/
Author: Лавриненко В.Ю.
Tags: справочник радиодетали полупроводники полупроводниковые приборы диоды издательство техника фоторезисторы терморезисторы
Year: 1984
Text
Лавриненке В.Ю.
СПРАВОЧНИК
по
ПОЛУПРОВОД пиковым
ПРИБОРАМ
1984
Antonio
32.852я2
JI13
Лавриненко В. Ю
Л13 Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд.,
перераб. и доп. — К.: Техгйка., 1984.—424 с., ил.— Библиогр.:
с. 419.
В nep.: 1 р. 70 к. 185000 экз.
Справочник содержит сведения об основных типах термо резне торов, из а рис торов, «фото-
резисторов, полупроводниковых диодов, тиристоров, транзисторов, «оптронов -и интег-
ральных микросхем, выпускаемых отечественной промышленностью. В этом издании
изменен порядок изложения материала в'Соответствии с новой классификацией. Из
справочника исключены устаревшие типы «приборов ш приборы, которые серийно не
из готовляют.
Справочник дополнен рядом новых типов полупроводниковых приборов.
Справочник предназначен для инженерно-технических работников «и .может быть поле-
зен студентам вузов соответствующих специальностей.
Рецензен- В. Т„ Паршикое
Редакция литературы по энергетике, электронике,
кибернетике и связи
Зав. редакцией 3. В. Божко
Издательство «Техюка», 1962
(с) Издательство «Техжка», 1984, с изменениями
ОГЛАВЛЕНИЕ
• Стр.
ПРЕДИСЛОВИЕ 4
I. ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ 5
II. ВАРИСТОРЫ . 33
III. ФОТОРЕЗИСТОРЫ 38
IV. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 52
V. ТИРИСТОРЫ 151
VI. ТРАНЗИСТОРЫ 163
VII. ОПТРОНЫ 257
VIII. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ 263
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 419
АЛФАВИТНО-ЦИФРОВОЙ УКАЗАТЕЛЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ПРИБОРОВ, ПОМЕЩЕННЫХ В СПРАВОЧНИКЕ 420
ПРЕДИСЛОВИЕ
Исторический XXVI съезд Коммунистической партии Советского Союза,
развивая установки XXIV и XXV съездов, в «Основных направлениях
экономического и социального развития СССР на 1981—1985 годы и на период
до 1990 года» определи.! на длительный срок экономическую политику партии
в условиях развитого социалистического общества.
Решения съезда предусматривают ряд конкретных мероприятий, направлен-
ных на значительное повышение эффективности и качества во всех сферах народ-
ного хозяйства. Решение поставленных съездом задач возможно только при
условии всемерного развития научно-технического потенциала страны при широ-
ком *и быстром внедрении в производство последних достижений науки и техники.
Современный прогресс во всех областях пауки и техники теснейшим образом
связан с достижениями советской науки в области исследований свойств и совер-
шенствования способов производства материалов и полупроводниковых приборов.
Без современных полупроводниковых приборов немыслимо развитие радиоэлектро-
ники, средств автоматики, вычислительной техники и автоматизированных систем
управления всех уровнен, т. е. дальнейший прогресс науки и техники.
Отечественная промышленность выпускает широкий ассортимент полупровод-
никовых приборов и интегральных микросхем, предназначенных для использования
в аппаратуре самого разнообразного предназначения.
Для ориентации в этом многообразии приборов и предназначен данный спра-
вочник. Он построен с учетом того, что пользующиеся им знакомы с физическими
принципами работы полупроводниковых приборов, устройством интегральных
микросхем и особенностями схем аппаратуры, в которой они применяются.
В начале каждого раздела приводятся общие справочные данные, характери-
зующие данный класс приборов, особенности их эксплуатации, даются определе-
ния их основных параметров, а затем данные по конкретным типам. Все обозна-
чения параметров даются в русской системе обозначений. В цифровом материале
таблиц показатель степени обозначает сноску, кроме графы «атмосферное давле-
ние». Для удобства пользования в конце книги приведен алфавитно-цифровой
указатель полупроводниковых приборов, помещенных в справочнике,
В справочник вошли новые типы полупроводниковых приборов и интегральных
микросхем широкого назначения, а также ряд полупроводниковых приборов раз-
работок прошлых лет, широко распространенных и выпускаемых серийно.
Отзывы и предложения просим направлять по адресу: 252601, Киев, 1,
Крещатик, 5, издательство, «Техн1каъ.
I. ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ
Тсрморезисторы — нелинейные резисторы, изготовляемые из полупроводнико-
вых материалов, имеющих большой температурный коэффициент сопротив-
ления (TKQ. У большинства терморезисторов ТКС отрицательный. Терморе-
зисторы с положительным ТКС называют позисторами.
В зависимости от применяемого полупроводникового материала терморезисторы
разделяют на кобальто-маргаицевые (КМТ и СТ Г), медпо-маргаицевые (ММТ и
(СТ2), медно-кобальтовые (СТЗ), титано-барневые, имеющие положительный ТКС
(СТ5 . .. СТ9, СТ15), и др. '
Терморезисторы по назначению делятся на следующие группы: для измерения
и регулирования температуры, для термокомпепсации элементов электрической
цепи в широком интервале температур, для систем теплового контроля, для работы
в качестве чувствительного элемента при измерениях мощности СВЧ колебании^
от долей микроватта до единиц милливатта, для стабилизации напряжения в це-
пях постоянного и переменного тока, для регулируемых бесконтактных резисто-
ров с раздельными цепями регулирования и управления.
Все терморёзисторы, за исключением последней группы, прямого подогрева,
т. е. их рабочее тело нагревается током, протекающим непосредственно через
пего. Последняя группа относится к терморезисторам косвенного подогрева, так
как рабочее тело нагревается в результате теплопроводности и излучения от
специального подогревательного элемента. Независимо от принадлежности термо-
резистора к той или иной группе его можно использовать также и для других
целей.
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ
Номинальное сопротивление (£?н) — сопротивление рабочего тела при темпе-
ратуре окружающей среды 20 °C. Номинальное сопротивление определяется шка-
лой номиналов по ГОСТ 2825 — 67;
Допустимое отклонение номинального сопротивления (ДРН) — установленное
для данного типа терморезнстора предельное отклонение от номинального сопро-
тивления.
Температурный коэффициент сопротивления (at) — изменение сопротивления
рабочего тела, в процентах, при изменении его температуры па 1 °C. В таблицах
значения ТКС приводятся для температуры 20 °C. Значение ТКС для любой
температуры в диапазоне 20—150 °C можно вычислить по формуле
at =— В/Т*,
где В — коэффициент температурной чувствительности, К,
о Т'Т* in
в-’П=т,"'И7-
Т, и Т2 — соответственно исходная и конечная температура рабочего тела,
для ’ которой определяют значения ТКС; Rt и Rt—сопротивления рабочего
тела при температуре соответственно 7, и Тг. Значения постоянной В приводятся
в справочнике.
Мощность рассеяния (Ррж) — максимально допустимая мощность, которую
терморезистор может рассеивать при непрерывной электрической нагрузке и за-
данной температуре окружающей среды, не изменяя параметров свыше норм,
установленных техническими условиями Различают мощность рассеяния при
2О°с(ргаС2о) и ПРИ максимальной температуре (Ррас/макс) •
5
Рабочая мощность (Рра$)— мощность, подводимая к терморезистору, при
которой он нормально функционирует с установленными значениями параметров.
Напряжение стабилизации (t/CT)— напряжение на терморезисторе при про-
текании через него установленного тока. • .
Номинальное напряжение ((7Н) — среднее напряжение на терморезисторе при
протекании через него тока, величина которого находится в пределах рабочей
области (Д7раС).
Постоянная рассеяния (77) — мощность, вызывающая повышение температуры
рабочего тела терморезистора на 1 °C относительно температуры окружающей
среды.
Постоянная времени (т)— время, в течение которого температура термо-
резистора, перенесенного из спокойного воздуха с температурой О °C в спокойный
воздух с температурой 100 °C, достигнет ,63 °C. Постоянная времени связана
с остальными параметрами выражением
т=С//7,
где С — теплоемкость, количество тепла, которое необходимо сообщить термо-
резистору, чтобы повысить температуру рабочего тела на I сС.
Чувапвительность в рабочей точке (Ь) — величина изменения сопротивления
рабочего тела терморезистора при Изменении подводимой к нему мощности на'1 мВт.
Коэффициент нелинейных искажений (Кнел нск).
Рабочая область по току (AJ
Сопротивление подогревателя (7?.под).
Ток подогревателя (1пор).
Коэффициент энергетической чувствительности (Ст)—мощность, которую
необходимо сообщить рабочему телу терморезистора, чтобы уменьшить (увеличить)
его сопротивление па 1%.
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ
статическая вольт-амперная V — f1 (7) в установившемся тепловом режиме
терморезистора;
температурная 7? = /2 (Т) — зависимость сопротивления рабочего тела ет тем-
пературы среды.
Условия эксплуатации терморезпеторов приведены в табл. 1.
ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ И РЕГУЛИРОВАНИЯ
ТЕМПЕРАТУРЫ
Конструктивное исполнение—полупроводниковый пластины, стержни или
шарики, защищенные влагостойким покрытием или мсталлостеклянным (стеклян-
ным) герметичным корпусом (рис. 1 и 2).
Терморезисторы СТ2-26, СТЗ-24 и СТЗ-26 имеют микромодульное исполнение
(па стандартной плате), СТЗ-24а выполнен без платы. Выводы микромодульных
терморезисторов подключены к пазам 7—4; 1—5; 1—3 (по заказу 7—5).
Терморезисторы КМТ-4, ММТ-4 и ММ Т-13 имеют два варианта конструк-
тивного исполнения: «а»—выводы в противоположные стороны; «б» — выводы
в одну сторону. Терморезисторы КМТ-17 имеют три варианта: варианты «а».и «б»
аналогичны предыдущим, а вариант «в» (КМТ-17в) отливается эксплуатационными
характеристиками. Терморезисторы СТ1-18 и СТЗ-18 выпускают в двух вариантах
исполнения («а» и «б»), отличающихся длиной траверс.
Терморезисторы применяют в цепях постоянного и переменного тока. Термо-
резисторы КМТ-12, ММТ-12, КМТ-17, СТ1-17, СТЗ-17 и СТЗ-25 можно исполь-
зовать в цепях переменного тока с частотой до 400 Д'ц, а СТЗ-22 — до W МГц.
Терморезисторы ТОС применяют в качестве датчиков температуры электрообогре-
ваемых стекол и для работы в герметизированной аппаратуре ,(по заказу выпу-
скают с влагозащитным покрытием). Тсрморезнсторы КМТ-1, ММТ-1, КМТ-4,
6
Таблица
Масса, о o' 2,5 2,5 О СЧ 1 1,5 1О
Гарантийный срок хране- ния, год о О О 8,5 1 6,5 ю со ю со 9‘9
службы, ч о о LO 5000 000 01 5000 1 5000 3000 о о о со О о со
Усилие на вы- вода х, Н,. не более о СП СП ОО СП 1 96Т 1 96 1,96 1 >.»
Атмосферное давле- ние, Па наиболь- шее V—< о О о 1 901 sOI'S‘1 901 901
| наимень- шее ei О О о? 2,6-102 о о сч 5*9 1 2,6-102 гОТ' 9'5 2,6-102 2,6-Ю2
Ускорение, м/с2, не более 1 при вибрации на частоте, Гц 73 5-1000 73 5-1000 со 5—200 73 5-1000 00 сп 40-50 £2 10-600 со 10-80 £2 О о 7 о О о о со —
при мно- гократ- ных уда- рах О со 340 340 340 196 34,0 120 340 о со
линей- ное о о 490 490 О о □О 00. О СП 490
Относи тельная влаж- ность при 40 °C, %, не более о " со . 00 о ОО о оо СП СОСО оо 00 о о оо С4 о оо о оо со О>
Интервал рабочих температур, °C о оо + о о 1 -60...-1-125 ш оо + о со 1 о + о 7 03I4---0 ю сч + о СО 1 о о СО + о 7 —60...4-155 О + 3 1
Тнп кмт-i КМТ-4 ММТ-4 КМТ-4Е ! ММТ-4Е оо ОО КМТ-10 КМТ-10а КМТ-11 КМТ-12 ММТ-12 КМТ-14 КМТ-17а КМТ-176 КМТ-17в
7
co
— Продолжение табл. 1
Тип Интервал рабочих температур, °C Относи- тельна я влаж- ность при 40 °C, %, не более Ускорение, м/с®, не более Атмосферное давле- ние, Па Усилие на вы- вода х. Н. не более Гарантийный срок Масса, г
л иней - ное при мно- гократ- ных уда- рах при вибрации на час готе) Гц
наимень- шее наиболь- шее службы, ч хра не- ния, год
ММТ-1 —10...-1-125 801 ' 490 340 73 5—1000 2,6-10s 10е 4,9 5000 10 0,6
ММТ-6 —60...+125 801.3 88 120 73 5—80 2,6-iO2 10е 0,49 5000 3 0,05
ММТ-9 —60...+ 125 801 490 340 73 5-600 2,6-162 10е 4,9 5000 8,5 3,4
ММТ-13 —60...+125 801 490 340 73 5-600 2,6-10® 10е 1,96 5000 6.5 1
СТ 1-2 -40...+85 98 490 147 25 5—80 5,2-10* З-Ю5 1,96 5000 11 1,6'
СТ1-17 —60...+ 100 98 490 340 73 10-1000 2.6-10'2 10е 1,96 3000 6.5 0,2
СТ1-18 —60...+300 801 490 340 39 10-1000 2,6-102 1,5-10^ 0 1 3000 3 0,003*
СТ1-19 —60...+300 801 490 340 39 10-1000 2.6.102 1.5-Т05 1,96 ' 3000 3 0,3
СТ1-21 СТ 1-27 -60...+85 98 88 120’ 25 5—80 5,2-10* Ю5 — 5000 5 2,8
СТ1-30 -60...+ 125 98 490 120 39 5—300 5,2-10* ’ 1.5- 10е — 5000 5 6'
СТ2-26 СТЗ-24 СТЗ-26 -60...+ 125 •98 1470 1470 _390_ 6—5000 1,3 10* З-Ю6 49 5000 2,5е 0,3
СТЗ-1 -60...+125 801 490 340 98 . 5—1000 2,6- Ю2 10е 0,49 3000 6.5 0,6
СТЗ-6 —90...+ 125 98 490 340; 1470е 39 5—200 2,6-Ю2 10е 1,96 5000 5 0,09
СТЗ-14 —60 .. + 125 98 980 340, 1470е 196 5—5000 9,4 10* З-Ю5 1 96 5000 12 0.2
СТЗ-17 —60...+ 100 98 490 340 73 • 10-1000 2,6-10г 10е 1,96 5000 6,5 0.3
СТЗ 18 —90.. +125 801 490 340 73 10-1000 2,6-102 5-Ю5 0,1 3000 3 0,003*
СТЗ-19 -90... + 125 801 490 340 73 10-1000 2,6-Ю2 1,5 • Ю5 1,96 3000 3 0,3
СТЗ-21 -60...+85 98 88 120 25 5—80 5,2-10* 10е — 5000 5 2,8
СТЗ-22 -60...+85 98 88 120 25 10-80 5,2-10* 10е 0,98 10 000 7 —
CT3-23 -60...+125 98 88 120 25 10-80 5,2-10* 10е 0,98 5000 3 1.5’
СТЗ-25 —100. -+125 801 340 — 25 5—80 1,3-10* 1,5-10* — 3000 3 2,5
СТЗ-27 —60...+85 98 88 120 25 5-80 5,2 10* 10е — 20000 8 2,8
о
Продолжение т-абл. 1
Тнп Интервал рабочих температур, °C Относи- тельная влаж- ность при 40 °C, %, не более Ускорение, м/с2, не Солсе Атмосферное давле- ние, Па Ус илие иа вы- водах, Н, не более Гарантийный срок Масса, г
линей- ное при мно- гократ- ных уда- рах при вибрации на‘частоте, Гц
на имсиь- шее наиболь- шее службы, ч хра не- ння, год
СТЗ-29 —40...+85 98 490 120 25 5-80 ' 5,2-104 105 — 5000 8 0,0014
CT3-31 —60...+85 98 88 120 25 5—80 8-103 3-105 — 20 000 8 2
СТ4-15 —80...+ 180 801 490 735 25 5—1000 9,4-Ю4 10? —' 5000 3 0,8
СТ4-17 —80...+ 100 98 490 340 39 5—200 2,6-102 105 0,98, 5000 8 1,5
СТ5-1 —20...+200 801 1470 340 39 10—200 2,6-102 105 0,98 3000 3 0,7
СТ 6-1А —60...+ 155 801 1470 340 39 5—200 2,6-102- 105 4,9 3000 3 0,7
СТ6-1Б —60... + 125 801 1470 340 39 5—200 2,6-102 105 4,9 3000 3 0,7
СТ6-2Б СТ6-$Б —60...+125 801 1470 340 73 5-80 2,6-Ю2 105 4,9 3000 3 6
СТ6-4Б —60...+ 125 98 490 340 73 5-80 2,6-102 105 0,98 3000 3 0,2
СТ7-1 —196...+50 98 490 340 98 5-80 1,3 10-4 3-106 — 5000 12 0.5
у
СТ8-1 -196... 70 801 490 147 39 , 5-80 6,5- 102 3- 10s 10 1000 12 Г
СТ9-1 —60...+ 100 801 147 147 39 5—80 6,5-Ю2 3’105 10 1000 12 1,57
С-Т15-1 СТ15-2 —60...+60 801 — — — — 3-105 — — —
Т8Д, Т8Е Т8М, Т8Р Т8С1, Т8С1М T8Q2, Т8С2М Т8СЗ, Т8СЗМ T9, ТШ 2 —60 98 490 1470 ?3 5—1000 6,5-Ю2 3-Ю5 7,84 2000 8-12 0,5
ТИ-1 —80...+70 98 39 — 25 5-80 10® 3-105 — — — 0,12
ТВ-2 250 ТВ-2-250А ТВ-2-350А ТК-2-50 ТК-2-50А ТК 2-75 ТК-2-75А —60. ..+85 98. = 490 1470, 4900е 73 5—1000 6,5-102 3-105 7.8 2000 12s 0,6
ТКП-20 ТКП-20Б ТКП 50 ТКП-300 ТКП-300А —60.. -г-85 98 490 1470 1470 1470 340 340 73 5- 1000 6.5-102 3-Ю5 4000 8 45
Продолжение табл.
12
КМТ-4, КМТ-4Е, ММТ-4Е, КМТ-12, ММТ-12, М&Т-13, КМТ-17, СТ1»17и
СТЗ 7 применяют для компенсации температурного изменения сопротивления
элементов электрической цепи с положительным ТКС.
Металлизированные поверхности терморезисторов СТ2-26, СТЗ 24 и СТЗ 26
следует располагать не ближе 0,4 мм от металлизации пазов.
Терморезисторы подключают к схеме пайкой выводов, которую разрешается
производить на расстоянии не ближе 7—10 мм от корпуса или же рабочего тела.
Из ибание выводов разрешается не ближе 5—7 мм от корпуса.
Параметры терморезисторов приведены в табл. 2, а характеристики — на
рис 3.
70
Б МТ-4 а ММТ 4а,
БМТ-4Е, ММТ-4Е
77 , 35
НМТ-12, ММТ-12
ТОС-М, ТОС МБ, ТОС-МД
Рис. 1
13
Рис.
Таблица. 2
Тип Ди, кОм В мВт, % ^рас, макс» мВт в, К Ир %/’с Т, С; не более Н,. мВт/эС, не бо- лее %< ие бо лее Л*нР % 4rh2‘ %
при 20 °C при 7 макс
КМТ 1 22—1000 1 1000 0,3 3600—7200 —4,2...—8,4 85 4,5 ±20 1 .. 3 ±5
КМТ-4 22-1000 1 800 0,3 3600—7200 —4,2...-8,4 115 6 ±20 ±1...±3 ±5
КМТ-4Е 22—1000 1 500 0,2 3600 —4,2 115 8 20 ±1...±10 ±10
К МТ-12 0,1-10 1,3 — 0,3 3600—7200 —4,2...— 8,4 — 7 ±30 ±3 ±5
КМТ-14 0,51—7500 0 1 100 0,03 3690 -7700 —2,1...-4,3 103 0,8 : 20 ±3 ±5
КМТ-17 (а, б, в) 0,33—22 0,5 500 0,1 3600—6000 -4,2...-7 30 10 ±10 ±2 (для типа «в» ± 3) ±5
ММт-1 1—220 1,3 600 0,4 2060—4300 —2,4...—5 85 4,5 ±20 ±1...±3 ±5
ММТ-4 1-220 2 700 0,5 2060—4300 —2Л--3 115 6 ±20 1...±3 ±5
ММТ-4Е 1-220 2 500 0.4 2060 —2,4 115 8 20 1... 10 ±10
ММТ-6 10-100 0,3 50 — 2060—4300 —2,4...—5 35 1,7 ±20 ±1 ±5
ММТ-121’ 0.0047-1 2 — 0,5 2060—3430 —2,4.. —4 — 7 ±30 ±3 + 5
ММТ-134’10 0.01—2,2 1 — 0,3 2060-4300 4,2 — — ±20 — ±5
о
Тип 7?лж кОм С, мВт/»/ р рас, макс» мВт в, к %/°с Tf 0, не более ыВт/°С не бо- лее годол. ’ %, не бо- лее ?яие та % 5л. 2 %
при 20 °C при 1 ^макс
СТ1-26 0,082; 0,091- 0,1; 0,11 ’ — 700 — 4000 — 60—100 10—13 ±5 ±1 ±5
L.1 Ь17 0,33—22 0,5 500 0,1 3600—6000 —4,2..,—7 30 10 ±10; ±20 ±3 ±5
СТЫ810 1,5—2200 0,08 45 0,05 4050—9000 —2.25..,—5 1 0,2 ±20 ±4 ±5
СТ1-1910 3.3—2200 0,15 60 0,05 4230—7200 —2,35...—4 3 0,6 ±20 ±4 ±5
СТ2-26 1-100 2е 2060—4300 —2,4...—5 . — — * ±20 ±4 ±5
СТЗ-1 0,68—22 Г—
0,4 2870—3395 —3,62...—3,68 85 — ±10; ±20 ±3 ±5
СТЗ-6 6,8; 8,2 — 0,6’ — 20508—2400 —2.6 35 — ±10 ±3 ±5
CI3-14 1,5; 2,2 30 10 — 2600s—3300 —3,2...—4.2 4 — ±20 ±2 ±2
Cl 3-1710 0,033—0,33 0,8 500 0,2 2580—3800 -3...—4,5 30 10 ±10; ±20 ±3 ±5
СТЗ-181® 0,68-3,3 0,05 15 0,02 2250—3520 —2,5 ..-4.1 1 0,18 ±20 ±3 ±5
С13-1910 / 2,2—15 0,12 45 0,04 2900—3850 . —3,4...—4,5 3 0.5 ±20 ±3 ±5
СТЗ-225 1 17 8—12 6—9е 2700—3700 —3,03...—4,15 15 0.06 ±30 - х5 •
• J. __ 1. _—/
СТЗ-24 0,68; 1; 1,5; 2,2; 3,3 - 0,15 — 0,3 2250—3520 —2,6...—5 — — ±20^ ±3 ±5
СТЗ-2510 1,5—6,8 0,02 8 0,01 2600—3700 —3,05...—4,3 0,4 0,08 ±20 ±4
СТЗ-26 0,3-0,68 — — 2е 2060—4300 —2,4...—5 — — ±20 ±3 ±5
СТЗ-29 2,2 1,65 25 — 3000 — 0,6—0,7 — ±20 ±3_ ±5
ТОС-3 6,5 3,3 — — 3200 -3,3 45 7,1 ±15 — ±20
тос-м ТОС-МБ ТОС-МД 5,75 3,3 , — — 3200 -3,3 45 7,1 ±20 — .±20
•« При туре (для С 3 ПО НС » Посте • Данн • Собст ‘ Мош.) 7 Минн ’ В ннт • При с to В то 44-часовой выдержке в атмосфере с влажностью 98% (для КМТ и ММТ) или 100 часовой выдержке при максимальной темпера Г). течении гарантийного срока. >яиная времени на охлаждение 60 с. ые о Нп, Враг. макс, В, at и Н приведены для температуры ЬО °C. верная емкость СТ1-2 на частоте 500 кГц 400 пФ, собственная индуктивность СТЗ-22 0,11 мкГн. гость, выбывающая изменение сопротивления не более чем на 10%. ХХ“= '°9Гс СТЗ-^ М^але^-ШЗ «С В = 2750...3G00 К. опротнвлении 20 Ом и температуре 25 °C. числе в пределах номиналов сопротивлении: _
Тип 2?н, кОм В. К «р %/°с Тип ' RH, кОм В, К afl %/°С
ММТ-12 0,0047 — 0,047 0,068—0,1 0,1-1 2060—2750 2330 — 2920 2230—3430 — 2,4...—3,2 — 2,6...—3,4 -2,6...—4 СТЗ-17 0 033; 0,047; 0,068; 0,1; 0,15: 0,22; 0,33 2580-3420 2600—3600 3250—3860 -3.. —4 -3,1. .-4,2 —3,8...—4,5
К МТ-14 0,51, 0.91: 1С0; 220; 330; 4300; 7500 3690—4510 5120 — 7480 6300—7700 . —2,1...—: ,5 -3,4 . -4,2 —3.5...—4,3 CT3-13 0,68; 1. 1,5; 2,2 3,3 2250—2730 2800—3400 2880—3520 —2,6.. —3,2 —3,25 3,95 -3,35...-4,1
СТ1-18 1,5; 8,2; 22; 33, 1500; 2200 4050—4950 5750—7080 7350—9000 —2,25...-2,75 —3,2...—3,95 —4,1 .—5 СТЗ-1? 2,2 10; 15 2900—3000 3150—3850 -3,4...-4,2 -3,05... —4,5
СТ1-19 3,3; 4.7; 6,8; 10; 100 150; 1500; 2000 4230-5170 4950—6050 5670—6930 6300-7200 1111 сэоэьэ ьэ - О1 СП СП 111 *1 CPCOtO <£> СО СТ3.25 1,6; 2*2; 3,3; 4,7; 6,8 2600—3200 3000—3850 3100—3700 —3,05. ..—3,75 —3,5 ..—4,2 —3,62.. —4,3
ТЕРМОКОМПЕНСАТОРЫ
Конструктивное оформление — полупроводниковые пластины или стержни, за-
щищенные влагостойким покрытием или металлостеклянным (стеклянным) герме-
тичным кори)сом (рис. 4). Терморезисторы ММТ-9 и СТ6-2Б представляют со-
бой набор полупроводниковых шайб, торцы которых посеребрены, а боковые
поверхности покрыты изоляционной эмалью Терморезисторы CT3-23 имеют два
варианта конструктивного исполнения рабочего тела: «а» — прямоугольное, «б» —
круглое. Позисторы СТ 15-1 и СТ] 5-2 имеют соответственно один и два полупровод-
никовых диска, помещенных в пластмассовый корпус: СТ 15-2 имеет вывод от
средней точки между двумя дисками.
Зермерезисторы ММТ-9 и СТ6-2Б подключают к схеме прижимными контак-
тами, а остальные — пайкой выводов, которую разрешается производить не ближе
5 7 мм от корпуса или рабочего тела. Изгибание выводов разрешается не ближе
5 7 мм.
Основное назначение — температурная компенсация элементов электрической
цепи с положительным или отрицательным TRC. Позисторы также можно ис-
пользовать в схемах пожарной сигнализации, тепловой зашиты и предохранения
электрических ьрчшин от перегрева для измерения скорости движения потоков
газов н жидкостей. Позисторы СТ6-2Б используют в качестве нат резательных
18
ММТ-9
I Конмокмн^
поверхности' поверхности
Рис- 4
элементов в термостатах. Позисторы СТ15-1 и СТ15-2 перспективны для исполь-
зования в устройствах размагничивания масок кинескопов цветных телевизоров
У СТ15-2 один диск можно использовать в качестве нагружаемого, а второй —
управляющего.
Параметры терморезисторов приведены в табл. 3, а характеристики — на
рис. 5.
Параметры терморезисторов CT15-I и СТ15-2
Сопротивление при 25 СС, Ом!
СТ! 5-1..........................................................25—70
СТ15-2........................................................ 15—35
Рабочее напряжение, В...........................................127
Амплитуда тока в начальный момент, А1
СТ18-1.........................................................2—4,5
СТ1Б-2.........................................................3—6
Ток после включения, мА, не более!
через 30 о СТ15-2........................................... 201
через 3 мвв
СТ15-1.........................................................15
GT15-2...........i . . .......................................Б*
^расч. макс*
СТ15-1.........................................................350
СТ16-2.........................................................375
ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ТЕПЛОВОГО КОНТРОЛЯ
Конструктивное исполнение — полупроводниковые стержни без корпуса
(КМТ-ll), приваренные к траверсам пластмассового цоколя (КМТ-10а), защи-
щенные металлическим герметичным корпусом (рис. 6).
Применяются в аппаратуре теплового контроля н сигнализации, использую-
щих релейный эффект. Суть релейного эффекта заключается в том, что при опре-
деленной температуре среды ток через терморезистор скачком увеличивается в
500 раз и более, поэтому можно включать электромагнитное реле непосредственно
с цепь терморезнстора. В момент появления релейного эффекта протекающий ток
разогревает рабочее тело до температуры 300—400 °C. Для предохранения тер-
морезистора от повреждений его необходимо закорачивать на время работы
электромагнитного реле.
Терморезисторы присоединяют к схеме пайкой выводов, которую разрешается
производить не ближе 10 мм от корпуса или рабочего тела.
Параметры герморезисторов для теплового контроля
%/°С............................................ —4,2
В, К...........'...................................... 3600
Н, mBt/°CJ
КМТ-10................... . ......................... 0.65
КМТ-Ц...............................,..........' . . . . 0,4
Теплоемкость, мДж/°С:
КМТ-10............................................. 3,25
КМТ-11............................................ . , 1,4
Т, с . . , .......... ....................... 24
^’рас макс" ..........................................
Изменение сопротивления после 20-часово1 о воздействия температуры
120°C, %............’. ..............................±1
Количество срабатываний терморезисторов КМТ 10 и КМТ-10а в при-
борах теплового контроля при мощности рассеяна не более 0, 5 Вт 200
Характеристики терморезисторов показаны на рис. 7.
J Через управляемый диск.
20
Таблица 3
1 % »О 41 tn 1 ±5 ±5 ±5 ю 44 1 ±5 ±5 ±5 ±5 »о
о4- — И со -н +1 со -н +1 со +1 +? СО -Н 7 со 41 см 1 ю 44 ю i ю to о 7i
Я,мВт/°С, не более со *—< СО 1 о 1 1 1 1 I 1 1 1
т, с, не более 1 1 1 1 1 о СО о см о см о см 1 о о 'ф
<г оо‘ 1 СМ ”3* 1 1 см* 1 to 1 СМ 1 ю со* 1 to' <р со* 1 О'4- СМ 44 со со СМ 7 о см о ю ю ю 10
в, к 3600—7200 2060—3430 2060—4300 2060—3200 2930—3260 3260—3600 1 1 1 1 1 1
8рас макс, м®т | si сьГ СМ CM см 1 О от о, о о" « to o' 1 от О О
V о см X С о о со О <О 1 1 О to о о о о о S о о СО О О см о о ОО
G, мВт/% . со ч- о 1 1 г 1 1 1 1
д₽н, %. ie более о" о —1 см 44 44 ТЮ; ±20 о© — см +1+1 ±10; ±20 о 44 о 44 см -Н S 44 S 44 & .+ +1 о см
ко» ‘НУ 7 о О о - о* о 6 см b-СО о ь- СМ СМ со со Q О О ор ООО о <о О О о О о QD Ю 1,5; 1,8; 2,2 0,02—0,15 0,04—0,4 0,18—0,27 0,01—0,1 о. 7 о” д о
Тип 00 Н i со 00 Н 1 О н со , см СО н и Ю н о О $ о < со И (J И о Н О J3 см со Н О и со СО 1- (J СО О
21
ho N? — . "родолжение табл. 3
Тип <<н, кОм «н. %, не бо-лсо G, мВТ/% ^рас. макс, мВт в. к а/. %/’С т, с, не более Н, мВт ’С, не более 41- % 4й« %
при 20 “С при Т'макс
СТ7-1 0,001—0,01 — — 0,01 > 2000 s 4,7*—11,7 —е5.. —15 ±5 ±25
СТ8-1 0,0005 — — 600—1100 (700—1000) — — 05 10-30 (60—80) 2—4 (2,5-3,5) — ±100
CT9-I 0,15-0,45 — — 350-800 (200- 400) — 1600—2000 — ПО 5-10 ±5 ±50
* По истечении гарантийното^рокТи^оТЛеТового "^действия м^'кбимать^ых'т’ем’''1 В™ .^Условиях для СТЗ-23.
« &Z ПР,‘ К°Т0₽0Й
* При температуре 19s °C.
’ том числе в пределах поминального сопротивления:
Тип Rn< кОм В,- К %/°С
0,001—0,047 2060—2750 -2,4. .-3,2
ММТ-8 0,056—0,1 2230—2420 — 2,6 ,
0,1-1 2230—3430 —2,6..—4
Г &?„м.е 4 а н и я’ 1 В скобках указаны значения для тропического варианта
а'г™',НЬ1г£я кратность изменения сопроти лен я СТ5-Е ..СТ6-4Б 000‘РСТ8-1
3. Сопротивление изоляции герморезисторов CT5-l.„CT9-i не менее 500 МОм.
исполнения.
10 000.
S *°»d
Рис. 6
Рис. 7
ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ (ТЕРМИСТОРЫ)
Конструктивное исполнение — полупроводниковый шарик, расположенный на
тонких проводниках в герметизированном стеклянном корпусе или без него
(рис. 8). Терморезисторы грибоустойчивы и могут работать в условиях мор-
ского тумана. Основные размеры тепморезисторов приведены в табл 4.
ТВД-Т9, ТК-г-50-ТВ-2~350А
Рис. 8
Таблица 4
Тип Размеры, мм
D 6 С
Т8Д, Т8Е, Т8М, 18Р, Т8С1, Т8С2, Т8СЗ 2,5—3,5 9 11 70
Т8С1М, Т8С2М, Т8СЗМ T9 2—2,6 8 50
5—7 70
ТК-2 50, ТК-2-50А, ТК-2 75, ТК-2-75А, ТВ-2-250, ТВ-2 250А, ТВ-2-350А 2,2—2.8 5—6 8 80
Основное назначение—работа в качестве чувствительного элемента в радио-
технической (индикаторной и измерительной) аппаратуре. Терморезисторы ТК-2
50, ТК-2-50А, ТК-2-75, ТК-2-75А, ТВ-2-250 и ТВ-2-250А можно использовать на
частотах до 40 ГГц, а ТВ-2-350А — на частотах до 10 ГГц
Параметры терморезисторов приведены в табл. 5, а характеристики — на
рис. 9 и 10.
ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ ДЛЯ СТАБИЛИЗАЦИИ НАПРЯЖЕНИЯ
" Конструктивное исполнение — полупроводниковые стержни, заключенные в
стеклянный баллон, воздух из которого откачан до давления 1,3. • 10 Па (рис. 11)
Обозначение: ТП— терморезистор прямого подогрева; ТПМ — терморезистор
прямого подогрева малогабаритный; цифра в числителе указывает номинальное
напряжение в вольтах, цифра в знаменателе — средний рабочий ток в милли-
амперах.
25
to СЭ Таблица 5
^раб» м^т Ь, Ом/мВт
Тип Рн., Ом прн 20 °C при Т’макс в рабочей точке после 2000 ч а, %. не бо- лее И, мВт/’С Рраб1- мВт Рраб2- мВт
Т8Д4 150 10 15 20-30 18-33 9,5— 15,75
Т8Е4 150 7 10 30—70 17-77 6,65—10,5
Т8М« 200 9 11 60—110 54-121 ♦ 8,55- -11.65
Т8Р‘ 125 7 12 10-19 9 — 20,9 6,65-11,5^
Т8Ср 120 7,5 24 10-40 9-44 9-25,2 '
Т8С24 150 8 19 12-25 10,8-27,5 3 0,1 — 7,6—19 95
Т8С34 150 7 23 10-50 9-55 6,65-24,15
T94 125 7 19 10-40 9—4 4 6,65-19,95
Т8С1М 120 9,5 24 10—40 9-44 9-25,2
Т8С2М 150 8 19 12-25 10,8—27.5 7,6-19,95
Т8СЗМ 150 7 23 10-50 9-55 6,65-24,15
TB-2-2SO ТВ-2-250Д 13—17 — 20—40 16-48 1003 0,27 10,4-20,4 —• 11,7-20,4
ТВ-2-350А — 18—25 — 20-40 16,2-30 1 003 0,07 14,4-30 16,2—30
ТИ 11 8000— 1200 12 — — — 0,5 — —
ТК^-50 ТК-ЗЛОА ТК-2-75 ТК-2-75А — 17,5-22,5 — 6—14 4,8-16 100»’ 0,27 14-27 15,75-27
ТШ-13 125 9 12 4 -56 25,2 — 80 — 0,08—0,23 — 8Д7 12,84
ТШ-2и' 150’ 13,5 17,5 20 64 21,1-84 0,08—0,25 — 12,56 18,72'
1 После воздействия трех температурных циклов (Тмакс — Тмиы) и 48-часовой выдержки в атмосфере с влажностью 98%. 2 Для Т8Д . Т8СЗМ, ТШ-1 н ТШ-2 nOvBe воздействия перегрузочного тока 49 мА в течение 10 мин; для ТВ-2-250. .ТК-2-75А работы; длн ТВ-2?330А по ле 1090 ч работы, 2 Измеряется в микроваттах. 4 at =. (—1..._5,8)%/‘,С, В = 1500...5000 К; т = 0.5-2,3 с. 6В = 2400 ..3000 К. в Коэффициент бегущей волны не более 0,8. Примечания: 1. ЭДС 3-й гармоники для ТВ-2-250А, ТВ-2-350А, ТК-2-50А и ТК«2«75А не более J.3 мВ. 2. Максимум аольт.амперной характеристики ГВ-2-350А соответствует 5,5 В после 2000 ч
0 33
тп
Рис. 11
Таблиц а 6
0/0 г 4/раб> мА ^СТ» В ун. в ^нел. иск» %, не более УстР В уст2« в neper* “А» не более neper. с, не более о. А ч 4> н = 5 2 4> — ± S 'ур W. «С 73 $4. “ вЗ О. * % §5 SS О се х 0.0
i *5 Тип
ТП2/0.53 ТПМ2/0.5 0,2-2 1,6-3 2 1 1,28—3,6 1,52-3,15 4 2 ±10* ±10
И £ 0L2 тпм
• ТПМ2/0.5А 0,4—2 1,8-3 0,55 1,44—3,8 6 — ±20
ТПМ2/0.5Б 0,2-2 1 ±10
ТП2/23 0,4—6 1,6—3 — 1,28-3,6 1,52-3,15 4 2 ±10*
ТПМ2/2 ±10
ТП6/23 4,2-7,8 6 3 4—9,4 3,99—7,19 12 2 ±104
ТПМ6/2 ±10
ТПМ6/2Б — ±20
» После воздействия в течение 30 с перегрузочного тока 6 мА для ТП2/0.5 ТПМ2/2-или 12 мА для
’’“и воздействии трех температурных циклов (Тмакс г- Тмин) и 48-часовой выдержки в атмосфере
1Ж костью 98%
» В — 3900... 15 800 К.
ПрПи мее чТн и я: I После 6000 ч Ктл иек не более для ТПМ2/0ЛА 0.6%; для ТПМ6/2Б 1.2%.
2 Тееммеаисторы ТПМ можно использовать на частотах до I МГц.
3. Длина^рабочего тела ТП2/0.3 и ТП2/2 0.6—1,3 мм. диаметр 0,2-0.3 мм.
Рис. 12
Основное назначение — работа
в стабилизаторах напряжения сла-
боточных электрических цепей, а
также в цепях постоянного и пере-
менного тока частотой до 150 кГц.
Их также можно применять в ка-
честве резисторов.
Параметры терморезисторов
приведены в табл. 6, а характери-
стики — на рис. 12.
ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ
I ОСВЕННОГО ПОДОГРЕВА
Конструктивное исполнение —
полупроводниковые стержни с по-
огревателем, заключенные в стек-
лянный -баллон. Терморезисторы СТ
выполнены в миниатюрных стеклян-
ных баллонах рис 13). Пайка и
изгибание выводов терморезисторов
СТ разрешается не ближе 10—12 мм
от корпуса.
Рис. 1-4
31
Таблица 7
Тип 7?н, кОм мин* Ом аяи, % ЯПод< Ом А^под, % раб. под’ мВт и О т, с, не Солее /3 i под. макс* мА С2 чэ о Q. л с В, К ’ф’я ьэ зз g
ТКП-20 тКП-20Ь 0,5 1 — 20 — — — 180 —2 143 50 150 1850 — —
Т КП-50 2,5 50 — — — 160 —2 — 49 150 3200 — —
ТКП-300 ТКП-300А 10 300 — — — 20 -3,5 13,5 25 50 3000 — —
CT1-2I 6,8*; 10; 15*; 33*; 68*; 100; 150* 40; 50; 60; 150; 220; 300; 400 ±20 100 ±10 60 15—40 25 150 3700—4100 ±5 ±15
СТ 1-27 СТ 1-30 33 150. 200 ±20 100 ±10 70 — О 1 1 хГ О 27 120 40 4100 4000 ±5 ±3 ±15
СТЗ-21 0,68*; 1; 1,5* 7; 10; 15 ±20 100 ±10 60 — 15—40 25 — 3100—3300 ±5 ±15
СТЗ-276 CT3-31 2,2 0,68 30 20 ±20 100 ±10 70 — 4—6 25 26,5 40 3200 3000 ±5 ±20 ±15
1 Прн I под. макс*
* Для ТКП наибольшая рабочая мощность подогревателя, для СТ — наибольшая мощность рассеяния.
• Для ТКП-20...ТКП-300А,-CTI-30 пробивное напряжение, для остальных - наибольшее испытательное напряженне
4 Наибольшее изменение сопротивления рабочего тела, подогревателя и наибольшего тока подогревателя после воздействия трех темпера*
турных циклов (Тыакс — Гынн).
5 Наибольшее изменение сопротивления рабочего тела, подогревателя н наибольшего тока подогревателя по истечении гарантийного срока.
Примечания: 1. Наибольшая емкость между электродами тер\орезисторов ТКП-20, ТКП-20Б, ТКП-50 на частоте 5 МГц 6 пФ;
рабочего тела терморезисторов CT3-31 на частоте 10 МГц 5 пФ; между рабочим телом и подогревателем 4 пФ, рабоч го .ела терморезистора
СТ «31 на частотах 10—20 МГц 2 пФ.
2. Собственная индуктивность рабочего тела терморезистора СТЗ-27 0,03 нГн. <л
3. Сопротивление изоляции между выводами рабочего тела и подогревателя у терморезисторов С1 не менее iu «.им.
4, Зв здочкой отмечены номиналы сопротивлений, изготовляемые ио особому заказу.
I6I-S
используется размолотый карбид кремния с добавкой связывающею вещества.
Варисторы — симметричные сопротивления, у которых одним и тем же абсолют-
ным значениям напряжения соответствуют равные абсолютные значения токов.
Обозначение: СН — сопротивление нелинейное; первая цифра обозначает ма-
териал (1 — карбид кремния, 2 — селен); вторая — тип конструкции (1, 8—
стержневой, 2, 6, 7, 10 — дисковый, 3 — микромодульный); третья — порядковый
номер разработки. В конце обозначения приводится классификационное напря-
жение в вольтах.
Конструктивное исполнение — полупроводниковые стержни, диски или цилин-
дры, имеющие серебряные контактные поверхности или выводы для присоедине-
ния к схеме. Варисторы СН1-3 имеют микромодуиьное исполнение (рис. 15).
Основные размеры варисторов приведены в табл. 8.
Таблица 8
Тип в Размер ы.
° L 1 d 1 в
СН1-1-1 СНЫ-2 Для всех значений 8,6 6- с» 19 16 1 0.8
СН 1-2-1 56; 68; 82 16 6,5 0,8
150; 180 7,5
220; 270 8,5
СН 1-2-2 15-100 12 6,5 0,8
СН1-6 33 _ 34 9
СН1-7 10 22 16,5 — 5'
47 6
82 7
СН1-9 СН1-12 Для всех значений 3 2 3 1,5 — —
СН1-Ю Пайка и изгиб сторы СН1-9 и СИ Основное назн переменного и имп разрушения. Варис ломощпых ста били ния нелинейных иск Высоковольтные ва зацип питающего системах размагни вы. для регулировг аппаратуре. Условия ЭКСПЛ) 34 15; 18 40 йтся не б л ме прижи шов эдек 1апряжени для защ! :та билизат в схемах г значены д инескопов копов Ва эковольтне бл. 9. 5.5 от корп} ^тактами, цепей по( контакте эк от про( штуды, AJ ания част< 1сационно£ 10 — для Н1-14 пре жени я в са. Вари- ггоянного, в реле от юя, в ма- 1я еннже- эты и т. п. стабили- работы в двазначе- эазличиой
22; 27 6,5
33; 39 8
47 анйе выводов разрешав 1-12 подключают к схе аченне — защита элеме ульсного тока от nepei торы также применяют заторах напряжения, ажепий, некрогашення, ристоры СН1 8 предка а пряже ния цветных к швавия этих же кинес шия постоянного выс атации приведены в та 9 иже 5 мм мпымн ко грнческих й; защита 1ТЫ обмот орах a mil 1реобразов ля компе! а СН1- шеторы С )го напря
У:кореиие, мДг, е более | Атмосферное давле. Гарантийный
2:
35
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАРИСТОРОВ
А симметрия токов (6) — разность относительных значений -токов, протека-
ющих через варистор, при изменении полярности приложенного напряжения
(/2-/,)//,.
где /j и /2 — токи, протекающие через варистор,' при различной полярности при- .
ложеппого напряжения.
Классификационное напряжение (£/кл) — напряжение на варисторе, опреде-
ляемое при установленном классификационном токе. Рабочее напряжение выби-
рается с учетом мощности рассеяния.
Допуск на классификационное напряжение (А£7КЛ) — допустимое отклонение
от классификационного напряжения.
Испытательное напряжение (6'11сп)— наибольшее допустимое напряжение
при испытаниях варистора.
Коэффициент нелинейности (р) отношение статического сопротивления
в данной точке вольт-амперной характеристики к дифференциальному
0 = ^ = -^. I
Номинальная мощность рассеяния (Ррас) — наибольшая допустимая мощ-
nocib, которую варистор может рассеивать при непрерывной электрической на-
грузке, установленной температуре окружающей среды и нормальном атмосфер-
ном давлении при условии, что напряжение на варисторе не превышает допусти-
мого. j
Температурный коэффициент тока (TKI)—изменение тока варистора,
в процентах, при изменении температуры на один градус при неизменяемом прило-
женном напряжении
где /, — ток при температуре TL = 20 °C; /2 — ток при температуре Т2 = 100 °C.
Наибольшая начальная емкость (Со).
Основной характеристикой варисторов является вольт-амперная li=f (U).
Параметры варисторов приведены в табл. 10, а характеристики — на рис 16.
Таблица 10
Тип а: укл. эф- в <1 ^кл. нмп* R Р, не менее TKI. %/«с, не более фи ”3 ^рас» мВт. н е бол ее m и о к Ь
CH1-1-I 10 1500 1300 1200 1000 820 680 560 ±10 2000 1700 1600 1500 1400 1300 1200 4,5 ±0.7 — 1000 2000 1900 1750 1600 1500 1400 1300
4
3,5
СН1-1-2 10 1300 680 560 ±10 1700 1300 1200 4,5 4 3,5 ±0,7 — 800 1900 1400 1300
36
Продолжение табл. 10
Тип , < S ^кл. эф>' ® £0 С S id Р, не менее TKI, %/’С, не более О - с Q ^рас< мВт, н более т ’ го Ё О
СН1-2-1 2 270 220 180 150 120 100 82 08 50 ±10; ±20 800 650 550 450 360 300 250 210 180 3,5 ±0.7 20—30 1000 900 725 625 500 400 350 275 245 210
100 82 Й8 56 230 200 170 150 3,5 250 220 180
CH 1-2-2 3 47 39 33 27 22 18 15 ±Ю; ±20 120 ПО 95 90 80' 70 60' 3 ±0,7 20—30 1000
СН1-3 5 27; 22; 19; 15; 12; 10; 8,2; 6,8; 5,6 ±10 — 2 г 100 —
СН1-6 20 33 ±10 150 4 —0,15 600—800 2500 —
СН1-7 15 4 6 4 10 22 47 82 ±10; ±20 30 70 НО 180 3 3,5 — — 500 —
СН1-8-20 СН 1-8-25 0,05 20000 25000 — 30000 6—10 0,8^0,9 — 2000 —
СН1-9 0,05 360 330 300 270 240 ±5 400 390 350 300 280 5 0,7- 5 10 420 410- 370 320 300
СН1 -10-47 , СН1-10 39 СН1-10-33 СН1-10-27 СН1-10 22 10 47 39 33 27 22 ±10 235 195 165 135 ПО 3,5—5 ±0,7 — 3000 260 210 180 148 120
СН1 10-18 . СН1-10 15 18 15 90 75 3,2-5 100 82
37
П родолжение табл. 10
Тип S £ а -Ч» ‘Uiin О' к; * g <UKH (3, не меиее ткь %/°с, не более Со, пФ ррас< “Вт. не более m <в Е • Ж
СН1-11 2 120 330 300 270 240 ±10 660 600 540 480 41 +0,7 — 250 300 825 750 675 600
СН1-12 .0,03 220 200 180 160 150 120 ±5 440 400 360 320 300 JSL 5 А ±0,7 2 10 550 500 450 400 375 300
СН1 14 50 8500 : Ю 4,5 ±1 2000 12 000»
1 При токе 5 и 10 мА.
2 Постоянное напряжение.
Примечания: 1. Наибольшая асимметрия классификационных токов для СНЫО+6%:
СНЫ, CHI-2. CHI-7, СН1-9 и СН1-11 —±10%; СН2-8-±20%.
2. Наибольшее изменение классификационного тока после трех температурных циклов
<^макс Т’мин) для СН1-8—±20%; классификационного напряжения для СШ-10—2,5%;
СНЫ2~±3%; СН1’7—3,5%; установки напряжения для CHI-14 — ±5%.
3. Наибольшее изменение к концу гарантийного срока классификационного тока для
CH1-S—±50%; CHI-14—классификационного напряжения для СН1-7 и СН1 «-10—±8%3
СНЫ 2—±15%; СН1-9—±20%.
III. ФОТОРЕЗИСТОРЫ
f
/Которезнсторы—полупроводниковые резисторы, изменяющие свое сопротивле-
ние под воздействием светового потока. В зависимости от спектральной чув-
ствительности фоторезисторы делят на две группы: для видимой части спектра
и для инфракрасной части спектра. Для изготовления фоторезисторов используют
соединения кадмия и свинца. Чувствительные элементы изготовляют из моно-
кристаллов или поликристаллов этих соединений.
Обозначение фоторезисторов ранних выпусков, первый элемент — буквы,
обозначающие тип прибора (ФС — фотосопротивление); второй элемент—буква,
обозначающая материал чувствительного элемента (А — сернистый свинец,
К — сернистый кадмий, Д — селенистый кадмии); третий элемент — цифра, обо-
еначающая тип конструктивного исполнения. Буква «Г» перед цифрой обозначает
герметичный вариант исполнения, а буква «П» пли «М>> — пленочный или моно-
кристаллический материал чувствительного элемента. Буква «Т» в конце обозна-
чает «тропический» вариант, предназначенный для эксплуатации в условиях повы-
шенных температур и влажности.
Обозначения новых типов фоторезисторов: первый элемент — буквы, обозна-
чающие тип прибора (СФ — сопротивление . фоточувствителыюе); второй эле-
мент— цифра, обозначающая материал чувствительного элемента (2 — сернистый
кадмий, 3 —селенистый кадмий, 4 — селенистый свинец); третий элемент —
цифра, обозначающая порядковый помер разработки.
Фоторезисторы обладают высокой стабильностью параметров. Изменение фо-
тотока является достаточно точной характеристикой его состояния. Прн длитель-
ной эксплуатации наблюдается стабилизация фототока, при этом его величина
38
Рис. 16
может изменяться на 20—30 %- Фоторезисторы чувствительны к быстрой смене
крайних температур, поэтому нс следует допускать более трех таких циклов.
Хранить фоторезисторы следует при температуре окружающей среды 5—35 °C н
влажности не более 80 %. В окружающей атмосфере должны отсутствовать
вредные примеси паров кислот и щелочей.
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ФОТОРЕЗИСТОРОВ
Темновой ток (/т) —ток, протекающий через фоторезистор при приложен-
ном рабочем напряжении через 30,с после снятия освещенности 200 лк.
Световой ток (/с)—ток, протекающий через фоторезистор при приложен-
ном рабочем напряжении и освещенности 200 лк Ст источника света с цветовой
температурой 2850 К.
Наибольшее изменение светового тока по истечении гарантийного срока
(-VJ.
Разность между световым н темповым токами называют фототоком (/ф).
Температурный коэффициент фототока (ТК1ф)—изменение фототока при
изменении температуры фюторезистора на 1 °C.
Рабочее напряжение (б/ф) —напряжение, которое можно приложить к фото-
резистору при длительной эксплуатации без изменения его параметров свыше
установленных.
Напряжение собственных шумов (Ош) — напряжение шумов иа фоторези-
сторе, обусловленное протеканием через него тока, отнесенное к 1 В прило-
женного напряжения постоянного тока.
Темновое сопротивление (RT) — сопротивление фоторезистора при темпера-
туре 20 °C через 30 с после снятия освещенности 200 лк.
Кратность изменения сопротивления — отношение темпового сопро-
тивления фоторезнстора к его сопротивлению при освещенности 200 лк от источ-
ника с цветовой температурой 2850 К.
Интегральная чувствительность (К„)—отношение приращения фототока к
величине приращения, вызвавшего его, светового потока при отсутствии нагрузки
и (7ф= const, А/лм. В некоторых случаях указывают значение вольтовой чувст-
вительности в вольтах на люмен (В/лм). Чувствительность измеряют при осве-
щении фоторезнстора от источника с цветовой температурой 2850 К.
Удельная чувствительность (Л'с)—отношение фототока к произведению
величин падающего на фоторезистор светового потоеа и приложенного к нему
напряжения
«0 = /ф/(Ф1/ф),
где Ф— световой поток, лм.
Пороговая чувствительность (Фп) —наименьший.световой поток, вызывающий
появление на фоторезисторе напряжения, вдвое превышающего уровень его шумов-
Постоянная времени (т)—время, в течение которого фототок изменяется
в е раз при освещении или затемнении фоторезистора по отношению к устано-
вившемуся значению. Различают постоянную времени по нарастанию (тн) и по-
стоянную времени по спаданию (тс). Время нарастания переднего фронта свето-
вого тока составляет 63% от максимального, время спадания—37% от макси-
мального.
Мощность рассеяния (Ррас) — наибольшая допустимая мощность, которую
фоторезистор может рассеивать при непрерывной электрической нагрузке и уста-
новленной температуре окружающей среды, ие изменяя параметров свыше норм,
установленных техническими условиями.
Сопротивление изоляции (/?и).
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной чувствительности
(Макс)’
Длинноволновая граница (Ад г).
40
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОРЕЗИСТОРОВ
Вольт-амперная (I — /, (U)) — зависимость светового, темнового или фото-
тока (при постоянном световом .потоке) от приложенного напряжения.
Световая или люкс-амперная (I$— f2 (Е)) — зависимость фототока от падаю-
щего светового потока или освещенности (прн постоянном напряжении на фото-
резисторе).
Спектральная (/([| = f3 (К))—зависимость фототока от длины волны падаю-
щего светового потока (прн постоянном напряжении на фоторезисторе).
Частотная ft (ВфУ)—зависимость фототока от частоты модуляции
светового потока (при постоянном напряжении на фоторезисторе).
Условия эксплуатации фоторезисторов приведены в табл. 11.
ФОТОРЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ВИДИМОЙ ЧАСТИ СПЕКТРА
Конструктивное исполнение — чувствительный элемент, заключенный в пласт-
массовый или металлостеклянный герметичный корпус. Д.чя сборки в блоки по-
следовательно! о или параллельного соединения чувствительные элементы вы-
пускают без корпуса (рис. 17). Внешний вид и основные размеры фоторезисторов
в пластмассовом корпусе показаны па рис. 18, фоторезпеторов в металлостеклян-
пом корпусе — на рис. 19, а типа СФ — па рис. 20.
Рис. 17
У фоторезпеторов ФСД-1а, ФСК-la и ФСК-7 чувствительный элемент при-
клеен к стеклянной подложке. Модификации ФСК-7а и ФСК-76 отличаются кон-
фигурацией электродов чувствительного элемента (три раздельных электрода
позволяют включать чувствительный элемент по дифференциальной схеме). Вы-
воды ФСД-1, ФСК 1, ФСК-2 и ФСК-6 рассчитаны под стандартную октальную
панель, а ФСК-4а и СФ — под специальную панель или пайку. Фоторезисторы
ФСК 6 предназначены для работы в отраженном свете.
Фоторезисторы типа СФ (кроме СФ2-1, СФ2 1а, СФЗ-1, СФЗ-1А, СФ2-2 и
СФЗ-2)- имеют металлостекляиный герметичный корпус. У ФСД П и ФСК Г!
в корпусе размещают чувствительные элементы ФСД-1а и ФСК 1а Фоторезисто-
ры ФСК-Г1 имеют два таких элемента, соединенных параллельно. Чувствительный
Элемент ФСК Г7 дифференциального тнйа.
41
Таблица 11
Тип Интервал рабочих температур, °C Относи- тельная влажность при 40 °C, %, не более Ускорение, м/с2, ие более Атмосферное давле- ние, Па Гарантийный срок Масса* г
линейное при .Мно- гократных ударах при одно- кратных ударах при вибрации на частоте, Гц службы» ч хранения, ГОД
наимень- шее наиболь- шее
СФ2-1 СФЗ-.1 -60 ..+85 981 88 120 25 10-80 6.5.10* 10» 5000 5 0,5
СФ2-1А СФЗ-1А -50 „+60 802 98 155 — 73 10-1000 6,5.10* ю» 4000 5,5 0,5
СФ2-2 -60...+70 98» 88 120 25 10-80 6,5-10» 10» 5000 5 1
СФ2-4 — 60...+70 98 490 735 ** 147 5 — 3000 6,5.10» 3-10» 3000 12 2
СФ2-5 -60 ..+70 98 245 120 — 73 5—1000 6,5-10» 10» 2000 8 2
СФ2-8 СФЗ-5 СФЗ-8 — 60 ..+70 98 490 1470 — 147 5 — 3000 6,5.10» 3.10» 5000 12 2 2
СФ2-12 — 60...+70 98 490 1470 ►я 147 5—3000 1,3-10-5 3.10» 5000 12
СФ2-16 — 60...+70 98 215 735 —-ч 98 5-1000 8 10» 3.10» 10 000 (2 —
СФ3.2А СФЗ-4А СФ3.7А СФЗ-9А СФЗ-2Б СФЗ-4Б СФЗ-7Б СФЗ-9Б >-60...+70 98 • 490 1470 4900 147 5-3000 6,5.10» 10» 5000 11 1
< J
1
СФЗ-16 -60. +70 98 490 735 1470 98 . 5-2000 6,5-10» 3-10» 2000 11 2
СФ4-1 -55...+40 80» 88 120 — 73 5-80 9,4.10* 10» 500 Б —
ФСА 1 ФСА-1а ФСА-6 — 60. ..+70 80 245 340 — 75 " 5—1 000 . 6.5 10» 10 000 8,5 2,9 0 8 5 .
ФСА-Г1 — 60 ..+70 98 245 120 *• 73 5-80 6,5 10» 10 000 8.5 5,7
ФСА-Г2 — 60...+70 98 245 120 — 120 5-1000 6,5 10» 10 000 8.5 19,5
ФСД-1 ФСД-1а — 60. +40 80» 245 340 — 73 5 -1000 6,5 10s • 1000 8,5 2.6
ФСД-Г1 — 60...+ 40 98 245 340 — 73 5 — 1000 6,5 10» 1000 8.5 5,7
ФСк-1 ФСК-1а ФСК-Г1 ФСК-Г2 -60 .+85 80» 245 340 — 75 5—ЮОО 6,5-10» 10» 10 000 8,5 3 6 0.8 5,7 20
ФСК-2 ФСК-6 -60.,.+70 80» 88 120 . — 10—80 6,5 10» 10 000 5 3,2 5
ФСК-5 -60..-+85 80* — — — — 10» 5000 3 0,03
ФСК-7 -60...+70 80 88 120 — 25 10—80 6,5-10» 10s 10 000 8 *4.8
ФСК-73 ФСК-76 — 60...+70 98 88 120 — 25 10-80 6,5-10» 10» 10 000 8 9 10
ФСК-П1Э — 60...+85 98 490 340 — 120 10—3000 6.5-10» 3-10» 5000 11 0,7
g При м е ч а и и е. Наибольшее допустимое растягивающее усилие на электродах СФ2-1А и СФЗ-1А 4,9 Н
Ч>СК-Г7а
Рис. 19
Фоторезнсторы СФ2-1, СФ2 2 и СФЗ-2 имеют Низкий уровень собственных
шумов и обладают лучшими по сравнению с другими характеристиками, что
позволяет использовать их для обнаружения слабых световых п .токов.
Основное назначение работа в цепях постоянного, переменного и импуль-
сного токов в качестве преобразователей световых сигналов видимой части
спектра в электри теские.
Параметры фоторезисторов приведены в табл. 12, а характеристики — на
рис. 21—24
СФЗ~9А,СФЗ~9Б
Рис. 20
ФОТОРЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ИНФРАКРАСНОЙ ЧАСТИ СПЕКТРА
Конструктивное исполнение — чувствительный элемент, заключенный в пласт-
массовый или металлостекляш ый терметич пяй корпус (рис. 25). Для сборки
в блоки чувствительные элементы выпускают без корпуса.
Фоторезисторы ФСА-1 и ФСА-6 имеют пластмассовый корпус. В ФСА-1 при-
меняют э емеп ФСА-la. Фоторезистор ФСА-6 предназначен для работы в отра-
женном свете. Фоторезисторы ФСА Г1и ФСА-Г2 имеют мсТаллостекляииый кор-
пус. Выводы чувствительного элемента ФСА Г2 распаяны иа 4-ю и 8 ю пожки
октального цоколя Фот< резистор СФ4-1 выпускают в пластмассовом или метал-
лостеклянном корпусе. Рабочее напряжение фоторезисторов зависит от темно-
вого сопротив тения и равпо 0 1 /?т.
Основное назначение — работа в цепях постоянного, переменного и импуль-
сного токов в качестве преобразователей сигналов инфракрасной части спектра
в электрические. _
Параметры фоторезисгоров приведены в табт 13, а характеристики на
рис. 26.
45
о
Таблица $2
Тип в. не боле а е «н £ ^с. мин, мкА Я д ° г Ят, МОм? не менее сс" 2 Ч ТКГф,' %/’С тн. с Тс. с макс» мкВ/В ^рас. макс* мВт % ’э/7 R„, МОм
СФ2-1 СФ2-1А 15 1 500 — 15 500 — —0,3...—0,4 0,08 0,02 10 10 i 2о ±30 —
СФ2-2 1,3-5 1 500 — 2 500 —. —0,4 1,5 —. 100 + 30
СФ2-4 15—30 1 500 — 10 200 —» —0,5...-)-0,4 0,125 0,035 10 10 ±30 100
СФ2-5 1,3 1,3 500 — 1 400 — —0,2...-)-0,4 0,02 0,05 25 ±25 200
СФ2-8 100 1 1000 — 100 1000 — + 0,3 0,025 0,03 10 125 ±30
СФ2-9 25 — 200—1200 — 3,3 33 — ±0,4 0,05 0,03 125 11 —
СФ2-12 15 1 200 1200 — 15 600 — —0,8...+0,4 0,025 0,025 10 10 ±25 200
СФ2-16 10 3 300 — 3,3 100 — 0,9 0,1 0,04 .. 10 ±30
СФЗ-1 СФЗ-1А 15 0,5 750 — .30 1500 —0,4...—1,5 0,05 0,01 10 10 ±25 ±30 —
СФЗ-2 5 1 500 — 500 — — —. 100 + 30 —
СФЗ-2А 10 2 3000 — 5 — — —0,9...+0,4“ 0,02 0,02 10 ±30 500
СФЗ-4А 1,5 1.5 2000 — 1 — — —0,9...+0,41 0,02 0,02 10 ±30 500
СФЗ-7А 20 1 2000 20 — — —ОД-.+ОД1 0,02 0,02 10 ±30 500
СФЗ-9А 50 1 2000 — 50 — — —0.9...+0.41 0,02 0,02 10 + 30 500
СФЗ-2Б 10 0,01 1500 — 1000 — .— —2...+0.52 0,008 0,008 10 ±30 500
СФЗ-4Б 1.4 0,015 1200 — 100 — —2...+0,52 0,008 0,008 10 ±30 500
t
СФЗ-7Б 20 0,01 1200 — 2000 — — —2..,+0,52 0,008 0 008 10 — ±30 "00
СФЗ-9Б 50 0,01 1000 — 5000 — — —2..,+0,52 0,008 0,008 10 — ±30 500
СФЗ-5 2 1 500 .— 2 500 — — 1.5 ..+0,4 0,01 0,01 10 50 ±30 * —
СФЗ-8 20 1 500 — 20 50б — — 1,5... , 0,4 0,01 0.01 10 25 ±30 —
СФЗ-16 10 1 50 — 10 — — 0,02 0,02 — — ±30 100
ФСД-1 ФСД-1а 20 10 1500 з. 10“ 3,3 150 15 —1.5 0,04 0,02 10 20 ±20 1000
ФСД-Г1 20 10 1500 3-10“ 3,3 150 15 -1.5- 0,04 0,02 10 20 ±20 1000
ФСК-1 ФСК-1а 50 15 1500 7.10’ 3,3 100 2,8 -0,2 0,05 0,03' 10 50 ±20 1000
ФСК-2 50 15 300 1600 3,3 20 0,5 -0,42...-, 0,3 0,14 0,14 300 125 ±30 —
ФСК-5. 60 5 83 22-10“ 5 17 5 — — — — ±30 —
ФСК-6 50 15 1500 6000 3,3 100 0,28 —0,5.+ 0,3 0,14 0,14 300 125 30 100
ФСК-7а 200 100 350 250 0,5 .8 0,15 ±0,4 0,2 0,2 10 J350 ±30 —
ФСК-76 100 100 800 7500 од 20 3.6 -0,4 0,2 0,2 10 350 : 30 —
ФСК-Г1 50 15 1500 7000 3,3 100 2,1 ±0,4 0,05 0,03 10 50 ±20 1000
ФСК-Г2 50 30 1500 7000 1.6 83 2,1 —0,6...- 0,3 0,14 0,12 300 250 ±30 1000
ФСК-Г7 200 10 1000 1800 5 100 0.7 ±0,4- 0,1 0.1 10 350 ±30 —
ФСК-П1а 100 1 2000 8000 100 1000 . 4,8 —0,4...—0,5 0.1 0,02 — 150 ±30 —
1 При температуре от 20 до —70 °C ТК1ф = 0,2...—0,2%/°C.
2 Прн температуре от 20 до —70 °C ТК1ф ~~ 0,5%/°С.
Примечания: 1 Пороговая чувствительность СФ2-1 (2 — 3) 10 10 лм и СФЗ»! (2— 5) 10 11 лм.
2. Максимальнаяспектральная чувствительность СФ3.2А...СФЗ-9Ё и СФЗ-16 0,7-0,67 мкм, длинноволновая граница не более 0,85 мкм.
ФСК-П1
1,0
50
О
О,
О
mR '
™ - 100
20
80 U,В
f ' J
AIcIAIchikc,
60
40
20
к,мА
0,4 0,5 0,6
О 7 0,8 7,мкм О
1,5
ДО
5
О
2,1
1,5
0,9
0,3
к,
мА
80 и, 8
500 1000 Е,лн
1с1мА
2fi
1,6
1,2
0,8-
0,4
О
О
К»
КОО
зоа
too
30
к
3
о 10 30 100 300
к,мкА
1000
100
10
1
0,1
0,01
0,1 1 10 100 Е,М
20 40 60 80 U,В
40
1СН
80
"..маис У
( ФС
0,4 0,5 А, мкм
к, мА
2,5
к,мА
5
4
_ 3
'г
-1
о
60
40
20
icfic.
80
о 0,4 0,6 0,8И,МкМ
Е,пк
।—
4
ФСД
О
ФСК~7,ФСК-Г7
3
2
1
20 40 60 80 U, В
ФСД
2,0
1,5
1,0
500т X л
200т
/50т/ 5м
L—А-
0,5
О
15 U, 8
во
60
40
20
ФСК-7
ФСК-Г7-
10 20 30 40 U,В
СI с!01с- монс, 7«________
О
0,5 0,6 0,7 0,63,мт
Рис. 21
Рис. 22
Мф!Мф.н<тс %
-60 -60-20 0 20 40 60 t’C -80 -40 0 40 t,C
Рис. 23
-40-20 0 20 40 t’C
-40-20 0 20 40 t,°C‘
Рис. 25
Таблица 13
Тип t/ф, в Рт, кОм ДАТ. % /?Т^С К». мкА/(лм- В) К„. В/Вт ТК1ф, %-°C
СФ4-1 15—20 0,1—1000 ±20 — — 100—1000 —
ФСА 1 ФСА-1а 2—100 22—1000 ±20 1,2 500 1500 —1,5
ФСА-6 5—30 47; 68: *100; 150; 220; 330 ±Е0 1,1 500 1500 — 1,5
ФСА-Г1 ФСА-Г2 4—40 47—470 ±20 1,2 500 1500 — 1,5
Тип ^макс» мкс ^П. мин, мкВт Цш мкВ/В р 1 рас. макс» мВы ^макс» мкм ХД. г< МКМ % Ru, МОм
СФ4-1 0,3—0,5 — 1-3 10 3—3,5 4,8 — —
ФСА-1 ФСА-1а 40 0,1 10 10 2,1 2/ ±30 —
ФСА-6 400 0,1 150—300 10 2,1 2,7 ±30 -*
ФСА-Г1 ФСА-Г2 40 0,1 10 10 2,1 2,7 ±30 1000
Примечание. Обнаружительная способность
СФ4-1 2-10’ см-Гц*/:/В.
IV. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ диоды
Для диодов, разработанных ранее 1964 г. и выпускающихся сейчас, приме*
пяется следующее обозначение:
первый элемент — буква «Д» или буквы «МД» (однотипные диоды в унифи-
цированном корпусе);
второй элемент — цифры, определяющие материал и назначение, а также
порядковый номер разработки. Для него приняты следующие обозначения диодов:
точечные германиевые..................
» кремниевые.......................
плоскостные кремниевые................
» германиевые....................
германиевые и кремниевые смесительные .
» » ум ножител иные
» » видеодетекторы
» > параметрические
стабилитроны...................... -
варикапы.....................
выпрямительные столбы.................
1 — 100
101 — 200
201—300
, 301—400
401 — 500
501 — 600
601 — 700
701 — 800
801—900
901 — 1000
1001 я выше
52
третий элемент — буква, указывающая па разновидность данного типа при-
бора (Д226А, Д10094 и т. п.).
Дополнительное буквенное обозначение «П» в конце применяется для диодов
того же типа, по с обратной полярностью выводов.
Диодам, разработанным после 1964 г., присваивается обозначение из четырех
элементов:
первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал (Г или
1 —германий, К или 2 — кремний, А или 3 — соединения галлия);
второй элемент — буква, указывающая подкласс прибора: А — сверхвысоко-
частотные, Б — приборы с объемным эффектом (Ганиа), В — варикапы, Г — гене-
раторы шума, Д — выпрямительные, универсальные и импульсные, И — туннель-
ные и обращенные, К — стабилизаторы тока, Л — излучающие, Н — тиристоры
диодные, С — стабилитроны и стабисторы, У — тиристоры триодные, Ц — выпря-
мительные столбы и блоки. Дополнительное буквенное обозначение «С» имеют
диодные сборки; ' ' •
третий элемент — число, первая цифра которого обозначает классификацион-
ный номер, а последующие две цифры (от 1 до 99)—порядковый помер разра-
ботки (кроме стабилитронов п стабисторов) *. Для первой цифры третьего эле-
мента приняты следующие классификационные обозначения;
Варикапы (В):
подстроечные............................................г ..... . 1
умножнтельные................................................... 2
Выпрямители ные столбы (Ц):
малой мощности, (прямой ток до 0,3 А)............ ................. 1 -
средней мощности (прямой ток от 0,3 до 10 А).....*.............. 2
Выпрямительные блоки (И):
малой мощности (прямой ток до 0,3 А) ...... v ......................3
средней мощности (прямой ток от 0,3 до 10 А)................. • . 4
Диоды (Д):
выпрямительные малой мощности (прямой ток до 0,3 А)................ I
выпрямительные средней мощности (прямой ток от 0,3 до 10 А).......2
1 Для стабилитронов и стабисторов последующие две цифры обозначают: при напряже-
нии стабилизации менее 10 В — десятые доли напряжения стабилизации; при напряжении ста-
билизации от 10 до 99 В — номинальное ^напряжение стабилизаций; при напряжении стабили-
зации от 100 до 190 В — разность между номинальным напряжением и 100 В (например, для
КС133А—3,3 В, КС620—120 В и т. п.).
53
магнитодиоды................................................. 3
универсальные (с рабочей частотой до 1 ГГц)...................... 4
импульсные с временем восстановления обратного сопротивления;
более 150 нс................................................. 5
от 30 до 150 нс................................................6
» 5 х> 30 нс. ..................................... 7
» 1 » 5 нс.................................................... 8
мсиее 1 нс....................................... 9
Излучающие (Л):
инфракрасного диапазона.................................•........ I
видимого спектра (светодиоды) е яркостью
не более 500 кд/м2.......................г . ............. 3
более 500 кд/м2 . ............................... 4
Сверхвысокочастотные (А):
смесительные..................................................... 1
детекторные...............• ««.................................2
параметрические. . ...... ....................................4
регулирующие (переключательные, ограничительные и модуляторные)... 5
умножмтельные................................................... 6
генераторные................ .................................. 7
Стабилитроны и стабисторы (С):
мощностью не более 0,3 Вт с напряжением стабилизации
до 10 В........................................................... 1
от 10 до 99 В...............«................................. 2
» 100 > 199 В......................'......................... 3
мощностью от 0,3 до 5 Вт с напряжением стабилизации __
до 10 В......................................................... 4
от 10 до 99 В................................................. 5
» 100 » 199 В................................................ 6
мощностью более 5 Вт с напряжением стабилизации
до 10 В................................................... . . 7
от 10 до 99 В................................................ 8
» 100 » 199 В - ................... .........................9
Тиристоры диодные (Н) неуправляемые:
малой мощности (прямой ток до 0,3 А). ,................. 1
средней мощности (прямой ток от 0,3 до 10 А).............. . 2
Тиристоры триодные (У) управляемые1:
незапираемые малой мощности (прямой ток до 0,3 А).............. I
незапираемые средней мощности (прямой ток от 0,3 до 10 А)...... 2
запираемые малой мощности (прямой ток до 0,3 А)................ 3
запираемые средней мощности (прямой ток от 0,3 до 10 А)........4
симметричные яезапираемые (симисторы) малой мощности (прямой ток до
0,3 А)............•............................................. 5
симметричные незапираемые (симисторы) средней мощности (прямой ток от
0,3 до 10 А).....................................................6
~ Туннельные и обращенные (И):
усилительные......................................................... 1
генераторные...........................................'....... 2
переключвтельные............................................... 3
обращенные ............................. • • - • • • 4
четвертый элемент — буква, указывающая разновидность прибора данного типа.
Пример обозначения: КВ 102А — кремниевый (широкого применения) вари-
кап подстроечный, номер разработки 02, группа А.
