Text
                    ПЕТЪР КИСЬОВ • ГЕОРГИ СТОЯНОВ
СПРАВОЧНИК
ПО ПОЛУПРОВОДНИКОВИ
ДИОДИ И ТРАНЗИСТОРИ
ТЕХНИКА

КНИЖКА 6
СПРАВОЧНИК ПО ПОЛУПРОВОДНИКОВИ ДИОДИ И ТРАНЗИСТОРИ Инж. ПЕТЪР АТАНАСОВ КИСЬОВ ГЕОРГИ ДИМИТРОВ СТОЯНОВ БИБЛИОТЕКА ПО РАДИОЭЛЕКТРОНИКА 6 Т э X Н И к А « с О ф И Я, 19$
УДК 621.382.083 Справочннкът съдържа пълнн даням и графичии характеристики на пронз- вежданнте у вас полупроводннковн ди- одн и транзнсторн, а така съшо и подробим даннн за най-често употребя- ваннте диоди и транзистори. произ- вежданн в СССР, ЧССР, УНР и ГДР. Тезн даннн заедно с приложеинте сравнителнн таблицн позволяват по- правнлното разбиране на различимте схемн, изпълнени с полупрсводници, и~ замяната на чужди с българскн пслу- проводницн, а графичните характерис- тики дават въвможност за извършване на лодрсбин конструктивии начисления. Справочннкът е предназначен пре- днмно за подготвени радиолюбители, но той може да бъде ценно помагало и за техннцн, стулентн и спеииалисти, работещн в области на приложение на полупроводниковнте прнбори. 621.88
СЪДЪРЖАНИЕ Използунани означения 1. Диодн Pl. Българскн точкою дноди тип SFD1O4, SFD 106—108, SFD ПО, SFD 111, SFD 11% SFD 115 13 1-2. Сьветскн дноди тип Д2, Д9, Д10-14, Д101-106, Д223...................•.................... 17 1-3. Чехословашкн диоди тип 1NN41—5 NN41, 7NN41, ОА5, ОА7 н ОА9................................ 20 1-4. Унгарскн диоди тнп ОА1150, ОА1154, ОА1160, ОА1161, ОА1172, ОА1180, ОА1182................ 26 1-5. Точкови диоди, пронзвеждани от ГДР, тип ОА625- 626, ОА645, ОА665, ОА685—ОА705 ............... 29 2. Нзправители 2-1. Български изправителн тнп SFR135—236, Д7 . . . 30 2-2. Съветски нзправители тнп Д202-2П, Д217-218, Д226, Д231-234, Д242-244, Д302-305.................- . 38 2-3. Чехословашки нзправители тип 1NP70—6NP70, 11 NP70—16 NP70,22NP70—25 NP70,32NP70—35NP70, 42NP70—45NP70.................................... 42 2-4. Нзправители, произвежданн от ГДР, тип GY109-115, . SY120 (SY100)—SY 130 (SY ПО) и GY120—GY 125 46 3. Цеиерови диодн 3-1. Съветскн цеиерови дноди тип 2С 156А, 2С 168 А, Д808-8П, Д813, Д815-818, 2С 920А, 2С 930А, 2С 940А, 2С 950А . .• ...........................53 3-2. Чехословашки цеиерови дноди тип 1NZ70-8NZ70. . 54
4. Ннекочестотни маломощии транвистори 4*1. Българскн траваисторн тип SFT 351-353, 3FT 321- 323, Т243, Т321 N..................................56 4-2. Съветски транзистори тип П6, П9—П11, П13—П16, П20—П21, П25 П28, ГТ108, ГТ109, П101-П106 . . 70 4-3. Чехословашки траизнсторн тнп 101NU71 (2X101 NU71). 104NU71 (2X104NU71), 102NU71, 103NU71, 106NU70, 102NU70, GC 504, GC505, ОС 70, ОС 71, ОС 72 (2хОС 72) н ОС 77 ...........................88 4-4. Унгарски траизнсторн тнп ОС 1076 ОС 1077 ... 96 4-5. Траизнсторн, пронзвежданн от ГДР, тнп GC 100, GC101, GC116, GC117, GC120—123 ................... 98 5. Средночестотии маломощии транзистори 5-1. Българскн траизнсторн тнп SFT 306-308 ...... 104 5-2. Съветски траизнсторн тип 1112, Г1406, П407, П29, ПЗО................................................ПО 5-3. Чехословашки траизнсторн тнп 155NU71, 156NU71 111 5-4. Унгарски траизнсторн тип ОС 1044, ОС 1045 . . 113 5-5. Траизнсторн, пронзвежданн в ГДР, тнп GF 100 н GF105 ............................................114 6. Високочестотни маломощии транзистори 6-1. Българскн траизнсторн тип SFT317, SFT319, SFT320, Т316, Т354, Т357 н Т358 ......................... 115 6-2. Съветски траизнсторн тип П401-П403, П414-П416, 1Т303, 1Т308. IT309, ГТ310, 2Т301, П501-П505 127 6-3. Чехословашки траизнсторн тнп ОС 169 н ОС 170 134 6-4. Траизнсторн, произаежданн от ГДР, тип GF 121 н GF122.........................................136 7. Средиомощии транзистори 7-1. Българскн траизнсторн тнп SFT124, SFT 125, Т143, Т144, SFT 130, SFT 131, Т 145, Т 146..........138 7-2. Съветски транзистори тнп П 601-П602, П 605, П606, 1Т403 ....................................... 156 7-3. Чехословашки траизнсторн тип GC500 (2XGC5Q0) н GC502 .................-................... 160 7-4. Унгарски траизнсторн тип ОС 1074 и ОСЮ79 • . 162 6
8. Мотни транзистори 8-1. Българскн транзистори тип SFT212-214, Т250, Т238-240.......................................... 164 8-2. Съветски транзистори тип П4, П201-203, П 209, П210, П302-П304 .......................... - . . . 178 8-3. Чехословашки транзистори 5NU74 (2X5NU74), 7NU74 (2X7NU74), ОС26 (2ХОС26) и ОС27 (2ХОС27)...........................................183 8-4. Унгарски транзистори тип ASZ1015-ASZ1018, АД 1202 и АД 1203 ........................................ 187 8-5. Транзистори, нроизвеждаии в ГДР, тип GD100- GD170..............................................190 9. Сравнителии таблицн 9-1. Диоди...................,....................194 9-2. Транзистори..................................198 Литература 7
ИЗПОЛЗУВАНИ ОЗНАЧЕНИЯ I. ДИОДИ И НЗПРАВИТЕЛИ —обратно напрежение U 1М — максимално обратно напрежение UlMimp — максимално импулсно обратно напрежеиие —ефектнвно обратно напрежение UD — напрежение В пропускаща посока; Ut —напрежение на ценеров пробив) I/ —обратен ток; Iq —ток в пропускаша посока; ^Dsw г-ток на претоварване и пропускаща посока; ^Dm — върхов (пиков) ток на сигнала в пропускаща посока при отсъствие на постоянна съставяща; ^Вмтр — върхов (пикон) ток на сигнала в пропускаща посока ; 4 — средна стойност на тока в пропускаща посока ; /р — к® на възстановяване; — ток на цеиерон пробив ; 4 — изправен ток; F —площ на охлаждащата пластина; f — честота; _______Ч rs — V"—съпротивление на наснщане; < Ч — коефициент на нзправяне; 8
гл -* динамично сьпротмваяи»; — температурен коефнциент Ю ЖПреженнмв; Р — разсейвана мошиост; J?tt —топлинно съпротнвление; — диференциално съпротнвление; Та —температура на околната среда; Tgf —температура на съхраненне; tri —нреме на възстановяване; Tj- —температура на прехода; Ua —амплитудна стойност на напрежението II» ТРАНЗИСТОРИ — напрежение колектор-база ; 17ейв — напрежение колектор-база прн отворена верига емитер- база по право найрежение; Ubes —напрежение на насищане база-емитер; 'Цв/гХ» — пробнвно напрежение колектор-емитер прн нзклю- чена база; Up —напрежение между колектора и емитера, при коего колекторът влнза във вътрешев контакт с емитера Uce — напрежение колектор-емитер; •С/сЛу — напрежение на наснщане колектор-база; 'UceM —напрежение между колектор н емнтер — върхово ; Uceo — напрежение колектор-емнтер прн отворена базова верига; UciR —«апрежение колектор-емнтер прн включено съпротнв- ленне между база и емитер (/?йе); рсвз — напрежение на насищане колектор-емитер; 1е -—колекторен ток; 1е — емнтерен ток; /ь — ток на базата; ZfSo . — обратен колекторен ток; /tb0 —обратен емнтерен ток; k 1сео — обратен ток между колектора и емитера; 9
— обратен ток межоу колектора я емитера при съели- Вени накъсо база и емитер (по прав ток); ‘eeV — колектореи ток н схема с общ емитер при приложено положително напрежение между емитер и база; ‘см — колектореи ток—върхов 4/о —колектореи ток на затворен транзистор; R? —мошност, разсейвана на колектора; — мошност, разсейнана на емнтера; ^21е — коефипиент па уснлнане по ток в схема с обш емитер; ^213 — коефициент на усилване по ток н схема с обща база; ^21« — статичен коефициент на усилване по ток в схема с обш емитер; "12о — коефициент на обратна връзка в схема с обш емитер; ^123 — коефициент на обратна връзка в схема с обща база; ^Ие —пълно входящо съпрогивлениедт схема с обш емитер; ^113 — пълно входяшо съпротивленне в схема с обща база; *22e —пълна нзходяша проводимост в схема с общ емитер; ^223 —пълна изходяща проводимост в схема с обща базар ^це —статично входно съпротивленне в схема с общ' емитер; rs — съпротивленне на насищане; гьъ — съпротнвление на базата; Rq —съпротивленне на генератора; Я22в — изходно съпротнвление в схема с общ емитер; ^11е —входно съпротнвление в схема с общ емитер; Сй,г —капацитет между базата и колектора; Сь,е — капацитет между базата н емитера; Сее — капацитет между колектора и емитера; Сце — входен капацитет между колектора и емитера; Сие — нзходен капацитет и схема с общ емитер; ^223 — нзходен капацитет в схема с обща база; ^22j — нзходен капацитет; — коефициент на усилване по мощиост; fr —“преходна честота, —-гранична честота и схема с обща база; 10
f — нзмервателна честота; fM — максимална частота на генерация ; fi — честота, при която модулът на коефнциента на усил- ване по ток ; /н, — гранична честота в схема с общ емитер; gb>e — активна проводимост между базата в емитера ; gb,c — активна проводимост между базата и колектора; gce — активна проводимост между колектора и емитера; gm — стръмност; gne — входна проводимост в схема с общ емитер ; У11е — пълна входна проводимост в схема с общ емитер при нзход, даден накъсо по променлнв ток; У12е —проводимост на обратната връзка (стръмност) в схема с общ- емитер при вход, даден накъсо по променлив ток; У21е —права проводимост на предаване в схема с общ еми- тер при нзход, даден накъсо по променлив ток; т — времеконстанта X Сь,с; — време на закъсненне; tr — време на нарастване; — време на разсейване ; tf — време на спадане; F —фактор на шума; Тв — температура на ркожната среда ; Тс — температура на корпуса; Tj — температура на прехода; Tst —температура на съхраненне; Rth — термнчно съпротивленне; Rthj—C —термнчно съпротнвленне преход-корпус.
1. ЛИОДИ 1-1. БЪЛГАРСКИ ТОЧКОВИ ДИОДИ Германиеви точкови диоди, тип SF.D 104, SF.D 106 SE.D 107, SF.D 108, SF.D 110, SF.D 111, SF.D. 112 SF.D 115 Абсолютен граничим стойкости при Тл =25вС Пара- Метър SF . D 104 SF.D 105 SF.D 107 SF.D 108 SF.D 110 SF.D 111 SF.D 112 SF.D 115 Днмен- СИЯ V, &IM -25 —25 —25 —10 — 100 —45 -25 —24 —45 V —30 —15 —116 -45 —25 —40 —45 V ?d 40 30 20 30 35 30 20 30 mA I dm 90 90 60 90 100 90 70 90 mA Idsut 300 300 200 300 300 300 200 350 mA 4 40 30 20 30 30 30 20 30 mA —55 +85 —60 +85 —55 +85 —60 +85 -—50 +60 —55 -55 —60 +90 ’C 13
Основой параметрй на дйбдиТе SF.D 104 и SF.D 106 Диод SF.D 104— иветен код — оранжев Диод SF .D 106 — иветен код — сив Пара- метър Режим на мзмерваве SF . D 104 SF.D 106 25"C 55’C 25»C 65«C cp. ! ' 1 1 макс. I c₽. I | макс. cp. X X cp. МЯКС, £/n=lV 10 10 i ч 1 mA ID =10 mA 30 mA 0,35 1 2 0,45 1.5 3 0,3 1,1 2,1 0,4 1.4 2,7 62 65 Ц •У rd Ua 3 3.7 4_ h — 2V u -~10V Ul ——20V —25 V 1,8 6.5 100 6 250 400 9 100 150 20 300 □00 4 20 125 10 40 200 20 50 180 30 80 340 !• иА /n“10 mA 65 Я U, =—2V 0,6 ме f _0,5 gs ri 3,5 ps 200 50 pA 14
Основии параметр» па диодите SF.D 107, SF.D 106 и SF.D ПО пра Т\ =25 С Диол SF.D 107 — пветен код — жълт, бял Диол SF.D 108 — пветен кол — жълт, оранжев Диол SF.D 110 — пветен код — кафяв, жълт, зелен г— - Параметьр Режим яа измеряя не SF. D 107 SF. D 108 SF. D 110 Дименсия cp. макс. cp. макс. cP- макс. Dn = lV 10 8,5 7 mA Ud 1 mA = 10 mA 20 шА 0,4 1 1,5 0,5 1,7 2,5 0,35 1,1 2 0,45 1,5 3,2 0,35 1,2 2 0,45 1,5 3 V h -0,1V —1 V -2 V U -~5 V u I ~ —10 V —30 V —50 V —100V 5 20 22 220 1,9 3 20 80 3,2 7 60 250 0,6 1,2 50 1 3 150 PA rd п _ 0.1V uuff- 1 V 2,7 4,8 ke ID = 10 mA 70 50 Q 6} =- —2 V 3,5 4 ms ч 86 89 % 16
