/
Similar
Text
Рис. 4. Схема принципиальная элекг;. ::ская прибора П-321 РИ
Рис. 9. Схема маркировочная PB8.S20.070 Сх.
*с. 4. Схема принципиальная электр :еска'я прибора П-321 РИ2.700.006 С.хЭ.
Познц. обози. ГОСТ. ТУ. нормаль чертеж Наименование н тип Оснопн, данные, номинал К-во Примечание
I 2 3 4 5 6
Ri ГОСТ 7113-66 Резистор ОМЛТ-0,5-1,3 ком±10% 1,3 ком 1
R2 ГОСТ 7113-66 Резистор ОМЛТ-0,5-300 ом±5% 300 ом 1
R3 ГОСТ 7113 66 Резистор ОМЛТ-0.5-ЗДЗ ком ± 10% 3,6 ком 1
R4 ГОСТ 7113 66 Резистор ОМЛТ-О.5-1 ком-5% 1 ком 1
R5 ГОСТ 7113-66 Резистор ОМЛТ-ОЛ-510 ом±5% 510 ом 1
R6 ГОСТ 7113-66 Резистор ОМ Л Т-0 Л-510 ом-5% 510 ом 1
R7 ГОСТ 7113-66 Резистор ОМЛТ-О.5-6,2 ком±10% 6,2 ком 1
R8 ОЖО.467.062 ТУ Резистор ОМЛТ-0,5-510 ом±5% 510 ом 1
R9 ОЖО.467.062 ТУ Резистор ОМЛТ-ОЛ5Ю ом±5% 510 ом 1
RIO ГОСТ 7113-66 Резистор ОМЛТ-ОД-1,3 ком-10% 1,3 ком 1
RII ГОСТ 7113 66 Резистор ОМЛТ-0.5-200 ом±5% 200 ом 1
1 2 я 4 5 6
R12 ГОСТ 7113-66 РОЛиТ-Ог-Зи О*±5^ 510 ом 1
Р13 ГОСТ 711346 Р€5Н -Гф СМЛТ-ОЛ-510 <ж±591 510 ок 1
RM ГОСТ 7113 56 Ро'кчГ-05-2.7 «Ж±Ц)% 2.7 ком 1
R15 ГОСТ 711346 Pei-CTO? ОМЛТ-О-5-4.7 Ж0М±Ю% 4,7 ком 1
RI6- ГОСТ 6862-СТ H11O.D05.02S Резистор ВСО 25-27 <vm±:10’o 27 с» 1 Подбирается 27-41 ом
RI7 ОЖО +5Л5ЛЗ ТУ Поп ДИОМСТр ПП34МЭ0 гк 10% 330 ом 1
RI8 ГОСТ 711346 Резистор ОЛИГ-0-5.10 ю>м±10% 10 см !
R19 ГОСТ 7113 66 Резьстор ОМЛТД5-10 кои±Ю% 10 ком 1
R20 ОЖО 467.062 ТУ ₽БЛпЗмМИ2 ок 1% 612 ом 1
R2i* ГОСТ 71134', Резистор ОМ.ат оДд.2 ком±10% Л.2 КМ 1 Подбирается 6,8 22 ком
R22 ГОСТ 7113-06 Ре.» С!»;р О.МЛТЛЛ-82 ктс±Ю>1 82 ком 1
«23 ГОСТ 711345 Резистор ОМ ТГ оз-ш ом±ю% 4.0 он 1 •
1 2 3 < 5 6
R24 ГОСТ 7113-66 Резистор ОМЛТ4.5-2Л хом±1О% 2.4 ком 1
R25 ГОСТ 7113-56 Резистор ОМЛТ-О^-1.6 Ш>ИхЮ% 1.6 ком 1
R26 гост 7ИЗ-66 Резистор ОМЛТ-ОЛ-6Л ком±Ю% 6.3 кои 1
R27 ГОСТ 711346 Резистор ОМЛТ-ОД4ЭО 0М±Ю% 4ЭЭ ок 1
R28 ГОСТ 7113 56 Реткcrop ОМЛТ-05-ад IWK±IO1 3.5 юоы 1
R29 ожолетде ту Резистор Б. 1П 0.1-1895 ом 1% 189,5 ок 1
R30 ОЖО.467.062 ТУ Резистор БЛП-0Л О9.7 ом 1% 69.7 ои 1