Условия эксплуатации диодов приведены в табл. 14. Для повышения надеж-
ности не следует выбирать рабочие нагрузки диодов выше 70—80 % предельно
допустимых.
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ,
УНИВЕРСАЛЬНЫХ И ИМПУЛЬСНЫХ ДИОДОВ
Постоянное прямое напряжение (i7np)— постоянное напряжение на диоде
при заданном постоянном прямом токе.
Постоянное обратное напряжение (^ogp) — постоянное напряжение, прило-
женное к диоду в обратном направлении.
7/ телесное прямее напряжение (С7пр и)—пиковое значение прямого напря-
жения на диоде при заданном импульсе прямого тока.
1 Для тиристоров согласно ГОСТ 10862-64 приняты следующие обозначения: малой мощ*
пости — 1; средней мощности — 2.
54
Таблица 14
Техно- к S о с t= 3 г (7 ъ 3’ <т> 3 m С с >— U < 1 <т> m
к о о сз S 0,035 0,002 1 ю со~ о" LO со* о*
«Й 2 <s Я О IX о ф . _ и к < сз S О к = СО
я СЗ а 3 ю tr ч о о о о - о •—< о о о о о о
Наименьшее атмосферное давление, Па О LO об ei О ю СО о ю о о ю со о iA о" о ю о ез О ю СО « о ю со
Ф Ф «J о Я га я с днях на ча- стоте, Гц — О о о 04 д 2 О О Ю 04 Ю 5 о 04 _| 5 О д 5 О о о 04 О о о 04 1 5 О о о 04 д со О о со д
год аи ’го/и о о Я Й кратных ударах о о о. о> о о о о> с р о
Ускорение, о fC X я с гократных ударах о о о о о гГ о р о
о о к е ф э ч о о со а> о о со о> о гГ о о
п СЗ о СХ ф к S ф о я <и ь к к о о и сх о о « сх —60.,.4-юо о о + о со 1 ю ОО + о со 1 ю 04 + О СО 1 —269...4-85 ос с С£ ю СО + о со 1 о со + о со 1
J с к ЛАПОЛ, Б ЛАША, Б АА112, Б АА113А, Б < < < АА204А-В АЛ410Л—Е АА529А, Б АЛ530А, Б АА603Л—Г АЛ703А, Б
55
Продолжение табл, 14
Тип Интервал рабочих темпе- ратур, °C Ускорение, м/с*, не более Наименьшее атмосферное давление, Па Гарантийный срок Масса, г Техно- логия
линейное при мно- гократных ударах i при одно- кратных ударах при вибра- циях на ча- стоте, Гн
{♦службы, ч хране- ния, год
АА705А, Б —60...+60 1470 1470 1470 147 1—2000 6,5-102 1000 — 0,65 э
АД1ЮА —60. „4-85 245 735 — 98 10—600 2,7-Ю4 10 000 6 0,15 Д
АД112А —60.„4-250 245 735 — 98 10- 600 2,7-10' 10 000 6 1.5 д
АД516А, Б —60...4-85 245 735. — 98 10—600 2,7.104 . 1000 6 0,6 эп
ЛИЮ 1 А—И АИ201А—И —60...4-85 314 930 — 73 20—600 6,5-102 5000 5 0,15 мс
А ИЗО 1 А—Г —60/..4-70 1470 1180 — 98 10—600 6,5-102 '8000 6 0,15 с*
, АИ402Б-И -60...-)-85 245 735 73 10—600 2,7-10' 5000 4 0,15 мс
АД 102 А—Г —60...4-70 1470 1470 9800 147 2-2500 6,5-102 10 000 12 0,25 э
АЛ106А—В —60.„4-85 245 735 — 98 ' 10—600 2,7.10' 10 000 6 0.5 мд
АЛ107А, Б —40..'.4-100 245 735 — 98 10-600 2,7.10' 10 000 6 0,5 мд
• - Л— ‘J J. -- -
АЛ108А -60...4-85 1470 1470 —• 147 1—2000 8,5. Ю4 — — — Э
АЛ109А —60...-)-85 245 735 — 98 10—600 2,7.104 — — — Э
АЛ301А, Б —60...4-85 245 735 — 98 10—600 6,5-102 — — — Э
АЛ304А—Г АЛ305А—Л —60...4-70 1470 1470 — . 98 1—600 8,5.104 — — — П
АЛ307Д-Л АЛ307АМ—ЛМ —60...4-70 1470 1470 1470 98 1—600 6,5-Ю2 4 — — п
АЛС314А —60... 4-70 1470 1470 • — 98 1—600 2,7.10'* J— — — эп
АЛС317А—Г, —60.„4-70 1470 ' 1470 — 147 1—2000 2,7-104 — — . — э
АЛС318А—Г -25...4-55 245 735 — 98 1—600 2,7. Ю4 — — — п
АЛС321А, Б —60...-1-70 1470 1470 98 1—600 2,7. Ю4 — — — эд
ГД107А, Б —60...4-60 245 735 —; ’ 98 10—600 2,7.Ю4 10000 6 0,3 т,
ГД402А, Б —55...4-60 245 735 — 73 10-600 . 6,5-102 10 000 4 0,21 с
ь S _ Продолжение табл. 14
Тип Интервал рабочих темпе- ратур, °C Ускорение; м/с’,- ие более Наименьшее атмосферное давление, Па Гарантийный срок Масса# г Техно- логия
линейное при мно- гократных ударах при одно- кратных ударах прн вибра- циях на ча- стоте, Гц
службы, ч хране- ния, год
ГД507А ГД508А, Б —40...+60 245 735 — 73 10—600 6,5-102 20 000 4 0.2Г 0,2 мкс
ГИ304А, Б ГИ305А, Б —40...+55 -25...+55 245 735 — 73 10—600 2,7.104 5000 4 0,1 мс
• ГИ307А —40...+60 245 735 — 73 10—600 2,7.104 10 000 6 0,07 мс
ГЙ401А, Б —40...+70 245 735 • — 73 10-600 2,7. Ю1 5000 4 0,1 мс
ГИ403А —40...+ 60 245 735 98 10-600 2,7.10» 10 000 6 0,07 мс
Д219А-Д220Б —55...+ 100 980 980 — 73 10—600 2,7* 104 8000 8.5 0,53 с
Д219С—Д223С —60...+ 120 1470 1470 4900 147 5-2000 2,7.104 5000 — 0,5 с
Д223—Д223Б - —60...+100 245 735 — 98 10-100 2,7.Ю4 8000 6 0,55 с
Д226, Д226А, Д226Е —60...+80 1470 1470 4900 147 2—2500 6,5-102 10 000 12 2 с
•
Д226Б-Д —60. ..+80 245 1470 — 98 10-600 2,7.101 10 000 6 2 С
Д229, Д229Б -60...+125 1470 1470 9800 196 2—2500 6,5-102 10 000 12 6 Д
Д229В-Л —60... 4-85 1470 1470 — 98 , 10—600 6,5.102 7500 4 6 д
Д242—Д248Б • -55...+125 1470 1470 — 98 10-1000 2,7-104 8000 10 18 д
Д401, Д401А —5...+50 — — 980 — — — 3 0,7 Т
Д405—Д405АП —60...+ 100 1470 1470 1470 147 5-2000 2,7.104 300 8,5 0,6 Т '
Д501 —60...+100 980 1470 1470 147 5—2000 6,5-102 200 8,5 3,5 Т
• Д604 —60...+ 100 980 980 1470 147 5-2500 6,5-102 500 8,5 3,5 Т
Д814А-Д ' Д818А—Е —55...+ 100 980 980 —5 73 10-600 ' 2,7.104 8000 4 1 f
Д815А-Ж Д816А-Д817Г КС620А—КС620А —60...+ 100 314 930 — 73 20—600 2,7-104 7500 5 6 сд д
8
Продолжение табл. 14
Тип . * Интервал рабочих темпе- ратур, °C Ускорение, м/с2$ не более Наименьшее атмосферное давление, Па Гарантийный ( срок Масса, Г Техно- логия
линёйное при мно- гократных ударах при одно- кратных ударах при вибра- циях на ча- стоте, Гц
службы, ч хране- ния, год
КА104А —60...+125 100 150 500 15 5—2000 ю6 — — — т
КА509А—В —60...+100 980 1470 4900 147 5—200'0 6,5.102 — • 6 1,3 ' э
КА510А-Е —60...+ 125 — — — — — 1000 6 0,15 э
КА513А, Б —60...+ 125 980 1470 1470 147 1-2000 6,5.102 1000 6 0,075 11
КА520А, Б —60...+ 125 980 1470 9800 147 1 -2000 6,5.102 1000 6 1,3 э
КА602А—Г —60...+100 980 1470 1470 147 5—2000 6,5-102 1000 6 2,5 эп
КА609А—В —60...+85 1470 1470 9800 196 1—3000 6,5-102 — — — мэ
КА612А, Б -60... + 125 1470 1470 4900 196 1—3000 6,5-102 — — — эп
КА613А, Б —60...+ 125 1470 1470 1470 ' 147 1 -2000 6,5-102 — — — эп
КВ102А—Д —40.„+85 1470 1470 9800 147 5—2500 6,5.102 10 000 12 0.1 сд
-
КВ103А, Б КВ104А—Е —40...+85 245 . 735 7- 73 10—600 2,7-10* 5000 10000 4 6 15 2 э
КВЮ5А —55...+100 1470 1470 9800 147 • 2—2500 6,5-102 10 000 12 2,5 сд
КВ106А, Б —60...+120 1470 1470 — 147 2—2500 6,5*102 10 000 12 15 эп
КЦ109А—Г —40...+85 245 735 — 98 10—600 2,7.10* 10 000 6 0,09 эп
КВ112А, Б —60...+125 1470 1470 — 590 1—5000 6,5-102 — — — эп
КВ114А, Б —60...^125 245 1470 — 590 1-5000 6,5.102 — — — эп
КВ115А—В КВ116А —60...+85 '1470 1470 — 98 1—600 8,5.10* 2,7-10* — — эп
КВ117А, Б -60...+85 245 735 —- *98 1—600 8,5.10* — — — эп
КВ119А —60..,+юо 245 735 — 98 1 -600 2,7.10* — — — эп
КВ 121А —60...+ 125 245 735 . — 98 1—600 1,3-10-* — — эп
КВСША, Б —60...+ 100 1470 1470 — 98 1—600 2,7.10* 10 000 6 1 эп
КГ401А—В Ci м —60...+70 245 735 98 10—600 2,7.10* —• — — п
Продолжение табл. 14
Тип Интервал .рабочих темпе- ратур, °C Ускорение* м/с’» не более Наименьшее атмосферное давление^ Па Гарантийный . срок Масса4 р Техно- логия
линейное прн мно- гократных ударах при одно-, кратных ударах прн вибра- циях на ча- стоте* Гц
службы^ ч хране- ния« год
КД102А, Б КД ЮЗА , Б -55...+ 100 245 735 — 73 10—600 2,7.10* 5000 4 0,1 - мд д
КД104А КДЮ5Б-Г КД109А—В —60...+85 1180 1470 — . 98 10 -600 2,7-10* 10000 5 0,5 0,5 1 д
КД202А—С —60...+120 1470 1470 — 147 10—2000 6,5-102 7500 10 7 д
КД203А-Д —55...+ 100 245 735 — 98 10-600 2,7.10* 7500 4 18 д
КД204А—В КД205А—Л —55...+85 —40...+85 1470 1470 — 98 10—600 2,7.10* 10 000 5 5,1 д
КД206А—В —60.„+125 245 735 — 98 10—600 6,5.102 10000 6 9 мд
КД208А КД209А-В —60.„+85 -40...+85 1180 1470 — 98 10—600 6,5.102 10 000 6 0,5 д
КД210А—Г —60...+ 100 1180 1470 — 98 10—600 2,7.10* — — д
КД212А, Б КД213А, Б —60 .„+85 245 735 — 98 10—600 2,7.10* • — — —- д
•
КД301А—Ж —60...+85 490 ’ 735 1470 98 5—1000 6,5-102 — — С
КДЗОЗА-1— КДЗОЗЖ-1 —60...+100 490 735 735 98 1—1000 2,7-10* — — — П
КД407А КД409А —60...+100 245 735 — 98 10—600 2,7-10* 10 000 6 0,3 0,06 эп э
КД410А, Б —40...+85 1470 1470 4900 .. 147 1—2000 7-10* 10 000 6 о.з Д
КД411А-Г —40...+90 245 735 . — 98 10—600 2,7-10* 10 000 6 4 Д
КД412А—Г КД413А, Б -60...+80 245 735 — 98 10—600 2,7-10* — — -4- Д Э
КД417А —60...+85 245 735 — 98 10 600 6,5-102 — — — Э ’
КД503А, Б КД514А —40...+70 245 735 — 73 10—600 2,7-10* 5000 4 0,3 0,35 п эп
КД504А —60...+ Ю0 245 735 — - 73 10—600 2,7-10* 5000 4 0,7 эп
КД509А —55...+85 1470 1470 4900 147 2-2500 6,1 -10« 10000 12 0,25 эп
КД512А -40.. .+85 245 735 73 10—600 2,7-10* — 4 0,3 эп
Продолжение табл. 14
Тнп Интервал рабочих темпе- ратур, °C Ускорение, м/с2, не Солее Наименьшее атмосферное давление, Па Гарантийный срок Масса,- г Техно- логия
линейное при мно- гократных ударах при одно- кратных ударах при вибра- циях на ча- стоте, Гц
службы* ч храпе- ния, ГОД
КД513А КД 518 А —60...+85 1470 1470 — 981 10—600 2,7-10* 10 000 6 0,11 ЭП
КД521А-Д КД522А, Б —60...+ 125 —55...+85 245 735 — 98 10-600 2,7-10* 10 000 6 .0,15 ЭП
КД907А—Г КД918А—Г —60...+85 1470 1470 9800 147 2—2500 •6,5.10® 10 000 12 0,005 ЭП
КД919А —60...+85 235 735 9800 98 10—600 2,7.10* — — — п
КДС111А—В —G0.. .+85 245 735 — 98 10—600 6,5-103 10000 6 0,3 д
КДС523А-Г —60;..+125 1470 1-470 9800 147 2—2500 6,5-102 10 000 12 0,122 ЭП
КЛ101А—В — 10...+70 1470 1470 9800 ' 147 2-2500 6,5.102 10 000 12 0,03 Д
КН102А—И —40...+70 735 735 — 73 5—600 2,7-10* 5000 4 2 Д
КС133А—КС168А —55...+ 100 245 735 * 73 10—600 6,5.102 5000 4 1 С
f
3-191
КС162А—КС213Б -ь.55.,,+100 245 735 — 73 5-2000 2,7.10* 5000 4 0,35 С
КС191С-Ф —60...+100 245 735 1 98 10—600 2,7-10* — — э
КС515Г—КС539Г КС547В—КС596В —60..-+100 1470 1470 4900 147 10—2000 2,7-10* Эи — — дс
КЦ109А —45...+85 245 735 1470 98 1-600 8,5-10* — — —- д
КЦ402А-*КЦ405И —40...+85 — 690 — 98 10—600 2,7.10* 1000 4 — д
КЦ407А КЦ410А- В КЦ412А—В —40...+85 245 735 т- 98 10-600 2,7-10* — — — мд д д
МД217—МД218А —60...+ 125 1 1470 1470 — 196 2—2500 6,5-102 10 000 12 2 д
7ГЕ1А-С 7ГЕ2А—С —25 „+60 245 735 — 98 10—600 — 1000 — 0.3 0,6 —
1 Для КД518А 147 м/с2 на частоте 5 — 2500 Гц. .
!.КДС523В н КДС523Г имеют такую же форму корпуса, но удвоенное число диодов. Масса их 0,24 г.
Примечания- 1. Условные обозначения технологии: АГШ — арсенидгаллиевая с контактом Шоттки: Д — диффузионная; И — ионная;
МД — меза-диффузноиная; МС — меза-сплавная; МЭ меза--питаксиальная; МКС - микросплавная; П — планарная; ПД — иланарно-днффу-
зионная; ПЭШ — планарио-эпитаксиальиая с контактом Шоттки; С — сплавная, СД — сплавно-диффузионная; Т — точечная; Э — эпитаксиальная:
ЭП — эпитаксиальио-планарная: ЭШ — эпитаксиальная с контактом Шоттки.
2. Относительная влажность при 40 °C для всех типов диодов не более 98%. . _
СР 3. Наибольшее атмосферное давление АЙ101А—И, АИ201А—И, АЛ304А —Г 10е Па, у остальных 3*10 Па.
Импульсное обратное напряжение (Г7оСр „) — пиковое значение обратного
напряжения любой формы и периодичности на диоде.
Среднее прямое напряжение (Unp ср) — среднее за период прямое напряже-
ние при заданном среднем прямом токе.
Постоянный прямой ток (1пр) — постоянный ток, протекающий через диод
в прямом направлении.
Постоянный обратный ток (7ogp) — постоянный ток, протекающий через
диод в обратном направлении при заданном обратном напряжении.
Средний прямой ток (/пр ср) —среднее за период значение прямого тока.
Средний обратный ток (/обр ср) — среднее за период значение обратного
тока.
Средний выпрямленный ток (/вып ср) — среднее за период значение тока
через диод в однополупериодной схеме выпрямления с активной нагрузкой.
Дифференциальное сопротивление (гднф) — отношение приращения напряже-
• иия на диоде к вызвавшему его приращению тока.
Диапазон частот (йф) — диапазон, на любой частоте которого выпрямленный
ток не ниже заданного.
Общая емкость диода (С^ — емкость между выводами диода при заданных
напряжении смещения и частоте.
Время установления прямого напряжения (7уст) — интервал времени с момента
подачи импульса прямого тока па дчод (при нулевом начальном смещении) до
достижения заданного прямого напряжения на диоде.
Время восстановления обратного сопротивления (/вос) — интервал времени
с момента прохождения тока через нуль после переключения диода с заданного
прямого тока в состояние заданного обратного напряжения до момента достиже-
ния обратным током заданного значения.
Заряд переключения (Qn^n)— часть накопленного заряда, вытекающая во
внешнюю цепь при переключении диода с прямого напряжения в запертое состоя-
ние.
Максимально допустимая средняя мощность рассеяния (Рмакс) — максималь-
ная постоянная (или средняя) мощность рассеяния на диоде,' обеспечивающая
заданную надежность при длительной работе.
Температура корпуса диода (7кор)—температура, измеренная в заданной
точке корпуса.
Температура окружающей среды (t)—температура воздуха, измеренная
вблизи диода при условии естественной конвекции и при отсутствии, влияния
излучающих тепло поверхностей.
Температура перехода (7пер)—температура, измеренная на поверхности
перехода.
Полное тепловое сопротивление диода (7?д пс) — отношение разности темпе-
ратур между переходом и окружающей средой к мощности рассеяния диода в
установившемся режиме.
Предельные режимы использования диодов характеризуются параметрами:
^обр. макс’ <4бр. и. макс’ ^пр. макс’ пр. и. макс И ^макс’
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ СТАБИЛИТРОНОВ И СТАБИСТОРОВ
Напряжение стабилизации (Г/ст) —напряжение на стабилитроне при проте-
кании заданного тока стабилизации.
Разброс величины напряжения стабилизации (Д(/Ст ном) — максимально до-
пустимое отклонение напряжения стабилизации от номинального.
Минимально допустимый ток стабилизации (/ст мп11) — наименьший ток
через стабилитрон, при котором напряжение стабилизации находится в заданных
пределах.
66
Максимально допустимый ток стабилизации (7СТ ыаис) — наибольший ток
стабилизации, при котором напряжение стабилизации находится' в заданных пре-
делах, а температура перехода не превышает допустимей.
Дифференциальное сопротивление стабилитрона (гст) — отношение прира-
щения напряжения стабилизации на стабилитроне к вызвавшему его ‘ малому
приращению тока.
Температурный коэффициент напряжения стабилизации (а ) — отношение
относительного изменения напряжения стабилизации к абсолютному/ изменению
температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации.
Помимо указанных, применяют также параметры: /?д. пС и 7пер макС. Пре-
дельные режимы использования диодов характеризуются параметрами: /ст макс
р
макс1
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ТУННЕЛЬНЫХ И ОБРАЩЕННЫХ ДИОДОВ
Напряжение пика (Un)—прямое напряжение, соответствующее пиковому
току.
Напряжение впадины (UB) — прямое напряжение, соответствующее току
впадины.
Напряжение раствора ((7рр)—прямое напряжение, большее напряжение
впадины, при котором ток равен пиковому.
Пиковый ток (7П)— прямой ток в точке максимума вольт-амперной характе-
ристики, при котором di,idu — 0.
~Ток впадины (/D)— прямой ток в точке минимума вольт-амперной характе-
ристики, при котором di/du = 0.
Отношение токов туннельного диода (7П/7В)—отношение пикового тока к
току впадины.
Предельная резистивная частота (fp) — частота, па которой активная со-
ставляющая полного сопротивления последовательной цепи, состоящей из р-п-
перехода и сопротивления потерь, обращается в нуль.
Индуктивность диода (7,д) — последовательная эквивалентная индуктивность
диода в заданном режиме.
Сопротивление потерь туннельного диода (/?пот) — суммарное сопротивление
(активное) кристалла, контактных соединений в выводов.
Дифференциальное сопротивление (гднф)— величина, обратная крутизне
вольт-амперной характеристики.
Помимо указанных, применяют также параметры: <7Пр, U^, Рмакс, /?д пс-
Предельные режимы использования диодов характеризуются следующими пара-
метрами. /пр макс, /пр. и. макс’ /обр.макс’ /обр. и. макс’ пр. макс’ ^СВЧ и. макс’
^обр. макс *
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ВАРИКАПОВ
Номинальная емкость (Св) — емкость между выводами, измеренная при
Заданном обратном напряжении.
* Наименьшая емкость (Смин) — емкость при наибольшем заданном обратном
напряжении.
Коэффициент перекрытия по емкости (Кс) — отношение емкостен варикапа
при двух заданных значениях обратных напряжений.
Добротность (Q) — отношение реактивного сопротивления варикапа па задан-
ной частоте к сопротивлению потерь при заданной емкости или обратном напря-
жении
Помимо указанных, применяют также параметры: /обр, /?д пс. Предельные
режимы использования диодов характеризуются следующими параметрами:
UP
обр. макс’ такс’
3*
67
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫХ (СВЧ) ДИОДОВ
Пробивное налряжение (6/проб) — нащ яжение, вызывающее необратимые изме-
• нения в структуре перехода.
Максимально допусти мая непрерывная СВЧ мощность рассеяния (Всвч макс)—
максимальная СВЧ мощность рассеяния, при которой обеспечивается заданная
“надежность при длительной работе.
Максимально допустимая импульсная СВЧ мощность рассеяния
(/’свч и. макс) — максимальная СВЧ мощность-рассеяния в импульсе при опреде-
ленной скважности н длительности импульса, при которой обеспечивается задан-
ная надежность при длительной работе. .
Емкость перехода (Спер) — емкость между выводами перехода прн заданном
напряжении смещения.
Емкость корпуса (Скор)— конструктивная емкость диода-прн отсутствии
перехода.
Прямое сопротивление диода (г ) — активная составляющая полного сопро-
тивления смесительного диода при заданном токе через диод.
Выходное сопротивление смесительного диода (гвых) — активная составляю-
щая полного сопротивления смесительного диода на промежуточной частоте.
Сопротивление, прибора Ганна (г0) — измеряется при напряжении питания
значите, ьно ниже порогового.
Постоянная времени СВЧ дисда (т) — npoi введение емкости перехода диода
на сопротивление (последовательное) потерь.
Время выключения (/вькл) — время нарастания напряжения на диоде при
переключе! i и его из открытого состояния в закрытое, отсчитываемое между зна-
чениями 0,2 и 0,8 максимального напряжения.
Предельная частота СВЧ диода (/прсд) — частота, па которой добротность
диода равна единице. Определяется по формуле /пред = 1/2 лт.
Критическая частота переключательного диода (/кр) является характери-
стикой э рфсктивности перек. ючательного диода п определяется по <] ормуле
2n<"c-ip V гпрГобр
где Сстр — емкость активной струк уры диода; гПр — прямое сопротивление
диода; го(5р обратное сопротивление диода.
Потери преобразования (Епрб)— отношение мощности СВЧ сигнала иа входе
к мощности сигнала промежуточной частоты^ выделяемой в нагрузке диода в
зад:н ном режиме.
Потери запарания (Езпр)—отношение мощности, подводимой к переключа-
тельному устройству с находящимся в ием переключательным диодом, к мощ-
ности, проходящей через это устройство при закрытом диоде.
Потери пропускания (Епроп) — отношение мощности, подводимой к переклю-
чательному устройству с находящимся в нем переключательным диодом, к мощ-
ности, проходящей через это устройство при открытом диоде;
Нормированный коэффициент шума (F) — коэффициент шума приемного
устройства с данным смесительным диодом на входе прн коэффициенте шума
УПЧ, равном 1,5 дБ, н полном подавлении шумов гетеродина.
Шумовое отношение диода (пш) — отношение номинальной мощности шумов
диода в данном режиме к номинальной мощности тепловых шумов активного
сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот.
Коэффициент стоячей волны напряжения (Асвн) — коэффициент стоячей
вотны напряжения в передающей линии СВЧ, когда она нагружена на опреде-
ленную диодную камеру с диодом в заданном режиме.
68
Коэффициент качества детекторного диода (М) — обобщенная характери-
стика чувствительности приемного устройства с данным детектором, определяется
по формуле
Л) /Г
V Л’ггд + Яш
где /?ш— эквивалентное шумовое Сопротивление видеоусилителя (/?ш= 1000 Ом).
Чувствительность по току (Зу) — отношение приращения среднего выпрям-
ленного тока при заданной нагрузке в выходной цепи диода к мощности СВЧ
сигнала, подводимой ко входу диодной камерьТ с данным диодом и вызывающей
это приращение.
Чувствительность по напряжению (Р^) — отношение приращения напряже-
ния на выходе диода к мощности СВЧ сигнала, подводимой ко входу диодной
камеры с данным диодом и вызвавшей это приращение.
Максимально допустимая энергия импульсов (1УИ макс) — наибо.- ьшая допу-
стимая энергия коротких (до Ю~8 с) импульсов, воздейс вующих на днод, прн
которой обеспечивается заданная .надежность при длительной работе.
Постоянный рабочий ток лавиннопролетного диода (/р)—ток, прн котором
обеспечивается заданная выходная мощность генерации.
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ
Яркость свечения (В) — яркость свечения диода при заданном прямом токе.
Длительность переднего фронта светового импульса (тп) — время нараста-
ния светового импульса до заданного значения.
Длительность заднего фронта светового импульса (т3) — время спадания
светового импульса до заданного значения.
Помимо указанных, применяют также параметры: СПр, \шн, \;акс (излуче-
ния), О (угол раскрыва диаграммы излучения по уровню 0,5).
Предельные режимы использования диодов характеризуются параметрами:
11 у р
^обр. макс’ 'пр. макс' макс’
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАГНИТОДИОДОВ
Прямое напряжение (17пр) — напряжение на границах области изменения
прямой ветви вольт-амперной характеристики прн заданном прямом токе.
Магниточувствительность (Ку)-
Диапазон частот по электрическому или магнитному полю
Предельные режимы использования диодов характеризуются параметрами!
77 / Р
обр. макс пр. маке макс'
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ГЕНЕРАТОРОВ ШУМА
Ток пробоя обратносмещенного р-п-перехода (/проб) — допустимое значение
тока при обратном смещении р «-перехода в режиме пробоя.
Граничная частота равномерности спектра (/гр) — наибольшая частота
спектра, при которой удовлетворяется в сторону отрицательного отклонения
заданное требование по неравномерности спектральной* плотности шума (при
заданном токе пробоя).
Спектральная плотность шума (£ш) — эффективное значение напряжения
шума, отнесенное к I Гц при заданном токе пробоя.
Температурный коэффициент спектральной плотности шума (ТК5Ш) —
среднее в заданном интервале рабочих температур значение температурного гра-
диента спектральной плотности шума, отнесепнное к среднему значению спек-
тральной плотности шума в этом интервале температур.
Допустимый разброс напряжения пробоя (Л17проб)—наибольшее допустимое
отклонение напряжения пробоя от установленного при заданном токе пробоя.
69
Предельные режимы использования диодов характеризуются параметрами:
1 проб, макс' Л|роб. мин'
Параметры диодов могут принимать максимальные и минимальные значения,
что отмечается индексами <умакс» и «мин» соответственно.
Параметры диодов делятся на две группы: основные н справочные. Основные
параметры контролирует или гарантирует предприятие-изготовитель. Справочные
параметры включаются в каталоги и справочники и совместно с основными
используются при разработке аппаратуры.
’Основными характеристиками диодов являются вольт-амперные.
ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ, СТОЛБЫ И БЛОКИ
МАЛОЙ МОЩНОСТИ (ПРЯМОЙ ТОК ДО 0,3 А)
Конструктивное исполнение — металлический герметичный корпус со стеклян-
ными изоляторами или пластмассовый корпус (рис. 27). Выпрямительные столбы
имеют пластмассовый корпус с
1 2 3
МС1НА-КДС1НВ
ЦВетная movxai+)
3.2 20
жесткими выводами.
88
3
18
2
7,5
20
НД109А-НДЮ9В
7,5
22
КД102А, НДЮ25, КДЮЗА
КДЮЗБ,КД106А
А Б В
\3
3
Ж
МД217-ЧД218А
КД1055~НД105Г
Вариант?
35
КЩ05А, НЩ05Б
Рис. 27
КЦ10БА-КЩ0БД
HUfOSB, КЦЮ5Г,
КЦ105Д
KUI03A~KUt03B
U0
________17_
Вариант 1, „„„
32,5 . АД U0А
92,7
6,75
6,8
ГДЮ7А-ГДЮ7Б 02в
Цбетная точкам
If,8
_ Б
Д228-Д226В о,9
88
7,9
'22,5
у Цветная
потюм(+)
КЦ109А
70
Диоды к схеме присоединяют пайкой выводов. Мощность паяльника не
должна превыша ь 60 Вт Пайка и изгибание выводов разрешаются не б иже
7—10 мм от корпуса.
Рабо ее положение — любое.
Основное назначение работа в маломощных выпрямителях широкого на-
значения.
Диоды МД217 — МД218А могут работать на частотах до 1 кГц без снижения
выпрямленного тока, применяются на более высоких час стах, если в рабо шх
режимах обратный ток не превышает 500 мкА. Диоды одной и той же группы
можно соединять параллельно, при этом последователь ю с каждым необхо шмо
подключать резистор сопротивлением 5 Ом. При последовательном соединении
каждый диод необходимо шунтировать разгрузочным конденсатором
Допускаются одт ократпые перегрузки по амплитуде выпрямленного ток а, не
превышающие 6 кратного значения сред! его тока.
Диоды Д226—Д226Е можно соединять последовательно, при этом каж ый
днод необхо имо шунтировать резистором нз расчета 100 кОм на каждые 100 В
обратного напряжения. При парал. ельном соеди 1ении последовательно с каждым
диодом необходимо включать резистор.
Допускается при средних температурах однократная перегрузка выпрямлен-
ным током 1 А в точение 0,1 с а также работа на частотах до 20 кГц, при этом
обратный ток не должен превышать 500 мкА
Диоды КД102А, КД102Б и КД103А, КД ОЗБ можно соединять последова-
тельно, при этом каждый днод необходимо ш нтнровать конденсатором При
параллельном сое ипении последовательно с каждым диодом вк ючают резистор
сопротивлением 30 Ом. Допускается подача импульса отри га тельной полярное и
на диод не ранее, чем через 20 мкс нос е окончания i мпульса прямого тока
Цветная маркировка диодов приведена в табл. 15.
Таблица 15
Тип Маркировка пол ож ите^ыю го вывода ' Тип Маркировка пол о«нтелъного вывода Тип Маркировка оложительного вывода
ГД107А ГД107Б КД102А К Д102Б Черная точка Серая » Зеленая » Синяя » КД103А КД103Б КД104А КД105Б Синяя то пса Желтая » Красная » Желтая полос- ка КДЮ5В КД105Г КД109А КД109Б КД Ю9В Жел ая по. оска » » Бе ая то’ ка Желтая » 3 еная »
Примечай ие. Маркировка разновидности прибора для КД 105В — зеленая полоска,
для КДЮ5Г — краевдя.
Диоды К' 05Б—КДЮ'Г приме тяют па частотах ботее 1 кГц при ус овпи,
что обратный ток не превышает 500 мкА, дно ы КД104А— на частотах до 20
кГц, а КД109А—КД109В — на частотах до 10 кГц.
Цветная маркировка диодов ГД107А, ГД10 Б, КД104А, КДЮ5Б — КДЮ5Г
н КД109А—КД 109В приведена в табл. 15.
Диодные сборки КДС111А КДС111В состоя нз двух дт iob Отличаются
между собой схемой соединения диодов (см. рис. 27).
Диодные борки мар: ирую ся со стороны перво о вывода цветными точ-
ками: КДС111А— красной, КДС111Б— елеиой и КДСШВ— елтой
Параметры диодов приведены в табл. 16, а Характеристики — на рис. 28
и 29
ВЫПРЯМИ ГВЛЬНЫЕ ДИОДЫ И БЛОКИ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ
(ПРЯМОЙ ТОК ОТ 0,3 ДО 10 А)
Конструктивное исполнение — металлический герметичный к рпус со стеклян-
ным изолятором, жесткими выводами и болтом для. крепления к теплоотводу
I ли шасси (рис 30) Выпрямительные блоки КЦЮ2А—КЦ И вып скаются
в малогабаритных пластмассовых корпусах.
71
Таблица 16
при Предельный ре» нм
V Я при
Тип ^обр <Л)бр. CJ при ^обр. мак мкА, не более прй t, ’С ^пр <^пр. ср)' не более о ё. с = < 7- = ^обр. макс <^обр. ср.)’ В Л1р. макс ^пр. ср. макс. мА при tr °C ^пр. и. макс Я к р ^пр.ср’ м Эо *1 о 0 сз S ё. 0 и ь? й S И*
АД ПОД 5 -10“3 0,1 25 85 1,5 1.8 10 . 5 25 -60 30 1 30 10 5 35 85 —- — — — 100 2 1000
АДП2А 100 300 25 200 3 300 — 5 300 250 — — — — — —
ГД107А 20 200 25 60 1 10 • 6 25 —53 15 . 20 60 60 •
ГД107Б 100 , 1000 1__ 25 60 0,4 1,5 25 20 2,5
Д226 50 100 20 80 400 300 300 250 50 80
Д226А Д226Б Д226В Д226Г 100 31 0 20 80 1 300 50 300 200 400 300 300 200 200 150 300 250 300 250 300 250 300 250 ’50 80 50 80 50 80 50 80 — — — —- 85 1
Д226Д * 100 70 300 250 50 80 >
’ Д226Е 50 100 20 80 250 150 300 250 50 80 7 •
КДЮ2А КДЮ23 1 50 3 • 100 25 100 2га 100 1 5 2,5 . 1,5 2,5 500 3 2000 s 500 s 2000 3 — 250 s 1 300 s . 100 30 100 30 50 100 50 100 2 1 2 1 10 10 10 10 30 60 30 60 100 100 90 90 — 4
КД ЮЗА КДЮЗБ 1 50 25 100 1 Ь,2 1,2 1,4 50 50 50 50 • 25 -55 25 —55_ 50 50 100 30 100 30 50 100 50 100 2 ‘ 1 2 1 10 10 10 10_ 30 • 60 30 ! 60 100 100 90 ' 90 — —
КДЮ4А 3 200 20 70 1 10 55 300 10 55 — — . — — — 20
КДЮ5Б Л КД 105В 400 300 300 200. 55 85 <
100 300 85 1 1 300 200 55 85 600 450 300 200 55 85 15 20 — 50 90 20
. КДЮ5Г , 800 600 300 200 55 85
КДЮ9А 4 100 70 300 200 55 85
КДЮ9Б 100 ’300 20 85 1 1 300 200 55 85_ 300 200 300 200 55 85 — — — • - — 95 10
КД 109В 600 450 300 200 55 85
КЦ103А кщозь Кщозв 10 6 10 25- 10 50 25 2000 2000 1000 50 50 50 25 1 2 50 — 50
КЦ105А КЦ105Б (3,51 (3,5) (ЮО) (ЮО) 2000 s 4000 s 6000 s 7000 s 8500 s (ЮО) (100) 85 1
КЦ105В КЦ105Г КЦЮ5Д (100) (200) 25 85 (7) (7) (7) (Ю0) (75) (50) 25 • (ЮО) (75) 150)
а •
Продолжение табл. Тб
Тип ^обр (^обр.ср) при (/Оф. макс» мкА, не более при it °C ^пр ^пр. Ср)* В» не более при Предельный режим кор. макс» njM •ЭМЕИ/у
^пр (^пр. ср)» мА и ^обр. макс, (^обр. ср?» ® ^пр, макс ! (^пр. р. макс)» мА при tt сС 7 А 1 пр. и. макс» Л при
ти, мкс < ё. о п. с и о
КЦ106А КЦ106Б КЦ106В КЦ106Г КЦ106Д 10 30 25 85 25 10 25 4000 6000 8000 10 000 2000 10 10 10 10 10 85 — — — — — 20
КЦ109А (10) 25 (7) (300) 25 <60db) (300) . 25 1 55 — — — —
КДС111А— КДС111В 3 . 50 20 85 1.2 100 20 300 200 85 — — — — 20
МД217 МД218 50 25 1 f 100 25 800 1000 100 50 100 50 100 50 85 125 85 125 85 125 100 1
МД218А 1.1 1200
1 Наибольшее импульсное обратное напряжение — 50 В.
‘ Наибольшая температура перехода.
3 Импульсный (ти = 10 мкс и /пр_ ср » 30 мЛ).
Примечания: 1. Время восстановления обратного сопротивления ЛД110А более 10 мс, КДЮ2А,- КД102Б( КДЮЗА
и КДЮЗБ до уровня /о6р = 1 мкА при переключении с /пр = 50 мА на yogp = 20 В при Та н = 80...100 нс не более 1 мкс.
2. Емкость диодов КД102А, КД102Б, КДЮЗА и КД103Б при Уобр = -5Вне более 20 пФ.
3. Наибольшее тепловое сопротивление переход •=- окружающая среда для АДЦ0А 360 =С/Вт.
1
o,s
Ipp. tip. Ml
to
50
30
5
3
UpOp.cp.B -200 -150 -100 -SO
Д226Б,Д226В,Д226Г,Д226Д
Д226Б-
Д226Д
0 0,2 0 U„pcp,B
IIoSp,B -200 -150-100 -50
80 0
-550
:3v=)T=
20C
WOO
ВД102А,
—I----
КД102Б
-IO'1
60
-1
40
80
0
-10 г
I----
Inp, mA
OoBp.Moi/CtB
700
500
300
-to1
Ioip,MKA
НД105Г
КД105В
КД105Б
-SO -30 0 30 60 t,°C
Рис. 29
20
0
\o,h'
- -0,3100
- -0,5 50
--1
--3
—5
--10
10
5
-30
-50 0,5
—------\-100
1о0р.ср,МкА
0
0,4 0,8 1,2 Unp,В
10
5
1
0,5
1оЪр,мнА
102—]-----
КД103А
Uolp,B -100
10'4 _________
5iO!1O3 5-10310* f,m
IO3
НД102А,
КД102Б
10*
I, Гц
Inp,mA
75
50
25
0,25 0,50 0,75 1,0 Unp,B
ИД103А,
ВД103Б
0
-60‘C
20°C]
120°C
120 °C
20 °C
50
5
Inp,мА
-----75
0,4 0,8 Unp 8
0,11——f—
I---------
io L------
IqSp.mkA
Расположение диодов в аппаратуре должно благоприятствовать их охлажде-
нию. При нагрузках, близких к номинальным, обязательно применять теплоотвод.
Диоды могут работать на емкостную нагрузку при условии, что амплитуда
рбратиого напряжения не превышает допустимую, а ток через диод не более
1.57/ном-
Для повышения надежности рекомендуется выбирать режимы работы на
£0 % ниже предельных.
Основное назначение — работа в выпрямителях аппаратуры широкого на-
значения.
Диоды Д229А — Д229Л можно соединять последовательно н параллельно.
При параллельном соединении последовательно с каждым диодом включают ре-
зистор сопротивлением 8 Ом. При последовательном соединении каждый диод
следует шунтировать конденсатором или резистором. Диоды выдерживают пере-
грузку по прямому току до 2,5 А в течение 3—4 периодов при переходном про-
цессе.
Диоды Д242—Д248Б н КД202А—КД202С можно соединять последовательно,
при этом каждый из них необходимо шунтировать резистором из расчета 10—
15 кОм на каждые 100 В обратного напряжения. Прн нагрузках, близких к но-
минальным, обязательно применять теплоотвод. Особое внимание следует обра-
щать на плотность прилегания корпуса диода к теплоотводу Необходимая пло-
щадь теплоотвода определяется по табл. 17.
Диоды выдерживают 3-кратную перегрузку .по
Таблица 1/ трку в течение 0,5 с.
При использовании диодов КД202А—•
КД202С на частотах 1200—1500 Гц необходи-
мо снижать допустимый прямой ток вдвое при
допустимом обратном напряжении. При высо-
ких рабочих температурах необходимо приме-
нять теплоотвод. Допускается работа с им-
пульсами тока 5 А длительностью до 10 мкс
и частотой повторения до 3000 Гц при темпе-
ратуре корпуса, не превышающей 75 °C.
Диоды КД203А—КД203Д рекомендуется
^вып. макс* А Площадь тепло- отвода, см2, при температуре
До 25 °C до 125 °C
2—5 25 100
10 50 200
использовать только с дополнительными тепло-
отводами. Допускается принудительное охлаждение.
Выпрямительные блоки КЦ402А — КЦ402И — КЦ405А — КЦ405И собраны
по мостовой схеме. Выпрямительные блоки КЦ405А—КЦ405И предназначены
для печатного монтажа.
Выпрямительные блоки КЦ403А — КЦ403И и КЦ404А — КЦ404И имеют по
два моста в одном пластмассовом корпусе. На корпусе КЦ404А — КЦ404И име-
ется держатель для установки двух предохранителей типа ПМ.
Электрическая прочность изоляции между любым из выводов и металлическим
шасси (кроме КЦ405А — КЦ405И) не менее 3,5 кВ.
Параметры диодов приведены в табл. 18, а характеристики — на рис. 31—34.
УНИВЕРСАЛЬНЫЕ ДИОДЫ
Конструктивное исполнение—металлостекланный или стеклянный герметич-
ный корпус с гибкими или жесткими выводами (рис. 35). К схеме диоды присо-
единяют пайкой выводов. Мощность паяльника не должна превышать 60 Вт.
П кз разрешается (прн гибких выводах) не ближе 10—15 мм от корпуса. Приме-
нение дополнительного теплоотвода при пайке обязательно. Изгибание гибких
выводов разрешается по ближе 3 мм от корпуса. Жесткие выводы изгибать
запрещается.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в схемах радиоэлектронной и измерительной
аппаратуры, а также в маломощных выпрямителях.
Диоды Д223 — Д223Б имеют черную окраску корпуса и белую буквенно-
цифровую маркировку.
7§
Таблица 18
TlJM 04
«ЭМЕИ •(lOMj 130 00 130
I Предельный режим прн Эо,do”; 1 1
0 ,Н1 1 1
V ?ЭЯЕИ .jadau *du^ 1 1
Э» Ч ndu 2 ’Р, 2 ° Й ° ‘2 ° °° ю °10 о ю с ю Q (М О C^lOCOLOOOLOCOLOCOinCOtOCOtQOCLQCO ю m m Ю Ю LO t - 04 г-- (М с- 04
у «ЭМ ЕН -dlJ^ 0.4 0,2 0,4 0,2 0,4 0,3 0,4 0,3 04 0,3 0,4 0,3 0,7 0,5 0,7 0,5 0,7 0 5 0,7 0,5 О Ш О О LQ 04
Я • ЭЯвИ ‘dpo^ 200 400 100 200 300 400 100 200 300 400 1 100 . 100 100
G Э» Ч О Ю о ш О О О О О О О о О 04 о 04 LQ Ю Ш LO LQ Ю LO ю с2
V ‘duI 0,4 0,2 0,4 0,2 0,4 0,4 0,4 0.4 0,7 0,7 0,7 0,7 10 10 5
ээкор эи 'а ,<1ил т“1 1 '-2 1.0 1,5
Эо ndu О IO О О in О 1Л О Ю О 1Л о ю о ю о ю о ю 04 04 04 04 04 СО 04 СО 04 °0 04 СО 04 СО 04 00 04 ОО 04 00 001
oairop эи «змеи Hdu d9°/ Ю Ю 1Л Ю Ов 04 О 04 04 04 1О 04 Ю 04 LO 041-0 04 Ш 04 Ю 04 Ю О О о О О О О О О О О О С О О О О О О О со
* Тип < to 03 U Е( ц СТ>СЛОСГ>СУ>0>ОСЪСХ>С5 04 04 04 04 04 04 04 04 04 03 040404040404040404 04 ЧЦК(ЧЧЕ(Е(ЧГ1Ч Д242 Д242А Д242Б
79
Продолжение таб i 18
Тип 'обр, °РИ ^обр. макс* МА* не более при !, °C УПр» В, не более при Предельный режим ^кор. макс> °с и X сз 2 «а
< Ь. с •*. о 0 *М £ 2 Q. 'пр. макс» Л при t, °C V ‘эн ем . radon’’du При
о /кор*
Д243 Д243А Д243Б 3 100 1.2 1.0 1.5 10 10 5 75 200 200 200 10 5 10 10 5 2 75 125 75 125 75 125 — — — 130 1.2
Д245 Д245А Д245Б 3 ♦ 100 1,2 1,0 1.5 10 10 5 75 300- 300 300 ' 10 5 10 10 5 2 75 125 75 125 75 125 — — — 130 1.2
Д246 Д246А Д2463 3 100 1.2 1,0 1,5 10 10 5 75. 400 400 400 10 5 10 10 5 2 75 125 75 125 75 125 — — — 130 1,2
Д247 Д247Б 3 < 1 100 1.2 1,5 10 5 75 500 500 10 5 5 2 75 125 75 125 — — — 130 1,2
Д248Б 3 100 1.5 ' 5 75 600 5 2 75 125 — — — 130 1.2
КД202А 1 3 50 3 9 25
КД202Б 1 3 50 1 9 9 130 25
КД202В 1 3 100 3 3 9 130 25
КД202Г 1 1 100 I 9 9 125 25
КД202Д 1 3 200 3 3 9 130 25
КД202Е 1 .1 200 1 9 9 130 25
КД202Ж КД202И 1 1 25 1 1301 1 1 3 1 130 1 300 зое 3 1 1301 3 9 9 9 • 1,5 130 25 130 25 1301 1.2
КД202К 1 3 400 3' 3 9 130 25
КД202Л 1 1 400 1 1 9 9 130 25
КД202М 1 3 500 3 1 3 9 130 25
КД202Н - 1 1 500 1 •9 9 130 25
КД202Р 1 3 600 3 3 9 130 25 1
КД202С 1 1 600 1 9 9 130 25
3. 130
КД203А 10 600 2 10 30 1.5
КД203Б 5 (420) 800 2 5 50 15 0,05 1.5
КД 203В КД203Г 1,5 1,5 25 100 1 10 5 100 (560) 800 2 (560) 1000 2 10 5 100 25 30 50 15 0.05 1,5 0,05 1,5 100 — 1
КД203Д 10 (700) 1000 2 10 25 30 0,05 1,5 9
(700) 50 0,05
Продолжение табл /<9
Z8
Тип ^обр ПРИ ^обр. макс* МА» не более при “С (7Пр. В, не Солее - - .' при Предельный режим ^кор. макс’ °C макс* •
< а с О о ^обр. макс* В < о и я а Е »«. при t, °C ^пр. neper* макс* А при
и о о С. О W
КД204А КД204Б КД 204В 0,15 2 0,1 1 0,05 0,5 25 85 25 85 25 85 1.4 0,4 0,6 0.6 55 400 2 (400) 200 2 (200) 50 2 (50) 0,4 0,2 0,6 0,3 0,6 0,3 55 85 55 85 55 85 г- — — 100 50
КД205А КД205Б КД205В КД205Г КД205Д КД205Е КД205Ж КД205И КД205К КД205Л 0,1 0,2 20 85 X 1 0,5 0.5 0.5 0,5 0,5 0 3 0,5 0,3 0.7 0,7 20 500 400 300 200 100 500 600 700 100 200 05 0.5 0,5 0,5 0,5 0,3 0,5 0,3 0,7 0,7 20 — — — — 5
КД206А КД206Б КД206В 0,7 1,5 25 125 1.2 1,5 1 1 125 -60 400 500 600 10 1 70 125 30 100 2 0.5 — — 1
КД208А 0,05 25 1 1 25 100 1 .25 — — — — 1
КД209А КД209Б КД 209В 0,1 0,3 25 85 1 1.2 1 1,2 1 1.2 0,7 0,7 0,5 0,5 0,5 0.5 85 -60 85 -60 85 -60 400 600 800 0,7 0,7 0.7 0,5 0,5 0,5 25 85 25 85 25 85 15 4 — — — I
КД210А 1 КД21 ОБ J КД210В 1 КД210Г | 1,5 25 1 10 25 800 1000 10 25 25 § , 50» • 25 6 50 5 1.5 100 — I
КД212А КД212Б 0,05 I 25 25 1 1,2 1 25 200 1 25 50 s 0,01 н- — 50
КД213А КД213Б 1 КД213В f 0,2 25 1 1,2 1 25 , 200 1 25 100 з 0,01 « — — 100
КЦ402А КЦ405А’ КЦ402Б—КЦ405Б7 КЦ402В—КЦ405В7 КЦ402Г—КЦ405Г’ КЦ402Д- КЦ405Д 7 КЦ402Е—КЦ405Е7 КЦ402Ж- КЦ405Ж КЦ402И-КЦ405И 0,125 8 25 — — — ' 600 500 400 300 200 100 600 500 I 1 1 1 1 1 0 6 0,6 25 — А — 5-15
КЦ407А 0,005 2 20 2,5 s 0,2 20 300 10 (500) 11 0.5 10 (0,3) 11 25 3 10 — — 20
КЦ410А КЦ410Б КЦ410В 0,05 8 25 1,29 1,5 25 50 100 200 3 25 — — —- —
KU412A 0,05 8 25 1,2 8 — — 50 1 25 — — — —
1 Температура корпуса.
2 Импульсное. В скобках указано постоянное напряжение.
3 Импульсный прн Ти — 100 мкс.
* Импульсный при ХИ = 0,02 мкс.
‘ Импульсный.
’ Длительность импульса в миллисекундах
’ Данные для КШ02А КЦ405И приведены для одно о моста. Диоды КД403А—КЦ403И и КЦ404А—КЦ/04И имеют по два моста в одном
корпусе. Напряжение короткого замыкания для КЦ402А —КЦ405И при /вып> ср макс = 1000 мА равно 4 В.
• Ток холостого хода при иобр. макс
9 Напряжение короткого замыкания прн /вып ср_ макс
10 В мостовой схеме.
М Включение выводами 1 (6) и 3 (4) (выводы 2 и £ изолированы).
inp,A
Д242
Inp, A
Д2ЛЗА
20°0
----г—г I 2'5
Upfp.B -100 -50 0
12 5 °C
70Y |
,0’5U„p,B
Iobp> mA
5,0
2,5
UD6p,B 300 -200 -100
a\SnS/
VnP,8
1-----
2-----
I I I
Ьып.А Д242А.,Д243А,Д245А,Д24БА
w|—-i——I------f—4-----------
в
Д242,Д243,Д245,
Д24Б,Д2 47
6 Z-UL. .I-
Д202Б,Д21<ЗВ,
* ' Д2Ь5Б, Д2МБ,
Д2АУ6, Д2<<ВБ________________
О 20 40 ВО 80 100 t,°C
2
Рис. 31
65 70 75 80 85 SO 95 t,°C
h5p,MK8 1оЪр<мк8
Рис. 32
Рис. 33
1пр,мА
400
300
1пр,МА
400
300
КД209Б
200
100
о
Inp,мА
400
300
О
200
100
0,7 0,8Unp,B
,200
100
0
0,6 0,7 Unp, В
UoSp,B -200-100
О
в
-1
-з
-5
1рБр,мкА
Up6p,B -400 -200
в
КД210А, КД210Б
2
1р6р,мкА
0
0,3
toP
0,75 —
0,50 —
0,25-
0
UtiP,B -300 -150
О
-4
-8
-12
0,7 0,8 Unp,B
U05p,B 400 -200
-ю
-15
О
О
о
-150
-300
1о5р,мРА 1рйр,МкА
UD6p,B -600 -400 -200
150
-300
^K5212A,W2126
0,8 1,2 Unp,8
?npt
4
3
i
2
1
0 __
0,4
10Вр,МКА
Uobp,B -150 -100 -50
-2
-4
IpbptMKA
о
19ып. ср. мшс Ihbm. cd. макс (25 C)
30 40 50 60 70 t,C
Рис. 34
Диоды ГД402А и ГД402Б предназначены для работы в коммутационных
схемах и ограничителях аппаратуры связи. Пайка выводов диодов разрешается
не ближе 5 мм от корпуса, а изгибание — 3 мм.
Диоды КД407А и КД409А предназначены для коммутации высокочастотных
цепей в аппаратуре радиорелейной и проводной связи. Их можно использовать
для умножения частоты, стабилизации тока и т. и. Диоды могут работать на
частотах до 1 000 МГц.
Рис. 35
кпшь-кшгг
Марка н полярность КД409А указаны желтой точкой на корпусе. Пайка выво
дов КД410А разрешается не ближе 5 мм, а изгибание — 3 мм от корпуса. Панка
выводов КД411А и их изгибание не ближе 4 мм от корпуса.
Параметры диодов приведены в табл. 19, а характеристики — на рис. 36 пЗ
ИМП5 71БСНЫЕ ДИОДЫ И СБОРКИ
Конструктивное исполнение—металлостекляниый или стеклянный герметнч
ный корпус с гибкими выводами (рис. 38 и 39).
Диоды к схеме присоединяют пайкой выводов, при этом температура корпуса
не должна превышать допустимую. Мощность паяльника нс более 50 Вт, а время
пайки 2—3 с. Обязательно при пайке применять дополнительный теп оотвод.
Пайка разрешается не ближе 1 мм а изгибание 3 мм ог корпуса
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в различных импульсных устройствах и вы
числительных машинах
Диоды Д219 —Д220Б имеют буквенно-цифровую маркировку Диоды Д219С,
Д220С и Д223С можно использовать как стабисторы.
88
Таблица 19
ИДИ 100* 1 О сч 1 1 0,02 ' 1 0,02 1 ^обр ~" более
| Предельный режим Эс НЙЦ 1 1 1 ю 04 ю 04 1 О ь. ю сч 1 1 - 1 ИЯ гри ' Гц не
Э54!Ч ‘ИХ 1 1 SO' 1 О О 1 1 о 04 to 1 - отнвлен 10...50 с.
ун <жк ’и *du^ 1 500 О о ю ООО 0008 ю СО о сч 1 1 - 1 го сопр и F « урв 90 с
Эо Ч "du юо о; <о ю 04 001 05 001 05 001 о? ю сч to 04 О ю ю 1 5 1 обратно 13 мкс ечцерат
ум .anew -du^ О О СЧСЧ 04 о О о О О О 1Д Oi lO С4Ю О) S о Ю О ю 0001 о 8 20 1 влейия . Ти = я при т
0 «эм ем ’dpo^ Ю .-О 50 100 150 04 оо оэ О сКо“ ООООоОсдО ь.аиэОю’^’^'О СО ['- СО -с- ОООо OqC о О 00 СО’О СЧ О < S ’ о । i Ни к х
Vй ‘йи; ndu Ю 1 1 £ £ 1. 1 СЧ 2 1 Время в в» ^пр, Чеповто] В ампер;
HQ .эмеп фпУ7 ю- 1 1 - - 1 1 1 30- 60 40—80 25 1 L == 100 2,5 мкс * f 9 ]
S ‘d9°f) ndu ю 1 1 ю д 1 1 1 1 п
фи .эяЛч Ур S‘0 к‘о 1 1 4. - сч 1 1 1 О 0,4 | 1 С^обр ~
при Эо4; 1 1 ю ю 04 ю LO См о ю 04 К ГС S к
у и ,cil'/ 1 о S S о to Ю о о о 1 1 д 1 а Е
аэио^ эн ‘g ,duf) 1 о - - - Сч сч 1 8 1 ° К ГС
Эо 9 "<Iu о о Ю сч Ю сч 25 85 70 — 40 Ю со 1 к п. ю<© 1 • о о « Ьй О ГС
ЭЭ1ГО9 ан *уИ «змеи djon ибц й9°/ о 1 0,001 о LO сою 0.7 0,7 о 1 1 ~ ^’^^пр« М3 IX. ность корну хтзновлени 3 мкс.
с ГД402А ГД402Б ГД104АР | Д223 Д223А Д223Б • < 5 .КД409А КД4ЮА- СД410Б* КД4НА1 КД411Б® КД4ПВ® КД411Г» КД Л КД412Ь КД41 В КД4 2Г -О со КД417А | 1 При /пр = 2 В секунд? 3 Иидуктив 4 Время пос ==30 В не более
89
Диоды АД516А и АД516Б выпускаются также с укороченными выводами.
Их общая длина 9,5 мм.
У диодных сборок КД907А— КД907Г и КД918А— КД918Г изгибание вы-
водов разрешается не ближе 1 мм от защитного покрытия. Радиус изгиба не
менее 0,3 мм. Разновидности сборок'А, Б, В и Г отличаются количеством эле-
ментов в сборке, соответственно: 1, 2, 3 и 4. В аппаратуре должен быть пред-
усмотрен теплоотвод с тепловым сопротивлением не более 0,5 °С/мВт.
Рис. 36
Диодные сборки КД917А можно соединять со схемой различными методами.
Место соединения должно быть не ближе 3 мм от корпуса. Изгибание выводов
разрешается не ближе 1,5 мм от корпуса с радиусом ие менее 0,7 мм.
Диодные сборки КДС523А и КДС523Б состоят из двух диодов, а КДС523В и
КДС523Г — из четырех с раздельными выводами. КДС523А и КДС523В сбоку
корпуса имеют белую точку. Положительный вывод сборки обозначен цветной
точкой.
Параметры диодов приведены в табл. 20, а характеристики — па
рис. 40—45.
СТАБИЛИТРОНЫ И СТАБИСТОРЫ
Конструктивное исполнение—металлический' герметичный корпус со сте-
клянным изолятором и гибкими или жесткими выводами и болтом для крепле-
ния. Стабилитроны КС162А—КС213Б и КС520В—КС596В имеют пластмассо-
вый корпус (рис. 46).
Рабочий участок у стабилитронов располагается на обратной ветви вольт-
ампериой характеристики, а у стабисторов — на прямой.
Допускается последовательное соединение неограниченного числа стабили-
тронов. При параллельном соединении необходимо следить, чтобы суммарная
мощность рассеяния не превышала прёдельной для одного диода. Для повыше-
ния надежности рекомендуется выбирать режимы работы на 20 % ниже пре-
дельно допустимых.
Панка гибких выводов разрешается не ближе 5 мм, а изгибание—не ближе
3 мм от корпуса.-К жестким выводам с изолятором запрещается прилагать уси-
лия, превышающие 0,98 Н. При эксплуатации диодов с гибкими выводами в усло-
виях механических ускорений, превышающих 19,6 м/с2, их необходимо крепить
за корпус.
Рабочее положение, особенно диодов повышенной мощности, должно благо-
приятствовать охлаждению. Допускается принудительное охлаждение.
90
0,1 1,0 10 1лр,нА;1,мГц
Рис. 37
Рис 40
КДС525Л КДС525К КДС525И
ЛДС525Г КДС525В КДС525Б
eg Таблица 20
Тип Лэбр ПРИ ^обр. маке» МКА не более при t, °C ээгор эи ‘я ‘С1|1Л при Упр.и. В. не более < S d Е S О. Е *ВОС ис (пКл). не более при 0 С X я S о* при У0бр- В Предельный режим
о. Е t, °C Лтр ^пр. и)» мА CQ "ж О, Ь а 'обр (отсчет), мА ч ^обр. макс» (^обр. и. макс)* В VK ‘знеи dl,r Эо ‘1 l,du < S о X со S с. Е | прн ти, мкс
Диоды
АД516А АД516Б 2 . 10 25 85 1.5 1.5 2 1 25 85 — — (5) 5 10 — 05 0,35 0 10 2 1 35 85 30 10
ГД507А 50 • 25 0,5 5 25 4 50 100 20 10 1 0,8 5 20 16 25 100 10
ГД508А ГД508Б 60 100 25 25 0,7 0,65 10 25 1.5 12 (20) 10 5 — 0,75 0,5 8 10 25 30 10
ГД511А ГД511Б ГД511В 50 100 200 25 0,6 5 25 0.6 5 (ЮО) (40) (ЮО) 10 15 — 1 5 12 15 25 50 1
Д219А Д220 Д220А 1 30 1 20 1 30 25 100 25 100 25 100 1 1 3 1 5 1 9 1,5 1.9 50 25 100 25 100 25 100 2,5 3.75 3,75 50 500 30 30 0,4 15 5 70 70 50 50 70 70 50 20 50 20 50 20 25 100 25 100 25 100 5001 10. "
Д220Б 1 40 25 100 1,5 1,9 25 100 3,75 100 100 50 20 25 100
Д219С Д220С — — 1 15 50 25 — 50 20 25 120 500 10
Д223С —. — 1 50 25 — 50 20 25 120 500 10
ми
1 1
КД503А КД503Б 10 50 25 . 70 1 1.4 1 2 1.6 10 25 -40 25 — 0 2,5 3,5 50 10 10 10 2 5 0 .30 20 15 25 70 200 10
КД504А 2 100 25 100 1.2 1.4 100 100 -60 2 500 — — — — 2 52 40 240 J 80 25 100 — —
КД509А 5 100 25 85 1.1 1.5 100 25 -40 — — 4 10 10 2 4 0 50 100 50 25 85 1000 10
КД510А 5 25 1.1 200 25 — — 4 10 10 2 4 0 50 200 25 1500 10
КД512А **5 100 25 85 1 1,5 10 25 85 — — 1 10 10 2 1 5 15 20 25 200 10
КД513А 5 25 1,1 100 25 — — 4 10 10 2 4 0 50 100 25 1500 10
КД514А 5 25 • 1 10 25 — — — — — — 0,9 0 • 10 100 25 1500 10
КД518А 5' 25 1.1 100 25 — — — — — — — — — 100 25 1500 16
КД520А 1 25 1 20 25 2 50 4 10 10 2 3 5 15 20 25 50 10
КД521А КД521Б КД521В КД521Г КД521Д i 25 1 50 25 1,75 500 4 10 10 2 10 0 75 60 50 30 12 -50 25 500 10
КД522А КД522Б | КД907А- КД907Г СЛ - 1 2 5 5 50 25 25 1.1 1 1,3 100 50 50 25 85 —60 Ди 4 одные (400) 10 сборки 10 (10) 2 4 5 0 0 30 50 40 (60) 400 50 30 25 60 85 1500 700 10 2
Продолжение таРл 20
Тип 'обр ПР« Ц>бр. макс* МКА* не более при t, °C (Упр> В* не более при ^пр. и« в* не более VK ‘и ’/ и<1п ^ВОС (Фпк)* ис (пКл), не более при £д. макс пф И Ъ ю о ь о, с 1 редельный р«ж> •
< X Ъ. с м. t, °C Л]р ^Пр. и)* мЛ Й А (X & 2. 'обр (отсчет), мА ^обр. макс* «'обр. и. макс'* В < о X « S О. с .при tt °C 1 г о • л о. с У X S о.
КД908А 5 25 1,2 200 25 —• — 6 10 10 2 5 0 40 200 25 1500 10
КД917А 5 100 25 125 1,2 1.6 200 125 -60 — — (1000) 50 (10) — 6 0 50 (60)- 200 100 50 125 1500 10
КД918А- КД918Г 2 50 25 85 1 1,3 50 50 85 —60 — — (850) 50 10 — 6 0 40 50 30 60 85 700 2
КД919А 5 25 0,85— 1,35 100 25 —• 100 100 (10; 6 0 40 (40) 100 25 700 10
КДС523А- КДС523Г 5 25 1 20 25 ь — — 4 (150) 10 20 (10) (10) 2 2 0,1 50 (70) 20 25 200 10
КДС525А— КДС525Д 1 25 — —- — 8 5 5 (Ю) (10) О Ха 0,5. 0.9 0,2 2 10 (20) 20 25 200 10
КДС525Е- КДС525Л 1 25 — — — 8 5 5 (Ю) (10) 2 0,5 0,9 0,2 5 25 (40) 20 25 200 10
КДС526А*- КДС526В 1 25 0,55 1.1 0,2 5 25 25 — — 5 10 (10) 2 5 0 (15) 20 25 50 10
1 Наиболь ий ток перегрузки в течение 0.5 с 200 мА.
2 На частоте до 10 МГц.
’ Наибольший прямой ток перегрузки в течение 0,5 с 1 А.
* Наибольшая мощность рассеяния в рабочем интервале температур не более 50 мВт.
45
s
р
1пр мА L Д220
~ зи - /1П
чи 100*0 ?г.
- зи 25‘С /
— 41/ {П -55 ’С /
Uni •В-1 /и ’0 0
-55^25°С о, 9nJ 6 0, 8 /, 2 и. ,р,В
hfi-
! 100°С lobp. МКА
Рис. 42
60
40
I I 1пр,мА
- КД509А-------
при25°С
—-| Р-2Й
Vofo,8 -90-20 О
0,6 0,8Unp,B
-ДО—I-----
-оД—------
105р,МКА
2,0
1,8
1,6
1,6
1,2
1,0
Сд,ПФ
2,г
ы
о
280-
гы
гоо
160
120
ВО
0пр,ОНй
320
ю го зо ы зПр,ма
НД509А
0,8 От' 55дО25_
0,6
1ОО‘С
КД512А
0,75
0,5
О
Vo5p,6 -60 -зо -го -ю о
Ср'ПФ _______
10 Uppp В
1рр,МА
80
60
00
гв°с.
------—i-го
Uo6p,B-20-10 О
I р,мА
1
1000
-55°С
------50
1о6рМчА
О, 1
-О!
-0,3
I р м А
0,03
0,05
0,5 1,0ипр,В
0,1
0,01
25°С
-W°C
0,0011.
о
U 8 -9 ~6 -3
-0,1
70°С
КД519А
25^
0,6 ,В
О
-0,001
-0,01
-1
Рис. 43
4
и ptMKA
Рис 44
UB5p,B-iO 20 О
0,3 0,5 Unp,В 0,6 0,8 Unp, В
Untin. 8 -40 -20
Iofp,MK8 0,5 0,75 f,0 Unp,8
Осиовное назначение — стабилизация напряжения в аппаратуре широкого на-
апачения.
д вНА-демд, де/ел -дв!ВЕ,
30 , КС133А-ЦС168А, кмзза-ксззуа
КС133Г-КС156Г
СТАБИЛИТРОНЫ И СТАБИСТОРЫ МАЛОЙ МОЩНОСТИ
Селеновые стабисторы 7ГЕ1А-С и 7ГЕ2А-С можно соединять последователь-
но и параллельно при любом их количестве без применения разгрузочных рези-
сторов. Пайка и изгибание выводов разрешается не ближе 10 мм от места'креп-
ления выводов к полупроводниковому диску.
102
Селеновые стабисторы предназначены для стабилизации питания цепей сме-
щения в транзисторных приемниках с автономным питанном, а также для тем-
пературной компенсации в источниках стабилизированного напряжения совмест-
но с кремниевыми стабилитронами. Целесообразно применять в схемах с низким
дифференциальным сопротивлением и малой температурной зависимостью.
В качестве стабисторов можно использовать диоды Д219С, Д220С и Д223С
(см. табл. 20).
Стабилитроны Д818А—Д818Е рекомендуется использовать при токах стаби-
лизации 5—15 мА. Для получения высокостабильного эталонного напряжения на
стабилитроне следует возможно более точно поддерживать поминальный ток ста-
билизации (10 мА), что обеспечивает стабильность работы при изменении темпе-
ратуры, а также уменьшает изменения тока за счет изменения дифференциаль-
ного сопротивления. Диоды предназначены для использования в прецизионных
стабилизаторах малой мощности.
Стабилитроны КС196А—КС196Г используют в качестве источника образцо-
вого напряжения. Класс 0,02.
Стабилитроны КС162А—КС213Б двухаподные. При пайке обязательно при-
менять дополнительный теплоотвод. КС170А можно использовать как опорный
элемент. Ею отрицательный вывод обозначен цветной меткой.
Стабилитроны КС211Б—КС211Д предназначены для работы в качестве источ-
ников опорного напряжения.
Цветная маркировка стабилитронов приведена в табл. 21.
Параметры диодов приведены в табл. 22, а характеристики — на рис.
47—49
Таблица 21
Тип Цвет кольца на корпусе Тип Цвет кольца на корпусе
Цвет ко КС175Ж КС182Ж КС191Ж k КС210Ж КС211Ж КС212Ж КС213Ж рпуса серый Желтый Красный Зеленый Синиц Черный •Голубой Цвет ко КС215Ж КС216Ж КС218Ж КС220Ж КС222Ж' КС224Ж рпуса черный Белый Желтый Красный Зеленый Синий Голубой
юз
2 Таблица 22
при прн прн Предельный режим
5 о га /ст> мА
Твп УСТ< в ^ст» мА t, °C ДУСТ. ±7о (В) гст. макс» /ст. мА t, °C • га К ^пр> мА t, °C ист. макс» XI О”2, %/°с мини- маль- ный макси- маль- ный р 2макс’ мВт S о. Е ^пр. макс' | мА
7ГЕ1А-С1 7ГЕ2А-С 1 0,72 1,44 1 25 10 50 100 1 25 — — 1 —2,5 —5 0,5 10 — — 6
Д818А Д818Б Д818В Д818Г Д818Д Д818Е 9-10,8 7 2—9 7,65—10,35 7.65—10,35 7,65—10,35 7,65—10,35 10 25 3202 —3202 ± 1602 ±802 ±322 ±162 25 10 25 — — — 2,3 —2,3 ± 1.1 ±0,6 ±0,2 ±0,1 3 33 11 300 100 50 100 —
КС133А КС 139 А КС147А КС156А КС168А 2,97—3,63 3—4,1 2,6-3,7 3,51—4,29 3,5-4,8 3.1-4,3 4,23-5,17 4—5,6 3,7—5,5 5,04—6,16 4,7—6,6 4,7-6,6 6,12—7,48 5,6—8 5,6—8 10 25 —55' 100 25 -55 100 25 -55 100 25 —55 100 25 —55 100 — 65 85 60 85 56 80 46 56 30 38 10 10 10 , 10 10 10 10 10 10 10 25 100 25 100 25 100 25 100 25 100 1 50 ( 25 — 10 -10 —8 +2 ±5 ±6 3 81 27 70 23 58 19 55 18 45 15 300 100 300 100 300 100 300 100 300 100 50 100 50 100 50 100 50 100 50 100 50
•
КС133Г 3,3 (0,35) ' 150 32
КС 139 Г 3,9 5 25 (0.4) 150 5 25 — — L — 1 26,5 125 25 —
КС147Г 4,7 • (0,5) 150 22,4
КС156Г 5,6 (0,6) 100 _s 17
КС191С ±0,5
КС191Т 9,1 10 25 5 18 10 25 — — — ±0,25 3 20 200 25
КС 191У - : 0,1
КС191Ф ±0,05
КС196А ±0,5
КС196Б 9,6 10 25 5 70 3 25 — —— ±0,25 3 20 200 50 —
КС 196В 18 10 25 ±0,1
КС196Г • ±0.05
КС162А3 5,8—6,6 20 33 20 —6 22 150 50
5,8—7 —55 60 100 11 70 100
КС 168В3 6,3-7,3 20 28 20 ±5 20 150 50
5,9—7,7 -55 50 100 10 75 100
КС 170 А3 6,7—7,3 20 20 20 ±1 20 150 50
6,6—7,4 -55 40 100 10 75 100
КС175А3 . 7-8 10 20 — 16 10 20 — ±4 3 18 150 50
6,7—8,3 —55 35 100 9 75 ТОО
КС182А3 7,6—8,8 20 14 20 5 17 150 50
7—8,8 —55 30 100 8 75 100
КС191А3 8,5—9,7 20 18 20 6 15 150 50
7,9—9,7 -55 35 100 7 75 100
КС210Б3 9,3-10.7 20 22 20 7 14 150 50
8,6—10,7 —55 40 100’ 7 75 100
КС213Б3 12,1—13,9 20 25 20 8 10 150 50
11,1—13,9 -55 50 100 5 75 100
КС175Е 7,5 5 (0,4) 30 5 10 3 17 20
КС175Ж 7,5 4 (0,4) 40 4 7 0,5 17 —
КС182Е 8,2 5 (0,8) 30 5 10 3 15 20
КС182Ж 8,2 4 (0,8) 40 4 8 0,5 15 —
КС191Е 9.1 ' 5 (0,5) 30 5 10 3 14 20
КС191Ж 9.1 4 (0,5) 40 4 9 0,5 14 —
Продолжение табл. 22
При при при Предельный режим
3 О /ст. мА
Тип и ст> в ^СТ' мА t, °C А(7Ст» ±% (В) 'ст. макс* /ст, мА t, °C о «в 3 О. 1пр* мА 1, °C “ст. макс’ Х10—z, %/’С мини- маль- ный макси- маль- ный пи при °C ^пр. макс* мА
КС210Е КС210Ж КС211Е КС211Ж КС212Е КС212Ж КС213Е КС213Ж КС215Ж КС216Ж КС218Ж КС220Ж КС224Ж 10 10 и 11 12 12 13 13 15 16 18 20 24 5 4 5 4 5 4 5 4 25 (1) (1) (0,6) (0,6) (1,2) (1.2) (0,7) (0,7) (1,5) (0,8) (1.8) (1) (2.2) 30 40 30 40 30 40 30 40 5 4 5 4 5 4 5 4 25 'тт — 10 9 10 9,2 10 9,5 10 9.5 3 0,5 3 0,5 3 0,5 0,5 13 13 12 12 11 И 10 10 125 25 20 20 20 20
2 25 70 2 10 0.5 8,3 7,3 6,9 6,2 5,7 —
КС211Б КС211В КС211Г КС211Д 11 10 25 15 15 10 10 10 10 25 — — — 2 —2 ± 1 ±0,5 5 33 280 25 —-
1 Наибольший обратный ток при С^обр. макс = ПОмкА. Наибольшее обратное напряжение 7ГЕ1А-С 20 В; ТГЕ2А-С 40 В
1 В милливольтах. '
’ Несимметрия по УС1 не Солее 2 %. Ток ограничения при У = 0,5Уст не Солее: КС162А, КС1С8Ё, КС182А и КС191А 0,5 мА:
КС175А 0,3 мА; КС210В0.03 мА и КС213Б 0,35 мА.
7 8 9 Ucm,8
о
-4
-8
75
50
25
Чст-10’г.°Ы'С
4
2,5 5,0 7,5 кт, мА
КС162А-НС213Б
ВстДМ
О
400
300
200
ЮО
СЛ.
пФ
500
л 0162 А
1 НС 1688
-НС 170А
Г НСП5А 1/Й/Я6 >А — 91А
,НС1
. ШЮА ** 1
НС213А
8,5
° 2 4 6 8 иЛр,в
Рис. 49
-1
-2
о г 5 5, 0/М7 Г 5 Ю,0 к L .
КС162 А-нсг 13Б
-3
i,MA йп
Д81 ЬА ои L /?л 0,001 Vo vo i
DU /,Г)
W
Уст, в Ч Г л.и '< 0 1 Js
// 0, -to- -20- 30 Ост, ? и. pj^
S -
8< vo 'г
мА
1,мА ЙП
Д6 148 - ЙО
- Ай С<>
9Г -Vo- 1
и№ г ti/ 0 1 'од
и, rip,В
> . Э — 100°С 20°С — -20- 30- кт. МА
с/Ст-Ю'г, %ГС
7,5
Д816А,
Д816Б
О 20 40 кт, мА
ДВ1 4Б
Уст,В -t
60
40
кр,мА
ВО
///0,8
20
О
£ 'пр, В
fU ’ -Of}-
съ s 1 £и
г Icm, мА
lnptM& on J
Д814 Г 60 - АД 100 ‘с 4
-20 > 0
УстЛ ? -1 - 1 Г4 Ч), 8
к У/ ip,8
-20 -30 кт.