Осиовнн щраметря на диоднте SF. D 111. Sb. D 112 И SF. D 115 при Тв =25°C Дисд SF. D 111— иветен код — червей, бял Диод SF. D 112— иветен код — оранжев, веден Диол SF. D 115— иветен код — сив, червей Параметър Режим на вамерване SF D 111 SF. D 112 SF. D 115 Дименсвя Я • ITrffl.’l. & маке. cp. макс. cp- маке. C/n»lV 7 10 7 тпА UD 1 mA /д •• 10 mA 30 mA o.as 1.2 2 0,4 1 1.5 0,6 2,5 3 0,35 1.2 2 0,45 1.5 3 ч v ' — 1 V — 2V Il ~fiV 4f “ - 15 V —24 V —25 V —30 V 1.2 13 35 250 2 5 80 6 15 220 0,6 50 1 150 РА’ 'd 20 — kC ч 86 86 % • Rd u, =*-2V 2 MS ID = io mA 60 Q (6
i-а. съветски диоди > Спрвйупик
Еасит ричесхи параметра пра Та = 25°С Тип Ut UD "о h У Мате- риал V V mA ч А MHz Д2Б - 30 5 100 Д2В - 40 9 250 Д2Г — 75 2 250 Д2Д — 75 1,0 4,5 250 150 Ge Д2Е —100 4,5 250 Д2Ж —150 2 250 Д2И —100 2 250 Д9А — 10 10 250 , Д9Б — 10 90 250 Д9В — 30 10 250 Д9Г — 30 зо 250 Д9Д — 30 60 250 ДЭЕ — 50 1,0 30 250 40 Ge Д9Ж —100 10 250 Д9И — 30 30 120 Д9К — 30 60 60 Д9Л —100 30 250 Д9М - 30 60 250 дю — 10 100 ДЮА — 10 1,0 200 150 Ge ДЮБ — 10 200 18
Продолжение Тип Ul VD 4 h f Мат»- рвал ФИГ. M V V mA яЛ MHz ди — 30 100 100 Д12 — 50 1.0 50 70 150 Ge 2 Д12А — 50 100 50 Д13 — 75 100 50 Д14 —100 30 70 Д14А —100 100 70 Д101 — 75 1.0 2,0 10 Д101А — 75 2.0 1,0 10 Д102 — 50 1.0 2,0 10 150 Si 2 Д102А — 50 2,0 1,0 10 ДЮЗ — 30 1.0 2,0 30 ДЮЗА — 30 2,0 1.0 30 ДЮ4 — 75 2 2 10 Д104А — 75 1 1 10 ООО Si 4 ДЮ5 — 50 2 2 10 Д105А — 30 1 1 10 ДЮ6 — 30 2 2 30 ДЮ6А — 30 1 1 30 Д223 Д223А Д223Б — 50 —100 —150 1 20 Si 4 19
1-3. ЧЕХОСЛОВАШКИ ДИОДИ Германиеви точкови диоди за честоти до 100 MHz тип 1NN 41, 2NN 41, 3NN 41, 4NN 41, 5NN 41 и 7NN 41 Фиг. 5 Абсолютен гранична стайности прн Т* = 20«С Параметър 1NN 41 2NN 41 3NN 41 4NN 41 6NN 41 ч 7NN 41 Димен- сия и. -20 —50 —60 1 —85 —100 — 10 V —25 -55 —75 —90 -120 —15 V (о 15 15 15 12 10 15 mA V) 50 50 50 40 30 50 mA 40 150 150 150 150 100 150 mA Ч В течение максимум па 10 min. Максимадно 50 върха з течение на 24 часа. 20
Осиовнв параметре при «« 80* С Парамстър 1NN 41 2NN 41 3NN 41 4NN 41 5NN 41 7NN 41 Д имен- ем /о 5 2,5 5 4 ‘ !' L. 3 5 mA £при (1) и); (1) (1) i (1) (1) (V) 100 1600 50 833 6 100 В А при (///) (-Ю) (-50) (-10) (-50) (-3) (-10) (V) Цвете» код бял жълт СИН зелен червен вноле- , то в 21
^Гврмвнивв диод със златен контакт тнп OAS Фиг. 6 Абсолютен максаиалаи стойкости Параметра Т = 25°С а Т = 7Б®С а Димеисая и. -100 —50 1 V и1мх) —100 —50 V и, . я) iMimp —100 —50 •S V 32
Нредыневнги | Абсолютов имсимллвв стойвести I Параметри 1 T ^259C a Га « 75«C Двмевсая ^(r7, = 0V) 130 45 mA htyi — 10°V) 115 35 < mA p 350 350 mA 1000 mA fyimp 500 mA 1°м1тр 600 mA —55; +75 °C При синусоидален сигнал /<s20 Hz, а в импулсен режим 7<20"Hz и манипулаторно отношение макс. 0,5. 2) За единичен импулс timp < 1 s. 3) При продължителност на импулса timp < 1 s и манипу- . лагорно отношение макс. 0,01. **) За единичен импулс timp sS 0,3 ps. S3
Гермпмв диод ст>с алвнв контакт тйи о АЗ (фиг. Q АСсолютМ маиеимына етойиоет при Т* «ь 78°С Параметър и. Стойноет -15 Днменсия v ; -25 V —30 V 50 mA 50 mA ^Mimp 2) 400 mA 0.4 °C/mW Tgt —60; +75 "С 1 *) Върхова стойност на общото напрежение. 2)_ Единичен импулс по време ня експлоатацията с£ прел л жителност макс. 1 s. ®) При £7Rj<==25V продължителкгст една полувълна. 4) Върхова стойност^на общия ток. 94
Германне* диод със златой контакт Тил ОА9 (фиг. 6) Абсолютен граничив стойкости при — 75°С Параметър i Сгойност Дименсня 1 ! —25 V —25 V 2) • lMimp —40 V lD 100 mA , 4 lDMl) 500 mA 50 mA 35 mA 800 mA ^/5) 150 PA i * 0,4 °C/mW Tst \ —55; +75 ’C !) При синусоидален сигнал /^20 Hz, в импулсна експлоа- тация /<;20 Hz и манипулаторно отношение 0,5. Единичен импулс timp < 1 s. 3) При синусоидален входен сигнал и активен товар. 4) При синусоидален входен сигнал и капацитивен товар. 8) 3.5 ps след превключваие 1О = 400 mA, £7^ — 10 V, ' Г„ = 25°С. 35
М. УНГАРСКИ ДИОДИ Германиеви точкови диоди тип ОА 1150, ОА 1154 Q, ОА 1160, ОА 1161, ОА 1172 Абсолютен гранични стойности Параметър ОА 1160 ОА 11S4 Q ОА ИБО Дименсня 25«С 60«С 25°С 60°С 25°С 60°С , —100 —90 —50 —40 — —15 V —по -100 -55 -45 — —25 V 75 75 75 75 — 25 ' mA C(Uj =—15V) 0,5 0,5 pF 26
Абсолютен граигаян стойкости 1 г П^ряметър i А ОА 1161 ОА 1172 Димеисня 25”С 50»С 25“С » 60°С $ —130 —100 — —30 V —140 75 -ПО / —40 V 'А 75 — 50 mA C((//fe—15V) 0,5 0,5 pF " " Т" ч А Основнн параметры при =» 25°С Пасшетър (Л»ИМ) ОА 1150 ОА 1154 Q ОА 1160 ОА 1161 ОА 1172 Димеи- сня 4> 4 4 6 2,5 5 mA при tuD) О) (1) (1) (1) (1) (V) h 20 20 100 25 25 1*А при (t'/) (-10) (-5) (-10) (-Ю) (-10) (V) 4 200 100 200 200 рА при «4) (-60) (-40) (-100) (—30) (V) 27
Гермавив* жаоли със элвтев кевтшл тяп ОА 1180 и О А 1182 (фиг. 7) Електрически триметре при Г* » SS^C Параметър ОА 1180 ОА 1182 Л именем U, —20 — 80 V и1 * м -30 —100 1 fD 400 500 mA С 8 4,5 —г -у- pF при (t4) (-1) . (-Ю) (V) UD 10,45 V при () (Ю) (mA) uD 0,75 0,85 ?V " при Uо) (100) (!00) (mA* h * 10 pA при (-2) (V) h 20 6 PA » при (Ь> ) (-10) • (-10) (V) 4 20 pA при (^) (-60) (V) 28
1-5. ТОЧКОВИ ДИОДИ, ПРОИЗВЕЖДАНЙ ОТ ГДР Германиеви точкови диоди тип ОА 625, ОА 626, ОА 645, ОА 665, ОА 685 И ОА 705 Фиг. 8 Електрнчески параметр» при Т& = 20°С /________________________________________,________________,__________ Параметър j (Режим) ] ОА 625 Л’ Ок 626 ОА 645 ОА 665 ОА 685 ОА 705 Днмев- сия —14 —14 -28 —40 —55 —70 V . и1м —20 —20 —40. —60 -80 -100 V 11 DM 20 20 15 12 10 10 mA \)м • 45 45 45 45 45 45 mA 4> 5 3 3 3 2 2 mA при (UD) (1) (1) (1) (1) (1) (1) (V) h 100 100 100 ’ 50 50 15 рА при (Ц) (-10) (-10) (—10) (-10) (-10) (-Ю) (V) h 500 51)0 500 500 250 НА (&/) (-20) (-40) (—60) (-80) (-100) (V)_ * Върхов максимален изправен ток. 29
Ъ НЗПРАВИТЕЛИ 2-1. БЪЛГАРСКИ НЗПРАВИТЕЛИ Германиеви средномошни сплавин нзправители тип SF. R 135 и SF. R 136 Изправителите се използуват за честоти до няколко kHz я за обратно напрежение 100 V в 50 V. В зависимост от охлаждането диодите биват: — без допълнителко охлаждаие SF. R 135, SF. R 136; — с радиатор № 1—20 cm2 SF. R 135/1, SF. R 136/1; — с радиатор № 2—70 cm® SF. R 135/2, SF. R 136/2. 3Q
Основан L’' параметрн J Режим на измерване Т =ц25®с а Т =а70»С ! Дименсив макс. макс. Падение ва нап- режевието в пра- 1 ва посока Io = 15А 0,7 i V • ^=-100V 7 mA Обратен ток « ^ = -50V 7 mA л Термично съпро- $ивлеиие R>h/-e 5 °C/W 31
Фиг. 10 а Фиг. 10 б Зависимост la—f (7"а ) при различии начини на охлаждаие ..........естествено охлаждаие ..........въздушна струя 5 m/s 32
Абсолютен граничим стойипсти при Т «= 25®С •• м Параметър SF. R 135 SF. R 135/1 SF. R 135/2' SF. R 138 SFrR 1 136/1 г SF. R 136/2 Димен- си» ^1М —166 — г —100 — 100 -50 -50 -50 V 1dm 15 15 15 15 15 15 А Л- - J— - • /.0) 0,8 4,0 6,5 1.2 5,0 7.0 А /о ?) — 8,0 10,0' — 10,0 13,0 А ^Dsiir х 120 120 120 120 120 120 А ’3 —40 —40 —40 •) —40 - 4- -40 4-85 4-85 +85 4-85 +85 +85 °C ягами?!?, • » о/»* С1) — есздздмие охдадоине. ч-, ' (2) — усилено охлаждаие (въздушна струя 5 m/s). 3 Срр дочних 33
Усреднеии характеристики в права и обратна посока Усреднеии характеристики в прана, и ооратна,;посока -«•И» Фиг. 12 34
Германиеви из правители тип Д7. Предназначени са за изправяне на промеилив ток с промитлена'. честота до 20 kHz Фиг. 13 Основнн електрически параметре! Пара- метър Д7А Д7Б Д7В Д7Г Д7Д Д7Е Д7Ж Днмен- сия UD 0,5 05 0,5 05 0,5 0,5 05 V h 300 300 300 300 300 300 300 и,* -50 —100 —150 —200 —300 —350 —400 V Uf** —25 —50 -50 —100 —130 —140 —150 V lD 300 300 300 300 300 300 300 mA * — при Га = 20°С. ** — при Та -= 70°С. 35
а» о» Фиг. 14 Типови статиЧии характеристики на изправителите Д7Д
Фиг. 15 Типови статични характеристики иа изправителите-Д7Ж
i-2. СЬВЕГСКИ НЗПРАВИТЕЛИ Фиг. 16 Фиг. 17 Фиг. 18 38
Електрическн параметри на силнциеви нзправители при Г = 20’С Тип UD /о '/ Фмг. Nt V V А mA Д202 — 100 1,0 0,4 0,5 Д203 — 200 1,0 0,4 0,5 16 Д204 — 300 1,0 0,4 0,5 Д205 — 400 1,0 0,4 0,5 Д206 . — 100 1,0 0,1 0,05 Д207 — 200 1,0 0,1 0,05 Д208 - 300 1,0 0,1 0,05 Д209 — 400 1,0 0,1 0,05 Д2Ю — 500 1,0 0,1 0,05 Д211 — 600 1,0 0,1 0,05 Д217 — 800 0,7 0,1 0,05 13 Д218 —1000 0,7 0,1 0,05 Д226 — 400 1,0 0,3 0,1 Д226А - 300 1,0 0,3 0,1 Д226В — 300 1.0 0,3 0.3 Д226Г — 200 1,0 0,3 0,3 Д226Д — 100 1,0 0,3 0,3 Д226Е — 400 1,0 0,3 0,3 39
ЕлекТрически параметри на силициеви направители при 7* = 26"С 1 ", VD 0 Тип 1 V V 25°С к 130»С mA Фиг, № Д231 Д231П Д231А Д231АП Д231Б Д231БП Д232 Д232П Д232А Д232АП Д232В Д232БП Д233 Д233П Д233Б Д233БП Д234Б Д234БГ1 —300 -300 -300 -300 —300 -300 —400 —400 —400 —400 —400 —400 —500 -500 —500 —500 -600 —600 1.0 1.0 1,0 1,0 1,5 1,5 1,0 > 1,0 1,0 1,0 1.5 1,5 1,0 1,0 1,5 1.5 1.5 1.5 10 10 10 10 5 5 10 10 10 10 5 5 10 10 5 5 5 5 5 ' 5 10 10 2 2 5 5 10 10 2 2 5 5 2 2 2 2 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 17 Диодите, отбелязани с буквата ,П*, имат обратна полярност. 40
Електрически параметри при Г =-= 25«С ui VD 4 11 Мате- риал ФИГ. Тип V V А- mA Д242 -100 5 Si Д242П —100 5 Si Д242А —100 5 Si Д242АП —100 5 Si Д242Б —100 2 Si Д242БП —100 2 3,0 Si Д243 1,0 5 Si Д243П 1,0 5 3,0 Si Д243А —200 10 Si 17 Д243АП —200 10 Si Д243Б —200 2 Si , Д243БП —200 2 Si Д244 — 50 5 Si Д244П — 50 5 Si Д244А — 50 10 Si Д244АГ1 — 50 10 Si ДО44Б — 50 2 Si Д244БП - 50 2 Si Д302 —200 0,25 1 1,0 Ge ДЗОЗ —150 0,3 3 1,0 Ge 18 Д304 -100 0,3 5 3,0 Ge Д305 -50 0,3 10 3,0 Ge 41
13. ЧЕХОСЛОВАШКИ НЗПРАВИТЕЛИ Германиеви маломощен сплавни нзправители тип 1NP70+6NP70 и llNP70,16NP70 МаксФ13 J Фиг. 19 Абсолютни граничим стойкости при Га « 20°С Тип Vlef? _5_ V 7 mA А г) Р V ,__А W 1NP70 —12 — 36 300 5 15 0,3 2NP70 —20 — 60 300 5 15 0,3 3NP70 —38 —ПО 300 5 15 0,3 0,3 4NP70 —70 —210 300 5 15 5NP70 —55 —160 300 5 15 0,3 6NP70 —90 —260 300 5 15 0,3 11NP70 —12 — 36 500 7 25 1,5 12NP70 —20 — 60 500 7 25 1,5 13NP7O —38 —ПО 500 7 25 1,5 14NP70 -70 —210 500 7 25 1,5 15NP70 —55 —160 500 7 25 1,5 16NP70 —90 —260 500 7 25 1,5 Ч В течение максимум 10 ms. 2) Макс. 200 импулса в течение на 24 часа. 3)3а филтър с входящ капанитет. 42
Основня параметри при Т = 20°С а Тип Anta [UD = 0,5V) If при, U[ mA mA V 1NP70 300 3 — 30 2NP70 300 2 — 50 3NP70 300 1,5 —100 4NP70 300 I —200 5NP70 300 1.3 —150 6NP70 300 0,7 —250 11NP70 500 3 — 30 12NP70 500 2 — 50 I3NP70 500 1,5 —100 14NP70 500 1 —200 15NP70 500 1.3 —150 16NP70 500 0,7 —250 43
Герман иеви мрщни сплавин из правители тип 221NP70—25NP70, 32NP70^35NP7b и 42NP70 : 45NP70 «'м ~ Макс 31 flaxc 18 Фиг. 20 Абсолютни граиичяи стойности при Т& == 25°С Тип %/> и1 V lD А '^.тр л р ГП11п V W ст’ 22NP70 —16 — 50 3 50 2,7 150 23NP70 —30 —100 3 50 2,7 150 24NP70 —45 —150 3 50 2,7 150 25NP70 —60 —200 3 50 2,7 150 32NP70 —16 — 50 5 70 4,5 220 33NP70 —30 —100 5 70 4,5 220 34NP70 —45 —150 5 70 4,5 220 35NP70 —60 —200 5 70 4,5 220 42NP70 —16 — 50 10 100 7,5 440 43NP70 —30 —100 10 100 7,5 440 44NP70 ——45 —150 10 100 7,5 440 45NP70 —60 —200 10 100 7,5 440 !) За филтър с входят капацитет. *) В течение макс, на 10 ms, като интервалы между всеки два импулса трябва да бъде не по-малко от 5 tnln.
