/
Text
flCPePttH PtL(JHi! idT НКИГрб
Процессор
Резисторы НАГ 0Ж0.467 120 ГУ
Резисторы СП 4 ОЖО 46X045 ту
£1 НАГ-0.125-2,7кОн ±10%
£2, £5 МАТ-О, 125- 1кОн i 10%
£4 СПО /8-0, 25~1ОкОн ±20йА А
£5 МАТ- 0,125 - !к Он ±1О%
С6 МАТ-0,125-550 Он ±10%
£ 7 НАГ-0,125-590 Он ± Ю%
£9 НАГ-О, 125-5/0 Он ± 10%
£ 10 НА/ -и, 125-1кОн ± Ю°/о
&1.Ш2 МАТ-0125- 1,5кОн ±1Ои/о
В. 15 И АГ-0,125 - 7кОн ИО%
£14. £18 НАГ-0,125 ~ 1*Dh ±10%
I |ИИМ1 11 K.1KIH
Резисторы МАТ ОЖО 467. 180 ТУ i 1
РешсгоРЫ 004 ОШО. 468. 045 ТУ 1 J .1 1 1
£19 МАТ-0,125-470 Он ± Ю% 1
1 1 “I
С 20 МАТ-0,125-150 Он ± 70% 1
i 1
| £22 СПО -15 -0,25- 1*Он ± 20%, А 1
; £25 МАГ- 0,125 -2,7 кОн± 10%
£24. £2$ МЛТ-О,125- /50Он i /О % 5
£21 МАТ-0,125- 1,5к Он ± 70% 1
В 28 МАТ-0,725-ЗкОн ± 70% 1
£29 МАГ-0,125- 1кОн ±Ю% 1
ИЗО .£40 НАГ-О, 725-55 Он ±70 %
1
£41. £61 МЛг-о, 125-6.2 «Он ± 5% 1
I J
£96 МАТ-0,125 - 6,2 кОм ±5вл 7 1
— 1 i i 1
1 МАТ-0,125-5к0н ±5°/о 27 1 1
— 095 ( МАГ-О,125-ЗкОн ±5% 1
I 1
4#
- 1 I* Is 1 1
— V N V s. V V V S ^1
1 Конденсатор КТ4-2./5-4£ОпЧР-6 $ <s Mi s 4 C3 Jj 1 CJ 4> l 4 JO ' duod ka. ozz6 Лрз.зы .огвту 1 1 1 К 155flfl4 5x0. 54g. 006 -Of ГУ • KP5&0Mf>6 ffKO. SBg. 745-75 ГУ $ J H. 1 >0 1 I f fi t AO- 900 ?H5 0X3 T6M5SP fl $ *r> £ £ 51 47-900 34У OflQ fOl/SSfl'fl . k? £ § X) N V 45 | 51.70-537159 0*3 ZVHSSSfl $ * s *a <5> £ £ *5
"t 1 S— I _5 S Q Ю Q 45 C5 N. § 1 § § 1
т
I
1 I I
v
§ s $ I $ Ч5 * $ Xi 1 1 * *1
< 4 !^-<2£У t $1 1 4)
Конденса тем Кэнденеа ropt <s e i $ t j J MS H 1 "$ в
•o
V X s M 1 |V м 1
1 1
8> 1^ S>Q Sk
* 9. 57 4-1
§ 1 <0 U 0077- & I 8ч M § 45 8> §
*0 c> 1 N y>
xT 1 4S Si
s> 1
fey 1 T И
s 1 5a ~ Ю 1
* ^1
4
*> 4i ЧЛ «J £
4
8ч V
&. V *1 &
Lp 45 •0 I 4 % У С: 1
। li
45 ki
1 <5
§ < 1 *
< 1
к
1
z Ad £z-900 8X9 ox? XVHAA/Tf 9SG
> Ad 9/ 900 8X9 OX? ahvsaax 09 a
/ Ad 99-900 2X9 OX? A 89SAI X 690
А ^6dXO-?6O 8X9 OX? SOdTZAOXAdX 8SQ
А Ad 89-900 0X9 OX? SAdHSSAS ASQ
А Ad 9Z-900 8X9 OX? ZUX9SAX hSd Asa
i
z AU ZO-68Z ?O9 OX? dPASASx osabirQ
A Ad AO- 900 8X9 Ox? ZM.ASAX 8Xd
A Ad £8-900 8X9 OX? 8X9 SA AS iXd