!ОЬ"С - Р У'
мА
Д814А
Д814Б\
Д814в'
Д814Г
Д814Д
-80 -40 О
во t,“c
СТАБИЛИТРОНЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ
Стабилитроны Д814А—Д814Д имеют ток стабилизации 5 мА и более, так
как участок с малым током стабилизаций (порядка 1 мА) является менее ста-
бильным.
Температура корпуса Д816А—Д816Г не должна превышать 100 °C. При наи-
большем токе стабилизации превышение температуры корпуса над температу-
рой среды не должно быть более 25 °C. Для уменьшения тепловой инерции дио-
дов рекомендуется этот перепад уменьшать. Стабилитроны Д816А—Д817Г и
КС620А—КС680А выдерживают 2-кратную перегрузку по току стабилизации в
течение 1 с.
Параметры диодов приведены в табл. 23, а характеристики — на рис. 50.
dcm'IO f С
Ucm,B дв1бд^
Д816Г^
41
и ДВ16В^,
о "Д616Б^.
У D ~ДВ16А
О 7
-80 -60 0 60 ВО t,‘C
/ж Ет . Д816А-П817Г
— 6 О
£
-60 0 60 80 120 tuop’C
9,5
9,0
Д817В,
вАдвпг Ш---------------1_1 (
0 10 1т,мА 60 2001ст,мА
Чст-Ю'^/оГС
7,5
7,0
6,5
6,0
5,5
М
&сп)7О~,%Л‘.
ДВ15В
3
2
60 120 1ст,МА
4
3
2
1
0
ТУ/ '.Л
У) ДВ15Б
Д815Г
Емок с, Вт _ л НС620А-НС660 А
0
z
2
80 1601ст,мА -60 -20 0 20 60 60 t^p.C
dcm-IO'^/^C
9,5
9,0
8,5
8,0
7,5
60 80 1201ет,мА 0 60 1ет,мА
Д815Д.Д815Е,
Рцс!/с,8т
6
4
2
60 ВО 120 t/f Р,С
-60 Д
Рис. 50
СТАБИЛИТРОНЫ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ
Температура корпуса Д815А Д815И не должна превышать 100 °C. При
наибольшем токе стабилизации превышение температуры корпуса над темпера-
турой среды не должно быть более 40 °C. Для уменьшения тепловой инерции
109
Таблица 23
Тип Уст, В при ДУСТ, ±% гст. макс* при , ипр. макс» В при аст. макс* хЮ—2, %/°C Предельный режим
/ст- мА t, °C 7СТ> мА Г t °C ^пр* мА t. °C /q-р» мА ь т а S О. Эо ‘(do>,0 ; «du У «змеи *dUj
мини- маль- ный макси- маль- ный
Д814А 7—8,5 25 6 25 X 7 40 0,34 25
7-9,5 100 15 100 11,5 0.1 100
6—8 5 —55 15 —55
Д814Б 8-9 5 25 10 25 8 36 0,34 25
8—10,5 100 18 100 10,5 0,1 100
7—9,5 -55 18 —55
Д814В 9-10,5 5 25 — 12 5 25 1 50 25 9 3 32 0,34 25
9—11,5 100 25 100 9,5 0,1 100
8—10,5 —55 25 —55
Д814Г 10-12 25 15 25 9,5 29 0,34 25
10—13,5 100 30 100 83 0,1 100
9—12 -55 30 -55
Д814Д 11,5—12 25 18 25 9,5 24 0,34 25
11,5—15,5 100 35 100 7,2 0,1 100
10—14 -55 35 -55
Д816А 22 ±3,3 240 10 230 5 (70)
10 150 90 2 (ЮО)
Д816Б 22 ±4,05 300 10 180 5 (70)
12 150 75 2 (W0)
Д816В 33 ±4,95 150 25 15 300 10 25 — — — Т5 10 150 5 (70) —
15 150 60 2 (100)
Д816Г 39 ±5,85 300 10 » - 130 5 (70)
18 150 55 2 (ЮО)
Д816Д 47 — 7,05 300 10 1 100 5 (70)
* 22 150 45 2 (ЮО)
Д817А 56 ±8,4 400 5 90 5 (70)
47 50 35 2 (ЮО)
Д817Б 68± 10,2 400 5 75 5 (70)
56 50 30 2 (ЮО)
Д817В 82 ± 12,3 50 ' 25 15 600 5 25 1.5 50 25 18 5 60 5 (70)
68 50 25 2 (ЮО)
Д817Г 100± 15 800 5 50 5 (70)
82 50 25 2 (ЮО)
КС433А 3,3 30 180 3 —10 3 191
25 30
КС439А 3,9 30 180 3 —10 3 176
25 30
КС447А 4,7 30 180 3 • —8 3 159
18 30 +3
КС456А 5,6 30 145 3 0 3 139
12 30 +5
КС468А 6,8 30 70 3 0 3 119
5 30 +6,5
КС482А 8,2 5 25 10 200 1 25 — — — 8 1 96 1 50 0,05
25 5
КС510А 10 5 200 1 9,5 1 79
25 5
КС512А 12 5 200 1 10 1 67
25 5
КС515А 15 5 200 1 10 1 53
25 5
КС518А 18 5 200 1 10 1 45
25 5
КС522А 22 5 200 1 с; 10 1 37
КС527А 27 5 200 1 10 1 30
40 5
КС515Г 15 10 5 25 Ю ±0,5 .. 31 0,5 •
КС520В 20 5 5 280 3 ±1 22 0,5
120 5
КС524Г 24 10 5 40 10 + 0,5 19 0,5
КС531В 31 10 25 5 350 3 25 1.5 500 25 ±0,5 3 15 0,5 50 —
50 10
• — Продолжение табл. 23
Тир (7СТ, В при ДУст. ±% гст. макс* 0м при а и SC « X о- с При “ст. макс* Х10—2, %/°С Предельный режим
/ст, мА t, °C /ст, мА t, °C 7 пр* мА Г t, °C Zq’j*, мА ад -35,ewd при t (;кор), °C f А Jnp. макс* п
мини- маль- ный макси- маль- ный
КС533Д КС539Г 33 39 10 10 10 5 100 40 65 3 10 10 10 10 17 17 0,64 0,72
КС551А КС591А КС600А 51 91 100 1,5 25 О.З1 0.51 0,51 200 400 450 1,5 25 — — — 1 14,6 8,8 8,1 1 25 —
КС547В КС568В КС582В КС596В 47 08 82 90 5 25 5 а 490 280 700 400 480 980 560 3 5 .3 5 5 3 5 25 1,5 а 500 25 ►'±0,5 ±1 ±1 ±1 3 10 10 10 8 0.5 0,75 0,72 0,72 50 —
КС620А КС630А КС650А КС680А 120 130 150 180 502 502 252 252 25 18 19,5 22,5 27 1000 150 1000 180 2400 270 3000 330 5 50 5 50 2,5 30 2.5 30 25 1,5 500 25 20 5 5 2,5 2,5 42 38 33 28 5 2 (70) (ЮО) 1 к
1 В вольтах.
2 Ток. при котором измеряется напряжение стабилизации. '
Примечание. Полное тепловое сопротивление Д814А— Д814Д не более 300 °С/мВТ
Таблица 24
Тип С7Ст» В при д ^СТ» ±% гст. макс* Ом при Упр. макс» в при и о о £ га м* Е| 8°Х Предельный режим
^ст» А t, °C /ст, А t, °C /пр* А t, °с /ст* А /’макс* Вт при tt °C 1 Лф. макс* А
мини- мальный макси- мальный
Д815А 5,6 1 39 0,05 ±6 0,05 1,4
1 1 г
Д815Б 6,8 1 • 27 0,05 ±6 0,05 1,15
1,2 1
Д815В 8,2 1 15 0,05 ±9 0,05 0,95
1.5 1
Д815Г 10 0,5 25 15 27 0,025 25 1,5 0,5 25 ±10 0 025 0,8 8 70 1
2,7 0,5 X
Д815Д 12 0,5 39 0,025 ±11 0,025 0,65
3,3 0,5
Д815Е 15 0,5 . 47 0,025 ±13 0,025 0,55
3,9 0,5
Д815Ж 18 0,5 56 0,025 ±14 0,025 0,45
4,7 0,5
Д815И 4,7 1 39 0.05 ±6 0,05 1.4
0,82 1
диодов рекомендуется этот перепад уменьшать. Диоды выдерживают 2-кратную
перегрузку по току стабилизации в течение 1 с.
Параметры диодов приведены в табл. 24, а характеристики — на рис. 50.
ТУННЕЛЬНЫЕ И ОБРАЩЕННЫЕ ДИОДЫ
Конструктивное исполнение — металлостеклянный или металлокерамический
герметичный корпус-с гибкими выводами (рис. 51).
Пайка и изгибаине выводов разрешаются не ближе 3 мм от корпуса. При
креплении диодов в зажимных устройствах допускается обрезание выводов.
ГИ401А, ГИ401Б
15
ГИ304А.ГИ304Б, ГИ305А,
ГИ305Б, ГИ403А, ГИЗ07А.
ГИЮЗА-ГИКЗГ
АИША-АИШ, АИ201А-АИ201Л,
АИ301А-АИ301Г, АИ402Б-АИ402И
Рис. 51
Температура корпуса германиевых диодов
не должна превышать 75 °C. При креплении
диодов давление, перпендикулярное крыш-
ке, не должно превышать 14,7 Н. При
эксплуатации с ускорениями более 19,6 м с2
диоды необходимо крепить за корпус. Не
допускается проверка диодов тестером, так
как при этом они повреждаются.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в каче-
стве генераторов, усилителей и переключаю-
щих устройств в аппаратуре широкого на-
значения.
ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
Диоды АП 101А—АИ101И и АИ201А—АИ201Л могут работать на первой
восходящей ветви вольт-амперной характеристики и на участке отрицательного
сопротивления.
Основное назначение АИ101А—АИ101И — работа в усилительных схемах,
АИ201А—АИ201Л — работа в генераторных схемах. Диоды АИ301А—АИ301Г
применяют в переключающих схемах, а ГИ304А, ГИ304Б, ГИ305А и ГИ305Б — в
переключающих быстродействующих вычислительных и импульсных схемах. Ди-
оды ГИ304Б со стороны отрицательного вывода имеют черную точку, а ГИ305Б—•
голубую.
Параметры диодов приведены в табл. 25, а характеристики — на рис. 52.
ОБРАЩЕННЫЕ ДИОДЫ
Изгибание выводов диодов АИ402Б—АИ402И разрешается не ближе 2 мм
от корпуса. Радиус изгиба не менее 1,5 мм При изгибании обязательно жестко
фиксировать основание вывода.
Основное назначение АИ402Б—АИ402И и ГИ401А и ГИ401Б — работа в
вычислительных устройствах, смесителях и детекторах.
Положительный вывод ГИ401А и ГИ401Б обозначен цветной точкой:
ГП401А — красной; ГИ401Б — синей.
114
Пайка и изгибание, вь водов ГИ403А разрешается не ближе 2,5 мм от кор-
пуса. Радиус изгиба' не менее 2 мм. При изгибании обязательно 'жестко фикси-
ровать основание вывода. Диоды маркируют зеленой точкой со стороны поло-
жй’гельного вывода.
1прНпр(20°С),%
1пр,мА
0,05 0,1 ио6р,Е
Лрг
It
2
О
100 200 300 400 Unp, мВ
100 200 300 Unp,мВ
Inp,MA
Inp,МА
20 С
ГИ307А
2
60°С
-40 0
100 200 300 иПр,мв
5,1
4,7
-ГИ304А,
ГИЗ04 Б
10,?
10,1
9,9
~40 -20 0 20 40 t,‘C
Рис. 52
ГИ305А,
- Г И305Б
-40 -20 0 20 40 КС
115
ст> Таблица 25
* прн г— Предельный режим
Тип । zn. макс» t, °C АГП, мА макс* Я "е -- Гцнф. макс* при мА сд. макс» пф иди ‘эиви 'V7 CQ о Я ® ех е b га а ГО S £ о b ^пр. макс4 “А S о * го S ^СВЧ и. макс» мВт при ти» мкс
АИ101А АИ101Б АИ101В АИЮ1Д АИ101Е АИ101И 1 1 2 2 5 5 251 ±0,25 ±0,25 ±0,3 ±0,3 ±0,5 ±0,5 160 '60 160 160 180 180 5 5 6 6 6 6 24 22 16 14 8 7 30 30 40 40 80 80 42 82 52 102 82 !32 1 0,35 — — — — —
АИ201А АИ201В АИ201Г АИ201Е АИ201Ж АИ201.И АИ2О1К АИ201Л 10 10 20 20 50 50 100 100 25 1 1 2 2 5 10 10 180 180 200 200 260 260 330 330 10 8 8 5 4 2,5 2,5 2,2 2.2 100 100 100 100 220 220 220 220 82 152 !02 202 152 30 2 2 О2 502 1 0,4 0,4 0,45 0,45 0,45 0,45 0,5 0,5 — — — — —
АИ301А АИ301Б 1,6—2,4 1,3—2,6 1,3—2,6 4,5—5,5 3,9-5,9 3,8—5,8 25 70 -60 25 70 -60 — 180 8 — — 12 25 1,5 — л 0,8-1,21 0,8—1,21 . — —
АИ301В АИ301Г 4,5—5.5 3,9—5,9 3,8—5,8 9—11 7,7-11,8 7,5—11,6 25 70 —60 25 70 -60 25 50 2,2—2,71 4,5-5.51 1
ГИ103А ГИ106Б ГИ103В ГИ103Г 1,5 / 25 0,2 90 4 ' 6 6 7 6 100 2,1 1.6 1,3 3,2 0,4 0,2 1.5 1,5 150 0,1
ГИ304А ГИ304Б 4,5—5,1 4,05-5,61 3,6—5,61 4,9—5,5 4,41—6,32 3,92—6,05 20 60 —40 20 60 -40 — 75 5 — — 20 — — 103 10 —
ГИ305А ГИ305Б 9.1—10,1 8,19-11,61 7,28—11,11 9,8-11,1 8,82-12,76 7,84-12,21 20 60 -40 20 60 —40 ч- 85 5 — 30 — — — 2 О4 20 — —
ГИ307А 2 25 0,2 70 7 — — 20 — — 4 4 — —
1 Во всем интервале рабочих температур. •
2 На частоте 5—30 МГц.
3 В интервале температур 20—60 °C наибольший прямой ток снижается на 0,5 мА иа каждые 8 °C.
♦ В интервале температур 20—60 9С наибольший прямой ток снижается на 1 мА на каждые 8 °C.
Примечание. Напряжение раствора. АИ301А 0,65 В; АИ301Б 0,85—1,1 В; АИ301В 1—1,3 В; АИ301Г 0,8 В; ГИ304А и ГИ304Б 0,42 В;
ГИ305А и ГИ305Б 0,43 В.
Таблица 26
I Предельный режим ояи *иа и du 1 1 1 1 О
уи ,эяви -и 'dpOy 1 1 1 [ о
эяи ,иг и du 1 1 1 1 о
уМ вОМЕИ "И -d)Jy 1 1 1 1 о
уи .эмви -dpo^ сч 4 5,6 1
уи jOMbk -duy 0,05 0,05 0,05 0,3 0,5 1
ф!1 «ЭЯЕИ1 со СО t О 2,5 5 00
при О о Ю 1О О Ю to Q (М СО Ю (М СО ф 1 1 LQ Ю О сч со со 1 ю ю о сч со СО 1 25 LD СЧ
* т-ч сч со
я .эиви 'd;o „ to О 1О ю СЛ 1О СЧ СЧ СО СЧ СЧ СО о о о* о о о Ю о ю сч сч со о о” о Ю СГ> ю сч сч со о о о" 0,09 сч о-
при О , Ю Ю о LO 1О о О) со СО СЧ со CD 1 1 25 85 -60 ю ю о сч со со 1 25 ю О1
ь.< К л 1‘0 0,2 0,4 o'
а ,эивн 'du^ Ф Ю Ф ю о о о о" о о СО тг U0 О о" о" (О £О с~ с o' 0,33 0,35
с •-Ч 1‘0 0,2 0.4 1 0,15 i г
Тип АИ402Б АИ402Г АИ402Е АИ402И ГИ401А ГИ401Б ГИ403А
118
Параметры диодов приведены в табл. 26, а характеристики — на рис. 52
и 53.
ВАРИКАПЫ
Конструктивное исполнение — металлический со стеклянным изолятором, ме-
таллостеклянный или пластмассовый герметичный корпус с гибкими или жест-
кими выводами и болтом для крепления (рис. 54).
Варикапы КВ101А имеют таблеточную конструкцию, КВ102А — КВ102Д и
КВ104Л—КВ104Е — бескорпусную, КВ109А—КВ109Г и варикаппые матрицы
KBC1I1A и КВС111Б изготовляют в пластмассовом корпусе.
Рис. 53
Пайка и изгибание выводов разрешается не ближе 5 мм от корпуса. Запре-
щается нарушать заделку бескорпусных диодов. Изгибание выводов КВ102А—
КВ402Д, -КВСП1А и КВС111Б разрешается не ближе 1,5 мм от корпуса с ра-
диусом изгиба не менее 1,5 мм.
Для повышения надежности рекомендуется выбирать нагрузки, не превыша-
ющие 0,7—0,8 предельных.
Рабочее положение — любое.
Основное назначение — работа в качестве перестраиваемой емкости в аппа-
ратуре широкого назначения. Варикаппые матрицы предназначены для исполь-
зования в качестве подстроечных конденсаторов в УКВ блоках приемников и
селекторах каналов телевизоров.
Ряд варикапов имеют цветную точку маркировки, обозначающую положи-
тельный вывод — КВ101А черную, КВ102А—КВ102Д и КВС111А белую,
КВС111Б оранжевую; тип прибора — КВ109А белую, КВ109Б красную и К.В109В
зеленую (КВ109Г точки не имеет).
Параметры диодов приведены в табл. 27, а характеристики — иа рис. 55
и 56.
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ (СВЧ) ДИОДЫ
Диоды маркируют по ГОСТ 10862-72 и более старым.
Конструктивное исполнение СВЧ диодов определяется рабочей длиной вол-
ны и способом его включения в высокочастотный тракт. Наиболее распростра-
нены в дециметровом и сантиметровом диапазонах волн патронная и коаксиалы \
пая конструкции, в нижней части сантиметрового и в миллиметровом диапазонах
волн — коаксиальная и волноводная конструкции (рис. 57 и 58).
СВЧ диоды очень чувствительны к воздействию внешних факторов при
эксплуатации. Особенно следует их оберегать от воздействия внешних электри-
ческих паводок и электромагнитных полей, а также механических повреждений.
Необходимо строго соблюдать основные правила эксплуатации и храпения
диодов;
119
хранить диоды в заводской
20±5°С;
упаковке в сухом помещении с температурой
при установке в аппаратуру для снятия статических зарядов с оператора не-
обходимо сначала коснуться заземленного корпуса аппаратуры рукой, в которой
пет диода;
принимать меры, исключающие воздействие на диод мощных электромаг-
нитных полей от внешних источников; •
при установке диода в камеру усилия не должны превышать 14,7 Н;
при установке не допускать изгибающих и скручивающих моментов;
-01,6
АноО
КВ102А-КВ102Д
КВ112А,К8112Б
012,8
07
7,2
КВ114А, КВ116Б
КВС111А,КВС111Б
Рис. 54
ОраншеБоя rj
точка (+) £
к. Х—л-н
12 3,5 12
, is
47___
30
КВ 105А, В В105 Г
7,5
К В ПОЛ-
ИВНОЕ
12
12
КВ104А-КВЮ0Е
К В103А, КВ103Б
К В106А, КВ 106 Б
002$ '
2,3
05
KBIOSA-KBIOSr
КВ117А, КВ117Б
12
КВ119А
120
не располагать диоды вблизи нагревающихся частей аппаратуры;
не хранить диоды в помещениях, в которых имеются пары агрессивных ве-
ществ;
Рис. 55
121
Т аблииа 27
Тип Ся, пФ При Кс С мин при ^обр. макс, мкА при t, °C Предельный режим
"обр. В А МГц ^обр> В А МГц S ез S О. V3 о b СО И S о X сз £ о. Q. С
КВ101А 160-240 0.8 1 — 10 1,1—1,2 12 0,8 10 5 25 • 80 100 50
КВ102А КВ102Б КВ Ю2В КВ102Г КВ102Д 14—23 19-30 25—40 19—30 19->—30 4 1-10 2,5 2,5 2.5 2,5 3,5 40 40 40 100 40 4 50 1 25 45 90 50
80
КВ ЮЗА КВ103Б 18—32 28-48 4 1—10 — 40 4 50 10 150 25 85' 80 5000 2000 50х 85х
КВ104А 1 КВ104Б КВ104В КВ104Г КВ104Д КВ104Е 90—120 106—144 128—192 95—143 128—192 95—143 4 1—10 2,5 2,5 2,5 3,5 3,5 2,5 100 100 100 - 100 100 150 4 10 5 150 10 25 85 -40 45 45 45 80 80 45 100 65 50 85
КВ105А2 КВ105Б2 400—600 4 1 3,8 3 500 4 1 50 25 90 50 150 75 50 100
KB10GA КВ106Б 20—50 15—35 4 1-10 — 40 60 4 50 ' 20 150 25 120 120 90 7000 3000 5000 2000 751 1301' 751 1301
КВ109А КВ109Б КВ 109В 2,3—2,8 2—2,3 8—16 1,9-3,1 25 25 3 25 1—10 4—5,5 4,5—6,5 4—6 300 300 160 3 50 0,5 25 25 5 50
КВЮ9Г 8—17 3 4 160
КВЦ0А КВ110Б КВ ИОВ КВ110Г КВ ПОД КВ110Е 12—18 14,4—21.6 17.6—26,4 12-18 14,4—21.6 17,6-26,4 4 1—10 2,5 300 300 300 150 150 150 4 50 1,0 25 45 100 50
КВ112А КВ112Б 9,6—14,4 12—18 4 1 — 200 4 50 1 25 25 — —
КВ114А КВ114Б 54,4—81,6 ' 4 1 4,4 3,9 300 — 10 10 25 150 115 — —
КВ115А КВ115Б КВ115В 100—700 0 — — — — — 0,0001 0,02 0.000 15 0,01 0,000 01 0,002 25 85 25 85 25 85 — — —
КВ116А 168-252 1 1 18 100 1 1 1 25 10 — —
КВ117А КВ117Б 26,4—39,6 3 1-10 5-7 4—7 180 150 — 50 1 25 25 — —
КВ119А 168—252 1 1—10 — 100 1 1 1 25 12 — —
КВ121А 4,3—6,0 25 1 10 76 200, 150 — 50 0,5 25 30 — —
КВС111А2 КВС111Б2 26,4—39,6 5 1 2,1 200 150 4 50 1 25 30 — • —
1 Температура корпуса диода.
3 Температурный коэффициент емкости Б00-10""el/°C
предохранять диоды от непосредственного воздействия влаги.
В процессе хранения у диодов наблюдается постепенное ухудшение пара-
метров.
Основное назначение — работа в качестве смесителей, детекторов, переклю-
чателей, умножителей частоты, модуляторов и т. п.
СМЕСИТЕЛЬНЫЕ
Параметры диодов приведены в табл. 28, а характеристики — на рис. 59.
ДЕТЕКТОРНЫЕ
Диоды АА2С4А—АА204В имеют барьер Шоттки.
Параметры’ диодов приведены в табл. 29, а характеристики—на рис. 60.
124
Электрод К+'i Электрод 2
20,8
Д405-ДЬ05Б,Д501,Д804
3ректред 1(+)
Электрод 2
2
2,8
2
Д602А,
Д602Б
АА1ИА,ААШБ,КА507А-
КА507В, КА509А-КА509В,
КА520А, КА520Е
ААИЭА,АА113Б
Электрод /М
Л А20Ь A-A А204 В
Электрод 2
Электрод 1(+)
Электрод?
7,5
АА112А,АА112Б
Электрод! Электрод!
ГАЬ02А,ГА4025, ГА 501А - ГА 501И
Размер А-
НА508А и КА5!ЗА-0,8мм; ЦА513Б-ВММ
<s
КА508А, КА513А, КА513Б
Электрод 1(+)
Электрод?
Рис. 57
КА510А-ИА5105
KA612A, КА612Б
ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ
Параметры диодов приведены в табл. 30.
РЕГУЛИРУЮЩИЕ
Основное назначение работа в качестве модуляторов, переключателей и
ограничителей в СВЧ трактах аппаратуры.
Параметры диодов приведены соответственно в табл. 31, 32 и 33 а характе-
ристики—на рис. 61 и 62. •
АА603А-АА603Г,
АА 703А,АА703Б,АА705А,АА70ББ
У МНОЖИТЕЛЬНЫЕ
Основное назначение — умножение частоты СВЧ колебаний.
Параметры диодов приведены в табл. 34, а характеристики — на рис. 63.
СВЧ ВАРИКАПЫ
Основное назначение — конденсаторы переменной емкости для СВЧ аппа-
ратуры.
Параметры диодов приведены в табл. 35, а характеристики — на рис. 64.
126
В t Э» '1 25 ю сч ю сч Ю сч to сч ю сч 25
и. макс» Вт крат- ковре- менно 1 750 1 400 1 о 00S
предельный РСВЧ I м дли» 1 те ль но 100 550 300 100 100 1 00S
«<1/ 01* МЕК ИЛ1 0,2 1 1 1 м О СО о z> 0,5
Режим МАКС» Вт « 2 f- О.Д то др &о £ м к 1 500 1 200 1 1 150
рсвч Ml дли- тельно 50 О ю 20 50 О 20 5 05
при С 1 1 1 1 ОООООО (оо ио ио О IQ Ш О Ю О СО —ч СО —’ — 1
Е к ф G) РПОД' мВт 1 СО СО СО 1 1
S то К j 1 3,2 3,2 3,2 3,2 1
ул •“«З/ 2,5 1—2,5 3*5—1 0,7-2,5 in о' 1 - 1 1- 1)-1 0,5
S О м 3 « > 200—500 210—490 300—560 440—640 1 1 If с С U с 250—550 300-500 300- 450 340—560
ксвн и 1 1,5 СО с© ▼“< V—< 1—3,5 1 м 1.7 1,4 1
эн ей . 8 7.5 7,5 7 Г- 7.5 9 со 1 1О- оо 8,5
^-прб- ДБ Ю СО <Х> 6 5.5 о ш со СО 7 6.5 6,5
S о сч СО со СМ, ДМ мм СО СО со 8—60
Тип АА110А АА1ЮБ AA11IA АА111Б АА112А АА112Б ААНЗА АА113Б АА114А Д405 Д405А Д405АП Д405Б КА104А КА104ЛР
vzi
<? V'J
0 12 3 4
128
Таблциа 29
Тип X, см ,М, В-*7« мин» Л/Вт ГД- Ом । К1ш. КОм ^ст^ыако
АА204Л— АА204В2 СМ ПО 3.5 2000 — —
Д602А Д602Б 2.7—60 15 20 1.5 3.2
Д604 2,7—4 35 2.5 200—600 500—900 12 1,8
Тип Режим
измерения при предельный при t, °C
X* ом р ^ПОД’ мВт г„. Ом 'см* мкА ^СВЧ макс» мВт ^СВЧ и. макс» м^т
длитель- но кратко- временно
АА204А— АА204В2 3.2 0,01 20 10 100 50 250 150 85 >85
Д602А Д602Б 3,2 0.02 20 50 25
Д604 ;,2 0.01 20 150 50 10 300 1000 25
1 Эквивалентное шумовое сопротивление.
2 Диоды имеют одинаковые характеристики^ но предназначены дли работы в различны»
диодиы камерах.
5 3491
129
. Таблиц 30
п ри при Предельный режим при 25 °C ХЮ—7 Дя;
Тип X, см ^пер» ПФ • мкА а 3 ^СВЧ макс* мВт Лзв Ч и. маке мВт
о СХ О Ь f, МГн чэ О Сь С £ и du S а. V.1 О О. О О и с а о. V) ье /, -МГц 1IJH ДОИ-у при 1, МГ длительно кратко- временно длительно кратко- временно g X
АА410А АА410Б АА410В АА410Г АА410Д АА410Е СМ 0,55—0,85 0,5—0,8 . 0,6—0,8 0,4—0,6 0,42—0,56 0,4—0,6 — — 6 — 1 2 0,8 0,6 0,4 0,6 0,4 ' 0,3 — — — — — 0,1 — 0,2
ГА401 ГА401А ГА401Б ГА401В 6-60 0,45—0,87 0,36-0,55 0,26—0,44 0,12-0,33 10 30 20 10-30 0.5 10 2,2 2,0 1,8 1,7 10 2000 2,2 2000 200 400 5 10 —
ГА402А ГА402Б ГА402В ГА402Г —6 0,3 10 30 15 10-30 0,5 10 1,2 0,9 0,75 0,75 10 2000 2,2 2000 50 100 2,5 5 0,7
ГА403А ГА403Б ГА403В ГА403Г ГА403Д см, дм 0,32—0,5 0,26—0,4 0,18—0,3 - 0,08—0,22 0,08—0,22 20 30 50 70— 100 2 1 1 1 I 20 2,0 1,6 1,6 1,6 1,3 20 2000 2,2 2000 400 600 15 25
-0?29 пф’айИе‘ Емкость к°РпУ=а Ди0Д0в на частоте 460 МГц; ГА401А-ГА401В и ГЛ403А-*ГА40 ЗД 0,18-0,25 пФ; ГА402А-ГА402Г
сл Табл ица 31
Тип X, см ?вых. макс- м®т ^Прб’ ДБ !к. 3> мА Режим
измерения при предельный
хдм 'ЬЗЭ^ ^пром. част* мВт ь МГц о WQH <Н7 ^пром. част* В ^СВЧ макс* мВт при. /, °C
Д401 7-10 15 13 — 300 300 2500 3000 70 150 1 — 300 25
Д401А 2,5 — 6,5-11 300 300 — 3450 3450 150 1 2 300 25
Таблица 32
Тип X, см К1 О ** 3 о а 4JJ ,d51/ а £ о е- ь1 - фи ‘(йоНд) «О V Режим
измерения при предельный
X. см igw ЛоиД ^пр <Л>бр. и), мА уобр> в f. МГц ^обр. макс* ] В ^пр. макс* мА Р3 *СВЧ макс* Вт р3 *СВЧ и. макс, Вт макс»х X )0~~7, Дж 1 При t, °C
ГА501А 3- 150 19 3,2 1 10-30 (0,01-0,03) 12—18 0,8
ГА501Б 3 150 19 3,2 1 10-30 (0,01-0,03) 8-13 0.8
ГА501В со 3 150 19 3,2 1 10-30 (0,01-0,03) 4-9 0,5
Продолжение табл, 32
Тип X, см ЭМК 0OS; fкр» ГГц ^проб» В е с о а КС S О '‘Ъ 3 U & к Режим
измерения при предельный
X, см g tt g о. ^Пр <^Обр. и)' мА ^Обр» в f, МГц ^обр. макс» В ^пр. макс» мА рз 2 СВЧ макс’ Вт Р'З СВЧ и. макс, Вт ^и. макс» Х10—7, Дж и э. S а. Е 25 25
ГА501Г 3 150 — — 19 — — 3,9 1 10—30 (0,01—0,03) 12—18 10-180 50 50 0.8 0,8 2 0,5
ГА501Д 3 150 19 3,9 1 10-30 (0,01—0,03) 8—13
ГА501Е 3 150 19 3,9 1
10-30 (0,01-0,03) 4—9 0.8
ГА501Ж 3 150. 19 3,2 1 - 10-30 (0 01-0,03) 2,2—4,2 0,1
ГА501И 3 150 19 3,2 1 10-30 (0.01-0,03) 0,5—2,5 0,1 0.5
ГА504А см, дм 500 (0,04) 0,5—0,8 3,9 3,9 1 2500 50
ГА504Б 200 (0,04) — — 0,5- 0 8 — 3,9 3,9 1 2500 50 50
ГА504В 100 (0,04) 0,45—1 3,9 3,9 1 2500 50 J
• . •
КА507А СМ, дм 200 500 0,8—1,2 1,5 7 7 1 0,1 (10) 100 100 100 100 — 200 200 5 — •— 25
КА507Б — — 200 300 0,8-1,2 1,5 7 7 1 0,1 (10) 100 100 100 100
КА507В 150 300 0,65-1,2 2,5 7 7 1 0,1 110) 100 100 100 100
КА508Л 2-20 600 40 — — — — — 1000 1000 0 100 — 9370 100 500 1,5 800 25
КА509А м, дм t 150 200 0,9-1,2 1.5 7 7 1 1 25 (10) 25 100 100 — 150 100 2 — т- 25
КА509Б — — 150 200 0.7—1 1,5 7 7 1 1 25 (Ю) 25 100 100
КА509В 100 200 0,5—1,2 2,5 7 7 1 1 25 (Ю) 25 100 100
КА510А 0,7-1,4 (1,5)
КА510Б 0,6—1,4 (2.5)
Продолжение табл. 32
Тип X, см Л1 и S •н? о 'кр. ГГц ffi О И 0 Е Ь е с ct О О 'пр <гВыс’- °м Режим
измерения при предельный
X, см xan t'ouj znp <Л>бр. и), мА ^Обр. В f. МГц и а «з 3 £ я ^пр. макс» мА рЗ СВ Ч макс* Вт р* С-ВЧ и макс. Вт ^и. макс» Ю—7, Дж Прн tt °C
КА510В СМ, дм — — — 30 2,2—3,4 (1,5) — — 100 (10) • — 10 25 200 1 40 — 25
КА510Г 0,6—1,4 (2,5) **
КА510Д 1,2—2,4 (2,5) •
КА510Е ’ 2,2—3,6 (2.5)
КА513А 0 8—2 — юр — — — — — 1000 100 — 30 000— 37 500 — 150 2 75 — 25
КА513Б 0,8-2 70 — — — — 1000 100 — 15 000- 20000 — 150 1,5 140 — 25
КА517А 75 300 0,15-0,3 — — — (0.1) 10 100 20
КА517Б СМ, дм 75 300 0,25-0,4 5 7 7 7 7,5 7,5 7,5 (0.1) 10 100 20 — 150 100 0,5 — — 25
1
КА520А СМ, дм — — 200 800 0,4-1 7 1 (0.1) 100 100 100 — 300 200 4* 1000 — 25
КА520Б 150 600 0,4—1 7 1 (0.1) 100 100 100
‘г Соп^ленжГд'юда при высокой СВЧ мощности (мощность, при которой сопротивление потерь диода достигает установившегося зка
чения и не изменяется).
3 При длительном воздействии.
* Мощность рассеяния.
Таблица 33
Тип ^пр> В zo6p, мкА Сд, пФ Гц, Ом ч тэф- пс Длитель- ность импуяьсо в Предельный, режим прн t, °C
^обр. макс» В О «3 2 S □. хэ О ffi Л1р. ср. макс» мА ^пр и макс’ мА Г’СВЧ и макс. мВт
АА529Л АА529Б 0,9 1 1 0,4 0,25 70 100 ПС, НС 5.0 7.0 2,0' 5,0 0,5 25
АА530А АА530Б 1 1,2 5 1 0,75 — — ПС, НС 30 — 10 50 — 25
Эффективная длительность импульсов.
40 ВО
-40 о
tnopi °C
Рис. 61
Рис. 62
Таблица 34
Тип X, см гД п и. обр. макс’ ^обр. макс» мк*^ е с "о. о м U cf /пред1 ГГц < Режим
измерения при предельный (25 СС)
f, МГц Ю* О уи ld9°; о м го S О Ь и РСВЧ макс'1 мВт
ЛЛбОЗА 3 20 — 0.5—1,5 30 20 400
100 2300
АА603Б 20 — 0,5—1,2 20 20 400
3 150 2300
АА603В 10 —г 0,5—1,2 30 — 0,05 10 160
3 200 2300
АА603Г 15 — 0.5—1,2 30 15 250
3 250 2300
Д5П1 з 25 300 — — — — — — — 100«
КЛ6О2А 4,7—8,7 10 6 60 2500
(0,5-0,7) 10 3000
100 60
КЛ602Б 2,7—4,7 10 6 60 1500
(0,5-0,7) 20 3000
100 60
137
Продолжение табл. 34
Тип х» сМ 771 R н< обр. макс* 2 о 2 'о е с Ъ о U tf О 'пред, ГГц Режим
измерения при предельный (25 °C)
f, МГц £П Л «О О ь 2 о о о га 2 Л ю о m О м га 2 гг Ш н (JM Q. S
КА602В КА602Г КЛ602Д 100 100 109 1.7—2,7 (0,5—0,7) 1.2—1,7 (0,5-0,7) 1-1,3 (0,5—0,7) 30 40 50 10 3000 10 5000 10 5000 6 45 6 45 6 30 45 45 30 1000 1000 500
КА606А КА606Б СМ, дм — 100 0,5—1,2 03-1,7 — 10 6 30 6 — 30 800 600
КА609А КА609Б КА609В см — 100 1.1—1.8 0,8-1,3 0.8-1,8 100 150 100 — — — — 2000 1000 1000
КА612А КА612Б — — 100 1—2 2—4 60 40 — — — 1000 2000
КА613Л КА613Б см, дм — 10 4—8 3-5 10 25 — —- 80 70 10000 8000
’ Нормированное постоян юе обратное напряжение — максимальное обратное напряжение
на диоде, при котором ток через него не превышает установленного значения.
2 Длительно.
8 Монц юс ть 8-й гармоники 300 мВт
4 В кратковременном режиме 200 мВт
Примечания I. Режим измерения Д501 при X = 25,6 см и Росн == 130 мВт
2. Время выключения КА609А и КА609Б 0,25 нс: КА609В 0,3 нс.
Таблица 35
Тип ^обр. В Сд. пФ Q при ft ГГп «С Предельны# режим
^обр макс* В ^макс* мВт
АА610А АА610Б 30 50 1.8—2,7 50 1 4 5,5 30 50 100
КА611А 50 3 1 4,7 30 1 6 50 100
КА611Б 50 1,4 2,2 45 5 50
138
г
75 WO 125 150 Р0СН,МВт
-60-40-20 0 20 40 60 tmptC
Сл,г,Ф
Рис, 63
Рис. 64
ГЕНЕРАТОРНЫЕ
Основное назначение — генерация СВЧ колебаний.
Параметры диодов приведены в табл. 36, а характеристики — на рис, 65.
Рис. 65
140
Таблица 36
Режим
Тип X, 54 га Л г0> Ом измерения при предельны й
см и, в ^ген* ГГц ^макс* В
АА703А АА703Б СМ 10 20 270 320 3—20 3—20 8,5 8,5 0,5 8,5 8,5 0.5 8,24—12,5 8,24-12.5 8,5 8,5
АА705А АА705Б см 20 50 280 300 3-15 3-15 10 10 0,5 10 10 0,5 5,2-8,2 5,2-8,2 10 10
ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ
Излучающие диоды — низковольтные электролюминесцентные устройства,
излучающие электромагнитные волны в видимой или инфракрасной части спектра
при пропускании прямого тока. При этом потенциальный барьер р-л-перехода
понижается н происходит инжекция неосновных носителей. В процессе их реком-
бинации энершя выделяется в виде фотонов. Частота излучения пропорциональна
энергии запрещенной зоны полупроводникового материала. Диоды можно возбу
ждать постоянным, переменным или импульсным токами. Диоды, излучающие в ви-
димой части спектра, иногда называют светодиодами.
Выпускаемые промышленностью излучающие диоды можно условно под-
разделить на точечные источники света (дискретные диоды) и сегментные инди-
каторы (в которых используется несколько диодов).
Характеристика направленности излучения диода определяется формой лин-
зы и измеряется па уровне 0,5 диаграммы излучения.
Конструктивное исполнение — металлический или пластмассовый герметич-
ный корпус с гибкими или жесткими выводами и окном (окнами), закрытым
линзой (рис. 66 и 67). Корпуса диодов выполняются в соответствии с ГОСТ
23448-79.
Диоды АЛ109А имеют бсскорпусное исполнение.
Пайка выводов разрешается не ближе 5 мм, а изгибание — 3 мм от корпуса.
Применение дополнительного теплоотвода обязательно. При изгибании выЙЬды
необходимо жестко фиксировать у основания.
Неизлучающая поверхность диодов АЛ109Л красного цвета. Индикаторы
АЛС311А—АЛС311Г предназначены для динамической индикации.
Рабочее положение должно благоприятствовать наблюдению.
- Ряд диодов маркируется цветными точками на корпусе (табл. 37).
Основное назначение — работа в качестве различного рода индикаторов в
аппаратуре.
Параметры диодов приведены в табл 38 и 39, а характеристики — на рис.
68—70.
ГЕНЕРАТОРЫ ШУМА
Конструктивное исполнение — металлический герметичный корпус со стек-
лянным изолятором и гибкими выводами (рис. 71).
141
Основное назначение — рабо а в качес ве генератора шумового напряжения
в аппаратуре широкого назначения.
Параметры диодов приведены в табл. 40
024
Линза
(-)
(+)
2,/
20
+)
АЛ108А
R2
та +
U -
4,7
15
АЛ307А-АЛ307Л
АЛЮ7А,АЛ115А,
А Л1075, АЛ118А
АЛ301А,
АЛ301Б
АЛ103А, АЛ103Б
Линза
м' АЛ307АМ-АЛ307ЛМ
Метла
АЛ109А
1.5
Рис. 66
АЛюгА-АЛюгд
(+)
АЛ106А-АЛ106В
(-> О П(+)
(+)
2,5
4,2
АЛ119А, АЛ119Б
Ж
НЛ101А-НЛ101В
Таблица 37
Тип Цвет и количество точек Тип Цвет и количество точек Тип Цвет и количество точек
АЛ102А Одна красная АЛ305Г Одна квасная АЛ306А Две белых
АТ102Б Две красных АЛ305Д Две синих АЛ306Б Одна белая
АЛ 102В Одна зеленая АЛ305Е Одна синяя АЛ306В Две черных
АЛ102Г Три красных АЛ305Ж Две черных АЛ307А Одна черная
АЛ102Д Две зеленых АЛ305И Одна черная АЛ307Б Две черных
АЛ305А Две белых АЛ305К Черная и белая АЛ307В Одна черная
АЛ305Б Одна белая АЛ305Л АЛ307Г Две чернях
АЛ305В Две красных АЛС314А Две белых
142
л
АЛ305А-АЛ305Е
Обратная полярность
диодов АЯ305Щ-АЛ305Л
1А
2-F В J) 13-В
1ПППППГ«И
!0 D D О О tt выводов я> о е
2,5 АЛС321А,АЛС321Б,АПС324А,
— АЛС32ЬБ,АЛСЗЗЗА-А1 СЗЗЗГ,
A0C33iA-A0C33^r, АЛС335А АЛС335Г
АЛСЗИА АЛСЗИГ
Рис. 67
А
Обозначение
сентороб
Таблица 38
Тип X tf м к X од При /пр, мА IgH ‘UHW V« ,<lu/ Hdu а .ЭНЕИ du- el 11 При /npj мА Предельный режим при 25 °C Излучение
a .(Ояв:ч и dgo„j .эмея -dgo^ ^пр. макс» мА
АЛ102А АЛ102Б АЛ 102В АЛ102Г АЛ102Д 5 40 150 10 400 5 20 20 10 20 —ь — 3.2 4,5 2,8 3.0 2,8 5 20 20 10 20 (2)i 10 20 22 10 22 Красное » Зе еное Красное Зелено?
АЛ103А АЛ103Б — — 1 0,6 50 1.6 50 (2) 52 Инфракрасное
АЛ106А АЛ106Б АЛ 106В — — 0,2 0.4 0.6 100 1,7 100 — 100 »
АЛ107А АЛ107Б — — 6 10 100 2 100 — 100 • »
АЛ108А — — 1.5 100 1,35 100 2 100 »
АЛ109А — — 0,2 20 1.2 20 — 22
АЛ115А — — 10 50 2 50 4 50 •»
АЛ118А — — 2 50 1.7 50 1 50 »
АЛ119А АЛ119Б — 40 300 3 300 — 300 Инфракрасное
АЛ301А АЛ301Б 10 20 10 — — 2 10 2 12 Красное
АЛ307А, AM АЛ307Б, БМ 0,42 _1,52 10 — — 2 10 20 »
АЛ307В, ВМ АЛ307Г, ГМ 0,42 1.52 20 — — 2.8 20 2 22 Зеленое »
АЛ307Д, ДМ ДЛ307Ё, ЕМ АЛ307И, ИМ АЛ307Л, ЛМ 0,42 1.52 0.42 1.52 10 — —. 2,5 10 20 Желтое » Оранжевое »
КЛ101А КЛ101Б КЛ101В 10 15 20 10 20 40 — — 5,5 10 20 40 10 20 40 Желтое
* При ти = 20 мкс и частоте повторения 1 кГц.
2 Сила спета, мкд»
Примечание Ширина диаграммой излучения: AJII06A—-АЛ106В 25°: АЛ107А,
АЛ107Ь 40°. Длина волны излучения' АЛ106А—AJII06B 0,92—0,935 мкм; АЛЮ7А, АЛ107Б
0,9-»-1.2 мкм Длительность переднего фронта излучения АЛ106А — АЛ106В 10 нс, заднего 20 нс
Н4
Таблица 39
Предельный режим1
Тип й к я S Я BQ дв. % ^пр» В Прн Ллр’ мА Л1р. макс» “А ^пр. и. макс> мА рма кс» мВт Количество эле- ментов (сегментов) и их выводы Излучение
АЛ304А АЛ304Б 350 200 —60 ±60 2 5 5,5 — 88 7 + 7 /—Е, 2—D, 4—С, 5—Н, 6—В, 7—А, 3 — общий анод, 8—общий катод (АЛ304А- АЛ304В), 3 — общий катод, 8 — общий анод (АЛ304Г), 9—G, 1 —F Красное
АЛ304В АЛ304Г 60 350 —60 —60 10 5 264 Зеленое Краснов
АЛ305А, Ж АЛ305Б, И АЛ305В, Д АЛЗО5Г, Е, Л АЛ305К 350 200 120 60 120 —60 ±60/ —60 ±60 ±60 4 704
6 20 22 — 1056 14 + 1 Красное
АЛ306А АЛ306Б АЛ306В АЛ306Г 350 200 350 200 ±60 2 2 3 3 ю 11 300 36 Красное
АЛ306Д АЛ306Е АЛ306Ж АЛ30614 120 60 120 60 3 3 3 3 Зеленое
АЛС311А АЛС311Б АЛС311В АЛС311Г 2 4 5 по 5 У (7 + 1) Красное
— — — —
АЛС314А 350 — 2 5 8 64 2 40s (7) 1—Е, 2—D, 4—С, 5—Н,6—В,7—А, 9—G, 10—F, 3 и 8—общий катод Красное
АЛС317А АЛС317Б АЛС317В АЛС317Г 160* 350* 80* 160* 2 10 12 Красное
3 — — (S)
Зеленое
АЛС318А АЛС318Б АЛС318В 950* — 1 9 5 3 40 г- 9 X (7) Красное
145
Продолжение табл. 39
Тип Я X X к 2 со дв. % *^пр» В При ^пр» мА Предельный режим1 2 * Количество эле- ментов (сегментов) и их выводы Излучение
м ст 2 zno. и. макс1 чА р 'макс мВт
АЛС321А АЛС321Б 1204 205 — 3,6 20 25 — 720 74-7 1— А, 2—F,6— И, 7—Е, 8—D, 10—С, 11—G, 13—В, 3, 9 п 14 — общий анод Красное
АЛС324А АЛС324Б 1504 50s — 2> 20 25 — 7 + 1 1—А, 2—F, 6—Н, 7—Е, 8—D, 10—С. 11—G, 13—В, 3,9 н 14 — общий анод Красное
АЛСЗЗЗА, Б АЛСЗЗЗВ, Г 200’ ЮО5 150' «О6 — 2 — 20 — — , 7+t- 1—А, 2—F, 6—Н, 7—Е, 8—D, 10—С, 11—G, 13—В, 3, 9 к 14—общий анод Красное
АЛС334А, Б АЛС334В, Г 2004 ЮО5 1504 805 — 3,3 — 20 ,7- 7 + 1 1—А, 2—F, 6—Н, 7—Е, 8—D, 10—С, 11—G, 13—В, 3, 9 н 14—общий анод Желтое
АЛС335А, Б АЛС335В, Г 250 120 150 80 — 3.5 — 20 — — 7 + 1 1—А, 2—F, 6—Н, 7—Е, 8—D, 10—С, 11—G, 13—В, 3, 9 и 14—общий анод Зеленое
1 Данные на одни сектор. Для АЛ306А— АЛ306И на один элемент, i
* Ток всех сегментов
8 При тн = 2,5 мс и 35 СС (при 70 °C — 15 мА).
4 Сила света сектора, мккд.
• Сила света «точки», мккд
Примечания: 1. Для АЛС318А—А ЛС318Г сопротивление сегмент-»-сегмент (заряд-
разряд) 2000 Ом, а наибольший обратный ток 10 мкА.
2. Наибольшее обратное напряжение для АЛС314А, АЛС318А—АЛС318Г, АЛС321А#
АЛС321Б, АЛСЗЗЗА — АЛСЗЭЗГ,- АЛС334А — АЛС334Г, АЛС335А —АЛС335Г 5 В.
146
Inp,мА
WO
ВО
60
40
20
0
4
8
3
6
2
1пр,МА
---1—R
АЛ301А,
АЛ301Б
2
0
АЛ304А,
АЛ304Б,
АЛ306В,
А Л306Г
1,2 Unp,В 1,2 1,6 2,0 2,4 2,8 Unp,В '
1пр,мА
I пр, мА
Inp,ma
В
6
4
2
0
А/1304В,
АЛ304Г,
' АЛ306А,
А Л3066
15
10
5
1,0 1,1
1пр,мА
15
10
5
0
1пр,мА
0
2 2,5 3 Unp,8 1 2 3 4 5
1пр,мА
Upp,В
1пр,мА
0,5 / Unp,B
15
10
5
АЛ31 А Л31 UA, 175
0__________________
1,2 1,4 1,6 Uпр,В
16
12
8
4
0,5 1 1,5 2 Unp,B
1пр,мА
Рис. 70
В
в
6
6
г
г
о
0
1 1,2 1,4 1,6 Upp,В
0,5 1 1,5 2 иПр,В
О
1,6 1,8 2,2 Uпр,В
1пр,мА
40
30
20
ю
0
1 1,5 2 2,5 3 Unp, В
МАПШТОДИОДЫ
Магнитодиоды — полупроводниковые приборы, изменяющие св'ое сопротив-
ление под воздействием магнитного поля. Диоды представ яют собой сп авпую
структуру типа п-р п.
Конструктив! ое исполнение—бескорпусное с ленточными выводами (рис. 72).
Таблица 40
КГ401А
КГ401Б
КГ401В
Тип
7
3
30
2,5
3,5
1
±15
±1,5
±2
—1,1
10 25
1
•При /ПрОб =50 мкА.
2 При /Проб — ЮО мкА
Диоды имеют цветную маркировку на полупроводниковой структуре и на
выводе «+» (табл. 41). Магнитодиоды устанавливают таким образом, чтобы
магнитные силовые линии были перпендикулярны полупроводниковой струк-
туре; Источником управляющего по я с ужнт постоянный или электромагн it.
Магиптодиоды можно соединять последовательно. *
Направление
магнитного
поля
Метка
ЦД301А-КДЗОШ
Рис. 72
Таблица 41
Тип Цвет маркировки
на под у провод НЕ- НОВОЙ структуре ва эь воде
КД301А Белый Белый
КД301Б Желтый »
КД301В Красный »
КД301Г Белый Черный
КД301Д Же тьй х>
КД301Е Красный
КД301Ж Чер 1ын »
Пайка выводов разрешается не ближе 6 мм от полупроводниковой струк
туры. Применение теплоотвода при пайке обязате ь о Изгибание выводов раз-
решается не ближе 2 мм от полупроводниковой структуры.
Основное назначение — работа в качестве бесконтактных датчиков магнит-
ного поля или бе онтактных вык ючателей в вычислительной, радио и электро-
аппаратуре.
Параметры дг одов приведены в табл. 42.
150
Таблица 42
Тип За СО 1 к **>. к с сх с CQ 1Г1/Я при ^пр* мА А/, кГц Предельный режим
о 2d то Я Ю о ^пр. и. макс’1 мА При 1, °C р 'макс* мВт при 1, °C
КД301А 6—7,5 5 1 50 25
15 3 25 85
КД301Б 7.5—9 5 1 50 25
15 3 25 85
КД 301В — 10,5 10 I 1 too 40 25 200 25
30 3 20 85 100 85
кд зон? 10 5—12 10 1 40 25
30 3 20 85
КД301Д 12—13,5 15 1 40 25
45 3 20 85
КД301Е 13,5—15 15 1 40 25
45 3 ж 20 85
КДЗ 1Ж 15—20 20 1 40 25
60 3 20 85
КДЗОЗА-1 4—5 10
КДЗОЗБ-1 5,1—6 10
КДЗОЗВ-1 6,1—7 20
КДЗОЗГ-1 7,1—9 30 3 5 40 — — — 25
КДЗОЗД-1 9,1—11 30
КДЗОЗЕ-1 11,1—13 35
КДЗОЗЖ-1 13,1—15 40
1 Для КД301 А—КД301Ж при длительности импульса 6 мкс.
V. ТИРИСТОРЫ
Тиристор — полупроводниковый прибор имеющий четырехслойную р-п-р-п-
структуру и обладающий вольт-амперной характерис икой с вумя устойчи-
выми состояниями. Он имеет управляющий электрод, при подаче на который
ci гнала тиристор переходит из одного устойчивого (например из закрытого)
состояния в другое (в открытое).
Система обозначений приведена в разделе IV (см. стр.54).
Конструктивное исполнение—металлический герметичный корпус со стеклян-
ным изолятором (и и двумя) и гибкими или жесткими выводами с болтом для
крепления (рис 73).
Запрещается прилагать к Жестким изолированным электродам усилия более
0,98 Н, а также изгибать нх.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению. Желательно
применять принудительное охлаждение. Особое внимание необходимо уделить
плотности прилегания корпуса тири тора к тетоотводу (шасси)
Основное назначение — работа в. качестве переключающих устройств в аппа-
ратуре широкого назначения
Условия эксплуа ации тир! с горов приведет ы в табл 43. Для повышения
надежности рекомендуется выбирать режимы работы на 20 % ниже предельно
допустимых.
151
Таблица 43
Тип Интервал рабочих температур, °C Ускоре, нс, м с1, не более Атмосферно давле- ние, Па Г арантийный срок Масса, г Техно- логия
линейное при много- кратных ударах при одно- кратных ударах прн вибрациях на частоте, Гц
наимень- шее наиболь- шее службы ч хране- ния, год
КН102А—И —40...+70 735 735 — 73 5—600 2,7 . Ю4 3 • 105 5000 4 2 д
КУ 101 А-'. —55...+85 1470 1470 — 147 10 2000 2,7 • 10“ 3 . 104 5000 12 2,5 сд
КУ102А Г КУ103А, В —40...+85 25 75 150 10 1—600 2,7 • 104 з. ю5 — — СД
КУ104А Г —40...+85 150 150 — 15 1—2000 2,7 • 104 3 • 10’ — — — сд
КУ 108В Ц КУ109АМ—ДМ - 40 ..480 -45..-.+75 25 75 — 10 1 600 2,7 • 104 3 • 10ь — . — — д
КУ201А—Л КУ208А—Г - 55 .+70 314 930 — 73 10—600 2,7 • 104 3 ю5 5000 10 18 ПД
КУ202А-Н —55...+70 245 735 — 73 10—600 2,7 • 104 з. 106 5000 4 25 ПД
КУ204А—В —25 ..+70 245 735 — 73 10—600 2,7 • 104 3 • юч 8000 4 18 ПД
КУ211А—Ж - 40...+70 ' 25 75 — ’ 10 1—600 2,7 • 104 3 • 106 — —- — д
сл . „ Пр и меч а и и я- 1. Относительная влажность при 40 °C для всех типов тиристоров не бо ее 98 %. 2. Условные обозначения техноло-
гии: Д - диффузионная; ПД — планарио-диффузионная, СД — сплавно-диффу ионная. ’ ^значения техноло
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ТИРИСТОРОВ
Постоянное отпирающее напряжение на управляющем электроде (Uy ОТ)—
напряжение на управляющем электроде, соответствующее постоянному отпираю-
щему току управляющего электрода.
Импульсное отпирающее напряжение на управляющем электроде (Uyот н)—
амплитуда импульса напряжения на управляющем электроде, соответствующая
им (ульсному отпирающему току управляющего электрода.
Незапирающее напряжение управляющего электрода 1|3)-
Напряжение в открытом состоянии (^откр) — напряжение между основными
электродами тиристора при заданном токе в открытом состоянии.
Максимально допустимое постоянное прямое напряжение в закрытом
состоянии (t/np gKp — максимальное постоянное прямое напряжение между
основными электродами, при котором тиристор находится в закрытом состоянии
при заданном режиме в цени управляющего электрода.
Максимально допустимое импульсное прямое напряжение в закрытом со-
стоянии (СУпр зкр и макс)—максимальная амплитуда импульса прямого напря-
жения с определенной скоростью нарастания напряжения переднего фронта, при
котором тиристор находится в закрытом состоянии при заданном режиме в цепи
управляющего электрода.
Максимально допустимое постоянное прямое напряжение на управляющем
электроде (t/y п ыакс) — максимальное постоянное прямое напряжение на
управляющем электроде, обеспечивающее заданную надежность при длительной
работе.
Максимально допустимое импульсное прямое напряжение на управляющем
электроде (Uy Пр н ыакс) — максимальная амплитуда импульсов прямого напря-
жения на управляющем электроде, обеспечивающая заданною надежность при
длительной работе.
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение на управляю
щем электроде (Uy обр макс) — максимальное постоянное обратное напряжение
на управляющем электроде, обеспечивающее заданную надежность при длитель-
ной работе.
Неотпирающий ток управляющего электрода (Г неот) — ток управляющего
электрода, соответствующий неотпирающему напряжению на управляющем
электроде.
Ток в закрытом состоянии (/зкр) — прямой ток через тиристор в закрытом
состоянии при определенном прямом напряжении в заданном режиме в цепи
управляющего электрода.
Максимально допустимый постоянный запираемый ток (/макс) — предель-
ное значение основного тока, при котором допускается закрывание тиристора по
управляющему электроду..
Минимальный ток в открытом состоянии (/откр ми11) — минимальный основ-
ной ток, при котором гарантируется переключение тиристора из закрытого
состояния в открытое при подаче импульсного отпирающего тока управляющего
электрода и сохранение тиристором открытого состояния.
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода (1у от) — минималь-
ный постоянный ток управляющего электрода, обеспечивающий переключение
тиристора из закрытого состояния в открытое при заданных режимах по основ-
ным и управляющему электродам.
Импульсный отпирающий ток управляющего электрода (Zy от н) — мини-
мальная амплитуда импульса тока управляющего электрода, обеспечивающая
переключение тиристора из закрытого состояния в открытое при заданных режи-
мах по основным и управляющему электродам.
Импульсный запирающий ток управляющего электрода (7у 3 и).
Незапирающий ток управляющего электрода (1у нз).
154
Удерживающий ток (/уд мпн) — минимальный основной ток, необходимый
для поддержания тиристора в открытом состоянии при определенном режиме
в цепи управляющего электрода.
Время включения (/вкл) — интервал времени между моментом в начале
отпирающего импульса, соответствующего 0,1 его амплитуды, и моментом, когда
основной ток увеличивается до 0,9 его значения в открытом состоянии.
Время выключения (?ВЬ]К) — интервал времени между моментом в начале
запирающего импульса управляющего электрода, соответствующего 0,1 его
амплитуды, и моментом, когда основной ток уменьшается до 0,9 его значения
в открытом состоянии в заданном режиме.
Наибольшая допустимая скорость нарастания напряжения в закрытом
состоянии dU3Kp/dt.
Помимо укатанных, применяют также следующие общие параметры:
^обр. макс’ ^д. пс’ ^д> J зкр. макс’ ^откр. пр’ ^откр. и’ ^неот’ ^зкр. и'
Предельные режимы использования диодов характеризуются параметрами:
' макс’ ^откр. макс* Л>ткр. и. макс’ ^ыакс’ ^у. ср. макс’ ^пр. зкр. макс’ ^обр. макс,
Л>ткр. ср'
ТИРИСТОРЫ ДИОДНЫЕ (ДИНИСТОРЫ)
Параметры тиристоров приведены в табл. 44, а характеристики — на рис. 74.
ТИРИСТОРЫ ТРИОДНЫЕ МАЛОЙ МОЩНОСТИ
Для КУЮ1А-КУ101Е пайка выводов разрешается не ближе 5 мм, а изгиба-
ние— 3 мм от корпуса. При пайке обязательно применять дополнительный
теплоотвод.
При эксплуатации в условиях механических ускорений более 19,6 м/с2 тири-
сторы необходимо крепить за корпус.
Напряжение включения тиристора может уменьшаться при большой скорости
нарастания прямого напряжения по сравнению с его статическим значением. Для
повышения устойчивости работы в ждущем режиме необходимо шунтировать цепь
управляющего электрода.
Параметры тиристоров приведены в табл. 45, а характеристики — па рис. 75.
ТИРИСТОРЫ ТРИОДНЫЕ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ
Тиристоры КУ201А—КУ201Л при монтаже необходимо удерживать ключом
за корпус.
При отрицательном напряжении на аноде подача тока в цепь управляющего
электрода запрещается.
Для устойчивой работы КУ202А—КУ202Н необходимо между катодом и уп-
равляющим электродом включать резистор сопротивлением 51 Ом. При отрица-
тельном напряжении на аноде подача тока в цепь управляющего электрода
запрещена.
КУ208А — КУ208Г — симметричные триодные тиристоры. Применяются в ка-
честве симметричных управляемых ключей.
Параметры тиристоров приведены в табл. 46, а характеристики — на рис. 74
и 75.
КУ204А — КУ204В — запираемые триодные тиристоры. Применяются в каче-
стве коммутаторов в цепях однополярного тока в аппаратуре широкого назна-
чения.
Параметры тиристоров приведены в табл. 47, а характеристики — на рис. 74
и 75.
155
Таблица 44
$5
Тип ^пр зкр. макс< в "х 3 и X я S 6. X я При t, °C । ^обр. макс* МА CQ О. е d X О ь CQ а d S о Ь а н о ф S ь »нии tfXj при
'S X J5 При t, “С
КН102А 5 100 20 20 2
250 70
КН102Б 7 100 20 28 3
250 70
КН 102В 10 100 20 40 4
250 70
КН102Г 14 100 20 0,5 1.5 56 6 0.1 200 70
250 70 15 — —40
КН102Д 20 100 20 80 8
250 70
КН102Ж 30 100 20 120 12
250 70
КН102И 50 100 20 150 15
250 70 1
1 При Уобр = 0.
Примеча и и е:
^выкл. макс* мкс при 1 — Ct и Предельный режим
К d X Ь Лггкр. И’ А о X 2 ^а { откр. макс» “А CQ и X я S ю о а г л 1 откр. и. макс» При
Лугкр. ср* МА О X S
40 5 7 10 14 20 20 20 1 10 80 200 10 10 2 200 200 10 10 000 \ •
Наибольшая допустимая температура корпуса тиристора 85° С.
СП
Таблица 45
Тнп а С и га ~ 2 * а. х х х СП ?. S W X я 2 а. ю о ”4 {у. ОТ ПР" 25- 85 и —55 °C, мА CQ S о. с. е. X и у от при 25 85 и —55 °C, В /уд Щ>и 1макс. мА Сикл. макс- мкс CJ Ж s о X СП X -3 Предельный режим
а и X я S а. х и ci с Ь И X СП 2 S ь° Uу. обр. макс» ° 'откр. макс- мА 'у. пр. макс- мА 'откр. и. макс- А При ти, мкс «эяен j ХцК а Ру. и. макс* При тн, МКС
КУЮ1А КУЮ! Б ку 101 г КУ101Е 0,3 0.3 0,3 0,3 0,05 — 7,5 2,5 0,25 10 0,5-25 2 35s 50 50 80 150 10 50 80 150 2 75 15 1 10 150 0,5 0,2 10 20
КУ102А КУЮ2Б КУ102В КУЮ2Г 0,5 — 203 2,5 — — — — 50 100 150 200 5 — 50s 20 0,5—5 — 160“ - —
КУ103А КУ103В 0,3 0,3 — — — — — — 150“ 300" 150 300 2 — 40 0,001 — 150 —
КУ101А КУ104Б КУ! 04 В К У104 Г 0,12 — 15® — — — 0,29s 21 15 20 30 40 — 60 75-100 — — 27 — 100 20— Ю — — 54 — 200< —
КУ! 08 В КУЮ8Ж КУ108М КУ 1081-1 КУЮ8С КУ108Г КУЮ8Ф КУ108Ц 2,5 3 — — — 0,5s 35 100 35 35 100 100 35 100 1000 1000 800 800 800 800 000 600 500 — — — 150 — — 150’ —
КУ109АМ КУ109БМ , КУЮ9ВМ КУЮ9ГМ КУ109ДМ 0,3 3 100 100 3,5 3 3 — 7s 6’ 4» 8s 700 750 700 G00 500 50 10 30 30 10 10 - — 2- — — —
КУ1ЮА КУ1ЮБ кунов 0,075 — 0,1 2 0,3—0,6 4 1 70 300 200 100 10 10 300 50 5 — — — —
ВИ
КУША КУШЕ 0.5 0,5 — 5» — 0 400 2 50-100 15 — — — — — —-»
1 При прямом токе в открытом состоянии 50 мА,
2 Импульсный,
’ Наибольший запираемый ток. Наибольший импульсный запираемый ток 20 мА.
* Наибольшая мощность рассеяния.
J Прн прямом токе в открытом состоянии 100 мА, частоте 50 Гц и токе управляющего электрода 15 мА.
время задержки.
’Наибольшая импульсная мощность на управляющем алектродс.
’ При импульсном токе в открытом состоянии 12 А.
20 мА.РИМв 4 3 Н ИЯ *' ДЛЯ КУ102А-КУ102Г; запираемое импульсное напряжение 20 В; наибольший импульсный ток закрытого тиристора
2. Для импульсных тиристоров КУША и КУ111Б неотпирающее напряжение на управляющем электроде 0.2 В (КУ111А1 и 0 1 R fKVHlRv
каинеиьшее напряжение в закрытом состоянии 10 В; иеотпнрающий ток управляющ^оэлсктрода 2 мА и°наименьшая длительность ™пульс’а
Й сэ аз Предельный режим
X о. с < 2 S X 25 °C, S JS S X X X S д и X а а О < С и X и X СП 3
Тип У га ± 2 ’ О В Б с Б. S съ а я U X га 2 я с. X CJ X га X СП !сй макс К X X ® S з л X 5
СХ я X = -Г-К? 6. о о ю -А, X о "у. от Е g X 8 а га С Zb 6“ О Е ь е. X О X н о *1 ndu 'пр. у. 1'пр. у. мА 'обр. у
КУ201А 10 25
КУ201Б 5 10 25 25
КУ201В — 10 50
• КУ201Г 5 10 50 50
КУ201Д 5 — 100 2 6 100 10 100 100 10 2 10 10 200 5
КУ201Е 5 10 100 100 (350)
КУ201Ж — 10 200
КУ201И 5 101 200 200 •
_ КУ201К — 101 300
g КУ201Л 5 101 300 300
Таблица 46
__ Продолжение табл 46
8 Тип ^зкр. мане ПРИ *мин« М-А zo6p. макс1 ыА /у, ОТ ПРИ нг ад с а 04 о. а х о СО я я с о 8 X S о. с S *ВКЛ. МАКС* МКС *выкл. макс» мкс Предельный режим
^пр. зкр. макс» В И X ей 3 CQ и X <я S < « 2 d ж о < х СО X Я cL о При ти) мкс 6jp. у. макс ^пр. у. и. макс)- мА ^обр. у. макс» н ад ъ X <ч S 6. о о. *- S. Е ь ад й <я X X
КУ202А КУ202Б КУ202В КУ202Г КУ202Д КУ202Е КУ202Ж КУ202И КУ202К КУ202Л КУ202М КУ202Н 10 10 10 10 10 10 10 100 2 с U 300 10» 160 25 25 50 50 100 100 200 200 300 300 400 400 25 50 100 200 300 400 10 10 30 10 2000 1 5 20 50 1,5
К У203А КУ203Б КУ203В КУ203Г КУ203Д КУ203Е КУ203Ж КУ203И 10 10 10 10 10 450s 2 10» — 3 12 • 50 100 150 200 50 100 150 200 20 50 100 150 200 -102 10 100 50 100 100 100 100 350 (1200) — 20 — —
КУ208А КУ208Б КУ208В КУ208Г 5 —4 160 ‘ 2 .5 150 1 10 150 100 200 300 400 10 52 . 10 10 500 — 10 5 50 70 0.4
КУ210А3 КУ210Б3 КУ210В3 5 5 — — — 4 —. "Г 600 500 400 600 500 400 40 — 2000-* 0,02 7000 — — — —
КУ2ЦА КУ-211 Б КУ211В КУ211Г КУ2ЦД КУ211Е КУ211Ж 2 2 — 3 — — — 60 120 60 120 60 120 60 800 800 700 700 600 600 500 800 800 700 700 600 600 500 — 10 200 — 5000 т- -Г, .-г- — ,
КУ215А КУ215Б КУ215В 1,5 1,5 — З5 —- — — 150 1000 800 600 .500 400 300' 2 2 250 2 (6000) — — • — —
КУ21.6А КУ216Б КУ216В 0,5 0.5 — 2 20 — —' 20 800 800 600 — — 5 100 — (4000) — 10 25 80
> При импульсном прямом токе управляющего электрода 100 мА.
2 Импульсные.
* Наибольшее обратное напряжение ка управляющем электроде 2 В.
4 При длительности импулыа ле более 20 мкс.
Б При 60 С.
При меча ни я. I. Наибольшая допустимая температура корпуса КУ201Л—КУ201Л 70’С.
2. В интервале температур 50 — 70 °C наибольшая мощность рассеяния снижается по линейному закону.
3. Для импульсных тнрисгорои КУ216А —КУ216В наибольшая рабочая частота 3000 Гц (КУ216А), 1000 Гц -(КУ216Б} и 700 Ги (KV21KR1
наименьший импульсный ток в открытом состоянии 5 А; наименьший пиямой импульсный ток упраь/бтечцего электрода '’ А неотпипаишЛ
50Пв;мкНс"е Н3 у,,равлии,щем электроде 0.05 В; наименьшая длительность импульса 0,5 мкс; наибольшая скорост? ^арастання напряжения
3
«OMBW ’И A^ гб'О
ояи/g * '-r^-— йяслр | О (N
ед эяич ‘dod ОО
§ они <их иёц О
CJ p. S E „ .эмеи • । -du. V i 0,6
4 й> tt Ф G. c У .НИН -<1и1О^ 1
„ .змви -dsuo, V ‘ сч
у .ОМ ВИ *£у сч
я .эмвн -ен -Лр 0,3
я .эмем -<1я€ -du ООО ю о о —. сч
ОИК •0>,ви ’иЕ; 120
g 11 е ХЛ О со
g •" 10 лл ю
a -d>,10n 3.2
уИ <эяек *€н *Ау СО
эяя ‘Kj. Hdjj о
,эмек -и е -А, V" / о о
уК <ЭМШЧ *11 ио *А^ 150
VH .эивн -dx^ ю
Тип КУ204А КУ204Б КУ204В
a
2
162
-40 О 40 80
t кор ° С
t30
КУ 06А-КУ2СВГ
8 —i—.—।—.—i—i
Ю 20 30
lomKp.MOKC A
Рис. 75
VI. ТРАНЗИСТОРЫ
Система обозначения транзисторов, выпускаемых до 1964 г, состоит из двух
(или трех) элементов
первый элемент — буква «Г1» (плоский) или буквы «МП» (однотипный, по
в унифицированном корпусе)
второй элемент — цифра, обозначающая порядковый номер разработки, мате-
риал и назначение прибора. Для него приняты следующие обозначения:
для Низкой частоты (до 5 МГц)
при мощности рассеяния до 0,25 Вт-
германиевые.............................................
кремниевые ,............................................
при мощности рассеяния свыше 0,25 Вт:
германиевые..............................................
кремниевые. . ............. .... ..............
для высокой частоты (свыше 5 МГц)
при мощности рассеяния до 0,25 Вт:
германиевые .............................................
кремниевые.....................................
при мощности рассеяния свыше 0,25 Вт:
германиевые..............................................
кремниевые ,...........................................
от 1 до ЮО
от 101 до 200
от 201 до 300
от 301 до 400
от 401 до 500
от 501 до 600
от 601 до 700
от 701 до 800
третий элемент — буква, обозначающая разновидность прибора данного типа.
Транзисторам разработанным после 1964 г., присваивается обозначение из
четырех элементов:
первый элемент — буква или цифра, указывающая исходный материал (Г или
1 —германий К или 2 — кремний, А или 3 — соединения галлия)
второй элемент — буква, определяющая подкласс пр: бора (Т — транзистор,
П — полевой),
третий элемент — цифры, первая обозначает классификационный п назна-
чению номер а последующие две (от 1 до 99) — порядковый номер разработки.
Для первой цифры приняты следующие обозначения :
1 Пределы по частоте даны: для транзисторов — граничная частоте передачи тока дня
полевых траизисторов максимальная рабочая частота
6*
163
малой мощности (мощность рассеяния до 0.3 Вт):
низкой частоты (до 3 МГц)........................................ 1
среднЫ частоты (от 8 до 30 МГц).................................. 2
высокой частоты (свыше 30 МГц) ................................. 3
средней мощности (мощность рассеяния от 0,3 до 1,5 Вт):
низкой частоты (до 3 МГц)........................................; 4
средней частоты (от 3 .МГц до 30 МГц)............................. 5
высокой частоты (свыше *0 МГц)................................... 6
большой мощности (мощность рассеяния свыше 1,5 Вт):
низкой частоты (до 3 МГц)......................................... 1
Средней частоты (от 3 до 30 МГц)...............-.................. 8
высокой частоты (свыше 30 МГц)................................... 9
четвертый элемент—буква, указывающая разновидность из данной группы
приборов.
Пример обозначения: ГТ605А — германиевый транзистор (широкого назна-
чения), средней мощности, высокочастотный, номер разработки 05, разновид-
ность А.
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ
ТРАНЗИСТОРОВ
Термины, определения и буквенные обозначения установлены ГОСТ 20003—74.
Параметры, относящиеся к физическим свойствам.
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер (Окэ нас) — напряжение между
выводами коллектора и эмиттера в режиме насыщения г.ри заданных токах
базы и коллектора.
II спряжение насыщения база—эмиттер (С'Сэ 1|ас) — напряжение между
выводами базы и эмиттера в режиме насыщения при заданных токах базы и
коллектора.
Граничное напряжение (Пкэ0 — напряжение между «вводами коллектора
и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера.
Пхавающее напряжение эмиттер—база (U^ пл) — напряжение между выво-
дами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор—база и
при токе эмиттера, равном нулю.
Обратный ток коллектора (/кб0) — ток через коллекторный переход при
заданном обратном напряжений коллектор—база и разомкнутом выводе эмиттера.
Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при задан-
ном образном напряжении эмиттер—база и разомкнутом выводе коллектора.
Обратный ток коллектора—эмиттера (/JCj) — ток в цепи коллектор—эмит-
тер при заданном обратном напряжении коллектор—эмиттер.
Входное сопротивление в режиме малого сигнала (Лц)— отношение изме-
нения напряжения па входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме
короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора.
Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
(й,2) — отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению
напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по перемен-
ному току.
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала (Л21) — отношение
изменения выходного точа к вызвавшему его изменению входного тока в режиме
короткого замыкания выходной Цели по переменному току.
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (| Л21э |) в схеме
с общим эмиттером в режиме малого сигнала.
Выходная полная проводимость в режим1 малого сигнала (hzi) — отноше-
ние изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напря-
жения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току.