R3I ожо «т«з ТУ Реаягстм ВЛП-ОЛ-25,7 ом 1% 25.7 ом 1
R32 ОЖО467.062 ТУ Реэиетоо БЛП-ОЛ-9.45 ОМ 1% 9,46 ом 1
R33 ожо 467.052 ТУ Pei и стар 5ЛПЛ.1Л476 ом 1% 3.476 ом 1
R34 ОЖО 16'052 ТУ Р^стгтоп БДП4М-2.<В нм 2.03 ом 1
R35- ГОСТ 7113-65 Резистор ОМЛТЮ.5-16 kom±W% 6 кои 1 Подбирается 15-?-16 ком
R36 ОЖО W8.503 ТУ Потеиакометр ППЭ-40-1Л КОМ 10% 1.5 ком 1
! 2 1 4 5 6
R37 ГОСТ 7113-66 1Ч»истр ОМЛТ 05-24 ком±10% 24 ком 1
R-J8 ГОСТ 7113-66 Ре тис: Ор ОМЛТДЫб комМО* 36 клм 1
R39 ГОСТ 7113-66 Рсшстор ОМЛ Т-05-4.7 ком-10* 4,7 кои 1
R40 ГОСТ 7113 Об Релис top ОМЯТ 05-8.2 ком—10% 6.2 ».ом 1
R41 ГОСТ 7113-06 Реактор ОМЛ'ГАб-П KOM1-WC 11 сом 1
R42- ГОСТ Л13-66 PtMCTOp ОМЛТ'4X5-510 ом±10% 510 ом 1 Подбирается .510; 62) ом
R43* ГОСТ 7113-66 Ре мс юр ОМЯТ 05-20 кии ±10% 20 ком 1 Подбирается 1^—30 ком
R44 ГОСТ 7113 66 PcilHCTOp ОМ Л Г 05-430 ком ±10% Л 430 ком 1
R45 IOCT 7113-66 Ремстор ОМЯТ 05 2 ком_10% 2 ком 1
R46 ГОСТ 7113 66 Рынстир ОМЯТ Аб-16 КОМ 10% 18 Ким 1
R«7* ГОСТ 7113 66 Резистор ОМ НТ-05-1.3 ком-Ю% 1.3 ком 1 Пплбирзетси 1-1,3 ком
R4S ГОСТ 6562А7 НП0006Л2Е PriKllDp ВС-0.25-27 ом МО % 27 ом
1 2 3 4 5 6
R49 ГОСТ 7113 66 Регистр 560 ом
ОМЛТ W5-56O ом±10% 1
R50 ГОСТ 7113-66 PciMCTOp 0МЛТД5-П кам ’10% 11 ком 1
R5I ГОСТ 7113 66 Резистор ОМ Л Т-05-3.6 ком х Ю % 3.6 ком 1
R52 ГОСТ 7113-66 Регистр ОМЛТ 0.5 10 ком±Ю% 10 ком 1
R53 ГОСТ 7113 66 Резистор ОМЛ Т-055.1 ком -10 % 5.1 кии 1 Похбнрастся
R54- ГОСТ G562-67 Ре? истup 27-<’51 ом
НП0.005.025 BC-0JJ5 33 ом 10% 33 ои Допускдекя 1тамять
игралдельно
R55 ОЖО.46&503 ТУ Потенциометр ППЗ-40-68 им 10% 68 ом 1 27-5! ом
R56 ОЖО.467Л52 ТУ Резистор ।
R57 ОЖО.46’ 062 ТУ БЛ11-0.1-735 ом 1% 73.а им 1
Резистор БЛП-0.1-735 ом 1% 73,6 ом 1
R58 ОЖО.467.062 ТУ Резистор 575.4 им
ВЛ ПА1-575.4 ом 1% 1
R&9 ОЖО 467.062 ТУ Резистор 73,5 ом •
БЛП Д1-735 ом 1% 1
К 60 ОЖО.467Л62 ТУ Резистор 73.5 ом 1
БЛПД1-735 пи 1%