z Ad AO-900 8X9 OX? ZAdAAAX 9X0’Abu
A Ad 80-900 8X9 OX? AMASA? Add
A Ad OS- 900 8x9 OX? SJVSSa X SAG
A Ad SO-900 8X9 OX? ZXU.SSAX zxa
A Ad SO- 900 2X9 OX? SMSSAX Add
1
/waxvodXM/v
энкеьаниди ч>М эннваонамне>1 >Hlnh BlbllQO • '>u EH<»£ ।
-on -О^й^-Ot UOf z AAd XA-68Z 8XS O^9 S3HSAS'S 080’690 —
A Ad AO - 900 2X£ OS? 999SAX X 89 G
A Ad 9S-9OO 8X9 OX? AH9SAA8 d9d
SSXSSsX VH Timwos uqjf A Z A Ad AS-68 Z 8X9 OX? A3HASSS y990 1 Ad 9O-68Z 8X9 OX? ddHASSX SiQ'hSQ —
— A Ad /А - 8 SA 899 OX? AHVASSdS Ad90-6AA 8X9Ox? 9ZUV63S8 £sa zsa —
— A A AdAA-SXd 8X9 OX? 9899089dd Ad ZO-SXd 8d£ OX? VAA99O8AdS as a 09 Q —
A Ad AO- 900 AXA OS? 891/SSAV 670_ —
A Ad 2Z-9OO 8X9 Ox? X9HASA8 2ZQ
— A 6d 9A SAd 8X9 OX? 72dHO8Ad2 tZQ
— 3 Ad 8A9 8X9 09? dAAdSOSdX 970"6AQ — —
A Ad 99 SOO 2X9 ОХ? /99ААА8 8AQ —
HIHR».|M>ld|| я ЭИКЕН' Я >KllV|| ll'll.lh И»Г» tlQO iJ RH«»f !
1 i II» 116» Ilia Kill К IIkIIVcHoIIMIIHL i к"" | Примечании
1 Микросхемы
1 1
! D67 К7554П5 Яко 548 006-88 ТУ 7
1’ -
D62 К 755/1/! К Яко 54g 006-56 ТУ 7
Резона тор
вЦ1 РК /69У А - 74 г с - гоооо к /
040 558 077 ТО
Г/ Роб е ткл Я05. 647. 027 7 Лоп.ланена ла 'маи-икапвк-е
1
кг РозеткА Я05. 647.080 7 Допзон&та мя 0^53^^^
КЗ Соединитель 0НЦ-8Г- 7-5/76 - Р 7
ГОСТ 72568 -78
м Соединитель ОНЦ-вг- 4- 5/76-8 7
ПОСТ 78568-78
Хб Соединитель ОНЦ -6Г-77- 7/76 -Р 7
РОСТ 72368 - 78
j <«1Н* Пт о6<ИП<1 чсинс Нанмепонани! Кол 1 |[Н|М(Ч»ИИ«-
Хла-Зиатура.
1
с/ конденсатор С5О-76-Т 6Ш~5ОнЯ 7
0*0 464772 ту
Df /Китросхена. х1Р58О3355л1 7
ЯЬО 34& 745-02 ТУ
\81: К./2 Резистор МТ-О725-$7еОн 70% 72
0*0 467. 780 ТУ
Ц/З Резистор М7Г-О, 725-560 Он ±70% 7
0X0 467. 780 Ту \
К 74 Резистор 27.10-0,725-7сОн 7 70% 7
0*0 467 780 ТУ
M..S80 * ла 8мша. 80
701. .. ¥00 /иод Ш. 522Б 4р5 562.029 ту 72
7013 Ннднсатор единичным /450062/ 7
—— 1 а 40 556 076 ТУ -
М1 ЗЬоног- пьезосераничессн е/ 7
ЗП-1 12 NO ОЦ.Овб ТУ
II.» к.. ItpIlMUIrlfHIl
Блок мгома
1
Резисторы /V5/Z" ОЖО.467. /&ОТУ
1 PesucroPb/ 05-/6 CDKt. 46/5/5 ТУ
Резисторы СП5- 1683 ОЖО4685™.
