/
Author: Нефедов А.В. Нефедова М.Ю.
Tags: электротехника микрорадиоэлектронная аппаратура микроэлектроника электроника радиоэлектронные аппараты энергоатомиздат
ISBN: 5-283-01666-8
Year: 1995
Text
ЗАРУБЕЖНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ А.В.Нефедов М.Ю.Нефедова ОБОЗНАЧЕНИЯ ТОВАРНЫЕ ЗНАКИ
ББК 32.844.1 Н58 УДК 621.3.049.77(035.5) Серия основана в 1995 году Нефедов А. В., Нефедова М. Ю. Н 58 Обозначения, товарные знаки, корпуса ИМС: Справочник. — М.: Энергоатомиздат, 1995. — 12Q с.: ил. — (Зарубежные инте- гральные микросхемы). ISBN 5-283-01666-8 Приведены стандартная система условных обозначений и внутри- фирменные обозначения зарубежных ИМС, товарные знаки фирм, уни- фицированные конструкции корпусов ИМС, выпускаемых более 160 ведущими инофирмами. Книга является первой из готовящейся к изданию серии справочных книг по номенклатуре и параметрам за- рубежных ИМС. По сравнений с ранее изданными справочниками номенклатура ИМС и число представленных фирм многократно уве- личены Для радиолюбителей и специалистов, занимающихся ремонтом и наладкой зарубежной РЭА, а также экспортно-импортными операция- ми на рынке электронных изделий. 230203070а 056 Н 05Ц01).&------ Бе3 о61,явл- ББК 32.844.1 ISBN 5-283-01666-8 ©Авторы, 1995
ПРЕДИСЛОВИЕ В настоящее время в стране находится и непрерывно пополняется большой парк импортной радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) как промышленного, так и бытового назначения, основной элементной базой которой являются различные типы аналоговых и цифровых интегральных микросхем (ИМС). При воспроизведении различных электронных устройств или отдель- ных узлов, при ремонте и наладке зарубежной РЭА необходимо знать эксплуатационные параметры ИМС (электрические параметры, тем- пературный диапазон работы, маркировку выводов и их. назначение, тип корпуса и др.), информация о которых пока доступна лишь очень узкому кругу специалистов. Сведения, которые содержатся в сопровождающей аппаратуру доку- ментации, носят, как правило, рекомендательный характер по правиль- ному ее использованию, и их совершенно недостаточно для устранения каких-либо даже мелких неполадок, а тем более для ремонта при серьезных неисправностях. Потребность в более подробной информации об основных элементах зарубежной РЭА различного назначения возросла особенно в настоя- щее .время, когда отечественный рынок заполнен в основном РЭА зару- бежного производства. По мнению авторов, значительную помощь в обеспечении такой ин- формацией должна оказать серия готовящихся к изданию справочных книг с общим названием ’’Зарубежные интегральные микросхемы”, состоящая из восьми книг следующего содержания: 1. Обозначения, товарные знаки, корпуса ИМС. 2. Операционные усилители и усилители низкой частоты. 3. Стабилизаторы напряжения. 4. ЦАП ц АЦП. 5. Коммутаторы и ключи. 6. Логические ИМС. 7. Запоминающие устройства. 8. Микропроцессорные ИМС широкого применения. По содержанию эта серия книг является многократно расширенным по представительству фирм-изготовителей и составу ИМС изданием спра- вочника ’’Зарубежные ИМС для промышленной электронной аппарату- ры” А. В. Нефедов, А. М. Савченко, Ю. Ф. Феоктистов. М.: Энергоатом- 3
издат, 1989. В частности, в названном справочнике приведены сведения о продукции 90 фирм-изготовителей, в новой же серий - более чем 160 фирм-изготовителей. В предлагаемой вниманию читателей первой книге серин ’’Обозначе- ния, товарные знаки, корпуса ИМС” приводится исчерпывающая ин- формация по идентификации зарубежных ИМС, которая должна по- мочь любому читателю, будь то высококвалифицированный специалист или начинающий радиолюбитель, разобраться в фирменной принадлеж- ности ИМС и ее назначении, а также других сведениях об ИМС, зало- женных уже в ее фирменном кодовом обозначении. В справочнике приведены стандартизированные условные обозначения зарубежных ИМС европейских стран по системе Pro Electron, внутри- фирменные обозначения ИМС более 160 фирм стран Европы, США, Японии, Южной Кореи, Канады, Индии, Гонконга, Тайваня и др. и их товарные знаки. Приведена обширная информация о типах и унифицированных конструкциях корпусов ИМС (до сих пор в справочниках она приводи- лась в очень малом объеме). Впервые дана информация о тепловых сопротивлениях корпусов раз- личных типов. По всем вопросам, касающимся данного справочника и других книг серии, просьба обращаться в издательство по адресу: 113114, Москва, Шлюзовая наб., 10. Авторы
РАЗДЕЛ 1 УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЗАРУБЕЖНЫХ ИМС 1.1. ОБОЗНАЧЕНИЯ ИМС ПО СИСТЕМЕ PRO ELECTRON За рубежом существуют различные системы кодирования (марки- ровки, услрвные обозначения) ИМС, действующие как в международ- ном масштабе, так и внутри отдельных стран и фирм. В европейских странах система кодирования ИМС аналогична систе- ме, принятой для кодирования дискретных полупроводниковых прибо- ров, и используется полупроводниковыми фирмами различных стран - Англии, Бельгии, Италии, Испании, Нидерландов, Швеции, Франции, ФРГ и др. Основные принципы кодирования системы, по которой обозна- чения присваиваются международной организацией Pro Electron, при- водятся ниже. Код состоит из трех букв, за которыми следует серийный номер (например, ТВА 810, SAB 2000, FLH101). Первая буква (для одиночных схем) отражает принцип преобразо- вания сигнала в микросхеме: S - цифровая; Т - аналоговая; U— смешанная аналого-цифровая. Вторая буква не имеет специального значения (выбирается фирмой- изготовителем), за исключением буквы ”Н”, которой обозначаются гибридные микросхемы. Для серий (семейств) цифровых микросхем первые две буквы (FA, FB, FC, FD, FE, FF, FJ, FI, FL, FQ, FT, FZ, FY, GA, GB, GD, QM, GT, GX, GY, GZ, НВ, НС) отражают схемно-технологические особен- ности, например: F Y - ЭСЛ-серия; FD, GD - МОП-схемы; FQ — ДТЛ-схемы; GA - маломощные ТТЛ-схемы; FL, GF — стандартные ТТЛ-схемы; GJ — быстродействующие ТТЛ-схемы; GM— маломощные с диодами Шоттки ТТЛ-схемы; НВ — комплементарные МОП-схемы серии 4000 А; НС — комплементарные МОП-схемы серии 4500 В. 5
Третья буква обозначает рабочий диапазон температуры или, как исключение, другую важную характеристику: А — температурный диапазон не нормирован; В - от 0 до + 70 °C; С - от-55 до+ 125 °C; D - от -25 до+ 70 °C; Е-от -25 до+ 85 °C; F —от -40 до+ 85 °C; G-ot -55 до+ 85 °C. Затем следует серийный номер, состоящий минимум из четырех цифр. Если он состоит менее чем из четырех цифр, то количество цифр увеличивается до четырех добавлением нулей перед ними. Кроме того, за цифрами может следовать буква для обозначения варианта (разновидности) основного типа. Типы корпусов могут обо- значаться одной или двумя буквами. При двухбуквенном обозначении Вариантов корпусов (после серий- ного номера) первая буква отражает конструкцию: С — цилиндрический корпус; D — с двухрядным параллельным расположением выводов (DIP). (В дальнейшем для краткости записи принято, что число, стоящее после аббревиатуры DIP (от англ. Dual In-line Package) указывает на количе- ство выводов, например: DIP-8 - DIP с восьмью выводами; DIP-40 - DIP с 40 выводами); Е - мощный с двухрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом); F - плоский (с двухсторонним расположением выводов) ; G - плоский (с четырехсторонним расположением выводов); К — корпус типа ТО-3; М - многорядный (больше четырех рядов); Q — с четырехрядным параллельным расположением выводов; R - мощный с четырехрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом); S — с однорядным расположением выводов; Т — с трехрядным расположением выводов. Вторая буква указывает материал корпуса: G — стеклокерамика; М - металл; Р — пластмасса; X - прочие. Обозначения корпусов с одной буквой: С - цилиндрический; D — керамический DIP; F — плоский; L — ленточный кристаллодержатель; 6
Р — пластмассовый DIP; Q — с четырехрядным расположением выводов; Т — миниатюрный пластмассовый; U - бескорпусная ИМС. В старом коде действовавшем до 1973 г., первые две буквы обо- значают то же, что и в современном, а третья буква отражает функ- циональное назначение: А - линейное усиление; В - частотное преобразование/демодуляция; С - генерация колебаний; Н — логические микросхемы; J - двустабильные или мультистабильные микросхемы (делители частоты, триггеры, счетчики, регистры); К - моностабильные микросхемы (одновибраторы, ждущие муль- тивибраторы) ; L - цифровые преобразователи уровня (дешифраторы, драйверы); М — микросхемы со сложной логической конфигурацией (например, сумматор); N - двустабильные или мультистабильные микросхемы (с длитель- ным хранением информации); Q — оперативное запоминающее устройство (ОЗУ); R - постоянное запоминающее устройство (ПЗУ); S — усилитель считывания с цифровым выходом; Y — прочие микросхемы. Следующие затем первые две цифры указывают серийный (регистра- ционный) номер (от 10 до 99), а третья цифра — диапазон рабочих тем- ператур: 0 — температурный диапазон не нормирован; 1 - от 0 до+ 70 °C; 2-от -55 до+125 °C; 3-от-10 до+ 85 °C; 4-от+ 15до+ 55 °C; 5-от —25 до+ 70 °C; 6-от —40 до+ 85 °C. Например, ИМС типа FYH 121 является цифровой логической ИМС (буква Н) и относится к семейству FY (ЭСЛ). Она совместима с други- ми ИМС этой серии (семейства), т. е. используется при таком же напря- жении питания, при тех же входных и выходных уровнях, имеет то же быстродействие. Это третий прибор серии (цифра 12), работает в тем- пературном диапазоне 0—70 °C.
1.2. ВНУТРИФИРМЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ИМС Ниже приводятся другие условные обозначения ИМС некоторых за- рубежных фирм. В начале дается пример внутрифирменного обозначе- ния, а затем на его основе показано цифро-буквенное кодирование ИМС. Фирма Actel Corp., США Пример обозначения: ACT 1010 - JL44 С 12 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: ACT (Application Configurable Technology) — вентильные матрицы. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса и количество выводов: JL - керамический кристал- лоноситель; PL — пластмассовый кристалтгоноситель (PLCC); PG — штырьковый керамический. 4. Рабочий диапазон температур: С - от 0 до + 70 °C; I - от -40 до + 85 °C; М, R - от -55 до + 125 °C. Фирма Advanced Analog, США Пример обозначения: VDAC 0405 J 1 2 3 L Фирменное буквенное обозначение: A, AD, ADC, AF, АНЕ, АТ, ATW (ГИС); DAC, DACHK, DAS, LD, MDAC ~ множительные ЦАП; RS (ГИС); RGBDAC, VDAC - видео ЦАП; VFC - преобразователи напряжение - частота. 2. Серийный номер. 3. Рабочий диапазон температур: J, К - от 0 до +70 °C; S, Т -- от -55 до+ 125 °C. Фирма Advanced Linear Devices |пс., Швейцария Примеры обозначения: ALD 2706 S В; AT 27НС64 L 1 2 3 4 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: ALD, АТ. 2. Серийный номер и технология: НС — быстродействующие КМОП. 3. Тип корпуса: D — керамический DIP; М — металлический; Р пластмассовый DIP; S (SOIC) - мини-DIP; Z - бескорпусная ИС. 4. Количество выводов: А — 8; В — 14; С — 16; D — 18; Е — 20; F - 22; G - 24; Н - 28; I - 36; J - 40; К - 44; L - 48; М - 64. 8
Фирма Advanced Micro Devices, США Пример обозначения: AM 27 S 18 F М 1 2 3 4 5 6 1. Фирменной буквенное обозначение: AM; PAL; HAL - матрицы. 2. Функциональное назначение и технология: 21 — запоминающие устройства МОП-типа; 25, 54, 74, 93 - ТТЛ-типа (средний уровейь ин- теграции); 26 - интерфейсные схемы; 27, 31 - биполярные запоми- нающие устройства; 28, 90, 92, 94, 95 — схемы МОП-тица; 29 — бипо- лярные микропроцессоры; 60, 61, 64, 66 — аналоговые биполярные схемы; 79 - ИМС для систем связи; 80 - микропроцессоры МОП- типа; 81, 82, 95 — периферийные схемы биполярные и МОП-типа; 91 - оперативные запоминающие устройства МОП-типа; 98 — перепрограм- мируемые запоминающие устройства; 99 — запоминающие устройства КМОП-типа; 104, 1004 - запоминающие устройства ЭСЛ-типа; PAL - программируемые логические матрицы. 3. Тип схемы (технология): L - маломощные; LS — маломощные с диодами Шоттки; S - с диодами Шоттки; С - КМОП. 4. Серийный номер. 5. Тип корпуса: D - керамический с двухрядным расположением выводов DIP; F — плоский; Н - металлический; G — штырьковый; J - кристаллоносигель (LDCC); L — безвыводной микрокорпус; Р - пластмассовый DIP; S - мини-DIP; X - бескорпусная ИМС. 6. Рабочий диапазон температур: С - от -10 до +70/75 °C (коммер- ческое назначение); I — от -40 до +85 °C; М - от —55 до +125 °C (специальное назначение); L — от -55 до +100 °C или от -30 до + 85 °C. Фирма Allegro Microsystems, США Примеры обозначения: UL N 2111 А; А 8958 S ЕА 1 2 3 4 1 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: A, UC - КМОП; UD - мощные схемы управления; UG - схемы на эффекте Холла; UH — периферий- ные и схемы управления дисплеями; UL - линейные схемы; М - модули или сборки. 2, Рабочий диапазон температур: N - от -?20 до +85 °C; Q - от -40 до+ 85 °C; S-от-55 до+ 125 °C. 3. Серийный номер. 4. Тип корпуса: А — пластмассовый DIP; В — пластмассовый DIP с теплоотводом; С - кристалл; CW - металлический с тремя вывода- ми; D — безвыводной кристаллоносигель; Н — плоский с 14 выводами; J — пластмассовый мини-DIP; L — пластмассовый DIP с восьмью вы- водами; М - керамический DIP; R — однорядный с четырьмя выво- дами (SIP); S - однорядный с тремя выводами (SIP); Т - тонкий одно- 9
рядный с тремя выводами; U — с монтажным фланцем; V — одноряд- ный с 12 выводами; W - типа ТО-92; Y - типа ТО-220 с пятью выво- дами. Для серии UH: 2. Тип корпуса: С - плоский; D - DIP; К - кристалл; Р - пласт- массовый DIP, Для буквенного обозначения А: 2. Рабочий диапазон температур: С - от 0 до +70 °C; Е, К - от -40 до + 125 °C; М — от —55 до + 125 °C; X — специальный. Фирма Altera Corp., США Примеры обозначения: ЕР 600 D М; EPS 444 D С-2 1 2 3 4 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: ЕР - программируемые логи- ческие схемы; EPS — статические запоминающие устройства; ЕРМ — продукция фирмы Maxim. 2. Серийный номер. 3. Тип, корпуса: D - керамический DIP; G - керамический штырь- ковый (PGA); J - керамический кристаллоноситель; L — пластмассо- вый кристаллоноситель (PLCC); Р - пластмассовый DIP; Q - пластмас- совый четырехрядный плоский корпус (PQFP); S - пластмассовый мини-DIP. 4. Рабочий диапазон температур: С — от 0 до +70 °C; I — от —40 до + 85 °C; М - от -55 до + 125 °C. 5. Быстродействие (частота): 2-20 МГц; 3 — 30 МГц. Фирма American Microsystems Inc. (AMI), США Пример обозначения: S 2559А Р 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: S (другие варианты: MX, UL, SP). 2. Серийный номер и вариант прибора. 3. Тип корпуса: С — керамический с трехслойной металлизацией; DE - керамический DIP; L - безвыводной; Р - пластмассовый; S - с однослойной металлизацией (SLAM — Single Layer Metallization); T - типа ТО (стандартный корпус, принятый в США). Фирма Anadigics Inc., США Пример обозначения: АОР 3510 F1 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: АОР. 2. Серийный номер. 10
3. Тип корпуса: D1 - бескорпуспаяИМС (кристалл); F1 - плоский; J3 - керамический DIP с металлической крышкой. Фирма Analog Devices Inc. (ADI), США Примеры обозначения: AD 7520 A J N; AD 7512 DI К D 1 23451 2 345 1. Фирменное буквенное обозначение: AD; HAS — гибридные схемы АЦП; HDS - гибридные схемы ЦАП; ADSP — цифровые сигнальные процессоры; OSC - генераторы. 2. Серийный номер. 3. Вариант прибора (одна или две буквы); А - второй поставщик; DI — с диэлектрической изоляцией; Z — с напряжением питания ± 12 В. 4. Диапазон температур: А, В, С - от —25 до + 85 °C (промышленное назначение); I, J, К, Ц М - от 0 до +70 °C (коммерческое назначение); S, Т, U - от -55 до + 125 °C (специальное назначение). 5. Тип корпуса: D - керамический DIP с крышкой; Е — безвывод- ной кристалло держатель (микрокорпус); F — плоский керамический; G — штырьковый (PGA); Н — металлический; N — пластмассовый DIP; Р - пластмассовый кристаллоноситель (PLCC); Q — керамический DIP; CHIPS — кристалл (бескорпусная ИМС); R — мини-DIP; V — со столбиковыми выводами; Y — однорядный; Z — керамический кри- сталлоноситель (LCC). Фирма Analog Systems, США Пример обозначения: М А 332 С Р 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: М (монолитные схемы). 2. Функциональное назначение: А — операционные усилители; D — мощные схемы управления; К — компараторы; Z — усилители тока. 3. Серийный номер. 4. Рабочий диапазон температур: С — от 0 до +70 °C; I — от —25 до + 85 °C; М-от -55 до+ 125 °C. 5. Тип корпуса: D - керамический DIP; Н - металлический; Р - пластмассовый DIP; Т — мощный с теплоотводом. Фирма Apex Microtechnology Corp., США Пример обозначения: WA 01 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: РА — мощные операционные^ усилители (ГИС); РВ — мощные усилители; WA — широкополосные усилители; WB — широкополосные согласующие усилители. 2. Серийный номер. 11
Фирма Asahi Kasei, Япония Примеры обозначения: АК 5326; CS 5016-К D 16 1 2 1 2 3 4' 5 1. Фирменное буквенное обозначение: АК; CS. 2. Серийный номер. 3. Рабочий диапазон температур и точность: J - от 0 до +70 °C, хо- рошая точность; К - от 0 до +70 °C, улучшенная точность; А - от -40 до +85 °C, хорошая точность; В, С - от -40 до +85 °C, улучшенная точность; S — от —55 до +125 °C, хорошая точность; Т, U — улучшен- ная точность. 4. Тип корпуса: С - керамический; D - керамический DIP; Р - пластмассовый DIP; L — PLCC. 5. Быстродействие. Фирма Atmel Corp., США Пример обозначения: AT ХХХХ XXX 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: АТ. 2. Серийный номер. 3. Быстродействие. 4. Рабочий диапазон темйератур: С - от 0 до +70 °C; I - от -40 до + 85°С; М - от—55 до + 125 °C. 5. Тип корпуса: D - керамический DIP; J - пластмассовый кристал- лоноситель (PLCC); F - плоский; G - керамический DIP; К - керами- ческий кристаллоноситель; L, N — безвыводной кристаллоноситель; М — керамический модуль; S, Т - мини-DIP; U - штырьковый (PGA). Фирма AT&T Microelectronics, США Примеры обозначения: L С 1000 7 В; 1 2 3 5 6 Т 7295 - 3 Р L 1 3 4 6 5 1. Функциональное назначение: А - матрицы; D - цифровые; Н - гибридные; L - линейные; U- СВЧ; Т - для телесвязи. 2. Технология изготовления: В совмещенная; С - КМОП; G - арсенид галлия; Н - высоковольтная. 3. Серийный номер. 4. Быстродействие. 5. Диапазон рабочих температур: С - от 0 до +70 °C; Е - от 0 до + 85 °C; L- от -40 до + 85 °C; М - от-55 до + 125 °C. 12
6. Тип корпуса: А — бескорпусная (кристалл); В — DIP-8, С — DIP-16; D - DIP-18; Е - DIP-20; F - DIP-24; G - DIP-28; Н - DIP-32; J - DIP-40; К- SO-16; L - SO-20; М - SO-28; Р - PLCC-44; R - PLCC-68; S - PLCC-8; Т — DIP-6; X — специальный; AD, AG, АК, AL, AN — керамиче- ский кристаллоносигель соответственно с 44, 32, 24, 28 и 48 выводами; AM - пластмассовый с тремя выводами; АР - DIP-14. Для ИМС для телесвязи: В — керамический (негерметичный) DIP; С - DIP; D - керамический DIP; Е - SO; F - плоский пластмассовый; J — LCC (негерметичный) ; L — LCC (герметичный); М, Т — пластмас- совый LCC; W - кристалл. Фирма Avasenv США Пример обозначения: AV 3677 65 С Q 44 1 2 3 4 5 6 1. Фирменное буквенное обозначение: AV. 2. Серийный номер. 3. Градация по параметрам. 4. Рабочий диапазон температур: С - от 0 до +70 °C; Е - от -40 до+ 85 °C; I - от-20 до+ 85 °C; М - от-55 до + 125 °C. 5. Тип корпуса: С, J — керамический DIP; F — пластмассовый пло- ский; L — керамический безвыводной кристаллоносигель (LCC);N, Р — пластмассовый DIP; Q — пластмассовый кристаллоносигель (PLCC); S, W - мини-DIP. Фирма Beckman Instruments Jnc., США Пример обозначения: 877 - 85 М V D1 1 2 3 4 5 1. Функциональные группы: 801 ... 809, 851 ... 859 - регуляторы на- пряжений; 811 ... 816, 862, 863 - резистивные матрицы; 822, 823, 833, 866 - усилители; 840 - источник опорного (эталонного) напря- жения; 845 ... 872, 877 - ЦАП; 873, 876 - АЦП; 882, 883 - активные фильтры. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: М - металлический: С, G — керамический. 4. Модификация: I - ток, V - напряжение. 5. Точность: D1 - лучшая. Фирма Benchmarq Microelectronics Inc., Швеция Пример обозначения: BQ 1001 Q - 70 N 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: BQ. 2. Серийный номер. 13