fe 1 R61 R62 R63 RM R65 R66 R67 R68 R<59 R"(l R71 R72 R’3 * 2 ОЖО.4в7.0й ТУ ГОСТ 711.1 w. ГОСТ TU3-66 ОЖО.467.062 ТУ ОЖО 467.062 ТУ ОЖО.467.062 ТУ ОЖО.467.062 ТУ ОЖО.467.062 ТУ ОЖО.467062 ТУ ГОСТ 71134В гост 71:з®> ГОСТ 7113-66 ожо 467.062 ТУ 3 Ptiiiv tup БЛПА1400 ом 1% Резистор ОМЛТ-ОД56 ком Ю% Р* ЛИЮ!) ОМЛТ-О.Ь 430 ком-10% Резистор БЛ11 0.1-575.4 ан 1% Резне юр БЛП О.1-575.4 ом 1% PcTlh'lnll БЛ И-0.1-73.5 i>m 1$. Роне тор . БЛПОЛ 73.5 ом 1% Pcimfto? ВДПОЛ'Ш ом 1% Резистор Г,Л 11(1,1 73 Д ом 1% Резистор ОМЛТА5-5Х» кои-10% Резистор ОМЛТД5-20 ком-10% Ргмсстор OM;ii 0,56.2 КОМ±10% Рет пс тор БЛПДЫМД см 1Ч> 4 6СО ом 56 хим 430 ком 575.4 пи 575,4 пи 73,5 ом 73.5 он 73,5 ом 73,5 ом 5.6 хон 20 ХОМ 6.2 ком 194.7 им 5 1 I 1 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 6 Соединены после ЮМТСЛЪНО
I R74 R75 R76 K7t R78 R79 Rtf) R8I R82 R83 RM R85 R86 о 3 1 ОЖО 407.062 ГУ ГОСТ 7113-06 ГОСТ 7113 66 гост ;из €ъ ОЖО 107.052 ТУ ожо <67 052 ТУ ОЖО467062 ТУ ОЖО.467Л62 ТУ ОЖО 467.062 ТУ ОЖО.467.ОЙ ТУ ОЖО 467 062 ТУ ОЖО 467062 ТУ ОЖО <67.062 ТУ л Резистор Б/П I-O.I-I94.7 ом 17 PC3IK.'liJJ ОМЛр0.5 >>д ком it";, Резистор O.XVn 0.5 910 им 10% Реллитор O.Vt ir-05-З ком !0% PCMU <О|1 БЛП Н.1 320.7 ОМ 14 P<‘MU-Vlp Ix’iliai-575.1 ом 1% Риънс <ip 1*ПГЬ0.ЬШ7 им 14 Ргчц< '<1р БЛП 0.1-529,2 ом С, Резнсгоо БЛ1141.1-300 ом 1% РезВДГОр БЛП-0 1-177 пн 1% Религ тпр БЛП-ОЛ-ЗОО лм 1Ъ Рели: up БЛПД1 529.2 сш 1% РсН'ХПф ЬЛП-0.МТ21 ом 1% 4 194.7 ОМ 9.1 ком 91П ем 3 ком 320.7 ом 575,4 им 320,7 он 529.2 ом ЗОИ им 177 ом 300 см 529.2 ом «72.1 о« 5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 б
I
* 3 [ < 5 6
R87 R88 R89 R90 R91 R92 R93 RM R95 R96 R97 ft 98 R99 ОЖО.467.062 ТУ ОЖО.467.062 ТУ ОЖО.467.062 ТУ ОЖО.467.062 ТУ ОЖО.467.062 ТУ ОЖО.467.062 ТУ ОЖО.467.062 ТУ ОЖО.467.062 ТУ ОЖО.467.062 ТУ ОЖО.467.062 ТУ ГОСТ 7113-66 ОЖО.467.062 ТУ ОЖО467 052 ТУ Резистор БЛ П ОЛ -78.4 ом IX Резистор БЛП-0.1 872.) ом 1% Резистор ВЛП-<М-1,437 ком 1% Рет ист vp БЛП-0.1Ч034 ом IX Реимстор БЛПДЫ.437 ком 1% Резистор БЛП-0.1 *2,37 ком |% Резистор БЛП ОЛ-300 civ |% Резистор БЛП-О.1 22.24 ом 1% Резистор БЛП-О.ЬЗОО см 1% Резистор ВДП-О.Ьад? ком IX Резистор МЛТ-05-1 ком±10% Рез ис тир БЛП-ОЛ-3.91 ком 1% Резистор БЛП-ОЛ- 12,75 ом 1% 78f чем К?2Л ом 1,437 ком 50.24 пм 1.437 ком 2.37 ком ЗОЭ ом 22.24 ом 303 ом 2.37 ком 1 ком 3.91 ком 12,75 ом 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
