
5	IlN	Вход запрещения. “Высокий" уровень на этом входе запрещает декодирование DTMF сигнала.
6	PDN	Вход установки режима понижения потребляемой мощности. Понижение потребляемой мощности происходит при "высоком" уровне на этом входе.
7	OSCI	Тактовый вход. Недорогой кварцевый резонатор на частоту 3,579545, подсоединённый к выводам OSC1 и 0SC2 обеспечивает работу внутреннего генератора. (В некоторых случаях для ИС КР1008ВЖ18 необходимо установить конденсаторы ёмкостью 30 пкФ между тактовыми выводами генератора и общим проводом). Можно также подать внешнюю тактовую частоту непосредственно на тактовый аход.
8	0SC2	Тактовый выход.
9	GND	Общий вывод.
10	OE	Вход разрешения выхода данных. Выходы QI + Q4 представляют собой КМОП ключи, которые открыты, если на входе ОЕ "высокий" уровень, и закрыты (в высокоимпедансном состоянии) при "низком" логическом уровне на входе ОЕ.
11	QI	Выходы данных с тремя состояниями.
12	Q2	Когда выходы открыты (ОЕ = "1”), на них представлен дво-
13	Q3	ичный код, соответствующий последнему поступившему
14	Q4	тональному сигналу (табл. 8.7).
15	DSO	Выход задержанного управления. Продолжительность выходного сигнала ("высокий" уровень) на этом выходе соответствует продолжительности тонального сигнала, поступившего на вход ИС. "Высокий" уровень присутствует с момента опознавания сигнала DTMF (длительностью не менее 40 мс) и поступления декодированного двоичного кода на выходы данных QI + Q4. Выход DSO возвращается в состояние "низкого" уровня, когда напряжение на выводе 17 (SI/GTO) становится ниже порогового уровня входа управления SI (Uts = 2,4 В при Udd = 5 В (см. рис. 8.8).
16	ESO	Выход раннего управления. На этом выходе немедленно появляется "высокий" уровень, когда сигнал DTMF опознаётся схемой обработки цифрового сигнала (рис. 8.7). Любые мгновенные потери сигнала DTMF вызывают возвращение состояния выхода ESO в "низкий" уровень.
17	SI/GTO	Двунаправленный: Вход управления/Выход установки заданного времени. При напряжении на этом входе выше уровня Uts (2,4 В при Udd — 5 В) DTMF сигнал обрабатывается по цифровому алгоритму ИС, и обновляется состояние выходов 4-разрядного кода данных (QI + Q4). При напряжении ниже Utn регистры ИС освобождаются для принятия нового сигнала, а состояние выходов QI + Q4 не изменяется. При помощи внешних элементов на выходе GTO можно установить временные параметры обработки сигнала DTMF, а его состояние определяется функционированием выхода ESO и напряжением на входе SI (см. рис. 8.8).
18	Udd	Плюс питания (+5 В).
194
Рис. 8.8. Временные диаграммы входов и выходов микросхемы КР1008ВЖ18.
195
Предельно допустимые характеристики ИС К1Ч008ВЖ18:
•	Максимальное напряжение питания (Udd)..........................6	В.
•	Входное напряжение аналогового сигнала (U1NA).от -0,3 В до (UDD + 0,3) В.
•	Входное напряжение цифрового сигнала (и№о)....от -0,3 В до (Udd + 0,3) В.
•	Максимальный постоянный входной ток для любого вывода (1ю).. 10 мА.
•	Рабочая температура (ТОге)........................от	-40’ С до +85‘ С.
•	Температура хранения (Tsro).......................от	-60’ С до +150’ С.
Табл. 8.6. Электрические и временные характеристики ИС КР1008ВЖ18.
— Параметры	Обозначение	Значение			Режим измерения
		МИН.	тип.	макс.	
Напряжение питания, В	Udd	4,75	5,0	5,25	
Ток потребления, мА	Idd		3,0	9,0	PDN = "0"
Ток хранения, мкА	1ыч		10	25	PDN = "1”
Потребляемая мощность, мВт	Pd		15	45	PDN - "0"
Входное напряжение "высокого" уровня, В	UIH	3,5			UDD = 5В
Входное напряжение "низкого" уровня, В	uiL			1,5	UDD = 5В
Входной ток утечки, мкА	Im/ Iil		0,1		Ujn — 0В или Udd
Входной ток вывода ОЕ, мкА	IqEI		7,5	20	ОЕ = 0В, Udd = 5В
Входное сопротивление аналогового входа, МОм	R,		10		fin = 1 кГц
Пороговое напряжение входа управления SI, В	Urs	2,2	2,4	2,5	Udd = 5В
Выходное напряжение "низкого” уровня, В	UoL			0,03	
Выходное напряжение "высокого" уровня, В	U0H	Udd" 0,03			
Выходной ток "низкого" уровня, мА	IoL	l.o	2,5		Uot = 0,4В
Выходной ток "высокого" уровня, В	Ioh	0,4	0,8		ион = 4,6В
Выходное опорное напряжение на выходе Ust, В	Ust	2,3	2,5	2,7	Udd = 5В
Выходное сопротивление выхода Ust, Ом	Ror		1		
Уровень входного сигнала (каждого тона двухтональной посылки), дБ	u,	-29		+1	
Уровень входного сигнала (каждого тона двухтональной посылки), мВ	u,	27,5		869	
Девиация тонального сигнала	Af			±1,5% ±2Гц	
Длительность обработки тонального сигнала, мс	£rec	20		40	Устанавливается внешними элементами
Длительность обработки межцифровой паузы, мс	tm	20		40	Устанавливается внешними элементами
Время опознавания тонального сигнала, мс	tor	5	11	14	
Время опознавания межцифровой паузы, мс	^DA	0,5	4	8,5	
196
Табл. 8.7. Параллельный код на выходах QI - Q4 ИС КР1008ВЖ18, соответствующий входному двухтональному (DTMF) сигналу.
DTMF передача	Частота нижней группы, Гц	Частота верхней группы, Гц	Формируемый код				Символ на вы-ходе КР514ИД1	Символ на индикаторе К490ИП2
			Q4	Q3	Q2	Q1		
1	697	1209	0	0	0	1	В	В
2	697	1336	0	0	1	0	8	8
3	697	1447	0	0	1	1	8	8
Ё 4	770	1209	0	1	0	0	8	8
[	5	770	1336	0	1	0	1	8	8
6	770	1447	0	1	1	0	8	8
7	852	1209	0	1	1	1	8	8
8	852	1336	1	0	0	0	8	8
9	852	1447	1	0	0	1	8	8
*	941	1209	1	0	1	0	8	8
0	941	1336	1	0	1	1	8	8
#	941	1447	1	1	0	0	8	6
А	697	1633	1	1	0	1	8	8
В	770	1633	1	1	1	0	8	Я
С	852	1633	1	1	1	1	Я	Я
D	941	1633	0	0	0	0	8	8
Рнс. 8.9. Схема включения ИС КР1008ВЖ18.
На рис. 8.9 приведена схема включения ' ИС КР1008ВЖ18. Вход-. ной сигнал DTMF через разделительный конденсатор С1 и резистор R1 ; поступает на инвертирующий вход IN- операционного усилителя. Коэффициент усиления ОУ Ку = R2/R1 (для данной схемы Ку = 1). Для смещения входа ОУ подаётся напряжение 2,5 В с выхода Ust на неинвертирующий вход IN+. Вход-: ной импеданс схемы при-
близительно равен сопротивлению R1. Если кварцевый резонатор ZQ1 установлен непосредственно у выводов OSC1 и OSC2, и генератор работает устойчиво, то ’ конденсаторы С2 и СЗ можно не применять.
Продолжительность выходного сигнала ("высокий" уровень) на выходе ’DSO (вывод 15) соответствует продолжительности тонального сигнала, поступившего на вход ИС. На этом выходе "высокий" уровень присутствует с момента опознавания сигнала DTMF и поступления декодированного двоичного кода на
выходы данных QI + Q4. Выход DSO возвращается в состояние "низкого" уровня после опознавания и обработки межцифровой паузы (см. рис. 8.8).
Резистор R3 и конденсатор С4, подключенные к выводам ESO и SI/GTO, задают минимальную длительность обработки тонального сигнала или паузы после того, как сигнал или межцифровая пауза были опознаны:
-	длительность обработки тонального сигнала taTP = 0,875хКзхС< (26 мс);
-	длительность обработки межцифровой паузы Iota = 0,956xR3xC4 (29 мс).
197
Длительность обработки тонального сигнала и межцифровой паузы для схемы рис. 8.9 приблизительно равны. Если длительность тонального сигнала больше межцифровой паузы, то можно подключить
R2 VD1
внешние элементы, как показано на рис. 8.10а. Если же длительность тонального сигнала меньше межцифровой паузы, то рекомендуется внешние элементы подключить по рис. 8.106.
Для схемы рис. 8.10а:
а;	б)
Рис. 8.10. Подключение внешних элементов для установки минимальной длительности обработки тонального сигнала и паузы.
ttaTP = 0,875xRixC;
1стд = 0,956x(RixR2/(Ri+R2)]C.
Для схемы рис. 8.106:
toTP = 0,875x[RixR2/(Ri+R2)]xC;
tcTA — 0,956xRixC.
Рис. 8.11. Схема включения ИС КР514ИД2 с семисегментным индикатором с общим катодом.
На рис. 8.13 приведена схема проверки ИС КР1008ВЖ18. В качестве номеронабирателя тонального сигнала используется ИС КР1008ВЖ16. При нажатии на любую кнопку номеронабирателя с выхода DTMF (вывод 12) через разделительный конденсатор СЗ DTMF сигнал подаётся на вход ОУ ИС КР1008ВЖ18. Тональный сигнал деко-Жется и 4-разрядный двоичный код . 8.7), соответствующий входному DTMF сигналу, подаётся на входы 1, 2, 4, 8 дешифратора КР514ИД1. С момента опознавания и до окончания тональной посылки горит светодиод VD1. Выходы а + g дешифратора подключены к семи-
ООЗК490ИП2
Рис. 8.12. Схема подключения индикатора со схемой дешифрации К490ИП2.
сегментному светодиодному индикатору.
Символ иа индикаторе соответствует предпоследней колонке табл. 8.7. Дешифратор КР514ИД1 содержит внутренние токоограничивающие резисторы (1вых. = 5 мА), что позволяет подключать индикаторы с общим катодом АЛ304А (Б, В), АЛС314А непосредственно к выходам дешифратора. Для использования индикаторов с общим анодом (АЛС324Б, АЛСЗЗЗБ.Г и т. п.) следует применить дешифратор КР514ИД2 (рис. 8.11) или К555ИД18. Поскольку выходы ИС КР516ЙД2 выполнены на транзисторах с открытым коллектором, то необходимо установить ограничительные резисторы сопротивлением 300 Ом. Схему можно упростить, применив ИС управляемого индикатора со схемой дешифрации К490ИП2 (рис 8.12).
На рис. 8.14 приведена схема совместной проверки ИС КР1008ВЖ19 и КР1008ВЖ18. В исходном состоянии на выходе логических элементов DD1.2, DD1.3 и иа выходах Q0 + Q3 десятичного счётчика DD2 К555ИЕ5 - "низкий" уровень, а на выходе АСК ИС KP1008BJK19 - "высокий" уровень. Цепь Cl, R3 при включении схемы устанавливает выходы ИС DD2 в состояние логического "0". При нажатии на кнопку SB1 выходы DD1.2 и DD1.3 переходят из "низкого" в "высокий" и ИС КР1008ВЖ19 загружает двоичный код по входам DO + D3. В момент отпускания кнопки RS-триггер на логических элементах DD1.1 и DD1.2 перебрасывается обратно, что приводит к набору загруженной цифры и переводит счётчик DD2 на один такт вперёд. Тональный сигнал с выхода DTMF ИС КР1008ВЖ19 поступает на вход ИС КР1008ВЖ18 и на индикаторе HG1 отображается символ декодированного сигнала (табл. 8.7). С момента загрузки двоичного кода и до окончания набора номера горит светодиод VD2. При следующем нажатии кнопки SB1, происходит набор очередной цифры ”1" и т. д. Если переключатель SA1 находится в положении "Р”, то при наборе очередной цифры мигает светодиод VD1 с частотой импульсного набора 10 Гп. Количество импульсов соответствует набранной цифре.
198
-
DD1 КР1008ВЖ18 I	0D2 КР1008ВЖ18
8.14. Схема совместной проверки ИС КР1008ВЖ18 и КР1008ВЖ19.
199
9. СПРАВОЧНЫЙ МАТЕРИАЛ
9.1. КОДОВАЯ И ЦВЕТОВАЯ МАРКИРОВКА РЕЗИСТОРОВ
Кодированное обозначение номинальных сопротивлений резисторов состоит из трёх или четырёх знаков, включающих две цифры и букву или три цифры и букву. Буква кода является миожителем, обозначающим сопротивление в омах, и определяет положение запятой десятичного знака. Кодированное обозначение допускаемого отклонения состоит из буквы латинского алфавита (табл- 9.1). Табл. 9.1. Кодированное обозначение номинального сопротивления, допуска и примеры обозначения.
Сопротивление		Допуск		Примеры обозначения	
Множитель	Код	I Допуск.	Код	Полное обозначение	Код
1	R(E)	±0,1	В (Ж)	3,9 Ом +5 %	3R9J
		±0,25	С (У)	215 Ом +2 %	215RG
10s	К (К)	±0,5	В(Д)	1 кОм ±5 %	1K0J
		1	±1	, F (Р)	12,4 кОм +1 %	12K4F
10е	М(М)	+2	О(Л)	10 кОм ±5 %	10KJ
		±5	J(H)	ЮОкОм ±5 %	M10J
10°	С(Г)	±10	К (С)	2,2 МОм ±10 %	2М2К
		+20	М (В)	6,8 ГОм +20 %	6G8M
1012	Т(Т)	±30	И(Ф)	1 ТОм ±20 %	1Т0М
Примечание. В скобках указано старое обозначение.
Цветовая маркировка наносится в виде четырёх или пяти цветных колец. Каждому цвету соответствует определённое цифровое значение (табл. 9.2). У резисторов с четырьмя цветными кольцами первое и второе кольца обозначают величину сопротивления в омах, третье кольцо - множитель, на который необходимо умножить номинальную величину сопротивления, а четвертое кольцо определяет величину допуска в процентах (рис. 9.1,а).
Табл. 9,2. Цветовая маркировка номинального сопротивления и допуска.
Цвет знака	Номинальное сопротивление, Ом				Допуск %
	Первая цифра	Вторая цифра	Третья цифра	Множитель	
Серебристый	—		—	10-2	±10
Золотистый	—				КГ1	±5
Чёрный		0			1	
Коричневый	1	1	1	10	±1
Красный	2	2	2	102	±2
Оранжевый	3	3	3	10s	
Жёлтый	4	4	4	104	
Зелёный	5	5	5	105	±0,5
Голубой	6	6	6	10°	±0,25
Фиолетовый	7	7	7	10’	+0,1
Серый	8	8	8	108	+0,05
Белый	9	9	9	10“	
Резисторы с малой величиной допуска (0,1% - 2%) маркируются пятью цветовыми кольцами (рис. 9.1,6). Первые три - численная величина сопоставления, четвертое - множитель, пятое - допуск.
Маркировочные знаки на резисторах сдвинуты к одному из выводов и располагаются слева направо. Если размеры резистора не позволяют разместить маркировку ближе к одному из выводов, ширина полосы первого знака делается примерно в два раза больше других.
Номинальные сопротивления резисторов выбираются из шести стандаот-ных рядов (ЕЗ, Е6, Е12, Е24, Е48, Е96 и Е192) в соответствии с ГОСТ 2825-67?
Пример
— 1-я цифра — 2-я цифра — множитель
— допуск
жёлтый фиолетовый оранжевый золотистый
47 кОм ±5%
— 1-я цифра — 2-я цифра — 3-я цифра
— множитель
— допуск
Пример
белый зелёный оранжевый (фасный (фасный
95,3 кОм +2%
а)
б)
Рис, 9.1. Цветовая маркировка резисторов.
Стандартный ряд Е24 соответствует резисторам с допуском ±5%:
1,0; 1,1; 1,2; 1,3; 1,5; 1,8; 2,0; 2,2; 2,4; 2,7; 3,0; 3,3; 3,6; 3,9; 4,3; 4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1.
Стандартный ряд Е48 соответствует оезистоюам с допуском ±2%:
100; 105; 110^ 115; 121; 127; 133; 140; 147; 154/162; 169; 178; 187; 196; 205; 215; 226; 237; 249; 261; 274; 287; 301; 316; 332; 348; 365; 383; 402; 422; 442; 464; 487; 511; 536; 562; 590; 619; 649; 681; 715; 750; 787; 825; 866; 909; 953.
* Сопротивление резистора получают умножением числа из стандартного ряда на 10п, где и - целое положительное или отрицательное число.
9.2. КОДОВАЯ И ЦВЕТОВАЯ МАРКИРОВКА КОНДЕНСАТОРОВ
Конденсаторы характеризуются следующими основными параметрами;
-	номинальная ёмкость - ёмкость, которую должен иметь конденсатор в соответствии с нормативной документацией;
-	допуск - допускаемое отклонение ёмкости от номинальной;
-	номинальное напряжение - значение напряжения, при котором конденсатор может работать в течение срока службы с сохранением заданных параметров;
-	температурный коэффициент ёмкости (ТКЕ) - определяет относительное изменение ёмкости конденсатора прн изменении температуры на 1 °C (табл. 9.4).
Маркировка конденсаторов может быть либо буквенно - цифровая, содержащая сокращённое обозначение вышеперечисленных параметров, либо цветовая.
Кодированное обозначение номинальных ёмкостей состоит из двух или трёх цифр и буквы. Буква кода является множителем, составляющим значение ёмкости (табл. 9.3), и определяет положение десятичной дроби.
Допускаемое отклонение величины ёмкости в процентах от номинального значения указывают теми же буквами, что и допуски на сопротивление резисторов, однако, с некоторыми дополнениями. Кодированные значения допустимых отклонений от номинальной ёмкости приведены в табл. 9.3. Для конденсаторов ёмкостью менее 10 пФ допускаемое отклонение устанавливается в пикофарадах:
Допуск, пФ	±0,1	±0,25	±0,5	±1
Код	В	С	D	F
Табл. 9.3. Кодированное обозначение номинальной ёмкости и допуска.
Ёмкость			Допуск			
Множитель	Код	Значение	Допуск, %	Код	Допуск. %	Код
1<ГМ	р	пикофарады	±0,1	В (Ж)	±20	М(В)
			±0,25	С (У)	+30	N (Ф)
10 8	п	нанофарады	±0,5	П(Д)	-10...+30	QH
10"6	И	микрофарады	±1	F(P)	-10...+50	1(8)
10"3	m	миллифарады	±2	О(Л)	-10...+100	V (10)
			+5	J (И)	-20...+50	8(B)
1	F	фарады	±10	К (С)	-30...+80	Z(A)
Примечание. В скобках указано старое обозначение допуска.
Табл. 9.4. Цветовая и кодовая маркировка температурного коэффициента ёмкости (ТКЕ) керамических и стеклянных конденсаторов.
Группа ТКЕ	Номинальное значение ТКЕ (х10-в/°С)	Буквенный код	Цветовой код		
			Новое обозначение	Старое обозначение	
				Цвет покрытия конденсатора	Маркировочная точка
П100	+100	А	красный + фиолетовый	синий	
П60	+60	G	—	синий	чёоная
ПЗЗ	+33	N	серый	сепый	
мпо	0	С	чёрный	голубой	чёрная
мзз	-33	Н	коричневый	голубой	коричневая
М47	-47	м	голубой + красный	голубой	-
М75	-75	L	красный	голубой	красная
Ml 50	-150	Г	оранжевый	красный	оранжевая
М220	-220	R	жёлтый	- красный	жёлтая
МЗЗО	-330	S	зелёный	красный	зелёная
М470	-470	т	голубой	красный	снняя
М750	-750	и	фиолетовый	красный	
М1500	-1500	V	оранжевый + оранжевый	зелёный	-
М2200	-2200	к	жёлтый + оранжевый	зелёный	-
М3300	-3300	Y	-	-	
Для конденсаторов с нелинейной зависимостью ёмкости от температуры, температурную стабильность ёмкости конденсатора характеризуют относительным изменением ёмкости при переходе от нормальной температуры (20 ± 5 °C) к предельным значениям рабочей температуры (табл. 9.5).
Табл. 9.5. Цветовая и кодовая маркировка допуска керамических конденсаторов с ненормируемым ТКЕ.
Группа ТКЕ	Допускаемое изменение ёмкости, %, в интервале t° -60...+80 °C	Буквенный код	Цветовой код		
			Новое обозначение	Старое обозначение	
				Цвет покрытия конденсатора	Маркировочная точка
Н10	±10	В	оранжевый + чёрный	оранжевый	чёрная
Н20	±20	Z	оранжевый + красный	оранжевый	красная
ИЗО	±30	D	оранжевый + зелёный	оранжевый	зелёная
Н50	±50	X	оранжевый + голубой	оранжевый	синяя
Н70	±70	Е	оранжевый + фиолетовый	оранжевый	-
Н90	±90	F	оранжевый + белый	оранжевый	белая
Табл. 9.6. Кодированное обозначение номинальных напряжений конденсаторов.
Номинальное напряжение, В	Код	Номинальное напряжение, В	Код	Номинальное напряжение, В	Код
1,0	I	25	G	200	Z
1,6	Р	32	Н	250	W
1	2,5	М	40	S	315	X
3,2	А	50	J	350	т
4,0	С	63	К	400	Y
6,3	В	80	L	450	и
10	D	100	N	500	V
16	Е	125	Р		
20	F	160	Q		
Конденсаторы маркируются кодом в следующем порядке:
-	номинальная ёмкость;
-	допускаемое отклонение ёмкости;
-	ТКЕ и (или) номинальное напряжение.
Приведём примеры кодированной маркировки конденсаторов.
Сокращённая буквенно - цифровая маркировка на конденсаторе ЗЗрКЬ обозначает номинальную ёмкость 33 пФ с допускаемым отклонением ±10 % и температурной нестабильностью группы М75 (75x10"® °C"1). Надпись mlOSF обозначает 100 мкФ с допуском -20...+50 % и номинальным напряжением 20 В.
Номинальная ёмкость 150 пФ может обозначаться 150р или п15; 4700 пФ - 4п7; 0,15 мкФ - р15; 2,2 мкФ - 2ц2.
Номинальная ёмкость зарубежных конденсаторов часто кодируется тремя или четырьмя цифрами, последняя из которых обозначает число нулей в значении ёмкости в пикофарадах. Например, код 391 обозначает 390 пФ; 132 - 1300 пФ (1,3 нФ); 223 - 22000 пФ (22 нФ); 1623 - 162000 пФ (162 нФ); 154 - 150000 пФ (0,15 мкФ); 105 — 1000000 пФ (1 мкФ). Номинальную ёмкость конденсаторов до 99 пФ обозначают двумя подчёркнутыми цифрами. Ёмкость конденсаторов от 0,001 мкФ до 0,9 мкФ иногда обозначают десятичной дробью без первого нуля. Например, код .001 обозначает 0,001 мкФ; .02 - 0,02 мкФ. За рубежом в качестве разделителя десятичной дроби применяется не запятая, а точка.
Цветовая кодировка применяется для маркировки номинальной ёмкости, допускаемого отклонения ёмкости, номинального напряжения до 63 В (табл. 9.7) и группы ТКЕ (табл. 9.4). Маркировку наносят в виде цветных точек или полосок.
Табл. 9.7. Цветовые коды для маркировки конденсаторов.
Цветовой код	Номинальная ёмкость, пФ		Допускаемое отклонение ёмкости, %	Номинальное напряжение, В
	Первая и вторая цифры	Множитель		
Серый	—	—		3,2
Чёрный	10	1	±20	4,0
Коричневый	12	10	±1	6,3
Красный	15	102	+2	10
Оранжевый	18	10s	±0,25	16
Жёлтый	22	104	±0,5	40
Зелёный	27	ю5	+5	25 или 20
Голубой	33	10е	±1	32 или 30
Фиолетовый	39	10’	-20...+50	50
Серый	47	10"2	-20...+80	—
Белый	56	КГ1	+10	63
Серебристый	68	—		2,5
Золотистый	82	—	—	1,5
9.3.	ЦВЕТОВАЯ МАРКИРОВКА И ПАРАМЕТРЫ ДИОДОВ И СТАБИЛИТРОНОВ
Табл. 9.8. Цветовая маркировка выпрямительных и импульсных диодов.
Тип	Цвет корпуса или метка на корпусе	Метка у выводов		Рисунок
диода		анода (+)	катода (—) •	♦-Ы--
дав дав дэг дад ДЭЕ даж Д9И Д9К дал дам	-	красное кольцо оранжевое или красное + оранжевое кольцо жёлтое или красное + жёлтое кольцо белое или красное + белое кольцо голубое или красное + голубое кольцо зелёное или красное' 4- зелёное кольцо два жёлтых кольца два белых кольца два зелёных кольца два голубых кольца	-	'1111111111 5 1 1 1 1 1 nil!
КД102А КД102Б 2Д102А 2Д102Б	-	зелёная точка синяя точка жёлтая точка оранжевая точка	-	
КД103А. КД103Б 2Д103А	чёрный зелёный	синяя точка жёлтая точка белея точка	-	, , * 1
КД 105В КД105В КД105Г КД105Д	точка отсутствует зелёная точка красная точка белая или желтая точка	белая или жёлтая полоса * белая или жёлтая полоса белая или жёлтая полоса белая или жёлтая полоса	-	1	][_|| е |jzzi 1	][_|| е |jzzi
КД208А КД208А	жёлтая точка	чёрная, зелёная или жёлтая точка зелёная полоса	-	—11—'
КД209А КД209В КД209В КД209Г КД209А КД209Б КД209В КД209Г	белая точка чёрная точка зелёная точка зелёная точка красная точка белая точка	черная, зелёная или жёлтая точка чёрная, зелёная или жёлтая точка чёрная, зелёная или жёлтая точка чёрная, зелёная или жёлтая точка красная полоса на торце корпуса красная полоса иа торце корпуса красная полоса на торце корпуса красная полоса на торце корпуса	-	'  <Т>—*—1
КД221А КД221Б КД 221В КД221Г КД221Д КД221Е	белая точка чёрная точка зелёная точка бежевая точка жёлтая точка	голубая точка голубая точка голубая точка голубая точка голубая точка голубая точка	-	р п п п п п жж D D D D D D
КД226А		-	оранжевое кольцо	
Тип диода	Цвет корпуса или метка на корпусе	Метка у выводов		Рисунок ♦-Ы--			
		анода (+)	катода (—)				
КД226В	-	-	красное кольцо	=====			:^=
КД226В	-	-	зелёное кольцо				
КД226Г		-	жёлтое кольцо				
КД226Д	-	-	белое кольцо				
КД226Е		—	голубое кольцо	1—1^-			^—11—-1
КД243А	-	-	фиолетовое кольцо		а		==
КД243Б	-	-	оранжевое кольцо	 11			==»
КД243В	-		красное кольцо	=>=			
КД243Г	-	-	зелёное кольцо				==
КД243Д	-	-	жёлтое кольцо	===			=====
КД243Е	-	-	белое кольцо	г—’ —			
КД243Ж	—	-	голубое кольцо	ГТ-Т.Г71—			==
КД247А	-	-	два оранжевых кольца	=====			=»	’
КД247Б	-	-	два краевых кольца	=====	ОЕ==		
КД247В	-	-	два зелёных кольца					
КД247Г	-	-	два жёлтых кольца				
КД247Д	-	-	два белых кольца					
КД247Е	-	-	два фиолетовых кольца				
КД410А	-	красная точка	-				
КД410В	-	синяя точка	-				
КД509А	—	синее узкое кольцо	синее широкое кольцо				
2Д509А	-	синие точка и узкое кольцо	синее широкое кольцо				
КД510А.	-	два зелёных узких кольца	зелёное широкое кольцо				
2Д510А	-	зелёные точка и узкое кольцо	зелёное широкое кольцо	*	"				
КД521А	-	два синих узких кольца	синее широкое кольцо		41		
КД521Б	-	два серых узких кольца	серое широкое кольцо				=====
КД 521В	-	два жёлтых узких кольца	желтое широкое кольцо		41		
КД521Г	-	два белых узких колыщ	белое широкое кольцо		41		
КД522А	—	чёрное широкое кольцо	черное узкое кольцо	==|Ц |=.			
КД522Б	-	чёрное широкое кольцо	два чёрных узких кольца	==			
2Д522В	—	чёрное широкое кольцо	чёрная точка	Г—.^1=			
1N4148	—	—	чёрное кольцо	«=(=			
КД906	белая полоса у			....				
	четвёртого вывода	—	—	-1		4	
КД США КДС111Б	красная точка зелёная точка		-				
КДС111В	жёлтая точка	-	-				
КЦ422А	точка отсутствует	-	чёрная точка	-•			==3~
КЦ422В	белая точка	-	чёрная точка		4 *		
КЦ422В	чёрная точка	-	чёрная точка	-	4 *		
КЦ422Г	зелёная точка	-	чёрная точка	-=	4 •		
Табл. 9.9. Цветовая маркировка стабилитронов и стабисторов.
Тип диода	Метка у выводов		Рисунок К-Й-А
	катода	анода	
Д814А1 Д814В1 Д814В1 Д814Г1 Д814Д1	-	чёрное широкое кольцо чёрное широкое + чёрное узкое кольца чёрное узкое кольцо два узких чёрных кольца три узких чёрных кольца	<====ППН=‘==
Д814А1 Д814В1 Д814В1 Д814П Д814Д1	-	белое кольцо синее кольцо зелёное кольцо жёлтое кольцо серое кольцо	1 11 1 1 Ш 1
Д818А Д818В Д818В Д818Г Д818Д Д818Е	чёрная метка на торце корпуса + белое кольцо чёрная метка на торце корпуса + жёлтое кольцо чёрная метка на торце корпуса + голубое кольцо чёрная метка на торце корпуса + зелёное кольцо черная метка на торце корпуса + серое кольцо чёрная метка на торце корпуса + оранжевое кольцо	- i	
Д818А 0 Д818Б 0 Д818В 0 Д818Г 0 Д818Д 0 Д818Е 0 Д818Ж 0 Д818И 0	белое кольцо жёлтое кольцо голубое кольцо зелёное кольцо серое кольцо красное кольцо чёрное кольцо оранжевое кольцо	белая метка на терце корпуса белая метка на торце корпуса белая метка на терце корпуса белая метка на терце корпуса белая метка на торце корпуса белая метка на торце корпуса белая метка на торце корпуса белая метка на торце корпуса	ft
KCI07A 2С107А	серая метка на торце корпуса + зелёное кольцо серая метка на торце корпуса + красное кольцо		В 1 !!
КС115А	оранжевая метка на торце корпуса + голубое кольцо	-		П1	<1	|=г=
КС133А 2С133А КС133Г	голубое кольцо белое кольцо оранжевая метка на торце корпуса	белое кольцо черное кольцо					ГВГУ"
КС139А 2С139А КС139Г	зелёное кольцо зелёное кольцо серая метка на торце корпуса	белое кольцо черное кольцо					ГВГУ"
КС147А 2С147А КС147Г	серое или синее кольцо зелёная метка на торце корпуса	белое кольцо черное кольцо	
КС156А 2С156А КС156Г	оранжевое кольцо оранжевое кольцо красная метка на торце корпуса	белое кольцо черное кольцо					ГВТУ-
КС162А2	чёрное широкое кольцо	(двуханодный стабилитрон)	1	1Г 1 111 |~Ц~|	11	1
КС163А 2С163А КС168В2	красное кольцо красное кольцо чёрное широкое + чёрное узкое кольцо	белое кольцо чёрное кольцо (двуханодный стабилитрон)	—		£1	1~У=д|==|
КС175Ж* КС175Ц КС175А2	белое кольцо черное кольцо два чёрных узких кольца	жёлтое кольцо (двуханодный стабилитрон)	i и g jI
Тип диода	Метка у выводов		Рисунок к-Й-л
	катода	анода	
КС182Ж* КС182Ц	жёлтое кольцо красное кольцо	жёлтое кольцо	,	„	qpp	„	,
КС182А2	три чёрных узких кольца	(двуханодный стабилитрон)	 и f||| [ 11 ~—1
КС191Ж* КС191Ц КС191А2	голубое или красное кольцо голубое кольцо чёрное узкое кольце	жёлтое кольцо (двуханодный стабилитрон)	
КС210Ж* КС210Ц КС210В2	зелёное кольцо зелёное кольцо два чёрных широких кольца	жёлтое кольцо (двуханодный стабилитрон)	>'	 '	LJHt — L— 1
КС211Ж* КС211Ц	серое кольцо серое или синее кольцо	жёлтое кольцо	
КС212Ж* КС212Ц	оранжевое кольцо оранжевое кольцо	жёлтое кольцо			Ц II
КС213Ж* КС213Б2	чёрное кольцо чёрное широкое + два чёрных узких кольца	(двуханодный стабилитрон)	  [|]Г^^
КС215Ж* КС216Ж* КС218Ж* КС220Ж* КС222Ж* КС224Ж*	белое кольцо жёлтое кольцо голубое или красное кольцо зелёное кольцо серое кольцо оранжевое кольцо	черное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо	с^с=ЧП}=с= е===(|ГР===
КС405А	чёрная метка на торце корпуса + красное кольцо	чёрное кольцо	—11———<
КС406А КС406В	черная метка на торце корпуса + серое кольцо чёрная метка на торце корпуса + белое кольцо	б^лое кольцо оранжевое кольцо	===«=<П)=^===
КС407А КС407Б КС407В КС407Г КС407Д	чёрная метка на торце корпуса + красное кольцо чёрная метка на торце корпуса + красное кольцо чёрная метка на торце корпуса + красное кольцо чёрная метка иа торце корпуса + красное кольцо чёрная метка на торце корпуса + красное кольцо	голубое кольцо оранжевое кольцо жёлтое кольцо зелёное кольцо серое кольцо	1=3^дСЕЕ—
			,	„	,,	,
КС411А КС411Б	белое кольцо синее кольцо	чёрное кольцо черное кольцо	
КС503А КС508В КС508В КС508Г КС508Д	чёрная метка на торце корпуса + оранжевое кольцо чёрная метка на торце корпуса + жёлтое кольцо чёрная метка на торце корпуса + красное кольцо чёрная метка на торце корпуса + голубое кольцо чёрная метка на торце корпуса + зелёное кольцо	зелёное кольцо белое кольцо зелёное кольцо белое кольцо белое кольцо	
КС510А1 КС512А1 КС515А1	оранжевое кольцо жёлтое кольцо белое кольцо	зелёное кольцо зелёное кольцо зелёное кольцо	 h ПТ)
2С516А 2С516В 2С516В	зелёное кольцо жёлтое кольцо серое кольцо	чёрное кольцо чёрное кольцо чёрное кольцо	сз=з=4П}=с=
КС518А1 КС522А1 КС527А1	голубое кольцо серое кольцо чёрное кольцо	зелёное кольцо зелёное кольцо зелёное кольцо	—(П>—11—1
* стабилитроны этой серии (группа Ж) с военной приёмкой (2С) дополнительно помечаются голубой меткой на торце корпуса со стороны катода.
Табл. 9.10. Параметры выпрямительных и импульсных диодов.
Тип диода	Uo6p (имп) в	inpmax [приТпаЙ (ИОТ)А	Unp Т	max. мкА	Iboct.HC (fpa6. max) кГц	№ рис.
Д9Б Д9В Д9Г Д9Д Д9Е Д9Ж Д9И Д9К Д9Л Д9М ДЭН	10 30 30 30 50 100 30 30 100 30 60	0,09 0,01 .0,03 0,06 0,03 0,01 0,03 0,06 0,03 0,03 0,01	1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1	250 250 250 250 250 250 120 60 250 250 250	2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500 2500	ДЗ дз ДЗ дз дз дз дз дз дз дз дз
Е190	1500	2	—	-	250(20)	Д19
Д223 Д223А Д223Б	50 100 ISO	0,05 0,05 0,05	1 1 1	1 1 1	-	Д4 Д4 Д4
Д226 Д226А Д226Б Д226Д Д226Е Д226Ж	(400) (300) 400) (100) (200) (600)	0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,1	1 1 1 1 1 1	50 SO 100 100 50 100	(D (1) (1) (1) (1) (D	Д17 Д17 Д17 Д17 Д17 Д17
Д231 Д231А Д231Б	(300) (300) (300)	10 [5] 10 [10] 5 [2]	1 1 1.5	3000 3000 3000	(1.1) (1.1) (1.1)	Д35 Д35 Д35
Д232 Д232А Д232Б	(400) (400) (400)	ю [5] 10 [10] 5 И	1 1 1.5	3000 3000 3000	(1.1) (1.D (1,1)	Д35 Д35 Д35
Д233 Д233Б Д234Б	/500) (600) (600)	Ю [5] 5 [2] 5 И	1 1.5 1.5	3000 3000 3000	(1.1) (1.1) (1.1)	Д35 Д35 Д35
Д237А Д237Б Д237Е Д237Е Д237Ж	(200) (400) (600) (200) (400)	0,3 0,3 0.1 0.4 0.4	1 1 1 1 1	50 50 50 50 50	(D (1) (1) (1) (1)	Д17 Д17 Д17* Д17 Д17
Д242 Д242А Д242Б	(100) (100) (100)	Ю [5] 10 [10] 5 [2]	1.25 1 1,5	3000 3000 3000	(1.1) (1.D (1.1)	Д35 Д35 Д35
Д243 Д243А Д243Б	(200) (200) (200)	10 [5] 10 [10] 5 [2]	1.25 1 1.5	2000 2000 2000	[1.D (1.1) (1.1)	Д35 Д35 Д35
Д245 Д245А Д245Б	(300) (300) (300)	Ю [5] 10 [10] 5 И	1,25 1 1.5	2000 2000 2000	(1.1) (1.1) (1,1)	Д35 Д35 Д35
Д246 Д246А Д246Б	(400) (400) (400)	Ю [5] 10 [10] 5(2)	1.25 1 1.5	2000 2000 2000	(1.1) (1.1) (1.1)	Д35 Д35 Д35
Д247 Д247Б Д246Б	(5Q0) (500) (600)	Ю[5] 5(2] 5 И	1,25 I.5 1.5	2000 2000 2000	(1.D (1.1) (1.1)	Д35 Д35 Д35
ДЗЮ Д311 Д311А Д311Б	20 30 30 30	0.5 0Д4 0,06 0,02	0,55 0,4 0.4 0,5	2+20 100 too 100	604-300 so so 50	Д4 Д4 Д4 Д4
КД102А КД1С2Б КД1СЗА КД103Б КД104А	250 300 50 50 300	0.1 0.1 0.1 0.1 0,01	1 1 1 1.2 1	0,1 0,5 0.4 0.4 3	(4) (4) (20) (20) (20)	Д12 Д12 Д12 Д12 Д12
КД105 КД1С5Б КД105В КД105Г ЭД105Д	(150) (400)  (000) (000) (100)	0.3 0,3 0,3 0.3 0.3	1 1 1 1 1	100 100 100 100 100	(1) (1) (1) (1) (1)	Д7 Д7 Д7 Д7 Д7
КД106А	100	0,3 (3)	1	10	450 (50)	ДЗб
Тип диода	Uo6p (имп) в	Inprrax (приТпай (йот.) А		Unp max В	пах, мкА	1вост. НС ((раб. max) кГц	№ рис.