Осиовии'параметра при Г* = 2О°С Гнп п (i/O^0e5V> _ Ij при Uj А mA V 22NP7o" 3 15 — 50 23NP70 3 10 —100 24NP70 3 8 —150 25NP70 3 6 —200 32NP70 Н*. 3 ”ь 5 13 — 50 33NP70 5 9 —100 34NP70 5 7 —150 35NP70 5 5 —200 42NP70 10 11 — 50 43NP70 10 8 —100 44NP70 10 6 —150 45NP70 10 4 -200 45
2-4. ИЗПРАВИТЕЛИ, ПРОИЗВЕЖДАНИ ОТ ГДР Германиеви средномощни сплавни изправители тип OY109+GVH5 Фиг. 21 Иара- метьр Абсолютии гранична стойвости при Т* = 45°С GY 109 GY НО GY. 111 GY 112 GY 113 GY 114 GY 115 Димен* сия Ulejf — 8 —16 —24 -50 - 60 — 85 —100 V —12 —24 —40 -75 —100 —120 —150 V 7д 1 1 1 1 1 1 1 А Освовни параметри при Т = (25—5УС ' Пара- GY GY GY GY GY GY GY Димен- метьр 109 110 Ш 112 113 Ц4 115 СИЯ max 200 200 200 200 200 200 200 ИА при (У/) (~12) 1 (-24) (-40) (-75) (-100) (-150) (—200) (V) "D 1 1 1 1 1 1 V при (4>> (1) (1) (1) (1) (1) (1) А 46
СиЛицйеВи средномощйи изПраВйтеЛи тип SY 12O+SY136 (SY 100+SY ПО) Типовете SY 100— SY НО са със заземен катод,. а типовете SY 120—SY 130 са със заземен анод Абсолютна гранична стойиост при = 25’С Тип иг lD V V А SY 120 (SY 100) — 50 — 75 1 SY 121 (SY 101) - 60 — 100 1 SY 122 (SY 102) -130 — 200 1 SY 123 (SY 103) —200 — 300 1 SY 124 (SY 104) —250 — 400 1 SY 125 (SY 105) —320 — 500 1 SY 126 (SY 106) —380 — 600 1 SY 127 (SY 107) —440 — 700 1 SY 128 (SY 108) —500 — 800 1 SY 130 (SY 110) —600 — 1000 i 1 47
---------—-----------.--------.----—-----.—- Основни параметри при Г* = (25-5)°С Пара- метър SY 120 (SY 100) SY 121 (SY 101) SY 122 (SY 102) SY 123 (SY 103) SY 124 (SV 104) Дик с н| | СЕЯ J{ при 10 1 ю’ 10 10 10 ра! (У/) (-75) (-100) (—200) (—300) (—400) (V) UD при 1.2 1,2 1.2 1,2 1,2. V (4>) (1) О) (1) (1) (1) (А) Пара* метьр X SY 125 (SY 105) 1 SY 126 (SY 106) SY 127 (SY 107) SY 128 (SY 108) SY 130 (SY ПО) Днмен- смя 4 10 10 10 10 10 рА при (*4) (—500) (-600) (—700) (-800) (—1000) < * (V) 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 V при (Л>) (1) (1) (1) (1) (1> (А) 48
Германиёви мощни сплавии нзправители тип GY 120— —GY 425- Фиг. 23 Абсолютен граничив стойности нри Г* = 35“С Параметър GY 120 GY 121 GY 122 GY 123 GY 124 GY 125 Димея- СЯЯ UIe// —12 —24 —42 -60 —100 —140 V —20 —40 —65 -100 —150 —200 V 10 10 10 10 10 10 A 4 Справочник 49
Основии параметри при Т = (25“$) С Параметър GY 120 GY 121 GY 122 GY 123 GY 124 GY 125 Димен- сия 4 при 2 (-30) 2 (-40) 2 (-65) 2 (-100) 2 (-150) 2 (—200) mA (V) и о при (/д) 0,6 (Ю) 0,6 (Ю) 0,6 (Ю) 0,6 (Ю) 0,6 (Ю)' 0,6 (Ю) V (А) 50
3. ЦЕИЕРОВИ ДИОДИ 3-1. СЪВЕТСКИ ЦЕИЕРОВИ ДИОДИ Фиг. 25 61
Електрнчески параметри пря Т& = 2S"C и I 4 Л. Р Z Z d t ъ > Тип № V mA mA и № W 2С156А —5,6 55 46 0,05 0,3 2С1ь8А -6,8 45 28 О.'.'б 0,3>, Д808 — 7 ч— 8,5 33 50 6 0,28 Д809 — 8 ч— 9,5 29 50 10 0,08, 0,28 24 Д810 — 9-—10,5 26 50 12 0,09 0,28 Д811 — 10ч—12 23 50 15 0,095 0,28 Д813 —11,5н—14 20 50 18 0,095 0,28 Д815А — 5,6 1400 1000 0,6 0,045 8 Д815Б — 6,8 1150 10QQ 0,8 0,05 8 Д815В - 8,2 950 1000, 1,0 0,07 8 Д815Г - 10 800 1000л 1,84 0,08 8 Д815Д — 12 650 1000. 2,0. 0,09 8 Д815Е — 15 550 10001 2,5 0,1 8 Д815Ж — 18 450 1С00 3 ' 0,11 8 25 Д816А — 22 230 1000- 3 0,12 5 Д816Б — 27 170 1CQQ. 8 0.12 5 Д816В — 33 150 1OQQ 10 0,12 5 Д816Г — 39 130 10QQ- 12 0,12 5 Д816Д — 48 4-10- 100Э- 15 0,12 5 Д817А — 56 90 1C0Q. 35 0,14 5 Д817Б — 68 75 1000 40 - Д,14 5 Д817В — 82 60 1000 45 0,14 5 Д817Г -100 50 1000 50 0,14 5 1 52
3 Фиг. 27 Елсктрически параметри при Т = 25°С Я • Тип и I г 1 г /о р Фиг. № V | mA mA и % “С W Д818А Д818Б Д818В Д818Г Д818Д Д818Е —9 11 —9 11 —9 И -9 11 —9 11 -9 11 18 18 18 19 18 18 +0,02 —0,02 0,01 0.005 0,002 0,01 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 26 2С920А 2С930А 2С940А 2С950А -120 ! 42 —130 38 ,—150 ' 33 —180 28 1000 1000 1000 1000 500 800 1200 1500 0,16 0,16 0,16 0,16 5 5 5 5 27 53
3-2. ЧЕХОСЛОВАШКИ ЦЕИЕРОВИ ДИОДИ Силициеви цеиерови диоди тип: 1NZ70-4-8NZ70 Фиг. 28 Абсолютни максималии стойностн при •>. 25’С Тип I Z I » Z Л» W р 1,2 mA mA W 1NZ70 230 790 1,25 5 2NZ70 200 700 1,25 5 3NZ70 100 640 • 1,25 5 4NZ70 170 590 1,25 5 5NZ70 130 640 1,25 5 6NZ70 110 340 1,25 5 7NZ70 90 300 1,25 5 8NZ70 70 250 1,25 5 1 . С алуминиева охлаждаща пластинка с размера 60/.60/2 ст" 2 Околна температура 45°С. 54
Основии параметри при Тл = 25°С Тнп и Z kt / 2 V а «Г ‘/°C mA 1NZ70 —5+-6 К 2 -3 . . . +5 100 2NZ70 —6^—7 1< 2 0. . , +6 100 3NZ70 —7 г—8 К 2 +2 . . . 4-7 100 4NZ70 -8-т—9 1< 2 +4...4-7 100 5NZ70 —8,8н-—11 2< 4 +4..-4-8 50 6NZ70 —114—13,5 4< 7 +4 ... +8 50 7NZ70 —13,5 ч-—16,5 6<11 +5 ... +9 50 8NZ70 Г —10,5 ч—20 10<18 +9. . . +9 50 55
4. НЙСкОЧЕСТоТНИ МаЛОМОШНИ ТРАНЗЦСТрРИ 4 1. БЪЛГАРСКЙ ТРАНЗИСТОРИ Германиеви сплавин нискочестотни р-п-р транзистор 2С0 mW тип SF. Т 851, SF. Т 352 и SF. Т 353. Транзисторите са предназначена за усилване на нискочестот ни сигиали с малка амплитуда. Използуват се в буферни стъпал и стъпала с малък Р'ум. Фиг. 29 Абсолютии граничим стойкости при Г — 25°С Напрежение колектор-база Ues, V —24 Напрежение емитер-база Uea, V —12 56
Абсолютин граничим стойиссти при Т = 25°С Ток на колектора 4. mA 150 Разсейвана мощност при естестде- но охлаждане (вж фиг. 30) Ре mW 2Э0 Температура на съхранение Tst°C — 65 + 100 Зависимое? на максималната разсейвана мощност от темпе- ратурата на околната среда. 57
Основни параметре при Т = 25"С Пара- метри Режим на мзмераане SF. T 351 SF. T 352 SF. T 553 ! мии.* Дименсия cp. МИН.* макс. cp- МИН.* макс. cp. . макс. ^сво 4=о t/fe=.-24V 5 15 5 15 5 15 рА ?ево 4=0 t/ee—I2V 4 15 4 15 4 15 PA сео 4=0 4 =0,4 mA —20 —20 —20 V Up 4 = 1 рА Ree~ 1М a —24* —24* —24* V Л21е /=lkHz 4 —1mA 30 20* 40 50 40* 60 80 60* 150 Л11е 1.0 1,55 2,3 ka Л12е t/ce=—6 V 0,27 0,32 0,38 10~з Й22е 20 27 40 pS ГЪ'Ь 4 — 1mA 55 69 75 a СЫс £7„=-6V 32 32 32 pF F 4 —0,5mA «4e=-6V /=lkHz rg = 500 a 8 8 8 dB ^иЬ 4 = 1mA t/ce=-6V 1.2 1.6 2 MHz 58
СТАтйчни характеристики иа транзистори SF “Т 351 в схема с общ емитер при Тл = 25°С Фиг. 31 59
60
Статични характеристики^ на транзистори *F. Т~35& в схейй С’РОш еЛиТер ПриЧГ, з= 25°С“,е « • Фиг. 33 61 г
Германневн спЛавни нискочестотни р-п-р транзистори 200 mW тип SF. Т 321, SF. Т 322 и SF. Т 323 (фиг. 29) Транзисторите са предназначени за усилване на нискочесгот- ни сигнали с голима амплитуда. Използуйат се сыцо така в из- ходните двутактови стъпала в клас В (изходяща мощност около 500 mW) Абсолютин граничим с точности при " 25"С Напрежение колектор-база 4*v —24 Напрежение емитер-база —12 Ток на колектора /с , mA 250 Разсейвана мощност при естестве- но охлаждане (вкл. фиг. 34) Рс, mW 200 Температура на съхранение Т, °C —65 + 100 1 Зааисимост на максималната разсейвана мощност от темпе- ратурата на околната среда Фиг. 34 62
Осаовии параметра при Г =г.25’С Параметър Резким ка измерваие SF. T 321 SF. T 322 SF. T 323 Диаеясия CP. МИИ.* макс» cp. MWH.* макс cp. МИИ.* макс. ^сео 4 = 0 t4e=-24V 5 15 5 15 5 15 ИА ?ево 4 = 0 t/„=-12V 3 15 1 л 15 3 15 НА и(ВЯ) сео 4 = ° Ic — 0,4 mA -20 -20 —20 V UP. Ге = 1 цА /?ев=1М2 —24* —24* —24* V Л21е Ic — 100mA <4a=~lV 30 20* 55 50 40* 60 85 60* 150 Л21е /—Ik Hz 30 20* 55 50 32* 85 85 55 200 ^11е Ie = 1 mA 1.1 0,6* 1,8 1,6 1* 2,6 2,4 1,4 5 ka Л12е 4/„=-6V 0,27 0,2* 0,4 0,32 0,20* 0,47 0,4 0,2* 0,55 10-3 Л22е 20 17* 34 26 21* 40 42 33* 65 ns гй'й Zc= 1mA 55 60 75 Q Сь,с t/fe=-6V 32 32 32 PF ^ab Ic = 1mA t4a=-eV 1.3 1,6 2 MHz 63
64
Статнчни характеристики иа транзистори SF. Т 322 схема с общ емитер прн Тл = 25°С Фиг. 36 5 Справочник 65
Статнчни характеристики на транзистори SF. Т 323 схема с общ емитер прн Тя — 25'С Фиг. 37 66
fj —1V / f ( I ) При Uge _ Зависимом (за SF. T 322) ^2i«•" 1 c и Гя = Фиг. 38 Германиев сплаве и нискочестотен р-п-р транзистор 150 mW тип Т 243 (фиг. 29) Транзистори е предназначен за усилване на нискочестотпи сигнали с-голяма амплитуда. Използува се в схеми, където е необходимо високо напрежение на колектора. Абсолютен граничим стойкости при Т = 25°С ; Uce £/ев 4 Рс Tst ' —60V —25V 250 mA 150 mW —55 .r i +85 u I 67
Параметър ^ево Режим на измерваие 4 = о исв 60V Мин. cp. 20 Макс. 30 i Димеясия 1 PA ^ево 4 = 0 Uee— 25V 20 30 PA -45 V Л21в 1с =250 mA 20 40 80 Л21е • 4 “1 mA ^4=-6V /=lkHz 20 40 80 ^Ue 1 ka 24 US ГЬ'Ь 8= i { 1 3 | 70 ' a Сус 4 = o t/„=-6V 70 pF ' ^аЬ 4 = 1mA £/„=~6V I MHz 68
Германией сплавей ниСкочестоЧген п-р-П трайзисМР 125 mW тип Т 321 N (фиг. 29) Транзисторы е предназначен за използуване с транзистора SF. Т 321 в безтрансформаторни крайни стъпала. Абсолютни граничим стойкости при 7^ = 25°С Uee 4 >‘е Tst 1 24 V [ 12 V 150 mA 125 mW —50 +85°С Параметър Режим ид иэмерваие Мии. Cp. Макс. Димеисия 4во 4 = о ии=24 V 15 ЬА ^ево 4=0 <4,0=12 V 15 НА UP Z„=1PA яе1=1ме 24 V Л21е 50 2 * I IF II1 1 1 s ю > 1 1 33 Л21е /с = 1mA 20 30 40 ^Пе U„=6V 0,6. 1,1 1.3 ka h\.e /=lKHz 0,20 0,27 0,40 10 "8 ,122е Ic = 1mA <4.=6V 17 20 34 ps 1,3 MHz 69
4-2. СЪВЕТСКИ ТРАНЗИСТОРИ Гермаииени сплавин иискочестоТнй р-п-р транзистори тип П6А, П6Б, Г16В, П6Г, П6Д Транзисторите са предназначени за усилване и генериране на елект^ическй сигнали с честота до 1 MHz> Абсолютин граничим стойкости прн Г* = 25*С Напрежение колектор-база иев —30 V Напрежение емитер-база иев —30 V ТЬк на колектора 4 10 mA 70
Абсолютнн граничим стоимости при Т& =s 25°С Разсейвана мошност прн естествено охлаждаие Рс 150 mW Температура наколектор- ния преход TJ —100 ' 'С Топлннно съпротнвление 0,5 rC/mW Оснории параметри при Т* = 2Ъ1)С Параметр Режим на измерване П6А П6Б П6В Димеясяя cp. МИИ.* макс. cp. МИИ.* макс. cp. мйи,* макс. ^Сво 4 = о 10 30 5 15 5 15 НА ^eto 4 = o 10 • 30 5 ' 15 5 15 йА Л21Ь 4 = 1mA 0,92 0,98 0,93 0,96 0,96 0,98 hllb 30 32 30 32 30 32 » Л12Ь /=lkHz 4,0 5,0 '2 3 2 3,1 Ю~8 ^22b 1,0 3,3 0,7 1,5 0,7 1,5 HS Cbc a a и и Я5 Qi 50 50 50 50 50 50 pF F Uce=-l,5V Ie = 0,5 mA 30 10* 33 30 10* 33 30 10* 33 fab Ic = 1mA. t/ce=-5V 0,2* • 1,5 0,465* 1,0 0,465* 1,0 МЙ!» ' 71
Основии параметри при Т* ~ 259С Параметър Режим нж измерваие П6Г макс. I МИИ. П6Д ср. макс. | Димеисия | МИН. ср. ?cso 4 = о 0,5 5 15 0,5 5 15 нА ?еео О И : 0Д 5 15 0,5 1 СП | 15 ИА' h2lb Ic = 1mA 0,97 0,98 0,99 0,93 0,95 0,98 Л11* ! ^e=-5V 26 30 32 26 30 32 а Л12* /=lkHz 1,0 4,0 5,0 1,0 2,0 3,0 10 * Л22* 0,3 0,7 1,5 0,3 0,7 1,5 ps \'е • R(; = боо a Rl = 30ka 20 50 50 20 50 50 PF F t4e=-l,5V Ic — 0,5tnA 10 30 33 5 12 12 dB Ic — 1mA l/„=-5V 1,0 1,0 2,0 0,465 '° MHz < 72
Германией сйлавнн нискочесТотни h-p-n Транзистор и Тип П9А, П10, П10А, П10Б, П11 и П11А (фиг. 39) Транзисторите са предназначена за уоилване на нискочестог- ни chi налн с малък шум (П9А), за усилване на менадинни - чес- |оти (h!0, П11) или за използуване в превключващи схеми. Абсолютен граничив стойкости при Т* « 20°С lL-рзмегьр П9А, ПЮ, П11, ППА, П10А, П10Б । Дпменсия исв 15 30 V <4. 15 30 V 15 30 V 4 20, 150* 20, 150* mA Ре TJ 150 150 mW 85 85 °C * В превключваш или импулсен режим. 73