1 ' 2 1 4 3 1 в
R100 ОЖО.467.062 ТУ • Резистор БЛП-ОЛ-3,91 ком Г % 3.91 ком , 1
R10I* ГОСТ 7113 66 Реэмстпр МЛТ-ЛМ.2 ком—IC “о 8,2 ком 1 Подбирается 6.8 : 12 КОМ
RI02 ОЖО.467.062 ТУ РеэМСГОр БЛП4М 5.15 им ’Л| 5,18 ом 1
R103 ОЖО.467.062 ТУ Резистор БЛИЧМ-3.58 ОМ 1$ 8,5В ом 1
R104 ОЖ0.457.С62 ТУ Резистор БЛ П ОЛ 4,92 ом 1% 4,92 ом 1
С1 ОЖО.461.076 ТУ Конденсатор К70-7-А-1а-100з-3 ±0.5% Пф 0.3S мкф 1
С2* 0ЖО.462.<147 ТУ Конденсатор БМ-2-300 220(1 :10 0 2230 оф 1 Подбирается 1000.2200 пф
СЗ ОЖО.461076 ТУ Кяпделсжтор K7O-7-A-la-10te-IC4X№> ±0.5% Пф 0,1 миф 1
С4* ОЖО.462.047 ТУ Конденсатор БМ-2-Ж-1000 ЮЪ 1000 пф 1 Подбмйетс* 1000.2209 оф
С5 се* ОЖО.461.076 1У ГОСТ 11153-65 Кондспелгор КТО 7 A-U- 1038-34650 -05% Конденсатор СГМ-!-250<Б-ЗМ 10 S СГ.Ч 2 2S0 • 5-910 НО*: пф 0,01465 мкф 391 пф 910 пф 1 II1 Полбирстся 150 : 563 »ф ОД : 1!00|ф
* 1 2 3 4 1 5 6
Г.7 0ЖО. 161.076 ТУ Кондсмсатор К70 7.Д1ч-!(Юв AISCO иф 0.5% 0,'I.W» мкф 1
(»• 1 ГОСТ 11155-65 Кълдеисатир СГ.Ч-1 -2ГК1 Б -Ж) 10 ‘ СГМ 2 гМГБ-'ГО Е1Ч, CTM-3-50U Б . 1 «• -II» Ж1 п 910 п 1Э0П и ф г 1' Подбирается 160 : МО пф 620 1100 пф 1К<1.1500 пф
eg ОЖОШП7Г» ГУ Коплгм-ягир К70 7 Л1Л аЬ-1б4ГО । ф ±0.5% 0.01517 мкф I
CIO* ГОСТ Г15 •<« Коилеисатир сгм 1-2Гн;-ь- 1Г0 т. IAV2 25C Б Г,А) ЦР; сгм-за* Ь 1500 10 470 иф 620 пф 1500 пф 1' Illi 470-561 иф 620 C-JIO0 Пф 13М : 221X1 |ф
cd ГОСТ II155 « К« 'меислтг.р СГМ-4 250 1 0.01 -5% 0.01 мкф 1
Clfr Конденсатор СГМ З ГЮа-Б-яа» 1 1(1$. 220.1 лф 1 По-.Гм рлет я 1300 • 2200 .ф
спз ГОСТ 11155-65 Кинде ;сятпр (. ГМ -3-500 Б 430О_ ЮЪ 4300 иф 1
C!4* ГОСТ 11155-66 Коидсгкйтор ( ГМ Л2Г.0 Г. 4М :о . СГМ-2-250 Ь !*i(i— (Г, СГМ 3 ИО В-1500 10., 170 п< 910 Л» 15(Ю hi 1 I » 1' Подбирле ten 330 -560 пф 620 : 1 00 пф 1.Ю0 : 2200 иф
CJ6* * ГОСТ 11185-65 Конде пел тор СГ.4-1-250 Б 155 J0% 150 лф 1 1 1 (ОДбираегся 150.210 иф