КДС111А КДС111Б КДС111В	300 300 300	0.2 0,2 О.2		1Д 1Д 1Д	3 3 3	(20) (20) (20)	да Д23 Д23
КД128А КД128Б КД128В	50 75 95	0,16 0,16 0,16		1 1 1	0,01 0,01 0,01	-	Т12в Т12в Т12в
2Д201А 2Д201Б 2Д201В 2Д201Г	(100) (100) (200) (200)	5 10 5 10		1 1 1 1	3000 3000 3000 3000	(1.D (1.D 0,1) (1.1)	Д35 Д35 Д35 Д35
КД202А КД202В КД202Д КД202Ж КЦ202К KffiO2M кдаогр	(50) (100) (200) (300) (400) (500) (600)	5(3] 5[3] 5[3] 5(3] 5[3] 5[3] 5[3]		од од од од од од од	000 800 800 800 800 800 800	(1,2) (W (1,2) (1Д) (U) (1.2) (1Д)	Д20 да Д20 Д20 Д20 Д20 да
ЕОД203А КД203Б КД203В КД203Г КЦ203Д КД203Е КД203Ж КД203И КД203К КД2ОЗЛ КД203М	(600) (600) (600) (1000) (1000) (600) (600) (1000) (1000) (400) (600)	Ю [Ю] Ю[5] 10 [10] 10 [5] ю [Ю] ю [5] 10 [10] Ю[5] 10 [10] 10 [10] 10 [10]		1 1 1 1 1 1.6 1Д 1.6 1.6 1Д 1.6	1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500	(1) (1) (1) (1) (1) (1) (1) (1) (1) (1) (1)	Д35 Д35 Д35 Д35 Д35 да Д24 Д24 Д24 Д24 Д24
КД204А КД204Б КД204В	400 200 50	0,4 0.6 1		1.4 1.4 1.4	150 100 50	(50) (50) (50)	Д24 Д24 Д24
КД205А КД205Б КД205В КД205Г КД205Д ВД205Е КД205Ж КД205И ВД205К КД205Л	(500) (400) (300) (200) (100) (500) (600) (700) (100) (200)	од 0,5 0,5 0.5 0.5 о.з 0.5 0.3 0.7 0.7		1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 1	100 100 100 100 100 100 100 100 100 100	(5) (5) (5) (5) (5) (5) (5) (5) (5) (5)	ДЭЗ ДЭЗ ДЭЗ ДЗЗ ДЗЗ ДЗЗ ДЗЗ ДЗЗ ДЗЗ ДЗЗ
КД206А КД206Б КД206В КД208А	400 500 500	Ю [1] 10(1) 10(1]		1Д 1.2 1Д	700 700 700	(1) (D (1)	Д24 Д24 Д24
	100	1.6		1	30	(D	Д6, Д13
КД209А КД209Б КД209В КД209Г	400 800 800 1000	0,7 0,7 0.5 од		1 1 1 1	30 30 30 50	(1) (1) (1) (D	Д6.Д13 Д6.Д13 Д6.Д13 Д6.Д13
КД210А(1) КД210Б(1) КД21СВ(1) КД210Г(1)	еоо 800 1000 1000	ю [5] 10 [10] ю [5] 10 [10]		1 1 1 1	1500 1500 1500, 1500	(D (1) (1) (1)	Д24(гад даозд даоад Д24(Г2ЗД
KQ212A КД212Б КД212В КД212Г	200 200 100 100	1 1 1 1	ОД) ОД] од] ОД]	1 1Д 1 1Д	50 100 50 100	300 500 300 500	Д15 Д15 Д15 Д15
КД213А КД213Б КД213В КД213Г	200 200 200 100	10 10 10 10		1 1Д 1Д 1	200 200 200 200	300 170 500 300	Д16 Д16 Д16 Д16
2Д219А 2Д219Б 2Д219В 2Д219Г	15 20 15 20	10 10 5 5		од 0.5 0,45 0,45	20000 20000 20000 20000	(10-200) (10-200) (10+200) (10+200)	Д24 да да да
Тип диода	Uo6p (имп) в	Inpmax [прнТпвх] ИЦА	Unp max В	max, мкА	taocr. НС (fpafi max) кГц	№ рис.
< Ш И Ь. ECLU они	100 200 400 600 100 400	0.7 0.5 0,3 0.3 0.7 0.3	1.4 14 1.4 14 14 14	50 50 100 150 50 100	(50) (50) (50) (20) (50) (50)	Д13 Д13 Д13 Д13 Д13 Д13
КД226А КД226Б КЦ226В ВД226Г КД226Д КД226Е КД226Ж	100 200 400 600 800 600 50	2 2 2 2 2 2 2	13 13 13 13 13 1.3 13	10 10 10 10 10 10 10	250(50) 250(50) 250(50) 250(50) 250(50) 250 (50) 250(50)	Д9 Д9 Д9 Д9 Д9 Д9 Д9
2Д230А 2Д230Б 2Д230В 2Д230Г 2Д230Д 2Д230Е 2Д230Ж 2Д230И 2Д230К 2Д230Л	400 600 600 1000 400 600 800 1000 100 200	3(1) 3[1] 3(1} 3(1] 3[1] 3(11 3[1] 3(1) 3(1) 3(1)	15 15 13 13 1,3 1.3 18 13 1.5 15	4'5 45 45 45 45 45 45 45 45 45	500 500 500 500 1000 1000 1000 1000 500 500	Д24 Д24 Д24 Д24 Д24 Д24 Д24 Д24 Д24 Д24
2Д231А 2Д231Б 2Д231В 2Д231Г	150 200 150 200	10(5) Ю[5) 10(5] 10(5]	1 1 1 1	50 50 50 50	27-4-50 27*50 40+-100 404-100	Д24 Д24 Д24 Д24
КД238АС КД238БС КД238ВС	25 35 45	2x7.5 2x7,5 2x7,5	0,65 0,65 0,65	1000 1000 1000	(200) (200) (200)	Т23г Т23г Т23г
КД24ЭА КД243Б КД243В ВД243Г ВД243Д ВД243Е 8Д243Ж	50 100 200 400 600 600 1000	1 1 1 1 1 1 1	1.1 И и 11 1.1 1.1 1.1	10 10 10 10 10 10 10	(1) (D (1) (1) (1) (1) (1)	Д5 Д5 Д5 Д5 Д5 Д5 Д5
КД247А КД247Б КД247В КД247Г ВД247Д ВД247Е	100 200 400 600 600 50	1 1 1 1 1 1	13 13 13 13 1.3 1.3	5 5 5 5 5 5	150(150) 150(150} 150(150) 150(150) 250(50) 150(150)	Д5 Д5 Д5 Д5 Д5 Д5
КД257А КД257Б КД257В КД257Г ВД257Д	200 400 600 600 ЮОО	3 3 3 3 3	13 1.5 13 13 1.5	2 2 2 2 2	250 250 250 300 300	дю дю Д19 Д19 Д19
ВД258А ВД258Б КД258В КД258Г КД258Д	200 400 600 600 1000	15 15 1.5 1.5 15	16 16 1.6 1.6 16	2 2 2 2 2	250 250 250 300 300	дю дю дю дю дю
КД259АС КД269БС КД269ВС КД269ГС ВД269ДС КД289ЕС	25 50 75 100 150 200	5? 5? 5? 5? 5? 5? СЛ О1 О1 О1	О1	0,65 0,75 0,65 0.65 0,9 0.9	1000 ЮОО 1000 1000 1000 2000	-	Т23г Т23г Т23г Т23г Т23г Т23Г
1Ф270АС КД270БС КД270ВС КД270ГС КД270ДС ВД270ЕС	25 50 75 100 150 200	2x7.5 2x73 2x7,5 2x7,5 2x7.5 2x7.5	0,65 0.75 0.35 0.65 0.9 0.9	1000 1000 1000 1000 1000 2000	-	Т23г Т23г Т23г Т23г Т23г Г23г
I Тип | диода	UoEip (имп) В	Inp max [арнТпих] (имп) А	Unp "в	max, мкА	taoer, НС ((раб, max) кГц	№ рис.
КД271АС КД271БС ЦД271ВС КД271ГС КД271ДС КЦ271ЕС	25 50 75 100 ISO 200	2x10 2x10 2x10 2x10 2x10 2x10	0,65 0,75 0,65 0.85 0.9 0,9	1000 1000 1000 1000 1000 2000	-	Т23г Т23г Т23г Т23г Т23г Т23г
КД272АС КД272БС КД272ВС КЦ272ГС КД272ДС КД272ЕС	25 50 75 100 150 200	2x15 2x15 2x15 2x15 2x15 2x15	0,65 0,75 0,65 0,85 0.9 0.9	1000 1000 1000 1000 1000 2000	-	Т23г Т23г Т23г Т23г Т23г Т23г
КЦ273АС КД273БС КД273ВС КД273ГС КД273ДС ВД273ЕС	25 50 75 100 150 200	2x20 2x20 2x20 2x20 2x20 2x20	0,65 0,75 0,65 0,65 0.9 0,9	1000 1000 1000 1000 1000 2000	-	Т23г Т23г Т23г Т23Г Т23г Т23г
КД275А КД275Б КД275В КД275Г КД275Д ВД275Е КД275Ж КД275И КД275К КЦ275Л ОД275М КД275Н	50 100 200 400 600 600 50 100 200 400 600 600	2,2 2.2 2,2 2,2 2,2 2,2 13 1.5 1.5 1.5 1,5 1.5	14 1.4 14 14 1.4 1.4	50 50 50 50 1 50 50 50 50 50 50 50 50	250(50) 250(50) 250(50 250(50) 250(50) 250(50) 250(50) 250(50) 250(50 250 (50 250(50 250 (50)	Д37 Д37 Д37 Д37 Д37 Д37 Д37 Д37 Д37 Д37 Д37 Д37
КД280А КД280Б КД28ОВ КД28ОГ КЛ.280Д КД280Е КД280Ж	50 I00 200 400 600 600 1000	3 3 3 3 3 3 3	1.2 12 12 1.2 12 1.2 1.2	10 10 10 10 10 10 10	[1) (1) (1) (1) (1) (1) (1)	Д9 Д9 Д9 Д9 Д9 Д9 Д9
КД409А	24	0.05	1	од	(WOO)	Д8
КД41ОА КД4ЮБ	1000 600	0,05 0,05	2 2	3000 3000	(10) (10)	Д11 Д11
КД411АМ КД411БМ КД411ВМ КД411ГМ КД411ЕМ КД411НМ	(700) {750) (600) (500) (300) (800)	2 2 2 2 2 2	1.4 2 2 2	300 300 300 300 10 1	(30 (30) (30) (30 (30) (30)	Д17 Д17 Д17 Д17 Д17 Д17
КД419А КД419Б КД419Э 1ОД419Г	15 30 50 15	0,01 0,01 0,01 0,01	0.4 0.4 0,4 0.5		(400МГц) (400МГц) (400МГц) (400МГц)	дю дю дю дю
КД424А КД424Б КД424В	250 200 ISO	0,35 0,35 0,35	1.1 1.1 1.1	0.1 0.1 0.1	1000 1000 1000	Д1 Д1 Д1
ВД503А ВД503Б	30 30	0,02 0,02	1 1.2	4	10 10	дз ДЗ
ГД507А	20	0,016	0.5	50	100	дз
КД509А КД510А	50 50	0.1 0,2	1.1 11	5 5	4 4	Д1 Д1
КЦ512А КЦ512Б КД513А КЦ514А	20 20 50 10	0,02 0,02 0.1 0,02	1 1 1.1 1	5 5 5 5	1 1 4	дю дю Д14 дю
КД518А	50	0,1	11	5	-	Д14
Тип диода	Uo5p (ИМИ) в	ГчжТявй е^.)А	й в	W max, мкА	taocT.HC *кГц		№ рис.
S ₽ КД521Д	75 60 50 30 12	0.05 0,05 0,05 0.05 0.05	1.1 1 1 1 1	1 1 1 1 1	4 4 4 4 4		Д1 Д1 г; И1
КД522А КД522Б	30 50	0.1 0.1	1.1 1.1	2 1	4 4		Д1 Д1
ВД629АС9	90	0.2	1	0,1	100		Т29в
КД636АС КД636БС КД636ВС КД636ГС КД636ДС КД636ЕС	60 120 200 400 600 600	2x15 2x15 2x15 2x15 2x12 2x12	1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5	1 мА 1 мА 1 мА ЗмА ЗмА ЗмА	60 60 60 60 60 60		Т23г Т23г Т23г Т23г Т23Г Т23г
КД637АС КД637ЕС КД637ВС КД637ГС ВД637ДО К0637ЕС	60 120 200 400 6Q0 600	2x25 2x25 2x25 2x25 2x25 2x25	1,4 1.4 1,4 1.4 1.4 1.4	ЗмА ЗмА	100 100 100 100 100 100		Т25а Т25а Т25а Т25а Т25а Т25а
КД638АС КД636БС КД638ВС кдезвгс КД638ДС КД638ЕС	60 120 200 400 600 800	2x5 2x5 2x5 2x5 2x5 2x5	1 1 1 1 1 1	1 мА 1мА 1 мА ЗмА ЗмА	60  60 60 60 60 60		Т23г Т23г Т23г Т23г Г23г 123г
ЙИ	400 500 600 700 600 550	15 15 15 15 15 15 '	1.5 1.5 1.5 15 15 1.5	500 500 500 500 500 500	100 100 100 100 100 100		$ Д21 i
ВД704АС9	70	0,1	1.3	5	6		Т296
ВД906А КД906Б КД906В	75 30	0.1 0.1 0.1	1 1 1	2 2 2	н		№ r.-S
ВД923А КД927А	16 21 10 14 35	0.05 0,035 0.01 0,1 0.01	1 1 0,55 1. 0.23	0.5 0.5 0,5 5	в		ж _И10
|||i	600 600 400	S	1.6 15 1.4	100 100 50	800(100) 300(100) 300(100)		Т23д Т23д Т23д
ЦД23В9А КД2939Б КД2989В	600 400 200	20 20 20	1.4 1.4 1.4	200 200 200	SB 150 (100)		Д16 Д16 Д16
ВД2991А	<«)	60[20]	0.7	50000	(200)		да
КД2994А	100 .	20(8)	1.4	100	35(200)		да
КД2995А КД2995Б SI?	50 70 100 150 200 100	25(10 25(10 25(10 25(10 25(10 25(10	1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1	10 10 10 10 ТО 10	Я в 100(200)		Д24 Д24 № Д24 Д24
КД2997А К КД2997В	200 100 50	30(3]	1 1 1	200 200 200	200(100) 200(100) 200(100)		Д16 ж
ДВ	15 20 25 35 30	ад а	0.6 0.6 0,7 0,7 0.7	20000 20000 20000 20000 20000		а	Д24 Д24
ДБ	200 100 50	11	1 1 \ 1	200 200 200	20С 20С 20С	S! 100)	Д16 Д16 _Д16
КЦ1ОЗА	2000	0Л)1	9	10	L_«_		КС1-7
Табл. 9.11. Параметры стабилитронов и стабисторов.
т Тип					Ict, mA		Рмакс Вт			AU/°C %	Ns рис.
					мин.	макс.					
Д814А(1)	7	?UE Г	8.5		3	40	0.34	e	5	+0.07	Д31(Д1)
Д814Б{1 j	8	F* ' • *	9,5		3	36	0,34	10	5	+0,08	Д31 (Д1)
Д814ЕЦ1)	9		10,5		3	32	0,34	12	5	+0,09	Д31 <Д1)
ДВ14П1)	10	• 1 *1	12		3	29	0,34	15	5	+0,095	Д31(Д1)
Д814Д(1)	11.5		14	.	3	24	0,34	18	5	+0,095	Д31 (Д1)
Д815А	5	5а i	6.2	 с,	50	1.4 A	8	0,6	1 A	+0.045	Д22
Д815Б	6.1	.г «	7,5	 .<•	50	1,15 A	8	0,8	ГА	+0.05	Д22
Д815В	7,4		9.1		50	950	8	1.0	1 A	+0.07	Д22
Д815Г	9,0	И.',1.* :	11		25	800	8	1.8	500	+0.08	Д22
Д815Д	10,8	2	13,3		25	650	8	2.0	500	+0.09	Д22
Д815Е	13,3		16,4		25	550	8	2.5	500	+0,10	Д22
Д815Ж	16,2		19,8		25	450	8	3.0	500	+0,11	Д22
Д815И	4,2	j ?	5,2	1 А	50	1,4 A	8	0,82	1 A	+0,05	Д22
Д816А	19,6		24,4	 .	10	230	5	7,0	150	+0,12	Д22
Д816Б	24,2		29.5	-К	10	180	5	8.0	150	+0.12	Д22
Д816В	29,5		36	'W	10	150	5	10,0	150	+0.12	Д22
Д816Г	35		43	ria	10	120	5	12,0	150	+0,12	Д22
Д816Д	42,5		51,5	•ЭД	10	110	5	15,0	-150	+0,12	Д22
Д817А	50,5	я	61,5	-'S3 	5	90	5	35	50	+0,14	Д22
Д817Б	61		75	эд	5	75	5	40	50	+0,14	Д22
Д817В	74		90		5	60	5	45	50	+0.14	Д22
Д817Г	90		110	9'	5	50	5	50	50	+0,14	Д22
Д816А	9		10,8	10	3	33	0.3-	70	3	+0,02	Д31.Д1
Д818Б	7,2	ip	9	1Ь	3	33	0.3	18	10	-0,029	Д31.Д1
Д818В	7,65	W 1	10.35		3	33	0.3	18	10	±0,01	Д31.Д1
Д818Г	7,65	- ' .	10,35	 Г|	3	33	0,3	18	10	±0.005	Д31.Д1
Д816Д	7,65	ЙО	10,35	9	3	33	0,3	18	10	±0,002	Д31. Д1
Д818Е	7,65	•4	10,35	• ।	3	33	0,3	18	10	±0.001	Д31.Д1
КС107А	0,63	1 ?	1	0.77		1	too	0.125	12	10	-0.3	Д31.Д1
КС113А	1,17		1.43		1	100	0.18	15	10	-0.3	Д31
КС115А	1 4		1.6	i	1	100	0.2	35	3	-0,3	Д1
КС119А	1.71	‘ С	2,09		1	100	0,26	65	10	-0.4	Д31
КС126А	2.5	1 *	2.9	-	—	135	0.4	120	5	-0,075	Д1
КС126Б	2,8		3,2			125	0,4	120	5	-0.075	Д1
КС126В	3.1	•3	3.5	• &		115	0,4	120	5	-0,075	Д1
КС126Г	3.7	пя				95	0.4	120	5	-0.05	Д1
КС126Д	4,4	-	5,0	i	—	85	0,4	100	5	-0,01	Д1
КС126Е	5,2	г. п	6,0	! 5	—	70	0.4	50	5	+0,03	Д1
КС126Ж	5.8		6,6	•	—	64	0,4	35	5	+0,06	Д1
КС126И	6,4		7,2		—	58	0,4 0.4	30	5	+0,06	Д1
КС126К	7,0		7.9	?	—	53		20	5	+0,07	Д1
КС126Л	7.7	г.2	8.7	i ' *	—	47	0.4	30	5	+0,06	Д1
КС126М	8,5	?.i	9.6	i  -	—	43	0.4	30	5	+0,09	Д1
КС2О7А	9,4	1С.*	10,6	х	•	—	40	0.4	30	5	+0,09	Д1
КС207Б	10,4	г :	11,6		—	36	0,4	30	5	+0,092	Д1
КС2О7В	11.4		12,7		—	32	0.4	30	5	+0,095	Д1
КС133А	2,97	2.1	3,63	•'	3	81	о.з	65	10	-0,11	Д31.ДЗ
КС133Г	2,95	2.3	3.65	s	1	37,5	0,125	150	5	-0,1	дз
КС139А	5.51	Jz	4,29		3	79	0,3	60	10	-0.1	Д31.ДЗ
КС139Г	3.5	1.	4.3	J '	1	32	0,125	150	5	—	дз
КС147А	4,23	4 .	5,17	i '	3	58	о.з	58	10	-0,09	Д31.ДЗ
КС147Г	4.2	л .•	5.2		1	26,5	0.125	150	5	-0,07	дз
КС156А	5,04	 St	6,16	? К	3	55	о.з	46	10	+0,05	Д31.ДЗ
КС156Г	5,0	ЬЙ	62		1	22,4	0.125	100	5	+0,07	ДЗ
КС162А	5,6	Ь2	6,76	* r	3	22	0,15	35	10	-0.06	Д39
КС168А	6,12	ЙЙ	7.48	z 10 £ c to	3	45	о.з	28	10	±0.06	дз
кс1б.ав	6,24		7.37		3	20	0,15	26	10	±0,05	Д39
КС17ОА	6,65		7,35		3	20	0,15	20	10	±0,01	Д39
КС175А	7,0	‘ .г !i	8,0	£ •> ;	3	18	0,15	16	6	±0.04	Д39
КС175Ж	7.1		7,9	.. Л	_	0.5	17	0.125	40	4	+0,07	Д1
КС182А	7.6	V	8,8	*	*	4	3	17	0.15	14	5	±0.05	Д39
КС182Ж	7.4		9.0	» j?	0.5	15	0,125	14	5	+0,08	Д1
КС191А	8,5		9.7	f. + i	3	15	0,15	18	5	+0.06	Д39
КС191Ж	8.6		9,6	-i i	0.5	14	0.125	40	4	+0,09	Д1
КС191М	8,65		9,55	-* M 1	5	15	0.15	18	10	±0,005	Д31
КС191Н	8,65		9,55	t «..	5	15	0,15	18	10	±0,002	Д31
	Тип					Ict, mA		Рмакс Вт	R<	ПУ/*		AU/°C %	№ рис.
		£»ИН £				мин.	макс.					
	КС191П	8,65		9,55	11 -	5	15	0,15	18	10	±0,001	Д31
	КС191Р	6.65		9,55		5	15	0,15	18	10	±0.0005	Д31
	КС191С	8,65	П1	9,55	' ta	3	20	0.2	18	10	±0,005	Д31
	КС191Т	8,65		9.55	i	3	20	0,2	18	10	±0,0025	Д31
	КС191У	8,65		9,55	• 1Ц	3	20	0,2	18	10	±0,0001	Д31
	КС191Ф	8,65	• 1	9,55	1G -	3	20	0,2	18	10	±0,0005	Д31
	КС210Б	9.3		10,7	-	3	14	0,15	22	5	±0,07	Д39
	КС210Ж	9,0		11,0		0.5	13	0,125	40	4	+0,09	'Д1
	КС211Ж	10,4		11,6		0,5	12	0,125	40	4	+0,092	Д1
	КС212Ж	10,8		13,2	’ 4	0.5	11	0,125	40	4	+0,095	Д1
	КС213Б	12,1		13,9		3	Ю	0.15	25	5	+0,06	Д39
	КС213Ж	12,3		137	: и	0.5	10	0,125	40	4	+0,095	Д1
	КС215Ж	13,5		18,5	: •	0.5	8.3	0,125	70	2	+0,1	Д1
	КС216Ж	15.2		16,8		0.5	7,3	0,125	70	2	+0,1	Д1
	КС218Ж	16,2		19,8		0,5	6.9	0,125	70	2	+0,1	Д1
	КС220Ж	19,0	2->.	21,0		0.5	6.2	0,125	70	2	+0.1	Д1
	КС222Ж	19,8	&	24,2		0,5	5,7	0,125	70	2	+0.1	Д1
	КС224Ж	22.8	•	25,2		0,5	5f2	0.125	70	2	+0,1	Д1
	КС405А	5,89	v 1	6,51	-	0,1	45	0,28	200	0.5	+0,002	Д1
	КС406А	7,7		8,7		0,5	35	0,34	6,5	15	—	Д1
	КС406Б	9,4	. At	10,6		0,25	28	0,34	8.5	12,5	—	Д1
	КС4О7А	3.1		3,5		1	100	0,34	28	20	—	Д1
	КС407Б	3,7	•	4 1	И1	1	83	0,34 '	23	20	—	Д1
	КС4О7В	4,4	А’	5,0	' 711	1	68	0,34	19	20	—	Д1
	КС407Г	4,8	М	5.4		1	59	0,34	17	20	—	Д1
	КС4О7Д	6,4		7.2	:e,5.	1	42	0,34	4,5	18,5	—	Д1
	КС409А	5.3		5,9		1	48	0,33	20	5		Д1
	КС433А	2.97		3,63		3	191	1,о	25	60	-0,1	Д31
	КС439А	3,51	1	4,29		3	176	1.0	25	51	-0,1	Д31
	КС447А	4,23	Д I	5.17		3	159	1.0	18	43	-0,08+0,03	Д31
	КС456А	5,04	-* i	6,16		3	139	1.0	10	36	0+0.05	Д31
	КС468А	6,12	69	7,48	"•i	3	119	1.0	5	29	0+0,065	Д31
	КС482А	7,4	M::	9.0		1	96	1.0	25	5	+0,08	Д31
	KC5D8A	11,4		12,7		0,25	23	0,34	11,5	10,5	—	Д1
	КС508Б	13,8	• r	15,6		0.25	18	0,34	16	8.5	—	Д1
	КС508В	15,3	K-	17,1	TV :	0,25	17	0,34	17	7,8	—	Д1
	КС508Г	16,8		19,1		0,25	15	0,34	21	7,0	—	Д1
	КС508Д	22,8		25,6		0,25	11	0,34	33	5.2	—	Д1
	КС510А(1]	9,0		11,0		1	79	1.0	25	5	+0,1	Д31 (Д2)
	КС512А(1)	10,8	•i.3	13,2		1	67	1.0	25	5	+о;1	Д31 СД2)
	КС515А(1)	13,5	* . A	16,5	-	1	53	1.0	25	5	+0,1	Д31 (Д2)
	КС515Г	14,25	* Is	15,75		3	31	0,5	35	10	±0.005	Д31
	КС518А(1)	16,2	r-	19,8		1	45	1.0	25	5	+0,1	Д31 (Д2)
	КС520В	19,0	230	21,0	id	3	22	0.5	120	Ю	+0.01	Д31
	КС522А(1)	19,8	' ‘-л	24,2		1	37	1.0	25	5	+0,1	Д31 (Д2)
	КС524Г	22.8	24. V	25,2	II	3	19	0.5	40	10	±0,005	Д31
	КС527А(1)	24,3	•	29,7		1	30	1.0	40	5	+0,1	Д31 (Д2)
	КС531В{1)	29,45	’1 Й	32,55		3	15	0,5	50	10	+0,005	Д38(Д40)
	КС531В2	29,45		32,55		3	15	0.5	50	10	±0,005	Д41
	КС533А	29,7	is!	36,3		3	17	0,64	40	10	+0,1	Д39
	КС539Г	37,0	 ‘	41,0	I	3	17	0,72	65	10	+0,005	Д43
	КС547В(2)	44.65	к	49,35	1.	3	10	0.5	280	10	±0,01	Д42(Д41)
	КС551А	48,0		54,0		1	14,6	1.0	200	1.5	+0,12	Д31
	КС568В(2)	64,6	*-. 	71,4	w	3	10	0,72	400	10	+0.01	Д43(Д41)
	КС582Г	77,9	If - «<	B6,1	t. io	3	8	0,72	480	10	+0.01	Д43
	КС591А	86,0	я  rg	96,0	IS	1	8.8	1.0	400	1.5	+0,12	Д31
	КС596В(2)	91,2		100,8	10	3	7	0.72	560	10	+0.01	Д43(Д41)
	КС600А	95	;.o	105	t S	1	8.1	1.0	450	1.5	+6,12	Д31
	КС620А	103	ip	132	►ii	5	42	5.0	150	50	+0,2	Д22
	КС630А	117	•1W '	143		5	38	5,0	180	50	+0,2	Д22
	КС650А	135	1H>	165		2,5	33	5,0	270	25	+0,2	Д22
	КС680А	162	159	196	=• .5	2,5	28	5.0	330	25	+0,2	Д22
	КС920А	109	123	132		5	42	5,0	100	50	+0.16	Д22
	КС930А	117	1 v>*	143		5	38	5,0	120	50	+0,16	Д22
	КС950А	136	153	164	: a	2.5	33	5.0	170	25	+0.16	Д22
	КС980А	162		198	• zf	2.5	28	5,0	220	25	+0,16	Д22 J
9.4.	ЦВЕТОВАЯ И КОДОВАЯ МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ
В цветовой и кодовой маркировке транзисторов, также как и диодов и стабилитронов, нет единых стандартов. Каждый завод, который производит транзисторы, принимает свои цветовые и кодовые обозначения. Вы можете встретить транзисторы одного типа и группы, которые изготовлены разными заводами и маркируются по разному, или разные транзисторы, которые маркируются одинаково. В этом случае их можно отличить только по некоторым дополнительным признакам, таким как длина выводов коллектора и эмиттера или окраска торцевой (противоположной выводам) поверхности транзистора.
Цветовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26 осуществляется двумя точками. Тип транзистора обозначается на боковой поверхности, а маркировка группы на торцевой (рис. 9.2).
Табл. 9.12. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26.
Тип	Код	Цв.’ точка сбоку	Группа	Цв. точка сверху	
КТ203(М) КТ208 (1) КТ209 КТ313 (1) КТ326(М) КТ339(М) КТ342(М) КТ399 (М) КТ502 КТ503 КТ3102 (М)* КТ3107 КТ3117А1 КТ3157 КТ3166 КТ6127 КТ632 (1) КТ638 КТ680 КТ681 КТ698 КП103 КП307(1) КП364*	А • ф или О ▼ к 7 • г ▼ к т U 1 2 Г 1 п в А	Тёмно- красная Серая Оранжевая Коричневая Голубая Синяя Жёлтая Белая Тёмно-зелёная Серебристая Оранжевая Табачная	А В В Г Д Е И (-*) К (-*) Л (И*) М (К*)	Тёмно-красная Жёлтая Тёмно-зелёная Голубая Синяя Белая Тёмно-коричневая Серебристая Оранжевая । Светло-табачная Серая	
			Группа выпуска Рис. 9.2. Кодовая и маркировка транз в корпусе КТ-		Месяц выпуска цветовая исторов 26.
Табл. 9.13. Маркировка года и месяца изготовления по ГОСТ 25486-82.
Год	Код	Год	Код	Год	Код
1985	Т	1991	В	1997	I
1986	и	1992	С	1998	к
1987	V	1993	D	1999	L
1988	W	1994	Е	2000	М
1989	X	1995	Г	2001	N
1990	А	1996	н	2002	Р
Месяц	Код	Месяц	Код
Январь	1	Июль	7
Февраль	2	Август	8
Март	3	Сентябрь	9
Апрель	4	Октябрь	О
Май	5	Ноябрь	N
Июнь	6	Декабрь	О
Транзисторы в корпусе КТ-14 Транзисторы в корпусе КТ-14А
Об	[] б	
Тип	Цвет точки
КТ3120А	две белые
2Т3120А	белая
КТ371А	две синие
2Т371А	синяя
КТ382А	две чёрные
КТ382Б	две красные
2Т382А	чёрная
2Т382Б	красная
Тип	Маркировка
КТ3101АМ	Б-^Шт^К [] э
КТ3120АМ	э	к U Б
КТ371АМ	э V/ к Кб
КТ382АМ	Э 'З'к' U Б
КТ382БМ	Э	к К Б
КП1ОЗЕ1
КТ208Е1
КГ3117А1
Рис. 9.3. Примеры маркировки радиоэлементов.
Кодовая маркировка наносится на боковую поверхность транзистора (рис. 9.2). Тип транзистора обозначается кодовым знаком (табл. 9.12), а группа - соответствующей буквой. Дата изготовления в соответствии с ГОСТ 25486-82 кодируется двумя буквами или буквой и цифрой (табл. 9.13). Первая буква обозначает год выпуска, а следующая за ней цифра или буква - месяц. Кодированное обозначение даты изготовления применяется не только для транзисторов, но и для других радиоэлементов. Дата выпуска зарубежных радиоэлементов обозначается четырьмя цифрами, первые две из которых обозначают год выпуска, а последние две - номер недели в году (например, 9432 обозначает - 1994 год, 32-я неделя года). На рис. 9.3 приведены примеры кодовой и цветовой маркировки
транзисторов.
Табл. 9.14. Кодовая маркировка радиоэлементов в корпусе КТ-27.
Код	Тип
4	КТ814
5	КТ815
6	КТ816
7	КТ817
8	КТ683	|
9	КТ9115
12	КУ112
40	КТ940
КТ972А КТ972Б
Транзисторы в корпусе КТ-27 могут маркироваться или буквенно -цифровым кодом (табл. 9.14 и рис. 9.4) или кодом, состоящим из геометрических фигур (рис. 9.4).
Транзисторы в корпусе КТ-27 дополнительно маркируются окрашиванием торца корпуса, противопо-
КТ973А КТ973В КТ646А КТ646В
Рис. 9.4. Маркировка транзисторов
ложного выводам: ’	в
КТ814 - серо - бежевый;
КТ815 - серый или сиренево - фиолетовый;
КТ816 - розово - красный;
КТ817 - серо - зелёный;
КТ683 - фиолетовый;
КТ9115 - голубой.
Транзисторы КТ814Б, КТ815В, КТ816В и КТ817Б иногда маркируются только окрашиванием торцевой поверхности без нанесения буквенно -цифрового кода.
корпусе КТ-27.
КТ315В КТ315Е КТ361Г
Рис. 9.5. Маркировка транзисторов в корпусе КТ-13.
Примеры маркировки транзисторов в корпусе КТ-13 приведены на рис. 9,5. Буква группы у транзисторов КТ315 наносится сбоку поверхности, а КТ361
- посередине.
Тип транзисторов КПЗОЗ и КП307 в корпусе КТ-1-12 маркируется соответственно цифрами 3 и 7, группа - соответствующей буквой. Транзисторы КП327А маркируются одной белой точкой, а КП327Б - двумя (рис. 9.3).
9.5.	ОБОЗНАЧЕНИЕ ЗАРУБЕЖНЫХ РАДИОЭЛЕМЕНТОВ
За рубежом существует три основные системы обозначений радиоэлементов: американская (JEDEK), европейская (PRO ELECTRON) и японская (JIS).
Американская система обозначений (JEDEK):
Первая цифра показывает количество р-n переходов:
1	- диод;
2	- транзистор;
3	- тиристор.
За цифрой следует буква N и затем серийный номер. Буквы за номером обозначают разные параметры для приборов одного типа. Например: 1N4148, 2N5551.
Европейская система обозначений (PRO ELECTRON):
Основное обозначение по этой системе состоит из пяти знаков. Две буквы и три цифры - для широкого применения. Три буквы и две цифры - для специальной аппаратуры. Следующая за ними буква обозначает разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это, как правило, коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока).
Первая буква - код материала:
А - германий;
В - кремний;
С - арсенид галлия;
В - сульфид кадмия.
Вторая буква - назначение:
А - маломощный диод;
В - варикап;
С - маломощный низкочастотный транзистор;
D - мощный низкочастотный транзистор;
Е - туннельный диод;
F - маломощный высокочастотный транзистор;
G - несколько приборов в одном корпусе;
Н - магнитодиод;
L - мощный высокочастотный транзистор;
М - датчик Холла;
Р - фотодиод, фототранзистор;
Q - светодиод;
R - маломощный регулирующий или переключающий прибор;
S - маломощный переключательный транзистор;
Т - мощный регулирующий или переключающий прибор;
U - мощный переключательный транзистор;
X - умножйтельный диод;
Y- мощный выпрямительный диод;
Z - стабилитрон.
Например: BZY56, ВС547С, BF492, BU508.
Японская система обозначений (ЛС):
Условное обозначение состоит из пяти элементов:
Первый элемент - цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:
О - фотодиод, фототранзистор;
1 - диод;
2 - транзистор;
3 - тиристор.
Второй элемент - буква S (Semiconductor).
Третий элемент - тип прибора:
А - высокочастотный р-п-р транзистор;
В - низкочастотный р-п-р транзистор;
С - высокочастотный п-р-п транзистор;
D - низкочастотный п-р-п транзистор;
Е - диод Есаки;
F - тиристор;
G - диод Ганна;
Н - однопереходиый транзистор;
I - полевой транзистор с р-каналом;
К - полевой транзистор с п-каналом;
М - симметричный тиристор (симистор);
Q - светодиод;
R - выпрямительный диод;
S - слаботочный диод;
Т - лавиииый диод;
V - варикап;
Z - стабилитрон.
Четвёртый элемент обозначает регистрационный номер и начинается с числа 11.
Пятый - одна или дае буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).
Например: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.
Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как А733; 2SB1116A - В1116А; 2SC945 -
С945; 2SD1555 - D1555 и т. п.
Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма "SAMSUNG” в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма "MOTOROLA” - MJ, MJE, ММ, ММТ, MPQ, MPS (MJ3521, MJE350, ММ1812, MPS5551M, MPS А-92).
9.6. ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
В таблицах 9.15, 9.16 и 9.17 приведены параметры отечественных и зарубежных биполярных и полевых транзисторов (звёздочкой помечены составные транзисторы). Приведём назначения буквенных обозначений параметров транзисторов, используемых в таблицах:
Ukbo - максимально допустимое напряжение коллектор - база;
Нк^и шах - максимально допустимое импульсное напряжение коллектор - база;
Пкак - постоянное напряжение коллектор - эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база - эмиттер;
Цкэогр. - граничное напряжение транзистора - напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера;
Цкэ, и шах - максимально допустимое импульсное напряжение коллектор -эмиттер;
Йкэн - напряжение насыщения коллектор - эмиттер;
Цои тих - максимально допустимое напряжение сток - исток;
Псио - напряжение сток - исток при оборванном затворе;
Изи шах - максимально допустимое напряжение затвор - исток;
Ush отс - напряжение отсечки транзистора, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с р-n переходом, и с изолированным затвором);
изи пор - пороговое напряжение транзистора между затвором и стоком, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с изолированным затвором и п-каналом);
1ктах - максимально допустимый постоянный ток коллектора;
Гкитнх - максимально допустимый импульсный ток коллектора;
Тешах - максимально допустимый постоянный ток стока;
Тспач - начальный ток стока;
1с ост - остаточный ток стока;
1кво - обратный ток коллектора;
1кэо - обратный ток коллектор-эмиттер при разомкнутом выводе базы;
13 ут, - ток утечки затвора;
Рк швх - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода;
Рк т шах - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом;
Реи шах - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность сток - исток без теплоотвода;
Реи т шах - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность сток - исток с теплоотводом;
Ри шах - максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора;
Рвых. - выходная мощность биполярного (полевого) транзистора;
Й21э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;
Кси отк - сопротивление сток - исток в открытом состоянии;
Ск - ёмкость коллекторного перехода;
Сии - входная ёмкость полевого транзистора;
S - крутизна характеристики;
fip, - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером; fpac. шах - максимальная рабочая частота транзистора;
Кур - коэффициент усиления по мощности биполярного (полевого) транзистора;
Кш - коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора;
t₽ac. - время рассасывания для биполярного транзистора (для транзисторов KT6O1-S- КТ997 этот параметр указан в круглых скобках в предпоследней колонке);
ten. - время спада для биполярного (полевого) транзистора;
тк - постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора;
Табл. 9.15. Параметры отечественных биполярных транзисторов.
Тип транзистора	Структура	Ukbo И. в	0кзн )гр)(н)е	Ik max (и), мА	Ркшах М(И), Вт	(bale)	Ikso (ИЗО), мкА	fcp. МГц	Оцзн, В ]Кр], ДБ	СФ	КцДБ [W.HC	№ рис.