3. Тип корпуса: Р - пластмассовый DIP; Q — пластмассовый крис- таллоноситель (PLCC); S - мини-DIP; MX - модуль. 4. Быстродействие. 5. Рабочий диапазон температур: без буквы — коммерческий; N — промышленный. Фйрма Bharat Electronics Ltd, Индия Пример обозначения: CD 4030 А Е 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: CD — цифровые ИС; СА — аналоговые ИС; ВМО - ИС балансного модулятора. 2. Серийный номер. 3. Разбраковка по параметрам. 4. Тип корпуса: DF — керамический DIP; Е — пластмассовый DIP; К - плоский; М - мини-DIP (типа SO); Q - пластмассовый кристалло- носитель с выводами (типа PLCC). Фирма Bipolar Integrated Technology Inc., США Пример обозначения: В ЗОН 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: В. 2. Серийный номер. Фирма Brooktree Corp., США Пример обозначения: Bt 463 В Р 12 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: Bt. 2. Серийный номер (семейство): 100 ... 199 - ЦАП; 220 ... 299 - АЦП; 300 ... 399 — видеоусилители; 400 ... 449 — для цветных графи- ческих дисплеев; 450... 499 - ЦАП с памятью (RAMDAC). 3. Рабочий диапазон температур: A, J, R — высокий; В — от —25 до + 85 °C; С, Т - низкий; К - от 0 до +70 °C; L - от 0 до +85 °C (для ЭСЛ — серия 100К). 4. Тип корпуса: С - керамический DIP; CJ - керамический с J-вы- водами (Cerquad); F - плоский керамический; G - керамический штыревой (PGA); L — керамический безвыводной кристаллоноситель; Р — пластмассовый DIP; PJ — пластмассовый PLCC. Фирма Burr-Brown Corp. (ВВ), США Примеры обозначения: ADC 801 XXX; ОРА 605 X X 1 2 3 4 5 1 2 4 5 14
1. Функциональное назначение: DAC-ЦАП; ADC - АЦП; ATF - активные фильтры; МРС — коммутаторы; ОРА - операвдонные уси- лители; SHC - устройства выборки и хранения; VFC - преобразова- тели напряжение—частота. 2. Серийный номер. 3. Общая информация: А - улучшенные характеристики; НТ - ши- рокий температурный диапазон; Z - напряжение питания ± 12 В. 4. Рабочий диапазон температур: Н, J, К, L - от 0 до +70 °C; А, В, С - от -25 до +85 °C; R, S, Т, V, U, W - от -55 до +125 °C. 5. Тип корпуса: J — ТО-99; М — металлический; L — микрокорпус; Р — пластмассовый; G, Н — керамический; Z — восемь выводов с двух- рядным расположением. Фирма Cal Crystal Labs. Inc., США Пример обозначения: ССО 25 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: ССО. 2. Серийный номер. Фирма Catalyst Semiconductor Inc., США Пример обозначения: CAT 27НС256 D 1-70/5 1 2 3 4 5 6 1. Фирменное буквенное обозначение: CAT. 2. Серийный номер и технология: НС - быстродействующие КМОП. 3. Тип корпуса: D - керамический DIP; L — кристаллоноситель (LCC). 4. Рабочий диапазон температур: без буквы — от 0 до +75 °C; I - от -40 до +85 °C; М - от -55 до +125 °C. 5. Быстродействие в наносекундах. 6. Точность напряжения питания: 5 — Ucc = ± 5 В ± 5%; без цифр — Ucc = 5 В ± 10%. Фирма Centralp Semiconductor Corp., Франция Пример обозначения: FAB 1 04 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение : FAB. 2. Функциональное назначение: 1 - запоминающие устройства; 2 - периферийные контроллеры; 3 — контроллеры связи; 4 — цифровые вход—выход; 5 — аналоговые вход—выход; 7 — мощные источники питания; 8 — платы; 9 — дополняющие; 0 — специальные функции. 3. Серийный номер (код). 15
Фирма Cherry Semiconductor Corp., США Пример обозначения: CS 555 D С 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: CS. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: D - DIP; FN, J - PLCC; G - PGA; К - LDCC; Р - пластмассовый DIP; S, V - мини-DIP; Т - металлический (типа ТО); X - кристалл. 4. Рабочий диапазон температур: С - от 0 до +70 °C; М - от -55 до+125 °C. Фирма Cirrus Logic Inc., США Пример обозначения: CL - CD 180 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: CL - CD; CL — GP; CL — SH. 2. Серийный номер. Фирма Complinear Согрк, США Пример обозначения: CLC 942 A J Р 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: CLC. 2. Серийный номер и разбраковка. 3. Диапазон рабочих температур: J, I - от —25 до +85 °C; К, М — от -55 до + 125 °C. 4. Тип корпуса: D - керамический DIP с металлической крышкой; Р — пластмассовый DIP. Фирма Comset Semiconductors, S. Р. R. L., Бельгия Пример обозначения: TL 74141 N 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: TL. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: N — пластмассовый DIP. Фирма Consumer Microcircuits Ltd, Англия Пример обозначения: FX 101 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: FX. 2. Серийный номер. 16
Crystal Semiconductor Corp., США обозначения: CS 4 012-M D 1 2 3 4 5 енное буквенное обозначение: CS, CXT - кварцевые крис- DB — отладочные устройства (платы); CSZ — аналого-цифро- р^бразователи; СХ — заказные схемы. 2. Функциональное назначение: 3 - системы сбора данных; 4 — ЦАП; 5 — АЦП; 6 — для телесвязи; 7 — согласующие схемы; 8 — для систем. связи. 3. Серийный номер. 4. Диапазон рабочих температур: JKL и без буквы - от 0 до 70 °C; ABC, I - от -40 до + 85 °C; М, STU - от -55 до + 125 °C. 5. Тип корпуса: С - керамический с металлической крышкой (одно- сторонней пайкой); D — керамический DIP; керамический безвыводной кристаллоноситель (CLCC); L — пластмассовый кристаллоноситель (PLCC); S — мини-DIP (типа SO); U - бескорпусной (негерметизирован- ный) кристалл. Фирма Cypress Semiconductor Corp., США Пример обозначения: CY 7С128 - 35 D М 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: CY. 2. Серийный номер. 3. Модификация по быстродействию. 4. Тип корпуса: В, G - штырьковый; D - керамический DIP; J - PLCC; L - безвыводной; Р - пластмассовый;’ S - мини-DIP; F, U — плоский; PF, PS - пластмассовый SIP; PZ — пластмассовый ZIP; Y - керамический LCC. 5. Диапазон температур: С - коммерческое назначение (от 0 до + 70 °C; I - от -40 до+85 °C; М — специальное назначение (от -55 до+125 °C). Фирма Cyrix Corpi, США Пример обозначения: СХ 83S87 - 20 12 3 1. Фирменное буквенное обозначение: СХ. 2. Серийный номер. 3. Частота (быстродействие): 20-20 МГц. Фирма Dallas Semiconductor Corp., США Пример обозначения: DS 1000 - 50 12 3 17 2-6236
1. Фирменное буквенное обозначение: DS. 2. Серийный номер. 3. Быстродействие. Фирма Datel Systems Inc. (DSI ), США Пример обозначения: AM 490 - 2 AC 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: ADC - АЦП; AM - усилите- ли; DAC - ЦАП; DAS - система сбора данных; FU, FLT - фильтры; MV, MX — мультиплексоры; SUM - схемы выборки и хранения; VFQ, VF - преобразователи напряжение—частота; VR - источники опорного напряжения; VI — преобразователи напряжения; ТТ — датчи- ки температуры. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: для монолитных схем: 1 — DIP с 14 выводами; 2 — тип ТО-99; для гибридных схем: G - пластмассовый; М - металличе- ский. 4. Вариант прибора по параметрам (буквенное обозначение). 5. Диапазон температур: С - от 0 до +70 °C; М — от -55 до + 125 °C; R-от -25 до + 85 °C. Фирма Digital Equipment Corp., США Пример обозначения: DC 010 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: DC, DCJ. 2. Серийный номер. Фирма Dionics Ina, США Пример обозначения: DI 510 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: DI. 2. Серийный номер. Фирма Elantek Ina, США Пример обозначения: Е L 2003 С G; 1 2 3 4 5 Е НА 2-2520 -8 1 2 5 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение : Е. 2. Семейства (серии): DH, LH — аналоги фирмы NSC; L - линейные; N — л-р-и-матрицы; Р — р-и-р-матрицы; НА — аналоги фирмы Harris. 18
3. Серийный номер. 4. Рабочий диапазон температур: С - от -25 до +85 °C; без буквы - от -55 до +125 °C; 1 - от 0 до +200 °C; 2 - от -55 до +125 °C; 4 - от -25 до +85 °C; 5 - от 0 до + 75 °C; 9 - от -40 до + 85 °C. 5. Тип корпуса: D- керамический DIP; F - плоский; G - металли- ческий ТО-8; Н - металлический ТО-97 или ТО-99; К - металлический ТО-3; L - безвыводной кристаллоносигель; N - пластмассовый DIP; Т - типа ТО-220; 1 - керамический DIP с 14 выводами; 2 - металли- ческий ТО-99; 3 — пластмассовый DIP; 4 — безвыводной кристаллоно- ситель; 7 — керамический DIP с восьмью выводами; 8 — мини-DIP (SO); 9 — плоский; 0 — кристалл. Фирма Elcap Electronics LtcU Гонконг Пример обозначения: EL 74НС00 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: EL. 2. Серийный номер. Фирма Electronic Design Inc., США Пример обозначения: EDI 8 М С 100 С В 1 2 3 4 5 6 7 1. Фирменное буквенное обозначение: EDI, EDH. 2. Семейство: 4 - динамические ОЗУ; 5 - ПЗУ с электрическим сти- ранием информации; 7 - ПЗУ со стиранием информации ультрафиоле- товым светом; 8 - статические ОЗУ; 9 - специальные, заказные. 3. Вид изделий: без буквы - монолитные; F, М - модуль. 4. Технология изготовления: В - биполярная; С, Н - КМОП; L, Р — маломощная КМОП; N—иМОП. 5. Быстродействие: 20—20,200—200 нс. 6. Тип корпуса: С, D, Q — керамический DIP; F — плоский; G — штырьковый (PGA); J - керамический кристаллоноситель; L - без- выводной кристаллоносигель (LCC); Р, R — пластмассовый DIP; S - типа SIP; Т — тонкий DIP; U — кристалл; W — типа SO;Z — вертикаль- ный DIP. 7. Рабочий диапазон температур: С — коммерческий; I - промыш- ленный; М — специальный. Фирма Ericsson Components Inc., Швеция Пример обозначения: PBD 3545 1 2 1. Фирменное буквеннбе обозначение: PBD. 2. Серийный номер. 19
Фирма ERSO (Electronics Research & Service Organization), Тайвань Пример обозначения: CIC 9192 E 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: CIC, ЕСА, ECD. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: Е — пластмассовый; F - керамический; Н — кри- сталл; R - кристалл на подложке. Фирма Exar Integrated Systems Inc., США Пример обозначения: XR 567 С Р 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: XR. 2. Серийный номер. 3. Диапазон температуры: С — коммерческое назначение; М — спе- циальное назначение. 4. Тип корпуса: D - бескорпусная ИМС; К - ТО-66 (модификация); Р — пластмассовый DIP; N — керамический DIP; Т — металлический (ТО-99, ТО-ЮО, ТО-101); W-пластина. Фирма Exel Microelectronics, США Пример обозначения: XL S 90С21 С -400 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: XL. 2. Рабочий диапазон температур: А — от —40 до +105 °C; Е — от -40 до+85 °C; М-от-55 до+ 125 °C; S - от Одо+70 °C. 3. Серийный номер и технология (С - КМОП). 4. Тип корпуса: С - керамический DIP; D - пластмассовый кристал- лоноситель; L - керамический безвыводной кристаллоноситель; Р - пластмассовый DIP; S — керамический DIP с металлической крышкой; U— бескорпуснаяИМС (кристалл). 5. Быстродействие. Фирма Fairchild Semiconductor Corp., США Примеры обозначения: F 38 С 70 DC; 1 2 5 3 4 дА 741А Н М; F 93L10 D С 1 2 3 4 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: Е — изготовитель; SH — гиб- ридные схемы; дА, дАБ —линейные схемы; CCD (Charge Coupled De- vices) - схемы на ПЗС; FCM, FWA - хронометрические схемы; FGC - 20
вентильные матрицы, совместимые с ТТЛ- и КМОП-схемами; FGE — вентильные матрицы, совместимые с ЭСЛ-схемами. Серийный номер и вариант (модификация) схемы в виде буквы или цифры. Серии 9000, 9300, 9N (аналогичны сериям SN5400 и SN7400 фирмы Texas Instr.) - стандартные ТТЛ-схемы (SSI); 9Н (аналогичны сериям SN54H и SN74H) - быстродействующие ТТЛ-схемы; 93L00 (MSI), 9L(SSI) - маломощные ТТЛ-схемы; 9S (аналогичны сериям SN54S и SN74S); 93S06 (MSI) - ТТЛ-схемы с диодами Шоттки; 9LS - маломощные ТТЛ-схемы с диодами Шоттки; ИС, 9500, 95100, 10000 (ЮК) - ЭСЛ-схемы; 930, 1800, 9930 - ДГЛ-схемы; 9600 - моноста- бильные схемы (с одним устойчивым состоянием); 93400 — элементы памяти; 54F00 й 74F00 - быстродействующие ТТЛ-схемы на основе улучшенной технологии с диодами Шоттки (FAST — Fairchild Advanced Schottky ТТЛ); 4000 аналогична серии CD4000 фирмы RCA; 3200, 3500, 3700, 3800, 2100, 21000, 3300, 33000, 35000 - МОП-схемы. 3. Тип корпуса: С - бескорпусная ИМС; D — керамический DIP; Е - пластмассовый цилиндрический (ТО-105, ТО-106); F - плоский (ТО-86, ТО-91); Н - металлический (ТО-5, ТО-18, ТО-33, ТО-39, ТО-52, ТО-71; ТО-72, ТО-78, ТО-96, ТО-99, ТО-ЮО, ТО-Ю1); J - металличе- ский мощный (ТО-66); К - металлический мощный (ТО-3); L - ке- рамический безвыводной кристаллоноситель; Р - пластмассовый DIP; Q — пластмассовый безвыводной; R — керамический мини-DIP; S — ке- рамический DIP (для серии F6800), мини-DIP; Т - пластмассовый мини-DIP; U - пластмассовый для мощных схем (ТО-220); W - пласт- массовый (ТО-92). 4. Диапазон температур: С - от 0 до +70/75 °C (для КМОП-схем от -40 до +85 °C); L - для МОП-схем от -55 до +85 °C, для микроЭВМ от -40 до +85 °C, для линейных схем от -55 до +85 °C, для гибрид- ных схем от -20 до +85 QC; М - от -55 до +85/125 °C; V - от -40 до+ 85 °C. 5. Технология (для микроЭВМ): С - КМОП; Е - с РПЗУ; F - с ППЗУ; L — маломощные; при отсутствии буквы — «МОП. Фирма Ferranti Electronics Ltd, Англия Примеры обозначения: ZN 432 CJ- 10; ZNREF 025 С 1 1 2 3 4 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: ZN, ZNA, ZLD; ZNREF - источник опорного напряжения (ИОН); ZSS, ZST; ULA - цифровые и аналого-цифровые матрицы; МОС, MOD, МОЕ, MOF, MOG, МОН, MOJ, MOL, МОМ — линейные матрицы. 2. Серийный номер. Серии ZN5400 и ZN7400 аналогичны сериям SN5400 и SN7400 фирмы Texas Instr, (для ИОН — номинальное на- пряжение: 025 - 2,5 В; 050 - 5 В; 100 - 10 В), 21
3. Диапазон температур: А, Е — от —55 до +125 °C; С, J — от 0 до + 70 °C. Примечание. Тип корпуса и диапазон температур: а) для преобразователей: Е — пластмассовый DIP (от 0 до + 70 °C); BE — пластмассовый DIP (от —40 до + 85 °C); J - керамический DIP (от -55 до + 125 °C); BJ - керамический DIP (от -40 до + 85 °C); CJ - керамический DIP (от 0 до + 70 °C); К - керамический кристаллоноситель (от -55 до + 125 °C); ВК - керамический кристаллоноситель (от -40 до + 85 °C); СК - керамический кристаллоноситель (от 0 до + 70 °C); б) для серий ZN54; ZN64; ZN74: Е — пластмассовый DIP; J - керамический (соответственно от -55 до +125 °C; от —40 до + 85 °C; от 0 до+ 70 °C). 4. Нелинейность для преобразователей: 6 - ± 0,78%; 7 — ± 0,39%; 8 - ± 0,19%; 9 - ± 0,097%; 10 - ± 0,049%. Для ИОН - начальный до- пуск (нестабильность): 1 - 1%; 2 - 2%. Фирма Fujitsu Electric Со. Ltd, Япония Примеры обозначения: МВ 8264 - 15 Z; MB 74LS00 Р 1 2 3 4 1 2 4 1. Фирменное буквенное обозначение: В — биполярные матрицы; С - матрицы КМОП-типа; MB, MBL; МВМ — промышленные ЗУ. 2. Серийный номер. Для серии 74 буквы обозначают: LS - маломощные с диодами Шоттки; 8 — с диодами Шоттки. Серия 400 аналогична серии SN74 фирмы Texas Instr. Серия 10000 аналогична серии МС 10000 фирмы Motorola. Серия 700 — ЭСЛ-схемы. Серии 84000 В и 84500 аналогичны сериям CD4000 В и CD4500 фир- мы RCA. 3. Время выборки (для ЗУ). 4. Тип корпуса: CV — керамический, безвыводной кристаллоноси- тель; CF — керамический плоский; PJ — пластмассовый DIP; CZ - керамический DIP; V - LDCC; РВ - пластмассовый PLCC; PR - пласт- массовый PGA. Фирма General Electric, США Пример обозначения: GEIC 40 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: GE, GEIC. 2. Серийный номер. Серия GE7400 аналогична серии SN7400 фирмы Texas Instruments, серия GE4000 — серии CD4000 фирмы RCA. 22
Фирма General Instruments Corp., США Пример обозначения: RO - 6 ХХХХ XX 12 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: AV, CU — матрицы и много- функциональные схемы для связной и телевизионной аппаратуры; СР — микропроцессоры; ВЦ DS — динамические Сдвиговые регистры с емкостью соответственно более и менее 50 бит; ER - ППЗУ с элект- рическим стиранием информации; КВ — дешифраторы; LA логиче- ские матрицы; LC - линейные схемы; LG - логические схемы; MEN — и- и р-канальные FET; МЕМ - мультиплексоры, ключи, счетчики на полевых транзисторах; MUX - коммутаторы; NC, PC - гибридные схемы; PIC, SBA - однокристальные микроЭВМ; RA - оперативные ЗУ; RO - ПЗУ; SL, SS — статические сдвиговые регистры с емкостью соответственно более или менее 50 бит; SP, SPB - для синтеза речи; UA - быстродействующие логические матрицы. 2. Диапазон температур и технология: 0 - от -55 до +85 °C (MtOS); 1 - от 0 до +70 °C (MTOS); 4 — с п-каналом; 5 - от 0 до +70 °C (MTNS); 6 - от -55 до +125 °C; 7 - MTNS; 8 - от -55 до +125 °C (с кремниевым затвором); 9 - от 0 до +70 °C (с кремниевым затво- ром). 3. Для мультиплексоров (коммутаторов) первые две цифры показы- вают типовое значение сопротивления канала в открытом состоянии rdst 01 Ю00 Ом; 02 <200 Ом; 03 <300 Ом и т. д. Остальные цифры показывают число каналов. Для оперативных и постоянных ЗУ четыре цифры показывают зна- чение информационной емкости (количество бит). Для сдвиговых ре- гистров первая цифра показывает количество схем в корпусе (1 — один, 2 — две, 3 - три и т. д.). Остальные три цифры показывают коли- чество бит в одной схеме. 4. Тип корпуса: 01 — бескорпусная (в виде кристалла); 8 — DIP с восьмью выводами; 14 — ТО-5 с четырьмя выводами; 15 - ТО-78 с восьмью выводами; 16 — ТО-5 с восьмью выводами; 17 — ТО-5 с восьмью выводами (модификация); 21 — ТО-5 с десятью выводами; 22 - ТО-5 с изолированными выводами; 23 - ТО-ЮО с десятью выво- дами; 29 — пластмассовый DIP с 24 выводами; 31 — пластмассовый DIP с 16 выводами; 32 - DIP с 24 выводами; 33 - пластмассовый DIP с 40 выводами; 35 — плоский пластмассовый с 36 выводами; 51 — ТО-8 с 12 выводами; 55 — DIP с 16 выводами; 60 - плоский с 10 вы- водами; 61 — плоский с 14 выводами; 62 — плоский с 16 выводами; 63 - плоский с 20 выводами; 64 - плоский с 24 выводами; 65 — плос- кий с 40 выводами; 66 — плоский с 36 выводами; 68 — плоский с 44 выводами; 69 - DIP с 14 выводами; 71 - DIP с 16 выводами; 72 - DIP с 24 выводами; 73 - DIP (модификация) с 24 выводами; 74 - DIP с 40 выводами; 75 — DIP (модификация) с 40 выводами; 76 — 23
DIP с 28 выводами; 77 - DIP с 18 выводами; 79 - DIP (модификация) с 24 выводами; 80 — керамический DIP с 14 выводами; 81 - керами- ческий DIP с 16 выводами. Фирма Gennum Corp., Канада Пример обозначения: G X 4104 С DE 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: G. 2. Семейство: А — матрицы; В — буфферы; С - усилители; F — фильтры; I — интерфейсные; К — заказные; М — модули; О - генера- торы; Р - мощные; Y, Z - для видеотехники. 3. Серийный номер. 4. Рабочий диапазон температур: С - коммерческий; Е,1 - промыш- ленный; М - военный. 5. Тип корпуса: СС - кристалл; DA, DB, DC, DE, DF, DG, DH, DK, DL - пластмассовый DIP соответственно c 8, 14, 16, 18, 20, 22, 24, 28 и 40 выводами; EA, ЕВ, EC, EE, EF — керамический DIP соответствен- но c 8, 14, 16, 18 и 20 выводами; KA, KB, КС, KD, KF - мини-DIP соот- ветственно c 8, 14, 16 и 20 выводами; PJ, PM - пластмассовый кристал- лоноситель (PLCC) соответственно с 28 и 44 выводами; SA, SF, SN - с однорядным расположением выводов (SIP) соответственно с 8, 20 и 7 выводами. Фирма Gigabit Logic Inc., США Пример обозначения: 10G 012А К - 3 F 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: 10G, 11G - сверхбыстродей- ствующие логические схемы (Picologic) на GaAs; 12G, 14G - сверх- быстродействующие ЗУ на GaAs (NanoRAM); 16G - матрицы диодов и полевых транзисторов, аналоговые и интерфейсные схемы; другие обозначения: 10GBPS; 10GPDK; 90G; 80G-ASIC - продукция, прото- типы. 2. Серийный номер. 3. Рабочий диапазон температур: без буквы - от 0 до +70 °C; К - от -40 до + 80 °C; М - от -55 до + 125 °C. 4. Градация (разбраковка) по быстродействию. 5. Тип корпуса: F — плоский; L — безвыводной кристаллоноситель; X - бескорпусная (кристалл); С — PLCC. Фирма Gold Star Semiconductor, Южная Корея Пример обозначения: KS 5240 Р С 1 2 3 4, 24