I •* 2 3 4 5 6 —
с 16 <)/KO.bGl42 ТУ KulUA IL'dTXTp К503Г>..91-!О<‘ 100 м«Ф 1
СП ожолзпма tv Ко|!ДСИГД'П1р К50-ЗБ-251001 КХ» мкф 1
С1в ОЖО.464.1М2 ГУ Kuiut нсагор К50ЛБ-2. 1СП1 1000 мкф 1
С19 ОЖО 462023 ТУ Капдепсятир .МБГО 2 3Ю ; 11 1 мкф I
С20 0ЖО464.О43 ТУ Конденсатор К50 ЗБ 2» 2СО 2С<1 «кф 1
C2I ОЖО.4О2.023 ТУ Конденсатор МЫП?ЗК' . II 1 мкф 1
G22 ОЖС1.+..2ЛШ ТУ Конде 1СЛТОР МБГО2 160 2 II 2 мкф 1
С83 ОЖО 162.032 ТУ Канде нсатор МЬМ-160А111 0.1 мкф 1
С2! ОЖО4п2.02Э ТУ Конденснтар МБГО2Э00 I 11 1 мкф 1
(.25 ОЖО-162.023 ТУ лапдеисэтор МБГО-2 I.X12 П 2 мкф
С26 иЖО.4б2.ОГ ТУ Конде >1Са гор 5М2-200 3300 10: УЮй пф 1
С27- ОЖО462032 ГУ Каиде мел г ср МЬМ 1 H-О Сб II 0,05 мкф 1 ПбДбЯЭЗе СА ПОД 0.05: 0,1
ОЖО. 162<Н7 ТУ Коилсяслтор БМ 2 Ж'0.022 И' ., 0.022 мкф 1
, ОЖО 462017 ТУ
С28 ОЖО464.М2 ТУ
С29 | ОЖО.4в2.<М" ТУ
СЗО ОЖО.462.023 ТУ
С 31 ОЖО.464Л42 ТУ
С32 ОЖОЛ6Э.(Й2ТУ
С83’ ОЖО.462047 ТУ
С34 ОЖО 462.032 ТУ ОЖО.4Й.023 ТУ
С35 ОЖО.464.0-12 ТУ
сЗб ОЖО462023 ТУ
СЗГ ГОСТ 11155-Сб
4 5 6
Киндекатар 5М-2-150Д033 10% 0.033 нкф 1
Комдеисатор К5О-ЗБ-25 500 500 миф 1
Кокяеасатор БМ4-200-4700±10% 4700 нф 1
К онденсатор МВГО-2-160-2-11 2 мк<|| 1
Конденсатор К50 ЗБ-25-201 200 мкф 1
Конденсатор MLMltOXJ.l-l! 0.1 мкф 1
Конденсатор БМ-^150-ОЛЗЗ*10^ 0.033 мкф 1 Подбирается 0.033 -0.017 кмф
Конденсатор БМ-2 200-0022—!0fb 0.022 м*ф
Конденсатор МБМ 11ЙДС0 Н 005 миф
Конденса тор МБГО 2 -ltO-2-fl 2 мкф 1
Кгпденслгор К50ОБ-25-20П 200 мкф Г 1
Конденсатор ЧЫО МОО-1-lt » М1.’Ф 1
«••ндемслтор С ГМ-1-250 5 200-10!. 200 сф 1 Подбирается 160 : 330 пф
1 ' - 3 4 5 6
СЗб* ГОСТ ВД7160-70 Кочаеисатор КТ 2 М47 10% 3 Ю иф 1 Пбдбнраетеи !Д 10 12 пф
1.1 РИ 1 75455!) К|г.'>^ка ии^ук нзногти 1
L2 РИ4.7Б4Л8 KsiJlLXi НХДУХТНвЖ>СП1 1
ТР1 РИ4.731.255 Трансфер иг тер 1
ТР2 РИ4731Л6 Трансформатор 1
ТрЗ РИД 731.254 Трансформатор 1
Bl РБЗ 6ГО.0С9 Псрс&сючателъ 1
В2 НЕЭ4.610007 ТУ Держатель прелой ранителп 1
вз УСО.360.М9 ТУ Тумблер ТП1-2 )
D4 УС0.1Й004& ТУ Тумблер ТП1-2 1
BS РБЗ/ОО.ОП Переключатель 1
Кб РБ3.6000Ю Переключатель !