Основни параметра при Т* = 20°С Параметър Режим на измереане П8А пю ПЮА Днмен- сня МИН. макс. МИН. макс. МИН. макс. 4гво 4 = о t4e=15V 1 30 30 ЦА ^ево 4 = 0 t4e=15V 30 30 30 2,5 цА ^21е Ic =1 mA исе=ы /=lkHz 15 45 2,5 15 15 30 ^22в , / ГЬ’Ь Ic = 1mA £/„=5V Z=lkHz 1 2,5 JXS л 4 = 1mA t/„=5V 150 150 150 ^b'c 60 60 60 pF fab 1 1 1 MHz, dB г 4 = 0,5 mA t/„ = l,5V 10 74
Основнн параметри при Т = 20°С Параметър режим на измерване П10 МИН. Б макс. П1 мин. 1 макс. П1 „ мнн. 1А макс. Димен- сия Jceo ?ево 4=о £4e=15V — 30 \ 30 |лА 4 = 0 £4e=15V 30 30 |лА Л21е 4 = 1mA t/fe=5V f=lkHz 4 = 1mA t/fe=5V 4=1 kHz 25 , 50 25 . 50 45 90 Л22& 2,5 2,5 2,5 |1S ГЬ'Ь 4 —1mA £/ee=5V 150 150 150 а Cvc 60 60 60 pF 1 2 2 MHz 75
Германиеви сплавин нискочестотии р-п-р транзистори тип П13, П13Б, П14, П14А, П14В, П15, П15А (фиг. 39, 4<) Предназначени са за генериране на електрически сигнала с честота до 2MHz. Използуват се също и в импулсни схеми. 76
Абсолютии граничив стойкости при = 20"С Параметър П13, П13Б, ПИ, П15, П15Д П14, Ш4Б Димеисия <4. -15 —30 V —15 —30 V 1с 20, 150* 20, 150* mA л 150 150 mW TJ 85 85 •с &th 0,2 0,2 °C/W ' * В импулсен или в превключващ режим. Осиовни параметри при Т 20°С Тип ^сво ^еео /нА Л21е ^226 AS rb'b п Q'e “~рр" л» РА MHz П13 ™- 12 0,5 j макс. 15 30 3,3 150 50 МНИ. 11136 i ’ макс.! — i- 15 20 0Л 30 60 3,3 150 50 77
Освовии параметра ори Т& == 20°С Тип I ево Л21е h21b ГЬ'Ь Cb'c /Л rih PS Q pF MHz 11 >4 МИН. 15 20 40 1 макс. 30 3,3 150 50 П14А мин. 20 50 1 макс. 15 30 40 3,3 150 Ш4В мин. 30 макс. 15 30 60 3,3 150 - 50 1115 мин. 15 30 макс. 30 60 3,3 150 50 I115A мин. 50 макс. 15 30 60 3,3 150 50 Режим на измерване =-5V 4-о с: п 1 II о< 11 t/ce=-5V /е = 1шА t/„=-5V Ie = ItnA 78
'ёрмаииеви сплавни нискочестотни р~п-р транзистори тип П16, П16А, П16Б (фиг. 39, 40) Предназначеии са за работа в импулсни и тригерни схеми Абсолютам граничим стойкости при — 20°С Напрежение колектор-база <4. —15 V Напрежение емитер-база с: § ! 1 —15 V Напрежение колектор-еми- тер и„о —15 V Ток на колектора 1с 50,300* mA Разсейвана мощност рс 200 mW Максимална температура на прехода +85 °C Топлинно съпротивленне Pfh 0,2 °C/mW * В импулсен режим. Основнн параметри при =& 209С Тип I сво ft2Ie 4б u t ebs t pih. MHz V П16 мин. 20 1 макс. 25 35 0,3 2 П16А мин. 30 1 макс. мин. макс. 25 50 0,35 1,5 П16В 25 45 100 сч| 0Л Рейсим на измерване t/„=-15V 4 = *4.= 1mA —5V t/ce=-15V Rc = 1,5 k2 79
^ермЗнИевй сил&внй кискокеЬтоТнй p-h-p трАОЭисторн 7ЦП П20, П21А, П21Б (фиг. 39, 40) Предназначен за работа в импулсни схеми. Абсолютни граиични стойкости при ?а -- 20°С Параметър П20 П21 П21Л Димеисия 1 1 —50 —70 —70 V Vce —30 -30 —25 V 4 50,300* 50,300 50,300* mA h 150 150 150 mW Rth 0,33 0,33 0,33 °C/mW rj +85 +85 +85 •c * В импулсен режим. Осиовин параметри при Т = 20“С Тип I ело 7 ево *21е г 3 4» цК мА Q MHz Г120 мян. 50 1 макс. 50 50 150 1 20 1121 мин. 1 макс. 50 50 60 2 — мин. 50 1 П21Б макс. 50 50 150 1 Режим на нзмерване vCB= ——70V (7е„= —50 и < >i 4 = =300 mA Ic =5mA иСй^= =-5V 80
Германиезй сплавни нискочестотии р-п-р транзистори тип 1125, П25А, П25В, П26, П26А, П26Б (фиг. 39, 40) Предназначенн са за работа в тригерни и импулсни схеми при нисокн напрежения АбсоЛютин граничим стоимости при Т* = 2С°С Параметьр П2\ П25Л П25Ь 1126, П26А, П26Б Дименсия Uce —60 -100 V 1 1 Ь J Q, 1 —60 400 -100 V 400 mA 200 200 mW +75 +75 ’С Rth 0,2 0,2 'C/mW 6 Справочник 81
Осиовни паракетри при 20°С тип / сво / ево 2\е *22S rb’c Cb'C fob T цА дА д5 Q PF MHz дЗ П25 мин 10 макс 150 150 25 3,5 500 70 0,2 1,5 П25А мин 20 — макс 150 150 50 3,5 500 70 0,2 1.5 П25Б мин 30 макс 150 150 80 3,5 500 70 0,5 1.5 П26 мин 10 макс 150 150 ' , 25 3,5 500 70 0,2 1.5 П26А мин 20 макс 150 150 50 3,5 500 70 0,2 1,5 П26Б мин 30 макс 150 150 80 3,5 500 70 П 0,4 1,5 Режим иа нзмерване {7f8=-100V uee=-ioov 4 = 1,5 mA 4/св«в—70V “и п L £ СП ~ < i 4 =2.5 mA <4.» =—30V
Гермииневи сплавни ннскочестотни р~п~р транзистори тип П27, F127A, П28 (фиг. 40) Предназначенн са за усилване на ннскочестотни сигналн Абсолютин граничим стойкости при Т = 20°С Напрежение колектор-база Uca -5 V Напрежение колектор-емн- тер исе -5 V Ток на колектора Ic 6 mA Разсейвана мощност Рс 30 mW Температура на прехода TJ +85 •c Топлинно съпротнвление P/h 1 °C/mW Осповни параметры при = 20°С Thu I сво рА Л21« h22A T Cb'c 4» F Ps pS . ns pF MHz dB 'П27 мин. макс. 20 1 3 2 6000 50 10 П27А мин. макс " ~Г 20 1 1 6000 5 П28 мин макс. --з' 20 5000 - 50 I 5 5 [ 1 =-15 V 1, -=0,5 mA <4,-5 v' 83
Германиеви силавии ннскочестотни маломощни миниатюрки р-п-р транзистора тип ГТ 108А+ГТ108Г, ГТ109А+ГП09Г Фиг 41 84
Електрически параметри и сво / с р с Z сво Л21<? ft22S ад фиг. ла Тил v тЛ mW чА MHz ГТ108А ГТ108Б ГТ 108В ГТ108Г -15 -15 -15 -15 50 50 50 50 75 75 75 '75 <;ю <;ю <по iS10 20— 50 35— 80 60—130 110—250 з;з 3,3 3,3 3,3 0,5 1 1 1 41 ГТ109А ГТ109Б ГТ109В ГТ109Г -15 -15 —15 -15 20 20 20 20 30 30 30 30 IA IA IA IA СЛ СП СП СП 20- 50 35- 80 60-130 110-250 м 3.3 1 3.3 3,3 1 1 1 42 00 сл Режим на измерване C7fe=-5V 1 = 1mA t- C/„--5V
Силицневн сплавни ннскочестотни tv-p-n траизнсторн тнп П101, П101А, П102, П103 (фиг. 39) Предназначени са за усилване на ннскочестотни сигнали Абсолютна граничнн стойкости при Т& = 2(РС Напрежение колектор-база *4, 10 V Ток на колектора 4 20 mA Разсейвана мощност 150 mW Температура на прехода 4 150 СС Топлинно съпротивление 0,5 °C/mW Основин параметри при — 20°С Тип I сво *21* *22* 4<S 4* F dB , м MHz П101 МИН макс мин 0,9 ~3,3 0,2 1 П101А 0,9 0,2 0,465 1“ макс мин 1 3,3 18 П102 0,93 макс 1 0,9 2 П102А мин макс 1 3,3 Режим на нзмерване Д, =1тА ^«=5V Ie — 1тА t4,= 5V 4 = 0.2 mA ^e=iv 86
Силициеви сплавим ннскочестотни р-п-р транзистори тип П104, П105, П106 (фиг. 39) Предназначеин са за усилване и генериране на електриче- ски сигналн в граници до 465 kHz Абсолют ни граничии стойностн при = 20°С Параметър П104 П105 П105 Димеисня *4. -60 —30 —13 V —60 —30 —15 V 4 20,50** 20,50*¥ 30,70** mA 150 150 150 mW ^/й 0,5 0,5 0,5 °C/W * Прн Ree<lke. ’1 В превключващ режим. Основии параметри при 20°С Тип г сво М I ево Й21& Й22» й11ь 4й MHz rvb cvo рА fl fl »F П104 мин 0,005 0,005 0,90 0,7 35 0,1 50 40 макс 0,5 0,5 0,96 3,3 140 1,1 1000 80 мин 0,005 0,005 0,9 0,7 35 0,1 50 40 П105 макс 0,5 0,5 0,96 3,3 140 1,1 1000 80 П106 мни 0,005 0,005 0,93 0,7 35 0,465 150 40 макс 0,5 0,5 0,98 2 80 2,0 1500 80 Режим на измервэне 1 > и.* -5V 4 <4 = 1mA ,=-5V /=465 kHz 87
4-3. ЧЕХОСЛОВАШКИ ТРАНЗИСТОРЫ Германнени сплавни ннскочестотни маломощны п-р-п транзистори тнп 101NU71 (2X101NU71) н 104NU71 (2X104NU71) Транзнсторите са предн_значени за крайни усилватели 88
Абсолютпи граничим стойнестн при «= 25°С ! <4. 4 1 ! Tj ‘I Р 30V* 1 10V 250 mA { 75°С 0,4’C/mW * За 104NU71 (2XJ104NU71) 4/ci=20V. Осиовии параметри при = 2$°С 101NU71 104NL71 К S Параметър Режим па иямерване НИИ cp. макс мня макс з: <У S К =( /„=6v 4,5 10 4,5 10 цА 4,5 10 4,5 10 НА Л21е t/c,=ov Ie — 10mA 45 70 120 45 70 120 Л21е t/„=ov Ie = 80mA 30 50 100 30 аО 100 Л21е y„=ov /g = 124mA 25 25 й21е t/^ov 1g — 250mA 15 15 fr Ic = 10mA £/ce=6V 0,7 0.7 MHz Параметрите на сдвоените транзистори (2X101NU71 и 2X104NU71) при посочените по-до л у релими не трябва да се различават с поиече от 15%. r„=6V Uce=0,7V 1е = 10mA Ic = 80mA 89
Германиеви сплавни ннскочестотни маломощни п-р-п транзнстори тнп 102NU71 и 103NU71 (фиг. 43) Транзнсторите са предназначена за превключващи схеми. Максимални граничим стойкости при Т &= 25°С <4. 4 4 ^th 30V* 10V 1 250 mA 75°С 0,4’C/mW ------------1--------- * За 103NU71 t/w=48V. Основни параметри при Т ~ 25°С 102NU7I 103KU71 Параметър Режим на измерване МИН cp- макс МИН ср макс Димен* сия Zceo t/ce=6V 4,5 10 4,5 10 НА Zpeo ^=6V 4,5 10 4,5 10 нА 4е flee=500 2 50 50 рА Uces Ic = 125mA Ia = 10 mA 0,22 0,22 V Uce Ic = 0,2 mA 7?ee—500S 30 48 V h2le 1^=0 Ie =10 mA 65 140 220 45 220 й21е ^a=o Ie = 80 mA 50 120 200 30 200 Л21е Uet=0 Ie = 125mA 35 25 Л21е *4.=o Ie = 250mA 25 15 /г Ic =- 10 mA i/ce=6v 700 700 • kHz 1 90
Германневи сплавни ннскочестотни п-р-п транзистори тип 106NU70 и 102NU70 (фиг. 43) Предиазначенн са за постояннотокови ннскочестотни импул- сни усилватели. Абсолютин граничим стойкое пр и 25°С Uee 4 ь 32V 10V 10 mA 75°С 0,4‘C/mW Основни параметри при Т& =л 25°С Пара- метър . Режим на ' измерване Uce^4,5V 106 070 107 070 Димен- сия мин cp. 150 макс 12 325 75 МНИ ср* макс ^еео 12 нА ^сео Uce=4.5 V 30 0,4 65 150 325 130 |1А Л21г Ic = 3 mA ^2V /=lkHz 47 90 1,3 ^lle 0,8 5,4 1,5 17 0,7 2 kQ й12₽ — 8 20 10~« h&e 80 200 / 125 250 ps F Ic =0,5 mA t/„=2V /«1kHz #6 = 500Q 10 10 dB fab I. = 1 mA ЦЯ=6У 0,8 1,25 l.o 1,5 MHz 91
Германиеви сплавин ннскочесто1ни маломощии p-h-p транзистори тип GC 504 и GC 505 Транзисторите са предназначени эа слухови апарати 92
Абсолютнм граничим стойяости при = 25°С исв Уее 4 TJ ^th —7V —7V 5 mA 57С 1.5cC/mW Основни параметри при Т& — 25вС Пара* метър Режим иа мзмерване МИИ GC 50 ср макс мйн GC 50 СР 5 макс Димен* сия 1. ?сло ^ево ^сео *21<? F $Т с: л ,«4 1 %. р. il 1< "’ll И £ ! I! 1 **, 1 % -° .° I 1 © 1 i 1 1 ? -5 S । 01 n © к> 1 ~ 1 । 1 ь в <3 Г 2 « 30 200 -J— ' 2,5 2,5 1,5 65 10 50 200 2,5 2,5 15 120 10 цА рА j*A dB kHz 93
Германиеви сплавни ннскочестотни маломощни р-п-р траизисто и тип 0С7О и 0С71 (фиг. 13) Предназначени са за постояннотокови нискочестотни и им- пулсии ус/лватели. Абсолютин граничил стоимости при 25°С Че 4 Ре Ti 4b -32V 10 mA 125 mW 75°С 0,4°C/mW Основнн параметри при Г& = 25°С Пара» Рнжим на 0C70 0C71 Днмеи-' метър измерване МИИ Cp. макс МИИ ср. макс сия 1 | 4во (/ee=—4,5V 5 12 4,5 12 |iA 1 ^сео £/„=-4,5V 225 150 325 нА Л21« /е - 0,5 mA 20 30 40 30 47 75 (4,=-2V 1,2 2,2 3,6 0,4 0,8 1Л kaz й12₽ /_=lkHz 9 27 5,4 17 10'4 ^22« 23 53 80 220 hS F 1 |Г 6° S? Il II «, 3 g i £ 8 a Ю > 10 15 10 15 dB Ic *=- 1mA t/„=-6V 300 400 kHz 94
Германиеви сплавни иискочестотни маломощни траизистори тнп 0С72 (2Х0С72) и 0С77 (фиг. 43) Транзисторы 0С72 е предназначен за крайни стьпала, а 0С77 — за превключващи схеми. Аб'олютии граничил стойкости при Т* — 25°С Uce Uee —10V 4 — 32 V* 50 mA 75°С 0,4°C/mW '* За 0С77 f/ce-=60V. Основни параметри при = 2В>С Пара- метър Режим иа измерване OC72 ОС 77 Днмеи- сия МИН cp. макс мин ср. макс исв 10V 4,5 10 4,5 10 10 РА рА ^ево 2 ! § ! 1 II ? 1 4,5 10 4,5 ^сео h2le 125 300 200 600 рА 1с = 10тА ^e=-6V 45 30 70 50 120 45 — Л21е 4 = 80 mA (J„=-0,7V 4 =250 mA t4₽=-iv 90 30 ^21г 15 15 fаЬ 4 = 10 mA 6V 350 350 На подбраните по двойки траизистори h^le при посочените по-долу режими не трябва да се различават с повече от 15 %: Uce=~6V; Ц.г=—0,7 V; 4 -10mA. lc =80 mA. 95