1 При разомкнутом выводе базы /кэо. при короткозамкнутых выводах эмиттера и Сазы
1КЗ к, при заданном сопротивлении в цепи база—эмиттер /кэ д, при заданном обратном
напряжении эмиттер—база ^кэЛ'-
164
Входное, сопротивление в режиме большого сигнала (Апэ) — отношение ка-
гряжепия на входе к входному току при заданном постоянном обратном на< ря-
жении коллектор—эмиттер в схеме с общим эмиттером в режиме большого
сигнала.
Статический коэффициент передачи тока (/i2l3)— отношение постоянного'
тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном
напряжении коллектор—эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.
Время задержки (/ЗД) — интервал времени между моментом нарастания,
фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствую-
щего 10 % его амплитуды.
Время нарастания (/11р) — интервал времени между моментами нарастания
фронта выходного импульса от значения, соответствующего 10 % его ампли-
туды. до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Время включения (/вкл) интервал времени, являющийся суммой времени
задержки нарастания.
Время выключения (<вык)— интервал времени между моментом подачи ня
базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе тран-
зистора достигнет значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Время спада (/Сп) — интервал времени между моментами спада среза выход-
ного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до зна ie-
ния, соответствующего 10 % его амплитуды.
Постоянная времени цепи обратной связи на вы-.окой частоте (тк) — про-
изведение сопротивления базы и активной емкости коллекторного перехода
(активная ^оставляющая полной емкости коллекторного перехода высокочастот-
ной эквивалентной схемы транзистора).
Предельная частота коэффициента передачи тока —частота, па
которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его
низкочастотным значением.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмит
тером (frf —- частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме
с общим эмиттером экстраполируется к единице.
Максимальная частота генерации (/макс)—наибольшая частота, при кото-
рой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора.
Емкость эмиттерного перехода — емкость между выводами эмиттера и
базы прн заданных обратном напряжении эмиттер—база и режиме коллекторной
цепи.
Емкость коллекторного перехода (Ск) — емкость между выводамй коллек-
тора и Сазы при заданных обратном напряжении коллектор—база и режиме
эынттерпой цепи.
Коэффициент шума (Кш) — отношение мощности шумов на выходе тра!.п-
стора к тон его части, которая вызвана шумами сопротивления источника сигнала.
Сопротивление базы (гб)—сопротивление между выводами базы и переходом
база—эмиттер
Параметры, относящиеся к режимам работы (измере-
ния) и к максимально допустимым (предельные режимы).
• Постоянное напряжение база—эмиттер (максимальное) ((7бэ((Уб, макс)).
• • Постоянное напряжение коллектор—база (максимальное) (Uk6(Uk6 макс)).
1 Постоянное напряжение коллектор—эмиттер (максимальнее) (UK3 X
; х (<4э. макс))-
Максимально допустимее импульсное напряжение коллектор—эмиттер
, (^кэ. и макс)’
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор—база
Wкб. и. макс) ’
| 165
,1
*
Напряжение лавинного пробоя (Un лав).
Постоянный ток эмиттера (максимальный) (13 (/э макс)).
Постоянный ток басы (максимальный) (/б (76 макс)).
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения (максимальный)
Vк. нас ('к. нас. макс))'
Постоянный ток багы в режиме насыщения (максимальный) (/6 х
X Uб. нас. макс))'
Импульсный ток коллектора (максимальный) (1к и (/к и ,.,акс))-
Импульсный ток эмиттера (максимальный) (Z= н(/ и макс))-
Максимально допустимый импульсный тик базы (/б и макс).
Выходная мощность. (РВЬ1Х)—мощность, которую отдает транзистор в типо-
вой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте.
Постоянная мощность рассеяния (максимальная) (Р (Рмзкс)).
Средняя мощность рассеяния (Рср).
Импульсная мощность рассеяния (РИ(РИ- макс))-
Постоянная мощность рассеяния коллектора (максимальная) (Рк (Рк макс)).
Температура среды (максимальная) У(/макс))-
Температура корпуса (максимальная) (/к (7К макс))-
Температура перехода (максимальная) Упср Упср. макс))-
Тепловое сбпротивление транзистора (Z?fK) — отношение разности темпера-
тур между переходом и корпусом к мощности рассеяния на коллекторе в устано-
вившемся режиме.
Общее тепловое сопротивление транзистора (Ri) — отношение разности
температур между переходом и окружающей средой к мощности рассеяния на
коллекторе в установившемся режиме.
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ДВУХЭМИТТЕРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Падение напряжения на открытом ключе (Уотк) — напряжение между
двумя эмиттерами транзистора при открытых переходах коллектор—база 1 и
коллектор—база 2.
Напряжения на управляющих переходах (Uy).
Максимальное допустимое запирающее напряжение управления между кол-'
лектором и базой 1 или коллектором и базой 2 (UKfl у макс).
Максимальное допустимое напряжение на закрытом ключе между эмит-
тером 1 и эмиттером 2 (С'э1 э2 ма(1С)
Ток закрытого ключа (13 закр) — ток через эмиттеры транзистора при закры-
тых переходах коллектор—база 1 и коллектор—база 2.
Сопротивление открытого ключа (готк) — сопротивление, измеряемое между
эмиттерами транзистора при заданных токах эмиттера и базы.
Кроме указанны;:, применяются общие для транзисторов параметры:
^эб. макс макс» к. макс’ ^макс и ДР'
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ОДНОПЕРЕХОДНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Максимальное допустимое межбазовое напряжение (t/61 62 макс)..
Максимальное допустимое обратное напряжение между эмиттером и ба-
зой 2 (U^ э, макс)'
Ток модуляции (/62 м1,н) — минимальный ток цепи базы 2 при заданном
эмиттерном токе и напряжении между базами.
Ток включения (/вкч)— значение эмнттериого тока, при котором происходит
переход транзистора из закрытого состояния в открытое.
166
Ток выключения (7ВЫК) — наименьший эми терний ток, при котором сохра-
няется открытое состояние.
Коэффициент передачи (Ки) — отношение максимально возможного эмиттер-
ного напряжения (без падения на ряжения на переходе) к приложенному меж-
базовому напряжению.
Межбазовсе сопротивление (7?б1 б9) — сопротивление между базами транзи-
стора при заданном межбазовом напряжении.
Кроме указанных, i римепяют также общие для транзисторов параметры:
Л.60’ ^зб. нас’ Лгакс1 ^макс и
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Напряжение отсечки (U3 и отс) — напряжение отсечки тока стока при фик-
сированном напряжении сток—исток.
Напряжение сток—исток (Uc и).
Напряжение затвор—исток (С'3 и).
Напряжение затвор—сток (U3. с).
-Напряжение между затвором 1 и затвором 2 (С'з1 з2).
Напряжение сток—подложка (С'с. п).
Напряжение исток—подложка (С'ип).
Начальный ток стока (7С, нач)— ток в цепи стока при непосредственном
соединении затвора с истоком и заданном напряжении сток—исток.
Ток утечки затвора (/з ут)—ток затвора при приложении между затвором
и соединенными вместе стоком и истоком постоянного напряжения заданной
величины. Характеризует качество оксидной изоляции между «атвором и каналом.
Крутизна характеристики (5) — отношение изменения тока стока к изме-
нению напряжения на затворе при коротком замькаши по переменному току на
выходе транзистора в схеме с общим истоком.
Электродвижущая сила шума (Еш)—спектральная плотность эквивалент-
ного шумового напряжения, приведенного ко входу, при коротком замыкании на
входе в схеме с общим истоком
Входная емкость (С11и) — емкость затвор—исток при коротком замыка ши по
переменному току выходной цепи.
Проходная емкость (С12н)— емкость затвор—сток при разомкнутой по пере-
менному току входной цепи.
Выходная емкость (С22я)— емкость сток—исток при коротко;.! замыка: ии г.0
переменному току входной цепи.
Параметры предельных режимов
Максимальное допустимое напряжение: -
затвор^сток (U3 с макс).
сток—исток (Пг „
' И. nanv'
затвор—исток (LL „
* * о» И. nldrtv
сток—подложка (Uc п ыакс),
исток—подложка (С'и п ыакс).
Максимальный допустимый:
ток стока (Iс. макс),
импульсный ток стока (/с и макс),
прямой ток затвора (/3 гр макс).
Кроме указанных, применяют также общие для транзисторов параметры;
/к. макс’ ^макс и ДР
Основные характеристики транзисторов — входные и выходные.
Условия эксплуатации транзисторов приведены в табл. 48.
167
Таблица 48-
Ускореннее м/с2, не более Атмосферное давление, Па Гарантийный срок
Тип Интервал рабочих темпе£атур, линейное при мно- гократ- ных уда- рах прн одно- крат- ных ударах прн вибра- циях на частоте, Гц наименьшее наибольшее службы, ч хране- ния, год Масса, г Техно- логия
ГТ402А—И —40...Н-55 245 735 — . 98 10—600 2,7.104 З-Ю5 10 000 8 5 •с
ГТ403А—И —40...+70 245 735 — ‘ 73 10—600 2,7-10* 3-10? 5000 4 4 с
ГТ404А—И —40. ..+55 245 735 — 73 10—600 2,7-10* З-Ю5 5000 4 ' 51 с
ГТ405А-Г —40...+85 245 735 — 98 10—600 2,7-10* 3-10= 10 000 6 1 с
ГТ701А —55...+70 245 735 — 98 1 —600 . 2,7-10* З-Ю5 10 000 6 25 сд
ГТ703А—Д —40...+55 245 735 98 10—600 2,7-10* З-Ю5 . 10 000 б' 15 с
КП 1 ОЗЕ— М Р -55...+70 245 ’ 735 — 73 10—600 2,7-10* 3-ю5 8000 4 1 ПД
КП301Б—Г —40...+70 245 735 —> 98 10—600 2.7-10* • ю5 . 5000 6 0,7 п
КП302А—В —60...+ 100 1470 1470 4900 147 1—2000 6,5-Ю2 З-Ю5 12 000 6 1,5 п
1
КПЗОЗА-И —40...+85 245 735 — 98 10—600 2,7-10* З-Ю5 10 000 6 0.5 ЭП
КП304А — 45...+85 245 735 ' — 98 10—100 2,7-10* З-Ю5 10 000 6 1 П
КП305Д—И —60... + 125 245 735 — 98 10—600 2,7-10* З-Ю5 • * 10 000 6 1 п
КП306А—В —60...+ 125 245 735 — 98 10—100 2,7-10* З-Ю5 10 000 6 1 п
КП350 А—В —40...+85 245 735 — 98 10—600 2,7-10* З-Ю5 10 000 6 0.7 II
КП901А, Б —25...+ 100 1470 1470 —- 73 1—2000 2,7-1 * З-Ю5 — — 6 п
КП902А—В —40...+85 1470 1470 — 147 1—2000 2,7-10* З-Ю5 — — 6 п
КП903А—В КП904Л —60...+100 1470 1470 — 98 1 -600 2,7-10* 3-ю5 — — 6 п
КТ104А—Г КТ117А—Г —60...+85 ’ 1470 1470 9800 98 1—600 2,7-10* З-Ю5 10 000 6 0.6 0,87 эп
КТ118А—В ' —60 ..+125 245 735 . — 98 10—600 2,7-10* З-Ю5 10 000 6 0,52; 0,7 эп
КТ120А-Д -10. .+55 1470 1470 —• 147 1—2000 2,7-10* З-Ю5 10 000 6 0,02 . эп
КТ201А—Д —60...+ 125 245 735 — 98 10—600 2,7-10* З-Ю5 10 000 6 0,6 эп
Продолжение табл. 48
Тип Интервал рабочих температур, СС Ускорение, м/с2, не более Атмосферное давление, Па Гарантийный срок 'Масса, Г Техно- логия
лниейиоо при мно- гократ- них уда- рах при одно- крат- ных Ударах при вибра- циях на частоте, Гц наименьшее наибольшее службы, ч хране- НИЯ, год
КТ202А-Г —60...4-85 1470 1470 9800 ’ 390 5—5000 2,7-104 з-ю3 10 000 12 0,012 эп
КТ203А—В -60...+125 245 735 — 98 10—600 2,7-10* 3-10я 15 000 6 0,5 эп
КТ206А, Б —60...+85 490 490 1470 147 1—2000 2,7-Ю4 З-Ю3 — — 0,002 эп
КТ208А—М —60...+125 245 735 — 98 1—600 2,7-104 З-Ю3 — — 0,7 эп
КТ209А—М —60...+125 1470 1470 — 147 1—2000 2,7-104 З-Ю3 — — 0,01 эп
КТ214А-1—Е-1 KT215A-I—Е-1 —40...+85 245 735 — 98 1—600 2,7 104 З-Ю3 — — 0,01 эп
КТ306А—Д KT3I6A—Д - 55...+ 10С ) 245 735 — 73 10—600 2,7-104 з-ю3 ю ооо 4 0,6 . эп
КТ307А—Г -60...+85 490 735 1470 147 5—2000 2,7-Ю4 З-Ю5 5000 12 Р п
КТ312А—В —40...+85 245 735. — 98 10—600 2,7-104 з-ю3 10 000 8 1 эп
КТ317А—В КТ318А—Е —60...+85 245 735 98 10—600 — Ю5 10 000 6 0,01 эп
КТ324А—Е -55...+85 490 735 1470 147 5—2000 2,7-104 з-ю3 10 000 12 0,002 эп
КТ325Л-В -55... + 125 245 735 — 98 10-600 2,7-104 з-ю3 10 000 6 1,2 эп
КТ326А, Б -60...+ 125 245 735 — 98 10—600 2,7-104 З-Ю3 10 000 8 0,5 эп
КТ331А—Г КТ332А—Д -60...+ 125 1470 1470 — 98 1—600 2,7-104 3-10’ — 0,003 п
КТ337Л-в’ —40...+85 245 735 — 98 1—600 2,7 Ю4 з-ю3 — — 0,5 эп
КТ339А-Д —25...+70 1470 1470 — 147 1—2000 2,7-104 з-ю3 10 000 6 1 эп
КТ340Л—д —10...+85 980 1470 — 98 1—2000 2,7-104 з-ю3 — — 0,6 эп
КТ342А—В —60...+85 245 735 — 98 10—600 2,7-104 З-ю3' 10 000 6 0.5 эп
КТ343А—Г —10...4-85 1470 1470 147 1—2000 2,7-104 З-Ю3 — . — 0,5 сП
КТ345А—В КТ347Л-В —40...+85 245 735 — 98 10—600 2,7-104 з-ю5 10 000 6 0,5 эп
КТ349А—В КТ350А КТ351А, Б КТ352А, Б 1 -40 .+85 245 735 —• 98 1—600 2,7-104 З-Ю3 — — 0,5 эп
Продолжение табл. 48
Тип Интервал рабочих , температур, °с. Ускорение, м/с2, не более Атмосферное давление. Па Гарантийный срок Масса, г Техно* л огня
линей- ное 'при мно- гократ- ных уда- рах при одно- крат- ных ударах при вибра- циях на частоте, Гц наибольшее наименьшее службы, ч хране- ния, год
КТ355Л, Б —60...+85 245 735 — ' 98 10—600 2,7-104 3-10= — — 1,2 эп
КТ359А—В -50... |-85 245 735 — 98 10—600 2,7-10-' З-Ю5 — 0.07 эп
KT3G0A—В КТ361А—Е —60...+ 100 245 735 98 10—600 2,7-Ю* * З-Ю5 — — 0,005 0,3 ’ эп •
КТ364А-В —40...+85 1470 1470 — 147 1—2000 2,7'104 3- Ю5 — — 0,006 эп
КТ368Л, Б КТ399Л —GO...+ 125 1 245 735 — 98 1 -600 2,7-10* З-Ю5 — — 1,2 эп
КТ379А- Г —45...+85 1470 1470 — 147 1 — 3000 2,7-Ю4 З-Ю5 — 0,01 эп
КТ380А-В —60...+85 1470 1470 — 147 1—2000 2,7-104 З-Ю5 — — 0,01 эп
КТ381Б—Е —60...+70 245 735 — 98 1—600 2,7-104 , З-Ю5 — — — эп
КТ39 ГЛ-2—В-2 —60...+ 125 1470 1470 — 147 1—2000 2,7 -10* З-Ю5 — — 0.2 эп
КТ3102А—Е —40...+85 1470 1470 — 147 1—2000 ' 2,7-104 З-Ю5 — — °.-5 эп
i 1
КТ3107А—л —60...+ 125 1470 1470 — 147 1—2000 2,7-104 З-Ю5 — — 0,3 эп
КТ501А—М -60...+125 245 735 — 98 1—600 2,7-104 З-Ю5 — — 0.6 ЭП
КТ502А—Е КТ503А—Е —40...+ 100 245 735 — 98 10—600 2,7-Ю4 З-Ю5 — — 0,3 ЭП
КТ604А, Б —25...+100 245 735 — 98 10—100 2,7-104 зло5 10 000 6 5 п
К.Т605А, Б —25...+100 245 735 — 73 10—600 2,7-Ю4 З-Ю5 5000 4 2 п
КТ606А, Б —40...+85 1470 1470 — 98 1—600 гУ-ю4 З-Ю5 5000 8 6 эп
КТ608А, Б КТ610А, Б —40...+85 245 735 — 98 10—600 2,7-Ю4 З-Ю5 10 000 6 2 эп
КТ611А, Б —25...+100 1470 1470 — 98 10—600 2,7-104 З-Ю5 5000 6 5 п
КТ626А—Д —40...+85 245 735 — 98 1—600 2,7-104 З-Ю5 — — — эп
КТ802А —25...+100 245 735 — 98 10—600 2,7-Ю4 З-Ю5 1 10 000 6 22 МП
КТ803А —40...+ 100 245 735 — 73 10—600 2,7-Ю4 З-Ю5 5000 4 22 МП
КТ805А, Б —60...+ 100 245 735 — 98 10—600 2,7-104 З-Ю5 10 000 6,5 24 МП
Продолжеяие табл. 48
Тип Интервал - рабочих температур, °C Ускорение, м/с2* не более Атмосферное давление* Па Гарантийный срок Масса г Те хно- логия
линей- ное при мно- гократ- ных уда- рах при одно- крат - ных ударах при вибра- циях на частоте, Гн наименьшее на ибольшее службы* ч хране- ния, год
КТ807А, Б —40...-J-85 245 735 — 98 10—600 2,7 • Ю4 3-105 }0 000 6 2,5 мп
КТ808А —55...+100 245 735 — 98 10—600 2,7-104 3-105 10 000 6 22 МП
КТ809А —60... + 125 1470 1470 — 147 1—2000 2,7-104 3-106 10 000 6 22 МП
КТ812А-В —45...+85 . 1470 1470 — 147 1—2000 8’5-104 3-106 — — 20 МП
КТ814А— Г КТ815А—Г КТ816А—Г КТ817А—Г КТ818А—Г КТ818АМ—ГМ КТ819А—Г КТ819АМ—ГМ —40...+ 100 И 245 735 — 98 10—600 <» 2,7.104 3-105 — 1 эп
КТ903А, Б КТ904А, Б —40...+85 245 735 — 73 10—600 2,7'104 3-105 500 4 24 15 мп эп
КТ907А, Б —40...+85 245 735 — 73 10—600 2,7. Ю4 3. Ю5 7500 4 6 эп
КТ908А, Б — 60...+ 125 245 735 — 98 10—600 2,7 • Ю4 '3-105 . 10 000 6 1 22 МП
L
КТ909А—Г KT91IA—В -40...+85 245 735 — 98 10—600 2,7-104 . 3-106 10 000 6 4 6 ЭП
КТ919А— Г —45...+100 1470 1470 — 147 1—2000 2,7-Ю4 3-Ю6 * — 2,2 ЭП
КТ920А—Г —45... + 125 1470 1470 — 98 1—600 2,7-Ю4 3-105 — — 4,5 ЭП
КТ921А, Б -45... + 85 1470 1470 — 147 1—2000 2,7-104 3-105 -- — 6,5 П
КТ922А—Д КТ925А—Г -45...+85 1470 1470 •— 98 1—600 2,7-104 3.105 — — 4,5 ЭП
КТ927А—В —60 .. + 100 1470 1470 4900 196 1—3000 2,7.104 3.105 — — 10 П
КТ931А КТ934А—Д —40...+85 1470 1470 — 98 1—600 2,7-104 3-105 — — 7 4,5 эп
КТ940А—В КТ943А-Д —45...+85 245 735 — 98 1—600 2,7-104 3.105 — — 1 0,8 п мп
1 Для второго варианта исполнения масса 2 г.
3 Масса указана для двух вариантов исполнения.
3 В индивидуальном футляре.
Примечания: 1. Масса и технология транзисторов указана в порядке их расположения. Масса мощных транзисторов указана без
крепежных деталей.
2. Условные обозначения технологии: МП-— меза-планарный,- П — планарная, ПД — планарно-диффузионная, С сплавная, СД —
сплавно-диффузионная, ЭП - эпитаксиально-планарная.
ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОЙ мощности
Конструктивное исполнение — металлический герметичный корпус со стеклян-
ными изоляторами или пластмассовый корпус с гибкими выводами Ряд транзи-
сторов имеет бескорпусное исполнение и предназначен для использования в еди-
ной герметизации с аппаратурой.
. К схеме транзисторы присоединяют пайкой выводов припоем ПОС-40 или
другим с температурой плавления не выше 150 °C. При пайке целесообразно
применять дополнительный теплоотвод между местом пайки и корпусом. Пайка
и изгибание выводов разрешается пе ближе 5 мм от корпуса.
При эксплуатации в условиях воздействия механических ускорений более
19,6 м/с2 транзисторы необходимо крепить за корпус. Для повышения надежности
рабочие режимы рекомендуется выбирать на 20 % ниже предельно допустимых.
Основное назначение — работа в качестве маломощных усилителей, генерато-
ров, переключающих и других устройств в аппаратуре широкого назначения.
ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОЙ МОЩНОСТИ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ
(С ГРАНИЧНОЙ ЧАСТОТОЙ ДО 3 МГц)
Внешний вид и основные размеры транзисторов показаны на рис. 76.
Транзисторы КТ104/Х — КТ104Г пе рекомендуется эксплуатировать при рабо-
чих токах, соизмеримых с обратными. —
При включении транзистора
02,6
в схему под
61
02,5
0 2,5
5,3
присоединять
КТ117А—
Вариант 2
КТИ8А-КТ11ВВ
КТ120А-ИТ120В
Рис. 76
—г———1
'О НТ10ЬА-К-П0ЬГ~
5,2 ~
база!
Змиттер 5оза2
КТ117А -КТН7Г
2,5
Вариант 1
Д'
62
31
напряжение вывод Сазы необходимо
первым и отсоединять последним.
Однопереходные транзисторы
КТ117Г предназначены для работы в схемах гене-
раторов, преобразователей напряжения и различ-
ных релейных устройствах.
У двухэмиттерных транзисторов КТ118А—
КТ118В рабочая наибольшая мощность рассеяния
коллектора и напряжение на коллекторе должны
быть па 30 % ниже предельно допустимых. Тран-
зисторы в основном используют в инверсном включении.
Пайка и изгибание выводов КТ120А—КТ120В допускается пе ближе 1 мм от
защитного покрытия При пайке температура кристалла не должна превышать 85 С.
Параметры транзисторов приведены в табл 49—51, а характеристики —
на рис. 77.
176
Предельный режим (максимальный) igw ('* '”</)
уи '(и '”/) м/
я ‘С9л
а .pMEWjyt«n]
Я .(и -9ЯП) 9ЯП
фи ‘Ъ
ун ‘М/ ndLI
Я -рвк эвн
с ум ,е/
Я *(9нл)
Эо
HJW ‘912'0
\ у ян *09в/
Тип
150 10 (15)
S 10 (20)
о О
о ю ю . о со — — со o' 1 о" о | о
о ю ю о со СО О’ О о
•50 но
о 10 . 17
0,5 (1) ' 0,5 2
—' —
© ю • 1
to ю о ю ю о ю ю о ю ю о О1 CN СО OJ -JD CN OJ О CN о “1 --I - 1 “1 ОЮОЮЬГ'ОЮО’О С4О — Q — С, О 1 1
00 о ООО о оооо^гоюооооооо со — COOOOJOO — СС—О—<О 1 1 1 1 1 1 I 1 1 1 1 1 ОСПГ^ООСОООЮШЮО СЧСЧ — — ооооооооо ОССОООООО-ООО OJ тг О OJ тг OJ СМ М' СМ 1 1 1 1 1 1 1 II ооооооооо OJCM—смсм—счсч —
. ю —
0,5 10
КТ 104А КТ104Б КТ 104 В КТ104Г КТ120А КТ120Б КТ120В
Примечания' 1. Для КТ104Л и КТКМГ С'кэ0 гр = 30 В (при /э. и - 5 мА); КТ104Б и КТ104В Укэ Огр = 15 в <ПРИ 1э 10 мЛ>-
2. Для КТ104А—КТ104Г /,цб 120 Ом-
177
КТ117А
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г
200 20 1 5 4-9 4—9 8—12 0,5—0,7 0,65—0,9 0,5—0,7 0,65-0,9 3 10 30 30 50 (1000) 300 35 0,33
8—12
КТ118А 0,1 30 0,2 0,5 $0 31
5 30 0,61 0,5
0,42 0,5
КТ118Б 0,1 0,1 0,1 15 0,2 0,5 1,3 20 20 40 20 500 15 15 16 50 25 25 100 0,4
5 15 0,61 0,5 40 40 20
0.42 0,5 50 40 20
100 2 2
КТ118В 0,1 15 0,15 0.5 15 16
5 15 0,61 0,5
0 42 0,5
1 При максимальной температуре.
1 Прн минимальной температуре.
ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОЙ МОЩНОСТИ СРЕДНЕЙ ЧАСТОТЫ
(С ГРАНИЧНОЙ ЧАСТОТОЙ ОТ 3 ДО 30 МГц)
Внешний вид и основные размеры транзисторов показаны на рис. 78.
Для КТ202А— КТ202Г пайка и изгибание выводов разрешаются не ближе
1 мм от защитного покрытия. При пайке температура кристалла не должна пре-
вышать 85 °C Транзисторы предназначены для микромодулей и блоков с общей
герметизацией. -
Для КТ203А — КТ203В допускается пайка выводов не ближе 5 мм, а изгиба-
ние не ближе 3 мм от корпуса. При заливке транзисторов компаундом или
Рис. 78
пенопластом их температура не должна превышать максимально допустимую
температуру среды.
Для КТ201А — КТ201Д рабочие значения наибольших мощностей рассеяния
коллектора и напряжения на коллекторе не должны быть более 70 % от предель-
но допустимых.
Взамен транзисторов КТ208А — КГ208М в металлическом корпусе (с 1978 г.)
выпускают КТ209А КТ209М в пластмассовом корпусе с анатогичными пара
метрами.
Параметры транзисторов приведены в табл. 52, а характеристики — на рис. 79
и 80
ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОЙ МОЩНОСТИ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ
(С ГРАНИЧНОЙ ЧАСТОТОЙ СВЫШЕ 30 МГц)
Внешний вид и основные размеры транзисторов показаны на рис. 81 и 82.
При эксплуатации КТ312А — КГ312В в условиях изменяющейся температуры в
схемах необходимо предусматривать температурную стабилизацию Для транзи-
сторов КТ312А — КТ312В необходимо учитывать возможность их самовозбужде-
ния как элемента с большим коэффициентом усиления.
Бескорпусные транзисторы предназначены для работы в аппаратуре с общей
герметизацией.
180
-L0H
•(" Hd) Hd
Я
К х-ч yw
Х’Я о Л (ИН;)Н/
Си К л -
« г;
3 га д ‘^п
К q
rf га
S3 с д >^п
д ‘9МЛ
фи (
я (*? €9л)ЭЕ" ’^л
уи €/ иди
д «ЬО^П
К с VR ‘(Vl) ‘j
д '(9нл) €Ил
Э» ‘1
HQ -*9Пу
эяи .эявн •OBdi
ук иди
нэяи <€S2y
SISV
UJW ‘9IZ'/j
уяк ‘(09е/) 09н /
181
Продолжение табл. 52
Тип X S о я S X ю О! •—i А М 4 42 S о X S а м _£) б >0 при а СЪ U о <т> Я ' А *•« К Е* и X А tp и ад X А X Ь S X я Си с S 2 X га S о ад си Ск (Сэ). пФ Предельный режим (максимальный)
и ** CQ "о х л Si А
а >о Ь а % X а. А X х^ Л в.* ** 1* с.* а
КТ207А КТ207Б КТ207В 0,05 5 >9 30—150 30—200 — — 25 5 1 — — 1 1 0,5 10 (1) — 10 60 30 15 (60) (30) (15) 30 15 10 10 15
КТ209А КТ209Б КТ209В КТ209Г КТ209Д КТ209Е КТ209Ж КТ209И КТ209К КТ209Л КТ209М — — 20—60 40—120 80—240 20—60 40—120 80—240 20—60 40—120 80—120 20—60 40—120 — — 25 1 (30) 10 — 0,4 (1.5) 300 (60) — —' 15 15 15 30 30 30 45 45 45 60 60 15 15 15 30 30 30 45 45 45 60 60 10 10 10 10 10 10 20 20 20 20 20 300 (500) 200
КТ214А-1 КТ214Б-1 КТ214В-1 КТ214Г-1 КТ214Д-1 КТ214Е-1 —- >20 30—90 40—120 40—120 80—240 >40 —— 25 1 0,04 — -* — —— — — 120 30 7 7 7 7 20 40 (ЮО) 25
Кремниевые (п-р-п)
КТ201А КТ201Б КТ201В КТ201Г КТ201Д 1 10 (Ю) 20—60 20—100 8—60 30—90 30—150 16—90 30—90 30—150 16—90 70—210 70—315 20—210 30—90 30—150 10—90 (2) — 25 125 —60 25 125 -60 25 125 -60 25 125 —60 25 125 —60 I ✓ (5) — — — — 20 20 20 10 10 10 20 20 10 10 10 20 1 20 10 10 10 20 (ЮО) 150 60
КТ206А КТ206Б 1 — 30—90 70—210 — — 25 1 (5) — — — — — 20 20 12 20 12 20 12 20 (50) 15
КТ215А-1 КТ215Б-1 КТ215В-1 КТ215Г-1 КТ215Д-1 КТ215Е 1 20 >20 30—90 40—120 40—120 80—240 >40 — 25 1 0,04 — •—• — — — — 120 100 80 60 30 20 5 40 (100) 1 25
П р и и е ч а и'и я: 1. Коэффициент шума КТ201Д 15 Др.
2. Полное тепловое сопротивление КТ207Л КТ207В 3 С/МВт.
3. Наибольший допустимый ток базы КТ2О9А—КТ209М 100 мЛ. .
4. Параметры К1Я9А—KT20SM идентичны параметрам KT208A-KT20SM.
Ри 79
Рис.- 80
2,5
2,5
КТ316А—КТ316Д предназначены для работы в быстродействующих устрой-
ствах (КТ316А и КТ316Б) и усилителях (KT31GB и КТ316Д).
Пайка выводов КТ317А — КТ317В допускается не ближе 1 мм от защитного
покрытия. Категорически запрещается даже кратковременное превыше! ие прс-
05,8-9,4
02,5
02,5-5
KT317A-KT378
0,5-2
03,6
KT359A-HT359B,
КТ379А-КТ379Г
\5
ЕТ31ВА-ЕТ318Е,5Т354А, ^Илюч т0,35_
КТ354Б,ЕТЗВ1А-1П381Е,
6Т392А,КГ396А,КТ397А
04,7~8,5
07,3
КТ315А-КТ315И, KT361A-KT361H
1-2,2
11-15
HT313. ,НТ313Б,
КТ316А-КТ316Д,
KT325A-KT325B,
КТ326А,ВТ326Б,
КТ337А-КТ337В,
КТ340А НТ340Д.
НТ342А-НТ3423,
КТ343А-КТ343В,
КТ347А-КТ347В,
НТ349А~ЮТ349В,
КТ350А,
КТ351А,КТ351Б,
НТ352А,КТ352Б,
КТ363А,КТ363Б,
КТ308А,НТ388Б,
КТ399А КТ399Б,
ВТ3102А-НТ3102Е
02,5
КТ306А-КТ306Д,
КТ312А-КГ312В
1-1,3
11-13
0,7
3 .
2,5
4,4
КТ331А-КТ331Г,к'Т332А-ЗТ332Д
0,75
08,5
ВТ307А-КТ307Г,
НБ324А-КТ324Е.,
8Т360А-КТ360В,
КТ369А, КТ369Г
КТ339А-КТ339Д
12,7
К
5
KT370A, КТ370Б
KT364A-KT364B
K7355A
KT372A-KT372B
09,4 §
Рис, 81
186
ЯТ358А-КТ3588
дельных параметров. При монтаже' транзисторы необходимо оберегать от меха
ннческих воздействий.
Особенности монтажа и эксплуатации КТ318А— КТ318Е те же, что и для
КТ317А — КТ317В.
Транзисторы КТ339А — КТ339Д предназначены для работы в выходных кас-
ка ах УПЧ телевизоров, а КТ343А— КТ343Г —для работы в логических схемах,
ключевых каскадах и каскадах формирова шя импульсов Проходная емкость
КТ339А— КТ339Д в схеме с общим эмиттером снижена до 0,3 пФ.
При монтаже и эксплуатации КТ340А — КТ340Д необходимо принимать меры,
исключающие воздействие статического электричества.
Транзисторы КТ3102А—КТ3102Е и КТ3107А — КТ3107Л предназначены для
работы в низкочастотных устройствах с ма ым уровнем шумов.
Пайка и изгибание выводов разрешаются не ближе 5 мм от корпуса. Радиус
изгиба не менее 1,5 мм. Применение при пайке дополпительг ого теплоотвода
обязательно. При монтаже транзистора необходимо принять меры, исключающие
протекание тока и воздействие статического электричества.
При подключении транзистора в электрическую цепь, находящуюся под на-
пряжением, базовый вывод необходимо.присоединять первым и отключать послед-
ним. Работа транзистора с отключенной базой категорически запрещается.
Для достижения минимума шумов ток коллектора транзистора должен нахо-
диться в пределах 30...300 мкА. Допускается ппверсиое включение транзисторов.
Не рекомендуется работа транзистора при токах, соизмеримых с неуправляемыми
обратными токами
Для повышения надежности транзистор не должен использоваться в двух
и более предельных режимах.
КТ3107А — КТ3107Л маркируются обычным способом или цвет х кодом.
Первая точка на корпусе транзистора указывает серию (для КТ3107А —
КТ3107Л светло голубого цвета), вторая — на группу внутри серии (табл. 53),
третья и четвертая — соответственно на месяц и год выписка.
Параметры транзисторов приведены в табл. 54, а характеристики — на
рис. 83 94
187
Таблица 53
Группа Цвет кода (вторая точка) Труп- па Цвет кода (вторая точка)
А Розовый Е Фиолетовый
Б Желтый Ж Светло-зеленый
В Темно-голубой И Зеленый
Г Бежевый к Красный
Д Оранжевый л Серый
Рис. 83
ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ
Конструктивное исполнение — металлический герметичный корпус со стеклян-
ными изоляторами или пластмассовый корпус с жесткими или гибкими выводами.
Транзисторы к схеме присоединяют пайкой выводов. Мощность паяльника
не более 60 Вт. Пайка жестких выводов разрешается не ближе 5 м.м от корпуса.
Особое внимание при изгибании выводов необходимо обратить на их фиксацию
со стороны стеклянных изоляторов. При эксплуатации в условиях воздействий
ускорений транзисторы необходимо крепить за корпус.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению. При использо
ваиии дополнительных теплоотводов особое внимание необходимо обратить на
плотность прилегания корпуса к теплоотводу. -Для улучшения тепловых контактов
допускается применение невысыхающих масел между контактирующими поверх-
ностями.
Основное назначение—работа в схемах усилителей и генераторов, а также
в импульсных схемах.
188
Таблица 54
Предельный режим (максимальный) хди ‘Г j] (и *M</) Md 250 200 150 0SI
VH (И -Я,)»/ (002) 0SS О ю 8 (0SI) 0S
Я п to | * Th Th
а [ЭяВкг/<»л] (И -еил) <ЯЛ . 8 [si] S й1 [211 [21]
а *(н '9м/)) 9и/7 8 сч о 1
эи .ЭМВК 120 450 1 1
фЦ ‘(£Э) Ъ <м Th • <£> S
эти •ЭМЕИ 'ЭЕСЬ 1 1 Ю со со 04 CN 04 о о о —•04 ~1О О О о’ О о о
ум ис!и 8 ° ° ° ° 10 10 10 10 1503
Я «(Эвн ‘69/]) эен *Oif) —ч Ю СО <=>- СОоГ (I) 50 го cog со о" 0^0“
уи ‘(и ’е/)к/ Hdu «к § 1 1 Г 1
<43 X 1 5й 1 1 1
a •d‘0s’*n
Kt =< 1 о о eOSI 01 0, 01
при | V« ‘(H/)€/
г S 0,3 со со4 со*С? ОО^ о -
а ‘(9Нл)€Ил
WQ ^^Ч 1 1 1 [
1 1 1 1
rrpiw '(^Ч)
[|6Ifyl] (€>M €1гЧ (30—120) 1>2] (80—300) [>2] ^-S ito'o2 о -5- о '~а> го _ 777Т7 J, 04 о А Ю 04 Ч —> •>- 30—70 50—75 70—120 S' СО Ю СО СЧ Л л л, л л
1 400 ООО ООО LO о о 300
njvy •f”1BW/) dj/
уян •pi •€»,] (OeNj) 09«; ю о* 0,5 101 — о
Тип КТ313А КТ313Б КТ326А КТ326Б КТ337А КТ337Б КТ337В КТ343А КТ343Б КТ343В КТ343Г
189
5_______________________________________________________________________________________Продолжение табл. 54
Тип ’ЛсбО ^кэО) МКА tf а та О. «2 04 •g -g* £4 s и £ 04 04 OJ ко ‘(бЧу) 9И1/ при И n. X b ун ‘(и ’6/> е/ Hdu икэ. нас (убэ нас).' В при /к, мА *рас. махе мкс Ск (Сэ), пФ ! хк. маке пс Предельный режим (максимальный)
Л. b V«
6 £ ь д д S' S ь g (П С а 6 ь* ^К. и) [Лс. насЬ мА (Рк. и) PJ. мВт
КТ345А КТ345Б КТ345В 1 350 20—60 50-85 70—105 — 300 1 100 — — 0,3 (1.1) 100 100 0,07 15 (30) — 20 [20] 4 200 (300) 100 (300)
КТ347А КТ347Б КТ347В 1 500 (30—400) (30—400) (50—400) —- — (0.3) 10 — — 0,3 10 0,025 0,025 0,04 6 (8) — 15 9 6 [15] 19] L6] 4 50 (ПО) 150 (150)
КТ349А КТ349Б КТ349В 1 61 зоо (20—80) (40—160) >31 (120—300) — — 1 10 — 0,3 (1.2) 10 10 т- 6 (8) — 20 [15] 4 40 200
КТ350А ! 151 100 (20-200) >5] — — к 500» — — 0,5 (1.25) 500» 500» — 70 (ЮО) — 20 [15] 4 (600) 200
КТ351Л КТ351Б 1 151 200 (20—80) >2] (50—200) — — 1 300 — •— 0,6 (1,1) 400» 400s — 15 (30) — 20 [15] 4 (400) 2001
КТ352А КТ352Б 1 101 200 (25—120) >2] (70—300) — — 1 200» — — 0,6 (1.1) 200s 200» 0.15 S 15 (30) — 20 [15] 4 (200) 2004
КТ360А КТ360Б 1 300 400 (20—70) (40—120) — (2) 10 — — 0,35 10 0,1 0,2 5 450 25 20 [20] [15] 5 4 20 10
КТ360В 400 (80—240) (1 2) 10 0.2 • (7) 20 [15] 4 (75)'
КТ361А КТ361Б КТ361В КТ361Г КТ361Д КТ361Е КТ361Ж К1361 и КГ361К 1 251 250 (20—90) (50— 350) (20—90) (50—350) (20—90) >2,5] (50- 350) (25—350) (ЮО) (25— 350) 0,4 10 (10) 1 15 15 30 25 30 25 — 0.4 0.4 0.4 0.4 1 1 1 1 1 20 — 9 9 7 9 9 7 500 500 1000 500 250 1000 1000 1000 500 23 20 40 35 40 35 10 15 60 25 20 40 35 40 35 10 15 60 4 50 150
КТ363А КТ363Б КТ364Л КТ364Б КТ364В 0.5 1200 500 (20—70) (40—120) — — (5) 5 — / 0.35 (1.1) 10 10 0,01 0,05 2 (2) 50 75 15 [15] 112] 4 30 (50) 150
1 101 250 (20—70) (40—120) >2,5] (80—240) — — (1) 100 — —— 0,3 (1.1) 100 100 0,15 0.18 0.23 15 (30) 500 25 20 5 200 (400) 305
КТ370А КТ370Б 0,5 1000 (20—70) (40-120) — — (5) 3 — — 0.35 (1.1) 10 10 0.01 2 (2) 50 15 [Ю] 4 15 (30) 15 (30)
КТ380А КТ380Б КТ380В 1 101 .300 30—90 50—150 >3] 30—90 5 — 0,3 10 — — 0,3 itf 0.01 0,01 0,02 6 (8) 15 — 17 17 9 4 10 (25) 15 (50)
КТ3107А КТ3107Б - КТ3107В КТ3107Г КТ3107Д КТ3107Е КТ3107Ж 2 КТ3107И 0 1 200 (70—140) (120—220) (70—140) (120—220) (180—460) >2] (120- 220) (180—460] (180-460] — — 5 2 — — 0,2 (0.8) 10 10 — 7 — 50 50 30 30 30 25 25 50 45 45 25 25 25 20 20 45 5 100 (200 300
192 7 3-191
Продолжение табл 5-1
Тип . а X л а -н »п о а СО е. [1 1гЧ|] чгч 2 S еч сч X О 2 хо при И о СП при /э(/э.и), мА р .(Зин ‘«9р) эев -еяр с и а и а • я V я СК(СЭ)» пф тк. макс* пс Предельный режим (максимальный)
со “о а т а Vй
СО ю о а Ь СО • “ "у 5 я *'> of' bb . СО о Л К и) ['к. иас^*‘м^ и> мВт
КТ3107К (380—800) 30 25
КТ3107Л (380—800) 25 20
Кремниевые п-р-п
КТ306А 300 (20—60) 10 0,3 10 0,03
«120)1 (1) 10
(>8)2
КТ306Б 500 (40—120) — — 7 0,3 10 0,03 —
«240)1 (1) 10
010)2 •
КТ306В 05 300 (20—100) 30 1 (Ю) 10 1 — 1 — 5 — 15 [Ю] 4 30 150
10 <200)1 (4.5) (50)
О8)г
КТ306Г 500 (40—200) 30 1 7 — — 500
200 (<400)i 016)2
КТ306Д (30—150) «100)1 О 12)2 ' 30 1 10 —ч — 500
КТ307А 020) ОЮ)2 5 0,03
КТ307Б 040) (>20)2 5 0.03
•
КТЗО7В 0,5 250 040) 1 (Ю) 5 0,4 20 0,05 ,0 [10] 4 20 15
101 020)2 (1.1) 20 (3)
КТ307Г (>80) 10 —
40г
КТ312А 80 (10—100) Ю-200 1 20 / 20 [20]
120 (8—100)2 [35]
КТ312Б 10 (25—100) — 2 20 35 7,5 0.8 20 — 5 500 .35 4 10 225
301 120 (25—200)1 (15—100)2 (1,1) 20 (20) (450)
КТ312В (50—280) (60—560)1 20 20 [20]
(25—280)2 •
КТ315А (20—90) (20—250)1 • 15 300 .25 [25]
(5-90)2 [20]
КТ315Б (50-350) (50—700)1 / 15 500 20
(15—350)2
КТ315В (20—>90) (20-250)1 30 500 40 [40]
(5—90)2 [35]
КТ315Г (50—350) (50—700)1 (15—350)г 0,3 25 500 35
КТ315Д 1 250 (20—90) 40 10 1 30 5 0.4 20 — 7 1000 — [40] 6 ЮО 150
151 (20-250)1 5- 902 (1.1) 20
КТ315Е (50—350) (50—700)1 25 1000 — [35]
(15—350)2
КТ315Ж 0,6 (30—250) 0,3 — 10 (20) 30 5 0,5 20 — 10 800 —. [20] — 50 100
(30) [>2,5] (0.9) 20
КТ315И [0.01] (>30) 15 950 ]60|
1
«5 Продолжение табл 54
be при Предельный режим (максимальный)
04 -04 X3 04 04
Тип bi *4 a § KIW •(’»«"/) ^1/ 2 OJ £4 hq <(€Hiy)9lIy U КЭ 1 B мА cq o. о a *•. a CL, c ^кэ. нас ^бэ. на 3 а S а Е ^рас. макс» мкС СК(СЭ), пФ CJ Е й 43 S а* со V0 а ю а Ь я •р’ЕИа6И/Д д ь <^К. и) ['к. насЪ и) 1^]« мВт
KT316A -КТ316Б KT316B КТ316Г КТ316Д 0,5 5i 150 (20—60) (20—120)1 (10—60)8 (40—120) 40—240)1 (20—120)3 40—120) (40—240)1 (20—120)2 . (20—100) (20—200)1 (10—100)2 (60—300) (60—600)1 (30—300)3 — 1 10 5 1 0,4 (1.1) 10 10 0,01 0,01 0,015 3 (25) 150 150 10 [10] 4 30 [50] [150]
KT317A КТ317Б KT317B 1 101 100 (25— 75) (25— 225)1 (9— 75)3 (35—120) • (35—360)1 (15—120)3 (80—250) (80—750)i —’ — 1 1 — — 0,3 (0,85) 10 10 0,13 11 (22) — с [5] 3,5 9 15 (45) 15 (ЮО)
♦ i KT318A КТ318Б KT318B КТ318Г КТ318Д KT318E 1 IQi 430 430 430 350 350 350 (30—90) (25—180)1 (15—90)2 (50- 150) (45—300)1 (26—150)2 (70—280) (6O—56O)i (33—280)3 (30-90) (25—180)1 (15—90)3 (50-150) (45-300)1 (26—150)2 (70—280) (60—560)1 (33—280)3 — 1 10 — — 0,27 (0,9) 0,27 (0.9) 0,27 (0.9) 0,33 (1) 0 33 (1) 0,33 (1) 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 0,015 0,015 0,015 0,025 0 025 0,025 3,5 (4) 3,5 (4) 3,5 (4) 4,5 (5) 4,5 (5) 4,5 (5) 10 [10] 3,5 [20] (45) 15
KT324A КТ324Б KT324B КТ324Г КТ324Д KT324E 0,5 IQi 800 800 800 600 600 600 (20-60) (20—120)i (>8)3 (40—120) (40—240)1 (>16)3 (80—250) (60—500)1 (>32)3 (40—120) (40—240)1 (>I6 з (20—80) (20—160)1 (>8)’ (60-250) (60—500)1 (>24)3 — 1 (10) 5 (1) 0,3 (1.1) 10 10 0.01 0,01 0,01 0,015 2,5 (2.5) 2,5 (2.5) 2.5 (2.5) 2.5 (2.5) 2,5 (2.5) 2.5 (2.5) 180 180 10 [Ю] 4 20 [20] 15 [15]
CO
Продолжение табл. 54
Тип < а СП а' I— о X о о я ^гр^макс)» МГц 2 £4 Л еч •с л11б<й11Э)- Ои при са £* о при /э (/э и), мА ^кэ. нас <^бэ. нас)» )- при 1к, -мА ^рас. макс» мкс фи ;(еэ)5|э тк. макс» пс Предельный режим (максимальный)
и £ (П * S л
'j о £ г: о с । Унб^кб. и)- в а х * Э гс * S S х И £ 1к ^К- и) [^к. нас!» рк(рк.н) PJ. • мВт
КТ325А КТ325Б КТ325В 0,5 51 800 800 1000 (30-90) (30—180)1 (12—90)2 (70—210) (70—420)1 (28—210)2 (160—400) (160—800)1 (64—400)2 — 5 10 15 10 — — — 2,5 (2.5) 125 15 [15] 4 60 [225]
КТ331А К.Т331Б КТ331В КТ331Г 0,2 101 250 250 ‘250 400 (20-60) (40—120) [>3,5| (80—220) (40—120) — — 5 1 0,75 < 1 — — — 5 (8) 120 15 [15] 3 20 (50) 15
КТ332А КТ332Б КТ332В КТ332Г КТ332Д 0,2 101 250 250 250 500 500 (20—60) •(40—120) (80—220) [>3,2] (40—120) (80—220) -р 5 1 0,75 1 — — —’ 5 (8) 300 15 [15] 3 20 (50) 15
КТ339А КТ339Б 300 250 О 25) (> 15) 25 12 — — — — 2 J 25 25 50 100 150 40 25 1 40 40 40 1 25 (40) 12 (25) 25 1 (40) 25 (40) 25 (40) Л 25 250
КТ339В КТ339Г КТ339Д 1 450 250 250 (>25) 040) 015) — — 25 25 25 —
КТ340А КТ340Б КТ340В КТ340Д 1 300 1 (100—300) (>100) 035) 040) ч — ~— 1 1 2 1 (10) (10) (200) (Ю) •— —. 0,3 0,4 50 200 0,015 0,015 3,7 (7) 60 150 15 20 15 15 15 20 15 15 5 40* 50 (75) 50 (200) 50 [150]
КТ342А КТ342Б КТ342В 0,05 (30) 300 (100—250) 02,5] (200—500) ОЗ] (400—1000) 03] —4< 200 (5) 1 25 20 10 5 0 1 (0,9) 10 10 — 8 — 30 25 10 50 (300) 250
КТ354А КТ354Б 0,5 51 — 40—200 ОН] 90—360 015] — 10 2 (5) 10 5 — — — 1,3 (1.2) 25 30 10 [Ю] 4 10 (20) 30
КТ355А 0,5 51 1500 (80—300) 05] — 10 5 (Ю) 15 10 —- — 2 (2) 60 15 [15] 4 30 (60) 225
КТ358А КТ358Б КТ358В 10 301 80 120 120 (10—100) 04] (25—100) Об] (50—280) Об] 5,5 20 15 30 15 7,5 0,8 (1.1) 20 20 — 5 (20) 1 500 15 30 15 [15] [30] [15] 4 30 (60) 100 (200)
(О
Продолжение табл. 64
'"Ss п рн га '"о Пр-дельный режим (максимальный)
Тип cn X "о X О © X •“ч О X s о. >*«. см 'л £4 <Л 04 •е О X S ''л см .£4 © см о 2 © со © л X Iэ мА при 7Э (/э и), мА ^кэ. нас ^бэ. на при /к, мА ^рас. макс» ыкс ск (Сэ), пФ тк. макс. пс .Я .{И-9НЛ)9МЛ . га * X ст» 2 х * (П СП X га ’j Ur. и) [^к нас!» мА <Х°К. и) мВт
КТ359А КТ359Б КТ359В 0,5 300 (30—90) (50—150) [>3] , (70—280) — __ 1 10 — — 0,7 t 10 — 5 (6) 100 15 [15] 3,5 20 15
КТ368А КТ368Б 0,5 900 (50—300) [>9] (50—100) [>9] — 6 5 (10) 15 10 3,3 10 — 1,7 (3) 15 15 (20; [15] (20) 4 30 (60) 225
КТ369А КТ369А-1 КТ369Б КТ369Б-1 КТ369В КТ369В-1 КТ369Г КТ369Г-1 10 1001 200 (20—100) (40—200) (20—100) (40—200) — — (2) (2) (3) (3) ‘ 150 150 10 10 — — 0,8 (1.6) 0,8 (1.6) 0.5 (1.6) 0,5 (1.6) 200 250 200 250 200 250 200 250 0.1 15 (50) 15 (50) 10 (40) 10 (40) — 45 45 65 65 [45] [45] [65] [65] 4 250 (400) 50 (1600)
КТ372А КТ369Б КТ372В 0,5 2400 3000 2400 [>81 (10—90) [>10] [>8] — 5 5 — — — — — 1 (1.5) 12 15 [15] 3 10 50
%
КТ375А КТ375Б 1 (1) 101 250 (10—100) (<2.5) (50-280) — — 2 20 60 30 — 0.4 (1) 10 10 1 — 300 60 30 [60] [30]_ 5 100 | (200) 200 (400)
КТ379А КТ379Б 0,05 И 250 300 (100—250) |>2,5] (200—500) [>3] — 5 1 25 20 — 0,1 (0.9) 0,1 (0,9) 10 10 10 10 — 8 —— — [30] [25] 5 30 (ЮО) 25 (75)
КТ379В КТ379Г 300 250 (400—1000) [>3| (50—125) [>2,5] 10 25 0,1 (0,9) 0,2 (1.1) 10 10 10 10 [Ю] [60]
КТ381А
КТ381Б КТ381Г КТ381Д КТ381Е 0,5 —ч (>40) — — 5 10 — — —» — — — — 25 [20] — 15 15
КТ 382 А КТ382Б 0.5 51 1800 (40—330) [>6] — 10 1 5 10 5 — — — 2 (2,5) 15 10 15 [Ю] 3 20 (40) 100
КТ391А-2 КТ391Б-2 0,5 (20—90) [>5] (40—>90) —— 8,5 7 (5) — — (4,5) (5,5) 5 — 0,7 0,7 3,7 15 15 [Ю] 2 2 10 70
КТ391В-2 [ >5] (15-90) >6] (6) (1) 10 1
КТ392А 0,5 —- (40—180) [>5] — 2,5 (3,5) 80 40 [40] 4 10 (20) 120
КТ396А 0,5 51 — (40-^-250) [>7] — 11 — — — — — — — 1,5 (2) 15 15 [Ю] 3 40 (40) 30
♦
Продолжение табл. 54
Тип а S '“х £ СП О \о а ^гр (/макс)* съ .е ’ О1 т • СМ кэяга *(е3?у) Я&ц «О '(еиИ оп'/ при , а ь. о ел X при /э (Сэ. и). м Л я .(ЭВИ С9л)эен •еял при /к, мА Q £ S О Я W S о я о.
со Ь S ъ г СП
КТ397А 1 101 — (40—300) >5] — 25 — — 25 2 — —
КТ399А- 401 — ' (> 25) — — 10 — — — —
КТ3102А КТ3102Б КТ3102В КТ3102Г КТ3102Д КТ3102Е 0,05 (Ю) 0,05 (Ю) 0,015 (Ю) 0.015 (Ю) 0,015 (Ю) 0,015 (Ю) — (100—250) [>1,5] (200—500) f>l,5] (200—500) (400—1000) [>3] (200-500) [>1,5] (400—1000) [>3] — —- 5 1 30 30 20 20 15 15 10 — — —
СК(СЭ). пФ тк. макс* Пс Предельный режим (максимальный)
Укб 1^кб. и)" В 8 •[’иекуеял] (И Я ‘°€Л и) 1^к. нас!» м*^ рк (^К. и) (pL мВт
1,3 40 40 (40] 4 10 120
(1.5) (20)
—— —
(7) 10 40 [25] 4 25 .260
. 50 50
50 50
6 100 4 30 30 5 100 250
(200)
20 20
30 30
20 20
1 При максимальной температуре.
2 При минимальной температуре. v
3 Максимальный импульсный ток. *
* Для металлического корпуса. Для пластмассового 300 мВт.
6 Без теплоотвода.
П р? М™£ЛИ е„Л5Йфициент п,Ума‘ дБ’ не более: КТ359 А 6; КТ.332А —КТ332Д Я; КТ3102Л KT3102F KT3I07F
КТ3107И4и КТТ31Ож7оУ331Г' КТ367А’ КТ382Б 4,5; КТЛ72А —КТ372В 3, 5, KT36SA, i<T36SE. 3,3; КТ3102А - КТЗ?02Г.
КТ3107Ж и КТ3107Л,
КТ3107А-КТ3107Д,
Рис. 86
Рис. 85
6213/0^3(2. Ъ) •
ктз ктз< ?50- ?5В -1,0
’'Ц8
0,6 1 Ол
-60 -60 -20 0 20 60 60 ВО t,°C
Рис. S8
Рис 89
1б,мА
8
Uni0
КТ349А-
КТ3458
40
40
30
20
2
10
о
0_ _____
0,4 0,6 0,81,0 Vij, В
1{,мА •2 Д
0
If, МА If, мА
НТ350А
-58
и,-0
30
20
10
О
0,2 0,4 0,6 0,8 Ufo, В
1б,мАГ
КГ351А
40
UnfO
30
20
10
О
0,4 0,6 lfy,B
300
250
КО
50
2001
150
2 4 8 8 10 12 14 икэ,в
IihMA_____________
2 4 6 8 10 12 14 ию,В
1п,мА
400
350
300
250
200
150
100
50
300
100
250
2
150
2, 4/
>2,2218
’Л!
f
КТ351Б
0,8
06
О
ВО
60
40
20 Ъ
120
100
л к—————__——I__I_
I^MA2 4 6 8 ,D ,г М 16 U^’B
2 4 6 8 10 12 14 16 UH3,B
, О
1б,мА
3,5
КТ351А
2,5
2
7,5
1
1й=0,5мА_
КТ3516
40
0,Г0
30
20
10
8
6
~0,4~
4
2
1б~0,2мА-
НТ352А 1
58
6 8 10 12 Un3,B
II,МА___________
673526 1 1
-о 5BI
80
60
40
20
О _
? 0,4 0,6 0,8 Us3,B
It.MMA
КТ354А,
НТ354Б
О______________ _________________
0,4 0,6 0.8U63.B 0,4 0,6 0,8UfaB
УкгО
1и,МА
180
160
140
120
ЮО
80
60
40
’О
О
2 4 6 8 10 12 IfaB
О
,J 0,4 0,6 0,8 1,0 Uf3,B
In мА ___________________
18
16
14
12
10
8
6
4
2
° 2 4
№}<Т354А,НТ354Б
Т’вдТ-’
'40 -
'зо.
'20
'1ъ~10мкА
'6 им,в
Рис. 91
1,6
t,4
t,2
1,0
0,6
0,4
0,2
0
0,4 0,6 0,8Us3,B
T363A,KT363b
UnfO
5B
Рис 92
It,мА
Ik.mA
30
24
IB
!2
6
’—।—ir~
UT369A-
КТ369Б -
0 _
0,4 0,6 0,8 1,0 Us„B
It,MKA
WO
SO
60
40
20
^0 -ЦО .100 -90 fl 0 KI36 KT36 9A- 9Г
У 70
-50 40
у 30 20
У
y"^ 1ь=10мА
It,мА
0,8
0,6
0,4
0,2
KT371A
Uks 1
5B-.
T
0______
0,3 0,5
1ц,мА
20
16
12
8
4
2 4 6 В Uks,B
ug3,e
700
600
500
400
300
200
100
0
Uks~4,5B
0
W1
KT372A-
~ KT3728
10 20 30 Uks.B
Ik,mA
8
7
6
3
2
1
2 4 6 8 10 !2 14 Uks.B
Ik,MA
0
3
2
1
Ik,mA
4
° 2 4 6 8 10 Uks,B
s
15
10
0,2 0,4 Ufy.B
It,MBA________
KT379A, T >
Uks- 0 5B
I
4
3
2
1
У 6 1 KT379B
^4
It=2 MBA
6
It, MB A
mA У' КТ379Б
6
y~^
Ik,mA
8 10 ию,В
_________ is, ma
4
15
100
50
3
0,3
0,2
HT380A,
KT380B
1 2 3 4 UH3,B
0
0,5 0,6 0,7Uss,B
0_____________
0,2 0,4 0,6Ufs,B
It.MKA_________
150
нтзь HT30 OA, OB
Uks‘0 1, 4
10
It-OtMA
0
10 Uks,В
150
100
50
0,3 0,4 0,5 0,6 Ufa,В
0
0,5 0,B Uts,8
Рис. 93
1н,мА_
z ч ь о iu ;z икз,и
Ik,mA____________________
80
60
40
80
0
Рис. 94
ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ
(С ГРАНИЧНОЙ ЧАСТОТОЙ ДО 3 МГц)
Внешний вид и основные размеры транзисторов показаны на рис. 95.
Статический коэффициент передачи тока ГТ402А — ГТ402Г мало зависит от
тока эмиттера. Основное назначение — работа в выхо пых каскадах транзистор-
ных приемников.
ГТ404А— ГТ404Г предназначены для работы в выходных каскадах транзи-
сторных приемников Их можно использовать совместно с ГТ402А — ГТ402Г.
Параметры транзисторов приведены в табл. 55, а характеристики—на рис. 96 .
и 97
ГТ402А-ГП,02И, ГТША-ГП04И
(1 вариант) ч
Рис. 95
ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ СРЕДНЕЙ ЧАСТОТЫ
(С ГРАНИЧНОЙ ЧАСТОТОЙ ОТ 3 ДО 30 МГц)
Внешний вид и основное размеры показаны i а рис 98
Транзисторы К.Т502А— К.Т502Е и К.Т503А К.Г503Е предназначены для ра-
боты в выходных каскадах усилителен низкой частоты, ключевых каскадах и т. п.
КТ503Л — КТ503Е можно использовать совместно с КТ502А— К.Т502Е
Параме ры транзисторов приведены в табл 56, а характеристики — на рис. 99.
ТРАНЗИСТОРЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ
(С ГРАНИЧНОЙ ЧАСТОТОЙ СВЫШЕ 30 МГц)
Внешний вид и основ! ые размеры показаны на рис. 100. КТ604А и КТ604Б
предназначены для работы в схемах операционных и видеоусилителей генерале
ров развертки и в выходных каскадах, К.Т605А и КТ605Б— для работы в схемах
операционных усилителей, генераторов развертки электростатических трубок, пре-
образователей напряжения и т. п., КТ606А и К.Т606Б — для работы в схемах
генераторов и усилителей СВЧ.
Пайка выводов разрешается ие ближе 12 мм от керамик! транзистора.
Необходимо прии 'мать меры, исключающие возникновение паразитной моду тяции.
Рекомендуется применение термостабилизацни.
212
Рис. 96
Таблица 55
Тип yw ,09я/ ю <ei6y) cizy при нас (^кб. нас)* В при /к< А Предельный режим (максимальный) Й о о С? ,
* £ И A Эо *> 1 . а 'i & Уэб- В Я : Ji V И м i о. О о В.
Германиевые (р-п-р) _
ГТ402А ГТ402Б ГТ402В ГТ402Г ГТ402Д ГТ402Е ГТ402Ж ГТ402И 0,025 1 (30—80) (30—160) (15-80) (60—150) 60—300) (30—150) (30—80) (30—160) (15—80) (60—150) (60—300) (30—150) (30—80) (60—150) (30—80) (60—150) (1) 0,003 20 55 -40 20 55 -40 20 55 —.40 . 20 55 -40 20 20 20 20 •— Л — шаМ» 0,35 0,35 0,35 0,35 [25] (25] [40] [40] [25 [25 [40] [40. 0,5 —к 0.61 25 100
—
ГТ403А ГТ403Б ГТ403В ГТ403Г 0,05 0,8 0,05 0,8 0,05 0,8 0,05 0,8 0,008 0,008 0,008 0,006 20—60 50—150 20—60 50—150 5 5 5 5 (0.1) (0,1) (0,1) (0.1) 20 70 20 70 20 70 20 70 45 45 60 60 20 20 20 20 30 30 45 45 1
ГТ403Д ГТ403Е ГТ403Ж ГТ403И 0,05 0,8 0,05 0,8 0,07 0,8 0,07 0,8 0,006 0,008 0.008 0,008 50—150 (30) 20—60 (30) 1 СЛ J o> (0.1) (0,45) (0.1) (0.45) 20 70 20 70 20 70 20 70 0,5 (0,8) 0,5 0,45 60 60 80 45 30 20 20 20 45 45 60 30 1,25 0,4 0.6 25 100 (15)
ГТ405А ГТ405Б ГТ405В ГТ405Г 0,025 1 (30—80) (60—80) (30—80) (60—150) 1 (0,003) 25 — *- • 0,35 25] 25] 40] 40] 0,5 — 0,6 25 100
ГТ406А ГТ404А ГТ404Б ГТ404В ГТ404Г ГТ404Д ГТ404Е ГТ404Ж ГТ404И 0,05 0,025 0,06 1 (50—150) (30—80) (30—120) (6—80) (60—150) (60—225) (12—150) (30—80) (30—120) (6—80) (60—150) (60—225) (12—150) (30—80) (60—150) (30—80) (60—150) (1) • 0,003 25 ГерМ( 20 55 —40 20 55 —40 20 55 —40 20 55 -40 20 20 20 20 0,5 0.8 шиевые 0,5 0.5 п-р-п 25 20 20 20 20 20 0,3 0,3 0,3 0,3 [25] [25] [40] [40] [25 25 40 40 1,25 .0,5 0,4 4 0,6 0,32 25 25 25 100 100 150
1 При температуре свыше 25 °C мощность; Вт, определяется по формуле Рк. макс П/1ии 2 Второй вариант корпуса. При температуре свыше 25 °C мощность, Вт, определяется по формуле Рк. макс ~ (8® - ()/150.
Р 97
216
КТ502А-КТ502Е, KT503A-KT5O3E
Рис. 98
Рис. 99
Таблица 56 — --- - - -•— - - - -—I— 1 X I I 1 I Предельный режим (максимальный) Эо 7 Hdu Х0 Md V ‘.с7 V '9/ v ‘(и ’я/)\ 0 ‘9€Л ‘£ЭНВИУ<™Г3] ™Л Я ‘9ЯЛ фч •(РЭ) ЯЭ у ибн Я )вн '9я/7) ЭЕН ‘€и/2 я 'dJCG>,n Эо 7 «du WQM *€Пг/ €13г/ fJW ,dj/ с 10 10 1 ю 1 10 10 10 0,3 0.1 - 0,35 25 1 20 (0,5) 20 20 20 20 КТ50 А (40-120) 1 25 40 25 КТ’эОРН (80 240) 2о 40 2о КТ502В 5 (40 1 0 0,32-4 25 40 0,2.„0,6 0.1 2» 60 40 5 0,3 0,1 0,1 0,5 25 (0,8...1,2) 0,1 (15) (0,6) КТ502Г (80 240) 40 60 40 КТ50 Д (40—120) 60 80 60 КТ502Е (40—120) 80 90 80 1 Кремниевые — р — h КТ503А (40 120) 25 40 25 КТ503В 5 (40-220) 0.58 4 25 40 0,2-0,6 0.1 20 60 40 5 0,3 0,1 0,1 0.5 25 КТ503Г (80-240) 40 (0,8 1,2) 0,1 (15) 60 40 (0.6) КТ503Л (40 120) 00 о0 60 $-120) 80 100 80 Примечания. 1. Граничная частота КТ502А—КТ502Е и КТ503А —КТ503Е измерена при == 3 мА и = 5 В. 2. Выходная проводимость КТ50! А — КТ501М 15 ... 55 мкСм. 3. Коэффициент шума КТ501В. КТ501Е и КТ501К 2 дБ.
[15 [15] 15 30' 30' '30 45' '45 60' [60
Кремниевые (р-п-р) КТ501А (20— 60) 15 КТ501Б (40 — 120) 15 КТ5 1В (80-240) 15 КТ501Г (20-60) 30 КТ501Л (40—120) j>0 КТ501Е 3 (80-240) 0 13-2,5 25 - 0.15 0,3 50 30 К 501Ж (20 — 60) (0,4) 0,3 (ЮО) 45 КТ501И (40-120) ’о КТ50 К (80-240) ' Jo КТ501Л (20-60) 09 КТ501.Ч (40—120) 00
218
КТ608А и КТ608Б предназначены для работы в схемах генераторов и усили-
телей, а также в импульсных схемах.
Папка и изгибание выводов разрешаются не ближе 5 мм от корпуса. При
эксплуатации следует учитывать возможность самовозбуждения транзисторов как
высокочастотных элементов с большим коэффициентом усиле! ия.
Рис. 100
Пайка выводов КТ610А и КТ610Б разрешается не ближе 1 мм, а изгиба-
ние — не ближе 3 мм от корпуса При изгибании необходимо обеспечить непо-
движность участка вунода между корпусом и местом изгиба. Применять транзи-
сторы без теплоотводов не рекомендуется. При храпении, транспортировке и экс-
плуа ации необходимо применять меры для защиты от статического электричества.
К.Т611А — КТ611Г предназначены для работы в схемах усилителей напря-
жения и релаксационных генераторов. При эксплуатации в условиях механиче
ских ускорений транзисторы необходимо крепить за корпус. Следует учитывать
возможность самовозбуждения транзисторов как высокочастотных элементов
с большим коэффициентом усиления.
219
Таблица 57
ГТ612А 0,01 1500| 5 5 50 - - - 1 3,5 | 7 1 12 | 0,2 | — 1 120 I - 1 0,36 1 25 1(132)
Кремниевые (n-p-n)
КТ604А КТ604Б 0,05 о,ч 40 (10—40) (10—81)1 (15—40 г (30—120) (30—240)1 (15-120)2 (40) 20 8 20 — 7 (50) — 300 5 250 200 — 0,8 (З)3 0,331 25 (25) 150 (45)
КТ605А КТ605Б 0,05 0.21 40 (10—40) (10—80)1 (5—40)2 (30—120) (30—240)1 (15—120)2 (40) 20 8 20 — 7 (50) — 300 5 250 200 ч 0,4 0,171 25 300
К.Т606А КТ606Б (1.5) 300 [>3,5] 3 (10) 100 — — — 10 12 60 4 [60] 400 100 2,5 40 44
КТ607А-4 КТ607Б-4 1 5i [>7] 10 80 — — — 4 4,5 18 25 40 30 4 [35] [30] 150 — 1,5 40 73
КТ608А КТ608Б ' 0,01 200 (20—80) (40—160) (5) 200 1 (2) 400 400 0,12 15 (50) — 60 (80) 504 4 (8) 60 (80) [50] 400 (800) — 0,5 0,121 20 200
КТ610А КТ610Б 0,5 1000 700 (50—300) (20—300) (10) 150 —. — 3,5 (18) 3,5 (18) 75 25 20 4 [20] 300 — 1.5- И 50 —
КТ611А КТ611Б (0.2) 60 (10—40) (30—120) (40) 20 8 20 — 5 200 200 3 [180] 100 —- 0,8 0,331 З3 25 (25) (40) 150
КТ624А 0,1 — .(30—180) [>4.5] 5 (100) 0,9 ' (1.7) 1000 1000 0,018 15 50 — 30 4 [30] 1000 1300 — ' 1 70 120
КТ625А КТ625АМ 0,03 — (20—200) f>2] 1 (500) 1.2 500 0,06 9 90 — 50 4 [40] 1000 (1300) — 1 70 120
КТ630А КТ630Б КТ630В КТ630Г КТ630Д КТ630Е 1 50' (40—120) (80—240) (40—120) (40—120) (80—240) (120—1000) 10 (150) 0,3 (1.1) 150 150 — 15 (65) — 120 120 150 100 60 60 7 7 7 5 5 5 [120] [120] [150] [Ю0| [60] [60] 1000 (2000) 200 0,8 15 —
КТ640А-2 КТ640Б-2 КТ6 40В-2 1 — 1,5.10~s* 1,5-10~3* 3.10-3* 15 30 — — -т 1.3 (3) — 25 3 — 60 — 0,6 25 150
КТ626А КТ626Б КТ626В to КТ626Г U КТ626Д 0,15 (0.3) 10.1] 75 75 45 (15-250) (30—100) (15—45) (15-6.0) (40—250) 2 150 < к 1 ремни 500 евые 'р-п-р ) 500 45 60 80 20 20 — 45 60 80 500 (1500) — 6.53 653 25 (Ю)
Продолжение табл 57
Тип ^кбО ^кэ(Р РэбОЪ /гр» МГц <п сч » & <—i 2 04 Л сч при д '"о я СП 'О О я к СП $ S с энн ‘(’гия>) 0BdZ ск (Сэ), пФ О Е Предельный режим (максимальный) еа/о» ‘(Я;у) ги
и сп а Ь ун ‘(П/)®/ в 'S й о а (“ ‘9ЕП) 9s П СП в Q а уы ‘(и ”/) н/ !6 (7б. и>. мА S -‘д оГ а. При 1 (/кор)» £
КТ629А 5 — (25-150) 02,5] 5 200 1 500 25 (125) 0,2 50 4.5 [50] 1000 — 1 50 135
КТ639А ' КТ639Б КТ639В КТ639Г КТ639Д 10“* (10-*) — (40-100) 04] (63—120) 04] (100-250) 04] (40—100) f^4] (63—120) 04] (2) 150 0,5 (1.25) 500 500 0,18 50 (50) — — 5 45 45 45 60 60 1500 (2000) 200 1 25 —
КТ644А КТ644Б КТ644В КТ644Г 10-* (10-*) —• (40—120) 02] (100—300) [^2] (40— 120) f>2] (100-300) 02] (Ю) 150 0,4 (1.3) 150 150 0,18 8 (50) . — —* 5 60 600 (1000) 200 1 25 —
» При максимальной температуре.
• При минимальной температуре.
• С дополнительным теплоотводом.
4 Модуль коэффициента < обратной передачи напряжения в схеме с ОБ.
I
КТ639А — КТ639Д и КТ644А — КТ644Г предназначены для работы в выход!
пых каскадах КВ и УКВ аппаратуры, мощных 'ключах, выходных каскадах УПЧ
и т. и. Оформлены в пластмассовом корпусе с отверстием в нем для крепления
к теплоотводу. Пайка и изгибание выводов разрешается не ближе 5 мм от
корпуса. Длительность пайки, пс более 10 с. Запрещается эксплуатация транзи-
сторов в совмещенных предельных режимах.
Параметры транзисторов приведены в табл. 57, а характеристики — па
рнс. 101—104.
Рис. 102
ТРАНЗИСТОРЫ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ
Конструктивное исполнение — металлический герметичный корпус со стеклян
ними изоляторами, металлокерамический (КТ904А и КТ904Б), металлопластмас-
вый (КТ807А и КТ807Б) и пластмассовый (КТ909А — КТ909Г, ДТ911А —
КТ911Г) корпус с жесткими или гибкими выводами.
Транзисторы к схеме присоединяют пайкой выводов или специальными за-
жимными контактами. Пайка жестких выводов разрешается только в их верхней
специально подготовленной части на расстоянии не ближе 20 мм от корпуса.
Реком ид е применять дополнительный теплоотвод. Для повышения надеж-
ности необходимо выбирать рабочие режимы транзисторов иа 20 % ниже пре
дельных.
Рабочее положение должно благоприятствовать охлаждению.
При креплении транзисторов на теплоотводе особое внимание необходимо
обращать па плотность прилегания корпуса к теплоотводу. Рекомендуется сма
ывать невысыхающим маслом прилегающие поверхности.
Рис 103
8 3-191
225
12
10
В
6
It
2
Ь,мА
lit
0
0,5 0,6 0,7 0,8 Ufo,В
Ши>
40 мВт
150-6
Kf
8
30
20 10(/[4
10 - 50
2
*-0
W
30
20
10
О
Лг/з
40
150 1Э,МА
20 40 60 В0Р1х,МВт20
1т^158,1^45мА, 7-7ГГц
0
0,8
1ц,мА
0,7
во
80
.0,5
60
60
птозов, ктбзог
40
30 ицз,В
10 20 30 Ui/3,8
0,2
Il = 0,1 мА ’
/,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
4*
° 1 23456780 10 UH3,B
Рис. 104
О
60
40
20
1И,М,
80
НТ630Е
у 0,25
г0’2
0,15
' 0,1
18=0,05 МА
10 20 30 40 Uk3,B
Основное назначение — работа в схемах усилителей и генераторов, а также
преобразователей напряжения.
ТРАНЗИСТОРЫ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ
(С ГРАНИЧНОЙ ЧАСТОТОЙ ДО 3 МГц)
Внешний вид и основные размеры показаны на рис 105
Транзистор ГТ701А работает устойчиво в системах электронного зажигания
и двухтактных преобразователях при напряжении не свыше 30 В, а в однотактных
преобразователях при напряжении не свыше 55 В.
Необходима тщательная притирка поверхности теплоотвода для плотной
посадки транзистора.
226
Основное назначение — работа в схемах электронного зажигания карбюратор-
ных двигателей.