П210	р-п-р	65	60	12A	W0]	>15	<12000	го,1	<1	—	—	Т46
П210А	р-п-р	65	65[>50]	12A	1,5(60]	>15	<8000	2:0,1	<0,6	—	—	Т46
П21СБ	р-п-р	65	65	12A	1.5(45]	>10	<15000	>01	—	—	—	Т46
П21ОВ	р-п-р	45	45	12A	1,5(45]	>10	<15000	20,1	-	-		Т46
Г210Ш	р-л-р	65	65[>50]	SA	1,5(60]	15+60	<8000	20,1	-	-	-	Т46
П213	р-л-р	45	30	5A	[11,5]	20+50	<160	20,15	<0,5	—	—	Т43
П213А	р-п-р	45	30	5A	[Ю]	^20	<1000	20.15	—	—	—	Т43
П213Б	р-л-р	45	40	5A	[10]	>40	<1000	20.15	<23	-	-	Т43
П214	р-п-р	60	55	5A	[10]	20+60	<300	20.15	<0,9	-	—	Т43
П214А	р-п-р	60	55	5A	[10]	50+160	<300	20,15	<0,9	-	—	Т43
П214Б	р-п-р	60	55	5A	[11,5]	20+150	<1500	20,15	<0,9	—	—	Т43 1
П214В	р-п-р	60	55	5A	[Ю]	^20	<1500	20,15	<2$	—	—	Т43
П214Г	р-п-р	60	55	5A	[Ю]	-	<1500	20,15	<2,5	-	-	Т43
П215	р-п-р	60	70	5A	[10]	20+150	<300	20,15	<0,9	-	-	Т43
П216	р-п-р	40	40	7,5 A	И	>18	<500	20,1	<0.75	—	—	Т43
П216А	р-п-р	40	40	7,5 A	[30]	(20+80)	<500	20,1	<0.75	—	—	Т43
П216Б	р-п-р	35	35	7,5 A	[24]	HO)	<1500	>0.1	<0,5	...	—	Т43
П216Р	Р-П-Р	35	35	7,5 A	[24]	(>30)	<2000	20.1	<оз	—	—	Т43
П216Г	р-п-р	50	50	7,5 A	[24]	H)	<2500	20,1	—	—		Т43
П216Д	р-п-р	50	50	7,5 A	[24]	(15+30)	<2000	20,1	<0,5	—	—	Т43
П217	р-п-р	60	60	7,5 A	[30]	>15	<500	20,1	<1	—		Т43
П217А	р-п-р	60	60	7,5 A	[30]	(20+80)	<500	>0,1	<1	—	—	Т43
П217Б	р-л-р	60	60	73 A	[30]	(>20)	<500	20,1	<1	—	—	Т43
П217В	р-п-р	60	60"	7,5 A	[24]	—	<3000	20,1	<оз		—	Т43
П217Г	р-п-р	60	60	7,5 A	[24]	(15+40)	<3000	20.1	<1	—	—	Т43
ПЗО70М	п-р-п	60	60	30 (120)	0,25	50+150	<20	220	<2	-	—	Т22а
П308М	П-р-П	120	120	15 (120)	0,25	30+90	<20	220	<2	—	—	Т22а
П309М	п-р-п	120	120	30(120)	0,25	20+60	<20	220	<2	-	—	Т22а
МП25	р-п-р	40	40	(400)	0,2	10+25	<75	20,25	—	<70	—	Т32а
МП25А	р-п-р	40	40	(400)	0.2	20+50	<75	20,25	—	<70	-	Т32а
МП25Б	р-п-р	40	40	(400)	0.2	30+80	<75	203	—	<70	—	Т32а
МП25	р-п-р	70	70	(400)	0.2	10+25	<75	20,25	—	<50	—	Т32а
МП2ЙА	р-п-р	70	70	(400)	0.2	20+50	<75	20,25		<50	—	Т32а
МП26Б	Р-П-Р	70	70	(400)	0.2	30+80	<75	>0,5	—	<50	—	Т32а
МП37	п-р-п	15	15	20(150)	0,15	i15+30	<30	>1	—	<60	—	Т32а
МП37А	П-р-П	30	30	20(150)	0,15	15+30	<30	>1	—	<60	—	Г32а
МП37Б	п-р-п	30	30	20(150)	0,15	25+50	<30	>1	—	<60	—	Т32а
МП36	п-р-п	15	IS	20(150)	0.15	25+55	<30	22	—	<80	—	Т32а
МП38А	п-р-п	15	15	20(150)	0,15	45+100	<30	22	—	<60	-	Т32а
МП39	р-п-р	15(20)	15(20]	30 (150)	0,15	>12	<15	20,5	—	<60	—	Т32а
МП39Б	р-п-р	15(20)	15 (20)	30(150)	0,15	20+60	<15	20,5	-	<60	<12	Т32а
МП40	р-п-р	30(30)	30(30)	30 (150)	0,15	20+40	<15	21	—	<80	-	Т32а
МП40А	р-п-р	15(20)	15(20)	30 (150)	0,15	20+40	<15	21	—	<80	—	Т32а
МП41	р-п-р	15(20)	15(20)	30 (150)	0,15	30+60	<15	>1	—	<80	-	Т32а
МП41А	р-п-р	15(20)	15(20)	30 (150)	0,15	50+100	<15	>1	-	<60	-	Т32а
МП42	р-п-р	15	15	(200)	0,2	20+35	<25	>1	<0.2	-	—	Т32а
МП42А	р-П-р	15	15	(200)	0.2	30+50	<25	21	<0.2		—	Т32а
МП42Б	р-п-р	15	15	(200)	0,2	45+100	<25	>1	<0.2	-	-	Т32а
1Т311А	п-р-п	12(25)	12	50	0,15	15+160	<5	303+1000	<03	<2.5	<8	Т36
1Т311Б	п-р-п	12(25)	12	50	0,15	30+160	<5	300+1000	<0,3	<2,5	<8	Т36
1Т311Г	п-р-л	12(25)	12	50	0.15	30+80	<5	450+1500	<0,3	<2.5	<8	Т36
1Т311Д	п-р-п	12(25)	12	50	0,15	60+160	<5	600+1500	<0,3	<2,5	<8	Т36
ГТ311Е	п-р-п	12(20)	12	50	0,15	15+60	<10	2250	<0,3	<2,5	<8	Т36
ГГ311Ж	п-р-п	12 (20)	12	50	0,15	50+200	<10	2300	<0.3	<23	<8	Т36
гтзпи	п-р-п	10(20)	10	50	0.16	100+300	<10	2450	<0,3	<2,5	<8	Т36
1Т311К	П-р-П	12(25)	12	50	0.15	60+160	<5	433+1500	<0,3	<23	<8	Т36
1Т311Л	п-р-п	12(25)	12	50	0,15	150+300	<5	00+13»	<0,3	<2,5	<8	Т36
1Т313А	р-п-р	12(20)	12	50	0.1	10+230	<5	>300	<0,7	<23	—	Т36
1Т313Б	р-п-р	12(20)	12	50	(5,1	10+75	<5	2450	<0,7	<2,5	—	Т36
1Т313В	р-п-р	12(20)	12	50	0.1	30+230	<5	2350	<0,7	<23	<8	. Т36
Тип транзистора	Структура	(И), В	Uksr IrplWB	k max (и), mA	Ркшах [т1(и),вт		has (h?1e)	Ikbo S	fry. МГц	Uk3H,b [Кр),дБ	Cx.	Ка,дБ	№ рис.
П322А	р-п-р	25	10	10	0.05		30+100	<4	£80	—	<1,8	<4	ТЗа
ГТ322Б	р-п-р	25	6	« 10	0,05		50+120	<4	>80	--	<1,8	<4	ТЗа
ГТ322В	р-п-р	25	10	10	0,05		20+120	<4	£50	—	<2,5	<4	ТЗа
ГТ322Г	р-п-р	15	to	5	0,05		50+120	<4	£50	—	<2,5	—	ТЗа
ГТ322Д	р-п-р	15	10	5	0,05		20+70	<4	£50	—	<1,8	—	ТЗа
ГТ322Е	р-л-р	15	10	5	0,05		50+120	<4	£50	-	<1,8	—	ТЗа
ГГ328А	р-П-р	15	15	10	0,05		20+200	<10	£400	—	<1,5	<7	Т36
ГТ328Б	р-п-р	15	15	10	0,05		40+200	<10	>300	—	<1,5	<7	Т36
ГТ328В	р-п-р	15	15	10	0,05		10+50	<10	£300	—	<1,6	<7	Т36
ГТ341А	п-р-п	10	5 [51	10	0035(025)		15+300	<5	>1500	—	<1	<4,5	Т47
ГГ341Б	п-р-п	10	5 [5]	10	0035(025)		15+300	<5	£2000	—	<1	<5.5	Т47
ГГ341В	п-р-п	10	5(5J	10	0035(025)		15+300	<5	>1500	-	<1	<5.5	Т47
ГГ346А	р-п-р	20	20	10	0,05		10+150	<10	>700	(>10.5)	<1.3	<6	ТЗа
ГТ346Б	р-П-р	20	20	10	0,05		10+150	<10	>550	[>10.5]	<1.3	<8	ТЗа
ГТ346В	р-п-р	20	20	10	0,05		15+150	<10	>550	(>1O,S)	<1,3	<7	ТЗа
ГТ402А	р-п-р	—	25	0.5 A	0,6		30+60	<20	£l	—	—	—	Т41
ГГ402Б	р-п-р	—	25	0,5 A	0,6		60+150	<20	£1	—	—	—	Т41
FT4O2B	Р-П-Р	—	40	0,5 A	0.6		30+80	<20	£1	—	—		Т41
ГТ4О2Г	р-п-р	-	40	0,5 A	0,6		60+150	<20	>1		—	—	Т41
ГТ402Д	р-п-р	—	25	0,5 A	0.8		30+80	<25	>1	—		—	Т41
ГТ402Е	р-п-р	—	25	0.5 A	0,8		60+150	<25	>1	—	—	—	Т41
ГТ402Ж	р-п-р	—	40	0,5 A	0,8		30+80	<25	£1	—	-		Т41
ГТ402И	р-п-р	—	40	0,5 A	0,6		60+150	<25	>1	—	—	—	Т41
ГТ4ОЗА	р-п-р	45	30	1,25 A	0.6 [41		20+60	<50	£0,008	<0,5	—	—	Т42
ГТ403Б	р-п-р	45	30	1,25 A	0.6 [41		50+150	<50	£0,008	<0,5	—	—	Т42
ГТ403В	р-п-р	60	45	1,25 A	0,8 [5		20+60	<50	£0,008	<0,5	—	—	Т42
ГТ403Г	р-п-р	60	45	1,25 A	0,8 [4		50+150	<50	>0,008	<0,5	—	—	Т42
ГТ403Д	р-п-р	60	45	1,25 A	0.8 [4]		50+150	<50	£0,006	<0,5	—	—	Т42
ГТ4ОЗЕ	р-п-р	60	45	1,25 A	0,6 [5]		£30	<50	£0,008	<0,5		—	Т42
ГТ4ОЗЖ	р-п-р	БО	60	1,25 A	0,8 [4		20+60	<70	£0,008	<0,5	—	—	Т42
ГТ403И	р-п-р	60	60	1,25 A	0,8(4		£30	<70	£0,006	<0,5	—	—	Т42
ГТ403Ю	р-п-р	45	30	1.25A	0,8(4		30+60	<50	£0,008	<0,5	—	—	Т42
ГТ404А	П-р-П	—	25	0,5 A	0,8		30+80	<25	£1	—	—	—	Т41
ГТ404Б	п-р-п	—	25	0,5 A	0,8		60+150	<25	£1	—	—	—	Т41
ГТ4О4В	п-р-п	—	40	0,5 A	0,8		30+60	<25	£1	—	—	—	Т41
ГТ404Г	п-р-п	—	40	0,6 A	0,8		60+150	<25	>1	—	—	—	Т41
ГТ4О4Д	п-р-п	—	25	0.5 A,	0,6		30+80	<25	>1	—	—	—	Т41
FT404E	п-р-п	—	25	0,5 A	0,6		60+150	<25	>1	—	—		Т41
ГТ4О4Ж	п-р-п	—	40	0,5 A	0,6		30+80	<25	>1	—		—	Т41
ГТ404И	п-р-п	—	40	0,5 A	0,8		30+80	<25	>1	—	—	—	Т41
П701А	р-п-р		55 [100]	12A	[50!		>10	<6000	>0,05	—	-	—	Т45
ПТОЗА	р-п-р	20	20(25)	3,5 A	1,8 [15]		30+70	<500	£0,01	<0,8	-	-	Т44
ГТ7ОЗБ	р-п-р	20	20(25)	3,5 A	1,8 [15]		50+100	<500	>0,01	<0;6	—	—	Т44
ГГ703В	р-п-р	30	30(35)	3,5 A	1.8 [15]		30+70	<500	>0,01	<0,8	—	—	Т44
ГТ703Г	р-п-р	30	30 (35)	3,5 A	1,8 [15]		50+100	<500	£0,01	<0,8	—	—	Т44
ГГ703Д	р-л-р	40	40 (50)	3,5 A	1,8 [15]		20+45	<500	£0,01	<0,8	—		Т44
ГГ7О5А	П-р-П	-	20(25)	3,5 A	1,8 [15]		30+70	<500	>0,01	<1	—	—	Т44
ГТ70ББ	п-р-п	—	20 (25)	3,5 A	1,8 [15]		50+100	<500	>0,01	<1	—	—	Т44
ГТ7О5В	п-р-п		30 (35)	3,5 A	1,6 [15]		30+70	<500	>0,01	<1	—	—	Т44
ГГ7ОБГ	п-р-п	—	30(35)	3,5 A	1.8 [15]		50+100	<500	£0,01	<1		—	Т44
ГТ705Д	п-р-п		20(25)	3,5A	1,6(15]		90+250	<500	>0,01	<1	-	—	Т44
ГГ806А	р-п-р	75	[401	15 (25) A	2 [30]		10+100	<15mA	>10	<0,8	—	—	Т34
гтеобБ	р-п-р	100	[65]	15 (25) A	2(30		10+100	<15mA	>10	<0,6	—	—	Т34
гтеоев	р-п-р	120	[30]	15 (25) A	2 [30		10+100	<15mA	>10	<0,6	—	—	Т34
ГТ8О6Г	р-п-р	50		15 (25) A	2 [30		10+100	<15mA	£10	<0,8	—	—	Т34
ГТ8О6Д	р-п-р	140	—	15 (25) A	2 [30		10+100	<15mA	>10	• <0,6	—	—	Т34
1TS13A	р-п-р	—	100	30 (40) A	1-5(50		i;-+so	<16mA	£5	<0,8	—	—	Т34
1Т813Б	р-п-р	—	125	30 (40) A	13 |Ы		lu.-tiO	<16mA	£5	<0,8	—	—	Т34
1Т813В	р-п-р		150	30 (40) A	1.5|5U		10+60	<16mA	£5	<0,8	—		Т34
1Т9О5А	р-п-р	75	75	3(7)A	1.2 [6		35+100	<2mA	£30	<0,5	<250	[<4000]	Т38
ГТ905А	р-п-р	75	75	3(7) A	1.2 [6		35+100	<2mA	£30	<0,5	<200	[<4000]	Т35
ГГ905Б	р-п-р	60	60	3(7)A	1.2 [6		35+100	<2mA	£30	<0,5	<200	[<4000]	Т35
ГГ9О6А(М)	р-п-р	75	75(130)	6A	|T5J(300)		30+150	[<8mA]	£30	<0,5	-	[<5000]	Т35(Т38)_
Тип транзистора	Структура	Окво (и), в	11кэн 1грКи)В	(и), мА	Ркшах ММ, Вт	11213 (h2ie)	1x50 (KW), мкА	tp-МГц	1)кэн, В [Кр],дб	СК,	КщдБ Ррк1,НС	№ рис.
КГ201А[*,')	п-р-п	20	20	30 (100)	0,15	20*60	<1	>10	—	<20	—	Т1а[Г19а)
КТ201Б(М)	п-р-л	20	20	30(100)	0,15	30*90	<1	£10	—	<20	—	T1a(T19a)
KT201BJM)	п-р-п	10	10	30(100)	0,15	30*90	<1	£10	—	<20	—	Т1а(Г19а)
КТ201Г(М)	п-р-л	10	10	30(100)	0,15	70+210	<1	£10	—	<20	—	Т1а(Т19а)
КТ201Д(М)	п-р-л	10	10	30(100)	0,15	30*90	<1	>10		<20	<15	Т1а(Т19а)
КТ203А(М)	р-п-р	60	60	10(50)	0.15	>я	<1	£5	—	<10	—	Т1а(Т19а)
КТ203Б(М)	р-п-р	30	30	10(50)	0,15	30*150	<1	£5	<1	<10	—	Т1а(Т19а}
КТ203В(М)	р-п-р	15	15	10(50)	0,15	30+200	<1	£5	<0,5	<10	—	Т1а(Т10а)
КТ208А(1)	р-п-р	20	20	150(300)	0.2	20*60	<1	£5	<0,4	<50	—	Т1б(Г19а)
КГ208Б(1)	р-п-р	20	20	150(300)	0.2	40+120	<1	£5	<0,4	<50	—	Т16(Т10а)
КТ208В{1)	р-п-р	20	20	150 (300)	0,2	60+240	<1	£5	<0,4	<50	<4	Т1б(Т19а)
КТ2О8Г0)	р-п-р	so	30	150(300)	0.2	20+60	<1	£5	<0,4	<50	—	Т1б(П9а)
КТ208Д1)	р-п-р	30	30	150 (300)	0.2	40+120	<1	£5	<0,4	<50	—	Т1б(Т19а)
КТ208Е{1)	р-п-р	30	30	150 (300)	0,2	60+240	<1	£5	<0,4	<50	<4	Т1б(Г19а)
КТ208Ж{1)	р-п-р	45	45	150 (300)	0,2	20*60	<1	£5	<0,4	<50	—	Т1б.(Т19а)
КТ208Щ1)	р-п-р	45	45	150 (300)	0.2	40+120	<1	£5	<0,4	<50	—	Т1б(Г19а)
КТ208К{1)	р-п-р	45	45	150 (300)	0.2	60+240	<1	£5	<0,4	<50	<4	Т1б (Т19а)
КТ208Л[1)	р-п-р	60	60	150 (300)	0.2	20*60	<1	£5	<0,4	<50	—	Т1б(Т19а)
КТ208М[1)	р-п-р	60	60	150(300)	0.2	40+120	<1	£5'	<0,4	<50	—	Т1б(Т19а)
КГ209А	р-п-р	15	15	300 (500)	0.2	20*60	<1	£5	<0,4	<50		Т19а(КБЭ)
КГ209Б	р-п-р	15	15	300 (500)	0,2	40+120	<1	£5	<0,4	<50	—	Т19а(КБЭ)
КГ209Б1	р-П-р	15	15	300 (500)	0,2	>12	<1	£5	<0,4	<50	—	Т19а(КБЭ)
КГ209Е	р-п-р	15	15	300 (500)	0,2	60+240	<1	£5	<0,4	<50	<5	Т19а(КБЭ)
КГ209В1	р-п-р	15	15	300 (500)	0,2	£30	<1	£5	<0,4	<50	<5	Т19а(КБЭ)
КГ209В2	р-п-р	15	15	‘300 (500)	0,2	£200	<1	£5	<0,4	<50	<5	Т19а(КБЭ)
КГ209Г	р-п-р	30	30	300 (500)	0,2	20*60	<1	£5	<0.4	<50	—	Т19а(КБЭ)
КГ209Д	р-п-р	30	30	300 (500)	0.2	40+120	<1	£5	<0,4	<50	—	Т19а(КБЭ)
КГ209Е	р-п-р	30	30	300 (500)	0,2	60+240	<1	£5	<0,4	<50	<5	Т19а(КБЭ)
КГ209Ж	р-п-р	45	45	300 (500)	0.2	20+60	<1	£5	<0,4	<50	—	Т19а(КБЭ)
КГ209И	р-п-р	45	45	300 (500)	0,2	40+120	<1	£5	<0,4	<50	—	Т19а(КБЭ)
КГ209К	р-п-р	45	45	300 (500)	0,2	60+160	<1	£5	<0,4	<50	<5	Т19а(КБЭ)
КТ209Л	р-п-р	60	60	300 (500)	0.2	20+60	<1	£5	<0.4	<50	—	Т19а(КБЭ)
КТ209М	р-п-р	60	60	300 (500)	0.2	40+120	<1	£5	<0,4	<50	—	Т19а(КБЭ)
КТ305А(М)	П-р-П	15	10	30(50)	0.15	20+60	<0,5	£300	<0,3	<5	<6	Т31б(Т19а)
КТЗОББ(М)	п-р-п	15	10	30(50)	0,15	40+120	<0,5	£500	<0,3	<5	<8	Т31б(Г19а)
КГ306В(М)	п-р-п	15	10	30(50)	0,15	20+100	<0,5	£300	<0,3	<5	<8	Т316(Г19а)
КГ306Г(М)	п-р-п	15	10	30(50)	0.15	40+200	<0.5	£500	<0,3	<5	<5	T316(T1Sa)
КГ306Д(М)	п-р-л	15	10	30 [50)	0,15	30+150	<!)£	£200	<0,3	<5	<8	Т31б(Т19а)
КТ3101А-2	п-р-л	15	15	20(40)	0.1	35+300	<0,5	£2250	[6+9,8]	<1,5	45	Т16
КТ31О1АМ	п-р-п	15	15	20(40)	0.1	35+300	<0,5	>2250	[6+9,8]	<1,5	<4,5	Т136
КТ31О2А(М)	п-р-п	50	50	200 (250)	0,25	100+200	<0,05	>200	—	<5	<10	Т1а(Т19а)
КТ31О2Б(М)	п-р-п	50	50	200(250)	0,25	200+500	<0.05	>200	—	<6	<10	Т1а(Т19а)
КТ3102В(М)	п-р-л	30	SO	200(250)	0,25	200+500	<0,015	£200	—	<6	<10	Т1а(Т19а)
КТ31О2Г(М)	п-р-л	20	20	200 (250)	0,25	400+1000	<0,015	£300	—	<8	<10	Т1а(Т19а)
КТ3102Д(М)	п-р-п	30	30	200 (250)	0,25	200+500	<0,015	>200	—	<6	<4	Т1а(Т19а)
КТ3102Е(М)	п-р-п	20	20	200 (250)	0,25	400+1000	<0,015	£300	—	<6	<4	Т1а(Т19а)
КТ3102ЖМ	п-р-л	50	50	200 (250)	0,25	100+250	<0,05	£200	—	<6	—	Т1а(Т19а)
КТ3102И{М)	п-р-п	50	50	200(250)	0,25	200+500	<0,05	£200	—	<6	—	Т1а(Т19а)
КТ3102К(М)	п-р-п	30	30	200 (250)	0,25	200+500	<0.015	>200	•-	<6		Т1а(Т19а)
КТ3107А	р-п-р	50	45	100(200)	0,3	70+140	<0.1	£250	<0,2	<7	<10	Т19а(КБЭ)
КТ31О7Б	р-п-р	50	45	100(200)	0,3	120+220	<0 1	£250	<0,2	<7	<10	Т19а(КБЭ)
КТЗЮ7В	р-п-р	30	25	100(200)	0,3	70+140	<0 1	£250	<0,2	<7	<10	Т19а(КБЭ)
КТ31О7Г	р-п-р	30	25	100(200)	0,3	120+220	<0 1	£350	<0,2	<7	<10	Т19а(КБЭ)
КТ3107Д	р-п-р	30	25	100 (200)	0,3	160+460	<0 1	£250	<0,2	<7	<10	Т19а(КБЭ)
КТ31О7Е ’	р-п-р	25	20	100 (200)	0.3	120+220	<0,1	£350	<0,2	<7	<4	Т19а(КБЭ)
КТ3107Ж	р-п-р	25	20	100 (200)	0,3	160+460	<0,1	£250	<0,2	<7	<4	Т19а(КБЭ)
КТ3107И	р-п-р	50	45	100(200)	0,3	160+460	<0,1	=£250	<0,2	<7	<10	Т19а(КБЭ)
КТ31О7К	р-п-р	30	25	100 (200)	0,3	380+800	<0,1	£250	<0,2	<7	<10	Т19а(КБЭ)
КТ31О7Л	р-п-р	25	20	100 (200)	0,3	380+800	<0,1	£250	<0,2	<7	<4	Т19а(КБЭ)
КТ31О8А£1)	р-п-р	60	60	200	0,3(0.36)	50+150	<0,2	£250	<0,25	1,4+5	<6	Т1а(Т19а)
КТ31О8Б£1)	р-п-р	45	45	200	0,3(0.36)	50+150	<0,2	£250	<0,25	1,4+5	<8	Т1а(Т19а)
КТ31О8В£1)	р-п-р	45	45	200	0,3(0.36)	100+300	<0,2	£300	<0,25	1,4+5	<6	Т1а(Т19а)
КТ31О9А(1)	р-п-р	SO	25	50	0,17	20+200	<0,1	>800	[>153	<1	<6	Т24(Т13а)
КТ3109Б(1)	р-п-р	25	20	50	0,17	20+200	<0,1	>800	[>13]	<1	<7	Т24(Т13а)
KT31OSB(1)	р-п-р	25	20	50	0,17	15+200	<0,1	>800	[>13]	<1	<8	Т24(Т13а]
Тип транзистора	Структура	СкБО (И),в	Икэл [грКн)В	Ikhwx (и), мА	Рктох [Т](И),БТ	11213 (Ь?1е)	sir	frp. МГц	Чкэн.В [Кр],дБ	СФ	К1),дБ Врас],ИС	№ рис.
КТ3115А-2	п-р-п	10	10	8,5	0,07	15+100	<0,5	£5800	(>5]	<0,6	<5	Т166
КТ3115В-2	п-р-п	10	10	е.5	0,07	15+110	<0,5	£5800	И	<0,6	<4,6	Т166
КТ3115Г-2	п-р-п	7	7	8.5	0,05	15+110	<0,5	£5800	|>4,4|	<0,6	<4	Т166
КТ3115Д-2	п-р-п	7	7	8,5	0,05	70+150	<0,5	£5800	1>8|	<0.5	<2,5	Т166
КТ3115А9	П-р-П	10	10	8,5	0,07	£70	<0,1	£6500	1>1Ь]	<0,5	<2	Т29
КТ3117А(1)	п-р-п	60	60	400 (500)	0,3	40+200	<10	£200	<0.6	<10	[<80]	Т1а(Т19а)
КГ3117Б	п-р-п	75	75	400 (ВОО)	0,3	100+300	<10	£200	<0,6	<10	1<80|	Т1а
КТ312А	п-р-п	20	20	30 (50)	0,225	10+100	<10	£80	<о,8	<5	[<1С0]	Т316
КГ312Б	п-р-п	35	35	30(50)	0,225	25+100	<10	>120	<о,е	<5	[<130]	Т316
KT312S	П-р-П	20	20	30 (60)	0,225	50+280	<10	>120	<0,8	<5	[<130|	Т316
КТ3120А(М)	п-р-л	15	15	20 (40)	0.1	£40	<0,5	£1800	[>1О]	<2	<2	Т13а
КГ3123А-2(М)	р-п-р	15	12	30(50)	0,15	20+120	<25	>4000	[5+13]	0,5+1	<3	Т16б(Т24)
КГ3123Б-2(М)	р-п-р	15	12	30 (50)	0,15	20+120	<25	>4000	(5+13]	0,5+1	<4	Т16б(Т24)
КГ31238-2(М)	р-п-р	10	10	30 (50)	0,15	20+120	<25	£3000	|5+13|	0,5+1	<3	Т16б(Т24)
КТ3126А	р-п-р	30	30	30	0,15	25+100	<0,5	£500	<1.2	<1,8	<5	Т19а
КТ3126Б	р-п-р	30	30	30	0,15	60+1БО	<0,5	£500	<1,2	<1,8	<5	Т19а
КТ3127А	р-п-р	20	20	25	0,1	25+150	<1	£500	—	<1	<5	Т1а
КТ3126А	р-п-р	40	40	20	0.1	- 15+150	<1	£700	[>14)	—	<5	Т1а
КТ3126А1	р-п-р	35	35	30	0,3	35+150	<0.1	>800	|>М|	—	<5	Т19а
КТ3128Б1	р-л-р	35	35	30	0,3	25+150	<0,1	-£600	[>14]	—	<5	Т19а
КТ3129А9	р-п-р	50	40	100(200)	0,15	30+120	<1	>200	<0.2	<10		Т29
КТ3129Б9	р-П-р	50	40	100 (200)	0,15	80+250	<1	>200	<0,2	<10	—	Т29
КТ3129В9	р-п-р	30	20	100(200)	0,15	80+250	<1	£200	<0,2	<10	—	Т29
КТ3129Г9	р-п-р	30	20	100(200)	0,15	200+500	<1	£200’	<0.2	<10	—	Т29
КТ3129Д9	р-п-р	20	20	100 (200)	0,15	200+500	<1	>200	<0,2	<10	—	Т29
КТ313А(1)	р-п-р	60	50	350(700)	0,3	30+120	<0,5	£200	<0.5	<12	—	Т1а(Т19а)
КГ313Б(1)	р-п-р	Б0	'50	350(700)	0,3	80+300	<0,5	>200	<0.5	<12	—	Т1а(Г19а)
КТ313В1	р-п-р	50	45	350(700)	0,3	200+520	<0,5	£200	<0,5	<12	—	Т19а
КТ313Г1	р-п-р	30	25	350(700)	0,3	400+800	<0,5	>200	<0,5	<12	-	Т19а
КТ3130А9	п-р-п	50	40	100	0.1	100+250	<01	£150	—	<12	-	Т29
КТ3130Б9	п-р-п	50	40	100	0.1	200+500	<0 1	£150	—	<12	—	Т29
КТ3130В9	п-р-п	30	20	100	0,1	200+500	<0,1	£150	—	<12	—	Т29
КТ3130Г9	п-р-п	20	15	100	0.1	400+1000	<0 1	£300	—	<12	—	Т29
КТ3130Д9	п-р-п	30	20	100	0,1	200+500	<01	>150	—	<12	<4	Т29
КГ3130Е9	п-р-п	20	15	100	0,1	400+1000	<0,1	£300	—	<12	<4	Т29
КТ3130Ж9	п-р-п	30	25	100	0.1	100+500	<0,1	>150	-	<12	<4	Т29
КТ3132А-2	П-р-п	10	10	8.5	0,07	15+150	<0,5	£5500	М	<5,5	<2$	Т15
КТ3132Б-2	п-р-п	10	10	8,5	0,07	15 + 150	<0,5	£5500	(>4|	<5,5	<5	Т15
КТ3132В-2	П-р-П	10	10	8,5	0,07	15+150	<0,5	£5500	!>5]	<5,5	<5	Т15
КТ3132Г-2	п-р-п	10	10	8,5	0,07	15 + 150	<0.5	£5500	И]	<5,5	<3,8	Т15
КТ3132Л-2	п-р-п	10	10	8,5	0,07	£20	<0.4	£5500	Ml	<5,5	<2	Т15
КТ3132Е-2	п-р-п	10	10	8,5	0,07	£70	<0,5	£5500	HI	<5,5	<2$	Т15
КТ3143А	п-р-п	10	10	30 (50)	0.15	40+300	<0,5	£800	<0,4	<3	—	Т19а(КБЭ)
КТ3144А	п-р-п	15	15	20 (40)	0,15	>40	<0,5	£1800	-	<1.9	<2	Т19а(КБЭ)
КТ315А	п-р-п	—	25	100	0,15	30+120	[<1]	£250	<0,4	<7	—	Т12а(ЭКБ)
КТ315Б	п-р-п	—	20	100	0,15	50+350	1<1)	£250	<0.4	<7	—	Т12а(ЭКБ)
КТ315В	П-р-П	—	40	100	0,15	30+120	[<1]	£250	<0.4	<7	—	Т12а(ЭКБ)
КТ315Г	п-р-п	—	35	100	0,15	50+350	1<1]	£250	<0,4	<7	—	Т12а(ЭКБ)
КТ315Г1	п-р-п	—	35	100	0,15	100+350	КП	£250	<0,4	<7	—	Т12а(ЭКБ)
КТ316Д	п-р-п	—	40	100	0.15	20+90	Е<1]	£250	<0,6	<7	—	Т12а(ЭКБ)
КТ315Е	п-р-п		35	100	0,15	50+350	КП	£250	<0.6	<7	—	Т12а(ЭКБ)
КТ315Ж	п-р-п	—	20	50	0.1	30+250	(<W)	£250	<0,5	<10	—	Т12а(ЭКБ)
КТ315И	п-р-п	—	60	50	0.1	азо	[<1С0]	£250	<0.9	<10	—	Т12а(ЭКБ)
КГ315Н	п-р-п	—	20	100	0.1	50+350	КП	£250	<0,4	<7	—	Т12а(ЭКБ)
КТ315Р	п-р-п	—	35	100	0,1	150+350	КП	£250	<0,4	<7		Т12а(ЭКБ)
КТ3151А9	п-р-п	—	60(30}	100(150)	0.2	£20	[<1]	£100	<0,6	<15	—	Т29
КТ3151Б9	п-р-п	—	Б0[30]	100 (150)	0.2	зо+эо	КО	£100	<0,6	<15	—	Т29
КТ3151В9	п-р-п		60(60]	100 (150)	0.2	40+120	КП	>100	<0,6	<15	—	Т29
КТ3151Г9	п-р-п	—	40(40]	100 (150)	0,2	40+120	КП	£100	<0,8	<15	—	Т29
КТ3151Д9	П-р-п	—	30(30]	100 (150)	0,2	>80	[<1]	>100	<0,8	<15	—	Т29
КТ3151Ё9	п-р-п	—	20(20]	100 (15'0)	0.2	£40	КП	£100	<0,8	<15	—	Т29
КТ3153А9	п-р-п	60	32(50]	400 (500)	0,3	100 + 300	<0,05	£250	<0,35	<4,5	(<400]	Т29 _
Тип транзистора	Структура	Окво (и). В	Икэа [Ф1(н}В	(и), мА	Ркшах [тЦи),Вт	(haie)	(КБО ООО), мкА	ftp. МГц	Скэн, В [Кр),дБ	Ск,	КидБ [t₽«]l«C	№ рис.	
КТ3157А	р-п-р	250	250	30(100)	0,2	>50	<0.1	>60	<1	<3	-	Т196(КЭБ)	
KT316AJM)	п-р-п	10	10	30(50)	0,15	20+60	<0,5	&600	<0,4	<3	[<1О|	Т1а(Т10а)	
|КТ316Б(М)	п-р-п	10	10	30 [50)	0,15	40+120	<0,5	>800	<0,4	<3	[<10|	Т1а(Т10а)	
КТ316В(М)	п-р-п	10	10	30 (50)	0,15	40+120	<0.5	>800	<0,4	<3	[<15)	Т1а(Т19а)	
КТ316Г(М)	п-р-п	10	10	30 (50)	0,15	20+100	<0,5	>600	<0,4	<3	—	Т1а(Т19а)	
КТ316Д(М)	п-р-п	10	10	30 (50)	0,15	60+300	<0,5	>800	<0,4	<3	—	Т1а(Г10а)	
КТ3165А	р-п-р	40	35	30	0,16	>25	<0.1	>750	. -	<0,65	<8	Т24	
КТ3168А9	п-р-п	1S	15	28(56)	0,18	60+160	<05	£3000	[>7]	<1,5	<3	Т29	
КТ325А{М)	п-р-п	15	15	30(60)	0,225	30+90	<0,5	>800	-	<2.5	...	731 (Т196)	
КТ325Б(М)	п-р-п	15	15	30(60)	0,225	70+210	<0.5	>800	—	<2,5	—	Т31 (Т196)	
КТ325В{М)	п-р-п	15	15	30(60)	0,225	160+400	<05	>1000	—	<23	-	Т31 (Г196)	
КТ325А{М)	р-п-р	20	15	50	0,2	20+70	<05	>250	<0,3	<5	—	Т1а(Т19а)	
КТ326Б(М)	р-л-р	20	15	50	0,2	45+160	<0,5	>400	<0,3	<5	—	Т1а(Г10а)	
КТ339А(М)	п-р-п	40	25	25	0,28	>25	<1	5:300	(>24[	<2	-	Т16 (Т196)	
КТ342А(М)	п-р-п	—	30	50 (300)	0,25	100+250	<0,05	>250	<0,1	<6	—	Т1а(Т10а)	
КТ342Б(М)	п-р-п	—	25	50 (300)	0,25 ,	200+500	<0,05	£30.0	<0,1	<8	—	Т1а(Т10а)	
I КТ342В(М|	п-р-п	—	10	50 (300)	0,25	400+1000	<0,05	>300	<0,1	<8	—	Т1а(Т19а)	
КТ342ГМ	п-р-п	—	30	50 (500)	0,25	100+250	<0,05	>250	<0 1	<8	—	Т19а(КБЭ)	
I КТ342ДМ	п-р-п	—	25	50(300)	0,25	200+500	<0,05	>150	<0,1	<В	—	Т19а(КБЭ)	
 КТ345А	р-п-р	20	20	200(300)	0,3 (0,6)	20+60	<0,5	>350	<0,3	<15	(<70|	Т19а(КБЭ)	
КТ345Б	р-п-р	20	20	200 (300)	О,3(0,6)	50+85	<о.5	>350	<0.3	<15	[<70|	Т19а(КБЭ)	
. КТ345В	р-п-р	20	20	200 (300)	0,3 (0,6)	70+105	<0,5	£350	<0,3	<15	[<70[	Т19а(КБЭ)	
КТ347А	Р-П-Р	15	15	50(110)	0,15	30+400	<1	>500	<0,3	<8	[<25]	Т1а	
КТ347Б	р-п-р	9	9	50(110)	0,15	30+400	<1	>500	<0,3	<8	[<25]	Т1а	
• КТ347В	р-п-р	6	6	50 [110)	0,15	50+400	<1	£500	<0,3	<6	[<40)	Т1а	
КТ349А	р-п-р	20	1S	(40)	0,2	20+60	<1	>300	<0,3	<6	—	Т1а.Т19а	
КТ349Б	р-п-р	20	15	(40)	0.2	40+160	<1	5:300	<0,3	<6	—	Т1а,Т19а	
КГ349В	р-п-р	20	15	(40)	0,2	120+300	<1	5300	<0,3	<8	—	Т1а.Т19а	
! КТ350А	р-п-р	20	15	(600)	0,3	20+200	<1	ысо	<1	<70	—	Т19а(КБЭ)	
• КГ351А	р-п-р	20	15	(400)	0,3	20+60	<1	>200	<0,8	<20	—	Т19а (КБЭ)	
' КГ351Б	р-л-р	20	15	(400)	0,3	50+200	<1	>200	<0,9	<20	—	Т19а(КБЭ)	
1 КТ352А	р-п-р	20	15	(200)	0,3	25+120	<1	>200	<0,6	<15	—	Т19а (КБЭ)	
, КТ352Б	р-п-р	20	15	(200)	0,3	70+300	<1	5200	<0,8	<15	[<150]	Т19а(КБЭ)	
; КТ355АМ	п-р-п	15	15	30 (60)	0,225	60+300	<0.5	>1500	-	<2		Т19а (КБЭ)	
КТ361А	р-п-р	25	25	100	0,15	20+90	<1	>250	<0,4	<9	—	Т12а(ЭКБ)	
 КГ361А1	р-п-р	25	25	100	0,15	20+90	<1	>150	<0.4	<8	—	Т12а(ЭКБ)	
КТ361Б	р-п-р	20	20	100	0,15	50+350	<1	>250	<0,4	<9	—	Т12а(ЭКБ)	
КГ361В	р-п-р	40	40	100	0,15	40+160	<1	>250	<0.4	<7	—	Т12а(ЭКБ)	
 КГ361Г	р-п-р	35	35	100	0,15	50+350	<1	>250	<0.4	<7	—	Т12а(ЭКБ)	
 КТ361Г1	р-п-р	35	35	100	0,15	100+350	<01	>250	<0.4	<7	—	Т12а(ЭКБ)	
I КТ361Д	р-п-р	40	40	50	0,15	20+90	<1	>250	<1	<7	—	Т12а(ЭКБ)	
; КТ361Д1	р-п-р	40	40	50	0,15	20+90	<1	>150	<1	<7	—	Т12а(ЭКБ)	
' КГ361Е	р-п-р	35	35	50	0,15	50+350	<1	£250	<1	<7	—	Т12а(ЭКБ)	
КТ361Ж	р-п-р	10	10 	50	0,15	50+360	<1	>250	<1	<3	—	Т12а(ЭКБ)	
КГ361И	р-п-р	15	15	50	0,15	£250	<1	£250	—	<8	—	Т12а(ЭКБ)	
КТ361К	р-п-р	60	60	50	0,15	50+350	<1	>250	—	<7	—	Т12а(ЭКБ)	
i КГ361Л	р-п-р	20	20	100	0,15	50 + 350	<0,1	£250	<0,3	<8	—	Т12а(ЭКБ)	
. КГ361М	р-п-р	40	40	100	0.15	70 + 160	<0.05	>250	<0,3	<7	—	Т12а(ЭКБ)	
KT3S1H	р-п-р	45	45	50	0,15	20 + 90	<0,5	>150	<1	<7	—	Т12а(ЭКБ)	
; КТ361П	р-п-р	50	50	50	0,15	100 + 350	<0.1	>300	<0,3	<7	—	Т12а(ЭКБ)	
, КТ363А(М)	р-п-р	15	15	30(50)	0,15	20+120	<05	>1200	<0,35	<2	[<10]	Т1а(Т19а)	
 КТЗбЗБ(М)	р-п-р	15	12	30(50)	0,15	40+120	<0,5	£1500	<0,35	<2	[<5|	Т1а(Т19а)	
’• КТ368А(М)	П-р-П	15	15	30(60)	0,225	50+450	<0,5	£900	-	<1,7	<3.3	ТЗа (Т10а)	
. КТ368Б(М)	п-р-п	15	15	30(60)	0,225	50+450	<0,5	>900	—	<1 7	—	ТЗа (Г19а)	
КГ358ВМ	п-р-п	15	15	30 (60)	0,225	100+450	<0,5	>900	—	<1.7	-	Т19а	
КТ368А9	п-р-п	15	15	30 (60)	0.1	50+450	<05	£900	-	<1 7	<3,3	Т29	
, КТ368Б9	П-р-П	15	15	30 (60)	0.1	50+450	<0,5	>900	—	<1.7	—	Т29	
: КТ371А	п-р-л	10	10	20 (40)	0,1	30+240	<05	£3000	-	<15	<5	Т13а	
Тип транзистора	Структура	(и), в	СкэЯ [ф<(и)В	k max (и), мА	Рктах [т1(и),вт	(h»1e)	1км pooj, мкА	frp. МГц	Икэн.в (Кр],дБ	Сх,	КхЛБ [W.HC
КТ372А	п-р-п	15	15	10	0,05	>10	<05	>2400	[>10]	<1	<35
КТ372Б	п-р-п	15	15	10	0,05	>10	<0.5	азооо	(>10]	<1	<5,5
КТ372В	п-р-п	15	15	10	0,05	аю	<0,5	£2400	[>10]	<1	<5,5
КТ382А[М)	п-р-п	15	10	20(40)	0,1	40+330	<05	>1800	—	<2	<3
КТ382Б{М)	п-р-п	15	10	20(40)	0.1	40+330	<05	>1800	-	<2	<4,5
КТ391А-2	л-р-л	15	10	10	0,07	20+150	<0,5	>5000	И	<0.7	<45
КТ391Б-2	п-р-л	15	10	10	0,07	20+150	<0,5	>5000	И)	<0.7	<5,5
КТ391В-2	п-р-п	10	10	10	0.07	20+150	<05	>4000	И	<0.7	<8
КТ399А	п-р-п	15	15	20 (40)	0.15	40 + 170	<0.5	>1800	[>115[	<1.7	<2
КТ399АМ	П-р-П	15	15	30 (60)	0,15	40+170	<0,5	>1800	М1.5)	<1.7	<2
КТ501А	р-п-р	15	15,	300(500)	0.35	20+60	<1	>5	0.4	<50	-
КТ501Б	р-л-р	15	15	300 (500)	0,35	40+120	<1	£5	0.4	<50	—
КТ501В	р-л-р	15	15	300 (500)	0,35	80+240	<1	£5	0.4	<50	<4
КТ501Г	р-л-р	30	30	300(500)	0,35	20+60	<1	£5	0.4	,<50	—
КТ50ТД	р-п-р	30	30	300(500)	0,35	40+120	<1	£5	0,4	<50	—
КТ501Е	р-п-р	30	30	300(500)	0,35	80+240	<т	£5	0.4	<50	<4
КТ501Ж	р-п-р	45	45	300(500)	0,35	20+60	<1	£5	0,4	<50	—
КТ501И	р-л-р	45	45	300(500)	0,35	40+120	<1	£5	0,4	<50	—
КТ501К	р-л-р	45	45	300 (500)	0,35	80+240	<1	£5	0,4	<50	<4
КТ501Л	р-л-р	60	60	300(500)	0,35	20+60	<1	. £5	0.4	<50	—
КТ501М	р-п-р	60	60	300(500)	0,35	40+120	<1	>5	0,4	<50	—
КТ502А	р-п-р	40	[25)	150(350)	0,35	40+120	<1	£5	<0,8	<20	—
КТ502Б	р-п-р	40	(25)	150(350)	0,35	80+240	<1	£5	<0,6	<20	—
КТ502В	р-п-р	60	[40]	150(350)	0,35	40+120	<1	£5	<0,8	<20	—
КТ502Г	р-п-р	60	[40]	150 (350)	0,35	80+240	<1	£5	<0,8	<20	
КТ502Д	р-п-р	60	[60]	150(350)	0,35	40+120	<1	£5	<0,6	<20	—
КТ502Е	р-п-р	во	(60]	150(350)	0,35	40+120	<1	£5	<0,6	<20	—
КТ503А	П-р-П	40	[25)	150(350)	0,35	40+120	<1	£5	<0,6	<20	—
КТ503Б	п-р-п	40	[25]	150 (350)	0,35	80+240	<1	£5	<0,8	<20	—
КТ503В	п-р-п	60	[40]	150 (350)	0,35	40+120	<1	>5	<0,8	<20	—
КТ503Г	п-р-п	60	(40)	150(350)	0,35	80+240	<1	£5	<0,6	<20	—
КТ503Д	п-р-п	80	(50)	150(350)	0,35	40+120	<1	£5	<0,8	<20	—
КТ503Е	п-р-п	100	(50)	150(350)	0,35	40+120	<1	25	<0,6	<20	—
КТ504А	п-р-п	400	350	1(2) А	1(10)	15+100	<100	£20	<1	<30	[<2.7]
КТ504Б	п-р-л	250	200	1(2)А	1[Ю)	15+100	<100	£20	<1	<30	[<2.7]
КГ504В	п-р-л	300	275	1(2) А	НЮ]	15+100	<100	220	<1	<30	[<2,7]
КГ505А	р-п-р	300	300	1(2)А	410]	25+140	<100	220	<1,8	<70	[<2,6]
КТ505Б	р-п-р	250	250	1(2)А	1(10]	25+140	<100	220	<1,8	<70	!<2,6]
КГ506А	п-р-п	800	800	2 (5) А	0,8 [Ю)	30+150	<1мА	>10	<0,6	<40	(<15)
КГ505Б	п-р-п	600	600	2 (5) А	0.8 [10]	30+150	<1мА	>10	<0.5	<40	1<1Д]
2Т509А	р-л-р	500	450	20	0,3 [1J	15+100	<05	>15	<1	<2,9	-
КТ517А’	п-р-п	30	30	500	0,5	£5000	<0.11<1]	>125	<15	—	-
КГ517Б*	п-р-п	30	30	500	0,5	>10000	<0,1 (<1]	>125	<15	—	—
КТ517В*	п-р-п	40	40	500	0,6	>10000	<0.1 [<1]	>125	<1.5	—	—
КТ517Г'	п-р-п	50	50	500	0,5	£2000	<0.1 [<1]	>125	<15	—	—
КТ517Д'	п-р-п	50	50	500	ОД	>10000	<0.1 [<1]	>125	<15	—	—
КТ517Е*	п-р-л	60	60	500	0,5	>10000	<0.1 [<1]	>125	<1.5	—	—
КТ517Ж*	п-р-п	40	(40]	500	0,5	10М05	<0,1 [<1]	>125	<1.2	<15	<10
КГ520А	п-р-п	300	300	500	0.625	£40	<100	>50	<05	<3	-
КТ520Б	п-р-п	200	200	500	0,625	£40	<100	250	<0,4	<4	-
КТ521А	р-л-р	300	300	500	0,625	>40	<100	250	<05	<3	-
КГ521Б	р-п-р	200	200	500	0,625	>40	<100	250	<0,4	<4	—
КТ523А*	р-п-р	30	30	500	0,5	>5000	<0.1 [<1]	>125	<15	-	—
КТ523Б-	р-п-р	30	30	500	0,5	>10000	<0.1 [<1]	£125	<15	—	..