1. Фирменное буквенное обозначение: КА - линейные; GD, KS - цифровые; GM — МОП; GL — биполярные линейные; GLC — КМОП линейные. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: С — керамический; Е — керамический DIP; FT — плоский; D, S - SO; Р - пластмассовый; PL - LCC. 4. Рабочий диапазон температур: С — коммерческий. Фирма GTE Microcircuits Div., США Пример обозначения: G 8860А Р I 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: G — стандартные; С — спе- циальные. 2. Серийный номер и вариант. 3. Тип корпуса: С - керамический; D - керамический DIP; Е - без- выводной кристаллоноситель; Р-пластмассовый; X-кристалл. 4. Рабочий диапазон температур: без буквы — от 0 до +70 °C; I — от —40 до + 85 °C; В, М - от -55 до + 125 °C. Фирма Harris Semiconductor Corp., США Примеры обозначения: Н А 1-2900 -2; Н М 6514 В - 2 1234 512 465 1. Фирменное буквенное обозначение: Н. 2. Функциональные группы: А — аналоговые; В — отладочная плата; С — схемы средств Связи (в том числе кодеки, модуляторы); CF - бескорпусные; D - цифровые; GA, МА, MAF, МВМ, МВ, МС, МСМ — вентильные Матрицы; I — интерфейсные схемы (ключи, коммутаторы, ЦАП, АЦП и др.); М - ЗУ, микропроцессоры, диодные матрицы; МА, MD - ИМС на GaAs, PL - программируемые логические матрицы; PROM - программируемые постоянные ЗУ; RAM — оперативные ЗУ; ROM - постоянные ЗУ; S - программное обеспечение, схемы специаль- ного назначения, заказные схемы; Т - транзисторные сборки; V - вы- соковольтные; Y — аналоговые гибридные. 3. Тип корпуса: 1 — керамический с двухрядным расположением выводов (DIP); 2 - типа ТО-5; 3 — пластмассовый; 4 — безвыводной; 5 — керамическая подложка (модули); 7 — мини-DIP; 9 — плоский; 0 - бескорпусная ИМС (кристалл). 4. Серийный номер: ОХХХ диодные матрицы; 61ХХ — микропро- цессоры; 63ХХ — постоянные ЗУ КМОП-типа; 64 - интерфейсные схе- мы КМОП-типа; 65 — оперативные ЗУ КМОП-типа; 67ХХ — репрограм- мируемые постоянные ЗУ КМОП-типа; 76ХХ — биполярные програм- мируемые постоянные ЗУ. 25
5. Диапазон температур: 1 - от 0 до + 200 °C; 2 - от -55 до + 125 °C; 3 - от -200 до +300 °C (высокотемпературные специальные схемы); 4 — от —25 до +85 °C; 5 — от 0 до +75 ?С; 9 — от —40 до +85 °C, для серии 54С — от —55 до +125 °C, для серии 74С — от 0 до + 70 °C. 6. Модификация (вариант): для КМОП-схем: А - напряжение пита- ния 10 В: В - быстродействующие маломощные; С - коммерческий диапазон температуры; без буквы — стандартная продукция; для биполярных схем: А - модифицированные (двухуровневая металли- зация) ; Р - с пониженной мощностью; без буквы - стандартная серия. Фирма Hewlett-Packard Со., США Пример обозначения: HEDS - 5000 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: HEDS — дешифраторы; HCTL - шифраторы. 2. Серийный номер. Фирма Hitachi, Япония Пример обозначения: HD 2548А Р 1 2 3 1, Фирменное буквенное обозначение: НА — аналоговые; HD, HMCS - цифровые; HN — постоянные ЗУ (ROM); НМ — оперативные ЗУ (RAM). 2. Серийный номер и вариант. Серии HD10000, HD14000 аналогичны сериям МС 10000, МС 14000 фирмы Motorola; серии HD7400 HD74LS, HD74S, HD74ALS, HD75000 аналогичны сериям SN7400, SN74LS, SN74S, SN74ALS, SN75000 фирмы Texas Instr. 3. Тип корпуса: Р — пластмассовый DIP; С, G — керамический DIP; СР - пластмассовый кристаллоноситель; FP - плоский пластмассовый; SO - мини-DIP; PG - штырьковый (PGA); S - уменьшенный пластмас- совый DIP; CG — керамический безвыводной кристаллоноситель. Фирма Honeywell Ina, США Примеры обозначения: Н Е 2000 А С D; 1 2 3 4 5 6 Н DAC 9700 S I D 1 2 3 4 5 6 1. Фирменное буквенное обозначение: Н. 2. Технология и назначение: С - КМОП; Е - ЭСЛ; Т - ТТЛШ (LSTTL); ADC - АЦП; DAC - ЦАП; DAM - ЦАП с ЗУ; СМР - ком-
паратор напряжения; INA —инструментальный усилитель; SCF —фильтр на переключаемых конденсаторах; ТНА — устройство выборки и хра- нения. 3. Серийный номер. 4. Модификация. 5. Диапазон температур: С - от 0 до +70 °C; I - от —25 до +85 °C; М-от -55 до+ 125 °C. 6. Тип корпуса: DA - керамический DIP с 40 выводами; DB - то же с 64 выводами; G - PGA; LA - кристаллоноситель (LCC) с 68 выво- дами; В - кристаллоноситель с 84 выводами; С - кристаллоноситель со 148 выводами; N - пластмассовый DIP; Т - пластмассовый четырех- рядный; X - специальный; U - бескорпусной; S - микрокорпус. Фирма Hughes Aircraft, США Примеры обозначения: HNVM 3008; Н М 23С64С L 1 3 12 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: Н, НСМР — коммерческие микропроцессоры; HCTR - счетчики; HSSR - статистические сдвиго- вые регистры; HLCD - схемы управления ЖКИ; НММР - микропро- цессоры; специального назначения; HNVM — ЗУ (Non Volative Memo- ry). 2. Рабочий диапазон температур: С — от 0 до +70 °C; В, М — от —55 до + 125 °C; Е, I - от -40 до + 85 °C. 3. Серийный номер. 4. Тип корпуса: D- керамический DIP; F - плоский; G - штырько- вый; Н - бескорпусная (кристалл); L — безвыводной кристаллодер- жатель; Р - пластмассовый DIP; Y - керамический DIP. Фирма Hybrid Systems Corp. (HSC), США Пример обозначения: HS 3140 С D 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: HS; ADC94 — коммерческие АЦП; DAC3 - ЦАП; DAC93 - коммерческие ЦАП; HS5 - АЦП; R6 — прецизионные источники опорного напряжения; HSOP — опера- ционные усилители. 2. Серийный номер. 3. Назначение и диапазон температур: С — коммерческое назначе- ние (от 0 до +70 °C); ВМ — специальное назначение (от —55 до + 125 °C). 4. Тип корпуса: D — керамический DIP; J — ТО-99; N — пластмассо- вый DIP; Р — мини-DIP; Т — ТО-2; Z — CerDIP. 27
Фирма Hyundai, Южная Корея Пример обозначения: HY ХХХХХ X X - XX 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: HY; HYM - модуль. 2. Назначение (серийный номер) - первые два знака: 27 - репрограм- мируемые постоянные ЗУ; 28 — электрические стираемые постоянные ЗУ с параллельными входом и выходом; 51, 53 — динамические опера- тивные ЗУ' 61, 62, 63 - статические оперативные ЗУ; 93 - электриче- ски стираемые постоянные ЗУ с последовательными входом и выходом; остальные знаки — объем памяти. 3. Рабочий диапазон температур: без буквы-от 0 до +70 °C (мощ- ные) ; М - от 0 до + 70 °C (средней мощности); L - от 0 до +70 °C (маломощные); LL — от 0 до +70 °C (очень маломощные); Е - от —40 до + 85 °C (мощные). 4. Тип корпуса: J - типа SOP; J - пластмассовый SOJ; Р, S - пласт- массовый DIP; Т - уменьшенный SOP. 5. Быстродействие: 25 - 25, 30 — 30, 60 - 60, 85 - 85, 10 - 100, 12- 120, 15- 150 нс. Фирма Inmos Corp., Англия Пример обозначения: IMS 1 4 2 0 45 Р 1 2 3 4 5 6 7 1. Фирменное буквенное обозначение: IMS. 2. Назначение: 1 - статическое оперативное ЗУ; 2 — динамическое оперативное ЗУ; 3 — электрические стираемые постоянные ЗУ. 3, Емкость ЗУ: 4 - 16, 5 - 32, 6 - 64, 7 - 128 Кбит и т. д. 4. Организация ЗУ: 0-х1; 1 - х 2; 2-х4 ит. д. 5. Вариант прибора: 0 — стандартные; 1 — быстродействующие. 6. Быстродействие: 12 - 120, 45 - 45, 55 - 55 нс и т. д. 7. Тип корпуса: Р — пластмассовый DIP; S — керамический DIP; W — керамический кристаллодержатель. Фирма Integrated Circuit Systems, США Пример обозначения: ICS 1261 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: ICS. 2. Серийный номер. Фирма Integrated Device Technology Inc., США Пример обозначения: IDT 75С 58 D В 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: IDT. 28
2. Серийный номер и технология (С — КМОП). 3. Семейство: 29, 39, 49, 54, 74 - логические; 61, 71 - статические оперативные ЗУ; 72 — цифровые сигнальные процессоры; 75 — преоб- разователи. 4. Тип корпуса: С — DIP с металлической крышкой; D - керами- ческий DIP; J - кристаллоноситель (PLCC); F - плоский; G - штырь- ковый; L — безвыводной кристаллоноситель; Р - пластмассовый DIP; SO - мини-DIP; U - кристалл; X - специальный. 5. Рабочий диапазон температур: без буквы - от 0 до +70 °C; В - от-55 до+125 °C. Фирма Integrated Power Semiconductors Ltd, США Пример обозначения: IP 5560 AD 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: IP. 2. Серийный номер. 3. Рабочий диапазон температур и тип корпуса: AD, AJ, AN — от 0 до +70 °C и соответственно мини-DIP с 16 выводами, керамический DIP с 16 выводами и пластмассовый DIP с 16 выводами; BJ, J - от -55 до+ 125 °C керамический DIP с 16 выводами; BD, D, BN, N - от -25 до +85 °C и соответственно пластмассовый мини-DIP с 16 вы- водами и пластмассовый DIP с 16 выводами; G — ТО-220. Фирма Intel Corp., США Пример обозначения: I Р 33OOIA L - 4 12 3 4 1. Рабочий диапазон температур: I - промышленное назначение; М — специальное назначение; Q — от 0 до +70 °C; L, Т — от —40 до + 85 °C. 2. Тип корпуса: G, А — штырьковый; В — керамический DIP; С — металлокерамический DIP; D — стеклокерамический DIP; М - металлический; N — пластмассовый кристаллоноситель; Р — пласт- массовый DIP; R — безвыводной кристаллоноситель; X — бескорпу- сная ИМС. 3. Серийный номер прибора и его вариант (буквенное обозначение). 4. Модификация по мощности, быстродействию и т. п. Фирма International CMOS Technology Inc., США Примеры обозначения: ICT 1 93С46 Р 2 3 I; 4 PEEL 18CV8 Р I 25 1 2 3 4 5 29
1. Фирменное буквенное обозначение: ICT; PEEL - электрически программируемые логические матрицы. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: С - керамический DIP; J - пластмассовый крис- таллоноситель (PLCC); Р - пластмассовый DIP; К, S -. мини-DIP (SO). 4. Рабочий диапазон температур: без буквы - от 0 до 70 °C; I - от -40 до + 85 °C; М - от -55 до + 125 °C. 5. Быстродействие: 15 —15, 25 — 25, 35 — 35, 40 — 40,45 — 45, 55 — 55 нс. Фирма International Microcircuits Inc. (IMI), США Пример обозначения: IMI 145156 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: IMI (MPY - умножители). 2. Серийный номер. Фирма Intersil Inc., США Пример обозначения: IM 6518А М D D 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: DG — аналоговые ключи; D — схемы управления; G - многоканальные полевые транзисторы; IH — гибридные схемы; ICL - аналоговые (линейные) схемы; ICM — таймерные (часовые) схемы; IM - ЗУ. 2. Серийный номер и вариант прибора (буква). 3. Диапазон температур: А - от —55 до +125 °C; В - от -20 до + 85 °C; С - от 0 до +70 °C; I - от -40' до +85 °C; М - от -55 до +125 °C. 4. Тип корпуса: А — ТО-237; В — пластмассовый плоский (SO); С.— ТО-220; D — керамический DIP; Е — ТО-8; F — плоский керами- ческий; Н — ТО-66; I — с 16 выводами DIP; J — керамический DIP; К — металлический типа ТО-3 с восьмью выводами; G — керамиче- ский-RCA; L - керамический безвыгодной; Р - пластмассовый DIP; Q — с двумя выводами металлический; S - ТО-52; R - пластмассо- вый РСА; Т - ТО-5 (ТО-78, ТО-99, ТО-ЮО); U - ТО-72 (ТО-18, ТО-71); Y - ТО-39; Z - ТО-92. 5. Количество выводов: А - 8; В - 10; С - 12; Е - 16; F - 22; G -24; Н - 42; I - 28; J - 32; К - 36; L - 40; М - 48; N - 18; Р - 20; Q-2; R - 3; S - 4; Т - 6; U - 7; V - 8; W - 10; Y - 8;Z - 10; D - 14. 6. Для ЗУ технология: 6 — КМОП; 7 - МОП. 7. Для ЗУ: 1 - элементы обработки информации; 3 - постоянные ЗУ; 5 — оперативные ЗУ; 6 — перепрограммируемые ЗУ. Примечания: А. Для серии 76 (операционные усилители) при- мер обозначения: ICL 76 11 ACT 1 2 3 4 5 6 30
3. Третья цифра в серийном номере: 1 — одиночные; 2 — сдвоенные; 3 — строенные; 4 — счетверенные. 4. Напряжение смещения нуля: А - 2 мВ; В - 5 мВ; С — 10 мВ; D-15 мВ, Е-25 мВ. 5. Диапазон температур: С — от 0 до +70 °C; М — от —55 до + 125 °C. 6. Тип корпуса: TY - типа ТО-99 (восемь или четыре вывода); РА - пластмассовый мини-DIP с восьмью выводами; Р - пластмассовый DIP с 14 выводами; РЕ - пластмассовый DIP с 16 выводами; JD - керамический DIP с 14 выводами; Е — керамический DIP с 16 выво- дами. Б. Для преобразователей пример обозначения: ICL 7113 Т J Н 1 2 3 4 5 3. Разбраковка по линейности. 4. Тип корпуса. 5. Количество выводов. Фирма ITT Semiconductors Intermetall, Германия Пример обозначения: MIC 9300 1 D 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: ADC, AMU, APU, ACDP, CCU, CLK, CVPU, DF, DMA, DPU, DTI, IRT, МАА, MDA, MCU, MEA, MPX, NIP, PIP, PSP, SAA, SAF, SBA, SAK, SAJ, SAY, SPU, STA, TAA, TBA, TCA, TDA, TEA, TPU, TVP, VAD, VCU, VMC, VPU, VSP, VDPC, UAF, UVC. 2. Серийный номер прибора и его вариант. 3. Диапазон температур: 1 - от —55 до +125 °C; 5 - от 0 до +70/ 75 °C. 4. Тип корпуса: В - плоский (ТО-86); С - ТО-5; D - керамический DIP (ТО-116); N - пластмассовый DIP. Фирма IXYS Corp., США Пример обозначения: IX LD 1427 Р С 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: IX. 2. Функциональное назначение: BD - мостовые схемы управления; СР — стабилизаторы тока; DP — цифровые контроллеры, модуляторы; I — промышленные драйверы; LD - схемы управления МОП; Р — схе- мы контроля источников питания; MS — схемы контроля шаговым двигателем; S Е — дешифраторы интерфейсные. 3. Серийный номер. 4. Тип корпуса: D - керамический DIP с 18 выводами; L - безвы- водной кристаллоноситель; Р - пластмассовый DIP. 5. Рабочий диапазон температур: С — от 0 до +70 °C; I — от —40 до+ 85 °C; М- от -55 до + 125 °C. 31
Фирма JRC (New Japan Radio Co;) Ltd, Япония Пример обозначения: NJM 2043 D 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: NJM, NJU. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: А - ТО-92; D - керамический DIP; М - SO; N - пластмассовый DIP; S — однорядный (SIP); Т - металлический ТО-5. Фирма Lambda Electronics, США Пример обозначения: LAS 6320 Р 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: LAS; LMC; LPD; LLM - гиб- ридные схемы; PMR. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: L - типа ТО-96; Р - пластмассовый. Фирма Lignes Telegraphiques Telefoniques (LTT), США Пример обозначения: LTT 6122 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: LTT. 2. Серийный номер. Фирма Linear Technology Corp. (LTC), США Пример обозначения: LT 1001А С N 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: LT - линейные схемы; LTC — КМОП; ML - Цифровые схемы; AD, LF, LM, OP, REF, SG, UC - вто- рой поставщик фирм NSC, PMI, SG, Unitrode. 2. Серийньш номер и вариант прибора. ,3. Диапазон температур: С — коммерческое назначение (от 0 до + 70 °C); М — специальное назначение (от -55 до + 125 °C); X - высо- котемпературные (до 200 °C). 4. Тип корпуса: Н - металлический (типа ТО-5, ТО-46); D — DIP с 14-20 выводами; J8 - керамический DIP с восьмью выводами; J — керамический DIP с 14 и 16 выводами; К — типа ТО-3; N8 — пластмассовый с восьмью выводами; N — пластмассовый DIP с 14 и 16 выводами; Т - пластмассовый типа ТО-220 с тремя и пятью выво- дами; Z — пластмассовый типа ТО-92; Р - типа ТО-247; S - типа SO. 32
Фирма Logic Devices Inc., США Пример обозначения: L RF 08 DC 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: L. 2. Функциональное обозначение и серийный номер: PR, RF - ЗУ; МА — умножители-аккумуляторы; MU — мультиплексоры; LS — специальные функции. 3. Тип корпуса: С - керамический DIP; D - DIP; F - плоский; G - штырьковый (PGA); J - пластмассовый кристаллоноситель; К - без- выводной кристаллоноситель (LCC); L - кристаллоноситель; Р - пласт- массовый DIP; X - бескорпусная (на пластине). 4. Рабочий диапазон температур и напряжение питания: С — от 0 до + 70 °C, ^сс= 4,75 ...5,25 В; М - от-55 до + 125 °C, ^сс=4,5 ... 5,5 В. Фирма LSI Logic Corp., США Пример обозначения: LL 7080 D С 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: L, LL, LMA, LCA, LSC - вен- тильные матрицы. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: D — керамический DIP; G — штырьковый (PGA); L — безвыводной кристаллоноситель; J — пластмассовый кристалло- носитель (PLCC). 4. Рабочий диапазон температур: С - от 0 до + 70 °C; М - от -55 до + 125 °C. Фирма Marconi Electronic Devices Ltd, Англия Пример обозначения: МА 522 G В 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: МА, MDC. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: А — штырьковый; С, G — керамический DIP; L - безвыводной кристаллоноситель; М — модуль; N — кристалл; Р — пластмассовый DIP; Q — пластмассовый с четырехсторонним распо- ложением выводов; S — пластмассовый мини-DIP; X — специальный. 4. Рабочий диапазон температур: А - специальный; В — от 0 до + 70 °C; С-от-55 до + 125 °C; F-от-40 до+ 95 °C. Фирма Master Logic (ML), США Пример обозначения: ML 100 Р - 24 12 3 4 33 3-6236
1. Фирменное буквенное обозначение: ML — вентильные матрицы КМОП-типа; MLA - заказные КМОП-типа; F - прочие. 2. Количество вентилей: 50 — 50, 100 — 100, 150 — 150 и т. д. 3. Тип корпуса: Р — пластмассовый; С - керамический DIP. 4. Количество выводов. Фирма Matsushita Electronics Corp. (Panasonic, National Electronic Components), Япония Пример обозначения: DN 830 N 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: AN — аналоговые схемы; DN — цифровые биполярные; MN — цифровые МОП-схемы (ЗУ, микро- ЭВМ, периферийные устройства); J, М - разрабатываемые типы. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: без буквы — пластмассовый DIP; N — DIP; J — LDCC; R - SIP; SM, S - типа SO; H, M - модуль. Фирма Maxim Integrated Products Inc., США Пример обозначения: MAX 167 A C N G 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: MAX. 2. Функциональное назначение и вариант (буква): 100... 200 - АЦП; 200 ... 299 - интерфейсные; 300 ... 399 - аналоговые ключи и комму- таторы; 400 ... 499 - операционные усилители; 500 ... 599 - ЦАЦ; 600 ... 699 - для источников питания; 700 ... 799 — микропроцессоры, периферийные, схемы управления дисплеями. 3. Рабочий диапазон температур: С - от 0 до +70 °C; I - от -20 до+85 °C; Е-от -40 до+85 °C; М-от -55 до+125 °C. 4. Тип корпуса: А - ТО-237; С — ТО-220; D— керамический с крыш- кой; F — плоский керамический; Н - ТО-66; J — керамический DIP; К — ТО-3; L — керамический безвыводной; М — плоский пластмассо- вый; N, R - узкий; Р - пластмассовый DIP; Q — пластмассовый кри- сталлоноситель; S - SO или ТО-52; Т - ТО-5, ТО-78, ТО-99, ТО-ЮО; U-ТО-72, ТО-18, ТО-71; V-TO-39; W-SO;Z-ТО-92; D-кристалл. 5. Количество выводов: А - 8; В - 10; С - 12; D - 14; Е - 16; F - 22; G - 24; Н - 44; I - 28; J - 32; К - 35; L - 40; М - 48; N - 18; Р - 20; Q - 2; R - 3; S - 4; Т - 6; U - 60; V, Y - 8; W, Z - 10. Фирма MCE (Micro-Circuit Engineering) Semiconductor Inc., США Пример обозначения: MCE 565А J P 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: MGB, MGC, MCE.< 34
2. Серийный номер и вариант. 3. Температурный диапазон: J, К, L, М - от 0 до +70 °C; S, Т, U - от -55 до+125 °C. 4. Тип корпуса: Р - пластмассовый DIP; R — DIP с металлической крышкой. Фирма Micrel Inc., США Пример обозначения: MIC 5012 В N 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: MIC. 2. Серийный номер. 3. Рабочий диапазон температур: А - от -55 до +125 °C; В - от -40 до + 85 °C; С - от 0 до + 70 °C. 4. Тип корпуса: D - DIP с крышкой; Е - керамический с четырех- сторонним расположением выводов; Н - металлический; J -< кера- мический DIP; L - безвыводной кристаллоноситель; М - SO; N - пластмассовый DIP; Q - плоский; Т - ТО-220; V - пластмассовый кристаллоноситель; Z - ТО-92. Фирма Microelectronica, Румыния Пример обозначения: MMN 2102 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: ММС-КМОП; MMN-иМОП; оперативное ЗУ; ММР-рМОП, логические. 2. Серийный номер. Фирма Micro Linear, США Пример обозначения: ML 2230 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: ML. 2. Серийный номер. Фирма MIETEC, Бельгия Пример обозначения: МТС - 6017 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: МТС. 2. Серийный номер. Фирма Micro Networks Corp., США Пример обозначения: MN 3000 R 1 2 3 35
1. Фирменное буквенное обозначение: MN. 2. Серийный номер. 3. Диапазон температур: Е — от —25 до +85 °C; F — от —55 до + 85 °C; G - от -55 до + 100 °C; Н - от -55 до +125 °C; R - от Одо + 50 °C; без буквы-от Одо+ 70 °C. Фирма Micro Power Systems (MPS) Inc., США Пример обозначения: MP 7520 К D 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: MP; МРОР — операционные усилители; MPREF - источник опорного напряжения. 2. Серийный номер. 3. Диапазон температур: J, К, L - промышленное назначение; S, Т, U — специальное назначение. 4. Тип корпуса: D — керамический DIP; Н - металлический (типа ТО-100); N - пластмассовый DIP; S - для поверхностного монтажа. Фирма Mitel Semiconductor, Канада Пример обозначения: МТ 8804 АЕ 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: МА — матрицы; MD — цифро- вые; МН - гибридные; ML - линейные; МТ - для системы связи; СМ - модули. 2. Серийный номер и вариант. 3. Тип корпуса: С - керамический DIP; Е - пластмассовый DIP; Н — бескорпусной; Р - пластмассовый кристаллоноситель; Y - кера- мический безвыводной; D - керамический DIP с крышкой; S — SO. Фирма Mitsubishi Electronic Corp., Япония Примеры обозначения: М 5 1 01 Р; 1 2 3 4 6 М 5 К 4116 S 1 2 5 4 6 1. Фирменное буквенное обозначение: М. 2. Диапазон температур: 5 — промышленное и коммерческое на- значение (от —20 до +75 °C; от 0 до +70 °C или от —20 до +85 °C); 9 — специальное назначение (повышенной надежности). 3. Функциональное назначение и технология: 0 — КМОП; 1, 10—19 — аналоговые схемы; 3, 32, 33 - эквивалентны серии SN74 фирмы Texas Instr.; 41-47 - схемы ТТЛ; 9 - ДТЛ; 48, 49 - И1 2 3Л; 84, 89 - 36