ГТ703А — ГТ703Д предназначены для работы в выходных каскадах высоко-
качественных УНЧ телевизоров, магнитофонов и т. п.
КТ70Ы-КТ704В
КТ704А—КТ704В предназна-
чены для работы в схемах строчной
развертки телевизоров и т. п.
Параметры ранзисторов приве-
дены в табл 58, а характеристи
ки — на рис. 106.
ТРАНЗИСТОРЫ БОТЫПОИ МОЩНОСТИ СРЕДНЕЙ ЧАСТОТЫ
(С ГРАНИЧНОЙ ЧАСТОТОЙ ОТ 3 ДО 30 МГц)
Внешний вид и основные размеры показаны иа рис. 107.
КТ802А предназ тачены для работы в схемах выходных каскадов строчной
развертки телевизоров, а КТ803А— для работы в схемах м щных генераторов
и усилителей высокой частоты.
При эксплуатации КТ805А и КТ805Б в условиях изменяюцейся температуры
в схемах необходимо пре ^усматривать термостабилизацию.
Основное назначение — работа в схемах выходных каскадов строчной раз
вертки телевизоров схемах электронного зажигания карбюраторных двиг телсй
и т. п
КТ807А и КТ807Б предназначены для работы в схемах стабилизаторов ia-
пряжения, строчной развертки и другие, КТ808А и КТ808Б — для работы в схемах
стабилизаторов напряжения, переключающих и импульсных устройств, КТ814А —
КТ814Г, КТ815А -КТ815Г, КТ816А—КТ816Г, КТ817А -КТ817Г КТ818А —
КТ818Г и КТ819А КТ819Г —для работы в выходных каскадах УНЧ, в ключе-
вых каскадах и другие. КТ818АМ — КТ818ГМ и КТ819АМ КТ819ГД4 аналогич-
ны соответственно КТ818А—КТ818Г и КТ819А — КГ819Г. В отличие от послед-
них, имеТощих пластмассовый корпус, они выполнены в металлостеклянпом
корпусе
Параме ры транзисторов приведены в табл. 59 а характеристики — на
рис. 108—111.
ТРАНЗИСТОРЫ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ
(С ГРАНИЧНОЙ ЧАСТОТОЙ СВЫШЕ 30 МГц)
Внешний вид и ош овпые размеры показаны на рис. 112
КТ903А и КТ903Б предназначены для работы в схемах высокочастотных
генераторов и усилителен, а КТ904А и КТ904Б — для работы в схемах усилите
лей мощности, умножения частоты, автогенераторов и импульсных устройств
8*
227
м Таблица 58 N3
СО Тип 3 '"’S 2 о hjw ‘(dJ0 *2 ^4 Л ^03 при СО о. о а ь При 7Э, А ^кэ. нас <^бэ. нас)» В при 7К, А Предельный режим (максимальный) р» И О 0 оГ
со Ь <П а Ь < Sj tn "ч 0 й о СП Ь й “ 2 | СП 2^ й> X V ,(и -Я7)Я; < ю Рк(рк. и). Вт при t (Q. ’С
ГТ701А 6 зо1 (0,05) (10) 2 5 100 Герм 2,5 аниевь *е (р- п р) 55 15 55 12 0.15 50 25 (25) (75) (1.2)
ГТ703Д ГТ703Б ГТ703В ГТ703Г ГТ703Д КТ704А КТ704Б КТ704В 0.5 [5] 0,01 3 (30-70) (50—100) (30-70) (50—100) (20 -45) 10—100 10-100 10 Г (15) 0,05 (1) — Крем 0,6 (1) ниевы 3 3 е (п-р п) 4 [20] (25) [20] (25) [30] ' (35) [30] (35) [40] (50) 500 [1000]3 400 [700]3 400 [500]3 3,5 3,5 3,5 3,5 3.5 2,5 (4) 2 1,6 (IS)3 * 15 50 (40) (25) X (3) 30 5
1 При максимальной температуре, . я С дополнительным теплоотводом. Пр’име’ч!'и не”’ Для ГТ703А-ГТ703Д при температуре; выше указанной в таблице,- наибольшая мощность рассеяния коллектора, Вт, определяется по формуле Рк_ макс =» 85 — iKOp/^ С к-
Таблица 59
< я За «л — "о m Ж О 'ё fyi2!6 (^гр)» МГц "2 еч •с СП сч -с при И п. о V ‘еi Hdu ^кэ. нас Г^кб.,нас^* < Q. С фп -(эжи еэ) эигН ?Э Предельный режим (максимальный) 1 Щ °С/Вт
Тип а i а 3 сь •*< а хо С»> 5 ЛИГИ,,,,, н [ (И емл) £ЯП -^к и) Е^к. нас!’ -А 3: \D О •*< а £ * а. О о. Q. Е
Германиевые (р п-р)
КТ810А 20 (15) (>15) .0 (5) 0,7 (0,8) 10 1,0 1,4 1 200 1 (250) ] 101 ‘,5| (15)1 1 0,75 | 27,5 j (2.5) 50
Кремниевые (р-п-р)
КТ814А КТ814Б КТ814В КТ814Г 0,05 (3) (>40) (>40) (>40) (>30) (2) 0,15 25 40 60 80 0,05 0.6 (1.2) 0,5 0,5 60 (75) — [40 [50 [70 [100 1.5 (3) 0,5 10* 25 —
го СО КТ816А КТ816Б КТ816В КТ816Г 0 1 (3) >20) >20) >20) (>15) (2) 2 25 40 60 80 0,1 1 (1.5) 3 3 115 (150) — [40] [501 170] [ЮО] 3 (6) 1 201 25 —
КТ818А, AM КТ818Б БМ КТ818В, ВМ КТ818Г, ГМ 1 102 (3) >15) >20) >15) >12) (S) (5) 25 40 60 80 0,1 2 (3) 5 5 5 [40] 40' 70 901 10 (15) 3 601.3 25 —"
КТ820А КТ820Б КТ820В 0 03 (3) (>40) >40) >60) (2) 0,15 40 60 80 0,05 0,5 1,2 0,5 0,5 65 (65) 5 [50]* [70]* [100]* 0,5 (1.5) 0,3 IO* 25 (10)
to продолжение табл. 59
Тип АсбО ^КЭ. кЬ Ь,А =f 'Ъ. о 6IZt/ при a ‘dJoe,,/7 при /э< А ^кэ. нас {^кб. нэс>’ В при /к, А ^к. макс ^э. макс^* Предельный режим (максимальный) ia/Эо '(”гЮ У
Я ‘(9”л) е”л 1 V Чм/> 6Z < и л И * £ л м 5. «а й Й 5 < 2? Р- CQ За X о, ?. 0 0 X си е
КТ822А-1 КТ822Б-1 КТ822В-1 КТ802А 0,05 0,12 60 200а (3) (10) (>25) (>25) (>15) (>15) (>14)5 (2) 1 10 1 (2) 45 60 80 Kl 0,1 эемнш 0,5 (1.5) ’вые (п 5 1 1 -р'-п) ' 5 115 (150) 5 3 [45] 4 [60]4 [ЮО]4 130 2 (0 5 0,5 1 201 (50) 25 - (эО) (5) (2,5)
КТ803А ' (5) (20) (10—70) (>Ю)2 (>-6)5 10 (*) — — 2,5 5 — 4 [60] (80) 10 — (60) (50) (1.66)
КТ805А КТ805Б [60] (20) (>15)з (> 5)5 10 (2) — —- 2,5 (2,5) 5 (5) 5 '5 О — 5 (160) (135) •5 (8) 2 (2,5) 301 (50) (3.3)
КТ807А КТ807Б '5 — (15—45) (30—100) 5 0.5 — 1 0,5 — 4 100 (120) 0.5 (1.5) 0,2 101 70 (8)
КТ808А (3) (7) (10—50) (10-150) (6—50) 3 (6) — — (2.5) 6 500 4 [120] (250) 10 4 (50)1 5 (50) (50) (2)
КТ809А (3) (5.25) (15-100) 5 '(2) — — 1.5 (2,5) 2 2 — 4 [400] 3 (5) 1,5 (40)1 (50) (2,5)
1 • 1 i
КТ812А КТ812Б КТ812В 5 10= — (>4) (>4) (10-125) (2,5) (2,5) 5 (8) (8) (5) — . — 2 (2,5) 8 8 — 7 / 700 500 300 3 8 3 3 501 (50) —
КТ815А КТ815Б КТ815В КТ815Г 0,05 (3) (>40) (>40) (>40) (>30) (2) 0,15 25 40 60 80 0,05 0,6- (1,2) 0,5 0,5 60 (75) 5 [40] [50 [70 [100 1,5. (3) 0,5 IO4 25
КТ817А КТ817Б КТ817В КТ817Г 0,1 3 (3). (>20) (>20) (>20) (> 15) (2) 2 25 40 60 80 0,1 1 (1.5) 3 3 55 (ЮО) 5 [ 40] 50] 70] 00] 3 (6) 1 201 25 —
КТ819А, AM КТ819Б, БМ КТ819В, ВМ КТ819Г, ГМ 1 10 (3) (>15) (>20) (>15) (>12) (5) (5) 25 40 60 80 0,1 2 (3) .5 5 — 5 [ 40] 50] 70] 100] 10 (15) 3 (5) ' 601 25 —
КТ821А-1 КТ821Б-1 КТ821В-1 0.03 (3) (>35) (>25) (>20) (2) 0.5 40 60 80. 0,05 0,5 (1,2) 0.5 0,5 65 (65) 5 [50 [70 [100 ]4 I4 ]4 0,5 (1 D 0,3 101 25 (10)
КТ823А-1 КТ823Б-1 КТ823В-1 ’ 0.05 0,1. (3) (>25) (>25) 015) 2 1 45 60 80 0,1 0.7 (1.3) 1 1 75 (130) 5 [45 ]4 [60]4 [ЮО]4 2 (4) 0,5 201 20 (5)
1 С дополнительным теплоотводом.
2 При максимальной температуре.
з Для КТ818АМ-КТ818ГМ, KTS19AM—КТ819ГМ 100
1 При < 100 Ом.
П рРи чМ"НчИМаЛиИя.ЙГ.евПремяТрРассасывания, мкс: ГТ810А 5;КТ802А и КТ802Б 2; КТ812 А-КТ812В 1,8.
2. Время включения КТ809А 0,25 мкс
4 НВх?дноёИ! опротмл™^3 Ом ТКП20А-КТ820В и KT821A-1-KTS21B-1 160 ... 800; КТ822А 1-КТ822В-1 0,15 ..
KTS23B.1 250 .. . 1500.
КЗ
1;
КТ823А-1—
w
300
С,,,пФ
400 —
0
40 Urf.B
20
80 t’C
If,мА
BOO
Iheisl.
0,5 f
4 1з,МА
KT803A
200
О
IS^MA
70'С
20'0
-40°С
80
60
40
20
О
КТ807А,
КТ807Б
при UH3=0
0,4 0,6 0,8 1,0 Us3,B
Рис. 109
400
200
I Hi А
1,2
0,9
0,6
0,3
"ИЗ
80
40
О
600
. ИТВ05А,
КТ8055
1,0 1,5 Ufa,В
ихэ~о
КГ807А,КТ807Б
0,81К,А
№ 1 07А, 075 1 Низ. ^0 'оя п— к!
КТ807А,
КТ807Б
ha3
<\120
ИТ808А
4
1ООО -1
800
1и,А
8
300
200-
je^ioOMA
8 U^B
Is,МА
КТ809А
0,4
Ни *
Р,2
О
0,4 0,8 1,2 U(3,B
i,s
0,8
-80 ИТ809А
70^ SO
'‘Ip 4О_
30
/*** 20
15=10 мА
z*^
4
8 Vh3,8
-50-25 0 25t,‘C
1к.нач,мА
?\гт77 зт7.у7777и
КТ808А /^7^3 ^^Р2
-40 О 40 80 t;c
О
1500
1250\
О
1рк,НС
1750
Рис. ПО
912,1
3,7
11
гз'—^
НТ907А,КТ307Б фдг2
взвоза, н гзозб, ктзовл, кззовб
912,7
08,4
кТЗИл-КТЗНГ
04,3
0/0
2 ото. 03,4
Б
и
os
7,2
37,5
145'
Рис. 112
6Т940А-6Т940В
КТ943А-КТ943Д
К
Э6Т928А,
ST КТ328Б
©•
Ж
НТ930А, НТ930Б, КТ931А
*5
Диоа
2,8
KTS27A-KT927B
7,8
КТ904А,КТ904Б,КТ914А
<412,4
Г” и!и
34,7
2 от!!. 03,2
КТ909Л-КТ909Г
3,3
6,8
мм КТ913 НТ9К НТ920 63921 63922 63925 ИТ92л HT93i
L 20,5 год 27 25 27 29 27
И 7 7 16 12 16 1В 9,6
Н 15,7 15,7 19 18,3 19 19,В 19
а 6,4 6,4 12,9 9,65 12,9 12,9 8,5'
'2етА03,г[1
х-----—
14
20
БТ319А-КТ919В
Для КТ907А и КТ907Б пайка выводов разрешается не ближе 1,2 мм от кор-
пуса. Время пайки не более 3 с. Запрещается изгибать и закручивать выводы.
Использование транзисторов без теплоотводов пе рекомендуется. Чистота и не-
ровность контактной поверхности теплоотвода должна б jj> пе хуже 0,03 мм<
Транзистор должен быть прижат к теплоотводу с осевым усилием 235 Н,
238
Для КТ908А и КТ908Б пайка выводов разрешается не ближе 6 мм от кор-
пуса. Запрещается прилагать к выводам усилия, превышающие 3,4 Н. Использо-
вание транзисторов без теплоотводов не рекомендуется. При эксплуатации следует
учитывать возможность самовозбуждения транзисторов как высокочастотных эле-
ментов с большим коэффициентом усиления.
Для КТ909А — КТ909Г допускается изгибание выводов пе ближе 3 мм от
корпуса с радиусом не менее 1,5 мм. Кручение выводов запрещается. Обрезание
выводов разрешается не ближе 55 мм от корпуса без передачи усилия ла пласт-
массовую часть корпуса. В процессе эксплуатации необходимо исключить воздей-
ствие на транзистор напряжения, превышающего пиковое напряженно на кол-
лекторе.
Для КТ911А—КТ9НГ пайка выводов разрешается не ближе 2 мм от кор-
пуса. При установке транзистор должен быть прижат к теплоотводу с усилием
235 Н. Остальные условия эксплуатации аналогичны условиям эксплуатации для
КТ909А — КТ909Г.
Параметры транзисторов приведены в табл. 60, а характеристики — на
рис. 113—116.
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Основные преимущества полевых транзисторов — высокое входное сопротив-
ление (до 10 МОм), малые низкочастотные шумы, малые нелинейные и интермо-
дуляционные искажения, большой динамический диапазон, высокая стабильность
и малая чувствительность к радиационному излучению.
Полевые транзидторы бывают с р-п-переходом и с МДП структурой (металл —
диэлектрик — полупроводник).
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОЙ МОЩНОСТИ
Конструктивное исполнение — металлический герметичный корпус со стеклян-
ными изоляторами и гибкими выводами илн пластмассовый корпус с ленточными
выводами. Иногда имеют бескорпусное исполнение. Внешний вид и основиые
размеры показаны на рис. 117.
Пайка выводов разрешается не ближе 5 мм, а изгибание-—3 мм от корпуса.
При изгибании необходимо исключить передачу усилий на стеклянные изоляторы.
В условиях механических воздействий транзисторы необходимо крепить за корпус.
Основное назначение — работа в аппаратуре, эксплуатируемой в широком ин-
тервале температур и в условиях повышенной радиации, а также во входных
каскадах с высоких сопротивлением.
КП103Е — КП 1 ОЗМ выпускают в металлическом и в пластмассовом корпусах.
Запрещается подача отрицательного напряжения бопее 0,5 В на затвор. При
работе транзисторов в паре их маркируют буквой «Р» (КПЮЗЕ и КП103ЕР) и
они имеют на корпусе метки, обозначающие точность подбора пары: для группы
О (5 %) и группы I (10 %) черного цвета и для группы II (20 %) синего цвета.
КП201Е — КП201Л диффузионные транзисторы с р-п-переходом и р-каналом.
Предназначены для работы во входных каскадах УНЧ и УПТ в составе микро-
схем, микромодулей, узлов и блоков с общей герметизацией.
КП301Б — КП301Г имеют МОП структуру с индуцированным p-каналом. При
пайке все выводы необходимо закоротить, а также принимать меры по защите
изоляции затвора от пробоя. Транзисторы чувствительны к электрическим на-
грузкам.
КП302А — КП302ГМ — планарные транзисторы с n-каналом и диффузионным
затвором — предназначены для работы в приемно-усилительной аппаратуре. Пайка
и изгибание выводов разрешается пе ближе 3 мм от корпуса.
КПЗОЗА—КПЗОЗЕ — планарно-эпитаксиальные транзисторы с n-каналом и
диффузионным затвором. Допускается однократный изгиб выводов на расстоянии
3 мм от корпуса с радиусом закругления 0,5 мм. При повышенной влажиостн для
обеспечения тока затвора пе более 1 нА рекомендуется использовать транзисторы
в герметизированной аппаратуре или при местной защите от влаги.
239
Таблица 60
240
Тип S сп X "о X г о. л «с •е1 л •е при га о. f- е> СП X £ < *s Ch X •—i S. с га ® я СП о я X 3 < 'с) *•4 X •—1 к с
РЭ ‘а X < **х (П
фа ‘(6Д)МЭ о X н* f* га к 3 я при /. МГц Предельный режим (максимальный) f-< га О’ 0 €* 0?
га ^35 ю X га Я о (И '6Нл> £>1Л гк (7к и)* А !6 <гб. в>* А Рк <рк. в>. Вт и о "о. О X я о. с
Кремниевые (п-р-п)
КТ903А КТ903Б (Ю) (30)' 120 (15-70) (15-210)' (>7)» (40—180 (120—540)' (>15)" 10 (2) — К—♦ 2,5 2 180 — 10 50 60 (80) 4 [60] (80) 3 — 30» (60) 1 9 (20) (85) (3,33)
КТ9О4А КТ904В 1.5 4,5* 350 300 >3.5] >3] 28 0,2 40 0,2 0,6 0,25 12 15 20 3 2,5 400 60 4 [60] 0,8 (1,5) 0,2 б (40) (16)
КТ907А КТ907Б 13] [6]« 350 300 >3,5] >3] 28 0,4 40 0,2 — 20 15 25 9 7 400 4 60 1 (3) 0,4 13,5 (25) 7,5
КТ903А КТ908Б [25] [75]' 850] [150]> 30 (8-60) (<300)‘ (6-60)» (>20) « 300)' >10)» 2 4 (10) (4) — — 1.5 (2,3) 1 10 10 4 — — — — — 5 5 [100] [60] 10 5 50’ (50) (2)
КТ 909А КТ909Б КТ909В КТ909Г [30] [501* » [301 [50]* [60] [100]1 350 500 300 450 3,5 5 3 4.5 10 1,5 3 1,5 3 30 0,1 — — 30 60 35 60 20 20 30 30 20 40 15 30 500 т 3,5 [60] 2 (4) 4 '? (4) 1 2 1 1 27’ 54» 27’ 54’ 25 । ' —
KT91IA КТ911Б КТ911В КТ911Г 5 10' 1000 800 1000 800 2,5 2 2,5 2 10 0,1 — — —4 — ю 25 25 50 100 1 1 0,8 0,8-1 1800 1000 1800 1000 55 3 [30] [30] 0,4 3 (25) (33)
КТ913А КТ913Б [25] [50] 900 >9] 30 0,15 (0,25) 7 12 18 15 3,5 6 1000 55 3,5 55 0,5 1 0,25 0,5 4,7 8 25 20 10
КТ913В [50] (0,3) (0,25) 14 15 11 t 0,5 12 10
КТ914А [2] [5]' 350 >3] 28 0,2 — — 0,6 (1,2) 0,25 0,25 — — 3 — 65 4 [65] 0,8 (1.5) 0,2 7 25 16
КТ916А [40] 1200 — — — — — — — — — 21 — — 3,5 [55] 2 (4) 1 303 25 10
КТ919А КТ919Б КТ919В 10 2 1600 >4,5] 10 0,25 0,25 0,1 — — — — 10 6,5 4,5 2,2 — — 45 3,5 — 0,7 0,35 0,2 0,2 0,1 0,05 10 5 3 25 12,5 25 40
КТ920А [2] >4] (0,2) 15 2 0,5 (1) 0,25 (0.5) 5 (20)
КТ920Б [4] 400 >4] 10 (0,4) 25 20 5 36 4 36 1 (2) 0,5 (1) 10 (Ю)
КТ920В [7] >4] (1) 75 20 3 (7) 1,5 (3,5) 25 (4)
КТ920Г [7] Г>3 5] (1) 76 15 3 (7) 1.5 (3,5) 25
КТ921А 20 (10—80) 10 1 <50 65 4 [65] 3,5 I 12,5’ 25 6
КТ921Б >3] 10 0,4 <(4 50)
КТ922А 0,5 300 >3] (0,4) 8 20 5 0,8 (1,5) 8’ 15"
КТ922Б 3 300 >3] (1.5) 15 (200) 20 20 1,5 (4,5) 20’ 25 64
КТ922В 6 300 >3] 10 (3) — — — 40 (550) 25 40 175 — 4 65 3 (9) —1 40’ 64
КТ922Г 4 300 >3] (1,5) 15 (200) 20 17 1,5 (4,5) 20’ 3«
КТ922Д 6 250 >2,5] (3) 40 (550) 25 35 3 (9) 4 СР З4
1
*g ______________________________________________ ___________________.___________17 родолжение табл. 60
СО Тил < "о Л а © /гр. МГц ffl ес £ Л ei при со е. о а прн fx иэ. и), А а ,(эвн ЭВН при 1к (7б)> А СК(С9). пФ о с н* хЯ -™e<J при /, МГц Предельный режим (максимальный) о о S* о?
СО 2 Ъ < 'S Л *—» ^кб (^кб. иЬ В £0 (И £ 1) Н '[ (И ^к. и)» А V -(и №к. иЬ о JsJ S О. Б
КТ925А 4 500 [>5] (0,6) 20 20 2 4 0,5 5,5 (20)
КТ925Б 8 500 [>5] (0,8) зо 35 5 4 1 11 (10)
КТ925В 10 450 [>4,5] 10 (1) — — — — 75 40 20 300 36 3,5 [36] 3,3 — 25 25 (4,4)
КТ925Г 10 450 [>4,5] (1) 75 40 15 3,5 3,3 , 25 (4,4)
КТ927А (15-50) 6 (5) t .8
3,5 28 (3) 17 f
КТ927Б [40] — (25-75) 6 (3) — — 0,7 10 120 12 — 70 3,5 35 10 •— 83,3е 25 1,5
[120]* 3,5 28 (3) (1700) (30)
КГ927В (40-100) 6 (5) ЮО5
[>3,5] ‘28 (3)
КТ928А 60 — (20-100) 3 0,15 1 0,3 — 120 100 — — 60 5 60 0,8 — 0,5 , 25 •—*
К7928Б [=>2,5] (50-200) 10 3 (0,05) 0,15 — (1,3) 0,3 (ЮО) (1,2) (3,6)
[>2,5] 10 (0,05)
КТ929А ГМ [10]* — [>4] 8 (0.3) — — — — 20 2.5 2 — 30 3 [30] 0,8 — 8 25 20
•
* 1 1
КТ930А КТ930Б [20] [40]* [ЮО] [200]1 [>1,5] [>2] 10 (2,5) (5) — — —* 80 (170) — 40 75 400 4 0 10 — 75s 120= 25 1,8 1,2
КТ931А 10 — [>2,5] 10 (5) — — — 240 32 *— — 28’ 4 — 15 —* 150» 25 —
КТ934А [7.5] [16]* [>5] (0,15) 9 20 3 0,5 7,5s 17,5
КТ934 Б [151 [30f* [>5] (0,6) 16 20 12 1 15’ 8
КТ934В [30] [60]* — [>5] 10 (1,2) — =- — — 20 20 25 400 —• 4 [60] 2 — 30’ 25 4
КТ934Г [15] [30]* [>4.5] (0,6) 16 25 12 1 • 15» . 8
КТ934Д [30] [60] [>4,5] (1,2) 20 25 25 2 30» 4
КТ940А 300 300 1.2 25
КТ940Б (50) 90 025) 10 (0,03) — — 1 0,03 4,2 — — «,2 250 5 250 0,1 0,05 10’ 45 104
КТ940В (300)* [>4,5] 10 (0.015) 160 160 0,3 (30) 100
КТ943А 0,1 0,3* (40-200) [>3] 2 10 0,15 0,25 45 0 6 1 45 [4(j] •
КТ943Б 0,1 0,3* (40-160) [>3] 2 10 0,15 0,25 00 0,6 1 60 [60]
КТ943В 0,1 0,3* — (40 — 120) [>3] 2 10 0,15 0,25 80 0,6 ч — — — — 100 5 [80] 2 (6) 0,3 25s 25 —*
КТ943Г 1 3* (20-60) [>3] 2 10 0,1® 0,25 80 . 1,2 1 100 [80]
КТ943Д 1 3* (30—100) [>3] 2 10 0,15 0,25 60 1,2 1 100 [60]
* При максимальной температуре.
2 Прн минимальной температуре.
• С теплоотводом.
* Выходная мощность в пике огибающей.
6 Прямой ток диода.
ьэ ‘ Мощность рассеяния на коллекторе в динамическом режиме.
Й ’ Постоянное напряжение питания коллектора.
Рис. 114
Рис. 315
246
ц'ма
160
икз-о
58
120
80
40
KT919A
8Т919Г
0.
0,4 0,6 1/6з,В
0,8
0,6
0,4
0,2
О
8 (0 12 Uk3,8
16,мА
НТ920А
40
30
20
10
О
0,50,751,0 U83.B
о
о
1б,мА
1б,мА
200
№
5В
150
100
50
KT9Z5B,
НТ925Г
0,6 0,8 1,0 Ul3,B 0,5 0,6
1153,8
1б,мА
I--1—/!---1—
4.Л 140/ \/f20
В
4
г
16=го ма
о
4 8 12 16 20 инз,8
Рис 116
KT919S
0,8
го
0,6
0,4
0,2
16 = 1 МА
О
0,8
0,6
0,4
о,г
8
о
КТ931А
30 ।
25
НТ927А-
HT9Z78
НТ919А,НТ9!98,
НТ919Г
h,А
5
15
6
г
о
1ft,А
200
0,8
150
0,6
100
0,4
60
40
50
0,2
о
О
0,4 0,8 1,2 U63,8
4 8 1г /б го инз,в
16,MAI ।
2Г931А
/е=/ мл
10 12 Un3,В
'125 ЮО 1 НТ925В,
75 К191 ’5Г
L50
16=2 5мА
6 8 Uкз,8
Uv3>8
160
4/3=0
120
80
40
0,4 0,6 0,8 Uc3,B
to rfs- 00 - Таблица 61
при при '"о. 0 с а СО при при при f, кГц Ни пФ
Тип 'с иач* мА уси. в у3. УТ» нА В о В /с- мкА S. мА/В и При СИ, в При У си- Е при кГп
а со Я
Кремниевые с р-п-переходом и р-каналом
КП ЮЗЕ КП103ЕР 0 3—2,5 • 0.4—1.5 0,4—2,4 / *
кпюзж кпюзжр 0 35—3,8 0,5—2,2 0.5—2,8
КП ЮЗИ КП103ИР 0,4—4 10 20 10 0,8—3 10 10 0,6—2,9 10 — 20 10 —
кпюзк КП103КР 1—5,5 1,4—2 1-3
кпюзл КП103ЛР 2,7—10,5 2—6 1,2—4,2
КП 1 ОЗМ 3—12 2,8—7 1,2—4.4
КП201Е 0,3—0,65 1,5 >0,4
КП201Ж 0,55—1,2 2.2 >0,7
КП201И 1—2,1 10 10 5 3 10 10 >0,8 10 1 20 10 40
КП201К 1,7—3,8 4 >1,4
КП201Л 3—6 6 >1,8
Кремниевые с изолированным затвором и р-каналом
КП301Б 1—2.6
КП301В 5 IO"4 15 0,3 30 (2.7-5,4) —- — 2—3 15 0,05-1,5 3,5 15 104
КП301Г ч. • ! 0,5—1,6 (3,5) 15 104
Кремниевые с р-п-переходом и п каналом
КП302А.АМ 3—24 7 1-5 5—12,5 7 0,05—1,5 8—20
КП302Б, БМ 18—43 7 10 10 2,5—7 7 10 7-14 7 0,05—1,5 (4,1-7,1) 8,7—20 10 104
(6,6—10,5)
КП302В, ВМ 33 10 3—10' — 8,7—20 (11- 14)
КП302Г, ГМ 15—65 7 2—7 7—14,5 8,7—20 (6,6—10,5)
КПЗОЗА 0,5—2,5 1 0,5—3 1—4
КПЗО 5 0,5-2,5 1 0,5—3 1—4
кпзозв 1,5—2,5 1 1—4 2—5
кпзозг 3—12 10 0,1 10 3-7 10 10 3—7 10 0,05—1.5 6 10 ю1
кпзозд 3-9 1 8 >2,6
КП303Е 3—20 1 8 >4
кпзозж 0,3—3 5 0,3—3 1—4
кпзози 1,5—3 5 0,5—2 2—6
Кремниевые с изолированным затвором и р‘Каналом
КП304А 2,10-4 25 20 I 30 (5) 10 10 >4 1 10 1 9 15 103
1 1 1 1 1 (6) 15 103
Кремниевые с изолированным затвором и п-каналом
КП305Д 1 5,2—10,5 103 1
КП305Е — — 0,005 15 (-6) 10 10 5,2—10,5 10 5 10 10*
КП305Ж 1 5,2—10.5
КП305И 1 4—10,5
Кремниевые с р -п-пе реходом и п-каналом
КП307А 3—9 1 0,5—3 4—9 1 •
КП307Б 5—15 1 1-1,5 5—Ю 100
КП307В 5—15 1 1—1,5 5—10 —в
КП307Г 8—24 10 0,1 30 1,5—6 10 10 6—12 10 100 5 10 ю4
КП307Д 8—24 0,1 1,5—6 6—12 —.
КП307Е 1,5—5 0,1 2.5 3—8 1
КП307Ж 3—25 103 7 4 —
Кремниевые с р-п-переходом, п-канал
КП312А КП312Б 8—25 1,5—7 15 0,009—10| 10 1 2,5—8 1 0,8—6 ! 15 | 10-2 1 4-5,8 1 2—5 1= 2—4 .5 ю4
Кремниевые с изолированным затвором и п-каналом
КП313А» КП313Б1 10 10 (6) 10 5 4,5—10,5 10 1 7 10 10*
КП313В’
1 Напряжение затвор- -исток, в; КП313А о,з ... 1, 5; КП313Б- 0,5 ... О',5; КП313В -2 ... - 0,3.
£ . П родолжение табл. 61
Тип с12я I Ф при у СН. В при f, КГц кш, ДБ нВ//Гц При f, кГц Предел ный режим (максимальный)
Узс, В УСн> В "зй. В ^си< ^и. п>. В ^С» мА ?3. пр. мА Р(Р«), мВт при t, °C
Кремниевые с р п-переходом и р-каналом
КП ЮЗЕ КП ЮЗЕР кпюзж КП103ЖР КП ЮЗИ КП103ИР кпюзк кпюзкр кпюзл КПЮЗЛР КП 1 ОЗМ 8 10 — 3 — — 15 10 — — — — 7 12 21 38 66 120 85
КП201Е КП201Ж КП201И 8 10 40 3 5 1 15 • 10 05 60 30
КП201К КП201Л КП301Б КПЗО1В 1 15 А 104 ’ремниевъи 2,2—9 5 с изоли 1рованным 10Б- затворе м и р-к 20 аналом 30 15 200 25
КП301Г КП302А AM КП302Б, БМ 2,4—8 2,6—8 10 Ю4 Крем 0,6—0,93 ниевые с р-п-пере. 1 еодом и 20 п-канале 20 1 )М 10 10 1 24 24 6 300 i 20
КП302В, ВМ КП302Г, ГМ 2,7—8 2.6-8 * 12 12 43 43
КПЗОЗА КПЗОЗБ КПЗОЗВ КПЗОЗГ КПЗОЗД КПЗОЗЕ КПЗОЗЖ кпзози 2 10 104 1111^11 30 20 100 100 20 . 1 • Ю5 10s 1 1 30 25 30 — 20 5 200 25
КП304А 15 / Го (ремниевы - е с изолированны. -1 ~ и затвором и р- 30 | 25 каналом 30 | (20) 30 200 300 55
КП305Д КП305Е КП305Ж КП305И 0,8 10 ю* {ремниевы 7.5 7.5 К ре. е с изол 15 15 шиевые 1рованным 25-Ю4 25-104 с р-п-пере затвор ±15 ходом и ОМ и n-f 15 п-канал каналом ±15 ом 15 15 150 25
КП307А КП307Б КП307В КП307Г КП307Д КП307Е КП307Ж 1.5 10 Ю4 | | ш 11 f земниевы 4- Ю5 4 Ю5 е с р-п-пе 27 реходом, 27 п-кана; 27 f 25 — 250 25
КП312А КП312Б | 0,5-1 15 104 1 1-И - 1 4'|0‘ Кремниевые с изолированны 25 J ' 20 к затвором и п | 25 каналом 1 — | 25 1 — | 100 125
КП313А1 м КПЗ ЗБ1 2 КП313В1 0,9 10 ю4 7.5 — 25. Ю4 15 15 10 —- .15 — 75 25
Таблица 62
яри У си. В
S, мА/В
1 уя ,э/
а ‘^л
«Л со ь
при мкА
СП к а
а эхо Н6л
при УЭ1и. в £.
при ^31ут* нА
S S! =ИЭЛ ndu 4уи *ьен
1 ^пред» МГц.
§
§ § * с а* <3 & «0 Е е СО а S л: а сз со о § о со 3 at со СО CJ CD г со со 3 а со Cl -** 0,05—1,5
to О
3-8 со
ю 1
ю 1
о ° 1 1 см 1 О I 1 1 1
о 100
to ю
Tf Tf Ю CD
О cn ю
,ю ю
to 3,5
800 О о С) л
КП306А КП306Б КП306В’ КП350А КП350Б КП350В
to Эо ‘г иси
to
«3 сс
К S
CD а S'
X л < ЗЕ
оз
С) S *
со ►ч о
С) я ►х.
С: 2 са
S X X <и У СИ.
о.
хг
1з2 В
Л СО Id
к
<и о.
Е к
Id
и
«©
id
ДБ
ЕГ
и л
с CQ
й о Id
я с f, кГц
СП 8 id
фЦ
‘(н| И1Ьг>
Е
ь
фи
‘(нгЬ)э1ез
а а а с а о* со £ о СП а аг 2 а <3 со о §- о СП а о: S со CJ CD s <o a at CD £ 12 L° CO СЧ »Q »О сч со
о о Ю LO 200 100
о сч 30
20 ю
25 1
03 ю
03 LQ
b- м CD
** о 104
20 о
0,07 (0,07)
о О
0? о
ю (9)
КП306А КП306Б КП306В <СД CQ ООО tflioin СО СО об ЕСЕ
Рабочая частота.
На частоте 400 МГц (КГ1350Б на 100 МГц) при уси — Ю В и /с — 10 мА,
252
КП304А—планарные транзисторы с изолированным затвором и индуциро-
ванным р каналом. Предназначены для работы в переключающих н усилительных
устройствах.
КП305Д—КП305И — планарные транзисторы с изолированным затвором и
встроенным n-каналом. —
Предназначены для работы в выходных каскадах высоко-
13,7
кпзогА-нпзоггм
НП312А, КЛ313Б
4,9
Рис. 117
КП313А-КП313В
НП103Е-КП103М
вариант!!
НП201Е-КЛ201Л
1,5
Вариант!
И
Корпус
КП301Б-КП301Г, кпзогА-кпзоггм, КЛЗОЗА-ЮЗОЗИ
КП306А-КП306В, НП307А~КЛ307М, КП350А-НП35ВВ
Электрод тзщ КП302 юзоз №304 №305 КП306 кпзт ИРЗЯ
С 3 2 2 3 1 1 3 1
И 1 1 1 2 3 4 1 4
" 31 2 3 3 1 2 3 2 3
32 — — — — — 2 2
Корпус 4 3 4 4 4 - 4 —
Подтип 4 — — 2 4 4 - 4
L,mm 30 13,5 13,7 30 13,7 13,7 13,7 13,7
Вариант!!
Ф5
tn
во
а..
качественных усилителей с большим входным сопротивлением. При хранении
и транспортировке выводы должны быть закорочены. Необходимо принимать
меры, исключающие воздействие статического электричества на транзистор.
Транзисторы КП306А — КП306В и КП350А — КП350В имеют два изолиро-
ванных затвора и п канал. Предназначены для работы в схемах усилительных
и преобразовательных каскадов УВЧ и УНЧ с высоким входным сопротивлением.
* 253
Ic,M НП305Л- ^НП305И
4,5
-40
О
НП312А
9
6
3
О
изи=о
Ucu,B
3 —
__4
1С, мА
12
1С,МА
О
U3u~0
КП312Б
2,5
,
1,5
1,
0,25В
0,5
0,75
!
_1,25
.1 T 7 i U3llrconst Vcu-=15B ,
КП306А- НП306В 7
15t 4/
to Т/
<Q> C\j —.1 1. 1 Is
f^U3i^-0
—
10 12 О32И, В
1с,МА
— 16
— 14
— 12
—to
— в
— 6
— 4
— 2
U3tirconst Ucu-15B
КП306А- НП306В
,5Вj
fio
'5
f Взги-0
-10 12 и31ц,В
5
10
k,MA
Ucu-158
КП313А л
КП313в~8
иСц.В
Ic,MA
4
-0,6-0,4 0 0,4 0,8 U3U,8
5,мА/В
?с<‘
4
,мА
В
КП313А-КЛ313В 0,68
U3u~o.
-0,2.
-0,4
-0,8
6
в 10-12 иC U, В
0 2 4
Рис. 120
IC,MA
22
16
15
14
1,5
10
НП350А-
КП350В
0,5 В —
40 t,C
15 Ucu,B
гз>и 0
6
4 5 6 Изгнав
Пайка и изгибание выводов КП305А — КП350В разрешаются не ближе 3 мм
от корпуса. При транспортировке, хранении и монтаже выводы транзистора дол-
жны быть закорочены. При работе с ними руки оператора, паяльник и инструмент
необходимо заземлять. Для обеспечения тока затвора не более 5 нА при влаж-
ности 98 % и температуре 40 “С транзисторы можно эксплуатировать только в
герметизированной аппаратуре. Рекомендуется использовать транзисторы на часто-
тах свыше 20 МГц.
КП312А и КП312Б планарно-эпитаксиальные транзисторы с п каналом и за-
твором в виде обратносмещенного р-п перехода. Предназначены для работы во
входных каскадах радиоприемных устройств повышенной чувствительности.
КП313А— КПЗ 1 ЗВ — высокочастотные транзисторы с изолированным затво-
ром и n-каналом. Предназначены для работы в каскадах генерирования и усиле-
ния сигналов высокой частоты
Параметры транзисторов приведены в табл. 61 и 62, а характеристики — па
рис. 118—120.
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ
Конструктивное исполнение — металлокерамический герметичный корпус с мон-
тажным винтом (рис. 121).
Тип Электрой
С И 3 п
НП90< 3 1 г f
НП902 3 t 2 /
НП903 2 3 t -
КЛ904 3 f г 1
Рис. 121
Основное назначение — работа в приемопередающей аппаратуре широкого
назначения.
КП901А, КП901Б, КП902А — КП902В и КП904А —планарные МДП транзи-
сторы с изолированным затвором и «-каналом. КП901А и КП901Б предназначены
для работы в широкополосной приемопередающей аппаратуре, а КП902А —
КП902В —для работы в схемах усилителей мощности и во входных каскадах при-
емников. Предельная частота усиления по мощности КП902Д — КП902В не менее
1 ГГц. КП904А предназначен для работы в выходных каскадах усилителей мощ-
ности. генераторах КВ и УКВ диапазонов и т. п.
КП903А —КП903В — эпитаксиально планарные транзисторы с р-п-переходом
и п каналом Предназначены для работы во входных и -выходных каскадах УВЧ,
в предусилителях с малым уровнем шумов, во входных каскадах симметричной
аппаратуры, усилителях мощности, генераторах КВ и УКВ диапазонов и т. п.
Параметры транзисторов приведены в табл. 63, а характеристики — на рис. 122.
VII. ОПТРОНЫ
('Аптропы — полупроводниковые приборы, состоящие из преобразователя элек-
тричсских сигналов в световые (излучателя) и преобразователя световых сиг-
налов в электрические (фотоприемника).
В качестве излучателя используют лампочку накаливания или светодиод, а
в качестве фотопрнемника — фотодиод, фоторезистор, фототранзистор, фототи-
ристор и т. п В соответствии с этим различают диодные, резисторные, тиристор-
ные, транзисторные и другие типы оптронов.
9 3.191
257
сл _______________________ Таблица 63
Тип ^с. нач’ мА при У си. В !з. ут нА при Узи. В ^С. ОСТ’ мк^ Й от Й и о при S, мА/В при фи *г[0"ээ1 1 при
Й S Й =f S Я ‘(И€Л)
* при Й и 3 и <г S о
КП901А КП901Б 15—200 20 —
КП902А
КП902Б 10 50 3
КП902В л
КП903А 50
К.П903Б 50 10 10
КП903В 200
КП904А 80 20 3
Кремниевые с изолированным затвором и п-каналом
(3-50)-10я 85 — —• — 50—160 60—170 20 — 500 —• — —
30 100—500 Кремниевые 60 с р-п перехо дом и п кан 10 1901 алом 50 50 — 50 11 [0.6] 10 25
15 Кре 5-10“2 мниевые с из олировс 10 1ННЫМ 10 затвор 10 ом и 85 80 т-каналом 10 1—10 —-
30 1—200 80 (20) — — — 400 20 ) 10001 1 15 (30)
to # .... . Продолжение табл. 63
при при Предельный режим (максимальный)
Й И
s
я m Тип 1 § -S о Я — й й И к и О о
щ & а 3 и & f, МГц ^С. и» с при ис ЛШ1 (К /с, мА я ь, . м Й а 3 У о а “ Ь а. э & я о Й Р, Вт Е
Кремниевые с изолированным затвором и п-каналом
КП901А КП901Б (15—100) 30 10 — — — — — — 10 6,7 -9,9 85 70 (85) t ±30 4 — 20 25
КП902А КП902Б 11 25 10 — —X 6 (15) — 250 — 1,8 — 50 (70) 30 0,2 — 3,5 25
КП902В 6 15
Кремниевые с р-п переходом и п-каналом
КП903А К.П903Б КП903В т- — — 10 0,2 16 — 30 — — — 20 15 0,7 15 6 25
КП904А (300) (30) — Кремниевы ~ 1 - е с изолированным -1 -160 затвором и п-каналом — | 50 | ЮО | 85 | 30 15 |- | 50 j 25
> Выходная проводимость, мкСм.
° Ссио — емкость сток—исток прн разомкнутых по переменному току остальных электродах.
’ сзиО — емкость затвор—исток при разомкнутых по переменному току остальных электродах,
сл * Кур —коэффициент усиления по мощности.
Конструктивное исполнение — металлический герметический корпус со стек-
лянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 123). Отдельные типы оптро-
нов имеют бескорпусное исполнение и предназначены для работы в аппаратуре
с общей герметизацией. . н
Основное назначение — работа в качестве бесконтактных ключевых элемен-
тов в схемах автоматики, ЭВМ, АСУ и др.
О
/,0
0,5
1— ,А *12 НП901А
10
8
6
4
и3и~2В.
60 80 иСи,В
° 20 40
1с,мА
-в
1 - 1с, А НП901А
1 ч
h'l Та
/ Г)
D Ч
-4 0 4 8 12 U3u,B
1С,МА
300
250
2 О
150
100
50
1с,МА
160
10 20 UCu,B
120
80
40
5 10 !5 Оси,В
400
300
200
100
10 20 30 40 Оси,В
О
',А ВЛ904А^ ~20
15
10
~5В
Вз
10 20 30 40 Uct/,B
1с, А
7
6
5
4
3
2
1
О
О
НП904А npuVcu=40B
•
5 10 15 Usa,B
Рис. 122
Обозначение оптронов включает шесть элементов *:
первый — буква, обозначающая материал излучателя;
второй — буква, обозначающая тип прибора (О — оптрон)!
третий — буква, обозначающая вид фотоприемника (Д —диод, Р — резис-
тор, Т — транзистор, У — тиристор);
1 Оптроны прежних раераСотек имеют обозначение ОЭП (оптоэлектронный прибор)
в сочетании с порядковым номером разработки.
260
четвертый — цифра; обозначающая классификационный по назначению но-
мер;
пятый — цифры (01 ... 99), обозначающие порядковый номер разработки;
шестой — буква, определяющая группу в данной разработке.
261
Пример обозначения: Л0ТЮ2В — оптрон с арсенид-галлисвым излучателем
(светодиод) и фототранзисторпым приемником, низкочастотный, номер разра-
ботки 02, группа В.
Оптронные изделия можно подразделить на две группы: оптроны и оптоип-
тегральные микросхемы, имеющие в своем составе интегральные оптроны (см.
раздел VIII «Интегральные микросхемы»).
- Система параметров оптронов основывается на системе параметров оптопар,
образующих оптрон и формирующихся в четыре группы: входные, выходные, пе-
редаточные и параметры гальванической развязки.
ВХОДНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Входное напряжение ((7ВХ) — прямое напряжение па входе оптрона при
заданном прямом токе.
Максимально допустимое обратное входное напряжение (Uвх о6р М8КС) —
наибольшее значение обратного напряжения любой формы и периодичности,
которое допускается подавать на светодиод (вход).
Номинальный входной ток (7ВХ н) — значение тока, рекомендуемое для
эксплуатации оптрона и используемое при измерении его параметров.
Максимально допустимый входной ток (/вх ыакс)—наибольшая величина
постоянного прямого тока, который допускается пропускать через светодиод
(вход).
ВЫХОДНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Максимально допустимое обратное выходное напряжение (17вых с6р ыакс)—
наибольшее напряжение любой формы и периодичности, которое допускается
прикладывать к выходу оптрона.
Максимально допустимый выходной ток (/вых манс)—наибольшее значение
тока, которое допускается пропускать через фотоприемник во включенном со-
стоянии оптрона.
Световое сопротивление (7?г)—сопротивление фоторезистора при заданном
токе на входе оптрона.
Темновое сопротивление (7?т) — сопротивление фоторезистора при входном
токе, равном нулю.
Остаточное напряжение (UCCT) — прямое напряжение на выходе оптрона
в открытом состоянии.
Выходная емкость
» БЫЛ1
ПЕРЕДАТОЧНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Статический коэффициент передачи тока (Ki) — отношение тока на выходе
оптрона к входному току.
Ток спрямления по входу (/вх спр) — наименьшее значение входного тока,
при котором фототиристор переходит во включенное состояние.
Время включения ((вкл) — время с момента подачи импульса входного тока
с заданными параметрами до момента достижения выходным током на активной
нагрузке 90 % установившегося значения.
Время выключения (/ВЬ1К).
Емкости! связи (Сс) — емкость между входом и выходом оптрона.
ПАРАМЕТРЫ ГАЛЬВАНИЧЕСКОЙ РАЗВЯЗКИ
Максимально допустимое пиковое напряжение между выводами входа и
выхода (Upas п макс). '
Максимально допустимое напряжение между выводами входа и выхода
. ыакс)’
262
Сопротивление гальванической развязки (/?раз)— сопротивление между вы-
водами входа и выхода оптрона.
Параметры предельных режимов определяются структурой оптрона; Пред-
ставляют собой наибольшие допустимые управляющие напряжения и токи, пря-
мые и обратные напряжения, прямые и выходные токи, выходную мощность, при
которых оптрон можно длительное время эксплуатировать без изменения пара-
метров и сбоев в работе.
Длительность панки выводов оптронов не должна превышать 2—3 с с при-
менением теплоотвода между местом пайки и корпусом Изгибание выводов раз-
решается не ближе 3 мм от корпуса.
Диодные оптроны могут работать как в фотодиодном, так и в вентильном
режимах.
Параметры ряда выпускаемых оптронов приведены в табЛ 64—67, а харак-
теристики— на рис. 124.
VIII. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
условное обозначение интегральных микросхем состоит из четырех элементов.
В обозначении интегральных микросхем широкого применения перед первым
элементом ставится буква «К».
Первый элемент — цифра, указывающая конструктивно-технологическое испол->
иение Согласно конструктивно-технологическому исполнению интегральные
микросхемы подразделяются на три группы, которым присвоены следующие
обозначения:
1; 5; 7 — полупроводниковые,
2; 4; 6; 8— гибридные,
3 — прочие (пленочные, вакуумные и др.);
263
Таблица 64
264
еа Предельный режим (максимальный)
Тип % эн <цэ; 1 « и аз Ь < и to 1 е. S д о. ь а га е. ^раз. макс ^раз. н. макс Б и О ^вх. обр- В СО >§* о 3 а & ^вх ^вх. 1?» мА Общая характеристика оптрона
А0ДЮ1А АОД101Б А0ДЮ1В 1,0 1.5 1.2 100 500 1000 1.5 10 2 8 2 15 100 15 10е ю9 ю9 100 2 3,5 15 100 15 20 Общего назначения
АОД101Г А0ДЮ1Д 0,7 1,0 500 250 10 5 15 15 . 5-109 10? (200) 15 15 (ЮО)
АОД107А А0ДЮ7Б 5001 3001 1.5 5 101° __ 2 2 5—15 20 То же
А0ДЮ7В 3001 (30)
АОД109А 1.2 1000 35 40 Многоканальный: А и Б
А0ДЮ9Б 1.0 500 8 10 трн канала; В, Г и Д
АО Д109В 1.2 1000 35 Ю9 40 два канала; Е, Ж и И
АОД109Г 1.2 1000 1.5 10 2 35 100 2 3,5 40 20 один канал
АОД109Д ЛОДЮ9Е АОДЮ9Ж АОДЮ9И 1.2 1,2 1.2 1.2 1000 1000 1000 1000 35 35 35 35 40 40 40 40
АОД112А-1 2,5 3000 1.7 20 — , —- 101» 200 2.5 3,5 30 Бескорпусный, для ра-
боты в вентильном ре-
жиме
АОД120А-1 АОД120Б-1 1 06 30 30 1,7 20 2 8 101° 200 (400) 2 3,5 10 20 Бескорпусный, быстро- действующий z
АОД201А АО Д 201Б АОД201В АОД201Г АОД201Д АОД201Е 0,6... 1,3 0,9 2 0 1,5.. 3 5 0 6. 1 3 0,9. 2,0 1,5...3,5 100 100 100 800 800 800 1,1...1,5 10 2 6 ю1» 100 1,8 3,5 6 20 Бескорпусный, для пе- реключательных микро- схем
АОД202А АОД202Б 1.5 . 2,5 100 150 1,7 10 — — IO19 IO9 200 1 2 4 20 10 (100) Бескорпусный, общего назначения
4 Время, включения (выключения). t
Таблица 65
Тип CQ о СО S и Л Ь ^вх. макс* И о а и 3 и (ВЫХ. КОМ’ мА м 5 О & о- «ВЫХ. С’ Ом- не более ^вых. т Ом не менее *ВКЛ’ ^ВЫК» мс « * S 3 _ Си СО - о Тип источника излучевия
to % ОЭП-1 ОЭП-2 ОЭП-3 ОЭП-6 ОЭП-7 ОЭП-9 ОЭП-1'0 ОЭП-11 ОЭП-12 ОЭП-13 ОЭП 14 ОЭП-16 AOP104V АОРЮ4Б1 ?-Сопротнвлс 5.8 5,8 3,8 3,8 3,8 5.8 5,8 5.8 5,8 5,8 5,8 2,5 3,8 2-,8 ние развя 16 16 15 10 10 16 16 16 16 16 16 10 и 1.1 зки-^Ю* 250 250 250 35 35 20 20 10 250 250 10 5 250 250 Эм-при-вм 3.5 7 3,5 0,2 - 0,2 02 0,2 1 2 2 1 0.3 07 тряжеиии 0,05 0.08 0 04 0 01 0 01 0.025 0 025 0.025 0.025 0,025 0.015 0,005 15 15 развязки-50 2- Ю3 4 IO9 1,2 Ю3 2 103 2-103 10* 10« 1,5-10s-10s 4; IO3 3 10s 1,5102. 10s 10s IO5 0,5 10s 0 В; наибольше 3 Ю8 3 107 3 108 106 106 109 10“ Ю7 1.5-10’ 1,5.Ю8 10s 107 10 2,5- 10s s- входное с 200 200 150 120 120 ЮО 100 200 200 200 200 0.5 0,01 0.01 >бр атное 4- 10е 10s 4 10s 2-10s 2.10s 2 10’ 2 109 10s 10s 4-Ю6 10s 10s импульси< Лампочка накаливания То же Светодиод Лампочка накаливаний То же » Светодиод В х> те напряжение 2 В.
Таблица 55
Предельный режим (максимальный)
Тип % У X 2 Ч О X л X а СО х а В а га 5 о (Ъ X CQ X 2 а ^ВЫХ’ М1<А г<О ‘£Edi/ CQ п я о. g .<190 Юд и Л X ^ВХ ^ВХ. и)» мА X а S а и га ж 3 о.” Общая характеристика
А0ТЮ2А А0ТЮ2Б А0ТЮ2В АОТ102Г А0ТЮ2Д А0ТЮ2Е 10 — — 2 15 4 — — ь 10s 500 — 301 40 (150) — 50 300 Общего назначе- ния
АОТПОА АОТНОБ АОТНОВ А0Т1ЮГ 800 400 400 800 50 100 2 20 - 1,5 30 50 30 15 100 10э 100 0.7 30 50 30 15 30 (ЮО) 200 100 100 200 — 360 Для коммутации цепей постоянного тока
АОТ123А АОТ123Б АОТ123В АОТ123Г 50 100 50 100 4 4 2 25 0,3 0,5 0,3 0,5 50 30 30 15 10 20 10 *20 10» 100 — 50 30 30 15 30 (Ю0) 10 20 10 20 — « С составным фо- тотранзнстором
1 Напряжение база—эмиттер. Таблица 67
Тип СО * а ^ут. обр» мкА и У о Я с. с и О S ч X X я й 3 а S о й я С. си И й « О. О с У е с X 3 Предельный режим (максимальный) Общая характеристика
к 3 а Сэ » ^BbfX. обр* в < 2 X 3 а < S X а dUjdt. В/мкс
АОУЮЗА 20 50 Мощные'низкочастотные
АОУЮЗБ 1,5...2 0,1 1,8 50 20 10 35 5.103 500 3 20 200 200 200 100 55 5 коммутаторы.
Рис. 125
й
s
я
-о
о
н -о w
О и н
(? (о ©
3,2
Таблица 68
*- функции, выполняемые инте- гральными микросхемами (подгруппа, вид) Букве обоз чей» о о га о я га ® 1 старое ? 5 Функции, выполняемые ннте- тральными микросхемами (подгруппа, вид) Букв обо че! о о га о я енное зна- iwe о> о (Я я о
Вторичные источники пита Выпрями' ели Преобразователи Стабилизаторы: напряжения тока Прочие Генераторы сигналов Гармонических Прямоугольных (мультивиб- раторы и др.) Л и не й и о- и зме н я ющихся Специальной формы Шума Прочие Детекторы (Д) Амплитудные Импульсные Частотные Фазовые Прочие Коммутаторы и ключи Тока Напряжения Транзисторные Диодные Оптоэлектронные Прочие Логические элементы И или НЕ И—ИЛИ И—НЕ/ИЛИ-НЕ И—НЕ ИЛИ—НЕ И—ИЛИ—НЕ И—ИЛ И—НЕ/И—ИЛ И ИЛИ—НЕ/ИЛИ Расширители Прочие Микросборки, наборы элеме> Диодов Транзисторов Резисторов ния ( ЕВ ЕМ ЕН ЕТ ЕН 'П ГС гг гл ГФ гм ГН ДА ди ДС Дф ДП (К) кт КН КП (Л) ли лл ЛН ЛС ЛБ ЛР лк лм лд ли <тов нд нт HP Е) ГС ГФ ДА ДИ ДС ДФ ДП кт кд' кэ кп ли лл ЛН ЛС ЛБ ЛА ЛЕ ЛР (Н) |НД НТ 1нс Конденсаторов Комбинированные Прочие Многофункциональные мик/ (выполняют одновременно функций) (X) Аналоговые Цифровые Комбинированные Прочие Модуляторы (М) Амплитудные Частотные Фазовые Импульсные Прочие Преобразователи (П Частоты Фазы Длительности Напряжения Мощности Формы сигнала Уровня (согласователи) Код—аналог Аналог—код Код—код Кодирующие Прочие Схемы задержки (Б Пассивные Активные Прочие Схемы селекции и сравнен Амплитудные (уровня сиг нала) Времен ные Частотные Фазовые Прочие Триггеры (Т) УК-типа A’S-THna (с раздельным за- пуском) НЕ НК НП оосхе. 46CKOJ ХА ХЛ ХК ХИ МА МС МФ ми МП ) ПС ПФ ПД пн им ПУ ПА пв ПР пп ) БМ БР БП ия ((. СА СВ СС СФ СП ТВ ТР НЕ НК мы ЧЬКО ЖА жл МА МС МФ ми МП ПС ПФ пн пм ПК пп —1 СА СВ СС СФ ТР
268
Продолжение табл. 68
Функции, выполняемые иите- тральными микросхемами (подруппа, вид) Буквенное обозна- чение Функции, выполняемые инте- тральными микросхемами (подгруппа, вид) Буквенное обозна- чен не
эояои старое новое старое
О-типа ТМ —
Т-типа тт тс
Динамические тд тд
Шмитта тл тш
Комбинированные (DT-, RST-чипов и др.) тк тк
Прочие Усилители (У) тп —
Высокой частоты УВ —
Промежуточной частоты УР —
Низкой частоты УН —-
Импульсных сигналов УИ УИ
Повторители УЕ УЭ
Считывания и воспроизведе- ния УЛ —
Индикации УМ —
Постоянного тока УТ УТ
Операционные и дифферен- циальные УД •—
Синусоидальных сигналов (независимо от частоты) — УС
Видеоусилители — УБ
Прочие Фильтры (Ф) УП ——
Верхних частот ФВ ФВ
Нижних » ФН ФН
Полосовые ФЕ ФП
Режекторные ФР —
Заградительные ФТ —
Сглаживающие ФС
Прочие Формирователи (Aj ФП —
Импульсов прямоугольной формы (ждущие мультиви- браторы, блокинг-г операто- ры и др.) АГ —
Адресных токов (формиро-
ватели напряжений и токов)
Импул ьсов специальной
формы
Разрядных токов (формиро-
ватели напряжений и токов)
Прочие
АА
АФ
АР
АП
Элементы арифметических
и дискретных устройств (И)
Регистры ИР ИР
Сумматс ры ИМ ИС
Полусумматоры ИЛ ил
Счетчики ИЕ ИЕ
Шифраторы ИВ иш
Дешифраторы ИД ИД
Комбинированные И к ик
Прочие ип ип
Элементы запоминающих устройств
(ЗУ) (Р)
Матри цы— накопители опе-
ративных ЗУ
Матрицы—накопители посто-
янных ЗУ
Матрицы—накопители опе-
ративных ЗУ со схемами
управления
Матрицы—накопители по-
стоянных ЗУ со схемами
управления
Элементы памяти
Матрицы различного назна-
чения
Прочие
РА!
РВ
РУ
РЕ
РП
ЯП
ЯМ
четвертый элемент — цифры, указывающие порядковый номер разработки
микросхемы по функциональному признаку в дайной серии.
При пали1 ии разброса электрических параметров одного и того же типа
микросхем в конце обозначения проставляют дополнительные буквы (от А до
Я) или цветную метку на корпусе (значения указываются в технической доку-
ментации) .
Интегральные микросхемы, разработанные до 1973 г. имеют в обозначении:
второй элемент — две буквы, обозначающие функциона тьное назначение; третий
элемент:—две цифры, обозначающие порядковый номер разработки серии.
Остальные элементы обозначения аналогичны описанным
26?
Пример обозначения: К176ЛП1—интегральная полупроводниковая микро-
схема широкого применения (серия К176) с порядковым номером разработки
серии 76, логический универсальный элемент с номером в серии по функциональ-
ному признаку 1. Интегральная микросхема разработки до июля 1973 г. имеет
обозначение К1ЛБ211 (серия К121).
Дтя защиты от внешних воздействий интегральные микросхемы помещают
в специальные герметичные корпуса (некоторые покрывают специальным защит-
ным компаундом). Ряд микросхем имеет бескорпусиое исполнение и предназ-
начены для работы в аппаратуре с общей герметизацией.
Согласно ГОСТ 17467—79 предусмотрены четыре основных типа корпусов
(рис. 125):
тип 1 — прямоугольный с выводами в пределах основания, перпендикуляр-
но к нему;
тип 2 — прямоугольный с выводами, расположенными за пределами основа-
ния, перпендикулярно к нему;
тип 3 — круглый с выводами в пределах основания, перпендикулярно к нему;
тин 4 — прямоугольный с выводами за пределами основания, параллельно
к нему.
Интегральные микросхемы, разработанные до 1972 г., исполнены в нестан-
дартных корпусах (их характеристики указаны в специальной технологической
документации).
Для обозначения типоразмера корпуса и его конструкции предусмотрено
специальное условное обозначение, состоящее из четырех элементов:
первый элемент — цифра, обозначающая тип корпуса;
второй элемент — две цифры (от 01 до 99), обозначающие типоразмер;
третий элемент — цифра, указывающая общее количество выводов;
четвертый элемент — цифра, обозначающая номер модификации.
Пример обозначения. Корпус,201.14-2 — прямоугольный типа 2, типоразмер
01, с четырнадцатью выводами, модификация вторая.
. Размеры корпуса указываются без специальных внешних устройств тепло-
отвода (если они не являются составной частью корпуса). Их применение, раз-
меры и способы крепления указывают в специальной технической документации.
Шаг вьводов: для корпусов типов 1 и 2 2... 2,5 мм; для корпусов типа 3
под углом.30 или 45° и для типа 4 1,25 мм. Выводы могут быть круглыми (диа-
метром 0,3... 0,5 мм) или прямоугольными (в пределах описанной окружности
диаметром 0,4... 0,6 мм).
По назначению интегральные микросхемы подразделяются на аналоговые и
цифровые.
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Наименования основных параметров интегральных микросхем приведены но
ГОСТ 19480—74, а термины, определения и буквенные обозначения — по ГОСТ
18683—76.
Параметры, имеющие размерность напряжения
Максимальное входное напряжение (UBX макс)—наибольшее входное напря-
жение интегральной микросхемы, при котором выходное напряжение соответст-
вует заданному.
Минимальное входное напряжение ((7ВХ мии) — наименьшее входное напря-
жение интегральной микросхемы, при котором выходное напряжение соответст-
вует заданному.
Чувствительность (S) — наименьшее входное напряжение, при котором
электрические Параметры интегральной микросхемы соответствуют заданным.
Диапазон входных напряжений — интервал напряжений от минималь-
ного входного напряжения до максимального.
Входное напряжение покоя (UObx) — напряжение на входе интегральной
микросхемы при отсутствии входного сигнала.
Выходное напряжение покоя (ПОвых) — напряжение на выходе интегральной
микросхемы при отсутствии входного сигнала.
270
Входное напряжение ограничения (VBxOrp) — наименьшее входное напряжение
интегральной микросхемы, при котором наступает ограничение выходного напря-
жения.
Напряжение смещения (UCK) — напряжение постоянного тока на входе
интегральной микросхемы, при котором выходное напряжение равно нулю.
Синфазное входное напряжение (17Сф.вх)— напряжение между каждым из
входов интегральной микросхемы и общим выводом, амплитуда и фаза которых
совпадают.
Помехоустойчивость (Un макс) — наибольшее напряжение па входе интеграль-
ной микросхемы, при котором еще не происходит изменения уровня выходного
напряжения.
Помехоустойчивость статическая (НП ) — наибольшее допустимое напря-
жение статической помехи по высокому и низкому уровням входного напряжения,
прн котором еще не происходит изменения уровня выходного напряжения цифро-
вой интегральной микросхемы.
Максимальное выходное напряжение (1/вых макс) — наибольшее выходное
напряжение, при котором изменение параметров интегральной микросхемы соот-
ветствует заданным.
Минимальное выходное напряжение (£7ВЫХ мин) — наименьшее выходное на-
пряжение, при котором изменение параметров интегральной микросхемы соответ-
ствует заданным.
Приведенное ко входу напряжение шумов (Um пх) — отношение напряжения
собственных щумов па выходе интегральной микросхемы при закороченном входе
к коэффициенту усиления напряжения.
Остаточное напряжение (17ост) — падение напряжения на выходе пороговой
интегральной микросхемы в открытом состоянии.
Напряжение срабатывания (17срб) — наименьшее напряжение постоянного
тока на входе интегральной микросхемы, при котором опа переходит из одного
устойчивого состояния в другое.
Напряжение отпускания (17ОТ11) — наибольшее напряжение постоянного тока
на входе интегральной микросхемы, при котором опа переходит из одного устой-
чивого состояния в другое.
Минимальное прямое напряжение на переходах ((7пр_ нш1) — наименьшее
падение напряжения на переходах интегральной микросхемы, при котором обеспе-
чиваются заданные параметры.
Максимальное обратное напряжение (О^ макс) — наибольшее падение на-
пряжения на р-л-переходе интегральной микросхемы при протекании через него
обратного тока.
Напряжение источника питания (UK п).
Остаточное напряжение электрического ключа (ОССТ 0) — падение напря-
жения сигнала па открытом электрическом ключе.
Максимальная амплитуда импульсов входного напряжения (17вх дмакс) —
наибольшая амплитуда импульсов напряжения иа входе интегральной микросхемы,
при которой искажения формы имп}льсов выходного напряжения не превышают
заданного.
Максимальная амплитуда импульсов выходного напряжения (1/„ых дмакс) —
наибольшая амплитуда импульсов напряжения на выходе интегральней микро-
схемы, при которой искажения формы импульсов выходного напряжения не пре-
вышают заданного.
Напряжение, логической единицы (С-'1) — значение высокого уровня напряже-
ния для «положительной» логики и значение низкого уревня напряжения для
«отрицательной» логики.
Напряжение логического нуля (17°)—значение низкого уровня напряжения
для «положительной» логики и значение высокого уровня для «отрицательной»
логики.
271
Пороговое напряжение логической единицы (<7прр) — наименьшее значение вы-
сокого уровня напряжения для «положительной» логики или наибольшее значение
низкого уровня напряжения для «отрицательной» логики на входе интегральной
микросхемы, при котором она переходит из одного устойчивого состояния в
другое
Пороговое напряжение логического нуля (П^ор) — наибольшее значение низ-
кого уровня напряжения для «положительной» логики или наименьшее значение
высокого уровня для «отрицательной» логики на входе интегральной микросхемы,
при котором она переходит из одного устойчивого состояния в другое.
Параметры, имеющие размерность тока
Разность входных токов (Д/вх) — разность токов, протекающих через входы
интегральной микросхемы в заданном режиме.
Средний входной ток (/вх. ср)—среднее арифметическое значение входных
токов, протекающих через входы сбалансированной интегральной микросхемы.
Максимальный выходной ток (7ВЫХ макс)— наибольший выходной ток, при
котором обеспечиваются заданные значения параметров интегральной микросхемы.
Минимальный выходной ток (/вых мин) — наименьший выходной ток, при
котором обеспечиваются заданные значения параметров интегральной микросхемы.
Входной ток логической единицы (/вх).
Входной ток логического нуля (/вх).
Выходной ток логической единицы (/вых).
Выходной ток логического нуля (/вых).
Ток утечки на входе (Zyr_ вх)—ток во входной цепи интегральной микро-
схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах.
Ток утечки на выходе (/уг. вых)—ток в выходной цепи интегральной микро-
схемы при закрытом состоянии выхода- и заданных режимах на остальных
выводах.
Ток потребления (/пот)—ток, потребляемый интегральной микросхемой от
источника питания в заданном режиме.
Ток потребления в состоянии логической единицы (/'пот).
Ток потребления в состоянии логического нуля (/вот).
Средний ток потребления (/пот- ср) —ток, равный полусумме токов, по-
требляемых цифровой интегральной микросхемой от источников питания в двух
различных устойчивых состояниях.
Ток короткого замыкания (/к 3)—ток, потребляемый интегральной микро-
схемой при замкнутом накоротко выходе.
Ток холостого хода (/к х) — ток, потребляемый интегральной микросхемой
при отключенной нагрузке.
Максимальный коммутируемый ток (/ком макс) — наибольший' ток, проте-
кающий через открытый электронный ключ, при котором падение напряжения на
интегральной микросхеме равно заданному.
Максимальный ток закрытого ключа (/3 макс) — ток, протекающий через
закрытый электронный ключ при максимальном входном напряжении в заданном
режиме.
Параметры, имеющие размерность мощности
Потребляемая мощность (Рпот)—мощность, потребляемая интегральной
микросхемой от источников питания в заданном режиме.
Максимальная потребляемая мощность (РПот. макс)—мощность, потребля-
емая интегральной микросхемой в предельном режиме.
Потребляемая мощность в состоянии логической единицы (Р'от).
Потребляемая мощность в состоянии логического нуля (Рро1)-
272
Средняя потребляемая мощность (Рпот ср) — полусумма мощностей, потреб-
ляемых цифровой интегральной микросхемой от источников питания в двух раз-
личных устойчивых состояниях.
Выходная мощность (Рвых) —мощность сигнала, выделяемая на нагрузке
интегральной микросхемы в заданном режиме.
Мощность рассеяния (Ррас)—мощность рассеяния интегральной микросхемы,
работающей в заданном режиме.
Параметры, имеющие размерность частоты
Нижняя граничная частота полосы пропускания (fH) — наименьшая частота,
на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается на
3 дБ от значения на заданной частоте.
Верхняя граничная частота полосы пропускания (fB) — наибольшая частота,
на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается на
3 дБ от значения на заданной частоте.
Полоса пропускания (Af)—диапазон частот между верхней и нижней гра-
ничными частотами полосы пропускания интегральной микросхемы.
Центральная частота полосы пропускания — частота, равная полу-
сумме нижней и верхней граничных частот полосы пропускания интегральной
микросхемы.
Частота единичного усиления (ft)—частота, на которой коэффициент уси-
ления интегральной микросхемы равен единице.
Частота среза амплитудно-частотной характеристики (fcp ) — частота
амплитудно-частотной характеристики, на которой коэффициент усиления инте-
гральной микросхемы равен нулю.
Частота следования импульсов входного напряжения (f*K).
Частота генерирования (/р).
Параметры, имеющие размерность времени
Время задержки импульса (/зд)— интервал времени между фронтами вход-
ного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на заданном
уровне напряжения или тока.
Время нарастания выходного напряжения (ZHap)—интервал времени, в тече-
ние которого выходное напряжение интегральной микросхемы изменяется с пер-
вого достижения уровня 0,1 до первого достижения уровня 0,9 установившегося
значения.
Время установления выходного напряжения (ZyCT) — интервал времени, в
течение которого выходное напряжение интегральной микросхемы изменяется
с первого достижения уровня 0,1 до последнего достижения уровня 0,9 устано-
вившегося значения.
Время перехода из состояния логической единицы в состояние логического
нуля — интервал времени, в течение которого напряжение на выходе
интегральной микросхемы переходит от напряжения логической единицы к на-
пряжению логического нуля, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных
значениях напряжения.
Время перехода из состояния логического нуля в состояние логической единицы
(/°'1)—интервал времени, в течение которого напряжение иа выходе интегральной
микросхемы переходит от напряжения логического пуля к напряжению логической
единицы, измеренный иа уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения.
Время задержки включения (4д) — интервал времени между входным и вы-
ходным импульсами при переходе напряжения иа выходе интегральной микро-
схемы от напряжения логической единицы к напряжению логического нуля,
измеренный иа уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения.
Время задержки выключения ) интервал времени между входным и
выходным импульсами при переходе напряжения иа выходе интегральной микро-
схемы от напряжения логического нуля к напряжению логической единицы,
измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения.
273
Бремя задержки распространения сигнала при включении (Z3 р) — интервал
времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на
выходе интегральной микросхемы от напряжения логической единицы к напря-
жению логического нуля, измеренный на уровне 0,5 нли на заданных значениях
напряжения.
Время задержки распространения 'сигнала при выключении р)—интер-
вал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения
на выходе интегральной микросхемы от напряжения логического нуля к напря-
жению логической единицы, измеренный на уровне 0,5 или па заданных значениях
напряжения.
Среднее время задержки распространения сигнала (<зд р ср) — интервал
времени, равный полусумме времени задержки распространения сигнала прн
включении н выключении цифровой интегральной микросхемы.
Время считывания информации (/сч) — интервал времени 'между фронтами
адресного и считывающего сигналов интегральной м1 кросхемы, измеренный на
заданных уровнях в заданном режиме.
Время записи информации (/зп) — интервал времени между началом адрес-
ного импульса и появлением записанной информации на выходе интегральной
микросхемы, измеренный на заданных уровнях.
Время восстановления после считывания (Z^) — интервал времени между
концами адресного и считанного сигналов интегральной микросхемы, измеренный
на заданных уровнях.
ОТНОСИТЕЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Коэффициент усиления напряжения (KyU)—отношение выходного напряже-
ния интегральной микросхемы к входному.
-Коэффициент усиления тока (Ку1)—отношение выходного тока интеграль-
ной микросхемы к входному.
Коэффициент передачи напряжения (К*).
ч Коэффициент усиления мощности (КуР) — отношение выходной мощности
интегральной микросхемы к входной.
Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений (К^ Сф) — отно-
шение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к коэффи-
циенту усиления синфазных входных напряжений.
Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики (КИлЛ) — наи-
большее отклонение крутизны амплитудной характеристики интегральной микро-
схемы относительно крутизны амплитудной Характеристики, изменяющейся по
линейному закону.
Коэффициент прямоугольности амплитудно-частотной характеристики
(Кп) — отношение полосы частот интегральной микросхемы на уровне'0,01 или
0,001 к полосе пропускания на уровне 0,7.
Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики
(Аир АЧ)—отношение максимального выходного напряжения интегральной микро-
схемы к минимальному в заданном диапазоне частот полосы пропускания в деци-
белах.
Коэффициент влияния нестабильности источников питания на входной
ток (Квл и п) отношение приращения входного тока интегральной микросхемы
К вызвавшему его приращению напряжения источников питания.
Коэффициент гармоник (КГ) — отношение среднеквадратического напряжения
суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала, к средиеквадратическому напряжению
первой гармоники.
Коэффициент нестабильности по напряжению (Ккси) — отношение относи-
тельного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы к вызвав-
шему его относительному изменению входного напряжения.
274
Коэффициент нестабильности по току (Ккс1) — отношение относительного
изменения выходного напряжения интегральной микросхемы к вызвавшему его
относительному изменению тока нагрузки или сопротивления нагрузки.
Коэффициент подавления (Хпод) — отношение выходных напряжений инте-
гральной микросхемы, измеренных при различных управляющих напряжениях,
выраженное в децибелах.
Коэффициент объединения по входу (Коб) — число входов интегральной
микросхемы, по которым реализуется логическая функция.
Коэффициент разветвления по выходу (А^раз) — число единичных нагрузок,
которые можно одновременно подключить к выходу интегральной микросхемы
(единичная нагрузка — один вход основного логического элемента дайной серин
интегральных микросхем).
Относительный динамический диапазон по напряжению отн) — отно-
шение максимального выходного напряжения интегральной микросхемы к мини-
мальному выходному напряжению, выраженное в децибелах.
Относительный диапазон автоматической регулировки усиления по напря-
жению (А{/дРуотн) — отношение наибольшего коэффициента усиления напряжения
к наименьшему при изменении входного напряжения в заданных пределах.
Относительный диапазон автоматической регулировки усиления по току
(Д/АРуотн) —отношение наибольшего коэффициента усиления тока к наименьшему
при изменении входного напряжения интегральной микросхемы в заданных
пределах.