КТ523В'	р-п-р	40	40	500	0,5	>10000	<0.1 [<1]	£125	<15	—	—
КТ523Г*	р-п-р	50	50	500	0,5	>2000	<0.1 [<1]	>125	<15	—	—
КТ523Д'	р-п-р	50	50	500	0,5	>10000	<0.1 [<1)	2125	<1,5	—	—
КТ523Е*	р-л-р	60	60	500	0,5	>10000	<0.1 [<1]	>125	<1,5	—	W-
КГ523Ж*	р-л-р	40	[40]	500	0,5	1ОМО5	<0,1 (<1 J	>125	<1,2	<15	<10
рис.
Т17а
Т17а
Т17а
Т13а(Т13а)
Т13а(Т13а)
Т1Б6
Т166
Т166
ТЗа
Т19а(КБЭ)
Т16 Т1б Т1Б Т1б Т1б Т1б Т1б Т16 Т1Б Т1б Т1б
Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ)
Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ)
Т5
Т5
Т5
Т5
Т5
Т5
Т5
Т19а(КБЭ)
Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ)
Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ)_ Т19в(ЭБК) Т19в (ЭБЮ Г19в (ЭБК)
Т19в(ЭБК)
Т19а(К53)
Т19а(КБЭ)
Т19а(КБЭ)
Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ). Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ)
Тип транзистора	Структура	Ukso (И) в	Скэн [гр1(и)В	'(За	Ркгпак [т]Вт	fi213 [Рвых], Вт	рзо] мкА	f>p. МГц	Uksh, В (М. дБ	Ск, пФ	ten, мкс fa]™	№ рис.
КТ601А(М)	п-р-я	100	100	0,03	0,25(0,5)	216	(<300]	240	-	<15	[<15]	Т326(Г22а)
КГ602А(М)	п-р-п	120	100	0,075(0,5)	0.85(2,8]	20+60	<70	>150	<3	<4	(<300]	ТЗЗа(Т22а)
КТ602Б(М)	п-р-п	120	100	0,075(0,5)	0,85(2,8]	50+200	<70	>150	<3	<4	(<300)	ТЗЗа(Т22а)
КТ602В	Л-р'-’П	30	60	0,075(0,5)	0,85(2,8]	15+80	<70	>150	<3	<4	(<300)	ТЗЗа
КТ602Г	п-р-п	60	во	0,075(0,5)	0,85(2,8]	>50	<70	>150	<3	<4	(<300]	ТЗЗа
KTS03A	п-р-п	30	30	0.3(0,61	03	10+80	<10	=>200	<1	<15	(<4001	Т326
КТ603Б	п-р-п	30	30	0,3 (0,5)	0,5	гео	<10	>200	<1	<15	(<400]	Т326
КГ603В	п-р-п	15	15	0,8 (0,5)	03	10+80	<5	>200	<1	<15	(<400]	Т326
КТ603Г	п-р-п	15	15	0.3 (0,6)	0,5	260	<5	>200	<1	<15	(<400]	Т325
КТ603Д	п-р-п	10	10	03(0.5)	03	20+80	<1	>200	<1	<15	|<®0]	Т325
КТ603Е	п-р-п	10	10	0,3 (0,6)	0.5	60+200	<1	>200	<1	<15	[<400)	Т326
2Т603И	П-р-П	30	30	0.3(0,8)	0,5	220	<3	>200	<1.2	<15	(<400]	Т325
КТ604А(М)	п-р-п	300	250	0.2	0Д(3)	10+40	(<20)	>40	<8	<7	—	ТЗЗа(Т22а)
КГ804Б(М)	п-р-п	300	250	0,2	03(3)	30+120	1<20]	240	<8	<7	—	ТЗЗа(Т22а)
КТ605А(М)	П-р-П	300	250	0.1 (ОЛ	0,4	10+40	(<20]	>40	<8	<7	-	Т326(Т22а)
КГ605Б(М)	п-р-п	300	250	о,1 (0.2)	0,4	30+120	(<20]	240	<6	<7	—	Т32б(Т22а]
КТ606А	П-р-п		66(70)	0,4 (0,8)	{2,5)	(>031	[<1ДмА]	235	<1	<10	(<10]	Т8а
КТ6О6Б '	П-р-П	—	65(70)	0.4(0,В)	12.5)	(>031	(<1ДмА]	235	<1	<10	(<12]	Т8а
КТ609А	п-р-п	60(80)	60(80)	0,4 (0,8)	оз	20+80	<10	—	<1	<15	—	Т326
- КТ6О0Б	п-р-п	60(80)	60(60)	0.4 (0,8)	0,5	40+160	<10	—	<1	<15	—	Т326
КТ610А	П-р-П	28	28	0,3	1,5	50+300	<500	>1000		<4,1	(<55)	Т14а
КТ610Б	п-р-п	28	28	0,3	13	20+300	<500	2700	—	<4,1	]<22]	Г14а
КТ61О9А	р-п-р	40	20(20)	°3	0,625	64+91	<0.1	—	<0,6	—	—	Т19а(ЭБК)
КТ61О9Б	р-п-р	40	20(20]	0,6	0,625	7В+112	<0,1	—	<0,6	—	—	Т19в(ЭБК)
КТ6109В	р-п-р	40	20(20)	0,5	0.625	96+135	<0,1	—	<0,6		—	Т19в(ЭБК)
КТ6109Г	р-п-р	40	20(20]	0,5	0,625	112+168	<0,1	—	<0,6	—	—	Т19в(ЭБК)
КТ6109Д	р-п-р	40	20(20]	03	0,625	144+202	<0.1	—	<0,8	—	—	Т19а(ЭБК]
’• КГ611АМ	п-р-п	200	160	0.1	0,8(3)	10+40	(<100]	>80	<0,6	<5	|<200|	Т22а(ЭКБ)
: КТ611БМ	п-р-п	200	160	0,1	03(3)	30+120	(<100)	260	<0.8	<5	(<200]	Т22а(ЭКБ)
КГ6110А	п-р-п	40	20(20]	0,5	0.625	64+91	<01	—	<0,8	—	—	Т19в(ЭБК)
КТ6110Б	п-р-п	40	20(20]	0.5	0,625	78+112	<0.1	—	<0,8	—	—	Т19в (ЭБК)
КГ6110В	п-р-п	40	20(20]	0,5	0,625	96+135	<0.1		<0,8	—	—	119а (ЗБК)
: КТ6110Г	п-р-п	40	20 (20]	0,5	0,625	112+166	<0.1	—	<0,8	--	—	Т19в(ЭБК)
КТ6110Д	п-р-п	40	20(20)	05	0,625	144+202	<0,1	—	<0,6	—	—	Т19в (ЭБК)
 КТ6111А	п-р-п	50	45(45]	0.1	0,45	60+150	<0,05	>150	<0,3	<3,5	Кш<10	Т19в(ЭБК)
• КТ6111Б	п-р-п	50	45(45]	0.1	0,45	100+300	<0,05	2150	<0,3	<3,5	Кш<10	Т19в(ЭБК)
КТ6111В	п-р-п	50	45(45]	0,1	0,45	200+500	<0,05	>150	<0.3	<33	Кш<10	Т19в(ЭБК)
КТ6111Г	п-р-п	50	45(45]	0,1	0,45	400+1000	<0,05	2150	<03	<зз	Кш<ю	Т19в (ЭБК)
: КТ6112А	р-п-р	50	45(45]	0,1	0,45	60+150	<0,05	>100	<0,7	<7	Кш<10	Т19в(ЭБК)
КТ6112Б	р-п-р	50	45(45]	0.1	0,45	100+300	<0,05	2100	<0.7	<7	Кш<10	Т19в(ЭБК)
КТ6112В	р-п-р	50	45(45]	0.1	0,45	200+600	<0,05	2100	<0,7	<7	Кш<10	Т19а(ЭБК)
КГ6113А	П-р-п	30	15(15]	0,05	0,4	28+45	<0,05	>700	<0,5	<1.7	—	Т19в (ЭБК)
• КТ6113Б	п-р-п	30	15(15]	0,05	0,4	39+60	<0,05	>700	<0,5	<1.7	—	Т19а(ЭБК)
! КТ6113В	п-р-п	30	15(15]	0,05	0.4	54+80	<0,05	>700	<03	<1.7	—	Т19а(ЭБК)
I КТ6113Г	п-р-п	30	15(15]	0,05	0,4	72+108	<0,05	>700	<03	<17	—	Т19а(ЭБК)
КТ6113Д	п-р-п	30	15(15]	0,05	0.4	97+145	<0.05	>700	<03	<17	—	Т19а(ЭБК)
КТ6113Е	П-р-п	30	15(15]	0,05	0.4	132+198	<0.05	>700	<03	<17	—	Т19в(ЭБК)
|кГ6114А	п-р-п	40	25(25)	13	1	85+160	<0,1	2100	<0,5	9	—	Т19а(ЭБК)
||КТ6114Б	п-р-п	40	25(25)	13	1	120+200	<0,1	>100	<оз	9	—	Т19в(ЭБК)
[ (КТ6114В	п-р-п	40	25(25]	1,5	1	160+300	<01	>100	<03	9	—	Т19в(ЭБК)
Н|КТ6114Г	п-р-п	40	25(25]	1.1	0,7	85+160	<0 1	2100	<0,5	9	—	Т19а(ЭБК)
. КТ6114Д	л-р-п	40	25(25]	1.1	0.7	120+200	<0.1	>100	<0.5	9	—	Т19в (ЭБК)
[КТ6114Е	п-р-п	40	25(25]	1.1	0.7	160+300	<0.1	>100	<оз	9	—	Т19в (ЭБК)
[]КТ6115А	р-п-р	40	25(25)	13	1	85+160	<0.1	>100	<0,5	15	—	Т19в(ЭБК)
КТ6115Б	р-п-р	40	25(25]	1.5	1	120+200	<0.1	2100	<03	15	—	Т19а(ЭБК)
KT611SB	р-п-р	40	25(25]	13	1	160+300	<0.1	2100	<оз	15	—	Т19а(ЭБК)
КТ6115Г	р-п-р	40	25(25]	1.1	0.7	85+160	<01	2100	<0,5	15	—	Т19в(ЭБК)
’'КТ6115Д	р-п-р	40	25(25)	1.1	07	120+200	<0,1	>100	<03	15	—	Т19в(ЭБК)
КТ6115Е	р-п-р	40	25(25)	1,1	0,7	160+300	<0,1	>100	<03	15	-	Т19в(ЭБК)
Тип транзистора	Структура	Скво М в	Окай 1гр1(и)В	Ьсгпвх (и) А	Ркгпвх МВт	1121Э [Рвых],Бт	1кбо [K30J мкА	tip. МГц	Вкэн, В [Кур), ДБ	Ск, пФ	ten, мкс [Тх]лс	№ рис.
КТ6116А	р-п-р	160	150	0,6	0,625	В0+240	<0,05	5100	<0,5	<8	—	Т19в (ЭБК)
КТ6116Б	р-л-р	130	120	0,6	0,625	40+160	<0,1	5100	<0.5	<6	—	Т19в(ЭБК)
КТ6117А	п-р-п	160	160	ОД	0,625	80+250	<0.05	>100	<0.2	<6	—	Т19в(ЭБК)
КТ6117Б	п-р-п	160	140	0.6	0,625	60+250	<0,1	>100	<0,25	<6	—	Т19в(ЭБК)
КТ6127А	р-п-р	—	90	2	ОД	1>30	(<20[	>150	<0,15	—	—	Т'19а(КБЭ)
КТ6127Б	р-п-р	—	70	2	од	530	[<2Э|	>150	<0,15	—	—	Т19а(КБЭ)
КТ6127В	р-п-р	—	50	2	ОД	>50	|<2С|	5150	<0,3	—	--	Т19в(КБЭ)
КТ6127Г	р-п-р	—	30	2	од	>50	|<20|	>150	<0,3	—	—	Т19а(КБЭ)
КТ6127Д	р-п-р	—	20	2	од	>50	[<20|	5150	<0,3	—	—	Т19а(КБЭ)
КТ6127Е	р-л-р	—	10	2	од	>50	[<20]	>150	<0Д	—	—	Т19а(КБЭ)
КТ6127Ж	р-п-р	—	120	2	од	>30	[<20]	5150	<0,2	—	—	Т19а(КБЭ)
KJ6127I4	р-л-р		160	2	ОД	530	[<20]	5150	<0,2	—	—	Т19а(КБЭ)
КТ6127К	р-п-р	—	200	2	од	530	(<20)	>150	<0,25	—	—	Т19а(КБЭ)
КТ6128А	п-р-п	30	20	0,025	0,4	28+145	0.1	>400	од	—	—	Т19в (ЭБК)
КТ6128Б	п-р-п	30	20	0.025	0,4	39+60	6,1	>400	од		—	Т19в(ЭБК)
KTS128B	в-р-п	30	20	0.025	0,4	54+80	0,1	5400	од	—	—	Т19в(ЭБК)
КТ6128Г	п-р-п	30	20	0.025	0,4	72+108	0.1	5400	од	—		Т19а(ЭБК)
КТ6128Д	п-р-п	30	20	0.025	0,4	97+1146	о,1	5400	0,3	—	—	Т19а(ЭБК)
КТ6128Е	п-р-п	30	20	0.025	0,4 .	132+198	0.1	5400	од	—	—	Т19в (ЭБК)
КТ6135А	п-р-п	400	400	од	ОД	50+500	<0.1	>100	<0,5	<3	—	Т19а(КБЭ)
КГ6135Б	п-р-п	300	300	0.5	од	50+500	<0.1	>100	<0Д	<3	—	Т19а(КБЭ)
KTS135B	П-р-п	200	200	0.5	ОД	50+500	<0,1	5100	<0,4	<4	—	Т19а(КБЭ)
КТ6135Г	п-р-л	100	100	С,5	од	50+500	<0,1	>100	<0.4	<4	—	Т19а(КБЭ)
КТ6136А	р-л-р	40*	40	0.2	0,625	100+300	<0,05	>250	<0,4	<4.5	-	Т19в [ЭБК)
КТ6137А	П-р-П	60	40	0.2	0Д25	100+300	<0,05	>300	<0Д	<4	-	Т19в(ЭБК)
КТ626А	р-л-р	45	45	ОД [1.5)	[6Д]	40+250	<10	>75	<1	<150	[<5oq	Т226 (БКЭ)
КТ626Б	р-п-р	60	60	0,5 (1,5)	[6Д1	30+100	<50	>75	<1	<150	[<500]	Т226 (БКЭ)
КТ626В	р-п-р	80	60	0,5 (1Д)	(6Д).	40+120	<50	>75.	<1	<150	[<500]	Т226 (БКЭ)
КТ626Г	р-п-р	20	20	ОД (1.5)	[6Д]	15+60	<150	>45	<1	<150	[<500]	Т22б(БКЭ)
КТ626Д	р-п-р	20	20	0,5 (1,5)	[6Д]	40+250	<150	545	<1	<150	[<500]	Т22б(БКЭ)
КГ626Е	р-п-р	30	30	1Д	[6Д]	80+160	<100	580	<0,25	—	(<500]	Т22б(БКЭ)
КТ626Ж	р-п-р	25	25	1Д	[6Д1	5150	<100	>60	<0,25	—	(<500]	Т22б(БКЭ)
КТ630А	п-р-п	120	120	1(2)	од	40+120	<1	>50	<0Д	<15	—	Т5
КГ630Б	п-р-п	120	120	1(2)	од	80+240	<1	>50	<0Д	<15	—	Т5
КГ630В	п-р-п	150	150	1(2)	од	40+120	<1	>50	<0Д	<15	—	Т5
КТ63ОГ	п-р-п	100	100	1(2)	од	40+120	<т	550	<0Д	<15	—	Т5
КГ63ОД	п-р-п	60	60	1(2)	од	80+240	<1	>50	<од	<15	—	Т5
КТ630Е.	п-р-п	60	60	1(2)	од	160+480	<1	>50	<0,3	<15	—	I5
2Т632А	р-п-р	120	120	0.1 (0,35)	0,5(1)	>50	<1	5200	<0,5	<5	(<100]	Т5
КТ632Б	р-п-р	120	100	0.1 (0,35)	0Д(1)	530	<1	>200	<0Д	<6	(<100[	|5
КТ632Б1	р-п-р	110	110	0,1 (0,35)	ОД [1)	30+350	<1	5200	<0,8	<8 .	(<100)	Т19а(КБЭ)
КТ632В1	р-п-р	110	110	0.1 (0.35)	ОД П)	150+450	<1	5200	<0,8	<6	[<100)	Т19а(КБЭ)
2Т633А	п-р-п	30	30	ОД (ОД)	0.36 [1,2]	40+140	<3	5500	<од	<2,5	(<25|	Т19а(КБЭ)
КГ633Б	п-р-п	30	30	ОД (ОД)	0,36 [1,2]	20+160	<10	5500	<0,6	<4,5	|<2Ь|	Т 19а (КБЭ)
2Т635А	п-р-п	60	60	1(1.2)	од	25+150	<10	>250	<од	<10	[<58]	Т19а(КБЭ)
КТ635Б	п-р-п	60	60	1 (1.2)	од	20+150	<30	5300	<0,52	<10	[<58|	Т19а(КБЭ)
KT63SA	п-р-п	110	1301	0,1	од	50+350	<1	5200	<0,5	<8	—	Т19а(КБЭ)
КТ638Е	п-р-п	110	(60J	0.1	ОД	150+450	<1	5200	<0,5	<8	—	Т19а(КБЭ)
КТ639А	р-п-р	45	45	1.5(2)	1[12Д]	40+100	<0.1	>80	<0Д	<50	—	Т22а (ЭКЕ)
КТ639Б	р-п-р	45	45	1.5(2)	1 [12,5]	63+160	<0.1	>60	<0,5	<50	—	Т22а (3КБ)
КТ639В	р-п-р	45	45	1Д(2)	1 (12.5)	100+250	<0,1	>60	<0,5	<50	—	Т22а(ЭКБ)
КГ639Г	р-л-р	60	60	1Д(2)	1 [12.5]	40+100	<0.1	>60	<0,5	<50	—	Т22а(ЭКБ)
КТ63ЭД	р-П-р	60	60	1Д(2)	1 [12,5]	63+160	<0.1	>80	<0,5	<50	—	Т22а(ЭКБ)
КТ639Е	р-п-р	100	100	1Д(2)	1	40+100	<0,1	>50	<0,5	<50	—	Т22а(ЭК5)
КТ639Ж	р-п-р	100	100	1ДЙ	1	63+160	<0.1	580	<0Д	<50	—	Т22а (ЭК5)
КТ639И	р-п-р	30	30	1Д(2)	1	180+400	<0,1	580	<0Д	<50	—	Т22а (ЭК9,
КТ640А-2	п-р-п	25	—	0,05	0,6	[>0.11	<1мА	1+7ГГЦ	—	<1.3	[<0.6|	И 6а
КТ640Б-2	П-р-П	25	—	0,06	0,6	[>0.1]	<1мА	1+7ГГЦ	—	<1,3	1<1|	Т16з
КГ640В-2	п-р-п	25	—	0,06	0,6	[>0.08]	<1мА	1+7ГГц	—	<1.3	[<1]	Т16з		
КТ642А-2	п-р-п	20		0,05	од	[>0.1]	<1мА	1+ВГГц	[>3.5]	<1.1	-	Т16а
КТ643А-2	п-р-п	25		0,12	1,1	[>0Д1	<1мА	2+ВГГц	-	<1Д	-	Т1ба _J|
												
Тип	Струк-	ИкбО	икэв	Ixmsx	Рктах	11213		tip.	Окэн, В [Кур!.	Сх,	ten,	№
транзистора	тура	(и) В	МН В	(и) А	МВт	[Рвых], Вт	мкА	МГц	дБ	пФ	["C-Jnc	рис.
КТ644А	р-п-р	60	[60]	0,6(1)	1(12.5]	40+120	<0.1	>200	<0.4	<8		Т22а(ЭКБ)
КТ644Б	р-п-р	60	[60]	0,6(1)	1 [12,5]	100+300	<0.1	>200	<0,4	<8	—	Т22а(ЭКБ)
КТ644В	р-п-р	60	[40]	0,6(1)	1 (12.5)	40+120	<0,1	>200	<0.4	<8	—	Т22а(ЭКБ)
КТ644Г	р-п-р	60	|40|	0,6(1)	1 (12.5)	100+300	<0,1	>200	<0.4	<8	—	Т22а(ЭКБ)
КТ645А	п-р-п	60	60	0,3 (0,6)	0,6(1)	20+200	<10	>200	<0,5	<5	—	Т19а(КБЭ)
КТ645Б	п-р-п	40	40	0,3 (0,6)	0,5	>80	<10	>200	<0,5	<5	—	Т19а(КБЭ)
КТ645В	п-р-п	50	50	0,2	о.з	1 СО-г-250	<0,05	>300	<0,25	<8	—	Т19а(КБЭ)
КТ645Г	п-р-п	50	50	0.2	0,3	200+ 500	<0,05	>300	<0,25	<6	—	Т19а (КБЭ)
КТВ45Д	п-р-п	30	30	0,2	0.3	200+500	<0,015	>300	<0,25	<6	—	Т19а(КБЭ)
КТВ45Е	п-р-п	20	20	0,2	0,3	400+1000	<0,015	>300	<0,25	<8	—	Т19а(КБЭ)
: КТ645Ж	п-р-п	30	30	0,2	0.3	200+500	<0,015	>300	<0,25	<6	—	Т19а (КБЭ)
' КТ645И	п-р-п	20	20	0.2	0.3	4СО+1СОО	<0,015	>300	<0,25	<8	—	Т19а (КБЭ)
КГ645К	п-р-п	50	50	0,2	0.3	1 СО+250	<0.05	>300	<0,25	<8	—	Т19а(КБЭ)
КТ645Л	п-р-п	50	50	0,2	0.3	200 + 500	<0.05	>300	<0,25	<8	—	Т19а (КБЭ)
. КТ645М	п-р-п	30	30	0,2	0,3	200+500	<0,015	>300	<0,25	<5	—	Т19а(КБЭ)
КГ646А	п-р-п	60	60	1(10	1 [3,5]	40+200	<10	>250	<0,85	<10	(<120]	Т22а(ЭКБ)
КТ646Б	п-р-п	40	40	1(10	113.5)	>150	<10	£250	<0,25	<10	(<120)	Т22а(ЭКБ)
 КГ646В ,	п-р-п	40	40	1 (10	113.5)	1S0+-340	<0,05	£250	<0,25	<10	[<120)	Т22а(ЭКБ)
' КГ647А-2	п-р-п	16	—	0,09	0,56	[>0,17]	<1мА	1+101ТЦ	[>3]	<1,5	—	Т16а
I KF646A 2	п-р-п	18	-	0,06	0,42	|>0Л5]	<1мА	2+1ЙТЦ	(>3]	<1,5	—	Т16а
! 2Т653А	п-р-п	130	130	1(2)	0.8(5]	40+120	[<10]	>50	<0,5	<20	—	Т5
2Т653Б	п-р-п	130	130	1(2)	0.8 [5]	80+250	(<1О]	250	<0,5	<20	—	Т5
1 КТ659А	п-р-п	60	50	1,2	1	>35	<1	—	<0,9	<10	—	Т5
КТ660А	п-р-п	50	45	0,8(1)	0,5(1)	110+220	<1	>200	<0,5	<10	—	Т19а(КБЭ)
КТ660Б	п-р-п	30	30	0,6(1)	0,5(1)	200+450	<1	>200	<0,5	<10	—	Т19а(КБЭ)
КГ664А9	р-п-р	120	[60]	1	1	4+25	<10	>50	0,35	<25	<0.2	Т39
КГ664Б9	р-п-р	100	[60]	1	1	4+25	<10	250	0,85	<25	<0.2	Т39
ктееж	п-р-п	120	[60]	1	1	4+25	<10	£50	0.35	<25	<0,2	Т39
КГ665Б9	п-р-п	100	[60]	1	1	4+25	<10	>50	0.35	<25	<0,2	Т39
КТБ56А9	п-р-п	300	[250] .	0,2	1	>5	<0,1	260	0,6	-	—	Т39
КТ667А9	р-п-р	300	[250]	0.2	1	>5	<0.1	>40	0,6	—	—	Т39
КГ668А	р-л-р	50	45	0,1 (00	0,5	75+140	<15	>200	<0,3	<10	—	Т19а(КБЭ)
СГ668Б	р-п-р	50	45	0,1 (0,2)	0,5	125+250	<15	>200	<0.3	<10	—	Т19а(КБЭ)
КГ66ВВ	р-п-р	50	45	0,1 (0,2)	0,5	220+475	<15	>200	<0.3	<10	—	Т19а (КБЭ)
кГбВОА	п-р-п	30	25	0,6 (2)	0.35	85+300	<10	2120	<0.5	-	—	Т19а (КБЭ)
	р-п-р	30	25	0,6(2)	0,35	85+300	<10	2120	<0,5	-	—	Т19а (КБЭ)
Ц₽(Т883А	п-р-п	150	150	1(2)	1,2 [8]	40+120	<1	250	<0,45	<15	—	Т22а(ЭКБ)
NK1WB	п-р-п	120	120	1(2)	1,2 [8]	80+240	<1	250	<0,45	<15	—	Т22а(ЭКБ)
1Ш663В	п-р-п	120	120	1(2Г	1,2 [8]	40+120	<1	250	<0,45	<15	—	Т22а(ЭКБ)
[кгббзг	п-р-п	100	ICO	1(2)	1,2 [8]	40+120	<1	>50	<0,45	<15	—	Т22а(ЭКБ)
	п-р-п	60	60	1(2)	1,2 [8]	80+240	<1	>50	<0,45	<15	-	Т22а(ЭКБ)
ЧКГбВЗЕ	п-р-п	60	60	1(2)	1.2 [8]	160+480	<1	250	<0,45	<15	—	Т22а (ЭКБ)
|IKT684A	р-п-р	45	45	1 (10	0.8	40+250	<0,1	240	<0,5	<50	—	Т19а(КБЭ)
’ <Т6В4Б	р-п-р	50	60	1 (1,5)	0.8	40+160	<0.1	240	<0,5	<50	—	TISa (КБЭ)
' Т6В4В	р-п-р	100	1С0	1 (1,5)	0,6	40+160	<0.1	240	<0,5	<50	—	Т19а (КБЭ)
'Г684Г	р-п-р	30	30	1,5	0,6	180+400	<0,1	>80	<0,5	<50	—	Т19а(КБЭ)
ТБ85А	р-п-р	50	40	0,6	0,6	40+120	<0,02	>200	<0.4	<8	—	Т19а (КБЭ)
! -7Б8ББ	р-п-р	60	60	0.8	0,6	40+120	<0,01	>200	<0.4	<8	-	Т19а(КБЭ)
-ТБ85В	р-п-р	60	40	0,6	0,6	100+300	<0,02	>200	<0.4	<8	—	Т19а(КБЭ)
'ТВ85Г	р-п-р	60	60	0,6	0.6	100+300	<0,01	>200	<0.4	<8	—	Т19а(КБЭ)
«Т685Д	р-п-р	30	25	0,6	0.6	70+200	<0,02	>300	<0,3	<12	-	Т19а (КБЭ)
•ТВВ5Е	р-п-р	30	25	0.6	0.6	40+120	<0,02	2250	<0.3	<12	—	Т19а(КБЭ)
Т885Ж	р-п-р	30	25	0,6	0,6	100+300	<0,02	£250	<0,3	<12	—	Т19а(КБЭ)
Т686А	р-п-р	50	45	0,8 (1.5)	0,625(1,4)	100+250	<0.1	>100	<0.7	<12	—	Т19а(КБЭ)
’Г68ЕБ	р-п-р	50	45	0.8 (1,5)	0625(1/4)	160+400	<0,1	21 СО	<0.7	<12	—	Т19а(КБЭ)
	р-п-р	50	45	0,6 (1.5)	0/625(1/4)	250+630	<0.1	>100	<0.7	<12	—	Т19а(КБЭ)
||'^бвег	р-п-р	30	25	0.8 (1,5)	0625(1/4)	1С0+250	<0.1	2100	<0,7	<12	--	Т19а(КБЭ)
Г1 1 Т1КПП	р-п-р	30	25	0,6 (1.5)	0625(1/4)	160+400	<0,1	2100	<0.7	<12	—	Т19а(КБЭ)
	р-п-р	30	25	0.8 (1.5)	0625(1/4)	250+630	<0,1	>100	<0,7	<12	—	Т19а(КБЭ)
Ц^бЖ	р-п-р	30	25	0,8 (1.5)	0625(1/4)	1С0+250	<0,1	2100	<0,7	<12	-	Т19а(КБЭ)
Тип транзистора	Структура	Йв	Um itpIHB	1кшах (И) А	Рклтах [Т]ВТ	И21Э [Рвых], Вт	КБО (ИЗО] мкА	1гр. МГц	Шэн. В [Кур], ДБ	Сх, пФ	ten, мкс Мпс	№ рис.
КТ698А КТ698Б КТ698В КТ696Г КГ698Д КГ698Е КГ698Ж КГ698И КТ69ВК	п-р-п п-р-п п-р-п л-р-п л-р-п п-р-п л-р-п л-р-п п-р-п	-	90 70 50 30 12 12 120 160 200	2 2 2 2 2 2 2 2 2	0.6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0,6 0.6 . 0.8	20+118 20+172 50+201 50+291 50+481 50+649 азо азо азо	(<20) (<20] [<20] (<20) [<20] [<20] (<20] [<20] [<20]	>150 >150 >150 £150 >150 >150 £150 2150 >150	<0.25 <0.25 <0,25 <0,2 ‘<0,2 <0,12 <0.25 <0.3 <0.35	<74 <74 <74 <74 <74 <74 <74 <74 <74	<0,085 <0,085 <0,085 <0,085 <0,085 <0,085 <0,085 <0,085 <0,085	Т19а(КБЭ} ТЮа (КБЭ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЗ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ) Т19а(КБЭ)
КТ704А КТ704Б КТ704В	п-р-п п-р-п п-р-п	1000 700 500	500 400 400	2,5 (4) 2,5(4) 2,5(4)	115] [15] [15]	10+100 10+100 >10	(<5мА[ (<5мА( (<5мА[		<5 <5 <5			Т11 Т11 Т11
2Т708А1 2Т708Б' 2Т708В"	р-п-р р-п-р р-п-р	100 ЙО 60	100 60 60	2,5® 2,5(5) 2,5(5)	0.7 [5] 0.7 [5] 0.7 [5]	500+1800 750+2100 750+2100	<1мА <1мА <1мА	23 23 23	<2 <2 <2			TS Т5 Т5
КТ709А* КТ7.09Б* КТ7098*	р-п-р р-п-р р-п-р	100 60 60	[60] [60] [40]	10(20) 10(60) 10(20)	5[30[ 5(30) 5 [30]	500+1800 760+2100 750+2100	<1мА <1мА <1мА	23 23 23	<2 <2 <2	<250 <250 <250	“.	Т40 Т40 Т40
2Т713А	П-р-п	—	2500	3	[50]	5+20	<1мА	£1.5	<1	—	—	Т10з
2Т716А* 2Т716Б* 2Т716В’	П-р-п п-р-п п-р-п	100 60 60	100 60 60	10 10 10	[30] [30] [30]	S750 >750 >750	<1мА <1мА <1мА	23 '23	<2 <2 <2		-	Т40 Т4О Т40
КТ719А	п-р-п	120	[100]	1Д|3)	1[10)	20+275	<50	>3	<0.8	<60	—	Т22а(ЭКБ)
Ю720А	р-п-р	120	[100]	1Д|3)	1[10]	20+275	<50	23	<0,6	<60	—	Т22а (ЭКБ)
КТ721А	п-р-п	120	[100)	1Д|3)	1(25)	£20	<100	23	<0,6	<115	—	Т22а(ЭКБ)
КТ722А	р-п-р	120	[100]	1Д|3)	1(25)	>20	<100	23	<0-,6	<115	—	Т22а(ЭКБ)
КТ723А	п-р-п	120	[100]	10(15)	1.5 [60]	>20	<1мА	>3	<2	-	—	Т236 (ЭКБ)
КТ724А	р-п-р	120	[100]	10(15)	1.5[60]	>20	<1мА	>3	<2	—	-	Т236 (ЭКБ)
КГ729А КТ729Б	п-р-п п-р-п	50 100	[40] [60]	30 20	[150] [150]	15+60 15+60	-	>0,2 20,2	<2 <1.4		-	ТЮа ТЮа
КТ730А	п-р-п	160	140	16	[150]	15+60	—	20,2	<1.4			ТЮа
КТ732А	п-р-п	150	160	16(20)	[90]	>15	<750	21	<2	-	—	Т25а(БКЭ)
КТ733А	р-п-р	150	160	16(20)	[30]	>15	<750	>1	<2	-	—	Т25а(БКЭ)
Ю738А	п-р-п	100	60	15	[30]	20+70	<1	—	<1	—	—	Т25а
КТ739А	р-п-р	100	60	15	(90]	20+70	<1	—	<1	-		Г25а
КТ801А КТ801Б	п-р-п п-р-п		ЙО 60	2 2	[5] [5]	15+50 30+150	[<10мА] [<10мА]	>10 >10	<2 <2		-	ТЗЗб ТЗЗб
КГ602А	п-р-п	150	130	5	[50]	>15	<60мА	210	<5	—	—	Т34
КТ803А	п-р-п	50	[60)	10	[60]	10+70	<5мА	220	<2,6	<500	(<2,5)	Т34
КГ805АМ КТ805БМ КТ605ВМ КГ605ДМ КГ805ИМ	п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п		60(160) 50(135) 60(135) 60(60) 60	5(8) 5(8) 5(8) 5(8) 5(8)	130) [30] [30] [30) [30]	15+60 15+60 15+60 150+650 >25	[<25мА] [<25мА] [<25мА] [<25мА] [<25мА]	£20 220 £20 220 220	<2,5 <5 <2,5 <5	<100 <100 <100 <100 <100	-	Т236 (ЭКБ) Т23б(ЭКБ) Т23б(ЗКБ) Т23б(ЭКБ) Т236 (ЭКБ)
КТ807А КТ607Б	п-р-л п-р-п		100(120) 100(120)	0,5 (1.5) 0,5 [1,5)	[10] [10]	15+45 30+100	[<5мА] [<5мА]	>5 >5	<1	-	-	Т37 Т37
КГ808А КТ808АМ КГ808БМ КТ808ВМ КТ608ГМ	п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п п-р-п	250 160 135 60	120(250) 130(250) 100(160) 80(135) 70 (60)	10 10 [12) 10 [12) 10 (12) 10(12)	5(60] РО] РО] [70] [70]	10+50 20+125 20+125 20+125 20+125	[<ЗмА] [<ЗмА| [<ЗглА] [<ЗглА] [<ЗмА]	27 27 27 27 27	<2 <2 <2 <2 <2	<500 <500 <500 <500 <500	(<2) (<2) (<2) (<2) (<2)	Т34 ТЮа ТЮа ТЮа ТЮа
КГ809А	П-р-п	—	400	3(8)	[40)	15+100	<ЗмА	>5,1	<1,5	<270	<300	Т34
КТ6101А КТ6101Б	п-р-л п-р-п	200 160	200 160	16(25) 16(25)	2 [150] 2 [150]	а20 >20	<2мА <2мА	>10 >10	<2 <2	<1000 <юоо		Т25 (БКЭ) Т25(БКЭ) _
КТ61О2А КТ61О2Б	р-п-р р-п-р	200 160	200 160	16(25) 16 (26)	2 [150] 2 [150]	а20 >20	<2мА <2мА	>10 >10	<2 <2	<1000 <1000	-	Т25(БКЭ) Т25(БКЭ)
КТ6104А-	р-п-р	350	350	20(25)	[150]	>1000	<5мА	>10	<2,2	—	—	ТЮа __
КГ8105А*	п-р-п	200	200	20(25)	[150]	>1000	<5мА	>10	<2,2	-	-	ТЮа J
Тип транзистора	Структура	(и)В	Umr 1Ф1(И)Б	Ik max (и)А	Pk max [t]Bt	h213 [Рвых], Вт	Ikbo [K30J мкА	fjp. МГц	Uk3h.B (Кур), ДБ	Сх, пФ		№ рис.