4-4. УНГАРСКИ ТРАНЗИСТОРИ Германиеви сплавин ннскочестотни малочошии р-п-р транзистори тнп ОСЮ76 и 00077 Фиг. 45 Предназначени са за прсвключващи схем и. Абсэлютни грат чин стоимости при Т& = 25°С Тип У» Ue„ 4лг TJ Rth ОС 1086 —32V —10V 250 г.А 75'С 0,4’C/mW ОС1Э77 -60V —10V 250 mA 75’С 0.4°C/mW 96
Основан параметра при 2б°С НарЬ меп>р *ежвм m измерваяе OC1076 ОСЮ77 Дим«р* см МИИ cp. макс МИН ср. макс ^сво 17„=-WV 4,5 10 4,5 10 цА ^е»о (4e=-iov 4,5 10 4,5 10 РА ^сео 17„=-6V 200 600 200 600 йА UM 4 = 80 mA t/„—0,7 V 0,45 0,45 V Uet /e = 125 mA C/re=-0,7V 0,7 0,7 V ^21е 4 - - 250 mA £/те=-0,7У 15 v> ^21« 4 = 125 mA I4e=-°.7V 25 25 ^21е 4 = 80 mA Uce=- °>7V 30 30 ^21е 4 = 10 mA l/cr 5.4V 45 45 4» 4 -10 mA ^«ai-eV 0,35 олй MHz 7 Справочник 9Т
4-5. ТРАИЗИСТОРИ — ПРОИЗВОДСТВО НА ГДР Г.рмаииеви сплавни ннскочестотни маломощнн р-п-р транзистори тип ОС 100 и ОС 101- Транзисгопите са предназначени за ннскочестотни предусил- мтел ни и драйверни стьпала. Фиг. 46 Абсолютна граничив стойкости при -- 45”С ис.о 4 Tf ^lh -15V -10V 15 mA 75°С s ГС/mW Основни параметри при Т — 25®С —6V Режим на измеряете ОС 100 ОС 101 МИИ ср. макс мин ср. макс 1.5 15 1.5 15 РА Диман* сия 98
Основии параметра при Т = 25*С 1 Параиетър Режим на измерване GC100 I GC 101 Лкмеи- СиЯ I 1 1 мии cp- макс MHR cp. маке ?сео ^=-6V 55 800 55 800 l*A ^ево ^e=-15V 50 500 50 500 I>A Л21с Ic = 2mA l/„=-6V /=lkHz 18 88 18 88 1 1 1 f 1 01 ' | w I 1 ' J ^lle 0,2 0,6 5 0,2 0,6 5 ^12e 4 30 4 30 Л22г 56 200 56 200 F lc = 0,2 mA Ца = 500 S /= 1kHz 14 25 - 5< 10 dB 'MHz f* lc » 0,5mA 6'ce=—6V 1 2,1 1 2,1 -r— 99
Гермвхит сплавни ниспбчтл'гни маломьпши b-пФ Трамнстори тип GC110 и GC117 ПраднтжчемГса за иискочестотги предусилвателнй и драй- верни стьпала. Абсолютам граничив стойиости при Г = 46°С <4ао ^?во 4 ъ ^th —30V —10V 50 mA 75-С iO,4&*C/mW 100
Оиииаии иараметря ори Т* » 25°С 1 Параметър Режим на измервене GC 116 GC 117 Димен» сия мин cp- макс МНИ cp. макс 4во yce=-6V 2 15 2 15 нА ^сео i4e=-6V 210 600 210 600 НА ^ево t4e=-iov 12 100 12 100 НА ^le lc => 2mA t/ee=-6V 18 88 18 88 h\\e 1 3 1 3 ка hVle 5 30 5 30 ю-4 ,t22f — 70 200 70 4 220 HS F It = 1mA cr„=-iv rg = 500 a /—1kHz 6,1 25 10 dB fab Jf = 2mA Ц,—«V 0,3 0,6 0,3 0,6 MHz 101
FepMahhtoH сйлаЬш! йнЫочбстоТни Мал6М6Ш,нй р-Н-р транзистори тип GC120 и GC121 (фиг. 47) Предназначени са за ннскочестотни предуснлвателнн н крайни стъпала. Абсолютин граничив стойностн прн 7^ — 45°С "со иево 4 TJ ^th —20V —10V 150 mA 75°С 0,43“C/mW Пара- Режим на GC120 GC121 Димен- мегьр измерване МИН cp. макс мин ср. макс сня 4«о ^e=-6V 1,5 15 2 15 рА ^сео t/„-6V 105 600 210 600 рА <4,—10 V 10 100 12 100 рА Uees 4 = 125mA 0,44 0,55 0,44 0,55 V й21е I, - 10mA ^=-6V 10 20 20 50 Л21е 4 125mA *4e=-0,7 V 8 15 16 36 F 4 = 1mA £/„=-lV rg = 500 a 9 25 7 25 dB ?аЪ 4 = 2mA uee^~ ev 0,3 0,5 0,3 0,5 МНг 102
Германиеви сплавни ннскочестотни маломощна р-п-р траизистори тип GC 122 н GC 123 (фиг. 47) Предназначенн ла за превключващн схеми. Абсолютен граничим стой кос? и пр« Г » 45°C исео иеео 4 -30V —10V 150 mA 75°С 0,43cC/mW Основни параметри при Г = 25°С Пара- метър Режим на измерение GC122 'GC123 Дямен- СиЯ МИН ср. макс мни ср. макс ^сво <4,=-6V 2 15 2 15' 600 НА ^сео ^=-6V 200 600 180 рА jiA <5 t; 8 s II II + 1 О GJ _ W < < /8 30 15 30 heo Uee—~- 10V 15 100 12 100 gA uces 1с --- 125mA 0,44 0,55 40 0,44 0,55 V h,21e Ic — 125mA tfw=-0,7V 15 15 30 Ic =- 2mA l/rt=-6V 0,3 0,5 0,3 0,5 MHz 103
5. СРЕДНОЧЕСТОТНИ МАЛОМОЩИИ ТРАНЗИСТОРИ 5-1. БЪЛГАРСКН ТРАНЗИСТОРИ Германиеви сплавни средночестотни р-п-р транзистори тип SF. Т 306, SF. 1307 и SF. Т 308 (фиг. 29) Транзисторите са предназначени за усилване на средночес- тотни сигиали с малка амплитуда, а съшо и в импулс ни схеми. Използуват се в стъпалата за междиина честота в радиоприем- н идите. Абсолютен граничив стойностн при Т 25°С а Напрежение колектор- аза исв —18 V Напрежение емитер-база . U ее —12 V Ток на колектора 4 100 mA Разсейвана мощност при естест- вено охлаждаие (вж. кривата дочу) РС 150 mW Температура на съхравение -65 4-100 °C Зависимост иа максимал ната разсейвана м< щнос' от темпе ратурата на окол ната среда - Фиг. 43 104
Основнн парам три при Г =• 25°С Пара- метър Режим на иамерваае SF. T 806 SF. T 307 SF. 308 Димен- сия Cp. МИН * макс rp. MBH** MdKC cp- MHH * макс ^сво 4=о ^a=-15V 2 10 2 10 2 10 pA ^ево 4 = 0 z/ee=-9v 1,5 10 1,5 10 1,5 10 pA U(BR)feo 4 = о Zf=0,2mA 15 15 15 15 V Л21а Ic~ 1mA ^a=-6V 28* 70 25 40* 120 70 40* 180 /в& I, =lmA <4,—6V 3 7 13 MHz гъъ Ic =lmA У«—ev 85 1200 60* 150 90 60* 150 ICO 70* 150 Q &Ь'е 850 480 PS Sbrc 0,4 35 2200 0.3 0,2 PS Sm 35 35 mA/V 900 450 PF ^b'c 8 8 11 9 12 PF ^Пе Zr=0,3mA 7V /«455kHz 1200 1200 Q 650 500 PF ^22е 170 50 kQ С22е 20 30 pF 10 22 mA/V 105
Статйчнй характеристики на Транзистора SF. Т &06 схема с общ емитер пги Тв 2э°0 Фиг. 49 106
Статнчни характеристики на транзистори SF. Т 807 в схема с общ емитер при Г, = 25°С Фиг. 50
Статична характеристика иа транзистор SF. Т 808 в схема с общ емитер при Та — 25°С 108
Зависимее» (У21в)=/ <4 J при_Л=»455 kHz и 7V .за транзистора SF. Т ЗОВ 109
5 Э. СЪВЕТСКИ ТРАНЗИСТОРИ Германиеви средночестотии р-п-р транзистори тип П12, 1I12A, 11406, П4О7, П29, П29А и ПЗЭ (фиг. 39, 40) Тич Г№Ь ^ево ft2U Й22Ь и« 1 с р с tfh дА MHz pF V mA raw Ill i йб *£10 20 2 > 5 <20 — 6 5 30 П12\ <6 < 6 20-40 s 2 > 5 <20 — 6 5 30 П С6 <6 S10 20 < 2 >ю <:20 — 6 5 30 IW7 <6 <10 - 20 <20 >20 SS2O — 6 5 30 П29 й4* S4* 25—50* > 5 <20 W 100 30 П.9А <4* rg4* 45—90* > & <20 —12 100 30 ПЗО <4 :<4* 80—100* >ю ^20 —12 100 30 Режим на и метане =*~6V —12V =~6V -12V fr==ltnA, Ute= --6V *le »«20rnA, Uce^= =-0,5V > «о 1 11и J5 Абсолютна гранични стойностн прн Тл == 25°С U9
5-3. ЧЕХОСЛОЗАШКИ ТРАИЗИСТОРИ Германиеви сплавни n-p-ji траизистори тип 155NU71 и 156NU71 Предназначен са за усилване на междиниа честота и si смесители. 111
Абсолютам грдяичнн с ойиости при Г w 28°С S <4. TJ *,Л —15V —8V 5mA 75ГС 0,6°C/mW Основни параметра при == 25°С tlapa- метър Режим на иэмерваве 155NU71 156NU71 Димен- СИЯ МИН cp. мане MBH cp. макс Zceo f/ce=-15V 10 10 ИА ^ево {/„-=-127 10 10 НА Л21е Ie =lmA 6V 25 50 125 45 100 225 &Ьге Ie = 1mA U„=-6V 760 390 |М> &Ь'с 0,5 0,5 до tm 39 39 mAfV ТЬ’Ъ 75 200 110 250 Q ^Ъс 7 10 14 7 10,5 14 pF 1000 410 pF fа& lt = ltDA {/„-6V 3 6 12 7,5 15 30 MHz 1 112
5-4. УНГАРСКИ ТРАИЗИСТОРИ Германиеви сплавим р-п-р траизистори UCI04I и ОСЮ45 (фиг. 45) Предтаэиачени са за усилватели, смесители и осцилатори Максималии граничив стойкости при Т — 25°С в U№ иев 4 4 —15V 12V 5mA 75°С 0,6°C/mW Основни параметри пои Т& = 25°>_ Первые- тър Режны ия измерване ОСЮ44 OC1045 Димен- сия MBH cp. макс MBH cp. макс 4во £/„—2V 0,5 2 0,5 2 рА £/ce=—10V 10 10 PA 4«о t/ee-=—2V 0,4 2 0,4 2 pA uee=-i2V 40 40 pA Л21е i/c<=-6V Ie = 1mA /=lkHz 45 100 225 25 50 125 Sbfe Ie = 1mA £/e.=-6V 390 760 ps Ette 0,5 0,5 |1S Sm 39 39 mA/V rb‘b 100 250 75 200 Q Cb'c 7 10,5 14 7 10,5 14 PF Cb'e 410 1000 pF ^ab I, =lmA <4.=“6V 7,5 15 30 3 6 12 MHz 9 Справочник ИЗ
5-5. ТРАНЗИСТОРИ, ПРОИЗВЕДШИМ В ГДР Германиеви сплавнн транзистори р-п-р тио GF 100 и GF 105 (фиг. 46) Предназначен са за междинночестотни усилватели и сме- сители Абсолютна граннчни стойкости тип Т* ~ 45°С иев 4 4 &th —15V —10V 15mA 75°С < ГС/mW Основни параметри при Т* = 25"С Пара- метър Режим на измерение GF ICO GF 105 ДвмсН* сня MBH cp. макс MBH cp. макс 4во yra=6V 1,5 10 1,5 10 ИА ^ево i/ee=-15V 50 500 50 500 pA Л21е I. = 0,5mA <4e=-6V /—1kHz 20 70 20 100 Slle Ic — 0,5mA .^=-6V /=0,5MHz 1.4 3,3 |1S Clle 330 1000 110 250 pF 1^21е1 13 17,5 10 16 mA/V С 22с 25 50 29 35 PF fa» Ic *= 0,5mA £/ce=—6V 3 6 7 10,5 MHz F L - 0,5mA ^a=-6V 6 15 11 20 dB 114
6. ВИСОКОЧЕСТОТНИ МАЛОМОЩНИ ТРАНЗИСТОРИ 6-1. БЪЛГАРСКИ ТРАНЗИСТОРИ Германиеви високочестотни мало мощи и р-п-р транзистори 150 mW тип SF. Т 317, SF Т 319 И SF. Т 320 (фиг. 29) Предназначени са за използуване като осцилатори, смесители и усилватели на висока честота. Абсолютин граничив стойкости при Га =25°С Напрежение колектор-база -20 V Напрежение емитер-база -0,5 V Ток на колектора 10 mA Разсейвана мощност при естествен© охлаждане (вж. графиката долу) Ре 150 mW" Температура на съхранение Tst -65 + 100 ОС Зависимое? на макси- малната разсейвана мощ- ност от температуратй на околната среда <Гиг. 54 115
Освоена параметри при Га »»S6“C Пара* метьр ’ Режим на измерване SF. T 317 SF. T 31B SF. T 320 X Cp. МИИ * макс cp- MHH * макс cp. МИИ* макс V s X Ct 4во 4=о £/fS=-15V 15 15 15 pA А?во t/ee=—0,5V 15 50 15 50 15 50 P A Л21 е 4 = 1 mA t/„=-9V /-1 kHz 100 35* 200 40 20* 80 35* 200 ^в’е 4 “1 mA 2.5 2,5 2,5 pF т 40 45 40 ps Яце 4 =1 mA ^=-8V /=455 kHz 2 0,6* kQ СИе 220 PF #22 е 1 0.4* 0,8, 0,8 1 0,4Y MS С22 в 3,5 3,5; 3,5 PF |УЯ f, 27 1 34 rnA/V 4=1 mA C4.»-9V [Ля J=1 40 1 80 35 MHz 16
Статнчни характеристики на транзистора, SF. Т-317 в схема с общ емитер при Тя #5*0 Фиг. 55 117
Статрчии характеристики на транзистора SF. Т 319 в схема с общ емитер при Га = 25°С 118
Стйтични характёристйки йа транзистора $F.‘ ¥ 32б в схема с общ емитер* при Та •«= 25°С Фиг. 57 119
OSl 85 '1ИФ 0Z8~t* axndojaWEHtdxT'B* A /ж вр хэомиэ1«8«
Германиеви в'тсако’!встотни дрейфом р-п-р траивисторм 12Jm W тнп Т 81 в, Т £54, Т 857 и Т 858 (фиг. 20) Предказначенн с» за иаиелзуване като есцилатври и смми* тели до 30 MHz (Т 354) и 100 МН, (Т 357 и Т-58) Абсолютни граничим стойкости при Т& » 25°С Напрежение колектор-база —20 V Напрежение емитер-база иев — 0,5 V Ток на колектора 1с 10 mA Разсейваиа мощност при естествено охлаждане (вж. фиг. 59) рс 120 mW Температура на съхранение -65 + 100 ОС Зависимост на макси- малната разссйвана мощ- ност от температурата на околната среда. Фиг. W 191
(jcHoiHH параметри при Т Парагетър Режим на измерване T 316 T 364 Т 357 Т 358 Дииенеия Q. МИН* 1 макс | S’ МИН* макс Q. о » о х х X Я S CU и I мин* макс heo 4=o I7„=-15V 2,5 15 2,5 15 2,5 15 2,5 15 рА ^ево 4-=° t/ee=-0,5V 0,1 15 0,1 15 0,1 15 0,1 15 рА Л21 е 4 =>1 mA t/fe=-6V /=lkHz 120 120 120 60* 120 60* сВ’С 5^ 11 1 1 ° CT> < 1,5 1,5 1,5 11 1,5 pF fr 4=1 m A t4e=-6v /=15 MHZ 60* 80 65* 85 110 МН2 Г22 es 4 = 1 mA t/f£=-6V /=10,7 MHz 75 35* 75_ 2,5 35* 35 75* ма C&es 2,7 2 ₽F ^11 e 65 65 PF rll e 0,8 0,8 k а 35 mA/У F 21 al Л 4 =1 mA <4»=-6 V 500 650 MHz _r22« ^22 es Ic =1 mA L„-,-6V /=455 kHz 06 2,7 С,2* 0,6 0,2* ма 2,5 pF У. =1 mA t4.=—6 v 11 15 ps 122