ПРОЧИЕ ПАРАМЕТРЫ
Скорость нарастания выходного напряжения
(V,, )—скорость
' '-'вых
выходного напряжения интегральной микросхемы при воздействии
максимального входного напряжения прямоугольной формы.
Крутизна вольт-амперной характеристики (5В а)—отношение
изменения
импульса
изменения
выходного тока к вызвавшему его напряжению входного сигнала.
Крутизна преобразования 1рб) — отношение выходного тока к вызвавшему
его приращению входного напряжения при заданном напряжении гетеродина.
Сопротивление нагрузки (/?и)—активное сопротивление, подключенное к
выходу интегральной микросхемы, при котором обеспечивается заданное выход-
ное напряжение (ток) или заданное усиление.
Входное сопротивление (RB).) — отношение приращения входного напряже-
ния интегральной микросхемы к приращению активной составляющей входного
тока при -заданной частоте сигнала.
Выходное сопротивление (7?вых)—отношение приращения выходного напря-
жения интегральной микросхемы к вызвавшей его активной составляющей вы-
ходного постоянного или синусоидального тока при заданной частоте сигнала.
Емкость нагрузки (Сн) — максимальная емкость подключенная к выходу
итегральной микросхемы, при которой обеспечиваются заданные частотные и
другие параметры.
Параметры диодов и транзисторов, входящих в микросборки, обозначаются
общими для всех полупроводниковых диодов и транзисторов символами.
Условия эксплуатации интегральных микросхем приведены в табл. 69.
АНАЛОГОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Предназначены для генерирования, усиления преобразования й формирова-
ния непрерывных и импульсных электрических сигналов.
Значения параметров в таблицах соответствуют нормальной температура
окружающей среды.
275
Таблица 69
Серия Интервал рабочих температур, °C Допустимые многократные циклические изменения температуры, Отно- ситель- ная влаж- ность при 40° С, %, не более Ускорение, м/с’, не более Атмосферное давление, Па
при много- крдт- « ых ударах при вибра- ции па частоте, Гц наи- мень- шее наи- боль- шее
КЮО, К1О1, К511 —10 . -70 —10...+70 981 735 73 10-600 ___ —
К104, К106 —10 .+85 —10...+85 98 735 10—600 З-Ю4 3 106-
К109, КПЗ, КЮО, KI31, KI33, К136, К137, К138.К140, К141, К144, К146, К155, К157, К158, К172, К174, К176 —10,.+70 —10...+70 982 147 50 5—600 — —
кпо —10... 55 —10...+55 983 735 98 1—600 — —
KU4 —10...+70 — 982 147 50 5-600 — —
К1184, K12I, К187 —10...+70 — 98 147 50 5 600 — —
КП9 —45...+85 —45...+85 98 735 73 10—600 6,5 102 3-10^
KI22, К142 —45...+85 — 98 147 50 5—600 — —
К123, К129 —60...+85 — 98 147 50 5—600 —- —
К124 —60.. .+70 —60...+70 98 147 50 5—600 —
К128, К177 —45...+85 — 982’5 147 50 5—600 3- ю4 3 104
К134, К149 6 —45...+85 — 98 147 50 5-600 2,7-104 3 10«
К153 —45...+85’ — 982 147 50 5—600 — —
К159 —60. .+100 — 982 735 98 1—600 — —
276
Продолжение табл. 69
Серия Интервал рабочих температур, °C Допустимые многократные циклические изменения температуры, °C Отно- ситель- ная влаж- ность при 40 °C, %, не более Ускорение, м/с2, не более Атмосферное давление, Г1а
при- много- крат- ных ударзх при вибра- ции на частоте/ Гц наи- мень- шее наи- боль- шее
К166 —45...-I-70 — 982 147 50 5 - 600 2-Ю1 3-105
К167 —45...+70 — 982 735 73 5—600 — —
К173 —30...+50 — 98 147 50 5—600 — —
К178 1...70 1...70 982 147 50 5 - 600 —
К190 —45...+85 —45...+85 98 147 59 5—600 — —
К198, К594 —45...+85 * — 98 735 98 1—600 — —
K20I 1...5Э 982 147 50 5—600 — —
К204 —25...+55 — 983 735 98 1—600 —
K2I7 —30...+70 — 982 147 50 5—600 — —
К218 —45...+75 — 98 147 50 1—600 —
К223 8 —60...+70 — 982 147 59 5—600 6,5-102 3-101
К 224 —30...+50 — 983 147 50 5—80 — —
К226, К284 —45...+55 — 983 735 98 1—600 — —
К228 —45...+70 —. 98 s 735 98 1—600 — —
К229 . —45...+55 —45...+55 98« 735 98 1—600 6,5-10» 3-105
277
Продолжение табл. 69
Серия Интервал рабочих температур, Допустимые многократные циклические изменения температуры, °C Отно- ситель- ная влаж- ность пои 40 °C %, не более Ускорение, м/с2, не более Атмосферное давление, Ла
при много- крат- ных ударах при вибра- ции на частоте, Гц наи- мень- шее наи- боль- шее
К194, К230, К293, К700 8 — 10...+70 — 10...+70 983 735 98 1—600 — —
К237 —30...+70 98 98 50 5 600 — —
К243 1...50 1...50 98“ 147 50 5—600 —
К264 —10...+55 — 98 147 50 5 80 — — 1
К265 —60...+70 —60...+70 98 735 98 1—600 — —
К590 — 10...+75 —10...+75 9810 1470 196 I- 2000 6.5-104 3-105
1 Для K51I при 25 °C.
* При 20 °C.
А При 25 °C.
* Допускаются однократные удары до 9800 м/с2.
* Для К177 при 40 °C.
изменения температуры в интер<
• Для К149 допускаются многократные циклические
вале —45.. .-}-85 °C.
7 Для К1УТ531Б —10...4-85 °C.
* Допускаются одиночные удары до 245 м/с2.
® Для К7С0 атмосферное давление от 6,5»102 до 3» 10s
10 При 35 °C-
Примечания: 1. Гарантируемая минимальная наработка интегральных микросхем
не менее 10 000 ч.
Ла.
2. В заводской упаковке или в составе аппаратуры интегральные микросхемы различ-
ных типов можно хранить не менее 6 или 12 лет (в складских условиях при 20+ 15 °C и влаж-
ности не более 85 %).
3. Линейное ускорение для К237 147 м/с2, для К223 и К224 не указано, для К500
1960 м/с-2, для всех остальных интегральных микросхем 245 м/с2.
СЕРИЯ К101
Состав серин: .
К1КТ011А—К1 КТО И Г —прерыватель (КЮ1КТ1А—КЮ1КТ1Г).
Корпус круглый металлостеклявный 301.8—2.
Параметры приведены в табл 70, а принципиальная схема —на рис. 126.
СЕРИЯ К118
Состав серии:
К1УС181А—К1УС181Д — усилитель
двухкаскадный (КН8УН1А—К118УН1Д)1,
К1УС182А—К1УС182В — усилитель каскодный (К118УН2А—КН8УН2В);
К1УТ181А—К1УТ181В — однокаскадный дифференциальный УПТ
(КН8УД1А—К118УД1В);
1 В скобках указано новое обозначение микросхем.
278
К1У Б181А—К1 УБ 181Г — видеоусилитель (К 118У П1А—К118УП1Г);
К1ТШ181А—К1ТШ181Д — триггер Шмитта (К118ТЛ1 А—К118ТЛ1Д).
Корпус прямоугольный пластмассовый 201 14-1.
Параметры приведены в табл. 71, а принципиальные схемы — на рис. 127.
Таблица 70
Тип ^вых ост, мкВ Д*э. Ом, нс более ^уТ- ВЫХ’ нА, не более </2ээ.'в макс» мА Аэ, макс, мА
к 1 КТО ИА 100 6,3
К1КТ011Б 300 120 40 6,3 10 10
KIKT01IB 100 3
К1КТ0ПГ 300 3
1 Сопротивление открытого ключа между эмиттерами.
г Наибольшее напряжение, допускаемое между эмиттерами.
Рис. 126
Таблица 71 t
Тип ^И. п» В ^у£/> нс бо- лее, на частоте ^ВЫХ’ в иоя ,хаЦ В, не более 5 и 3 и /вх, мкА, не более
12 кГц 5 МГц син- фазное дифферен- циальное
К1УС18IA К1УС181Б К1УС181В К1УС181Г К1УС181Д 6.3 6,3 12,6 12,6 12.6 250 400 350 500 800 30 30 50 50 -50 1 0,5 2,2 1.8 1.8 — 1.2 — 1.2—3 —
К1УС182А К1УС182Б К1УС182В ±4 ±6,3 ±6.3 15 25. 40 — — • >1 1 1 0,1 0.1 0.05 — 1,2—3 —
К1УТ181А К1УТ181Б К1УТ181В ±4 ±6.3 ±6,3 15 22- 22 5 8 8 — 6 3 6 1+1+1+ 05 СО ЬЗ -2...4-1 —3...4-1 -Д...+1 3—7 10 10 20
К1УБ181А К1УБ181Б К1УБ181В К1УБ181Г 6,3 63 12,6 12.6 900 1300 1500 2000 — — — — — — —
К ТШ181А К1ТШ181Б К ТШ181В К1ТШ181Г К1ТШ181Д ±3 ±4 ±4 ±6,3 ±6,3 — — —0,4...-|-3.05 —0,4...-±3,05 —0,4...-±3,05 —0,4...-±3 05 —0,4... -±3,05 — — — — 20 40 20 40 20
П р и м е ч а н и е. Для К1ТШ181А—Д <Усрб = 0 ... 0,35 В, С/Отп — 0 ... 0,35 В.
279
К1ТШ18 А-КПШ181Д
Ри>. 1 >7
СЕРИЯ К119
Состав серии:
К1УС191 —усилитель НЧ входной (КП9УН1);
К1УС192 — усилитель НЧ (К119УН2)}
Таблица 72
Тип и1 , в и. п’ ^пот» не более Ду и При 1 = 10 кГц {/вх, в, не более х кОм, ие более Г'вь.х. В, не менее
К1УС191 ±6,3 2 2—5 0,52 4 О,?2
К1 УС 192 ±6,3 2,5 10±30 % I2 0,7s
К1УТ191 ±6,3 2,5 2—5 0,52 4 0,7’ 2
К1УБ1918 6,3 6 4—104 0,1—1®
К1УЭ1918 ±3 2,5 >0,7® 1.5’ 10 0,5
1 Допуск ±10%. 1 Действующее значение. » При Кг < 10 %. ® Для синусоидального напряжения С частотой 1 кГц. 7 Эффективное значение.
При Длительности импульса 1—2 мкс ‘и вх — 0,3 ... 500 мкс.
и частоте следования 2 и! ц. • Амплитудное значение. ft) — ’ и0вых = ±0,2 ... -0.2 2 МГц. В: Гщ
Таблица 73
Тип и1 , в н. п’ Лют» не более ^вх. маис, В /в, МГц, ие более /н. Гц KnU • Лх» м^« ие более
К1ГФ1912 6,3 3 3,53 —
Kinniqi — — 4 1 — >0,5® 11
К1МА191 6,3 — 0,14 0,2 —. 2—9 —.
К1ДА191 —6,3 2 4 0,04 5 >0,66 7 —
К1КП191 3 3е 2—3’ — — — •• 1
К1СВ191 —6,3 3 — — — >-0,658 —
К1СС191А К1СС191Б 12 3,5 3 0,02 5 >0,95» 1
К ICC 192 12 — 3 0,02 5 >0,958 1
К1ГФ192® 3 6 — — — — —
К1ТШ191А ±3 0,1
К1ТШ191Б ±6,3 5 24 0
1 Допуск 10 %.
2 *м. вх = ••• О-4 MKCi *ф. вх мкс; /н ВЬ1Х > 0,3 ... 1,4 мкс.и зависит от пара-
метров навесных элементов; /ф БЬ1Х< 0,3 мкс; tc вЬЗХ < 0,5 мкс! 7?н ~ 1 кОм; /вк < 100 кГц.
3 Амплитудное положительной полярности.
4 Действующее значение.
в В режиме выпрямления несущей частоты 1 кГц.
* Максимальный ток потребления логического нуля, логической единицы —10 мА.
7 Максимальное напряжение логической единицы, логического нуля —3 ... 0 В.
8 При t/BX2 “ ® (К1СС192 —- для одной секции).
Б Лр. вх ** 0,5 мкс« Л. вых ? ••• 25 мкс; fCp. ВЬ1Х < 0,5 мкс; /Се вых < 1,8 мкс.
Примечания: 1. Для К1СВ 191 1/вх1 »= —6 ,3 В; 17вх2 = —4 В; 1/ост> вых = 0,4 в.
2. Для К1СС191А /?вх = 300 Ом; Кг ~ 2 (прн 1/вьзх — 2 В); коэффициент передачи цепи
обратной связи 0,4 ... 0,95.
3 Для К1СС191Б /?вх = 150 Ом? Лг = 2 (при 1/ВЬ]Х =2 В); коэффициент передачи цепи
обратной связи 0,4 ... 0,95.
4. Для K1TUI191A и К1ТШ191Б постоянное входное напряжение —2,5 ... В; на-
пряжение гистерезиса 0,15 В.
5. Для К1ПП191 1,5 кОм.
281
К1УТ191—усилитель постоянного тока (КП9УТ1);
К1УБ191 —видеоусилитель (К119УИ1);
К1УЭ191—эмиттерный повторитель (К119УЕ1);
К1ГФ191 —элемент ждущего блокинг-генератора (К119АГ1);
К1ПП191 — мост диодный (KI 19ПП1);
К1МА191 — регулирующий элемент АРУ (КП9МА1);
К1ДА191 —детектор АРУ (КП9ДА1);
К1КП191 коммутатор (К119КП1);
3
^'-VunZ
Рис. 128
282
К1СВ191—пропускатель линейный (К119СВ1);
К1СС191А и К1СС191Б, К1СС192— элемент схемы частотной селекции актив-
ный (КП9СС1А и К119СС1Б, К119СС2);
К1ГФ192— мультивибратор с самовозбуждением (К119ГГ1);
К1ТШ191А и К1ТШ191Б—триггер Шмитта чувствительный (КН9ТЛ1).
Корпус металлостсклянпый 401.14-4.
Параметры приведены в табл 72 и 73, а принципиальные схемы — на рис.
128—130
283
Рис. 130
СЕРИЯ К122
Состав серии:
К1УТ221А—К1УТ221В —усилитель постоянного тока однокаскадный диффе-
ренциальный (К122УД1А—К122УД1 В)1
К1УС221А—К1УС221Д — усилитель двухкаскадный (К122УН1А—К122УН1Д);
К1УС222А—К1УС222В— усилитель каскодный (К122УН2А—К122УН2В);
К1УБ221 А — К1УБ221Г — видеоусилитель (К122УП1 А— К122УП1 Г);
К1ТШ221А—К1ТШ221Д — триггер Шмитта (К122ТЛ1А—К122ТЛ1Д).
Корпус круглый металлостеклянный 301.12-1.
Параметры приведены в табл. 74, а принципиальная схема — на рис. 131.
Таблица 74
Тип <4п- в ^ВХ» кОм, не менее R2 V' ие менее ивх, в /вх, мкА, не менее ^ВЫХ» кОм ^вых. ыаке> В
К1УВ221А 6,3 900
К1УВ221Б 6,3 1300 — —- —- —.
К1УБ221В 12,6 1500
К1УБ221Г 12,6 2500 •
К1УС221А 6,3 250
К1УС221Б 6,3 400
К1УС221В 12,6 350 —
К1УС221Г 12,6 500
К1УС221Д 12,6 800
К1УС222А 4 15 «0,1
К1УС222Б 6.3 1 25 «0,1 — 1.2—3
К1УС222В 6,3 40 «0,05
К1УТ221А ±4,0 6 15 -2...+ 1 10
К1УТ221Б ±6,3 6 22 —3...4-1 10 3—7
К1УТ221В ±6,3 3 22 -3...+1 20
К1ТШ221А ±3 20 2.75—3,05
К1ТШ221Б ±4 40 3,75-4.05
К1ТШ221В ±4 — 20 3,75-4,05
К1ТШ221Г ±6,3 40 6—6,35
КГТШ221Д ±6,3 20 6—6.35
* Допуск ±10%.
! На частоте 12 кГц.
Примечания; 1. Для К1УТ221А 17сф. вх в ±2 В; для К1УТ221Б 1г К1УТ221В
^сф. вх ~ ± В.
2. Для К1УТ221А в К1УТ221Б Vсн <= ±5 мВ; для К1УТ221В Дсм = ±10 мВ.
3. Допускается для К1УТ221А и К1УТ221Б Д/вх = ±10 мкА; К1УТ221В Д/вх = 20 мкА.
4. Для К1ТШ221А-Г UHblx. мин = -0,4 ... 4-0,9 В.
СЕРИЯ К123
Состав серии:
К1УС231А—К1УС231В — усилитель НЧ.
Корпус круглый металлостеклянный 301.12-1.
Параметры приведены в табл. 75, а принципиальная схема — на рис. 132.
285
К1УС221А-МУС221Д
МУС222А -МУС2228
МУБ221А -К1УБ221Г
/ход
4
МГШ221А -МТШ221Д
Рис. 131
Таблица 75
Тип ин. п» В р ' ЛОТ’ мВт, не более ^ВХ» кОм, не менее ^вх. макс> В /«. Гц 1в- кГц KyU' кг, %, не более ^вых» Ом, не более
К1УС231А К1УС231Б К1УС231В 6.3 ± 10 % 15 10 0,5 20 100 300—500 100—350 30—500 2 200
1 При Уеых = о,5 в.
Рис. 132
287
СЕРИЯ К124
Состав серии:
К1КТ241—прерыватель (К124КТ1).
Корпус круглый металлостеклянный 301.8-2.
Принципиальная схема показана на рис. 132.
Общие параметры микросхем К124
(7ОСТ, не более..................,........................... 300
7ут. вых» НА» не более..................................... • . 50
Ом. не более.............................................. 100
Vдз» В, не более ............................................ ±30
Примечание. Все параметры измеряют между выводами эмиттеров.
СЕРИЯ К129
Состав серии:
К1НТ291А—К1НТ291Ж и KI НТ291И — пара транзисторов структуры п-р-п
(элемент дифференциального усилителя).
Бескорпусные микросхемы с герметизацией компаундом.
Параметры приведены в табл. 76, а принципиальные схемы — на рис. 132.
Таблица 76
Тип ,,1 Л21э СМ <п S Г) СМ 1е^Ч1 'кбО- нА- не более /эбО> нА’ не более /* , нА, уТ» ’ не более ^эб1~ивб2, мВ Ск, пФ, не более Сэ, пФ, не более М О К СО Я S м S Q ad <с я О-
К1НТ291А К1НТ291Б К1НТ291В К1НТ291Г К1НТ291Д К1НТ291Е К1НТ291Ж К1НТ291И 20—80 60—180 80. 20—80 60—180 80 40—160 40—160 0,85 0,85 0,85 0,75 0.75 0,75 0,85 0,75 2.5 200 500 10 3 3 3 15 15 15 3 15 4 4 15 15
1 При U= 5 В, /э = 1 мА и f — 50 Гц.
1 При С7К(5 — 15 В.
• При = 4 В.
4 Ток утечки между транзисторами.
СЕРИЯ К140
Состав серии:
К1УТ401А—К1УТ401В (К140УД1А—К140УД1В), К1УТ402А и К1УТ402Б
(К140УД2А и К140УД2Б), К140УД5А —операционный усилитель;
К140УД5Б, К140УД6, К140УД7, К140УД8А и К140УД8Б, К140УД9,
К140УД11, К140УД12.
Корпус круглый металлостеклянный: К1УТ401 (К140УД1), К1УТ402
(К140УД2), К140УД5, К140УД9 301.12-1? К140УД8 301.8-lj К140УД6, К140УД7,
К140УД11, К140УД12 301 8-2.
Выводы. +1/ип-7 (8 —К140УД8); —1/и п — 1 К1УТ401 (К140УД1), •
К1УТ402 (К140УД2), К140УД5, К140УД9; 4—К140УД6, К140УД7, К140УД11,
К140УД12; 5 —К140УД8.
288
Вход инверсный: 9—К1УТ401 (К140УД1), К1УТ402 (К140У 2), К140УД9-
2 — К140УД6, К140УД7, К140УД11; 3— К140УД8 К140УД12 8 — К140УД5А:
9 — К140УД5Б.
Вход прямой: 10 — К1УТ401 (К140УД1), К1УТ402 (К140УД2), К140УД9;
3 — К140УД6, К140УД7, К140УД11; 2 — К140УД12; 4 — К140УД8: 11 —
К140УД5А; 10 — К140УД5Б.
К140УД6, К140УД7, К140УД8 в К140УД11 имеют встроенные цепи коррекции
лчх.
К140УД7 и К140УД11 имеют защиту входных и выходных цепей от корот-
кого замыкания.
К140УД8 имеют нолевые транзисторы на входе и обладают высоким вход-
ным сопротивлением.
Параметры приведены в табл. 77, а принципиальные схемы — на рис. 133—
СЕРИЯ К142
Состав серии:
К142ЕН1А и К142ЕН1Б, К142ЕН2А н К142ЕН2Б— стабилизатор напряжения.
Корпус прямоугольный пластмассовый с теплоотводами.
Принципиальная схема показана иа рис. 132.
Общие параметры микросхем К142
Максимальный допустимый ток нагрузки в диапазоне изменений вход-
ного и выходного напряжений от максимума до минимума и мощности
рассеяния, не превышающей допустимую, мА........................150
^рас. маке ®т:
при температуре от <—60 до +55 °C . . . ....................... 0,8
123 °C...................... 0.3
Максимальная допустимая импульсная перегрузочная мощность при
ти = 1 с с периодом повторения не менее 5 м...................... 3
Минимальное входное напряжение К142ЕН1А и К142ЕН1Б, В............ 9
Максимальное входное напряжение, В:
К142ЕН1А .и К142ЕН1Б....................,...................... 20
KI42EH2A и К142Г.Н2В....................40
Минимальное выходное напряжение, В: -
К142ЕН1Л н К142ЕИ1Б ............................................ 3
К142ЕН2А н К142ЕН2Б .......................................... 12
Максимальное выходное напряжение, В:
К142ЕН1А и К142ЕН1Б.............................................
К142ЕН2А н Ц142ЕН2Б.............................
/пот- (микросхемой)..............................................
Температурный коэффициент выходного напряжения в рабочем интер-
вале температур (—60...+ 125 °C), %/°С .,. . ............
Коэффициент нестабильности по напряжению, %/В:
Ю42ЕН1А и К142ЕН2А . . ..................
К142ЕШБ........................................................
К142ЕН2Б.......................... ............................
12
30
4
0,01
0,3
0.31
0,1
СЕРИЯ К149
Состав серии:
К1КТ491А—К1КТ491Б — ключ токовый (К149КТ1А—К149КТ1В).
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401 14-4.
Принципиальная схема показана иа рис. 136.
Ю 3-191
289
N5 СО О — Таблице I 77
У И. п. В <У о 03 менее О 4) § 8 Я О* О <и б О 2 менее
03 О 2 V 2
Тил х О я й го S X 2 «У X S Й Et я и
мини- маль- максн- мэль- С < S го S 4 и S X X К О 5 < й) X га 53 is"и <4 CJ сф» нее Г“ .л. М
ное ное Я Тд о с X « X Я 3 я X X а 0? X ;<уУ ДУс. не бо X X _ < *ос. не ме S
К1УТ401А (К140УД1А) ±3* ±7 ±6,3 4.2 ±3* ±2.8 500 1
К1УТ401Б (К140УД1Б) ±7* ±13 ±12,6 8 ±1.2 +6* ±5,7 5* 0,004 7 1350 9 60 2800 60 5 3,5
К140УД1В ±7* _±13 ±12.6 10 ±6* + 5,7 8000 3,5
К1УТ402А + 15 ±12.6 16 ±4 ±6 + 10 35000 5
(К140УД2А) К1УТ402Б ±6 ±7,5 ±6,3 10 ±2 ±3 ±3 1 0.3 0.7 3000 7 20 200 80 2 0,12*
(К140УД2Б)
К140УД5А К140УД5Б ±3 ± 15 ±12 12 ±3 ±6 -1-6,5 -4,5 5* 0,05 0,03 5 10 500 1000 10 5 50 10 1000 5000 50 60 14 6
К.140УД6 ±5* ±20* ±15 _4 ±15 ±15 ±11 1 1 0,1 30000 10 20* 25 70 1’ 2*
К140УД7 _±5 ±16.5 ±15 3.5 ±12 ±12 ±10.5 2 0.4 0.4 30 000 9 6* 200 70 0,8 10
К140УД8А 3 50 000 20 50 0,1 64 2
К140УД8Б ±6 ± 16,5 ±15 5 ± го ±10 ±10 2 1000 0.0002 20 000 30 100 0.5 64 1 5
К140УД8В 5 20000 50* 150 0,2 60* 2
К140УД9 ±6 ±15 ±12,6 8 ±4 ±6 ±10 1 0.3 0,35 35 000 5 20 100 80 5 0.4
К140УД11 5 ± 18 ±15 10 ±15 ±11,5* ±12 2* 1000 0,5 25 000 10 70* 200 70 5* +50
-20
К140УД12 ±1.5 ±16,5 i 15 0,02 ±12 ±10 ±10 5 50 0 01 200 6 35* 0,006 70 0,8*- ’ 2*
Примечание. Звездочкой отмечены усредненные значения ненормированных параметров.
Рис. 134
Рис. 135
Таблица 78
Тип УН. п» В g «МОП ’U *Нд ЛгОТ» м^» не более а а * а Ь ^вх. сф. макс» в ^вых. макс» * «н. МИН. кОм Явх, МОм, не менее /вх, мкА, не более 9ЭПЭИ эн У см- мВ, не более ЛУСМ/ЛТ, мкВ/°С, не белее Д^вх» и^* не более ^ос. сф* А®» не менее /1, МГц, не менее аэпэи он ‘эми/а ‘Дл
мини- маль- ное макси- маль- ное
К1УТ531А К1УТ531Б ±9 ±16.5 ±15 6 ±5 • ±8 ±10 _ ±9 2 0,2 1,5 2 15 000 10000 7,5 30 500 600 65 1 0,2
К153УД2 ±13 ±17 ±15 6 ±15 ±12 ± 10 2 0,3 1.5 20 000 10 100 500 75 1 0,5
К153УД5 ±5 ± 16,5 ± 15 5 ±5 ±13,5 ±10 2 1,5 0,125 250 000 2,5 100 35 94 1 0,2
Прнмеч ан не. Бескорпусный вариант микросхемы К153УД2 получил маркировку К740УД5-1 (см. рис. 165).
• Таблица 79 Таблиц а 80
и < S д S
Тип CQ £ и < й О ют. макс» лаке. мВт вых, И » £ д • Лех» 0Н ‘19J & 1ых макс» 3 Тип Л21Э Л21Э1 1 "21Э2 пе менее Уэ. 61- —иэ. 623 ае белее
О. О, & со & к К1НТ591А К1НТ591Б К1НТ591В К1НТ591Г 0,85 0,85 0,85 0,75 0,75 0,75
К157УС1А К157УС1Б 5,6-10 9—15 — 50 30® 1,8 15-30 25-50 5 6 — 800-1000 - 15 —1' 20—80 60—180 >80 20—80 3 3 3 15
К157УС2А К157УС2Б 3,6-6 3 25 — 6® —- — 300—450 100—350 10 6 К1НТ591Д К1НТ591Е 60—180 >80 15 15
1 Отношение коэффициента пря-
мой передачи тока в режиме большого
сигнала.
3 Разность прямых падений на-
пряжения эмиттер—база.
1 Прн Д’ц = 6,5 кОм.
8 По цепи выхода 7.
к? Максимальное значение.
Общие параметры микросхем К149
ив. п- В
К1КТ491А.................................................... 3
К1КТ491Б ................................................... 5
ЮКТ491В................................................... 17,6
Рмакс, Ът . . . .............................................. ОЛ
^вх- обр. макс» R............................................ 4
^вх. макс» ....................................... »........ 50
Л<ом. макс» м-^ (во вссм диапазоне температур)........ ........120
^вых’ мк-^» |е Орлее ...................................... . 50
С7ВХ, в» ие Оолсе 1.......................................... 1.9
£7 ост» В» не более . ................................... . 0,8
ЛС, нс, не более............................................... 500
ЯП ’ »
1 Для открытой микросхемы при /вх ~ 4 мА.
СЕРИЯ К153
Состав серии:
К153УД2, К153УД5, К1УТ53'1А, К1УТ531Б (К153УД1А и К153УД1 Б) — опе-
рационный усилитель.
Корпус круглый металлостеклянный 301.8-2.
Параметры приведены в табл. 78, а принцип) альная схема — иа рис. 136 и
165.
СЕРИЯ К157
Состав серии:
К157УС1А — усилитель ПЧ для переносных приемников (КГ57УН1);
К157УС1Б — усилитель НЧ для автомобильных приемников (К157УН1Б);
К157УС2А и К157УС2Б — усилитель ПЧ (до 15 МГц) с регулируемым уси-
лением, гетеродином и смесителем (К157УП2Д и К157УП2Б).
Корпус прямоугольный пластмассовый'201.14.2.
Параметры приведены в табл. 79, а принципиальные схемы — на рис. 137.
СЕРИЯ К159
Состав серин:
К1НТ591А—К1НТ591Е — пара транзисторов структуры п-р-п (элемент диф-
ференциального усилителя).
Корпус круглый металлостеклянпып 301.8-2.
Параметры приведены в табл. 80, а принципиальная схема — на рис. 136.
Общие параметры микросхем KI59 (для одиночного транзистора)
л21э> не мснее.................................................................. %
^к. макс> п<^..................................................................
б'э. макс ПФ.................................................................
7кб0’ нА> не более............................................................. 200
/эб0> 11А> ,1е болсе........................................................ 5°0
/ут, нА, не более............................................................ 20
СЕРИЯ К167
Состав серин:
К167УНЗ — предварительный усп.и 1ель НЧ;
К1УС671 —усилитель НЧ (К167УН1).
Корпус круглый металлостеклянный 301.8-2
Принципиальные схемы показаны на рис. 137 и 138.
296
Ошцие параметры микросхем 1(167
л» В . ..............................
^л т* мА» не более:
К167УН1
к167унз . ;..............................................•
Ау[/ при / = I нГц:
К167УН1...................
К167УНЗ . . . .-............' ‘’ •’ ' ; ' ’ ’ ' '
Температурная нестабильность К,тг, %, не более’...............
25-70 СС . . . ’
—55...+25 °с................................................
К,, при ОВЬ1Х = 1 в, %, не более (К167У1П) ‘ ’
tB, .МГц. не мснее................................
L'm. вх, мкВ, не более (К167УН1)..............................
12
5
6
5 ОС—1300
100—150
-50
+S0
5
0,1
40
11
Рис. 137
297
CB!t, пФ, не белее?
К167УН1....................................................
К167УНЗ. ..................................................
Яцнх- кОм, не более?
К167УН1....................................................
К167УНЗ....................................................
80
300
20
1,6—2,5
29»
СЕРИЯ К173
Состав серии:
К1УС731А н К1УС731Б— усилитель НЧ.
Корпус круглый металлостекляпный 301.12-1.
Параметры приведены в табл. 81, а принципиальная схема — на рис. 138.
Таблица 81
Тип ^И. п» & Лют 1» мА, не более KyU2 хг\ %, не более !ц, Гц 1в, кГц зонам эн •ИО» ,ха& 1 Ян, Ом, ле менее м го S м а Ю S .хя -фэ^
К1УС731А К1УС731Б + 12.6+10% 25 100—300 1.5 3 30 20 10 30 1.5 5,5
* Прн’17вх = о.
2 В диапазоне рабочих температур АКуу < ±20%.
8 При Рвых = 1 Вт.
СЕРИЯ К174
Состав серии:
К174УН5, К174УН7, К1УС744А и К1УС744Б — усилитель мощности;
К174УР1 —усилитель ПЧ канала звукового сопровождения;
К174УР2А и К174УР2Б — усилитель ПЧ капала изображения;
К174УРЗ — комбинированная микросхема для супергетеродинных ЧМ прием-
ников (усилитель — ограничитель, частотный детектор и предварительный усиди,
тель НЧ);
К174ХА2— комбинированная микросхема для супергетеродинных AM прием-
ников I—III классов (усилитель высокой частоты, двойной балансный смеситель
с отдельным гетеродином и усилитель промежуточной частоты с АРУ).
Таблица 82
Тип ^и.п\ В ГО X 2 « ь о, ад Ку и 2 ад S а А/, Гц Кг -%, не более Явх>. кОм, не менее ^пот ’< МА. не более
К1У74УН5 К1У74УН7 12 15 24 4,5 4 80—120 2,85 4,25 30—20000 40-20 000 1 10 10 50 30 20
К1УС744А К1УС744Б 5,4—9.9 1 0,7 4—40 2 1.7 30—20000 2 10 10
К174УР1 6 12 — — — — — — —
К174УР2А? К174УР2Б' 12 — — — 7,5—10 7 — — 70
* Допуск ±10 %.
2 При номинальном напряжении источника-питания и / = 1 кГц.
2 При Свх — 0.
4 На нагрузке 4 Ом.
• Параметры измерены при номинальном напряжении источника питания, / = 6,5 МГц,
Пвх — 1 мВ, модулирующей частоте I кГц я девиации частоты 50 кГц. Диапазон электронной
регулировки передачи не менее 60 дБ, Кпер * ® мВ/кГц, коэффициент подавления амплитуд-
ной модуляции (при коэффициенте амплитудной модуляции не менее 30 дБ) 46 дБ
• ДивпаНон регулировки АРУ ие менее 50 дБ. Промежуточная частота 38 МГц, размах
полного входного сигнала положительной полярности при максимальной модуляции 2,6.. .4.2 В.
S = 500 мкВ.
’ Ширина полосы пропускания на уровне 3 дБ (МГц).
299
К174УН5
Корпус п{ моугольный пластмассовый: К174УН5 в К174УН7— 238.12-lj
К1УС744А 'и К1УС744Б —201.9-1; К174УР1 — 201.14-6; К174УР2—238.16-3;
К171УРЗ— 201.14-1; К174ХА2 — 238.16-1.
Параметры микросхем приведены в табл. 82, а принципиальные схемы — на
рис. 139 и 140.
305
Общие параметры микросхем К174УРЗ
п» В.....*............................................... 6 9
/пот» мА» не более . ........................................ 12
Выходное напряжение НЧ, мВ, i е менее ...................... 100
Коэффициент подавления амплитудной модуляции, дБ, не менее ..... 40
Входное напряжение ограничения, мкВ, не более............... 100
Максимальное напряжение входного сигнала, мВ................. 300
Примечание. Режимы измерения параметров: напряжение входного сигнала 500 мкВ.
частота входного сигнала 10,7 МГц, девиация частоты 50 кГц.
Общие параметры микросхем К174ХА2
£/и. п, В..............................•..............9±Ю%
Лют» мА ..........................................• • • • 5 13
Чувствительность при соотношении сигнал/шум 20 дБ на частоте
1060 кГц, мкВ, не менее ............................ 20
17вых, мВ »••••••••••••••••-»••••.............. 60
Частота входного сигнала, МГц • 30
СЕРИЯ К177
Состав серии:
К1УТ771А и К1УТ771 Б —усилитель дифференциальный (К177УД1А И
К177УД1Б);
К1УС771—усилитель напряжения двухтактный (К177УШ).
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-3.
Параметры приведены в табл. 83, а принципиальные схемы — па рис. 141.
Таблица 83
Тип С'и.п1- В f 2 J пот » мА, не более Л'.у17 ^ВХ’ мкА, не более t/CM, мВ, ие более S м 3 га a EQ кОм, не менее ^вых» °м» не более
К1УТ771А К1УТ771Б ±6.3 4 35—80 • 5 2,5 15 5,5 3 100 500 —
К1УС771 ±12,6 5 80—150 6 40 50
1 Допуск ±10%. 2 При UBK = 0. 3 При f 1 кГц. Таблица 84
Тип ^и. п*. в ^пот» МА, не более /вх, мкА, не более А7ЕХ, мкА ку£/2 ^вых. макс> В Усм. мВ, не более ; 1 1
К1УТ981А К1УТ981Б ± 6,3 5 10 20 3 8 20—70 2.5 8 15
К1УС981А К1УС981Б К1УС981В ±6,3 7 — 4 4 2
1 Допуск ±10 %.
2 При f =_ Ю кГц.
Примечание. Коэффициент шума микросхемы К1УС981Л 30 дВ,
802
Рис. 141
СЕРИЯ К190
Состав серии:
К1КТ901—коммутатор пятиканальный (К190КТ1);
К190КТ2 — коммутатор четырехкапальный.
Корпус круглый металлостеклянный 301.12-1.
Принципиальные схемы показаны на рис. 141.
Общие параметры микросхем К190
t/nOp, В, и менее:
KI9CKT1...................................................... —6
К190КТ2...................................................... 6
13, нА, не бе. ее............................................. 30
^зак пан» и^« пе более:
K190KTI .................................................... 250
К190К12..................................................... 150
7зкр. сум иЛ- ||С более:
K190KTI..................................................... 200
KI90KI2 ................................................... 150
Котк “• Ом, ие более:
KI90KT1 ................................................. 300 (700)
К190КТ’................................................. 60(120)
С)1и> пФ, нс более:
KI90KT1...................................................... 5
К190КТ2..................................................... 24
С^12и’ нФ* не-более:
К190КТ».................................................
KI90KT2.................................'............... 9
С22ц, нФ» ие более:
KI90KT1.................. ..................... 3,5
KI90K12. ............................................... 15
1 Суммарный ток закрытых кан лов.
1 Сопротивление открытого канала при U и = 20 В В скобках при
t/3. и = 10 В.
СЕРИЯ К193
Состав серин:
К1НТ981Л и К1НТ981Б, К1НТ982А и К1НТ982Б, К1НГ983Л и К1НТ983Б,
К1НТ984Л и КШГ984Б— набор транзис оров структуры п р-п (К198НТ1А и
К198НТ1Б, К198НТ2Л и К1981Н2Б К198НТЗЛ и К198ПТЗБ, KI98HT4A
н К198НТ4Б):
КШТ985А к К1НТ985Б, К1НТ986А п КШТ98СБ, К1ИТ987А и КПП987Б,
КШТ988А п К1НТ988Б — набор транзисторов структуры р п-р (К198НТ5Л и
К198НТ5Б, К198НТ6А и К198НТ6Б, К198Н17Л и К198НТ7Б, К198НТ8Л и
К198НТ8Б);
К1УС981А— К1УС981В — универсальный линейный каскад (К198УН1Л—
К198УН1В);
К1УТ981А н К1УТ981Б — многофункциональный дифференциальный усили-
тель (К198УТ1А и К198УТ1Б).
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401 14 1.
Параметры приведены в табл. 84, а принципиальные схемы — на рис 142.
Общие параметры микросхем К1НТ981Л—К1НТ988Б
Л21Э
КП1Т981А — KIHT984A......................................20—100
К1НТ981Б—KIHT 81Б........................................60-2 0
КИПЧвоА—К1НТ988А.........................................20—100
KIHT985B—К1НТ988В........................................ 60—300
йкбО- мкА, и более
КШТ981 А—К1НТ981Б........................................ 0,1
К1НТ985А К1НТ988Б........................................ 0.5
t/рэ. нас В< ие более..................................... . I
304
К1НТ981А, К1НТ981Б К1НТ982А, К1НТ982Б
K1HTQ88A, К1НТ9835 ЮНТ984А, ЮНТ9845
MUT987A, К1НТ987Б К1НТ988А, КМТ988Б
Рис. 142
Г/кэ нас» В» не более:
К1НТ981Л—КШТ984Б.........,............................. 0,7
KIHT985A—К1НТ988Б................ ......... ........ I
Примечания: 1. Разброс в дифференциальной паре микросхем KIHT981Л я
К1ПТ981Б, К1НТ982А п К1НТ982Б, KIHT985A н К1ПТ985Б, К1НТ986А и KIHT9866 не более
±15%.
2, Разброс в дифференциальной паре микросхем К1НТ981Л и К1НТ981Б, К1НТ982А
и К1НТ982Б не более 5 мВ, К1НТ985А й К1НТ985Б не более 10 мВ.
СЕРИЯ К218
Состав серии:
К2ГФ181—мультивибратор автоколебательный (К218ГГ1);
К2ГФ182— мультивибратор ждущий (К218ЛГ1);
К2ДА181 —детек op AM сигналов (К218ДА1);
К2УИ181, К2УИ182 и К2УИ183 — усилитель импульсный (К218УИ1, К218УИ2
и К218УИЗ);
К2УС181—усилитель синусоидальных сигналов (К218УР1);
К2УЭ181 и К2УЭ182 — усилитель-повторитель (К218УЕ1 и К218УЕ2).
Корпус прямоугольный металлостекляпиый 151.15-2.
Параметры микросхем приведены в табл. 85 и 86, а принципиальные схе-
мы на рис. 143 и 144.
Общие параметры микросхем К218
ип. В........................................................... 6,3+10%
^вых’ мчс’ ие 6°лее........................................... 0.1
Лн,Ом............................................................. 400
Сц, пФ.......................................................... 100
^г, %» нс более, при == (0,2...0,8) ^Вых, макс.............. *
Общие параметры микросхем К2УС181 и К2ДА181
t/ц. п» в.......................................................б;з±ю %
7?цот, мВт, не более:
К2УС181 . . ........................................62
К2ДА181 ............................................ч . . . . 13,8
не менее;
К2УС181 1..................................................... 4
К2ДА181 2.............................................. . 0.5
А'црдч» ДБ» не более (К2УС181)................................... 3,2
Линейный участок амплитудной характеристики, мВ. не менее:
по входу К2УС181............................................ , 30
ПО ВЫХОДА'
К2УС181 ..................................................... 200
К2ДА181...................................................... 400
Диапазон входного напряжения линейной области логарифмической
амплитудно-частотной характеристики, дБ, не менее (К2УС181) , . . 9,5
1 При t/BX = 200 мВ и f — 30 МГц.
s В диапазоне частот 22,5—37,5 МГц.
Таблица 85
» Тип ^пот* мВт, не менее 7?сх, кОм, не ыеисе УвхА. В- ие более / I 'И. вх » мкс <ВЫХ. мкс, не более KyU- нс менее
К2УИ181 22 0.8 1 0.3—1 0,1 3
К2УИ182 31,5 0.6 1 0,3—1 0,1 3
К2УИ183 48,5 0,8 ±0,25 0.3 1 0,1 3
К2УЭ181 6.9 3 4 0.3 1.5 —— 0.8
К2УЭ182 33 3 0.8 0.3-1,5 0,1 0,6
1 При наличии навесного конденсатора на входе 1и вх с 500 мкс.
306
Ue,
8
Van
7
Ute
2
Рис, 143
Таблица 86
1 Полярность запускающего импульса отрицательная.
2 Длительность запускающего импульса.
•1 2 Период повторения выходных импульсов- При наличии навесного конденсатора
/пов. вых 4 мкс, a вых Для К2ГФ182 2 мкс.
Г. ркмеча н и е. Нестабильность периода повторения Для К2ГФ181 не более ±15_%
308
СЕРИЯ К224
Состав серии-
К224ГГ1 —генератор прямоугольных импульсов;
К224ГЛ1 — генератор кадровой развертки;
К224ГС1, К224ГС2 — генератор синусоидальных колебаний;
К224ГФ1 — генератор строчной развертки;
К2ДС241 —детектор частотный;
К2ЖА241, К2ЖА242 (К224ХА1) —смеситель — гетеродин;
К2ЖА243 (К224ХА2) — детектор AM, усилитель АРУ;
К2ЖА244, К2ЖА246 -г- усилитель-ограничитель;
К2КТ41 —ключ электронный;
К224НР1, К224НР2 — набор резисторов;
К224НТ1А —К224НТ1В — набор транзисторов структуры п-р-п;
К2ПП241 (К224ЕН1)—стабилизатор напряжения;
К224СА2 — селектор амплитудный;
К224СС1 —селектор частотный;
К224ТЛ1 — триггер Шмитта;
К2ТС241—триггер универсальный;
К2УБ241, К2У6242 — видеоусилитель предварительный,
К224УН1, К224УН16, К224УН17 -усилитель НЧ;
К224УН18, К224УН19-г-усилитель кадровой развертки;
К2УП241 — усилитель дифференциальный;
К224УПЗ видеоусилитель;
К2УС241 — усилитель каскодный;
К2УС242 (К224УП4), К2УС243 — усилитель универсальный;
К2УС244, К2УС245 (К224УН4) — усилитель НЧ;
К2УС246 — усилитель ВЧ регулируемый;
К2УС247 (К224УРЗ) — усилитель ПЧ изображения;
К2УС248 (К224УР4) —усилитель ПЧ звукового сопровождения;
К2УС249 — усилитель универсальный;
К2УС2410 —- усилитель выходной устройства задержки блока цветности;
К2УС2411 — матрица RGB канала‘цветности;
К2УС2413 (К224УР1) — усилитель каскодный;
К2УС2414 — усилитель ПЧ;
К224УТ1 — усилитель постоянного тока;
К224ФН1 — фильтр нижних частот;
К224ХП1 — устройство опознавания цветности.
Корпус прямоугольный полимерный типоразмеров
К153 с 18 выводами.
Общие параметры микросхем К224ГГ1
</и. п« В........*...........................
1пт, мА. не более.........................
Амплитуда, выходного импульса, В. не менее
Период следования импульсов, мс...........
мс • ♦ •-.....................*.......
КП5 с 9 выводами
или
9±10%*
6
7 *
ПО—135
220^-270
Общие параметры микросхем К224ГЛ1
п. В...................... • .................................
/1ЮТ. мА. не более..................................................
б'вых "Р” ~ 3,6 кО'1' * * * * * * В..............................
Диапазон регулирования частоты импульсов Гц .......... ........
Амплитуда импульсов гашения обратного Хода при тн -s U.4 мкс, в
9+10%
4
2
40—60
8
Общие параметры микросхем К224ГС1 и К224ГС2
v в ...............,.......................0±’0 %
ин. п- ь.....................................
/„от. мА, не более:
.................................................................. ‘Л
К224ГС2 ... ..................................................
Рпот, мВт, не более ............................................... 2jU
309
^ВЫХ*
К224ГС1 (на частоте 12,5 МГц и при /?н = 75 Ом) ........... 9
К224ГС21................................................ 1
Д/, МГц (К224ГС1)........................................ 5—100
Коэффициент нелинейных искажений, %, не более (К22 ГС2). 3
Общие параметры микросхем К224ГФ1
Un п в ..........................................................9±ю%
7 пот» МА, ие более 7
t/Bbx, в» не менее............................................. 2
Амплитуда отрицательных импульсов Синхронизации, В, не менее. « . . 1,5
Чистота следования импульсов (регулируемая), кГц............... 15—16
Полоса удержания, Гн, ис менее.................................... 800
Длительность импульсов (регулируемая), мкс........................ 25
Общие параметры микросхем К2ДС241
Ун. п- В...............................................9+20 %
/Пот» МА, ,1е более ..... .......................... 20
Коэффициент передачи напряжения при /?н —20 кОм, не менее1 .... 0,15
Отношение напряжения выходного НЧ сигнала к входному ЧМ сигналу.
Общие параметры микросхем К2КТ241
Vh. П. в..............................................12+10%
/пОТ, мА, »е более ..................................... 15
Л/, МГц............................................... 3—6
Диапазон управляющих напряжений, В................... . 0 1,5
Коэффициент передачи открытого ключа.............. ..... 0,8
Коэффициент передачи сигнала закрытым ключом, дБ, не менее. .... 40
Коэффициент нерагиомерности АЧХ, дБ, не более ... . .... 3
Общие параметры микросхем К224НР1 и К224НР2
Номинальное сопротивление, кОм:
К224НР : минимальное ........................................ 0,15
мака малыюс ....................................... 7,5
К224НР2; минимальное .........., ,...... 0,3
максимальное 279,01
Точность изготовления, % . . .......................•.........±2,5
Количество резисторов:
K224HPI................................................... 13
K2241IP2............................................*....... 17
Общие параметры микросхем К2ПП241
7ПОТ, мА, не более...................................... 2.5
Uax, в................................................ 5,4- 12
Стабилизированное напряжение, В.......................... 3,3—3,9
Общие параметры микросхем К224СА2
<4. п-Б................................................12±10%
/Пот» МА, не более ................................... . 15
Напряжение питания через внешние элементы, В:
по входу 6. . .................. ......... 150
по входу 8............................................. 24
Амплитуда входного положительного видеосигнала, В...... 0,3
Амплитуда выходного отрицательного видеосигнала, В, ие более.
ио выходу 7 ...... ................................. . 10
по выходу 6 . , ....................... . ....... 24
по выходу 9 , . .............. •..................... 4,5
Общие параметры микросхем К224СС1
£/и. п» в........................... . .......... . 25±10%
7 пот» МА, ие более............................ •••••.. 8
Напряжение питания через внешние элементы, В:
по входу 5 . ............................ 12±10%
по входу 6...........................................150±10 %
Диапазон рабочих частот, МГц . . ...................... 3—40
5, мА/B, не менее ...................... 45
310
Общие параметры микросхем K224TJ11
"я. п. В.......................................................
^ПОТ’ Ь‘А> Hf“ ^>лее • ................................ • • » •
/ Минимальное входное напряжение срабатывания, В.......... . . •
ивых- в- пе .....................................................
9+20 %
3,5
0,2
. 3,5
Общие параметры микросхем К2ТС241
Пи,п<В...,........................................... 12+10%
ЛПОт, мА- не &°лее..................................... Ю
Af, МГц............................................. Ю—20
4
1,8
Б
5
Чувствительность, В, не менее:
по входу ......................*............•
по входу 8... ........................................
Амплитуда выходного импульса, В, не менее .............
Длительность фронта и спада выходного импульса,- мкс, не более
Общие Параметры микросхем К224ФН1
У„.п, В................................................ 9+20%
/Пот« мА» ие 6°лее •........................... ••*••• 4
Af, Гц. . .......................................... . 300—3400
Неравномерность частотной характеристики в полосе пропускания
относительно уровня на частоте 1000 Гц, дБ........... 45.. , -0,5
Коэффициент пропускания, не менее 0,
Затухание относительно уровня на частоте 1000 Гц, дБ, не менее5
на частоте 5 кГц . . . . ............. • • » ..........
» 10 кГц, ........................••••.......... 40
Общие параметры микросхем К224ХЯ1
Пи.п, В....................................................... 12±Ю%
Лют» мА» ие более ................................9 •
Минимальная амплитуда стробирующего импульса, В............ . . • 20
Минимальный размах сигнала по входам, В....,................., . 25
Амплитуда импульса на выходе, В, нс менее:
схемы совпадения................
электронного коммутатора....... ... . « • •............
Постоянное напряжение на выходе триггера, Bj
в запертом состоянии, не более.............» •............ 0 2
» открытом » не менее ..............
Параметры остальных микросхем приведены в табл. 87—89, а принципналь»
ные схемы — на рис. 145—154.
Таблица 87
Тип п1 > ® п2, В Лот» мА» не более *$в. а» мА/В, не менее Ху у, не ме- нее *вх> Ом, не менее /н> Гц ! и, МГц »MW ,S1 ЛярАЧ- Л13, пе более /<г, %. не более рът< Вт- пе менее
К2УС241 5,4-12 3+5 % 4 251 150» 0,15 no 12 —
К2УС242 3,6—9 3+5 % 1,8 25 ‘ — । 150 4 •— 0,15 30 12 —
К2УС243 3,6—9 3+5 % 1.8 25 • — 150 * — 10 но 12
К2УС244 5,4-9 — 6 30 20 000 = ВО 3 — 0 02 — 5 4 —
К2УС245 5,4—9 — 140 15 000 1 80 3 =-= 0,02 — 3> 0,4
К2УС246 12+10 % >1 . в 2 4 -— •— — 30 45 1 —
4 12+10% 28 50 —— — 30 45 3 —— —
К2УС248 12+10 % 15 1000“ — 1 — — 4 10 3 —
К2УС249 12±10 % V—. 4 200 4 — — 0,3 30 6 — —
К2УС2410 12+10% 15 10 — 3 6 —— ——
К2УС2411 12±10% 25 2 0 •— 2 —— — —
К2УС2413 12±10 % 8 25 — —— 30 45 1 *—
К2УС2414 12+10% 20 2000 •— — — 4 10 3 — —
К221УН1 9+20 % 20 •— 15 2 50 000 2 300 V— 3.4 ‘ 3.4 3 —-
К224УН16 30±Ю% —— — Г “ 300 000 50 — 0,02 2,5 “ — 4
К224УН17 ±24+ 0» •— — 0,87 8 10 000 50 0,02 1,5 к» — 20
К224УН18 12±10 % —— — — 5000 50 —. . — — — —
К224УН19 24±10 ° 40 11 .— 5000 50 — — ——
К2УБ241 12± 10 % 1 — 1,5s *3 25 —“ 6,5 10 —
311
Продолжение табл. 87
Тип ^и. л!» ® "и. п2, В 7пот* * МА* не более “$в. а» мА/В, не менее ээи -а>ч ан «вх, Ом. не менее nj ‘и! и а ё лнрАЧ- «Б- не более Кг, %. не более РВЫХ’ Вт’ не менее
К2УБ242 12+10 % • 10 20 0 6.5
К2УП241 5,4—9 3+5 % 3.5 4 (Т„ Т3) 15 (Тг) — 150 (Т„ Ts) 500 (Т,) — 0,15 по гг — —
К224УПЗ 12+10 % 200±10 % — 20 3000 0 7 —
К224УТ1 12 24 ±10 % 50 30 40 — — —-
1 На частоте 10 -МГц.
£ На частоте 1 кГц.
s Параметры соответствуют работе схемы в усилителе с оконечными каскадами на навес-
ных транзисторах. Для К2УС245 /?н = 15 Ом.
* На частоте 35 МГц. Диапазон регулировки крутизны К2УС246 40 дБ.
5 На частоте 6,5 МГц.
6 Частота в килогерцах. Спал частотной характеристики в области высоких частот
«4-0 5 „
6 ' j до.
7 Чувствительность в вольтах.
5 При С/(1 п — 27 В, Ra = 30 Ом, I = 1000 Гц и £/вых — 5,65 В
• При U„ п = 21,6 В, Яи = 40 Ом, f = 1000 Гц и Ъвых = 9 В.
10 Режим измерений такой же, как и при измерении чувствительности, но £/вых — 6 3 В.
” ^и. пЗ=130 В-
12 При изменении входного сиг (ала от 0 до 2 В напряжение иа выходе изменяется от
11 до 2,5 В.
Примечания: I. Для К224 УН18 ток отключения не менее 0,4 мА; длительность
обратного хода нс более 1 ыс; амплитуда гасящих импульсов ие менее 25 В (при Uu n] ==
<= 10.S В, Uu П2 = 30 В, пилообразном напряжении частотой 50 П и С/Вых = 0,8, В)
, 2. Для К224УН19 ток отключения ие менее 1,1 мА; длительность обратного хода не более
I мс: амплитуда гасящих импульсов не менее 1000 В (при (7Н п1 = 21,6, С/и „о 40 В, пило-
образном напряжении частотой 50 Гц и URblx — 1,5 В),
Таблица 88
Тип ^11. П1- в ^ПОТ ’ мА, не более •^в. а» мА/B, не менее 7?вх* ^м« не менее 1и. МГц fB, МГц ^нрАЧ» ДБ
К2ЖА241 3.5—5 3.8 1501 102; 622 ПО2; J202 122
К2ЖА242 3,5— Ф 3.8 182; 14:* 502; 1503 0.152; 0.53 302; 303 122; 103
К2ЖА243 3±5% 1.2 — 500* 0,465s —
К2ЖА244 12+10 % 10 2® —— 3 6
К2ЖА246 12+10% 30 500® — 3 6 <3
1 На частоте 10 МГц.
2 Сме4 <т
3 Гетеродина.
* Па частоте 465 кГц.
‘ При частоте модуляции I кГц в
nt 0,3.
• На частоте 4,5 МГц.
Примечания 1 Для К2ЖА242 (7„ п2 = 3 В±5 %; [13 . 3...3.6В.
2. Для К2ЖА243 Д пу > 0.3 при R„ = 20 кОм.
312
2.8
К224ГИ
Рис. 145
СЕРИЯ К226
Состав серии:
К2УС261А — К2УС261 В; К2УС262А—К2УС262В; К2УС263А — К2УС263В;
К2УС264А — К2УС264В —усилитель НЧ (К226УН1А — К226УН1В;
К226УН2А—К226УН2В; К226УНЗА — К‘ 26УНЗВ; К226УН4А — К226УН4В).
Корпус прямоугольный мсталлостекляипый 151,15-2.
Параметры приведены в табл. 90, а принципиальные схемы—на рис. 155 и 156.'
К2ПП241
Видеосигнал__
отри и- 470 j
тельной'----Ml
полярности 0,033
КТ
н
ЗХк +150 В
Строчные
импульсы (-24В)
7 Строчные
импульсы (-10 В)
9 Кадровые
б'
Рис. 148
316
3
В2У
зиая.
2 Выход
fBxoB
gfiuxod
виил
KBnoxg
7 цВ жк-
йидхсдФУ
----бУстреч.
-----ВВерпус
К22РУН1
Рис. 149
Контроль 11
<4бв) №
14 Контроль
TSE
7?~
18
развертки
ЗУстре^
Корпус
К224УН19
Выход 2
to
Вход форм,
Импульса
гашения
Выход 1
Тылов
Конт-
роль
6
Уст.
рем.
ЗВхоУ
4h
Уст.реж.
Рис. 150
Рис. 151
К2УС246
Цзге.
УВых
К2УС247
Рис. 152
Рис. 153
11 3-191
5
К224ХП1
Рис. 154
Общие параметры микросхем К220
Лг, %, не более (при Лн = 3 кОм и (7ВЫХ = 1,5 В)............................... 5
1и. Гц......................................................................... 20
1g1, кГц..................................................................... 100
1<вх. МОм. не менее (при Свх = 20 нФ).......................................... 10
Лвых, Ом, не более......................................................... 100
Снижение усиления иа частотах fH и fB ие более 3 дБ.
СЕРИЯ К228
Состав серии:
К.2КД281— ключ диодный (К228КН1);
К.2НК.281 —матрица комбинированная (К228НК1);
К2НЕ281— набор конденсаторов (К228НЕ1);
К2ПД281 и К2ПД282 — преобразователь декодирующий (К228ГШ1 и
К228ПП2);
К2СА281 — схема сравнения токов (К228СА1);
К2УС281—усилитель предварительны'! (К228УВ1);
К2УС282 — усилитель регулируемый (К228УВ2);
К2УС283 — усилитель каскодный (К228УВЗ-);
К2УС284 — усилитель балансный (К228УВ4).
Корпус прямоугольный металлостеклянный 151.15-2.
322
Таблица 90
Тип ин. nl4- В ин. П21’ В ^пот!» мВт, не более ^пот2» мВт, ие более KyU иш, мВ, не более с овх» пФ, не более
К2УС261А К2УС261Б К2УС261В 12,6 —6,3 60 5.5 276—324 250—310 290—350 5 12 12 20
К2УС262А К2УС262Б К1УС262В 12,6 —6.3 50 45 27.6—32.4 25—31 20—35 5 12 12 20
К2УС263А К2УС263Б К2УС263В 6 —9 15 45 270—330 5 12 18 —
К2УС264А К2УС264Б К2УС264В 6 —9 10 • 25 9—11 5 12 18 —
К2УС265А К2УС265Б К2УС265В 12,6 —6.3 60 55 92—108 . 80—120 92—120 5 12 12 20
1 Допуск ±10%.
Общие параметры микросхем К2К1261
ии. п- в....................................................±6,3±10 %
/’пот» мВт, не более.............................; ......... Ю0
Отношение выходных напряжений открытого н закрытого ключей,
не менее.................................................... 100
Уровень ограничения выходного сигнала, В3ф, не мснее........ 0.4
Ян, Ом ..................................................... 300
Уровень напряжения управляющих сигналов. В:
верхний....................................... . ,........ 2,5
нижний . ............................................. 0,5
Напряжение на выходе открытого ключа, В .................. 0,15—0,17
Общие параметры микросхем K2HR281
Относительный разброс прямого падения напряжения на диодах при
токе 1 мА, %, нс более........................................... 15
Сопротивление резисторов, кОм.................................... 2
Относительный разброс номинальных сопротивлений резисторов, %,
не более........................................................ 0.8
Мощность рассеяния резисторов, мВт................................ 5
Прямой ток отдельного диода, мЛ, не более................ 5
Общие параметры микросхем K2IIE281.
Емкость отдельного конденсатора, mi Ф, i с более . ....... • 0,012
Рабочее напряжение конденсаторов, В, не более................ 15
Тангенс угла потерь во всем диапазоне температур, ие более .... 0,035
Общие параметры микросхем К2ПД281 и К2ПД282
ии. п. в.......................:.............................±б,з±ю%
Рпот во ECCM интервале рабочих температур, мВт, не более..... 50
11*
323
К2УС262А'К2УС262В
К2УС263А - К2УС263В
К2УС264А К2УС2ЫВ
Рис. 155
Разрядный ток Ч
I,. = 1,93 2,17 мА
/< = Л/2.............
Л = 7з/-1............
Л = Л/а..............
I, = /3/1б . . . .
tfvnp. в ............
±2 %
±2%
±2 %
±3 %
±5%
±10%
* Цифровой индекс обозначает номер разряда
Общие параметры микросхем Ц2СА281
в....................................................*6,3 10 %
РГ|ОТ' мВт. нс более........................................ 65
Постоянное на гряжение па входе, Б..........................1,3—1,45
ивых- В;
не более................................. ................ —0,5
не менее................... .............................. 4-2,7 '
Ток срабатывания при изменении выходного напряжения от -4-2^3
до —0,4 В, ыкЛ, не более....................................
Параметры остальных микросхем приведены в табл. 91, а принципиальные
схемы — на рис. 156—158.
Таблица 91
Тип п. В р Г1 от»1 мВт, не более SB а>. мЛ/В ВЫХ’ мА лвх » Ом, не менее Р 2 кВЫХ ’ кОм, не менее
К2УС281 70 9.5—10.5(7,5) 3.4—4 50
К2УС282 ±6,3±10% 70 9,5—10,5 (7,5)-* 3,1-46 400 50
К2УС283 70 9,5—10,5(7.5) 3—4 6 100
К2УС284 85 >5 2—2.81 50
1 При f — 5 МГц. В скобках при f = 60 МГц.
2 При / = 60 МГц.
’ Диапазон регулировки ±50 дБ Изменение регулирующею напряжения в пределах
регулировки Sn а = ±40 дБ составляет ±1,25 В.
4 Разбаланс выходных напряжений при f 5 МГц не более 3 %.
СЕРИЯ К237
Состав сери
’ К2ГС371 — генератор тока стирания — подмагничивания и стабилизатор на-
пряжения (К237ГС1);
К2ЖА371—усилитель и преобразователь частоты в AM тракте (К237ХК1);
К2ЖА372 — усилитель ПЧ с детектором АРУ (К237ХК2);
К2ЖА373 — оконечный усилитель записи и усилитель с выпрямителем для
индикации уровня (K237XK3);
К2ЖА375—’усилитель и преобразователь частоты КВ диапазона (К237ХК5);
К2ЖА376 — усилитель ПЧ ЧМ сигналов (К237ХК6);
К2УС371, К2УС372 и К2УС373 — усилитель НЧ (К237УН1, К237УН2 и
К237УНЗ);
К2УС375 — усилитель ПЧ ЧМ тракта (К237УН5).
Корпус прямоугольный полимерный типа «Кулон».
325 -
7
К2УС265А-
К2УС265В
™.o-uun2
opzKL-Л
156
Общие параметры микросхем К2ГС371
ии. п- °.................................
7пот1- мА> не ........................................................
Рпот, мВт, ие более . .....................................
К2ПД281 У.
Рис. 157
327
Стабилизированное напряжение2, В............................. 4 5Л
Суммарное значение /KSg регулирующих транзисторов генератора
тока, мкЛ, не более........................................
Напряжение насыщения регулирующих транзисторов генератора
тока, В .........................................0,1 — 0,5
1 При напряжении питания 9 В.
Общие параметры микросхем К2ЖА371
^и. п» ......................................................
/поТ, не более...............................................
Рлст. кВт. . ................................................
Рис. 158
328
Уменьшение усиления на частоте 15 МГц по отношению к усилению
на частоте 150 кГц, дБ, нс более....1 ........ ............
Напряжение гетеродина (на Эквиваленте сопротивления контура
гетеродина Кгет — 4 кОм между выводами 5 и 8 на частоте
15 МГц), мВ.................................................
Л'ш (при включенном режскторном фильтре) на несущей частоте
150 кГц, дБ, не более.......................................
Коэффициент усиления 1 (при нагрузке смесителя на эквивалентное
сопротивление 10 кОм между выводами 10 и 12 на частоте 150 кГц)
1 В режиме преобразования частоты,
Общие параметры микросхем К2ЖА372
"и.р В......................................................
/пот* м^» не более..........................................
Рпот, мВт, не более ........................................
Входное напряжение частоты 465 кГц при т — 0,3 и напряжении
НЧ на выходе детектора 30 мВ, мкВ...........................
Изменения напряжения ПЧ иа выходе детектора при изменении
напряжения ВЧ на входе УПЧ от 50 до 3000 мкВ, дБ, не более
Кг (на выходе детектора при т = 0?8 во ПЧ, частоте модулирую-
щего напряжения 400 1ц и входном напряжении 300 мкВ),
%, не более.................................................
^вх» ........... ...................................•
300—400
6
150— 300
4—6,4
4
25
12-25
6
3
430-1000
Общие параметры микросхем К2ЖА376
U*s. п, В.............................................. 6110%
Лют» м^» ,ге более................................... - 6
РИОт. мВт, не более...................................... 80
/?вх, не менее..........................." ............. •
^прб’ мА/B, не менее ..................................
Подавление сопутствующей амплитудной модуляции, дБ, не менее 20
Параметры остальных микросхем приведены в табл. 92 и 93, а принципиаль-
ные схемы— иа рис. 158—160.
Таблица 92
-Тип п. в РПОТ» мВт, не более ^ВХ. НОМ» мВ, не более Kt’. % /н. Гц /в- «Гц
К2УС371 » S±3 50 15-30 0.3 60 '10
К2УС372 12±? 225 25 50 1 30 15
при номинальной выходной мощности
0,5 Вт и £п»6,6 Ом?
Таблица 93
1 ^вых=Ь& В
^вых. макс ~ 2*2 в-
2 На частоте i кГц при номинальной выходной мощности.
Тип УН. ч. в ^пот > мВт Куиг Л1ОТ’ М^’ не более Лг. % не более
К2УС373 3 5±10% 20 >1900 2,5 0,7
К1УС375 6±< 5 50 >150 3 —
К2ЖА373 5± 10 % 22 6,5-8 4 1,6
К2ЖА3754 6±10% 80 10-25 5.5 —
1 Во всем рабочем интервале температур.
2 На частоте 10,7 МГц.
5 иш < 1,1 В, 30 Гц, 7в “ 15 нГц лРи неравномерности АЧХ нс более 3 дБ.
‘ Б\ет- 120.. ДЬО мВ.
329
Рис. 159
Рис. 160
СЕРИЯ К264
Состав серии
К2ЛН641 —три усилителя индикации.
Корпус прямоугольный мсталлоиолимерный типа «Тропа».
Выводы: общин— 1 1/и п) —7; £/и п2 — 4.
Принципиальная схема показана на рис. 161.
Общие параметры микросхем К2ЛН641
^и. пЬ В • ............................................... 48±10 %
ин. п2* В........................................................ ±10 %
Т’гот. макс* мВт, от источника:
^н. п! - • • 75
ии. п2 ........................................................ 323
Врот. ср* мВт, от источника:
^н. п!........................................................... 65
иа. п2......................................................... 162
Дх- мкА ....................................................... 3
7вх* мА.......................................................... 1.2
Лзых. макс*
постоянный.........................................................8
импульсный при скважности 9 ..........................18
и»х* В .........................................................— 1,5.. -25
В ....................................................... 1.5-4
Длительность импульса, мкс ........................................ 40
1вх- мг,1......................................................... 1
ивых* в........•............................... -0,5
^ых*В.......................... \*............... -40
СЕРИЯ К265
Состав серии:
К2КД6э1 —ключ электронный диодный (К265КШ);
К2ПД651 и К2ПД652 — преобразователь, декод! рующий (К265ПП1 и
К265ПП2);
К2УС651—усилитель универсальный (К265УВГ),
К2УС652 — усилитель регу ли уемый (К265УВ2);
К2УС653— усилитель каскодный (К265УВЗ);
К2УС654 — усилитель балансный (К265УВ4);
К2УС655 -усилитель универсальный (К265УВ5);
К2УС656 — усилитель дифференциальный (К265УД1);
К2УС657 — усилитель каскодный (К265УВ6);
К2УС658 — усилитель широкополосный (К265УВ7).
Корпус прямоугольный металлостеклянный 151 15-4
Общие параметры микросхем К2КД651
В'и. п* В................. .................................±6,3±10 %
РПот* “Вт, во всем интервале рабочих температур, не более .... Ill
Коэффициент передачи открытого ключа при RH =300 Ом и fBX —
= 15 МГц................................................. 0,8
Уровень ограничения выходного сигнала при 300 Ом (действу-
ющее значение). В, нс менее.................................. 0 4
Напряжение разбаланса открытого ключа при Ra = 300 Ом (дей-
ствующее значение), мВ, не более................................ 9
Напряжение на выходе открытого ключа. В;
постоянное...............................................0.218—0,26
переменное1 ...............................................0.146-0Л74
1 Отношение выходных напряжений открытого <£7уПр = 2,5 В) и закрытого
(6/уПр = 0,5 В) ключей при /вх — 15 МГц не менее 40 дБ.
332
Рис. 161
Общие параметры микросхем К2ПД651
Уи. п. В ..........................................±6,3+10%
Г1ЮТ, мВт, во всем интервале рабочих температур, не более, • • • 70
Разрядный ток:
1,68.-.2,12 мА
/,=
иУпр,
/,/2...............................................................
/п/4...............................................................
Л/8................................................
/./16...........................................................
В..............................................................
±0,25%
±0,25%
±0,5%
±1%
±2%
±4%
Общие параметры микросхем К2УС658
I/н. п- В........................................
Лют- мА..........................................
Рпот- мВт. не более ..........................
Куи на частоте:
30 МГц...........................................
10 МГЦ........................................,
Изменение Ку у в рабочем интервале температур, %, не более. .
КНрАЧ в диапазоне частот 10—80 МГц, дБ, не более . • ......
12,6+10%
9-13
206
7,5-11.5
7-11
+10
—21
6
Параметры остальных микросхем приведены в табл. 94, а принципиальные
схемы — на рис. 161—163.
Таблица 94
Тип Ун. п1. В р 'ПОТ’ мВт, не более /к, мА SB. аг, мА/В ЭЭ1Г09 эн 03H3W он *WQ У а ЛУвых'< %, не более 4
К2УС651 К2УС652 ±6,3 70 3.2-4 9,5—10,5 (7,5-11) 50 400 60 <—•*
±6,3 70 2.4—3,6 5>8 10 — — •—*
К2УС653 ±6.3 70 3—4,6 9.5—10,5 100 400 60 —•#
К2УС654 (7,5-12)
±6.3 89 1,8—3 >5 50 400 60 3,5
К2УС655? К2УС656 ±6.3 70 3.2—4 9.5—10.5 (7,5—11,5) 50 400 60
±6.3 50 — »10 ' — 100 — 0.3
К2УС657* ±6,3 70 3-4,6 (»4) 9,5—10,5 100 400 60 —
(7,5—12)
• Допуск ±10%.
На частоте 5 МГц. В скобках указано для 3 Па часто! е 5 МГц. частоты 60 МГц.
4 На частоте 60 МГц.
* Разбаланс выходных напряжений на частоте 5 МГц
лш >» дБ в диапазоне частот 5—60 МГц.
, ойЛи йеч,®Дрейф разброса выходных напряжений для К2УС656 не более
d мВ/ С. Для K2J/C657 Лос. сф = 17 дБ на частоте 60 МГц.
СЕРИЯ К284
Состав серки-
К284КН1 —коммутатор переменного и постоянного напряжений;
К284ПУ1 —преобразователь уровня напряжения;
К2СС842Л и К2СС842Б — два самостоятельных истоковых повторителя и ин.
вертирующнй усилитель (К284СС2А, К284СС2Б);
334
Рис. 162
К284УД1.А — К284УД1В — универсальный дифференциальный усилитель;
К284УД2 — усилитель с дифференциальным входом, предназначенный для ак-
тивных /?С-фильтров;
К2УЭ841А и К2УЭ841Б — истоковый повторитель (К284УЕ1А и К284УЕ1Б).
Корпус прямоугольный металлостекляниый 151.15-4.
336
Общие параметры микросхем K284KHI
ип. I,. В............
/пот, мА, не более. . .
^КОМ. в..............
/ком, мА. не более . .
^к, МГц. не более. . .
^упр- В: *
в открытом состоянии
в закрытом состоянии
/ут. нА, нс более. . .
Котк, С*м- Ке более . .
^вкл* мкс. нс более . .
'выкл- мкс> нс более .
-15±10 %
12
10. —9
5
1
?,3—2.5
0—0.4
10
250
3
2
Общие па,алют?ы микросхем К284УП1
^И. п, В........................................... . . ±15±10%
Выходное напряжение ограничения. В'
не менее..............................0.97—1.03
не более................... г .... ................. 1,0*3—0 97
^рых» В. не менее. . . ..................... ±10
Выходное напряжение покоя, мВ, не более . ........• • • ±50
Параметры остальных микросхем приведены в табл. 95—97, а принципиаль-
ные схемы на рис. 164 и 165.
Таблица 95
К2СС842А
К2СС842Б
±6,3±10%
100
0,980
400 3 75 —1 0.5
В режиме инвертирующего усилителя
К2СС842А
К2СС842Б
±6,3±10% 100
200 10 — 350 — 0.5
1 Коэффициент передачи на частоте 40 Гц в интервале температур —40...4-85 °C.
1 При RK — 10 кОм и Сн — 40 пФ.
я На частоте 40 Гц.
* Прн 1/вх = 0.
• В диапазоне частот 1—200 кГц. Для инвертирующего усилителя в режиме масштабного
усилителя с Ку 1 (в полосе частот I—100 кГц).
Примечания. 1. Динамический диапазон прн Uc/Um — 3 дБ для К2СС842А и
К2СС842Б не менее 86 дБ, а инвертирующего усилителя — не менее 80 дБ в полосе частот
1—100 кГц, прн Дн — 10 кОм и С„ = 40 пФ.
2. Для К2СС842А и К2СС842Б UBUX. макс — ±1 В в режиме масштабного усилителя
с Ку = 1.
337
Таблица 96
Тип ^И. Г). в ^ПОТ’ М^Т* не более «уУ1. не менее Усмо=, мВ. не более • О •Э-о О X Л‘ (/1ц, мкВ, не бол ее Д/\ кГц, не менее 1 RBX1, МОм «о ,Х1чаа GJ Ж СТ S м « CQ ун >хя do.
К284УД1А К284УД1Б К284УД1В ±9±10% 55 20000 10 70 70 60 6 100 5 200 5 1
К284УД2 ±6±10 % 80 5000 ±20 40 — — 200 10е (300) 1.5Ь
* При 1/вЫХ = I В, Для К284УД2 на частоте 40 Гц.
5 Напряжение смещения нуля на входе.
5 Г1ри Л' у и ~ 100.
4 При К у и = 10. В скобках указано значение входного сопротивления высокоомного
выхода. кОм.
ь В режиме масштабного усиления с = Ю прн Кг = 1 %.
Примечания: 1. /Снр дц К284УД2. дВ; в диапазоне от 1 до 40 кГц 22: в диапазоне
от 1 Гц до Ю0 кГц 40.
2. Динамический диапазон К2Ь4УД2 при 17с/17ш = 3 н — 10 в режиме масштабного
усиления не менее 60 дБ.
3. Разность входных токов смещения К264УД2 не более 10 нА
4. Параметры К284УД2 измеряют при Яи = 12 кОм н С'н — 40 пФ.