КТ8Ю6А*	р-п-р	so	60	20(30)	[100]	750+18000	<5мА	>4	<2	—	—	Т25(БКЭ)
КТ6106Б‘	р-п-р	60	45	20(30)	[100]	750+18000	<5мА	24	<2	—	—	Т25(БКЭ)
КТ8107А(1)	п-р-п	1500	(700)	8(10)	(100]	2,3+10	<2мА	26.S	•<1	—	<500	Т25 (Т28а)
КТ8Ю7Б(1)	п-р-п	1500	(700)	8 ПО)	[100]	2,3+10	<2мА	26.9	<3	—	<500	Т25(Т28а)
КТ8Ю7В(1)	п-р-п	1250	(>700]	8(10)	(100)	2,3+10	<2мА	29,9	<1	—	<500	Т25(Т28а)
КТ8Ю7Г(1)	П-р-п	1500	(700	8(10)	[100J	2.3+10	<2мА	29,9	<3	—	<500	Т25(Т28а)
КТ8Ю7Д(1)	п-р-п	1250	[700	8(10)	(100]	2,3+10	<2мА	26,9	<3	—	<500	Т25(Т28а)
КТЙЮ7Е(1)	п-р-п	1250	[700	8(10)	[100]	2,3+10	<2мА	26,9	<3	—	<500	Т25(Т28а)
КТ61О7А2	п-р-п	1500	[700	8(10)	[1001	2,3+10	<2мА	26.9	<1	—	<500	ТЮа
КТ8Ю7Б2	п-р-п	1500	poo1	8(10)	[ICO]	2,3+10	<2мА	26,9	<3	—	<500	ТЮа
КТ8107В2	п-р-п	1250	[a70(|	8(10)	[100]	2,3+10	<2мА	29,9	<1	—	<500	Т10а
КТ61О7Г2	П-р-П	1500	poq	8(10)	(TOO)	2.3+10	<2мА	29,9	<3	—	<500	ТЮа
КТ6107Д2	п-р-п	1250	[700]	8(10)	1100]	2,3+10	<2мА	26,9	<3	—	<500	ТЮа
КГ81О7Ё2	п-р-п	1260	poo]	8(10)	[100]	2.3+10	<1мА	26,9	<1	—	<500	ТЮа
КТ8Ю8А	п-р-п	850	(500|	5(7)	poi	10+50	1<0,БмА]	25	<0,5	—	<300	Т23а(БКЭ)
КТ8108Б	П-р-п	850	|500]	5(7)	poi	40+80	[<0,5мА]	25	<0,5	—	<300	Т23а(БКЭ)
КТ8109А*	п-р-п	350	350	7(10)	[00]	^150	<1мА	27	<1.5	—	<1500	Т23а(БКЭ)
КТ6109Б*	п-р-п	800	800	7(10)	[00]	21150	<1мА	27	<1.5	—	<1500	Т23а(БКЭ)
КГ8110А	п-р-п	500	500	7(14)	(601	15+30	<1мА	20	<0.8	—	<300	Т23а[БКЭ)
КТ81ЮБ	п-р-п	500	500	7(14)	(60]	215	<1мА	20	<0.8	—	<300	Т23а(БКЭ)
КГ81ЮВ .	п-р-п	500	500	7(14)	[60]	215	<1мА	20	<0.8	—	<300	Т23а(БКЭ)
КГ6111А*	п-р-п	ICO	50	20	[125]	750+18000	<500	24	<2		—	Т26а(БКЭ)
КТ8111Б*	п-р-п	60	40	20	[125]	750+18000	<500	>4	<2	—		Т26а(ЕКЭ)
КГ6111В*	п-р-п	60	30	20	(1251	750+18000	<500	24	<2	—	—	Т26а(ЕХЭ)
КГ8114А	п-р-п	[1500]	poo) -	8(15)	[125]	8+40	<100	27	<1	—	<500	Т26а(БКЭ)
КГ6114Б	п-р-п	(1200)	[700]	8(15)	[125]	26	<100	27	<1		<500	Т26а(БКЭ)
КТ8114В	п-р-п	(1200)	pool	8(15)	[ICO]	26	<100	27	<1	—	<500	Т26а(БКЭ)
КТ6114Г	п-р-п	(1500)	pool	8(15)	[WO]	8+40	<100	27	<1	—	<500	Т26а(БКЭ)
КТ8114Д	п-р-п	(1650)	(5001	8(15)	[125]	8+40	<100	27	<1	—	<500	Т26а(БКЭ)
KT811SA*	р-п-р	100	ICO	5	[65]	21000	<200	>4	<2	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ6115Б*	р-п-р	60	80	5	[65]	21COO	<200	>4	<2	—	—	Т23а(БКЭ)
КГВИББ*	р-п-р	60	50	5	[65]	2100Q	<200	24	<2	г-	—	Т23а(БКЭ)
КГ8116А*	п-р-п	ICO	•100	5	[651	>1000	<200	24	<2	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ8116Б*	п-р-п	60	60	5	(65)	>1000	<200	>4	<2	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ8116Б*	п-р-п	60	60	5	[65)	>1000	<200	24	<2	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ8117А	п-р-п	500	400	10 (15)	[100]	210	<1мА	24	<1.5	—	<300	Т25(БКЭ)
КТ811ВА	п-р-п	900	800	3(10)	[50]	10+40	<1мА	>15	<2	— .	<700	Т23а(БКЭ)
КГ812А	п-р-п	(700)	400(700)	8(12)	[501	24	<5мА	23	<2,6	<100	<1800	ТЮа
КТ812Б	п-р-п	(500)	200(500)	8(12)	[60)	24	<5мА	23	<2,5	<100	<1300	ТЮа
КТ812В	п-р-п	(300)	203(300}	8(12)	(50)	10+125	<5мА	23	<2,6	<100	<1300	ТЮа
2Т812А	п-р-п	С/ОО)	400(7(1)	10(17)	(50)	5+30	<5мА	>3	<2,5	<100	<1300	ТЮа
2Т812Б	п-р-п	(5og	303(500)	10(17)	(60]	5+30	<5мА	23	<2,5	<100	<1300	ТЮа
КТ8120А	п-р-п	500	450	8(16)	[80]	210	<1мА	220	<1	-	<200	Т23а(БКЭ)
КТ8121А	п-р-п	700	400	4(0)	P51	8+60	<1мА	24	<1	—	<400	Т23а(БКЭ)
КТ8121Б	п-р-п	600	300	4(8)	p5]	8+60	<1мА	24	<1	—	<400	Т23а(БКЭ)
КГ8123А	п-р-п	200	150	2(3)	[25]	240	<1мА	25	<1	—	—	Т23а(БКЭ)
КГ8124А	п-р-п	400	200	7(15)	[60]	210	<1мА	210	<1	—	<700	Т23а(БКЭ)
КЮ124Б	п-р-п	400	200	7(15)	[60]	>10	<1мА	210	<1	—	<400	Т23а(БКЭ)
КТ81248	п-р-п	330	150	7(15)	[601	210	<1мА	210	<1	—	<700	Т23а(БКЭ)
КТ8126А1	п-р-п	700	400	8	[601	8+40	<1мА	>4	<1	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ8126Б?	п-р-п	400	300	8	[60)	8+40	<1мА	24	<1	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ8127А(1)	п-р-п	1500	POO)	5(7.5)	[56]		<0,9мА	2	<1	—	<700	ТЮа (Т28а)
КГ6127БП)	п-р-п	1200	pool	5(7,5)	(561	26	<0,6мА	2	<5	—	<700	Т10а(Т28а)
КТ8127В(1)	п-р-п	1500	pool	5РД)	[56]	<35	<0,9мА	2	<5	—	<700	ТЮа(Т28а)
ГГВ129А	п-р-п	1500	POO)	5	(100]	22.25	<4,5мА	24	<4,5	—	—	ТЮа
КТ8130А*	р-п-р	40	40	4	(20)	500+15000	<0,5мА	>25	<2	—	—	Т22й(ЗКБ)
КТ813ОБ*	р-п-р	60	60	4	20]	500+15000	<0,5мА	>25	<2	—	—	Т22а(ЗКБ)
КТ6130В*	р-п-р	80	60	4	20]	500+15000	<0,5ыА	>25	<2	—	—	Т22а(ЭКБ)
КТ8131А*	п-р-п	40	40	4	20]	500+15000	<0,5мА	225	<2	—	—	Т22а(ЭКБ)
КГ8131Б*	п-р-п'	60	60	4	20j	500+15000	<0,5мА	225	<2	—	—	Т22а(ЭКБ)
КТВ131В*	п-р-п	60	60	4	20]	500+15000	<0,5мА	225	<2	—	—	Т22а(ЭКБ)
КГ8133А*	п-р-п		300	6	[60]	300+3000	—	>3	<1.8	—	—	Т23а(БКЭ)
КГ8136А	п-р-п	450	[4501	7(14)	(60]	27	<0,1 мА	>7	<1	—	<300	Т23а(БКЭ)
КТ8136Б	п-р-п	4C0	(4001	7(14)	[401	>10	<0,1мА	27	<1	—	<300	Т23а(БКЭ)
[КГ8136В	п-р-п	4C0	[4001	7(14)	(60)	210	<0,1мА	>7	<1	-	<300	Т23а(БКЭ)
Тип транзистора	Структура	Ukso (и) В	UjqR И И В	1кяшх (и) А	Рк та» [т]Вт	h213 [Рвых], Вт	КБО [ИЗО] мкА	ftp. МГц	Охан, В [Кур],  ДБ	Сх, пФ	ten, мкс Мне	№ рис.
КТ814А	р-п-р	—	40	1.5(3)	1 [10)	40+275	<50	>3	<0.6	<50	—	Т22а(ЭКБ)
КТВ14А2	р-п-р	—	40	15(3)	1[1С]	>200	<50	23	<0,6	<60	—	Т22а(ЭКБ)
КТ814Б	р-п-р	—	50	1,5(3)	1[10]	40+275	<50	23	<0,6	<50	—	Т22а(ЭКБ1
КТ814В	р-п-р	—	70	1,5(3)	1[10)	40+275	<50	23	<0,6	<50	—	Т22а(ЭКБ)
КТ614Г	р-п-р	—	100	1.5(3)	1[10]	30+275	<50	23	<0,6	<60	—	Т22а(ЭКБ)
КТ814СА1	п-р-п	400	[200]	7(Ю)	[60)	210	<1мА	>10	<1	—	<750	Т23а(БКЭ)
КТ6140Б1	п-р-п	400	‘ [200]	7(Ю)	[40]	>10	<1мА	>10	<1	—	<750	Т23а (БКЭ)
КТ815А	п-р-п.		40	1,5(3)	1[10]	40+275	<50	>3	<0,6	<50	—	Т22а(ЭКБ)
КТ815А2	п-р-п	—	40	1.5(3)	1[10]	>200	<50	23	<0,6	<60	—	Т22а(ЭКБ)
КТ815Б	п-р-п	—	50	1,5(3)	1[10]	40+275	<50	23	<0,6	<60	—	Т22а(ЭКБ)
КТ815В	п-р-п	—	70	1,5(3)	1[10]	40+275	<50	23	<0,6	<50	—	Т22а (ЭКБ)
КТ815Г	п-р-п	—	100	15(3)	1[10]	30+275	<50	23	<0,6	<60	—	Т22а(ЗКБ)
КТ8156А*	п-р-п	330	[150]	8 [15)	[60]	2100	<1мА	—	<1,5	—	0,2	Т23а(БКЭ)
КТ6156Б*	п-р-п	400	[200]	В (15)	[60]	>100	<1мА	—	<1,5	—	0.2	Т23а(БКЭ)
КТ8156А*	п-р-п	60	60	12	[60]	>1000	<400	—	<2	—		Т26а(БКЗ)
КТ8158Б-	п-р-п	60	60	12	[90]	>1000	<400	—	<2	—	—	Т26а(БКЭ)
КТ6158В*	п-р-п	100	100	12	[90]	>1000	<400	—	<2	—	—	Т26а(БКЭ)
КТ8159А*	р-п-р	60	50	12	[60]	21000	<400	—	<2		—	Т26а(БКЭ)
КТ8159Б*	р-п-р	60	60	12	[90]	>1000	<400	—	<2	—	—	Т26а[БКЭ)
КТ8159В*	р-п-р	100	100	12	[90]	>1000	<400		<2	—	—	Т26а(БКЭ)
КТ815А	р-п-р	40	40	3(6)	1 [25]	25+275	<100	23	<0,6	<50	—	Т22а(ЭКБ)
КГ816А2	р-п-р	40	40	3[8)	1 [25]	>200	<100	23	<0,6	<60	—	Т22а(ЭКБ)
КТ81ВБ	р-п-р	45	45	3(6)	425]	25+275	<100	23	<0,6	<50	—	Т22а(ЭКБ)
КТ816В	р-п-р	60	50	3(6)	1[25]	25+275	<100	23	<0,6	<50		Т22а(ЗКБ)
КТ816Г	р-п-р	100	100	3(6)	1 [25]	25+275	<100	23	<0,6	<50	—	Т22а (ЭКБ)
КТ8163А	п-р-п	600	1500)	(10)	1,6 [60]	6+40	<100	210	<0,5	<100	<300	Т23а (БКЭ)
КТ8164А	п-р-п	700	[400]	4	2 [75]	8+40	<1 мА	>4	<1	<55	—	Т23а(БКЭ)
КТ6164Б	п-р-п	600	[300]	4	2 [75]	8+40	<1 мА	>4	<1	<65	—	Т23а(БКЭ)
КТ8167А	р-п-р	100	100 [60]	2(4)	0,6 [10]	80+250	<0,2	230	<0,35	<400	м.6)	Т5
KT8167S	р-п-р	60	80(30]	2(4)	0,6 [10]	80+250	<0,2	230	<0,35	<400	(<1,8)	Т5
КТ8167В	р-п-р	50	50 [40]	2(4)	0,6(10]	80+250	<0,2	230	<0,35	<400	(<1,8)	Т5
КТ8167Г	р-п-р	100	100 [60)	2(4)	0,6 [Ю)	40+160	<0,2	230	<0.35	<400	(<1>8)	Т5
КГ8187Д	р-п-р	60	60[60)	2(4)	0,8 [10]	160+350	<0,2	230	<0.35	<400	(<1.8)	Т5
КТ8168А	п-р-п	100	loo [6q	2(4)	0,6 [Ю]	80+250	<0,2	230	<0.35	<400	М.6)	Т5
КТ816ВБ	п-р-п	80	60 [60]	2(4)	0.8 [10]	80+250	<0,2	230	<0,35.	<400	М.6)	Т5
КТ816ЕВ	п-р-п	50	50 [40]	2(4)	0.8 [10]	80+250	<0,2	230	<0,35	<400	М.6)	Т5
КТ616ВГ	п-р-п	100	100 [60]	2(4)	0.8 [10]	40+160	<0.2	230	<0.35	<400	(<1.8)	Т5
КТ8168Д	п-р-п	60	60 [60]	2(4)	0.8 [10]	160+350	<0,2	230	<0,35	<400	М.8)	Т5
КГ617А	п-р-п	40	40	3(6)	1[25]	25+275	<100	23	<0,6	<50	—	Т22а(ЭКБ)
КТ617Б	П-р-П	45	45	3(6)	1[25]	25+275	<100	>3	<0,6	<60	—	Т22а(ЭКБ)
КТ817Б2	п-р-п	45	45	3(6)	1[25)	2100	<100	23	<0,12	<50	—	Т22а(ЭКБ)
КТ817В	п-р-п	60	60	3(6)	1[25]	25+275	<100	>3	<0,6	<60	—	Т22а (ЭКБ)
КТ617Г	п-р-п	100	100	3(6)	1[25]	25+275	<100	23	<0,6	<60	—	Т22а(ЭКБ)
КТ617Г2	п-р-п	100	100	3(6)	1[25]	>100	<100	>3	<0,12	<60	-	Т22а(ЭКБ)
КТ8170А1	п-р-п	700	[400)	1,5	[40]	8+40	<1 мА	>4		—	—	Т22а(ЭКБ)
КТ8170Б1	п-р-п	600	[300)	15	[40]	8+40	<1 мА	>4	<1	-	-	Т22а(ЭКБ)
КТ6171А*	п-р-п		350	20	(100]	104+105		>10	<2.3	-	-	Т25(0КЭ)
КТ6171Б*	п-р-п	—	200	20	[100]	104+105	—	>10	<2,3	—	—	Т25 (БКЭ)
КТ8175А	п-р-п	700	[400]	1.5(3)	[25)	8+40	<1мА	>4	<3	<21	<400	Т22а(ЭКБ)
КТ8176Б	п-р-п	800	[300]	1.5(3)	[25]	5+25	<1мА	>4	<3	<21	<400	Т22а(ЭКБ)
КГ8176А	п-р-п	60	60	3	[40]	225	<0,3	23	<1.2	-	-	Т23а(БКЗ)
КТ8176Б	п-р-п	60	60	3	[40]	225	<0,3	>3	<1.2	—	—	Т23а (БКЭ)
КТ8176В	п-р-п	100	100	3	[40)	>25	<0,3	>.?	<1,2	—	—	Т23а (БКЭ)_
КТ6177А	р-п-р	60	60	3	[40)	225	<0,3	23	<1.2		-	Т23а(БКЭ)
КГ6177Б	р-п-р	60	80	3	[40]	225	<0,3	23	<1.2	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ81778	р-п-р	100	100	3	[40]	>25	<0,3	>3	<1.2	-	-	T23a(5i<3]J|
' Тип транзистора	Структура	МВ	Б нэп [«И «В	1ктах (и)А	МВт	Ь21Э [Рвых], Вт	(№01 мкА	fip. МГц	Бкзн, В [Кур], ДБ	Сх, пФ	ferric	№ рис.
КТ816А	р-п-р	40	40(25)	10 (15)	15 (6О)	15+225	<1мА	23	<2	<1000	(<1.2)	Т236 (ЭКБ)
КТ818Б	р-п-р	50	50(40)	10 (15)	1.5(60)	20+225	<1мА	23	<2	<1000	(<15)	Т23б(ЭКБ)
КТ818В	р-п-р	70	70(60)	10(15)	15 [50]	15+225	<1мА	>3	<2	<1000	(<15)	Т23б(ЭКБ)
КГ81БГ	р-п-р	90	90(60)	10 (15)	1.5 [60]	12+225	<1мА	>3	<2	<1000	[<15)	Т23б(ЭКБ)
КТ818АМ	р-п-р	40	40	15(20)	2 [100]	15+250	<1мА	23	<2	<1000	(<1,2)	ТЮа
KT818SM	р-п-р	50	50	15 (20)	2(100]	20+225	<1мА	23	<2	<1000	(<15)	ТЮа
КГ818ВМ	р-п-р	70	70	15 (20)	2 [100]	15+225	<1мА	23	<2	<1000	(<15)	ТЮа
КГ818ГМ	р-п-р	90	90	15 (20)	2 [100]	12+225	<1мА	>3	<2	<1000	(<15)	ТЮа
2Т816А	р-п-р	1С0	100	15(20)	3[100]	20+200	<1мА	23	<1	<юоо	(<15)	ТЮа
2Т818Б	р-п-р	ео	60	15(20)	3 [100]	20+225	<1мА	>3	<1	<1000	(<15)	ТЮа
2Т816В	р-п-р	60	60	15(2(5	3 [100]	20+225	<1мА	23	<1	<1000	(<15)	ТЮа
КТ8181А	П-р-п	700	(400)	4(6)	[60]	10+60	<1мА	24	<1	<65	<400	Т23а(БКЭ)
КТ8181Б	п-р-п	600	(300)	4(6)	[50]	8+60	<1мА	24	<1	<65	<400	Т23а(БКЭ)
КТ6182А	п-р-п	700	(400)	8(16)	[60]	8+60	<1мА	>4	<15	<110	<150	Т23а{БКЭ)
КГ8182Б	п-р-п	600	(300)	8(16)	[60]	5+30	<1мА	24	<15	<110	<150	Т23а(БКЭ)
КТ8163А	п-р-п	1500	(700)	5(8)	ПОО]	2±3,5	0,5мА	—	—	—	<300	ТЮа
ЙТ8183Б	п-р-п	1300	(500)	5(8)	[100]	>5	0,5ыА	—	—	—	<300	ТЮа
КГ8163А1	п-р-п	1500	(700)	5(6)	[100]	^3,5	0,5мА	—	—	—	<300	Т28а(БКЭ)
КТ8183Б1 	П-р-п	1.800	(600)	5(8)	[100]	25	0,5мА	—	—	—	<300	Т28а(БКЭ)
КТ819А	п-р-п	40	40	10(15)	15160]	15+275	<1мА	23	<2	<1000	(<1,2)	Т23Б (ЭКБ)
КТ819Б	п-р-п	50	50	10 (15)	1,5(60]	20+275	<1мА	23	<2	<юоо	(<15)	Т23б(ЭКБ)
КТ819В	п-р-п	70	70	10(15)	1,5 [60]	15+275	<1мА	23	<2	<1000	(<15)	Т23б(ЭКБ)
КТ819Г	п-р-п	100	100	10(15)	1.5 [60)	12+275	<1мА	23	<2	<юоо	(<15)	тгзб.(экБ)
КГ819АМ	п-р-п	40	40	15(20)	2 [100]	15+275	<1мА	23	<2	<1000	(<15)	ТЮа
КТ816БМ	п-р-п	50	50	15(20)	2 [100]	20+275	<1мА	>3	<2	<1000	(<!5)	ТЮа
KT91SBM	п-р-п	70	70	15(20)	2 [100]	15+275	<1ыА	23	<2	<1000	(<15)	ТЮа
КГ819ГМ	п-р-п	100	100	15 (20)	2 [100]	12+275	<1мА	23	<2	<1000	(<1.2)	ТЮа
2Т819А	п-р-п	100	100	15(20)	3(100]	20+200	<1мА	23	<1	<1000	(<1.2)	ТЮа
2Т819Б	п-р-п	60	80	15 (20)	3[1С0]	20+200	<1мА	>3	<1	<1000	(<1.2)	ТЮа
2Т819В	п-р-п	60	50	15(20)	3(100]	20+200	<1мА	23	<1	<1000	(<15)	ТЮа
КТ8196А*	П-р-П	—	350	10	[100]	>400	—	>30	<1,8		—	Т23а(БКЭ)
КТ8196Б*	п-р-п	—	300	10	[100]	>400	—	>30	<15	—	—	Т23а (БКЭ)
КГ819БВ*	п-р-п	—	250	10	[100]	>400	—	>30	<1,6	—	—	Т23а,(БКЭ)
КГ8212А	п-р-п	100	100	6	[65]	15+75	[<400]	>1	<15	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ8212Б	п-р-п	60	60	6	[65]	15+75	[<400]	23	<15	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ8212В	п-р-п	50	60	6	[85]	15+75	(<400]	23	<15	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ8213А	р-п-р	100	100	6	[65]	15+75	[<400]	>3	<15	—		Т23а(БКЭ)
КТ8213Б	р-п-р	80	60	6	[65]	15+75	[<400]	23	<15	—	—	Т23а(БКЭ}
КГ8213В	р-п-р	60	60	6	[65]	15+75	[<400]	23	<15	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ8214А*	П-р-п	60	60	2	(65)	>500	<1 мА	—	<25	—	—	Т23а(БКЭ)
КГ6214Б*	п-р-п	60	60	2	[65]	2500	<1мА	—	<25	—	—	Т23а(БКЭ)
КГ6214В*	п-р-п	100	100	2	[85]	2500	<1 мА	—	<25	—	-	Т23а (БКЭ)
КГ8215А*	р-п-р	60	60	2	[85]	2500	<1мА	—	<25	—	-	Т23а (БКЭ)
КТв215Б*	р-п-р	60	60	2	[65]	2500	<1 мА	—	<25	—	—	Т23а(БКЭ)
КГ8215В*	р-п-р	100	100	2	[65]	2500	<1 мА	—	<25	—	-	Т23а(БКЭ)
КГ8224А	п-р-п	(1500)	(700)	7,6	[100]	4+7	<1мА	—	<1	—	—	Т26а(БКЭ)
КТ8224Б“	п-р-п	(1500)	[700]	8	[100]	6+35	<160	—	<1,5	—	—	Т26а(БКЭ)
КТ6225А	п-р-п	3S0	350	15	[155]	2300	<100	—	<2,7	—		Т25 (БКЭ)
КГВ228А	П-р-П	(1500)	[500]	12	[125]	5+9,5	<1 мА	—	<5	—	—	Т26а(БКЭ)
КГ8228Б**	п-р-п	(1500)	(500)	12	[125]	5+85	<150	—	<5	—	—	Т26а(БКЭ)
КТ8229А	п-р-п	180	160	25	[125)	15+75	<1 мА	23	<1,6	-	—	Т26а(БКЭ)
КТ8230А	р-п-р	160	160	25	[125]	15+75	<1 мА	23	<1.6	—	—	Т25а(БКЭ)
.• КТ6231А’	п-р-п		350+500	15	[160]	2300	—	—	<1,6	—	—	ТЮа
КТ6231АГ	п-р-п	—	350+500	15	[155]	2300	—	—	<1,6	—	—	Т25(БКЭ)
КТ8231А2"	П-р-П	—	350+500	15	[65]	2300	—	—	<1,6	—	—	727 (БКЭ)
КГ8232АГ	п-р-п		350500	20 i	[125]	2300	(<100]	>10	<1,6	—	—	Т28а(БКЭ)
КГ8232Б1*	п-р-п	—	300+400	20	[125]	2300	(<100]	210	<1,6	—	—	Т28а (БКЭ)
КТ8246А*	П-р-П	—	[100]	15	3(125}	>1000	[<200]	>10	<055	-	—	Т23а (БКЭ)
КГ8246Б*	П-р-П	—	[120]	15	3[125]	1000+9000	[<200]	>10	<1	—	—	Т23а(БКЭ)
КГ8246В’	п-р-п	—	[160]	15	3[125Г	21000	[<200)	>10	<15	—	—	Т23а (БКЭ)
КТ8246Г"	п-р-п	-	(300)	15	3 [125]	2750	1<Ю]	210	<1,3	-	-	Т23а (БКЭ)
	Тип транзистора	Структура	Ukso [и) В	1!кзи [гр] (и) В	1кшах (И) А	Ркгпек [т]Вт	Ь21Э [Рвых], Вт	КБО (КЗО] мкА	ftp. МГц	Окэн, В [Кур], ДБ	Сх,	ten, мкс [^пс	№ рис.	
	КТ8247А	п-р-п	700	400	5	{75J	>22	<100		<1	—		Т23а(БКЭ)	
	КТ8248А	п-р-п	(1500)	[7001	5	[90]	3.8+9	<1мА	—	<3	—	—	Т26а(БКЭ)	
	2ТВ25А*	р-п-р	100	100	20(40)	3(125]	500+18000	[<1мА]	£4	<2	<600	—	ТЮа	
	2Т825Б*	р-п-р	60	60	20(40)	3(125]	750*18000	(<1мА)	£4	<2	<600	—	ТЮа	
	2Т825В*	р-п-р	60	60	20(40)	3 [125)	750+18000	[<1мА]	>4	<2	<600	—	ТЮа	
	КТ825Г*	р-п-р	90	90	20(30)	3(1251	750+18000	(<1мА)	>4	<2	<600	—	ТЮа	
	КТВ25Д*	р-п-р	60	60	20(30)	3 [125]	750+18000	[<1мА]	£4	<2	<500	—	ТЮа	
	КТ825Е*	р-п-р	30	30	20(30)	3 [125]	750+18000	ИмА]	>4	<2	<600	—	ТЮа	
	КГ8250А	п-р-п		30	15	[50]	£100	[<1001	£10	<0.4	—	—	Т23а(БКЭ]	
	КГ8250Б	п-р-п	—	40	15	[50]	2:100	[<Ю0]	>10	<0.55	—	—	Т23а(БКЭ)	
	КТ8250В	п-р-п	—	60	15	[60]	>100	[<1С0]	>10	<0,7	—	—	Т23а(БКЭ)	
	КТ8250Г	п-р-п	—	60	15	[50]	2:100	[<100]	£10	<0,6	—	—	Т23а (БКЭ)	
	КТ8250Д	п-р-п	—	100	15	[50[	£100	[<100]	£10	<0,9	—	—	Т23а(БКЭ)	
	КТ8251А*	п-р-п	180	160	10(20)	(125)	£1000	<400 ...	—	<2	—	—	Т26а(БКЭ)	
	КТ826А	п-р-п	700	1500]	КП	[15)	10+120	[<2мА]	£6	<25	<25	<1500	ТЮа	
	КТ826Б	п-р-п	юоо	(50^	1(11	[16)	10+120	[<2мА]	£6	<25	<25	<700	ТЮа	
	KT82SB	п-р-п	700	(500]	1{11	[16]	10+120	[<2мА]	£6	<2,5	<25	<1500	ТЮа	
	КТ827А‘	п-р-п	100	100	20(40)	[125]	500+18000	[<ЗмА]	£4	<2	<400	М.5)	ТЮа	
	КТ827Б’	п-р-п	60	60	20(40)	[125]	750+18000	[<ЗмА]	£4	<2	<400	|<4,5)	ТЮа	
	КТ827В*	п-р-п	60	60	20(40)	[125]	750+18000	[<ЗмА]	£4.	<2	<400	(<4,6)	ТЮа	
	КТ828А	п-р-п	(1400)	(700]	б[7.5)	[50]	£2.25	<5мА	>4	<3		<1200	ТЮа	
	КГ628Б	п-р-п	(1200)	[500]	5(7,5)	[50]	£2,25	<5мА	£4	<3	—	<1200	ТЮа	
	КТ829АТ*	п-р-п	120	(120]	8(12)	[60]	£1000	<0,2мА	£4	<3	<120	—	Т23а (БКЭ)	
	КТ829А*	п-р-п	100	[100]	8(12)	[60]	>750	<0,2мА	>4	<2	<120	—	Т23а (БКЭ)	
	КТ829Б*	п-р-п	50	[60]	8(12)	[60]	>750	<0,2мА	>4	<2	<120	—	Т23а (БКЭ)	
	КТ829В*	п-р-п	60	[60)	8(12)	[60]	>750	<0,2мА	>4	<2	<120	—	Т23а (БКЭ)	
	КТ829Г*	п-р-п	45	[45]	8(12)	[60]	>750	<0,2мА	>4	<2	<120	—	Т23а(БКЭ)	
	КГ829Д*	п-р-п	200	[140]	8(12)	[60]	£750	<0,2мА	>4	<2	<120	—	Т23а(БКЭ)	
	КТ830А	р-п-р	35	30	2(4)	1 [5]	20+55	<0,1	£4	<0,6	<150	М)	Т5	
	КТ830Б	р-п-р	60	60	2(4)	1[5]	20+55	<0,1	>4	<0,6	<150	(<1)	Т5	
	КТ830В	р-п-р	80	60	2(4)	1[5]	20+55	<0,1	>4	<0,6	<150	М)	Т5	
	КТ830Г	р-п-р	100	100	2(4)	1[5]	20+50	<0,1	>4	<0,6	<150	(<1)	Т5	
	КТ831А	п-р-п	35	30	2(4)	1[5]	20+55	<0,1	>4	<0.8	«150	М)	Т5	
	КТ631Б	п-р-п	60	60	2(4)	1[5]	20+55	<0,1	>4	<0,6	<150	(<!)	Т5	
	КТ631В	п-р-п	60	80	2(4)	1(5]	20+55	<0,1	>4	<0,6	<150	М)	Т5	
	КТ831Г.	п-р-п	100	100	2(4)	1[5]	20+50	<0,1	>4	<0,6	<150	М)	Т5	
	КТ834А	п-р-п	500	500	15(20)	[100]	>150	(<ЗмА]	£4	<2	—	«1200	ТЮа	
	КТ8346	п-р-п	450	450	15(20)	[100]	>150	[<ЗмА]	>4	<2	—	<1200	ТЮа	
	КТ834В	п-р-п	400	400	15(20)	[100]	>150	[<ЗмА]	£4	<2	—	<1200	ТЮа	
	КГ835А	р-п-р	30	30	3	[25)	£25	<100	>1	<0.35	<800	—	Т236 (ЭКБ)	
	КТ835Б	р-п-р	45	45	7,6	[25]	10+100	<150	>1	<0.25	<600	—	Т236 (ЭКБ)	
	2Т836А	р-п-р	90	90	3(4)	0.7 [5]	20+100	<0,1	£4	<0,6	<370	<500	Тб	
	2Т836Б	р-п-р	85	35	3(4)	0.7 [5]	20 + 100	<0,1	>4	<0,35	<370	<500	Тб	
	2Т836В	р-п-р	60	60	3(4)	0,7 [5]	20 + 100	<0,1	£4	<0,45	<370	<600	Тб	
	КГ837А	р-п-р	60	60	7,5	ИЗО]	10+40	<150	>5	<2,5	—	—	Т236 (ЭКБ)	
	КТ837Б	р-п-р	80.	60	7,6	. 1 [30]	20+80	«150	£5	<25	—	—	Т236 (ЭКБ)	
	КТ837В	р-п-р	60	60	7,6	1[30]	50+150	<150	£5	<25	—	—	Т236 (ЭКБ)	
	КТ837Г	р-п-р	60	45	7,6	1 [30]	10+40	<150	£5	•<0.9	—	—	Т236 (ЭКБ)	
	КТ837Д	'р-п-р	60	45	7,6	1(30]	20+80	<150	£5	<0.9	—	—	Т236 (ЭКБ)	
	КГ837Е	р-п-р	60	45	75	1[30]	50+150	<150	£5	<0,8	—	—	Т23б(ЭКБ)	
	КТ837Ж	р-п-р	45	30	7,6	1[30]	10+40	<150	£5	<0,5	—	—	Т236 (ЭКБ)	
	КТ837И	р-п-р	45	30	7,5	1[30]	20+80	<150	>5	<0,5	—	—	Т236 (ЭКБ)	
	КТ837К	р-п-р	45	30	7,5	1[30]	50+150	<150	>5	<0,5	—	—	Т236 (ЭКБ)	
	КТ837Л	р-п-р	60	60	75	1 [30]	10+40	<150	>5	<2,5	—	—	Т236 (ЭКБ)	
	КТ837М	р-п-р	60	60	75	1[30]	20+80	<150	>5	<25	—.	—	Т236 (ЭКБ)	
	КТ837Н	р-п-р	60	60	75	1(301	50+150	<150	>5	<2,5		—	Т23б(ЭКБ)	
	КТ837П	р-п-р	60	45	7,6	1 [30]	10+40	<150	£5	<0,9	—	—	Т236 (ЭКБ)	
	КТ837Р	р-п-р	60	45	75	1(301	20+80	<150	£5	<0,9	—	—	Т23б(ЭКБ)	
	КТ837С	р-п-р	60	45	7,5	1[30]	50+150	«150	£5	<0,9	—	—	Т23б(ЭКБ)	
	КТ837Т	р-п-р	45	30	7,5	I [30]	10+40	<150	£5	<0,5	—	—	Т236 (ЭКБ)	
	КГ837У	р-пр	45	30	7,6	1 [30]	20+80	<150	£5	<0,5	—	—	Т236 (ЭКБ)	
	КТ637Ф	р-п-р	45	30	75	1 [30]	50+150	<150	>5	<0,6	—	—	Т23б(ЭКБ)	
	КТ837Х	р-п-р	60	70	7,5	I [30]	15+120	<150		<0,6	-	-	Т236(ЭКБ)	
Тип транзистора	Структура	Ukso (И) в	UjqR М(и}В	(и™А	Ркшах 1т] Вт	В21Э [Рвых], Вт	КБО [ИЗО] мкА	♦гр. МГц	Вхэн, В [Кур], ДБ	Сх, пФ	[•tkjnc	№ рис.
КТ638А	п-р-п	1500	[700]	5(7.5)	[52]	5+35	[<1мА]	£10	<5	<170	<1200	ТЮа
КТ638Б	п-р-п	1200	[650]	5 [7,6)	[52]	6+45	[<1мА]	>10	<5	<170	<1200	ТЮа
КТ839А	п-р-п	1500	[700)	10(10)	[60]	>5	[<1мА]	£20	<1,5	<240	<1600	ТЮа
КТ840А	п-р-п	(900)	’ (400]	6(6)	[60]	10+60	<ЗмА	£8	<3	—	<600	ТЮа
КТ840Б	п-р-п	(750)	[350]	6(6)	[60]	>10	<ЗмА	£8	<3	—	<600	ТЮа
КТ840В	п-р-п	(800)	[375]	6(6)	[60)	10+100	<ЗмА	£8	<3	—	<600	ТЮа
КТ841А	п-р-п	800	600	10(15)	3 [50]	12+45	<ЗмА	£10	<15	<300	<500	ТЮа
КТ841Б	п-р-п	400	400	10(15)	3[60]	12+45	<ЗмА	£10	<1,6	<300	<500	ТЮа
КТ841В	п-р-п	600	800	10 [15)	3-[50]	10+40	<ЗмА	£10	<1,5	<300	<500	ТЮа
КТ844А	п-р-п	250	[250]	10(20)	[60]	10+60	[<ЗмА]	>10	<2.5	<з0о	<300	ТЮа
КТ845А	п-р-п	400	400	5(7$	[40]	15+100	[<ЗмА]	£4,5	1,5	<45	<350	ТЮа
КТ846А	П-р-п	1500	[700]	5(7,5)	[52]	6+35	<1мА	£2	<1	<200	<700	ТЮа
КТ846Б	п-р-п	1200	[500]	5(7.5)	[52]	6+35	<1мА	£2	<5	<200	<700	ТЮа
КТ846В	П-р-п	1500	[700]	5(7.5)	[52]	6+35	<1мА	£2	<5	<200	<700	ТЮа
КТ846Г	п-р-п	1700	[800]	5(7.5)	[52]	6+35	<1мА	£2	<5	<200	<700	ТЮа
КТ847А	п-р-п	650	(360]	15(25)	[125]	8+25	<5мА	£15	<15	<200	<1500	ТЮа
КТ848А	п-р-п	520	400	15(15)	[87]	20+80	[<ЗмА]	£3	<2	-	—	ТЮа
КТ850А	п-р-п	250	200	2(3)	(25]	40+200	<100	£20	<1		—	Т23а(БКЭ)
КТ850Б	п-р-п	300	25.0	2(3)	[25]	£20	<500	£20	<1	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ850В	л-р-п	130	150	2(3)	[25]	£20	<500	£20	<1	-	—	Т23а (БКЭ)
КТ851А	р-п-р	250	200	2(3)	[25]	40+200	<100	£20	<1	—	—	Т23а (БКЭ)
КТ851Б	р-п-р	300	250	2(3)	[25]	£20	<500	£20	<1	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ051В	р-п-р	130	150	2(3)	[25]	£20	<500	£20	<1	—	—	Т23а(БКЭ)
КГ852А*	р-п-р	100	[100]	2.5(4)	[60]	БОО+ЗООО	<1мА	>7	<2,5	<28	—	Т23а(БКЭ)
КТ852Б’	р-п-р	60	[60]	2.6(4)	[60]	500+3000	<1мА	>7	<25	<28	—	Т23а (БКЭ)
КТ8523*	р-п-р	60	[60]	2,5(4)	[60]	500+3000	<1мА	>7	<2Д	<28	—	Т23а (БКЭ)
КТ652Г*	р-п-р	45	[45]	2,5(4)	[50]	500+3000	<1мА	£7	<25	<28	—	Т23а(БКЭ]
КГ853А*	р-п-р	100	[100]	8(12)	[60]	750+3000	<200	£7	<2	<120	—	Т23а (БКЭ)
КТ853Б-	р-п-р	60	[60]	8(12)	[60)	750+3000	<200	£7	<2	<120	—	Т23а(БКЭ)
КТ853В’	р-п-р	50	[60]	8(12)	[60]	750+3000	<200	27	<2	<120	—	Т23а(БКЭ)
ЕСТ853Г*	р-п-р	45	J45]	8(12)	[60]	750+3000	<200	£7	<2	<120	—	Т23а(БКЭ)
КТ85.4А	п-р-п	800	500	10(15)	[60]	£20	<ЗмА	>10	<2	-	—	Т23а(БКЭ)
КТ854Б	п-р-п	400	300	10(15)	[60]	£20	<ЗмА	>10	<2	-		Т23а(БКЭ)
KTS55A	р-п-р'	250	250	5(6)	1.2(40]	20+80	<1мА	£5	<1	—		Т23а(БКЭ)
КТ855Б	р-п-р	150	150	5(8)	1.2(40]	20+80	<100	£5	<1	—	—	Т23а(БКЭ)
КГ855В	р-п-р	150	150	5(8)	1,2 [40]	15+60	<1мА	>5	<1	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ857А	п-р-п	250	250	7(Ю)	[60]	7 Д+25	<5мА	>10	<1	-	<1000	Т23а(БКЭ)
КТ855А	п-р-п	400	[2001	7(10)	[60)	10+60	<1мА	>10	<1	-	<750	Т23а (БКЭ)
КГ856Б	п-р-п	400	(200)	7(10)	[40]	10+60	<1мА	£10	<1	—	<750	Т23а (БКЭ)
КТ859А	п-р-п	800	800	8(4)	[40]	10+60	<1мА.	>10	<1,5	-	<350	Т23а (БКЭ)
КГ863А	п-р-п	30	30	10	1,6 [60]	100+500	<1мА	>4	<0,3	—	—	Т23а(БКЭ)
КГ863Б	п-р-п	30	30	10	1,5 [50]	70+300	<1мА	>4	<од	—	—	Т23а (БКЭ)
КГ863В	п-р-п	160	160 [ЗС?	10	1,5 [60]	£70	,[<1мА]	>4	<05	—	—	Т23а (БКЭ)
КТ854А	п-р-п	200	200	10(15)	1,5 [100]	40+200	<100	£15	<2	300	-	ТЮа
КТ865А	р-п-р	200	200	10 [15)	1,6 [100]	40+200	<100	£15	<2	300	—	ТЮа
КГ866А	п-р-п	200	[100]	20(20)	[30]	15+100	<25мА	25	<15	<400	<100	ТЮа
КГ866Б	п-р-п	200	[60]	20(20)	[34	15+100	<25мА	25	<15	<400	<100	ТЮа
КТ867А	п-р-п	-	[160]	25 (40)	[100]	>10	<ЗмА	25	<1,5	<400	<400	ТЮа
КГ.872А	п-р-п	(1500)	[700]	8(15)	[100]	6+35	<1мА	>3	<1	125	<1000	Т26а(БКЭ)
КТ872Б	п-р-п	(1500)	[700]	8(15)	[100]	6+35	<1мА	£3	<5	125	<1000	Т26а(БКЭ)
КТ872В	п-р-п	(1200)	[500]	8.(15)	[100]	6+35	<0,6мА	£3	<1	125	<1000	Т26а(БКЭ)
КГ872Г**	п-р-п	(1500)	[700]	8(15)	[100]	£6	<0,ЗмА	—	<0,5	—	—	Т26а(БКЭ)
КТ872Д“	п-р-п	(1500)	[700]	8(15)	[100]	£6	<0,3 мА	—	<15	—	—	Т26а(БКЭ)
КТ872Е"	п-р-п	[1200)	[500]	8(15)	[100]	£6	<0,3 мА		<1	-		Т26а(БКЭ)
Тип транзистора	Структура	Sb	Вкэя [гр] М В	МА	Ритах [т]Вт	И21Э [Рвых], Вт	1кбо (КЗО] мкА	fjp. МГц	Инам, В [Кур), ДБ	Ск, п®	Мпс	№ рис.