КМОП; 85 — рМОП (с кремниевым затвором); SO—S2 — ТТЛШ (эк- вивалентны серии SN74S). 4. Серийный номер. 5. Серии приборов первого поставщика (изготовителя): А — фирмы AMD; С — серии МС фирмы Motorola; Е — фирмы Signetics; F — фирмы Fair child; G — серии фирмы General Instr.; К — серии МК фирмы Mos- tek; L - серии фирмы Intel; N - фирмы NSC; R - фирмы Rajrtheon; T — серии TMS фирмы Texas Instr.; W — серии фирмы Western Digital. 6. Тип корпуса: К - стеклокерамический DIP (К-1 с 16выводами); Р - пластмассовый (Р-1 с 14 выводами, по системе JEDEC тип ТО-116; Р-2 с 14 выводами; Р-3 с 16 выводами; Р-4 с 18 выводами; Р-5 с'24 вы- водами; Р-11 с 8 выводами); S — металлокерамический; Т — металли- ческий (Т-1 с 8 выводами по системе JEDEC типа ТО-99; Т-2 с 10 выво- дами по системе JEDEC типа ТО-100); Y - металлический с 10 выво- дами (модификация корпуса ТО-3); J - PLCC; D - керамический кристаллоноситель; FP - типа SO. Фирма Monolithic Memories Inc. (ММI), США Примеры обозначения: 6 3 S 42-1 J; 2 3 4 5 6 10 PAL 16 L 8-2 М; 74 ACT 648 1 46789 2 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: HAL — непрограммируемые логические матрицы (с жесткой логикой); PAL - программируемые матрицы; PLE — программируемые элементы. 2. Диапазон температур: 5, 54, 57 - специальное назначение; 6, 67, 74 - промышленное назначение. 3. Функциональное назначение: 0, 1 — генераторы символов; 2 — постоянные ЗУ; 3 - ППЗУ; 5 - оперативные ЗУ; 7 - микроЭВМ (про- цессорно-ориентированные схемы, большие логические ИМС). 4. а) Для программируемых ЗУ: D — диагностические; DA — диаг- ностические асинхронные; LS — маломощные с диодами Шоттки; RA — регистровые асинхронные; R — регистровые синхронные; S - с диодами Шоттки. б) Для программируемых логических матриц: количество входов матрицы. в) Для логических схем: ACT (Advanced CMOS) — КМОП, совмести- мые с ТТЛ-схемами. 5. Серийный номер. 6. Классификация по параметрам (быстродействию, мощности); для PAL — тип выхода: Н — активно высокий; L - активно низкий; С — комплементарный; R — регистровый. 7. Для PAL-количество выходов. 37
8. Для PAL — классификация по быстродействию (мощности); А - быстродействующие. 9. Для PAL — диапазон температур: С — от 0 до +75 °C; М - от -55 до + 125 °C. 10. Тип корпуса: F - плоский; J, JS - керамический DIP; L — без- выводной; N — керамический кристаллоноситель; NS — пластмассо- вый DIP; W - керамический плоский. Фирма Mostek Corp., США Пример обозначения: МК 4027 Р- 3 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: МК, МКВ, MKJ, GA, GB - вентильные матрицы. 2. Серийный номер: 1ХХХ или 1ХХХХ - регистры сдвиговые, по- стоянные ЗУ (ROM); 2ХХХ, ЗХХХ или 2ХХХХ, ЗХХХХ - постоянные ЗУ; перепрограммируемые ЗУ со стиранием информации ультрафиоле- товыми лучами; 38ХХ - элементы микроЭВМ: 4ХХХ или 4ХХХХ - оперативные ЗУ (RAM); 5ХХХ или 5ХХХХ — счетчики для средств связи (кодеки, телефония, декодеры); 7ХХХ или 7ХХХХ - для микроЭВМ. 3. Тип корпуса: Е - безвыводной керамический кристаллодержа- тель; F - керамический плоский; J - керамический DIP; К - кера- мический DIP с металлической крышкой; М — пластмассовый плос- кий; N — пластмассовый DIP; Р — керамический DIP с позолоченной крышкой; Т - керамический DIP с прозрачной крышкой. 4i Одна или две цифры показывают специальные характеристики. Фирма Motorola, США Примеры обозначения: МС 14510А L; МС 68 НС И 1 2 3 1 2 4 2 1. Фирменное буквенное обозначение: МС — корпусные ИМС; МСВ - корпусные ИМС с балочными выводами; МСВС - бескорпусные (кри- сталлы) ИМС с балочными выводами; МСС - кристаллы бескорпусных ИМС; MCCF — линейные ИМС с шариковыми выводами; MCE — ИМС с диэлектрической изоляцией элементов;МСМ — ИМС ЗУ; MLM — эк- виваленты аналоговых ИМС фирмы National Semiconductor Corp., MMS - ЗУ (системы); MHW, М68, МЕХ68 - модули; МСН - гибридные ИМС. 2. Серийный номер и вариант прибора: серии 300, 350, 1000, 1200, 1600, 10000 (ЮК), 10100, 10200, 10500, 10600 - ЭСЛ-типа; 10H00Q - быстродействующие ЭСЛ; серии 400, 500, 2000, 2100, 3000, 3100, 4000, 4300, 5400, 7400 - ТТЛ-типа; 830, 930 - ДТЛ-типа; 700, 800, 900 — РТЛ-типа; серия 14000 (в основном аналогичная серии CD4000 38
фирмы RCA) и серия 14500 - КМОП-типа; 54НС, 74НС, 54НСТ, 74НСТ - быстродействующие КМОП-типа. Для некоторых, серий диапазон температур: 15ХХ, 31ХХ, 54ХХ, 9ХХХ - от -55 до +125 °C; 14ХХ, ЗОХХ, 8ХХХ - от 0 до +75 °C; 74ХХ — от 0 до + 70 °C. 3. Тип корпуса: F — плоский керамический; G — металлический типа ТО-5; К - металлический мощный типа ТО-3; С, L - керами- ческий DIP; Р - пластмассовый; PQ — с двухрядным расположением выводов; R - металлический мощный типа ТО-66; I — SOIC - микро- корпус; Т - пластмассовый типа ТО-220; U-керамический; N-пласт- массовый DIP. Примечание. Для КМОП-схем (серии МС14000) напряжение питания, диапазон температур, тип корпуса: AL, EFL — от 3 до 18 В, от -55 до +125 °C, керамический; CL, FL от 3 до 18 В, от -40 до + 85 °C, керамический; EVL - от 3 до 6 В, от -55 до + 125 °C, кера- мический; L, Р - ограниченные напряжение питания и диапазон тем- ператур, соответственно керамический и пластмассовый; VL, LP — от 3 до 6 В, от -40 до +85 °C, соответственно керамический и пластмассо- вый; Z - ограниченные напряжения питания и диапазон температуры, безвыводной кристаллоноситель. 4. Технология: НС, НСТ - быстродействующие КМОП; без букв - «МОП. Фирма Milliard, Англия Пример обозначения: ТАА 241 В 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: FC (FCH, FCJ, FCK, FCL> FCY) - ДТЛ-схемы; FJ (FJH, FJJ, FJL, FJY) - ТТЛ-схемы; FK (FKH, FKJ) — ЭСЛ-схемы, а также ТАА, TAB, TAD, TEA, SAA, SAH (см. систе- му обозначений Pro Electron); HEF, MAB, MEA, PCB, PCD, PCF. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: В — пластмассовый DIP; D — керамический DIP; Е — металлокерамический DIP; Н, К — металлический типов ТО-99, ТО-100; Р - пластмассовый DIP; Q - плоский металлокерамический. Фирма National Semiconductor Corp. (NSC), США Примеры обозначения: LF 355А N; ADC 0800 Р с N 1 2 5 1 2 3 4 5 LM 340 К - 12 R 1 2 5 6 7 1. Фирменное буквенное обозначение: ADB — аналого-цифровой стандартный элемент; ADC — АЦП: АЕЕ — для микроЭВМ; ADS — 39
системы сбора данных; AF — активные фильтры; АН — аналоговые ключи (гибридные); AM - аналоговые ключи (монолитные); С - КМОП-типа; CD - КМОП-типа серии 4000; СОР - микроконтролле- ры; DA — AD — цифро-аналоговые — аналого-цифровые ИМС; DAC — ЦАП; DH - цифровые гибридные схемы; DM — цифровые монолит- ные схемы; DMPAL - программируемые логические матрицы; DP, DS — микропроцессоры и интерфейсные схемы; HY, HS — гибрид- ные схемы; IH - цифровые гибридные схемы; IM -цифровые моно- литные схемы; IDM, INS, IPS, ISP, NSC (серии 800,1600); MP - микро- процессоры; LF — аналоговые схемы по BIFET технологии; LFT - аналоговые схемы по BIFET-П технологии; LH — аналоговые гибрид- ные ИМС; LM- аналоговые монолитные ИМС; LP - аналоговые мало- мощные ИМС; МН - гибридные МОП-схемы; MF — монолитные фильт- ры; MCA - вентильные матрицы; ММ - монолитные МОП-схемы; NH — гибридные схемы (устаревшие); NMC - ЗУ МОП-типа; NMH — ГИС ЗУ; NSL - элементы оптоэлектроники; PAL - программируемые логические матрицы; SD - специальные цифровые схемы; SCX - вентильные матрицы; SL - специальные аналоговые схемы; SM - специальные МОП-схемы; ТР - схемы для аппаратуры связи. Примечание. Для преобразователей (ЦАП и АЦП) третья буква в буквенном обозначении показывает: С - функционально закончен- ные; В — стандартные блоки; D— измерительные приборы с цифровым отсчетом; М - модульные. 2. Серийный номер включает 3, 4 или 5 цифр. Серии 54ALS, 54AS, 74ALS, 74AS, 74НС аналогичны соответствующим сериям фирмы Texas Instruments; серии 54С, 74С - КМОП; серии 54НС, 54НСТ, 54HCU, 74НС, 74НСТ, 74HCU - быстродействующие КМОП. Дополнительные буквы к номеру: А - улучшенные электрические характеристики; С - промышленный (уменьшенный) диапазон темпе- ратур. Для ЦАП и АЦП цифры показывают количество разрядов: 08 — 8 бит; 10 - 10 бит; 12 - 12 бит двоичных разрядов; 25, 35, 37, 45 - соответственно 1 */2» .3 1/2, 3 3/4, 4 */2 десятичных разряда. Для аналоговых (линейных) ИМС первая цифра в серийном номере показывает: 1 - температурный диапазон от -55 до + 125 °C (за исклю- чением серии LM1800 для бытовой аппаратуры); 2 — для промышлен- ной аппаратуры (температурный диапазон от -25 до +85 °C); 3 - для бытовой аппаратуры (температурный диапазон от 0 до + 70 °C). Для цифровых схем: первые две цифры показывают 54, 55 — для специальной аппаратуры, а 74, 75 — для бытовой аппаратуры (все дру- гие типы с обозначением, начинающимся с цифры 7, имеют температур- ный диапазон от —55 до +125 °C); все типы с обозначением, начинаю- щимся с цифры 8, имеют температурйый диапазон от 0 до + 70 °C. 3. Для ЦАП и АЦП технология изготовления: Р — рМОП; С — КМОП; Н — гибридные; В — биполярные; N — «МОП; L — линейные; I— И2 Л. 40
4. Для ЦАП и АЦП диапазон температур: С - промышленное назна- чение. 5. Тип корпуса: D — металлостеклянный DIP; F — плоский металло- стеклянный; G - металлический типа ТО-8 с 12 выводами; Н — метал- лический многовыводной (Н-05 с четырьмя выводами типа ТО-5; Н-46 с четырьмя выводами типов ТО-46, ТО-99, ТО-ЮО); J — керамический DIP (J-8 с восьмью выводами мини-DIP; J-14 с 14 выводами); К — металлический типа ТО-3; КС - металлический (алюминиевый) типа ТО-3; N - пластмассовый DIP (N-8 с восьмью выводами мини-DIP; N-14 с 14 выводами); Р - с тремя выводами мощный (ТО-202) и с од- норядным расположением выводов; Т — пластмассовый с тремя вы- водами, мощный (ТО-220); S — мощный пластмассовый с 14 выво- дами; W — низкотемпературный стеклянный плоский; Z — с тремя выводами пластмассовый (ТО-92); Е — LDCC; М — SO; V — пластмас- совый кристаллоноситель. 6. Номинальное выходное напряжение (для схем вторичных источ- ников электропитания): 5; 5,2; 6; 8; 10; 12; 15; 18; 24 В. Фирма NCR Microelectronics Corp., США Пример обозначения: NCR 6500 С 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: NCR, NCM. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: С — керамический DIP; Р — пластмассовый DIP; SO - типа SO. Фирма Nippon Electric Corp. (NEC), Япония Пример обозначения: дР С 151 А 12 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: дР (Micro Pack); МС (Micro Assembled circuit) — гибридные схемы. 2. Функциональное назначение: А — набор элементов; В — цифровые биполярные схемы (запоминающие устройства); С - аналоговые (ли- нейные) биполярные схемы; D — цифровые МОП-схемы. 3. Серийный номер. 4. Тип корпуса: А — металлический типа ТО-5; В - керамический плоский; С, U, W - пластмассовый DIP; D — керамический DIP; G — пластмассовый плоский; Н, НА — пластмассовый с однорядным рас- положением выводов (SIP); J - пластмассовый тйпа ТО-92; М — мини-корпус; V — DIP с вертикальным двухрядным расположением выводов; К — LDCC; L — PLCC; R — керамический штырьковый; LA, LE — типа SO. 41
Фирма Nitron Ina, США Пример обозначения: NC 6405 Р С 1 2 3 4 1. фирменное буквенное обозначение: NC — стандартные типы; NS — системы; SC — заказные. 2. Серийный номер: 2ХХХ - для устройств связи; 4ХХХ - ЗУ; 64ХХ - синтезаторы частоты; 65ХХ, 68ХХ - статические постоянные ЗУ; 7ХХХ - ЗУ MNOS-типа. 3.. Тип корпуса: D — керамический DIP; F — плоский; L — керами- ческий; Р — пластмассовый; Т — типа ТО-5. Фирма OKI Electric Industry Со. Ltd, Япония Пример обозначения: MSM 3764 - 20 RS 1 2 3 4 1. Фирменное обозначение: MSM, MSL, SAS, MSA, MSC. 2. Серийный номер. 3. Для ЗУ время выборки: 12 — 120 нс; 15 — 150 нс; 20 - 200 нс; 30—ЗбОнс. 4. Тип корпуса: AS — керамический DIP; GS — пластмассовый плос- кий; GSK — пластмассовый плоский улучшенный; RS - пластмассо- вый; JS-PLCC; ES-LDCC. Фирма Philips, Нидерланды Примеры обозначения: PC F 74НСТ 160 Р; 12 3 4 SCN 68454 С N 1 3 2 4 1. Фирменное буквенное обозначение; SAA, SAB, SAF, SBB, SCB, SCN, SDA, ТАА, ТВА, ТСА, TDB, TEA (см. систему обозначения Pro Electron), а также HEF - КМОП-типа (серия LOCMOS — Local Oxida- tion Complementary MOS); GXB, HX - ЭСЛ; PCA, PCB, PCD, PCE - КМОП-схемы с кремниевым затвором; PCC, PCF — быстродействую- щие КМОП-схемы с кремниевым затвором; PNA — преобразователи данных; НХА — логические матрицы. Для микропроцессоров и сопутствующих (дополняющих) ИМС первые две буквы показывают: МА, МАВ - микроЭВМ; МВ - про- цессорная секция; MD — ЗУ; ME, МЕВ — прочие дополняющий ИМС (интерфейсные, периферийные и др.); SCN - микропроцессоры «МОП; SCC - микропроцессоры КМОП; SCB - микропроцессоры биполярные. 42
2. Диапазон температур: А - не нормируется; В - от 0 до +70 9С; С - от -55 до +125 °C (для микропроцессоров от 0 до +70 °C); D- от -25 до +70 °C; Е - от -25 до +85 °C; F - от -40 до +85 °C; G - от —55 до +85 9С; М - от —55. до +125 °C (для микропроцессоров). 3. Серийный номер: серия НЕ 4000 аналогична серии CD4000 фирмы RCA; серия GX10000 — серии МС 10000 фирмы Motorola; серии 5400 и 7400, 54LS и 74LS, 54S и 74S — соответствующим сериям фирмы Texas Instr. 54F и 74F - соответствующим сериям фирмы Fairchild; серии 54НС, 54НСТ и 74НС и 74НСТ — соответствующим сериям фир- мы RCA. 4. Тип корпуса: А — PLCC; D — керамический DIP; N, Р - пластмас- совый; R, W — плоский; I — керамический; G - безвыводной; Т — пластмассовый микрокорпус (типа SO); Фирма Plessey Semiconductors, Англия Пример обозначения: SL 521 DG 1 2 3 L Фирменное буквенное обозначение: MJ, NJ, NH — и МОП-схемы; ML, МТ - аналоговые МОП-схемы; MN - цифровые иМОП-схёмы; МР - цифровые МОП-схемы; MV - КМОП-схемы; N0M - элементы ЗУ и матрицы и МОП-типа; SL — биполярные аналоговые схемы; SP — биполярные цифровые схемы; ZN — ТТЛ; PDSP — цифровые КМОП- схемы 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: AM — керамический кристаллоноситель; СМ — много- выводной типа ТО-5; DG, BJ, J - керамический DIP; DP - пластмассо- вый DIP; ЕР, RP - мощный; FM- плоский с десятью выводами; GC - безвыводной; GM — плоский с 14 выводами; КМ — типа ТО-3; QC и QP — соответственно керамический и пластмассовый с четырехрядным расположением выводов; SP — пластмассовый с однорядным располо- жением выводов (SIP). Фирма Power Integrations Ina, США Пример обозначения: PWR - DRV 451 Р F С 1 2 3 4 5 6 1. Фирменное буквенное обозначение: PWR. 2. Семейство: DRV - универсальные мощные драйверы; NCH — «МОП высоковольтные матрицы; IS - изолирующие драйверы. 3. Серийный номер. 4. Тип корпуса: С, R — керамический LCC; Е, L - пластмассовый LCC; Н — металлический; Р — пластмассовый DIP; S — SO; Т — TQ-220; G — штырьковый; W—пластмассовый SIP. 43
5. Количество выводов: А — 3, В — 4; С — 5; D — 6; Е — 7; F — 8; Н - 9; J - 10; К - И; L - 14; М - 15; N - 16; Р — 18; R- 20; U - 24. 6. Температурный диапазон: С — от 0 до + 70 °C. Фирма Precision Monolithic Inc. (PMI), США Пример обозначения: OP 01Н К 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: АМР — инструментальные (измерительные) усилители; BUF - изолирующие или развязывающие (буферные) усилители, повторители напряжения; СМР - компараторы напряжения; DAC - ЦАП; DMX - демультиплексоры; АР - аналого- вые процессоры; LIU — интерфейсные схемы; МАТ — подобранные сдвоенные монолитные транзисторы; MUX — мультиплексоры; PKD — пиковые детекторы; ОР — операционные усилители; РМ - схемы, выпускаемые в качестве второго поставщика; REF - прецизионные источники опорного напряжения; RPT — ответчики (ретрансляторы) линии импульсно-кодовой модуляции; SMP - схемы выборки и хра- нения; SSS — схемы, отвечающие улучшенной спецификации; SW — аналоговые ключи. 2. Серийный номер и вариант прибора (буквенное обозначение). 3. Тип корпуса: Н — ТО-78; J — ТО-99; К — 100; L — плоский с 10 выводами; М — плоский с 14 выводами; N — плоский с 24 выво- дами; Р—пластмассовый с восьмью выводами (мини-DIP); Q — кера- мический DIP с 16 выводами; R — керамический DIP с 20 выводами; Т - керамический DIP с 28 выводами; V - керамический DIP с 24 выводами; W — DIP с 40 выводами; X — керамический DIP cl 8 вы- водами; Y — керамический DIP с 14 выводами; Z — керамический DIP с восьмью выводами. Фирма Raytheon Semiconductors, США Примеры обозначения: RC 118 DD; AM 2901 DM 12 3 12 3 1. Фирменное буквенное обозначение: LH1, LM1, RM (диапазон тем- ператур от —55 до + 125 °C); RC (от 0 до +70 °C); RF, RG, RL - ТТЛ- схемы (от -55 до +125 °C); RV, LM2 (от -40 до +85 °C); DAC - ЦАП, элементы микроЭВМ; AM, R, 93;XR- для всех диапазонов тем- ператур. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: В — с балочными выводами; ВМ — пластмассовый DIP с 16 вьшодами; CJ, СК — плоский керамический с 14 выводами; CL — плоский керамический с 16 выводами; CQ — плоский керамиче- ский с 10 выводами; D — металлический DIP с 14 выводами; DB — 44
пластмассовый DIP с 14 выводами; DC, DD, DE — керамический DIP соответственно с 14, 16 и 8 выводами; DM — керамический DIP с 16 выводами; DZ — керамический DIP с 40 выводами; F - плоский; FD — плоский керамический с 64 выводами; FV — плоский керамиче- ский с 28 выводами; FZ плоский керамический с 42 выводами; Н — металлический с тремя, восьмью и десятью выводами; J — кера- мический DIP с 14 или 16 выводами; К - мощный типа ТО-3; LS, LV, LW — кристаллоноситель; М — пластмассовый микрокорпус с восьмью или 14 выводами; МВ — пластмассовый DIP с 16 выводами; ML, MS, MZ — керамический DIP с металлической крышкой соответ- ственно с 16, 20, 40 выводами; N - плоский металлический с 24 вы- водами; NB - пластмассовый DIP с восьмью выводами; PS, SU, PV, PZ - пластмассовый DIP соответственно с 20, 24, 28 и 40 выводами; Q — плоский с 10 выводами; R - керамический DIP с 24 выводами; S - керамический (Slim DIP); Т - металлический с 3, 8, 10 или 12 вы- водами; ТК - мощный типа ТО-66 с девятью выводами; W — плоский керамический с 14 выводами; LS, LV, LW — кристаллоноситель. Для микроЭВМ: С - керамический (диапазон температур от 0 до + 70 °C); СР - пластмассовый (от 0 до +75 °C); D - с двухрядным расположением выводов; F — плоский; Р — пластмассовый DIP; X — бескорпусная ИМС. 4- Диапазон температур: С — от 0 до +75 °C; М — от —55 до + 125 °C. Фирма RCA, США Пример обозначения: CD 4070 D 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: С А — аналоговые схемы; CD, CDM — цифровые КМОП-схемы; CDP — микроЭВМ, периферийные, Микропроцессоры; СММ — КМОП-схемы; НС — ГИС; MWS — КМОП- схемы; РА — вентильные матрицы; ТА — внутрифирменное обозначе- ние для всех классов полупроводниковых приборов. 2. Серийный номер. Серия CD4000 - КМОП-схемы; серия 54НС и 54НСТ, 74НС и 74НСТ — быстродействующие КМОП-схемы. 3. Тип корпуса: D — керамический DJP (герметизация сваркой); Е, G - пластмассовый DIP; F - керамический DIP (герметизация стеклом); Н — бескорпусная ИМС (кристалл); J, L — керамический кристаллодержатель; К — керамический плоский; М — ТО-220; PM, Р — пластмассовый DIP для мощных схем; Q — с четырехрядным распо- ложением выводов; S — ТО-5 с двухрядным расположением восьми выводов; Т — ТО-5 с 8, 10 и 12 выводами; V — ТО-5 с радиальным расположением выводов; W — пластмассовый с четырехрядным рас- положением выводов. 45