f СтаТйчнИ характеристики ha Транзйсторите t 31$ (фиг. 60а), Т 358 (фиг. 606), Т 354 (фиг. 60s) и Т 857 (фиг. 60 г) в схема с общ емитер при Га s=25°C Фиг. 60 а 123
It4
Фиг. 00 « 125
Фиг. 60 г 126
в-J. СЪВЕТСКИ ТРАИЗИСТОРИ Германиеви високочестотни р-п-р дрейфови траизистори тип П401 + П403, П414+П415 Б (фиг. 39) и П41б-П416 Б (фиг. 40) Електрвчески параметри t ри 20°С Тип I с вс 7 ево А21 е А22« r C , e' c и се ь се I с р с рА рА us МН z ps pF V v mA mW П401 <10 <5 >20 <5 30 3500 15 10 10 —10 -10 10 50 П402 >20 <5 60 1000 —10 -10 10 50 TI403 <5 30—100 <5 120 500 -10 -10 10 50 П403А <5 20 <5 120 500 10 10 —10 10 50 П414 <4* <100 25—100 ^5 >60 <1000 10 -10 -10 10 100 П414А <4* <100 60—120 100—200 <5 >60 <1000 10 -10 —10 10 ,100 П4МБ <100 <5 >60 <1000 <10 10 -10 10 100 П41,5 <4* <100 25—100 <5 >120 <500 <10 —10 -10 10 100 П1Г5А П415Б <4* <100 60-120 100—200" 23—80 <5 >120 >uo <500 <10 -10 -10 —10 10 КО <4* <100 <5 <500 <10 <K <8 <8 -10 10 100 П416 <3* <100 <5 > 1*20 -20,115 100 П416А <3* <ioo <100 60—125 <5 >120 —20 15 100 П416Б <3* 100—200 <5 >120 —20 15 100 Режим на измерване Ua-=-5V*Uce 10 V > СЧ II «» й>* 1с =5 mA > T II Абсолютна грани- чим стойности при Ta =200Q J27
Германиеви високочестотни п-р-п- дрейфом Транзистори тип ГГЗОЗА+П808Е Фиг. 61 12в
Тип I сво Л„, 21 е г и се в и св £Г се Z с р с Н л PS V V V mA mW 1Т303А <6 15-50 <1000 <3 12 10 15 100 1Т303Б <6 30-80 <1000 <3 12 10 15 100 ПЗОЗВ <6 60—100 <1000 <3 12 10 15 100 пзозг <6 15—50 <1000 <3 12 10 15 100 1ТЗОЗД <6 30—80 <1000 <3 12 10 15 100 1Т303Е <6 60-160 <1000 <3 12 10 15 100 Режим на ' измерва- ’ не =12 V f/^-5 V Z, —5 mA =50 mA =340 Q Абсолютви гра- ничим стойности При Тл =20»С О' 129
Гврчанйеви вйСачойестотни р-п-р доеЙфовй транзисгэри тип 1Г ЗВ V —1Г ЗВ Г (ф’г- 61) Електрически параметри при 7* »*200С Ja о) 2 d СХ Режим на измерванв И 308А 1Т 308Б IT 308B IT 308Г « X X 2 Ё «4 *4,=-5v <2 <2 <2 <2 UA ^ево Ue^2N <50 <50 <50 <50 P-A Л21 е 1с = 10 mA f/„=-l V 25-75 50—120 80—150 100-301 — ^22 г L =1 mA <4,=~5V 30-180 50-130 80-200 » 80—200 us Л.6 >150 >150 >200 >200 MHz т S00—400 500—400 500-100 500- 100 Is Гм t/„—5 V Ic =10 mA >90 >120 >120 >120 MHz исе абсолютии —20 -20 -20 —20 V граничив -15 —15 —15 —15 V 4 стойкости 50 50 50 50 mA при Га=200С 150 150 150 150 mW 130
Германиеви високочестотни р-пр дрейфе и транзистори тип Г Г 3j9 (фиг. 62/ -—ГТ 310с. (фиг. 42) Фиг. 62 ЕлеК1 рически параметри при Т& ® 20°С Тип О /г Г 22 р и св и Ct I с р с м — MHz ps dR V V in A mW ГТ 309А <5 20 70 120 с0о <5 -10 10 50 ГТ 309Б <5 60—180 120 500 10 —10 16 50 ГТ 309В <5 20 70 80 500 <5 —10 10 50 ГТ 309Г <5 60—180 80 500 <5 10 —10 10 50 ГТ 309Д <5 20—70 40 500 <5 — 10 10 50 ГТ ЗО9Е <5 60—180 40 500 <5 —10 10 50 ГТ 310А <5 20-70 160 300 3 -12 - 10 10 20 ГТ 310Б <5 60 180 160 Зоо 3 - 12 —10 10 20 ГТ 310В <5 20-70 120 360 4 —12 -10 10 20 ГТ З'ОГ <5 60-180 120 300 4 — 12 -10 10 20 Г Г 310.1 <5 20-70 80 300 4 —12 -10 V) 20 ГТ 310Е <5 60-180 80 300 4 -12 — 10 10 20 Режим на измер- ване > 7 if «-5V = 1 mA =-5 V =1 mA 20 MHz > < U5 Е 1 — II II Абсолютин гранич- ив стойкости при Та ~20°С я 1 & Ь ** Ь 4 ь •* 1?1
Силициеви високочестотни п-р-п дрейфови транзистори тип 21301 -2Т301Ж (ф г. 62) Електрически параметри при Т* «= 20“С I сво / евс *21 е *i5 4 с, в'с и се и ев I с р с цЛ. /А — ДБ MHz pF V V mA mW 2Т 301 <40 <50 20-60 <3 >30 <10 20 3 10 150 2Т 301А <40 <50 40—120 <3 >30 <10 20 3 10 150 21 301Б <40 <50 10-32 <3 >30 <10 20 3 10 150 2Т 301В <40 <50 20-60 <3 >30 <10 20 3 10 150 2Т 301Г <40 <50 10-32 <3 >60 <10 20 3 10 150 2Т 301Д <40 <50 20—60 <3 >60 <10 20 3 10 150 2Т 301Е <40 <50 40-120 <3 >60 <10 20 3 10 150 2Т ЗЛЖ <40 <50 80 <3 >60 <10 20 3 10 150 Режим иа измерваве > 8 1 II 5? < т II > о 7 и > о 7 > о II ч» а Абсолютни гранични стойновги при Га =20°С 132
Силициеви високочестотни п-р-п дрейфови траизистори тип П501+1505А Електрически параметри при Т » 20’С Тио I ево *21 е *22 е C*C и св и се I с р с и а — И» MHz pF V V mA mW П501 <100* >10 3.10-« 10 10 20 20 10 150 П501А <100* >20 3.10-« 10 10 20 20 10 150 11502 <100* >10 3.10-* 30 10 20 20 10 150 П502А <100* >20 3,10-6 30 10 20 20 10 150 ГГ02Б <100* >ю 3.10-6 30 10 20 20 10 150 П502В <100* >20 3.10-6 30 10 20 20 10 150 П503 <100* >10 3. ’0-6 60 10 20 20 10 150 П503А <100* >20 3.10-6 60 10 20 20 10 150 П504 <2 10—35 2.10-е — 7 30 — 10 150 П504А <2 25—80 2.10-е — 7 30 — 10 150 >П505 <2 40-150 2.10-е — 7 20 — 10 150 П505А <2 20—60 2.10-е — 7 20 — 10 150 Режим иа измерване 4 = 5 mA 10V 10 V Абс слюни граничим стойности при | 7\ = 20°С J * /св0 при Га = 120°С. 133
6.3. ЧЕХОСЛОВАШКИ ТРАНЗИСТОРИ Германиеви високочесто'ни р-п-р доейфови транзистори тип ОС169 и ОС170 ОС169 е предназначен за усилване на междинна честота, а ОС170— иа висока честота и междинна (10,7 MHz ) за Ч.М. Фиг. 63 134
Абсолютин граничен стойкости при Г « 96°С Uc и ев г/ —20 V —4 V 10 А 70°С 0,6«C/mW Основав параметри при Т* “* 25°С Пара- метър Режим на квмерване ОС 1«9 ОС 170 | Дтевсая МИН ср. макс МИН Ср. макс <4.=—20 V 50 50 нА 1<№О 14b=-0,5V 100 50 50 НА Л21 е 1е =1 mA ил=-6У /=1 кНл 20 300 20 100 300 «11. /е =1 mA Ue~~& V /=450 kHz 0,72 2 0,72 2 кв ^11 а 90 150 90 150 pF |У« J 31 38 31 40 mS /?22 е 0,12 1,5 0,2 1,5 ма ^22 « 4 12 3,5 9 pF ?Т It =1 mA йм®=—6 V 50 50 МН* 135
6-4. ТРАНЗИСТОРИ, ПРОИЗВОДСТВО НА ГДР Германиеви високочестотни р-п-р дрейфови транзистори тнп GF 121 и GF 122 Предназначен са за високочестотни предусилвателни и сме- снтелни стъпала за късовьлновия обхват до 8MHz и междинни честотни усилвателн с AM Абсолютно граиачни стойкости при Т =< 45’С Uce0 иево 4 Ti —25 V —0,5 V 10 mA 75°С 0,6»C/mW 186
Ъсиовпи параметра при Г » 25°С £ ь S св ев С Режим на измерване GF 121 GF 122 Дименсиа , ' 1. >— МИИ ср. макс МИИ Ср- макс А'во Ов=-6 v 4 7,5 4 7,5 РА ?ceR Ое—6 V Ree=33 к а 20 100 20 100 Р А Л?1 е 4 = 1 mA Ое=~6 V /-=1 kHz 50 50 £11 е 2 4 1,8 2,5 PS ,01 е f 100 175 105 175 PF S12 е 4 —1 mA 40 100 33 67 Рв &2 е U№ 6 V 7=10 MHz 30 100 25 50 PS ^12 • 4,5 6 4 5 pF Ог« 6 12 6 10 pF Paid 22 32 28 33 — шА/V 187
СРЕДНОМОЩНИ ТРАНЗИСТОРИ 7-1. БЪЛГАРСКН ТРАНЗИСТОРИ Германиеви сплавии нискочестотни р-п-р транзистори, 350 mW тип SF. Т 124, SF. Т 125, Г 143 и Т 144 Предназначенн са за усилване на нискочестотни сигналя с голяма амплитуда. Използуват се в изходните двутактови стъпала в клас В (изходяща мошност около 1W) Фиг. 65 138
Абсолютов гранична сгойности при Т* •=• 2Б°С Параме- тър SF. Т 124 SF. Т 125 Т 143 Т 144 Дименсня ч» —24 —24 —45 —45 V Чл —12 —12 —25 —25 V Чмо —20 —20 V 4 500 500 500 500 шА ъ 350 350 350 350 mW Т* —65 + 100 -65 + 100 +100 —65 +100 “С Ре Зависимост намакеимал- ната разсейвана мощиост от температурят» на окол- ната среда Фиг. 66 189
Оеаоапм параметри при Т = 25*С fl Параметър Режим «а измеряем ^сео > > lO CN О 1 1 II II II ^еео ^ = 0 t/ffi=-12V t/„=-25V UP 4 = IA Ягв=1М2 А21е lc =250 mA t7re=—IV А11е Ц.„ Ic = 400 Ie —40mA. SF. T 124 SF. T 125 Т 143 Т 144 ep> МИН * макс cp. мин ♦ макс СР- МИН * МАКС ер- МИН * МАКС Дименсия 20 20 10 20 10 20 1»А 20 20 6 20 6 20 М 24* 24* 45* 45* V 30 20* 40 70 40* 150 30 20* 50 60 40* 90 70 140 70 120 а 0,26 0,23 0,25 0,4 0,2 0,4 V
1 ^4 " 1 " ' “' ' '' 1 —— . -Юсиовв параметри при 7* = 25*в Параметре Режим на измерване SF. T 124 SF T 125 т из T 144 Дименсая cp. МИИ * макс ep. МИН * M< к ep. МИН ♦ макс ср. МИН* Маке ^21е Ic = 10mA b„=-6V /=1кНг 50 100 50 90 ^Ие 220 500 220 380 Q rb’b Ic = 10mA Uce=-6V 50 60 50 55 Q Stfe le = 10шА 6 6 3 mA/V CVe 40 25 pF Cb’C 60 60 pF 4» 4 - 10mA u^-ev 1 2 1 2 1,8 3,5 MHz
СТатични характеристики йа транзистори Sf'. Т 124 й схема с обд емитер при Тя — 25°С 142
Статнчки харектеристики на транзистора SF. Т 125 в схема с общ емитер и. и Тя =•= 25 С Фиг., 68 143
CtaiHSMi xat актер fctfkk Fa траеа^стсри T 143 в схем4 144
Статичии характеристики на транзистори Т 144. в схема с общ емитер при Та == 25°С Фиг. 70 10 Сярвючвяк 145
не
Гермачиейч сплавин нчС^оЧестоТ чя р-й-0 транзйстофй 83J тУ тип SF. Г 13), SF. Т 131, Т 145 И Т 14S Предназначени са за усилване на нискочестотни сигаали с голяма ачплигуда. Използуват се в изходрите двутактови стт>- пала а клас В (изходна мошност около 2 W) 147
™—----------------—-— ”— Абсолютен граничим стойности при Г — 2£*С Параметър SF. Т 130 SF. Т 131 Т 145 Т 146 Дименси^ исв —24 —24 -45 —45 V и*. —12 —12 —25 —25 V исе —20 —20 V 4 500 500 500 500 mA Рс 550 550 550 550 mW тв1 —65 +100 —65 + Ю0 —65 + 100 —65 +100 °C Зависимост иа макси- мал вата разсейвана мощ- ност от температурят иа околната среда. Фиг. 73 148
Осадой параметра прн = 29>С 1 Ос й Режим на намерение SF. T 130 SF. T 131 T 145 T 146 Дименсия cp. мня* макс cp. MHfl макс cp. МИН макс ер. мин макс 4«о i i i . s $ ° 1 1 II II II . to OP i 20 20 10 20 10 20 JlA 4во 4 = o yw=-12V ^e«,=-25V 20 20 6 20 6 20 J1A «. ; U(BR)cfO 4 = o 4 “ 0.6 mA ) 20 20 35 20 30 20 V "р 4 = ia яг,=1ма 24* 24* 45* 45* V *21» 4 =250 mA 30 20* 40 70 40* 150 30 20* 50 60 40* 90
Осповяи параметри прл 7^ = 25’С 1 Параметър Режим *а нзмерване SF. T 130 SF. Т131 Т 145 Т 146 Димеисия ср- мин • мак. ср- МИН маке ср- мин макс ср- МИН макс ^Ие ^e=-lV 70 140 2°_ 20 140 Q А21» Ie = 500mA y„=-iv 20 52 40 20* ‘ АШ 40 _Т5 100 40 45 Q А21е 1с = 10 mA ^„=-6V 50 50 90 Ап, 220 500 220 380 й ГУЪ $аЪ lc = 10mA </„=-6V 50 > 60 50 55 2 1 2 1 1,8 MHz Ср» 40 60 25 PF Ctfe 60 PF .8 2L1 300 300 mA/V
Йгатичми характеристики на траизистори SF. Т 11>0 в схема с общ. емитер при Тл~ *5 С 151
Статнчни характеристики на транзистори SF. Т 131 ц схема с общ емитер при Та = 25Х Фиг. 75 152
Сгатични характеристики на транзистори Т 145 в схема с общ винтер при Та *= 25 С Фиг. 76 153
Статични характеристики на траизистори Т 146 в схема с общ емитер при Г» = 25 С Фиг. 77 164
Зависимост ) при Псе«е—IV, Та =• ЯРС за Т 14в 155
7-2. СЪВЕТСКИ ТРАИЗИСТОРИ Германиеви средночестотни среднлмошни р-п-р траизистори тип П 601—П 602А (фиг. 79) и П 605-М» 606А (фиг. 80) Фиг^79 Фиг. 80 156
Електрически параметре при Т& =301С I t сео Л„ 21г и ces т СЬ>е и се и се I с р с mA MHz V ps PF V V А W П601 П601А П601Б 11602 П602А П6"5 П605А П606 П6О6А 0,2 0,2 0,23 0.1 0,13 <2 <2 <2 <2 20 40-100 80-200 40—100 80—200 20-60 50-120* 20-60* 50—120* 2 2 2 6 <2 <2 <2 <2 500 5 0 500 500 130 130 130 130 —25 —25 —30 —30 -25 -25 —25 —30 —30 —25 —45 -35 —15 —35 1 1 1 1 1 1,5 1 5 1,5 1.5 1 1 1 1 1 3** 3*s 3** 3*» Режим иа измерване Ц.в=тах f/„=-10V 4 =0,5А tZ,g=—35V* 4 =0,5А* ' —- Абсолютин стойности Га = 20°С граничаи при ** С допълнителио топлоотвеждане.