Таблица 97
Тип ^Н. П’ В р 1 1 ПОТ ’ мВт, не более «уб/3. не менее мкВ, не более ^ВЫХ» В, не менее свх. пФ. не более ^НЫХ* Ом, ие более кнр АЧ’. дБ, не более
К2УЭ841А ±6±10% 18 0,97 10 1 12 150 5
К2УЭ841Б 20
1 Во всем рабочем интервале температур.
* Нестабильность КуЦ при изменении температуры от —60 от -Н-5 °C ие более ±2,5 %
3 В полосе частот от 20 Гц до 20 кГц при /?н — 10 кОм и Кг < 2 %.
СЕРИЯ К504
Состав серии:
К5НТ041А К5НТ041В, К5НТ042А-K511Т042В, К5НТ043А—К5НТ043В,
К5ПТ044А—К5НТ044В — слаботочная согласованная пара палевых транзисторов
(К504НТ1А—K504IIT1 В, К504НТ2А—К504НТ2В, К504НТЗА—K504IIT3B,
К5041 Т4А—К504НТ4В);
К5УС041А—К5УС041В, К5УС042А -К5УС042В - усилитель (К504УН1А—
К504УН1В, К504УН2А—К504УН2В).
Корпус круглый стеклянный 301.8-2.
Параметры приведены в табл. 98 н 99, а принципиальные схемы — на рис. 165.
Рис. 164
338
Рис. 165
Таблица 58
Тип п. В Ку1/‘ ^ПОТ2’ мА» не более U 8 ивых. макс * В мкВ не более
К5УС041А, К5УС042А К5УС041Б, К5УС042Б К5УС041В, К5УС042В —12± 10 % 10-60 40-120 80—200 10 0,5 3
1 При С/Вх «1 мВ и f = 1 кГц.
г Во всем рабочем интервале температур.
* При 2?н — 3 кОм, f — кГц и Кг — 10 %.
4 В полосе частот 5 Гц 10 кГц.
Таблица 09
Тип ^с. нач1» мА SB а2’ мА/В, не мснее Тип ^с. нач1- мА 5щ-а'- мА/в- ие менее
К5НТ041А К5НТ042А 0,1—0.7 о.з К5НТ043А К5НТ044А 1,5—7.5 1,5
К5НТ041Б К5НТ042Б 0.4—1.5 0.5 К5НТ043Б К5НТ044Б 5—15 3
К5НТ041В К5НТ042В 1—2 0,8 К5НТ043В К5НТ044В 10—20 5
1 При t/ai — —10 В. 1/зк = 0. Для нар транзисторов К5НТ042 и К5НТ044 отношение
начальных токов не менее 0Д5.
* Прн £/си = —10 В Для наборов К5НТ042 и К511Т044 отношение значений а ие
немее 0,85
Примечания: 1. С/зн отс > 2 В при (/си — —5 В Для наборов K5IIT04! и К51П042
при ZQ — 1 мкА. для остальных при /с — 10 мкА.
2. /3 > 2 нА при <7СИ = 5 В,
3. Напряжение смещения нулевого уровня для наборов K5J1T04I и К5ИТ043 прн
/с—100 мкА и Ucif ——5 В ие более 5 мВ.
СЕРИЯ К513
Состав серии:
К513УЕ1А— К513УЕ1В— усилитель-повторитель для электронных микрофо
нов.
Корпус круглый металлический.
Принципиальная схема приведена на рис. 165.
Общие параметры микросхем К513УЕ1
1/и. п. В................................................1.2±25 %
Рпот, мВт, ие более:
К513УЕ1А.................................................. 0,45
К513УЕ1Б................................................. 0.7
К513УЕ1В............................................... 2.5
ZBX. "А, ие более........................................ 1
Начальный ток стока, мкА, при 5/си = 1,5 В и 1/зи = 0:
К513УЕ1А..........................<-...................... 30—150
К5 У Б............ .....................................100=-200
........................................................ 180—500
341
S, мА/B. ue менее:
К513УЕ1A...................................................... 0.1
К513УЕ1Б.................................................... 0,2
K5 ЗУЕ1В................................................... 0.25
Активная выходная проводимость, мкСм *, не более ......... 10
иш. яВ/Гц...................................................... 40
1 Для К513УЕ1В нс нормируется.
СЕРИЯ К548
Состав серии:
К348УН1А и К548УН1Б — сдвое! ный предварительный усилитель НЧ.
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-2.
Параметры приведены в табл. 100, а принципиальные схемы — на рис. 163.
Таблица 100
Гил ^я. п- в ^ПОТ’ М/^ ^UJ1’ мкВ Ку1/£ О •о 2 X 3 £0 ffi «Г4- % ^осл6. дВ
К548УН1А К518УН1Б 12± 10 % 8 0,6 0.8 10 2.10 —2 0,05 60 62
* При Д/ = 20...10 000 Гц и Лг = 500 Ом.
2 При Иа = 10 кОм. Г/вых = 2 В и f = 100 Гц.
3 Прн 1 = I кГц.
* Прн Ky{j 50. 1/вых = 2 В, RH -2 кОм и / = 1 кГц.
• Коэффициент ослабления сигнала соседнего канала. При f — I кГц, R» = 10 кОм и
KyU= 1000.
Примечания. 1. Частота единичного усиления при ПЕХ=5 мВ и RB = 10 кОм
20 МГц.
2. Коэффициент влияния нестабильности источника питания на входной сигнал на частоте
1 кГца К548УП1А 100 дБ. К548УН1В НО /,Б.
ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Предназначены для работы в устройствах дискретной обработки информации,
ЭВМ и системах дискретной автоматики.
СЕРИЯ К100
Тип логики — ЭСТЛ (транзисторная логика с эмиттерной связью).
Состав серии:
КЮ0ИВ165 — кодирующий элемент с приоритетом;
К100ИД161 —трехразрядный дешифратор низкого уровня-
КЮ0ИД162 — трехразрядный дешифратор высокого уровня;
КЮ0ИД164 — восьмиканальный мультиплексор;
К100ЛЕ106 — два элемента ЗИЛИ —НЕ, один — 4ИЛИ— НЕ;
К100ЛЕ111 —два элемента ЗИЛИ — НЕ;
КЮ0ЛЕ211 — два элемента ЗИЛИ — НЕ;
К100ЛК117 — два элемента 2—ЗИЛИ—2И/2 — ЗИЛИ—2И—НЕ;
КЮ0ЛК121 — элемент 3—3—3—ЗИЛИ—4И/3—3—3—ЗИЛИ—4И—НЕ;
КЮ0ЛЛП0 — два элемента ЗИЛИ;
К100ЛЛ210 — два элемента ЗИЛИ;
КЮ0ЛМ101 —четыре элемента 2ИЛИ—НЕ/2ИЛИ-
КЮ0ЛМ102 — три элемента 2ИЛИ—НЕ, один — 2ИЛИ—НЕ/2ИЛИ;
342
К100ЛМ105 — два элемента 2ИЛИ—НЕ/2ИЛИ, один — ЗИЛИ—ПЕ/ЗИЛИ-
КЮ0ЛМЮ9—элементы 4ИЛИ—НЕ/4ИЛИ и 5ИЛИ—НЕ/5ИЛИ,
К100ЛП107 — три элемента «исключение ИЛИ»;
К100ЛП128 — возбудитель линии;
К100ЛП129— приемник линии;
К100ЛС118 — два элемента ЗИЛИ 2И;
К100ЛС119 — элемент 4—3—3—ЗИЛИ—4И;
КЮ0ТМ130 — два D-триггера;
К100ТМ131 —два D-триггера;
КЮ0ТМ133 — четыре D-триггера;
К1ООТМ134 — два D -триггера;
К100ТМ173— четыре D-триггера с входными мультиплексорами;
КЮ0ТМ231—два D- риггера.
Корпус прямоугольный металлокерамический 402 16-1.
Микросхемы серии КЮО могут работать с двумя разными токовыми уров-
нями логической единицы.
Предназначены для узлов ЭВМ сверхвысокого быстродействия и устройств
дискретной обработки информации.
Параметры приведены в табл. 101—103 а условные обозначения—па рис.
166 и 167.
Общие параметры микросхем К100ЛП107
ия_ п, В.................................................—5,2±Б%
/пот. мА не более........................................ 28
ZBX, мкА, не более: х
ла выводах 5, 7 и 15 ............................. .... 2С5
на выводах 4. 9 н 14.................................... 0
?вх мкА, не менее .................................. .5
и t *' ис, не более .... ...................... .. 3,9
зд зд
1/вых; не менее - ••••••••............................ -0.98
^вых не ®0,лее............................................ —1 63
Таблица 101
Тип ^и. п- с ^пот- мА. не более 7ВХ*, МКА, не более г'д нс' не более 0 1 ГТ t ' , нс, зд не более Л° . LC, зд Р’ пс более о я о о С Ч , , -XD о со о
КЮ0ЛМ101 К 00ЛМ102 —5.2±5 % 26 265 — — 2,9 2.9
К 00ЛМ105 К100ЛМ109 21 14 265 2,9 2.9 j — —
К100ЛЕ106 2! 265 — — 2,9 2.9
К100ЛЕ111 38 435 3 5 3.5 — —
К100ЛЕ211 38 410 2.5 2,5 — —
К100ЛЛ110 38 435 35 3. — —
К100ЛЛ210 38 410 - 2.5 2.5 '— —
КЮ0ЛКН7 26 265 (4—7, 10—13)-, 355 (9) 3,4 3,4 — —
343
Продолжение табл. 101
Тип п. В ^ПОТ’ мА, ИС более I вх' ’ мк не более 4°- зд не более *зд • нс- не более <1.0 нс зд, р' ие- не более 6Э1ГО9 эн 4 го'
К100ЛК121 —5,2±5 % 26 265 (4- 7, 9, 11—15)-, 365(10) — — 3.4 3,4
К100ЛС1182 26 370 (9) — — 3.4 3.4
К100ЛС1192 370(70; 265 (по остальным выво- дам) — 3,4 3,4
1 В скобках указаны номера выводов микросхем.
2 Потребляемая мощность не более 135 мВт; помехоустойчивость не менее 0,125
Примечание. 7®х > 0,5 мкА, В, ^вых 1,66 В.
Таблица 102
Гип ик. Н. В 7пот- “А- .не более /* , мкА. не более ВХ’ /1,°, /°’1, нс, не более по входу эд * зд
с К D S G
К100ТМ130 —5,2 ±10 % 35 220(6, 77); 285 (4, 5, . 7, 10, 12, 13) 4 3.5 3.5 — —•
К100ТМ131 56 220 (6, 77); 245 (7, 70); 265(9); 330(4, 5, 72, 13) 4,5 4.3 — 4.3 —
КЮ0ТМ133 75 265(3. 7, 9, 14), 350 (4, 5, 10, 12)„ 500 (73) 5.4 — 4,4 — 3
КЮ0ТМ134 55 220(6, 9—77); 290 (4, 5, 7, 12, 13) 5.5 — 4 4,7 ь-
КЮ0ТМ1732 56 250(7, 9); 295(3, 4, 5, 6, 10, 11, 12, 13) — 4 5.53 — —
К100ТМ231 65 220 (6, 7, 10, И); 290 (9); 410(4, 5, 72, 73) 3,3 3,3 — з.з
1 В скобках указаны номера выводов микросхем.
« Потребляемая мощность ие более 343 мВт; помехоустойчивость не менее 0,125 в.
Примечание. 7®х > 0,5 мкА, ^ых"* — 0,98 В, ^вЫХ 1,63 В.
344
Таблица 103
КЮ0ИВ165
140
728
245 (4); 220 (по
остальным входам)
. 18
(зхб—
вых.?)
12
(вх9—
вых/5)
18
(вхб—
выхЗ)
5,5
(вх9—
вых/5)
К100ИД161
КЮ0ИД162
125
650 0,5
265
—0,98 —1,63
Ю00ИД164 —5,2±10 %
125
650
265
— 0,98 —1,63
К100ЛП128
97
73'
504
3651
620 (.?); йбО (5, 2,5 0.5
12); 265 (6, 10, II);
350 (7)
К100ЛП129
172
8*
894
40*
0.5 (10, 11,
12); I (по
остальным
входам)
95 (4, 6, 7, 18);
450 (10); 245 (//,
72)
’ При l/,( п2 — 5 В.
Примечание. В скобках указаны номера выводов микросхем
СЕРИЯ К104
Тип логики — ДТЛ.
Состав серин:
К1ЛБ041 —элемент И—НЕ с возможностью расширения по И или ИЛИ;
К1ЛБ042 — элемент 2И—НЕ с возможностью расширения по И или ИЛИ;
К1ЛБ043 — элемент ЗИ- НЕ с возможностями расширения по И ил> ИЛИ;
К1ЛБ044 — элемент 4И НЕ с возможностью расширения по И или ИЛИ;
К1ЛИ041 —элемент 2И с возможностью расширения по И,
К1ЛИ042— элемент ЗИ с возможностью расширения по И;
К1ЛИ043 — элемент 4И с возможностью расширения по И;
К1ЛИ044— два элемента ЗИ с возможностью расширения по И;
К1ЛИ045 — два элемента 4И с возможностью расширения по И,
К1НД041 —диодная сборка трсхв.ходная;
К1НД042—диодная сборка четырехвходная;
К1НД043 — две трехвходные диодные сборки;
К1НД044— четыре четырехвходные диодные сборки.
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14.1.
Параметры приведены в табл. 10'4, а условные обозначения на рис. 168.
Общие параметры микросхем К1ЛБ041— К1ЛБ044
ии п1. В..................’.......... . . . ............±6,3±10% (6)
ии п2. в............................................... ,-2.4 ±10 % (4)
(7Н. „3, В . . .............................'...............+3±ю % (3)
Рпот, мВт. не более............................... - - • • 18
^вы? В- ке ыеиее .......................... . . .......... 2,5
^вых’ В- не ®олее • ......................................... 0 8
/дд®, нс, при Сц = 50 пФ, нс более .......................
не, при Сн 50 пФ, не более............................... 170
345
X, х3 5 6 7 1
х$ Xs 9 1 Уг
xf № it 2
Х> xs 12. t У,
/j 15
.КШ£№6
X, 1 У,
x? 5 2 Уг
Xs 6 3 Уз
7 4
Xi 1 yi
Xs 9 12 Os
Хе - tO 13 y.
11 14
кюолеш,
ктЛЕ2Н
К100ИД164
Xf t 1 iz
хг 5
Xs S 13 Уз
7 и
xt t 1 л
Xs 9 У2у7
xf to V317
11 fii
кюоллт.
ктллгю
x, Хг 4 5 Xs Xi в 7 x, Ю t! xs Xs 12 13 1 8 У,
7 2 Уг 'з Уз 15 . Уз 14
1 7 a
К100ЛКН7
X, t 7 й У, 2
Хг 4
x3 5 6 Xi
Xs 7
9, Л
x, Ю xe tt 12 Xs Xu t3 x« /4 7 y, 3
is
К100ЛК121
х, 1 y,
Хг 4 5 7
Xs 1 Уг
Xj s, 7 3
Xs Xi 10 t Уз
11 г
Хг t Уз
Xs t2 ,9 Уз
/3 15
Xt 1 У,
хг 4 2 Уг
5 Хз 3 Уз
1
Xi 9 7 9i
Xs 10
6 9s
11 хе
1
х, 12 \Т5~Уб Т4
13
КЮММЮ5
X, 1 У,
Xg 4 2
Хз 5 6 Уг
7 xs 'з Уз
xs 9 15 ' Л 14
х, to
Xs 11
Xs 12
13
К100ЛМ109
КЮ0ЛП107
кюолмюг
Рис. 166
Вход
хг 3
Хд 4
общий
Хг 3
Лз 4
Xt 5
Обшиб
1,16
-Цип
8
К100ЛС118
У
2
б
Xs
7
9
х»___
Xs б
X,____
Хе 10
11
Xs____
Хм 12
X,! 13
К
1 1 8
1 1 й
___У_
15
Общий
То
Хв____
9 Н
12
Хщ
Хи 13
Х/г 74
15
К100ЛСН9
Ю00ТМ133
---И
_____S
5
О,
О
1
7
О,
6
R
R
4
4
S
S
12
В
5|—
В
в CJ
— и2
6 Сг
10
01
/?
13
К100ТМ130
*____5
б.
10
В,
й
V
'С,
__£,
2 -
О,
Т”
Т
О,
3
£
12
13
К100ТМ134
Ог
75 2,
74
Рис. 167
Ог
15
16
12
9
D
С,
Сг
R
I
Л
15
16
13
К100ТМ131.
К100ТМ231
ЮООТМ173
^обр. ВХ. в. не 6олее.................. • 4‘5
мА’ ие более ......................... 2
(7П с1. В, не более........................ 0,5
К1ЛБ0Ы
Рис 168 .
348
Таблица 104
• Тип п. в ^вх. обр. макс» В 1? , в пр’ мА- не более
К1НД041—К1НД044 — ' 4,5 0,55—0,9 —
К1ЛИ041—К1ЛИ045 6,3 ±10 % 2.2
1 Для входных диодов.
Примечание. Положительный полюс источника питания подключен к выводу 6
(для К ЛИ041—KIЛИО43) илн к выводу /.? (для К! ЛИ044—К1ЛИ045).
СЕРИЯ К106
Тип логики — ТТЛ.
Состав серии:
К1ЛБ061 [I К1ЛБ062 — два элемента ЗИ—НЕ с возможностью расширения
по ИЛИ;
К1ЛБ063 и К1ЛБ064 -два элемента 2И НЕ с возможностью расширения
но ИЛИ;
К1ЛБ065 и К1ЛБ066— элемент 8И—НЕ с возможностью расширения по
ИЛИ;
К1ЛБ067 и К1ЛБ068— элемент 6И—НЕ с возможностью расширения по
ИЛИ;
К1ЛБ069 и К1ЛБ0610— элемент 4И—НЕ с возможностью расширения но
ИЛИ;
К1ЛП061 и К1ЛП062— восьмивходовый расширитель по ИЛИ (К106ЛД1 и
КЮ6ЛД2);
К1ЛП063 и К1ЛП064 — шестивходовый расширитель по ИЛИ (КЮ6ЛДЗ И
К106ЛД4);
К1ЛП065 и К1ЛП066— два четырехвходовых расширителя по ИЛИ;
К1ЛП067 и К1ЛП068— два трехвходовых расширителя по ИЛИ;
К1ЛР061 и К1ЛР062 — элемент 4—4И—2ИЛИ—НЕ с возможностью расши-
рения по ИЛИ;
К1ЛР063 и К1ЛР064 — элемент 2—2И—2ИЛИ—НЕ с возможностью расши-
рения по ИЛИ;
К1ТР061 и К1ТР062 — RS-триггеры с элементами ЗИ—НЕ на входе с воз-
можностью расширения по ИЛИ;
К1ТРО63. и К1ТР064 — RS-трнггеры с элементами 2И—НЕ па входе с воз-
можностью расширения по ИЛИ.
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14 1.
Выводы: 11 — общий; 4 — UH а.
Общие параметры микросхем К106
В................................................5±Ю%
Краа.................................................. 10
1/п ст, В не менее.................................... 0,3
Параметры приведены в табл. 105—107, а условные обозначения — иа рис.
168 и 169.
СЕРИЯ К109
Гип логики — ДТЛ.
Состав серии:
К1ЛБ091А—К1ЛБ091Г — элемент ЗИ—НЕ с возможностью расширения по И;
349
Таблица 105
Тип С71 . В. вых' ’ Не менее с/° . в, вых’ ’ не более РПОТ> мВт, не более не, не более *зд. ср’ нс> не более /рХ, мкА, не более ;вх- мкА’ но более j
К1ЛБ061, К1ЛБ063 2,1 0.35 36 — 50 150 1.5
К1ЯБ062, К1ЛБ064 2,1 0.35 14 — 120 120 0,6
К1ЛБ065. К1ЛБ067, К1ЛБ069 2.1 0.35 18 — 60 , 150 1.5
К1ЛБ066, К1ЛБ068, К1ЛБ06010 2.1 0.35 7 — 140 120 0,6
К1ЛП061, К1ЛП063 — 1,45 300 — 150 1.5
К1ЛП062, К1ЛП061 — 1,45 — 230 — 120 0.6
Таблица 106
Тип С71 , В. вых’ ’ ire менее У0 , В, вых’ ’ не более ^ПОТ’ мВт, не более 4°, 'W не более - не более *зд. ср» пс* пс более мкА’ не более 7°х, мкА, . не более
К1ЛП065, К1ЛП067 1,45 — 40 250 — 150 1.5
К1ЛП066, К1ЛП068 — 1,45 — 10 250 — 120 0,6
К1ЛР061, К1ЛР063 2,1 0.35 24 — — 60 150 1.5
К1ЛР062, К1ЛР064 2.1 0.35 10 — — . 140 - 120 0,6
Таблица 107
Тип У* . вых’ В, нс менее </° , ВЫХ’ В, не более р г ПОТ’ мВт, не бол ее /Зд, ИС. не более 4х- мкА, не более 7° . ВХ мА, не более ^раз
К1ТР061, К1ТР063 К1ТР062, К1ТР064 2,1 0.35 36 14 50 120 150 120 1.5 0.6 9
К1ЛБ092Л—К1ЛБ092Г — элемент ЗН—НЕ с повышенным коэффициентом раз-
ветвления и возможностью расширения по И;
К1ЛИ091А и К1ЛИ091Б — элемент 6И для работы на пизкоомную нагрузку
(К109ЛИ1А и К109ЛИ1Б);
К1ЛП091 —два трехвходных расширителя по И,
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-1.
Параметры приведены в табл. 108, а условные обозначения — на рис. 169.
Общие параметры микросхем К1ЛП091
Упр прн /пр - 1 мА, В.......................................... 0,7—0,85
/обр ПРИ У вх. обр' 5,25 в. мкА> не более ...................... 1.5
350
К1ТР063, К1ЛБ091А, К1ЛБ092А- KtflHt)9tA,
K1TP069 МЛБ091Б К1ЛБ092Г KtfMOSfB
К1ЛП09< К1ЛБ101А К1/1БЮЗА К1ЛБ102А
Рис. 169
Таблица 108
Гии га к в га CN С В С71 , В, ВЫХ’ ’ не менее В- не более /gX, мкА, не более /°х. мА- не более со ст J.0 зд 1 НС| не более 4'- - не более СТ’ не менее
К1Л11091А К1Л 1091Б 5± Ю % (^) — 2.4 0.4 5 1.6 12 10 6 75 90 о.з
К1ЛБ091А— К1ЛБ091Г 3±5% (5) 5±5 % (0 2,4 0,4 1.5 1.5 51 6 40 80
К1ЛВ092А— К1ЛБ092Г — 5±5 % 2,5 0.4 1.5 1,5 162 6 60 100
‘ Для К1ЛБ0091Б 4; К1ЛБ091В 3 и КГЛБ091Г 2.
Для К1ЛБ092Б и К1ЛБ092Г12.
Примечание. В скобках указаны номера выводов, к которым подключают положи-
тельные полюсы источников питания -
СЕРИЯ К110
Тип логики — РЕТЛ.
Состав серии:'
К1ИЛ101А — полусумматор;
К1ЛБ101А — элемент 6ИЛИ—НЕ;
К1ЛБ102А— элемент ЗИЛИ—НЕ;
К1ЛБ103А — элемент 4ЙЛИ—НЕ,
К1ЛБ104А— элемент 5ИЛИ—НЕ;
К!ЛБ105А —элемент 6ИЛИ—НЕ с эмиттерным повторителем на выходе 9;
К1ЛБ105В — элемент 6ИЛИ—НЕ с эмиттерным повторителем па выходе 9
л нагрузочным резистором 5 кОм на выходе эмиттерного повторителя;
К1ЛБЮ6А — элемент ЗИЛИ—НЕ с эмиттерным повторителем на выходе 9;
К1ЛБ106В — элемент ЗИЛИ—НЕ с эмиттерным повторителем на выходе 9
я нагрузочным резистором 5 кОм на выходе эмиттерного повторителя;
К1ЛБ107А — элемент 4ИЛИ—НЕ с эмиттерным повторителем на выходе 9;
К1ЛБ107В — элемент 4ИЛИ—НЕ с эмиттерным повторителем па выходе 9 и
нагрузочным резистором 9 кОм на выходе эмиттерного повторителя;
К1ЛБ108А — элемент 5ИЛИ—НЕ с эмиттерным повторителем иа выходе 9;
К1ЛБ108В—элемент 5ИЛИ—НЕ с эмиттерным повторителем на выходе 9 и
нагрузочным резистором 5 кОм на выходе эмиттерного повторителя;
К1ЛБ109А— два элемента ЗИЛИ—НЕ;
К1ЛБ1010А —элемент 2ИЛИ—НЕ и элемент НЕ;
К1ЛБ1011А — два элемента 2 ИЛИ—НЕ;
К1ЛБ1012А— элемент ЗИЛИ—НЕ и элемент 2ИЛИ—НЕ;
К1ЛБ1013А—элемент 2ИЛИ—НЕ;
К1ЛБ1014А — элемент 2ИЛИ—НЕ с эмиттерным повторителем иа выходе 9;
К1ЛБ1014В —элемент 2ИЛИ—НЕ с эмиттерным повторителем па выходе 9
я нагрузочным резистором 5 кОм на выходе эмиттерного повторителя;
К1ЛН101А — элемент НЕ;
К1ЛН102А —элемент НЕ с эмиттерным повторителем на выходе 9;
К1ЛН102В — элемент НЕ с эмиттерным повторителем на выходе 9 и нагру-
зочным резистором 5 кОм на выходе эмиттерного повторителя;
К1ЛН103А — два элемента НЕ;
К1ТКЮ1А — RST триггер с импульсно потенциальным управлением;
КПК102А — RST-триггер с эмиттерными повторителями на выходах 8 и 9;
К1ТК102В — RST-триггер с эмиттерными повторителями иа выходах 8 и 9
352
и нагрузочными резисторами на выходах эмнттерных повторителей: 5 кОм (9) и
22 кОм (8);
К1ТКЮ2Д —RST-триггер с эмиттерными повторителями на выходах 8 и 9 и
нагрузочными резисторами иа выходах эмиттериых повторителей: 5 кОм (8) и 22
кОм (S').
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-1.
Выводы: 7 — общий; 3 — UH п.
Параметры приведены в табл. 109 и НО, а условные обозначения — на рис.
169 и 170.
Таблица 109
Тип О G К ^ПОТ’ мВт, не более < X —. и С7° В, вых» ’ не более ^вых* не менее 2 И 3 е *зд. ср» нс» не более со «а О. ^П. СТ’ В» не менее О
К1ИЛ101А 5 2,4 — 5(8); 4(6, 10) —
К1ЛБ101А— К1ЛБ104А. К1ЛБ1013А, К1ЛН101А 2,5 — — 5 6
К1ЛБ105А- К1ЛБ108А, К1ЛБ1014А, К1ЛБ106В— К1ЛБ108В, К1ЛБ1014В, К1ЛН102В 3±ю% 8 28—48 0,25 1.2 450 « 5 (25) 0.2 6
К1ЛБ109— К1ЛБ1012А, КЫН ЮЗА 5 — — 5 3
1 По входам и S.
2 По входу V.
Примечание. В скобках указаны значения при низких частотах переключения.
*/2 12 3-191
353
К1ЛБ105А,
МЛБНВВ
К/ЛБЮ6А,
К1ЛБ106В
К1ЛБЮ7А,
МЛ6Ю7В
млнюза
КИбЮЮА
Н/Лб/ОИА
К1ЛН101А
В1ЛВЮ/2А
Л1ЛБ1013А
К1ЛЛЮ2А,
КМШ02В
Рис. 170
СЕРИЯ КПЗ
Тип логики — РТЛ.
Состав серии:
К1ИЛ131 — полусумматор;
К1ЛБ131 —четыре элемента 2ИЛИ—НЕ;
К1ЛБ132—два элемента 4ИЛИ—НЕ;
К1ЛБ133 — элементы 2ИЛИ—НЕ и ЗИЛ И—НЕ с повышенным коэффициен-
том разветвления;
К1ЛБ134 — элемент ЗИЛИ—НЕ с повышенным коэффициентом разветвления;
К1ЛБ135 — элемент 2ИЛИ—НЕ и три двухвходовых расширителя по ИЛИ;
К1ЛС131 — элемент 4ИЛИ—И и 2ИЛИ—НЕ;
К1ТР131 —RS-триггер и элемент 2ИЛИ—НЕ.
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14-2.
Выводы: 14 — общий; 9 — (7И п.
Параметры приведены в табл. 111 и 112, а условные обозначения — на рис.
170 и 171.
Таблица 111
Тип а С Я ^ПОТ* М®Т*' не более 'вг мкА< не более U° V. в. вых’ ' не более г/ . в, не менее yaw ^зд. р. ср* нс* не более ^п. ст* не менее м п
К1ЛБ131 К1ЛБ132 4± 10 % 37 1.87 20.5 0,22 — 82—150 500 0,15 4
К1ЛБ133 К1ЛБ134 7,2 8 0,55 2.В 82—1502 4000 500 0,7 503 50
* Выводы 9 в 10 объединены.
s По выводу 13.
’ По выводу 11.
Таблица 112
Тип а 'кп • РП0Т' иВт< не более и0 в, вых‘ ’ не более ^зд. р. ер’ нс» не более X а X 3 — Q llBX, мкА, не более ^П. СТ* В, не менее « п 5=?
К1ЛБ135 К1ИЛ131 К1ЛС131 К1ТР131 4± 10 % 0,93 3.7 3.7 0,22 500 82—150 20,5 20.5 0,15 4
1 Для К1ЛБ135 и К1ИЛ131 не регламентируется.
СЕРИЯ К114
Тип логики — РТЛ.
Состав серии:
К1ИЛ141А и К1ИЛ141Б — полусумматор и элемент 2ИЛИ—НЕ (КП4ИЛ1А
и К114ИЛ1Б);
К1ИР141А и К1ИР141Б—разряд двухтактного регистра сдвига (К114ИР1А
и КН4ИР1Б);
КЛБ141А и К1ЛБ141Б —два элемента 4ИЛИ—НЕ (КН4ЛЕ1А и КП4ЛЕ1Б);
»/4 12* 355
• К1Л61ЧЗА,
МЛБМБ
Рис. 171
К1ЛБ142А и К1ЛБ142Б— элемент ИЛИ—НЕ с повышенным коэффициентом
разветвления (К114ЛЛ1А и КП4ЛЛ1Б);
К1ЛБ143А и К1ЛБ143Б — элементы 2ИЛИ—НЕ и 2ИЛИ с повышенным ко-
эффициентом разветвления (КП4ЛЛ2А и К114ЛЛ2Б);
К1ЛП141А и К1ЛП141Б— четыре элемента НЕ—НЕТ (К114ЛП1А и
К114ЛП1Б);
К1ЛП142А и К1ЛП142Б — четыре расширителя по элементам (схеме) НЕТ
(КП4ЛД1А и К114ЛД1Б);
К1ЛП143А и К1ЛП143Б — элемент 6ИЛИ—НЕТ (К114ЛП2А и К114ЛП2Б);
К1ЛП144А н К1ЛП144Б — два элемента 2ИЛИ—НЕТ (К114ЛПЗА и
КН4ЛПЗБ);
К1ЛП145А и К1ЛП145Б—дра четырехвходных расширителя по ИЛИ
(КН4ЛД2А и КН4ЛД2Б);
К1ТР141А и К1ТР141Б —RS-триггер (К114ТР1А и КН4ТР1Б).
Корпус металлополимерный «Тропа».
Выводы: 2—общий; 9—(7н, п-
Параметры приведены в табл. 113 и 114, а условные обозначения — на рис.
171.
Общие параметры микросхем КИ4
^н.ш .........................................................4±10%
С/°ых‘, В- |1е ............................................... 0,2
1/п. ст. В, ие менее............................ .0,15
1 Для К.1ЛБ143А 0,3, для Ц1ЛБ143Б 0,3 на выходе 8 п 0,15 на выходе 10.
1 Для К1ЛБ143А 50, для К1ЛБ143Б 50 при нагрузке мощного рлемента на
базовые элементы. Прн соединении вывода 10 с 5, вывода 8 с выводами 3, 4. 7
и вывода 0 с выводом 6 Араз = 80.
Общие параметры микросхем К1ЛТ1142А, К1ЛП142Б К1ЛП145А
и К1ЛП145Б
С/и. п> В...................................................4±10 %
7ВХ, мкА:
Ц1ЛП142А в К1ЛП145А....................................... 6—17
К1ЛП142Б и К1ЛП145Б.................................... . 6—24
Таблица ИЗ
Тип . мВт, не более '’Sot- мВт- не более ‘зц. р. ср* нс- ие более 'Lx- мкА 4х- мкА
К1ИЛ141А 2,55 3,25 1300 43—116 6—32
К1ИЛ141Б 4 4 1200 62—193 6—46
К1ИР141А 5.1 4.6 .1950 60—116 6—32
К1ИР141Б 7,5 6.8 1800 86—193 6—46
К1ТР141А 2,55 . 2,3 1300 60—116 6—34
К1ТР141Б 3,9 3,4 1200 86—193 6—48
357
Таблица 114
Тип р1 . пот’ мВт, не более р° , пот* мВт. не более С/1 в, ВЫХ’ ’ не более Ал. р. Ср. нс,- не более 4ых" "!кА /вх' ыкА
К1ЛП141А 1.8 2.8 650 70—110 6—17
К1ЛП141Б 2 4 2,4 — 600 100—180 6—24
К1ЛП143А 1 15 1.15 — 1300 70—110 6—17
К1ЛП143Б 1.7 1.7 1200 86—193 6—24
К1ЛП144А 2.3 2,8 — 1300 60—116 6-17
К1ЛП144Б 2.8 4,4 1200 100—180 6—24
К1ЛБ141А 0.9 1.4 650 70—110 6—17
К1ЛБ141Б 1,2 2,2 600 ЮО—180 6—24
К1ЛБ142А 2,05 2,55 1300 26—330 6—51
К1ЛБ142Б 2.9 3.9 — 1200 38—540 6—72
К1ЛБ143А 2,3 1.1 1300 6—17
К1ЛБ143Б 03 9,1 1200 3000 6—24
СЕРИЯ К121
Тип логики — ДТЛ.
Состав серии"
К1ЛБ211А—К1ЛБ211Г — элемент ЗИ—НЕ с возможностью расширения по
И (К121ЛА1А—К121ЛА1Г);
К1ЛБ212А и К1ЛБ12Б —элемент ЗИ—НЕ с повышенным коэффициентом
разветвления и возможностью расширения по И (К121ЛА2А и К121ЛА2Б);
* К1ЛП211 — два трехвходовых расширителя по И (К121ЛД1),
Корпус металлостеклянный круглый 301.12-1.
Выводы: 9 —общий; 11 — U„ П1 (кроме К1ЛП211); 10 — Un п2 (только
для К1ЛБ211А —К1ЛБ211Г).
Параметры приведены в табл 115, а условные обозначения — на рис. 172.
Общие параметры микросхем К1ЛП211
1/пр при токе 1 мА, В. . ............................... 7—0,85
7обр- мкА< не более (при £/обр = 5,5 В)...................... . б
Таблица 115
Тип
К1ЛБ211А—
К1ЛБ211Г
К1ЛБ212А
К1ЛБ212Б
51
16
12
1 Для К1ЛБ211Б 4, К1ЛБ211В 3 и К1ЛБ211Г 2.
358
К1ЛБ2ИА-
МЛБ2/1Г
К1ЛБ212А,
ЮЛБ2Г2Б
К1ЛП2Н
Рис. 172
СЕРИЯ К128
Тип логики — ДТЛ.
Состав серии:
К1ЛП281 —расширитель по И и расширитель по ИЛИ (К128ЛД1);
К1ЛР281А—К1ЛР281В — элементы' 2И—ИЛИ и 2И—ИЛИ—НЕ, оба с воз-
можностью расширения по И и по ИЛИ (с общим входом по И) (К128ЛР1А—
К128ЛР1В);
К1ЛС281А—К1ЛС281В — элементы 2И и 2И—ИЛИ, оба с возмож гостью
расширения по И (К128ЛС1А-К128ЛС1В).
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14-2.
Выводы: 10—общий; 13 — UKn (кроме К1ЛП281).
Параметры приведены в табл. 116, а условные обозначения — на рис. 172.
Общие параметры микросхем К1ЛП281
Рвх А1 В (»а выходах 3 и 10) .......... .............. 4-5 8_ 10 %
мА................................................. 3...3.6
мкА, не более................. .................. 15
РПр. в............................. • ...........0,6—0,8
/Обр. мкА, нс более, при l/p^p ыако= • ............... '5
1 Коэффициент объединения по И.
2 Коэффициент объединения по ИЛИ.
= Частота тактовых импульсов; К2ЛС281В и К1ЛР281Б 10 МГц; К1ЛС281В н К1ЛР281В
46 МГц.
* В скобках указа 1Ы номера выводов микросхемы, к которым подводятся тактовые
импульсы.
СЕРИЯ К130
Тип логики — ТТЛ.
Состав серии:
К1ЛБ301 —два элемента 4И—НЕ (К130ЛА1);
К1ЛБ302 —элемент 8И—НЕ (К130ЛА2);
К1ЛБ303 — четыре элемента 2И—НЕ (К130ЛАЗ),
К1ЛБ304 — три элемента ЗИ—НЕ (К130ЛА4),
К1ЛБ306 — два элемента 4И—НЕ с большим коэффициентом разветвления
(К130ЛА6);
К1ЛР301 —два элемента 2И ИЛИ—НЕ и один расширитель по ИЛИ
(К130ЛР1);
К1ЛР303 — элемент 2—2—2—ЗИ—4ИЛИ—НЕ с возможностью расширения
по ИЛИ (К130ЛРЗ);
К1ЛР304 — элемент 4—4И—2ИЛИ—НЕ с возможностью расширения по ИЛИ
(К130ЛР4);
360
К1ЛП301—два четырехвходовых расширителя по ИЛИ (К130ЛД1);
К1ТК301— JK-триггер с логикой ЗИ на входе (К130ТВ1).
Корпус прямоугольный металлостеклянный 401.14-2.
Выводы: / — общий; 14 — п.
Общие параметры микросхем К130
п. В..........................................................5±10 %
7^, мА, не более ...............................................—2,3
7 “вА. не более.................................................
^вых' В’ не .................................................... 2,5
^вых' в« не болес.............................................. °-4
17п ст. В, не менее.............................................. 0.5
Крае............................................... • ........ 10‘
1 Для К1ЛБ306 Араз = 20.
Общие параметры микросхем К1ЛП301
Пи.п, В ..........................................................5 + 10%
Рпот, мВт, не более . . ....................................... 22
^вых1 Не ®°лее ..................................................... 1
, мА не более. ........................................... —2,3
ВХ
2g х. мкА, не более............................................ 70
t/n ст, В. не менее.............................................. °.5
Общие параметры микросхем K1TK301
Uu п, В...........................................................5+10 %
ДПот< мВт< не более............................................... *42
^вых' В’ ве ..................................................... 2,5
t/° .В...................,...................................... 0,4
вых* '
I1,0, нс, не более (по входу синхронизации)........................ 35
ЗД
Г® нс, не более (от R- н S-входов)................................. 30
МГц........................................................... 18
Un ст» В- ие .....................................................
Параметры остальных микросхем приведены в табл. 117, а условные обозна-
чения— на рис. 172.
Таблица 117
Тип ^ПОТ» мВт, не более ие более & - не более Тип ^ПОТ- мВт, не более Ц. «с. не более >0,1 'зд ’ "С- не более
К1ЛБ301 100 10 12 К1ЛБ306 137 14 14
К1ЛБ302 50 12 12 К1ЛР301 116 12 14
К1ЛБ303 200 10 12 К1ЛР303 79 12 14
К1ЛБ304 152 10 12 К1ЛР304 58 12 14
СЕРИЯ К131
Тип логики - ТТЛ.
Состав серии:
К1ЛБ311—два элемента 4И—ИЕ (К131ЛА1);
13 3-191
361
KI ЛБ312 —элемент 8И—НЕ (К131ЛА2);
К1ЛБ313— четыре элемента 2И—НЕ (К131ЛАЗ)|
К1ЛБ314 —три элемента ЗИ—НЕ (К131ЛА4);
К1ЛБ316— два элемента 4И—НЕ с большим коэффициентом разветвления
по выходу (К131ЛА6);
К1ЛП311 —два четырехвходовых расширителя по ИЛИ (К131ЛД1);
К1ЛР311—два элемента 2И—2ИЛИ—НЕ и один расширитель по ИЛИ
(К131ЛР1);
К1ЛР313— элемент 2—2—2—ЗИ—4ИЛИ—НЕ с возможностью расширения
по ИЛИ (К131ЛРЗ);
К1ЛР314 — элемент 4—4И—2ИЛИ—НЕ с возможностью расширения по ИЛИ
(К131ЛР4);
К1ТК311 —TJ-триггер с логикой ЗИ на входе (К131ТВ1).
Корпус прямоугольный пластмассовый 201 14 1
Выводы: 7 — общий; 14— UK п.
Общие параметры микросхем К131
UK. п. В. . ................................................5±Ю%
мА« ие более.......................................... 2.3'
мкА, не более ...................................... «... 70’
^вых> В' не более......................................... 0.4
Р^ых’ В* не мснее......................................... 2.6
Рп ст« |‘> не менее (кроме K1TK3I1) ........................ 0.5
Края......................................................... Ю
* Для K1TK31I по вынодам J и /С. По выводам «установка» в «синхрониза.
цвя» 4,6 мА.
2 Для К1ТК311 по выводам J и К- По выводу «синхронизация» I 40 мА и по
выводу «установка» 210 мА.
Общие параметры микросхем К1ЛП311
V». ni в.....................«...................................5± 10 %
/®х, мА,- не более........................................... 2.3
/*х. мкА> не более.............................................. 70
^вых‘ В' не более ............................................... 1,3
7рых' мкА> не более............................................... 15
Параметры остальных микросхем приведены в табл. 118, а условные обозна-
чения — на рис. 173.
Таблица 118
Тип ^пот» мВт, не более № - не более не’ не более Тил ^пот» мВт, не более ,1г0 'зд‘ нс< не более ево- не Солее
К1ЛБ311 84 10 12 К1ЛБ316 115 14 14
К1ЛБ312 42 12 12 К1ЛР311 97 12 14
К1ЛБ313 178 10 12 К1ЛР313 65 12 14
К1ЛБ314 125 10 12 К1ЛР314 47 12 14
К1ТК311 130 27» —
* Для К1ТЦ311 по выводам J в К. По входу «синхронизация» 30 нс.
362
5
швмб
к/лвззч
Рис, 173
СЕРИЯ К133
Тип логики — ТТЛ.
Состав серии:
К1ЛБ331—два элемента 4И—НЕ и один расширитель по ИЛИ (К133ЛА1)]
К1ЛБ332 — элемент 8И—НЕ< (К133ЛА2);
К1ЛБЗЗЗ — четыре элемента 2И—НЕ (К133ЛАЗ);
К1ЛБ334 —три элемента ЗИ—НЕ (К133ЛА4);
К1ЛБ336 — два элемента 4И—НЕ с большим коэффициентом разветвления
(К133ЛА6);
К1ЛБ337 — два элемента 4И—НЕ с открытым коллекторным выходом (эле-
мент индикации) (К133ЛА7);
К1ЛБ338— четыре элемента 2И—НЕ с открытым коллекторным выходом
(элементы контроля) (К133ЛА8);
К1ЛР331—два элемента 2И—2ИЛИ—НЕ и один расширитель по ИЛИ
(К133ЛР1);
К1ЛРЗЗЗ — элемент 2—2—2—ЗИ—4ИЛИ—НЕ с возможностью расширения по
ИЛИ (К133ЛРЗИ
К1ЛР334 — элемент 4—4И—2ИЛИ—НЕ с возможностью расширения по ИЛИ'
(К133ЛР4);
К1ЛП331—два четырехвходовых расширителя по ИЛИ (К133ЛД1);
К1ЛПЗЗЗ — восьмивходовый расширитель по ИЛИ (К133ЛДЗ)?
К1ТК331 —JK-триггер с логикой ЗИ на входе (К133ТВ1);
К1ТК332 — два Л-триггера.
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-1 или 401.14-2.
Выводы: 7 — общий; 14 — п.
Параметры микросхем приведены в табл. 119, а условные обозначения — на
рис. 173 и 174.
Общие параметры микросхем К138
^и. п. В...........................................................
1/^ , В, не менее (кроме К1ЛП331, К1ЛПЗЗЗ. К1ЛБ337, ’ 1ЛБ338) . . . 2,4
1/®ых, В, не более (кроме К1ЛП331, К1Л'13<,3)...................... 0,4
,, мА, не более.................................................—1,6
ЕХ ’
МКА> не более ............................................... 40
Общие параметры микросхем КИК331 и K1TK332
17и. п. В..............................................5±10%
Рпот, мВт, не более:
KITK331...............................................но
К1ТК332 ............................................160
7® мА, не более:
КИК331..............................................—1,6(3—5, S—77);
—3.2 (2, 12, 13)
к’ткззг.............................................—1,6(2, 4, ю, is)
^вх’ МКА* не более:
К1ТК331..............................................90 (3—5, S—22);
180 (22)
К! ГК332 ............................ ...... 90 (2, /2);
180 (3. 4 10. 11)1
270 (I, 13)
121 ых. В, ие менее........................... .2,4
^вых не б°лее ..............................0,4
fj, нс, не более1
К11К331.........................................48
К11 К332 ...........................-..........СО
I®’1, нс, не более (К1ТК332)"....................£0
ЗЬ4
КШРЗЧ2
Рис. 174
£/п. ст. В, не менее.............. ОИ
1 От входа «синхронизация».
s От входа «установка». Для KITK33! 36 нс.
Примечание. В скобках указаны номера выводов микросхем.
Таблица 119
Тип
Тип
К1ЛБ331
К1ЛБ332
К1ЛБЗЗЗ
К1ЛБ334
К1ЛРЗЗЗ
К1ЛР334
63
34
116
85
71
63
18
22
18
18
22
22
36
36
36
36
36
36
0,4
0.4
0,4
0,4
0.4
0,4
10
10
10
10
10
10
К1ЛП331
К1ЛПЗЗЗ
К1ЛБ336
К1ЛБ3374
К1ЛБ3381
К1ЛР331
95
84
116
76
22
22
36
36
80
10 .
2 О)
Ч
§>2
* ^вых" мА, не более:
К1ЛЕ337 30; К1ЛБ338 10.
СЕРИЯ К134
Тип логики — ТТЛ.
Сост 1в серии;
К1ЖЛ341—многоцелевой элемент цифровых структур (МЦЭС)
К1ЛБ341 —четыре элемента 2И—НЕ (К134ЛБ1);
К1ЛБ342— два элемента 4И—НЕ (К134ЛБ2);
К1ЛР341 — элементы 2—2И—2ИЛИ—НЕ и 2—4И—2ИЛИ—НЕ
К1ЛР342 —элемент 2—2—3-4ИЛИ—НЕ (К134ЛР2);
К1ТК341 —JK-триггер на основе МЦЭС;
К1ТК342 —JK-триггер (К134ТВ1);
К1ТК343 —JK-триггер двойной (К134ТВ4).
Корпус прямоугольный стеклянный 401.14-1.
Выводы: 11 — общий; 4— Ua п.
(К134ХЛЗ);
(К134ЛР1);
Общие параметры микросхем К1ЖЛ341
^п.щВ..................................................
Рпот. мВт, ие более....................................
мкА, не более (втекающий ток по стробирующему и ииформа-
ци иным входам).........................................
Z® , мкМ не более (вытекающий ток по стробирующему н информа-
ционным входам) .. ................................... >
*н. вых "Ри Сн = 40 пф- ...............................
Араз...................................................
б±10 %
8
80
360
200—1000
2
Параметры остальных микросхем приведены в табл. 120 и 121, а условные
обозначения — на рис. 174.
СЕРИЯ К136
Тип лбгики — ТТЛ.
Состав серии:
К1ЛБ361 —два элемейта 4И—НЕ (К136ЛА1);
х. К1ЛБ362 —элемент 8И—НЕ (К136ЛА2);
К1ЛБ3.63 — четыре элемента 2И—НЕ (К136ЛАЗ),
366
Таблица 120
Тип У и. п. в ₽ПОТ' мГ5т. не более Zbx- мА- не более /'х, мкА. не более У1 . В. ВЫХ’ • не менее У0 В, вых» ’ не более ДО 'зд ,1с- не более .0.1 'зд • нс, не более ^П. СТ’ не менее га £Х
К1ЛБ341 К1ЛБ342 К1ЛР341 К1ЛР342 5±10% 8 6 5 4 —0,2 12 2,1 0.4 200 200 0,3 10
Таблица 121
Тил Ри. П' В ^ПОТ’ мВт, не более Zbx‘ мА’ ие болсе ZpX, мкА, не более и1 , в, вых’ ’ не менее Увыг В- не более Я сх
К1ТК341 8 —о.зб (л к. С) —0,08 (R, S) 80 (7, К); 80 (/?, 5. С)
К1ТК342 К1ТК343 5±10% 8 16 -0,2(7, К), -0.4(C) —0,2(7, К)- -0,4 (Q 12 (7. К); 36 (R, S, С) 12 (7, К); 36 (/?. 5, Q 2.1 0.4 10
Примечание. В скобках указаны номера выводов микросхем.
К1ЛБ364— три элемента ЗИ—НЕ (К136ЛА4);
К1ЛР361 —два элемента 2И—2ИЛИ—НЕ (К136ЛР1);
К1Л Р363 —элемент 2—2—2—ЗИ—4ИЛИ—НЕ (К136ЛРЗ);
К1ЛР364 —элемент 4И—4И—2ИЛИ—НЕ (К136ЛР4);
К1ТК361 —JK-триггер с логикой ЗИ на входе (К136ТВ1).
Корпус прямоугольный стеклянный 401,14-1.
Выводы: 7 — общий; 14 — UH п.
\
Общие параметры микросхем К!36
РИ. п. В........................................................5 + 5 %
Г7П ет. В, ие менее.................. . ..................... 0.3
Яраз............................................................ 10
Параметры приведены в табл. 122, а условные обозначения — иа рпс. 175.
Таблица 122
Тип ^НОТ» мВт, не более /«х. мА. ие более Л А ^вх* мкА, не- более и1 , в ВЫХ’ ’ не менее uQ . в, вых» не более нс, ие более - не более
К1ЛБ361 9 90 90
К1ЛБ362 5 149 90
К1ЛБ363 19 90 90
К1ЛБ364 14 0.5 32 2.3 0.4 90 90
К1ЛР361 14 ПО НО
367
К1ИЛ371,
К1ИЛ372
К1ЛБ37Ю
МЛ6379
Л1ЛБ37Л
К1ЛБ37Г7
[7—1
ШЛБ3716
*s9
to
К1ЛБ3716
К1ЛП371,
К1ЛП372
Рис. 175
Продолжение табл. 122
Тип рпот- мВт, не более ;вх- мА' не более 'вХ. мкА. не более и1 в 8ЫХ ’ не менее и0 . в вых не более л.о 7 • , нс, зд не более А1 «С не более
К1ЛР363 К1ЛР364 13 7 140 ПО 140 ИО
К1ТК361 18.9- 0.5 (J. К); -I (С. у) 32 (Л К); 96 (С, у) 2,4 0,3 100 100
Примечания: 1. В скобках указан^ обозначения выводов (у— «установка»).
2. Для KITK361 )нх — 3 МГц.
СЕРИЯ К137
Тип логики — ЭСЛ.
Состав серии:
К1ИЛ371 и К1ИЛ372 —полусумматоры с нагрузочными резисторами па вы-
ходах (К137ИЛ1 н К137ИЛ2);
К1ИЛ373— полусумматор (К137ИЛЗ);
К1ЛБ371 н К1ЛБ3719 — элементы ЗИЛИ—ПЕ/ЗИЛИ с возможное ыо расши-
рения по ИЛИ и нагрузочными резисторами на выходах К13 ЛМ1 и К137ЛМ2);
К1ЛБ372 и К1ЛБ379 — два элемента ЗИЛИ—НЕ с нагрузочными резисто-
рами на выходах (К137ЛЕ1 и К137ЛЕ2);
К1ЛБ3710 — два элемента ЗИЛИ—НЕ (К137ЛЕЗ),
К1ЛБ375 —элемент ЗИЛИ—ИЕ/ЗИЛИ с повышенным коэффицие том раз-
ветвления и нагрузочными резисторами на выходах (К137ЛМЗ);
К1ЛБ376 и К1ЛБ3717 — элемент 5ИЛИ—НЕ 5ИЛИ с нагрузочными резисто-
рами иа выходах (К137ЛМ4 и К137ЛМ5);
К1ЛБ378 —элемент ЗИЛИ—НЕ/ЗИЛИ с возможностью расширения по ИЛИ
(К137ЛМ6);
К1ЛБ3716 —элемент ЗИЛИ—НЕ/ЗИЛИ с'повышенным коэффициентом раз-
ветвления (К137ЛМ7);
К1ЛБ3718— элемент 5ИЛИ -НЕ/5ИЛИ (К137ЛМ8);
К1ЛП371 и К1ЛП372 — два трехвходовых расширителя по ИЛИ (К137ЛД1
и К137ЛД2);
К1ТР371—RS-триггср синхронный с нагрузочными резисторами па выходах
(К.137ТР1);
К1ТР373 — RS-триггер син ронный (К137ТР2),
К1ТР374 —D-триггер (К137ТМ1).
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14 1.
Выводы /4—общий; 7 — минус Г/и п; 6 —минус Допор (кроме К1ЛП371
и К1ЛП372); у К1ЛБ375, К1ЛБ3716, К1ТР371, К1ТР373 и К1ТР374 вывод 14 со-
единен с выводом 1.
Общие параметры микросхем К137
Уи. гр В......................................5±Б %
/ вх, мА, не более................• *••••»
и' В .......................................—0,7. 0,91
ВЫХ’
о .........................ь . . -1.45.. —1,9*
ВЫХ* .........
Un гт (кроме К1ЛП371 и К1ЛП372). мВ, не менее;
и* _____ шл
1 На инверсных выходах и выходах -сумма».
369
Общие пааметры микросхем К1ЛП371 и К1ЛП372
"н. п. В....................................................5±6 %
гб. ут- МКА. не более.................................. . . 1
7К уТ, мкА, не более................................. В
VBX. В;
К1ЛП371 ........... . ...................................—0.74...—0,81
К.1ЛЛ372 .......................................................... 0,84
р мА пе более............ .. ..................0,2
' вх’
Примечания: I. ут измеряют при напряжении „а выводах 2 и 12t
равном нулю; на выводах 7, 13 относительно выводов 2, 12, равном минус 1 В?
на выводах 3—5, 8—10, равном минус 5 В.
2. /к ут измеряют при напряжении на выводах 2,12 относительно выводов
1, 13, равном 2 В; на выводе 7, равном минус 3 В.
Параметры остальных микросхем приведены в табл. 123, а условные обозна-
чения— на рис. 175 н 176.
Таблица 123
Тип Л) ОТ’ мА, нс более 4д°- ‘зд ис’ ие более Коб. вых Й О. Тип ^ПОТ» мА, ие более ЗД «°-1 нс ЗД ’ и • не менее Коб. вых й а
К1ЛБ37Р 15 6’ 5 15 К1ЛБ3717 35 6 1 15
К1ЛБ3721 25 5 15 К1ЛБ3718 15 5 15
К1ЛБ375 50 72 5 15 К1ЛБ3719 35 1 15
К1ЛБ3761 15 6» 5 15 К1ТР373 38 7 2 100
К1ЛБ378 15 6 5 15 К1ТР374 55 12 2 100
К1ЛБ379 45 1 15 К1ТР371 55 7 2 100
К1ЛБ3710 25 5 15 К1ЙЛ371 45 8 — 15
К1ЛБ3716 30 7 2 100 К1 ИЛ 3721 28 — 15
К1 ИЛ 373 28 — 15
1 Ток через резистор эмиттерного повторителя 4,5—9 мЛ.
* При Сн = 15 пФ.
СЕРИЯ К138
Тип логики — ЭСЛ.
Состав серии:
К1ЛБ381 элемент 8ИЛИ—НЕ/8ИЛИ (К138ЛМ1);
К1ЛБ382— два элемента 4ИЛИ—ПЕ/4ИЛИ (К138ЛМ2);
К1ЛБ383 — четыре элемента 2ИЛИ—НЕ (КД38ЛЕ1);
К1ЛБ384 — четыре элемента 2ИЛИ (К138ЛЛ1);
К1ЛП381—дифференциальный приемник сигнала с линии (К138ЛП1);
KITP381—RS-триггер (К138 Р1);
К1ТР382 — D-триггер (К138ТМ1)
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1.
Выводы: 14 — общий (у К1ТР381 и К1ТР382 вывод 14 соединен с выво-
дом 7); 7 — минус (7И п.
Параметры приведены в табл. 124, а условные обозначения — на рис. 176.
370
юягмг
к/ямуц
К/ТР382
Рис. 176
K!KT46t
МКТЧ63
К1УИЧ61А
КНМЧВ1Б
купчем.
МУИЧ62Б
К1УИЧ63А,
МУИЧбд/i
КУИЧ6УА,
К1УИЧ6У5
Общие параметры микросхем KI38
Uu п. В.................................................—5±5%
^вых" не ...........................................“1,01
^вых' не ®олее.......................................—1,55
^вых- м^’ не более............i.......................... 20
1/п ст, В, не мснее...................................... 0,1
Коб. вых................................................ б
Краз..................................................... Ю
Таблица 124
Тил ^ПОТ» мА, нс более 7вх- мА, не более гзд. р. ср* нс, не более Гнп ^ЛОТ» мА, ие более 7вх> мА, не более (зд. р. ср* нс, не более
К1ЛБ381 13 0,33 5 К1ЛП38 52 5
К1ЛБ382 К1ЛБ383 26 52 0,3 0,3 5 5 К1ТР381 52 10 10
К1ЛБ384 52 0.3 5 К1ТР382 52 10 10
СЕРИЯ К141
Тип логики — ТТЛ.
Состав серии:
К1ЯМ411 —матрица ЗУ емкостью 32 бита (8 слов Х4 разряда);
К1ЯМ412— матрица ЗУ емкостью 16 бит (4 словах 4 разряда);
К1ЯМ413 — матрица ЗУ емкостью 16 бит (4 слова X 4 разряда).
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1.
Выводы: / — разряд Р4; 2— разряд Р3; 3 — адрес х.2 (для К1ЯМ411 и
К1ЯМ412); 4 — подложка; 5 — Unn (для К1ЯМ411 и К1ЯМ412); б —адресу;
7—адрес уя; 8 — адрес у2; 9 — адрес у2, 10 — адрес х, (для К1ЯМ4П и
К1ЯМ413); // — разряд Р2; 12 — разряд Р,; 13 — UK п (для К1ЯМ411 и К1ЯМ413);
14 — установка пуля.
Условные обозначения показаны на рнс. 176.
Общие параметры микросхем К141
^и. п> В -........................................................ 3±5 %
Ток считывания по разрядной i вне /^ч, мА, не менее...............0,45
Ток считывания по разрядной шине /®ч, мкА, не более............... . 40
Ток записи по шине установки пуля 7зпц, мА, ие более............. 10
Ток утечкн нв разрядной шине, мкА, не более....................... 5
Ток логической едини im в адресных шинах мА’
11х. не более.................................................. 0,3
не более.............................. . . . •..............0,7
Ток логического нуля в адресных шинах, мА!
7®, пе более......................................................15
7®, не более.................................................... 8,5
Рпот в ВДРСсных шинах, мВт ие более (на один триггер)........... 1,5
Емкое, разрядной шины, пФ, пе более............................. 20
Ток зайнси по разрядной шине, мА, не более ...................... 12
372
СЕРИЯ К144
Тип логики — МОП.
Состав серии:
К1ИР441 —три квазистатических сдвиговых регистра с числом разрядов 1, 4;
16. Общие питание и тактировка; входы и выходы последовательные.
Корпус круглый металлостекляиный 301.12-1.
Выводы: 1 — общий; 12 — ии. п1; 11 — Uu п2.
Общие параметры микросхем К144
П1. В.................................... • • -12±5%
<J«. п2- В............................................-27 + 5%
Лют!» мА> не более . ........... . • ............... 4,5
/гст2. мА. не более.... ........ . .............. 2,5
Частота импульсов сдвига, МГц..... ................. 0—1
Длительность импульсов сдвига, мкс:
иа входе 10 ........................... 0,2—10
на входе 3 • ••«••• ........ ..................0,5—20
I/1 В............................................. ~-9.. 20
вх’
<4- В.........................
Напряжение импульсов сдвига, В:
^адв..........................
и-0 ................................................ 0. -3
сдв
Задержка выходного сигнала относительно входного (информаци-
онная емкость), бит..................................... 21 О®, С I)
и0 , в..................................................0.. -1
вых’
(21 , В................................. . . ,
вых’
Гок по входу фазы, мкА, не более:
7ф1............................................
'Ф2............................; ' • ........
Ток утечки по логическому входу. мкЛ, не более . .
Емкость тактовых входов 3, 10, пФ, не более . . . .
Емкость информационных входов 2, б, 8, пФ, не более
«ВЫХ- кОм’ "РИ ^вых:
— IB.........................................
—9,5 В.......................................
Минимальное время бвода информации, не •
Сопротивление нагрузки, МОм, не менее .......
Емкость нагрузки, пФ, не более ............
б'п. ст, не мснее ........................
0-..-2
—22.. .—28
.—9,5.,.—13,5
100
600
б
7
3
5
10
100
0.5
50
Условные обозначения показаны на рис. 176.
СЕРИЯ К146
Устройства управления ферритовыми ЗУ.
Состав серии:
К1КТ461.— формирователь разрядных токов;
К1КТ462, К1КГ465 —два формирователя втекающих токов (адресных);
К1УИ461А и К1УИ461Б, К1УИ462А н К1УИ462Б — двухполярный усилитель
воспроизведения;
К1УИ463А и К1УИ463Б, К1УИ464А и К1УИ464Б — однополярный усилитель
воспроизведения.
Корпус круглый металлостекляиный 301 12-1.
Параметры приведены в табл. 1’25 и 126, а условные обозначения — па
рис. 176.
373
Таблица 125
Тип П1. В CQ 04 С X & 4 пЗ- в и1 в и. п4- ^ОСТ» В Усрб, мВ, не более "пор- «В. не более ^ут. ВЫХ» не более /вых- мА- не более
KIKT461 10 6.3 —6,3 — —0.7...+0,7 — — —500.,,+500 ±80
К1КТ462 К1КТ465 5 — 0 — «2.8 — — 150(12)3 330 (<2>б)
К1УИ461А К1УИ461Б 5 — 10 —5 —5 0 — 24 33 8 14 150» 1,1—2
К1УИ462А К1УИ462Б 5 —10 —5 -5 — 9 16 3 5 1504 1.1—2
1 Допуск ±5%.
• Напряжение, при котором обеспечивается выходной ток 1,1—2 мА.
2 Номер вывода микросхемы.
* При напряжении 5 В.
Таблица 126
Тип С/и. п!> в ик. п2» в с1 , в см* ^ерб* мВ, не более //пср- мВ, пе более ^ЕЫХ» мА /ут. вых- мкА, не более
К1УИ463А —5(3; 3) 24 9
К1УИ463Б —10±5 % (/) 5±5 % (3) —5(3) 33 14 1,1-2 150
К1УИ464А —5 (3; 3) 9 3
К1УИ464Б • -5(3) 16 5
1 Напряжение источника смещения. Допуск ±5 %.
Примечание. В скобках указаны номера выводов, на которые подается напряжение.
СЕРИЯ К155
Тип логики — ТТЛ
Состав серии:
К155АГ1 —одновибратор с логическим элементом на входе;
КМ155ГЗ — одновибратор с повторным запуском;
К1ЖЛ551—формирователь разрядной записи, усилитель воспроизведения,
схема установки нуля (К155АП1);
К1ЛБ551 —два элемента 4И—НЕ (К155ЛА1, КМ155ЛА1);
К1ЛБ552 —элемент 8И—НЕ (К155ЛА2, КМ155ЛА2);
К1ЛБ553— четыре элемента 2И—НЕ (К155ЛАЗ, КМ155ЛАЗ);
К1ЛБ554 — три элемента ЗИ—НЕ (К155ЛА4, КМ155ЛА4);
К1ЛБ556— два элемента 4И—НЕ с большим коэффициентом разветвления
(К155ЛА6, КМ155ЛА6);
К1ЛБ557— два элемента 4И—НЕ с открытым коллекторным выходом
(К155ЛА7, КМ155ЛА7);
К1ЛБ558 — четыре элемента 2И—НЕ с открытым коллекторным выходом
(элемент индикации) (К155ЛА8, КМ155ЛА8);
КГЛР551—два элемента 2—2И—2ИЛИ—НЕ и один расширитель по ИЛИ
(К155ЛР1, КМ155ЛР1);
374
К1ЛР553 — элемент 2—2—2—ЗИ—4ИЛИ—HE с возможностью расширения
по ИЛИ (К155ЛРЗ, КМ155ЛРЗ);
К1ЛР554 — элемент 4—4И—2ИЛИ—НЕ с возможностью расширения по ИЛИ
(К155ЛР4, КМ155ЛР4);
К1ЛП551— два четырехвходовых расширителя по ИЛИ (К155ЛД1,
КМ155ЛД1);
К1ЛП553 — восьмивходовый расширитель по ИЛИ (К155ЛДЗ, КМ155ЛДЗ);
К1ТК551—JK-триггер с логикой ЗИ на входе (К155ТВ1, КМ155ТВ1);
К1ТК552— два D-триггера (К155ТМ2, КМ155ТМ2);
К155ИД1, КМ 155ИД1 — высоковольтный дешифратор для управления газо-
разрядными индикаторами;
К155ИДЗ, КМ155ИДЗ—дешифратор-демультипликатор (4 линии на 16);
К155ИД4, КМ155ИД4 —сдвоенный дешифратор-демультипликатор 2—4;
К155ИД6 — двоично-десятичный дешифратор;
К1ИЕ551—десятичный счетчик с фазоимпульсным представлением информа-
ции (К155ИЕ1);
К155ИЕ2, КМ 155ИЕ2 —двоично-десятичный чстырехразрядный счетчик;
К155ИЕ4, КМ155ИЕ4 — счетчик-делитель иа 12;
К155ИЕ5, КМ155ИЕ5 — двоичный счетчик;
К155ИЕ6, КМ155ИЕ6 — двоично-десятичный реверсивный счетчик;
К155ИЕ7, КМ155ИЕ7 —четырехразрядный двоичный реверсивный счетчик;
К155ИЕ8— делитель частоты с переменным коэффицйентом деления;
К155ИЕ9 —синхронный десятичный счетчик;
К155ИМ1, КМ155ИМ1 — одноразрядный полный сумматор;
К155ИМ2, КМ155ИМ2 — двухразрядный полный сумматор;
К155ИМЗ, КМ 155ИМЗ — четырехразрядный сумматор;
К155ИП2, КМ155ИП2 —восьмиразрядная схема контроля четности и нечет-
ности;
К155ИПЗ, КМ155ИПЗ—арнфмстпческо-логическое устройство;
К155ИП4, КМ155ИП4 — блок ускоренного переноса для арифметической;
узла;
К155ИР1—четырехразрядный универсальный сдвиговый регистр;
155ИР13 —универсальный восьмиразрядный сдвиговый регистр;
К155ИР17 — двенадцатиразрядиый регистр последовательного приближения;
К155КП1, КМ155КП1—селектор-мультиплексор данных 16 каналов на 1 со
стробированием;
К155КП2, КМ 155КП2 — сдвоенный цифровой селектор-мультиплексор;
К155КП5, КМ155КП5 — коммутатор 8 каналов иа 1 без стробирования;
К155КП7, КМ155КП7 — коммутатор 8 каналов на 1 со стробированием;
К155ЛА10, КМ155ЛА10 —три элемента ЗИ—НЕ с открытым коллекторным
выходом;
К155ЛА11—четыре высоковольтных элемента 2И—НЕ с открытым коллек-
тором;
К155ЛА12 — четыре элемента 2И—НЕ с высокой нагрузочной способностью;
К155ЛЕ1 —четыре элемента 2ИЛИ—НЕ;
К155ЛЕ2 —два элемента 4НЕ—ИЛИ со стробирующим импульсом и расши-
ряющими узлами;
К155ЛИ1 —четыре элемента 2И;
К155ЛИ5 —два элемента 2И с открытым коллекторным выходом;
К155ЛЛ1 — четыре элемента 2ИЛИ;
К155ЛН1—шесть элементов НЕ;
К155ЛН2 — шесть элементов НЕ с открытым коллекторным выходом;
К155ЛП5, КМ155ЛП5 — четыре двухвходовых логических элемента «исклю-
чающее ИЛИ»;
К155ЛП7 —два элемента 2И—НЕ с общим входом и двумя мощными тран-
зисторами;
К155РЕЗ —программируемое постоянное запоминающее устройство (ППЗУ)
емкостью 256 бит (32 слова X 8 разрядов);
К155РП1 —шестнадцатиразрядное регистровое ЗУ;
К155РУЗ — ОЗУ на 16 бит с вентильным входом усилителей записи;
К155ТЛ1—два триггера Шмитта с логическим элементом па входе;
375
К155ТМ5, КМ155ТМ5 (К155ТМ8) — четыре D-триггера;
К155ТМ7, КМ155ТМ7— четыре D-триггера с прямыми и инверсными выхо-
дами
К155ТМ8 — счетверенный D-трнггер.
Микросхемы могут иметь металлокерамический (К155) или пластмассовый
(КМ155) корпус (табл. 127).
Таблица 127
Тип корпуса
Тип микросхемы пластмас- совый метвлло- керамиче- ский
К155ЛГ1, К1ЖЛ551 (К155АП1), К1ЛБ551 (К155ЛА1, КМ155ЛА1), К1ЛБ552 (К155ЛА2, КМ155ЛА2), К1ЛБ553, (К155ЛАЗ, КМ155ЛАЗ), К1ЛБ554 (К155ЛА4, КМ155ЛА4), К1ЛБ556 (К155ЛА6, КМ155ЛА6), К1ЛБ557 (К155ЛА7, КМ155ЛА7), К1ЛБ558 (К155ЛА8, КМ155ЛА8), К1ЛР551 (К155ЛР1, КМ155ЛР1), К1ЛР553 (К155ЛРЗ, КМ155ЛРЗ), К1ЛР554 (К155ЛР4, КМ155ЛР4), К1ЛП551 (К155ЛД1, КМ155ЛД1), К1ЛП553 (К155ЛДЗ, КМ155ЛДЗ), К1ТК551 (К155ТВ1, КМ155ТВ1), К1ТК552 (К155ТМ2, КМ155ТМ2), К1ИЕ551 (К155ИЕ1), К155ИЕ2, К155ИЕ4, К155ИЕ5 К155ИР1, К155ТЛ1, К155ИМ1, КМ155ИМ1, К155ИМ2, КМ155ИМ2, К155ЛП7, К155ЛА10, КМ155ЛА10, К155ЛЕ1, К155ЛА11, К155ЛА12, К155ЛИ1, К155ЛИ5, К155ЛЛ1, К155ЛН1, К155ЛН2 41 201.14-1 201.14 8 201.14-9
К155КП7, КМ155КП7, К155ИД1, КМ155ИД1 238.16-1 201.16-5 201.16 6
К155ИДЗ, КМ155ИДЗ, К155ИПЗ, КМ155ИПЗ К155КП1, КМ155КП1, К155ИР1 239.24-2 239.24-1 201.24-1 201.24-1
К155ИП2, КМ155ИП2, К155ЛП5, КМ155ЛП5, КМ155КП5 К155КП5, 238.14 1 201.14-8 201.14 9
К155КП2, КМ155КП2, К155ИД4, КМ155ИД4, К155ИП4 КМ155ИП4 К155ИД6, 238.16-1 201 16-5 201.16-6
К155ТМ5, К155ТМ8, К155ЛЕ2, К155РУЗ KI55TM7 238.16-1 201.14 1
К155ИЕ9, К155РП1, К155ИЕ6, К155ИЕ7, К155ИМЗ, К155 РЕЗ К155ИЕ8, 238.16-2
КМ155АГЗ, КМ155ИЕ6, КМ155ИЕ7, КМ155ИМЗ К155ИР17 239.24 1 201.16-5
Выводы для 14-выводных корпусов: 7 —общий; 14 — Un п; для 16-выводных
корпусов- 8 — общий; 16 — Un п; для 24-выводных корпусов: 12 — общий; 24 —
UH п (для К155ИД4, К155ИРЗ, К155РУЗ и К155ТМ7: /2 —общий; 5 — UK
К155ТМ5: 11 — общий, 4 — V* п; К155ИЕ2, К155ИЕ4 и К155ИЕ5: Ю— общий;
*-"и „>•
376
Общие параметры микросхем К1ЖЛ551
(в режиме записи и считывания)
Уи. В. . ................................................. - -s±5%
/пот, ,,е б°лее................................... ot>
Ua из выходе усилителя считывания. В» не-более................О 4
Л на выходе усилителя считывания. мА. не более.............0,1
U° на разрядной шине. В, не более....................... 0,95
U1 на разрядной шине, В....................................о qi; °
{7° на шине установки нуля. В, не более..................... о । р
17° на шине установки нуля, В..................................*•
7®х, МА’ не более . • • ................................ т»6
7gX* мкА, не более .....................
*зд • нс» пе более..........................................60
нс, не более........................„............ .... 50
Общие параметры микросхем К1ББЙР1
<Vn. В....................................................5*5»
7ПбУТ, м^> не более ....................................°*
, мА, не более. •.................................. —1.-6 (1—5, 8, 9)
ВК —3,2 (б)
/J, мА, не более .......................................О S'
0,08 (6)
{7^ых В, не более.................................°-4
В, не менее.................................
вЫл ос
^Зд, но, пе более (от входа до выхода) о»
Примечание. В скобках указаны номера выводов микросхемы.
Общие параметры микросхем К155РЕЗ
"И-о.В................................................
'пот, мА, не более ...................................11и
^аыя' В> не ®°лее • - • • ........................• ...0,5
71 ' мкА, не более.....................................100
вых
мА, не более........................................' >>6
вК
зд (пО ,1Х°ДУ *РазРешение выборки»), па, не более 60
Общие параметры микросхем К155РУЗ
уи. П. В..................................................5±5%
^пот» м^» не более.............. . . . . . . . . ......91
Ток усилителя считывания в режиме полувыборки, мА, не
более....................................................0,25 (14)
Выходное напряжение логического нуля усилителя считыва-
ния «!> после режима полувыборки. В, не более............0,4 (14)
^воо <после записи), нс, ие более1 •.....................60 (13,14)
Время считывания логического нуля по адресным шинам
t/i;, не, не более’......................................
Время считывания логической единицы по адресным шинам
хо yt. нс3 не более1 ....................................
Входной ток усилителя записи «0» и «I»; мА, не более • . . •
Входной ток логического нуля по адресным шинам xlt yi9
мА, не более..........................................
Входной ток логической единицы усилители записи, мА, не
более ...................................................
45
25
—1,6 (10, If, 15. 16\
—!1 (1—4, 6—9\
0,04 (10, 11, 15, /6)
Входной ток логической единицы по адресным шинам х, у,
мА, не более............................................. °’4
U® (усилителя считывания «0» в режиме выборки), В, нс
более ................................................... 0,4 (/3)
Znuv (усилителя считывания «!» в режиме выборки), мА, не
более ... ......... .................................0,25(W)
/вых (усилителя считывания «0» в режиме полувыборки), мА,
пе более ........................................... • • . 0,25 (13)
(Продолжение на стр. 381)
377
Таблица 128
CO
00
Тин у1 и. п’ В ₽пот> мВт, не более ^ПОТ' мА, нс более /Р м; 'вх- Я‘ ’ не более мА, не более [7° , ВЫХ’ В, не более и1 вых > В, не мснее ,1,0 зд ’ нс, не более ;0,1 ЗД ' нс. не более /2 вх. проб* мА, не более 3’ мА СО Я} о.