2Т875А	п-р-п	90	[60]	10(15)	3[50]	80+250	<ЗмА	220	<05	910	0,05	ТЮа
2Т875Б	п-р-п	70	[60]	10 (15)	3[50]	80+250	<ЗмА	220	<05	910	0,05	ТЮа
2Т875В	п-р-п	40	[40]	10 (15)	3 [60]	80+250	<ЗмА	220	<0,5	910	0,05	ТЮа
2Т875Г	п-р-п	9.0	[60]	10 (15)	3[60]	40+160	<ЗмА	220	<0,6	910	0,05	ТЮа
2Т876А	р-п-р	90	[60]	10(15)	3 [50]	80+250	<ЗмА	220	<0,6	910	0,05	ТЮа
2Т876Б	р-п-р:	70	[60]	16 [15)	3 [50]	80+250	<ЗмА	220	<05	910	055	ТЮа
2Т876В	р-п-р	40	[40]	10(15)	3 [50]	80+250	<ЗмА	220	<05	910	0,05	ТЮа
2Т87.6Г	р-п-р	90	[60]	10 (15)	3 [50]	40+160	<ЗмА	220	<0,5	910	0,05	ТЮа
2Т877А*	р-п-р	во	80	20 (40)	3 [50]	750+10000	[<1 мА]	>100	<2	830	0.3	ТЮа
2Т877Б-	р-п-р	60	60	20 (40)	3[50]	2500+18000	[<1 мА]	2160	<2	830	05	ТЮа
2Т877В*	р-п-р	40	40	20 (40)	3(50]	2500+18000	[<1 мА)	>100	<2	830	0,3	ТЮа
КТ878А	п-р-п	900	[450]	30 (50)	2 [160]	12+50	<ЗмА	>10	<1,5	<500	<500	ТЮа
КТ876Б	п-р-п	воо	[400]	30 (50)	2 [100]	12+50	<ЗмА	>10	<1.5	<500	<500	ТЮа
КТ878В	п-р-п	600	[300]	30(50)	2 [100]	12+50	<ЗмА	>10	<1,5	<500	<500	ТЮа
КТ879А	п-р-п	—	200	50 [75]	(250]	10+40	<5мА	>10	<2	<600	<250	Т9а
КТ879Б	п-р-п	—	150	50(75)	[250]	10+40	<5мА	>10	<2,5	<600	<1500	Т9а
2Т880А	р-п-р	160	100(60]	2(4)	0.8 [5]	80+250	<0,2	230	<0.35	<400	(<1,6)	Т5
2Т880Б	р-п-р	60	60 [60]	2(4)	0.8 [5]	80+250	<0,2	>30	<0.35	<400	(<15)	Т5
2Т880В	р-п-р	50	50(40]	2(4)	0.8 [5)	80+250	<0.2	>зо	<055	<400	(<1,6)	Тб-
2Т88ОГ	р-п-р	100	100 [60]	2(4)	0,6 [5]	40+160	<0,2	>30	<0.35	<400	(<1,8)	Т5
2Т881А	п-р-п	100	100 [60]	2(4)	0.8(6)	80+250.	<0.2	230	<0.35	<400	(<1.8)	Т5
2Т881Б	п-р-п	60	60 [60]	2(4)	0.6 [5]	80+250	<0.2	>30	<0.35	<400	(<1,6)	Т5
2Т881В	п-р-п	50	50(40]	2(4)	0,6 [5]	80+250	<0,2	>30	<0,35	<400	(<1.8)	Т5
2Т881Г	п-р-п	100	100 [60]	2(4)	0,6(5]	40+160	<0,2	230	<0.35	<400	(<1,6)	Т5
2T88SA	п-р-п	1400	[700]	10 (15)	[175]	аз	<100	>15	<1	<135	<300	ТЮа
КТ886А1	П-р-п	1400	[700)	10(15)	(75J	6+25	[<500]	>15	<1	<135	<300	Т28а(БКЭ)
КТ,Б86Б1	п-р-п	1000	(500)	10(15)	[75]	6+25	[<500)	215	<1	<135	<300	Т28а(БКЭ)
КТ887А	р-п-р	700	700	2 [5)	3(75]	20+120	<250	>15	<1.4	<400	<500	ТЮа
КТ857Б	р-п-р	800	800	2 [5)	3[75]	20+120	<250	>15	<1.4	<400	<500	ТЮа
КТ89ОА*	п-р-п	350	[350]	20	[120]	2700	[<500]	>40	<2		—	Т25 (БКЭ)
KT8S05-	п-р-п	350'	[350]	20	[120]	>700	[<250]	>40	<2	—	—	Т25 (БКЭ)
КТ8903"	п-р-п	350	[350]	20	[120]	2700	(<250}	>40	<2	—	—	Т25(БКЭ)
КТ892А-	п-р-п	350	[350]	15 [30)	[100]	300+6000	<ЗмА	>8	<1.6	—	<10000	ТЮа
КТ892Б’	п-р-п	400	[400]	15 [30]	[100]	300+6000	<ЗмА	>8	<1,6	—	<10000	ТЮа
КТ8928‘	п-р-п	300	[300]	15 [30)	[100]	2300	<ЗмА	>8	<1.8	—	<10000	ТЮа
КТ892АГ	п-р-п	350	[350]	15 £30]	[70]	300+6000	<ЗмА	>8	<1,6	—	<10000	Т25 (БКЭ)
КТ892Б1*	п-р-п	400	[400]	15 [30]	[70]	300+6000	<ЗмА	>8	<15	—	<10000	Т25(БКЭ)
КТ896А*	р-п-р	90	90	20	[75]	750+18000	<2мА	28	<2	—		Т25 (БКЭ)
КТ896Б’	р-п-р	60	60	20	[75]	750+18000	<2мА	>8	<2	—	—	Т25 (БКЭ)
КТ896В'	р-п-р	60	30	20	[75]	750+18000	<2мА	28	<2	—	—	Т25 (БКЭ)
КТЭ97А’	п-р-п	350	350	20 [30)	3 [150]	400+12000	<250	>10	<1,6	—	—	ТЮа
КГ697Б’	п-р-п	200	200	20 [30]	3[150]	400+12000	<250	210	<1,6	—	—	ТЮа
КТ898А*	п-р-п	350	350	20(30]	1,5 [125]	400+12000	<250	>10	<1,6	—	—	Т25 (БКЭ)
КТ896Б’	П-р-п	200.	200	20 [30]	1,5(125)	400+12000	<250	>10	<1.6	—	—	Т25(БКЭ)
КГ698АГ	п-р-п	350	350	20 [30]	[60]	400+12000	<5мА	>10	<1,6	—	—	Т27 (БКЭ)
КТ898Б1*	п-р-п	200	200	20(30)	[60]	400+12000	<5мА	>10	<1.8	—	—	Т27(БКЭ)
КТ899А*	П-р-п	160	150	8(15)	[65]	21000	<0,5мА	>7	<1,3	—	—	Т23а(БКЭ)
КГ903А	п-р-п	60 [60)	60 [60]	3[5)	[30] [60)	15+70	[<10мА]	2120	<2	<160	(<500]	Т34
КТ903Б	П-р-п	60(60)	60(60)	3[5)	[30] (30)	40+160	[<10мА]	>120	<2	<160	[<500]	Т34
КТ904А	п-р-п		60(70)	0.8(15)	[5]	>10 [>2,5]	[<1,5мА]	>350	<1	<12	<15	Т8а
КТ904Б	п-р-п	—	60(70)	0,8 (1,5)	[5]	>10 [>3]	[<1,5мА]	>350	<1	<12	<20	Т8а
КТ907А	п-р-п	—	60 [7(3	1[3)	[13.5]	>10 [>8]	[<ЗмА]	>350	<1	<20	<15	Т8а
КТ907Б	п-р-п	—	50 [70)	1(3)	[135]	210 [>8]	КЗмА]	>350	<1	<20	<20	ТВа
КГ908А	п-р-п	140	100	10	[60]	8+60	<25мА	230	<15	<700	<300	Т34
КТ90ВБ	п-р-п	140	60	10	[50]	20+80	<50мА	230	<1,5	<700	<300	Т34
КТ9115А	р-п-р	300	300	0.1 (0,3)	1,2 [Ю]	25+250	<OJ05	>90	<1	<55	—	Т22а(ЭКБ)
КГ9И5Б	р-п-р	150	150	0,1 (о.з)	V[10]	25+250	<0.1	290	<1	<55	—	Т22а (ЭКБ)
КТ9120А	р-п-р	-	45	12(30)	[50]	>40	<0.1	250	<0,6	<1900	-	Т23а(БКЭ)
Тип транзистора	Структура	(и)В	Lfen [гр] (и) В	1кшвх (И) А	Рктвк МВт	Ь21Э [Раых],Вт	КБО (КЭО] мкА	tip. МГц	Ukbh. В (Кур), дБ	Сх, пФ	[т]пс	№ рис.
КТ9144А9	р-п-р	500	[300)	0,05	1	2+15	<0,01	£30	0,6	—	—	Т39
КГ9145А9	п-р-п	500	[300)	0,05	1	’ 2+15	<0,01	£50	1 1	—	—	Т39
КГ9166А	п-р-п	60	60 [60]	15(25)	1 [60]	>70	<300	£300	<0,5	—	—	Т23а(БКЭ)
КТ9170А	р-п-р	100	160 [80]	15(2)	1 12,6	40+100	<10	£50	<05	<45	—	Т22а(ЭКБ)
КГ9170Б	р-п-р	80	60 [60]	1,5(2)	1 125	63+160	<10	£50	<05	<45	—	Т22а(ЭКБ)
КТ9170В	р-п-р	60	60 [45]	1.5(2)	1 12,6	100+250	<10	£50	<0.5	<45	—	Т22а(ЭКБ)
KTS171A	п-р-п	100	100(80]	1,5(2)	1 12,6	40+100	<10	£50	<05	<45	—	Т22а(ЭКБ)
КТ9171Б	п-р-п	80	60 [60]	1,5(2	1 125	63+160	<10	£50	<0,5	<45	—	Т22а(ЭКБ)
КТ9171В	п-р-п	60	60(45]	15(2)	1 12,5	100+250	<10	£50	<05	<45	—	Т22а(ЭКБ)
КТ9178А	р-п-р	40	30 [30]	3(7)	1[10)	60+400	<1	£90	<0,5	<70	—	Т22а(ЭКБ)
КТ9177А	п-р-п	40	30 [30]	3(7)	1[10]	60+400	<1	£90	<0,5	<70	—	Т22а(ЭКБ)
КТ9176А	р-п-р	—	300	0,1 0,3)	1,2 10]	£25	<50	>90		<4.2	—	Т22а(ЭКБ)
КТ9176Б	р-п-р	—	250	0,1 0,3)	12 10J	£25	<50	>90		<4,2	—	Т2281ЭКБ)
КГ917БВ	р-п-р	—	160	0,1 0,3)	1.2 10]	£25	<50	£90	<1	<4.2	—	Т22а(ЗКБ)
КТ9179А	п-р-п	—	300	0,1 0,3)	1.2 10]	£25	<50	£90	<1	<4.2	—	Т22а (ЭКБ)
КТ9179Б	п-р-п	—	250	О.1 0,3)	1.2 Ю]	£25	<50	£90	<4	<4,2	—	Т22а.(ЭКБ)
КГ9179В	п-р-п	—	160	0,1 0,3)	12 Ю]	>25	<50	£90	<1	<4.2	—	Т22а(ЭКБ)
КГ9181А	п-р-п	40	(30	з 7)	1.5 [12,51	60+400	<0,001	>100	<0,5	<45		Т22а ЭКБ)
КГ9181Б	п-р-п	60	[40	3 7	1Л 12,5]	>50	«0Д)О1	>100	<0,6	<40	—	Т22а(ЭКБ)
КТ9181В 	п-р-п	80	[6С	3 7	1Л [12,5]	£50	<0501	£100	<0,6	<40	—	Т22а(ЭКБ
КГ9181Г	п-р-п	100	[60	з 7)	1,5 [12,5]	£50	<0,001	>100	<0,6	<40	—	Т22а(ЭКБ)
КТ9164А	п-р-п	70	70 [40]	10 (20)	[60]	£60	<1wA	>30	<0,8	—	—	Т23а (БКЭ)
КГ926А	п-р-п	200	150	15(25)	[50] (450)	10+60	[<25мА]	>51	<25	—	—	Т11
КТ9265	п-р-п	200	150	15(25)	[501(450)	10+60	[<25мА]	>51	<2.5	—	—	Т11
КГ926А	п-р-п	60	60	0.8 (1,2)	0,5 [2]	20+ 100	<5	£250		<10	—	Т5
КТ928Б	п-р-п	60	60	0,6 (1,2)	0,6 [2]	50+200	<5	£250		<10	—	Т5
КГ928В	п-р-п	75	75	0,6 (1.2)	0.5 [2]	100 + 300	<1	£250		<10	—	Т5
КТ935А	п-р-п	100	60	20 [30)	[60]	20+100	[<25мА]	>51	<1	<600	-	Т11
КТ940А	п-р-п	800	300	0.1 (0,3)	1.2 [10	£25	<0.05	£90		<5,6	—	Т22а(ЭКБ)
КТ940Б	п-р-п	250	250	о,1 (0,3	1,2[10	£25	<0j05	£90		<Ь5	—	Т22а(ЭКБ)
КТ940В	П-р-п	160	160	0,1 (0,3)	1.2 [10	£25	<0j05	£90	<1	<55	—	Т22а(ЭКБ)
КТ940А1	п-р-п	250	250	0.1 (0,3)	0,625	£25	<055	>90	<1	<4.2			Т19и(БКЭ)
КТ940Б1	п-р-п	200	200	0.1 (0,3)	0,625	>25	<0j05	£90	<1	<42	—	Т19и{БКЭ)
КТ940В1	п-р-п	100	100	0,1 (0,3)	0,625	£25	<0j05	£90	<1	<4,2	—	Т19и(БКЭ)
КТ944А	п-р-п	—	100	12,5(2(3	[65]	10+60	[<80мА]	100	<2,5	<350		Т9а
КТ945А	п-р-п	.—	150	15 25)	[50	10+60	(<25мА]	>51	<2,5	<200	<240	ТЮа
КГ945Б	п-р-п	—	150	15 25)	[50	10+60	[<25мА]	>51	<2,5	12ИЮ	<240	ТЮа
КТ945В	п-р-п	—	150	10 20)	[50	10+60	[<25мА]	>51	<2.5	<200	<240	ТЮа
КТ945Г	п-р-п	—	200	15 25)	[50	12+60	[<2мА]	>51	<25	<200	<240	ТЮа
КГ947А	п-р-п	—	100	20(50)	(200]	10+80	(<О,1 А]	100	—	<850	—	Т9а
КТ961А	п-р-п	100	100 [80]	1,5(2)	1 12,5)	40+100	<1.0	£50	<05	32	—	Т22а (ЭКБ)
КТ961Б	п-р-п	60	60 [60]	1.5(2)	1 12.5)	63+160	<10	£50	<05	32	—	Т22а(Э<Б)
КТ961В	п-р-п	60	60[45]	15₽	1 12,5]	100+250	<10	£50	<05	32	—	Т22а(ЭД
КГ961Г	п-р-п	40	40 [35]	1.5(2)	1 12.5]	200+500	<10	£50	<0.5	32	—	Т22а(ЭКБ)
2T9S6A	п-р-п	300	300	0,1 (ОД	0,8(4)	25+150	<0.5	£90	<1	<2,6	—	Т5
КТ969А	п-р-п	300	250	0.1 (ОД	1(8)	50+250	<0j05	>60	<1	<1.6	—	Т22а (ЭКБ]
КТ972А’	п-р-п	60	60	4		>750	<1wA	>200	<15	—	(<ОД	Т22а (3КБ)
КТ972Б’	п-р-п	45	45	4		£750	<1мА	£200	<1,5	—	<ОД	Т22а(ЭКБ)
КТ972В'	п-р-п	60	60	2(4)		750+5000	<1мА	>200	<15	—	(<ОД	Т22а(ЭКБ)
КТ972Г*	п-р-п	60	60	2(4)	в	750+5000	<300	£200	<055	—	(<ОД	Т22а(ЭКБ)
КТ973А*	р-п-р	60	60	4		£750	<1мА	£200	<15	—	(<0.2)	Т22а(ЭКБ)
КГ9735*	р-п-р	45	45	4		>750	<1мА	£200	<15		|<0,2)	Т22а(ЭКБ)
2Т974А	р-п-р	30	70	2(10)		10+120	<5	>450		<60	—	Т8
2Т974Б	р-п-р	60	60	2(10		10+120	<5	>450	<0.8	-<60	—	Т8
2Т974В	р-п-р	50	50	2(10		10+120	<5	>450		<60	—	Тб
2Т974Г	р-п-р	60	60	2(10)		10+120	<5	>450	<0,6	<80	—	Тб
КТ997А	п-р-п	45	45	10(20)		>40	<10	>51	<1	<270	<140	Т23а (БКЭ)
КТ997Б	п-р-п	45	45	10(26		£20	<10	>51	<(	<270	<140	Т23а (БКЭ)
КТ997В	п-р-п	60	60	10(20)		£10	<10	£51	<1	<270	<140	Т23а(БКЭ)
К1НТ251	п-р-п	45	45(60)	0,4 (0,8)	0.4 (10)	>10	<6	£200	<2	<15		Т48а
1НТ251	Пгр-П	45	45 (60)	0.4 (0,8	0.4(10)	30+150	<6	£200		<15	—	Т48а
1НТ251А	п-р-п	.45	45(60)	0,4 (0,8)	0.4 (10	30+150	<6	£200		<15		Т48а
К1НТ661А	р-п-р	300	250	5мА(10мА]	0.1	>5	<30	—	<5	—	-	Т43Б
КТС622А	р-п-р	45	45(60)	0.4 (0,6)	0.4 (10)	25+150	<16	—	<1,3	6+15	—	Г48а
КТС622Б	р-п-р	35	35(50)	0.4 (0,6)	0.4(10)	>10	<20	-	<2	6+15	-	Т48а
* Составные транзисторы.
** Транзисторы с демпфирующим диодом.
Табл. 9.16. Параметры отечественных полевых транзисторов.
Тип транзистора	Структура	Чей мах,	Ihirrax [Чсио], В
КП1ОЗЕ(Р1)		10	10
КГ11ОЗЖР1)		10	10
КП103И(Р1)		I2	10
КП103К[Р1)		10	10
КП103Л(Р1)		!2	10
КП103М(Р1)		10	10
КП302АМ		20	10
КП302БМ КП302ВМ КП302ГМ	р-л переход, л-канал	20 20 20	10 12 10
КПЗОЗА		25	30
КПЗОЗБ		’ 25	30
кпзозв		25	30
кпзозг		25	30
кпзозд	переход, л-канал	2'5	30
КПЗОЗЕ		25	30
кпзозж		25	30
кпзози		25	30
	изолирован-		
КП304А	ный затвор,	25	30
	р-канал		
2П305А		15	±30
2П305Б		15	±30
2П305В		15	±30
2П305Г	изолирован-	15	±30
КЛЗО5Д	ный затвор, л-канал	15	±15
КП305Е		15	±15
КПЗО5Ж		15	±15
КПЗО5И		15	±15
КПЗО6А	два изолиро-	20	20
КПЗО6Б КПЗО6В	ванных затвора, п-ханал	20 20	20 20
КП307А(1)		25,	27
КП307Б{1)	р-п	25	27
КП307ГП)	переход,	25	27
КП307Е{1)	п-ханал	25	27
КП307Ж(1)		25	27
КП312А	р-п переход,	20	25
КП312Б	л-канал	20	25
КП31.3А	изолирован-	15	10
КП313Б	ный затвор,	15	10
КП313В	л-канал	15	10
КП327А	два изолиро-	14	5
КП327Б	ванных	14	5
КП3278	затвора,	14	5
КП327Г	л-канал	14	5
КПЗЗЗА	р-п переход,	50	45
КЛЗЗЗБ	л-канал	40	35
КП341А	р-п переход,	15	10
КЯ341Б	л-канал	15	10
КГ1350А	два изолиро-	15	15
КП350Б КП350В	ванных затвора, л-канал	15 15	15 15
КП364А		25	30
КП364Б		25	30
КП364В		25	30
КП364Г	р-п переход,	25	30
КП364Д	лианал	25	30
КП364Е		25	30
КП364Ж		25	30
[КП364И		25	30
китах (имп.] мА	Реи Pi max,	Чзипор [ore.], В	Ic нам, мА [ост], мА (Чзи при 1с]	S, мА1В [Ь21е]
	0,007	[0.4+1,51	05+25	О Д+2,4
—	0,012	[0.5+2,2)	0,35+3,8	05+2,8
—	0,021	[0,8+3]	0,61.8	05+2,8
—	0.038	[1.4+4]	1+5,5	1+3,3
•—	0,066	[2+6]	1,8+6,6	1,8+3,8
—	0,12	[2.8+7]	3+12	1.3+4,4
24	0,3	[1+5]	3+24(6)	5+12,5
43	0,3	[25+7]	1В+43 [8]	7+14
—	0,3	[3+10]	<33 [8]	—
—	0,3	[2+7]	15+85 [8]	7+145
20	0.2	[0.5+3]	05+2,5 [5]	1+4
20	0,2	[05+з]	05+2,8(51	1+4
20	0,2	[1+4]	1.5+2 [5]	2+5
20	0.2	1<6]	3+12 [5]	3+7
20	0,2	[<8]	3+9 [5]	£2,6
20	0,2	[<8]	5+20 [5]	>4
20	0,2	[0.3+3]	0,3+3 [5]	1+4
20	0.2	(0.5+2)	1,5+5 [5]	2+6
30	0,2	£5	<0,0001	>4
15	0,15	[<8]	—	6+10
15	0,15	[<61	—	6+10
15	0,15	[<6]	—	6+10
15	0,15	[<6]	—	6+10
15	0,15	[<61	—	5.2+10,5
15	0,15	[<61	—	4+8
15	0,15	[<61	—	5,2+10,5
15	0,15	(<61	—	4+10,5
20	0,15	(-4...-O.8)	—	3+8
20	0,15	[-4 ...-0,2]	—	3+8
20	0,15	(-6...-1.3J	—	3+8
25	0,25	[05*3]	3+8	4+9
25	0,25	[1+5]	5+15	5+10
25	0.25	[1.5+6]	8+24	6+12
25	0,25	(<2.5)	15+5	3+8
25	0.25	[<7]	3+25	4+14
25	0,1	[2+6)	8+25	>4
25	о,1	[0,8+6]	15+7	>9
15	0,075	[>6]	(0.3+1,8)В	4,5+10,5
15	0,075	[>-6]	(-ОД+0.5) В	4.5+10,5
15	0,075	[>-6]	(-2+-0.3) В	4,5+10,5
30	0,2	1<2.7]	0.5+17	>9,5
30	0,2	[<2.7]	05+17	>9,5
30	0.2	[<2,7]	<17	£95
30	0,2	[<2.7]	<17	>95
—	0.25	(1+8)	[<0,001 ]	4+5.8
—	0.25	[0,6+4]	[<0,001 ]	2+5
—	0,15	[<3]	5+20	>12
—	0,15	R	12+35	>18
30	0,2	[0,07+8]	<3,5	6+13
30	0.2	[0,07+8]	<35	6+13
30	0.2	[0,07+8]	<35	'6+13
20	0.2	Ю.&+-3]	05+2,5	1+4
20	0.2	[0,5+3]	0,5+2,5	1+4
20	0,2	[1+4]	1,5+5	2+5
20	02	[<6]	3+12	3+7
20	0,2	[<8]	3+9	£2,6
20	0,2	[<8]	5+20	>4
20	0,2	[0.3+8]	0,3+3	1+4
20	02	Ю5+2]	1.5,5	2+6
fpaB МГц	!зут.| нА [Ьднс]	Втистк, Ом [Кш], дБ	Спи, пФ	№ рис.
3	<20	[<3)	<20	
3	<20	[<3]	<20	
3	<20	[<3]	<20	
3	<20	[<3]	<20	
3	<20	[<3]	<20	(Т19е)
3	<20	[<3]	<20	
—	<10	[<2.75]	<20	Т1в
—	<10	<150	<20	Т1в
—	<10	<100	<20	Т1в
—	<10	<150	<20	Т1в
100	<1	—	<5	ТЗв
100	<]	—	<6	ТЗв
100		—	<5	ТЗв
100	<0,1	—	<5	ТЗв
100	<1	[<4]	<6	ТЗв
100		И	<6	ТЗв
100	<5		<6	ТЗв
100	<5	м	<6	ТЗв
-	<20	<100	<9	Т4а
—	<1	1<6,5]	<5	ТЗг
—	<1	—	<5	ТЗг
—	<1	[<5,5]	<5	ТЗг
—	<1	—	<5	ТЗг
	<1	. (<7.51	<5	ТЗг
—	<1	—	<5	ТЗг
—	<1	[<7,5]	<5	ТЗг
—	<1	—	<5	ТЗг
—	<1	[4+8]	<5	ТЗд
—		[4+8]	<5	ТЗд
-	<1	[4+8]	<5	ТЗд
600		—	<5	
600		[<6]	<5	ТЗв
600	<1	(<61	<5	
600	<1	—	<5	(Т19ж)
600	<0,1	—	<5	
—	<10	[1+4]	2+4	Т175
-	<10	[1+8]	2+4	Т176
300	<8	(<7,5)	<7	Т126
300	<8	[<7,5]	<7	Т126
300	<8	1<75)	<7	Т126
1200	<50	[<3.8]	<6	ТЗО
1200	<50	[<28]	<6	тзо
1200	<50	[<4.5]	<6	ТЗО
1200	<50	[<3]	<9	тзо
—	<0,2	<1500	<8	Т1в
—	<100	<1500	<6	Т1в
—	<1	[<18]	<5	Т176
—	<10	[<1.91	<55	Т176
—	<1	[3.7+8]	<6	Т46
—	<1	[2+5]	<5	Т46
—	<1	[4.1+8]	<6	Т4б
—	<1	—	<6	Т19ж
—	<1	—	<6	Т19ж
—	<1		<6	Т19ж
—	<0.1	—	<6	Т19ж
—	<5	[<4]	<6	Т19ж
—		[<4]	<6	Т19ж
—	<5		<6	Т19ж
-	<5	-	<6	Т19ж
Тип транзистора	Структура	Оси {инпЛ мах, В	Озипвс [М В	Icmax (имп.)	Реи и max,	Оэигюр Готе.], В (ten, нс)	Jc нач, мА Пост], мА (1сиут. мА]	S, МА/В 1Ы	fpa6 МГц	1эут., мкА В» НС]	Всиотц, Ом [Кш], дБ	Сии, пФ (ад]	№ рис.
КП365А КП365Б	р-п переход, п-канал	20 20	20 20	-	0.15 0.15	[-34-0,4] [-3+-0.4]	4,5+20 12+35	>15 >18	-	<0,001 <0.01	[<1.5 нВ] [<1,2 нВ]	<6 <6	Т19е Т19в
КП501А КП501Б КП501В	изолированный затвор, п-канап	240 200 200	±20 ±20 ±20	0,18 0,18 0,18	05 05 05	1+3 1+3	[<0.01] [<0.01 ] [<0,01]	>100 >100 >100	-	-	<10 <10 <15	[0,875]	Т19ж Т19ж Т19ж
КП502А КП5ОЗА КП504А	изолированный затвор, п-канал	400 240 240	±10 ±20 ±10	0,12 0,15 0,25	1 1 1	15+25 -15+0,7 0,6+1,2	[<0,001] [<0.0001] ]<0,001]	>100 >140 >140			<29 <20 <6		Т19ж Т19ж Т19ж
КП505А КП505Б КП5058 КП505Г	изолированный затвор, п-канал	50 50 60 В	±20 ±20 ±20 ±10	1.4 1,4 1,4 0.5	1 1 1 0,7	0,8+2 05+2 0,8+2 0,4+0,8	[<0,001] [<0.001] [<0.001] [<0,001]	>500 >500 >500	2	±0,1 ±0.1 +0,1 ±0.1	<05 <05 <05 <1,2	[15] й [15]	Т19ж Т19ж Т19ж Т19ж
КП507А	изолированный затвор, р-канал	-50	±20	-1,1	1	-0.8+-2	[<0.001]	-	-	±0,1	<0.8	-	Т19ж
КП523А КП523Б	изолированный затвор, п-канал	200 200	+20 ±14	0,48 0,48	1 1	ОД+2 0,8+2	[<0ДО1] [<0,001]	>05 >05	-	-	<2 <4	-	Т19ж Т19ж
КПБ01А КП601Б .	р-п переход, л-канал	20 20	15 15		2 2	[4+9] [6+12]	160+400 160+400	40+87 40+87		<0,01 <0,01	[2.6+6] [2,6+6]	75+Ю 75+10	Т7
КП707А1 КП707А2 КП707Б1 КП707Б2 КП707В1 КП707В2 КП707Г1 КП707Д1 КП707Е1	изолированный затвор, п-канал	400 400 600 500 800 800 700 500 750	+20 +20 +20 ±20 ±20 +20 +20 +20 ±20	(>15) (>15) (>10) (>Ю) ЙП (26) (26) (212) (28)	[60] [60] [60] [60] [55] [55] (55] [55] [50]	2+45 2+4,5 2+4,5 2+45 2+4,5 2+4.5 2+4,5 2+45 2+4,5	<0,25 [<1] <0.25 [<1] <0.25 [<1] <0.25 [<1] <0,25 [<1] <0;25[<1] <0,25 [<1] <0.25[<1) <0.25 [<1]	>1500 >1500 21500 >1500 21500 21500 21500 21500 >1500	>15 Й1.5 >15 >15 >15 >15 >1.5 >1,5 >15	<100 <100 <100 <100 <100 <100 <100 <100 <100	<2 <2 <2,5 <15 <5	<1500 <1500 <1500 <1500 <1500 <1500 <1500 <1500 <1500	Т23в Т23в Т23в Т23в Т23в Т23в Т23в Т23е Т23е
КП723А КП723Б КП723В КП723Г	изолированный затвор, п-канал	60 60 50 60	±20 +20 +20 ±10	60 50 50 50	[150] [150] [150] П50]	2+4 2+4 2+4 1+2	<0,05[<0.2Е] <0,05 [<025] 0,05 (<025] <0,05[<025]	>15000 >15000 >15000 223000	-	±0.1 ±0,1 ±0.1 ±0,1	<0,028 <0,035 <0,020 <0,028	<1200 <1200 <1200 <4300	Т23е Т23в Т23в Т23в
КП726А КП726Б КП726В КП726Г	изолированный затвор, п-канал	600 600 600 600	+20 +20 ±20 +20	4 4,5 3,2 2,7	Р5] R5) [75] R5)	2.1+4 2.1+4 2.1+4 2.1+4	[<0,25] [<0.25] [<0.25] [<0.25)	21500	-	±0,1 ±0,1 ±0,1 ±0,1	<1.6 <25 <2,7	<1200 <1200 <1200 <1200	Т23е Т23в Т23в Т23в
КП727А КП727Б КП727В КП727Г КП727Д КП727Е КП727Ж	изолированный затвор, л-канап	50 60 60 50 50 60 80	+20 +20 ±10 ±20 +20 ±20 +20	14 30 30 25 17 14 25	НО) (55] [88] [88] [75] [88] [55]	2+4 2+4 1+2 2+4 2+4 2+4 2+4	[<0.25] [<0,25] [<0.25] [<0,25] [<0,25] [<0.25] (<0.25}	24000 29300 >9300 >6000 23000 >8700 25300		±0,1 ±0,1 ±0,1 +0,1 ±0,1 ±0,1 ±0,1	<0,1 <0.05 <0.05 <0,08 <0,12 <0,1 <0,85	<1600 <1800 <1800 <1600 <1600 <1600 <1600	Т23в Т23в Т23е Т23в Т23в Т23е Т23в
КП728А1 КП728Б1 КП728В1 КП728Г1 КП728Д1 КП728Е1 КП728Ж1 КП728И1 КП728К1 КП728Л1 КП728М1 КП728Н1 КП728П1 КП728Р1 КП728С1	изолированный затвор, р-канал	600 800 750 700 700 600 600 550 550 550 550 500 500 400 650	±20 +20 ±20 ±20 ±20 +20 ±20 ±20 +20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20	3 2.6 3 3 3 3.3 4 3 3 4 4 4 5 3.3	[75] [75] [75] [75] [75] RS] [75] [75] [75] [75] [75] [75] [75] [75] Р5]	2+4 2+4 2+4 2+4 2+4 2+4 2+4 2+4 2+4 2+4 2+4 2+4 2+4 2+4 2+4	[<0,25] [<0,25] [<0,25] [<0,25] [<0.25] [<0,25] [<0,25] [<0,25] [<0.25] [<0.25] [<0,25] [<0.25] [<0.25] [<0.25] [<0.25]	>1000 21000 21500 >1500 >1500 22500 >1500 >1500 >1500 >1500 >1500 >1500 >1500 >1500 22100	-	±0,1 +0,1 +0,1 +0,1 +0,1 ±0,1 +0,1 +0.1 ±0,1 ±0.1 ±0.1 ±0.1 ±0,1 ±0,1 ±0.1	<3 <4 <6 <5 <25 <3 <2 <5 <5 <2 <15 <1 <4	<1100 <1100 <1100 <1100 <1100 <1100 <1100 <1100 <1100 <1100 <1100 <1100 <1100 <1100 <1100	Т23в Т23в Т23в Т23в Т23в Т23е Т23в Т23в Т23е Т23е Т23в Т23е Т23е Т23в Т23в
КП731А КП731Б КП731В	изолированный затвор, п-канап	400 350 400	±20 ±20 ±20	2 2 1.7	[36] [36] [36]	2+4 2+4 2+4	[<0,25) [<0.25] [<0,25]	-	-	-	<35 <35 <5	-	Т23в Т23е Т23в
КП734А КП734Б	изолированный затвор, п-канал	• 60 60	±10 ±10	19 18	р2] [72]	1+2 1+2	(<0.25) (<0.25}	-	-	-	<0,05 <0,06	<1000 <1000	Т23в Т23в
Тип транзистора	Структура	Оси (имлЛ мах, В	Сайтах [Мсио], В	Icmax (имп.) А	Реи П) *Вт’	Изипар Готе,], В (ten, НС)	1с нач, мА рост], мА (1сиут. мА)	S, МА/В [hsie]	1раб МГч	1зут., мкА [twHC]	Всиоти, Ом [Кш],дБ	Сии, пФ [Unp.VD]	№ рис.
КЛ73БА КП735Б КП735В КП735Г	изолированный затвор, п-канал	60 60 50 50	±20 ±20 ±20 ±20	48 42 48 42	[ЮО] [1С0] [ЮО] [100]	2+4 2+4 2+4 2+4	(с0,25) (<0.25) (<0,25) (<0.25)		-	-	<0,025 <0.028 <0.025 <0,028	<1800 <1800 <1800 <1800	Т23в Т23в Т23в Т23в
КП737А КП737Б КП737В КП737Г	изолированный затвор, л-канал	200 250 250 200	±20 ±20 ±20 ±10	9 8,1 6.5 9	[74) [74] [74] [74|	2+4 2+4 2+4 1+2	[<0,25] [<0,25] [<0,251 [<0.25]	-	-	-	<0,4 <0,45 <0,68 <0,4		Т23в Т23в Т23в Т23в
КП738А КП738Б КП738В КП738Г КП738Д КП738Е КП738Ж	изолированный затвор, п-канал	800 800 800 550 550 800 550	±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20	42(20) 4(18) 3/5(14,4) 4,5 [18) 4 [16) 62(248) 62(248)	[75] [75] [75] Р5] [751 [75] [75)	2+4 2+4 2+4 2+4 2+4 2+4 2+4	[<D.25j [<0.25] [сО.25] [<025] [<0.25] [<0.25] к0,251	-	-	±0,1 ±0.1 ±0,1 ±0,1 ±0,1 ±0.1 ±0,1	<12 <2 <2,4 <22 <2 <12 <1.2	-	Т23в Т23в Т23в Т23в Т23в Т23в Т23в
КП739А КП739Б КП739В	изолированный затвор, п-канал	60 50 60	±20 ±20 ±20	10 10 8.3	[43] [43] ИЗ]	2+4 2+4 2+4	[<0,251 [<0.251 [<0.251	-	-		<0,2 <0,2 <0,32		,Т23в Т23в Т23в
КП740А КП740Б КП740В	изолированный затвор, п-ханал	60 50 60	±20 ±20 ±20	17 17 14	[60] [60] (60)	2+4 2+4 2+4	(<0.25] [<0.25] (<0,25]	-	-	-	<0.1 <0,1 <0,12		Т23в Т23в Т23в
КП741А КП741Б	изолированный затвор, л-канал	60 50	±20 +20	50 50	[190] [150]	2+4 2+4	[<0,251 [<0,251		-	-	<0,018 <0,024	-	Т23в Т23в
КП742А КП742Б	изолированный затвор, п-канал	60 50	±20 ±20	75 60	[200] [200]	2+4 2+4	[<0.251 [<0.251	-	т	-	<0,014 <0212	-	Т266 Т266
КП743А КП743Б КП743В	изолированный затвор, п-канал	100 ВО 100	±20 ±20 +20	5.6 52 4,9	[43] [43[ [43)	2+4 2+4 2+4	[<0,25] [<0,25] [<0,25]	Й1300	-	-	<0.54 <0,54 <0,74		Т23в Т23в Т23в
КП744А КП744Б КП744В КП744Г	изолированней затвор, п-ханал	100 60 100 100	±20 +20 ±20 ±10	9.2 9,2 0 9,2	[60] [60] [60] [60]	2+4 2+4 2+4 1+2	[<0,25] [<0.251 [<0.25) [<0.25)	S2700	-	-	<0,27 <0,27 <0,36 <0,27		Т23в Т23в Т23в Т23в
КП745А КП745Б КП745В КП745Г	изолированный затвор, п-ханал	Ю0 80 100 100	±20 ±20 ±10	14 14 12 15	(881 (88| (881 (88|	2+4 2+4 2+4 1+2	[<0.251 [<0.25] {<0,25] (<0.25]	>5100 >6400	-	-	<0,16 <0.16 <0.23 <0,16		Т23в Т23в Т23в Т23в
КП74БА КП746Б КП748В КП746Г	изолированный затвор, л-канал	100 60 100 100	±20 ±20 ±20 ±10	28 28 25 28	[150] [150] [150] ИБО]	2+4 2+4 2+4 1+2	[<0,25] [<0)251 [<0.25) [<0.251	>5700	-	-	<0277 <0277 <0,1 <0,077	-	Т23в Т23в Т23в Т23в
КП747А	изолированный затвор, п-ханал	100	±20	41	[230)	2+4	[<0.25)	ызоор	-	-	<0,055	-	Т266
II!	изолированный затвор, л-канал	200 150 200	±20 ±20 ±20	3,3 32	(36) [36] [36]	2+4 2+4 2+4	(<0.25] (<0,25) [<0.25]	2800	-	-	<12 <12 <2,4	-	Т23в Т23в Т23в
КП749А КП749Б КП749В	изолированный затвор, п-ханал	200 150 200	±20 ±20 ±20	5,2 5,2 4	[501 [501 [60]	2+4 2+4 2+4	[<0.25) [<0.25] [<0,25]	>1500	-	-	<0.6 <02 <1,2		Т23в Т23в Т23в
КП750А КП750Б КП750В КП750Г	изолированный затвор, л-канал	200 150 200 200	±20 ±20 ±20 ±10	18 18 16 1В	1125) [125] [125] [125]	2+4 2+4 2+4 1+2	[<0.25] (<0.25] [<O.25J [<0251	-	-	-	<0.18 <0,18 <0,22 <0,18	-	Т23в Т23в Т23в Т23в
КП751А КП751Б КП751В	изолированный затвор, п-канал	400 350 400	±20 ±20	3.3 33 2j6	[60J [501 [60]	2+4 2+4 2+4	[<0.25) [<0.25] [<0.251	21700		-	<12 <12 <2,5	-	Т23в Т23в Т23в
КП752А КП752Б КП752В	изолированный затвор, п-канал	400 350 400	+20 ±20 ±20	ад 52 42	[74] [74] [74]	2+4 2+4 2+4	[<0,25] [<0,25] [<0.25[	22900	-	-	<1 <12	-	Т23в Т23в Т23в
КП753А КП753Б КП753В	изолированный затвор, п-ханал	500 450 500	±20 ±20 +20	45 4,5 4	р41 [741 [74[	2+4 2+4 2+4	[<0.25) [<0.25] [<025]	-	-	-	<12 <12 <2	-	Т23в Т23в Т23в
Тип транзистора	Структура	Оси (импЛ мах, В	Цзилвх [Осио], В	Icmax (ими.) А	Рсир] шах. Вт		Озипор [ОТС.1.В (ten, НС)	(с НаЧ, мА [1ост], мА ((сиут.мА)		S, мА/В [h2iE]	(раб МГц	1зут.» мкА Он, нс]	Raiont. Ом [Кш], дБ	Саи, пФ (Unp.VD)	№ рис.