Фирма Reticon Corp., США Пример обозначения: R М 5604 А Р 12 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: R. 2. Функциональное назначение (семейство): С — плата; D — линия задержки; F — фильтры на переключаемых конденсаторах; L — линей- ные матрицы; М - фильтры модемов; Т - трансверсальные фильтры; U— универсальные активные фильтры. 3. Серийный номер с вариантом. 4. Тип корпуса: С — керамический DIP; D — кристалл; Е — пласт- массовый; L - безвыводной; Р — пластмассовый; S - кристаллоно- ситель пластмассовый (PLCC); W - пластина. Фирма RFT, Германия (б. ГДР) Пример обозначения: A 110D 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: А, В, С — аналоговые и аналого- цифровые ИМС; D, DL^ Е - биполярные цифровые ИМС; U - МОП- схемы 2. Серийный номер. Фирма Rockwell Corp., США Примеры обозначения: R 6502 А С Е; R 65С02 С 4 Е 1 2 4351 2 345 1. Фирменное буквенное обозначение: R. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: С — керамический; Р — пластмассовый; Q — с четы- рехрядным расположением выводов; J — PLCC. 4. Частотный диапазон: 1-1 МГц; А, 2 - 2 МГц; В, 3 - 3 МГц; 4-4 МГц. 5. Диапазон температур: без буквы - от 0 до +70 °C; Е — от —40 до +85 °C; МТ - от -55 до + 125 6 С. Фирма Rohm Со. Ltd, Япония Пример обозначения: ВА 728 F 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: BA, BR, BU, XLS - монолит- ные схемы; BP, ВХ — гибридные схемы; ICP - ИМС Protectors. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: F — мини-DIP (SO); К — плоский с четырехсторонним расположением выводов; без буквы — DIP; N — SIP. 46
Фирма RTC, Франция Пример обозначения: НХА 100 000 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: FD — МОП-схемы; FF — ДТЛ; FJ - ТТЛ; GT - ТТЛШ; СХВ - ЭСЛ-типа; GYQ - оперативные ЗУ МОП-типа (с кремниевыми затворами, p-канал); НАВ — оперативные ЗУ МОП-типа (с кремниевыми затворами, и-канал); другие обозначе- ния: FE, GF, GZ, HEF, HSO, НХА, SAA, SAB, SAF, ТВА, ТСА, TDA, TDB, TDE, TEA (см. систему обозначения Pro Electron). 2. Серийный номер. Серия НХА 100000 аналогична серии МС 100000, а серия GXB10000- серии МС 10000 фирмы Motorola, серия HEF 4000- серии CD 4000 фирмы RCA. Фирма Samsung Semiconductors Inc., Южная Корея Примеры обозначения: КА 2201 KS 74НСТ01 N С 12 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: КА, KDA - аналоговые ИМС; КМ — ЗУ; KS - цифровые ИМС (логические, калькуляторы). 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: N - DIP; D - SO; W - CerDIP. 4. Рабочий диапазон температур: С — от 0 до +70 °C; I - от —40 до+ 85 °C. Фирма Sanyo Electric Со. Ltd, Япония Пример обозначения: LA 1230 Р 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: LA - биполярные аналоговые ИМС; LB - биполярные цифровые ИМС; LC - КМОП-типа; LE - MN МОП-типа; LM — «МОП-, рМОП-типа; STK — тонкопленочные и тол- стопленочные схемы. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: D — CerDIP; Р - пластмассовый DIP; S — DIP. Фирма Saratoga Semiconductor, США Пример обозначения: SS М 6116-20' С В 1 2 3 4 5 6 1; Фирменное буквенное обозначение: SS. 2. Функциональное назначение: L - логические ИМС; М — ЗУ; В - модули. 3. Серийный номер. 4. Быстродействие. 47
5. Тип корпуса: А — пластмассовый штырьковый; В — керамиче- ский штырьковый; С - керамический DIP; D, Е — пластмассовый мини- DIP; F - керамический плоский; G, Н, Z- модули; J - PLCC; L - керамический LCC; Р - пластмассовый DIP; S - DIP с металлической крышкой; X — кристалл. 6. Рабочий диапазон температур: С - от 0 до +70 °C; В, М - от —55 до + 125 °C. Фирма SGS-Ates Semiconductor Corp., Италия Пример обозначения: L 702; HBF 4020 А Е 12 1 2 3 1. Фирменное обозначение: НВС, НВ, НСС, HCF - КМОП-типа; HSG - быстродействующие логические матрицы с кремниевым затвором КМОП-типа; Е, Н, Т - биполярные цифровые ИМС; L, LS - линейные (аналоговые) ИМС; М, Z - МОП-схемы, а также в соответствии с си- стемой обозначений Pro Electron TAA, ТВА, ТСА, TDA; FQ - ДТП, 2. Серийный номер: серии 5400, 7400, 54LS00, 74LS00, 55000, 75000 аналогичны соответствующим сериям фирмы Texas Instruments, а серии 54НС00, 54НСТ, 74НС, 74НСТ, 4000 и 4500 - соответствующим сериям фирмы RCA. 3. Тип корпуса: Е, D — DIP; F - пластмассовый DIP; К - плоский. Фирма Seeq Technology Inc., США Пример обозначения: D Q 5 2 13 - 250 1 2 3 4 5 6 1. Тип корпуса: D - керамический DIP; L - безвыводной кристалло- держатель; Р - пластмассовый DIP; N - пластмассовый (PLCC); F - плоский. 2. Диапазон температур: Е - от -40 до +85 °C; М - от -55 до + 125°С; Q —от0до + 70°С. 3. Применение: 5 - для энергонезависимых ЗУ; 7 - для микроЭВМ; 9 - для устройств связи. 4. Тип ЗУ: 1 — репрограммируемые постоянные ЗУ; 2 или 5 — элект- рически стираемые постоянные ЗУ. 5. Организация ЗУ. 6. Время выборки: 250 - 250 нс. Фирма Seiko Epson Corp., Япония Пример обозначения: S RM 2064 С 00 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: S. 2. Аббревиатура функционального назначения: LA — логические 48
вентильные матрицы; LC - логические матрицы ячеек; ЕА — датчики (сенсоры); ED- схемы управления (драйверы), аналоговые матрицы; ЕК — модули; CI — преобразователи и стабилизаторы напряжения; НВ — гибридные схемы ОЗУ; МС — микроЭВМ, центральные процессор- ные элементы, периферийные схемы; ММ - программируемые ЗУ; RM - оперативные ЗУ; SC - стандартные ячейки; CF - преобразова- тели (ЦАП, АЦП); ТС - ИМС для связи; PS - сепараторы; UM - ИМС для музыкальных инструментов. 3. Серийный номер. 4. Тип корпуса: С - пластмассовый DIP; F - пластмассовый QFP; L - керамический QFP; Н - CerDiP; М - пластмассовый SOP; J - PLCC; SOJ, G — пластмассовый PGA; P — керамический PGA; S, N — DIP; Y — типа SOT; D — кристалл. Фирма Sharp Corp., Япония Пример обозначения: IR 9161 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: IR, IRK, LH, LR, LU, LZ, SM. 2. Серийный номер. Фирма Siemens, Германия Примеры обозначения: TDB 0723А D; FL H 401; S 187 123 4512414 1. Фирменное буквенное обозначение: S — цифровые ИМС; Т — аналоговые ИМС; U - смешанные аналого-цифровые схемы, а также SAJ, SLE, ТАЕ, ТА, ТВС, ТВВ, ТВЕ, TFA, TLE. Для обозначений серий цифровых ИМС используются две буквы:, FL (для ИМС ТТЛ-типа); FY, FX (для ИМС ЭСЛ-типа); FD, GD (для ИМС МОП-типа); FZ (ИМС невысокого быстродействия, но повышен- ной помехоустойчивости LSL — Langsame Storsichere Logik). 2. Вторая буква, не несет никакой информации (выбирается фирмой). 3. Диапазон температур: А — не нормируется; В - от 0 до +70 °C; С - от -55 до +125 °C; D - от -25 до + 70 °C; Е - от -25 до + 85 °C; F - от -40 до+85 °C. 4. Серийный номер и вариант. 5. Тип корпуса: С - цилиндрический; D — DIP; Е — мощный DIP; F — плоский; Q — с четырехрядным расположением выводов. Примечание. В коде, действовавшем до 1973 г., третья буква по- казывала функциональное назначение, например: А - линейное усиле- ние; Н — логические схемы; Q — оперативные ЗУ; R — постоянные ЗУ; S — усилители считывания; Y — прочие (смешанные) схемы. Сле- дующие затем две цифры (от 10 до 99) показывали серийный номер, 49 4-6236
а третья цифра — диапазон температур (см. систему обозначений Pro Electron). Обозначение HKZ имеют магнитоуправляемые ИМС на эффекте Холла. Фирма Sierra Semiconductor Corp., США Пример обозначения: S С 11401 С N 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: S. 2. Семейство: С - компоненты; К - набор схем. 3. Серийный номер. 4. Рабочий диапазон температур: С - от 0 до +70 *С; Е - от -40 до + 85 °C. 5. Тип корпуса: J — керамический DIP; N — пластмассовый DIP; М — SO; U, Р - штырьковый (PGA); V - PLCC; Q - пластмассовый с четырехсторонним расположением выводов. Фирма Signal Processing Technology, США Пример обозначения: SPT 7912А С D 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: SPT (новые типы); ADC — АЦП; СМР - компараторы; DAC - ЦАП; SCF - фильтры на комму- тируемых конденсаторах. 2. Серийный номер и вариант. 3. Рабочий диапазон температур: С — от 0 до +70 °C; I - от —40 до + 85 °C; М - от -55 до + 125 °C. 4. Тип корпуса: D - DIP; С - безвыводной кристаллоноситель; J - керамический с крышкой; G — штырьковый (PGA); N — пласт- массовый DIP; Р - пластмассовый кристаллоноситель; U - кристалл. Фирма Signetics Corp., США Примеры обозначения: N 74123 F; SCN 2651 12 3 12 1. Фирменное буквенное обозначение: N, NE — диапазон температу- ры от 0 до +70 °C; N8 - от 0 до +75 °C; S, SE - от -55 до +125 °C; SA — от —40 до +85 °C; SCB — биполярные микропроцессоры; SCC — микропроцессоры КМОП-типа; SCN - микропроцессоры иМОП-типа. 2. Серийный номер: 82 - стандартные схемы (MSI); 82S - с диодами Шоттки (MSI); 8Т — интерфейсные схемы; серии N5400 и N7400 ана- логичны сериям SN 5400 и SN7400 фирмы Texas Instruments. 50
3. Тип корпуса: D — пластмассовый микрокорпус (типа SO) с 8, 14, 16 выводами; ЕС — металлический типа ТО-46 с четырьмя выводами; ЕЕ — металлический типа ТО-72 с четырьмя выводами; F — керамиче- ский DIP с 8, 14, 16, 18, 20, 22, 24, 28 и 40 выводами; Н — металли- ческий типа ТО-5 с четырьмя выводами, ТО-99 или ТО-ЮО; N - пласт- массовый DIP с 16, 18, 20, 22, 24 и 28 выводами; Q - плоский кера- мический с 10, 14, 16 и 24 выводами; R — керамический (бериллие- вый) плоский с 16, 18, 24, 28 и 40 выводами*/ ТА - металлический типа ТО-5 с восьмью выводами; U — с однорядным расположением выводов с 9 и 13 выводами; W - плоский керамический с 10, 14, 16 и 24 выводами; Y — плоский керамический с 24 радиальными выво- дами, Фирма Silicon General Inc. (SGI), США Пример обозначения: SG 108 А Т 1 2 3 4 1. -Фирменное буквенное обозначение: SG; SM — гибридные мощные. 2. Серийный номер. 3. Характеристики: А — улучшенный тип; С — ограниченный темпе- ратурный диапазон. 4. Тип корпуса: F - плоский; J — DIP с 14 и 16 выводами; К — ТО-3; L — безвыводной; М - пластмассовый DIP с восьмью вывода- ми; N — DIP с 14 и 16 выводами; Р — ТО-220; R — ТО-66 (три и во- семь выводов); Т - ТО-5 (ТО-39, ТО-99, ТО-ЮО, ТО-101); Y - CerDIP с восьмью выводами. Фирма Silicon Integrated Systems Corp., Тайвань Пример обозначения: SIS 1024 Р 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: SIS. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: F - плоский; L — PLCC; N - кристалл; Р - пласт- массовый DIP; S-SO. Фирма Silicon Systems Inc. (SSI), США Примеры обозначения: SSI 114; SSI 73К322 - 28IP 12 12 3 1. Фирменное буквенное обозначение: SSL 2. Серийный номер. 3. Число выводов и тип корпус^: IC — керамический DIP; IP — пласт- массовый DIP; H-PLCC. 51
Фирма Siliconix Inc., США Пример обозначения: DG 201А А Р 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: D — ИМС управления для клю- чей на полевых транзисторах; DF — цифровые ИМС; DG — аналоговые ключи и коммутаторы; DGM - аналоговые ключи (монолитный вари- ант гибридных схем); G - многоканальные переключатели; Н - высоковольтные (28 В) логические схемы; L — аналоговые схемы; LD - аналого-цифровые ИМС и преобразователи; LH - линейные гиб- ридные схемы; LM — аналоговые монолитные схемы; S - мощные логические ключи; Si - второй поставщик; W- специальные. 2. Серийный номер (3 или 4 цифры) и вариант (буква). 3. Рабочий температурный диапазон: А - от -55 до +125 °C; В - от-20 до+85 °C; С - от Одо+70 °C; D - от-40 до + 85 °C. 4. Тип корпуса: А - ТО-99, ТО-ЮО; F - плоский с 14 и 16 вывода- ми; J - пластмассовый DIP с 14 и 16 выводами; К - керамический DIP с 14 и 16 выводами; L - плоский DIP с 10 и 14 выводами; Р - DIP с 14 и 16 выводами; R — DIP с 28 выводами; N — пластмассовый PLCC; М — LDCC керамический Y — типа SO. Фирма Simtek Corp., США Пример обозначения: STK ПС 68 С 55 М 1 2 3 4 5 6 1. Фирменное буквенное обозначение: STK. 2. Серийный номер и технология (С - КМОП). 3. Организация ЗУ: 256 - 32К х 8; 010 - 128К х 8; 1024 - 64К х 8; 68 —64Кх8; 81 -256КХ1; 88-32Кх8; 89-32Кх9. 4. Тип корпуса: С, К — DIP с крышкой; F — плоский; J — SO; L, W — керамический LCC; N — PLCC; Р - пластмассовый DIP. 5. Рабочий диапазон/температур: без буквы от 0 до +70 °C; I — от -40 до+ 85 °C; М — от-55 до + 125 ° С. Фирма SipexCorp., Германия Пример обозначения: SP 2542 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: SP, HS, ADC, DAC 2. Серийный номер. Фирма Solid State Scientific (SSS), США Примеры обозначения: SCM 23С32 RE- SS 74HC00 E 1 2 3 4’ 1 2 4 52
1. Фирменное обозначение: SCL, SCM, SM, SND, SS. 2. Серийный номер. Серия SCL 4000 аналогична серии CD 4000 фирмы RCA; серии SS54HC00, SS54HCT00 и SS74HC00, SS74HCT00 анало- гичны сериям CD54HC00, CD54HCT00, CD74HC, CD74HCT фирмы RCA. 3. Электрическая градация: М - специального назначения; R - с огра- ниченным диапазоном температур. 4. Тип корпуса: С — керамический DIP (герметизация сплавлением); D — керамический DIP; Е — пластмассовый; Н — бескорпусная (кри- сталл). Фирма Solitron Devices Inc., США Пример обозначения: СМ 4000 A D 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: СМ - КМОП; UC4XXX - ли- нейные схемы; UC6XXX, UC7XXX - ЗУ рМОП. 2. Серийный номер. 3. Рабочее напряжение: А - 3 + 15 В; В - 3 4- 18 В; без буквы - ограниченный диапазон. 4. Тип корпуса и температурный диапазон: а) для КМОП-схем: D — керамический DIP, от —55 до +125 °C; Е - пластмассовый DIP, от -40 до +85 °C; F - керамический DIP, от —55 до +85 °C; Н - бескорпусная ИМС; К - плоский, от —55 до + 85 °C; б) для линейных ИМС: без буквы - типа ТО-99, от —55 до + 125 °C; С - типа ТО-99, от 0 до +70 °C; СЕ - мини-DIP с восьмью выводами, от 0 до + 70 ° С; ID - бескорпусная ИМС. Фирма Sony Corp., Япония А. Новая номенклатура. Пример обозначения: СХ А 1001А Р 12 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: СХ; ВХ - гибридные ИМС. 2. Классы ИМС: А - биполярные; В - биполярные цифровые; D — логические МОП-типа, преобразователи; К — ЗУ; L — сигнальные про- цессоры; Р, Q - микроЭВМ. 3. Серийный номер и типономинал (вариант). 4. Тип корпуса: D — керамический DIP; G - штырьковый (PGA); J — микрокорпус (SOJ); К - безвыводной кристаллоноситель (LCC); L — с однорядным расположением выводов (SIP); М — микрокорпус (SO); N — уменьшенный микрокорпус (VSOP); Р — пластмассовый 53
DIP; Q - плоский с четырехрядным расположением выводов (QFP); R — уменьшенный корпус типа Q (VQFP); S — DIP с уменьшенным шагом (SDIP); SP -• уменьшенный DIP; W — ТО-3. Б. Традиционные. Пример обозначения: СХ 200 11 АР 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: СХ, ICX, ILX, IS, IU — ПЗС. 2. Технология: 0, 1, 8, 10, 20, 22 - для биполярных; 5, 7, 23, 79 - для МОП. 3. Серийный номер. 4. Типономинал. 5. Тип корпуса. Фирма Sprague Electric Со., США Пример обозначения: UL N 2004 А 12 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: UC — серии BIMOS, КМОП, I2L; UD — цифровые формирователи; UG — с эффектом Холла; UL — аналоговые ИМС, матрицы транзисторов, оптоэйектронные датчики, ОУ мощные; UH - интерфейсные ИМС; US — логические ИМС; UT — тиристорные матрицы; SCL — логические; SPL — логические програм- мируемые; SCM - ЗУ. 2. Диапазон температур: N — от 0 до + 70 ° С/80 °C; от -20 до + 85 °C; от -55 до+ 100 °C; Р - от 0 до+70 °C; Q - от -40 до+85 °C; С, D, S — от —55 до +125 °C; X — различные диапазоны: от 0 до + 70 °C; от —40 до +85 °C; от —20 до +75 °C. (Температурный диапазон зави- сит от типа корпуса.) 3. Тип корпуса: А — пластмассовый DIP; В — пластмассовый DIP с теплоотводами; С - бескорпусная ИМС; CW — бескорпусная (на пла- стинах) ; D — типа ТО-52; Е — пластмассовый DIP с восьмью выводами; ЕК — керамический LCC; ЕР - пластмассовый LCC; F — типа ТО-86 или с 30 выводами плоский; J - типа ТО-87; К — типа ТО-100; L — пластмассовый мини-DIP; М - пластмассовый мини-DIP с восьмью вы- водами; N— пластмассовый с четырехрядным расположением выводов; R — стеклокерамический DIP с 18 выводами; S — с однорядным рас- положением четырех выводов (SIP); Т - SIP с тремя выводами; W - с однорядным расположением 12 выводов; Y — типа ТО-92; Z - типа ТО-220 с пятью выводами (ZH — для горизонтального монтажа; ZV — для вертикального монтажа). Примечание. Для серии UH : 2. Тип корпуса: С — плоский; D — DIP; К - бескор- пусная (кристалл); Р - пластмассовый DIP. 54
Фирма Standard Microsystems Corp. (SMC), США Пример обозначения: COM 5016 T P 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: СОМ — ИМС для устройств связи; CRT - ИМС управления дисплеями; SR - сдвиговые регистры; KR - дешифраторы; MPU - микропроцессоры; FDC - ИМС для управ- ления накопителями; НУС - гибридные ИМС. 2. Серийный номер. 3. Назначение: Т — тактовые схемы; Н — быстродействующие; Т — постоянные ЗУ. 4. Тип корпуса: без буквы — керамический; С — керамический DIP; Р - пластмассовый DIP; U - PLCC; LL - LDCC; FA, GA - с четырех- сторонним расположением выводов. Фирма STC Semiconductor, США Пример обозначения: STC 6117 М 70-3 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: CRT — видеодисплейные ИМС; DSP - цифровые сигнальные процессоры; SCA - АЦП; SCC - компа- раторы; SCD — ЦАП; SCS - УВХ; SF А — фи бе роптические усилители; SFD — фибероптические драйверы; SLM — мультиплексоры; SLS - сдвиговые регистры; SMF - FIFO; STC - ЗУ; TEL - ИМС для телесвязи; VAX — матрицы. 2. Серийный номер. 3. Рабочий диапазон температур: I — промышленный; М — специ- альный; без буквы — коммерческий. 4. Быстродействие. 5. Тип корпуса: С - кристаллодержатель; D - керамический DIP; J — керамический DIP с крышкой; N — пластмассовый DIP. Фирма Supertax Ina, США Пример обозначения: HV 41 DJ 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: HV — высоковольтные; AN, АР — высоковольтные матрицы; ED, ЕТ, DC — цифровые шифра- торы и дешифраторы. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: С, D - керамический DIP; CF, CR, CS, DJ - керами- ческий кристаллоноситель; DG — керамический с четырехсторонним расположением выводов; LC, NE, NF — керамический LCC; Р — пластмассовый DIP; PG — пластмассовый с четырехсторонним располо- жением выводов; Т — типа TAB; WG — типа SO; X — кристалл. 55
Фирма Suwa Seikosha, Япония Пример обозначения: SMM 2365 1 2 L Фирменное буквенное обозначение: SMC, SMM, SRM, SVM. 2. Серийный номер. Фирма Sylvania, США Пример обозначения: ECG 703 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: ECG. 2. Серийный номер. Фирма Synertek, США Пример обозначения: SY М С 2114 12 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: SY. 2. Диапазон температур: Е — от —40 до +85 °C; М — от —55 до + 125 °C; X — специальный; без буквы — от 0 до + 70 °C. 3. Тип корпуса: С — керамический; D — керамический DIP; F — плоский; К - безвыводной кристаллодержатель (LCC);P - пластмассо- вый; Т — металлический (типа ТО); X - бескорпусная. 4. Серийный номер. Фирма Teledyne Semiconductor, США Пример обозначения: TSC 8750 CJ; TSC 7650А СРА 12 3 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: TSC, ТР. 2. Серийный номер и вариант. 3. Тип корпуса и температурный диапазон: AJ, ВJ - ТО-92, от 0 до + 70 °C; AM, ВМ - ТО-18, от -55 до +125 °C; ВЦ BN - керамический DIP, от -55 до +125 °C; В, CBQ, CSQ - плоский, от 0 до +70 °C; CJ, CJL> CPA, CPD, CPE, CPI, CPL - пластмассовый DIP, от 0 до +70 °C (кроме ЦАП и АЦП); СЦ CN - керамический DIP, от -40 до + 85 °C; IBQ - плоский, от —40 до +85 °C; J, IJA, UD, IJE, IL, IJL — керамиче- ский DIP, от —25 до +85 °C; MJA, MJE, MJL, ML — керамический DIP, от -55 до +125 °C; L - PLCC; N - LCC; О - SO; Y - кристалл; Т - ТО-99. 56
Фирма Telefun ken Electronic GmbH, Германия Пример обозначения: TDA 4420 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: SAB, SAJ, SAS, TAA, TBA, TCA, TDA, TEA, ТЦ UAA (см. систему обозначений Pro Electron), U. 2. Серийный номер. Фирма Telmos Inc., США Пример обозначения: TML 1840 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: TML - аналоговые ИМС; TMD — цифровые ИМС; ТМ — полузаказные матрицы; TMF — DMOS транзисторы и матрицы 2. Серийный номер. Фирма Tesla, Чехия Пример обозначения: МАА 661 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: МА, МАА, МАВ, MAC, MBA, MCA, MDA - аналоговые ИМС (монолитные) биполярные; MAS - аналоговые ИМС униполярные (MNOS); МН, МНА, МНС, MHD, МНЕ, MHF, MHG, MJA, MYA, MJB, MZH, MZJ, М£К - цифровые ИМС; MAF - ИМС на эффекте Холла. 2. Серийный номер. Фирма Texas Instruments Inc., США Примеры обозначения: SN 74 ALS 520 J; 1 2 3 4 5 ТМ S 4030- 15 J 1 2 4 6 5 1. Фирменное буквенное обозначение: SBP — биполярные (I2L) микропроцессоры; SN — стандартные цифровые и аналоговые ИМС; JBP, РМВ, PMJ, SMB, SNA, SNC, SNB, SNN, SNT, SNS, SNJ, SMJ - ИМС, отвечающие требованиям специальных стандартов; ТВР — биполярные ЗУ (программируемые постоянные ЗУ); TIBPAL, TIFPLA - програм- мируемые логические матрицы; TL — линейные (аналоговые) ИМС; TLC - линейные КМОП-схемы; ТСМ - ИМС для устройства связи; TIL - оптоэлектронные ИМС; TMS — МОП-схемы (ЗУ, микропро- цессоры); ТАС, TAL, ТАТ - логические матрицы соответственно CMOS-, TTL-и STL-типа; TIEF — трансимпедансные усилители; ТС - ПЗС-схемы. 57