К1ЛБ551, К155ЛА1, КМ155ЛА1 К1ЛБ552, К155ЛА2, КМ155ЛА2 К1ЛБ553, К155ЛАЗ, КМ155ЛАЗ К1ЛБ554, К155ЛА4, КМ155ЛА4 К1ЛР551, К155ЛР1 КМ155ЛР1 К1ЛР553, К155ЛРЗ, КМ155ЛРЗ К1ЛР554, К155ЛР4, КМ155ЛР4 5 39 21 78 57 58 47 58 — • 1.6 0,04 0,4 2,4 15 22 1 18-55 10
К1ЛБ556, К155ЛА6, ДМ155ЛА6 5 92 — 1.6 0 04 0,4 2,4 15 22 1. 18—70 30
К1ЛБ557, К155ЛА7, КМ155ЛА7 К1ЛБ558, К155ЛА8, КМ155ЛА8 5 79 — 1,6 0,04 0,4 — — — 1 — —
К1ЛП551, К155ЛД1 КМ155ЛД1 К1ЛП553, К155ЛДЗ, КМ155ЛДЗ 5 — — 1,6 0,04 0,4 — — — 1 — —
К1ТК551, К155ТВ1, КМ155ТВ1 5 105 20 1,6 по л А; 3,2 по у, С 0,04 по А А; 0,08 по у, С 0.4 2,4 40 25 1 18—55 10
К1ТК552, К155ТМ2, КМ155ТМ2 157,5 30 1,6 по D, г/1; 3,2 по С, уО 0,04 по D; 0,08 по yl. С; 0,12 по у0 0,4 2,4 40 25 1 18—55 10
К155ТМ5 5 — 53 3,2 (7, 2, 5, 6); 6,4 (3, 12) 0,08 (1,2,5, 6); 0,16(3,12) 0,4 2,4 15 25 — ; ““ —
К155ТМ7 5 . 53 3,2 (2.3, 6, 7); 6.4 (4, 13) 0,08 (2,3,6, 7); 0,16(4,13) 0,4 2,4 15 25 (15)3 — —•
К155ТМ84 5 236,25 — 1,6 при Увх = 0,4 В 0,04 при Увх = 2,4 В 0,04 при = 16 мА 2,4 при вкх= =0,8 мА 30 2 5—30 — — —
1 Допуск ±5%.
2 Ток входного пробивного напряжения.
1 С инверсного выхода.
4 Для К155ГМ8 максимальная тактовая частота 25 МГц.
Таблица 129
Тип ^и. п> В ^пот> мВт, не более , мА’ ие болес /‘х, мА, не более Увых- В’ не более Увых- В- не менее ?'° нс зд ’ не более * НС’ зд не более
КМ155АГЗ — -1,6; -3.2 0.04; 0,08 — — 27—40 28—40
К155ИД1, КМ155ИД1 132 -1,6; —3,2 0,04; 0,08 2.5 - 60 —
К155ИДЗ, КМ155ИДЗ 294 — 1,6 0,04 0,4 2,4 27—33 30—36
К155ИД4, КМ155ИД4 . 210 — 1,6 0,04 0.4 2,4 27 -32 20—32
К155ИД6 5±5% — —1,6 при Увх —0 4 В 0,04 при UB. = 2,4 В 0.9 при /ивых=80мА; 0,4 при '°вых=20 мЛ 15 50 50
К155ИП2, КМ155ИП2 294 —1,6 0,04 0,4 2,4 10-68 20—60
К155ИПЗ, КМ155ИПЗ «о 787,5 —1,6 —4,8 —6,4 —8 0,04 0,12 0,16 0,2 0,4 2,4 18—48 18—50
Продолжение табл. 129
А1, вс. ‘зд ' "С- не более 17 26 20—35 18—34 20—35 29—52 33—30 о 19—38
/Ч не *ад * не более 22 30—35 14—33 23—34 14-33 14—33 17—22 30 24—28
У1 . в, вых* ' не менее 2-4 2.4 2,4 2,4 2.4 сч = о 11 « с т II «Л см в 11 я 2.4
и ° В, вых* °* не более 0.4 о* О* 0,4 0,4 0,4 о" 1 0,4 при /н = 16 мА о
4- “А. не более 0,08 0,12 0,2; 0,36 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 0,04 при Увх = 2,4 В 1
/gX, мА, не более —3,2; —8; —4,8; —6,4; —14,4; —16 — 1,6 9’1 — — 1,6 \ ~1>б . <х> 7 9’1- СО о."* со Ч II - Т к 1
^ПОТ* мВт, не более 378 580 ' 360 262,5 226 252’ 11 262,5 787,5 1
-СО £ и CJ % S-FS
1ЙЦ_ К155ИП4, КМ155ИП4 К155ИР13 К155КП1, КМ155КП1 К155КП2, КМ155КП2 К155КП5, КМ155КП5 К155КП7, КМ 55КП7 К155ЛП5, КМ155ЛП5 К155РП1 Си X Й 2
Примечание Упот, мА, не более: для К155ИР17 124, К155КД6 62* КМ15ЗДГЗ 66; такт, МГц, не менее для К155ИР13 2-5»
К155ИР17 10,
380
^вых <Усилителя считывания «О* * после режима полувыбор-
ки}, В, не более.................................... О Л U5)
/вых (усилителя считывания «О» в режиме выборки), мА, не
более. ......................................... • • 0,25(75)
1 При Си *=15 пФ.
Примечание. В скобках указаны номера выводов микросхемы.
Параметры остальных микросхем приведены в табл. 128—134, а условные
обозначения — на рис. 177—185.
Таблица /.?7
Тип ии. И- в ^пот» мД» не более 'вх- мА- не более 4x- fo<A, не более «<=• не более /°’1 ИС 'зд ’ ис> не более
К155ИЕ1 — —1,6 40 — —
К155ИЕ2, КМ155ИЕ2 53 —1.61 —3.22 —6,4s 401 802 160s 100s 1002
К155ИЕ4, КМ155ИЕ4 51 —1.61 —3.22 —6,4s 401 802 160:i 1002 ЮО3
К155ИЕ5, КМ155ИЕ5 5±5% 53 w « « СО CM rf —Гео 1J 1 401 80s 80s 1352 135=
К155ИЕ6, КМ15БИЕ6 102 — — 244 244
К155ИЕ7, КМ155ИЕ7 102 — 244 244
К155ИЕ8 120 4 —' — 106 36° 14& 30»
К155ИЕ9 106 —1.6; —3,2 30 15—30 13—20
* По входам установки «0» и «9». »
' По счетному входу Ct.
• По счетному входу Ct.
• От входа «Обратный счет* до выхода «Обратный перенос».
• От входа «Последовательное включение» до выхода «//».
• От «Счетного» входа до выхода «Разрешение счета».'
Примечания; 1. Коэффициент разветвления по выходу К155ИЕ1 4.
2. ^2ых < 0,4 В’ ^вых * 2,4 В для всех ТИПОВ*
3. 7вх. макс ДлЯ К15БИЕ1 10 МГц. К155ИЕ9 25 МГц.
381
Таблица 131
Тил <7И. п. в ^ПОТ» мА, не более и° , вых В, не более t/1 , ВЫХ* В, не менее нс, не более /°’1 нс зд • нс- не более
К155ИМ1, КМ155ИМ1 35 12(5, 4); 55(2—4); 80 (11—5); 75(2—6) 17 (3,4); 25(2—4); 70 (11—5); 55(2—6)
К155ИМ2, КМ155ИМ2 5±5% 58 0,4 2,4 40(5—/); 42(5—12); 27 (10); 35 (13—12) 34 (5—1); 38 (5—12); 19 (5—10); 40 (13—12)
К155ИМЗ, КМ155ИМЗ 128 46(13—9); 42(13—6) 55 (13—15); 32 (13.14) 34 (13—9); 38(13—6); 55 (13—15); 48 (13.14)
Примечание. В скобках указаны номера выводов микросхемы.
Таблица 132
Тип С'и. п> В 'пот- мА- не более мА, пот’ ’ не более t/1 . в. ВЫХ’ ’ не менее ^ут. вых» мА, не более л,о „ '3Д . нс, не более I0’1 нс зд ’ яс- не более
К155ЛЛ1 5±5% 33 22 2.4 — 22 15
К155ЛЕ1 27 16 2,4 — 15 22
К155ЛЕ2 19 16 2,4 — 15 22
К155ЛА10, КМ155ЛА10 16,5 6 — 0,05 15 45
К15ЛА11 22 8 — 0,05 17 24
К15ЛА12 54 15,5 2,4 — 15 22
Примечания: 1. < —1,6 мА, для стробирующего входа К155ЛЕ2 не более 6,4 м4.
2. /дХ < 0,04 мА, для етробирующего входа К153ЛЕ2 не более 0,16 мА.
3. < 0,4 В для всех типов.
Таблица 133
Тип "и. п» в ф к Г, О Obg „ск 3 Ом 'пот- мА- не более 'пот- мА- нс более 'вх- «А- не более 'вх- «А- не более /ут. вых» мА, ие более "вых- В- не более "вых- В. ие менее t1-0 НС зд - нс- не более t0-1 нс ЗД - нс- не более Сс
К155ЛИ1 5±5 % — 33 21 —1.6 0,04 — 0.4 2,4 27 19 —
К155ЛН1 173 — — — 2,4 15 22 10
К155ЛН2 33 12 0,25 — 15 55 10
382
Таблица 134
Тип ив. п. в мА znoT* ЫА’ ие более мА, пот* не более
К155ТЛ1 32 23
К155АГ1 5±6% 401 —
К155ЛИ5 65 11
К155ЛП7 11 4
и° , в. пых’ • не более У1 В, вых’ ’ не менее (°Д ’ «*> не более di0 • нс> ио более !ут. ВЫХ’ мА не более
0.4 2,4 22 27 —
0.4 2.4 70 80 —
— — — — 0.1
0.4 2.4 — — 0.1
0.8 —1.6 0.04
0.42
(0.7)
0,42
(0,7)
1 Ток потребления одновибратора.
2 При 1а = 100 мА. В скобках прн /в = 300 мА
СЕРИЯ К158
Тип логики — ТТЛ.
Состав серии:
К1ЛБ581—два элемента 4И—НЕ (К158ЛА1);
К1ЛБ582 — элемент 8И—НЕ (К158ЛА2);
К1ЛБ583 — четыре элемента 2И—НЕ (К158ЛАЗ);
К1ЛБ584 — три элемента ЗИ—НЕ (К158ЛА4);
К1ЛР581—два элемента 2И—2ИЛИ—НЕ (К158ЛР1),
К1ЛР583 — элемент 2—2—2—ЗИ—4ИЛИ—НЕ (К158ЛРЗ);
К1ЛР584 — элемент 4—4И—2ИЛИ—НЕ (К158ЛР4);
К1ТК581 —JK-триггер с логикой ЗИ на входе (К158ТВ1).
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1.
Выводы: 7 — общий; 4 — 1/„ п.
Общие параметры микросхем К158
^И.Н. В........................................................«±5%
Чвых. В. не более . . ... . ...........................°.3
УдЫХ, В’ не ................................................... • 2Л
^вх* мкА> не ®°лее. . •.........................................— 500
7ВХ. мкА, «е более.............................................32
1>п ст. В, не более . • 0.4
Араз............................................................10
Общие параметры микросхем К1ТК581
РПот в динамическом режиме, мВт, ие более..................40
^вых’ ие менее .............................. .......... 2,4
^вых’ В. ие более..........................................
^вх по вхоДам J И К* М-А, не более. .................••••
» Си «Установка», мА, но более. ............... • ♦ •—К
вх
» J и К. мкА, не более . ...........• ••...•.«• 32
вх
» » Си «Установка», мкА, не более ..................96
f (включения от входа С), нс, не более.................... 100
#зд <оТ вхоДа установки логического нуля н логической единицы), нс,
не более.................................................
Рабочая частота, МГц, не более................*............3
Длительность импульса на выходе С, нс, не менее............200
Коэффициент разветвления по выходу .................... . . 10
383
5|g
К155АГ1
XI Г X, 2 Xs 4 в , й
х6 « 6 /а // ^2
К1Л6552
!l____8
x>___1_
Xi__£
Xt 4
5 _
x;___в
Хе__9
Х7 Ю
Хе 1!
а
К1ЛБ551
К1ЛБ55В
А У,
1 fl
Уг
В 12 *
!3
81 Уз to Уз
х, 5 А
ля 6 е В В
Б1ЛП55)
МЛПББЗ
Рис. 177
Рис. 178
К55ИР1
Рис. 180
Рис. 179
23 К155ИР1/
Рис. 181
Kltf/lAtO,
КН‘55ЛАЮ
К.155ЛА12
Рис. W2
К155РУЗ
Рнс. 183
Параметры остальных микросхем приведены в табл. 135, а условные обозна-
чения— на рис. 185.
Таблица 135
Тип р 'ПОТ’ мВт, не более /‘•с. зд* не, не более ЗД’ ас, не более Тип р 'пот» мВт, не более (‘•°. ЗД' не, не более t°,i зд’ нс, не более
К1ЛБ581 (К158ЛА1) 9,45 60 60 К1ЛР581 13,62 80 80
К1ЛБ582 (К158ЛА2) К1ЛБ583 (К158ЛАЗ) 4,98 19,4 по 60 60 60 К1ЛР583 13.1 80 140
К1ЛБ584 (К158ЛА4) СЕРИЯ К166 Состав серии: К1НТ661 —микро Корпус прямоугол Условные обознач 14.5 сборка ьный м ения по 60 из высок еталлост казаны в 60 овольтнь еклянны? а рис. 18 К1ЛР584 х траизис: 401.14-1. 6. 6.82 горов. 80 80
Параметры одиночного транзистора
/кэ0> “кА, не более.....................................................
не менее . • . , ............................. ..................*
391
&ЧЭ нас* В, не Оолее
^кэ. макс* В . . . .
^кб. ма( с» В • • • *
9
W
13
'4_
5
8 JT
8 JT J
14
К155ТЛ1
I 1 gyc-i | T 1 2 3 4
1
7
3
5 1 12
8
9
13
!4
2
3_
4
7
13
£> ^3 | T
Cs
Bi
Ci
4{Т~
К/55ТМ7
8
Xi 3
4
Уз____
xs 9
Хг Ю
xf н
12
К155ТМ5
Хг
Уг
18
К1ЛБ58!
X/ e Xj
хг 1 Хг
x, 2 x« 3 Уг Хз
xs 4 Xi
xs 5_ Хг 6 Хч
*3 fl A? Хб
2
К1Л6582
4
5
X, &
Хг f
К*
&
xs 3
хе 4
5 xr
8 J
xs 9
Xs 10
H
У,
!2
Уг
\6
Уз
К1ЛБ584
8 8 1
I *J 1
У,
18
Уг
\8
2
3
£
5
К
&
12 С
8,
___9
__Ю
11
-£
—я К
Г
X/__
г 2
3
Хз___
Xi 4
5
Xs___
Уе !
13
X,___
хе 9
Ю
____ К1ЛР58!
£
ю
Хг__
xs 12
14
8
5
250
300
ТТ
О»
3
8
Оа
3
в
47?
___Оа
2
!4
№
Os
В
12
Ос
Он
D
Уз
\8
К155ТМ8
в
ЧТ
В_
13
ft
К1ТК581
___а_
б
д
/3|I
К1ЛБ583
___Л
\й
X,___
Хг 1
13
х3___
Xj 2
3
xs___
Xj 9
10
Хг___
xs 4
xs 5
б
| £»] Sb| fio| 1 r
У,
8
К1ЛР583
кмгев!
X/ & fi 1
хг !
xs 2
Xi 3
4 Xs
xs Ю X,
xs 12
13
8
К1ЛР584
Рис 185
392
макс* *
и. макс»
макс» - *
Рис. 186
393
14 3-191
СЕРИЯ К172
Тип логики — МОП.
Состав серии:
К1ЛБ721 —два элемента 4ИЛИ—НЕ/4ИЛИ (К172ЛМ1);
К1Л Б722 —элемент 10ИЛИ—НЕ/10ИЛИ (К172ЛМ2);
К1ЛИ721 —четыре элемента 2И (К172ЛИ1);
К1ЛР721 — два элемента 2И—2ИЛИ/2И—2ИЛИ—НЕ (К172ЛК1);
К1ТР721 —RS-триггер со сложной входной логикой (К172ТР1).
Корпус прямоугольный пластмассовый 301ПЛ14-2.
Выводы: 1 —общий; 8—п.
Общие параметры микросхем К172
ри. п. В.....................................................-27±10%
^вых’ В’ ве ме,,ее...........................................—7,5 ±10 %
17°ых, В, не более. . . ......................—2
7ВХ, мкА, нс более ... . . . . . ................1,3*
73д. ср при Сн = 20 пФ, мкс, не более........................0,6
^п. ст- В, не более •.........................................1
^раз.................... • ................15
1 При частоте следования импульсов не более 200 кГц.
Зависимость /пот для различных типов приведена в табл. 136, а условные
обозначения — на рис. 186.
СЕРИЯ К176
Тип логики — дополняющие МОП-структуры.
Состав серии:
К176ЛА7 — четыре элемеи а 2И—НЕ;
К176ЛА8 — два элемента 4И—НЕ,
К176ЛА9 — трн элемента ЗИ—НЕ;
К176ЛЕ5 — четыре элемента 2ИЛИ—НЕ;
Общие параметры микросхем К176
Таблица 136
Гнп 7лот» мА* не более
К1ЛБ721 2,5
К1ЛБ722 1.5
К1ЛИ721 5
К1ЛР721 2,5
К1ТР721 2,5
UH. П. Е........................................9±5%
/лот» мкА, не более ,..........................0,1
^пых’ не более ............................... 0,3
^вых* В» ке менее..............*...............8’2
7уТ вх» мкА. не более..........................0,05
нс, не более............................. 2001
^зд » ,,с’ ие более, для К176ЛА7, К176ЛА8, К176ЛА9 и
К176ЛП12.......................................400
/вх» МГц, не более .................................................1г
С/п ст, В, не менее................................................0,9
Свх, пФ, ве более ..................................................123
К раз в статическом режиме................................... 100s
4 Кроме К176ЛА7, К176ЛА8, К176ЛА9, К176ЛП12 и К176ТМ1.
2 Кроме К176ЛП12.
8 Кроме 176ЛП12 и К176ТМ1.
Примечание. Микросхемы К176ЛП1 можно использовать в качестве
трех элементов НЕ; элементов ЗИЛИ—НЕ; элементов ЗИ—НЕ; элементов НЕ
с большим коэффициентом разветвления.
394
К176ЛЕ6— два элемента 4ИЛИ—НЕ;
К176ЛЕ10—три элемента ЗИЛИ—НЕ;
К176ЛП1 —элемент логический универсальный;
К176ЛП4—два-элемента ЗИЛИ—НЕ и элемент НЕ; •
К176ЛП11 —два элемента 4ИЛИ—НЕ и элемент НЕ;
К176ЛП12 — два элемента И—НЕ н элемент НЕ;
К176Т*Ч1—два D-триггера.
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1.
Выводы: 7 — общий; 14— UH п.
Условные обозначения показаны на рис. 186.
СЕРИЯ К178
Тип логики — МОП.
Состав серии:
К1ЛБ781 —два элемента 4ИЛИ—НЕ/4ИЛИ (К178ЛМ1);
К1ЛБ782 — элемент 10ИЛИ—НЕ/ЮИЛИ (К178ЛМ2);
К1ЛИ781 —четыре элемента 2И (К178ЛИ1);
К1ЛР781—два элемента 2И—2ИЛИ/2И—2ИЛИ—НЕ (К178ЛК1);
К1ТР781 — RS-трнггср со сложной входной логикой (К178ТР1).
Корпус прямоугольный металлостекляиный 401.14-2.
Выводы: 1 — общий; 8 — Uu п.
Общие параметры микросхем К178
Уи. п. в..................................................—27+10%
7ПОТ, мА. не более........................................2*а
У вых’ Б* не .............................................—7.5
17®, В. не более......................................... 2
вых’ .
ZDX, мкА, не более....................................
«п. при ~ 20 пФ, мкс, не более....................,..06
ОД. up Г* . „
1 Для КГГР781 частота следования входных импульсов не более 200 кГц.
Условные обозначения показаны на рис. 187.
СЕРИЯ К187
Тип логики — ЭСЛ.
Состав серии:
К1ЛБ873 и К1ЛБ8711—элемент ЗИЛИ—НЕ/ЗИЛИ с возможностью расши-
рения по ИЛИ и с резисторами нагрузки на выходах (К187ЛМ1А и К187ЛМ1Б);
К1ЛБ874 и К1ЛБ8713 —два элемента ЗИЛИ—НЕ с резисторами нагрузки на
выходах (К187ЛЕ1А и К187ЛЕ1Б); Un«-Timi
К1ЛБ877 и К1ЛБ8715 — элемент 5ИЛИ—НЕ/5ИЛИ с резисторами нагрузки
на выходах (К187ЛМ2А и К187ЛМ2Б); /viavnni
К1ЛП871 и К1ЛП872 —два трехвходовых расширителя по ИЛИ (К187ЛД1,
^^^<1ТР872 и К1ТР875 — D-триггер синхронный (К187ТМ1А и К187ТМ1Б).
Корпус прямоугольный пластмассовый 201.14-1.
Выводы: 14— общий (кроме К2ЛП871 и К1ЛП872); 6, 7 — UK a.
Общие параметры микросхем К187
Уи.п. В......................................................6±5%
гД r .................................—0,95...—0,7
ПЫХ* ............
С^ых* в (кроме К1ТР875) ..................................— 1,9...—1,45'
* Для К1ТР875— 1,75...—1,45.
14*
395
fl мнА. не более ........................................... ...80
** ( мА........................................................1,6—3,2
....................................................................................18
•'раз.....................................
1 Ток через резистор эыиттерного повторителя.
К1ЛБВ73, К1ЛБВ74.
К1ЛБ8711 К7ПБ8713
К1ЛБ877,
К1ЛБ8775
К1ЛП877,
КМПВ72
К1ЛБ949
К1ЛБ999
KW699H
К1ЛБЗЫ2.
1(1869913
Рис. 187
К1ТР872,
KITP875
396
Общие параметры микросхем К1ЛП871 и К1ЛП872
VBK. в5
К1ЛП871 . . . . .... . . . . -........—0 81------0,76
К1ЛП872 ........................................... —0.82 0.72
7* мА, не более..........................................0,16
вх 11
7 g мкА, не более .....................................1
7К уТ> мкА, не более......................................6'
* На выводах 2, 12 напряжение 0 В; на выводах ! 13 относительно вы по*
дов 2, 12 напряжение минус 1 В; на выводах 3—5, 3, 10 напряжение минус 5 В.
1 На выводах 2, 12 относительно выводов 7, 13 напряжение 2 В, на выво*
де 7 напряжение минус 3 В
Остальные параметры микросхем приведены
чения— на рис. 187.
в табл. 137, а условные обозна-
Таблица 137
Тип ^ЛОТ’ не более 'зд- ис’ не более1 ,ол , *зд ’ нс> не более • «об *об. вых
К1ЛБ873 К1ЛБ8711 9 15 • 11 9 9 5 1
К1ЛБ874 К1ЛБ8713 13,5 20 11 9 3 5 1
К1ЛБ877 К1ЛБ8715 9 15 11 9 5 5 1
К1ТР872 К1ТР875 24 14 10 — 1
1 При С„ = 15 пФ.
Примечание. Статическая устойчивость микросхем (кроме К1ЛП871 и К1ЛП872)5
при 25 °C ие более 160 мВ; при —10 °C не более 30 мВ и при 70 °C ие более 50 мВ.
СЕРИЯ К194
Тип логики — ДТЛ.
Состав серии'
К1ЛБ941 —два элемента 4И—НЕ с расширителем по И;
К1ЛБ942 —два элемента 4И—НЕ с расширителем по И и открытым коллек-
торным выходом;
К1ЛБ943 — три э емента ЗИ—НЕ;
К1ЛБ944 —три элемента ЗИ—НЕ с открытым коллекторным выходом;
К1ЛБ945 — четыре элемента 2И—НЕ;
К1ЛБ946—четыре элемента 2И—НЕ с открытым коллекторным выходом;
К1ЛБ948 —два элемента 4И—НЕ с расширителем по И;
К1ЛБ949 — два элемента 4И—НЕ с расширителем по И, повышенной нагру-
зочной способностью и открытым коллекторным выходом;
К1ЛБ9410 —четыре элемента 2И—НЕ с повышенной нагрузочной способно-
стью,
К1ЛБ9411 — четыре элемента 2И—НЕ с повышенной нагрузочной способно-
стью и открытым коллекторным выходом;
К1ЛБ9412 — элемент 8И—НЕ;
К1ЛБ9413 — элемент 8И—НЕ с открытым коллекторным выходом;
К1ЛИ941 — шестивходовый элемент И для ннзкоомной нагрузки;
К1ТК941 — JK-триггер;
К1ЛЭ941 —два четырехвходовых расширителя по И.
Корпус прямоугольный пластмассовый 201 14-1.
Выводы; 7 — общий; 14— ии п.
397
Параметры приведены в табл. 138, а условные обозначения — па рис. 187 и
188.
Таблица 138
Тип "и. п. В .0 л /вх, мА, не более 'L- ыЛ- не более (7° , ЕЫХ' В, не более I/1 ВЫХ В, не менее *зд, ср’ нс, не более 7вых’ мА’ нс более ТО сх
К1ЛБ941, К1ЛБ943. К1ЛБ945, К1ЛБ9412 5±5% —1,5 0.003 0.4 2.7 60 — 8'
К1ЛБ942. К1ЛБ944, К1ЛБ946, К1ЛБ9413 • —1.5 0,003 0,4 — 60 0,02 8
К1ЛИ941, К1ЛБ949, К1ЛБ9410 —1,5 0,003 0,4 2.7 75 2d
К1ЛБ949, К1ЛБ9411 — 1.5 0,003 0,4 — 75 0,02 20
К1ТК941 —0,9 по Л(; —2,3 по у 0,006 по у, 0.003 по JK 0,4 2,5 130 — 8
* Для К1ЛИ941 16.
Примечание. Для К1ЛЭ641 /Мр < 1 мкА, Ппр = 0,7...0,85 В.
398
СЕРИЯ К201
Тип логики — РТЛ.
Состав серии:
К2ЛБ011 —четыре элемента НЕ (К201ЛБ1);
К2ЛБ012 н К2ЛБ013— четыре элемента НЕ (К201ЛБ2, К201ЛБЗ);
К2ЛБ014— два элемента НЕ н два элемента 2ИЛИ—НЕ (К201ЛБ4);
К2ЛБ015 — пять элементов НЕ (К2О1ЛБ5);
К2ЛБ016 и К2ЛБ017 —пять элементов НЕ (К201ЛБ6, К201ЛБ7);
К2ЛС011 — два элемента 2ИЛИ с возможностью расширения (К201ЛС1 );
К2НТ011, К2НТ012 и К2НТ013 — набор транзисторов (К201НТ1, К201НТ2
и К201НТЗ).
Корпус прямоугольный металлополимерпый «Тропа».
Выводы: 10— общий; 4 — п (кроме набора транзисторов).
Общие параметры микросхем К201
"и.п.В...........................................................*±Ю%
^вых’ В» пе более...............................% ...........0.3
*зд1, нс, не более...............................................
7ут. вых- мкА- ис более..........................................
Сп. ст. В, не менее..............................................°-'5
1 Для К2ЛС011 350 нс.
* Для К2ЛБ014 44 мкА.
Параметры микросхем Д2НТ011,К2НТ012 и К2НТ013
7цб0' икА" нс 6олсе
а21э> ие менее:.
K2HT0I1................................................ ...........
K.2HT0I2 . . ......................................................
К2ПТ013............................................................
укэ. нас- в- 1,е ....................................................
Окэ. макс- ..........................................................
7к. макс- мА................................ .................
^макс, мВт............"..............................................
13
22
35
0,3
5
15
15
Остальные параметры приведены в табл. 139 и 140, а условные обозначения —
на рис. 188.
Таблица 139
Тип РПОТ’ мВт, не более 7вх» Тип ^ПОТ* мВт, не более 7ВХ» м*^
К2ЛБ011 15 0.58—0,71 К2ЛБ015 20 0.58-0,71
К2ЛБ012 30 1,09-1.33 К2ЛБ016 38 1,09—1.33
К2ЛБ013 30 1,09—1,33 К2ЛБ017 38 1,09—1.33
К2ЛБ014 25 0,53—0,8 К2ЛС011 30 0.58—0,711
* На входах 1—3 и 5, на входе 6 1,09... 1,33 мА.
Примечание. Для К2ЛБ011, К2ЛБ015 и К2ЛС011 7б пр = 0,177.. .0,48 мА.
399
Таблица 140
Управляющая
микросхема
К2ЛБ011, К2ЛБ015,
К2ЛС011
К2ЛБ014
К2ЛБ012, К2ЛБ016
К2ЛБ013, К2ЛБ017
СЕРИЯ К204
Выходная нагрузка управляющей микросхемы
2—10 входов К2ЛБ011, К2ЛБ014, К2ЛБ015, К2ЛС011
и 1 вход К2ЛБ012, К2ЛБ013, К2ЛБ016, К2ЛБ017
2—11 входов К2ЛБ011, К2ЛБ014, К2ЛБ015, К2ЛС011
и 1 вход К2ЛБ012, К2ЛБ013, К2ЛБ016, К2ЛБ017
2—5 входов -К2ЛБ011, К2ЛБ014, К2ЛБ015, К2ЛС011
и 1 вход К2ЛБ012, К2ЛБ013, К2ЛБ016 К2ЛБ017
2—14 входов К2ЛБ011, К2ЛБ014, К2ЛБ15, К2ЛС011
и 1 вход К2ЛБ012, К2ЛБ013, К2ЛБ016. К2ЛБ017
Тип логики — РЕТЛ.
Состав серии:
К2ЛБ041 и К2ЛБ042 — два элемента ИЛИ—НЕ/И—НЕ (К204ЛБ1, К204ЛБ2)з
К2ЛИ041—элемент И (К204ЛИ1);
К2НК041 —набор элементов комбинированный (К204НК1);
К2ТК041 — RST-триггер (К204ТК1).
Корпус прямоугольный металлополнмерный «Трапеция».
Параметры микросхем К2НК041 и К2ЛИ041
РпОТ НС ^-°лее1......................................18
Управляющее напряжение, В................... 3
^виА» не более.................................... 3,5
вх, мкс» не более...........................
н,о в А1, мкс, не более....................... .... 0,1
/вх, МГц, не более.................................. 3
Швыхд, В, нс менее .... . . ..14
* Для К2ЛИ041.
Параметры остальных' микросхем приведены в табл. 141 и 142, а условные
обозначения — на рис. 189.
СЕРИЯ К217
Тип логики — ДТЛ.
Состав серии:
К2ЛБ171А и К2ЛБ171Б — элемент 8И—НЕ (К217ЛБА и К217ЛБ1Б);
К2ЛБ172А и К2ЛБ172Б —два элемента ЗИ—НЕ (К217ЛБ2А и К217ЛБ2Б);
К2ЛБ173А и К2ЛБ173Б— элемент 6И—НЕ с повышенным коэффициентом
разветвления (К217ЛБЗА и К217ЛБЗБ);
К2ЛБ174А и К2ЛБ174Б —три элемента И—HE/ИЛИ—НЕ (К217ЛБ4А и
К21 ЛБ4Б);
К2ЛП171 — расширитель двойной (применяется для расширения логических
возможностей К2ЛБ173 до восьми входов ИЛИ) (К217ЛД1);
К2ЛП172—расширитель (применяется для расширения логических возмож-
ностей- К2ЛБ173 до восьми входов ИЛИ) (К217ЛД2);
К2ЛР171—элемент И—ИЛИ—НЕ низкочастотный (К217ЛР1);
К2ЛП173 — диодная сборка (К217НК1);
К2НТ171, К2НТ172 и К2НТ173 —набор транзисторов структуры п-р-п
(К217НТ1, К217НТ2 и К217НТЗ);
К2ТК171А и К2ТК171Б —RST-триггер (К217ТК1А и К217ТК1Б);
К2ТР171А и К2ТР171 Б —RS-триггер (К217ТР1А и К217ТР1Б).
Корпус прямоугольный металлостеклянный «Посол».
Выводы: 12 — общий; 6 — Ua П1 (кроме К2ЛП173); 10— (кроме
К2ЛП173); 13 — корпус.
400
CM О) CM
401
----г—КЬ-
--------- -]<]. *-
K2HK04i
i / А, 2 3 t Л, 12 74
Дг 5 А; Б 7 И 'Lj,
7 в
Л2ЛбеЧ7
К2ЛБ0Ч2
кгшт
К2ЛБПМ,
К2ЛБПЗБ
K2HTI7I,K2HTI72,H2HTI73
К2ЛБГ72А,
К2ЛБ772Б
К2ТЛ171Б
Рис. 189
K27PI7I6
Общие параметры микросхем К217
^и. ПР В
"и. П2. В
............................................6±Ю%
...........................................3±10%
U1 , В, не менее................................................2-6
вых’ '
f/' В, нс более.................................................
вых’
Общие параметры микросхем К2ЛП171 и К2ЛП172
Uu. п, В........................................................6±Ю %
402
Рпот" мВт> ие более!
К2ЛП171.................... ................................18.5
К2ЛП172......................................................9
^вых' * В” н£ мснсе.............................. - -........• 5.3
^вых* ®’ нс £°лее.............................................
нс, не более..............................................12
зд
^эд 1 ис’ ”е более:
К2ЛП171.......................................................40
К2ЛП172.............................. .......................35
Коб по входу И:
К2ЛП171.......................г............................4
К2ЛП172......................................................8
Общие параметры микросхем К2ЛП173
47и л, В (положительный полюс подключается к выводам 11 и 12). . , . 6±10 %
Рпот, “Вт, не более...........................................П
^обр ПРИ ^обр — 4 В» мкА, не более...................... . . I
- ^пр ЛРИ Л1р = 1 МА» не ^°лее‘.................................
1 При 7Пр =0,05 мА VПр < 0,5 В.
Общие параметры микросхем К2НТ171, К2НТ172 и К2НТ173
7кб0» мкА» ие более...............................................1
няг» В, не Солее............................................0»33
нле'
/рас, нс, не более...............................................25
7'21э при инС — 7 В :
К2НТ171 .......................................................30—90
К2НТ172 ....................................................... 50—150
K2HTI73 ....................................................... 70—280
«иэ. макс- ®..............................................................*
,к. макс- ь А...............................................................
Параметры остальных микросхем приведены в табл. 143 и 144, а условные
обозначения — на рнс. 189.
____ ______________ ____________ Таблица 143
Тип ^пот!» мВт, не более впот2’ мВт, не более - не более - не более 7® , мА вх 1°, ут’ мкА, не более «Об Араз
К2ЛБ171А К2КБ171Б 13 7.3 12 35 1.7—2.1 1 8 4 6
К2ЛБ172А К2ЛБ172Б 26 14,6 12 35 1.7—2.1 1 3 4 6 •
К.2 ЛБ 173 К2ЛБ173А 32 7,3 20 35 45 1—1,5 — 62 83 8
К2ЛБ174А К2ЛБ174Б 39 22 12 35 1.7—2,1 3 22 4 6
К2ЛР171 29 7.3 40—100 30—100 1,25—1.6 — 82 —
К2ТК171А К2ТК171Б 52 7,3 — — — — —
K2TPI71A1 К2ТР171Б1 31 7.3 — — — — 4 6
1 Частота импульсов на входе не более 3 МГц; С/п> ст < 0,5 В; /БЬх < 8 мА для K2TPI7A,
7Вых 12 мА для К2ТР171Б,
‘ По выходу И.
8 По входу ИЛИ,
403
Таблица 144
Управляющая
микросхема
К2ТК171А
К2ТК171Б
Выходная нагрузка управляющей микросхемы
Четыре входа К2ЛБ171А и К2ЛБ171Б
Два входа К2ЛБ171А и один вход К2ТК171А
Два входа К2ЛБ171Б и один вход К2ТК171Б
СЕРИЯ К218
Тнп ло! ики — ДТЛ.
Состав серии:
К2ЛБ181—элемент И—HE/ИЛИ—НЕ (К218ЛБ1);
К2ЛН181, К2ЛН182 и К2Л HI 83 —элемент НЕ (К218ЛН1, К218ЛН2 и
К218ЛНЗ);
К2ТК181—RST-триггер (К218ТК1). В состав серии входят и аналоговые мик-
росхемы.
Корпус прямоугольный металлостекляиный 151.15-2.
Выводы: 1— общий; 4 — в1; 7 — UH п2 (только для К2ЛБ181).
Общие параметры микросхем К2ТК181
иИ п, В......................................................6,3±10%
Р„от, мВт, не более..........................................21
Ян- Ом ..................... • ............•............820
Сн. пФ ... . ..... *.........................................ЮО
£УвкА по Т ВКОДУ» В..........................................—2.5...4-6
, мкс„ не более...........................................0,5
^вых' мкс' ие б°лее • • ..................................... 0,2
*вых’ мкс- ,,е ^олее.................... *..................0,1
и®в х В, не более ...........................................0,15
. Вп не менее.......................................... 4
вых* ’
17 п ст по Т-входу. В, не мснее -. . ........................0,8
Примечание, Разрешающая способность по Я- и S-входам 0,4 мкс.
Параметры остальных микросхем приведены в табл. 145, а условные обозна-
чения — на рнс. 190. ’
Таблица 145
Тип "и.т- в р 1 ПОТ’ мВт, не более ^вхА’ ® ^ВыхА« В, не менее А1 2, ЭД мкс, не более г-°. ЗД мкс, не более "ост. В. не более Араз’
К2ЛБ18П 48,5 2—6 — 0,2 — — —
К2ЛН181 0,48 2,5—6 4 0,1 0,2 0,2 3
К2ЛН182 6,3 + 10% 27.8 2.8—4 3.5 0,15 0.25 0,2 3
К2ЛН183 27.5 1,2—6 — — — 0.2 3
1 п2 ~ 1-2 ^и. вх О*8 мс н 800 мо ПРИ П0Даче сигнала через навесной конденса-
тор; и'ах а- 3 В ± 10 %; £/°ых < 0.2 В; Кц = 820 Ом; Сн = 100 пФ.
2 Нагрузка — инвертор К2ЛН182.
404
К2ЛНШ
Н2ЛН/82
Л2ЛН163
Рис. 190
СЕРИЯ К223
Тип логики — ЭСЛ.
Состав серии:
К2ИД231 —дешифратор (К223ИД1);
К2ИЕ231—разряд счетчика (разряд регистра сдвига) (К223ИЕ1);
К2ИЛ231 —полусумматор (К223ИЛ1);
К2ЛБ231—четыре элемента ЗИЛИ—НЕ (К223ЛЕ1-);
К2ЛБ232 —элемент 4ИЛИ/4ИЛИ—НЕ и 8ИЛИ (К223ЛМ1);
К2ЛБ233 — два элемента ЗИЛИ/ЗИЛИ—НЕ и элемент 2ИЛИ/2ИЛИ—НЕ
(К223ЛЕ1);
К2ТК231 -RST-триггер (К223ТК1);
К.2ТР231 —два RS-триггера (К223ТР1).
Корпус прямоугольный металлостеклян лый «Вага 1Б».
Выводы- 9— общий; 5 — 1УИ п.
Общие параметры микросхем К223
*/и. п» В ................................ . . * . . 4± Ю %
(Д. . В, не менее......................................—0,85
вых
£/вых' В' не более.....................................—1,45
1/п- ст. В, не более....................................0,15
Общие параметры микросхем К2ИЛ231
Ри. п. В.............................................. -4±10%
Риот- мВт, не более ...................................250
£/°ь1х, В’ не более.....................................—1,45
Рц|11х. В. не менее....................................—0,85
- 4д. вкл’ ,,с« ие болм:
полусуммы.............: ....................... 20
переноса.............................................15
1/п Ст, В, не менее...................................0,15
«раз...................................................10
Параметры остальных микросхем приведены в табл. 146, а условные обозна-
чения — на рис. 190.
Таблица 146
Тип ?ПОТ» мВт, не более &’ но. не более 'зд • "°- не более ^вх» МГц, не более ^раз
К2ИД231 171 15 15 10
К2ИЕ231 185 50 35 20 10
К2ЛБ231 128 15 15 — 10
К2ЛБ232 112 15 15 - . 10
К2ЛБ233 220 8 8 — 4
К2ТК231 300 — — 501 2
К2ТР231. 128 35 35 30 10
1 На С-входе.
СЕРИЯ К229
Тип логики — ЭСЛ.
Состав серии:
К2ЖЛ291 —многофункциональный логический элемент;
К2ИД291—четырехвходовый двухступенчатый дешифратор со стробирова-
нием;
406
К2ИЛ291 —четыре полусумматора;
К2ТК291А и К2ТК291Б — четыре RST-триггера.
Корпус прямоугольный металлокерамический 421.48-1.
Выводы: /, 24—общий; 25, 48—UB п.
Общие параметры микросхем К229
1/н, п. В...................................................—5± 10 %
и’ых. в..................................................—0,7...—0,9
17° , , В................................................—1,47...—1,69
вых* ” • •...............................
^п. СТ> ®................................................
Параметры приведены в табл. 147, а условные обозначения — на рис. 190 и
191.
Таблица 147
Тип ^ПОТ’ ®т* не более ё - не более1 ^раз
К2ЖЛ291 1.3 6 25
К2ИД291 1.4 8 25
К2ИЛ291 1,4 С 25
К2ТК291А 1.4 — 20
К2ТК291Б 1,4 — 20
1 При Сн < 30 пФ.
Примечание. Для K2TK29IA /вх < 70 МГц, для К2ТК291Б
fBX < 100 МГц при Сн < с 10 пФ.
СЕРИЯ К230
Тип логики — ТТЛ.
Состав серии:
К2ИЕ301А и К2ИЕ301 Б —четырехразрядный счетчик с последовательным пе-
реносом (К230ИЕ1А и К230ИЕ1Б);
К2ИЕ302А и К2ИЕ302Б — чстырехразрядный реверсивный счетчик с парал-
лельным переносом (К230ИЕ2А н К230ИЕ2Б);
К2ИЕ303А н К2ИЕ303Б—четырехразрядный счетчик с параллельным пере-
носом (К230ИЕЗА и К230ИЕЗБ);
К2ИП301 — четырехразряднос устройство поразрядного уравновешивания
(К230ИП1);
К2ИР301А и К2ИР301Б — два четырехразрядных регистра хранения
(К230ИР1А и К230ИР1Б);
К2ИР302А н К2ИР302Б — четырехразрядный реверсивный регистр сдвига
(К230ИР2А и К230ИР2Б);
К2ПК301—преобразователь двоичного кода в десятичный (К230ИК1).
Корпус прямоугольный металлокерамический 421.50-1.
Выводы: 24, 25— общий; 49, 5O — UU „.
Общие параметры микросхем К230
^и.п- В......................................................... 5±,о%
С^вых’ В- ие ...................................................2,3
^вых’ ®' iie ...................................................° 3э
71 , мкА, не более..............................................«0*
вх
У м^’ ,1€ ^олее • • ............................................
£/п ст. В, ие более.............................................
* На один вход ИЛИ.
407
Остальные параметры приведены в табл. 148, а условные обозначения — на
риС. 191 и 192.
СЕРИЯ К243
Тип логики — ТТЛ.
Состав серии:
К.2ЛБ431—элемент 6И—НЕ (К243ЛА1);
К.2ЛБ432 —два элемента ЗИ—НЕ (К243ЛА2);
К2ИЕЗОЗА,
К2ИЕ303Б
4 R СЕ Q,
1 Г, / W - о,
46 Т2 *42
39 02
45 Z 40 -
5 г У, 4 38
к К 85 - £
43 33
37 £ _0_.
V, v2 0
. —
и 2ЁГ~
(6 ?? Рг
20 22 4
~~47 т, 6
4! т2
К2ИЕ801А,
К2ИЕ30(5
К?ИР302Б
Q,
/ "Л \42
4 ч? с? ‘С? § ' »о £
В ь \23 „
Рг 12~ «А R2t
47
К2ИЕ302А,
К2ИЕ302Б
9,(9
~~й
17
~3
У
7з1б
АЛ
///; 672) W 272) R /77, /77, Зп х/у 070) I7D 274) 375) 4(6) 577) 6(6) 7(9) 8(2) 9(3) ЗП
\ЗЁ\
___£
27 О
47 О
45 Q
43 Q
4! Q
33Q
37
О
К2ПК30!
Рис. 191
408
Примечаииек рис ! 91. Условные обозначения для серии К230 7? — установка нуля;
7 — вход тактовых импуль ов; Сг — цепь разрешения сдвига вправо- С —цепь разрешения
Сдвига влево; т, — вспомогательный вход: Dt, D„ D, и D. — информационные входы; Q,, Qc,
Q. И Q. — выходы разрядов; QIt Qt. Q. к Q<— выходы разрядов инверсные. Обозначения для
К2ПК301: /? — цепь гашения; Зп — вход запятой; ЗП — выход запятой; т, и т,— вспомога-
тельные выходы.
К2ЛБ433— элемент ЗИ—НЕ и трехвходовый расширитель по ИЛИ
(К243ЛАЗ);
К2ЛБ434— два элемента 2И—НЕ и двухвходовый расширитель по ИЛИ
(К243ЛА4);
К2ЛБ435 — элемент 2И—НЕ и два двухвходовых расширителя по ИЛИ
(К243ЛА5);
К2ЛБ436—элемент ЗИ—НЕ с повышенным коэффициентом разветвления
(К243ЛА6); -
Таблица 148
Тип ^ПОТ» Вт, нс более Лют* мА, не более fyCT • МГц, не более ^сч2» МГц, не более Аде МГц, не более /вых» МА» не более
К2ИЕ301А К2ИЕ301Б 1,2 145 2.5 5 10 — 15,5 (22); 13,9 (б, 29, 35. 40), 12,4 (31, 33, 38. 42, 44)
К2ИЕ302А К2ИЕ302Б 1.4 180 2.5 5 8 — 15,5 (17, 21, 22). 13,95 (41. 47)} 12,4 (42, 44); 10,85 (35); 9,3 (29, 31, 40); 7,75 (33); 6,2 (38)
К2ИЕ303А К2ИЕ303Б 1.3. 150 2.5 5 8 15,5 (17, 22). 13,95 (41); 12,4 (29. 33. 38, 42, 44); 10,85 (35); 9,3 (31. 40)
К2ИР301А К2ИР301Б 1.7 240 2.5 4 10 — 15,5 (28, 30. 32. 34, 35. 37. 39. 41)} 12,4 (36, 38, 40. 42, 43. 45, 47, 48)
К2ИР302А К2ИР302Б I 140 — — 0 625 1 13,95 (29, 31. 33, 38. 42); 12,4 (35. 40. 44)
К2ИП301 1.5 200 5 10 3 15,5 (32, 36, 40. 44); 12,4 (30. 34. 38, 42), 10 85 (10); 9,3 (20); 7.75 (12. 18)
1 Частота установки.
2 Частота счета.
1 Частота сдвига.
Примечание. В скобках указаны номера выводов микросхемы, через которые допу*
екаются указанные токи.
К2ЛН431 — пять элементов НЕ с открытым коллекторным выходом
(К243ЛН1);
К2ЛН432— пять элементов НЕ (К243ЛН2);
40Э
К2ЛН433 —три элемента НЕ (К243ЛНЗ);
К2УП431 —усилитель магистральный (К243УП1);
К2ЯП431 — элемент памяти (К243РГ11).
Корпус прямоугольный металлополимерный «Тропа»
Параметры приведены в табл. 149, а условные обозначения — на рис. 193.
Рис. 192
410
Таблица 149
Тип tVni. в» ±ю% ^пот. макс» мВт, не более ^ПОТ. ср’ мВт, не более с/1 , в, вых’ ’ не менее ^зд. р. ср» нс, не более А'об
К2ЛБ431 3 (/, 10) 19.1 11 2.3 10 6
К2ЛБ432 3 (8, 12) 40 22 23 10 3
К2ЛБ433 3(0 24 15 2,3 10 3
К2ЛБ434 3(/) 43 25,6 2,3 10 2
К2ЛБ435 3(0 28.6 18,5 2,3 10 2
К2ЛБ436 4(7) 33 20 2,6 10 3
К2ЛН431 3(5) 25 23.6 2.3 10 «—
К2ЛН432 3(5) 65 46.1 2,3 10
К2ЛН433 3(5. 7) 50 — 2,3 10 —
К2УП4321 4(4) 65 2,1 20 —
К2ЯП4312 3(0 19 — 2,3 — —
1 ^и. п2 — 6 в ± 10 % на выводе 2.
2 fBX <. 15 МГц.
Примечания: 1. В скобках указаны номера выводов микросхемы, к которым под»
ключают положительный полюс источника питания.
2. </®ых < 0,25 В, С'п ст < 0,25 В для всех типов.
СЕРИЯ К293
Тип логики — транзисторная с оптропным входом (оптоэлектронная микро*
схема)
Состав серии:
К293ЛП1А и К293ЛП1Б — оптоэлектронные переключатели.
Корпус прямоугольный пластмассовый с 14 выводами.
Выводы: 7— общий; 14 — U„ п.
Общие параметры микросхем К293ЛП1
£/и. п* в..............................................................5±5 %
Т’пот* мВт» ие более...................................................5
UBS при /вх = 10 мА, В................................................1,5
^вых' В’ 1|е ^лее..............................................0.4
£/ , В, не менее . .... ............................2,4
^вх. мин» мА:
К295ЛП) А........................................................5
К293ЛП1Б ............................................... . .8
d’°. /?'. нс, не более;
3Д •зД
К293ЛП1А.......................................................500
К293ЛП1Б.......................................................1000
Максимально допустимая длительность фронтов нарастания и спадания
импульсов, мко................................................5000
&ВХ. обр. макс* В............................................ 3,5
1вх. макс» .....................................................20
Лзх. и. макс» МА ...........................•.................... 100
4.К-ИА.........................................’z2
4хмА...........................................18
Максимально допустимое напряжение между входом и выходом, В . , . 100
^раз» Ом................................... 10*
Gipox, пФ ......................... 2
Принципиальная схема приведена на рпс. 193.
411
К500ИД61,
К500ИД52,
К700ИД162-2
Рис. 1ЭЗ
СЕРИЯ К500
Тип логики — ЭСЛ.
Состав серии:
К500ИД61—трехвходовый дешифратор низкой частоты (К500ИД161М);
К500ИД62 — трехвходовый дешифратор высокой частоты (К500ИД162М);
К500ИД64 — восьмикаиальный мультиплёксер (К500ИД164М)j
К500ЛС18 — два элемента 3—ЗИЛИ—2И (К500ЛС118М
К500ЛС19 — элемент 4—3—3—ЗИЛИ—4И (К500ЛС119М).
Корпус прямоугольный пластмассовый 238.16-2, керамический 201.16-8 или
201.16 4.
Выводы: /, 16—общий; 8 — UK п.
Общие параметры микросхем К500
U„ п. В..................................................5,2±10%
/пот- “А. ие более:
К500ИД61, К500ИД62 и К500ИД64..........................123
КБ00ЛС618 и К500ЛС18...................................26
"вых. пор- В- не более....................................“°-98
17* , В..................................................—0.96...—0,81
К500ИД61, К500ИД62 и К500ИД64 .........................—1,85...—1,65
К500ЛС 8 и К500ЛС19....................................—1,99,..—1,65
/*к мА, не более:
К500ИД61, К500ИД62 и К500ИД64 ........................ 0,26Б
К500ЛС18 (9) и К500ЛС19 (/0)...........................0.37
по остальным входам. . ...............................0,265
/9Х, мкА, не менее.......................................0,5
/ *д9, *зд. ис, ие более:
К500ИД61 и К500ИД62.....................................• 6
К500ИД64......................................... . . . 8
К500ЛС18 и К500ЛС19....................................3,4
Примечание. В скобках указаны номера выводов входов.
Условные обозначения показаны на рис. 193 и 196.
СЕРИЯ К511
Тип логики — ДТЛ.
Состав серии:
К511ЛА1 —четыре элемента 2И—НЕ;
К611ЛА2 — трн элемента ЗИ—НЕ;
К511ЛАЗ — два элемента 4И—НЕ с пассивным выходом и расширением по И;
К511ЛА4— два элемента 4И—НЕ с расширением по И;
К511ЛА5 — четыре элемента 2И—НЕс пассивным выходом;
К511ЛИ1 —два' элемента 4И с расширением по И и открытым коллекторным
выходом;
К511ПУ1 — преобразователь высоких логических уровней в низкие; два эле-
мента 2И—НЕ и два элемента НЕ с расширением по И;
К511ПУ2 — преобразователь низких логических уровней в высокие; два эле-
мента НЕ с расширением по И;
К511ИД1—дешифратор пребразрвания двоично-десятичного кода в десятич-
ный с высоковольтными выходами;
К51-1ТВ1—JK-триггера;
К511 ИЕ 1 — декадный счетчик.
Корпус прямоугольный металлокерамический 201.14-7 или 238.16-2, пластмас-
совый 201.14-2.
Выводы: 7 — общий (у К5ЦТВ1—5); 14—11и п (у К511ТВ1 —16).
Параметры приведены в табл. 150, а условные обозначения — па рис. 194 и
196.
1
413
414
Таблица 150
Тип "и. П. В 'пот. мА- пе более 'пот. мА' не более и° , в, вых* * не более У1 , в, вых’ * не менее "вх. пор' В , в вх. пор’ < S о я < * — Q 'вх. мА* 'вых- “А. не более 3* м^, не более1 - не более2 ,0,1 'зА.«с- не более м я о.
К511ЛА1 К511ЛА2 К511ЛА4 15±Ю% 5 15 1.5 13,5 6 8 t 0,48 5 1,33 — 12 —25 150 300 25
К511ЛАЗ К511ЛА5 5 15 1.5 13,5 -12 -25 150 400 10
К511ЛИ1 9 12 1.5 — -100 — 200 250 200
К511ПУ1 10 24 0,45 — —12 — 150 300 25
К511ПУ2 10 20 1.5 13.5 0,85 1.8 — 12 -25 150 300 25
К511ТВ1 10 20 1.5 13,5 6 8 — -12 —25 150 • 300 . 25.
К511ИЕ1 36 36 1,5 135 — — -12 -25 — —
К511ИД1 30 30 1.5 13,5 — — — —7 — — — —
1 По расширительному входу.
’ Ток короткого замыкания.;
Примечай ие* Ток потребления указан на один элемент.
СЕРИЯ К700
Тип логики — ЭСЛ.
Состав серии:
К700ЛС118-2—два элемента ЗИЛИ—2И;
К700ЛС119-2 — элемент 4—3—3—ЗИЛИ—4И;
К700ИЛ161-2— трехразрядный дешифратор низкого уровня;
К700ИД162-2— трехразрядный дешифратор высокого уровня;
иип , , К700ИД164-2—восьмиканальный муль-
Рис. 195
типлексор;
К700ЛП128-2—приемник линии;
К700ИВ165-2— кодирующий элемент с
приоритетом;
К700ТА173-2— четыре D-триггера с вы-
ходными мультиплексорами.
Микросхемы серии К700 выполнены без
корпусов в едином кристапле кремния. Пред-
назначены для работы в аппаратуре с общей
герметизацией.
Выводы: /, 16 — общнй^ 8—UH п.
Параметры приведены в табл. 151, а
условные обозначены — на рис. 193 и 196.
Общие параметры микросхем К700
б'и. п1> в '.....................5±5 %
^и. п2» В......................... . —5,2±5 %
Оп. ст,В, пе менее ............... 0,125
Таблица 151
эаь-о9 ан ‘эн со CD СО СО СО 18 (вход 6— выход 3); 12 (вход 9— выход 15) 4 (вход 5 — выход 1); 5,5 (вход Р — выход 1)
мА. не более 0,37 (Р); 0,37 (Iff), 0,265 (остальные входы) 0,265 1 0,265 0,62 (вход S); 0,5(5, 12); 0,265 (входы D, С); 0,35 (вход 7?) 0,095 (вход D); 0,45 (вход 7?); 0,245 (входы С, S) 0,245 (•£); 0,22 (остальное входы) 0,25(7, Р); 0,295 (остальные входы)
/?х‘ мкА- / не менее 0,5 1 (вход D); 0,5 (входы С, S, R)' 0,5 0,5
’0 oairop эн .dou *Х1Чя Л 0Л — 1,63 0,5 — 1,63 — 1.63
’0 ээнэм ’эн ,dou ‘хмя _ —0,98 2,5 а с с 1 -0.98
4юТ» мА, не более СО 04 125 • t'Q OJ 1 1 140 СО
^пот» мВт, не более 135 650 650 1 1 ‘ 728 343
Твп К700ЛС118-2 К700ЛС119-2 К700ИД161-2 К700ИД162-2 К700ИД164-2 К700ЛП128-2 К700ЛП129-2 К700ИВ165-2 К700ТМ173-2
Примечание. В скобках указаны номера входов.
417
K7QQTH/73 2
Рис. 196
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Анало овые интегральные микросхемы: Справочник/Б. П. Кудряшов,
Ю. В. Назаров, Б. В. Тарабрин, В. А. Ушибышев. М.: Радио и связь, 1981. 160 с.
Диоды и тиристоры/А. А. Чернышев, В. И. Иванов, В. Д. Галахов и др. 2-е
изд., перераб. и доп. М.: Энергия, 1980. 176 с.
Пляц О. М. Справочник по электровакуумным, полупроводниковым приборам
и интегральным схемам. Минск: Вышэйш. школа, 1976. 480 с
Радио. Ежсмес. науч.-попул. радпотехн. журн., 1979—1982.
Справочник по интегральным микросхемам/Под ред. Б. В. Тарабрииа. 2-е изд.,
перераб. н доп. М.: Энергия, 1981. 816 с.
Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным
схемам/Н. Н. Горюнов, A. IO. Клеман, Н. И. Комков и др. 5-е изд., стер. М.:
Энергия, 1979. 744 с.
Транзисторы / А. А. Чернышев, В. И. Иванов, В. Д. Галахов н др. 2 е изд.,
перераб. и доп. М.: Энергия, 1980. 144 с.
Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / К. М. Бреж-
нева, Е. И. Гантмап, Т. И. Давыдова н др.; Под рсд. Б. Л. Перельмана. М.; Радио
и связь, 1981. 656 с.
АЛФАВИТНО ЦИФРОВОЙ УКАЗАТЕЛЬ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ,
ПОМЕЩЕННЫХ В СПРАВОЧНИКЕ
Терморезисторы CHI-9; СН1-10-13 СН 1-10-18. CHI 10-22 35, 37 35, 37
КМ.Т-1; КМТ-4 КМТ-4Е КМТ-8 KMT-10; KMT-lOa; KNIT-11 7, 15 СНЫО-27; CHI 10-33 35, 37
7, 15 CHI-10-39; CHI-10-47 35, 37
7, 21 7, 20 7, 15 CH1-1I; СН 12 CHI-14 35, 38 35. 38
КМ Г-12; КМТ-14 КМТ-17 (а. б, в) Фоторезисторы
7, 15 7, 8, 15 8, 15
ММТ-1; ММ Г 4; ММТ -4Е СФ2-1; СФ2-1А 42, 46
ММ,ТО ММТ 8 ММТ 9 ММТ 12 ММТ-13; СТ1-2 CTI-17 СТ1-18; CT1-I9 СТ1 21 CTI-27; СТ1 30 СТ2-26 СТЗ-1; СТЗ 6 СТЗ-14; СТЗ 17 СТЗ-18 СТЗ-19 7, 21 8, 21 15 8, 15, 16 8, 16 СФ2-2; СФ2-4 СФ2-5, СФ2-8 СФ2-9 СФ2-Г2; СФ2 16 ' СФЗ-1: СФЗ-1А 42, 46 42, 46 42, 46 42, 46 42. 46
8, 16 8, 32 СФЗ-2 СФЗ 2А; СФЗ-2Б 46 42, 46
8, 32 0, 16 СФЗ-4А; СФЗ-4Б СФЗ-5; СФЗ-7А 4 42, 46 2, 46, 47
9, 16 СФЗ-7Б; СФЗ 8 42, 47
9 16 9, 16 9, 16 СФЗ-9А; СФЗ-9Б СФЗ-16 СФ4-1 4 1, 46, 47 43, 47 43, 52
СТЗ-21 9, 32 ФСА-1 43, 52
СТЗ-22 CT3-23 С'ГЗ-24 СТЗ 25 9, 16 ФСА-la; ФСА-6 43, 52
9, 21 ФСА Г1; ФСА Г2 43, 52
17 ФСД-1 ФСД1а ФСД-Г1 43, 47
9. 17 43, 47
СТ9-26 СТЗ 27 17 9. 32 ФСК-1 ФСК-la; ФСК-2 43. 47 43 47
СТЗ-29 СТ8 31 СТ4-15 10. п ФСК 5: ФСК-6 43. 47
10. 32 ФСК-7а; ФСК-76 43, 47
10, 2t ФСК П; ФСК-Г2 43, 47
СТ4-17 10, 21 ФСК-Г7 47
СТ5 1 10. 21 ФСК П1а; ФСК-П16 13, 47
СТ6-1А; СТ6-1Б 10, 21
СТ6-2Б; CT6 3I5 10, 21 Полупроводниковые
СТ8-4Б, СТ7 1 10, 21, 22 диоды •
СТ8-1; СТ9-1 CT15-I; CTI5-2 11. 22 11, 20 AAI10A, Б; AA1IIA, Б 55. 127
ТВ 2-250, ТВ 2 250А И, 26 АА112А, Б, AAI13A, В 55, 127
UB-2-350A 11. 26 АА114А 55, 127
ТИ-1 11, 26 АА2О4А—В 55, 129
ТК-2 50: ТК-2-50А И, 26 АА401А—Е 55, 130
ТК-2-75 11, 26 АА410А—Е 55, 130
ТК-2-75А 11. 26 АА529А. Б 55, 135
ТКП-20; ТКП-20Б 11. 32 АА530А, Б 55, 135
ТКП 50 11, 32 АА603А—Г 55, 137
ТКП-300; ТКП-300А 11, 32 АЛ610А, Б 138
ТОС 3; ТОС-М 12, 17 АА703А, Б; АЛ705А, Б 55, 56
TOC-МБ; ТОС-МД 12, 17 ЛДП0А; АДЦ2А 56. 72
ТП2/0 5; ТП2/2 ТП6/2: ТПМ2/0.5-^ 12. 29 12. 29 АД516А, Б АИ101А-И. АИ201А-Л 56, 94 56 U6
ТПМ2/0.5А- ТПМ2/0.5Б 12. 29 ЛИ301А—Г 56, 116 117
ТПМ2/2; ТПМ6/2 12, 29 АИ402Б—И 56, 118
ТПМ6/2Б 12, 29 АЛ 102 А—Д 56, 142, 144
Т8Д; Т8Е 11, 26 АЛ ЮЗА. Б 56, 144
Т8М: Т8Р 11, 26 АЛЮ6А—В 144
Т8С1 11. 26 ЛЛ107А, Б 56. 144
Т8С2- Т8СЗ 12, 26 АЛ108А; АЛЮ9А 57, 144
Т8С1М; Т8С2М 12, 26 АЛ115А 144
Т8СЗМ 12. 26 АЛ1 8А 144
T9; ТШ-1: ТШ 2 12, 26 АЛ119А, Б 144
АЛ301А—Б; АЛ304А—Г 57. 144, 145
Варисторы АЛ305А—Л 57, 142, 145
АЛ306А—И 142, 145
СНЫ 1; CH-I-2 35, 36 АЛ307А—ЛМ. 57, 142, 144
CHI-2-1; СН1 2-2 35. 37 АЛС317А—Г 145
CHI-3, CHI-6 35. 37 АЛС314А 57, 142, 145
СН1 7 35. 37 АЛС317А—Г 57, 145
СН1 8 20, СН1-8 25 35. 37 АЛС318А—Г 57. 145
420
АЛС321А, Б 57, 146 КД209А—В 62, Й2
АЛС324А, Б 146 КД210А—Г 62 H i
АЛСЗЗЗА—Г 146 КД2 2А, Б 62, 83
АЛС334А—Г 146 КД213А—В 83
АЛСЗЗЗА—Г 146 КД301А—Ж 63, 181
ГА401—В 130 КД ОЗА Ж-1 63, 15/
ГА402А—Г; ГА403А—Д 130 КД407А; КД409А 63. 19
ГА501А—И 131, 132 КД410А, Б 63. 89
ГАБ04А—В 132 КД4ИА-Г 63, 89
ГД107А, В 67, 72 КД412А—Г 63, 89
ГД 02А, Б 67, 89 КД413Л, Б 63. 89
ГД404АР 89 КД417А 63, 89
ГД507А; ГД508А, Б 68, 94 КДБОЗА, Б 63, 95
ГД511А—В' 94 КД504А 95
ГИ103А—Г 117 КД509А 63, 95
ГИ304А, Б; ГИ305А, Б 68, 117 КД510А 95
ГИ307А 58, 117 КД512А; КД513А 63, 64, 95
ГИ-101А, Б 58, 118 КД514А Д518А 63, 64, 95
ГИ403А 58, 118 КД520А 95
Д219А 58, 94 КД521Л-Д 64, 95
Д219С, Д220С; Д223С 58, 94 КД 22А, Б 64 95
Д220—Б 58, 89 КД907А Г 64. 95
Д223—<Г> 58, 94 КД908Л 96
Д226—Е 58, 59, 72 КД917А 96
Д229А-Л 59, 79 КД918А—Г 64. 96
Д242—Б 59,'79 КД919А 64, 96
Д243—Б 69, 80 КДС1ПА- В 64. 74
Д245-Б 59, 80 КДС523А—Г 64, 96
Д24 >- Б 69, 80 КДС525А—Д; 96
Д247—Б 59, 80 КДС525Е-Л
Д248- Б 59; 80 КДСС526А-В 96
Д401, А 59, 131 КЛ101А-В 64, 144
Д405—Б 59, 127 КС133А 64, 104
Л 501 59; 137 КС1.33Г 105
Д602А, Б 129 КС139А 64, 104
Д6С4 59, 129 ' КС139Г 64, 165
Д814А-Д 59, 110 КС147А 64, 104
Д815А-И 59, 113 КС147Г 64, 105
Д816А-Д 59, 110 КС156А 64, 104
Д817А—Г 59, 110, 111 КС156Г 64, 105
Д818А—Е 59, 104 КС162А 64. 105
КА104А, АР 60, 127 КС 68А 64, 104
КА507А—В 133 КС168В 64 105
КА508А 133 KCI70A 64, 105
КА509А- В 60. 133 КС175А 64, 105
КА510А—Е 60, 133, 134 KCI75E 105
КА513А, Б 60, 134 КС175Ж 105
KA5I7A, Б 134 KCI82A 64, 105
КА5 ОА Б 60, 135 KCI82E 105
КА602А—Д 60, 138 КС182Ж 105
КА606А, Б 138 KC19IA 64, 105
КА609А - В 60, 138 KCI9IE 105
KA6IIA, Б 138 КС191Ж 105
KA6I2A, Б 60, 138 КС19 С—Ф 64, 105
KA6I3A, Б 60, 138 KCI96A—Г 105
KBIOIA 122 КС210Б 64, 105
КВЮ2А—Д 60, 122 KC2I0E 106
КВ103А. Б 61, 122 КС' ож 106
КВ 104 А—Е 61, 122 КС2ИБ-Д 106
КВЮ5А. Б 61, 122 КС2ПЕ 106
KBI06A, Б , 61, 122 KC2I12K 106
KBI09A-Г 61, 122, 123 KC2I2E 106
KBIIOA Е 123 КС212Ж 106
KBII2A, Б 61, 123 КС213Б 64. 105
KB1I4A Б 61, 123 KC2I3E 106
КВ 1 ISA—В 61, 123 КС213Ж 106
KB1I6A 61, 123 КС215Ж 106
КВП7А Б 61, 123 КС2ЮЖ 106
КВИ9А 61, 123 КС218Ж 106
KBI2IA 61, 123 КС220Ж 106
KBC1I1A. Б 61, 123 КС224Ж 106
КГ401А-В 61, 150 КС433А 111
КД102А. Б КД103А, Б 62, 73 КС439А lit
КД104А; КД105Б Г 62,73 КС447А 111
КД 109 А—В 62,73 КС456А 111
КД202А-С 62, 81 КС 68А 111
К Л 203 А Д 62, 81 К 4 2А 111
КД204А—В; КД205А—Л 62. 82 KC5I0A 111
КД206А В 62, 82 КС512А 111
КД208А 62, 82 КС 1 А 111
421
КС515Г
КС518А
КС520В
КС522Л
КС524Г
КС527А
KC53IB
КС533Л
КС 535 Г
КС547В
KC55IА
КС568В
КС582В
КС591Л
КС596В
КС600А
КС620Л
КС630А
КС650А
КС680А
КЦЮЗЛ-В
КШ05Л-Д
КШ06А-Д
КШ09Л
КЦ402А -11
КЦ403А И
КЦ404А-И
К.Ц405А-И
КЦ407А
КЦ410А—В
KII4I2A
Д П
МД218. А
7ГЕ1А-С, 7ГЕ2Л-С
65, 111
111
65, И1
111
65, 111
111
65, ill
65, 112
65. 112
65, 112
112
65, 112
65, 112
112
65, 112
112
59, 112
59, 112
59, 112
59, 112
73
73
73
73
65. S3
65, 83
65, 83
65, 83
65. 83
65, 83
65. 83
65. 74
65, 74
65, 104
Тиристоры
KHI02A—И 156
КУ101А-Е; КУ102А-Г 153, 158
КУЮЗА, В 153, 158
КУ104А-Г 153. 158
КУЮ8В-Ц 153, 158
КУ109АМ ДМ 153, 158
КУПОЛ—В 158
КУ ПЛ, Б 159
КУ201Л—Л 153. 159
КУ202А—М 153, 160
КУ203А-И 160
КУ204А—В 153, 162
КУ208А—Г 153, 161
КУ210А—В 161
КУ21 Л—Ж 153, 161
КУ215А—В 161
КУ216Л—В 161
Транзисторы
ГТ402А—И 168, 214
ГТ403А—И 168, 214, 215
ГТ404Л—И 168. 215
ГТ405А-Г 168, 215
ГТ406А 215
ГТ612А 220
ГТ701А 168, 228
ГТ70 А—Д 168, 228
ГТ81ОЛ 231
КП 1 ОЗЕ—М 168, 248
КП201Е—Л 248
КП301Б 168, 248
КП302А—ГМ 163, 248. 249
к паоз.л—и 169 249
КП304Л 169, 249
КП305Д—И 169. 249
КП306Л— в 169, 252
КП307Л-Ж 249
КП312Л, К 249
КПЗ 1 ЗА-В 249
КП350А—В 169, 252
КП901Л, В 169, 258
КП9 2Л—В 169, 258
КП903А—В 169, 258
КП904Л 169, 258
КТ104Л—Г 169, 177
КТ117Л—Г 169, 178
КИ118A—В 169, 178
KTI20A—В КТ201А-Д КТ202Л—Д КТ2 ЗА—В КТ206А, Б КТ207Л—В КТ209А—М (КТ208А—М) KT214A-I—Е-1 KT2I5A-I-Е-1 169, 177 169. 183 ПО, 181 170. 181 ПО, 183 182 ПО, 182 170, 182 ПО. 183
КТ306А—Д КТ307А- Г ПО, 192 ПО, 192. 193
KT3I2A—В КТ313А, Б ПО, 193 189
KT3I5A—И КТ316А-Д. КТ317А—В 193 170, 194 171, 194
КТ318А—Е 171, 195
КТ324Л—Е 171, 195
КТ325А—R 171. 196
КТ326А, Б 171, 189
КТ331А—Г 171, 196
КТ332А—Д 171, 196
КТ337А—В КТ339А—Д 171, 189 171, 196, 197
КТ340А-Д КТ342А—В 171, 197 171, 197
КТ343Л-Г КТ345А—В КТ347А—В КТ349А- В КТ350А КТ351А, Б КТ352Л. Б КТ354А, Б КТЗ 5А КТ358А-В КТ359А—В КТ360Л—В КТ361А—К КТ363Л, Б КТ364А—В КТЗВ8Л, Б КТ369А—Г-1 КТ370А, Б КТ372Л -В КТ375А, Б КТ379Л—Г КТ380Л- В КТ 381 Л—Е КТЗЯ2А, Б КТ391А-2—В-2 КТ392А КТ396А КТ397А КТ399А КТ3102А—Е КТ31О7Л—л КТ501Л-М КТ502А—Е КТ503А—Е КТ604Л, Б КТ605А, Б КТ606А. Б КТ607Л, Б КТ608А, Б KT6I0A, Б КТ6ПЛ, Б 171, 189 171, 190 171, 190 171, 190 171, 190 171, 190 . 171, 190 197 172. 197 197 172, 198 172, 190. 191 172, 191 191 172, 191 172, 198 172, 198 191 196 199 172, 199 172, 199 172, 199 199 172, 199 199 199 199 199 172, 199 173, 191. 192 !73, 218 173, 218 173, 218 173, 218 173. 220 173, 220 220 173, 221 173, 221 173, 221 221 221 173, 221 222 221 222
КД624А КТ625А, ЛИ Т62< Л—Д
КТ629Л КТ630А—Е КТ639Л—Д
КТ640А-2—В-2 КТ644А—Г 222 222
422
КТ704А—В
КТ802Д
КТ803А
КТ80БА, Б
КТ8 7А, Б
КТ808А
КТ809А
KT8I2A—В
КТ814А—-Г
KT8I5A—Г
КТ816А—Г
КТ817Л—Г
КТ818А—ГМ
KT8I9A—ГМ
КТ820А—В
KT82IA-1—В I
КТ822А-1—В-1
КТ823А-1—В-1
КТ903А, Б
КТ904А, Б
КТ907А, Б
КТ908А, Б
КТ909А- Г
КТ911А— Г
КТ913А—В
KT9I4A
КТ916А
КТ919А-В
КТ920А—Г
КТ921А, Б
КТ922А—Д
КТ925Л—Г
КТ927А— В
КТ928Л. Б
КТ929А
КТ930А. Б
KT93IA
КТ934А-Д
КТ940А- В
КТ943А-Д
228
173, 232
173, 232
173, 232
174, 232
174, 232
174, 232
174, 233
174, 231
174, 233
174, 231
174, 233
174, 231
174, 233
231
233
232
233
174, 240
174, 240
174, 240
174, 240
175, 240
175, 241
241
241
241
175, 241
175, 241
175, 241
175. 241
175, 242
175, 242
242
242
243
175, 243
175, 243
175, 243
176, 243
К109
KII0
КПЗ
КП4
К118
K1I9
К121
К122
KI23
К124
К128
К129
К130
К131
К133
К134
К136
К137
К138
КИО
К141
К142
К144
К146
К149
К153
К155
KI57
К158
К159
К166
К167
К172
KI73
К174
К176
Оптроны
АОДЮ1А-Д
АОД107А- В
АОД109А—И
АОД112А- 1
ЛОД120А-1, Б-1
АОД201А-Е
АОД202А, Б
ОЭГП—ОЭП16
АОР104А. Б
AOTI02A- Е
АОТИОА—Г
ЛОТ123А—Г
ЛОУ103А, Б
Интегральные
микросхемы
К100
K10I
KI04
К106
264
264
264
264
264
265
265
266
265
266
266
266
266
276, 342
276, 278
276, 345
276, 349
К177
К178
К187
К190
К194
К198
К201
К204
К217
К-218
К223
К224
К 226
К228
К229
К230
К237
К243
К264
К265
К284
К293
К500
К504
К511
K5I3
К 548
К700
276, 349
276, 352
276, 365
276, 355
276, 278
276, 281
276. 358
276, 286
276, 285
276, 288
276, 360
276, 288
276, 360
276, 862
276, 364
276, 366
276, 366
276, 369
276, 370
276, 288
276, 372
276, 289
276, 373
276, 373
276, 289
276, 296
276, 374
276. 296
276, 383
276, 296
277, 391
277, 296
276. 354
277, 299
276, 299
276, 394
276, 302
277, 395
276, 895
277. 304
278, 397
277, 304
277, 399
277, 400
277, 400-
277, 306, 404
277, 406
277, 309
277. 322
277, 322
277, 407
278, 407
278, 326
278; 407
278, 332
278, 332
277, 337
278, 411
278, 413
277. 338
276, 413
342
342
278, 415