05- /6/46 - 6ffr -0,20* ±2 7. 1
Hl MT-0,25- /, 5«О*±107.
i
I R.5 ШАГ-0,25-4,ЗкО*±/о% /
«4 СП5- 1683-0,587-2,2*0* ±j>% /
R.5 MIT-0,25-/,Z 40* ± KO % /
H6 MT-2 - 3,0 О* ±Ю7„ /
^7 MT-0,25 -2*0* ±/0 7. f
MT-0,25-Z 2*0* ±07, /
£9 СП5- 7663 0,58т- /ОкО* i 57. / 1
1 - — —
К 10 MT- 0,25 - 1,2 к О* ±/О 7o /
I _ J
£// МТ-/- 5,9 О* /007.
I — 1 —
Зона По обозна- чение Наимениоаинс Кол Примечание
Решсторы ШТ 050 ^6/ 120 ту
Ре5иегоры СЛ5-16Ы 050.468 519 ту
иг УАТ-0,25-2к0н t /07. 1
2.16 МТ-0,25-22к0*1 /О% /
214 СП5-16М-0.56Т-2.2*0* ±57. 1
2/5 ШТ- 0,25 - 1,2к0н ± /07. 1
216 НАГ-0,5-150* ± 107. 1
Конденсаторы K5D-16 0X0.464.111 ТУ
Конденсаторы /50-24 0X0.464 16/ ту
Конденсаторы КН-55 0X0 460.045 ту
21,Cl К50-16-256 /ООО н*<Р 2 Кбп. •за^ё/^у нс a:SO ЗУ
С5 КН-55-Н90-0.15нкГ t^S °4
С4 /50 -24 -256 -22н*5> % 1
С5 650-/6-506-200 икБ 1 Поп ^атгено на KSO-35
СЬ КН -55-Н90 -0,15ыкН 1
С/ /50-24 -256 -22н>дР 1
1 | Зии в П<1 <i6iMiia чеиис Нацменованке j К..-. 1 1 |рнмгчаннс
ТЗопТланена ча нзо-35-
С8 Конденсатор /
К 50 16 506 1ОО w? ВИ
0Ж0 6М 17/ТУ
С-9 Конденсатор 1
КН-65-Н90-0.15**? *-1°о %
0*0 960 095 ТУ
СЮ Конденсатор 4
К50-29-256-22^ t[%%
0*0669.161 ТУ
изделия полупроводниковые
W1.. VD9 Лнод KA2D26 9*3.562 036 ТУ 9
W5...VD12 Анод КАЮ5А ТГ5. 362.032 7У А
VT1 Транзистор КТ90М Ге3.365.0/2 ТУ 1
VTZ Транзистор КТ&Т5А оА0.336.1&5 ТУ /
—
5'f
I 3-Hia 1 th 1 ибо >||« tl'hllVCHOMSflllt* К<м 11рнм«-чаии<-
Микросхемы 5юО 547. OS>X ту
М/ CP/42EH/A / —
1—
1 [da г KP-fPZEHZA /
1 DAS KP/4ZEH/A /
1
X/ Сое Зи ни ге/к> ~6Г- 7- 5//6 - P ПОСТ /2568 -78 / —
*2. Емизза 38ухпо/1юсна.я /
— — вЩ-Ц-Z- /7- 6/220 - О РОСТ 7396-76 — —
— $/ Перек/1кМатеиь сехкх ПК9 кнопка п/зяноиеоабоая 20, н/з<хслоу /060. 360.006 ТУ —
7V ТрансЕОР/чо. гор ЯПО 702. ОО/ /
— HL1 /а. х/па. Мр9 -60 7 —
— — ТУ/6-6-75-. 223-87 —
— — — — —
| i iiia IbiiM. n> .напиг | к..,. 1 11рнм< чанч<
J /V ИсгсОса гм a. 6 c а Я Z
№/-/ -M 2 SO в
1 ОЮО 02,0 005 ТУ
1 1 F2 ~ fjCraf/eCL П1а6са.я 8№6~Г2 Z
ОЮО Off ОМ ГУ
F3,F0 всга&са г?/1а&са.Я В/7Г6М 2
ОЮО ОМ 02/ 7У
Зпк 2076 - f0000.