КП771А КП771Б	изолированный затвор, л-ханал	100 100	±20 ±20	40 35	1150] [150]		2+4 2+4	[<0,25] [<0,25]		-	-	-	<0,04 <0.055	-	Т23в Т23в
КП775А КП775Б КП775В	изолированный затвор, п-канал	60 55 60	±20 ±20 ±20	50 50 50	П50] П50] (150]		1+2 1+2 1+2	[<0,251 (<0,251 [<0.251				-	<0,009 <0,009 <0,011		Т23в Т23в Т23в
КП776А КП776Б КП776В КП776Г	изолированный затвор, л-ханал	400 350 400 450	±20 +20 ±20 +20	1D 10 ед 8,3	(125) (125] (1251 [125]		2+4 2+4 2+4 2+4	[<0.251 [<0,251 [<0.25) (<0.25]		-	-	-	<055 <0,55 <0.6 <0,63		Т23в Т23в Т23в Т23в
КП777А КП777Б КП777В	изолированный затвор, п-канал	500 450 500	+20 ±20 ±20	8 8 7	(125] (125] (125)		2+4 2+4 2+4	[<0.251 [<0351 [<0,25|		-	-		<0,85 <0.85	-	Т23в Т23в Т23в
КП778А КП779А	изолированный затвор, п-канал	200 500	+20 ±20	30 14	[190] [190]		2+4 2+4	[<0.251 [<0.25)		-	-	-	<0,085 <0,4	-	Т266 Т266
КП780А КП780Б КП780В	изолированный затвор, л-канал	500 450 500	+20 ±20 ±20	2.5 2.5 2,2	[50] 150] |50]		2+4 2+4 2+4	[<0.25] [<0.251 (<0.251			-		<4	-	Т23в Т23в Т23в
КП781А КП783А ,	изолированный затвор, л-ханал	400 55	±20 +20	16 98	(190] (190]		2+4 2+4	(<0.25) (<0.25)		-	-	-	<од <0,008	-	Т265 Т266
КП7Й4А КП785А	изолированный затвор, /якая ал	-60 -100	+20 -+20	-18 •1S	|8В] (150]		-2+-4 -2+-4	!<0.11 (<0.11		>5900 >6200	-	<0.1 <0.1	<0,14 <0,2	1100 1400	Т23в Т23в
КП786А КП787А	изолированный затвор, п-канал	800 800	±20 +20	8	[100] (150]		2+4 2+4	[<0,25] [<О,25]		>1000	-		<0.9		Т23в Т23в
КП789А	изолированный затвор, п-ханал	55	+20	60	(250)		2,1+4	[<035]		-	-	-	<0,008		Т266
КП796А	изолированный затвор, р-канал	-250	+20	-4,4	[74]		2+4	(<0.25)		-	-		<1		Т266
КП809А КП809Б КП809В КП8О9Г КП809Д КП809Е	изолированный затвор, п-канал	400 500 600 700 600 750	+20 +20 ±20 +20 +20 ±20	(25) (20) (15) (15) (10) (8)	(1001 [100] ]100] ЦОС] [100] (100)		2,543,8 25+3,3 2,5+ЗД 25+33 25+33 25+33	<0.25 [<1] <0,25 [<1| <0.25 [<1] <0,25 [<1] <0.25 [<1) <0,25 [<1]		>1500 >1500 >1500 2:1500 21500 >1500	•аз 23 >3 >3 >3	[<751 (<75] 1<75) [<75] [<75] [<75]	<0,3 <0.6 <13 <13 <13 <23	<220 <220 <220 <220 <220 <220	ТЮб ТЮб ТЮб ТЮб ТЮб ТЮб
КП809А1(2) КП809Б1(2) КП809В1(2) КПВ09Г1(2) КП80ЭД1(2) КП809Е1(2)	изолированный затвор, п-ханая	400 500 800 700 800 750	+20 ±20 ±20 +20 ±20 +20	(25) (20) (13 (15) [10) (8)	(60 [50 (60 [50 [60 (60		2,5+33 2.5+3,3 2,54-33 2,54-3,3 2,5+33 25+33	<0,25 <0,25. <0,25 <0,25 <0,25 <0,25	<1] <11 <11 <11 <11 <0	>1500 21500 >1500 >1500 >1500 >1500	>3 23 23 >3 23	[<75] [<751 [<75] (<751 1<75] 1<75]	<0,3 <03 <13 <13 <13 <23	<220 <220 <220 <220 <220 <220-	Т266 (Т2В6)
КПВ1ОА КП81ОБ КП810В	л-канальный со статической ивдум^ей	1500 1300 1000	650] 650] 700]	7 7 5	[50] [50 [50		(220) (220) (220)	(<051 |<0.5] [<051			15 15 15	<2мА <2мА <2мА	<0,2 <0,2 <0,2		1266 Т266 Т266
КП812А1 КП812Б1 КП812В1	изолированный затвор, п-канал	60 60 60	±20 ±20 +20	50 40 35	[125] [60] (70]		2+4 2+4 2+4	<0.25 <0.25 <0.25		>15000 25500 >9300	-		<0,028 <0,035 <0.05	<1900 <640 <1200	Т23в Т23е Т23в
КП813А КПВ13Б	изолирован-ный затвор, п-канал	200 200	+20 ±20	22 22	(125] [125]		2,1+4 2,1+4	<035 <035		>5500 >5500	>3	1<50] [<50]	<0,12 <0,18	<240 <240	ТЮб 1106
КП813А1(2) КП813Б1(2)		200 200	±20. ±20	22 22	(125] [125|		2,1+4 2,1+4	<0.25 <035		25500 25500	>3 >3	[<501 [<50]	<0,12 <0.18	<240 <240	Т266 (Т286)
КП901А КП901Б	изолированный затвор, л-ханал	70 70	65 85	4 4	[20] [20]		-	15+200 15+200		50+160 60+170	400 400	-		<100	Т8б Т8б
КП903А КПЗОЗБ КПЗОЗВ	р-п переход п-канал	20 20 20	15 15 15	0.7 0,7 0,7	[6] (61 [61		[5+12] [1+651 [1+10]	<700 <480 <600		85+140 50+130 60+140	-	<100 <100 <100	3+9,8 2+21 2+10	-	Т0в Т8в Т8в
КП904А КП904Б	изолированный затвор, п-канал	70 70	30 30	10 5	[70] [70]		-	<350(2001 <350 [200]		250+520 250+520	400 400	-	-	<300 <300	Т9б Т9б
КП905А КЛ905Б КП905В	изолированный затвор, п-канал	60 60 60	±30 ±30 +30	0,35 0,35 0,35	14] (41 [41		-	D.5+20 [<1] 0,5+20 [<1] 0,5+20 [<1]		18+39 18+39 18+39	1500 1500 1500	-	(<631	i+7 7+11 11+13	Т145 Т146 Т146
Тип транзистора	Структура	Пси (им.т) мах, В	Олтах [Осио], В	(стах (ими.) А	Реи fl *Вг	Изи пор [ото.], В (ten, нс)	1с нач, мА Пост], мА (1сиут. К'А)	S, МА® (had	МГц	1зут„ мкА р^нс]	Рсисгц. Ом [Яш], дБ	Сии, пФ [Офи]	№ рис.
КП907А	изолированный затвор,	60	+30	1.7	[11.51	-	20+Ю0(<10]	110+200	1500	-	-	-	Т146
КП907Б		60	+30	1.3	[11.51	—	20+Ю0[<10]	100+200	1500	-	—	—	Т146
КП907В	л-канал	60	+30	1	[11,5)	—	20+-100[<Ю)	60+110	1500	—	—	—	Т146
КП922А(1)	изолирован-	100	+30	10	[60]	2+8	[<2]	1+2.1 ыв	-	<5	0,13+0,2	<2000	ТЮб
КП922Б(1)	ный затвор, л-канал	100	+30	10	[60]	2+8	[<2]	1+2,1 А®	-	<5	О,2+0,4	<2000	(Г23в)
2П926А	р-п переход	450	-25	165(30)	[50]	-15	-	>2000		<1 мА	<0,1		ТЮб
2П926Б	вертнйгъный п-канал	400	-20	165(30)	[60]	-15	-	>2000	-	<1 мА	<0,1	-	ТЮб
КП934А	п-канапьный	450	5	10	(40]	-	[<3]	М2]	50	<5 мА	<0.1	—	ТЮб
КП934Б	состатичес-	800	5	10	|40|	—	[<3]	М2]	50	<5 мА	<0,1	—	ТЮб
КП934В	кои индукцией	400	5	10	[40]	—	[<3]	М2]	50	<5 мА	<0,1	—	ТЮб
КП946А	л-канальный	500	[400)	15	[40]	(55)	(«ед	—	30		<0,1	-	Т23в
КП946Б	со статической индукцией	500	(200]	15	[40]	(55)	(<05)	-	30		<0.1	—	Т23в
КП946А		(SOO)	[4501	5	[30]	[ЮО)	т	—	30	<600	<0,15	—	Т23в
КП948Б		(800)	[300]	5	|30|	(100)	h0.5]	—	30	<500	<0,15	—	123в
КП948В	сос1а!ичеи-	[700)	[370)	5	[301	(100)	[<о,51	—	30	<500	<0,15		Т23в
КП948Г	койивдукцией	(800)	[250|	5	|30|	(100)	[<0.51	—	30	<500	<0,15	—	Т23в
КП953А		(800)	[450]	15(20)	[50]	(160)	(<0.5)	—	>50	<500	<0.06	—	Т266
КП953Б	л-канальный	(800)	[300]	15(20)	[501	(150)	(<0.5)	—	£50	<500	<0,06	—	Т266
КП953В	состатичес-	(700)	[450]	15(20)	|60|	(150)	(<0.5)		£50	<500	<0,06	—	Т266
КП953Г	юй индукцией	(800)	[300]	15(20)	|50|	[150)	(<0.5)	—	£50	<500	<0,06	—	Т266
КП353Д		(800)	(4501	15(20)	М	[150)	(<0-5]	—	£50	<500	<0,06	—	Т266
КП954А		(150)	[80]	20(30)	1.2 [40|	[60)	(<0.5)	—	£150	<300	<0,03		Т23в
КП954Б	л-канальный	(Ю0)	(50)	20(30)	1,2140]	(50)	(<05)	—	£150	<300	<0,03	—	Т23в
КП954В	состатичес-	[001	КО]	20(30)	1,2(40)	(50)	(<05)	—	>150	<300	<0525	—	Т23в
КП954Г	коиивдухциеи	[20)	[20)	20(30)	1,2 [40]	(50)	(<0.5)	—	>150	<300	<0,025	—	Т23в
КП 954Д		(60)	120)	20(30)	V*|4O|	(50)	(<0.5}	—	>150	<300	<0,05	—•	Т23в
КП955А	л-канал. ный	700	[450]	20	[70]	(ЮО)	(<0.5)	-	—	<500	<0,04	-	Т266
КП955Б	со статической индукцией	450	(2001	20	[70]	(100)	(<О5)	—	-	<500	<0,03	—	Т266
КП956А	л-канальный	(450]	[650]	2(4)	(Ю]	(Ю0)	(<0.05)	(>100)	-	<0,1	<0.4	—	Т22в
КП956Б	кой индукцией	(450)	(2001	2(4)	[10]	(100)	(<0,05)	[>150]	—	<0,1	<0,4	—	Т22в
КП957А	л-канальный	(800)	[400]	1	[101	(110]	[<0,1]	—	30	<100	<0.6	—	Т22в
КП957Б	со статичес-	(BSO)	[300]	1	|1О|	(110]	[<0,1]	—	30	<100	<0.6	—	Т22в
КП957В	кой индукцией	(700)	[400]	1	|10|	(110)	[<0.1]	—	30	<100	<0.6	—	Т22в
КП958А	п-канальный	150		20	[70]	[80]	[<0.51	—	70	<500	<0,02	—	Т266
КП958Б		100		20	[701	[80]	[<0.5]	—	70	<500	<0,02	—	Т266
КП958В	состатичес-	60	—	20	[70]	[80]	1<0.5)	—	70	<500	<0.02	—	Т266
КП958Г	койивдукцией	20	—	20	[70]	(60)	[<0.51	—	70	<500	<0,02	—	Т266
КП959А	п-канальный	[30(9	[220]	0,2	П	—	[<0,02]	И0]	£200	<20	<5.7	<2	Т22в
КП959Б	состатичес-	(250)	[200]	0,2	|/|	—	[<0,02]	[>40]	£200	<20	<5,7	<2	Т22в
КП959В	коиивдукциеи	[200]	П201	0,2	|7|	—	[<0,02]	(>40)	£200	<20	<5,7	<2	Т22в
КП960А	р-канальный	(300)	[220]	0,2	Pl	-	(<0.01)	[>40]	£200	<20	<5,7	<15	Т22в
КП960Б	состатичес-	|250)	[2001	0,2	UI	—	(<0,01)	[>40]	>200	<20	<5.7	<15	Т22в
КП960В	юииндухциеи	[200]	1120]	0,2	[7.I	—	(<0.01)	[>40]	£200	<20	<5.7	<15	Т22в
КП961А		(250)	120	5(12]	[Ю]	(25)	(<0,1)	—	£200	<50	<0,16	-	Т23в
КП961Б	п-канальный	(160)	60	5|12).	[Ю]	(25)	(<о,1)	—	>200	<50	<0,14	—	Т23в
КП 961В		(120)	60	5 [12)	[Ю)	(25)	(<0,1)	—	£200	<50	<0,12	—	Т23в
КП9В1Г	со ci di иньской индукцией	[во]	40	5 [12)	[10]	(25)	(<0.1)	—	>200	<50	<0.1	—	Т23в
КЛ961Д		[20)	20	5(12]	[101	(25)	1<0.1)	—	>200	<50	<0.1	—	Т23в
КП961Е		(10}	10	3(12}	(101	(25}	(<0,1)	—	£200	<50	<0.8	—	Т23а,-
КП964А	р-канальный	150	[80]	20	[40]	(50)	КОД]	—	60	<300	<0,015	—	Т23в
КП964Б		100	[6(3	20	[40]	(50}	[<0.3]	—	60	<300	<0,015	—	Т23е
КП964В	состатичес-	60	[40]	20	[40]	(50)	1<о,3)	—	60	<300	<0.013	—	Т23в
КП964Г	кой индукцией	20	[80]	20	[40]	(50)	[<0.31	—	60	<300	<0,013	—	Т23в
КП971А	/5-канальный	900	[600]	25	[ЮО]	(200)	[<0.21	-	-	<500	<0,04	-	Т266
КП971Б '	со статической индукцией	800	[45С]	25	[100]	[150)	ко,2]	—	—	<500	<0.04	-	Т266
КП972А КП972Б	л-канальйый со статической индукцией	150 100	[80] [60]	40 40	[150] [150]	(60) [60)		-		<500 <500	<0,5 В <0,58	-	Т266 Т266
КП973А	л-канальный	700	[400}	30	[100]	(150)	[<0.2]	-	—	<500	<0,03		Т266
КП973Б	со ы alИЧсс-юй индукцией	800	[400]	30	[1001	(150)	(<0.2]	-		<500	<0,03	-	Т266
Табл. 9.17. Параметры зарубежных биполярных транзисторов.
Тип транзистора	Структура	Ukso в	Ukso В	krnax мА	Рктах Вт	11213	1КБО мкА		Кш дБ	№ рис.
ВС223А	п-р-п	50	30	350	0.35	100*300	<0,1	aso	—	Т19а(КБЭ)
ВС223В	п-р-п	50	30	350	0.35	200+460	<0,1	аэо	—	ТЮа (КБЭ)
ВС237А	п-р-п	50	46	100	оз	120+220	<0.015	>150	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС2378	п-р-п	50	45	100	0.3	180+460	<0.015	>150	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС237С	п-р-п	50	45	100	0.3	380+800	<0.015	>150	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС238А	п-р-п	30	25	100	0.3	120+220	<0.015	>150	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС2380	п-р-п	30	25	100	О.8	180+460	<0,015	>150	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС238С	п-р-п	30	25	100	0.3	380+800	<0.015	>150	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС239А	п-р-п	30	25	100	0.3	120+220	<0.015	>150	<4	ТЮа (КБЭ)
ВС239В	п-р-п	30	25	100	0.3	180+460	<0,015	>150	<4	ТЮа (КБЭ)
ВС239С	П-р-П	30	25	100	0,3	380+800	<0.015	>150	<4	ТЮа (КБЭ)
ВС307А	р-п-р	50	45	100	0,3	120+220	<0.015	130	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС307В	р-п-р	50	45	100	0.3	180+460	<0.015	130	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС307С	р-п-р	50	45	100	0.3	380+800	<DJO15	130	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС308А '	р-п-р	30	25	100	0.3	120+220	<0,015	130	<10	Т19а(КБЭ)
ВСЗО8В	р-п-р	30	25	100	0,3	180+460	<0,015	130	<10	Т19а(КБЭ]
ВС308С	р-п-р	30	25	100	0,3	380+800	<0.015	130	<10	Т19а.(КБЭ)
ВСЗО9А	р-п-р	30	25	160	О.З	120+220	<0.015	130	<4	Т19а(КБЭ)
ВС3096	р-п-р	30	25	100	0.3	180+460	<0.015	130	<4	ТЮа (КБЭ)
ВСЗО9С	р-п-р	30	25	100	о.з	380+800	<0,015	130	<4	Т19а{КБЭ)
ВС327-16	р-п-р	50	45	600	0,625	100+250	<0,1	100	—	ТЮа (КБЭ)
ВС327-25	р-п-р	50	46	800	0,625	160+400	<0,1	100	—	ТЮа (КБЭ)
ВС327-40	р-п-р	50	45	800	0,625	250+630	<0,1	100	—	ТЮа (КБЭ)
ВС328-16	р-п-р	30	25	800	0,625	100+250	<0.1	100	—	Т19а(КБЭ)
ВС328-25	р-п-р	30	25	800	0,625	160+400	<0,1	100		ТЮа (КБЭ)
ВС328-4О	р-п-р	30	25	800	0,625	250+630	<0,1	100		ТЮа (КБЭ)
ВС337-16	п-р-п	50	45	800	0,625	100+250	<0,1	100	—	ТЮа (КБЭ)
ВС337-25	п-р-п	50	45	800	0,625	160+400	<0,1	100	—	Т19а(КБЭ)
ВС337-40	п-р-п	50	45	800	0,625	250+630	<0,1	100	—	ТЮа (КБЭ)
ВС338-16	п-р-п	30	25	800	0,625	100+250	<0,1	100	—	Т19а(КБЭ}
ВС338-25	п-р-п	30	25	800	0,625	160+400	<0.1	100	—	ТЮа (КБЭ)
ВС338-40	п-р-п	30	25	800	0,625	250+630	<о,1	100	—	Т19а (КБЭ)
ВС516	р-п-р	40	30	400	0,625	аЗО	<0,2	3250	—	ТЮа (КБЭ)
ВС517	п-р-п	40	30	400	0,625	аЗО	<0,2	3250	—	ТЮа (КБЭ)
ВС546А	п-р-п	60	65	100	0,5	110+220	<0.015	300	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС546В	п-р-п	60	65	100	0.5	200+450	<0.015	300	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС546С	п-р-п	60	65	100	О.5	420+800	<0.015	300	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС547А	п-р-п	50	45	100	0.5	110+220	<0.015	300	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС547В	П-р-п	50	45	100	0.5	200+450	<0.015	300	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС547С	п-р-п	50	45	100	0.5	420+800	<0,015	300	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС546А	п-р-п	30	30	100	0.5	110+220	<0,015	300	<10	Т19а(КБЭ)
ВС548В	п-р-п	30	30	100	0.5	200+450	<0,015	300	<10	ТЮа (КБЭ]
ВС548С	п-р-п	30	30	100	0,5	420+800	<0.015	300	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС549А	п-р-п	30	30	100	0.5	110+220	<0,015	300	<4	Т19а(КБЭ)
ВС549В	п-р-п	30	30	100	0.5	200+450	<0,015	300	<4	ТЮа (КБЭ)
ВС549С	п-р-п	30	30	100	0.5	420+800	<0j016	300	<4	ТЮа (КБЭ)
ВС550А	п-р-п	50	45	100	0,5	110+220	<0,015	300	<3	Т19а(КБЭ]
ВС550В	п-р-п	50	45	100	0.5	200+450	<0,015	300	<3	ТЮа (КБЭ)
BC550G	п-р-п	50	46	100	0,5	420+800	<0.015	300	<3	ТЮа (КБЭ)
ВС556А	р-п-р	80	65	100	0.5	110+220	<0,015	150	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС556В	р-п-р	80	65	100	0.5	200+450	<0.015	150	<10	ТЮа (КБЭ]
ВС556С	р-п-р	80	65	100	0.5	420+800	<0.015	150	<10	Т19а(КБЭ)
ВС557А	р-п-р	50	45	100	0.5	110+220	cOj015	150	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС5578	Р-п-р	50	45	100	0.5	200+450	<0,015	150	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС557С	р-п-р	50	45	100	0,5	420+800	<0j015	150	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС558А	р-п-р	30	30	100	0.5	110+220	<0.015	150	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС556В	р-п-р	30	30	100	0.5	200+450	<0.015	150	<10	ТЮа (КБЭ)
ВС558С	р-п-р	30	30	100	0.5	420+800	<0.015	150	<10	Т19а(КБЭ)
ВС559А	р-п-р	30	30	100	0.5	110+220	<0.015	150	<4	ТЮа (КБЭ)
ВС559В	р-п-р	30	30	160	О.5	200+450	<0.015	150	<4	ТЮа (КБЭ)
ВС559С	р-п-р	30	30	100	0.5	420+800	<0.015	150	<4	ТЮа (КБЭ)
ВС560А	р-п-р	50	45	100	С,5	110+220	<0.015	150	<2	ТЮа (КБЭ)
ВС560В	р-п-р	50	45	100	0,5	200+450	<0,015	150	<2	ТЮа (КБЭ)
ВС560С	р-п-р	50	45	100	0.5	420+800	<0.015	150	<2	ТЮа (КБЭ)
Тип транзистора	Структура	Ukbo в	Цкэо В	1ктах мА	Рктах Вт	hzia	1КБО мкА		Km ДБ	№ рис.
ВС635	n-p-n	50	45	400	0,75	40i-250	<0.1	100	—	Т19г(ЭКБ)
ВС636	p-n-p	50	45	400	0.75	40+250	<0.1	100	—	Т19г(ЭКБ)
BG637	n-p-n	60	60	400	0.75	40+160	<0.1	100	—	Т19г(ЭКБ)
ВС6Э8	p-n-p	60	60	400	0,75	40+160	<0,1	100	—	Т19г(ЭКБ)
всезе	n-p-n	100	60	400	0,75	40+160	<0.1	100	—	Т19г(ЭКБ)
ВС640	p-n-p	100	80	400	0,75	40+160	<0.1	100	—	Т19г(ЭКБ)
BF391	n-p-n	200	200	500	0,625	50+200	<0.1	>70	—	Т19в(ЭБК)
BF392	n-p-n	250	250	500	0,625	50+200	<0.1	£70	—	Т19в(ЭБК)
BF393	n-p-n	300	300	500	0,625	50+200	<0,1	£70	—	Т 19а (ЭБК)
BF422	n-p-n	250	250	100	0,83	£50	<0.1	£60		Т19г(ЭКБ)
BF423	p-n-p	250	250	100	0.83	>50	<0,1 <0,1	>60	—	Т19г(ЭКБ)
BF459	n-p-n	300	300	100	1,2	25+240		>100	—	Т22в(ЭКБ)
BF491	p-n-p	200	200	500	0,625	50+200	<0,1	>70	—	Т19а(ЭБК)
BF492	p-n-p	250	250	500	0,625	50+200	<0,1	£70	—	Т19в(ЭБК)
BF493	p-n-p	300	300	500	0.625	50+200	<0,1	>70	—	Т19в(ЭБК)
MJE34O	n-p-n	300	300	500	120)	30+240	<0,1	£100	—	Т22а(ЭКБ)
MJE350	p-n-p	300	300	500	120}	30+240	<0,1	£100	—	Т22в(ЭКБ)
MJE13003	n-p-n	—	400	1.5A(3A)	[40}	8+40	<1 mA	£4		Т22а(ЭКБ)
MJE13005	n-p-n	—	400	4A(8A)	[75[	8+40	<1 mA	£4	—	Т23а(БКЭ)
MJE13007	n-p-n	—	400	8A(16A)	[601	8+40	<1mA	£4	—	Т23а(БКЭ)
MPSA-05	n-p-n	60	60	500	0.5	S0+i50	<0,1 <0,1	£100	—	Т19в(ЭБК)
MPSA-06	n-p-n	80	60	500	0.5	50+150		>100	—	Т19в (ЭБК)
MPSA-10	n-p-n	30	30	100	0,35	60+400	<0.1	£650	—	Т19в(ЭБК)
MPSA-11	n-p-n	25	25	100	0,35	60+400	<0.1 <0.1	>650	—	Т19в{ЭБК)
MPSA-12*	n-p-n	20	10	100	0,31	>20000		>125	—	Т19в(ЭБК)
MPSA-13*	n-p-n	30	30	500	0.5	>10000	<0.1 <0.1	>125	—	Т19в(ЭБК)
MPSA-14*	n-p-n	30	30	500	0,5	£20000		>125	—	Т19в(ЭБК)
MPSA-17	n-p-n	20	15	50	0,35	25+250	<0,1	£800	24	Т19в(ЭБК)
MPSA-20	n-p-n	40	30	100	0.3	>25	<0.05	>400	23	Т19в (ЭБК)
MPSA-42	n-p-n	300	300	500	0,625	>40	<0.1	£50	—	Т19в (ЭБК)
MFSA-43	n-p-n	200	200	500	0.625	>40	<0.1 <0.1	>50	—	Т)9в(ЭБК)
Mp'SA-55	p-n-p	60	60	500	0.5	50+150.		£50	—	Т19в(ЭБК)
MPSA-56	p-n-p	60	80	500	0.5	50+150	<0.1	£50	—	Т19в(ЭБК)
MPSA-65*	p-n-p	30	30	300	0,5	>50000	<0,1	>175	—	Т19в (ЭБК)
MPSA-66'	p-n-p	30	30	300	0,5	£75000	<0,1	£175	—	Т19а(ЭБК)
MPSA-70	p-n-p	40	40	100	0,3	40+400	<0,1 <0.25	>10	—	Т19в(ЭБК)
MPSA-92	p-n-p	300	300	500	0.625	£40		£50	—	Т19в(ЭБК)
MPSA-93	p-n-p	200	200	500	0.625	>40	<0,25	£50	—	Т19в(ЭБК)
SS8050B	n-p-n	40	25	1,5 A 1,5 A	1.0	85+160	<0,1 <0,1	£100	—	Т19а(ЭБК)
SS8050C	n-p-n	40	25		1.0	120+200		>100	—	Т19в(ЭБК)
SS8050D	n-p-n	40	25	1.5A	UO	160+300	<0.1	>100		ТЮа (ЭБК)
SS8550C	p-n-p	40	25	1.5A	1,0	85+160	<0,1	>100	—	ТЮа (ЭБК)
SS8550C	p-n-p	40	25	1.5A	1,0	120+200	<0.1	£100	—	Т19в (ЭБК)
SS8550D	p-n-p	40	25	1,5 A	IX)	160+300	<0,1	£100	—	ТЮв (ЭБК)
SS9011D	n-p-n	50	30	30	0,4	28+45	<0.1	£150	<4	ТЮв (ЭБК)
SS9011E	n-p-n	50	30	30	0,4	39+60	<0.1	>150	<4	ТЮв (ЭБК)
SS9011F	n-p-n	50	30	30	0,4	54+80	<0,1	>150	<4	ТЮв (ЭБК)
SS90HG	n-p-n	50	30	30	0.4	72+108	<0.1	>160	<4	Т19в(ЭБК)
SS9011H	n-p-n	50	30	30	0.4	97+146	<0,1	£150	<4	Т19в(ЭБК)
SS9011!	n-p-n	50	30	30	0,4	132+198	<0,1	>150	<4	ТЮа (ЭБК)
SS9012D	p-n-p	40	20	500	0,625	64+91	<0,1	150	—	Т19в(ЭБК)
SS9012E	p-n-p	40	20	500	0,625	78+112	<0.1	150	—	Т19в(ЭБК)
SS9012F	p-n-p	40	20	500	0.625	96+135	<0,1	150	—	ТЮв (ЭБК)
SS9012G	p-n-p	40	20	500	0.625	112+168	<0,1	150	—	ТЮв (ЭБК)
SS9012H	p-n-p	40	20	500	0.625	144+202	<0.1	150	—	ТЮв (ЭБК)
SS9013D	n-p-n	40	20	500	0.625	64+91	<0,1	200	—	ТЮа (ЭБК)
SS9013E	n-p-n	40	20	500	0.625	78+112	<0,1	200	—	ТЮа (ЭБК)
SS9013F	n-p-n	40	20	500	0,625	96+135	<0,1 <0,1	200	—	Т19а(ЭБК)
SS9013G	n-p-n	40	20	SOO	0,625	112+168		200	—	Т19в(ЭБК)
SS9013H	n-p-n	40	20	500	0.625	144+202	<0,1	200		ТЮв (ЭБК)
SS9014A	n-p-n .	50	45	100	0,45	60+150	<0.05	£150	<10	ТЮв (ЭБК)
SS9014B	n-p-n	50	45	100	0.45	100+300	<0.05	>150	<10	Т19а(ЭБК)
SS9014C	n-p-n	50	45	100	0,45	200+600	<0,05	>150	<10	ТЮв (ЭБК)
SS9014D	n-p-n	50	45	100	0,45	400+1000	<0.05	>150	<10	Т19в(ЭБК)
SS9015A	p-n-p	50	45	100	0,45	60+150	<0.05	>100	<10	ТЮв (ЭБК)
SS9015B	p-n-p	50	45	100	0,45	100+300	<0.05	>100	<10	ТЮв (ЭБК)
SS9015G	p-n-p	50	45	100	0,45	200+600	<0,05	£100	<10	Т19в (ЭБК)
Тип транзистора	Структура	ВКБО в	Икэо В	1ктах мА	Йапах Вт	hzia	|КБО мкА	ft	Кш ДБ	№ рис.
SS9016D	п-р-п	30	20	25	0.4	28+45	<0.1	>400	<5	Т19в (ЭБК)
SS9016E	п-р-п	30	20	25	0,4	39+60	<0,1	>400	<5	Т19в(ЭБК)
SS9016F	п-р-п	30	20	25	0,4	54+80	<0,1	>400	<5	Т19в (ЭБК)
SS9016G	п-р-п	30	20	25	0.4	72+108	<0,1	>400	<5	Т19в (ЭБК)
SS9OT6H	п-р-п	30	20	25	0.4	07+146	<0,1	£400	<5	Т19в(ЭБК)
SSS0161	п-р-п	30	20	25	0.4	132+198	<0,1	>400	<5	Т19в(ЭБК)
SS9018D	П-р-П	30	15	50	0,4	28+45	<0.05	>700	—	Т19в(ЭБК)
SS9018E	п-р-п	30	15	50	0.4	39+60	<0,05	>700	—	Т19в(ЭБК)
SS9018F	п-р-п	30	15	50	0,4	54+80	<0.05	>700	—	Т19в(ЭБК)
SS9016G	п-р-п	30	15	50	0,4	72+108	<0,05	>700	—	Т19в(ЭБК)
SS9018H	п-р-п	30	15	50	0.4	97+146	<0,05	>700	—	Т19в(ЭБК)
SS9018I	п-р-п	30	15	50	0,4	132+198	<0.05	>700	—	Т19в (ЭБК)
2N3903	п-р-п	60	40	200	0.31	50+150	<0.05	>250	—	Т19в(ЭБК)
2N3904	п-р-п	60	40	200	0,31	100+300	<0,05	£300	—	Т19в(ЭБК)
2N39Q5	р-п-р	40	40	200	0.31	50+150	<0.05	5200	—	Т19в(ЭБК)
2N3906	р-п-р	40	40	200	0,31	100+300	<0,05	£250	—	Т19в(ЭБК)
2N4123	п-р-п	40	30	200	0.35	50+150	<0.05	>250	—	Т19в(ЭБК)
2N4124	п-р-п	30	25	200	0,35	120+360	<0.05	азоо	—	Т19в(ЭБК)
2N4125	р-п-р	30	30	200	0,35	50+150	<0.05	£200	<5	Т19в(ЭБК)
2N4126	р-п-р	25	25	200	0,35	120+360	<0,05	£250	<4	Т19в(ЭБК)
2N4400	п-р-п	60	40	800	0.35	50+150	<0.1	>200	—	Т19в[ЭБК)
2N4401 	п-р-л	60	40	800	0,35	ЮО+ЗОО	<0,1	>250	—	Г19в(ЭБК)
2Й4402	р-п-р	40	40	8С0	0.35	50+150	<0.1	£150	—	Т19в(ЭБК)
2N4403	р-п-р	40	40	800	0,35	100+300	<0,1	>200	—	Т19в (ЭБК)
2N5086	р-п-р	БО	50	50	0.35	150+500	<0.05	>40	<3	Т19в(ЭБК)
2N5087	р-п-р	50	50	50	0.35	250+800	<0,05	>40	<2	Т19в(ЭБК)
2N5088	п-р-п	35	30	50	0.35	350+900	<0.05	>50	<3	Т19в(ЭБК)
2N5089	п-р-п	30	25,.	50	0,35	450+1200	<0,05	>50	<2	Т19в(ЭБК)
2N521O	п-р-п	50	50	50	0,31	250+800	<0.05	£30	<3	Т19в(ЭБК)
2N5400	р-п-р	130	120	600	0,35	40+160	<0,1	100+400	<8	Т19в(ЭБК)
2N54G1	р-п-р	160	150	8С0	0.35	60+240	<0.1	100+400	<8	Т19в(ЭБК)
2N5550	п-р-п	160	150	800	0,35	60+250	<0.1	100+300	<8	Т19в (ЭБК)
2N5551	п-р-п	160	140	800	0,35	80+250	<0,05	100+300	<8	Т19в(ЭБК)
2N6428	п-р-п	60	50	200	0,625	250+650	<DjO1	100+700	<3.5	Т19в(ЭБК)
2N6428A	п-р-п	60	50	200	0,625	250+650	<0.01	100+700	<3	Т19в(ЭБК)
2N6515	п-р-п	250	250	500	0,625	50+300	<0.05	40+200	—	Т19в(ЭБК)
2N6516	п-р-п	300	300	500	0,625	45+270	<0.05	40+200	—	Т19в(ЭБК)
2N5517	п-р-п	350	350	500	0,625	30+200	<0.05	40+200	—	Т19а (ЭБК)
2N651S	р-п-р	250	250	500	0,625	50+300	<0,05	40+200	—	Т19в(ЭБК)
2N6519	р-п-р	300	300	500	0,625	45+270	<0.05	40+200	—	Т19в (ЭБК)
2N6520	р-п-р	350	350	500	0,625	30+200	<0,05	40+200	—	Т19в(ЗБК)
2SA539R	р-п-р	60	45	200	0,4	40+80	<0,1	£250	—	Т19а(ЭБК)
2SA539O	р-п-р	60	45	200	0,4	70+140	<0.1	£250	—	Т19а(ЭБК)
2SA539Y	р-п-р	60	45	200	0,4	120+240	<0,1	£250	—	Т19в(ЭБК)
2SA542R	р-п-р	30	25	50	0,25	40+80	<0,1	100	—	Т19в(ЭБК)
2SA542O	р-п-р	30	25	50	0.25	70+140	<0,1	100	—	Г 19s (ЭБК)
2SA542Y	р-п-р	30	25	50	0,25	120+240	<0.1	100	—	Т19в(ЭБК)
2SA542G	р-п-р	30	25	50	0,25	200+400	<0,1	100	—	Т19в (ЭБК)
2SA608	р-п-р	40	30	10	0,2	60+160	<0,1	160	—	Т19г(ЭКБ)
2SA642O	р-п-р	30	25	300	0,4	70+140	<0.1	>100	—	Т19в(ЭБК)
2SA642Y	р-п-р	30	25	300	0,4	120+240	<0.1	£100	—	Т19в(ЭБК)
2SA642G	р-п-р	30	25	300	0,4	200+400	<0,1	>100	—	Т19в(ЭБК)
2SA643R	р-п-р	40	20	500	0.5	40+80	<0,2	£100	—	Т19в(ЭБК)
2SA643O	р-п-р	40	20	500	0.5	70+140	<0,2	>100	—	Т19в (ЭБК)
2SA643Y	р-п-р	40	20	500	0.5	120+240	<0,2	£100	—	Т19в(ЭБК)
2SA643G	р-п-р	40	20	500	0.5	200+400	<0,2	>100	—	Т19в(ЭБК)
2SA708R	р-п-р	60	60	700	0.8	40+80	<0,1	50	—	Т19в(ЭБК)
2SA708O	р-п-р	ВО	60	700	0.6	70+140	<0,1	50	—	|19в(ЭБК)
2SA708Y	р-п-р	60	60	700	0.6	120+240	<0.1	50	—	Т19в(ЭБК)
2SA709R	р-п-р	160	150	700	0.6	40+80	<0,1	50	—	Т19в(ЭБК)
2SA709D	р-п-р	160	150	700	0.6	70+140	<0,1	50	—	Т19в (ЭБК)
2SA7O9Y	р-п-р	160	150	700	0.6	120+240	<0,1	50	—	Т19в(ЭБК)
2SA709G	р-п-р	160	150	700	0.6	200+400	<0,1	50	—	Т19в(ЭБК)
2SA733R	р-п-р	60	50	150	0,25	40+80	<0,1	160	6	Т19в(ЭБК)
2SA733O	р-п-р	60	50	150	.0,25	70+140	<0,1	160	6	Т19в(ЭБК)
2SA733Y	р-п-р	60	50	150	0,25	120+240	<0.1	160	6	Т19в(ЭБК)
2SA733G	р-п-р	60	50	150	0,25	200+400	<0,1	160	6	Т19в(ЭБК)
2SA733L	р-п-р	60	50	150	0.25	350+700	<0,1	160	6	Т19в(ЭБК)
(язе) зб u rOigeHu 0ЯЙЯ5И бей вен		093 093 093 093	l*o> l‘O> l’0> l‘0>	002+003 023+031 021+0Z 08+02	2‘0 2*0 2*0 2*0	003 003 003 003	92 92 S2 92	08 09 09 09	u-d-u u-d-u u-d-u u-d-u	eo>co Ш Ю 1Я in 8SSS co co co co CM CM CM CM
&не)8б11		00i<	Го>	0001+009	93’0	OS	93	08	u-d-u	A281OS3
. бдазби	—	00l<	Го>	ooz+ose	93'0	09	S3	08	u-d-u	1281OS3
(язе) 8б и	—	0015	l'O>	002+003	93'0	OS	93	08	u-d-u	Э281Э53
бне) зби бае) 3611	—	0015	Го>	023+031	93'0	OS	S3	08	u-d-u	Л281Э53
	—	0015	l‘O>	021+oz	98'0	OS	S3	OS	u-d-u	028L9S3
fee) sen	—	0015	l*0>	08+02	93'0	OS	S3	08	u-d-u	3281353
fexe)J6H	—	031	Го>	009+008	SZ'O	VO'l	09	09	d-u-d	iV9inas3
feePsu. вменен	—	031	l'0>	002+003	SZ'O	VO'l	09	09	d-u-d	0V91110S3
	—	031	l‘O>	0Z3+S81	SZ*Q	VO'l	09	09	d-u-d	AV9iliaS3
,fee) Jen	—	031	Го>	009+008	SZ'O	VO'l	OS	09	d-u-d	19111953
feeHsii	—	031	ro>	002+003	9Z‘O	VO'l	OS	09	d-u-d	09111083
feeheii	—	031	l‘0>	0Z3+S81	SZ'O	VO'l	09	09	d-u-d	A91H9S3
feelosi		OH	l> Го>	002+003	98*0	VO'l	S3	08	d-u-d	9119953
?fee)ozi fee)o?i	—	Oil		023+031	se'o	VO'l	S3	08	d-u-d	Al 19953
	—	on	Го>	021+OZ	98*0	VO'l	S3	08	d-u-d	0119953
fee)ozi		091	l'O>	002+003	98*0	ooz	S3	08	d-u-d	9019953
(stelozi	—	091	l*0>	023+031	98*0	ooz	S3	08	d-u-d	A0199S3
fete) 031	—	091	Го>	021+OZ	98*0	ooz	S3	08	d-u-d	0018953
,;Ы9Е)збН	—	Oil	l'O>	002+003	9ГО	VO'l	93	08	d-u-d	9V2959S3
tee) зб н ове)збн	~~	Oil	l‘0>	022+031	9'0	VO'l	S3	08	d-u-d	AV29S9S3
	—	on	Го>	021+OZ	80	VO'l	S3	08	d-u-d	OV29S9S3
бае) вен (бве)ябн	—	Ol<	[_>	003+001	SZ'O	OOS	002	002	d-u-d	XS391VS3
	—	015	p»	031+09	SZ'O	009	002	002	d-u-d	1S391VS3
6не)евн	—	015	i-*	09+02	SZ'O	OOS	002	002	d-u-d	№391VS3
fee)ozi	—	003	ro>	002+003	8*0	OOS	93	08	d-u-d	□Bzetvs3
feelozi	—	003	l‘O>	023+031	8*0	008	93	08	d-u-d	A9Z81VS3
. (gxe)oei	—	003	l*o>	021+OZ	8*0	008	93	08	d-u-d	O8Z81VS3
fee) ui	—	OSl	l‘0> l‘O>	038+091	O'I	001	003	003	d-u-d	90Z81VS3
fee)izi	—	091		003+001	0*1	001	003	003	d-u-d	30Z81VS3
ЙЯЙЕХ	—	091	Го>	031+09	0*1	001	003	003	d-u-d	OOZ81VS3
,.(9хеРбн	—	031	Го>	002+003	z'o	ooz	091	091	d-u-d	6181VS3
fee)ozi fee)ozi	9	091	l'0> l*Q>	ooz+ose	93'0 93*0	OSl	OS	09	d-u-d	1SZHVS3
	9	081		002+003		OS!	OS	09	d-u-d	9SZ11VS3
fete)03i	9	091	l>	022+031	93'0	091	OS	09	d-u-d	ASZ11VS3
.fee)ozi	9	091	Го>	021+OZ	93'0	OSl	OS	09	d-u-d	0SZIIVS3
feeJozi	9	oai	l'0>	08+02	93'0	OSl	OS	09	d-u-d	HSZ11VS3
feeJozi	Nl	001	l‘0>	009+002	8*0	OS	031	031	d-u-d	32Z11VS3
fee)o?i	Nl	001	l‘O>	009+008	8*0	OS	031	031	d-u-d	J2ZHVS3
fete) 021	Nl	001	l’0>	002+003	8*0	OS	031	031	d-u-d	d2ZHVS3
fete) о?1 feelozi		002+02	1*0»	002+003	8*0	OOS	03	02	d-u-d	D0SHVS3
	—	002+02	l*0>	022+031	8*0	009	03	02	d-u-d	A0S11VS3
fete) 021		002+02	1*O>	021+0Z	8'0	008	03	02	d-u-d	OOSHVS3
(зяе)огх	—	002+02	l’0>	08+02	8'0	009	03	02	d-u-d	yO'SHVS3
fee) Ki		09	l>	038+091	S'O-	OOS	091	091	d-u-d	AS101VS3
fete) ш. fete) i2i	—	09	p>	002+001	6*0	009	091	091	d-u-d	O8101VS3
	—	09	[_>	031+09	6'0	009	031	091	d-u-d	asioivsa
fete)j6n	—	001	S0'0>	009+002	S'O	OS	031	031	d-u-d	3366VS3
fete)J6H	—	001	SO‘Q>	009+008	S'O	OS	031	031	d-u-d	d366VS3
feeheii	—	001	SO‘Q>	002+003	S’O'	OS	031	031	d-u-d	d366VS3
feePeii		001	l‘O>	00Z+O03	’ S'O	001	031	031	d-u-d	0Z6VS3
fete)J6n		001	ro>	002+003	9*0	OOS	09	09	d-u-d	O2S6VS3
feteJjeti	—	001	Го>	0Z2+981	9'0	008	09	OS	d-u-d	A2S6VS3
feeHeil	—	001	in>	091+06	9'0	008	09	09	d-u-d	O2S6VS3
fete) 121	—	001	l‘O>	023+031	04	ooz	09	09	d-u-d	A186VS3
fee) 121	—	001	ro>	021+0Z	0*1 0*1	OOZ	09	OS	d-u-d	O186VS3
fee) 121	—	001	l’o>	08+02		ooz	09	09	d-u-d	H186VS3
fee) i2i	—	031	l’0>	038+091	0*1	V3	08	08	d-u-d	AV836VS3
fee) 121	—	031	l‘O>	002+001	0*1	V3	08	08	d-u-d	□V836VS3
fee) 121	—	031	l'0>	023+031	6*0	008	031	031	d-u-d	A916VS3
fee) 121	—	031	l'O>	091+08	6*0	008	031	031	d-u-d	O916VS3
fee) 121	—	001	l>	023+031	9'0	OS	OSl	OSl	d-u-d	A0L6VS3
fee) 121	—	001	i‘O>	02L+0Z	8'0	OS	091	OSl	d-u-d	O016VS3
fee) 121	—	001	l'0>	08+02	9'0	OS	OSl	OSl	d-u-d	H016VS3
owd	gtr		tfJIW	£l?L|	J-0	VW	a	a	edAi	EdOLOHEHBdl
5N	эти		09X1		xeuDfd	XEUJM|	OSMfl	ogxf|	-xXdiO	UKl
	Тип транзистора	Структура	ИКБО в	Цкэо в	kmax мА	Рктах Вт	11213	1 |КБО мкА	Йц	ДБ	№ рис.		