2. Температурный диапазон: для серий 52, 54, 55, ТР - от -55 до +125 °C; для серий 72, 74, 75, 76 — от 0 до +70 °C; для серии 62 — от —25 до +85 °C; для биполярных ИМС: С - от 0 до +70 °C; I - от -25 до +85 °C; Е - от -40 до +85 °C; М от -55 до +125 °C; для МОП-схем (TMS): I - от -25 до +.85 °C (или от -40 до +85 °C); L - от 0 до +70 °C; С - от -25 до +85 °C; R - от -55 до +85 °C; М - от -55 до +125 °C; S - от -55 до +100 °C; для аналоговых ИМС: С - от 0 до +70 °C; I - от -25 до +85 °C; М - от -55 до +125 °C; S - от -55 до +100 °C; для аналоговых ИМС: С - от 0 до +70 °C; I - от-25 до+85 °C; М - от-55 до + 125 °C. 3. Классификация для ТТЛ-схем и МОП-схем (серии SN54 и SN74): ALS - биполярные усовершенствованные (улучшенные) маломощные ТТЛ с диодами Шоттки; AS — усовершенствованные с диодами Шоттки; Н - быстродействующие; НС — быстродействующие КМОП-типа; НСТ — быстродействующие КМОП-типа, совместимые с ТТЛ-сХемами; L - маломощные; LS — маломощные с диодами Шоттки; PL - элект- рически программируемые логические матрицы; S — с диодами Шоттки. 5. Тип корпуса: FA - плоский; FC, FD - керамические кристалло- держатели; FQ, FEC - прямоугольные керамические с 28, 32,18 выво- дами; FK — керамический трехслойный; FN — пластмассовый крис- таллодержатель; FP — прямоугольный пластмассовый с 18 выводами; J - керамический DIP с 14 выводами; JG — керамический DIP с восьмью выводами; JA, JB, JP — DIP; JT - керамический DIP с 24 вы- водами; КС - пластмассовый типа ТО-220; L, LA - металлический; LP — пластмассовый с тремя выводами (типа ТО-92); N — пластмассо- вый DIP с 14, 16, 20 и 22 выводами; NE - пластмассовый DIP с 14 вы- водами; NG - пластмассовый DIP с 14 и 16 выводами; NT - пласт- массовый DIP с 24 выводами; О — микрокорпус (типа SO); Р — пласт- массовый DIP с восьмью выводами; RA - плоский керамический; SB — плоский металлический; Т — плоский металлостеклянный; U, W — плоский керамический с 14 и 16 выводами; DH — SO. 6. Только для быстродействующих МОП-схем в обозначений допол- нительно указывается быстродействие: 15 < 150, 20 < 200, 25 < 250, 35 <350, 45 <450, 50 <500 нс. Фирма Thomson-CSF, Франция Примеры обозначения: SF F 8 1104 А Р Т; 1 2 3 4 5 6 EF 6 821 С М В 1 3 4 5 6 7 1. Фирменное буквенное обозначение: CDA, EF, EFB, EFD, EFF, EFG, EFH, EFM, EFS, EFT, EFY, EFZ, ESM, ЕТ, ЕТЦ ETC, L, МК, М, 58
SF, TS, VM, а также в соответствии с системой Pro Electron (ТСА, TD, TDA, TDB, Tt)C, TDE, TDF, ТЕ, TEA, TEB, TEC, TEE, UAA, UAB, UAC). 2. Технология: а) для ИМС с обозначением SF: С - биполярная; F - МОП. б) для ИМС с обозначением EF: А - иМОП (буква может не ставить- ся); X — прототипы других фирм; В — КМОП; С — КМОП/КНС; D — рМОП; F — биполярная. 3. Функциональное назначение: а) для ИМС с обозначением SF: 1 — мультиплексоры; 2 — аналоговые или логические; 3 - динамиче- ские сдвиговые регистры; 4 — статические сдвиговые регистры; 5 — схемы общего назначения (универсальные); 7 - постоянные ЗУ; 8 - оперативные ЗУ, микропроцессоры. б) для ИМС с обозначением EF: 5 - для бытовой аппаратуры; 6 — микропроцессоры (или комплекты для микропроцессоров); 7 — для средств связи; 8 — для промышленной аппаратуры; 9 — для отображе- ния информации. 4. Серийный номер. Серия SFF 24000 аналогична серии CD4000 фир- мы RCA. 5. Тип корпуса: при отсутствии буквы — металлический корпус (ТО-5, ТО-99, ТО-ЮО); D - пластмассовый мини-DIP; Е - пластмас- совый DIP (ТО-116, МР-117); G - керамический мини-DIP; С, J, К - керамический DIP; Р - металлический плоский (ТО-91); R - метал- лический (ТО-3); U - пластмассовый плоский мини-корпус; FP - 50. Примечание. Для ИМС с обозначением EF: С — керамический мини-DIP; М — металлический; Е — кристаллоноситель; F — плоский металлостеклянный; W — плоский керамический; Р — пластмассовый. 6. Температурный диапазон: при отсутствии буквы для цифровых схем - от 0 до +70 °C; А — не нормируется; С — от 0 до +70 °jC; D- от-25 до+70 °C; Е, Т - от-25 до+85 °C; F, U- от -40 до + 85 °C; G-от-55 до+85 °C; М - от-55 до + 125 °C. 7. Уровень качества (буквы В, D, G, S), отвечающий требованиям различных стандартов. Фирма Toko Inc., Япония Пример обозначения: ТК 10360 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: ТК, КВ. 2. Серийный- номер. Фирма Toshiba Corp., Япония Примеры обозначения: ТА 7173А Р; ТС 74НС10 Р 12 3 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: ТА — биполярные линейные (аналоговые) ИМС; ТС - КМОП-схемы; TD - биполярные и BiMOS 59
цифровые ИМС, матрицы; TCP, ТМ, ТМР, Т, ТЕЙР, ТММ - МОП-схемы; TDC, TL - ПЗС-схемы. 2. Серийный номер и вариант прибора: А - улучшенный; НС - быст- родействующие; серия TD3400 аналогична серии SN7400; серия ТС4000-серии CD4000. 3. Тип корпуса: С - керамический; D - керамический DIP; F — плоский; J - типа SO; М - металлический; Р - пластмассовый; Т - пластмассовый кристаллоноситель (PLCC); Z - типа ZIP. Фирма Transitron Electronic^ США Пример обозначения: TG 7400 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: TDC - компараторы; TFF, TG, TNF — ТТЛ-схемы; ТМС — ЗУ; ТО А — операционные усилители; TRC - счетчики; TSR - комплексные функции; TVR - стабилизаторы напряжения. 2. Серийный номер. Фирма Tri-Quint Semiconductor Inc., США Пример обозначения: TQ 1111 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: TQ. 2. Серийный номер. Фирма TRW Semiconductors, США Пример обозначения: TDC 1016 J М 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: MPY — умножители; LNA — гибридные ИМС высокочастотных усилителей; TDC - все другие функ- ции; ТМС, TMZ - КМОП-схемы; TDS - специальные (биполярные); ТНС - гибридные ИМС. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: В — керамический DIP; С - керамический кристал- лодержатель; F - плоский; J - керамический DIP; L - керамический LCC; N - пластмассовый DIP; А, С - CLCC; G - керамический PGA; М—SO; R—PLCC. 4. Диапазон температур: F, М - от -55 до +125 °C; С и без обозна- чения — от 0 до + 70 °C; R, Т — от -20 до + 85 °C. 60
Фирма Uni Electronic, Германия Пример обозначения: AAA 2800 J 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: ААА; ММ — модуль. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: J — PLCC; Р - пластмассовый DIP. Фирма United Microelectronics Corp. (UMC), США Прймер обозначения: UM 8035 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: UM. 2. Серийный номер. Фирма United Technologies Microelectronics Center Inc., США Пример обозначения: UT 212 G 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: UT. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: А - LCCC; В, Р - керамический DIP; С, D, W - керамический плоский; G — керамический штырьковый. Фирма Unitra, Польша Примеры обозначения: U С Y 74 S 00 N; 1 2 3 4 5 6 U L 1 000 L 1 2 4 5 6 1. Технология изготовления: U — монолитные биполярные; М — монолитные униполярное; Н - гибридные. 2. Назначение: С — цифровая; L — линейная. 3. Буква или без буквы: X — разрабатываемые; Y - для профессио- нальной; без буквы — для бытовой аппаратуры. 4. Рабочий диапазон температуры: 1 — не нормируется; 4 — от —55 до+85 °C; 5, 54 - от-55 до +125 °C; 6 - от -40 до+85 °C; 7,74 - от 0 до +70 °C; 8 - от -25 до +85 °C. 5. Функциональное назначение: а) для аналоговых ИМС; 000 — 099 модуляторы и демодуляторы, смесители; 100 — 199 многофункцио- нальные универсальные; 200 - 299 для связной аппаратуры (радио, телевидение); 300 — 399 специальные усилители (микрофонные, для магнитофонной записи и т. п.); 400 — 499 усилители мощности низкой частоты; 500 — 599 стабилизаторы, преобразователи напряжения; 600 — 699 дешифраторы стереофонические (стереодекодеры); 700 — 799 61
операционные усилители и компараторы напряжения; 800 — 899 дели- тели частоты и генераторы (в том числе таймеры); 900 — 999 управ- ляющие и прочие схемы. 6) Для цифровых ИМС: Н - быстродействующие ТТЛ; LS — мало- мощные с диодами Шоттки; S — с диодами Шоттки. 6. Тип корпуса: F — плоский металлический (изолирован от основа- ния) ; Н - плоский керамический; J - плоский Металлический с элект- рическим контактом с подложкой; N — пластмассовый. Примечание. Серия MCY7400 аналогична серий CD4000 фир- мы RCA. Фирма Unitrode Corp., США Пример обозначения: UC 493 А 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение ИМС: UC - аналоговые; PIC — гибридные. 2. Серийный номер. Фирма Valvo GmbH, Германия Пример обозначения: НЕ 4000 D 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: FC (FCH, FCJ, FCK, FCL> FCY) - ДТЛ-схемы; FD(FDN, FDQ, FDR, FEJ, FEY, GYQ, GZF, HAB)- МОП-схемы; FZ (FZH, FZJ, FZK, FZL) - логические ИМС; GX (GXB), HXA - ЭСЛ-схемы; HEF КМОП-схемы, а также MAB, PCA, PCB, PCC, PCD, PCE, PCF, PNA, SAA, SAB, SAF, SAJ, SAK, SBB, TAA, TBA, TCA, TDA, TDB, TEA, UAA (см. систему обозначений Pro Electron). 2. Серийный номер. Серии 5400, 54F, 54LS, 54S, 7400, 74F, 74LS, 74S аналогичны соответствующим сериям фирмы Texas Instruments, а серия 4000 - серии CD4000 фирмы RCA. 3. Тип корпуса: D, F, FE, J — керамический DIP (от восьми до 28 вы- водов) ; I, N, Р — пластмассовый (от шести до 28 выводов). Фирма Vitelic Corp., США Пример обозначения: V 61С16 Р- 70 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: V. 2. Семейство оперативных ЗУ: 6х - статические; 5 х - динамические; 63 — прочие. 3. Тип корпуса: F — SO; В - керамический DIP; С — керамический плоский; G — керамический штырьковый; Р — керамический DIP с крышкой; W — керамический плоский; Z — ZIP. 4. Быстродействие. 62
Фирма Vitesse Semiconductor Corp., США Пример обозначения: VS 80ХХ L I 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: VS. 2. Семейство: 80ХХ - логические ИМС; 12G4XX - статические ЗУ. 3. Тип корпуса: D- керамический DIP; L - LCC; F - PLCC. 4. Рабочий диапазон температур: С — от 0 до +70 °C; I — от —40 до + 85 °C; М — от -55 до + 125 °C. Фирма VLSI Technology Inc., США Пример обозначения: VT 231024 J 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение ИМС: VC — заказные; VF - серийные; VH - гибридные; VL - логические ЗУ КМОП-типа; VS - проектируемые потребителем; VT - биполярные ЗУ; VU — разрабаты- ваемые; VP - программируемые; VGT — вентильные матрицы. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: J - PLCC; С, D - керамический DIP; S, Р - пласт- массовый DIP; F - SO; G - керамический LCC. Фирма VTCInc., США Примеры обозначения: V А 701 D J; X 2 3 4 5 V 74 ACT 240 Р 1 5 6 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: V, VM. 2. Функциональное назначение: А - операционные усилители (ОУ); С - компараторы, преобразователи; J - аналоговые матрицы; L - аналого-цифровые и цифровые матрицы (ячейки); М - основная па- мять (на Дисках или лентах); S - драйверы; Т - схемы управления накопителями на ленте. 3. Серийный номер (тип прибора). 4. Тип корпуса: D - керамический DIP; DK, DL - керамический LCC; DS - керамический DIP с 24 выводами; F - плоский; G - мат- ричный; J — керамический DIP с металлической крышкой; Р — пласт- массовый DIP; РК, PL — PLCC; РО - пластмассовый мини-DIP; PS — пластмассовый уменьшенный DIP; Т - металлический; РТ, ТВ - на лен- точном носителе для автоматизированной сборки ГАВ, X — кристалл. 5. Температурный диапазон: от J до R — коммерческий (от 0 до + 70 °C); от S до Z — специальный (от —55 до +125 °C); 74АСТ — коммерческий (от —40 до +85 °C); 74FCT — коммерческий (от 0 до 70 °C); 54 — специальный (от —55 до +125 °C). 63
6. Классификация для МОП-схем: АС - усовершенствованные КМОП- типа, совместимые с КМОП-схемами; ACT - усовершенствованные КМОП-типа, совместимые с ТТЛ-схемами; FCT - усовершенствован- ные КМОП-типа, совместимые с быстродействующими ТТЛ-схемами. Фирма Wafer Scale Integration Inc., США Пример обозначения: WS 57С45 - 25 В М 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: WS, РАС, SAM. 2. Семейство, серийный номер и технология: 57 - быстродействую- щие репрограммируемые постоянные ЗУ; 59 - логические; 27 - репро- граммируемые постоянные ЗУ. 3. Быстродействие ЗУ: 10 — 100 нс; 12 — 120 нс; 15 — 150 нс; 20 — 200 нс; 25 — 250 нс; 30 — 300 нс; 45 — 450 нс; 55 - 55 нс; 70 — 70 нс. 4. Тип корпуса: А — пластмассовый PGA; В — керамический DIP с крышкой; С, Z - керамический безвыводной кристаллоноситель (LCC); D, К - керамический DIP; J — пластмассовый кристаллоноси- тель; F - плоский; G, X - керамический штырьковый (PGA), М, S, Р - пластмассовый DIP; W - пластина. 5. Рабочий диапазон температур: без буквы и S - от 0 до 70 °C; М-от -55 до +125 °C. Фирма Weitek Corp., США Пример обозначения: WTL 1016А J С 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: WTL, WXL. 2. Серийный номер и вариант. 3. Тип корпуса: J - DIP; G - штырьковый; L - LCC. 4. Рабочий диапазон температур: С - от 0 до +70 °C; М — от —55 до + 125 °C. Фирма Western Digital Corp., США Пример обозначения: WD 1940 Р 1 2 3 1. Фирменное буквенное обозначение: WD. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: А — керамический DIP с 40 выводами; В - DIP с 40 выводами; С — керамический DIP с 24 выводами; Е - керами- ческий DIP с 28 выводами; F — DIP с 28 выводами; М — пластмассо- вый DIP с 18 выводами; R, Р — пластмассовый DIP соответственно с 28 и 40 выводами; Т — керамический DIP с 48 выводами; UT кера- мический DIP с 20 выводами; V — керамический DIP с 20 выводами. 64
Фирма Xicor Inc., США Пример обозначения: X 2212 D М 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: X. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: D - керамический DIP; Е - безвыводной микро- корпус; Р — пластмассовый DIP; Н — кристалл; J — пластмассовый LDCC. 4. Диапазон температур: I — от -40 до +85 °C; М - от -55 до +125 °C; без буквы - от 0 до + 70 °C. Фирма Xilinx Inc., США Пример обозначения: ХС 3030 - РС44 С 12 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: ХС. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: CD8 — керамический DIP с восьмью выводами; PD8 - пластмассовый DIP с восьмью выводами; РС44 — пластмассо- вый PLCC с 44 выводами. 4. Рабочий диапазон температур: С - от 0 до +70 °C; I — от —40 до+ 85 °C; М - от-55 до + 125 °C. Фирма Yamacha Corp., Япония Пример обозначения: УМ 3025 1 2 1. Фирменное буквенное обозначение: YM, V. 2. Серийный номер. Фирма Zilog Microcomputers Inc., США Пример обозначения: Z 8400 В Р 1 2 3 4 1. Фирменное буквенное обозначение: Z. 2. Серийный номер. 3. Быстродействие, мощность: без буквы - 2,5 МГц;. А - 4 МГц; В — 6 МГц; Н - 8 МГц; L - маломощные. 4. Тип корпуса: С — керамический; D — керамический DIP; Р — пластмассовый; Q — керамический с четырехрядным расположением выводов. 5-6236 65
Фирма Zytrex Corp., США Пример обозначения: ZX 74 НСТ 240 N 1 2 3 4 5 1. Фирменное буквенное обозначение: ZX, ZXCA - логические мат- рицы КМОП-типа. 2. Температурный диапазон: 54 - специальное назначение (от -55 до +125 °C); 74 — коммерческое назначение (от —40 до +85 °C). 3. Серия: НС - быстродействующие КМОП-схемы; НСТ - быстро- действующее КМОП-схемы, совместимые с ТТЛ-типами. 4. Серийный номер и вариант. 5. Тип корпуса: D - керамический DIP; F - плоский; J, JS - керами- ческий DIP; L - безвыводной; N - пластмассовый DIP; X - кристалл. Следует отметить, что некоторые фирмы являются вторыми постав- щиками ИМС, т. е. дублируют по всем параметрам ИМС, выпускаемые другими (основными) фирмами с соответствующими условными обо- значениями. Следует отметить, что приведенные стандартные и внутрифирменные обозначения зарубежных серийно выпускаемых ИМС различных стран и фирм уже содержат определенную полезную информацию. Так по ним можно однозначно определить фирменную принадлежность и номен- клатуру выпускаемых фирмой ИМС, их функциональное назначение, технологию изготовления и некоторые электрические параметры (на- пример, организацию, время выборки и значение информационной емкости ЗУ; сопротивление открытого канала коммутаторов и клю- чей; быстродействие некоторых логических схем; напряжение питания; количество каналов и напряжение смещения нуля операционных усили- телей; количество вентилей в вентильных матрицах), а также тип кор- пуса, количество выводов и рабочий диапазон температур. Следует отметить также, что в соответствии с Публикацией 748-1 Международной электротехнической комиссии (МЭК) предусмотрены: 1) ряд предпочтительных температур для аналоговых и цифровых ИМС, при которых указываются предельно допустимые значения пара- метров: -55, -40, -25, -10, 0, +25, +55, +70, +85, +100 и +125 °C, а также —65, +150, +175 и +200 °C — для температуры хранения; 2) ряд предпочтительных номинальных напряжений: а) для цифровых биполярных ИМС (кроме схем инжекционной ло- гики I2L): 1,5; 5; 5,2 (только для ЭСЛ); 12 и 15 В; б) для цифровых МОП-схем: 1,3; 1,5; 3; 5; 12; 15; 18 и 24 В (в ка- честве исключения: 4; 6; 9; 30; 48; 100 В); в) для аналоговых ИМС: 1,3; 1,5; 3; 4; 5; 6; 9; 12; 15; 18; 24; 30; 36; 48 и 100 В. Значения положительных и отрицательных допусков на напряжения для всех типов ИМС составляют 5, 10 и 20% (значения положительных и отрицательных допусков не обязательно одинаковые). 66
1.3. БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ИМС, ВЫПУСКАЕМЫХ РАЗЛИЧНЫМИ ЗАРУБЕЖНЫМИ ФИРМАМИ Буквенное обо- значение ИМС Наименование фирмы А ААА ACT AD ADB ADC Allegro Microsystems, Actel Corp., Advanced Analog, RFT Uni Electronic Actel Corp. Analog Devices Inc. (ADI), Advanced Analog National Semiconductor Corp. (NSC) NSC, Datel Systems Inc. (DSI), Burr-Brown Corp. (BB), Advanced Analog, Hybrid Systems Corp. (HSC), ITT Semiconductors Interme- taH, Sipex Corp., Signal Processing Technology ADD ADM ADS ADX AF AH AHE AK ALD AM AMP AL AMU AN AOP AT ATF ATW AV AY Б BA BQ Bt BU BUF C CA CAT CCD CCO CD CDA CDB CDM CDP CF NSC NSC NSC NSC Advanced Analog, NSC NSC Advanced Analog Asahi Kasei Advanced Linear Devices Inc. Advanced Micro Devices, DSI, NSC, Raytheon Semiconductors Advanced Micro Devices ITT Semiconductors Intermetall Matsushita Electronics Corp., Supertex Inc. Anadigics Inc. Advanced Analog, Advanced Linear Devices Inc., Atmel Corp. BB Advanced Analog Avasem General Instruments Corp. Bipolar Integrated Technology Inc., Fujitsu Electric Co. Ltd, RFT Rohm Co. Ltd Benchmarq Microelectronics Inc. Brooktree Corp. Rohm Co. Ltd Precision Monqlithics Inc. (PMI) NSC, Fujitsu Electric Co. Ltd, GTE Microcircuits Div., RFT Bharat Electronics Ltd, RCA Catalyst Semiconductor Inc. Fairchild Semiconductor Corp. Cal Crystal Labs. Inc. Bharat Electronics Ltd, NSC, RCA Thomson-CSF Crystal Semiconductor Corp. RCA RCA Harris Semiconductor Corp. 67
Буквенное обо- значение ИМС Наименование фирмы CIC CL CLC СМ СМР СОМ СОР СР CRT CS CSZ си ex СХА CY D DA-AD DAC ERSO Circus Logic Inc. Complinear Corp. Mitel Semiconductor, Solitron Devices Inc. PMI, Signal Processing Technology Standard Microsystems Corp. (SMC) NSC General Instrument Corp. SMC Cherry Semiconductor Corp., Crystal Semiconductor Corp. Crystal Semiconductor Corp. General Instrument Corp. Crystal Semiconductor Corp., Cyrix Corp., Sony Corp. Sony Corp. Cypress Semiconductor Corp. Intersil Inc., RFT, Siliconix Inc. NSC BB, Advanced Analog, Datel Systems Inc. (DSI), HSC, NSC, PMI, Ray- theon Semiconductors, Sipex Corp., Signal Processing Technology DACHK DAS DAX DC DCJ DE DF DG DGM DH DI DL DM DMPAL DMX DN DP DPU DQ DS DSP E ECA ECD ECG EDI EDH 68 Advanced Analog Advanced Analog, Datel Systems Inc. NSC Digital Equipment Corp., Supertex Inc. Digital Equipment Corp. Seeq Technology Inc. ITT Semiconductors Intermetall, Siliconix Inc. Intersil Inc., Siliconix Ijic. Siliconix Inc. NSC Dionics Inc. General Instrument Corp., RFT NSC, Seeq Technology Inc. NSC PMI Matsushita Electronics Corp. NSC ITT Semiconductors Intermetall Seeq Technology Inc. General Instrument Corp., NSC, Dallas Semiconductor Corp. STC Semiconductor RFT, SGS-Ates Semiconductor Corp. ERSO ERSO Sylvania Electronic Design Inc. Electronic Design Inc.