Германиеви високочестотни среднг>м< щн»р-п р транзистори ТиИ П 607 ; П609А Фиг. 81 < сновни параметри при 7^ = 2С°С I сво цК — MHz pF П607 П6<'7А П608 П608А П609 П609А <100 <10 > <100 <100 <100 <100 20—80 60-200 20-80 60-200 20-80 60-200 >40 >40 >70 >70 >100 >100 <40 <40 <30 <30 <30 <30 <200 <200 <200 <200 <200 <200 —15 —15 — 15 -15 —15 -15 200 200 200 200 2 0 200 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 > о Абсслютни гранич- им стойкости при Тл = 20‘С 158
Германиеви среДномощии р-п-р траизистори fwn 1Т4ОЗА—1Т403И Фиг. 82 Тио Електрп' / СвО рА веки па{ *21<? аметри V kHz 'ри г - и св V 20°С и се V I с А р с W 1Т403А 1Т403Б 1Т4ОЗВ 1Т403Г 1Т4ОЗД 1Т403Е 1Т403Ж 1Т4 ЗИ <50 <50 <50 <50 <50 <50 <70 <70 20-60 50-150 20—60 50-150 50-150 30 20—60 50 150 8 8 8 6 6 8 8 8 —45 —45 —60 —60 - 60 —60 -80 —80 -30 -30 —45 —45 -45 -60 -60 1.25 1,25 1,25 1,25 125 1,25 1,25 1,25 0,6 0,6 0,6 0,6 0.6 0.6 0,6 0,6 Режим на измерване £4e=max Ц^-SV 4 - 100mA Абселютни граничим стойности при 7а = 20 С 159
7-3. ЧЕХОСЛОВАППИ ТРАНЗИСТОРИ Германиеви сплазни ннскочестотни р-п-р транзистор тип ОС 500 (2XGC500) и ОС 502 Предназначени са за ннскочестотни усилвагели /ueerrns Йонга » _________________Фиг. 83________________ Абсолютин граничив стойностн прн Т* =25°С fJee 4 П Rtn —24V* —10V 300 mA 75°C 0,22°C/mW • За ОС 502 160
Освоена параметри при Га •» 26“С •аа 4 эа- ър Режим на взмерваве GCSOO GC 502 Димен- спя мин Cp. макс MBH. cp. макс > £4.=~6V 16 16 pA iuea^-ev 16 16.. pA <м 600mA /м=40 mA / '0,45 0,45 —- V i/ca=ov /, = 50 mA 50 • 95 +— 9 ^=ov Z_ == 300mA F к 40 5 - ‘ 85 F ь !V>ov le = fiOOtnA • 30 i 70 »lb mA tf>^v flt'/ ' — — / 75 15 — 75 15 i & dB • е* 1 (->>5-mA --ft !Т“1 161
7-4. УНГАРСКИ ТРАИЗИСТОРИ Германиеви сплавни ннскочестотни маломощнн р~п-р траизистори тнп ОС 1074 и ОС 1070 (фиг. 45) Предназначен!! са за ннскочестотни усилватели t по мощност эа драйверни и крайни стьпала. Абсояютни гранична стойности при Т t= 25*С и uceR иев 4лс Ti В th -20V —6V 600 mA 75°С 0,22°C/mW * /г^500 Q Освоана параметри при 7^ == 25X2 Параметър Режим на нэмерване О С 1074 ОС 1079 1 Дммевсия MBH ср. маке мин ср. макс ^мо t/ce=-9V 10 20 / 10* 2и* цА ?eto <4e=-6V 6 20 рА ^ces Ic =» 300mA 0,4 0,6 0,4 0,6 V 162
Основяя параметри пря Т& =• 25»С 1 Параметър Режим ва нзмереаяе ОС 11)74 ОС 1079 В ж I «< МНВ ср. макс МЯВ ср. макс Л21е ^e=-iv Ie = 300mA 65 А21е исе=-ы /е =50 mA - 100 35 60 110 *2к t4e=-6V £4 =5 mA 60 г1 А £^=-6V /е = 10mA 50 50 Q • *5 « \ F £/ce=-6V ' le = 5mA Ro = 500 a /=lkHz 30 15 dB « fab 1 ^ce=-6V le — 50 mA 15 ** 0,008 0,02 MHz * Ua^—WV 163
МОЩНИ ТРАИЗИСТОРИ 8-1. БЪЛГАРСКИ ТРАИЗИСТОРИ Германиеви сплавни ннскочестотни р-п-р траизистори^ тип SF. Т 212, SF. Т 213, SE. Т 214 и Т 250 Транзисторите са предназначена за мошни усилватели в кл А и В, за радиоприемници, магветофони и др. Изходната moi ноет в клас А достига 4 W. Фиг. 84 164
К,| г , и..., Абсолат^в граиични стойности при Г. »• 25е® Димеасия Параметър SF.T 212 SF. Т 213 SF. Т 214 Т '.S0 исв —30 -40 —60 —80 V U<XO —30 —40 —70 V иев —7,5 -20 —30 -40 V 1' 3 3 3 3 А ре 30 45 . 45 45 W Т* —65 +85 —65 + 95 .-65 +95 —65 +95 ос ' - * Зависимост на мачсималната разсейвана мощност от темпера- турата на околната среда. 166
991 Осаовяи параметри при Г = 25»С Параметър Режим нт мзмерване SF. Т 212 SF Т 213 SF Т 214 Т 2S0 S и S 5 ер. МИИ * макс * ср. МИН * макс МИН* макс ср. МИН * макс > > > > > © о о о сч со те» © со ° 1 1 1 1 1 - Я II И II II II ф ф ф ф ф 0,1 1 0,12 0,1 '0,1 1 0,02 0,02 0,1 1 0,02 0,02 0,1 1 mA ^еао с: с: с: с: 'Ъ ® 04 9» Ф II И « II II 1 1 1 1 О U со КЗ -т О О ь СП < < < < - 0,1 1 0,1 1 « 0,1 1 0,1 1 mA сео 7-=° ,1 Ic = 10 mA г - 40 50 70 V UP 1е — 1 mA R„e=^ ма 40* 60* 80* V
* , - . - - - — - L, -- — - — - - -^едов^,?а1^1Ц^^й‘7^,— JSC J Парамегьр Режим на иэмерваие ' SF. 7*51'2’* к- , * SF. Т 219 1 .... SF.^T 214 Т 250 Димеисня ср. МИН* макс ср. мин» макс Ж ср- миа* макс ср. мин* макс ^21 e 1с =2 А (7се—2 V 40 • 20* 150 40 20* 150 40 20* 150, 40 20* 150 Л!1 e 11 11 11 11 Q Л21 в 1с = 1 А 4 Uce 5V / 40 40 40 Й11 в 5 5 * 5 Q Zaft * /, =0,1 А Uce=—2 V 200* 200* 200 s / 200* kHz CVc /в=0 UCS=-5V 220 220 — 220 220 — PF U^S__ _ Й*'' II л о со 0,15 од i.i 0,15 0,4 0,15 0,4 V 0,8 0,6 1,1 0.8 1,1 V 1 2,0 - 1,5 1,5 - 1,5 °c/w
Статични характеристики на транзистора SF. Т 212 в схема с общ емитер при Tt =-25°С * » Фиг. 86 168]
Статичнй характернСтнки на трвнЗистора SF. Т 213 в схема с общ емитер при Tt «26°С« 169
СтаТичнн характеристики на транзистора SF. Г 214 в схема с общ емитер при Тс ~ 23°С Фиг. 88 170
Сгатични характеристики на транзистора Т 250 в схема с общ емитер при Тс — 25°С Фиг. 89 171
Зависимост ft2i е5®/ (4) ’’Р” V, Те —25°С за транзнсторите SF. Т 213, SF- Т 214 и Т 250 172
(ермаииеви сплавни ннскочестотни р-П-р транзистор* 45 W тип Т238, Т 238 и Т 240 (фиг. 84) Транзнсторите са предназначени за уснлване на нискочестот- । сигналя с голима амплитуда и за работа в превключващи схеми 1 Абсолютен гранична стойкости тип Т = 25“С * с 1рам«тър Т238 Т 239 Т 240 Дамеыеаа м —40 Г—60 —80 V '' -30 —40 —60 V V"\ —20 —30 —40 V 'Д 6 6 - 6 % А 45 45 45 W х -65: +95 -65:4-95 —65:+95 —Ъ51 -|-95 Завасиност на максималната разсейвана мощност от темпе- гурата наоколната среда. 173
Основан параметры при Г= 2SK Параметър Режим иа нвмерааяе Т 238 Т239 Т 240 Днменсия ср. МИН* макс СР-. МНИ* макс ср- МИн* макс ^сво > > > > 7^1 all II II II 8 8 8 8 8 0,02 0,1 0,1 3 0,02 0,1 0,1 3 0,02 0,1 0,1 3 mA I по ¥ > > > 8м® о 1 1 1 II II Н И <а п « 0,1 3 0,1 3 0,1 3 mA U{BR)ceo L -0 ' 4 =10 а 30* 40* 60* V U» 30* 6-* 80* V UCn 1с =6 А /, =0,6 А 0,25 0.4 {№& 0,4 0,25 0,4 V uees 0,85 1.1 0,85 1,1 0,85 1,1 V ftjb 1с =и,5 А 1св—13Л V 300 200 300 200 300 200 kHz 4=0 ^=-13,5 V 130 130 130 pF *4 4=1 А 1с =6 А 0,4 1 0,4 1 0,4 1 f»s tr 4,5 8 4,5 8 4.5 8 JIS ** *3,5 5 3,5 5 3,5 5 JIS ч 11 15 11 15 11 15 JIS Rth 1,5 1,5 1,5 oc/W 174
Статнчни характеристики на транзистора Т 238 в схема с общ емитер при Те =25JC 175
176
Статични характеристики на' транзистора Т 240 в схема с общ емитер при Tt »25°С 12 Справочник 17
S-2. СЪВЕТСКИ ТРАНЗИСТОРИ Германиеви мощни нискочестотни р-п-р транзистори тип П4А-ьП4Г £В с Фиг. 95 / 178
ево Електрически параметри при Т = 20®С *21 в О P U ces U ce VceP 1 с Р 1 Тип mA dB V V V А W Й4А П4Б ь П4В . кП4Г ___ К в feg gl IS s с <0,5 <0,4 <0,4 <0,4 >5 15—4Ь >10 15—30 3? см I >20 >23 >27 см -0,5 -0,5 -0,5 -0,5 Cl 60 —70 —40 —60 —50 —60 —35 —50 5 5 5 5 2 3 3 3 Абсолютни граничим стойности Л • tf„S10 s 179
Германиеви сплавин нискочестотни р-п-р транзистори тип П201Н-П203 Елекгрически параметри при Т = 20»С Тип / сво *2J е Lb V св / р с mA kHz V V А W П201 П201А П202 F1203 <0.4 <0.4 <0,4 <0,4 >20 >40 >20 >40 >100 >200 >100 >200 —45 —70 —70 —22 —22 —30 —30 W 1,5 2 2 1** !♦» 1** 1** Режим на нзмерване > 1 СО S' 4 =0.20 Wce=—10 V <4 7 о I II и се <*s* Абсолютен граничил стайности * Яве<50 Q. ** С допълиителен теплоотвод при Га =50°С мощността може да достигне 10 W. 180
п: Германиеви мошни нискочеСготни р-п-р транзистори тип П209—П210А Фиг. 97 4. Лй Електркчески параметру при Г = SVC, ' *сво *21 е Г2Х V / CS ^сеН / с Fl ti> A/V mA V V А W >15 8) 5,5-11 >5!) —45 —40 12 60 |<8») >15 3) >9 >5 4 —45 —40 12 60 рЗ») >15 3) 5,5—11 >8») —65 -60 12 60 :<8«) >15 3) >9 >8 3) -65 -60 12 60 Ё радиатс р * при/?д 10 а 435 V; »)£4e=-60V; ®)Ц.г=—10 V;=0.12А• 181
Силиииеви йошни •ннскочестотни р-п-р траизистори тип 11302—П304 Фиг. 98 Електрвчески параметри при Т г=20’С а Тип / ego *21 е’) С UceH ’ / с р с mA kHz о V А W П302 ПЗОЗ ПЗОЗА П304 <1001) <100*) <100 2) <100 2) >10 >6 >6 >5 <1 <1 <1 <1 >2 0 >100 >100 > 50 <30 <30 —35 —60 —60 —80 0,4 0,4 0,4 0,4 8 10 10 10 ЧЦ^-ЗЗУ !) fJce=—60 V 3) (/„=—10 V, 4=0,12 А * При /?в^юо е 182
й-З. чехосло&аШки ТРАИЗИСТОРИ Германиеви сплавни р-п-р транзйстори тип 5MJ74 (2X5NU74) И 7NU74 (2X7NL74) Фиг. 99 Абсолютам граничим сгойиости при Т == 25°С Г Ucs и * 4 7» Rttl ' —60 V —15 V 15 А 100°С 1,2<>C/W 183
Основав параметри при = 264! Параметьр Режим на нзнерваие 5NU74 70174 ж МИИ ер. макс МИН ср. макс Лео <4.=~в V 1 1 р;А Лео <4.--в v 4=ioo»c 50 50 ,шА U" 4 = 0,02 А Я,е=30 Q 48 70 - v uas л г=Ю А ' 4=1 А . 1 1 ' V *21 е I. =10 А <4.-0 V 50 130 50 130 h , II 1 х> < 0,15 0,15 MHz 184
Германиеви сплавяи р-п-р транзистори тип ОС26 , (2ХОС26) И ОС27 (2ХОС27) Фиг. 100 ‘ *4 Хбсолютнж граничив стобвостн при 7<'«»25t’C %. U* Г/ —16 V —10 V 3,5 А . 90°С 1.20C/W / 185
Основни параметри при Т* i Параметър Режим на измерване ОС26 ОС2? Димеиеия МНИ ср. макс мнн ср. макс ?сво <4.-6 V 100 100 J1A Uces 1с =3 А ' /„ =0,5 А 0,4 0,4 V * исем /с =3 А /?ве=30 в 32 - 32 V uj 1е =0,1 А f/c =-6 V 0,28 0,28 v- Use 1е =0,1 А и„=о V 0,75 - 0,70 V Uets 4=3 А f/„=0 V 1,2 1 V h2le 4 =0,1 А fjce=-6 V 20 75 60 180 *21e 4 =1 А f4,=o v 20 60 40 180 Л21е 4 =3 А 14«=о v 15 х— 15 30 125 /г 4=1 А исв^-Ъ V 0,15 - » 0,15 t MHz 186
84. ^нГАРски Транзистори Германиеви р-п-р транзистори тип ASZ 1016->-AS^ 1016 Абсолютин граничим стойкости при Т& = 25“С Тип Рев 4 Ъ fyh ; ASZ 1016 —60 V V 6А 90°С 2°C/W ASZ1017 —60 V -20 V 6А 90°С 2°C/W ASZ 1018 —80 V -40 V 6А 90°С 20C/W 187
'Т.. . Л. к. . ' л. . X.' . л. . . Ч.Ча' 4. Осипами параметри при Т* «вЗ°С 1 Параяетър Режим на иамерваде A Z 1016 ASZ 1017 ASZ 1018 Димеисия ^сво ^=—14 V Тя ~100°С <20 <20 ^20 mA UP i >60 >60 >80 'V *21 е 1 V 4 =1 А 45 - 30 : 25—75 30—100 • *21 е А 4 =6 А 35—80 20-45 ’ 20~“65 С»-с . 12V ze=o. 160 160 160 pF Qy<? /7ев=—6 V 4 “° 165 165 165 pF я** исв=- 6 V /с«10 250 V 250 250 Г kHz 188
ГерйаДиййИ СпЛайнй p-h-p ТрайзИсЭДрй ¥ий AD1202 и AD1203 (фиг. 101) Абсолютна гранична СТОЙКОСТИ при 7^ маДОС Тип исв UM 4 Г/ AD1202 —45 V —10 V ЗА 75°С AD1203 —60 V —10 V ЗА 75°С Основан параметра ири T* = 25РС Параметър Режим на' намерв&ие ‘V AD13K£ д AD12O3 Димеясия ?сво « Ц,в=-14 V rglOO РА ^ево ^-4V <50 ^50 1»А *2! е Uce—14 V , 4 =0,03 А V 40 40 h2l е Ь„=-7 V 4 =0,3 А ' 35 35 *21 е . t/£g=-l V 4 =2,0 А 22 22 *21 в f/eg=-l V 4 =3.0 А 16 16 fae f/„=-7 V 4=03 а 200 200 kHz 18ff