	2SC838R		35	25	30	0,25	40+80	<0.1	250	—	Т19а(ЭБК)		
	2SC838O	п-р-п	35	25	30	0.25	70+140	<0,1	250	—	Т19s {ЭБК)		
	2SC838Y	п-р-л	35	25	30	0.25	120+240	<0,1	250	—	Т19в(ЭБК)		
	2SC839R	п-р-л	35	30	100	0.25	40+80	<0,1	240	—	Т19в(ЭБК)		
	2SC839O	п-р-п	35	30	100	0.25	70+140	<0,1 <0,1	240	—	Т19в (ЭБК)		
	2SC839Y	л-р-п	35	30	100	0.25	120+240		240	—	Т19в	ЭБК) ЭБК)	
	2SC839G	п-р-п	35	30	100	0,25	200+400	<0,1	240	—	Т19в		
	2SC900Y	п-р-п	30	25	50	0,25	120+240	<0.05	100	—	Т19в (ЭБК)		
	2SC300G		30	25	50	0,25	200+400	<0.05	100	—	ТЮа (ЭБК)		
	2SC900L	п-р-п	30	25	50	0,25	120+240	<0.05	100	—	Т19в (ЭБК)		
	2SC90CV	п-р-п	30	25	50	0.25	200+400	<0.05	100	—	Т19в (ЭБК)		
	2SC945R	п-р-п	60	50	150	0,25	40+80	<0.1	300	4	Т19в(ЭБК)		
	2SC345O	п-р-л	60	50	150	0,25	70+140	<0.1	300	4	Т19в(ЭБК)		
	2SC945Y	п-р-п	60	50	150	0,25	120+240	<0,1	300	4	Т19в(ЭН<}		
	2SC945G	п-р-л	50	50	150	0,25	200+400	<0.1	300	4	Т19в(ЭБК)		
	2SC94SL	п-р-п	60	50	150	0,25	350+700	<0,1	800	4	Т19в(ЭБК)		
	2SC1008R	п-р-п	60	60	700	0,6	40+00	<0,1	50	—	Т19в (ЭВ)		
	25010080	п-р-п	60	60	700	0.8	70+140	<0,1	50		Т19в [ЭБК)		
	2SC1008Y	п-р-п	60	60	700	0.8	120+240	<0,1	50	—	Т19в(ЭБК) Т19в(ЭБК)		
	2SC100BG	п-р-п	60	60	700	0.8	200+400	<0,1	50	—			
	2SC1009R	л-р-п	160	140	700	0,8	40+80	<0,1	50	—	Т19а{ЭБК)		
	2SC10090	л-р-п	160	140	700	0.8	70+140	<0,1	50	—	Т19в(ЭБК)		
	2SC1009Y	П-р-п	160	140	700	0.6	120+240	<0,1	50	—	Т19а(ЭБК)		
	2SC1009G	п-р-п	160	140	700	0.8	200+400	<0,1	50		Т19а(ЭБК)		
	2SC1187R	п-р-п	30	20	30	0,25	40+80	<0.1	700	—	Т19в(ЭБК)		
	2SC11B7O	п-р-п	30	20	30	0.25	70+140	<0,1	700	—	Т19в(ЭБК)		
	2SC1187Y	п-р-п	30	20	30	0.25	120+240	<0,1	700	—	Т19в(ЭБК)		
	2SC1222Y	п-р-п	50	45	50	0.25	120+240	<0.05	100	—	Т19в(ЗЕК)		
	2SC1222G	п-р-п	50	45	50	0,25	200+400	<0.05	100	—	Т19в (ЭБК)		
	2SC1222L	п-р-п	50	45	50	0,25	350+700	<0.05	100	—	Т19в(ЭБК)		
	2SC1222V	л-р-п	'"50	45	50	0.25	600+1000	<0,05	100	—	Т19в (ЭБК)		
	2SC1393R	п-р-п	30	30	20	0,25	40+80	<0,1	700	<3	Т19д(БЭК)		
	2SC1393O	л-р-п	30	30	20	0,25	60+140	<0,1	700	<3	Т19д(БЭК)		
	2SC1393Y	п-р-л	30	30	20	0,25	90+180	<0,1	700	<3	Т19д(БЭК)		
	2SC1394R	п-р-п	30	30	20	0,25	40+80	<0.1	700	<3.5	Т19д(БЭК)		
	2SC1394O	п-р-л	30	30	20	0.25	60+140	<0,1	700	<3.5	Т19д(БЭК)		
	2SC1394Y	п-р-п	30	30	20	0,25	90+160	<0.1	700	<3.5	Т19д (БЭК)		
	2SC1395R	п-р-п	30	15	20	0,25	40+80	<0.1	1100	—	Т19в(ЭБК)		
	2SC1395O	п-р-п	30	15	20	0,25	70+140	<0.1	1100	—•	Т19в{ЭБК)		
	2SC1395Y	п-р-п	30	15	20	0,25	12+240	<0.1	1100	—	Т19в(ЭБК)		
	2SC1674M	п-р-п	30	20	20	0,25	20+60	<0,1	600	<5	Т19в (ЭБК)		
	2SC1674L	п-р-п	30	20	20	0,25	60+120	<0,1	800	<5	Т19в(ЭБК)		
	2SC1674K	л-р-п	30	20	20	0,25	90+160	<0,1	800	<5	Т19в (ЭБК)		
	2SC1675M	л-р-п	50	30	30	0.25	20+60	<0,1	300	—	Т19в (ЭБК)		
	25016751	л-р-п	50	30	30	0,25	60+120	<0.1	300	—	Т19в (ЭБК)		
	2SC1675K	п-р-п	50	30	30	0.25	90+160	<0,1	250	-	Т19в (ЭБК)		
	2SC1730M	п-р-п	30	15	50	0.25	20+60	<0,1	1100	—	Т19г(ЭКБ)		
	2SC1730L	л-р-п	30	15	50	0,25	60+120	<0,1	1100	—	Т19г(ЭКБ)		
	2SC1730K	п-р-п	30	-15	50	0,25	90+160	<0,1	1100	-	Т19г(ЭКБ)		
	2SC1B15BL	п-р-п	60	50	150	0,4	350+700	<0.1	>80	<10	Т19г(ЭКБ)		
	2SC1B15GR	п-р-л	60	50	150	0.4	200+400	<0,1	>80	<10	Т19г(ЭКБ)		
	2SC1615O	п-р-п	60	50	150	0,4	70+140	<0.1	>80	<10	Т19г(ЭКБ)		
	2SC1B15Y	л-р-п	60	50	150	0,4	120+240	<0.1	>80	<10	Т19г(ЗКБ)		
	2SC1B15L	п-р-п	60	50	150	0,4	70+700	<0,1	>80	<3	Т19г(ЭКБ)		
	2SC1845P	п-р-л	120	120	50	0.5	200+400	<0.05	110	—	T1Sr	ЭКБ)	
	2SC1645F	л-р-п	120	120	50	0.5	300+600	<0.05	110	—	Т19г	ЭКБ)	
	2SC1845E	п-р-п	120	120	50	0.5	400+800	<0,05	110	—	Т19г	ЭКБ)	
	2SC1845U	п-р-п	120	120	50	0.5	600+1200	<0,05	110	—	Т19г	ЭКЬ)	
	2SC2001M	п-р-п	30	25	700	0.6	90+160	<0,1	170		ИУг	ЭКЬ)	
	2SC2001L	п-р-п	30	25	700	0.6	135+270	<0.1	170	—	Т19г	ЭКБ)	
	2SC2001K	п-р-п	30	25	700	0,6	400+200	<0.1	170	-	Т19г	ЭКЬ)	
	2SC2240GR	п-р-п	120	120	100	0.8	200+400	<0,1	100	—	119г	ЭКЬ)	
	2SC2240BL	п-р-п	120	120	too	0.3	350+700	<0.1	100	<4	Т13г	ЭКБ)	
	2SC231OR	п-р-п	200	150	50	0.8	40+80	<0.1	100	—	121	ЭКЬ)	
	25023100	л-р-п	200	150	50	0.6	70+140	<0.1	100	—	Т21	ЭКБ)	
	2SC2310Y	п-р-п	200	150	50	0.8	120+240	<0.1	100	—	Т21	ЭКЬ)	
	28023160	п-р-л	120	120	800	0,9	80+160	<0.1	120	—	121	ЭКЬ)	
	2SC2316Y	п-р-п	120	120	800	0,9	120+240	<0.1	120	-	Т21	ЭКБ)	
МММ	ПЭ ПЭ ПЭ НЭ НЭ НЭ МММ МММ	ПЭ М ПЭ ПЭ ПЭ ПЭ ПЭ		Пэ пэ нэ пэ пэ пэ
от от от	отототототел ототот ототот	от ел ел отел слот		слот от отот от
g g g	222222 й й го 888	КК оооо	SISI? S5I5SS	www пэ па пэ
лб^	0)0)00010 -*—*“* ООО >g3»r"G>-< О<О И<О	>>> п<ол Q<Q	О<О Egwoo	О-<О СОЛ
3 3 э	5 3 3 3 3 = 333 333	3 3 3 5 3 3 5	3 3 3 3 3 3 3	3 5 5 3 =3
*гЧ *г) tn	-о •с •с •с •с “= ’□'а’з тэ-атэ	этэтэ ээо6•6	•с t) t) тэ -о -о о	•6 tstb '6 '6 '6
	= 3 3 3 3 i 3 3 3 i 3 3	3 3= 3 = = 3	= = = = = = =	3 = 3 3 3 3
	о о о л, -и со со со			Ш Ш Ш ел ел ел
ООО	ООО000 ооо ООО	ооо оооо		
ООО	О О О СП СП СП Со СО СО ПЭ ГО ПЭ СО СО СО ПЭ ПЭ ПЭ ПЭ оооооо ооо спело ооо оооо		Ел 5л Ёп ОООО	пэ пэ пэ со со со ел ел ел ооо
tn СП ел ООО	‘S55 §88	“	ел ел ел tn ООО оооо >>> оооо	ggg ВЕЕВ	еее яяя ааа ооо
	ОООООО ООО 000		ООО Pi’.P.P	ООО .О Р Я
tn tn tn	--J S «о «4Ч| --J ш о от адеиеаэ tn tn tn tn Сл Сл o ел ел ел ел ел	ео'Ьэ'еп tn ел In In	ел ел ел ел	ьм. seals
t Is	СО ПЭ-* СО ПЭ-* ПЭ-* ПЭ г*-J о о со о о со опэо опаре ??¥*??+ ??£ ??± се> К по се> -Ь. го .Ь. г*э jC -Ь.го“<		го	Л. Ы ПО -J. о пэ р; м о о л Is! гш	О ЙО Pi пэ р; л. ??£ ??? “Ул нэ je, со
	ооооЗо 8о° 8о°	8ё§°	О О ° ОООО	8ё®
.= £-=	<0.1 <0.1 <0.1 <0.1 <0,1 <0,1 <0,1 <0.1 <0.1 <0.1 <0,1 <0.1	ооо ррр&		CJ р р _С> р р
g g g	tntnra mmtn ототот sy у ОООООО ООО 000	отgg оооо	ООО tn ел ел ел ООО оооо	ы оэ ьэ <м со от 88S 8SS
1 I 1	1 1 1 1 1 1 111 111	III 1111	III 1111	ill 111
co <o co	eojojaeojoS ооо ооо	ГГ) о о о о О О	еоцзео гп со еа о	T20f Т20| Т20| Т20( Т20| Т20(
&CD CD	ЙйЗзйМ liS ЭйЗ	’S’rJrJ ЩЫЩОТ sis sill	81йЙ®	CD CD CD CD CD CD
МММ NStOWM ототот co со от Vi ототототот ооо рооа орорр ГО ГО ГО ГО ГО ГО ГО го го го го го со сссо оэ 5> со со Йепдаепсп СП СП О> СП СЛ СЛ СП	& J* «ОЛ r-Q-CO СГП-П-а	M M M M МГЭМ MWMN ииии cococo co co co co ОООО ООО оооо го го го го го го го гою го го -С -С -С -С 05 05 05 СЛ 05 СЛ <Л оооо с2 <2 ш SooS О-ССЗЯ -СО» ООИ>	ГОГОМ rororo го го го гого сл сп сп слслсл со со ст с/ > от ООО 000 000 оо го го го	го	го	го	го	го	го	М	го >: го ГО	ГО	ГО	со	с.:	Со	ГО	го го о со	со	со	со	со	го	со	го	го со Со СО	ООО	Со	го «ЛО <ОЛ <ОЛ		1 Тип 1 транзистора
? = =	= ? ? ?	9	3	?	?	= о "о •с	тэ тэ "3 тэ	•о	•о	П	р'а =13 3	=>=>£=>	3	3	3	3	Э	3 3 3 3 333 3333 а -а t3 tj t? t? t? tj tj tj tj 3 3 3 3 335 3 3 3 3	illiii	3 3 3 3 3 О *p *p 13 43	Cipyx-тура
“go 8888 §g§§3	СОШО co co co co о о о о спслсл оооо	sss 888	888 ss	с ros о
ggg SSSS §§§§F3	мммм от со со -* -± -* —с ОООО ООО ОООО	gss sss	888 o®	С rog о
S88SSSS 8S88S	SSSS	8888 оооо ооо 5»зя5»>	>>> 88S	SS8 BB	kmax мА
P.OP PPPP о о о о о ййй 8 8ЙЙ tototototo	0.0.0.0 р ор р ор о "от to to со to го го to to “со "со	OOp -A-*-» co to "co о о о	Pwax Вт 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0	
—1 . , W 1 5 Л Ы ГС ,, ГС -** -.Г ЛСО W — ш s?h £tli| 1Ш mt 8® = 8848 §8888 SS®= S®= 8384		goS	gc° gg		S’
.o.o p p.opo —1 —1 “O -* —. -1 aA СЛСПСЛСЛ	<0,1 <0,1 <0,1 <0,1 <0,1 <0,1 <0.1 <0,1 <0,1 <0,1 <о,1	lii .=.=.=	_&pp pp	£3
888 8888 8o3og	гогогого ослсл оооо оооо ооо оооо	sgs sss	СУ1 СЛ СЛ s rt ООО gjg	
111 Illi 1 1 1 1 1 Illi 111 Illi		III III	iii । । S5	
	ГО> ГО> ГО> ГО> МММ го го го го оооо ооо;-1—к-*—к	ГО ГО ГО	ro	ГО ro bo bo ГО X.X. 5»!	
sit вия sisSis	CDCJCOW Ь> WO CD’S So	cd ti5 W duel	CJ CJO CJ CJ о ®	
						
9.7.	ЗАМЕНА ЗАРУБЕЖНЫХ РАДИОЭЛЕМЕНТОВ
Для замены малосигиальных диодов типа 1N4148 можно использовать любой из перечисленных: КД510, КД521, КД522.
Замену выпрямительных диодов типа 1N4001...1N4004 которые устанавливаются на входе ТА и в вызывном устройстве, можно произвести на КД105, КД208, КД209, КД243.
Кольцевая метка иа корпусе зарубежных диодов и стабилитроне® обычно расположена у катода.
Табл. 9.18. Возможная замена зарубежных транзисторов.
Транзистор	Возможная замена	Транзистор	Возможная замена	Транзистор	Возможная замена	Транзистор	Возможная замена
2N1221	КТ501Г	2N5178	КТ909Б	2SA611	KT361A3	2SD882	КТ9177А
2N1613	КТ630Г	2N5210	КТ31О2Б	2SA733G	КТ31О7И	2SD90QB	КТ8183А
2N1715	КТ830В	2N5400	КТ6116Б	2SA733L	КТ31О7И	ВС119	КТ630Б
2N2218	КТ928А	2N5401	КТ6116А	2SA733O	КТ31О7А	ВС140	КТ630Д
2N2219	КТ928Б	2N5483	2Т919А	2SA733R	КТ31О7А	ВС223А	КТ660Б
2N2219A	КТ928В	2N5550	КТ6117Б	2SA733Y	КТ31О7Б	ВС223В	КТ660Б
2N2221	КТ3117А	2N5551	КТ6117А	2SB506A	2Т842А	ВС237А	КТ3102А
2N2222A	КТ3117Б	2N5589	КТ92ОА	2SB546A	КТ851В	ВС237В	КТ31О2Б
2N2332	2Т208Б	2N5590	КТ920Б	2SB71O	КТ3173А9	ВС237С	КТ31О2Б
2N2334	2Т208Г	2N5591	КТ920В	2SB772	КТ9176А	ВС238А	КТВ45А
2N2335	2Т208Д	2N5641	КТ922А	2SB97O	КТ3171А9	ВС238В	КТ3102В
2N2336	2Т208Л	2N5642	КТ922Б	2SC1618	КТ808БМ	ВС238С	КТ3102В
2N2337	2Т208М	2N5643	КТ922В	2SC1619A	КТ8О8АМ	ВС239А	КТ31О2Д
2N2369	КТ3142А	2N5650	2Т3114А-6	2SC1815BL	КТ31О2Б	ВС239В	КТ31О2Д
2N2405	2Т630А	2N5672	2Т974А	2SC1815GR	КТ31О2Б	ВС239С	ктзюад
2N2440	2Т630Б	2N5709	КТ944А	2SC1B1SL	КТ31О2Б	ВС307А	КТ31О7Б
2N2904	КТ692А	2N5758	2Т818А	2SC1B150	КТ3102А	ВСЗО7В	КТ3107И
2N3055	КТ8150А	2N5773	КТ81О1А	2SC1815Y	КТ3102Б	ВСЗО7С	КТ3107И
2N3250	КТ31О6А	2N5875	2Т818Б	2SC1929	КТ504В	ВС308А	КТ31О7Г
2N3250A	КТ31О8Б	2N6034	КТ8130А	2SC2122	КТ841Б	ВС308В	КТ31О7Д
2N32S1	КТ31088	2N6035	КТ8130Б	2SC216B	КТ85ОА	ВС308С	КТЗ'1О7К
2N3448	2Т504А	2N6036	КТ8130В	2SC2240BL	КТ503Е	ВС309А	КТ31О7Е
2N3725	КТ635Б	2N6037	КТ8131А	2SC2240GR	КТ503Е	ВС309В	КТ31О7Ж
12N3733	КГ907А	2N6038	КТ8131Б	2SC227O	КТ9157	ВСЗО9С	КТ31О7П
I i2N3903	КТ645А	2N6039	КТ8131В	2SC3150	КТ8118А	ВС327-16	КТ686А
2N3904	КТ6137А	2N6047	КТ947А	2SC3217	2Т9155А	ВС327-25	КТ686Б
12N3905	КТ313А	2N6053	КТ825Б	2SC3218	2Т9155Б	ВС327-40	КТ686В
| 2N3906	KT613SA	2N6054	КТ825А	2SC3257	КТ854А	ВС328-16	КТ686Г
12N3939	2Т506А	2N6093	КТ912А	2SC3277M	2Т718А	ВС328-25	КТ68БД
2N4001	2Т653Б	2N6202	КТ934А	2SC3306	КТ8117А	ВС328-40	KT68SE
2N4060	КТ681А	2N6203	КТ934Б	2SC3360	2Т9155В	ВС337-16	КТ660А
2N4123	КТ503А	2N6204	КТ934В	2SC3412	КТ886А1	ВС337-25	КТ660А
2N4124	КТ503Б	2N6253	2Т818В	2SC3750	КТ8108А	ВС337-40	КТ660А
2N4125	КТ5О2А	2N6278	КТ879Б	2SC380	КТ315Г	ВС338-16	КТ660Б
2N4126	КТ5О2Б	2N6279	КТ879А	2SC388	КТ315Г	ВС338-25	КТ66ОБ
2N4236	КТ830Г	2N6362	КТ93ОА	2SC4Q55	КТ8120А	ВС338-40	КТ660Б
2N4239	КТ831Г	2N6364	КТ93ОБ	2SC4106	КТ8136А	ВС516	КТ686Ж
2N4260	КТ363АМ	2N6369	КТ931А	2SC4173	КТ645Б	ВС517	КТ645А
2N4261	КТ363БМ	2N6388	КТ899А	2SC4242	КТ811ОА	ВС546А	КТ503Д
2N4271	2Т653А	2N6428	КТ3117Б	2SC456	КТ645А	ВС546В	КТ3117Б
2N4400	КТ660А	2N6515	КТ504Б	2SC544	КТ315А1	ВС546С	КТ3117Б
2N4401	КТ660А	2N6516	КТ5О4В	2SC546	КТ315Б1	ВС547А	КТ645А
2N4402	КТ685А	2N6517	КТ504А	2SC714	КТ645Б	ВС547В	КТ3102БМ
2N4403	КТ6В5В	2N6518	КТ5О5Б	2SC730	КТ61ОА	ВС547С-	КТ31О2БМ
2N4411	КТ3127А	2N6519	КТ505А	2SC9110	КТ637Б-2	ВС548А	КТ31О2ВМ
2N4440	2Т921А	2N6520	КТ505А	2SC945G	КТ3102Б	ВС548В	КГ31О2ВМ
2N4494	КТ645А	2N6542	КТ840Б	2SC945L	КТ31О2Б	ВС548С	КТ31О2ВМ
2N4930	КТ5О5Б	2N6543	КТ840А	2SC945O	КТ31О2А	ВС549А	КТ31О2ВМ
2N4931	КТ505А	2N6546	2Т878Б	2SC945R	КТ31О2А	ВС549В	КТ31О2ВМ
2N4933	КТ927А	2N6S18	2Т3132А-2	2SC945Y	КТ3102Б	ВС549С	КТС-102ДМ
2N5086	КТ31О7Б	2N6721	КТ504Б	2SD1172	2Т713А	ВС550А	КТ3102АМ
2N5067	КТ31О7К	2N6853	2Т7О8Б	2SO1565	2Т9138АС	ВС550В	КТ3102БМ
2N5088	КТ31О2Е	2N6972	КТ874А	2SD4O1A	КТ8123А	ВС550С	КТ3102БМ
2N5089	КТ31О2Е	2N940	2Т208Ж	2SD415	КГ683Д	ВС556А	КТ502Д
2N5092	КТ504А	2SA1106	КТ81О1Б	2SD602	КТ3176А9	ВС556В	КТБ02Д
2NS177	КТ9О9А	2SA610	КТ361А2	2SD814	КТ3179А9	ВС556С	КТ5О2Д
Транзистор	Возможная' замена	Транзистор	Возможная замена	Транзистор	Возможная замена	Транзистор	Возможная замена
ВС557А	КТ668Б	BD295	КТВ19В	BU407	КТ8124В	PN2907	КТ644В
ВС557В	КТ66ВВ	BD534	КТ837А	BU407	КТ857А	PN2907A	КТ644Г
ВС557С	КТ31О7И	BD536	КТВ37Б	BU408	КТ8124Б	SS8O5OB	КТ8114А
ВС558А	КТ3107Г	BD875	КТ972А	BU426	КТ868Б	SS8050C	КТ6114Б
ВС558В	КТ31О7Д	BD876	КТ973А	BU426A	КТ868А	SS8050D	КТ6114В
ВС558С	КТ3107К	BDV64	КТ8159В	BU508	КТ872А	SS8550B	КТ6115А
ВС559А	КТ3107Е	BDV65	КТБ158В	BU508A	КТ8107А	SB8550C	КТ8115Б
ВС559В	КТ3107Ж	BDW210	КТ819ГМ	BU508D	КТ872В	SS8550D	КТ8115В
ВС559С	КТ3107Л	BDW22	КТ81ВБМ	BU931PFI	КТ898А1	SS9012D	КТ61О9А
ВС560А	КТ31О7Б	BDW51	КТ819АМ	BU931Z	КТ697А	ВВ9012Е	КТ6109Б
ВС560В	КТ3107И	BDW51B	2Т819А	BU931ZP	КТ898А	SS9012F	KT8W9B
ВСБ60С	КТ3107И	BDW64A	КТ896А	BU932Z	КТ892Б	SS9012G	КТ61О9Г
ВС635	КТ503Б	BDW65A	КТ8106А	BUT92A	2Т891А	SS9012H	КТ6109Д
ВС636	КТ684А	BDX53	КТ829Г	BUW76	КТ847А	SS9013D	КТ8110А
ВС637	КТ503Г	BDX53A	КТ829В	BUX12	2Т862А	SS9013E	КТ6110Б
ВС636	КТ684Б	BDX53B	КТ829Б	BUX17B	2Т718Б	BS9013F	КТ6110В
ВС639	КТ503Е	BDX53E	КТ829Д	BUX21	2Т866А	SS9013G	КТ6110Г
ВС640	КТ884В	BDX54	КТ853Г	BUX37	КТ848А	BS9013H	КТ8110Д
ЕСВ47А	КТ3189А9	BDX54F	КТ712А	BUX46	КТ856Б	SS9014A	КТ6111А
ВС847В	КТ31В9Б9	BDX62	КТ825Д	BUX48A	2Т856А	SS9014B	КТ6111Б
ВС847С	КТ3189В9	ВОХ63А	КТ827А	BUX54	КТ506А	SS9014C	КТ6111В
ВС857А	КТ3129Б9	BDY20	2Т819В	BUX98	КТ678А	SS9014D	КТ6111Г
ВСВ57В	КТ3129Г9	BDY73	КТ819ВМ	BUX98A	КТ878В	SS9015A	КТ6112А
ВС858А	КТ3129В9	BDY98	2Т841Б	BUY21	КТ667А	SS9Q15B	КТ6112Б
BCF32	КТ3172А9	BF391	КТ698К	BUZ60	КП707А1	SS9015C	КТ6112В
BCW31	КТ3130Д9	BF392	КТ504Б	BJZ90	КП7О7Б1	SS9016D	КТ8128А
BCW33LT1	КТ3130Е9	BF393	КТ504В	BV8OT	КТ8156А	SS9016E	КТ8128Б
BCW71	КТ3139А	BF419	КТ969А	BVS98A	2Т885А	SS9016F	КТ6128В
BCW72	КТ3138Б	BF422	КТ94ОА	BY67A	КТ63ОА	6S9016G	КТ8128Г
BCW73	КТ3139В	BF423	КТ9115А	DTC114E	КР1054НК1В	SS9016H	КТ8128Д
ВСХ53	2Т684А9	BF458	КТ940Б	DTC124E	КР1054НК1Б	SS9016I	КТ6128Е
ВСХ56	КТ665А9	BF459	КТ940А	DTC144E	KPW54HK1A	SS9018D	КТ6113А
ВСХ7С	КТ3153А9	BF472	КТ9115А	DTA124E	КР1054НК2Б	SS9018E	КТ6113Б
BCY38	КТ501Д	BF491	КТ6127К	DTA144E	КР1О54НК2А	SS9018F	КТ8113В
BCY39	КТ501М	BF492	КТ505Б	FJ401E	2Т3115А-2	SS9018G	КТ6113Г
BCY54	КТ501К	BF493	КТ505А	KSA539	КТ502А	SS9018H	КТ8113Д
BCY92	2Т3152А	BF506	КТ3126А	KSC5021	КТ8106Б	SS9018I	КТ8113Е
BCY93B	КТ5С1Л	BF554	КТ3170А9	KSD227	КТ503А	STF143	КТ501Ж
BD130	КТ819БМ	BF565	КТ3169А9	KSD362	КТ805БМ	STF144	КТ501И
BD135	КТ815Б	BF569	КТ3192А9	KSD363	КТ805АМ	TIP110	КТ716В '
BD136	КТ814Б	BF595	КТ3169А9	MD5000A	КТС3103А	Т1Р111	КТ716Б
BD136-6	КТ639Б	BF599	КТ368А9	MD5000F	КТС3103Б	Т1Р112	КТ716А
BD136-10	КТ6398	BFB20S	КТ666А9	MJ2955	КТ8102А	TIP115	КТ852В
BD136-16	КТ639А	BF8216	КТ667А9	MJ4645	2Т505Б	ПР116	КТ852Б
BD137	КТ815В	BF970	КТ3165А	MJ4646	2Т505А	TIP117	КТ852А
BD13B	КТ814В	BF979S	КТ31О9А	MJE13002	КТ817ОБ1	TIP120	КТ8116В
BD138-6	КТ639Д	BFP194	КТ8129А9	MJE13003	КТ8170А1	TIP121	КТ8116Б
BD138-10	КТ639Е	BFR90	КТ3198А	MJE13004	КТВ164Б	71Р122	КТ811БА
BD138-16	КТ839Г	BFR90A	КТ3198Б	MJE13005	КТ8164А	TIP125	КТ853В !
BD139	КТ815Г	BFR91	КТ3198В	MJE13006	КТ8182Б	TIP125	КТ8115В
BD140	КТ814Г	BFR91A	КТ3198Г	MJE13007	КТ8182А	TIP126	КТ853Б
BD140-6	КТ639И	BFR92	КТ3187А9	MJE13009	КТ8145А	TIP128	КТ8115Б
BD140-10	КТ639Ж	BFT92	КТ3191А9	MJE2955T	КТ8149А2	Т1Р127	КТ853А
BD142	2Т819Б	BFY68	КТ630Е	MJE3055T	КТ8150А2	TIP127	КТ8115А
BD202	КТ81ВБ	BLX98	КТ983А	MJE340	КТ504В i	TIP140	КТ8111В
BD203	КТ819Г	BLX97	КТ983Б	MJE350	КТ505А I	TIP141	КТ8111Б
BD204	КТ818В	BLX98	КТ983В	MPS2923	КТ680А	TIP142	КТ8111А
BD233	КТ817Б	BLY38	КТ925А	MPS404	KT2D9A	TIP150	КТ8109Б
BD234	КТ816Б	BLY53	КТ925Б	MPSA-42	КТ520А	TIP151	КТ8109А
BD235	КТВ17В	вичоб	2Т841А	MPSA-43	КТ520Б	TIP2955	КТ8149А1
В0236	КТВ16В	BU126	КТ845А	MPSA-92	КТ521А	Т1Р3055	КТ8150А1
BD237	КТ817Г	BU207	КТ846Б	MPSA-93	КТ521Б	Т1Р41А	КТ8112В
BD238	КТ816Г	BU208	КТ8127Б	MPSL01	КТ638А	TIP41B	КТ6112Б
BD242B	КТ81ВГ	BU208A	КТ8127А	MPSL51	КТ632Б1	TIP41C	КТ8112А
BD291	КТ619А	BU209	КТ846Г	PN2905A	КТ644А	TIP48	КТ859А
BD292	КТ818А	BU408	КТ8124А	।	PN2906	КТ644Б	TIP661	КТ892А
| BD293	КТ819Б !>	BU406	КТ858А II	PN2906A	КТ685Б	VN1231	КР1054НКЗА
251
КТ-23
12 3 а|к|э|б| б|з|ц|с|
KT372A.J3, 2Т372А..8. КП312А,Б, 2П312А.Б, КВ341А.Б, 2П341А.Б
н/с
КТ31С1А-2, 2Т3101А-2
252

254
255
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ
вход . выход ОБЩИЙ
Типовая схема включения
Тип	В	так	Траб
КР1180ЕН5...24А КР1180ЕН5...24Б КР1180ЕН5...248 КР1212ЕН5...27 7805СТ...7827СТ	5 „24 ±2% 5...24 ±4% 5 .24*4% 5 27 *4% 5 27±4%	1 1 1.5 1	-10 .70 °C -10 70 °C -45 70 °C 0 .150 °C -10 70 °C
КР142ЕНхх:
Р = 2 Вт без теплоотвода;
Р = 8„ 10 Вт с теплоотводом, Ubx-выхтпш <2,5 В;
[потр <10 мА, Траб = -45 .70 ’С
Тип	В	Т	Ubx В
KP142EHSA	5 ±2%	1.5	15
КР142ЕН5Б	6 ±2%	1.5	15
КР142ЕН5В	5 ±3,5%	2	15
КР142ЕН5Г	6 ±3,5%	2	15
КР142ЕН8А	9±3%	1.5	35
КР142ЕН8Б	12 ±3%	1.5	35
КР142ЕН8В	15±3%	1,5	35
КР142ЕН8Г	9 *4%	1	30
КР142ЕН8Д	12*4%	;	30
КР142ЕН8Е	15*4%	1	30
КР142ЕН8Ж	12,8 ±3%	1,5	35
КР142ЕН8И	12.8 ±4%	1	30
Тип	Ub		Ubx В
КР142ЕН9А	20 ±2%	1.5	40
КР142ЕН9Б	24 ±2%	1,5	40
КР142ЕН9В	27 ±2%	1.5	40
КР142ЕН9Г	20 ±3%	1	35
КР142ЕН9Д	24 ±3%	1	35
КР142ЕН9Е	27 ±3%		40
КР142ЕН9Ж	20 ±3%	1	35
КР142ЕН9И	24 ±3%	1	35
КР142ЕН9К	27 ±3%	1	40
КР142ЕН20	8 ±4%	1.5	35
КР142ЕН21	10*4%	1.5	35
КР142ЕН23	18 ±4,5%	1.5	35
1.	Входной конденсатор С1 необходим для устранении генерации при скачкообразном изменении входного напряжения Генерация может возникнуть из-за влияния паразитных индуктивности и ёмкости соединительных проводов Если стабилизатор включается непосредственна после выпрямителя со сглаживающем фильтром, то конденсатор С1 можно не включать.
2.	Выходной конденсатор С2, как и в любом стабилизаторе напряжения, обеспечивает устойчивость при импульсном изменении нагрузки и снижает уровень пульсаций Если применяется керамический или танталовый конденсатор, то достаточна ёмкость 1 мкФ. При использовании влюминиевых влектролитических конденсаторов, ёмкость конденсатора С2 должна быть не менее 10 мкФ
3.	Выходной ток микросхем безтеплоотвода не превышает 0.5 А
Интегральные стабилизаторы отрицательного напряжения
Типовая схема включения
ВХОД
7905СТ...7924СТ
КР1162ЕН5...27А
КР1162ЕН5...27Б
КР1179ЕН5...24А
КР1179ЕН5.-24Б КР1179ЕН5...24В
КР1183ЕН5--27А КР1183ЕН5...27Б
КР5007ЕН5...24
КР1162ЕН5А...27А
КР1162ЕН5Б...27Б
Ubwx = (-5 -27 В) ±2% для гр "А" □вых = (-5. -27 В) ±4% для гр. "Б"
1вых <1,5 А
Ubx >-35 В (для ивых=-5 -15 В)
Ubx >-40 В (для Ubmx=-18 -27 В) (Jbx-вых max <2,5 В
Р<10Вт
Кнестд <0,11 %/В
Квест i <1,3 %/А
Траб = -10 _.+70°С
о
ОБЩИЙ
положительное выходное напряжение
выход выход
78Lxx КР1157ЕНхх
79Lxx
KP1168EHXX
отрицательное выходное непряжение
вход ОБЩИЙ
□
ВХОД	ОБЩИЙ	вход
выход
Типовая схема включения 78L05 ..78L27
КР1157ЕН501...2701А
КР1157ЕН501...2701Б
для группы "А”:
Овых ±2%
для группы ”Б”:
Uewx ±4%
78L05...78L27
КР1157ЕН502...2702А
КР1157ЕНБ02...2702Б
КР1181ЕН5...24А
КР1181ЕН5...24Б
КР1188ЕН5...12
79L05...79L18
КР1168ЕН5...18А
КР1168ЕН5...18Б
КР1189ЕН5...12
КР1199ЕН5...24А
КР1199ЕН5.-24Б
т I
-Ubx ।
С1 йО.ЗЗтк
I т
| -ивы:
С2
aO.lmX
Типовая схема включения 79L05 79L18