Буквенное обо- значение ИМС Наименование фирмы EF Thomson-CSF EFB Thomson-CSF EFD Thomson-CSF EFF Thomson-CSF EFG Thomson-CSF EFH Thomson-CSF EFM Thomson-CSF EFS Thomson-CSF EFT Thomson-CSF EFY Thomson-CSF EFZ Thomson-CSF ЕНА Elantek Inc. EL Elantek Inc., Elcap Electronics Ltd ЕР Altera Corp. ER General Instrument Corp. ESM Thomson-CSF ЕТ Supertex Inc., Thomson-CSF ЕТС Thomson-CSF ETL Thomson-CSF F Fairchild Semiconductor Corp., Master Logic (ML) FAB Centralp Semiconductor Corp. FC Mullard FCH Valvo GmbH FCK Valvo GmbH FCL Valvo GmbH FCM Fairchild Semiconductor Corp. FCY Valvo GmbH FD RTC, Siemens FDC SMC FDN Valvo GmbH FDQ Valvo GmbH EDR Valvo GmbH FE RTC FEJ Valvo GmbH FEY Valvo GmbH FF RTC FGC Fairchild Semiconductor Corp. FGE Fair child Semiconductor Corp. FJ Milliard, RTC FK Mullard FL Siemens FLT DSI FQ SGS-Ates Semiconductor Corp. FWA Fairchild Semiconductor Corp. FX Consumer Microcircuits Ltd. FY Siemens 69
Буквенное обо- значение ИМС Наименование фирмы FZ Siemens FZH Valvo GmbH FZJ Valvo GmbH FZK Valvo GmbH FZL Valvo GmbH G GTE Microcircuits Div., Intersil Inc., Siliconix Inc. GA Mostek Corp., Gennum Corp. GAP PMI GB Mostek Corp., Gennum Corp. GC Gennum Corp. GD Siemens GE General Electric GEIC General Electric GF Gennum Corp., RTC GI Gennum Corp. GL Gold Star Semiconductor GP Gennum Corp. GT RTC GX Gennum Corp., Seimens, Valvo GmbH GXB Philips, RTC, Valvo GmbH GY Gennum Corp. GZ Gennum Corp., RTC GZF Valvo GmbH H Hughes Aircraft, SGS-Ates Semiconductor Corp., Siliconix Inc. HA Harris Semiconductor Corp., Hitachi HAB Harris Semiconductor Corp., RTC, Valvo GmbH HAL Advanced Micro Devices, Monolithic Memories HAS ADI HBC SGS-Ates Semiconductor Corp. HBF SGS-Ates Semiconductor Corp. HC Harris Semiconductor Corp., Honeywell Inc., RCA HCC SGS-Ates Semiconductor Corp. HCF SGS-Ates Semiconductor Corp. HCMP Hughes Aircraft HD Harris Semiconductor Corp., Hitachi HDAC Honeywell Inc. HDS ADI HE Honeywell Inc. HEDS Hewlett-Packard Co. HEF Mullard, Philips, RTC, Valvo GmbH HI Hanis Semiconductor Corp. HLCD Hughes Aircraft HM Harris Semiconductor Corp., Hitachi HMCS Hitachi HMMP Hughes Aircraft HN Hitachi 70
Буквенное обо- значение ИМС Наименование фирмы HNVM Hughes Aircraft HPL Harris Semiconductor Corp. HPROM Harris Semiconductor Corp. HRAM Harris Semiconductor Corp. HROM Harris Semiconductor Corp. HS Harris Semiconductor Corp., HSC, NSC, Sipex Corp. HSG SGS-Ates Semiconductor Corp. HSSR Hughes Aircraft HSO RTC HT Harris Semiconductor Corp., Honeywell Inc. HV Supertex Inc. HX Philips HXA RTC HY Hyundai, NSC HYC SMC IB Intel Corp. IC Intel Corp. ICL Intersil Inc. ICM Intersil Inc. ICS Integrated Circuit Systems ICT International CMOS Technology Inc. ICX Sony Corp. ID Intel Corp. IDM NSC IDT Integrated Device Technology Inc. IH Intersil Inc., NSC ILX Sony Corp. IM Intel Corp., Intersil Inc., NSC IMI International Microcircuits Inc. IMP NSC IMS Inmos Corp. INS NSC IP Integrated Power Semiconductors Ltd., Intel Corp. IPC National Semiconductor Corp. IR Sharp Corp. IRK Sharp Corp. IS Sony Corp. ISP NSC ITT ITT Semiconductors Intermetall ru Sony Corp. IX Intel Corp. IXBD IXYS Corp. IXCP IXYS Corp. IXDP IXYS Corp. IXI IXYS Corp. IXLD IXYS Corp. 71
Буквенное обо- значение ИМС Наименование фирмы IXMS IXP IXSE J JRB КА КВ KDA КМ KR KS L IXYS Corp. IXYS Corp. IXYS Corp. Matsushita Electronics Corp. Texas Instruments Inc. Samsung Semiconductor Inc. General Instrument Corp. Samsung Semiconductor Inc. Samsung Semiconductor Inc. SMC Gold Star Semiconductor, Samsung Semiconductor Inc. LSI Logic Corp., SGS-Ates Semiconductor Corp., Siliconix Inc., Thomson-CSF LA LAS LB LC General Instrument Corp., Lambda Electronics, Toshiba Corp. Lambda Electronics Sanyo Electric Co. Ltd AT&T Microelectronics, General Instrument Corp., Sanyo Electric Co. Ltd LCA LD LE LF LFT LG LH LL LLM LLS LM LSI Logic Corp. Advanced Analog, Siliconix Inc. Sanyo Electric Co. Ltd, Seeq Technology Inc. NSC NSC General Instrument Corp. NSC, Raytheon Semiconductors, Sharp Corp., Sliliconix Inc. LSI Logic Corp. Lambda Electronics Logic Devices Inc. NSC, Raytheon Semiconductors, Sanyo Electric Co. Ltd, Seeq Techno- logy Inc., Siliconix Inc., Signetics Corp. LMA LMC LMU LNA LP LPD LPR LQ LR LRF LS LSC LT LTC LTT LU LSI Logic Corp. Lambda Electronics Logic Devices Inc. TRW LSI Products NSC Lambda Electronics Logic Devices Inc. Seeq Technology Inc. Sharp Corp. Logic Devices Inc. SGS-Ates Semiconductor Corp. LSI Logic Corp. Linear Technology Corp. (LTC) LTC Lignes Telegraphiques Telefoniques (LTT) Sharp Corp. 72
Буквенное обо- значение ИМС Наименование фирмы LZ М Sharp Corp. Matsushita Electronics Corp., Mitsubishi Electronic Corp., SGS-Ates Semi- conductor Corp., Thomson-CSF МА Analog Systems, Marconi Electronic Devices Ltd, Mitel Semiconductor, Philips, Tesla МАА МАВ МАС MAF MAS МАТ МАХ МВ MBA MBL МВМ МС MCA МСВ МСВС МСС MCCF MCE МСМ MCU мех MCY MD MDA MDAC MDC ME МЕА МЕВ МЕМ MEN MF MGB MGC MH MHA мне MHD МНЕ MHF MHG ITT Semiconductors Intermetall, Tesla Tesla Tesla Tesla Tesla PMI Maxim Integrated Products Inc. Fujitsu Electric Co. Ltd., Intel Corp., Philips Tesla Fujitsu Electric Co. Ltd. Fujitsu Electric Co. Ltd. Intel Corp., Motorola, Nippon Electric Corp. (NEC), Unitra NSC, Tesla Motorola Motorola Motorola Motorola MCE Semiconductor Inc., Motorola Motorola ITT Semiconductors Intermetall Unitra Unitra Analog Systems, Intel Corp., Mitel Semiconductor, Philips ITT Semiconductors Intermetall, Tesla Advanced Analog Marconi Electronic Devices Ltd. Philips ITT Semiconductors Intermetall, Mullard Philips General Instrument Corp. General Instrument Corp. NSC MCE Semiconductor Inc. MCE Semiconductor Inc. Mitel Semiconductor, NSC, Tesla Tesla Tesla Tesla Tesla Tesla Tesla 73
Буквенное обо- значение ИМС Наименование фирмы MHW MIC MJ MJA MJB мк MKB MKJ ML MLA MLM MM MMC MMN MMS MN MP Motorola ITT Semiconductors Intermetall, Micrel Inc. Plessey Semiconductors Tesla Tesla Analog Systems, MostekCorp. Mostek Corp. Mostek Corp. LTC, Mitel Semiconductor, Micro Linear, Plessey Semiconductors ML Motorola Intel Corp., NSC Microelectronica Microelectronica Motorola Matsushita Electronics Corp., Micro Networks Corp., Plessey Semicon- ductors Intel Corp., Micro power Systems (MPS), Plessey Semiconduc- tors MPC MPOP MPREF MPU MPX MPY M$L MSM MT MTC MUX MV MYA MZ MZH MZJ MZK N NC NCR NE NH NJ NJM NJU NKZ NMC NMH BB MPS MPS SMC ITT Semiconductors Intermetall International Microcircuits Inc.( (IMI) OKI Electric Co. Ltd. OKI Electric Co. Ltd. Mitel Semiconductor, Plessey Semiconductors MIETEC General Instrument Corp., PMI American Microsystems Inc. (AMI), Datel Systems Inc. (DSI), Intel Corp. Tesla Analog Systems Tesla Tesla Tesla Signetics Corp. General Instrument Corp., Nitron Inc. NCR Microelectronics Signetics Corp. NSC Plessey Semiconductors JRC Ltd. JRC Ltd. Siemens NSC NSC 74
Буквенное обо- значите ИМС Наименование фирмы NOM Plessey Semiconductors. NS Nitron Inc. NSC NSC NSL NSC ОР Precision Monolithic Inc. ОРА BB РА Apex Microtechnology Corp., RCA РАС Wafer Scale Integration Inc. PAL Monolithic Memories Inc. (MMI), NSC, Advanced Micro Devices РВ Apex Microtechnology Corp. PBD Ericsson Components Inc. PC General Instrument Corp. РСА Philips, Valvo GmbH РСВ Mullard, Philips, Valvo GmbH РСС Philips, Valvo GmbH PCD Mullard, Philips, Valvo GmbH РСЕ Philips, Valvo GmbH PCF Mullard, Philips, Valvo GmbH PEEL International CMOS Technology Inc. PIC General Instrument Corp., Unitrode Corp. PIP ITT Semiconductors Intermetall PKD Precision Monolithic Inc. PLE Monolithic Memories Inc. PM Precision Monolithic Inc. PMB Texas Instruments Inc. PMJ Texas Instruments Inc. PNA Philips, Valvo GmbH PMR Lambda Electronics PS Advanced Analog PWR Power Integrations Inc. R Raytheon Semiconductor, Rockwell Corp. RA General Instrument Corp., Reticon Corp. RC Raytheon Semiconductor, Reticon Corp. RD Reticon Corp. REF Precision Monolithic Inc. RGBDAC Advanced Analog RL Raytheon Semiconductor, Reticon Corp. RM Raytheon Semiconductor, Reticon Corp. RO General Instrument Corp., Reticon Corp. RPT Precision Monolithic Inc. RT Reticon Corp. RV Raytheon Semiconductor R5 Reticon Corp. R6 Hybrid Systems Corp. S AMI, Signetics Corp., Siliconix Inc. SA Signetics Corp. 75
Буквенное обо- значение ИМС Наименование фирмы SAA ITT Semiconductors Intermetall, Milliard, RTC, Philips Compohents, Valvo GmbH SAB SAD SAF SAH SAJ SAK SAM SAS SAY SBA SBB SBP SC SCA SCB see SCD SCF SCI SCL SCM SCN sex SD SDA SNJ SE SED SF SFC SFF SG SH SHC SHM SIS SI SL SLA SLC SLE SM SMB SMC Philips, RTC, Telefunken Electronic, Valvo GmbH Reticon Corp. Philips, RTC, Valvo GmbH Milliard ITT Semiconductors Intermetall, Siemens, Valvo GmbH ITT Semiconductors Intermetall, Valvo GmbH Reticon Corp., Wafer Scale Integration Inc. Telefunken Electronic GmbH, OKI Electric Industry Co. Ltd ITT Semiconductors Intermetall General Instrument Corp., ITT Semiconductors Intermetall Philips, Valvo GmbH Texas Instruments Inc. Nitron Inc., Siena Semiconductor Corp. STC Semiconductor Signetics Corp. Signetics Corp., STC Semiconductor STC Semiconductor Seiko Epson Corp. Seiko Epson Corp. SSS, Spraque Electric Co. SSS, Spraque Electric Co. Signetics Corp. NSC, STC Semiconductor, Suwa Seikosha NSC Philips, Siemens, Thomson-CSF Texas Instruments Inc. Signetics Corp. Seiko Epson Corp. Thomson-CSF Thomson-CSF Thomson-CSF SGI Fairchild Semiconductor Corp. BB DSI Silicon Integrated Systems Corp. Siliconix Inc. General Instrument Corp., NSC, Plessey Semiconductors Seiko Epson Corp. Seiko Epson Corp. Siemens NSC, SSS, SG, Siliconix Inc. Texas Instruments Inc. Seiko Epson Corp. 76
Буквенное обо- значение ИМС Наименование фирмы SMM SMP SN SNA SNB SNC SND SNH SNJ SNN SNS SNT SP SPB SPL SPR SPT SPU SR SRM SS SSC SSI SSL SSM SSS STA STC STK STR SU SVM SW SY SYE SYMC SYX. T TA TAA TAB TAC TAD TAE TAF Seiko Epson Corp., Suwa Seikosha PMI Texas Instruments Inc., MMI Texas Instruments Inc. Texas Instruments Inc. Texas Instruments Inc. Solid State Scientific (SSS) Texas Instruments Inc. Texas Instruments Inc. Texas Instruments Inc. Texas Instruments Inc. Texas Instruments Inc. AMI, Sipex Corp. General Instrument Corp. Spraque Electric Co. General Instrument Corp. Signal Processing Technology ITT Semiconductors Intermetall SMC Seiko Epson Corp., Suwa Seikosha General Instrument Corp., SSS Seiko Epson Corp. Silicon Systems Inc. (SSI) Saratoga Semiconductor Saratoga Semiconductor PMI ITT Semiconductors Intermetall Seiko Epson Corp., STC Semiconductor Simtek Corp. Sanyo Electric Co. Ltd Signetics Corp. Suwa Seikosha PMI Synertek Synertek Synertek Synertek AT&T Microelectronics, SGS-Ates Semiconductors Corp., Toshiba Corp. RCA, Toshiba Corp. ITT Semiconductors Intermetall, Mullard, Philips, SGS-Ates Semiconduc- tors Corp., Siemens, Telefunken Electronic GmbH, Valvo GmbH Mullard Texas Instruments Inc. Mullard, Reticon Corp. Siemens Siemens 77
Буквенное обо* значение ИМС Наименование фирмы TAL ТАТ ТВА Texas Instruments Inc. Texas Instruments Inc. ITT Semiconductors Intermetall, Mullard, Philips» RTC, SGS-Ates Semi- conductors Corp., Siemens, Telefunken Electronics GmbH, Valvo GmbH ТВВ ТВС ТВЕ ТВР ТС ТСА Siemens Siemens Siemens Texas Instruments Inc. Toshiba Corp. ITT Semiconductors Intermetall, Philips, RTC, SGS-Ates Semiconduc- tors Corp., Siemens, Valvo GmbH, Telefunken Electronic GmbH, Thom- son-CSF TCD TCP TD TDA Toshiba Corp. Toshiba Corp. Thomson-CSF, Toshiba Corp. ITT Semiconductors Intermetall, Philips, RTC, SGS-Ates Semiconductors Corp., Siemens, Telefunken Electronic GmbH, Thomson-CSF, Valvo GmbH TDB TDC TDE TDF трр TDS ТЕ TEA Philips, RTC, Siemens, Thomson-CSF, Valvo GmbH Siemens, Thomson-CSF, Transitron Electronic, TRW Semiconductors RTC, Thomson-CSF Thomson-CSF Toshiba Corp. TRW Semiconductors Thomson-CSF ITT Semiconductors Intermetall, Philips, RTC, Mullard, Thomson-CSF, Valvo GmbH ТЕВ ТЕС ТЕЕ TEL TFA TFF TG TIBPAL TIFPLA TIL ТК TL Thomson-CSF Thomson-CSF Thomson-CSF STC Semiconductor Siemens Transitron Electronic Transitron Electronic Texas Instruments Inc. Texas Instruments Inc. Texas Instruments Inc. Toko Inc. Comset Semiconductors, S. P. R. L., Telefunken Electronic GmbH, Te- xas Instruments Inc. TLC TLE ТМ ТМС TMD TMF Texas Instruments Inc. Siemens Telmos Inc., Toshiba Corp. Transitron Electronic, TRW Semiconductors Telmos Inc. Telmos Inc. 78
Буквенное обо- значение ИМС Наименование фирмы TML Telmos Inc. ТММ Toshiba Corp. ТМР Toshiba Corp. TMS Texas Instruments Inc. TMZ TRW Semiconductors TNF Transitron Electronic ТОА Transitron Electronic ТР NSC, Teledyne Semiconductor TPU ITT Semiconductors Intermetall TQ Tri-Quint Semiconductor Inc. TRC Transitron Electronic TSC Teledyne Semiconductor TSR Transitron Electronic ТТ DSI TVR Transitron Electronic и General Instrument Corp., RFT, Telefunken Electronic GmbH UA General Instrument Corp. ЦАА Telefunken Electronic GmbH, Thomson-CSF, Valvo GmbH UAB Thomson-CSF UAC Thomson-CSF UAF ITT Semiconductors Intermetall UC Solitron Devices Inc., Unitra, Unitrode Corp. UCN Allegro Microsystems, Spraque Electric Co. UCP Spraque Electric Co. UCQ Allegro Microsystems, Spraque Electric Co. UCS Allegro Microsystems, Spraque Electric Co. UCX Unitra UCY Unitra UDN Allegro Microsystems, Spraque Electric Co. UDP Spraque Electric Co. UDQ Allegro Microsystems UDS Allegro Microsystems, Spraque Electric Co. UGN Allegro Microsystems, Spraque Electric Co. UGQ Allegro Microsystems UHN Spraque Electric Co. UL American Microsystems Inc., Unitra ULN Spraque Electric Co. ULS Spraque Electric Co. им United Microelectronics1 Corp. ит United Technologies Microelectronics Center Inc. UTN Spraque Electric Co. UVC ITT Semiconductors Intermetall ДА Fairchild Semiconductor Corp. ДАР Fairchild Semiconductor Corp. ДРА Nippon Electric Corp. ДРВ Nippon Electric Corp. 79
Буквенное обо- значение ИМС Наименование фирмы дРС Nippon Electric Corp. fiPD Nippon Electric Corp. V Vitelic Corp. VA VTC Inc. VAD ITT Semiconductors Intermetall VC VLSI Technology Inc., VTC Inc. VDAG Advanced Analog VF DSI, VLSI Technology Inc. VFC Advanced Analog, BB VH VLSI Technology Inc. VI DSI VL VLSI Technology Inc., VTC Inc. VM VTC Inc., Thomson-GSF VMC ITT Semiconductors Intermetall VR DSI VS Vitesse Semiconductor Corp., VLSI Technology Inc. VSP ITT Semiconductors Intermetall VT VLSI Technology Inc. VU VLSI Technology Inc. W Siliconix Inc. WA Apex Microtechnology Corp. WB Apex Microtechnology Corp. WD Western Digital Corp. WS Wafer Scale Integration Inc. WTL Weitek Corp. WXL Weitek Corp. X Xicor Inc. XC Xilinx Inc. XLA Exel Microelectronics XLS Exel Microelectronics, Rohm. Co. Ltd XR Exar Integrated Systems Inc. YM Yamacha Corp. Z SGS-Ates Semiconductors Corp., Zilog Nicrocomputers Inc. ZLD Ferranti Electronics Ltd ZN Ferranti/ Electronics Ltd ZNA Ferranti Electronics Ltd ZNREF Ferranti Electronics Ltd ZSS Ferranti Electronics Ltd ZST Ferranti Electronics Ltd ZX Zytrex Corp. ZXCAL Zytrex Corp. 9N Fairchild Semiconductor Corp. 10G Gigabit Logic Inc. 11G Gigabit Logic Inc. 12G Gigabit Logic Inc. 16G Gigabit Logic Inc. 90G Gigabit Logic Inc. 80
Товарный знак 1.4. товарные Знаки зарубежных фирм Фирма Actel Corp. Advanced Linear Devices Inc. Advanced Micro Devices Altera Corp. American Microsystems Inc. (AMI) Anadigics Inc. Analog Devices Inc. (ADI) Apex Microtechnology Corp. Asahi Kasei Atmel Corp. AT&T Microelectronics Benchmarq Microelectronics Inc. Beckman Instruments Inc. Bharat Electronics Ltd Advanced Micro Devices <-AMI □ANALOG DEVICES IIptech ASAHI KASEI AT&T BECKMAN 6-6236 81
Фирма Товарный знак Bipolar Integrated Technology Inc. Brooktree Corp. Burr-Brown Corp. (BB) Cal Crystal Labs. Inc. Catalyst Semiconductor be. Centralp Semiconductor Corp. Cherry Semiconductor Corp. Circus Logic Inc. Complinear Corp. Comset Semiconductors, S. P. R. L. Crystal Semiconductor Corp. Cypress Semiconductor Corp. Cyrix Corp. Dallas Semiconductor Corp. Datel Systems Inc. (DSI) Digital Equipment Corp. BIT Bt [SS] 1111111 CENTRAJLP CHERRY 4C/rix EIOSDOBO 82
Фирма Товарный знак Dionics Inc. Elantec Inc. Electronic Design Inc. Ericsson Components Inc. ERSO Exel.Microelectronics Exar Intergrated Systems Inc. Fairchild Semiconductor Corp. Ferranti Semiconductors Ltd. Fujitsu Electric Co. Ltd General Electric General Instrument Corp. Gennum Corp. elantec ERICSSON $ JS'EXAR FAIRCHILD JWERRANTI II semiconductors GTE Microcircuits Div. GTE 83
Фирма Товарный знак Gigabit Logic Inc. Gold Star Semiconductors Harris Semiconductor Corp. Hewlett-Packard Co. Hitachi Honeywell Inc. Hughes Aircraft Hybrid Systems Corp. (HSC) Hyundai Inmos Corp. Integrated Device Technology Inc. Intergated Power Semiconductors Ltd Intel Corp. International CMOS Technology Inc. Intersil Inc. [GBLJ GigaBit Logic ^GoldStar ЯП HARRIS “ra ^HITACHI Honeywell 84
Фирма Товарный знак ITT Semiconductors Intermetall JRC (New Japan Radio Co.) Ltd IXYS Corp. Lambda Electronics Linear Technology Corp. (LTC) Logic Devices Inc. LSI Logic Corp. Marconi Electronic Devices Ltd Matsushita Electronics Corp. Maxim Integrated Products Inc. MCE Semiconductor Inc. Micro Linear Micro Networks Corp. ITT DEVICES INCORPORATED LSI LOGIC Л1/1Х1Л1 МСЕИЭ M I С О N О и C TO R INC 85
Фирма Товарный знак Micro Power Systems (MPS) Inc. Mitel Semiconductor Mitsubishi Electronic Corp. Monolithic Memories Inc. (MMI) Mostek Corp. Motorola Mullard National Semiconductor Corp. (NSC) Nippon Electric Corp. (NEC) NCR Microelectronics Corp. Nitron Inc. OKI Electric Industry Co. Ltd Philips Plessey Semiconductors Ж MICRO POWER SYSTEMS (g) NEC пиан ttlitmi 86
Фирма Товарный знак Power Integrations Inc. Precision Monolithics Inc. (PMI) Raytheon Semiconductors RCA Reticon Corp. Rockwell Corp. Rohm Co. Ltd RTC Samsung Semiconductor Inc. Sanyo Electric Co. Ltd SGS-Ates Semiconductors Corp. Seeq Technology Inc. Seiko Epson Corp. SGS-Thomson Microelectronics Sharp Corp. Siemens Sierra Semiconductor Corp. RCA * понт ®SA/frO eeeo SHARP SIEMENS yllk 87
Фирма Товарный знар Signal Processing Technology Signetics Corp. Silicon General Inc. (SGI) Silicon Integrated Systems Corp. Silicon Systems Inc. (SSI) Siliconix Inc. Simtek Corp. Solid State Scientific (SSS) Solitron Devices Inc. Sony Corp. Sprague Semiconductor Group Standard Microsystems Corp. (SMC) Supertex Inc. Synertek SONY ® SPRPGUE s* © 88
Фирма Товарный знак Teledyne Semiconductor Telefunken Electronic GmbH Telmos Inc. Tesla Texas Instruments Inc. Toko Inc. Toshiba Corp. Tri-Quint Semiconductor Inc. TRW LSI Products Inc. United Microelectronics Corp. (UMC) Unitra Unitr ode. Corp. Valvo GmbH Vitesse Semiconductor Corp. TriQuint W SEMICONDUCTOR 89
Фирма Товарный знак VLSI Technology Inc. VTC Inc. Wafer Scale Integration Inc. Weitek Corp. Western Digital Corp. Xicor Inc. Xilinx Inc. Zilog Microcomputers Inc. Zytrex Corp. РАЗДЕЛ 2 УНИФИЦИРОВАННЫЕ КОНСТРУКЦИИ КОРПУСОВ ЗАРУБЕЖНЫХ ИМС Назначением корпуса является защита кристалла от внешних воз- действий (влаги, всевозможных загрязнений и механических повреж- дений) , обеспечение надежного отвода тепла от кристалла при неблаго- приятных условиях эксплуатации, экранирование от внешних электри- ческих и магнитных полей. Для специальных устройств и некоторых коммерческих изделий первостепенное значение имеют высокая гер- метичность и длительное сохранение стабильности параметров. Поэтому корпуса проверяются на герметичность, влагостойкость, тепловой удар, термрциклирование, вибрацию, ускорение и механический удар. 90