В-Su ТРАНЗЙСТОРИ, ПРОЙЗВЁЖДАНИ В ГДР Германиеви сплавни р-п-р транзисп.ри тип GD100, GD110, GD 120, GD 130, GD150, GD160, GD170 Фиг. 102 Абсолютви граничим стойности при Т* = 45*С Тип и св и се / 1 .0 Г. J V V А •с «С/W GD100 —20 —181) 13 75 15 GD110 —20 —181) 13 75 15 GD120 —33 —301) 13 75 15 GD130 —66 -581) 13 75 15 GD150 —20 —182) 3 75 7,5 GD160 —20 < 1 —182) 3 75 7,5 GD170 -33 -Зи2) 3 75 73 1) Лве=100 ° #) ^=50 е 190
Траизнсторн GD 100 и GD ПО Основан параматри при 7^ =»25“С Параметър Режиме на измерване GD 100 GD Ц0 Дименсяя Ml? ср.. макс мня ср- макс Jceo <4а=~6 V ,30 20 30 рА \1сеа ^сев к ' 6V V 350 1000 1 1 i. 1300 1000 РА 14e=*-6V Г 30 100 J 50 100 рА Ъ 1 - иев=—10 V 150 500 « 150 500 рА & 4 =1 А 4 =120 mA 0,40 0Л0 0,35 0,50 V №i • 1с = 100 ш А Ц.е=—6V 10 к 20 я» 20 »Л21 в 1 • 1» /, *=500 шА 14e=-2V 8 14 12 * 200 '’/а 4 =0,1 А 60 100 100 kHz 191
Транзистори тип 0D120 и GD130 р—----------------------------------------- Оогония шршетри при =«25*С 57 "" Параметър Режим на измерване " CD 120 CD 130 , 1 Днменсяа МИИ ср. i макс МЙЦ ср- ~ макс X t i/ceo £ Uce-—& V 18 •1 3tt кХ ! . > г 30 |»A it t/w=-6V % < * Г \ 1090 4 -1*4, ^ces 6J„=—6 V 4(4 ;;моо * . 'С. • 6 < , I j ?eto t/ee=-10 V <! 100" .500 J frao ' ••..11 fl1 A 'Uces 1с =1 А 1в =120 mA 0,35' да. i л • . 0,50 ’ V ’Al e • Ic -100 mA Uce 6 V 20 25 А 20 25 J >1 ;*2ie Z, =500 mA t/„=-2V 12 4 12 fr Zc =0,1 А ,tV-ev 100 200 1 100 200 * .kHz 192
Т ранзистори GD 150, GD 160 — GD 170 Основни параметри при T =25°С £ GD 150 GD 160 GD 170 S X измержане и Ой * as я сб Я X Я Ё £ я я ж С X и X X О Ж X о 4ж> <4»—6V 30 50 25 50 25 50 РА £/ce=-6V 800 1000 400 1500 400 1500 fiA ^ces <k~-ev 90 . 150 70 150 60 150 рА ?ево 1/^-lOV 150 500 150 500 150 500 рА Uces < < « 1 СО с? 1 !1 II | *м* 0,4 0,6 0Д5 0,6 0,35 0,6 V — Z —02А 20 ^21 е <’-6V 10 20 20 а ^21 е Л =1,5 А U„=-2V 7 15 15 i 45 1 fr 4 =0,1 А i4.=-6V 60 100 100 200 ioo 1 200 kHz 13 Спрввнчиик 193
9. СРАВНИТЕЛНИ ТАБЛИЦИ В таблиците е направено сравнение на приборите, произвеж- - дани от различии производители, с приборите, пронзвежданн от Завод за полупроводники — Ботевград. Сравненного е извършено главно по приложение на полупроводаиковите' прибери, като, в повечето от случайте са взети пред вид и абсолютните макси- малин стойкости и о^ноините параметри. Трябва да подчертаем, че това не са еквивалефни дипове и следователно сравнителните таблици могат само да «асочат към определен Прибор, ио за да сг извърши замяната,' ё необходимо да се ’знаят точйите пара- метри както на пцДОенящия, така и на подменения прибор. При изработване на таблиците не сме взели пред вид външното оформление. 9-1. ДИОДИ Тип Производится Бъдг. эквивалент 1 2 3 Д2А СССР SF.D104 Д2Б СССР SF.D104 Д2В clcp SF.D104 Д9А СССР SF.D1O4 Д9Б СССР SFD104 ДЭВ СССР SF.D104 Д1Г СсСР SF.D106 Д1Д СССР SF.D106 Д2Г СССР SF.D1O6 Д2Д СССР SF.D106 194
— —- 1 2 3 OA150 TELEFL’NKEN SF.D 108 OA161 TtLEFUNKEN S. .D108 OA154 Tt-LEFUNKEN SF DUO OA172 TELEFUNKEN SF.D112 OA90 VALVO SF.D104 AAZI7 VALVO SF.DI06 OA70 VALVO SF.D107 OA81 VALVO SF.D108 OA85 VALVO SF.D108 OA79 VALVO SF.D111 OA59 PHILIPS SFJD104 OA90 PHILIPS SF.DI04 OA92 PHILIPS 5F.D104 OA70 PHILIPS SF.D107 OA52 PHILIPS SF.D108 OA61 PHILIPS SF.D108 OA71 PHILIPS ’ SF.D108 OA50 PHILIPS SF.D111 OA79 PHILIPS SF.D11I OA86 PHILIPS SF.D111 CK706A Raytheon SF.D104 CK705 Raytheon SF.DI08 CK707 CK708 Raytheon Raytheon SF.DI08 SF.D108 CK801 Raytheon SF.D108 CK802 Raytheon SF-D108 2SA282 TOSHIBA SF.D106 2SA283 TOSHIBA SF.D107 2SA284 TOSHIBA SF.D108 1N60 TOSHIBA SF.DI12 1S50 TOSHIBA SF.D112 157
9-2. ТРАНЗИСТОРИ Тнп Производи гея Бълг. еквивалент 1 2 3 1125 СССР SF.T321 П26 СССР SF.T321 ГТ108А СССР SF.T321 ГТ109А СССР SF.T321 П25А СССР SF.T322 I126A СССР SF.T322 ГТ108Б СССР SF.T322 ГТ109Б СССР SF.T322 П25Б СССР . SF.T323 П26Б СССР SF.T323 ГТ 108В СССР SF.T323 ГТ109В СССР SF.T323 118 CQ-P T321N 119 СССР , T32IN П10 СССР T321N ШОА СССР T321N П10Б СССР T321N П11 СССР ' T321N П11А СССР T321N П13 СССР SF.T351 П13Б СССР SF.T351 1114 СССР SF.T351 I114A СССР SF.T351 П27 СССР SF.T351 П27А СССР SF.T351 П27Б СССР SF.T351 П14Б СССР SF.T352 П15 СССР SF.T353 П15А СССР SF.T353 П12 СССР SF.T306 П12А СССР SF.T306 П42 СССР SF.T306 - П42А СССР SF.T307 П406 СССР SF.T307 П42Б СССР SF.T308, П4О7 СССР SF.T3O8I 1Э8
1 > а П420 СССР SF.T317 2Т301Г COCP Т316 2Т301Д СССР Т316 2T301E СССР Т316 2Т301Ж СССР Т316 гтзоад СССР Т316 ГТЗО9Е СССР Т316 П414А СССР Т354 П414Б СССР Т354 П422 СССР Т357 П422А СССР Т357 П423 СССР Т358 .П423А СССР Т358 i П415 СССР Т358 П415А СССР Т358 i П415Б СССР Т358 г П416А СССР Т358 П416Б СССР Т358 ГГ309В СССР Т358 ГТ309Г СССР Т358 ГТ31ОД СССР Т358 ГТЗЮЕ СССР Т358 П211 СССР SFT125 П211 СССР SFT131 П4А СССР SFT212 П4Б ООО? SFT212 П4Г СССР SFT2I4 П4Д СССР SFT214 П2О1 СССР SFT214 П201А СССР SFT214 П4В СССР Т238 П4В СССР Т239 Г12О2 СССР Т25О П2ОЗ СССР T25Q осте TESLA SFT321 ОС74 TESLA SFT321 GC500 TESLA SFT321 ОС74 TESLA SFT322 ОС72 •ffiSLA SFT322 GC500 TESLA SFT32?
1 1 —-—— - 1 3 OC74 TESLA SF.T323 OC72 TESLA SF.T323 GC500 TESLA SF.T323 105NU70 TESLA T321N 106NU70 TESLA T321N OC70 TESLA SF.T351 OC71 TESLA SF.T352 OC169 TESLA SF.1307 0069 TESLA SF.T308 - OC169 TESLA SF.T319 OC170 TESLA SF.T317 OC170 TESLA SF.T320 OC74 TESLA SF.TI25 OC74 TESLA SF.T131 2NU73 TESLA SF.T212 3NU73 TESLA SF.T212 OC26 TESLA SF.t213 4NU73 TESLA SF.T214 5NU73 TESLA SF.T214 6NU73 TESLA T240 7NU73 TESLA T240 OC1072 OC1072 TUNGSRAM TUNGSRAM SF.T322 SF.T323 ОСЮ70 TUNGSRAM SF.T351 OC1072 TUNGSRAM SF.T352 OC1075 TUNGSRAM SF.T353 OC1045 TUNGSRAM SF.T306 GC1O44 AFI37M TUNGSRAM SF.T308 TUNGSRAM SF.T319 AF137M TUNGSRAM SF.T320 AF137 TUNGSRAM T316 AF136 TUNGSRAM T354 AF135 TUNGSRAM T357 OC1079 TUNGSRAM SF.T321 ОСЮ74 TUNGSRAM SF.T321 ДС128 TUNGSRAM SF.Tt25 rtei28 TUNGSRAM SF.T131 AD139 TUNGSRAM SF.T212 ЭЕ26 TUNGSRAM CF *2’3 Л&1203 TUNGSRAM SF.T214 9t№
ASZ1017 TUNGSRAM T239 ASZ1015 TUNGSRAM T240 ASZ 1016 TUNGSRAM T240 ASZ1018 TUNGSRAM T240 GC120 RFT SF.T321 GC121 RFT SF.Tb21 GC116 RFT SF.T322 GC100 RFT SF.T323 GC101 RFT SF.T351 GC115 RFT SF.T351 OC824 RFT SF.T351 OC825 RFT SF.T352 OC826 RFT SF.T352 GC117 RFT SF.T353 GC118 RFT SF.T353 OC827 RFT SF.T353 GFIOO RFT SF.T306 OC871 RFT SF.T306 OC872 RFT SF.T306 GS100 RFT SF.T307 GS109 RFT SF.T307 GF105 RFT SF.T308 GF122 RFT T3.16 GF120 RFT SFT319 GF125 RFT T316 GF 121 RFT T358 OC8QO RFT SFT320 OC881 RFT T316 GF 129 RFT T358 GF130 RFT T354 OC882 RFT T354 GF129 RFT T357 OC883 RFT T357 GF131 RFT T358 GF132 RFT T358 GD100 RFT SF.T212 GDI 10 RFT SF.T212 GD150 RFT SF.T212 ОСЯ35 RFT SF.I212 ОС 836 RF. SF.T212 201
1 » 3 ОС837 RFT SF.T212 GD120 RFT SF.T213 GDI 70 RFT SF.T213 GD130 RFT SF.T214 GD180 RFT SF.T214 OC838 RFT SF.T214 GD200 RFT T238 GD210 RFT T239 GD220 RFT T240 TGI Tew» SF.T351 TG2 Tew» SF.T351 TG4 Tewa SF.T351 TG5 Tewa SF.T351 TG6 Tewa SF.T351 TG50 Tewa SF.T323 TG52 Tewa SF.T323 TG55 Tewa SF.T323 ТОЮ Tewa SF.T308 TG20 Tewa SF.T308 TG10 Tewa SF.T319 TG20 Tewa SF-T319 TG70 Tewa SF.T213 AC550 El SF.T321 AC554 E SF.T321 AC550 Ei SF.T322 AC554 Ei SF.T322 AC553 Bl SF.T322 AC553 Ei SF.T323 AC540 El SET351 AC551 Ei SF.T352 AC551 El SF.T353 AF260 . a SF.T306 AF260 a SF.T307 AF265 a SF.T306 AF266 a SF.T307 AF272 a SF.T317 AD 436 a SF.T213 AD438 a SF.T214 AD439 a T250 AC! 22 SIEMENS SF.T322 202
1 2 3 AC 122 SIEMENS SF.T323 ACY23 SIEMENS SF.T322 ACY23 SIEMENS SF.T323 AC151 SEMENS SF.T323 AC152 SEMENS SF.T323 AC151 SIEMENS SF.T352 AC152 SEMENS SE.T352 AC153 SIEMENS SF.T352 ACY23 SEMENS SF.T352 TF65 SEMENS SF.T352 TF65/30 SEMENS SF.T352 ; TF65/30 SEMENS SF.T353 AC151 SEMENS SF.T353 AC 152 (SEMENS SF.T353 AC153 SEMENS SF.T353 i ACY23 «SEMENS SF.T353 AF117 l SEMENS SF.T320 AF117, SEMENS SF.T319 AF127 SIEMENS SF.T320 AF127 SIEMENS SF.T319 AF116 SIEMENS T316 AF126 SEMENS T316 AF115 SEMENS T357 AF115 SEMENS T354 AFI25 SEMENS T357 AC120 SIEMENS. SF.T124 В AC120 SIEMENS) SF.T125 i ACI2O SEMENS SF.T130 г AC120 SIEMENS SF.T131 : AC121 SEMENS SF.T124 a AC121 SEMENS SF.T12S ’ AC121 SIEMENS SF.T130 • AC121 SEMENS SF.T131 1 AC152 SEMENS SF.T124 С AC152 SIEMENS SF.T125 | AC152 SIEMENS SF.T130 I AC152 SEMENS SF.T131 ! AC153 SIEMENS SF.T125 J AC153 SIEMENS SF.T131 F' AC127 1 SIEMENS SF.T131 203
1 1 2 1 AD148 SIEMENS SF.T212 AD149 SIEMENS SF.T224 AD150 SIEMENS SF.T213 AD131 SIEMENS SF.T213 AD131 SIEMENS SF.T214 TF80/60 SIEMENS SF.T2I4 AUY21 SIEMENS T239 AD132 SIEMENS T240 AD105 SIEMENS T240 AUY22 SIEMENS T240 AD80/80 SIEMENS T250 AC105 TELEFUNKEN SF.T321 OC602S TELEFUNKEN SF.T321 AC116 SF:T321 AC116 SF.T322 OC602S SF.T322 AC 106 SF.T322 AC106 SF,T323 OC603 SF.T351 AC13I SF.T351 OC603 SE.T352 AC131 SFT352 OC604 SF.T352 AC116 SF.T352 OC6D3 SF.T353 OC604- SF.T353 ACI22 SF.T253 AC123 SF.T353 AC116 SF.T353 ACI50 SF.T353 OC612 SF.T306 OC612 » SF.T3O7 OG613 SF.T3O7 OC613 SF.T308 AF137 T358 AF105 Т35в AF136 . T358 OC614 T358 OC602< 5F.TI25 OC602s * SF.T13I 2С4
1 1 t fl 2SB54 TSHBA SF.T353 2SB18& • SF.T322 JSB189 SF.T323 2SB200 * SF.T130 2SB202 • SF.T131 25Д282 SF.T306 25А277 » SF.T306 2SA283 9 SF.T307 2SA284 9 SF.T308 2SA50 9 SF.T308 ' 2SA23fi 2SA73 9 9 SF.T308 SF.T317 2SA?48 9 SF.T319 2SA248 9 SF.T320 2SA58 9 T316 2SA74 9 T354 2SA92 T354 2SA2Z3 A T354 2SA93 • T354 2SA3I4 9 T354 2SAI75 9 T358 2SB26 9 . SF.T213 2SB26 SF.T214 . 2SB123 • T238 1 2SB122 • T250 2N4O4 SYLVANIA SF.T306 2N414 • SF.T306 2N416 * SF.T306 2N425 • SF.T306 2N426 • SF.T306 2N396 SF.1307 2N484 9 SF.T307 2N397 SF.T3O8 2N427 SF.T308 2N428 SF.T308 2Ы45Й SF.T308 2N602 SF.T308 3H602 Я SF.T317 №644 SF.T317 1*155 V SF.T213 207
1 9 a 2N255 SYLVANIA SF.T213 2N256 SF.T2I3 2N257 SF.T2I3 2N301 SF.T213 2N307 SF.T213 2N235A SF.T214 2N235B SF.T214 2N236A SF.T2I4 2N236B ‘ SF1T2JA 2N404 RCA | 2N578 2N579 «' 1 2N580 2N582 2N584 2N1300 1 2NI301 r. ’ isl?7 2N644 208
В Лики иа библиотек! во радноелектроиика са м- стьпеви ньпроси от следиите области на слаботоковата техника: радвоиамервателиата тех- ника ралиоприемна н радиопре- давателна техника телеаизшяиа техника телефония и телеграф» техника елейроакустика и звуко запис жична радиофикация електромедицина елемеити на радноелектрон ните апаратури Квижките от библиотека ш раниоелектроника са написав от добра специалиста с дъл гбгоДибша практика. Предна вИаченИ са за работнишпе ш ремонта н поддържаието н слдббпмювите апаратури, ра диолюбителите, учащите се техни1фвм*е'<« политехниче ските училища и др.
КНИЖКА 6 Uj