В7 Ь СО 360.549 ТУ Тумблер 7П1-2 1
ИИ ТУ25 О4 254 67 Мяк роамиер метр и-100 мк; кл 1.5 1
Д1 ТРЗ 215 108 ТУ-2 Диод герма^.^ый Д7Б )
Д2 ТРЗ 215 К8 ТУ-2 Днид гермаьиеамй Д7Б 1
дз 1P3.2I5 IC8 ТУ-2 Дяид хермл. исэый Д7Б 1
Д4 ТРЗЛ15 10ft ТУ-2 Диод германиевый Д7Б 1
дз ЩТ3.362.0О2 Т>' Диод гермаииеэдА Д1& 1 1
1 1 3 4 5 G
Л6 Д7 Д8 nni ПП2 ППЗ ПП4 ПП5 I1II6 ПП7 Пр Ш1 Ш2 ШГЗЛ2.002 ТУ П1Т3.362.002 ТУ IUT3J62.002 ТУ СБО.336.007 ТУ: С Б0 336 007 T.V1 СИ330М12 ТУ СЕО 336 007 ТУ! С. 60.336.СОТ ТУ1 CbO.336.CV7 ТУ] СБ0.3ЛЛ07 ТУ) HH0.48L017 ГЕО.Ж200 ТУ ГЕОЭМ.126 1У Р116.672.06? Диод герхшеаый Л18 Диод термаяквый Д18 Диод германиевый Д18 Триод геэмантыА МП 14В Триод гермажиеамА МП 14Б Триод ггрмтпсепыЛ П214 Триод ггрмамиои-й МП 116 Триод гермаииеэый МП 14Б Триод германиевый МП НЬ Триод германнсиий МП )4Ь Предохранитель ПМ 0.15 Вика 2РМ22 Б10Ш1В1 Колодка 1 1 1 1 1 ! ! 1 1 1 1 1 1
Рис. 5 Схема марки?*:речная РБ8820070 Сл.
Рис. 6. Схема маркирован яя РБ&В20.С70 •’>
Зод 5
Рис Cxeza .;;р пропиная РВ$5Э)070 Сх.
8идД
3JI П> 5Д
Э-И5НИ
34 да
вид Е
&
цц;
□ Got
SHSAB
ПчкчМР
(ЕНЮТ
Е) (Ш
I 7
в эа Расположение быбодоб
триодоб пт, пп2, ппз-пт
/- эн оттер
2' коллектор
з 'база
С 23
Cl?
ГОЗ
of
о
о
© о ©[5"
о
о
о
CS5
сю
С 9
с?
С5
сз
J© Э Ф ф
о
о
о
ос
Ко
о
о
о
022
о
о
/40 О О
?Ю о О
U 1Я
70 О О О
л—Til.
rpf I
Iwai
1ин1
Рис. “. CxiMi маркировочная РБ8-820.070 Сх