Кроме того, корпус должен иметь конструкцию, удобную для мон- тажа, удовлетворяющую определенным требованиям (по геометриче- ским размерам и форме корпуса, по расположению, количеству и длине выводов) и совместимую с современными методами сборки РЭА. Вы- бор типа корпусу обусловливается способом монтажа на плату. Конструкция корпуса, свойства его материалов и электрические па- раметры выводов (собственные сопротивления и индуктивности, сопро- тивление изоляции, ток утечки, межвыводные емкости) существенно влияют на эксплуатационные характеристики ИМС. При выборе кон- струкции корпуса учитываются сложности его сборки и испытаний, так как не всегда применение дешевых корпусов является наиболее экономичным при создании РЭА. В различных странах проведены стандартизация и унификация кон- струкций корпусов ИМС, отвечающие рекомендациям Международной электротехнической комиссии (Публикации 191-1, 191-2, 191-3, 1914 МЭК), что обеспечивает их механическую взаимозаменяемость (полная взаимозаменяемость определяется еще тепловыми и электрическими характеристиками) и расширяет круг потребителей на международном рынке. Обычно на чертежах корпусов указываются все размеры, необходи- мые для обеспечения механической взаимозаменяемости и различные способы расположения проекций (американский способ: вид сбоку, сверху и снизу). Корпуса ИМС классифицируют по типам в зависимости от формы (плоские, цилиндрические, с однонаправленными выводами, монти-v руемые на поверхности платы, монтируемые на радиаторе), расположе- ния выводов (с выводами, расположенными перпендикулярно и параллельно плоскости основания; на одной линии, по одной окружно- сти, по концентрическим окружностям, по поверхности корпуса, по периферии квадрата или прямоугольника, где количество выводов за- висит от шага и длины периметра; в три или более рядов в каждом ортогональном направлении) и вида используемого материала (ме- таллостеклянные, металлокерамические, пластмассовые, металлополи- мерные, керамические). Целесообразность использования конкретного типа корпуса опреде- ляется эффективностью использования его площади, а расположение выводов определяет его габариты. Количество выводов определяется степенью интеграции ИМС. Приближенно считается, что да каждые 10 вентилей требуется 1 вывод (например, БИС с 2000 вентилей требует 200 выводов). Для ИМС с малым и средним уровнем интеграции использовались главным образом металлостеклянные цилиндрические (например, ТО-78, ТО-99, ТО-ЮО, ТО-101), пластмассовые и керамические кор- пуса DIP (Dual In-line Package) с двухрядным расположением выводов с 14 и 16 выводами (например, ТО-116), а также плоские корпуса с 91
таким же количеством выводов (например, ТО-85, ТО-86, ТО-91). Возрастание требований к электрическим параметрам приводит к со- вершенствованию конструкций корпусов (рис. 2.1). При увеличении степени интеграции, размеров элементов, плотности упаковки, а также функциональной сложности число выводов у DIP- корпусов увеличено до 64. При этом значительно увеличилась площадь, занимаемая ими на плате, т. е. DIP-корпус стал громоздким и доро- гим Кроме того, с увеличением габаритов удлиняются токоведущие проводники в основании корпуса, т. е. увеличиваются сопротивления, индуктивности и межвыводные емкости, ограничивающие рабочую частоту ИМС, хотя при этом и улучшается теплоотвод. Так, у DIP-кор- пусрв с 16 и 64 выводами составляют соответственно: сопротивления 0,24 и 1 Ом, емкости 0,87 и 3,89 пФ, а тепловые сопротивления 75 °С/Вт и36,5°С/Вт. Необходимость в замене DIP-корпусов корпусами с более эффектив- ным использованием площади для функционально сложных ИМС (БИС, СБИС), а также появление перспективной технологии поверхностного монтажа, заменяющей технологию монтажа со сквозными отверстиями и являющейся расширенной концепцией сборки кристаллов на подлож- ке гибридных ИМС, привели к появлению малогабаритных плоских корпусов, пластмассовых и керамических кристаллоносителей (крис- таллодержателей), корпусов с матричным расположением выводов и микрокорпусов. Значительное возрастание числа выводов СБИС (до 300—400) вызы- вает ряд проблем: более жесткий доступ к расположению выводов, возрастание размера корпуса и отношения полезной площади, занятой выводами, к использованной площади поверхности корпуса. Напри- мер, при 144 выводах (36 на каждую сторону периметра) ширина и дли- на корпуса составляют 26 мм (шаг 0,508 мм и 0,635 мм). Для многих приборов с большим количеством выводов (более 200) затраты на создание корпуса составляют 80% общих затрат на создание ИМС. Дальнейшее увеличение размеров корпусов становится невыгод- ным. Поэтому стали переходить к созданию многокристальных моду- лей. Кристалл Керамика Рис. 2.1 Рис. 2.2 92
В 30-х годах появились БИС в, микрокорпусах типа SO (Small Out-line), в пластмассовых кристаллодержателях типа PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), в кристаллодержателях на гибкой ленте носителя типа TAB (Таре Automatic Bonding), позволившие обеспечить приемле- мые выход годных и функционально-стоимостные показатели коммер- ческих изделий. Микрокорпуса типа SO (рис. 2.2), разработанные фирмой Zilog в 1967 г. для гибридных ИМС, представляют собой миниатюрные кор- пуса (уменьшенный вариант DIP-корпуса: на 30% меньше по высоте, на 70% — по объему) с шагом 1,26 и 0,762 мм с укороченными выво- дами (в количестве от 4 до 28), отформованными так, что их мон- таж может выполняться непосредственно на облуженные контактные площадки платы. В этих корпусах выпускаются ИМС малой и средней степени интеграции (стандартные ТТЛШ, маломощные и быстродей- ствующие КМОП, операционные усилители, компараторы, стабилиза- торы напряжения, таймеры, ЦАП на 8 двоичных разрядов, ИМС ФАПЧ). Они занимают на плате меньшую площадь, чем DIP-корпуса. Например, корпуса с 8 выводами SO и DIP имеют площадь проекции соответствен- но 20 и 70 мм2 и массы 65 и 600 мг, а с 28 выводами - 140 и 500 мм2 и 700 и 4300 мг. Конструкция корпуса SO, стандартизированная МЭК, предусматри- вает две группы: мини-корпус (группа А75) с длиной корпуса 6,7 и 18,1 мм ц числом выводов 10, 14, 16, 20, 24 и микрокорпус (группа А76) с длиной корпуса 2,5 и 6,3 мм и числом выводов 4, 6 и 8. При количестве выводов 20 и менее корпуса типа SO занимают меньшую площадь, чем корпуса PLCC и LDCC с тем же количеством выводов, но у них при этом хуже теплоотвод. Ограничением в применении кор- пусов SO являются малые размеры кристаллов и рассеиваемая мощ- ность, а,также жесткие условия эксплуатации. Пластмассовые кристаллоносители типа PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier), конструктивно более сложные, чем корпуса типа SO, квадрат- ной или прямоугольной формы выпускаются с 1975 г. и имеют J-образ- ные выводы, расположенные по четырем сторонам (рис. 2.3). Шаги вы- водов (расстояние между двумя осями близлежащих выводов) состав- ляют 1,27; 1,02; 0,635 или 0,508 мм, число выводов от 16 до 156. Кроме того, используются и керамические кристаллоносители типа CLCC (Ceramic Leaded Chip Carrier) или LDCC (Leaded Ceramic Chip Carrier), которые конструктивно сложнее и дороже корпусов типа PLCC и имеют от 14 до 68 выводов и более с шагами 1,27 и 1,02 мм. Выводы у указанных кристаДлоносителей загнуты под корпус, т. е. не выдаются в стороны, как у приборов с двухрядным расположением выводов, что исключает повреждение корпуса при монтаже и транспортировке. Они могут крепиться к печатной плате с помощью специальных прижимных панелей или непосредственной пайкой к металлизированным дорожкам 93
платы. Пластмассовые кристаллоносители являются альтернативой керамическим вариантам, если при этом не требуются высокие рабо- чая температура, герметичность и надежность. Одним из важных параметров корпуса является собственная индук- тивность выводов. Высокая собственная индуктивность ухудшает функ- циональные параметры электронных устройств (увеличивается влияние токов утечки и электромагнитных находок, ухудшаются выходные параметры, изменяются пороговые характеристики цифровых ИМС). Например, задержка распространения сигнала ИМС ТТЛШ в корпусе SO на 12-15% меньше, чем в DIP-корпусе. Собственная индуктивность DIP-корпуса с 16 выводами лежит в диапазоне 3, 5 ... 11 нГн, у корпусов типов SO и PLCC она на 50% меньше. Так как у корпусов PLCC и CLCC более короткие выводы, то помехозащищенность у них в 2 раза выше, чем у DIP-корпусов. Недостатком кристаллоносителей является сложность визуального контроля мест пайки, так как нижняя часть выводов находится под корпусом. В 1980 г. был разработан стандарт системы JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) на кристаллоносители с шагами 1,27 и 1 мм с числом контактов от 16 до 156 (МО02, МООЗ, МО04, МО05 - безвы- водные; МО06, МО07, МО08, МО-047АА — с выводами, М009 — с шагом 1 мм). Стандартом максимальное число контактов ограничено 156 из-за чрезмерного увеличения габаритных размеров и массы корпусов. В дальнейшем были разработаны специальные конструкции кристал- лоносителей со встроенными развязывающими конденсаторами для подавления влияния индуктивности выводов. Керамические кристаллоносители (рис. 2.4), имеющие выводы в виде металлических контактных площадок (обычно от 18 до 172), расположенных в пределах проекции тела корпуса, называют часто безвыводными кристаллоносителями типа LCC (Leadless Chip Carrier). Они рассеивают больше тепла, чем аналогичные пластмассовые, из-за лучшей теплопроводности керамики. По системе JEDEC стандартизованы два вида корпуса: FK (квад- ратный с числом выводов от 24 до 80) и FG (прямоугольный с числом выводов от 18 до 32). Рис. 2.3 Рис. 2.4 94
Безвыгодные керамические корпуса обеспечивают высокую плот- ность монтажа, но дня них существует проблемы, связанные с несогла- сованностью температурных коэффициентов расширения контактирую- щих материалов. Для коммерческих изделий они обычно не применя- ется. Корпуса типа PGA (Pin Grid Array) - это керамические (CPGA) или пластмассовые (PPGA) многослойные квадратные корпуса со штырьковыми выводами (в количестве до 257 шт.) по всей площади основания корпуса с шагом 2,54 мм по двум осям координат (рис. 2.5). При большом количестве выводов они имеют малые габариты. Напри- мер, при 100 выводах корпус имеет размеры 28 х 28 мм, а аналогичный по выводам кристаллоноситель - 34,3 х 34,3 мм. Недостатки этих кор- пусов — высокая стоимость и невозможность визуального контроля пайки выводов. Плоские корпуса с двухсторонним расположением выводов (Flat Pack) имеют число выводов от 14 до 28 (рис. 2.6), а с четырехсторон- ним расположением выводов (Quad Flat Pack, Cerquad) - от 44 до 160 (рис. 2.7). Корпуса Gerquad по сравнению с эквивалентом без выво- дов могут иметь в 3 раза большую массу, но дешевле. Для мощных ИМС используются корпуса типа SIP (рис. 2.8). Миниатюризация корпусов при одновременном увеличении мощно- сти рассеяния кристалла создает проблему обеспечения эффективности Рис. 2.7 Рис. 2.8 95
теплоотвода, так как чем выше плотность элементов на кристалле, тем большую мощность (больше тепла) он должен рассеять. При ис- пользовании корпусов с очень малым шагом выводов возникают до- полнительные проблемы, связанные со сложностью пайки. В этом случае традиционные методы сборки уступают место лазерной пайке. С увеличением объема выпуска ИМС используются групповые методы монтажа с применением специальных инструментов для групповой пайки с внедрением систем полной или частичной автоматизации, с ор- ганизацией автоматизированных роботизированных методов сборки и поточных линий, с применением конструкций корпусов для технологии поверхностного монтажа. Технология поверхностного монтажа (ТПМ) представляет собой автоматизированный процесс создания механиче- ских и электрических контактов между элементами платы и навесны- ми элементами. Развитие ТПМ было вызвано прежде всего экономическими сообра- жениями. Она позволяет при конструировании особенно сложной радио- аппаратуры уменьшить ее габариты, объем, массу, расход энергии и материалов, улучшить функциональные характеристики и повысить производительность труда при изготовлении и сборке печатных плат за счёт автоматизированной сборки. Таким образом, ТПМ обеспечивает миниатюризацию РЭА при одновременном росте ее функциональной сложности (например, в видеокамерах, кинокамерах, переносных телефонах, фотоаппаратах, калькуляторах, малогабаритных компьюте- рах, карманных радиоприемниках). По оценкам специалистов, сбор- ка узлов на базе ИМС в корпусах для ТПМ обходится в 6 раз дешевле, чем на базе обычных корпусов. Микросхемы, предназначенные для ТПМ (SMD - Surface Mountad Devices), обычно намного меньше, чем их традиционные эквиваленты, монтируемые в сквозные отверстия. Опе- рации, которым подвергаются ИМС, остаются прежними, но изменились размеры, конструкция и методы соединения. Кроме того, эти микро- схемы имеют более короткие выводы или внешние контактные пло- щадки, что способствует уменьшению значений паразитных индуктив- ностей и межвыводных е^икостей, для них не требуются формовка и обрезка выводов, они более виброустойчивы и могут быть закреплены на плате сверху или снизу при совмещении их выводов и контактов с контактными площадками на плате, что позволяет получить высокие плотность монтажа и функциональные возможности на единицу площа- ди, снизить количество требуемых плат и улучшить массогабаритные показатели. Однако перепайка ИМС при ТПМ сложнее, платы менее удобны для проверки, испытаний и ремонта, труднее осуществлять визуальную проверку качества пайки. Количество тепла, выделяемого на единицу площади, у них больше, корпуса для ТПМ пока дороже и требуются платы с более сложной конструкцией и прецизионные технологические процессы. Технология поверхностного монтажа неразрывно связана и 96
с проблемой отвода тепла из-за малого размера корпусов (меньшей эффективной площади отвода тепла как на саму плату, так и в окру- жающее пространство), меньшего расстояния между ИМС и проводни- ками на плате. Для поверхностного монтажа используются транзисторные микро- корпуса типа SOT (до 0,35 Вт — с двусторонним расположением вы- водов SOT-23 или ТО-236, SOT-223; до 1 Вт — с односторонним рас- положением выводов SOT-89 или ТО-243, SOT-143), типа SO (Small Out-line): SOT-96A, SOT-108A, SOT-109A, SOT458A, SOT-190, его уве- личенный вариант типа. SOL (Small Out-line Large): SOT-136A, SOT-137A, SOT-162A, SOT-176, типа PLCC, типа LDCC или LCCC, LCC QFP: SOT-196A, SOT-205A. Таким образом, тип корпуса определяется требованиями к электри- ческой и механической прочности, качеству герметизации, тепловому сопротивлению, объему, массе и методу монтажа на печатной плате. Стоимость корпуса определяется стоимостью используемых материа- лов. Материал и конструкция корпуса играют важную роль в отводе тепла от кристалла. Эффективность отвода тепла корпусом зависит от его тепловых сопротивлений. Как правило, керамические корпуса име- ют меньшие тепловые сопротивления, чем пластмассовые, т. е. более интенсивно рассеивают тепло. В приложении 1 представлены значения тепловых сопротивлений различных корпусов ИМС, необходимых при расчете? рассеиваемой мощности. В приложении 2 приведены примеры унифицированных корпусов ИМС: пластмассовые и керамические DIP; миниатюрные типа SO и SOL; плоские с двусторонним и четырехсторонним расположением выводов; пластмассовые и керамические кристаллоносители; керами- ческие безвыводные; пластмассовые и керамические цнырьковые; металлостеклянные с 8, 10 и 12 выводами, а также корпуса мощных ИМС (типа SIP и QIP). 7-6236
Приложение!. ТЕПЛОВЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ РАЗЛИЧНЫХ КОРПУСОВ ЗАРУБЕЖНЫХ ИМС Число выводов Rt кристалл— °С/Вт Rt среда, кристалл—корпус, °С/Вт Примечание Пластмассовые DIP 8 120, 162 70, 65 14 150, 140 65, 70 ТО-116, МО-001 16 135,137 65,53 МО-001, SOT-38 18 135,130 53, 60 SOT-102CS 20 135,125 53,60 22 120,125 53, 55 24 120, ПО 60,50 Узкий 24 116,120 53, 50 МО-015, SOT-101A 28 116,110 53, 50 МО-015, SOT-117 40 110,100 50, 45 МО-015, SOT-129 Мощные 14 95 33 16 95 33 18 90 26 20 90 26 24 60 23 С радиатором 28 56 21 То же Типа SO 8 110,170 80 SO-8, SOT-96A, масса 60 мг 14 100,115 60 SO-14, SOT-108A, масса 105 мг 16 100,110 60 S 0-16, S ОТ-109Aj масса 130 мг Типа SOL 16 105 60 SQT-162A 18 105 60 20 100 50 SOT-163A 24 85 45 SOT-137 А 28 80 45 SOT-136A Металлические 3 100 20 ТО-5 4 150 25 ТО-72 4 100 20 ТО-46 8 150 25, 45 ТО-99 10 150 25,45 ТО-ЮО Плоские керамические 10 230, 240, 220 55, 50, 85 14 185, 205, 200 45, 50, 85 98
Продолжение пршюж. 1 Число выводов Rt кристалл— °С/Вт * Примечание среда, кристалл—корпус, °С/Вт Плоские керамические 16 133, 200 30, 50, 85 Наименьшее значение у корпуса с бериллиевой керамикой 18 107 22 То же 24 107,155 22,44 П и 28 107 22 п и 40 95 20 п it 44 170 70 Пластмассовый, SOT-205A Плоские керамические с крышкой 10 170 60 14 150 50 16 150 50 24 150 50 Керамические DIP 8 110, 125 30, 55 14 110,105 30,50 16 100, 90 30,50,23 18 93, 90 27,45 20 90, 90, 60 25, 40, 22 22 75 27 24 80, 60, 55 40, 26, 20 28 57, 55, 45 27, 20 SOT-135 А 40 50, 45,42 20,18 SOT-145 Керамические с металлической крышкой 8 100,120 30,50 Конфигурация DIP 14 95,100 25,45 То же 16 90, 95, 62 25, 45, 18 п п 18 88,90 45,40 и и 20 85 35 и и 22 80,55 25,12 II п 24 65,50 25,15 и п 28 60,50 25,15 II II 40 55,50 25,10 II II 48 55 25 CerDIP 50 42 20 Конфигурация DIP Кристаллоносители и другие типы 20 110 50 PLCC 28 60... 65 — Cerquad 28 90,100 35, 45 PLCC 32 50... 65 18 LCC 32 58 — PLCC 99
Продолжение прил ож. 1 Число выводов R. R „ t t а Примечание кристалл—среда, о кристалл—корпус, C/Вт С/Вт 44 44 68 68 68 84 84 100 124 124 132 132 172 180 196 Кристаллоносители и другие типы 75,80,42 30,40 PLCC, SOT-187 100 - CLCC 42... 48 - PLCC, SOT-188 40 - LCC 30... 40 - CPGA 44 - PLCC, SOT-189 25... 30 - CPGA 31 - CPGA 71 - PPGA 32 - CPGA 20... 25 - CPGA 47 - PQFP 27 - CPGA 30 - CPGA 47 - PQFP Приложение 2. ПРИМЕРЫ УНИФИЦИРОВАННЫХ КОРПУСОВ ЗАРУБЕЖНЫХ ИМС ШР-Ч 100
Ger DIP-8...20 Число выводов Л, мм МАХ М1М в 10,29 9,55 14 19,94 19,15 16 1,9,94 19,15 18 23,50 22,40 20 25,15 23,9 DIP-22 DIP-24... 48 101
flip-64 UIP-8.-20 Число выводов В, мм МАХ MIN 8 0,40 9,14 14 19,18 18,92 /6 19,18 18,92 18 22,99 22,73 20 26,29 26,09 102
£01 Oil tz-dia-iw
CHIP-16 iZZE 0,381 IS CHIP-20 , 25,6'54 y 20 11 ПППППППППП ) UUuULJUUIjUU 1 10 CHIP -24 30,988 Finnnnnnnn 7 72 ^75^ | 11 и, 131 J,17S_ 104
SOI лппппппппппгт ( uuuuuuuuuuuuuu' SI_______________8? ZZ£'9£ ” sz-diao ZAZ'/£ s/>3 -лаэ
CDIP-64 SOL-14 (SOX-158) . S, 195 7 m я и д п п n Пайни в 1 7 106
Министр (so) Размер L, мм 107
SOL-20 0,686 .ililalBlalBlBlalBlili °>VS3^ SOL- 2f 1 12 [j!«jilgii!g|g!ijgiB!gigjj] J ^1,27 gW |] В,35 108
titi-dJt) 81-dJB
QFP - 128 110
PLCC-20... 68 Число выводов А, мм Вмм MAX. MIN MAX MIN 20 10,03 St 78 8,99 8,89 28 12,57 12,32 11,53 11,43 44 17)65 17,40 16,61 16,51 68 25,27 25,02 24,23 24,13 PLCC- 80- PLCC 124 4-3,26 9*h‘ZL ~ , ъ ZLS'fi -h89‘U\ § *j I* 111
CLCC-124 4-1,40 42,67 10,26 LCC-44 1,905 LCC' 68 1,27 ТПГОВПППВ о,т J L 3 BOOT^ i E Тааонпдшшшшойдд! 112
© © © © © © © © ©* ©©©©©©©©©© © © ->©^> © © © © © © [•©©© © © pj © © © © © © © © © © ©©©©©©©©©© j© ©©©©©©©© с I © © © © © © © я II© ©©©©©©©©©©© A |(g © ©©©©©©©©©© ©@©©@©©©© ©@©©©@©@© © © © © © @ © © © © © © © © © © © © © © © @ ©©©©@@©©@ ©©©©©©©©© 4,6 LCC-84-
СР6А-8Ч 22, 86 0.457 СР6А - 124 F©©©@©©©@©@ ©©©@©©©©@© ©©©©©©©©©© © © © © © © © © © © © © © © © © © © ©@@@©@©©© ©©©©©©©©© g>©©©@©©@© 10 2,54 N M L К J H G E J C В A JO, 48 ^@©©@©©©@©©©0 ©©©©©©©©©©©©© @©©©©@©@©©©©© © © © © ©@© @©@ © © © © © © @©@ © © © © ©©@©@©©@©@©©© ©©©©©©©©©©©©© —j- p©©©©©©©©©©©^ A 7 © © © @ @© © © © © @@© © © © © © © © © © © N4 13 ©J@ ©@©@©© ©^ © © @© © © © © ©@ © © © © © © ©©©©©©©©©©© ©©©©©©©©©©© ©@©@©©©© @© ©@ ©@ @© © © tllllllli It 2,54 114
PP6A - 124 35,31 30,73 РР6Д-132 ^зтпшптпп 2,54 $0,46 2,54 N L К H G E 27 C В A ^© @ © © © © © © © @ © © ]©©@©©©@@©©©@©I ©@©@©@©@@©@©@ © © © © " © © © © © © ]© @ © © © © © ©@ © © © © @@©©@©©©@©@©© J©@©©@©@@@©©©@[ <§)©@@©@©©©@©© © > © © © © © © © ©@@ ©@©[ © © © © © © © © © @ 13 TO-220(вертикальный) 14,38 P N M L К J H 6 F E 27 C В A @@©©@ ©@@©@©©@©1 ©@©©©@©©©©©©©© ©©©@©©©©©@©©@@ ©@@ © © © @©@ @@© @©@ ©@© @©@ ©@© ©@© @@© @© © © @ @ ©@© ©@© ©@© @©@ ©©©©@©©@© ©•© © @ © ©©©@©©@©@@©@©© ©©©©©©©@©@©@©© 115
и 116
5 IP-15 (горизонтальный) ¥, 62 12T3(Q1P) 25,5
12T4(Q,JP) TO-74 TO -100
СОДЕРЖАНИЕ Предисловие.......................................................... 3 Раздел 1. Условные обозначения зарубежных ИМС........................ 5 1.1. Обозначения ИМС по системе Pro Electron................... 5 1.2. Внутрифирменные обозначения ИМС........................... 3 1.3. Буквенные обозначения ИМС, выпускаемых различными зару- бежными фирмами.............................................. 67 1.4. Товарные знаки зарубежных фирм........................... 31 Раздел 2. Унифицированные конструкции корпусов зарубежных ИМС . . . 90 Приложение 1. Тепловые сопротивления различных корпусов зарубежных ИМС........................................................... 93 Приложение 2, Примеры унифицированных корпусов зарубежных ИМС .... юо Справочное издание Нефедов Анатолий Владимирович Нефедова Марина Юрьевна ОБОЗНАЧЕНИЯ, ТОВАРНЫЕ ЗНАКИ, КОРПУСА ИМС Зав. редакцией Н. А. Медведева Редактор Н. А, Медведева Художественный редактор В. А. Гозак-Хозак Технический редактор Г. Г. Самсонова Корректор Е. В. Кудряшова ИБГ4016 ЛР № 010256 от 07.07.92. Набор выполнен в издательстве. Подписано в печать с оригинал-макета 10.10.95. Формат 60x88 1/16. Бумага офсетная №2. Печать офсетная. Усл. печ. л. 7,35. Усл. кр.-отт. 7,59. Уч.-изд. л. 8,05. Тираж ЮООэкз. Заказ 6236. С056. Энергоатомиздат. 113114, Москва М-114, Шлюзовая наб., 10. Отпечатано в филиале Государственного ордена Октябрьской Революции, ордена Трудового Красного Знамени Московского предприятия ” Первая Образцовая типография” комитета Российской Федерации по печати 113114, Москва, Шлюзовая наб., 10